"オプトエレクトロニクス半導体チップ10の支持体1であって、前記支持体1が、第1の主面21と、前記第1の主面21とは反対側の第2の主面22と、を有する支持体本体2、を有し、前記支持体本体2に、前記第1の主面21から前記第2の主面22まで延びている少なくとも1つの電気めっきスルーホール31が形成されており、前記第1の主面21に絶縁層4が配置されており、前記絶縁層4が、前記電気めっきスルーホール31の一部分のみを覆っている、支持体。前記支持体本体2とは反対側の前記絶縁層4の面に、接続領域51が形成されており、前記接続領域51が、前記電気めっきスルーホール31に導電接続されている、請求項1に記載の支持体。前記支持体本体2が、半導体材料を含んでいる、請求項1または請求項2に記載の支持体。前記支持体本体2が、少なくとも500Ωcmの抵抗を有する、請求項1から請求項3のいずれかに記載の支持体。前記支持体本体2の前記第2の主面22にコンタクト領域61が配置されており、前記コンタクト領域61が前記電気めっきスルーホール31に導電接続されている、請求項1から請求項4のいずれかに記載の支持体。前記コンタクト領域61と前記第2の主面22との間に、第3の絶縁層45が配置されている、請求項1から請求項5のいずれかに記載の支持体。前記支持体1が、さらなる電気めっきスルーホール32を有し、前記さらなる電気めっきスルーホール32が、前記支持体本体2の前記第2の主面22におけるさらなるコンタクト領域62に導電接続されている、請求項1から請求項6のいずれかに記載の支持体。前記支持体本体2にダイオード構造7が形成されており、前記ダイオード構造7が、前記支持体本体2の前記第2の主面22に隣接している、請求項1から請求項7のいずれかに記載の支持体。前記ダイオード構造7が、第1の導電型の第1の部分領域70を有し、前記第1の部分領域70が、前記半導体チップ10の平面視において、第2の導電型の第2の部分領域71を囲んでいる、請求項8に記載の支持体。前記電気めっきスルーホール31に導電接続されているコンタクト領域61と、前記さらなる電気めっきスルーホール32に導電接続されているさらなるコンタクト領域62とが、前記第2の主面22に配置されており、前記支持体本体2にダイオード構造7が形成されており、前記ダイオード構造7が、前記支持体本体2の前記第2の主面22に隣接しており、前記コンタクト領域61と前記さらなるコンタクト領域62とが、前記支持体1の平面視において、前記ダイオード構造7と重なっており、前記コンタクト領域61と前記さらなるコンタクト領域62とが、前記ダイオード構造7を介して互いに接続されている、請求項1から請求項4のいずれかに記載の支持体。前記支持体1が、複数の半導体チップを製造する目的で作製される支持体集合体として形成されており、前記半導体チップそれぞれが前記支持体集合体からの支持体を備えている、請求項1から請求項10のいずれかに記載の支持体。請求項1から請求項10のいずれかに記載の支持体1を備えた半導体チップ10であって、放射を生成する目的で設けられた活性領域80を有する半導体ボディ8が、前記第1の主面21の側において前記支持体1の上に配置されており、前記接続領域51に導電接続されている、半導体チップ10。前記半導体ボディ8の前記半導体積層体の成長基板が除去されている、請求項12に記載の半導体チップ。前記支持体本体2の側面23が露出している、請求項12または請求項13に記載の半導体チップ。本発明の目的は、オプトエレクトロニクス半導体チップの支持体であって、それによってオプトエレクトロニクス半導体チップの特性が改善される支持体、を開示することである。この目的は、請求項1の主題によって達成される。構造形態および発展形態は、従属請求項の主題である。実施形態によると、オプトエレクトロニクス半導体チップの支持体は、第1の主面と、第1の主面とは反対側の第2の主面と、を有する支持体本体、を備えている。この支持体本体には、第1の主面から第2の主面まで延びている少なくとも1つの電気めっきスルーホールが形成されている。第1の主面に絶縁層が配置されており、この絶縁層は、電気めっきスルーホールの一部分のみを覆っている。したがって、支持体の平面視において、絶縁層は電気めっきスルーホールと重なっているが、電気めっきスルーホールを完全には覆っていない。絶縁層は、支持体の第1の主面の少なくとも一部分に直接隣接していることが好ましい。