"集積化されたヒータにより回折格子の温度を調整して出射光の波長を選択可能な波長可変半導体レーザ装置に波長変調を与える半導体レーザ駆動制御回路であって、前記半導体レーザ装置から出射され波長フィルタを透過した光の強度の時間平均値である第1の時間平均値を、前記半導体レーザ装置から出射された光の強度の時間平均値である第2の時間平均値により規格化した第1の値に基づいて、前記半導体レーザ装置の出射光の波長を設定する第1のユニットと、前記半導体レーザ装置から出射され前記波長フィルタを透過した光の波長変調成分に対応する第1の強度を、前記半導体レーザ装置から出射された光の波長変調成分に対応する第2の強度により規格化した第2の値と、前記波長フィルタの透過特性とに基づいて、前記半導体レーザ装置の出射光の波長変調幅を決定し、該波長変調幅が一定になるよう前記ヒータに与える高周波信号の大きさを制御する第2のユニットと、を備える半導体レーザ駆動制御回路。前記回折格子は、CSG-DBRChirpedSampledGratingDistributedBraggReflectorである、請求項1に記載の半導体レーザ駆動制御回路。前記波長フィルタは、エタロンフィルタである、請求項1又は2に記載の半導体レーザ駆動制御回路。集積化されたヒータにより回折格子の温度を調整して出射光の波長を選択可能な波長可変半導体レーザ装置を駆動する方法であって、前記ヒータの電極に高周波信号を重畳するステップと、前記半導体レーザ装置の出射光のうち前記高周波信号に対応する高周波成分を第1の信号として検知するステップと、前記出射光を波長フィルタを透過させた後の光のうち前記高周波信号に対応する高周波成分を第2の信号として検知するステップと、前記第1の信号、前記第2の信号、及び、前記波長フィルタの透過特性に基づいて、前記出射光の波長変調幅を決定するステップと、前記波長変調幅が一定となるよう、前記高周波信号の大きさを制御するステップと、を含む方法。前記半導体レーザ装置は、分布帰還型半導体レーザとCSG-DBRChirpedSampledGratingDistributedBraggReflectorとを含み、前記ヒータを含む複数のヒータが、前記CSG-DBRに集積化されており、前記高周波信号が重畳されるヒータの電極は、前記複数のヒータの電極のうち、前記分布帰還型半導体レーザに最も近く配置されたヒータの電極である、請求項4に記載の方法。前記波長フィルタは、エタロンフィルタである、請求項4又は5に記載の方法。本願発明者は、半導体レーザの駆動電流にディザ信号を加えると、半導体レーザの出射光の波長が大きく変化することを見出している。そこで、本願発明者は、ヒータにより回折格子の温度を調整して出射光の波長を選択可能な半導体レーザ装置において、ヒータに与える電流にディザ信号を重畳する駆動制御回路を研究している。しかしながら、このような駆動制御回路から与えるディザ信号の振幅と出射光の波長変調幅との関係は、用いるヒータの個体差又は使用環境等によって変化し得る。また、ディザ信号を一定にしても、選択された波長によって波長変調量が変化し得る。したがって、当技術分野においては、選択する波長に依存することなく一定の波長変調幅を得ることが要請されている。本発明の一側面に係る半導体レーザ駆動制御回路は、集積化されたヒータにより回折格子の温度を調整して出射光の波長を選択可能な波長可変半導体レーザ装置に波長変調を与える。この駆動制御回路は、第1のユニット、及び、第2のユニットを備える。第1のユニットは、半導体レーザ装置から出射され波長フィルタを透過した光の強度の時間平均値である第1の時間平均値を、半導体レーザ装置から出射された光の強度の時間平均値である第2の時間平均値により規格化した第1の値に基づいて、半導体レーザ装置の出射光の波長を設定する。第2のユニットは、半導体レーザ装置から出射され波長フィルタを透過した光の波長変調成分に対応する第1の強度を、半導体レーザ装置から出射された光の波長変調成分に対応する第2の強度により規格化した第2の値と、波長フィルタの透過特性とに基づいて、半導体レーザ装置の出射光の波長変調幅を決定し、波長変調幅が一定になるようヒータに与える高周波信号の大きさを制御する。