"1以上の発光デバイスに対して順方向に流れる検査用電流を供給する給電部と、前記検査用電流に応じて発光している各前記発光デバイスの輝度に係る情報を取得する測定部と、各前記発光デバイスについて、前記輝度に係る評価値が第1閾値以下となる第1条件、および前記輝度に基づいて推定される各前記発光デバイスの発光に必要な電流の下限値が第2閾値以上となる第2条件、のうちの1以上の条件が満たされる場合に、許容値を超える漏れ電流が生じ得るものと判定する判定部と、を備えることを特徴とする発光デバイス検査装置。請求項1に記載の発光デバイス検査装置であって、前記検査用電流が、漏れ電流が生じない前記発光デバイスにおいて前記測定部によって検出可能な輝度の下限値を実現するための第1電流以上の電流であり、且つ該第1電流に前記許容値を加えた第2電流よりも小さな電流であることを特徴とする発光デバイス検査装置。請求項1または請求項2に記載の発光デバイス検査装置であって、前記1以上の発光デバイスが、前記給電部に対して電気的に直列に接続されている複数の発光デバイスを含み、前記測定部が、前記検査用電流に応じて発光している前記複数の発光デバイスの輝度に係る情報を同時期に取得することを特徴とする発光デバイス検査装置。請求項1から請求項3の何れか1つの請求項に記載の発光デバイス検査装置であって、前記測定部が、前記検査用電流に応じて発光している各前記発光デバイスの発光可能領域を捉えた検査用画像を取得することで、各前記発光デバイスの輝度に係る情報を取得する撮像部を含むことを特徴とする発光デバイス検査装置。請求項4に記載の発光デバイス検査装置であって、前記輝度に係る評価値が、前記発光可能領域に係る輝度の平均値を含むことを特徴とする発光デバイス検査装置。請求項4に記載の発光デバイス検査装置であって、前記輝度に係る評価値が、前記発光可能領域において第3閾値以上の輝度を有する領域が占める割合を含むことを特徴とする発光デバイス検査装置。請求項4から請求項6の何れか1つの請求項に記載の発光デバイス検査装置であって、前記撮像部によって取得される調整用画像に基づいて、前記検査用画像において前記発光可能領域が捉えられる画像領域が占める位置を特定する特定部、を更に備え、前記調整用画像が、前記検査用電流よりも大きな調整用電流に応じて発光している各前記発光デバイスを捉えた画像であることを特徴とする発光デバイス検査装置。請求項1から請求項3の何れか1つの請求項に記載の発光デバイス検査装置であって、前記測定部が、前記検査用電流に応じて発光している各前記発光デバイスの輝度に係る情報を取得するフォトダイオードを含むことを特徴とする発光デバイス検査装置。請求項1に記載の発光デバイス検査装置であって、前記検査用電流が、第1検査用電流と第2検査用電流と第3検査用電流とを含み、前記測定部が、前記第1検査用電流に応じて発光している各前記発光デバイスの第1輝度に係る情報、前記第2検査用電流に応じて発光している各前記発光デバイスの第2輝度に係る情報、および前記第3検査用電流に応じて発光している各前記発光デバイスの第3輝度に係る情報を順次に取得し、前記下限値が、各前記発光デバイスについて、前記第1検査用電流と前記第1輝度との組、前記第2検査用電流と前記第2輝度との組、および前記第3検査用電流と前記第3輝度との組を用いた曲線近似の演算によって推定されることを特徴とする発光デバイス検査装置。給電部によって1以上の発光デバイスに対して順方向に流れる検査用電流を供給し、該検査用電流に応じて発光している各前記発光デバイスの輝度に係る情報を測定部によって取得するステップと、各前記発光デバイスについて、前記輝度に係る評価値が第1閾値以下となる第1条件、および前記輝度に基づいて推定される前記発光デバイスの発光に必要な電流の下限値が第2閾値以上となる第2条件、のうちの1以上の条件が満たされる場合に、判定部によって許容値を超える漏れ電流が生じ得るものと判定するステップと、を備えることを特徴とする発光デバイス検査方法。しかしながら、上記第1の検査技術では、微弱な電流を計測する高性能な計測装置例えば、ソースメータ等が必要である。また、上記第2の検査技術では、通常の発光時よりも低い電圧の印加によって生じる微弱な発光現象が捉えられるため、発光レベルおよび発光領域が微小となり、解像度および感度が高い測定装置例えば、エミッション顕微鏡等が必要である。従って、第1および第2の検査技術の何れの技術であっても、検査装置の複雑化と製造コストの上昇等といった問題が生じる。また、仮に複数の有機ELデバイスを同時期に並行して検査することでタクトタイムの削減を図ろうとすれば、更なる検査装置の複雑化と製造コストの上昇とを招く。なお、上記問題は、有機ELデバイスにおいてのみ生じるものではなく、発光デバイス一般に共通する。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、簡単な構成で発光デバイスの漏れ電流に関する検査が可能な技術を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、第1の態様に係る発光デバイス検査装置は、1以上の発光デバイスに対して順方向に流れる検査用電流を供給する給電部と、前記検査用電流に応じて発光している各前記発光デバイスの輝度に係る情報を取得する測定部と、各前記発光デバイスについて、前記輝度に係る評価値が第1閾値以下となる第1条件、および前記輝度に基づいて推定される各前記発光デバイスの発光に必要な電流の下限値が第2閾値以上となる第2条件、のうちの1以上の条件が満たされる場合に、許容値を超える漏れ電流が生じ得るものと判定する判定部と、を備える。第2の態様に係る発光デバイス検査装置は、第1の態様に係る発光デバイス検査装置であって、前記検査用電流が、漏れ電流が生じない前記発光デバイスにおいて前記測定部によって検出可能な輝度の下限値を実現するための第1電流以上の電流であり、且つ該第1電流に前記許容値を加えた第2電流よりも小さな電流である。第3の態様に係る発光デバイス検査装置は、第1または第2の態様に係る発光デバイス検査装置であって、前記1以上の発光デバイスが、前記給電部に対して電気的に直列に接続されている複数の発光デバイスを含み、前記測定部が、前記検査用電流に応じて発光している前記複数の発光デバイスの輝度に係る情報を同時期に取得する。