"微小なライン状凹凸構造が略一定方向に形成される帯状の第1凹凸構造領域と、前記第1凹凸構造と異なる方向に微小なライン状凹凸構造が形成される帯状の第2凹凸構造領域とが、同一平面に交互に形成されている3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法であって、導電性材料からなる第1層の表面に、非導電性材料からなる第2層を平行な帯状のパターンとして形成して、帯状の第2層と帯状の第1露出部とを前記第1層の表面に交互に形成する第2層形成工程と、前記第2層の表面及び前記第1露出部からなる表面を前記略一定方向に研磨して、前記第1露出部に前記第1凹凸構造領域を形成する第1研磨工程と、前記第1露出部の前記第1凹凸構造領域上に、導電性材料からなる第3層を電解めっきによって形成する第3層形成工程と、前記第3層を残し、前記第2層を選択的にエッチングして除去して第2露出部を形成する第1エッチング工程と、前記第3層の表面及び前記第2露出部からなる表面を前記異なる方向に研磨して、前記第2露出部に前記第2凹凸構造領域を形成する第2研磨工程と、前記第3層を除去して前記第1凹凸構造領域を露出させる第2エッチング工程と、を備える3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。前記第3層の厚さは、0.01μm以上10μm以下である請求項1に記載の3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。前記第2層の厚さは、0.01μm以上10μm以下である請求項1又は2に記載の3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。前記非導電性材料からなる第3層がTiNである請求項1から3のいずれかに記載の3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。前記第1研磨工程及び前記第2研磨工程がラビング処理である請求項1から4のいずれかに記載の3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。液晶材料を配向させるために版に溝を形成する方法としては、上記のなかでも、従来公知の研磨法が、配向精度、生産性の点から従来主に用いられている。しかしながら、パターン位相差フィルムの場合には、異なるパターンをストライプ状で交互に形成する必要があり、この特殊性が故に通常の研磨法が適用し難い。実際、特許文献1の研磨方法による版では、同一平面上に研磨によりパターンを形成するために数百μmのパターン領域毎に研磨を実施したり、微細凹凸が形成された領域パターンを組み合わせてロール版を形成する必要があり、このため精度や生産性に問題があった。本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、3次元表示用パターン位相差フィルムを形成することが可能なパターン配向膜を、高精度で容易かつ大量に作製することができる3次元表示用パターン配向膜用原版を提供する。具体的には本発明は以下のものを提供する。本発明は、微小なライン状凹凸構造が略一定方向に形成される帯状の第1凹凸構造領域と、前記第1凹凸構造と異なる方向に微小なライン状凹凸構造が形成される帯状の第2凹凸構造領域とが、同一平面に交互に形成されている3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法であって、導電性材料からなる第1層の表面に、非導電性材料からなる第2層を平行な帯状のパターンとして形成して、帯状の第2層と帯状の第1露出部とを前記第1層の表面に交互に形成する第2層形成工程と、前記第2層の表面及び前記第1露出部からなる表面を前記略一定方向に研磨して、前記第1露出部に前記第1凹凸構造領域を形成する第1研磨工程と、前記第1露出部の前記第1凹凸構造領域上に、導電性材料からなる第3層を電解めっきによって形成する第3層形成工程と、前記第3層を残し、前記第2層を選択的にエッチングして除去して第2露出部を形成する第1エッチング工程と、前記第3層の表面及び前記第2露出部からなる表面を前記異なる方向に研磨して、前記第2露出部に前記第2凹凸構造領域を形成する第2研磨工程と、前記第3層を除去して前記第1凹凸構造領域を露出させる第2エッチング工程と、を備える3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法である。本発明によれば、第2層、第3層をパターン形成した後に、いずれもエッチングによって除去する。