対向離間して配設される第1及び第2の基板と、前記第1及び第2の基板の内側面に各々配設される第1及び第2の電極と、前記第1及び第2の電極間に介在し、前記第1及び第2の電極と電気的に接合される熱電素子とを含み、前記第1の基板の内側面と前記第1の電極との間、前記第2の基板の内側面と前記第2の電極との間、前記第1の基板の外側面上、及び前記第2の基板の外側面上のうちの少なくともいずれか一つに設けられる表面改善層とをさらに含む熱電モジュール。前記表面改善層は、エナメル層である請求項1に記載の熱電モジュール。前記エナメル層は、酸化コバルトまたは酸化鉛を含む第1の層と、酸化チタンまたは酸化アンチモニーを含む第2の層とから成る請求項2に記載の熱電モジュール。前記第1の層及び前記第2の層は、1:2~1:3の厚さで設けられる請求項3に記載の熱電モジュール。前記第1の基板または前記第2の基板は、セラミック基板、金属基板及び高分子基板のうちのいずれか一つである請求項1に記載の熱電モジュール。前記高分子基板は、ポリイミド、テフ口ン、エポキシ、PMMA及びPPのうちのいずれか一つから成る請求項5に記載の熱電モジュール。前記熱電素子と前記第1の電極との間または前記熱電素子と前記第2の電極との間に、サ一マルグリスがさらに介在する請求項1に記載の熱電モジュール。前記熱電素子は、前記第1及び第2の電極とソルダにより互いに接合される請求項1に記載の熱電モジュール。前記第1の基板の外側面または前記第2の基板の外側面上に設けられる前記表面改善層には、顔料をさらに含む請求項1に記載の熱電モジュール。前記表面改善層は、前記第1の基板の4つの側面または前記第2の基板の4つの側面上に設けられる請求項1に記載の熱電モジュール。第1の基板及び第2の基板を準備するステップと、前記第1の基板の内側面、該第1の基板の外側面、前記第2の基板の内側面及び該第2の基板の外側面のうち少なくともいずれか一つの面上に表面改善層を形成するステップと、前記第1の基板の内側面上に第1の電極、第1のソルダ層及び熱電素子を積層配設するステップと、前記第2の基板の内側面上に、前記熱電素子に対応する第2の電極及び第2のソルダ層を積層配設するステップと、前記第1の基板上に前記第2の基板を配設し、リフロー工程を施して前記第1及び第2のソルダ層により第1及び第2の電極と熱電素子とを互いに接合して熱電モジュールを形成するステップとを含む熱電モジュールの製造方法。前記表面改善層を形成するステップは、エナメル層を形成するステップである請求項11に記載の熱電モジュールの製造方法。前記エナメル層は、酸化コバルトまたは酸化鉛を含む第1の層と、酸化チタンまたは酸化アンチモニーを含む第2の層とを含み、前記第1の層を形成した後に前記第2の層を形成してなされる請求項12に記載の熱電モジュールの製造方法。前記エナメル層は、前記第1の基板の内側面、該第1の基板の外側面、前記第2の基板の内側面及び該第2の基板の外側面のうち少なくともいずれか一つの面を湿式または乾式で洗浄して乾燥した後、前記少なくともいずれか一つの面上に前記第1の層または前記第2の層をなす材料をスラリまたはペースト形態で塗布した後、焼成して形成される請求項13に記載の熱電モジュールの製造方法。前記焼成は、800~920°C温度で行われる請求項14に記載の熱電モジュールの製造方法。前記エナメル層は、前記第1の基板の内側面、該第1の基板の外側面、前記第2の基板の内側面及び該第2の基板の外側面のうち少なくともいずれか一つの面上に、前記第1の層または前記第2の層を物理的気相蒸着法または化学的気相蒸着法を用いて薄膜形態で形成してなされる請求項13に記載の熱電モジュールの製造方法。前記熱電素子と前記第1の電極との間、及び前記熱電素子と前記第2の電極との間に、サーマルグリスをさらに形成する請求項11に記載の熱電モジュールの製造方法。従来では、熱電モジュールを、平らな基板上に熱電素子を接合して形成したが、この際は、基板厚さの不均一またはパターンの精密度不良などにより不完全な接合が行われて、局部的な接合不良、接触抵抗の増加が生じることがある。このようなモジュールは、熱電モジュールの性能指数及び効率の低下と共に、熱衝撃、耐湿等による劣化が早くに発生し、信頼性が低下するという不都合がある。本発明は前述のように、基板厚さの不均一またはパターンの精密度不良などから引き起こされる不完全な接合による局部的な接合不良、接触抵抗の増加などの間題点に鑑みて成されたものであって、詳しくは、基板と電極パターンとの間に表面改善層を介在させて局部的な接合不良、接触抵抗の増加などの間題を解決できる熱電モジュール及びその製造方法を提供するにその目的がある。