コア52~102、132、142と、該コアの周囲に配置された第1の巻線L1、R1と、該コアの周囲に配置され、スイッチS2により切り替え可能な第2の巻線L2、R2とを備える電気構成素子51~101、131、141において、前記第1の巻線L1、R1は、前記第2の巻線L2、R2の遮断時に、該第2の巻線L2、R2の誘導性負荷を消去するための消去回路53、103、133、143を介して短絡される、構成素子。前記第2の巻線L2、R2は当該構成素子の作動巻線として構成されており、前記第1の巻線L1、R1は前記作動巻線L2、R2の誘導性負荷を消去するための消去巻線として構成されている、請求項1に記載の構成素子。消去回路53~103、133、143が、所定の巻き数n1、所定のインダクタンスL1および所定の抵抗R1を備える前記第1の巻線L1、R1と、終端抵抗RKとの直列回路からなる短絡回路として構成されている、請求項1または2に記載の構成素子。前記第1の巻線L1、R1は、前記第2の巻線L2、R2とは別個に形成されたリアクタンス巻線として前記共通のコア52~102、132、142上に配置されている、請求項1から3までのいずれか1項記載の構成素子。前記消去回路63~103、133、143は、前記第1の巻線L1、R1と前記終端抵抗RKの並列回路として、前記第1の巻線L1、R1を切り替えるための別のスイッチS1とアースの間に形成されている、請求項1から4までのいずれか1項記載の構成素子。前記別のスイッチS1は、前記第2の巻線L2、R2の遮断時に前記第1の巻線L1、R1が前記スイッチS2によってスイッチオンされるように構成されている、請求項1から5までのいずれか1項記載の構成素子。前記第1の巻線L1、R1は、前記別のスイッチS1によるスイッチオン時に作動巻線として動作する、請求項1から6までのいずれか1項記載の構成素子。前記第1と第2の巻線L1、R1;L2、R2の抵抗R1、R2と巻き数n1、n2との比は、前記電気構成素子に印加される供給電圧UVと前記第2の巻線L2、R2のスイッチS2の絶縁破壊電圧Uavとに依存して調整され、前記供給電圧UVと前記スイッチS2での切り替え過程の時に降下するスイッチ電圧US2との電圧差より絶縁破壊電圧Uavが小さくなるようにする、請求項1から7までのいずれか1項記載の構成素子。前記比は次式の条件を満たし、RKR1n2/n1>Uav-UV/I2ここでR1は前記第1の巻線の抵抗、n1は前記第1の巻線の巻き数、n2は前記第2の巻線の巻き数、RKは消去回路の終端抵抗、UVは供給電圧、Uavは前記第2の巻線L2、R2のスイッチS2の絶縁破壊電圧、I2は前記第2の巻線L2、R2の抵抗R2を流れる電流である、請求項8に記載の構成素子。前記構成素子は、電磁石、リレー、スイッチリレー、ソレノイドスイッチ、または変圧器として構成されている、請求項1から8までのいずれか1項記載の構成素子。それぞれのスイッチS1、S2は電界効果トランジスタとして構成されている、請求項1から10までのいずれか1項記載の構成素子。請求項1から11までのいずれか1項記載の電気構成素子51~101、131、141を有する、自動車用のスタータ。コア52~102、132、142と、該コアの周囲に配置された第1の巻線L1、R1と、該コアの周囲に配置された第2の巻線L2、R2と、該第2の巻線を切り替えるためのスイッチS2とを備える電気構成素子51~101、131、141の制御方法において、前記第1の巻線L1、R1を、前記第2の巻線L2、R2の遮断時に、該第2の巻線L2、R2の誘導性負荷を消去するための消去回路53~103、133、143を介して短絡する方法。本発明は、遮断時に発生する作動巻線の誘導性負荷は、付加的な巻線を有する消去回路により簡単かつ安価に消去できるという知識に基づく。ここで付加的な巻線または消去巻線は、作動巻線と同じコア、とりわけ強磁性コアの上に間隔または配置される。作動巻線の遮断時点が消去回路のスイッチオンをトリガし、これにより消去回路は作動コイルの誘導性負荷を消去させる。