"a半導体装置に含まれる半導体チップ及び金属配線を互いに接合する接合部の温度ストレス量たる第1温度ストレス量と、前記半導体装置の寿命に対応するサイクル数とをパラメータとする第1寿命カーブを準備する工程と、b前記第1寿命カーブを用いて前記半導体装置の寿命を推定する工程とを備える、半導体装置の寿命推定方法。請求項1に記載の半導体装置の寿命推定方法であって、前記工程aは、a-1前記半導体装置の前記半導体チップ内部の温度ストレス量たる第2温度ストレス量を表す仮想接合温度差と、前記半導体装置の寿命に対応するサイクル数とをパラメータとする第2寿命カーブを準備する工程と、a-2電気的ストレス量をパラメータとして、前記半導体チップ内部の温度と、前記接合部の温度との差分を求める工程と、a-3前記差分を用いて、前記第2寿命カーブを前記第1寿命カーブに換算する工程とを備える、半導体装置の寿命推定方法。請求項2に記載の半導体装置の寿命推定方法であって、前記工程a-2において、前記金属配線についての複数種類の構造パラメータに対応する前記接合部の温度を、各種類の構造パラメータについて1つずつ加算し、それによって得られる温度を、前記差分の対象たる前記接合部の温度として求める、半導体装置の寿命推定方法。請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の半導体装置の寿命推定方法であって、前記工程a-3は、前記半導体装置の前記半導体チップ内部における温度の最大値を表す最大仮想接合温度も用いて、前記第2寿命カーブを前記第1寿命カーブに換算する、半導体装置の寿命推定方法。請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の半導体装置の寿命推定方法であって、前記工程bは、b-1前記仮想接合温度差を取得する工程と、b-2前記電気的ストレス量を取得する工程と、b-3前記工程b-2で取得した前記電気的ストレス量に対応する前記差分と、前記工程b-1で取得した仮想接合温度差とに基づいて、前記第1温度ストレス量を取得する工程と、b-4前記工程b-3で取得した前記第1温度ストレス量と、前記第1寿命カーブとに基づいて、前記半導体装置の寿命を推定する工程とを備える、半導体装置の寿命推定方法。しかしながら、従来の推定方法では、推定した寿命と実際の寿命との間の誤差が大きくなることがあった。また、寿命を推定する際に用いられるパワーサイクル寿命カーブ以下寿命カーブと略するは、金属配線の構造に依存するが、一般に半導体装置メーカーはその構造ごとの寿命カーブを公開しているとは言い難い。そのため、半導体装置の購入者側で寿命を推定しようとすると、金属配線の構造の違いや半導体装置を流れる電流等によって、寿命推定に誤差が生じることとなる。さらに、金属配線の構造ごとに寿命カーブを作成するためには、半導体装置メーカーは通常数ヶ月から数年を要する寿命試験を構造ごとに行わなければならず、寿命を推定するのに長い期間を要するという問題があった。そこで、本発明は、上記のような問題点を鑑みてなされたものであり、半導体装置の寿命を精度よく推定するとともに、可及的に短期間で寿命を推定することが可能な技術を提供することを目的とする。本発明に係る寿命推定方法は、a半導体装置に含まれる半導体チップ及び金属配線を互いに接合する接合部の温度ストレス量たる第1温度ストレス量と、前記半導体装置の寿命に対応するサイクル数とをパラメータとする第1寿命カーブを準備する工程と、b前記第1寿命カーブを用いて前記半導体装置の寿命を推定する工程とを備える。本発明によれば、第1温度ストレス量と、半導体装置の寿命に対応するサイクル数とをパラメータとする第1寿命カーブを用いて半導体装置の寿命を推定する。したがって、半導体装置の寿命を精度よく推定することができる。また、金属配線の一の構造について第1寿命カーブを一度求めておけば、別の構造を有する金属配線に関する第1寿命カーブを求める場合に、長期間要しなくて済む。したがって、なるべく短い期間で寿命を推定することができる。<実施の形態1>接合部において互いに接合された半導体チップ及び金属配線を備える半導体装置に対して、温度ストレスをサイクル的に印加すると、半導体チップと金属配線との間の接合部に金属疲労が生じ、結果として半導体装置が故障する。本発明の実施の形態1に係る寿命推定方法は、半導体装置がこのように故障に至るまでの寿命を推定するものである。