基板を収容した処理容器内に処理ガスを供給して前記基板上に薄膜を形成する工程と、前記薄膜を形成する工程を所定回数実施した後、前記処理容器内にクリーニングガスを供給して前記処理容器内をクリーニングする工程と、を有し、前記処理容器内をクリーニングする工程では、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に前記クリーニングガスとして、フッ素含有ガスと、酸素含有ガスと、水素含有ガスとを供給して、前記処理容器内に付着した前記薄膜を含む堆積物を熱化学反応により除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。基板上に薄膜を形成する処理が行われる処理容器を提供する工程と、前記薄膜を形成する処理を所定回数実施した後、前記処理容器内にクリーニングガスを供給して前記処理容器内をクリーニングする工程と、を有し、前記処理容器内をクリーニングする工程では、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に前記クリーニングガスとして、フッ素含有ガスと、酸素含有ガスと、水素含有ガスとを供給して、前記処理容器内に付着した前記薄膜を含む堆積物を熱化学反応により除去することを特徴とするクリーニング方法。基板を収容する処理容器と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、前記処理容器内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給系と、前記処理容器内を加熱するヒータと、前記処理容器内の圧力を調整する圧力調整部と、基板を収容した前記処理容器内に前記処理ガスを供給して前記基板上に薄膜を形成する処理を所定回数実施した後、前記処理容器内に前記クリーニングガスを供給して前記処理容器内をクリーニングするようにし、前記クリーニングの際、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に前記クリーニングガスとして、フッ素含有ガスと、酸素含有ガスと、水素含有ガスとを供給して、前記処理容器内に付着した前記薄膜を含む堆積物を熱化学反応により除去するように前記処理ガス供給系、前記クリーニングガス供給系、前記ヒータおよび前記圧力調整部を制御する制御部と、を有することを特徴とする基板処理装置。ドライクリーニング法において、クリーニングガスを処理容器内に供給する際、処理容器内の温度が高いほど堆積物の除去速度は大きくなるが、反応管等の処理容器内の部材の材料として用いられている石英の除去速度も大きくなるため、石英へのダメージに起因する異物発生等の問題もある。一方、処理容器内の温度が低いほど石英へのダメージも小さくなるが、堆積物の除去速度も小さくなるという問題があり、石英への低ダメージと堆積物の除去速度の向上を両立させるクリーニングを実現する必要があった。従って本発明の目的は、石英へのダメージ低減と堆積物の除去速度の向上を両立させるクリーニングを実現することのできる半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置を提供することにある。本発明の一態様によれば、基板を収容した処理容器内に処理ガスを供給して前記基板上に薄膜を形成する工程と、前記薄膜を形成する工程を所定回数実施した後、前記処理容器内にクリーニングガスを供給して前記処理容器内をクリーニングする工程と、を有し、前記処理容器内をクリーニングする工程では、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に前記クリーニングガスとして、フッ素含有ガスと、酸素含有ガスと、水素含有ガスとを供給して、前記処理容器内に付着した前記薄膜を含む堆積物を熱化学反応により除去する半導体装置の製造方法が提供される。本発明の他の態様によれば、基板上に薄膜を形成する処理が行われる処理容器を提供する工程と、前記薄膜を形成する処理を所定回数実施した後、前記処理容器内にクリーニングガスを供給して前記処理容器内をクリーニングする工程と、を有し、前記処理容器内をクリーニングする工程では、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に前記クリーニングガスとして、フッ素含有ガスと、酸素含有ガスと、水素含有ガスとを供給して、前記処理容器内に付着した前記薄膜を含む堆積物を熱化学反応により除去するクリーニング方法が提供される。本発明の更に他の態様によれば、基板を収容する処理容器と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、前記処理容器内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給系と、前記処理容器内を加熱するヒータと、前記処理容器内の圧力を調整する圧力調整部と、基板を収容した前記処理容器内に前記処理ガスを供給して前記基板上に薄膜を形成する処理を所定回数実施した後、前記処理容器内に前記クリーニングガスを供給して前記処理容器内をクリーニングするようにし、前記クリーニングの際、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に前記クリーニングガスとして、フッ素含有ガスと、酸素含有ガスと、水素含有ガスとを供給して、前記処理容器内に付着した前記薄膜を含む堆積物を熱化学反応により除去するように前記処理ガス供給系、前記クリーニングガス供給系、前記ヒータおよび前記圧力調整部を制御する制御部と、を有する基板処理装置が提供される。本発明に係る半導体装置の製造方法及び基板処理装置によれば、石英へのダメージ低減と堆積物の除去速度の向上を両立させるクリーニングを実現することが可能となる。以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。1基板処理装置の構成図1は、本実施の形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉202部分を縦断面で示しており、図2は本実施の形態で好適に用いられる縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉202部分を図1のA-A線断面図で示している。図1に示されているように、処理炉202は加熱手段加熱機構としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース図示せずに支持されることにより垂直に据え付けられている。なお、ヒータ207は、後述するようにガスを熱で活性化させる活性化機構としても機能する。ヒータ207の内側には、ヒータ207と同心円状に反応容器処理容器を構成する反応管203が配設されている。反応管203は、例えば石英SiO2または炭化シリコンSiC等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管203の筒中空部には処理室201が形成されており、基板としてのウエハ200を後述するボート217によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。処理室201内には、第1ノズル249a、第2ノズル249b、第3ノズル249c、第4ノズル249dが反応管203の下部を貫通するように設けられている。第1ノズル249a、第2ノズル249b、第3ノズル249c、第4ノズル249dには、第1ガス供給管232a、第2ガス供給管232b、第3ガス供給管232c、第4ガス供給管232dが、それぞれ接続されている。このように、反応管203には4本のノズル249a、249b、249c、249dと、4本のガス供給管232a、232b、232c、232dが設けられており、処理室201内へ複数種類のガスを供給することができるように構成されている。第1ガス供給管232aには、上流方向から順に、流量制御器流量制御部であるマスフローコントローラMFC241a、及び開閉弁であるバルブ243aが設けられている。また、第1ガス供給管232aのバルブ243aよりも下流側には、第5ガス供給管232iが接続されている。この第5ガス供給管232iには、上流方向から順に、流量制御器流量制御部であるマスフローコントローラ241i、及び開閉弁であるバルブ243iが設けられている。また、第1ガス供給管232aにおける第5ガス供給管232iとの接続箇所よりも下流側には、第1不活性ガス供給管232eが接続されている。この第1不活性ガス供給管232eには、上流方向から順に、流量制御器流量制御部であるマスフローコントローラ241e、及び開閉弁であるバルブ243eが設けられている。また、第1ガス供給管232aの先端部には、上述の第1ノズル249aが接続されている。第1ノズル249aは、反応管203の内壁とウエハ200との間における円弧状の空間に、反応管203の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ200の積載方向上方に向かって立ち上がるように設けられている。第1ノズル249aはL字型のロングノズルとして構成されている。第1ノズル249aの側面にはガスを供給するガス供給孔250aが設けられている。ガス供給孔250aは反応管203の中心を向くように開口している。このガス供給孔250aは、反応管203の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。