絶縁基板と、前記絶縁基板の少なくとも片面に形成される導体と、前記導体上に形成され、前記導体の一部を露出するように複数の開口が形成されるソルダーレジスト層と、前記ソルダーレジスト層上に架橋して設けられ、前記複数の開口で露出した複数の前記導体のうち少なくとも2つの前記導体間を電気的に接続する配線と、を有する配線基板であって、前記配線が、金属ナノ粒子を含む焼成型導電性ペーストの焼成から形成されることを特徴とする配線基板。前記開口は、前記導体面側が狭いテーパー形状であることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。前記配線の体積抵抗率は、20μΩcm未満であることを特徴とする請求項1または2に記載の配線基板。前記配線は、厚さ2μm以下であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の配線基板。絶縁基板の少なくとも片面に導体を形成する工程と、前記導体上に、前記導体の一部を露出するように複数の開口を有するソルダーレジスト層を形成する工程と、前記ソルダーレジスト層上に、金属ナノ粒子を含む焼成型導電性ペーストを、前記複数の開口で露出した複数の前記導体間を架橋して塗布した後に、焼成して前記導体間を電気的に接続する配線を形成する工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。前記開口をレーザ加工によって形成することを特徴とする請求項5に記載の配線基板の製造方法。前記開口は、前記導体面側が狭いテーパー形状であることを特徴とする請求項5または6に記載の配線基板の製造方法。前記配線を形成する工程における前記焼成型導電性ペーストの塗布は、インクジェット印刷により行うことを特徴とする請求項5~7のいずれかに記載の配線基板の製造方法。前記配線の体積抵抗率は、20μΩcm未満であることを特徴とする請求項5~8のいずれかに記載の配線基板の製造方法。前記配線は、厚さ2μm以下であることを特徴とする請求項5~9のいずれかに記載の配線基板の製造方法。しかしながら、従来において、ジャンパー線は、熱硬化性導電性ペーストにより形成されるため、体積抵抗率が非常に高いという問題があった。一般的には、金属箔により形成される配線の体積抵抗率が3μΩcm以下となるのに対して、熱硬化性導電性ペーストで形成される配線の体積抵抗率は20μΩcm以上となっており、高い抵抗値を示すことになる。この理由は、熱硬化性導電性ペーストは、金属粒子の接触により導電性を確保しているため、確実な電気的接合が図れず、また、熱硬化性樹脂がそのまま残存するからである。また、熱硬化性導電性ペーストを用いてジャンパー線を形成する場合、ジャンパー線の抵抗値を低減しようとすると、ジャンパー線自体の厚みを大きくする必要性が生じる。しかし、ジャンパー線の厚みを大きくすると、熱硬化性樹脂は硬化するだけで、そのまま残存するので、配線基板全体の厚みが増大し、高密度な配線基板を得ることは困難となる。本発明は、このような問題に鑑みて成されたもので、その目的は、低抵抗であり、厚みが小さく高密度な配線パターンを有する配線基板及びその製造方法を提供することにある。本発明の第1の態様は、絶縁基板と、前記絶縁基板の少なくとも片面に形成される導体と、前記導体上に形成され、前記導体の一部を露出するように複数の開口が形成されるソルダーレジスト層と、前記ソルダーレジスト層上に架橋して設けられ、前記複数の開口で露出した複数の前記導体のうち少なくとも2つの前記導体間を電気的に接続する配線と、を有する配線基板であって、前記配線が、金属ナノ粒子を含む焼成型導電性ペーストの焼成から形成される配線基板である。本発明の第2の態様は、第1の態様の配線基板において、前記開口は、前記導体面側が狭いテーパー形状である。本発明の第3の態様は、第1または第2の態様の配線基板において、前記配線の体積抵抗率は、20μΩcm未満である。本発明の第4の態様は、第1~第3の態様のいずれかの配線基板おいて、前記配線は、厚さ2μm以下である。本発明の第5の態様は、絶縁基板の少なくとも片面に導体を形成する工程と、前記導体上に、前記導体の一部を露出するように複数の開口を有するソルダーレジスト層を形成する工程と、前記ソルダーレジスト層上に、金属ナノ粒子を含む焼成型導電性ペーストを、前記複数の開口で露出した複数の前記導体間を架橋して塗布した後に、焼成して前記導体間を電気的に接続する配線を形成する工程と、を有する配線基板の製造方法である。本発明の第6の態様は、第5の態様の配線基板の製造方法において、前記開口をレーザ加工によって形成する配線基板の製造方法である。