電気光学物質層を挟持して対向配置された第1基板及び第2基板と、前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせるシール材と、複数の画素が配列された画素領域と、前記画素領域と前記シール材との間の外縁領域に形成されたイオントラップ部と、を有する電気光学装置であって、前記イオントラップ部は、前記第1基板の前記電気光学物質層側に形成され、平面視櫛歯状を成し互いの枝電極を噛み合わせるように配置された第1電極と第2電極とを有しており、前記第1電極及び前記第2電極の前記枝電極の延在方向が、当該枝電極の近傍の前記第1基板の外形辺に対して斜め方向であり、かつ前記電気光学物質層と前記第1基板との界面における前記電気光学物質の配向方向に対して交差する方向であることを特徴とする電気光学装置。前記枝電極の延在方向が、前記電気光学物質の配向方向に対して75°以上105°以下の角度で交差する方向である、請求項1に記載の電気光学装置。前記枝電極の延在方向が、前記電気光学物質の配向方向に対して略直交する方向である、請求項2に記載の電気光学装置。前記画素領域が平面視略矩形状であり、概ね前記電気光学物質の配向方向に対向する前記画素領域の2つの角部に位置する前記イオントラップ部において、前記第1電極の枝電極と前記第2電極の枝電極との間隔が、他の部位の前記イオントラップ部における前記間隔よりも狭く形成されている、請求項1から3のいずれか1項に記載の電気光学装置。請求項1から4のいずれか1項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。しかし、特許文献1~4記載の液晶装置では、一対の電極が数μmもの厚さを有する液晶層を挟んで対向配置されているために電極間に大きな電界を発生させることが難しく、トラップ効率を高めることが難しかった。一方、特許文献5、6記載の液晶装置では、比較的大きな電界を発生させやすいが、櫛歯状の電極の延在方向に沿って等電位面が形成されるため、電極の延在方向に沿って移動するイオン性不純物をトラップしにくいという問題があった。本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、横電界方式を用いつつイオン性不純物のトラップ効率を高めた電気光学装置を提供することを目的の一つとする。本発明の電気光学装置は、電気光学物質層を挟持して対向配置された第1基板及び第2基板と、前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせるシール材と、複数の画素が配列された画素領域と、前記画素領域と前記シール材との間の外縁領域に形成されたイオントラップ部と、を有する電気光学装置であって、前記イオントラップ部は、前記第1基板の前記電気光学物質層側に形成され、平面視櫛歯状を成し互いの枝電極を噛み合わせるように配置された第1電極と第2電極とを有しており、前記第1電極及び前記第2電極の前記枝電極の延在方向が、当該枝電極の近傍の前記第1基板の外形辺に対して斜め方向であり、かつ前記電気光学物質層と前記第1基板との界面における前記電気光学物質の配向方向に対して交差する方向であることを特徴とする。この構成では、櫛歯状の第1電極及び第2電極のそれぞれの枝電極が、第1基板の外形辺に対して斜めに形成されている。これにより、枝電極の延在方向に沿って形成される等電位線の方向と、シール材から溶出しイオントラップ部に向かって移動するイオン性不純物の進行方向とを交差させることができる。その結果、イオントラップ部からイオン性不純物に作用する吸着力の少なくとも一部を、イオン性不純物の進行方向に沿って作用させることができるので、シール材起因のイオン性不純物を効率良くトラップすることができる。一方、画素領域においては、イオン性不純物は電気光学物質の配向方向に沿って移動しやすい。そこで本構成では、電気光学物質の配向方向に対して枝電極を交差させて配置している。これにより、画素領域からイオントラップ部に向かって移動するイオン性不純物の進行方向に、イオントラップ部の吸着力の少なくとも一部を作用させることができるので、画素領域で発生したイオン性不純物を効率良くトラップすることができる。このように本構成によれば、イオントラップ部の内周、外周のいずれで発生したイオン性不純物についても効率良くトラップすることができるので、イオン性不純物が画素領域に付着するのを効果的に抑制することができ、シミやムラなどの不具合を生じにくい電気光学装置を提供することができる。