薄膜トランジスタであって、基板と、前記基板上に形成された梯子状の凸部を有するゲートバス電極と、前記ゲートバス電極の表面形状に沿うように当該ゲートバス電極上と前記基板上とに形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の凹凸に沿うように当該ゲート電極上と前記基板上とに形成されたゲート絶縁体層と、前記ゲート絶縁体層の凹部内に形成された半導体層と、前記半導体層の中央に形成された保護膜と、前記半導体層の両端部で接続されたソース電極とドレイン電極とを備える、薄膜トランジスタ。前記ゲート電極の凹部の深さは、10nm以上200nm以下であることを特徴とする、請求項1に記載の薄膜トランジスタ。前記ゲート絶縁体層の凹部の深さは、10nm以上200nm以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の薄膜トランジスタ。前記半導体層は、有機物を主成分とする材料からなることを特徴とする、請求項1乃至3の何れか1に記載の薄膜トランジスタ。前記半導体層は、金属酸化物を主成分とする材料からなることを特徴とする、請求項1乃至3の何れか1に記載の薄膜トランジスタ。薄膜トランジスタの製造方法であって、基板上に梯子状の凸部を有するゲートバス電極を形成する工程と、前記ゲートバス電極の表面形状に沿うように当該ゲートバス電極上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極の凹凸に沿うように前記ゲート電極上と前記基板上とにゲート絶縁体層を形成する工程と、前記ゲート絶縁体層の凹部内に塗布法により半導体層を形成する工程と、前記半導体層の中央に保護膜を形成する工程と、前記半導体層の両端部で接続されるソース電極とドレイン電極とを形成する工程とを備える、薄膜トランジスタの製造方法。前記ゲートバス電極の凸部は、フォトリソグラフィー法で形成されることを特徴とする、請求項6に記載の薄膜トランジスタの製造方法。前記塗布法は、凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、反転オフセット印刷、スクリーン印刷、インクジェット、熱転写印刷、ディスペンサ、スピンコート、ダイコート、マイクログラビアコート、ディップコートのいずれかであることを特徴とする、請求項6または7に記載の薄膜トランジスタの製造方法。請求項1乃至5のいずれか1に記載の薄膜トランジスタと、前記ソース電極上と前記ドレイン電極上とに形成された層間絶縁膜と、前記ドレイン電極に電気的に接続された画素電極と、前記画素電極上に形成された共通電極を含む表示媒体とを備える、画像表示装置。前記表示媒体は、電気泳動型反射表示装置、透過型液晶表示装置、反射型液晶表示装置、半透過型液晶表示装置、有機EL表示装置、および無機EL表示装置のいずれかであることを特徴とする、請求項9に記載の画像表示装置。しかしながら、上記特許文献2の方法において、チャネル部に半導体溶液を注入するには隔壁の形成が必要となる為、通常のトランジスタ作製方法に加えて隔壁材料の成膜、及びパターニングのプロセスを別途行わなければならない。本発明は、上述の課題を鑑みてなされたものであり、隔壁形成プロセスを省き、かつ、塗布法により半導体溶液を所望の場所に形成し、トランジスタ素子分離を行うことのできる薄膜トランジスタとその製造方法、および当該薄膜トランジスタを用いた画像表示装置を提供することを目的とする。本発明は、上記の課題を解決するために、以下の構成を採用した。本発明は、薄膜トランジスタである。当該薄膜トランジスタは、基板上に形成された梯子状の凸部を有するゲートバス電極と、ゲートバス電極の表面形状に沿うように当該ゲートバス電極上および基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極の凹凸に沿うようにゲート電極上および基板上に形成されたゲート絶縁体層と、ゲート絶縁体層の凹部内に形成された半導体層と、半導体層の中央に形成された保護膜と、半導体層の両端部で接続されたソース電極とドレイン電極とを備える。