第4の態様に係る発光デバイス検査装置は、第1から第3の何れか1つの態様に係る発光デバイス検査装置であって、前記測定部が、前記検査用電流に応じて発光している各前記発光デバイスの発光可能領域を捉えた検査用画像を取得することで、各前記発光デバイスの輝度に係る情報を取得する撮像部を含む。第5の態様に係る発光デバイス検査装置は、第4の態様に係る発光デバイス検査装置であって、前記輝度に係る評価値が、前記発光可能領域に係る輝度の平均値を含む。第6の態様に係る発光デバイス検査装置は、第4の態様に係る発光デバイス検査装置であって、前記輝度に係る評価値が、前記発光可能領域において第3閾値以上の輝度を有する領域が占める割合を含む。第7の態様に係る発光デバイス検査装置は、第4から第6の何れか1つの態様に係る発光デバイス検査装置であって、前記撮像部によって取得される調整用画像に基づいて、前記検査用画像において前記発光可能領域が捉えられる画像領域が占める位置を特定する特定部、を更に備え、前記調整用画像が、前記検査用電流よりも大きな調整用電流に応じて発光している各前記発光デバイスを捉えた画像である。第8の態様に係る発光デバイス検査装置は、第1から第3の何れか1つの態様に係る発光デバイス検査装置であって、前記測定部が、前記検査用電流に応じて発光している各前記発光デバイスの輝度に係る情報を取得するフォトダイオードを含む。第9の態様に係る発光デバイス検査装置は、第1の態様に係る発光デバイス検査装置であって、前記検査用電流が、第1検査用電流と第2検査用電流と第3検査用電流とを含み、前記測定部が、前記第1検査用電流に応じて発光している各前記発光デバイスの第1輝度に係る情報、前記第2検査用電流に応じて発光している各前記発光デバイスの第2輝度に係る情報、および前記第3検査用電流に応じて発光している各前記発光デバイスの第3輝度に係る情報を順次に取得し、前記下限値が、各前記発光デバイスについて、前記第1検査用電流と前記第1輝度との組、前記第2検査用電流と前記第2輝度との組、および前記第3検査用電流と前記第3輝度との組を用いた曲線近似の演算によって推定される。第10の態様に係る発光デバイス検査方法は、給電部によって1以上の発光デバイスに対して順方向に流れる検査用電流を供給し、該検査用電流に応じて発光している各前記発光デバイスの輝度に係る情報を測定部によって取得するステップと、各前記発光デバイスについて、前記輝度に係る評価値が第1閾値以下となる第1条件、および前記輝度に基づいて推定される前記発光デバイスの発光に必要な電流の下限値が第2閾値以上となる第2条件、のうちの1以上の条件が満たされる場合に、判定部によって許容値を超える漏れ電流が生じ得るものと判定するステップと、を備える。第1から第9の何れの態様に係る発光デバイス検査装置によっても、簡単な構成で発光デバイスの漏れ電流に関する検査が可能となる。第2の態様に係る発光デバイス検査装置によれば、許容値を超える漏れ電流が生じている場合には発光デバイスが発光しないため、検査の精度が高まり得る。第3の態様に係る発光デバイス検査装置によれば、検査の迅速化が図られ得る。第4から第7の何れの態様に係る発光デバイス検査装置によっても、例えば、汎用の撮像部等を用いた簡単な構成で迅速な検査が可能となる。また、例えば、複数の発光デバイスの輝度に係る情報が単一の撮像部によって取得されれば、検査の迅速化が図られ得る。第5および第6の何れの態様に係る発光デバイス検査装置によっても、1つの発光デバイス内において発光に必要な電流の下限値がばらついても、安定した検査が可能となる。第7の態様に係る発光デバイス検査装置によれば、発光デバイスの発光可能領域が捉えられる画像領域の位置が特定されることで、発光可能領域のより広い領域に係る輝度に基づいた検査が可能となる。第8の態様に係る発光デバイス検査装置によれば、更に構成の簡略化が図られ得る。第9の態様に係る発光デバイス検査装置によれば、測定部を用いて安定して検出可能な輝度を生じさせる検査用電流が用いられることで、測定部の構成の簡略化が図られ得る。第10の態様に係る発光デバイス検査方法によれば、簡単な構成で発光デバイスの漏れ電流に関する検査が可能となる。以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。なお、図面においては同様な構成および機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係等は正確に図示されたものではない。<許容値を超える漏れ電流の有無に係る検査原理>有機ELを利用した発光デバイス有機ELデバイスとも言うは、2つの電極アノード電極とカソード電極が発光層を挟む構造を有している。この有機ELデバイスについては、発光層に異物等が極力混入しないように製造される。しかし、仮に発光層に異物等が混入すれば、異物等とその周辺部分との界面近傍における電気抵抗が低下し、異物等の近傍で電流漏れ電流とも言うが相対的に流れ易くなり、発光を生じるために発光層で本来流れるべき経路に電流が相対的に流れ難くなり得る。このため、漏れ電流が生じない有機ELデバイス漏れ電流非発生デバイスとも言うと比較して、漏れ電流が生じる有機ELデバイス漏れ電流発生デバイスとも言うでは、発光層を介して両電極間に流れる電流駆動電流とも言うが、漏れ電流を補う程度に高く設定されなければ、所望の発光が生じ得ない。図1は、有機ELデバイスにおける駆動電流とこの駆動電流に応じて発光し得る領域発光可能領域とも言うの輝度発光輝度とも言うとの関係を示す図である。図1では、漏れ電流非発生デバイスにおける駆動電流と発光輝度との関係が一点鎖線の曲線CVSで示され、漏れ電流発生デバイスにおける駆動電流と発光輝度との関係が二点鎖線の曲線CVLで示されている。図1で示されるように、漏れ電流非発生デバイスは、駆動電流が電流I0を超えると発光し始める。この電流I0を理想発光開始電流とも言う。一方、漏れ電流発生デバイスは、漏れ電流を補う電流補償電流とも言うILを理想発光開始電流I0に加えた電流I0ILを駆動電流が超えると発光し始める。この電流I0ILを漏れ補償発光開始電流とも言う。ここでは、漏れ電流非発生デバイスは、理想発光開始電流I0と漏れ補償発光開始電流I0ILとの間の電流ICが駆動電流として与えられると発光する。このとき、漏れ電流非発生デバイスの発光輝度が輝度LC0となる。