第1と第2のガラス基板と、前記第1のガラス基板と前記第2のガラス基板の間に配置されたガラスより熱伝導率が高い第3の基板とを含む積層基板と、前記第3の基板に形成されアルカリ金属ガスが充填された空洞と、前記積層基板に形成された2つの開口を貫通する、前記第3の基板に形成された貫通孔と、を有することを特徴とする磁気計測装置。請求項1記載の磁気計測装置であって、前記貫通孔は前記アルカリ金属ガスの温度を調整する流体を流す貫通孔であることを特徴とする磁気計測装置。請求項1記載の磁気計測装置であって、前記空洞は上面から見て矩形であり、前記貫通孔は上面から見て前記矩形の3辺を取り囲むことを特徴とする磁気計測装置。請求項1記載の磁気計測装置であって、前記貫通孔は途中で2つに分岐し、分岐された貫通孔は途中で連結し、上面から見て前記空洞を取り囲むことを特徴とする磁気計測装置。請求項1記載の磁気計測装置であって、前記貫通孔は、前記第3の基板を蛇行するように形成されていることを特徴とする磁気計測装置。請求項1記載の磁気計測装置であって、前記空洞は上面から見て矩形であり、前記貫通孔は上面から見て前記矩形の3辺を取り囲み、前記貫通孔は上面から見て貫通孔の経路を直線で結んだ場合の前記空洞と対向する側の表面積が大きくなるように蛇行しているか、若しくは、前記貫通孔は上面から見て貫通孔の経路を直線で結んだ場合よりも経路が長くなるように2層で構成されていることを特徴とする磁気計測装置。請求項1記載の磁気計測装置であって、前記貫通孔は、前記第1と前記第2のガラス基板の一方は前記第3の基板の一部を介して接しているか、若しくは、両方のガラス基板と前記第3の基板の一部を介して接していることを特徴とする磁気計測装置。請求項1記載の磁気計測装置であって、さらに前記第3の基板に断熱層が設けられていることを特徴とする磁気計測装置。請求項1記載の磁気計測装置であって、前記空洞は、互いに連結されたレーザ光が透過する第1の領域と、前記アルカリ金属ガスの発生源となる固体又は液体が配置される第2の領域とを有し、前記貫通孔は前記第1の領域と対向する経路に配置され、さらに、前記貫通孔と前記第2の領域との間に気密密閉された第2の空洞を有することを特徴とする磁気計測装置。請求項1記載の磁気計測装置であって、前記第3の基板は半導体より構成され、前記半導体にpn接合ダイオードが形成されていることを特徴とする磁気計測装置。請求項1記載の磁気計測装置であって、前記2つの開口の両方は、前記第1のガラス基板、前記第2のガラス基板、前記第3の基板のいずれかに形成されていることを特徴とする磁気計測装置。請求項1記載の磁気計測装置であって、前記2つの開口の両方は、前記第1のガラス基板若しくは前記第2のガラス基板のいずれかであって、当該ガラス基板の同一面に形成されていることを特徴とする磁気計測装置。請求項1記載の磁気計測装置であって、前記第3の基板は複数の基板から構成されていることを特徴とする磁気計測装置。請求項1記載の磁気計測装置であって、前記2つの開口の夫々は、前記貫通孔の口径よりも大きい口径を有することを特徴とする磁気計測装置。請求項1記載の磁気計測装置であって、前記第3の基板は半導体により構成されていることを特徴とする磁気計測装置。請求項1記載の磁気計測装置であって、前記第3の基板はシリコンにより構成されていることを特徴とする磁気計測装置。請求項1記載の磁気計測装置であって、請求項1記載の磁気計測装置は、2次元に複数個配置され、各々の磁気計測装置の前記貫通孔は直列、並列、若しくは、直列と並列の組み合わせにより中空配管で接続されていることを特徴とする磁気計測装置。請求項17記載の磁気計測装置であって、前記中空配管は、異なる複数の断面積を有することを特徴とする磁気計測装置。請求項18記載の磁気計測装置であって、さらに前記貫通孔に流す流体を温めるヒータと、前記流体を前記中空配管に流し込むポンプとを備え、前記中空配管の断面積は前記ポンプに遠ざかるにつれ、断面積が小さくなることを特徴とする磁気計測装置。特許文献1と非特許文献1では、セルへの照射光の通過部に、導電性ガラスもしくは透明フィルムヒータ、もしくは透明ITOヒータを設置して、当該導電性ガラスもしくは透明フィルムヒータもしくは透明ITOヒータに通電することで当該セルを加熱しており、セルが希望の温度に迅速に達する利点がある。しかしながら、ヒータからの磁場による影響によってセルに印加する静磁場が変化してしまうため、磁場計測の精度が低下してしまう問題がある。特許文献2と特許文献3では、セルを収めたオーブン内に加熱した窒素ガスまたは空気を外部から流し込み、当該容器内に加熱した窒素ガスまたは空気を充満させて当該セルの加熱を行っており、ヒータのように磁場による影響を与えない利点がある。しかしながら、当該セルをオーブンならびに断熱層で囲む必要があるため、センサ部が大型化する問題がある。非特許文献2では、セル周囲に設置したコイル状プラスチックチューブ内に温風を流し、当該セルの加熱を行っており、ヒータのように磁場による影響を与えない利点がある。しかしながら、チューブをセル周囲に設置するため、セルを小型化ならびに集積化する際に障害となる問題がある。