"複数種類の寸法で作成されたマスクパターンが配置されたマスクパターン群を用いて基板への露光処理を行った場合の平均光強度を前記マスクパターン毎に算出する平均光強度算出ステップと、前記マスクパターンの寸法に関する情報および前記平均光強度に応じた前記マスクパターンへのパターン補正量を、前記マスクパターン毎に算出する補正量算出ステップと、前記マスクパターン毎のパターン補正量を用いた前記マスクパターンへのパターン補正を前記マスクパターン毎に行うことにより補正後マスクパターンを作成するパターン補正ステップと、露光装置が備える投影光学系のフレア値を、前記補正後マスクパターンのパターン平均密度を用いて算出するフレア値算出ステップと、を含むことを特徴とするフレア値算出方法。前記補正後マスクパターンを作成する際には、前記マスクパターンのパターンエッジを、前記パターンエッジを有するマスクパターンの寸法と、前記パターンエッジに隣接する隣接パターンからの前記パターンエッジまでの距離と、によって定まる関数に従って移動させることを特徴とする請求項1に記載のフレア値算出方法。前記マスクパターンが配置されたマスクが反射型マスクである場合、前記関数に従って、前記パターン平均密度が前記反射型マスクの反射率と同じになるよう前記マスクパターンのパターンエッジを移動させられ、前記マスクパターンが配置されたマスクが透過型マスクである場合、前記関数に従って、前記パターン平均密度が前記透過型マスクの透過率と同じになるよう前記マスクパターンのパターンエッジを移動させられることを特徴とする請求項2に記載のフレア値算出方法。前記マスクパターンの寸法に関する情報は、前記マスクパターンの平均密度であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載のフレア値算出方法。複数種類の寸法で作成されたマスクパターンが配置されたマスクパターン群を用いて基板への露光処理を行った場合の平均光強度を前記マスクパターン毎に算出する平均光強度算出ステップと、前記マスクパターンの寸法に関する情報および前記平均光強度に応じた前記マスクパターンへのパターン補正量を、前記マスクパターン毎に算出する補正量算出ステップと、前記マスクパターン毎のパターン補正量を用いた前記マスクパターンへのパターン補正を前記マスクパターン毎に行うことにより補正後マスクパターンを作成するパターン補正ステップと、露光装置が備える投影光学系のフレア値を、前記補正後マスクパターンのパターン平均密度を用いて算出するフレア値算出ステップと、フレア補正対象のマスクパターンを前記フレア値に応じた寸法に変更することにより、前記フレア補正対象のマスクパターンをフレア補正するフレア補正ステップと、を含むことを特徴とするフレア補正方法。前記フレア補正ステップは、前記フレア補正対象のマスクパターンをマスク面内で複数のセル領域に分割するセル分割ステップと、前記セル毎に算出されたパターン平均密度と、フレアの影響を規定した関数と、を用いて、前記フレア値算出対象のセルが他のセルから受けるフレア値を前記セル毎に算出する算出ステップと、を含み、前記他のセルが前記フレア値算出対象のセルに与えるフレア値の積算量に基づいて、前記フレア値算出対象のセル内に配置されているマスクパターンをフレア補正し、これにより、前記マスク面内のマスクパターンをフレア補正することを特徴とする請求項4に記載のフレア補正方法。複数種類の寸法で作成されたマスクパターンが配置されたマスクパターン群を用いて基板への露光処理を行った場合の平均光強度を前記マスクパターン毎に算出する平均光強度算出ステップと、前記マスクパターンの寸法に関する情報および前記平均光強度に応じた前記マスクパターンへのパターン補正量を、前記マスクパターン毎に算出する補正量算出ステップと、前記マスクパターン毎のパターン補正量を用いた前記マスクパターンへのパターン補正を前記マスクパターン毎に行うことにより補正後マスクパターンを作成するパターン補正ステップと、露光装置が備える投影光学系のフレア値を、前記補正後マスクパターンのパターン平均密度を用いて算出するフレア値算出ステップと、をコンピュータに実行させることを特徴とするフレア値算出プログラム。