メモリセルアレイから読み出された第1の単位のデータを第2の単位で保持する入力レジスタと、前記入力レジスタに保持された前記データのビット状態をカウントするビット状態カウンタと、前記第1の単位を保持するフレームサイズ設定レジスタと、前記入力レジスタに入力される前記データの総数が前記第1の単位に達したか否かを判定する入力データカウンタと、前記ビット状態カウンタによりカウントされた値を累積する累積回路と、前記メモリセルアレイの消去領域をアクセスしたか否かを判定する閾値を保持する閾値レジスタと、前記累積回路の累積値と前記閾値とを比較し、前記消去領域をアクセスしたか否かを判定する比較回路と、前記比較回路の結果を保持する結果格納レジスタとを具備することを特徴とする半導体集積回路。前記比較回路は、前記入力レジスタに入力される前記データの総数が前記第1の単位に達したとき、前記累積回路の累積値と前記閾値とを比較し、前記消去領域をアクセスしたか否かを判定することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。前記第1の単位は、可変値であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体集積回路。前記第1の単位でエラー訂正処理を行うECCと、前記ECCでのリードエラーの発生を前記第1の単位ごとに保持するエラーフレームレジスタとをさらに具備し、前記結果格納レジスタは、前記消去領域をアクセスしたか否かを示す前記結果を前記第1の単位ごとに保持することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体集積回路。前記エラーフレームレジスタにより前記第1の単位において前記リードエラーの発生が確認されたとき、前記結果格納レジスタにより前記第1の単位における前記リードエラーが前記消去領域をアクセスしたことによるものであるか否かを判定することを特徴とする請求項4に記載の半導体集積回路。実施形態は、リードディスターブの抑制による信頼性の向上とレイテンシの改善によるアクセス性能の向上とを実現する技術を提案する。実施形態によれば、半導体集積回路は、メモリセルアレイから読み出された第1の単位のデータを第2の単位で保持する入力レジスタと、前記入力レジスタに保持された前記データのビット状態をカウントするビット状態カウンタと、前記第1の単位を保持するフレームサイズ設定レジスタと、前記入力レジスタに入力される前記データの総数が前記第1の単位に達したか否かを判定する入力データカウンタと、前記ビット状態カウンタによりカウントされた値を累積する累積回路と、前記メモリセルアレイの消去領域をアクセスしたか否かを判定する閾値を保持する閾値レジスタと、前記累積回路の累積値と前記閾値とを比較し、前記消去領域をアクセスしたか否かを判定する比較回路と、前記比較回路の結果を保持する結果格納レジスタとを備える。以下、図面を参照しながら実施形態を説明する。まず、前提となるメモリシステムについて説明する。図1は、メモリシステムを示している。メモリコントローラ11は、不揮発性半導体メモリ12の読み出し動作を制御する。メモリコントローラ11は、コマンド信号CMDにより、不揮発性半導体メモリ12に読み出し動作を指示すると、不揮発性半導体メモリ12からデータDATが読み出される。メモリコントローラ11は、ECC13を有する。次に、このメモリシステムによるリードエラー発生時の処理を説明する。図2は、読み出し動作のフローチャートを示している。読み出し動作は、不揮発性半導体メモリからのデータ読み出しに必要な所定のレジスタ設定を行った後に実行されるステップST1~ST2。ECCでのエラー訂正例えば、BCHデコーディングにおいて、エラー訂正がパスしたときは、読み出し対象となったページが使用ページであると判定される。これに対し、ECCでのエラー訂正がフェイルしたときリードエラーが発生したときは、読み出し対象となったページが消去ページであるか否かをチェックする処理が行われるステップST3。この処理では、リードエラーが発生したページに対して再度の読み出し動作リトライを行う。再度の読み出し動作も、不揮発性半導体メモリからのデータ読み出しに必要な所定のレジスタ設定を行った後に実行されるステップST4~ST5。再度の読み出し動作で読み出されたデータの内容をECCにおいて確認し、読み出し対象となったページが消去ページであるか否かを判断する。読み出されたデータのビット状態が消去レベルを示していれば消去ページと判断し、そうでなければ真性のリードエラー、即ち、チップ不良として次の処理に移るステップST6。以上の読み出し動作において問題となるのは、リードエラーが発生したときに、消去領域をアクセスしたのか否かをチェックするために、再度の読み出し動作リトライを行うことにある。