"酸の作用により、ラクトン環を形成することによって、有機溶剤に対する溶解性が低下する高分子化合物、酸発生剤、有機溶剤を含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。酸の作用により、脱保護反応を起こして水酸基を形成し、続いて、生じた水酸基と近傍のエステル又は酸無水物との反応によってラクトン環を形成することにより、有機溶剤に対する溶解性が低下する高分子化合物、酸発生剤、有機溶剤を含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とする請求項1記載のパターン形成方法。現像液が2-オクタノン、2-ノナノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、3-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、メチルアセトフェノン、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸アミル、酢酸ブテニル、酢酸イソアミル、酢酸フェニル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、蟻酸イソブチル、蟻酸アミル、蟻酸イソアミル、吉草酸メチル、ペンテン酸メチル、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、乳酸アミル、乳酸イソアミル、2-ヒドロキシイソ酪酸メチル、2-ヒドロキシイソ酪酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、蟻酸ベンジル、蟻酸フェニルエチル、3-フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、酢酸2-フェニルエチルから選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項1又は2記載のパターン形成方法。高エネルギー線による露光が、波長193nmのArFエキシマレーザーによるリソグラフィー、波長13.5nmのEUVリソグラフィー、又は電子ビームであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。2-オクタノン、2-ノナノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、3-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、メチルアセトフェノン、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸アミル、酢酸ブテニル、酢酸イソアミル、酢酸フェニル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、蟻酸イソブチル、蟻酸アミル、蟻酸イソアミル、吉草酸メチル、ペンテン酸メチル、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、乳酸アミル、乳酸イソアミル、2-ヒドロキシイソ酪酸メチル、2-ヒドロキシイソ酪酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、蟻酸ベンジル、蟻酸フェニルエチル、3-フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、酢酸2-フェニルエチルから選ばれる現像液に溶解可能で、酸の作用により、分子内にラクトン環を形成することにより、本現像液に対する溶解性が低下する高分子化合物、酸発生剤、有機溶剤を含むことを特徴とするネガティブパターン形成用レジスト組成物。酸の作用により、脱保護反応を起こして水酸基を形成し、続いて、生じた水酸基と近傍のエステル又は酸無水物との反応によってラクトン環を形成することにより、有機溶剤に対する溶解性が低下する高分子化合物を含むことを特徴とする請求項5記載のネガティブパターン形成用レジスト組成物。酸の作用により、脱保護反応を起こして水酸基を形成し、続いて、生じた水酸基と近傍のエステル又は酸無水物との反応によってラクトン環を形成することにより、有機溶剤に対する溶解性が低下する高分子化合物が、下記一般式1~3で表される繰り返し単位のいずれか1種以上を有することを特徴とする請求項6記載のネガティブパターン形成用レジスト組成物。式中、R1は水素原子又はメチル基、R2は炭素数1~20の酸素官能基を含んでもよいアルキル基、R3は炭素数2~20の酸素官能基を含んでもよい酸不安定基を表す。A1は炭素数3~20の酸素官能基を含んでもよい3価の有機基、A2は炭素数3~20の酸素官能基を含んでもよい4価の有機基を表す。下記一般式1又は2で表される繰り返し単位を有し、酸の作用により、脱保護反応を起こして水酸基を形成し、続いて、生じた水酸基と近傍のエステル又は酸無水物との反応によってラクトン環を形成することにより、有機溶剤に対する溶解性が低下することを特徴とする高分子化合物。式中、R1は水素原子又はメチル基、R2は炭素数1~20の酸素官能基を含んでもよいアルキル基、R3は炭素数2~20の酸素官能基を含んでもよい酸不安定基を表す。A1は炭素数3~20の酸素官能基を含んでもよい3価の有機基、A2は炭素数3~20の酸素官能基を含んでもよい4価の有機基を表す。下記一般式1又は2で表される繰り返し単位を、全繰り返し単位中5モル以上有し、重量平均分子量1,000以上100,000以下であることを特徴とする請求項8記載の高分子化合物。式中、R1は水素原子又はメチル基、R2は炭素数1~20の酸素官能基を含んでもよいアルキル基、R3は炭素数2~20の酸素官能基を含んでもよい酸不安定基を表す。A1は炭素数3~20の酸素官能基を含んでもよい3価の有機基、A2は炭素数3~20の酸素官能基を含んでもよい4価の有機基を表す。下記一般式1aで表される重合性エステル化合物。式中、R1は水素原子又はメチル基、R2は炭素数1~20の酸素官能基を含んでもよいアルキル基、R3は炭素数2~20の酸素官能基を含んでもよい酸不安定基を表す。A1は炭素数3~20の酸素官能基を含んでもよい3価の有機基を表す。脱保護反応によって酸性のカルボキシル基などが生成し、アルカリ現像液に溶解するポジ型レジストシステムに比べると、有機溶剤現像の溶解コントラストは低い。アルカリ現像液の場合、未露光部と露光部のアルカリ溶解速度の割合は1,000倍以上の違いがあるが、有機溶剤現像の場合10倍程度の違いしかない。前述の特許文献1~5には、従来型のアルカリ水溶液現像型のフォトレジスト組成物が記載されているが、有機溶剤現像における溶解コントラスト差をより大きくするための新規な材料、即ち、有機溶剤現像液に対して未露光部の溶解速度を高め、かつ、露光部の溶解速度を遅くすることができる材料の開発が強く望まれている。本発明は上記事情に鑑みなされたもので、有機溶剤現像において溶解コントラストが大きく、未露光部分が溶解し、露光部分が溶解しないネガ型パターンを形成するためのパターン形成方法、及びこれを実現するためのレジスト組成物、高分子化合物、重合性エステル化合物を提供することを目的とするものである。本発明者らは上記目的を達成するため、鋭意検討を重ねた結果、酸の作用により、ラクトン環を形成することによって、有機溶剤に対する溶解性が低下する高分子化合物を用いることによって、有機溶剤現像における溶解コントラストが向上することを見出した。即ち、本発明は、下記のパターン形成方法、レジスト組成物、高分子化合物及び重合性エステル化合物を提供する。1酸の作用により、ラクトン環を形成することによって、有機溶剤に対する溶解性が低下する高分子化合物、酸発生剤、有機溶剤を含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。2酸の作用により、脱保護反応を起こして水酸基を形成し、続いて、生じた水酸基と近傍のエステル又は酸無水物との反応によってラクトン環を形成することにより、有機溶剤に対する溶解性が低下する高分子化合物、酸発生剤、有機溶剤を含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とする1記載のパターン形成方法。3現像液が2-オクタノン、2-ノナノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、3-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、メチルアセトフェノン、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸アミル、酢酸ブテニル、酢酸イソアミル、酢酸フェニル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、蟻酸イソブチル、蟻酸アミル、蟻酸イソアミル、吉草酸メチル、ペンテン酸メチル、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、乳酸アミル、乳酸イソアミル、2-ヒドロキシイソ酪酸メチル、2-ヒドロキシイソ酪酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、蟻酸ベンジル、蟻酸フェニルエチル、3-フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、酢酸2-フェニルエチルから選ばれる1種以上であることを特徴とする1又は2記載のパターン形成方法。4高エネルギー線による露光が、波長193nmのArFエキシマレーザーによるリソグラフィー、波長13.5nmのEUVリソグラフィー、又は電子ビームであることを特徴とする1~3のいずれかに記載のパターン形成方法。52-オクタノン、2-ノナノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、3-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、メチルアセトフェノン、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸アミル、酢酸ブテニル、酢酸イソアミル、酢酸フェニル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、蟻酸イソブチル、蟻酸アミル、蟻酸イソアミル、吉草酸メチル、ペンテン酸メチル、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、乳酸アミル、乳酸イソアミル、2-ヒドロキシイソ酪酸メチル、2-ヒドロキシイソ酪酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、蟻酸ベンジル、蟻酸フェニルエチル、3-フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、酢酸2-フェニルエチルから選ばれる現像液に溶解可能で、酸の作用により、分子内にラクトン環を形成することにより、本現像液に対する溶解性が低下する高分子化合物、酸発生剤、有機溶剤を含むことを特徴とするネガティブパターン形成用レジスト組成物。6酸の作用により、脱保護反応を起こして水酸基を形成し、続いて、生じた水酸基と近傍のエステル又は酸無水物との反応によってラクトン環を形成することにより、有機溶剤に対する溶解性が低下する高分子化合物を含むことを特徴とする5記載のネガティブパターン形成用レジスト組成物。7酸の作用により、脱保護反応を起こして水酸基を形成し、続いて、生じた水酸基と近傍のエステル又は酸無水物との反応によってラクトン環を形成することにより、有機溶剤に対する溶解性が低下する高分子化合物が、下記一般式1~3で表される繰り返し単位のいずれか1種以上を有することを特徴とする6記載のネガティブパターン形成用レジスト組成物。式中、R1は水素原子又はメチル基、R2は炭素数1~20の酸素官能基を含んでもよいアルキル基、R3は炭素数2~20の酸素官能基を含んでもよい酸不安定基を表す。