主に、第1ガス供給管232a、マスフローコントローラ241a、バルブ243a、第1ノズル249aにより第1ガス供給系が構成される。また、主に、第5ガス供給管232i、マスフローコントローラ241i、バルブ243iにより、第5ガス供給系が構成される。また、主に、第1不活性ガス供給管232e、マスフローコントローラ241e、バルブ243eにより、第1不活性ガス供給系が構成される。第2ガス供給管232bには、上流方向から順に、流量制御器流量制御部であるマスフローコントローラMFC241b、及び開閉弁であるバルブ243bが設けられている。また、第2ガス供給管232bのバルブ243bよりも下流側には、第2不活性ガス供給管232fが接続されている。この第2不活性ガス供給管232fには、上流方向から順に、流量制御器流量制御部であるマスフローコントローラ241f、及び開閉弁であるバルブ243fが設けられている。また、第2ガス供給管232bの先端部には、上述の第2ノズル249bが接続されている。第2ノズル249bは、反応管203の内壁とウエハ200との間における円弧状の空間に、反応管203の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ200の積載方向上方に向かって立ち上がるように設けられている。第2ノズル249bはL字型のロングノズルとして構成されている。第2ノズル249bの側面にはガスを供給するガス供給孔250bが設けられている。ガス供給孔250bは反応管203の中心を向くように開口している。このガス供給孔250bは、反応管20の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。主に、第2ガス供給管232b、マスフローコントローラ241b、バルブ243b、第2ノズル249bにより第2ガス供給系が構成される。また、主に、第2不活性ガス供給管232f、マスフローコントローラ241f、バルブ243fにより第2不活性ガス供給系が構成される。第3ガス供給管232cには、上流方向から順に、流量制御器流量制御部であるマスフローコントローラMFC241c、及び開閉弁であるバルブ243cが設けられている。また、第3ガス供給管232cのバルブ243cよりも下流側には、第3不活性ガス供給管232gが接続されている。この第3不活性ガス供給管232gには、上流方向から順に、流量制御器流量制御部であるマスフローコントローラ241g、及び開閉弁であるバルブ243gが設けられている。また、第3ガス供給管232cの先端部には、上述の第3ノズル249cが接続されている。第3ノズル249cは、反応管203の内壁とウエハ200との間における円弧状の空間に、反応管203の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ200の積載方向上方に向かって立ち上がるように設けられている。第3ノズル249cはL字型のロングノズルとして構成されている。第3ノズル249cの側面にはガスを供給するガス供給孔250cが設けられている。ガス供給孔250cは反応管203の中心を向くように開口している。このガス供給孔250cは、反応管203の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。主に、第3ガス供給管232c、マスフローコントローラ241c、バルブ243c、第3ノズル249cにより第3ガス供給系が構成される。また、主に、第3不活性ガス供給管232g、マスフローコントローラ241g、バルブ243gにより第3不活性ガス供給系が構成される。第4ガス供給管232dには、上流方向から順に、流量制御器流量制御部であるマスフローコントローラMFC241d、及び開閉弁であるバルブ243dが設けられている。また、第4ガス供給管232dのバルブ243dよりも下流側には、第6ガス供給管232jが接続されている。この第6ガス供給管232jには、上流方向から順に、流量制御器流量制御部であるマスフローコントローラ241j、及び開閉弁であるバルブ243jが設けられている。また、第4ガス供給管232dにおける第6ガス供給管232jとの接続箇所よりも下流側には、第4不活性ガス供給管232hが接続されている。この第4不活性ガス供給管232hには、上流方向から順に、流量制御器流量制御部であるマスフローコントローラ241h、及び開閉弁であるバルブ243hが設けられている。また、第4ガス供給管232dの先端部には上述の第4ノズル249dが接続されている。第4ノズル249dは、ガス分散空間であるバッファ室237内に設けられている。バッファ室237は反応管203の内壁とウエハ200との間における円弧状の空間に、反応管203内壁の下部より上部にわたる部分に、ウエハ200の積載方向に沿って設けられている。バッファ室237のウエハ200と隣接する壁の端部にはガスを供給するガス供給孔250eが設けられている。ガス供給孔250eは反応管203の中心を向くように開口している。このガス供給孔250eは、反応管203の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。第4ノズル249dは、バッファ室237のガス供給孔250eが設けられた端部と反対側の端部に、反応管203の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ200の積載方向上方に向かって立ち上がるように設けられている。第4ノズル249dはL字型のロングノズルとして構成されている。第4ノズル249dの側面にはガスを供給するガス供給孔250dが設けられている。ガス供給孔250dはバッファ室237の中心を向くように開口している。このガス供給孔250dは、バッファ室237のガス供給孔250eと同様に、反応管203の下部から上部にわたって複数設けられている。この複数のガス供給孔250dのそれぞれの開口面積は、バッファ室237内と処理室201内の差圧が小さい場合には、上流側下部から下流側上部まで、それぞれ同一の開口面積で同一の開口ピッチとするとよいが、差圧が大きい場合には上流側から下流側に向かって、それぞれ開口面積を大きくするか、開口ピッチを小さくするとよい。本実施形態においては、第4ノズル249dのガス供給孔250dのそれぞれの開口面積や開口ピッチを、上流側から下流側にかけて上述のように調節することで、まず、ガス供給孔250dのそれぞれから、流速の差はあるものの、流量がほぼ同量であるガスを噴出させる。そしてこのガス供給孔250dのそれぞれから噴出するガスを、一旦、バッファ室237内に導入し、バッファ室237内においてガスの流速差の均一化を行うこととした。すなわち、第4ノズル249dのガス供給孔250dのそれぞれよりバッファ室237内に噴出したガスはバッファ室237内で各ガスの粒子速度が緩和された後、バッファ室237のガス供給孔250eより処理室201内に噴出する。これにより、第4ノズル249dのガス供給孔250dのそれぞれよりバッファ室237内に噴出したガスは、バッファ室237のガス供給孔250eのそれぞれより処理室201内に噴出する際には、均一な流量と流速とを有するガスとなる。主に、第4ガス供給管232d、マスフローコントローラ241d、バルブ243d、第4ノズル249d、バッファ室237により第4ガス供給系が構成される。また、主に、第6ガス供給管232j、マスフローコントローラ241j、バルブ243j、第4ノズル249d、バッファ室237により、第6ガス供給系が構成される。また、主に、第4不活性ガス供給管232h、マスフローコントローラ241h、バルブ243hにより第4不活性ガス供給系が構成される。第1ガス供給管232aからは、例えば、シリコン原料ガス、すなわちシリコンSiを含むガスシリコン含有ガスが、マスフローコントローラ241a、バルブ243a、第1ノズル249aを介して処理室201内に供給される。シリコン含有ガスとしては、例えばヘキサクロロジシランSi2Cl6、略称:HCDガスを用いることができる。なお、HCDのように常温常圧下で液体状態である液体原料を用いる場合は、液体原料を気化器やバブラ等の気化システムにより気化して、原料ガスとして供給することとなる。第2ガス供給管232bからは、例えばカーボンCすなわち炭素を含むガス炭素含有ガスが、マスフローコントローラ241b、バルブ243b、第2ノズル249bを介して処理室201内に供給される。炭素含有ガスとしては、例えばプロピレンC3H6ガスを用いることができる。第3ガス供給管232cからは、例えば窒素Nを含むガス窒素含有ガスが、マスフローコントローラ241c、バルブ243c、第3ノズル249cを介して処理室201内に供給される。窒素含有ガスとしては、例えばアンモニアNH3ガスを用いることができる。第4ガス供給管232dからは、例えば酸素Oを含むガス酸素含有ガスが、マスフローコントローラ241d、バルブ243d、第4ノズル249d、バッファ室237を介して処理室201内に供給される。酸素含有ガスとしては、例えば酸素O2ガスや亜酸化窒素N2Oガスを用いることができる。第5ガス供給管232iからは、クリーニングガスとしての例えばフッ素Fを含むガスフッ素含有ガスが、マスフローコントローラ241i、バルブ243i、第1ノズル249aを介して処理室201内に供給される。クリーニングガスとしては、例えばフッ化窒素NF3ガス、フッ素F2ガス、フッ化塩素ClF3ガス、フッ化水素HFガス等を用いることができる。