基板と、前記基板上に設けられたn型窒化物半導体層と、前記n型窒化物半導体層上に設けられたAlx0Iny0Gaz0N0≦x0<1、0<y0<1、0≦z0<1の式で表わされるi型窒化物半導体層と、前記i型窒化物半導体層上に設けられたp型窒化物半導体層と、前記n型窒化物半導体層と前記i型窒化物半導体層との間に設けられたAlx1Iny1Gaz1N0≦x1<1、0<y1<1、0≦z1<1の式で表わされる窒化物半導体下地層と、前記i型窒化物半導体層と前記p型窒化物半導体層との間に設けられたAlx2Iny2Gaz2N0≦x2<1、0<y2<1、0≦z2<1の式で表わされる窒化物半導体光反射層とを備え、前記i型窒化物半導体層は、前記窒化物半導体下地層と前記窒化物半導体光反射層との間に挟まれており、前記i型窒化物半導体層のIn組成比y0と、前記窒化物半導体下地層のIn組成比y1と、前記窒化物半導体光反射層のIn組成比y2とが、0<y2<y0<y1の関係式を満たし、前記窒化物半導体下地層の厚さが、臨界膜厚以上の厚さである、光電変換素子。前記窒化物半導体下地層の前記In組成比y1が、さらに0.25≦y1≦0.5の関係式を満たし、前記窒化物半導体下地層の厚さが、5nm以上10nm以下である、請求項1に記載の光電変換素子。前記n型窒化物半導体層の絶対屈折率が、前記窒化物半導体下地層の絶対屈折率よりも小さい、請求項1または2に記載の光電変換素子。前記窒化物半導体光反射層は、前記i型窒化物半導体層と前記p型窒化物半導体層との間のバンドギャップを有する、請求項1から3のいずれかに記載の光電変換素子。前記窒化物半導体光反射層の厚さが、1nm以上10nm以下である、請求項1から4のいずれかに記載の光電変換素子。前記p型窒化物半導体層の絶対屈折率が、前記窒化物半導体光反射層の絶対屈折率よりも小さい、請求項1から5のいずれかに記載の光電変換素子。前記p型窒化物半導体層上に透明導電層をさらに備え、前記透明導電層は、Zn、In、SnおよびMgからなる群から選択された少なくとも1種を含む、請求項1から6のいずれかに記載の光電変換素子。前記透明導電層の絶対屈折率が2.3未満である、請求項7に記載の光電変換素子。前記透明導電層の厚さが、250nm以上500nm以下である、請求項7または8に記載の光電変換素子。前記基板は、AlxInyGazN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz≠0、GaP、GaAs、NdGaO3、LiGaO2、Al2O3、MgAl2O4、ZnO、Si、SiC、SiGeまたはZrB2の式で表わされる基板である、請求項1から9のいずれかに記載の光電変換素子。前記n型窒化物半導体層の形成側とは反対側の前記基板の表面上に金属光反射層をさらに備えた、請求項1から10のいずれかに記載の光電変換素子。前記金属光反射層は、Ag層である、請求項11に記載の光電変換素子。前記金属光反射層の厚さが、10nm以上1000nm以下である、請求項11または12に記載の光電変換素子。このように、光吸収の観点からはi型窒化物半導体層を厚膜に形成することが好ましいが、ミスフィット転位に起因する結晶品質の低下を防止する観点からはi型窒化物半導体層の厚膜化は困難である。そこで、窒化物半導体を用いた光電変換素子の光吸収層となるi型窒化物半導体層に、バンドギャップが異なる複数の窒化物半導体層を用いたMQW多重量子井戸構造を適用して厚膜化することも考えられる。しかしながら、MQW構造はヘテロ接合であるため、ヘテロ界面の界面準位によってフォトキャリアが捕捉されてしまい、結果として、光電変換素子の短絡電流密度および曲線因子F.Fが低くなる。上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、短絡電流密度と曲線因子とを大きくすることができる、窒化物半導体を用いた光電変換素子を提供することにある。本発明は、基板と、基板上に設けられたn型窒化物半導体層と、n型窒化物半導体層上に設けられたAlx0Iny0Gaz0N0≦x0<1、0<y0<1、0≦z0<1の式で表わされるi型窒化物半導体層と、i型窒化物半導体層上に設けられたp型窒化物半導体層と、n型窒化物半導体層とi型窒化物半導体層との間に設けられたAlx1Iny1Gaz1N0≦x1<1、0<y1<1、0≦z1<1の式で表わされる窒化物半導体下地層と、i型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に設けられたAlx2Iny2Gaz2N0≦x2<1、0<y2<1、0≦z2<1の式で表わされる窒化物半導体光反射層とを備え、i型窒化物半導体層は、窒化物半導体下地層と窒化物半導体光反射層との間に挟まれており、i型窒化物半導体層のIn組成比y0と、窒化物半導体下地層のIn組成比y1と、窒化物半導体光反射層のIn組成比y2とが、0<y2<y0<y1の関係式を満たし、窒化物半導体下地層の厚さが臨界膜厚以上の厚さである光電変換素子である。