"I導体回路を有するプリント配線板上に感光性樹脂組成物からなる層を形成後、当該層に対して露光処理及び現像処理を施してパターンを形成する工程と、IIプリント配線板上に半導体素子を搭載する工程と、III半導体素子及び感光性樹脂組成物の少なくとも一部を覆うように、熱硬化性樹脂組成物からなる層を形成後、熱硬化する工程、IV熱硬化性樹脂組成物からなる層の表面を研削して感光性樹脂組成物のパターンを露出させる工程と、Vアルカリ処理によって感光性樹脂組成物のパターンを除去し、熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなり且つプリント配線板の表面にまで至る開口を有する層間絶縁層を形成する工程と、VI印刷法、または電解めっき法、またはボール搭載により開口内に導電性金属または樹脂を形成する工程と、を備える半導体装置の製造方法。前記IIIの工程における硬化温度が150~250°Cであり、且つ加熱時間が30~300分である請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記IIIの工程における熱硬化を不活性ガスの雰囲気で行う、請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。前記感光性樹脂組成物の層の厚さT1が、50~300μmである、請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。前記熱硬化性樹脂組成物の層の厚さT2が、50~300μmである、請求項1~4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。前記感光性樹脂組成物の層の厚さT1に対する前記熱硬化性樹脂組成物の層の厚さT2の比T2/T1が、1.0~2.0である、請求項1~5のいずれか一項に記載半導体装置の製造方法。前記熱硬化性樹脂組成物が有する最小直径の開口において当該開口の直径Rminに対する当該開口の深さDの比D/Rminが、0.1~1.0である、請求項1~6のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。請求項1~7のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法により得られる半導体装置。請求項1~7のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において使用される熱硬化性樹脂組成物であって、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドイミド樹脂及び熱硬化性ポリイミド樹脂からなる群より選択される少なくとも一種を含む樹脂組成物と、最大粒径が5μm以下であり且つ平均粒径が1μm以下である無機フィラーと、を含有する熱硬化性樹脂組成物。特許文献1~4に記載されている半導体装置は、レーザーを用いて熱硬化性樹脂材料にビアを設けるため、半導体装置のはんだボール径やピッチが狭小化した場合においても良好な装置間の接続を得ることができる。図8は、従来の半導体装置の製造方法を示す図である。図8eに示す半導体装置10Aは外部との電気的な信号のやり取りを行うためのビアを有する。半導体装置10Aは、半導体素子、半導体素子を実装するプリント配線板、半導体素子とプリント配線板の隙間に充填されるアンダーフィル材、半導体素子を封止する熱硬化性樹脂などで構成され、レーザー加工によってビアを適宜形成することによって得られる。半導体装置10Aは、まず、プリント配線板上に半導体素子を実装する図8a参照。次いで、半導体素子とプリント配線板の隙間にアンダーフィル材を充填し、必要に応じて硬化させる図8b参照。次いで、半導体素子を熱硬化性樹脂で封止し、必要に応じて硬化させる図8c参照。次いで、外部と電気的に接続することが必要な箇所を、YAGレーザーや炭酸ガスレーザー、更にはエキシマレーザーを用いてビアを形成し、プリント配線板上の電極を露出させる図8d参照。次いで、印刷法やボール搭載によって、ビア内にはんだを充填し、必要に応じて溶融させ、ビア内に均一にはんだを充填させることで半導体装置10Aを作製することができる図8e参照。このとき、はんだはプリント配線板の電極上に、予め供給されていても良い。このようにして得られた半導体装置10Aは、半導体装置上に、別の半導体装置を搭載することが可能となる。しかしながら、このような方法で製造された半導体装置10Aは、レーザー等の新規な設備導入が必要であること、レーザーの熱により熱硬化性樹脂が酸化するため、半導体装置上に別の半導体装置を搭載する際、フラックスの活性が阻害され、接続不良となりやすいこと、開口径に合わせて使用するレーザーを使い分ける必要があること、比較的大きな開口や特殊な開口を設けることが困難であること、ビア数の増加に伴ってビア形成に時間を要すること、等の問題があった。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、熱硬化性樹脂にビアを有し、且つ、優れた信頼性を有する半導体装置を充分に効率的に製造する方法を提供することを目的とする。また、本発明は、上記方法によって製造された半導体装置、並びに、半導体装置を製造するのに適した熱硬化性樹脂組成物を提供することを目的とする。本発明は、I導体回路を有するプリント配線板上に感光性樹脂組成物からなる層を形成後、当該層に対して露光処理及び現像処理を施してパターンを形成する工程と、IIプリント配線板上に半導体素子を搭載する工程と、III半導体素子及び感光性樹脂組成物の少なくとも一部を覆うように、熱硬化性樹脂組成物からなる層を形成後、熱硬化する工程と、IV熱硬化性樹脂組成物からなる層の表面を研削して感光性樹脂組成物のパターンを露出させる工程と、Vアルカリ処理によって感光性樹脂組成物のパターンを除去し、熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなり且つプリント配線板の表面にまで至る開口を有する層間絶縁層を形成する工程と、VI印刷法、または電解めっき法、またはボール搭載により開口内に導電性金属または樹脂を形成する工程と、を備える半導体装置の製造方法である。