バッキングプレート上に、酸化物半導体からなるターゲット部材を、低融点ハンダにより複数接合して形成された分割スパッタリングターゲットにおいて、接合されたターゲット部材の間に形成された間隙に、バッキングプレート表面を覆う低融点ハンダが存在していることを特徴とする分割スパッタリングターゲット。低融点ハンダは、接合の際の低融点ハンダを間隙に残存させたものである請求項1に記載の分割スパッタリングターゲット。低融点ハンダの間隙内の厚みは、ターゲット部材間に形成された間隙深さの10~70である請求項1または請求項2に記載の分割スパッタリングターゲット。酸化物半導体は、In、Zn、Gaのいずれか一種以上を含む酸化物からなる請求項1~請求項3いずれかに記載の分割スパッタリングターゲット。酸化物半導体は、Sn、Ti、Ba、Ca、Zn、Mg、Ge、Y、La、Al、Si、Gaのいずれか一種以上を含む酸化物からなる請求項1~請求項3いずれかに記載の分割スパッタリングターゲット。酸化物半導体は、Cu、Al、Ga、Inのいずれか一種以上を含む酸化物からなる請求項1~請求項3いずれかに記載の分割スパッタリングターゲット。バッキングプレート上に、酸化物半導体からなるターゲット部材を、低融点ハンダにより複数接合して形成される分割スパッタリングターゲットの製造方法において、バッキングプレート上に、ターゲット部材を低融点ハンダにより複数接合し、接合されたターゲット部材間に形成された間隙にある低融点ハンダを所定量の間隙深さとなるように除去することを特徴とする分割スパッタリングターゲットの製造方法。本発明は、以上のような事情を背景になされたものであり、大面積の酸化物半導体スパッタリングターゲットであって、複数の酸化物半導体ターゲット部材を接合して得られた分割スパッタリングターゲットにおいて、スパッタリングされることにより、バッキングプレートの構成材料が、形成する酸化物半導体の薄膜中に混入することを効果的に防止することができる、分割スパッタリングターゲットを提案することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明は、バッキングプレート上に、酸化物半導体からなるターゲット部材を、低融点ハンダにより複数接合して形成された分割スパッタリングターゲットにおいて、接合されたターゲット部材の間に形成された間隙に、バッキングプレート表面を覆う低融点ハンダが存在しているものとした。本発明では、バッキングプレートとターゲット部材とを接合する際に用いられる低融点ハンダを、意図的にターゲット部材間に形成された間隙に存在させることで、該間隙にはバッキングプレート表面が露出することが無く、バッキングプレートの構成材料がスパッタリングされることを効果的に防止することが可能となる。本発明において、間隙に存在させる低融点ハンダは、接合の際の低融点ハンダを間隙に残存させたものであることが好ましい。間隙の低融点ハンダは、間隙に低融点ハンダを充填することもできるが、接合の際の低融点ハンダを間隙に残存させたものにすると、従来の分割スパッタリングターゲットの製造工程を大きく変更することなく適用できるので、特に有効なものといえる。尚、間隙に存在する低融点ハンダは、スパッタリングされにくいことを考慮すると、金属状態よりも酸化物であることが好ましく、間隙に存在する低融点ハンダの最表面が酸化物になっている場合も好適である。本発明において、分割スパッタリングターゲットは板状、円筒状のものが対象となる。板状のスパッタリングターゲットは、板状バッキングプレート上に、方形面を有する板状のターゲット部材を複数平面配置して、接合したものが対象となる。また、円筒状のスパッタリングターゲットは、円筒状バッキングプレートに、円筒状ターゲット部材中空円柱を複数貫通させて、円筒状バッキングプレートの円柱軸方向に多段状に配置して接合したもの、或いは、中空円柱を円柱軸方向に縦割りした湾曲状ターゲット部材を、円筒状バッキングプレートの外側面へ、円周方向に複数並べて、接合したものが対象となる。