ここで、本発明の光電変換素子においては、窒化物半導体下地層のIn組成比y1が、さらに0.25≦y1≦0.5の関係式を満たし、窒化物半導体下地層の厚さが、5nm以上10nm以下であることが好ましい。また、本発明の光電変換素子においては、n型窒化物半導体層の絶対屈折率が窒化物半導体下地層の絶対屈折率よりも小さいことが好ましい。また、本発明の光電変換素子において、窒化物半導体光反射層は、i型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間のバンドギャップを有することが好ましい。また、本発明の光電変換素子において、窒化物半導体光反射層の厚さは、1nm以上10nm以下であることが好ましい。また、本発明の光電変換素子において、p型窒化物半導体層の絶対屈折率が、窒化物半導体光反射層の絶対屈折率よりも小さいことが好ましい。また、本発明の光電変換素子は、p型窒化物半導体層上に透明導電層をさらに備え、透明導電層は、Zn、In、SnおよびMgからなる群から選択された少なくとも1種を含むことが好ましい。また、本発明の光電変換素子において、透明導電層の絶対屈折率は2.3未満であることが好ましい。また、本発明の光電変換素子において、透明導電層の厚さは、250nm以上500nm以下であることが好ましい。また、本発明の光電変換素子において、基板は、AlxInyGazN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz≠0、GaP、GaAs、NdGaO3、LiGaO2、Al2O3、MgAl2O4、ZnO、Si、SiC、SiGeまたはZrB2の式で表わされる基板であることが好ましい。また、本発明の光電変換素子は、n型窒化物半導体層の形成側とは反対側の基板の表面上に金属光反射層をさらに備えていることが好ましい。また、本発明の光電変換素子において、金属光反射層は、Ag層であることが好ましい。また、本発明の光電変換素子において、金属光反射層の厚さは、10nm以上1000nm以下であることが好ましい。本発明によれば、短絡電流密度と曲線因子とを大きくすることができる、窒化物半導体を用いた光電変換素子を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。図1に、本発明の光電変換素子の一例の模式的な断面図を示す。図1に示す光電変換素子100は、基板200と、基板200の一方の表面上に設けられたn型窒化物半導体層300と、n型窒化物半導体層300上に設けられた窒化物半導体下地層401と、窒化物半導体下地層401上に設けられたi型窒化物半導体層400と、i型窒化物半導体層400上に設けられた窒化物半導体光反射層402と、窒化物半導体光反射層402上に設けられたp型窒化物半導体層500と、p型窒化物半導体層500上に設けられた透明導電層600と、n型窒化物半導体層300の形成側とは反対側の基板200の表面上に設けられた金属光反射層700とを備えている。ここで、窒化物半導体下地層401は、n型窒化物半導体層300とi型窒化物半導体層400との間に設けられており、窒化物半導体光反射層402は、i型窒化物半導体層400とp型窒化物半導体層500との間に設けられている。さらに、i型窒化物半導体層400は、窒化物半導体下地層401と窒化物半導体光反射層402との間に挟まれている。図1に示す光電変換素子100は、透明導電層600側からi型窒化物半導体層400に光101を入射させることによって、i型窒化物半導体層400内でフォトキャリアを生じさせ、透明導電層600と金属光反射層700とから、光電変換素子100の外部に取り出すことができる。図1に示す光電変換素子100は、たとえば以下のようにして製造することができる。まず、たとえばMOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法等により、基板200上にn型窒化物半導体層300を成長させる。基板200としては、たとえば、AlxInyGazN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz≠0、GaP、GaAs、NdGaO3、LiGaO2、Al2O3、MgAl2O4、ZnO、Si、SiC、SiGeまたはZrB2の式で表わされる基板を用いることができる。