ガリウム及び窒素含有基板であって、5つを超えない表面領域からなる三角形形状に構成された一定厚さの材料、を含み、前記5つの表面領域は、それぞれ第1の等価結晶面から構成された3つの表面領域を含み、前記3つの表面領域を除く前記5つの表面領域は、第2の等価結晶面から構成された2つの表面領域を含む、基板。前記第1の等価面は、m面又はa面である、請求項1に記載の基板。前記第2の等価面はc面である、請求項1に記載の基板。前記3つの表面領域は、それぞれ第1の等価面の近傍に配置されたそれぞれのスクライブから構成される、請求項1に記載の基板。前記第1の等価面は、それぞれa面上に構成される、請求項1に記載の基板。前記2つの表面領域は相互に平行である、請求項1に記載の基板。ガリウム及び窒素含有基板であって、6個を超えない表面領域からなる菱形形状に構成された一定厚さの材料、を含み、前記6個の表面領域は、それぞれ第1の等価結晶面から構成された4つの表面領域を含み、前記4つの表面領域を除く前記6個の表面領域は、第2の等価結晶面から構成された2つの表面領域を含む、基板。前記菱形形状の前記4つの表面領域のうちいずれの2つの表面領域の間も90度で交差しない、請求項7に記載の基板。前記第1の等価面は、m面又はa面である、請求項7に記載の基板。前記第2の等価面はc面である、請求項7に記載の基板。前記4つの表面領域は、それぞれ第1の等価面の近傍に配置されたそれぞれのスクライブから構成される、請求項7に記載の基板。前記第1の等価面は、それぞれa面上に構成される、請求項7に記載の基板。前記2つの表面領域は、相互に平行である、請求項1に記載の基板。少なくとも1つのダイをガリウム及び窒素含有基板から分離する方法であって、c面に構成された第1の表面領域と、前記c面に構成された第2の表面領域とを有するガリウム及び窒素含有基板を提供する工程と、第1のm面領域を露出させるために第1のスクライブ領域を提供する工程と、第2のm面領域を露出させるために第2のスクライブ領域を提供する工程と、第3のm面領域を露出させるために第3のスクライブ領域を提供する工程と、少なくとも前記第1のスクライブ領域、前記第2のスクライブ領域及び前記第3のスクライブ領域を用いて前記ダイを分離する工程と、を含む、方法。少なくとも1つのダイをガリウム及び窒素含有基板から分離するための方法であって、前記ガリウム及び窒素含有基板は、c面に構成された第1の表面領域と、前記c面に構成された第2の表面領域とを有し、前記方法は、少なくとも第1のm面領域、第2のm面領域および第3のm面領域を露出させて前記少なくとも1つのダイを構成する、方法。少なくとも1つのダイをガリウム及び窒素含有基板から分離する方法であって、c面に構成された第1の表面領域と、前記c面に構成された第2の表面領域とを有するガリウム及び窒素含有基板を提供する工程と、少なくとも第1のa面領域、第2のa面領域及び第3のa面領域を露出させて、前記少なくとも1つのダイを構成する工程、を含む、方法。少なくとも1つのダイをガリウム及び窒素含有基板から分離する方法であって、前記ガリウム及び窒素含有基板は、c面に構成された第1の表面領域と、前記c面に構成された第2の表面領域とを含み、前記方法は、少なくとも第1のm面領域及び第2のm面領域を露出して、第1の実質的に平行な配置を構成する、工程と、少なくとも第3のm面領域及び第4のm面領域を露出して、第2の実質的に平行な配置を構成する、工程と、少なくとも1つのダイを除去する工程と、を含む、方法。少なくとも1つのダイをガリウム及び窒素含有基板から分離する方法であって、前記ガリウム及び窒素含有基板は、c面に構成された第1の表面領域と、前記c面に構成された第2の表面領域とを有し、前記方法は、少なくとも第1のa面領域及び第2のa面領域を露出して、第1の実質的に平行な配置を構成する、工程と、少なくとも第3のa面領域及び第4のa面領域を露出して、第2の実質的に平行な配置を構成する、工程と、少なくとも1つのダイを除去する工程と、を含む、方法。図1~図3は、本発明の実施形態による三角形状ガリウム及び窒素含有材料を形成する方法を示す簡単な図である。図1に示すように、本発明は、ガリウム及び窒素含有基板部材を提供する。前記部材は、ガリウム及び窒素を含有する一定厚さの材料を含む。前記材料は、5つを超えない表面領域からなる三角形形状に構成される。好適には、前記5つの表面領域は、それぞれ第1の等価面から構成された3つの表面領域を含む。前記3つの表面領域を除く前記5つの表面領域は、第2の等価面から構成された2つの表面領域を含む。