SiCの表面からなる基板上にエピタキシ法によりグラフェンを製造するにあたり、基板3からのシリコンの昇華の過程がエピタキシャル反応器を通して不活性ガス10や不活性ガス以外のガス12の流れによって制御されることを特徴とする方法。不活性ガス10の流量が6lminから70lminまで、好ましくは18lminから26lminまで変化することを特徴とする請求項1に記載の方法。不活性ガス10の流量が6lminよりも低いことを特徴とする請求項1に記載の方法。最初は不活性ガス10流量が、6lminから70lmin、好ましくは18lminから26lminまで変化し、その後不活性ガス10の流量は6lminより低い値に低下させることを特徴とする前記請求項1~3のいずれかに記載の方法。エピタキシーに先立ち、1400°C~2000°C、好ましくは1400°C~1700°Cに変化する温度で、エッチングを行うことを特徴とする前記請求項1~4のいずれかに記載の方法。エッチングが10mbarから1000mbarまで、好ましくは50mbarから100mbarまで変化する圧力で行われることを特徴とする請求項5に記載の方法。エッチングが水素を含むガス雰囲気中で行われることを特徴とする請求項5または6に記載の方法。雰囲気がさらにプロパン、シラン、それらの混合物または他の炭化水素を含むことを特徴とする請求項7に記載の方法。エッチングが5lminから90lminまで、好ましくは70lminから90lminまで変化するガスの流量値において行われることを特徴とする請求項7または8に記載の方法。エッチングがシランを含む雰囲気中で行われ、シランガスの流量値が1mlminから100mlminまで、好ましくは5mlminから10mlminまで変化することを特徴とする請求項8に記載の方法。エッチングがプロパンガスを含む雰囲気中で行われ、プロパン12の流量が1mlminから100mlminまで、好ましくは5mlminから10mlminまで変化することを特徴とする請求項8に記載の方法。基板3がSiCの基板であって、次のポリタイプ、4HSiC、6HSiC、3CSiC、のいずれか一つを有することを特徴とする請求項のいずれかに記載の方法。エピタキシーがSiの極性を有する基板3の側で実行されることを特徴としている請求項12に記載の方法。前記不活性ガス10が希ガス、好ましくはアルゴンであることを特徴とする前記請求項1~13のいずれかに記載の方法。前記不活性ガス10がアルゴンであり、そのアルゴン10の圧力が104mbarから大気圧まで変化することを特徴とする請求項14に記載の方法。前記不活性ガス10がアルゴンであり、当該基板3がSiCの基板であり、1100°C以上の温度に保持され、そして反応器内でのアルゴン10の圧力と反応器を通ったアルゴン10の流速との積が停滞するアルゴン層が、シリコンの昇華9を防止し、当該基板3の表面上に作成されるように調整することを特徴とする前記請求項1~15のいずれかに記載の方法。前記請求項1~16のいずれかに記載の方法によって得られるグラフェン。本発明によれば、SiCの表面を含む基板上に、その気相成長法によってグラフェンを得る方法は、基板からシリコン昇華のプロセスがエピタキシャル反応器を介して不活性ガスまたはそれ以外のガスの流れによって制御されていることを特徴とする。より具体的には、SiC基板ウエハの表面上に流れる気体分子の線形速度で制御される。これは、単一の炭素層の堆積を可能にする。好ましくは、ガス流量は6リットル分70リットル分以上、さらに好ましくは18リットル分26リットルminにまで変化する。反応器を通って流れるガスの平均線速度は、3cmsよりも高いかまたはこの特定の反応器に特徴的な値よりも高い必要がある。他の好ましい実施形態では、ガス流量は、完全に基板からシリコンの昇華を防ぐ6リットル分より低い。反応器を通って流れるガスの平均線速度は、3cm秒またはこの特定の反応器のための値の特性より低くなる必要がある。本発明の一実施形態では、最初に不活性ガスの流量は、6リットル70リットル分の範囲で使用され、より好ましくは18リットル分26リットル分の範囲で使用され、基板からの制御されたシリコンの昇華の過程において、SiC基板の表面上にグラフェン核の形成を可能にする。その後、不活性ガスの流量を6lmin未満に減少させ、シリコンの昇華を防止し、得られた核上に気相エピタキシを行わせる。不活性ガス以外のガスを使用する場合は、昇華速度は、ウエハ表面上に出現する炭素層によってガスの反応速度を支配する必要がある。前述の流量、すなわち特定のエピタキシャル反応器、ドイツAixtron社製VP508システムで調整した。