第1の回路と、前記第1の回路と並列に接続され被測定ダイオードを有する測定回路と、前記第1の回路および前記測定回路と並列に接続され前記被測定ダイオードのカソード側の電位を所定の電位にクランプするクランプ回路と、前記第1の回路、前記測定回路および前記クランプ回路と並列に接続された第2の回路とを備え、前記第1の回路は、ソース端子とドレイン端子とを有するトランジスタと、第1の抵抗とを備え、前記トランジスタの前記ソース端子は接地され、前記トランジスタの前記ドレイン端子は前記第1の抵抗の一の端子に接続されており、前記クランプ回路は、複数の端子を有し、前記複数の端子の1つの端子は接地され、前記複数の端子の他の端子のうちの1つは前記第1の抵抗の他の端子に接続されており、前記測定回路は、第1の電源を備え、前記第1の電源の負極は接地され、前記第1の電源の正極は前記被測定ダイオードのアノードに接続され、前記被測定ダイオードのカソードは前記第1の抵抗の他の端子に接続されており、前記第2の回路は、第2の電源と、第2の抵抗とを備え、前記第2の電源の負極は接地され、前記第2の電源の正極は前記第2の抵抗の一の端子に接続され、前記第2の抵抗の他の端子は前記第1の抵抗の他の端子に接続されており、前記被測定ダイオードのカソード電位は、前記被測定ダイオードのカソード電位が所定値未満の場合に、前記クランプ回路の出力端子の電位にクランプされるダイオード装置。前記クランプ回路は、電界効果トランジスタと、第3の電源と、第3の抵抗とを備え、前記第3の電源の負極は接地され、前記第3の電源の正極は前記電界効果トランジスタのゲートに接続され、前記電界効果トランジスタのドレインは前記第3の抵抗の一の端子に接続され、前記電界効果トランジスタのソースは前記第1の抵抗の他の端子に接続され、前記第3の抵抗の他の端子は接地されている請求項1に記載のダイオード装置。前記クランプ回路は、ツェナーダイオードと、ダイオードと、第4の抵抗とを直列接続したものであり、前記ツェナーダイオードのカソードと前記ダイオードのカソードとは接続され、前記ツェナーダイオードのアノードは接地され、前記ダイオードのアノードは前記第4の抵抗の一の端子に接続され、前記第4の抵抗の他の端子は前記第1の抵抗の他の端子に接続されている請求項1に記載のダイオード装置。ダイオード装置の評価方法であって、前記ダイオード装置において、第1の回路と、被測定ダイオードを有する測定回路と、前記被測定ダイオードのカソード側の電圧を所定の値にクランプするクランプ回路と、第2の回路とが互いに並列に接続され、前記第1の回路に設けられたトランジスタをOFFにし前記被測定ダイオードに逆方向電圧を印加する工程と、前記逆方向電圧を印加する工程の後、前記トランジスタをONにし前記被測定ダイオードに順方向電圧を印加する工程と、前記トランジスタをONにした直後の前記被測定ダイオードのアノードとカソードとの間の電圧と電流を測定することにより、前記被測定ダイオードに逆方向電圧を印加した後の前記被測定ダイオードの順方向特性を評価する工程とを含み、前記被測定ダイオードのカソード電位は、前記被測定ダイオードのカソード電位が所定値未満の場合に、前記クランプ回路の出力端子の電位にクランプされるダイオード装置の評価方法。GaNのHEMT構造を用いたダイオードやトランジスタにおいては、いわゆる電流コラプスと呼ばれる現象が生じ、悪影響を及ぼす。電流コラプスとは、いったんダイオードに逆方向電圧を印加すると、順方向に電圧を印加したときの電流が、逆方向電圧を印加する前に比べ減少する現象である。電流コラプスが生じるデバイスは実用に適さないため、検査を行い、電流コラプスが大きなデバイスを除去する必要がある。ダイオードの電流コラプスの検査方法としては、いったん逆方向電圧を印加した後、順方向にスイッチした直後100ms程度の、比較的遅い時間領域での電流コラプスの評価を半導体パラメータアナライザによって行った報告例はあるが非特許文献3、インバータ等への実用上重要な20μs程度の早い時間領域での電流コラプスの評価法は報告例がない。そこで、ダイオードへの逆方向電圧の印加後順方向電圧を印加した直後の早い時間領域でダイオードの電流コラプス特性を評価することができるダイオード装置およびダイオード装置の評価方法を提供する。