"積層された絶縁層と、該積層された絶縁層に設けられた配線パターンと、前記積層された絶縁層間に設けられた補強用の金属層とを備えた配線基板であって、前記金属層の直下に位置する前記絶縁層に、前記金属層と接触すると共に、前記金属層の下方に配置された前記配線パターンと電気的に接続される第1のビアを設け、前記金属層の直上に位置する前記絶縁層に、前記金属層と接触すると共に、前記金属層の上方に配置された前記配線パターンと電気的に接続される第2のビアを設け、前記金属層が、薄板状部分と、該薄板状部分と電気的に分離された前記第1のビア及び前記第2のビアとの接続部分とからなり、前記第1のビアと前記接続部分とが、同一の導電金属で一体に形成されており、搭載される半導体チップと対向する前記絶縁層部分に、前記半導体チップと熱膨張係数が略等しい熱膨張係数緩和部材を設けたことを特徴とする配線基板。前記金属層の前記薄板状部分及び前記接続部分と前記第1のビアは、前記金属層の直下に位置する前記絶縁層の上面と、前記金属層の直下に位置する前記絶縁層に設けられた、前記金属層の下方に配置された前記配線パターンを露出させる一の開口部の表面とを覆う一のシード層と、該一のシード層の上に形成され、前記一の開口部を充填する導電金属とからなり、前記第2のビアは、前記金属層の直上に位置する前記絶縁層の上面と、前記金属層の直上に位置する前記絶縁層に設けられた、前記金属層の前記接続部分を露出させる他の開口部の表面とを覆う他のシード層と、該他のシード層の上に形成され、前記他の開口部を充填する導電金属とからなることを特徴とする請求項1記載の配線基板。前記第2のビアは、前記第1のビアと対向するように配置させたことを特徴とする請求項1または2記載の配線基板。前記金属層に、該金属層を貫通する第1の貫通孔を複数設けたことを特徴とする請求項1ないし3のうち、いずれか一項記載の配線基板。前記金属層の直上に位置する前記絶縁層が前記第1の貫通孔内に充填され、前記金属層の直下に位置する前記絶縁層と密着していることを特徴とする請求項4記載の配線基板。前記熱膨張係数緩和部材は、前記金属層と接触するように設けたことを特徴とする請求項1ないし5のうち、いずれか一項記載の配線基板。前記熱膨張係数緩和部材に、該熱膨張係数緩和部材を貫通すると共に、前記第1の貫通孔と対向する第2の貫通孔を設けたことを特徴とする請求項1ないし6のうち、いずれか一項記載の配線基板。前記金属層及び前記第1のビアの材料は、Cu、Ni、Co、Fe、Ni-Co合金またはNi-Fe合金を含み、前記第2のビアの材料は、Cuを含むことを特徴とする請求項1ないし7のうち、いずれか一項記載の配線基板。前記金属層の厚さが、10μm~30μmであることを特徴とする請求項1ないし8のうち、いずれか一項記載の配線基板。前記熱膨張係数緩和部材がNi、Co、FeまたはNi-Fe合金からなることを特徴とする請求項1ないし9のうち、いずれか一項記載の配線基板。積層された絶縁層と、該積層された絶縁層に設けられた配線パターンと、前記積層された絶縁層間に設けられた補強用の金属層とを有する配線基板と、前記配線基板上に配設され、前記配線パターンと電気的に接続される半導体チップとを備えた半導体装置であって、前記金属層の直下に位置する前記絶縁層に、前記金属層と接触すると共に、前記金属層の下方に配置された前記配線パターンと電気的に接続される第1のビアを設け、前記金属層の直上に位置する前記絶縁層に、前記金属層と接触すると共に、前記金属層の上方に配置された前記配線パターンと電気的に接続される第2のビアを設け、前記金属層が、薄板状部分と、該薄板状部分と電気的に分離された前記第1のビア及び前記第2のビアとの接続部分とからなり、前記第1のビアと前記接続部分とが、同一の導電金属で一体に形成されており、搭載される半導体チップと対向する前記絶縁層部分に、前記半導体チップと熱膨張係数が略等しい熱膨張係数緩和部材を設けたことを特徴とする半導体装置。前記金属層の前記薄板状部分及び前記接続部分と前記第1のビアは、前記金属層の直下に位置する前記絶縁層の上面と、前記金属層の直下に位置する前記絶縁層に設けられた、前記金属層の下方に配置された前記配線パターンを露出させる一の開口部の表面とを覆う一のシード層と、該一のシード層の上に形成され、前記一の開口部を充填する導電金属とからなり、前記第2のビアは、前記金属層の直上に位置する前記絶縁層の上面と、前記金属層の直上に位置する前記絶縁層に設けられた、前記金属層の前記接続部分を露出させる他の開口部の表面とを覆う他のシード層と、該他のシード層の上に形成され、前記他の開口部を充填する導電金属とからなることを特徴とする請求項11記載の半導体装置。前記第2のビアは、前記第1のビアと対向するように配置させたことを特徴とする請求項11または12記載の半導体装置。前記金属層を貫通する第1の貫通孔が複数設けられ、前記金属層の直上に位置する前記絶縁層が前記第1の貫通孔内に充填され、前記金属層の直下に位置する前記絶縁層と密着していることを特徴とする請求項11ないし13のうち、いずれか一項記載の半導体装置。前記金属層及び前記第1のビアの材料は、Cu、Ni、Co、Fe、Ni-Co合金またはNi-Fe合金を含み、前記第2のビアの材料は、Cuを含むことを特徴とする請求項11ないし14のうち、いずれか一項記載の半導体装置。前記金属層の厚さが、10μm~30μmであることを特徴とする請求項11ないし15のうち、いずれか一項記載の半導体装置。前記熱膨張係数緩和部材がNi、Co、FeまたはNi-Fe合金からなることを特徴とする請求項11ないし16のうち、いずれか一項記載の半導体装置。積層された絶縁層に設けられた配線パターンと、前記積層された絶縁層間に設けられた補強用の金属層と、該金属層の直下に位置する前記絶縁層に設けられ、前記金属層及び金属層の下方に配置された前記配線パターンと電気的に接続される第1のビアと、前記金属層の直上に位置する前記絶縁層に設けられ、前記金属層及び金属層の上方に配置された前記配線パターンと電気的に接続される第2のビアとを備え、前記金属層が、薄板状部分と、該薄板状部分と電気的に分離された前記第1のビア及び前記第2のビアとの接続部分とからなり、前記第1のビアと前記接続部分とが、同一の導電金属で一体に形成されており、搭載される半導体チップと対向する前記絶縁層部分に、前記半導体チップと熱膨張係数が略等しい熱膨張係数緩和部材を設けた配線基板の製造方法であって、支持板上に絶縁層と配線層とを積層する積層工程と、電解めっき法により前記第1のビア及び金属層を同時に形成する第1のビア及び金属層形成工程と、前記積層工程後に前記支持板を除去する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。