金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記配線層上に形成されたカバー層と、を有するサスペンション用基板であって、前記配線層は、記録再生用素子に接続する端子部を有する記録再生用配線層を備え、前記端子部には、めっき部が形成され、前記端子部における前記めっき部の厚さが、前記カバー層の厚さよりも大きいことを特徴とするサスペンション用基板。前記端子部の下に存在する前記絶縁層および前記金属支持基板の端部の位置が、一致していることを特徴とする請求項1に記載のサスペンション用基板。前記端子部が、凹部を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のサスペンション用基板。前記配線層が、前記カバー層側に配置される前記記録再生用素子と開口部を介して接するように配置される機能性素子に接続する端子部を有する機能性素子用配線層を備えることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。前記機能性素子が、熱アシスト用素子であることを特徴とする請求項4に記載のサスペンション用基板。請求項1から請求項5までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板と、前記サスペンション用基板の前記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンション。請求項6に記載のサスペンションと、前記サスペンションに実装された記録再生用素子および機能性素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。請求項7に記載の素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブ。金属支持部材と、前記金属支持部材上に形成された絶縁部材と、前記絶縁部材上に形成された導体部材とを有する積層部材を準備する積層部材準備工程と、前記積層部材の前記導体部材をエッチングし、記録再生用素子に接続する端子部を有する記録再生用配線層を備える配線層を形成する配線層形成工程と、前記配線層上に、カバー層を形成するカバー層形成工程と、前記絶縁部材をエッチングし、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記端子部に、めっき部を形成するめっき部形成工程と、前記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程とを有し、前記めっき部形成工程において、前記端子部における前記めっき部の厚さを、前記カバー層の厚さよりも大きくすることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。金属支持部材を準備する金属支持部材準備工程と、前記金属支持部材上に、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層上に、記録再生用素子に接続する端子部を有する記録再生用配線層を備える配線層を形成する配線層形成工程と、前記端子部に、めっき部を形成するめっき部形成工程と、前記配線層上に、カバー層を形成するカバー層形成工程と、前記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程とを有し、前記めっき部形成工程において、前記端子部における前記めっき部の厚さを、前記カバー層の厚さよりも大きくすることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。前記配線層形成工程が、めっき法により、第一レジストパターンから露出する表面に前記配線層を形成する工程であり、前記めっき部形成工程が、前記第一レジストパターンを剥離せずに、第二レジストパターンを追加的に形成し、その後、めっき法により、前記第一レジストパターンおよび前記第二レジストパターンから露出する表面に前記めっき部を形成する工程であることを特徴とする請求項10に記載のサスペンション用基板の製造方法。例えば、記録再生用素子の高機能化を図るために、記録再生用素子に機能性素子熱アシスト素子等を追加的に配置すると、機能性素子を配置した影響により、配線層の端子部と記録再生用素子の端子部との位置が離れ、両者の接続信頼性が低下する場合がある。また、機能性素子熱アシスト素子等を追加的に配置しない場合であっても、記録再生用素子の高機能化に伴って、デザイン上、配線層の端子部と記録再生用素子の端子部との位置が離れ、両者の接続信頼性が低下する場合がある。本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、配線層の端子部と、記録再生用素子の端子部との接続信頼性が高いサスペンション用基板を提供することを主目的とする。上記課題を解決するために、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層上に形成されたカバー層と、を有するサスペンション用基板であって、上記配線層は、記録再生用素子に接続する端子部を有する記録再生用配線層を備え、上記端子部には、めっき部が形成され、上記端子部における上記めっき部の厚さが、上記カバー層の厚さよりも大きいことを特徴とするサスペンション用基板を提供する。本発明によれば、端子部におけるめっき部の厚さが、カバー層の厚さよりも大きいことから、記録再生用配線層の端子部と、記録再生用素子の端子部との接続信頼性が高いサスペンション用基板とすることができる。上記発明においては、上記端子部の下に存在する上記絶縁層および上記金属支持基板の端部の位置が、一致していることが好ましい。絶縁層の劣化が生じることなく、機械的強度の向上を図ることができるからである。上記発明においては、上記端子部が、凹部を有することが好ましい。めっきが凹部の形状に追従するように成長することにより、半田が流れにくいめっき部とすることができるからである。上記発明においては、上記配線層が、上記カバー層側に配置される上記記録再生用素子と開口部を介して接するように配置される機能性素子に接続する端子部を有する機能性素子用配線層を備えることが好ましい。上記発明においては、上記機能性素子が、熱アシスト用素子であることが好ましい。また、本発明においては、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンションを提供する。本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、記録再生用配線層の端子部と、記録再生用素子の端子部との接続信頼性が高いサスペンションとすることができる。また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションに実装された記録再生用素子および機能性素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、記録再生用配線層の端子部と、記録再生用素子の端子部との接続信頼性が高い素子付サスペンションとすることができる。