上記課題を解決するために、本発明の一態様に係るダイオード装置は、第1の回路と、前記第1の回路と並列に接続され被測定ダイオードを有する測定回路と、前記第1の回路および前記測定回路と並列に接続され前記被測定ダイオードのカソード側の電位を所定の電位にクランプするクランプ回路と、前記第1の回路、前記測定回路および前記クランプ回路と並列に接続された第2の回路とを備え、前記第1の回路は、ソース端子とドレイン端子とを有するトランジスタと、第1の抵抗とを備え、前記トランジスタの前記ソース端子は接地され、前記トランジスタの前記ドレイン端子は前記第1の抵抗の一の端子に接続されており、前記クランプ回路は、複数の端子を有し、前記複数の端子の1つの端子は接地され、前記複数の端子の他の端子のうちの1つは前記第1の抵抗の他の端子に接続されており、前記測定回路は、第1の電源を備え、前記第1の電源の負極は接地され、前記第1の電源の正極は前記被測定ダイオードのアノードに接続され、前記被測定ダイオードのカソードは前記第1の抵抗の他の端子に接続されており、前記第2の回路は、第2の電源と、第2の抵抗とを備え、前記第2の電源の負極は接地され、前記第2の電源の正極は前記第2の抵抗の一の端子に接続され、前記第2の抵抗の他の端子は前記第1の抵抗の他の端子に接続されており、前記被測定ダイオードのカソード電位は、前記被測定ダイオードのカソード電位が所定値未満の場合に、前記クランプ回路の出力端子の電位にクランプされるものである。この構成により、トランジスタのONおよびOFFを利用して順方向にスイッチした直後の順方向電圧とそのときの順方向電流を求めることができ、ダイオードへの逆方向電圧の印加後順方向電圧を印加した直後の早い時間領域で電流コラプス特性の評価をすることができる。本発明の一態様に係るダイオード装置は、かかる構成につき、前記クランプ回路は、電界効果トランジスタと、第3の電源と、第3の抵抗とを備え、前記第3の電源の負極は接地され、前記第3の電源の正極は前記電界効果トランジスタのゲートに接続され、前記電界効果トランジスタのドレインは前記第3の抵抗の一の端子に接続され、前記電界効果トランジスタのソースは前記第1の回路に接続され、前記第3の抵抗の他の端子は接地されていることが好ましい。本発明の一態様に係るダイオード装置は、かかる構成につき、前記クランプ回路は、ツェナーダイオードと、ダイオードと、第4の抵抗とを直列接続したものであり、前記ツェナーダイオードのカソードと前記ダイオードのカソードとは接続され、前記ツェナーダイオードのアノードは接地され、前記ダイオードのアノードは前記第4の抵抗の一の端子に接続され、前記第4の抵抗の他の端子は前記第1の抵抗の他の端子に接続されていることが好ましい。本発明の一態様に係るダイオード装置の評価方法は、ダイオード装置において、第1の回路と、被測定ダイオードを有する測定回路と、前記被測定ダイオードのカソード側の電圧を所定の値にクランプするクランプ回路と、第2の回路とが互いに並列に接続され、前記第1の回路に設けられたトランジスタをOFFにし前記被測定ダイオードに逆方向電圧を印加する工程と、前記逆方向電圧を印加する工程の後、前記トランジスタをONにし前記被測定ダイオードに順方向電圧を印加する工程と、前記トランジスタをONにした直後の前記被測定ダイオードのアノードとカソードとの間の電圧と電流を測定することにより、前記被測定ダイオードに逆方向電圧を印加した後の前記被測定ダイオードの順方向特性を評価する工程とを含み、前記被測定ダイオードのカソード電位は、前記被測定ダイオードのカソード電位が所定値未満の場合に、前記クランプ回路の出力端子の電位にクランプされるものである。この構成により、トランジスタをOFFにし、被測定ダイオードに逆方向電圧を印加した後、前記トランジスタをONにした直後の前記被測定ダイオードのアノードとカソードとの間の電圧と電流を測定することで、逆方向電圧印加後、順方向にスイッチした直後の順方向電圧とそのときの順方向電流を求めることができる。