厚さの範囲内において、少なくとも一つの横断面積がその下方にある他の一つの横断面積よりも大きいダイパッドと、前記ダイパッドの周辺に設けられ、厚さの範囲内において、少なくとも一つの横断面積がその下方にある他の一つの横断面積よりも大きく、且つ頂面が前記ダイパッドの頂面よりも高い複数のバンプソルダーパッドと、前記ダイパッドに設けられたチップと、前記チップ及び各前記バンプソルダーパッドを電気的に接続するためのボンディングワイヤと、前記ダイパッド、前記バンプソルダーパッド、前記チップ及び前記ボンディングワイヤを被覆することで、前記ダイパッド及び前記バンプソルダーパッドが封止材の中に嵌設され、各前記バンプソルダーパッド及び前記ダイパッドの底面が露出されるようにした封止材と、を備えることを特徴とするQFN半導体パッケージ。前記バンプソルダーパッドは、鳩尾形又は半鳩尾形であることを特徴とする請求項1に記載のQFN半導体パッケージ。前記ダイパッドは、鳩尾形又は半鳩尾形であることを特徴とする請求項1に記載のQFN半導体パッケージ。前記封止材の底面に形成され、前記ダイパッド及び前記バンプソルダーパッドが対応して露出するための開口を複数有するソルダーレジストsolderresist層をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のQFN半導体パッケージ。複数のダイ搭載領域が規定された金属板を準備する工程と、前記金属板を金型でプレスすることにより、金属板における各前記ダイ搭載領域にダイパッドを形成するとともに、前記ダイ搭載領域の外周に複数のバンプソルダーパッドを形成し、ここで、前記ダイパッド及び前記バンプソルダーパッドの厚さの範囲内において、前記バンプソルダーパッドの少なくとも一つの横断面積をその下方にある他の一つの横断面積よりも大きくし、前記ダイパッドの少なくとも一つの横断面積をその下方にある他の一つの横断面積よりも大きくし、前記バンプソルダーパッドの底面を前記ダイパッドの底面よりも高くする工程と、各前記ダイパッドの上にチップを設置する工程と、前記チップ及び前記バンプソルダーパッドをボンディングワイヤにより電気的に接続する工程と、前記金属板、前記チップ及び前記ボンディングワイヤに封止材を被覆することにより、前記バンプソルダーパッドを前記封止材の中に嵌設させる工程と、前記金属板の底部を取り除くことにより、前記ダイパッド及び各前記バンプソルダーパッドを互いに離間配置させる工程と、前記封止材を切断することにより、複数の半導体パッケージを形成する工程と、を備えることを特徴とするQFN半導体パッケージの製造方法。前記金型は、雄金型、雌金型及び複数の挿入部材を含み、前記雌金型が、アレイ配列された凹孔及び同一列にある前記凹孔を連通するためのグルーブを有し、前記グルーブに前記挿入部材が摺設されることで、前記凹孔の開口面積が前記凹孔の底面積よりも小さくなるようにしたことを特徴とする請求項5に記載のQFN半導体パッケージの製造方法。前記ダイパッド及び前記バンプソルダーパッドをプレス形成する工程は、前記金属板を金型でプレスして複数の前記ダイパッド及び前記バンプソルダーパッドを形成する工程と、前記ダイパッド及び前記バンプソルダーパッドの頂面を押圧することで、前記ダイパッド及び前記バンプソルダーパッドの厚さの範囲内において、前記バンプソルダーパッドの少なくとも一つの横断面積をその下方にある他の一つの横断面積よりも大きくし、前記ダイパッドの少なくとも一つの横断面積をその下方にある他の一つの横断面積よりも大きくする工程と、を含むことを特徴とする請求項5に記載のQFN半導体パッケージの製造方法。前記バンプソルダーパッドの頂面は、前記ダイパッドの頂面よりも高いことを特徴とする請求項5に記載のQFN半導体パッケージの製造方法。前記金属板をプレスする前又はプレスした後に前記金属板の上下表面に金属層を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項5に記載のQFN半導体パッケージの製造方法。前記バンプソルダーパッドは、鳩尾形又は半鳩尾形であることを特徴とする請求項5に記載のQFN半導体パッケージの製造方法。前記金属板を取り除いた後、前記封止材の底面にソルダーレジスト層を形成し、前記ソルダーレジスト層が各前記ダイパッド及び前記バンプソルダーパッドを対応して露出させるための開口を複数有するようにした工程をさらに備えることを特徴とする請求項5に記載のQFN半導体パッケージの製造方法。