"シリコン基板上に、該基板と同導電型の窒化ガリウム化合物半導体を主成分とする半導体層を有し、主電流が流れる活性領域の周囲が、前記窒化ガリウム化合物半導体を主成分とする半導体層上に積層されるノンドープ窒化ガリウム化合物半導体層により包囲される構成の耐圧構造を備えることを特徴とする半導体装置。前記主電流が流れる活性領域の周囲が、前記窒化ガリウム化合物半導体を主成分とする半導体層上に積層されるノンドープの窒化ガリウム化合物半導体層とドープされた窒化ガリウム化合物半導体層または窒化アルミニウムガリウム化合物半導体を主成分とする層とによって囲まれてなる耐圧構造を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。しかしながら、窒化ガリウム系化合物半導体基板においては、シリコン半導体基板と比較して、熱膨張係数が50ほど違い、また格子不整合が15程度もあってシリコン基板に比べて多いために、窒化ガリウム層をシリコン基板上に積層すると反ってしまうという問題がある。そのために、ウェハのハンドリングが困難であり、チップの場合でも、反りのためにハンダ付けが困難という問題等もある。また、窒化ガリウム半導体ではp型のドーパントにMgなどを用いているが、p型ドーパントの活性化率が非常に低いために、不純物濃度を正確に制御することが困難であり、公知のSiC半導体のような耐圧構造を設計することが困難という問題もある。本発明は、前述の問題点に鑑みてなされたものであり、ドリフト領域が主に窒化ガリウム化合物半導体層で構成された縦型の半導体装置において、電界集中を緩和して高耐圧を維持することができる耐圧構造を有する半導体装置を提供することを目的とする。特許請求の範囲の請求項1記載の発明によれば、シリコン基板上に、該基板と同導電型の窒化ガリウム化合物半導体を主成分とする半導体層を有し、主電流が流れる活性領域の周囲が、前記窒化ガリウム化合物半導体を主成分とする半導体層上に積層されるノンドープ窒化ガリウム化合物半導体層により包囲される構成の耐圧構造を備える半導体装置とすることにより、本発明の目的は達成される。特許請求の範囲の請求項2記載の発明によれば、前記主電流が流れる活性領域の周囲が、前記窒化ガリウム化合物半導体を主成分とする半導体層上に積層されるノンドープの窒化ガリウム化合物半導体層とドープされた窒化ガリウム化合物半導体層または窒化アルミニウムガリウム化合物半導体を主成分とする層とにより包囲される構成の耐圧構造を備える特許請求の範囲の請求項1に記載の半導体装置とすることが好ましい。本発明によれば、ドリフト領域が主に窒化ガリウム化合物半導体層で構成された縦型の半導体装置において、電界集中を緩和して高耐圧を維持することができる耐圧構造を有する半導体装置を提供することができる。以下、図面を参照して、この発明にかかる半導体装置の好適な実施例を詳細に説明する。なお、以下の実施例の説明および添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。図1~図3は、それぞれ本発明にかかる実施例1~実施例3のショットキーバリアダイオードを示す半導体基板の断面図である。図4と図5はそれぞれ本発明にかかる実施例4で説明するショットキーバリアダイオードの半導体基板の断面図である。図6は本発明にかかる実施例5のショットキーバリアダイオードを示す半導体基板の断面図である。図7は前記実施例3と実施例4を組み合わせた構造のショットキーバリアダイオードを示す半導体基板の断面図である。図1の断面図に示すように、たとえば、リンまたは砒素が1×1019cm-3以上の高濃度にドープされた高導電性シリコン基板1の上に積層された窒化ガリウム化合物以降、GaNまたは窒化ガリウムと略す半導体層2、3があり、そのGaN半導体層3の表面にはショットキー接触性を示す金属、たとえば、Au、Ni、Pdなどから選ばれる電極膜4が形成される。ワイヤボンディングなどを容易にするために、この電極膜4上にさらにAlやAuなどの金属膜5をかぶせてもよい。裏面側のシリコン基板1の表面には、シリコンとオーミック接触が得られる、たとえば、Al、Ti、Ni、Auなどから選ばれる金属による電極膜6が形成される。半導体装置の種類については特に限定しないが、ここでは一例としてもっとも単純な構造のショットキーバリアダイオードとする。このほか、pnダイオードやMOSFETとすることもできる。以下、説明する実施例1ではシリコン基板1は高濃度のn型であり、この上に積層されるGaN半導体層2も同様に高濃度のn型である。通常、シリコン基板1上に結晶成長したGaN半導体層には結晶欠陥が多い欠陥層が存在し、リーク電流が多く、また抵抗も高くなりやすいなどの不具合を持っている。そこで、この欠陥層近傍を高濃度、具体的にはGaN半導体層2を5×1018cm-3以上にドーピングすることにより抵抗を低くすることができる。シリコン基板1上に結晶成長したGaN半導体層2ではn型の場合、シリコンを不純物元素として用いるのが普通である。たとえば、1200V耐圧の半導体装置とするには、低抵抗のGaN半導体層2の上に積層されるGaN半導体層3の厚さ15μm、ドナー濃度1×1016cm-3程度にする必要がある。