本発明では、2枚のガラス基板の間に、当該ガラスよりも熱伝導率が高い基板を配置した構成からなるガスセルにおいて、当該ガラスよりも熱伝導率が高い基板に形成されたアルカリ金属ガスを封入した空洞の周囲に、貫通孔を形成したアルカリ金属ガスセルを使用する。当該貫通孔に加熱した流体を流し込むことによりガスセルを加熱する。流体とは、固体を除く、気体と液体である。本発明の一態様によると、例えばガスセルを収めた磁気シールドの外部等、測定磁場に影響を与えない場所に配置したヒータ及びポンプにより、例えば温風やオイル等の流体を加熱し、配管を通ってガスセルに形成された当該貫通孔に当該流体を流し込むことにより、ガスセルを加熱する。本発明のほかの態様によると、複数のガスセルを直列あるいは並列、あるいは直列と並列を組み合わせてアレイ状に配置し、配管あるいは配管付き基板を用いて、外部に配置したヒータ及びポンプにより加熱した流体を、ガスセル内に形成された当該貫通孔に流し込むことにより、複数のガスセルを加熱する。代表的な本発明は、第1と第2のガラス基板と、第1のガラス基板と第2のガラス基板の間に配置されたガラスより熱伝導率が高い第3の基板とを含む積層基板と、第3の基板に形成されアルカリ金属ガスが充填された空洞と、積層基板に形成された2つの開口を貫通する、第3の基板に形成された貫通孔と、を有する磁気計測装置である。本発明によると、従来のヒータを用いた加熱に比べて、通電による磁場の影響がなく、また従来の温風をガスセルに当てる加熱に比べて、オーブンならびに断熱層でガスセルを囲む必要がないため装置を小型化できる。また、従来のチューブをガスセル周囲に設置し内部に温風を流す加熱に比べて、流路はガスセル内に貫通孔として形成されているため、ガスセルの小型化と集積化を行うことが容易である。また、加熱した流体は、ガラスよりも熱伝導率が高い基板を通るため、ガラスを温める方法よりも効率的に加熱することを可能とする。以下、図面を参照して本発明の基本構造を説明する。図1、図2、ならびに図3は、ガスセルを加熱するためにレーザ光を照射させるセルの周囲に加熱した流体を流すための流路以下、貫通孔とも言うを設置した、本発明によるガラス基板ガラスよりも熱伝導率の高い基板ガラス基板の積層基板のガスセルのそれぞれ第1のガラス基板、ガラスよりも熱伝導率の高い基板、第2のガラス基板の模式的上面図である。図4ならびに図5は、それぞれ図1中のA-A’、B-B’における模式的断面図である。図4における、ガスセルは、ガラス基板101およびガラス基板104の間に、当該ガラスよりも熱伝導率の高い基板102を配置した積層構成とし、ガスセルは、当該基板102にアルカリ金属ガスを発生させるアルカリ金属固体あるいは液体112図1参照を内包した空洞111と、流路貫通孔113を当該基板102に配置し、ガラス基板101およびガラス基板104には流路貫通孔113と接続した出入口2つの開口114図2と3参照を設置する構成とする。すなわち、流路113は、出入口となる2つの開口を貫通する貫通孔となっている。当該空洞111及び当該流路貫通孔113は、基板102の一部を除去することで形成される。当該空洞111は、ガラス基板101およびガラス基板104により気密封止されており、当該ガラス基板101および当該ガラス基板104を介してレーザ光が透過する。当該出入口114に外部からチューブ等の中空配管を接続し、当該流路貫通孔113に加熱した流体を流し込むことにより基板102を加熱する。流体とは、固体を除く、気体と液体であり、アルカリ金属ガスの温度を調整するために当該流路貫通孔113に流し込まれる。このように加熱した流体がガラスよりも熱伝導率の高い基板内を流れることにより、空洞111に内包されたアルカリ金属ガスを加熱し蒸気圧を高め、アルカリ金属原子数を増加させることができる。なお、図1においては、空洞が矩形となっており、流路貫通孔113はこの矩形の3辺を取り囲むように配置されているが、少なくとも基板102に設けられることで、本発明の効果は得られる。図1のように流路貫通孔を矩形の3辺を取り囲むように配置することで、より効率的に流体の熱を空洞111内のアルカリ金属ガスに伝えることができる。図1~6を用いて、本発明の実施例1を説明する。図1、図2、ならびに図3は、第1の実施例に係わるガスセルの、それぞれ基板102、ガラス基板101、ガラス基板104における模式的上面図である。図4ならびに図5は、それぞれ図1中のA-A’、B-B’における模式的断面図である。図6a、b、およびcは、図1中のB-B’における断面図を用いた、本発明の実施例に係わるガスセルの製造方法である。なお、図6において、ガラス基板104の製造方法はガラス基板101の製造方法と同様であるため省略した。本実施例に係わるガスセルは、基板102の上面にガラス基板101と下面にガラス基板104を配置した、ガラス基板ガラス3層からなる構成である。基板102は、ガラス基板101及びガラス基板104よりも熱伝導率の高い材質、例えばシリコン基板などの半導体基板を用いる。