複数種類の寸法で作成されたマスクパターンが配置されたマスクパターン群を用いて基板への露光処理を行った場合の平均光強度を前記マスクパターン毎に算出する平均光強度算出ステップと、前記マスクパターンの寸法に関する情報および前記平均光強度に応じた前記マスクパターンへのパターン補正量を、前記マスクパターン毎に算出する補正量算出ステップと、前記マスクパターン毎のパターン補正量を用いた前記マスクパターンへのパターン補正を前記マスクパターン毎に行うことにより補正後マスクパターンを作成するパターン補正ステップと、露光装置が備える投影光学系のフレア値を、前記補正後マスクパターンのパターン平均密度を用いて算出するフレア値算出ステップと、フレア補正対象のマスクパターンを前記フレア値に応じた寸法に変更することにより、前記フレア補正対象のマスクパターンをフレア補正するフレア補正ステップと、フレア補正されたマスクパターンを用いてフォトマスクを作製するマスク作製ステップと、作製されたフォトマスクを用いて基板上にパターンを形成するパターン形成ステップと、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。正確なフレア値を短時間で算出する。実施の形態によれば、フレア値算出方法が提供される。前記フレア値算出方法、では、複数種類の寸法で作成されたマスクパターンが配置されたマスクパターン群を用いて基板への露光処理を行った場合の平均光強度を前記マスクパターン毎に算出する。そして、前記マスクパターンの寸法に関する情報および前記平均光強度に応じた前記マスクパターンへのパターン補正量を、前記マスクパターン毎に算出する。そして、前記マスクパターン毎のパターン補正量を用いた前記マスクパターンへのパターン補正を前記マスクパターン毎に行うことにより補正後マスクパターンを作成する。そして、露光装置が備える投影光学系のフレア値を、前記補正後マスクパターンのパターン平均密度を用いて算出する。以下に添付図面を参照して、実施形態に係るフレア値算出方法、フレア補正方法、フレア値算出プログラムおよび半導体装置の製造方法を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。実施形態図1は、実施形態に係るフレア補正の概念を説明するための図である。本実施形態では、ウエハ感光基板上に転写パターンを形成する際に用いられる製品マスクのマスクパターンをパターン補正することによってフレア補正を行う。フレア補正は、半導体集積回路を製造する際に、パターン周囲の粗密の影響によってパターン変形が起こる現象を、パターン補正によって緩和する方法である。フレア補正に用いるフレア値を算出するために、予めテスト用マスクのマスクパターンである補正前テストパターンPaを準備しておく。この補正前テストパターンPaは、種々の寸法のL/Sパターンラインパターンおよびスペースパターンを有したマスクパターン群である。補正前テストパターンPaに基づいて、各L/Sパターンにおける空間像の平均光強度21が算出される。平均光強度21は、各L/Sパターンを用いてウエハに露光処理を行った場合の、光学像強度の平均値である。この後、平均光強度21と、補正前テストパターンPaと、に基づいて、補正前テストパターンPaをパターン補正リサイズするためのパターン補正量22が算出される。パターン補正量22は、L/Sパターンの種類毎寸法毎に算出される。そして、パターン補正量22を用いて補正前テストパターンPaが補正され、これにより、補正後テストパターンPbが作成される。補正後テストパターンPbが作成された後、補正後テストパターンPbの平均パターン密度23が算出される。そして、算出された平均パターン密度23と、補正後テストパターンPbと、に基づいて、フレアマップフレア値のショット内マップ24が算出される。この後、製品マスクパターン25にフレアマップ24を適用することによって、製品マスクパターン25がパターン補正される。これにより、フレア補正された製品マスクパターン26が作成される。このように、本実施形態では、平均光強度21に基づいて補正前テストパターンPaをパターン補正し、補正後テストパターンPbに基づいてフレアマップ24を算出している。換言すると、マスクパターンの平均光強度を簡便的に考慮することにより、フレア計算の高精度化を図っている。図2は、フレア値算出装置の構成を示すブロック図である。フレア値算出装置1は、マスクパターンの平均光強度に基づいて、フレア値を算出するコンピュータなどの装置である。フレア値算出装置1は、入力部10、平均光強度算出部11、パターン補正量算出部12、補正後テストパターン算出部13、フレア値算出部14、出力部15を備えている。