上記方法の特徴は、レジストとして機能する感光性樹脂組成物及び封止材料として機能する熱硬化性樹脂組成物のように、特性及び機能の異なる2種類の樹脂組成物と、アルカリ処理とを組み合わせることによって、アルカリ処理後に一括で封止材料にビアを形成するところにある。かかる方法によれば、図8に示したような、従来の半導体装置の製造方法と比較して、半導体装置を充分に効率的に形成できる。なお、本発明で半導体素子の封止に用いる熱硬化性樹脂は、粉状、ダブレット状、液状及びフィルム状のいずれも適用可能であり、半導体装置の製造に用いる装置に合わせて、選択することができる。上記方法において、上記IIIの工程における硬化温度が、150~250°Cであり、且つ加熱時間が30~300分であることが好ましい。また、上記IIIの工程における熱硬化を不活性ガスの雰囲気で行うことが好ましい。上記方法において、プリント配線板の導体回路上の感光性樹脂組成物からなる層の厚さT1が、50~300μmであることが好ましく、プリント配線板の導体回路上の熱硬化性樹脂組成物の層の厚さT2が、50~300μmであることが好ましい。また、感光性樹脂組成物の層の厚さT1に対する熱硬化性樹脂組成物の層の厚さT2の比T2/T1が、1.0~2.0であることが好ましい。熱硬化性樹脂組成物が有する最小直径の開口において当該開口の直径Rminに対する当該開口の深さDの比D/Rminが、0.1~1.0であることが好ましい。また、本発明は、上記のいずれかに記載の半導体装置の製造方法により得られる半導体装置である。また、本発明は、上記方法において使用される熱硬化性樹脂組成物であって、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドイミド樹脂及び熱硬化性ポリイミド樹脂からなる群より選択される少なくとも一種を含む樹脂組成物と、最大粒径が5μm以下であり且つ平均粒径が1μm以下である無機フィラーと、を含有する熱硬化性樹脂組成物を提供する。なお、ここでいう無機フィラーの最大粒径及び平均粒径は日機装株式会社製の動的光散乱式ナノトラック粒度分布計UPA-EX150日機装株式会社製又はレーザー回折散乱式マイクロトラック粒度分布計MT-3100日機装株式会社製を用いて測定した値を意味する。本発明によれば、熱硬化性樹脂にビアを有し、且つ、優れた信頼性を有する半導体装置を充分に効率的に製造できる。以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。ここでは、図1に示す態様から、図7に示す熱硬化性樹脂にビアを設けた半導体装置10を製造する方法について説明する。なお、本発明の半導体装置の製造方法は、薄型化が進むフリップチップ型の半導体素子を実装する形態において特に好適である。また、電気的な接続を数多く必要とする半導体装置で特に好適である。図を参照しながら、本発明の半導体装置の製造方法について説明する。プリント配線板2の表面に後述する感光性樹脂組成物からなる層3を形成し、マスクパターンを通して活性光線を照射することにより感光性樹脂組成物からなる層3の所定部分を露光し、露光部の感光性樹脂組成物からなる層を光硬化させるI工程の露光処理。活性光線の光源としては、公知の光源を用いることができるが、例えば、カーボンアーク灯、水銀蒸気アーク灯、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、キセノンランプ等の紫外線を有効に放射するものを使用できる。また、直接描画方式のダイレクトレーザ露光を用いてもよい。露光量は使用する装置や感光性樹脂組成物の組成によって異なるが、好ましくは10~600mJ/cm2であり、より好ましくは20~400mJ/cm2である。露光量が10mJ/cm2未満であると光硬化が不充分となりやすく、他方、600mJ/cm2を超えると光硬化が過剰となり感光性樹脂組成物からなる層3の形状を安定して得ることが困難となる傾向となる。次いで、現像により露光部以外の感光性樹脂組成物からなる層3を除去することで、図2に示すようにプリント配線板の表面に感光性樹脂組成物からなるパターン3aを形成するI工程の現像処理。感光性樹脂組成物からなるパターン3aは、後述のアルカリ処理によって除去され、熱硬化性樹脂組成物層5中の開口となる図6参照。このときに用いる現像液としては、例えば、20~50°Cの炭酸ナトリウムの希薄溶液1~5質量水溶液等のアルカリ現像液が用いられ、スプレー、揺動浸漬、ブラッシング及びスクラッピング等の公知の方法により現像する。これにより所定の感光性樹脂組成物からなるパターン3aが形成される。感光性樹脂組成物からなる層3の厚さT1は、好ましくは50~300μmである。感光性樹脂組成物からなる層3の厚さT1が、300μmを超えて厚い場合、微細なパターンを形成することが困難となる傾向がある。他方、感光性樹脂組成物からなる層3の厚さが、50μm未満の場合、半導体素子を薄く、かつ半導体素子とプリント配線板の隙間を狭くする必要があり、半導体装置を製造することが難しくなるという事情がある。感光性樹脂組成物からなる層3の厚さT1は、図2に示すとおり、電極4プリント配線板の導体回路上の感光性樹脂組成物からなる層3の厚さをいう。次いで、図3に示すとおり、半導体素子1を所定の箇所に搭載し、実装するII工程。半導体素子はフェイスアップでもフェイスダウンでも特に限定するものではないが、最近の高密度化や薄型化の観点から、フェイスダウンのフリップチップタイプが好ましい。フリップチップ実装は、フリップチップボンダを用いて行われる。必要に応じてフラックスを転写し、所定の荷重、温度で実装される。フリップチップボンダで接続する場合もあれば、その後のリフローで接続する場合もある。半導体素子を実装した後、必要に応じてフラックス洗浄が施される。必要に応じて乾燥処理を行い、半導体素子とプリント配線板の隙間にアンダーフィル材を充填し、熱硬化させる。次いで、図4に示すように、半導体素子とプリント配線板の表面電極4、及び感光性樹脂組成物のパターン3aを覆うように、後述する熱硬化性樹脂組成物からなる層5を形成するIII工程。