基板の中心を回転中心として前記基板を回転しながら、前記基板に対して物理的な洗浄を行う基板洗浄方法であって、前記基板を回転しながら、前記基板に対して物理的な洗浄を行う洗浄部により前記基板の周縁領域を洗浄するときに、予め定められた目標パーティクル除去率を実現できる、前記周縁領域における、前記洗浄部の第1の移動速度と前記基板の第1の回転速度とを決定する予備工程と、前記基板の前記周縁領域より中心側では、前記第1の移動速度よりも速い移動速度で移動するように、前記第1の移動速度を基準に前記洗浄部の移動速度を決定する移動速度決定工程と、前記基板の前記周縁領域より中心側では、前記基板の前記第1の回転速度よりも速い回転速度で回転するように、前記第1の回転速度を基準に前記基板の回転速度を決定する回転速度決定工程と、前記移動速度決定工程において決定した前記洗浄部の移動速度に従って前記基板の中心側から前記周縁領域まで前記洗浄部を移動させながら、前記回転速度決定工程で決定した前記基板の回転速度に従って前記基板回転速度を変化させ、前記洗浄部により前記基板を洗浄する洗浄工程と、を含む基板洗浄方法。前記予備工程は、前記基板の周縁領域を洗浄するときに、予め定められた目標パーティクル除去率を実現できる前記基板の回転速度を前記第1の回転速度として決定し、前記第1の回転速度で回転する前記基板の周縁領域を洗浄するときに、最も高いパーティクル除去率を実現できる前記洗浄部の移動速度を前記第1の移動速度として決定する、請求項1に記載の基板洗浄方法。前記移動速度決定工程において、前記基板の半径をRとし、前記第1の移動速度をvpとし、前記洗浄部材の前記基板表面における前記基板の中心からの位置をrとしたとき、前記洗浄部の移動速度vがv=R×vp/rで表されるように決定される、請求項1又は2に記載の基板洗浄方法。前記回転速度決定工程において、前記基板の半径をRとし、前記第1の回転速度をΩとし、前記洗浄部材の前記基板表面における前記基板の中心からの位置をrとしたとき、前記ウエハ回転速度ωがω=R×Ω/rで表されるように決定される、請求項1から3のいずれか一項に記載の基板洗浄方法。前記第1の回転速度より速い回転速度が、前記基板洗浄方法を実施する洗浄装置における最大基板回転速度を限界とする、請求項1から4のいずれか一項に記載の基板洗浄方法。前記第1の移動速度より速い移動速度が、前記基板洗浄方法を実施する洗浄装置における前記洗浄部の最大移動速度を限界とする、請求項1から5のいずれか一項に記載の基板洗浄方法。前記洗浄部が、前記基板の表面に接触する接触部を有する、請求項1から6のいずれか一項に記載の基板洗浄方法。前記洗浄部が、前記基板の表面に向けて気体と液体とを含む流体を吐出する吐出部を有する、請求項1から6のいずれか一項に記載の基板洗浄方法。基板を保持して当該基板の中心を回転中心として該基板を回転する基板保持回転機構と、前記基板保持回転機構により保持され回転される前記基板に対して物理的な洗浄を行う洗浄部と、請求項1から8のいずれか一項に記載の基板洗浄方法に沿って前記基板保持回転機構及び前記洗浄部を動作させる制御部とを備える基板洗浄装置。請求項9に記載の基板洗浄装置に基板洗浄方法を実施させるためのプログラムを記憶するコンピュータ可読記憶媒体であって、前記プログラムは、請求項1から8のいずれか一項に記載の基板洗浄方法を実施させるようにステップ群が組まれている、コンピュータ可読記憶媒体。上述の基板洗浄装置では、具体的には、基板保持回転機構により基板を回転させながら、基板の表面に例えばウエハ洗浄ブラシを接触させて基板の表面を洗浄する。このように洗浄する場合には、一般に、ウエハの回転速度を遅くし、ウエハ洗浄ブラシの移動速度を遅くした方が、パーティクルの除去率が高くなる傾向がある。しかし、この場合には洗浄にかかる時間が長くなり、スループットの低下を招く。また、回転する基板の周速度が基板の半径方向で異なるため、基板を一定速度で回転させ、ウエハ洗浄ブラシを一定速度で移動させた場合に、ウエハ洗浄ブラシと基板との相対速度もまた、基板の中心からの距離によって異なることとなる。