まず、本実施の形態に係る寿命推定方法について説明する前に、これと関連する寿命推定方法以下関連寿命推定方法と呼ぶについて説明する。上述したように、接合部に金属疲労が生じて半導体装置が故障することを考慮すれば、半導体チップと金属配線との間の接合部の温度ストレス量である第1温度ストレス量以下接合温度ストレス量ΔTwbと呼ぶと、接合部の最大温度と、それらの条件下における半導体装置の寿命半導体装置が故障するまでに印加した温度ストレス量のサイクル数Nfとをパラメータとする基準寿命カーブ第1寿命カーブに基づいて、半導体装置の寿命サイクル数Nfを推定することが好ましい。しかしながら、通常、接合部はパッケージなどに覆われていることから、接合温度ストレス量ΔTwbを半導体装置外部から直接的に測定することはできない。そこで、関連寿命推定方法では、半導体装置がパッケージされていても電気的特性に基づいて推定可能な、半導体チップ内部の温度ストレス量である第2温度ストレス量を表す仮想接合温度差ΔTvjを取得する。そして、関連寿命推定方法では、仮想接合温度差ΔTvjが、接合温度ストレス量ΔTwbとほぼ一致すると想定して、半導体装置の寿命を推定する。具体的には、仮想接合温度差ΔTvjと、半導体チップ内部の温度の最大値である最大仮想接合温度Tvjmaxと、それらの条件下における半導体装置の寿命サイクル数Nfとをパラメータとする代替寿命カーブ第2寿命カーブに基づいて、半導体装置の寿命サイクル数Nfが推定される。しかしながら、実際には、接合温度ストレス量ΔTwbと、仮想接合温度差ΔTvjとの間の誤差が大きくなる場合があり、この場合には、推定した寿命と実際の寿命との間の誤差が大きくなることがあった。そこで、発明者は、接合温度ストレス量ΔTwbと、仮想接合温度差ΔTvjとの間において誤差が大きくなる原因について以下のように考察した。関連寿命推定方法に係る代替寿命カーブでのパラメータの一つである仮想接合温度差ΔTvjは、半導体チップに流す電流及び半導体チップに発生する電圧より具体的にはそれらの積に対応する発生損失と、熱抵抗と、周囲温度という4つの値に基づいて仮想的に求められる。しかし、実際には、電圧及び熱抵抗は半導体装置自身が持つ特性によって一義的に決まり、周囲温度は最大接合温度の調節には寄与するが温度ストレス量の変化への寄与は少ない。したがって、上述の4つの値のうち、残りの1つの値、つまり電流Iをパラメータとして、仮想接合温度差ΔTvjは調節される。この結果、通常、電流は寿命試験ごとに異なることになる。しかしながら、金属配線に抵抗が存在する限り金属配線においても電流に応じて発熱することから、電流I等によるストレス量電気的ストレス量の差異が、接合温度ストレス量ΔTwbと仮想接合温度差ΔTvjとの間の誤差に影響するのではないかと発明者は考えた。そして、発明者は、この考えに基づき、寿命推定方法を改良したところ、接合温度ストレス量ΔTwbを用いて半導体装置の寿命を推定することができる方法を考え出した。以下、このような本発明の実施の形態1に係る寿命推定方法について詳細に説明する。図1は、寿命推定方法において、基準寿命カーブが取得される際に行われる第1及び第2処理のうち第1処理を示すフローチャートである。この第1処理は、関連寿命推定方法においても行われる処理であり、この第1処理では上述の代替寿命カーブが取得される。なお、本実施の形態ではこの第1処理は1回行われるだけであってもよい。以下、第1処理について詳細に説明する。この処理を行う前提として、半導体装置製品と同様の構造を有し、半導体チップと金属配線とが接合部において互いに接合されたサンプルを用意する。ただし、半導体チップと金属配線との接合方式が製品と同じであれば、サンプルの金属配線の形状は異なっていてもよく、またサンプル上部に蓋や樹脂のパッケージが設けられていてもよい。金属配線は例えばワイヤ、リボン、リードフレーム等であり、その材質は金、銅、アルミニウム等の金属または導電性の合金である。まず、ステップS1にて、例えばIEC-60747-9に記載されている手法を用いて、半導体装置ここではサンプルに含まれる半導体チップ内部について、温度依存性を持つ電気的特性と、当該半導体チップ内部の温度Tvjとの関係を調べる。具体的には、まず、半導体チップに印加されている温度と、自己発熱がほとんど生じない微小電流Is例えば1を半導体装置例えば、トランジスタやIGBTの場合にはそのコレクタエミッタ間に流したときの電圧V温度依存性を持つ電気的特性との関係を調べ、図2に示されるような対応関係を取得する。