なお、xはAl組成比を示し、yはIn組成比を示し、zはGa組成比を示している。n型窒化物半導体層300としては、たとえば、AlaInbGacN0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c≦1、abc≠0の式で表わされる窒化物半導体結晶にSi等のn型不純物がドープされた層を成長させることができる。なお、aはAl組成比を示し、bはIn組成比を示し、cはGa組成比を示している。また、n型窒化物半導体層300は、たとえば0.1μm以上4μm以下の厚さに形成することができる。次に、たとえばMOCVD法等により、n型窒化物半導体層300上に窒化物半導体下地層401を窒化物半導体下地層401の臨界膜厚以上の厚さに成長させる。窒化物半導体下地層401としては、Alx1Iny1Gaz1N0≦x1<1、0<y1<1、0≦z1<1の式で表わされる窒化物半導体結晶を成長させることができる。なお、x1はAl組成比を示し、y1はIn組成比を示し、z1はGa組成比を示している。次に、たとえばMOCVD法等により、窒化物半導体下地層401上にi型窒化物半導体層400を成長させる。i型窒化物半導体層400としては、Alx0Iny0Gaz0N0≦x0<1、0<y0<1、0≦z0<1の式で表わされる窒化物半導体を用いることができる。なお、x0はAl組成比を示し、y0はIn組成比を示し、z0はGa組成比を示している。次に、たとえばMOCVD法等により、i型窒化物半導体層400上に窒化物半導体光反射層402を成長させる。窒化物半導体光反射層402としては、Alx2Iny2Gaz2N0≦x2<1、0<y2<1、0≦z2<1の式で表わされる窒化物半導体結晶を成長させることができる。なお、x2はAl組成比を示し、y2はIn組成比を示し、z2はGa組成比を示している。次に、たとえばMOCVD法等により、窒化物半導体光反射層402上にp型窒化物半導体層500を成長させる。p型窒化物半導体層500としては、たとえば、AldIneGafN0≦d≦1、0≦e≦1、0≦f≦1、def≠0の式で表わされる窒化物半導体結晶にMg等のp型不純物がドープされた層を成長させることができる。なお、dはAl組成比を示し、eはIn組成比を示し、fはGa組成比を示している。また、p型窒化物半導体層500は、たとえば50nm以上2000nm以下の厚さに形成することができる。次に、たとえばマグネトロンスパッタリング法等により、p型窒化物半導体層500上に透明導電層600を形成する。透明導電層600としては、透明導電層600に入射した光をi型窒化物半導体層400側に透過させるとともに、導電性を有する層を形成することができる。透明導電層600としては、なかでもZn、In、SnおよびMgからなる群から選択された少なくとも1種を含む単層、またはこれらの単層を複数積層した複数層を形成することが好ましい。なお、Znを含む単層としては、たとえば、ZnOにAlがドープされたAZO、ZnOにGaがドープされたGZO、ZnOにMgがドープされたMZO、またはZnOにInがドープされたIZO等が挙げられる。また、Inを含む単層およびSnを含む単層としては、たとえば、InとSnの複合酸化物であるITOIndiumTinOxide等が挙げられる。また、Mgを含む単層としては、たとえば、CがドープされたMgOH2等が挙げられる。また、たとえば、Al濃度の異なるZnOターゲットを用いて、厚さ方向にAl濃度の異なるAZO膜を形成してもよい。さらには、これらの単層を複数積層した複数層であってもよく、たとえば、GZO膜上にITO膜を積層して形成してもよい。透明導電層600の厚さTcは、250nm以上500nm以下であることが好ましい。透明導電層600の厚さTcが250nm未満である場合には、p型窒化物半導体層500と最適なオーミック接触を形成できず、光電変換素子100の曲線因子が低下するおそれがある。また、透明導電層600の厚さTcは、窒化物半導体層の厚さにより適宜変化させることが好ましいが、透明導電層600の絶対屈折率が、1.5よりも大きく2.3未満であって、透明導電層600の厚さTcが250nm以上500nm以下である場合には、0.4~0.5μmの短波長領域に対して透過率が高くなり、i型窒化物半導体層400に多くの光を入射させることができる。