このような状況においては、基板表面上に所望のパーティクル除去率を達成できない部分が生じる場合がある。この場合に、ウエハ洗浄ブラシを基板の中心から周縁部に向かって移動するに従って、基板の回転数を一定の割合で遅くすることにより、基板全体で所望のパーティクル除去率を達成することが試みられている特許文献1。本発明は、上記の事情に照らして為され、洗浄時間を低減しつつ基板表面全体で所望のパーティクル除去率を達成することが可能な基板洗浄方法、基板洗浄装置、及びコンピュータ可読記憶媒体を提供する。本発明の第1の態様によれば、基板の中心を回転中心として前記基板を回転しながら、前記基板に対して物理的な洗浄を行う基板洗浄方法が提供される。この基板洗浄方法は、前記基板を回転しながら、前記基板に対して物理的な洗浄を行う洗浄部により前記基板の周縁領域を洗浄するときに予め定められた目標パーティクル除去率を実現できる、前記周縁領域における、前記洗浄部の第1の移動速度と前記基板の第1の回転速度とを決定する予備工程と、前記基板の前記周縁領域より中心側では、前記第1の移動速度よりも速い移動速度で移動するように、前記第1の移動速度を基準に前記洗浄部の移動速度を決定する移動速度決定工程と、前記基板の前記周縁領域より中心側では、前記基板の前記第1の回転速度よりも速い回転速度で回転するように、前記第1の回転速度を基準に前記基板の回転速度を決定する回転速度決定工程と、前記移動速度決定工程において決定した前記洗浄部の移動速度に従って前記基板の中心側から前記周縁領域まで前記洗浄部を移動させながら、前記回転速度決定工程で決定した前記基板の回転速度に従って前記基板回転速度を変化させ、前記洗浄部により前記基板を洗浄する洗浄工程と、を含む基板洗浄方法とを含む。本発明の第2の態様によれば、基板を保持して当該基板の中心を回転中心として該基板を回転する基板保持回転機構と、前記基板保持回転機構により保持され回転される前記基板に対して物理的な洗浄を行う洗浄部と、第1の態様による基板洗浄方法に沿って前記基板保持回転機構及び前記洗浄部を動作させる制御部とを備える基板洗浄装置が提供される。本発明の第3の態様によれば、第2の態様の基板洗浄装置に基板洗浄方法を実施させるためのプログラムを記憶するコンピュータ可読記憶媒体であって、前記プログラムは、第2の態様の基板洗浄方法を実施させるようにステップ群が組まれている、コンピュータ可読記憶媒体が提供される。本発明の実施形態によれば、洗浄時間を低減しつつ基板表面全体で所望のパーティクル除去率を達成することが可能な基板洗浄方法、基板洗浄装置、及びコンピュータ可読記憶媒体が提供される。以下、添付の図面を参照しながら、本発明の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一または対応する部材または部品については、同一または対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面は、部材もしくは部品間の相対比を示すことを目的とせず、したがって、具体的な寸法は、以下の限定的でない実施形態に照らし、当業者により決定されるべきものである。また、以下の説明において例示する数値は、本発明を限定するものではなく、発明の理解を促進するためのものである。図1に示すように、基板洗浄装置1は、基板としての半導体ウエハW以下、ウエハWというを搬入及び搬出するための基板搬入出部3と、基板搬入出部3の後部に配置され、ウエハWを搬送するための基板搬送部4と、この基板搬送部4の後部に配置され、ウエハWの洗浄や乾燥などの各種の処理を施すための基板処理部5とを有している。基板処理部5には、ウエハWの受け渡しを行うための基板受渡ユニットTRSが基板搬送部4と接するように配置されるとともに、基板受渡ユニットTRSの後方にウエハWを基板処理部5の内部で搬送するための主搬送ユニット7が配置されている。