"誘電体の表面に形成された信号線路導体と、前記信号線路導体に沿って延びるように前記誘電体上に形成された導体パターンと、を備え、前記導体パターンには、前記信号線路導体に沿って延びるスリットが形成されている、ことを特徴とする高周波伝送線路。前記導体パターンは、前記誘電体上、かつ、前記信号線路導体の両側に形成されている請求項1に記載の高周波伝送線路。前記スリットは、前記信号線路導体に沿って複数個形成されていることを特徴とする請求項1に記載の高周波伝送線路。前記スリットは、前記導体パターンにおいて前記信号線路導体の両側にそれぞれ複数個形成されていることを特徴とする請求項2に記載の高周波伝送線路。前記複数個のスリットは、互いに同一形状であることを特徴とする請求項3又は4に記載の高周波伝送線路。前記複数個のスリットは、相互に形状が異なることを特徴とする請求項3又は4に記載の高周波伝送線路。前記複数個のスリットは、ほぼ等間隔に配置されていることを特徴とする請求項3乃至6のいずれか1項に記載の高周波伝送線路。前記複数個のスリットにおいて、隣接するスリット同士の間隔が相互に異なることを特徴とする請求項3乃至6のいずれか1項に記載の高周波伝送線路。前記信号線路導体に直交する方向の前記スリットの幅をX1、前記信号線路導体に平行な方向の前記スリットの幅をY1、前記導体パターンの前記信号線路導体側の端から、前記スリットまでの最短距離をX2、前記第1信号線路導体から放射される電磁波の波長をλとしたときに、λ/2<1XX2Y1×2<3×λ/2で示される不等式を満たすことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の高周波伝送線路。X1X2Y1×2=λで示される式を満たすことを特徴とする請求項9に記載の高周波伝送線路。基板と、前記基板の一方側の面に形成された請求項1乃至10のいずれか1項に記載の高周波伝送線路と、前記基板の他方側の面に形成された導体パターンと、を有することを特徴とする回路基板。特許文献1に開示されたコプレーナ線路では、基板の両面に形成された導体パターン同士が、複数のビア導体で接続されている。これにより、基板の一方側の面に形成された導体パターンの電位と、基板の他方側の面に形成された導体パターンの電位とが等しくなり、結果的に信号線路における損失が小さくなる。また、導体パターン同士を接続する複数のビア導体が、信号線路から放射される電磁波をシールドすることも、信号線路における損失の低減に寄与している。しかしながら、伝送する信号の周波数がある程度高周波となると、ビア導体によるシールドが不十分となり、信号線路における放射損失を十分に抑制することが困難になる。放射損失を抑制する対策としては、ビア導体の配列間隔を小さくして、ビア導体の間から漏れる電磁波の割合を小さくすることが考えられる。しかしながら、ビア導体の配列間隔を小さくするには、精度の高い技術が必要で、製造工程における歩留まりの悪化が懸念される。また、配列間隔の狭小化にも、一定の技術的な限界がある。本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、構造が簡素で、高周波信号を効率よく伝送することが可能な高周波伝送線路等を提供することを目的とする。上述の目的を達成するために、本発明の第1の観点に係る高周波伝送線路は、誘電体の表面に形成された信号線路導体と、前記信号線路導体に沿って延びるように前記誘電体上に形成された導体パターンと、を備え、前記導体パターンには、前記信号線路導体に沿って延びるスリットが形成されている、ことを特徴とする。本発明の第2の観点に係る回路基板は、基板と、前記基板の一方側の面に形成された本発明の第1の観点に係る高周波伝送線路と、前記基板の他方側の面に形成された導体パターンと、を有する、ことを特徴とする。本発明によれば、構造が簡素で、高周波信号を効率よく伝送することが可能な高周波伝送線路等を提供することができる。以下、本発明の一実施形態について図面を参照しつつ説明する。図1は、本実施形態に係る配線基板10の平面図である。図2は、図1における配線基板10のA-A断面を示す図である。図3は、図1における配線基板10のB-B断面を示す図である。図1~図3を参照するとわかるように、配線基板10は、誘電体基板12と、誘電体基板12の上面に形成された高周波伝送線路としてのコプレーナ線路30と、から構成されている。