その一方で、漏れ電流発生デバイスは、電流ICが駆動電流として与えられても発光しない。そこで、本実施形態では、ある補償電流ILが漏れ電流の許容値とされるとともに、電流ICが検査用の電流検査用電流とも言うとされる。そして、この検査用電流ICが駆動電流とされる際に検出される有機ELデバイスの発光輝度に基づいて、許容値ILを超える漏れ電流が生じ得る有機ELデバイスであるか否かが判定される。なお、許容値ILは、例えば、有機ELデバイスに要求される発光効率の規格に基づいて決定され得る。ところで、実際に製造される漏れ電流非発生デバイスについては、デバイス間の特性のばらつきによって、理想発光開始電流I0に若干のずれが生じる。図2は、漏れ電流非発生デバイスにおいて生じるデバイス間の特性のばらつきを例示する図である。図2では、漏れ電流非発生デバイスのうち、想定される理想発光開始電流I0のばらつきの範囲における最小値I0minと最大値I0maxとが示されている。そして、理想発光開始電流I0が最小値I0minとなる漏れ電流非発生デバイスに係る駆動電流と発光輝度との関係が破線の曲線CVSminで示され、理想発光開始電流I0が最大値I0maxとなる漏れ電流非発生デバイスに係る駆動電流と発光輝度との関係が一点鎖線の曲線CVSmaxで示されている。例えば、検査用電流ICが理想発光開始電流I0の最大値I0maxを超える値に設定される場合が想定される。このとき、理想発光開始電流I0が最小値I0minとなる漏れ電流非発生デバイスが検査用電流ICに応じた発光によって発光輝度LC0を実現し、想発光開始電流I0が最大値I0maxとなる漏れ電流非発生デバイスが検査用電流ICに応じた発光によって発光輝度LC1を実現する。つまり、発光輝度LC1と発光輝度LC0との差LVが生じる。また、検査用電流ICが理想発光開始電流I0の最大値I0max以下の値に設定される場合も想定される。このとき、理想発光開始電流I0が最小値I0minとなる漏れ電流非発生デバイスは、検査用電流ICに応じて発光するが、理想発光開始電流I0が最大値I0maxとなる漏れ電流非発生デバイスは、検査用電流ICに応じて発光しない。そこで、本実施形態では、図2で示されるようなデバイス間の特性のばらつきが考慮されて、検査用電流ICが設定される。具体的には、検査用電流ICが駆動電流とされる場合に漏れ電流非発生デバイスが確実に発光し得るように、理想発光開始電流I0の最大値I0maxが代表として理想発光開始電流I0とされ、この理想発光開始電流I0と漏れ補償発光開始電流I0ILとの間の範囲内で、検査用電流ICが設定される。また、有機ELデバイスの発光輝度を検出するセンサの感度によって、検出可能な発光輝度の下限値LLLが存在する。図3は、図1に下限値LLLに係る情報を加えた図である。図3で示されるように、漏れ電流非発生デバイスにおいて発光輝度LLLが実現されるためには、発光輝度LLLに対応する電流オフセット電流とも言うI0OFFSETが理想発光開始電流I0に加えられた値I0I0OFFSETが、駆動電流として設定されれば良い。また、漏れ電流発生デバイスにおいて発光輝度LLLが実現されるためには、オフセット電流I0OFFSETが漏れ補償発光開始電流I0ILに加えられた値I0ILI0OFFSETが、駆動電流として設定されれば良い。換言すれば、第1電流としての電流I0I0OFFSETは、センサによって検出可能な発光輝度の下限値が漏れ電流非発生デバイスにおいて実現される駆動電流である。また、第2電流としての電流I0ILI0OFFSETは、センサによって検出可能な発光輝度の下限値が漏れ電流発生デバイスにおいて実現される駆動電流である。従って、検査用電流ICが、電流I0I0OFFSET以上であり、且つ電流I0ILI0OFFSET未満の電流となるように設定されることが好ましい。なお、例えば、発光層の作製工程において、発光層を形成するための有機材料等を含む溶液が塗布される際の条件により、発光層の厚み等がばらつき得る。このため、1つの有機ELデバイスにおける発光可能領域で発光輝度のムラが生じ、発光可能領域の全体が一様に発光しない場合が生じ得る。具体的には、発光可能領域において、発光している領域発光領域とも言うと発光していない領域非発光領域とも言うとが生じ得る。このような現象が生じる場合であっても、本実施形態に係る検査装置および検査方法によれば、許容値を超える漏れ電流の有無の判定が可能となり、簡単な構成で有機ELデバイスの漏れ電流に関する検査が可能となる。以下、本実施形態に係る検査装置および検査方法について、具体的に説明する。<発光デバイス検査装置の概略構成>図4は、一実施形態に係る発光デバイス検査装置1の概略的な構成を示す図である。図4で示されるように、発光デバイス検査装置1は、測定部2と情報処理部3とを備えている。ここで、測定部2と情報処理部3とについて順次に説明する。<測定部の構成>図5は、一実施形態に係る測定部2の構成を例示する図である。図5で示されるように、測定部2は、搬送系21、遮蔽用箱部22、撮像部23、およびトレイ24を備えている。搬送系21は、トレイ24が載置される部分であり、このトレイ24を所定方向ここでは、水平方向に移動させる部分である。遮蔽用箱部22は、下方に開口を有する箱状の形状を有し、可視光線を遮蔽する部分である。遮蔽用箱部22では、一端部および他端部における外壁面の最下部の近傍にそれぞれ位置する部分に対して、電力を供給する第1配線FWPおよび第2配線FWMがそれぞれ接続されている。ここで、第1配線FWPは、遮蔽用箱部22の外壁面から内壁面に至るまで遮蔽用箱部22を貫通するように設けられ、遮蔽用箱部22の内壁面側に設けられた第1接続端子CNPに対して電気的に接続されている。一方、第2配線FWMは、遮蔽用箱部22の外壁面から内壁面に至るまで遮蔽用箱部22を貫通するように設けられ、遮蔽用箱部22の内壁面側に設けられた第2接続端子CNMに対して電気的に接続されている。また、遮蔽用箱部22は、箱駆動部22MT図7参照によって上下に移動可能である。図5では、遮蔽用箱部22が最も下方まで移動した状態が示されている。この状態では、遮蔽用箱部22とトレイ24等とが密着することで遮蔽用箱部22の内部空間が密閉された状態となり、遮蔽用箱部22の外部から遮蔽用箱部22の内部空間への可視光線の浸入が遮蔽される。