この再度の読み出しは、リードディスターブの発生を助長して信頼性を低下させると共に、レイテンシを悪化させてアクセス性能を劣化させる。以上から分かるように、リードエラーが発生したときの処理として、読み出し回数を減らし、リードディスターブの抑制による信頼性の向上とレイテンシの改善によるアクセス性能の向上とを実現するためには、最初の読み出し動作において、消去領域をアクセスしたことを判定可能な機能が不可欠となる。図3は、実施形態に係わるメモリシステムを示している。このメモリシステムの特徴は、1回の読み出し動作により、不揮発性半導体メモリ12から読み出したデータが消去領域に存在するか否かを判定可能な消去領域判定回路16を有する点にある。消去領域判定回路16は、不揮発性半導体メモリ12から読み出したデータのビット状態をECCでのエラー訂正単位であるフレームサイズ単位で認識し、リードエラーが発生したときに、再度の読み出し動作リトライを行うことなく、リードエラー処理に移ることを可能にする機能を有する。これにより、リードディスターブの抑制による信頼性の向上とレイテンシの改善によるアクセス性能の向上とを実現する。尚、ECC13については、図1のメモリシステムと同じである。また、実施形態では、ECC13及び消去領域判定回路16は、メモリコントローラ11内に配置されているが、メモリコントローラ11以外の領域、例えば、不揮発性半導体メモリ12内に配置してもよい。図4は、消去領域判定回路を示している。本例では、消去領域判定回路16がメモリコントローラ11内に配置される例を説明する。不揮発性半導体メモリからは、第1の単位ビット数で読み出しデータが読み出される。第1の単位は、例えば、フレームサイズ単位のことであり、不揮発性半導体メモリの種類例えば、多値セル、2値セルなどによって異なる。入力レジスタ21は、不揮発性半導体メモリ例えば、NANDフラッシュメモリから読み出された第1の単位のデータを第2の単位で保持する。例えば、不揮発性半導体メモリから読み出された第1の単位のデータは、第2の単位ごとに、不揮発性半導体メモリからメモリコントローラ内の消去領域判定回路に転送される。入力レジスタ21は、この第2の単位のデータを順次保持する。この場合、1サイクルで第2の単位のデータの転送が行われるとすると、複数サイクル≧第1の単位/第2の単位により、第1の単位のデータの全てが入力レジスタ21に入力される。ビット状態カウンタ22は、入力レジスタ21に保持されたデータのビット状態をカウントする。ここで、ビット状態とは、各ビットの値0/1のことである。例えば、ビット状態カウンタ22は、入力レジスタ21に保持された複数ビットのうち0又は1の数をカウントする。累積回路33は、入力レジスタ21に入力されるデータの総数が第1の単位に達するまで、ビット状態カウンタ22によりカウントされた値を累積する。例えば、加算器24は、ビット状態カウンタ22によりカウントされた値をn回nは自然数、n>第1の単位/第2の単位である加算する。累積レジスタ23は、加算器24の出力を保持する。結果として、累積レジスタ23、加算器24及びセレクタ25のループがn回繰り返され、累積レジスタ23にビット状態カウンタ22のカウント値が累積される。フレームサイズ設定レジスタ26は、不揮発性半導体メモリから読み出されるデータの単位である第1の単位フレームサイズ単位を保持する。これは、コントローラ11が不揮発性半導体メモリに読み出し動作を指示する前に行う。例えば、アクセスするデータが2値領域に存在するか、又は、多値領域に存在するか否か、により、フレームサイズ単位を認識可能であるため、これを予めフレームサイズ設定レジスタ26に保持する。閾値レジスタ27は、消去領域をアクセスしたか否かを判定する閾値を保持する。例えば、消去状態を1と仮定すると、消去領域をアクセスしたときは、不揮発性半導体メモリから読み出されるデータのほとんどは1となっているはずである。そこで、例えば、第1の単位のうち0の数がx個xは自然数未満のときに消去領域をアクセスしたと判断するとき、閾値設定レジスタ27にはxが保持され、ビット状態カウンタ22は、0の数をカウントする例1。また、第1の単位のうち1の数がy個yは自然数を超えるときに消去領域をアクセスしたと判断するとき、閾値設定レジスタ27にはyが保持され、ビット状態カウンタ22は、1の数をカウントする例2。入力データカウンタ28は、不揮発性半導体メモリから入力レジスタ21に入力される読み出しデータ入力データをカウントし、これが第1の単位に達したとき、ビット状態カウンタ22によりカウントされた値の累積値と閾値設定レジスタ27の閾値とを比較するように比較回路29に指示する。比較回路29は、上記例1のとき、累積値0の数がx個未満であれば、消去領域をアクセスしたと判断し、累積値0の数がx個以上であれば、使用領域をアクセスしたと判断する。