A1は炭素数3~20の酸素官能基を含んでもよい3価の有機基、A2は炭素数3~20の酸素官能基を含んでもよい4価の有機基を表す。8下記一般式1又は2で表される繰り返し単位を有し、酸の作用により、脱保護反応を起こして水酸基を形成し、続いて、生じた水酸基と近傍のエステル又は酸無水物との反応によってラクトン環を形成することにより、有機溶剤に対する溶解性が低下することを特徴とする高分子化合物。式中、R1は水素原子又はメチル基、R2は炭素数1~20の酸素官能基を含んでもよいアルキル基、R3は炭素数2~20の酸素官能基を含んでもよい酸不安定基を表す。A1は炭素数3~20の酸素官能基を含んでもよい3価の有機基、A2は炭素数3~20の酸素官能基を含んでもよい4価の有機基を表す。9下記一般式1又は2で表される繰り返し単位を、全繰り返し単位中5モル以上有し、重量平均分子量1,000以上100,000以下であることを特徴とする8記載の高分子化合物。式中、R1は水素原子又はメチル基、R2は炭素数1~20の酸素官能基を含んでもよいアルキル基、R3は炭素数2~20の酸素官能基を含んでもよい酸不安定基を表す。A1は炭素数3~20の酸素官能基を含んでもよい3価の有機基、A2は炭素数3~20の酸素官能基を含んでもよい4価の有機基を表す。10下記一般式1aで表される重合性エステル化合物。式中、R1は水素原子又はメチル基、R2は炭素数1~20の酸素官能基を含んでもよいアルキル基、R3は炭素数2~20の酸素官能基を含んでもよい酸不安定基を表す。A1は炭素数3~20の酸素官能基を含んでもよい3価の有機基を表す。酸の作用によりラクトン環を形成する高分子化合物と酸発生剤とを含むフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。このフォトレジスト膜を用いて露光し、有機溶剤現像を行うことによって、高コントラストのネガ型パターンを形成することが可能となる。本発明は、上述のように、酸の作用により、ラクトン環を形成することによって、有機溶剤に対する溶解性が低下する高分子化合物、酸発生剤、有機溶剤を含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、露光によって酸発生剤から発生した酸により高分子化合物にラクトン環を生成させ、これにより露光部分の有機溶剤現像液への溶解性を低下させて、加熱処理後に有機溶剤現像液により現像することにより、ネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法、及びこれを実現するためのレジスト組成物、高分子化合物、重合性エステル化合物を提供するものである。一般的に、ラクトン環を含有するポリマーは有機溶剤への溶解性が低いことが知られている。本発明のパターン形成方法に用いられる高分子化合物の場合、光発生酸の作用により、露光部において選択的にラクトン環を形成、有機溶剤への溶解性が減少し、パターンの残膜を確保できる。露光前後でのラクトン含有量の変化により、溶解速度差が大きいため、有機溶剤現像における大きな溶解コントラストを得ることができる。酸の作用によりラクトン環が生成するポリマーはアルカリ現像液への溶解性には劣るため、これまで検討されてこなかったが、本発明者らの検討によって、有機溶剤の現像においては優れた有機溶剤溶解性変換基であることが判明した。現在、有機溶剤現像が盛んに検討されているArFレジスト組成物においては、パターンの基板密着性を確保するため、一般的にベース樹脂にモル比で3~6割もの多量のラクトン単位が導入される。このため、ベース樹脂自体の有機溶剤溶解性が限定され、望まれるような高い未露光部溶解速度を確保することが本質的に困難である。これに対し、本発明のパターン形成方法に用いられる高分子化合物の場合、パターンが残るべき露光部において新たにラクトン環が形成し、基板密着性に寄与可能であるため、ベース樹脂へのラクトン導入量を抑制することができうると考えられ、ベース樹脂の未露光部溶解速度を高める上で非常に好ましい。本発明のパターン形成方法に用いられる高分子化合物は、一部又は全部の繰り返し単位内に、酸不安定エーテル基とカルボン酸誘導体を有することが好ましい。カルボン酸誘導体として具体的には、エステル、酸無水物、カルボン酸、カルボン酸塩を例示できるが、特に非環状エステル、酸無水物が好ましい。ラクトン形成機構としては、酸不安定エーテル基が酸の作用により脱保護反応を起こして水酸基を形成し、続いて、生じた水酸基と近傍のエステルとのエステル交換反応、又は酸無水物によるアシル化反応によってラクトン環を形成する機構であることが好ましい。エーテル基、非環状エステル基又は酸無水物の存在は、これを含有するポリマーの有機溶剤溶解性を増加させる場合が多いため、ベース樹脂の未露光部の有機溶剤溶解性に優れる。露光部では光発生酸の作用により、これらエーテル基及び非環状エステル又は酸無水物が消失して、代わりにラクトン環を形成するため、有機溶剤への溶解性が劇的に減少し、より大きな溶解コントラストを得ることができる。形成されるラクトン環としては、特に5員環ラクトン、6員環ラクトン、7員環ラクトンが好ましい。ラクトン形成機構としては、この他、非保護の水酸基とカルボキシル基との反応、非保護の水酸基とエステル基との反応、カルボキシル基と二重結合との反応などがあるが、非保護の水酸基、カルボキシル基は、これらを含むポリマーの有機溶剤溶解性を劣化させることが知られており、必然的にベース樹脂の有機溶剤溶解性が劣ることになるため、本発明においてはあまり好ましくない。本発明のパターン形成方法に用いられる高分子化合物は、下記一般式1~3で表される繰り返し単位のいずれか1種以上を有することが好ましい。式中、R1は水素原子又はメチル基、R2は炭素数1~20の酸素官能基を含んでもよいアルキル基、R3は炭素数2~20の酸素官能基を含んでもよい酸不安定基を表す。A1は炭素数3~20の酸素官能基を含んでもよい3価の有機基、A2は炭素数3~20の酸素官能基を含んでもよい4価の有機基を表す。上記一般式1~3で表される繰り返し単位は、酸の作用により、下記のようにラクトン環を形成するものと考えられる。式中、R1は水素原子又はメチル基、R2は炭素数1~20の酸素官能基を含んでもよいアルキル基、R3は炭素数2~20の酸素官能基を含んでもよい酸不安定基を表す。A1は炭素数3~20の酸素官能基を含んでもよい3価の有機基、A2は炭素数3~20の酸素官能基を含んでもよい4価の有機基を表す。上記一般式1~3中、R1は水素原子又はメチル基を表す。R2は炭素数1~20の酸素官能基を含んでもよいアルキル基を表す。R2のアルキル基としては、直鎖状、分枝状、環状のいずれでもよく、含んでもよい酸素官能基としてはエーテル基、エステル基又はカルボニル基が好ましい。R2の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、2-エチルヘキシル基、ノニル基、ウンデシル基、トリデシル基、ペンタデシル基、ヘプタデシル基、アダマンチル基、アダマンチルメチル基、ノルボルニル基、ノルボルニルメチル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、テトラシクロドデカニルメチル基、ジシクロヘキシルメチル基、イコサニル基、アリル基、テトラヒドロフリル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、トリフルオロエチル基、2-メトキシエトキシメチル基、アセトキシメチル基を例示できるが、これらに限定されない。R2としては、メチル基、エチル基が特に好ましい。上記一般式1~3中、R3は炭素数2~20の酸素官能基を含んでもよい酸不安定基を表す。R3の酸不安定基は、種々選定されるが、特に下記一般式C1、C2で示される炭素数2~30のアセタール基、炭素数4~30の3級アルキル基等であることが好ましい。上記式C1、C2においてR11、R12は水素原子又は炭素数1~18、特に1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、酸素原子を含んでもよく、R13、R14、R15、R16は炭素数1~17、特に1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アリール基又はアラルキル基であり、酸素原子を含んでもよい。またR11とR12、R11とR13、R12とR13、R14とR15、R14とR16、R15とR16はそれぞれ結合してこれらが結合する炭素原子や酸素原子と共に炭素数3~20、特に3~12の非芳香環を形成してもよい。式C1で示されるアセタール基として具体的には、メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル基、イソプロポキメチル基、tert-ブトキシメチル基、ネオペンチルオキシメチル基、1-メチルシクロヘキシルメトキシメチル基、2-アダマンチルオキシメチル基、1-アダマンチルメトキシメチル基、フェンキルオキシメチル基、2-メチル-2-ノルボルニルメトキシメチル基、1-メトキシエチル基、1-メトキシプロピル基、1-メトキシブチル基、1-エトキシエチル基、1-エトキシプロピル基、1-エトキシブチル基、1-プロポキシエチル基、1-プロポキシプロピル基、1-プロポキシブチル基、1-シクロペンチルオキシエチル基、1-シクロヘキシルオキシエチル基、2-メトキシイソプロピル基、2-エトキシイソプロピル基、1-メトキシ-2-メチルプロピル基、1-フェノキシエチル基、1-ベンジルオキシエチル基、1-フェノキシプロピル基、1-ベンジルオキシプロピル基、1-アダマンチルオキシエチル基、1-アダマンチルオキシプロピル基、2-テトラヒドロフリル基、2-テトラヒドロ-2H-ピラニル基、1-2-シクロヘキサンカルボニルオキシエトキシエチル基、1-2-シクロヘキサンカルボニルオキシエトキシプロピル基、1-[2-1-アダマンチルカルボニルオキシエトキシ]エチル基、1-[2-1-アダマンチルカルボニルオキシエトキシ]プロピル基、1-2-フェノキシエトキシエチル基、1-2-ベンゾイルオキシエトキシエチル基、1-[2-1-アダマンタンカルボニルオキシエトキシ]エチル基、を例示できるが、これらに限定されない。式C2で示される3級アルキル基として具体的には、tert-ブチル基、tert-ペンチル基、1-エチル-1-メチルプロピル基、1,1-ジエチルプロピル基、1,1,2-トリメチルプロピル基、1-アダマンチル-1-メチルエチル基、1-メチル-1-2-ノルボルニルエチル基、1-メチル-1-テトラヒドロフラン-2-イルエチル基、1-メチル-1-7-オキサナルボルナン-2-イルエチル基、1-メチルシクロペンチル基、1-エチルシクロペンチル基、1-プロピルシクロペンチル基、1-シクロペンチルシクロペンチル基、1-シクロヘキシルシクロペンチル基、1-2-テトラヒドロフリルシクロペンチル基、1-7-オキサナルボルナン-2-イルシクロペンチル基、1-メチルシクロヘキシル基、1-エチルシクロヘキシル基、1-シクロペンチルシクロヘキシル基、1-シクロヘキシルシクロヘキシル基、2-メチル-2-ノルボニル基、2-エチル-2-ノルボニル基、8-メチル-8-トリシクロ[5.2.1.026]デシル基、8-エチル-8-トリシクロ[5.2.1.026]デシル基、3-メチル-3-テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデシル基、3-エチル-3-テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデシル基、2-メチル-2-アダマンチル基、2-エチル-2-アダマンチル基、1-メチル-3-オキソ-1-シクロヘキシル基、1-メチル-1-テトラヒドロフラン-2-イルエチル基、5-ヒドロキシ-2-メチル-2-アダマンチル基、5-ヒドロキシ-2-エチル-2-アダマンチル基、1-エチル-1-フェニルエチル基、1,1-ジフェニルエチル基を例示できるが、これらに限定されない。上記一般式1中、A1は炭素数3~20の酸素官能基を含んでもよい3価の有機基を表す。