第6ガス供給管232jからは、例えば水素Hを含むガス水素含有ガスが、マスフローコントローラ241j、バルブ243j、第4ノズル249d、バッファ室237を介して処理室201内に供給される。水素含有ガスとしては、例えば水素H2ガスを用いることができる。不活性ガス供給管232e、232f、232g、232hからは、例えば窒素N2ガスが、それぞれマスフローコントローラ241e、241f、241g、241h、バルブ243e、243f、243g、243h、ガス供給管232a、232b、232c、232d、ガスノズル249a、249b、249c、249dおよびバッファ室237を介して処理室201内に供給される。なお、例えば各ガス供給管から上述のようなガスをそれぞれ流す場合、第1ガス供給系により原料ガス供給系、すなわちシリコン含有ガス供給系シラン系ガス供給系が構成される。また、第2ガス供給系により炭素含有ガス供給系が構成される。また、第3ガス供給系により窒素含有ガス供給系が構成される。また、第4ガス供給系により酸素含有ガス供給系が構成される。また、第5ガス供給系によりフッ素含有ガス供給系が構成される。また、第6ガス供給系により水素含有ガス供給系が構成される。なお、シリコン含有ガス、炭素含有ガス、および、窒素含有ガスを総称して処理ガスと称する場合、シリコン含有ガス供給系、炭素含有ガス供給系、および、窒素含有ガス供給系により処理ガス供給系が構成される。また、炭素含有ガス、および、窒素含有ガスを総称して反応ガスと称する場合、炭素含有ガス供給系、および、窒素含有ガス供給系により反応ガス供給系が構成される。また、フッ素含有ガス、酸素含有ガス、および、水素含有ガスを総称してクリーニングガスと称する場合、フッ素含有ガス供給系、酸素含有ガス供給系、および、水素含有ガス供給系によりクリーニングガス供給系が構成される。また、酸素含有ガス、および、水素含有ガスを総称して添加ガスと称する場合、酸素含有ガス供給系、および、水素含有ガス供給系により添加ガス供給系が構成される。バッファ室237内には、図2に示すように、細長い構造を有する第1の電極である第1の棒状電極269及び第2の電極である第2の棒状電極270が、反応管203の下部より上部にわたりウエハ200の積層方向に沿って配設されている。第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270のそれぞれは、第4ノズル249dと平行に設けられている。第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270のそれぞれは、上部より下部にわたって各電極を保護する保護管である電極保護管275により覆われることで保護されている。この第1の棒状電極269又は第2の棒状電極270のいずれか一方は整合器272を介して高周波電源273に接続され、他方は基準電位であるアースに接続されている。この結果、第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270間のプラズマ生成領域224にプラズマが生成される。主に、第1の棒状電極269、第2の棒状電極270、電極保護管275、整合器272、高周波電源273によりプラズマ発生器プラズマ発生部としてのプラズマ源が構成される。なお、プラズマ源は、後述するようにガスをプラズマで活性化させる活性化機構として機能する。電極保護管275は、第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270のそれぞれをバッファ室237の雰囲気と隔離した状態でバッファ室237内に挿入できる構造となっている。ここで、電極保護管275の内部は外気大気と同一雰囲気であると、電極保護管275にそれぞれ挿入された第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270はヒータ207による熱で酸化されてしまう。そこで、電極保護管275の内部には窒素などの不活性ガスを充填あるいはパージし、酸素濃度を充分低く抑えて第1の棒状電極269又は第2の棒状電極270の酸化を防止するための不活性ガスパージ機構が設けられている。反応管203には、処理室201内の雰囲気を排気する排気管231が設けられている。排気管231には処理室201内の圧力を検出する圧力検出器圧力検出部としての圧力センサ245および圧力調整器圧力調整部としてのAPCAutoPressureControllerバルブ244を介して真空排気装置としての真空ポンプ246が接続されており、処理室201内の圧力が所定の圧力真空度となるよう真空排気し得るように構成されている。なお、APCバルブ244は弁を開閉して処理室201内の真空排気真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能となっている開閉弁である。主に、排気管231、APCバルブ244、真空ポンプ246、圧力センサ245により排気系が構成される。反応管203の下方には、反応管203の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ219が設けられている。シールキャップ219は反応管203の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ219は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ219の上面には反応管203の下端と当接するシール部材としてのOリング220が設けられている。シールキャップ219の処理室201と反対側には、ボートを回転させる回転機構267が設置されている。回転機構267の回転軸255はシールキャップ219を貫通して、後述するボート217に接続されており、ボート217を回転させることでウエハ200を回転させるように構成されている。シールキャップ219は反応管203の外部に垂直に設置された昇降機構としてのボートエレベータ115によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート217を処理室201内に対し搬入搬出することが可能となっている。基板支持具としてのボート217は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ200を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に支持するように構成されている。なおボート217の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる断熱部材218が設けられており、ヒータ207からの熱がシールキャップ219側に伝わりにくくなるよう構成されている。なお、断熱部材218は、石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる複数枚の断熱板と、これらを水平姿勢で多段に支持する断熱板ホルダとにより構成してもよい。反応管203内には温度検出器としての温度センサ263が設置されており、温度センサ263により検出された温度情報に基づきヒータ207への通電具合を調整することで、処理室201内の温度が所望の温度分布となるように構成されている。温度センサ263は、ノズル249a、249b、249c、249dと同様にL字型に構成されており、反応管203の内壁に沿って設けられている。制御部制御手段であるコントローラ121は、マスフローコントローラ241a、241b、241c、241d、241e、241f、241g、241h、241i、241j、バルブ243a、243b、243c、243d、243e、243f、243g、243h、243i、243j、圧力センサ245、APCバルブ244、真空ポンプ246、ヒータ207、温度センサ263、回転機構267、ボートエレベータ115、高周波電源273、整合器272等に接続されている。コントローラ121により、マスフローコントローラ241a、241b、241c、241d、241e、241f、241g、241h、241i、241jによる各種ガスの流量調整動作、バルブ243a、243b、243c、243d、243e、243f、243g、243h、243i、243jの開閉動作、APCバルブ244の開閉及び圧力センサ245に基づく圧力調整動作、温度センサ263に基づくヒータ207の温度調整動作、真空ポンプ246の起動停止、回転機構267の回転速度調節動作、ボートエレベータ115の昇降動作等の制御や、高周波電源273の電力供給制御、整合器272によるインピーダンス制御が行われる。2成膜工程次に、上述の基板処理装置の処理炉を用いて半導体装置デバイスの製造工程の一工程として、基板上に絶縁膜としてのシリコン炭窒化膜SiCN膜を成膜する例について説明する。尚、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。本実施形態では、ウエハ200を収容した処理容器内にCVD反応が生じる条件下でシリコン含有ガスを供給することで、ウエハ200上にシリコン含有層を形成する工程と、処理容器内に炭素含有ガスを供給することで、シリコン含有層の上に炭素含有層を形成して、シリコンおよび炭素を含む層を形成する工程と、処理容器内に窒素含有ガスを供給することで、シリコンおよび炭素を含む層を窒化してシリコン炭窒化層を形成する工程と、を1サイクルとして、このサイクルを1回以上行うことで、ウエハ200上に所定膜厚のシリコン炭窒化膜を形成する工程を有する。