これにより、ダイオードへの逆方向電圧の印加後順方向電圧を印加した直後の早い時間領域で電流コラプス特性の評価をすることができる。本発明により、ダイオードへの逆方向電圧の印加後順方向電圧を印加した直後の早い時間領域でダイオードの電流コラプス特性を評価することができるダイオード装置およびダイオード装置の評価方法を提供する。以下、本発明に係るダイオード装置について、図面を参照して詳細に説明する。なお、本発明について、以下の実施形態および添付の図面を用いて説明を行うが、これは例示を目的としており、本発明がこれらに限定されることを意図しない。図1は、本発明の実施形態に係るダイオード装置の電気回路図である。ここで述べる電流コラプスの評価とは、測定対象のダイオードに逆方向電圧を印加した直後に順方向動作状態にしたときの順方向電流-電圧特性が、逆方向電圧を印加する前の順方向電流-電圧特性に比べ、どの程度電流量が減少するかを評価するためのものである。ダイオード装置100は、MOS型電界効果トランジスタ101のドレイン端子に第1の抵抗106抵抗RLOADが直列に接続された第1の回路と、被測定ダイオード107と直流電圧源104とが被測定ダイオード107のカソード、アノード、直流電圧源104の正極、負極の順に直列に接続された測定回路と、抵抗108と直流電圧源105とが直列に接続された第2の回路とが、互いに並列に接続される。抵抗106抵抗RLOADはなくてもよいが、過電流により直流電圧源104が破壊するのを防ぐ意味でも付加するのが望ましい。さらに、被測定ダイオード107のカソードとグラウンドとの間にはクランプ回路111が接続される。このクランプ回路111は、出力端子K2を持ち、その電位VK2が、Aカソードの電位VK1がある特定の電位VTH以上の場合にはVK2=VTH、Bカソードの電位VK1がある特定の電位VTH未満の場合にはVK2=VK1となるよう設計される。本実施形態においては、このクランプ回路111として、MOS型電界効果トランジスタ110、抵抗103、および直流電圧源102を組み合わせたクランプ回路を用いる。ここで、抵抗106は本発明の本実施形態における第1の抵抗、抵抗103は第3の抵抗、抵抗108は第2の抵抗に相当する。また、直流電圧源104は、本発明の本実施形態における第1の電源、直流電圧源105は第2の電源、直流電圧源102は第3の電源に相当する。本ダイオード装置100の電流コラプスを評価する方法を図2により説明する。図2は本実施形態に係るダイオード装置の評価手順を示すフローチャートであり、aは初期電流値の測定手順VH=0V、bは電流コラプス特性の測定手順VH>0Vを示す図である。1はじめに、図2aに示すように、直流電圧源105を電圧VH=0V、MOS型電界効果トランジスタ101をOFF状態にし、直流電圧源104に電圧VL>0Vを印加する。その後、MOS型電界効果トランジスタ101をON状態へスイッチした後ステップS10、tM秒後における順方向電流IKとカソード電圧VK1、アノード電圧VAをオシロスコープにより計測するステップS11。これにより、コラプスフリー、つまり、被測定ダイオード107に逆方向電圧を印加する前の初期値である被測定ダイオード107の順方向電圧VA-VKと順方向電流IKを得るステップS12。2次に、図2bに示すように、MOS型電界効果トランジスタ101をOFF状態にし、直流電圧源105の電圧VH>0V、直流電圧源104の電圧VL>0Vを順次印加するステップS20。ここで、VH>VLである。この状態では、被測定ダイオード107に逆方向電圧VAKR>0がかかる。当該ダイオードの逆方向動作時の抵抗をRrとすると、VAKR=VH-VLRr/RHRrとなり、被測定ダイオード107の抵抗Rrが抵抗RHに比べ十分大きければRr>>RH、被測定ダイオード107にかかる逆方向電圧はVAKR≒VH-VLとなる。したがって、被測定ダイオード107に逆方向電圧VREVを印加した直後の被測定ダイオード107の順方向特性を取得したいときは、直流電圧源105にVH≒VREVVLの電圧を出力すればよい。被測定ダイオード107にかかる正確な逆方向電圧VAKRの値は、K1点の電圧VK1とアノード電圧VAを各々オシロスコープにより測定し、VK1-VAを求めるか、電流プローブ差動プローブ109によりアノードとカソードとの間の電圧を直接測定することにより求められるステップS21。