上記目的を解決するために、本発明による熱電モジュールは、対向離間して配設される第1及び第2の基板と、前記第1及び第2の基板の内側面に各々配設される第1及び第2の電極と、前記第1及び第2の電極間に介在し、該第1及び第2の電極と電気的に接合される熱電素子とを含み、前記第1の基板の内側面と第1の電極との間、第2の基板の内側面と第2の電極との間、第1の基板の外側面上、及び第2の基板の外側面上のうちの少なくともいずれか一つに設けられる表面改善層とをさらに含むことができる。ここで、前記表面改善層は、エナメル層であり、該エナメル層は、酸化コバルトまたは酸化鉛を含む第1の層と、酸化チタンまたは酸化アンチモニーを含む第2の層とから成ることができる。前記エナメル層の前記第1の層と第2の層とは、1:2~1:3の厚さで設けられることができる。前記第1の基板または前記第2の基板は、セラミック基板、金属基板及び高分子基板のうちのいずれか一つで、前記高分子基板は、ポリイミド、テフロン、エポキシ、PMMA及びPPのうちのいずれか一つから成ることができる。前記熱電素子と前記第1の電極との間、または前記熱電素子と前記第2の電極との間に、サ一マルグリスがさらに介在することができる。前記熱電素子は、前記第1及び第2の電極とソルダにより互いに接合されることができる。上記目的を解決するために、本発明の他の好適な実施形態による熱電モジュール製造方法は、第1の基板及び第2の基板を準備するステップと、前記第1の基板の内側面、該第1の基板の外側面、前記第2の基板の内側面及び該第2の基板の外側面のうち少なくともいずれか一つの面上に表面改善層を形成するステップと、前記第1の基板の内側面上に第1の電極、第1のソルダ層及び熱電素子を積層配設するステップと、前記第2の基板の内側面上に前記熱電素子に対応する第2の電極及び第2のソルダ層を積層配設するステップと、前記第1の基板上に前記第2の基板を配設し、リフロー工程を施して前記第1及び第2のソルダ層により前記第1及び第2の電極と前記熱電素子とを互いに接合して熱電モジュールを形成するステップとを含むことができる。前記表面改善層を形成するステップは、エナメル層を形成するステップであってもよい。前記エナメル層は、酸化コバルトまたは酸化鉛を含む第1の層と、酸化チタンまたは酸化アンチモニーを含む第2の層とを含み、前記第1の層を形成した後、前記第2の層を形成してなされることができる。また、前記エナメル層は、前記第1の基板の内側面、該第1の基板の外側面、前記第2の基板の内側面及び該第2の基板の外側面のうち少なくともいずれか一つの面を湿式または乾式で洗浄して乾燥した後、該少なくともいずれか一つの面上に前記第1の層または前記第2の層をなす材料をスラリまたはペースト形態で塗布した後、焼成して形成でき、該焼成は、800~920°Cの温度で行われることができる。また、前記エナメル層は、前記第1の基板の内側面、該第1の基板の外側面、前記第2の基板の内側面及び該第2の基板の外側面のうち少なくともいずれか一つの面上に、前記第1の層または前記第2の層を物理的気相蒸着法または化学的気相蒸着法を用いて薄膜形態で形成することができる。前記熱電素子と前記第1の電極との間及び前記熱電素子と前記第2の電極との間に、サーマルグリスをさらに形成することができる。本発明によれば、基板と電極パターンとの間に表面改善層を介在することによって、該基板と該電極パターンとの間の接合強度を向上させて、熱電モジュールの耐久性を向上するという効果が奏する。また、本発明によれば、外部表面に表面改善層を設けることによって、CO2、NOxなどのガス露出、高温多湿などの劣悪な外部環境にも耐食性を確保すると共に、基板と電極パターンとの間の界面が損傷されることなく維持されるという効果が奏する。また、本発明によれば、表面改善層により熱抵抗や表面強度が優秀で、高温部または低温部の熱衝撃に強いという効果が奏する。また、本発明によれば、表面改善層に自己清潔機能があって異物による工程上の難しさを解消できるという効果が奏する。以下、本発明の好適な実施の形態は図面を参考にして詳細に説明する。次に示される各実施の形態は当業者にとって本発明の思想が十分に伝達されることができるようにするために例として挙げられるものである。従って、本発明は以下示している各実施の形態に限定されることなく他の形態で具体化されることができる。そして、図面において、装置の大きさ及び厚さなどは便宜上誇張して表現されることができる。明細書全体に渡って同一の参照符号は同一の構成要素を示している。