真空ポンプでポンピングする反応副産物ガスの騒音を除去する半導体製造用真空ポンプのサイレンサーアセンブリであって、真空ポンプにおいて反応副産物ガスをポンピングするポンプ部の排出側に連結され、ポンピングした反応副産物ガスを後端部から先端部に通過させるサイレンサーと;前記サイレンサーの外周面を離隔して囲んで、サイレンサーとの間に加熱空間を設ける外管と;前記加熱空間に窒素ガスを供給する窒素ガス供給部と;前記加熱空間でサイレンサーの外周面に接触して加熱された窒素ガスを、前記サイレンサーの内部へ噴射する窒素ガス噴射部と、を含むサイレンサーアセンブリ。請求項1において、前記加熱空間には、前記サイレンサーの外周面を螺旋状に巻きつけ、窒素ガスの流れを案内するガイドワイヤがさらに備えられることを特徴とするサイレンサーアセンブリ。請求項1において、前記窒素ガス供給部は、窒素ガスを前記外管の先端部から供給し、前記窒素ガス噴射部は、加熱した窒素ガスを前記サイレンサーの後端部から噴射することを特徴とするサイレンサーアセンブリ。請求項3において、前記窒素ガス供給部は、前記外管の外周面に隣接する位置で、前記外管の後端部から先端部に至るまで長手方向に設けられる予備加熱管として備えられ、前記予備加熱管の窒素ガス流入口は、後端部に位置し、窒素ガスを前記外管の加熱空間に供給する窒素ガス流出口は、先端部に位置することを特徴とするサイレンサーアセンブリ。請求項3において、前記窒素ガス噴射部は、前記サイレンサーの後端部の外側を離隔して囲んで、前記加熱空間から加熱した窒素ガスが供給されるチャンバを形成する胴体と;前記チャンバの内部に流れ込んだ窒素ガスを、前記サイレンサーの内部へ噴射する噴射ノズルとを含むことを特徴とするサイレンサーアセンブリ。請求項3において、前記噴射ノズルの噴射孔は、前記サイレンサーの内周面から突出した位置で、反応副産物ガスの流れ方向に窒素を噴射するように形成されることを特徴とするサイレンサーアセンブリ。請求項1~請求項6のいずれか一項に記載のサイレンサーアセンブリを含む半導体製造用真空ポンプ。反応副産物ガスの固形化を防止するために噴射する窒素ガスの加熱方法であって、外部から供給される窒素ガスを真空ポンプのサイレンサーの外周面に接触させて加熱することを特徴とする窒素ガスの加熱方法。請求項8において、前記窒素ガスを、前記サイレンサーの外周面に沿って螺旋状に流れるように案内することを特徴とする窒素ガスの加熱方法。請求項8において、前記窒素ガスを、サイレンサーの外周面に接触させる前に予備加熱することを特徴とする窒素ガスの加熱方法。本発明は、上記のような従来の諸問題点を解決するためになされたものであって、本発明の目的は、サイレンサー自体の表面の高い温度を用いて窒素ガスを加熱し、これをサイレンサーの内部に供給することにより、反応副産物の固形化による目詰まりという問題点を解消しながら、別途の熱源の使用によるエネルギー費用を低減するようにした省エネルギー型のサイレンサーアセンブリ、これを備える半導体製造用真空ポンプ、及び窒素ガスの加熱方法を提供することにある。上記のような目的を達成するため、本発明の技術的思想による半導体製造用サイレンサーアセンブリは、真空ポンプでポンピングする反応副産物ガスの騒音を除去する半導体製造用真空ポンプのサイレンサーアセンブリであって、真空ポンプにおいて反応副産物ガスをポンピングするポンプ部の排出側に連結され、ポンピングした反応副産物ガスを後端部から先端部に通過させるサイレンサーと;前記サイレンサーの外周面を離隔して囲んで、サイレンサーとの間に加熱空間を設ける外管と;前記加熱空間に窒素ガスを供給する窒素ガス供給部と;前記加熱空間でサイレンサーの外周面に接触して加熱した窒素ガスを、前記サイレンサーの内部へ噴射する窒素ガス噴射部と、を含むことを技術的構成の特徴とする。ここで、前記加熱空間には、前記サイレンサーの外周面を螺旋状に巻きつけ、窒素ガスの流れを案内するガイドワイヤがさらに備えられることを特徴とする。また、前記窒素ガス供給部は、窒素ガスを前記外管の先端部から供給し、前記窒素ガス噴射部は、加熱した窒素ガスを前記サイレンサーの後端部から噴射することを特徴とする。さらに、前記窒素ガス供給部は、前記外管の外周面に隣接する位置で、前記外管の後端部から先端部に至るまで長手方向に設けられる予備加熱管として備えられ、前記予備加熱管の窒素ガス流入口は、後端部に位置し、窒素ガスを前記外管の加熱空間に供給する窒素ガス流出口は、先端部に位置することを特徴とする。また、前記窒素ガス噴射部は、前記サイレンサーの後端部の外側を離隔して囲んで、前記加熱空間から加熱した窒素ガスが供給されるチャンバを形成する胴体と;前記チャンバの内部に流れ込んだ窒素ガスを、前記サイレンサーの内部へ噴射する噴射ノズルとを含むことを特徴とする。さらに、前記噴射ノズルの噴射孔は、前記サイレンサーの内周面から突出した位置で、反応副産物ガスの流れ方向に噴射するように形成されることを特徴とする。