"磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、酸性条件の下、研磨液を、循環経路を通して循環させながら研磨装置に供給して研磨パッドを用いてガラス素板の主表面の研磨を行う工程と、前記研磨を行う期間中、前記循環経路を流れる前記研磨液に対して、前記循環経路に設けられた殺菌処理部を通過させて殺菌処理をする工程と、を有することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。前記研磨液は、有機物添加剤を含む、請求項1に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。前記有機物添加剤は、前記研磨液のpHを一定に維持するための緩衝液を含む、請求項2に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。前記研磨後の算術平均粗さRaが0.15nm以下である、請求項1~3のいずれか1項に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。前記殺菌処理部は、前記循環経路中の前記研磨液に紫外線を照射することにより行う殺菌処理、あるいは前記循環経路中に設けられる光触媒に光を照射することで行う殺菌処理を行う、請求項1~4のいずれか1項に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。さらに、前記研磨終了後、別のガラス素板の主表面の研磨を行う前に、前記循環経路の経路表面の殺菌処理を行う工程を有する、請求項1~5のいずれか1項に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。前記循環経路の殺菌処理は、前記循環経路に活性酸素を含む溶液を流す処理を含む、請求項6に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。請求項1~7のいずれか1項に記載の製造方法により製造された磁気ディスク用ガラス基板の前記主表面に、少なくとも磁性層を成膜することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。しかし、このような研磨装置を用いて表面精度の高い研磨を行ったガラス基板を用いて磁気ディスクを作製しても、ガラス主表面の表面凹凸は十分に改善されず、ガラス基板上に磁性膜等が必ずしも一様に形成されず、磁性膜が局部的に薄くなった部分あるいは全く形成されない部分、すなわち、膜抜けが生じるおそれがあることがわかった。また、研磨中、研磨の加工レートが低下する場合があった。また、上述した防錆剤及び防腐剤等を含有した研磨用組成物を用いた場合、スラリーが部分的にゲル化し、このゲル化によってガラス表面に傷が発生し易くなり、表面粗さが十分確保できない場合があった。このような問題は、従来に比べてより厳しいガラス表面の凹凸が課せられた高密度な磁気記録可能な磁気ディスク用ガラス基板を効率よく作製する上で好ましくない。そこで、本発明は、上記問題点を解決するために、膜抜け等の発生の原因となり易いガラス基板の欠陥や表面粗さ等の表面凹凸を小さくすることができ、効率よく作製することができる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスク用ガラス基板を提供することを目的とする。本願発明者らは、膜抜けの不具合の原因となるガラス基板の表面凹凸について鋭意検討したところ、作製されるガラス基板に、研磨中に有機物からなる薄膜が付着して、ガラス表面に微小凹凸が形成されることを知見した。さらに、この微小凹凸を形成する薄膜は、研磨中の研磨液中に発生するカビやバクテリアの有機物からなる層であることを知見した。そこで、本願発明者らは、以下の発明に至っている。本発明の一態様は、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法である。当該製造方法は、酸性条件の下、研磨液を、循環経路を通して循環させながら研磨装置に供給して研磨パッドを用いてガラス素板の主表面の研磨を行う工程と、前記研磨を行う期間中、前記循環経路を流れる前記研磨液に対して、前記循環経路に設けられた殺菌処理部を通過させて殺菌処理をする工程と、を有する。