また、この場合には、窒化物半導体下地層401とn型窒化物半導体層300との界面で反射される反射光および金属光反射層700からの反射光の一部をi型窒化物半導体層400に戻して、i型窒化物半導体層400内におけるフォトキャリアの発生量を増大させることができるため、光電変換素子100の短絡電流密度を増大させることができる。次に、たとえば蒸着法等により、n型窒化物半導体層300の形成側と反対側の基板200の表面裏面上に金属光反射層700を形成する。金属光反射層700は、たとえば、マグネトロンスパッタリング法、真空蒸着法、またはイオンプレーティング法などによって形成することができる。基板200の裏面上に金属光反射層700を形成することによって、窒化物半導体下地層401とn型窒化物半導体層300との界面でi型窒化物半導体層400側に反射されずに透過してきた光を金属光反射層700で反射させることができ、i型窒化物半導体層400内に再度戻すことができる。この反射光はi型窒化物半導体層400で再度吸収されるため、i型窒化物半導体層400内で発生するフォトキャリアの量が増大し、光電変換素子100の短絡電流密度を増大させることができる。また、金属光反射層700は、窒化物半導体層外に設けられるため抵抗成分とはならないことから、光電変換素子100の曲線因子を低下させない。金属光反射層700としては、i型窒化物半導体層400側に光を反射させる金属層であれば特に限定されず、たとえば、Al層、Au層、Ni層、Ti層、Pt層の単層、またはこれらの単層を複数積層した複数層を用いることができる。なかでも、金属光反射層700としては、入手が容易で、かつ反射率が大きいAl層またはAg層を形成することが好ましく、0.5μm以下の短波長領域の光の反射率が大きいAg層を形成することがより好ましい。金属光反射層700の厚さTrは、10nm以上1000nm以下であることが好ましい。この場合には、金属光反射層700の基板200からの剥離を効果的に抑制することができる。その後、透明導電層600、p型窒化物半導体層500、窒化物半導体光反射層402、i型窒化物半導体層400および窒化物半導体下地層401のそれぞれの一部をエッチングしてn型窒化物半導体層300の表面が露出させ、ダイシング等によって個々の光電変換素子に分割することによって図1に示す光電変換素子100が作製される。本発明者が、短絡電流密度と曲線因子とを大きくすることができる窒化物半導体を用いた光電変換素子について鋭意検討した結果、以下のことを見い出した。すなわち、In組成比y1が0.5以下の窒化物半導体下地層401を臨界膜厚以上の厚さT1に成長させて、窒化物半導体下地層401内に生じる歪を一旦緩和させた後、窒化物半導体下地層401よりもIn組成比の小さいi型窒化物半導体層400を成長させ、さらにi型窒化物半導体層400上にi型窒化物半導体層400よりもIn組成比の小さい窒化物半導体光反射層402を成長させて、窒化物半導体下地層401と窒化物半導体光反射層402とでi型窒化物半導体層400を挟んだ構造とする。これにより、i型窒化物半導体層400を高品質の結晶で厚膜に形成することができ、かつi型窒化物半導体層400内により多くの光を閉じ込めることができる。すなわち、窒化物半導体下地層401を臨界膜厚以上の厚さT1に成長させて緩和させた場合には、窒化物半導体下地層401上に成長するi型窒化物半導体層400も緩和した状態で成長する。そのため、i型窒化物半導体層400の厚さTsを臨界膜厚以上に成長させた場合でも、i型窒化物半導体層400には転位が形成されにくくなることから、高品質な結晶からなるi型窒化物半導体層400を厚膜に形成することができる。そのため、i型窒化物半導体層400内でより多くのフォトキャリアを生成することができるとともに、MQW構造を適用した場合と比べて、i型窒化物半導体層400内のヘテロ接合面での界面準位によるフォトキャリアの減少を抑えることができることから、光電変換素子100の曲線因子を大きくすることができる。また、i型窒化物半導体層400のIn組成比y0と、窒化物半導体下地層401のIn組成比y1と、窒化物半導体光反射層402のIn組成比y2とが、0<y2<y0<y1の関係式を満たすように成長させられることによって、透明導電層600からの入射光をi型窒化物半導体層400内に効率的に入射させることができる。すなわち、窒化物半導体においては、In組成比が増大するにしたがって、絶対屈折率も増加する。すなわち、i型窒化物半導体層400の絶対屈折率n0と、窒化物半導体下地層401の絶対屈折率n1と、窒化物半導体光反射層402の絶対屈折率n2とは、n2<n0<n1の関係式を満たしている。