ウェーハが成膜処理される反応室と、前記反応室の上部に設けられ、プロセスガスを前記反応室の内部に導入するプロセスガス供給機構と、前記反応室の下部に設けられ、前記反応室よりガスを排出するガス排出機構と、前記ウェーハを保持する支持部材と、前記支持部材の外周に設けられ、前記支持部材の上端より下方で、外周方向にクリーニングガスを噴出するクリーニングガス供給機構と、前記ウェーハを加熱するヒータと、前記ウェーハを回転させるための回転駆動機構と、を備えることを特徴とする半導体製造装置。前記クリーニングガス供給機構は、前記反応室の下方より前記クリーニングガスを供給する供給ユニットと、前記クリーニングガスを噴出する噴出口と、前記供給ユニットから前記噴出口までの流路を有する供給リングと、を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。前記クリーニングガス供給機構は、前記クリーニングガスの噴出速度を変動させる噴出速度制御機構を備えることを特徴とする請求項2に記載の半導体製造装置。前記噴出速度制御機構は、前記噴出口の噴出面積を変動させることを特徴とする請求項3に記載の半導体製造装置。前記噴出速度制御機構は、前記クリーニングガスの供給量を変動させることを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の半導体製造装置。反応室内にウェーハを搬入し、支持部材上に載置し、前記ウェーハの表面に、ソースガス及びキャリアガスを含むプロセスガスを供給し、前記ウェーハを回転させながら加熱して、前記ウェーハの表面に成膜し、余剰の前記プロセスガス及び反応副生成物を、前記ウェーハの外周より下方に排出するとともに、前記支持部材の上端より下方で外周方向にクリーニングガスを供給する、ことを特徴とする半導体製造方法。前記クリーニングガスは、HClガスを含むことを特徴とする請求項6に記載の半導体製造方法。前記ソースガスの供給を停止するとともに、前記クリーニングガスの供給を停止し、ウェーハ上に供給されるキャリアガスの流量を増大させることを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の半導体製造方法。前記ソースガスの供給を停止するとともに、前記クリーニングガスの供給を停止し、前記支持部材の上端より下方で外周方向にキャリアガスを供給することを特徴とする請求項6から請求項8のいずれか1項に記載の半導体製造方法。クリーニングガスを、ウェーハが成膜処理される反応室上部より供給するとともに、前記ウェーハを支持する前記支持部材の上端より下方で、外周方向に供給し、前記反応室内の堆積物を除去することを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。そこで、本発明は、生産性を低下させることなく、反応室内の堆積物を抑制或いは効果的に除去し、歩留りの向上を図ることが可能な半導体製造装置、半導体製造方法、及び半導体製造装置のクリーニング方法を提供することを目的とするものである。本発明の一態様の半導体製造装置は、ウェーハが成膜処理される反応室と、反応室の上部に設けられ、プロセスガスを反応室の内部に導入するプロセスガス供給機構と、反応室の下部に設けられ、反応室よりガスを排出するガス排出機構と、ウェーハを保持する支持部材と、支持部材の外周に設けられ、支持部材の上端より下方で、外周方向にクリーニングガスを噴出するクリーニングガス供給機構と、ウェーハを加熱するヒータと、ウェーハを回転させるための回転駆動機構と、を備えることを特徴とする。また、本発明の一態様の半導体製造装置において、クリーニングガス供給機構は、反応室の下方よりクリーニングガスを供給する供給ユニットと、クリーニングガスを噴出する噴出口と、供給ユニットから噴出口までの流路を有する供給リングと、を備えることが好ましい。また、本発明の一態様の半導体製造装置において、クリーニングガス供給機構は、クリーニングガスの噴出速度を変動させる噴出速度制御機構を備えることが好ましい。また、本発明の一態様の半導体製造装置において、噴出速度制御機構は、噴出口の噴出面積を変動させることが好ましい。