前記枝電極の延在方向が、前記電気光学物質の配向方向に対して75°以上105°以下の角度で交差する方向である構成としてもよい。この構成によれば、イオントラップ部において、画素領域から外縁領域へ移動したイオン性不純物を効率良くトラップすることができる。前記枝電極の延在方向が、前記電気光学物質の配向方向に対して略直交する方向である構成としてもよい。この構成によれば、イオントラップ部において、画素領域から外縁領域へ移動したイオン性不純物を最も効率良くトラップすることができる。前記画素領域が平面視略矩形状であり、概ね前記電気光学物質の配向方向に対向する前記画素領域の2つの角部に位置する前記イオントラップ部において、前記第1電極の枝電極と前記第2電極の枝電極との間隔が、他の部位の前記イオントラップ部における前記間隔よりも狭く形成されている構成としてもよい。この構成によれば、画素領域で発生し、電気光学物質の駆動動作に伴って移動するイオン性不純物が堆積しやすい領域において、イオン性不純物に対して大きな吸着力を作用させることができる。これにより、イオン性不純物の堆積によってイオン性不純物の濃度が上昇した場合であっても、濃度差によって画素領域へ拡散するのを抑えることができる。本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、イオン性不純物に起因するシミやムラなどの不具合を生じにくい、信頼性に優れた電子機器を提供することができる。以下、図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の範囲は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせる場合がある。図1は、電気光学装置の一実施の形態である液晶装置の平面図である。図2は、図1に示すI-I線に沿う位置における液晶装置の部分断面図である。液晶装置電気光学装置100は、TFTアレイ基板第1基板10と、TFTアレイ基板10と対向配置された対向基板第2基板20と、TFTアレイ基板10と対向基板20との間に挟持された液晶層電気光学物質層50と、液晶層50の周囲を囲んで形成されるとともに一部に液晶注入口51aを有する矩形枠状のシール材51と、シール材51の液晶注入口51aを封止する封止剤52と、を備えている。TFTアレイ基板10上には、シール材51とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板20が対向配置されており、シール材51によりTFTアレイ基板10と対向基板20とが貼り合わされている。TFTアレイ基板10は、対向基板20よりも大きく、対向基板20の一端部よりも外側に張り出した張出部10aを備えている。張出部10aには、駆動ICチップ101が実装されており、また複数の外部回路接続端子102が形成された端子部が設けられている。シール材51は、TFTアレイ基板10と対向基板20との対向領域の周縁部に沿って設けられている。液晶注入口51aは、シール材51の4つの辺のうち張出部10aに面する辺に設けられている。封止剤52は、対向基板20の端面に沿って、張出部10aの液晶注入口51a近傍の位置に塗布されている。シール材51と封止剤52とが液晶層50の周囲を囲み、液晶層50をTFTアレイ基板10と対向基板20との間に封止している。シール材51に囲まれた領域の中央部には、複数の画素PXがマトリクス状に配置されてなる矩形の画素領域1Aが設けられている。画素領域1Aとシール材51との間の矩形枠状の領域は、画素が形成されていない周辺領域外縁領域1Bである。シール材51の外側における対向基板20の角部には、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的導通をとるための銀点などを有する基板間導通部106が設けられている。画素領域1Aとシール材51との間に、液晶層50の内部に電界を発生させて液晶層50中のイオン性不純物をトラップするイオントラップ部60が設けられている。イオントラップ部60は、図2に示すように、TFTアレイ基板10の基板本体10A上に形成された第1電極61と第2電極62とを備えている。イオントラップ部60では、第1電極61と第2電極62との間に発生する液晶層厚方向と概ね直交する方向の電界によって液晶層50中のイオン性不純物をトラップする。