"半導体発光素子と、動作電力を供給する電源回路と、上記電源回路からの電力を蓄積して放出する受動素子、及び上記受動素子に上記電源回路からの電力を供給して蓄積する充電経路と上記受動素子に蓄積された電力を上記半導体発光素子で発光させて放出する放電経路とを切換える複数のスイッチング素子を含み、上記複数のスイッチング素子で上記充電経路と放電経路とを切換えることにより上記半導体発光素子を間欠駆動する駆動回路と、上記充電経路及び放電経路の各選択時に経路にかかる電圧を検出し、その検出結果に応じて上記受動素子を流れる電流が一定値に保たれるよう上記複数のスイッチング素子の切換えデューティ比を算出して上記複数のスイッチング素子を切換える定電流スイッチ制御部と、上記定電流スイッチ制御部により算出される上記切換えデューティ比に応じて上記電源回路が供給する電圧値を調整するデューティ制御部とを具備したことを特徴とする半導体光源装置。上記半導体発光素子及び上記スイッチング素子に接続されたコンデンサをさらに有すことを特徴とする請求項1記載の半導体光源装置。上記受動素子はインダクタであることを特徴とする請求項1または2記載の半導体光源装置。上記複数のスイッチング素子はFETであることを特徴とする請求項1乃至3いずれか記載の半導体光源装置。上記半導体発光素子はLED、LDまたは有機ELであることを特徴とする請求項1乃至4いずれか記載の半導体光源装置。半導体発光素子と、動作電力を供給する電源回路と、上記電源回路からの電力を蓄積して放出する受動素子、上記受動素子に上記電源回路からの電力を供給して蓄積する充電経路と上記受動素子に蓄積された電力を上記半導体発光素子で発光させて放出する放電経路とを切換える複数のスイッチング素子を含み、上記複数のスイッチング素子で上記充電経路と放電経路とを切換えることにより上記半導体発光素子を間欠駆動する駆動回路とを備えた半導体光源装置での制御方法であって、上記充電経路及び放電経路の各選択時に経路にかかる電圧を検出し、その検出結果に応じて上記受動素子を流れる電流が一定値に保たれるよう上記複数のスイッチング素子の切換えデューティ比を算出して上記複数のスイッチング素子を切換える定電流スイッチ制御工程と、上記定電流スイッチ制御工程により算出される上記切換えデューティ比に応じて上記電源回路が供給する電圧値を調整するデューティ制御工程とを有したことを特徴とする半導体光源制御方法。上記半導体発光素子及び上記複数のスイッチング素子にコンデンサをさらに接続させることを特徴とする請求項6記載の半導体光源制御方法。上記受動素子はインダクタであることを特徴とする請求項6または7記載の半導体光源制御方法。上記複数のスイッチング素子はFETであることを特徴とする請求項6乃至8いずれか記載の半導体光源制御方法。上記半導体発光素子はLED、LDまたは有機ELであることを特徴とする請求項6乃至9いずれか記載の半導体光源制御方法。上記特許文献に記載された技術を含めて半導体発光素子の駆動は、オペアンプとパワートランジスタとを組み合わせて電流帰還をかけたリニア定電流回路や、定電流制御型のDC/DCコンバータなどで行なうものが一般的な構成となっている。高速なPWM駆動を行なう場合、PWM波形の電流の立上りを早める必要が生じる。上記前者のリニア定電流回路では、帰還遅れによるオーバードライブで電流のオーバーシュートが発生する。そのため、動作の高速化と安定した帰還制御とを両立させることは難しい。また、高速化を実現する場合には、出力段のトランジスタでの負担が大きく、電圧マージンをより多く見込む必要があると共に、同トランジスタの熱対策が必須となる。また、上記後者のDC/DCコンバータでは、回路中で使用するインダクタの電流を元の電流値に復帰させるまでの間に、少なくとも数乃至十数スイッチングサイクルの時間が必要となる。そのため、このような電流の立上り特性から高速化が困難となっていた。近時、上記後者のDC/DCコンバータで上述したような不具合を改善するべく、PWM波形がオンの時の帰還系電圧や、回路中のコンデンサの出力電圧を一時保持させ、次のオン時の電流の立上りを急峻化させることで高速化を可能としたものが実現されている。それでも、PWMサイクルの高速化は数十[kHz]程度が限界となっており、それ以上の高速化は困難であった。本発明は上記のような実情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、半導体発光素子を高速且つ安定化してPWM信号で駆動することが可能な半導体光源装置及び半導体光源制御方法を提供することにある。