"透明基板と、前記透明基板上に形成された第1光透過層と、前記第1光透過層上に形成された透明電極と、前記透明電極上に形成された光電変換層とを備え、前記第1光透過層は、前記透明電極の形成材料よりも透過率の高い材料からなり、且つ前記第1光透過層にて前記透明電極側の面には複数の第1凸部が形成され、前記透明電極には前記第1凸部よりも小さい間隔で複数の第2凸部が形成されている薄膜太陽電池。前記第1光透過層と前記透明電極との間に形成された第2光透過層を備え、前記第2光透過層は、前記透明電極の形成材料よりも透過率の高い材料からなり、前記第2光透過層は、互いに隣り合う前記第1凸部の間を埋めている請求項1に記載の薄膜太陽電池。前記第2光透過層の屈折率と前記透明電極の屈折率とが互いに等しい請求項2に記載の薄膜太陽電池。透明基板上に第1光透過層を形成する工程と、前記第1光透過層上に透明電極を形成する工程と、前記透明電極上に光電変換層を形成する工程とを備え、前記第1光透過層を形成する工程では、前記透明電極の形成材料よりも透過率の高い材料によって前記第1光透過層を形成するとともに、前記第1光透過層にて前記透明電極側の面に複数の第1凸部を形成し、前記透明電極を形成する工程では、前記透明電極に前記第1凸部よりも小さい間隔で複数の第2凸部を形成する薄膜太陽電池の製造方法。前記第1光透過層と前記透明電極との間に第2光透過層を形成する工程を備え、前記第2光透過層を形成する工程では、前記透明電極の形成材料よりも透過率の高い材料からなる前記第2光透過層によって互いに隣り合う前記第1凸部の間を埋める請求項4に記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記第1光透過層を形成する工程では、前記第1光透過層の前記第1凸部をナノインプリント法によって形成する請求項4又は5に記載の薄膜太陽電池の製造方法。一方、上記二つのテクスチャ112a,112bを有する透明電極112は、例えば酸化インジウムスズITO等の各種導電性の酸化膜によって形成されている。導電性酸化膜は、透光性であるとはいえ、薄膜太陽電池を構成する他の透明部材、例えば透明基板等と比較して透過率が低い。そして、先の第1テクスチャ112aのように相対的に長い周期の凸部を有するテクスチャを導電性の酸化物で形成するとなれば、自ずとその分だけ導電性酸化膜が厚くならざるを得ず、透明電極112を介して発電層側に透過する光量が減少することになる。その結果、多重散乱させることのできる波長の範囲が拡大されたとしても、発電層側に透過する光の量が低下するために、薄膜太陽電池における光の利用効率が高められにくくなってしまう。なお、こうした問題は、吸収する波長の異なる二つの発電層を有する薄膜太陽電池に限らず、単一の発電層を有する薄膜太陽電池であっても、上述のような透明電極が採用されるような場合には共通して生じるものである。この発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、光の利用効率を高めることのできる薄膜太陽電池、及び薄膜太陽電池の製造方法を提供することにある。以下、上記課題を解決するための手段及びその作用効果について記載する。請求項1に記載の発明は、透明基板と、前記透明基板上に形成された第1光透過層と、前記第1光透過層上に形成された透明電極と、前記透明電極上に形成された光電変換層とを備え、前記第1光透過層は、前記透明電極の形成材料よりも透過率の高い材料からなり、且つ前記第1光透過層にて前記透明電極側の面には複数の第1凸部が形成され、前記透明電極には前記第1凸部よりも小さい間隔で複数の第2凸部が形成されている薄膜太陽電池を要旨とする。上記構成によれば、透明電極の形成材料よりも透過率の高い材料で形成された第1光透過層には、相対的に間隔の大きい第1凸部が形成されるとともに、透明電極には、相対的に間隔の小さい第2凸部のみが形成される。これにより、第1光透過層と透明電極との境界では、第1凸部の間隔に応じた波長の光が散乱するとともに、透明電極と光電変換層との境界では、第2凸部の間隔に応じた波長の光が散乱することになる。