また、本発明の別の一態様は、前記磁気ディスク用ガラス基板の製造方法により製造された磁気ディスク用ガラス基板の前記主表面に、少なくとも磁性層が形成されたことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板である。上述の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスク用ガラス基板によれば、膜抜け等の発生の原因となり易いガラス基板の表面凹凸を小さくすることができる。以下、本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法および磁気ディスク用ガラス基板について詳細に説明する。図1a~は、本実施形態で作製される磁気ディスク用ガラス基板以降、単にガラス基板というを用いて作製される磁気ディスクを説明する図である。磁気ディスクおよび磁気ディスク用ガラス基板図1aに示す、ハードディスク装置に用いる磁気ディスク1は、円環状のガラス基板2の主表面に、図1bに示すように少なくとも磁性層垂直磁気記録層等を含む層3A,3Bが形成されている。より具体的には、層3A,3Bには、例えばガラス基板2の主表面上に、主表面に近いほうから順に、少なくとも付着層、下地層、磁性層磁気記録層、保護層、潤滑層が積層された構成になっている。例えばガラス基板2を、真空引きを行った成膜装置内に導入し、DCマグネトロンスパッタリング法にてAr雰囲気中で、ガラス基板の主表面上に付着層から磁性層まで順次成膜する。さらに、例えばCrTi、下地層としては例えばCrRuを用いることができる。磁性層として、例えばCoTaZr/Ru/CoTaZrの軟磁性層、CoCrSiO2の非磁性グラニュラー下地層、CoCrPt-SiO2TiO2のグラニュラー磁性層等が形成される。上記成膜後、例えばCVD法によりC2H4を用いて保護層を成膜し、同一チャンバ内で、表面に窒素を導入する窒化処理を行うことにより、磁気記録媒体を形成することができる。その後、例えばPFPEポリフルオロポリエーテルをディップコート法により保護層上に塗布することにより、潤滑層が形成される。磁気ディスク1は、図1cに示すように、ハードディスク装置の磁気ヘッド4A,4Bのそれぞれが、磁気ディスク1の高速回転、例えば7200rpmの回転に伴って磁気ディスク1の表面から10nm以下、例えば5nm浮上する。すなわち、図1c中の距離Hが10nm以下、例えば5nmである。この状態で、磁気ヘッド4A,4Bは、磁性層に情報を記録し、あるいは読み出しを行う。この磁気ヘッド4A,4Bの浮上によって、磁気ヘッド4A,4Bは、磁気ディスク1に対して摺動することなく、しかも近距離で磁性層に対して記録あるいは読み出しを行うので、磁気記録情報エリアの微細化と磁気記録の高密度化を実現する。このとき、磁気ディスク1のガラス基板2の中央部から外周エッジ部5まで、目標とする表面精度で正確に加工され、距離Hを10nm以下に保った状態で磁気ヘッド4A,4Bを正確に動作させることができる。このような磁気ディスク1に用いるガラス基板2は、後述する工程を経て得られるが、ガラス基板2の主表面の算術平均粗さRaJISB0601:2001は0.15nm以下、例えば0.03~0.15nmであることが、距離Hを10nm以下に保って磁気ヘッド4A,4Bを正確に動作させる上で好ましい。なお、算術平均粗さRaは、ガラス基板2の表面の1μm×1μmの計測エリアを、原子間力顕微鏡を用いて256点×256点の計測を行うことにより得られる値である。本実施形態における磁気ディスクに用いるガラス基板2の材料として、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラス、アルカリアルミノシリケートガラス、アルカリボロシリケートガラスなどを用いることができる。特に、化学強化を施すことができ、また主表面の平坦度及びガラス基板の強度において優れた磁気ディスク用ガラス基板を作製することができるという点で、アルカリアルミノシリケートガラスを好適に用いることができる。