表面に透明電極が形成された基板を用意する工程、および、前記透明電極の表面に、エアロゾルデポジション法によって金属薄膜からなる補助電極を形成する工程を備えることを特徴とする、複合電極の形成方法。前記透明電極が、酸化インジウムスズを含有することを特徴とする、請求項1に記載の複合電極の形成方法。前記補助電極が、銅を含有することを特徴とする、請求項1または2に記載の複合電極の形成方法。しかるに、スパッタリング法では、金属材料のコストが高くなるという不具合があり、また、抵抗値を調整できるほどの厚い膜として形成することが困難であるという不具合がある。また、電解めっき法では、酸やアルカリの溶液を用いる必要があるため、操作が煩雑であるという不具合がある。さらに、導電性ペーストの塗布および乾燥では、導電性ペーストの塗布において、所望とする位置とは異なる位置に導電性ペーストが付着するなどの汚染の可能性があり、また、乾燥条件硬化条件を調整する必要があるため、操作が煩雑であるという不具合がある。本発明の目的は、簡易な操作により、低コストで複合電極を形成することができる複合電極の形成方法を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明の複合電極の形成方法は、表面に透明電極が形成された基板を用意する工程、および、前記透明電極の表面に、エアロゾルデポジション法によって金属薄膜からなる補助電極を形成する工程を備えることを特徴としている。このような複合電極の形成方法では、補助電極がエアロゾルデポジション法によって形成されるため、複合電極を低コストかつ簡易に形成することができる。また、本発明の複合電極の形成方法では、前記透明電極が、酸化インジウムスズを含有することが好適である。透明電極が酸化インジウムスズを含有すれば、複合電極の優れた導電性および光透過率を確保することができる。また、本発明の複合電極の形成方法では、前記補助電極が、銅を含有することが好適である。補助電極が銅を含有すれば、複合電極の抵抗値を適切に調整することができる。本発明の複合電極の形成方法では、補助電極がエアロゾルデポジション法によって形成されるため、複合電極を低コストかつ簡易に形成することができる。図1は、本発明の複合電極の形成方法により得られる複合電極の一実施形態の断面図である。図1において、複合電極1は、透明電極2および補助電極3を備え、基板4上に設けられている。基板4は、例えば、略平板状をなし、例えば、透明性に優れる基板材料から形成されている。基板材料としては、例えば、ガラスなどの無機材料や、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル樹脂、ポリカーボネートなどのポリカーボネート樹脂、ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂などの有機材料などが挙げられる。基板材料として、好ましくは、無機材料、より好ましくは、ガラスが挙げられる。これら基板材料は、単独使用または2種類以上併用することができる。基板4の厚さは、例えば、1~100000μm、好ましくは、10~10000μmである。また、基板4の光透過率波長:360~830nmの光の透過率は、例えば、80以上、好ましくは、90以上である。透明電極2は、光透過率が70以上、好ましくは、80以上の電極であって、基板4の表面全体において、基板4と平面視略同一形状に形成されている。透明電極2の材料としては、透明性および導通性を備えていればよく、例えば、IndiumTinOxideITO、酸化インジウムスズ、IndiumZincOxideIZO、酸化インジウム亜鉛、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、白金、金、銀、ロジウム、銅、クロム、炭素、アルミニウム、シリコン、アモルファスシリコン、マグネシウム、BSOBismuthSiliconOxideなどが挙げられ、さらには、ポリチオフェン系ポリマー、ポリピロール系ポリマー、ポリアニリン系ポリマー、ポリアセチレン系ポリマー、ポリパラフェニレン系ポリマー、ポリセレノフェニレン系ポリマーなどの導電性ポリマーなどが挙げられる。透明電極2の材料として、好ましくは、酸化インジウムスズが挙げられる。透明電極2が酸化インジウムスズを含有すれば、複合電極1の優れた透明性および導通性を確保することができる。