また、光は、絶対屈折率の小さい層から絶対屈折率の大きい層に入射しやすく、絶対屈折率の大きい層から絶対屈折率の小さい層に対しては入射しにくく、その界面で反射される傾向にある。したがって、図1に示す光電変換素子100においては、p型窒化物半導体層500から窒化物半導体光反射層402に入射した光は、窒化物半導体光反射層402から絶対屈折率の大きいi型窒化物半導体層400に入射されやすい。また、n型窒化物半導体層300のIn組成比bを窒化物半導体下地層401のIn組成比y1よりも小さくすることによって、n型窒化物半導体層300の絶対屈折率を窒化物半導体下地層401の絶対屈折率よりも小さくすることができるため、i型窒化物半導体層400および窒化物半導体下地層401を透過してきた光をn型窒化物半導体層300と窒化物半導体下地層401との界面でi型窒化物半導体層400側に反射させることができる。そのため、図1に示す光電変換素子100においては、窒化物半導体下地層401と窒化物半導体光反射層402とでi型窒化物半導体層400を挟んだ構造とすることによって、i型窒化物半導体層400内に光を閉じ込めることができ、i型窒化物半導体層400内で発生するフォトキャリア量を増大させることができるため、光電変換素子100の短絡電流密度を増大させることができる。さらに、p型窒化物半導体層500のIn組成比eを窒化物半導体光反射層402のIn組成比y2よりも小さくすることが好ましい。この場合には、p型窒化物半導体層500の絶対屈折率が窒化物半導体光反射層402の絶対屈折率よりも小さくなるため、n型窒化物半導体層300と窒化物半導体下地層401との界面で反射し、i型窒化物半導体層400および窒化物半導体光反射層402を透過してきた光を再度、p型窒化物半導体層500と窒化物半導体光反射層402との界面でi型窒化物半導体層400側に反射させることができる。そのため、i型窒化物半導体層400内にさらに多くの光を閉じ込めることができ、i型窒化物半導体層400内で発生するフォトキャリア量をさらに増大させることができるため、光電変換素子100の短絡電流密度をさらに増大させることができる。以上の理由により、i型窒化物半導体層400のIn組成比y0と、窒化物半導体下地層401のIn組成比y1と、窒化物半導体光反射層402のIn組成比y2とが、0<y2<y0<y1の関係式を満たすように、臨界膜厚以上の厚さを有する窒化物半導体下地層401上にi型窒化物半導体層400および窒化物半導体光反射層402をこの順に成長させて窒化物半導体を用いた光電変換素子100を形成することによって、窒化物半導体を用いた光電変換素子100の短絡電流密度と曲線因子とを大きくすることができる。また、窒化物半導体下地層401のIn組成比y1が0.5を超える場合には、窒化物半導体下地層401に多くの欠陥が生じて結晶品質が悪化し、i型窒化物半導体層400で生成したフォトキャリアの電子がn型窒化物半導体層300に拡散する際に、臨界膜厚以上の厚さを有する窒化物半導体下地層401の通過中に捕捉される確率が高くなる。そのため、窒化物半導体下地層401のIn組成比y1はy1≦0.5であることが好ましい。なお、本明細書において、臨界膜厚とは、ミスフィット転位が生じない最大膜厚であることを意味する。また、窒化物半導体下地層401のIn組成比y1は、さらに0.25≦y1の関係式を満たすことが好ましい。窒化物半導体下地層401のIn組成比y1が0.25以上である場合には、窒化物半導体下地層401の臨界膜厚が5nm以下となるため、窒化物半導体下地層401を容易に緩和させることができる傾向にある。窒化物半導体下地層401のIn組成比y1が0.25未満である場合には、窒化物半導体下地層401の臨界膜厚が大きくなるため、窒化物半導体下地層401が緩和しにくくなり、また窒化物半導体下地層401を厚く形成しすぎると窒化物半導体下地層401が抵抗成分になるだけでなく、i型窒化物半導体層400で生成したフォトキャリアの電子がn型窒化物半導体層300に拡散する過程で窒化物半導体下地層401で捕捉される確率が高くなる傾向にある。なお、窒化物半導体下地層401のAl組成比x1が0であり、In組成比y1が0.25であり、Ga組成比z1が0.75であるとき、In025Ga075Nからなる窒化物半導体下地層401の臨界膜厚は5nmとなる。また、Iny1Gaz1Nからなる窒化物半導体下地層401のIn組成比y1を増加させていくにしたがって、窒化物半導体下地層401の臨界膜厚は小さくなっていき、In組成比y1が0.5であってGa組成比z1が0.5であるときのIn05Ga05Nからなる窒化物半導体下地層401の臨界膜厚は2nmとなる。