この結果、版表面となる第1層の表面に、帯状の第1凹凸構造領域と帯状の第2凹凸構造領域とを同一平面上に交互に形成できる。同一平面上に異なる配向を形成することで、版に凹凸を形成することがないので、凹凸の高さ違いに由来する位相差量リタデーションの変化がなく、光学的に高い精度が得られる。なお、目視でフィルムを観察したときに、段差のないことでストライプパターンの境界線が見えない又は見えにくいという特徴がある。そして本発明によれば、上記のパルスレーザーやバイト切削等と比べて、それぞれの凹凸構造領域を高い精度で形成できる。具体的には、最初の保護層となる第2層は例えばフォトリソグラフィーで形成し、次に保護層となる第3層を電解めっきによって形成することで、導電性の第1層の第1露出部の第1凹凸構造領域上のみに第3層を確実に形成できる。この点において、フォトリソグラフィーのような正確なパターン形成が不要となるので、第3層形成の位置精度が格段に向上する。更に、本発明における層形成工程、研磨工程、エッチング工程は、いずれも平面状の版のみならず、ロール状の版にも適用できる。このため、版を回転させながら層形成工程、研磨工程、エッチング工程を行うことで更に生産性を向上できる。本発明においては、前記第3層の厚さは、0.01μm以上10μm以下であることが好ましい。また、本発明においては、前記第2層の厚さは、0.01μm以上10μm以下であることが好ましい。この態様によれば、第2層及び第3層を上記範囲の薄膜とする。第2層及び第3層はマスク層であるため、下限値以上の薄膜とすることで、下の第1層を一時的に保護する層であるので研磨工程における保護を確実にできる。一方、上限値以下の薄膜とすることで、後の研磨工程における段差を最小限とすることができ、第1層の表面に確実に凹凸構造領域を形成することができる。また、層形成工程後のレジスト部の剥離も確実になる。更に、エッチング工程における第2層及び第3層の除去も容易となる。本発明においては、前記非導電性材料からなる第3層がTiNであることが好ましい。この態様によれば、TiNは非導電性材料の中でも硬度が高いという特性を有しているので、本発明に係る第3層として好ましく用いることができる。本発明においては、前記第1研磨工程及び前記第2研磨工程がラビング処理であることが好ましい。本発明は下地となる第1層が金属に代表される導電性材料である。このため、研磨工程において、研磨処理の一種であるラビング処理を適用対象とすることができ、凹凸構造領域に優れた配向性を付与できる。本発明によれば、3次元表示用パターン位相差フィルムを形成することが可能なパターン配向膜を、高精度で容易かつ大量に作製することができる3次元表示用パターン配向膜用原版を提供できる。図面を用いて本発明を具体的に説明する。図1から図3は、本発明の3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法の一例を示す工程図である。この製造プロセスは、工程aからiで構成されている。具体的には、図1aから図2dに示すように、無機材料からなる第1層の表面に、金属材料からなる第2層を平行な帯状のパターンとして形成して、帯状の第2層と帯状の第1露出部とを第1層の表面に交互に形成する第2層形成工程と、図2eに示すように、第2層の表面及び第1露出部からなる表面を略一定方向に研磨して、第1露出部に第1凹凸構造領域を形成する第1研磨工程と、図2fに示すように、第1露出部の第1凹凸構造領域上に、導電性材料からなる第3層を電解めっきによって形成する第3層形成工程と、図3gに示すように、第3層を残し、第2層を選択的にエッチングして除去して第2露出部を形成する第1エッチング工程と、図3hに示すように、第3層の表面及び第2露出部からなる表面を異なる方向に研磨して、第2露出部に第2凹凸構造領域を形成する第2研磨工程と、図3iに示すように、第3層を除去して第1凹凸構造領域を露出させる第2エッチング工程と、からなる。以下、各工程について詳細に説明する。<第2層形成工程>第2層形成工程は、図2dに示すように、導電性材料からなる第1層10の表面に、非導電性材料からなる第2層パターン21を平行な帯状のパターンとして形成して、帯状の第2層パターン21と帯状の第1露出部11とを第1層10の表面に交互に形成する工程である。この図1dの状態は、例えば、図1aからcの工程を経て形成することができる。まず、図1a、図1bに示すように、第1層10の表面に帯状の第1レジスト部31と非レジスト部32とをパターン形成する。第1層10は基材の最表層として存在する導電性材料層である。導電性材料としては、ニッケル、銅、アルミニウム、スズ、クロム、ステンレス、鉄等の単独又は合金の金属材料が例示できる。