以下、本実施形態に係る基板処理工程を具体的に説明する。なお、ここでは、シリコン含有ガスとしてHCDガスを、炭素含有ガスとしてC3H6ガスを、窒素含有ガスとしてNH3ガスを用い、図3のシーケンスにより、ウエハ200上に絶縁膜としてシリコン炭窒化膜SiCN膜を形成する例について説明する。複数枚のウエハ200がボート217に装填ウエハチャージされると、図1に示されているように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内に搬入ボートロードされる。この状態で、シールキャップ219はOリング220を介して反応管203の下端をシールした状態となる。処理室201内が所望の圧力真空度となるように真空ポンプ246によって真空排気される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される圧力調整。また、処理室201内が所望の温度となるようにヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される温度調整。続いて、回転機構267により、ボート217が回転されることで、ウエハ200が回転されるウエハ回転。その後、後述する3つのステップを順次実行する。[ステップ1]第1ガス供給管232aのバルブ243aを開き、第1ガス供給管232a内にHCDガスを流す。第1ガス供給管232a内を流れたHCDガスは、マスフローコントローラ241aにより流量調整される。流量調整されたHCDガスは第1ノズル249aのガス供給孔250aから処理室201内に供給され排気管231から排気される。このとき、同時にバルブ243eを開き、第1不活性ガス供給管232e内にN2ガス等の不活性ガスを流す。第1不活性ガス供給管232e内を流れたN2ガスは、マスフローコントローラ241eにより流量調整される。流量調整されたN2ガスはHCDガスと一緒に処理室201内に供給され排気管231から排気される。このとき、APCバルブ244を適正に調整して、処理室201内の圧力を、例えば10~1000Paの範囲内の圧力とする。マスフローコントローラ241aで制御するHCDガスの供給流量は、例えば10~1000sccmの範囲内の流量とする。マスフローコントローラ241eで制御するN2ガスの供給流量は、例えば200~2000sccmの範囲内の流量とする。HCDガスをウエハ200に晒す時間、すなわちガス供給時間照射時間は、例えば1~120秒間の範囲内の時間とする。このときヒータ207の温度は、処理室201内でCVD反応が生じる程度の温度、すなわちウエハ200の温度が、例えば300~700°Cの範囲内の温度となるような温度に設定する。なお、ウエハ200の温度が300°C未満となるとウエハ200上にHCDが吸着しにくくなる。また、ウエハ200の温度が700°Cを超えるとCVD反応が強くなり、均一性が悪化しやすくなる。よって、ウエハ200の温度は300~700°Cの範囲内の温度とするのが好ましい。HCDガスの供給により、ウエハ200表面の下地膜上に、シリコンを含む第1の層が形成される。すなわち、ウエハ200上下地膜上に1原子層未満から数原子層のシリコン含有層としてのシリコン層Si層が形成される。シリコン含有層はHCDの化学吸着層であってもよい。なお、シリコンは、それ単独で固体となる元素である。ここでシリコン層とはシリコンにより構成される連続的な層の他、不連続な層やこれらが重なってできる薄膜をも含む。なお、シリコンにより構成される連続的な層を薄膜という場合もある。また、HCDの化学吸着層とはHCD分子の連続的な化学吸着層の他、不連続な化学吸着層をも含む。なお、1原子層未満の層とは不連続に形成される原子層のことを意味している。ウエハ200上に形成されるシリコン含有層の厚さが数原子層を超えると、後述するステップ3での窒化の作用がシリコン含有層の全体に届かなくなる。また、ウエハ200上に形成可能なシリコン含有層の最小値は1原子層未満である。よって、シリコン含有層の厚さは1原子層未満から数原子層とするのが好ましい。なお、HCDガスが自己分解する条件下では、ウエハ200上にシリコンが堆積することでシリコン層、すなわちシリコン堆積層が形成され、HCDガスが自己分解しない条件下では、ウエハ200上にHCDが化学吸着することでHCDの化学吸着層が形成される。なお、ウエハ200上にHCDの化学吸着層を形成するよりも、ウエハ200上にシリコン層を形成する方が、成膜レートを高くすることができ好ましい。シリコン含有層が形成された後、バルブ243aを閉じ、HCDガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ244は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはシリコン含有層形成に寄与した後のHCDガスを処理室201内から排除する。なお、この時バルブ243eは開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。これにより、処理室201内に残留する未反応もしくはシリコン含有層形成に寄与した後のHCDガスを処理室201内から排除する効果を高める。シリコン含有ガスとしては、HCDガスの他、テトラクロロシランSiCl4、略称:STCガス、トリクロロシランSiHCl3、略称:TCSガス、ジクロロシランSiH2Cl2、略称:DCSガス、モノクロロシランSiH3Cl、略称:MCSガス、モノシランSiH4ガス等の無機原料だけでなく、アミノシラン系のテトラキスジメチルアミノシランSi[NCH32]4、略称:4DMASガス、トリスジメチルアミノシランSi[NCH32]3H、略称:3DMASガス、ビスジエチルアミノシランSi[NC2H52]2H2、略称:2DEASガス、ビスターシャリーブチルアミノシランSiH2[NHC4H9]2、略称:BTBASガスなどの有機原料を用いてもよい。不活性ガスとしては、N2ガスの他、Arガス、Heガス、Neガス、Xeガス等の希ガスを用いてもよい。[ステップ2]ステップ1が終了し処理室201内の残留ガスを除去した後、第2ガス供給管232bのバルブ243bを開き、第2ガス供給管232b内にC3H6ガスを流す。第2ガス供給管232b内を流れたC3H6ガスは、マスフローコントローラ241bにより流量調整される。流量調整されたC3H6ガスは第2ノズル249bのガス供給孔250bから処理室201内へ供給され排気管231から排気される。なお、処理室201内に供給されたC3H6ガスは熱により活性化される。この時同時にバルブ243fを開き、不活性ガス供給管232f内にN2ガスを流す。N2ガスはC3H6ガスと一緒に処理室201内へ供給され排気管231から排気される。このときAPCバルブ244を適正に調整して、処理室201内の圧力を、例えば50~3000Paの範囲内の圧力とする。マスフローコントローラ241bで制御するC3H6ガスの供給流量は、例えば100~10000sccmの範囲内の流量とする。マスフローコントローラ241fで制御するN2ガスの供給流量は例えば200~2000sccmの範囲内の流量とする。このとき、処理室201内におけるC3H6ガスの分圧は、6~2940Paの範囲内の圧力とする。C3H6ガスをウエハ200に晒す時間、すなわちガス供給時間照射時間は、例えば1~120秒間の範囲内の時間とする。このときのヒータ207の温度は、ステップ1と同様、ウエハ200の温度が300~700°Cの範囲内の温度となるような温度に設定する。なお、C3H6ガスは熱で活性化させて供給した方が、ソフトな反応を生じさせることができ、後述する炭素含有層の形成が容易となる。このとき、処理室201内に流しているガスは熱的に活性化されたC3H6ガスであり、処理室201内にはHCDガスは流していない。したがって、C3H6ガスは気相反応を起こすことはなく、活性化された状態でウエハ200に対して供給され、このとき、ステップ1でウエハ200上に形成されたシリコン含有層の上に1原子層未満の炭素含有層、すなわち不連続な炭素含有層が形成される。これによりシリコンおよび炭素を含む第2の層が形成される。なお、条件によってはシリコン含有層の一部とC3H6ガスとが反応して、シリコン含有層が改質炭化されてシリコンおよび炭素を含む第2の層が形成される場合もある。シリコン含有層の上に形成する炭素含有層は、炭素層C層であってもよいし、C3H6の化学吸着層、すなわち、C3H6が分解した物質CxHyの化学吸着層であってもよい。ここで、炭素層は炭素により構成される不連続な層とする必要がある。また、CxHyの化学吸着層はCxHy分子の不連続な化学吸着層とする必要がある。なお、シリコン含有層の上に形成する炭素含有層を連続的な層とした場合、例えばCxHyのシリコン含有層上への吸着状態を飽和状態として、シリコン含有層上にCxHyの連続的な化学吸着層を形成した場合、シリコン含有層の表面が全体的にCxHyの化学吸着層により覆われることとなる。この場合、第2の層の表面にシリコンが存在しなくなり、後述するステップ3での第2の層の窒化反応が困難となる。窒素はシリコンとは結合するが、炭素とは結合しないからである。後述するステップ3で所望の窒化反応を生じさせるためには、CxHyのシリコン含有層上への吸着状態を不飽和状態として、第2の層の表面にシリコンが露出した状態とする必要がある。