また、窒化物半導体下地層401の厚さT1は、5nm以上10nm以下であることが好ましい。窒化物半導体下地層401の厚さT1が10nmを超えると、i型窒化物半導体層400で発生したフォトキャリアの電子がn型窒化物半導体層300に拡散する際に窒化物半導体下地層401で捕捉される確率が高くなり、光電変換素子100の曲線因子が低下するおそれがある。また、上述したように、窒化物半導体下地層401のIn組成比y1が増加するにしたがって、窒化物半導体下地層401の結晶性が悪くなり欠陥が形成され、光電変換素子100の曲線因子の低下を引き起こす。そのため、窒化物半導体下地層401の厚さの下限は、窒化物半導体下地層401のIn組成比y1が0.25であるときの臨界膜厚である5nmとすることが好ましい。また、i型窒化物半導体層400は、臨界膜厚以上の厚さT1に形成することにより意図的に緩和させた窒化物半導体下地層401上に成長させて形成されるため、i型窒化物半導体層400を高品質の結晶で厚膜に形成することができる。したがって、光を多く吸収させる観点からは、i型窒化物半導体層400の厚さTsは厚い方が好ましいが、i型窒化物半導体層400の厚さTsが厚すぎる場合には、n型窒化物半導体層300とp型窒化物半導体層500との間に形成される内部電界が、i型窒化物半導体層400に十分に印加されないことがある。そのため、i型窒化物半導体層400の厚さは、たとえば400nm以下であることが好ましい。図2に、n型窒化物半導体層300と、窒化物半導体下地層401と、i型窒化物半導体層400と、窒化物半導体光反射層402と、p型窒化物半導体層500との接合体のエネルギーバンドの一例を示す。透明導電層600側から光101を入射して光電子変換素子100を作動させた場合には、i型窒化物半導体層400で生成したフォトキャリアの電子と正孔は、正孔にあっては、p型窒化物半導体層500の価電子帯へ拡散し、電子にあっては、n型窒化物半導体層300の伝導帯に拡散する。窒化物半導体光反射層402を形成しなかった場合には、i型窒化物半導体層400で生成したフォトキャリアの電子の一部は、p型窒化物半導体層500の伝導帯に拡散しようとするが、それらは、i型窒化物半導体層400とp型窒化物半導体層500との界面の界面準位に捕捉されて消失する。この界面準位は、i型窒化物半導体層400とp型窒化物半導体層500との格子定数差に起因する格子不整合により発生する。したがって、窒化物半導体光反射層402は、i型窒化物半導体層400とp型窒化物半導体層500との間のバンドギャップを有することが好ましい。この場合には、窒化物半導体光反射層402は、i型窒化物半導体層400とp型窒化物半導体層500との間の格子不整合を緩和するための緩衝層の役割を果たし、界面準位を低減させる効果を有する。また、この場合には、p型窒化物半導体層500の伝導帯に拡散しようとする電子を、i型窒化物半導体層400の伝導帯に追い返す役割も果たす。そのため、この場合には、光電変換素子100の短絡電流密度と曲線因子を向上させることができる。窒化物半導体光反射層402の厚さT2は、1nm以上10nm以下であることが好ましい。上述したように、i型窒化物半導体層400で生成したフォトキャリアの正孔は、p型窒化物半導体層500に拡散する際に、窒化物半導体光反射層402を通過する。窒化物半導体光反射層402を通過中の正孔は、i型窒化物半導体層400からp型窒化物半導体層500に拡散する際に窒化物半導体光反射層402を通過する電子と、窒化物半導体光反射層402内で再結合を起こして消失することがある。そのため、窒化物半導体光反射層402の厚さT2は、正孔と電子との再結合が発生するまでに、正孔および電子が通過できる厚さ以下とすることが好ましく、その厚さT2は10nm以下であることが好ましい。また、窒化物半導体光反射層402の厚さT2を1nm未満とすることは生産技術的に困難であるため、窒化物半導体光反射層402の厚さT2は1nm以上であることが好ましい。なお、上記において、透明導電層600上に金属層が形成されてもよい。また、i型窒化物半導体層400と窒化物半導体光反射層402との界面以外の窒化物半導体光反射層402においては、単層の窒化物半導体光反射層402中でIn組成比を変えて、単層の窒化物半導体光反射層402の内部で絶対屈折率を変化させてもよい。<実施例>実施例においては、図1に示す光電変換素子100を作製した。まず、基板200として、フッ化水素濃度が47質量のフッ化水素水溶液で表面を洗浄したGaN基板を用意した。