"式1で表される化合物および/または式2で表される化合物と水とを含有する銀イオン拡散抑制層形成用水溶液と、絶縁基板および前記絶縁基板上に配置される銀または銀合金からなる金属配線を有する金属配線付き絶縁基板とを接触させる接触工程と、溶媒を用いて、前記金属配線付き絶縁基板を洗浄して、前記金属配線を覆う銀イオン拡散抑制層を得る洗浄工程とをこの順で備える、配線基板の製造方法。式1中、Z1は、N=C-N部と共にトリアジン環、ピリミジン環、または1,2,4-トリアゾール環を形成する原子団を表す。R1は、水酸基、アミノ基、またはメルカプト基を表す。nは0~2の整数を表す。なお、R1が複数ある場合は、同一であっても異なっていてもよい。式2中、Z2は、炭素数2~3のアルキレン基を表す。R2は、アルキル基または=Oを表す。mは0~3の整数を表す。なお、R2が複数ある場合は、同一であっても異なっていてもよい。前記洗浄工程後に、前記銀イオン拡散抑制層を備える金属配線付き絶縁基板に加熱処理を施す加熱工程をさらに備える、請求項1に記載の配線基板の製造方法。絶縁基板と、前記絶縁基板上に配置される銀または銀合金からなる金属配線と、前記金属配線を覆う銀イオン拡散抑制層を備える配線基板であって、前記銀イオン拡散抑制層が、式1で表される化合物および/または式2で表される化合物を含む、配線基板。式1中、Z1は、N=C-N部と共にトリアジン環、ピリミジン環、または1,2,4-トリアゾール環を形成する原子団を表す。R1は、水酸基、アミノ基、またはメルカプト基を表す。nは0~2の整数を表す。なお、R1が複数ある場合は、同一であっても異なっていてもよい。式2中、Z2は、炭素数2~3のアルキレン基を表す。R2は、アルキル基または=Oを表す。mは0~3の整数を表す。なお、R2が複数ある場合は、同一であっても異なっていてもよい。式1で表される化合物および/または式2で表される化合物と水とを含有し、銀または銀合金からなる金属配線表面上に銀イオンのマイグレーションを抑制する銀イオン拡散抑制層を形成するために用いられる銀イオン拡散抑制層形成用水溶液。式1中、Z1は、N=C-N部と共にトリアジン環、ピリミジン環、1,2,4-トリアゾール環を形成する原子団を表す。R1は、水酸基、アミノ基、またはメルカプト基を表す。nは0~2の整数を表す。なお、R1が複数ある場合は、同一であっても異なっていてもよい。式2中、Z2は、炭素数2~3のアルキレン基を表す。R2は、アルキル基または=Oを表す。mは0~3の整数を表す。なお、R2が複数ある場合は、同一であっても異なっていてもよい。一方、近年、金属配線の微細化および配線間の狭小化がより急速に進行し、それに伴って配線基板中の銀または銀合金からなる金属配線間の絶縁信頼性のより一層の向上が要求されている。本発明者らは、特許文献1に記載される化合物AまたはBを含む溶液を用いて銀イオン拡散抑制層を銀または銀合金からなる金属配線上に設け、その絶縁信頼性について検討を行った。その結果、金属配線間においては銀のデンドライトの連結が確認され、そのマイグレーション抑制効果は昨今要求されるレベルを満たしておらず、さらなる改良が必要であった。本発明は、上記実情に鑑みて、銀または銀合金からなる金属配線間の銀イオンのマイグレーションが抑制され、金属配線間の絶縁信頼性がより優れる配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、該配線基板を製造する際に使用される銀イオン拡散抑制層を形成するための銀イオン拡散抑制層形成用水溶液を提供することも目的とする。本発明者らは、鋭意検討した結果、所定の構造を有する化合物を含む水溶液を用いて銀イオン拡散抑制層を形成することにより、金属配線間の絶縁信頼性がより向上することを見出した。つまり、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。1後述する式1で表される化合物および/または式2で表される化合物と水とを含有する銀イオン拡散抑制層形成用水溶液と、絶縁基板および絶縁基板上に配置される銀または銀合金からなる金属配線を有する金属配線付き絶縁基板とを接触させる接触工程と、溶媒を用いて、金属配線付き絶縁基板を洗浄して、金属配線を覆う銀イオン拡散抑制層を得る洗浄工程とをこの順で有する、配線基板の製造方法。2洗浄工程後に、銀イオン拡散抑制層を備える金属配線付き絶縁基板に加熱処理を施す加熱工程をさらに備える、1に記載の配線基板の製造方法。3絶縁基板と、絶縁基板上に配置される銀または銀合金からなる金属配線と、金属配線を覆う銀イオン拡散抑制層を備える配線基板であって、銀イオン拡散抑制層が、後述する式1で表される化合物および/または式2で表される化合物を含む、配線基板。4後述する式1で表される化合物および/または式2で表される化合物と水とを含有し、銀または銀合金からなる金属配線表面上に銀イオンのマイグレーションを抑制する銀イオン拡散抑制層を形成するための銀イオン拡散抑制層形成用水溶液。本発明によれば、銀または銀合金からなる金属配線間の銀イオンのマイグレーションが抑制され、金属配線間の絶縁信頼性がより優れる配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。また、本発明によれば、該配線基板を製造する際に使用される銀イオン拡散抑制層を形成するための銀イオン拡散抑制層形成用水溶液を提供することもできる。以下に、本発明の配線基板およびその製造方法、該配線基板の製造の際に使用される銀イオン拡散抑制層形成用水溶液の好適態様について説明する。まず、本発明の従来技術と比較した特徴点について詳述する。特許文献1に記載の上述した化合物AまたはBを含む溶液を使用した場合、銀または銀合金からなる金属配線上に形成される銀イオン拡散抑制層の付着量が必ずしも十分でなく、該化合物が付着した層が形成されてもその銀イオンマイグレーション抑制効果が劣っている。