また、フレア値算出装置1は、平均光強度記憶部D1、パターン補正量記憶部D2、補正前テストパターン記憶部D3、補正後テストパターン記憶部D4を備えている。入力部10は、補正前テストパターンPaなどを入力して補正前テストパターン記憶部D3に送る。平均光強度算出部11は、補正前テストパターン記憶部D3内の補正前テストパターンPaに基づいて、L/Sパターン毎の平均光強度21を算出する。平均光強度算出部11は、算出した平均光強度21を平均光強度記憶部D1に送る。パターン補正量算出部12は、平均光強度記憶部D1内の平均光強度21に基づいて、L/Sパターン毎のパターン補正量22を算出する。パターン補正量算出部12は、算出したパターン補正量22をパターン補正量記憶部D2に送る。補正後テストパターン算出部13は、補正前テストパターン記憶部D3内の補正前テストパターンPaと、パターン補正量記憶部D2内のパターン補正量22と、に基づいて、補正後テストパターンPbを算出する。具体的には、補正後テストパターン算出部13は、補正前テストパターンPaをパターン補正量22でパターン補正することにより、補正後テストパターンPbを作成する。補正後テストパターン算出部13は、算出した補正後テストパターンPbを補正後テストパターン記憶部D4に送る。フレア値算出部14は、補正後テストパターン記憶部D4内の補正後テストパターンPbを用いて、フレアマップ24を算出する。フレア値算出部14は、算出したフレアマップ24を出力部15に送る。出力部15は、フレアマップ24をフレア補正装置3などの外部装置に送る。平均光強度記憶部D1、パターン補正量記憶部D2、補正前テストパターン記憶部D3、補正後テストパターン記憶部D4は、それぞれフレアマップ24の算出に用いる情報を記憶するメモリなどである。平均光強度記憶部D1は、平均光強度21を記憶し、パターン補正量記憶部D2は、パターン補正量22を記憶する。補正前テストパターン記憶部D3は、補正前テストパターンPaを記憶し、補正後テストパターン記憶部D4は、補正後テストパターンPbを記憶する。フレア補正装置3は、フレア値算出装置1が算出したフレアマップ24を用いて、製品マスクパターンをパターン補正フレア補正するコンピュータなどの装置である。つぎに、フレア値算出処理の処理手順について説明する。図3は、フレア値算出処理の処理手順を示すフローチャートである。フレア値算出装置1の入力部10へは、補正前テストパターンPaが入力される。入力部10は、この補正前テストパターンPaを補正前テストパターン記憶部D3に送る。補正前テストパターン記憶部D3では、補正前テストパターンPaを記憶しておく。平均光強度算出部11は、補正前テストパターン記憶部D3内の補正前テストパターンPaに基づいて、L/Sパターン毎の平均光強度21を算出するステップS10。ここで、補正前テストパターンPaの構成例について説明する。図4は、補正前テストパターンの構成例を示す図である。補正前テストパターンPaには、例えば縦50mm×横50mmの領域に、長手方向の寸法が50mmで短手方向の寸法が種々の寸法であるL/Sパターンが配置されている。図4では、補正前テストパターンPa内に、第1のパターンP1a、第2のパターンP2a、第nnは自然数のパターンPnaが配置されている場合を示している。第1のパターンP1aは、第1のラインパターン寸法幅と第1のスペースパターン寸法とを有している。同様に、第2のパターンP2aは、第2のラインパターン寸法と第2のスペースパターン寸法とを有し、第nのパターンPnaは、第nのラインパターン寸法と第nのスペースパターン寸法とを有している。第1~第nのラインパターン寸法は、例えば16nm~250nmなどの何れかである。また、第1~第nのスペースパターン寸法は、例えば16nm~250nmなどの何れかである。補正前テストパターンPaには、これらの種々のラインパターン寸法とスペースパターン寸法とが組み合わされたマスクパターンが配置されている。換言すると、補正前テストパターンPaには、n種類のL/Sパターンがランダムに繋げられている。図5は、L/Sパターン毎に算出される平均光強度の一例を示す図である。図5では、ラインパターン寸法とスペースパターン寸法との組み合わせに対して算出された平均光強度21平均光強度テーブルを示している。なお、ここでのラインパターンは、マスク上でのラインパターンであり、ウエハ上に転写した場合にはスペースパターンとなる。