また、基板処理部5には、主搬送ユニット7の左右側部にウエハWを洗浄処理するための基板洗浄ユニット8と、ウエハWを表裏反転させる反転機構8aとが配置されている。基板洗浄装置1では、たとえば、基板搬入出部3に載置された複数枚のウエハWを積載したキャリア17からウエハWを一枚ずつ基板搬送部4の搬送アーム4aを用いて取り出して基板受渡ユニットTRSへ搬送し、主搬送ユニット7で基板受渡ユニットTRSからウエハWを反転機構8aへ搬送する。反転機構8aにおいて、ウエハWの回路形成面が下方を向くようにウエハWが表裏反転された後、ウエハWは基板洗浄ユニット8へ搬送されてウエハWの表面回路形成面と反対側の面が洗浄される。洗浄後、主搬送ユニット7でウエハWを反転機構8aへ搬送し、反転機構8aにおいて、回路形成面が上方を向くようにウエハWを表裏反転する。その後、主搬送ユニット7でウエハWを基板受渡ユニットTRSへ搬送し、基板搬送部4の搬送アーム4aでウエハWを基板受渡ユニットTRSから基板搬入出部3のキャリア17へと搬出する。次に、基板洗浄装置1において、ウエハWの表面の洗浄処理を行う、本発明の実施形態による基板洗浄ユニット8の具体的な構造について説明する。基板洗浄ユニット8は、図2及び図3に示すように、筐体18の内部にウエハWを水平に保持しながら回転させる基板保持回転機構19とウエハWの表面を洗浄処理するための基板洗浄機構とを有している。図2に示すように、筐体18にはウエハWの搬入出口11が設けられている。搬入出口11には、開閉自在なシャッタ12が設けられており、ウエハWの搬入出時に開くようになっている。図3に示すように、基板保持回転機構19は、筐体18の内部に配置されるモータ21と、モータ21の出力軸22の先端部に水平に取付けられ得る円板状のターンテーブル23と、ターンテーブル23の上面外周部に設けられ、ウエハWを保持する3個の保持体24とを有している。この構成により、基板保持回転機構19は、ターンテーブル23の保持体24でウエハWを水平に保持し、モータ21を駆動させることにより、ウエハWを回転させることができる。また、ターンテーブル23の外方に円筒形状のアウターカップ25が設けられ、アウターカップ25の内側にインナーカップ26が取付けられている。インナーカップ26には昇降手段27が接続され、昇降することができる。この構成により、ウエハWを洗浄する時にインナーカップ26を上昇させて、ウエハWからの洗浄液が筐体18内に飛散することを防ぎ、洗浄液をアウターカップ25で回収し、図示しない排液部に排出させることができる。基板洗浄機構は、ブラシ洗浄機構20と2流体ノズル洗浄機構34とを有している。ブラシ洗浄機構20は、筐体18の内部に移動可能に設けられる移動体28Aと、移動体28Aと共に移動するアーム29Aと、アーム29Aにブラシ回転軸30を介して取り付けられる洗浄ブラシ32Aとを有している。アーム29Aには、ターンテーブル23に保持されたウエハWに対して、アーム29Aを昇降させるアーム昇降駆動部15A、例えばシリンダが、連結部材を介して連結されている。アーム昇降駆動部15Aは、移動体28Aと連結されている。移動体28Aは、スキャン駆動部16、例えばモータとボールネジなどにより移動可能に構成され、後述する制御部50からの制御信号により動作する。これによりアーム29Aは、筐体18内に略水平に設けられたスキャン駆動部16に沿って移動し、アーム29Aの位置や移動速度が制御される。アーム29Aには、洗浄ブラシ32Aを回転させるブラシ回転駆動部31が設けられている。このブラシ回転駆動部31は、例えばモータにより構成することができる。ブラシ回転駆動部31にはブラシ回転軸30が連結されており、ブラシ回転駆動部31が駆動することにより洗浄ブラシ32Aが回転する。洗浄ブラシ32Aは、ウエハWの上方に設けられたアーム29Aに昇降自在に取り付けられている。すなわち、洗浄ブラシ32Aに連結されたブラシ回転軸30は、ブラシ昇降駆動部33を介してアーム29Aに取り付けられている。