それに対して、本発明においては、所定の構造を有する化合物および溶媒として水を含む銀イオン拡散抑制層形成用水溶液を使用することにより、銀または銀合金からなる金属配線上に十分な付着量の銀イオン拡散抑制層を形成することができ、その銀イオンマイグレーション抑制効果にも優れている。本発明において十分な付着量の銀イオン拡散抑制層を形成できる理由としては、誘電率の高い水中で特定の構造を有する化合物と銀または銀合金からなる金属配線とを接触させると、金属配線上に化合物分子を含む皮膜が多層に積層するためと推測する。一方、本実施形態の銀イオン拡散抑制層形成用水溶液と、銅または銅合金からなる銅含有配線とを接触させて銅含有配線上にイオン拡散抑制層を形成した場合、その銅イオンマイグレーション抑制効果は十分でない。つまり、該銀イオン拡散抑制層形成用水溶液は、銀または銀合金からなる金属配線に対して有効であることが見出されている。まず、本発明で使用される銀イオン拡散抑制層形成用水溶液について詳述し、その後配線基板の製造方法について詳述する。<銀イオン拡散抑制層形成用水溶液>本発明の銀イオン拡散抑制層形成用水溶液マイグレーション抑制層形成用水溶液は、銀または銀合金からなる金属配線以後、単に金属配線とも称する上に銀イオンのマイグレーションを抑制する銀イオン拡散抑制層マイグレーション抑制層を形成するための処理液である。以下に、水溶液中に含まれる成分について詳述する。[式1で表される化合物および/または式2で表される化合物]該水溶液中には、式1で表される化合物および/または式2で表される化合物以後、両化合物の総称として化合物Xとも称するが含有される。化合物Xは、硫黄原子または窒素原子を介して金属配線と相互作用して、銀イオン拡散抑制層を形成する。これらの化合物は単環構造であり、かつ、ヘテロ環構造を構成する窒素原子の数が3個以下であり、このような構造が本発明の効果に寄与していると推測される。式1中、Z1は、N=C-N部と共にトリアジン環、ピリミジン環、または1,2,4-トリアゾール環を形成する原子団を表す。この原子団を構成する原子としては、炭素原子、窒素原子、水素原子が挙げられる。なかでも、銀イオン拡散抑制層の銀イオンマイグレーション抑制効果がより優れる点で、Z1はN=C-N部と共にトリアジン環を形成することが好ましい。式1中、R1はZ1に置換する置換基であって、水酸基、アミノ基、またはメルカプト基を表す。なお、R1が複数ある場合は、同一であっても異なっていてもよい。なかでも、銀イオン拡散抑制層の銀イオンマイグレーション抑制効果がより優れる点で、メルカプト基が好ましい。式1中、nは0~2の整数を表す。式2中、Z2は、炭素数2~3のアルキレン基を表す。なかでも、銀イオン拡散抑制層の銀イオンマイグレーション抑制効果がより優れる点で、炭素数2のアルキレン基であることが好ましい。式2中、R2は、アルキル基または=O酸素原子を表す。R2が=Oの場合、Z2中の炭素原子と共にカルボニル基を形成する。なお、R2が複数ある場合は、同一であっても異なっていてもよい。アルキル基としては、銀イオン拡散抑制層の銀イオンマイグレーション抑制効果がより優れる点で、炭素数1~4が好ましく、1~2がより好ましい。式2中、mは0~3の整数を表す。好適態様その1Z1とN=C-N部と共がトリアジン環を形成する場合、銀イオン拡散抑制層の銀イオンマイグレーション抑制効果がより優れる点で、以下の式3で表される化合物であることが好ましい。式3中、R1は上記の定義の通りであり、銀イオン拡散抑制層の銀イオンマイグレーション抑制効果がより優れる点で、メルカプト基であることがより好ましい。好適態様その2他の好適態様としては、銀イオン拡散抑制層の銀イオンマイグレーション抑制効果がより優れる点で、式1中のZ1がN=C-N部と共にピリミジン環を構成する態様が挙げられる。銀イオン拡散抑制層形成用水溶液中における式1で表される化合物および式2で表される化合物の合計含有量は特に制限されないが、銀イオン拡散抑制層の付着量の制御がしやすい点で、該水溶液全量に対して、0.001~10.0質量が好ましく、0.005~5.0質量がより好ましい。これら化合物の合計含有量が多すぎると、銀イオン拡散抑制層の付着量の制御が困難となる。これら化合物の合計含有量が少なすぎると、所望の付着量の銀イオン拡散抑制層が形成されるまで時間がかかり、生産性が悪い。[溶媒:水]銀イオン拡散抑制層形成用水溶液には溶媒として水が含まれる。誘電率の高い水を使用することにより、上述した化合物Xが金属配線表面上に多層状態で積層することが可能となる。銀イオン拡散抑制層形成用水溶液中における水の含有量は特に制限されないが、該水溶液全量に対して、90.0~99.999質量が好ましく、95.0~99.995質量がより好ましい。なお、銀イオン拡散抑制層形成用水溶液中には溶媒として有機溶媒が含まれていてもよいが、銀イオン拡散抑制層の銀イオンマイグレーション抑制効果がより優れる点で、溶媒は実質的に水であることが好ましい。実質的とは、全溶媒中における水の含有量が95質量以上であることを意味し、99質量であることが好ましい。なお、使用される有機溶媒としては、例えば、アルコール系溶媒例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ケトン系溶媒例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アミド系溶媒例えば、ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン、ニトリル系溶媒例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル、エステル系溶媒例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、カーボネート系溶媒例えば、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エーテル系溶媒、ハロゲン系溶媒などが挙げられる。