前記金属層の前記薄板状部分及び前記接続部分と前記第1のビアは、前記金属層の直下に位置する前記絶縁層の上面と、前記金属層の直下に位置する前記絶縁層に設けられた、前記金属層の下方に配置された前記配線パターンを露出させる一の開口部の表面とを覆う一のシード層と、該一のシード層の上に形成され、前記一の開口部を充填する導電金属とからなり、前記第2のビアは、前記金属層の直上に位置する前記絶縁層の上面と、前記金属層の直上に位置する前記絶縁層に設けられた、前記金属層の前記接続部分を露出させる他の開口部の表面とを覆う他のシード層と、該他のシード層の上に形成され、前記他の開口部を充填する導電金属とからなることを特徴とする請求項18記載の配線基板の製造方法。前記第1のビア及び金属層形成工程後に、前記第1のビアと対向するように前記第2のビアを形成する第2のビア形成工程をさらに含むことを特徴とする請求項18または19記載の配線基板の製造方法。前記金属層を貫通する第1の貫通孔が複数設けられ、前記金属層の直上に位置する前記絶縁層が前記第1の貫通孔内に充填され、前記金属層の直下に位置する前記絶縁層と密着していることを特徴とする請求項18ないし20のうち、いずれか一項記載の配線基板の製造方法。前記金属層及び前記第1のビアの材料は、Cu、Ni、Co、Fe、Ni-Co合金またはNi-Fe合金を含み、前記第2のビアの材料は、Cuを含むことを特徴とする請求項18ないし21のうち、いずれか一項記載の配線基板の製造方法。前記金属層の厚さが、10μm~30μmであることを特徴とする請求項18ないし22のうち、いずれか一項記載の配線基板の製造方法。前記熱膨張係数緩和部材がNi、Co、FeまたはNi-Fe合金からなることを特徴とする請求項18ないし23のうち、いずれか一項記載の配線基板の製造方法。しかしながら、従来のコアレス基板200では、ビア212が配設される開口部218をレーザ加工により2層の絶縁層202,203を貫通するように形成する。このため、開口部218の深さが深くなり、開口部218の下端の開口径W2が小さくなってしまう。これにより、ビア212と配線208との間の接触面積が小さくなるため、金属層211の下方に配置された配線208と、金属層211の上方に配置された配線214との間の電気的な接続信頼性が低下してしまうという問題があった。例えば、開口部218の下端の開口径W2を大きくするための1つの手段として、開口部218の上端の開口径W1を大きくすることが考えられるが、この場合、配線214のサイズも大きくする必要があるため、コアレス基板200が大型化して、半導体装置を小型化することができない。そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、本発明の目的は、配線基板の反りを抑制すると共に、電気的な接続信頼性を向上させることのできる配線基板、半導体装置、及び配線基板の製造方法を提供することである。本発明の一観点によれば、積層された絶縁層と、該積層された絶縁層に設けられた配線パターンと、前記積層された絶縁層間に設けられた補強用の金属層とを備えた配線基板であって、前記金属層の直下に位置する前記絶縁層に、前記金属層と接触すると共に、前記金属層の下方に配置された前記配線パターンと電気的に接続される第1のビアを設け、前記金属層の直上に位置する前記絶縁層に、前記金属層と接触すると共に、前記金属層の上方に配置された前記配線パターンと電気的に接続される第2のビアを設け、前記金属層が、薄板状部分と、該薄板状部分と電気的に分離された前記第1のビア及び前記第2のビアとの接続部分とからなり、前記第1のビアと前記接続部分とが、同一の導電金属で一体に形成されており、搭載される半導体チップと対向する前記絶縁層部分に、前記半導体チップと熱膨張係数が略等しい熱膨張係数緩和部材を設けたことを特徴とする配線基板が提供される。本発明によれば、金属層の直下に位置する絶縁層に、金属層と接触すると共に、金属層の下方に配置された配線パターンと電気的に接続される第1のビアを設け、金属層の直上に位置する絶縁層に、金属層と接触すると共に、金属層の上方に配置された配線パターンと電気的に接続される第2のビアを設けたことにより、深さの浅い第1及び第2のビアを介して、金属層の上方に配置された配線パターンと、金属層の下方に配置された配線パターンとが電気的に接続される。これにより、配線パターン及び金属層と第1及び第2のビアとの間の接触面積を十分に確保することが可能となるため、金属層の上方に配置された配線パターンと、金属層の下方に配置された配線パターンとの間の電気的な接続信頼性を向上させることができる。本発明の他の観点によれば、積層された絶縁層と、該積層された絶縁層に設けられた配線パターンと、前記積層された絶縁層間に設けられた補強用の金属層とを有する配線基板と、前記配線基板上に配設され、前記配線パターンと電気的に接続される半導体チップとを備えた半導体装置であって、前記金属層の直下に位置する前記絶縁層に、前記金属層と接触すると共に、前記金属層の下方に配置された前記配線パターンと電気的に接続される第1のビアを設け、前記金属層の直上に位置する前記絶縁層に、前記金属層と接触すると共に、前記金属層の上方に配置された前記配線パターンと電気的に接続される第2のビアを設け、前記金属層が、薄板状部分と、該薄板状部分と電気的に分離された前記第1のビア及び前記第2のビアとの接続部分とからなり、前記第1のビアと前記接続部分とが、同一の導電金属で一体に形成されており、搭載される半導体チップと対向する前記絶縁層部分に、前記半導体チップと熱膨張係数が略等しい熱膨張係数緩和部材を設けたことを特徴とする半導体装置が提供される。本発明によれば、金属層の直下に位置する絶縁層に、金属層と接触すると共に、金属層の下方に配置された配線パターンと電気的に接続される第1のビアを設け、金属層の直上に位置する絶縁層に、金属層と接触すると共に、金属層の上方に配置された配線パターンと電気的に接続される第2のビアを設けたことにより、深さの浅い第1及び第2のビアを介して、金属層の上方に配置された配線パターンと、金属層の下方に配置された配線パターンとが電気的に接続される。これにより、配線パターン及び金属層と第1及び第2のビアとの間の接触面積を十分に確保することが可能となるため、金属層の上方に配置された配線パターンと、金属層の下方に配置された配線パターンとの間の電気的な接続信頼性を向上させることができる。本発明のその他の観点によれば、積層された絶縁層に設けられた配線パターンと、前記積層された絶縁層間に設けられた補強用の金属層と、該金属層の直下に位置する前記絶縁層に設けられ、前記金属層及び金属層の下方に配置された前記配線パターンと電気的に接続される第1のビアと、前記金属層の直上に位置する前記絶縁層に設けられ、前記金属層及び金属層の上方に配置された前記配線パターンと電気的に接続される第2のビアとを備え、前記金属層が、薄板状部分と、該薄板状部分と電気的に分離された前記第1のビア及び前記第2のビアとの接続部分とからなり、前記第1のビアと前記接続部分とが、同一の導電金属で一体に形成されており、搭載される半導体チップと対向する前記絶縁層部分に、前記半導体チップと熱膨張係数が略等しい熱膨張係数緩和部材を設けた配線基板の製造方法であって、支持板上に絶縁層と配線層とを積層する積層工程と、電解めっき法により前記第1のビア及び金属層を同時に形成する第1のビア及び金属層形成工程と、前記積層工程後に前記支持板を除去する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。