ウェーハが導入される反応室と、前記反応室にプロセスガスを供給するためのガス供給機構と、前記反応室よりガスを排出するためのガス排出機構と、前記ウェーハを載置するウェーハ支持部材と、前記ウェーハを回転させるための回転駆動制御機構と、前記ウェーハ支持部材を所定の温度に加熱するための、一か所に間隙を有する環状のヒータエレメントと、このヒータエレメントの各端部に設けられる第1のヒータ電極部と第2のヒータ電極部とを有するヒータと、前記第1のヒータ電極部と前記第2のヒータ電極部とそれぞれ接続される第1の電極部品と第2の電極部品と、前記第1の電極部品が固定される第1の溝と、前記第2の電極部品が配置され、前記ヒータエレメントの円周方向において、前記第1の電極部品と前記第1の溝との第1の遊びより、前記第2の電極部品との第2の遊びが大きくなるように設けられる第2の溝とを有するベースと、を備えることを特徴とする半導体製造装置。前記第1の電極部品と前記第2の電極部品と、前記ウェーハの回転中心軸においてそれぞれ接続される第1の電極ロッドと第2の電極ロッドを有し、前記第2の電極ロッドが、前記ヒータの変形に追従して回転可能であることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。前記第1の電極ロッドが固定されることを特徴とする請求項2に記載の半導体製造装置。前記第2の電極部品の外周側端部における前記第2の遊びが、1.0~2.5mmであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体製造装置。反応室内にウェーハを導入して、ウェーハ支持部材上に載置し、前記ウェーハ支持部材の下部に設けられ、一か所が分離された環状のヒータエレメントの各端部にそれぞれ設けられたヒータ電極部に電圧印加し、前記ヒータエレメントを発熱させることにより、前記ウェーハ支持部材を所定温度で加熱するとともに、いずれかの前記ヒータ電極部を前記ヒータエレメントの変形に追従させ、前記ウェーハを回転させ、前記ウェーハ上にプロセスガスを供給することにより、前記ウェーハ上に成膜することを特徴とする半導体製造方法。一方、アウトヒータにおいては、一か所分離された環状C形状のヒータエレメントが用いられ、両端部にヒータ電極部が並んで設けられている。そのため、温度上昇に伴うヒータエレメントの変形は端部が広がる方向円周方向となる。近年、成膜プロセスの高温化に伴い、ヒータエレメントの変形量が増大している。そのため、円周方向へのヒータ電極部の追従が困難となり、ヒータエレメントが破損したり、ヒータエレメントやヒータ電極部が周辺部材に接触し、短絡するという問題が生じている。そのため、生産性が低下し、安定して良好な成膜を行うことが困難となる。そこで、本発明は、アウトヒータのヒータエレメントの円周方向への変形に、ヒータ電極部が追従し、ヒータエレメントやヒータ電極部の破損、周辺部材への接触を防ぐことが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供することを目的とするものである。本発明の一態様の半導体製造装置は、ウェーハが導入される反応室と、反応室にプロセスガスを供給するためのガス供給機構と、反応室よりガスを排出するためのガス排出機構と、ウェーハを載置するウェーハ支持部材と、ウェーハを回転させるための回転駆動制御機構と、ウェーハ支持部材を所定の温度に加熱するための、一か所に間隙を有する環状のヒータエレメントと、このヒータエレメントの各端部に設けられる第1のヒータ電極部と第2のヒータ電極部とを有するヒータと、第1のヒータ電極部と第2のヒータ電極部とそれぞれ接続される第1の電極部品と第2の電極部品と、第1の前記電極部品が固定される第1の溝と、第2の前記電極部品が配置され、ヒータエレメントの円周方向において、第1の電極部品と第1の溝との第1の遊びより、第2の電極部品との第2の遊びが大きくなるように設けられる第2の溝とを有するベースと、を備えることを特徴とする。また、本発明の一態様の半導体製造装置において、第1の電極部品と前記第2の電極部品と、前記ウェーハの回転中心軸においてそれぞれ接続される第1の電極ロッドと第2の電極ロッドを有し、前記第2の電極ロッドが、前記ヒータの変形に追従して回転可能であることが好ましい。この場合、前記第1の電極ロッドは固定されることが好ましい。また、本発明の一態様の半導体製造装置において、第2の電極部品の外周側端部における前記第2の遊びが、1.0~2.5mmであることが好ましい。