このような構造であれば、第1凸部の形成に必要な層の厚さが、透明電極とは異なる第1光透過層によって補われるため、間隔の互いに異なる2種類の凸部が光電変換層と透明基板との間に形成されるとはいえ、こうした凸部が形成されることによって透明電極の膜厚が厚くなることを抑制できるようになる。したがって、互いに異なる2つの周期を有した凸部により、1つの周期の凸部を有する場合よりもより広範囲の波長の光を多重拡散させつつ、透明電極を薄膜化することで透過率の低下を抑制でき、ひいては透明基板に入射する光の利用効率を高めることができるようになる。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の薄膜太陽電池において、前記第1光透過層と前記透明電極との間に形成された第2光透過層を備え、前記第2光透過層は、前記透明電極の形成材料よりも透過率の高い材料からなり、前記第2光透過層は、互いに隣り合う前記第1凸部の間を埋めていることを要旨とする。上記構成によれば、第1光透過層と透明電極との間に透明電極の形成材料よりも透過率の高い形成材料からなる第2光透過層を有していることから、透過率の低下を抑えつつ、透明電極に対する透明基板側の膜構造、すなわち透明電極の下地構造が平坦化されやすくなる。これにより、第2光透過層上に形成される透明電極は、その形成時において、透明基板の面内で均一に形成されやすくなる。請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の薄膜太陽電池において、前記第2光透過層の屈折率と前記透明電極の屈折率とが互いに等しいことを要旨とする。上記構成によれば、第2光透過層の屈折率と透明電極の屈折率とが互いに等しいため、第2光透過層と透明電極との界面において光の反射が起こらない。それゆえに、発電層における光の利用効率をより高めることができる。請求項4に記載の発明は、透明基板上に第1光透過層を形成する工程と、前記第1光透過層上に透明電極を形成する工程と、前記透明電極上に光電変換層を形成する工程とを備え、前記第1光透過層を形成する工程では、前記透明電極の形成材料よりも透過率の高い材料によって前記第1光透過層を形成するとともに、前記第1光透過層にて前記透明電極側の面に複数の第1凸部を形成し、前記透明電極を形成する工程では、前記透明電極に前記第1凸部よりも小さい間隔で複数の第2凸部を形成する薄膜太陽電池の製造方法を要旨とする。上記方法によれば、透明電極の形成材料よりも透過率の高い材料によって第1光透過層を形成するとともに、該第1光透過層に対して相対的に間隔の大きい第1凸部を形成するようにしている。また、同方法では、透明電極に対して相対的に間隔の小さい第2凸部を形成するようにしている。それゆえに、形成された薄膜太陽電池においては、互いに異なる2つの周期を有した凸部により、1つの周期の凸部を有する場合よりもより広範囲の波長の光を多重拡散させつつ、透明電極を薄膜化することで透過率の低下を抑制でき、ひいては透明電極に入射する光の利用効率を高めることができるようになる。請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の薄膜太陽電池の製造方法において、前記第1光透過層と前記透明電極との間に第2光透過層を形成する工程を備え、前記第2光透過層を形成する工程では、前記透明電極の形成材料よりも透過率の高い材料からなる前記第2光透過層によって互いに隣り合う前記第1凸部の間を埋めることを要旨とする。上記方法によれば、第1光透過層と透明電極との間に、透明電極の形成材料よりも透過率の高い材料からなる第2光透過層を形成するようにしている。しかも、互いに隣り合う前記第1凸部の間を第2光透過層によって埋めるようにしている。これにより、透過率の低下が抑えられつつ、透明電極に対する透明基板側の膜構造、すなわち透明電極の下地構造が平坦化されることから、透明基板の面内において透明電極を均一に形成できるようになる。請求項6に記載の発明は、請求項4又は5に記載の発明において、前記第1光透過層を形成する工程では、前記第1光透過層の前記第1凸部をナノインプリント法によって形成することを要旨とする。上記方法によれば、上記第1凸部をナノインプリント法によって形成するようにしているため、金型の転写のみによって該第1凸部を形成できる。