"基板の上に形成された六方晶系の窒化ホウ素からなるクラッド層としての第1窒化ホウ素層と、前記第1窒化ホウ素層に接して形成されたAlxGa1xN0.1≦x≦1からなる第1半導体層と、前記第1半導体層の上に形成されたAlyGa1yN0≦y≦1からなるコア層と、前記コア層の上に形成されたAlxGa1xN0.1≦x≦1からなる第2半導体層と、前記第2半導体層の上に接して形成された六方晶系の窒化ホウ素からなるクラッド層としての第2窒化ホウ素層とを少なくとも備え、x≧yであることを特徴とする光導波路。請求項1記載の光導波路において、前記第1窒化ホウ素層の下に接して前記基板の上に形成されたAlxGa1xN0.1≦x≦1からなるクラッド層としての第3半導体層と、前記第2窒化ホウ素層の上に接して形成されたAlxGa1xN0.1≦x≦1からなるクラッド層としての第4半導体層とを備えることを特徴とする光導波路。請求項2記載の光導波路において、第3半導体層の下に接して前記基板の上に形成された六方晶系の窒化ホウ素からなる第3窒化ホウ素層と、前記第3窒化ホウ素層の下に接して前記基板の上に形成されたAlxGa1xN0.1≦x≦1からなる第5半導体層と、前記第3半導体層の上に接して形成された六方晶系の窒化ホウ素からなる第4窒化ホウ素層と、前記第4窒化ホウ素層の上に接して形成されたAlxGa1xN0.1≦x≦1からなる第6半導体層とを少なくとも備えることを特徴とする光導波路。ところで、InN、GaN、AlNの窒化物化合物半導体結晶を成長する時の最適な成長温度は異なる。これは材料による熱的な安定性蒸発速度が異なるためである。熱的安定性はInN<GaN<AlNの関係にあり、蒸発により成長速度の低下が始まる温度はAlNの場合が1650°C、GaNの場合が1050°C付近である。一方、InNでは熱的安定性が低いため550°C以上で成長速度が低下する非特許文献2参照。また、このような蒸発が支配的な条件下で成長した結晶は多くの点欠陥を含有する。このことはInAlNやInGaNなどのInを含む窒化物混晶半導体を高品質な状態で成長することが難しいことを意味しており、特に最適成長温度に大きな差があるInAlNの成長が難しいといえる。さらに、InAlNの場合にはAl―NとIn―Nの共有結合長が大きく異なることから相分離が発生しやすいという問題も報告されている非特許文献3、非特許文献4参照。以上のことから、InAlNを用いた光導波路は、高品質化が難しく、均一な組成のクラッド層を作製することが難しいという問題がある。ここで、光導波路を構成する場合、コア層より屈折率が小さな材料をクラッド層に用いればよい。また、このように構成した光導波路における光閉じ込め係数Γは、Γ=1-Exp-CΔndで近似できる。ここで、Cは定数、Δnは屈折率差、dはコア層の厚さである。この式は、屈折率差が大きい材料を用いれば光閉じ込め効果が大きくなることを示している。GaNの屈折率は2.33である。一方、AlNの屈折率は、2.1であり、InNの屈折率は、2.56である。よって、結晶の高品質化と組成の均一化が難しいIn系の窒化物半導体を除いた場合、光導波路として考えられるのはAlGaNをクラッド層に用い、GaNをコア層に用いた光導波路になる。しかしながら、AlGaNをクラッド層に用いる場合、コア層のGaNとの屈折率差を大きくするためにAlの組成比を大きくする必要があるが、GaNとの格子不整合が大きくなってしまうため厚いクラッド層を形成することができない。このように薄いクラッド層しか形成できない場合、光閉じ込めが十分できない。以上に説明したように、光閉じ込めが十分にできるInAlNをクラッド層に用いた光導波路は、均一な組成のInAlNが形成できずに高品質化が難しいという問題がある。一方で、AlGaNをクラッド層に用いようとすると、屈折率差を大きくした組成の組み合わせでは、格子の不整合によりクラッド層を厚く形成できず、十分な光閉じ込めができないという問題がある。