"暫定接合方法であって、背面及びデバイス面を有する第1の基板;前記デバイス面に隣接し、軟化温度を有する第1の接合層;前記第1の接合層に隣接し軟化温度を有する第2の接合層であって、前記第1の接合層の軟化温度は、前記第2の接合層の軟化温度よりも約20°C以上高い、第2の接合層;及び、キャリヤー面を有する第2の基板であって、前記第2の接合層は前記キャリヤー面に隣接する第2の基板;を含むスタックを提供することと、前記第1及び前記第2の基板を分離させること、とを含む方法。前記第1の接合層の厚みT1は約24μm以上である請求項1に記載の方法。前記第2の接合層の厚みT3は約35μm未満である請求項1に記載の方法。前記第1の接合層の軟化点は約100°C以上である請求項1に記載の方法。前記第2の接合層の軟化点は約220°C未満である請求項1に記載の方法。前記第1の接合層は、溶媒系中に溶解又は分散されたポリマー又はオリゴマーを含む組成物から形成され、前記ポリマー又はオリゴマーは、環状オレフィン、エポキシ、アクリル、シリコン、スチレン、ハロゲン化ビニル、ビニルエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、環状オレフィン、ポリオレフィンゴム、及びポリウレタン、エチレンプロピレンゴム、ポリアミドエステル、ポリイミドエステル、ポリアセタール、及びポリビニルブテロール、のポリマー及びオリゴマーから成る群から選択される請求項1に記載の方法。前記第2の接合層は、溶媒系中に溶解又は分散されたポリマー又はオリゴマーを含む組成物から形成され、前記ポリマー又はオリゴマーは、環状オレフィン、エポキシ、アクリル、シリコン、スチレン、ハロゲン化ビニル、ビニルエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、環状オレフィン、ポリオレフィンゴム、及びポリウレタン、エチレンプロピレンゴム、ポリアミドエステル、ポリイミドエステル、ポリアセタール、及びポリビニルブテロール、のポリマー及びオリゴマーから成る群から選択される請求項1に記載の方法。前記デバイス面は、集積回路;MEMS;マイクロセンサ;電力半導体;発光ダイオード;光子回路;インターポーザ;埋め込み受動デバイス;及びシリコン、シリコンゲルマニウム、ガリウムヒ素、及びガリウム窒素上に製造される又はそれらから製造されるマイクロデバイス:から成る群から選択されるデバイスアレイを含む請求項1に記載の方法。前記第2の基板はシリコン、サファイヤ、水晶、金属、ガラス、及びセラミックスから成る群から選択される材料を含む請求項1に記載の方法。前記デバイス面は、半田バンプ;金属ポスト;金属ピラー;及びシリコン、ポリシリコン、二酸化ケイ素、オキシ窒化ケイ素、金属、低k誘電体、ポリマー誘電体、窒化金属、及び金属シリサイドから成る群から選択される材料から形成される構造体:から成る群から選択される少なくとも1つの構造体を含む請求項1に記載の方法。前記第1及び第2の基板を分離する前に前記スタックに、背面研削、化学機械研磨、エッチング、金属及び誘電体堆積、パターニング、不動態化、アニーリング、及びそれらの組合せから成る群から選択される処理を実行することを更に含む請求項1に記載の方法。前記分離することは、前記第1及び第2の基板を分離可能にするために十分に前記第2の接合層を軟化させるよう前記スタックを十分に高い温度まで加熱することを含む、請求項1に記載の方法。前記分離することの後に、前記第1の接合層を前記第1の基板から除去することを更に含む請求項12に記載の方法。前記第1の接合層の少なくとも幾つかは、分離の後、前記第1の基板上に残り、後続の処理ステップ中に存在する請求項12に記載の方法。物品であって:背面及びデバイス面を有する第1の基板;前記デバイス面に隣接し、軟化温度を有する第1の接合層;前記第1の接合層に隣接し軟化温度を有する第2の接合層であって、前記第1の接合層の軟化温度は、前記第2の接合層の軟化温度よりも約20°C以上高い、第2の接合層;及び、キャリヤー面を有する第2の基板であって、前記第2の接合層は前記キャリヤー面に隣接する、第2の基板;を含む物品。前記第1の接合層の厚みT1は少なくとも約24μm以上である請求項15に記載の物品。前記第2の接合層の厚みT3は約35μm未満である請求項15に記載の物品。前記第1の接合層の軟化点は約100°C以上である請求項15に記載の物品。前記第2の接合層の軟化点は約220°C未満である請求項15に記載の物品。前記第1の接合層は、溶媒系中に溶解又は分散されたポリマー又はオリゴマーを含む組成物から形成され、前記ポリマー又はオリゴマーは、環状オレフィン、エポキシ、アクリル、シリコン、スチレン、ハロゲン化ビニル、ビニルエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、環状オレフィン、ポリオレフィンゴム、及びポリウレタン、エチレンプロピレンゴム、ポリアミドエステル、ポリイミドエステル、ポリアセタール、及びポリビニルブテロール、のポリマー及びオリゴマーから成る群から選択される請求項15に記載の物品。前記第2の接合層は、溶媒系中に溶解又は分散されたポリマー又はオリゴマーを含む組成物から形成され、前記ポリマー又はオリゴマーは、環状オレフィン、エポキシ、アクリル、シリコン、スチレン、ハロゲン化ビニル、ビニルエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、環状オレフィン、ポリオレフィンゴム、及びポリウレタン、エチレンプロピレンゴム、ポリアミドエステル、ポリイミドエステル、ポリアセタール、及びポリビニルブテロール、のポリマー及びオリゴマーから成る群から選択される請求項15に記載の物品。