"式1の化合物MLnL’m式1式中、前記化合物は式2の部分構造MLnを含有する:式中、使用された記号および添え字には以下が適用される:Mは、金属であり;Yは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、CまたはNであり、但し、各リガンドにおいて正確に1つの記号YはNを表し、その他の2つの記号YはCを表すことを条件とし;Xは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、CRまたはNであり;Rは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、H、D、F、Cl、Br、I、NR12、CN、NO2、OH、COOH、C=ONR12、SiR13、BOR12、C=OR1、P=OR12、S=OR1、S=O2R1、OSO2R1、1~20個のC原子を有する直鎖のアルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または2~20個のC原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基、または3~20個のC原子を有する分枝もしくは環状のアルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基これらの各々は、1以上のラジカルR1により置換されていてもよいここで、1以上の隣接していないCH2基は、R1C=CR1、C≡C、SiR12、C=O、NR1、O、SまたはCONR1により置きかえられていてもよく、1以上のH原子は、D、F、Cl、Br、IまたはCNにより置きかえられていてもよい、または5~60個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系これは、各々の場合に、1以上のラジカルR1により置換されていてもよい、または5~40個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基これは、1以上のラジカルR1により置換されていてもよい、または5から40個の芳香族環原子を有するアラルキルもしくはヘテロアラルキル基これは、1以上のラジカルR1により置換されていてもよい、または10~40個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基これは、1以上のラジカルR1により置換されていてもよいであり;ここで2個の隣接するラジカルRは、互いに、単環または多環式の、脂肪族、芳香族および/またはベンゾ縮合環系を形成していてもよく;R1は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、H、D、F、Cl、Br、I、NR22、CN、NO2、SiR23、BOR22、C=OR2、P=OR22,S=OR2、S=O2R2、OSO2R2、1~20個のC原子を有する直鎖のアルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または2~20個のC原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基、または3~20個のC原子を有する分枝もしくは環状のアルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基これらの各々は、1以上のラジカルR2により置換されていてもよいここで、1以上の隣接していないCH2基は、R2C=CR2、C≡C、SiR22、C=O、NR2、O、SまたはCONR2により置きかえられていてもよく、1以上のH原子は、D、F、Cl、Br、I、CNまたはNO2により置きかえられていてもよい、または5~60個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系これは、各々の場合に、1以上のラジカルR2により置換されていてもよい、または5~40個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基これは、1以上のラジカルR2により置換されていてもよい、または5から40個の芳香族環原子を有するアラルキルもしくはヘテロアラルキル基これは、1以上のラジカルR2により置換されていてもよい、または10~40個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基これは、1以上のラジカルR2により置換されていてもよいであり;ここで2個以上の隣接するラジカルR1は、互いに、単環または多環式の、脂肪族、芳香族および/またはベンゾ縮合環系を形成していてもよく;R2は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、H、D、F、または1~20個のC原子を有する脂肪族、芳香族および/またはヘテロ芳香族の炭化水素ラジカルここで更に、1以上のH原子は、Fにより置きかえられていてもよいであり;ここで2個以上の置換基R