"主として亜鉛、アルミニウム、チタン及び酸素から構成される複合酸化物焼結体において、当該焼結体を構成する元素の原子比が、AlTi/ZnAlTi=0.004~0.055Al/ZnAlTi=0.002~0.025Ti/ZnAlTi=0.002~0.048であり、当該焼結体が主として酸化亜鉛を含有し平均粒径が20μm以下の六方晶系ウルツ型構造を有する粒子、及びアルミニウム及びチタンを含有し平均粒径が5μm以下のZnTiO3型類似構造及び/またはZn2Ti3O8型類似構造を有する粒子であって、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物構造を有する粒子を含有しないもの、からなることを特徴とする、複合酸化物焼結体。当該焼結体中に、酸化アルミニウム粒子および酸化チタン粒子が存在しない、請求項1に記載の複合酸化物焼結体。アルミニウム源となる粉末とチタン源となる粉末を予備混合し、仮焼した後に、平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで最終組成が、金属元素の原子比で表して、AlTi/ZnAlTi=0.004~0.055Al/ZnAlTi=0.002~0.025Ti/ZnAlTi=0.002~0.048となるように酸化亜鉛粉末を追加して混合し、得られた混合粉末を成形し、800~1500°Cで焼成することを特徴とする、請求項1または2に記載の複合酸化物焼結体の製造方法。請求項1または2に記載の複合酸化物焼結体からなることを特徴とする、スパッタリングターゲット。スパッタリング面の中心線平均粗さRaが3μm以下である、請求項4に記載のスパッタングターゲット。請求項4または5に記載のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることを特徴とする、酸化物透明導電膜の製造方法。請求項6の製法で得られた酸化物透明導電膜。本発明は、異常放電現象の発生を十分に抑制することが可能なスパッタリングターゲット、及びそのようなスパッタリングターゲット用いた膜の製造方法を提供することを目的とする。また、そのようなスパッタリングターゲットとして使用することが可能な複合酸化物焼結体を提供することを目的とする。このような背景に鑑み、本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、酸化物透明導電膜の成膜方法として、大面積に均一な膜厚で成膜可能である点でスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法において、特定の組成、構造を有する複合酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして用いることで、スパッタリングによる成膜中の異常放電現象の発生を制御してパーティクルによる歩留まり低下を抑制し、赤外領域の光透過率と耐久性に優れた膜を得ることが可能である複合酸化物焼結体、スパッタリングターゲット、及びそれを用いて得られた酸化物透明導電膜を得るに至り、本発明を完成するに至った。本発明の態様は以下の通りである。1主として亜鉛、アルミニウム、チタン及び酸素から構成される複合酸化物焼結体において、当該焼結体を構成する元素の原子比が、AlTi/ZnAlTi=0.004~0.055Al/ZnAlTi=0.002~0.025Ti/ZnAlTi=0.002~0.048であり、当該焼結体が主として酸化亜鉛を含有し平均粒径が20μm以下の六方晶系ウルツ型構造を有する粒子、及びアルミニウム及びチタンを含有し平均粒径が5μm以下のZnTiO3型類似構造及び/またはZn2Ti3O8型類似構造を有する粒子であって、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物構造を有する粒子を含有しないもの、からなることを特徴とする、複合酸化物焼結体。2当該焼結体中に、酸化アルミニウム粒子および酸化チタン粒子が存在しない、上述の1に記載の複合酸化物焼結体。3アルミニウム源となる粉末とチタン源となる粉末を予備混合し、仮焼した後に、平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで最終組成が、金属元素の原子比で表して、AlTi/ZnAlTi=0.004~0.055Al/ZnAlTi=0.002~0.025Ti/ZnAlTi=0.002~0.048となるように酸化亜鉛粉末を追加して混合し、得られた混合粉末を成形し、800~1500°Cで焼成することを特徴とする、上述の1または2に記載の複合酸化物焼結体の製造方法。4上述の1または2に記載の複合酸化物焼結体からなることを特徴とする、スパッタリングターゲット。5スパッタリング面の中心線平均粗さRaが3μm以下である、上述の4に記載のスパッタングターゲット。6上述の4または5に記載のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることを特徴とする、酸化物透明導電膜の製造方法。7上述の6の製法で得られた酸化物透明導電膜。以下、本発明を詳細に説明する。複合酸化物焼結体本発明の複合酸化物焼結体の元素の原子比は上述の通りであるが、この範囲とすることで、低抵抗で赤外領域の光透過率と耐久性に優れた膜を得ることが可能となる。特にAlTi/ZnAlTiは好ましくは0.005~0.05である。また、Al/ZnAlTiは好ましくは0.003~0.02である。Ti/ZnAlTiは好ましくは0.003~0.04、さらに好ましくは0.003~0.03である。なお、本発明においては、不可避的な微量の不純物の混入は問わない。本発明の複合酸化物焼結体は、主として酸化亜鉛を含有し平均粒径が20μm以下の六方晶系ウルツ型構造を有する粒子、及びアルミニウム及びチタンを含有し平均粒径が5μm以下のZnTiO3型類似構造及び/またはZn2Ti3O8型類似構造を有する粒子、からなる。複合酸化物焼結体を構成する、主として酸化亜鉛を含有し六方晶系ウルツ型構造を有する粒子の平均粒径を20μm以下とすることにより、スパッタリング中の異常放電を低減することが可能となるとともに、スパッタリング中のターゲットの破損等を抑制することが可能となる。平均粒径は、好ましくは10μm以下である。また下限は、通常0.001μmである。平均粒径が0.001μm未満の複合酸化物焼結体を得るためには、例えば、1次粒径の平均値が0.001μm未満の原料粉末を用いることになる。このような原料粉末を用いた場合、成形が非常に困難となり、製造効率が低下する傾向にある。ここで、主として酸化亜鉛を含有し六方晶系ウルツ型構造を有する粒子とは、X線回折試験で酸化亜鉛の六方晶系ウルツ型構造に帰属される回折パターンを示す物質であり、SEM、EPMAによる分析でさらに粒子の存在を詳細に確認することができる。一方、アルミニウム及びチタンを含有しZnTiO3型類似構造及び/またはZn2Ti3O8型類似構造を有する粒子の平均粒径は5μm以下である。これにより、スパッタリング中の異常放電を抑制することが可能となる。平均粒径が3μm以下である場合は、スパッタリング中の異常放電が一層抑制されるので、更に好ましい。また下限は、通常0.001μmである。平均粒径が0.001μm未満の複合酸化物焼結体を得るためには、例えば、1次粒径の平均値が0.001μm未満の原料粉末を用いることになる。このような原料粉末を用いた場合、成形が非常に困難となり、製造効率が低下する傾向にある。ここで、アルミニウム及びチタンを含有しZnTiO3型類似構造及び/またはZn2Ti3O8型類似構造を有する粒子とは、X線回折試験でZnTiO3型類似構造及び/またはZn2Ti3O8型類似構造に帰属される回折パターンを示す物質であり、SEM、EPMAによる分析でさらに粒子の存在を詳細に確認することができる。なお、本発明における複合酸化物中の粒子の平均粒径の測定方法は以下のように行う。すなわち、本発明の複合酸化物焼結体を適当な大きさに切断した後、観察面を表面研磨し、次に希酢酸溶液でケミカルエッチングを行い、粒界を明確化する。この試料をX線マイクロアナライザーEPMA、走査電子顕微鏡/エネルギー分散型X線分析SEM/EDS、X線回折XRD等を用いて、焼結体の研磨面の観察写真を撮るとともに各粒子の組成を確認する。六方晶系ウルツ型構造を有する粒子並びにZnTiO3型類似構造及び/またはZn2Ti3O8型類似構造を有する粒子の平均粒径は、いずれも観察写真の当該粒子500個以上の長径を求め、その算術平均を平均粒径とした。アルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及び/またはZn2Ti3O8型類似構造を有する粒子において、ZnTiO3型類似構造を有する粒子とZn2Ti3O8型類似構造を有する粒子の割合は特に限定されるものではないが、少なくともZnTiO3型類似構造を有する粒子が存在することが好ましい。これにより、スパッタリング中の異常放電を一層抑制することが可能となる。またZnTiO3型類似構造を有する粒子とZn2Ti3O8型類似構造を有する粒子のメインピーク311面のX線の回折強度をそれぞれAx、Ayとしたときに、Ax/AxAy=0.05~1であることが、より一層好ましい。これにより、スパッタリング中の異常放電をさらに抑制することが可能となる。ここで、ZnTiO3型類似構造を有する粒子とZn2Ti3O8型類似構造を有する粒子の存在は以下のように確認することができる。すなわち、ZnTiO3型類似構造を有する粒子とは、Cuを線源とするXRDの2Θ=30~40°の範囲内に検出される回折ピークが、ICDDInternationalCentreforDiffractionDataのPDFPowderDiffractionFile00-039-0190RDBのZnTiO3のピークパターンまたはそれに類似したピークパターンシフトしたピークパターンの210面、211面、220面、300面、310面、311面、および320面に指数付けできるものである。一方、Zn2Ti3O8型類似構造を有する粒子とは、ICDDのPDF00-038-0500のZn2Ti3O8のピークパターンまたはそれに類似したピークパターンシフトしたピークパターンの220面、311面、および222面に指数付けできるものである。また、ZnTiO3型類似構造のメインピーク311面とZn2Ti3O8型類似構造のメインピーク311面は非常に近い角度で回折され個別に確認することが難しいため、個別に確認しやすいZnTiO3型類似構造の210面のピークとそのICDDでの相対強度を利用して、AxとAyは次のようにして求められる。すなわち、ZnTiO3型類似構造を有する粒子とZn2Ti3O8型類似構造を有する粒子のメインピーク311面の回折強度の合計をIxy、ZnTiO3型類似構造の210面の回折強度をIx210とすると、下式により算出することができる。Ax=Ix210×100/45Ay=Ixy-AxなおZn2Ti3O8型類似構造を有する粒子には、類似した構造のZn2TiO4型類似構造を有する粒子が含有されていても良い。