"A平均一次粒子径が0.01~0.1μmであり、平均二次粒子径が0.02~0.3μmであるコロイダルシリカ粒子とB2つ以上のカルボキシル基を有する化合物を含む化学機械研磨用水系分散体であって、動的光散乱式粒径分布測定装置にて前記化学機械研磨用水系分散体を測定して算出される平均粒子径が0.04~0.5μmである化学機械研磨用水系分散体。前記A成分は、前記化学機械研磨用水系分散体中に0.1~20重量含有されることを特徴とする請求項1記載の化学機械研磨用水系分散体。B成分は、シュウ酸、マロン酸、酒石酸、グルタル酸、リンゴ酸、クエン酸およびマレイン酸から選ばれる少なくとも1つであることを特徴とする請求項1~2のいずれか一項に記載の化学機械研磨用水系分散体。さらにC水溶性高分子を含有することを特徴とする請求項1~3いずれか一項に記載の化学機械研磨用水系分散体。さらに酸化剤を含有する事を特徴とする請求項1~4いずれか一項に記載の化学機械研磨用水系分散体。請求項1~5のいずれか一項に記載の化学機械研磨用水系分散体を用いた研磨方法。本発明は、上記のSTI技術の状況に鑑み、STI絶縁膜、プリメタル絶縁膜、層間絶縁膜等を平坦化するCMP技術において、研磨速度を低下させることなく、研磨傷の発生が抑制された化学機械研磨用水系分散体及び当該水系分散体を用いて微細化素子分離工程における余分の絶縁膜の除去、プリメタル絶縁膜や層間絶縁膜等の平坦化を行う化学機械研磨方法を提供することを目的とする。[適用例1]本発明に係る化学機械研磨用水系分散体の一態様は、A平均一次粒子径が0.01~0.1μmであり、平均二次粒子径が0.02~0.3μmであるコロイダルシリカ粒子とB2つ以上のカルボキシル基を有する化合物を含む化学機械研磨用であって、動的光散乱式粒径分布測定装置にて前記化学機械研磨用水系分散体を測定して算出される平均粒子径が0.04~0.5μmである化学機械研磨用水系分散体であることを特徴とする。[適用例2]適用例1の化学機械研磨用水系分散体において、前記A成分は、前記化学機械研磨用水系分散体中に0.1~20重量含有されることができる。[適用例3]適用例1または適用例2の化学機械研磨用水系分散体において、B成分は、シュウ酸、マロン酸、酒石酸、グルタル酸、リンゴ酸、クエン酸およびマレイン酸から選ばれる少なくとも1つであることができる。[適用例4]適用例1~3の何れかに記載の化学機械研磨用水系分散体において、さらにC水溶性高分子を含有することができる。[適用例5]適用例1~4の何れかに記載の化学機械研磨用水系分散体において、さらに酸化剤を含有することができる。[適用例6]適用例1~5の何れかに記載の化学機械研磨用水系分散体を用いて研磨方法を実施することができる。本発明によれば、半導体装置の製造工程における絶縁膜の除去工程において、研磨速度を低下させることなく、研磨傷の発生が抑制された化学機械研磨用水系分散体及び当該水系分散体を用いて微細化素子分離工程における余分の絶縁膜の除去、プリメタル絶縁膜や層間絶縁膜等の平坦化を行う化学機械研磨方法が提供される。本発明の方法によると、微細化素子分離工程における余分の絶縁膜の除去、プリメタル絶縁膜や層間絶縁膜等の平坦化工程において、被研磨面の表面欠陥が低減され、かつ効率的な化学機械研磨を行うことができる。以下、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、本発明は、下記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において実施される各種の変型例も含む。1.1Aコロイダルシリカ粒子本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、Aコロイダルシリカ粒子を含有する。Aコロイダルシリカ粒子の形状は、球状であることが好ましい。ここで、球状とは、鋭角部分を有さない略球形のものを含み、必ずしも真球に近いものである必要はない。球状の砥粒を用いることにより、十分な研磨速度で研磨することができるとともに、被研磨面におけるスクラッチ等の発生も抑制できる。