本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、AlGaN系の窒化物半導体を用い、均質な組成で十分な光閉じ込めができるクラッド層による光導波路が構成できるようにすることを目的とする。本発明に係る光導波路は、基板の上に形成された六方晶系の窒化ホウ素からなるクラッド層としての第1窒化ホウ素層と、第1窒化ホウ素層に接して形成されたAlxGa1xN0.1≦x≦1からなる第1半導体層と、第1半導体層の上に形成されたAlyGa1yN0≦y≦1からなるコア層と、コア層の上に形成されたAlxGa1xN0.1≦x≦1からなる第2半導体層と、第2半導体層の上に接して形成された六方晶系の窒化ホウ素からなるクラッド層としての第2窒化ホウ素層とを少なくとも備え、x≧yである。上記光導波路において、第1窒化ホウ素層の下に接して基板の上に形成されたAlxGa1xN0.1≦x≦1からなるクラッド層としての第3半導体層と、第2窒化ホウ素層の上に接して形成されたAlxGa1xN0.1≦x≦1からなるクラッド層としての第4半導体層とを備えるようにしてもよい。また、第3半導体層の下に接して基板の上に形成された六方晶系の窒化ホウ素からなる第3窒化ホウ素層と、第3窒化ホウ素層の下に接して基板の上に形成されたAlxGa1xN0.1≦x≦1からなる第5半導体層と、第3半導体層の上に接して形成された六方晶系の窒化ホウ素からなる第4窒化ホウ素層と、第4窒化ホウ素層の上に接して形成されたAlxGa1xN0.1≦x≦1からなる第6半導体層とを備えるようにしてもよい。以上説明したように、本発明によれば、窒化ホウ素の層をクラッドとして用いるようにしたので、AlGaN系の窒化物半導体を用い、均質な組成で十分な光閉じ込めができるクラッド層による光導波路が構成できるようになるという優れた効果が得られる。以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。[実施の形態1]はじめに、本発明の実施の形態1について図1を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態1における光導波路の構成を示す断面図である。この光導波路は、まず、基板101の上に形成された六方晶系の窒化ホウ素からなるクラッド層としての第1窒化ホウ素層102を備える。基板101は、例えば、サファイアAl2O3から構成されていればよい。第1窒化ホウ素層102は、例えば、層厚1000nm程度に形成されていればよい。また、この光導波路は、第1窒化ホウ素層102の上に接して形成されたAlxGa1xN0.1≦x≦1からなる第1半導体層103を備える。第1半導体層103は、層厚100nm程度に形成されていればよい。また、第1半導体層103の上には、AlyGa1yN0≦y≦1からなるコア層104が形成されている。コア層104は、例えばGaNから構成すればよく、層厚1800nm程度に形成されていればよい。また、コア層104の上には、AlxGa1xN0.1≦x≦1からなる第2半導体層105が形成されている。第2半導体層105は、層厚100nm程度に形成されていればよい。第1半導体層103および第2半導体層105は、例えば、Al01Ga09Nから構成されていればよい。第1半導体層103および第2半導体層105は、全く同じ組成比とする必要はなく、x≧yであればよい。また、第2半導体層105の上には、六方晶系の窒化ホウ素からなるクラッド層としての第2窒化ホウ素層106が接して形成されている。第2窒化ホウ素層106は、層厚1000nm程度に形成されていればよい。なお、第1半導体層103,コア層104,第2半導体層105,および第2窒化ホウ素層106は、幅3μm程度のメサ形状に加工されている。次に、製造方法について簡単に説明する。まず、主表面をC面としたサファイアからなる基板101を用意し、よく知られた有機金属気相成長法により、トリエチルボロンおよびアンモニアをソースガスとして窒化ホウ素を堆積させることで、第1窒化ホウ素層102を形成する。