"基板と、前記基板の上に配置される裏面電極層と、前記裏面電極層の上に配置される光吸収層と、前記光吸収層の上に配置されるウィンドウ層と、を含み、前記光吸収層に第1幅を有する第3貫通溝が形成され、前記ウィンドウ層に前記第1幅より大きい第2幅を有する第4貫通溝が形成され、前記第4貫通溝は前記第3貫通溝に対応することを特徴とする、太陽光発電装置。前記第4貫通溝の内側面は前記ウィンドウ層の上面に対して傾斜することを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。前記光吸収層は、前記ウィンドウ層と段差を形成することを特徴とする、請求項2に記載の太陽光発電装置。前記第3貫通溝の幅は40μm乃至100μmであり、前記第4貫通溝の幅は80μm乃至120μmであることを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。前記光吸収層に前記第3貫通溝に隣接する第2貫通溝が形成され、前記裏面電極層に前記第2貫通溝に隣接する第1貫通溝が形成されることを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。前記第4貫通溝は前記第3貫通溝と重畳することを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。前記光吸収層及び前記ウィンドウ層の間に配置される第1バッファ層と、前記第1バッファ層及び前記ウィンドウ層の間に介される第2バッファ層と、を含み、前記第3貫通溝は前記光吸収層及び前記第1バッファ層に形成され、前記第4貫通溝は前記ウィンドウ層及び前記第2バッファ層に形成されることを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。前記第3貫通溝の内側面は前記第4貫通溝の内側面と段差付けることを特徴とする、請求項7に記載の太陽光発電装置。裏面電極と、前記裏面電極の上に配置される光吸収部と、前記光吸収部の上に前記光吸収部と段差を形成するウィンドウと、を含むことを特徴とする、太陽光発電装置。前記ウィンドウの側面は前記裏面電極の上面に対して傾斜することを特徴とする、請求項9に記載の太陽光発電装置。前記光吸収部の側面は前記ウィンドウの側面に対して側方にさらに突出することを特徴とする、請求項9に記載の太陽光発電装置。前記光吸収部及び前記ウィンドウの間に配置されるバッファと、前記バッファ及び前記ウィンドウの間に配置される高抵抗バッファと、を含むことを特徴とする、請求項9に記載の太陽光発電装置。前記高抵抗バッファは前記バッファと段差を形成することを特徴とする、請求項12に記載の太陽光発電装置。基板の上に裏面電極層を形成するステップと、前記裏面電極層の上に光吸収層を形成するステップと、前記光吸収層の上にウィンドウ層を形成するステップと、前記ウィンドウ層の上にマスクパターンを形成するステップと、前記ウィンドウ層及び前記光吸収層をエッチングして、前記光吸収層に第1幅を有する第3貫通溝を形成し、前記ウィンドウ層に前記第1幅より大きい第2幅を有する第4貫通溝を形成するステップと、を含むことを特徴とする、太陽光発電装置の製造方法。前記マスクパターンには前記第3貫通溝に対応する露出ホールが形成されることを特徴とする、請求項14に記載の太陽光発電装置の製造方法。前記マスクパターンは、前記露出ホールに隣接し、第1厚さを有する第1マスク部と、前記第1マスク部を囲み、前記第1厚さより厚い第2厚さを有する第2マスク部と、を含むことを特徴とする、請求項15に記載の太陽光発電装置の製造方法。前記第1マスク部は前記第4貫通ホールに対応することを特徴とする、請求項14に記載の太陽光発電装置の製造方法。前記第1マスク部を除去し、前記第2マスク部の厚さを減少させるステップを含むことを特徴とする、請求項17に記載の太陽光発電装置の製造方法。本発明の目的は、短絡を防止し、向上した光-電変換効率を有する太陽光発電装置及びその製造方法を提供することにある。本発明に従う太陽光発電装置は、基板、上記基板の上に配置される裏面電極層、上記裏面電極層の上に配置される光吸収層、及び上記光吸収層の上に配置されるウィンドウ層を含み、上記光吸収層に第1幅を有する第3貫通溝が形成され、上記ウィンドウ層に上記第1幅より大きい第2幅を有する第4貫通溝が形成され、上記第4貫通溝は上記第3貫通溝に対応する。