なお、この対応関係を取得すれば、微小電流Isを半導体装置に流したときの半導体チップにおける電圧Vが分かれば、この対応関係に基づいて、当該半導体チップ内部における温度Tvjを推定することが可能となる。なお、評価対象上述の半導体装置がダイオードの場合には、アノードカソード間に微小電流Isを流して電圧Vを調べる。次に、ステップS2にて、半導体チップ内部の温度Tvj同士の差であり、半導体装置に印加される仮想接合温度差ΔTvjを求める。図3は、仮想接合温度差ΔTvjを求める方法を説明するための図である。図3の上側には半導体装置に流す矩形波の電流が示され、図3の下側には半導体チップ内部の温度Tvjが示されている。一般に、半導体装置に電流を流すと、その電力の一部が熱エネルギーに変換されて半導体装置の温度が上昇し、半導体装置において金属疲労を生じさせる。ここでは、上述の微小電流Isと、大きな電流Il例えば100とを半導体装置に交互に流す。この際、大きな電流Ilから微小電流Isに切替えた直後に半導体チップに生じる電圧V1と、微小電流Isから大きな電流Ilに切替える直前つまり微小電流Isを流しているときに半導体チップに生じる電圧V2とを測定する。次に、ステップS1で取得した対応関係から、電圧V1,V2にそれぞれ対応する半導体チップ内部の温度Tvj1,Tvj2Tvj1>Tvj2を取得する。そして、当該温度Tvj1,Tvj2の差を、仮想接合温度差ΔTvjとして取得する。なお、半導体チップ内部の大きいほうの温度Tvj1以下、最大仮想接合温度Tvjmaxと呼ぶが、所望の値となるように、電流Ilは調整される。この電流Ilは電気的ストレス量Iに相当する。ステップS3にて、上述の電流Il,Isを半導体装置に交互に流すことにより、ステップS2で求めた仮想接合温度差ΔTvjを、サンプルに対してサイクル的に印加し、サンプルが故障に至るまでのサイクル数Nfを取得する。なお、サイクル数Nfは、仮想接合温度差ΔTvjの値に応じて変化する値であることから、Nf=fΔTvjと表すことができる。ステップS4にて、NN≧3個の異なる仮想接合温度差ΔTvjに対してサイクル数Nfを取得する寿命試験が実施されたか、すなわち寿命試験がNN≧3回以上実施されたかを判定する。この寿命試験を複数回実施する理由は、様々なΔTvjの条件下の寿命を推定するために用いる寿命カーブの傾きを求めるためである。なお、寿命カーブの傾きはN=2でも求めることができるが、より正確に傾きを求めるためには寿命試験を3回以上実施することが望ましい。3回以上実施している場合にはステップS5に進み、そうでない場合にはステップS1に戻る。ステップS5にて、ステップS2に係る仮想接合温度差ΔTvj及び最大仮想接合温度Tvjmaxと、ステップS3に係るサイクル数Nfとを関係付ける図4に示すような代替寿命カーブを取得する。なお、本実施の形態では、代替寿命カーブの元となる仮想接合温度差ΔTvj、最大仮想接合温度Tvjmax、及び、それが得られたときの上述の電流Ilとを対応付けておく。図5は、基準寿命カーブが取得される際に行われる第2処理を示すフローチャートである。この第2処理では、半導体チップと金属配線との接合部の温度Twbを計測し、電気的ストレス量Iによる寿命加速成分ΔTを求め、これを用いて代替寿命カーブを基準寿命カーブに換算する。以下、第2処理について詳細に説明する。ステップS11にて、半導体チップと金属配線との接合部の温度Twbを実測する。図6は、接合部の温度Twbの測定対象となるサンプルを示す図である。図6に示されるサンプルでは、半導体チップに設けられた互いに分割された複数のパッド11のそれぞれの上に、ワイヤ状の金属配線12が接合されている。この図6では、接合の一例として、縦長のパッド11の長さ方向における中央部と、金属配線12とが点接合しており、図6に示される直線Yはその接合箇所を通っている。本実施の形態は、サンプル上部に蓋や樹脂のパッケージが設けられていない、いわゆるオープンサンプルを寿命試験回路に組込み、赤外線カメラなどの非接触系測定機器によって、当該サンプルの接合部の温度Twbを計測する。ただし、当該温度Twbの計測対象となるサンプルには、上述の第1処理のサンプルと同じ構造の金属配線12が接合されたサンプルを用いる。図7において、縦軸は電気的ストレス量Iを加えたときの非接触系測定機器により測定された温度を示し、横軸は図6に示される直線Y上の位置を示す。