図1は、本発明の一実施形態による熱電モジュールの断面図である。図1を参照して、本発明の一実施形態による熱電モジュール100は、対向離間して配設される第1及び第2の基板112、114と、該第1及び第2の基板112、114の内側面112a、114aに各々介在する第1及び第2の電極122、124と、該第1の基板112と該第2の基板114との間に介在する熱電素子130とを含むことができる。また、熱電モジュール100は、第1の基板112の内側面112a、該第1の基板の外側面112b、第2の基板114の内側面114a及び該第2の基板114の外側面114bのうちのいずれか一つの面上に表面改善層を設けることができる。図1では、第1の基板112の内側面112a、該第1の基板の外側面112b、第2の基板114の内側面114a及び該第2の基板114の外側面115bの各々に、第1の表面改善層142、第2の表面改善層144、第3の表面改善層146及び第4の表面改善層148が形成されているが、いずれか一つの表面改善層は省略してもよい。また図1では、第1の基板112の4つの側面及び第2の基板114の4つの側面上には表面改善層が設けられていないが、必要によって第1の基板112の4つの側面及び第2の基板114の4つの側面上にも表面改善層が設けられてもよい。ここで、第1の基板112の4つの側面または第2の基板114の4つの側面は、図1で示す各基板の内側面及び外側面を除く側面を意味する。表面改善層142、144、146、148は、エナメル層であってもよい。該エナメル層は、酸化コバルトまたは酸化鉛を含む第1の層と、酸化チタンまたは酸化アンチモニーを含む第2の層とから成ることができる。該エナメル層では、第1の層がまず形成され、該第1の層上に第2の層が設けられる。ここで、エナメル層の第1の層と第2の層とは、1:2~1:3の厚さで設けられることができる。第1及び第2の基板112、114と第1及び第2の電極122、124との間に表面改善層142、146を介在することによって、該第1及び第2の基板112、114と第1及び第2の電極122、124との間の接合強度を向上させて、これらの間の界面が損傷されることなく維持されることによって、熱電モジュール100の耐久性を向上させるという効果が奏する。また、第1及び第2の基板112、114の外部表面に表面改善層144、148を設けることによって、CO2、NOxなどのガス露出、高温多湿などの劣悪な外部環境にも耐食性を確保すると共に、熱抵抗及び表面強度が優秀で高温部または低温部の熱衝撃に強いという効果が奏する。また、表面改善層142、144、146、148は自己清潔機能があって、第1及び第2の電極122、124を形成する際に、異物除去のための工程に伴う製造原価の上昇または異物による歩留まりの低下などの難しさを解消できるという効果が奏する。第1の基板112の外側面112bの表面改善層142、または第2の基板114の外側面114b上の表面改善層144には、顔料が含まれることができる。該顔料によって、表面改善層142、144は多様な色を発することができ、特にロゴまたは絵などを挿入して広告効果を期待することができる。第1及び第2の基板112、114は、熱電素子130と第1及び第2の電極122、124とを支持する役割をすることができる。さらに、熱電素子130が複数設けられる場合、第1及び第2の基板112、114は複数の熱電素子130を連結する役割を行うことができる。また、第1の基板112及び第2の基板114は外部装置と接合され、熱電素子130の熱交換によって、外部から吸熱または外部に放熱する役割をすることができる。すなわち、第1の基板112及び第2の基板114は外部装置と熱電素子130との間の熱伝達を行う役割をすることができる。これにより、熱電モジュール100の効率は、第1及び第2の基板112、114の熱伝導率による影響を受けることができる。このため、第1及び第2の基板112、114は、熱伝導率の高いセラミックから成ることができる。また、第1及び第2の基板112、114は、優秀な熱伝導率の金属から成ることができる。例えば、第1及び第2の基板112、114はアルミニウム及び銅等から成ることができる。これにより、第1及び第2の基板112、114は優秀な熱伝導率を有して、熱電効率を向上させることができる。ここで、第1の基板112と第2の基板114の内側面112a、114a、詳しくは、第1の基板112と第1の表面改善層142との間、及び第2の基板114と第3の表面改善層146との間には、金属から成る第1及び第2の基板112、114と、第1及び第2の電極122、124間を絶縁するための絶縁層図示せずを配設し、該第1及び第2の基板112、114の電気絶縁性を提供することができる。