2は、互いに、単環または多環式の脂肪族環系を形成していてもよく;L’は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、コリガンドであり;nは、1、2または3であり;mは、0、1、2、3または4であり;ここで複数のリガンドLは、互いに連結されていてもよいし、またはLは、任意の所望の架橋Vを介してL’に連結されることにより三座、四座、五座または六座配位子系を形成していてもよく、および/または置換基Rは、前記金属に更に配位結合されてもよく;以下の化合物は本発明から除外される:Mが、クロム、モリブデン、タングステン、レニウム、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、銀および金からなる群より選択されることを特徴とする請求項1に記載の化合物。リガンドLにおいてすべてのXがCRを表すこと、または正確に1、2、3もしくは4個の基XがNを表し、残りの基XがCRを表すことを特徴とする請求項1または2に記載の化合物。前記式2の部分構造が、式4~33の部分構造から選択されることを特徴とする請求項1~3の何れか1項に記載の化合物式中、使用された記号および添え字は、請求項1に記載される意味を有する。少なくとも一つの基XがNであり、この窒素原子に隣接する少なくとも一つの基Xが、CR3基を表し、ここで、R3は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、1~20個のC原子を有する直鎖のアルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または2~20個のC原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基、または3~20個のC原子を有する分枝もしくは環状のアルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基これらの各々は、1以上のラジカルR1により置換されていてもよいここで、1以上の隣接していないCH2基は、R1C=CR1、C≡C、SiR12、C=O、NR1、O、SまたはCONR1により置きかえられていてもよく、1以上のH原子は、D、F、Cl、Br、IまたはCNにより置きかえられていてもよい、または5~60個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系これは、各々の場合に、1以上のラジカルR1により置換されていてもよい、または5~40個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基これは、1以上のラジカルR1により置換されていてもよい、または5から40個の芳香族環原子を有するアラルキルもしくはヘテロアラルキル基これは、1以上のラジカルR1により置換されていてもよい、または10~40個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基これは、1以上のラジカルR1により置換されていてもよいであり;ここでR3は、隣接するラジカルRと、単環または多環式の、脂肪族、芳香族および/またはベンゾ縮合環系を形成していてもよいことを特徴とする請求項1~3の何れか1項に記載の化合物。式7a~33aおよび8b~32bの構造から選択される請求項1~5の何れか1項に記載の化合物式中、使用された記号および添え字は、請求項1および5に記載される意味を有する。R3が、以下の式R3-1~R3-115の構造から選択され、ここで、各々の場合、リガンドへのこれらの基の連結も示されていることを特徴とする請求項5または6に記載の化合物:式中、Ligは、リガンドへのこの基の連結を示し、芳香族およびヘテロ芳香族基は、それぞれ1以上のラジカルR1により置換されていてもよい。ラジカルRが、出現するごとに同一であるかまたは異なり、H、D、F、Br、I、NR12、CN、SiR13、BOR12、C=OR1、1~10個のC原子を有する直鎖のアルキル基、または2~10個のC原子を有するアルケニル基、または3~10個のC原子を有する分枝もしくは環状のアルキル基これらの各々は、1以上のラジカルR1により置換されていてもよいここで、1以上のH原子は、DまたはFにより置きかえられていてもよい、または5~30個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系これは、各々の場合に、1以上のラジカルR1により置換されていてもよいからなる群より選択され;ここで2個の隣接するラジカルRは、互いに、単環または多環式の、脂肪族、芳香族および/またはベンゾ縮合環系を形成していてもよく;中央の6員環に結合するラジカルRは、好ましくは、互いに芳香族またはベンゾ縮合環系を形成しないことを特徴とする請求項1~7の何れか1項に記載の化合物。