"表面上に形成された感光性樹脂からなるパターン形状の間隙に埋め込む組成物であって、少なくともアルキルトリアルコキシシランを含むアルコキシシランを原料とする重量平均分子量が3000~50000である加水分解縮合物と、溶媒として総炭素数7~9のエーテル化合物及び/又は総炭素数6~9のアルキルアルコール化合物とを含有することを特徴とする間隙埋め込み用組成物。溶媒中の80質量以上が前記総炭素数7~9のエーテル化合物及び/又は前記総炭素数6~9のアルキルアルコール化合物である請求項1に記載の組成物。前記アルコキシシラン原料の20質量以上がアルキルトリアルコキシシランであることを特徴とする請求項1又は2に記載の組成物。前記加水分解に用いるアルキルトリアルコキシシランを溶解させる溶媒が、前記加水分解縮合物を含有させる溶媒とは異なる請求項1~3のいずれか1項に記載の組成物。前記パターン形状をなす感光性樹脂を除去して、その間隙部分に残された加水分解縮合物の硬化膜をレジストとして、半導体基板をエッチング加工するパターニング技術に用いる請求項1~4のいずれか1項に記載の組成物。前記感光性樹脂からなるパターン形状の間隙の幅が32nm以下であり、該間隙のアスペクト比深さ/幅が1.5以上であることを特徴とする請求項5に記載の組成物。前記感光性樹脂がArF又はEUV露光による感光性の樹脂であることを特徴とする請求項5又は6記載の組成物。半導体基板の表面上に形成された感光性樹脂からなるパターン形状の間隙に、請求項1~7のいずれか1項に記載の組成物を塗布して埋め込む間隙埋め込み方法。前記組成物を埋め込む前に感光性樹脂のパターンを加熱硬化する工程を経ることを特徴とする請求項8記載の間隙埋め込み方法を用いた半導体素子の製造方法。半導体基板の表面上に形成された感光性樹脂からなるパターン形状の間隙に、請求項1~7のいずれか1項に記載の組成物を塗布して埋め込み、その後、前記パターン形状をなす感光性樹脂を除去して、その間隙部分に残された加水分解縮合物の硬化膜をレジストとして前記半導体基板をエッチング加工する半導体素子の製造方法。前記感光性樹脂がArF又やEUV露光による感光性の樹脂であることを特徴とする請求項10記載の製造方法。前記埋め込み用組成物を塗布する前に、アルコキシシラン原料を有機溶媒中で加水分解により縮合させ、重量平均分子量が3000~50000である加水分解縮合物とし、前記有機溶媒を切り替えて、前記総炭素数7~9のエーテル化合物及び/又は総炭素数6~9のアルキルアルコール化合物を溶媒として含む埋め込み用組成物を調製することを特徴とする請求項10又は11に記載の製造方法。しかしながら、上記非特許文献1を見ても、肝心のSi材料としてどのようなものが適用されるのか明示されていない。これに対し、本願出願人の最近の研究では、単に溶媒系をメチルイソブチルカルビノールMIBCにしても良好な結果が得られるとは限らないことが分かってきた。また、特許文献1に開示されたような低分子量のアルコキシシランの加水分解縮合物ではなく、特定の範囲の分子量のものを用いることで、十分な埋め込み性と塗布性とを維持しつつ、塗布後の良好な面状が実現されることが分かってきた。この塗布後の面状が、引き続く半導体製造工程における処理に影響を与え、半導体製品の品質を左右しうることは言うまでもない。また、上記範囲のポリマーは低分子量のものに比し、所望の構造に設計して安定に製造できる利点もある。なお、上記両文献では、感光性樹脂がArF、EUV露光による感光性のものである場合の適性については何ら触れられていない。そこで本発明は、半導体基板のパターニング技術に適用される反転材料として特に適した組成物の提供を目的とする。具体的には、感光性樹脂パターンに形成された間隙への埋め込み性が良く、またその塗布性平坦性に優れ、該感光性樹脂パターンへのダメージが抑制され、さらにこれに対する高いアッシング選択比が実現される間隙埋め込み用組成物の提供を目的とする。さらには、ArF、EUV露光の感光性樹脂と組み合わせたときに上記の項目について特に高い効果を発揮する組成物の提供を目的とする。また、上記組成物を用いた間隙埋め込み方法及び半導体素子の製造方法の提供を目的とする。上記の課題は以下の手段により達成された。1表面上に形成された感光性樹脂からなるパターン形状の間隙に埋め込む組成物であって、少なくともアルキルトリアルコキシシランを含むアルコキシシランを原料とする重量平均分子量が3000~50000である加水分解縮合物と、溶媒として総炭素数7~9のエーテル化合物及び/又は総炭素数6~9のアルキルアルコール化合物とを含有することを特徴とする間隙埋め込み用組成物。2溶媒中の80質量以上が前記総炭素数7~9のエーテル化合物及び/又は前記総炭素数6~9のアルキルアルコール化合物である1に記載の組成物。3前記アルコキシシラン原料の20質量以上がアルキルトリアルコキシシランであることを特徴とする1又は2に記載の組成物。4前記加水分解に用いるアルキルトリアルコキシシランを溶解させる溶媒が、前記加水分解縮合物を含有させる溶媒とは異なる1~3のいずれか1項に記載の組成物。5前記パターン形状をなす感光性樹脂を除去して、その間隙部分に残された加水分解縮合物の硬化膜をレジストとして、半導体基板をエッチング加工するパターニング技術に用いる1~4のいずれか1項に記載の組成物。6前記感光性樹脂からなるパターン形状の間隙の幅が32nm以下であり、該間隙のアスペクト比深さ/幅が1.5以上であることを特徴とする5に記載の組成物。7前記感光性樹脂がArF又はEUV露光による感光性の樹脂であることを特徴とする5又は6記載の組成物。8半導体基板の表面上に形成された感光性樹脂からなるパターン形状の間隙に、1~7のいずれか1項に記載の組成物を塗布して埋め込む間隙埋め込み方法。9前記組成物を埋め込む前に感光性樹脂のパターンを加熱硬化する工程を経ることを特徴とする8記載の間隙埋め込み方法を用いた半導体素子の製造方法。10半導体基板の表面上に形成された感光性樹脂からなるパターン形状の間隙に、1~7のいずれか1項に記載の組成物を塗布して埋め込み、その後、前記パターン形状をなす感光性樹脂を除去して、その間隙部分に残された加水分解縮合物の硬化膜をレジストとして前記半導体基板をエッチング加工する半導体素子の製造方法。11前記感光性樹脂がArF又はEUV露光による感光性の樹脂であることを特徴とする10記載の製造方法。12前記埋め込み用組成物を塗布する前に、アルコキシシラン原料を有機溶媒中で加水分解により縮合させ、重量平均分子量が3000~50000である加水分解縮合物とし、前記有機溶媒を切り替えて、前記総炭素数7~9のエーテル化合物及び/又は総炭素数6~9のアルキルアルコール化合物を溶媒として含む埋め込み用組成物を調製することを特徴とする10又は11に記載の製造方法。本発明の組成物は、半導体基板のパターニング技術に適用される反転材料として特に適した性能を発揮する。具体的には、感光性樹脂パターンに形成された間隙への埋め込み性が良く、またその塗布性平坦性に優れ、該感光性樹脂パターンへのダメージが抑制され、さらにこれに被加工物に対する高いアッシング選択比を実現することができる。さらには、ArF、EUV露光の感光性樹脂と組み合わせたときに上記の項目について特に高い効果を発揮する。また、上記組成物を用いた間隙埋め込み方法及び半導体素子の製造方法によれば、上記利点により微細加工を要する半導体組成製造の生産性及び製造品質を高めることができる。本発明の間隙埋め込み用組成物は、a少なくともアルキルトリアルコキシシランを含むアルコキシシラン原料の加水分解縮合物と、b溶媒として総炭素数7~9のエーテル化合物及び/又は総炭素数6~9のアルキルアルコール化合物とを含有する。これにより、表面上に形成された感光性樹脂からなるパターン形状の間隙に埋め込む組成物として用いたとき、間隙埋め込み性、塗布性、平坦性、感光性樹脂パターンのダメージ抑制性、高アッシング選択比が実現される。以下、本発明の好ましい実施形態について説明する。<間隙埋め込み用組成物>本発明の間隙埋め込み用組成物は、基板表面上に形成された感光性樹脂パターンの間隙への塗布埋め込みに好適に使用することができる。間隙の形状や大きさは特に限定されないが、孔ホール状の間隙であっても、溝トレンチ状の間隙であってもよい。感光性樹脂パターンの間隙の寸法としては半導体基板加工の微細化に対応することを考慮すると、間隙幅は32nm以下であることが好ましく、22nm以下であることがより好ましい。下限値は特に限定されないが、10nm以上であることが実際的である。ここで感光性樹脂パターンの間隙幅とは、図1でいうとwを指し、孔ないし溝の断面における空間の幅である。