A1として具体的には、下記に挙げる炭素数3~20の化合物A13Hから3個の水素原子を取り除くことにより生じる3価の有機基を挙げることができる。A13Hとして具体的には、プロパン、ブタン、イソブタン、シクロブタン、ペンタン、メチルペンタン、ネオペンタン、ジメチルブタン、シクロペンタン、メチルシクロペンタン、エチルシクロペンタン、ジメチルシクロペンタン、ジメチルペンタン、エチルペンタン、ヘキサン、イソヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、トリメチルシクロヘキサン、メチルヘキサン、ジメチルヘキサン、エチルシクロヘキサン、ヘプタン、メチルヘプタン、ジメチルヘプタン、ノルボルナン、メチルノルボルナン、ジメチルノルボルナン、エチルノルボルナン、オクタン、メチルオクタン、ジメチルオクタン、エチルオクタン、ビシクロ[2.2.2]オクタン、メチルビシクロ[2.2.2]オクタン、ジメチルビシクロ[2.2.2]オクタン、エチルビシクロ[2.2.2]オクタン、ビシクロ[3.3.0]オクタン、メチルビシクロ[3.3.0]オクタン、ジメチルビシクロ[3.3.0]オクタン、エチルビシクロ[3.3.0]オクタン、ノナン、メチルノナン、デカン、メチルデカン、アダマンタン、メチルアダマンタン、ジメチルアダマンタン、トリシクロ[5.2.1.015]デカン、メチルトリシクロ[5.2.1.015]デカン、エチルトリシクロ[5.2.1.015]デカン、ジメチルトリシクロ[5.2.1.015]デカン、テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカン、メチルテトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカン、ジメチルメチルテトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカン、エチルメチルテトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカン、エイコサン、ジエチルエーテル、エチルプロピルエーテル、3-ペンタノン、2-ペンタノン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸シクロペンチル、酢酸シクロヘキシル、酢酸ノルボルニル、7-オキサノルボルナン、メトキシカルボニルシクロヘキサン、メトキシカルボニルノルボルナン、シクロヘキサンカルボン酸ブチル、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、トリメチルベンゼン、メチルナフタレン、エチルナフタレン、ジメチルナフタレンを例示できるが、これらに限定されない。上記一般式2中、A2は炭素数3~20の酸素官能基を含んでもよい4価の有機基を表す。A2として具体的には、下記に挙げる炭素数3~20の化合物A24Hから4個の水素原子を取り除くことにより生じる4価の有機基を挙げることができる。A24Hとして具体的には、プロパン、ブタン、イソブタン、シクロブタン、ペンタン、メチルペンタン、ネオペンタン、ジメチルブタン、シクロペンタン、メチルシクロペンタン、エチルシクロペンタン、ジメチルシクロペンタン、ジメチルペンタン、エチルペンタン、ヘキサン、イソヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、トリメチルシクロヘキサン、メチルヘキサン、ジメチルヘキサン、エチルシクロヘキサン、ヘプタン、メチルヘプタン、ジメチルヘプタン、ノルボルナン、メチルノルボルナン、ジメチルノルボルナン、エチルノルボルナン、オクタン、メチルオクタン、ジメチルオクタン、エチルオクタン、ビシクロ[2.2.2]オクタン、メチルビシクロ[2.2.2]オクタン、ジメチルビシクロ[2.2.2]オクタン、エチルビシクロ[2.2.2]オクタン、ビシクロ[3.3.0]オクタン、メチルビシクロ[3.3.0]オクタン、ジメチルビシクロ[3.3.0]オクタン、エチルビシクロ[3.3.0]オクタン、ノナン、メチルノナン、デカン、メチルデカン、アダマンタン、メチルアダマンタン、ジメチルアダマンタン、トリシクロ[5.2.1.015]デカン、メチルトリシクロ[5.2.1.015]デカン、エチルトリシクロ[5.2.1.015]デカン、ジメチルトリシクロ[5.2.1.015]デカン、テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカン、メチルテトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカン、ジメチルメチルテトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカン、エチルメチルテトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカン、エイコサン、ジエチルエーテル、エチルプロピルエーテル、3-ペンタノン、2-ペンタノン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸シクロペンチル、酢酸シクロヘキシル、酢酸ノルボルニル、7-オキサノルボルナン、メトキシカルボニルシクロヘキサン、メトキシカルボニルノルボルナン、シクロヘキサンカルボン酸ブチル、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、トリメチルベンゼン、メチルナフタレン、エチルナフタレン、ジメチルナフタレンを例示できるが、これらに限定されない。上記一般式1で表される繰り返し単位として、より具体的には下記の構造を例示できるが、これらに限定されない。Meはメチル基を表す。上記一般式2で表される繰り返し単位として、より具体的には下記の構造を例示できるが、これらに限定されない。Meはメチル基を表す。上記一般式3で表される繰り返し単位として、より具体的には下記の構造を例示できるが、これらに限定されない。上記一般式1~3で表される繰り返し単位以外の、酸の作用によりラクトン環を形成する繰り返し単位としては、例えば、下記一般式4で表される繰り返し単位を挙げることができる。式中、R2、R3は前記同様である。上記一般式4で表される繰り返し単位として、より具体的には下記の構造を例示できる。Meはメチル基を表す。上記一般式1~4で表される各繰り返し単位は、1種を選択して用いてもよいし、2種以上を同時に導入してもよい。複数種の単位を用いることにより、レジスト組成物とした際の性能を調整することができる。本発明に用いる高分子化合物中の全繰り返し単位に対する、上記一般式1~4で表される繰り返し単位の合計モル比は、5モル~100モル、特に10モル~100モルとすることが好ましい。5モル未満の場合、導入効果が低く、高コントラストが得られない場合がある。本発明に用いる高分子化合物中の全繰り返し単位に対する、上記一般式1~4で表される繰り返し単位の合計モル比が100モル未満である場合は、他の繰り返し単位を含むこととなる。この場合の他の繰り返し単位としては特に限定されないが、例えば下記一般式R1~R14で表される繰り返し単位から選ばれる1種以上を導入することができる。上記式中、R001は、水素原子、メチル基又は-CH2CO2R003を示す。R002は、水素原子、メチル基又は-CO2R003を示す。R003は、炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、エチルシクロペンチル基、ブチルシクロペンチル基、エチルシクロヘキシル基、ブチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、エチルアダマンチル基、ブチルアダマンチル基等を例示できる。R004は、水素原子、炭素数1~15の含フッ素置換基及び/又はカルボキシル基、水酸基、シアノ基を含有する1価の炭化水素基を示し、具体的には水素原子、カルボキシエチル、カルボキシブチル、カルボキシシクロペンチル、カルボキシシクロヘキシル、カルボキシノルボルニル、カルボキシアダマンチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシブチル、ヒドロキシシクロペンチル、ヒドロキシシクロヘキシル、ヒドロキシノルボルニル、ヒドロキシアダマンチル、ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピルシクロヘキシル、ジヒドロキシヘキサフルオロイソプロピルシクロヘキシル、2-ヒドロキシフェニル、3-ヒドロキシフェニル、4-ヒドロキシフェニル、ジヒドロキシフェニル、ヒドロキシナフチル、2-シアノエチル等が例示できる。R005~R008の少なくとも1個は炭素数1~15の含フッ素置換基及び/又はカルボキシル基、水酸基、シアノ基を含有する1価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。炭素数1~15の含フッ素置換基及び/又はカルボキシル基、水酸基を含有する1価の炭化水素基としては、具体的にはカルボキシ、カルボキシメチル、カルボキシエチル、カルボキシブチル、ヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシブチル、2-カルボキシエトキシカルボニル、4-カルボキシブトキシカルボニル、2-ヒドロキシエトキシカルボニル、4-ヒドロキシブトキシカルボニル、カルボキシシクロペンチルオキシカルボニル、カルボキシシクロヘキシルオキシカルボニル、カルボキシノルボルニルオキシカルボニル、カルボキシアダマンチルオキシカルボニル、ヒドロキシシクロペンチルオキシカルボニル、ヒドロキシシクロヘキシルオキシカルボニル、ヒドロキシノルボルニルオキシカルボニル、ヒドロキシアダマンチルオキシカルボニル、ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピルシクロヘキシルオキシカルボニル、ジヒドロキシヘキサフルオロイソプロピルシクロヘキシルオキシカルボニル、2-ヒドロキシフェニル、3-ヒドロキシフェニル、4-ヒドロキシフェニル、ジヒドロキシフェニル、ヒドロキシナフチル等が例示できる。炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基としては、具体的にはR003で例示したものと同様のものが例示できる。R005~R008のうち2個は互いに結合して環を形成していてもよく、その場合には該環の形成に関与するR005~R008の少なくとも1個は炭素数1~15の含フッ素置換基及び/又はカルボキシル基、水酸基を含有する2価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に単結合又は炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。炭素数1~15の含フッ素置換基及び/又はカルボキシル基、水酸基を含有する2価の炭化水素基としては、具体的には上記含フッ素置換基及び/又はカルボキシル基、水酸基を含有する1価の炭化水素基で例示したものから水素原子を1個除いたもの等を例示できる。炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基としては、具体的にはR003で例示したものから水素原子を1個除いたもの等を例示できる。R009は、炭素数3~15の-CO2-部分構造を含有する1価の炭化水素基を示し、ラクトン構造を有することが好ましい。具体的には2-オキソオキソラン-3-イル、4,4-ジメチル-2-オキソオキソラン-3-イル、4-メチル-2-オキソオキサン-4-イル、2-オキソ-1,3-ジオキソラン-4-イルメチル、5-メチル-2-オキソオキソラン-5-イル等を例示できる。R010~R013の少なくとも1個は炭素数2~15の-CO2-部分構造を含有する1価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。