"基準電圧を生成可能に構成されると共に、少なくとも環境温度が所定の温度範囲のときに環境温度が上昇又は低下するにつれて前記基準電圧が減少側又は増加側のいずれか一方側に変化しようとする特性を有する基準電圧回路と、素子温度に応じて特性が変化する基準素子を備え、前記基準素子の特性の変化に基づいて素子温度に応じた出力が生成される温度検知部と、前記温度検知部からの出力に基づいて前記基準電圧回路で生成される前記基準電圧を補正する基準電圧補正部と、を備え、前記基準電圧補正部は、少なくとも環境温度が前記所定の温度範囲のときに、前記環境温度が上昇するほど又は低下するほど、その上昇又は低下に応じて前記基準電圧が前記一方側へ変化することを抑制する量を大きくするように、前記温度検知部からの出力に基づいて前記基準電圧回路における所定電流経路の電流量を変化させることを特徴とする基準電圧発生回路。前記基準電圧補正部は、前記温度検知部で生成された出力と前記基準電圧回路で生成される前記基準電圧とに基づき、前記環境温度が前記所定の温度範囲外のときには前記基準電圧回路における前記所定電流経路の電流を所定状態で維持し、前記環境温度が前記所定の温度範囲となったことを条件として前記所定電流経路の電流量を変化させることを特徴とする請求項1に記載の基準電圧発生回路。前記基準電圧補正部は、前記環境温度が前記所定の温度範囲のときに、前記環境温度が上昇するほど又は低下するほど、その上昇又は低下に応じて前記基準電圧が前記一方側へ変化することを抑制する量を連続的に大きくするように、前記温度検知部からの出力に基づいて前記基準電圧回路における前記所定電流経路の電流量を連続的に変化させることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の基準電圧発生回路。前記温度検知部で生成される出力電圧と、前記基準電圧回路で生成される前記基準電圧とが、前記所定の温度範囲において前記環境温度が上昇するほど又は前記環境温度が低下するほど電位差が大きくなるように構成されており、前記基準電圧補正部は、前記所定電流経路の電流量を当該電位差に応じた変化量で変化させることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の基準電圧発生回路。前記基準素子は、素子温度の上昇に応じて抵抗値が低下し、前記温度検知部は、前記基準素子の素子温度の上昇に応じて前記出力電圧が低下するように構成されており、前記基準電圧回路は、前記所定の温度範囲のときに環境温度が上昇するにつれて前記基準電圧が減少しようとする特性を有しており、前記所定の温度範囲における温度特性は、温度上昇に応じた前記基準電圧の電圧低下度合いよりも前記温度検知部での前記出力電圧の低下度合いの方が大きくなっており、前記基準電圧補正部は、前記温度検知部での前記出力電圧が前記基準電圧回路での前記基準電圧を上回ったときに前記所定電流経路の電流量を前記電位差に応じた変化量で変化させることを特徴とする請求項4に記載の基準電圧発生回路。前記基準電圧補正部は、前記環境温度が前記所定の温度範囲のときに、前記環境温度が上昇するほど又は低下するほど、その上昇又は低下に応じて前記基準電圧が前記一方側へ変化することを抑制する量を段階的に大きくするように、前記温度検知部からの出力に基づいて前記基準電圧回路における前記所定電流経路の電流量を段階的に変化させることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の基準電圧発生回路。前記基準電圧補正部は、前記所定電流経路の抵抗値又はトランジスタ比を変化させることで前記所定電流経路の電流量を段階的に変化させることを特徴とする請求項6に記載の基準電圧発生回路。前記基準電圧回路を構成する1又は複数の抵抗がトリミング抵抗とされていることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の基準電圧発生回路。ところで、上記のような基準電圧発生回路では温度依存性を抑えることが求められておち、図14のような回路では、一般的には、抵抗及びトランジスタの温度係数を調整することで参照電圧Vrefの変動をある程度は抑えることができる。