ガラス基板101及びガラス基板104は、照射するレーザ光に対して透明な材質で、基板102に形成された空洞111に内包されたアルカリ金属固体あるいは液体112およびアルカリ金属ガス、ならびに基板102に形成された流路113を流れる流体が漏えいしないように配置する。基板102はアルカリ金属ガスを封入した空洞111と、空洞111内に配置したアルカリ金属固体あるいは液体112と、ガラス基板101とガラス基板104は流路に接続された流体を出し入れする出入口114図2と3参照を有する。空洞111は、基板102を断面から見て貫通した構成とし、アルカリ金属固体あるいは液体112から発生したアルカリ金属ガスを内包する図4参照。また、空洞111内は、ガラス基板101ならびにガラス基板104に囲まれた領域が密閉されていればよく、アルカリ金属ガスのほか、窒素ガスあるいは希ガス等、もしくはその混合雰囲気であってもよい。また、図1では、空洞111の形状は矩形としているが、他の多角形あるいは曲線で囲まれた領域であってもよい。本実施例では、レーザ光を上面ガラス基板101から下面ガラス104基板に向けて照射し、空洞111をレーザ光が通過することにより磁場を計測する。アルカリ金属固体あるいは液体112は、基板102に形成した空洞111に内包されており、ガラス基板101とガラス基板104に囲まれた空洞111内にアルカリ金属ガスを発生させる。このアルカリ金属固体あるいは液体112は、アルカリ金属ガスを発生させる材質であればよく、アルカリ金属を含有する化合物等を配置し、化学反応等を利用してアルカリ金属ガスを発生させ得る材質を用いてもよい。流路113は、必ずしも必須ではないが矩形の空洞111の周囲3辺を直線で囲むように配置することが望ましい。矩形の3辺を取り囲むことで、より効率的に流体の熱を空洞111に伝えることができるからである。また、流路113は基板102を断面から見て貫通した構成とし、加熱した流体を出入口114から流し込むことにより基板102が加熱され、空洞111内のアルカリ金属ガスを加熱する。アルカリ金属ガスが加熱されると飽和蒸気圧が増加するため、磁場計測に寄与するアルカリ金属原子数が増加し、検出感度が高まる効果がある。ここで、ガラスよりも熱伝導率が高い基板を流体により加熱することにより、ガラスを加熱する方法よりも効率よく加熱することができる。また、ヒータを用いる場合に比べ、加熱に電流を用いないため、測定磁場に影響を与えない利点がある。出入口1142つの開口は、流体を出し入れする出入口114を流路113に接続するようにガラス基板101ならびにガラス基板104に貫通穴をそれぞれ配置する。一方の出入口に外部から加熱した流体を注入し、他方の出入口から流体を排出する構成とする。出入口114の貫通穴の口径は流路113の口径よりも大きい。このことは、ガラス基板と基板102を接着もしくは接合する際に、位置合わせを容易にできる利点と、外部と加熱した流体をやり取りする配管を接続する際に配管が流路の上部に配置することが容易になり、加熱した流体をスムーズに出し入れすることができる利点がある。次に、第1の実施例を行うためのガスセル作製手順について説明する図6。本実施例では、一例として、基板102は、ガラスよりも熱伝導率が高い、シリコン基板を用いる。シリコン基板を使用した例では、例えばリンやボロンなどの不純物をドーピングした基板を用いてもよい。これは、不純物ドーピングにより熱伝導率が高くなる利点がある。次に、基板上に形成したマスク材料105にリソグラフィ等により空洞111と流路113のパターンを形成し、エッチング等により基板102に空洞111と流路113を形成する。一例として、マスク材料として酸化シリコン膜を用い、SiF4四フッ化ケイ素ガスを用いたドライエッチングを用い、パターンに従って基板102に貫通穴を開ける。ここで、空洞111ならびに流路113の断面は、垂直である必要はなく、斜め、あるいは段差があってもよい。したがって、他の手法、例えばKOH水酸化カリウム水溶液等を用いたウェットエッチング、あるいはレーザやドリル等で直接基板102を加工し、空洞111と流路113を形成してもよい。ガラス基板101およびガラス基板104は、レーザ光に対して透明な材質、例えばホウケイ酸ガラス等を用いる。基板102と同様に、マスク材料105にリソグラフィ等により出入口114のパターンを形成し、エッチング等によりガラス基板101およびガラス基板104に貫通穴を開ける。ガラス基板101と基板102とガラス基板104は、アルカリ金属固体あるいは液体112を空洞111に内包した状態で接着もしくは接合し密閉する。例えば、シリコン基板とホウケイ酸ガラスを用いた場合には、陽極接合により接合する方法がある。さらに、ガラス基板101あるいはガラス基板104を接着もしくは接合する際の雰囲気を窒素等の不活性ガスや希ガスにして行い、空洞111にこれらのガスを同時に封入してもよい。これら不活性ガスや希ガスの封入は、アルカリ金属ガスのスピン散乱を抑制する効果がある。また、基板と基板、ガラス基板と基板はその間に密閉性が保たれていればよく、接着材等を用いてもよい。出入口114は、シリコーンチューブ等の配管により外部のヒータとポンプと接続し、加熱した流体を流し込む。