これら透明電極2の材料は、単独使用または2種類以上併用することができる。透明電極2の厚みは、例えば、10~1000nm、好ましくは、15~300nmである。補助電極3は、透明電極2の抵抗値を調整するための金属薄膜であって、透明電極2の表面において、互いに間隔を隔てて複数例えば、3つ×2列なお、図1および図2には、3つ×1列のみ記載している。設けられている。補助電極3の材料としては、後述するエアロゾルデポジション法に採用できる電極材料であれば、特に制限されないが、例えば、銅、ニッケル、金、銀、アルミニウムなどの金属材料が挙げられる。補助電極3の材料として、好ましくは、銅が挙げられる。補助電極3が銅を含有していれば、複合電極1の優れた透明性および導通性を確保することができる。これら補助電極3の材料は、単独使用または2種類以上併用することができる。補助電極3の厚みは、例えば、0.01~200μm、好ましくは、0.05~100μmである。そして、これら透明電極2および補助電極3を備える複合電極1の総合厚みは、例えば、例えば、20~51000nm、好ましくは、200~5000nmである。また、複合電極1の抵抗値は、例えば、0.1~1000Ω/□、好ましくは、5~300Ω/□である。次いで、このような複合電極1の形成方法について、詳述する。図2は、図1に示す複合電極の形成方法を示す工程図である。この方法では、まず、図2aに示すように、表面に透明電極2が形成された基板4を用意する。次いで、この方法では、図2bに示すように、透明電極2の表面に、補助電極3の形成位置に対応する所定パターンで開口されたマスク5を配置する。その後、この方法では、図2cに示すように、透明電極2の表面に、エアロゾルデポジション法AD法によって補助電極3を形成する。図3は、エアロゾルデポジション法において用いられるエアロゾルデポジション装置の概略構成図である。エアロゾルデポジション法AD法ガスデポジション法気体堆積法によって補助電極3を形成するには、エアロゾルデポジション装置10が用いられる。エアロゾルデポジション装置10は、成膜チャンバー11、エアロゾルチャンバー12およびキャリアガス輸送装置13を備えている。成膜チャンバー11は、透明電極2の表面に、補助電極3を形成するための成膜室であって、基板ホルダー14、成膜チャンバー11内の温度を測定するための温度計図示せず、および、成膜チャンバー11内の圧力を測定するための圧力計図示せずを備えている。基板ホルダー14は、支柱15、台座16およびステージ17を備えている。支柱15は、台座16およびステージ17を連結させる部材であって、成膜チャンバー11の天井壁を貫通して下方鉛直方向下方に突出するように設けられている。台座16は、基板4を成膜チャンバー11内に保持および固定するために、支柱15の長手方向一端部下端部に設けられている。また、台座16は、成膜チャンバー11内において、その台座16に基板4が配置されたときに、透明電極2の表面が成膜チャンバー11の下方に向かうように、配置されている。ステージ17は、補助電極3の形成時において、基板4を任意の方向x方向前後方向、y方向左右方向、z方向上下方向およびθ方向回転方向に移動可能とするための装置であって、成膜チャンバー11の天井壁の上面に設けられ、支柱15の長手方向他端部上端部に接続されている。これにより、ステージ17は、支柱15を介して台座16に接続され、ステージ17により、台座16を移動可能としている。また、成膜チャンバー11には、メカニカルブースターポンプ18およびロータリーポンプ19が接続されている。メカニカルブースターポンプ18およびロータリーポンプ19は、成膜チャンバー11内を減圧するとともに、成膜チャンバー11に連結管20後述を介して連通されるエアロゾルチャンバー12内を減圧するため、成膜チャンバー11に、順次接続されている。エアロゾルチャンバー12は、補助電極3の材料を貯留する貯留槽であって、振動装置21、および、エアロゾルチャンバー12内の圧力を測定するための圧力計図示せずを備えている。振動装置21は、エアロゾルチャンバー12、および、エアロゾルチャンバー12内の補助電極3の材料を振動させるための装置であって、公知の振盪器が用いられる。また、エアロゾルチャンバー12には、連結管20が接続されている。連結管20は、エアロゾル化された材料以下、エアロゾルを、エアロゾルチャンバー12から成膜チャンバー11に輸送するための配管であって、その一方側端部上流側端部がエアロゾルチャンバー12に接続されるとともに、他方側が成膜チャンバー11の底壁を貫通して台座16に向かって延びるように配置されている。