本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の組成は限定するものではないが、本実施形態のガラス基板2は好ましくは、酸化物基準に換算し、モル表示で、SiO2:50~75、Al2O3:1~20、LiO2、Na2O及びK2Oから選択される少なくとも1種の成分:合計で12~35、MgO、CaO、SrO、BaO及びZnOから選択される少なくとも1種の成分:合計で0~20、ZrO2、TiO2、La2O3、Y2O3、Ta2O5、Nb2O5及びHfO2から選択される少なくとも1種の成分:合計で0~10、を有する組成からなるアルミノシリケートガラスである。なお、アモルファスのアルミノシリケートガラスであることが好ましい。また、ガラス基板2は、円環状の薄板のガラス基板である。ガラス基板2のサイズは限定されないが、例えば、公称直径2.5インチの磁気ディスク用ガラス基板に好適である。以下、ガラス基板2の製造工程について説明する。ただし、以下説明する各工程の順番は適宜入れ替えてもよい。1ガラスブランクの成形板状のガラスブランクの成形では、例えばフロート法が用いられる。板状ガラスの成形工程では先ず、錫などの溶融金属の満たされた浴槽内に、溶融ガラスを連続的に流し入れることで例えば上述した組成の板状ガラスを得る。溶融ガラスは厳密な温度操作が施された浴槽内で進行方向に沿って流れ、最終的に所望の厚さ、幅に調整された板状ガラスが形成される。この板状ガラスから、磁気ディスク用ガラス基板の元となる所定形状の板状のガラスブランクが切り出される。浴槽内の溶融錫の表面は水平であるために、フロート法により得られる板状のガラスブランクは、その表面の平坦度が十分に高いものとなる。また、板状のガラスブランクの成形は、フロート法の他に、例えばプレス成形法を用いることもできる。プレス成形による板状のガラスブランクの成形では、受けゴブ形成型である下型上に、溶融ガラスからなるガラスゴブガラス塊が供給され、下型と対向するゴブ形成型である上型を使用してガラスゴブがプレス成形される。これにより、磁気ディスク用ガラス基板の元となる円板状のガラスブランクが作製される。なお、板状のガラスブランクは、上述した方法に限らず、ダウンドロー法、リドロー法、フュージョン法などの公知の製造方法を用いて製造することができる。フロート法やダウンドロー法、リドロー法、フュージョン法などの公知の製造方法で作られた板状ガラスから、磁気ディスク用ガラス基板の元となる円板状のガラスブランクが切り出される。2ラッピング工程次に、円板状に切り出されたガラスブランクが磁気ディスク用ガラス基板のガラス素板として用いられ、このガラス素板の両主表面に対して、必要に応じて、アルミナ系遊離砥粒を用いたラッピング加工を行う。具体的には、ガラス素板の両面に上下からラップ定盤を押圧させ、上記遊離砥粒を含む研削液をガラス素板の主表面上に供給し、これらを相対的に移動させてラッピング加工を行う。なお、フロート法でガラスブランクを成形した場合には、主表面は高い表面精度で作製されるため、このラッピング加工を省略してもよい。以下の工程については、プレス法で作製された円板状のガラスブランクをガラス素板として用いた場合について記載する。3コアリング工程円筒状のダイヤモンドドリルを用いて、円板状のガラス素板の中心部に内孔を形成し、円環状で板状のガラス素板をつくる。4チャンファリング工程コアリング工程の後、円板状のガラス素板の端部外周端面及び内周端面に面取り面を形成するチャンファリング工程が行われる。チャンファリング工程では、コアリング工程によって円環状に加工されたガラス素板の外周面および内周面に対して、例えば、ダイヤモンド砥粒を用いたメタルボンド砥石等によって面取りが施される。ガラス素板の端部には、面取りされなかった主表面に垂直な側壁面と、面取りされた面取り面とを有するが、以降では、側壁面及び面取り面を纏めて端面という。5端面研磨工程機械加工工程次に、円環状のガラス素板の端面研磨エッジポリッシングが行われる。端面研磨では、円環状のガラス素板の内周端面及び外周端面をブラシ研磨により鏡面仕上げを行う。このとき、スペーサをガラス素板間に挟んで積層した複数のガラス素板を、研磨ブラシを用いて同時に研磨する。さらに、研磨に用いる研磨液は、酸化セリウム等の微粒子を遊離砥粒として含む。端面研磨を行うことにより、ガラス素板の端面での塵等が付着した汚染、ダメージあるいはキズ等の損傷の除去を行うことにより、サーマルアスペリティの発生の防止や、NaやK等のコロージョンの原因となるイオン析出の発生を防止することができる。