"化学蒸着法により白金薄膜又は白金化合物薄膜を製造するための有機白金化合物において、次式で示される、2価の白金にシクロオクタジエン及びアルキルアニオンが配位した有機白金化合物。式中、R1、R2はアルキル基であり、R1とR2とは相違する。また、R1、R2の炭素数は合計で3~5である。R1とR2とが、プロピルとメチル、プロピルとエチル、又はエチルとメチルの組合せのいずれかである請求項1に記載の有機白金化合物。原料化合物となる有機白金化合物を気化して原料ガスとし、前記原料ガスを基板表面に導入しつつ加熱する白金薄膜又は白金化合物薄膜の化学蒸着法において、前記有機白金化合物として請求項1又は請求項2に記載の有機白金化合物を用いる化学蒸着法。以上説明した従来の白金化合物では、CVD化合物に対する要求特性の一部を強化できるものの、その他の要求特性をすべてバランスよく具備するものではなかった。例えば、熱安定性を向上させた特許文献4の白金化合物では、熱安定性が向上するため、白金化合物を気化させる段階での熱分解を抑えることが可能となるが、その安定性の高さから、白金を成膜させる段階において、白金化合物の分解反応が進行しにくくなり、不純物を含まない純粋な白金薄膜を安定的に形成させることが難しい傾向にあった。このような背景のもと、本発明は、CVD化合物に対する要求特性をバランスよく具備する白金化合物、すなわち、蒸気圧が高く、低温での成膜が可能であり、立体構造への成膜が容易であると共に、気化段階では熱分解することなく、成膜段階では容易に分解して高純度の白金薄膜を形成可能なCVD用白金化合物を提供する。上記課題を解決する本発明は、化学蒸着法により白金薄膜又は白金化合物薄膜を製造するための有機白金化合物において、次式で示される、2価の白金にシクロオクタジエン及びアルキルアニオンが配位した有機白金化合物に関する。式中、R1、R2はアルキル基であり、R1とR2とは相違する。また、R1、R2の炭素数は合計で3~5である。本発明に係る白金化合物は、2価の白金に配位子としてシクロオクタジエンとアルキルアニオンを配位させたものである。配位子であるシクロオクタジエンは、前述のように、アルキル基の導入により白金錯体の熱安定性を向上できることが知られているが、本発明の白金化合物には、シクロオクタジエンがアルキル基等で置換されていないものを採用する。本発明のようにアルキル基で置換されていないシクロオクタジエンの配位した錯体であると、錯体の分子量が小さくなるために蒸気圧が高くなるという利点があること、さらに、成膜の際に錯体の分解によって遊離した配位子自身の分子量も小さいため蒸発し易く、白金薄膜の中に不純物として混入する可能性が少なくなる。よって不純物を含まない純粋な白金薄膜の作製が可能である。一方、シクロオクタジエンにアルキル基を導入した白金化合物であると、白金薄膜形成の際、気化させる段階での熱安定性を向上できる点では好ましいが、その一方で、白金錯体が安定化し過ぎるために、白金を成膜させる段階で熱分解が起こりにくくなり、成膜に必要な加熱温度が高くなる傾向がある。また、成膜時の熱分解により白金錯体から放出されるシクロオクタジエンは、アルキル基を導入したものであると、分子量の増加により沸点が高いものとなり、熱分解後に成膜室から蒸散しにくいものとなり、白金薄膜内に不純物を与える可能性が高くなる。もう一方の配位子であるアルキルアニオンR1、R2は、互いに相違するものとする。これにより錯体分子の対称性が低下し結晶化が起こりにくくなる。つまり、融点が低い液体状態の白金化合物が得られやすくなる。また、アルキルアニオンR1、R2の炭素数は合計で3~5とする。適度な炭素数であるため、炭素数が長い場合に生じる白金錯体の安定性の低下や、白金錯体の分子量の増加に伴う蒸気圧の低下を防ぐことが可能である。アルキルアニオンR1、R2の組合せとしては、プロピルとメチル、プロピルとエチル、又はエチルとメチルのいずれかであることが好ましい化3。これら組合せのアルキルアニオンが配位した白金化合物は、融点が低く、常温において液体状態となりやすい。上記した配位子の中心金属となる白金は、2価又は4価の正電荷を持つものが安定であることが知られており、本発明では、合成精製保存の過程における化合物の取り扱い性を考慮し、適度な安定性を持つ2価の白金錯体を用いて開発を進めた。本発明に係る有機白金化合物は、CVD法やALD法による白金薄膜形成に有用である。この薄膜形成方法は、原料化合物となる白金錯体を真空中、加熱することにより気化させて原料ガスを発生させる。この原料ガスを加熱した基板表面に吹き付けることにより錯体を熱分解させて白金薄膜を形成させる方法であり、有機白金化合物として以上説明した化合物を用いる。