キャリアガスには水素を用い、基板加熱はタングステンヒーターを用いて行い1050°C程度とし、また、有機金属気相成長装置の反応炉内の圧力は約10000Pa0.1気圧とすればよい。なお、第1窒化ホウ素層102の形成前に、基板101の表面を、反応炉内の圧力を39999.6Pa300Torrとした水素ガス雰囲気で、基板温度を1080°Cに加熱することによるサーマルクリーニングを行っておくとよい。次に、第1窒化ホウ素層102の成長に引き続き、今度は、トリメチルガリウム,トリメチルアルミニウム,およびアンモニアをソースガスとしてAl01Ga09Nを結晶成長することで、第1半導体層103を形成し、引き続き、トリメチルガリウムおよびアンモニアをソースガスとしてGaNを結晶成長することでコア層104を形成し、引き続き、トリメチルアルミニウム,およびアンモニアをソースガスとしてAl01Ga09Nを結晶成長することで、第2半導体層105を形成する。さらに、引き続いて、トリエチルボロンおよびアンモニアをソースガスとして窒化ホウ素を堆積させることで、第2窒化ホウ素層106を形成する。これらは、基板温度条件を1050°Cとして行えばよい。次に、第2窒化ホウ素層106の上にフォトリソグラフィ技術とRIEReactiveionetchingを用いたエッチングにより幅3.0μmのSiNxのパタンを形成する。次に、形成したSiNxのパタンをマスクとしてICPInductivelycoupledplasma-RIEを用い、第1半導体層103,コア層104,第2半導体層105,および第2窒化ホウ素層106をエッチング加工し、メサ形状とする。この後、SiNxからなるパタンを除去する。上述した本実施の形態1では、窒化ホウ素からクラッド層を構成したところが特徴である。窒化ホウ素は、閃亜鉛鉱型、ウルツ鉱型、六方晶型の結晶構造を有する材料であるが、一般的な気相成長法で得られるのは結晶構造が六方晶型六方晶系の窒化ホウ素である。また、六方晶系の窒化ホウ素の屈折率は1.8であり、GaNの2.335と比較しても十分に小さな値であり、クラッド層として十分な性能が発揮される。ただし、六方晶系の窒化ホウ素の上には、GaNは結晶成長せずに多結晶となるが、AlGaNは結晶成長する。例えば、Al組成が10を超えるAlGaNは、六方晶系の窒化ホウ素の上に結晶成長することが、発明者らにより確認されている。従って、上述した実施の形態のように、AlGaNからなる第1半導体層103,第2半導体層105を用いることで、GaNからなるコア層104を、第1窒化ホウ素層102および第2窒化ホウ素層106で挟んだ光導波路が形成できる。このように窒化ホウ素の層をクラッド層とすることで、コア層104との間に十分な屈折率差を得ることができ、十分な光閉じ込めができるようになる。ここで、コア層104に接して設けられる第1半導体層103および第2半導体層105においては、コア層104を構成する窒化物半導体より屈折率が小さくなる組成とされていればよい。また、コア層104のAl組成yが0.1以上の時には、第1半導体層103および第2半導体層105は、どちらか一方、あるいは両方がコア層104を構成する窒化物半導体と屈折率が等しくなる組成とされていてもよい。言い換えると、前述したように、コア層104のAlyGa1yN0≦y≦1と、第1半導体層103,第2半導体層105のAlxGa1xN0.1≦x≦1において、x≧yであればよい。コア層104に対して第1半導体層103および第2半導体層105の屈折率の方が大きい場合、第1窒化ホウ素層102および第2窒化ホウ素層106で挟んだ光導波路内で、光が分離して導波する場合が発生する。このような場合、各半導体層における組成揺らぎなどに起因する僅かな等価光路長差により干渉を起こすような弊害が懸念される。これに対し、x≧yであれば、第1窒化ホウ素層102および第2窒化ホウ素層106で挟んだ光導波路内で、光が分離して導波する状態が抑制され、コア層104に光が集中して導波するようになり、上述した弊害が抑制されるようになる。