出入口114の形状は、シリコーンチューブ等の形状に合わせ、円形状等としてもよい。図7~10を用いて本発明の実施例2を説明する。図7ならびに図8は、第2の実施例に係わるガスセルのそれぞれ基板102ならびにガラス基板101の模式的上面図である。図9ならびに図10は、それぞれ図7中のA-A’、B-B’における模式的断面図である。第2の実施例では、第1の実施例と同様にガラス基板ガラス3層からなる構成である。空洞111は、第1の実施例と同様である。図9では、一例として、異方性ウェットエッチングにより基板102に貫通穴を開けた際の模式的断面図を示しており、断面形状が斜めとなっている形態を示している。ウェットエッチングを用いる方法では、基板をエッチング溶液に浸すだけで貫通穴を形成できるため、作製が容易である利点がある。アルカリ金属固体あるいは液体112は、第1の実施例と同様である。流路113は、基板102の表面に対して水平方向にジグザグに配置する。このように蛇行するように流路を設けることで、流路の経路の全長を延ばすことができ、矩形である基板102の4辺に平行な直線をつなぎ合わせて構成する経路よりも空洞111と対向する側の表面積を大きくし、効率よく加熱した流体の熱を伝えることができる。また、流路113は基板を貫通しない構成とする。すなわち、流路は、基板の一部を介してガラス基板104と接している。これにより、流路113の3辺がガラスより熱伝導率の高い基板から構成されるため加熱した流体の熱を当該基板に効率よく伝えることができる利点がある。流路113の断面は矩形でなくてもよく、他の多角形や丸型でも構わない。流路113の作成には、第1の実施例で記載したようにドライエッチングを用いる方法がある。図9ならびに図10では、流路113は基板102のガラス基板101側に配置されているが、もちろん基板102のガラス基板104側に配置してもよい。その場合には、出入口114は下面側のガラス基板104に配置することになる。出入口114は、ガラス基板101に貫通穴を配置し、出入口114は流路113に接続した構成とする。2つの出入口114を同一面に配置させることにより、シリコーンチューブ等の外部と接続する配管をひとまとめにでき、配線が容易となる効果がある。ここで、本実施例では、第1の実施例と比較して、流路113の配置と出入口114の配置を変更しているが、それぞれの効果は独立して得られるものである。本実施例では、基板102としてn型あるいはp型半導体基板を用い、基板102のガラス基板101側の一部にp型あるいはn型不純物領域116を形成し、pn接合ダイオード温度センサとして作用させる。ダイオード温度センサと外部温度計測システムへの接続は、ガラス基板101上に不純物領域116と、当該領域以外の基板102に接する位置に温度センサ端子117を形成し、配線する。この方法では、磁性材料を用いないため、測定磁場等に影響を与えない利点がある。温度センサを用いて、基板102が所望の温度に達したことを検知し、その後磁場を計測する。磁場を計測する時には、温度センサを流れる電流による磁場の影響を受けないように、温度センサへの通電を行わないことが望ましい。次に、第2の実施例を行うためのガスセル作製手順について説明する。基板102の加工に関しては、空洞111は断面から見て貫通穴を、流路113は断面から見て非貫通溝を形成するため、少なくとも2回のエッチング等を行い、空洞111と流路113の削り量を変えるか、他には、基板102の上面に空洞111と流路113のパターンを描画し、下面に空洞111のパターンを描画し、基板の両面から同時にエッチング等を行う方法等がある。また、レーザやドリル等で直接基板102を加工し、空洞111と流路113を形成してもよい。図9および図10では、例として、2回のエッチングを行い、空洞111は異方性ウェットエッチングにより形成し、流路113は等方性ドライエッチングにより形成した形態を示している。ダイオード温度センサは、リソグラフィ等とイオン注入もしくは熱拡散により、基板102片側に不純物領域116を形成する。ガラス基板101およびガラス基板104の加工に関しては、出入口114は第1の実施例と同様であり、本実施例では出入口114はガラス基板101のみに配置する。また、ダイオード温度センサと外部と接続する温度センサ端子117は基板102の不純物領域116と、基板102の当該領域以外が露出するようにガラス基板101に貫通穴を開ける。したがって、ガラス基板104の加工はガスセルのサイズに切り出す加工を除いて不要であるため、ガラス基板の加工数を減らせる効果と、複数のガスセルを配置した際に、ガスセルの出入口に接続する配管ならびに温度センサに接続する配線を片側に集約できる効果がある。ガラス基板101と基板102とガラス基板104の接着もしくは接合に関しては、第1の実施例と同様である。実施例2では、流路113を蛇行させたり、流路113を断面から見て非貫通溝としたり、出入口114を一方のガラス基板の同一面に配置させたり、温度センサを設けたりしたが、これらの1つを実施例1のガスセルに適用させても各構成の固有の効果を得ることができる。