本発明によれば、電解めっき法を用いて、第1のビア及び金属層を同時に形成することにより、製造工程を簡略化して、配線基板の製造コストを低減することができる。本発明によれば、配線基板の反りを抑制すると共に、電気的な接続信頼性を向上させることができる。次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。第1の実施の形態図2は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。図2を参照して、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置10について説明する。半導体装置10は、配線基板11と、外部接続端子12と、第1の半導体チップ14と、第2の半導体チップ15と、封止樹脂16とを有する。配線基板11は、絶縁層18,26,32,38と、パッド19と、保護膜20,49と、配線パターン21と、補強用の金属層27と、第1のビア28と、第2のビア33と、拡散防止膜51とを有する。絶縁層18,26,32,38は、絶縁層18、絶縁層26、絶縁層32、絶縁層38の順に積層されている。絶縁層18,26,32,38としては、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等を用いることができる。また、絶縁層18,26,32,38の厚さは、例えば、それぞれ30μm~50μmとすることができる。パッド19は、絶縁層18から露出された状態で、絶縁層18の下面18B側に設けられている。絶縁層18から露出されたパッド19の面19Aは、絶縁層18の下面18Bと略面一とされている。パッド19は、外部接続端子12及びビア22と電気的に接続されている。パッド19としては、絶縁層18からNi層、Pd層、Au層を順次積層したNi/Pd/Au積層膜を用いることができる。保護膜20は、パッド19を露出した状態で、絶縁層18の下面18Bを覆うように設けられている。保護膜20としては、例えば、ソルダーレジストを用いることができる。保護膜20の厚さは、例えば、20μmとすることができる。配線パターン21は、金属層27の上方及び下方に配置されている。配線パターン21は、ビア22,39,41と、配線24,35,36,43,46とを有する。ビア22は、パッド19上に位置する絶縁層18を貫通するように設けられている。ビア22は、パッド19及び配線24と電気的に接続されている。配線24は、絶縁層18の上面18Aに設けられている。配線24は、ビア22及び第1のビア28と電気的に接続されている。ビア22及び配線24は、金属層27の下方に配置された配線パターン21である。配線35は、絶縁層32上に設けられている。配線35は、第2のビア33及びビア39と電気的に接続されている。配線36は、配線35の形成位置よりも内側に位置する絶縁層32上に設けられている。配線36は、第2のビア33及びビア41と電気的に接続されている。ビア39は、配線35上に位置する絶縁層38を貫通するように設けられている。ビア39は配線35,43と電気的に接続されている。ビア41は、配線36上に位置する絶縁層38を貫通するように設けられている。ビア41は、配線36,46と電気的に接続されている。配線43は、接続部44を有しており、絶縁層38上に設けられている。接続部44は、ワイヤ63を電気的に接続するためのものである。配線43は、ビア39及びワイヤ63と電気的に接続されている。配線46は、接続部47を有しており、絶縁層38上に設けられている。接続部47は、第1の半導体チップ14をフリップチップ接続するためのものである。配線46は、第1の半導体チップ14及びビア41と電気的に接続されている。配線35,36,43,46及びビア39,41は、金属層27の上方に配置された配線パターン21である。上記構成とされた配線パターン21の材料としては、導電金属を用いることができ、導電金属としては、例えば、Cuを用いることができる。配線24,35,36,43,46の厚さは、例えば、20μmとすることができる。補強用の金属層27は、薄板状とされており、積層された絶縁層18,26,32,38の略中間に位置する絶縁層26上に設けられている。金属層27は、配線基板11の反りを抑制するための層である。金属層27は、例えば、電解めっき法により形成することができる。金属層27の材料としては、例えば、Cu、Ni、Co、Fe、Ni-Co合金、Ni-Fe合金等を用いることができる。金属層27の厚さは、例えば、10μm~30μmとすることができる。第1のビア28は、配線24と金属層27との間に位置する絶縁層26金属層27の直下に位置する絶縁層を貫通するように設けられている。第1のビア28は、金属層27と接触しており、配線24及び金属層27と電気的に接続されている。第1のビア28は、金属層27の下方に配置された配線パターン21具体的には、ビア22及び配線24と金属層27との間を電気的に接続している。第1のビア28は、図1従来例に示した金属層211の下方に配置された配線208と、金属層211の上方に配置された配線214との間を電気的に接続する従来のビア212よりも深さの浅いビアである。第1のビア28の深さは、従来のビア212の略半分とされている。第1のビア28の材料としては、例えば、Cu、Ni、Co、Fe、Ni-Co合金、Ni-Fe合金等を用いることができる。第1のビア28は、レーザ加工により絶縁層26に開口部図13に示す開口部26Aを形成し、この開口部に導電金属を充填することで形成する。第1のビア28を構成する導電金属は、例えば、電解めっき法により形成することができる。第2のビア33は、金属層27と配線35,36との間に位置する絶縁層32金属層27の直上に位置する絶縁層を貫通するように設けられている。第2のビア33は、金属層27と接触しており、配線35,36及び金属層27と電気的に接続されている。第2のビア33は、金属層27の上方に配置された配線パターン21具体的には、配線35,36,43,46及びビア39,41と金属層27との間を電気的に接続している。また、第2のビア33は、金属層27を挟んで、第1のビア28と対向するように配置されている。