基材上に、凹凸層、透明電極層、2つ以上の異なる光電変換ユニット、裏面電極がこの順に形成された多接合型薄膜太陽電池において、上記凹凸層は、表面に少なくとも1つ以上の領域Aおよび領域Bをそれぞれ有し、上記領域Aおよび領域Bにおける表面の二乗平均粗さRMSがそれぞれ25~80nmおよび200~2000nmであり、且つ領域Aおよび領域Bは、それぞれ面積が100μm2以上であることを特徴とする多接合型薄膜太陽電池。上記光電変換ユニットは、非単結晶シリコン層を有することを特徴とする、請求項1に記載の多接合型薄膜太陽電池。上記光電変換ユニットは、非晶質シリコンおよび微結晶シリコンを有し、非晶質シリコンを透明電極層側、微結晶シリコンを裏面電極側に形成することを特徴とする請求項2に記載の多接合型薄膜太陽電池。上記凹凸層は、屈折率が1.55~2.25の範囲であることを特徴とする、請求項1~3のいずれかに記載の多接合型薄膜太陽電池。上記透明電極層は、膜厚が150~500nmの範囲であることを特徴とする、請求項1~4のいずれかに記載の多接合型薄膜太陽電池。本発明では、所定の凹凸構造を有する凹凸層を、2つ以上の異なる光電変換ユニットを有する多接合型薄膜太陽電池に用いることにより、より高効率の光電変換デバイスを作製することを目的とする。上記課題を解決する為に、本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、凹凸層のRMSを所定の値に制御することで、太陽電池特性が向上することを見出した。すなわち、本発明は以下に関する。1基材上に、凹凸層、透明電極層、2つ以上の異なる光電変換ユニット、裏面電極がこの順に形成された多接合型薄膜太陽電池において、上記凹凸層は、表面に少なくとも1つ以上の領域Aおよび領域Bをそれぞれ有し、上記領域Aおよび領域Bにおける表面の二乗平均粗さRMSがそれぞれ25~80nmおよび200~2000nmであり、且つ領域Aおよび領域Bは、それぞれ面積が100μm2以上であることを特徴とする多接合型薄膜太陽電池。2上記光電変換ユニットは、非単結晶シリコン層を有することを特徴とする1に記載の多接合型薄膜太陽電池。3上記光電変換ユニットは、非晶質シリコンおよび微結晶シリコンを有し、非晶質シリコンを透明電極層側、微結晶シリコンを裏面電極側に形成することを特徴とする2に記載の多接合型薄膜太陽電池。4上記凹凸層は、屈折率が1.55~2.25の範囲であることを特徴とする1~3のいずれかに記載の多接合型薄膜太陽電池。5上記透明電極層は、膜厚が150~500nmの範囲であることを特徴とする1~4のいずれかに記載の多接合型薄膜太陽電池。本発明の多接合型薄膜太陽電池の構成により、透明基板から凹凸層を経て散乱される光を効率よく各光電変換ユニットに吸収させることができ、結果として太陽電池特性のうち、特に短絡電流を向上させることが可能となる。本発明は、基材上に、凹凸層、透明電極層、2つ以上の異なる光電変換ユニット、裏面電極がこの順に形成された多接合型薄膜太陽電池において、上記凹凸層は、表面に少なくとも1つ以上の領域Aおよび領域Bをそれぞれ有し、上記領域Aおよび領域Bにおける表面の二乗平均粗さRMSがそれぞれ25~80nmおよび200~2000nmであり、且つ領域Aおよび領域Bは、それぞれ面積が100μm2以上であることを特徴とする多接合型薄膜太陽電池に関するものである。このような構造の多接合薄膜太陽電池とすることで、各光電変換ユニットに効率よく光を閉じ込めることが可能となり、光電変換特性、特に短絡電流の向上が可能となる。以下、本発明に係る多接合型薄膜太陽電池の代表的な態様を説明する。図1に本発明の多接合型薄膜太陽電池の代表的な模式図を示している。基板1上に、凹凸層2、透明電極層3、光電変換ユニット4、裏面電極5が形成されている。上記基板1については、紫外~赤外の波長範囲で透明であり、且つ耐熱性に優れるという観点からガラス基板などを使用することが好ましい。