直胴部と底部と該底部から該直胴部に連なる曲面状部分とからなる石英ルツボと、該石英ルツボを下部で保持する黒鉛製の受け皿とから構成されることを特徴とするルツボ装置。前記受け皿は、少なくとも前記石英ルツボの底部を保持する請求項1記載のルツボ装置。前記受け皿は、前記石英ルツボの底部及び曲面状部分を保持する請求項2記載のルツボ装置。前記受け皿の外周面と、前記石英ルツボの直胴部外周面とは、略面一となっている請求項3記載のルツボ装置。請求項1記載のルツボ装置を加熱するための加熱装置であって、前記ルツボ装置の外周を囲むようにして配置されるヒータと、前記ルツボ装置と前記ヒータとの間に介在され、ルツボ装置の外周を囲むようにして配置される円筒状の炭素質材から成る介在部材と、を備えたルツボ装置用加熱装置。前記介在部材は、前記石英ルツボと微小隙間をあけて配置されている請求項5記載のルツボ装置用加熱装置。請求項1~4のいずれかに記載のルツボ装置と、請求項5又は6記載のルツボ装置用加熱装置と、を備えたことを特徴とする単結晶引き上げ装置。上記のような単結晶引上げ装置においては、石英ルツボ50に充填した多結晶シリコン塊を溶解するために周囲からヒータ53で加熱するが、石英ルツボ50を直接加熱すると高温で軟化変形して壊れるため、それを防止する目的で外側に黒鉛ルツボ51を置いて保持する。この黒鉛ルツボ51は、冷却時に石英ルツボ50との収縮量の差で破損するのを防止するために、縦に2又は3分割されているのが一般的である。ところが、石英ルツボ50と黒鉛ルツボ51は常に同じ位置で接触したまま高温になるため、黒鉛ルツボ51に以下の1、2の反応が生じる。CSiO2→SiOCO...12CSiO→SiCCO...2この酸化反応によって分割面の側面から底面にかかる曲面部R部分で徐々に消耗して肉厚が小さくなると共に、内面側では珪化SiC反応によってSiCが内表面から内部に向かって生成する。このSiCは単結晶引上げ中に、高温に維持される時間の最も長いR部分付近で最も厚く生成する。そして、黒鉛の六方晶系中にシリコンSiが入り込むことによってSiCが生成するため、黒鉛ルツボの内面側で三次元方向に体積が膨張する。上下方向では内面側が膨張して上部が外側に反るだけでなく、円周方向でも体積膨張によって分割面で本来の円形から楕円形に変形しようとする。即ち、黒鉛ルツボ内部には変形を生じさせる内部応力が生じる。この応力はSiC厚みが大きくなるにつれて大きくなり、そのまま使用し続けるとついには黒鉛の引張強さを超えてルツボは破損するという問題を生じる。勿論、分割部R部での消耗も使用時間が長くなるにつれて大きくなり、肉厚が局所的に小さくなり、強度面での安全率が低下する。このような酸化消耗による肉厚低減と珪化SiC化による問題を回避するために黒鉛ルツボは消耗品として定期的に交換される。そこで、従来から、黒鉛ルツボに関する酸化消耗による肉厚低減と珪化SiC化による問題を回避することが可能なルツボ装置を備えた単結晶引上げ装置が所望されていた。本発明は、上記の実情を鑑みて考え出されたものである。その目的は、黒鉛ルツボに関する酸化消耗による肉厚低減と珪化SiC化による問題を回避することが可能なルツボ装置、該ルツボ装置用加熱装置及び、それら装置で構成される単結晶引上げ装置を提供することである。上記目的を達成するため本発明に係るルツボ装置は、直胴部と底部と該底部から該直胴部に連なる曲面状部分とからなる石英ルツボと、該石英ルツボを下部で保持する黒鉛製受け皿とから構成されることを要旨とする。上記の如く、黒鉛ルツボを使用しないルツボ装置により、従来から問題とされてきた黒鉛ルツボに関する酸化消耗による肉厚低減と珪化SiC化による問題を回避することが可能となる。また、製造が容易で、且つコストの低減を図ることができる。具体的に説明すると、従来例の黒鉛ルツボは、黒鉛ブロックを有底円筒状に刳り抜き加工を行い、さらに内部を仕上げ加工して製造していた。そのため、製造に手間がかかっていた。これに対して、黒鉛製受け皿の場合は、直胴部のない皿状であるので、加工が簡単であり、製造に手間がかからないというメリットがある。加えて、直胴部がないので、材料コストを低減できるというメリットもある。また、本発明に係るルツボ装置においては、前記受け皿は、少なくとも前記石英ルツボの底部を保持する構成であるのが好ましい。受け皿は少なくとも石英ルツボの底部を保持すれば十分である。また、本発明に係るルツボ装置においては、前記受け皿は、前記石英ルツボの底部及び曲面状部分を保持する構成であるのが好ましい。