前記デバイス面は、集積回路;MEMS;マイクロセンサ;電力半導体;発光ダイオード;光子回路;インターポーザ;埋め込み受動デバイス;及びシリコン、シリコンゲルマニウム、ガリウムヒ素、及びガリウム窒素上に製造される又はそれらから製造されるマイクロデバイス:から成る群から選択されるデバイスアレイを含む請求項15に記載の物品。前記第2の基板は、シリコン、サファイヤ、水晶、金属、ガラス、及びセラミックスから成る群から選択される材料を含む請求項15に記載の物品。前記デバイス面は、半田バンプ;金属ポスト;金属ピラー;及びシリコン、ポリシリコン、二酸化ケイ素、オキシ窒化ケイ素、金属、低k誘電体、ポリマー誘電体、窒化金属、及び金属シリサイドから成る群から選択される材料から形成される構造体:から成る群から選択される少なくとも1つの構造体を含む請求項15に記載の物品。暫定接合方法であって、背面及びデバイス面を有する第1の基板;前記デバイス面に隣接する第1の剛性層;前記第1の剛性層に隣接する接合層;及び、キャリヤー面を有する第2の基板であって前記接合層は前記キャリヤー面に隣接する、第2の基板、を含むスタックであって、前記スタックは、前記デバイス面と前記第1の剛性層との間のリフトオフ層;又は前記接合層と前記キャリヤー面との間の第2の剛性層;の1つ又は両方を更に含む、スタック:を提供することと前記第1及び第2の基板を分離することを含む方法。前記第1の剛性層及び接合層はそれぞれ軟化温度を有し、前記第1の剛性層の軟化温度は、前記接合層の軟化温度よりも約20°C以上高い請求項25に記載の方法。前記第1の剛性層の厚みT3は約1μm~約35μmである請求項25に記載の方法。前記接合層の厚みT3は約1μm~約35μmである請求項25に記載の方法。前記スタックは前記リフトオフ層を含み、前記リフトオフ層の厚みT1は約3μm未満である請求項25に記載の方法。前記スタックは前記第2の剛性層を含み、前記第2の剛性層の厚みT3は約1μm~約35μmである請求項25に記載の方法。前記スタックは前記第2の剛性層を含み、前記第2の剛性層及び前記接合層はそれぞれ軟化温度を有し、前記第2の剛性層の軟化温度は、前記接合層の軟化温度よりも約20°C以上高い請求項25に記載の方法。前記第1の剛性層の軟化点は約100°C以上である請求項25に記載の方法。前記接合層の軟化点は約220°C未満である請求項25に記載の方法。前記接合層は、溶媒系中に溶解又は分散されたポリマー又はオリゴマーを含む組成物から形成され、前記ポリマー又はオリゴマーは、環状オレフィン、エポキシ、アクリル、シリコン、スチレン、ハロゲン化ビニル、ビニルエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、環状オレフィン、ポリオレフィンゴム、及びポリウレタン、エチレンプロピレンゴム、ポリアミドエステル、ポリイミドエステル、ポリアセタール、及びポリビニルブテロール、のポリマー及びオリゴマーから成る群から選択される請求項25に記載の方法。前記第1の剛性層は、溶媒系中に溶解又は分散されたポリマー又はオリゴマーを含む組成物から形成され、前記ポリマー又はオリゴマーは、環状オレフィン、エポキシ、アクリル、シリコン、スチレン、ハロゲン化ビニル、ビニルエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、環状オレフィン、ポリオレフィンゴム、及びポリウレタン、エチレンプロピレンゴム、ポリアミドエステル、ポリイミドエステル、ポリアセタール、及びポリビニルブテロール、のポリマー及びオリゴマーから成る群から選択される請求項25に記載の方法。前記スタックは前記リフトオフ層を含み、前記リフトオフ層は溶媒系中に溶解又は分散されたポリマーを含む組成物から形成され、前記ポリマーは、ポリビニルピロリジン及びポリアミド酸から成る群から選択される請求項25に記載の方法。前記スタックは前記第2の剛性層を含み、前記第2の剛性層は、溶媒系中に溶解又は分散されたポリマー又はオリゴマーを含む組成物から形成され、前記ポリマー又はオリゴマーは、環状オレフィン、エポキシ、アクリル、シリコン、スチレン、ハロゲン化ビニル、ビニルエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、環状オレフィン、ポリオレフィンゴム、及びポリウレタン、エチレンプロピレンゴム、ポリアミドエステル、ポリイミドエステル、ポリアセタール、及びポリビニルブテロール、のポリマー及びオリゴマーから成る群から選択される請求項25に記載の方法。前記デバイス面は、集積回路;MEMS;マイクロセンサ;電力半導体;発光ダイオード;光子回路;インターポーザ;埋め込み受動デバイス;及びシリコン、シリコンゲルマニウム、ガリウムヒ素、及びガリウム窒素上に製造される又はそれらから製造されるマイクロデバイス:から成る群から選択されるデバイスアレイを含む請求項25に記載の方法。前記第2の基板は、シリコン、サファイヤ、水晶、金属、ガラス、及びセラミックスから成る群から選択される材料を含む請求項25に記載の方法。前記デバイス面は、半田バンプ;金属ポスト;金属ピラー;及びシリコン、ポリシリコン、二酸化ケイ素、オキシ窒化ケイ素、金属、低k誘電体、ポリマー誘電体、窒化金属、及び金属シリサイドから成る群から選択される材料から形成される構造体:から成る群から選択される少なくとも1つの構造体を含む請求項25に記載の方法。前記第1及び第2の基板を分離することの前に、前記スタックに背面研削、化学機械研磨、エッチング、金属及び誘電体堆積、パターニング、不動態化、アニーリング、及びそれらの組合せから成る群から選択される処理を実行することを更に含む請求項25に記載の方法。