それに応じて、コアと、第1の巻線と第2の巻線とを有する電気構成素子が提案される。ここでは第1の巻線も第2の巻線も1つのコアの上に配置されており、とりわけ巻回されている。第2の巻線はスイッチによりオンオフすることができる。第2の巻線の遮断時に、スイッチによって第1の巻線が、消去回路を介して第2の巻線の誘導性負荷を消去するために短絡される。これにより第1の巻線は、好ましくは電気構成素子の作動巻線として構成された第2の巻線に対して消去巻線として作用する。さらに、上に説明した電気構成素子を有する、自動車用のスタータまたはスタータシステムが提案される。スタータシステムはさらにスタータモータを含む。さらに、コアと、このコアの周囲に配置された第1の巻線と、前記コアの周囲に配置された第2の巻線と、第2の巻線をオンオフするためのスイッチとを有する電気構成素子の制御方法が提案される。この方法では、第2の巻線の遮断時に、消去回路を介して第2の巻線の誘導性負荷を消去するために第1の巻線が短絡される。従属請求項には、請求項1に記載された電気構成素子の有利な改善形態および構成が示されている。好ましい改善形態によれば、第2の巻線は電気構成素子の作動巻線として構成されている。第1の巻線は、作動巻線の誘導性負荷を消去するための消去巻線として構成されている。これにより第1の巻線は作動巻線第2の巻線の誘導性負荷を簡単かつ安価に消去することができる。これにより、構成素子に対して別に固有に設けるべき保護配線は有利には不要となる。別の好ましい改善形態によれば、消去回路は、第1の巻線と終端抵抗の直列回路からなる短絡回路として構成されている。第1の巻線は、所定の巻き数、所定のインダクタンス、および所定の抵抗を有する。短絡回路としての消去回路の構成は非常に簡単であり、第2の巻線の誘導性負荷を消去するための回路技術的な解決手段である。別の好ましい改善形態によれば第1の巻線は、第2の巻線とは別個に形成されたリアクタンス巻線として電気構成素子の共通のコアの上に配置されている。これにより本発明の消去回路の改善形態は、2つの付加的素子、すなわち消去巻線と終端抵抗が必要なだけである。本発明の別の好ましい改善形態によれば、消去回路は、第1の巻線を切り替えるための別のスイッチとアースとの間にある、第1の巻線と終端抵抗との並列回路として構成されている。別のスイッチを使用することにより、有利には第1の巻線も作動巻線としてドライブされる。ここで第1の巻線は好ましくは、この別のスイッチによるスイッチオン時に作動巻線として動作するのに適する。好ましくはこの別のスイッチは、第2の巻線の遮断時に第1の巻線が、第2の巻線用のスイッチによってスイッチオンされるよう構成されている。以下、本発明の電気構成素子の機能を詳細に説明する。この説明および本明細書で、R1は第1の巻線の抵抗、L1は第1の巻線のインダクタンス、n1は第1の巻線の巻き数、R2は第2の巻線の抵抗、n2は第2の巻線の巻き数、L2は第2の巻線のインダクタンス、RKは消去回路の終端抵抗、UVは電気構成素子の供給電圧、Uavは第2の巻線のスイッチS2の絶縁破壊電圧、そしてI2は第2の巻線L2、R2の抵抗R2を流れる電流である。ここで好ましくは、第1と第2の巻線の抵抗R1、R2と巻き数n1、n2との比は、電気構成素子に印加される供給電圧Vvと第2の巻線のスイッチS2の絶縁破壊電圧Uavとに依存して調整され、供給電圧UVとスイッチS2での切り替え過程の時に降下するスイッチ電圧US2との電圧差より絶縁破壊電圧Uavが小さくなるようにする。コアの磁束Φは短い遮断時間の間は一定に留まる。したがって遮断前には、I1=0かつI2≠0である。Φ=I2’n21スイッチS2の遮断後にI2=0になり、したがって、I2’=I2n2/n12L1、R1R2からなる消去回路では、その後、電流I1が減衰定数τ=L1/RKR1で降下する。I1t=I1’exp-t/τ3電流の立ち上がりは遮断直後が最も大きい。