この板状または円筒状の分割スパッタリングターゲットは、大面積のスパッタリング装置に多用されている。尚、本発明は、板状、円筒状の形状を対象としているが、他の形状の分割スパッタリングターゲットへの適用を妨げるものではなく、ターゲット部材についてもその形状に制限はない。本発明における低融点ハンダは、In、Sn、またはこれらを含む合金などを用いることができる。そして、低融点ハンダに含まれるCuの不純物濃度は、1質量以下であることが好ましい。例えば、不純物としてCuを1.5質量含むInハンダを用いた場合、このInハンダがスパッタリングされて成膜した薄膜中に混入すると、そのときに一緒に混入されたCuにより膜特性に悪影響を与えることになるからである。本発明における低融点ハンダの間隙内の厚みは、ターゲット部材間に形成された間隙深さの10~70であることが好ましい。間隙深さの10未満であると、バッキングプレートの構成材料のスパッタリングを抑制する効果が低下する傾向になり、70を超えると、スパッタリング時に低融点ハンダがスパッタされて成膜した薄膜中に混入する量が多くなり、膜特性に悪影響を与えることになる。この間隙深さは、ターゲット部材の端部の厚み、もしくは製造したスパッタリングターゲット全体における周辺部の端部厚みにより決定されるものであり、スパッタリングに使用する前の分割スパッタリングターゲットを製造した初期の間隙深さをいう。本発明において、酸化物半導体は、In、Zn、Gaのいずれか一種以上を含む酸化物からなることが好ましい。具体的には、IGZOIn-Ga-Zn-O、GZOGa-Zn-O、IZOIn-Zn-O、ZnOが挙げられる。また、本発明において、酸化物半導体は、Sn、Ti、Ba、Ca、Zn、Mg、Ge、Y、La、Al、Si、Gaのいずれか一種以上を含む酸化物からなることが好ましい。具体的には、Sn-Ba-O、Sn-Zn-O、Sn-Ti-O、Sn-Ca-O、Sn-Mg-O、Zn-Mg-O、Zn-Ge-O、Zn-Ca-O、Zn-Sn-Ge-O、または、これらの酸化物のGeをMg、Y、La、Al、Si、Gaに変更した酸化物が挙げられる。そして、本発明における酸化物半導体は、Cu、Al、Ga、Inのいずれか一種以上を含む酸化物からなることが好ましい。具体的にはCu2O、CuAlO2、CuGaO2、CuInO2が挙げられる。本発明の分割スパッタリングターゲットは、バッキングプレート上に、ターゲット部材を低融点ハンダにより複数接合し、接合されたターゲット部材間に形成された間隙にある低融点ハンダを所定量の間隙深さとなるように除去することにより製造できる。本発明の製造方法は、従来の製造工程を大きく変更することなく適用できるので、非常に効率的に実施できる。通常、バッキングプレート上に、ターゲット部材を低融点ハンダにより接合する場合、ターゲット部材間に形成される間隙に相当する位置に耐熱性材料のスペーサーを介在させ、間隙部分への低融点ハンダの侵入を防止するようにしているが、本発明においては、このようなスペーサーを介在させずに、低融点ハンダによる接合を行い、間隙間に侵入した低融点ハンダを所定量の間隙深さとなるように除去することで、本発明の分割スパッタリングターゲットを製造することができる。この低融点ハンダの除去は、低融点ハンダの凝固が完了する前に行うことが好ましい。本発明によれば、複数の酸化物半導体ターゲット部材を接合して得られた分割スパッタリングターゲットにおいて、スパッタリングされることにより、バッキングプレートの構成材料が、形成する酸化物半導体の薄膜中に混入することを効果的に防止することができる。以下、本発明における実施形態について、図面を参照しながら説明する。本実施形態の板状のスパッタリンターゲットは、図1に示すように、Cu製バッキングプレート10に、複数のターゲット部材20を配置して接合したものである。