前記分離することは、前記第1及び第2の基板を分離可能にするよう十分に前記接合層を軟化させるように十分に高い温度まで前記スタックを加熱すること、又は前記リフトオフ層が存在する場合に前記リフトオフ層を溶解させるように前記スタックを除去溶液に暴露すること、の1つ又は両方を含む請求項25に記載の方法。物品であって:背面及びデバイス面を有する第1の基板;前記デバイス面に隣接する第1の剛性層;前記第1の剛性層に隣接する接合層;及びキャリヤー面を有する第2の基板であって前記接合層が前記キャリヤー面に隣接する、第2の基板、を含み、前記物品は:前記デバイス面と前記第1の剛性層との間のリフトオフ層;又は、前記接合層と前記キャリヤー面との間の第2の剛性層、の1つ又は両方を更に含む物品。前記第1の剛性層及び接合層はそれぞれ軟化温度を有し、前記第1の剛性層の軟化温度は、前記接合層の軟化温度よりも約20°C以上高い請求項43に記載の物品。前記第1の剛性層の厚みT3は約1μm~約35μmである請求項43に記載の物品。前記接合層の厚みT3は約1μm~約35μmである請求項43に記載の物品。前記物品は前記リフトオフ層を含み、前記リフトオフ層の厚みT1は約3μm未満である請求項43に記載の物品。前記物品は前記第2の剛性層を含み、前記第2の剛性層の厚みT3は約1μm~約35μmである請求項43に記載の物品。前記物品は前記第2の剛性層を含み、前記第2の剛性層及び前記接合層はそれぞれ軟化温度を有し、前記第2の剛性層の軟化温度は前記接合層の軟化温度よりも約20°C以上高い請求項43に記載の物品。前記第1の剛性層の軟化点は約100°C以上である請求項43に記載の物品。前記接合層の軟化点は約220°C未満である請求項43に記載の物品。前記接合層は溶媒系中に溶解又は分散されたポリマー又はオリゴマーを含む組成物から形成され、前記ポリマー又はオリゴマーは、環状オレフィン、エポキシ、アクリル、シリコン、スチレン、ハロゲン化ビニル、ビニルエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、環状オレフィン、ポリオレフィンゴム、及びポリウレタン、エチレンプロピレンゴム、ポリアミドエステル、ポリイミドエステル、ポリアセタール、及びポリビニルブテロール、のポリマー及びオリゴマーから成る群から選択される請求項43に記載の物品。前記第1の剛性層は、溶媒系中に溶解又は分散されたポリマー又はオリゴマーを含む組成物から形成され、前記ポリマー又はオリゴマーは、環状オレフィン、エポキシ、アクリル、シリコン、スチレン、ハロゲン化ビニル、ビニルエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、環状オレフィン、ポリオレフィンゴム、及びポリウレタン、エチレンプロピレンゴム、ポリアミドエステル、ポリイミドエステル、ポリアセタール、及びポリビニルブテロール、のポリマー及びオリゴマーから成る群から選択される請求項43に記載の物品。前記物品は前記リフトオフ層を含み、前記リフトオフ層は、溶媒系中に溶解又は分散されたポリマーを含む組成物から形成され、前記ポリマーはポリビニルピリジン及びポリアミド酸から成る群から選択される請求項43に記載の物品。前記物品は前記第2の剛性層を含み、前記第2の剛性層は、溶媒系中に溶解又は分散されたポリマー又はオリゴマーを含む組成物から形成され、前記ポリマー又はオリゴマーは、環状オレフィン、エポキシ、アクリル、シリコン、スチレン、ハロゲン化ビニル、ビニルエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、環状オレフィン、ポリオレフィンゴム、及びポリウレタン、エチレンプロピレンゴム、ポリアミドエステル、ポリイミドエステル、ポリアセタール、及びポリビニルブテロール、のポリマー及びオリゴマーから成る群から選択される請求項43に記載の物品。前記デバイス面は、集積回路;MEMS;マイクロセンサ;電力半導体;発光ダイオード;光子回路;インターポーザ;埋め込み受動デバイス;及びシリコン、シリコンゲルマニウム、ガリウムヒ素、及びガリウム窒素上に製造される又はそれらから製造されるマイクロデバイス:から成る群から選択されるデバイスアレイを含む請求項43に記載の物品。前記第2の基板はシリコン、サファイヤ、水晶、金属、ガラス、及びセラミックスから成る群から選択される材料を含む請求項43に記載の物品。前記デバイス面は、半田バンプ;金属ポスト;金属ピラー;及びシリコン、ポリシリコン、二酸化ケイ素、オキシ窒化ケイ素、金属、低k誘電体、ポリマー誘電体、窒化金属、及び金属シリサイドから成る群から選択される材料から形成される構造体:から成る群から選択される少なくとも1つの構造体を含む請求項43に記載の物品。暫定接合方法であって、背面及びデバイス面を有する第1の基板であって、前記デバイス面は周縁域及び中央域を有する、第1の基板;キャリヤー面を有する第2の基板;前記周縁域及び前記キャリヤー面に隣接するエッジボンド;及び、前記エッジボンドと前記デバイス面との間のリフトオフ層;前記エッジボンドと前記キャリヤー面との間のリフトオフ層;前記エッジボンドと前記デバイス面との間の接着増進剤層;前記エッジボンドと前記キャリヤー面との間の接着増進剤層;前記エッジボンドと前記デバイス面との間の接合層;及び、前記エッジボンドと前記キャリヤー面との間の接合層;から成る群から選択される少なくとも1つの層、を含むスタックを提供することと前記第1及び第2の基板を分離すること、とを含む方法。充填域を形成するために、前記中央域の少なくとも幾つかには前記エッジボンドが存在しない請求項59に記載の方法。前記スタックは、前記充填域中に充填層を更に含む請求項60に記載の方法。