一方、遮蔽用箱部22が上方に移動した状態では、搬送系21によってトレイ24の搬送が可能となり、あるトレイ24を遮蔽用箱部22の直下の領域から移動させ、他のトレイ24を遮蔽用箱部22の直下の領域に移動させることが可能となる。撮像部23は、遮蔽用箱部22の上部に設けられ、遮蔽用箱部22の内部空間の撮影が可能である。この撮像部23は、例えば、画素がマトリックス状に配列されたCCD等からなる撮像センサを有し、被写体の輝度に対応する画素値の2次元的な分布を示す画像データここでは、モノクロ画像データを得るものであれば良い。以下では、画像データおよびこの画像データで示される画像を単に画像と総称する。なお、図5では、撮像部23によって撮影可能な範囲の外縁が一点鎖線で示されている。そして、遮蔽用箱部22が最も下方まで移動してトレイ24等と密着している際には、撮像部23によってトレイ24上に配置された4つの有機ELデバイスED1~ED4が発光している様子が撮像可能となる。トレイ24は、4箇所の凹み部を有し、発光可能領域が上方に向けられた4つの有機ELデバイスED1~ED4が4箇所の凹み部にそれぞれ嵌め込まれた状態で、4つの有機ELデバイスED1~ED4の搬送を可能とするものである。また、トレイ24は、トレイ24上に4つの有機ELデバイスED1~ED4が配置された状態で、4つの有機ELデバイスED1~ED4を電気的に直列に接続する導電部CL1~CL5を有している。ここでは、有機ELデバイスED1が、アノード電極に接続する正極端子1TPとカソード電極に接続する負極端子1TMとを有し、有機ELデバイスED2が、アノード電極に接続する正極端子2TPとカソード電極に接続する負極端子2TMとを有している。また、有機ELデバイスED3が、アノード電極に接続する正極端子3TPとカソード電極に接続する負極端子3TMとを有し、有機ELデバイスED4が、アノード電極に接続する正極端子4TPとカソード電極に接続する負極端子4TMとを有している。そして、導電部CL1が正極端子1TPに電気的に接続し、導電部CL2が負極端子1TMと正極端子2TPとを電気的に接続し、導電部CL3が負極端子2TMと正極端子3TPとを電気的に接続し、導電部CL4が負極端子3TMと正極端子4TPとを電気的に接続し、正極端子4TPが導電部CL5に電気的に接続する。また、遮蔽用箱部22が最も下方まで移動してトレイ24等と密着している際には、第1接続端子CNPと導電部CL1とが接触して電気的に接続され、第2接続端子CNMと導電部CL5とが接触して電気的に接続された状態となる。これにより、給電部25図7参照によって第1配線FWPと第2配線FWMとの間に所望の電流を流すことが可能となる。なお、トレイ24上に配置される各有機ELデバイスED1~ED4については、例えば、基板上にアノード電極と発光層とカソード電極とが積層されて封止膜が設けられた状態であっても良いし、更に、封止の効果が高まるように樹脂等が用いられてラミネートされた状態であっても良い。なお、各有機ELデバイスED1~ED4の劣化を防ぐ目的で、遮蔽用箱部22の内部空間に不活性ガスが導入されても良い。<情報処理部の構成>図6は、一実施形態に係る情報処理部3の構成を例示する図である。図6で示されるように、情報処理部3は、例えばパーソナルコンピュータPCで構成され、操作部31、表示部32、インターフェース部33、記憶部34、入出力部35、および制御部36を備える。操作部31は、マウスやキーボード等を含む。表示部32は、液晶ディスプレイ等を備えて構成されている。I/F部33は、通信回線を介して測定部2との間で各種信号の送受信を行う。記憶部34は、例えばハードディスク等で構成され、測定部2で得られる測定結果に係る情報を記憶する。また、記憶部34は、有機ELデバイスの検査を行う処理デバイス検査処理とも言うを実行するためのプログラムPG等が格納される。入出力部35は、例えばディスクドライブを備えて構成され、光ディスク等の記憶媒体9を受け付け、制御部36との間で各種データの授受を行う。制御部36は、プロセッサーとして働くCPU36aと、情報を一時的に記憶するメモリ36bとを有し、情報処理部3の各部を統括的に制御する。制御部36では、記憶部34内のプログラムPGが読み込まれて実行されることで、デバイス検査処理に係る各種機能および各種情報処理等が実現される。なお、記憶媒体9に記憶されているプログラムおよびデータを、入出力部35を介してメモリ36b等に格納させることも可能である。<発光デバイス検査装置の機能的な構成>図7は、一実施形態に係る発光デバイス検査装置1の機能的な構成を示すブロック図である。ここでは、制御部36の機能的な構成が、プログラムPGの実行によって実現されるものとして説明されているが、専用のハードウエアによって実現されても良い。図7で示されるように、測定部2は、搬送系21、箱駆動部22MT、撮像部23、識別情報取得部24OB、および給電部25を備えている。また、情報処理部3は、搬送制御部361、電流制御部362、撮像制御部363、領域特定部364、画像補正部365、評価値算出部366、判定部367、および結果出力部368を備えている。搬送系21は、上述したように、トレイ24が載置される部分であり、このトレイ24を水平方向に移動させることが可能である。搬送系21によるトレイ24の移動は、例えば、ベルトコンベアまたはロボットアーム等を用いた構成によって実現され得る。箱駆動部22MTは、遮蔽用箱部22を上下に移動させるものである。この箱駆動部22MTは、例えば、遮蔽用箱部22に対して連結されるシャフトを上下に移動させるシリンダー等が用いられて実現され得る。撮像部23は、給電部25から供給される所望の電流に応じて4つの有機ELデバイスED1~ED4が発光している様子を撮像する。ここで、所望の電流には、検査用電流ICと、漏れ電流発生デバイスも十分発光し得る調整用の電流調整用電流とも言うIAD図1および図3参照とが含まれる。なお、調整用電流IADは、例えば、漏れ電流非発生デバイスの発光可能領域が通常の照明としての発光輝度を生じ得る駆動電流に相当し、検査用電流ICよりもかなり大きい電流となる。そして、撮像部23は、調整用電流IADが印加されている各有機ELデバイスED1~ED4の発光可能領域を捉えた画像調整用画像とも言うを取得する。