a活性層と、b前記活性層の一方の側に設けた2次元フォトニック結晶と、c前記2次元フォトニック結晶の周囲の少なくとも一部に設けた反射部であって、該反射部により光が反射されることにより生じる該光の位相変化が05πよりも大きく05πよりも小さくなるように形成された反射部と、を備えることを特徴とする2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源。請求項1に記載の2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源と、前記2次元フォトニック結晶面発光レーザから発振されるレーザビームを回折限界以下の径まで集光する集光レンズと、を備えることを特徴とする超解像レーザビーム発生装置。請求項2に記載の超解像レーザビーム発生装置を光源として備えることを特徴とする光ピックアップ。請求項1に記載の2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源を、被加工物に光を照射するための光源として備えることを特徴とするレーザ加工装置。しかし、このような反射部材を設けた2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源には、以下のような問題があった。ここでは、図1に示すように2次元フォトニック結晶11を矩形に囲うように反射部12を設けた場合を例に説明する。この例における2次元フォトニック結晶11は、スラブ状の母材111に、母材111とは屈折率が異なる空孔112を正方格子状に配列したものである。キャリアの注入により活性層において生成される光により、図1に示すように、2次元フォトニック結晶11において空孔112の周期と同じ周期又はその整数分の1の周期を有する定在波13が形成される。反射部12が存在することにより、この定在波13の振幅は反射部12の位置において節になる包絡線で表される分布を有する。図1に示すように、この振幅の分布には、包絡線が1つの腹のみを持つ基本モード1次モード141の他に、複数の腹を有する2次モード142、3次モード143、という高次モードがある。なお、図1では簡単のために振幅の包絡線を1次元状に示したが、実際には2次元フォトニック結晶の2次元構造により、振幅の包絡線も2次元分布を有する。図2に1次モード基本モードの振幅の包絡線の2次元分布の例を、図2に2次モード高次モードの振幅の包絡線の2次元分布の例を、それぞれ示す。この図では、反射部12はx座標及びy座標の座標軸を含む矩形の辺上に形成されている。特許文献2に記載の反射部材を設けた2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源では、レーザ光の波長は、いずれのモードにおいても基本的には空孔112の周期で定まる。しかし、モード毎に異なる包絡線の周期の影響を受けることにより、各モードから発振されるレーザ光の間にはわずかに波長の相違が生じる。例えば波長980nm付近で発振する2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源において、基本モード141により発振されるレーザ光と2次モード142により発振されるレーザ光の波長の間に01nmオーダーの波長の違いが生じる。波長分割多重通信の光源では、互いにわずかに波長が異なる光によりそれぞれ異なる情報が伝送されるため、光源の波長にこのようなわずかな相違が生じるだけで、クロストーク等の問題が生じる。本発明が解決しようとする課題は、光の利用効率が高く、しかも単一波長のレーザ光を出射させることができる2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源を提供することである。また、本願発明者は、前記課題を解決するために反射部における内部共振光の反射の条件を検討を行った結果、出射されるレーザ光の偏光方向を制御することができることを見出した。本発明はこの偏光制御を利用して、光ピックアップやレーザ加工装置等の光源に適した偏光を有するレーザ光を出射することができる2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源を提供することも課題とする。