図示された三角形状チップの上面図には、特定の実施形態によるGaNのm面に相当する3つの縁部の向きが示されている破線又は赤色線を参照。特定の実施形態において、前記ガリウム及び窒素含有基板は三角形状である。前記三角形状基板は、押し出された三角形形状であり得る。特定の実施形態において、前記三角形状領域の3つの表面領域はそれぞれ第1の等価面であり、前記第1の等価面はm面又はa面である図2を参照。前記三角形状領域の第2の表面領域はそれぞれ第2の等価面である。前記第2の等価面は、c面である。特定の実施形態において、前記ガリウム及び窒素含有基板はGaN基板である。もちろん、他の変形、変更、代替などが可能である。特定の実施形態において、前記三角形状領域の3つの表面領域は、それぞれ第1の等価面上に設けられたそれぞれのスクライブから構成される。一例として、前記3つの表面領域は、180度の内部領域によって構成される。他の例において、前記2つの表面領域は、相互に平行な配置となるように構成される。次に、図3を参照すると、三角形状LEDチップの光学顕微鏡写真が示されている。図示のように、前記GaN基板は、露出した3つのm面を有するバルクc面GaNから構成される。また図示するように、少なくとも1つの特定の実施形態において、前記ガリウム及び窒素含有部材上には、少なくとも一つの光学デバイスが載置される。前記光学デバイスとしては、発光ダイオード、レーザデバイス又は他のデバイス並びに光学デバイス及び電気デバイスの組み合わせがあり得る。他の種類のデバイスとしては、電気切り換えデバイス、機械デバイス、及びこれらの組み合わせなどが挙げられる。図4~図6は、本発明の実施形態による三角形状ガリウム及び窒素含有材料を形成する方法を示す簡単な図である。図示のように、前記基板には、GaNm面に相当する4つの縁部が示される点線又は赤色線を参照。前記基板部材は、6個を超えない表面領域からなる菱形形状に構成されたガリウム及び窒素を含有する一定厚さの材料を含む。好適には、前記6個の表面領域は、それぞれ第1等価面から構成された4つの表面領域を含む。前記4つの表面領域を除く前記6個の表面領域は、第2の等価面から構成された2つの表面領域を含む。特定の実施形態において、前記菱形形状である基板の前記6個の表面領域のうち第1の4つの表面領域のいずれの2つの間も90度の交差にはならない。特定の実施形態において、前記菱形形状は、図5に示すようにm面又はa面である第1の等価面を含む。図示のように、前記4つの縁部は、GaNa面に相当する緑色破線線又は破線線。特定の実施形態において、前記菱形形状は、c面である第2の等価面を含む。特定の実施形態において、前記菱形形状の4つの表面領域は、それぞれ第1の等価面上に設けられたそれぞれのスクライブから構成される。好適には、前記4つの表面領域は、90度とならないような内部領域によって構成される。好適には、前記2つの表面領域は、相互に平行な配置となるよう構成される。次に図6を参照すると、菱形形状LEDチップの光学顕微鏡写真が示されている。図示のように、前記GaN基板は、露出した4つのm面を有するバルクc面GaNから構成される。また図示するように、少なくとも1つの特定の実施形態において、前記ガリウム及び窒素含有部材上に少なくとも一つの光学デバイスが載置される。前記光学デバイスとしては、発光ダイオード、レーザデバイス又は他のデバイス並びに光学デバイス及び電気デバイスの組み合わせがあり得る。図7は、本発明の実施形態によるGaNウルツ鉱結晶構造におけるm面赤色線及びa面緑色線の相対的配置を示す簡単な図である。図中、図の面は、c面を示す。図8は、本発明の実施形態による光学デバイスのレーザスクライビングプロセスを示す簡単な側面図である。特定の実施形態において、特定の実施形態に従って、前記ウェーハの第1の表面のスクライブストリート内において1つ以上の軸に沿って前記LEDウェーハがレーザスクライブされる。他の実施形態において、前記スクライビングは、鋸、ダイヤモンドスクライブ、化学エッチング光アシストを含むか又は含まない、反応性イオン又はプラズマエッチング、粉砕又は組み合わせを用いて行うことができる。特定の実施形態によれば、前記第1の表面上のスクライブ領域内におけるスクライブ深さは典型的には、前記LEDウェーハの厚さの20~50である。他の実施形態において、前記スクライブ深さを変更してもよく、他の寸法とすることもできる。特定の実施形態において、その後前記LEDウェーハをひっくり返し、前記ウェーハの第2の表面のスクライブストリート内において1つ以上の軸に沿ってレーザスクライブする。