前記スタックは、前記エッジボンドと前記デバイス面との間の接合層、及び前記エッジボンドと前記キャリヤー面との間の接合層、から成る群から選択される少なくとも1つの層を含む請求項61に記載の方法。前記デバイス面は、集積回路;MEMS;マイクロセンサ;電力半導体;発光ダイオード;光子回路;インターポーザ;埋め込み受動デバイス;及びシリコン、シリコンゲルマニウム、ガリウムヒ素、及びガリウム窒素上に製造される又はそれらから製造されるマイクロデバイス:から成る群から選択されるデバイスアレイを含む請求項59に記載の方法。前記第2の基板はシリコン、サファイヤ、水晶、金属、ガラス、及びセラミックスから成る群から選択される材料を含む請求項59に記載の方法。前記デバイス面は、半田バンプ;金属ポスト;金属ピラー;及びシリコン、ポリシリコン、二酸化ケイ素、オキシ窒化ケイ素、金属、低k誘電体、ポリマー誘電体、窒化金属、及び金属シリサイドから成る群から選択される材料から形成される構造体:から成る群から選択される少なくとも1つの構造体を含む請求項59に記載の方法。前記エッジボンドの幅Dは約2mm~約15mmである請求項59に記載の方法。前記エッジボンドは、溶媒系中に溶解又は分散されたポリマー又はオリゴマーを含む組成物から形成され、前記ポリマー又はオリゴマーは、環状オレフィン、エポキシ、アクリル、シリコン、スチレン、ハロゲン化ビニル、ビニルエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、環状オレフィン、ポリオレフィンゴム、及びポリウレタン、エチレンプロピレンゴム、ポリアミドエステル、ポリイミドエステル、ポリアセタール、及びポリビニルブテロール、のポリマー及びオリゴマーから成る群から選択される請求項59に記載の方法。前記第1及び第2の基板を分離することの前に、前記スタックに、背面研削、化学機械研磨、エッチング、金属及び誘電体堆積、パターニング、不動態化、アニーリング、及びそれらの組合せ、から成る群から選択される処理を実行することを更に含む請求項59に記載の方法。物品であって、背面及びデバイス面を有する第1の基板であって、前記デバイス面は周縁域及び中央域を有する、第1の基板;キャリヤー面を有する第2の基板;前記周縁域及び前記キャリヤー面に隣接するエッジボンド;及び、前記エッジボンドと前記デバイス面との間のリフトオフ層;前記エッジボンドと前記キャリヤー面との間のリフトオフ層;前記エッジボンドと前記デバイス面との間の接着増進剤層;前記エッジボンドと前記キャリヤー面との間の接着増進剤層;前記エッジボンドと前記デバイス面との間の接合層;及び、前記エッジボンドと前記キャリヤー面との間の接合層;から成る群から選択される少なくとも1つの層、を含む物品。充填域を形成するために、前記中央域の少なくとも幾らかには前記エッジボンドが存在しない請求項69に記載の物品。前記物品は、前記充填域中に充填材料を更に含む請求項70に記載の物品。前記スタックは、前記エッジボンドと前記デバイス面との間の接合層、及び前記エッジボンドと前記キャリヤー面との間の接合層から成る群から選択される少なくとも1つの層を含む請求項71に記載の物品。前記第1の基板は、集積回路;MEMS;マイクロセンサ;電力半導体;発光ダイオード;光子回路;インターポーザ;埋め込み受動デバイス;及びシリコン、シリコンゲルマニウム、ガリウムヒ素、及びガリウム窒素上に製造される又はそれらから製造されるマイクロデバイス:から成る群から選択されるデバイスアレイを含むデバイス面を有するデバイスウェーハーを含む請求項69に記載の物品。前記第2の基板は、シリコン、サファイヤ、水晶、金属、ガラス、及びセラミックスから成る群から選択される材料を含む請求項69に記載の物品。前記デバイス面は、半田バンプ;金属ポスト;金属ピラー;及びシリコン、ポリシリコン、二酸化ケイ素、オキシ窒化ケイ素、金属、低k誘電体、ポリマー誘電体、窒化金属、及び金属シリサイドから成る群から選択される材料から形成される構造体:から成る群から選択される少なくとも1つの構造体を含む請求項69に記載の物品。前記エッジボンドの幅Dは約2mm~約15mmである請求項69に記載の物品。前記エッジボンドは溶媒系中に溶解又は分散されたポリマー又はオリゴマーを含む組成物から形成され、前記ポリマー又はオリゴマーは、環状オレフィン、エポキシ、アクリル、シリコン、スチレン、ハロゲン化ビニル、ビニルエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、環状オレフィン、ポリオレフィンゴム、及びポリウレタン、エチレンプロピレンゴム、ポリアミドエステル、ポリイミドエステル、ポリアセタール、及びポリビニルブテロール、のポリマー及びオリゴマーから成る群から選択される請求項69に記載の物品。暫定接合方法であって、背面及びデバイス面を有する第1の基板、前記デバイス面に隣接するクリーニング層、前記クリーニング層に隣接する第1の層であって、前記第1の層は接合層及び剛性層から成る群から選択される、第1の層、及びキャリヤー面を有する第2の基板であって前記第1の層が前記キャリヤー面に隣接する、第2の基板;を含むスタックを提供することと、前記第1及び第2の基板を分離することと、前記クリーニング層、及び前記分離することの後に残った任意の第1の層を実質的に除去するように、前記クリーニング層を除去溶液に接触させること、とを含む方法。前記第1の層と前記キャリヤー面との間の第2の接合層を更に含む請求項78に記載の方法。前記接触させることは、前記第2の接合層を実質的に除去する請求項79に記載の方法。前記分離することは、前記第1及び第2の基板を分離可能にするために前記第1の層を十分に軟化させるよう十分高い温度まで前記スタックを加熱することを含む請求項78に記載の方法。