上記課題を解決するために成された本発明に係る2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源の第1の態様のものは、a活性層と、b前記活性層の一方の側に設けた2次元フォトニック結晶と、c前記2次元フォトニック結晶の周囲の少なくとも一部に設けた反射部であって、該2次元フォトニック結晶内に形成される内部共振光の基本モードの振幅の包絡線が極大値を持つ位置において反射率が極大値を持つ反射率分布を有する反射部と、を備えることを特徴とする。前記反射部は、前記2次元フォトニック結晶を囲む線上のうち、前記基本モードの振幅の包絡線が極大値を持つ位置を含む一部分にのみ前記内部共振光を反射する部材を設けることにより形成することができる。前記反射部の少なくとも一部は前記2次元フォトニック結晶の外縁よりも内側に形成することができる。前記2次元フォトニック結晶は、前記基本モードの振幅の包絡線が極大値を持つ位置以外において少なくとも一部が曲線状である外縁を有するものであってもよい。前記反射部は、前記2次元フォトニック結晶の周囲のスラブの外縁に平行に設けられた複数本の溝により形成され、前記反射率分布は該溝の本数の違いにより形成されていてもよい。本発明に係る2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源の第2の態様のものは、a活性層と、b前記活性層の一方の側に設けた2次元フォトニック結晶と、c前記2次元フォトニック結晶の周囲の少なくとも一部に設けた反射部であって、該反射部により光が反射されることにより生じる該光の位相変化が05πよりも大きく05πよりも小さくなるように形成された反射部と、を備えることを特徴とする。本発明の第1の態様及び第2の態様の2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源以下、面発光レーザとする。は、それぞれの反射部の構成により以下の効果が得られる。第1の態様の面発光レーザ第1の態様の面発光レーザによれば、反射部が設けられていることにより、特許文献2の面発光レーザと同様に高い光の利用効率が得られる。そのうえ、反射部が基本モードの振幅の包絡線が極大値を持つ位置において極大値を持つように反射率分布を有することにより、基本モードによるレーザ発振を選択的に得ることができ、それにより、特許文献2の面発光レーザでは得られない単一波長のレーザ光を出射させることができる。なお、モードの次数が高くなる程、それとは次数が1つだけ異なるモードが同時に形成されやすくなるため、本発明では最も次数の低い基本モードが選択されるようにしている。反射部を、2次元フォトニック結晶を囲む線上のうち基本モードの振幅の包絡線が極大値を持つ位置を含む一部分にのみ設けることにより、この位置において振幅の極大値を持つ基本モードの光が2次元フォトニック結晶から漏れ出すことを防ぐことができる一方、そこから離れた位置で振幅の極大値を持つ2次モードの光は2次元フォトニック結晶から漏れ出し易くなるため、効果的に基本モードによるレーザ発振を選択することができる。反射部の少なくとも一部を2次元フォトニック結晶内に形成することにより、2次元フォトニック結晶の外縁において自然に生じる光の反射の影響を受けることなく基本モードの振幅の制御を行うことができる。基本モードの振幅の包絡線が極大値を持つ位置以外において2次元フォトニック結晶の外縁の少なくとも一部を曲線状とした場合には、その曲線状の外縁に入射する2次元フォトニック結晶内の光は入射方向に対して角度をもって反射される。そのため、正反対の方向への反射率が等価的に低くなるため、効果的に基本モードによるレーザ発振を選択することができる。2次元フォトニック結晶の周囲のスラブに複数本の溝を設けることによって反射部を形成することにより、溝の本数の調整により反射率を制御することができるため、基本モードの振幅の包絡線が極大値を持つ位置において極大値を持つように、反射率を容易に制御することができる。第2の態様の面発光レーザ第2の態様の面発光レーザによれば、中心部に強度を持たない環状の断面形状を有し、その中心から外側に向かう方向径方向に偏光したレーザビームを得ることができる。このようなレーザビームを径偏光環状レーザビームと呼ぶ。径偏光環状レーザビームを集光することにより、ビーム径が回折限界値よりも小さいレーザビームを得ることができる。