Aコロイダルシリカ粒子の平均一次粒子径は、好ましくは0.01~0.1μmであり、より好ましくは0.01~0.08μmであり、特に好ましくは0.015~0.07μmである。この範囲の平均粒子径を有する砥粒であれば、十分な研磨速度を有し、かつ粒子の沈降分離を生ずることのない安定な化学機械研磨用水系分散体を得ることができる。平均粒子径が0.01μm未満では、十分に研磨速度が大きい化学機械研磨用水系分散体を得ることができないことがある。平均粒子径が0.1μmを超えると、砥粒の沈降分離により、安定な水系分散体とすることが容易ではない。なお、Aコロイダルシリカ粒子の平均一次粒子径は、本願発明の化学機械研磨用分散体あるいは原料であるAコロイダルシリカ粒子の分散液を乾燥させて、BET法を用いて測定した比表面積から算出される平均粒子径のことである。Aコロイダルシリカ粒子の平均二次粒子径は、好ましくは0.02~0.3μmであり、より好ましくは0.02~0.2μmであり、特に好ましくは0.03~0.1μmである。この範囲の平均粒子径を有する砥粒であれば、十分な研磨速度を有し、かつ粒子の沈降分離を生ずることのない安定な化学機械研磨用水系分散体を得ることができる。なお、一次粒子が凝集もしくは会合した状態を二次粒子といい、Aコロイダルシリカ粒子は通常、二次粒子の状態で構成されている。このAコロイダルシリカ粒子の平均二次粒子径は、原料となるAコロイダルシリカ粒子の分散液を動的光散乱式粒径分布測定装置を用いて測定したり、本願発明の化学機械研磨用分散体あるいは原料であるAコロイダルシリカ粒子の分散液を透過型電子顕微鏡を用いることにより測定することができる。化学機械研磨用水系分散体を測定して算出される平均粒子径は、好ましくは0.04~0.5μmであり、より好ましくは0.04~0.3μmであり、特に好ましくは0.04~0.2μmである。この範囲の平均粒子径であれば、十分な研磨速度を有し、かつ粒子の沈降分離を生ずることのない安定な化学機械研磨用水系分散体を得ることができる。化学機械研磨用水系分散体中にはAコロイダルシリカ以外の成分が含有されており、これらの分散凝集効果により見かけ上の粒子径が平均二次粒子径と異なる値を示す。なお、化学機械研磨用水系分散体の平均粒子径は、本願発明の化学機械研磨用水系分散体を動的光散乱式粒径分布測定装置を用いることにより測定することができる。A砥粒の含有量は、化学機械研磨用水系分散体の全質量に対し、好ましくは1~20質量であり、より好ましくは2~12質量、さらに好ましくは3~9質量である。A砥粒の含有量が上記範囲未満であると、十分な研磨速度が得られない場合があり、研磨工程を終了するのに多大な時間を要する場合がある。一方、A砥粒の含有量が上記範囲を超えると、コストが高くなるとともに、化学機械研磨用水系分散体の貯蔵安定性が低下するため好ましくない。1.2B2つ以上のカルボキシル基を有する化合物本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、B2つ以上のカルボキシル基を有する化合物を含有する。2つ以上のカルボキシル基を有する化合物を含有することにより、pH調製剤の添加量を最適化する事ができ、塩溶効果により化学機械研磨用水系分散体の貯蔵安定性が向上する。例えば、B成分としては、シュウ酸、マロン酸、酒石酸、グルタル酸、リンゴ酸、クエン酸、マレイン酸が挙げられる。その中でも、特に好ましい2つ以上のカルボキシル基を有する化合物はクエン酸、マレイン酸、リンゴ酸であり、カルボン酸とシリカ砥粒表面のシラノール基が適度に相互作用を及ぼし、シリカ砥粒の研磨面への過度の吸着を抑制することにより、スクラッチ抑制に効果があると推測される。また緩衝作用のためpH調製剤の添加量を最適化することが容易であると推測される。1.3C水溶性高分子本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、C水溶性高分子を含有することができる。化学機械研磨用水系分散体に水溶性高分子を添加する技術は既知であるが、本願発明では低誘電率絶縁膜に及ぼす研磨圧力を低減する観点から、通常用いられる水溶性高分子よりも重量平均分子量が大きな水溶性高分子を使用する点に特徴がある。