6固定砥粒による研削工程固定砥粒による研削工程では、研削装置を用いて円環状で板状のガラス素板の両側の主表面に対して研削加工を行う。研削装置は、上下一対の定盤上定盤および下定盤を有しており、上定盤および下定盤の間に円環状のガラス素板が狭持される。そして、上定盤または下定盤のいずれか一方、または、双方を移動操作することにより、円環状のガラス素板と各定盤とを相対的に移動させることで、このガラス素板の両主表面を研削することができる。2のラッピング及び6の固定砥粒による研削による取り代ラッピング量研削量は、ラッピング、研削、及び後述する研磨を含めた取り代ラッピング量研削量研磨量を約0.1mmとする場合、約80~90μmである。また、2のラッピング及び6の固定砥粒による研削による上記取り代は、ラッピング、研削、及び後述する研磨を含めた取り代を約0.05mmとする場合、約30~40μmである。7第1研磨主表面研磨工程次に、円環状のガラス素板の主表面に第1研磨が施される。第1研磨による取り代は、例えばラッピング、研削、及び第1研磨及び後述する第2研磨を含めた取り代を約0.1mmとする場合、例えば約10~20μm程度であり、上記取り代を約0.05mmとする場合、例えば約5~10μm程度である。第1研磨は、上記研削により主表面に残留したキズ、歪みの除去、うねり、微小うねりの調整を目的とする。第1研磨の研磨剤として、例えば、粒子サイズ直径が略0.5~2.0μmの酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン等の遊離砥粒が好適に用いられる。研磨パッドとして、ウレタン製研磨パッドが用いられる。8化学強化工程次に、第1研磨後の円環状のガラス素板は化学強化される。化学強化液として、例えば硝酸カリウム60重量と硝酸ナトリウム40重量の混合液等を用いることができる。化学強化では、化学強化液が、例えば300°C~500°Cに加熱され、洗浄したガラス素板が、例えば200°C~300°Cに予熱された後、円環状のガラス素板が化学強化液中に、例えば1時間~4時間浸漬される。この浸漬の際には、円環状のガラス素板の両主表面全体が化学強化されるように、複数の円環状のガラス素板の端部を保持してガラス素板を収納状態にするかごホルダを用いて行うことが好ましい。このように、ガラス素板を化学強化液に浸漬することによって、ガラス素板の表層にあるLiイオン及びNaイオンが、化学強化液中のイオン半径が相対的に大きいNaイオン及びKイオンにそれぞれ置換され、ガラス素板の表面に圧縮層を形成して強化される。なお、化学強化処理された円環状のガラス素板は洗浄される。例えば、硫酸で洗浄された後に、純水等で洗浄される。9第2研磨最終研磨工程次に、化学強化されて十分に洗浄されたガラス素板に酸性条件下、第2研磨が施される。第2研磨による取り代は、例えば約1~2μm程度である。第2研磨は、主表面の鏡面研磨を目的とする。第2研磨では例えば、第1研磨と同様の構成の研磨装置を用いる。このとき、第1研磨と異なる点は、遊離砥粒の種類及び粒子サイズが異なることと、研磨パッドの硬度が異なることである。研磨パッドは、発泡ウレタン等のウレタン製研磨パッド、スエードパッド等が用いられる。第2研磨に用いる遊離砥粒として、例えば、研磨液に混濁させたシリカからなるコロイダルシリカ等の微粒子粒子サイズ:直径10~50nm程度が用いられる。この微粒子は第1研磨で用いる遊離砥粒に比べて細かい。コロイダルシリカ等の微粒子が混濁した研磨液以降、スラリーともいうには、シリカからなるコロイダルシリカが例えば0.1~40質量、好ましくは、3質量~30質量含むことが、研磨の加工効率を確保し、表面粗さを高める点で好ましい。研磨装置を用いて行う第2研磨についての説明は後述する。研磨されたガラス素板は洗浄される。洗浄では、中性洗浄液あるいはアルカリ性洗浄液を用いた洗浄であることが、洗浄によってガラス表面に傷等の欠陥を形成せず、さらに表面粗さを粗くさせない点で好ましい。これにより、主表面の算術平均粗さRaを0.15nm以下、例えば0.03~0.15nmとすることができる。中性洗浄液の他に、純水、酸酸性洗浄液、IPAイソプロピルアルコール等を用いた複数の洗浄処理を施すこともできる。