本発明の複合酸化物焼結体中のZnTiO3型類似構造及び/またはZn2Ti3O8型類似構造を有する粒子は、亜鉛と、アルミニウム、チタンを含有するが、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物構造を有する粒子を含有しない。これにより、スパッタリング中の異常放電を一層抑制することが可能となる。ここで、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物構造を有する粒子を含有しないとは、XRDで亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛ZnAl2O4のスピネル酸化物構造を有する粒子に帰属される回折パターンが確認されないことをいう。本発明の複合酸化物焼結体には、酸化アルミニウム粒子および酸化チタン粒子が存在しないことが好ましい。すなわちアルミニウムとチタンが、酸化亜鉛を含有し、平均粒径が20μm以下の六方晶系ウルツ型構造を有する粒子、及びアルミニウム及びチタンを含有し平均粒径が5μm以下のZnTiO3型類似構造及び/またはZn2Ti3O8型類似構造を有する粒子にすべて含まれていることが好ましい。これにより、スパッタリング中の異常放電を一層抑制することが可能となる。ここで、酸化アルミニウム粒子や酸化チタン粒子が存在しないとは、XRDで酸化アルミニウム粒子や酸化チタン粒子に帰属される回折パターンが確認されないことをいう。本発明の複合酸化物焼結体の相対密度は80以上であることが好ましい。このような相対密度とすることにより、その焼結体をターゲットとして用いたときに得られる膜は赤外領域で高い光透過性を示し、かつ耐久性に優れた酸化物透明導電膜を得ることができ、またスパッタリング中の異常放電現象を抑制し、かつスパッタリング中にターゲットの破損等を生じずに安定した成膜が可能となる。なお本発明の複合酸化物焼結体の相対密度は、以下のように算出されるものである。すなわち、複合酸化物焼結体中のZn、Al及びTiを、それぞれ、ZnO、Al2O3及びTiO2として換算して重量比率を求める。その重量比率を、それぞれa、b、及びcとする。次に、それぞれの真密度ZnO:5.68g/cm3、Al2O3:3.99g/cm3、TiO2:4.2g/cm3を用いて、理論密度Ag/cm3を以下のように算出する。A=abc/a/5.68b/3.99c/4.2複合酸化物焼結体の焼結密度Bg/cm3は、JIS-R1634-1998に準拠してアルキメデス法で測定する。相対密度は、算術的に求めた理論密度Ag/cm3に対する焼結密度Bg/cm3の相対値として、下式により求める。相対密度=B/A×100上述のように、本発明の亜鉛とアルミニウムとチタンを含有する複合酸化物焼結体は、主として酸化亜鉛を含有し平均粒径が20μm以下の六方晶系ウルツ型構造を有する粒子、及びアルミニウム及びチタンを含有し平均粒径が5μm以下のZnTiO3型類似構造及び/またはZn2Ti3O8型類似構造を有する粒子であって、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物構造を有する粒子を含有しないもので構成されている。このような複合酸化物焼結体を製造するためには、以下に述べるように製造条件を制御する必要がある。本発明の複合酸化物焼結体の製造方法は、1亜鉛化合物の粉末とそれ以外の化合物粉末を所定の原子比となるように混合して成形用粉末を調整する工程、2当該成形用の粉末を成形して成形体を作製する工程、3当該成形体を焼成して焼結体を作製する工程、とを含む。1粉末調整工程アルミニウム源及びチタン源となる原料粉末は特に限定されるものではなく、例えば、金属酸化物粉末、金属水酸化物粉末、塩化物、硝酸塩、炭酸塩等の金属塩粉末、金属アルコキシド等を用いることが可能であるが、取扱性を考慮すると金属酸化物粉末が好ましい。亜鉛源となる原料粉末には、安価で取り扱い性の良い高純度の粉末が入手可能であることから、酸化亜鉛粉末を原料として用いる。なお、アルミニウム源、チタン源として金属酸化物粉末以外を用いた場合に、粉末をあらかじめ大気中等の酸化性雰囲気で加熱処理等を施して金属酸化物粉末として用いても同様の効果を奏するが、加熱処理等の操作が工程に含まれ煩雑となるため、原料粉末として金属酸化物粉末を用いることが好ましい。以下、原料粉末に金属酸化物粉末を用いた場合を中心に説明する。原料粉末の金属酸化物粉末の粒径は、微細である方が混合状態の均質性、焼結性に優れる。そのため通常は1次粒子径として10μm以下の粉末が好ましく用いられ、特に1μm以下の粉末が好ましく用いられる。亜鉛以外の他の元素の粉末は、酸化亜鉛粉末の1次粒子径よりも小さい1次粒子径を有する酸化物粉末を用いることが好ましい。酸化亜鉛粉末の1次粒子径の方が小さいまたは同等であると、混合状態の均質性が劣る恐れがある。また平均粒径については、酸化亜鉛粉末の平均粒径が亜鉛以外の他の金属酸化物粉末の平均粒径よりも大きいことが好ましい。これにより、原料粉末を均質に混合することができ、微細な平均粒径を有する粒子からなる本発明の複合酸化物焼結体を得ることができる。さらに、酸化亜鉛粉末と亜鉛以外の金属酸化物粉末のBET比表面積は、取扱性を考慮すると3~20m2/gであることが好ましく、これにより本発明の複合酸化物焼結体を得ることが容易となる。BET値が3m2/gよりも小さい粉末の場合は、粉砕処理を行ってBET値が3~20m2/gの粉末としてから用いることが好ましい。またBET値が20m2/gよりも大きい粉末を使用することも可能であるが、粉末が嵩高くなるため、取り扱い性を改善するためにあらかじめ粉末の圧密処理等を行うことが好ましい。また、酸化亜鉛粉末及びアルミニウム、チタンの各酸化物粉末のBET比表面積から求められる比表面積径をそれぞれDbz、Dba、Dbtとし、それぞれの粉末の平均粒径をDsz、Dsa、DstとしたときのDsz/Dbz、Dsa/Dba、Dst/Dbtの値がそれぞれ1以上50未満であることが好ましい。このような粉末特性であることにより、本発明の複合酸化物焼結体を好適に得ることができる。ここで比表面積径は、各粉末の1次粒子を球形と仮定し、下式により求めることができる。式中、SはBET比表面積単位はm2/gを示す。Dbz=6/S×5.68Dba=6/S×3.99Dbt=6/S×4.2なおそれぞれの粉末の平均粒径は、COULTERLS130COULTERELECTRONICS社製を用い、蒸留水中、液体モジュールで測定した。測定値は体積基準である。次に、これらの粉末に乾式あるいは湿式混合等の処理を施し、成形用粉末を得る。本発明においては、まず、アルミニウム源となる粉末とチタン源となる粉末を予備混合し、仮焼した後に、平均粒径が1μm以下となるように調整する。ここで、予備混合方法は特に限定されるものではないが、ジルコニア、アルミナ、ナイロン樹脂等のボールやビーズを用いた乾式、湿式のメディア撹拌型ミルやメディアレスの容器回転式混合、機械撹拌式混合等の混合方法が例示される。具体的には、ボールミル、ビーズミル、アトライタ、振動ミル、遊星ミル、ジェットミル、V型混合機、パドル式混合機、二軸遊星撹拌式混合機等が挙げられる。なお、湿式法のボールミルやビーズミル、アトライタ、振動ミル、遊星ミル、ジェットミル等を用いる場合には、粉砕後のスラリーを乾燥する必要がある。この乾燥方法は特に限定されるものではないが、例えば、濾過乾燥、流動層乾燥、噴霧乾燥等が例示できる。また、金属塩溶液やアルコキシド溶液を原料として用いた場合には、溶液中から析出させた沈殿類を乾燥させておく。得られた粉末の仮焼は、600~1200°Cで行うことが好ましく、800~1000°Cがより好ましい。保持時間はは1~3時間で十分である。得られた仮焼粉末は、解砕処理等により、平均粒径を1μm以下として予備混合粉末とする。解砕等の処理方法は特に限定されるものではないが、ジルコニア、アルミナ、ナイロン樹脂等のボールやビーズを用いた乾式、湿式のメディア撹拌型ミル等の混合方法が例示される。具体的には、ボールミル、ビーズミル、アトライタ、振動ミル、遊星ミル、ジェットミル等が挙げられる。なお、湿式法のボールミルやビーズミル、アトライタ、振動ミル、遊星ミル、ジェットミル等を用いる場合には、粉砕後のスラリーを乾燥する必要がある。この乾燥方法は特に限定されるものではないが、例えば、濾過乾燥、流動層乾燥、噴霧乾燥等が例示できる。次いで、最終組成となるように亜鉛源として酸化亜鉛粉末を混合し、成形用混合粉末を得る。ここで、亜鉛源として、酸化亜鉛粉末を用いることにより、工程の煩雑さや粉末処理等の付随作業を低減することが可能となる。酸化亜鉛以外の亜鉛化合物、例えば、硝酸塩、塩化物、炭酸塩等は、仮焼して酸化物としてから使用する。これら粉末の粒径は、取扱性を考慮すると平均粒径1.5μm以下であることが好ましく、さらに好ましくは0.1~1.5μmである。このような粉末を使用することにより、焼結体密度の改善効果が得られる。特に成形用混合粉末は平均粒径1μm以下としておくことが好ましく、こうすることにより焼結性を向上させることができる。各原料粉末の純度は、通常99以上、好ましくは99.9以上、より好ましくは99.99以上である。純度が低いと、不純物により、本発明の複合酸化物焼結体を用いたスパッタリングターゲットで形成された透明導電膜の特性に悪影響が出る恐れあるからである。これらの原料の最終的な配合、即ち最終組成は、得られる複合酸化物焼結体を構成する元素の原子比に反映されるため、亜鉛、アルミニウム、チタンの原子比が、AlTi/ZnAlTi=0.004~0.055Al/ZnAlTi=0.002~0.025Ti/ZnAlTi=0.002~0.048とする。このようにして得られた混合粉末は成形前に造粒することが好ましい。これにより、成形時の流動性を高めることが可能となり、生産性に優れる。造粒方法は、特に限定されるものではないが、噴霧乾燥造粒、転動造粒等を例示することができ、通常、平均粒径が数μm~1000μmの造粒粉末として使用される。2成形工程成形方法は、混合粉末を目的とした形状に成形できれば特に限定されるものではない。プレス成形法、鋳込成形法、射出成形法等が例示できる。成形圧力はクラック等の発生がなく、取り扱いが可能な成形体が得られれば特に限定されるものではないが、比較的高い成形圧力で、例えばプレス成形の場合、500kg/cm2~3.0ton/cm2で成形すると、本発明の複合酸化物焼結体において、酸化アルミニウム粒子や酸化チタン粒子が存在しないものが得られやすく、また相対密度80以上のものが得られやすい。また成形密度は可能な限り高めた方が好ましい。そのために冷間静水圧CIP成形等の方法を用いることも可能である。なお、成形処理に際しては、ポリビニルアルコール、アクリル系ポリマー、メチルセルロース、ワックス類、オレイン酸等の成形助剤を用いても良い。3焼成工程次に得られた成形体を800~1500°Cで焼成する。