また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブを提供する。本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。また、本発明においては、金属支持部材と、上記金属支持部材上に形成された絶縁部材と、上記絶縁部材上に形成された導体部材とを有する積層部材を準備する積層部材準備工程と、上記積層部材の上記導体部材をエッチングし、記録再生用素子に接続する端子部を有する記録再生用配線層を備える配線層を形成する配線層形成工程と、上記配線層上に、カバー層を形成するカバー層形成工程と、上記絶縁部材をエッチングし、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記端子部に、めっき部を形成するめっき部形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程とを有し、上記めっき部形成工程において、上記端子部における上記めっき部の厚さを、上記カバー層の厚さよりも大きくすることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。本発明によれば、めっき部形成工程において、記録再生用配線層の端子部におけるめっき部の厚さを、カバー層の厚さよりも大きくすることにより、記録再生用配線層の端子部と、記録再生用素子の端子部との接続信頼性が高いサスペンション用基板を得ることができる。また、本発明においては、金属支持部材を準備する金属支持部材準備工程と、上記金属支持部材上に、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層上に、記録再生用素子に接続する端子部を有する記録再生用配線層を備える配線層を形成する配線層形成工程と、上記端子部に、めっき部を形成するめっき部形成工程と、上記配線層上に、カバー層を形成するカバー層形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程とを有し、上記めっき部形成工程において、上記端子部における上記めっき部の厚さを、上記カバー層の厚さよりも大きくすることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。本発明によれば、めっき部形成工程において、記録再生用配線層の端子部におけるめっき部の厚さを、カバー層の厚さよりも大きくすることにより、記録再生用配線層の端子部と、記録再生用素子の端子部との接続信頼性が高いサスペンション用基板を得ることができる。上記発明においては、上記配線層形成工程が、めっき法により、第一レジストパターンから露出する表面に上記配線層を形成する工程であり、上記めっき部形成工程が、上記第一レジストパターンを剥離せずに、第二レジストパターンを追加的に形成し、その後、めっき法により、上記第一レジストパターンおよび上記第二レジストパターンから露出する表面に上記めっき部を形成する工程であることが好ましい。等方的に成長するめっき部高さ調整用めっき部の形状を容易に制御できるからである。本発明のサスペンション用基板は、配線層の端子部と、記録再生用素子の端子部との接続信頼性が高いという効果を奏する。以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、ハードディスクドライブ、およびサスペンション用基板の製造方法について詳細に説明する。A.サスペンション用基板本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層上に形成されたカバー層と、を有するサスペンション用基板であって、上記配線層は、記録再生用素子に接続する端子部を有する記録再生用配線層を備え、上記端子部には、めっき部が形成され、上記端子部における上記めっき部の厚さが、上記カバー層の厚さよりも大きいことを特徴とするものである。図1は、一般的なサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図1aはサスペンション用基板の概略平面図であり、図1bは図1aのA-A断面図である。なお、図1aでは、便宜上、カバー層の記載は省略している。図1aに示されるサスペンション用基板100は、一方の先端部分に形成された記録再生用素子実装領域101と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域102と、記録再生用素子実装領域101および外部回路基板接続領域102を電気的に接続する複数の配線層103a~103dとを有するものである。配線層103aおよび配線層103bは一対の配線層であり、同様に、配線層103cおよび配線層103dも一対の配線層である。これらの2つの配線層は、一方がライト用記録用、書込み用配線層であり、他方がリード用再生用、読取り用配線層である。一方、図1bに示すように、サスペンション用基板100は、金属支持基板1と、金属支持基板1上に形成された絶縁層2と、絶縁層2上に形成された配線層3と、配線層3上に形成されたカバー層4とを有する。図2は、本発明のサスペンション用基板における記録再生用素子実装領域を例示する模式図である。図2aは記録再生用素子実装領域における配線層の概略平面図であり、図2bは図2aのA-A断面図であり、図2cは図2bにおけるめっき部周辺の拡大図である。図2aにおける記録再生用素子実装領域には、4本の記録再生用配線層3Aが存在する。4本の記録再生用配線層3Aのうち、2本の記録再生用配線層3Aは、ライト用配線層を構成する一対の配線層であり、残りの2本の記録再生用配線層3Aはリード用配線層を構成する一対の配線層である。また、図2aにおける記録再生用素子実装領域には、2本の機能性素子用配線層3Bが存在する。この機能性素子用配線層3B、例えば、熱アシスト用素子と接続するための配線層である。また、図2b、cに示すように、記録再生用配線層3Aは、記録再生用素子210に接続する端子部3aを有し、機能性素子用配線層3Bは、金属支持基板1側の表面で機能性素子例えば熱アシスト用素子220に接続する端子部3bを有する。記録再生用配線層3Aの端子部3aには、高さ調整用めっき部5aと、保護用めっき部5bとから構成されるめっき部5が形成されている。一方、機能性素子用配線層3Bの端子部3bには、保護用めっき部5bから構成されるめっき部5が形成されている。本発明においては、記録再生用配線層3Aの端子部3aにおけるめっき部5の厚さT1が、カバー層4の厚さT2よりも大きいことを大きな特徴とする。なお、記録再生用配線層の端子部におけるめっき部の厚さとは、記録再生用配線層の端子部のカバー層側の表面上に形成されためっき部の厚さをいう。また、カバー層の厚さとは、端子部に近接する位置において、記録再生用配線層の表面上に形成されたカバー層の厚さをいう。本発明によれば、端子部におけるめっき部の厚さが、カバー層の厚さよりも大きいことから、記録再生用配線層の端子部と、記録再生用素子の端子部との接続信頼性が高いサスペンション用基板とすることができる。