ガラス基板としては無アルカリガラスやソーダライムガラスなどが挙げられるが、特にこれらの種類に限定されるものではない。上記基板1に凹凸層2を形成する方法としては、特に限定されないが、インプリント技術がもっとも簡便でパターニングの再現性が高い方法として使用できる。インプリント技術は、所望するパターンの反転パターンをモールドに作製し、モールドのパターンを基板に転写することで基板上にパターンを形成する方法であり、モールドのパターンをナノメートルレベルの微細にすることで、ナノ凹凸構造の形成が可能である。また基板とモールドの温度を設定することで、基板として熱可塑性樹脂などの低融点材料やガラスなどの高融点材料を用いた場合にも凹凸構造を形成することができる。モールドの材質は、特に限定されないが、熱による劣化や変形が少なく、複数回のインプリントに耐えられる材質のものが好ましく、例えばシリコンやニッケル、モリブデンなどの金属材料も使用可能である。光で硬化する場合には石英製のモールドを使用することで対応することが可能となる。モールドとしては例えば、単結晶シリコン基板をアルカリ処理して該基板に微細凹凸を作ることにより作製することが出来る。モールドには公知の離型剤を用いて表面処理することで、パターン形成時のバリ不良が低減し、凹凸構造を精度よく転写可能であり、また複数回使用時のモールドの耐久性が向上する。上記モールドには、一般的な凹凸構造を有するものを使用することができ、例えばピラミッド型や逆ピラミッド型、円柱型やラインスペース型などがあるが、本発明においてはいずれの形状でも使用できる。凹凸層2の屈折率は、500nmの波長で測定される値として1.55~2.25が好ましく、1.60~2.05の範囲にあることがより好ましい。このような特性に加えて、耐熱性と広い波長領域での高い透明性の観点から無機材料を主成分として構成されることが好ましい。中でも、酸化アルミニウム酸化マグネシウム酸化珪素酸化チタンの中から1種類以上選択した材料を有することがより好ましい。凹凸層を形成するための材料としては、特に限定されないが、各金属の有機金属化合物を用いることで容易に凹凸層を形成できる。有機金属化合物としては例えば各種カップリング剤があり、その高分子状化合物でも構わない。このような高分子状化合物としてはシロキサン結合を主鎖とする化合物などが代表例として挙げられる。基板1と透明電極層3の間に、上記の屈折率を有する凹凸層2を設けることで、基板1/凹凸層2、および凹凸層2/透明電極層3の各界面で、光の反射を抑制することが可能となる。さらに凹凸形状が存在することで、界面での光の全反射を抑制することができるため、結果として光線透過率の向上が可能となる。屈折率の測定は特に限定はないが、例えば分光エリプソメーターを用いて測定することが出来る。ここでの入射角とは、反射面基板面に垂直な線分と入射光に平行な線分とがなす角度である。さらに、凹凸層の屈折率を基板と透明電極層の中間的な値とすることで、それぞれの界面での反射ロスを抑制し、多くの光をデバイス特性に活用することが可能となる。凹凸層2を基板1上に形成する方法としては、例えば塗布などが挙げられ、塗布はスピンコートやディッピング、ロールコート、スプレーコートなど任意の手法で塗布が可能である。このとき、無溶媒で塗布することが好ましいが、溶媒を用いる場合には高級アルコールなどの室温での揮発性が低いものなどを好ましく用いることができる。これにより、塗布液を塗布した直後の乾燥を防ぐことができ、さらに凹凸形状加工後の加熱によって充分に溶媒を除去することができる。塗布後は溶媒を除去する為の予備加熱を、溶媒の沸点±20°Cで行うことが好ましい。温度が高すぎると材料の酸化硬化が促進してしまい、インプリントできなくなる為好ましくない。一方温度が低いと溶媒の除去ができずに、インプリント後に流れやすくなり、パターンの消滅の原因となるため好ましくない。