また、成膜チャンバー11内において、連結管20の他方側端部下流側端部には、成膜ノズル22が接続されている。成膜ノズル22は、エアロゾルを透明電極2の表面に噴き付けるための噴射装置であって、成膜チャンバー11内において、噴射口が鉛直方向上側の台座16に向かうように、配置されている。具体的には、成膜ノズル22は、その噴射口が台座16と所定間隔例えば、0.1~50mm、好ましくは、0.3~30mmを隔てるように対向配置されており、これにより、エアロゾルチャンバー12から供給されるエアロゾルを、透明電極2の表面に噴き付け可能としている。なお、成膜ノズル22の噴射口形状としては、特に制限されず、エアロゾルの噴射量、噴射範囲などに応じて、適宜設定される。また、連結管20の流れ方向途中には、連結管開閉弁23が介在されている。連結管開閉弁23としては、例えば、電磁弁など、公知の開閉弁が用いられる。キャリアガス輸送装置13は、キャリアガスボンベ25を備えている。キャリアガスボンベ25は、例えば、ヘリウムガス、アルゴンガス、窒素ガス、空気などのキャリアガスを貯留するボンベであって、ガス管26を介して、エアロゾルチャンバー12に接続されている。ガス管26は、キャリアガスをキャリアガスボンベ25からエアロゾルチャンバー12に輸送するための配管であって、その上流側端部がキャリアガスボンベ25に接続されるとともに、下流側端部がエアロゾルチャンバー12に接続されている。また、ガス管26の流れ方向途中には、ガス流量計27が介在されている。ガス流量計27は、ガス管26内のガスの流量を調整するとともに、その流量を検知するための装置であって、特に制限されず、公知の流量計が用いられる。さらに、ガス管26の流れ方向途中には、ガス流量計27よりも下流側において、ガス管開閉弁28が介在されている。ガス管開閉弁28としては、例えば、電磁弁など、公知の開閉弁が用いられる。このようなエアロゾルデポジション装置10により補助電極3を形成するためには、まず、台座16に、透明電極2を備える基板4を、その透明電極2の表面が成膜ノズル22側下側に向かうように配置する。なお、このとき、補助電極3の形成位置に対応するように所定パターンで開口されたマスク5は、透明電極2の鉛直方向下方に設置される図2b参照。一方、エアロゾルチャンバー12には、上記した補助電極3の材料の粉末を投入する。補助電極3の粉末の平均粒子径メジアン径は、例えば、0.3~7μm、好ましくは、0.3~2μmであり、比表面積BET法は、例えば、0.18~1.2m2/g、好ましくは、0.6~1.2m2/gである。次いで、この方法では、ガス管開閉弁28を閉とし、また、連結管開閉弁23を開とするとともに、メカニカルブースターポンプ18およびロータリーポンプ19を駆動させることにより、成膜チャンバー11内およびエアロゾルチャンバー12内を減圧する。成膜チャンバー11内の圧力は、例えば、5~50Paであり、エアロゾルチャンバー12内の圧力は、例えば、5~50Paである。次いで、この方法では、上記の粉末を、エアロゾルチャンバー12内において、振動装置21により振動させるとともに、ガス管開閉弁28を開として、キャリアガスボンベ25からキャリアガスをエアロゾルチャンバー12に供給する。これにより、材料をエアロゾル化させるとともに、発生したエアロゾルを、連結管20を介して成膜ノズル22に輸送することができる。このとき、エアロゾルは、成膜ノズル22の内壁に衝突して破砕され、より粒径の小さな粒子となる。また、ガス流量計27により調整されるキャリアガスの流量は、例えば、5~10L/分である。次いで、この方法では、破砕された材料の粒子を、成膜ノズル22の噴射口から透明電極2の表面に向けて噴射する。エアロゾル噴射中のエアロゾルチャンバー12内の圧力は、例えば、50~80000Pa、好ましくは、2000~50000Paであり、また、成膜チャンバー11内の圧力は、例えば、5~1000Paであり、好ましくは、10~900Paである。また、エアロゾル噴射中のエアロゾルチャンバー12内の温度は、例えば、0~50°C°Cである。また、エアロゾル噴射中、好ましくは、ステージ17を適宜移動させることにより、マスク5の表面に均等にエアロゾルを噴き付ける。