それゆえに、リソグラフィ工程やエッチング工程等を経て上記凸部を形成する方法と比較して簡易且つ安価に行うことができる。[第1実施形態]以下、本発明の薄膜太陽電池及び該薄膜太陽電池の製造方法を具現化した第1実施形態について、図1~図3を参照して説明する。[薄膜太陽電池の構造]まず、本実施形態における薄膜太陽電池の構造について図1を参照して説明する。図1に示されるように、薄膜太陽電池10は、透明基板11、光透過層12、透明電極13、第1発電層14、中間層15、第2発電層16、バッファ層17、及び裏面電極18を光の入射側から順に積層した構造である。このうち、透明基板11は、各種ガラスや透明樹脂等の絶縁性の材料から形成されている。光透過層12は、下層の透明電極よりも高い透過率を有する透明材料によって形成されるとともに、光透過層12における裏面電極18側の面は、凹凸構造、いわゆるテクスチャ12aを有している。透明電極13、中間層15、及びバッファ層17はいずれも透明導電性酸化物の薄膜から形成される。導電性酸化物としては、例えばアルミニウム含有酸化亜鉛AZO、ガリウム含有酸化亜鉛GZO、酸化インジウムスズITO、フッ素含有酸化スズFTO等の透光性導電酸化膜TCOを用いることができる。透明電極13における裏面電極18側の面は、上記光透過層12のテクスチャ12aよりも小さい間隔でテクスチャ13aを有している。第1発電層14は、アモルファスシリコンの薄膜で形成されるとともに、光の入射側から順にp型不純物の添加された第1p型半導体層14p、不純物の添加されていない第1i型半導体層14i、及びn型不純物の添加された第1n型半導体層14nの積層された構造である。第2発電層16は、微結晶シリコンの薄膜で形成されるとともに、第1発電層14と同様、光の入射側から順にp型不純物の添加された第2p型半導体層16p、不純物の添加されていない第2i型半導体層16i、及びn型不純物の添加された第2n型半導体層16nの積層された構造である。裏面電極18は、銀やアルミニウム等の導電性を有した光反射膜から形成されている。こうした薄膜太陽電池10では、第1発電層14と第2発電層16とが、入射した光を電力に変換する。しかも、第1発電層14と第2発電層16とは、光電変換する光の波長域が互いに異なることから、第1発電層14あるいは第2発電層16のみを有する薄膜太陽電池と比較して、光を電力に変換する効率が高くなる。[薄膜太陽電池の製造方法]次に、本実施形態における薄膜太陽電池の製造方法、特に光透過層12及び透明電極13の製造方法について図2及び図3を参照して説明する。なお、図2及び図3に示される断面構造は、図1のA-A線に沿った各製造工程における断面構造を示す図であって、該断面構造を上記薄膜太陽電池10の製造工程順に示したものである。また、同図2及び図3では、透明基板の光入射側の面が該透明基板の下面として示されている。図2aに示されるように、透明基板21の一面に、バーコータやスプレー等によってゾルゲル液状の透明材料22が塗布される。透明基板21は、例えばソーダライムシリケートガラス、アルミノシリケートガラス、ボレートガラス、リチウムアルミノシリケートガラス、石英ガラス等の各種ガラス基板によって形成することができる。また、同透明基板21は、ポリエチレンテレフタラート、ポリイミド、ポリカーボネート、アクリル等の各種樹脂によって形成することもできる。上記透明材料22は、透明基板21上にシリコン酸化膜を形成する場合であれば、例えばメトキシトリエチルシラン、フェニルトリエトキシシラン、トリエトキシシラン等のオルガノアルコキシシランと、エタノールと、水と、塩酸との混合物、あるいは、シルセスキオキサンである。なお、透明材料22が上記混合物であるとき、オルガノシロキサンに対するエタノール、水、塩酸のモル比は、例えば1:4:2×10-3とする。こうした混合物の透明材料22の透過率は、上記透明電極13の形成材料の透過率よりも高い。また例えば、上記透明基板21上に樹脂材料の膜を形成する場合であれば、透明材料22は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、及びアクリル樹脂等の熱可塑性樹脂等である。