上記のような塗布液を基板上に塗布した後、その上にモールドをのせて、上述したように加熱転写することにより、凹凸層2を形成することができる。インプリント後は大気中で200°C~500°Cで焼成することができる。このように焼成を行うことにより、凹凸層の硬化と溶媒の除去を充分に行うことが可能となる。本発明における凹凸層2は、表面に少なくとも1つ以上の領域Aおよび領域Bをそれぞれ有し、領域Aおよび領域Bの表面の二乗平均粗さRMSが、それぞれ25~80nmおよび800~2000nmであることを特徴とする。ここで表面に少なくとも1つ以上の領域Aおよび領域Bを有するとは、多接合型薄膜太陽電池を形成する凹凸層に少なくとも1つ以上の領域Aおよび領域Bを有することを意味し、例えば図2では、凹凸層2の表面上に8つの領域Aおよび8つの領域B、図5では、凹凸層2の表面上に2つの領域Aおよび2つの領域Bを有している。この際、領域Aの頂点と領域Bの頂点の位置は特に限定されないが、この上に形成する光電変換ユニットの製膜のし易さの観点から、同一直線上に存在することが好ましい。ここで同一直線上とは、図5に示すように領域Aの頂点を結ぶTAと領域Bの頂点を結ぶTBが同一直線上に存在することをいう。ここで、本発明における多接合型薄膜太陽電池は、2つ以上の異なる光電変換ユニットより形成することを特徴とする。2つ以上の異なる光電変換ユニットとは、バンドギャップが異なる2つ以上の光電変換ユニットを意味し、これにより広い波長領域の光を吸収することが可能となる。2つ以上の異なる光電変換ユニットとしては、特に限定されないが、例えば特開平11-214727号公報に記載されているように、非晶質シリコンからなる光電変換ユニットと微結晶シリコンからなる光電変換ユニットを直列に接続することで形成することができる。上記構成は性能や生産性の観点から好ましい。例えば、上記構成の多接合型薄膜太陽電池に対しては、上記領域Aは非晶質シリコン層の、領域Bは微結晶シリコン層の感度が向上するように、そのRMSを設定することができ、主に光電変換層材料のバンドギャップによって決まる。この場合、微結晶シリコンのバンドギャップは約1.4eV886nm相当であり、非晶質シリコンのバンドギャップは約1.9eV653nm相当である。光電変換のメカニズムはこのバンドギャップよりも短波長側の光を吸収して導電性キャリアとして取り出すものである。光電変換層のバンドギャップが大きいほど吸収波長が短いほど、凹凸層を形成する領域のRMSを小さくすることが好ましい。例えば上記の1.4eV程度であれば1000~2000nm程度が、1.9eV程度であれば30~70nm程度が、凹凸形状による光の散乱が積極的に起こり、結果として光を吸収しやすく好ましい。上記の理由から、本発明のように2つ以上の異なる光電変換ユニットを用いた場合、領域AのRMSは上記の範囲が好ましく、さらには30~75nmが好ましく、特には50~70nmの範囲が好ましい。領域BのRMSは上記の範囲が好ましく、さらには900~1500nmが好ましく、特には1000~1250nmが好ましい。RMSは、例えばAFMなどにより測定することが出来る。他にはSEM等の断面画像を座標化して計算することでも算出することができ、これらの値はAFMでの測定結果と概ね一致するものである。ナノインプリント法で凹凸層を形成する場合の、モールドの作製方法としては、シリコン基板をモールドとする場合には公知のエッチング処理例えばアルカリエッチングなどを採用することができる。凹凸構造形成用モールドは、一般的に西本陽一郎、表面技術、Vol.56、No.12005に記載の方法にしたがって凹凸構造を作製できる。具体的な作製方法を以下に示すが、これに限定されるものではない。[方法I]1水酸化カリウム100gを純水1700gに溶かした水溶液にイソプロピルアルコールを200g加え、ウェットエッチング液を作製する。