"放射線源から射出された放射線を検出して画像データを生成する第1の放射線検出器と、前記第1の放射線検出器を透過した放射線を検出して画像データを生成する第2の放射線検出器と、前記第1の放射線検出器を駆動して動画撮影を実行させ、前記第2の放射線検出器を駆動して静止画撮影を実行させる制御部と、を備える放射線撮影装置。放射線源から射出された放射線を検出する照射検出用放射線検出器と、放射線源から射出された放射線パルスの線量を判定する線量判定部とを備え、前記制御部は、前記線量判定部により所定の閾値より小さい低線量パルスが検出された場合には、前記第1の放射線検出器を駆動して動画撮影を実行させ、前記線量判定部により前記閾値より大きい高線量パルスが検出された場合には、前記第2の放射線検出器を駆動して静止画撮影を実行させることを特徴とする請求項1に記載の放射線撮影装置。前記第1の放射線検出器は、前記第2の放射線検出器より画素部の配置密度が小さいことを特徴とする請求項1または2に記載の放射線撮影装置。前記第1の放射線検出器は、前記第2の放射線検出器より画素部の数が少ないことを特徴とする請求項1から3いずれか1項に記載の放射線撮影装置。前記第1の放射線検出器は、前記第2の放射線検出器よりフレームレートが高いことを特徴とする請求項1から4いずれか1項に記載の放射線撮影装置。前記第1の放射線検出器は、前記第2の放射線検出器より視野範囲が小さいことを特徴とする請求項1から5いずれか1項に記載の放射線撮影装置。第1の放射線検出器は、放射線により光を発生する発光部と、前記発光部の放射線入射側に配置されると共に、前記発光部により発生された光を検出する第1の光検出部とにより構成され、第2の放射線検出器は、前記発光部と、前記発光部の放射線入射側とは反対側に配置されると共に、前記発光部により発生された光を検出する第2の光検出部とにより構成されていることを特徴とする請求項1から6いずれか1項に記載の放射線撮影装置。前記発光部は、柱状結晶蛍光体を備え、前記柱状結晶蛍光体の先端部が前記第1の光検出部に対向していることを特徴とする請求項7に記載の放射線撮影装置。前記第1の光検出部は、前記発光部より面積が小さいことを特徴とする請求項7または8に記載の放射線撮影装置。前記第2の光検出部は、前記発光部より面積が小さく、前記発光部と前記第2の光検出部との間に、前記発光部から放出された光を前記第2の光検出部に集光するためのフレネルレンズを備えることを特徴とする請求項7から9のいずれか1項に記載の放射線撮影装置。前記第1の放射線検出器は、放射線により光を発生する第1の発光部と、前記第1の発光部の放射線入射側に配置されると共に、前記第1の発光部により発生された光を検出する第1の光検出部とにより構成され、前記第2の放射線検出器は、前記第1の発光部及び前記第1の光検出部を透過した放射線により光を発生する第2の発光部と、前記第2の発光部の放射線入射側とは反対側に配置されると共に、前記第2の発光部により発生された光を検出する第2の光検出部とにより構成されていることを特徴とする請求項1から6いずれか1項に記載の放射線撮影装置。前記第1の発光部と前記第2の発光部との一方が柱状結晶蛍光体を備え、他方がGOS蛍光体またはBaFX蛍光体を備えることを特徴とする請求項11に記載の放射線撮影装置。しかしながら、特許文献2,3に記載の構成では、動画撮影を行っている間に静止画撮影を行う場合には、第2の放射線検出器を放射線照射領域から退避させる機械的な動作が必要であるため、動画撮影中に迅速に静止画撮影を行うことができず、撮影好機を逃してしまう恐れがある。本発明の目的は、第1及び第2の放射線検出器を用い、動画撮影中に迅速に静止画撮影を行うことを可能とする放射線撮影装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の放射線撮影装置は、放射線源から射出された放射線を検出して画像データを生成する第1の放射線検出器と、前記第1の放射線検出器を透過した放射線を検出して画像データを生成する第2の放射線検出器と、前記第1の放射線検出器を駆動して動画撮影を実行させ、前記第2の放射線検出器を駆動して静止画撮影を実行させる制御部と、を備えるものである。放射線源から射出された放射線を検出する照射検出用放射線検出器と、放射線源から射出された放射線パルスの線量を判定する線量判定部とを備え、前記制御部は、前記線量判定部により所定の閾値より小さい低線量パルスが検出された場合には、前記第1の放射線検出器を駆動して動画撮影を実行させ、前記線量判定部により前記閾値より大きい高線量パルスが検出された場合には、前記第2の放射線検出器を駆動して静止画撮影を実行させることが好ましい。前記第1の放射線検出器は、前記第2の放射線検出器より画素部の配置密度が小さいことが好ましい。また、前記第1の放射線検出器は、前記第2の放射線検出器より画素部の数が少ないことが好ましい。前記第1の放射線検出器は、前記第2の放射線検出器よりフレームレートが高いことが好ましい。また、前記第1の放射線検出器は、前記第2の放射線検出器より視野範囲が小さいことが好ましい。第1の放射線検出器は、放射線により光を発生する発光部と、前記発光部の放射線入射側に配置されると共に、前記発光部により発生された光を検出する第1の光検出部とにより構成され、第2の放射線検出器は、前記発光部と、前記発光部の放射線入射側とは反対側に配置されると共に、前記発光部により発生された光を検出する第2の光検出部とにより構成されていることが好ましい。前記発光部は、柱状結晶蛍光体を備え、前記柱状結晶蛍光体の先端部が前記第1の光検出部に対向していることが好ましい。前記第1の光検出部は、前記発光部より面積が小さくてもよい。前記第2の光検出部は、前記発光部より面積が小さく、前記発光部と前記第2の光検出部との間に、前記発光部から放出された光を前記第2の光検出部に集光するためのフレネルレンズを備えることも好ましい。