なお、上述したコア層、およびコア層と第1半導体層,第2半導体層との間の層のAl組成に関しては、後述の実施の形態2、および実施の形態3においても同様である。本実施の形態における光導波路の、光閉じ込め状態を計算により解析した結果を図2に示す。図2では、光導波路の断面において、コア層104を中心にした渦紋の広がり状態で光の閉じ込め状態を示している。図2に示すように、コア層104内に渦紋が閉じ込められており、本実施の形態によれば、コア層104に導波する光が効率よく閉じ込められることがわかる。さらに、本実施の形態によれば、各層を均質な組成で形成することが容易である。通常は格子不整合が大きい状態で、窒化物半導体を積層しようとすると、格子緩和転移が発生するため高品質な結晶を厚く形成することが困難である。これに対し、六方晶系の窒化ホウ素は、グラファイトと同様の層状物質であり、この層間がファンデルワールス力によって結合しているために、格子不整合な状態であっても、歪みを吸収して高品位な結晶の層が形成可能となる。また、上述したように,六方晶系の窒化ホウ素は歪みを吸収するので、AlGaNとGaAsを積層した構造としても、発生する歪みをヘテロ界面付近の数原子層の窒化ホウ素の層で吸収することができる。この結果、高品質な状態でAlGaNとGaNの積層構造が形成できる。また、これらの製造は、よく用いられる有機金属気相成長法を用いればよく、複雑な製造プロセスを必要としない。次に、六方晶系の窒化ホウ素についてより詳細に説明する。六方晶系の窒化ホウ素は、前述したように、グラファイトと同様の結晶構造を有している。発明者らの鋭意研究の結果、六方晶系の窒化ホウ素の層の上には、GaNは層として結晶成長させることができないが、Alを含む窒化物半導体であれば、層膜として結晶成長させることができることを見いだした。六方晶系の窒化ホウ素は、例えばサファイア基板の上に結晶成長させることができ、このように形成した窒化ホウ素層の上に、AlGaNの層であれば形成できるので、窒化ホウ素層の上に、AlGaN層を形成すれば、この上にGaN層が形成できる。このようにして、窒化ホウ素層の上にAlGaN層を介して形成したGaNの層は、図3の写真に示すように、極めて平坦な表面状態で形成できる。なお、図3は、光学顕微鏡による観察結果である。また、この状態をX線回折分析すると、図4に示すように、GaN層の0002からの回折、およびAlGaN層の0002からの回折が、各々明瞭に観察された。GaN層のc軸格子定数は、0.5187nmであり、無歪みのGaNのc軸格子定数0.51855nmに近く、形成されたGaN層のc軸格子歪みは、0.0289と求められた。また、AlGaN層のc軸格子定数は、0.5154nmであり、Al016Ga084Nの組成となっていることがわかった。なお、AlGaNに限らず、AlNも六方晶系の窒化ホウ素の上に結晶成長できることがわかっている。発明者らの検討により、AlxGa1xN0.1≦x≦1であれば、六方晶系の窒化ホウ素の層の上に結晶成長できることが判明している。以上のことより、サファイア基板の上に、六方晶系の窒化ホウ素の層を形成し、この上にAlGaNなどのAlを含む窒化物半導体の層を介することで、例えば、結晶性のよいGaN層が結晶成長できることがわかる。当然ながら、六方晶系の窒化ホウ素の層の上には、結晶性のよいAlGaNが結晶成長できる。[実施の形態2]次に、本発明の実施の形態2について、図5を用いて説明する。図5は、本発明の実施の形態2における光導波路の構成を示す断面図である。この光導波路は、まず、基板501の上に核形成層502を介し、AlxGa1xN0.1≦x≦1からなるクラッド層としての第3半導体層503が形成されている。基板501は、例えば、サファイアから構成されていればよい。核形成層502は、GaNから構成され、層厚50nm程度とされていればよい。また、第3半導体層503は、例えば、Al01Ga09Nから構成され、層厚1450nm程度に形成されていればよい。