本発明の半導体製造方法は、反応室内にウェーハを導入して、ウェーハ支持部材上に載置し、ウェーハ支持部材の下部に設けられ、一か所が分離された環状のヒータエレメントの各端部にそれぞれ設けられたヒータ電極部に電圧印加し、ヒータエレメントを発熱させることにより、ウェーハ支持部材を所定温度で加熱するとともに、いずれかのヒータ電極部をヒータエレメントの変形に追従させ、ウェーハを回転させ、ウェーハ上にプロセスガスを供給することにより、ウェーハ上に成膜することを特徴とする。本発明によれば、半導体製造工程において、アウトヒータのヒータエレメントの円周方向への変形に、ヒータ電極部が追従し、ヒータエレメントやヒータ電極部の破損、周辺部材への接触を防ぐことが可能となる。以下、本発明の実施形態について、図を参照して説明する。実施形態1図1に本実施形態の半導体製造装置である成膜装置の断面図を示す。図1に示すように、例えばφ150mmのGaNウェーハwが成膜処理される反応室11には、必要に応じてその内壁を覆うように石英カバー11aが設けられている。反応室11の上部には、ソースガス、キャリアガスを含むプロセスガスを供給するためのプロセスガス供給機構12と接続されたガス供給口12aが設けられている。そして、反応室11下方には、例えば2か所に、ガスを排出し、反応室11内の圧力を一定常圧に制御するためのガス排出機構13と接続されたガス排出口13aが設置されている。ガス供給口12aの下方には、供給されたプロセスガスを整流して供給するための微細貫通孔を有する整流板14が設けられている。そして、整流板14の下方には、ウェーハwを載置するための支持部材である、例えばSiCからなるサセプタ15が設けられている。サセプタ15は、回転部材であるリング16上に設置されている。リング16は、ウェーハwを所定の回転速度で回転させる回転軸を介して、モータなどから構成される回転駆動制御機構17と接続されている。リング16内部には、ウェーハwを加熱するための、例えばSiCからなるインヒータ18、アウトヒータ19から構成されるヒータが設置されており、それぞれ温度制御機構図示せずと接続されている。そして、これらインヒータ18、アウトヒータ19から下方への熱を反射し、ウェーハwを効率的に加熱するための円盤状のリフレクタ20が設置されている。インヒータ18は、ヒータエレメント18aとこれと一体成型されたヒータ電極部18bから構成されている。また、アウトヒータ19は、一か所に間隙を有する環状のヒータエレメント19aと、一体成型されたヒータ電極部19bから構成されている。各ヒータ電極部18b、19bは、不純物が添加されて導電性を有するSiCからなり、さらにSiC膜がコーティングされている。なお、ヒータ電極部18b、19bはそれぞれ2カ所に設けられる。リング16内部下方には、ヒータ電極部18b、19bとそれぞれボルト21などにより接続される電極部品であるブースバー22、23が設置されている。ブースバー22、23は、カーボンからなり、さらにSiC膜がコーティングされている。そして、ヒータシャフト24に固定され、ヒータシャフト24下方で外部電源図示せずと接続される電極ロッド25、26と、ボルト27などにより接続されている。電極ロッド25、26には、モリブデンなどの材料が用いられる。ブースバー22の下方には、溝が設けられた例えば石英製のベース28が設けられている。図2Aにアウトヒータ19の上面図を、図2Bにアウトヒータ19の側面図を、図3にベース28の上面図を、それぞれ示す。図に示すように、アウトヒータ19のヒータエレメント19bの各端部には、ヒータ電極部19b1、19b2が一体成形されており、それぞれ電極ロッド26a、26bと接続されるブースバー23a、23bと接続されている。ベース28には、ブースバー23a、23bが配置される溝28a、28bが形成されている。溝28aは、ブースバー23aの位置決め、すなわちヒータの設置基準とするために設けられ、溝内にブースバー23aが固定されている。ここで、ウェーハwをGaNの成膜温度である1700°C程度で加熱するためには、ヒータエレメント19aの温度は1800°C程度とする必要がある。このような高温において、ヒータエレメント19aは大きく変形する。このとき、ヒータエレメント19aは、間隙が開く方向円周方向に変形するため、ブースバー23bがベース28に固定されていると、ヒータ電極部19bの上部は円周方向へ動きに追従しようとするが、下部はブースバー23bに固定されているため、ヒータエレメント19aやヒータ電極部19bが破損してしまう。