金属配位に対してオルト位にある置換基Rが、金属Mに配位結合される基を表し、アリールもしくはヘテロアリール基、アリールもしくはアルキルシアニド、アリールもしくはアルキルイソシアニド、アミン、アミド、アルコール、アルコラート、チオアルコール、チオアルコラート、ホスフィン、ホスフィット、カルボニル官能基、カルボキシレート、カルバミド、またはアリールもしくはアルキルアセチリドから選択されることを特徴とする請求項1~8の何れか1項に記載の化合物。式41~46の金属錯体から選択される請求項1~8の何れか1項に記載の化合物式中、使用された記号は上記の意味を有し、ここで、Vは、第3、第4、第5および/または第6の主族IUPAC第13、14、15または16族に由来する1~80個の原子を含有する架橋ユニットこれは、1以上のラジカルR1により置換されていてもよい、または3~6員のホモもしくはヘテロ環を好ましくは表し、これは、部分リガンドLを互いに共有結合で連結するかまたはLをL’に互いに共有結合で連結する。リガンドL’が、出現するごとに同一であるかまたは異なり、一酸化炭素、一酸化窒素、アルキルシアニド、アリールシアニド、アルキルイソシアニド、アリールイソシアニド、アミン、ホスフィン、ホスフィット、アルシン、スチビン、窒素含有ヘテロ環、カルベン、水素化物、重水素化物、ハロゲン化物F-、Cl-、Br-およびI-、アルキルアセチリド、アリールアセチリド、シアニド、シアナート、イソシアナート、チオシアナート、イソチオシアナート、脂肪族もしくは芳香族アルコラート、脂肪族もしくは芳香族チオアルコラート、アミド、カルボキシレート、アリール基、O2-、S2-、カーバイド、ニトレン、ジアミン、イミン、ジイミン、ジホスフィン、1,3-ジケトナート、3-ケトエステルに由来する3-ケトナート、アミノカルボン酸に由来するカルボキシレート、サリチルイミンに由来するサリチルイミナート、ジアルコラート、ジチオラート、窒素含有ヘテロ環のボラート、および前記金属とともにシクロメタル化5員環もしくは6員環を有するリガンドからなる群より選択されることを特徴とする請求項1~10の何れか1項に記載の化合物。リガンドを、式93の金属アルコラートと、式94の金属ケトケトナートと、式95のハロゲン化金属と、または式96のダイマー金属錯体と反応させることによる、請求項1~11の何れか1項に記載の化合物の調製方法式中、記号M、L’、m、nおよびRは、請求項1に記載される意味を有し、Halは、F、Cl、BrまたはIである。有機エレクトロルミネセンスデバイスOLED、PLED、有機集積回路O-IC、有機電界効果トランジスタO-FET、有機薄膜トランジスタO-TFT、有機発光トランジスタO-LET、有機太陽電池O-SC、有機光学検出器、有機感光体、有機電場消光デバイスO-FQD、発光電気化学セルLECまたは有機レーザーダイオードO-レーザーからなる群より好ましくは選択される電子デバイスにおける、請求項1~11の何れか1項に記載の化合物の使用。有機エレクトロルミネセンスデバイスOLED、PLED、有機集積回路O-IC、有機電界効果トランジスタO-FET、有機薄膜トランジスタO-TFT、有機発光トランジスタO-LET、有機太陽電池O-SC、有機光学検出器、有機感光体、有機電場消光デバイスO-FQD、発光電気化学セルLECまたは有機レーザーダイオードO-レーザーからなる群より好ましくは選択される、請求項1~11の何れか1項に記載の少なくとも1種の化合物を含む電子デバイス。請求項1~11の何れか1項に記載の化合物が、1つ以上の発光層において発光化合物として、好ましくは1種以上のマトリクス材料と組み合わせて、使用されることを特徴とする請求項14に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイス。[実施例]以下の合成は、特に断らなければ、乾燥溶媒中で、保護ガス雰囲気下に行われる。金属錯体は、更に、光を排除して取り扱われる。溶媒および試薬は、Sigma-ALDRICHまたはABCRから購入できる。文献から知られる化合物に対して示された数字は、CAS番号に関する。1リガンドの合成:例1:6-tert-ブチル-5,6b,11-トリアザベンゾ[a]フルオレンL1S.Sharmaら、J.Comb.Chem.2007、9、783に類似の調製500mlのキシレン中、20.9g100mmolの2-イミダゾ[1,2-a]ピリジン-2-イルフェニルアミン[127219-06-1]、42.1g500mmolの2,2-ジメチルプロパナール[630-19-3]、および1.9g10mmolのp-トルエンスルホン酸水和物の混合物を、16時間加熱還流し、その間、生成する水を、共沸蒸留によって除去し、空気の穏やかな流れを溶液中に通す。冷却後、溶媒を真空除去し、残留物を、1000mlの酢酸エチルに溶解し、各回に500mlの水で2回、500mlの飽和塩化ナトリウム溶液で1回洗い、硫酸マグネシウムで乾燥する。エタノールから2回再結晶した後、固体から、低沸点および非揮発性の副次的成分を昇華p:約1×105mbar、T:約180°Cによって除く。収率:9.1g33mmol、33、純度:約99.5NMR。