また、第3半導体層503の上には、六方晶系の窒化ホウ素からなるクラッド層としての第1窒化ホウ素層504が接して形成されている。第1窒化ホウ素層504は、例えば、層厚50nm程度に形成されていればよい。また、この光導波路は、第1窒化ホウ素層504の上に接して形成されたAlxGa1xN0.1≦x≦1からなる第1半導体層505を備える。第1半導体層505は、層厚100nm程度に形成されていればよい。また、第1半導体層505の上には、AlyGa1yN0≦y≦1からなるコア層506が形成されている。コア層506は、例えばGaNから構成すればよく、層厚800nm程度に形成されていればよい。また、コア層506の上には、AlxGa1xN0.1≦x≦1からなる第2半導体層507が形成されている。第2半導体層507は、層厚100nm程度に形成されていればよい。第1半導体層505および第2半導体層507は、例えば、Al01Ga09Nから構成されていればよい。また、第2半導体層507の上には、六方晶系の窒化ホウ素からなるクラッド層としての第2窒化ホウ素層508が接して形成されている。第2窒化ホウ素層508は、層厚50nm程度に形成されていればよい。加えて、第2窒化ホウ素層508の上には、AlxGa1xN0.1≦x≦1からなる第4半導体層509が形成されている。第4半導体層509は、例えば、Al01Ga09Nから構成され、層厚1450nm程度に形成されていればよい。なお、第1窒化ホウ素層504,第1半導体層505,コア層506,第2半導体層507,第2窒化ホウ素層508,および第4半導体層509は、幅3μm程度のメサ形状に加工されている。また、このメサは、メサの高さが3μm程度となるように、第3半導体層503の途中まで形成されている。次に、製造方法について簡単に説明する。まず、主表面をC面としたサファイアからなる基板501を用意し、よく知られた有機金属気相成長法により、トリメチルガリウムおよびアンモニアをソースガスとし、基板温度条件600でGaNを堆積することで核形成層502を形成する。キャリアガスには水素を用い、基板加熱はタングステンヒーターを用いればよい。また、有機金属気相成長装置の反応炉内の圧力は約10000Pa0.1気圧とすればよい。次に、トリメチルガリウム,トリメチルアルミニウム,およびアンモニアをソースガスとし、基板温度条件1050°CでAl01Ga09Nを結晶成長することで、第3半導体層503を形成する。引き続き、今度は、トリエチルボロンおよびアンモニアをソースガスとして窒化ホウ素を結晶成長させることで、第1窒化ホウ素層504を形成する。次に、第1窒化ホウ素層504の成長に引き続き、今度は、トリメチルガリウム,トリメチルアルミニウム,およびアンモニアをソースガスとしてAl01Ga09Nを結晶成長することで、第1半導体層505を形成し、引き続き、トリメチルガリウムおよびアンモニアをソースガスとしてGaNを結晶成長することでコア層506を形成し、引き続き、トリメチルアルミニウム,およびアンモニアをソースガスとしてAl01Ga09Nを結晶成長することで、第2半導体層507を形成する。さらに、引き続いて、トリエチルボロンおよびアンモニアをソースガスとして窒化ホウ素を堆積させることで、第2窒化ホウ素層508を形成し、引き続き、トリメチルガリウム,トリメチルアルミニウム,およびアンモニアをソースガスとしてAl01Ga09Nを結晶成長することで、第4半導体層509を形成する。次に、第4半導体層509の上にフォトリソグラフィ技術とRIEReactiveionetchingを用いたエッチングにより幅3.0μmのSiNxのパタンを形成する。次に、形成したSiNxのパタンをマスクとしてICP-RIEを用い、第1窒化ホウ素層504,第1半導体層505,コア層506,第2半導体層507,第2窒化ホウ素層508,および第4半導体層509をエッチング加工し、メサ形状とする。また、このエッチングは、第3半導体層503の途中まで行い、一部の第3半導体層503もメサ形状に加工する。