同様に、ここでのスペースパターンは、マスク上でのスペースパターンであり、ウエハ上に転写した場合にはラインパターンとなる。ラインパターン寸法とスペースパターン寸法との組み合わせは、例えば、レイアウト上に存在するラインパターンとスペースパターンの全ての組み合わせである。ここでの補正前テストパターンPaのラインパターン寸法は、16nm、20nm、22nm、24nm、32nm、45nm、90nm、150nm、250nmの何れかである。また、補正前テストパターンPaのスペースパターン寸法は、16nm、20nm、22nm、24nm、32nm、45nm、90nm、150nm、250nmの何れかである。補正前テストパターンPaは、上述した9種類のラインパターン寸法と上述した9種類のスペースパターン寸法との組み合わせ81種類で構成されている。平均光強度21は、81種類からなるL/Sパターン毎に算出される。例えば、ラインパターン寸法が16nmでスペースパターン寸法が16nmの場合、平均パターン密度は0.5であり、平均光強度21は、0.16である。また、ラインパターン寸法が250nmでスペースパターン寸法が250nmの場合、平均パターン密度は0.5であり、平均光強度21は、0.36である。このように、平均パターン密度が同じであっても、平均光強度21の値が同じであるとは限らない。平均光強度算出部11は、算出した平均光強度21を平均光強度記憶部D1に送る。平均光強度記憶部D1は、平均光強度21を記憶する。パターン補正量算出部12は、平均光強度記憶部D1内の平均光強度21に基づいて、L/Sパターン毎のパターン補正量22を算出するステップS20。図6は、L/Sパターン毎のパターン補正量を説明するための図である。ここでは、第1のパターンP1aと第mmはn以下の自然数のパターンPmaのパターン補正量22について説明する。第1のパターンP1aのパターン寸法が幅L1aである場合、幅L1aは、第1のパターンP1aの平均光強度21に応じた幅L1bに補正される。換言すると、L1a-L1bが第1のパターンP1aのパターン補正量22となる。また、第mのパターンPmaのパターン寸法が幅Lmaである場合、幅Lmaは、第mのパターンPmaの平均光強度21に応じた幅Lmbに補正される。換言すると、Lma-Lmbが第mのパターンPmaのパターン補正量22となる。具体的には、第2~第nのパターンP2a~Pnaのパターン寸法がそれぞれ幅L2a~幅Lnaである場合、幅L2a~幅Lnaは、第2~第nのパターンP2a~Pnaの平均光強度21に応じた幅L2b~幅Lnbに補正される。換言すると、L2a-L2b~Lna-Lnbが第2~第nのパターンP2a~Pnaのパターン補正量22となる。前述したように、平均パターン密度が同じであっても、平均光強度21の値が同じであるとは限らない。このため、本実施形態では、平均パターン密度が平均光強度21に応じた値になるよう、第1~第nのパターンP1a~Pnaをリサイズしてからフレアマップ密度マップを算出する。例えば、ラインパターン寸法=x、スペースパターン寸法=yの場合の平均光強度21の値をdxyとすると、パターンPnaの片側リサイズ量は、-x-dxy×xy/2を用いて求めることができる。この片側リサイズ量を求める関数パターンエッジの移動量を算出する式は、第1~第nのパターンP1a~Pnaのパターン自身の寸法xと、隣接パターンとの距離yによって定まる関数である。なお、ここでは、ラインパターン寸法=xとスペースパターン寸法=yを用いて片側リサイズ量を算出したが、片側リサイズ量は、平均パターン密度を用いて算出してもよい。例えば、ラインパターンの個数やスペースパターンの個数によって、平均パターン密度が異なる場合がある。また、ホールパターンなどのラインパターン以外のパターンが含まれる場合がる。したがって、平均パターン密度を用いて算出することによって、正確な片側リサイズ量を算出することが可能となる。補正前テストパターンPaの配置されたテスト用のマスクが反射型マスクである場合、片側リサイズ量を求める関数によって、パターン平均密度が反射型マスクの反射率と同じになるようパターンエッジが移動させられる。また、補正前テストパターンPaの配置されたテスト用のマスクが透過型マスクである場合、片側リサイズ量を求める関数によって、パターン平均密度が透過型マスクの透過率と同じになるようパターンエッジが移動させられる。