前記C水溶性高分子の重量平均分子量は、例えば、GPCゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって測定されたポリエチレングリコール換算の重量平均分子量Mwを適用できる。前記C水溶性高分子の重量平均分子量Mwは、5万以上80万以下であればよいが、好ましくは10万以上50万以下、より好ましくは10万以上30万以下である。重量平均分子量が前記範囲内にあると、研磨摩擦を大幅に低減しながら層間絶縁膜キャップ層に対する研磨速度を大きくすることができる。重量平均分子量が前記下限より小さいと研磨摩擦の低減効果に劣る。また、重量平均分子量が前記上限より大きいと化学機械研磨用水系分散体の安定性が悪くなること、また、水系分散体の粘度が過度に上昇して、研磨液供給装置に負荷がかかる等の問題が生じることがある。特に前記C水溶性高分子の重量平均分子量が80万を超えると、水系分散体を長期に亘り保管する際に砥粒成分の凝集による析出を引き起こすことがあり、また保管温度のわずかな変化に伴い水溶性高分子が析出することがあり、安定した研磨特性を得ることは困難となる。上述したように化学機械研磨用水系分散体にナトリウムやカリウムの含有量が多い砥粒を使用すると、研磨後の洗浄操作によっても砥粒に由来するナトリウムやカリウムが被研磨物表面に残留し、デバイスの電気特性を悪化させる原因になると考えられており、その使用は避けられてきた。しかしながら、前記C水溶性高分子を添加することにより、シリカ粒子を水溶性高分子で包摂することができるため、シリカ粒子のナトリウムやカリウムの溶出を抑制することができる。さらに、前記C水溶性高分子は、被研磨面の表面に残留するナトリウムやカリウムを吸着することもできる。その結果、研磨後に簡単な洗浄操作を行うことで被研磨面からナトリウムやカリウムを除去することができ、デバイスの電気特性を悪化させることなく研磨操作を完了することができる。前記C水溶性高分子としては、例えば、ポリアクリル酸およびその塩、ポリメタクリル酸およびその塩、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアクリルアミド、またこれらの共重合体およびその塩、等の熱可塑性樹脂が挙げられる。これらの水溶性高分子のうち、繰り返し単位中にカルボキシル基を有するポリメタクリル酸およびその塩、ポリアクリル酸およびその塩、またはこれらの誘導体であることが好ましい。ポリアクリル酸およびポリメタクリル酸は、砥粒の安定性に影響を与えない点でより好ましい。ポリアクリル酸は、本実施形態に係る化学機械研磨水系分散体に適切な粘性を付与できるため、特に好ましい。前記C水溶性高分子の含有量は、化学機械研磨用水系分散体の全質量に対して、好ましくは0.001~1.0質量以下、より好ましくは0.01~0.5質量である。水溶性高分子の含有量が前記範囲未満であると、低誘電率の層間絶縁膜に対する研磨速度の向上が見られない。一方、水溶性高分子の含有量が前記範囲を超えると、シリカ粒子の凝集を引き起こすことがある。また、化学機械研磨用水系分散体にナトリウムやカリウムの含有量が少ない砥粒を使用し、かつ後述するpH調整剤に水酸化ナトリウムや水酸化カリウムを添加せず、pHが酸性の場合は、水溶性高分子を含有しなくても、被研磨面の残留するナトリウムやカリウムが少ないので、デバイスの電気特性を悪化させることなく研磨操作を完了することができる。さらに、化学機械研磨用水系分散体のpHが塩基性の場合、前記C水溶性高分子の含有量に対する前記B2つ以上のカルボキシル基を有する化合物の含有量の比率は、好ましくは1:1~1:10であり、より好ましくは1:1~1:5である。前記C水溶性高分子の含有量に対する前記B有機酸の含有量の比率が前記範囲内であることにより、適度な研磨速度と良好な被研磨面の平坦性の両立をより確実に達成することができる。1.4pH調整剤本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体のpHを調整するための手段としては、例えば水酸化カリウム、アンモニア、エチレンジアミン、TMAHテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等の塩基性塩に代表されるpH調整剤を添加することにより、pHを調整することができる。