前記分離することは、前記第1及び第2の基板を分離可能にするために前記第2の接合層を十分に軟化させるよう十分高い温度まで前記スタックを加熱することを含む請求項70に記載の方法。以下の実施例は、本発明に係る好ましい方法を説明する。しかしながら、これらの実施例は例示のために提供されるものであり本発明の全体の範囲を制限するものではないことを理解すべきである。実施例1から9は本発明の改善された接合性能を説明する。実施例l0から16は剥離後にクリーニングされる接合組成物の改善された性能を説明する。実施例1環状オレフィンコポリマーCOC接合組成物Aの組成この調製において、250グラムのエテンノルボルネンコポリマーAPL8008T、三井化学アメリカ社、ニューヨーク州ライブルック、から取得及び3.125グラムのフェノール系酸化防止剤IRGANOX1010、BASF社、ドイツ、から取得を373.45グラムのR-リモネンFloridaChemical社、フロリダ州ウィンターヘブン、から取得及び373.45グラムのシクロオクタンSigma-Aldrich社、ミズーリ州セントルイス、から取得中に溶解した。全ての成分が溶解するまで混合物を室温で攪拌させた。最終溶液は、25.31の固形物を有した。実施例2COC接合組成物Bの組成この調製において、210.31グラムのエタンノルボルネンコポリマーTopas8007、TopasAdvancedPolymers社、ケンタッキー州フローレンス、から取得及び62.4グラムの低分子量COCポリマーTopasTM、TopasAdvancedPolymers社、ケンタッキー州フローレンス、から取得を4.0グラムのフェノール系酸化防止剤Irganox1010を含む、706グラムのR-lリモネン、及び分子量2、800ダルトンの14.5グラムのポリイソブチレンScientificPolymerProducts社、ニューヨーク州オンタリオ、から取得中に溶解した。全ての成分が溶解するまで混合物を室温で攪拌させた。溶液は、29の固形分を有した。実施例3COC接合組成物Cの組成この調製において、50グラムの実施例2からのCOC接合組成物Bを、50グラムのR-リモネンと混合した。混合物を室温で攪拌させ溶液を形成した。溶液は14.5の固形物を有した。実施例4接合組成物Dの組成この調製において、120グラムのWaferBONDRHT-10.10材料BrewerScience社から取得を、80グラムの1-ドデセンSigma-Aldrich社、ミズーリ州セントルイスと混合した。混合物を室温で攪拌させ溶液を形成した。実施例5デバイスウェーハー上の厚COC接合組成物A層、及びキャリヤーウェーハー上の薄COC接合組成物C層この手順では、コーティングされた基板と第2の基板との間の効果的な接合を得るために270°Cで十分に流動するように設計された環状オレフィンポリマーコーティング層である実施例1からのCOC接合組成物A、10mLを200mmのシリコンウェーハー上にスピンコートし、後述するスピン及び焼成パラメータを用いて焼成し、COC接合組成物Aの膜を形成した。実施例1からの10mLのCOC接合組成物Aの第2のアリコットを用いて、このプロセスを正確に繰り返した。この第2のアリコットは第1の膜の上に更に膜を形成するために用いられた。両方の適用ステップの後の最終の膜厚は96μmであった。コーティングされた基板と第2の基板との間の効果的な接合を得るために220°Cで十分に流動するように設計された環状オレフィンポリマーコーティング層である実施例3からのCOC接合組成物Cを別の200mmシリコンウェーハー上にスピンコートした。COC接合組成物Cの厚みは約3μmであった。スピンコート及び焼成パラメータはCOC接合組成物A及びCOC接合組成物Cのためのものと同一であり、以下の通りであった。スピンコート条件:800rpmのスピンコートを60秒間、加速は10、000rpm/秒焼成条件、記載順:80°Cで2分、110°Cで2分、160°Cで2分、及び220°Cで6分上述のように、COC接合組成物A及びCOC接合組成物Cでコーティングされた2つのシリコンウェーハーを、5、800Nの接合圧力の圧力チャンバ内の加熱真空内で、220°Cで3分間真空下で向かい合わせで接合した。次に、参照として本明細書に含まれる米国特許公開番号第2010/0206479号BrewerScience社、ミズーリ州ローラ、から取得に記載の方法と同様のスライドプロセスを用いる、剥離装置デボンダーで、接合されたウェーハーを220°Cで分離した。実施例6厚COC接合組成物A及び薄COC接合組成物Cこの手順では、コーティングされた基板と第2の基板との間の効果的な接合を得るために、270°Cで十分に流動するように設計された環状オレフィンポリマーコーティング層である実施例1からのCOC接合組成物A、10mLを、200mmのシリコンウェーハー上にスピンコートし、焼成し後で説明するスピン及び焼成パラメータを用いてCOC接合組成物Aの膜を形成した。実施例1からの10mLのCOC接合組成物Aの第2のアリコットを用いて、このプロセスを正確に繰り返した。この第2のアリコットは、第1の膜の上に更に膜を形成するために用いられた。両方の適用ステップの後の最終の膜厚は93μmであった。コーティングされた基板と第2の基板との間の効果的な接合を得るために、220°Cで十分に流動するように設計された環状オレフィンポリマーコーティング層である実施例3からのCOC接合組成物CをCOC接合組成物A膜の上に更にスピンコートした。COC接合組成物Cの厚みは約8μmであった。スピンコート及び焼成パラメータはCOC接合組成物AのためのものとCOC接合組成物Cのためのものは同一であり、以下の通りであった。