この半導体レーザ駆動制御回路は、第2の値と波長フィルタとの透過特性を用いることにより波長変調幅を求める。即ち、この駆動制御回路は、波長変調幅を、実際の出射光と波長フィルタの透過特性から求めることができる。そして、この駆動制御回路は、求めた波長変調幅が一定になるようヒータに与える高周波信号の大きさを制御する。これにより、この駆動制御回路は、選択する波長に依存することなく一定の波長変調幅を得ることができる。一実施形態においては、回折格子は、CSG-DBRChirpedSampledGratingDistributedBraggReflectorであってもよい。また、一実施形態においては、波長フィルタは、エタロンフィルタであってもよい。また、本発明の別の一側面は、集積化されたヒータにより回折格子の温度を調整して出射光の波長を選択可能な波長可変半導体レーザ装置を駆動する方法に関するものである。この方法は、aヒータの電極に高周波信号を重畳するステップと、b半導体レーザ装置の出射光のうち高周波信号に対応する高周波成分を第1の信号として検知するステップと、c出射光を波長フィルタを透過させた後の光のうち高周波信号に対応する高周波成分を第2の信号として検知するステップと、d第1の信号、第2の信号、及び、波長フィルタの透過特性に基づいて、出射光の波長変調幅を決定するステップと、e波長変調幅分が一定となるよう、高周波信号の大きさを制御するステップと、を含む。この方法では、第1の信号、第2の信号、及び、波長フィルタの透過特性を用いることにより波長変調幅を求める。即ち、この方法は、波長変調幅を、実際の出射光と波長フィルタの透過特性から求めることができる。そして、この方法は、求めた波長変調幅が一定になるようヒータに与える高周波信号の大きさを制御する。これにより、この方法は、選択する波長に依存することなく一定の波長変調幅を得ることができる。一実施形態においては、半導体レーザ装置は、分布帰還型半導体レーザとCSG-DBRChirpedSampledGratingDistributedBraggReflectorとを含み、上記ヒータを含む複数のヒータが、CSG-DBRに集積化されており、高周波信号が重畳されるヒータの電極は、複数のヒータの電極のうち、分布帰還型半導体レーザに最も近く配置されたヒータの電極であってもよい。分布帰還型半導体レーザに最も近く配置されたヒータは、高周波信号の大きさに対して波長変調幅の調整に対する寄与が大きい。したがって、この形態によれば、効率良く波長変調幅を制御し得る。なお、一実施形態においては、波長フィルタは、エタロンフィルタであってもよい。以上説明したように、本発明によれば、選択する波長に依存することなく一定の波長変調幅を得ることが可能な、半導体レーザ駆動制御回路、及び、半導体レーザを駆動する方法が提供される。以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。図1は、一実施形態に係る半導体レーザ駆動制御回路を含む半導体レーザシステムを示す図である。図1に示す半導体レーザシステム100は、一実施形態の半導体レーザ駆動制御回路10を備える。また、半導体レーザシステム100は、半導体レーザ装置12、光分岐素子14,16、波長フィルタ18、及び、光電気変換素子20,24,26を備え得る。図2は、一実施形態に係る半導体レーザ装置を示す図である。図2に示すように半導体レーザ装置12は、出射光の波長を選択可能な波長可変半導体レーザ装置であり得る。半導体レーザ装置12は、一実施形態においては、CSG-DBRChirpedSampledGratingDistributedBraggReflector領域30、SG-DFB領域32、および、半導体光増幅SOA:SemiconductorOpticalAmplifier領域34を備えている。CSG-DBR領域30は、回折格子を含む光導波路を有している。CSG-DBR領域30の光導波路は、SG-DFB領域32の光導波路の一方端に光学的に結合されている。なお、CSG-DBR領域30の詳細については後述する。