炭素数2~15の-CO2-部分構造を含有する1価の炭化水素基としては、具体的には2-オキソオキソラン-3-イルオキシカルボニル、4,4-ジメチル-2-オキソオキソラン-3-イルオキシカルボニル、4-メチル-2-オキソオキサン-4-イルオキシカルボニル、2-オキソ-1,3-ジオキソラン-4-イルメチルオキシカルボニル、5-メチル-2-オキソオキソラン-5-イルオキシカルボニル等を例示できる。炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基としては、具体的にはR003で例示したものと同様のものが例示できる。R010~R013のうち2個は互いに結合して環を形成していてもよく、その場合には該環の形成に関与するR010~R013の少なくとも1個は炭素数1~15の-CO2-部分構造を含有する2価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に単結合又は炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。炭素数1~15の-CO2-部分構造を含有する2価の炭化水素基としては、具体的には1-オキソ-2-オキサプロパン-1,3-ジイル、1,3-ジオキソ-2-オキサプロパン-1,3-ジイル、1-オキソ-2-オキサブタン-1,4-ジイル、1,3-ジオキソ-2-オキサブタン-1,4-ジイル等の他、上記-CO2-部分構造を含有する1価の炭化水素基で例示したものから水素原子を1個除いたもの等を例示できる。炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基としては、具体的にはR003で例示したものから水素原子を1個除いたもの等を例示できる。R014は、炭素数7~15の多環式炭化水素基又は多環式炭化水素基を含有するアルキル基を示し、具体的にはノルボルニル、ビシクロ[3.3.1]ノニル、トリシクロ[5.2.1.026]デシル、アダマンチル、エチルアダマンチル、ブチルアダマンチル、ノルボルニルメチル、アダマンチルメチル等を例示できる。R015は、酸不安定基、もしくは酸不安定エーテル基を含む有機基を示し、具体例については後述する。Xは、-CH2又は酸素原子を示す。R016は、水素原子又はメチル基を示す。R017は、炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。a1’、b1’、c1’、d1’、a2’、b2’、c2’、d2’、e’、h’、i’、j’、o’、p’は、それぞれ0以上1未満の数である。kは、0又は1であり、x’、y’、z’は、0~3の整数であり、1≦x’y’z’≦5、1≦y’z’≦3を満足する。R015の酸不安定基としては、種々用いることができるが、具体的には下記一般式L1~L4で示される基、炭素数4~20、好ましくは4~15の3級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1~6のトリアルキルシリル基、炭素数4~20のオキソアルキル基等を挙げることができる。上記式中、破線は結合手を示す以下、同様。また、式L1において、RL01、RL02は水素原子又は炭素数1~18、好ましくは1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、2-エチルヘキシル基、n-オクチル基、アダマンチル基等が例示できる。RL03は炭素数1~18、好ましくは炭素数1~10の酸素原子等のヘテロ原子を有してもよい1価の炭化水素基を示し、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基等に置換されたものを挙げることができ、具体的には、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基としては上記RL01、RL02と同様のものが例示でき、置換アルキル基としては下記の基等が例示できる。RL01とRL02、RL01とRL03、RL02とRL03とは互いに結合してこれらが結合する炭素原子や酸素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合には環の形成に関与するRL01、RL02、RL03はそれぞれ炭素数1~18、好ましくは炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。式L2において、RL04は炭素数4~20、好ましくは炭素数4~15の3級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1~6のトリアルキルシリル基、炭素数4~20のオキソアルキル基又は上記一般式L1で示される基を示し、3級アルキル基としては、具体的にはtert-ブチル基、tert-アミル基、1,1-ジエチルプロピル基、2-シクロペンチルプロパン-2-イル基、2-シクロヘキシルプロパン-2-イル基、2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルプロパン-2-イル基、2-アダマンタン-1-イルプロパン-2-イル基、1-エチルシクロペンチル基、1-ブチルシクロペンチル基、1-エチルシクロヘキシル基、1-ブチルシクロヘキシル基、1-エチル-2-シクロペンテニル基、1-エチル-2-シクロヘキセニル基、2-メチル-2-アダマンチル基、2-エチル-2-アダマンチル基等が例示でき、トリアルキルシリル基としては、具体的にはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ジメチル-tert-ブチルシリル基等が例示でき、オキソアルキル基としては、具体的には3-オキソシクロヘキシル基、4-メチル-2-オキソオキサン-4-イル基、5-メチル-2-オキソオキソラン-5-イル基等が例示できる。yは0~6の整数である。式L3において、RL05は炭素数1~10の置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示し、置換されていてもよいアルキル基としては、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ビシクロ[2.2.1]ヘプチル基等の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基、シアノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、スルホ基等に置換されたもの、又はこれらのメチレン基の一部が酸素原子又は硫黄原子に置換されたもの等が例示でき、置換されていてもよいアリール基としては、具体的にはフェニル基、メチルフェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナンスリル基、ピレニル基等が例示できる。mは0又は1、nは0,1,2,3のいずれかであり、2mn=2又は3を満足する数である。式L4において、RL06は炭素数1~10の置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示し、具体的にはRL05と同様のもの等が例示できる。RL07~RL16はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1~15の1価の炭化水素基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロペンチルエチル基、シクロペンチルブチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、シクロヘキシルブチル基等の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基、シアノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、スルホ基等に置換されたもの等が例示できる。RL07~RL16は互いに結合して環を形成していてもよく例えば、RL07とRL08、RL07とRL09、RL08とRL10、RL09とRL10、RL11とRL12、RL13とRL14等、その場合には環の形成に関与する基は炭素数1~15の2価の炭化水素基を示し、具体的には上記1価の炭化水素基で例示したものから水素原子を1個除いたもの等が例示できる。また、RL07~RL16は隣接する炭素に結合するもの同士で何も介さずに結合し、二重結合を形成してもよい例えば、RL07とRL09、RL09とRL15、RL13とRL15等。R015の酸不安定エーテル基を含む有機基としては、種々用いることができるが、中でも、水酸基を有する炭素数1~15の1価有機基の水酸基が前記一般式L1~L4で表される酸不安定基で保護された構造を有する有機基であることが好ましい。上記一般式R1~R14で表される各繰り返し単位は、2種以上を同時に導入してもよい。各繰り返し単位として複数の単位を用いることにより、レジスト組成物とした際の性能を調整することができる。また、本発明に用いる高分子化合物は、上記一般式1~4、R1~R14で表される各繰り返し単位以外の、化学増幅型レジスト用ベース樹脂に導入される公知の繰り返し単位、例えば、光酸発生単位、塩基性単位などを有していてもよい。上記一般式R1で表される繰り返し単位から1種以上を選択して重合体に導入することにより、酸拡散長、接触角などの性質を調整することができる。具体的には以下のものが例示できるが、これらに限定されるものではない。上記一般式R2で表される繰り返し単位から1種以上を選択して重合体に導入することにより、レジストパターンの基板密着性を向上することができる。具体的には以下のものが例示できるが、これらに限定されるものではない。Meはメチル基を表す。上記一般式R4で表される繰り返し単位から1種以上を選択して重合体に導入することにより、溶解コントラストなどの性質を調整することができる。具体的には以下のものが例示できるが、これらに限定されるものではない。本発明のパターン形成方法に用いられるレジスト組成物のベース樹脂となる高分子化合物として、更に具体的には下記の高分子化合物を例示できるが、これらに限定されない。Meはメチル基を表す。Meはメチル基を表す。本発明のパターン形成方法に用いられるレジスト組成物のベース樹脂となる高分子化合物は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量溶剤:テトラヒドロフランが1,000~100,000、特に2,000~50,000であることが好ましい。重量平均分子量が小さすぎると有機溶剤現像時に膜減りを生じる場合があり、大きすぎると有機溶剤への溶解性が低下し、パターン形成後に裾引き現象を生じる場合がある。更に、本発明のパターン形成方法に用いられるレジスト組成物のベース樹脂となる高分子化合物においては、分散度Mw/Mnが広すぎる場合は低分子量や高分子量のポリマーが存在するために露光後、パターン上に異物が見られたり、パターンの形状が悪化したりするおそれがある。それ故、パターンルールが微細化するに従ってこのような分子量、分散度の影響が大きくなり易いことから、微細なパターン寸法に好適に用いられるレジスト組成物を得るには、使用する多成分共重合体の分散度を1.0~2.0程度に抑えることが好ましい場合がある。また、分散度、分子量又は組成比率が異なる2種以上のポリマーをブレンドし、ベース樹脂として使用してもよい。これら高分子化合物を合成するには、1つの方法として、各繰り返し単位に対応した重合性不飽和結合を有するモノマーを溶剤中、ラジカル開始剤を加えて加熱重合を行う方法があり、これにより高分子化合物を得ることができる。重合条件は、用いるモノマー、目標分子量等に応じて、種々選択でき、特に制限されないが、重合時に使用する溶剤としては、トルエン、ベンゼン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジオキサン、2-ブタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、γ-ブチロラクトン、酢酸ブチル等が例示できる。