特に、絶縁層は、支持体の平面視において、めっきスルーホールの中に形成されている切取り部を有することができる。第1の主面の側における導電接続を目的としてめっきスルーホールにアクセスすることのできる、支持体の領域の大きさは、切取り部によって調整することができる。めっきスルーホールは、支持体本体における貫通部の中を延びていることが好ましい。さらに、めっきスルーホールは、導電性材料例えば金属または金属合金からなることが好ましい。貫通部の側壁は、第2の絶縁層によって覆われていることが好ましい。したがって、めっきスルーホールを、支持体本体から電気的に絶縁された状態に形成することができる。好ましい構造形態においては、支持体本体とは反対側の絶縁層の面に、接続領域が形成されており、接続領域は、めっきスルーホールに導電接続されている。接続領域は、オプトエレクトロニクス半導体チップ例えば放射を生成する目的で設けられる半導体チップ、例えば発光ダイオードに導電接続する目的で設けられている。好ましい発展形態においては、支持体本体とは反対側の絶縁層の面に、さらなる接続領域が形成されており、このさらなる接続領域は、めっきスルーホールの一部分を覆っている。さらなる接続領域は、接続領域から隔置されていることが好ましい。さらなる接続領域には開口部が形成されており、この開口部の中に接続領域が配置されていることが好ましい。絶縁層の存在により、めっきスルーホールとさらなる接続領域とが互いに電気的に接続されることなく、開口部の領域をめっきスルーホールの領域よりも小さくすることができる。言い換えれば、開口部の大きさを、めっきスルーホールの大きさとは無関係に調整することができる。したがって、めっきスルーホールの直列抵抗を低減する目的で、支持体の平面視において、開口部の断面を大きくする必要なしに、めっきスルーホールの断面を大きくすることができる。好ましい構造形態においては、支持体本体は、半導体材料を含んでいる。特に、シリコンは、微細構造化を行いやすいことと、大きな材料として高い費用効果で入手できるため、適している。支持体本体は、少なくとも500Ωcmの抵抗、好ましくは500Ωcm~10,000Ωcmの範囲内両端値を含むの抵抗、特に好ましくは1000Ωcm~2000Ωcmの範囲内両端値を含むの抵抗を有することが好ましい。このような高抵抗の支持体を使用することで、支持体、またはこのような支持体を備えた半導体チップの実装時における電気的短絡の危険性を回避することができる。好ましくは、支持体本体の第2の主面にコンタクト領域が配置されており、このコンタクト領域はめっきスルーホールに導電接続されている。コンタクト領域は、支持体、またはこのような支持体を備えた半導体チップとの電気的接触を外部から形成する目的で設けられている。さらに、支持体は、さらなるめっきスルーホールを備えていることが好ましい。さらなるめっきスルーホールは、支持体本体の第2の主面におけるさらなるコンタクト領域に導電接続されていることが好ましい。さらに、さらなるめっきスルーホールは、支持体本体の第1の主面におけるさらなる接続領域に導電接続されていることが好ましい。したがって、このような支持体を備えた半導体チップとの電気的接触を外部から形成する目的で、半導体チップの裏面における2つのコンタクト領域が利用可能である。このように簡単な方法で、半導体チップの表側面を、コンタクト領域が存在しないように具体化することができる。好ましい発展形態においては、コンタクト領域と支持体の第2の主面との間に、第3の絶縁層が配置されている。絶縁層、第2の絶縁層、および第3の絶縁層という用語は、異なる製造ステップにおいて形成される層を必ずしも意味しない。むしろ、記載されている2層またはそれ以上の絶縁層は、共通の製造ステップにおいて形成することができ、それぞれが共通の層の一部分を構成していることができる。好ましい構造形態においては、支持体は、ダイオード構造を備えている。ダイオード構造は、支持体本体に形成されていることが好ましい。言い換えれば、ダイオード構造は支持体本体に組み込まれている。ダイオード構造は、例えば、静電放電ESDに対する保護を目的として設けることができる。ダイオード構造は、支持体本体の第2の主面に隣接していることが好ましい。特に、ダイオード構造は、コンタクト領域およびさらなるコンタクト領域によって導電接続されていることが好ましく、したがって、ダイオード構造は、これら第1のコンタクト領域とさらなるコンタクト領域との間に、好ましくは一方向の電荷キャリア経路を形成する。