この結果は、第1の単位ごとに結果格納レジスタ30に保持される。また、比較回路29は、上記例2のとき、累積値1の数がy個を超えていれば、消去領域をアクセスしたと判断し、累積値1の数がy個以下であれば、使用領域をアクセスしたと判断する。この結果は、第1の単位ごとに結果格納レジスタ30に保持される。また、入力データカウンタ28は、不揮発性半導体メモリから入力レジスタ21に入力される読み出しデータ入力データが第1の単位に達したとき、セレクタ25を一時的に切り替え、累積レジスタ23をリセットする。尚、本例では、不揮発性半導体メモリから入力レジスタ21に入力される読み出しデータ入力データが第1の単位に達したとき、ビット状態カウンタ22によりカウントされた値の累積値と閾値設定レジスタ27の閾値とを比較する。但し、上記例1では、累積値0の数がx個以上となった時点で、直ちに使用領域をアクセスしたと判断し、その結果を結果格納レジスタ23に格納してもよい例3。同様に、上記例2のときは、累積値1の数がy個を超えた時点で、直ちに消去領域をアクセスしたと判断し、その結果を結果格納レジスタ30に格納してもよい例4。これら例3及び例4では、入力レジスタ21に入力される読み出しデータ入力データが第1の単位に達する前に、消去領域をアクセスしたか否かを判定できるため、レイテンシの改善によるさらなるアクセス性能の向上を図ることができる。例えば、例4では、不揮発性半導体メモリからのデータ読み出しが完了する前に消去領域をアクセスしたと判断することができ、消去領域からのデータ読み出しを中断することができる。具体的には、第1の単位の読み出しデータを不揮発性半導体メモリから読み出している途中で累積値1の数がy個を超えれば、その時点で消去領域をアクセスしたと判断することができ、不揮発性半導体メモリからの残りの第1の単位の読み出しデータの読み出しを省略することができる。また、読み出しデータをデータ反転回路により反転させた後に、上記例1~例4と同様の処理を行うことも可能である。一方、ECC13でのエラー訂正処理と消去領域判定回路16での処理とは、互いに連携していることが必要である。ECC13では、フレームサイズ単位である第1の単位でエラー訂正処理を実行する。例えば、メモリシステムが2値データ及び多値データの双方を利用する場合などのように、フレームサイズ単位が変化するときは、メモリコントローラ11は、複数のECC、又は、エラー訂正処理のサイズが可変であるECCを備える。このECC13での処理単位第1の単位に合わせてフレームサイズ設定レジスタ26の値を設定する。また、リードエラーが発生したとき、リードエラーが発生したフレーム第1の単位の位置をエラーフレームレジスタ31に保持する。コントローラ11は、読み出し動作において、制御バス32を介して、エラーフレームレジスタ31の情報を確認することにより、所定フレームについてリードエラーが発生したか否かを確認できる。また、コントローラ11は、リードエラーが発生したとき、結果格納レジスタ30の値を参酌することにより、直ちに、その所定フレームにおけるリードエラーが、消去領域をアクセスしたことによるものか、又は、真性のリードエラーチップ不良かを判定でき、次の処理に移ることができる。このように、ECC13と消去領域判定回路16との間で互いに十分な連携がとれているため、リードディスターブの抑制による信頼性の向上とレイテンシの改善によるアクセス性能の向上とを実現することができる。次に、このメモリシステムによるリードエラー発生時の処理を説明する。図5は、読み出し動作のフローチャートを示している。読み出し動作は、不揮発性半導体メモリからのデータ読み出しに必要な所定のレジスタ設定を行った後に実行される。また、リードエラーが発生したときに、消去領域をアクセスしたか否かを判定する処理消去領域判定処理を実行するか否かのレジスタ設定を行うステップST1~ST2。消去領域判定処理を行うときは、メモリセルアレイ例えば、不揮発性半導体メモリから読み出される読み出しデータ入力データの単位第1の単位をフレームサイズ設定レジスタに設定する。また、消去領域をアクセスしたか否かを判定するための閾値を閾値レジスタに設定する。ここでは、消去領域判定をオンとする。また、本例では、不揮発性半導体メモリからの読み出しデータを反転した後に消去領域判定回路による判定を行う例を説明する。即ち、データ反転前の消去状態を1とすると、データ反転後の第1の単位内の0の数を累積し、その累積値がy個を超えたか否かを判定する例上記例2の1を0に置き換えた例に相当を説明する。例えば、図6に閾値レジスタの例を示す。消去領域をアクセスしたか否かを判定するための閾値は、第1の単位内に存在する0の数により設定される。