なお、CxHyのシリコン含有層上への吸着状態を不飽和状態とするには、ステップ2における処理条件を上述の処理条件とすればよいが、さらにステップ2における処理条件を次の処理条件とすることで、CxHyのシリコン含有層上への吸着状態を不飽和状態とすることが容易となる。ウエハ温度:500~630°C処理室内圧力:133~2666PaC3H6ガス分圧:67~2820PaC3H6ガス供給流量:1000~5000sccmN2ガス供給流量:300~1000sccmC3H6ガス供給時間:6~100秒その後、第2ガス供給管232bのバルブ243bを閉じて、C3H6ガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ244は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくは炭素含有層形成に寄与した後のC3H6ガスを処理室201内から排除する。なお、この時バルブ243fは開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。これにより、処理室201内に残留する未反応もしくは炭素含有層形成に寄与した後のC3H6ガスを処理室201内から排除する効果を高める。炭素含有ガスとしては、C3H6ガス以外に、エチレンC2H4ガスやアセチレンC2H2ガス等を用いてもよい。[ステップ3]処理室201内の残留ガスを除去した後、第3ガス供給管232cのバルブ243cを開き、第3ガス供給管232c内にNH3ガスを流す。第3ガス供給管232c内を流れたNH3ガスは、マスフローコントローラ241cにより流量調整される。流量調整されたNH3ガスは第3ノズル249cのガス供給孔250cから処理室201内に供給され排気管231から排気される。なお、処理室201内に供給されたNH3ガスは熱により活性化される。この時同時にバルブ243gを開き不活性ガス供給管232g内にN2ガスを流す。N2ガスはNH3ガスと一緒に処理室201内に供給され排気管231から排気される。NH3ガスを熱で活性化して流すときは、APCバルブ244を適正に調整して、処理室201内の圧力を、例えば50~3000Paの範囲内の圧力とする。マスフローコントローラ241dで制御するNH3ガスの供給流量は、例えば100~10000sccmの範囲内の流量とする。マスフローコントローラ241gで制御するN2ガスの供給流量は、例えば200~2000sccmの範囲内の流量とする。このとき、処理室201内におけるNH3ガスの分圧は、6~2940Paの範囲内の圧力とする。NH3ガスにウエハ200を晒す時間、すなわちガス供給時間照射時間は、例えば1~120秒間の範囲内の時間とする。このときのヒータ207の温度は、ステップ1と同様、ウエハ200の温度が300~700°Cの範囲内の温度となるような温度に設定する。NH3ガスは反応温度が高く、上記のようなウエハ温度では反応しづらいので、処理室201内の圧力を上記のような比較的高い圧力とすることにより熱的に活性化することを可能としている。なお、NH3ガスは熱で活性化させて供給した方が、ソフトな反応を生じさせることができ、後述する窒化をソフトに行うことができる。このとき、処理室201内に流しているガスは熱的に活性化されたNH3ガスであり、処理室201内にはHCDガスもC3H6ガスも流していない。したがって、NH3ガスは気相反応を起こすことはなく、活性化されたNH3ガスは、ステップ2でウエハ200上に形成された第2の層としてのシリコンおよび炭素を含む層の一部と反応する。これにより第2の層はノンプラズマで熱的に窒化されて、シリコン、炭素および窒素を含む第3の層、すなわち、シリコン炭窒化層SiCN層へと改質される。このとき、第2の層の窒化反応は飽和させないようにする。例えばステップ1で数原子層のシリコン層を形成し、ステップ2で1原子層未満の炭素含有層を形成した場合は、その表面層表面の1原子層の一部を窒化させる。すなわち、その表面層のうちの窒化が生じ得る領域シリコンが露出した領域の一部もしくは全部を窒化させる。この場合、第2の層の全体を窒化させないように、第2の層の窒化反応が不飽和となる条件下で窒化を行う。なお、条件によっては第2の層の表面層から下の数層を窒化させることもできるが、その表面層だけを窒化させる方が、シリコン炭窒化膜の組成比の制御性を向上させることができ好ましい。また、例えばステップ1で1原子層または1原子層未満のシリコン層を形成し、ステップ2で1原子層未満の炭素含有層を形成した場合も、同様にその表面層の一部を窒化させる。この場合も、第2の層の全体を窒化させないように、第2の層の窒化反応が不飽和となる条件下で窒化を行う。なお、第2の層の窒化反応を不飽和とするには、ステップ3における処理条件を上述の処理条件とすればよいが、さらにステップ3における処理条件を次の処理条件とすることで、第2の層の窒化反応を不飽和とすることが容易となる。ウエハ温度:500~630°C処理室内圧力:133~2666PaNH3ガス分圧:67~2820PaNH3ガス供給流量:1000~5000sccmN2ガス供給流量:300~1000sccmNH3ガス供給時間:6~100秒その後、第3ガス供給管232cのバルブ243cを閉じて、NH3ガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ244は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくは窒化に寄与した後のNH3ガスを処理室201内から排除する。なお、この時バルブ243gは開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。これにより、処理室201内に残留する未反応もしくは窒化に寄与した後のNH3ガスを処理室201内から排除する効果を高める。窒素含有ガスとしては、NH3ガス以外に、ジアジンN2H2ガス、ヒドラジンN2H4ガス、N3H8ガス等のガスや、トリメチルアミンNCH33ガス、トリエチルアミンNC2H53ガス等のアミン系化合物を用いてもよい。上述したステップ1~3を1サイクルとして、このサイクルを1回以上所定回数行うことにより、ウエハ200上に所定膜厚のシリコン、炭素および窒素を含む薄膜、すなわち、シリコン炭窒化膜SiCN膜を成膜することができる。なお、上述のサイクルは、複数回実施するのが好ましい。このとき、各ステップにおける処理室201内の圧力やガス供給時間等の処理条件を制御することで、SiCN層における各元素成分、すなわちシリコン成分、炭素成分、窒素成分の割合、すなわち、シリコン濃度、炭素濃度、窒素濃度を調整することができ、SiCN膜の組成比を制御することができる。所定膜厚のSiCN膜を形成する成膜処理がなされると、N2等の不活性ガスが処理室201内へ供給され排気されることで処理室201内が不活性ガスでパージされるガスパージ。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され不活性ガス置換、処理室201内の圧力が常圧に復帰される大気圧復帰。その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されて、反応管203の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ200がボート217に支持された状態で反応管203の下端から反応管203の外部に搬出ボートアンロードされる。その後、処理済のウエハ200はボート217より取り出されるウエハディスチャージ。なお、上述の基板処理工程において、ステップ1及びステップ3を1サイクルとして、このサイクルを1回以上行うことにより、ウエハ200上に所定膜厚のシリコンおよび窒素を含む薄膜、すなわち、シリコン窒化膜SiN膜を成膜することもできる。係る場合においても、上述のサイクルは複数回実施するのが好ましい。また、ステップ1を単独で行うことによりウエハ200上に所定膜厚のシリコンを含む薄膜、すなわち、ポリシリコン膜Poly-Si膜やアモルファスシリコン膜a-Si膜等のシリコン膜Si膜を成膜することもできる。3クリーニング工程次に、処理室201内をクリーニングする方法について説明する。尚、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。上述の成膜工程を繰り返すと、反応管203の内壁等の処理室201内にもSiCN等の薄膜が累積する。すなわち、この薄膜を含む堆積物がこの内壁等に付着する。この内壁等に付着した堆積物累積した薄膜の厚さが、堆積物に剥離落下が生じる前の所定の厚さに達した時点で、処理室201内のクリーニングが行われる。クリーニングは、所定の温度に加熱された大気圧未満の圧力雰囲気下にある処理室201内に、クリーニングガスとして、フッ素含有ガスと、酸素含有ガスと、水素含有ガスとを混合して供給して、処理室201内に付着したSiCN等の薄膜を含む堆積物を熱化学反応により除去することにより行う。以下、本実施形態に係るクリーニング工程を具体的に説明する。なお、ここでは、フッ素含有ガスとしてNF3ガスを、酸素含有ガスとしてO2ガスを、水素含有ガスとしてH2スを用いて、処理室201内に付着したSiCN等の薄膜を含む堆積物を、ノンプラズマの雰囲気下で、サーマルエッチングにより除去する例について説明する。空のボート217、すなわちウエハ200を装填していないボート217が、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内に搬入ボートロードされる。