図7は、L/Sパターン毎に算出されるパターン補正量の一例を示す図である。図7では、図5に示したL/Sパターンと平均光強度21との組み合わせに対して算出されたパターン補正量22補正テーブルを示している。具体的には、パターン補正量22は、81種類からなるL/Sパターンの平均パターン密度毎に算出される。例えば、ラインパターン寸法が16nmでスペースパターン寸法が16nmの場合、平均パターン密度は0.5であり、パターン補正量22は、-5.38である。したがって、ラインパターン寸法およびスペースパターン寸法が16nmのラインパターンは、片側リサイズ量が、-5.38nmであり、両エッジを合わせると合計10.76nmリサイズされる。また、ラインパターン寸法が250nmでスペースパターン寸法が250nmの場合、平均パターン密度は0.5であり、パターン補正量22は、-33.8である。したがって、ラインパターン寸法およびスペースパターン寸法が250nmのラインパターンは、片側リサイズ量が、-33.8であり、両エッジを合わせると合計67.6nmリサイズされる。パターン補正量算出部12は、算出したパターン補正量22をパターン補正量記憶部D2に送る。パターン補正量記憶部D2は、パターン補正量22を記憶する。補正後テストパターン算出部13は、補正前テストパターン記憶部D3内の補正前テストパターンPaと、パターン補正量記憶部D2内のパターン補正量22と、に基づいて、補正後テストパターンPbを算出する。具体的には、補正後テストパターン算出部13は、補正前テストパターンPaを、パターン補正量22を用いて補正することにより、補正後テストパターンPbを作成するステップS30。補正前テストパターンPaは、パターン補正されることにより平均パターン密度が異なる補正後テストパターンPbとなる。補正後テストパターン算出部13は、算出した補正後テストパターンPbを補正後テストパターン記憶部D4に送る。補正後テストパターン記憶部D4は、補正後テストパターンPbを記憶する。フレア値算出部14は、補正後テストパターン記憶部D4内の補正後テストパターンPbを用いて、フレアマップ24を算出するステップS40。フレア値算出部14は、算出したフレアマップ24を出力部15に送る。出力部15は、フレアマップ24をフレア補正装置3に送る。フレア補正装置3は、フレア値算出装置1が算出したフレアマップ24を用いて、製品マスクパターンをパターン補正リサイズし、これによりフレア補正を行うステップS50。つぎに、フレア補正処理の処理手順について説明する。図8は、フレア補正処理の処理手順を示すフローチャートである。フレア補正装置3は、製品マスクのレイアウトをセル分割するステップS100。さらに、フレア補正装置3は、製品マスクのレイアウトに基づいて、密度マップを作成する。具体的には、フレア補正装置3は、製品マスクのレイアウトに基づいて、各々のセルにおける平均パターン密度各セルの平均パターン密度を算出する。そして、算出した平均パターン密度に基づいて、密度マップを作成するステップS110。フレア補正装置3へは、PSFFが入力される。また、フレア補正装置3へは、フレア値算出装置1で作成されたフレアマップ24が入力されるステップS120。なお、フレアマップ24やPSFFは、フレア補正を行う前であれば、何れのタイミングでフレア補正装置3に入力してもよい。フレア補正装置3は、フレアマップ24とPSFFを用いて、セル毎に製品マスクのパターンサイズをリサイズする。これにより、製品マスクパターンのフレア補正が行われるステップS130。製品マスク上の点x,yにおけるフレア込みのトータル光強度Ix,yは、式1、式2のように表現される。ここで、I0x,yは、フレアがない場合の理想的な光強度であり、Iflarex,yはフレア強度であり、PSFFはフレアのポイントスプレッドファンクションである。本実施形態では、分割した各セルにおける平均パターン密度を計算することで、I0x,yの近似としての密度マップ密度値アレイDを作成する。しかる後、密度マップDとPSFFの畳み込み和を計算し、Iflarex,yの近似であるフレアマップフレア値アレイFを求める。本実施形態では、各セルを分割する前に、補正前テストパターンPaを、平均光強度21に応じたパターンサイズに補正しておく。換言すると、マスクレイアウトの分割に先立ち、空間像の平均光強度を考慮してパターンをリサイズする。その後、マスク面内を複数のセルに分割する。