このように、第2のビア33を第1のビア28と対向するように配置することにより、金属層27の下方に配置された配線パターン21具体的には、ビア22及び配線24と、金属層27の上方に配置された配線パターン21具体的には、配線35,36,43,46及びビア39,41との間の接続距離を短くすることができる。第2のビア33は、図1従来例に示した金属層211の下方に配置された配線208と、金属層211の上方に配置された配線214との間を電気的に接続する従来のビア212よりも深さの浅いビアである。第2のビア33の深さは、従来のビア212の略半分とされている。第2のビア33の材料としては、例えば、導電金属を用いることができ、導電金属としては、例えば、Cuを用いることができる。第2のビア33は、レーザ加工により絶縁層32に開口部図18に示す開口部32Aを形成し、この開口部に導電金属を充填することで形成する。第2のビア33を構成する導電金属は、例えば、電解めっき法により形成することができる。このように、金属層27の直下に位置する絶縁層26に、金属層27と接触すると共に、金属層27の下方に配置された配線パターン21具体的には、ビア22及び配線24と電気的に接続される第1のビア28を設け、金属層27の直上に位置する絶縁層32に、金属層27と接触すると共に、金属層27の上方に配置された配線パターン21具体的には、配線35,36,43,46及びビア39,41と電気的に接続される第2のビア33を設けたことにより、深さの浅い第1及び第2のビア28,33を介して、金属層27の上方に配置された配線パターン21と、金属層27の下方に配置された配線パターン21との間が電気的に接続される。これにより、配線パターン21及び金属層27と第1及び第2のビア28,33との間の接触面積を十分に確保することが可能となるため、金属層27の上方に配置された配線パターン21と、金属層27の下方に配置された配線パターン21との間の電気的な接続信頼性を向上させることができる。また、第2のビア33を第1のビア28と対向するように配置することにより、金属層27の下方に配置された配線パターン21と、金属層27の上方に配置された配線パターン21との間の接続距離を短くすることができる。保護膜49は、接続部44,47以外の配線43,46を覆うように絶縁層38上に設けられている。保護膜49としては、例えば、ソルダーレジストを用いることができる。保護膜49の厚さは、例えば、20μmとすることができる。拡散防止膜51は、配線43に含まれるCuの拡散を防止すると共に、ワイヤ63と配線43との間の接続信頼性を向上させるための膜である。拡散防止膜51としては、例えば、配線43上に、Ni層、Au層の順に積層したNi/Au積層層を用いることができる。外部接続端子12は、パッド19の面19Aに設けられている。外部接続端子12は、半導体装置10をマザーボード等の実装基板に接続するための端子である。外部接続端子12としては、例えば、はんだボールを用いることができる。第1の半導体チップ14は、配線基板11上に配設されている。第1の半導体チップ14は、チップ本体53と、電極パッド54と、スタッドバンプ56とを有する。チップ本体53は、半導体基板図示せずと、半導体素子図示せずと、多層配線構造体図示せずとを有する。半導体基板図示せずは、チップ本体の上面53A側に設けられている。半導体基板図示せずとしては、例えば、Si基板やGa-As基板等を用いることができる。半導体素子図示せずは、トランジスタ等の素子であり、半導体基板図示せずに設けられている。電極パッド54は、チップ本体53の下面53B側に設けられている。電極パッド54は、多層配線構造体図示せずを介して、半導体素子図示せずと電気的に接続されている。スタッドバンプ56は、電極パッド54に設けられている。スタッドバンプ56は、はんだ57を介して、配線46の接続部47と電気的に接続されている。これにより、第1の半導体チップ14は、配線パターン21と電気的に接続される。スタッドバンプ56は、第1の半導体チップ14を接続部47にフリップチップ接続するためのものである。スタッドバンプ56としては、例えば、Auスタッドバンプを用いることができる。第1の半導体チップ14と配線基板11との間には、アンダーフィル樹脂58が充填されている。アンダーフィル樹脂58は、第1の半導体チップ14と配線基板11との間の接合強度を向上させるための樹脂である。第2の半導体チップ15は、接着材62により第1の半導体チップ14上に接着されている。第2の半導体チップ15は、第1の半導体チップ14よりも外形の小さい半導体チップであり、チップ本体59と、電極パッド61とを有する。チップ本体59は、半導体基板図示せずと、半導体素子図示せずと、多層配線構造体図示せずとを有する。半導体基板図示せずは、チップ本体59の下面59B側に設けられている。半導体基板図示せずとしては、例えば、Si基板やGa-As基板等を用いることができる。半導体素子図示せずは、トランジスタ等の素子であり、半導体基板図示せずに設けられている。電極パッド61は、チップ本体59の上面59A側に設けられている。電極パッド61は、多層配線構造体図示せずを介して、半導体素子図示せずと電気的に接続されている。また、電極パッド61は、ワイヤ63を介して、配線パターン21と電気的に接続ワイヤボンディング接続されている。ワイヤ63は、一方の端部が電極パッド61と接続されており、他方の端部が拡散防止膜51と電気的に接続されている。封止樹脂16は、配線基板11上に設けられており、第1及び第2の半導体チップ14,15とワイヤ63とを封止している。封止樹脂16としては、例えば、エポキシ系樹脂を用いることができる。本実施の形態の半導体装置によれば、金属層27の直下に位置する絶縁層26に、金属層27と接触すると共に、金属層27の下方に配置された配線パターン21具体的には、ビア22及び配線24と電気的に接続される第1のビア28を設け、金属層27の直上に位置する絶縁層32に、金属層27と接触すると共に、金属層27の上方に配置された配線パターン21具体的には、配線35,36,43,46及びビア39,41と電気的に接続される第2のビア33を設けたことにより、深さの浅い第1及び第2のビア28,33を介して、金属層27の上方に配置された配線パターン21と、金属層27の下方に配置された配線パターン21との間が電気的に接続される。これにより、配線パターン21及び金属層27と第1及び第2のビア28,33との間の接触面積を十分に確保することが可能となるため、金属層27の上方に配置された配線パターン21と、金属層27の下方に配置された配線パターン21との間の電気的な接続信頼性を向上させることができる。また、第2のビア33を第1のビア28と対向するように配置することにより、金属層27の下方に配置された配線パターン21と、金属層27の上方に配置された配線パターン21との間の接続距離を短くすることができる。