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220を介して反応管203の下端をシールした状態となる。処理室201内が所望の圧力真空度となるように真空ポンプ246によって真空排気される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される。また、処理室201内が所望の温度となるように、ヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内の温度が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される。処理室201内の圧力、温度が、それぞれ所定の圧力、所定の温度に到達したら、その圧力、温度が維持されるように制御が行われる。続いて、回転機構267によりボート217が回転される。尚、ボート217は回転させなくてもよい。次いで、処理室201内の温度、圧力が、それぞれ所定の温度、所定の圧力に維持された状態で、第5ガス供給管232iのバルブ243iを開き、第5ガス供給管232i内にNF3ガスを流す。第5ガス供給管232i内を流れたNF3ガスは、マスフローコントローラ241iにより流量調整される。流量調整されたNF3ガスは、第1ガス供給管232a内を流れ、第1ノズル249aのガス供給孔250aから処理室201内に供給され排気管231から排気される。このとき、バルブ243eを開き、第1不活性ガス供給管232e内にN2ガス等の不活性ガスを流し、NF3ガスを希釈するようにしてもよい。第1不活性ガス供給管232e内を流れたN2ガスは、マスフローコントローラ241eにより流量調整される。流量調整されたN2ガスはNF3ガスと一緒に処理室201内に供給され排気管231から排気される。N2ガスの供給流量を制御することで、NF3ガスの濃度を制御することもできる。このとき、同時にバルブ243dを開き、第4ガス供給管232d内にO2ガスを流す。第4ガス供給管232d内を流れたO2ガスは、マスフローコントローラ241dにより流量調整される。流量調整されたO2ガスは、第4ガス供給管232d内を流れ、第4ノズル249dのガス供給孔250dから加熱された減圧状態のバッファ室237内に供給される。また、このとき同時にバルブ243jを開き、第6ガス供給管232j内にH2ガスを流す。第6ガス供給管232j内を流れたH2ガスは、マスフローコントローラ241jにより流量調整される。流量調整されたH2ガスは、第6ガス供給管232j内、第4ガス供給管232d内を流れ、第4ノズル249dのガス供給孔250dから加熱された減圧状態のバッファ室237内に供給される。なお、H2ガスは第4ガス供給管232dを経由する際に第4ガス供給管232d内でO2ガスと混合される。すなわち、第4ノズル249dからは、O2ガスとH2ガスの混合ガスが供給されることとなる。バッファ室237内に供給されたO2ガスとH2ガスの混合ガスは、バッファ室237のガス供給孔250eから、加熱された減圧状態の処理室201内に供給され排気管231から排気される。このとき、第4不活性ガス供給管232hのバルブ243hを開き、第4不活性ガス供給管232hから不活性ガスとしてN2ガスを供給するようにしてもよい。N2ガスはマスフローコントローラ241hにより流量調整されて、第4ガス供給管232d内に供給される。この場合、第4ノズル249d、バッファ室237からは、O2ガスとH2ガスとN2ガスの混合ガスが供給されることとなる。なお、不活性ガスとしては、N2ガスの他、Ar、He、Ne、Xe等の希ガスを用いてもよい。このように、処理室201内には、第1ノズル249aからNF3ガスが導入されるとともに、バッファ室237からO2ガスとH2ガスとの混合ガスが導入される。すなわち、NF3ガスにO2ガスとH2ガスとが添加されて処理室201内に供給され排気管231から排気される。処理室201内に導入されたNF3ガス、O2ガス、H2ガスは、処理室201内を通過する際に反応管203の内壁やボート217の表面に累積したSiCNやSiN等の薄膜を含む堆積物と接触し、この際に、ノンプラズマの雰囲気下で熱化学反応により薄膜が除去される。すなわち、NF3ガス、O2ガス、H2ガスの熱分解やこれらのガス同士の反応により生じる活性種等のエッチング種と堆積物とのエッチング反応により薄膜が除去される。なお、NF3ガスに、O2ガスとH2ガスとを同時に添加することによって、後述する作用により、堆積物のエッチング速度を向上させることが可能となる。なお、このときNF3ガスは、第1ノズル249a内を通過する際に、第1ノズル249aの内壁に累積したSiを含む堆積物とも接触し、この際に、このSiを含む堆積物も除去されることとなる。予め設定された薄膜のエッチング時間が経過し、処理室201内のクリーニングが終了すると、バルブ243i、243d、243jを閉じることで、NF3ガス、O2ガス、H2ガスの処理室201内への供給を停止する。その後、処理室201内にN2ガスが供給され排気管231から排気されることで処理室201内がパージされる。尚、クリーニング工程における薄膜のエッチング条件としては、処理室内の温度:300°C~700°C、好ましくは400~600°C、処理室内の圧力:133Pa1Torr~53200Pa400Torr、NF3ガス供給流量:0.1~5slm、O2ガス供給流量:0.05~2.5slm、H2ガス供給流量:0.05~2.5slm、N2ガス供給流量:0~20slmが例示され、それぞれのエッチング条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することで薄膜のエッチング、すなわちサーマルエッチングがなされる。なお、クリーニング工程においては、O2ガスとH2ガスのうち少なくとも何れか一方または両方をプラズマで活性化させて流すこともできる。O2ガスおよび/またはH2ガスをプラズマで活性化させて流すことで、よりエネルギーの高い反応種を生成することができ、この反応種をNF3ガスに添加することで、エッチング速度をより高くする等の効果も考えられる。例えば、O2ガスとH2ガスの両方をプラズマで活性化させる場合、第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270間に高周波電源273から整合器272を介して高周波電力を印加することで、バッファ室237内に供給されたO2ガスとH2ガスの混合ガスはプラズマ励起され、活性種としてガス供給孔250eから処理室201内に供給され排気管231から排気される。このとき、高周波電源273から第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270間に印加する高周波電力は、例えば50~1000Wの範囲内の電力となるように設定する。その他の処理条件は、上述の処理条件と同様とする。なお、上述の温度帯では、O2ガスとH2ガスとは熱で活性化されて十分に反応し、十分な量の反応種が生成される。よって、O2ガスとH2ガスとをノンプラズマで熱的に活性化させても十分なエッチング速度向上効果が得られる。なお、O2ガスとH2ガスは熱で活性化させて供給した方が、ソフトな反応を生じさせることができ、上述のエッチング処理をソフトに行うことができ、堆積物をより均一に除去できることとなる。また、O2ガスとH2ガスとをノンプラズマで熱的に活性化させてサーマルエッチングによりクリーニングを行う場合、プラズマ源が不要となる。なお、フッ素含有ガスとしては、NF3ガス以外に、F2ガス、ClF3ガス、HFガス等を用いてもよい。また、酸素含有ガスとしては、O2ガス以外に、オゾンO3ガス、一酸化窒素NOガス、亜酸化窒素N2Oガス等を用いてもよい。また、水素含有ガスとしては、H2ガス以外に、重水素D2ガス、アンモニアNH3ガス、メタンCH4ガス等を用いてもよい。3本実施形態に係る効果本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果を奏する。本実施形態によれば、加熱された大気圧未満の圧力雰囲気下にある反応管203内にクリーニングガスとして、フッ素含有ガスNF3ガスと、酸素含有ガスO2ガスと、水素含有ガスH2ガスとを混合して供給し、反応管203内に付着した薄膜SiCNやSiN等の薄膜を含む堆積物を除去するようにしている。これにより、反応管203やボート217等の部材の材料として用いられている石英へのダメージを低減しつつ、堆積物の除去速度エッチング速度を向上させることが可能となる。フッ素含有ガスに、酸素含有ガスO2ガスと水素含有ガスH2ガスとを同時に添加することによって、このような堆積物の除去速度向上効果が得られるのは、加熱された減圧雰囲気下において、酸素含有ガスO2ガスと水素含有ガスH2ガスとが反応することによって生成される原子状酸素Oや原子状水素Hや水酸基分子OH等の反応種がフッ素含有ガスNF3ガスと反応し、原子状フッ素Fやフッ素F2ガス等のエッチング種の生成を促進させるためであると考えられる。なお、反応管203内の圧力が高いほど、気相中での酸素含有ガスO2ガスと水素含有ガスH2ガスとの反応が促進されるため、原子状酸素Oや原子状水素Hや水酸基分子OH等の反応種が生成される確率が高くなる。その結果、生成される反応種とフッ素含有ガスNF3ガスとの反応確率も高くなり、原子状フッ素FやF2ガス等のエッチング種の生成量が多くなるものと考えられる。