本発明に従う太陽光発電装置は、裏面電極、上記裏面電極の上に配置される光吸収部、及び上記光吸収部の上に上記光吸収部と段差を形成するウィンドウを含む。本発明に従う太陽光発電装置の製造方法は、基板の上に裏面電極層を形成するステップ、上記裏面電極層の上に光吸収層を形成するステップ、上記光吸収層の上にウィンドウ層を形成するステップ、上記ウィンドウ層の上にマスクパターンを形成するステップ、及び上記ウィンドウ層及び上記光吸収層をエッチングして、上記光吸収層に第1幅を有する第3貫通溝を形成し、上記ウィンドウ層に上記第1幅より大きい第2幅を有する第4貫通溝を形成するステップを含む。本発明に従う太陽光発電装置は、第3貫通溝及び第4貫通溝を含む。この際、第4貫通溝は相対的に大きい幅を有し、第3貫通溝は相対的に小さい幅を有する。また、第4貫通溝は相対的に低い抵抗を有するウィンドウ層を分離し、第3貫通溝は相対的に高い抵抗を有する光吸収層を分離する。これによって、第3貫通溝及び第4貫通溝は効率の良く光吸収層及びウィンドウ層を分離する。特に、第3貫通溝及び第4貫通溝は各々のセルを分離し、セル間のショートを効率の良く防止することができる。したがって、本発明に従う太陽光発電装置はセル間のショートを防止し、向上した光-電変換効率を有する。また、第3貫通溝は小さい幅を有するので、裏面電極層を少なく露出させる。また、光吸収層で発電に関与する部分を効果的に保護することができる。したがって、本発明に従う太陽光発電装置は、向上した耐久性及び信頼性を有する。本発明を説明するに当たって、各基板、層、膜、または電極などが、各基板、層、膜、または電極などの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の構成要素を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各構成要素の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各構成要素のサイズは説明のために誇張することがあり、実際に適用されるサイズを意味するものではない。図1は、本発明の実施形態に従う太陽電池パネルを示す平面図である。図2は、図1のA-A’線に沿って切断した断面を示す断面図である。図1乃至図2を参照すると、太陽電池パネルは、支持基板100、裏面電極層200、光吸収層300、バッファ層400、高抵抗バッファ層500、ウィンドウ層600、及び多数個の接続部700を含む。上記支持基板100はプレート形状を有し、上記裏面電極層200、上記光吸収層300、上記バッファ層400、上記高抵抗バッファ層500、上記ウィンドウ層600、及び上記接続部700を支持する。上記支持基板100は絶縁体でありうる。上記支持基板100は、ガラス基板、プラスチック基板、または金属基板でありうる。より詳しくは、上記支持基板100はソーダライムガラスsodalimeglass基板でありうる。上記支持基板100は透明でありうる。上記支持基板100は、リジッドまたはフレキシブルである。上記裏面電極層200は上記支持基板100の上に配置される。上記裏面電極層200は導電層である。上記裏面電極層200に使われる物質の例としては、モリブデンなどの金属が挙げられる。また、上記裏面電極層200は2つ以上の層を含むことができる。この際、各々の層は同一な金属で形成されたり、互いに異なる金属で形成される。上記裏面電極層200には第1貫通溝TH1が形成される。上記第1貫通溝TH1は、上記支持基板100の上面を露出するオープン領域である。上記第1貫通溝TH1は平面視して、第1方向に延びる形状を有することができる。上記第1貫通溝TH1の幅は約80μm乃至200μmでありうる。上記第1貫通溝TH1によって、上記裏面電極層200は多数個の裏面電極に区分される。即ち、上記第1貫通溝TH1によって、上記裏面電極が定義される。上記裏面電極は、上記第1貫通溝TH1によって互いに離隔する。上記裏面電極はストライプ形態に配置される。これとは異なり、上記裏面電極はマトリックス形態に配置される。この際、上記第1貫通溝TH1は平面視して、格子形態に形成される。上記光吸収層300は上記裏面電極層200の上に配置される。また、上記光吸収層300に含まれた物質は上記第1貫通溝TH1に詰められる。