しかしながら、このような調整だけでは抑制に限度があり、特に環境温度が高温又は低温となる状況下では、温度特性による電圧変化が顕著となってしまう。一方、関連技術としては、特許文献1のようなものも提供されている。この引用文献1で開示される回路では、それぞれのベースが第1ノードにおいて互いに接続された第1トランジスタTr1および第2トランジスタTr2を有するバンドギャップ回路10が設けられており、更に、それぞれの制御端子が第2ノードにおいて互いに接続された第3トランジスタTr3および第4トランジスタTr4と、第3トランジスタの出力端子に接続されベースが第2トランシスタのコレクタに接続された第5トランジスタTr5と、第4トランジスタの出力端子に接続されベースが第1ノードに接続された第6トランジスタTr6とを有するカレントミラー回路20と、このカレントミラー回路20の出力に基づいてバンドギャップ回路10に供給される電流を制御する制御回路30と、制御回路30とバンドギャップ回路10との間に設けられた定電圧を出力する定電圧出力端子とを具備している。この特許文献1の技術では、電源電圧が変動した場合の参照電圧の変動を抑制するという効果は得られるが、高温環境下或いは低温環境下での温度依存性の抑制は十分ではない。本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、高温環境下又は低温環境下であっても温度依存性を効果的に抑制し得る基準電圧発生回路をより簡易に実現することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明は、基準電圧を生成可能に構成されると共に、少なくとも環境温度が所定の温度範囲のときに環境温度が上昇又は低下するにつれて前記基準電圧が減少側又は増加側のいずれか一方側に変化しようとする特性を有する基準電圧回路と、素子温度に応じて特性が変化する基準素子を備え、前記基準素子の特性の変化に基づいて素子温度に応じた出力が生成される温度検知部と、前記温度検知部からの出力に基づいて前記基準電圧回路で生成される前記基準電圧を補正する基準電圧補正部と、を備え、前記基準電圧補正部は、少なくとも環境温度が前記所定の温度範囲のときに、前記環境温度が上昇するほど又は低下するほど、その上昇又は低下に応じて前記基準電圧が前記一方側へ変化することを抑制する量を大きくするように、前記温度検知部からの出力に基づいて前記基準電圧回路における所定電流経路の電流量を変化させることを特徴とする。請求項1の発明によれば、環境温度が上昇又は低下するにつれて基準電圧が減少側又は増加側に変化しようとする基準電圧回路から基準電圧を得つつ、その基準電圧を適切に補正できるようになる。特に、基準電圧補正部は、少なくとも環境温度が所定の温度範囲のときに、環境温度が上昇するほど又は低下するほど、その上昇又は低下に応じて基準電圧が一方側へ変化することを抑制する量を大きくするように、温度検知部からの出力に基づいて基準電圧回路における所定電流経路の電流量を変化させているため、所定温度範囲において環境温度の上昇又は低下に起因する基準電圧の温度依存をより確実且つ効果的に抑えることができる。請求項2の発明では、基準電圧補正部は、温度検知部で生成された出力と基準電圧回路で生成される基準電圧とに基づき、環境温度が所定の温度範囲外のときには基準電圧回路における所定電流経路の電流を所定状態で維持し、環境温度が所定の温度範囲となったことを条件として所定電流経路の電流量を変化させている。この構成では、基準電圧回路での温度依存性が小さい温度範囲所定温度範囲外においては補正動作を行わずに安定状態を維持することができ、基準電圧回路での温度依存性が大きい温度範囲所定温度範囲を狙って集中的且つ効率的に温度依存性の抑制動作を行うことができる。請求項3の発明では、基準電圧補正部は、環境温度が所定の温度範囲のときに、環境温度が上昇するほど又は低下するほど、その上昇又は低下に応じて基準電圧が一方側へ変化することを抑制する量を連続的に大きくするように、温度検知部からの出力に基づいて基準電圧回路における所定電流経路の電流量を連続的に変化させている。この構成では、環境温度の上昇又は低下に起因する基準電圧の変動をより細かく補正できるようになる。