また、フッ素含有ガスに、酸素含有ガスO2ガスと水素含有ガスH2ガスとを同時に添加することによって、上述のような石英へのダメージ低減効果が得られるのは、気相中での酸素含有ガスO2ガスと水素含有ガスH2ガスとの反応により生成される原子状酸素Oや原子状水素Hや水酸基分子OH等の反応種の作用により、堆積物除去後に剥き出しとなった石英表面から不純物が抜き取られ、これら反応種により石英を改質する作用が働き、原子状フッ素FやF2ガス等に対する石英のエッチング耐性が向上するためと考えられる。本実施形態によれば、フッ素含有ガスと酸素含有ガスと水素含有ガスとをノンプラズマで熱的に活性化させてサーマルエッチングによりクリーニングを行うようにしている。これにより、エッチングレートを上述のように向上させつつ、プラズマによる石英へのダメージを低減させることが可能となる。また、成膜温度と同様な温度帯でクリーニングを行うことが可能となる。また、プラズマ源が不要となることから、基板処理装置の製造コストを低減させることが可能となる。また、クリーニング後の処理容器内における残留フッ素の除去が容易となる。なお、プラズマエッチングによりクリーニングを行う場合には、これらの効果が得られ難くなってしまう。<本発明の他の実施形態>以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。例えば、処理室201内にバッファ室237を設けず、第4ノズル249dから処理室201内にO2ガス、H2ガスを直接に供給するようにしてもよい。この場合、第4ノズル249dのガス供給孔250dを反応管203の中心側に向けることで、第4ノズル249dからO2ガス、H2ガスがウエハ200に向かって直接に供給されるようにすることも可能である。また、第4ノズル249dを設けず、バッファ室237のみを設けるようにしてもよい。また、例えば、処理室201内に供給するC3H6ガス、NH3ガス、O2ガス、H2ガスはそれぞれ熱で活性化させる場合に限らず、例えばプラズマを用いて活性化させるようにしてもよい。この場合、例えば、上述のプラズマ発生器を用いて各ガスをプラズマ励起するようにしてもよい。また、上述の実施形態では、ステップ1、ステップ2及びステップ3を1サイクルとして、このサイクルを1回以上行うことにより、SiCN膜を成膜する例について説明したが、本発明は、ステップ1及びステップ3を1サイクルとして、このサイクルを1回以上行うことにより、SiN膜を成膜する場合や、ステップ1を単独で行うことによりSi膜を成膜する場合にも適用することができる。この他、本発明は、処理室内にO2ガスを供給するステップをステップ4とし、ステップ1、ステップ2、ステップ3及びステップ4を1サイクルとして、このサイクルを1回以上行うことにより、SiOCN膜を成膜する場合にも適用することができる。また、本発明は、ステップ1、ステップ3及びステップ4を1サイクルとして、このサイクルを1回以上行うことにより、SiON膜を成膜する場合にも適用することができる。このように本発明は、SiもしくはSiNを主成分とした膜全般に適用することができる。また、上述の実施形態では、図7aに示すように、加熱された大気圧未満の圧力下にある反応管内にクリーニングガスとして、フッ素含有ガスNF3ガスと、酸素含有ガスO2ガスと、水素含有ガスH2ガスとを、同時に供給することで、反応管内に付着した薄膜SiCNやSiN等の薄膜を含む堆積物を除去する例について説明した。しかしながら、本発明は係る形態に限定されず、図7bに示すように、反応管内へのフッ素含有ガスNF3ガスの供給を、反応管内への酸素含有ガスO2ガスおよび水素含有ガスH2ガスの供給よりも先行して行うようにしてもよい。反応管内にNF3ガスとO2ガスとH2ガスとを同時に供給すると、エッチング対象であるSiCNが、部分的に、O2ガスおよびH2ガス両ガスの反応により生成される反応種をも含むだけに晒されて酸化され、エッチングされ難くなってしまうことがある。これに対し、図7bに示すように、NF3ガスをO2ガスおよびH2ガスよりも先行して流すことにより、エッチング対象であるSiCNが、部分的に、O2ガスおよびH2ガス両ガスの反応により生成される反応種をも含むだけに晒されて酸化されてしまうことを抑制でき、SiCNがエッチングされ難くなることを防止することが可能となる。また、図7cに示すように、堆積物除去後に反応管内へのフッ素含有ガスNF3ガスの供給を停止した後においても、反応管内への酸素含有ガスO2ガスおよび水素含有ガスH2ガスの供給を継続するようにしてもよい。これにより、クリーニングガス等の残渣残留フッ素等を反応管内から排出することが容易となる。すなわち、反応管内へのNF3ガスの供給を停止した後においても、反応管内へのO2ガスとH2ガスとの供給を維持することにより、反応管内に供給されたH2ガスと残留フッ素Fとが反応してHFが生成され、反応管内の残留フッ素が消費される。また、反応管内に供給されたO2ガスとH2ガスとの反応により生じた原子状酸素OやO2ガスにより残留フッ素が置換されることで、反応管内の残留フッ素が除去される。このように、クリーニングガス等の残渣を反応管内から排出することで、次回の成膜工程における成膜処理の再現性を向上させ、ウエハ200への金属汚染の発生を防止することが可能となる。また、上述の実施形態では、加熱された大気圧未満の圧力雰囲気下にある反応管内にクリーニングガスとして、フッ素含有ガスNF3ガスと、酸素含有ガスO2ガスと、水素含有ガスH2ガスとを混合して供給し排気することで、反応管内に付着した薄膜SiCNやSiN等の薄膜を含む堆積物を除去する例について説明した。しかしながら、本発明では、例えば、図8に示すように加熱された大気圧未満の圧力雰囲気下にある反応管内にクリーニングガスとして、フッ素含有ガスと、酸素含有ガスと、水素含有ガスとを混合して供給し封じ込める工程と、その後、反応管内を真空排気する工程と、を1サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで、反応管内に付着した薄膜を含む堆積物をサイクリックに除去するようにすることもできる。この場合、反応管内にフッ素含有ガスと、酸素含有ガスと、水素含有ガスとを封じ込める際は、排気管231に設けられたAPCバルブ244を閉じることで排気管231を閉塞して排気を停止し、反応管内を真空排気する際は排気管231に設けられたAPCバルブ244を開くことで排気管231を開放して排気を再開するようにする。すなわち、この場合、間欠的にフッ素含有ガスと、酸素含有ガスと、水素含有ガスとを反応管内に供給し、間欠的に反応管内の排気を行うこととなる。この方法によれば、反応管内にフッ素含有ガスと、酸素含有ガスと、水素含有ガスとを封じ込める過程において、反応管内の圧力を高くすることができ、石英へのダメージを低減しつつ、堆積物の除去速度をより向上させることが可能となる。また、フッ素含有ガスと、酸素含有ガスと、水素含有ガスとを反応管内に封じ込める過程において、これらのガスを反応管内全体に、より均一に拡散させることができるようになり、反応管内に付着した堆積物をより均一に除去することも可能となる。一方、フッ素含有ガスと、酸素含有ガスと、水素含有ガスとを、反応管内に封じ込めずに供給して排気する流し続けるようにした場合、例えば反応容器内の上部、下部、反応容器内の部材間の隙間などには、ガス流の淀みが生じてガスが回り込み難くなることがある。これに対し、フッ素含有ガスと、酸素含有ガスと、水素含有ガスとを反応管内に封じ込めるようにすることで、ガス流の淀みが生じ易い部分ガスが回り込みにくい部分にも、満遍なくガスを行き渡らせることが可能となる。また、本発明では、例えば、図9に示すように加熱された大気圧未満の圧力雰囲気下にある反応管内に、クリーニングガスとして、フッ素含有ガスと、酸素含有ガスおよび水素含有ガスと、を交互に供給することで、反応管内に付着した薄膜を含む堆積物を除去するようにすることもできる。すなわち、加熱された大気圧未満の圧力雰囲気下にある反応管内へのフッ素含有ガスの供給と、加熱された大気圧未満の圧力雰囲気下にある反応管内への酸素含有ガスおよび水素含有ガスの供給と、を交互に繰り返すことで、クリーニングすることも可能である。第1実施例次に第1実施例について説明する。Poly-Si膜、SiN膜、SiCN膜、SiO膜のサンプルを用意し、それぞれのサンプルに対してクリーニングを行い、それぞれのエッチングレート除去速度を測定した。また、その測定結果に基づき、SiO膜に対するPoly-Si膜、SiN膜、SiCN膜の選択比、すなわち、SiO膜のエッチングレートに対するPoly-Si膜、SiN膜、SiCN膜のエッチングレートの比を、それぞれ計算した。なお、本実施例では、石英の代わりにSiO膜を用い、SiO膜を石英に見立てており、SiO膜のエッチングレートを石英のエッチングレートと仮定し、SiO膜に対するそれぞれの膜の選択比を、石英に対するそれぞれの膜の選択比と推定した。なお、石英はSiO膜よりもエッチングレートが低いことから、石英に対するそれぞれの膜の実際の選択比は、本実施例におけるそれぞれの値よりもさらに大きくなると考えられる。本実施例のクリーニングにおいては、クリーニングガスとして次の4種類のガスを用いた。1NF3ガス単独2NF3ガスにH2ガスを添加したガス3NF3ガスにO2ガスを添加したガス4NF3ガスにO2ガスとH2ガスを添加したガスなお、本実施例におけるクリーニングでは、処理室内温度を600°C、処理室内圧力を865Pa6.5Torrとし、上記4種類のクリーニングガスのそれぞれの流量を次のように設定した。