噴出速度制御機構は、クリーニングガスの供給量を変動させることが好ましい。本発明の半導体製造方法は、反応室内にウェーハを搬入し、支持部材上に載置し、ウェーハの表面に、ソースガス及びキャリアガスを含むプロセスガスを供給し、ウェーハを回転させながら加熱して、ウェーハの表面に成膜し、余剰のプロセスガス及び反応副生成物を、ウェーハの外周より下方に排出するとともに、支持部材の上端より下方で外周方向にクリーニングガスを供給する、ことを特徴とする。また、本発明の一態様の半導体製造方法において、クリーニングガスは、HClガスを含むことが好ましい。また、本発明の一態様の半導体製造方法において、ソースガスの供給を停止するとともに、クリーニングガスの供給を停止し、ウェーハ上に供給されるキャリアガスの流量を増大させることが好ましい。また、本発明の一態様の半導体製造方法において、ソースガスの供給を停止するとともに、クリーニングガスの供給を停止し、支持部材の上端より下方で外周方向にキャリアガスを供給することが好ましい。本発明の一態様の半導体製造装置のクリーニング方法は、クリーニングガスを、ウェーハが成膜処理される反応室上部より供給するとともに、前記ウェーハを支持する前記支持部材の上端より下方で、外周方向に供給し、前記反応室内の堆積物を除去することを特徴とする。本発明によれば、半導体製造工程において、生産性を低下させることなく、反応室内の堆積物を抑制或いは効果的に除去し、歩留りの向上を図ることが可能となる。以下、本発明の実施形態について、図を参照して説明する。実施形態1図1に本実施形態の半導体製造装置である成膜装置の断面図を示す。図に示すように、例えばφ150mmのSiCウェーハwが成膜処理される反応室11には、必要に応じてその内壁を覆うように石英カバー11aが設けられている。反応室11の上部には、ソースガス、キャリアガスを含むプロセスガスを供給するためのプロセスガス供給機構12と接続されたガス供給口12aが設けられている。そして、反応室11下方には、例えば2か所に、ガスを排出し、反応室11内の圧力を一定常圧に制御するためのガス排出機構13と接続されたガス排出口13aが設置されている。ガス供給口12aの下方には、供給されたプロセスガスを整流して供給するための微細貫通孔を有する整流板14が設けられている。そして、整流板14の下方には、ウェーハwを載置するための支持部材である、例えばSiCからなるサセプタ15が設けられている。サセプタ15は、回転部材であるリング16上に設置されている。リング16は、ウェーハwを所定の回転速度で回転させる回転軸を介して、モータなどから構成される回転駆動制御機構17と接続されている。リング16内部には、ウェーハwを加熱するための、例えばSiCからなるインヒータ18a、アウトヒータ18bから構成されるヒータが設置されており、それぞれ温度制御機構19と接続されている。そして、これらインヒータ18a、アウトヒータ18bの下部には、ウェーハwを効率的に加熱するための円盤状のリフレクタ20が設置されている。さらに、サセプタ15、インヒータ18a、リフレクタ20を貫通するように、ウェーハwを裏面より支持し、例えば3本のピンを備える突き上げピン21が設置されている。突き上げピン21は、搬入されたウェーハwをサセプタ15の上方で載置し、下降させることにより、ウェーハwをサセプタ15上に載置させることができる。リング16の外周側には、クリーニングガスを供給するための供給リング22が配置されている。供給リング22の外周側には、クリーニングガスを噴出するために、等間隔で複数の開口部22aが設けられている。この開口部22aは、ウェーハw外周からの排出ガスを阻害しないよう、サセプタ15の上端より下方に設けられている。供給リング22内には、ガス流路22bが設けられている。ガス流路22bには、例えば2か所に導入口22cが設けられており、ガスフローメータなどを有する供給ユニット23が接続されている。このような半導体製造装置を用いて、ウェーハw上に、SiCエピタキシャル膜が形成される。先ず、搬送アーム図示せずなどにより、反応室11にウェーハwが搬入される。突き上げピン21上にウェーハwを載置し、下降させることにより、ウェーハwをサセプタ15上に載置する。