図11~13を用いて本発明の実施例3を説明する。図11は、第3の実施例に係わるガスセルにおける基板102の模式的上面図である。図12ならびに図13は、それぞれ図11中のA-A’、B-B’における模式的断面図である。第3の実施例では、第1の実施例と同様にガラス基板ガラス3層からなる構成である。空洞111は、第1の実施例と同様である。アルカリ金属固体あるいは液体112は、第1の実施例と同様である。流路113は、基板102の4辺に平行に空洞111を囲むように配置する。流路113は、2カ所の出入口114の一方から二股に分岐し、空洞111の周囲をめぐって、他方の出入口114近傍で1カ所に連結するように配置する。図11では、流路113は矩形に配置しているが、他の多角形あるいは曲線を用いてもよい。また、流路113の断面形状は、第2の実施例と同様である。これにより、空洞111の周囲全体を流路113で取り囲むこととなり、第1と第2の実施例よりも効率よく空洞111内のアルカリ金属ガスを加熱することが可能となる。出入口114は、第2の実施例と同様である。温度センサは、第2の実施例と同様に半導体pn接合ダイオード温度センサを用いる。本実施例では、基板102としてn型あるいはp型半導体基板を用い、基板102のガラス基板101側の全面にp型あるいはn型不純物領域116を形成し、ダイオード温度センサとして作用させる。ダイオード温度センサと外部温度計測システムへの接続は、ガラス基板101とガラス基板104に温度センサ端子117を形成し、配線する。効果は第2の実施例と同様であるが、次項で述べるように作製工程数が減らせる利点がある。基板102の加工は、第2の実施例と同様に空洞111と流路113のエッチング加工が必要となるが、本実施例では、空洞111ならびに流路113をともに異方性ウェットエッチングにより行った例を図12および図13に示している。空洞111の面積に比べて流路113の面積を小さくすると、ウェットエッチングの異方性により断面は斜面となることを利用して、1度のウェットエッチング処理により、空洞111は断面から見て貫通穴を、流路113は断面から見て非貫通穴を形成することが可能である。これにより作製が容易となる利点がある。また温度センサの作製は第2の実施例と同様であるが、本実施例ではリソグラフィ等を用いずに基板全面に不純物領域を形成する点が異なる。これによりリソグラフィ等の工程が不要となる利点がある。ガラス基板101と、ガラス基板104の加工に関しては、第2の実施例と同様であり、温度センサ端子117がガラス基板101とガラス基板104にそれぞれ配置される点が異なる。ガラス基板101と基板102とガラス基板104の接着もしくは接合に関しては、第1の実施例と同様である。実施例3では、流路113を分岐結合させ空洞111の周囲全体を取り囲んだり、温度センサを設けたりしたが、これら1つを実施例1のガスセルに適用させても各構成の固有の効果を得ることができる。図14~17を用いて本発明の実施例4を説明する。図14は、第4の実施例に係わるガスセルの模式的上面図である。図15、図16ならびに図17は、それぞれ図14中のA-A’、B-B’、C-C’における模式的断面図である。第4の実施例では、第1の実施例と同様にガラス基板ガラス3層からなる構成である。空洞111は、基板を貫通した構成とし、アルカリ金属固体あるいは液体112から発生したアルカリ金属ガスを内包する。アルカリ金属固体あるいは液体112は、レーザが透過する位置とは異なる部分に配置し、当該アルカリ金属固体あるいは液体112がレーザが透過する位置に移動しない、もしくは移動しにくい形で構成する。これは、空洞111内をレーザ光が透過する際にアルカリ金属固体あるいは液体112により透過光が影響を受けることを抑える効果がある。アルカリ金属固体あるいは液体112は、第1の実施例と同様である。具体的には、空洞111は、空洞111をレーザ光が透過する第1の領域と、アルカリ金属ガスの発生源となるアルカリ金属固体あるいは液体が配置される第2の領域を備え、それらの領域同士を夫々の領域よりも幅が狭い領域で連結することで実現する。流路113は、空洞111のレーザ光が通過する位置の周りに配置する。また、流路113は断面から見て非貫通溝を基板102の上下に配置し、片側から加熱した流体を入れ、反対側において貫通穴を配置することにより基板上側もしくは下側の流路から下側もしくは上側の流路を伝って、元の側から流体を排出する構成とする。これにより流路の全長を延ばし、迅速に基板を加熱することができる。すなわち、流路の経路は、上面から見て貫通孔の経路を直線で結んだ場合よりも経路が長くなるように2層で構成されている。出入口114は、基板102の側面に配置し、シリコーンチューブ等を接続することで加熱した流体を出し入れする構成とする。また、出入口114を基板102に配置することにより、ガラス基板101あるいはガラス基板104の加工が不要となる利点がある。第4の実施例では、空洞111のレーザ光が通過する部分と、アルカリ金属固体あるいは液体112を保持している部分との間に、断熱層115を配置する。