基体と、複数の下部電極部と、前記複数の下部電極部を接続する複数の下部配線部と、を有し、駆動信号およびバイアス信号が印加される下部電極端子と接続された下部電極層と、下部絶縁層と、前記下部電極部より小さい複数のキャビティが形成された上部絶縁層と、それぞれの前記キャビティを介して、それぞれの前記下部電極部と対向配置している、前記下部電極部より小さく前記キャビティより大きい複数の上部電極部と、前記複数の上部電極部を接続する複数の上部配線部と、を有し、容量信号を検出するグランド電位の上部電極端子と接続された上部電極層と、保護層と、を具備することを特徴とする超音波エレメント。前記上部配線部と前記下部配線部とが、対向配置しないように配設されていることを特徴とする請求項1に記載の超音波エレメント。前記下部電極部の外周部と前記上部電極部の外周部とが対向配置している領域を含む前記キャビティの外周部に、グランド電位の遮蔽電極端子と接続された遮蔽電極部を具備することを特徴とする請求項2に記載の超音波エレメント。前記キャビティが、前記上部絶縁層に覆われた導電性材料からなる犠牲層がエッチング処理により部分的に除去された領域であり、前記遮蔽電極部が、前記エッチング処理により除去されなかった前記犠牲層の残存領域であることを特徴とする請求項3に記載の超音波エレメント。前記上部絶縁層の上表面が平坦であることを特徴とする請求項4に記載の超音波エレメント。前記上部電極部は、中央部の厚さが前記外周部の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項5に記載の超音波エレメント。請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の超音波エレメントを有する先端部を具備することを特徴とする超音波内視鏡。本発明の実施形態は、特性が安定した超音波エレメントおよび特性が安定した超音波内視鏡を提供することを目的とする。本発明の実施形態の超音波エレメントは、基体と、複数の下部電極部と前記複数の下部電極部を接続する複数の下部配線部とを有し駆動信号およびバイアス信号が印加される下部電極端子と接続された下部電極層と、下部絶縁層と、前記下部電極部より小さい複数のキャビティが形成された上部絶縁層と、それぞれの前記キャビティを介してそれぞれの前記下部電極部と対向配置している前記下部電極部より小さく前記キャビティより大きい複数の上部電極部と前記複数の上部電極部を接続する複数の上部配線部とを有し、容量信号を検出するグランド電位の上部電極端子と接続された上部電極層と、保護層と、を具備する。また本発明の別の実施形態の超音波内視鏡は、前記記載の超音波エレメントを有する。本発明の実施形態によれば、特性が安定した超音波エレメントおよび特性が安定した超音波内視鏡を提供することができる。以下、図面を参照して第1実施形態の超音波エレメント20、および、超音波エレメント20を有する超音波内視鏡2について説明する。<超音波内視鏡の構成>図1に示すようにUS内視鏡2は、超音波観測装置3およびモニタ4とともに超音波内視鏡システム1を構成する。US内視鏡2は、体内に挿入される細長の挿入部21と、挿入部21の基端に配された操作部22と、操作部22の側部から延出したユニバーサルコード23と、を具備する。ユニバーサルコード23の基端部には、光源装置不図示に接続されるコネクタ24Aが配設されている。コネクタ24Aからは、カメラコントロールユニット不図示にコネクタ25Aを介して着脱自在に接続されるケーブル25と、超音波観測装置3にコネクタ26Aを介して着脱自在に接続されるケーブル26と、が延出している。超音波観測装置3にはモニタ4が接続される。挿入部21は、先端側から順に、先端硬性部以下、先端部という37と、先端部37の後端に位置する湾曲部38と、湾曲部38の後端に位置して操作部22に至る細径かつ長尺で可撓性を有する可撓管部39と、を連設して構成されている。そして、先端部37の先端側には超音波ユニット30が配設されている。操作部22には、湾曲部38を所望の方向に湾曲制御するアングルノブ22Aと、送気および送水操作を行う送気送水ボタン22Bと、吸引操作を行う吸引ボタン22Cと、体内に導入する処置具の入り口となる処置具挿入口22D等と、が配設されている。