イオントラップ部60は、画素領域1Aを取り囲んで配置されている。図1では、画素領域1Aから周辺領域1Bに向かって拡散するイオン性不純物と、シール材51から溶出し、画素領域1Aに向けて侵入するイオン性不純物を漏れなくトラップするために、イオントラップ部60は、全体として、画素領域1Aの外周に沿って閉じた枠状に形成されている。第1電極61は、櫛歯状の電極であり、画素領域1Aの外周に沿って矩形枠状に形成された幹電極61bと、幹電極61bから分岐され所定方向に延在する枝電極61aとを有する。幹電極61bの一部は引き出し線63としてシール材51の外側まで延びており、駆動ICチップ101に接続されている。第2電極62も櫛歯状の電極であり、画素領域1Aの外周に沿って矩形枠状に形成された幹電極62bと、幹電極62bから分岐され所定方向に延在する枝電極62aとを有する。幹電極62bの一部は引き出し線64としてシール材51の外側まで延びており、駆動ICチップ101に接続されている。第1電極61と第2電極62は、互いの枝電極61a、62a同士を噛み合わせるようにして配置されている。本実施形態の場合、第1電極61の枝電極61aと、第2電極62の枝電極62aは、互いに平行に形成されるとともに、イオントラップ部60の延在方向周辺領域1Bの延在方向において交互に配置されている。枝電極61a、62aは、図1において左上45°方向に延びている。TFTアレイ基板10は、ガラスや石英などの透明基板あるいはシリコンなどの不透明基板からなる基板本体10A上に、画素電極13を駆動する図示略の駆動素子や電極を形成した素子基板である。図2に示すように、基板本体10A上には、上記の駆動素子と接続された配線11等が形成されており、駆動素子や配線11等を覆う絶縁膜12が形成されている。絶縁膜12上には、第1電極61と、第2電極62と、複数の画素電極13とが形成されている。第1電極61、第2電極62、及び画素電極13を覆って配向膜14が形成されている。画素電極13は、液晶装置100を透過型の液晶装置として構成する場合には、例えばITOインジウム錫酸化物等の透明導電材料を用いて形成され、反射型液晶装置として構成する場合には、例えばアルミニウム等の光反射性の金属を用いて形成される。配向膜14は、ポリイミド等の有機配向膜、あるいはシリコン酸化膜等の無機配向膜からなる。対向基板20は、ガラスや石英などの透明基材上にブラックマトリクス画素PXを平面的に区画する遮光膜や周辺見切り画素領域1Aの周囲を縁取る遮光膜を形成してなる基板本体20Aを備えている。基板本体20A上には、少なくとも画素領域1Aに対応する平面領域を有する共通電極21と、共通電極21を覆う配向膜22とが形成されている。共通電極21は、例えばITO等の透明導電膜からなる。本実施形態の場合、イオントラップ部60と対向する対向基板20上の領域には共通電極21は形成されていない。配向膜22は、ポリイミド等の有機配向膜、あるいはシリコン酸化膜等の無機配向膜からなる。液晶層50は、画素電極13と共通電極21との間に発生する液晶層厚方向の電界縦電界によって駆動される縦電界方式の液晶層である。縦電界方式としては、VAVerticalAlignment方式が代表的であるが、OCBOpticallyCompensatedBirefringence方式やTNTwistedNematic方式などの他の方式でもよい。なお、本実施形態では、共通電極21が対向基板20側に設けられた縦電界方式で液晶層50を駆動しているが、共通電極21として機能する電極をTFTアレイ基板10側に設け、この電極と画素電極13との間に発生する基板面方向の電界横電界;液晶層の厚さ方向と概ね直交する方向の電界によって液晶層50を駆動してもよい。このような駆動方式は、横電界方式と呼ばれる。横電界方式としては、IPSInPlaneSwitching方式やFFSFringeFieldSwitching方式が代表的であるが、FFS方式は焼きつきが発生し易いため、IPS方式などのFFS方式以外の駆動方式が好ましい。液晶装置100では、画像表示前、画像表示中、または画像表示後に、第1電極61と第2電極62との間に電圧を印加し、第1電極61と第2電極62との間に発生した電界を液晶層50に作用させて液晶層50中のイオン性不純物をトラップする。これにより、画素領域1Aで発生したイオン性不純物やシール材51や封止剤52から溶出したイオン性不純物を周辺領域1Bに固定することができる。