また、ゲート電極の凹部の深さは、10nm以上200nm以下であることが好ましい。また、ゲート絶縁体層の凹部の深さは、10nm以上200nm以下であることが好ましい。また、半導体層は、有機物を主成分とする材料や金属酸化物を主成分とする材料からなることが好ましい。本発明は、薄膜トランジスタの製造方法である。当該製造方法は、基板上に梯子状の凸部を有するゲートバス電極を形成する工程と、ゲートバス電極の表面形状に沿うように当該ゲートバス電極上にゲート電極を形成する工程と、ゲート電極の凹凸に沿うようにゲート電極上および基板上にゲート絶縁体層を形成する工程と、ゲート絶縁体層の凹部内に塗布法により半導体層を形成する工程と、半導体層の中央に保護膜を形成する工程と、半導体層の両端部で接続されるソース電極とドレイン電極とを形成する工程とを備える。また、ゲートバス電極の凸部は、フォトリソグラフィー法で形成され、半導体層の塗布方法は、凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、反転オフセット印刷、スクリーン印刷、インクジェット、熱転写印刷、ディスペンサ、スピンコート、ダイコート、マイクログラビアコート、ディップコートのいずれかであることが好ましい。本発明は、薄膜トランジスタを用いた画像表示装置である。当該画像表示装置は、薄膜トランジスタと、ソース電極上およびドレイン電極上に形成された層間絶縁膜と、ドレイン電極に電気的に接続された画素電極と、画素電極上に形成された共通電極を含む表示媒体とを備える。また、表示媒体は、電気泳動型反射表示装置、透過型液晶表示装置、反射型液晶表示装置、半透過型液晶表示装置、有機EL表示装置、および無機EL表示装置のいずれかであることが好ましい。本発明によれば、ゲートバス電極を梯子上にパターニングすることで凹部を形成し、凹部に追従して形成されるゲート絶縁体層の凹部に塗布法で半導体層を所望の場所に成膜し、トランジスタ分離することができ、トランジスタ素子を安定して駆動することが可能であり、更には、隔壁の形成プロセスが不要な為、製造プロセスの簡易化を図ることが可能である。以下、図面を参照しつつ、本実施形態に係る薄膜トランジスタとその製造方法、および当該薄膜トランジスタを用いた画像表示装置について説明する。なお、以下では、本実施形態に係る薄膜トランジスタとその製造方法とについて説明した後、薄膜トランジスタを用いた画像表示装置について説明する。薄膜トランジスタまず、本実施形態に係る薄膜トランジスタについて説明する。以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付け、重複する説明は省略する。また、以下に説明する薄膜トランジスタの構成は一例であって、本発明に係る薄膜トランジスタはこの構成に限定されるものではない。図1は、本実施形態に係る薄膜トランジスタ100の構造を表す概略断面である。図1に示すように、本実施形態に係る薄膜トランジスタ100は、基板1、ゲートバス電極2、ゲート電極3、キャパシタ電極4、ゲート絶縁体層5、半導体層6、保護膜7、ソース電極8、およびドレイン電極9を有する。なお本実施形態に係る薄膜トランジスタ100におけるゲート電極3はゲートバス電極2を梯子状にパターニングすることで凹部13を有する。つまりゲートバス電極2の表面形状に沿うようにゲート電極3が形成されることにより、当該ゲート電極3は凹部13を有する。さらに、ゲート電極3の凹凸に沿うようにゲート絶縁体層5が形成されることにより、当該ゲート絶縁体層5も凹部を有する。この凹部内に塗布法により半導体層6が形成される。ゲート電極3およびゲート絶縁体層5が有する上記の凹部の深さは、いずれも10nm以上200nm以下であることが望ましい。ゲート電極3およびゲート絶縁体層5の凹部の深さが10nm未満であると、ゲート絶縁体層5の凹部内に形成される半導体層の厚みが薄くなり過ぎ、凹部の深さが200nmを超えると半導体層の厚みが厚くなり過ぎ、いずれの場合でも薄膜トランジスタのスイッチング機能に不具合が生じる。