そして、図2に示すように、超音波ユニットUSユニット30が、設けられた先端部37には、照明光学系を構成する照明用レンズカバー31と、観察光学系の観察用レンズカバー32と、吸引口を兼ねる鉗子口33と、図示しない送気送水ノズルと、が配設されている。図3に示すように、USユニット30の超音波アレイUSアレイ40は、複数の平面視矩形の超音波エレメント20の長辺が連結され、円筒状に湾曲配置されたラジアル型振動子群である。すなわち、USアレイ40では、例えば、直径2mmの円筒の側面に、短辺が0.1mm以下のUSエレメント20が200個、360度方向に配設されている。なお、USアレイ40は、ラジアル型振動子群であるが、USアレイは、凸形状に折り曲げしたコンベックス型振動子群であってもよい。円筒状の超音波アレイ40の端部には、複数の下部電極端子52が配列しており、それぞれが同軸ケーブル束35の、それぞれの信号線62と接続されている。また、超音波アレイ40の、もう1方の端部には、複数の上部電極端子51が配列している。上部電極端子51はそれぞれが同軸ケーブル束35の、それぞれの容量検出線61と接続されている。すなわち同軸ケーブル束35は、複数の信号線62および複数の容量検出線61の合計数と同じ本数の芯線のある同軸ケーブルからなる。同軸ケーブル束35は、先端部37と、湾曲部38と、可撓管部39と、操作部22と、ユニバーサルコード23と、超音波ケーブル26と、に挿通され、超音波コネクタ26Aを介して、超音波観測装置3と接続されている。<送受信部の構成>次に、図4、図5および図6を用いて、USエレメント20および超音波セルUSセル10の構成について説明する。なお、図はいずれも説明のための模式図であり、パターンの数、厚さ、大きさ、および大きさ等の比率は実際とは異なる。図4に示すように、USエレメント20には、複数の静電容量型のUSセル10がマトリックス状に配置されている。なお説明のため図4では一部のUSセル10のみ示している。USセル10の配置は、規則的な格子配置、千鳥配置、または、三角メッシュ配置等であってもよいし、ランダム配置であってもよい。そしてUSエレメント20の一方の端部には下部電極端子52が、他方の端部には上部電極端子51が配設されている。図5および図6に示すように、USセル10は、基体であるシリコン基板11上に、順に積層された、下部電極端子52と接続された下部電極層12と、下部絶縁層第1絶縁層13と、円筒状のキャビティ14が形成された上部絶縁層第2絶縁層15と、上部電極端子51と接続された上部電極層16と、保護層第3絶縁層17と、を有する。シリコン基板11は、シリコン11Aの表面にシリコン熱酸化膜11B、11Cを形成した基板である。すなわち、それぞれのUSセル10は、キャビティ14を介して対向配置している下部電極部12Aと上部電極部16Aとを有する。下部電極層12は、平面視円形の複数の下部電極部12Aと、下部電極部12Aの縁辺部から2方向に延設している複数の下部配線部12Bと、を有する。下部配線部12Bは、同じUSエレメント20の他のUSセルの下部電極部12Aを接続している。そして、下部配線部12Bは下部電極端子52と接続されている。上部電極層16は、平面視円形の複数の上部電極部16Aと、上部電極部16Aの縁辺部から2方向に延設している複数の上部配線部16Bと、を有する。上部配線部16Bは、同じUSエレメント20の他のUSセルの上部電極部16Aを接続している。そして、上部配線部16Bは上部電極端子51と接続されている。すなわち。同じUSエレメント20に配置された複数のUSセル10の全ての下部電極部12Aは互いに接続されており、全ての上部電極部16Aも互いに接続されている。図5および図6に示す上記構造のUSセル10では、キャビティ14の直上領域の、上部絶縁層15と上部電極層16と保護層17とが、振動部であるメンブレン18を構成している。そして、USセル10では、キャビティ14は下部電極部12Aより小さく、上部電極部16Aは下部電極部12Aより小さくキャビティ14より大きい。すなわち、いずれも平面視円形の下部電極部12Aの直径R12と、円筒形のキャビティ14の直径R14と、上部電極部16Aの直径R16と、は以下の式1の関係にある。R12>R16>R14式1そして、下部電極部12A、キャビティ14および上部電極部16Aは、それぞれの円の中心がシリコン基板11に垂直な中心線Oと一致するように配設されている。なお、下部電極部12Aと上部電極部16Aとが、キャビティ14を介して対向配置している部分が、超音波受信時に静電容量が変化する、容量可変部CEである。