ここで、該絶縁層は、熱電モジュール100を形成する工程に耐えることができる耐久性を有する材料から成ることができる。例えば、該絶縁層は、SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、NiO及びY2O3のうちのいずれか一つによって形成されることができる。該絶縁層の厚さは、0.2μm~10μmの範囲内であってもよい。これは、該絶縁層の厚さが0.2μm未満の場合、絶縁性を確保するに難しいためである。一方、該絶縁層の厚さが10μm超の場合、第1の基板112または第2の基板114と熱電素子130との間の熱伝導率を低下させることになるためである。また、絶縁層は、第1の基板112と第2の基板114との絶縁性を確保する役割だけでなく、第1の基板112及び第2の基板114に設けられた空隙を埋める役割をさらに行うことができる。そのため、第1の基板112と第1の電極122との間、及び第2の基板114と第2の電極122との間で空隙により熱伝達が低下するのを防止することができる。また、第1及び第2の基板112、114は高分子基板であってもよい。例えば、第1及び第2の基板112、114はポリイミド、テフロン、エポキシ、PMMA、PPなどの高分子材料から成り、該高分子材料から成る熱電モジュール100を提供することができる。一方、熱電素子130はP型半導体132及びN型半導体134を含むことができる。該P型半導体132及び該N型半導体134は同じ平面上に交代で配列されることができる。ここで、第1及び第2の電極122、124は、熱電素子130を挟んで対向するように配設されることができる。ここで、一対のP型半導体132及びN型半導体134は、その下面に配設される第1の電極122により電気的に接続され、隣の他の一対のP型半導体132及びN型半導体134はその上面に配設される第2の電極124により電気的に接続されることができる。第1の電極122及び第2の電極124と熱電素子130とはソルダ150により互いに接合されていることができる。ここで、該ソルダ150はPbSnまたはCuAgSnのようにSnを含むことができる。また、第1及び第2の電極122、124はワイヤ160により外部電源部に接続され、該外部電源部に電源を供給するかまたは供給されることができる。すなわち、熱電モジュール100が発電装置の役割をする場合、電源を該外部電源部に供給し、冷却装置の役割をする場合、電源を該外部電源部から供給されることができる。また、示されていないが、熱電素子130と第1の電極122との間または熱電素子130と第2の電極122との間にサ一マルグリスthermalgreaseを介在することができる。該サーマルグリスは、各境界面で設けられた空隙を埋める役割をし、該空隙により熱伝導率が低下するのを防止することができる。図2~図5は、本発明の一実施形態による熱電モジュールの製造方法を示す断面図である。図2~図5を参照して、本発明の一実施形態による熱電モジュールの製造方法を具体的に説明することにする。図2を参照して、熱電モジュールを製造するために、まず第1の基板112を提供する。第1の基板112は、セラミックから成るセラミック基板であってもよい。また、第1の基板112は優秀な熱伝導率を有する金属材料から成る金属基板であり、該第1の基板112が金属材料から成る場合、該第1の基板112の内側面上に絶縁層図示せずを形成することができる。該絶縁層は、SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、NiO及びY2O3のうちのいずれか一つによって形成することができる。該絶縁層を形成する方法の例としては、印刷法、ALDAtomlayerdeposion法、スパッタリング法、E-beam法及びCVD法が挙げられる。その厚さは、絶縁性確保及び熱伝導率に対する影響を考慮して、0.2μm~10μmの厚さで形成することができる。また第1の基板112は高分子基板であってもよい。例えば、第1の基板112はポリイミド、テフロン、エポキシ、PMMA及びPPなどの高分子材料から成ることができる。第1の基板112の内側面112a及び外側面112b上に各々、第1の表面改善層142及び第2の表面改善層144を形成する。前述のような第1の表面改善層142及び第2の表面改善層144のうちのいずれか一つは省略可能で、必要によって両方共に省略することができる。