ブラシ昇降駆動部33を駆動することにより、洗浄ブラシ32Aはアーム29Aに対して昇降し、ウエハWに対する洗浄ブラシ32Aの押圧力が制御される。洗浄ブラシ32Aの中心部には、貫通する通水孔が形成されている。この通水孔は、流量制御器FC1を有する配管Lにより洗浄液の供給源S1に連通している。そして、供給源S1から、流量制御器FC1により流量制御された洗浄液を供給すると、通水孔を通ってウエハWの上面に洗浄液を供給することができる。洗浄ブラシ32Aは、例えばPVAポリビニルアルコールやPPポリプロピレンなどの樹脂により形成された略円形柱状のスポンジや、あるいはナイロンブラシにより構成されている。ブラシ洗浄機構20は、スキャン駆動部16により、洗浄ブラシ32Aがホーム位置図2に示されるようにアウターカップ25の外側の位置と、インナーカップ26内に配置されるウエハWの上方の位置との間で移動する。また、アーム昇降駆動部15Aが駆動することにより、洗浄ブラシ32AはウエハWに対して昇降する。ウエハWを洗浄する際には、洗浄ブラシ32AをウエハWに対して下降させ、ウエハW表面に接触させる。そして、回転駆動部31によって洗浄ブラシ32Aを回転させながら、移動体28Aを移動させることによってウエハWの中央部上方から周縁部上方まで洗浄ブラシ32Aを移動させる。この時、洗浄ブラシ32Aの中心部から洗浄液をウエハWに供給し、基板保持回転機構19によって水平に回転するウエハWの表面を洗浄ブラシ32Aで洗浄する。図2及び図3に示すように、2流体ノズル洗浄機構34は、筐体18の内部において、ブラシ洗浄機構20とカップ25を挟んだ反対側の位置に設けられている。2流体ノズル洗浄機構34は、移動体28Aと同様に構成される移動体28Bと、移動体28Bと共に移動するアーム29Bと、アーム29Bに取り付けられる二流体ノズル32Bとを有している。移動体28Bとアーム29Bは、連結部材とアーム昇降駆動部15Bを介して連結されている。二流体ノズル32Bの先端には二流体を吐出する吐出口29Nが形成されている。移動体28Bは、スキャン駆動部16により、二流体ノズル32Bのホーム位置図2に示されるようにアウターカップ25の外側の位置と、インナーカップ26内に配置されるウエハWの上方の位置との間で二流体ノズル32Bを移動する。図4aを参照すると、二流体ノズル32Bの内部には、液体流路32Lと気体流路32Gとが形成されており、図4aのA-A線に沿った断面図である図4bを参照すると、液体流路32Lと気体流路32Gとは、二流体ノズル32Bの先端において、導管32Cを介して連通している。また、気体流路32Gと吐出口29Nとが互いに連通している。また、図2に示すように、流体通路32Lは、流量調整器FC2を介して液体供給源S2と連通し、液体供給源S2から所定の液体例えば脱イオン水DIWが液体供給路32Lへ供給される。一方、気体流路32Gは、流量調整器FC3を介して気体供給源GSと連通し、気体供給源GSから所定の清浄気体例えば希ガスやチッ素ガスなどの不活性ガス、または清浄空気が気体流路32Gへ供給される。液体流路32Lへ供給された液体は、導管32Cを通して吐出口29Nへ達すると、その上方の気体流路32Gから供給される清浄気体と混合し、ミストとなって下方へ噴出される。このミストをウエハWの表面に吹き付けることにより、ウエハWの表面が洗浄される。図1及び図2に示すように、基板洗浄装置1には制御部50が接続されている。制御部50は、例えばコンピュータから構成され、基板洗浄装置1の搬送アーム4aや主搬送ユニット7、反転機構8a、及び基板処理ユニット8を含む各部材又は部品を制御する。また、制御部50は、後述する基板洗浄方法における、洗浄ブラシ32Aの移動速度やウエハ回転速度を制御する。制御部50は、ハードウエアとして例えば汎用コンピュータと、ソフトウエアとして当該コンピュータを動作させるためのプログラム装置制御プログラムおよび処理レシピ等とにより実現することができる。