熱硬化性樹脂組成物からなる層5を形成する工程では、粉状やタブレット状の場合はトランスファープレスによる成形、液状の場合は公知のスクリーン印刷、ロールコータによる塗布、フィルム状の場合は真空ラミネート等により貼り付ける工程を経ることにより、熱硬化性樹脂組成物からなる層5をプリント配線板上に形成させる。次いで、形成した熱硬化性樹脂組成物からなる層5を熱硬化させるIII工程。熱硬化性樹脂組成物としては、粉状、タブレット状、液状及びフィルム状のいずれも適用可能であり、半導体装置の製造に用いる装置に合わせて、選択することができる。熱硬化性樹脂組成物からなる層5T2は、好ましくは50~300μmである。熱硬化性樹脂組成物からなる層5の厚さT2が300μmを超えて厚い場合、微細なパターンを形成することが困難となる傾向がある。他方、熱硬化性樹脂組成物からなる層の厚さが、50μm未満の場合は、半導体素子を薄く、かつ半導体素子とプリント配線板の隙間を狭くする必要があり、半導体装置を製造することが難しくなるという事情がある。熱硬化性樹脂組成物からなる層5の厚さT2は、図4に示すとおり、電極4プリント配線板の導体回路上の熱硬化性樹脂組成物の層5の厚さをいう。また、感光性樹脂組成物からなる層3の厚さT1と熱硬化性樹脂組成物からなる層5の厚さT2は同じ厚さであることが好ましい。上記製造方法において感光性樹脂組成物の層3の厚さT1に対する熱硬化性樹脂組成物の層5の厚さT2の比T2T1は、1.0~2.0であり、好ましくは、1.0~1.5である。T2T1が1.0未満では、感光性樹脂組成物のパターン3aを熱硬化性樹脂組成物からなる層5で埋め込むことができないためである。逆に、T2T1が2.0を超えて大きい場合、感光性樹脂組成物の層3上の熱硬化性樹脂組成物からなる層5が厚くなり、その結果、熱硬化性樹脂組成物からなる層5が熱硬化してなる層に対してアルカリ処理や研磨による研削処理IV工程に時間が掛かるだけでなく、アルカリ液の劣化の原因となりやすい。熱硬化の処理では、熱硬化温度が150~250°Cであり、加熱時間硬化時間が30~300分であることが好ましい。また、より好ましくは硬化温度が160~200°Cであり、硬化時間が30~120分である。硬化温度が150°C未満、硬化時間が30分未満と短いと、熱硬化が不充分となり、その後の研削処理デスミア処理等で過研削及びはく離され易くなり熱硬化性樹脂のはく離の原因となる。一方、硬化温度が250°Cを超えて高く、硬化時間が300分を超えて長いと、酸化が進み、樹脂の劣化、及び導体回路の材料である銅界面で、はく離が発生し易くなるためである。熱硬化には、クリーンオーブンが一般的に用いられ、銅の酸化を抑制するため、窒素等の不活性ガスの雰囲気中で硬化を行うのが好ましい。次いで、図5に示すように、熱硬化処理後の熱硬化性樹脂組成物の層5の表面を研削して感光性樹脂組成物のパターン3aを露出させるIV工程。感光性樹脂組成物のパターン3aの露出は、後述のアルカリ処理によって実施してもよいし、熱硬化性樹脂組成物の層5が厚い場合には研磨機械研磨や化学機械研磨CMP等によって実施してもよい。研磨処理を実施する場合、具体的には、研磨機やバックグラインダー等の装置を用いて、紙や布等に研磨材を接着した研磨布紙やサンドペーパーで研削する。特に、研磨材は限定するものではないが、溶融アルミナ、炭化ケイ素等の人造研磨材やガーネットやエメリー等の天然研磨材が利用される。特に、砥粒の粒度は限定するものではないが、表面に傷が残らないように、最後には1500以上で研削するのが望ましい。更に、この研磨工程と後述のアルカリ処理は各々個別の装置で行っても良いし、これら工程を一連の工程として組み込んだ装置で行っても良い。また、研削は、感光性樹脂組成物のパターン3aを露出させるだけでなく、半導体素子の表面を露出させてもよい。半導体素子の表面を露出させた場合、放熱特性が向上するからである。研削処理によって感光性樹脂組成物のパターン3aを露出させた後、アルカリ処理によって感光性樹脂組成物のパターン3aをはく離及び除去し、図6に示すように、プリント配線板の表面にまで至る開口5hを有する熱硬化性樹脂組成物を形成するV工程。上記アルカリ処理は、例えば、過マンガン酸ナトリウム液、水酸化ナトリウム液、過マンガン酸カリウム液、クロム液、硫酸等の混合液に被処理基板を浸漬することによって実施できる。具体的には、熱湯や所定の膨潤液を用いて被処理基板を膨潤処理した後、過マンガン酸ナトリウム液等で残渣等を除去し、還元中和を行った後、水洗、湯洗、乾燥を行う。1回の処理を行っても充分な開口が形成されない場合は複数回処理を行ってもよい。なお、アルカリ処理は上記のものに限定されない。また、アルカリ処理後に、再度、熱硬化性樹脂の熱硬化を行ってもよい。用いる熱硬化性樹脂によっても効果は異なるが、熱硬化させることで、ガラス転移温度を上げることができるだけでなく、低熱膨張化を図ることができるからである。IVの熱硬化性樹脂組成物からなる層の表面を研削して感光性樹脂組成物のパターンを露出させる工程と、Vのアルカリ処理によって感光性樹脂組成物のパターンを除去し、開口を有する層間絶縁層を形成する工程とを連続して行うこともできる。アルカリ薬液を用いて、熱硬化性樹脂組成物からなる層の表面を研削エッチングし、さらに露出した感光性樹脂組成物のパターンを同じ薬液で除去することができ、この方法は、製造の効率化を図ることができるので好ましい。次いで、図7示すように、熱硬化性樹脂の開口部に導電材料を印刷法、電解めっき法、ボール搭載などにより形成するVI工程。上記導電材料は特に制限はないが、通常、共晶はんだや脱鉛はんだが使用される。必要に応じてはんだを溶融させることによって、半導体装置10を得ることができる。熱硬化性樹脂組成物層5が有するビアの開口の直径図5に示すRは、特に限定しないものの、熱硬化性樹脂組成物層5が有する最小直径の開口の直径Rminに対する当該開口の深さの比D/Rminは、好ましくは0.1~1.0であり、より好ましくは0.2~0.8である。D/Rminが0.1未満である場合、径の小さい開口部を設ける際に熱硬化性樹脂組成物層5を薄くできなくなるためである。逆に、D/Rminが1.0を超える場合、径の小さい開口部を設ける際に感光性樹脂組成物からなる層3がはく離せず、所定の開口部を設けることが困難であるためである。