その際、前記第2の表面上のスクライブが、前記ウェーハの第1の表面上のスクライブと重なった配置となるように注意を払う。特定の実施形態において、前記第2の表面上のスクライブ領域内のスクライブ深さは典型的には、前記LEDウェーハの厚さの20~50である。その後、前記スクライブされたLEDウェーハをアンビル切断器機構例えば、以下にさらに説明するようなものを用いて切断する。図9は、本発明の実施形態による光学デバイスの切断プロセスを示す簡単な側面図である。図示のように、ウェーハの両側に配列した2つのスクライブ領域によって規定された面に沿って切断する。特定の実施形態において、本方法で、肉厚のGaNウェーハをシンギュレーションすることにより、LED作製プロセスにおける高コストでかつ時間のかかるラッピング工程及び研磨工程をを省くことができる。図10は、正方形チップ及び三角形チップの光取り出し効率Cexを比較したモデル化結果を示す。シミュレーションにより、光抽出図が得られた例えば、抽出効率対光子出射方向kx、ky。図示のように、正方形チップの場合、5個の抽出円錐が1面あたりに得られており、Cex=46となる。三角形チップの場合、7個の抽出円錐が得られており各垂直側壁は、面内光を直接又は別の側壁からの反射の後に抽出することができ、その結果Cex=57となる。これらの数は、実際の構造金属及びGaN基板中の損失を含むに関連し、チップ壁面のいかなる表面粗面化とも積算されない。図11は、光取り出し効率に対する側壁粗面化の影響をモデル化によって予測した結果を示す。効果的な側壁粗さにより、三角形チップの光取り出し効率は80を超え得る平滑な側壁の場合には57。特定の実施形態において、肉厚のGaNウェーハを個々のLEDチップにシンギュレーションするための方法を提供する。前記個々のLEDチップの横寸法は、標準的な片面スクライブ方法によって得られるチップの横寸法よりもずっと小さい。他の実施形態において、本方法を用いれば、スクライブ及び切断プロセス工程において、従来の方法より高いプロセス歩留まりが得られる。さらに、チップアウトおよびダブレット切断工程において分離されなかった複数対のチップの発生も低減する。他の実施形態において、前記スクライブ領域に起因して、前記生成されたLEDチップの側壁上において表面が粗面化され、その結果、片面上のスクライビングによって生成されたチップと比較して前記チップからの光抽出が向上し得る。他の実施形態において、本方法は、以下に記載するような他の変更、組み合わせ及び改変も含み得る。1.LEDウェーハとしては、c面GaNウェーハを用いることができる。2.他の実施形態においては、複数のスクライブ方法のうち少なくとも1つを用いて、個々のLEDウェーハの2つの表面の少なくとも1方にスクライブすることができる。前記スクライブ方法は、レーザスクライビング、ダイヤモンドスクライビングおよび鋸切り/ダイシングから選択された少なくとも2つ以上の方法を含み得る。3.特定の実施形態において、前記LEDウェーハのいずれか一方の面上のスクライブ深さは、前記LEDウェーハの厚さの0.5~99.5の範囲で変更することができる。4.別の実施形態において、前記スクライブ領域は、連続スクライブ線を含んでもよいし、あるいは破線又は点線のスクライブ線を含んでもよい。2つ以上の軸に沿ったスクライブ領域は、特定の実施形態による設計によってスクライブストリートを交差させることによって規定された領域内において交差してもよいし、交差しなくてもよい。5.また、特定の実施形態によれば、第1の表面上の少なくとも1つのスクライブストリートの向き及び第2の表面上の少なくとも1つのスクライブストリート向きに沿ってスクライビングを行うことができ、これにより、選択された少なくとも2つのスクライブストリートの向きが非平行となる。6.前記スクライブされたLEDウェーハは、アンビル切断器、ローラーブレーカー又はブレーカーバー、組み合わせなどを含む群から選択された1つの方法又は複数の方法を用いて切断することができる。上記において特定の実施形態について詳細に説明してきたが、多様な改変、別の構造及び均等物が利用可能である。本明細書中においては、1つ以上の特定のガリウム及び窒素含有表面配向について記述しているが、面配向の複数のファミリのうちいずれか1つが利用可能であることが認識される。上記の記載及び例示は、添付の特許請求の範囲によって規定される本発明の範囲を制限するものとしてとられるべきではない。