レジストを平行な帯状に形成する方法としては、レジスト材料を塗布することによりレジスト膜30を形成した後、平行な帯状に露光し、次いで、現像することにより、第1レジスト部31と非レジスト部32とをパターン形成することができる。レジスト材料としては特に限定されるものではなく、ポジ型レジスト材料、ネガ型レジスト材料のいずれも用いることができる。ポジ型レジスト材料としては、例えばノボラック樹脂をベース樹脂とした化学増幅型レジスト等が挙げられる。また、ネガ型レジスト材料としては、例えば架橋型樹脂をベースとした化学増幅型レジスト、具体的にはポリビニルフェノールに架橋剤を加え、更に酸発生剤を加えた化学増幅型レジスト等が挙げられる。上記レジスト材料を塗工してレジスト膜30を形成する方法としては、一般的な塗工方法を用いることができ、例えばスピンコート法、キャスティング法、ディッピング法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、グラビアコート法、フレキソ印刷法、スプレーコート法等を使用することができる。上記レジスト膜を平行な帯状に露光する方法としては、通常のフォトマスク描画に用いられる電子線描画法、もしくはレーザー描画法等を用いることができる。また、マスクを介して紫外線照射を行う方法を用いることもできる。なかでも、レーザー描画法であることが好ましい。上記金属基材の形状がロール状である場合であっても、精度良くパターン状に露光することができるからである。また、露光後のレジスト膜の現像方法としては、一般的なアルカリ現像等の現像方法を用いることができる。次いで、図1cに示すように、第1レジスト部31及び非レジスト部32上に、非導電性材料の第2層20が、好ましくは0.01μm以上10μm以下で薄膜形成される。薄膜形成の方法は、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法等の物理蒸着法PVD、気相成長法CVD法、塗布法等を挙げることができる。非導電性材料としては、SiO2、SiOx、Al2O3、GeO2、TiO2、Cr2O3、ZrO3、Ta2O5、Nb2O3等の無機酸化物;TiN、Si3N4、AlN等の無機窒化物;SiOxNy等の無機酸化窒化物;SiC等の無機炭化物;DLCダイアモンドライクカーボン等を挙げることができ、なかでも、ハードビッカース高度が1000以上でかつ選択エッチングが可能であるという観点から無機窒化物、特にTiNが好ましく用いられる。DLCはエッチングによる除去が困難であるので好ましくない。次いで、この状態で、有機溶剤での溶解剥離や、アルカリ処理等により第1レジスト部31を剥離する。このとき、第1レジスト部31上に形成される第2層20も併せて除去されて第1露出部11が形成されると共に第2層パターン21が残り、第1露出部11と第2層パターン21とが交互に形成される図2dに示す状態になる。この第2層パターン21は、第1層10の保護層としてマスクとなる部分である。なお、上記は一例であり、第2層の形成は必ずしも上記方法に限らず、例えば、剥離は、粘着ロールで剥離する、又は、UV樹脂を賦型してUV樹脂側に保護層が取られるようにする方法がある。また、レジスト剥離工程でレジストが綺麗に剥れなかったときに、UV樹脂で賦型してレジスト層を除去することもできる。<第1研磨工程>次に、図2eに示すように、第1露出部11と第2層パターン21の表面を研磨して、第1露出部11に、微小なライン状凹凸構造である、第1凹凸構造領域12aを形成する。なお、上記のように、第2層パターン21の厚さは0.01μm以上10μm以下と小さく、このため第1露出部11に比べて高さが高い段差があっても、第1露出部11と第2層パターン21の両方の表面に第1凹凸構造領域12aが形成できる。なお、第2層パターン21の表面に形成される第1凹凸構造領域21aは、その後、第2層パターン21と共に除去されるので不要な部分である。第1凹凸構造領域12aは、第1層10の第1露出部11の表面に略一定方向にランダムに形成されたものである。ここで、略一定方向にランダムに形成された微小なライン状凹凸構造とは、例えば、表面にラビング処理がなされた場合等に形成されるような微小な傷のようなライン状凹凸構造が、略一定方向に形成されたものである。微小なライン状凹凸構造としては、本発明の原版を用いて形成されたパターン配向膜により3次元表示可能なパターン位相差フィルムとすることができるものであれば特に限定されるものではない。微小なライン状凹凸構造の断面形状としては、凹凸構造を有し、上記液晶化合物を所定の方向に配列できるものであれば特に限定されるものではなく、略矩形、略三角形、略台形等とすることができる。