例2:5-tert-ブチルインダゾロ[2,3-a]キノリンL2N.Shindoh、J.Org.Chem.2008、73、7451に類似の調製工程1:2-2-ニトロフェニル-4-tert-ブチルキノリン37.5ml15mmolのビストリフルオロメタンスルホニルアミン[82113-65-3]トルエン中、0.4M溶液を、22.6g100mlのN-[2-ニトロフェニル]メチレン]フェニルアミン[1624-50-6]および10.1g120mmolの3,3-ジメチルブタ-1-エン[558-37-2]の1,2-ジクロロエタン300ml溶液に、室温で、滴下して加え、次に、混合物を、70°Cで4時間撹拌する。室温まで冷却した後、50.0g220mmolの2,3-ジクロロ-5,6-ジシアノ-1,4-ベンゾキノン[84-58-2]を、分割して加え、混合物を、発熱反応が治まるまで、撹拌し、最後に、50°Cで更に1時間温める。冷却後、混合物を1000mlのクロロホルムで希釈し、セライト床を通して濾過し、有機相を、各回に300mlの飽和炭酸水素ナトリウム溶液で2回洗い、硫酸マグネシウムで乾燥し、酸化アルミニウム床酸化アルミニウム、塩基性、活性度1を通して濾過し、溶媒を真空除去し、残留物をエタノールから再結晶する。収率:22.7g74mmol、74、純度:約98NMR。工程2:15.3g50mmolの2-2-ニトロフェニル-4-tert-ブチルキノリンおよび34.1g130mmolのトリフェニルホスフィンのo-ジクロロベンゼン150ml中溶液を、12時間、加熱還流する。冷却後、溶媒を真空除去し、残留物を、酢酸エチルから2回再結晶し、次いで、シリカゲルでのクロマトグラフィーにかけるDCM:ヘプタン3:1、v:v0.2のトリエチルアミン。このようにして得られる固体から、易揮発性および非揮発性の副次的成分を分別昇華p:約1×105mbar、T:約180°Cによって除く。収率:8.8g32mmol、64、純度:約99.5NMR。以下は同様に調製される。例46:6-メシチル-5,6b,11-トリアザベンゾ[a]フルオレンL46例1に類似の調製で、500mmolの2,2-ジメチルプロパナールの代わりに、500mmolの2,4,6-トリメチル-ベンズアルデヒド[487-68-3]を用いる。収率:7.1g21mmol、21、純度:約99.5NMR。以下の化合物は、対応するアルデヒドから同様に調製される。例56:6,9-ジ-tert-ブチル-5,6b,8,11-テトラアザベンゾ[a]フルオレンL5615.1g100mmolの6-tert-ブチルピリミジン-4-イルアミン[3435-27-6]および24.4g100mmolの2-ブロモ-1-2-ニトロフェニルエタノン[6851-99-6]のエタノール300ml中溶液を、8時間、加熱還流する。溶媒を真空除去し、残留物を200mlの水に溶解し、混合物を、2NのNaOHの添加によってアルカリ性にし、水性相を、各回に100mlのジクロロメタンで3回抽出し、有機相を、100mlの飽和塩化ナトリウム溶液で1回洗い、ジクロロメタンを真空除去する。油状の残留物を、500mlのエタノールに溶かし、112.8g500mlの塩化スズII二水和物を加え、混合物を2時間、加熱還流する。冷却後、反応混合物を、1000mlの氷水に注ぎ、混合物を、飽和炭酸水素ナトリウム溶液の添加によって、弱アルカリ性にし、500mlの酢酸エチルを加え、混合物を、短いセライト床を通して濾過し、有機相を分離し、300mlの水で1回、300mlの飽和塩化ナトリウム溶液で1回洗い、次いで、溶媒を真空除去する。このようにして得られる2-7-tert-ブチルイミダゾ[1,2-c]ピリミジン-2-イルフェニルアミンを、例1に記載されたように、42.1g500mmolの2,2-ジメチルプロパナール[630-19-3]および1.9g10mmolのp-トルエンスルホン酸水和物と更に反応させる。収率:9.0g27mmol、27、純度:約99.5NMR。以下の化合物は、同様に、対応するアミンおよびアルデヒドから調製される。例63:5-メチルインダゾロ[2,3-a]キノリンL63工程1:2-4-メチルキノリン-2-イルフェニルアミン塩酸塩22.3g100mmolの2-ブロモ-4-メチルキノリン[64658-04-4]、13.7g120mmolの2-アミノベンゼンボロン酸、1.2g1mmolのテトラキストリフェニルホスフィノパラジウム0、21.2g200mmolの炭酸ナトリウム、500mlのトルエン、100mlのエタノールおよび300mlの水の混合物を、12時間、加熱還流する。冷却後、有機相を分離し、各回に200mlの水で2回洗い、約100mlまで真空蒸発させ、30mlの濃塩酸を激しく撹拌しながら加え、混合物を更に30分間撹拌し、塩酸塩を吸引濾別し、50mlのトルエンで1回洗い、次いで、真空乾燥する。収率:23.5g87mmol、87、純度:約98NMR。次の化合物は、同様に、対応するキノリンおよびアミンから調製される。工程2:5-メチルインダゾロ[2,3-a]キノリンL63蓋のない10lのビーカー内の、1300mlの氷水および1000mlのトルエン中、90.5g332mmolの2-4-メチルキノリン-2-イルフェニルアミン塩酸塩の0°Cに冷却した懸濁液に、9mlの濃塩酸を加え、次いで、24.1g352mmolの亜硝酸ナトリウムの水100ml中溶液を、滴下して加え、その間、温度を5°C未満に保つ。