"半導体基板をベースとし、複数の画素を備えた撮像領域と、前記撮像領域の周辺に周辺回路領域とを備えた固体撮像装置の製造方法において、前記半導体基板上に、ゲート電極を形成する工程と、前記半導体基板中における前記複数の画素の各々の形成予定領域に、浮遊拡散部を構成する第1の不純物を注入する工程と、前記半導体基板中における前記ゲート電極の両側方に相当する領域に、ソース領域およびドレイン領域をそれぞれ形成する工程と、前記浮遊拡散部、前記ゲート電極、前記ソース領域および前記ドレイン領域を覆う第1のサイドウォール絶縁膜および第2のサイドウォール絶縁膜を形成する工程と、前記第1のサイドウォール絶縁膜および前記第2のサイドウォール絶縁膜をエッチングして、前記浮遊拡散層の一部と、前記ゲート電極の上面と、前記ソース領域と、前記ドレイン領域とを露出させるとともに、前記ゲート電極の側面にサイドウォールを形成する工程と、露出された前記浮遊拡散層の一部に第2の不純物を注入する工程と、前記半導体基板を加熱して、前記第2の不純物を活性化させる工程と、露出された前記ゲート電極の上面と、前記ソース領域と、前記ドレイン領域とをシリサイド化する工程とを備え、前記第2の不純物を活性化させる工程における加熱は、前記シリサイド化工程の実行よりも先行して行われることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。前記シリサイド化工程では、露出された前記浮遊拡散層の一部もシリサイド化することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法。前記ゲート電極は、前記撮像領域の増幅トランジスタのゲート電極であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の固体撮像装置の製造方法。前記ゲート電極は、前記周辺回路領域に形成されたトランジスタのゲート電極であることを特徴とする請求項1から請求項3の何れかに記載の固体撮像装置の製造方法。特許文献1に記載の固体撮像装置の製造方法では、増幅トランジスタ形成領域にn型の導電性不純物をイオン注入し、ソースドレイン層を形成した後に、サリサイドプロセスによりシリサイド層を形成する。この時、フローティングディフュージョンの形成領域は絶縁膜で保護されており、シリコン表面は露出していないのでフローティングディフュージョンの形成領域にはシリサイド層は形成されない。その後、フローティングディフュージョンの形成領域に、第2絶縁膜及び第1絶縁膜を貫通して、フローティングディフュージョンであるn型半導体領域第3半導体層に達するコンタクトホールを形成し、このコンタクトホール内にn型の導電性不純物をイオン注入しn型コンタクト層を形成する方法が開示されている。しかし、増幅トランジスタ等の領域に対するシリサイド層を形成した後にフローティングディフュージョンの形成領域にコンタクトホールからn型の導電性不純物をイオン注入してn型コンタクト層を形成する方法では、n型コンタクト層を形成する目的で実施したイオン注入不純物を電気的に活性化する為に必ず必要な熱処理に関して、実施できる処理温度がシリサイド層の耐熱性に起因する制約で高くできない為に、イオン注入したn型の導電性不純物を十分に活性化することが困難となる。つまり、コンタクトホール内に形成したn型の導電性不純物によるn型コンタクト層は十分に活性化されない状態で多くの結晶欠陥等が残存し、この部分で発発生する暗電流成分を抑制することが不可能となる。本発明は、上記のような問題の解決を図るべくなされたものであって、フローティングディフュージョンに達するコンタクトホール内のn型の導電性不純物を十分に活性化された状態とすることで残存する結晶欠陥等を低減し、当該部分における暗電流成分の発生を抑制することができる固体撮像装置の製造方法を提供することを目的とする。そこで、本発明は、次の特徴を備えることとした。本発明は、半導体基板をベースとし、複数の画素を備えた撮像領域と、撮像領域の周辺に周辺回路領域とを備えた固体撮像装置の製造方法において、iからviiiの工程を備える。