2上記の液を70°Cに加温し、マグネチックスターラーで攪拌しながら単結晶シリコンウェハ100面を投入し、30秒浸漬する。3取出し後純水で洗浄、乾燥する。上記[方法I]により、ランダムテクスチャ構造のモールドが作製でき、これを用いることでランダムテクスチャ構造の凹凸層が作製できる。本発明のようにRMSの小さな領域Aと大きな領域Bを有する凹凸層を作製するためには、フォトリソグラフィー法を利用してモールドを作製することが好ましい。具体的な作製方法を以下に示すが、これに限定されるものではない。[方法II]1単結晶シリコンウェハ100面上にポジ型フォトレジストをスピンコートによって3μm程度の厚さになるように塗布する。2図4に示すようなマスクをポジ型フォトレジスト上に設置する。ここで黒色の箇所はマスク部分、白色の箇所はマスクがない部分を示す。図4に示すように、領域Bは全てマスクで覆い、領域Aはマスク部分とマスクがない部分が存在している。具体的には領域Aのマスクは、白色の箇所がランダムに存在し、1辺平均0.5μmの四角形がほぼ連続に形成されている。それぞれのエリアが一辺25μmの正方形の中に形成されており、各エリアの面積は625μm2である。3上記マスクを設置した単結晶シリコンウェハに300mJの光を照射する。光を照射することにより、マスクがない部分のフォトレジストが硬化される。マスクをはずした後、剥離液を用いて光が照射されて硬化された箇所のフォトレジストを除去する。4小面積のマスクを用いる場合は、単結晶シリコンウェハ100面上でマスクをずらしながら上記1~3の操作を行う。5上記方法Iで用いたウェットエッチング液を用いてエッチングを行い、レジストが除去された箇所周辺をエッチングする。このようにして、例えばRMSが46nmであるテクスチャを形成する。なおRMSの範囲は上記に限定されるものではなく、マスクを変更することにより適宜変更できる。6アセトンを用いてフォトレジストを除去する。7再度フォトレジストをスピンコートによって3μm程度の厚さになるように塗布する。8図5に示すようなマスクをポジ型フォトレジスト上に設置し、上記と同様にエッチングを実施する。なお具体的には領域Bのマスクは、1辺平均10μmの四角形白抜き部分がほぼ連続に形成されている。このようにして、例えばRMSが1600nmのテクスチャを形成する。なおRMSの範囲は上記に限定されるものではなく、マスクを変更することにより適宜変更できる。なお上記[方法II]ではポジ型フォトレジストを用いたが、ネガ型フォトレジストを用いても同様に作製することができる。凹凸層の膜厚は、凹凸形状を維持できる膜厚凹凸形状の最高点と最低点の差より大きいことが好ましく、さらに光学的な観点から0.5~5.0ミクロン程度が好ましく、さらには0.6~2.5ミクロンが好ましい。この範囲の膜厚とすることで、膜厚が薄すぎることによって凹凸形状が形成できないという欠点を解消し、さらに厚すぎることによる光の吸収ロスを抑制することができる。ここで、凹凸層の膜厚とは、凹凸形状の頂点部と、基板/凹凸層の界面の距離をいう。また凹凸層2における領域Aおよび領域Bは、それぞれ面積が100μm2以上であることを特徴とする。具体的には、例えば図3において凹凸層は、面積が100μm2以上の領域A2つと面積が100μm2以上の領域B1つを有する。上記の面積とすることで、各々の光電変換ユニットに効率よく光を取り込むことができる。さらには200μm2以上が好ましく、また50000μm2以下の範囲が好ましい。この際、図2に示すような交互に領域を分割していても良いし、図3に示すように1つの領域内にもう1つの領域が島状に形成されている形状でも良い。領域Aあるいは領域Bの形状としては、例えば領域内における対角線の最小値Lminが10μm以上であることが好ましい。詳細については検討中であるが、例えば細線のみからなるといったように、Lminが小さすぎる場合は、実質的にランダム形状と類似の光取り込み効果しか得られないと推測される。