前記第1の放射線検出器は、放射線により光を発生する第1の発光部と、前記第1の発光部の放射線入射側に配置されると共に、前記第1の発光部により発生された光を検出する第1の光検出部とにより構成され、前記第2の放射線検出器は、前記第1の発光部及び前記第1の光検出部を透過した放射線により光を発生する第2の発光部と、前記第2の発光部の放射線入射側とは反対側に配置されると共に、前記第2の発光部により発生された光を検出する第2の光検出部とにより構成されていることも好ましい。この場合、前記第1の発光部と前記第2の発光部との一方が柱状結晶蛍光体を備え、他方がGOS蛍光体またはBaFX蛍光体を備えることが好ましい。本発明の放射線撮影装置によれば、放射線源から射出された放射線を検出して画像データを生成する第1の放射線検出器と、第1の放射線検出器を透過した放射線を検出して画像データを生成する第2の放射線検出器とを設け、第1の放射線検出器を動画撮影用、第2の放射線検出器を静止画撮影用として用いるので、動画撮影中に迅速に静止画撮影を行うことができる。図1において、放射線情報システムRIS:RadiologyInformationSystem10は、病院内の放射線科部門における診療予約や診断記録等の情報管理を行うためのシステムである。RIS10は、複数の端末装置11、RISサーバ12、病院内の各放射線撮影室或いは手術室に設置された放射線撮影システム13が、有線又は無線で病院内ネットワークNWに接続されることにより構成されている。端末装置11は、パーソナルコンピュータPC等であり、医師や放射線技師によって操作される。医師や放射線技師は、端末装置11を介して診断情報や施設予約の入力閲覧を行う。放射線画像の撮影依頼撮影予約も端末装置11を介して入力される。RISサーバ12は、RISデータベースDBを記憶する記憶部12Aを備えたコンピュータである。DBには、患者の属性情報患者の氏名、性別、生年月日、年齢、血液型、患者ID等や、病歴、受診歴、放射線画像撮影の履歴、過去に撮影した放射線画像のデータ等の患者に関する他の情報、個々の放射線撮影システム13の電子カセッテ15に関する情報識別番号、型式、サイズ、感度、使用可能な撮影部位、使用開始年月日、使用回数等が登録されている。RISサーバ12は、DBに登録されている情報に基づいて、RIS10全体を管理する処理例えば、各端末装置11からの撮影依頼を受け付け、各放射線撮影システム13の撮影スケジュールを管理する処理を行う。放射線撮影システム13は、RISサーバ12から指示された放射線画像の撮影を、医師や放射線技師の操作に従って行うシステムである。放射線撮影システム13は、放射線を発生する放射線発生装置14、患者を透過した放射線を検出し放射線画像を生成する電子カセッテ15、電子カセッテ15を充電するためのクレードル16、及び上記各機器の動作を制御するコンソール17を備えている。図2において、撮影室には、放射線発生装置14の放射線源140と、立位での放射線撮影を行う際に用いられる立位台20と、臥位での放射線撮影を行う際に用いられる臥位台21とが設置されている。立位台20の前方空間は、立位で放射線撮影を行う際の患者の撮影位置20Aである。臥位台21の上方空間は、臥位で放射線撮影を行う際の患者の撮影位置21Aである。立位台20には、電子カセッテ15を保持する保持部22が設けられている。立位で放射線画像の撮影を行う際には電子カセッテ15が保持部22に保持される。臥位で放射線画像の撮影を行う際には、臥位台21の収容部23に電子カセッテ15が載置される。また、撮影室には、1つの放射線源140によって立位及び臥位での放射線撮影を可能とするために支持移動機構24が設けられている。支持移動機構24は、放射線源140を、水平な軸回り矢印A方向に回動可能、鉛直方向矢印B方向に移動可能、かつ水平方向矢印C方向に移動可能に支持する。支持移動機構24は、放射線源140を水平な軸回りに回動させる駆動源と、放射線源140を鉛直方向に移動させる駆動源と、放射線源140を水平方向に移動させる駆動源何れも図示省略を備えている。支持移動機構24は、撮影条件情報で指定された撮影時姿勢に応じて、電子カセッテ15に対向する位置に放射線源140を移動させる。クレードル16には、電子カセッテ15を収納可能な収容部16Aが形成されている。電子カセッテ15は、非使用時には収容部16Aに収納され、この状態で内蔵バッテリの充電が行われる。放射線画像の撮影時には、電子カセッテ15は、放射線技師等によってクレードル16から取り出され、撮影姿勢が立位であれば立位台20の保持部22に保持され、撮影姿勢が臥位であれば臥位台21の収容部23に載置される。図3において、電子カセッテ15は、筐体30と、筐体30内に放射線の進行方向に沿って順に配置された照射検出用光検出部31、第1の光検出部32、発光部33、第2の光検出部34、及び基台35と、収納ケース36を備える。筐体30は、放射線透過性材料により形成され、全体形状が直方体状である。筐体30の天板30Aは、カーボン等の放射線低吸収材で形成され、患者の体を透過して照射された放射線を透過させる。筐体30のうち、天板30A以外の部分は、ABS樹脂等で形成されている。天板30Aには、複数個のLEDで構成され、電子カセッテ15の動作モード例えばレディ状態やデータ送信中等やバッテリの残容量等の動作状態を表示するための表示部37が設けられている。表示部37は、LED以外の発光素子や、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイ等の表示装置で構成してもよい。また、表示部37は、天板30A以外の部分に配置してもよい。収納ケース36は、天板30Aの長手方向一端側に沿って設けられている。収納ケース36は、マイクロコンピュータを含む各種の電子回路や、充電かつ着脱可能なバッテリ二次電池を収容する。照射検出用光検出部31、第1の光検出部32、第2の光検出部34を含む電子カセッテ15の各種電子回路は、バッテリから供給される電力によって動作する。これらの各種電子回路が放射線の照射に伴って損傷することを回避するため、収納ケース36の天板30A側には鉛板等の放射線遮蔽部材図示せずが設けられている。