"記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において前記主磁極層に対向するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、前記主磁極層、前記ライトシールド層または前記主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、前記薄膜コイルは前記主磁極層の前記媒体対向面から最も離れた後端部よりも前記媒体対向面に近い位置に配置されているターン部を有するコイル層を有し、該コイル層の前記媒体対向面に沿った方向の厚さをコイル厚とし、かつ前記コイル層のうちの前記主磁極層が配置されている配置スペースに対応した部分を磁極対応部としたときに、前記薄膜コイルは、少なくとも前記コイル層のうちの前記主磁極層と前記基板との間に配置されている基板側コイル層について、前記磁極対応部の前記コイル厚よりも前記磁極対応部以外の部分である非磁極対応部の前記コイル厚が大きく形成されている薄膜磁気ヘッド。記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において前記主磁極層に対向するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、前記主磁極層、前記ライトシールド層または前記主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、前記薄膜コイルは、前記主磁極層の前記媒体対向面から最も離れた後端部よりも前記媒体対向面に近い位置に配置されている第1のターン部、第2のターン部をそれぞれ有する第1のコイル層と第2のコイル層を有し、該第1のコイル層および第2のコイル層の前記媒体対向面に沿った方向の厚さをそれぞれ第1のコイル厚、第2のコイル厚とし、かつ前記第1のコイル層、第2のコイル層のうちの前記主磁極層が配置されている配置スペースに対応した部分をそれぞれ第1の磁極対応部、第2の磁極対応部としたときに、前記薄膜コイルは、少なくとも前記第1のコイル層、第2のコイル層のうちの前記主磁極層と前記基板との間に配置されている第1の基板側コイル層、第2の基板側コイル層について、それぞれ前記第1の磁極対応部、第2の磁極対応部の前記第1のコイル厚、第2のコイル厚よりも前記第1の磁極対応部、前記第2の磁極対応部以外の部分である第1の非磁極対応部、第2の非磁極対応部の前記第1のコイル厚、第2のコイル厚が大きく形成されている薄膜磁気ヘッド。前記薄膜コイルは、前記第1のコイル層と前記第2のコイル層とが前記媒体対向面に沿った上下方向に重なり、かつ前記第1の磁極対応部と前記第2の磁極対応部とが前記媒体対向面に沿った上下方向に重なった階層構造を有する請求項2記載の薄膜磁気ヘッド。前記薄膜コイルは、前記第1の磁極対応部、前記第2の磁極対応部それぞれの上面が前記第1の非磁極対応部、前記第2の非磁極対応部それぞれの上面よりも凹んだ部分凹構造を有し、かつ前記第1の磁極対応部に形成されている第1の凹部の中に前記第2の磁極対応部が嵌まり込んだ複合凹部構造を有する請求項3記載の薄膜磁気ヘッド。前記薄膜コイルは、前記ターン部として前記媒体対向面に最も近い位置に配置されている前側ターン部と、該前側ターン部よりも前記媒体対向面から離れた位置に配置されている後側ターン部とを有し、該前側ターン部と該後側ターン部のそれぞれについて、前記磁極対応部の前記コイル厚よりも前記非磁極対応部の前記コイル厚が大きく形成されている請求項1記載の薄膜磁気ヘッド。前記薄膜コイルは、前記第1のターン部として、前記媒体対向面に最も近い位置に配置されている第1の前側ターン部と、該第1の前側ターン部よりも前記媒体対向面から離れた位置に配置されている第1の後側ターン部とを有し、かつ前記第2のターン部として、前記媒体対向面に最も近い位置に配置されている第2の前側ターン部と、該第2の前側ターン部よりも前記媒体対向面から離れた位置に配置されている第2の後側ターン部とを有し、前記第1の前側ターン部と前記第1の後側ターン部のそれぞれについて、前記第1の磁極対応部の前記第1のコイル厚よりも前記第1の非磁極対応部の前記第1のコイル厚が大きく形成され、かつ前記第2の前側ターン部と前記第2の後側ターン部のそれぞれについて、前記第2の磁極対応部の前記第2のコイル厚よりも前記第2の非磁極対応部の前記第2のコイル厚が大きく形成されている請求項3または4記載の薄膜磁気ヘッド。前記薄膜コイルは、前記媒体対向面からの距離が同じ位置に配置され、かつ前記主磁極層を挟んで対向している上部導体群と下部導体群とを有し、該上部導体群および下部導体群がそれぞれ前記第1のコイル層および第2のコイル層を有する請求項2~4、6のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッド。前記基板側コイル層の前記基板から離れた側の上面よりも、前記主磁極層の前記基板側に配置されている底面が前記基板に近い位置に配置されている請求項1または5記載の薄膜磁気ヘッド。前記第1の基板側コイル層および前記第2の基板側コイル層の前記基板から最も離れた側の最上面よりも前記主磁極層の前記基板側に配置されている底面が前記基板に近い位置に配置されている請求項2~4、6、7のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッド。前記磁極対応部の上面に接する底部絶縁層を更に有し、該底部絶縁層の上面に前記主磁極層が形成されている請求項1、5、8のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッド。前記第1の磁極対応部および前記第2の磁極対応部の前記基板から最も離れた側の最上面に接する底部絶縁層を更に有し、該底部絶縁層の上面に前記主磁極層が形成されている請求項2~4、6、7、9のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッド。前記薄膜コイルは、前記主磁極層の前記後端部よりも前記媒体対向面に近い位置に配置されている第3のターン部を有する第3のコイル層を更に有し、該第3のコイル層の前記媒体対向面に沿った方向の厚さを第3のコイル厚とし、かつ前記第3のコイル層のうちの前記配置スペースに対応した部分をそれぞれ第3の磁極対応部としたときに、前記薄膜コイルは、少なくとも前記第3のコイル層のうちの前記主磁極層と前記基板との間に配置されている第3の基板側コイル層について、前記第3の磁極対応部の前記第3のコイル厚よりも前記第3の磁極対応部以外の部分である第3の非磁極対応部の前記第3のコイル厚が大きく形成されている請求項2~4、6、7、9、11のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッド。記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において前記主磁極層に対向するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、前記主磁極層、前記ライトシールド層または前記主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記薄膜コイルを構成する導体層を積層体の表面に形成する導体層形成工程と、前記導体層形成工程によって形成された前記導体層の厚さを、前記主磁極層が配置される配置スペースに対応した対応部よりも、該対応部以外の非対応部の方が厚くなるように変更するコイル厚変更工程と、該コイル厚変更工程を実行した後、前記対応部の表面に接する底部絶縁層を形成する底部絶縁層形成工程と、前記底部絶縁層上に前記主磁極層を形成する主磁極層形成工程とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。前記コイル厚変更工程は、前記対応部に対するエッチングを行い前記対応部の表面に凹部を形成することによって実行する請求項13記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において前記主磁極層に対向するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、前記主磁極層、前記ライトシールド層または前記主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記薄膜コイルを構成する第1の導体層を積層体の表面に形成する第1の導体層形成工程と、前記第1の導体層形成工程によって形成された前記第1の導体層の厚さを、前記主磁極層が配置される配置スペースに対応した第1の対応部よりも、該第1の対応部以外の非第1の対応部の方が厚くなるように変更する第1のコイル厚変更工程と、該第1のコイル厚変更工程を実行した後、前記第1の導体層の表面に接するコイル間絶縁層を形成するコイル間絶縁層形成工程と、前記薄膜コイルを構成する第2の導体層を前記コイル間絶縁層の表面に形成する第2の導体層形成工程と、前記第2の導体層形成工程によって形成された前記第2の導体層の厚さを、前記配置スペースに対応した第2の対応部よりも、該第2の対応部以外の非第2の対応部の方が厚くなるように変更する第2のコイル厚変更工程と、該第2のコイル厚変更工程を実行した後、前記第2の対応部の表面に接する底部絶縁層を形成する底部絶縁層形成工程と、前記底部絶縁層上に前記主磁極層を形成する主磁極層形成工程とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。前記第1のコイル厚変更工程および前記第2のコイル厚変更工程は、それぞれ前記第1の対応部および前記第2の対応部に対するエッチングを行い、前記第1の対応部の表面および前記第2の対応部の表面にそれぞれ第1の凹部および第2の凹部を形成することによって実行する請求項15記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。前記第1の導体層と前記第2の導体層とが前記媒体対向面に沿った上下方向に重なるようにして前記第2の導体層形成工程を実行し、かつ前記第1の凹部と前記第2の凹部とが前記上下方向に重なるようにして前記第2のコイル厚変更工程を実行する請求項16記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。前記シールド磁性層を形成するシールド磁性層形成工程と、該シールド磁性層形成工程によって形成される前記シールド磁性層のうちの前記薄膜コイルよりも前記媒体対向面側に配置される前側シールド層の厚さを、前記配置スペースに対応した対応シールド層よりも、該対応シールド層以外の非対応シールド層の方が厚くなるように変更するシールド厚変更工程を更に有する請求項13記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、前記基台を固定するジンバルとを備え、前記薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において前記主磁極層に対向するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、前記主磁極層、前記ライトシールド層または前記主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、前記薄膜コイルは前記主磁極層の前記媒体対向面から最も離れた後端部よりも前記媒体対向面に近い位置に配置されているターン部を有するコイル層を有し、該コイル層の前記媒体対向面に沿った方向の厚さをコイル厚とし、かつ前記コイル層のうちの前記主磁極層が配置されている配置スペースに対応した部分を磁極対応部としたときに、前記薄膜コイルは、少なくとも前記コイル層のうちの前記主磁極層と前記基板との間に配置されている基板側コイル層について、前記磁極対応部の前記コイル厚よりも前記磁極対応部以外の部分である非磁極対応部の前記コイル厚が大きく形成されているヘッドジンバルアセンブリ。薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、前記薄膜磁気ヘッドに対向する記録媒体とを備え、前記薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において前記主磁極層に対向するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、前記主磁極層、前記ライトシールド層または前記主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、前記薄膜コイルは前記主磁極層の前記媒体対向面から最も離れた後端部よりも前記媒体対向面に近い位置に配置されているターン部を有するコイル層を有し、該コイル層の前記媒体対向面に沿った方向の厚さをコイル厚とし、かつ前記コイル層のうちの前記主磁極層が配置されている配置スペースに対応した部分を磁極対応部としたときに、前記薄膜コイルは、少なくとも前記コイル層のうちの前記主磁極層と前記基板との間に配置されている基板側コイル層について、前記磁極対応部の前記コイル厚よりも前記磁極対応部以外の部分である非磁極対応部の前記コイル厚が大きく形成されているハードディスク装置。従来のPMRでは、薄膜コイルに電流を流し磁界を発生させて記録媒体にデータを記録する。例えば、前述したPMR400の場合であれば、薄膜コイル406に電流を流して記録媒体にデータを記録する。しかし、薄膜コイル406は、電流を流すと発熱するため、その熱が周囲のコイル絶縁層407に伝わってしまう。コイル絶縁層407は、フォトレジスト等の有機物質で形成されているため、薄膜コイル406よりも膨張係数が大きい。そのため、コイル絶縁層407は熱が加わると膨張しやすい。コイル絶縁層407が膨張すると、ライトシールド層405のABS403側の端部がABS403よりも外側に向かって押し出されて、突出してしまう。PMRは、スライダと呼ばれる電子部品に薄膜形成プロセスを駆使して形成されている。PMRによって記録媒体にデータを記録するときは、スライダを記録媒体からごくわずかな距離を隔てて浮上させなければならない。そのため、ABSの一部分が突出すると、PMRが記録媒体に衝突しやすくなってしまう。こうした磁極層の突出プルトルージョンは、前述したように、主に薄膜コイルの発熱によって引き起こされる。そのため、磁極層の突出を抑制するためには、薄膜コイルの発熱を抑制すればよい。一般に、電流の流れている導体から発生する熱はジュール熱と呼ばれ、電流の大きさの2乗および導体の電気抵抗に比例することが知られているジュールの法則。したがって、薄膜コイルの発熱を抑制するには、薄膜コイルの電気抵抗を小さくすればよい。薄膜コイルの電気抵抗は薄膜コイルの断面積電流の流れる方向と交差する方向の断面の面積に反比例する。そのため、薄膜コイルの電気抵抗を小さくするためには、薄膜コイルの断面積を大きくすればよい。薄膜コイルの磁極層の回りに巻き回される回数ターン数ともいうを少なくすれば、薄膜コイルを太くすることができ、断面積を大きくすることができる。しかし、そうすると、薄膜コイルが発生する磁界の強さが弱くなり、PMRの書き込み特性例えば、オーバーライト特性が低下するという課題がある。また、薄膜コイルのターン数を変えることなく、薄膜コイルの幅を広げるか、または、薄膜コイルの厚さを大きくしても、薄膜コイルの断面積を大きくすることができる。例えば、PMR400の場合であれば、幅w406を広げるか、厚さh406を大きくしても薄膜コイルの断面積を大きくすることができる。しかし、幅w406を広げると、磁路長を短くすることが難しくなる。磁路長は薄膜コイルが巻かれている磁極層の長さであり、PMR400の場合は図33に示すLXである。ところで、薄膜コイルには交流電流が流されるが、そのときのインピーダンスは周波数とインダクタンスに比例する。そのため、磁気記録媒体への記録密度を高めるべく薄膜コイルに周波数の高い交流電流を流すと、インピーダンスが高くなり、電流が流れにくくなる。これを回避するにはインダクタンスを小さくすることが有効であり磁路長の短縮が有効である。しかし、薄膜コイルの幅を広げると磁路長を長くせざるを得ず、PMRのインダクタンスが大きくなってしまう。こうなると、記録信号の周波数を高くすることができなくなり、磁気記録媒体への記録密度を高めることができなくなる。一方、PMRでは、主磁極層402と再生ヘッド409のABS403に沿った方向の間隔であるリードライトセパレーション以下RWSともいうを4.5μm~5μmの範囲に納めるという制約がある。そうすると、例えば、特許文献5等に開示されているPMRのように、主磁極層と再生ヘッドとの間に薄膜コイルが配置されているときは、薄膜コイルの厚さを大きくすると、RWSを大きくせざるを得なくなる。したがってRWSとの関係を考慮すると薄膜コイルの厚さを厚くすることも困難である。以上のように、従来のPMRでは、磁路長を長くすることなくRWSの制約の範囲内で薄膜コイルの電気抵抗を低減することが困難であった。本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置において、磁路長を長くすることなくリードライトセパレーションの制約の範囲内で薄膜コイルの電気抵抗を低減し、ABSの一部が突出することを抑制することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面の側において主磁極層に対向するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、主磁極層、ライトシールド層または主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、薄膜コイルは主磁極層の媒体対向面から最も離れた後端部よりも媒体対向面に近い位置に配置されているターン部を有するコイル層を有し、そのコイル層の媒体対向面に沿った方向の厚さをコイル厚とし、かつコイル層のうちの主磁極層が配置されている配置スペースに対応した部分を磁極対応部としたときに、薄膜コイルは、少なくともコイル層のうちの主磁極層と基板との間に配置されている基板側コイル層について、磁極対応部のコイル厚よりも磁極対応部以外の部分である非磁極対応部のコイル厚が大きく形成されている薄膜磁気ヘッドを特徴とする。この薄膜磁気ヘッドの場合、基板側コイル層について、磁極対応部のコイル厚が非磁極対応部のコイル厚よりも小さいから、その分、主磁極層が基板に近い位置に配置される。また、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面の側において主磁極層に対向するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、主磁極層、ライトシールド層または主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、薄膜コイルは、主磁極層の媒体対向面から最も離れた後端部よりも媒体対向面に近い位置に配置されている第1のターン部、第2のターン部をそれぞれ有する第1のコイル層と第2のコイル層を有し、その第1のコイル層および第2のコイル層の媒体対向面に沿った方向の厚さをそれぞれ第1のコイル厚、第2のコイル厚とし、かつ第1のコイル層、第2のコイル層のうちの主磁極層が配置されている配置スペースに対応した部分をそれぞれ第1の磁極対応部、第2の磁極対応部としたときに、薄膜コイルは、少なくとも第1のコイル層、第2のコイル層のうちの主磁極層と基板との間に配置されている第1の基板側コイル層、第2の基板側コイル層について、それぞれ第1の磁極対応部、第2の磁極対応部の第1のコイル厚、第2のコイル厚よりも第1の磁極対応部、第2の磁極対応部以外の部分である第1の非磁極対応部、第2の非磁極対応部の第1のコイル厚、第2のコイル厚が大きく形成されている薄膜磁気ヘッドを提供する。この薄膜磁気ヘッドの場合も、基板側コイル層について、第1、第2の磁極対応部のコイル厚が第1、第2の非磁極対応部のコイル厚よりも小さいから、その分、主磁極層が基板に近い位置に配置される。上記薄膜磁気ヘッドの場合、薄膜コイルは、第1のコイル層と第2のコイル層とが媒体対向面に沿った上下方向に重なり、かつ第1の磁極対応部と第2の磁極対応部とが媒体対向面に沿った上下方向に重なった階層構造を有することが好ましい。この薄膜磁気ヘッドの場合、薄膜コイルが階層構造を有するため、第1のコイル層と第2のコイル層とが媒体対向面に沿った上下方向に並ぶ。しかも、第1の磁極対応部と第2の磁極対応部とが上下方向に重なっているため、主磁極層が基板に近い位置に配置される。また、上記薄膜磁気ヘッドの場合、薄膜コイルは、第1の磁極対応部、第2の磁極対応部それぞれの上面が第1の非磁極対応部、第2の非磁極対応部それぞれの上面よりも凹んだ部分凹構造を有し、かつ第1の磁極対応部に形成されている第1の凹部の中に第2の磁極対応部が嵌まり込んだ複合凹部構造を有することが好ましい。この薄膜磁気ヘッドの場合、薄膜コイルが複合凹部構造を有し、第1の凹部の中に第2の磁極対応部が嵌まり込んでいるため、主磁極層がより基板に近い位置に配置される。さらに、上記薄膜磁気ヘッドの場合、薄膜コイルは、ターン部として媒体対向面に最も近い位置に配置されている前側ターン部と、その前側ターン部よりも媒体対向面から離れた位置に配置されている後側ターン部とを有し、その前側ターン部と後側ターン部のそれぞれについて、磁極対応部のコイル厚よりも非磁極対応部のコイル厚が大きく形成されていることが好ましい。また、薄膜コイルは第1のターン部として、媒体対向面に最も近い位置に配置されている第1の前側ターン部と、その第1の前側ターン部よりも媒体対向面から離れた位置に配置されている第1の後側ターン部とを有し、かつ第2のターン部として、媒体対向面に最も近い位置に配置されている第2の前側ターン部と、その第2の前側ターン部よりも媒体対向面から離れた位置に配置されている第2の後側ターン部とを有し、第1の前側ターン部と第1の後側ターン部のそれぞれについて、第1の磁極対応部の第1のコイル厚よりも非磁極対応部の第1のコイル厚が大きく形成され、かつ第2の前側ターン部と第2の後側ターン部のそれぞれについて、第2の磁極対応部の第2のコイル厚よりも第2の非磁極対応部の第2のコイル厚が大きく形成されていることが好ましい。さらに、薄膜コイルは、媒体対向面からの距離が同じ位置に配置され、かつ主磁極層を挟んで対向している上部導体群と下部導体群とを有し、その上部導体群および下部導体群がそれぞれ第1のコイル層および第2のコイル層を有することが好ましい。また、基板側コイル層の基板から離れた側の上面よりも、主磁極層の基板側に配置されている底面が基板に近い位置に配置されていることが好ましい。また、第1の基板側コイル層および第2の基板側コイル層の基板から最も離れた側の最上面よりも主磁極層の基板側に配置されている底面が基板に近い位置に配置されているようにすることもできる。上記薄膜磁気ヘッドは、磁極対応部の上面に接する底部絶縁層を更に有し、その底部絶縁層の上面に主磁極層が形成されていることが好ましい。また、上記薄膜磁気ヘッドは、第1の磁極対応部および第2の磁極対応部の基板から最も離れた側の最上面に接する底部絶縁層を更に有し、その底部絶縁層の上面に主磁極層が形成されていることが好ましい。