図1~図3に示すように、誘電体基板12は、Y軸方向を長手方向とする長方体形状の基板である。この誘電体基板12は、比誘電率が9.0の誘電体としてのアルミナを素材とする。また、誘電体基板12の下面-Z側の面には、グランドパターン38が形成されている。このグランドパターン38は、例えば銅又は銅箔からなり、誘電体基板12の下面全体を覆っている。誘電体基板12には、アルミナ以外の誘電体、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、BT樹脂、PPE樹脂、テフロン登録商標、LTCCなども使用できる。コプレーナ線路30は、誘電体基板12の上面Z側の面に形成された信号線路導体32と、誘電体基板12の上面、かつ、信号線路導体32の両側に形成された第1導体パターン34及び第2導体パターン36と、から構成されている。信号線路導体32は、誘電体基板12の-Y側端からY側端にかけて形成された導体である。この信号線路導体32は、例えば銅めっき或いは銅箔からなり、Y軸に平行に、かつ、誘電体基板12の上面の中心部を通るように形成されている。第1導体パターン34は、信号線路導体32よりも-X側の誘電体基板12上に、誘電体基板12の-X側の外縁に沿って形成された導体である。第1導体パターン34は、例えば銅めっき或いは銅箔からなり、長手方向をY軸方向とする長方形状に形成されている。また、この第1導体パターン34には、それぞれY軸方向を長手方向とし、信号線路導体32に沿って延びるように、かつ、ほぼ等間隔に配置された3つの矩形状のスリット34aが形成されている図1参照。第2導体パターン36は、信号線路導体32よりもX側の誘電体基板12上に、誘電体基板12のX側の外縁に沿って形成された導体である。第2導体パターン36は、例えば銅めっき或いは銅箔からなり、長手方向をY軸方向とする長方形状に形成されている。また、この第2導体パターン36には、第1導体パターン34と同様に、それぞれY軸方向を長手方向とし、信号線路導体32に沿って延びるように、かつ、ほぼ等間隔に配置された3つの矩形状のスリット36aが形成されている図1参照。ここでは、信号線路導体32を境界として同数のスリット36a、スリット36bが形成されているが、スリット36a、スリット36bの個数は同じでなくともよい。図3を参照して、第1導体パターン34は、誘電体基板12に形成された複数のビア導体40Aを介して、グランドパターン38に接続されている。また、第2導体パターン36は、誘電体基板12に形成された複数のビア導体40Bを介して、グランドパターン38に接続されている。第1導体パターン34とグランドパターン38とを接続するビア導体40Aは、スリット34aのX側において、Y軸に沿ってほぼ等間隔に配置されている。また、第2導体パターン36とグランドパターン38とを接続するビア導体40Bは、スリット36aの-X側において、Y軸に沿ってほぼ等間隔に配置されている。図1に示されるように、第1導体パターン34に形成されたスリット34aのX軸方向の幅をX1、Y軸方向の幅をY1、第1導体パターン34のX側端から、スリット34aまでの最短距離をX2、信号線路導体32から放射される電磁波の実効波長をλauとすると、配線基板10では、次式1が満たされる。X1X2Y1×2=λ...1以下、式1の意味内容について、図4を参照しつつ説明する。図4は、配線基板10を対象とした電磁界解析の結果を基に、信号線路導体32によって伝送される高周波信号に起因する高周波電流の経路を模式的に示した図である。実線で示される経路Dは、第1高周波電流の経路であり、この第1高周波電流は、信号線路導体32から放射されるとともに等間隔に配置されるビア導体40Aの間を通過して第1導体パターン34に至る電磁波に起因する。また、波線で示される経路Cは、信号線路導体32に沿って伝達される電磁波に起因する高周波電流の経路である。図4を参照すると理解されるように、第1高周波電流は、第1導体パターン34の内部を、スリット34aの周縁に沿う経路Dを通って流れ、経路Cを流れる第2高周波電流と合波する。このとき、上記式1を満たすように、経路Dの総距離=X1X2Y1×2が、第1導体パターン34に放射された直後の電磁波の実効波長λとほぼ等価な値であれば、経路Dに沿って流れる第1高周波電流は、経路Cに沿って流れる第2高周波電流に大きな影響を与えることなく、第2高周波電流と合波する。