図4において、第1の光検出部32は、光電変換部321、薄膜トランジスタTFT:ThinFilmTransistor322、及びキャパシタ323を備えた画素部324を、絶縁性基板325にマトリクス状に複数形成することにより構成されている。絶縁性基板325と、TFT322及びキャパシタ323が形成された層とは、いわゆるTFTアクティブマトリクス基板以下、TFT基板という32Aを構成している。TFT322は、アモルファスシリコンにより形成されている。絶縁性基板325は、石英基板、ガラス基板、樹脂基板等の光透過性を有し、かつ放射線の吸収が少ない材料で形成されている。光電変換部321は、第1の電極321A及び第2の電極321Bと、これらの間に、配置された光電変換膜321Cとを備える。光電変換膜321Cは、アモルファスシリコンにより形成されており、放射線の照射を受けて発光部33から放出された光を吸収して電荷を発生する。光電変換部321は、PIN型またはMIS型のフォトダイオードを構成しており、TFT基板32A上に設けられている。TFT基板32A上には、光電変換部321を覆うように、窒化シリコンや酸化シリコン等により形成された平坦化層326が設けられている。平坦化層326は、放射線の入射側と反対側の面が平坦化されている。第2の光検出部34は、第1の光検出部32と同様な構成であり、光電変換部341、TFT342、及びキャパシタ343を備えた画素部344が、絶縁性基板345にマトリクス状に複数形成されている。光電変換部341は、第1の電極341A及び第2の電極341Bと、これらの間に配置された光電変換膜341Cとにより構成されている。また、光電変換部341を覆うように平坦化層346が設けられており、平坦化層346は、放射線の入射側の面が平坦化されている。絶縁性基板345と、TFT342及びキャパシタ343が形成された層とがTFT基板34Aを構成している。第2の光検出部34は、放射線の入射方向に対する各部の構成順序が、第1の光検出部32の各部の構成順序とは逆である。すなわち、第1の光検出部32の平坦化層326と、第2の光検出部34の平坦化層346とが対向しており、これらの間に発光部33が配置されている。第1の光検出部32の平坦化層326と発光部33とは、透光性を有する接着層327によって接着されている。同様に、第2の光検出部34の平坦化層346と発光部33とは、透光性を有する接着層347によって接着されている。また、第2の光検出部34の絶縁性基板345は、基台35に接着層348によって接着されている。第1の光検出部32の放射線入射側には、照射検出用光検出部31が形成されている。照射検出用光検出部31は、絶縁性基板325上に、配線層311、絶縁層312、光電変換部313、保護層314が順に形成されている。配線層311は、絶縁性基板315上に後述する配線73図7参照がパターニングされた層である。光電変換部313は、発光部33から放出され第1の光検出部32を透過した光を検出する素子であり、絶縁層312上にマトリクス状に複数形成されている。照射検出用光検出部31の厚みは、0.05mm程度である。光電変換部313は、第1の電極313A及び第2の電極313Bと、これらの間に配置された光電変換膜313Cとを備える。光電変換膜313Cは、有機光電変換材料で形成されている。光電変換膜313Cは、インクジェットヘッド等の液滴吐出ヘッドを用いて有機光電変換材料を第2の電極313B上に塗布することで形成される。図5において、発光部33は、蒸着基板331、シンチレータ332、及び防湿保護膜333により構成されている。蒸着基板331は、石英基板、ガラス基板、樹脂基板等の光透過性を有する基板である。シンチレータ332は、蒸着基板331上にタリウム活性化ヨウ化セシウムCsI:Tlを蒸着することにより形成されたものであり、非柱状結晶332Aと、この非柱状結晶332A上に立設した複数の柱状結晶332Bとにより形成されている。防湿保護膜333は、ポリパラキシリレン等の防湿性材料により形成されており、シンチレータ332の周囲を覆って封止している。なお、蒸着基板331を剥離して、シンチレータ332を第2の光検出部34に直接接合してもよい。さらには、シンチレータ332を第2の光検出部34上に直接蒸着してもよい。また、CsI:Tlに代えて、ナトリウム活性化ヨウ化セシウムCsI:Na等の蛍光体材料を用いてもよい。シンチレータ332は、柱状結晶332Bの先端部332Cが第1の光検出部32に対向するように配置されている。蒸着基板331は、接着剤等で第2の光検出部34に接合されている。複数の柱状結晶332Bは、互いに空隙GPを介して離間されている。各柱状結晶332Bの径は、数μm~10μm程度である。シンチレータ332は、放射線源140から射出され、患者、天板30A、照射検出用光検出部31、第1の光検出部32等を透過して発光部33に入射した放射線を吸収して光可視光を生成する。放射線は、第1の光検出部32の側からシンチレータ332に入射するため、シンチレータ332内での発光は、主に柱状結晶332Bの先端部332C側で生じる。シンチレータ332で発生した光は、柱状結晶332Bのライトガイド効果によって、第1の光検出部32及び第2の光検出部34に向かって進行する。第1の光検出部32に向かって進行した光は、先端部332Cから射出され、防湿保護膜333を透過して第1の光検出部32に入射し、第1の光検出部32の光電変換部321により検出される。また、第1の光検出部32に入射した光の一部は、第1の光検出部32を透過して照射検出用光検出部31に入射する。照射検出用光検出部31に入射した光は、光電変換部313により検出される。一方、第2の光検出部34に向かって進行した光は、非柱状結晶332Aに入射し、非柱状結晶332Aによって一部が反射されるが、大半は蒸着基板331を透過して第2の光検出部34に入射する。第2の光検出部34に入射した光は、光電変換部341により検出される。図6に示すように、発光部33と第1の光検出部32とにより、第1の放射線検出器40が構成されている。