好ましい構造形態においては、ダイオード構造は、第1の導電型の第1の部分領域を有する。この第1の部分領域は、支持体の平面視において、支持体の側面から隔置されていることが好ましい。さらに、ダイオード構造は、第1の導電型とは異なる第2の導電型の第2の部分領域を有することが好ましく、半導体チップの平面視において、第1の部分領域が第2の部分領域を囲んでいることが好ましい。特に、第1の部分領域は、支持体本体の中に井戸型の部分領域として形成することができ、第2の部分領域は完全に第1の部分領域の内側に形成されている。したがって、第2の部分領域は、支持体本体の残りの部分から、第1の部分領域によって完全に隔てられている。支持体は、複数の半導体チップを製造する目的で作製される支持体集合体として形成されていることが好ましく、半導体チップそれぞれが支持体集合体からの支持体を備えている。すなわち、半導体チップの支持体は、半導体チップの製造時、半導体チップの半導体ボディがそれぞれの支持体にすでに固定された後、支持体集合体を個片化することで現れる。記載されている支持体を備えた半導体チップは、半導体ボディを備えていることが好ましく、この半導体ボディは、第1の主面の側において支持体の上に配置されており、接続領域に導電接続されている。半導体ボディは、例えば、放射を生成する目的で、または放射を受信する目的で設けられる活性領域を有することができる。好ましい構造形態においては、半導体ボディの半導体積層体の成長基板が除去されている。半導体ボディが支持体に固定された後には、支持体が半導体ボディを機械的に安定化する役割を果たし、したがって成長基板はもはや必要なく、除去することができる。好ましい構造形態においては、支持体本体の側面が露出している。このような半導体チップは簡略的な方法で製造することができ、なぜなら、個片化の後に支持体集合体から現れる支持体は、その側面を被覆する必要がないためである。以下では、例示的な実施形態について図面を参照しながら説明する。さらなる特徴、構造形態、および利点は、以下の説明から明らかになるであろう。図面において、同じ要素、同じタイプの要素、または同じ機能の要素には、それぞれ同じ参照数字を付してある。図面と、図面に示した要素の互いの大きさの関係は、正しい縮尺ではないものとみなされたい。むしろ、便宜上、または深く理解できるようにする目的で、個々の要素を誇張した大きさで示してある。図1Aおよび図1Bに示した例示的な実施形態による支持体1は、第1の主面21と、第1の主面21とは反対側の第2の主面22とを有する支持体本体2、を備えており、第2の主面22は第1の主面21に平行に延びている。これらの主面は、垂直方向、すなわち支持体本体2の第1の主面21に垂直な方向における、支持体本体2の境界を形成している。支持体1には、垂直方向に支持体本体2を貫いている貫通部25が形成されている。貫通部25の一方に、めっきスルーホール31が形成されており、このめっきスルーホール31は、支持体本体2の第1の主面21から第2の主面22まで延びている。めっきスルーホール31は、第1の主面21の側において、接続領域51に導電接続されている。接続領域51は、めっきスルーホール31の一部分に直接隣接している。支持体本体2の第1の主面21に絶縁層4が形成されており、この絶縁層4は、めっきスルーホール31の一部分を覆っている。絶縁層4には切取り部41が形成されており、この切取り部41は、支持体1の平面視において、めっきスルーホール31と重なっている。切取り部41は、特に、めっきスルーホール31の内側に存在している。接続領域51とめっきスルーホール31との間には、絶縁層4が垂直方向に部分的に延在している。めっきスルーホール31は、支持体本体2の第2の主面22の側においては、コンタクト領域61に導電接続されている。コンタクト領域61は、支持体1との電気的接触を外部から形成する目的で設けられている。さらに、この支持体1は、さらなるめっきスルーホール32を備えており、さらなるめっきスルーホール32は、第1の主面21の側において、さらなる接続領域52に導電接続されている。めっきスルーホール31,32は、横方向に互いに隔置されている。さらなるめっきスルーホール32は、第2の主面22の側においては、さらなるコンタクト領域62に導電接続されている。めっきスルーホール31,32と支持体本体2との間には、それぞれの第2の絶縁層46が形成されており、これら第2の絶縁層46は、めっきスルーホール31,32を支持体本体2から電気的に絶縁している。