"絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された第1コンタクト層と、前記第1コンタクト層上に形成された発光半導体層と、前記発光半導体層上に形成された第2コンタクト層と、前記第1コンタクト層を介して前記発光半導体層に電流を流すために設けられる第1導通部と、前記第2コンタクト層を介して前記発光半導体層に電流を流すために前記第2コンタクト層上に設けられた第2導通部と、を備えることを特徴とするレーザダイオード。前記第1導通部は、前記絶縁基板に形成されたスルーホール内に充填された導電性部材であり、前記スルーホールは、前記発光半導体層を挟んで前記第2導通部と対向する位置に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のレーザダイオード。前記第1導通部と前記第2導通部は複数設けられ、第1導通部は、前記絶縁基板に形成されたスルーホール内に充填された導電性部材であり、前記スルーホールは、前記スルーホール同士の位置関係が、平面視において前記第2導通部同士の位置関係と略等しい位置関係となるように形成されていることを特徴とする請求項1に記載のレーザダイオード。前記絶縁基板がサファイア基板であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載のレーザダイオード。請求項1~4のいずれか1つに記載された複数のレーザダイオードを、前記第2導通部が他の前記レーザダイオードの前記第1導通部に接触するように積層させた積層レーザダイオード群と、前記積層レーザダイオード群を内部に収容する筐体と、を備え、前記筐体には、前記積層レーザダイオード群を冷却する冷媒を前記筐体内に導入させる導入口と、前記冷媒を前記筐体内から導出させる導出口とが設けられていることを特徴とする半導体レーザ装置。しかしながら、上記従来の技術では、実際の発光にほとんど寄与していない支持基板にまで電流が流れるため、支持基板で電流のロスが生じてしまい、投入した電流に対する十分な発光効率を得ることが難しいという問題があった。また、レーザダイオードの機械的強度を確保するために、コンタクト層にも一定の厚さが必要とされるため、コンタクト層でも電流のロスが生じてしまい、投入した電流に対する十分な発光効率を得ることが難しいという問題があった。また、電流が流れることで支持基板やコンタクト層からも熱が発生するため、レーザダイオードとしての発熱量が増大しやすいという問題があった。また、レーザダイオードの小型化や発熱量の抑制を図るべく基板を薄くすると、十分な強度を得られない場合があるという問題があった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、強度を確保しつつ、発光効率の向上、発熱量の抑制および装置の小型化を図ることのできるレーザダイオードを得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、絶縁基板と、絶縁基板上に形成された第1コンタクト層と、第1コンタクト層上に形成された発光半導体層と、発光半導体層上に形成された第2コンタクト層と、第1コンタクト層を介して発光半導体層に電流を流すために設けられる第1導通部と、第2コンタクト層を介して発光半導体層に電流を流すために第2コンタクト層上に設けられた第2導通部と、を備えることを特徴とする。本発明によれば、支持基板に絶縁基板を用いているので、支持基板を薄型化しても十分な強度を得やすくなる。また、基板に形成された第2導通部を介して発光半導体層に電流を流すことができるので、発光に寄与しない部分に流れる電流を減らして、発光効率の向上および発熱量の抑制を図ることができるという効果を奏する。以下に、本発明の実施の形態にかかるレーザダイオードおよび半導体レーザ装置を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1にかかるレーザダイオードの概略断面構成を示す図である。レーザダイオード1は、レーザ光を出射する活性層5を有しており、この活性層5が複数の層によって挟まれている。レーザダイオード1は、下層側から絶縁基板支持基板16、下層側のコンタクト層となる第1コンタクト層12、発光半導体層19、上層側のコンタクト層となる第2コンタクト層13、上部電極14の順番で積層された構造を有している。また、上部電極14上には、圧着用メタル第2導通部15が設けられる。絶縁基板16は、例えば絶縁性の材料、例えばサファイアや鉄をドーピングしたGaAs系の材料で構成されている。また、絶縁基板16に用いられる材料は、絶縁基板16上に、第1コンタクト層12等の半導体の結晶構造を成長させることができる材料である必要がある。