そのため、溝28bは、ブースバー23bの寸法より大きくなるように形成され、ブースバー23bとの間に遊びが設けられている。遊びは、予め、成膜温度におけるヒータの変形に追従してブースバー23bが動く方向、距離などを、解析することにより求められる。本実施形態のようにφ150mmウェーハwを用いてウェーハ温度:1700°Cで成膜する場合、ブースバー23bの外周側端部において、例えば1.5~2.5mmとする。さらに、図4にヒータシャフト24の下部断面図を示すように、電極ロッド26aは、ナット29aによりテフロン登録商標パイプ30に固定されるが、電極ロッド26bに肩部31を設け、ヒータ電極部19b2とベース28との間に、微小な間隙が形成されるように、ナット29bによりテフロン登録商標パイプ30に固定される。このようにして、電極ロッド26b2を回転可能とする。このような構成により、ヒータ電極部19b2、ブースバー23b、電極ロッド26bが、ヒータエレメント19aの変形に追従可能とする。このような半導体製造装置を用いて、ウェーハw上に、GaNエピタキシャル膜が形成される。先ず、搬送アーム図示せずなどにより、反応室11にウェーハwを搬入し、サセプタ15上に載置する。そして、インヒータ18、アウトヒータ19を、それぞれ温度制御機構により例えば1800°Cとすることにより、ウェーハwが例えば1650°Cとなるように加熱するとともに、回転駆動制御機構17により、ウェーハwを、例えば900rpmで回転させる。そして、プロセスガス供給制御機構12により流量が制御されて混合されたプロセスガスが、整流板14を介して、整流状態でウェーハw上に供給される。プロセスガスは、例えばソースガスとして、アンモニアNH3:トリメチルガリウムTMGaが、アルゴンガスArにより所定の濃度に希釈され、例えばそれぞれ50SLM:50SLM供給される。このとき、アウトヒータ19において、ヒータエレメント19aは、温度上昇に伴い、間隙が開く方向円周方向に変形する。そして、その変形に追従して、ヒータ電極部19bが円周方向に動き、併せてブースバー23b、電極ロッド26b2が回転する。一方、余剰となったプロセスガス、反応副生成物などからなる排出ガスは、ガス排出口13aよりガス排出機構13を介して排出され、反応室11内の圧力が一定例えば常圧に制御される。このようにして、ウェーハw上にGaNエピタキシャル膜を成長させる。本実施形態によれば、アウトヒータ19において、ヒータ電極部19b、ブースバー23b、電極ロッド26b2を、ヒータエレメント19aの温度上昇に伴う変形に追従させることができるため、ヒータエレメントやヒータ電極部の破損、周辺部材への接触を防ぐことができる。従って、生産性の低下を抑え、安定して良好な成膜を行うことが可能となる。そして、半導体ウェーハwにエピタキシャル膜などの膜を高い生産性で安定して形成することが可能となる。そして、ウェーハの歩留り向上と共に、素子形成工程及び素子分離工程を経て形成される半導体装置の歩留りの向上、素子特性の安定を図ることが可能となる。特にN型ベース領域、P型ベース領域や、絶縁分離領域などに100μm以上の厚膜成長が必要な、パワーMOSFETやIGBTなどのパワー半導体装置のエピタキシャル形成工程に適用されることにより、良好な素子特性を得ることが可能となる。本実施形態においては、GaNエピタキシャル膜形成の場合を例に挙げたが、その他、SiCなどの化合物半導体についても、同様に適用することができる。また、Siエピタキシャル膜についても、適用することができる。この場合、高いレートで厚膜形成するために、プロセスガスとして、ジクロロシランSiH2Cl2を用い、成膜温度を1000~1100°C程度とする。そのため、ヒータエレメント19aの温度は、1300~1400°C程度とする必要がある。このような場合、ブースバー23bの外周側端部における遊びは、φ150mmウェーハwで、例えば1.0~2.0mmとすることができる。また、本実施形態は、GaN、SiC以外の、例えばGaAlAsやInGaAsなど化合物半導体のエピタキシャル層や、ポリSi層や、例えばSiO2層やSi3N4層などの絶縁膜の成膜時にも適用することも可能である。その他要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。