ソフトウエアは、コンピュータに固定的に設けられたハードディスクドライブ等の記憶媒体に格納されるか、あるいはCD-ROM、DVD、フラッシュメモリ等の着脱可能にコンピュータにセットされる記憶媒体に格納される。必要に応じて図示しないユーザーインターフェースからの指示等に基づいて所定の処理レシピを記憶媒体から呼び出して実行し、これによって制御部50の制御の元で基板洗浄装置1の各機能部品が動作して所定の処理が行われる。以下、図5から図7までを参照しながら、本発明の実施形態による基板洗浄法について説明する。なお、以下では、上述の基板処理ユニット8において洗浄ブラシ32Aを用いてウエハWの回路形成面と反対側の面以下、便宜上、表面というを洗浄する場合を例にとる。予備工程まず、目標とするパーティクル除去率をウエハの周縁部において実現できるウエハ回転速度と、アーム29Aの移動速度とを例えばダミーウエハを用いた実験によって決定する。ウエハの周縁部は、同じウエハ回転速度、同じアームの移動速度で処理した場合、中心部に比べてウエハの周速度が大きいため、ウエハの上面をブラシがすべるようになり、洗浄力が低下して洗浄が困難になる傾向がある。そのため、ウエハの周縁部で目標とするパーティクル除去率を達成する条件で基板全体を洗浄すれば、基板全体において目標とするパーティクル除去率を達成できると考えられる。ダミーウエハは、例えば、ベアウエハ再生ウエハ上に所定の微粒子パウダーを振りかけた後に、そのベアウエハを加熱することにより用意することができる。まず、ダミーウエハを基板洗浄ユニット8に搬入し、ウエハ回転速度を変化させてウエハの周縁部を洗浄する。このとき、ウエハ回転速度を遅くするほど高いパーティクル除去率を達成することができるが、遅くしすぎるとウエハの裏面本実施形態では回路形成面に洗浄液が回り込み、裏面を汚染するおそれがある。したがって、裏面に洗浄液が回りこまないウエハ回転速度の範囲で、ウエハの周縁部においてパーティクル除去率が最も高くなるウエハ回転速度を、ウエハの周縁部におけるウエハ回転速度として決定する。図5のステップS51このときダミーウエハの周縁部において発生する洗浄ブラシ32Aとダミーウエハの表面との間の摩擦力は、ダミーウエハの周縁部において最も高いパーティクル除去率を実現するものである。次いで、決定したウエハ回転速度でダミーウエハを回転させた状態で、アーム29Aの移動速度を変化させて洗浄し、ダミーウエハの周縁部におけるパーティクル除去率が、目標とするパーティクル除去率を達成するアーム29Aの移動速度を見出す。そして、最もパーティクル除去率が高くなるアーム29Aの移動速度を、周縁部におけるアーム29Aの移動速度として決定する。図5のステップS52このときダミーウエハの周縁部において洗浄ブラシ32Aとダミーウエハの表面とが接触する接触時間は、ダミーウエハの周縁部において最も高いパーティクル除去率を実現するものである。なお、具体的なパーティクル除去率は、例えば半導体集積回路を製造する際の要求仕様に従って決定して良い。すなわち、半導体集積回路を製造する際に影響が少ないと考えられている程度の除去率を設定すればよい。以下の説明において、予備工程で決定したウエハ回転速度をΩとし、アーム29Aの移動速度をvpとする。アーム29Aの移動速度を決定する工程次に、洗浄対象となるウエハの中心から周縁部まで洗浄ブラシ32Aが移動するときのウエハ表面上の各位置におけるアーム29Aの移動速度を決定する図5のステップS53。図6aに示すようにウエハWの半径をRとし、アーム29Aの移動速度をvとし、ウエハWの中心Cからの洗浄ブラシ32Aの位置をrとし、位置rにおけるアーム29Aの微小変位をdrとすると、位置rにおける微小変位drの幅を有する円環部分Sの面積は、2πr×dr1で表される。また、円環部分Sに洗浄ブラシ32Aが存在する時間は、dr/v2で表される。上記の1及び2から、洗浄ブラシ32Aが単位面積に存在する時間Tは、T=dr/v/2πr×dr=1/2πrv3となる。