例えば、微小な温度依存や大きな温度依存などを、それぞれの状態に合わせた精密な補正量で補正できるようになり、基準電圧をより適正な値で維持しやすくなる。請求項4の発明では、温度検知部で生成される出力電圧と、基準電圧回路で生成される基準電圧とが、所定の温度範囲において環境温度が高くなるほど又は環境温度が低くなるほど電位差が大きくなるように構成されている。そして、基準電圧補正部は、所定電流経路の電流量を当該電位差に応じた変化量で変化させるように構成されている。この構成によれば、温度検知部からの出力に基づいて基準電圧回路における所定電流経路の電流量を連続的に変化させ得る構成をより簡易に実現できる。請求項5の発明では、基準素子は、素子温度の上昇に応じて抵抗値が低下するように構成され、温度検知部は、基準素子の素子温度の上昇に応じて出力電圧が低下するように構成されている。更に、基準電圧回路は、所定の温度範囲のときに環境温度が上昇するにつれて基準電圧が減少しようとする特性を有しており、所定の温度範囲における温度特性は、温度上昇に応じた基準電圧の電圧低下度合いよりも温度検知部での出力電圧の低下度合いの方が大きくなっている。そして、基準電圧補正部は、温度検知部での出力電圧が基準電圧回路での基準電圧を上回ったときに所定電流経路の電流量を電位差に応じた変化量で変化させている。この構成によれば、所定の温度範囲において環境温度が高くなるほど温度検知部で生成される出力電圧と基準電圧回路で生成される基準電圧との電位差が大きくなる構成をより簡易に実現でき、更に、所定の温度範囲に至ったときに複雑な制御を行うことなく自動的に温度依存性の抑制動作を強化することができる。請求項6の発明では、基準電圧補正部は、環境温度が所定の温度範囲のときに、環境温度が上昇するほど又は低下するほど、その上昇又は低下に応じて基準電圧が一方側へ変化することを抑制する量を段階的に大きくするように、温度検知部からの出力に基づいて基準電圧回路における所定電流経路の電流量を段階的に変化させている。このようにすることで、環境温度の上昇又は低下に起因する基準温度の変動動作を、変動しようとする程度に合わせた段階で適切に抑制できるようになる。請求項7の発明では、基準電圧補正部は、所定電流経路の抵抗値又はトランジスタ比を変化させることで所定電流経路の電流量を段階的に変化させている。この構成によれば、複雑な経路構成を用いることなく基準温度の変動動作を段階的に抑制できるようになる。請求項8の発明では、基準電圧回路を構成する1又は複数の抵抗がトリミング抵抗とされている。このようにすることで、基準電圧回路内での特性のばらつきを抑え易くなる。第1実施形態以下、本発明を具現化した第1実施形態について、図面を参照して説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る基準電圧発生回路を概念的に例示する概念図である。図2は、第1実施形態に係る基準電圧発生回路の代表例を例示する概念図である。図3は、図2の基準電圧発生回路における基準電圧、ダイオードの順方向電圧、基準電圧とダイオードの順方向電圧との差についての、環境温度に応じた変化を示すグラフである。図1に示す基準電圧発生回路1は、第1実施形態に係る基準電圧発生回路の基本構成を示すものであり、図1の回路の抵抗部31、32、33、トランジスタ部41、42の少なくともいずれかに特徴的な変更を加えることで、温度依存性を抑制している。図2の基準電圧発生回路1は、図1の抵抗部32等に特徴を加えたものであり、基準電圧Vrefを生成可能に構成されると共に、少なくとも環境温度が所定の温度範囲のときに環境温度が上昇するにつれて基準電圧Vrefが減少側に変化しようとする特性を有する基準電圧回路3を備えている。基準電圧回路3は、例えばバンドギャップ基準回路として構成される部分であり、基準電圧出力線VBGとグランドGNDとの間に、抵抗R1及びNPNトランジスタTr1の直列回路と、抵抗R2、R3、NPNトランジスタTr2、及び抵抗R4の直列回路とが並列接続されて構成されている。抵抗R1の一端側は電圧出力線VBGに接続され、他端側は、トランジスタTr1,Tr2のベース、トランジスタTr1のコレクタ、及びオペアンプ10の正側の入力に接続されている。