もちろん、逆方向電圧VAKRが所望の値になるように、直流電圧源105の電圧VHを制御することもできる。この状態で、あらかじめ決めた一定時間tHOLD秒だけ保持する。この一定時間tHOLDは、被測定ダイオード107において電流コラプスが生じ、測定時間が不必要に長くならないように自由に定めればよい。3さらに、MOS型電界効果トランジスタ101をOFF状態からON状態へとスイッチするステップS22。このとき、カソード電圧VK1は、MOS型電界効果トランジスタ101のON電圧程度に急激に降下し、それに伴い被測定ダイオード107が順方向状態になり、順方向電流IKが流れる。MOS型電界効果トランジスタ101をOFFからON状態へとスイッチした時刻を0として、時刻tMにおいて、カソードに接続されたクランプ回路111上のK2端子の電位VK2、アノード電圧VA、順方向電流IKをオシロスコープにより読み取るステップS23。得られたVA、VK2を用いて、時刻tMにおける被測定ダイオード107にかかる順方向電圧VAKF=VA-VKが求められるステップS24。ここで、被測定ダイオード107のカソード電圧VKを測定するにあたり、K1点での電位VK1を直接読み取るのではなく、クランプ回路111のK2点での電位VK2を用いる理由について、以下、簡単に述べる。VK1は、MOS型電界効果トランジスタ101のOFF状態においてVK1_OFF≒VHの大きな値、ON状態ではMOS型電界効果トランジスタ101のON電圧程度の小さな値VK1_ONになる。被測定ダイオード107の電流コラプスを計測するためには、この小さなVK1_ONを精度よく測定しなければならない。この測定において、オシロスコープの電圧レンジを小さくして測定したとする。その場合、被測定ダイオード107の逆方向動作時MOS型電界効果トランジスタがOFFの状態において、オシロスコープには、その電圧フルレンジを越える電圧VK1_OFFが入力される。ところが、オシロスコープにその電圧フルレンジを超える電圧が入力されると、ダイオードの順方向動作へとスイッチした際、VK1の電圧波形にオーバーシュート波形およびそれに伴うリンギングパルス波形が生じる。このオーバーシュート波形およびリンギングパルス波形の影響により、被測定ダイオード107を順方向にスイッチした直後、例えば、20μs程度の時間領域でのカソード電圧VK1は正確な値を計測できない。そこで、オーバーシュートによる影響を排除するため、オシロスコープの電圧レンジを大きくして電圧のフルレンジがVK1_OFF以上になるように設定するとする。この場合、オシロスコープのリカバリー特性によるオーバーシュート波形は生じないが、オシロスコープの分解能に律則され、VK1_ONの電圧を正確に読むことが困難である。以上の問題を回避するため、本発明者らは、被測定ダイオード107のカソードにクランプ回路111を接続し、その出力端子の電位VK2が、Aカソードの電位VK1がある特定の電位VTH以上の場合にはVK2=VTH、Bカソードの電位VK1がある特定の電位VTH未満の場合にはVK2=VK1となるように設計した。こうすることで、オシロスコープの電圧のフルレンジを、VTH以上、かつ、なるべく小さな電圧レンジを選択することにより、順方向動作時のカソード電圧を、精度よく測定できる。ここで、クランプ回路111としては、図1に示すような、MOS型電界効果トランジスタ110と抵抗103とを組み合わせたクランプ回路が適切である。このクランプ回路111では、直流電圧源102によりMOS型電界効果トランジスタ110のゲートとグラウンドとの間にMOS型電界効果トランジスタ110の閾値電圧以上の電圧VCを与えると、K2の電位VK2はおよそVCにクランプされる。したがって、カソードの電位VK1がある特定の電位VTH未満の場合には、K1端子での電圧は、VK1=VCとなる。また、抵抗103の抵抗値RCを大きくすれば、このクランプ回路111の入力インピーダンスを大きくできる。