本発明の第7の態様は、第5または第6の態様のいずれかの配線基板の製造方法において、前記開口は、前記導体面側が狭いテーパー形状である配線基板の製造方法である。本発明の第8の態様は、第5~第7の態様のいずれかの配線基板の製造方法において、前記配線を形成する工程における前記焼成型導電性ペーストの塗布は、インクジェット印刷により行う配線基板の製造方法である。本発明の第9の態様は、第5~第8の態様のいずれかの配線基板の製造方法において、前記配線の体積抵抗率は、20μΩcm未満である配線基板の製造方法である。本発明の第10の態様は、第5~第9の態様のいずれかの配線基板の製造方法において、前記配線は、厚さ2μm以下である配線基板の製造方法である。本発明によれば、低抵抗であり、厚みが小さく高密度な配線パターンを有する配線基板を得ることができる。以下に、本発明の一実施形態にかかる配線基板について、図面を用いて説明する。図1は、本発明の一実施形態にかかる配線基板の一部を示す平面図であり、図2は、図1のA-A断面図である。図1および図2に示すように、本実施形態の配線基板1は、絶縁基板3と、絶縁基板3の少なくとも片面に形成され、電極8を有する導体4と、導体4上に形成され、導体4の一部電極8を露出するように複数の開口6が形成されるソルダーレジスト層5と、ソルダーレジスト層5上に架橋して設けられ、複数の電極8のうち少なくとも2つの電極8、8間を電気的に接続する配線7と、を有しており、配線7が、金属ナノ粒子を含む焼成型導電性ペーストの焼成から形成されている。絶縁基板3は、電気的絶縁性を有する有機樹脂フィルムからなり、例えば、耐熱性を有するポリイミド樹脂などを用いるのが望ましい。導体4は、絶縁基板3の少なくとも片面に所定のパターンに形成されており、例えば、フォトリソグラフィによって、絶縁基板3上の銅箔やアルミニウム箔から形成される。図1においては、所定のパターンを有する導体4の一部を示し、導体4a、4b、4cが図示されている。図1に示すように、導体4aと、導体4cと、導体4bとは、互いに平行に配置されており、導体4a、4bは、それぞれ電極8a、8bを有している。導体4の材料としては銅やアルミニウムなどを用いることができる。ソルダーレジスト層5は、導体4a、4b、4cを被覆するように形成される。ただし、ソルダーレジスト層5は、導体4の一部電極8a、8bを露出するように、複数の開口開口6a、6bを有している。ソルダーレジスト層としては、感光性または熱硬化性のレジストを用いることができる。また、液状、フィルム状のいずれのレジストでも用いることができる。開口6の形状は、図3aに示すように、導体4面側が狭いテーパー形状であることが好ましい。具体的には、導体4の表面と開口6の開口面傾斜面とのなす角度テーパー角をθとしたとき、θが90°未満、好ましくは80°以下とするのがよい。このようなテーパー形状の開口6とすると、導電性ペーストが開口6に入りこみやすく、形成される配線7と導体4との電気的接続の安定性を向上することができる。また、後述する焼成型導電ペーストのインクジェット印刷に適した形状となる。テーパー角θが90°以上となると、開口6の断面形状が逆テーパー形状となり、導電性ペーストが開口に侵入することが困難となり、塗布できないおそれがある。また、導体4の露出面における開口6の径図3a中の開口径D1を、例えば、レーザ加工により20μm以上100μm以下とすることが好ましい。また、開口6は、導体4上に形成され、その開口径D1が導体4の幅図3a中の導体幅D2より小さいことが好ましい。この構成によれば、微細な開口径D1により導体幅D2を縮小して高密度な配線を形成することができる。開口径D1が上記数値範囲より大きく、幅の小さい導体4を用いる場合D1>D2、図3bに示すように、開口6の縁と導体4とが離間することになる。この開口6に対して、焼成型導電性ペーストを印刷し、露出する導体4に接続される配線7を形成すると、接続不良が生じるおそれがある。一方、開口径D1が上記数値範囲より大きい場合、幅の大きい導体4を用いることにより接続不良を防止することができるが、導体幅D2が大きくなり、高密度な配線の形成が困難となる。したがって、開口径を上記範囲内の数値とすることによって、焼成型導電性ペーストで形成される配線の接続不良を抑制するとともに、導体の幅を縮小することができる。配線7は、ソルダーレジスト層5上に架橋して形成されており、導体4aの電極8a部分と導体4bの電極8b部分との間を電気的に接続している。図1および図2に示すように、配線7は、導体4cをまたいで、離間する導体4aと導体4bとを導通している。