SG-DFB領域32は、分布帰還型DFB半導体レーザを構成している。SG-DFB領域32は、目的とする波長でのレーザ発振に対して利得を有する半導体結晶から構成されている。SG-DFB領域32上には、電極36が設けられている。SG-DFB領域32は、電極36に供給される電流によって光導波路内において光を発生する。このSG-DFB領域32の光導波路は、他方端において、SOA領域34の光導波路に光学的に結合されている。SOA領域34は、電流制御によって光に利得を与える、又は、光を吸収するための半導体結晶から構成された光導波路を含む。SOA領域34上には、電極38が設けられている。SOA領域34は、電極38に与えられる電流に応じて、光に利得を与え又は光を吸収する。一実施形態においては、半導体レーザ装置12は、更に、温度制御装置40を備え得る。温度制御装置40は、ペルチェ素子等を備え、CSG-DBR領域30,SG-DBR領域32、SOA領域34の温度を制御する。温度制御装置40は、マイクロコンピュータといったコントローラ図2には図示せずにより制御される。以下、図3を参照する。図3は、図2に示すCSG-DBR領域を示す図である。CSG-DBR領域30は、基板30a、下部クラッド層30b、グレーティング層30c、光導波層30d、上部クラッド層30e、及び、絶縁膜30fを含み得る。基板30aは、例えば、Inp半導体基板であり得る。下部クラッド層30bは、基板30a上に設けられている。下部クラッド層30bは、InP半導体層であり得る。グレーティング層30cは、下部クラッド層30b内に埋め込まれている。グレーティング層30cは、InGaAsP半導体層であり得る。光導波層30dは、下部クラッド層30b上に設けられている。光導波層30dは、InGaAsP半導体層であり得る。上部クラッド層30eは、光導波層30d上に設けられている。上部クラッド層30eは、InP半導体層であり得る。また、絶縁膜30fは、上部クラッド層30e上に設けられている。絶縁膜30fは、例えばSiO2膜であり得る。グレーティング層30cは、一様にInGaAsPが配置されたスペース部30gと、InGaAsPとInPとが交互に配置された回折格子部30hとが連結された構造を有し得る。また、絶縁膜30f上には、ヒータ30i、30j、30kが集積化されている。各ヒータの両端には、電極30mが接続されている。図3に示すように、CSG-DBR領域30は、七つのセグメント301~307を有し得る。セグメント301~303は第1のセグメント群を構成しており、セグメント304~305は第2のセグメント群を構成しており、セグメント306~307は、第3のセグメント群を構成している。ヒータ30iは、第1のセグメント群に集積化されており、ヒータ30jは、第2のセグメント群に集積化されており、ヒータ30kは、第3のセグメント群に集積化されている。ヒータ30iは、第1のセグメント群の温度を調整して当該第1のセグメント群における等価屈折率を調整する。ヒータ30jは、第2のセグメント群の温度を調整して当該第2のセグメント群における等価屈折率を調整する。ヒータ30kは、第3のセグメント群の温度を調整して当該第3のセグメント群における等価屈折率を調整する。CSG-DBR領域30は、ヒータ30i、30j、及び30kによって各セグメント群に与える温度を制御することによって、半導体レーザ装置12の出射光の波長を調整することができる。また、何れかのヒータに与える温度を変調することによって、半導体レーザ装置12の出射光の波長変調幅を調整することが可能である。なお、半導体レーザ装置12の出射光の選択周波数選択波長は、例えば、数百THzであり、周波数変調幅波長変調幅は~1GHz程度であり得る。例えば、選択波長が1.5μmである場合に周波数200THzであり、この場合に、1GHzの偏差は1.5000075μmに相当し得る。再び、図1を参照する。SOA領域34からの出射光は、光分岐素子14に結合される。光分岐素子14は、入力される光の一部を外部へと出射し、当該光の他の一部を光電気変換素子20に出力する。