これら樹脂の透過率は、上記透明電極13の形成材料の透過率よりも高い。このように透明基板21上に透明材料22が塗布されると、該透明材料22を所定時間乾燥させる乾燥処理が実施された後、図2bに示されるように、透明材料22に例えばポリメチルペンテンフィルム等で形成された金型31が押し当てられる。金型31は、例えば1MPa以下、好ましくは0.1MP以上0.4MPa以下程度の圧力で透明材料22に押し付けられる。なお、先の工程における透明材料22の乾燥の度合いは、こうした圧力の範囲で金型31の押し付けられた透明材料22が該金型31の形状に倣うように変形してその形状を保持するように調整される。次いで、図2cに示されるように、金型31が押し付けられた状態で、透明材料22が加熱され、これによって該透明材料22が乾燥する。例えば、金型31が上記ポリメチルペンテンフィルムによって形成されている場合には、40°C以上50°C以下程度の温度で加熱することが好ましい。こうした温度にて透明材料22の乾燥を行うことにより、熱による金型31の変形を抑制できるため、透明材料22に対して金型31の形状を精度よく転写することができる。続いて、透明材料22を乾燥させた後、図3aに示すように、該透明材料22から金型31を外す。その後、図3bに示されるように、透明材料22を400°Cで60分焼成することにより、例えばシリコン酸化物から形成される光透過層23が形成される。光透過層23は、透明基板21から離れる方向に凸状をなした複数の凸部23aからなるテクスチャを有している。複数の凸部23a第1凸部は、互いに隣り合う頂部23tの間隔である周期が相対的に長い第1周期23p、例えば0.7μm以上2.6μm以下となるように形成されている。なお、本実施形態においては、上記図2a~図2c、及び図3a~図3bを参照して説明した工程が、いわゆるナノインプリント法を用いたテクスチャの形成工程である。そして、図3cに示されるように、導電性酸化物のターゲットをアルゴン等の不活性ガスから生成されたプラズマ32によってスパッタすることで、図3dに示されるように、光透過層23上に透明電極24を形成する。ターゲットの形成材料は、例えば、アルミニウム若しくはガリウムを0.1~10重量の割合で添加された酸化亜鉛である。透明電極24は、相対的に低圧の条件でのスパッタ処理である第1工程と、相対的に高圧の条件でのスパッタ処理である第2工程とによって形成される。第1工程時の圧力は、2mTorr以上10mTorr未満に設定される。他方、第2工程時の圧力は、10mTorr以上、好ましくは30mTorr以上50mTorr未満に設定される。なお、第1工程及び第2工程においては、透明基板21の温度は、100°C以上600°C以下に設定される。なお、透明電極24の形成材料として例えばAZOが選択される。透明電極24が形成されると、図3dに示されるように、エッチング溶液33を用いて透明電極24の表面をウェットエッチングする。ウェットエッチングでは、エッチング溶液33である0.01の塩酸に、透明電極24を90秒浸す。これにより、図3eに示されるように、透明電極24の光透過層23とは反対側の面に複数の凸部24aからなるテクスチャが形成される。複数の凸部24a第2凸部は、互いに隣り合う頂部24tの間隔である周期が、相対的に短い周期である第2周期24p、例えば0.2μm以上0.6μm以下となるように形成されている。つまり、透明電極24における第2周期24pは、上記光透過層23における第1周期23pとは異なる長さとされている。[発電層]なお、先の図1に示される各種電極や発電層は、例えば以下の方法で形成される。まず、アモルファスシリコンによって形成される第1発電層14が透明電極13上に形成される。第1発電層14は、例えばプラズマCVD法によって形成される。第1発電層14の形成に際しては、まず、p型不純物であるホウ素の添加されたアモルファスシリコン層である第1p型半導体層14pが、例えばモノシランSiH4ガス、水素H2ガス、及びジボランB2H6ガスによって形成される。次いで、不純物の添加されていないアモルファスシリコン層である第1i型半導体層14iが、例えばモノシランガスによって第1p型半導体層14p上に形成される。