上記光吸収層300はIIIIVI族系化合物を含む。例えば、上記光吸収層300は、銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2;CIGS系結晶構造、銅-インジウム-セレナイド系、または銅-ガリウム-セレナイド系結晶構造を有することができる。上記光吸収層300のエネルギーバンドギャップbandgapは約1eV乃至1.8eVでありうる。上記バッファ層400は上記光吸収層300の上に配置される。上記バッファ層400は硫化カドミウムCdSを含み、上記バッファ層400のエネルギーバンドギャップは約2.2eV乃至2.4eVである。上記高抵抗バッファ層500は、上記バッファ層400の上に配置される。上記高抵抗バッファ層500は、不純物がドーピングされていないジンクオキサイドi-ZnOを含む。上記高抵抗バッファ層500のエネルギーバンドギャップは約3.1eV乃至3.3eVである。上記光吸収層300、上記バッファ層400、及び上記高抵抗バッファ層500には、第2貫通溝TH2が形成される。上記第2貫通溝TH2は上記光吸収層300を貫通する。また、上記第2貫通溝TH2は、上記裏面電極層200の上面を露出するオープン領域である。上記第2貫通溝TH2は、上記第1貫通溝TH1に隣接して形成される。即ち、上記第2貫通溝TH2の一部は平面視して、上記第1貫通溝TH1の傍らに形成される。上記第2貫通溝TH2は上記第1方向に延びる形状を有する。上記第2貫通溝TH2の幅は約80μm乃至約200μmでありうる。上記光吸収層300及び上記バッファ層400には第3貫通溝TH3が形成される。上記第3貫通溝TH3は、上記光吸収層300及び上記バッファ層400を貫通する。上記第3貫通溝TH3は、上記裏面電極層200の上面を露出させる。上記第3貫通溝TH3は、上記第2貫通溝TH2に各々隣接する。より詳しくは、上記第2貫通溝TH2は、各々の第1貫通溝TH1及び各々の第3貫通溝TH3の間に各々介される。上記第3貫通溝TH3は、上記第1方向に延びる形状を有する。上記第3貫通溝TH3の幅W1は約30μm乃至約100μmでありうる。上記第3貫通溝TH3の内側面は、上記光吸収層300の上面に対して傾斜したり、垂直である。また、上記光吸収層300は、上記第2貫通溝TH2及び上記第3貫通溝TH3によって、多数個の光吸収部を定義する。即ち、上記光吸収層300は、上記第2貫通溝TH2及び上記第3貫通溝TH3によって、上記光吸収部に区分される。上記バッファ層400は、上記第2貫通溝TH2及び上記第3貫通溝TH3によって、多数個のバッファとして定義される。即ち、上記バッファ層400は、上記第2貫通溝TH2及び上記第3貫通溝TH3によって、上記バッファに区分される。上記ウィンドウ層600は、上記高抵抗バッファ層500の上に配置される。上記ウィンドウ層600は透明で、導電層である。また、上記ウィンドウ層600の抵抗は上記裏面電極層200の抵抗より高い。上記ウィンドウ層600は酸化物を含む。例えば、上記ウィンドウ層600に使われる物質の例としては、アルミニウムドーピングされたジンクオキサイドAldopedzincoxide;AZO、またはガリウムドーピングされたジンクオキサイドGadopedzincoxide;GZOなどが挙げられる。上記高抵抗バッファ層500及び上記ウィンドウ層600には第4貫通溝TH4が形成される。上記第4貫通溝TH4は、上記高抵抗バッファ層500及び上記ウィンドウ層600を貫通する。上記第4貫通溝TH4は上記第2貫通溝TH2に各々隣接する位置に形成される。より詳しくは、上記第4貫通溝TH4は上記第2貫通溝TH2の傍らに配置される。即ち、平面視して、上記第4貫通溝TH4は上記第2貫通溝TH2の傍らに並べて配置される。上記第4貫通溝TH4は、上記第1方向に延びる形状を有することができる。上記第4貫通溝TH4は、上記第3貫通溝TH3に各々対応する。より詳しくは、上記第4貫通溝TH4は、上記第3貫通溝TH3に連結される。より詳しくは、上記第4貫通溝TH4は、トップ側から見た時、上記第3貫通溝TH3に各々重畳する。上記第4貫通溝TH4は、上記第3貫通溝TH3より大きい幅W4を有する。例えば、上記第4貫通溝TH4の幅W4は約80μm乃至約120μmでありうる。