QFN半導体パッケージの製造に用いられる金属板であって、前記金属板に一体的に形成され、ダイ搭載領域を区画するように設けられ、厚さの範囲内において、少なくとも一つの横断面積がその下方にある他の一つの横断面積よりも大きい複数のバンプソルダーパッドと、前記ダイ搭載領域に位置し、厚さの範囲内において、少なくとも一つの横断面積がその下方にある他の一つの横断面積よりも大きいダイパッドと、各前記バンプソルダーパッドの底面に対応して形成された複数の孔と、を備えることを特徴とするQFN半導体パッケージの製造に用いられる金属板。ただし、上述の従来のリードフレーム構造は、入力/出力の数が少ないため、ハイエンド製品の要求を満たすことができず、しかも単一化singulationプロセスの後に、リードが脱落するおそれがある。さらに、リード41の露出した面が封止材44の面と面一同一平面になるため、露出したリード41に、外部装置の印刷回路板と電気的に接続するための半田ボール46を形成する場合には、図17に示すように、半田ボール46にソルダーブリッジsolderbridgeが発生しやすくなり、それに伴って、リード41の間にソルダーブリッジ又はショートが生じ、電気的接続が悪くなるおそれがある。入力/出力の数をより多く得るために、銅箔基板にリードフレームをエッチングにより形成することによって、リードをより多く得ることも考えられる。しかしながら、エッチング製造工程は、極めて手間がかかり、しかも図16に示すパッケージ又はエッチングにより得られたリードフレームのいずれにおいても、封止材が充填された場合にオーバーフローするという問題が存在しているため、半田ボールを搭載することができなくなり、半田ボールとリードとの電気的接続に影響が及ぶこととなる。また、エッチングにより形成されたリードフレームは、その構造が分離して完全ではないため、超音波半田付けの場合には半田抜けが生じることがよくある。従って、上記の問題に鑑みて、入力/出力の数をより多く得るための製造工程を簡素化するとともに、従来の半導体パッケージのようなリードの脱落や封止材のオーバーフロー等の問題を回避することは、現在解決が待たれる極めて重要な課題となっている。そこで、上記の従来技術の種々の欠点に鑑み、本発明は、厚さの範囲内において、少なくとも一つの横断面積がその下方にある他の一つの横断面積よりも大きいダイパッドと、前記ダイパッドの周辺に設けられ、厚さの範囲内において、少なくとも一つの横断面積がその下方にある他の一つの横断面積よりも大きく、且つ頂面が前記ダイパッドの頂面よりも高い複数のバンプソルダーパッドと、前記ダイパッドに設けられたチップと、前記チップ及び各前記バンプソルダーパッドを電気的に接続するためのボンディングワイヤと、前記ダイパッド、前記バンプソルダーパッド、前記チップ及び前記ボンディングワイヤを被覆することで、前記ダイパッド及び前記バンプソルダーパッドが封止材の中に嵌設され、各前記バンプソルダーパッド及び前記ダイパッドの底面が露出されるようにした封止材と、を備えることを特徴とするQFN半導体パッケージを提供する。本発明に係る半導体パッケージを得るために、本発明は、複数のダイ搭載領域が規定された金属板を準備する工程と、前記金属板を金型でプレスすることにより、金属板における各前記ダイ搭載領域にダイパッドを形成するとともに、前記ダイ搭載領域の外周に複数のバンプソルダーパッドを形成し、ここで、前記ダイパッド及び前記バンプソルダーパッドの厚さの範囲内において、前記バンプソルダーパッドの少なくとも一つの横断面積をその下方にある他の一つの横断面積よりも大きくし、前記ダイパッドの少なくとも一つの横断面積をその下方にある他の一つの横断面積よりも大きくし、前記バンプソルダーパッドの底面をダイパッドの底面よりも高くする工程と、各前記ダイパッドの上にチップを設置する工程と、前記チップ及び前記バンプソルダーパッドをボンディングワイヤにより電気的に接続する工程と、前記金属板、前記チップ及び前記ボンディングワイヤに封止材を被覆することにより、前記バンプソルダーパッドを前記封止材の中に嵌設させる工程と、前記金属板の底部を取り除くことにより、前記ダイパッド及び各前記バンプソルダーパッドを互いに離間配置させる工程と、前記封止材を切断することにより、複数の半導体パッケージを形成する工程と、を備えることを特徴とするQFN半導体パッケージの製造方法をさらに提供する。上述した製造方法においては、前記金型は、雄金型、雌金型及び複数の挿入部材を含み、前記雌金型が、アレイ配列された凹孔及び同一列にある前記凹孔を連通するためのグルーブを有し、前記グルーブには挿入部材が摺設され、前記凹孔の開口面積が前記凹孔の底面積よりも小さくなるようにする。