すなわち、配線7は、ソルダーレジスト層5を介して導体4cと立体的に交差し、導体4aと導体4bとを接続する、ジャンパー線となっている。そして、本実施形態において、配線7は、金属ナノ粒子を含む焼成型導電性ペーストの焼成から形成された、薄い金属層金属薄膜となっている。この金属層は、焼成型導電性ペースト中のナノメートルサイズの金属粒子同士が焼成により融着、一体化して、導電性を示す。また、その厚さは、金属ナノ粒子によって焼成されるため、0.5μm以下となる。焼成型導電性ペーストは、溶剤または溶剤組成物に導電成分としての金属微粒子を混合したものである。焼成型導電性ペーストは、加熱により溶剤が蒸発または溶剤組成物が分解し、金属微粒子が融着した連続的な膜金属膜となる。したがって、形成される金属膜配線中には樹脂などが残存することがない。溶剤としては水、アルコール類、アルデヒド類、エーテル類、エステル類、アミン類、単糖類、多糖類、直鎖の炭化水素類、脂肪酸類、芳香族類の群から選択することが可能であり、複数の溶剤を組み合わせて使用することも可能である。上記群の中から、金属微粒子を覆う保護剤と親和性のある溶剤を選択することが望ましい。溶剤の中でも、金属ペーストをコーティングに適した粘度に調整し、また室温で容易に蒸発しない比較的高沸点な低極性溶剤あるいは非極性溶剤であることが望ましく、より具体的には、炭素数8~16個のノルマルの炭化水素やトルエン、キシレン、1-デカノール、テルピネオールなどを好適に用いることが可能である。また、溶剤は、金属ペーストの成型性、粘度などを調整する目的でワックスや樹脂熱分解性樹脂を添加剤として微量に加えた溶剤組成物として用いることも可能である。金属ナノ粒子は、平均粒子径が、例えば、1nm以上100nm以下であって、高い反応性を有する微粒子である。金属ナノ粒子が高い反応性を有するため、比較的低温の加熱であっても、焼結して配線を形成することができる。金属ナノ粒子の種類としては、導電性を得られるものであればよく、例えば、銅、銀、金などがあげられる。上述したように、従来においては、ソルダーレジスト層上に架橋される配線が熱硬化性樹脂を含む熱硬化性導電性ペーストから形成される。この配線には、加熱硬化された熱硬化性樹脂が残存することになり、配線の体積抵抗率が高い。このため、配線の抵抗値を低減させようとすると、配線の厚さが大きくなる。しかも、配線厚さの増加にともない、配線基板全体の厚さが増加することになる。一方、本実施形態にかかる配線基板は、ソルダーレジスト層上に架橋して形成される配線が、金属ナノ粒子を含む焼成型導電性ペーストの焼成により形成されている。この構成によって、配線は、焼成型導電性ペーストに含まれる溶剤などが加熱焼成で分解または蒸発し、金属ナノ粒子同士が焼結された薄い金属層となる。また、配線中に熱硬化性樹脂などの樹脂成分が残存せず、体積抵抗率が低いため、厚さの薄い配線であっても、低い抵抗値を得ることができる。上記実施形態において、形成される配線の抵抗値は、20μΩcm未満と小さくすることができ、また、配線の厚さは2μm以下と薄くすることができる。このように、本実施形態の配線基板は導体をまたいで架橋された配線を有するが、その配線は体積抵抗率が低く、厚さの薄い金属層となっている。このため、抵抗値が低く、かつ基板全体としての厚さが薄い、高密度な配線基板となっている。次に、上記実施形態にかかる配線基板の製造方法について、図4を用いて説明する。図4は、本発明の一実施形態にかかる配線基板の製造方法を示す工程図である。本発明の一実施形態にかかる配線基板の製造方法は、絶縁基板3の少なくとも片面に導体4を形成する工程と、導体4上に、導体4の一部を露出するように複数の開口6を有するソルダーレジスト層5を形成する工程と、ソルダーレジスト層5上に、金属ナノ粒子を含む焼成型導電性ペーストを、複数の開口6で露出した複数の導体4、4間を架橋して塗布した後に、焼成して導体4、4間を電気的に接続する配線7を形成する工程と、を有する。まず、図4aに示すように、絶縁基板3に金属箔金属層10が形成された、片面銅張積層板を準備する。なお、片面銅張積層板は、接着材を介していても、接着剤がなくてもどちらでもよい。次に、金属箔10上に感光性のレジストを形成し、露光、現像してレジストパターン図示せずを形成した。レジストは、液状のものでもフィルム状のものでもどちらも使用することが可能である。そして、露出した金属箔10をエッチングして除去することにより、図4bに示すような、所定パターンを有する導体4導体4a、4b、4cを形成する。以下、導体4が形成された絶縁基板3をプリント基板2と称する。