"アイレットと、前記アイレットの上に立設する実装側面を備えた素子実装部と、前記実装側面の前方の前記アイレットに設けられ、前記実装側面の直下に曲面を備えたへこみ部とを有し、前記素子実装部の前記実装側面は、前記へこみ部にオーバーラップする位置に配置されていることを特徴とする光半導体素子用ステム。前記アイレットに装着されたリードをさらに有することを特徴とする請求項1に記載の光半導体素子用ステム。前記素子実装部の前記実装側面に発光素子が実装され、前記アイレットの前記へこみ部に前記発光素子から出射される光をモニタする受光素子が実装されることを特徴とする請求項1又は2に記載の光半導体素子用ステム。上記した従来の光半導体素子用ステムでは、半導体レーザ素子は、ある程度の厚みをもつサブマウントを介して素子実装部110の実装側面Sに実装されるので、サブマウントの厚み分だけ実装側面Sから離れた位置に実装される。そして、アイレット100のへこみ部100aの底面に受光素子が実装され、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光が受光素子によってモニタされる。近年では、サブマウントは、熱伝導性が悪く半導体レーザ素子の放熱の妨げになること及びコスト削減を図ることから、その厚みを薄くするか又は省略する試みがなされている。しかしながら、サブマウントの厚みを薄くしたり、省略したりすると、半導体レーザ素子は素子実装部の実装側面に接近して実装されることから、半導体レーザ素子からのレーザ光が受光素子の受光部からずれた位置に当たるので、半導体レーザ素子からのレーザ光を受光素子で精度よくモニタできなくなる問題がある。本発明は以上の課題を鑑みて創作されたものであり、実装側面に実装される発光素子の位置がずれる場合であっても、その下側に配置される受光素子で発光素子から出射される光を精度よくモニタできる光半導体素子用ステムを提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明は光半導体素子用ステムに係り、アイレットと、前記アイレットの上に立設する実装側面を備えた素子実装部と、前記実装側面の前方の前記アイレットに設けられ、前記実装側面の直下に曲面を備えたへこみ部とを有し、前記素子実装部の前記実装側面は、前記へこみ部にオーバーラップする位置に配置されていることを特徴とする。また、上記課題を解決するため、本発明は光半導体素子用ステムの製造方法に係り、金属部材をプレス加工することにより、アイレットと、該アイレットの上に立設する実装側面を備えた素子実装部と、前記実装側面の前方の前記アイレットの部分に設けられる実装用のへこみ部とを形成する工程と、前記素子実装部をプレス加工することにより、前記素子実装部の実装側面を前記へこみ部側に移動して前記実装側面の位置を調整する工程とを有することを特徴とする。本発明では、まず、金属部材をプレス加工することにより、板状のアイレットと、その上に立設する、発光素子が実装される実装側面を備えた素子実装部と、素子実装部の前方のアイレットの部分に設けられる、受光素子が実装されるへこみ部とが形成される。この工程では、素子実装部の実装側面は、正規の実装側面の位置から外側にずれた位置に配置される。さらに、素子実装部をプレス加工することにより、素子実装部の実装側面をへこみ部側に移動して、素子実装部の実装側面を正規の実装側面の位置に配置されるように位置調整する。これによって、発光素子が実装される素子実装部の実装側面は、受光素子が実装されるアイレットのへこみ部の領域にオーバーラップする所望の位置に配置される。前述したように、発光素子は、ある程度の厚みをもつサブマウントを介して素子実装部の実装側面に実装されるが、コスト削減や放熱性の改善を目的にサブマウントの厚みを薄くしたり、サブマウントを省略したりする要望がある。本発明では、素子実装部の実装側面を受光素子が実装されるへこみ部の領域の任意の位置にずらして調整して配置できるので、サブマウントを薄くして発光素子が素子実装部の実装側面により接近して実装される場合であっても、発光素子の発光部の下に受光素子の受光部を配置できるようになる。