上記第4貫通溝TH4の内側面601は、上記ウィンドウ層600の上面に対して傾斜することができる。この際、上記ウィンドウ層600の上面に垂直な方向に対し、上記第4貫通溝TH4の内側面601は約0 ゚乃至約30 ゚の角度に傾斜することができる。上記高抵抗バッファ層500は、上記第2貫通溝TH2及び上記第4貫通溝TH4によって、多数個の高抵抗バッファとして定義される。即ち、上記高抵抗バッファ層500は、上記第2貫通溝TH2及び上記第4貫通溝TH4によって、上記高抵抗バッファに区分される。上記第4貫通溝TH4によって、上記ウィンドウ層600は多数個のウィンドウに区分される。即ち、上記ウィンドウは上記第4貫通溝TH4によって定義される。上記ウィンドウは上記裏面電極と対応する形状を有する。即ち、上記ウィンドウはストライプ形態に配置される。これとは異なり、上記ウィンドウはマトリックス形態に配置される。また、上記第3貫通溝TH3及び上記第4貫通溝TH4によって、多数個のセルC1,C2...が定義される。より詳しくは、上記第2貫通溝TH2、上記第3貫通溝TH3、及び上記第4貫通溝TH4によって、上記セルC1,C2...が定義される。即ち、上記第2貫通溝TH2、上記第3貫通溝TH3、及び上記第4貫通溝TH4によって、実施形態に従う太陽光発電装置は、上記セルC1,C2...に区分される。また、上記セルC1,C2...は、上記第1方向と交差する第2方向に互いに連結される。即ち、上記セルC1,C2...を通じて上記第2方向に電流が流れることができる。上記セルC1,C2...は各々、裏面電極、光吸収部、バッファ、高抵抗バッファ、及びウィンドウを含む。特に、上記セルC1,C2...は、上記裏面電極、上記光吸収部、上記バッファ、上記高抵抗バッファ、及び上記ウィンドウが順次に積層された構造を有する。この際、上記ウィンドウは上記光吸収部と段差を形成する。例えば、図2に示すように、第2セルC2も、裏面電極210、光吸収部310、バッファ410、高抵抗バッファ510、及びウィンドウ610を含む。上記ウィンドウ610は、上記光吸収部310の上に配置される。また、上記ウィンドウ610は、上記光吸収部310と段差を形成するように配置される。上記光吸収部310の側面311は、上記ウィンドウ610の側面611に対して側方にさらに突出する。即ち、上記光吸収部310の側面311は、上記ウィンドウ610の側面611と異なる平面に配置される。この際、上記ウィンドウ610の側面611は上記裏面電極層200の上面に対して傾斜することができる。上記光吸収部310の側面311は、上記第3貫通溝TH3の内側面でありうる。また、上記ウィンドウ610の側面611は、上記第4貫通溝TH4の内側面でありうる。また、上記高抵抗バッファ510は、上記バッファ410と段差を形成することができる。上記バッファ410は、上記光吸収部310と対応する平面形状を有することができる。また、上記高抵抗バッファ510の一外郭は上記ウィンドウ610の一外郭と一致することができる。上記接続部700は、上記第2貫通溝TH2の内側に配置される。上記接続部700は、上記ウィンドウ層600から下方に延びて、上記裏面電極層200に接続される。例えば、上記接続部700は、上記第1セルC1のウィンドウから延びて、上記第2セルC2の裏面電極に接続される。したがって、上記接続部700は互いに隣接するセルを連結する。より詳しくは、上記接続部700は、互いに隣接するセルC1,C2...に各々含まれたウィンドウと裏面電極を連結する。上記接続部700は、上記ウィンドウ層600と一体形成される。即ち、上記接続部700に使われる物質は、上記ウィンドウ層600に使われる物質と同一である。実施形態に従う太陽電池パネルは、相対的に小さい幅W1を有する上記第3貫通溝TH3、及び相対的に大きい幅W2を有する上記第4貫通溝TH4を含む。この際、上記第4貫通溝TH4は相対的に低い抵抗を有する上記ウィンドウ層600を分離し、上記第3貫通溝TH3は相対的に高い抵抗を有する上記光吸収層300を分離する。これによって、上記第3貫通溝TH3及び上記第4貫通溝TH4は、効率の良く上記光吸収層300及び上記ウィンドウ層600を分離する。特に、上記第3貫通溝TH3及び上記第4貫通溝TH4は、各々のセルC1,C2...を分離し、上記セルC1,C2...の間のショートを効率の良く防止することができる。