第一のバンドギャップを有するベース半導体層30、第二のバンドギャップを有するエミッタ半導体層34、及び前記ベース半導体層30と前記エミッタ半導体層34との間に位置づけられ、第三のバンドギャップを有する空乏半導体層32を含み、前記第三のバンドギャップが前記第一のバンドギャップ及び前記第二のバンドギャップよりも大きい、太陽電池。前記第一のバンドギャップは前記第二のバンドギャップと実質的に同じである、請求項1に記載の太陽電池。前記第一のバンドギャップは前記第二のバンドギャップよりも大きい、請求項1に記載の太陽電池。前記第三のバンドギャップは、前記第一のバンドギャップ及び前記第二のバンドギャップよりも少なくとも1パーセント大きい、請求項1に記載の太陽電池。前記第三のバンドギャップは、前記第一のバンドギャップ及び前記第二のバンドギャップよりも少なくとも1.5パーセント大きい、請求項1に記載の太陽電池。前記ベース半導体層はp型半導体材料を含み、且つ前記エミッタ半導体層はn型半導体材料を含む、請求項1に記載の太陽電池。前記空乏半導体層はp型半導体材料を含む、請求項6に記載の太陽電池。前記空乏半導体層と前記エミッタ半導体層との間に位置づけられた第二の空乏半導体層をさらに含む、請求項7に記載の太陽電池。前記第二の空乏半導体層はn型半導体材料を含む、請求項8に記載の太陽電池。前記ベース半導体層及び前記エミッタ半導体層は、第一の断面厚さ33を有する空乏領域を定め、且つ前記空乏半導体層は、前記第一の断面厚さと実質的に等しい第二の断面厚さ34を有する、請求項1に記載の太陽電池。前記空乏半導体層は、前記空乏領域40を完全に覆い隠す、請求項1に記載の太陽電池。前記空乏半導体層は約0.1ミクロンから約1ミクロンまでの断面厚さを有する、請求項1に記載の太陽電池。前記ベース半導体層は第一の半導体組成を有し、且つ前記エミッタ半導体層は第二の半導体組成を有し、且つ前記第一の半導体組成は前記第二の半導体組成と実質的に同じである、請求項1に記載の太陽電池。前記ベース半導体層は第一の半導体組成を有し、前記エミッタ半導体層は第二の半導体組成を有し、且つ前記空乏半導体層は第三の半導体組成を有し、且つ前記第三の半導体組成は、前記第一及び前記第二の半導体組成とは異なる、請求項1に記載の太陽電池。前記ベース半導体層、前記空乏半導体層及び前記エミッタ半導体層の各々は、3-5族合金を含む、請求項1に記載の太陽電池。前記空乏半導体層はアルミニウムを含み、且つ前記ベース半導体層及び前記エミッタ半導体層の少なくとも一方は、実質的にアルミニウムを含まない、請求項1に記載の太陽電池。複数のサブセルを含み、前記複数のサブセルの少なくとも一つは、第一のバンドギャップを有するベース半導体層30、第二のバンドギャップを有するエミッタ半導体層34、及び前記ベース半導体層と前記エミッタ半導体層との間に位置づけられ、第三のバンドギャップを有する空乏半導体層32を含み、前記第三のバンドギャップは、前記第一のバンドギャップ及び前記第二のバンドギャップよりも大きい、太陽電池。第一のバンドギャップを有するベース半導体層30、及び第二のバンドギャップを有するエミッタ半導体層34を含み、前記ベース半導体層及び前記エミッタ半導体層はpn接合を定め、且つ前記第二のバンドギャップは前記第一のバンドギャップよりも大きい、太陽電池。一つの態様では、開示される太陽電池は、第一のバンドギャップを有するベース半導体層、第二のバンドギャップを有するエミッタ半導体層、及びベース半導体層とエミッタ半導体層との間に位置づけられ且つ第三のバンドギャップを有する空乏半導体層を含み、第三のバンドギャップは、第一のバンドギャップ及び第二のバンドギャップよりも大きい。他の態様では、開示される太陽電池は、複数のサブセルを備え、複数のサブセルの少なくともひとつは、第一のバンドギャップを有するベース半導体層、第二のバンドギャップを有するエミッタ半導体層、及び前記ベース半導体層と前記エミッタ半導体層との間に位置づけられ、第三のバンドギャップを有する空乏半導体層を含み、前記第三のバンドギャップは、前記第一のバンドギャップ及び前記第二のバンドギャップよりも大きい。