pHの値は、酸性の場合、1.5~4.5であり、好ましくは2~4である。塩基性の場合、8~12であり、好ましくは9~11.5である。pHの値が1.5未満であると、腐食性が強くなるので作業者や環境への影響が芳しくない。pHの値が5以上8未満であると、シリカ粒子の表面に存在するシラノール基同士の水素結合を切ることができず、シリカ粒子の凝集を引き起こす場合がある。一方、pHの値が12よりも大きい場合、化学機械研磨用水系分散体を長時間保管すると、化学機械研磨用水系分散体中に存在するシリカ粒子が一部溶解してしまうことがある。その結果、化学機械研磨用水系分散体の研磨特性が変化してしまい絶縁膜の研磨速度が低下し、良好な配線パターンが得られないことがある。1.5その他の添加剤本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、酸化剤を含有することができる。酸化剤を含有することで、さらに研磨速度が向上する。酸化剤としては、広範囲の酸化剤を使用することができるが、適切な酸化剤として過酸化水素水、酸化性金属塩、酸化性金属錯体、非金属系酸化剤の例えば過酢酸や過ヨウ素酸、鉄系イオンの例えばニトレート、スルフェート、EDTA、シトレート、フェリシアン化カリウム等、アルミニウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩、第4アンモニウム塩、ホスホニウム塩、あるいは過酸化物のその他のカチオン塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、硝酸塩、過マンガン酸塩、過硫酸塩およびこれらの混合物が挙げられる。本発明の化学機械研磨用水系分散体には、必要に応じて、非イオン性界面活性剤、アニオン界面活性剤またはカチオン界面活性剤を配合することができる。上記非イオン性界面活性剤としては、例えば、高級アルコール、脂肪酸エーテル、脂肪酸エステルなどの非イオン性界面活性剤が挙げられる。上記アニオン界面活性剤としては、例えば、脂肪族せっけん、硫酸エステル塩、およびリン酸エステル塩などが挙げられる。上記カチオン界面活性剤としては、例えば、脂肪族アミン塩および脂肪族アンモニウム塩などが挙げられる。これらの界面活性剤は、1種単独でまたは2種以上を組み合わせて使用することも可能である。上記界面活性剤の含有量は、使用時における化学機械研磨用水系分散体の全質量に対し、好ましくは0.01~0.2質量であり、より好ましくは0.01~0.15質量、特に好ましくは0.01~0.1質量である。界面活性剤の含有量が0.01質量未満であると、被研磨面に対して十分に研磨速度を制御することができない場合がある。一方、界面活性剤の含有量が0.2質量を超えると、水系分散体の保存安定性が損なわれる場合がある。1.6用途本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、絶縁膜を研磨するものである。具体的には、微細素子分離工程STI工程における絶縁膜研磨、多層化配線基板の層間絶縁膜の研磨等を挙げることができる。上記STI工程における研磨の対象となる絶縁膜及び、多層化配線基板の絶縁膜を構成する材料としては、例えば熱酸化膜、PETEOS膜PlasmaEnhanced-TEOS膜、HDP膜HighDensityPlasmaEnhanced-TEOS膜、熱CVD法により得られる酸化シリコン膜、BPSG膜BoronPhosphorusSiliconGlass、PSGPhosphorusSiliconGlass膜等が挙げられる。前記絶縁膜としては、SiO2膜のほか、超LSIの性能向上を目的とした低誘電率の層間絶縁膜をも含む。低誘電率の層間絶縁膜としては、フッ素添加SiO2誘電率;約3.3~3.5、ポリイミド系樹脂誘電率;約2.4~3.6;日立化成工業社製、商品名PIQ;AlliedSignal社製、商品名BCB等、水素含有SOG誘電率;約2.5~3.5、および有機SOG誘電率;約2.9;日立化成工業社製、商品名HSGR7等からなる層間絶縁膜が挙げられる。