そして、インヒータ18a、アウトヒータ18bを、それぞれ温度制御機構19により所定の温度とすることにより、ウェーハwが例えば1650°Cとなるように加熱するとともに、回転駆動制御機構17により、ウェーハwを、例えば900rpmで回転させる。そして、プロセスガス供給制御機構12により流量が制御されて混合されたプロセスガスが、整流板14を介して、整流状態でウェーハw上に供給される。プロセスガスは、例えばソースガスとして、モル比で3:1となるように混合されたシランガスSiH4、プロパンガスC3H8が、アルゴンガスArにより所定の濃度に希釈され、例えば50SLMで供給される。一方、余剰となったプロセスガス、反応副生成物であるH2などからなる排出ガスは、石英カバー11aとサセプタ15との間より、下方に排出される。なお、石英カバー11aを設けない場合、反応室11とサセプタ15との間より排出される。同時に、図2に示すように、例えば塩化水素ガスHClと、キャリアガスであるアルゴンガスArとの混合ガスからなるクリーニングガスが、クリーニングガス供給ユニット23より導入される。そして、供給リング22の導入口22c、ガス流路22bを経て、開口部22aより外周方向に噴出されるガス流s。このとき、クリーニングガスの流量は、排出ガス流tに影響を与えないために、全排出量の10vol以下となるように調整されている。通常、600-700°C程度で、ソースガスのシランガスSiH4は分解するため、未反応のシランガスSiH4は、比較的低温のウェーハ周辺部などでも熱分解する。そして、熱分解したSiや、他の反応副生成物が、低温の排気系反応室11の下部内壁、ガス排出口13a、ガス排出機構のポンプなどにおいて、堆積してしまう。しかしながら、このようにして、ウェーハwの外周下方にクリーニングガスを供給することによりSiが、HClなどと反応してガス化するため、排気系への堆積を抑制することができる。さらに、余剰のクリーニングガス、ガス化したSiSiCl4、SiH2Cl2、SiHCl3などを加えた排出ガスは、ガス排出口13aよりガス排出機構13を介して排出され、反応室11内の圧力が一定例えば常圧に制御される。このようにして、ウェーハw上にSiCエピタキシャル膜を成長させる。このように、成膜時に、ウェーハwの外周下方に、クリーニングガスを噴出させることにより、成膜装置を停止させることなく、排気系への反応副生成物などの堆積を抑制することができる。従って、生産性の低下させることなく、堆積物によるパーティクルの発生を抑制するとともに、ポンプなどの詰まりを抑え、反応室内の圧力を高精度に制御することが可能となり、歩留りの向上を図ることが可能となる。なお、クリーニングガスのキャリアガスとして、アルゴンガスArを用いているが、プロセスガスのキャリアガスと同一のものを用いることが好ましい。例えば、プロセスガスに水素ガスH2を用いたときには、クリーニングガスにも水素ガスH2を用いることが好ましい。また、供給リングにおけるクリーニングガスを噴出させる開口部を、複数、等間隔で設けられているが、水平方向に連続したスリット状でもよい。また、図3に示すように、供給リング32の開口部32aからの噴射方向は、枝部32dなどを設けることなどにより、所定の方向とすることができる。この場合、噴射方向は、水平から下方に45°までの範囲であればよい。実施形態2本実施形態においては、実施形態1と同様の半導体製造装置が用いられ、同様にウェーハの外周下方に、クリーニングガスを噴出させるが、ソースガス、クリーニングガスの供給を停止した後、ウェーハ上に供給されるキャリアガスの流量を増大させている。実施形態1と同様にして、ウェーハw上に所定の膜厚のSiCエピタキシャル膜を形成した後、プロセスガスのうち、例えばシランガスSiH4、プロパンガスC3H8からなるソースガスの供給を停止するとともに、ウェーハwの外周下方へのクリーニングガスの供給を停止する。例えばアルゴンガスArからなるキャリアガスは、そのままウェーハw上に供給されるが、流量を例えば5~25増大させる。そして、インヒータ18a、アウトヒータ18bをオフにして、反応室11内の温度及びウェーハwの温度を低下させる。