なお、本発明による半導体製造用真空ポンプは、前記サイレンサーアセンブリを含むことを技術的構成の特徴とする。また、本発明による窒素ガスの加熱方法は、反応副産物ガスの固形化を防止するために噴射する窒素ガスの加熱方法であって、外部から供給される窒素ガスを真空ポンプのサイレンサーの外周面に接触させて加熱することを技術的構成の特徴とする。ここで、前記窒素ガスを、前記サイレンサーの外周面に沿って螺旋状に流れるように案内することを特徴とする。さらに、前記窒素ガスを、サイレンサーの外周面に接触させる前に予備加熱することを特徴とする。本発明によるサイレンサーアセンブリ、これを備える半導体製造用真空ポンプ、及び窒素ガスの加熱方法は、サイレンサー自体の表面の高い温度を用いて窒素ガスを加熱し、これをサイレンサーの内部に供給することにより、反応副産物の固形化による目詰まりという問題点を解消することができる。また、本発明は、サイレンサーを離隔して囲む外管を備える二重管の構造により、窒素ガスを、限られた空間に閉じ込め、サイレンサーの外周面の表面により効果的に接触させることができる。さらに、本発明は、ガイドワイヤを備えることにより、窒素ガスがサイレンサーの外周面の表面により広い接触面積でより長時間で接触することができる。また、本発明は、窒素ガスを予備的に加熱する予備加熱管を備え、冷たい窒素ガスが直ぐにサイレンサーの表面に接触しないようにすることにより、サイレンサーの内部を流れる反応副産物が固形化するおそれを解消する。以下、上記のような本発明の技術的思想による実施例を、添付図面を参照して具体的に説明する。本発明によるサイレンサーアセンブリは、半導体製造用真空ポンプに含まれ、高温状態のサイレンサーの外周面の表面温度を用い、反応副産物の固形化を防止するための窒素ガスを、別途の熱源を設けることなく加熱することができるように構成される。このような構成によると、窒素ガスを加熱するために必要となる熱源を別途設けなくてもよいので、多大なエネルギーを低減することができる。以下、本発明によるサイレンサーアセンブリの構成を説明する。図3は、本発明によるサイレンサーアセンブリの斜視図であり、図4は、本発明によるサイレンサーアセンブリの構成を説明する断面図である。図示したように、本発明によるサイレンサーアセンブリは、サイレンサー110を中心に、その外周面を離隔して囲んで加熱空間120aを形成させる外管120と、外部から窒素ガスを供給する窒素ガス供給部150となる予備加熱管130と、前記加熱空間120aにおいて窒素ガスの流れを案内するガイドワイヤ140と、前記加熱空間120aで加熱した窒素ガスを前記サイレンサー110の内部へ噴射する窒素ガス噴射部150とを含む。このような構成要素からなる本発明は、前記サイレンサー110と外管120とがなす二重管の構造により加熱空間120aを設け、その加熱空間120a内に窒素ガスを投入し、サイレンサー110の外周面に接触させることにより、窒素ガスを高温に加熱することを核心的な技術とする。以下、上記構成要素を中心に、本発明について詳述する。先ず、前記サイレンサー110は、真空ポンプにおいて反応副産物ガスをポンピングするポンプ部の排出側に連結され、ポンピングした反応副産物ガスを後端部から先端部に通過させる。また、前記外管120は、前記サイレンサー110の外周面を離隔して囲んで、サイレンサー110との間に加熱空間120aを設ける。これにより、前記サイレンサー110と外管120とによって前記加熱空間120aを有する二重管の構造が形成され、前記加熱空間120aに投入した窒素ガスが、前記サイレンサー110の外周面の表面と接触する。このとき、既知のように、真空ポンプ内において相当高い温度を帯びているサイレンサー110により、サイレンサー110の外周面に接触する窒素ガスが自然に高温に加熱される。前記窒素ガス供給部150である予備加熱管130は、前述のように、前記加熱空間120aに窒素ガスを供給する役割を行う。そのため、予備加熱管130は、前記外管120の外周面に隣接する位置で、前記外管120の後端部から先端部に至るまで前記外管120の長手方向に沿って設けられる。ここで、前記予備加熱管130の窒素ガス流入口131は、後端部に位置し、窒素ガスを前記外管120の加熱空間120aに供給する窒素ガス流出口133は、先端部に位置する。このような予備加熱管130の構成によれば、外部から供給される窒素ガスが前記加熱空間120aに流れ込む前に、予備加熱管130の内部空間に沿って流れながら予熱が行われる。このように、窒素ガスが加熱空間120aに流れ込む前に予熱が行われれば、窒素ガスが冷たい状態で急にサイレンサー110の外周面の表面に接触することを防止することができる。もし、冷たい窒素ガスがサイレンサー110の外周面の表面に直ぐに接触すると、サイレンサー110の内部を流れる反応副産物ガスが局所的に影響を受けて固形化するおそれがある。