図7に示されるように、半導体チップ上のパッド11と金属配線12との接合部における温度は、接合部同士の間の位置における温度よりも高くなっており、接合部における温度のうち最も高い温度Twbを、ステップS11で取得すべき温度Twbとして取得する。本実施の形態では、以上の接合部の温度Twbの実測を、金属配線12の構造パラメータ例えば配線長や半導体チップ上の接合位置の各種について、電気的ストレス量Iを変更しながら複数回行う。図8において、縦軸は接合部の温度Twbを示し、横軸は電気的ストレス量Iを示している。この図8においては、構造パラメータの一例として、金属配線12の3パターンの配線長19mm,28mm,37mmが示されている。金属配線12の配線長が長くなると、金属配線12が持つ抵抗が大きくなることで発熱が大きくなり、接合部の温度Twbはより上昇する。同ステップS11において、同図8に示される接合部の温度Twbと、電気的ストレス量Iとの関係から、配線長ごとにTwb=TwbLmIとなる関数TwbLmIを求めるmは各配線長に付与される値。本実施の形態では、接合部の温度Twbと、電気的ストレス量Iとの関係から、次式1に示される関数TwbLmIの係数ALm,BLmを、実験で得られた複数のデータ点から最小二乗法による多項式近似で求める。なお、図8に示されるように配線長が3パターン19mm,28mm,37mmある場合には、TwbLmIがm=1,2,3のそれぞれについて求められる。金属配線12と半導体チップとの接合位置、例えば、図6に示される直線Yを基準にした、縦方向における接合位置接合部の位置を構造パラメータとした場合も、図8に示される関係と同様の関係が得られる。そこで、同ステップS11において、接合位置を構造パラメータとした場合についても、接合部の温度Twbと、電気的ストレス量Iとの関係から、接合位置ごとにTwb=TwbPnIとなる関数TwbPnIを求めるnは各接合位置に付与される値。本実施の形態では、接合部の温度Twbと、電気的ストレス量Iとの関係から、次式2に示される関数TwbPnIの係数APn,BPnを求める。なお、ここでは、構造パラメータの種類として、金属配線12の配線長、及び、金属配線12の接合位置を例に説明したがこれ以外のものを用いる場合には、同様にして関数TwbIを求める。ステップS12にて、電気的ストレス量Iと半導体チップ内部の温度Tvjとの関係を求める。ここでの半導体チップ内部の温度Tvjは、ステップS11が行われている際に実測される温度であってもよいし、上述のステップS1と同様にして取得される温度であってもよい。これにより、図9に示されるように、電気的ストレス量Iと、半導体チップ内部の温度Tvjとの関係として、TvjIが得られる。なお、このステップS12で得られる半導体チップ内部の温度TvjIは、金属配線12の構造に依存しない値である。また、図6に示されるような金属配線12の構造においては、通常は、図7に示されるようにTwb>Tvjという関係となる。ステップS13にて、金属配線12についての複数種類の構造パラメータに対応する、ステップS11における接合部の温度Twbここでは関数TwbLmI,TwbPnIを、各種類の構造パラメータについて1つずつ加算し、それによって得られる温度ΣTwbを、後述するステップ14にて行われる差分の対象たる接合部の温度として求める。例えば、構造パラメータが、配線長及び接合位置のみである場合には、次式3で示す温度ΣTwbIを求める。このΣTwbIとして加算の対象となる接合部の温度Twbは、寿命を求めたい金属配線の構造パラメータに対応する接合部の温度Twbとする。例えば、配線長が19mmの金属配線を含む半導体装置について寿命を推定したい場合には、図8に示される当該19mmに対応する関数TwbLmIを、ΣTwbIの加算の対象とする。なお、図8に示される19mm,24mm,37mm以外の配線長を有する金属配線を含む半導体装置について寿命を推定したい場合には、関数TwbLmIm=1,2,3を用いて補間を行うことにより、所望の配線長に対応する関数TwbLIを取得し、当該関数TwbLIを、ΣTwbIの加算の対象とする。ステップS14にて、電気的ストレス量Iをパラメータとして、ステップS12で求めた半導体チップ内部の温度TvjIと、ステップS13で求めた温度ΣTwbIとの差分ΔTIを、電気的ストレス量Iによる寿命加速成分として求める。