断熱層115は、基板に貫通穴を開け、ガラス基板101とガラス基板104に挟まれた断熱層115に熱を伝えにくい材質、例えばこの断熱層は、気密密閉された空間に、真空や気体を充満させた層である。この断熱層115は、加熱した流体が流路113を流れることにより基板102が加熱される際に、レーザ光が通過する部分のみが加熱され、アルカリ金属固体あるいは液体112は加熱されないようにすることにより余剰のアルカリ金属固体あるいは液体112が温度の低い部分に集まり、レーザ光が通過する部分に付着することを抑えることができる。この効果を達成させるために、基板102の不純物の分布を変化させ、レーザ光が通過する部分の周囲のみに不純物領域を形成し、熱伝導率を基板102内で変化させることも有効である。具体的には、この断熱層115は、流路113と、アルカリ金属ガス源が配置された第2の領域との間に設けることが望ましい。また、断熱層は熱を伝えにくい材質であれば良いが、作製プロセスの都合上、空洞であることが望ましい。基板102の加工は、リソグラフィ等により基板102に空洞111と流路113のパターンを形成し、エッチング等により基板102に空洞111と流路113を形成する。空洞111ならびに流路113の断面は、垂直である必要はなく、斜め、あるいは段差があってもよい。空洞111は断面から見て貫通穴を、流路113は断面から見て非貫通溝を基板102のガラス基板101側とガラス基板104側に形成するため、第2もしくは第3の実施例と同様に基板102の片面に空洞111と流路113を形成し、さらに基板102のもう片面に流路113を形成することにより基板102の上面と下面に流路113を形成する方法などがある。ガラス基板101とガラス基板104の加工は、出入口114に関しては不要である。温度センサは、第1の実施例あるいは第2の実施例と同様である。ガラス基板101と基板102とガラス基板104の接着もしくは接合に関しては、第1の実施例と同様である。実施例4では、空洞の形状に工夫をしたり、流路を2層にしたり、出入口を基板102に設けたり、断熱層を設けたりしたが、これら1つを実施例1のガスセルに適用させても各構成の固有の効果を得ることができる。図18~21を用いて、本発明の実施例5を説明する。図18は、第5の実施例に係わるガスセルの基板102の模式的上面図である。図19ならびに図20は、それぞれ図18中のA-A’、B-B’における模式的断面図である。図21a、b、c、dおよびeは、図18中のB-B’における断面図を用いた、本実施例に係わる基板102の製造方法である。なお、図18において、基板103の製造方法は基板102と同様のため、ガラス基板101およびガラス基板104の製造方法は第1の実施例と同様であるため省略した。本実施例に係わるガスセルは、基板102と基板103を張り合わせた上面にガラス基板101と下面にガラス基板104を配置した、ガラス基板基板ガラス4層からなる構成である。本実施例では、基板は2枚用いているが、3枚以上用いてもよい。基板102ならびに基板103は、ガラス基板101およびガラス基板104よりも熱伝導率の大きい材質、例えばシリコン基板などの半導体基板を用いる。ガラス基板101及びガラス基板104は、第1の実施例と同様である。空洞111は、基板102と基板103を貫通した構成とし、アルカリ金属固体あるいは液体112から発生したアルカリ金属ガスを内包する。また、空洞111内は、ガラス基板101ならびにガラス基板104に囲まれた領域が密閉されていればよく、アルカリ金属ガスのほか、窒素ガスあるいは希ガス等、もしくはその混合雰囲気であってもよい。また、図14では、空洞111の形状は矩形としているが、他の多角形あるいは曲線で囲まれた領域であってもよい。本実施例では、レーザ光を上面ガラス基板101から下面ガラス基板104に向けて照射し、空洞111をレーザ光が通過することにより磁場を計測する。アルカリ金属固体あるいは液体112は、第1の実施例と同様である。流路113は、矩形の空洞111の周囲3辺を直線で囲むように配置する。また、流路113は基板102ならびに基板103を断面から見て貫通しない構成とし、基板102ならびに基板103に形成した非貫通溝を対向して貼り合わせることにより流路113を形成する。これにより、流路113を流れる加熱した流体は、ガラス基板101およびガラス基板104に接触することがなく、両方のガラス基板と基板102、103の一部を介して各々のガラス基板に接しているため、流体の熱を効率的に基板のみに伝えることができる。出入口114は、基板102ならびに基板103の側面に配置し、一方の出入口に外部から加熱した流体を注入し、他方の出入口から流体を排出する構成とする。次に、第5の実施例を行うためのガスセル作製手順の一例について説明する図21。本実施例では、一例として、基板102ならびに基板103は、ガラスよりも熱伝導率が高い、シリコン基板等を用いる。基板は、熱伝導を高めるため不純物ドーピング等の処理を行ってもよい。リソグラフィ等により基板102ならびに基板103上に形成したマスク材料105に空洞111のパターンを形成し、ドライエッチング等により基板102と基板103に空洞111を形成する。