上記基板1として、具体的にはポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレンサルファイド、ポリエーテルスルホン、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、シクロオレフィンポリマー、ポリエーテルサルフォン、トリアセチルセルロース、ポリビニルフルオライドフィルム、エチレンテトラフルオロエチレン共重合樹脂、耐候性ポリエチレンテレフタレート、耐候性ポリプロピレン、ガラス繊維強化アクリル樹脂フィルム、ガラス繊維強化ポリカーボネート、透明性ポリイミド、フッ素系樹脂、環状ポリオレフィン系樹脂、ガラス、および石英等を使用することができるが本発明ではこれらに限定されるものではない。なお、これらは単独として使用してもよいが、二種以上を積層した複合の基板として使用してもよい。なお、上記基板1が有機物フィルムである場合は、本実施形態に係る薄膜トランジスタ100の素子の耐久性を向上させるために透明のガスバリア層図示せずを形成することもできる。また、当該ガスバリア層としては酸化アルミニウムAl2O3、酸化ケイ素SiO2、窒化ケイ素SiN、酸化窒化ケイ素SiON、炭化ケイ素SiC、およびダイヤモンドライクカーボンDLCなどが挙げられるがこれらに限定されるものではない。また、これらの上記ガスバリア層は2層以上積層して使用することもできる。なお、ガスバリア層は有機物フィルムを用いた基板1の片面だけに形成してもよいし、両面に形成しても構わない。なお、上述したようなガスバリア層は真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、レーザーアブレーション法、プラズマCVDChemicalVaporDeposition法、ホットワイヤーCVD法、およびゾル-ゲル法などを用いて形成することができるがこれらに限定されるものではない。上記ゲートバス電極2、ゲート電極3、キャパシタ電極4、ソース電極8、およびドレイン電極9には、酸化インジウムIn2O3、酸化スズSnO2、酸化亜鉛ZnO、酸化カドミウムCdO、酸化インジウムカドミウムCdIn2O4、酸化カドミウムスズCd2SnO2、酸化亜鉛スズZn2SnO4、酸化インジウム亜鉛In-Zn-O等の酸化物材料が好適に用いられる。なお、これら酸化物材料に不純物をドープすることも導電率を上げるために好ましい。例えば、酸化インジウムにスズやモリブデン、チタンをドープしたもの、酸化スズにアンチモンやフッ素をドープしたもの、酸化亜鉛にインジウム、アルミニウム、ガリウムをドープしたものなどである。この中でも特に酸化インジウムにスズをドープした酸化インジウムスズ通称ITOが低い抵抗率のために特に好適に用いられる。またAu、Ag、Cu、Cr、Al、Mg、Moなどの金属材料も好適に用いられるし、これら金属を使用した合金材料も好適に用いられる。また、上記ゲートバス電極2、ゲート電極3、キャパシタ電極4、ソース電極8、およびドレイン電極9には、導電性酸化物材料と低抵抗金属材料を複数積層したものも使用できる。この場合、金属材料の酸化や経時劣化を防ぐために導電性酸化物薄膜/金属薄膜/導電性酸化物薄膜の順に積層した3層構造が特に好適に用いられる。またポリエチレンジオキシチオフェンPEDOT等の有機導電性材料も好適に用いることができる。なお、ゲートバス電極2、キャパシタ電極4、ゲート電極3、ソース電極8、およびドレイン電極9は全て同じ材料であっても構わないし、また全て違う材料であっても構わない。しかし、薄膜トランジスタ100の製造工程における工程数を減らすためにソース電極8とドレイン電極9とは同一の材料であることが望ましい。また、これらの電極は、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、レーザーアブレーション法、プラズマCVD法、光CVD法、ホットワイヤーCVD法、またはスクリーン印刷、凸版印刷、インクジェット法等で形成することができるが、これらに限定されるものではない。