トランジスタTr1は、コレクタが上記抵抗R1の他端側及び、当該トランジスタTr1のベース、トランジスタTr2のベース、オペアンプ10の正側の入力に接続され、トランジスタTr1のエミッタはグランドGNDに接続されている。また、抵抗R2の一端側が電圧出力線VBGに接続され、抵抗R2と抵抗R3とが直列に接続されている。抵抗R3は、一端側が抵抗R2の他端側に接続されると共にトランジスタTr3のコレクタに接続されており、抵抗R3の他端抵抗R2に接続される側とは反対側には、オペアンプ10の負側の入力及びトランジスタTr2のコレクタが接続されている。トランジスタTr2は、エミッタ側に抵抗R4の一端側が接続され、抵抗R4の他端側はグランドGNDに接続されている。更に、電圧出力線VBGには、定電流源21が接続されており、オペアンプ10の出力側も接続されている。以下では、トランジスタTr1、Tr2のコレクタ電流をIc1,Ic2とし、トランジスタTr1、Tr2のそれぞれのベース-エミッタ電圧接合電圧をVBE1,VBE2とし、抵抗R4の抵抗値をR4として説明する。トランジスタTr3がオフ状態のときコレクタ電流が流れないときには、抵抗R4に流れる電流Ic2は各ベース-エミッタ電圧VBE1,VBE2の差電圧に応じた電流値となり、Ic2=VBE1-VBE2/R4となる。また、トランジスタTr1、Tr2のベース電流をIb1,Ib2とし、それぞれのエミッタ電流をIe1,Ie2とすると、各ベース電流Ib1,Ib2が各コレクタ電流Ic1,Ic2よりも十分小さく無視できるので、各エミッタ電流Ie1,Ie2は各コレクタ電流Ic1,Ic2のそれぞれとほぼ同じ値となる。このような構成では、抵抗R1の両端電圧をVr1とすると、電圧出力線VBGでの出力電圧参照電圧Vrefは、Vref=Vr1VBE1となる。しかしながら、この構成では、トランジスタTr3を何ら動作させないときには環境温度が上昇した高温状態のときに、図5のA3のように、基準電圧Vrefが大きく落ち込んでしまうことになる。そこで、図2の構成では、環境温度が所定温度以上となる温度範囲所定の温度範囲のときに電流経路7に流す電流を増やし、高温環境下での基準電圧Vrefの落ち込みを改善している。具体的には、温度検知部4と基準電圧補正部5とが設けられている。温度検知部4は、素子温度に応じて特性が変化する基準素子として、順方向ダイオードVf1が設けられており、温度検知部4では、このダイオードVf1の特性の変化に基づいて素子温度に応じた出力が生成されるようになっている。この構成では、定電流源22によりダイオードVf1に定電流が流され、ダイオードVf1のアノード側の電位がダイオードVf1の順方向電圧Vfで維持されると共に、ライン4aの抵抗R5にはダイオードVf1の順方向電圧Vfが印加されるようになっている。基準電圧補正部5は、少なくとも環境温度が所定の温度範囲所定の高温範囲のときに、温度検知部4からの出力に基づいて基準電圧回路3で生成される基準電圧Vrefを補正するように構成されており、主として、PNPトランジスタTr3と、抵抗R5とによって構成されている。トランジスタTr3は、エミッタが電圧出力線VBGに接続され、コレクタが抵抗R2と抵抗R3の間に接続されている。また、トランジスタTr3のベースは、抵抗R5の一端側に接続されており、抵抗R5の他端側はダイオードVf1のアノードに接続されている。本構成で用いられる基準電圧回路3は、環境温度が所定の温度範囲所定の高温範囲のとき、環境温度が上昇するにつれて基準電圧Vrefが減少側する特性を有しており、基準電圧補正部5では、所定の温度範囲所定の高温範囲において環境温度が上昇するほど、その上昇に応じて基準電圧Vrefが減少側に変化することを抑制する量を大きくするように、温度検知部4からの出力に基づいて基準電圧回路3における所定電流経路7の電流量を変化させている。この構成では、図3に示すように、ダイオードVf1Diの順方向電圧Vfは、温度上昇に応じて順方向電圧Vfが小さくなる負の特性を有しており、ある温度以上の温度範囲トランジスタTr3を動作させない場合に温度が高くなるにつれて基準電圧Vrefが減少する温度範囲では、温度上昇に応じた基準電圧Vrefの低下度合いよりも温度上昇に応じた順方向電圧Vfの低下度合いのほうが大きくなっている。