i半導体基板上に、ゲート電極を形成する工程ii半導体基板中における複数の画素の各々の形成予定領域に、浮遊拡散部を構成する第1の不純物を注入する工程iii半導体基板中におけるゲート電極の両側方に相当する領域に、ソース領域およびドレイン領域をそれぞれ形成する工程iv浮遊拡散部、ゲート電極、ソース領域およびドレイン領域を覆う第1のサイドウォール絶縁膜および第2のサイドウォール絶縁膜を形成する工程v第1のサイドウォール絶縁膜および第2のサイドウォール絶縁膜をエッチングして、浮遊拡散層の一部と、ゲート電極の上面と、ソース領域と、ドレイン領域とを露出させるとともに、ゲート電極の側面にサイドウォールを形成する工程vi露出された浮遊拡散層の一部に第2の不純物を注入する工程vii半導体基板を加熱して、第2の不純物を活性化させる工程viii露出されたゲート電極の上面と、ソース領域と、ドレイン領域とをシリサイド化する工程そして、本発明に係る固体撮像装置の製造方法では、vii第2の不純物を活性化させる工程における加熱を、viiiシリサイド化する工程の実行よりも先行して行うことを特徴とする。本発明に係る固体撮像装置の製造方法では、上記のように、vi第2の不純物を注入する工程で、第2の不純物を注入した後、vii第2の不純物を活性化させる工程での加熱処理によって、高濃度の第2の不純物を十分に活性化することができると共に、不純物注入によって形成された結晶の損傷部を回復させることで、暗電流発生の極めて少ない浮遊拡散部フローティングディフュージョンを備えた固体撮像装置を製造することができる。また、本発明に係る固体撮像装置の製造方法では、高濃度の不純物注入により形成された第2の不純物からなる層に対し、vii第2の不純物を活性化させる工程の加熱処理によって、フローティングディフュージョンの低抵抗化が可能となり、浮遊拡散部フローティングディフュージョンに対するコンタクトホールの寄生抵抗成分を十分に低減することができ、画素からの読み出し時の時定数を小さくできることで、暗電流成分を小さくできる。従って、本発明に係る固体撮像装置の製造方法では、フローティングディフュージョンに達するコンタクトホール内のn型の導電性不純物を十分に活性化された状態とすることで残存する結晶欠陥等を低減し、当該部分における暗電流成分の発生を抑制することができる固体撮像装置を製造することができる。以下では、本発明を実施するための形態について、図面を参酌しながら説明する。なお、以下の実施の形態は、本発明の構成およびそこから奏される作用効果を分かり易く説明するために用いる一例であって、本発明は、本質的な特徴部分以外に何ら以下の形態に限定を受けるものではない。1.画素部の構成図1は、本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法によって得られたCMOS固体撮像装置の画素の一部に相当する模式レイアウト図である。図1に示すように、半導体基板の素子分離絶縁膜で囲まれた活性領域において、フォトダイオードPDに接続して転送トランジスタTr1が形成され、転送トランジスタTr1のフォトダイオードPDと逆側の領域がフローティングディフュージョンFDであり、フォトダイオードPDに光が入射し光電荷が発生し、転送トランジスタTr1のトランスファゲートを制御することでその光電荷をフローティングディフュージョンFDへ読み出し、増幅トランジスタで処理されて画素の信号が得られる。開口領域999は、高濃度n型半導体領域第4半導体層115を形成する際に実施するイオン注入時のマスクとして機能する。高濃度n型半導体領域第4半導体層115は開口領域999と転送トランジスタTr1のゲート電極44で囲まれた領域にのみイオン注入され、高濃度n型半導体領域第4半導体層115の形成する領域決めている。2.製造方法次に、本実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法について、図2~図5を用い説明する。図2~図5は、本実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法の各工程における模式断面図である。図2~図4において、aおよびcに示す領域R1がフローティングディフュージョンの形成領域であり、bおよびdに示す領域R2が増幅トランジスタの形成領域であり、図1の破線A-A’で示した箇所の断面はフローティングディフュージョンの形成領域R1である。また、図5において、aに示す領域R1がフローティングディフュージョンの形成領域であり、bに示す領域R2が増幅トランジスタの形成領域である。