上記ゲート絶縁体層5として用いられる材料は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、シリコンオキシナイトライド、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、ハフニウムアルミネート、酸化ジルコニア、酸化チタン等の無機材料、または、ポリメチルメタクリレートPMMA等のポリアクリレート、ポリビニルアルコールPVA、ポリスチレンPS、透明性ポリイミド、ポリエステル、エポキシ、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。なお、ゲートリーク電流を抑えるためには、ゲート絶縁体層5の絶縁材料の抵抗率は1011Ωcm以上、特に1014Ωcm以上であることが好ましい。なお、ゲート絶縁体層5は真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、レーザーアブレーション法、プラズマCVD法、光CVD法、ホットワイヤーCVD法、スピンコート、ディップコート、スクリーン印刷などの方法を用いて形成されるがこれらに限定されるものではない。また、ゲート絶縁体層5は膜の成長方向に向けて組成を傾斜したものも、また好適に用いられる。上記半導体層6としては、有機半導体材料、金属酸化物半導体材料を主成分とする材料が使用できる。なお、上記有機半導体材料としては、ポリチオフェン、ポリアリルアミン、フルオレンビチオフェン共重合体、およびそれらの誘導体のような高分子系有機半導体材料、およびペンタセン、テトラセン、銅フタロシアニン、ペリレン、およびそれらの誘導体のような低分子系有機半導体材料を用いてもよい。しかしながら、低コスト化、フレキシブル化、大面積化を考慮すると塗布法が適用できる有機半導体材料を用いることが望ましい。また、カーボンナノチューブあるいはフラーレンなどの炭素化合物や半導体ナノ粒子分散液なども半導体材料として用いてもよい。なお、上記半導体層6において、上述した有機半導体材料を用いて有機半導体層を形成する塗布方法としては、グラビア印刷、オフセット印刷、スクリーン印刷およびインクジェット法など、公知の方法を用いることが出来る。一方、金属酸化物半導体材料としては亜鉛Zn、インジウムIn、スズSn、タングステンW、マグネシウムMg、およびガリウムGaのうち一種類以上の元素を含む酸化物である、酸化亜鉛ZnO、In2O3、In-Zn-O、SnO2、酸化タングステンWO、および酸化亜鉛ガリウムインジウムIn-Ga-Zn-Oなどの材料が挙げられるが本発明ではこれらに限定されるものではない。これらの材料の構造は単結晶、多結晶、微結晶、結晶とアモルファスとの混晶、ナノ結晶散在アモルファス、アモルファスのいずれであってもかまわない。また、上記半導体層6において、上述した金属酸化物半導体材料を用いて酸化物半導体層を形成する塗布方法としては、グラビア印刷、オフセット印刷、スクリーン印刷およびインクジェット法など、公知の方法を用いることが出来る。上記保護膜7として用いられる材料は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、シリコンオキシナイトライド、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、ハフニウムアルミネート、酸化ジルコニア、酸化チタン等の無機材料、または、PMMA等のポリアクリレート、PVA、PS、透明性ポリイミド、ポリエステル、エポキシ、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。薄膜トランジスタ100に電気的影響を与えないためには、なお、保護膜7の抵抗率は1011Ωcm以上、特に1014Ωcm以上であることが好ましい。