研磨されたガラス素板には、少なくとも酸性洗浄液による洗浄とアルカリ性洗浄液による洗浄を併用しないことが好ましい。こうして、ガラス素板を洗浄することにより、磁気ディスク用ガラス基板2が作製される。第2研磨工程に用いる研磨装置第2研磨工程で使用される研磨装置について、図2a,bを参照して説明する。図2aは、第2研磨工程で使用される研磨装置10の概略断面図である。図2bは、図2a中のX-X線に沿った断面図である。なお、上述した研削工程に使用される研削装置及び第1研磨工程に使用される研磨装置においても、この研磨装置と同様の構成とすることができる。研磨装置10は、遊星歯車運動式のガラス素板の両主表面を研磨する加工装置である。研磨装置10は、研磨装置本体部Aとスラリー循環装置Bとを有する。研磨装置本体部Aは、ポリッシャとして研磨パッド11、保持板13a、14a、研磨定盤である上下定盤上定盤13、下定盤14、キャリア15、太陽ギア16、インターナルギア17を有している。複数の研磨パッド11は、例えば軟質発泡ウレタンで形成されている。研磨パッド11を保持する保持板13a、14aは上定盤13及び下定盤14の対向した面に取り付けられている。上定盤13と下定盤14とは互いに反対方向に回転するようになっている。太陽ギア16とインターナルギア17は上定盤13と下定盤14との間に配置されており、太陽ギア16とインターナルギア17の間に複数のキャリア15が配置されている。図2bでは、5つのキャリア15が設けられているが、この数に限定されない。キャリア15は、複数のガラス素板を保持している。図2bでは、1つのキャリア15に4つのガラス素板が設けられるが、この数に限定されない。キャリア15の外周には太陽ギア16とインターナルギア17とに噛み合う歯車が形成されている。上下定盤13,14の回転と共に太陽ギア16とインターナルギア17が回転することにより、キャリア15が自転及び公転遊星歯車運動するようになっている。上記構成の研磨装置10において、研磨パッド11が貼り付けられた上下定盤13,14の間にキャリア15により保持したガラス素板12を密着させ、このキャリア15を太陽ギア16とインターナルギア17とに噛合させ、ガラス素板12を上下定盤13,14によって挟圧する。その後、研磨パッド11とガラス素板12の研磨面との間に研磨剤を含んだ研磨液を供給して回転させることによって、ガラス素板12が上下定盤13,14上で自転しながら公転遊星歯車運動して両面を同時に鏡面研磨加工する。図2aに示されるスラリー循環装置Bは、送液管22供給経路、排液管23排出経路、送液溝24、排液受け25、送液ポンプ26、スラリータンク27、殺菌処理部30及び光源32を備えている。送液管22から供給された研磨液は送液溝24を通して、研磨パッド11とガラス素板12との間に必要十分に供給される。送液管22の末端にフィルタ28が備えられ、排液管23の末端にフィルタ29が備えられ、研磨中に発生する塵埃を除去するようになっている。送液管22、殺菌処理部30、送液溝24、排液受け25、排液管23、スラリータンク27、送液ポンプ26、フィルタ28,29、殺菌処理部30は、スラリーの循環経路を形成する。送液ポンプ26からスラリータンク27にいたる一連の循環経路により、スラリーが循環されて使用される。スラリーとして、酸性条件下、遊離砥粒を含み、例えば粒径を略一定に揃えることができるコロイダルシリカを含む。本実施形態では、コロイダルシリカを用いるがこれに制限されない。例えば、フェームドシリカ等を用いることもできる。送液管22は、一端を送液ポンプ26に取り付けられ、他端を送液溝24に取り付けられている。送液溝24は上定盤13の上部に取り付けられており、上定盤13に穿孔された複数の孔を通して、スラリーを研磨装置10上定盤13と下定盤14の間に供給する。送液管22の途中には、送液管22の流路幅が広がり、流路奥行きが浅くなった管路で構成された殺菌処理部30が設けられている。殺菌処理部30の管路は、透明性を有するガラス、石英等で構成されている。光源32は、殺菌処理部30を通過するスラリーに紫外線を流路幅一杯に照射する。これにより、第2研磨を行う期間中、循環経路を流れるスラリーに対して、循環経路に設けられた殺菌処理部30を通過させて殺菌処理をすることができる。