開口の形状は、円形状であるが、楕円形等であってもよい。なお、開口の形成が円以外の場合、直径Rは、円相当直径を用いればよい。上記の半導体装置10は微細化、高密度化、及び薄型化が進むフリップチップ型の半導体素子を実装する形態において特に好適である。また、電気的な接続を数多く必要とする半導体装置で特に好適である。次に、上述の半導体装置10の製造に用いられる感光性樹脂組成物及び熱硬化性樹脂組成物について詳細に説明するが、本発明はこれらの樹脂組成に限定されるものではない。半導体装置10の製造に用いる感光性樹脂組成物は、特に限定するものではないが、以下のものが好適である。すなわち、感光性樹脂層の形成に好適な感光性樹脂組成物は、aバインダーポリマーと、bエチレン性不飽和結合を少なくとも1つ有する光重合性化合物と、c光重合開始剤と、を含有する、ことが好ましい。感光性樹脂組成物は、d無機フィラーを含まないことが好ましい。この場合、現像後の解像度が向上し、微細なパターンを形成でき、アルカリ処理デスミア処理ではく離した後の開口部側面が平滑になる傾向にある。上記aバインダーポリマー以下、便宜的にa成分という場合があるとしては、例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、エポキシ系樹脂、アミド系樹脂、アミドエポキシ系樹脂、アルキド系樹脂、及びフェノール系樹脂等が挙げられる。アルカリ現像性の観点からは、アクリル系樹脂が好ましい。これらは単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。aバインダーポリマーは、例えば、重合性単量体をラジカル重合させることにより製造することができる。上記重合性単量体としては、例えば、スチレン、ビニルトルエン、及びα-メチルスチレン等のα-位若しくは芳香族環において置換されている重合可能なスチレン誘導体、ジアセトンアクリルアミド等のアクリルアミド、アクリロニトリル及びビニル-n-ブチルエーテル等のビニルアルコールのエーテル類、メタアクリル酸アルキルエステル、メタアクリル酸ベンジルエステル、メタアクリル酸テトラヒドロフルフリルエステル、メタアクリル酸ジメチルアミノエチルエステル、メタアクリル酸ジエチルアミノエチルエステル、メタアクリル酸グリシジルエステル、2,2,2-トリフルオロエチルメタアクリレート、2,2,3,3-テトラフルオロプロピルメタアクリレート、メタアクリル酸、α-ブロモメタアクリル酸、α-クロルメタアクリル酸、β-フリルメタアクリル酸、β-スチリルメタアクリル酸、マレイン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸モノメチル、マレイン酸モノエチル、マレイン酸モノイソプロピル等のマレイン酸モノエステル、フマール酸、ケイ皮酸、α-シアノケイ皮酸、イタコン酸、クロトン酸、プロピオール酸等が挙げられる。これらは単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。なお、メタアクリルは、アクリル又は、それに対応するメタクリルを意味し、例えば、メタアクリル酸は、アクリル酸又は、それに対応するメタクリル酸を示す。また、aバインダーポリマーは、アルカリ現像性の見地から、カルボキシル基を含有させることが好ましく、例えば、カルボキシル基を有する重合性単量体とその他の重合性単量体をラジカル重合させることにより製造することができる。上記カルボキシル基を有する重合性単量体としては、メタアクリル酸が好ましく、中でもメタクリル酸がより好ましい。上記aバインダーポリマーのカルボキシル基含有量使用する全重合性単量体に対するカルボキシル基を有する重合性単量体の割合は、アルカリ現像性とアルカリ耐性のバランスの見地から、好ましくは12~50質量であり、より好ましくは12~40質量であり、更に好ましくは15~30質量であり、特に好ましくは15~25質量である。このカルボキシル基含有量が12質量未満では、アルカリ現像性が劣る傾向があり、50質量を超えるとアルカリ耐性が劣る傾向がある。aバインダーポリマーの重量平均分子量は、機械強度及びアルカリ現像性のバランスの見地から、好ましくは20,000~300,000であり、より好ましくは40,000~150,000であり、更に好ましくは50,000~120,000である。重量平均分子量が、20,000未満では耐現像液性が低下する傾向があり、300,000を超えると現像時間が長くなる傾向がある。なお、本実施形態において、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法により測定され、標準ポリスチレンを用いて作成した検量線により換算された値でとする。bエチレン性不飽和結合を少なくとも1つ有する光重合性化合物以下、便宜的にb成分というとしては、例えば、多価アルコールにα,β-不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物、ビスフェノールA系メタアクリレート化合物、グリシジル基含有化合物にα、β-不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物、ウレタン結合を有するメタアクリレート化合物等のウレタンモノマー、ノニルフェノキシオクタエチレンオキシメタアクリレートなどのノニルフェノキシポリエチレンオキシメタアクリレート、γ-クロロ-β-ヒドロキシプロピル-β ́-メタアクリロイルオキシエチル-o-フタレート、β-ヒドロキシエチル-β ́-メタアクリロイルオキシエチル-o-フタレート、β-ヒドロキシプロピル-β ́-メタアクリロイルオキシエチル-o-フタレート、メタアクリル酸アルキルエステル等が挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。