さらに別の態様では、開示される太陽電池は、第一のバンドギャップを有するベース半導体層、及び第二のバンドギャップを有するエミッタ半導体層を含み、ベース半導体層及びエミッタ半導体層はpn接合を定め、第二のバンドギャップは第一のバンドギャップよりも大きい。開示される太陽電池の他の態様は、後に続く説明、添付された図面及び請求の範囲から明らかになるだろう。図1を参照すると、一般的に10として示される、開示された太陽電池構造の一態様は、太陽電池12、フロントコンタクト層14、反射防止膜層16、及びバックコンタクト層18を含む。さらに、図示はされていないが、支持層、反射層及び/又はカバーガラス層などの付加的な層が、本発明の開示範囲から逸脱することなく、含まれていてもよい。フロントコンタクト層14及び反射防止膜層16は、太陽電池12のフロント表面20上に位置づけられ、バックコンタクト層18は、太陽電池12のバック表面上に位置づけられる。フロント表面20が太陽放射などの電磁放射にさらされるときには、太陽電池12は、フロント表面20及びバック表面22全域に電圧を生成する。太陽電池12は、一又は複数のサブセル24、26及び28を備える。一つの実施において、太陽電池12は、上部サブセル24、一又は複数の中間サブセル26及び下部サブセル28を含む多接合太陽電池とする。たとえば、多接合太陽電池は、ガリウムヒ素GaAa太陽電池又は倒置変性IMM太陽電池とする。太陽電池12のサブセル24が、図2に示される。当業者なら、太陽電池12の任意のサブセル24、26及び28が図2に示されるように構築されることを理解するだろう。一つの表現では、太陽電池12のすべてのサブセル24、26及び28は、図2に示されるように構築される。別の表現では、太陽電池12のサブセル24、26及び28のすべてというわけではないが、それらのいくつかたとえば、中間サブセル26及び下部サブセル28だけが、図2に示されるように構築されてもよい。サブセル24は、ベース半導体層30、空乏半導体層32及びエミッタ半導体層34を含む。選択的に、サブセル24は、エミッタ半導体層34を覆うように位置づけられた窓層36及びベース半導体層30を覆うように位置づけられた裏面電界層38を含んでもよい。他のコンポーネント及び層が、本発明の開示の範囲を逸脱することなく、サブセル24に含まれていてもよい。ベース半導体層30は、第一の半導体材料を含み、且つ第一のバンドギャップ、第一の極性及び断面厚さTBを有することができる。ベース半導体層30の第一の半導体材料は、任意の適切な半導体材料とする。一つの特定の実施において、第一の半導体材料は、3-5族金属又は金属合金とする。たとえば、第一の半導体材料は、GaInP、GaAs、GaInAs、又はInPなどの3-5族合金から形成されてもよく、それらを含んでいてもよい。ベース半導体層30の極性すなわち、第一の極性は、陽性すなわち、p型又は陰性すなわち、n型のどちらかとする。一つの例では、ベース半導体層30は、p型の半導体としてドープされる。別の例では、ベース半導体層30は、n型の半導体としてドープされてもよい。ベース半導体層30の断面厚さTBは、ベース半導体層30の組成を含む、種々の要因次第とすることができる。一般的な例として、ベース半導体層30は、約0.1ミクロンから約10ミクロンまでの断面厚さTBを有することができる。特定の例として、ベース半導体層30は、約1ミクロンの断面厚さTBを有することができる。一つの認識において、ベース半導体層30は平面を定め、且つ断面厚さTBはその平面に対して垂直に寸法をとることができる。エミッタ半導体層34は、第二の半導体材料を含み、且つ第二のバンドギャップ、第二の極性及び断面厚さTEを有することができる。第一の実施において、エミッタ半導体層34の半導体材料は、ベース半導体34の半導体材料と実質的に同じ化学成分を含むことができるすなわち、第一及び第二の半導体材料は、異なるドーパント又は異なる量のドーパントの存在がなければ同じである。それゆえ、第一の実施の一つの表現においては、エミッタ半導体層34のバンドギャップは、ベース半導体層30のバンドギャップと実質的に同じであるすなわち、第一及び第二のバンドギャップは、実質的に同じである。