光電気変換素子20は、光のパワーに応じた電気信号を出力し得る素子であり、フォトダイオードで有り得る。光電気変換素子20の出力電気信号は、例えば、半導体レーザ装置12の光出力のパワー制御に利用され得る。CSG-DBR領域30からの出射光は、光分岐素子16に結合される。光分岐素子16は、入力される光の一部を光電気変換素子22に出力し、当該光の他の一部を波長フィルタ18に出力する。この波長フィルタ18は、エタロンフィルタであり得る。波長フィルタ18に入力された光は、当該波長フィルタ18を通って光電気変換素子24に出力される。これら光電気変換素子22及び24は、光のパワーに応じた電気信号を出力し得る素子であり、フォトダイオードで有り得る。なお、光電変換素子の出力電気信号と言及する場合には、当該出力電気信号は、当該光電変換素子に電気的に接続されたトランスインピーダンスアンプからの出力電気信号であり得る。即ち、光電変換素子の出力電気信号は、光電変換素子からの光電流をトランスインピーダンスアンプにより電流/電圧変換することによって得られる電圧信号であり得る。図1に示すように、フォトダイオード22及び24の出力電気信号は、一実施形態の半導体レーザ駆動制御回路10に出力される。この駆動制御回路10は、マイクロコンピュータといったコントローラ50を備えている。コントローラ50は、本発明の一側面に係る第1のユニット及び第2のユニットを構成している。また、駆動制御回路10は、電圧源52a,52b,52c、電流源54a,54b,54c、変調電流源56、容量素子58を備え得る。電圧源52aは、コントローラ50による制御により電流源54aに電圧信号を与える。電流源54aは、入力された電圧信号に応じた電流をヒータ30iの一方の電極30mに与える。電圧源52bは、コントローラ50による制御により電流源54bに電圧信号を与える。電流源54bは、入力された電圧信号に応じた電流をヒータ30jの一方の電極30mに与える。電圧源52cは、コントローラ50による制御により電流源54cに電圧信号を与える。電流源54cは、入力された電圧信号に応じた電流をヒータ30kの一方の電極30mに与える。なお、ヒータ30i、30j、及び30kの他方の電極は、グランドに接続され得る。また、変調電流源56は、コントローラ50によって設定される振幅及び周波数を有する変調電流高周波信号を、容量素子58を介して、ヒータ30iの一方の電極30mに与える。ヒータ30iは、SG-DFB領域32DFB半導体レーザに最も近く配置されているので、半導体レーザ装置12の出射光の波長変調幅に与える寄与が大きい。したがって、当該ヒータ30iに変調電流を加えることにより、効率良く波長変調幅を制御し得る。しかしながら、変調電流源56は、何れのヒータの一方の電極に接続されていてもよい。なお、コントローラ50が設定する振幅及び周波数は、例えば、コンピュータ200から初期設定され得る。図1に示すように、駆動制御回路10は、更に、フィルタ60、AD変換器62、フィルタ64、AD変換器66、除算回路68、広帯域フィルタ70、及び、AD変換器72を備え得る。フィルタ60の入力は、フォトダイオード24に電気的に接続されている。フィルタ60は、フォトダイオード24からの電気信号から波長変調成分を除去する積分フィルタである。フィルタ60の出力は、AD変換器62に接続されている。AD変換器62は、フィルタ60からの出力電気信号にアナログ-デジタル変換を適用して、デジタル信号D2を生成する。このデジタル信号D2はコントローラ50に入力される。フィルタ64の入力は、フォトダイオード22に電気的に接続されている。フィルタ64は、フォトダイオード24からの電気信号から波長変調成分を除去する積分フィルタである。フィルタ64の出力は、AD変換器66に接続されている。AD変換器66は、フィルタ64からの電気信号にアナログ-デジタル変換を適用して、デジタル信号D1を生成する。このデジタル信号D1はコントローラ50に入力される。除算回路68の入力は、フォトダイオード22及びフォトダイオード24に電気的に接続されている。除算回路68は、フォトダイオード24からの電気信号をフォトダイオード22からの電気信号で規格化する。