"複数の受光部が形成されてなる半導体基板と、前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に、各受光部に対応して形成された高屈折率膜と、前記各高屈折率膜上にそれぞれ形成されたカラーフィルターとを備え、各カラーフィルターは周辺部が垂れ下がり、当該周辺部は対応する高屈折率膜の外縁にそれぞれ接し、隣り合うカラーフィルターの間に、当該カラーフィルターよりも低い屈折率を有し、かつ、前記高屈折率膜の屈折率よりも低い屈折率を有する低屈折率膜が形成されていることを特徴とする固体撮像装置。前記高屈折率膜と同じ材料からなり、前記絶縁膜上の隣り合う高屈折率膜の間に形成された接続部をさらに備え、前記低屈折率膜の下端が前記接続部に接していることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記高屈折率膜と同じ材料からなり、前記絶縁膜上の隣り合う高屈折率膜の間に形成された接続部をさらに備え、前記各カラーフィルターの周辺部の下端が、前記接続部に接していることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記低屈折率膜の下端が前記絶縁膜に接していることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記複数の受光部は行列状に配置され、前記低屈折率膜を上面視した場合、複数の受光部に対応する領域に、大きさの異なる第1および第2の開口部が市松状に配置され、前記第1の開口部に第1の色のカラーフィルターが、前記第2の開口部に第2の色のカラーフィルターがそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の固体撮像装置。半導体基板に複数の受光部を形成する工程と、前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に、各受光部に対応して高屈折率膜を形成する工程と、隣り合うカラーフィルターの間に、当該カラーフィルターよりも低い屈折率を有し、かつ、前記高屈折率膜の屈折率よりも低い屈折率を有する低屈折率膜が形成する工程と、前記各高屈折率膜上に、その周辺部が垂れ下がり、当該周辺部は対応する高屈折率膜の外縁にそれぞれ接するように、カラーフィルターをそれぞれ形成する工程とを含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。ところが、上記固体撮像装置では、カラーフィルターよりも下の層において色解像度の低下いわゆる混色の防止対策が採られているために、カラーフィルター層において隣接する受光部に向かう光を遮ることができず、本来入るべきではない光が受光部に入ってしまい、色解像度が低下をきたすという課題がある。本発明は、上記課題の解決を図るべくなされたものであって、カラーフィルターにおいて、ある受光部に入るべき光が隣の受光部に入ることを抑制できる固体撮像装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明に係る固体撮像装置は、複数の受光部が形成されてなる半導体基板と、半導体基板上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に、各受光部に対応して形成された高屈折率膜と、各高屈折率膜上にそれぞれ形成されたカラーフィルターとを備え、各カラーフィルターは周辺部が垂れ下がり、当該周辺部は対応する高屈折率膜の外縁にそれぞれ接し、隣り合うカラーフィルターの間に、当該カラーフィルターよりも低い屈折率を有し、かつ、高屈折率膜の屈折率よりも低い屈折率を有する低屈折率膜が形成されていることを特徴とする。本発明に係る固体撮像装置では、カラーフィルターの周辺部が、高屈折率膜の外縁の少なくとも一部を覆っている。また、隣り合うカラーフィルターの間にはカラーフィルターよりも屈折率が低い低屈折率膜が埋め込まれている。そのため、カラーフィルターの周辺部を斜めに通った光であっても、当該光はカラーフィルターと低屈折率膜との界面で反射されて、高屈折率膜内に入射しやすい。また、その後、当該光は高屈折率膜内を通過して、本来の受光部に入射しやすい。従って、本発明に係る固体撮像装置では、カラーフィルターにおいて、ある受光部に入るべき光が隣の受光部に入ることを抑制できる固体撮像装置を提供できる。