本発明の一態様は、半導体発光素子と、動作電力を供給する電源回路と、上記電源回路からの電力を蓄積して放出する受動素子、及び上記受動素子に上記電源回路からの電力を供給して蓄積する充電経路と上記受動素子に蓄積された電力を上記半導体発光素子で発光させて放出する放電経路とを切換える複数のスイッチング素子を含み、上記複数のスイッチング素子で上記充電経路と放電経路とを切換えることにより上記半導体発光素子を間欠駆動する駆動回路と、上記充電経路及び放電経路の各選択時に経路にかかる電圧を検出し、その検出結果に応じて上記受動素子を流れる電流が一定値に保たれるよう上記複数のスイッチング素子の切換えデューティ比を算出して上記複数のスイッチング素子を切換える定電流スイッチ制御部と、上記定電流スイッチ制御部により算出される上記切換えデューティ比に応じて上記電源回路が供給する電圧値を調整するデューティ制御部とを具備したことを特徴とする。本発明の他の一態様は、半導体発光素子と、動作電力を供給する電源回路と、上記電源回路からの電力を蓄積して放出する受動素子、上記受動素子に上記電源回路からの電力を供給して蓄積する充電経路と上記受動素子に蓄積された電力を上記半導体発光素子で発光させて放出する放電経路とを切換える複数のスイッチング素子を含み、上記複数のスイッチング素子で上記充電経路と放電経路とを切換えることにより上記半導体発光素子を間欠駆動する駆動回路とを備えた半導体光源装置での制御方法であって、上記充電経路及び放電経路の各選択時に経路にかかる電圧を検出し、その検出結果に応じて上記受動素子を流れる電流が一定値に保たれるよう上記複数のスイッチング素子の切換えデューティ比を算出して上記複数のスイッチング素子を切換える定電流スイッチ制御工程と、上記定電流スイッチ制御工程により算出される上記切換えデューティ比に応じて上記電源回路が供給する電圧値を調整するデューティ制御工程とを有したことを特徴とする。本発明によれば、半導体発光素子を高速且つ安定化してPWM信号で駆動することが可能となる。以下に図面を参照して本発明の一実施形態を詳細に説明する。図1は、同実施形態に係る半導体光源装置10の回路構成を示す図である。同図で、この装置に供給される電源入力が電源電圧変換部11に与えられる。この電源電圧変換部11で、後述するデューティ監視部22からの制御に応じて変化する直流の駆動電圧Vinが、第1のスイッチング素子SW1として用いられるnチャネルのFET12のドレインに常時与えられる。同FET12のソースが、インダクタ13の一端に接続されると共に、第2のスイッチング素子SW2として用いられるnチャネルのFET14のドレインに接続される。上記インダクタ13の他端は、第3のスイッチング素子SW3として用いられるnチャネルのFET15のドレインと、ダイオード16のアノードとに接続される。ダイオード16のカソードは、コンデンサ17の一端及び半導体発光素子、例えばLED発光ダイオード18のアノードと接続される。LED18のカソードは、第4のスイッチング素子SW4として用いられるnチャネルのFET19のドレインと接続される。同FET19のソースが、上記コンデンサ17の他端と、上記FET15のソースとに接続される。上記コンデンサ17は、LED18に流れるリップル電流を軽減する目的、及び方形波を形成する目的のために挿入される。さらに、FET15のソースが抵抗20の一端に接続される。同抵抗20の他端が、上記FET14のソースに接続される一方で、接地される。この装置の発光のオン/オフのタイミングを制御するべく、定電流制御部21が設けられる。この定電流制御部21は、上記FET12,15の各ゲートとデューティ監視部22に対してPWM信号aを供給する一方で、そのPWM信号aを反転したPWM信号bを上記FET14,19の各ゲートと上記デューティ監視部22に供給する。また、上記抵抗20の両端の電位が合わせて定電流制御部21により検出される。定電流制御部21は、抵抗20の両端電圧を監視しながら、上記FET12,15とFET14,19に対して上記互いに反転した2つのPWM信号a,bを送出し、意図した定電流を維持するように制御を行なう。すなわち、定電流制御部21とインダクタ13、ダイオード16、コンデンサ17、及び抵抗20によりLED18のための駆動回路を構成するものであり、この駆動回路における電流経路を制御するスイッチング素子としてFET12,15とFET14,19が配設される。尚、複数のスイッチング素子としてバイポーラトランジスタを用いてもよいが、FETは電圧制御であるため、FETを用いた方が抵抗などの部品点数を削減できる。上記デューティ監視部22は、定電流制御部21の出力する2つのPWM信号a,bの各オン/オフのデューティを監視する。