添加が完了したら、混合物を更に20分間撹拌し、次いで、激しく撹拌しながら、24.9g382mmolのアジ化ナトリウムの氷水500ml中溶液を、ゆっくりと流下させ注意:ガスの発生、発泡、次に、混合物を、ガスの発生が完了するまで、更に撹拌する。室温まで温めた後、反応混合物を、飽和炭酸ナトリウム溶液を用い、僅かにアルカリ性にし、有機相を分離し、500mlの水で1回、500mlの飽和塩化ナトリウム溶液で1回洗い、炭酸ナトリウムと硫酸マグネシウムの混合物で乾燥し、乾燥剤を濾別し、濾液を、アルゴンの下で、還流するまでゆっくりと加熱する注意:約80°Cからガスの発生。8時間の還流後、混合物を、放冷し、800gのアルミナ塩基性、活性度1を通して濾過し、2000mlのトルエンで洗い流し、次いで、濾液を、真空で蒸発乾固する。このようにして得られる黄色のオイルを、約300mlのエタノールから2回再結晶する。このようにして得られる固体から、易揮発性および非揮発性の副次的成分を、分別昇華p:約1×105mbar、T:約180°Cによって除く。収率:48.8g210mmol、63、純度:約99.5NMR。次の化合物は、同様に調製される。例86:3,5,8,3’,5’,8’-ヘキサメチル[10,10’]ビ[インダゾロ[2,3]-キノリニル]L8618.7g105mmolのN-ブロモスクシンイミドを、51.9g100mmolのL81のDMF300ml中溶液に、60°Cで、光を排除して、分割して加え、次いで、混合物を更に2時間撹拌する。真空でDMFを除去した後、油状の残留物を、500mlの酢酸エチルに溶解し、各回に300mlの水で5回、500mlの飽和塩化ナトリウム溶液で1回洗う。有機相を、約50mlまで真空蒸発させ、150mlのメタノールを加える。12時間撹拌した後、生成する結晶を、吸引濾別し、50mlのメタノールで洗い、すべてのメタノールが除去されるまで、真空乾燥する。このようにして得られる10-ブロモ-3,5,8-トリメチルインダゾロ[2,3-a]キノリンを、150mlのジメチルアセトアミドと300mlのトルエンの混合物に溶かし、溶液を慎重に脱気し、11.0g200mmolのマンガン粉末、1.3g2mmolのビストリフェニルホスフィノニッケルII塩化物、1.3g8mmolのビピリジンおよび100gのガラスビーズ直径5mmを加え、混合物を70°Cで48時間撹拌する。冷却後、ガラスビーズ、余分なニッケルおよび塩を除去するために、混合物を、短いセライト床を通して濾過し、トルエンで洗い流し、次いで、濾液を真空蒸発させる。油状の残留物を、1000mlのトルエンに溶解し、各回に500mlの水で3回洗い、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥し、約100mlの体積まで真空蒸発させ、300mlのメタノールを滴下して加える。固体を吸引濾別し、トルエン/エタノールから3回再結晶する。このようにして得られる固体から、易揮発性および非揮発性の副次的成分を分別昇華p:約1×105mbar、T:約300°Cによって除く。収率:13.5g26mmol、52、純度:約99.5NMR。例87:10-ベンゾ[h]キノリン-2-イル-3,5,8-トリメチル-インダゾロ[2,3-a]キノリンL8717.0g50mmolの10-ブロモ-3,5,8-トリメチルインダゾロ[2,3-a]キノリン例86、19.8g65mmolの2-4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イルベンゾ[h]キノリン、225mg1mmolの酢酸パラジウムII、1.8g6mmolのトリ-o-トリルホスフィン、10.6g100mmolの炭酸ナトリウム、200mlのトルエン、50mlのジオキサンおよび300mlの水の混合物を16時間、加熱還流する。冷却後、有機相を分離し、300mlの水で2回洗い、硫酸マグネシウムで乾燥し、有機相を真空で蒸発乾固し、残留物を、トルエン/エタノールから再結晶する。このようにして得られる固体から、易揮発性および非揮発性の副次的成分を分別昇華p:約1×105mbar、T:約270°Cによって除く。収率:15.8g36mmol、72、純度:約99.5NMR。次の化合物は、同様に調製される。例90:5-メチル-10a,11-ジアザベンゾ[a]フルオレンL90工程1:4-メチル-2-ピリジン-2-イルナフタレン-1-イルアミン塩酸塩23.6g100mmolの1-アミノ-2-ブロモ-4-メチルナフタレン[180411-16-9]、17.2g140mmolのピリジン-2-ボロン酸[197958-29-5]、1.2g1mmolのテトラキストリフェニルホスフィノパラジウム0、21.2g200mmolの炭酸ナトリウム、500mlのトルエン、100mlのエタノールおよび300mlの水の混合物を、12時間、加熱還流する。冷却後、有機相を分離し、各回に300mlの水で2回洗い、約100mlまで真空蒸発させ、30mlの濃塩酸を、激しく撹拌しながら加え、混合物を、更に30分間撹拌し、塩酸塩を吸引濾別し、50mlのトルエンで1回洗い、次いで、真空乾燥する。