重合開始剤としては、2,2’-アゾビスイソブチロニトリルAIBN、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2-アゾビス2-メチルプロピオネート、ベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド等が例示でき、また、重合の際に連鎖移動剤として、オクタンチオール、2-メルカプトエタノール等のチオール類を加えてもよい。重合反応は、好ましくは40°C~反応溶剤沸点に加熱して行うことができる。反応時間としては0.5~100時間、好ましくは1~48時間である。酸不安定基は、モノマーに導入されたものをそのまま用いてもよいし、重合後保護化あるいは部分保護化してもよい。例えば、下記一般式1a又は2aで表される重合性二重結合を有するエステル化合物をモノマーとして用いて、前述のような重合を行うことにより、前記一般式1又は2で表される繰り返し単位を有する高分子化合物を合成することができる。式中、R1、R2、R3、A1、A2は前記同様である。前記一般式1aで表される重合性エステル化合物として、より具体的には下記の化合物を例示できるが、これらに限定されない。Meはメチル基を表す。前記一般式2aで表される重合性エステル化合物として、より具体的には下記の化合物を例示できる。Meはメチル基を表す。前記一般式1a、2aで表される重合性エステル化合物の合成法は特に限定されず、構造に応じて最適な方法を選択して合成することができるが、例えば、以下に述べる反応により合成できる。式中、R1、R2、R3、A1、A2は前記同様である。Zはハロゲン原子などの脱離基を表す。出発物質は、1a-1又は2a-1で表されるラクトン化合物である。ラクトン化合物1a-1、2a-1としては、主にレジスト用密着性モノマーとして、種々の化合物が公知である。例えば、1a-1の具体例として、前述の、前記一般式R2で表される繰り返し単位の具体例に対応するモノマーを挙げられる。第1工程はアルコールR2OHを用いたラクトン開環反応によるヒドロキシエステル化合物1a-2、2a-2の合成である。本反応は、炭酸カリウム、ナトリウムメトキシド、カリウムt-ブトキシドなどの塩基触媒を用いて行うことが一般的である。続いて、第2工程のR3Xを用いたアルコールのエーテル化反応により、目的の重合性エステル化合物1a、2aとなる。本反応は、ピリジン、トリエチルアミンなどの有機塩基の存在下で行うことが一般的である。得られた1a、2aは、必要であれば、物性に応じて、水洗、蒸留、再結晶、クロマトグラフィーなどの常法により精製し、重合に供することができる。本発明のパターン形成方法に用いられるレジスト組成物は、上述の高分子化合物を含むベース樹脂、有機溶剤、高エネルギー線に感応して酸を発生する化合物酸発生剤、必要に応じて塩基性化合物、界面活性剤、溶解制御剤、アセチレンアルコール類、色素、酸化防止剤、その他の公知の成分を含有することができる。ベース樹脂として上述の前記一般式1~4で表される繰り返し単位を有する高分子化合物に加えて、更には、アルカリ現像によって露光部が溶解する従来型のメタアクリレートポリマー、ポリノルボルネンポリマー、シクロオレフィン無水マレイン酸交互重合ポリマー、ROMPポリマーなどをブレンドすることも可能であるし、アルカリ現像によって露光部は溶解しないが、有機溶剤現像でネガパターンを形成することができるヒドロキシ基が酸不安定基で置換されたメタアクリレートポリマーをブレンドすることもできる。本発明のパターン形成方法に用いられるレジスト組成物は、特に化学増幅レジスト組成物として機能させるために酸発生剤を含むことが好ましく、例えば、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物光酸発生剤を含有してもよい。光酸発生剤の成分としては、高エネルギー線照射により酸を発生する化合物であればいずれでも構わない。好適な光酸発生剤としてはスルホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニルジアゾメタン、N-スルホニルオキシイミド、オキシム-O-スルホネート型酸発生剤等がある。このような酸発生剤としては、特開2008-111103号公報の段落[0122]~[0142]に記載のものが使用し得る。これらは単独であるいは2種以上混合して用いることができる。ベース樹脂として酸発生剤単位を共重合している場合は、ベース樹脂が酸発生剤を兼ねることになり、添加型の酸発生剤は必ずしも必須ではない。なお、酸発生剤を2種以上混合して用い、一方の酸発生剤がいわゆる弱酸を発生するオニウム塩である場合、酸拡散制御の機能を持たせることもできる。即ち、強酸例えばフッ素置換されたスルホン酸を発生する光酸発生剤と弱酸例えばフッ素置換されていないスルホン酸もしくはカルボン酸を発生するオニウム塩を混合して用いた場合、高エネルギー線照射により光酸発生剤から生じた強酸が未反応の弱酸アニオンを有するオニウム塩と衝突すると塩交換により弱酸を放出し強酸アニオンを有するオニウム塩を生じる。この過程で強酸がより触媒能の低い弱酸に交換されるため見かけ上、酸が失活して酸拡散の制御を行うことができる。ここで強酸を発生する酸発生剤がオニウム塩である場合には上記のように高エネルギー線照射により生じた強酸が弱酸に交換することはできるが、高エネルギー線照射により生じた弱酸は未反応の強酸を発生するオニウム塩と衝突して塩交換を行うことはできない。これらはオニウムカチオンがより強酸のアニオンとイオン対を形成し易いという現象に起因する。本発明のレジスト組成物における、酸発生剤の添加量は、本発明の効果を妨げない範囲であればいずれでもよいが、レジスト組成物中のベース樹脂100質量部に対し0.1~80質量部、好ましくは1~40質量部である。酸発生剤の割合が多すぎる場合には、解像性の劣化や、現像/レジスト膜剥離時の異物の問題が起きる可能性がある。本発明で使用される有機溶剤としては、他のレジスト成分が溶解可能な有機溶剤であればいずれでもよい。このような有機溶剤としては、例えば、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、4-メチル-2-ペンタノン、メチルアミルケトン等のケトン類、3-メトキシブタノール、3-メチル-3-メトキシブタノール、1-メトキシ-2-プロパノール、1-エトキシ-2-プロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、n-プロパノール、イソプロピルアルコール、1-ブチルアルコール、2-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、3-ペンタノール、tert-アミルアルコール、ネオペンチルアルコール、2-メチル-1-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、3-メチル-3-ペンタノール、シクロペンタノール、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、3-ヘキサノール、2,3-ジメチル-2-ブタノール、3,3-ジメチル-1-ブタノール、3,3-ジメチル-2-ブタノール、2-エチル-1-ブタノール、2-メチル-1-ペンタノール、2-メチル-2-ペンタノール、2-メチル-3-ペンタノール、3-メチル-1-ペンタノール、3-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、4-メチル-1-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、4-メチル-3-ペンタノール、シクロヘキサノール等のアルコール類、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、メチルシクロペンチルエーテル、メチルシクロヘキシルエーテル、アニソール、ジイソプロピルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ-n-ペンチルエーテル、メチルシクロペンチルエーテル、メチルシクロヘキシルエーテル、ジ-n-ブチルエーテル、ジ-sec-ブチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ-sec-ペンチルエーテル、ジ-tert-アミルエーテル、ジ-n-ヘキシルエーテル等のエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert-ブチル、プロピオン酸tert-ブチル、プロピレングリコールモノtert-ブチルエーテルアセテート等のエステル類、γ-ブチロラクトン等のラクトン類、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなどのカーボネート類が挙げられ、これらの1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができるが、これらに限定されるものではない。本発明では、これらの有機溶剤の中でもレジスト成分中のベース樹脂、酸発生剤の溶解性に優れるプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、γ-ブチロラクトン、乳酸エチル、及びその混合溶剤が好ましく使用される。有機溶剤の使用量は、目標膜厚などに応じて設定すべきものであるが、おおむねベース樹脂100質量部に対して200~15,000質量部、特に400~8,000質量部が好適である。更に、本発明のレジスト組成物には、クエンチャーを1種又は2種以上配合することができる。クエンチャーとは、本技術分野において広く一般的に用いられる用語であり、酸発生剤より発生する酸などがレジスト膜中に拡散する際の拡散速度を抑制することができる化合物を言う。クエンチャーの配合により、レジスト感度の調整が容易となることに加え、レジスト膜中での酸の拡散速度が抑制されて解像度が向上し、露光後の感度変化を抑制し、基板や環境依存性を少なくし、露光余裕度やパターンプロファイル等を向上することができる。このようなクエンチャーとしては、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシル基を有する含窒素化合物、水酸基を有する含窒素化合物、N-オキシド類、アミド類、イミド類、カーバメート類、アンモニウム塩類等が好適に用いられる。クエンチャーとしては、上記の配合効果のいずれかを有する物質であれば特に限定されないが、例えば、特開2008-111103号公報の段落[0146]~[0163]記載の塩基性化合物含窒素有機化合物を使用することができる。以下、本発明のレジスト組成物に好適に用いられるクエンチャーを更に具体的に例示するが、これらに限定されるものではない。第一級の脂肪族アミン類として、セチルアミン、テトラエチレンペンタミン、第二級の脂肪族アミン類として、ジデシルアミン、ジドデシルアミン、第三級の脂肪族アミン類として、トリオクチルアミン、トリデシルアミン、トリドデシルアミン、N,N-ジシクロヘキシルメチルアミンが例示される。芳香族アミン類及び複素環アミン類の具体例としては、アニリン誘導体例えばN,N-ビス2-ヒドロキシエチルアニリン、2,6-ジイソプロピルアニリン、ピロール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、イミダゾール誘導体例えば、4-メチル-2-フェニルイミダゾール、2,4,5-トリフェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール誘導体例えばベンズイミダゾール、2-メチルベンズイミダゾール、2-フェニルベンズイミダゾール、ピラゾール誘導体、フラザン誘導体、ピロリン誘導体、ピロリジン誘導体、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ピリジン誘導体例えばジメチルアミノピリジン、2,6-ジ-tert-ブチル-4-メチルピリジン、ピリダジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール誘導体、イソインドール誘導体、1H-インダゾール誘導体、インドリン誘導体、キノリン誘導体、イソキノリン誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキサリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテリジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、1,10-フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノシン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラシル誘導体、ウリジン誘導体が例示される。