その理由は、このように上記式1が成立する場合には、合波が起こる位置での、第1の高周波電流の位相と、第2高周波電流の位相がほぼ一致するためである。この場合、信号線路導体32から放射された電磁波が効率よく回収され、配線基板10での放射損失が効果的に抑制される。以上説明したように、本実施形態では、コプレーナ線路30を構成する第1導体パターン34と、第2導体パターン36には、それぞれスリット34a,36aが形成されている。そして、スリット34a,36aの周囲に規定される、第1高周波電流の経路Dの総距離=X1X2Y1×2と、第1導体パターン34に放射された直後の電磁波の実効波長λとが、上記式1で表される関係にある。このため、経路Dに沿って流れる第1高周波電流は、経路Cに沿って流れる第2高周波電流に大きな影響を与えることなく、第2高周波電流と合波する。このようなコプレーナ線路30により、放射された電磁波が効率よく回収され、配線基板10における放射損失が効果的に抑制される。なお、配線基板10における放射損失が最も効果的に抑制されるのは、第1高周波電流の経路Dの総距離=X1X2Y1×2と、第1導体パターン34に放射された直後の電磁波の実効波長λとが、上記式1を満たす場合である。一方、第1高周波電流と第2高周波電流とが合波することで、第2高周波電流が最も影響を受けるのは、合波する位置での第1高周波電流の位相と、第2高周波電流の位相との差以下、単に位相差ともいう。が180度のときである。したがって、経路Dの総距離が、第1高周波電流と第2高周波電流との位相差が180度でない場合には、第2周波電流が、合波により大きな影響を受けることがない。具体的には、経路Dの総距離=X1X2Y1×2と、第1導体パターン34に放射された直後の電磁波の実効波長λとが、次式2で示される不等式を満たす場合には、第2周波電流が、合波により大きな影響を受けず、配線基板10における放射損失が抑制されるようになる。λ/2<XYZ×2<3×λ/2...2このため、配線基板10における経路Dの総距離=X1X2Y1×2と、第1導体パターン34に放射された直後の電磁波の実効波長λとが、必ずしも上記式1で表される関係になくても、上記式2で表される関係にある場合には、ある程度効率よく、放射された電磁波を回収することができ、配線基板10における放射損失を抑制することができる。また、上記実施形態では、第1導体パターン34及び第2導体パターン36に、長手方向をY軸方向とする矩形状のスリット34a,36aが形成されている場合について説明した。このような矩形状のスリット34a,36aに限られず、例えば図5に示されるように、長軸がY軸に平行な楕円形のスリット34a,36aであってもよい。また、例えば図6に示されるように、矩形状のスリット34a,36aの代わりに、多角形のスリット34a,36aが第1導体パターン34及び第2導体パターン36に形成されていてもよい。この場合、スリット34a,36aのX軸方向における幅をX1、Y軸方向における幅をY1、第1導体パターン34のX側端から、スリット34aまでの最短距離、及び第2導体パターン36の-X側端から、スリット36aまでの最短距離をX2としたときに、幅X1,Y1、最短距離X2が、上記式1又は上記式2を満たせば、効率よく、放射された電磁波を回収することができるコプレーナ線路30が構成され、配線基板10における放射損失を抑制することができる。また、上記実施形態では、第1導体パターン34及び第2導体パターン36に、長手方向をY軸方向とする矩形状のスリット34a,36aが形成されている場合について説明した。これに限らず、例えば図7に示されるように、矩形状のスリット34a,36aの代わりに、長手方向をX軸方向とする矩形状のスリット34a,36aが第1導体パターン34及び第2導体パターン36に形成されていてもよい。また、上記実施形態では、第1導体パターン34及び第2導体パターン36それぞれに、3つのスリット34a,36aが形成されている場合について説明した。これに限らず、第1導体パターン34及び第2導体パターン36それぞれには、上記式1又は上記式2を満たす4つ以上のスリット34a,36aが形成されていてもよく、1つ又は2つのスリット34a,36aが形成されていてもよい。また、第1導体パターン34及び第2導体パターン36それぞれにおけるスリット34a,36aの数は互いに同数でなくともよい。また、上記実施形態では、スリット34a,36aが、X軸に沿ってほぼ等間隔に形成されている場合について説明した。