また、撮像部23は、検査用電流ICが印加されている各有機ELデバイスED1~ED4の発光可能領域を捉えた画像検査用画像とも言うを取得する。調整用画像および検査用画像は、ともに各有機ELデバイスED1~ED4の発光輝度に係る情報であり、ここでは、発光輝度に対応する画素値の2次元的な分布を示すモノクロ画像である。なお、ここでは、撮像部23の合焦状態と絞りの状態とが、トレイ24に装着された4つの有機ELデバイスED1~ED4の撮像に適した状態となっているものとする。ところで、例えば、撮像部23に単純なデジタルカメラが適用される場合、撮像部23によって取得される画像を構成する各画素の画素値は、被写体の輝度そのものの絶対値を示さず、被写体の輝度に対応する信号レベルを示す。この場合、例えば、まず、被写体の輝度に相当する多数の画素値からなる画像を直接的に取得可能なデジタルカメラ輝度測定カメラとも言うと、撮像部23に適用されたデジタルカメラとによって、同一のチャート例えば、マクベスのカラーチャートが撮像される。次に、得られる2つの画像の比較によって、撮像部23に適用されたデジタルカメラの出力各画素値と輝度との関係が求められる。そして、この関係を示す情報が、予め記憶部34に格納され、撮像制御部363等において、撮像部23で得られた画素値の2次元的な分布から被写体に係る輝度の2次元分布が適時に求められれば良い。識別情報取得部24OBは、遮蔽用箱部22の直下に存在するトレイ24の識別情報を取得する。識別情報取得部24OBとしては、例えば、トレイ24に貼り付けられているICタグから識別情報例えばトレイID等を読み出すICタグリーダ等が挙げられ、遮蔽用箱部22および搬送系21の何れか一方に設けられれば良い。ICタグの代わりにバーコードが用いられ、ICタグリーダの代わりにバーコードリーダが用いられても良い。給電部25は、第1配線FWPおよび第2配線FWMを介して、4つの有機ELデバイスED1~ED4に一定の電流を安定して供給可能な定電流源である。一定の電流には、検査用電流ICと調整用電流IADとが含まれる。なお、これらの電流IC,IADは、各有機ELデバイスED1~ED4を発光させ得る方向順方向とも言うに流れる電流である。搬送制御部361は、搬送系21を制御することで、トレイ24を移動させる。また、搬送制御部361は、トレイ24の移動と同期させて、箱駆動部22MTを制御することで、遮蔽用箱部22を上下に移動させる。電流制御部362は、給電部25を制御することで、トレイ24上に配置された4つの有機ELデバイスED1~ED4に検査用電流ICまたは調整用電流IADを供給する。撮像制御部363は、電流制御部362による給電部25の制御と同期して、撮像部23を制御することで、トレイ24上に配置された4つの有機ELデバイスED1~ED4が発光する様子をそれぞれ捉えた調整用画像および検査用画像を順次に取得する。また、撮像制御部363は、識別情報取得部24OBを制御することで、遮蔽用箱部22の直下に存在するトレイ24の識別情報ここではトレイIDを取得する。領域特定部364は、撮像部23によって取得された調整用画像に基づいて、発光可能領域が捉えられる画像領域が検査用画像を占める位置を特定する。具体的には、調整用画像のうち、撮像部23で検出可能な発光輝度の下限値LLL以上の発光輝度に対応する画素値を示す一塊の複数の画素からなる領域が、1つの有機ELデバイスの発光可能領域が捉えられる画像領域として特定される。領域特定部364では、各有機ELデバイスED1~ED4にそれぞれ対応する発光可能領域が捉えられる画像領域の位置がそれぞれ特定される。また、領域特定部364で特定される4つの画像領域は、評価値算出部366において発光輝度に係る評価値発光評価値とも言うの算出に用いられる画像領域評価エリアとも言うとなる。具体的には、例えば、撮像部23によって得られる画像が、横方向X方向に沿って伸び且つ相互に対向する2辺と縦方向Y方向に沿って伸び且つ相互に対向する2辺とによって外縁が構成される矩形の画像であるものとされる。そして、外縁がX方向に伸びる2辺とY方向に伸びる2辺とからなる矩形であって、発光輝度LLL以上の発光輝度に対応する画素値を示す一塊の多数の画素からなる領域に内接する領域矩形領域とも言うが、評価エリアとされる。なお、矩形領域は、設計上で得られる発光可能領域に対して相似の関係を有する。また、例えば、4つの評価エリアが並んでいる順番によって、4つの評価エリアが、4つの有機ELデバイスED1~ED4のうちの何れの有機ELデバイスに係る評価エリアにそれぞれ相当するのかが特定されれば良い。なお、調整用画像において4つの発光可能領域がそれぞれ捉えられると予測される画素P1~P4が予め設定され、画素P1~P4に基づいて、4つの評価エリアが、4つの有機ELデバイスED1~ED4のうちの何れの有機ELデバイスに係る評価エリアにそれぞれ相当するのかが特定されても良い。この場合、例えば、画素P1を含む評価エリアが、有機ELデバイスED1に係る評価エリアとされ、画素P2を含む評価エリアが、有機ELデバイスED2に係る評価エリアとされる。また、画素P3を含む評価エリアが、有機ELデバイスED3に係る評価エリアとされ、画素P4を含む評価エリアが、有機ELデバイスED4に係る評価エリアとされる。このようにして特定された4つの評価エリアを示す情報領域特定情報とも言うは、図8で示すような態様とされて、評価値算出部366に対して出力される。図8で示されるように、領域特定情報は、トレイIDに対して、有機ELデバイスの配置順毎に、評価エリアにおける左上の画素のXY座標と、右下の画素のXY座標とが関連付けられたものである。なお、各画像の左上の座標が原点とされる。画像補正部365は、撮像部23によって取得された検査用画像に対して、いわゆるシェーディング補正を行う。評価値算出部366は、シェーディング補正後の検査用画像に基づいて、各評価エリアについて発光輝度に係る評価値発光評価値をそれぞれ算出する。各発光評価値は、例えば、評価エリアにおける発光輝度の平均値等であれば良い。この平均値は、例えば、いわゆる算術平均の値であれば良く、幾何平均、2乗平均、および大きく外れた値を除いた上での算術平均等といった各種平均のうちの何れの平均の値であっても良い。更に、発光評価値は、評価エリアにおける発光輝度の最大値、最頻値、および中央値等といった各種代表値のうちの何れの値であっても良い。