L1d1/dt’-RKR1I1’4消去回路の全体エネルギーを消去するためには、UVとUS2の間の電圧差が絶縁破壊電圧UavスイッチS2のアーク電圧またはアバランシュ電圧を上回ってはならない。UV-US2<UavただしUS2=dΦ/dt≒L1d1/dt5式4と3により、遮断直後には以下の消去条件が得られる。RKR1n2/n1>Uav-UV/I2またはI2、max=UV/R2を考慮して、RKR1/R2n2/n1>Uav-UV/UV別の有利な改善形態によれば、電気構成素子は電磁石、リレーまたは変圧器として構成されている。たとえばリレーは、自動車のスタータのスイッチリレーまたはソレノイドスイッチである。別の好ましい改善形態によれば、それぞれのスイッチは電界効果トランジスタFETとして構成されている。本発明のさらなる実施例が図面に示されており、以下に詳細に説明する。図5には、本発明の電気構成素子51の第1の実施例が概略的に示されている。電気構成素子51は、コア52と、コア52の周囲に配置された第1の巻線L1、R1と、コアの周囲に配置された第2の巻線L2、R2とを有する。第2の巻線L2、R2はスイッチS2によりオンオフすることができる。電気構成素子51には供給電圧UVが印加される。第2の巻線L2、R2の遮断時にスイッチS2でスイッチ電圧US2が降下する。さらに電気構成素子51は、第1の巻線のインダクタンスL1、第1の巻線の抵抗R1および終端抵抗RKからなる消去回路53を有する。これにより第1の巻線L1、R1は、スイッチS2による第2の巻線L2、R2の遮断時に、第2の巻線L2、R2の誘導性負荷を消去するための消去回路53を介して短絡される。図6に示された電気構成素子61は、コア62と、第1の巻線L1、R1と、第2の巻線L2、R2とを有し、図5の実施例とは消去回路の構成および別のスイッチS1が存在する点で異なる。図6の消去回路63は、第1の巻線L1、R1と終端抵抗RKの並列回路として、第1の巻線L1、R1を切り替えるためのスイッチS1とアースの間に形成されている。これにより第1の巻線L1、R1は、第2の巻線L2、R12に対する消去巻線として用いられるだけでなく、自立した作動巻線としても用いられる。さらに図7は、別の作動巻線L1、R1が消去巻線として並列抵抗RKを介して動作する電気構成素子71を示す。ここで図7の電気構成素子71の消去回路73は、R1、L1およびRKにより形成されている。図8の実施例は図7の実施例とは、電気構成素子81では電気構成素子71に対してさらに付加的なインダクタンスL1pとL2pが図示されている点で異なる。この付加的なインダクタンスL1pとL2pは、漏れ磁束および既存の線路により真に発生するインダクタンスを表す。図9は、図5の本発明の電気構成素子51の概略的等価回路を示す。ここで図9の電気構成素子91は図5の電気構成素子51に相当し、ツェナーダイオードDavはスイッチS2に発生する絶縁破壊電圧の基準として構成されている。絶縁破壊電力はPVにより示されている。さらに図10は、図6の本発明の電気構成素子の構成素子101に対する概略的等価回路を示す。図9に対応してツェナーダイオードDavとDlが図示されている。さらに図10の構成素子101はフリーホイールダイオード104を有する。さらに図10は、第1の巻線L1、R1と第2の巻線L2、R2に対する並列消去配線103を備える等価回路図を示す。比較のために図11と12は、従来の電気構成素子111と112に対する概略的等価回路図を示す。ここでは切り替え過程の際にそれぞれのツェナーダイオードDavに絶縁破壊電圧PVが発生する。図13から16は、付加的に図示されたインダクタンスL1pとL2pを備える図9から12の概略的等価回路図を示し、これらのインダクタンスは実際に存在する線路インダクタンスを表す。図13から16は、寄生インダクタンスL1p、L2pが発生するため上記の消去条件が変動する可能性を示す。図17には、図10の本発明の構成素子の等価回路図と比較するために図12の従来の構成素子を備える測定例が示されている。