このビームは光ピックアップやレーザ加工装置等の光源に用いることができる。第1の態様の面発光レーザ第1の態様の面発光レーザでは、活性層の一方の側に2次元フォトニック結晶を設ける。活性層と2次元フォトニック結晶の間には、スペーサ等の部材が挿入されていてもよい。活性層は、電流が注入されることにより、目的とするレーザ光の波長を含む波長帯の光を発光するものであり、従来よりファブリーペロー型レーザ光源に用いられているものと同様のものを用いることができる。2次元フォトニック結晶は従来の面発光レーザと同様に、板状の母材に、それとは屈折率が異なる領域異屈折率領域を周期的に配置することにより形成することができる。本発明では、異屈折率領域の形状は特に問わない。また、異屈折率領域の配列は正方格子状、三角格子状等、従来の面発光レーザと同様のものを用いることができる。異屈折率領域は母材との屈折率の差を大きくすることができるという点、及び製造上の容易さの点から、空孔とすることが望ましい。しかし、母材に何らかの部材を埋め込むことにより異屈折率領域を形成してもよい。部材を埋め込んだ異屈折率領域は、例えば製造の際に2次元フォトニック結晶と他の層を高い温度で融着する必要がある場合に、高温による異屈折率領域の変形を防ぐために、好適に用いることができる。また、部材を埋め込んだ異屈折率領域は、製造時にフォトニック結晶を形成した後に他の層をエピタキシャル成長させる場合にも好適に用いることができる。2次元フォトニック結晶の周囲に反射部を設ける。2次元フォトニック結晶がスラブの一部分に形成されている場合には2次元フォトニック結晶の周囲のスラブ内に反射部を設けることができ、2次元フォトニック結晶がスラブ全体に形成されている場合にはスラブの周囲に反射部を設けることができる。第1の態様の面発光レーザにおいては、反射部は反射率分布を有する、即ち反射部内の位置によって反射率が異なるように形成する。この反射率分布は、内部共振光に形成され得る基本モード及び高次モードの振幅分布のうち、基本モードの振幅の包絡線が極大値を持つ位置において反射率が極大値を持つように形成する。前述の図2の例では、基本モード、高次モードのいずれにおいても、振幅の包絡線は反射部12上においても強度分布を有する。図2に示した基本モードでは、包絡線は矩形の反射部12の各辺の中央付近で極大値を持ち、矩形の頂点付近で極小値を有する。それに対して図2に示した2次モードでは、包絡線は矩形の反射部12の各辺の中央付近で極小値を持つ。このような場合、本発明では矩形の各辺の中央付近で反射部の反射率が極大値を持つように反射率分布を形成する。このような反射率分布を形成することにより、基本モードの振幅が大きい所において反射率が高くなり、効果的に光の閉じ込め効果が得られる。それに対して、基本モードの次に形成されやすい2次モードはこの位置で振幅が極小値を取るため、2次モードの光の閉じ込め効果は小さい。また、この反射率分布では基本モードの振幅の小さいところで反射率が低く抑えられるため、基本モードの光の閉じ込め効果にはほとんど影響を与えることなく、2次モードの閉じ込め効果を抑制することができる。これらの閉じ込め効果の大小により、基本モードの光を選択的に得ることができる。なお、ここまでは異屈折率領域空孔を正方格子状に配置した2次元フォトニック結晶を矩形の反射部で囲む場合を例に説明したが、異屈折率領域を三角格子状に配置した2次元フォトニック結晶を用いる場合には、反射部は2次元フォトニック結晶の周囲を正六角形状に囲う線上に設けることが望ましい。この場合においても、反射率分布は正六角形の各辺の中央付近で反射率が極大値を持つように形成する。反射部は2次元フォトニック結晶を囲むように形成することもできるが、2次元フォトニック結晶を囲む線上のうち基本モードの振幅の包絡線が極大値を持つ位置を含む一部分にのみ設けてもよい。この場合、この極大値を持つ位置において基本モードの振幅をより大きくすることができると共に、反射部のない位置での基本モード及び高次モードの振幅を抑制することができるため、より強い極大を持つ基本モードを得ることができる。反射部は2次元フォトニック結晶の外縁のみならず2次元フォトニック結晶内にも形成することができる。2次元フォトニック結晶の外縁では2次元フォトニック結晶内の光が反射される。