また、評価値算出部366では、算出された各有機ELデバイスに係る発光評価値が、領域特定部364から入力される領域特定情報に追記された情報発光評価情報とも言うが生成される。なお、発光評価情報のデータ例は、図9で示されるようなものとなる。図9では、有機ELデバイスED1~ED4の発光評価値がそれぞれ1.5,1.2,1.6,0.01である例が示されている。判定部367は、各有機ELデバイスを対象として、発光評価値が閾値T1以下となる条件が満たされる場合に、許容値を超える漏れ電流が生じ得るものと判定する。閾値T1は、例えば、設計上において、漏れ電流非発生デバイスにおいて実現され得る発光輝度から算出される発光評価値基準発光評価値とも言うよりも明らかに小さな値例えば、基準発光評価値の10分の1程度の値等といった1桁小さな値等であれば良い。また、検査用電流ICが、電流I0I0OFFSET以上であり且つ電流I0ILI0OFFSET未満の電流であれば、例えば、閾値T1は、0に近い値に設定されても良い。例えば、閾値T1が0.1と設定されると、発光評価情報が図9で示されるようなものであれば、4番目の有機ELデバイスED4は、発光評価値が閾値T1以下であるために許容値を超える漏れ電流が生じ得る不適格なデバイスであると判定される。一方、1~3番目の有機ELデバイスED1~ED3は、発光評価値が閾値T1を超えているために許容値を超える漏れ電流が生じ得ない適格なデバイスであると判定される。また、判定部367では、評価値算出部366から入力される発光評価情報に対して、判定結果としての適格OKおよび不適格NGである旨の情報が追記された情報判定結果情報とも言うが生成される。なお、判定結果情報のデータ例は、図10で示されるようなものとなる。図10では、1~3番目の有機ELデバイスED1~ED3には適格OKとの判定結果がそれぞれ記され、4番目の有機ELデバイスED4には不適格NGとの判定結果が記された例が示されている。そして、判定部367は、判定結果情報を、表示部32において可視的に出力させるとともに、記憶部34に記憶させる。なお、表示部32において可視的に出力される判定結果情報の態様としては、図10で示されるテーブルの態様等であれば良い。結果出力部368は、通信回線を介して、判定部367から転送されてきた判定結果情報を、発光デバイス検査装置1の外部に設置される集計サーバ500等に送信する。<発光デバイス検査装置の動作フロー>図11は、発光デバイス検査装置1の動作フローを示すフローチャートである。本動作フローは、制御部36がプログラムPGを読み込んで実行することで実現される。なお、本動作フローは、例えば、操作部31からの指示に応じて開始されて、図11のステップS1に進む。ステップS1では、搬送制御部361の制御下で、搬送系21によってトレイ24が遮蔽用箱部22の直下まで搬送されるとともに、箱駆動部22MTによって遮蔽用箱部22が下降して、遮蔽用箱部22の内部空間が密閉された状態とされる。ステップS2では、電流制御部362の制御下で、給電部25から4つの有機ELデバイスED1~ED4に対する調整用電流IADの供給が開始される。このとき、各有機ELデバイスED1~ED4が調整用電流IADに応じた発光を開始する。ステップS3では、撮像制御部363の制御下で、撮像部23によって調整用画像が取得される。ステップS4では、電流制御部362の制御下で、給電部25から4つの有機ELデバイスED1~ED4に対する調整用電流IADの供給が終了される。このとき、各有機ELデバイスED1~ED4が調整用電流IADに応じた発光を終了する。ステップS5では、領域特定部364によって、ステップS3で取得された調整用画像に基づいて、各有機ELデバイスED1~ED4の発光可能領域に対応する評価エリアの位置が特定され、各評価エリアの位置をそれぞれ示す領域特定情報が生成される。ステップS6では、電流制御部362の制御下で、給電部25から4つの有機ELデバイスED1~ED4に対する検査用電流ICの供給が開始される。このとき、各有機ELデバイスED1~ED4が検査用電流ICに応じた発光を開始する。ステップS7では、撮像制御部363の制御下で、撮像部23によって検査用画像が取得される。ステップS8では、電流制御部362の制御下で、給電部25から4つの有機ELデバイスED1~ED4に対する検査用電流ICの供給が終了される。このとき、各有機ELデバイスED1~ED4が検査用電流ICに応じた発光を終了する。ステップS9では、評価値算出部366によって、ステップS7で取得された検査用画像に基づいて、各有機ELデバイスED1~ED4に係る評価エリアについて発光評価値がそれぞれ算出される。ステップS10では、判定部367によって、ステップS9で算出された各有機ELデバイスED1~ED4に係る発光評価値に基づいて、各有機ELデバイスED1~ED4が適格であるかまたは不適格であるかが判定される。ステップS11では、判定部367によって、ステップS10で得られた判定結果を示す判定結果情報を、表示部32において可視的に出力させるとともに、記憶部34に記憶させる。また、結果出力部368によって、判定結果情報が、通信回線を介して集計サーバ500等に送信される。ステップS12では、搬送制御部361の制御下で、箱駆動部22MTによって遮蔽用箱部22が上昇するとともに、搬送系21によってトレイ24が遮蔽用箱部22の直下から搬出される。ステップS13では、制御部36によって、次のトレイ24があるか否かが判定される。ここで、次のトレイ24があれば、ステップS1に戻り、次のトレイ24がなければ、本動作フローが終了する。<一実施形態のまとめ>以上のように、一実施形態に係る発光デバイス検査装置1では、検査用電流ICに応じて発光する有機ELデバイスの発光輝度に係る情報が取得され、この発光輝度から算出される評価値に基づいて許容値を超える漏れ電流が生じ得るか否かが判定される。このため、簡単な構成によって有機ELデバイスの漏れ電流に関する検査が可能となる。また、複数の有機ELデバイスが電気的に直列に接続された状態で検査用電流ICに応じて発光する様子が撮像部23によって撮像される。このとき、複数の有機ELデバイスのうちの或る有機ELデバイスにおける漏れ電流が、他の有機ELデバイスにおける発光輝度に影響を及ばさない。