次に、当該GaN基板からなる基板200をMOCVD装置内に設置し、1100°C~1200°Cに加熱し、MOCVD装置内に、トリメチルガリウムTMGを125μmolマイクロモル、アンモニアNH3を270mmolミリモル、モノシランSiH4を2mmol導入して、基板200上に厚さ1.5μmのn型窒化物半導体層300を形成した。n型窒化物半導体層300は、Siが2×1018個/cm3の濃度でドープされたn型GaN層であった。次に、n型窒化物半導体層300の形成後の基板200の温度を730°C~800°Cまで降温させ、MOCVD装置内に、TMGを300μmol、トリメチルインジウムTMIを90μmol、NH3を420mmol導入して、n型窒化物半導体層300上に厚さ15nmのIn025Ga075Nからなる窒化物半導体下地層401を形成した。In025Ga075N結晶の臨界膜厚を実験的に求めるため、オージェ電子分光法で、上記の窒化物半導体下地層401と同一方法および同一条件で形成したIn025Ga075N結晶の深さ方向におけるIn濃度In組成比の分布を測定した。その結果を図3に示す。図3のa点がIn025Ga075N結晶の成長開始点を示しており、厚さが6nmの時点までIn濃度が25原子を保ちながらIn025Ga075N結晶が成長した後、図3のb点からIn濃度が急激に上昇して28原子となった。図3に示す結果から、In025Ga075N結晶の臨界膜厚は6nmであることがわかる。臨界膜厚以上の厚さで急激にIn濃度が増加するのは、臨界膜厚に達したIn025Ga075N結晶が緩和することにより、In025Ga075N結晶の成長過程において、In025Ga075N結晶の表面でInが堆積しやすいことによる。次に、TMIの供給量を80μmolとしたこと以外は同一方法および同一条件で、窒化物半導体下地層401上に、厚さ100nmのIn02Ga08Nからなるi型窒化物半導体層400を成長させた。次に、TMIの供給量を20μmolまで低減したこと以外は同一方法および同一条件で、i型窒化物半導体層400上に、厚さ10nmのIn003Ga097Nからなる窒化物半導体光反射層402を形成した。図4に、上記と同一の方法および条件で、窒化物半導体下地層401、i型窒化物半導体層400および窒化物半導体光反射層402を形成したサンプルについて、オージェ電子分光法で、サンプルの深さ方向におけるIn濃度の分布を測定した。その結果を図4に示す。なお、図4のaの領域は、In025Ga075N結晶からなる窒化物半導体下地層401に相当し、図4のbの領域は、In02Ga08Nからなるi型窒化物半導体層400に相当し、図4のcの領域は、窒化物半導体光反射層402に相当する。図4に示すように、窒化物半導体下地層401、i型窒化物半導体層400および窒化物半導体光反射層402と進むにしたがってIn濃度が低下していることがわかる。窒化物半導体下地層401および窒化物半導体光反射層402は、i型窒化物半導体層400に入射光を閉じ込める役割を果たす。図1に示される入射光101は、まず、i型窒化物半導体層400で吸収される。i型窒化物半導体層400で吸収し切れずに透過した光は、窒化物半導体下地層401とn型窒化物半導体層300との界面で反射されて、再びi型窒化物半導体層400で吸収される。i型窒化物半導体層400で吸収し切れなかった反射光は、i型窒化物半導体層400と窒化物半導体光反射層402との界面で反射され、その反射光は、再びi型窒化物半導体層400で吸収される。また、i型窒化物半導体層400と窒化物半導体光反射層402との界面で反射されずに、窒化物半導体光反射層402とp型窒化物半導体層500との界面まで到達した光も、窒化物半導体光反射層402とp型窒化物半導体層500との界面で反射され、その反射光は、再びi型窒化物半導体層400内で吸収される。この光閉じ込め効果により、i型窒化物半導体層400内で多くのフォトキャリアが生成される。次に、窒化物半導体光反射層402の形成後の基板200を1000°C~1100°Cの温度に昇温し、MOCVD装置内に、TMGを125μmol、NH3を270mmol、ビスシクロペンタジエニルマグネシウムCP2Mgを0.3μmol導入して、窒化物半導体光反射層402上に厚さ50nmのp型窒化物半導体層500を形成した。p型窒化物半導体層500は、Mgが2×1019個/cm3の濃度でドープされたp型GaN層であった。次に、p型窒化物半導体層500の形成後の基板200をアニール炉に設置し、800°Cの窒素雰囲気に5分間保持することによってアニールした。