まず、図2aに示すように、フローティングディフュージョンの形成領域R1において、不純物の導入によりn型シリコン半導体基板にp型ウェル第1半導体層11aを形成し、そして、LOCOSあるいはSTIなどの活性領域を区分する素子分離絶縁膜40を形成する。その後、素子分離絶縁膜の少なくとも側面を覆う形状となるように、素子分離絶縁膜40に接してp型ウェル11a中にp型層第2半導体層42を形成する。一方、図2bに示すように、増幅トランジスタの形成領域R2においても、上記同様にn型シリコン半導体基板の活性領域に形成されたp型ウェル第1半導体層11bに素子分離絶縁膜41を形成する。さらに、p型ウェル11b上に、ゲート絶縁膜43及びゲート電極44をパターン形成する。次に、図2cに示すように、フローティングディフュージョンの形成領域R1において、例えばマスクとしてフォトレジスト膜をパターン形成し図示を省略、n型の導電性不純物をイオン注入して、p型層42と接合面を形成するように、p型ウェル11aの表層部にn型半導体領域第3半導体層15を形成する。一方、図2dに示すように、増幅トランジスタの形成領域R2においては、ゲート電極44をマスクとしてn型の導電性不純物をイオン注入して、ゲート電極44の両側部におけるp型ウェル11b中にLDDLightlyDopedDrain層45を形成する。次に、図3a、bに示すように、フローティングディフュージョンの形成領域R1及び増幅トランジスタの形成領域R2において、CVD化学気相成長法などにより酸化シリコンからなる酸化シリコン膜460aと、窒化シリコンからなる窒化シリコン膜460bとを順に堆積させ、第1絶縁膜46を形成する。第1絶縁膜46は、増幅トランジスタの形成領域R2ではサイドウォール絶縁膜46aとなる絶縁膜層である。次に、図3cに示すように、フローティングディフュージョンの形成領域R1において、例えばマスクとしてフォトレジスト膜をパターン形成し図示を省略、n型半導体領域第3半導体層15の上部に堆積された第1絶縁膜46に開口領域999を設け、一方、図3dに示すように、増幅トランジスタの形成領域R2においては、ゲート電極44の両側部にサイドウォール絶縁膜46aがエッチバックにより残されるようにフォトレジスト膜をパターン形成する図示を省略。その後、フォトレジストをマスクにエッチングすることで、n型半導体領域第3半導体層15の上部に第1絶縁膜46の開口領域999と、ゲート電極44の両側部にサイドウォール絶縁膜46aを同時に形成する。次に、図4aに示すように、フローティングディフュージョンの形成領域R1において、例えばマスクとしてフォトレジスト膜をパターン形成し図示を省略、第1絶縁膜46の開口領域999が完全に露出し、且つ、開口領域999より大きい開口パターンを設け、他方、図4bに示すように、増幅トランジスタの形成領域R2においてはフォトレジスト膜をパターン形成し図示を省略、増幅トランジスタ部とサイドウォール絶縁膜46aが露出するパターンを形成し、その後、n型の導電性不純物、例えば、ヒ素を1E14~1E16ions/cm2の注入量をイオン注入して、開口領域999に高濃度n型半導体領域第4半導体層115と増幅トランジスタ部のサイドウォール絶縁膜46aにて開口されたトランジスタ部にはソースドレイン層47を形成する為の不純物を添加する。そして、例えば、急速加熱法RTPによって、1050°C程度の温度で、数秒~数十秒のアニールを実施してイオン注入による高濃度の不純物を十分に活性化すると共に、イオン注入によって形成された結晶の損傷部を回復させて、表面付近に高濃度の領域を持つ、高濃度n型半導体領域第4半導体層115とソースドレイン層47を形成する。その後、全面にコバルトなどの高融点金属を堆積させ、熱処理でシリコンが露出した領域に自己整合的にシリサイド層を形成するサリサイドプロセスにより、シリサイド層48,49を形成する。この時、フローティングディフュージョンの形成領域R1は高濃度n型半導体領域第4半導体層115のみ高融点金属層が接する為、この箇所にのみシリサイド層48が形成される。次に、図4c、dに示すように、フローティングディフュージョンの形成領域R1及び増幅トランジスタの形成領域R2においては、例えば、CVD法などにより酸化シリコンを堆積させ、第2絶縁膜50を形成する。