これらのターゲット部材同士の間には、0.1mm~1.0mmの間隙30が形成されている。6枚のターゲット部材は、InやSnの低融点ハンダを用いて、図1に示すように配置して接合される。この接合は、バッキングプレートとターゲット部材とをともに所定温度にまで加熱して、バッキングプレート表面に、溶融した低融点ハンダInやSnを塗布し、ターゲット部材をその低融点ハンダ上に配置し、室温まで冷却することにより行われる。図2に、本実施形態の分割スパッタリングターゲットの断面概略図を示す。バッキングプレート10とターゲット部材20とは、低融点ハンダ50により接合されている。また、間隙30には、低融点ハンダ50が残存した状態となっている。この低融点ハンダの残存させる方法は、ターゲット部材間に耐熱材料のスペーサーなどを介在させずに、バッキングプレート10とターゲット部材20とを低融点ハンダにより接合し、間隙に侵入した低融点ハンダ50を、低融点ハンダの凝固が完了する前に所定量の間隙深さとなるように除去することによって行うことができる。以下、具体的な実施例について説明する。製造した分割スパッタリングターゲットは、無酸素銅製のバッキングプレート厚み30mm、縦630mm、横710mmと、6枚のIGZO製ターゲット部材厚み6mm、縦210mm、横355mmとを接合して製造した。接合用の低融点ハンダはIn不純物Cu0.1質量含有を用いた。尚、ターゲット部材間の間隙は0.5mmとした。IGZO製ターゲット部材は、In2O3、Ga2O3、ZnOの各原料粉末を1mol:1mol:2molの比率で秤量し、20時間のボールミルによる混合処理をした。そして、バインダーとして4質量に希釈したポリビニルアルコール水溶液を、粉総量に対して8質量添加して混合した後、500kgf/cm2の圧力で成型した。その後、大気中1450°C、8時間の焼成処理をして板状の焼結体を得た。そして、この焼結体を平面研削機により両面を研磨して、厚み6mm、縦210mm、横355mmのIGZO製ターゲット部材を製造した。このようして作製した6枚のターゲット部材はInの低融点ハンダを用いて、図1に示すように配置して接合した。この接合は、バッキングプレートとターゲット部材とをともに200°Cまで加熱して、バッキングプレート表面に、溶融した低融点ハンダInを塗布し、ターゲット部材をその低融点ハンダ上に配置し、室温まで冷却することにより行った。この接合においては、ターゲット部材間に形成される間隙に相当する位置には耐熱性材料のスペーサーを介在させず、間隙部分へ低融点ハンダが侵入するようにして行った。そして、この間隙に侵入したInの低融点ハンダを、低融点ハンダの凝固が完了する前に所定量除去し、間隙深さ3.5mmバッキングプレート表面から残存した低融点ハンダ表面までの距離となるように低融点ハンダを間隙に存在させた。上記のようにして分割スパッタリングターゲットを作製し、スパッタ評価試験を行った。このスパッタ評価試験は、スパッタリング装置SMD-450B、アルバック社製を用い、無アルカリガラス基板日本電気硝子社製に厚み14μmのIGZO薄膜を成膜した。そして、この成膜した基板について、分割スパッタリングターゲットの間隙部分に相当する直上部を基板及び、間隙部分以外の基板を切り出した。切り出した基板について、原子吸光分析によりIGZO薄膜中のCuの混入量を測定してスパッタ評価を行った。尚、比較として、間隙部分に低融点ハンダのInが無く、Cu製バッキングプレート表面が露出した状態の分割スパッタリングターゲットについても同様にスパッタ評価試験を行った。その結果、間隙にInを残存させた場合は、IGZO薄膜へのCuの混入量は2ppm未満原子吸光分析の検出限界以下であった。これに対して、Inを残存させない場合は、IGZO薄膜へのCuの混入量は間隙部分で19ppmであった。