カルボキシル基を有する含窒素化合物としては、例えばアミノ安息香酸誘導体4-ジメチルアミノ安息香酸、4-ジブチルアミノ安息香酸、アミノ酸誘導体が例示され、水酸基を有する含窒素化合物としては、トリエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、4-2-ヒドロキシエチルモルホリン、3-クイヌクリジノールが例示される。N-オキシド類としては、トリブチルアミン-N-オキシド、N-メチルモルホリン-N-オキシド、トリス2-メトキシメトキシエチルアミン-N-オキシドが例示される。アミド類としては、1-シクロヘキシルピロリドン、N-ピバロイル-2-フェニルベンズイミダゾールが例示される。イミド類としては、フタルイミドが例示される。カーバメート類としては、N-tert-ブトキシカルボニル-N,N-ジシクロヘキシルアミン、N-tert-ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N-tert-ブトキシカルボニル-2-フェニルベンズイミダゾール、N-ベンジルオキシカルボニル-2-フェニルベンズイミダゾール、N-アリルオキシカルボニル-2-フェニルベンズイミダゾールが例示される。アンモニウム塩類としては、トリエチルアンモニウム=カンファースルホナート、酢酸テトラブチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム=p-トルエンスルホナート、テトラブチルアンモニウム=2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホナート、テトラブチルアンモニウム=カンファースルホナート、ベンジルトリメチルアンモニウム=カンファースルホナート、トリメチルオクタデシルアンモニウム=2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホナート、4-2-シクロへキサンカルボキシエチルモルホリニウム=カンファースルホナートが例示される。更に、トリス2-メトキシメトキシエチルアミン、トリス{2-2-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-2-メトキシエトキシメトキシエチル}アミン、トリス{2-1-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス2-アセトキシエチルアミン、トリス2-プロピオニルオキシエチルアミン、トリス2-ベンゾイルオキシエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-メトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-メトキシエチル2-メトキシカルボニルエチルアミン、1-[2-メトキシメトキシエチル]-2-フェニルベンズイミダゾール、1-ドデシルピペリジン、1-[2-[2-メトキシエトキシメトキシ]エチル]ピロリジン、4-ドデシルモルホリン、1-[2-[2-メトキシエトキシメトキシ]エチル]ピペリジン、4-[2-[2-メトキシエトキシメトキシ]エチル]モルホリン、4-[2-[2-2-メトキシエトキシエトキシ]エチル]モルホリン、1-[2-[2-2-メトキシエトキシエトキシ]エチル]ベンズイミダゾール、4-[2-[2-[2-2-メトキシエトキシエトキシ]エトキシ]エチル]モルホリン、酢酸2-1-ピロリジニルエチル、酢酸2-ピペリジノエチル、酢酸2-モルホリノエチル、酢酸2-1-イミダゾリルエチル、酢酸2-1-ベンズイミダゾリルエチル、酢酸2-2-フェニル-1-ベンズイミダゾリルエチル、2-2-メトキシエトキシ酢酸2-ピペリジノエチル、2-2-メトキシエトキシ酢酸2-モルホリノエチル、2-2-メトキシエトキシ酢酸2-1-ベンズイミダゾリルエチル、2-2-メトキシエトキシ酢酸2-2-フェニル-1-ベンズイミダゾリルエチル、2-[2-2-メトキシエトキシエトキシ]酢酸2-1-ピロリジニルエチル、2-[2-2-メトキシエトキシエトキシ]酢酸2-ピペリジノエチル、2-[2-2-メトキシエトキシエトキシ]酢酸2-モルホリノエチル、2-[2-2-メトキシエトキシエトキシ]酢酸2-1-ベンズイミダゾリルエチル、ヘキサン酸2-モルホリノエチル、オクタン酸2-モルホリノエチル、デカン酸2-モルホリノエチル、ラウリン酸2-モルホリノエチル、ミリスチン酸2-モルホリノエチル、パルミチン酸2-モルホリノエチル、ステアリン酸2-モルホリノエチル、ベヘン酸2-モルホリノエチル、コール酸2-モルホリノエチル、トリスO-アセチルコール酸2-モルホリノエチル、トリスO-ホルミルコール酸2-モルホリノエチル、デヒドロコール酸2-モルホリノエチル、シクロペンタンカルボン酸2-モルホリノエチル、シクロヘキサンカルボン酸2-モルホリノエチル、2-ナフタレンカルボン酸2-モルホリノエチル、7-オキサノルボルナン-2-カルボン酸2-モルホリノエチルが例示される。更に、下記一般式E1で表される化合物を例示できる。式中、R4は、炭素数1~20のアルキル基又はアルケニル基、又は炭素数6~20の置換もしくは非置換のアリール基又はアラルキル基を表し、ヘテロ原子を含んでもよい。R5は、炭素数1~10のアルキル基を表す。R6は、炭素数1~10のアルキル基、又は炭素数1~10のアルコキシ基を表す。qは1又は2、pは0~5の整数である。一般式E1中、R4は、炭素数1~20のアルキル基又はアルケニル基、又は炭素数6~20の置換もしくは非置換のアリール基又はアラルキル基を表し、ヘテロ原子を含んでもよい。含まれるヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子が挙げられる。アルキル基は、直鎖状、分岐状又は環状のいずれでもよいが、炭素数1~20であることが、良好なパターン形状を得る上でより好ましい。R4として具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、2-エチルヘキシル基、ノニル基、ウンデシル基、トリデシル基、ペンタデシル基、ヘプタデシル基、アダマンチル基、アダマンチルメチル基、ノルボルニル基、ノルボルニルメチル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、テトラシクロドデカニルメチル基、ジシクロヘキシルメチル基、イコサニル基、アリル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基、テトラヒドロフリル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、トリフルオロエチル基、2-メトキシエトキシメチル基、アセトキシメチル基、フェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基、トリメチルフェニル基、メトキシフェニル基、メチルチオフェニル基、アセトアミドフェニル基を例示できるが、これらに限定されない。R5は、炭素数1~10のアルキル基を表す。R5として具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、2-エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基を例示できるが、これらに限定されない。R6は、炭素数1~10のアルキル基、又は炭素数1~10のアルコキシ基を表す。R6として具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、2-エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、tert-ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、デシルオキシ基を例示できるが、これらに限定されない。qは1又は2、pは0~5の整数である。一般式E1で表される化合物として、より具体的には下記の化合物を例示できるが、これらに限定されない。クエンチャーの配合量は全ベース樹脂100質量部に対して0.01~20質量部、特に0.1~10質量部が好適である。配合量が0.01質量部より少ないと配合効果が劣る場合があり、20質量部を超えると感度が低下しすぎる場合がある。本発明のレジスト組成物には、任意成分として界面活性剤を添加することができる。レジスト組成物に添加される界面活性剤には大きく分けて2種類あり、一つは、塗布性を向上させるために慣用される界面活性剤K1であり、いま一つは、特に水を用いた液浸露光においてレジスト保護膜を用いない場合などに添加される高分子型の界面活性剤K2である。界面活性剤K1の例としては、特に限定されるものではないが、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレインエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルのノニオン系界面活性剤、エフトップEF301,EF303,EF352株ジェムコ製、メガファックF171,F172,F173,R08,R30,R90,R94大日本インキ化学工業株製、フロラードFC-430,FC-431,FC-4430,FC-4432住友スリーエム株製、アサヒガードAG710,サーフロンS-381,S-382,S-386,SC101,SC102,SC103,SC104,SC105,SC106,サーフィノールE1004,KH-10,KH-20,KH-30,KH-40旭硝子株製等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーKP341,X-70-092,X-70-093信越化学工業株製、アクリル酸系又はメタクリル酸系ポリフローNo.75,No.95共栄社油脂化学工業株製が挙げられ、また、下記構造の部分フッ素化オキセタン開環重合物系の界面活性剤も好ましく用いられる。ここで、R、Rf、A、B、C、m、nは、上述の界面活性剤以外の記載に拘わらず、上記式surf-1のみに適用される。Rは2~4価の炭素数2~5の脂肪族基を示し、具体的には2価のものとしてエチレン、1,4-ブチレン、1,2-プロピレン、2,2-ジメチル-1,3-プロピレン、1,5-ペンチレンが挙げられ、3又は4価のものとしては下記のものが挙げられる。式中、破線は結合手を示し、それぞれグリセロール、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトールから派生した部分構造である。これらの中で好ましく用いられるのは、1,4-ブチレン又は2,2-ジメチル-1,3-プロピレンである。Rfはトリフルオロメチル基又はペンタフルオロエチル基を示し、好ましくはトリフルオロメチル基である。mは0~3の整数、nは1~4の整数であり、nとmの和はRの価数を示し、2~4の整数である。Aは1、Bは2~25の整数、Cは0~10の整数を示す。好ましくはBは4~20の整数を示し、Cは0又は1である。また上記構造の各構成単位はその並びを規定したものではなくブロック的でもランダム的に結合してもよい。部分フッ素化オキセタン開環重合物系の界面活性剤の製造に関しては米国特許第5650483号明細書などに詳しい。