1.7化学機械研磨用水系分散体のキット本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、イオン交換水に直接Aコロイダルシリカ粒子、B2つ以上のカルボキシル基を有する化合物およびその他の添加剤、pH調整剤を添加して混合撹拌することにより調製することができる。このようにして得られた化学機械研磨用水系分散体をそのまま使用してもよいが、各成分を高濃度で含有する濃縮された化学機械研磨用水系分散体を調製し、使用時に所望の濃度に希釈して使用してもよい。また、上記成分のいずれかを含む複数の液例えば、2つまたは3つの液を調製し、これらを使用時に混合して使用することもできる。この場合、複数の液を混合して化学機械研磨用水系分散体を調製した後、これを化学機械研磨装置に供給してもよいし、複数の液を個別に化学機械研磨装置に供給して定盤上で化学機械研磨用水系分散体を形成してもよい。具体例として、2成分のキットに分ける場合、ある一定の割合で成分わけをすることで貯蔵安定性を向上させることができる。その場合、少なくとも水およびAを含む水系分散体であり、pHが7~12となる液I、少なくとも水、B2つ以上のカルボキシル基を有する化合物を含む液IIからなり、これらの液を混合して上記化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキットが挙げられる。液Iは、あらかじめpH調整剤を添加することによりpHを8~11に調整しておけば、A砥粒の分散安定性を確保することができる。上記液IおよびIIにおける各成分の濃度は、これらの液を混合して最終的に調製される化学機械研磨用水系分散体中の各成分の濃度が上記範囲内であれば特に限定されない。例えば、各成分を化学機械研磨用水系分散体の濃度よりも高濃度で含有する液IおよびIIを調製し、使用時に、必要に応じて液IおよびIIを希釈して、これらを混合し、各成分の濃度が上記範囲にある化学機械研磨用水系分散体を調製する。具体的には、上記液IとIIとを1:1の重量比で混合する場合には、化学機械研磨用水系分散体の濃度の2倍の濃度の液IおよびIIを調製すればよい。また、化学機械研磨用水系分散体の濃度の2倍以上の濃度の液IおよびIIを調製し、これらを1:1の重量比で混合した後、各成分が上記範囲となるように水で希釈してもよい。以上のように、液Iと液IIとを別々に調製することにより、水系分散体の保存安定性を向上させることができる。上記のキットを使用する場合、研磨時に上記化学機械研磨用水系分散体が形成されていれば、液Iと液IIとの混合の方法およびタイミングは特に限定されない。例えば、液Iと液IIとを混合して上記化学機械研磨用水系分散体を調製した後、これを化学機械研磨装置に供給してもよいし、液Iと液IIとを独立して化学機械研磨装置に供給し、定盤上で混合してもよい。あるいは、液Iと液IIとを独立して化学機械研磨装置に供給し、装置内でライン混合してもよいし、化学機械研磨装置に混合タンクを設けて、混合タンク内で混合してもよい。また、ライン混合の際には、より均一な水系分散体を得るために、ラインミキサーなどを用いてもよい。2.実施例以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。2.1コロイダルシリカを含む水分散体A1~A8の調製以下の方法により、表1および表2に記載のコロイダルシリカ粒子を含む水分散体A1~A8をそれぞれ調製した。2.1.1コロイダルシリカ粒子A1~A4を含む水分散体の調製3容量のテトラエトキシシランと1容量のエタノールとを混合して原料溶液を得た。反応槽にあらかじめエタノール、イオン交換水、およびアンモニアを混合した反応溶媒を仕込んだ。反応溶媒の温度を20°Cに維持するように冷却しながら、反応溶媒9容量当たり1容量の原料溶液を反応槽に滴下して、コロイダルシリカのアルコール分散体を得た。次いで、ロータリーエバポレータを用い、得られたアルコール分散体の温度を80°Cに維持しながらイオン交換水を添加しつつアルコールを除去する操作を数回繰り返した。