上記薄膜磁気ヘッドの場合、薄膜コイルは、主磁極層の後端部よりも媒体対向面に近い位置に配置されている第3のターン部を有する第3のコイル層を更に有し、その第3のコイル層の媒体対向面に沿った方向の厚さを第3のコイル厚とし、かつ第3のコイル層のうちの配置スペースに対応した部分をそれぞれ第3の磁極対応部としたときに、薄膜コイルは、少なくとも第3のコイル層のうちの主磁極層と基板との間に配置されている第3の基板側コイル層について、第3の磁極対応部の第3のコイル厚よりも第3の磁極対応部以外の部分である第3の非磁極対応部の第3のコイル厚が大きく形成されていることが好ましい。そして、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面の側において主磁極層に対向するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、主磁極層、ライトシールド層または主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、次の1から4までの各工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。1薄膜コイルを構成する導体層を積層体の表面に形成する導体層形成工程2導体層形成工程によって形成された導体層の厚さを、主磁極層が配置される配置スペースに対応した対応部よりも、その対応部以外の非対応部の方が厚くなるように変更するコイル厚変更工程3コイル厚変更工程を実行した後、対応部の表面に接する底部絶縁層を形成する底部絶縁層形成工程4底部絶縁層上に主磁極層を形成する主磁極層形成工程上記製造方法の場合、上記コイル厚変更工程は、対応部に対するエッチングを行い対応部の表面に凹部を形成することによって実行することができる。また、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面の側において主磁極層に対向するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、主磁極層、ライトシールド層または主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、次の1から7までの各工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。1薄膜コイルを構成する第1の導体層を積層体の表面に形成する第1の導体層形成工程2第1の導体層形成工程によって形成された第1の導体層の厚さを、主磁極層が配置される配置スペースに対応した第1の対応部よりも、その第1の対応部以外の非第1の対応部の方が厚くなるように変更する第1のコイル厚変更工程3第1のコイル厚変更工程を実行した後、第1の導体層の表面に接するコイル間絶縁層を形成するコイル間絶縁層形成工程4薄膜コイルを構成する第2の導体層をコイル間絶縁層の表面に形成する第2の導体層形成工程5第2の導体層形成工程によって形成された第2の導体層の厚さを、配置スペースに対応した第2の対応部よりも、その第2の対応部以外の非第2の対応部の方が厚くなるように変更する第2のコイル厚変更工程6第2のコイル厚変更工程を実行した後、第2の対応部の表面に接する底部絶縁層を形成する底部絶縁層形成工程7底部絶縁層上に主磁極層を形成する主磁極層形成工程上記薄膜磁気ヘッドの製造方法の場合、第1のコイル厚変更工程および第2のコイル厚変更工程は、それぞれ第1の対応部および第2の対応部に対するエッチングを行い、第1の対応部の表面および第2の対応部の表面にそれぞれ第1の凹部および第2の凹部を形成することによって実行することができる。また、第1の導体層と第2の導体層とが媒体対向面に沿った上下方向に重なるようにして第2の導体層形成工程を実行し、かつ第1の凹部と第2の凹部とが上下方向に重なるようにして第2のコイル厚変更工程を実行することもできる。さらに、薄膜磁気ヘッドの製造方法は、次の8、9の工程を更に有することが好ましい。8シールド磁性層を形成するシールド磁性層形成工程9シールド磁性層形成工程によって形成されるシールド磁性層のうちの薄膜コイルよりも媒体対向面側に配置される前側シールド層の厚さを、配置スペースに対応した対応シールド層よりも、その対応シールド層以外の非対応シールド層の方が厚くなるように変更するシールド厚変更工程そして、本発明は、基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、基台を固定するジンバルとを備え、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面の側において主磁極層に対向するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、主磁極層、ライトシールド層または主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、薄膜コイルは主磁極層の媒体対向面から最も離れた後端部よりも媒体対向面に近い位置に配置されているターン部を有するコイル層を有し、そのコイル層の媒体対向面に沿った方向の厚さをコイル厚とし、かつコイル層のうちの主磁極層が配置されている配置スペースに対応した部分を磁極対応部としたときに、薄膜コイルは、少なくともコイル層のうちの主磁極層と基板との間に配置されている基板側コイル層について、磁極対応部のコイル厚よりも磁極対応部以外の部分である非磁極対応部のコイル厚が大きく形成されているヘッドジンバルアセンブリを提供する。また、本発明は、薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、薄膜磁気ヘッドに対向する記録媒体とを備え、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面の側において主磁極層に対向するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、主磁極層、ライトシールド層または主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、薄膜コイルは主磁極層の媒体対向面から最も離れた後端部よりも媒体対向面に近い位置に配置されているターン部を有するコイル層を有し、そのコイル層の媒体対向面に沿った方向の厚さをコイル厚とし、かつコイル層のうちの主磁極層が配置されている配置スペースに対応した部分を磁極対応部としたときに、薄膜コイルは、少なくともコイル層のうちの主磁極層と基板との間に配置されている基板側コイル層について、磁極対応部のコイル厚よりも磁極対応部以外の部分である非磁極対応部のコイル厚が大きく形成されているハードディスク装置を提供する。以上詳述したように、本発明によれば、垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置において、磁路長を長くすることなくリードライトセパレーションの制約の範囲内で薄膜コイルの電気抵抗を低減し、ABSの一部が突出することを抑制することができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。第1の実施の形態薄膜磁気ヘッドの構造まず、図1~図10を参照して本発明の第1の実施の形態に係る垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドの構造について説明する。ここで、図1は本発明の第1の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド300のエアベアリング面以下ABSというと交差する方向に沿った図2の11線断面図、図2は薄膜磁気ヘッド300のABS30を示す正面図である。図3は第1のコイル層11を示す平面図、図4は第2のコイル層12を示す平面図である。図5は第1のコイル層11の要部を示す平面図、図6は第1のコイル層11に重なった第2のコイル層12の要部を示す平面図である。図7は第1のコイル層11について厚さの違いを付して示した平面図、図8は同じく第2のコイル層12の平面図である。図9は図6の99線断面図、図10は図6の1010線断面図である。薄膜磁気ヘッド300は、基板1と、基板1に積層された再生ヘッドおよび記録ヘッドを有し、記録媒体に対向する媒体対向面としてのABS30を有している。なお、以下では、薄膜磁気ヘッド300の主要部の構造について説明し、主要部以外の部分の構造は後述する製造工程の中で説明する。再生ヘッドは、ABS30の近傍に配置された磁気的信号検出用のMR素子5を有している。また、再生ヘッドは、基板1上に形成されている絶縁層2と、磁性材料からなる下部シールド層3と、MR素子5をシールドしているシールドギャップ膜4とを有している。さらに、再生ヘッドは、シールドギャップ膜4の上に形成されている磁性材料からなる上部シールド層6と、上部シールド層6の上に形成されている絶縁層7とを有している。再生ヘッドは、記録ヘッドよりも基板1に近い位置に配置されている。MR素子5は、AMR異方性磁気抵抗効果素子、GMR巨大磁気抵抗効果素子、TMRトンネル磁気抵抗効果素子などの磁気抵抗効果を示す感磁膜によって構成されている。記録ヘッドは、下部薄膜コイル10と、底部絶縁層24と、主磁極層26と、ギャップ層27と、シールド磁性層40と、上部薄膜コイル55およびライトシールド層60を有し、これらが基板1上に積層された構成を有している。また、記録ヘッドは、下部薄膜コイル10よりもABS30側にABS30に近い位置に配置されている第1の下部対向絶縁層20と、第2の下部対向絶縁層23を有している。同様に、記録ヘッドは、上部薄膜コイル55よりもABS30側に配置されている第1の上部対向絶縁層37と、第2の上部対向絶縁層38を有している。下部薄膜コイル10は、ABS30から離れた位置に配置されている第1のコイル層11および第2のコイル層12を有し、第1のコイル層11および第2のコイル層12によって下部導体群を構成している。下部薄膜コイル10は、薄膜磁気ヘッド300に形成されている薄膜コイルの中で、主磁極層26と基板1との間に配置されている部分に対応している。そのため、下部薄膜コイル10は、本発明の実施の形態に係る基板側コイル層に対応している。そして、第1のコイル層11と、第2のコイル層12とは、ABS30に沿って平行な方向本実施の形態では、この方向を上下方向というに配置されている。第1のコイル層11の上にコイル間絶縁層22を介して第2のコイル層12が重なっている。下部薄膜コイル10は、2層の多重構造を有している。また、下部薄膜コイル10は、第1のコイル層11の前側距離と第2のコイル層12の前側距離とが等しく、第1のコイル層11の後側距離と第2のコイル層12の後側距離も等しい等距離二段構造を有している。ここで、第1のコイル層11の前側距離は後述するターン部11eのABS30に近い前側面11ef図5参照からABS30までの距離図5に示す距離t1である。また、第2のコイル層12の前側距離は後述するターン部12eのABS30に近い前側面前側面11efと同様の前側面からABS30までの距離である。第1のコイル層11の後側距離は後述するターン部11cのABS30から離れた後側面11cr図5参照からABS30までの距離図5に示す距離t2である。また、第2のコイル層12の後側距離は後述するターン部12cのABS30から離れた後側面後側面11crと同様の後側面からABS30までの距離である。第1のコイル層11は、後述する第1の前側シールド層41と、第1の後側シールド層44との間に配置されている2つのターン部11c,11eを有し、ターン部11c,11eがフォトレジスト層15を介して並んだ構造を有している。ターン部11c,11eは本発明の実施の形態にかかる第1のターン部に対応している。ターン部11c,11eのうち、ターン部11eがABS30に最も近い位置に配置されているので、ターン部11eが本発明の実施の形態にかかる第1の前側ターン部、ターン部11cが第1の後側ターン部に対応している。