その結果、イオン性不純物が画素領域1A内の配向膜14等に吸着することによって生じる焼きつきなどの表示不良が少ない液晶装置とすることができる。第1電極61及び第2電極62に印加する電圧は、トラップするイオン性不純物の極性に応じて設定すればよい。例えば、第1電極61に-5V、第2電極62に0Vを印加した場合、イオントラップ部60には全体として負の直流電圧が印加されるため、液晶層50中の正電荷を有するイオン性不純物を効果的にトラップすることができる。一方、第1電極61に5V、第2電極62に0Vを印加すれば、イオントラップ部60に正の直流電圧が印加されるため、負電荷を有するイオン性不純物を効果的にトラップすることができる。ここで、図3は、本実施形態の液晶装置の作用説明図である。図3には、図1に示す部位Aを拡大した平面図が示されている。本実施形態の場合、第1電極61の枝電極61a及び第2電極62の枝電極62aは、いずれもTFTアレイ基板10の外形辺に対して斜め方向に延在している。より詳しくは、枝電極61a、62aは、図3のX軸方向TFTアレイ基板10の長辺延在方向に対して、X軸から反時計回りに135°の角度を成す方向に延びている。ここで、シール材51から液晶層50に溶出するイオン性不純物p1は、その濃度差によってシール材51の近傍から画素領域1A側へ拡散する。矩形状のTFTアレイ基板10では、シール材51は外形辺に沿ってほぼ矩形枠状に形成されるのが一般的であるため、シール材51から溶出したイオン性不純物p1は、図3に示すように、溶出位置から画素領域1Aに向かって、溶出位置近傍の外形辺に対して直交する方向に移動する。一方、本実施形態のような横電界方式のイオントラップ部60では、枝電極61a、62a間の電位差によって形成される電界Eによりイオン性不純物p1を枝電極61a、62aに吸着させる。このとき、枝電極61a、62a間の等電位線eqは、図3に示すように、枝電極61a、62aと平行に形成される。ここで、イオン性不純物p1が等電位線eqに沿って移動している場合、等電位線eqに沿った方向では電位差が生じないため、イオン性不純物p1を枝電極61a、62aに対して引き寄せにくく、イオントラップ部60を通過してしまいやすい。つまり、枝電極61a、62aの延在方向がTFTアレイ基板10の外形辺と平行である場合X軸方向又はY軸方向に平行である場合には、シール材51から溶出したイオン性不純物p1がイオントラップ部60を通過して画素領域1Aにまで拡散しやすくなる。その結果、配向膜14、22等にイオン性不純物p1が付着することによる不具合が発生しやすくなる。これに対して、本実施形態のように枝電極61a、62aが外形辺に対して斜め方向に延びるように形成されている場合には、TFTアレイ基板10の長辺近傍のシール材51から溶出して短辺に沿った方向Y軸方向に移動するイオン性不純物p1に対しても、TFTアレイ基板10の短辺近傍のシール材51から溶出して長辺に沿った方向に移動するイオン性不純物p1に対しても、それらの進行方向に対して枝電極61a、62aが斜めに配置される。そうすると、枝電極61a、62a間の電界Eが、イオン性不純物p1の進行方向と一致する方向の成分を有することになるため、イオン性不純物p1の軌道を曲げるために用いる力は少なく、枝電極61a、62aに引き寄せる力は大きく作用する。その結果、イオン性不純物p1を効率良く枝電極61a、62aに吸着させることができる。なお、本実施形態では、枝電極61a、62aの延在方向と、TFTアレイ基板10の外形辺に対して135°としたが、枝電極61a、62aの延在方向はこれに限定されない。具体的に、枝電極61a、62aは、それらの形成位置近傍のTFTアレイ基板10の外形辺に対して直交する方向に延在していなければ、任意の角度で形成することができる。例えば、TFTアレイ基板10の長辺X軸方向に平行な辺に沿って延びるイオントラップ部60においては、枝電極61a、62aの角度がX軸から反時計回りに90°とならなければ、任意の角度としてよい。枝電極61a、62aは、上記の条件を満たすように、部位により延在方向を異ならせて形成してもよい。例えば、TFTアレイ基板10の長辺に沿った部位においてX軸から反時計回りに120°となるように形成し、短辺に沿った部位においてX軸から反時計回りに30°となるように形成してもよい。一方、液晶装置100全体で枝電極61a、62aを一方向に形成する場合には、TFTアレイ基板10の長辺及び短辺の両方に対して比較的大きな角度を成すように形成することが好ましい。