第1の放射線検出器40は、放射線の進行方向に沿って、第1の光検出部32、発光部33の順に配置されている。このような配置方式は、ISSIrradiationSideSampling型と呼ばれる。また、発光部33と第2の光検出部34とにより、第2の放射線検出器41が構成されている。第2の放射線検出器41は、放射線の進行方向に沿って、発光部33、第2の光検出部34の順に配置される。このような配置方式は、PSSPenetrationSideSampling型と呼ばれる。さらに、発光部33と照射検出用光検出部31とにより、ISS型の照射検出用放射線検出器42が構成されている。前述のように、発光部33のシンチレータ332内での発光は、第1の光検出部32の近傍で生じるため、第1の放射線検出器40は、放射線に対する感度が高い。第1の放射線検出器40は、動画撮影に用いられる。第2の放射線検出器41は、静止画撮影に用いられる。第1の放射線検出器40は、画素部324の配列ピッチが第2の放射線検出器42の画素部344の配列ピッチより大きく配置密度が小さく、画素部324の数有効画素数が少ないため、第2の放射線検出器42より高フレームレートで駆動される。照射検出用放射線検出器42は、放射線源140から電子カセッテ15に照射される放射線パルスの種別を検出するために用いられる。放射線源140は、動画撮影用の低線量パルスと、静止画撮影用の高線量パルスとを、撮影者の操作に従って射出する。図7において、第1の放射線検出器40の第1の光検出部32には、行方向に沿って延在され各TFT322をオン/オフさせるための複数本のゲート配線50と、行方向と交差する列方向に沿って延在され、キャパシタ323に蓄積された電荷をオン状態のTFT322を介して読み出すための複数本のデータ配線51が設けられている。ゲート配線50はゲート線ドライバ52に接続されており、データ配線51は信号処理部53に接続されている。被検体患者を透過した放射線被検体の画像情報を担持した放射線が電子カセッテ15に照射されると、発光部33からは、放射線の照射量に応じた光量の光が放出される。各画素部324の光電変換部321では、入射光量に応じた大きさの電荷が発生する。この電荷がキャパシタ323に蓄積される。キャパシタ323に電荷が蓄積されると、TFT322は、ゲート線ドライバ52からゲート配線50を介して供給される信号により行単位で順にオンされる。TFT322がオンされた画素部324のキャパシタ323に蓄積されている電荷は、アナログの電気信号としてデータ配線51を伝送されて信号処理部53に入力される。このように、各画素部324のキャパシタ323に蓄積された電荷は行単位で順に読み出される。信号処理部53は、データ配線51毎に設けられた増幅器及びサンプルホールド回路を備えている。各データ配線51を伝送された電気信号は、増幅器で増幅された後、サンプルホールド回路に保持される。サンプルホールド回路の出力側には、マルチプレクサ、A/D変換器が順に接続されている。各サンプルホールド回路に保持された電気信号は、マルチプレクサにより選択され、A/D変換器によってデジタルの画像データに変換される。信号処理部53には、画像メモリ54が接続されており、信号処理部53のA/D変換器から出力された画像データは、画像メモリ54に記憶される。第2の放射線検出器41において、第2の光検出部34には、同様に、複数本のゲート配線60と、複数本のデータ配線61が設けられている。ゲート配線60はゲート線ドライバ62に接続されており、データ配線61は信号処理部63に接続されている。そして、信号処理部63には、画像メモリ64が接続されている。前述のように、第1の光検出部32は、画素部324の配置密度が小さいため、ゲート配線50及びデータ配線51の本数が、第2の光検出部34のゲート配線60及びデータ配線61の本数より少ない。また、第1の放射線検出器40は動画撮影用であるため、信号処理部53の増幅器のゲインは、第2の放射線検出器41における信号処理部63の増幅器のゲインより大きな値に設定されている。これ以外の第2の放射線検出器41の構成は、第1の放射線検出器40の構成と同一であるため、詳しい説明は省略する。画像メモリ54,64は、電子カセッテ15の全体の動作を制御するカセッテ制御部70と接続されている。カセッテ制御部70は、マイクロコンピュータを含んで構成されており、CPU70A、ROM及びRAMを含むメモリ70B、HDDHardDiskDriveやフラッシュメモリ等の不揮発性の記憶部70Cを備えている。カセッテ制御部70には、無線通信部71が接続されている。無線通信部71は、IEEEInstituteofElectricalandElectronicsEngineers802.11a/b/g/nに代表される無線LANLocalAreaNetwork規格に対応しており、無線通信による外部機器との間での各種情報の伝送を制御する。カセッテ制御部70は、無線通信部71を介してコンソール17と無線通信が可能とされており、コンソール17との間で各種情報の送受信が可能とされている。照射検出用放射線検出器42の照射検出用光検出部31には、光電変換部313と同数の配線73が設けられている。各光電変換部313は、互いに異なる配線73を介して信号検出部74に接続されている。信号検出部74は、各配線73に設けられた増幅器、サンプルホールド回路、及びA/D変換器を備えており、カセッテ制御部70及び線量判定部75と接続されている。信号検出部74は、カセッテ制御部70からの制御により、光電変換部313から配線73を介して伝送される信号のサンプリングを所定の周期で行い、サンプリングした信号をデジタルデータに変換して線量判定部75へ順次出力する。線量判定部75は、信号検出部74から入力されたデータに基づき、放射線源140から照射された放射線が、動画撮影用の低線量パルスであるか、静止画撮影用の高線量パルスであるかを判定する。この判定結果は、カセッテ制御部70へ出力される。