上記c成分の光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、N,N ́-テトラメチル-4,4 ́-ジアミノベンゾフェノンミヒラーケトン、N,N ́-テトラエチル-4,4 ́-ジアミノベンゾフェノン、4-メトキシ-4 ́-ジメチルアミノベンゾフェノン、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルホリノフェニル-ブタノン-1、及び2-メチル-1-[4-メチルチオフェニル]-2-モルフォリノ-プロパノン-1等の芳香族ケトン、2-エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、2-tert-ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、1,2-ベンズアントラキノン、2,3-ベンズアントラキノン、2-フェニルアントラキノン、2,3-ジフェニルアントラキノン、1-クロロアントラキノン、2-メチルアントラキノン、1,4-ナフトキノン、9,10-フェナンタラキノン、2-メチル1,4-ナフトキノン、及び2,3-ジメチルアントラキノン等のキノン類、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、及びベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル化合物、ベンゾイン、メチルベンゾイン、及びエチルベンゾイン等のベンゾイン化合物、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、9,10-ジメトキシアントラセン、9,10-ジエトキシアントラセン、9,10-ジプロポキシアントラセン、9,10-ジブトキシアントラセン、及び9,10-ジペントキシアントラセン等の置換アントラセン類、2-o-クロロフェニル-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体、2-o-クロロフェニル-4,5-ジメトキシフェニルイミダゾール二量体、2-o-フルオロフェニル-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体、2-o-メトキシフェニル-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体、及び2-p-メトキシフェニル-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体等の2,4,5-トリアリールイミダゾール二量体、クマリン系化合物、オキサゾール系化合物、ピラゾリン系化合物等が挙げられる。ここで、2つの2,4,5-トリアリールイミダゾールのアリール基の置換基は同一で対称な化合物を与えてもよいし、相違して非対称な化合物を与えてもよい。また、ジエチルチオキサントンとジメチルアミノ安息香酸の組み合わせのように、チオキサントン系化合物と3級アミン化合物とを組み合わせてもよい。また、密着性及び感度のバランスの見地から、2,4,5-トリアリールイミダゾール二量体がより好ましい。これらは、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。上記aバインダーポリマーの含有量は、a成分及びb成分の総量100質量部に対して、好ましくは30~80質量部であり、より好ましくは40~75質量部であり、更に好ましくは50~70質量部である。a成分の含有量がこの範囲であると、感光性樹脂組成物の塗膜性及び光硬化物の強度がより良好となる。上記bエチレン性不飽和結合を少なくとも1つ有する光重合性化合物の含有量は、a成分及びb成分の総量100質量部に対して、好ましくは20~70質量部であり、より好ましくは25~60質量部であり、更に好ましくは30~50質量部である。b成分の含有量がこの範囲であると、感光性樹脂組成物の光感度及び塗膜性がより良好となる。上記c光重合開始剤の含有量は、a成分及びb成分の総量100質量部に対して、好ましくは0.01~30質量部であり、より好ましくは0.1~20質量部であり、更に好ましくは0.2~10質量部である。c成分の含有量がこの範囲であると、感光性樹脂組成物の光感度及び内部の光硬化性がより良好となる。感光性樹脂組成物は、d無機フィラーを充填しないフィラーレスであることが好ましいが、少量であれば充填しても構わない。d無機フィラーを少量充填することで、収縮量が小さくなるとともに、剛性が高くなり、厚さ寸法精度を向上させることができる。しかしながら、感光性樹脂組成物の総量100質量部に対して5質量部を超えて充填した場合、解像性が著しく低下するため、d無機フィラーを充填する場合は、充填量が感光性樹脂組成物の総量100質量部に対して5質量部以下とすることが好ましい。d無機フィラーとしては、例えば、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、粉状酸化珪素、無定形シリカ、タルク、クレー、焼成カオリン、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、雲母粉等の無機充填剤が使用できる。特に好ましくは、シリカフィラーで一次粒径のまま、凝集することなく樹脂中に分散させるために、シランカップリング剤を用いたものが望ましい。なお、感光性樹脂組成物に、d無機フィラーを含む場合は、最大粒径が5μm以下、好ましくは2μm以下であり、より好ましくは1μm以下である。また、d無機フィラーの平均粒径は、解像度の観点から、好ましくは300nm以下であり、より好ましくは100nm以下である。また、感光性樹脂組成物には、必要に応じて、マラカイトグリーン、ビクトリアピュアブルー、ブリリアントグリーン、及びメチルバイオレット等の染料、トリブロモフェニルスルホン、ロイコクリスタルバイオレット、ジフェニルアミン、ベンジルアミン、トリフェニルアミン、ジエチルアニリン、o-クロロアニリン及びターシャリブチルカテコール等の光発色剤、熱発色防止剤、p-トルエンスルホンアミド等の可塑剤、顔料、充填剤、消泡剤、難燃剤、密着性付与剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、イメージング剤、熱架橋剤、重合禁止剤等をa成分及びb成分の総量100質量部に対して各々0.01~20質量部含有することができる。これらは、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。