この幅が深さ方向で一定でないときは、その平均値を言う。間隙のアスペクト比深さ/幅は1.5以上であることが好ましく、2.0以上であることがより好ましい。上限は特に限定されないが、10以下であることが実際的であり、6以下であることがより実際的である。アスペクト比を算出するための深さは図1のtで評価でき、通常、感光性樹脂パターンの膜厚さと同義である。幅は上述した間隙幅wと同義である。感光性樹脂パターンを除去した後に、反転材料パターンに形成される間隙kの間隙幅vとしては特に限定されないが、上記同様に微細化を考慮すると、反転材料パターン41の間隙幅kは32nm以下であることが好ましく、22nm以下であることがより好ましい。下限値は特に限定されないが、10nm以上であることが実際的である。なお、幅に関する定義は間隙幅wと同義である。反転材料パターンを残して感光性樹脂パターンを除去するときのアッシング速度比感光性樹脂のアッシング速度/反転材料のアッシング速度が4以上であることが好ましく、6以上であることがより好ましい。これにより、感光性樹脂の残分がなく、良好な形状の反転材料パターンを形成することができる。上限は特にないが、アッシング速度比が15以下であることが通常である。<アルコキシシラン原料>トリアルコキシシラン本発明において加水分解縮合物を製造するために、出発原料として、少なくともアルキルトリアルコキシシランを含むアルコキシシラン原料が使用される。なお、アルコキシシラン原料とは、アルコキシシランアルコキシ基を有するケイ素化合物から構成される出発原料を意図する。原料としてアルキルトリアルコキシシランを使用することにより、得られる加水分解縮合物の構造がよりフレキシブルとなり、さらに有機成分の存在により基板に対する濡れ性が高くなった結果として、間隙孔、溝底部まで該縮合物が浸透でき、埋め込み性が向上したものと推測される。アルキルトリアルコキシシランとは、ケイ素原子に一つのアルキル基と3つのアルコキシ基が結合する有機ケイ素化合物であり、下記の式1で表すこともできる。式1:R1SiOR23R1およびR2は、それぞれ独立にアルキル基を表す。アルキルトリアルコキシシランのアルキル基式1中のR1は特に制限されないが、得られる発明の効果が優れる点および入手が容易である点から、炭素数1~20の直鎖状または分岐状のアルキル基が好ましい。なかでも、得られる発明の効果が優れる点から、炭素数1~10が好ましく、炭素数1~3がより好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基などが挙げられる。また、その中で最も好ましいのはメチル基である。アルキルトリアルコキシシランのアルコキシ基は特に制限されないが、例えば、メトキシ基、エトキシ基などが挙げられる。より具体的には、式1中のR2としては、炭素数1~20の直鎖状または分岐状のアルキル基が好ましい。なかでも、得られる発明の効果が優れる点から、炭素数1~10が好ましく、炭素数1~4がより好ましい。特に、加水分解速度の制御が容易である点から、式1中のR2がエチル基である、エトキシ基が好ましい。アルキルトリアルコキシシランとしては、例えば、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、ペンチルトリメトキシシラン、ペンチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘプチルトリメトキシシラン、ヘプチルトリエトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、ノニルトリメトキシシラン、ノニルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、デシルトリエトキシシラン、ウンデシルトリメトキシシラン、ウンデシルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ペンタデシルトリエトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、ヘキサメチルトリエトキシシラン、ヘプタデシルトリメトキシシラン、ヘプタデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシランおよびオクタデシルトリエトキシシランなどが挙げられる。なかでも、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシランが好適に用いられる。なお、アルキルトリアルコキシシランとしては、1種のみを使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。前記アルコキシシラン原料の20質量以上がアルキルトリアルコキシシランであることが好ましく、40~100質量であることがより好ましい、含有量がその範囲内にあることにより、得られる加水分解縮合物の構造のフレキシビリティ性および基板に対する濡れ性が担保され、結果として埋め込み性の優れた組成物を得ることができる。含有量が上記下限値以上の場合は、組成物の間隙中への埋め込み性が十分となり好ましい。テトラアルコキシシランアルコキシシラン原料としては上記のトリアルコキシシラン以外に、他のアルコキシシランを使用することができ、なかでもテトラアルコキシシランが好ましい。テトラアルコキシシランを含むことにより、加水分解縮合物中の架橋密度が増加し、硬膜して得られる皮膜の電気的絶縁性耐熱性がより向上する点で好ましい。テトラアルコキシシランとは、ケイ素原子に4つのアルコキシ基が結合する有機ケイ素化合物であり、下記の式2で表すこともできる。式2:SiOR34R3は、それぞれ独立にアルキル基を表す。テトラアルコキシシランのアルコキシ基は特に制限されないが、例えば、メトキシ基、エトキシ基などが挙げられる。より具体的には、式2中のR3としては、炭素数1~20の直鎖状または分岐状のアルキル基が好ましい。なかでも、得られる発明の効果が優れる点から、炭素数1~10が好ましく、炭素数1~4がより好ましい。特に、加水分解速度の制御が容易である点から、式2中のR3がエチル基である、エトキシ基が好ましい。テトラアルコキシシランとしては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ-n-プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラ-n-ブトキシシラン、テトライソブトキシシラン、テトラ-tert-ブトキシシランなどが挙げられる。なかでも、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシランが好適に用いられる。なお、テトラアルコキシシランとしては、1種のみを使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。アルコキシシラン原料中におけるテトラアルコキシシランの含有量は特に制限されないが、組成物の埋め込み性および硬膜後の皮膜の耐熱性がより優れる点から、50質量以下が好ましく、0~40質量であることがより好ましい。<加水分解縮合物>本発明の間隙埋め込み用組成物中に含まれる加水分解縮合物は、上述したアルコキシシラン原料を用いて、加水分解反応および縮合反応を介して得られる化合物である。より具体的には、該化合物は、アルキルトリアルコキシシランの一部または全部のアルコキシ基が加水分解してシラノール基に変換し、生成したシラノール基の少なくとも一部が縮合してSi-O-Si結合を形成したものをいう。加水分解反応および縮合反応としては公知の方法を使用することができ、必要に応じて、酸または塩基などの触媒を使用してもよい。触媒としてはpHを変更させるものであれば特に制限がなく、具体的には、酸有機酸、無機酸としては、例えば硝酸、シュウ酸、酢酸、蟻酸など、アルカリとしては、例えばアンモニア、トリエチルアミン、エチレンジアミンなどが挙げられる。使用する量は、加水分解縮合物が所定の分子量を満たせば、特に限定されない。加水分解反応および縮合反応の反応系には、必要に応じて、溶媒を加えてもよい。溶媒としては加水分解反応および縮合反応が実施できれば特に制限されないが、例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノールなどのアルコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソアミルケトンなどのケトン類などが挙げられる。