上記界面活性剤の中でもFC-4430、サーフロンS-381、サーフィノールE1004、KH-20、KH-30、及び上記構造式にて示したオキセタン開環重合物が好適である。これらは単独あるいは2種以上の組み合わせで用いることができる。本発明のレジスト組成物中の界面活性剤の添加量としては、レジスト組成物中のベース樹脂100質量部に対し好ましくは2質量部以下、より好ましくは1質量部以下であり、配合する場合は、0.01質量部以上であることが好ましい。界面活性剤K2としては、レジスト組成物に配合された場合に、スピンコート後のレジスト表面に配向することによって、水液浸露光時のレジスト膜への水のしみ込みやレジスト膜からのリーチングを低減させる機能を有するものであれば特に限定されず、広範な公知物質を使用可能である。この界面活性剤は高分子型の界面活性剤であり、水に溶解せずアルカリ現像液に溶解する性質であり、特に撥水性が高く滑水性を向上させるものが好ましい。このような高分子型の界面活性剤は例えば下記に示すことができる。式中、R114はそれぞれ同一でも異なってもよく、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基、R115はそれぞれ同一でも異なってもよく、水素原子、又は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はフッ素化アルキル基を示し、同一単量体内のR115はそれぞれ結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、その場合、合計して炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基又はフッ素化アルキレン基を示す。R116はフッ素原子又は水素原子、又はR117と結合してこれらが結合する炭素原子と共に炭素数の和が3~10の非芳香環を形成してもよい。R117は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基で、1つ以上の水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい。R118は1つ以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基で、R117とR118が結合してこれらが結合する炭素原子と共に非芳香環を形成していてもよく、その場合、R117、R118及びこれらが結合する炭素原子とで炭素数の総和が2~12の3価の有機基を表す。R119は単結合又は炭素数1~4のアルキレン基、R120は同一でも異なってもよく、単結合、-O-、又は-CR114R114-である。R121は炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、同一単量体内のR115と結合してこれらが結合する炭素原子と共に炭素数3~6の非芳香環を形成してもよい。R122は1,2-エチレン基、1,3-プロピレン基、又は1,4-ブチレン基を示し、Rfは炭素数3~6の直鎖状のパーフルオロアルキル基、又は3H-パーフルオロプロピル基、4H-パーフルオロブチル基、5H-パーフルオロペンチル基、又は6H-パーフルオロヘキシル基を示す。X2はそれぞれ同一でも異なってもよく、-C=O-O-、-O-、又は-C=O-R123-C=O-O-であり、R123は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基である。また、0≦a’-1<1、0≦a’-2<1、0≦a’-3<1、0<a’-1a’-2a’-3<1、0≦b’<1、0≦c’<1であり、0<a’-1a’-2a’-3b’c’≦1である。上記界面活性剤K2としては、例えば、特開2010-134012号公報に記載の高分子化合物を使用することもできる。本発明の化学増幅型レジスト組成物中に界面活性剤K2を添加する場合の添加量は、レジストのベース樹脂100質量部に対して0.001~20質量部、好ましくは0.01~10質量部の範囲である。本発明のレジスト組成物には、必要に応じて、この他に既知の溶解制御剤、アセチレンアルコール類、酸性化合物、色素、熱架橋剤、安定剤などを加えてもよい。このうち、溶解制御剤としては特開2008-122932号公報の段落[0155]~[0178]、アセチレンアルコール類としては段落[0179]~[0182]に記載されている材料を用いることができる。上記レジスト組成物は、基板上に塗布してレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線をこのレジスト膜の所用部分に照射、露光し、加熱処理後に有機溶剤の現像液を用いて上記レジスト膜の未露光部分を溶解、露光部分が膜として残り、ホールやトレンチ等のネガティブトーンのレジストパターンを形成する。本発明に係るパターニング方法は、図1に示される。この場合、図1Aに示したように、本発明においては基板10上に形成した被加工基板20に直接又は中間介在層30を介して有機溶剤現像用化学増幅レジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜40を形成する。レジスト膜の厚さとしては、10~1,000nm、特に20~500nmであることが好ましい。このレジスト膜は、露光前に加熱プリベークを行うが、この条件としては60~180°C、特に70~150°Cで10~300秒間、特に15~200秒間行うことが好ましい。なお、基板10としては、シリコン基板が一般的に用いられる。被加工基板20としては、SiO2、SiN、SiON、SiOC、p-Si、α-Si、TiN、WSi、BPSG、SOG、Cr、CrO、CrON、MoSi、低誘電膜及びそのエッチングストッパー膜が挙げられる。中間介在層30としては、SiO2、SiN、SiON、p-Si等のハードマスク、カーボン膜による下層膜と珪素含有中間膜、有機反射防止膜等が挙げられる。次いで、図1Bに示すように露光50を行う。ここで、露光は波長140~250nmの高エネルギー線、波長13.5nmのEUV、電子ビームEBが挙げられるが、中でもArFエキシマレーザーによる193nmの露光が最も好ましく用いられる。露光は大気中や窒素気流中のドライ雰囲気でもよいし、水中の液浸露光であってもよい。ArF液浸リソグラフィーにおいては液浸溶剤として純水、又はアルカン等の屈折率が1以上で露光波長に高透明の液体が用いられる。液浸リソグラフィーでは、プリベーク後のレジスト膜と投影レンズの間に、純水やその他の液体を挿入する。これによってNAが1.0以上のレンズ設計が可能となり、より微細なパターン形成が可能になる。液浸リソグラフィーはArFリソグラフィーを45nmノードまで延命させるための重要な技術である。液浸露光の場合は、レジスト膜上に残った水滴残りを除去するための露光後の純水リンスポストソークを行ってもよいし、レジスト膜からの溶出物を防ぎ、膜表面の滑水性を上げるために、プリベーク後のレジスト膜上に保護膜を形成させてもよい。液浸リソグラフィーに用いられるレジスト保護膜を形成する材料としては、例えば、レジスト膜を侵さないアルコール等の溶剤に溶解し、水には溶解しない1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロパノール残基を有する高分子化合物をベースとし、炭素数4以上のアルコール系溶剤、炭素数8~12のエーテル系溶剤、又はこれらの混合溶剤に溶解させた材料が好ましい。この場合、保護膜形成用組成物は、1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロパノール残基を有する繰り返し単位等のモノマーから得られるものが挙げられる。保護膜は有機溶剤の現像液に溶解する必要があるが、1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロパノール残基を有する繰り返し単位からなる高分子化合物は有機溶剤現像液に溶解する。特に、特開2007-25634号公報、特開2008-3569号公報に例示の1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロパノール残基を有する保護膜材料は有機溶剤現像液に対する溶解性は高く好ましい。このように、本発明においては、酸の作用によりラクトン環を形成する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に保護膜を形成し、高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて保護膜と未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得てもよい。露光における露光量は1~200mJ/cm2程度、好ましくは10~100mJ/cm2程度となるように露光することが好ましい。次に、ホットプレート上で60~150°C、1~5分間、好ましくは80~120°C、1~3分間ポストエクスポージュアベークPEBする。更に、図1Cに示されるように有機溶剤の現像液を用い、0.1~3分間、好ましくは0.5~2分間、浸漬dip法、パドルpuddle法、スプレーspray法等の常法により現像することにより未露光部分が溶解するネガティブパターンが基板上に形成される。この時の現像液としては、2-オクタノン、2-ノナノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、3-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、メチルアセトフェノンのケトン類、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸アミル、酢酸ブテニル、酢酸イソアミル、酢酸フェニル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、蟻酸イソブチル、蟻酸アミル、蟻酸イソアミル、吉草酸メチル、ペンテン酸メチル、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、乳酸アミル、乳酸イソアミル、2-ヒドロキシイソ酪酸メチル、2-ヒドロキシイソ酪酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、蟻酸ベンジル、蟻酸フェニルエチル、3-フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、酢酸2-フェニルエチルのエステル類を好ましく用いることができる。現像の終了時には、リンスを行う。リンス液としては、現像液と混溶し、レジスト膜を溶解させない溶剤が好ましい。このような溶剤としては、炭素数3~10のアルコール、炭素数8~12のエーテル化合物、炭素数6~12のアルカン、アルケン、アルキン、芳香族系の溶剤が好ましく用いられる。具体的に、炭素数6~12のアルカンとしては、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、メチルシクロペンタン、ジメチルシクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナンなどが挙げられる。