電子カセッテ15には電源部77が設けられており、上述した各種電子回路と配線図示省略により接続されている。電源部77は、電子カセッテ15の可搬性を損なわないように、前述のバッテリ二次電池を内蔵しており、バッテリから各種電子回路へ電力を供給する。また、電源部77は、カセッテ制御部70に接続されている。カセッテ制御部70は、第1の放射線検出器40及び第2の放射線検出器41への電力の供給を選択的にオン/オフすることを可能とする。図8において、コンソール17は、コンピュータで構成され、装置全体の動作を制御するCPU170、制御プログラムを含む各種プログラム等が予め記憶されたROM171、各種データを一時的に記憶するRAM172、及び、各種データを記憶するHDD173を備え、これらはバス線BLを介して互いに接続されている。また、バス線BLには、通信I/F部174及び無線通信部175が接続され、ディスプレイ176がディスプレイドライバ177を介して接続されている。更に、バス線BLには、操作部178が操作入力検出部179を介して接続されている。通信I/F部174は、接続端子17A及び通信ケーブル78を介して、放射線発生装置14の接続端子14Aと接続されている。CPU170は、放射線発生装置14との間で、曝射条件等の各種情報の送受信を、通信I/F部174を介して行う。無線通信部175は、電子カセッテ15の無線通信部71と無線通信を行う。CPU170は、電子カセッテ15との間で、画像データ等の各種情報の送受信を、無線通信部175を介して行う。ディスプレイドライバ177は、ディスプレイ176に各種情報を表示させるための信号を生成出力する。CPU170は、ディスプレイドライバ177を介して操作メニューや撮影された放射線画像等をディスプレイ176に表示させる。操作部178は、キーボード等により構成され、各種情報や操作指示が入力される。操作入力検出部179は、操作部178に対する操作を検出し、検出結果をCPU170に送信する。また、操作入力検出部179には、放射線撮影室の床上に配置され、動画撮影と静止画撮影との切り替えを行うために、足で踏み込むことによってオン/オフ動作を行うフットスイッチ図示せずが接続されている。放射線発生装置14は、放射線源140と、コンソール17との間で曝射条件等の各種情報の送受信を行う通信I/F部141と、コンソール17から受信した曝射条件に基づいて放射線源140を制御する線源制御部142とを備えている。次に、RIS10の作用について説明する。放射線画像の撮影を行う場合、端末装置11は、医師又は放射線技師等の撮影者からの撮影依頼を受け付ける。当該撮影依頼では、撮影対象とする患者、撮影対象とする撮影部位が指定され、管電圧、管電流などが必要に応じて指定される。端末装置11は、受け付けた撮影依頼の内容をRISサーバ12に通知する。RISサーバ12は、端末装置11から通知された撮影依頼の内容を記憶部12Aに記憶する。コンソール17は、RISサーバ12にアクセスすることにより、撮影依頼の内容及び撮影対象とする患者の属性情報を取得し、撮影依頼の内容及び患者の属性情報をディスプレイ176に表示させる。撮影者は、ディスプレイ176に表示された撮影依頼の内容に基づいて、放射線画像の撮影を行うための準備作業を行う。例えば、臥位台21上に横臥した患者の患部の撮影を行う場合には、撮影部位に応じて臥位台21と患者との間に電子カセッテ15を配置する。撮影者は、上記の準備作業が完了すると、コンソール17の操作部178を介して準備作業の完了を通知する操作を行う。コンソール17は、この操作をトリガとして、電子カセッテ15の動作モードをレディ状態とする。電子カセッテ15は、レディ状態となると、カセッテ制御部70により照射検出用放射線検出器42及び線量判定部75が駆動され、放射線源140から照射される放射線パルス動画撮影用の低線量パルスまたは静止画撮影用の高線量パルスを検出するための待ち受け動作を開始する。コンソール17は、ディスプレイ176の表示を切り替えることで撮影可能状態になったことを撮影者へ通知する。この通知を確認した撮影者は、操作部178を介して撮影指示を行う。例えば、静止画撮影の場合には、コンソール17は、曝射開始を指示する指示信号を放射線発生装置14へ送信する。放射線発生装置14は、コンソール17から受信した曝射条件に応じた管電圧、管電流で放射線源140から静止画撮影用の高線量パルスを射出させる。電子カセッテ15のカセッテ制御部70は、照射検出用放射線検出器42及び線量判定部75により高線量パルスを検出すると、第2の放射線検出器41を駆動して撮影動作を行い、第2の放射線検出器41により得られた画像データを、無線通信部71を介してコンソール17に送信する。コンソール17では、入力された画像データは、静止画像としてディスプレイ176に表示される。循環器系の診断や処置を講ずる場合には、撮影者として数名の医師等がチームを組んで対処する。このチームは、患者の載置されている臥位台21の位置を調整したり、患者の撮影部位に合わせて放射線源140を回転させたりする操作を担当する補助的な役割を担う者と、透視像動画像を観察しながら患者に挿入するカテーテルやガイドワイヤを操作する医師とにより構成される。この医師は、カテーテルやガイドワイヤを操作するために両手が塞がっているため、前述のフットスイッチを用いて動画撮影、静止画撮影の切り替えを行う。動画撮影は、患者の位置決めや、病変部の探索に使用される。静止画撮影は、病変部のより鮮明な放射線画像を得るために使用される。次に、図9に示すタイミングチャートを用いて動画撮影中に行われる静止画撮影動作について説明する。動画撮影時には、放射線源140から動画撮影用の低線量パルスが所定の間隔で患者に向けて照射される。照射検出用放射線検出器42は、この低線量パルスの照射間隔より短い間隔で放射線のサンプリングを行っている。線量判定部75は、照射検出用放射線検出器42により検出される放射線の立ち上がり時の放射線量を、所定の閾値と比較し、当該閾値より放射線量が小さい場合には、低線量パルスと判定する。