したがって、本実施形態のようにX軸から反時計回りに135°とすることが最も望ましく、少なくとも135°±15°程度の範囲とすることが好ましい。また本実施形態の液晶装置100では、イオントラップ部60は、画素領域1Aで発生するイオン性不純物p2についても効率良くトラップすることができる。具体的に、液晶装置100では、TFTアレイ基板10の配向膜14表面における液晶分子の配向方向Dが、図3に示すように、X軸に対して45°の角度を成す方向に設定されている。画素領域1Aで発生するイオン性不純物p2は、配向方向Dに沿って移動しやすく、概ね配向方向Dに沿った方向に位置する画素領域1Aの角部に堆積しやすい例えば特開平4-86812号公報参照。よって、本実施形態の液晶装置100においても、画素領域1Aで発生するイオン性不純物p2は、配向方向Dに沿って画素領域1A内を移動し、周辺領域1Bへ拡散する。これに対して、枝電極61a、62aの延在方向は、図3に示すように、イオン性不純物p2の進行方向45°方向に対して直交する方向135°方向である。したがって本実施形態では、枝電極61a、62a間に形成される電界Eの方向と、イオン性不純物p2の進行方向とが一致する。これにより、イオン性不純物p2を枝電極61a、62aに引き寄せる力が作用する方向と、イオン性不純物p2の進行方向とが一致するため、イオントラップ部60上に達したイオン性不純物p2は進行方向を変化させることなく円滑に枝電極61a、62aに吸着される。なお、上記のイオン性不純物p2の吸着を円滑にする作用は、配向方向Dと枝電極61a、62aの延在方向が直交しているときに最も大きくなり、配向方向Dと枝電極61a、62aとが平行に近くなるほど、上記した作用が得られにくくなる。したがって、配向方向Dと枝電極61a、62a延在方向との角度は、少なくとも両者が交差していれば90°からずれていてもよいが、少なくとも90°±45°の範囲とすることが好ましく、90°±15°の範囲とすることがより好ましい。また、上述したように、画素領域1Aで発生するイオン性不純物p2は、一定の領域に堆積しやすい。そこで、イオン性不純物p2が堆積しやすい画素領域1Aの角部例えば図3に示した角部において、イオントラップ部60の枝電極61a、62aの間隔Wを、他の部位における間隔Wよりも狭くしてもよい。枝電極61a、62aの間隔Wを狭くすることで電界Eの強度を高めることができ、より確実にイオン性不純物p2をトラップ状態で保持することができる。これにより、イオントラップ部60においてイオン性不純物p2の濃度が高まった場合にも、画素領域1Aに拡散しにくくすることができ、画素領域1Aにシミやムラなどの不具合が生じるのを抑制することができる。電子機器次に、上記実施形態の液晶装置を適用した電子機器について説明する。図4は、電子機器の一実施の形態であるプロジェクターを示す図である。図4aは、透過型ライトバルブを用いたプロジェクターを示す図である。プロジェクター110は、観察者の前方に配置されたスクリーン111に光を照射し、スクリーン111に映像を投影する投射型表示装置である。プロジェクター110は、光源112を備えた光源部130と、ダイクロイックミラー113、114と、液晶ライトバルブ115~117液晶装置100と、投射光学系118と、クロスダイクロイックプリズム119と、リレー光学系120とを備えている。光源112は、赤色光、緑色光、及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー113は、光源112からの赤色光を透過させる一方、緑色光及び青色光を反射する。ダイクロイックミラー114は、ダイクロイックミラー113で反射された緑色光及び青色光のうち、青色光のみを透過させ、緑色光は反射する。すなわち、ダイクロイックミラー113、114は、光源112から射出された光を赤色光、緑色光、青色光に分離する色分離光学系を構成している。ダイクロイックミラー113と光源112との間には、光源から射出された光を均一化するインテグレーターレンズ121と、光源からの光を特定の直線偏光例えばs偏光に変換する偏光変換素子122と、が光源112側から順に配置されている。液晶ライトバルブ115~117には、透過型の液晶装置として構成した先の実施形態の液晶装置100が用いられている。液晶ライトバルブ115は、ダイクロイックミラー113を透過して反射ミラー123で反射した赤色光を画像信号に応じて変調し、クロスダイクロイックプリズム119に向けて射出する。