<USエレメントの動作>次に、図7を用いて、USエレメント20の動作について説明する。下部電極部12Aは下部電極端子52を介して超音波観測装置3の電圧信号発生部3Aと接続されている。一方、上部電極部16Aは上部電極端子51を介して容量信号検出部3Bと接続されグランド電位となっている。容量信号検出部3Bは容量信号電流変化を検出する。超音波発生時には、電圧信号発生部3Aは駆動電圧信号を下部電極部12Aに印加する。下部電極部12Aに電圧が印加されると、グランド電位の上部電極部16Aは静電力により下部電極部12Aに引き寄せられるため、上部電極部16Aを含むメンブレン18は変形する。そして下部電極部12Aへの電圧印加がなくなると、メンブレン18は弾性力により元の形に回復する。このメンブレン18の変形/回復により超音波が発生する。一方、超音波受信時には、受信した超音波エネルギーにより上部電極部16Aを含むメンブレン18が変形する。すると上部電極部16Aと下部電極部12Aとの距離が変化するため、その間の静電容量が変化する。すると容量信号検出部3Bに容量変化に伴う電流が流れる。すなわち、受信した超音波エネルギーが容量信号に変換される。<積層ずれ>すでに説明したように、USセル10は複数の下部電極部12Aの上側に中心線Oが共通となるようにキャビティ14が形成されており、更にキャビティ14の上側に中心線Oが共通となるように上部電極部16Aが形成されている。しかし、製造工程においては積層ずれ、すなわち正しい位置に積層形成されないことがある。例えば図8に示す比較例のUSセル110は、上部電極部116Aと下部電極部112Aの大きさがキャビティ114よりも小さい。USセル110では、上部電極部116A形成時に積層ずれ例えば0.5μmのパターン位置合わせずれが生じると、容量可変部CEが小さくなってしまう。すると、USセル110の感度が低下する。積層ずれの大きさは製造ばらつきに起因するため、USエレメント120の特性は不安定である。これに対して、図9に示すように、本実施形態のUSセル10では上部電極部116A形成時に例えば0.5μmの積層ずれが生じても、容量可変部CEの大きさは変化しない。このため、USエレメント20およびUS内視鏡2の特性は製造ばらつきがあっても安定している。すでに説明したように、下部電極部12Aの直径R12>上部電極部16Aの直径R16>キャビティ14のR14であれば、上記効果がある。特に、現在の技術水準では、製造時のばらつき積層ずれは数μm、例えば0.5~5μmであるため、R12=R160.5~5μm、R16=R140.5~5μmであることが好ましい。または、R12=R16×1.03~1.10、R16=R14×1.03~1.10であることが好ましい。前記範囲内であれば、製造ばらつきによる積層ずれが生じても、容量可変部CEの大きさは変化しないため、USエレメント20およびUS内視鏡2の特性は安定している。<配線部間の寄生容量>更に、図6等に示したように、USエレメント20の下部配線部12Bと上部配線部16Bとは長手方向が直交している。すなわち、図10に示すように下部配線部12Bは下部電極部12AからY軸方向に延設されているのに対して、図11に示すように、上部配線部16Bは上部電極部16AからZ軸方向に延設されている。ここでUSエレメント20では容量信号検出部3Bが検出する静電容量は、すでに説明した容量可変部CEの静電容量と寄生容量との合計である。ここで、寄生容量とはメンブレン18の変形があっても変化しない容量固定部の静電容量である。例えば、下部配線部12Bと上部配線部16Bとが対向配置されていると、その間に寄生容量が発生する。これに対して、上部配線部16Bと下部配線部12Bとが対向配置しないように、互いに直交する方向に配設されているUSエレメント20は、上部配線部16Bと下部配線部12Bとの間で寄生容量が生じないため、超音波の受信感度が高い。<第2実施形態>次に第2実施形態のUSエレメント20AおよびUSエレメント20Aを具備する超音波内視鏡2Aについて説明する。USエレメント20AおよびUS内視鏡2Aは、USエレメント20およびUS内視鏡2と類似しているため同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。