この温度範囲で焼成することにより、微細な平均粒径を有する粒子から成る複合酸化物焼結体を得ることが可能である。特に酸化亜鉛系複合酸化物特有の揮発消失が抑制され、かつ焼結密度を高められる点から、焼成温度は900~1400°Cの範囲がより好ましい。また焼成温度を900~1400°Cとすると、酸化アルミニウム粒子や酸化チタン粒子が存在しない複合酸化物焼結体が得られやすく、また相対密度80以上のものが得られやすい。特に、1500°Cを上回る温度で焼成すると複合酸化物焼結体中の平均粒径の増加が著しくなり、ターゲットとして用いたときにスパッタリング中の異常放電現象が著しく多くなる。また成形時に成形助剤を用いた場合には、加熱時の割れ等の破損を防止する観点から、焼成前に脱脂工程を付加することが好ましい。本発明によれば、複合酸化物焼結体を構成する粒子の平均粒径を前記のように制御することにより、高い焼結密度が得られ、ターゲットとして用いたときにスパッタリング中の異常放電現象を著しく抑制することが可能である。焼成時間は特に限定されるものではなく、焼成温度との兼ね合いにもよるが、通常1~24時間である。好ましくは3~12時間である。これは、本発明の複合酸化物焼結体中の均質性を確保するためであり、24時間より長時間の保持でも均質性を確保することは可能であるが、生産性への影響を考慮すると24時間以下で十分である。特に、30時間を上回る長時間保持では、複合酸化物焼結体中の平均粒径の増加が著しくなり、ターゲットとして用いたときにスパッタリング中の異常放電現象が著しく多くなることがあり好ましくない。さらに微細な平均粒径を有する粒子から成る複合酸化物焼結体を得るためには3~12時間であることが特に好ましい。昇温速度は特に限定されるものではないが、800°C以上の温度域では50°C/h以下であることがより好ましい。これは、本発明の複合酸化物焼結体中の均質性を確保するためである。焼成雰囲気は特に限定されるものではないが、例えば、大気中、酸素中、不活性ガス雰囲気中等が適宜選択されるが、大気よりも低酸素濃度の雰囲気とすることがより好ましい。これは、本発明の複合酸化物焼結体中に酸素欠陥を導入しやすくなり、そのため、複合酸化物焼結体の抵抗率が低下して異常放電を一層低減することが可能となるためである。また、焼成時の圧力も特に限定されるものではなく、常圧以外に加圧、減圧状態での焼成も可能である。熱間静水圧HIP法での焼成も可能である。なお、2成形工程と3焼成工程を同時に行うこともできる。即ち、粉末調整工程で調整した粉末を成形用の型に充填して焼成するホットプレス法や、同粉末を高温で溶融、噴射して所定の形状とする方法等により作製することも可能である。スパッタリングターゲット本発明のスパッタリングターゲットは、前記の複合酸化物焼結体からなることを特徴とする。このようなスパッタリングターゲットを用いたスパッタリングによって成膜された酸化物透明導電膜は、抵抗率が低く、可視光領域だけでなく赤外領域においても光透過性に優れ、さらに耐久性にも優れる。また、このようなスパッタリングターゲットは、成膜時の放電特性に優れ、異常放電が抑制され安定した成膜を可能とする。本発明においては、複合酸化物焼結体をそのままスパッタリングターゲットとして用いても良く、複合酸化物焼結体を所定の形状に加工してスパッタリングターゲットとして用いても良い。スパッタリングターゲットは、スパッタリング面の表面粗さが中心線平均粗さRaで3μm以下であることが好ましく、2μm以下であることがより好ましい。これにより、成膜時の異常放電の回数を一層抑制することが可能となり、安定した成膜を可能とする。中心線平均粗さは、複合酸化物焼結体のスパッタリング面を、番手を変えた砥石等で機械加工する方法、サンドブラスト等で噴射加工する方法等により調整することが可能である。また中心線平均粗さは、例えば測定面を表面性状測定装置で評価することにより求めることができる。酸化物透明導電膜本発明の酸化物透明導電膜は、例えば上記スパッタリングターゲットを用いたスパッタリングにより製造することができる。本発明の酸化物透明導電膜を製造する際のスパッタリング法としては、DCスパッタリング法、RFスパッタリング法、ACスパッタリング法、DCマグネトロンスパッタリング法、RFマグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法等を適宜選択することができ、これらの中、大面積に均一に、かつ高速成膜可能な点でDCマグネトロンスパッタリング法、RFマグネトロンスパッタリング法が好ましい。スパッタリング時に用いられる基材の温度は特に限定されるものではないが、その基材の耐熱性に影響される。例えば、無アルカリガラスを基材とした場合は通常250°C以下、樹脂製のフィルムを基材とした場合は、通常150°C以下が好ましい。もちろん、石英、セラミックス、金属等の耐熱性に優れた基材を用いる場合には、それ以上の温度で成膜することも可能である。スパッタリング時の雰囲気ガスは、通常、不活性ガス、例えばアルゴンガスを用いる。必要に応じて、酸素ガス、窒素ガス、水素ガス等を用いてもよい。本発明の複合酸化物焼結体は、スパッタリングターゲットとして用いることができる。そして、そのターゲットを用いてスパッタリングすることにより、スパッタリング中の異常放電を抑止しながら、本発明の酸化物透明導電膜を製造することができる。得られる酸化物透明導電膜は、可視光域ばかりでなく赤外領域の光透過性に優れ、かつ耐久性に優れる膜である。このため、例えば太陽電池に用いることによって、従来では不十分であった赤外領域の太陽光エネルギーを高い効率で利用することができるようになり、光電変換効率の高い太陽電池を提供することができる。なお、ここで言う太陽電池とは、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンを用いたシリコン系太陽電池、CuInSe2、CuIn、GaSe2、GaAs、CdTeなどの化合物系太陽電池、さらに色素増感型太陽電池等の酸化物透明導電膜を用いる太陽電池を例示できる。本発明を実施例と比較例により具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。なお、評価方法は以下の通りである。[原料粉末とその評価]用いた原料粉末の物性は以下の通りである。酸化亜鉛粉末:純度99.8、BET比表面積4m2/g、平均粒径Dsz2.4μm。酸化アルミニウム粉末:純度99.99、BET比表面積14m2/g、平均粒径Dsa1.6μm。酸化チタン粉末:純度99.9、BET比表面積6.5m2/g、平均粒径Dst2.2μm。BET比表面積MONOSORB米国QUANTACHROME社製を用い、BET式1点法により測定した。粉末の平均粒径COULTERLS130COULTERELECTRONICS社製を用い、蒸留水中、液体モジュールで測定した。測定値は体積基準である。[複合酸化物焼結体の評価]組成ICP発光分析法により定量した。焼結密度複合酸化物焼結体の焼結密度は、JIS-R1634-1998に準拠してアルキメデス法で測定した。平均粒径複合酸化物焼結体中の各粒子の平均粒径は、前述のようにして求めた。ただし、走査電子顕微鏡を用いて観察写真を得、平均粒径は各粒子500個から求めた。X線回折試験測定条件は以下の通りである。X線源:CuKαパワー:40kV、40mA走査速度:1°/分。得られた回折パターンを解析し、1六方晶ウルツ型構造相、2ZnTiO3型類似構造及び/またはZn2Ti3O8型類似構造の相、3アルミニウム酸亜鉛ZnAl2O4のスピネル酸化物構造の相、並びに4酸化アルミニウム相や酸化チタン相等の1~3以外の結晶相表中、他と記載、とに分類し、1、2、3、4の結晶相が同定された場合は有、同定されなかった場合は無とした。[スパッタリングターゲットの評価]中心線平均粗さスパッタリングターゲットのスパッタリング面を測定面とし、表面性状測定装置ミツトヨ社製、SV-3100で評価し、中心線平均粗さを求めた。放電特性下記スパッタリング条件下で1時間当たりに生じた異常放電回数を算出した。スパッタリング条件装置:DCマグネトロンスパッタリング装置アルバック社製磁界強度:1000Gaussターゲット直上、水平成分基板温度:室温約25°C到達真空度:5×10-5Paスパッタリングガス:アルゴンスパッタリングガス圧:0.5PaDCパワー:300Wスパッタリング時間:30時間。[酸化物透明導電膜の評価]透過率基板を含めた光透過率を分光光度計U-4100日立製作所社製で波長240nmから2600nmの範囲を測定し、波長400nmから800nmの透過率の平均値を可視域の透過率とし、波長800nmから1200nmの透過率の平均値を赤外域の透過率とした。膜自体の透過率は、下式により定義した。基板を含めた透過率/基板のみの透過率×100抵抗薄膜の抵抗は、HL5500日本バイオラッドラボラトリーズ社製を用いて測定した。耐久性薄膜試料を温度85°C、相対湿度85の環境に連続的に1000時間まで曝し、抵抗率の変化を観察した。このとき、試験前後の抵抗率をそれぞれA、Bとしたときに、B-A/Aの値を単位で求めて信頼性の指標とした。通常、この値は試験時間とともに増加傾向にあり、値が小さいほど耐久性が優れていることを示している。実施例1複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表1の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、以下の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1200°C保持時間:3時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により下記の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。