次に、p型窒化物半導体層500のアニール後の基板200をマグネトロンスパッタ装置に設置し、Al濃度が2原子のZnOターゲットから、厚さ0.32μmのAZOからなる透明導電層600をp型窒化物半導体層500上に形成した。ここで、基板200の温度は180°Cとされ、透明導電層600の形成時の分圧はO2/Ar=3.8であった。なお、本実施例では、透明導電層600として、AZOの単層を用いたが、透導電率ならびに透過率向上のために、分圧O2/Arを3.0~10.0で変化させ、Al濃度が異なるZnOターゲットから形成したAZO、ドーパントをGaとしたGZO、またはITO等の異なる組成の透明導電層600を積層してもよい。次に、透明導電層600の形成後の基板200をアニール炉内に設置し、600°Cの酸素分圧2.0の真空中で10分間保持することによって、透明導電層600をアニールして、透明導電層600の結晶性およびp型窒化物半導体層500と透明導電層600との密着性の向上を図った。ここで、透明導電層600の絶対屈折率は2.3未満であるため、窒化物半導体光反射層402とp型窒化物半導体層500との界面で反射されずに、透明導電膜層600とp型窒化物半導体層500との界面まで到達した光は反射され、i型窒化物半導体層400に戻される。透明導電層600のアニール後の基板200をマグネトロンスパッタ装置内に設置した後、Ag純度99.9のAgターゲットから、基板200の裏面に厚さ150nmの金属光反射層700を形成した。図5に、金属光反射層700として、Ag単層を用いた場合と、Al単層を用いた場合の光の波長nmの変化に対する反射率の変化を示す。なお、図5の縦軸が反射率を示し、横軸が光の波長nmを示す。図5に示すように、金属光反射層700としてAg単層を用いた場合には、Al単層を用いた場合と比較して、たとえば400nm~500nmといった短波長側の光で反射率が大きくなることがわかる。なお、金属光反射層700は、i型窒化物半導体層400およびn型窒化物半導体層300で吸収されなかった光を反射させ、その反射光は、再びn型窒化物半導体層300を透過して、i型窒化物半導体層400に再び入射されて、光閉じ込め効果を促進する。この光閉じ込め効果により、i型窒化物半導体層400内に、多くのフォトキャリアが生成される。次に、透明導電層600の表面に所定の形状の開口部を有するマスクを形成し、金属光反射層700の形成後の基板200をエッチング装置に設置して、マスクの上から、透明導電層600、p型窒化物半導体層500、窒化物半導体光反射層402、i型窒化物半導体層400および窒化物半導体下地層401のそれぞれの一部をエッチングして、n型窒化物半導体層300の表面を露出させた。その後、透明導電層600およびn型窒化物半導体層300のそれぞれの表面上に所定の形状の開口部を有するレジストを形成し、その上にNi層、Pt層およびAu層をこの順序に蒸着法で積層し、リフトオフ法によりレジストを除去して、パッド電極とした。次に、ランプアニール装置にて400~600°Cで熱処理を施し、基板200を所定の箇所で分割することにより、図1に示す実施例の光電変換素子を作製した。また、窒化物半導体下地層401および窒化物半導体光反射層402を形成しなかったこと以外は上記の実施例と同様にして作製した比較例の光電変換素子を作製した。上記のようにして作製した実施例および比較例のそれぞれの光電変換素子のパッド電極に金線でリードフレームへ結線し、リードフレームの正極と負極にそれぞれプローブを接触させて電流および電圧測定用の回路を形成した。そして、ソーラシミュレータを用いて、実施例および比較例のそれぞれの光電変換素子の透明導電層600の上方からAM1.5の擬似太陽光を100mW/cm2の照射することによって実施例および比較例のそれぞれの光電変換素子のI-V曲線を求め、そのI-V曲線から実施例および比較例のそれぞれの光電変換素子の開放電圧Voc、短絡電流密度Jsc、曲線因子F.Fおよび変換効率Effを算出した。その結果、比較例の光電変換素子のVocは1.73V、Jscは0.80mA/cm2、F.Fは0.41、Effは0.57であるのに対し、実施例の光電変換素子のVocは2.01V、Jscは1.70mA/cm2、F.Fは0.62、Effは2.11であった。したがって、実施例の光電変換素子は、比較例の光電変換素子に対して、開放電圧Voc、短絡電流密度Jsc、曲線因子F.Fおよび変換効率Effのすべての特性が上回っていることが確認された。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。