反射部を2次元フォトニック結晶内に形成することにより、この外縁における反射の影響を受けることなく基本モードの振幅の制御を行うことができる。2次元フォトニック結晶の外縁は、基本モードの振幅の包絡線が極大値を持つ位置以外において、少なくとも一部を曲線状とすることができる。その曲線状の外縁に2次元フォトニック結晶内の光が入射すると、その光は入射方向に対して角度をもって反射される。そのため、正反対の方向への反射率を等価的に低く抑えることができる。これにより、このような曲線状の外縁を有する場合には、効果的に基本モードによるレーザ発振を選択することができる。反射部は、例えば、屈折率の異なる2種類の膜を外縁に平行に交互に積層した誘電体多層膜や、2次元フォトニック結晶のすぐ外側にあるスラブに複数の溝を外縁に平行に設けた回折格子により形成することができる。誘電体多層膜の場合には膜の数を多くするほど、回折格子の場合には溝の本数を多くほど、反射率を高くすることができることを用いて、前述の反射率分布に応じてそれらの数を設定する。誘電体多層膜は2次元フォトニック結晶の周囲に埋め込む必要があるのに対して、回折格子は周知のエッチングの手法を用いて容易に形成することができる点で優れている。このような溝を設けた回折格子は分布反射型DistributedBraggReflector:DBRレーザの反射部として用いられているものである。第2の態様の面発光レーザ第2の態様の面発光レーザは、第1の態様と同様の活性層及び2次元フォトニック結晶を有する。また、第1の態様と同様に、2次元フォトニック結晶の周囲に反射部を設ける。第2の態様では、光が反射部により反射される時に生じる光の位相変化が05πよりも大きく05πよりも小さい範囲内となるように反射部を形成する。このように反射光に位相変化を生じさせる反射部を用いることにより、第2の態様の面発光レーザから出射するレーザビームは径偏光環状レーザビームとなる。図3に、径偏光環状レーザビームの断面を模式的に示す。図中の灰色の部分21は光が存在する領域を示している。また、図中の太矢印は偏光の方向を示す。レーザビームは、中心部22に強度を持たない環状の断面形状を有し、その中心から外側に向かう方向径方向に偏光する。一般に、レーザビームのスポット径は、レーザビームの波長及び集光レンズの開口数により決定される回折限界値以下にすることはできない。しかし、径偏光環状レーザビームを集光すると、ビーム径が回折限界値よりも小さいレーザビームが得られるという、超解像技術の手法が知られているSQuabis他FocusinglighttoatighterspotOpticsCommunicationsvol179pp17。従って、第2の態様の面発光レーザと、この面発光レーザから発振されるレーザビームを回折限界以下の径まで集光する集光レンズとを設けることにより超解像レーザビームを発生させる装置を構成することができる。この超解像レーザビーム発生装置は、例えば光ピックアップの光源として用いることができる。これにより、記録媒体への情報の記録書き込み及び記録媒体からの情報の再生読み出しに用いるレーザビームのスポット径を小さくし、記録媒体への記録密度を高めることができる。径偏光のレーザビームは、超解像技術以外にも、レーザビームによる金属加工の分野において用いることもできる。径偏光のレーザビームを金属に照射すると、同じエネルギーを有する円偏光や直線偏光のレーザビームを用いた場合よりも加工速度が速くなることが知られているVGNiziev他InfluenceofbeampolarizationonlasercuttingefficiencyJournalofPhysicsDAppliedPhysicsvol32No13pp14551461。そのため、第2の態様の面発光レーザは、被加工物に光を照射するための光源として好適に用いることができる。第1の態様の面発光レーザの実施例第1の態様の面発光レーザの実施例を図4~図11を用いて説明する。図4は、本実施例の面発光レーザの斜視図である。n型半導体のガリウムヒ素から成る基板31の上に、n型半導体のアルミニウムガリウムヒ素から成るクラッド層321を挟んで、インジウムガリウム砒素から成り多重量子井戸を有する活性層33を設ける。そして、活性層33の上に、AlGaAsから成るキャリアブロック層34を挟んで、2次元フォトニック結晶層35を設ける。2次元フォトニック結晶層35の構成は後述する。