従来は、図3aに示すように、端子部3aの劣化腐食等を防止する観点からめっき部5を設けており、めっき部5の厚さは非常に薄いものであった。そのため、記録再生用配線層3Aの端子部3aと、記録再生用素子210の端子部201との位置が離れた場合、両者の接続信頼性が低くなるという問題がある。これに対して、本発明においては、図3bに示すように、めっき部5の厚さを厚くすることで、記録再生用配線層3Aの端子部3aと、記録再生用素子210の端子部201との位置が離れた場合であっても、両者の接続信頼性を高くすることができる。さらに、めっき部の厚さを調整することで、記録再生用素子210の端子部201の高さを問わず、信頼性の高い接続を容易に行うことができる。また、従来、カバー層の厚さは、端子部におけるめっき部の厚さよりも大きかった。その理由は、以下の通りである。すなわち、めっき部およびカバー層は、いずれも配線層の劣化腐食等を防止する機能を有する点で共通する。しかしながら、カバー層には、配線層を他の部材から絶縁する絶縁性が求められているため、通常は、カバー層の材料としてポリイミド樹脂等の樹脂等が用いられている。一方、めっき部には、端子部同士を電気的に接続する導電性が求められるため、めっき部の材料として金属が用いられている。このような機能および材料の相違から、従来、カバー層の厚さは、端子部におけるめっき部の厚さよりも大きかった。これに対して、本発明においては、めっき部に対して、高さ調整機能という機能を付与することで、記録再生用配線層の端子部と、記録再生用素子の端子部との位置が離れた場合であっても、両者の接続信頼性を高くすることができる。また、機能性素子を配置した影響により、記録再生用配線層の端子部と記録再生用素子の端子部との位置が離れる場合の一例について、図4を用いて説明する。図4では、記録再生用素子ここでは、磁気ヘッドスライダ210に、レーザーダイオード211および光源ユニット212から構成される機能性素子ここでは、熱アシスト用素子220が配置されている。図4では、レーザーダイオード211からの光213の伝搬損失を減少させ、消費電力を減らすため、記録再生用素子210に段差202を設け、光導波路を短くしている。なお、この段差202は、機能性素子220の嵌め込み部としても機能する。このような場合に、記録再生用素子210の端子部201の位置が、従来に比べて、図4における図面下側図2、図3における図面上側に相当にシフトする場合がある。その結果、記録再生用配線層の端子部と記録再生用素子の端子部との位置が離れる場合がある。また、熱アシスト用素子に限らず、記録再生用配線層に、機能性素子を追加配置する場合、デザイン上、記録再生用配線層の端子部と記録再生用素子の端子部との位置が離れる場合がある。さらに、機能性素子を追加配置せず、記録再生用素子のみを実装する場合であっても、記録再生用素子の高機能化に伴って、デザイン上、配線層の端子部と記録再生用素子の端子部との位置が離れ、両者の接続信頼性が低下する場合がある。これらのいずれの場合であっても、本発明のサスペンション用基板は、接続信頼性を高くすることができる。以下、本発明のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。1.サスペンション用基板の部材まず、本発明のサスペンション用基板の部材について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板、絶縁層、配線層、めっき部、カバー層を少なくとも有するものである。本発明における金属支持基板は、サスペンション用基板の支持体として機能するものである。金属支持基板の材料は、ばね性を有する金属であることが好ましく、具体的にはステンレス鋼等を挙げることができる。また、金属支持基板の厚さは、その材料の種類により異なるものであるが、例えば10μm~20μmの範囲内である。本発明における絶縁層は、金属支持基板上に形成されるものである。絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば樹脂を挙げることができる。上記樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびポリ塩化ビニル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。絶縁層の厚さは、例えば5μm~30μmの範囲内であることが好ましく、5μm~18μmの範囲内であることがより好ましく、5μm~12μmの範囲内であることがさらに好ましい。本発明における配線層は、絶縁層上に形成されるものである。配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、中でも銅Cuが好ましい。また、配線層の材料は、圧延銅であっても良く、電解銅であっても良い。配線層の厚さは、例えば5μm~18μmの範囲内であることが好ましく、9μm~12μmの範囲内であることがより好ましい。本発明におけるめっき部は、配線層の端子部に形成されるものである。めっき部の種類は特に限定されるものではないが、例えば、Auめっき、Niめっき、Cuめっき、Agめっき等を挙げることができる。また、めっき部は、配線層と同じ材料であっても良く、異なる材料であっても良い。また、めっき部は、単層構成であっても良く、複層構成であっても良いが、複層構成であることが好ましい。具体的には、図2cに示したように、めっき部5が、高さ調整用めっき部5aと、高さ調整用めっき部5aの表面に形成された保護用めっき部5bとを有することが好ましい。接続信頼性を維持しつつ、劣化しにくいめっき部とすることができるからである。また、高さ調整用めっき部および保護用めっき部は、通常、互いに異なるめっきであり、具体的なめっき部の種類は、上述しためっき部を任意に組み合わせることができる。中でも、高さ調整用めっき部はNiめっきであることが好ましく、保護用めっき部はAuめっきであることが好ましい。なお、めっき部の厚さについては、後述する。本発明におけるカバー層は、配線層上に形成されるものである。カバー層を設けることにより、配線層の劣化腐食等を防止できる。カバー層の材料としては、例えば、上述した絶縁層の材料として記載したものを挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。なお、カバー層の厚さについては後述する。2.サスペンション用基板の構成次に、本発明のサスペンション用基板の構成について説明する。本発明のサスペンション用基板は、記録再生用配線層の端子部におけるめっき部の厚さが、カバー層の厚さよりも大きいことを大きな特徴とする。ここで、図2cに示すように、記録再生用配線層3Aの端子部3aにおけるめっき部5の厚さをT1とし、カバー層4の厚さをT2とし、保護用めっき部5bの高さをT3とする。T1の値は、特に限定されるものではないが、6μm以上であることが好ましく、8μm以上であることがより好ましく、10μm以上であることがさらに好ましい。