そして、図3に示すように、第1のコイル層11は、第2のコイル層12につながる接続部11aからターン部11cにつながるハーフループ部11bと、ターン部11cからターン部11eにつながるワンループ部11dと、ターン部11eからリード部13までのハーフループ部11fを有している。第1のコイル層11は接続部11aからハーフループ部11fまでが一本につながることによってシールド磁性層40の回りに平面渦巻き状に巻回され、全体で2ターンループを形成している。なお、図示の都合上、図1では、第1のコイル層11について、接続部11aと、ターン部11c,11eのみが示されている。図5,図6では、絶縁層の図示を省略している。ターン部11c,11eは横幅ABS30と交差する方向の幅よりも厚さABS30に沿った方向の高さの大きい縦長の構造を有している。また、第1のコイル層11は、図5に示すように、ワンループ部11dがABS30に接近するにしたがい漸次幅が狭まり、ABS30に最も近い箇所で最も幅が狭まる可変幅構造を有している。すなわち、図5に示すようにして、ワンループ部11dの幅をWe1、We2、We0を定めたときにWe1>We2>We0となっている。そして、ワンループ部11dのうちの最も幅の狭い部分がターン部11eとなっている。ハーフループ部11bもワンループ部11dと同様の可変幅構造を有し、最も幅の狭い部分がターン部11cとなっている。ここで、ターン部11e、11cの幅は、それぞれWe0約0.9μm、Wc0約0.9μmである。ハーフループ部11fもワンループ部11dと同様の可変幅構造を有している。一方、図1に示したように、主磁極層26のABS30から最も離れた部分を後端部26bとすると、ターン部11e、ターン部11cは、ともに後端部26bよりもABS30に近い位置に配置されている。この後端部26bとABS30との間隔は、後端部44aとABS30との間隔に等しい。そのため、図3に示すように、ターン部11e、ターン部11cは、後端部44aよりもABS30に近い位置に配置されている。なお、後端部44aは第1の後側シールド層44のABS30から最も離れた部分である。そして、図9、図10に示すように、第1のコイル層11は第1の磁極対応部11e1,11c1よりも、第1の非磁極対応部11e2,11c2のコイル厚が大きく形成されている。第1の磁極対応部11e1,11c1は第1のコイル層11のうちの主磁極層26が配置されている配置スペースに対応した部分、すなわち、第1のコイル層11のうちの主磁極層26が占有する占有スペースに対応した部分を意味している。また、第1の非磁極対応部11e2,11c2は、第1のコイル層11のうちの第1の磁極対応部11e1,11c1以外の部分を意味している。図7において、ドットの付されていない部分が第1の磁極対応部11e1,11c1を示し、ドットの付されている部分が第1の非磁極対応部11e2,11c2を示している。ここで、コイル厚とは、下部薄膜コイル10のABS30に沿った方向の厚さを意味している。第1のコイル層11のコイル厚が第1のコイル厚に対応している。図9、図10に示すように、第1の磁極対応部11e1,11c1の第1のコイル厚はともにh11であり、第1の非磁極対応部11e2,11c2の第1のコイル厚はともにh12であるが、h11よりもh12の方が大きいので、h11<h12である。また、第1のコイル層11は第1の磁極対応部11e1,11c1の上面基板1から離れた側の表面が第1の非磁極対応部11e2,11c2の上面よりも凹んでいて、第1の磁極対応部11e1,11c1に、それぞれ凹部11eg,11cgが形成されている。そのため、第1のコイル層11は上面が部分的に凹んだ部分凹構造を有している。第2のコイル層12は、後述する第2の前側シールド層42と、第2の後側シールド層45との間に配置されている2つのターン部12c,12eを有し、ターン部12c,12eがフォトレジスト層15を介して並んだ構造を有している。ターン部12c,12eは、本発明の実施の形態にかかる第2のターン部に対応している。ターン部12c,12eのうち、ターン部12eがABS30に最も近い位置に配置されているので、ターン部12eが本発明の実施の形態にかかる第2の前側ターン部、ターン部12cが第2の後側ターン部に対応している。そして、図4に示すように、第2のコイル層12は、第1のコイル層11につながる接続部12aからターン部12cにつながるハーフループ部12bと、ターン部12cからターン部12eにつながるワンループ部12dと、ターン部12eからリード部13aまでのハーフループ部12fを有している。第2のコイル層12は接続部12aからハーフループ部12fまでが一本につながることによってシールド磁性層40の回りに平面渦巻き状に巻回され、全体で2ターンループを形成している。なお、図示の都合上、図1では、第2のコイル層12について、接続部12a、ターン部12c,12eのみが示されている。ターン部12c,12eも、ターン部11c,11eと同様の縦長の構造を有している。また、第2のコイル層12も第1のコイル層11と同様に可変幅構造を有している。ターン部12c,12eも、後端部26bよりABS30に近い位置に配置されている。そのため、図4に示すように、ターン部12e、ターン部12cは、後端部45aよりもABS30に近い位置に配置されている。後端部45aは第2の後側シールド層45のABS30から最も離れた部分である。さらに、図9、図10に示すように、第2のコイル層12は第2の磁極対応部12e1,12c1よりも、第2の非磁極対応部12e2,12c2のコイル厚が大きく形成されている。第2の磁極対応部12e1,12c1は、第2のコイル層12のうちの主磁極層26の配置スペースに対応した部分を意味している。また、第2の非磁極対応部12e2,12c2は、第2のコイル層12のうちの第2の磁極対応部12e1,12c1以外の部分を意味している。図8において、ドットの付されていない部分が第2の磁極対応部12e1,12c1を示し、ドットの付されている部分が第2の非磁極対応部12e2,12c2を示している。ここで、第2のコイル層12のコイル厚が第2のコイル厚に対応している。そして図9、図10に示すように、第2の磁極対応部12e1,12c1の第2のコイル厚はともにh21であり、第2の非磁極対応部12e2,12c2の第2のコイル厚はともにh22であるが、この場合もh21<h22である。また、第2のコイル層12も、第2の磁極対応部12e1,12c1の上面が第2の非磁極対応部12e2,12c2の上面よりも凹んでいて、第2の磁極対応部12e1,12c1にそれぞれ凹部12eg,12cgが形成されている。そのため第2のコイル層12も第1のコイル層11と同様の部分凹構造を有している。そして、下部薄膜コイル10は、第1のコイル層11と第2のコイル層12とが次のようにしてつながることによって、一連の4ターンループを形成している。すなわち、リード部13からハーフループ部11f、ターン部11e、ワンループ部11d、ターン部11c、ハーフループ部11bを通って接続部11aにつながり、その接続部11aが接続部12aにつながる。続いて接続部12aから、ハーフループ部12b、ターン部12c、ワンループ部12d、ターン部12e、ハーフループ部12fを通ってリード部13aにつながることにより、4ターンループが形成されている。つまり、下部薄膜コイル10は第1のコイル層11により2ターンループを形成した後、その真上に位置する第2のコイル層12により2ターンループを形成することによって4ターンループを形成するという22ターン構造を有している。なお、本実施の形態においてABターン構造とは、ターン数がAのコイル層の上にターン数がBのコイル層が重なった多重構造を意味している。また、下部薄膜コイル10は、次のような階層構造を有している。本実施の形態において、階層構造とは、例えば下部薄膜コイル10については、第1のコイル層11と第2のコイル層12とがABS30に沿った上下方向に重なり、かつ第1の磁極対応部11e1と第2の磁極対応部12e1とが上下方向に重なり、さらに、第1の磁極対応部11c1と第2の磁極対応部12c1とが上下方向に重なった構造を意味している。これを図示すると、例えば、図9,10に示すような構造である。さらに、下部薄膜コイル10は、次のような複合凹部構造をも有している。この複合凹部構造とは、第1の磁極対応部11e1,11c1に形成されている凹部11eg,11cgの中に第2の磁極対応部12e1,12c1がそれぞれ嵌まり込んだ構造を意味している。これを図示すると、例えば、図9,10に示すような構造である。続いて、上部薄膜コイル55について説明する。上部薄膜コイル55はABS30から離れた位置に配置されている第1のコイル層52および第2のコイル層53を有し、第1のコイル層52および第2のコイル層53によって上部導体群を構成している。上部薄膜コイル55では、下部薄膜コイル10と同様に、第1のコイル層52の上に上部コイル間絶縁層36を介して第2のコイル層53が重なっている。また、上部薄膜コイル55は、第1のコイル層52の前側距離と第2のコイル層53の前側距離とが等しく、第1のコイル層52の後側距離と第2のコイル層53の後側距離も等しい等距離二段構造を有している。第1のコイル層52、第2のコイル層53の前側距離は、前述した第1のコイル層11の前側距離と等しく、第1のコイル層52、第2のコイル層53の後側距離は第1のコイル層11の後側距離と等しい。第1のコイル層52は、後述する第1の前側シールド層63と、第1の後側シールド層67との間に配置されている2つのターン部52c,52eを有し、ターン部52c,52eがフォトレジスト層58を介して並んだ構造を有している。そして、第1のコイル層52はライトシールド層60の回りに平面渦巻き状に巻回され、第1のコイル層11と同様に全体で2ターンループを形成している。ターン部52c,52eはターン部11c,11eと同様の縦長の構造を有している。また、第1のコイル層52は第1のコイル層11と同様に磁極対応部よりも非磁極対応部のコイル厚が大きく形成され、第1のコイル層11と同様の部分凹構造を有している。第2のコイル層53は、後述する第2の前側シールド層64と、第2の後側シールド層66との間に配置されている2つのターン部53c,53eを有し、ターン部53c,53eがフォトレジスト層58を介して並んだ構造を有している。そして、第2のコイル層53も、ライトシールド層60の回りに平面渦巻き状に巻回され、全体で2ターンループを形成している。ターン部53c,53eはターン部11c,11eと同様の縦長の構造を有している。また、第2のコイル層53は第2のコイル層12と同様の部分凹構造を有している。上部薄膜コイル55は第1のコイル層52と第2のコイル層53とによって下部薄膜コイル10と同様の4ターンループを形成している。つまり、上部薄膜コイル55は第1のコイル層52により2ターンループを形成した後、その真上に位置する第2のコイル層53により2ターンループを形成することによって、4ターンループを形成するという22ターン構造を有している。また、上部薄膜コイル55は下部薄膜コイル10と同様の階層構造および複合凹部構造を有している。以上のような構成の下部薄膜コイル10と、上部薄膜コイル55とは一連のコイルを形成しており、電流が流れることによって記録媒体に記録するデータに応じた磁界を発生する。次に、主磁極層26について説明する。主磁極層26は、図2に示すように、ABS30側に磁極端面26aを有している。磁極端面26aは下部薄膜コイル10側よりも上部薄膜コイル55側の幅が広く、その幅が下部薄膜コイル10に近づくにつれて漸次狭まるベベル形状に形成されている。磁極端面26aの上部薄膜コイル55側の幅がトラック幅を規定している。トラック幅は例えば0.06~0.12μm程度である。磁極端面26aはABS30に配置されている。