そして、該デューティが意図した一定値を保つように、上記電源電圧変換部11が変換して出力する駆動電圧Vinの値を、上記デューティ監視部22は制御する。次に上記実施形態の動作について説明する。定電流制御部21は、図2A,Cに示すようなPWM信号aをFET12,15の各ゲートに与えると同時に、これを反転した図2B,Dに示すようなPWM信号bをFET14,19の各ゲートに与える。FET12、15がオンとなり、図1中に破線で示す充電の電流経路R1に沿って電流が流れて、インダクタ13にエネルギが蓄積される。次に、FET12,15がオフとなり、一方でFET14,19がオンとなると、今度はインダクタ13に蓄積されたエネルギーが、図中に一点鎖線で示す放電の電流ループR2に沿って流れ、この過程で該エネルギーが負荷であるLED18を通って発光すると共に放出される。インダクタ13を流れる電流は図2Eに示すように、FET12,15がオンとなって立ち上がる際の電流IaIa>0から徐々に上昇し、FET12,15がオフとなって下がり始める際の電流IbIa<Ibをピークとして、次に再びFET12,15がオンとなって立ち上がる際の電流Iaとなるまで徐々に下降する、というパターンを繰返す。その際、ダイオード16を流れる電流は図2Fに示すように、FET12,15がオンとなっている際には電流が流れず、FET12、15がオフとなっている際には電流が流れる、というパターンを繰り返す。一方、発光素子であるLED18を流れる電流は、図2Gに示すようにFET14,19がオンとなっている期間ではインダクタ13に蓄積された電流がそのまま流れ、図示する如く方形波に近い、高速な立ち上り特性を有する電流のパルス波形を得ることができる。LED18に流れる電流を一定に保つための条件は、以下の関係式で表すことができる。すなわち、デューティ=Vf...となる。意図したデューティを守りながら定電流駆動を行なうためには、上記1式を満たす駆動電圧VinとLED18に印加される電圧Vfとの関係を保てば良いことになる。したがって定電流制御部21は、抵抗20の両端における電圧値を帰還して検出することで、意図した定電流を維持するようにFET12,15とFET14,19への各PWM信号a,bのデューティを調整し、インダクタ13に蓄積されるエネルギーを調整する。また、デューティ監視部22は、上記FET12,15とFET14,19への両PWM信号a,bのデューティを監視して、そのデューティが意図した値となるように電源電圧変換部11に指令を与える。電源電圧変換部11は、デューティ監視部22からの指令に基づいて駆動電圧Vinを必要な電圧値にシフトする。上述した如くコンデンサ17は、半導体発光素子であるLED18に流れるリップル電流を軽減する目的で挿入されているが、その充電電流がLED18の立上り電流を吸収し、LED18での高速な立上り動作を阻害する要因にもなる。そこで、PWM信号aがオンである期間は、該PWM信号aを反転したPWM信号bで動作するFET19をオフすることによりLED18を通してのコンデンサ17の放電経路、即ちコンデンサ17の正極、LED18のアノード、LED18のカソード、FET19のドレイン、FET19のソース及びコンデンサ17の負極で構成されるコンデンサ17の放電経路をオフとし、かつダイオード16によりFET15方向への電流によるコンデンサ17の電荷の放出を抑えることにより、次にPWM信号aがオフとなるまでの間、コンデンサ17での電圧を保持することができる。そのため、次にコンデンサ17を充電するための電流でLED18用の電流が吸収されることなく、LED18の立上り特性を充分に急峻で高速なものとすることが可能となる。ここで、定電流制御部21は、一般的にIC化されている定電流帰還タイプの降圧DC/DCコンバータと同様の構成で実現可能であり、このタイプではすでに数[MHz]オーダーのスイッチング周波数のものまで実用化されている。したがって、電流制御回路としてこれらのICを採用することで、数[MHz]オーダーでのPWM周期の制御が可能となる。以上に詳述した如く本実施形態によれば、定電流維持のために電流が急変しないインダクタ13の性質を利用し、加えて、スイッチング素子であるFET12,15、FET14,19のアナログ領域ではなく飽和領域を使用してスイッチング動作させるものとしたため、高速、且つ高効率で安定化したPWM信号による駆動を実現できる。なお上記実施形態においては、半導体発光素子としてLED発光ダイオードを駆動する装置に適用した場合について説明したが、本発明はこれに限らず、他にも半導体発光素子として例えばLDレーザダイオードや有機ELエレクトロルミネッセンス等を駆動するものであっても良い。さらには回路中で使用する半導体発光素子の数等を限定するものでもない。