これらの溶媒を、2種以上混合して使用してもよい。銀イオン拡散抑制層の銀イオンマイグレーション抑制効果がより優れる点で、銀イオン拡散抑制層形成用水溶液には銀イオンが実質的に含まれていないことが好ましい。過剰量の銀イオンが含まれていると、銀イオン拡散抑制層中に銀イオンが多量に含まれることになり、銀イオンのマイグレーションを抑制する効果が薄れることがある。なお、銀イオンが実質的に含まれないとは、水溶液中における銀イオンの含有量が、1μmol/l以下であることを指し、0.1μmol/l以下であることがより好ましい。最も好ましくは0mol/lである。銀イオン拡散抑制層形成用水溶液のpHは特に制限されないが、水溶液の安定性がより優れる点で、2~14が好ましく、4~14がより好ましい。pHの調整は、公知の酸例えば、塩酸、硫酸や、塩基例えば、水酸化ナトリウム、DBUジアザビシクロウンデセン、DBNジアザビシクロノネンを用いて行うことができる。また、pHの測定は、公知の測定手段例えば、pHメーター水溶媒の場合を用いて実施できる。なお、銀イオン拡散抑制層の形成速度がより優れる点で、銀イオン拡散抑制層形成用水溶液のpHはアルカリ性であることが好ましく、より具体的には10以上であることが好ましく、12超であることがより好ましい。上限は特に制限されないが、水溶液の安定性の点から、14以下であることが好ましい。なお、銀イオン拡散抑制層形成用水溶液に式3で表される化合物が含まれる場合、銀イオン拡散抑制層の形成速度がより優れる。<配線基板およびその製造方法>次に、本発明の配線基板の製造方法について詳述し、その後製造される配線基板の態様について詳述する。本発明の配線基板の製造方法は、接触工程と、洗浄工程とをこの順で備える。以下に、図面を参照して、各工程で使用される材料、および、工程の手順について詳述する。[接触工程]接触工程は、化合物Xと水とを含有する銀イオン拡散抑制層形成用水溶液と、絶縁基板および絶縁基板上に配置される銀または銀合金からなる金属配線を有する金属配線付き絶縁基板とを接触させる工程である。該工程で銀イオン拡散抑制層形成用水溶液と金属配線付き絶縁基板の金属配線側の表面とを接触させることにより、絶縁基板表面および金属配線表面に化合物Xを含む銀イオン拡散抑制層を形成される。言い換えると、本工程は、金属配線付き絶縁基板の金属配線側の表面絶縁基板表面および金属配線表面を化合物Xで覆う工程である。該工程によって、図1Aに示す金属配線付き絶縁基板10の絶縁基板12表面上と金属配線14表面上とに、化合物Xを含む銀イオン拡散抑制層16が形成される図1B参照。特に、金属配線14上の化合物Xは、主に硫黄原子または窒素原子を介して金属配線14表面に結合すると推測される。なお、図1Bでは絶縁基板12の全面に銀イオン拡散抑制層16が形成されているが、この形態に限定されず、絶縁基板12表面の一部に銀イオン拡散抑制層16が形成されている場合も含まれる。まず、本工程で使用される材料金属配線付き絶縁基板などについて説明し、その後本工程の手順について説明する。[金属配線付き絶縁基板]本工程で使用される金属配線付き絶縁基板内層基板は、絶縁基板および絶縁基板上に配置される銀または銀合金からなる金属配線を有する。図1Aには、金属配線付き絶縁基板の一態様が示されており、金属配線付き絶縁基板10は、絶縁基板12と、絶縁基板12上に配置された金属配線14とを有する。金属配線14は、図1Aにおいては、基板の片面だけに設けられているが、両面に設けられていてもよい。つまり、金属配線付き絶縁基板10は、片面基板であっても、両面基板であってもよい。なお、金属配線14が絶縁基板10の両面にある場合、本工程、後述する洗浄工程および絶縁層形成工程は、基板の両面に対して実施される。絶縁基板は、絶縁性であり、金属配線を支持できるものであれば、その種類は特に制限されない。例えば、有機基板、セラミック基板、ガラス基板などを使用することができる。また、絶縁基板は、有機基板、セラミック基板、およびガラス基板からなる群から選ばれる少なくとも2つの基板が積層した構造であってもよい。有機基板の材料としては樹脂が挙げられ、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、またはそれらを混合した樹脂を使用することが好ましい。熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フラン樹脂、ケトン樹脂、キシレン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂、液晶ポリマー等が挙げられる。なお、有機基板の材料としては、ガラス織布、ガラス不織布、アラミド織布、アラミド不織布、芳香族ポリアミド織布や、これらに上記樹脂を含浸させた材料なども使用できる。金属配線は、銀または銀合金で構成される。金属配線が銀合金で構成される場合、銀以外の含有される金属としては、例えば、錫、パラジウム、金、ニッケル、クロムなどが挙げられる。絶縁基板上への金属配線の形成方法は特に制限されず、公知の方法が採用できる。代表的には、エッチング処理を利用したサブトラクティブ法や、電解めっきを利用したセミアディティブ法や、銀ペーストを用いて金属配線を作製する方法などが挙げられる。金属配線の幅は特に制限されないが、配線基板の高集積化の点から、0.1~1000μmが好ましく、0.1~50μmがより好ましく、0.1~20μmがさらに好ましい。