ニッケルめっき溶液のpHを調整し且つ前記ニッケルめっき溶液にニッケルを補給するための電解槽であって、aニッケルめっき浴から前記ニッケルめっき溶液を受容するための入口と、b電源の負端子に接続されている第1のブスバーに接続されている冷却されたカソードと、c前記電源の正端子に接続されている第2のブスバーに少なくとも接続されている、電流が印加されたときに冷却された前記カソード上で水素ガスを発生させることができる複数のニッケルアノードと、d前記電解槽中の前記ニッケルめっき溶液を前記ニッケルめっき浴に戻すための出口とを含むことを特徴とする電解槽。複数のニッケルアノードが、複数のニッケルアノードバスケットを含む請求項1に記載の電解槽。冷却されたカソードが、チタンを含む請求項1に記載の電解槽。電解槽中のニッケルめっき溶液が、約70°F~約150°Fの温度で維持される請求項1に記載の電解槽。電解槽中のニッケルめっき溶液が、約130°F~約140°Fの温度で維持される請求項4に記載の電解槽。カソードが、100°F未満の温度で維持される請求項1に記載の電解槽。カソードが、90°F未満の温度で維持される請求項6に記載の電解槽。冷水用の少なくとも1つの導管を含み、前記少なくとも1つの導管が、カソード内に前記冷水を循環させて前記カソードを冷却する請求項6に記載の電解槽。約150asf超の電流密度が、カソードに印加される請求項1に記載の電解槽。約250asf超の電流密度が、カソードに印加される請求項9に記載の電解槽。ニッケルめっき溶液のpH及びニッケル含量を調整する方法であって、a前記ニッケルめっき溶液の一部をニッケルめっき浴から電解槽に分ける工程であって、前記電解槽が、冷却されたカソードと、電流が印加されたときに冷却された前記カソード上で水素ガスを発生させることができる複数のニッケルアノードとを含む工程と、b前記電解槽中の前記ニッケルめっき溶液のpHを上昇させる間、前記ニッケルアノード及び冷却された前記カソードに電流を印加する工程であって、前記電解槽が、ニッケルアノードの溶解によってニッケルを補給する工程と、c前記電解槽中の前記ニッケルめっき溶液を前記ニッケルめっき浴に戻す工程とを含むことを特徴とする方法。電解槽中のニッケルめっき溶液が、約70°F~約150°Fの温度で維持される請求項11に記載の方法。電解槽中のニッケルめっき溶液が、約130°F~約140°Fの温度で維持される請求項12に記載の方法。カソードが、100°F未満の温度で維持される請求項11に記載の方法。カソードが、90°F未満の温度で維持される請求項14に記載の方法。カソードが、前記カソード内部に冷水を循環させることによって冷却される請求項14に記載の方法。冷水が、約100°F未満の温度である請求項16に記載の方法。約150asf超の電流密度が、カソードに印加される請求項11に記載の方法。約250asf超の電流密度が、カソードに印加される請求項18に記載の方法。電解槽中のニッケルめっきにおけるカソード効率が、5未満である請求項11に記載の方法。電解槽が、約95~約100の効率でニッケルを溶解させる請求項11に記載の方法。ニッケルめっき溶液が、半光沢ニッケルめっき溶液又は光沢ニッケルめっき溶液を含む請求項11に記載の方法。ニッケルめっき溶液が、スルファミン酸ニッケルめっき溶液を含む請求項22に記載の方法。本発明の目的は、ニッケルめっき浴のpHを調整するための改善された手段を提供することにある。本発明の別の目的は、ニッケルめっき浴にニッケルを補給する改善された手段を提供することにある。本発明の更に別の目的は、ニッケルめっき溶液のpHを調整し且つ前記溶液にニッケルを補給するための電解槽を提供することにある。本発明の更に別の目的は、金属塩の添加を必要としないニッケルめっき浴の補給方法を提供することにある。