26リットルminのガス流量は、成長のプロセスに影響を与えずに増加させることができたが、これは上記デバイスの流量計の範囲の上限値である。異なるジオメトリを持つ反応器では、流量率が異なるので、当業者に周知の原則に従って実験的に選択される必要がある。量子現象を含め、反応器を通るガスの流れのシミュレーション結果を使用することもできる。実験的な検証が必要である。好ましくは、エピタキシー前に1400°Cから2000°Cまでの温度で、より好ましくは1400°Cから1700°Cまでの温度で基板エッチングを先行させる。本発明の好ましい実施形態では、エッチングは10mbarから1000mbarに、さらにより好ましくは、50mbarから100mbarの圧力で行われる。エッチングはまた、より高い圧力で行うことができるが、エピタキシーを実行するためにエッチング後に圧力を減少させる必要があるので、そうする必要はない。より高い圧力でのエッチングが高い品質となるということは見出されていない。好ましくは、エッチングは水素を含むガス雰囲気中で行われる。さらに好ましくは、雰囲気はさらにプロパン、シラン、それらの混合物または他の炭化水素に含むのがよい。好ましくは、エッチングは、3リットル分90リットル分、さらに好ましくは70リットル分90リットル分のガス流量で行われる。本発明によれば、エッチングが水素を含む雰囲気で行われる場合、使用される水素流量は70リットル分から90リットル分が好ましく、エッチングが、シランが含まれている雰囲気の中で実行されるという場合、使用するシランの流量は1mlminから100mlmin、好ましくは5mlminから10mlminで行われる。エッチングがプロパンを含む雰囲気で行われるという場合、使用されるプロパンの流量は1mlminから100mlmin、好ましくは5mlminから10mlminである。好ましくは、以下のポリタイプの一つを有するSiCの基板が使用される:4HSiC、6HSiCや3CSiC。好ましくは、エピタキシーは、Siの極性を有する基板の側で実行される。本発明の好ましい実施形態では不活性ガスは希ガスで、さらに好ましくはアルゴンである。不活性ガスがアルゴンである場合、好ましいアルゴンの圧力は104mbarから大気圧である。アルゴンは、本発明に係る方法では最適であり、残りの不活性ガスもエピタキシーに適しているが、実際には、高価格で、これらのガスおよび浄化装置の使用が制限的であるので、稀に使用されるに過ぎない。アルゴン以外の不活性ガスの使用は、アルゴンと違うガス分子質量のため、前述したように流量の変化を必要とする。プロセスパラメータが、エッチング上に炭素層の製造の過程を支配する場合は、水素などの非不活性ガスを、使用することができる。本発明の好ましい実施形態では、不活性ガスはアルゴン、SiCの基板を1100°C以上の温度に保持し、反応器を通って反応器内のアルゴンの圧力とアルゴンの流量の積は停滞するアルゴン層と十分に低い線速度で連続するアルゴン層とが、シリコンの昇華を防止しつつ、基板表面に形成され、SiC基板の表面からシリコン昇華をブロックするように調整される。また、本発明は、上記の方法で得られたグラフェンを含む。以下、本発明を、添付の図面を参照して、好ましい実施態様でより詳細に説明する。実施例1商用VP508反応器図1と、4HSiC、6HSiC又は3CSiCのポリタイプの市販炭化ケイ素で、方向0001または0001を有する基板を使用してCVDでグラフェンエピタキシーを実行した。Cree社USAおよびSiCrystal社ドイツなどのメーカーから入手可能な0から8度のオフカット角度を有する基板も採用された。基板の表面いわゆるエピレデイと呼ばれるは事前にメーカーによるSiCエピタキシーのために調製されている。さらに、適切なグラフェンが成長する前に、基板は、1600°C、100mbaにおいて水素及びプロパン又はシランの混合物でエピタキシャル反応器内でエッチングされた。水素流量は5-10mlminの範囲のプロパンシラン流量に対し、60リットル分であった。使用されるヒーターに応じて、基板のサイズは異なり、10mmx10mm大の正方形の試料から2または3インチから100mmの直径ウェーハに至る。アニールする場合は、反応器図2に入れたSiC基板3は、熱分解を表面からシリコン昇華を受ける。水素雰囲気中でアニールが行われる場合、表面に形成される炭素は、水素と反応してその結果として、連続してSiC層はエッチングされる。水素をアルゴンで交換するかまたは真空を使用すると、基板上に炭素層が形成される。続くSiCの原子層図3Aの熱分解に起因するものである。シリコン昇華効率が成長すると、温度の上昇と圧力の低下を伴う。炭素原子の適切な再構築の結果として、その後のグラフェンの層が表面に得られる。