また、他の実施形態においては、前記ダイパッド及び前記バンプソルダーパッドをプレス形成する工程は、前記金属板を金型でプレスして複数のダイパッド及びバンプソルダーパッドを形成する工程と、前記ダイパッド及び前記バンプソルダーパッドの頂面を押圧することで、前記ダイパッド及び前記バンプソルダーパッドの厚さの範囲内において、前記バンプソルダーパッドの少なくとも一つの横断面積をその下方にある他の一つの横断面積よりも大きくし、前記ダイパッドの少なくとも一つの横断面積をその下方にある他の一つの横断面積よりも大きくする工程と、を含む。また、本発明は、金属板に一体的に形成され、ダイ搭載領域を区画するように設けられ、厚さの範囲内において、少なくとも一つの横断面積がその下方にある他の一つの横断面積よりも大きい複数のバンプソルダーパッドと、ダイ搭載領域に位置し、厚さの範囲内において、少なくとも一つの横断面積がその下方にある他の一つの横断面積よりも大きいダイパッドと、各前記バンプソルダーパッドの底面に対応して形成された複数の孔と、を備えることを特徴とするQFN半導体パッケージの製造に用いられる金属板をさらに提供する。以上のように、本発明に係る半導体パッケージ及びその製造方法は、まず金属板の上にバンプソルダーパッドをプレス形成し、チップを搭載して電気的に接続し、封止材を形成した後、単一化作業を行うため、従来技術のような封止材を充填する際のオーバーフロー等の問題を回避することができる。また、本発明に係る金属板におけるバンプソルダーパッドが嵌設機能を有しているため、封止材が形成された後、バンプソルダーパッドが封止材より脱落してしまうことを回避することができる。また、バンプソルダーパッドの頂面がダイパッドの頂面よりも高いため、ボンディングワイヤの高さを低く抑え、パッケージ全体の体積を縮小することが可能となる。本発明に係る半導体パッケージ及びその製造方法によれば、オーバーフロー及びバンプソルダーパッドの脱落を防止することができるだけではなく、製造工程を簡素化し、入力/出力の数をより多く提供することができる利点を有している。以下、特定の具体的な実施例により本発明の実施形態を説明する。この技術分野に精通した者は、本明細書の記載内容によって、簡単に本発明のその他の利点や効果を理解できる。ここで、本明細書に記載の頂面や底面は、絶対的な空間概念ではなく、構成部材の空間関係に応じて変化するものである。即ち、本明細書の図面に示した半導体パッケージを上下反転させれば、頂面が底面となり、底面が頂面となる。従って、それらの頂面、底面等の名詞は、本発明に係る半導体パッケージにおける構成部材間の連結関係を説明し、本発明に係る半導体パッケージが等価範囲内において合理的な変化や変更を有するようにするために用いられるものであって、本発明の実施可能な範囲を特定の態様embodimentに限定するものではない。第1の実施例図1ないし図9は、本発明に係るQFN半導体パッケージの製造方法を説明するための図である。図1に示すように、複数のダイ搭載領域11が規定された金属板10を準備する。この金属板10は銅から構成されてもよい。また、金属板10の上下表面には、例えば金、パラジウム、銀、銅及びニケッルからなる群から選択される1種の材質からなる金属層、又は、例えば金/パラジウム/ニッケル/パラジウムの層を順に組み合わせたもの、金/ニッケル/銅/ニッケル/銀、金/ニッケル/銅/銀、パラジウム/ニッケル/パラジウム、金/ニッケル/金若しくはパラジウム/ニッケル/金の多層金属のいずれか一つである2種以上の材質からなる金属層が形成されている。図2及び図3に示すように、金属板10を金型12でプレスすることにより、金属板10における各前記ダイ搭載領域11にダイパッド19を形成するとともに、ダイ搭載領域11の外周に複数のバンプソルダーパッド13を形成する。ここで、ダイパッド19及びバンプソルダーパッド13の厚さh、h’の範囲内において、バンプソルダーパッド13の少なくとも一つの横断面積をその下方にある他の一つの横断面積よりも大きくし、ダイパッド19の少なくとも一つの横断面積をその下方にある他の一つの横断面積よりも大きくし、バンプソルダーパッド13の底面をダイパッド19の底面よりも高くする図面上、紙面のより上方に位置するようにする。バンプソルダーパッド13は、図2に示すように、鳩尾形又は半鳩尾形であってもよい。バンプソルダーパッド13の厚さhの範囲内にある任意の2つの横断面において、上の横断面積が下の横断面積よりも大きい。