この目的のために、好ましい実施形態では、本発明は、一般的に、ニッケルめっき溶液のpHを調整し且つ前記ニッケルめっき溶液にニッケルを補給するための電解槽であって、aニッケルめっき浴からニッケルめっき溶液を受容するための入口と、b冷却されたカソードと、c電流が印加されたときに冷却された前記カソード上で水素ガスを発生させることができる複数のニッケルアノードと、d前記電解槽中のニッケルめっき溶液を前記ニッケルめっき浴に戻すための出口とを含む電解槽に関する。別の好ましい実施形態では、本発明は、一般的に、ニッケルめっき溶液のpH及びニッケル含量を調整する方法であって、a前記ニッケルめっき溶液の一部をニッケルめっき浴から電解槽に分ける工程であって、前記電解槽が、冷却されたカソードと、電流が印加されたときに冷却された前記カソード上で水素ガスを発生させることができる複数のニッケルアノードとを含む工程と、b前記ニッケルめっき溶液のpHを上昇させる間、前記ニッケルアノード及び冷却された前記カソードに電流を印加する工程であって、前記電解槽が、前記ニッケルアノードの溶解によってニッケルを補給する工程と、c前記電解槽中の前記ニッケルめっき溶液を前記ニッケルめっき浴に戻す工程とを含む方法に関する。本発明をより深く理解するために、添付図面と併せて以下の記載を参照しなければならない。本発明は、一般的に、ニッケルアノードと、銅電気接続と、整流器と、冷却されたカソードとを含み、ニッケルアノードの溶解によってニッケル浴のpHを上昇させ且つ前記ニッケル浴にニッケルを補給する機能を有する電解槽に関する。1つの実施形態では、本発明は、一般的に、ニッケルめっき溶液のpHを調整し且つ前記溶液にニッケルを補給するための電解槽10であって、aニッケル浴から前記ニッケルめっき溶液を受容するための入口12と、b電源40の負端子に接続されている第1のブスバー44に接続されている冷却されたカソード14と、c前記電源40の正端子に接続されている第2のブスバー42に少なくとも接続されている、電流が印加されたときに冷却されたカソード14上で水素ガスを発生させることができる複数のニッケルアノード16と、d前記電解槽10中の前記ニッケルめっき溶液を前記ニッケルめっき浴に戻すための出口18とを含む電解槽10に関する。上述の通り、各ニッケルアノード16は、電源40の正端子に接続されている第2のブスバー42に少なくとも接続されている。更に、少なくとも1つのカソード14は、電源40の負端子に接続されている第1のブスバー44に接続されている。また、電源40は、交流を直流に変換するための整流器を含み、正に帯電しているニッケルアノード16と負に帯電しているカソード14との間の直流の流れによって、ニッケルアノード16を溶解させる。電解槽10は、典型的に、約70°F~約150°F、より好ましくは約130°F~約140°Fの温度で維持される。複数のニッケルアノード16は、好ましくは、ニッケルめっき溶液が電解槽10中を自由に流動することができるように、複数のニッケルアノードバスケットを含む。少なくとも1つのカソード14は、典型的に、約100°F未満、より好ましくは約90°F未満の温度で維持され、好ましくは、チタン、ステンレススチール、又はスチールで作製される。好ましい実施形態では、少なくとも1つのカソード14は、カソード14によって形成される空洞内部に冷水を循環させて、カソード14を冷却するために冷水を含有する少なくとも1つの導管30を提供することによって冷却される。また、カソード14は、水冷されたブスバー44にカソードを接続することによって冷却してもよく、この場合、冷水は、ブスバー44の長さを通過する。好ましくは、冷却されたカソード14は、冷却水が循環する内部空洞を含む。更に、カソード14には、好ましくは、約150asf超の電流密度、より好ましくは約250asf超の電流密度が印加されている。