炭素数6~12のアルケンとしては、ヘキセン、ヘプテン、オクテン、シクロヘキセン、メチルシクロヘキセン、ジメチルシクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテンなどが挙げられ、炭素数6~12のアルキンとしては、ヘキシン、ヘプチン、オクチンなどが挙げられ、炭素数3~10のアルコールとしては、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、1-ブチルアルコール、2-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、3-ペンタノール、tert-アミルアルコール、ネオペンチルアルコール、2-メチル-1-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、3-メチル-3-ペンタノール、シクロペンタノール、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、3-ヘキサノール、2,3-ジメチル-2-ブタノール、3,3-ジメチル-1-ブタノール、3,3-ジメチル-2-ブタノール、2-エチル-1-ブタノール、2-メチル-1-ペンタノール、2-メチル-2-ペンタノール、2-メチル-3-ペンタノール、3-メチル-1-ペンタノール、3-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、4-メチル-1-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、4-メチル-3-ペンタノール、シクロヘキサノール、1-オクタノールなどが挙げられる。炭素数8~12のエーテル化合物としては、ジ-n-ブチルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジ-sec-ブチルエーテル、ジ-n-ペンチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ-sec-ペンチルエーテル、ジ-tert-アミルエーテル、ジ-n-ヘキシルエーテルから選ばれる1種以上の溶剤が挙げられる。前述の溶剤に加えてトルエン、キシレン、エチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、tert-ブチルベンゼン、メシチレン等の芳香族系の溶剤を用いることもできる。以下、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例等に制限されるものではない。なお、下記例において、分子量及び分散度はゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCにより確認した溶剤:テトラヒドロフラン。下記に記載する分子量及び分散度はGPCによるポリスチレン換算の値である。[モノマー合成例][合成例1]重合性エステル化合物M1の合成M1-110.9g、M1-212.0g、N-メチルピロリドン30gの混合物に、水浴中撹拌しながら、カリウムt-ブトキシド8.2gを加え、30分撹拌、続いて、45°Cで16時間撹拌した。トルエン100g、酢酸1.3gを加えて反応を停止後、水系後処理aqueouswork-upを行ったのち、蒸留精製を行い沸点:67°C/8Pa、合成中間体M1-3を9.6g得た。M1-312.2g、テトラヒドロフラン40gの混合物に、水素化ホウ素ナトリウム770mgと水10gの混合物を氷冷、撹拌下に滴下し、その後、1時間撹拌した。アセトン2.4gを加えて反応を停止、トルエン100gを添加、水系後処理aqueouswork-upの後、68gまで減圧濃縮した。得られた濃縮物に、ピリジン6.4g、4-ジメチルアミノピリジン250mg、無水メタクリル酸7.8gを加え、50°Cで、20時間撹拌した。水系後処理aqueouswork-upを行ったのち、蒸留精製を行い沸点:89-97°C/13Pa、重合性エステル化合物M18.7gをジアステレオマー2種の混合物1H-NMR分析による存在比56:44として得た。IRD-ATR:ν=2975、2933、2879、1733、1721、1638、1463、1380、1364、1318、1295、1239、1175、1086、942cm1。1H-NMR600MHz/DMSO-d6:δ=0.771.3H、t、J=7.4Hz、0.771.7H、t、J=7.3Hz、1.021.3H、s、1.021.7H、s、1.141.7H、t、J=7.3Hz、1.161.3H、t、J=7.4Hz、1.200.9H、d、J=6.4Hz、1.211.1H、d、J=5.9Hz、1.380.9H、q、J=7.4Hz、1.381.1H、q、J=7.5Hz、1.60-1.681H、m、1.70-1.801H、m、1.831.7H、br.s、1.851.3H、br.s、2.67-2.751H、m、3.17-3.292H、m、4.00-4.102H、m、4.980.6H、dq、J=7.9、5.9Hz、5.050.4H、dq、J=6.0、6.4Hz、5.640.6H、m、5.660.4H、m、5.970.6H、m、5.990.4H、m。GC-MSEI:m/z=25、41、69、86、113、141、157、183、199、227、243、285。[参考実験1]重合性エステル化合物M1の酸処理実験重合性エステル化合物M1100mg、アンバーリスト登録商標-15スルホン酸型陽イオン交換樹脂20mg、トルエン2gを80°Cで1時間撹拌した。新規生成物をGC-MSを用いて分析し、ラクトン化合物M1-4であることを確認した。GC-MSEI:m/z=27、41、55、69、85、95、113、129、139、154、168、183、198M。本実験の結果から、本発明の重合性エステル化合物が酸の作用によりラクトン環を形成することが確認された。従って、本化合物に由来する繰り返し単位を有する本発明の高分子化合物を含むレジスト膜もまた、酸の作用により同様の反応機構を経て、ラクトン環を形成するものと考えられる。[合成例2]重合性エステル化合物M2の合成M2-117.8g、メタノール200g、ナトリウムメトキシド0.5gの混合物を20時間加熱撹拌した。酢酸で中和、トルエン200gを加えた後、100gまで減圧濃縮した。アセトニトリル100g、ジイソプロピルエチルアミン25g、クロロメチルメチルエーテル12gを加えて、60°Cで20時間撹拌した。水系後処理aqueouswork-upの後、シリカゲルクロマトグラフィーにより精製を行い、重合性エステル化合物M2を13.0g得た。[ポリマー合成例][合成例3]レジストポリマーP1の合成M16.12g、M30.87g、M43.32g、ジメチル2,2-アゾビス2-メチルプロピオネート0.43g、2-ブタノン15.0gの混合物を、2-ブタノン8.3gに、撹拌しながら80°Cで3時間かけて滴下、その後80°Cで2時間撹拌した。室温に冷却後、撹拌したヘキサン100gに反応液を加え、生じたポリマー固体をろ取、2-ブタノン4gとヘキサン56gの混合物により洗浄、50°C/200Paで16時間乾燥し、P17.9gを得た。Mw:13,300、Mw/Mn:1.82。[合成例4]レジストポリマーP2の合成M510.3g、M69.9g、ジメチル2,2-アゾビス2-メチルプロピオネート2.3g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート13gの混合物を、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート7gに、撹拌しながら80°Cで3時間かけて滴下、その後80°Cで2時間撹拌した。室温に冷却後、撹拌したヘキサン200gに反応液を加え、生じたポリマー固体をろ取、ヘキサン120gにより洗浄、50°C/200Paで20時間乾燥し、P220.0gを得た。Mw:41,400、Mw/Mn:5.02。[合成例5]レジストポリマーP3の合成M232.3g、M612.5g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート17gの混合物に、60°Cで2,2-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル1.9gを添加し、20時間撹拌した。室温に冷却、アセトン6gを添加後、撹拌した2-プロパノール2kgに反応液を加えた。生じたポリマー固体をろ取、2-プロパノール200gにより洗浄、50°C/200Paで20時間乾燥し、P317.2gを得た。Mw:3,300、Mw/Mn:2.16。[比較合成例1,2]比較レジストポリマーCP1、CP2の合成比較レジストポリマーCP1、CP2を、それぞれ合成例3,5に準じた方法により合成した。[実施例及び比較例]レジスト組成物の調製上記合成例で得た高分子化合物を用いて、下記表1,3に示す組成で溶解させた溶液をそれぞれ0.2μmのテフロン登録商標フィルターで濾過した溶液を調製した。下記表中の各組成は次の通りである。酸発生剤:PAG1、PAG2下記構造式参照撥水性ポリマー1分子量Mw=8,900分散度Mw/Mn=1.89塩基性化合物:Q1、Q2下記構造式参照有機溶剤:PGMEAプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートCyHシクロヘキサノンArF露光評価1下記表1に示す組成で調製したレジスト組成物を、シリコンウエハーに日産化学工業株製反射防止膜を80nmの膜厚で作製した基板上にスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100°Cで60秒間ベークし、レジスト膜の厚みを160nmにした。これをArFエキシマレーザースキャナー株ニコン製、NSR-307E、NA0.85、σ0.93を用いてラインアンドスペースパターンを露光し、露光後100°Cで60秒間ベークPEBし、表1に示す現像液有機溶剤で60秒間パドル現像を行った後、表1に示すリンス液有機溶剤を用いて500rpmでリンスし、その後、2,000rpmでスピンドライし、100°Cで60秒間ベークしてリンス液を蒸発させ、80nmの1:1ラインアンドスペースパターンを形成した。作製したレジストパターンを電子顕微鏡にて観察、トレンチ寸法幅が80nmとなる露光量を最適露光量Eop、mJ/cm2とした。次に目標寸法との寸法差が8nm以内となる露光量範囲を調べ、許容露光量範囲とし、[許容露光量範囲]/[最適露光量]×100=[露光量余裕度EL:]を求めた数値が大きいほど良好。また、最適露光量における断面形状を観察し、パターン側壁が垂直で矩形であれば良好とし、逆テーパー形状又は表層が閉塞する形状であれば不良とした。評価結果を下記表2に示す。ArF露光評価2下記表3に示す組成で調製したレジスト組成物を、シリコンウエハーに信越化学工業株製スピンオンカーボン膜ODL-50カーボンの含有量が80質量を200nm、その上に珪素含有スピンオンハードマスクSHB-A940珪素の含有量が43質量を35nmの膜厚で成膜したトライレイヤープロセス用の基板上にスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100°Cで60秒間ベークし、レジスト膜の厚みを100nmにした。これをArFエキシマレーザー液浸スキャナー株ニコン製、NSR-610C、NA1.30、σ0.98を用い、0.2mJ/cm2ステップで露光量を変化させながらオープンフレーム露光を行った。露光後100°Cで60秒間ベークPEBし、有機溶剤現像液酢酸ブチルで60秒間パドル現像を行った後、有機溶剤リンス液ジイソアミルエーテルを用いて500rpmでリンスし、その後、2,000rpmでスピンドライし、100°Cで60秒間ベークしてリンス液を蒸発させた。PEB後の膜厚、有機溶剤現像後の膜厚を測定し、露光量と膜厚の関係コントラストカーブを求めた。図2に実施例2-1におけるPEB後及び現像後のコントラストカーブを示す。現像後のコントラストカーブについて、膜厚10nm以上かつ60nm以下の範囲に存在するプロットを対象に、x=露光量mJ/cm2、y=膜厚nmとし、y=CalnxCbの対数近似フィッテングを行ったCa、Cbは定数。また、過露光量32mJ/cm2におけるPEB後膜厚と現像後膜厚の差を求め、現像溶解量nmとした。各実施例、比較例について得られたCa及び現像溶解量を下記表4に示す。Ca値が高いほど、また現像溶解量が小さいほどコントラストが高く、高解像性が期待できる。以上の結果より、本発明の化学増幅レジスト組成物は、有機溶剤現像によるネガ型パターン形成に好適であり、かつ、有機溶剤現像における溶解コントラストに優れることが確認された。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。"