液晶ライトバルブ115は、λ/2位相差板115a、第1偏光板115b、液晶パネル115c、及び第2偏光板115dを備えている。λ/2位相差板115a及び第1偏光板115bは、透過光への位相差をほとんど付与しない透明なガラス板115eに接着されている。これにより、λ/2位相差板115a及び第1偏光板115bの発熱による歪みを抑制することができる。液晶ライトバルブ116は、ダイクロイックミラー114で反射された緑色光を変調し、クロスダイクロイックプリズム119に向けて射出する。液晶ライトバルブ116は、第1偏光板116b、液晶パネル116c及び第2偏光板116dを備えている。液晶ライトバルブ117は、ダイクロイックミラー114を透過した後、リレー光学系120を経由して入射する青色光を変調し、クロスダイクロイックプリズム119に向けて射出する。液晶ライトバルブ117は、λ/2位相差板117a、第1偏光板117b、液晶パネル117c、及び第2偏光板117dを備えている。リレー光学系120は、ダイクロイックミラー114側光入射側から順に配列された、リレーレンズ124a、反射ミラー125a、リレーレンズ124b、及び反射ミラー125bを備えている。反射ミラー125bで反射された青色光が液晶ライトバルブ117に向けて射出される。クロスダイクロイックプリズム119は、2つのダイクロイック膜119a、119bをX形に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜119aは青色光を反射する一方、緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜119bは赤色光を反射する一方、緑色光を透過する膜である。クロスダイクロイックプリズム119は、液晶ライトバルブ115~117から入射する赤色光、緑色光、青色光を合成し、投射光学系118へ向けて射出する。投射光学系118は、入射した光をスクリーン111に投射する。次に、図4bは、反射型ライトバルブを用いたプロジェクターを示す図である。プロジェクター1000は、光源部890と、3つの反射型の液晶ライトバルブ100R、100G、100B液晶装置100とを備えている。光源部890は、偏光照明装置800と、偏光ビームスプリッター840と、ダイクロイックミラー842、843と、を備えている。偏光照明装置800は、システム光軸Lに沿って配置された光源810と、光源から射出された光を均一化するインテグレーターレンズ820と、光源からの光を特定の直線偏光例えばs偏光に変換する偏光変換素子830と、を有する。偏光ビームスプリッター840は、偏光照明装置800から射出されたs偏光をs偏光反射面841で反射させ、ダイクロイックミラー842に向けて射出する。ダイクロイックミラー842は、入射する光に含まれる青色光成分を選択的に反射させ、液晶ライトバルブ100Bへ向けて射出する。ダイクロイックミラー842を透過した光赤色光、緑色光は、ダイクロイックミラー843へ向けて射出される。ダイクロイックミラー843は、入射する光に含まれる赤色光成分を選択的に反射させ、液晶ライトバルブ100Rへ向けて射出する。ダイクロイックミラー843を透過した光緑色光成分は液晶ライトバルブ100Gに向けて射出される。このように、光源部890は、3つの液晶ライトバルブ100R、100G、100Bに対して、所定の色光を供給する。液晶ライトバルブ100R、100G、100Bは、入射した光を画像信号に基づいて変調するとともに反射させ、光源部890に向けて射出する。光源部890は、液晶ライトバルブ100R、100G、100Bから入射する変調された赤色光、緑色光、青色光を合成し、投射光学系850に向けて射出する。投射光学系850は、入射した光をスクリーン860に投射する。なお、図4に示したプロジェクター110、1000において、LEDLightEmittingDiode光源を用いた光源部を備えた構成としてもよい。LED光源は、白色光を射出するものでも、赤、緑、青の各色の光を射出するものでもよい。また、先の実施形態の液晶装置100は、上記したプロジェクターに限られず、種々の電子機器に用いることができる。例えば、携帯電話、情報端末、デジタルカメラ、液晶テレビ、ナビゲーション装置、テレビ電話、POS端末等に用いることができる。またこれらの電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。