除算回路68によって規格化された信号は、広帯域フィルタ70に出力される。広帯域フィルタ70は、半導体レーザ装置12の波長変調幅より大きい帯域を有するフィルタであり、除算回路68からの信号のノイズを除去する。フィルタ70の出力信号は、AD変換器72に出力される。AD変換器72は、入力された信号にアナログ-デジタル変換を適用して、デジタル信号を生成する。AD変換器72によって生成されたデジタル信号は、コントローラ50に出力される。以下、コントローラ50による制御について、図4を参照しつつ、詳細に説明する。図4は、一実施形態に係る半導体レーザ駆動制御回路の制御原理を説明するための図である。図4においては、横軸は光の波長λを示しており、縦軸は光のパワー又はそれに対応する電気信号の値を示している。また、図4においては、L1がフォトダイオード22に入射する光の波長特性、L2がフォトダイオード24に入射する光の波長特性を示している。また、Fが、波長フィルタ18の透過特性を示している。また、半導体レーザ装置12の出射光の選択された波長をλTとする。フォトダイオード22に入射する光は、波長フィルタ18を透過しておらず、したがって、波長λTを含む波長帯域において波長特性L2に対して比較的平坦な波長特性L1を有する。一方、フォトダイオード24に入射する光の波長特性L2は、波長フィルタ18の透過特性Fの影響を受けている。フォトダイオード22に入射する光の強度は、積分フィルタ64及びAD変換器66を通過することにより、図4にE1で示す値第1の時間平均値を有する信号D1となる。一方、フォトダイオード24に入射する光の強度は、積分機能を有するフィルタ60及びAD変換器62を通過することにより、図4にE2で示す値第1の時間平均値を有する信号D2となる。図4に示すように、E2/E1は、半導体レーザ装置12の出射光の波長に対応する値である。したがって、E2/E1が所定の値となるような帰還制御を行うことにより、半導体レーザ装置12の出射光の波長を、選択された波長λTに固定することができる。駆動制御回路10のコントローラ50は、AD変換器66からの信号D1及びAD変換器62からの信号D2を受けて、E2/E1第1の値が所定の値となるように、電圧源52a~52cを制御することにより、即ち、ヒータ30i,30j、30kに与える電流を制御することにより、ヒータ30i,30j、30kの温度を調整して、半導体レーザ装置12の出射光の波長を、選択された波長λTに固定することができる。また、駆動制御回路10では、フォトダイオード24からの電気信号及びフォトダイオード22からの電気信号が積分フィルタを経由することなく、除算回路68に入力される。除算回路では、フォトダイオード24からの電気信号第2の強度の電気信号がフォトダイオード22からの電気信号第1の強度の電気信号によって規格化され、規格化された信号が広帯域フィルタ70を介してAD変換器72においてAD変換される。この動作は、フォトダイオード24からの電気信号の最大値及び最小値をE2max及びE2minとし、フォトダイオード22からの電気信号の最大値及び最小値をE1max及びE1minとすると、AveE2max/E1max-E2min/E1minを演算する処理を行っていることになる。ここで、Aveは平均値演算を表す。AveE2max/E1max-E2min/E1minは、図4においては、ΔE2/ΔE1と等価である。ここで、ΔE2は、波長変調幅における波長特性L2の最大値と最小値の差に対応する値であり、ΔE1は、波長変調幅における波長特性L1の最大値と最小値の差に対応する値である。図4から明らかなように、ΔE2/ΔE1により透過特性Fの傾きを除算した値第2の値は、波長変調幅ΔλTを反映する値となる。したがって、コントローラ50は、AD変換器72からの出力信号により、当該コントローラ50に記憶された透過特性Fの傾きを除算した値を求め、当該値が所定の値となるように、変調電流源56に帰還制御変調電流の振幅を制御を行うことにより、波長変調幅ΔλTを所望の値に制御することができる。以下、別の実施形態に係る半導体レーザ駆動制御回路について説明する。