その結果、複数の有機ELデバイスの検査が同時期に可能となるため、検査の迅速化が図られ得る。また、撮像部23によって、検査用電流ICに応じて発光する有機ELデバイスの発光輝度に係る情報が取得される。このため、例えば、汎用のデジタルカメラ等の簡単な構成によって迅速な検査が可能となる。また、例えば、複数の有機ELデバイスの発光輝度が単一の撮像部23によって測定されるため、簡単な構成によって迅速に検査され得る。また、検査用電流ICに応じて発光している有機ELデバイスの発光輝度から求まる発光評価値が、評価対象の領域に係る発光輝度の平均値であれば、1つの有機ELデバイス内において発光に必要な電流の下限値がばらついても、安定した検査が可能となる。また、調整用電流IADに応じて発光している有機ELデバイスを捉えた調整用画像が撮像によって取得され、この調整用画像に基づいて、各有機ELデバイスの発光可能領域が捉えられる画像領域が検査用画像を占める位置が特定される。このため、有機ELデバイスの発光可能領域のより広い領域に係る発光輝度に基づいた検査が可能となる。<変形例>なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。◎例えば、上記一実施形態では、発光評価値が、評価エリアに係る発光輝度の平均値等であったが、これに限られない。例えば、発光評価値が、発光可能領域に対応する評価エリアにおいて、閾値T2以上の発光輝度に対応する画素値を示す1以上の画素からなる画像領域が占める割合であっても良い。例えば、図12で示されるように、評価エリアが、閾値T2以上の発光輝度に係る画像領域AR1と、閾値T2未満の発光輝度に係る画像領域AR2とによって構成される場合を想定する。このとき、画像領域AR1の面積が、画像領域AR1の面積と画像領域AR2の面積との合算値で除されることで、発光評価値が導出される。このような構成によれば、1つの有機ELデバイス内において発光に必要な電流の下限値がばらついても、安定した検査が可能となる。◎また、上記一実施形態では、4つの有機ELデバイスED1~ED4が電気的に直列に接続されていたが、これに限られない。例えば、各有機ELデバイスED1~ED4に対して個別に電流が付与されても良いし、2以上の任意の個数の有機ELデバイスが電気的に直列に接続されていても良い。そして、1回の撮像で捉えられる有機ELデバイスの個数は、1以上の任意の個数であれば良い。但し、検査の迅速化が図られる観点から言えば、検査対象の1以上の有機ELデバイスが、給電部25に対して電気的に直列に接続された複数の有機ELデバイスであることが好ましい。このような態様では、検査用電流ICの供給に応じて発光する複数の有機ELデバイスの発光輝度に係る情報が同時期に並行して取得され得る。◎また、上記一実施形態では、発光輝度に係る発光評価値に基づいて、有機ELデバイスが適格または不適格であるとの判定がなされたが、これに限られない。例えば、各有機ELデバイスについて、駆動電流を徐々に上昇させていく際に発光が開始する電流発光開始電流とも言うが推定され、この発光開始電流が閾値IT以上となる条件が満たされれば、不適格であるとの判定がなされても良い。なお、発光開始電流は、次の工程,が順次に行われることで推定され得る。複数の異なる検査用の電流検査用電流が順次に供給されつつ、各検査用電流に応じて発光している有機ELデバイスの発光輝度に係る情報が撮像部23によって取得される。このとき、例えば、各有機ELデバイスについて、撮像部23で得られる発光輝度に係る2次元的な分布を示す情報から発光輝度の平均値が求められて、有機ELデバイスの発光輝度とされれば良い。複数の異なる検査用電流の値と、各検査用電流にそれぞれ対応する発光輝度の値とが用いられて、駆動電流と発光輝度との関係を示す曲線が近似的に算出される演算曲線近似の演算とも言うが行われることで、有機ELデバイスの発光開始電流が推定される。なお、別の観点から言えば、発光開始電流は、測定結果としての発光輝度に基づいて推定される有機ELデバイスの発光に必要な駆動電流の下限値に相当する。ここで、発光開始電流の推定について具体例を挙げて説明する。図13は、一変形例に係る発光デバイス検査装置1の機能的な構成を示す図である。図13で示される機能的な構成は、図7で示された一実施形態に係る発光デバイス検査装置1の機能的な構成がベースとされて、評価値算出部366が推定部369に置換されたものである。図14は、一変形例に係る発光開始電流の推定方法を説明するための図である。なお、図14では、図1と同様に、漏れ電流非発生デバイスにおける駆動電流と発光輝度との関係が一点鎖線の曲線CVSで示され、漏れ電流発生デバイスにおける駆動電流と発光輝度との関係が二点鎖線の曲線CVLで示されている。例えば、電流制御部362の制御下で、給電部25から4つの有機ELデバイスED1~ED4に対して、3つの異なる第1~第3検査用電流I1~I3が順次に印加される。このとき、撮像部23によって、第1検査用電流I1が4つの有機ELデバイスED1~ED4に印加されている状態が捉えられた画像第1検査用画像とも言うが取得される。また、撮像部23によって、第2検査用電流I2が4つの有機ELデバイスED1~ED4に印加されている状態が捉えられた画像第2検査用画像とも言うが取得される。更に、撮像部23によって、第3検査用電流I3が4つの有機ELデバイスED1~ED4に印加されている状態が捉えられた画像第3検査用画像とも言うが取得される。これにより、第1検査用電流I1に応じて発光している各有機ELデバイスED1~ED4の発光輝度第1発光輝度とも言うL1に係る情報が取得される。また、第2検査用電流I2に応じて発光している各有機ELデバイスED1~ED4の発光輝度第2発光輝度とも言うL2に係る情報が取得される。第3検査用電流I3に応じて発光している各有機ELデバイスED1~ED4の発光輝度第3発光輝度とも言うL3に係る情報が取得される。そして、推定部369により、各有機ELデバイスED1~ED4について、第1検査用電流I1と第1発光輝度L1との組、第2検査用電流I2と第2発光輝度L2との組、および第3検査用電流I3と第3発光輝度L3との組が用いられた曲線近似の演算によって、発光開始電流が推定される。