金属配線間の間隔は特に制限されないが、配線基板の高集積化の点から、0.1~1000μmが好ましく、0.1~50μmがより好ましく、0.1~20μmがさらに好ましい。また、金属配線のパターン形状は特に制限されず、任意のパターンであってもよい。例えば、直線状、曲線状、矩形状、円状などが挙げられる。金属配線の厚みは特に制限されないが、配線基板の高集積化の点から、0.1~1000μmが好ましく、0.1~25μmがより好ましく、0.1~20μmがさらに好ましい。なお、金属配線付き絶縁基板は、絶縁基板と金属配線とを少なくとも有する積層構造で、最外層に金属配線が配置されていればよく、絶縁基板と金属配線との間に他の層が配置されていてよい。例えば、金属配線付き絶縁基板の他の形態としては、絶縁基板12と金属配線14との間に他の金属配線14aおよび層間絶縁層24が配置されていてもよい図2参照。なお、他の金属配線14aおよび層間絶縁層24は、それぞれ交互に複数配置されていてもよい。また、絶縁基板中にスルーホールが形成されていてもよい。絶縁基板の両面に金属配線が設けられる場合は、該スルーホール内に金属例えば、銀または銀合金が充填されることにより、両面の金属配線が導通されていてもよい。工程の手順本工程では、金属配線付き絶縁基板と銀イオン拡散抑制層形成用水溶液とを接触させることができればその方法は特に制限されず、金属配線付き絶縁基板上へ銀イオン拡散抑制層形成用水溶液を塗布する方法具体的には、シャワー噴霧、スプレー塗布、スピンコートなど、または、銀イオン拡散抑制層形成用水溶液中に金属配線付き絶縁基板を浸漬する方法ディップ浸漬など、公知の方法を採用することができる。銀イオン拡散抑制層の付着量の制御がよりしやすい点で、ディップ浸漬が好ましい。金属配線付き絶縁基板と接触する際の銀イオン拡散抑制層形成用水溶液の液温としては、銀イオン拡散抑制層の付着量制御がより容易にできる点で、5~60°Cの範囲が好ましく、15~50°Cの範囲がより好ましく、20~40°Cの範囲がさらに好ましい。また、接触時間としては、生産性および銀イオン拡散抑制層の付着量制御の点で、10秒~12時間の範囲が好ましく、15秒~6時間の範囲がより好ましい。[洗浄工程]本工程は、溶媒を用いて、金属配線付き絶縁基板を洗浄して、金属配線を覆う銀イオン拡散抑制層を得る工程である。本工程を行うことにより、金属配線と結合した化合物X以外の化合物X特に絶縁基板表面上の銀イオン拡散抑制層を洗浄除去することができる。より具体的には、図1Cに示すように、本工程を実施することにより、絶縁基板12上の化合物Xを含む銀イオン拡散抑制層16が実質的に除去され、金属配線14の表面に銀イオン拡散抑制層16が形成される。絶縁基板上に化合物Xが多量に残存していると、金属配線付き絶縁基板上に設けられる絶縁層と絶縁基板との間で密着不良などが発生し、金属配線間の短絡の原因となる。本工程を実施することにより、特に絶縁基板表面上の化合物Xを除去することができ、金属配線間の絶縁信頼性が担保される。なお、本工程の実施の際に、金属配線上の余分な化合物Xが一部洗浄除去されてもよい。以下では、本工程で使用される材料溶媒について説明し、その後該工程の手順について説明する。溶媒洗浄溶媒金属配線付き絶縁基板を洗浄する洗浄工程で使用される溶媒洗浄溶媒の種類は特に限定されず、絶縁基板上の銀イオン拡散抑制層を除去できる溶媒であればよい。なかでも、化合物Xが溶解する溶媒であることが好ましい。該溶媒を使用することにより、金属配線付き絶縁基板上の余分な化合物Xをより効率的に除去することができる。溶媒の種類として、例えば、水、アルコール系溶媒例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ケトン系溶媒例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アミド系溶媒例えば、ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン、N-エチルピロリドン、ニトリル系溶媒例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル、エステル系溶媒例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、γ-ブチロラクトン、カーボネート系溶媒例えば、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エーテル系溶媒例えば、セロソルブ、テトラヒドロフラン、ハロゲン系溶媒、グリコールエーテル系溶媒例えば、ジプロピレングリコールメチルエーテル、グリコールエステル系溶媒例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートなどが挙げられる。これらの溶媒を、2種以上混合して使用してもよい。なかでも、化合物Xの除去性がより優れる点から、水、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒好ましくはシクロヘキサノン、グリコールエステル系溶媒好ましくはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、アミド系溶媒好ましくはN-エチルピロリドンが好ましく、特に水、アルコール系溶媒、または水とアルコール系溶媒との混合液がより好ましく、安全性および難燃性がより優れる点で、水とアルコール系溶媒との混合液がさらに好ましい。使用される溶媒の沸点25°C、1気圧は特に制限されないが、安全性の観点で、75~200°Cが好ましく、80~180°Cがより好ましい。工程の手順本工程で実施される洗浄の方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができる。例えば、金属配線付き絶縁基板上金属配線側の表面上に溶媒を塗布する方法、溶媒中に金属配線付き絶縁基板を浸漬する方法、シャワー法などが挙げられる。また、溶媒の液温としては、取扱い性および化合物Xの除去性の両者のバランスに優れる点で、5~60°Cの範囲が好ましく、15~35°Cの範囲がより好ましい。また、金属配線付き絶縁基板と溶媒との接触時間としては、生産性および化合物Xの除去性の両者のバランスに優れる点で、10秒~10分の範囲が好ましく、15秒~5分の範囲がより好ましい。銀イオン拡散抑制層上記工程を経ることにより、図1Cに示すように、金属配線14表面を覆う銀イオン拡散抑制層16を形成することができる。銀イオン拡散抑制層中における化合物Xの含有量は、銀イオンのマイグレーションをより抑制できる点から、銀イオン拡散抑制層全量に対して、0.1~100質量であることが好ましく、20~100質量であることがより好ましく、50~100質量であることがさらに好ましい。特に、銀イオン拡散抑制層は、実質的に化合物Xで構成されていることが好ましい。なお、実質的とは、銀イオン拡散抑制層中の化合物Xの含有量が、銀イオン拡散抑制層全量に対して、95質量以上であることを意味する。銀イオン拡散抑制層中には、銀イオンまたは金属銀が実質的に含まれていないことが好ましい。銀イオン拡散抑制層に過剰の銀イオンまたは金属銀が含まれていると、銀イオンマイグレーション抑制効果が低下する場合がある。金属配線表面上における式1で表される化合物および式2で表される化合物の付着量合計付着量は、銀イオンのマイグレーションをより抑制できる点から、金属配線の全表面積に対して、1.0×109g/mm2以上であることが好ましい。なかでも、銀イオンマイグレーション抑制効果がより優れる点で、1.0×108g/mm2以上がより好ましく、3.0×108g/mm2以上が特に好ましい。なお、上限については特に制限されないが、その上に形成される絶縁層との密着性がより優れる点で、1.0×106g/mm2以下が好ましく、5.0×107g/mm2以下がより好ましい。なお、付着量は、公知の方法例えば、吸光度法によって測定することができる。具体的には、まず溶媒例えば、水で絶縁基板上に存在する銀イオン拡散抑制層を洗浄除去する水による抽出法。その後、有機酸例えば、塩酸により金属配線上の銀イオン拡散抑制層を抽出し、吸光度を測定して、液量と塗布面積から付着量を算出する。なお、上述したように、絶縁基板上には化合物Xを含む銀イオン拡散抑制層は実質的に除去されていることが好ましいが、本発明の効果を損なわない範囲で一部銀イオン拡散抑制層が残存していてもよい。[任意工程:加熱工程]加熱工程は、必要に応じて、洗浄工程の後で後述する絶縁層形成工程の前に設けられる工程で、銀イオン拡散抑制層を有する金属配線付き絶縁基板配線基板に加熱処理を施す工程である。金属配線付き絶縁基板上に水分が残存していると銀イオンのマイグレーションが促進され、結果として金属配線間の絶縁性を損なうおそれがあるため、該工程を設けることにより水分を除去することが好ましい。なお、本工程は任意の工程であり、上記工程で使用される溶媒が揮発性に優れる溶媒である場合などは、本工程は実施しなくてもよい。加熱条件としては、金属配線中の銀の酸化を抑制する点で、70~120°C好ましくは、80°C~110°Cで、15秒~10分間好ましくは、30秒~5分実施することが好ましい。加熱温度が低すぎる、または、加熱時間が短すぎると、水分の除去が十分でない場合があり、加熱温度が高すぎる、または、加熱時間が長すぎると、銀の酸化膜が形成されるおそれがある。加熱に使用する装置は特に限定されず、恒温層、ヒーターなど公知の加熱装置を使用することができる。<配線基板>上記工程を経ることにより、図1Cに示すように、絶縁基板12と、絶縁基板12上に配置される金属配線14と、金属配線14を覆う銀イオン拡散抑制層16とを備える配線基板18が得られる。図1Cに示すように、銀イオン拡散抑制層16は、実質的に金属配線14表面上にのみ形成されることが好ましい。なお、図1Cでは、金属配線14が一層の配線構造を例にあげたが、もちろんこれに限定されない。例えば、複数の金属配線と絶縁基板とを交互に積層した多層配線基板を金属配線付き絶縁基板として使用することにより、多層配線構造の配線基板を製造することができる。本発明の製造方法により得られる配線基板は、種々の用途および構造に対して使用することができる。例えば、プラズマディスプレイパネル用パネル基板、太陽電池電極用基板、メンブレン配線板、タッチパネル電極用基板などが挙げられる。配線基板の金属配線側の表面には、必要に応じて、他の層を形成してもよい。例えば、図1Dに示すように、配線基板18の表面上に絶縁層20を設けてもよい。絶縁層20を設けることにより、金属配線14間の絶縁信頼性がより向上する。絶縁層およびその形成方法においては後述する。また、他の例としては、配線基板中の銀イオン拡散抑制層を覆うように金属酸化物層を設け、その後さらに配線基板上に絶縁層を設けてもよい。該態様の場合、絶縁層と金属配線との間に、銀イオン拡散抑制層と金属酸化物層とが介在する。[絶縁層形成工程]以下において、絶縁層を形成する絶縁層形成工程、および、得られる絶縁層付き配線基板について詳述する。該工程は、上記工程で得られた配線基板の金属配線側の表面上に、絶縁層を形成する工程である。より具体的には、図1Dに示すように、絶縁層20が、銀イオン拡散抑制層16で覆われた金属配線14に接するように金属配線付き絶縁基板10上に設けられ、絶縁層付き配線基板22が得られる。絶縁層20が設けられることにより、金属配線14間の絶縁信頼性がより担保される。また、絶縁基板12と絶縁層20とが直接接触できるため、絶縁層20の密着性が優れる。以下では、本工程で使用される材料絶縁層について説明し、その後該工程の手順について説明する。絶縁層絶縁層の材料としては、公知の絶縁性の材料を使用することができる。