そして、ある所定温度を超えると、基準電圧VrefとダイオードVf1Diの順方向電圧Vfとの差が、トランジスタTr3のベースエミッタ間の順方向電圧を超えることになり、このとき、トランジスタTr3がオン状態となってトランジスタTr3からのコレクタ電流が電流経路7に流れ込むことになる。従って、基準電圧Vrefと順方向電圧Vfとの差がトランジスタTr3のベースエミッタ間の順方向電圧を超える所定の高温範囲では、この範囲外のときと比べて電流経路7の電流量が相対的に大きくなり、基準電圧Vrefの落ち込みを抑えて基準電圧Vrefを持ち上げるように補正することができる例えば、図5のA2参照。また、この構成では、温度検知部4で生成される出力電圧Vfと基準電圧回路3で生成される基準電圧Vrefとの電位差は、所定の温度範囲において環境温度が高くなるほど電位差が大きくなるように構成されているため、環境温度が高くなるほどトランジスタTr3のベース電流が大きくなり、電流経路7に流れ込む電流量は出力電圧Vfと基準電圧Vrefとの電位差に応じた変化量で増加する。このように、基準電圧補正部3では、温度検知部4で生成された出力Vfと基準電圧回路3で生成される基準電圧Vrefとに基づき、環境温度が所定の温度範囲外トランジスタTr3がオフ状態となる温度範囲のときには基準電圧回路3における電流経路7の電流を、トランジスタTr3からのコレクタ電流が流れ込まない所定状態で維持し、環境温度が所定の温度範囲トランジスタTr3がオン状態となる温度範囲となったことを条件としてトランジスタTr3からのコレクタ電流を電流経路7に流し込むことで電流経路7の電流量を変化させている。特に、基準電圧補正部5では、環境温度が所定の温度範囲のときに、環境温度が連続的に上昇するにつれて、基準電圧Vrefの低下を抑制する量を連続的に大きくするように、温度検知部4からの出力に基づいて基準電圧回路3における電流経路7の電流量を連続的に変化させている。第1実施形態の主な効果上記構成では、所定の高温範囲のときに環境温度が上昇するにつれて基準電圧が減少側に変化しようとする基準電圧回路3から基準電圧Vrefを得つつ、その基準電圧Vrefを適切に補正できるようになる。特に、基準電圧補正部5は、少なくとも環境温度が所定の温度範囲のときに、環境温度が上昇するほど、その上昇に応じて基準電圧Vrefが一方側減少側へ変化することを抑制する量を大きくするように、温度検知部4からの出力に基づいて基準電圧回路3における電流経路7の電流量を変化させているため、ある温度を超える所定の高温範囲において環境温度の上昇に起因する基準電圧Vrefの温度依存をより確実且つ効果的に抑えることができる。また、本構成では、基準電圧補正部5は、温度検知部4で生成された出力と基準電圧回路3で生成される基準電圧Vrefとに基づき、環境温度が所定の温度範囲外のときには基準電圧回路3における所定電流経路の電流を所定状態で維持し、環境温度が所定の温度範囲となったことを条件として所定電流経路の電流量を変化させている。この構成では、基準電圧回路3での温度依存性が小さい温度範囲所定温度範囲外においては補正動作を行わずに安定状態を維持することができ、基準電圧回路3での温度依存性が大きい温度範囲所定温度範囲を狙って集中的且つ効率的に温度依存性の抑制動作を行うことができる。また、本構成では、基準電圧補正部5は、環境温度が所定の温度範囲のときに、環境温度が上昇するほど、その上昇に応じて基準電圧Vrefが一方側減少側へ変化することを抑制する量を連続的に大きくするように、温度検知部4からの出力に基づいて基準電圧回路3における所定電流経路7の電流量を連続的に変化させている。この構成では、環境温度の上昇に起因する基準電圧Vrefの変動をより細かく補正できるようになる。例えば、微小な温度依存や大きな温度依存などを、それぞれの状態に合わせた精密な補正量で補正できるようになり、基準電圧Vrefをより適正な値で維持しやすくなる。更に、本構成では、温度検知部4で生成される出力電圧Vfと、基準電圧回路3で生成される基準電圧Vrefとが、所定の温度範囲において環境温度が高くなるほど電位差が大きくなるように構成されている。