特に、上記光吸収層300及び上記ウィンドウ層600は段差SCを形成する。即ち、上記ウィンドウ層600は上記光吸収層300の上に階段形状に積層される。上記段差SCによって、外部の異質物が上記第3貫通溝TH3に流入する現象が減少する。即ち、外部の異質物は、上記段差SCにかかることができる。したがって、実施形態に従う太陽電池パネルは、上記セルC1,C2...の間のショートを防止し、向上した光-電変換効率を有する。また、上記第3貫通溝TH3は小さい幅W1を有するので、上記裏面電極層200を少なく露出させる。また、実施形態に従う太陽電池パネルは、上記光吸収層300で、太陽光を電気エネルギーに変換させる領域以下、活性領域に対応する光吸収層300を効果的に保護することができる。即ち、上記第3貫通溝TH3は、抵抗の高い上記光吸収層300を分離するので、狭い幅W1で形成されて、上記活性領域に配置される光吸収層300及び上記裏面電極層200が効率の良く保護される。したがって、実施形態に従う太陽光発電装置は、向上した耐久性及び信頼性を有する。図3乃至図10は、本発明の実施形態に従う太陽光発電装置の製造方法を示す断面図である。本製造方法に関する説明は、前述した太陽光発電装置に対する説明を参考する。前述した太陽光発電装置に対する説明は、本製造方法に関する説明に本質的に結合できる。図3を参照すると、支持基板100の上に裏面電極層200が形成され、上記裏面電極層200はパターニングされて第1貫通溝TH1が形成される。これによって、上記支持基板100の上に多数個の裏面電極が形成される。上記裏面電極層200はレーザーによりパターニングされる。上記裏面電極層200に使われる物質の例としては、モリブデンなどが挙げられる。上記裏面電極層200は互いに異なる工程条件で2つ以上の層に形成される。上記第1貫通溝TH1は上記支持基板100の上面を露出し、約80μm乃至約200μmの幅を有することができる。また、上記支持基板100及び上記裏面電極層200の間に拡散防止膜などの追加的な層が介され、この際、上記第1貫通溝TH1は上記追加的な層の上面を露出するようになる。図4を参照すると、上記裏面電極層200の上に、光吸収層300、バッファ層400、及び高抵抗バッファ層500が形成される。上記光吸収層300は、スパッタリング工程または蒸発法等により形成される。例えば、上記光吸収層300を形成するために、銅、インジウム、ガリウム、セレニウムを同時または区分して蒸発させながら銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2;CIGS系の光吸収層300を形成する方法と、金属プリカーサ膜を形成させた後、セレン化selenization工程により形成させる方法が幅広く使われている。金属プリカーサ膜を形成させた後、セレン化することを細分化すれば、銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程により、上記裏面電極200の上に金属プリカーサ膜が形成される。以後、上記金属プリカーサ膜はセレン化selenization工程により、銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2;CIGS系の光吸収層300が形成される。これとは異なり、上記銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程及び上記セレン化工程は、同時に進行できる。これとは異なり、銅ターゲット及びインジウムターゲットのみを使用したり、銅ターゲット及びガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程及びセレン化工程により、CIS系またはCIG系光吸収層300が形成される。以後、硫化カドミウムがスパッタリング工程または溶液成長法chemicalbathdepositon;CBDなどにより蒸着され、上記バッファ層400が形成される。以後、上記バッファ層400の上にジンクオキサイドがスパッタリング工程などにより蒸着され、上記高抵抗バッファ層500が形成される。上記バッファ層400及び上記高抵抗バッファ層500は低い厚さで蒸着される。例えば、上記バッファ層400及び上記高抵抗バッファ層500の厚さは約1nm乃至約80nmである。