別の実施形態では、本発明は、一般的に、ニッケルめっき溶液のpH及びニッケル含量を調整する方法であって、a前記ニッケルめっき溶液の一部をニッケルめっき浴から電解槽に分ける工程であって、前記電解槽が、冷却されたカソードと、電流が印加されたときに冷却された前記カソード上で水素ガスを発生させることができる複数のニッケルアノードとを含む工程と、b前記電解槽中の前記ニッケルめっき溶液のpHを上昇させる間、前記ニッケルアノード及び冷却された前記カソードに電流を印加する工程であって、前記電解槽が、前記ニッケルアノードの溶解によってニッケルを補給する工程と、c前記電解槽中の前記ニッケルめっき溶液を前記ニッケルめっき浴に戻す工程とを含む方法に関する。本明細書に記載する電解槽10は、95~100の効率でニッケルを溶解させ、5未満の効率でニッケルめっきする。カソードの反応は、主に、水素イオンを水素ガスに還元することである。Ni0→Ni22e-アノード反応H2e-→H2Tカソード反応電解槽10は、水素イオンをニッケルイオンで置換して、pH及びニッケル濃度を上昇させる。ニッケル金属は、典型的なニッケルめっき浴では、90~95の効率で沈着する。対照的に、本明細書に記載する電解槽は、カソードの電流密度及び温度を意図的に変化させることによってニッケルめっきにおけるカソード効率を5未満に低下させる。好ましい実施形態では、100°F未満のカソード温度と併せて150amp/ft2超のカソード電流密度を用いることにより、カソードにおけるニッケルめっきを本質的になくす。より好ましくは、カソード電流密度は、250amp/ft2超であり、カソード温度は90°F未満であることが望ましい。したがって、先行技術では、浴に炭酸ニッケル又は炭酸リチウムを添加することによってニッケルめっき浴のpHを制御していたが、本発明は、代わりに電解槽を用いてpHの制御及びニッケルの補給を行い、また、必要なpH調整の量に基づいて大きさを決めることができる。例えば、好ましい実施形態では、電解槽は、400ampの電気容量を有し、これは、典型的に、1ポンド/時間の炭酸リチウム及び1ポンド/時間のニッケル金属の添加と同程度ニッケルめっき溶液のpHを調整することができる。本明細書に記載する方法を用いて様々なニッケルめっき溶液を処理することができるが、1つの実施形態では、ニッケルめっき溶液は、半光沢ニッケルめっき溶液を含む。ニッケルめっき溶液は、スルファミン酸ニッケルめっき溶液を含んでよいが、他のめっき溶液も当業者に公知であり、本発明に用いることができる。更に、本発明は、電解めっきに関して記載してきたが、本発明は、同様に無電解めっきの調整にも適用可能であることが意図される。本発明は、以下の非限定的な実施例に従って説明される。実施例1ニッケルめっきを実例説明するためにスチールカソードをめっきする不活性アノードをめっき槽に設け、本発明の電解槽を実例説明するために冷却カソード上で水素ガスを発生させるニッケルアノードを電解槽に設けた。50オンス/ガロンのスルファミン酸ニッケル、5オンス/ガロンのホウ酸を含み、出発pHが4.0である半光沢ニッケルめっき浴について試験した。したがって、pHは、30分間で4.13から3.8に低下することが分かる。次いで、本発明のプロセスに従って、不活性アノードを停止させ、ニッケルアノードを冷却カソードと共に起動した。冷却カソードと共に電解槽を6分間起動すると、pHが3.8から4.63に上昇した。カソードの表面積は7in2であり、チタンカソードにはめっきが生じなかった。カソードの面積を15in2に増加させると、カソード上でめっきが生じ、pHの上昇が妨げられた。上述の通り、カソードは、めっきを防ぐために100°F未満のカソード温度と併せて150amp/ft2超の電流密度を有しなければならない。また、以下の特許請求の範囲は、本明細書に記載する本発明の一般的な及び具体的な特徴、並びに、言語上、それらの間に含まれ得る本発明の範囲の全ての記述を全て網羅することを意図するということを理解すべきである。