スパッタリング成膜条件装置:DCマグネトロンスパッタ装置磁界強度:1000Gaussターゲット直上、水平成分基板温度:200°C到達真空度:5×10-5Paスパッタリングガス:アルゴンスパッタリングガス圧:0.5PaDCパワー:300W膜厚:1000nm使用基板:無アルカリガラスコーニング社製1737ガラス厚さ0.7mm得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例2複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表1の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例3複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表1の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例4複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表1の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例5複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表1の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例6複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表1の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例7複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表1の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例8複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表1の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例9複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表1の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例10複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表1の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例11複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表1の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例12複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表1の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例13複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表1の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例14複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表1の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例15複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表1の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例16複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表1の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例17複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表1の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例18複合酸化物焼結体の作製実施例2と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1500°C保持時間:3時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例19複合酸化物焼結体の作製実施例2と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1400°C保持時間:3時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例20複合酸化物焼結体の作製実施例2と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1100°C保持時間:3時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例21複合酸化物焼結体の作製実施例2と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:900°C保持時間:3時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例22複合酸化物焼結体の作製実施例2と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1200°C保持時間:5時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例23複合酸化物焼結体の作製実施例2と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1200°C保持時間:10時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例24複合酸化物焼結体の作製実施例2と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1200°C保持時間:3時間焼結雰囲気:大気降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例25複合酸化物焼結体の作製実施例2と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1100°C保持時間:3時間焼結雰囲気:大気降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例26複合酸化物焼結体の作製実施例6と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1500°C保持時間:3時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例27複合酸化物焼結体の作製実施例6と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1400°C保持時間:3時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例28複合酸化物焼結体の作製実施例6と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1100°C保持時間:3時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例29複合酸化物焼結体の作製実施例6と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:900°C保持時間:3時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例30複合酸化物焼結体の作製実施例6と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1200°C保持時間:5時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例31複合酸化物焼結体の作製実施例6と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1200°C保持時間:10時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例32複合酸化物焼結体の作製実施例6と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1200°C保持時間:3時間焼結雰囲気:大気降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例33複合酸化物焼結体の作製実施例6と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1100°C保持時間:3時間焼結雰囲気:大気降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例34、35、36複合酸化物焼結体の作製実施例2と同様の方法で複合酸化物焼結体を作製した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。実施例37、38、39複合酸化物焼結体の作製実施例6と同様の方法で複合酸化物焼結体を作製した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表1、2に示す。比較例1複合酸化物焼結体の作製前記した酸化亜鉛粉末を乾式ボールミルで混合し、平均粒径が1μm以下となるように調整した。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1100°C保持時間:3時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛からなる六方晶系ウルツ型構造相に起因する回折ピークのみが観察された。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表3、4に示す。比較例2複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化亜鉛粉末を用い、表3の原子比となるように湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1200°C保持時間:3時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相と、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相に起因する回折ピークは検出されなかった。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表3、4に示す。比較例3複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化亜鉛粉末を用い、表3の原子比となるように湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、比較例2と同様の条件で焼成した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相と、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相に起因する回折ピークは検出されなかった。