そして、基準電圧補正部5は、所定電流経路7の電流量を当該電位差に応じた変化量で変化させるように構成されている。この構成によれば、温度検知部4からの出力に基づいて基準電圧回路3における所定電流経路7の電流量を連続的に変化させ得る構成をより簡易に実現できる。また、本構成では、順方向ダイオードVf1基準素子は、少なくとも上記所定の温度範囲において素子温度の上昇に応じて抵抗値が低下するように構成され、温度検知部4は、、順方向ダイオードVf1基準素子の素子温度の上昇に応じて出力電圧Vfが低下するように構成されている。更に、基準電圧回路3は、上記所定の温度範囲のときに環境温度が上昇するにつれて基準電圧Vrefが減少しようとする特性を有しており、上記所定の温度範囲における温度特性は、温度上昇に応じた基準電圧Vrefの電圧低下度合いよりも温度検知部4での出力電圧Vfの低下度合いの方が大きくなっている。そして、基準電圧補正部5は、基準電圧Vrefと出力電圧Vfが所定電位差を超えたときに、電流経路7の電流量をその電位差に応じた変化量で変化させている。この構成によれば、所定の温度範囲において環境温度が高くなるほど出力電圧Vfと基準電圧Vrefとの電位差が大きくなる構成をより簡易に実現でき、更に、所定の温度範囲に至ったときに複雑な制御を行うことなく自動的に温度依存性の抑制動作を強化することができる。また、本構成では、基準電圧回路3を構成する抵抗R1、R2、R3、R4、R5のいずれか又は全部がトリミング抵抗とされていてもよい。このようにすることで、基準電圧回路3内での特性のばらつきを抑え易くなる。[第1実施形態の変更例1]次に、第1実施形態の変更例1について説明する。図4は、第1実施形態に係る基準電圧発生回路の変更例1を例示する概念図である。図5は、図4の基準電圧発生回路における基準電圧の変化を例示するグラフである。図2の例では、トランジスタTr3を用いて電流経路7に流し込む電流量を1つの段階で増加させたが、図4のように複数段階図4では2段階で増加させても良い。図4の例では、抵抗R2を抵抗R2a及び抵抗R2bに変更した点、トランジスタTr3をトランジスタTr3a、Tr3bに変更した点、抵抗R5に代えて抵抗R5a、R5bを設けた点、順方向ダイオードVf1に代えて順方向ダイオードVf1a、Vf1bを設けた点が第1実施形態と異なっている。この構成では、所定の温度範囲において環境温度が上昇するにつれてダイオードVf1aの順方向電圧Vfと出力電圧Vrefの差が大きくなる点は第1実施形態と同様であり、順方向電圧Vfと出力電圧Vrefの電位差がトランジスタTr3aのベースエミッタ間の順方向電圧を超える温度第1温度となったときにトランジスタTr3aがオン状態となって、トランジスタTr3aからのコレクタ電流が電流経路7に流れ込むようになっている。また、環境温度が第1温度よりも更に上昇すると、ダイオードVf1a、Vf1bの順方向電圧が一層低下し、ダイオードVf1bのアノード側の電位も一層低下する。そして、ある温度第2温度に達すると、ダイオードVf1bのアノード側の電位とトランジスタTr3bのエミッタ側の電位との電位差が当該トランジスタTr3bのベースエミッタ間の順方向電圧を超えることになる。この超えるときの温度第2温度よりも高い温度範囲では、トランジスタTr3aだけでなくトランジスタTr3bもオン状態となり、トランジスタTr3a、Tr3bを介したバイパス経路から電流経路7に流れ込む電流量が一層増加することになる。従って、図5Bのように、第2温度よりも高い高温側において、大きく落ち込もうとする基準電圧をより持ち上げることができる。[第1実施形態の変更例2~5]次に、第1実施形態の変更例2について説明する。図6Aは、第1実施形態に係る基準電圧発生回路の変更例2の要部を示す回路図であり、図6Bは、変更例3の要部を示す回路図である。また、図7Aは、第1実施形態に係る基準電圧発生回路の変更例4の要部を示す回路図であり、図7Bは、変更例5の要部を示す回路図である。