上記の如く、石英ルツボの底部に加えて、曲面状部分を保持する構成であれば、ヒータで加熱された場合に、石英ルツボの軟化による変形が抑えられる。従って、後述する介在部材を使用した単結晶引き上げ装置においては、石英ルツボと介在部材との接触の恐れが軽減されるので、製造プロセス中において石英ルツボと介在部材とが接触して支障をきたす恐れはない。また、本発明に係るルツボ装置においては、前記受け皿の外周面と、前記石英ルツボの直胴部外周面とは、略面一となっている構成であるのが好ましい。後述する介在部材を使用した単結晶引き上げ装置においては、石英ルツボと介在部材との間隔をより狭い状態に配置し易くなる。また、上記目的を達成するため本発明に係るルツボ装置用加熱装置は、前記ルツボ装置の外周を囲むようにして配置されるヒータと、前記ルツボ装置と前記ヒータとの間に介在され、ルツボ装置の外周を囲むようにして配置される円筒状の黒鉛製介在部材と、を備えたことを要旨とする。上記構成によれば、ヒータの熱は、黒鉛製介在部材を介して石英ルツボを加熱する。このとき、介在部材は円筒状でスリットがない構成であるので、ヒータの発熱バラツキが介在部材により緩和されて石英ルツボを加熱することになる。このため、石英ルツボは均一に加熱されることになる。また、本発明に係るルツボ装置用加熱装置においては、前記介在部材は、前記石英ルツボと微小隙間をあけて配置されている構成であるのが好ましい。微小隙間Mの大きさは、例えば、22インチサイズの石英ルツボを使用する場合には1~3mm程度である。このように規制するのは、狭すぎると石英ルツボの僅かな変形で接触する恐れがあり、広すぎるとヒータからの伝熱不足が起こるおそれがあることによる。また、上記目的を達成するため本発明に係る単結晶引き上げ装置は、本発明に係るルツボ装置と、本発明に係るルツボ装置用加熱装置と、を備えたことを要旨とする。本発明によれば、黒鉛ルツボを使用しないルツボ装置により、従来から問題とされてきた黒鉛ルツボに関する酸化消耗による肉厚低減と珪化SiC化による問題を回避することが可能となる。以下、本発明を実施の形態に基づいて詳述する。なお、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。図1は本実施の形態に係るシリコン単結晶引き上げ装置の要部断面図、図2は図1の一部を拡大した断面図である。単結晶引き上げ装置1は、単結晶引き上げ用容器としてのCZ炉チャンバ2を備えている。CZ炉2内には、ルツボ装置3が設けられている。ルツボ装置3は、多結晶シリコンの原料を溶融して融液4として収容する石英ルツボ5と、石英ルツボ5を下部で保持する黒鉛製受け皿6とで構成されている。このように、本実施の形態に係るルツボ装置3では、従来例のルツボ装置に備えられる黒鉛ルツボに代えて、黒鉛製受け皿6が用いられている。このように黒鉛ルツボを使用しないルツボ装置3を用いることにより、従来から問題とされてきた黒鉛ルツボに関する酸化消耗による肉厚低減と珪化SiC化による問題を回避することが可能となる。なお、この点に関しては、後に詳細に説明する。また、ルツボ装置3の下側には、ルツボ回転軸7が設けられている。ルツボ回転軸7は、受け皿6を下部で支持し受け皿6及び石英ルツボ5を回転させながら昇降させる。ルツボ回転軸7は回転/昇降駆動装置図示せずにより回転自在に制御される。そして、ルツボ回転軸7は、シリコン単結晶の引上げ軸方向を回転軸として受け皿6及び石英ルツボ5を回転させ、また、上方移動させてシリコン融液4の融液面を一定の高さに維持するようになっている。ルツボ装置3の外周側には、加熱装置10が設けられている。加熱装置10は、ルツボ装置の外周を囲むようにして配置される円筒状の黒鉛製ヒータ11と、ルツボ装置3とヒータ11との間に介在されルツボ装置3の外周を囲むようにして配置される円筒状の黒鉛製介在部材12と、熱遮蔽部材13とを備えている。介在部材12は、等方性黒鉛材又は炭素繊維強化炭素材C/C材であって、石英ルツボ5と微小隙間Mをあけて配置されている。微小隙間Mの大きさは、22インチサイズの石英ルツボ5を使用する場合には1~3mm程度である。このように規制するのは、狭すぎると石英ルツボ5の僅かな変形で接触する恐れがあり、広すぎるとヒータ11からの伝熱不足が起こるおそれがあることによる。なお、介在部材12は石英ルツボ5を補助的に保持する働きもなす。つまり、何らかのトラブルにより石英ルツボ5が微小隙間Mを越えて変形したような場合、介在部材12により石英ルツボ5は保持されるので、石英ルツボ5は安定性が常に維持されるようになっている。次いで、上記の受け皿6及び介在部材12のそれぞれの構造及び作用を詳述する。