このように、発光素子と受光素子の実装する際の位置関係を容易に調整できるので、発光素子の実装位置がずれる場合であっても、発光素子から出射される光を受光素子によって高精度にモニタできるようになる。しかも、金型のポンチのチッピングを防止するために素子実装部とへこみ部との境界部を曲面とし、これによって受光素子をこれ以上実装側面側に移動できない場合であっても、何ら不具合は発生することはない。さらには、サブマウントを省略する場合であっても、素子実装部の実装側面をへこみ部側にさらに移動して配置することにより、発光素子から出射される光を受光素子によって高精度にモニタできるようになる。なお、特許文献3には、放熱体の基部に設けられた凹部にモニタ素子の端部を収容して実装することにより、放熱体の側面に実装される半導体レーザ素子の真下にモニタ素子の受光面が配置されるように構成することが記載されているが、製造方法に関しては何ら考慮されておらず、本発明の構成を示唆するものではない。以上説明したように、本発明の光半導体素子用ステムの製造方法では、発光素子が実装される実装側面の位置を容易に調整できるので、実装側面と発光素子の距離が変化する場合であっても容易に対応することができる。以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。本発明の実施形態を説明する前に、サブマウントを薄くして半導体レーザ素子を素子実装部の実装側面に実装する際に発生する不具合について説明する。図2には、光半導体素子用ステムのアイレット100とその上に立設する素子実装部110とが示されており、素子実装部110の実装側面Sの前方のアイレット100の部分に底面がスロープ状になったへこみ部100aが設けられている。素子実装部110の実装側面Sの下部とへこみ部100aの一端側とは境界部Aで繋がっており、その境界部Aは曲面R面となって丸みを帯びて形成されている。境界部Aを曲面とする理由は、金属部材を一連のプレス加工によって成形してステムを製造する際に、へこみ部100aを形成するプレス工程において金型のポンチに角部が存在するとポンチにチッピング欠けが発生し、連続して精度よくプレス加工することが困難になるからである。そして、半導体レーザ素子200がサブマウント130を介して素子実装部110の実装側面Sに実装される。また、半導体レーザ素子200の下部から出射されるレーザ光Lをモニタする受光素子300がへこみ部100aの底面に実装される。このようにして、半導体レーザ素子200から出射されるレーザ光Lを受光素子300によってモニタすることができる。前述したように、近年では、サブマウント130は、熱伝導性が悪く半導体レーザ素子200の放熱の妨げになること及びコスト削減を図ることから、その厚みを薄くするか又は省略する試みがなされている。そこで、図3に示すように、サブマウント130の厚みを薄くすると、半導体レーザ素子200の位置が実装側面S側に移動するため、半導体レーザ素子200から出射されるレーザ光Lが受光素子300の受光部からずれた位置に当たるようになり、半導体レーザ素子200からのレーザ光Lを受光素子300で精度よくモニタできなくなる。しかも、実装側面Sとへこみ部100aの境界部Aは曲面となっているため、受光素子300をこれ以上半導体レーザ素子200側に近づけることは困難である。以下に説明する本発明の実施形態は上記した不具合を容易に解消することができる。図4~図9は本発明の実施形態の光半導体素子用ステムの製造方法を示す断面図である。本発明の実施形態の光半導体素子用ステムの製造方法は、まず、図4aに示すように、金属部材5を用意し、さらに、下型20a及び下部側に凹部20xが形成された上型20bを備えた第1金型20を用意する。金属部材5としては、全体にわたって鉄Fe又は銅Cuからなる金属材、もしくは鉄Fe/銅Cu/鉄Feからなるクラッド材などが好適に使用される。そして、金属部材5を下型20aと上型20bとの間に配置し、上型20bによって下型20a上の金属部材5を押圧する。これにより、図4bに示すように、上型20bの凹部20x側に金属部材5が押し込まれることで上側に突出する凸部が形成され、板状のアイレット10とその上に立設する素子実装部放熱部12が得られる。