線量判定部75により低線量パルスが検出されると、カセッテ制御部70は、低線量パルスに同期して第1の放射線検出器40を駆動し、動画撮影動作MPを実行させる。この動画撮影動作MPでは、まず、ゲート線ドライバ52により全てのゲート配線50が一括選択されて全てのTFT322がオン状態となり、キャパシタ323に蓄積された電荷が破棄リセットされる。次に、全てのゲート配線50が非選択とされて全てのTFT322がオフ状態となり、キャパシタ323が電荷蓄積状態となる。光電変換部321により、患者の撮影部位を透過した放射線に応じた電荷が発生され、キャパシタ323に蓄積される。そして、低線量パルスの照射終了後、ゲート線ドライバ52によりゲート配線50が順次に駆動されることにより、キャパシタ323に蓄積された電荷が読み出され、信号処理部53により画像データが生成される。この動画撮影動作MPには、カセッテ制御部70は、電源部77から第2の放射線検出器41の各部への電源電圧の供給を停止し、オフ状態OFFとする。これにより、第1の放射線検出器40の読み出し動作への電源ノイズの影響が低減される。低線量パルスが検出されるたびに動画撮影動作MPが行われ、画像データが画像メモリ64から無線通信部71を介してコンソール17に順次に送信される。コンソール17では、入力された画像データは、動画像としてディスプレイ176に表示される。この動画撮影中に、フットスイッチ等の操作により静止画撮影指示がなされた場合には、放射線源140から静止画撮影用の高線量パルスが患者に向けて照射される。この高線量パルスの線量は、低線量パルスの100倍程度である。線量判定部75は、照射検出用放射線検出器42により検出される放射線の立ち上がり時の放射線量を、所定の閾値と比較し、当該閾値より放射線量が大きい場合には、高線量パルスと判定する。線量判定部75により高線量パルスが検出されると、カセッテ制御部70は、高線量パルスに同期して第2の放射線検出器41を駆動し、静止画撮影動作SPを実行させる。この静止画撮影動作SPは、上記の動画撮影動作MPと同様であり、第2の放射線検出器41により画像データが生成される。この画像データは、無線通信部71を介してコンソール17に送信され、コンソール17では、静止画像としてディスプレイ176に表示される。なお、この静止画像を、ディスプレイ176以外の別のディスプレイに表示してもよい。また、この静止画撮影動作SPには、カセッテ制御部70は、電源部77から第1の放射線検出器40の各部への電源電圧の供給を停止し、オフ状態OFFとする。これにより、第2の放射線検出器41の読み出し動作への電源ノイズの影響が低減される。以上のように、第2の放射線検出器41は、画素部344の配置密度が大きいため、高精細な静止画像が得られる。これに対して、第1の放射線検出器40は、画素部324の配置密度が小さく、画素部324の数が少ないため、高速駆動され、高フレームレートで動画像が生成される。また、第1の放射線検出器40と第2の放射線検出器41とは放射線の進行方向に積層され、第2の放射線検出器41は第1の放射線検出器40を透過した放射線を検出するように構成されているため、動画撮影から静止画撮影に切り替える際に、第2の放射線検出器41を移動させる必要はなく、迅速に静止画撮影を行うことができる。次に、電子カセッテの他の構成について説明する。図10に示す構成は、照射検出用光検出部31、発光部33、第2の光検出部34が上記実施形態と同一の構成であるが、第1の光検出部32が発光部33及び第2の光検出部34より小面積視野範囲が小さいである点が上記実施形態と異なる。この場合においても、第1の光検出部32は、画素部324の配列ピッチが第2の光検出部34の画素部344の配列ピッチより大きい配置密度が小さいことが好ましい。このような小面積の第1の光検出部32を用いた場合には、第1の光検出部32の形状特にエッジ部分が第2の光検出部34により得られる画像データに写り込んでしまう可能性があるが、この写り込みは固定パターンとなるため、信号処理部63または外部の画像処理装置図示せずにおいて固定パターンの補正処理を施すことにより、該写り込みを除去すればよい。図11に示す構成は、小面積の第1の光検出部32を複数個敷詰めて発光部33及び第2の光検出部34と同等の面積としたものである。この場合、第1の光検出部32により得られる放射線画像には、隣接する第1の光検出部32間に対応する隙間が生じてしまうが、この隙間部分には補間処理を施せばよい。この放射線画像は動画像として用いられるため、診断への影響は少ない。図12に示す構成は、第1の光検出部32及び第2の光検出部34を発光部33より小さく小面積とすると共に、第2の光検出部34と発光部33との間にフレネルレンズ80を配置したものである。発光部33から第2の光検出部34の方向へ放出される光は、フレネルレンズ80により集光され、第2の光検出部34に入射するため、第2の光検出部34は、発光部33と同等の視野範囲を検出することができる。この小面積の第2の光検出部34として、シリコン基板や、炭化シリコンSiC等のワイドギャップ半導体基板をベースとして構成されたCMOS型イメージセンサやCCD型イメージセンサを用いることが可能である。SiC基板は、シリコン基板より500倍程度放射線耐性に優れているため、SiC基板を用いることが好ましい。なお、この例において、第1の光検出部32を発光部33と同等の大きさとしてもよいことは言うまでもない。図13に示す構成は、放射線の進行方向に沿って、照射検出用光検出部31、第1の光検出部32、第1の発光部33A、第2の光検出部34、第2の発光部33Bを順に配置したものである。第1の発光部33A及び第2の発光部33Bは、前述の発光部33と同一の構成である。この構成では、第1の放射線検出器40と第2の放射線検出器41とは、いずれもISS型である。この場合、第1の発光部33Aの放射線入射側とは反対側の面に光反射層81Aを形成し、第2の発光部33Bの放射線入射側とは反対側の面に光反射層81Bを形成することが好ましい。光反射層81A,81Bは、アルミニウム等の金属膜により形成される。