そして、任意のセルが着目セルに生じせしめるフレア値を、セル毎に算出した平均パターン密度とフレアの影響を規定する関数によって見積もる。そして、全てもしくは一部のセルが前記着目セルに与えるフレアの積算量に基づいて、着目セル内のパターン寸法を補正する。この方法では、セルサイズを調整することで大幅な計算時間の短縮が図れる。なお、ここでの説明におけるパターン部は、実際のマスクにおいては、多層膜ミラー部に対応している。フレア値とCD変動との関係が実験やシミュレーションにより予め分かっていれば、フレアマップに応じたパターンリサイズによって、転写パターンのCD変動を抑えることが可能となる。つぎに、補正前テストパターンPaを用いて算出したフレア値と、補正後テストパターンPbを用いて作成したフレア値と、の違いについて説明する。図9は、第1のパターン寸法を有した補正前テストパターンの平均パターン密度と平均光強度の関係を示す図である。また、図10は、第2のパターン寸法を有した補正前テストパターンの平均パターン密度と平均光強度の関係を示す図である。ここでの第1のパターン寸法は、ラインパターン寸法が16nmで、スペースパターン寸法が16nmである。また、第2のパターン寸法は、ラインパターン寸法が32nmで、スペースパターン寸法が32nmである。以下、第1のパターン寸法を有したL/SパターンをパターンAとし、第2のパターン寸法を有したL/SパターンをパターンBとして説明する。図9では、パターンAの一周期分の断面を実線a1で示し、パターンAの平均パターン密度を密度a2で示している。なお、レイアウトは平面であるので、レイアウトのパターン部着色部に1の高さを与えている。高さが1であるので、パターンAの平均パターン密度は0.5となる。また、図9では、ウエハ面における空間像の断面を実線a3で示し、空間像の平均光強度を光強度a4で示している。図10に示す実線b1、密度b2、実線b3、光強度b4は、図9に示す実線a1、密度a2、実線a3、光強度a4に対応している。具体的には、図10では、パターンBの一周期分の断面を実線b1で示し、パターンBの平均パターン密度を密度b2で示している。なお、レイアウトは平面であるので、レイアウトのパターン部着色部に1の高さを与えている。高さが1であるので、パターンBの平均パターン密度は0.5となる。また、図10では、ウエハ面における空間像の断面を実線b3で示し、空間像の平均光強度を光強度b4で示している。パターンAとパターンBは、ともにレイアウトを分割したセル内の平均パターン密度が0.5であるが、ウエハ面における空間像の平均光強度は両パターンの回折効率の違いによって差を生じている。この結果として、パターンAとパターンBとでは、フレア強度が異なることになる。このように、平均パターン密度が同じ場合であっても、パターン寸法やスペース寸法が異なるとフレア値が異なる。このため、補正前テストパターンPaを用いてフレア値を算出すると、パターンAとパターンBとで同じフレア値が算出されてしまうこととなる。フレア値は、平均光強度に応じて変化するので、本実施形態では、平均光強度21に基づいて、L/Sパターン毎のパターン補正量22を算出する。具体的には、平均光強度21に基づいて補正前テストパターンPaを補正し、補正後テストパターンPbを用いてフレア値を算出する。これにより、フレア値を正確に算出することが可能となる。図11は、補正後テストパターンを用いて算出したフレア値を説明するための図である。図11では、補正後テストパターンPbを用いて算出したフレア値と、光学像を用いて算出したフレア値理論フレア値と、の差分をフレア値差分42として示している。また、補正前テストパターンPaを用いて算出したフレア値と、光学像を用いて算出したフレア値と、の差分をフレア値差分41として示している。光学像を用いて算出したフレア値は、レイアウトに対し、前記式1および前記式2を用いて畳み込み積分を行うことにより、忠実に求められたフレア値である。補正後テストパターンPbを用いてフレア値を算出すると、フレア値差分42のように理論フレア値との間に小さな差しか生じない。換言すると、補正後テストパターンPbを用いてフレア値を算出すると、光学像を用いて算出したフレア値と略同様のフレア値を算出することが可能となる。したがって、本実施形態のフレア値算出方法で算出したフレア値が正確な値であることが分かる。製品マスクへのフレア補正は、例えばウエハプロセスのレイヤ毎に行われる。