次に、図5aに示すように、フローティングディフュージョンの形成領域R1において、第2絶縁膜50及び第1絶縁膜46を貫通して、フローティングディフュージョンである高濃度n型半導体領域第4半導体層115に達するコンタクトホールCHFDを形成する。そして、図示を省略するが、コンタクトホールCHFD内に導電層を埋め込み、プラグと共に第2絶縁膜50上に配線33を形成して、CMOS型固体撮像装置を製造することができる。3.効果上記の本実施形態における固体撮像装置の製造方法では、フローティングディフュージョンにおいて、固体撮像装置の駆動時に接合面から延伸する空乏層が素子分離絶縁膜の側面に到達しないように形成する事ができるため、フォトダイオードPDから光電子に対する暗電流成分を抑制した固体撮像装置を製造できる。この暗電流成分を抑制した固体撮像装置は、良質な画像を撮像することが出来る。上記の本実施形態における固体撮像装置の製造方法では、フローティングディフュージョンの上部に第1絶縁膜の開口部を設けて、第1絶縁膜をマスクとしてn型の導電性不純物をその開口部のみにイオン注入した後に、急速加熱法RTPによって、1050°C程度の温度で数秒~数十秒のアニールを実施する。第1絶縁膜をマスクとする開口部は、フローティングディフュージョン領域が微細化された場合においても、コンタクトサイズに対してマスク合わせ時の重なり余裕として、例えば約50nm程度を見込めば良く、微細な画素に対しても効果的である。本実施形態では、CHFDが約100nm×100nmで、第1絶縁膜をマスクとする開口部は約150nm×150nmであり、A-A‘線で示した素子分離されたフローティングディフュージョンは約500nmである。イオン注入後のアニール処理によって、イオン注入による高濃度の不純物を十分に活性化すると共に、イオン注入によって形成された結晶の損傷部を回復させることで、暗電流発生の極めて少ないフローティングディフュージョンを備えた固体撮像装置を製造できる。また、高濃度のイオン注入層をアニール処理することでフローティングディフュージョンの低抵抗化が可能となり、フローティングディフュージョンに対するコンタクト部の寄生抵抗成分を十分に低減する事で、画素からの読み出し時の時定数を小さくできることで、暗電流成分を小さく出来る。本実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法では、フローティングディフュージョンが暗電流発生の極めて少ない構造の為、良質な画像を撮像することが出来る。上記実施の形態で採用した1050°Cの温度によるアニールは、高融点金属によるシリサイド層がまだ未形成であるから実施可能である。一方、シリサイド層が形成されていると、低温度でアニールしなければサリサイド層の破壊が生じる。使用する高融点金属にもよるが、コバルトやチタンを使用した場合、約500~800°Cの温度でアニールしなければならない為、イオン注入による不純物を十分に活性化し、結晶損傷を回復させる為の900°C以上のアニールは不可能となる。また、このフローティングディフュージョンを備えた固体撮像装置の製造方法は、標準のCMOSトランジスタとし形成する増幅トランジスタ部のサイドウォール絶縁膜によって開口されたトランジスタ部のソースドレイン層の形成と同時に実施できるため、CMOSトランジスタのソースドレイン層とフォトダイオードのフローティングディフュージョン層とを工程数の増加なく実現できる。なお、上記実施の形態では、高濃度n型半導体領域の形成後に高融点金属を用いたシリサイド層をフローティングディフュージョンにも形成した場合の例を説明したが、本発明の暗電流発生の極めて少ないフローティングディフュージョンを形成するためには、必ずしもフローティングディフュージョンのシリサイド層は必要ではなく、フローティングディフュージョンにはシリサイド層を形成しない製造方法においても同様の効果を得ることができる。また、上記実施の形態では、シリサイド化されるトランジスタをCMOS型の画素領域の増幅トランジスタとしたが、CMOS型であって、画素領域に周辺の周辺回路領域にある信号処理や駆動のためのトランジスタであっても同様の効果を得ることができ、さらに、CCD型の増幅トランジスタや信号処理や駆動のためのトランジスタであっても同様の効果を得ることができる。"