適用されるアルゴン10の流量は104mbarから大気圧まで変化する。基板3上のアルゴン分子の線速度が十分に高い場合は、流れるガスは昇華9を阻害しない。速度が臨界値以下に減少し、速度が反応器内の圧力およびLminで表現される反応器内の流量の積であると、アルゴンのいわゆる停滞層が基板3の表面上に作成される。基板3から始まる連続した層は、増加の速度で移動する。ガス層の、圧力と流量に依存する速度は、表面から周囲の雰囲気へのシリコン昇華を抑制する図3B。反応器の特定の形状においては、流量と圧力の積、停滞層の形成のプロセスの特性、基板から始まる連続する層のガス速度の減少は異なるものになるので、実験的に調整される。VP508反応器の場合には、アルゴン10の流量6lminと圧力100mbarが、完全に昇華9を阻害するために使用された。アルゴン10の流れを26リットル分VP508用に増加させる場合、停滞層の厚さは減少し、再びシリコン昇華9を可能にする図3Cその後のガスの層の速度は、最初の停滞層が基板3に接触することから始まり、増加する。そのため、アルゴン10の流量を調整して、それによってSiの昇華9を阻害するガス層を調整する昇華を開始停止するための典型的な速度よりも高いまたは低い速度の原子ガス層の数。それによって、昇華9の効率を調整するが、反応器内で最も効率的な温度と圧力から開始し、昇華9が完全にブロックされるまで、継続する。それは正確に制御された方法で昇華することによってグラフェン層を得ることができる方法である。図4は、トンネル顕微鏡の画像Aとラマン分光法Bによる測定の結果を示し、SiC表面上に薄いグラフェン層が得られたことを証明する。グラフェンの厚さは、エリプソメトリーによって決定した。7原子炭素の層であることが判明した。実施例2実施例1に記載の方法と同様にして行った。唯一の違いは100mbarの圧力と26リットル分のアルゴン流量で10秒または流量20リットル分で4分で、昇華は非常に短期間実行され、それにより、炭素11の小さなオブジェクト島:アイランドの成長は適切な短い時間内で昇華を開始することで、SiC基板3の表面に誘導された図3D。炭素の島11は、オプションで昇華によって得られた核として、その後のグラフェンの成長のために使用することができる。図5は、分離されたグラフェン島を示すトンネル顕微鏡像を示す。実施例3実施例1に記載の方法と同様にして行った。違いは低いアルゴン10の流量6リットル分、100mbarの圧力でエッチングした後、基板表面からシリコン昇華させないことである。グラフェンの成長は、CVDプロセスの結果として実行され、反応器に、プロパン12を2mlmin導入した図3E。このような条件の下でシリコン昇華は阻害されるが、プロパン12の分子は基板3の表面にガスをゆっくりシフトする層または停滞する層を介して基板3の表面に拡散する。その結果、制御された厚さのグラフェン層が昇華を受けていないSiC表面上に堆積される。コントロールは、反応器を通るプロパンの流れる時間と流量を調整することによって得られる。プロパン12を切断すると、堆積が終了する。グラフェンの成長を、0001および0001面を有するSiC基板3上で行った。得られたグラフェンは、昇華によって得られたグラフェンのそれと同様のパラメータによって特徴付けられるが、電荷キャリアの高い移動度を示す。エリプソメトリによって測定されたグラフェン厚さは1-100およびそれ以上の炭素原子層の範囲に制御することができる。実施例4手順は、実施例2に記載の方法と同様にして行った。違いは、分離されたグラフェンの島11を得た後、昇華はアルゴン10の流量を6リットル分に減少させて停止し、実施例3のCVDによるグラフェン成長を、前もって得られる島11をCVD法によって成長の核として使い、開始した。このケースでは、初期段階12原子層では、成長は横方向である。この方法は、取得したグラフェンの質を高めることを目的としている。にもかかわらず、現在利用可能な特性評価方法に基づくと、グラフェンの欠陥の低減に関する昇華核の影響を判断するのはまだ難しい状態にある。実施例5手順は、実施例2に記載の方法と同様にして行った。違いは、グラフェン堆積前に、SiC基板3上にSiCエピタキシーが表面形態の質を高めるために実行されたことである。グラフェンは、このように修正された基板上に堆積された。品質と優れた均一性の著しい向上が達成された。それにもかかわらず、この方法の主な利点は、グラフェン成長過程での基板3の品質の影響の顕著な減少である。高いプロセスの再現性が得られた。グラフェン品質はラマン測定の結果により確認された。ここでは炭素層とグラフェン成長の摂動に関連するDピーク欠陥の存在程度及び2次元ピークの安定性を観察することによって行われた。