スピンコート条件:800rpmのスピンコートを60秒間、加速は10、000rpm/秒焼成条件、記載順:110°Cで4分、160°Cで2分、及び220°Cで6分別の200mmシリコンウェーハーの中心をフッ化シランヘプタデカフルオロ-1、1、2、2-テトラヒドロデシルトリクロロシランでコーティングし、一方、ウェーハーの外側エッジに沿った3mmの領域はフッ化シランがないままにした。フッ化シランをコーティングするための詳細なプロセスは、参照として本明細書に含まれる、米国特許公開番号第2009/10218560号の実施例1に記載されている。上述のウェーハー対を、5,800Nの接合圧力で、加熱真空圧力下で、220°Cで3分、向かい合わせで接合した。ウェーハー対を共に強力に接合し、研磨プロセスを施して、デバイスウェーハーを50μmに薄層化した。接合されたウェーハー対を、R-リモネンに24時間浸漬し、次にウェーハーを、ピールオフ剥離装置ZoneBONDTM分離ツール、BrewerScience社、ミズーリ州ローラ、から入手を用いて、剥離プロセスによって剥離した。ピールオフ剥離プロセス中、デバイスウェーハー真空によって平らな表面上に保持し、キャリヤーウェーハーシラン化されたウェーハーを、金属クランプによってきつく保持した。次にクランプを剥がすことによって、デバイスウェーハーをキャリヤーウェーハーから分離した。実施例7薄接合組成物Dを備える厚ポリスルホンこの調製において、280グラムのポリスルホンUltrasonE2020P、BASF社、ニュージャージー州フローサムパークを520グラムのジメチルアセトアミドSigma-Aldrich社、ミズーリ州セントルイス中に溶解した。混合物を、ポリスルホンが溶解して溶液を形成するまで室温で攪拌させた。溶液は35の固形物を有した。上述のポリスルホン溶液を200mmのシリコンウェーハー上に、スピン速度600rpmで60秒間スピンコートした。コーティングされたウェーハーを2分間80°Cで、次いで2分間150°Cで、次いで5分間180°Cで焼成した。結果のポリスルホン膜の厚みは51.64μmであった。次に実施例4からの接合組成物Dを、ポリスルホン膜の上に更に、スピン速度1400rpmで60秒間スピンコートした。ウェーハーを80°Cで2分間、次いで150°Cで2分間、次いで180°Cで5分焼成した。希釈されたWaferBONDRHT-10.10膜の総厚みは約2μmであった。ウェーハー対をR-リモネン中に室温で24時間浸漬し、次いでウェーハーをピールオフ剥離装置ZoneBONDTM分離ツールを用いて分離した。実施例8薄COC接合組成物Cを備える厚ポリスルホンこの調製において、280グラムのポリスルホンUltrasonE2020P、BASF社を520グラムのジメチルアセトアミドSigma-Aldrich社、ミズーリ州セントルイス中に溶解した。混合物を、ポリスルホンが溶解して溶液を形成するまで室温で攪拌させた。上述のポリスルホン溶液を200mmのシリコンウェーハー上に、スピン速度600rpmで60秒間スピンコートした。流延溶媒を完全に除去するために、コーティングされたウェーハーを80°Cで2分間、次いで150°Cで2分間、次いで180°Cで5分間焼成した。結果のポリスルホン膜の厚みは52.9μmであった。次に実施例3からの接合組成物Cを、ポリスルホン膜の上に更に、スピン速度1400rpmで60秒間スピンコートした。ウェーハーを80°Cで2分間、次いで150°Cで2分間、次いで180°Cで5分焼成した。COC接合組成物Cの総厚みは約2μmであった。上述のウェーハー対をR-リモネン中に室温で24時間浸漬し、次いでウェーハーをピールオフ剥離装置ZoneBONDTM分離ツールを用いて分離した。実施例9スライド剥離のための厚COC接合組成物A及びCOC接合組成物Bの20μm超の膜この実施例では、コーティングされた基板と第2の基板との間の効果的な接合を得るために、270°Cで十分に流動するように設計された環状オレフィンポリマーコーティング層である実施例1からのCOC接合組成物A、10mLアリコットを、200mmのシリコンウェーハー上に2回スピンコートした。第1のスピンコートは600rpmで60秒間行い、第2のスピンコートは800rpmで60秒間行った。それぞれのコーティングの後、ウェーハーを80°Cで2分間、次いで150°Cで2分間、次いで220°Cで5分間焼成した。結果のCOC接合組成物A膜の厚みは99.14μmであった。コーティングされた基板と第2の基板との間の効果的な接合を得るために、220°Cで十分に流動するように設計された環状オレフィンポリマーコーティング層である実施例2からのCOC接合組成物Bを、COC接合組成物Aでコーティングされたものと同一のウェーハー上にスピンコートした。COC接合組成物Bは、スピン速度1500rpmで60秒間コーティングした。ウェーハーを80°Cで2分間、次いで150°Cで2分間、次いで220°Cで5分間焼成した。結果のCOC接合組成物B膜の厚みは約29μmであった。上述のウェーハーを、別の200mmシリコンウェーハーと向かい合わせで、5、800Nの接合圧力を備える圧力チャンバ内で、220°Cで3分間、加熱真空下で接合した。スライド剥離装置BrewerScience社から入手を用いるスライド剥離プロセスによって、接合されたウェーハー対を分離した。剥離プロセスは、剥離速度2mm/秒、温度220°Cで実施した。実施例10HCl溶液でクリーニングしたポリビニルピリジン及びCOC接合組成物Bこの調製において、2グラムのポリビニルピリジンSigma-Aldrich社、ミズーリ州セントルイスから取得をシクロペンタノン中に溶解した。ポリマーが溶解するまで混合物を室温で攪拌させた。シクロペンタノン中のポリビニルピリジンの総重量濃度は2であった。溶液を0.1μmのフィルタに通してろ過した。