この後、SiNxからなるパタンを除去する。上述した実施の形態2では、窒化ホウ素およびAlxGa1xN0.1≦x≦1からクラッド層を構成したところが特徴である。前述したように、六方晶系の窒化ホウ素の屈折率は1.8であり、GaNの2.335と比較しても十分に小さな値であり、クラッド層として十分な性能が発揮される。ところで、このような窒化ホウ素の層の形成には、比較的時間を要するため、窒化ホウ素の層はより薄くした方が、工程の時間短縮が図れる。このため、実施の形態2では、第1窒化ホウ素層504および第2窒化ホウ素層508を、層厚50nm程度と薄く形成する。これに加え、コア層506より見て、第1窒化ホウ素層504および第2窒化ホウ素層508の外側に、第3半導体層503および第4半導体層509を設け、クラッド層全体を十分に厚い層に形成した。このように窒化ホウ素の層をクラッド層とすることで、工程時間を長くすることなく、コア層506との間に十分な屈折率差を得るクラッド層を形成することができ、十分な光閉じ込めができるようになる。本実施の形態における光導波路の、光閉じ込め状態を計算により解析した結果を図6に示す。図6では、光導波路の断面において、コア層506を中心にした渦紋の広がり状態で光の閉じ込め状態を示している。図6に示すように、渦紋は、第3半導体層503と第4半導体層509との間に閉じ込められており、本実施の形態によれば、コア層506に導波する光が効率よく閉じ込められることがわかる。さらに、実施の形態2においても、前述した実施の形態1と同様であり、各層を均質な組成で形成することが容易である。GaNとAlGaNなどの組み合わせのように、格子不整合が大きい状態で、窒化物半導体を積層しようとすると、通常は、格子緩和転移が発生するため高品質な結晶を厚く形成することが困難である。これに対し、六方晶系の窒化ホウ素は、グラファイトと同様の層状物質であり、この層間がファンデルワールス力によって結合しているために、格子不整合な状態であっても、歪みを吸収して高品位な結晶の層が形成可能となる。また、上述したように,六方晶系の窒化ホウ素は歪みを吸収するので、AlGaNとGaAsを積層した構造としても、発生する歪みをヘテロ界面付近の数原子層の窒化ホウ素の層で吸収することができる。この結果、高品質な状態でAlGaNとGaNの積層構造が形成できる。また、これらの製造は、よく用いられる有機金属気相成長法を用いればよく、複雑な製造プロセスを必要としない。[実施の形態3]この光導波路は、まず、基板701の上に核形成層702を介し、AlxGa1xN0.1≦x≦1からなる第5半導体層703が形成されている。基板701は、例えば、サファイアから構成されていればよい。核形成層702は、GaNから構成され、層厚50nm程度とされていればよい。第5半導体層703は、例えば、例えば、Al01Ga09Nから構成され、層厚600nm程度に形成されていればよい。また、第5半導体層703の上には、六方晶系の窒化ホウ素からなる第3窒化ホウ素層704が形成され、第3窒化ホウ素層704の上には、AlxGa1xN0.1≦x≦1からなるクラッド層としての第3半導体層705が接して形成され、第3半導体層705の上には、六方晶系の窒化ホウ素からなるクラッド層としての第1窒化ホウ素層706が接して形成されている。第3窒化ホウ素層704および第1窒化ホウ素層706は、例えば、層厚50nm程度に形成されていればよい。また、第3半導体層705は、例えば、Al01Ga09Nから構成され、層厚1450nm程度に形成されていればよい。また、この光導波路は、第1窒化ホウ素層706の上に接して形成されたAlxGa1xN0.1≦x≦1からなる第1半導体層707を備える。第1半導体層707は、層厚100nm程度に形成されていればよい。また、第1半導体層707の上には、AlyGa1yN0≦y≦1からなるコア層708が形成されている。コア層708は、例えばGaNから構成すればよく、層厚800nm程度に形成されていればよい。