以後、上記光吸収層300、上記バッファ層400、及び上記高抵抗バッファ層500の一部が除去されて第2貫通溝TH2が形成される。上記第2貫通溝TH2はチップなどの機械的な装置またはレーザー装置などにより形成される。例えば、約40μm乃至約180μmの幅を有するチップによって、上記光吸収層300及び上記バッファ層400はパターニングできる。この際、上記第2貫通溝TH2の幅は約100μm乃至約200μmでありうる。また、上記第2貫通溝TH2は、上記裏面電極層200の上面の一部を露出するように形成される。図5を参照すると、上記光吸収層300の上及び上記第2貫通溝TH2の内側に透明導電層600aが形成される。即ち、上記透明導電層600aは、上記高抵抗バッファ層500の上、及び上記第2貫通溝TH2の内側に透明な導電物質が蒸着されて形成される。例えば、上記透明導電層600aはアルミニウムがドーピングされたジンクオキサイドが上記高抵抗バッファ層500の上面及び上記第2貫通溝TH2の内側にスパッタリング工程により蒸着されて形成される。この際、上記第2貫通溝TH2の内側に上記透明な導電物質が詰められ、上記透明導電層600aは上記裏面電極層200に直接接触するようになる。図6を参照すると、上記透明導電層600aの上にマスクパターン800が形成される。上記マスクパターン800は、上記透明導電層600aの上面を露出する露出ホール801を含む。上記露出ホール801は上記第2貫通溝TH2に各々隣接して形成される。上記露出ホール801は第1方向に延びる形状を有する。また、上記マスクパターン800は第1マスク部810及び第2マスク部820を含む。上記第1マスク部810は、上記第1露出ホール801に隣接する。即ち、上記第1露出ホール801は、上記第1マスク部810を貫通して形成される。上記第1マスク部810は、上記第2マスク部820より薄い厚さT1を有する。上記第1マスク部810の厚さT1は約20μm乃至約40μmでありうる。上記第2マスク部820は、上記第1マスク部810より厚い厚さT2を有する。例えば、上記第2マスク部820の厚さT2は約50μm乃至約90μmでありうる。上記マスクパターン800に使われる物質の例としては、フォトレジストフィルムが挙げられる。図7を参照すると、上記マスクパターン800をエッチングマスクとして使用して、上記光吸収層300、上記バッファ層400、上記高抵抗バッファ層500、及び上記透明導電層がエッチングされる。これによって、上記光吸収層300及び上記バッファ層400に多数個の第3貫通溝TH3が形成される。上記第3貫通溝TH3は、上記露出ホール801に各々対応する。より詳しくは、上記第3貫通溝TH3は、上記露出ホール801に一致して形成される。上記第3貫通溝TH3を形成するために、湿式エッチング工程または乾式エッチング工程などが適用できる。上記第3貫通溝TH3を形成するための湿式エッチング工程には多様なエッチング液が使用できる。また、上記第3貫通溝TH3を形成するための乾式エッチング工程には多様なエッチングガスが使用できる。図8を参照すると、上記第3貫通溝TH3が形成された後、上記第1マスク部810は除去され、上記第2マスク部820の厚さは減少する。この際、上記第1マスク部810を除去するために、上記マスクパターン800にO2プラズマなどが下方に噴射される。これによって、上記第1マスク部810の全体及び上記第2マスク部820の一部が同時に除去できる。図9を参照すると、上記第1マスク部810が除去されたマスクパターン821を通じて、上記高抵抗バッファ層500及び上記ウィンドウ層600がパターニングされる。これによって、上記高抵抗バッファ層500及び上記ウィンドウ層600に第4貫通溝TH4が形成される。上記第4貫通溝TH4は、上記ウィンドウ層600及び上記高抵抗バッファ層500を選択的にエッチングするエッチング液により形成される。上記第4貫通ホールTH4は、上記第1マスク部810が除去された領域に対応して形成される。図10を参照すると、上記マスクパターン821は除去され、ショートなどを防止し、向上した信頼性及び耐久性を有する太陽電池パネルが提供される。実施形態に従う太陽電池パネルは、太陽光の入射を受けて電気エネルギーに変換させる太陽光発電装置に該当する。したがって、本実施形態は太陽電池パネルだけでなく、多様な太陽光発電装置に適用できる。"