そして、主磁極層26は、磁極端面26aを有するトラック幅規定部と、トラック幅規定部よりもABS30から離れた位置に配置され、トラック幅規定部よりも幅広の幅広部とを有している。トラック幅規定部はABS30からの距離に応じて変化しない一定の幅を有している。また、幅広部はトラック幅規定部との境界部分でトラック幅規定部と同じ大きさの幅を有するとともに、その幅がABS30から離れるにしたがい漸次広がった後、一定の大きさになっている。本実施の形態では磁極端面26aから、幅が大きくなり始めるまでの部分をトラック幅規定部としている。また、主磁極層26は、図1に示すように、基板1から離れた側の上面26cがABS30の交差方向に沿って平坦な平坦面となっている。さらに、主磁極層26の基板1側の下面26dのうち、ABS30側の一部が磁極対応部12e112c1の凹部12eg,12cgの中に嵌まり込んだ嵌入部26d1となっている。嵌入部26d1は底部絶縁層24に接続されている。そして、図9,10に示すように、嵌入部26d1の底面26fは、第1のコイル層11および第2のコイル層12の中で最も基板1から離れた側の最上面より、基板1に近い位置に配置されている。第1のコイル層11および第2のコイル層12の中で最も基板1から離れた側の最上面とは、第2の非磁極対応部12e212c2の上面に対応している。そのため、底面26fは、第2の非磁極対応部12e212c2の上面よりも基板1に近い位置に配置されている。また、主磁極層26では、嵌入部26d1よりもABS30から離れた部分が第2の後側シールド層45に接続されている。主磁極層26は、下部薄膜コイル10と上部薄膜コイル55が発生した磁界に対応する磁束を通過させるとともに、垂直磁気記録方式によってデータを記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。なお、前述のトラック幅規定部におけるABS30からの長さをネックハイトという。ネックハイトは例えば0.05~0.3μm程度である。ギャップ層27は主磁極層26と対向シールド層61との間に配置されている。ギャップ層27は主磁極層26の上面26c上に形成されている。ギャップ層27は、アルミナAl2O3等の非磁性材を用いて形成されている。シールド磁性層40は第1の前側シールド層41と、第2の前側シールド層42と、接続シールド層43と、第1の後側シールド層44と、第2の後側シールド層45とを有している。第1、第2の前側シールド層41、42は、それぞれ第1のコイル層11、第2のコイル層12よりもABS30側に配置されている。また、第1の前側シールド層41の上に第2の前側シールド層42が重なり、第1、第2の前側シールド層41、42はABS30から離れた側の後側面からABS30までの距離の等しい二段構造を形成している。接続シールド層43は、下部薄膜コイル10を跨ぐようにして形成され、第1の前側シールド層41と第1の後側シールド層44とを接続している。第1、第2の後側シールド層44、45はそれぞれ第1、第2のコイル層11、12よりもABS30から離れた位置に配置されている。また、第1の後側シールド層44の上に第2の後側シールド層45が重なり、第1、第2の後側シールド層44、45は、ABS30に近い前側面からABS30までの距離の等しい二段構造を形成している。ライトシールド層60は、対向シールド層61、62と、第1の前側シールド層63と、第2の前側シールド層64と、接続シールド層65と、第1の後側シールド層67と、第2の後側シールド層66と、上部ヨーク層68、69とを有している。対向シールド層61、62は、ABS30に臨む端面を有している。対向シールド層61はギャップ層27を挟んで主磁極層26に対向するようにして形成されている。また、対向シールド層61は上面が平坦になっていて、その上面に対向シールド層62が接続されている。第1、第2の前側シールド層63、64はそれぞれ第1、第2のコイル層52、53よりもABS30側に配置されている。また、第1の前側シールド層63の上に第2の前側シールド層64が重なり、第1、第2の前側シールド層63、64はABS30から離れた側の後側面からABS30までの距離の等しい二段構造を形成している。接続シールド層65は、上部薄膜コイル55を跨ぐようにして形成され、第2の前側シールド層64と第2の後側シールド層66とを接続している。第1、第2の後側シールド層67、66はそれぞれ第1、第2のコイル層52、53よりもABS30から離れた位置に配置されている。また、第1の後側シールド層67の上に第2の後側シールド層66が重なり、第1、第2の後側シールド層67、66はABS30に近い前側面からABS30までの距離の等しい二段構造を形成している。上部ヨーク層68は第1の後側シールド層67と上部ヨーク層69に接続されている。上部ヨーク層69は上部ヨーク層68と主磁極層26に接続されている。底部絶縁層24は、主磁極層26が配置される配置スペースの底部となる部分を形成している。底部絶縁層24は、第2の磁極対応部12e1,12c1の上面に接するようにして形成されている。この底部絶縁層24の上面に主磁極層26が形成されている。薄膜磁気ヘッドの製造方法次に、前述の図1,図2とともに、図11a,図11b~図23a,図23bを参照して、前述の構造を有する薄膜磁気ヘッド300の製造方法について説明する。ここで、図11a~図23aは、薄膜磁気ヘッド300の各製造工程における図1に対応した断面図、図11b~図23bは、同じく図2に対応した正面図である。まず、アルミニウムオキサイドチタニウムカーバイドAl2O3TiC等のセラミック材料からなる基板1を準備する。そして、図11a、図11bに示すように、その基板1の上に、アルミナAl2O3等の絶縁材料からなる絶縁層2と、磁性材料からなる下部シールド層3を順に形成する。次に、絶縁材料を用いてMR素子5をシールドするようにシールドギャップ膜4を形成する。このとき、MR素子5に接続される図示しないリードを形成し、MR素子5およびリードをシールドギャップ膜4で覆う。それから、磁性材料を用いて、シールドギャップ膜4の上に上部シールド層6を形成する。次に、上部シールド層6の上にアルミナAl2O3等の絶縁材料を用いて、上部シールド層6と、後に形成される記録ヘッドとを分離するための絶縁層7を形成する。これまでの工程で記録ヘッドを形成するための積層体が得られる。その後、NiFeまたはCoNiFe等の磁性材を用いて接続シールド層43を形成するための磁性層厚さは0.5μm程度を形成して、積層体表面に絶縁層を形成し、化学機械研摩以下CMPというによって積層体表面の平坦化を行う。すると、下部対向絶縁層17と接続シールド層43が形成される。このとき、接続シールド層43はABS30から0.3μm~1μm本実施の形態では、0.6μm程度離して形成する。続いて、積層体の表面全体にアルミナAl2O3の絶縁層18膜厚は0.2μm~0.3μm程度を形成する。それから、積層体の表面全体にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、レジストパターン図示せずを形成する。このレジストパターンをマスクに用いて例えばRIE等のエッチングを行い、絶縁層18を選択的に開口する。そして、フレームめっき法により、NiFeまたはCoNiFe等の磁性材を用いて第1の前側シールド層41,第1の後側シールド層44を厚さ2μm程度で形成する。次に、図12a、図12bに示すように、アルミナAl2O3からなる絶縁層19膜厚は0.02μm~0.3μm程度、好ましくは0.1μm~0.2μm程度を第1の前側シールド層41、第1の後側シールド層44を被覆するようにして、積層体の表面全体にアトミックレイヤー法によるCVDChemicalVaporDeposition法で形成する。それから、第1の導体層形成工程を実行する。第1の導体層形成工程では、まずフレームめっき法によって、第1の前側シールド層41と第1の後側シールド層44との間に導体層70を形成する。この導体層70は後に第1のコイル層11となるものである。導体層70は、中央に間隙部70aを備え、かつ絶縁層19を介して第1の前側シールド層41と第1の後側シールド層44とに隙間なく接触するようにして形成する。導体層70は、中央に間隙部70aを1つ備えているから間欠導体層である。次に、図13a、図13bに示すように、導体層70における間隙部70aにフォトレジスト層80膜厚は2μm~3μm程度を形成し、アルミナAl2O3を用いて積層体の表面をカバーし得る絶縁膜20を3μm~4μm程度の厚さで形成する。それから、第1の前側シールド層41と第1の後側シールド層44が現われるまで積層体の表面をCMPにより研摩して積層体表面の平坦化を行う。すると、図14a、図14bに示すように、導体層11Xが形成される。導体層11Xは、後に第1のコイル層11となるものである。このとき、導体層11Xの厚さが約1.8μm~3μm程度となるようにして積層体の表面を研摩する。また、後にこの導体層11Xを対象とした第1のコイル厚変更工程を実行することによって、後述する第1の対応部の表面に前述した凹部11eg,11cgを形成して、部分的に導体層11Xの厚さを小さくする。そのため、第1の導体層形成工程では、厚さを厚くした導体層11Xを形成する。また、第1の導体層形成工程によって、第1の前側シールド層41よりもABS30側に第1の下部対向絶縁層20も形成される。続いて、図15a、図15bに示すように、積層体の表面全体にアルミナAl2O3からなる絶縁層膜厚は0.1μm~0.15μm程度を形成する。この絶縁層は後に下部層間絶縁層21となる。それから第1のコイル厚変更工程を実行する。この第1のコイル厚変更工程では、導体層11Xについて、その第1の対応部11ee,11ccの表面図14a、b参照と、第1の前側シールド層41および第1の下部対向絶縁層20を対象にしたエッチングを行い、第1の対応部11ee,11ccの表面に凹部11eg,11cg第1の凹部を形成する。また、第1の前側シールド層41の表面、第1の下部対向絶縁層20の表面にも凹部を形成する。第1の対応部11ee,11ccは導体層11Xのうち、後に主磁極層26が配置される配置スペースに対応している部分である。主磁極層26の配置スペースを確保するためには第1の前側シールド層41と第1の下部対向絶縁層20の表面にも凹部を形成する必要があるため、これらの表面にも、凹部11eg,11cgと段差なくつながるように凹部を形成する。この第1のコイル厚変更工程を実行することによって、前述の部分凹構造を備えた第1のコイル層11を形成することができる。また、第1の下部対向絶縁層20、第1の前側シールド層41には、凹部20a,41aが形成される。第1の下部対向絶縁層20と、第1の前側シールド層41も部分凹構造にすることができる。次に、図16a、図16bに示すように、後に下部層間絶縁層21となる絶縁層を選択的に開口したあと、NiFeまたはCoNiFe等の磁性材を用いて、フレームめっき法によって、開口した部分に重ねて第2の前側シールド層42と、第2の後側シールド層45とをともに厚さ0.7μm~1.5μm程度で形成する。第1の前側シールド層41には凹部41aが形成されているので、第2の前側シールド層42の一部が凹部41aの中に入り込んで形成される。さらに、コイル間絶縁層形成工程を実行する。この工程では、アルミナAl2O3からなる絶縁層22膜厚は0.1μm~0.15μm程度を積層体の表面全体に形成する。また、この絶縁層22は、第1のコイル層11、第2の前側シールド層42および第2の後側シールド層45を被覆するようにして、アトミックレイヤー法によるCVDChemicalVaporDeposition法で形成する。この絶縁層22は後にコイル間絶縁層22となる。次に、第2の導体層形成工程を実行する。この工程では、まず、フレームめっき法によって、導体層71を形成する。導体層71は、積層体の表面の、導体層11XとABS30からの距離が同じ位置に形成する。