石英ルツボ5は、略コップ状であって、底部5aと、直胴部5cと、底部5aから直胴部5cに連なる曲面状部分R部分5bとからなる。受け皿6は、底部5aを保持する第1受け皿部6aと、曲面状部分5bを保持する第2受け皿部6bとから構成されている。このように、受け皿6によって石英ルツボ5の曲面状部分5bが保持されているので、ヒータ11で加熱された場合に、石英ルツボ5の軟化による変形が抑えられて介在部材12との接触の恐れが軽減される。また、受け皿6の第2受け皿部6b外周面は、石英ルツボ5の直胴部5c外周面と略面一となっている。これにより、微小隙間Mが形成し易くなる。上記構成の受け皿6及び介在部材12を設けることにより、黒鉛ルツボに関する酸化消耗による肉厚低減と珪化SiC化による問題を回避することが可能となる。即ち、受け皿6は、従来例の黒鉛ルツボと比較すれば、黒鉛ルツボの直胴部を無くし、底部のみで構成した構造と看做すこともできる。そして、従来例の黒鉛ルツボの種々の問題は、主として黒鉛ルツボの直胴部の存在に起因していたものであり、従って、黒鉛ルツボの直胴部を無くし底部のみで構成したと看做すことができる受け皿6を使用した本実施の形態のルツボ装置3では、黒鉛ルツボに関する酸化消耗による肉厚低減と珪化SiC化による問題を回避することが可能となる。つまり、石英ルツボ5は周囲の黒鉛部品と接触していなので、酸化消耗による肉厚低減と珪化SiC化による問題を回避することが可能となる。加えて、介在部材12は円筒状でスリットがないので、ヒータ11の発熱バラツキを介在部材12が緩和してから、石英ルツボ5を輻射熱で加熱するので、石英ルツボ5は均一に加熱されることになる。そのため、金属結晶の品質の安定性が保持される。なお、参考まで述べると。従来例の黒鉛ルツボは、一般的に2分割又は3分割された構造であるため、分割部にスリットがあり、このスリットに起因して石英ルツボが均一に加熱されず、金属結晶の品質の安定性を阻害するという問題があった。本実施の形態では、介在部材12を使用することにより、このような問題は解消されることになる。また、黒鉛ルツボに代えて黒鉛製受け皿6を用いることにより、製造が容易でコストの低減を図ることができる。具体的に説明すると、従来例の黒鉛ルツボは、黒鉛ブロックを有底円筒状に刳り抜き加工を行い、さらに内部を仕上げ加工して製造していた。そのため、製造に手間がかかっていた。これに対して、黒鉛製受け皿6の場合は、直胴部のない皿状であるので、加工が簡単であり、製造に手間がかからないとうメリットがある。加えて、直胴部がないので、材料コストを低減できるというメリットもある。なお、CZ炉2内は、CZ炉2内と外気を遮断することで真空に維持されている。即ち、CZ炉2内には不活性ガスとしてのアルゴンガスが供給され、CZ炉2内の排気口23からポンプによって排気されるようになっている。これにより、CZ炉2内は所定圧力に減圧される。また、単結晶引き上げのプロセス1バッチの間で、CZ炉2内には種々の蒸発物が発生する。そこで、CZ炉2内にアルゴンガスを供給してCZ炉2外に蒸発物とともに排気してCZ炉2内から蒸発物を除去しクリーンにしている。また、石英ルツボ5の上方には、略逆円錐台形状の熱遮蔽部材20が設けられている。熱遮蔽部材20は、CZ炉2内に上方より供給されるギャリアガスとしてのアルゴンガスを、融液4表面の中央に導き、さらに融液4表面を通過させて融液4表面の周縁部に導く。そして、アルゴンガスは、融液から蒸発したSiO等のガスとともに、経路21、経路22を流れてCZ炉2の下部に設けた排気口23から排出される。このような構成により、SiOガスはホットゾーン内でヒータ11の上端よりも高い位置まで吸引された後、ホットゾーンの外側を通って排気口23に向かって流れるので、図3に示す従来例のように黒鉛ルツボとヒータ、ヒータと熱遮蔽部材との間をガスが通らず、SiOガスと黒鉛部材との反応が抑制され、各黒鉛部材ヒータ11、熱遮蔽部材13等の使用寿命が延びるというメリットがある。次いで、上記構成の単結晶引き上げ装置を使用した場合のシリコン単結晶の製造方法について説明する。先ず、多結晶シリコンを石英ルツボ5内に充填した後、ヒータ10を発熱させ、介在部材12を介して石英ルツボ5を加熱することにより、石英ルツボ5内の多結晶シリコンをシリコンの融点以上に熱して融解する。次いで、シードチャック25に取り付けられた種結晶を下降し、融解したシリコン融液4に浸漬させた後、シードチャック25とルツボ装置3とを同方向又は逆方向に回転させつつ、シードチャック25を引き上げて、シリコン単結晶26を作製する。