これに限らず、スリット34a,36aは、隣接するスリット34a,36a同士の間隔が相互に異なるように形成されていてもよい。また、上記実施形態では、第1導体パターン34及び第2導体パターン36それぞれに、同一形状のスリット34a,36aが形成されている場合について説明した。これに限らず、第1導体パターン34及び第2導体パターン36それぞれには、相互に異なる形状のスリット34a,36aが形成されていてもよい。また、上記実施形態では、図1に示されるように、ビア導体40Aは、スリット34aのX側信号線路導体32に近接する側に、Y軸に沿って等間隔に形成されている。そして、ビア導体40Bは、スリット36aの-X側信号線路導体32から離間する側に、Y軸に沿って等間隔に形成されている。これに限らず、例えば図8に示されるように、ビア導体40Aは、スリット34aの-X側信号線路導体32から離間する側に、Y軸に沿って等間隔に形成されていてもよい。また、ビア導体40Bは、スリット36aのX側信号線路導体32に近接する側に、Y軸に沿って等間隔に形成されていてもよい。また、上記実施形態では、図3に示されるように、第1導体パターン34は、ビア導体40Aを介して、グランドパターン38に接続されている。また、第2導体パターン36は、ビア導体40Bを介して、グランドパターン38に接続されている。これに限らず、第1導体パターン34又は第2導体パターン36と、グランドパターン38とが、スルーホール導体などのビア導体以外の導体で電気的に接続されていてもよい。また、例えば図9に示されるように、第1導体パターン34とグランドパターン38、第2導体パターン36とグランドパターン38とは、必ずしも電気的に接続されていなくともよい。さらにまた、配線基板10の上面或いは下面には、複数のビルドアップ層が形成されていてもよく、グランドパターン38は、誘電体基板12の内部に形成されていてもよい。上記実施形態に係る配線基板10は、例えば携帯電話機、PDAPersonalDigitalAssistant、PHSPersonalHandyphoneSystem、携帯型PCMobilePersonalComputer等の電子機器に組み込まれる高周波モジュールの基板として用いることができる。次に、本発明の実施例について説明する。図1を参照して、実施例に係る配線基板10Aにおける誘電体基板12は、厚さが250μm、誘電率が9.0F/mであるアルミナ製の基板である。そして、誘電体基板12の上面には、X軸方向の寸法幅が100μmで、線路長が2400μmの信号線路導体32が形成されている。第1導体パターン34及び第2導体パターン36は、厚みが10μmである。また、X軸方向の寸法は2400μmであり、Y軸方向の寸法は400μmである。信号線路導体32の-X側の端端縁と、第1導体パターン34のX側の端端縁との距離は、250μmである。同様に、信号線路導体32のX側の端端縁と、第2導体パターン36の-X側の端端縁との距離は、250μmである。スリット34a,36aは、X軸方向の寸法X1が100μmであり、Y軸方向の寸法Y1が700μmである。また、隣接するスリット34a同士の間隔dyは、100μmである。そして、スリット34aは、第1導体パターン34のX側の端端縁からの距離X2が200μmになる位置に配置され、スリット36aは、第2導体パターン36の-X側の端端縁からの距離X1が200μmになる位置に配置されている。ビア導体40A,40Bは、いずれも直径が100μmである。また、Y軸方向の配置間隔は、400μmである。そして、ビア導体40Aは、第1導体パターン34の-X側の端から、X方向へ300μm隔てた位置に配置され、ビア導体40Bは、第2導体パターン36のX側の端端縁から、-X方向へ300μm隔てた位置に配置されている。図2を参照して、グランドパターン38は、厚みが10μmである。また、X軸方向の寸法は2400μmであり、Y軸方向の寸法は1400μmである。また、本実施例に係る配線基板10Aの上面には、図1に示す誘電体基板12と同等の基板が配置されている。一方、比較例に係る配線基板10Bは、第1導体パターン34及び第2導体パターン36にスリットが形成されていない以外は、上記実施例における配線基板10Aと同様の構成を備えている。ところで、電磁波の波長λは、光速度をcm/s、周波数をfHz、媒質の比誘電率をεr無次元量とした場合、下記の式3から求められる。