収率:22.1g81mmol、81、純度:約98NMR。次の化合物は、同様に、対応するアミンおよびボロン酸から調製される。工程2:5-メチル-10a,11-ジアザベンゾ[a]フルオレンL90例63に類似の調製で、90.5g332mmolの2-4-メチルキノリン-2-イルフェニルアミン塩酸塩の代わりに、90.5g332mmolの4-メチル-2-ピリジン-2-イルナフタレン-1-イルアミン塩酸塩を用いる。収率:53.6g231mmol、70、純度:約99.5NMR。次の化合物は、同様に調製される。2金属錯体の合成1ホモレプチックトリス-フェイシャルイリジウム錯体:変異形A:イリジウム出発材料として、トリスアセチルアセトナトイリジウムIII10mmolのトリスアセチルアセトナトイリジウムIII[15635-87-7]および60mmolのリガンドLの混合物を、真空103mbar中で溶融して、50mlのガラスアンプルに入れる。アンプルを、示された温度で、示された時間、加熱し、その間、溶融混合物を磁気撹拌子の助けで撹拌する。冷却後注意:アンプルは、通常、圧力を受けている、アンプルを開封し、シンターケーキsintercakeを、100mlの示されている懸濁媒体中、100gのガラスビーズ直径3mmと共に3時間撹拌すると同時に、機械的に粉砕する。粒子の細かい懸濁液を、ガラスビーズからデカントして分け、固体を吸引濾別し、真空乾燥する。乾燥固体を、加熱抽出器hotextractor内の10cmの深さを有する酸化アルミニウム床塩基性、活性度1上に置き、次いで、示されている抽出溶媒量は約500mlで抽出する。抽出が完了したら、抽出溶媒を、約100mlまで、真空蒸発する。抽出溶媒に過度に良好な溶解性を有する金属錯体は、200mlのメタノールを滴下して加えることによって、晶析させる。このようにして得られる懸濁液の固体を、吸引濾別し、約50mlのメタノールで1回洗い、乾燥する。乾燥後、金属錯体の純度を、NMRおよび/またはHPLCにより求める。純度が99.5未満である場合、加熱-抽出工程を繰り返し、99.5~99.9の純度が達成された時に、金属錯体を、加熱するまたは昇華させる。この加熱は、200~300°Cの温度範囲で、高真空p:約106mbarで実施する。昇華は、約320~約440°Cの温度範囲で、高真空p:約106mbarで実施し、ここで、昇華は、好ましくは、分別昇華の形で実施する。変異形B:イリジウム出発材料として、トリス2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトイリジウム変異形Aに類似の手順で、10mmolのトリスアセチルアセトナトイリジウムIII[15635-87-7]の代わりに、10mmolのトリス2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトイリジウム[99581-86-9]を用いる。2ヘテロレプチックイリジウム錯体変異形A:工程1:10mmolのビスアセチルアセトナトジクロロイリジウムIII酸ナトリウム[770720-50-8]および24mmolのリガンドLの混合物を、真空103mbar中で溶融して、50mlのガラスアンプルに入れる。アンプルを、示された温度で、示された時間、加熱し、その間、溶融混合物を磁気撹拌子の助けで撹拌する。冷却後注意:アンプルは、通常、圧力を受けている、アンプルを開封し、シンターケーキを、100mlの示されている懸濁媒体中、100gのガラスビーズ直径3mmと共に3時間撹拌すると同時に、機械的に粉砕する。粒子の細かい懸濁液を、ガラスビーズからデカントして分け、固体を吸引濾別し、真空乾燥する。工程2:このようにして得られる式[IrL2Cl]2の未精製クロロ架橋ダイマーを、75mlの2-エトキシエタノールおよび25mlの水の混合物に懸濁させ、13mmolのコリガンドCLおよび15mmolの炭酸ナトリウムを加える。20時間の還流後、更なる75mlの水を、滴下して加え、混合物を冷却し、固体を吸引濾別し、各回に50mlの水で3回、各回に50mlのメタノールで3回洗い、真空乾燥する。乾燥固体を、加熱抽出器内の10cmの深さを有する酸化アルミニウム床塩基性、活性度1上に置き、示されている抽出溶媒量は約500mlで抽出する。抽出が完了したら、抽出溶媒を、約100mlまで真空濃縮する。抽出溶媒に過度に良好な溶解性を有する金属錯体は、200mlのメタノールを滴下して加えることによって、晶析させる。このようにして得られる懸濁液の固体を、吸引濾別し、約50mlのメタノールで1回洗い、乾燥する。乾燥後、金属錯体の純度を、NMRおよび/またはHPLCにより求める。純度が99.5未満である場合、加熱-抽出工程を繰り返す;99.5~99.9の純度が達成された時に、金属錯体を、加熱するまたは昇華させる。この加熱は、200~300°Cの温度範囲で、高真空p:約106mbarで実施する。昇華は、約300~約390°Cの温度範囲で、高真空p:約106mbarで実施し、昇華は、好ましくは、分別昇華の形で実施する。