前記窒素ガス供給部150は、前記加熱空間120aにおいてサイレンサー110の外周面に接触して加熱された窒素ガスを、前記サイレンサー110の内部へ噴射する役割を行う。そのため、前記窒素ガス供給部150は、前記サイレンサー110の後端部の外側を離隔して囲んで、前記加熱空間120aから加熱した窒素ガスが供給されるチャンバ151、155を形成する胴体151と、前記チャンバ151、155の内部に流れ込んだ窒素ガスを前記サイレンサー110の内部へ噴射する噴射ノズル157とを含む。ここで、前記窒素ガス供給部150の胴体151をみると、サイレンサー110の後端部に結合され、あるいは、一体型で備えられ、中央に、前記サイレンサー110に連通する大きな中孔を備える。また、前記胴体151のチャンバ151、155は、前記加熱空間120aから窒素ガスを順次取り入れる第1のチャンバ151及び第2のチャンバ155からなり、その二つのチャンバ151、155は、連通ホール153で連通する。ここで、前記噴射ノズル157は、窒素ガス供給部150の胴体151の中孔の内周面から突出した位置で、前方に向かって形成した噴射孔157aを備える。このような噴射ノズル157の噴射孔157aによると、前記サイレンサー110の内部を流れる反応副産物ガスの流れ方向と同一方向に窒素ガスを噴射することができ、窒素ガスの噴射により、反応副産物ガスの流れを妨げず、むしろ、エジェクターの効果を奏することができ、反応副産物ガスの流れを加速させることができる。前記ガイドワイヤ140は、前記加熱空間120aにおいて前記サイレンサー110の外周面を螺旋状に巻きつける形態で備えられる。ここで、前記ガイドワイヤ140の厚さは、前記加熱空間120aの高さ、あるいは、それに近似した程度のものが備えられる。このように前記ガイドワイヤ140が備えられると、前記加熱空間120aにおいて流れる窒素ガスが、単に直線状に流れるのではなく、前記ガイドワイヤ140に案内されながら、サイレンサー110の外周面に沿って螺旋状に流れる。よって、前記加熱空間120a内においてサイレンサー110の表面に対する窒素ガスの接触面積と接触時間が増え、熱交換効果が増大する。参考までに、言及していない符号191は、ポンプ部に連結するための連結具である。このように構成した本発明によるサイレンサーアセンブリの動作を、添付図面に基づいて詳述すると、以下のとおりである。先ず、真空ポンプが作動している状態では、その内部の高温雰囲気により、サイレンサー110が高温に加熱された状態にある。このように、前記サイレンサー110自体の温度が高くなるように加熱すれば、前記サイレンサー110と外管120との間に形成される加熱空間120aも高い温度雰囲気を有し、それより低いものの、前記加熱空間120aに連通する予備加熱管130も、比較的高い温度雰囲気を有する。このような状態で、外部から予備加熱管130に窒素ガスが供給されれば1、前記窒素ガスが加熱空間120aに流れ込む前に、前記予備加熱管130を流れる間に予備加熱され、一次的な温度上昇がなされる2。その後、前記予備加熱管130で一次的に温度上昇がなされた窒素ガスは、予備加熱管130の先端部の窒素ガス流出口133を介して、サイレンサー110と外管120との間に形成される加熱空間120aに投入される3。その後、前記加熱空間120aに投入された窒素ガスは、加熱空間120a内でサイレンサー110の外周面の表面に接触しつつ後方に流れる4。このとき、加熱空間120a内に投入された窒素ガスは、ガイドワイヤ140に沿って螺旋状に流れ、前記サイレンサー110に接触する面積及び時間が増える。このように、前記加熱空間120aに投入された窒素ガスが、高温のサイレンサー110の外周面に接触して流れてから、前記加熱空間120aの後端部に至ったときには、相当に高い温度に加熱された状態となる。その後、前記加熱空間120aで高温に加熱された窒素ガスは、窒素ガス噴射部150の胴体151の第1のチャンバ151及び第2のチャンバ155を経た後5、噴射ノズル157の噴射孔157aを介してサイレンサー110の内部へ噴射される6。このように噴射される窒素ガスは、前記サイレンサー110の内部を流れる反応副産物ガスの流れ方向と一致する方向に噴射され、反応副産物ガスの流れを妨げることなく混じ合うことにより、反応副産物ガスの固形化を防ぎ、エジェクト効果により、反応副産物ガスの流れにも役立つ。以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明は、様々な変化、変更及び均等物を使用することができる。本発明は、上記実施例を適宜変形し、同様に応用することができることが明確である。よって、上記記載内容は、以下のような特許請求の範囲の限界により決まる本発明の範囲を限定するものではない。