排液管23は、一端を排液受け25に取り付けられ、他端をスラリータンク27に取り付けられている。排液受け25は下定盤14から排出されたスラリーを受けるためのものであり、その底に穿孔された複数の孔を通して排液管23に連結されている。これにより、上下定盤13,14で使用されて排液受け25に排出されたスラリーが排液管23内に流れ込み、スラリータンク27に貯えられる。スラリータンク27は、排液管23から排出されたスラリーを一時的に貯える容器である。送液ポンプ26は、スラリータンク27内のスラリーを吸い上げて、送液管22、送液溝24を介して再び上定盤13に供給する。フィルタ28は、送液管22と送液溝24の間に設けられており、スラリーに混入している塵埃を濾過してからスラリーを研磨装置10に導入する。フィルタ29は、排液管23とスラリータンク27の間に設けられており、排出されたスラリーに混入している塵埃を濾過してスラリーをスラリータンク27に導入する。上述した第2研磨工程を行う研磨装置10は、酸性条件の下、研磨液スラリーを、循環経路を通して循環させながら研磨装置10に供給して研磨パッド11を用いてガラス素板12の主表面の研磨を行うとともに、この研磨の期間中、循環経路を流れる研磨液スラリーに対して、循環経路に設けられた殺菌処理部30を通過させて殺菌処理をする。なお、研磨装置10は、複数のガラス素板12を各キャリア15にセットし、これを1バッチとして第2研磨鏡面研磨を行うことを繰り返し行う。複数回のバッチの第2研磨の終了後、研磨液スラリーは新しいスラリーに交換される。第2研磨で用いるスラリーは、交換することなく研磨に連続して用いると研磨剤等の特性の劣化により、研磨の加工レートや加工精度が低下する。このため、第2研磨に用いるスラリーは、所定回数のバッチの研磨が終了すると交換される。この交換の際に、上記アルカリ溶液を流して、カビやバクテリアの発生を抑制するために循環経路を洗浄、さらには殺菌処理を施してもよい。第2研磨を酸性条件下で行うのは、酸性条件下では、ガラス素板12中のNa,K,Li等のアルカリ金属のイオン成分が溶出し易く、研磨の加工レートを高くすることができるからである。酸性条件は、例えば硫酸水溶液を用いて調整される。酸性条件はpH水素イオン濃度指数で例えば2~6程度であることが好ましい。第2研磨を、スラリーを循環させながら行うのは、スラリー中の研磨剤が、1バッチの研磨中あるいは各バッチ間で急激に変化してガラス素板12の研磨状態が急激に変化することを防止するためである。研磨中、スラリーに塵埃が発生する場合もあるが、フィルタ28,29によって塵埃を排除することができる。このように、第2研磨を行う期間中、循環経路を流れるスラリーに殺菌処理を施すのは、第2研磨によってガラス素板12に局部的に有機物の薄膜が形成されることを防止するためである。第2研磨ではスラリーを循環させながら用いるので、上記殺菌処理をしなければ、その研磨期間に、酸性条件下のスラリー中にカビやバクテリアが発生し易くなる。スラリー中にカビやバクテリアが発生し易くなるのは、スラリーの酸性条件、すなわちpHによって研磨による加工レートが大きく変動することを防止する点から、スラリーに、例えばクエン酸や酒石酸等のカビやバクテリアが発生しやすい有機物系の緩衝液を添加剤として含ませているからである。スラリー中にカビやバクテリアが発生し増大すると、カビやバクテリアの成分またはその残骸の成分がスラリーとともに循環し、ガラス素板12の一部にカビやバクテリアの成分またはその残骸成分が有機物の薄膜として付着する可能性がある。このようにスラリーに添加する緩衝液はカビやバクテリアを発生させ易いため、本実施形態では、カビやバクテリアが発生しないように、第2研磨を行う期間中、循環経路を流れるスラリーに対して、殺菌処理部30を通過させることにより殺菌処理を施す。実際、カビやバクテリアが発生し増大すると、スラリー中に黒い物質が斑点状に見られる。また、循環経路を流れるスラリーを殺菌処理するので、送液管22やフィルタ28,29がカビやバクテリアによって目詰まりするのを防止することができる。この結果、常にガラス素板12の主表面に適切な量のスラリーが供給されるので、第2研磨の加工レートの変化を抑制することができ、ガラス素板12を目標通りの表面粗さに安定的に加工することができる。