なかでも、ここでは、後述する加水分解縮合物を含有させる溶媒とは異なる溶媒を適用することが好ましく、炭素数1~5のアルコール化合物又は炭素数2~6のエーテル化合物を用いることがより好ましい。加水分解反応および縮合反応の条件温度、時間、溶媒量は使用される材料の種類に応じて、適宜最適な条件が選択される。本発明で使用される加水分解縮合物の重量平均分子量は、3000~50000である。なかでも、3000~45000が好ましく、4500~25000がより好ましく、5000~25000が特に好ましい。重量平均分子量を上記範囲とすることにより、特に優れた間隙内部への埋め込み性を実現しうる点で好ましい。重量平均分子量が上記下限値以上の場合、基板に対する塗布性が特に良く、塗布後の面状が良好に維持され好ましい。重量平均分子量が上記上限値以下の場合、埋め込み性が良好に実現され好ましい。なお、重量平均分子量は、公知のGPCゲル浸透クロマトグラフィーを用いて測定し、標準ポリスチレンに換算したときの値である。特に断らない限り、GPC測定においては、カラムとしてWaters2695およびShodex製GPCカラムKF-805Lカラム3本を直結を使用し、カラム温度40°C、試料濃度0.5質量のテロラヒドロフラン溶液を50μl注入し、溶出溶媒としてテトラヒドロフランを毎分1mlの流量でフローさせ、RI検出装置Waters2414およびUV検出装置Waters2996にて試料ピークを検出することでおこなった。本発明の組成物中における上記加水分解縮合物の含有量は、全組成物質量に対して、2.5質量超15質量以下であることが好ましく。なかでも、2.5超10質量以下がより好ましく、3~8質量が特に好ましい。含有量が上記下限値以上の場合、間隙内にボイドを発生させず埋め込み性が特に良い。含有量が上記上限値以下の場合、膜厚が十分に厚くなりクラック等の発生原因とならず実用性に富む。なお、組成物中における加水分解縮合物以外の成分としては、例えば、上述した溶媒などが挙げられる。溶媒の含有量としては特に制限はないが、通常、70質量以上97.5質量未満であることが好ましい。<溶媒>溶媒としては反転材料として使用する目的から、上記加水分解縮合物の溶解性もしくは分散性が高く、一方で、感光性樹脂レジストの溶解性が低いものであることが好ましい。かかる点に鑑み、本発明の間隙埋め込み用組成物には、溶媒として総炭素数7~9のエーテル化合物及び/又は総炭素数6~9のアルキルアルコール化合物が用いられる。なお、上記エーテル化合物及びアルキルアルコール化合物は置換基を有していてもよいが、その置換基が炭素原子を有する場合には、分子全体として上記総炭素数の範囲内であることを意味する。上記有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基シクロアルキル基、ビシクロアルキル基を含む、アルケニル基シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基アニリノ基を含む、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基が例として挙げられるが、好ましくは、アルキル基シクロアルキル基、ビシクロアルキル基を含む、アルケニル基シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む、アリール基、カルボキシル基、アルコキシ基、アミノ基アニリノ基を含む、アシル基、イミド基、シリル基が挙げられる。更に好ましくは、置換基が無いほう方がよい。前記エーテル化合物について、好ましくは、ジアルキルエーテルまたはアルキルアリールエーテルであり、さらに好ましくは炭素数7~9のアルキルエーテル、炭素数7~9のアルキルアリールエーテルであり、特に好ましくは炭素数7ないし8のアルキルエーテル、炭素数7ないし8のアルキルアリールエーテルである。具体的にはジブチルエーテル、フェニルエチルエーテルなどが挙げられるが、これらに限定されない。アルキルアルコールについて、好ましくは、1級ないし2級アルコールである。また、より好ましくは、炭素数6~9のアルキルアルコールであり、特に好ましくは炭素数6~8のアルキルアルコールである。具体的にはMIBCメチルイソブチルカルビノール、2,4-ジメチル-3-ペンタノール、2-オクタノール、1-ヘキサノールなどが挙げられるが、これらに限定されない。本発明の間隙埋め込み用組成物において、適用される溶媒中、上記総炭素数7~9のエーテル化合物及び/又は総炭素数6~9のアルキルアルコール化合物が80~100質量であることが好ましく、85~100質量であることがより好ましい。当該化合物の量が上記下限値以上の場合、塗布性が良好となり好ましい。上記上限値以下の場合も同様に塗布性が良好となり好ましい。とりわけ、上述のように高分子量の加水分解縮合物を含有させて塗布性及び埋め込み性を維持する観点から、上記特定の範囲で有機溶媒を適用することが好ましい。<半導体基板>半導体基板を構成する材料としては特に制限されず、シリコン、炭化シリコン、金属金、銀、銅、ニッケル、アルミニウムなど、金属窒化物窒化シリコン、窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステンなど、ガラス石英ガラス、ホウ酸ガラス、ソーダガラスなど、樹脂ポリエチレンテレフタレート、ポリイミドなど、絶縁膜酸化シリコン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウムなどが挙げられる。なお、本発明において半導体基板というときには、シリコンウェハのみならず、そこに所定の材料等が加工適用された状態のものを含み、これらの材料からなる層が積層した積層構造であってもよい。なお、図1に示した例において被加工物膜2は、シリコンウェハ3上に配設された、上述したような絶縁膜、半導体膜、導体膜などとすることができる。また、図示したものとは異なる形態としてもよく、前記被加工物膜と感光性樹脂によるレジストパターンの間の層に、有機反射防止膜等の機能性の材料を適用したものとしてもよい。レジスト膜を形成する前に、基板上に予め反射防止膜を塗設してもよい。反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、アモルファスシリコン等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型のいずれも用いることができる。また、有機反射防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のDUV30シリーズ、DUV-40シリーズ、日産化学社製のARC20/90シリーズ、シプレー社製のAR-2、AR-3、AR-5等の市販の有機反射防止膜を使用することもできる。また、本発明の形態においては、有機膜型が好ましい。<感光性樹脂>感光性樹脂材料本発明において感光性樹脂は半導体基板の加工に用いられる通常のフォトレジストを適用することができる。レジストの種類は特に限定されることは無く、目的に応じて選択することができ、例えば、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、脂環式オレフィン系樹脂、及びエポキシ系樹脂などが挙げられ、具体的には例えば、特開2000-319396、特開2001-92154、特開2002-372784、特開2002-244280、特開2003-57826、特開2005-220066、特開2007-212863、特開2008-250191、特開2008-268915、特開2009-35745、特開2009-96991などに記載の感光性樹脂が挙げられるが、これらに限定されることはないが、アクリル系樹脂が好ましい。パターン形成上記感光性樹脂により基板上にパターンを形成する方法は特に限定されず、通常半導体基板の加工に適用される方法によればよい。一般的なフォトリソグラフィーによるのであれば、上記感光性樹脂を基板上にスピンコーターなどにより塗布し、ステッパーによりレチクルを解して露光し、感光性樹脂を所望のパターンに硬化させる態様が挙げられる。その後、感光性樹脂の未硬化分を洗浄ないしアッシングにより除去し、所望のパターンの間隙孔、溝が形成された感光性樹脂パターンが形成される。パターニング技術として、通常の方式の他、液浸方式、あるいはダブルパターニング技術を用いても良い。露光波長本発明の露光工程の波長源として、KrF、ArF、EUV、電子線又はX線を適用することができる。