感光性樹脂組成物には、必要に応じて、メタノール、エタノール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、トルエン、N,N-ジメチルホルムアミド、プロピレングリコールモノメチルエーテル等の溶剤又はこれらの混合溶剤に溶解して固形分30~60質量の溶液として塗布することができる。これらは、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。感光性樹脂組成物には、特に制限はないが、金属面、例えば、銅、銅系合金、ニッケル、クロム、鉄、ステンレス等の鉄系合金、好ましくは銅、銅系合金、鉄系合金の表面上に、液状レジストとして塗布して乾燥後、必要に応じて保護フィルムを被覆して用いるか、感光性エレメントの形態で用いられることが好ましい。感光性エレメントの形態とは、支持体と、該支持体上に上記感光性樹脂組成物の溶液を均一に塗布、乾燥して形成された感光性樹脂組成物層樹脂層とを備えるものであり、感光性樹脂組成物の層上にはそれを被覆する保護フィルムをさらに備えていてもよい。支持体としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン、及びポリエステル等の耐熱性及び耐溶剤性を有する重合体フィルム上に感光性樹脂組成物を塗布、乾燥することにより得られる。透明性の見地からは、ポリエチレンテレフタレートフィルムを用いることが好ましい。半導体装置10の製造に用いる熱硬化性樹脂組成物は、特に限定するものではないが、以下のものが好適である。すなわち、封止材料の形成に好適な熱硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドイミド樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂からなる群より選択される少なくとも一種を含む樹脂組成物と、最大粒径が5μm以下であり且つ平均粒径が1μm以下である無機フィラーと、を含むことが好ましい。エポキシ樹脂としては、分子内に1つ以上のグリシジル基を有するエポキシ樹脂が好ましい。無機フィラーの充填量は、好ましくは0~90質量の範囲、より好ましくは20~70質量の範囲、更に好ましくは30~60質量である。エポキシ樹脂は、2個以上のグリシジル基を持つエポキシ樹脂ならば、制限なく使用することができるが、好適には、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ノボラックフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールSジグリシジルエーテル等のビスフェノールS型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビキシレノールジグリシジルエーテル等のビキシレノール型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールAグリシジルエーテル等の水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、及び、それらの二塩基酸変性ジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂等であり、単独、又は2種以上組み合わせて用いることができる。市販のエポキシ樹脂としては、DIC株式会社製EXA47004官能ナフタレン型エポキシ樹脂、日本化薬株式会社製NC-7000ナフタレン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂等のナフタレン型エポキシ樹脂;日本化薬株式会社製EPPN-502Hトリスフェノールエポキシ樹脂等のフェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物トリスフェノール型エポキシ樹脂;DIC株式会社製エピクロンHP-7200Hジシクロペンタジエン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂等のジシクロペンタジエンアラルキル型エポキシ樹脂;日本化薬株式会社製NC-3000Hビフェニル骨格含有多官能固形エポキシ樹脂等のビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂;DIC株式会社製エピクロンN660、エピクロンN690、日本化薬株式会社製EOCN-104S等のノボラック型エポキシ樹脂;日産化学工業株式会社製TEPIC等のトリス2,3-エポキシプロピルイソシアヌレート、DIC株式会社製エピクロン860、エピクロン900-IM、エピクロンEXA―4816、エピクロンEXA-4822、旭チバ株式会社製アラルダイトAER280、東都化成株式会社製エポトートYD-134、ジャパンエポキシレジン株式会社製JER834、JER872、住友化学工業株式会社製ELA-134等のビスフェノールA型エポキシ樹脂;DIC株式会社エピクロンHP-4032等のナフタレン型エポキシ樹脂;DIC株式会社製エピクロンN-740等のフェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールとサリチルアルデヒドの縮合物のエポキシ樹脂;日本化薬株式会社製EPPN-500シリーズ等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は各々単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。上記エポキシ樹脂の中でも、銅との密着性や絶縁性、壁面平滑性に優れる点で、日本化薬株式会社製NC-3000Hビフェニル骨格含有多官能固形エポキシ樹脂等のビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂が好ましく、また、架橋密度が高く高Tgが得られる点で、日本化薬株式会社製EPPN-500シリーズトリフェニルメタン骨格を有するノボラック型エポキシ樹脂を用いることがより好ましい。