[実施の形態1]1.固体撮像装置100の全体構成図1は、本発明の実施の形態1に係る固体撮像装置100における各構成要素のレイアウト図である。図1に示すように、固体撮像装置100は、受光部であるフォトダイオード12とフォトダイオード12で生じた信号電荷を転送する垂直CCD112とからなる撮像領域114、撮像領域114から信号電荷が転送される水平転送部116、および水平転送部116から受け取った信号電荷を電圧に変換し外部に出力する出力アンプ部118を備える。撮像領域114には複数の画素があり、当該画素はマトリックス状に二次元配置され、画素毎にフォトダイオード12が形成されている。図2は、図1に示した固体撮像装置の断面図である。図2に示すように、固体撮像装置100は、シリコン基板10と、シリコン基板10内に形成されたフォトダイオード12a,12b,12c以下、区別が必要ないときはフォトダイオード12と総称する、読み出し領域14、垂直転送部16および非読み出し領域18と、シリコン基板10上に形成されたゲート酸化膜20と、ゲート酸化膜20上に積層されたシリコン酸化膜30と、垂直転送部16上方にゲート酸化膜20を介して形成された転送電極32と、フォトダイオード12上方に形成された反射防止膜34とを備える。反射防止膜34は、例えば窒化シリコンからなり、その膜厚は、例えば50nmである。さらに、固体撮像装置100は、転送電極32を覆うように形成された遮光膜36と、遮光膜36の開口部に形成された高屈折率膜40a,40b,40c以下、区別が必要ないときは高屈折率膜40と総称する。と、高屈折率膜40の外縁に相当する側面41bの一部と接するよう形成された低屈折率膜44と、高屈折率膜40および低屈折率膜44上に画素毎に形成されたオンチップカラーフィルター50a,50b,50c以下、区別の必要がないときはカラーフィルター50と総称すると、各カラーフィルター50上にそれぞれ形成されたオンチップマイクロレンズ60とを備える。遮光膜36は、例えばタングステンなどの高融点金属からなる。オンチップマイクロレンズ60は、透明な樹脂からなり、その屈折率は1.5~1.7程度である。2.固体撮像装置100要部の詳細な構成高屈折率膜40a,40b,40cは、絶縁膜上に、フォトダイオード12a,12b,12cにそれぞれ対応して形成され、その形状はピラー形状である。なお、ここでいう絶縁膜とは、ゲート酸化膜20およびシリコン酸化膜30をまとめたものである。高屈折率膜40は、例えば窒化シリコンからなり、その屈折率は、2.0程度である。高屈折率膜40の材料は窒化シリコンに限らず、屈折率が1.6~3.0の材料、例えば屈折率が3.0程度のDLCDiamondLikeCarbonや、屈折率が1.7程度のポリイミド樹脂等を用いても良い。また、高屈折率膜40の膜厚は、例えば、1000nmである。隣り合う高屈折率膜40a,40bおよび40b,40cの間におけるシリコン酸化膜30上には、接続部42が形成されている。接続部42は、高屈折率膜40と同じ材料からなる。低屈折率膜44は、隣り合う高屈折率膜40a,40b、および40b,40cの間における接続部42上に形成されており、隣り合うカラーフィルター50a,50b、および50b,50cの間にまで拡がっている。低屈折率膜44の下端は、接続部42に接している。低屈折率膜44は酸化シリコンからなり、その屈折率は1.45程度と高屈折率膜40よりも低い。低屈折率膜44の材料は、高屈折率膜40の屈折率よりも低い屈折率を有する材料であれば良く、かつ、カラーフィルター50の屈折率よりも低い屈折率を有する材料であればよい。そのため、低屈折率膜44の材料として、酸化シリコンに限らず、屈折率が1.5以下の材料、例えば、屈折率が1.4程度の有機膜を用いても良い。カラーフィルター50a,50b,50cは、高屈折率膜40a,40b,40cにそれぞれ対応して形成されている。カラーフィルター50bに着目して説明すると、カラーフィルター50bは、高屈折率膜40bの上面41aに接するように設けられ、かつ、カラーフィルター50bの周辺部52bは垂れ下がり、高屈折率膜40bの側面41bの上部に接している。カラーフィルター50b,50cについても同様である。