なお、保護膜7は真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、レーザーアブレーション法、プラズマCVD法、光CVD法、ホットワイヤーCVD法、スピンコート、ディップコート、スクリーン印刷などの方法を用いて形成される。また、これらの保護膜7は膜の成長方向に向けて組成を傾斜したものも、また好適に用いることができる。薄膜トランジスタの製造方法次に、本実施形態に係る薄膜トランジスタの製造方法の一例について説明する。まず、基板1上に、Alを成膜しゲートバス電極2を形成する。そして、当該Alゲートバス電極2を当該基板1上において梯子状にパターニングするため、上記基板1上にフォトレジストを塗布後、露光し、現像液により現像を行い、エッチングを行った後、剥離液によりフォトレジストを剥離する。次に、スパッタ法を用いてITOを成膜し、フォトリソグラフィー法により、ゲート電極3およびキャパシタ電極4を形成する。なお、基板1上においてゲートバス電極2が梯子状に形成されているため、当該ゲートバス電極2上にゲート電極3を形成すると、当該ゲート電極3は、凹部13を有することになる図1参照。次に、スパッタ法により基板1と接するSiONからなるゲート絶縁体層5を形成する。なお、上述したように、ゲート電極3は凹部13を有するため、ゲート絶縁体層5にも凹部13が形成される。次に、ゲート絶縁体層5の凹部13に、インクジェット法により、In―Zn―O系酸化物溶液を注入することにより半導体層6を形成する。最後に、保護膜7、ソース電極8、およびドレイン電極9を形成する。なお、半導体層6中央のみに当該保護膜7が残るように感光性フォトレジストを塗布後、露光し、現像液により現像を行い、RIEにより保護膜7を形成する。また、ソース電極8、およびドレイン電極9は、スパッタ法を用いてITOを成膜することにより形成する。以上が本実施形態に係る薄膜トランジスタの製造方法の一例である。なお、図2にゲートバス電極2を梯子状にパターニングすることで形成される凹部13とゲート電極3の凹部13に追従して形成されるゲート絶縁体層5の凹部の概略断面図、および図3に本実施形態に係る薄膜トランジスタの配列図の一部を示した。薄膜トランジスタを用いた画像表示装置次に、薄膜トランジスタを用いた画像表示装置について説明する。図4は、本実施形態に係る薄膜トランジスタ100を用いた画像表示装置400の概略断面図である。図4に示すように、画像表示装置400は、層間絶縁膜10、画素電極11、および表示要素12を有する。なお、上記画素電極11は、上述した薄膜トランジスタ100のドレイン電極9と電気的に接続していなければならない。そのため、層間絶縁膜10を形成する方法としては、例えば、スクリーン印刷法などの方法でパターン印刷して、ドレイン電極9の一部分に層間絶縁膜10を設けない方法や、層間絶縁膜10を全面に塗布し、そのあとレーザビーム等を用いて層間絶縁膜10に穴を空ける方法などがとられる。なお、上記層間絶縁膜10としては、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、ハフニウムアルミネート、酸化ジルコニア、および酸化チタン等の無機材料、または、PMMAなどのポリアクリレート、PVA、PS、透明性ポリイミド、ポリエステル、エポキシ樹脂、およびポリビニルフェノールなどの有機材料が挙げられるが本発明ではこれらに限定されるものではない。また、これらの層間絶縁膜10は単層として用いても構わないし、複数の層を積層したものを用いても構わない。なお、層間絶縁膜10は上述したゲート絶縁体層5と同じ材料であっても構わないし、異なる材料であっても構わない。また、層間絶縁膜10は真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、レーザーアブレーション法、プラズマCVD法、光CVD法、ホットワイヤーCVD法、スピンコート法、ディップコート法、スクリーン印刷法などの方法を用いて形成することができるが本発明ではこれらに限定されるものではない。