そして、n型不純物であるリンの添加されたアモルファスシリコン層である第1n型半導体層14nが、例えばモノシランガス、水素ガス、及びホスフィンPH3ガスによって形成される。次いで、中間層15を上記透明電極13と同様の方法で形成した後、微結晶シリコンによって形成される第2発電層16が形成される。第2発電層16を構成する第2p型半導体層16p、第2i型半導体層16i、及び第2n型半導体層16nは、例えば、上記第1発電層14を構成する同一の導電型である層と同一のガスを用いるとともに、アモルファスシリコンを形成するときよりも相対的に高い圧力下でのプラズマCVDによって形成する。そして、バッファ層17を上記透明電極13と同様の方法で形成した後、裏面電極18を銀あるいはアルミニウムのターゲットをスパッタする等の各種蒸着法によって形成する。以上説明したように、上記第1実施形態によれば、以下に列挙する効果を得ることができる。1透明電極13の形成材料よりも透過率の高い材料によって形成された光透過層12には、相対的に間隔の大きいテクスチャ12aが形成されるとともに、透明電極13には、相対的に間隔の小さいテクスチャ13aのみが形成される。これにより、光透過層12と透明電極13との境界では、テクスチャ12aの間隔に応じた波長の光が散乱するとともに、光電変換層を構成する第1発電層14と透明電極13との境界では、テクスチャ13aの間隔に応じた波長の光が散乱することになる。このような構造であれば、テクスチャ12aの形成に必要な層の厚さが、透明電極13とは異なる光透過層12によって補われるため、間隔の互いに異なる2種類の凸部が光電変換層と透明基板11との間に形成されるとはいえ、こうした凸部が形成されることによって透明電極13の膜厚が厚くなることを抑制できるようになる。これにより、光電変換層側への光の透過量を増大することができる。したがって、互いに異なる2つの周期を有した凸部により、1つの周期の凸部を有する場合よりもより広範囲の波長の光を多重拡散させつつ、同一膜厚の層を透明電極のみによって形成するよりも透過率が向上され、ひいては透明電極に入射する光の利用効率を高めることができるようになる。2光透過層12を形成する工程では、光透過層12におけるテクスチャ12aがナノインプリント法によって形成される。このような方法によれば、金型31の転写のみによってテクスチャ12aを形成できる。それゆえに、リソグラフィ工程やエッチング工程等を経てテクスチャ12aを形成する方法と比較して、テクスチャ12aとともに光透過層12そのものを形成することが可能であるため、反射防止体の製造をより簡易且つ安価に行うことができる。[第2実施形態]以下、本発明の薄膜太陽電池及び該薄膜太陽電池の製造方法を具現化した第2実施形態について図4~図6を参照して説明する。なお、本実施形態の薄膜太陽電池は、上記第1実施形態の薄膜太陽電池とは光透過層及び透明電極の構造のみが異なる。そのため、本実施形態においては、これら光透過層及び透明電極の構造及び製造方法を中心に説明する。[薄膜太陽電池の構造]まず、本実施形態における薄膜太陽電池の構造について図4を参照して説明する。図4に示されるように、薄膜太陽電池40は、透明基板41、第1光透過層42、第2光透過層43、透明電極44、第1発電層45、中間層46、第2発電層47、バッファ層48、及び裏面電極49を光の入射側から順に積層した構造である。このうち、透明基板41には、裏面電極49側の面にテクスチャ42aを有した第1光透過層42が形成されている。そして、第1光透過層42には、テクスチャ42aを構成する凹部を埋め込むように第2光透過層43が形成されている。そのため、第2光透過層43の裏面電極49側の面は平坦な面である。第2光透過層43の平坦面上には、上記第1実施形態で例示したような導電性酸化物からなる透明電極44が形成されている。透明電極44における裏面電極49側の面には、上記第1光透過層42のテクスチャ42aよりも短い周期で凸部の形成を有するテクスチャ44aが形成されている。[薄膜太陽電池の製造方法]次に、本実施形態における薄膜太陽電池の製造方法、特に上記第1光透過層42、第2光透過層43、及び透明電極44の製造方法について図5及び図6を参照して説明する。