空洞111の断面は、垂直である必要はなく、斜め、あるいは段差があってもよい。次に、新たなマスク材料105を基板102ならびに基板103上に形成し、リソグラフィ等により基板102ならびに基板103上のマスク材料105に流路113のパターンを形成し、ドライエッチング等により基板102と基板103に流路113を形成する。流路113の断面は、垂直である必要はなく、斜め、あるいは段差があってもよい。空洞111は断面から見て貫通穴を、流路113は断面から見て非貫通溝を形成するため、前記作製手順例の他、基板102の上面に空洞111と流路113のパターンを描画し、下面に空洞111のパターンを描画し、基板の両面から同時にウェットエッチング等を行う方法などがある。また、レーザやドリル等で直接基板102を加工し、空洞111と流路113を形成してもよい。ガラス基板101およびガラス基板104は、第1の実施例と同様である。ガラス基板101と基板102と基板103とガラス基板104は、アルカリ金属固体あるいは液体112を空洞111に内包した状態で接着もしくは接合し密閉する。例えば、シリコン基板同士は直接接合、シリコン基板とホウケイ酸ガラスは陽極接合により接合する方法がある。さらに、ガラス基板101あるいはガラス基板104を接着もしくは接合する際の雰囲気を窒素等の不活性ガスや希ガスにして行い、空洞111にこれらのガスを同時に封入してもよい。また、基板と基板、ガラス基板と基板はその間に密閉性が保たれていればよく、接着材等を用いてもよい。実施例5では、4層構造とし両方のガラス基板に接触しないようにしたり、出入口を基板102と103に設けたりしたが、これら1つを実施例1のガスセルに適用させても各構成の固有の効果を得ることができる。図22~24を用いて、本発明の実施例6を説明する。図22は、第6の実施例に係わるガスセルの模式的上面図である。図23ならびに図24は、それぞれ図22中のA-A’、B-B’における模式的断面図である。第6の実施例では、第5の実施例と同様にガラス基板基板ガラス4層からなる構成である。空洞111は、第5の実施例と同様である。アルカリ金属固体あるいは液体112は、第1の実施例と同様である。流路113は、基板102ならびに基板103と平行に空洞111の周囲を囲むように配置する。また、流路113は、基板102と基板103を交互に通過するように断面から見て貫通穴を配置する。これは、流路を蛇行させることで流路の経路全長を延ばし、上面から見て基板102の4辺に平行な直線をつなぎ合わせて構成するよりも空洞と対向する表面積を大きくする効果があり、また基板の上下方向にジグザグに蛇行させて配置することにより、第2の実施例に比べて流路113と空洞111の距離を近づけさせることができ、さらに熱を効率的に空洞内のアルカリ金属ガスに伝えることができる。出入口114は、第1の実施例と同様である。図19では、出入口114はガラス基板101およびガラス基板104に1カ所ずつ配置しているが、2カ所の出入口を片方のガラス基板に集約させてもよい。基板102ならびに基板103の加工は、第1の実施例と同様であり、空洞111ならびに流路113を形成後、基板102と基板103を接着あるいは接合し用いる。ガラス基板101ならびにガラス基板104の加工は、第1の実施例もしくは第2の実施例と同様である。ガラス基板101と基板102、ならびに基板103とガラス基板104の接着および接合は、第1の実施例と同様である。実施例6では、4層構造とし流路を蛇行させたが、実施例1のガスセルに適用させても固有の効果を得ることができる。図25~図27を用いて、本発明の実施例7を説明する。図25は、第7の実施例に係わるガスセルの模式的上面図である。図26ならびに図27は、それぞれ図25中のA-A’、B-B’における模式的断面図である。第7の実施例では、第5の実施例と同様にガラス基板基板ガラス4層からなる構成である。空洞111は、第4の実施例と同様である。アルカリ金属固体あるいは液体112は、第1の実施例と同様である。流路113は、第4の実施例と同様に配置するが、流路113は基板102と基板103に形成され、それぞれの流路113は出入口114の反対側の端以外ではつながらないようにずらして配置する。出入口114の反対側の端では、基板102と基板103の流路113を接続する。すなわち、流路113を2層構造としており、これは、第4の実施例と同様の効果がある。実施例6では、実施例4と同様に断熱層115が設けられている。但し、実施例6では、断熱層115が、流路113と、アルカリ金属ガス源が配置された第2の領域との間に設けられているのみならず、流路の周囲を取り囲むように配置されている。これは実施例4の効果に加え、流体の熱が外部に漏れたり、外部の外気の影響を小さくすることができ、効率的に空洞111内のアルカリ金属ガスを温めることができる。出入口114は、第1の実施例と同様である。基板102ならびに基板103の加工は、第6の実施例と同様である。ガラス基板101ならびにガラス基板104の加工は、第1の実施例と同様である。