また、コア層708の上には、AlxGa1xN0.1≦x≦1からなる第2半導体層709が形成されている。第2半導体層709は、層厚100nm程度に形成されていればよい。第1半導体層707および第2半導体層709は、例えば、Al01Ga09Nから構成されていればよい。また、第2半導体層709の上には、六方晶系の窒化ホウ素からなるクラッド層としての第2窒化ホウ素層710が接して形成されている。第2窒化ホウ素層710は、層厚50nm程度に形成されていればよい。また、第2窒化ホウ素層710の上には、AlxGa1xN0.1≦x≦1からなる第4半導体層711が形成されている。第4半導体層711は、例えば、Al01Ga09Nから構成され、層厚500nm程度に形成されていればよい。加えて、第4半導体層711の上には、六方晶系の窒化ホウ素からなる第4窒化ホウ素層712が接して形成され、第4窒化ホウ素層712の上には、AlxGa1xN0.1≦x≦1からなる第6半導体層713が形成されている。第4窒化ホウ素層712は、層厚50nm程度に形成されていればよい。第6半導体層713は、例えば、Al01Ga09Nから構成され、層厚900nm程度に形成されていればよい。なお、第1窒化ホウ素層706,第1半導体層707,コア層708,第2半導体層709,第2窒化ホウ素層710,第4半導体層711,第4窒化ホウ素層712,第6半導体層713は、幅3μm程度のメサ形状に加工されている。また、このメサは、メサの高さが3μm程度となるように、第3半導体層705の途中まで形成されている。次に、製造方法について簡単に説明する。まず、主表面をC面としたサファイアからなる基板701を用意し、よく知られた有機金属気相成長法により、トリメチルガリウムおよびアンモニアをソースガスとし、基板温度条件600でGaNを堆積することで核形成層702を形成する。キャリアガスには水素を用い、基板加熱はタングステンヒーターを用いればよい。また、有機金属気相成長装置の反応炉内の圧力は約10000Pa0.1気圧とすればよい。次に、トリメチルガリウム,トリメチルアルミニウム,およびアンモニアをソースガスとし、基板温度条件1050°CでAl01Ga09Nを結晶成長することで、第5半導体層703を形成し、引き続き、今度は、トリエチルボロンおよびアンモニアをソースガスとして窒化ホウ素を結晶成長させることで、第3窒化ホウ素層704を形成する。引き続き、トリメチルガリウム,トリメチルアルミニウム,およびアンモニアをソースガスとし、基板温度条件1050°CでAl01Ga09Nを結晶成長することで、第3半導体層705を形成し、続いて、トリエチルボロンおよびアンモニアをソースガスとして窒化ホウ素を結晶成長させることで、第1窒化ホウ素層706を形成する。次に、第1窒化ホウ素層706の成長に引き続き、今度は、トリメチルガリウム,トリメチルアルミニウム,およびアンモニアをソースガスとしてAl01Ga09Nを結晶成長することで、第1半導体層707を形成し、引き続き、トリメチルガリウムおよびアンモニアをソースガスとしてGaNを結晶成長することでコア層708を形成し、引き続き、トリメチルアルミニウム,およびアンモニアをソースガスとしてAl01Ga09Nを結晶成長することで、第2半導体層709を形成する。引き続いて、トリエチルボロンおよびアンモニアをソースガスとして窒化ホウ素を堆積させることで、第2窒化ホウ素層710を形成し、引き続き、トリメチルガリウム,トリメチルアルミニウム,およびアンモニアをソースガスとしてAl01Ga09Nを結晶成長することで、第4半導体層711を形成する。さらに、引き続いて、トリエチルボロンおよびアンモニアをソースガスとして窒化ホウ素を堆積させることで、第4窒化ホウ素層712を形成し、続いて、トリメチルガリウム,トリメチルアルミニウム,およびアンモニアをソースガスとしてAl01Ga09Nを結晶成長することで、第6半導体層713を形成する。