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表3、4に示す。比較例4複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化亜鉛粉末を用い、表3の原子比となるように湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、比較例2と同様の条件で焼成した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相と、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相に起因する回折ピークは検出されなかった。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表3、4に示す。比較例5複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化亜鉛粉末を用い、表3の原子比となるように湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、比較例2と同様の条件で焼成した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相と、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相に起因する回折ピークは検出されなかった。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表3、4に示す。比較例6複合酸化物焼結体の作製前記した酸化チタン粉末と酸化亜鉛粉末を表3の原子比となるように湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、比較例2と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化チタン相に起因する回折ピークは検出されなかった。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表3、4に示す。比較例7複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表3の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表3の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表3、4に示す。比較例8複合酸化物焼結体の作製前記した酸化チタン粉末と酸化亜鉛粉末を表3の原子比となるように湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、比較例2と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化チタン相に起因する回折ピークは検出されなかった。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表3、4に示す。比較例9複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表3の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表3の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表3、4に示す。比較例10複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表3の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表3の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表3、4に示す。比較例11複合酸化物焼結体の作製前記した酸化チタン粉末と酸化亜鉛粉末を表3の原子比となるように湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、比較例2と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化チタン相に起因する回折ピークは検出されなかった。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表3、4に示す。比較例12複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表3の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表3の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表3、4に示す。比較例13複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表3の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表3の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表3、4に示す。比較例14複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表3の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表3の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表3、4に示す。比較例15複合酸化物焼結体の作製実施例2と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1550°C保持時間:3時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表3、4に示す。比較例16複合酸化物焼結体の作製実施例2と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:750°C保持時間:3時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピーク、並びに酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークがトレース程度検出された。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表3、4に示す。比較例17複合酸化物焼結体の作製実施例2と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1200°C保持時間:30時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表3、4に示す。比較例18複合酸化物焼結体の作製実施例6と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1550°C保持時間:3時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表3、4に示す。比較例19複合酸化物焼結体の作製実施例6と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:750°C保持時間:3時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピーク、並びに酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークがトレース程度検出された。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表3、4に示す。比較例20複合酸化物焼結体の作製実施例6と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1200°C保持時間:30時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表3、4に示す。比較例21複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表3の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表3の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、以下の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1300°C保持時間:5時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表3、4に示す。比較例22、23、24複合酸化物焼結体の作製前記した酸化亜鉛粉末と、酸化アルミウム粉末、酸化チタン粉末を表3の組成となるように湿式ボールミルで混合した。その際、ポリビニルアルコールを固形分換算で原料粉末総重量に対して1重量となるように添加した。噴霧乾燥した後、得られた粉末を3.0ton/cm2でCIP成形し、大気中、500°Cで脱脂した。その後、比較例21と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により下記の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。スパッタリング成膜条件装置:DCマグネトロンスパッタ装置磁界強度:1000Gaussターゲット直上、水平成分基板温度:200°C比較例22、24、25°C比較例23到達真空度:5×10-5Paスパッタリングガス:アルゴンスパッタリングガス圧:0.5PaDCパワー:300W膜厚:1000nm使用基板:無アルカリガラスコーニング社製1737ガラス厚さ0.7mm得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表3、4に示す。比較例25複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末、酸化チタン粉末と酸化亜鉛粉末を、表3の組成の酸化アルミニウムと酸化チタンとなる合計モル数と同モル数の酸化亜鉛を湿式ボールミルで混合、乾燥して混合粉末を得た。この混合粉末を大気中、1000°Cで仮焼し、仮焼粉末を得た。この仮焼粉末に最終組成となるように酸化亜鉛粉末を追加し、湿式ボールミル混合した。その際、ポリビニルアルコールを固形分換算で原料粉末総重量に対して1重量となるように添加した。