第一の実施の別の例では、実質的に同じ材料から形成されるにもかかわらず、エミッタ半導体層34のバンドギャップは、ベース半導体層34のバンドギャップと異なるものとしてもよいすなわち、第一及び第二のバンドギャップは異なってよい。一つの例として、エミッタ半導体層34のバンドギャップは、ベース半導体層30のバンドギャップよりも大きい。別の例として、エミッタ半導体層34のバンドギャップは、ベース半導体層34のバンドギャップよりも小さいとしてもよい。第二の実施において、エミッタ半導体層34の半導体材料は、ベース半導体層34の半導体材料と異なる化学成分を含むことができるすなわち、第一及び第二の半導体材料は異なる。それゆえ、第二の実施の一つの表現においては、エミッタ半導体層34のバンドギャップは、ベース半導体層34のバンドギャップと異なるすなわち、第一及び第二のバンドギャップは異なる。一つの例として、エミッタ半導体層34及びベース半導体層30の組成は、ベース半導体層30にエミッタ半導体層34よりも大きいバンドギャップを提供するように設計される。別の例では、エミッタ半導体層34及びベース半導体層30の組成は、エミッタ半導体層34にベース半導体層34よりも大きいバンドギャップを提供するように設計される。ベース半導体層30及びエミッタ半導体層30が同じ化学成分を含んでいようが異なる化学成分を含んでいようが、層30及び34は反対の極性を得るためにドープされる。たとえば、ベース半導体層30がp型であるときには、エミッタ半導体層34はn型とすることができる。エミッタ半導体層34の断面厚さTEは、エミッタ半導体層34の組成を含む、種々の要因次第とすることができる。一般的な例として、エミッタ半導体層34は、約0.01ミクロンから約01ミクロンまでの断面厚さTEを有することができる。特定の例として、エミッタ半導体層34は、約005ミクロンの断面厚さTEを有することができる。一つの認識において、エミッタ半導体層34は平面を定め、且つ断面厚さTEはその平面に対して垂直に寸法をとることができる。ベース半導体層30及びエミッタ半導体層34は、それらの間に空乏領域40を含むpn接合を定めることができる。空乏半導体層32は、空乏領域40に位置付けることができ、空乏領域40に重なりあう及び/又はそれを覆い隠すことができる。空乏半導体層32は、第三の半導体材料を含み、且つ第三のバンドギャップ、第三の極性及び断面厚さTDを有することができる。空乏半導体層32のバンドギャップは、ベース半導体層30のバンドギャップ及びエミッタ半導体層34のバンドギャップよりも大きくことができる。任意の特定理論に限定されることなく、高いバンドギャップの空乏半導体層32は、空乏領域40での再結合を抑制し、ゆえに高い電圧出力をもたらすと考えられる。一つの実施形態では、空乏半導体層32のバンドギャップは、ベース半導体層30のバンドギャップ及びエミッタ半導体層34のバンドギャップよりも少なくとも1パーセント大きくことができる。別の実施形態では、空乏半導体層32のバンドギャップは、ベース半導体層30のバンドギャップ及びエミッタ半導体層34のバンドギャップよりも少なくとも1.5パーセント大きくことができる。高いバンドギャップは、ベース半導体層30及びエミッタ半導体層34に対する空乏半導体層32の組成を変更することにより、空乏半導体層32で実現可能である。空乏半導体層32がベース半導体層30及びエミッタ半導体層34よりも高いバンドギャップを有するサブセル24を形成するのに適するいくつかの材料システムの例が、表1に提供される。空乏半導体層32の極性は、ベース半導体層30又はエミッタ半導体層34どちらかの極性に対応することができる。第一の表現では、空乏半導体層32の極性は、ベース半導体層30の極性と同じとすることができる。そのようなものとして、空乏半導体層32は、事実上、ベース半導体層30の部分とすることができる。第二の表現として、空乏半導体層32の極性は、エミッタ半導体層34の極性と同じとすることができる。そのようなものとして、空乏半導体層32は、事実上、エミッタ半導体層34の部分とすることができる。空乏半導体層32の断面厚さTDは、空乏領域40の断面厚さすなわち、幅と実質的に同じになるように設計される。