特に、ArF、EUVが好ましい。以下に、ArF、EUV感光性の樹脂について少し詳しく説明する。本実施形態の感光性樹脂は、A酸の作用により分解してアルカリ水溶液に対する溶解速度が増大する樹脂、B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、C塩基性化合物、及び、D有機溶剤を含有する組成物であって、該組成物中の全固形分の濃度が10~45質量であり、かつ全固形分中のの活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物の割合が10~50質量であることを特徴とする。1酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂A本実施形態のポジ型レジスト組成物に用いられる酸により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂以下、酸分解性樹脂ともいうは、樹脂の主鎖又は側鎖、或いは、主鎖及び側鎖の両方に、酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基を生じる基酸分解性基を有する樹脂である。この内、酸分解性基を側鎖に有する樹脂がより好ましい。酸分解性基として好ましい基は、-COOH基、-OH基などのアルカリ可溶性基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。本実施形態においては、酸分解性基は、アセタール基又は3級エステル基が好ましい。これら酸で分解し得る基が側鎖として結合する場合の母体樹脂は、側鎖に-OHもしくは-COOH基を有するアルカリ可溶性樹脂である。例えば、後述するアルカリ可溶性樹脂を挙げることができる。これらアルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解速度は、レジスト膜として形成した場合、0.261NテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドTMAHで測定23°Cして80Å/秒以上が好ましい。特に好ましくは160Å/秒以上である。酸分解性樹脂は、芳香族基を有する繰り返し単位を含有することが好ましく、特に、ヒドロキシスチレン繰り返し単位を有する酸分解性樹脂以下、樹脂A1ともいうであることが好ましい。更に好ましくはヒドロキシスチレン/酸分解基で保護されたヒドロキシスチレン共重合体、ヒドロキシスチレン/メタアクリル酸3級アルキルエステルが好ましい。酸で分解し得る基の含有率は、樹脂中の酸で分解し得る基の数Bと酸で脱離する基で保護されていないアルカリ可溶性基の数Sをもって、B/BSで表される。含有率は、好ましくは0.01~0.7、より好ましくは0.05~0.50、更に好ましくは0.05~0.40である。樹脂A1として、特に下記一般式IIで表される繰り返し単位及び一般式IIIで表される繰り返し単位を有する樹脂が好ましい。一般式II及びIIIに於いて、R01は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、またはアルコキシカルボニル基を表す。L1及びL2は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアラルキル基を表す。Mは、単結合または2価の連結基を表す。Qは、アルキル基、シクロアルキル基、アリールオキシ基、もしくはヘテロ原子を含んでいてもよい、脂環基または芳香環基を表す。Q、M、L1の少なくとも2つが結合して5員または6員環を形成しても良い。Aは、複数ある場合は各々独立に、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、またはアルコキシカルボニル基を表す。m及びnは各々独立に0~4の整数を表す。但し、mとnは同時に0でないことが好ましい。一般式IIで表される繰り返し単位の含有率は、樹脂を構成する全繰り返し単位中、好ましくは5~60モル、より好ましくは10~50モル、特に好ましくは10~40モルである。一般式IIIで表される繰り返し単位の含有率は、樹脂を構成する全繰り返し単位中、好ましくは40~90モル、より好ましくは45~80モル、特に好ましくは50~75モルである。樹脂A1の合成は、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合のいずれの方法を用いても重合することが出来る。共重合反応制御の観点からラジカル重合法が好ましい。また分子量、分子量分布制御の観点からリビングラジカル重合法が好ましい。具体的にはニトロキシド化合物、原子移動重合法系、RAFT剤から選ばれる化合物とラジカル重合開始剤アゾ系、過酸化物系とを併用する方法が挙げられる。酸分解性保護基の導入は、酸分解性保護基をもつモノマーを共重合する方法、フェノール性水酸基等のアルカリ可溶性水酸基もしくはカルボキシル基を持つ樹脂に対して保護基を導入する方法のいずれでも可能である。また、欧州特許254853号、特開平2-258500号、3-223860号、4-251259号に記載されているような、アルカリ可溶性樹脂に酸で分解しうる基の前駆体を反応させる方法、もしくは、酸で分解しうる基を有するモノマーを種々のモノマーと共重合する方法など公知の合成法により合成することができる。合成された樹脂は、通常、高分子合成で一般的な再沈洗浄等の方法により、所望の性能に悪影響を与えうる未反応モノマー等の不純物を精製した上でレジスト組成物に用いられる。樹脂A1の重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、15000以下が好ましく、より好ましくは1,000~10,000、更に好ましくは1、500~5,000であり、特に好ましくは、2,000~3,000である。樹脂A1の分散度Mw/Mnは、1.0~3.0が好ましく、より好ましくは1.05~2.0であり、更により好ましくは1.1~1.7である。また、樹脂A1は、2種類以上組み合わせて使用してもよい。樹脂A1の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。上記具体例において、tBuはt-ブチル基を表す。本実施形態のポジ型レジスト組成物において、酸分解性樹脂の組成物中の配合量は、組成物の全固形分中、45~90質量が好ましく、より好ましくは55~85質量、更により好ましくは60~80質量である。2活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物酸発生剤B酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。たとえば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、o-ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。また、これらの活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物、たとえば、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、特開昭63-26653号、特開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038号、特開昭63-163452号、特開昭62-153853号、特開昭63-146029号等に記載の化合物を用いることができる。さらに米国特許第3779778号、欧州特許第126712号等に記載の光により酸を発生する化合物も使用することができる。活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物の内で好ましい化合物として、下記一般式ZI、ZII、ZIIIで表される化合物を挙げることができる。上記一般式ZIにおいて、R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1~30、好ましくは1~20である。また、R201~R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201~R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基例えば、ブチレン基、ペンチレン基を挙げることができる。