変更例2~5でも、一部以外は図2と同様の構成をなしており、基準電圧補正部5は、環境温度が所定の温度範囲のときに、環境温度が上昇するほど、その上昇に応じて基準電圧Vrefが低下することを抑制する量を段階的に大きくするように、温度検知部4からの出力に基づいて基準電圧回路3における電流経路7の電流量を段階的に変化させており、具体的には、電流経路7の抵抗値又はトランジスタ比を変化させることで電流経路7の電流量を段階的に変化させている。変更例2では、図1における抵抗部31、又は抵抗部32、若しくは抵抗部33を図6Aに示すような構成としている。例えば、図2のような構成からトランジスタTr3及び抵抗R5を省略し、抵抗R1の部分、又は抵抗R2、R3の部分、抵抗R4の部分のいずれかを、図6Aのような回路構成としている。例えば抵抗R2の部分を図6Aのような回路構成に代えた場合、図2のダイオードVf1のアノード電位ダイオードVf1の順方向電圧Vfを検出する手段を設け、順方向電圧Vfが第1電位未満且つ第2電位以上となる第1温度範囲のときに、スイッチSW1をオン状態とし、順方向電圧Vfが第2電位未満となる第2温度範囲のときに、スイッチSW1、SW2のいずれもオン状態とするように制御を行うようにすればよい。変更例3では、図1における抵抗部31、又は抵抗部32、若しくは抵抗部33を図6Bに示すような構成としている。例えば、図2のような構成からトランジスタTr3及び抵抗R5を省略し、抵抗R1の部分、又は抵抗R2、R3の部分、抵抗R4の部分のいずれかを、図6Bのような回路構成としている。例えば抵抗R2の部分を図6Bのような回路構成に代えた場合、図2のダイオードVf1のアノード電位ダイオードVf1の順方向電圧Vfを検出する手段を設け、例えば、順方向電圧Vfが第1電位以上となる温度範囲のときに、スイッチSW3をオン状態とし、順方向電圧Vfが第1電位未満となる温度範囲のときに、スイッチSW3、SW4のいずれもオン状態とするように制御を行うようにすればよい。変更例4では、図1におけるトランジスタ部41、42のいずれかを図7Aに示すような構成としている。例えば、図2のような構成からトランジスタTr3及び抵抗R5を省略し、トランジスタTr1、Tr2のいずれかを、図7Aのような回路構成としている。例えば抵抗Tr2の部分を図7Aのような回路構成に代えた場合、図2のダイオードVf1のアノード電位ダイオードVf1の順方向電圧Vfを検出する手段を設け、例えば、順方向電圧Vfが第1電位以上となる温度範囲のときに、スイッチSW5をオン状態とし、順方向電圧Vfが第1電位未満となる温度範囲のときに、スイッチSW5、SW6のいずれもオン状態とするように制御を行うようにすればよい。変更例5では、図1におけるトランジスタ部41、42のいずれかを図7Bに示すような構成としている。例えば、図2のような構成からトランジスタTr3及び抵抗R5を省略し、トランジスタTr1、Tr2のいずれかを、図7Bのような回路構成としている。例えば抵抗Tr2の部分を図7Bのような回路構成に代えた場合、図2のダイオードVf1のアノード電位ダイオードVf1の順方向電圧Vfを検出する手段を設け、例えば、順方向電圧Vfが第1電位以上且つ第2電位未満となる第1温度範囲のときに、スイッチSW5をオン状態とし、順方向電圧Vfが第1電位未満となる温度範囲のときに、スイッチSW5、SW6のいずれもオン状態とするように制御を行うようにすればよい。[第2実施形態]次に、第2実施形態について説明する。図7は、本発明の第2実施形態に係る基準電圧発生回路を概念的に例示する概念図である。図8は、第2実施形態に係る基準電圧発生回路の代表例を例示する概念図である。図8の例では、基準電圧Vrefを増幅した出力電圧Voutと順方向ダイオードVfcを直列に数段配列したときの出力電圧Vaとに基づいて、基準電圧Vrefの補正、ひいては出力電圧Voutの補正を行っている。この構成では、例えば補正を行わないときの出力電圧Voutの変化及び温度検知部4での出力電圧Vaの変化が図10のようになっている。このような構成のものでは、例えば図9のように具体的に構成し、環境温度が所定温度を超える所定温度範囲となったときに電流経路7に流れる電流量を増加させるように補正を行うことができる。図10の例では、環境温度の上昇に伴う出力電圧Voutの低下度合いよりも環境温度の上昇に伴う出力電圧Vaの低下度合いのほうが大きくなっており、所定温度未満のときには出力電圧Voutよりも出力電圧Vaのほうが大きく、所定温度を超えると出力電圧Voutよりも出力電圧Vaのほうが小さくなるように構成されている。