図3~図28は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図である。図3~図28において、第1の実施の形態の半導体装置10と同一構成部分には同一符号を付す。また、図3~図27において、Eは半導体装置10が形成される領域以下、半導体装置形成領域Eとするを示している。図3~図28を参照して、第1の実施の形態の半導体装置10の製造方法について説明する。なお、図3~図28では、支持板71上に複数の半導体装置10を製造する場合を例に挙げて説明する。始めに、図3に示す工程では、導電金属からなる支持板71上に開口部20Aを有した保護膜20を形成する。支持板71は、複数の半導体装置10を製造可能な支持板である。支持板71としては、例えば、Cu等の金属板または金属箔を用いることができる。開口部20Aは、パッド19の形成位置に対応している。保護膜20は、例えば、印刷法により形成することができる。保護膜20としては、例えば、ソルダーレジストを用いることができる。また、保護膜20の厚さは、例えば、20μmとすることができる。具体的には、例えば、印刷法により、Cu板上にソルダーレジストを塗布し、その後、開口部20Aの形成位置に対応するソルダーレジストを露光、現像することで、保護膜20を形成する。次いで、図4に示す工程では、開口部20Aにパッド19の高さ方向の位置を調整するための導電金属72を形成する。導電金属72としては、例えば、Cuを用いることができる。具体的には、支持板71を給電層とする電解めっき法により、開口部20Aに導電金属72を析出成長させる。次いで、図5に示すように、導電金属72上にパッド19を形成する。パッド19としては、例えば、導電金属72上にAu層、Pd層、Ni層を順次積層したNi/Pd/Au積層膜を用いることができる。具体的には、電解めっき法により、導電金属72上にAu層、Pd層、Ni層を順次積層して、パッド19を形成する。次いで、図6に示す工程では、パッド19及び保護膜20を覆うように絶縁層18を形成する。絶縁層18は、例えば、印刷法や樹脂フィルムの積層により形成することができる。絶縁層18としては、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等を用いることができる。保護膜20上における絶縁層18の厚さは、例えば、30μm~50μmとすることができる。次いで、図7に示す工程では、レーザ加工により、絶縁層18にパッド19上を露出する開口部18Cを形成する。次いで、図8に示す工程では、開口部18Cと絶縁層18の上面18Aとを覆うようにシード層74を形成する。シード層74は、無電解めっき法、スパッタ法、真空蒸着法等により形成できる。シード層74の材料としては、例えば、CuやNi等を用いることができる。次いで、図9に示す工程では、図8に示した構造体上に、シード層74を露出する開口部75Aを有したレジスト膜75を形成する。開口部75Aは、配線24の形状及び形成位置に対応している。次いで、図10に示す工程では、シード層74を給電層とする電解めっき法により、レジスト膜75の開口部75Aに露出されたシード層74上に導電金属77を形成する。これにより、開口部18Cにはシード層74及び導電金属77からなるビア22が形成され、絶縁層18上にはシード層74及び導電金属77からなる配線24が形成される。なお、この段階において、複数の配線24は、絶縁層18上に形成されたシード層74により隣り合う配線24と電気的に接続されている。導電金属77としては、例えば、Cuを用いることができる。また、配線24の厚さは、例えば、20μmとすることができる。次いで、図11に示す工程では、レジスト膜75を除去する。次いで、図12に示す工程では、導電金属77に覆われていない不要なシード層74をエッチングにより除去する。これにより、複数の配線24は、隣り合う他の配線24と電気的に分離される。次いで、図13に示す工程では、図12に示した構造体上に、配線24の上面を露出する開口部26Aを有した絶縁層26を形成する。開口部26Aは、第1のビア28の形状及び形成位置に対応している。絶縁層26は、例えば、印刷法や樹脂フィルムの積層により形成することができる。絶縁層26としては、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等を用いることができる。絶縁層18上における絶縁層26の厚さは、例えば、30μm~50μmとすることができる。次いで、図14に示す工程では、開口部26Aと絶縁層26の上面とを覆うようにシード層79を形成する。シード層79は、無電解めっき法、スパッタ法、真空蒸着法等により形成できる。シード層79の材料としては、例えば、Cu、Ni等を用いることができる。次いで、図15に示す工程では、図14に示した構造体上に、シード層79を露出する開口部80Aを有したレジスト膜80を形成する。開口部80Aは、金属層27の形状及び形成位置に対応している。次いで、図16に示す工程では、シード層79を給電層とする電解めっき法により、レジスト膜80の開口部80Aに露出されたシード層79上に導電金属82を形成する第1のビア及び金属層形成工程。これにより、シード層79及び導電金属82からなる第1のビア28と、シード層79及び導電金属82からなる金属層27とが同時に形成される。導電金属82としては、例えば、Cu、Ni、Co、Fe、Ni-Co合金、Ni-Fe合金等を用いることができる。また、金属層27の厚さは、例えば、10μm~30μmとすることができる。このように、電解めっき法により、第1のビア28と金属層27とを同時に形成することで、製造工程が簡略化されるので、半導体装置10及び配線基板11の製造コストを低減することができる。また、電解めっき法により金属層27を形成することで、金属層27の厚さが所望の厚さとなるように容易に調整することができる。次いで、図17に示す工程では、レジスト膜80を除去し、その後、導電金属82に覆われていない不要なシード層79を除去する。これにより、第1及び第2のビア28,33と接触する金属層27部分は、他の金属層27部分と電気的に分離される。次いで、図18に示す工程では、先に説明した図6及び図7の工程と同様な手法により、図17に示した構造体上に、金属層27を露出する開口部32Aを有した絶縁層32を形成する。開口部32Aは、第2のビア33を配設するためのものであり、第2のビア33の形状及び形成位置に対応している。開口部32Aは、例えば、レーザ加工を用いて、第1のビア28と対向するように形成する。このように、第2のビア33が配設される開口部32Aを第1のビア28と対向するように形成することにより、開口部32Aを形成する際、レーザが金属層27を貫通した場合でも、第1のビア28内で開口部32Aの底面及び側壁をストップさせることが可能となる。これにより、第1のビア28と第2のビア33との間の電気的な接続が確保され、配線基板11の歩留まりを向上させることができる。