導体層71は後に第2のコイル層12となるものである。また、導体層71は、導体層70と同様の間隙部を備えた形状で形成する。続いて、間隙部にフォトレジスト層81を形成する。その後、図17a、図17bに示すように、アルミナAl2O3を用いて積層体の表面をカバーし得る絶縁膜を2μm~3μm程度の厚さで形成する。この絶縁膜によって、後に第2の下部対向絶縁層23が形成される。その後、図18a、図18bに示すように、第2の前側シールド層42と第2の後側シールド層45が現われるまで積層体の表面をCMPにより研摩して積層体表面の平坦化を行う。すると、導体層12Xが形成される。導体層12Xは、後に第2のコイル層12となるものである。このとき、導体層12Xの厚さが約1.8μm~3μm程度となるようにして積層体の表面を研摩する。また、後にこの導体層12Xを対象とした第2のコイル厚変更工程を実行することによって、後述する第2の対応部の表面に前述した凹部12eg,12cgを形成し、部分的に導体層12Xの厚さを小さくする。そのため第2の導体層形成工程では、厚さを厚くした導体層12Xを形成する。また、第2の導体層形成工程によって、第2の下部対向絶縁層23が形成される。続いて、第2のコイル厚変更工程を実行する。この第2のコイル厚変更工程では、図19a、図19bに示すように、導体層12Xについて、その第2の対応部12ee,12ccの表面図18a、b参照と、第2の前側シールド層42および第2の下部対向絶縁層23を対象にしたエッチングを行い、第2対応部12ee,12ccの表面に凹部12eg,12cg第2の凹部を形成し、第2の前側シールド層42の表面および第2の下部対向絶縁層23の表面にも凹部を形成する。第2の対応部12ee,12ccは、導体層12Xのうち、後に主磁極層26が配置される配置スペースに対応している部分である。主磁極層26の配置スペースを確保するため、第2の前側シールド層42と第2の下部対向絶縁層23の表面にも、凹部12eg,12cgと段差なくつながるように凹部を形成する。このとき、第2の前側シールド層42のうち、凹部が形成される部分が対応シールド層、対応シールド層以外の部分が非対応シールド部に相当している。この第2のコイル厚変更工程を実行することによって、前述の部分凹構造を備えた第2のコイル層12を形成することができる。また、第2の下部対向絶縁層23、第2の前側シールド層42には凹部23a,42aが形成される。これらも部分凹構造にすることができる。さらに、凹部11eg,11cgの中に第2の磁極対応部12e1,12c1がそれぞれ嵌まり込むため、前述した複合凹部構造が得られる。これまでの工程で、等距離二段構造、部分凹構造、階層構造および複合凹部構造を備えた下部薄膜コイル10が形成される。次に、底部絶縁層形成工程を実行する。この工程では、まず、図20a、図20bに示すように、アルミナAl2O3等の絶縁材料を用いてベース絶縁層24Xを形成する。ベース絶縁層24Xは前述の凹部12eg,12cg、凹部23a,42aが底部となり、配置スペースを埋めるようにして形成する。続いて、積層体の表面にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、ベース絶縁層24Xの表面を主磁極層26に対応した形状に露出させるレジストパターンを形成する。そして、そのレジストパターンをマスクにして反応性イオンエッチング以下RIEというを行い、ベース絶縁層24Xのレジストパターンで被覆されない部分を除去する。すると、図21a、図21bに示すように、主磁極層26に対応した凹部この凹部をキャビティともいう24aがベース絶縁層24Xに形成される。キャビティ24aは設定通りの寸法および形状で主磁極層26を形成するため、ベース絶縁層24Xの一部を主磁極層26の外形形状に対応する形状に窪ませて形成されている。キャビティ24aの形成後に残されたベース絶縁層24Xによって前述の底部絶縁層24が形成される。それから、主磁極層形成工程を実行する。この工程では、図22a、図22bに示すように、積層体の表面を対象に、CoNiFe、CoFe、NiFeなどの磁性材を用いてスパッタリングによって主磁極層26を形成する。主磁極層26は、底部絶縁層24上に例えば0.5~0.8μm程度の厚さで形成する。続いて、図23a、図23bに示すように、積層体の表面全体にアルミナAl2O3等の非磁性の絶縁材料や、Ru,NiCu、Ta等の非磁性導電材料を用いてスパッタ法またはCVDによってギャップ層27厚さは約250Å~350Å程度を形成する。それから、RIE等のエッチングを行い、ギャップ層27の一部を除去する。その後、積層体の表面全体にめっき法により、CoNiFe、CoFe、CoFeN,NiFeなどの磁性材を用いて、0.5~1.0μm程度の厚さで磁性層を形成する。この磁性層は後に対向シールド層61および上部ヨーク層69になる。続いて、積層体の表面全体にアルミナAl2O3等の絶縁材料を用いて絶縁層厚さは1~3μm程度を形成する。さらに、積層体の表面全体をCMPにより研磨して積層体表面の平坦化を行う。そうすると、対向シールド層61、上部ヨーク層69が形成される。このとき、対向シールド層61の厚さが0.3~0.7μm程度になるようにして積層体の表面を研磨する。続いて、積層体の表面全体にめっき法により、CoNiFe、CoFe、CoFeN,NiFeなどの磁性材を用いて、0.5~1.0μm程度の厚さで磁性層を形成する。この磁性層は後に対向シールド層62および上部ヨーク層68になる。続いて、積層体の表面全体にアルミナAl2O3等の絶縁材料を用いて絶縁層厚さは1~3μm程度を形成する。さらに、積層体の表面全体をCMPにより研磨して積層体表面の平坦化を行う。そうすると、対向シールド層62、上部ヨーク層68が形成される。その後、下部薄膜コイル10を形成する場合と同様の手順で上部薄膜コイル55を形成する。また、第1、第2の前側シールド層41、42および第1、第2の後側シールド層44、45を形成する場合と同様の手順で、第1の前側シールド層63,第2の前側シールド層64と、第1の後側シールド層67,第2の後側シールド層66を形成する。そして、上部薄膜コイル55を構成する第1のコイル層52,第2のコイル層53についても、第1のコイル層11、第2のコイル層12と同様の凹部が形成されているため、その凹部を埋めるようにして、積層体の表面全体にアルミナAl2O3等の絶縁材料を用いて絶縁層を形成する。その絶縁層のうち、第2の前側シールド層64と、第2の後側シールド層66の表面上に形成されている部分をエッチングして除去する。すると、上部薄膜コイル55に対して埋込絶縁層56が形成される。さらに続いて、CoNiFe、CoFe、CoFeN,NiFeなどの磁性材を用いて、磁性層を形成する。この磁性層は後に接続シールド層65になる。続いて、積層体の表面全体にアルミナAl2O3等の絶縁材料を用いて絶縁層を形成する。その後、CMPによって積層体表面の平坦化を行う。すると、絶縁層39が形成され、薄膜磁気ヘッド300が完成する。薄膜磁気ヘッド300の作用効果以上のように、薄膜磁気ヘッド300は、下部薄膜コイル10と、上部薄膜コイル55を有している。下部薄膜コイル10と、上部薄膜コイル55とは、ともに22ターン構造を有している。そのため、下部薄膜コイル10および上部薄膜コイル55は、1平面あたりのターン数は2本と少ないながら全体で4本のターン数を確保できている。したがって、従来の薄膜磁気ヘッド400のように、各ターン部をABSから交差する方向の横並びに並べて4本のターン数を確保する場合に比べて、薄膜磁気ヘッド300はABS30からの奥行きを狭めて磁路長を短くすることができる。よって、薄膜磁気ヘッド300は記録ヘッドの磁束立ち上がり時間FluxRizeTimeや、非線形トランジションシフトNonlinearTransitionShiftNLTS特性、重ね書き特性等を改善でき、周波数が高く変化の速い記録信号のすばやい変化に追従することが可能になる。そのため、薄膜磁気ヘッド300は、特にサーバに搭載されるハードディスク装置の記録ヘッドとして好適である。また、下部薄膜コイル10と上部薄膜コイル55はともに前述した等距離二段構造を有している。この点、単に第1のコイル層11の上に第2のコイル層12を重ねただけの二段構造では、第1のコイル層11または第2のコイル層12の一部に上下に重ならない部分非多重部分が現われてしまうおそれがある。例えば図32に示すように、第2の前側シールド層42と、第2の後側シールド層45との間に第1のコイル層11よりもABS30から離れたターン部12c、12eが形成されると、第1のコイル層11と重ならない非多重部分12Xが形成されてしまう。そうすると、非多重部分12Xが存在することによって、下部薄膜コイル10のABS30からの奥行きが広くなってしまい、磁路長LMXが磁路長LMよりもWXだけ長くなってしまう。そこで、薄膜磁気ヘッド300では、前側距離と後側距離をともに等しくし、第1、第2のコイル層11、12、第1、第2のコイル層52、53の前側面と後側面の位置をともに揃えた等距離二段構造としている。こうすることにより、薄膜磁気ヘッド300は、非多重部分12Xが現われないようになるため、より一層磁路長LMを短くすることができ、記録ヘッドの磁束立ち上がり時間FluxRizeTimeなどをより一層改善できるようになっている。また、下部薄膜コイル10、上部薄膜コイル55が、それぞれ第1、第2のコイル層11,12、第1、第2のコイル層52,53による二段構造を有する。そのため、磁路長を長くすることなく、コイル層が1層の場合例えば、従来のPMR400で単層構造ともいうよりもターン数を増やすことができる。また、下部薄膜コイル10と、上部薄膜コイル55は、単層構造よりも1層あたりのターン数を減らしても、単層構造と同等のターン数を確保できる。したがって、各ターン部の幅を広くとることができる。そうすると、下部薄膜コイル10、上部薄膜コイル55の電気抵抗が小さくなるため、下部薄膜コイル10、上部薄膜コイル55の発熱量を抑制することができる。したがって、下部薄膜コイル10、上部薄膜コイル55に電流を流しても、下部薄膜コイル10、上部薄膜コイル55の発生する熱によってフォトレジスト層15、58が膨張し難くなる。そうすると、第1の前側シールド層41、第2の前側シールド層42や、第1の前側シールド層63、第2の前側シールド層64がABS30に向かって外側に押し出され難くなる。よって、薄膜磁気ヘッド300では、下部薄膜コイル10や上部薄膜コイル55の発熱に伴いシールド磁性層40や、ライトシールド層60が突出することを抑制することができる。そのため、薄膜磁気ヘッド300は記録ヘッドの突出に伴う破損のおそれが極めて少なくなるから、記録メディアに接近させることができる。そして、薄膜磁気ヘッド300は、図示しないスライダに組み込まれるが、そのスライダの記録媒体表面からの浮上量を縮小することができる。よって、薄膜磁気ヘッド300は、記録ヘッドおよび再生ヘッドの解像度resolutionを高め、信号対雑音比を向上させることができる。また、薄膜磁気ヘッド300のような構成を備えることで、記録密度の高いPMRの歩留まりを高めることができる。特に、薄膜磁気ヘッド300の場合、下部薄膜コイル10が階層構造、部分凹構造および複合凹部構造を有している。下部薄膜コイル10は、第1のコイル層11および第2のコイル層12を有するが、第1のコイル層11、第2のコイル層12の双方とも、磁極対応部の厚さよりも非磁極対応部の厚さが大きくなっている。そうすると、厚さの大きい箇所が、第1のコイル層11および第2のコイル層12のほぼ全体に及び、厚さの小さい箇所が第1のコイル層11および第2のコイル層12のうちのごく限られた箇所に留められる。そのため、下部薄膜コイル10の電気抵抗の大きさがよりいっそう小さくなり、第1、第2のコイル層11,12の発熱量をよりいっそう抑制することができる。