当業者なら、空乏領域40の幅が空乏領域40を定めるベース半導体層30及びエミッタ半導体層34の特性次第であることをよく理解するだろう。一般的な例として、空乏半導体層32は、約0.1ミクロンから約1ミクロンまでの断面厚さTDを有することができる。特定の例として、空乏半導体層32は、約05ミクロンの断面厚さTDを有することができる。一つの認識において、空乏半導体層32は平面を定め、且つ断面厚さTDはその平面に対して垂直に寸法をとることができる。一つの特定の非限定的な例として、サブセル24は、層30、32及び34を成長させるために有機金属気相エピタキシー工程を使用して、GaInP及びGaAlInPから形成される。特に、ベース半導体層30は、1.89eVのバンドギャップ及び約1.0ミクロンの断面厚さTBを有する不規則なGaInPとする。ベース半導体層30は、約5×1017原子/cm2でp型半導体としてドープされる。空乏半導体層32は、1.92eVから1.95eVまでのバンドギャップ及び約0.5ミクロンの断面厚さTDを有するGaAlInPとする。空乏半導体層32は、約1×1016原子/cm2でp型半導体としてドープされる。エミッタ半導体層34は、1.89eVのバンドギャップ及び約0.05ミクロンの断面厚さTEを有する不規則なGaInPとする。エミッタ半導体層34は、約5×1018原子/cm2でn型半導体としてドープされる。当業者なら、いくつかの半導体材料システムにおいて、高いバンドギャップ組成が、少数キャリア寿命、流動性及び拡散距離などの低下した材料特性を有する傾向にあることをよく理解するだろう。たとえば、AlGaInP/GaInPシステムでは、AlGaInPは同じ格子定数でGaInPよりも高いバンドギャップを実現するために使用できるが、強いAl-O結合はAlGaInPの酸素汚染を増加させる傾向にある。このため及びおそらく他の理由から、少数正孔及び少数電子寿命並びに流動性は、GaInP内よりもAlGaInP内での方が通常は低くなる。n型AlGaInPで正孔拡散距離が短いと、結果的に、短波長光低い青感度によりエミッタ半導体層34で光生成されたキャリアの収集確率が低くなる。エミッタ半導体層34にAlを含まないGaInPを使用することにより、正孔拡散距離がより長くなり、その結果、空乏領域40において高いバンドギャップのAlGaInP層により案内されたキャリアフローへの小さなバリアにも関わらず、Alを含むAlGaInPエミッタ層の場合よりも明らかに高い青感度がもたらされる。空乏領域40では電界が高いので、たとえそこで使用されるAlGaInPが比較的低いキャリア寿命及び流動性を有していても、キャリア収集が非常に促進される。同様に、すべてのベース半導体層30の部分がGaInPのよりよい材料特性を使用して形成されるなら、高いバンドギャップAlGaInPを空乏領域40に残したまま電圧を上昇させる間に、p型ベース半導体層30のAlを含まないGaInP部分からのキャリア収集は、ベース半導体層30のp型GaInPの高い少数電子寿命及び流動性から利益を享受する。図3を参照すると、別の態様において、サブセル12は、ベース半導体層30とエミッタ半導体層34との間の空乏領域40に位置づけられた二以上の空乏半導体層32及び33を含むことができる。各空乏半導体層32及び33は、ベース半導体層30及びエミッタ半導体層34よりも高いバンドギャップを有することができる。第一の空乏半導体層32は、ベース半導体層30と同じ極性を有し、事実上ベース半導体層30の部分とされ、且つ、第二の空乏半導体層33は、エミッタ半導体層34と同じ極性を有し、事実上エミッタ半導体層34の部分とされる。ゆえに、通常大抵の場合は、空乏領域40はベース半導体層30にあるが、必然的に多少はエミッタ半導体層34にも延伸する。したがって、より高いバンドギャップの空乏半導体層32及び33をベース半導体層30及びエミッタ半導体層34の両方に導入することにより、再結合をさらに抑制し、セル電圧を上昇させることができる。したがって、開示されるサブセル24は、高いバンドギャップ材料から形成された一又は複数の空乏半導体層32及び33を含むことができる。