第2の絶縁層46は、貫通部25の側壁251を覆っている。第2の主面22には第3の絶縁層45が形成されており、この第3の絶縁層45は、支持体本体2とコンタクト領域61との間と、支持体本体2とさらなるコンタクト領域62との間に、それぞれ部分的に延在している。接続領域51およびさらなる接続領域52は、共通の接続層5の一部分として形成されていることが好ましい。さらなる接続領域52は開口部53を有し、この開口部53の中に接続領域51が形成されている。開口部53の断面は、貫通部25の断面より小さい。絶縁層4によって、さらなる接続領域52とめっきスルーホール31との間に直接的な電気的接触が存在しない。したがって、絶縁層4の存在により、開口部53の最小断面は、貫通部25またはめっきスルーホール31の断面によって決まるのではなく、絶縁層4における切取り部41の断面によって決まる。したがって、開口部53の断面を同じままで、めっきスルーホール31の断面を大きくすることができ、その結果として、めっきスルーホール31の直列抵抗が減少する。したがって、十分に低い直列抵抗を得る目的で、比較的高価である金よりも小さい導電率を有する材料を、めっきスルーホール31に使用することもできる。めっきスルーホール31は、一例として、アルミニウム、銀、銅、または、これらの材料もしくは金のうちの少なくとも1種類を含んだ金属合金例えば金-錫合金、を含んでいる、またはこのような材料からなることができる。絶縁層4には、さらなる切取り部42が形成されており、さらなる切取り部42は、さらなるめっきスルーホール32と重なっている。絶縁層4のさらなる切取り部42は、切取り部41に対応する方法で形成することができる。この変形形態として、さらなる切取り部42の断面を切取り部41の断面より大きくすることもできる。しかしながら、さらなる切取り部42の断面は、さらなるめっきスルーホール32の断面より小さいことが好ましい。支持体1の横方向の境界を形成している側面23は、露出している、すなわち絶縁層によって覆われていない。したがって、支持体集合体から個片化によって支持体を作製するとき、個片化において側面を直接形成することができる。したがって、すでに個片化された支持体1にその後に絶縁層を形成するステップを省くことができる。支持体本体2は、半導体材料を含んでいることが好ましい。特に、シリコンは、微細構造化を行いやすいこと、熱伝導率が比較的高いこと、大きな材料として高い費用効果で入手できるため、適している。支持体本体2は、少なくとも500Ωcmの抵抗、好ましくは500Ωcm~10,000Ωcmの範囲内両端値を含むの抵抗、特に好ましくは1000Ωcm~2000Ωcmの範囲内両端値を含むの抵抗を有することが好ましい。抵抗が十分に高いことによって、支持体1の実装時における電気的短絡と、支持体1の露出した側面23における電気的短絡例えば、支持体本体2の側面に隣接するはんだまたは導電性接着剤に起因する短絡の危険性を、回避することが可能となる。支持体本体2にはダイオード構造7が組み込まれている。ダイオード構造7は、支持体本体2の第2の主面22に隣接している。ダイオード構造7は、第1の導電型の第1の部分領域70を有する。第1の部分領域70は、半導体チップの平面視において、コンタクト領域61およびさらなるコンタクト領域62と重なっている。ダイオード構造7が第2の主面22の領域に形成されている結果として、めっきスルーホールの構造および第1の主面21に隣接する絶縁層4の構造とはほぼ無関係に、ダイオード構造7の幾何学形状を簡単に設計することができる。したがって、ダイオード構造7を、比較的大きな領域を有する要素として実施することができる。第1の導電型とは異なる第2の導電型の第2の部分領域71は、支持体1の平面視において、第1の部分領域70の中に形成されている。第1の部分領域70はp型導電性に形成されており、第2の部分領域71はn型導電性に形成されていることが好ましい。支持体1の平面視において、第2の部分領域71は、コンタクト領域61,62の一方図示した例示的な実施形態においてはコンタクト領域61のみと重なっている。第2の部分領域71は、ダイオード接続部73によってコンタクト領域61に導電接続されている。第1の部分領域70は、さらなるダイオード接続部74によって、さらなるコンタクト領域62に導電接続されている。部分領域70,71は、例えば、支持体本体2におけるイオン注入によって形成することができる。