上述のポリビニルピリジン組成物を、100mmシリコンウェーハー上に、スピン速度2、000rpmで60秒間スピンコートした。コーティングされたウェーハーを80°Cで2分間、次いで220°Cで2分間焼成した。結果のポリビニルピリジン膜の厚みは0.0579μm57.9nmであった。次にCOC接合組成物Bを、ポリビニルピリジン膜の上に更に、スピン速度1,100rpmで60秒間スピンコートした。ウェーハーを、80°Cで2分間、次いで160°Cで2分間、次いで220°Cで6分間焼成した。結果の膜の総厚みは約22μmであった。COC接合組成物B膜がウェーハーから浮き上がり離れるまで、コーティングされたウェーハーを室温で約4~5時間1の塩酸塩HC1水溶液中に浸漬した。ウェーハーは、目視観察でクリーンであったが、顕微鏡下で観察したときに、まだ幾らかの残留物が認められた。実施例11酢酸溶液でクリーニングされたポリビニルピリジン及びCOC接合組成物B実施例10と同様の方法で、同様の組成物を備えるウェーハーを準備した。コーティングされたウェーハーを、COC接合組成物B膜がウェーハーから浮き上がり離れるまで、室温で約4~5時間50の酢酸水溶液に浸漬した。酢酸溶液でクリーニングしたウェーハーは、目視観察ではクリーンであったが、顕微鏡下での観察では、まだ幾らかの残留物が認められた。実施例12R-リモネン、シクロペンタノン、及びイソプロパノールでクリーニングしたポリビニルピリジン及びCOC接合組成物B実施例10と同様の方法で、同様の調製物でコーティングされた、別のウェーハーを、室温で速度900rpmでスピン回転させ、その間、COC接合組成物B膜を除去するための第1のクリーニング溶媒としてR-リモネンを400秒間分注した。次にポリビニルピリジンポリマー膜を除去するために、シクロペンタノンを室温でスピン速度900rpmで400秒間分注することによって更なるクリーニングを実行した。イソプロパノールを用いて、スピン速度900rpmで120秒間ウェーハーにスピンすすぎを行った。速度1200rpmで60秒間ウェーハーを回転することによって最終乾燥を実行した。このプロセスによってクリーニングされたウェーハーは目視観察では欠陥がなかった。実施例13R-リモネン及びイソプロパノールでクリーニングされたポリビニルピリジン及びCOC接合組成物B実施例10と同様の方法で、同様の調製物でコーティングされた、別のウェーハーを、室温で速度900rpmでスピン回転させ、その間、COC接合組成物B膜を除去するための第1のクリーニング溶媒としてR-リモネンを400秒間分注した。次にポリビニルピリジンポリマー膜を除去するために、イソプロパノールを室温で400秒間スピン速度900rpmで分注することによって更なるクリーニングを実行した。速度1200rpmで60秒秒間ウェーハーを回転することによって最終乾燥を実行した。このプロセスによってクリーニングされたウェーハーは目視観察では欠陥がなかった。実施例14ProLIFTR100-16コーティング及びWaferBONDRHT-10.10材料ProLIFTR100-16コーティングBrewerScience社、ミズーリ州ローラから取得を200mmシリコンウェーハー上に、3、000rpmで90秒間スピンコートした。コーティングされたウェーハーを、120°Cで90秒間、次いで205°Cで90秒間焼成し、約1μmの厚みの層を生成した。WaferBONDRHT-10.10材料を、ProLIFTR100-16膜の上に更に、1、500rpmで30秒間スピンコートした。ウェーハーを120°Cで2分間、次いで160°Cで2分間焼成し、約16μmの厚みの層を生成した。別の200mmシリコンウェーハーをコーティングされたウェーハーと向かい合わせにして、220°Cで3分間、1分間15psiの圧力下で、接合した。接合されたウェーハー対を冷却し、1分間で160°Cに、そして徐々に室温まで冷却した。接合されたウェーハー対を、スライド剥離装置を用いて速度200mm/秒、温度200°Cで分離した。剥離されたウェーハー上のコーティングは、最初に1-ドデセンをスピン速度250rpmで60秒間分注することによってクリーニングして、WaferBONDRHT-10.10ポリマー膜を除去し、次いでProLIFTRRemoverBrewerScience社、ミズーリ州ローラ、から取得をスピン速度300rpmで10秒間分注することによって、ProLIFTR膜をクリーニングした。ウェーハーを速度1、400rpmで15秒間回転させることによって乾燥した。クリーニング後、ウェーハーは目視では欠陥がなかった。実施例15ProLIFTR100コーティング及びCOC接合組成物BProLIFTR100-16コーティングを200mmシリコンウェーハー上に、3,000rpmで90秒間スピンコートした。コーティングされたウェーハーを、100°Cで120秒間、次いで245°Cで60秒間焼成した。実施例2からのCOC接合組成物BをProLIFTR100-16膜の上に更に、300rpmで5秒間スピンコートした。速度を上昇させ、ウェーハーを1,200rpmで60秒間回転させた。コーティングされたウェーハーを、60°Cで60秒間、次いで80°Cで60秒間、次いで220°Cで120秒間焼成した。COC接合組成物Bポリマー膜を除去するために最初にR-リモネンを用い、次いで、ProLIFTR100-16膜を除去するために、PD523-AD現像剤JSRマイクロエレクトロニクス社、カリフォルニア州サニーベルを分注することによって、ウェーハーをクリーニングした。詳細なクリーニング手順は以下の通りであった。COC接合組成物Bのクリーニング1.R-リモネンのパッドリング:0rpmで60秒間2.スピン除去:2、000rpmで5秒間3.手動でR-リモネンを分注:500rpmで60秒間4.