図14に示す構成は、放射線の進行方向に沿って、照射検出用光検出部31、第1の発光部33A、第1の光検出部32、第2の発光部33B、第2の光検出部34の順に配置したものである。この構成では、第1の放射線検出器40と第2の放射線検出器41とは、いずれもPSS型である。この場合、第1の発光部33Aの放射線入射側の面に光反射層81Aを形成し、第2の発光部33Bの放射線入射側の面に光反射層81Bを形成することが好ましい。図15に示す構成は、放射線の進行方向に沿って、照射検出用光検出部31、第1の光検出部32、第1の発光部33A、第2の発光部33B、第2の光検出部34を順に配置したものである。この構成は、図6に示す構成において、発光部33を第1の発光部33Aと第2の発光部33Bとで構成したものである。第1の放射線検出器40は、第1の発光部33Aと第1の光検出部32とで構成されたISS型放射線検出器であり、第2の放射線検出器41は、第2の発光部33Bと第2の光検出部34とで構成されたPSS型放射線検出器である。図13~図15に示す構成では、第1の発光部33Aと第2の発光部33Bとを、特性の異なる蛍光体で構成してもよい。例えば、第2の発光部33Bに、CsI:TlやCsI:Na等の柱状結晶構造を有する柱状結晶蛍光体を用い、第1の発光部33Aに、ハロゲン化バリウム系BaFXX=Br,Cl,I蛍光体を用いる。この場合、柱状結晶蛍光体の先端部を第2の光検出部34に対向させること好ましい。柱状結晶蛍光体は、分解能が高く高性能である反面、BaFX蛍光体に比べて高価であるため、高画質の撮影を必要とする静止画撮影用の第2の放射線検出器41の第2の発光部33Bに柱状結晶蛍光体を用い、高画質が必要とされない動画撮影用の第1の放射線検出器40の第1の発光部33AにBaFX蛍光体を用いている。これにより、所望される性能を犠牲とすることなくコストを削減することができる。また、柱状結晶蛍光体は、厚みが厚いほど耐衝撃性が劣化するが、本構成では柱状結晶蛍光体を薄くすることができるため、耐衝撃性が向上する。第1の発光部33Aは、BaFX蛍光体により、柱状結晶蛍光体を有する第2の発光部33Bより相対的に低いエネルギーの放射線X線を吸収する。この構成は、動画撮影と静止画撮影とで放射線源140の管電圧を変え、高コントラストの静止画像を得るために静止画撮影時の管電圧を高くする場合に有効である。また、図13~図15に示す構成において、第1の発光部33Aに酸化ガドリニウムGOS蛍光体を用い、第2の発光部33Bに柱状結晶蛍光体を用いてもよい。この場合、第1の発光部33Aは、GOS蛍光体により、柱状結晶蛍光体を有する第2の発光部33Bより相対的に高いエネルギーの放射線X線を吸収する。CsI等の柱状結晶蛍光体は、放射線の累積照射により感度が次第に低下するという特性を有するため、柱状結晶蛍光体の吸収エネルギーより高圧側の放射線を第1の発光部33Aで吸収することにより、第2の発光部33Bの感度低下が抑制される。図15に示す構成において、GOS蛍光体は、第1の光検出部32に、塗布または貼り合せを行うことにより形成される。柱状結晶蛍光体は、第2の光検出部34に、蒸着または貼り合せを行ことにより形成される。柱状結晶蛍光体の蒸着には、直接蒸着と間接蒸着とがある。間接蒸着とは、蒸着基板に柱状結晶蛍光体を蒸着し、柱状結晶蛍光体を第2の光検出部34に貼り合せた後、蒸着基板を剥離する方法である。柱状結晶蛍光体とGOS蛍光体との接合は、貼り合せ、または両者を押し当てた状態でパウチ加工することにより行う。また、柱状結晶蛍光体を、GOS蛍光体上に直接蒸着または間接蒸着した後、柱状結晶蛍光体と第2の光検出部34とを貼り合せてもよい。図16に示す構成は、放射線の進行方向に沿って、照射検出用光検出部31、第1の光検出部32、第2の光検出部34、発光部33を順に配置したものである。この構成では、第1の放射線検出器40と第2の放射線検出器41とは、いずれもISS型である。この場合、発光部33の放射線入射側とは反対側の面に光反射層82を形成することが好ましい。また、上記実施形態では、第1の放射線検出器40において、第1の光検出部32の光電変換膜321Cをアモルファスシリコンによって構成しているが、光電変換膜321Cを、有機光電変換材料を含む材料で構成してもよい。この場合には、主に可視光域で高い吸収を示す吸収スペクトルが得られ、光電変換膜321Cではシンチレータ332から放出された光以外の電磁波の吸収が殆どない。これにより、放射線が光電変換膜321Cで吸収されることで発生するノイズが抑制される。また、有機光電変換材料からなる光電変換膜321Cは、インクジェットヘッド等の液滴吐出ヘッドを用いて有機光電変換材料をTFT基板32A上に付着させることで形成することができ、TFT基板32Aに含まれる絶縁性基板325には、耐熱性は要求されない。このため、絶縁性基板325をガラス以外の材質とすることができる。光電変換膜321Cを有機光電変換材料で構成した場合、光電変換膜321Cで放射線が殆ど吸収されないので、第1の光検出部32を透過することによる放射線の減衰が抑制される。従って、光電変換膜321Cを有機光電変換材料で構成することは、第1の放射線検出器40がISS型である場合に好適である。光電変換膜321Cを構成する有機光電変換材料は、シンチレータ332から放出された光を最も効率良く吸収するために、その吸収ピーク波長が、シンチレータ332の発光ピーク波長と近いほど好ましい。有機光電変換材料の吸収ピーク波長とシンチレータ332の発光ピーク波長とが一致することが理想的であるが、双方の差が小さければシンチレータ332から放出された光を十分に吸収することが可能である。具体的には、有機光電変換材料の吸収ピーク波長と、シンチレータ332の発光ピーク波長との差が10nm以内であることが好ましく、5nm以内であることがより好ましい。このような条件を満たすことが可能な有機光電変換材料としては、キナクリドン系有機化合物やフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。