一方、洗浄ブラシ32AがウエハWの周縁にあるとき位置r=Rのときの洗浄ブラシ32Aの移動速度を、予備工程で決定したvpとすると、T=1/2πRvp4という関係が成り立つ。ウエハW表面上の任意の位置における単位面積あたりの洗浄ブラシ32Aの接触時間が、ウエハWの周縁部における単位面積あたりの洗浄ブラシ32Aの接触時間に等しいとすると、上記の式3及び4から、1/2πrv=1/2πRvp∴v=R×vp/r5という関係式が得られる。図6bに、式5に基づく、洗浄ブラシ32Aの位置rに対する洗浄ブラシ32Aの移動速度vの関係を示す。図示のとおり、洗浄ブラシ32Aの移動速度vは、洗浄ブラシ32AがウエハWの中心r=0から周縁部r=150mmまでに移動する間に漸減し、周縁部では予備工程で決定した移動速度vpとなる。これにより、ウエハW表面上の任意の位置における単位面積当たりの洗浄ブラシ32Aの接触時間は、ウエハWの周縁部における単位面積あたりの洗浄ブラシ32Aの接触時間に等しくなり、ウエハWの表面全体を同じ時間だけ洗浄処理することができる。なお、図6bのグラフから分かるように、洗浄ブラシ32Aの移動速度vは、ウエハWの中心r=0において無限大となってしまうため、例えば基板洗浄ユニット8において許容される最大移動速度vmaxを移動速度vの上限値とする。この場合、式5に基づく洗浄ブラシ32Aの移動速度より遅い速度となるが、洗浄ブラシ32Aの移動速度が遅い方が摩擦力が大きくなってパーティクル除去率は高くなるので、洗浄処理に不都合は生じない。なお、式5から、dr/dt=R×vp/r∴rdt=Rvpdtという関係式が得られる。ここで、位置rに関して任意の位置Dからrまで積分するとtについては0からt秒まで、∫rdr=Rvpdt∴r2/2=Rvp×t∴r2-D2/2=Rvp×t∴r=√2RvptD26となり、式6を変形すると、位置Dからrまでの移動に要する時間は、t=rD×r-D/2Rvp7で与えられる。ここで、ウエハWの中心r=0から周縁部r=Rまで、洗浄ブラシ32Aを移動させるのに要する時間tは、t=R/2vpとなる。一方、ウエハWの中心から周縁部まで、洗浄ブラシ32Aを仮にvp一定で移動させるとすると、要する時間は、t=R/vpとなる。すなわち、式5に従って洗浄ブラシ32Aを移動させることにより、洗浄に要する時間を半減できる。ウエハ回転速度を決定する工程次に、洗浄対象となるウエハ表面上の各位置におけるにおけるウエハ回転速度を決定する図5のステップS54。図7aに示すように、ウエハWの半径をRとし、ウエハ回転速度をωradsとし、ウエハWの中心Cからの洗浄ブラシ32Aの位置をrとし、位置rにおけるウエハの周速度Vは、V=rω8で表わされる。また、ウエハWの周縁部におけるウエハ回転速度は、予備工程において決定したウエハ回転速度Ωであるから、V=RΩ9という関係が成り立つ。ここで、ウエハWの周縁部における洗浄ブラシ32AとウエハWの表面との間の摩擦力は、目標のパーティクル除去率を達成することができるものである。よって、ウエハWの表面全体で目標のパーティクル除去率を達成するためには、ウエハW表面上の任意の位置rにおいて周縁部と等しい摩擦力で洗浄すれば、ウエハWの全面において目標のパーティクル除去率を達成することができる。そして、洗浄ブラシ32AとウエハWの表面との間の摩擦力は、ウエハWの周速度に依存することから、ウエハW表面上の任意の位置rにおける周速度がウエハWの周縁部における周速度と等しくすることが好ましい。したがって、上記の8及び9から、rω=RΩ∴ω=RΩ/r10という関係式が得られる。図7bに、式10に基づく、洗浄ブラシ32Aの位置rに対するウエハ回転速度ωradsの関係を示す。図示のとおり、ウエハ回転速度ωは、洗浄ブラシ32AがウエハWの中心r=0から周縁部r=150mmまでに移動する間に漸減し、周縁部では予備工程で決定したウエハ回転速度Ωとなる。これにより、ウエハW表面上の任意の位置における摩擦力は、ウエハWの周縁部における摩擦力に等しくなり、ウエハWの表面全体を同じ摩擦力で洗浄処理することができる。