絶縁層32は、例えば、印刷法や樹脂フィルムの積層により形成することができる。絶縁層32としては、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等を用いることができる。絶縁層26上における絶縁層32の厚さは、例えば、30μm~50μmとすることができる。続いて、先に説明した図8~図12の工程と同様な手法により、シード層83及び導電金属84からなる第2のビア33と、シード層83及び導電金属84からなる配線35,36とを同時に形成する第2のビア形成工程。シード層83の材料としては、例えば、Cu、Ni等を用いることができる。導電金属84としては、例えば、Cuを用いることができる。また、配線35,36の厚さは、例えば、20μmとすることができる。次いで、図19に示す工程では、先に説明した図6及び図7の工程と同様な手法により、図18に示した構造体上に開口部38A,38Bを有した絶縁層38を形成する。開口部38Aは、ビア39の形状及び形成位置に対応しており、ビア39を配設するためのものである。開口部38Aは、配線35の上面を露出するように形成する。開口部38Bは、ビア41の形状及び形成位置に対応しており、ビア41を配設するためのものである。開口部38Bは、配線36の上面を露出するように形成する。絶縁層38は、例えば、印刷法や樹脂フィルムの積層によりにより形成することができる。絶縁層38としては、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等を用いることができる。絶縁層32上の絶縁層38の厚さは、例えば、30μm~50μmとすることができる。続いて、先に説明した図8~図12の工程と同様な手法により、シード層86及び導電金属87からなるビア39,41と、シード層86及び導電金属87からなる配線43,46とを同時に形成する。シード層86の材料としては、例えば、Cu、Ni等を用いることができる。また、導電金属87としては、例えば、Cuを用いることができる。配線43,46の厚さは、例えば、20μmとすることができる。次いで、図20に示す工程では、絶縁層38上に、接続部44,47以外の配線43,46部分を覆うように保護膜49を形成する。保護膜49は、例えば、印刷法により形成することができる。保護膜49としては、例えば、ソルダーレジストを用いることができる。保護膜49の厚さは、例えば、20μmとすることができる。次いで、図21に示す工程では、図20に示した構造体上に接続部44のみを露出する開口部89Aを有したレジスト膜89を形成する。次いで、図22に示す工程では、配線43を給電層とする電解めっき法により、接続部44上に拡散防止膜51を形成する。拡散防止膜51としては、例えば、接続部44上に、Ni層、Au層の順に積層したNi/Au積層膜を用いることができる。次いで、図23に示す工程では、レジスト膜89を除去する。次いで、図24に示す工程では、エッチングにより、支持板71及び導電金属72を除去する。これにより、配線基板11が製造される。次いで、図25に示す工程では、接続部47上にはんだ57を塗布し、はんだ57を溶融させた後、スタッドバンプ56を接続部47に接触させてスタッドバンプ56と接続部47とを接続する。これにより、第1の半導体チップ14は、配線基板11とフリップチップ接続される。続いて、第1の半導体チップ14と配線基板11との間にアンダーフィル樹脂58を充填する。次いで、図26に示す工程では、接着材62により、第1の半導体チップ14上に第2の半導体チップ15を接着する。続いて、電極パッド61と拡散防止膜51との間を電気的に接続するワイヤ63を形成する。これにより、第2の半導体チップ15は、配線基板11に対してワイヤボンディング接続される。次いで、図27に示す工程では、図26に示した構造体上に、第1及び第2の半導体チップ14,15とワイヤ63とを封止するように封止樹脂16を形成する。封止樹脂16は、例えば、トランスファーモールド法により形成することができる。封止樹脂16としては、例えば、エポキシ系樹脂を用いることができる。次いで、図28に示す工程では、パッド19に外部接続端子12を形成し、その後、ダイシングにより、半導体装置形成領域Eの外形位置図27参照に対応する封止樹脂16及び絶縁層18,26,32,38を切断して、複数の半導体装置10を製造する。本実施の形態の製造方法によれば、電解めっき法を用いて、第1のビア28と金属層27とを同時に形成することにより、製造工程を簡略化して、半導体装置10及び配線基板11の製造コストを低減することができる。また、第2のビア33が配設される開口部32Aを第1のビア28と対向するように形成することにより、レーザが金属層27を貫通した場合でも、第1のビア28内で開口部32Aの底面及び側壁をストップさせることが可能となるため、第1のビア28と第2のビア33との間の電気的な接続が確保され、配線基板11の歩留まりを向上させることができる。なお、支持板71及び導電金属72の除去は、配線基板11上に第1及び第2の半導体チップ14,15を実装して封止樹脂16を形成した後に行なってもよい。第2の実施の形態図29は、本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。図29において、第1の実施の形態の半導体装置10と同一構成部分には同一符号を付す。図29を参照して、本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置95について説明する。半導体装置95は、外部接続端子12と、第1の半導体チップ14と、第2の半導体チップ15と、封止樹脂16と、金属層97を備えた配線基板96とを有する。半導体装置95は、第1の実施の形態の半導体装置10に設けられた金属層27の代わりに金属層97を設けた以外は半導体装置10と同様に構成される。図30は、図29に示した領域Aに対応する金属層の平面図である。図29及び図30を参照するに、金属層97は、絶縁層26上に設けられている。金属層97は、複数の貫通孔97A第1の貫通孔を有した以外は、第1の実施の形態で説明した金属層27と同様に構成される。複数の貫通孔97Aは、金属層97の全面に亘って形成されている。複数の貫通孔97Aは、例えば、千鳥状、或いは、格子状に配置することができる。図30では、複数の貫通孔97Aを千鳥状に配置した場合を図示している。貫通孔97Aは、例えば、円柱、四角柱等の形状とすることができる。貫通孔97Aの形状が円柱の場合、貫通孔97Aの直径は、例えば、30μm~300μmとすることができる。本実施の形態の半導体装置によれば、金属層27の代わりに複数の貫通孔97Aを有した金属層97を絶縁層26上に設けることにより、複数の貫通孔97A内を絶縁層32で充填して、絶縁層26と絶縁層32との接触面積を増加させて、絶縁層26,32間の密着性を向上させることができる。