なお、本実施形態に係る薄膜トランジスタ100に組み合わせる表示要素12としては、例えば、電気泳動型反射表示装置、透過型液晶表示装置、反射型液晶表示装置、半透過型液晶表示装置、有機EL表示装置、および無機EL表示装置などが挙げられる。以下、本発明を実施例1~3、および比較例1、2に基づき更に説明する。実施例1まず、基板1上に、DCマグネトロンスパッタ法を用いてAlを成膜膜厚40nmすることにより、ゲートバス電極2を形成した。そして、当該Alゲートバス電極2を梯子状にパターニングするため、感光性フォトレジストを塗布後、露光し、現像液により現像を行い、塩酸によりエッチングを行い、剥離液により感光型フォトレジストを剥離した以下、フォトリソグラフィー法と言う。次に、DCマグネトロンスパッタ法を用いてITOを成膜膜厚100nmし、フォトリソグラフィー法により、ゲート電極3およびキャパシタ電極4を形成した。なお、このときゲート電極3の凹部13の深さは、40nmになるようにした。次に、RFマグネトロンスパッタ法により基板1と接するSiONからなるゲート絶縁体層5膜厚400nmを成膜した。なお、このとき、ゲート絶縁体層5の凹部13の深さも40nmになるようにした。次に、半導体層6を形成するために、In―Zn―O系酸化物溶液をインクジェット法により凹部13に直接注入した厚さ40nm。注入後、400°C、30分間ホットプレートにてアニール処理を施した。さらにRFマグネトロンスパッタ法によりSiONからなる保護膜7膜厚80nmを成膜した。なお、保護層7の形成においては、半導体層6とソース電極8、および半導体層6とドレイン電極9とは電気的に接触している必要があるため、半導体層6中央のみに保護膜7が残るように感光性フォトレジストを塗布後、露光し、現像液により現像を行い、RIEにより保護膜7を形成した。そして、DCマグネトロンスパッタ法を用いてITOを成膜膜厚100nmし、ソース電極8とドレイン電極9とを形成し、実施例1に係る薄膜トランジスタを作製した。なお、実施例1に係る薄膜トランジスタを用いた画像表示装置は、当該薄膜トランジスタに、スピンコート法によりエポキシ樹脂からなる層間絶縁膜10膜厚3μmを形成し、フォトリソグラフィー法によりドレイン電極9と画素電極11との接触箇所となる開口部を形成し、DCマグネトロンスパッタリング法によりITOを膜厚100nmに成膜し、所望の形状にパターニングを行い画素電極11を形成した。そして、薄膜トランジスタ上に、表示要素12として電気泳動方式電子ペーパー前面板を貼り付け、画像表示装置を作製した。そして、当該画像表示装置を駆動した結果、良好な画像表示を行うことができた。実施例2実施例2に係る薄膜トランジスタは、ゲートバス電極2としてAlを成膜膜厚10nmし、ゲート絶縁体層5の凹部13の深さが10nmになるように作製した以外は、実施例1に係る薄膜トランジスタと同様であり、同様に実施例2に係る薄膜トランジスタを用いた画像表示装置を作製した。そして、当該画像表示装置を駆動した結果、良好な画像表示を行うことができた。実施例3実施例3に係る薄膜トランジスタは、ゲートバス電極2としてAlを成膜膜厚190nmし、ゲート絶縁体層5の凹部13の深さが190nmになるように作製した以外は、実施例1に係る薄膜トランジスタと同様であり、同様に実施例3に係る薄膜トランジスタを用いた画像表示装置を作製した。そして、当該画像表示装置を駆動した結果、良好な画像表示を行うことができた。比較例1比較例1に係る薄膜トランジスタは、ゲートバス電極2としてAlを成膜膜厚8nmし、ゲート絶縁体層5の凹部13の深さが8nmになるように作製した以外は、実施例1に係る薄膜トランジスタと同様である。なお、比較例1に係る薄膜トランジスタは、実施例1と同様にインクジェット法にて半導体層6を凹部13に注入したが、凹部13の厚み深さが薄すぎた為に所望の場所に半導体層6を形成することができなかった。比較例2比較例2に係る薄膜トランジスタは、ゲートバス電極2としてAlを成膜膜厚210nmし、ゲート絶縁体層5の凹部13の深さが210nmになるように作製した以外は、実施例1に係る薄膜トランジスタと同様であり、同様に比較例2に係る薄膜トランジスタを用いた画像表示装置を作製した。