図5は、別の実施形態に係る半導体レーザ駆動制御回路を含む半導体レーザシステムを示す図である。図5に示す半導体レーザシステム100Aは、半導体レーザ駆動制御回路10Aを備えている。以下、半導体レーザ駆動制御回路10Aについて、半導体レーザ駆動制御回路10と異なる点について説明する。半導体レーザ駆動制御回路10Aでは、フィルタ60を介することなく、フォトダイオード24からの電気信号がAD変換器62に入力される。また、フォトダイオード22からの電気信号が、フィルタ64を介することなくAD変換器62に入力される。また、フォトダイオード22からの電気信号は、ハイパスフィルタ80を経由して、AD変換器72に入力される。さらに、フォトダイオード24からの電気信号は、ハイパスフィルタ82を経由して、AD変換器72Aに入力される。AD変換器72Aは、2チャンネル同時サンプリングのAD変換器であり、フォトダイオード22からの電気信号及びフォトダイオード24からの電気信号に対応する二つのデジタル信号を生成する。駆動制御回路10Aでは、AD変換器62からの信号に対して、フィルタ60と同様のフィルタリング処理がコントローラ50A内で行われる。また、AD変換器66からの信号に対して、フィルタ64と同様のフィルタリング処理が、コントローラ50A内で行われる。さらに、AD変換器72Aからの二つのデジタル信号に対して除算回路68の除算処理及び広帯域フィルタ70と同様のフィルタリング処理が、コントローラ50A内で行われる。即ち、フィルタ60,64、除算回路68、及び広帯域フィルタ70の機能が、コントローラ50A内でデジタル処理により実現されている。なお、コントローラ50Aによる帰還制御については、コントローラ50の帰還制御と同様である。以下、更に別の実施形態に係る半導体レーザ駆動制御回路について説明する。図6は、更に別の実施形態に係る半導体レーザ駆動制御回路を含む半導体レーザシステムを示す図である。図6に示す半導体レーザシステム100Bは、半導体レーザ駆動制御回路10Bを備えている。半導体レーザ駆動制御回路10Bは、AD変換器62,66、フィルタ60,64、除算回路68、及び広帯域フィルタ70を備えていない点で、半導体レーザ駆動制御回路10と異なっている。半導体レーザ駆動制御回路10Bでは、フォトダイオード22及び24からの電気信号は、AD変換器72Aに出力される。AD変換器72Aは、フォトダイオード22及び24からの電気信号に対応する二つのデジタル信号を、コントローラ50Bに出力する。半導体レーザ駆動制御回路10Bでは、フィルタ60,64、除算回路68、及び広帯域フィルタ70の機能が、コントローラ50B内で実現されている。即ち、AD変換器72Aからの二つの信号に対してフィルタ60,64の処理がコントローラ50B内でデジタル処理により実行される。また、AD変換器72Aからの二つの信号に対して除算回路68及び広帯域フィルタ70の処理がデジタル処理により実行される。なお、コントローラ50Bによる帰還制御については、コントローラ50の帰還制御と同様である。上述した実施形態の半導体レーザ駆動制御回路は、半導体レーザ装置の出射光の波長を任意に選択することが可能であり、選択した波長に出射光の波長を固定するように、回折格子であるCSG-DBRに集積化されたヒータに与える電流に帰還制御を施すことが可能である。また、これら実施形態の半導体レーザ駆動制御回路は、選択された波長において半導体レーザ装置の出射光に所望の波長変調幅を与えるように、CSG-DBRに集積化されたヒータに与える変調電流に帰還制御を施すことが可能である。したがって、上述した実施形態の半導体レーザ駆動制御回路は、半導体レーザ装置の個体差や使用環境等に依存せず、半導体レーザ装置の出射光の波長及び波長変調幅を高精度に制御することが可能である。以上、種々の実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。例えば、光電変換素子22からの出力電気信号における波長変調成分は小さいので、当該波長変調成分の検知を行うために、同期検波が行われてもよい。"