2次元フォトニック結晶層35の上に、p型AlGaAsから成るクラッド層322及びp型GaAsから成るコンタクト層36を設ける。そして、基板31の下に下部電極37を、コンタクト層36の上に上部電極38を、それぞれ設ける。図5に、2次元フォトニック結晶層35の第1の例2次元フォトニック結晶層351、第1実施例を上面図で示す。2次元フォトニック結晶層35は、板状の母材41例えばp型GaAsから成る中に破線42で示した矩形の領域内に、空孔44を周期的に配置して成る2次元フォトニック結晶43を設け、更に母材41内に2次元フォトニック結晶43の四方を囲うように反射部45を設けたものである。ここで示した例では、反射部45は、母材41上の2次元フォトニック結晶43の外縁破線42の各辺毎に、外縁に略平行な方向に複数並んだ溝を設けることにより形成する。ここで、各溝の長さは2次元フォトニック結晶43から離れるに従って短くなるように形成し、各溝は長手方向の中心が揃うように配置する。このような溝を配置することにより、2次元フォトニック結晶43の外縁42の各辺では、端部よりも中央部の方が溝の本数が多くなるため、中央部の方が反射率が大きくなる。図5に、2次元フォトニック結晶層35の第2の例2次元フォトニック結晶層352、第2実施例を上面図で示す。母材41及び2次元フォトニック結晶43は2次元フォトニック結晶層351と同様の構成を有する。この例では、2次元フォトニック結晶43の外縁の各辺の中央部付近のみに、外縁に平行な方向に複数並んだ溝を設けることにより反射部46を形成する。このような溝を配置することにより、2次元フォトニック結晶43の外縁42の各辺では、中央部付近のみで光が反射されるようになる。また、この例では、反射部46の一部は2次元フォトニック結晶43の外縁42よりも内側にまで形成されている。これにより、内部共振光の定在波は、図5に太い破線47で示すように、反射部46の反射面を含む矩形の内側に形成される。これにより、2次元フォトニック結晶43の外縁42において不要な反射が生じることを防ぐことができる。本実施例の面発光レーザの動作を説明する。下部電極37と上部電極38の間に電圧を印加して両電極間に電流を流すと、素子内に導入された電子及び正孔は、活性層33内において再結合して発光する。活性層33において発光した光のうち特定の波長の光は2次元フォトニック結晶43内において定在波が形成されることにより増幅され、それによりレーザ発振が生じる。その際、2次元フォトニック結晶43内では、図1及び図2に示したように、定在波の振幅の包絡線が1個の腹のみを持つ基本モード、及び複数の腹を持つ高次モードが形成される。このうち基本モードの振幅は2次元フォトニック結晶43の外縁42の各辺において中央付近で極大値を持つ。この位置で反射部45又は46の反射率が極大値を持つ。そのため、本実施例では基本モードの振幅が大きい所において光の閉じ込め効果をより大きくすることができ、それにより基本モードが形成されやすくなる。次に、本実施例、及び2次元フォトニック結晶43の外縁42に一様の反射率を有する反射部51を設けた比較例図6参照の面発光レーザについて閾値利得を計算した結果を、図7~図9を用いて説明する。図7は比較例、図8は第1実施例、図9は第2実施例の計算結果である。図7~図9において、一重の白丸印又は黒丸印は基本モードにおける閾値利得を示し、二重丸印は2次モードにおける閾値利得を示す。二重三角印、二重四角印及び二重逆三角印はいずれも3次以上の高次モードにおける閾値利得を示す。また、一重の白四角印又は黒四角印は、一重の白丸印又は黒丸印のものとは偏光方向が異なる波長は同じ基本モードにおける閾値利得である。また、各グラフの横軸は、図7では反射部の反射率位置に依らず同じ値、図8及び図9では反射部の反射率の極大値で示した。この計算では、反射部において光が反射される際に位相がπだけ変化する位相が反転するものとした。比較例、第1実施例及び第2実施例のいずれにおいても、反射率が高くなる程、基本モード一重の白丸印又は黒丸印における閾値利得は小さくなる。このことは、レーザ光を効率よく出射させるためには好都合である。しかし、反射率が高くなると2次モードの閾値利得も小さくなるため、基本モードの閾値利得と2次モードの閾値利得の差図7~図9に符号52で示した幅が小さくなる。