ここで、第1及び第2の表面改善層142、144は第1の基板112の内側面112a及び外側面112bのうちの少なくともいずれか一つの面以上を湿式または乾式で洗浄して乾燥した後形成する。ここで、第1及び第2の表面改善層142、144は酸化コバルトまたは酸化鉛を含む第1の層と、酸化チタンまたは酸化アンチモニーを含む第2の層とを含むエナメル層から成ることができ、第1の層をまず形成した後、第2の層を形成してなされることができる。ここで、乾式で洗浄する工程は、プラズマ処理などから成ることができ、湿式で洗浄する工程は、超純水で洗浄したり、酸または塩基性溶液で洗浄した後超純水で洗浄して行われることができる。一方、第1の基板112がセラミック基板または金属基板の場合、第1及び第2の表面改善層142、144は第1の層または第2の層をなす材料をスラリ形態またはペースト形態で形成した後、これを塗布し、焼成して形成することができる。該焼成工程は、800~920°C温度で行われることができる。また、第1の基板112が高分子基板の場合、第1の層または第2の層をなす材料を印刷法などの液相塗布法、PECVDなどの化学的気相蒸着法またはALD法、スパッタリング法及びE-beam法などの物理的気相蒸着法を用いて順に塗布または蒸着して形成することができる。図3を参照して、続いて、第1の基板112の内側面112a、望ましくは内側面112a上に表面改善層142上に第1の電極122を形成する。該第1の電極122は、導電材料を蒸着して導電膜を形成した後、該導電膜をパターニングして形成することができる。しかし、本発明の実施形態ではこれに限定するのではなく、例えば第1の電極122はメッキ工程及び印刷工程などを通じて形成することができる。続いて、第1の電極122上に第1のソルダ層150aを形成する。該第1のソルダ層150aはPbSnまたはCuAgSnのようにSnを含む導電性ペーストを印刷して形成することができる。続いて、第1のソルダ層150a上に熱電素子130を配設する。該熱電素子130はP型半導体132及びN型半導体134を含むことができ、それらのP型半導体132及びN型半導体134を互いに交代で配設されることができる。図4を参照して、第1の基板112上に第1の表面改善層142、第2の表面改善層144、第1の電極122、第1のソルダ層150a及び熱電素子130を形成する工程とは別度に、第2の基板114を準備する。続いて、第2の基板114の内側面114a及び外側面114b上に、第1の基板112の内側面112a及び外側面112b上に第1の表面改善層142及び第2の表面改善層144を形成する方法と同様に、第3の表面改善層146及び第4の表面改善層148を形成するため、第3の表面改善層146及び第4の表面改善層148を形成する方法に対する詳細な説明は、省略する。続いて、第2の基板114の内側面114a、詳しくは、第3の表面改善層146上に第2の電極124及び第2のソルダ層150bを形成する工程を行う。ここで、第2の基板114は第1の基板112と同様にセラミックから成るセラミック基板及び高分子基板であって、優秀な熱伝導率を有する金属材料から成ることができる。第2の基板114が金属材料から成る場合、第2の基板114の内側面上に絶縁層図示せずを形成することができる。第2の基板114の内側面上に第2の電極124及び第2のソルダ層150bを順に形成する。ここで、絶縁層、第2の電極124及び第2のソルダ層150bは、図4を参照して説明した絶縁層、第1の電極122及び第1のソルダ層150aの材料と同一で、同じ形成方法によって形成することができる。図5を参照して、熱電素子130と第2の電極124とが互いに接触するように第1の基板112上に第2の基板114を配設した後、該第2の基板114または第1の基板112に一定圧力を加えながら、リフロー工程を通じて第1及び第2の電極122、124と熱電素子130とを接合することによって、熱電モジュール100を製造することができる。また、示されていないが、熱電素子130と第1の電極122との間及び熱電素子130と第2の電極124との間のうちの少なくともいずれか一つの間にサ一マルグリスをさらに形成することができる。また、示されていないが、図1に示す熱電モジュール100のように第1の電極122及び第2の電極124に各々ワイヤ160を連結する工程を行うことができる。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、前記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。