噴霧乾燥した後、得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、大気中、500°Cで脱脂した。その後、以下の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1400°C保持時間:2時間焼結雰囲気:大気降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相に起因する回折ピークは検出されなかった。これにより、アルミニウムと亜鉛の複合酸化物相とチタンと亜鉛の複合酸化物相が共存していることが確認された。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表3、4に示す。比較例26複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化亜鉛粉末を同モル数となるように湿式ボールミルで混合、乾燥して混合粉末Aを得た。この混合粉末Aを大気中、1000°Cで仮焼した。次に前記した酸化チタン粉末と酸化亜鉛粉末を同モル数となるように湿式ボールミルで混合、乾燥して混合粉末Bを得た。この混合粉末Bを大気中、1000°Cで仮焼した。仮焼した混合粉末A、Bと追加の酸化亜鉛粉末を表3の組成となるように湿式ボールミル混合した。その際、ポリビニルアルコールを固形分換算で原料粉末総重量に対して1重量となるように添加した。噴霧乾燥した後、得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、大気中、500°Cで脱脂した。その後、以下の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1400°C保持時間:2時間焼結雰囲気:大気降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相に起因する回折ピークは検出されなかった。これにより、アルミニウムと亜鉛の複合酸化物相とチタンと亜鉛の複合酸化物相が共存していることが確認された。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表3、4に示す。実施例40複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表5の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同一の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例41複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表5の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例42複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表5の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例43複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表5の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例44複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表5の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例45複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表5の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例46複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表5の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例47複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表5の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例48複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表5の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例49複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表5の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例50複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表5の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例51複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表5の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例52複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表5の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例53複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表5の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例54複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表1の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例55複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表5の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例56複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表5の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表1の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例57複合酸化物焼結体の作製実施例41と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1500°C保持時間:3時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例58複合酸化物焼結体の作製実施例41と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1400°C保持時間:3時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例59複合酸化物焼結体の作製実施例41と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1100°C保持時間:3時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例60複合酸化物焼結体の作製実施例41と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:900°C保持時間:3時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例61複合酸化物焼結体の作製実施例41と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1200°C保持時間:5時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例62複合酸化物焼結体の作製実施例41と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1200°C保持時間:10時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例63複合酸化物焼結体の作製実施例41と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1200°C保持時間:3時間焼結雰囲気:大気降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例64複合酸化物焼結体の作製実施例41と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1100°C保持時間:3時間焼結雰囲気:大気降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例65複合酸化物焼結体の作製実施例45と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1500°C保持時間:3時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例66複合酸化物焼結体の作製実施例45と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1400°C保持時間:3時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例67複合酸化物焼結体の作製実施例45と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1100°C保持時間:3時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例68複合酸化物焼結体の作製実施例45と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:900°C保持時間:3時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例69複合酸化物焼結体の作製実施例45と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1200°C保持時間:5時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例70複合酸化物焼結体の作製実施例45と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1200°C保持時間:10時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例71複合酸化物焼結体の作製実施例45と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1200°C保持時間:3時間焼結雰囲気:大気降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例72複合酸化物焼結体の作製実施例45と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1100°C保持時間:3時間焼結雰囲気:大気降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例73,74,75複合酸化物焼結体の作製実施例41と同様の方法で複合酸化物焼結体を作製した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。