次に、第6半導体層713の上にフォトリソグラフィ技術とRIEReactiveionetchingを用いたエッチングにより幅3.0μmのSiNxのパタンを形成する。次に、形成したSiNxのパタンをマスクとしてICP-RIEを用い、第1窒化ホウ素層706,第1半導体層707,コア層708,第2半導体層709,第2窒化ホウ素層710,第4半導体層711,第4窒化ホウ素層712,および第6半導体層713をエッチング加工し、メサ形状とする。また、このエッチングは、第3半導体層705の途中まで行い、一部の第3半導体層705もメサ形状に加工する。この後、SiNxからなるパタンを除去する。上述した実施の形態3では、前述した実施の形態2に比較して、窒化ホウ素の層を増やしたところが特徴である。実施の形態3では、新たに、第3窒化ホウ素層704および第4窒化ホウ素層712を追加している。前述したように、六方晶系の窒化ホウ素の屈折率は1.8であり、GaNの2.335と比較しても十分に小さな値であり、クラッド層としての窒化ホウ素の層を増やすことで、より高い閉じ込め効果が得られるようになる。このように、複数の薄い窒化ホウ素の層を用いることで、工程時間を長くすることなく、コア層708との間に十分な屈折率差を得るクラッド層を形成することができ、十分な光閉じ込めができるようになる。実施の形態3における光導波路の、光閉じ込め状態を計算により解析した結果を図8に示す。図8では、光導波路の断面において、コア層708を中心にした渦紋の広がり状態で光の閉じ込め状態を示している。図8に示すように、渦紋は、第3窒化ホウ素層704と第4窒化ホウ素層712との間に閉じ込められており、実施の形態3によれば、コア層708に導波する光が効率よく閉じ込められることがわかる。さらに、実施の形態3においても、前述した実施の形態1と同様であり、各層を均質な組成で形成することが容易である。GaNとAlGaNなどの組み合わせのように、格子不整合が大きい状態で、窒化物半導体を積層しようとすると、通常は、格子緩和転移が発生するため高品質な結晶を厚く形成することが困難である。これに対し、六方晶系の窒化ホウ素は、グラファイトと同様の層状物質であり、この層間がファンデルワールス力によって結合しているために、格子不整合な状態であっても、歪みを吸収して高品位な結晶の層が形成可能となる。また、上述したように,六方晶系の窒化ホウ素は歪みを吸収するので、AlGaNとGaAsを積層した構造としても、発生する歪みをヘテロ界面付近の数原子層の窒化ホウ素の層で吸収することができる。この結果、高品質な状態でAlGaNとGaNの積層構造が形成できる。また、これらの製造は、よく用いられる有機金属気相成長法を用いればよく、複雑な製造プロセスを必要としない。以上に説明したように、本発明によれば、クラッド層に窒化ホウ素を用いるようにしたので、均一な結晶層が容易に形成できるAlGaNAlの組成比は0以上1以下を用い、光導波路が形成できるようになる。なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。例えば、上述した実施の形態では、第1窒化ホウ素層と第2窒化ホウ素層とに挟まれた領域に配置したコア層を、GaNから構成する場合について説明したが、これに限るものではない。例えば、コア層を、他の半導体層を構成するAlGaNよりAlの組成が少ないAlGaNから構成してもよい。また、第1窒化ホウ素層と第2窒化ホウ素層との間を、第1半導体層および第2半導体層と同じ、AlxGa1xN0.1≦x≦1から構成してもよい。この場合、第1半導体層および第2半導体層もコア層の一部となり、AlxGa1xN0.1≦x≦1からなるコア層を、六方晶系の窒化ホウ素からなるクラッド層で挟んだ光導波路となる。また、窒化物半導体から構成する各半導体層に、p型またはn型のドーピングを行うようにしてもよい。例えば、クラッド層とする半導体層にドーピングを行うことで、電圧の印加によりコア層の電界を制御できるようになる。この光導波路を用いることで、マッハツェンダー変調器が構成可能となる。"