素子実装部12は、半導体レーザ素子が実装される実装側面Sを備えており、その実装側面Sは、後に半導体レーザ素子が配置される正規の実装側面の位置から距離dmm例えば、0.2~0.5mm分だけ外側にずれてオフセットされて配置される。正規の実装側面の位置は、サブマウントの厚みを薄くする場合やサブマウントを省略する場合に対応して半導体レーザ素子が最適の位置に配置されるように設定され、それによって距離dが適宜調整される。次いで、図5aに示すように、下型21aと押え部材21xとポンチ21yとを備えた第2金型21を用意する。第2金型21のポンチ21yは、素子実装部12の実装側面Sの前方のアイレット10の部分に受光素子が実装されるへこみ部を形成するためのものであり、その下部にへこみ部に対応する凸部Cが形成されている。そして、下型21aの上に素子実装部12が立設したアイレット10を配置し、押え部材21xで保持した状態でポンチ21yによって素子実装部12の実装側面Sの前方のアイレット10の部分を押圧する。これにより、図5bに示すように、素子実装部12の実装側面Sの前方のアイレット10の部分に底面がスロープ状のへこみ部10aが形成される。このとき、素子実装部12の付け根部分を押圧するポンチ21yの部分はチッピング欠けを防止するために曲面R面となっており、これによって素子実装部12の実装側面Sとアイレット10のへこみ部10aの境界部A図5bが曲面R面となって成形される。次いで、図6に示すように、下型22a、第1ポンチ22x、第2ポンチ22y及び第3ポンチ22zを備えた第3金型22を用意する。第1ポンチ22xは素子実装部12を横方向に押圧するためのものであり、第2ポンチ22yは素子実装部12の上面を押えるものであり、また第3ポンチ22zはアイレット10を押えると共に、素子実装部12の実装側面Sの位置を決めるストッパとして機能するものである。つまり、素子実装部12の実装側面Sに対向する第3ポンチ22zの面は、予め外側にオフセットされて配置された素子実装部12の実装側面Sを正規の実装側面の位置に調整するための基準面Bとなっている。そして、第3金型22の下型22aの上に素子実装部12が立設するアイレット10を配置し、素子実装部12の回りに第1~第3ポンチ22x~22zを素子実装部12に位置合わせして配置する。続いて、図7に示すように、第2ポンチ22yで素子実装部12の上面を押え、かつ第3ポンチ22zによってアイレット10を押えた状態で、第1ポンチ22xによって素子実装部12をアイレット10のへこみ部10a側に押圧することにより、実装側面Sを横方向に移動させる。これにより、素子実装部12の実装側面Sは、第3ポンチ22zの基準面Bに当接して正規の実装側面の位置に配置される。このようにして、図8に示すように、素子実装部12の実装側面Sの側がアイレット10のへこみ部10a側に押しだされて、へこみ部10aの領域にオーバーラップするように付け根から突き出た突出部Tが形成され、実装側面Sの位置が調整されて配置される。また、素子実装部12の実装側面Sと反対面は第1ポンチ22xによって押圧されて凹部12xが設けられる。続いて、図9及び図10に示すように、プレス加工によって、アイレット10に第1、第2貫通孔11a,11bを形成すると共に、アイレットの外周部に位置決め用の一対の三角形状の切り欠き部10xと、方向表示用の四角形状の切り欠き部10yとを形成する。さらに、アイレット10の第1、第2貫通孔11a、11bに第1、第2リード16a,16bを挿通し、ガラス18によって封着して固定する。また、アイレット12の下面に第3リード16cを抵抗溶接によって固定する。以上により、図10に示すような本実施形態に係わる光半導体素子用ステム1が製造される。なお、前述した形態では、一連のプレス加工の工程で素子実装部12を横方向に押圧して実装側面Sの位置を調整しているが、アイレット10にリード16a~16cを設けた後に、素子実装部12の実装側面Sの位置を調整してもよい。以上説明したように、本実施形態の光半導体素子用ステムの製造方法では、まず、金属部材5をプレス加工することにより、板状のアイレット10と、その上に立設する素子実装部12と、素子実装部12の前方のアイレット10の部分に設けられるへこみ部10aとを形成する。