所定温度に低下した後、ウェーハwが搬出され、新たなウェーハが搬入される。このように、クリーニングガス供給を停止した後、さらに、キャリアガスの流量を増大させることにより、クリーニングガスの置換効率を向上させることができる。従って、置換されず残存したクリーニングガスの新たに搬入されるウェーハへの影響を抑え、成膜効率を向上させることができる。ソースガス、クリーニングガスの供給停止後に流量を増大させて供給されるキャリアガスは、次のウェーハにおける成膜への影響を抑えるために、プロセスガスに含まれるキャリアガスと同一のものを用いることが好ましい。本実施形態においては、アルゴンガスArを用いているが、例えば、プロセスガスに水素ガスH2を用いるときには、そのまま水素ガスH2を用いることが好ましい。実施形態3本実施形態においては、実施形態1と同様の半導体製造装置が用いられ、同様にウェーハの外周下方に、クリーニングガスを噴出させるが、ソースガス、クリーニングガスの供給を停止した後、ウェーハの外周下方に、キャリアガスが供給されている。実施形態1と同様にして、ウェーハw上に所定の膜厚のSiCエピタキシャル膜を形成した後、プロセスガスのうち、ソースガスの供給を停止するとともに、ウェーハwの外周下方へのクリーニングガスの供給を停止する。そして、キャリアガスに切り替えて供給する。クリーニングガスが、例えば水素ガスH2からなるキャリアガスで希釈されている場合は、そのままキャリアガスが供給される。このとき、キャリアガスの流量は、適宜設定することができるが、クリーニングガスの置換効率を向上させるために、例えば5~25程度増大させてもよい。このように、クリーニングガス供給を停止した後、さらに、キャリアガスに切り替えることにより、クリーニングガスの置換効率を向上させることができる。従って、置換されず残存したクリーニングガスの新たに搬入されるウェーハへの影響を抑え、成膜効率を向上させることができる。ソースガス、クリーニングガスの供給停止後に切り替えられるキャリアガスは、次のウェーハにおける成膜への影響を抑えるために、プロセスガスに含まれるキャリアガスと同一のものを用いることが好ましい。本実施形態においては、水素ガスH2を用いているが、例えば、プロセスガスのキャリアガスにアルゴンガスArを用いるときには、そのままアルゴンガスArを用いることが好ましい。実施形態4本実施形態においては、実施形態1と同様の半導体製造装置が用いられ、同様にウェーハの外周下方に、クリーニングガスを噴出させるが、クリーニングガスの噴出速度を変動させている。実施形態1と同様にして、ウェーハwの外周下方にクリーニングガスを供給しながら、ウェーハw上に所定の膜厚のSiCエピタキシャル膜を形成する。このとき、ウェーハwは、所定の回転数で回転されるが、成膜条件、要求される膜厚などの仕様により、回転速度を例えば900rpm~1200rpmで変動させるため、それに応じてウェーハwの外周方向に排出される排出ガス流の流速も変動する。例えば、回転速度が速く、排出ガス流の流速が早くなると、図4Aに模式的に示すように、反応副生成物などの堆積物41は、反応室11の内壁のサセプタ15の高さに近い比較的上部に堆積する。一方、回転速度が遅く、排出ガス流の流速が遅くなると、図4Bに模式的に示すように、堆積物41は、反応室11の内壁の比較的下部に堆積する。そこで、クリーニングガスを堆積箇所に供給するために、回転速度に合わせて、クリーニングガスの噴出速度を変動させる。すなわち、クリーニングガスの供給流量を抑えると、噴出速度は低下し、クリーニングガスの供給流量を増大させると、噴出速度は上昇する。このように、回転速度に合わせてクリーニングガスの噴出速度を変動させることにより、より高い効率で、反応副生成物などの堆積物を除去することが可能となる。なお、排出ガス流の流速は、ウェーハwの回転速度のみならず、プロセスガスの流量、反応室11内の圧力によっても変動する。従って、これらのパラメータの変動に合わせてクリーニングガスの噴出速度を変動させてもよい。また、クリーニングガスの噴出速度の変動は、ウェーハ処理毎でも、一枚のウェーハ処理中に行われてもよい。