変異形B:工程1:変異形A、工程1を参照工程2:このようにして得られる式[IrL2Cl]2の未精製クロロ架橋ダイマーを、1000mlのジクロロメタンおよび150mlのエタノール中に懸濁させ、懸濁液に、40mmolのトリフルオロメタンスルホン酸銀Iを加え、混合物を室温で24時間撹拌する。析出固体AgClを、短いセライト床を通して吸引濾別し、濾液を真空で蒸発乾固する。このようにして得られる固体を、100mlのエタノールに溶解し、30mmolのコリガンドCLを加え、次いで、混合物を30時間、加熱還流する。冷却後、固体を吸引濾別し、各回に50mlのエタノールで2回洗い、真空乾燥する。このようにして得られる固体を、加熱抽出器内の10cmの深さを有する酸化アルミニウム床酸化アルミニウム、塩基性、活性度1上に置き、次いで、示されている抽出溶媒量は約500mlで抽出する。抽出が完了したら、抽出溶媒を、約100mlまで真空濃縮する。抽出溶媒に過度に良好な溶解性を有する金属錯体は、200mlのメタノールを滴下して加えることによって、晶析させる。このようにして得られる懸濁液の固体は、吸引濾別し、約50mlのメタノールで1回洗い、乾燥する。乾燥後、金属錯体の純度を、NMRおよび/またはHPLCにより求める。純度が99.5未満である場合、加熱-抽出工程を繰り返す;99.5~99.9の純度が達成された時に、金属錯体を、加熱するまたは昇華させる。この加熱は、200~300°Cの温度範囲で、高真空p:約106mbarで実施する。昇華は、約300~約390°Cの温度範囲で、高真空p:約106mbarで実施し、昇華は、好ましくは、分別昇華の形で実施する。3ヘテロレプチック白金錯体30mlのジクロロメタン中、10mmolの塩化白金II、12mmolのリガンドLおよび1mmolのテトラ-n-ブチルアンモニウムクロリドの混合物を、12時間、加熱還流する。100mlのメタノールを滴下して加えた後、細かい固体を、吸引濾別し、各回に25mlのメタノールで2回洗い、真空乾燥する。このようにして得られる式[PtLCl]2の未精製クロロ架橋ダイマーを、60mlの2-エトキシエタノールと20mlの水の混合物に懸濁させ、12mmolのコリガンドCLもしくはコリガンド化合物CL、および12mmolの炭酸ナトリウムを加える。20時間の還流後、更なる100mlの水を滴下して加え、混合物を冷却し、固体を、吸引濾別し、各回に50mlの水で3回、各回に50mlのメタノールで3回洗い、真空乾燥する。このようにして得られる固体を、加熱抽出器内の10cmの深さを有するセライト床上に置き、示されている抽出溶媒量は約500mlで抽出する。抽出が完了したら、抽出溶媒を、約100mlまで真空濃縮する。抽出溶媒に過度に良好な溶解性を有する金属錯体は、200mlのメタノールを滴下して加えることによって、晶析させる。このようにして得られる懸濁液の固体を、吸引濾別し、約50mlのメタノールで1回洗い、乾燥する。乾燥後、金属錯体の純度を、NMRおよび/またはHPLCにより求める。純度が99.5未満である場合、加熱-抽出工程を繰り返す;99.5~99.9の純度が達成された時に、金属錯体を、加熱するまたは昇華させる。この加熱は、200~300°Cの温度範囲で、高真空p:約106mbarで実施する。昇華は、約300~約390°Cの温度範囲で、高真空p:約106mbarで実施し、昇華は、好ましくは、分別昇華の形で実施する。4四座配位子の白金錯体変異形A:100mlの氷酢酸中、10mmolのテトラクロロ白金酸カリウム、10mmolのリガンドL、50mmolの酢酸リチウム無水の混合物を、60時間、加熱還流する。冷却した反応混合物に、100mlのメタノールおよび100mlの水を滴下して加えた後、固体を、吸引濾別し、各回に25mlのメタノールで5回洗い、真空乾燥する。このようにして得られる固体を、加熱抽出器内の3cmの深さを有するセライト床上に置き、次いで、示されている抽出溶媒量は約300mlで抽出する。抽出が完了したら、抽出溶媒を、約100mlまで真空濃縮する。抽出溶媒に過度に良好な溶解性を有する金属錯体は、200mlのメタノールを滴下して加えることによって、晶析させる。このようにして得られる懸濁液の固体を、吸引濾別し、約50mlのメタノールで1回洗い、乾燥する。乾燥後、金属錯体の純度を、NMRおよび/またはHPLCにより求める。純度が99.5未満である場合、加熱-抽出工程を繰り返す;99.5~99.9の純度が達成された時に、Pt錯体を昇華させる。昇華は、約350~約420°Cの温度範囲で、高真空p:約106mbarで実施し、昇華は、好ましくは、分別昇華の形で実施する。変異形B:50mlのベンゾニトリル中、10mmolの塩化白金IIおよび10mmolのリガンドLの混合物を、24時間、加熱還流する。冷却した反応混合物に、100mlのメタノールを滴下して加えた後、固体を、吸引濾別し、各回に25mlのメタノールで5回洗い、真空乾燥する。処理の残りの部分は、変異形Aの場合に記載の通りである。例24:OLEDの製造本発明によるOLEDおよび先行技術に従うOLEDを、WO2004/058911による一般的方法により、ここに記載の状況に適応させて層厚の変化、使用される材料、製造する。