また、複数の貫通孔97Aは、製造時に絶縁層18,26,32,38から発生するガスを放出するためのガス抜き孔として利用することができる。図31及び図32は、本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図である。図33は、図31に示した領域Dに対応するレジスト膜の平面図である。図31~図33において、第2の実施の形態の半導体装置95と同一構成部分には同一符号を付す。図31~図33を参照して、本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置95の製造方法について説明する。始めに、先に説明した図3~図14に示した工程と同様な手法により、図14に示した構造体を形成する。次いで、図31に示す工程では、図14に示した構造体上に、第1及び第2のパターン99A,99Bを有するレジストパターン99を形成する図33参照。第1のパターン99Aは、金属層97の外形位置に対応するパターンである。第2のパターン99Bは、貫通孔97Aの形状及び形成位置に対応するパターンである。次いで、図32に示す工程では、シード層79を給電層とする電解めっき法により、レジストパターン99から露出されたシード層79上に導電金属82を形成する。これにより、シード層79及び導電金属82からなる第1のビア28と、シード層79及び導電金属82からなる金属層97とが同時に形成される。金属層97の厚さは、例えば、10μm~30μmとすることができる。その後、先に説明した図17~図28の工程と同様な処理を行って、半導体装置95を製造する。本実施の形態の製造方法によれば、電解めっき法により、第1のビア28と金属層97とを同時に形成することで、製造工程が簡略化されるので、半導体装置95及び配線基板96の製造コストを低減することができる。また、電解めっき法により金属層27を形成することで、金属層97が所望の厚さとなるように容易に調整することができる。第3の実施の形態図34は、本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。図34において、Bは配線基板106の第1及び第2の半導体チップ14,15が実装される領域以下、実装領域Bとするを示している。また、図34において、第2の実施の形態の半導体装置95と同一構成部分には同一符号を付す。図34を参照して、本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置105について説明する。半導体装置105は、外部接続端子12と、第1の半導体チップ14と、第2の半導体チップ15と、封止樹脂16と、金属層107を備えた配線基板106とを有する。半導体装置105は、第2の実施の形態の半導体装置95に設けられた金属層97の代わりに金属層107を設けた以外は半導体装置95と同様に構成される。金属層107は、第1及び第2の半導体チップ14,15の実装領域Bよりも外側に位置する金属層107にのみ複数の貫通孔97Aを設けた以外は、金属層97と同様に構成される。本実施の形態の半導体装置によれば、第1及び第2の半導体チップ14,15の実装領域Bよりも外側に位置する金属層107に複数の貫通孔97Aを設けることにより、配線基板106の剛性を確保した状態で、絶縁層26,32間の密着性を向上させることができる。また、配線基板106の剛性が確保されることにより、配線基板106に第1及び第2の半導体チップ14,15を精度良く実装することができる。なお、本実施の形態の半導体装置105は、第2の実施の形態の半導体装置95と同様な手法により製造することができる。第4の実施の形態図35は、本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。図35において、Cは金属層27の第1及び第2の半導体チップ14,15と対向する領域以下、対向領域Cとするを示している。また、図35において、第1の実施の形態の半導体装置10と同一構成部分には同一符号を付す。図35を参照して、本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置110について説明する。半導体装置110は、外部接続端子12と、第1の半導体チップ14と、第2の半導体チップ15と、封止樹脂16と、金属層27及び熱膨張係数緩和部材112を備えた配線基板111とを有する。半導体装置110は、第1の実施の形態の半導体装置10の構成にさらに熱膨張係数緩和部材112を設けた以外は、半導体装置10と同様に構成される。熱膨張係数緩和部材112は、第1及び第2の半導体チップ14,15と対向する金属層27の対向領域C上に設けられている。熱膨張係数緩和部材112は、第1及び第2の半導体チップ14,15の半導体基板図示せずと略等しい熱膨張係数を有する部材である。金属層27の材料がCuの場合、熱膨張係数緩和部材112の材料としては、例えば、Ni、Co、Fe、Ni、Ni-Fe等を用いることができる。また、熱膨張係数緩和部材112の厚さは、例えば、10μm~20μmとすることができる。本実施の形態の半導体装置によれば、第1及び第2の半導体チップ14,15と対向する金属層27の対向領域C上に、第1及び第2の半導体チップ14,15の半導体基板図示せずと略等しい熱膨張係数を有する熱膨張係数緩和部材112を設けることにより、第1及び第2の半導体チップ14,15と配線基板111との間の熱膨張係数の差が小さくなるため、半導体装置110の反りを抑制できる。さらに、第1及び第2の半導体チップ14,15の破損を防止することができる。図36~図38は、本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図である。図36~図38において、第4の実施の形態で説明した半導体装置110と同一構成部分には同一符号を付す。図36~図38を参照して、本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置110の製造方法について説明する。始めに、先に説明した図3~図17に示した工程と同様な手法により、図17に示す構造体を形成する。次いで、図36に示す工程では、図17に示した構造体上に、金属層27の対向領域Cを露出する開口部114Aを有したレジスト膜114を形成する。次いで、図37に示す工程では、金属層27を給電層とする電解めっき法により、金属層27の対向領域C上に熱膨張係数緩和部材112を形成する。金属層27の材料がCuの場合、熱膨張係数緩和部材112の材料としては、例えば、Ni、Co、Fe、Ni、Ni-Fe等を用いることができる。また、熱膨張係数緩和部材112の厚さは、例えば、10μm~20μmとすることができる。