第1のコイル層11および第2のコイル層12の全体の厚さを大きくすると、第1、第2のコイル層11,12の電気抵抗の大きさを小さくし、発熱量を抑制することができる。しかし、薄膜磁気ヘッド300のように、主磁極層26と再生ヘッドとの間に薄膜コイル下部薄膜コイル10が配置されている場合には、第1のコイル層11および第2のコイル層12の厚さを大きくしたことに伴って、主磁極層26と再生ヘッドとの間隔を広げざるを得なくなるため、RWSを一定の範囲内に納めることが難しくなる。そのため、薄膜磁気ヘッド300では、基板側コイル層に相当する下部薄膜コイル10が部分凹構造および複合凹部構造を有している。下部薄膜コイル10の中には、RWSに影響を及ぼす部分以下影響部分というと、そうでない部分とが存在している。本実施の形態では、この点に着目して、前者影響部分の厚さを、RWSをその制約の範囲内に留められる大きさに留める一方、後者の部分の厚さをそれよりも大きくしている。その影響部分が前述した第1の磁極対応部11e1,11c1,第2の磁極対応部12e1,12c1である。このようにすることによって、RWSの制約の範囲内で、下部薄膜コイル10の電気抵抗の大きさをよりいっそう小さくし、発熱量をよりいっそう抑制することができる。したがって、薄膜磁気ヘッド300によれば、磁路長を長くすることなくRWSの制約の範囲内で下部薄膜コイル10の電気抵抗を低減し、ABS30の一部が突出することを抑制することができる。加えて、下部薄膜コイル10は、22ターンの多重構造を有し、複合凹部構造を有している。薄膜コイルを多重構造にすると、ABS30に沿ってコイル層が並ぶため、磁路長を短くすることができる。ところが、薄膜コイルの厚さが全体として大きくなるため、その分、RWSに及ぼす影響が大きくなり、RWSをその制約の範囲内に留めることが難しくなる。しかし、薄膜コイルが多重構造であっても階層構造にしたことによって、下側の凹部11eg,11cgと上側の凹部12eg,12cgとがABS30に沿って並ぶため、薄膜コイルにおける影響部分の厚さを小さくすることができる。例えば、薄膜コイルのターン数を4本とする場合、従来のPMR400のような1層4ターン構造でも、薄膜コイルを部分凹構造にすることによって、薄膜コイルの電気抵抗の大きさを小さくし、発熱量を抑制することができる。しかし、1層4ターン構造では、薄膜コイルのすべてのターン部がABSの交差方向に沿って並ぶため、磁路長を短くすることは困難である。一方、下部薄膜コイル10のように、22ターンの多重構造にすれば、ABSの交差方向だけでなく、ABSに沿った方向にも薄膜コイルのターン部が並ぶため、磁路長を短くすることが可能である。この場合、下側の第1のコイル層11を部分凹構造にするだけでも、RWSが小さくなり、薄膜コイルの厚さがRWSに及ぶ影響を低減できる。しかし、これに加えて下部薄膜コイル10のような階層構造にすれば、下側の凹部11eg,11cgと、上側の凹部12eg,12cgとがABSに沿った方向に並ぶため、薄膜コイルにおける影響部分の厚さが小さくなり、薄膜コイルの厚さがRWSに与える影響をよりいっそう低減できる。さらに加えて下部薄膜コイル10が複合凹部構造であるため、下側の凹部11eg,11cgの中に上側の第2の磁極対応部12e1,12c1が嵌まり込むことによって、薄膜コイルにおける影響部分の厚さがよりいっそう小さくなる。そのため、薄膜コイルの厚さがRWSに与える影響をよりいっそう効果的に低減することができる。このように、薄膜磁気ヘッド300は、RWSの制約の範囲内で、下部薄膜コイル10の電気抵抗の大きさを小さくし、発熱量を抑制することができる。さらに、薄膜磁気ヘッド300は磁路長も短くすることができるという優れた作用効果を奏するものである。そして、下部薄膜コイル10、上部薄膜コイル55が上述のような可変幅構造を有しているから、電流の流れを妨げることが少なく、抵抗値の上昇を抑制することができる。第2の実施の形態次に、図24~図27を参照して、本発明の第2の実施の形態に係る垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドについて説明する。ここで、図24は、本発明の第2の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド310のABS30と交差する方向に沿った図1に対応する断面図である。図25は第1、第2、第3のコイル層111、112、113を示す平面図、図26は第1、第2のコイル層111、112に重なった第3の導体層113の要部を示す平面図、図27は図26の2727線断面図である。薄膜磁気ヘッド310は、薄膜磁気ヘッド300と同様に、基板1と、基板1に積層された再生ヘッドおよび記録ヘッドを有し、ABS30を有している。なお、薄膜磁気ヘッド310は薄膜磁気ヘッド300と一致する構成を有しているので、以下の説明では、薄膜磁気ヘッド310の薄膜磁気ヘッド300と相違する構成を中心に説明し、共通する構成の説明は省略ないし簡略化する。再生ヘッドは、薄膜磁気ヘッド300と同様に、基板1上に形成されている絶縁層2と、下部シールド層3と、シールドギャップ膜4と、MR素子5と、上部シールド層6および絶縁層7を有している。記録ヘッドは、下部薄膜コイル110と、底部絶縁層24と、主磁極層26と、ギャップ層27と、シールド磁性層40と、上部薄膜コイル155およびライトシールド層160を有し、これらが基板1上に積層された構成を有している。記録ヘッドは、下部薄膜コイル110と上部薄膜コイル155を有している。前述した下部薄膜コイル10は、22ターン構造、すなわち、2ターンの2層構造を有していたが、下部薄膜コイル10は、111ターン構造、すなわち、1ターンの3層構造を有している。下部薄膜コイル110は第1、第2、第3のコイル層111、112、113を有し、これらがABS30に沿って順に積層された3層の多重構造を有している。下部薄膜コイル110は下部薄膜コイル10と比較して、コイル層の積層数と、各コイル層のターン数とが異なっている。しかし、下部薄膜コイル110は下部薄膜コイル10と同様に、階層構造、部分凹構造および複合凹部構造を有している。また、下部薄膜コイル110は、第1、第2、第3のコイル層111、112、113の前側距離と後側距離とが等しい等距離三段構造を有している。第1のコイル層111は、第1の前側シールド層41と、第1の後側シールド層44との間に配置されている図25aに示すようなターン部111cを有している。また、第2のコイル層112は、第2の前側シールド層42と、第2の後側シールド層45との間に配置されている図25bに示すようなターン部112cを有している。さらに、第3のコイル層113は、第3の前側シールド層43と、第3の後側シールド層46との間に配置されている図25cに示すようなターン部113cを有している。そして、第1のコイル層111は、第2のコイル層112につながる接続部111aからターン部111cにつながるハーフループ部111bと、ターン部111cから接続部111eまでのループ部111dを有している。第1のコイル層111は接続部111aからループ部111dまでが一本につながることによってシールド磁性層40の回りに平面渦巻き状に巻回され、全体で1ターンループを形成している。さらに、図27に示すように、第1のコイル層111は、第1の磁極対応部111c1よりも第1の非磁極対応部111c2のコイル厚が大きく形成されている。すなわち、第1の磁極対応部111c1、第1の非磁極対応部111c2のコイル厚がそれぞれh11、h12であり、h11<h12である。また、第1の磁極対応部111c1の上面が第1の非磁極対応部111c2の上面よりも凹んでいるから、第1のコイル層111は第1のコイル層11と同様の部分凹構造を有している。第2のコイル層112は、第1のコイル層111につながる接続部112aからターン部112cにつながるループ部112dと、ターン部112cから接続部112eまでのハーフループ部112bを有している。第2のコイル層112は接続部112aからループ部112bまでが一本につながることによってシールド磁性層40の回りに平面渦巻き状に巻回され、全体で1ターンループを形成している。また、図27に示すように、第2のコイル層112も、第2の磁極対応部112c1より、第2の非磁極対応部112c2のコイル厚が大きく形成されている。すなわち、第2の磁極対応部112c1、第2の非磁極対応部112c2のコイル厚がそれぞれh21、h22であり、h21<h22である。また、第2のコイル層112も、第2のコイル層12と同様の部分凹構造を有している。第3のコイル層113は第2のコイル層112につながる接続部113eからターン部113cにつながるループ部113dと、ターン部113cから接続部113aまでのハーフループ部113bを有している。第3のコイル層113は接続部113eからループ部113bまでが一本につながることによってシールド磁性層40の回りに平面渦巻き状に巻回され、全体で1ターンループを形成している。また、図27に示すように、第3のコイル層113も、第3の磁極対応部113c1より、第3の非磁極対応部113c2のコイル厚が大きく形成されている。第3の磁極対応部113c1、第3の非磁極対応部113c2のコイル厚がそれぞれh31、h32であり、h31<h32である。また、第3のコイル層113は第2のコイル層112と同様の部分凹構造を有している。そして、下部薄膜コイル110は、第1のコイル層111、第2のコイル層112および第3のコイル層113が次のようにしてつながることによって、一連の3ターンループを形成している。すなわち、接続部111eからループ部111d、ターン部111c、ハーフループ部111bを通って接続部111aにつながり、その接続部111aが接続部112aにつながる。続いて接続部112aから、ループ部112d、ターン部112c、ハーフループ部112bを通って接続部112eにつながり、その接続部112eが接続部113eにつながる。さらに、接続部113eから、ループ部113d、ターン部113c、ハーフループ部113bを通って接続部113aにつながる。下部薄膜コイル110は以上のようにして、3ターンループを形成している。さらに、下部薄膜コイル110は、次のような階層構造を有している。この階層構造とは、第1のコイル層111、第2のコイル層112および第3のコイル層113が上下方向に重なり、かつ、第1の磁極対応部111c1,112c1、113c1が上下方向に重なった例えば図27に示すような構造を意味している。また、下部薄膜コイル110は、次のような複合凹部構造をも有している。この複合凹部構造とは、第1の磁極対応部111c1に形成されている凹部111cgの中に第2の磁極対応部112c1が嵌まり込み、さらに、第2の磁極対応部112c1に形成されている凹部112cgの中に第3の磁極対応部113c1が嵌まり込んだ例えば図27に示すような構造を意味している。続いて、上部薄膜コイル155について説明する。上部薄膜コイル155はABS30から離れた位置に配置されている第1のコイル層151、第2のコイル層152および第3のコイル層153を有し、第1のコイル層151、第2のコイル層152および第3のコイル層153によって上部導体群を構成している。また、第1のコイル層151、第2のコイル層152および第3のコイル層153が上下方向に配置され、これらがABS30に沿って順に積層された3層の多重構造を有している。さらに、上部薄膜コイル155は、下部薄膜コイル110と同様の等距離三段構造、111ターン構造を有している。上部薄膜コイル155は、下部薄膜コイル110と同様に、階層構造、部分凹構造および複合凹部構造を有している。シールド磁性層40は第1の前側シールド層41と、第2の前側シールド層42と、第3の前側シールド層42xと、接続シールド層43と、第1の後側シールド層44と、第2の後側シールド層45と、第3の後側シールド層46を有している。