スピン除去:2、000rpmで5秒間5.すすぎのために手動でイソプロパノールを分注:500rpmで30秒間6.スピン乾燥:2、000rpmで15秒間ProLIFTR100-16コーティングのクリーニング1.PD523-AD現像剤のパッドリング:0rpmで20秒間2.スピン除去:2、000rpmで5秒間3.手動で脱イオン水を分注:500rpmで20秒間4.すすぎのために手動でイソプロパノールを分注:500rpmで5秒間5.スピン乾燥:2、000rpmで15秒間CandelaCS20ツールKLATencor社、カリフォルニア州ミルピタス、から入手を用いる欠陥検査によって、ウェーハーがクリーンであることを確認した。実施例16WGF300-310材料及びCOC接合組成物BWGF300-310材料現像剤可溶性間隙充填組成物、BrewerScience社、ミズーリ州、ローラから入手を200mmシリコンウェーハー上に3,000rpmで90秒間スピンコートした。コーティングされたウェーハーを100°Cで120秒間、次いで245°Cで60秒で焼成し、約720Åの厚みの膜を生成した。実施例2からのCOC接合組成物BをWGF300-310膜の上に更に、300rpmで5秒間スピンコートし、次いで、速度を上昇させ、ウェーハーを1,200rpmで60秒間回転させた。コーティングされたウェーハーを次に60°Cで60秒間、次いで80°Cで60秒間、次いで220°Cで120秒間焼成した。最初に、COC接合組成物Bポリマー膜を除去するためにR-リモネンを用いて、次にWGF300-310膜を除去するためにPD523-AD現像剤を分注することによって、ウェーハーをクリーニングした。詳細なクリーニング手順は以下の通りであった。COC接合組成物Bのクリーニング1.R-リモネンのパッドリング:0rpmで60秒間2.スピン除去:1、500rpmで5秒間3.手動でR-リモネンを分注:500rpmで60秒間4.スピン除去:1、500rpmで5秒間5.すすぎのために手動でイソプロパノールを分注:500rpmで0秒間6.スピン乾燥:2、000rpmで15秒間WGF300-310コーティングのクリーニング1.PD523-AD現像剤のパッドリング:0rpmで20秒間2.スピン除去:1、500rpmで5秒間3.手動で脱イオン水を分注:500rpmで20秒間4.すすぎのために手動でイソプロパノールを分注:500rpmで5秒間5.スピン乾燥:2、000rpmで15秒間CandelaCS20ツールを用いる欠陥検査によって、ウェーハーがクリーンであることを確認した。実施例17WGF300-310材料、COC接合組成物A、及びCOC接合組成物B300-310材料を100mmシリコンウェーハー上に3,000rpmで90秒間スピンコートした。ウェーハーを、100°Cで120秒間、次いで245°Cで60秒間焼成した。WGF300-310膜の厚みは0.0632μm63.2nmであった。実施例1からのCOC接合組成物AをWGF300-310膜の上に更に、速度600rpmで60秒間スピンコートした。次にウェーハーを、80°Cで2分間、次いで150°Cで2分、次いで220°Cで5分間焼成した。COC接合組成物A層の厚みは41μmであった。実施例2からのCOC接合組成物BをCOC接合組成物A膜の上に更に、速度1,400rpmで60秒間スピンコートした。ウェーハーを、80°Cで2分間、次いで150°Cで2分間、次いで220°Cで5分間焼成した。COC接合組成物B層の厚みは8.2μmであった。上述のウェーハーを、最初にCOC接合組成物A及びBポリマー層を除去するために、R-リモネンに24時間浸漬することによってクリーニングした。次にWGF300-310膜をPD523-AD現像剤でクリーニングするための第2のステップを以下のように実行した。1.PD523-AD現像剤のパッドリング:0rpmで20秒間2.スピン除去:2,000rpmで5秒間3.手動で脱イオン水を分注:500rpmで20秒間4.すすぎのために手動でイソプロパノールを分注:500rpmで5秒間5.スピン乾燥:2,000rpmで15秒間ウェーハーは目視観察でクリーンであった。実施例18ZoneBONDTMのエッジカットを補助するための多重層の使用およそ1μmの厚みのWaferBONDRHT-10.10の層を200mmシリコンのキャリヤーウェーハーの表面のエッジの周りの3~5mm幅の環の上にコーティングした。このウェーハーを110°Cで2分間焼成し、続いて160°Cで2分間、第2の焼成を行った。フッ化シランヘプタデカフルオロ-1、1、2、2-テトラヒドラデシルトリクロロシラン、主としてC12を持つペルフルオロ化合物、3M社からFluorinertの商品名で販売を、FC-40溶媒3M社から取得を用いて、1溶液に希釈した。溶液をキャリヤーの中心部へスピンコートした。キャリヤーを加熱板上で100°Cで1分間焼成し、スピンコータ内で、FC-40溶媒ですすぎ、加熱板上で100°Cで更に1分間焼成した。別の200mmシリコンデバイスウェーハーの表面を、COC接合組成物でスピンコートによってコーティングした。このウェーハーを80°Cで2分間、その後120°Cで2分間、最終的に220°Cで2分間焼成した。デバイス及びキャリヤーウェーハーを、向かい合わせで、加熱された真空及び圧力チャンバ内で220°Cで3分間、真空下で接合した。このアセンブリを1-ドデセン中におよそ1時間浸漬し、キャリヤーのエッジのWaferBONDRHT-10.10の薄層を軟化させ、部分的に溶解させた。1-ドデセンは、実験接合接着剤の大部分に影響を与えず、WaferBONDRHT-10.10のみに影響を与えた。ZoneBONDTM分離ツールを用いて、キャリヤーをアセンブリから分離した。"