この操作により、表1、表2および表3に記載のコロイダルシリカ粒子を含む水分散体A1~A4をそれぞれ調製した。なお、前記の作業において、アンモニア濃度と滴下速度を調整することにより平均一次粒子径と平均二次粒子径を調整した。2.1.2コロイダルシリカ粒子A5~A8を含む水分散体の調製コンデンサー付留出管を備えたガラス容器中にイオン交換水2900容量と、トリエタノールアミン1容量とを仕込み、反応容器内液温を70~90°Cに保ちながら、テトラメチルシリケート520容量を攪拌下に約3時間かけて連続的に供給した。反応容器内の反応混合物を更に95±5°Cに加熱し、生成したメタノールをコンデンサー付留出管から留出温度90±10°Cで水と共に留出させ、コロイダルシリカ粒子を含む水分散体を得た。そのコロイダルシリカ粒子を含む水分散体90容量と、イオン交換水940容量と、トリエタノールアミン1容量とを、コンデンサー付留出管を備えたガラス容器中に仕込み、反応容器内の液温を80°Cに保ちながら、テトラメチルシリケート410容量を攪拌下に3時間かけて連続的に供給した。反応容器内の液面を一定に保ったまま、イオン交換水を添加しながら、反応混合物を更に95±5°Cに加熱し、生成したメタノールをコンデンサー付留出管から留出温度90±10°Cで水と共に留出させ、表1、表2および表3に記載のコロイダルシリカ粒子A5~A8を含む水分散体を得た。なお、前記の作業において、反応温度、攪拌速度、及び反応時間を調整することにより平均一次粒子径と平均二次粒子径を調整した。2.2ヒュームドシリカ粒子A9を含む水分散体の調製ヒュームドシリカ粒子日本アエロジル株製、商品名アエロジル90、平均一次粒子径0.02μmを、イオン交換水中に、超音波分散機を用いて分散させた。これを孔径5μmのフィルターで濾過することにより、表2に記載のヒュームドシリカ粒子A9を得た。この水分散体中に含まれるヒュームドシリカの平均二次粒子径は、0.22μmであった。2.3化学機械研磨用水系分散体S1~S19の調製化学機械研磨用水分散体の全質量を100質量とした場合に、マレイン酸を0.3質量、ポリアクリル酸を0.3質量、コロイダルシリカ水分散体A1を固形分として3質量となるように混合し、さらに水酸化カリウムをpHが10.5になるように添加し、全構成成分の量が100質量となるようにイオン交換水をポリエチレン製の瓶に加えて1時間撹拌した後、孔径0.5μmのフィルターでろ過し、表1の実施例1に記載の化学機械研磨用水系分散体S1を作製した。実施例2~11、比較例1~8で使用した化学機械研磨用水系分散体は、A、BまたはC成分の種類もしくは含有量、pHを表1、表2および表3に記載の組成に変更したこと以外は、上記の化学機械研磨用水系分散体S1と同様にして化学機械研磨用水系分散体S2~S19を作製した。なお、表1、表2および表3において、PAAaは、商品名AC-10H東亞合成社製、ポリアクリル酸:Mw15万、PAAbは、商品名AC-10L東亞合成社製、ポリアクリル酸:Mw3万、PAAcは、商品名AC-10SH東亞合成社製、ポリアクリル酸:Mw100万を示す。2.4保存安定性評価作製した化学機械研磨用水系分散体を100ccのガラス管に入れ、25°Cで6ヶ月静置保管し沈降の有無を目視により確認した。その結果を表1および表2に示す。表1および表2において、粒子の沈降および濃淡差が認められない場合を良好、粒子の沈降および濃淡差が認められた場合を不良と評価した。2.5化学機械研磨試験化学機械研磨装置荏原製作所社製、型式EPO112に多孔質ポリウレタン製研磨パッドニッタハース社製、品番IC1000を装着し、化学機械研磨用水系分散体S1を供給しながら、下記の各種研磨速度測定用基板につき、下記の研磨条件にて1分間研磨処理を行い、下記の手法によって研磨速度、平坦性および欠陥の有無を評価した。これらの結果を表1および表2に示す。2.5.1研磨速度の評価1研磨速度測定用基板膜厚20,000オングストロームのPETEOSが積層された8インチシリコン基板2研磨条件ヘッド回転数:107rpmヘッド荷重:300gf/cm2テーブル回転数:100rpm化学機械研磨水系分散体の供給速度:200mL/分この場合における化学機械研磨用水系分散体の供給速度とは、全供給液の供給量の合計を単位時間当たりで割り付けた値をいう。