より具体的には、例えば、駆動電流Iと発光輝度Lとの関係が、定数a,b,cが用いられた多項式であるL=a×I2b×Icの関係式で示されるものとする。ここで、この関係式に対し、IにI1が代入され且つLにL1が代入されて得られる第1の式と、IにI2が代入され且つLにL2が代入されて得られる第2の式と、IにI3が代入され且つLにL3が代入されて得られる第3の式とから、定数a,b,cが求められる。そして、求められた定数a,b,cが上記関係式に代入されることで、駆動電流と発光輝度との関係を示す曲線が近似的に算出され、L=0となる際の電流Iが発光開始電流として推定される。なお、ここでは、3つの異なる駆動電流にそれぞれ対応する3つの発光輝度が撮像によって求められたが、これに限られず、設計上で求まる曲線のモデル曲線モデルとも言うが予め設定され、1つの駆動電流に対する発光輝度が撮像によって求められれば、曲線モデルの平行移動によって駆動電流と発光輝度との関係を示す曲線が近似的に算出されるような態様も考えられる。但し、この態様では、検査対象としての有機ELデバイスの間で、駆動電流と発光輝度との関係を示す曲線の傾きが異なれば、検査精度が低下し得る。このため、検査精度が維持され得る観点から言えば、2つの異なる駆動電流にそれぞれ対応する2つの発光輝度が撮像によって得られ、例えば、曲線モデルの平行移動と変形とが行われる処理カーブフィッティングが実行されて、駆動電流と発光輝度との関係を示す曲線が求められる方が好ましい。更に、上述した3つの異なる駆動電流にそれぞれ対応する3つの発光輝度が撮像によって求められ、上記多項式が用いられて、駆動電流と発光輝度との関係を示す曲線が求められる方がより好ましい。本変形例に係る態様によれば、撮像部23によって安定して検出可能な発光輝度を生じさせる検査用電流が用いられ得る。このため、撮像部23の高感度化等が不要となり、撮像部23の構成の簡略化が図られ得る。◎また、上記一実施形態では、検査用電流ICが、電流I0I0OFFSET以上であり且つ電流I0ILI0OFFSET未満の範囲内で設定されたが、これに限られない。例えば、判定部367における判定の基準となる閾値T1が適宜調整されるのであれば、検査用電流ICが、電流I0ILI0OFFSET以上の値に設定されても良い。但し、検査用電流ICが、電流I0I0OFFSET以上であり且つ電流I0ILI0OFFSET未満の範囲内で設定されれば、許容値を超える漏れ電流が生じている場合は有機ELデバイスの発光が検出されない。つまり、不適格な有機ELデバイスの発光輝度が0として検出される。このため、適格な有機ELデバイスと不適格な有機ELデバイスとが明確に区別されて、検査精度の向上が図られる。従って、検査の精度が高められる観点から言えば、上記一実施形態のように、検査用電流ICが、電流I0I0OFFSET以上であり且つ電流I0ILI0OFFSET未満の範囲内で設定されることが好ましい。◎また、上記一実施形態では、撮像部23によって各有機ELデバイスED1~ED4の発光輝度に係る情報が得られたが、これに限られない。例えば、検査用電流ICに応じて発光している各有機ELデバイスED1~ED4の発光輝度に係る情報が、フォトダイオード等による検出によってそれぞれ取得されても良い。このような構成によれば、極めて単純な構成で有機ELデバイスの漏れ電流に関する検査が可能となる。図15は、本変形例に係る発光デバイス検査装置1Aを構成する測定部2Aの概略的な構成を例示する図である。フォトダイオードが採用される場合には、1つの有機ELデバイスの発光輝度が、他の有機ELデバイスの発光輝度の影響から分離されつつ取得され得るような構成が必要となる。このため、図15で示されるように、本変形例に係る測定部2Aは、上記一実施形態に係る測定部2がベースとされて、遮蔽用箱部22が、遮蔽板W1~W3が追加された遮蔽用箱部22Aに置換されるとともに、撮像部23が、フォトダイオードをそれぞれ有する4つのセンサ部231~234に置換されたものとなっている。測定部2Aでは、遮蔽用箱部22Aが下降してトレイ24に密着する場合には、センサ部231が有機ELデバイスED1の直上に位置し、センサ部232が有機ELデバイスED2の直上に位置し、センサ部233が有機ELデバイスED3の直上に位置し、センサ部234が有機ELデバイスED4の直上に位置する。この構成によれば、各有機ELデバイスED1~ED4に係る評価エリアが特定される処理が不要となり、構成および処理の簡素化に資する。図16は、本変形例に係る発光デバイス検査装置1Aの機能的な構成を示すブロック図である。本変形例に係る発光デバイス検査装置1Aは、上記一実施形態に係る発光デバイス検査装置1がベースとされて、撮像部23が4つのセンサ部231~234に置換されるとともに、電流制御部362と撮像制御部363と判定部367とが、それぞれ電流制御部362Aと検出制御部363Aと判定部367Aとに置換され、更に、領域特定部364と画像補正部365と評価値算出部366とが取り除かれたものとなっている。電流制御部362Aは、給電部25によって各有機ELデバイスED1~ED4に検査用電流ICを供給する。検出制御部363Aは、4つのセンサ部231~234による検出とその検出結果としての発光輝度に係る情報を取得する。判定部367Aは、各センサ部231~234が用いられて取得された発光輝度を発光評価値として、発光評価値が閾値T1以下となる条件が満たされる場合に、許容値を超える漏れ電流が生じ得る不適格なものと判定する。なお、4つのセンサ部231~234が、それぞれ撮像部とされる態様も考えられる。この態様では、撮像部における暗電流の影響が抑制され、検査精度の向上が図られ得る。◎また、上記一実施形態では、撮像部23が用いられて取得された発光輝度の2次元的な分布が用いられたが、これに限られない。例えば、各評価エリアにそれぞれ含まれている1点の画素に係る発光輝度が、発光評価値として使用されても良い。◎また、上記一実施形態では、検査対象が有機ELデバイスであったが、これに限られない。例えば、検査対象は、無機材料が用いられて構成されているELデバイス無機ELデバイスとも言う等といったその他の面発光デバイスであっても良い。◎なお、上記一実施形態および各種変形例をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。"