図9の例では、出力電圧Voutと出力電圧Vaとをコンパレータ12によって比較し、出力電圧Voutよりも出力電圧Vaのほうが大きい場合には、スイッチSW7をオフ状態とし、電流経路7を所定の電流状態としている。一方、環境温度の上昇に伴い、出力電圧Vaよりも出力電圧Voutのほうが大きくなった場合には、スイッチSW7をオン状態とし、前記所定の電流状態のときよりも電流経路7の電流量を大きくしている。これにより、所定温度を超える所定温度範囲のときには、増加した電流によって出力電圧Voutの落ち込みを抑えることができ、基準電圧Vref及び出力電圧Voutを安定させることができる。[第3実施形態]次に、第3実施形態について説明する。図11は、本発明の第3実施形態に係る基準電圧発生回路を概念的に例示する概念図である。図12は、図11の基準電圧発生回路における補正を行わない場合の基準電圧出力電圧の特性を示すグラフである。図11の例では、抵抗部32とNPNトランジスタ部42と抵抗部33と抵抗部34とが電源VとグランドGNDとの間に直列に接続されており、抵抗部31とNPNトランジスタ部41とが電源VとグランドGNDとの間に直列に接続されている。そして、抵抗部32の一端側とトランジスタ部42のコレクタとの間の電位がオペアンプ10の負側の入力とされ、抵抗部31とトランジスタ部41のコレクタとの間の電位がオペアンプ10の正側の入力とされている。そして、オペアンプ10の出力側が並列に設けられたダイオードVf3、Vf5のそれぞれのアノード側に接続され、トランジスタ部41、42のベースがダイオードVf3のカソード側に接続されている。ダイオードVf3Vf4及び抵抗R31は直列に接続され、抵抗R31の一端側はグランドGNDに接続されている。また、ダイオードVf5のカソード側には抵抗R32が直列に接続され、抵抗R32の他端側はグランドGNDに接続されている。そして、ダイオードVf5のカソードと抵抗R32の間の電位が出力電圧基準電圧Vrefとされている。このような構成の基準電圧回路3では、出力電圧基準電圧Vrefは、図12のように所定温度以上の所定温度範囲において、温度が高くなるにつれて出力電圧基準電圧Vrefが大きくなる特性を有している。従って、このような構成では、例えば図2と同様の温度検知部4を設け、ダイオードVf1の出力Vfが所定閾値を超えるとき環境温度が所定温度未満のときには、抵抗部31、32、33、34及びトランジスタ部41、42を所定状態に維持して直列経路を流れる電流をそれぞれ所定状態とし、ダイオードVf1の出力Vfが所定閾値以下となるとき環境温度が所定温度以上となった所定の温度範囲のときには、抵抗部31、32、33、34或いはトランジスタ部41、42を図2、図4、図6、図7のいずれかの方法を用いて変化させ、出力電圧基準電圧Vrefを抑えるように補正すればよい。[他の実施形態本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。上記実施形態では、温度検知部4の基準素子として負の温度特性を有する素子順方向ダイオードを1段又は多段に配列した例を示したが、基準素子として正の温度特性を有する素子例えばツェナーダイオードをを1段又は多段に配列してもよい。例えば、図2の構成において、ダイオードVf1をツェナーダイオードとした場合、図13のように、環境温度の上昇に伴いツェナーダイオードの順方向電圧Zdiは上昇することになる。そして、環境温度の上昇に伴い、基準電圧Vref出力電圧と順方向電圧Zdiの差は徐々に小さくなり、温度上昇に伴うトランジスタTr3のベースエミッタ間における順方向電圧の低下度合いよりも、温度上昇に伴う基準電圧Vref出力電圧と順方向電圧Zdiの差の低下度合いのほうが大きくなる。従って、ある温度に達するまでは、トランジスタTr3をオン状態にすることができ、ある温度に達したときにトランジスタTr3をオフ状態にすることができる。このようにすると、例えば、図5のように低温側が落ち込むような定電圧回路に対し、低温環境下において基準電圧を持ち上げるように補正することができる。"