T1の値が小さすぎると、接続信頼性を十分に高くすることが困難になるからである。一方、T1の値は、30μm以下であることが好ましい。T2の値は、例えば2μm~10μmの範囲内であることが好ましく、2μm~6μmの範囲内であることがより好ましい。T2の値が小さすぎると、ピンホールの発生等が生じる可能性があり、T2の値が大きすぎると、サスペンション用基板の剛性が高くなり、反りが生じる可能性があるからである。また、めっき部3aの厚さとカバー層4の厚さとの差T1-T2は、例えば2m以上であることが好ましく、4μm以上であることがより好ましく、6μm以上であることがさらに好ましい。上記の差が小さすぎると、半田の熱がカバー層4まで伝わり、カバー層4に気泡が生じ、信頼性が低下する可能性があるからである。一方、T1-T2は、24μm以下であることが好ましい。T3の値は、特に限定されるものではないが、例えば0.05μm~4μmの範囲内であることが好ましく、0.05μm~2μmの範囲内であることがより好ましい。また、高さ調整用めっき部5aの厚さT1-T3は、例えば6μm~30μmの範囲内であることが好ましく、8μm~20μmの範囲内であることがより好ましい。図5a~dでは、いずれも、高さ調整用めっき部5aが、端子部3Aの端部31を覆うように形成されている。このように端部31を高さ調整用めっき部5aで覆うことにより、めっき形成の際、電流密度が高くなりやすい端子部の端部における高さ調整用めっきの析出制御が容易となり、めっき高さの制御が容易にできる。図5aでは、端子部3aの端部31と、端子部3aの下に存在する絶縁層2の端部21との位置が一致している。端子部3aおよび絶縁層2の端部の位置を一致させることにより、端子部3aの機械的強度を向上させることができる。ここで、本明細書において端部の位置が一致しているとは、両者の位置のズレが8μm以下であることをいい、4μm以下であることが好ましい。図5bでは、端子部3aが、絶縁層2側の表面を露出するように形成されている。絶縁層2側の表面を露出させることにより、たとえ半田の熱が絶縁層2に伝わったとしても、熱ダメージを低減できる。絶縁層2側の表面で露出する端子部3aの長さL1は、例えば10μm以上であることが好ましく、5μm~30μmの範囲内であることが好ましい。また、図5cでは、端子部3aの下に存在する絶縁層2の端部21が、端子部3aの端部31よりも突出している。絶縁層2の端部21を突出させることにより、めっき部5の厚さを厚くしても、他の部材との短絡が生じにくくなる。端子部3aの端部31から突出した絶縁層2の長さL2は、例えば30μm以上であることが好ましく、10μm~300μmの範囲内であることが好ましい。図5dでは、端子部3aの下に存在する絶縁層2の端部21と、めっき部5の端部51との位置が一致している。絶縁層2およびめっき部5の端部の位置を一致させることにより、他部材との短絡が防止できるとともに、端子部の機械的強度を向上できる。なお、端部の位置が一致していることの定義は上述した通りである。一方、図5eでは、高さ調整用めっき部5aの端部と、端子部3Aの端部31との位置が一致し、保護めっき部5bが、端子部3Aの端部31を覆うように形成されている。このような構成にすることにより、記録再生用素子磁気ヘッドスライダを端子部の端部に突き当て位置決めする際に、記録再生用素子へのダメージを軽減できる。なお、端部の位置が一致していることの定義は上述した通りである。また、図5eでは、図5aと同様に、端部31および端部21の位置が一致しているが、図5b~dと同様に、両端部の位置は一致していなくても良い。また、本発明は、図6a~eに示すように、端子部31の下に存在する、絶縁層2の端部21と金属支持基板1の端部11との位置が、一致していることが好ましい。絶縁層の劣化が生じることなく、機械的強度の向上を図ることができるからである。図3aに示すように、端子部3aに、一般的なめっき部5のみが形成されている場合、半田の熱が絶縁層2まで伝わり、絶縁層2の劣化例えば溶解が生じる場合がある。そのため、絶縁層2に熱が溜まることを防止するため、金属支持基板1側の絶縁層2を露出させることがあり、その結果、機械的強度が低くなる場合がある。これに対して、本発明においては、例えば図6aに示すように、端子部3a上に形成されるめっき部5の厚さが大きいため、めっき部5自体が半田の熱を吸収でき、熱が絶縁層2まで伝わることを抑制できる。その結果、絶縁層2の端部21と金属支持基板1の端部11との位置を一致させても、絶縁層の劣化が生じることなく、機械的強度の向上を図ることができる。熱吸収性が高い熱伝導率が低いという観点からは、めっき部5特に、高さ調整用めっき部5aの材料として、Niめっきを用いることが好ましい。なお、図6a~eは、それぞれ図5a~eに対応したものであり、図5について記載した事項は、図6においても同様である。また、端部の位置が一致していることの定義も上述した通りである。特に、図6c、dのように、端子部3aの下に存在する絶縁層2の端部21が、端子部3aの端部31よりも突出している場合、めっき部5と金属支持基板1との短絡を効果的に防止できる。図7は、本発明における端子部およびめっき部を説明する模式図である。図7aに示すように、記録再生用配線層3Aの端子部3aに対してめっき処理を行う場合、めっきは等方的に成長するため、図7bに示すように、めっき部5の半田が配置される面は、曲面状になる。特に、本発明におけるめっき部5は、従来のめっき部に比べて厚いため、曲率が大きくなり、半田が流れやすくなる可能性がある。その結果、流れた半田が隣り合うめっき部5に接触し、短絡が生じ可能性が考えられる。また、短絡を防止するために、十分な半田量を確保できない可能性も考えられる。このような短絡の発生を防止するという観点からは、端子部が凹部を有することが好ましい。めっきが凹部の形状に追従するように成長することにより、半田が流れにくいめっき部とすることができるからである。また、上記凹部は、少なくとも端子部の端部を含むように形成されていることが好ましい。端子部の凹部の一例としては、図7c、dに示すように、貫通部32により形成された凹部を挙げることができる。貫通部32の長さL3は、例えば3μm~50μmの範囲内であることが好ましく、5μm~20μmの範囲内であることがより好ましい。貫通部32の幅W1は、例えば10μm~55μmの範囲内であることが好ましく、15μm~25μmの範囲内であることがより好ましい。また、端子部の凹部の他の例としては、図7e、fに示すように、薄肉部33により形成された凹部を挙げることができる。薄肉部33により形成された凹部の深さDは、例えば2μm~5μmの範囲内であることが好ましく、2μm~3μmの範囲内であることがより好ましい。また、図8a、bに示すように、貫通部32または薄肉部33により形成された凹部は、端子部3aの端部31の近傍のみに形成されたものであっても良い。同様の効果を得ることができるからである。端部の近傍とは、端面から10μmまでの領域をいう。なお、少なくとも端面から5μmまでの領域には凹部が形成されていることが好ましい。