λ=c/f/√εr...3ここで、経路Dの総距離=X1X2Y1×2は2000μmであるから、2000μmを波長λの値として式3に代入する。また、誘電体基板12は、比誘電率が9.0であるから、9.0を比誘電率εrの値として式3に代入する。また、光速は3×108m/s≒299792458m/sであるから、3×108を光速度cの値として式3に代入する。そうすると、式3から、周波数fの値が50GHzであることが導かれる。この結果は、本実施例に係る配線基板10Aコプレーナ線路30では、周波数が50GHzの高周波信号の放射損失が最も効果的に抑制されることを意味する。図10は、放射損失αと周波数fとの関係を示す図である。曲線S1は、実施例に係る配線基板10Aでの放射損失特性を示す曲線である。また、曲線S2は、比較例に係る配線基板10Bでの放射損失特性を示す曲線である。ここで放射損失αdBは、ネットワークアナライザで測定された反射特性S11、伝送特性S21を用いて、次式4によって表される。α=1-|S11|2-|S21|2...4図10に示されるように、比較例に係る配線基板10Bでは、周波数50GHzにおける放射損失が約-7.5dBである。一方、実施例に係る配線基板10Aでは、周波数50GHzにおける放射損失が約-11.0dBである。したがって、第1導体パターン34、及び第2導体パターン36に、それぞれスリット34a,36aを形成することによって、周波数50GHzにおける放射損失が、約3.5dB改善されていることがわかる。以上、本発明の実施形態及び実施例について説明したが、本発明は上記実施形態等によって限定されるものではない。また、本発明は、本発明の広義の精神と範囲を逸脱することなく、様々な実施形態及び変形が可能とされるものである。上述した実施形態は、本発明を説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。上記実施の形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載されうるが、以下には限られない。付記1誘電体の表面に形成された信号線路導体と、前記信号線路導体に沿って延びるように前記誘電体上に形成された導体パターンと、を備え、前記導体パターンには、前記信号線路導体に沿って延びるスリットが形成されている、ことを特徴とする高周波伝送線路。付記2前記導体パターンは、前記誘電体上、かつ、前記信号線路導体の両側に形成されている付記1に記載の高周波伝送線路。付記3前記スリットは、前記信号線路導体に沿って複数個形成されていることを特徴とする付記1に記載の高周波伝送線路。付記4前記スリットは、前記導体パターンにおいて前記信号線路導体の両側にそれぞれ複数個形成されていることを特徴とする付記2に記載の高周波伝送線路。付記5前記複数個のスリットは、互いに同一形状であることを特徴とする付記3又は4に記載の高周波伝送線路。付記6前記複数個のスリットは、相互に形状が異なることを特徴とする付記3又は4に記載の高周波伝送線路。付記7前記複数個のスリットは、ほぼ等間隔に配置されていることを特徴とする付記3乃至6のいずれか1つに記載の高周波伝送線路。付記8前記複数個のスリットにおいて、隣接するスリット同士の間隔が相互に異なることを特徴とする付記3乃至6のいずれか1つに記載の高周波伝送線路。付記9前記信号線路導体に直交する方向の前記スリットの幅をX1、前記信号線路導体に平行な方向の前記スリットの幅をY1、前記導体パターンの前記信号線路導体側の端から、前記スリットまでの最短距離をX2、前記第1信号線路導体から放射される電磁波の波長をλとしたときに、λ/2<1XX2Y1×2<3×λ/2で示される不等式を満たすことを特徴とする付記1乃至8のいずれか1つに記載の高周波伝送線路。付記10X1X2Y1×2=λで示される式を満たすことを特徴とする付記9に記載の高周波伝送線路。付記11基板と、前記基板の一方側の面に形成された付記1乃至10のいずれか一つに記載の高周波伝送線路と、前記基板の他方側の面に形成された導体パターンと、を有することを特徴とする回路基板。本願は、2010年3月5日に日本国で出願された日本国特許出願第2010-049038号を基礎として優先権を主張するものであり、本明細書中には、日本国特許出願第2010-049038号の明細書、特許請求の範囲、及び図面を参照として取り込むものとする。"