例えば、第1の単位が1024210ビット冗長ビットECCのためのパリティビットを含むから構成されていると仮定すると、閾値レジスタは、32ビットbit0~bit31のうちの下位の11ビットbit0~bit10により閾値を設定することができる。閾値は、不揮発半導体メモリの種類、特性などに応じて決定される。また、第1の単位が可変値であるときは、第1の単位の最大値について閾値を設定できるのに十分なビット数を有していることが必要である。例えば、第1の単位が、1024210ビット冗長ビット、及び、51229ビット冗長ビットのうちの1つを選択的に有するときは、閾値レジスタは、第1の単位の最大値を設定できる11ビットbit0~bit10を有していることが必要である。本例では、消去領域をアクセスしたか否かを判定するための閾値のビットシンボルは、ERTHOV100であり、閾値の読み出しは、Read、閾値の書き込みは、Writeで表現している。また、閾値レジスタの最上位ビットbit31を消去領域判定のオン/オフを示す領域としている。消去領域判定のビットシンボルは、ERCNTENであり、消去領域判定の読み出しは、Read、消去領域判定の書き込みは、Writeで表現している。また、本例では、閾値ERTHOV100及び消去領域判定ERCNTENは、共に、書き込み前のリセット状態0を示している。次に、ECCでのエラー訂正例えば、BCHデコーディングにおいて、第1の単位のエラー訂正がパスしたときは、その第1の単位が使用ページ内にあると判定される。これに対し、ECCでの第1の単位のエラー訂正がフェイルしたときリードエラーが発生したときは、その第1の単位が消去ページ内にあるか否かをチェックする。このチェックは、消去領域判定回路内の結果格納レジスタの値を参酌すれば、直ちに終了する。そして、結果格納レジスタの値が消去ページ内にあることを示していれば消去ページと判断し、そうでなければ真性のリードエラー、即ち、チップ不良として次の処理に移るステップST3。例えば、図7にエラーフレームレジスタの例を示す。エラーフレームレジスタは、例えば、メモリセルアレイから第1の単位で読み出される読み出しデータの数例えば、1ページ内のフレーム数に相当を規定するために十分なビット数を有していることが必要である。例えば、1ページが64キロビットにより構成され、1フレーム第1の単位が1キロビットにより構成されるとき、メモリセルアレイから第1の単位で読み出される読み出しデータの数フレーム数は、64個である。従って、この場合、図7に示すように、エラーフレームレジスタは、32ビットbit0~bit31のうちの下位の6ビットbit0~bit5により、メモリセルアレイから読み出されるフレーム第1の単位の位置を特定する。本例では、エラーフレームレジスタのビットシンボルは、ERRFRAME50であり、エラーフレームレジスタの読み出しは、Read、エラーフレームレジスタの書き込みは、Writeで表現している。また、本例では、エラーフレームレジスタERRFRAME50は、書き込み前のリセット状態0を示している。また、図8及び図9に結果格納レジスタの例を示す。この結果格納レジスタは、図7のエラーフレームレジスタに対応している。即ち、図7の例では、メモリセルアレイから第1の単位で読み出される読み出しデータの数フレーム数は、64個である。従って、図8及び図9に示すように、結果格納レジスタは、64ビットbit0~bit31×2だけ有する。本例では、結果格納レジスタのビットシンボルは、ERF630であり、結果格納レジスタの読み出しは、Read、結果格納レジスタの書き込みは、Writeで表現している。また、本例では、結果格納レジスタERF630は、書き込み前のリセット状態0を示している。このように、ECCでの第1の単位のエラー訂正がフェイルしたときリードエラーが発生したときは、その第1の単位が消去ページ内にあるか否かを、消去領域判定回路内の結果格納レジスタの値を参酌することにより、直ちにチェックできる。尚、消去ページをアクセスしたときは、必ずリードエラーとなる。なぜなら、ECCでのエラー訂正の単位となる第1の単位フレームサイズ単位のデータ構成は、ユーザデータの他に必ずパリティビットを含んでいる。このため、第1の単位が消去状態のとき、パリティビットも消去状態になるので、ECCでのエラー訂正は、パリティビットが適切でないために必ずリードエラーとなるからである。以上、ECCにおいて第1の単位のリードエラーが発生したときに、消去領域判定回路内の結果格納レジスタの値を参酌するだけで、直ちにその第1の単位が消去ページ内にあるか否かをチェックできるため、再度の読み出し動作リトライが不要であり、結果として、リードエラー処理の高速化により、リードディスターブの抑制による信頼性の向上とレイテンシの改善によるアクセス性能の向上とを実現できる。ところで、結果格納レジスタの値を決める消去領域判定処理は、読み出し動作ステップST2~ST3に並行して行われる。