実施例76、77、78複合酸化物焼結体の作製実施例45と同様の方法で複合酸化物焼結体を作製した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表5、6に示す。比較例27複合酸化物焼結体の作製前記した酸化亜鉛粉末を乾式ボールミルで混合し、平均粒径が1μm以下となるように調整した。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1100°C保持時間:3時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛からなる六方晶系ウルツ型構造相に起因する回折ピークのみが観察された。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表7、8に示す。比較例28複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化亜鉛粉末を用い、表7の原子比となるように湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1200°C保持時間:3時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相と、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相に起因する回折ピークは検出されなかった。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表7、8に示す。比較例29複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化亜鉛粉末を用い、表7の原子比となるように湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、比較例2と同様の条件で焼成した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相と、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相に起因する回折ピークは検出されなかった。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表7、8に示す。比較例30複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化亜鉛粉末を用い、表7の原子比となるように湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、比較例2と同様の条件で焼成した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相と、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相に起因する回折ピークは検出されなかった。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表7、8に示す。比較例31複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化亜鉛粉末を用い、表7の原子比となるように湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、比較例2と同様の条件で焼成した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相と、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相に起因する回折ピークは検出されなかった。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表7、8に示す。比較例32複合酸化物焼結体の作製前記した酸化チタン粉末と酸化亜鉛粉末を表7の原子比となるように湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、比較例2と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とチタンを含有するZnTiO3型類似構造及び/またはZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化チタン相に起因する回折ピークは検出されなかった。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表7、8に示す。比較例33複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表7の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表7の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表7、8に示す。比較例34複合酸化物焼結体の作製前記した酸化チタン粉末と酸化亜鉛粉末を表7の原子比となるように湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、比較例2と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化チタン相に起因する回折ピークは検出されなかった。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表7、8に示す。比較例35複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表7の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表7の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表7、8に示す。比較例36複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表7の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表7の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表7、8に示す。比較例37複合酸化物焼結体の作製前記した酸化チタン粉末と酸化亜鉛粉末を表7の原子比となるように湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、比較例2と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化チタン相に起因する回折ピークは検出されなかった。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表7、8に示す。比較例38複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表7の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表7の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表7、8に示す。比較例39複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表7の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表7の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表7、8に示す。比較例40複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表7の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表7の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表7、8に示す。比較例41複合酸化物焼結体の作製実施例41と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1550°C保持時間:3時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表7、8に示す。比較例42複合酸化物焼結体の作製実施例41と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:750°C保持時間:3時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピーク、並びに酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークがトレース程度検出された。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表7、8に示す。比較例43複合酸化物焼結体の作製実施例41と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1200°C保持時間:30時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表7、8に示す。