例えば、エポキシ樹脂、アラミド樹脂、結晶性ポリオレフィン樹脂、非晶性ポリオレフィン樹脂、フッ素含有樹脂ポリテトラフルオロエチレン、全フッ素化ポリイミド、全フッ素化アモルファス樹脂など、ポリイミド樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、アクリレート樹脂など挙げられる。また、絶縁層として、いわゆる光学用透明粘着シートOCAを使用してもよい。OCAは市販品を用いてもよく、例えば、3M株製8171CLシリーズ、8146シリーズなどが挙げられる。また、絶縁層として、いわゆるソルダーレジスト層を使用してもよい。ソルダーレジストは市販品を用いてもよく、例えば、太陽インキ製造株製PFR800、PSR4000商品名、日立化成工業株製SR7200Gなどが挙げられる。なかでも、絶縁層は、エポキシ基またはメタアクリレート基を有する樹脂を含むことが好ましい。該樹脂は上述した銀イオン拡散抑制層と結合しやすく、結果として絶縁層の密着性が向上し、結果として銀イオンマイグレーション抑制効果がより向上する。該樹脂は絶縁層の主成分であることが好ましい。主成分とは、該樹脂の合計が絶縁層全量に対して、50質量以上であることを意図し、60質量以上であることが好ましい。なお、上限としては、100質量である。エポキシ基を有する樹脂としては、公知のエポキシ樹脂を使用することができる。例えば、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂等を用いることができる。メタアクリレート基を有する樹脂としては、公知の樹脂を使用することができる。例えば、アクリレート樹脂、メタクリレート樹脂等を用いることができる。工程の手順配線基板上への絶縁層の形成方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができる。例えば、絶縁層のフィルムを直接配線基板上にラミネートする方法や、絶縁層を構成する成分を含む絶縁層形成用組成物を配線基板上に塗布する方法や、配線基板を該絶縁層形成用組成物に浸漬する方法などが挙げられる。なお、上記絶縁層形成用組成物には、必要に応じて溶媒が含まれていてもよい。溶媒を含む絶縁層形成用組成物を使用する場合は、該組成物を配線基板上に配置した後、必要に応じて溶媒を除去するために加熱処理を施してもよい。また、絶縁層を配線基板上に設けた後、必要に応じて、絶縁層に対してエネルギー付与例えば、露光または加熱処理を施してもよい。形成される絶縁層の層厚は特に制限されず、金属配線間の絶縁信頼性の観点からは、5~50μmが好ましく、15~40μmがより好ましい。[絶縁層付き配線基板]上記工程を経ることにより、図1Dに示すように、絶縁基板12と、絶縁基板12上に配置される金属配線14と、金属配線14上に配置される絶縁層20とを備え、金属配線14と絶縁層20との間に銀イオン拡散抑制層16が介在する絶縁層付き配線基板22が得られる。また、得られた絶縁層付き配線基板中の絶縁層をドリル加工やレーザー加工により一部除去して、半導体チップを実装して、回路板として使用してもよい。例えば、絶縁層としてソルダーレジストを使用する場合は、所定のパターン状のマスクを絶縁層上に配置し、エネルギーを付与して硬化させ、エネルギー未付与領域の絶縁層を除去して金属配線を露出させる。次に、露出した金属配線の表面を公知の方法で洗浄例えば、硫酸、ソフトエッチング剤、アルカリ、界面活性剤を使用して洗浄した後、半導体チップを金属配線表面上に実装する。また、得られた配線基板の絶縁層上にさらに金属配線を設けてもよい。金属配線を形成する方法は特に制限されず、公知の方法めっき処理、スパッタリング処理などを使用することができる。本発明においては、得られた絶縁層付き配線基板中の最外層に配置される絶縁層上にさらに金属配線を設けた基板を新たな金属配線付き絶縁基板内層基板として使用し、新たに絶縁層および金属配線を幾層にも積層することができる。以下、実施例により、本発明について更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。<実施例1>銅張積層板日立化成社製MCL-E-679F、基板:ガラスエポキシ基板を用いて、スクリーン印刷法により、L/S=200μm/200μmの銀配線を備える金属配線付き絶縁基板を製造した。金属配線付き絶縁基板は、以下の方法により作製した。銅張積層板の銅箔をエッチング処理により剥離した後、スクリーン印刷装置を用いて導電性銀ペースト藤倉化成製FA-451を、メタルマスクを通して基板上にパターニングした。その後、150°Cの条件にて30分間加熱処理を行い、銀配線を硬化させ、L/S=200μm/200μmの櫛型銀配線基板金属配線付き絶縁基板を得た。次に、得られた金属配線付き絶縁基板を、化合物1チオシアヌル酸を含む水溶液溶媒:水、化合物1の含有量:水溶液全量に対して0.004質量、液温:25°C、pH:3.7に1時間秒浸漬した。金属配線付き絶縁基板を水溶液から取り出した後、エタノール液温度:25°Cを用いて金属配線付き絶縁基板を洗浄した接触時間:2分。さらに、その後、金属配線付き絶縁基板に100°Cで2分間加熱処理を施した。反射率測定を行うことにより、銀配線上に化合物1を含む銀イオン拡散抑制層が形成されていることを確認した。吸光度測定より、化合物1の付着量は9.2×108g/mm2であった。なお、金属配線付き絶縁基板を水で洗浄して得られる抽出液の吸光度測定により、金属配線付き絶縁基板の絶縁基板表面銀配線間の表面において銀イオン拡散抑制層は確認できず、上述したエタノール洗浄により除去されていることが確認された。加熱処理が施された金属配線付き絶縁基板の金属配線側の表面上に、絶縁層太陽インキ社製PFR-800をラミネートし、その後露光、ベークを行って、配線基板絶縁層の層厚:35μmを製造した。