実施形態5本実施形態においては、実施形態1と同様の半導体製造装置が用いられ、同様にウェーハの外周下方に、クリーニングガスを噴出させるが、クリーニングガスの噴出速度を変動させるために、クリーニングガスの噴出面積を変動させている。図5に本実施形態の半導体製造装置である成膜装置の断面図を示す。図1と同様の構成であるが、クリーニングガスの供給リング52に、噴出速度変動機構51が接続されている。供給リング52は、内側壁52aと外側壁52bから構成されており、スリット状の噴出口52cが形成されている。このような供給リング52において、噴出速度変動機構51により、供給リング22の内側壁52aが上下移動され、噴出口52cの噴出面積を例えば供給リング52の流路の断面積内側壁52aと外側壁52bの間の断面積に対して0~100程度変動させることができる。なお、図5において、図1と同様の構成については、同じ符号を付している。このような半導体製造装置を用いて、実施形態1と同様にして、ウェーハwの外周下方にクリーニングガスを供給しながら、ウェーハw上に所定の膜厚のSiCエピタキシャル膜を形成する。このとき、実施形態4と同様に、クリーニングガスを堆積箇所に供給するために、回転速度に合わせて、噴出速度変動機構51により、図6に部分拡大断面図を示すように、供給リング52の内側壁52aを上下移動させて噴出口52cの噴出面積を変動させ、クリーニングガスの噴出速度を変動させる。すなわち、内側壁52aを上げて噴出面積を増大させれば、噴出速度は低下し、内側壁52aを下げて噴出面積を減少させれば、噴出速度は上昇する。なお、外側壁52cを上下移動させてクリーニングガスの噴出面積を変動させてもよい。このように、回転速度に合わせてクリーニングガスの噴出面積を変動させることにより、実施形態4と同様に、より高い効率で、反応副生成物などの堆積物を除去することが可能となる。実施形態6本実施形態において、実施形態1と同様の半導体製造装置が用いられるが、反応室のクリーニング中に、ウェーハwの外周下方にクリーニングガスを噴出させる点で実施形態1と異なっている。実施形態1のように、成膜時に、ウェーハwの外周下方に、クリーニングガスを噴出させることにより、成膜装置を停止させることなく、排気系へのSiの堆積を抑制することができる。しかしながら、ウェーハwとほぼ同じ温度となるサセプタなどには、ウェーハw上と同様に、SiCが堆積する。また、排気系においても、HClなどで除去できないSiCや、Si、Cを含む反応副生成物が堆積する。そして、堆積物を除去するために、反応室のクリーニングが行われる。通常、反応室のクリーニングは、プロセスガスと同様にクリーニングガスを供給することにより行われるが、本実施形態においては、上方のガス供給口12aからのみならず、供給リング22の開口部22aから、例えばClF3ガスを供給する。このとき、成膜は行われていないので、開口部22aからのガス噴出は、排出ガス流への影響は考慮する必要はなく、成膜時の噴出より流量を増やすことができ、例えば全排出量の10vol以上とすることができ、より効果的に堆積物を除去することができる。このように、クリーニング時に、ウェーハwの外周下方に、クリーニングガスを噴出させることにより、排気系への堆積物をより効果的に除去することができる。従って、堆積物によるパーティクルの発生を抑制するとともに、ポンプなどの詰まりを抑え、反応室内の圧力を高精度に制御することが可能となり、歩留りの向上を図ることが可能となる。これら実施形態によれば、半導体ウェーハwにSiCエピタキシャル膜などの膜を高い生産性で形成することが可能となる。そして、ウェーハの歩留り向上と共に、パワー半導体、光半導体などのエピタキシャル形成工程に適用されることにより、良好な素子特性を得ることが可能となる。また、本実施形態においては、SiC単結晶層エピタキシャル膜形成の場合を説明したが、本実施形態は、Si単結晶層、ポリSi層形成時にも適用することも可能である。また、例えばSiO2膜やSi3N4膜などSi膜以外の成膜や、例えばGaAs層、GaAlAsやInGaAsなど化合物半導体などにおいても適用することも可能である。その他要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。