一方、図8cに示すように、端子部3aは、端部31に向かって幅が広がる形状を有することが好ましい。端部31では、記録再生用素子との接続を図るために必要なサイズを確保でき、端部31とは反対側では、隣り合う端子部3a同士がめっき部5により短絡することを防止できるからである。端子部3aの端部31の幅をW2aとし、端部31とは反対側の端子部3aの幅をW2bとした場合、W2aの値は、例えば35μm~90μmの範囲内であることが好ましく、40μm~60μmの範囲内であることがより好ましい。W2bの値は、例えば10μm~50μmの範囲内であることが好ましく、15μm~25μmの範囲内であることがより好ましい。W2a-W2bの値は、例えば25μm~80μmの範囲内であることが好ましく、25μm~45μmの範囲内であることがより好ましい。また、図9は、本発明のサスペンション用基板における記録再生用素子実装領域を例示する概略平面図である。図9b~dは、図9aを部材毎に示すものである。図9dに示すように、本発明における配線層は、記録再生用素子に接続する端子部3aを有する記録再生用配線層3Aを備える。記録再生用配線層3Aは、ライト用配線層およびリード用配線層の少なくとも一方であれば良い。本発明における記録再生用素子としては、例えば磁気発生素子を有するものを挙げることができ、磁気ヘッドスライダであることが好ましい。また、図9dに示すように、本発明における配線層は、機能性素子に接続する端子部3bを有する機能性素子用配線層3Bを備えることが好ましい。本発明における機能性素子は、記録再生用素子に何らかの機能を付与する素子であり、例えば、熱アシスト用素子、アクチュエータ素子等を挙げることができる。熱アシスト用素子は、記録再生用素子の記録を熱によりアシストできるものであれば特に限定されるものではない。中でも、本発明における熱アシスト用素子は、光を利用した素子であることが好ましい。光ドミナント記録方式による熱アシスト記録を行うことができるからである。光を利用した熱アシスト用素子としては、例えば半導体レーザーダイオード素子を挙げることができる。半導体レーザーダイオード素子は、pn型の素子であっても良く、pnp型またはnpn型の素子であっても良い。光を利用した熱アシスト用素子は、出力光をスライダ等に設けられた光導波路に導くために、必要に応じて、反射レンズ、集光レンズ等を有していても良い。また、半導体レーザーダイオード素子は、面発光レーザーであっても良く、端面発光レーザーであっても良い。また、図9bに示すように、本発明における金属支持基板は、タング部1aを有することが好ましい。タング部は、磁気ヘッドスライダ等の記録再生用素子を実装する部位である。さらに、金属支持基板は、タング部1aを支持する支持アーム部1bと、支持アーム部1bの外側に形成されたアウトリガー部1cをさらに有することが好ましい。記録再生用素子の追従性が良好なサスペンション用基板とすることができるからである。さらに、金属支持基板は、タング部1aに開口部1dを有し、この開口部1dに、記録再生用配線層3Aの端子部が位置することが好ましい。また、図9a、cに示すように、本発明における絶縁層2は、支持アーム部1b上を通過するように形成されていることが好ましい。さらに、支持アーム部1bおよびアウトリガー部1cの間には、絶縁層2と同じ材料から構成されるリミッタ5が形成されていることが好ましい。B.サスペンション次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするものである。図10は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図10に示されるサスペンション400は、上述したサスペンション用基板100と、サスペンション用基板100の金属支持基板側の表面に設けられたロードビーム300とを有するものである。本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、記録再生用配線層の端子部と、記録再生用素子の端子部との接続信頼性が高いサスペンションとすることができる。本発明のサスペンションは、少なくともサスペンション用基板およびロードビームを有する。本発明におけるサスペンション用基板については、上記A.サスペンション用基板に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。一方、本発明におけるロードビームは、サスペンション用基板の金属支持基板側の表面に設けられるものである。ロードビームの材料は、特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、ステンレス鋼であることが好ましい。C.素子付サスペンション次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションに実装された記録再生用素子および機能性素子と、を有することを特徴とするものである。図11は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図11に示される素子付サスペンション500は、上述したサスペンション400と、サスペンション400サスペンション用基板100の記録再生用素子実装領域101に実装された記録再生用素子210および機能性素子図示せずとを有するものである。また、図12は、本発明の素子付サスペンションにおける記録再生用素子実装領域の一例を示す概略断面図である。図12に示すように、記録再生用素子210は、カバー層4側に配置され、記録再生用配線層3Aの端子部3aと導電性部材例えば半田12を介して電気的に接続されている。一方、機能性素子220は、記録再生用素子210とサスペンション用基板の開口部を介して接するように配置され、機能性素子用配線層3Bの端子部3bと導電性部材例えば半田12を介して電気的に接続されている。本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、記録再生用配線層の端子部と、記録再生用素子の端子部との接続信頼性が高い素子付サスペンションとすることができる。本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンション、記録再生用素子および機能性素子を有する。本発明におけるサスペンションについては、上記B.サスペンションに記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。本発明における記録再生用素子および機能性素子については、上記A.サスペンション用基板に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。D.ハードディスクドライブ次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするものである。図13は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図13に示されるハードディスクドライブ600は、上述した素子付サスペンション500と、素子付サスペンション500がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク501と、ディスク501を回転させるスピンドルモータ502と、素子付サスペンション500の素子を移動させるアーム503およびボイスコイルモータ504と、上記の部材を密閉するケース505とを有するものである。本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記C.素子付サスペンションに記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。E.サスペンション用基板の製造方法次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、2つの実施態様に大別することができる。以下、本発明のサスペンション用基板の製造方法について、第一実施態様および第二実施態様に分けて説明する。1.第一実施態様第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、いわゆるサブトラクティブ法によるものである。すなわち、金属支持部材と、上記金属支持部材上に形成された絶縁部材と、上記絶縁部材上に形成された導体部材とを有する積層部材を準備する積層部材準備工程と、上記積層部材の上記導体部材をエッチングし、記録再生用素子に接続する端子部を有する記録再生用配線層を備える配線層を形成する配線層形成工程と、上記配線層上に、カバー層を形成するカバー層形成工程と、上記絶縁部材をエッチングし、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記端子部に、めっき部を形成するめっき部形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程とを有し、上記めっき部形成工程において、上記端子部における上記めっき部の厚さを、上記カバー層の厚さよりも大きくすることを特徴とするものである。図14は、第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。なお、図14は、図2bと同様に、図2aのA-A断面図に相当する断面図である。図14においては、まず、金属支持部材1X、絶縁部材2Xおよび導体部材3Xがこの順に積層された積層部材を準備する図14a。次に、導体部材3Xに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、記録再生用配線層3Aおよび機能性素子用配線層3Bを有する配線層を形成する図14b。この際、金属支持部材1Xに対するウェットエッチングを行い、開口部を同時に形成する。次に、配線層3を覆うようにカバー層4を形成する図14c。その後、絶縁部材2Xに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、絶縁層2を形成する図14d。次に、所定のレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出する端子部3aの表面上に、高さ調整用めっき部5aを形成する図14e。図示しないが、この際、配線層および金属支持基板を絶縁層を介して接続するビアを同時に形成しても良い。次に、再びジストパターンを形成し、レジストパターンから露出する、高さ調整用めっき部5aの表面上、および、端子部3bの表面上に、保護めっき部5bを形成する図14f。最後に、図示しないが、金属支持部材1Xの外形加工を行い、金属支持基板1を形成し、サスペンション用基板を得ることができる。第一実施態様によれば、めっき部形成工程において、記録再生用配線層の端子部におけるめっき部の厚さを、カバー層の厚さよりも大きくすることにより、記録再生用配線層の端子部と、記録再生用素子の端子部との接続信頼性が高いサスペンション用基板を得ることができる。以下、第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例について、工程ごとに説明する。1積層部材準備工程第一実施態様における積層部材準備工程は、金属支持部材と、上記金属支持部材上に形成された絶縁部材と、上記絶縁部材上に形成された導体部材とを有する積層部材を準備する工程である。第一実施態様においては、積層部材の金属支持部材をエッチングすることにより金属支持基板が得られ、積層部材の絶縁部材をエッチングすることにより絶縁層が得られ、積層体の導体部材をエッチングすることにより配線層が得られる。積層部材は、市販の三層材であっても良く、金属支持部材に対して絶縁部材および導体部材を順次形成して得られたものであっても良い。2配線層形成工程第一実施態様における配線層形成工程は、上記導体部材をエッチングし、記録再生用素子に接続する端子部を有する記録再生用配線層を備える配線層を形成する工程である。配線層の形成方法としては、例えば、積層部材の導体部材上に、ドライフィルムレジストDFR等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する導体部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液の種類は、導体部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば導体部材の材料がCuである場合には、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。また、第一実施態様においては、導体部材のエッチングと同時に、金属支持部材のエッチングを行っても良い。金属支持部材のエッチングは、例えば、開口部や治具孔の形成のためのエッチングを挙げることができる。また、必要であれば、後述する金属支持基板形成工程で行う加工の少なくとも一部を、導体部材のエッチングと同時に行っても良い。3カバー層形成工程第一実施態様におけるカバー層形成工程は、上記配線層上にカバー層を形成する工程である。カバー層の形成方法は、特に限定されるものではなく、カバー層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、カバー層の材料が感光性材料である場合には、全面形成したカバー層に露光現像を行うことによりパターン状のカバー層を得ることができる。また、カバー層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成したカバー層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状のカバー層を得ることができる。4絶縁層形成工程第一実施態様における絶縁層形成工程は、上記絶縁部材をエッチングし、絶縁層を形成する工程である。