次いで、図38に示す工程では、レジスト膜114を除去する。その後、先に説明した図18~図28の工程と同様な処理を行うことで、半導体装置110を製造することができる。なお、本実施の形態では、熱膨張係数緩和部材112を金属層27上に設けた場合を例に挙げて説明したが、熱膨張係数緩和部材112は、金属層27の下面と接触するように設けてもよい。さらに、熱膨張係数緩和部材112は、半導体チップ14,15と対向する絶縁層18,26,32,38部分に設けてもよい。第5の実施の形態図39は、本発明の第5の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。図39において、第2の実施の形態の半導体装置95と同一構成部分には同一符号を付す。図39を参照して、本発明の第5の実施の形態に係る半導体装置115について説明する。半導体装置115は、外部接続端子12と、第1の半導体チップ14と、第2の半導体チップ15と、封止樹脂16と、金属層97及び熱膨張係数緩和部材117を備えた配線基板116とを有する。半導体装置115は、第2の実施の形態の半導体装置95の構成にさらに熱膨張係数緩和部材117を設けた以外は、半導体装置95と同様に構成される。熱膨張係数緩和部材117は、第1及び第2の半導体チップ14,15と対向する金属層97の対向領域C上に設けられている。熱膨張係数緩和部材117は、第1及び第2の半導体チップ14,15の半導体基板図示せずと略等しい熱膨張係数を有する部材であり、複数の貫通孔117A第2の貫通孔を有する。複数の貫通孔117Aは、金属層97に設けられた貫通孔97Aと対向するように配置されている。貫通孔117Aの形状及び直径は、貫通孔97Aと略等しくなるように構成されている。金属層97の材料がCuの場合、熱膨張係数緩和部材117の材料としては、例えば、Ni、Co、Fe、Ni、Ni-Fe等を用いることができる。また、熱膨張係数緩和部材117の厚さは、例えば、10μm~20μmとすることができる。本実施の形態の半導体装置によれば、第1及び第2の半導体チップ14,15と対向する金属層97の対向領域C上に、金属層97の貫通孔97Aと対向する貫通孔117Aを備えると共に、第1及び第2の半導体チップ14,15に設けられた半導体基板図示せずと熱膨張係数の略等しい熱膨張係数緩和部材117を設けることにより、半導体装置115の反りを抑制できると共に、絶縁層26,32間の密着性を向上させることができる。また、複数の貫通孔97A,117Aを設けることにより、製造時に絶縁層18,26,32,38から発生するガスを放出することができる。図40~図42は、本発明の第5の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図であり、図43は、図41に示す構造体をF視した図である。図40~図43において、第5の実施の形態で説明した半導体装置115と同一構成部分には同一符号を付す。図40~図43を参照して、本発明の第5の実施の形態に係る半導体装置115の製造方法について説明する。始めに、先に説明した図3~図14、図31、及び図32に示した工程と同様な手法により、図32に示す構造体を形成する。次いで、図40に示す工程では、レジストパターン99を除去する。次いで、図41に示す工程では、熱膨張係数緩和部材117の外形及び形成位置に対応する第1のパターン119Aと、貫通孔117Aの形状及び形成位置に対応する第2のパターン119Bとを有するレジストパターン119を形成する図43参照。次いで、図42に示す工程では、金属層97を給電層とする電解めっき法により、金属層97の対向領域C上に貫通孔117Aを有する熱膨張係数緩和部材117を形成する。金属層97の材料がCuの場合、熱膨張係数緩和部材117の材料としては、例えば、Ni、Co、Fe、Ni、Ni-Fe等を用いることができる。また、熱膨張係数緩和部材117の厚さは、例えば、10μm~20μmとすることができる。その後、先に説明した図17~図28の工程と同様な処理を行うことで、半導体装置115を製造することができる。なお、本実施の形態では、熱膨張係数緩和部材117を金属層97上に設けた場合を例に挙げて説明したが、熱膨張係数緩和部材117は、金属層97の下面と接触するように設けてもよい。さらに、熱膨張係数緩和部材117は、半導体チップ14,15と対向する絶縁層18,26,32,38部分に設けてもよい。第6の実施の形態図44は、本発明の第6の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。図44において、第3の実施の形態の半導体装置105と同一構成部分には同一符号を付す。図44を参照して、本発明の第6の実施の形態に係る半導体装置125について説明する。半導体装置125は、外部接続端子12と、第1の半導体チップ14と、第2の半導体チップ15と、封止樹脂16と、金属層107及び熱膨張係数緩和部材112を備えた配線基板126とを有する。半導体装置125は、第3の実施の形態の半導体装置105の構成に、さらに第4の実施の形態で説明した熱膨張係数緩和部材112を設けた以外は、半導体装置105と同様に構成される。本実施の形態の半導体装置によれば、第1及び第2の半導体チップ14,15の実装領域Bよりも外側に複数の貫通孔107Aを備えた金属層107上に、熱膨張係数緩和部材112を設けてもよく、このような構成とされた半導体装置125においても第4の実施の形態の半導体装置110と同様な効果を得ることができる。半導体装置125は、第3の実施の形態の半導体装置105の製造方法と、第4の半導体装置110の製造方法とを組み合わせることで製造することができる。なお、本実施の形態では、熱膨張係数緩和部材112を金属層107上に設けた場合を例に挙げて説明したが、熱膨張係数緩和部材112は、金属層107の下面と接触するように設けてもよい。さらに、熱膨張係数緩和部材112は、半導体チップ14,15と対向する絶縁層18,26,32,38部分に設けてもよい。以上、本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。なお、第1~第6の実施の形態の半導体装置10,95,105,110,115,125では、パッド19に外部接続端子12としてはんだボールを設けた場合を例に挙げて説明したが、第1~第6の実施の形態は、はんだボールの代わりにピンを備えたPGAPinGridArrayにも適用可能である。また、第1~第6の実施の形態は、外部接続端子12を備えていないLGALandGridArrayにも適用可能である。LGALandGridArrayの場合、パッド19が外部接続端子12の機能を奏する。さらに、第1~第6の実施の形態に示した配線基板11,96,106,111,116,126に実装する半導体チップの数は、1つでも、3つ以上でもよい。"