Z-は、非求核性アニオンを表す。Z-としての非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチルアニオン等を挙げることができる。非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応による経時分解を抑制することができるアニオンである。これによりレジストの経時安定性が向上する。スルホン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなどが挙げられる。カルボン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなどが挙げられる。脂肪族スルホン酸アニオンにおける脂肪族部位は、アルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数1~30のアルキル基及び炭素数3~30のシクロアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボニル基、ボロニル基等を挙げることができる。芳香族スルホン酸アニオンにおける芳香族基としては、好ましくは炭素数6~14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基としては、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基好ましくは炭素数1~5、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~15、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~7、アシル基好ましくは炭素数2~12、アルコキシカルボニルオキシ基好ましくは炭素数2~7等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基としてさらにアルキル基好ましくは炭素数1~15を挙げることができる。脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位としては、脂肪族スルホン酸アニオンおけると同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができる。芳香族カルボン酸アニオンにおける芳香族基としては、芳香族スルホン酸アニオンにおけると同様のアリール基を挙げることができる。アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数6~12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルメチル基等を挙げることができる。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、置換基を有していてもよい。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基の置換基としては、例えば、芳香族スルホン酸アニオンにおけると同様のハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチルアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基等を挙げることができる。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができ、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。その他の非求核性アニオンとしては、例えば、弗素化燐、弗素化硼素、弗素化アンチモン等を挙げることができる。Zの非求核性アニオンとしては、スルホン酸のα位がフッ素原子で置換された脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換された芳香族スルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたビスアルキルスルホニルイミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたトリスアルキルスルホニルメチドアニオンが好ましい。非求核性アニオンとして、より好ましくは炭素数4~8のパーフロロ脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸アニオン、更により好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロベンゼンスルホン酸アニオン、3,5-ビストリフロロメチルベンゼンスルホン酸アニオンである。R201、R202及びR203としての有機基としては、例えば、後述する化合物ZI-1、ZI-2、ZI-3における対応する基を挙げることができる。尚、一般式ZIで表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式ZIで表される化合物のR201~R203の少なくともひとつが、一般式ZIで表されるもうひとつの化合物のR201~R203の少なくともひとつと結合した構造を有する化合物であってもよい。更に好ましいZI成分として、以下に説明する化合物ZI-1、ZI-2、及びZI-3を挙げることができる。化合物ZI-1は、上記一般式ZIのR201~R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。アリールスルホニウム化合物は、R201~R203の全てがアリール基でもよいし、R201~R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造を有するアリール基としては、例えば、ピロール残基ピロールから水素原子が1個失われることによって形成される基、フラン残基フランから水素原子が1個失われることによって形成される基、チオフェン残基チオフェンから水素原子が1個失われることによって形成される基、インドール残基インドールから水素原子が1個失われることによって形成される基、ベンゾフラン残基ベンゾフランから水素原子が1個失われることによって形成される基、ベンゾチオフェン残基ベンゾチオフェンから水素原子が1個失われることによって形成される基等を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1~15の直鎖又は分岐アルキル基及び炭素数3~15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。R201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~14、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1~12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3~12のシクロアルキル基、炭素数1~12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201~R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201~R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp-位に置換していることが好ましい。次に、化合物ZI-2について説明する。化合物ZI-2は、式ZIにおけるR201~R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。R201~R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1~30、好ましくは炭素数1~20である。R201~R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖又は分岐の2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、特に好ましくは直鎖又は分岐2-オキソアルキル基である。R201~R203のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基CH2O-もしくは-CH2CH2CH2O-が好ましく、さらに好ましくはオキシエチレン基である。