空乏半導体層32は、ベース半導体層30とエミッタ半導体層34との間で空乏領域40と重なる。高いバンドギャップの空乏半導体層32及び33は、暗電流出力を下げ、出力圧力を上げることができる。それゆえ、高いバンドギャップ半導体材料をサブセル24のごく一部に限定することにより、サブセル24の残りたとえば、ベース半導体層30及びエミッタ半導体層34は、無関係に電流生成のために最適化され、それにより、電圧性能から電流生成を切り離すことができる。図4を参照すると、さらに別の態様において、サブセル50は、ベース半導体層52、エミッタ半導体層54、及び、選択的に、裏面電界層56及び窓層58を含むことができる。ベース半導体層52は、エミッタ半導体層54よりも高いバンドギャップを有することができる。太陽電池は、第一のバンドギャップを有するベース半導体層、第二のバンドギャップを有するエミッタ半導体層、及び前記ベース半導体層と前記エミッタ半導体層との間に位置づけられ、第三のバンドギャップを有する空乏半導体層を含み、前記第三のバンドギャップは、前記第一のバンドギャップ及び前記第二のバンドギャップよりも大きい。また、太陽電池は、前記第二のバンドギャップと実質的に同じである第一のバンドギャップを有する。さらにまた、太陽電池は、前記第二のバンドギャップよりも大きい第一のバンドギャップを有する。さらにまた、太陽電池は、前記第一のバンドギャップ及び前記第二のバンドギャップよりも少なくとも1パーセント大きい第三のバンドギャップを有する。さらにまた、太陽電池は、前記第一のバンドギャップ及び前記第二のバンドギャップよりも少なくとも15パーセント大きい第三のバンドギャップを有する。さらにまた、太陽電池は、p型半導体材料を含むベース半導体層、及びn型半導体材料を含む前記エミッタ半導体層を含む。さらにまた、太陽電池は、p型半導体材料を含む空乏半導体層を含む。さらにまた、太陽電池は、前記空乏半導体層と前記エミッタ半導体層との間に位置づけられた第二の空乏半導体層を含む。さらにまた、太陽電池は、n型半導体材料を含む第二の空乏半導体層を含む。さらにまた、太陽電池は、第一の断面厚さ33を有する空乏領域を定めるベース半導体層及び前記エミッタ半導体層を含み、空乏半導体層は、実質的に前記第一の断面厚さと等しい第二の断面厚さ34を有する。さらにまた、太陽電池は、前記空乏領域40を完全に覆い隠す空乏半導体層を含む。さらにまた、太陽電池は、約0.1ミクロンから約1ミクロンまでの断面厚さを有する空乏半導体層を含む。さらにまた、太陽電池は、第一の半導体組成を有するベース半導体層、及び第二の半導体組成を有する前記エミッタ半導体層を含み、前記第一の半導体組成は第二の半導体組成と実質的に同じである。さらにまた、太陽電池は、第一の半導体組成を有するベース半導体層、第二の半導体組成を有する前記エミッタ半導体層、及び第三の半導体組成を有する空乏半導体層を含み、前記第三の半導体組成は前記第一及び第二の半導体組成と異なる。さらにまた、太陽電池は、3-5族合金からなるベース半導体層、空乏半導体層及びエミッタ半導体層のそれぞれを含む。さらにまた、太陽電池は、アルミニウムを含む空乏半導体層を含み、前記ベース半導体層及び前記エミッタ半導体層の少なくとも一方は実質的にアルミニウムを含まない。太陽電池は、複数のサブセルを含み、前記複数のサブセルの少なくとも一つは、第一のバンドギャップを有するベース半導体層、第二のバンドギャップを有するエミッタ半導体層、及び前記ベース半導体層と前記エミッタ半導体層との間に位置づけられ、第三のバンドギャップを有する空乏半導体層を含み、前記第三のバンドギャップは、前記第一のバンドギャップ及び前記第二のバンドギャップよりも大きい。太陽電池は、第一のバンドギャップを有するベース半導体層及び第二のバンドギャップを有するエミッタ半導体層を含み、前記ベース半導体層及び前記エミッタ半導体層はpn接合を定め、且つ前記第二のバンドギャップは前記第一のバンドギャップよりも大きい。開示されるヘテロ接合型太陽電池の様々な態様が示され説明されたが、本明細書を読めば、当業者は多数の変更例を思いつくかもしれない。本発明は、そのような改良も含んでおり、請求の範囲によってのみ限定される。