絶縁層の形成方法としては、例えば、絶縁部材に対して、ドライフィルムレジストDFR等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する絶縁部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、絶縁部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば絶縁部材の材料がポリイミド樹脂である場合は、アルカリ系エッチング液等を用いることができる。5めっき部形成工程第一実施態様におけるめっき部形成工程は、上記端子部にめっき部を形成する工程である。第一実施態様においては、めっき部形成工程において、記録再生用配線層の端子部におけるめっき部の厚さを、カバー層の厚さよりも大きくすることを大きな特徴とする。めっき部の形成方法としては、所望のめっき部を得ることができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば電解めっき法を挙げることができる。例えば、Niめっきのめっき部を形成する場合、用いられる電解Niめっき浴としては、例えば、ワット浴およびスルファミン酸浴等を挙げることができる。また、めっき条件は、特に限定されるものではなく、所望の条件めっき時間、印加電圧等を選択すれば良い。また、めっき部が、高さ調整用めっき部および保護めっき部を有する場合、それぞれを別工程で形成することが好ましい。具体的には、高さ調整用めっき部の形成を、例えば、金属支持基板および配線層を絶縁層を介して接続するビアを形成する工程と同時に行うことが好ましく、保護めっき部の形成を、例えば、記録再生用配線層以外の配線層の端子部にめっき部を形成する工程と同時に行うことが好ましい。なお、ビアを形成する工程とは別工程で、高さ調整用めっき部のみを形成しても良い。いずれも、DFR等を用いて所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する表面に、めっきを析出させれば良い。6金属支持基板形成工程第一実施態様における金属支持基板形成工程は、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する工程である。本工程において、通常は、金属支持基板の外形加工を行う。金属支持部材をエッチングする方法は特に限定されるものでないが、具体的には、ウェットエッチング等を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、金属支持部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば金属支持部材の材料がステンレス鋼である場合は、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。2.第二実施態様第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、いわゆるアディティブ法によるものである。すなわち、金属支持部材を準備する金属支持部材準備工程と、上記金属支持部材上に、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層上に、記録再生用素子に接続する端子部を有する記録再生用配線層を備える配線層を形成する配線層形成工程と、上記端子部に、めっき部を形成するめっき部形成工程と、上記配線層上に、カバー層を形成するカバー層形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程とを有し、上記めっき部形成工程において、上記端子部における上記めっき部の厚さを、上記カバー層の厚さよりも大きくすることを特徴とするものである。図15、図16は、第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。なお、図15、図16は、図2bと同様に、図2aのA-A断面図に相当する断面図である。図15においては、まず、金属支持部材1Xを準備する図15a。次に、金属支持部材1Xの表面上に、パターン状の絶縁層2を形成する図15b。次に、絶縁層2側の表面にスパッタリング法によりシード層図示せずを全面形成し、シード層側および金属支持部材1X側の両面に、第一レジストパターン15を形成する図15c。次に、電解めっき法により、第一レジストパターン15から露出する表面に、記録再生用配線層3Aおよび機能性素子用配線層3Bを有する配線層を形成する図15d。次に、第一レジストパターン15を剥離し、高さ調整用めっき部を形成するために、第二レジストパターン16を形成する図15e。次に、電解めっき法により、第二レジストパターン16から露出する表面に、高さ調整用めっき部5aを形成する。その後、第二レジストパターン16を剥離し図16a、カバー層4を形成する図16b。次に、金属支持部材1Xに対するウェットエッチングを行い、開口部を形成する図16c。次に、再びレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出する、高さ調整用めっき部5aの表面上、および、端子部3bの表面上に、保護めっき部5bを形成する図16d。最後に、図示しないが、金属支持部材1Xの外形加工を行い、金属支持基板1を形成し、サスペンション用基板を得る。第二実施態様によれば、めっき部形成工程において、記録再生用配線層の端子部におけるめっき部の厚さを、カバー層の厚さよりも大きくすることにより、記録再生用配線層の端子部と、記録再生用素子の端子部との接続信頼性が高いサスペンション用基板を得ることができる。以下、第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例について、工程ごとに説明する。1金属支持部材準備工程第二実施態様における金属支持部材準備工程は、金属支持部材を準備する工程である。金属支持部材には、例えば市販の金属支持部材を用いることができる。2絶縁層形成工程第二実施態様における絶縁層形成工程は、上記金属支持部材上に、絶縁層を形成する工程である。絶縁層の形成方法は、特に限定されるものではなく、絶縁層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、絶縁層の材料が感光性材料である場合には、全面形成した絶縁層に露光現像を行うことによりパターン状の絶縁層を得ることができる。また、絶縁層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成した絶縁層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状の絶縁層を得ることができる。3配線層形成工程第二実施態様における配線層形成工程は、上記絶縁層上に、記録再生用素子に接続する端子部を有する記録再生用配線層を備える配線層を形成する工程である。配線層の形成方法としては、例えば電解めっき法等を挙げることができる。電解めっき法を用いる場合、第二配線層の形成前に、スパッタリング法等により絶縁層の表面にシード層を形成することが好ましい。4めっき部形成工程第二実施態様におけるめっき部形成工程は、上記端子部にめっき部を形成する工程である。