アンモニウム塩化合物は、1級、2級、3級、4級のアンモニウム塩化合物を使用することができ、少なくとも1つのアルキル基が窒素原子に結合しているアンモニウム塩化合物が好ましい。アンモニウム塩化合物は、少なくとも1つのアルキル基好ましくは炭素数1~20が窒素原子に結合していれば、アルキル基の他に、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~20又はアリール基好ましくは炭素数6~12が窒素原子に結合していてもよい。アンモニウム塩化合物は、アルキル鎖中に、酸素原子を有し、オキシアルキレン基が形成されていることが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上、好ましくは3~9個、さらに好ましくは4~6個である。オキシアルキレン基の中でもオキシエチレン基-CH2CH2O-もしくはオキシプロピレン基-CHCH2O-もしくは-CH2CH2CH2O-が好ましく、さらに好ましくはオキシエチレン基である。アンモニウム塩化合物のアニオンとしては、ハロゲン原子、スルホネート、ボレート、フォスフェート等が挙げられるが、中でもハロゲン原子、スルホネートが好ましい。ハロゲン原子としてはクロライド、ブロマイド、アイオダイドが特に好ましく、スルホネートとしては、炭素数1~20の有機スルホネートが特に好ましい。有機スルホネートとしては、炭素数1~20のアルキルスルホネート、アリールスルホネートが挙げられる。アルキルスルホネートのアルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としては例えばフッ素、塩素、臭素、アルコキシ基、アシル基、アリール基等が挙げられる。アルキルスルホネートとして、具体的にはメタンスルホネート、エタンスルホネート、ブタンスルホネート、ヘキサンスルホネート、オクタンスルホネート、ベンジルスルホネート、トリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート等が挙げられる。アリールスルホネートのアリール基としてはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環が挙げられる。ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環は置換基を有していてもよく、置換基としては炭素数1~6の直鎖若しくは分岐アルキル基、炭素数3~6のシクロアルキル基が好ましい。直鎖若しくは分岐アルキル基、シクロアルキル基として、具体的には、メチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、n-ブチル、i-ブチル、t-ブチル、n-ヘキシル、シクロヘキシル等が挙げられる。他の置換基としては炭素数1~6のアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ、ニトロ、アシル基、アシルオキシ基等が挙げられる。フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物とは、アミン化合物又はアンモニウム塩化合物のアルキル基の窒素原子と反対側の末端にフェノキシ基を有するものである。フェノキシ基は、置換基を有していてもよい。フェノキシ基の置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、スルホン酸エステル基、アリール基、アラルキル基、アシルオキシ基、アリールオキシ基等が挙げられる。置換基の置換位は、2~6位のいずれであってもよい。置換基の数は、1~5の範囲で何れであってもよい。フェノキシ基と窒素原子との間に、少なくとも1つのオキシアルキレン基を有することが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上、好ましくは3~9個、さらに好ましくは4~6個である。オキシアルキレン基の中でもオキシエチレン基-CH2CH2O-もしくはオキシプロピレン基-CHCH2O-もしくは-CH2CH2CH2O-が好ましく、さらに好ましくはオキシエチレン基である。スルホン酸エステル基を有するアミン化合物、スルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物に於ける、スルホン酸エステル基としては、アルキルスルホン酸エステル、シクロアルキル基スルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステルのいずれであっても良く、アルキルスルホン酸エステルの場合にアルキル基は炭素数1~20、シクロアルキルスルホン酸エステルの場合にシクロアルキル基は炭素数3~20、アリールスルホン酸エステルの場合にアリール基は炭素数6~12が好ましい。アルキルスルホン酸エステル、シクロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステルは置換基を有していてもよく、置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、スルホン酸エステル基が好ましい。スルホン酸エステル基と窒素原子との間に、少なくとも1つのオキシアルキレン基を有することが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上、好ましくは3~9個、さらに好ましくは4~6個である。オキシアルキレン基の中でもオキシエチレン基-CH2CH2O-もしくはオキシプロピレン基-CHCH2O-もしくは-CH2CH2CH2O-が好ましく、さらに好ましくはオキシエチレン基である。フェノキシ基を有するアミン化合物は、フェノキシ基を有する1または2級アミンとハロアルキルエーテルを加熱して反応させた後、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、テトラアルキルアンモニウム等の強塩基の水溶液を添加した後、酢酸エチル、クロロホルム等の有機溶剤で抽出することにより得ることができる。または、1または2級アミンと末端にフェノキシ基を有するハロアルキルエーテルを加熱して反応させた後、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、テトラアルキルアンモニウム等の強塩基の水溶液を添加した後、酢酸エチル、クロロホルム等の有機溶剤で抽出することにより得ることができる。これらの塩基性化合物は、単独であるいは2種以上で用いられる。塩基性化合物の分子量は、250~1000であることが好ましく、より好ましくは250~800、更に好ましくは400~800である。塩基性化合物の含有量は、該組成物の全固形分に対して、10~80質量であることが好ましく、より好ましくは15~50質量、更に好ましくは20~40質量である。4固形分濃度および溶剤D本実施形態のレジスト組成物は、上記の成分を溶剤に溶解して、調製する。レジスト組成物は、冷蔵、室温等で保存され、保存期間内で性能変化がないことが望まれるが、保存後では、感度変動が生じていまう問題があった。本実施形態の構成において、レジスト組成物中の全固形分濃度を10~45質量に調整することで感度変動を著しく抑制できることを見出した。レジスト組成物中の全固形分濃度は、好ましくは20~4.0質量、更に好ましくは2.0~3.0質量である。全固形分とは、組成物から溶剤を除いたものに相当し、組成物から形成される、乾燥後の塗膜の質量に相当する。レジスト組成物の調製のための溶剤としては、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、2-ヘプタノン、γ-ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、2-メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N-メチルピロリドン、テトラヒドロフラン等などの有機溶剤が好ましく、更に好ましくは、シクロヘキサノン、γ-ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチルであり、特に好ましくはプロピレングリコールモノメチルエーテルである。溶剤は、1種単独でも2種以上を混合した混合溶剤であってもよい。全溶剤量のうち、プロピレングリコールモノメチルエーテルを50質量以上含有することが特に好ましく、50~80質量含有することが最も好ましい。