成膜のための加熱温度は150°C~500°Cとすることができる。成膜温度を低温側にすることが本発明の目的のうちの一つであることから、加熱温度は150°C~350°Cとするのが好ましく、200~350°Cがより好ましい。150°C未満では、成膜反応が進行し難く必要な膜厚が得られ難く、高温にし過ぎると、立体化した電極へ均一な薄膜を形成し難くなり、FET素子の性能を維持するのも困難な傾向になるからである。以上説明した本発明の有機白金化合物は、ハロゲン化1,5-シクロオクタジエニルアルキル白金IIとアルキルリチウムとを反応させることで製造できる。本発明の有機白金化合物は、蒸気圧が高く、低温での成膜が可能であり、立体構造への成膜も容易であると共に、安定性取扱い性に優れており、CVD原料として有用である。特に、3次元構造を有する立体型Ni-Ptシリサイド電極用材料として好適である。以下、本発明における最良の実施形態について説明する。実施例1本実施形態では、配位子であるアルキルアニオンアルキル基としてメチル基とプロピル基を配位させた、1,5-シクロオクタジエニルメチルプロピル白金IIを製造した。化合物合成の反応式は次の通りである。以下、各段階について製造工程を説明する。Ar雰囲気にしたフラスコ内に、ヨウ化4.73g0.01mol、乾燥ジエチルエーテル70mlを投入した。得られた懸濁液を-20°Cに冷却し、1.6mol/lのメチルリチウム7.5ml0.012mol、溶媒としてジエチルエーテルを使用を、5分間かけて滴下した。メカニカルスターラーで一晩攪拌を続けた後、塩化アンモニウム1.5g水溶液20mlを滴下して反応を停止させた。吸引ろ過により反応溶液に含まれる黒色沈殿を除去し、エバポレーターを用いて溶媒のジエチルエーテルを留去した。得られた粗生成物は、黄色液体3.30gであった。粗生成物をカラムクロマトグラフィーにより精製し、-80°Cにて再結晶溶媒:ペンタンを行うことにより室温にて透明の液体となる目的化合物融点:5°C以下2.40g収率66.4が得られた。実施例2アルキルアニオンアルキル基としてプロピル基及びエチル基を配位させた、1,5-シクロオクタジエニルエチルプロピル白金IIを製造した。Ar雰囲気にしたフラスコ内に、ヨウ化1,5-シクロオクタジエニルプロピル白金II4.73g0.01mol、乾燥ジエチルエーテル70mlを投入した。得られた懸濁液を-20°Cに冷却し、0.5mollのエチルリチウム溶液24ml0.012mol、溶媒としてベンゼン:シクロヘキサン=9:1混合溶媒を使用を、15分間かけて滴下した。メカニカルスターラーで一晩攪拌を続けた後、塩化アンモニウム1.5g水溶液20mlを滴下して反応を停止させた。吸引ろ過により反応溶液に含まれる黒色沈殿を除去し、エバポレーターを用いて溶媒を留去した。得られた粗生成物は、黄色液体3.74gであった。粗生成物をカラムクロマトグラフィーにより精製し、-80°Cにて再結晶溶媒:ペンタンを行うことにより室温にて透明の液体となる目的化合物融点:23°C2.43g収率64.7が得られた。以上説明した製造工程の好適条件としては、反応温度を室温以下にすることが挙げられる。室温以下であると、副反応が抑制され、目的化合物を高い収率で得ることが可能であるためである。また、アルキルリチウムは、一度に大量に投入せず、滴下することが好ましい。大量に投入すると、大量の反応熱が生じる。これにより反応溶液の温度が上昇し、目的化合物とは異なる副生成物が生じるためである。また、ハロゲン化1,5-シクロオクタジエニルアルキル白金IIとアルキルリチウムの添加量は、モル比で1:1~1:1.5であることが好ましい。この添加量の範囲内であると、アルキル化反応を充分に進行させることが可能である共に、アルキルリチウムを過剰に加えることにより発生する副反応物の生成を押さえることが可能となり、目的錯体を高収率で合成することが可能となるためである。[比較例]引用文献4記載の15-ジメチル-15-シクロオクタジエニル白金ジエチルを製造した。K2PtCl410gを水200mlに溶解し、n-プロピルアルコール100mlを加え、1,5-ジメチル-1,5-シクロオクタジエン20ml及び塩化第一錫0.18gを加えた。この混合物を約2日間攪拌した後、濾過し、得られた固形物にアセトンを加え懸濁した溶液にヨウ化ナトリウム7.2gを加え攪拌した。次に、アセトンを減圧下で留去し、残渣を水で洗浄後乾燥し8.5gの1,5-ジメチル-1,5-シクロオクタジエニルジヨード白金1,5-DMCODPtI2を合成した。