絶縁基板16には、下面16bから上面16aに至る複数のスルーホール17が形成されている。複数のスルーホール17は、平面視において発光半導体層19を挟んで圧着用メタル15と対向する位置に形成されている。スルーホール17内には、導電性部材、例えばAuが充填される。スルーホール17内に充填された導電性部材は、第1コンタクト層12を介して発光半導体層19に電流を流すための導通用メタル第1導通部18となる。第1コンタクト層12は、導通用メタル18と上層に設けられた発光半導体層19とを電気的に接続するための層であり、例えばGaAsなどで構成される。第2コンタクト層13も第1コンタクト層12と同様に、上部電極14とその下層に設けられた発光半導体層19とを電気的に接続するための層であり、例えばGaAsなどで構成される。発光半導体層19は、活性層5、光ガイド層31、クラッド層32を有して構成される。クラッド層32および光ガイド層31は、活性層5に注入されたキャリアを活性層5内に閉じ込めるための層である。クラッド層32および光ガイド層31は、活性層5よりも小さな屈折率を有するとともに、大きなバンドギャップを有している。上部電極14は、レーザダイオード1の最表面となる層に形成された電極であり、例えばAuで構成される。圧着用メタル15は、上部電極14上に設けられる電極であり、導電性の材料、例えばAuで構成される。圧着用メタル15は、上部電極14と第2コンタクト層13とを介して発光半導体層19に電流を流すためのものである。圧着用メタル15は、複数のレーザダイオード1を積層する場合に、レーザダイオード1同士の間隔を保持するスペーサとしても機能する。なお、上部電極14と圧着用メタル15とが一体に形成されていてもよい。レーザダイオード1は、長手方向に延びる側面からレーザ光を出射する。レーザダイオード1の主面は、例えば長手方向の寸法が約10mmであり、短手方向の寸法が約1mmである。図2は、図1に示すレーザダイオード1を備える半導体レーザ装置10の概略断面構成を示す図である。図3は、図2に示す半導体レーザ装置10の概略構成を示す斜視図である。半導体レーザ装置10は、複数枚複数本のレーザダイオード1を有しており、各レーザダイオード1は主面同士が平行になるよう積み重ねられている。各レーザダイオード1は、下側のレーザダイオード1の上面側に設けられた圧着用メタル15と、上側のレーザダイオード1の下面側に設けられた導通用メタル18とが熱圧着によって接合されて、積み重ねられている。半導体レーザ装置10内では、各レーザダイオード1が圧着用メタル15を介して接合されることにより、複数枚のレーザダイオード1からなる積層レーザダイオード群2が構成される。積層レーザダイオード群2の上部側および下部側には、導電性のサブマウント3が配置されており、積層レーザダイオード群2がサブマウント3によって挟持されている。サブマウント3は、CuW、Si、AlN等の材料で構成されており、Auの熱圧着等で積層レーザダイオード群2に接合されている。積層レーザダイオード群2を挟持したサブマウント3は、パッケージ筐体21内に格納されている。パッケージ21は、サブマウント3を介して積層レーザダイオード群2を内部に収容して固定するとともに、積層レーザダイオード群2を保護する。パッケージ21には、リード端子24a,24bが設けられている。リード端子24aは、パッケージ21の側面側の壁面を貫通するようパッケージ21に取り付けられており、リード端子24bは、パッケージ21に突き刺さるようパッケージ21に取り付けられている。また、パッケージ21には、積層レーザダイオード群2を冷却するための冷媒、例えば不活性ガスをパッケージ21内に導入させる導入口22aと、冷媒を導出させる導出口22bが設けられている。導入口22aは、パッケージ21の底面側の壁面を貫通するようパッケージ21に取り付けられ、導出口22bは、パッケージ21の上面側の壁面を貫通するようパッケージ21に取り付けられている。導入口22aからは、積層レーザダイオード群2を冷却するための冷却用不活性ガスN2やCO2などが入れられ、パッケージ21内が冷却用不活性ガスによって充填させられる。また、導出口22bからは、パッケージ21内の冷却用不活性ガスが導出される。これにより、パッケージ21内を冷媒としての冷却用不活性ガスが循環することになる。リード端子24aは、パッケージ21内でAuワイヤ給電用ワイヤ25に接続されており、Auワイヤ25が上側のサブマウント3に接続されている。パッケージ21は、内壁面と外壁面との間に隙間が設けられた2重構造の壁面を有しており、この2重構造の壁面によって積層レーザダイオード群2などを包囲している。リード端子24bは、パッケージ21の内壁面と外壁面との間に設けられた隙間を通る配線図示せずによって、下側のサブマウント3に接続されている。