プロピレングリコールモノメチルエーテルと併用する溶剤としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、乳酸エチルが好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが最も好ましい。本実施形態のレジスト組成物には、上記成分のほかに、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤E、酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量3000以下の溶解阻止化合物F、必要に応じてさらに染料、可塑剤、上記E成分以外の界面活性剤、光増感剤、及び現像液に対する溶解性を促進させる化合物等を含有させることができる。8パターン形成方法本実施形態のレジスト組成物は、基板など支持体上に塗布され、レジスト膜を形成する。このレジスト膜の膜厚は、002~0.1μmが好ましい。基板上に塗布する方法としては、スピン塗布が好ましく、その回転数は1000~3000rpmが好ましい。例えば、レジスト組成物を精密集積回路素子の製造に使用されるような基板例:シリコン/二酸化シリコン被覆上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法により塗布、乾燥し、レジスト膜を形成する。なお、予め公知の反射防止膜を塗設することもできる。当該レジスト膜に、電子線、X線またはEUVを照射し、好ましくはベーク加熱を行い、現像する。これにより良好なパターンを得ることができる。本発明においては、前記埋め戻し組成物を適用する前に、パターンを形成したレジスト膜に加熱硬化処理ポストベークを施すことが好ましい。このベーク温度は特に限定されないが、120~300°Cで行なうことが好ましく、150~250°Cで行なうことがより好ましい。これにより、埋め戻し組成物の塗布によるレジストダメージを一層効果的に防止することができる。とりわけ、ArF又はEUV露光用のレジストはダメージを受けやすく、上記ポストベークを行なうことが極めて効果的である。現像工程では、アルカリ現像液を次のように用いる。レジスト組成物のアルカリ現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n-プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ-n-ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用することができる。さらに、上記アルカリ現像液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1~20質量である。アルカリ現像液のpHは、通常10.0~15.0である。上記で説明したEUV露光感光性の樹脂については、特願2009-145677号明細書特開2010-085971号公報を参照することができる。なお、本明細書における基原子団の表記において、置換及び無置換を記していない表記は置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えばアルキル基とは、置換基を有さないアルキル基無置換アルキル基のみならず、置換基を有するアルキル基置換アルキル基をも包含するものである。<反転材料>本実施形態の間隙埋め込み用組成物は、パターニング技術の反転材料として用いることが好ましい図1参照。反転材料として、感光性樹脂パターンに間隙埋め込み用組成物を塗布する方法は特に限定されないが、適宜の公知の塗布方法を適用することができる。例えば、スピンコート法、ディップコート法、ローラーブレード法、スプレー法などを適用することができる。必要に応じて、塗布された塗膜には加熱処理などを施し、塗膜中に含まれる溶媒を除去することが好ましい。塗布量としては、膜厚として好ましくは20~1000nmなる条件であり、より好ましくは25~200nmであればよい。<間隙埋め込み用組成物の処理>間隙埋め込み用組成物を反転材料として半導体基板上に適用し、その後に、溶媒を除去することが好ましい。そのために、塗布後の塗膜を好ましくは60~200°C、より好ましくは100~150°Cの条件下に、好ましくは1~10分、より好ましくは1~5分放置することにより行う。なお、該溶媒除去は、異なる条件で2回以上にわたって実施してもよい。本実施形態において、上記塗布された反転材料間隙埋め込み用組成物は、加熱し、さらに硬化させることが好ましい。このようにすることで、その後の半導体基板のエッチングにおいて良好なレジストパターンとして機能し好ましい図1d、e参照。その加熱温度は塗膜が硬化すれば特に制限されないが、通常、150~400°Cであることが好ましい。なかでも、150~250°Cが好ましく、125~225°Cがより好ましい。上記加熱条件であれば、塗膜が十分に硬化し、優れた膜とすることができる。加熱時間としては特に制限されないが、1~60分であることが好ましく、1~30分であることがより好ましい。加熱の方法としては特に制限されず、ホットプレート、オーブン、ファーネス等による加熱を適用することができる。加熱の際の雰囲気としては特に制限されず、不活性雰囲気、酸化性雰囲気などを適用することができる。不活性雰囲気は、窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスにより実現できる。酸化性雰囲気は、これら不活性ガスと酸化性ガスの混合ガスにより実現することができる他、空気を利用してもよい。酸化性ガスとしては、例えば、酸素、一酸化炭素、二窒化酸素などを挙げることができる。加熱工程は、加圧下、常圧下、減圧下または真空中のいずれの圧力でも実施することができる。上記加熱処理により得られる反転材料パターン硬化膜図1符号41参照は、主に有機酸化ケイ素SiOCにより構成されている。これにより、必要により、例えば40nmを切るような微細パターンであっても、被加工膜を精度良くエッチング加工することができ、最先端の半導体素子の製造工程にも好適に対応することができる。<アッシング>アッシングは、公知のドライプラズマ装置を用いて行うことができる。また、ドライアッシング時のソースガスとしては、被エッチ膜の元素組成にもよるが、O2、CO、CO2等の酸素原子を含むガス、He、N2、Ar等の不活性ガス、Cl2、BCl4等の塩素系ガス、H2、NH4のガス等を使用することができる。尚、これらのガスは混合して用いることもできる。実施例1、比較例1以下、実施例によって本発明をより詳しく説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。メチルトリエトキシシランとテトラエトキシシランとを用いて、加水分解縮合反応を行った。このときに用いた溶媒はエタノールである。得られた加水分解縮合物について、下記の表2に示す加水分解縮合物の含有量となるように塗布用溶媒中に含有させ間隙埋め込み用組成物を調製した。溶媒の組合せについては、表1に示している。アルコキシシラン化合物ASの溶媒中での含有量は、すべての試料において、組成物中5質量とした。また、アルコキシシラン化合物は重量平均分子量約10000の加水分解縮合物として組成物中に含有させた。なお、上記重量平均分子量は先に説明の手順に沿ってGPCにより確認した。シリコンウェハ上にSiO2の被加工物膜を100nmの厚さで形成した。その上に、間隙幅及びアスペクト比が下記表1のようになるように、感光性樹脂JSR株製、商品名:AR2772JNによりレジストパターンを形成した。具体的には、平面視において線状の溝が多数延びるよう上記ジストパターンを形成した。レジストパターンの壁状部の幅図1の幅vに相当は、約22nmであった。これらの幅や深さ等の寸法は、必要な断面で試験体を切断し、走査型電子顕微鏡により観察して測定した。調製した埋め込み用組成物をそれぞれ上記レジストパターンを施した基板上にスピンコートして、基板上に塗膜を形成した。得られた基板を、ホットプレート上にて110°Cで1分間、ついで200°Cで1分間加熱し、膜厚約100nmの塗布膜を形成させた。得られた埋め込み用組成物を適用した基板試験体に対し、下記の項目について評価を行った。[塗布性]上記埋め込み用組成物を塗布した基板試験体加熱処理前を光学顕微鏡で観察した。結果を下記に区分して判定した。