ここで、差分ΔTIは、電気的ストレス量Iの関数である。この関数関係を図10に示す。ステップS15にて、ステップS14で求めた差分ΔTIを用いて、ステップS5で求めた代替寿命カーブを、基準寿命カーブに換算する。具体的には、ステップS2で取得した仮想接合温度差ΔTvjにステップS5で対応付けられた電流Il電気的ストレス量Iに相当を取得し、電流Ilに対応する差分ΔTIを図10に示すような関係から取得する。そして、当該取得した差分ΔTIだけ当該仮想接合温度差ΔTvjを加減算つまりシフトする。なお、ここにおける基準寿命カーブの最大仮想接合温度Tvjmaxは同じとする。図11は、仮想接合温度差ΔTvjのシフトを示す図である。このシフトは、図11に示されるように横軸方向に関するものとなる。上述したように、差分ΔTは、接合部の温度ΣTwbと、半導体チップ内部の温度Tvjとの差分である。したがって、仮想接合温度差ΔTvjを差分ΔTIだけシフトして得られる温度ストレス量は、実際の接合温度ストレス量ΔTwbとほぼ一致する。また、本実施の形態に係るステップS15においては、ステップS5で対応付けられた代替寿命カーブにおける最大仮想接合温度と、ステップS12で得られた温度Tvjの最大値Tvjmaxとが互いに異なる場合には、次式4により最大接合温度係数Tvjmaxcを求め、これを、上述の横軸方向へのシフトが行われた寿命カーブのサイクル数Nfに乗じる。ここで、基準寿命カーブのTvjmax値は、寿命が最短となるデータシート等で規定される動作保証温度の最大値を取ることが好ましい。なお、次式4に示されるTvjaveは、半導体チップ内部の温度Tvjの温度幅の平均値便宜的に半導体チップ内部の温度の最大と最小の平均としてもよいであり、α及びβは、金属配線12の構造ごとに異なる定数である。定数α,βは、例えば図12に示す実験結果から決定される。なお、図12のような最大接合温度係数Tvjmaxcを求める測定は、電気的ストレスを加えない状態で、温度ストレスのみを加えて行う。パッケージで覆われた試験サンプルを用いて代替寿命カーブの取得を行うとき、接合部の温度Twbの計測は困難なため、次式4においては半導体チップ内部の温度のTvjの温度幅の平均値Tvjaveを用いているが、計測可能であれば接合部の温度Twbの平均値を用いてもよい。最大接合温度係数Tvjmaxcをサイクル数Nfに乗じることにより、図11に示されるように、横軸方向へのシフトが行われた寿命カーブが縦軸方向にシフトされる。つまり、本実施の形態では、ステップS15において、差分ΔTだけでなく、最大仮想接合温度Tvjmaxも用いて、代替寿命カーブを基準寿命カーブに換算する。図13に、以上の第1及び第2処理ステップS1~S5,S11~S15を行うことにより取得された基準寿命カーブの一例を示す。基準寿命カーブは、電気的ストレスがない状態電流が0での寿命カーブであるため、配線長などの構造による影響を受けない。この基準寿命カーブを用い、様々な使用電流条件に対して、差分ΔTを計算することで半導体装置の寿命を求めることが可能となる。図14は、以上により求めた基準寿命カーブを用いて、半導体装置の寿命を推定する処理を示すフローチャートである。なお、前提として、差分ΔTI及び基準寿命カーブはすでに取得されているものとする。まず、電気的ストレス量電流値Iを取得するとともにステップS21、仮想接合温度差第2温度ストレス量ΔTvjを取得ステップS22し、最大仮想接合温度Tvjmaxを取得するステップS23。仮想接合温度差ΔTvjと最大仮想接合温度Tvjmaxは、ステップS1,S2と同様な方法で求めることができる。もしくは、半導体装置における半導体チップとケースとの間の熱抵抗Rth、損失P及びケース温度Tcから、Tvj=TcP×Rthの関係を用いることでも求めることができる。そして、ステップS21~S23で取得した電気的ストレス量I、仮想接合温度差ΔTvj及び最大仮想接合温度Tvjmaxに基づいて、半導体装置の寿命を求めるステップS24~S27。ここでは、ステップS21で取得した電気的ストレス量Iに基づいて、差分ΔTIすなわちΔTvjとΔTwbとの差分を、図10に示すような関係から求め、当該差分ΔTIに基づいて、仮想接合温度差ΔTvjと、接合温度ストレス量ΔTwbとの大小を比較するステップS24。