このような場合において、ステージ17の移動速度すなわち、成膜ノズル22の移動速度は、例えば、0.1~5mm/秒である。これにより、透明電極2の表面鉛直方向下側には、マスク5の開口に対応する部分において、金属薄膜として補助電極3を上記した厚みで形成することができ、これにより、透明電極2および補助電極3を備える複合電極1を形成することができる図2c参照。その後、必要により、図2dに示すように、基板4からマスク5を除去する。このような複合電極1の形成方法では、補助電極3がエアロゾルデポジション法によって形成されるため、複合電極1を低コストかつ簡易に形成することができる。すなわち、補助電極3を、例えば、スパッタリング法で形成する場合には、材料のコストが高くなり、また、抵抗値を調整できるほどの厚い膜として形成することが困難である場合がある。また、補助電極3を、電解めっき法で形成する場合には、酸やアルカリの溶液を用いる必要があるため、操作が煩雑であるという不具合がある。さらに、補助電極3を導電性ペーストにより形成する場合には、その塗布において、所望とする位置とは異なる位置に導電性ペーストが付着するなどの汚染の可能性があるため、慎重な操作を必要とするなど、作業性に劣る。また、導電性ペーストの乾燥条件硬化条件を調整する必要があるため、操作が煩雑であるという不具合がある。一方、上記した複合電極1の形成方法では、エアロゾルデポジション法によって、簡易な操作により、低コストで補助電極3を形成することができるので、複合電極1を低コストかつ簡易に形成することができる。なお、上記した説明では、補助電極3を透明電極2の表面に形成するため、マスク5を用いたが、補助電極3を所望の位置に形成することができれば、上記の方法に限定されず、例えば、成膜ノズル22の噴射口の形状および幅を設定することにより、所望の位置に補助電極3を形成することができ、これにより、複合電極1を形成することもできる。実施例1まず、透明電極としてITO薄膜厚み150nmが表面に形成されたガラス基板縦4cm×横4cm×厚み0.7mmを用意した。次いで、ITO薄膜上に、補助電極の形成位置が開口されたマスクを配置した。なお、マスクの開口部は、縦10mm×横5mmの長方形として、それら開口部が3つ×2列合計6つ並ぶように、互いに10mm間隔を隔てて形成した。そして、エアロゾルデポジション装置キャリアガス:ヘリウムガスを用意し、その成膜チャンバー22°C内において、基板ホルダーの台座に、ITO薄膜およびマスク表面が鉛直方向下方を向くように設置した。なお、このとき、成膜ノズルの噴射口とITO薄膜表面との間隔が、10mmとなるように調節した。一方、120°Cにおいて20時間乾燥させた銅粉体メジアン径:0.84μm、BET比表面積:0.88m2/gを150mL用意し、500mLのガラス製エアロゾルチャンバーに投入した。その後、ガス管開閉弁を閉とし、また、連結管開閉弁を開とするとともに、メカニカルブースターポンプおよびロータリーポンプを駆動させることにより、成膜チャンバー内およびエアロゾルチャンバー内を、30Paまで減圧した。次いで、ヘリウムガスの流量が7.5L/分となるようにガス流量計により調整し、また、エアロゾルチャンバーを振盪器により振動させながら、ガス管開閉弁を開とした。これによって、エアロゾルチャンバー内において、銅粉体をエアロゾル化し、得られたエアロゾルを、成膜ノズルから噴射させた。なお、このときのエアロゾルチャンバー内の圧力は、約20000Paであり、成膜チャンバー内の圧力は、約200Paであった。そして、基板ホルダーのステージによって、ガラス基板が固定された台座を移動速度0.5mm/秒でx-y方向に適宜移動させるとともに、成膜ノズルから噴射されるエアロゾルを、マスクの開口を介してITO薄膜の表面に噴き付け、その後、マスクを除去した。これにより、厚み1.5μmの銅薄膜を所定パターンで形成し、透明電極および補助電極を備える複合電極厚み1.65μmを形成した。その結果、補助電極をエアロゾルデポジション法によって形成することができ、そのため、複合電極を低コストかつ簡易に形成することができた。実施例2成膜ノズルによる噴き付け量を調整し、銅薄膜の厚みを50μmとした以外は、上記実施例1と同様にして、透明電極および補助電極を備える複合電極厚み50.15μmを形成した。その結果、このような方法によっても、補助電極をエアロゾルデポジション法によって形成することができ、そのため、複合電極を低コストかつ簡易に形成することができた。