AA:ムラがないものA:若干ムラがあるが許容できるものB:ムラが目立つものC:ムラを超えハジキが生じているもの[レジスト膜へのダメージ性]レジスト膜を塗布溶媒表1に1分間浸漬した場合の残膜率によって評価した。その結果を下記に区分して判定した。AA:残膜率95以上A:残膜率95未満90以上B:残膜率90未満85以上C:残膜率85未満70以上D:残膜率70未満一般的な使用においては本評価でB以上が望ましいが、特定の使用条件においてはCであっても適合する。Dは半導体素子製造上の要求性能を満たさない。[埋込性]上記埋め込み用組成物を適用した半導体基板試料加熱処理後について、各溝部の断面が露出するように切断し、これを操作型電子顕微鏡SEMで観察した。その結果を下記に区分して判定した。AA:ボイドがないものA:直径5nm未満のボイドが確認されたものB:直径5nm以上10nm未満のボイドが確認されたものC:それ以上のボイドがあるもの[平坦性]上記埋め込み用組成物を適用した半導体基板試料加熱処理後について、レジストパターン粗iso/密dense部周辺で各溝部の断面が露出するように切断し、その断面をSEMで観察した。その結果を下記に区分して判定した。なお、図2はiso/dense部周辺の状態を模式的に示したものであり、その膜厚差eが小さいほど好ましい。AA:膜厚差eが5nm以下のものA:膜厚差eが5nmを超え10nm以下のものB:膜厚差eが10nmを超え15nm以下のものC:膜厚差eがそれを超えるもの[アッシング選択比]レジスト膜に対するアッシング選択比を測定し、その結果を表1に記載した。以下の条件でアッシング処理を行った。ドライエッチング装置日立ハイテクノロジーズ社製、U-621[商品名]にて、RFパワー:600W、アンテナバイアス:100W、ウエハバイアス:0W、チャンバーの内部圧力:1.0Pa、基板温度:20°C、混合ガスのガス種及び流量をO2:25mL/min.、Ar:500mL/min.とし、22秒のアッシング処理を実施した。また、前記被加工物膜と感光性樹脂によるレジストパターンの間の層に、有機反射防止膜ARC29SR日産化学社製を塗布し、205°Cで60秒間ベークを行い、膜厚が78nmの反射防止膜を形成した態様においても、上記と同様の効果が得られた。さらに、重量平均分子量3,000~50,000の広い範囲で同様の試験評価を行なったところ、上記と同様に埋め込み組成物に関する良好な性能が発揮されることを確認した。上記の結果から分かるとおり、本発明の埋め込み用組成物によれば、有機系のレジストパターンの間隙に埋め込む組成物として用いたとき、間隙埋め込み性、塗布性、平坦性、感光性樹脂パターンのダメージ抑制性、高アッシング選択比が実現されることが分かる。比較例1A特開2008287176の実施例1に沿って、以下のようにして、樹脂組成物を調製した。無水マレイン酸0.42gを水18.2gに加熱溶解させてマレイン酸水溶液を調製した。次に、メチルトリエトキシシラン30.5g及び4-メチル-2-ペンタノール50.8gをフラスコに入れた。このフラスコに、冷却管と予め調製しておいたマレイン酸水溶液を入れた滴下ロートとをセットし、オイルバスにて100°Cで加熱した後、マレイン酸水溶液をゆっくり滴下し、100°Cで4時間反応させた。反応終了後、反応溶液の入ったフラスコを放冷してからエバポレータにセットし、反応中生成したエタノールを除去して反応生成物ポリシロキサン:重量平均分子量1,400を得た。その後、上記のようにして得られたポリシロキサン26.7gを有機溶剤4-メチル-2-ペンタノール23.3gに溶解した。次いで、この溶液を孔径0.2μmのフィルターでろ過して、実施例1のパターン反転用樹脂組成物を得たc21。この組成物試料c21を用いて上記と同様の項目の評価を行なった。結果は、それぞれ、レジストダメージ性:A、埋め込み性:AA、平坦性:B、アッシング選択比5となった。この比較例で採用した幅-ARは、22-2であった。実施例2、比較例2合成例1樹脂RB-1の合成p-アセトキシスチレン、4‘-ヒドロキシフェニルメタクリレートを60/40の割合モル比率で仕込み、テトラヒドロフランに溶解し、固形分濃度20質量の溶液100mLを調製した。この溶液に、メルカプトプロピオン酸メチル3mol、および和光純薬工業株製重合開始剤V-65を4mol加え、これを窒素雰囲気下、4時間かけて60°Cに加熱したテトラヒドロフラン10mLに滴下した。滴下終了後、反応液を4時間加熱、再度V-65を1mol添加し、4時間攪拌した。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、ヘキサン3Lに晶析、析出した白色粉体をろ過により集めた。C13NMRから求めたポリマーの組成比は58/42であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は2200、分散度Mw/Mnは1.30であった。得られた樹脂を真空乾燥した後、脱水THFテトラヒドロフラン100mlに溶解させた。そこへシクロヘキシルビニルエーテル10mlを添加、攪拌したところへ、p-トルエンスルホン酸100mgを添加し、3時間反応させた。反応液にトリエチルアミン1mlを添加し中和した後、酢酸エチル200mlを添加、さらに蒸留水500mlを加えて分液、洗浄を3回繰り返した。酢酸エチル層をヘキサン再沈して目的の樹脂RB-1組成モル比43/15/32/10、重量平均分子量2500、分散度1.30を得た。そのガラス転移温度をDSCにて測定したところ110°Cを示した。また、そのほかの樹脂についても、同様の方法で合成した。<レジスト調製>下記表3に示した成分を、表1に示した混合溶剤に溶解させ、これを0.1μmのポリテトラフルオロエチレンフィルターによりろ過して表3に示す全固形分濃度質量のポジ型レジスト溶液を調製し、下記のとおり評価を行った。表3に記載した各成分の固形分濃度質量は、全固形分を基準とする。界面活性剤の添加量は、レジスト組成物の全固形分中01質量である。樹脂の固形分濃度は、レジスト組成物の全固形分量から光酸発生剤、塩基性化合物、界面活性剤を除いた量である。酸分解性樹脂以下に実施例に用いた酸分解性樹脂の構造および、分子量、分散度を示す。酸発生剤表3に示す酸発生剤は、先に例示したものに対応する。塩基性化合物界面活性剤W-1:メガファックF176大日本インキ化学工業株製フッ素系W-2:メガファックR08大日本インキ化学工業株製フッ素及びシリコン系W-3:ポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製シリコン系溶剤A1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートB1:プロピレングリコールモノメチルエーテル実施例1で用いたJSR株製-商品名:AR2772JNに代え、上記のEUV感光用レジスト試料R2を用いた以外同様にして、レジストパターンの壁状部の幅図1の幅vに相当が約22nmのレジストパターンを作製した。ただし、このときに照射した電子線はEUVリソテックジャパン社製、波長13nmとした。また、パターンを形成したレジスト膜に対して、約200°Cで加熱処理ポストベークを施した。ただし、試験Noc25、c26については、製造方法に関する比較例として、ポストベークを行わなかった例を示している。上記レジストパターンを形成した試験体に対し、実施例1と同様に埋め込み用組成物を適用した試験を行い、その性能を評価した。ただし、加水分解縮合物の分子量を表4の下表のとおりに変えて試験を行っている。この結果は下表4に示した。上記の結果から分かるとおり、本発明の埋め込み用組成物によれば、EUV観光性のレジストを用いた場合にも、そのレジストパターンの間隙に埋め込み組成物として用いたとき、間隙埋め込み性、塗布性、平坦性、感光性樹脂パターンのダメージ抑制性、高アッシング選択比が実現されることが分かる。なお、上記試験601に対して、レジストパターンのポストベークを行なわずにその後の試験評価を行なったところ、レジストダメージ性がDの結果となった。このことより、EUV硬化性レジストを用いた実施形態においては、特にポストベークを施し、その上で本発明の埋め込み組成物を適用することが重要であることが分かる。上記試験601~603と同様にして、EUVレジストR1,R3~10についても同様に埋め込み組成物を適用した反転プロセス試験を行なった。これらのEUVレジストに対しても本発明の埋め込み組成物及び方法によれば、間隙埋め込み性、塗布性、平坦性、感光性樹脂パターンのダメージ抑制性、高アッシング選択比において優れた性能が発揮されることを確認した。"