ガラス基板101と基板102、ならびに基板103とガラス基板104の接着および接合は、第1の実施例と同様である。実施例7では、空洞の形状に工夫をしたり、4層構造とし流路を2層にしたり、断熱層を設けたりしたが、これら1つを実施例1のガスセルに適用させても各構成の固有の効果を得ることができる。図28を用いて、本発明の実施例8を説明する。図28は、第1から第7の実施例により構成される複数のガスセル121をアレイ状に配置し、シリコーンチューブ等の中空配管122により順次接続し、流体を温める外部ヒータ及び流体を中空配管に流し込むポンプ124にガスセルアレイを接続することで、加熱した流体を直列に循環させるシステムを示す。ガスセル121は、本実施例では第5の実施例によるガスセル121を例示しているが、他の実施例によるガスセル121を用いたり、複数の種類のガスセル121を組み合わせて使用したりしてもよい。また、図25では9個のガスセルをアレイ状に配置しているが、配置するガスセルの個数に制限はない。配管122は、中空で、非磁性の材質、例えばシリコーンチューブ等を用いる。ガスセル121に配置された出入口114と密着できる形状とし、接着材等で固定する。外部ヒータ及びポンプ124は、磁力計が計測する磁場に影響を与えないよう、磁気シールド外に配置する。第8の実施例では、外部ヒータ及びポンプ124は一カ所配置しているが、適宜外部ヒータ及びポンプを複数個所に挿入してもよい。第8の実施例のシステム構成では、外部ヒータ及びポンプ124の出力に配管122を接続し、ガスセル121の一つの出入口114に接続する。ガスセル121のもう片方の出入口114から、次のガスセル121の一つの出入口114に接続し、これを必要なガスセル数だけ繰り返し、最後のガスセルの出入口114から、再び外部ヒータ及びポンプ124の入力に接続する。図29を用いて、本発明の実施例9を説明する。図29は、第1から第7の実施例により構成される複数のガスセル121をアレイ状に配置し、シリコーンチューブ等の中空配管122を分岐しそれぞれのガスセル121に接続し、流体を温める外部ヒータ及び流体を中空配管に流し込むポンプ124にガスセルアレイ接続することで、加熱した流体を並列に循環させるシステムを示す。ガスセル121は、第8の実施例と同様である。配管122は、第8の実施例と同様であり、途中に分岐を設け、並列にガスセル121に接続する。配管の流量が外部ヒータ及びポンプ124から離れるに従って減少するため、配管122の断面積は外部ヒータ及びポンプから離れるに従って縮小するなど、複数の断面積を有する。ガスセル121を直列に接続する第8の実施例と比較して、ヒータにより加熱された流体が直接各ガスセル121に流れ込むため、それぞれのガスセルが加熱されるまでの時間が短くなる利点がある。外部ヒータ及びポンプ124は、第8の実施例と同様である。第9の実施例のシステム構成では、外部ヒータ及びポンプ124の出力に配管122を接続し、配管122の途中に分岐を設け、分岐した配管122をガスセル121の一つの出入口114に接続する。ガスセル121のもう片方の出入口114は、上記とは逆の順番で、配管122に集約して外部ヒータ及びポンプ124の入力に接続する。図30を用いて、本発明の実施例10を説明する。図30は、第1から第7の実施例により構成される複数のガスセル121をアレイ状に配管付き基板123上に配置し、それぞれのガスセル121の出入口114と配管付き基板123上の配管と接続する。配管付き基板123は、配管122により流体を温める外部ヒータ及び流体を中空配管に流し込むポンプ124にガスセルアレイ接続する。ガスセル121は、第8の実施例と同様である。ガスセル121の出入口114は、ガスセル下面に配置されていると好ましい。配管122は、第8の実施例と同様である。配管付き基板123は、基板内部に加熱した流体を通す流路を有しており、例えばプラスチック成型などで構成する。配管付き基板123は、少なくともレーザ光が通過する部分はレーザ光に対して透明である必要がある。配管付き基板123とガスセル121は接着材等で接続し、同時にガスセル下面の出入口114と配管付き基板123の配管部分と接続するか、もしくは配管122を用いてガスセルの出入口114と配管付き基板123の配管部分と接続する。第10の実施例では、直列と並列を組み合わせて接続することにより、配管の煩雑さを解消することができる。また、配管付き基板123を用いることにより、アレイ状に配置したガスセル121と配管122を固定する効果がある。これらの効果はそれぞれ独立のものであり、配管を直列と並列の組み合わせで接続することと、配管付き基板を用いることは別に実施してもかまわない。外部ヒータ及びポンプ124は、第8の実施例と同様である。第10の実施例のシステム構成では、外部ヒータ及びポンプ124の出力と配管付き基板123を配管122により接続し、配管付き基板123上に配置したガスセル121の流路に加熱した流体を流し、ガスセル121を加熱する。ガスセル121は、直列および並列に組み合わせて配管付き基板123上に配置する。