なお、図7bに示すように、ウエハ回転速度ωは、例えば基板洗浄ユニット8において許容される最大回転速度ωmaxをウエハ回転速度の上限値とする。この場合、式10に基づくウエハ回転速度より遅い速度となるが、ウエハ回転速度が遅い方がウエハWの周速度が遅くなってパーティクル除去率が高くなるので、洗浄処理に不都合は生じない。任意の位置におけるアームの移動速度とウエハ回転速度を求める工程次に、例えば制御部50において、アーム29Aの位置rウエハの中心Cからウエハの半径に沿った長さにおけるアーム29Aの移動速度vと、ウエハ回転速度ωとが求められる。図5のステップS55具体的には、任意の位置rにおけるアーム29Aの移動速度vを式5に従って求め、これを記憶し、アーム29Aが同じ位置rにあるときのウエハ回転速度ωを式10に従って求め、これを記憶する。これをウエハWの中心Cから周縁部までの各位置rについて行うと、アーム29Aの位置rにおけるアーム29Aの移動速度vと、ウエハ回転速度ωとが求められる。また、求めた各位置rにおけるアーム29Aの移動速度vに基づいて、アーム29AがウエハWの中心Cから周縁部に向かって移動し始める時刻t0からの任意の時刻tにおけるアーム29Aの位置rを求めておく。ウエハ洗浄工程ウエハの洗浄を行う際には、まず主搬送ユニット7によりウエハWを基板洗浄ユニット8内に搬入し、ターンテーブル23の支持体24によりウエハWを支持する。このとき、ウエハWはシャッタ12が開けられた搬入出口11を通って、基板洗浄ユニット8内に搬入される。次に、アーム29Aがアウターカップ25の外方から移動し、洗浄ブラシ32AをウエハWの中心上方に位置した後、ブラシ回転駆動部31により洗浄ブラシ32Aを回転させる。ウエハWは、ターンテーブル23により回転する。そして、時刻t0において、通水孔図4から処理液を供給しつつ、アーム昇降駆動部15Aを駆動してアーム29Aを下降させ、洗浄ブラシ32AをウエハWの表面に接触させる。以下、制御部50により時刻t0からの任意の時刻tにおけるアーム29Aの位置rに基づき、アーム29Aの移動速度vと、ウエハ回転速度ωとが、その位置rにおける値となるように、制御部50から移動体28A及びモータ21に対して信号が出力される。これにより、アーム29Aは、先に求めた移動速度vに沿って移動速度を変化させながら、ウエハWの中心Cから周縁部周縁部において移動速度はvpまで移動する共に、ウエハWは、アーム29AがウエハWの周縁部このときのウエハ回転数はΩに達する間に、先に求めたウエハ回転速度ωに沿って回転速度を変えながら回転する。図5のステップS56アーム29AがウエハWの周縁部まで移動すると、アーム29Aを上昇させ、洗浄ブラシ32Aの回転を停止する。その後アーム29Aはアウターカップの外方へ退避する。洗浄ブラシ32Aによる洗浄が終了した後、ウエハWの回転数を上昇させてウエハWの表面を乾燥させ、ウエハWの洗浄が終了する。その後、ウエハWは、ターンテーブル23から主搬送ユニット7へ受け渡され、シャッタ12が開けられた搬入出口11を通って、基板洗浄ユニット8から搬出される。次いで、反転機構8aによりウエハWが表裏反転され、基板受渡ユニットTRSを通して基板搬送部4の搬送アーム4aによりキャリア17へ戻される。次に、上述の基板処理方法の効果を確認するために行った実験及び実験結果について説明する。実施例1上述の説明に従って、基板処理ユニット8において洗浄ブラシ32Aを用いてテストウエハを洗浄した。この場合、テストウエハの周縁部における洗浄ブラシ32Aの移動速度vpは5mm/sとし、ウエハ回転速度Ωは500rpmとした。また、テストウエハは、ベアウエハの表面に粒径0.09μm以上の微粒子を散布し、約148°Cでベーキングすることにより用意した。比較例1比較例として、洗浄ブラシ32Aの移動速度を、テストウエハの中心から50mmまでの範囲において15mm/秒、50mmから100mmまでの範囲において10mm/秒、100mmから150mmまでの範囲において7mm/秒となるように変化させた。