仮に、入力インピーダンスの小さいクランプ回路111を用いると、被測定ダイオード107に逆方向電圧を印加するときに、このクランプ回路111の入力インピーダンスと抵抗108抵抗RHとにより分圧された電圧が印加され、所望の電圧が印加されない。したがって、なるべくインピーダンスの高いクランプ回路111を用いることが望ましい。なお、直流電圧源102が十分高い電圧を出力できるのであれば、インピーダンスの低いクランプ回路111を用いることもできる。図3は、本実施形態に係るダイオード装置100により測定したVA、VK1、VK2、IAKの波形を示すグラフであり、aは-10μsecから50μsecまでの特性を示したグラフ、bはaにおける0μsecから20μsecまでのVK1、VK2を拡大したグラフである。詳細には、MOS型電界効果トランジスタ101をOFFにして被測定ダイオード107に逆方向電圧を10秒印加した後、MOS型電界効果トランジスタ101をONにした直後のVA、VK1、VK2、IAKの波形をオシロスコープにより測定したものである。MOS型電界効果トランジスタ101をONにしたとき、第1の回路には電流が流れ、これに伴い直流電圧源104から出力される電圧VLが変動する。そのため、図3bに示すように、VAが10μsまでにおいて安定せず、10μsより短い時間領域での測定が不可能である。また、図3bに示すように、VK1の波形を見ると、20μs程度より短い時間領域ではリンギング波打つように振動する歪み波形が観測され安定しておらず、測定精度がない。一方、VK2の波形にはリンギングが観測されておらず、20μs秒程度より短い時間領域での測定が可能である。図4は、本実施形態に係るダイオード装置100において測定した電流コラプスの測定結果を示すグラフであり、aは順方向電圧特性、bは逆方向電圧特性を示すグラフである。詳細には、図4aは逆方向電圧印加直後、順方向にしてから20μs後のダイオードの順方向電流の順方向電圧に対する関係を表したものである。逆方向電圧印加時間は10秒とした。また、図4bは順方向動作電圧が1Vのときの電流を、逆方向電圧の関数、つまり、逆方向電圧印加直後10μs秒後にダイオードに1Vかかったときの電流量Iを、逆方向電圧印加前の電流I0で規格化した値I/I0を逆方向電圧の関数としてプロットしたものである。逆方向印加電圧が大きくなるに従い、順方向動作時の電圧が増大し、電流が減少していく傾向、すなわち、電流-電圧特性の傾きが小さくなる傾向が見出された。このように、本検査方法により、ダイオードの電流コラプスを評価できる。変形例次に上記した実施形態の変形例について説明する。本変形例に係る電気回路が上記した実施形態に係るダイオード装置100と異なる点は、クランプ回路の構成である。図5は、本変形例に係るダイオード装置200の電気回路図である。図5に示すように、ダイオード装置200において、クランプ回路211は、抵抗212と、ダイオード213と、ツェナーダイオード214とで構成されている。このような構成とすることにより、クランプ回路211は、図1に示したクランプ回路111よりも入力インピーダンスの小さいクランプ回路となる。ここで、抵抗212は、本発明の本実施形態における第4の抵抗に相当する。入力インピーダンスの小さいクランプ回路211を用いると、被測定ダイオード107に逆方向電圧を印加するときに、被測定ダイオード107にはクランプ回路211の入力インピーダンスと抵抗108とにより分圧された電圧が印加される。ここで、直流電圧源105が十分高い電圧を出力できるのであれば、インピーダンスの低いクランプ回路211を用いても被測定ダイオード107に逆方向電流を流すことができる。なお、本発明に係るダイオード装置は、本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係るダイオード装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。例えば、上記した実施形態に係る電気回路のクランプ回路は、図1および図5に示した構成に限らず、その他の構成であってもよい。また、各素子の抵抗値、電圧値、電流値等は上記した数値に限らず、適宜変更してもよい。