第1、第2、第3の前側シールド層41、42、42xは、それぞれ第1のコイル層111、第2のコイル層112、第3のコイル層113よりもABS30側に配置されている。また、第1の前側シールド層41の上に第2の前側シールド層42が重なり、さらに第2の前側シールド層42の上に第3の前側シールド層42xが重なっている。第1、第2、第3の前側シールド層41、42、42xは、ABS30から離れた側の後側面からABS30までの距離の等しい三段構造を形成している。第1、第2、第3の後側シールド層44、45、46はそれぞれ第1のコイル層111、第2のコイル層112、第3のコイル層113よりもABS30から離れた位置に配置されている。また、第1の後側シールド層44の上に第2の後側シールド層45が重なり、さらに、第2の後側シールド層45の上に第3の後側シールド層46が重なっている。第1、第2、第3の後側シールド層44、45、46も三段構造を形成している。ライトシールド層160は対向シールド層161、162と、第1の前側シールド層163と、第2の前側シールド層164と、第3の前側シールド層165と、接続シールド層166と、第1の後側シールド層169と、第2の後側シールド層168と、第3の後側シールド層167と、上部ヨーク層170、171とを有している。以上のような薄膜磁気ヘッド310は、下部薄膜コイル110と、上部薄膜コイル155のいずれもが等距離三段構造を有しており、1平面あたりのターン数は1本と少ないながら全体で3本のターン数が確保されている。したがって、薄膜磁気ヘッド310は、薄膜磁気ヘッド300と同様にABS30からの奥行きを狭め、可能な限り磁路長を短くすることができる。よって、薄膜磁気ヘッド310は周波数が高く変化の速い記録信号のすばやい変化に追従することが可能であり、特にサーバに搭載されるハードディスク装置の記録ヘッドとして好適である。また、薄膜磁気ヘッド310は、下部薄膜コイル110や上部薄膜コイル155における各ターン部の幅を広くすることができるため、下部薄膜コイル110や上部薄膜コイル155の発熱を小さくすることができる。そのため、薄膜磁気ヘッド310では、シールド磁性層40や、ライトシールド層160の突出を抑制できるため、記録メディアに接近させることもできる。特に、薄膜磁気ヘッド310は、薄膜磁気ヘッド300と同様に下部薄膜コイル110が階層構造、部分凹構造および複合凹部構造を有している。下部薄膜コイル110では、第1のコイル層111、第2のコイル層112および第3のコイル層113のいずれも、磁極対応部の厚さよりも非磁極対応部の厚さが大きくなっている。そのため、厚さの大きい箇所が、下部薄膜コイル110のほぼ全体に及び、厚さの小さい箇所が第1のコイル層111、第2のコイル層112、第3のコイル層113のうちのごく限られた箇所に留められるから、電流の流れが妨げられにくくなっている。したがって、下部薄膜コイル110の電気抵抗の大きさがよりいっそう小さくなり、第1、第2、第3のコイル層111,112,113の発熱量をよりいっそう抑制することができる。薄膜磁気ヘッド310も、主磁極層26と再生ヘッドとの間に薄膜コイルが配置されているため、第1、第2、第3のコイル層111、112、113の厚さを大きくしたことに伴って再生ヘッドと主磁極層26との間隔を広げざるを得なくなる。そのため、RWSを一定の範囲内に納めることが薄膜磁気ヘッド300よりも難しくなる。この点、薄膜磁気ヘッド310では、基板側コイル層に相当する下部薄膜コイル110が部分凹構造および複合凹部構造を有している。こうすることで、薄膜磁気ヘッド310も、RWSの制約の範囲内で、下部薄膜コイル110の電気抵抗の大きさをよりいっそう小さくし、発熱量をよりいっそう抑制できるようになっている。したがって、薄膜磁気ヘッド310でも、磁路長を長くすることなくRWSの制約の範囲内で下部薄膜コイル110の電気抵抗を低減し、ABS30の一部が突出することを抑制することができる。しかも、薄膜磁気ヘッド310では、下部薄膜コイル110を1ターンの3層構造にしているため、ABS30の交差方向に並ぶターン部の個数が少ない。そのため、薄膜磁気ヘッド310は、薄膜磁気ヘッド300よりも磁路長を短縮することができる。したがって、薄膜磁気ヘッド310は、薄膜磁気ヘッド300よりも周波数の高い記録信号を流すことが可能であり、記録媒体への記録密度を高めることができる。しかしながら、下部薄膜コイル110が3層の多重構造を有するため、薄膜コイルの厚さが全体として大きくなり、その分、RWSに及ぼす影響が大きくなり、RWSをその制約の範囲内に留めることが難しくなる。この点、薄膜コイルが多重構造であっても階層構造にしたことによって、下側の凹部111cg、中間の凹部112cg、最上側の113cgがABS30に沿って並ぶため、薄膜コイルにおける影響部分の厚さを小さくすることができる。さらに加えて下部薄膜コイル110が複合凹部構造であるため、薄膜コイルにおける影響部分の厚さがよりいっそう小さくなる。そのため、薄膜コイルの厚さがRWSに与える影響をよりいっそう効果的に低減することができる。このように、薄膜磁気ヘッド310もRWSの制約の範囲内で、下部薄膜コイル110の電気抵抗の大きさを小さくし、発熱量を抑制することができる。さらに、薄膜磁気ヘッド310は磁路長をより短くすることができるという優れた作用効果を奏するものである。変形例以上のような薄膜磁気ヘッド300,310は、それぞれ下部薄膜コイル10、下部薄膜コイル110を有している。下部薄膜コイル10、下部薄膜コイル110はいずれも複数のコイル層が上下方向に重なった多重構造を有している。前述したように、下部薄膜コイル10、下部薄膜コイル110は多重構造を有するため、各ターン部がABS30に沿った方向に配置されている。そのため、各ターン部がABS30の交差方向に沿って配置されるだけの単層構造例えば従来のPMR400よりも磁路長を短くすることができる。しかしながら、本発明は、図28に示す薄膜コイル210を有する薄膜磁気ヘッドについても適用することができる。薄膜コイル210は、3つのターン部131,132,133を有している。ターン部131,132,133はABS30の交差方向に沿って配置されている。薄膜コイル210は、ABS30に沿った方向に重ならない単層の平面配置構造を有している。ターン部131,132,133は、主磁極層26と、図示しないライトシールド層との連結部135の回りに平面渦巻き状に巻き回されている。ターン部131,132,133では、図29に示すように、磁極対応部131a,132a,133aの厚さよりも、非磁極対応部131b,132b,133bの厚さの方が大きく形成されている。そのため、厚さの大きい箇所が、薄膜コイル210のほぼ全体に及び、厚さの小さい箇所が薄膜コイル210のうちのごく限られた箇所に留められているから、電気抵抗が小さい。しかも、磁極対応部131a,132a,133aの厚さが小さくなっているため、RWSに与える影響は少ない。したがって、薄膜コイル210を有する薄膜磁気ヘッドでも、磁路長を長くすることなくRWSの制約の範囲内で下部薄膜コイル110の電気抵抗を低減し、ABSの一部が突出することを抑制することができる。図示した薄膜磁気ヘッド300,310は、下部薄膜コイル10、下部薄膜コイル110のターン数がそれぞれ4本、3本であるが、それぞれのターン数を変更してもよい。例えば、薄膜磁気ヘッド300を33ターン構造、34ターン構造、43ターン構造にすることもできる。また、上部薄膜コイル55,155が、階層構造、部分凹構造および複合凹部構造を有している。しかしながら、上部薄膜コイル55,155は基板側コイル層ではないので、上部薄膜コイル55,155は、階層構造、部分凹構造および複合凹部構造を有していなくてもよい。さらに、前述した下部薄膜コイル10の製造方法では、エッチングによって対応部の表面に凹部を形成することによってコイル厚変更工程を実行している。しかしながら、コイル厚変更工程は、次のようにしてもよい。図14に示すように、積層体の表面をCMPで研磨するとき、導体層11Xの厚さを磁極対応部に相応しい薄い厚さにする。例えば、第1の実施の形態の場合よりも、研磨をより長い時間をかけて実行すればよい。そして、非磁極対応部を対象にしてフレームめっき等を行い、非磁極対応部の表面に別途導体層を積み上げて非磁極対応部の厚さを磁極対応部よりも大きくする。このようにしても、コイル厚変更工程を実行することができる。ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態次に、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態について、図30~図31を参照して説明する。図30は、上述の薄膜磁気ヘッド300を備えたハードディスク装置201を示す斜視図である。ハードディスク装置201は、高速回転するハードディスク磁気記録媒体202と、ヘッドジンバルアセンブリHGA:HeadGimbalsAssembly210とを有している。ハードディスク装置201は、HGA210を作動させて、ハードディスク202の記録面に、データの記録および再生を行う装置である。ハードディスク202は、複数枚図では4枚のディスクを有している。各ディスクは、それぞれの記録面が薄膜磁気ヘッド300に対向している。ハードディスク装置201は、アセンブリキャリッジ装置203によってスライダ208をトラック上に位置決めする。このスライダ208に薄膜磁気ヘッド300が形成されている。また、ハードディスク装置201は、複数の駆動アーム209を有している。各駆動アームは、ボイスコイルモータVCM205によってピボットベアリング軸206を中心に回動し、ピボットベアリング軸206に沿った方向にスタックされている。そして、各駆動アームの先端にHGA210が取りつけられている。さらに、ハードディスク装置201は、記録再生を制御する制御回路controlcircuit204を有している。次に、HGA210について図31を参照して説明する。図31はHGA210の裏面側を示す斜視図である。HGA210は、サスペンション220の先端部分にスライダ208が固着されている。また、HGA210では、配線部材224の一端部がスライダ208の端子電極に電気的に接続されている。そして、サスペンション220は、ロードビーム222と、ロードビーム222の基部に設けられているベースプレート221と、ロードビーム222上の先端側からベースプレート221の手前側にかけて固着して支持され、弾性を備えたフレクシャ223と、配線部材224とを有している。配線部材224はリード導体およびその両端に電気的に接続された接続パッドを有している。ハードディスク装置201は、HGA210を回転させると、スライダ208がハードディスク202の半径方向、すなわち、トラックラインを横切る方向に移動する。このようなHGA210およびハードディスク装置201は薄膜磁気ヘッド300を有しているから、磁路長を長くすることなくRWSの制約の範囲内で薄膜コイルの電気抵抗を低減し、ABSの突出を抑制することができる。そのため、ハードディスク202の表面からの浮上量を縮小し、スライダ208をハードディスク202に近づけることができる。また、磁路長を短縮することが可能となるため、薄膜磁気ヘッド300のインダクタンスを小さくすることができる。そのため、薄膜コイルに周波数が高い記録信号を流すことが可能であり、記録媒体に対する記録密度を高くすることができる。以上の説明は、本発明の実施の形態についての説明であって、この発明の装置及び方法を限定するものではなく、様々な変形例を容易に実施することができる。又、各実施形態における構成要素、機能、特徴あるいは方法ステップを適宜組み合わせて構成される装置又は方法も本発明に含まれるものである。"