また、一定の形状でなくともよい。微小なライン状凹凸構造の高さ、幅、及び周期としては、液晶化合物を配列させることができる範囲内であれば特に限定されるものではない。本発明において、微小なライン状凹凸構造の幅は、1nm~1000nmの範囲内であることが好ましく、なかでも、1nm~500nmの範囲内であることがより好ましく、特に、1nm~100nmの範囲内であることが更に好ましい。また、微小なライン状凹凸構造の高さは、1nm~500nmの範囲内であることが好ましく、なかでも、1nm~100nmの範囲内であることがより好ましく、特に、1nm~50nmの範囲内であることが好ましい。更に、微小なライン状凹凸構造の周期は、必ずしも一定ではなくても良いが、概ね1nm~1000nmの範囲内であることが好ましく、なかでも1nm~100nmの範囲内であることが好ましい。微小なライン状凹凸構造が上述のサイズであることにより、安定的に液晶化合物を配列させることができるからである。研磨方法としては、砥石研磨、ペーパー研磨、テープ研磨、サンドブラスト法、ショットブラスト法、グリットブラスト法、ガラスビーズブラスト法等のブラスト法、ナイロン、ポリプロピレン、塩化ビニル樹脂等の合成繊維からなる合成樹脂毛、不織布、動物毛、スチールワイヤ等のブラシ材を用いる、ラビング法を含むブラシグレイニング法、金属ワイヤーで引っかくワイヤーグレイニング法、研磨剤を含有するスラリー液を供給しながらブラシ研磨する方法ブラシグレイニング法、ボールグレイン法、液体ホーニング法等のバフ研磨法、ショットピーニング法等を挙げることができる。本発明においては第1層10をクロムやニッケルのような金属材料とすることができるので、ラビンク法が好ましく用いられる。<第3層形成工程>次に、図2fに示すように、第1露出部11の第1凹凸構造領域12a上に、導電性材料からなる第3層パターン51を電解めっきによって形成する。このとき、第2層パターン21は非導電性材料のためにめっきされず、第1露出部11の第1凹凸構造領域12a上のみが帯状のパターンとしてめっきされる。第3層パターン51は導電性材料であり、かつ第1層と異なる材料である。具体的な第1層/第3層の組み合わせとしては、ニッケル/クロム、クロム/ニッケル、銅/ニッケル、ニッケル/銅、銅/クロム、クロム/銅などが例示できる。また、第3層パターン51のめっき厚さは0.01μm以上10μm以下が好ましい。<第1エッチング工程>次に、図3gに示すように、第3層パターン51を残し、第2層パターン21を選択的にエッチングして除去して第2露出部13を形成する。すなわち、表面に第2凹凸構造領域21aが形成された第2層パターン21は、第1層10及び第3層パターン51に対する選択エッチングによって除去され、第1層10が露出して第2露出部13となる。すなわち、この図3gは、第3層パターン51が第1層10上に帯状にパターン形成されている状態である。選択エッチングの組み合わせの一例としては、第1層/第2層/第3層の組み合わせで、ニッケル/TiN/クロムの場合には、TiNのエッチング液S-SE-TW10A昭和電工社製/過酸化水素水関東化学社製=4:1のエッチング液を用いて第2層パターン21を選択的にエッチングできるが、これに限定されるものではない。なお、本発明におけるエッチングとは剥離の総称を意味し、他に、例えば、粘着ロールで剥離する、又は、UV樹脂を賦型してUV樹脂側に保護層が取られるようにする方法も含むものである。<第2研磨工程>次に、図3hに示すように、第2露出部13と第3層パターン51の表面を第1凹凸構造領域12aと異なる方向に研磨して、第2露出部13に、微小なライン状凹凸構造である、第2凹凸構造領域12bを形成する。この工程は、研磨方向が第1凹凸構造領域12aと異なる方向である点を除いては、基本的に図2eで説明した上記の第1研磨工程と同じ工程である。よって研磨方向以外の詳細説明を省略する。第1凹凸構造領域12aと第2凹凸構造領域12bとは、上記微小なライン状凹凸構造の形成方向が異なる。図2eの第1研磨工程と、図3hの第2研磨工程とでは、XY平面における相互の微小なライン状凹凸構造の形成方向θが、それぞれ135度及び45度であり90度異なる場合図3iのθ1=135度、θ2=45度参照を示しているが、これに限らず、例えば45度異なっていてもよい。<第2エッチング工程>最後に、図3iに示すように、表面に第2凹凸構造領域51aが形成された第3層パターン51は、第1層10に対する選択エッチングによって除去され、第1層10の第1凹凸構造領域12aが露出して、3次元表示用パターン配向膜用原版100が得られる。