ダイオード接続部73,74は、それぞれ、ダイオード構造7の第1の部分領域70の材料および第2の部分領域71の材料との十分に良好な電気的接触を形成する金属によって、形成されていることが好ましい。以下では、ダイオード構造7の機能について、図3を参照しながらさらに詳しく説明する。特に、コンタクト領域61,62および接続領域51,52の材料としては、簡略的な方法で例えばはんだ付けによって導電接続部を形成することのできる材料が適している。コンタクト領域61,62もしくは接続領域51,52またはその両方は、一例として、チタン、白金、金、銀、ニッケル、またはタングステン、あるいはこれらの材料のうちの少なくとも1種類を含んだ金属合金、を含んでいる、またはそのような材料からなることができる。特に、コンタクト領域61,62もしくは接続領域51,52またはその両方は、多層構造として具体化することもできる。絶縁層4,45,46には、特に、酸化物例えば酸化ケイ素、窒化物例えば窒化ケイ素、または酸窒化物例えば酸窒化ケイ素が適している。図2は、本半導体チップの例示的な実施形態を断面図として概略的に示している。半導体チップ10は、図1Aおよび図1Bを参照しながら説明したように具体化されている支持体1を備えている。さらに、この半導体チップ10は、活性領域80を含んだ半導体積層体を有する半導体ボディ8を備えており、活性領域80は、放射を生成する目的で設けられており、第1の半導体層81と第2の半導体層82との間に配置されている。半導体ボディ8、特に活性領域80は、III-V族化合物半導体材料を含んでいることが好ましい。III-V族半導体材料は、紫外スペクトル領域AlxInyGa1-x-yNから、可視スペクトル領域特に青色~緑色の放射の場合にはAlxInyGa1-x-yN、特に黄色~赤色の放射の場合にはAlxInyGa1-x-yP、さらには赤外スペクトル領域AlxInyGa1-x-yASの放射を生成するのに特に適している。いずれの場合も、0≦x≦1、0≦y≦1、xy≦1が成り立ち、特に、x≠1、y≠1、x≠0、y≠0の少なくとも1つが成り立つ。特に、上に挙げた材料系のIII-V族半導体材料を使用することで、放射の生成時に高い内部量子効率をさらに得ることができる。上述した例示的な実施形態の変形形態として、半導体チップ10を放射受信器として具体化することもできる。半導体ボディ8には、支持体1の側の面から凹部83が形成されており、この凹部83は、活性領域80を貫いて第2の半導体層82に達しており、したがって、第2の半導体層82との電気的接触を、支持体1の側の面から形成することができる。凹部83は、横方向において半導体ボディ8の側面から隔置されている。電気的短絡を回避する目的で、凹部83の側面は、少なくとも一部分が第4の絶縁層84によって覆われている。半導体ボディ8は、複数の凹部83を有することが好ましい。このようにして、電荷キャリアを第2の半導体層82を介して活性領域80の中に横方向に均一に注入することが、簡単な方法で達成される。第2の半導体層82は、第2の接続領域86を介して支持体1のさらなる接続領域52に導電接続されている。この例示的な実施形態においては、第2の接続領域86は、一例として、凹部83の中を第2の半導体層82まで延在している第1の層861を有する。半導体ボディ8とは反対側の、第1の層861の面には、第2の層862が形成されており、第2の層862は第1の層861を完全に囲んでいる。第1の半導体層81は、第1の接続領域85を介して接続領域51に導電接続されている。半導体ボディ8の半導体積層体の成長基板は除去されている。半導体ボディ8が支持体1の上に実装された後には、支持体1が半導体ボディ8を機械的に安定化する役割を果たす。第1の接続領域85は、第2の接続領域86と半導体ボディ8との間に部分的に配置されている。さらに、第1の接続領域85と第2の接続領域86との間に第5の絶縁層90が形成されており、この第5の絶縁層90は、これらの接続領域85,86を互いに電気的に絶縁している。第1の接続領域85は、第2の接続領域86に類似する方法で多層構造として具体化されており、半導体ボディ8から見て、第1の層851、第2の層852、第3の層853、および第4の層854を有する。半導体ボディ8に直接隣接している層、すなわち第1の接続領域85の第1の層851および第2の接続領域86の第1の層861は、活性領域80において生成される放射に対する高い反射率を有することが好ましい。