カラーフィルター50a,50b,50cはそれぞれ赤色光波長域600nm~700nm程度、緑色光波長域500nm~600nm程度、青色光波長域400nm~500nm程度のいずれかの光を透過する。カラーフィルター50の各色の配列は、ベイヤー配列となっている。また、カラーフィルター50は、顔料や染料が混入された樹脂材料からなり、その屈折率が1.5~1.7程度である。なお、カラーフィルター50は、上記の原色カラーフィルターに限らず、シアン、マゼンタ、イエローなどの補色カラーフィルターを用いても良い。ここで、カラーフィルター50を上面視した場合の形状や構成を、図3を用いて説明する。図3は、図1に示した固体撮像装置100の撮像領域114における4画素のレイアウト図である。図3に示すように、低屈折率膜44は複数の開口を有する格子状となっており、当該開口の大きさはそれぞれ等しい。各開口には、それぞれカラーフィルター50が埋め込まれている。隣り合うカラーフィルター50の間の低屈折率膜44の幅L1は100nm~400nmが望ましく、例えば200nmである。なお、隣り合う高屈折率膜40の間の低屈折率膜44の幅L2は200nm~600nmが望ましく、例えば400nmである。上述したように、隣り合う高屈折率膜40a,40b、および40b,40cの側面41bの上部はカラーフィルター50の周辺部52bに覆われ、隣り合う高屈折率膜40a,40b、および40b,40cの側面41bの中部は低屈折率膜44で覆われ、隣り合う高屈折率膜40a,40b、および40b,40cの下部は接続部42を介して接続されている。高屈折率膜40bの側面41bの中部は低屈折率膜44で覆われているため、上方からオンチップマイクロレンズ60へ入射した光は、高屈折率膜40bと低屈折率膜44との界面で反射されやすく、フォトダイオード12bに入射しやすい。3.光の進行路の詳細な説明図4aは従来の固体撮像装置において斜め方向に入射した光の光路を示す図であり、bは図2に示した固体撮像装置において斜め方向に入射した光の光路を示す図である。各構成の一部は省略してあり、各部材の縮尺は図2とは一致させていない。なお、図4a,bにおいて、カラーフィルターの形状以外の構造、部材の寸法および屈折率、位置関係等は同じである。光a,bは、マイクロレンズ60bに斜め方向に入射し、カラーフィルター50のフォトダイオード12bに対応する部分を通過する光である。図4aに示すように、従来の構成では、光a,bは、カラーフィルター50の通過後、低屈折率膜44を通り抜け、高屈折率膜40aに入射してしまう。高屈折率膜40aは、その周囲の低屈折率膜44とで光導波路を形成しているので、高屈折率膜40aに入射された光a,bは、そのままフォトダイオード12aに入射される。カラーフィルター50のフォトダイオード12bに対応する部分に入射された光は、本来ならフォトダイオード12bに入射されるべきである。しかしながら、この例では、光a,bは隣接するフォトダイオード12aに入射されるので、色解像度の低下が生じてしまう。図4bに示すように、本実施形態の構成では、光aは、低屈折率膜44で反射され、フォトダイオード12bに入射される。光bは従来よりも下方でカラーフィルター50bと低屈折率膜44との界面に入射するため、当該界面で反射されフォトダイオード12bに入射する。これは、カラーフィルター50が高屈折率膜40の側面41bの上部を覆うように、従来よりも下方にまでカラーフィルター50が埋め込まれているためである。これにより、当該入射光がカラーフィルター50から最初に入射する層が、低屈折率膜44となる。そして、低屈折率膜44の屈折率がカラーフィルター50よりも低いため、当該界面での光の反射が起きやすくなっている。このように、カラーフィルター50が、高屈折率膜40の上面41aに加え側面41bの一部も覆うことにより、入射光の色解像度の低下を抑制できる。この構成では、高屈折率膜40からなる高屈折率部と、高屈折率膜40を囲む接続部42及び低屈折率膜44とからなる低屈折率部とによって、いわゆる屈折率分布レンズが構成される。なお、ここでいう低屈折率部の屈折率は、接続部42及び低屈折率膜44の屈折率の平均値とする。この構成では、高屈折率部と低屈折率部との屈折率差を調整することで、屈折率分布レンズの集光位置を調整できる。当該屈折率差を調整するには、接続部42の膜厚を調整すれば良い。