このような範囲とすることで凹凸層によって散乱された光が有効に光電変換ユニットに導入される。これが大きすぎると、各領域で散乱された光に対応しない光電変換ユニットへの光取り込み効率が劣る可能性があり、小さすぎるとランダムテクスチャと同じようになり、全て平均化されてしまい、各光電変換ユニットへの光取り込み効率の最大をとることが困難となるため好ましくない。なお本発明における凹凸層2は、領域Aおよび領域B以外に、さらに異なるRMSを有する領域を有していても良い。凹凸層2上に設けられる透明電極層3は、350~1500nmの波長領域において高い透明性を示し、且つ導電性のものであれば制限なく使用可能であるが、例えば太陽電池や有機ELデバイスとして用いた場合、これらの作製時にかかる熱履歴の観点から、酸化物を用いることが好ましく、特には酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物や、酸化インジウム、インジウム-錫複合酸化物、インジウム-モリブデン複合酸化物、インジウム-チタン複合酸化物などが使用できる。ここで酸化亜鉛を主成分とするとは、透明電極層3に酸化亜鉛を50より多く含むことを意味し、好ましくは70以上含む。透明電極層3は、膜厚が150~500nmであることが好ましい。この範囲の膜厚とすることで、導電性と透明性に優れた透明導電層を形成することができる。透明電極層3の形成方法としては、導電性の観点から気相堆積法が好ましい。気相堆積法には大きく分けて化学的気相堆積法CVDと物理的気相堆積法PVDがあり、どちらの手法を用いても構わない。具体的にはCVDであれば、気化した有機金属化合物と水や酸素との反応による有機金属CVDMOCVDやプラズマCVDがある。PVDであれば、透明電極材料をアルゴンイオンでスパッタするマグネトロンスパッタリングやパルスレーザー堆積や反応性イオン蒸着などがあるが、生産性の観点からマグネトロンスパッタリングが好ましい。マグネトロンスパッタリングにより製膜することで、凹凸層の形状を光電変換層にそのまま反映させることが可能となる。これは、マグネトロンスパッタリング法がプロセスの性質上凹凸層の全ての面から均一に成長させることが可能であり、従って、凹凸形状をそのままトレースできる為である。また、透明電極層3として、結晶性や配向性が異なる複数の層を積層することで、凹凸層2上にさらに微細な凹凸を形成してもよい。デバイス設計に拠るが、これにより凹凸層2のみよりもさらに広い波長領域において光学特性の向上が予想される。本発明においては、上記透明電極層3上に2層以上の異なる光電変換ユニット4を形成することを特徴とする。光電変換ユニット4としては、具体的には、p-i-n接合からなるシリコン半導体積層構造体を用い、このような光電変換ユニットを2層以上、直列接続となるように配置して構成することができる。各々の半導体層は、プラズマCVD法により好適に作製することができる。プラズマCVD法とは、シランガスをシリコン材料と用い、プラズマエネルギーを利用してシリコンを形成する方法であり、p型層やn型層の製膜には、それぞれジボランやホスフィンなどのガスを適量添加することで可能となる。上記のように2つ以上の光電変換ユニットを直列接続する場合には、ワイドバンドギャップの第1の光電変換ユニット4-1を光入射側に配置し、その上にナローバンドギャップの第2の光電変換ユニット4-3を配置することが好ましい。光電変換ユニットとしては、非単結晶シリコンを用いることが好ましく、中でも微結晶シリコンや非晶質シリコンを好ましく用いることができる。この際、p/i/nで結晶構造が異なっても構わない。なお、非晶質あるいは微結晶のシリコン系材料としては、半導体を構成する主要元素としてシリコンのみを用いる場合だけでなく、炭素、酸素、窒素、ゲルマニウムなどの元素をも含む合金材料であってもよい。