1,5-DMCODPtI2に、乾燥ジエチルエーテル100mを加え、ヨウ化エチルマグネシウムエーテル溶液Grignard試薬100mlを加え3時間攪拌した。冷却しながら、飽和塩化アンモニウム水溶液を加えて加水分解した後、濾過し、濾液をエーテル層と水層に分けた。水層をジエチルエーテル100mlで抽出し、エーテル層を合せて無水硫酸マグネシウムで乾燥した。エーテルを減圧下30°C/2torrで留去し、化合物である黄色液体2.3gを得た。物性評価熱分解特性:実施例1、2及び比較例の化合物について、TG-DTAによる熱分解特性の評価を行った。分析は、アルゴン気流下200mL/min、白金化合物を昇温速度3°C/minにて25°Cから500°Cまで加熱した際の試料の重量変化を観察した。実施例1及び実施例2の化合物の重量減少の開始温度は、それぞれ124.5°C及び120.1°Cであった。TG-DTAによる測定結果を表1に示す。TGで観測された実施例1、2の化合物の重量減少は、実施例1が177°C、実施例2が181°Cで終了している。その後も500°CまでTGの測定を継続したが重量減少は一切観測されなかった。また、測定終了後に残った残留物の重量についてみると、実施例1で46.37、実施例2で49.47となり、実施例1、2の化合物に含まれる白金の理論含有量実施例1:53.98、実施例2:51.96に近い値を示した。また、残留物は白色金属光沢を示す固体であることからも、熱分解によって生じた金属白金であると推察できる。TG-TDAの測定結果をまとめると、実施例1、2の化合物は180°C付近の低い温度で熱分解が終了すること。さらに熱分解により生じる残留物は純度の高い白金金属であることが分かった。よって実施例1、2の化合物は低温成膜に適した白金錯体であることが分かる。一方、比較例の化合物は、TGで観測された重量減少の終了温度が低い約130°Cものの、重量減少終了後に残留物が全く残っていなかった。この結果は、比較例の化合物が130°Cに到達する間に熱分解が全く進行せず、代わりに測定に使用したすべての試料が蒸発してしまったことを示している。つまり、比較例の化合物が熱分解しにくく、低温での白金薄膜形成に適していないことを示している。気化試験:実施例1、2の化合物を用いて、気化試験を行った。試験の実施条件は以下の通りである。試料の仕込み重量を100mg、圧力を80Pa、加熱温度を70°Cとした。試料の仕込み重量に対する減少量の割合減少率とするを算出し、化合物の蒸発の難易性について比較を行った。なお、減少率は加熱開始から60分後、90分後の値を算出した。60分後の減少率の結果から実施例1の化合物は実施例2の化合物よりも気化しやすいことが分かった。これは、実施例1の化合物のほうが実施例2の化合物よりも分子量が小さく蒸気圧が高いために蒸発による減少量が増えたためと考えられる。また、90分後の減少率の結果から、実施例1、2の化合物は熱分解を起こすことなく仕込んだ試料の全てを気化させることが可能であることが分かった。以上のことから、実施例1、2の化合物は、白金成膜段階加熱温度:180°C付近では分解反応が速やかに進行する一方、気化段階加熱温度:70°C、圧力:80Paでは分解反応は進行せず化合物を安定に気化させることが可能であることを確認できた。成膜試験:実施例1、2及び比較例の化合物を原料としてCVD法にて白金薄膜の成膜試験を行った。成膜は、ガラスパイプ内に原料化合物と成膜を行う基板を設置し、パイプ内を真空にした後、原料化合物ならびに基板を設置した部位のパイプ外壁をヒーターにて加熱し、試料の気化ならびに熱分解を行うホットウォールタイプの成膜装置を用いて実施した。白金薄膜はシリコン基板上にテトラエトキシシランTEOSを用いて二酸化ケイ素膜膜厚100nmを積層させた基板基板サイズ:15mm×15mm上に成膜した。成膜条件は、次の通りである。白金薄膜の成膜条件試料加熱温度:50°C基板加熱温度:175、200、225、250、275、300°C反応ガス:水素流量:10sccm圧力:60Pa成膜時間:30分製膜した白金薄膜の厚みを走査型電子顕微鏡SEMにより計測した。また、四探針法により白金薄膜の比抵抗を測定した。測定結果を表3に示す。175°Cでの成膜試験の結果から実施例1、2の化合物は、比較例の化合物よりも低温での成膜が可能であることが示された。また、実施例1、2の化合物で成膜した白金薄膜は、比較例1の化合物で成膜した白金薄膜よりも小さな比抵抗を示しており、不純物が少ない白金薄膜であることが分かった。以上の結果から、実施例1、2の化合物は低温での白金薄膜の製造に適した原料化合物であることが明らかになった。"