詳細には図17は、別個に制御される二重巻線の巻線を有するスタータリレーの測定例である。フリーホイール経路の電流、電圧および損失電力が、消去巻線ありの場合図10が上部に、消去巻線なしの場合図12が下部にプロットされている。フリーホイールダイオード104または124の消去電力図10と12参照は、消去巻線により非常に小さくなる。したがって消去巻線R2、L2の有効性が示されている。フリーホイール経路がないと絶縁破壊電圧Vavがより高くなるが、消去巻線L1、R2を介して完全に消去できよう。図17に対しては以下の値が選択された。UV=1.5V、R1=1.4Ω、n1=110、R2=2.8Ω、n2=150、Ud=0.7V。付加的なツェナーダイオードによる対応するシミュレーション例が図18に示されている。これにより終端抵抗または短絡抵抗RKをさらに大きくすることができる。さらに図19は、図10の消去巻線を有する場合と、図12の消去巻線を有しない場合の絶縁破壊電力のシミュレーション例を示す。図12に参照として示された破線は、消去経路がない場合に発生するアーク電圧またはアバランシュ電圧を示す。さらに図19は、消去経路の作用が、絶縁破壊電圧Vavが高ければ高いほどより良好であることを示す。なぜならより高い絶縁破壊電圧Vavによって動作する図10の消去巻線は図19に関連してフリーホイール経路がなくても非常に効果的だからである。スイッチS2にあるエネルギー量の少ない寄生インダクタンスだけを消去すればよい。図19に対しては以下の値が選択された。UV=1.5V、R1=1.4Ω、n1=110、R2=2.8Ω、n2=150、RK=1Ω、Uav=50V。図20は、消去条件の限界での絶縁破壊電圧のシミュレーション例を示す。ここで図20は、より高い絶縁破壊電圧により減衰定数τ=L1/Rkr1が小さくなり得ることを示す。ここで境界例は、主に消去巻線を介する消去について示す。図20に対しては以下の値が選択された。UV=1.5V、R1=1.4Ω、n1=110、R2=2.8Ω、n2=150、RK=10Ω、Uav=50V。さらに図21は、供給電圧UVが大きい場合の絶縁破壊電力についてのシミュレーション例を示す。ここで図21は、供給電圧UVの増大とともに減衰定数τが大きくならなければならないことを示す。その場合には、消去巻線を介して完全に消去される。図21に対しては以下の値が選択された。UV=12.5V、R1=1.4Ω、n1=110、R2=2.8Ω、n2=150、RK=1Ω、Uav=50V。さらに図22は、供給電圧が大きい場合の消去限界についてのシミュレーション例を示す。この境界例では主に消去巻線を介して消去される。図22に対しては以下の値が選択された。UV=12.5V、R1=1.4Ω、n1=110、R2=2.8Ω、n2=150、RK=5Ω、Uav=50V。これによりRK<4.76Ωの計算値が得られる。図23は、消去限界を上回ったときのシミュレーション例を示す。図23は詳細には、減衰定数さらに小さくなることのない消去回路において終端抵抗RKがさらに大きくなると消去作用が弱くなることを示す。言い替えると、終端抵抗RKが過度に大きいと、時定数が過度に小さく選択され、そのためスイッチS2で絶縁破壊が生じ得る。図23に対しては以下の値が選択された。UV=12.5V、R1=1.4Ω、n1=110、R2=2.8Ω、n2=150、RK=10Ω、Uav=50V。図24は、電気構成素子51を制御するための本発明の方法の実施例の概略的フローチャートである。図24の実施例は、方法ステップ241と242を有し、図5を参照して説明する。方法ステップ241:コア52と、第1の巻線L1、R1と、第2の巻線L2、R2と、第2の巻線L2、R2をオンオフするためのスイッチS2とを有する電気構成素子51が準備される。方法ステップ242:第2の巻線L2、R2の遮断時に、第2の巻線L2、R2の誘導性負荷を消去するために第1の巻線L1、R1が消去回路53を介して短絡される。