また、このときのウエハ回転数は500rpmとした。テストウエハは実施例1で使用したものと同様に用意した。実施例1及び比較例1の結果を図8に示す。図8のグラフにおいて、横軸は測定範囲を示し、範囲Aはウエハの中心から30mmまでの範囲、範囲Bは30mmから60mmまでの範囲、範囲Cは60mmから90mmまでの範囲、範囲Dは90mmから120mmまでの範囲、及び範囲Dは120mmから150mmまでの範囲である。図8を参照すると、比較例1に比べ実施例1においては範囲Bを除いた各範囲においてパーティクル除去率が高くなっていることが分かる。ウエハ表面全体totalにおいても実施例1の方がパーティクル除去率が高い。また、図8のグラフの右側の縦軸は、洗浄ブラシ32Aとウエハ表面との単位面積当たりの接触時間をとっている。比較例1では、単位面積当たりの接触時間は、ウエハの中心側においては長いが、ウエハの周縁部に近づくに従って急激に減少していく。これに対して実施例1では、実施例1に比べて接触時間の変化が少ないことがわかる。実施例2次に、基板処理ユニット8において二流体ノズル32Bを用いる以外は、実施例1と同様に、テストウエハを洗浄した。ただし、テストウエハの周縁部における洗浄ブラシ32Aの移動速度vpは5mm/秒であり、ウエハ回転速度Ωは500rpmである。比較例2比較例2として、基板処理ユニット8において二流体ノズル32Bを用いる以外は、比較例1と同様に、テストウエハを洗浄した。ただし、二流体ノズル32Bの移動速度は、テストウエハの中心から50mmまでの範囲において15mm/秒、50mmから100mmまでの範囲において10mm/秒、100mmから150mmまでの範囲において7mm/秒となるように変化させた。実施例2及び比較例2の結果を図9に示す。図示のとおり、パーティクル除去率に関して、ウエハの中心側においては比較例2の方が高いが、他の範囲においては実施例2の方が高く、ウエハ表面全体としても実施例2の方が高い。また、二流体の接触時間については、実施例2においてはほぼ一定となっている一方、比較例2ではウエハの中心側において極めて長くなっている。ウエハの中心側におけるパーティクル除去率が高い理由は、接触時間が長いためと考えられる。以上説明したように、本発明の実施形態による基板洗浄方法によれば、ウエハWの表面上の位置rにおける移動速度vを上記の式5に従って求め、ウエハ回転速度ωを上記の式10に従って求め、これに基づいて位置rにおける移動速度v及びウエハ回転速度ωを調整する。これにより、ウエハWの表面と洗浄ブラシ32Aとの各位置rでの接触時間と、ウエハWの表面と洗浄ブラシ32Aとの間の各位置rでの摩擦力とをウエハWの表面上において一定にすることができる。したがって、ウエハ表面全体において目標とするパーティクル除去率を達成しつつ均一に洗浄することが可能となる。しかも、一般にパーティクル除去し難いウエハ周縁部において目標パーティクル除去率を達成できる移動速度vp及びウエハ回転速度Ωを求めた上で、ウエハWの中心Cから周縁部までに至る間は、移動速度vp及びウエハ回転速度Ωよりも速い移動速度及びウエハ回転速度に設定されるため、処理時間を短くすることができる。また、本実施形態による基板洗浄方法には、周縁部において目標パーティクル除去率を実現できる移動速度vp及びウエハ回転速度Ωのみに基づいて、アーム29Aや回転モータを制御できるという利点がある。以上、幾つかの実施形態を参照しながら本発明を説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されることなく、添付の特許請求の範囲に照らし、種々に変形又は変更が可能である。本発明は、洗浄ブラシがウエハ表面全体を移動する形態で説明したが、ウエハの中心部と周縁部の間で洗浄処理を終える場合についても、ウエハ回転速度とブラシ移動速度は本発明と同様に決定する。また、ウエハWは、半導体ウエハに限らず、FPD基板用のガラス基板であっても良い。