キナクリドンの可視域における吸収ピーク波長は560nmであるため、有機光電変換材料としてキナクリドンを用い、シンチレータ332の材料としてCsI:Tlを用いれば、上記ピーク波長の差を5nm以内にすることが可能であり、シンチレータ332で発生する電荷量をほぼ最大にすることができる。光電変換膜321Cは、有機p型化合物または有機n型化合物を含有することが好ましい。有機p型化合物は、主に正孔輸送性有機化合物に代表されるドナー性有機半導体であり、電子を供与しやすい性質を有する。より詳しくは、有機p型化合物は、2つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物である。ドナー性有機半導体としては、電子供与性を有するものであれば如何なる有機化合物も使用可能である。有機n型化合物は、主に電子輸送性有機化合物に代表されるアクセプター性有機半導体であり、電子を受容し易い性質を有する。より詳しくは、有機n型化合物は、2つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物である。アクセプター性有機半導体としては、電子受容性を有するものであれば如何なる有機化合物も使用可能である。また、光電変換部321は、少なくとも電極321A,321Bと光電変換膜321Cとを含んでいればよいが、暗電流の増加を抑制するため、電子ブロッキング膜及び正孔ブロッキング膜の少なくとも何れかを設けることが好ましく、両方を設けることがより好ましい。また、TFT322の活性層としては、In、Ga及びZnのうちの少なくとも1つを含む非晶質酸化物例えば、In-O系が好ましく、In、Ga及びZnのうちの少なくとも2つを含む非晶質酸化物例えば、In-Zn-O系、In-Ga-O系、Ga-Zn-O系がより好ましく、In、Ga及びZnを含む非晶質酸化物が特に好ましい。In-Ga-Zn-O系非晶質酸化物としては、結晶状態における組成がInGaO3ZnOmmは6未満の自然数で表される非晶質酸化物が好ましく、特に、m=4であることがより好ましい。また、TFT322の活性層を有機半導体材料で形成してもよい。この場合、有機半導体材料としては、特開2009-212389号公報に記載されたフタロシアニン化合物や、ペンタセン、バナジルフタロシアニン等が挙げられる。TFT322の活性層を、非晶質酸化物や有機半導体材料によって形成すれば、X線等の放射線を吸収せず、或いは吸収したとしても極めて微量に留まるため、ノイズの発生が効果的に抑制される。また、TFT322の活性層をカーボンナノチューブで形成してもよい。この場合、TFT322のスイッチング速度が高速化する。また、TFT322における可視光域の光の吸収度合いを低下させることができる。なお、活性層をカーボンナノチューブで形成する場合、活性層にごく微量の金属性不純物が混入しただけでTFT322の性能が著しく低下するため、遠心分離等により非常に純度の高いカーボンナノチューブを分離抽出して活性層の形成に用いる必要がある。TFT322の活性層を構成する非晶質酸化物や有機半導体材料、光電変換膜321Cを構成する有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。従って、絶縁性基板325としては、石英基板、ガラス基板等の耐熱性の高い基板に限られず、合成樹脂製の可撓性基板、アラミド、バイオナノファイバを用いることができる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリクロロトリフルオロエチレン等の可撓性基板を用いることができる。このような合成樹脂製の可撓性基板を用いれば、軽量化を図ることもできる。なお、絶縁性基板325には、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、平坦性あるいは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を設けてもよい。また、バイオナノファイバは、バクテリア酢酸菌、AcetobacterXylinumが産出するセルロースミクロフィブリル束バクテリアセルロースと透明樹脂とを複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅50nmと可視光波長に対して1/10のサイズで、かつ、高強度、高弾性、低熱膨である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸硬化させることで、繊維を60~70も含有しながら、波長500nmで約90の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数3~7ppmを有し、鋼鉄並の強度460MPa、高弾性30GPaで、かつフレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて薄型化できる。なお、以上のように構成された第1の光検出部32と同様に第2の光検出部34を構成してもよい。また、上記実施形態では、第1の放射線検出器40、第2の放射線検出器41、照射検出用放射線検出器42は、いずれも放射線をシンチレータで光に変換し、この光を電荷に変換する間接変換型の放射線検出器であるが、アモルファスセレン等の光導電性層により放射線を電荷に直接変換する直接変換型の放射線検出器としてもよい。また、上記実施形態では、照射検出用光検出部31を、第1の光検出部32及び第2の光検出部34より放射線の上流側に配置しているが、これに代えて、照射検出用光検出部31を、第1の光検出部32及び第2の光検出部34より放射線の下流側に配置してもよい。さらには、照射検出用光検出部31を、第1の光検出部32または第2の光検出部34に組み込んでもよい。上記実施形態では、放射線撮影装置として電子カセッテを例示したが、電子カセッテに代えて、マンモグラフィ装置等の放射線検出装置にも本発明を適用可能である。"