図12に示すように、USエレメント20AのUSセル10Aは、下部電極部12Aの外周部と上部電極部16Aの外周部とが対向配置している領域を含むキャビティ14の外周部に遮蔽電極部71を具備する。後述するように、キャビティ14が、上部絶縁層15に覆われた導電性材料からなる犠牲層70がエッチング処理により部分的に除去された領域であり、遮蔽電極部71が、エッチング処理により除去されなかった犠牲層70の残存領域である。そして、遮蔽電極部71はグランド電位の遮蔽電極端子53と接続されている。<USエレメント20Aの製造方法>次に、図13A~図13F、図14および図15を用いてUSエレメント20Aの製造方法について簡単に説明する。なお、すでに説明したUSエレメント20の製造方法も遮蔽電極部71の作製を除いてほぼ同じである。<ステップS11>下部電極層形成導電性シリコンまたは金属、例えば、銅、金、またはアルミニウムからなる導電性材料が、シリコン基板11の全面にスパッタ法等により成膜される。そして、フォトリソグラフィによるマスクパターンを形成後にエッチングにより部分的に除去することにより、下部電極部12Aと下部配線部12Bとを有する下部電極層12が形成される。<ステップS12>下部絶縁層形成下部電極層12を覆うように、SiN等の絶縁性材料からなる下部絶縁層13が例えばCVD法化学気相成長法等により成膜される。<ステップS13>犠牲層形成下部絶縁層13の上に、導電性材料の中から選択されたエッチングにより除去可能な材料からなる犠牲層材料が成膜される。そして、図13Aに示すように犠牲層70の上に、フォトリソグラフィによるマスクパターン75が形成される。<ステップS14>犠牲層パターニング図13Bおよび図14に示すように、犠牲層70が、エッチング処理により、キャビティの形状円柱状のキャビティ部72と、遮蔽電極部71と、にドーナツ状の溝部70Aを介して分離される。犠牲層70の厚さは、キャビティ14の高さとなるために、例えば、0.05~0.3μmであり、好ましくは0.05~0.15μmである。<ステップS15>上部絶縁層形成図13Cに示すように、犠牲層パターンキャビティ部72および遮蔽電極部71の上面に、上部絶縁層15が、例えば下部絶縁層13と同様の方法および同様の材料により形成される。このとき、すでに説明したように、溝部70Aの内部にも上部絶縁層15Aが形成される。ここで、上部絶縁層15は、犠牲層パターンを覆うように形成されるために、犠牲層パターン厚さの影響で凹凸が生じることがある。すると、上部絶縁層の上に形成した上部電極層と下部電極層との絶縁が悪くなりUSセルの動作が不安定になることがある。このため、上部絶縁層を形成後に、その表面を平坦化加工することが好ましい。平坦化加工には、例えば、化学的機械研磨法CMP法を好ましく用いることができる。上部絶縁層の上表面が平坦であるUSエレメントは特性が安定している。そして、上部絶縁層15の所定の位置に、キャビティ部72を除去するために、エッチング剤を流入する開口部不図示が形成される。<ステップS16>キャビティ形成遮蔽電極部形成次に、図13Dおよび図15に示すように、キャビティ部72のエッチング除去によりキャビティ14が形成される。遮蔽電極部71は上部絶縁層15Aによりキャビティ部72と分離されているため、エッチング剤により除去されない。すなわち、遮蔽電極部71は、エッチング処理により除去されなかった犠牲層70の残存領域である。例えば犠牲層70としてタングステンWを用い、下部絶縁層13および上部絶縁層15として窒化シリコンSiNを用いた場合には、エッチング剤として過酸化水素水H2O2を用いる。また犠牲層70として導電性多結晶シリコンを用い、下部絶縁層13および上部絶縁層15としてSiNを用いた場合には、エッチング剤としてフッ化キセノンガスXeF2を用いる。なお、キャビティ14は円柱形状に限られるものではなく、多角柱形状等でもよい。キャビティ14が多角柱形状の場合には、上部電極部16Aおよび下部電極部12Aの平面視形状も多角形とすることが好ましい。また、平面視形状が円形ではない場合も、上部電極部16A等のパターンは、大きいパターンが小さいパターンを内包可能な大きさであればよい。<ステップS17>上部電極層形成図13Eに示すように、下部電極層12と同様の方法および同様の材料により、上部電極部16Aと上部配線部16Bとを有する上部電極層16が形成される。<ステップS18>保護層形成図13Fに示すように、USエレメント20の表面が、保護層17で覆われる。