上記エポキシ樹脂の含有量は、無機フィラー成分を除く樹脂成分100質量部に対して、30~90質量部であることが好ましく、40~80質量部であることがより好ましい。エポキシ樹脂と組み合わせる硬化剤としては、従来公知の各種エポキシ樹脂硬化剤もしくはエポキシ樹脂硬化促進剤を配合することができる。例えば、フェノール樹脂、イミダゾール化合物、酸無水物、脂肪族アミン、脂環族ポリアミン、芳香族ポリアミン、第3級アミン、ジシアンジアミド、グアニジン類、又はこれらのエポキシアダクトやマイクロカプセル化したもののほか、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム、テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物、DBUジアザビシクロウンデセンもしくはその誘導体等、硬化剤もしくは硬化促進剤の如何に拘らず、公知慣用のものを単独であるいは2種以上組み合わせて使用することができる。エポキシ樹脂の硬化を進行させれば特に限定されないが、具体的には、4,4 ́-ジアミノジフェニルスルフォン、4,4 ́-ビス4-アミノフェノキシビフェニル、2,2-ビス[4-4アミノフェノキシフェニル]プロパン、1,3-ビス4-アミノフェノキシベンゼン、1,4-ビス4-アミノフェノキシベンゼン、トリメチレンビス4-アミノベンゾエート、3,3 ́ジメチル-4,4 ́ジアミノビフェニル、2,2 ́-ジメチル-4,4 ́ジアミノビフェニル、4,4 ́-ジアミノジフェニルエーテル、3,4 ́-ジアミノジフェニルエーテル、ビス[44アミノフェノキシフェニル]スルフォン、ビス[4-3-アミノフェノキシフェニル]スルフォン、9,9 ́-ビス4アミノフェニルフルオレン、2,2-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]ヘキサフルオロプロパン等を例示でき、単独、又は2種以上組み合わせて用いることができる。本発明で用いる熱硬化性樹脂組成物は、分子構造中に少なくとも2個の不飽和N-置換マレイミド基を有するマレイミド化合物を含有することが好ましい。具体的には、例えば、N,N ́-エチレンビスマレイミド、N,N ́-ヘキサメチレンビスマレイミド、N,N ́-を用いた。コア基材の厚さは100μm、ソルダーレジストの厚さは25μmであった図1参照。<感光性樹脂組成物からなる層の形成>次いで、図2に示すように、感光性樹脂組成物としてドライフィルムレジスト日立化成工業株式会社PhotecH-7025をロールラミネーターで表面に貼着し、パターンを形成したフォトツールを密着させ、株式会社オーク製作所製EXM‐1201型露光機を使用して、50mJ/cm2のエネルギー量で露光を行った。次いで、30°Cの1質量炭酸ナトリウム水溶液で、90秒間スプレー現像を行い、感光性樹脂組成物のパターン3aを形成した図2参照。<半導体素子の実装とアンダーフィルの充填>次いで、図3に示すように、半導体素子サイズ:7.3×7.3mm、厚み:100μm、バンプ種:銅ポストSn-3.0Ag-0.5Cu、バンプピッチ:80μm、バンプ高さ:25μm、バンプ配置:ペリフェラルタイプを、プリント配線板の所定箇所に実装した。フラックスは無洗浄タイプのものを用いた。165°Cで2時間の乾燥処理を行った後、半導体素子とプリント配線板の隙間にアンダーフィル材日立化成工業株式会社製CEL-C-3730Sを充填し、165°Cで2時間の硬化を行った。<フィルム状熱硬化性樹脂組成物の製造>半導体装置の封止に使用する熱硬化性樹脂組成物として、以下に示すものを調製した。<熱硬化性樹脂組成物A>エポキシ樹脂として、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、製品名NC-3000H日本化薬株式会社製70質量部を用いた。硬化剤の合成実施例1:温度計、攪拌装置、還流冷却管付き水分定量器の付いた加熱及び冷却可能な容積2リットルの反応容器に、ビス4-アミノフェニルスルホン:26.40gと、2,2 ́-ビス[4-4-マレイミドフェノキシフェニル]プロパン:484.50gと、p-アミノ安息香酸:29.10g、及びジメチルアセトアミド:360.00gを入れ、140°Cで5時間反応させて分子主鎖中にスルホン基を有し、酸性置換基と不飽和N-置換マレイミド基を有する硬化剤A-1の溶液を得た。本硬化剤を30質量部配合した。無機フィラー成分としては、平均粒径が50nm、ビニルシランでシランカップリング処理したシリカフィラーを用いた。なお、無機フィラー成分は、樹脂分に対し、30質量になるように配合した。分散状態は、動的光散乱式ナノトラック粒度分布計UPA-EX150日機装株式会社製、及びレーザー回折散乱式マイクロトラック粒度分布計MT-3100日機装株式会社製を用いて測定し、最大粒径が1μm以下となっていることを確認した。<熱硬化性樹脂組成物B>エポキシ樹脂として、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、製品名NC-3000H日本化薬株式会社製70質量部を用いた。硬化剤の合成実施例2:ジアミン化合物としてワンダミンHMWHM4,4 ́-ジアミノジシクロヘキシルメタン、新日本理化株式会社製、商品名52.7g、反応性官能基を有するジアミンとして3,3 ́-ジヒドロキシ-4,4 ́-ジアミノビフェニル6g、トリカルボン酸無水物として無水トリメリット酸TMA108g及び非プロトン性極性溶媒としてN-メチル-2-ピロリドンNMP1281gを入れ、フラスコ内の温度を80°Cに設定して30分間撹拌した。撹拌終了後、水と共沸可能な芳香族炭化水素としてトルエン192gをさらに添加し、フラスコ内の温度を160°Cに昇温して2.5時間還流した。水分定量受器に理論量の水が貯留され、水の留出が見られなくなっていることを確認した後、水分定量受器中の水及びトルエンを除去しながら、フラスコ内の温度を180°Cまで上昇させて反応溶液中のトルエンを除去した。フラスコ内の溶液を60°Cまで冷却した後、長鎖炭化水素鎖骨格炭素原子数約50を有するジカルボン酸として水添α,ω-ポリブタジエンジカルボン酸CI-1000、日本曹達株式会社製、商品名309.5gを入れ、10分間撹拌した。