この場合、第1の光電変換ユニット4-1として非晶質シリコンからなる光電変換ユニットを、第2の光電変換ユニット4-3として微結晶シリコンからなる光電変換ユニットを配置することができる。上記第1の光電変換ユニット4-1や第2の光電変換ユニット4-3以外に、さらに1つ以上の光電変換ユニットを配置してもかまわない。これら複数の光電変換ユニット間には、透明導電性中間層4-2を形成し、光の反射と透過を選択的に行う層を設けることができる。これにより、上記の例では第1の光電変換ユニット4-1に取り込まれる光をより多くすることができ、さらに透過した光で第2の光電変換ユニット4-3の発電に寄与することができる。各々の半導体層は、プラズマCVD法により好適に作製することができる。プラズマCVD法とは、プラズマエネルギーを利用してシランガスのようなシリコン層の原料となるガスを分解し、基板上に堆積することで水素化シリコン層を形成する方法であり、p型層やn型層の製膜には、それぞれジボランやホスフィンなどのガスを適量添加することで可能となる。透明電極層3と光電変換ユニット4の間には、電気的なコンタクトの改善を目的とした層を設けることができる。この層としては、光電変換ユニットよりもバンドギャップの広い半導体層を用いると、透明電極層と光電変換層の界面付近での電子-正孔の再結合を抑制できる。その結果、光電変換層で生成した電子-正孔を電極に効率よく取り出すことが可能となり、結果として変換効率を向上することが可能となり好ましい。この様な半導体としては例えばp型シリコンカーバイドなどが挙げられる。こうして設けられた光電変換ユニット4上に裏面電極5を形成する。裏面電極5は、例えば図2に示すように、透明導電性酸化物層5-1と裏面金属電極層5-2の2層を設けることができるが、さらに他の層を設けて、2層以上の層で形成することもできる。透明導電性酸化物層5-1は、光電変換ユニット4を形成するシリコンと、裏面金属電極層5-2を形成する金属原子の相互拡散を抑制する為に用いられる。また光の干渉を起こすことで、任意の波長の光を強めて、太陽電池特性を向上させるために用いられるここで透明導電性酸化物層5-1は、透明であり導電性である透明導電性酸化物を用いればよく、例えば酸化インジウムや酸化亜鉛、酸化チタンなどを含有するものを用いることができる。裏面金属電極層5-2は、充分に導電性が高く、且つ光電変換ユニット4を通過してきた光を反射して、再び光電変換ユニット4に入れるために、反射率が高いものが好ましい。このような材料として例えば銀やアルミニウムなどが挙げられる。透明導電性酸化物層5-1は、膜厚を25~120nmの範囲で設けることが好ましい。さらには30~85nmの範囲が光学的に好ましい。この範囲の膜厚とすることで、光学的な効果や、導電性コストの面で好ましいだけでなく、裏面金属電極層5-2に用いる金属原子と、光電変換ユニット4を形成するシリコン原子との原子拡散を抑制するバリア層の役割を果たすことができるため好ましい。上記のようにして、本発明における透明電極付き基板を用いた薄膜太陽電池を作製することができる。以下に、実施例をもって本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例1まず、凹凸層を形成するA、Bの最適構造を検討するため、第1、第2の光電変換ユニットとしてそれぞれ非晶質シリコン層、微結晶シリコン層を用いた多接合型太陽電池において、光電変換特性をシミュレーションにより求めた。基板は、無アルカリガラス膜厚0.7mm、屈折率1.53とし、この上にシロキサン結合を主鎖とする化合物凹凸層領域AのRMS=46nm、領域BのRMS=1600nm、膜厚800nm、屈折率1.55が形成されたものとし、透明電極層3は、アルミニウムドーピング酸化亜鉛AZO膜厚300nm、屈折率1.95とした。透明導電層3の上に、第1の光電変換ユニット4-1トップセルとして、p-i-n接合の非晶質シリコン層を形成されたものとした。