例えば、各レジスタの設定が終わり、読み出し動作を開始すると、第1の単位例えば、1024ビット冗長ビットの読み出しデータは、データ反転後に、第2の単位例えば、8ビットごとに、順次、入力レジスタに入力される。そして、入力レジスタに最初に保持された第2の単位から0の数を計算し、これを累積レジスタに保持する。同様に、入力レジスタに次に保持された第2の単位から0の数を計算し、これを累積レジスタの値に加算し、その結果を再び累積レジスタに保持する。このような動作を、例えば、入力レジスタに入力される読み出しデータの総数が第1の単位に達するまで繰り返す。また、入力データカウンタによるカウント値が、フレームサイズ設定レジスタに設定された値例えば、第1の単位に達すると、比較回路により、累積回路の累積値と閾値レジスタの閾値とが比較される。例えば、第1の単位の番号フレーム番号No3においてリードエラーが発生したときは、図7のエラーフレームレジスタERRFRAME50の値は、第1の単位の番号フレーム番号No3を示す値ERRFRAME50=000010になる。これに並行して、第1の単位の番号フレーム番号No3において、累積値>閾値y個のときは、消去領域をアクセスしたと判断されるため、図8及び図9の結果格納レジスタERF3の値が1にセットされる。また、第1の単位の番号フレーム番号No3において、累積値≦閾値y個のときは、消去領域をアクセスしたと判断されないため、図8及び図9の結果格納レジスタERF3の値が0にセットされる。そして、メモリコントローラは、ERRFRAME50=000010により、第1の単位の番号フレーム番号No3においてリードエラーが発生したことを確認すると、結果格納レジスタのERF3の値を参酌し、第1の単位の番号フレーム番号No3のリードエラーが、消去領域をアクセスしたことによるものか、又は、真性のリードエラーかを判断する。ところで、読み出しデータは、逐次、ECCに復号データとして入力される。そして、ECCに第1の単位フレームサイズのデータが入力された時点で、復号処理を開始する。また、これに並行して、読み出しデータは、逐次、消去領域判定回路に入力される。そして、消去領域判定回路に第1の単位フレームサイズのデータが入力された時点で、消去領域をアクセスしたか否かの判定を開始する。ECCにおいて復号処理が正常に終了すると、リードエラーとならないため、引き続き、次の第1の単位についてECCにおける復号処理を行う。これに対し、何らかの原因によりリードエラーが発生すると、一時的にECCにおける復号処理を停止し、割り込み処理によりその原因を確認する。リードエラーが消去領域をアクセスしたものか否かについては、実施形態の消去領域判定回路を使用すれば、容易に判定することができる。図10は、実施形態の適用例としてのメモリシステムを示している。本例では、メモリカードを用いたシステムについて説明するが、実施形態は、他のメモリシステム例えば、SSDsolidstatedrive、USBメモリなどに適用することも可能である。また、図10において、CMDは、コマンドであり、DAT70は、読み出し/書き込みデータであり、CLKは、クロックである。メモリカード41は、メモリコントローラAと不揮発性半導体メモリBを備えるメモリシステムを構成する。また、メモリカード41を装着可能な電子機器例えば、デジタルビデオカメラなどは、メモリカード41及びホストコントローラ42を備えるメモリシステムを構成する。ホストコントローラ42からメモリカード41に対して読み出し命令があると、不揮発性半導体メモリBからのデータ読み出しが実行される。そして、例えば、メモリコントローラAが実施形態の消去領域判定回路を有するとき、リードエラーが発生すると、エラーフレームレジスタの情報が割り込み要求又は別の方法レジスタのポーリング動作により、メモリコントローラAはこれを認識する。メモリコントローラAは、リードエラーが発生したフレームを確認すると共に、消去領域判定回路内の結果格納レジスタのチェックを行う。そして、リードエラーが発生したフレームに対応する結果格納レジスタの値がセット状態1状態のとき、リードエラーが消去領域をアクセスしたことによるものと判断し、次の処理へ進む。以上、実施形態によれば、消去領域判定回路は、メモリセルアレイから読み出したデータのビット状態をECCでのエラー訂正単位であるフレームサイズ単位で認識し、リードエラーが発生したときに、再度の読み出し動作リトライを行うことなく、リードエラー処理に移ることを可能にする機能を有する。これにより、リードディスターブの抑制による信頼性の向上とレイテンシの改善によるアクセス性能の向上とを実現する。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。