保護層17は、保護機能だけでなく、音響整合層機能、更にUSエレメント20を連結する機能も有する。なお、説明を省略したが、下部電極形成工程では下部電極端子52も形成されており、上部電極形成工程では上部電極端子51も形成されており、遮蔽電極形成工程犠牲層形成では遮蔽電極端子53も形成されている。保護層17は、下部電極端子52、上部電極端子51および遮蔽電極端子53を覆わないように形成される。保護層17としては、ポリイミド、エポキシ、アクリル、またはポリパラキシレンなどの可撓性の樹脂からなり、耐薬品性が高く、屈曲性を有し、加工が容易のため、特に好ましくはポリイミドである。なお、保護層17は第1絶縁層の上に、更に生体適合性のある第2絶縁層が形成された2層構造であってもよい。次に、複数の超音波エレメント20を、連結方向に所定の直径のラジアル形状に湾曲配置することでUSアレイ40が作製される。例えば、USアレイ40は、例えば所定の直径の円筒の外周に接合される。更にUSアレイ40に同軸ケーブル束35が接続され、USユニット30が作製される。<USエレメント20Aの動作>次に、図16を用いて、USエレメント20Aの動作について説明する。下部電極部12Aは下部電極端子52を介して超音波観測装置3の電圧信号発生部3Aと接続されている。遮蔽電極部71は遮蔽電極端子53を介してグランド電位となっている。一方、上部電極部16Aは上部電極端子51を介して容量信号検出部3Bと接続されグランド電位となっている。容量信号検出部3Bは容量信号電流変化を検出する。しかし、USエレメント20Aでは、メンブレン18の外周領域で、下部電極部12Aと上部電極部16Aとが対向配置している部分がある。この対向部分はコンデンサを形成しているが、超音波を受信しても静電容量が変化しない寄生容量部固定容量部19である。寄生容量部19の静電容量が大きいと、メンブレン18容量可変部の静電容量が変化しても、容量信号検出部3Bで検出される容量信号静電容量の変化率は小さくなってしまう。ここで、USエレメント20Aでは、下部電極部12Aと上部電極部16Aとが対向配置している外周部にグランド電位の遮蔽電極部71が配設されている。このため、下部電極部12Aと遮蔽電極部71とが対向配置している部分の上の上部電極部16Aは、下部電極部12Aとコンデンサを形成していない。すなわち上部電極部16Aの外周部は寄生容量の原因とならない。このため、USエレメント20Aは、遮蔽電極部71のないUSエレメント20よりも超音波の受信感度が高い。また、遮蔽電極部74は、犠牲層70により形成されるために、工程数の増加が少なく製造が容易である。更に、USエレメント20Aはたとえ絶縁膜の一部が、ゴミまたは欠陥などに起因して破壊されても、下部配線部12Bの上側はグランド電位の遮蔽電極部74に覆われている。このため、下部配線部12Bに印加される電圧信号駆動信号およびバイアス信号がUSエレメント20Aの外部に漏れることがない。このため、USエレメント20AおよびUS内視鏡2Aは、更に特性が安定している。<第3実施形態>次に第3実施形態のUSエレメント20BおよびUSエレメント20Bを具備する超音波内視鏡2Bについて説明する。USエレメント20BおよびUS内視鏡2Bは、USエレメント20およびUS内視鏡2と類似しているため同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。図17に示すように、USエレメント20Bでは、上部電極部16Aは、中央部の厚さが外周部の厚さよりも薄い。ここで外周部とはメンブレンを構成しない領域である。なお、上部配線部16Bの厚さは、上部電極部16Aの外周部と同じ厚さであることが好ましい。メンブレン18を構成する上部電極部16Aの中央部の厚さが薄いとメンブレン18が振動しやすいため、USセル10Bを有するUSエレメント20BおよびUS内視鏡2Bは高感度である。なお、上部電極部16Aの厚さは、外周部から中央部に向かって徐々に薄くなってもよい。また、メンブレン18を構成する上部電極部16Aが、多数の凹部または貫通孔を有していてもよい。すなわち、厚さとは平均膜厚であってもよい。本発明は、上述した実施形態または変形例に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範囲において、種々の変更、改変等が可能である。