具体的には、ボロンドープのp型シリコンカーバイドSiC層膜厚10nm、ノンドープの非晶質シリコン光電変換層膜厚200nm、リンドープのn型μc-Si層膜厚20nmとした。第1の光電変換ユニット4-1上に導電性酸素化シリコン層からなる透明導電性中間層4-2膜厚60nmを形成されたものとした。更に、第2の光電変換ユニット4-3ボトムセルとして、p-i-n接合の微結晶シリコン層を形成されたものとした。具体的には、ボロンドープのp型微結晶シリコン層膜厚15nm、ノンドープの微結晶シリコン光電変換層膜厚1500nm、リンドープのn型微結晶シリコン層膜厚20nmとした。この上に、金属電極層5-2Ag、膜厚250nmで形成されたものとした。以上のようにして多接合型薄膜太陽電池を作製されたものとした。実施例2凹凸層の領域AのRMSを60nm、領域BのRMSを500nmとした以外は実施例1と同様にして、多接合型薄膜太陽電池が形成されたものとした。比較例1凹凸層のRMSを46nmのみとした以外は実施例1と同様にして多接合型薄膜太陽電池を作製した。比較例2凹凸層のRMSを1600nmのみとした以外は実施例1と同様にして多接合型薄膜太陽電池を作製した。比較例3凹凸層のRMSを150nmのランダムテクスチャ構造とした以外は、実施例1と同様にして薄膜太陽電池を作製した。比較例4凹凸層の領域AのRMSを5nm、領域BのRMSを3000nmとした以外は実施例1と同様にして多接合型薄膜太陽電池を作製した。比較例5凹凸層の領域AのRMSを45nm、領域BのRMSを3000nmとした以外は実施例1と同様にして薄膜太陽電池を作製した。表1に、領域A、BのRMSと面積をそれぞれ示す。また表2に、シミュレーションにより求めた光電変換特性を示す。なお、表1の比較例1~3における領域Bなしとは、領域Aのみ、すなわち領域AとBの区別がないものを意味する。表2において、ItopおよびIbottomは、それぞれトップセルおよびボトムセルに流れる電流値を示す。また表2におけるIscはItopとIbottomのうち、電流の低い方の値となる。これは、直列接続の場合、電流は低い方の電流値に律速するためである。表2の結果より、実施例1と比較例1において、Itopの値はほぼ同程度であったが、一方Ibottomの値は比較例1では実施例1に比べて低く、その結果Iscも低くなった。これは、比較例1では実施例1の領域Bに相当する領域がないため、非晶質シリコンでの光取り込みが少なかったためと考えられる。また実施例1と比較例2において、Ibottomの値はほぼ同程度であったが、Itopの値は比較例2では実施例1に比べて低く、その結果Iscも低くなった。これは比較例2では実施例1の領域Aに相当する領域がないため、微結晶シリコンでの光取り込みが少なかったためと考えられる。一方、比較例3では凹凸形状に規則性の無いランダムテクスチャ構造であるが、Iscは実施例ほど大きくならなかった。これは、形状の大きさがランダムとなる為、凹凸形状の影響を受けた散乱の効果が小さくなり、結果としてトップセルボトムセルに取り込まれる光の量が多くならないことが原因と考えられる。また実施例1と比較例5において、Itopはほぼ同じ値となったものの、Ibottomは、比較例5では実施例1に比べて低くなり、その結果Iscも低くなった。これは比較例5では領域BのRMSが大きすぎるため、非晶質シリコンへの光取り込み量が少なかったためと考えられる。さらに比較例4では、実施例と比べてItopおよびIbottomともに実施例よりも低くなった。これは領域AのRMSが小さすぎ、領域BのRMSが大きすぎるため、微結晶シリコンおよび非晶質シリコンのいずれに対しても光取り込み量が少なかったためと考えられる。以上より、本発明における所定のRMSを有する凹凸層を形成することで、多接合型太陽電池の光取り込み効率がさらに向上することがわかった。