比較例44複合酸化物焼結体の作製実施例45と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1550°C保持時間:3時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表7、8に示す。比較例45複合酸化物焼結体の作製実施例45と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:750°C保持時間:3時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピーク、並びに酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークがトレース程度検出された。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表7、8に示す。比較例46複合酸化物焼結体の作製実施例45と同様の方法で成形体を作製した。得られた成形体を下記の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1200°C保持時間:30時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表7、8に示す。比較例47複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表7の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表7の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、以下の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1300°C保持時間:5時間焼結雰囲気:窒素降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表7、8に示す。比較例48、49、50複合酸化物焼結体の作製前記した酸化亜鉛粉末と、酸化アルミウム粉末、酸化チタン粉末を表7の組成となるように湿式ボールミルで混合した。その際、ポリビニルアルコールを固形分換算で原料粉末総重量に対して1重量となるように添加した。噴霧乾燥した後、得られた粉末を3.0ton/cm2でCIP成形し、大気中、500°Cで脱脂した。その後、比較例47と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により下記の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。スパッタリング成膜条件装置:DCマグネトロンスパッタ装置磁界強度:1000Gaussターゲット直上、水平成分基板温度:200°C比較例22、24、25°C比較例23到達真空度:5×10-5Paスパッタリングガス:アルゴンスパッタリングガス圧:0.5PaDCパワー:300W膜厚:1000nm使用基板:無アルカリガラスコーニング社製1737ガラス厚さ0.7mm得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表7、8に示す。比較例51複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末、酸化チタン粉末と酸化亜鉛粉末を、表7の組成の酸化アルミニウムと酸化チタンとなる合計モル数と同モル数の酸化亜鉛を湿式ボールミルで混合、乾燥して混合粉末を得た。この混合粉末を大気中、1000°Cで仮焼し、仮焼粉末を得た。この仮焼粉末に最終組成となるように酸化亜鉛粉末を追加し、湿式ボールミル混合した。その際、ポリビニルアルコールを固形分換算で原料粉末総重量に対して1重量となるように添加した。噴霧乾燥した後、得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、大気中、500°Cで脱脂した。その後、以下の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1400°C保持時間:2時間焼結雰囲気:大気降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相に起因する回折ピークは検出されなかった。これにより、アルミニウムと亜鉛の複合酸化物相とチタンと亜鉛の複合酸化物相が共存していることが確認された。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表7、8に示す。比較例52複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化亜鉛粉末を同モル数となるように湿式ボールミルで混合、乾燥して混合粉末Aを得た。この混合粉末Aを大気中、1000°Cで仮焼した。次に前記した酸化チタン粉末と酸化亜鉛粉末を同モル数となるように湿式ボールミルで混合、乾燥して混合粉末Bを得た。この混合粉末Bを大気中、1000°Cで仮焼した。仮焼した混合粉末A、Bと追加の酸化亜鉛粉末を表3の組成となるように湿式ボールミル混合した。その際、ポリビニルアルコールを固形分換算で原料粉末総重量に対して1重量となるように添加した。噴霧乾燥した後、得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、大気中、500°Cで脱脂した。その後、以下の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1400°C保持時間:2時間焼結雰囲気:大気降温速度:100°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相に起因する回折ピークは検出されなかった。これにより、アルミニウムと亜鉛の複合酸化物相とチタンと亜鉛の複合酸化物相が共存していることが確認された。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表7、8に示す。比較例53複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化チタン粉末を表7の原子比となるように乾式ボールミルで混合し、大気中、1000°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表7の原子比となるように前記した酸化亜鉛粉末を追加して湿式ビーズミルで混合し、噴霧乾燥した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、実施例1と同様の条件で焼結した。得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピークのみが観察され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相、亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークは検出されなかった。さらに、SEM、EPMAによる分析を行い、アルミニウムとチタンは亜鉛と化合物を形成し、ZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造の粒子として存在し、六方晶系ウルツ型構造相の粒子と共存することを確認した。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表7、8に示す。比較例54複合酸化物焼結体の作製前記した酸化アルミウム粉末と酸化亜鉛粉末を表7の原子比となるように湿式ビーズミルで混合、乾燥した。得られた混合粉末を大気中、1400°Cで仮焼した後に平均粒径が1μm以下となるように調整し、次いで表7の原子比となるように前記した酸化チタン粉末を追加して乾式ボールミルで混合した。平均粒径は1μm以下であった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、以下の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:150°C/時間焼結温度:1200°C保持時間:2時間焼結雰囲気:窒素降温速度:50°C/時間得られた焼結体を粉砕し、X線回折試験により生成相を同定したところ、酸化亜鉛を含有する六方晶系ウルツ型構造相とアルミニウム及びチタンを含有するZnTiO3型類似構造及びZn2Ti3O8型類似構造相に起因する回折ピーク、並びに亜鉛とアルミニウムが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物相に起因する回折ピークが検出され、酸化アルミニウム相、酸化チタン相に起因する回折ピークは検出されなかった。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。得られた酸化物透明導電膜の生成相を、複合酸化物焼結体のX線回折試験と同一の方法にて測定した結果、六方晶系ウルツ型構造相のみで構成されていた。評価結果を表7、8に示す。本発明の範囲では、抵抗、光透過率、耐久性は下記の状態であれば、デバイス設計上、大きな問題を生じないで、実用に耐え得ると判断される。すなわち、抵抗は、実施例に示した方法で測定した場合に、膜厚1000nm以下でシート抵抗が30Ω/□以下であることが望まれている。光透過率は、実施例に示した方法で測定した場合に、膜自体の透過率で、可視域400~800nm、赤外域800~1200nmの波長域での平均値がそれぞれ80以上であることが望まれる。耐久性は、実施例に示した耐久性試験による方法で抵抗の変化増加が30以下であることが望まれている。実施例1~17と比較例1~14を比較すると、実施例ではスパッタリング中の異常放電現象が少なく、得られた膜が低抵抗で透過率が高く、かつ耐久性に優れていることが分かる。実施例2と比較例15~17、実施例6と比較例18~20、実施例10と比較例25~26をそれぞれ比較すると、組成が本発明の範囲内であっても焼結体中の各結晶相の平均粒径や結晶相が異なるとスパッタリング中の異常放電現象が多くなることが分かる。実施例1、5、12、15、17、48、比較例14、53を比較すると、比較例14、53は実用に耐え得ると判断される抵抗を上回る高い抵抗となることが分かる図1。実施例2、13、16、45、49、比較例2を比較すると、比較例2は実用に耐え得ると判断される耐久性よりも非常に劣る耐久性であることが分かる図2。実施例1、2、3、4、比較例6、33を比較すると、比較例6は実用に耐え得ると判断される耐久性よりも非常に劣る耐久性であり、比較例33は実用に耐え得ると判断される透過率を下回る低い透過率であることが分かる図3。実施例48、49、50と比較例8、9を比較すると、比較例8は実用に耐え得ると判断される抵抗を上回る高い抵抗となり、比較例9は実用に耐え得ると判断される透過率を下回る低い透過率であることが分かる図4。"