リード端子24a,24bは、パッケージ21の外部で電源図示せずに接続されており、電源からリード端子24a,24bに電流が流される。また、パッケージ21の1つの側面には透明窓ガラス23が設けられており、この透明窓ガラス23からレーザ光LD光Lが出射される。つぎに、半導体レーザ装置10の動作について説明する。パッケージ21内には、液体窒素などの冷却用不活性ガスを入れ、パッケージ21内を冷却用不活性ガスで満たすことによってレーザダイオード1が冷却用不活性ガスに浸るようにしておく。これにより、積層レーザダイオード群2のレーザダイオード1とレーザダイオード1との間に冷却用不活性ガスが送り込まれる。レーザダイオード1は直列に接合されているので、リード端子24a,24bの順方向に電流を流すと、個々のレーザダイオード1が発光し、レーザ光Lの発振を行う。発振したレーザ光Lは、透明窓ガラス23を通して外部に出される。個々のレーザダイオード1で発生した熱は、直接液体窒素などの冷却用不活性ガスに吸収されてパッケージ21外に送り出される。このように、レーザダイオード1がスタックされることによって半導体レーザ装置10の動作時の発熱量が大きくなった場合であっても、レーザダイオード1は十分に冷却されるので、レーザダイオード1の特性の劣化を抑えつつ動作を継続させることができる。なお、本実施の形態では、冷却用不活性ガスとして液体窒素を用いたが、不活性なガスであればヘリウムなどでもよく、また、ガスに限らず液体であってもよい。また、冷却用不活性ガスの温度や流量は、レーザダイオード1の発熱量に合わせて調節すればよい。以上説明したように、本実施の形態1にかかるレーザダイオード1および半導体レーザ装置10によれば、発光半導体層19および各コンタクト層12,13をサファイア基板等の絶縁基板16で支持しているので、絶縁基板16によって強度を確保することで、発光半導体層19および各コンタクト層12,13の薄膜化を図りやすくなる。例えば、実際の発光に寄与する発光半導体層19以外の半導体層、すなわち各コンタクト層12,13を1μm以下の厚さに抑えることが可能となる。これにより、実際の発光に寄与する発光半導体層19以外の半導体層へ流れる電流を減らすことができる。すなわち、実際の発光に寄与する発光半導体層19以外の半導体層での電流のロスを抑えて、発光効率の向上を図ることができる。また、実際の発光に寄与する発光半導体層19以外の半導体層へ流れる電流が減ることで、レーザダイオード1からの発熱量の抑制を図ることができる。また、絶縁性の基板絶縁基板16には、ほとんど電流が流れないため、支持基板での電流のロスを抑えることができる。これにより、レーザダイオード1の発光効率の向上を図るとともに、発熱量の抑制も図ることができる。また、サファイア基板等の絶縁基板16は、化合物半導体で構成された支持基板に比べて高い強度を得やすいため、薄膜化を図ることで発光半導体層19および各コンタクト層12,13の強度が低下した場合であっても、レーザダイオード1全体としての強度を確保しやすくなる。また、絶縁基板16自体の薄型化も図りやすくなることで、レーザダイオード1の薄型化および半導体レーザ装置10の小型化を図ることができる。例えば、絶縁基板16の厚さを、50μmとすることができる。また、絶縁基板16にスルーホール17が形成されるとともにそのスルーホール17内に導通用メタル18が充填されているので、第1コンタクト層12の下面側が絶縁性の基板絶縁基板16によって覆われていても、導通用メタル18を介して第1コンタクト層12への導通が確保される。また、スルーホール17が、発光半導体層19を挟んで圧着用メタル15と対向する位置に形成されているので、レーザダイオード1同士を直接積み重ねれば、圧着用メタル15と導通用メタル18とを確実に接触させることができ、レーザダイオード1同士の導通を確保することができる。なお、レーザダイオード1を積み重ねて用いない場合には、導通用メタル18は、スルーホール17に充填されている必要はなく、絶縁基板16と第1コンタクト層12との間に形成したメタル層であってもよい。図4は、実施の形態1の変形例にかかるレーザダイオード1を積み重ねた状態を示す図である。本変形例では、スルーホール17が、圧着用メタル15と対向する位置からずれた位置に形成されている。しかしながら、スルーホール17は、スルーホール17同士の位置関係が、平面視において圧着用メタル15同士の位置関係と略等しい位置関係となるように形成されている。具体的には、本変形例では、圧着用メタル15同士の距離Xとスルーホール17同士の距離Yとが略等しくなっている。スルーホール17同士の位置関係と圧着用メタル15同士の位置関係とが上述したように構成されていれば、レーザダイオード1を平面的にずらして積み重ねる必要があるものの、導通用メタル18と圧着用メタル15とを接触させることができる。"