高屈折率膜40および接続部42と低屈折率膜44との屈折率や、高屈折率膜40の膜厚が設計上固定されていたとしても、接続部42と低屈折率膜44との膜厚の割合を変化させることで、高屈折率部を囲む低屈折率部の屈折率を調整できる。屈折率分布レンズの集光位置を調節することで、遮光膜36方向に入り込む光の量を抑制でき、遮光膜36によるケラレや反射を抑制できる。さらに、高屈折率膜40からフォトダイオード12に入る光の量を増やすことができ、集光効率を向上できる。4.固体撮像装置100の製造方法まず、図5aに示すように、既知の方法に従って、シリコン基板10内に各種の不純物領域としてフォトダイオード12、読み出し領域14、垂直転送部16および非読み出し領域18を形成した後、シリコン基板10表面にゲート酸化膜20を介して転送電極32を形成し、さらに、反射防止膜34を形成する。図5bに示すように、転送電極32を覆うようにシリコン酸化膜材料30aを積層し、さらにシリコン酸化膜材料30aを介して、転送電極32の上方に遮光膜36を形成する。すなわち、遮光膜36は、フォトダイオード12の上方で開口部を有するよう形成される。図5cに示すように、反射防止膜34および遮光膜36を覆うように、CVDChemicalVaporDeposition法により、さらにシリコン酸化膜材料30aを堆積することでシリコン酸化膜30を形成し、さらに、高屈折率膜材料40aを堆積させ、例えばレジストエッチバックやCMPChemicalMechanicalPolishing法により平坦化処理を行う。図6aに示すように、レジスト72aを用いて高屈折率膜材料40aをパターニングし、フォトダイオード12上方にピラー形状の高屈折率膜40を、隣り合う高屈折率膜40の間に接続部42をそれぞれ形成する。このとき、高屈折率膜40の膜厚と高屈折率膜40のエッチング量とを調整し、高屈折率膜40の集光位置を所望の位置に調整する。図6bに示すように、高屈折率膜40および接続部42を覆うように低屈折率膜材料44aを堆積させ、例えばレジストエッチバックやCMP法により平坦化処理を行う。図7aに示すように、レジスト72bを用いて低屈折率膜材料44aをパターニングし、低屈折率膜44を形成する。高屈折率膜40の上面41a上の低屈折率膜材料44aは除去される。さらに、高屈折率膜40の側面41bの上部が露出するまで、エッチングを行う。このとき、窒化シリコンからなる高屈折率膜40と酸化シリコンからなる低屈折率膜44とでエッチングレートが異なるエッチング条件で、高屈折率膜40の側面41bの上部を露出させることができる。最後に、図7bに示すように、カラーフィルター50およびマイクロレンズ60を形成する。カラーフィルター50を形成するには、高屈折率膜40および低屈折率膜44上に、液状のカラーフィルター50の材料を流し込んで、その後、硬化させれば良い。これにより、カラーフィルター50は、高屈折率膜40のピラーの上面41aおよび側面41bの上部を覆うことになる。なお、上記製造方法では、接続部42と高屈折率膜40とを同じ材料で同時に形成したが、異なる材料で別々に形成してもよい。また、高屈折率膜40間の低屈折率膜44とカラーフィルター50間の低屈折率膜44とを同じ材料で同時に形成したが、異なる材料で別々に形成してもよい。[実施の形態2]1.固体撮像装置200の構成図8は、実施の形態2に係る固体撮像装置200の構造を示す図である。下記以外の構成は、固体撮像装置100と同じなので説明を省略する。本実施の形態が実施の形態1と異なる主要な点は、低屈折率膜244が高屈折率膜40の側面41bを覆っていない点である。これにより、固体撮像装置100と比べ、カラーフィルター50が高屈折率膜40の側面41bを広く覆うこととなる。図8に示すように、遮光膜36の開口上には、高屈折率膜40が形成されている。高屈折率膜40を覆うようにオンチップカラーフィルター50が形成されており、隣り合うカラーフィルター50a,50bおよび50b,50c間に低屈折率膜244が形成されている。低屈折率膜244は、カラーフィルター50に接している。また、カラーフィルターの周辺部52bの下端は、接続部42に接している。上面視した場合、低屈折率膜244は格子状であり、当該格子一辺の幅は、100nm~400nmが望ましく、例えば200nmである。2.固体撮像装置200の製造方法図9に示すように、図6bまで固体撮像装置100と同様に形成した後、レジスト72cを用いて低屈折率膜244の材料をパターニングし、低屈折率膜244を形成する。