また、さらに、金属板をプレスした後、該金属板の上下表面図示せずに金属層を形成してもよい。実施において、金型12は、雄金型121、雌金型122及び複数の挿入部材123を含み、図3に示す雌金型122の底面図のように、雌金型122は、アレイ配列された凹孔1221及び同一列にある凹孔1221を連通するためのグルーブ1222を複数有している。グルーブ1222に挿入部材123が摺設されることで、凹孔1221の開口面積が凹孔1221の底面積よりも小さくなるようにし、それによって、プレスの後に鳩尾形のバンプソルダーパッド13が得られる。図4に示すように、各前記ダイパッド19図2参照の上にチップ14を搭載し、チップ14及びバンプソルダーパッド13をボンディングワイヤ15により電気的に接続する。その後、金属板10、チップ14及びボンディングワイヤ15に封止材16を被覆する。鳩尾形のバンプソルダーパッド13の任意のある横断面積がいずれもその下方にある他の一つの横断面積本発明では、バンプソルダーパッド13内の孔131の横断面積もバンプソルダーパッド13の横断面積に算入されるよりも大きい例えば頂面面積が底面面積よりも大きいことから、バンプソルダーパッド13が封止材16の中に嵌設される。また、バンプソルダーパッド13の底面がダイパッド19の底面よりも高く、バンプソルダーパッド13の頂面がダイパッド19の頂面よりも高いため、ボンディングワイヤの高さを低く抑え、パッケージ全体の体積を縮小することが可能となる。さらに、金属板が連続構造であるため、超音波半田付けによる半田抜けの不具合を減少させることができる。また、封止材の形成時に、金属板が連続構造のままであるため、オーバーフローの問題をさらに防止することができる。図5に示すように、金属板10図4参照の底部をミリングカッター又はエッチングにより取り除くことにより、各前記ダイパッド19及びバンプソルダーパッド13を互いに離間配置させる。さらに、図6に示すように、図5においてダイパッド19及びバンプソルダーパッド13の底部が封止材の底部と面一同一平面になるのとは異なり、金属板10の底部を取り除く際、プレス時にプレスの深さの設定が可能であるため、金属板10を必要に応じて取り除くことによって得られたダイパッド19及びバンプソルダーパッド13の底面に孔131を対応して形成することができる。図7に示すように、それらの孔には半田ボール17図9参照が配設され、半田ボール17とバンプソルダーパッド13との間に好ましい接合強度が与えられ、最後に封止材16を切断することにより、複数の半導体パッケージ1を形成する。一方、隣接した2つのパッケージユニットが共通のバンプソルダーパッド13を有し、切断工程を行う場合は、図8に示すように、封止材16及び隣接した2つの半導体パッケージに共通のバンプソルダーパッド13を切断することにより、得られた半導体パッケージの最外周にあるバンプソルダーパッド13の側辺が露出し、封止材16と面一同一平面になるようにすることができる。また、図7に示すように、隣接した2つのパッケージユニットが共通のバンプソルダーパッド13を有さず、封止材16がバンプソルダーパッド13の側辺を被覆するように構成してもよい。また、図9に示すように、金属板10を取り除いた後、封止材16の底面の上にソルダーレジスト層18を形成し、ソルダーレジスト層18は、各前記ダイパッド19及びバンプソルダーパッド13が対応して露出するためのソルダーレジスト層の開口181を複数有するように構成してもよい。本実施例においては、孔131を有するバンプソルダーパッド13を例にして説明したが、この態様に限定されるものではない。第2の実施例本実施例は、プレス方法が異なっている以外は、前述した製造方法とほぼ同様である。図10ないし図12に示すプレスによるダイパッド及びバンプソルダーパッドの形成工程は、まず金属板20を、上金型221及び下金型222を含む金型22でプレスすることにより複数のダイパッド29及びバンプソルダーパッド23を形成する工程と、再び、ダイパッド29及びバンプソルダーパッド23の頂面を押圧することにより、ダイパッド29及びバンプソルダーパッド23の厚さの範囲内において、たとえバンプソルダーパッド23の頂面が最大面積ではなくても、少なくとも一つの横断面積がその下方にある他の一つの横断面積よりも大きい関係がなお存在し、封止材の形成後に、バンプソルダーパッド23が封止材の中に嵌設されるようにし、同様に、ダイパッド29の少なくとも一つの横断面積をその下方にある他の一つの横断面積よりも大きくする工程と、を備える。