撹拌終了後、ジイソシアネートとして4,4 ́-ジフェニルメタンジイソシアネートMDI119.7gを添加し、フラスコ内の温度を160°Cに上昇させて2時間反応させ、樹脂溶液を得た。このポリアミドイミド樹脂溶液の重量平均分子量Mwをゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したところ47000であった。ポリアミドイミド1分子あたりの平均反応性官能基数Nは4.4であった。本硬化剤を30質量部配合した。無機フィラー成分としては、熱硬化性樹脂組成物Aと同様のものを用いた。<熱硬化性樹脂組成物C>エポキシ樹脂として、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、製品名エピクロンN660DIC株式会社製70質量部を用いた。硬化剤として、フェノキシ樹脂YP-55新日鉄化学株式会社製25質量部、メラミン変性フェノールノボラック樹脂LA7054DIC株式会社製30質量部を用いた。無機フィラー成分としては、平均粒径が300nmの硫酸バリウムを樹脂分に対し、46質量になるように配合し、スターミルLMZアシザワファインテック株式会社製で、直径1.0mmのジルコニアビーズを用い、周速12m/sにて3時間分散して調整した。分散状態を、樹脂組成物Aと同様の方法で測定し、最大粒径が2μmであることを確認した。上述のように得た各熱硬化性樹脂組成物の溶液を支持層である16μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルムG2-16、帝人株式会社製、商品名上に均一に塗布することにより熱硬化性樹脂組成物層を形成した。その後、熱風対流式乾燥機を用いて熱硬化性樹脂組成物層を100°Cで約10分間乾燥することによって支持層上に熱硬化性樹脂組成物層を得た。熱硬化性樹脂組成物層の膜厚は100μm~200μmのものを準備した。次いで、フィルム状熱硬化性樹脂組成物に埃等が付着しないように、支持層と接している側とは反対側の表面上にポリエチレンフィルムNF-15、タマポリ株式会社製、商品名を保護フィルムとして貼り合わせ、フィルムタイプの熱硬化性樹脂組成物を得た。得られたフィルムタイプの熱硬化性樹脂組成物を用いて、プリント配線板上に熱硬化性樹脂組成物の層5を形成した図4参照。詳細には、まず、熱硬化性樹脂組成物A、B又はCからなるフィルムタイプの熱硬化性樹脂組成物の保護フィルムのみを剥がし、プリント配線板の表面半導体素子搭載面にフィルム状熱硬化性樹脂組成物を載置した。プレス式真空ラミネータMVLP-500、株式会社名機製作所製、商品名を用いてプリント配線板の表面にフィルム状熱硬化性樹脂組成物を積層した。プレス条件は、プレス熱板温度80°C、真空引き時間20秒、ラミネートプレス時間30秒、気圧4kPa以下、圧着圧力0.4MPaとした。次いで、クリーンオーブンで所定温度、所定時間で熱硬化して熱硬化性樹脂層を形成した。その後、表1に示す工程に沿って研削処理と感光性樹脂組成物のパターン除去の薬液処理デスミア処理を行うことで、熱硬化性樹脂組成物の層5を研削して感光性樹脂組成物のパターン3aを露出させると共に、感光性樹脂組成物のパターン3aをはく離及び除去し、熱硬化性樹脂組成物層5の一部を開口させた図5、図6参照。ジエチレングリコールとエチレングリコール系溶剤を含有したスウェリングディップセキュリガントPで膨潤させ、KMnO4とNaOH水溶液のコンセントレートコンパクトCPでエッチングによる研削と感光性樹脂組成物パターンの除去を行う。その後、開口したビア内にメタルマスクを用いて、はんだペーストを充填し、窒素雰囲気でリフロー装置を用いてリフロー処理することで、半導体装置10を得た図7参照。半導体装置10は、基板サイズが14mm×14mmであり外周部の各辺に直径100μm、150μm、200μm及び250μmのビアをそれぞれ設けた。熱硬化性樹脂組成物の埋め込み性については、以下の基準に基づいて評価した。○:空隙がなく埋め込みが良好なもの。×:開口部への埋め込みが不充分なもの。熱硬化性樹脂組成物の耐薬品性については、目視で確認して以下の基準に基づいて評価した。○:デスミア処理後に層間絶縁材熱硬化性樹脂組成物がはく離しないもの。×:デスミア処理後に層間絶縁材がはく離したもの。解像性開口性については、金属顕微鏡で観察して以下の基準に基づいて評価した。◎:直径100μm以下で開口できたもの。○:直径150μm以下で開口できたもの。△:直径200μm以下で開口できたもの。×:直径250μm以下で開口できたもの。××:直径250μm以下で開口できないもの。開口部の壁面平滑性については、電子顕微鏡で確認して以下の基準に基づいて評価した。○:壁面が平滑なもの。×:壁面にフィラーの欠落や段差があるもの。開口部の残渣除去性については、以下の基準に基づいて評価した。○:銅表面にドライフィルムレジストの残渣がなく、はく離及び除去できているもの。×:ドライフィルムレジストの残渣があるもの。結果を表4及び5に示す。用いた熱硬化性樹脂組成物A、B、Cにより、直径100~250μmで、高さが100~250μmの感光性樹脂組成物の平頂円錐台形円錐の埋め込み性は良好で、感光性樹脂組成物のパターンを露出させるため熱硬化性樹脂組成物の表面をアルカリ性の薬液で研削し、同じ工程で露出した感光性樹脂組成物のパターンを除去した後の耐薬品性では、プリント配線板と層間絶縁材となる熱硬化性樹脂組成物の間の密着性が維持され剥離などは生じなく良好であった。解像性は、用いた感光性樹脂組成物の厚みと同程度の解像性を示し、薄いほど高い解像性を示した。壁面平滑性は、無機フィラーの平均粒径、最大粒径に影響され、小さいものほど平滑となり、開口部の残渣除去性はいずれの実施例でも良好であった。本発明では、従来のレーザー等でのビア形成に必要な設備導入が不要で、レーザー熱による熱硬化性樹脂の酸化に起因する接続不良、加工時間の増大等がなく、一括でビア形成できる製造方法で、信頼性も向上する。本処理は半導体装置のビアに限定するものでなく、ソルダーレジストの開口プロセスやウェハレベルパッケージの再配線プロセス、ビルドアップ基板のビア形成等、開口部を設けるもの全てに適用することができる。"