このとき、高屈折率膜40の上面41a上に形成された低屈折率膜244の材料は除去される。また、高屈折率膜40の側面41bの接続部42に覆われていない部分が完全に露出するまで、低屈折率膜244の材料のエッチングを行う。これにより、実施の形態1と比べ、以降で形成するカラーフィルター50が高屈折率膜40の側面41bを広く覆うこととなる。以降は、固体撮像装置100と同様に形成する。3.効果カラーフィルター50が高屈折率膜40の側面41bを広く覆うため、さらに色解像度の低下を抑制できる。[実施の形態3]1.固体撮像装置300の構成図10は、実施の形態3に係る固体撮像装置300の構造を示す図である。下記以外の構成は、固体撮像装置100と同じなので説明を省略する。本実施の形態が実施の形態1と異なる主要な点は、接続部42が形成されておらず、高屈折率膜40が低い低屈折率膜344によって、完全に分離して形成されている点である。図10に示すように、遮光膜36の開口部上には高屈折率膜40が形成されている。高屈折率膜40の側面41bを覆って、低屈折率膜344が形成されている。カラーフィルター50は、高屈折率膜40の上面41aおよび側面41bの上部に接して形成されている。隣り合うカラーフィルター50a,50bおよび50b,50c間にも低屈折率膜344が拡がっている。低屈折率膜344の下端は、シリコン酸化膜30に接している。オンチップカラーフィルター50上に、オンチップマイクロレンズ60が形成されている。低屈折率膜344は高屈折率膜40よりも屈折率の低い材料からなり、上面視した場合、隣り合うカラーフィルター50a,50bおよび50b,50c間の低屈折率膜344は格子状であり、当該格子一辺の200nm~600nmが望ましく、例えば400nmである。低屈折率膜344の膜厚は100nm~500nmが望ましく、例えば300nmである。2.固体撮像装置300の製造方法図11に示すように、図5cまで固体撮像装置100と同様に形成した後、レジスト72dを用いて高屈折率膜材料40aをパターニングし、高屈折率膜40を形成する。高屈折率膜40のエッチングは、高屈折率膜40が完全に分離するまで行う。以降は、固体撮像装置100と同様に形成する。3.効果高屈折率膜40の側面41bは広く低屈折率膜344に覆われている。そのため、高屈折率膜40に入った光は、高屈折率膜40と低屈折率膜44との界面で反射されやすく、高屈折率膜40から低屈折率膜44に侵入することが抑制できる。これにより、高屈折率膜40による光の閉じ込めが確実にでき、集光効率を向上できる。[実施の形態4]1.固体撮像装置400の構成図12は、実施の形態4に係る固体撮像装置400の構造を示す平面図である。下記以外の構成は、固体撮像装置100と同じなので説明を省略する。本実施の形態が実施の形態1と異なる主要な点は、低屈折率膜444の開口サイズが異なっている点である。図12に示すように、オンチップカラーフィルター450R,450G,450B以下、区別が必要ないときは450と総称するが形成されており、隣り合うカラーフィルター450R,450G,450B間に低屈折率膜444が形成されている。これらカラーフィルター450はベイヤー配列となっている。ここでは、緑色カラーフィルター450Gが第1開口部に埋め込まれ、赤色のカラーフィルター450R、青色のカラーフィルター450Bが第1開口部よりも小さい第2開口部に埋め込まれている。上面視した場合、第1および第2開口部は市松状に配されている。低屈折率膜444はカラーフィルター50よりも屈折率の低い材料、例えば、屈折率が1.45程度の酸化シリコンからなる。隣り合うカラーフィルター450R,450G,450B間の低屈折率膜444の幅は100nm~400nmが望ましく、例えば200nmである。2.効果カラーフィルター450の大きさを色毎に調整でき、より撮影対象物に近い色の撮像画像を得ることができる。[変形例]本発明に係る固体撮像装置の構成などは、上記実施の形態および変形例に係る固体撮像装置の構成に限定されるものではなく、本発明の効果を奏する範囲において、種々の変形および応用が可能である。そして、技術的思想を逸脱しない範囲において、上述の各工程で使用したプロセスを他の等価なプロセスに置換することが可能である。また、工程順を入れ替えることも、材料種を変更することも可能である。"