具体的に言えば、図11に示すように、他の上金型221’を再びダイパッド29及びバンプソルダーパッド23の頂面に押圧させ、最後に脱型することによりバンプソルダーパッド23を有する金属板20を得ることができる。第3の実施例本実施例は、ダイパッドの外形が異なっている以外は、前述した製造方法とほぼ同様である。図13に示すように、金属板30をプレスする工程は、ダイ搭載領域31図14参照を金型32でプレスすることによりダイパッド38を形成する工程をさらに備えてもよい。ダイパッド38は、複数のバンプパッド381からなり、その外形はバンプソルダーパッド33と同じであっても良い。同様に、ダイパッド38の厚さの範囲内において、ダイパッド38の少なくとも一つの横断面積がその下方にある他の一つの横断面積よりも大きい。前述した製造方法によれば、本発明に係るQFN半導体パッケージ1、3は、図7及び図15に示すように、厚さの範囲内において、少なくとも一つの横断面積がその下方にある他の一つの横断面積よりも大きいダイパッド19、38と、前記ダイパッド19、38の周辺に設けられ、厚さの範囲内において、少なくとも一つの横断面積がその下方にある他の一つの横断面積よりも大きく、且つ頂面がダイパッド19、38の頂面よりも高い複数のバンプソルダーパッド13、33と、前記ダイパッド19、38に設けられたチップ14、34と、前記チップ14、34及び各前記バンプソルダーパッド13、33を電気的に接続するためのボンディングワイヤ15、35と、ダイパッド19、38、バンプソルダーパッド13、33、チップ14、34及びボンディングワイヤ15、35を被覆することで、ダイパッド19、38及びバンプソルダーパッド13、33が封止材16、36の中に嵌設され、各前記バンプソルダーパッド13、33及びダイパッド19、38の底面が露出されるようにした封止材16、36と、を備える。また、バンプソルダーパッド13、33及びダイパッド19、38の底面には半田ボール17、37が搭載されてもよい。本発明に係る半導体パッケージにおいて、バンプソルダーパッド13及びダイパッド19は、図7に示す鳩尾形であってもよく、半鳩尾形又はその他の形状であってもよい。図8に示すように、前記半導体パッケージは、封止材16の底面に形成され、各前記ダイパッド19及びバンプソルダーパッド13が対応して露出するための開口181を複数有するソルダーレジスト層18をさらに備えてもよい。一方、前述した製造方法に基づき、本発明は、図4に示すように、前記金属板10に一体的に形成され、ダイ搭載領域11を区画するように設けられ、厚さの範囲内において、少なくとも一つの横断面積がその下方にある他の一つの横断面積よりも大きい複数のバンプソルダーパッド13と、ダイ搭載領域11に設けられ、厚さの範囲内において、少なくとも一つの横断面積がその下方にある他の一つの横断面積よりも大きいダイパッド19と、各前記バンプソルダーパッド13の底面に対応して形成された複数の孔131と、を備えることを特徴とするQFN半導体パッケージの製造に用いられる金属板10を提供する。本発明に係る半導体パッケージ及びその製造方法は、まず金属板の上にバンプソルダーパッドをプレス形成し、チップを搭載して電気的に接続し、封止材を形成した後、単一化作業を行うため、従来技術のような封止材を充填する際のオーバーフロー等の問題を回避することができる。また、本発明に係る金属板におけるダイパッド及びバンプソルダーパッドが嵌設機能を有しているため、封止材が形成された後、バンプソルダーパッドが封止材より脱落してしまうことを回避することができ、信頼性が向上することとなる。また、好ましくは、プレスにおいて、ダイパッドの高さをバンプソルダーパッドよりも低くすることもできる。これにより、パッケージの高さを低く抑え、体積を縮小するのに有利となり、熱伝導性能が向上することとなる。本発明に係る半導体パッケージ及びその製造方法によれば、オーバーフロー及びバンプソルダーパッドの脱落を防止することができるだけではなく、製造工程を簡素化し、入力/出力の数をより多く提供することができる利点を有している。上記の実施形態は本発明の原理および効果機能を例示的に説明するものに過ぎず、本発明は、これらによって限定されるものではない。本発明に係る実質的な技術内容は、特許請求の範囲に定義される。本発明は、この技術分野に精通した者により本発明の主旨を逸脱しない範囲で様々な修正や変更を施すことが可能であり、そうした修正や変更は、本発明の特許請求の範囲に入るものである。