そして、各レイヤではフレア補正された製品マスクを用いて半導体装置半導体集積回路が製造される。具体的には、フレア補正されたマスクパターンを用いて製品マスクを作製し、レジストの塗布されたウエハに製品マスクを用いて露光を行ない、その後ウエハを現像してウエハ上にレジストパターンを形成する。そして、レジストパターンをマスクとしてウエハの下層側をエッチングする。これにより、レジストパターンに対応する実パターンをウエハ上に形成する。半導体装置を製造する際には、上述したフレア補正、露光処理、現像処理、エッチング処理などがレイヤ毎に繰り返される。また、フレア値の算出は、露光処理に用いる露光装置毎に算出される。したがって、製品マスクへのフレア補正も露光処理に用いる露光装置毎に行われる。つぎに、フレア値算出装置1のハードウェア構成について説明する。図12は、フレア値算出装置のハードウェア構成を示す図である。フレア値算出装置1は、CPUCentralProcessingUnit91、ROMReadOnlyMemory92、RAMRandomAccessMemory93、表示部94、入力部95を有している。フレア値算出装置1では、これらのCPU91、ROM92、RAM93、表示部94、入力部95がバスラインを介して接続されている。CPU91は、コンピュータプログラムであるフレア値算出プログラム97を用いてパターンの判定を行う。表示部94は、液晶モニタなどの表示装置であり、CPU91からの指示に基づいて、補正前テストパターンPa、平均光強度21、パターン補正量22、補正後テストパターンPb、平均パターン密度23、フレア値フレアマップ24などを表示する。入力部95は、マウスやキーボードを備えて構成され、使用者から外部入力される指示情報フレア値算出に必要なパラメータ等を入力する。入力部95へ入力された指示情報は、CPU91へ送られる。フレア値算出プログラム97は、ROM92内に格納されており、バスラインを介してRAM93へロードされる。図12では、フレア値算出プログラム97がRAM93へロードされた状態を示している。CPU91はRAM93内にロードされたフレア値算出プログラム97を実行する。具体的には、フレア値算出装置1では、使用者による入力部95からの指示入力に従って、CPU91がROM92内からフレア値算出プログラム97を読み出してRAM93内のプログラム格納領域に展開して各種処理を実行する。CPU91は、この各種処理に際して生じる各種データをRAM93内に形成されるデータ格納領域に一時的に記憶させておく。フレア値算出装置1で実行されるフレア値算出プログラム97は、平均光強度算出部11、パターン補正量算出部12、補正後テストパターン算出部13、フレア値算出部14を含むモジュール構成となっており、これらが主記憶装置上にロードされ、これらが主記憶装置上に生成される。なお、本実施形態では、レイアウト上に存在するラインパターンとスペースパターンの全ての組み合わせに対して、異なるパターン補正値を割り当てる補正テーブルパターン補正量22を作成したが、他の補正テーブルを作成してもよい。例えば、平均光強度21が近いラインパターンとスペースパターンの組み合わせを同一のグループに設定し、グループ毎の補正テーブルを作成してもよい。また、パターン補正量22として算出されていないL/Sパターンに対しては、パターン補正量22内の値を用いてパターン補正量を算出してもよい。例えば、ラインパターン寸法が18nmの場合、ラインパターン寸法が16nmの場合および/または20nmの場合のパターン補正量を用いてパターン補正量が算出される。また、本実施の形態では、テストパターンを用いてフレアマップ24を作成したが、テストパターン以外のマスクパターンを用いてフレアマップ24を作成してもよい。また、本実施の形態では、製品マスクのマスクパターン補正フレア補正を行う場合について説明したが、製品マスク以外のマスクパターン補正を行ってもよい。このように実施形態によれば、空間像を考慮して補正前テストパターンPaをリサイズした補正後テストパターンPbを用いて、フレア値を算出しているので、フレア値を正確かつ短時間で算出することが可能となる。したがって、フレアを効率良く正確に見積もることができ、この結果、フレアに起因する転写パターンの寸法変動を正確に補正したパターン生成を行うことが可能となる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"