図1では、このような実施例1により得られる前記GaN半導体層2,3を備えるショトキーバリアダイオードを示した。図1においては、GaN半導体層3の上に被着される電極膜4の周囲に、表面からGaN半導体層3を貫通し、GaN半導体層2に到達し、シリコン基板1には達しない深さを有するメサ溝7-1が掘られ、さらにそのメサ溝7-1中を絶縁物8で埋め戻して充填する構造としている。この絶縁物8の熱膨張係数を適切な値にすることにより、GaN半導体層2、3とシリコン基板1との間で発生する前述の熱膨張係数差に起因する応力を緩和して、ウェハのそりを少なくすることができる。このような応力緩和を可能にするメサ溝7-1中への充填絶縁物8としては、ポリイミド樹脂、CVDまたはTEOSSiO2、SiN材料などがある。このうち、SiO2を用いれば、ウェハプロセスの初期にメサ溝構造を作成することができるために、ウェハプロセス全般にわたってウェハの反りを抑制して、製造工程を容易にすることができるので好ましい。このメサ溝構造は、ショトキーバリアダイオードの耐圧構造としても機能し、縦方向基板の厚さ方向への空乏層の広がりを容易にするものである。さらに応力緩和と耐圧維持を目的にしているため、GaN半導体層2、3の厚さ方向の80以上がメサ溝によって除去され、空乏層がメサ溝7-1の最下端に達しない設計にすれば、高耐圧を維持することが可能となる。実施例2を示す図2においては、前記応力緩和と耐圧構造を兼ねたメサ溝7-2が、前記実施例1とは異なり、GaN半導体層2、3を貫通してシリコン基板1に達する深さを有することを示したものである。この結果、実施例1では発生し易い、メサ溝7-2の深さのばらつきがショトキーバリアダイオー特性へ与える影響を最小限にすることができる。その他の構成は実施例1と同じである。実施例3を示す図3は、最終的にウェハからチップ状にデバイスを切り離すダイシング部とメサ溝7-3部分を兼ねる、すなわち、絶縁物8が充填されたメサ溝7-3の中央基板の主表面に垂直な方向から見てにダイシングラインが設けられるショトキーバリアダイオードの断面図である。その他の構成は実施例1と同じである。実施例4を示す図4は、空乏層終端部の表面に絶縁性のノンドープGaN半導体層9部分を付加することによって、電極膜4、5の周囲のGaN半導体層3表面における電界を緩和するものである。図4では基板として窒化ガリウム基板を用いた例を示したが、この実施例4においては前記図1~図3と同様にシリコン基板1と低抵抗GaN半導体層2の積層基板にGaN半導体層3とノンドープGaN半導体層9を積層させた基板としてもかまわない。付加した絶縁性のノンドープGaN半導体層9はエピタキシャル成長によって容易に形成することが可能となるだけでなく、さらに窒化ガリウム層ドリフト層3表面を保護する役割も持っている。この例では、またさらに絶縁性のノンドープGaN半導体層9をチップの周辺から一部除去した構造としているが、この実施例4の変形例である図5の断面図に示すように、スクライブラインまで絶縁性のノンドープGaN半導体層9を残していてもかまわない。絶縁性のノンドープGaN半導体層9を周辺から一部除去した前記図4の場合には、絶縁性のノンドープGaN半導体層9とドリフト層3の界面で発生しやすいリーク電流を抑制する効果があるので、好ましい。実施例5を示す図6は、図4において絶縁性のノンドープGaN半導体層9とした部分が、絶縁性のノンドープGaN半導体層9とその上に積層される導電性GaN半導体層11からなる。これは絶縁性のノンドープGaN半導体層9だけの場合に生じ易い、外来イオンに起因する耐圧低下を回避して、付着した外来イオンを不活性化して半導体内部に発生する電界に及ぼす影響を小さくして耐圧を安定化させる役割を持っている。この導電性GaN半導体層11は窒化ガリウム層にシリコンをドープしたn型窒化ガリウム層か、あるいはAlGaN層を用いてもよい。AlGaN層の場合にはHEMTデバイスに応用されるので、よく知られているように、AlGaN半導体層とノンドープ窒化ガリウム層の間にピエゾ効果によってキャリア電荷が発生し、外部電荷をシールドすることができる。この場合においても、前記図4に対する図5に対応するように、チップの最周辺まで絶縁性のノンドープGaN半導体層9と導電性GaN半導体層11を除去しない構造図示せずであってもかまわない。この場合、導電性GaN半導体層11を通して、リーク電流が発生するが、抵抗が十分に大きければそれを一定の値に制限することができるとともに、リーク電流により、導電性GaN半導体層11に均一な電界が印加されるので、前述の外来の電荷による影響を小さく抑えることが可能となるメリットがある。実施例6を示す図7は、メサ溝7-2については、シリコン基板1に達する深さのメサ溝を有する前記実施例2と同様としてメサ溝7-2形成時の深さのばらつきを抑制し、空乏層終端部の表面に絶縁性のノンドープGaN半導体層9部分を付加する点については、実施例4と同様にすることにより、電極膜4、5の周囲の電界を緩和する両耐圧構造を組み合わせてより大きな効果を得ようとするものである。さらに、同様にして、絶縁性のノンドープGaN半導体層9とドリフト層3の界面で発生するリーク電流を抑制するために、同様に実施例1~3と実施例4~5を組み合わせた耐圧構造とすることができる。"