第二実施態様においては、めっき部形成工程において、記録再生用配線層の端子部におけるめっき部の厚さを、カバー層の厚さよりも大きくすることを大きな特徴とする。なお、めっき部の形成方法等については、上述した第一実施態様に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、第二実施態様においては、配線層形成工程が、めっき法により、第一レジストパターンから露出する表面に上記配線層を形成する工程であり、めっき部形成工程が、第一レジストパターンを剥離せずに、第二レジストパターンを追加的に形成し、その後、めっき法により、第一レジストパターンおよび第二レジストパターンから露出する表面に上記めっき部を形成する工程であることが好ましい。等方的に成長するめっき部の形状を容易に制御できるからである。この具体例について、図17を用いて説明する。図17は、第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。なお、図17は、図2bと同様に、図2aのA-A断面図に相当する断面図である。図17におけるサスペンション用基板の製造方法は、基本的には、図15におけるサスペンション用基板の製造方法と同様であるが、図17eにおいて、第一レジストパターン15を剥離せずに、第二レジストパターン16を追加的に形成する。これにより、等方的に成長するめっき部5高さ調整用めっき部5aの形状を容易に制御できる。また、これにより、例えば、上述した図5e、図6eのようなめっき部5を形成することができる。また、めっき部が、高さ調整用めっき部および保護めっき部を有する場合、それぞれを別工程で形成することが好ましい。具体的には、高さ調整用めっき部の形成を、例えば、金属支持基板および配線層を絶縁層を介して接続するビアを形成する工程と同時に行うことが好ましく、保護めっき部の形成を、例え、ば記録再生用配線層以外の配線層の端子部にめっき部を形成する工程と同時に行うことが好ましい。なお、ビアを形成する工程とは別工程で、高さ調整用めっき部のみを形成しても良い。いずれも、DFR等を用いて所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する表面に、めっきを析出させれば良い。5カバー層形成工程および金属支持基板形成工程第二実施態様におけるカバー層形成工程および金属支持基板形成工程については、第一実施態様に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。[実施例1]厚さ18μmのSUS304である金属支持部材上に、絶縁部材形成材料として第1の非感光性ポリイミドを用い、厚さ10μmの絶縁部材を塗工方法にて形成した。さらに、その絶縁部材上にシード層となるNi-Cr-Cuをスパッタリングで約300nmコーティングし、それを導通媒体としCuめっきにて厚さ9μmのCuめっき層である導体部材を形成し、積層部材を得た図14a。次に、SUS側で位置精度が重要な治具孔と、Cuめっき層側で目的とする配線層を形成できるように、ドライフィルムを用いて同時にパターニングし、レジストパターンを得た。その後、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った。これにより、導体部材から記録再生用配線層および機能性素子用配線層を形成し、金属支持部材に開口部を形成した図14b。次に、非感光性ポリイミド系の液状カバー層形成材料をダイコーターでコーティングし、乾燥後、レジスト製版し現像と同時にエッチングし、その後、硬化させることにより、パターン状のカバー層を形成した図14c。次に、絶縁部材をエッチングするために、レジスト製版を行い、有機アルカリエッチング液を用いてエッチングし、パターン状の絶縁層を得た図14d。次に、金属支持基板および配線層を絶縁層を介して接続するビアを形成するために、レジスト製版を行い、電解Niめっきを行った。なお、電解Niめっき浴には標準的なスルファミン酸Niめっき浴を用い、電解浸漬めっき0.2A、14分を行った。端子部表面のプラズマクリーニング処理後、高さ調整用めっき部を形成するために、レジスト製版を行った。その後、端子部の表面に膜厚が0.01~0.05μmと極めて薄いニッケルストライクめっき層を形成し、このニッケルストライクめっき層を下地に電解Niめっきを行い、高さ調整用めっき部を形成した図14e。なお、電解Niめっき浴には標準的なスルファミン酸Niめっき浴を用い、電解浸漬めっき0.03A、10分を行った。高さ調整用めっき部の酸洗浄処理後、保護めっき層を形成するために、レジスト製版を行い、電解Auめっきを行い、保護めっき層を形成した図14f。最後に、金属支持基板の外形加工を行った。これにより、サスペンション用基板を得た。[実施例2]厚さ18μmのSUS304である金属支持部材を用意した図15a。金属支持部材に感光性ポリイミド前駆体を塗布し、乾燥後、マスクを介して所望のパターン形状に高圧水銀灯を光源に用い500~2000mJ/cm2の露光量で露光を行った。その後、最高到達温度が160°C~190°Cの範囲になり、最高到達温度の保持時間が0.1分~60分の範囲になるような条件で加熱を行い、アルカリ水溶液で現像し、ネガ型のパターン像を形成した。その後、窒素雰囲気下で加熱を行い、絶縁層を形成した。金属支持部材上に形成された絶縁層の厚さは10μmであった図15b。次に、スパッタリング法により、絶縁層側の表面に、Cr単層のシード層を35~45nm形成した。その後、レジスト製版を行い、第一レジストパターンを形成した図15c。その後、シード層を導通媒体とし、第一レジストパターンから露出する表面に、記録再生用配線層および機能性素子用配線層を形成した図15d。その後、第一レジストパターンを剥離した。端子部表面のプラズマクリーニング処理後、高さ調整用めっき部を形成するために、レジスト製版を行い、第二のレジストパターンを形成した図15e。その後、端子部の表面に膜厚が0.01~0.05μmと極めて薄いニッケルストライクめっき層を形成し、このニッケルストライクめっき層を下地に電解Niめっきを行い、高さ調整用めっき部を形成した図15f。なお、電解Niめっき浴には標準的なスルファミン酸Niめっき浴を用い、電解浸漬めっき0.03A、10分を行った。その後、第二レジストパターンを剥離した図16a。次に、非感光性ポリイミド系の液状カバー層形成材料をダイコーターでコーティングし、乾燥後、レジスト製版し現像と同時にエッチングし、その後、硬化させることにより、パターン状のカバー層を形成した図16b。次に、金属支持部材をエッチングするために、レジスト製版を行い、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、開口部を形成した図16c。次に、保護めっき層を形成するために、レジスト製版を行い、電解Auめっきを行い、保護めっき層を形成した図16d。最後に、金属支持基板の外形加工を行った。これにより、サスペンション用基板を得た。[実施例3]第一レジストパターンを剥離せずに、第二レジストパターンを形成したこと以外は、実施例2と同様にして、サスペンション用基板を得た図17。