続いて、図4cに示すように、導体4を被覆するように、プリント基板2全面にソルダーレジストを塗布して、ソルダーレジスト層5を形成する。続いて、図4dに示すように、ソルダーレジスト層5に、導体4の電極8を露出させる開口6を形成する。図示例では、導体4aの電極8aを露出させる開口6a、および導体4bの電極8bを露出させる開口6bを形成する。開口6の形成方法としては、エッチング法やレーザ加工などがあげられる。その中でも、レーザ加工が好ましい。レーザ加工によれば、開口6を、導体4面側が狭いテーパー形状とすることができる。開口6をテーパー形状とすることによって、焼成型導電性ペーストを開口6の領域に適切に充填することができる。また、レーザ加工によれば、開口径を20μm以上100μm以下とすることができるため、スクリーン印刷による開口例えば開口径200μmと比較して、開口径を小さくすることができる。続いて、図4eに示すように、電極8aおよび電極8bを電気的に接続するような形状に焼成型導電性ペーストをインクジェット印刷する。この際、開口6がテーパー形状となっているため、焼成型導電性ペーストが開口6に入り込みやすい。そして、焼成型導電性ペーストを焼成することによって、導体4aと導体4bとを架橋して接続する配線7を形成し、本実施形態の配線基板1を得る。なお、焼成型導電性ペーストの焼成方法としては、レーザ焼成やプラズマ焼成を用いることができる。中でも、レーザ焼成が好ましい。レーザ焼成によれば、焼成領域を最小限として、絶縁基板に与える熱によるダメージを低減することが可能となる。なお、上記実施形態では、ソルダーレジスト層の形成工程の際に開口を形成せず、開口をレーザ加工により形成する場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。ソルダーレジストの塗布の際に、例えば、スクリーン印刷により、開口を設けて、ソルダーレジスト層を形成してもよい。実施例以下の方法および条件で、本発明にかかる実施例の配線基板を製造した。絶縁基板としての、ポリイミド樹脂からなる基板厚さ25μmと、銅箔厚さ12μmと、を貼り合わせた銅貼積層板を用意した。この銅箔から、フォトリソグラフィによって所定のパターンを有する導体を形成した。導体上にソルダーレジスト層厚さ20μmを形成した。そして、レーザ加工により、導体の電極を露出するような開口径40μmをソルダーレジスト層に形成した。レーザ加工により形成された開口の形状は、導体面側に狭いテーパー形状となっており、テーパー角は、70°となっていた。その後、インクジェット印刷によって、電極を接続するように金属ナノ粒子を含む焼成型導電性ペーストを塗布する。そして、レーザ焼成により、塗布された焼成型導電性ペーストに対してピンポイントで焼成を行った。焼成することによって、配線厚さ0.5μmを形成し、実施例にかかる配線基板を得た。なお、焼成型導電性ペーストとして、銅ナノペーストCu1T、アルバック製、銀ナノペーストNPS-J、ハリマ化成製、金ナノペーストNPG-J、ハリマ化成製の3種類の導電性ペーストを用いた。また、焼成型導電性ペーストに含有される金属ナノ粒子の平均粒子径は3nm以上15nm以下となっていた。また、焼成型導電性ペーストにおいて、金属ナノ粒子は、樹脂成分に対して、30~70wt含有していた。金属ナノ粒子の含有量は、金属ナノ粒子gと樹脂成分との合計に対する金属ナノ粒子の割合で算出した。また、レーザ加工の条件は、波長532nm、出力20Wのレーザを20秒間照射することで、径約40μmの開口を形成した。また、レーザ焼成の条件は、波長532nm、出力1Wのレーザを集光し集光スポット径、約40μm、1つの開口あたり約10秒間照射した。上記実施例で得られた配線基板の配線の厚さは、いずれも0.5μm以下と極めて薄く形成されていた。また、上記実施例で得られた配線基板の体積抵抗率を見積もるため、以下の測定を行った。ポリイミド樹脂基板厚さ25μm上に、銅、銀、金それぞれの導電性ペーストを塗布し、この塗布膜を実施例と同様のレーザ焼成条件波長532nm、出力1W、集光スポット径2μm、焼成時間10秒で焼成した。得られた金属膜の体積抵抗率を4端子法により評価した。銅膜で2~6μΩcm、銀膜で3μΩcm、金膜で9~20μΩcmとなっていた。この結果より、実施例で形成された配線も同様の抵抗率となっていると考えられる。以上のように、上記実施例の配線基板において、導体上を架橋して形成された配線は体積抵抗率が低く、かつ厚さが薄く形成されたため、配線基板全体としての抵抗値の増加を抑制するとともに、配線基板全体の厚みを薄くすることができた。