可視スペクトル領域の放射の場合、特に銀が適している。しかしながら、これに代えて、例えばアルミニウム、ニッケル、ロジウム、またはパラジウムを使用することもできる。例えば、第1の層851,861の材料例えば銀の酸化やマイグレーションが回避されるように、第1の層851,861を、それぞれに対応する、接続領域85の第2の層852、および接続領域86の第2の層862によって、封止することができる。第1の接続領域85および第2の接続領域86の、記載されている層それぞれは、少なくとも一部分を共通の製造ステップにおいて堆積させることができる。支持体1の側の面に、さらなる接続層87が形成されており、このさらなる接続層87は、支持体1の接続層5との、機械的に安定的な導電接続を形成することを目的として設けられている。特に、接続層5およびさらなる接続層87には、例えば、チタン、金、または錫のうちの少なくとも1種類の材料を含んだはんだが適している。第1の接続領域85と第2の接続領域86との間には空間95が形成されており、この空間95は、接続層5,87も貫いており、電気的絶縁の役割を果たしている。本半導体チップ10の動作時、コンタクト領域61とさらなるコンタクト領域62との間に外部電圧が印加されたとき、活性領域80に、異なる側から電荷キャリアが注入され、活性領域80において再結合して放射が放出される。外部からの接触を、半導体チップ10の裏面すなわち支持体の第2の主面22の側のみから形成することができる。その一方で、半導体チップ10の表側面には、半導体チップ10の外部接触領域がまったく存在しないようにすることができ、したがって、活性領域80において生成される放射が遮られることが回避される。生成される放射の取り出し効率を高める目的で、支持体1とは反対側の表側面の放射出口領域は、構造化部88を有し、この構造化部88は、規則的または不規則な形状に例えば粗面化部として具体化することができる。半導体ボディ8の上にはパッシベーション89が形成されており、このパッシベーション89は、特に、半導体ボディ8の表側面の放射出口領域および側面を覆っており、これらを外部環境による悪影響に対して保護している。図3は、図2に示した例示的な実施形態による半導体チップ10における発生しうる電流経路を、概略的に示しており、この場合、第1の半導体層81がp型導電性に、第2の半導体層82がn型導電性に形成されている。さらなるコンタクト領域62を基準としてコンタクト領域61に正の電圧が印加される結果として、電荷キャリアが順方向に活性領域80に注入され、活性領域80において再結合して放射が放出される。ダイオード構造7の第1の部分領域と第2の部分領域との間のpn接合部は、このダイオード構造7の順方向とは逆向きの状態で、活性領域に並列に接続されている。したがって、上記の極性の電圧が存在するとき、ダイオード構造7は逆方向に向いており、したがって半導体チップ10の通常の動作時には、この電流経路を介して大きな電流が流れることはない。それに対して、例えば静電帯電に起因して、コンタクト領域61を基準としてさらなるコンタクト領域62に正の電圧が存在する場合、電荷キャリアは、ダイオード構造7を介して支持体1の中特に支持体本体2の中の電流経路を流れることができる。したがって、逆方向に存在する高電圧に起因して活性領域が損傷する危険性を回避することができる。ダイオード構造7は、支持体1の第2の主面22に形成されることにより、大きな領域の要素として簡単に設計することができ、したがって、たとえ高電圧が存在するときにも高い信頼性のESD保護が提供される。したがって、このような半導体チップ10の場合、半導体チップ10の支持体1にESD保護ダイオードの機能がすでに組み込まれており、したがって、半導体チップ10の外側に配置されるべき追加の保護ダイオードを省くことができる。したがって、本半導体チップ10の製造時、各半導体ボディ10にダイオード構造7が割り当てられるように、半導体ボディ8を支持体集合体の上に配置する。したがって、半導体チップ10に個片化するときには、半導体チップ10はESD損傷に対してすでに保護されている。ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。本特許出願は、独国特許出願第102010054898.7号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本出願に組み込まれている。"