なお、図5及び図6に示される断面構造は、図4のB-B線に沿った各製造工程における断面構造を示す図であって、該断面構造を上記薄膜太陽電池40の製造工程順に示したものである。また、同図5及び図6では、透明基板における光の入射側の面が該透明基板の下面として示されている。図5aに示されるように、透明基板51上の第1光透過層52における凸部52aの全体を覆うように第2光透過層53が形成される。透明基板51には、第1実施形態における透明基板21と同様の材料からなる基板を用いることができる。また、第1光透過層52は、同第1実施形態の光透過層23と同様の材料及び方法を用いて形成される。第1光透過層52にて透明基板51とは反対側の面は、複数の凸部52aによって構成されるテクスチャを有している。なお、複数の凸部52aは、互いに隣り合う頂部52tの間隔である周期が、相対的に長い第1周期52pとなるように形成されている。第2光透過層53は、第1光透過層52の表面にゾルゲル液状の透明材料を塗布することによって形成される。第2光透過層53の形成材料には、該第2光透過層53上に形成される透明電極44と略等しい屈折率の材料を用いることが好ましい。例えば、透明電極44がAZOによって形成されている場合、その屈折率は1.9程度である。このとき、上記透明材料としてチタンアルコキシドを含むゾルゲル液を用いれば、第2光透過層53の屈折率を1.9程度とすることができる。なお、第2光透過層53を形成する透明材料は、第1光透過層52の凸部52aの頂部52tが、該透明材料内に埋め込まれる程度の厚さで塗布される。そのため、第2光透過層53における透明基板51とは反対側の面は平坦状になる。第2光透過層53を乾燥させた後、図5bに示されるように、上記第1実施形態と同様、導電性酸化物のターゲットをアルゴン等の不活性ガスから生成されたプラズマ61によってスパッタすることで、図6aに示されるように、第2光透過層53上に透明電極54を形成する。なお、ターゲットの形成材料、スパッタ時の圧力、及び基板温度等は、上記第1実施形態と同一の条件である。本実施形態では、第1光透過層52の凸部52aの全体を第2光透過層53によって覆うことにより、第2光透過層53における透明電極54の形成される面を平坦化している。そのため、第2光透過層53の表面全体に対して透明電極54を均一に形成することができる。次いで、図6aに示されるように、透明電極54の形成された透明基板51をエッチング溶液62中に浸水させる。これにより、透明電極54の表面がウェットエッチングされる。なお、エッチング溶液62の組成及びウェットエッチングの処理時間は、上記第1実施形態に準ずる。こうして、図6bに示されるように、透明電極54の透明基板51とは反対側の面には、複数の凸部54aから構成されるテクスチャが形成される。なお、複数の凸部54aは、互いに隣り合う頂部54tの間隔である周期が、相対的に短い第2周期54pとなるように形成されている。以上説明したように、上記第2実施形態によれば、上記第1実施形態によって得られる効果に加えて、以下に列挙する効果を得ることができる。3第1光透過層52と透明電極54との間に第2光透過層53を有していることから、透明電極54に対する透明基板41側の膜構造、すなわち透明電極54の下地構造が平坦化されやすくなる。それゆえに、第2光透過層53上に形成される透明電極54は、その形成時において、透明基板の面内で均一に形成されやすくなる。4第2光透過層53の屈折率と透明電極54の屈折率とが略等しいため、第2光透過層53と透明電極54との界面において光の反射が起こりにくい。それゆえに、各発電層45,47における光の利用効率をより高めることができる。[変形例]なお、上記実施形態は、以下のように適宜変更して実施することもできる。第1実施形態及び第2実施形態では、本発明における薄膜太陽電池が、互いに異なる材料によって形成された第1発電層14,45と第2発電層16,47とを有する薄膜太陽電池として具現化されている。これに限らず、本発明における薄膜太陽電池は、1つの発電層のみを有する薄膜太陽電池や、同一の材料からなる発電層を複数備える薄膜太陽電池として具現化されてもよい。