3研磨速度の算出方法PETEOS膜は、光干渉式膜厚測定器ナノメトリクスジャパン社製、形式Nanospec6100を用いて、研磨処理後の膜厚を測定し、化学機械研磨により減少した膜厚および研磨時間から研磨速度を算出した。2.5.2平坦性評価上記のPETEOS膜付きウェハの被研磨面を、光干渉式膜厚測定器ナノメトリクスジャパン社製、形式Nanospec6100を用いて、研磨処理前後の膜厚を測定し、研磨処理前後の膜厚の差分の標準偏差σを研磨処理前後の膜厚の差分の平均値AVGで除した値を百分率で示した。その結果を表1および表2に併せて示す。平坦性σ/AVGは、5以下であると良好であると判断できる。2.5.3欠陥評価上記のPETEOS膜付きウェハの被研磨面を、欠陥検査装置KLAテンコール社製、形式KLA2351を使用して研磨傷スクラッチの数を測定した。その結果を表2~表3に併せて示す。表1および表2において、ウェハ一枚あたりのスクラッチ個数を個/ウェハという単位を付して記す。スクラッチ個数は、100個/ウェハ以下であると良好であると判断できる。2.5.4評価結果実施例1~11に係る化学機械研磨用水系分散体を用いた場合には、PETEOS膜に対する研磨速度が1800オングストローム/分以上と十分高く、スクラッチ個数も35個/ウェハ以下に抑制され、平坦性も良好であった。また、保存安定性も良好である。これに対して、比較例1で使用したシリカ水分散体S6は、添加した水溶性高分子の分子量が5万未満であるため、化学機械研磨用水系分散体を測定して算出される平均粒子径がほとんど大きくならず、PETEOS膜に対する研磨速度が十分に発揮されなかった。比較例2に係る化学機械研磨用水系分散体は、水溶性高分子の添加量が多く、粒子の凝集を引き起こし、粒子数および粒子の表面積の減少により研磨速度が低下した。また、凝集したシリカ粒子によって、平坦性の悪化および多数のスクラッチが発生し、良好な被研磨面が得られなかった。比較例3に係る化学機械研磨用水系分散体は、有機酸の添加量が多く、塩析効果により砥粒を不安定化させ凝集を引き起こし、粒子数および粒子の表面積の減少により研磨速度が低下した。また、凝集したシリカ粒子によって、平坦性の悪化および多数のスクラッチが発生し、良好な被研磨面が得られなかった。比較例4に係る化学機械研磨用水系分散体は、重量平均分子量が80万を超える水溶性高分子量を添加しているため、粒子の凝集を引き起こし、粒子数および粒子の表面積の減少により研磨速度が低下した。また、凝集したシリカ粒子によって、多数のスクラッチが発生し、良好な被研磨面が得られなかった。比較例5に係る化学機械研磨用水系分散体は、2つ以上のカルボキシル基を有する化合物ではない酢酸を使用しているため、カルボン酸とシリカ砥粒表面のシラノール基の相互作用が不十分になり、シリカ砥粒が研磨面へ過度に吸着し、多数のスクラッチが発生し、良好な被研磨面が得られなかった。比較例6に係る化学機械研磨用水系分散体は、2つ以上のカルボキシル基を有する化合物ではないグリシンを使用しているため、カルボン酸とシリカ砥粒表面のシラノール基の相互作用が不十分になり、シリカ砥粒が研磨面へ過度に吸着し、多数のスクラッチが発生し、良好な被研磨面が得られなかった。比較例7に係る化学機械研磨用水系分散体は、ヒュームドシリカ砥粒を使用しているため、粒子の安定性が悪く凝集を引き起こし、凝集したシリカ粒子によって、平坦性の悪化および多数のスクラッチが発生し、良好な被研磨面が得られなかった。比較例8に係る化学機械研磨用水系分散体は、水溶性高分子を添加しているが、スラリー中での平均粒子径がほとんど大きくならず、PETEOS膜に対する研磨速度が十分に発揮されなかった。本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、特に、微細化素子分離における余分の絶縁膜の除去工程において、被研磨面の表面欠陥が低減され、良好な研磨性能を発揮する事ができる。"