様々なOLEDについての結果は、下の例25~42表1および2を参照に記載されている。構造化されたITO酸化インジウムスズにより150nmの厚さでコーティングされたガラス板を、加工性の改善のために、20nmのPEDOTポリ3,4-エチレンジオキシ-2,5-チオフェン、水からのスピンコーティングにより塗布する;H.C.StarckGoslar、ドイツから購入でコーティングする。これらのコーティングされたガラス板は、OLEDが付けられる基板を成す。OLEDは、基本的に、次の層構造を有する:基板/任意選択のホール注入層HIL/ホール輸送層HTL/電子ブロッキング層EBL/発光層EML/任意選択のホールブロッキング層HBL/電子輸送層ETL/任意選択の電子注入層EILおよび最後に、カソード。カソードは、100nmの厚さを有するアルミニウム層によって形成される。最初に、真空で処理されるOLEDを記載する。この目的では、すべての材料は、真空チャンバ内で、熱蒸着により付着させる。この場合、発光層は、常に、少なくとも1種のマトリクス材料ホスト材料および発光ドーパントエミッターからなり、発光ドーパントは、同時蒸発によって、1種以上のマトリクス材料と特定の体積比率で混合される。ここで、表現、たとえば、M3:M2:IrL1355:35:10は、材料M3が55体積の比率で層に存在し、M2が35の比率で層に存在し、またIrL13が10の比率で層に存在することを意味する。同様に、電子輸送層もまた、2種の材料の混合物からなっていてもよい。OLEDの正確な構造は、表1に示されている。OLEDを製造するために使用された材料は、表3に示されている。OLEDは、標準的な方法によって特徴付けられる。この目的のために、エレクトロルミネセンススペクトル、電流効率cd/Aとして測定および電圧1000cd/m2でのVとして測定を、電流/電圧/輝度特性線IUL特性線から求める。選ばれた実験で、寿命を求めた。寿命は、その時点の後では、光束密度luminousdensityが、一定の初期光束密度から、一定の割合まで低下してしまう時点として定義される。LD50という表現は、記載された寿命が、光束密度が初期光束密度の50まで、すなわち、たとえば、4000cd/m2から2000cd/m2まで低下した時点であることを意味する。発光色に応じて、様々な初期輝度を選択した。寿命の値は、当業者に知られている変換式の助けで、他の初期光束密度での数値に変換できる。ここでは、1000cd/m2の初期光束密度での寿命が、通常の数値である。リン光OLEDにおけるエミッター材料としての本発明による化合物の使用本発明による化合物は、とりわけ、OLEDにおける発光層のリン光エミッター材料として使用することができる。ここでは、中心原子IrおよびPtを有する金属錯体を使用する。化合物Ir-refが、先行技術に従う比較として用いられる。OLEDに対する結果は、表2に要約されている。前記処理によるOLEDの場合、ここで、本発明による材料により、効率のよい黄色-~赤色-発光OLEDが得られることが明らかである。特に、寿命は、基準referenceエミッターEx.43に比べて、著しく向上する。本発明による材料は、また、溶液からも使用でき、この場合、それらから、真空で処理されるOLEDに比べて、より単純であるにもかかわらず良好な特性を有するOLEDが得られる。このようなコンポーネントの製造は、ポリマー発光ダイオードPLEDの製造に基づいており、これは、すでに、文献たとえば、WO2004/037887においてに何度も記載されている。その構造は、基板/ITO/PEDOT80nm/中間層/発光層80nm/カソードからなる。使用される中間層は、ホール注入層としての役目を果たす;この場合には、MerckによるHIL-012が用いられた。今の場合、発光層のための本発明によるエミッターを、トルエンに、マトリクスと共に溶かす。このような溶液の典型的な固体含有量は、ここでの場合のように、デバイスでの80nmの典型的な層の厚さがスピンコーティングにより達成される場合、16乃至25g/lである。発光層は、不活性ガス雰囲気今の場合、アルゴン中で、スピンコーティングにより塗布し、120°Cで10分間加熱することにより乾燥する。最後に、バリウムおよびアルミニウムを含むカソードを、真空蒸着によって付着させる。前に挙げた例において使用された層HBLおよびETLも、また、EMLとカソードの間に、蒸着によって付けることができ、中間層は、また、1つ以上の層によって置きかえることができ、これらは、単に、溶液からEMLを付着させる後の処理工程によって、再び剥がれることがないという条件を満たさなければならないだけである。溶液処理によるデバイスは、また、マトリクスPSポリスチレン:ETM1:IrLX326:54:20における標準的な方法によって特徴付けられる。記載のOLEDの例は、まだ最適化されていない。表4は、得られたデータを要約する。この処理によるOLEDの場合、本発明による材料により、効率のよい黄色-~オレンジ色/赤色-発光OLEDが得られることが明らかである。"