この差が小さくなる程、基本モードのみならず不要な2次モードも閾値を越えてレーザ発振を生じてしまう可能性が高くなる。図10に、比較例、第1実施例及び第2実施例について、基本モードと2次モードの閾値利得の差を求めたグラフを示す。このグラフより、この閾値利得差は比較例よりも第1実施例及び第2実施例の方が大きいことがわかる。そのため、比較例よりも本実施例の方が、不要な2次モードによるレーザ発振を抑えることができ、基本モードのみから成るレーザ発振を得るのに適しているといえる。第2実施例では基本モードの振幅の包絡線が極大値を持つ位置の近傍にのみ反射部が形成されているため、本発明の効果を顕著に得ることができ、この閾値利得差が特に大きい。第1の態様の面発光レーザの他の実施例第3実施例を、図11を用いて説明する。第3実施例の面発光レーザは、2次元フォトニック結晶層353を除いて、第1実施例及び第2実施例と同様の構成を有する。2次元フォトニック結晶層353は、図11に示すように、母材41に空孔44が正方格子状に配置されたものである。その外縁42は、矩形の角の近傍に空孔44を設けないことにより、曲線部48を持つ形状に形成されている。反射部46は第2実施例と同様に、外縁42の直線部分の中央付近のみに設けられている。曲線部48における外縁42は2次元フォトニック結晶の正方格子に対して斜交しているため、その正方格子に沿って進行する光は外縁42により斜め方向に反射される。そのため、曲線部48において正反対の方向への反射率は等価的に非常に低くなる。一方、曲線部48から離れた直線部分の中央付近に振幅の包絡線の極大値を持つ基本モードは、反射部46により効果的に光の閉じ込め効果が得られる。これらの作用により、第3実施例の面発光レーザでは基本モードによるレーザ発振が効果的に選択される。第2の態様の面発光レーザの実施例第2の態様の面発光レーザの実施例第4実施例を、図12及び図13を用いて説明する。第4実施例の面発光レーザは、2次元フォトニック結晶層35に設けた反射部の構成を除いて、図4に示した第1の態様第1実施例及び第2実施例の面発光レーザと同様の構造を有する。図12に、本実施例における2次元フォトニック結晶層35の平面図を示す。本実施例では、2次元フォトニック結晶43の外縁42の各辺毎に、外縁に平行な方向に並んだ、同じ長さの溝を複数設けることにより反射部61を形成する。そして、外縁42に最も近い空孔441の中心と、その空孔に最も近い溝62の間の距離Lを、目的とする光の波長の~倍nは整数になるように設定する。なお、Lが負である場合は溝62が空孔441よりも2次元フォトニック結晶43の内側にあることを、Lが正である場合は溝62が空孔441よりも2次元フォトニック結晶43の外側にあることを、それぞれ示す。本実施例の面発光レーザにおいて、下部電極37と上部電極38の間に電圧を印加すると、第1の態様の場合と同様に2次元フォトニック結晶43内において定在波が形成されることにより光が増幅され、それによりレーザ発振が生じる。その際、定在波は空孔44の中心で腹前述の包絡線の腹とは異なるになるように形成される。これにより、空孔441と溝62の距離を光の波長の~倍とすることにより、反射部61において光の位相を05π~05πの範囲内に設定することができる。反射部61における反射による光の位相変化が0~05πである場合、及び参考のためにこの位相変化が05π~πである場合について、径偏光環状レーザビームを発振するモードの閾値利得を計算した。併せて、レーザビームの断面において偏光方向が径偏光に対して垂直である円周偏光の環状レーザビームを発振するモードの閾値利得についても計算を行った。それらの結果を図13に示す。05π~05πの間では円周偏光よりも径偏光の場合の方が閾値利得が小さく、発振しやすいことがわかる。なお、第1の態様及び第2の態様の各実施例で挙げた活性層や2次元フォトニック結晶層等の各層の材料は一例に過ぎず、これらの層には従来の2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源で用いられている種々の材料をそのまま用いることができる。また、図5に示した2次元フォトニック結晶層35は円形の空孔を正方格子状に配置したものであるが、空孔の形状や配置はこの例には限られず、また、空孔の代わりに母材とは屈折率が異なる部材を配置してもよい。