第2研磨では、上記殺菌処理が行われなければ、カビやバクテリアに起因する有機物の薄膜が局部的にガラス素板12の主表面に付着して凸状の欠陥を発生させる場合がある。この凸状の欠陥が洗浄によっても除去されない場合、この欠陥を覆うように磁性層3A,3B図1b参照が形成されるので、上記欠陥を覆う磁性層3A,3Bも局所的に凸部となる。一方、形成された磁性層3A,3Bの表面のレベルを揃えて、磁気ヘッド4A,4Bを安定して浮上させ、しかも、図1c中の距離Hを10nm以下とするために、磁性層3A,3Bの突出部を切削除去するバーニッシングが施される。バーニッシングでは、カビやバクテリアに起因する上記薄膜によって生じる磁性層3A,3Bの凸部も除去されるので、磁性層3A,3Bが局部的に薄くなり、あるいは完全に除去される。これが、上述した膜抜けの不具合である。したがって、本実施形態では、このようなカビやバクテリアに起因する薄膜によって膜抜けの不具合が発生しないように、第2研磨を行う期間中、循環経路を流れるスラリーに対して殺菌処理を施す。これにより、本実施形態は、膜抜け等の発生の原因となり易いガラス基板の表面凹凸を小さくすることができる。本実施形態では、送液管22の途中に殺菌処理部30及び光源32を設けるが、殺菌処理部30及び光源32を設ける場所は特に制限されない。例えば、排液管23の途中に殺菌処理部30及び光源32を設けてもよく、スラリータンク27に殺菌処理部30及び光源32を設けることもできる。このように、カビやバクテリアに起因する薄膜が問題となるのは、磁気ディスクの高精細な要求特性、すなわちガラス基板2の主表面の算術平均粗さRaを0.15nm以下にする程度に表面粗さを極めて小さくするからである。本実施形態では、スラリーに紫外線を照射することで、カビやバクテリアの発生を抑制するが、殺菌処理部30のスラリーの流路中に光触媒、例えばTiO2微粒子を多数配置し、この微粒子の隙間をスラリーに通過させ、かつこの光触媒に光を照射するように構成してもよい。これにより、光触媒による強い酸化還元作用が発生し、光触媒の微粒子の隙間を通過するスラリーを殺菌処理することができる。殺菌処理として、紫外線を用いた殺菌処理や光触媒を用いた殺菌処理の他に、レーザ光を照射してカビやバクテリアの細胞を直接破壊する殺菌処理も可能である。さらに、第2研磨の終了後、別のガラス素板の主表面の研磨を行う前に、循環経路の経路表面の殺菌処理を行うことが、カビやバクテリアの発生を抑制する点で好ましい。例えば、循環経路の殺菌処理として、循環経路に活性酸素を含む溶液、例えば過酸化水素水を流す処理を行うことができる。また、上述したように、第2研磨後において行うガラス表面の仕上げ洗浄は、中性洗浄液あるいはアルカリ性洗浄液を用いた洗浄であり、アルカリ洗浄液を用いたアルカリ洗浄と酸性洗浄液を用いた酸性洗浄を併用しないことが好ましい。酸性洗浄では、ガラス基板2の表面に含まれるK,Li等がイオンとして溶出し易くリーチングし易く、一方、アルカリ洗浄では、ガラス基板2のガラス主成分として含まれるSiが溶出し易いエッチングし易い。このため、中性洗浄液あるいはアルカリ性洗浄液を用いた洗浄を行うことで、洗浄によって表面粗さが大きくなること、例えばガラス基板2の主表面の算術平均粗さRaが0.15nmより大きくなることを防止することができる。なお、第2研磨において用いるスラリーには、スラリーのpHを一定に維持するための緩衝液として用いるクエン酸や酒石酸等の有機物添加剤の他に、他の有機物添加剤を含ませることもできる。例えば、研磨パッド11とガラス素板12の主表面との間の摩擦係数を調整するためのグリセリンや、150°C以上の沸点を有する高沸点溶媒、例えば、ヒドロキシル基、カルボニル基、エーテル結合、あるいはエステル結合のいずれかを含む溶媒、例えば1-ヘキサノール、1-ヘプタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン等を有機物添加剤として含ませることもできる。以上、本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法および磁気ディスク用ガラス基板について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。"