そして、ΔTvj>ΔTwb差分ΔTI<0の場合には、次式5を用いて寿命サイクル数Nfを求めステップS25、ΔTvj≦ΔTwb差分ΔTI≧0の場合には、次式6を用いて寿命サイクル数Nfを求めるステップS26。なお、式5に示されるΔTvj-ΔTI、及び、式6に示されるΔTvjΔTIは、図11に示した横軸方向にシフトされた接合温度ストレス量第1温度ストレス量ΔTwbに対応する。つまり、ステップS21で取得した電気的ストレス量Iに対応する差分ΔTIと、ステップS22で取得した仮想接合温度差ΔTvjとに基づいて接合温度ストレス量ΔTwbを取得することに相当している。また、式5及び6に示されるC,Dは、図13に示した基準寿命カーブを規定するパラメータである。つまり、上述で取得された接合温度ストレス量ΔTwbと、基準寿命カーブとに基づいて、半導体装置の寿命を推定することに相当している。ユーザーが使用電流値Iuse、温度差ΔTvjuseにおける半導体装置の寿命を求めるときは、図10からIuseに対するΔTuseを読み取り、さらに図13に示された基準寿命カーブの横軸において、ΔTvjuseからΔTuseだけシフトした値に対応するサイクル数Nfを読み取れば寿命を求めることができる。ステップS25またはステップS26の後、ステップS27を行う。このステップS27にて、ステップS23で取得された最大仮想接合温度Tvjmaxが、基準寿命カーブで規定された最大仮想接合温度Tvjmaxと異なる場合には、ステップS22で取得された仮想接合温度差ΔTvjの平均値ΔTvjaveを式4に代入し、最大接合温度係数Tvjmaxcを取得する。そして、ステップS25またはステップS26で取得されたサイクル数Nfに、最大接合温度係数Tvjmaxcを乗じて得られた値を、半導体装置の寿命として取得する。最大仮想接合温度Tvjmaxが、基準寿命カーブで規定された最大仮想接合温度Tvjmaxと同じ場合には、ステップS26で取得されたサイクル数Nfに最大接合温度係数Tvjmaxcを乗じる必要はない。ユーザーには図13に示す基準寿命カーブと図10に示す電気的ストレス量Iの関数である差分ΔTIが提供される。必要に応じて、式3、式4それらの中の係数を含むが構造別に提供される。また必要に応じて、これらのカーブ及び式を有し、電流値などのパラメータを入力すると自動的に寿命を計算する計算ソフトもユーザーに提供される。以上のような本実施の形態に係る寿命推定方法によれば、接合温度ストレス量と、半導体装置の寿命に対応するサイクル数とをパラメータとする基準寿命カーブを用いて半導体装置の寿命を推定することができる。したがって、半導体装置の寿命を精度よく推定することができる。また、金属配線12の一の構造について基準寿命カーブ図13を一度求めておけば、別の構造を有する金属配線に関する基準寿命カーブを求める場合に、図3に示した上述の寿命加速成分つまり差分ΔTIを求めるだけでよく、長期間を必要とする代替寿命カーブを求めなくて済む。したがって、短い期間で寿命を推定することができる。また、本実施の形態によれば、差分ΔTIを用いて、代替寿命カーブを基準寿命カーブに換算する。つまり、仮想接合温度差ΔTvjを接合温度ストレス量ΔTwbに換算することができる。この仮想接合温度差ΔTvjは、半導体装置がパッケージされていても推定可能であることから、パッケージされた半導体装置について、その寿命を精度よく推定することができる。また、本実施の形態によれば、金属配線についての複数種類の構造パラメータに対応する接合部の温度Twbを、各種類の構造パラメータについて1つずつ加算し、それによって得られる温度を、差分ΔTIの対象として求める。したがって、所望の金属配線について、基準寿命カーブを容易に取得することができる。なお、以上の説明では電気的ストレス量を電流Iであるものとして説明したが、この電流Iとして、制御が容易でかつ試験データの解析が容易となる直流電流を用いてもよい。あるいは、この電流Iとして、実際の使用条件に近くなって寿命誤差がより抑制されると期待できる交流電流を用いてもよい。なお、上述の電気的ストレス量は電流Iであるものとして説明したが、これに限ったものではない。例えば、電気的ストレス量は電力量であってもよい。この場合には、通電時の温度ストレス量と寿命との関係を調査することを省略することが期待できる。また、例えば、電気的ストレス量は、電流の値を二乗して得られる値と、時間とを積算して得られる値であってもよい。この場合には、過電流時の過負荷条件も考慮して寿命予測することが期待できる。"