1NF3ガス流量:0.5slm2NF3ガス流量:0.5slm、H2ガス流量:0.2slm、N2ガス希釈ガス流量:0.3slm3NF3ガス流量:0.5slm、O2ガス流量:0.3slm、N2ガス希釈ガス流量:0.2slm4NF3ガス流量:0.5slm、O2ガス流量:0.3slm、H2ガス流量:0.2slmその結果を図4に示す。図4は、Poly-Si膜、SiN膜、SiCN膜、SiO膜のエッチングレートのクリーニングガス種依存性を示すグラフである。図4の縦軸はエッチングレート任意単位a.u.を示しており、横軸はクリーニングガス種上記4種類のガス種を示している。横軸の1NF3、2H2添加、3O2添加、4H2/O2添加は、それぞれ上述の1NF3ガス単独使用時、2NF3ガスにH2ガスを添加したガスを用いた場合、3NF3ガスにO2ガスを添加したガスを用いた場合、4NF3ガスにO2ガスとH2ガスを添加したガスを用いた場合を示している。なお、図4におけるエッチングレートは、1NF3ガス単独使用時のエッチングレートを1基準とした場合の、エッチングレート比率を表している。図4に示すように、1NF3ガス単独使用時と比べ、2NF3ガスにH2ガスを添加したガスを用いた場合では、Poly-Si膜、SiN膜、SiCN膜、SiO膜のエッチングレートの上昇は確認されなかった。また、1NF3ガス単独使用時と比べ、3NF3ガスにO2ガスを添加したガスを用いた場合では、SiCN膜のエッチングレートの僅かな上昇は確認されたものの、Poly-Si膜、SiN膜、SiO膜のエッチングレートの上昇は確認されなかった。これに対して、1NF3ガス単独使用時と比べ、4NF3ガスにO2ガスとH2ガスを添加したガスを用いた場合には、Poly-Si膜、SiN膜、SiCN膜のエッチングレートの上昇が確認された。また、このとき、SiO膜のエッチングレートの上昇は確認されなかった。図5に、図4の測定結果に基づいて計算したSiO膜に対するそれぞれの膜の選択比を示す。図5は、SiO膜に対するPoly-Si膜、SiN膜、SiCN膜の選択比のクリーニングガス種依存性を示すグラフである。図5の縦軸は選択比を示しており、横軸はクリーニングガス種上記4種類のガス種を示している。図5に示すように、1NF3ガス単独使用時と比べ、2NF3ガスにH2ガスを添加したガスを用いた場合では、SiO膜に対するSi膜、SiN膜の選択比が僅かに大きくなることは確認されたものの、SiO膜に対するSiCN膜の選択比が大きくなることは確認されなかった。また、1NF3ガス単独使用時と比べ、3NF3ガスにO2ガスを添加したガスを用いた場合では、SiO膜に対するSi膜、SiN膜の選択比が僅かに大きくなることが確認され、SiO膜に対するSiCN膜の選択比が大きくなることが確認された。これに対して、1NF3ガス単独使用時と比べ、4NF3ガスにO2ガスとH2ガスを添加したガスを用いた場合には、SiO膜に対するPoly-Si膜、SiN膜、SiCN膜の選択比が極めて大きくなることが確認された。この結果は、NF3ガスにO2ガスとH2ガスを添加したガスをクリーニングガスとして用いることで、石英で形成された反応管内やボート表面に堆積したPoly-Si膜や、SiN膜や、SiCN膜を除去する際に、オーバークリーニングを行っても、下地である石英SiOに与えるダメージが小さいことを表している。第2実施例次に第2実施例について説明する。Poly-Si膜、SiN膜、SiCN膜、SiO膜のサンプルを用意し、それぞれのサンプルに対して、クリーニングガスとしてNF3ガスにO2ガスとH2ガスを添加したガスを用いてクリーニングを行い、それぞれのエッチングレート除去速度を測定した。なお、本実施例におけるクリーニングでは、処理室内温度を600°C、NF3ガス流量を0.5slm、O2ガス流量を0.3slm、H2ガス流量を0.2slmとし、処理室内圧力を複数通りに変化させた。その結果を図6に示す。図6は、NF3ガスにO2ガスとH2ガスとを同時に添加したときのPoly-Si膜、SiN膜、SiCN膜、SiO膜のエッチングレートの圧力依存性を示すグラフである。図6の縦軸はエッチングレート任意単位a.u.を示しており、横軸は処理室内圧力任意単位a.u.を示している。なお、図6におけるエッチングレートは、あるエッチングレートを1基準とした場合の、エッチングレート比率を表している。図6に示すように、Poly-Si膜、SiN膜、SiCN膜のエッチングレートは、処理室内圧力の上昇に伴い、大幅に上昇することが確認された。これに対して、SiO膜のエッチングレートは、処理室内圧力の上昇に伴い、僅かに上昇するものの、その上昇の割合は小さいことが確認された。この結果は、NF3ガスにO2ガスとH2ガスを添加したガスをクリーニングガスとして用い、石英で形成された反応管内やボート表面に堆積したPoly-Si膜や、SiN膜や、SiCN膜を除去する際に、処理室内圧力を上昇させることで、下地である石英SiOに与えるダメージを低減しつつ、Poly-Si膜や、SiN膜や、SiCN膜のエッチングレートを上昇させることができること示している。以下、本発明の好ましい態様について付記する。本発明の一態様によれば、基板を収容した処理容器内に処理ガスを供給して前記基板上に薄膜を形成する工程と、前記薄膜を形成する工程を所定回数実施した後、前記処理容器内にクリーニングガスを供給して前記処理容器内をクリーニングする工程と、を有し、前記処理容器内をクリーニングする工程では、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に前記クリーニングガスとして、フッ素含有ガスと、酸素含有ガスと、水素含有ガスとを供給して、前記処理容器内に付着した前記薄膜を含む堆積物を熱化学反応により除去する半導体装置の製造方法が提供される。好ましくは、前記処理容器は石英により構成される。また好ましくは、前記堆積物はノンプラズマの雰囲気下で除去される。また好ましくは、前記堆積物はサーマルエッチングにより除去される。また好ましくは、前記処理容器内への前記フッ素含有ガスの供給を、前記処理容器内への前記酸素含有ガスおよび前記水素含有ガスの供給よりも先行して行う。また好ましくは、前記堆積物除去後に前記処理容器内への前記フッ素含有ガスの供給を停止した後においても、前記処理容器内への前記酸素含有ガスおよび前記水素含有ガスの供給を継続する。また好ましくは、前記堆積物除去後に前記処理容器内への前記フッ素含有ガスの供給を停止した後においても、前記処理容器内への前記酸素含有ガスおよび前記水素含有ガスの供給を継続することで、前記処理容器内に残留するフッ素を、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内における前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとの反応により生成された反応種と、反応させて排出する。また好ましくは、前記処理容器内に残留するフッ素を、前記酸素含有ガスおよび前記反応種と、反応させて排出する。また好ましくは、前記処理容器内に残留するフッ素を、前記酸素含有ガス、前記水素含有ガスおよび前記反応種と、反応させて排出する。また好ましくは、前記フッ素含有ガスが、フッ化窒素ガス、フッ素ガス、フッ化塩素ガス、または、フッ化水素ガスである。また好ましくは、前記酸素含有ガスが、酸素ガス、オゾンガス、一酸化窒素ガス、または、亜酸化窒素ガスである。また好ましくは、前記水素含有ガスが、水素ガス、重水素ガス、アンモニアガス、または、メタンガスである。また好ましくは、前記フッ素含有ガスがフッ化窒素ガスであり、前記酸素含有ガスが酸素ガスであり、前記水素含有ガスが水素ガスである。本発明の他の態様によれば、基板上に薄膜を形成する処理が行われる処理容器を提供providingする工程と、前記薄膜を形成する処理を所定回数実施した後、前記処理容器内にクリーニングガスを供給して前記処理容器内をクリーニングする工程と、を有し、前記処理容器内をクリーニングする工程では、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に前記クリーニングガスとして、フッ素含有ガスと、酸素含有ガスと、水素含有ガスとを供給して、前記処理容器内に付着した前記薄膜を含む堆積物を熱化学反応により除去するクリーニング方法が提供される。本発明の更に他の態様によれば、基板を収容する処理容器と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、前記処理容器内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給系と、前記処理容器内を加熱するヒータと、前記処理容器内の圧力を調整する圧力調整部と、基板を収容した前記処理容器内に前記処理ガスを供給して前記基板上に薄膜を形成する処理を所定回数実施した後、前記処理容器内に前記クリーニングガスを供給して前記処理容器内をクリーニングするようにし、前記クリーニングの際、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に前記クリーニングガスとして、フッ素含有ガスと、酸素含有ガスと、水素含有ガスとを供給して、前記処理容器内に付着した前記薄膜を含む堆積物を熱化学反応により除去するように前記処理ガス供給系、前記クリーニングガス供給系、前記ヒータおよび前記圧力調整部を制御する制御部と、を有する基板処理装置が提供される。