また上記実施形態は駆動回路として定電流制御のDC/DCコンバータ方式のPWM駆動回路を用いた場合について説明したが、本発明は駆動回路の方式を限定するものでもない。さらに、上記半導体光源装置を使用する装置として、例えばフィールドシーケンシャル駆動によりR,G,Bの各色LEDを時分割でそれぞれ間欠駆動するようなDLPDigitalLightProcessing登録商標方式のプロジェクタ装置に適用することも考えられる。その場合、光像を形成するためのマイクロミラー素子での画像表示に同期して、例えばフレーム周波数が120[Hz]であり、且つ各色のデューティをその時点で設定されている投影モードに応じて単位で切換える必要があるような場合にも、充分安定して対応することが可能となる。その他、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上述した実施形態で実行される機能は可能な限り適宜組み合わせて実施しても良い。上述した実施形態には種々の段階が含まれており、開示される複数の構成要件による適宜の組み合せにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、効果が得られるのであれば、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。以下に、本願出願の当所の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。請求項1記載の発明は、半導体発光素子と、動作電力を供給する電源回路と、上記電源回路からの電力を蓄積して放出する受動素子、及び上記受動素子に上記電源回路からの電力を供給して蓄積する充電経路と上記受動素子に蓄積された電力を上記半導体発光素子で発光させて放出する放電経路とを切換える複数のスイッチング素子を含み、上記複数のスイッチング素子で上記充電経路と放電経路とを切換えることにより上記半導体発光素子を間欠駆動する駆動回路と、上記充電経路及び放電経路の各選択時に経路にかかる電圧を検出し、その検出結果に応じて上記受動素子を流れる電流が一定値に保たれるよう上記複数のスイッチング素子の切換えデューティ比を算出して上記複数のスイッチング素子を切換える定電流スイッチ制御部と、上記定電流スイッチ制御部により算出される上記切換えデューティ比に応じて上記電源回路が供給する電圧値を調整するデューティ制御部とを具備したことを特徴とする。請求項2記載の発明は、上記請求項1記載の発明において、上記半導体発光素子及び上記スイッチング素子に接続されたコンデンサをさらに有すことを特徴とする。請求項3記載の発明は、上記請求項1または2記載の発明において、上記受動素子はインダクタであることを特徴とする。請求項4記載の発明は、上記請求項1乃至3いずれか記載の発明において、上記複数のスイッチング素子はFETであることを特徴とする。請求項5記載の発明は、上記請求項1乃至4いずれか記載の発明において、上記半導体発光素子はLED、LDまたは有機ELであることを特徴とする。請求項6記載の発明は、半導体発光素子と、動作電力を供給する電源回路と、上記電源回路からの電力を蓄積して放出する受動素子、上記受動素子に上記電源回路からの電力を供給して蓄積する充電経路と上記受動素子に蓄積された電力を上記半導体発光素子で発光させて放出する放電経路とを切換える複数のスイッチング素子を含み、上記複数のスイッチング素子で上記充電経路と放電経路とを切換えることにより上記半導体発光素子を間欠駆動する駆動回路とを備えた半導体光源装置での制御方法であって、上記充電経路及び放電経路の各選択時に経路にかかる電圧を検出し、その検出結果に応じて上記受動素子を流れる電流が一定値に保たれるよう上記複数のスイッチング素子の切換えデューティ比を算出して上記複数のスイッチング素子を切換える定電流スイッチ制御工程と、上記定電流スイッチ制御工程により算出される上記切換えデューティ比に応じて上記電源回路が供給する電圧値を調整するデューティ制御工程とを有したことを特徴とする。請求項7記載の発明は、上記請求項6記載の発明において、上記半導体発光素子及び上記複数のスイッチング素子にコンデンサをさらに接続させることを特徴とする。請求項8記載の発明は、上記請求項6または7記載の発明において、上記受動素子はインダクタであることを特徴とする。請求項9記載の発明は、上記請求項6乃至8いずれか記載の発明において、上記複数のスイッチング素子はFETであることを特徴とする。請求項10記載の発明は、上記請求項6乃至9いずれか記載間初において、上記半導体発光素子はLED、LDまたは有機ELであることを特徴とする。"