第1実施形態及び第2実施形態では、相対的に長い周期である第1周期を0.7μm以上2.6μm以下とするとともに、相対的に短い周期である第2周期を0.2μm以上0.6μm以下とするようにした。これに限らず、第1周期及び第2周期の長さは、第2周期よりも第1周期が長いという条件を満たしていれば、薄膜太陽電池10,40の備える発電層において吸収される光の波長等に応じて適宜変更可能である。金型31は、ポリメチルペンテンフィルム以外の材料、例えば金属等によって形成したものであってもよい。要は、透明材料22に対して凸部の形状を転写可能な材料であればよい。第1実施形態における光透過層2312及び第2実施形態における第1光透過層5242は、シリコン酸化物を形成可能な材料としてオルガノシロキサンを含む材料によって形成するようにした。これに限らず、シリコン酸化物が形成可能であって、且つ金型31による形状の転写が可能な材料であれば他の材料を用いるようにしてもよい。第1実施形態における光透過層2312及び第2実施形態における第1光透過層5242は、上述のような透過率及び屈折率を有する材料であるとともに、上記テクスチャを形成可能な材料であればシリコン酸化物を形成可能な材料及び樹脂材料以外の材料で形成するようにしてもよい。第2実施形態における第2光透過層5343の形成材料は、透明電極5444の形成材料と略同一の屈折率の材料であって、且つ該透明電極5444の形成材料よりも透過率の高い材料であれば、上記チタンアルコキシド以外の材料を用いて形成するようにしてもよい。第2光透過層5343の形成材料は、透明電極5444の形成材料よりも透過率の高い材料であればよく、これら形成材料の屈折率は、互いに異なっていてもよい。上記各光透過層23,42,43及び透明電極13,44を形成するときの焼成温度は、これらの形成が可能な範囲であれば適宜変更することができる。エッチング溶液33,62の組成、及びウェットエッチングの処理時間は、透明電極13,44へのテクスチャの形成が可能な範囲で適宜変更可能である。第1実施形態及び第2実施形態では、透明電極24,44へのテクスチャの形成をウェットエッチングによって行うようにした。これに限らず、ドライエッチングによってテクスチャを形成するようにしてもよい。テクスチャを有する透明電極24,44は、スパッタと、ウェットエッチングとによって形成するようにした。これに限らず、MOCVD法MetalOrganicChemicalVaporDeposition:有機金属気相成長法によって裏面電極18,49側にテクスチャを有した透明電極として形成するようにしてもよい。上記光透過層23及び第1光透過層52には、ナノインプリント法を用いてテクスチャを形成するようにした。これに限らず、例えばマスクを用いたエッチング、あるいはマスクを用いないエッチング等の他の方法によって形成するようにしてもよい。第2実施形態においては、第1光透過層5242の全体を第2光透過層5343によって埋め込むようにした。これに限らず、図7に示されるように、透明基板71上に形成した第1光透過層72における凸部72aの途中まで第2光透過層73を形成するようにしてもよい。そして、第1光透過層72における凸部72aの頂部72tを覆うように透明電極74を形成するようにしてもよい。第2実施形態では、第2光透過層5343上に透明電極5444を形成し、この透明電極54にて第2光透過層53とは反対側の面にテクスチャを形成するようにした。これに限らず、透明電極5444を形成する前に、この透明電極54の下地である第2光透過層5343の表面にテクスチャを形成し、該テクスチャを表面に有した第2光透過層5343上に透明電極5444を形成する。そして、下地である第2光透過層5343の表面に形成されたテクスチャによって、この透明電極5444にて第2光透過層5344側の面にテクスチャが形成されるようにしてもよい。このような構成、及び方法によれば、透明電極54にテクスチャを形成しつつも、その透明電極54にて発電層側の面を平坦面とすることも可能である。それゆえに、発電層の構造が複雑なものとなることを抑えることが可能でもある。"