すなわち、この3次元表示用パターン配向膜用原版100は、第1層10の同一表面に段差なく第1凹凸構造領域12aと第2凹凸構造領域12bとが交互に形成されている状態である。この第2エッチング工程は、基本的に図2eで説明した上記の第1エッチング工程と同じ工程である。よってその詳細説明を省略する。<パターン配向膜/パターン位相差フィルム>このようにして得られた3次元表示用パターン配向膜用原版100は、図4に示すように、TACトリアセチルセルロースやCOC環状オレフィン樹脂やアクリル樹脂等からなる位相差の小さいフィルム110上に、従来公知のUV硬化樹脂等の賦型樹脂120を積層した積層体の賦型樹脂面を圧着され、3次元表示用パターン配向膜用原版100の第1凹凸構造領域12aと第2凹凸構造領域12bで構成される微小なライン状凹凸構造が賦型樹脂表面121に転写され、その後UV硬化させる。これによりパターン配向膜150が得られる。更に、この賦型樹脂表面121上には重合性の液晶化合物160が塗布されることで、微小なライン状凹凸構造に沿って液晶分子が配向し、その後に重合硬化することでパターン位相差フィルム200が得られる。本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。例えば、上記実施形態の説明は平板状の版を基に説明したが、本発明はこれに限らず、ロール状のロール版に対しても適用可能である。以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。以下の実施例は図1から図3に示す工程aからiを、最表面に第1層を備える円筒状のロール基材に適用して形成したものである。[実施例1]<第2層形成工程>図1a、b:円筒状の基材の最表面クロム層5μm第1層の円周方向に対して溶剤希釈したネガ型レジストをコーティングし乾燥後、レーザー露光方法で360μm幅の平行な帯状にパターンを形成し、現像処理を行い、その後余分なレジストを除去することにより、360μm幅の非レジスト部と、360μmピッチで高さ5μmの第1レジスト部とをクロム基板上に交互に形成した。図1c:第1レジスト部及び非レジスト部に、第2層として高さ1μmのTiN層をスパッタリングで形成した。図2d:第1レジスト部及びTiN層を剥離して第1露出部を形成することで、第2層パターンとして高さ1μmのTiN層を360μmピッチでパターン形成した。第1レジスト部は、アルカリ溶液や、MEK,IPA、メタノールの混合溶剤で溶解剥離できた。<第1研磨工程>図2e:第2層パターンの表面及び第1露出部11からなる表面を、円筒の円周方向から45度方向でラビング処理し、第1露出部11に第1凹凸構造領域12aを形成した。<第3層形成工程>図2f:電解めっき法により、第1露出部11の第1凹凸構造領域12a上のみに、ニッケルの第3層パターン51を360μmピッチ、厚さ1μmで形成した。<第1エッチング工程>図3g:エッチング液S-SE-TW10A昭和電工社製/過酸化水素水関東化学社製=4:1のTiN選択的エッチング液を用いて、第3層パターン51を残し、第2層パターン21を選択的にエッチングして除去して第1層上に第2露出部13を形成した。<第2研磨工程>図3h:第3層パターンの表面及び第2露出部13からなる表面を、円筒の円周方向から135度方向にラビング処理し、第2露出部に第2凹凸構造領域12bを形成した。<第2エッチング工程>図3i:NC-A/NC-B=1:40いずれも日本化学産業社製のエッチング液を用いて、第3層パターン51をエッチングして除去して第1層上の第1露出部11の第1凹凸構造領域12aを露出させ、第1層10の同一表面に段差なく第1凹凸構造領域12aと第2凹凸構造領域12bとが交互に形成されている状態を形成して3次元表示用パターン配向膜用原版100を得た。[評価]透明フィルム基材として60μmのTACに、希釈溶剤としてMEKとMIBKとが質量比4対1で混合されてなる希釈溶剤で希釈された固形分45、2500mPasのアクリル系紫外線硬化樹脂組成物を厚み8μmとなるようにコーティングし、溶剤を80°Cで30秒間で乾燥蒸発させた後、上記で作製した版にゴムロールで1000MPa/cmの加重で押し付けた後、紫外線を照射し、固化させたのち剥離し、パターン配向層をもつ基材パターン配向膜を得た。得られたパターン配向膜表面を原子間力顕微鏡AFMを用いて、表面の凹凸形状を測定したところ、微小なライン状凹凸構造の周期ピッチは、ほぼ5nm~500μmの範囲内でランダムに分布していた。また、微小なライン状凹凸構造の高さは1nm~100nmの範囲内であり、幅は5nm~500nmの範囲内であった。このように、実施例1ではパターン配向膜を容易に形成できることが確認できた。"