得られた配線基板に関して、以下の寿命測定を行った。HAST試験による基板寿命測定得られた配線基板を用いて、湿度85、温度130度、圧力1.2atm、電圧100Vの条件で寿命測定使用装置:espec社製、EHS-221MDを行った。評価方法としては、まず、実施例1で使用した金属配線付き絶縁基板上に銀イオン拡散抑制層を形成することなく、実施例1の手順に従って直接絶縁層太陽インキ社製PFR-800をラミネートして得られる比較配線基板を用いて上記条件で寿命測定を行い、銀配線間の抵抗値が1×109Ωまでの時間Xを測定した。次に、実施例1で得られた銀イオン拡散抑制層を有する配線基板を用いて上記条件で寿命測定を行い、銀配線間の抵抗値が1×109Ωまでの時間Yを測定した。得られた時間Xおよび時間Yを用いて寿命の改善率{Y-X/X-1}×100を計算し、以下の基準に従って評価した。実用上、A~Cである必要がある。A:改善率が200以上である場合B:改善率が100以上200未満である場合C:改善率が50以上100未満である場合D:改善率が50未満である場合実施例1で得られた配線基板の結果を、表1に示す。<実施例2>実施例1で使用した化合物1を含む水溶液の代わりに、化合物2エチレンチオ尿素を含む水溶液溶媒:水、化合物2の含有量:水溶液全量に対して1.0質量、液温:25°C、pH:5.8を使用し、金属配線付き絶縁基板を該水溶液に4時間浸漬させた以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板の製造を行い、上記HAST試験を実施した。表1に結果を示す。<実施例3>実施例1で使用した化合物1を含む水溶液の代わりに、化合物32-メルカプトピリミジンを含む水溶液溶媒:水、化合物3の含有量:水溶液全量に対して0.01質量、液温:25°C、pH:4.4を使用し、金属配線付き絶縁基板を該水溶液に2時間浸漬させた以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板の製造を行い、上記HAST試験を実施した。表1に結果を示す。<実施例4>実施例1で使用した化合物1を含む水溶液の代わりに、化合物43-メルカプト-1,2,4-トリアゾールを含む水溶液溶媒:水、化合物4の含有量:水溶液全量に対して3.0質量、液温:25°C、pH:4.0を使用し、金属配線付き絶縁基板を該水溶液に4時間浸漬させた以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板の製造を行い、上記HAST試験を実施した。表1に結果を示す。<実施例5>実施例1で使用した化合物1を含む水溶液の代わりに、化合物1および化合物2を含む水溶液溶媒:水、化合物1の含有量:水溶液全量に対して0.004質量、化合物2の含有量:水溶液全量に対して1.0質量、液温:25°C、pH:4.0を使用し、金属配線付き絶縁基板を該水溶液に1時間浸漬させた以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板の製造を行い、上記HAST試験を実施した。表1に結果を示す。<実施例6>実施例1で使用した化合物1を含む水溶液の代わりに、化合物56-アミノ-1,3,5-トリアジン-2,4-ジチオールを含む水溶液溶媒:水、化合物1の含有量:水溶液全量に対して0.003質量、液温:25°C、pH:4.0を使用し、金属配線付き絶縁基板を該水溶液に1時間浸漬させた以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板の製造を行い、上記HAST試験を実施した。表1に結果を示す。<実施例7>実施例1で使用した化合物1を含む水溶液の代わりに、化合物1を含む水溶液溶媒:水、化合物1の含有量:水溶液全量に対して0.004質量、液温:25°C、pH:13.5を使用し、金属配線付き絶縁基板を該水溶液に5分間浸漬させた以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板の製造を行い、上記HAST試験を実施した。表1に結果を示す。なお、pHの調整のために、上記水溶液中に水酸化カリウムを加えた。<比較例1>実施例1で使用した化合物1を含む水溶液の代わりに、化合物63-メルカプト-1,2-プロパンジオールを含む水溶液溶媒:水、化合物6の含有量:水溶液全量に対して0.5質量、液温:25°C、pH:5.0を使用し、金属配線付き絶縁基板を該水溶液に12時間浸漬させた以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板の製造を行い、上記HAST試験を実施した。表1に結果を示す。<比較例2>実施例1で使用した化合物1を含む水溶液の代わりに、化合物7トリアジンを含む水溶液溶媒:水、化合物7の含有量:水溶液全量に対して1.0質量、液温:25°C、pH:8.8を使用し、金属配線付き絶縁基板を該水溶液に12時間浸漬させた以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板の製造を行い、上記HAST試験を実施した。表1に結果を示す。<比較例3>実施例1で使用した化合物1を含む水溶液の代わりに、化合物8メルカプトベンズイミダゾールを含む水溶液溶媒:水、化合物8の含有量:水溶液全量に対して0.01質量、液温:25°C、pH:6.7を使用し、金属配線付き絶縁基板を該水溶液に12時間浸漬させた以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板の製造を行い、上記HAST試験を実施した。表1に結果を示す。