そして、比較例2に係る薄膜トランジスタを用いた画像表示装置を駆動した結果、半導体層6の膜厚が厚すぎた為に抵抗値が増大し、薄膜トランジスタは正常に機能せず、良好な画像表示を行うことできなかった。なお、本発明者は図5に示すような従来の薄膜トランジスタ500を作製した。そして、図6に示すような当該従来の薄膜トランジスタを用いた画像処理装置600を作製し、当該画像処理装置600を駆動させ評価を行った。以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付け、重複する説明は省略する。以下、製造方法を説明するが、上述した本実施形態に係る薄膜トランジスタと異なる点は、ゲート電極3およびゲート絶縁体層5は凹部13を備えておらず、半導体溶液を注入するための隔壁14が形成されている点である。図5に示すような従来の薄膜トランジスタ500は、基板1上に、DCマグネトロンスパッタ法を用いてAlを成膜40nmし、フォトリソグラフィー法によりAlをストライブ状にパターニングを行い、ゲートバス電極2を形成した。そして、DCマグネトロンスパッタ法を用いてITOを成膜100nmし、フォトリソグラフィー法により、ゲート電極3およびキャパシタ電極4を形成した。次に、RFマグネトロンスパッタ法により基板1と接するSiONからなるゲート絶縁体層5膜厚400nmを形成した。続いて、隔壁14の形成を行った。具体的には、ポジ型感光性ポリイミド東レ社製、フォトニース、商品名DL-1000を全面スピンコートした。なお、感光性ポリイミドは、隔壁14の高さを40nmとするように約40nmの厚さで塗布した。次に、全面に塗布した感光性ポリイミドに対し、フォトリソグラフィー法により露光、現像を行い、ゲート絶縁体層5上に配置される隔壁14を形成した。なお、隔壁14のパターンは230°C、30分間オーブンにて焼成を行った。次に、In―Zn―O系酸化物溶液をインクジェット法により隔壁14の間に直接注入した厚さ40nm。注入後、ホットプレートにて400°Cでアニール処理を施した。さらにRFマグネトロンスパッタ法によりSiONからなる保護膜7膜厚80nmを成膜した。なお、保護層7の形成においては、半導体層6とソース電極8、および半導体層6とドレイン電極9とは電気的に接触している必要があるため、半導体層6中央のみに保護膜7が残るように感光性フォトレジストを塗布後、露光し、現像液により現像を行い、RIEにより保護膜7を形成した。そして、DCマグネトロンスパッタ法を用いてITOを成膜膜厚100nmし、ソース電極8とドレイン電極9とを形成し、従来の薄膜トランジスタ500を作製した。なお、図6に示すような従来の画像表示装置600は、薄膜トランジスタ500を用い、スピンコート法によりエポキシ樹脂からなる層間絶縁膜10膜厚3μmを形成し、フォトリソグラフィー法によりドレイン電極9と画素電極11との接触箇所となる開口部を形成し、DCマグネトロンスパッタリング法によりITOを膜厚100nmに成膜し、所望の形状にパターニングを行い画素電極11を形成した。そして、薄膜トランジスタ上に、表示要素12として電気泳動方式電子ペーパー前面板を貼り付け、画像表示装置を作製した。そして、当該画像表示装置600を駆動した結果、良好な画像表示を行うことができた。つまり、本実施形態に係る隔壁14を設けなかった画像表示装置においても隔壁14を設けた画像表示装置と同等の良好な画像表示を行うことができた。以上より、ゲートバス電極2を梯子状にパターニングすることで凹部13を形成し、当該凹部13に追従して形成されるゲート絶縁体層5の凹部13を形成する。なお、当該凹部13の深さを10nmから200nmの範囲とする。これによって、従来の画像表示装置における隔壁14の作製プロセスを省け、かつ、塗布法により半導体溶液を所望の場所に形成し、トランジスタ素子分離を行うことができた。結果として、安定した特性を示す薄膜トランジスタの製造プロセスの簡易化を図ることができた。