このとき、素子実装部12の実装側面Sの下部とアイレット10のへこみ部10aの底面との境界部Aは、金型のポンチのチッピングを防止するために曲面となって形成される。この時点では、素子実装部12の実装側面Sはへこみ部10aの一端部の直上に配置され、正規の実装側面の位置よりも外側にずれたオフセット状態で形成される。さらに、プレス加工により、素子実装部12をアイレット10のへこみ部10a側に押圧して実装側面Sをへこみ部10a側に移動することにより、素子実装部12の実装側面Sを正規の実装側面の位置に配置されるように調整する。これによって、半導体レーザ素子が実装される素子実装部12の実装側面Sは、受光素子が実装されるアイレット10のへこみ部10aの領域にオーバーラップする所望の位置に配置される。そのような製造方法によって製造される光半導体素子用ステム1は、図10に示すように、アイレット10とその上に立設する素子実装部12とアイレット10に装着された3つのリード16第1~第3リード16a~16cとにより基本構成されている。素子実装部12は半導体レーザ素子が実装される実装側面Sを備えている。また、実装側面Sの前方のアイレット10の部分には受光素子が実装される底面がスロープ状になったへこみ部10aが設けられている。素子実装部12では、その付け根部分からアイレット10のへこみ部10a側に突き出る突出部Tが設けられており、その実装側面Sがへこみ部10aの領域にオーバーラップする位置に配置されている。さらに、アイレット10にはその厚み方向に貫通する2つの貫通孔第1、第2貫通孔11a,11bが設けられている。そして、第1、2リード16a,16bが第1、第2貫通孔11a,11bにそれぞれ挿通され、ガラス18によって第1、第2貫通孔11a,11bにそれぞれ封着されて固定されている。さらに、第3リード16cがアイレット10の下面に抵抗溶接されており、第3リード16cはアイレット10及び素子実装部12に電気的に接続された状態で固定されている。また、アイレット10には位置決め用の一対の三角形状の切り欠き部10xと、方向表示用の四角形状の切り欠き部10yとが設けられている。そして、例えば、第1リード16aが発光素子用リードとなり、第2リード16bが受光素子用リードとなり、第3リード16cが共通グランドリードとなる。素子実装部12の実装側面Sに実装される発光素子はワイヤを介して第1リード16aに電気接続される。また、アイレット10のへこみ部10aの底面に実装される受光素子はワイヤを介して受光素子用の第2リード16bに電気接続される。さらに、発光素子及び受光素子は、ワイヤなどによってアイレット10を介して第3リード16c共通グランドリードに電気接続される。図11には、本実施形態に係る光半導体素子用ステム1に半導体レーザ素子と受光素子が実装された例が示されている。図11のステムは図10のI-Iに沿った断面に相当する。図11に示すように、素子実装部12の実装側面Sの上にサブマウント32を介して半導体レーザ素子30が実装され、アイレット10のへこみ部10aの底面に受光素子40が実装されている。前述したように、素子実装部12の実装側面Sは、アイレット10のへこみ部10aの領域にオーバーラップする所望の位置に配置される。このため、サブマウント32を薄くして半導体レーザ素子30が素子実装部12の実装側面Sに接近して実装される場合であっても、受光素子40の受光部を半導体レーザ素子30の発光部の真下に配置できるので、半導体レーザ素子30から出射されるレーザ光Lを受光素子40によって精度よくモニタできるようになる。しかも、金型のポンチのチッピングを防止するために素子実装部12とへこみ部10aとの境界部を曲面とし、これによって受光素子40をこれ以上実装側面S側に移動できない場合であっても、何ら不具合が発生することなく対応することができる。さらには、コスト削減や放熱性を改善するためにサブマウント32を省略する場合であっても、素子実装部12の実装側面Sをへこみ部10a側にさらに移動して配置することにより、半導体レーザ素子30から出射されるレーザ光Lを受光素子40によって精度よくモニタできるようになる。"