<比較例4>実施例1で使用した化合物1を含む水溶液の代わりに、化合物91-フェニル-5-メルカプトテトラゾールを含む水溶液溶媒:水、化合物9の含有量:水溶液全量に対して0.02質量、液温:25°C、pH:2.0を使用し、金属配線付き絶縁基板を該溶液に12時間浸漬させた以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板の製造を行い、上記HAST試験を実施した。表1に結果を示す。<比較例5>実施例1で使用した化合物1を含む水溶液の代わりに、化合物1を含むエタノール溶液溶媒:エタノール、化合物1の含有量:溶液全量に対して0.004質量、液温:25°Cを使用した以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板の製造を行い、上記HAST試験を実施した。表1に結果を示す。<比較例6>実施例4で使用した化合物4を含む水溶液の代わりに、化合物4を含むエタノール溶液溶媒:エタノール、化合物4の含有量:溶液全量に対して3.8質量、液温:25°Cを使用した以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板の製造を行い、上記HAST試験を実施した。表1に結果を示す。<比較例7>実施例1で使用した銀配線を有する金属配線付き絶縁基板の代わりに、銅配線を有する金属配線付き絶縁基板を使用した上記HAST試験を実施した。以下のその手順の詳細を示す。まず、L/S=23μm/27μmの銅配線を有する金属配線付き絶縁基板は以下の手順に従って、製造した。銅張積層板日立化成社製MCL-E-679F,基板:ガラスエポキシ基板を、酸洗浄、水洗、乾燥させた後、ドライフィルムレジストDFR,商品名;RY3315,日立化成工業株式会社製を真空ラミネーターにより、0.2MPaの圧力で70°Cの条件にて銅張積層板上にラミネートした。ラミネート後、銅パターン形成部を中心波長365nmの露光機にて、70mJcm2の条件でマスク露光した。その後、1重曹水溶液にて現像して、水洗を行い、めっきレジストパターンを得た。めっき前処理、水洗を経て、レジストパターン間に露出した銅上に電解めっきを施した。このとき、電解液には硫酸銅IIの硫酸酸性溶液を用い、純度が99程度の粗銅の板を陽極に、銅張積層板を陰極とした。50~60°C、0.2~0.5Vで電解することで、陰極の銅上に銅が析出した。その後、水洗、乾燥を行った。レジストパターンを剥離するために、45°Cの4NaOH水溶液に基板を60秒間浸漬した。その後、得られた基板を水洗し、1硫酸に30秒間浸漬した。その後、再び水洗した。過酸化水素、硫酸を主成分としたエッチング液により、銅パターン間の導通した銅をクイックエッチングし、水洗、乾燥を行った。得られた銅配線の表面粗さはRz0.3μmであった。次に、前処理剤メック社製CA-5330により銅配線表面の汚れ等を除去した後、粗化処理剤メック社製CZ-8100により、銅配線表面の粗化処理を施した。得られた銅配線の表面粗さは、Rz=1.0μmであった。次に、得られた銅配線付き絶縁基板を、化合物1を含む水溶液溶媒:水、化合物1の含有量:水溶液全量に対して0.009質量、液温:25°C、pH:4.0に30秒間浸漬した。金属配線付き絶縁基板を水溶液から取り出した後、エタノール液温度:25°Cを用いて金属配線付き絶縁基板を洗浄した接触時間:2分。さらに、その後、金属配線付き絶縁基板に100°Cで2分間加熱処理を施した。その後、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を製造し、上述したHAST試験を行った。結果を表1に示す。なお、HAST試験を行う際の比較配線基板としては、上記で作製した銅配線を有する金属配線付き絶縁基板上に、実施例1の手順に従って直接絶縁層太陽インキ社製PFR-800をラミネートして得られる絶縁層付き配線基板を用いて、時間Xを測定した。<比較例8>比較例7で使用した化合物1を含む水溶液の代わりに、化合物3を含む水溶液溶媒:水、化合物3の含有量:水溶液全量に対して0.01質量、液温:25°C、pH:4.0を使用して、銅配線付き絶縁基板を3分間浸漬させた以外は、比較例7と同様の手順に従って、配線基板を製造し、比較例7と同様にHAST試験を行った。結果を表1に示す。表1中の実施例1~7および比較例1~8の付着量は、処理液中に含まれる化合物の配線上における単位面積当たりの付着量を意味する。上記表1に示されるように、本願発明の製造方法によって得られた配線基板は、優れた寿命測定結果を示し、銀配線間の絶縁信頼性に優れていることが確認された。特に、実施例1,6および7式3で表される化合物を使用、並びに、実施例3においては、その効果が優れていた。一方、所定の化合物Xを使用しなった比較例1~4、水溶液の溶媒が水以外である比較例5~6、被処理対象物が銅配線であった比較例7~8においては、銀配線間の絶縁信頼性に劣った。特に、比較例3および4は特開2009-188360号公報で具体的に開示されている化合物であり、該化合物を使用しても所望の効果が得られないことが確認された。<実施例8:付着速度評価>基板シリコンウェハー上にスパッタリングにより銀層厚み:350nmを作製して得られる銀層付き基板を2枚用意して、実施例1で使用された化合物1を含む水溶液pH3.7以後、水溶液Xおよび実施例7で使用された化合物1を含む水溶液pH:13.5以後、水溶液Yにそれぞれ10分間浸漬させた。銀層付き基板を水溶液から取り出した後、エタノール液温度:25°Cを用いて銀層付き基板を洗浄した接触時間:2分。その後、それぞれの銅層付き基板上に堆積した化合物1の付着量を測定した所、水溶液Xを用いた場合1.4×109g/mm2であったのに対して、水溶液Yを使用した場合1.9×108g/mm2であった。これらの結果より、銀イオン拡散抑制層形成用水溶液のpHが高い場合、付着速度が高くなることが確認された。"