"内部電極が埋設されたセラミックからなる部品本体と該部品本体の外面に形成された外部電極とを備えたチップ状電子部品において、前記外部電極は、部品本体の外面に形成された第1の電極層と、第1の電極層の外面に物理的蒸着法又は化学的蒸着法で形成されてなり且つ部品本体内への水素の拡散を防止する導電性の保護層と、保護層の外面に電解メッキで形成された1層以上の第2の電極層とを備えたことを特徴とするチップ状電子部品。前記保護層は、Niより水素吸蔵量が大きい第1の金属粒子とNiより水素拡散係数が小さい第2の金属粒子からなることを特徴とする請求項1記載のチップ状電子部品。前記保護層は、第1の金属粒子としてPdを用い、第2の金属粒子としてCu又はAuの何れか一方或いは双方を用いることを特徴とする請求項2記載のチップ状電子部品。前記保護層は、厚みが0.5μm以上であり、且つ、Pdが25~55、Cuが35~60、Auが0~30の割合で含まれていることを特徴とする請求項3記載のチップ状電子部品。前記保護層は、第1の金属粒子と第2の金属粒子を混合した混合物からなることを特徴とする請求項1乃至4何れか1項記載のチップ状電子部品。前記保護層は、第1の金属粒子及び第2の金属粒子の合金からなることを特徴とする請求項1乃至4何れか1項記載のチップ状電子部品。しかし、従来のチップ状電子部品では、電解メッキ工程により製品の信頼性が低下する場合がある。すなわち、一般的にはメッキの電流効率は100にならず、メッキ膜形成に使われなかった電流はメッキ液に用いられる水の電気分解を引き起こすことが知られている。この水の電気分解により活性水素が発生し、該活性水素が外部電極から内部電極に浸入するおそれがある。そして、内部電極に吸蔵された水素の影響で内部電極が体積膨張し、内部に応力が残存して製品の信頼性に影響を与えることが考えられる。このような問題は特に内部電極としてNiを用いた場合に顕著である。一方で近年、チップ状電子部品に対する更なる小型化薄型化の要求が高まっており、これにより外部電極については薄膜化微細加工容易性が求められている。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、信頼性の低下を抑制し且つ小型化に適したチップ状電子部品を提供することにある。上記目的を達成するために、本願発明は、内部電極が埋設されたセラミックからなる部品本体と該部品本体の外面に形成された外部電極とを備えたチップ状電子部品において、前記外部電極は、部品本体の外面に形成された第1の電極層と、第1の電極層の外面に物理的蒸着法又は化学的蒸着法で形成されてなり且つ部品本体内への水素の拡散を防止する保護層と、保護層の外面に電解メッキで形成された1層以上の第2の電極層とを備えたことを特徴とする。本願発明によれば、電解メッキでの第2の電極層の形成工程において、活性水素が部品本体内に浸入することを保護層により防止することができる。なお、保護層を物理的蒸着法又は化学的蒸着法で形成しているので、保護層の形成工程において活性水素が部品本体内に浸入することがないので好適である。また物理的蒸着法又は化学的蒸着法で導電性の保護層を形成しているのでディップ法などと比べて薄く形成でき、部品サイズの小型化に有利である。ここで前記保護層は、Niより水素吸蔵量が大きい第1の金属粒子とNiより水素拡散係数が小さい第2の金属粒子からなるものが好適である。すなわち部品本体内への水素の浸入を防止するためには、保護層自体で水素を吸蔵しつつ、下地となっている第1の電極層への水素の拡散を防止することが好ましい。すなわち保護層としては、水素吸蔵量が大きく且つ水素拡散係数が小さいものが好ましい。一方で単一の金属材料ではこのような特性を実現することは困難である。そこで、本願発明では、保護層として、Niより水素吸蔵量が大きい第1の金属粒子とNiより水素拡散係数が小さい第2の金属粒子からなるものを採用した。なお、保護層は、第1の金属粒子と第2の金属粒子の合金でもよいし、各金属の単体粒子がそれぞれの特性を維持したまま混合した状態の混合物であってもよい。また、第1の金属粒子と第2の金属粒子はそれぞれ複数種の金属材料を含んでいてもよい。例えば、第1の金属粒子としてPdを用い、第2の金属粒子としてCu及びAuの双方を用いるものなどが挙げられる。以上説明したように本発明によれば、電解メッキでの第2の電極層の形成工程において、活性水素が部品本体内に浸入することを保護層により防止することができる。なお、保護層を物理的蒸着法又は化学的蒸着法で形成しているので、保護層の形成工程において活性水素が部品本体内に浸入することがないので好適である。また物理的蒸着法又は化学的蒸着法で導電性の保護層を形成しているで、部品サイズの小型化に有利である。本発明の一実施の形態に係るチップ状電子部品について図面を参照して説明する。本実施の形態ではチップ状電子部品の一例として積層セラミックコンデンサについて説明する。図1は積層セラミックコンデンサの断面図である。なお本願では説明の簡単のため適宜寸法や形状を模式化している点に留意されたい。積層セラミックコンデンサ1は、図1に示すように、部品本体である略直方体形状の積層体10と、該積層体10の長手方向両端部に形成された一対の外部電極20とを備えている。積層体10は、複数の内部電極層11と誘電体層12とを交互に積層したセラミック焼結体からなる。内部電極層11は所定の間隔をもって互いに重なり合うように配置されており、その端部は積層体10の何れか一方の端面に交互に露出し、該端面において外部電極20に電気的に接続している。すなわち内部電極層11は一層おきに同一の外部電極20に電気的に接続している。内部電極層11はNi,Cu等の卑金属、Pd,Agなどの貴金属、Ag-Pd合金などを主成分とした金属からなるが、コストダウンの観点からはNiが好適である。また本実施の形態では積層セラミックコンデンサ1は高誘電率系のクラス2であり、誘電体層12はチタン酸バリウムベースの誘電体セラミックからなる。外部電極20は、積層体10の表面のうち長手方向両端面から該端面に隣接する側面にまで回り込んで形成されている。外部電極20は、最内層、すなわち積層体10の外面に形成された電極層21特許請求の範囲に記載の第1の電極層に相当すると、該第1の電極層21の外面に形成された保護層22と、保護層22の外面に形成された2層のメッキ層23,24特許請求の範囲に記載の第2の電極層に相当するを備えた4層構造になっている。電極層21は、外部電極20としての主機能を果たすための層であり電気的特性,内部電極層11との接続性,積層体10への密着性などに着目して材料選択するのが好ましい。具体的には、Cu、Niなどの卑金属、Ag,Auなどの貴金属、これらの合金などから選択することが好ましい。保護層22は、メッキ層23,24の形成工程において積層体10内に活性水素が浸入することを防止するための導電性の電極層であり、高い水素吸蔵量及び低い水素拡散係数を有するものが好ましい。このような機能を有するため、本発明では保護層22として、水素吸蔵量の大きい第1の金属粒子と水素拡散係数の小さい第2の金属粒子からなるものを用いた。水素吸増量及び水素拡散係数の大小の基準としてはNiが適当である。すなわち保護層22は、Niより水素吸蔵量の大きい第1の金属粒子とNiより水素拡散係数の小さい第2の金属粒子からなるものが好適である。前記第1の金属粒子としてはPd,Ptなどが挙げられる。特にPdの比率が高くなると水素の吸蔵量は多くなる傾向があり常温で約900倍の体積の水素を原子として吸収可能、水素を吸蔵しても吸収できる量が多いため、体積膨張等による変形を引き起こさない。つまり、Pdを保護層22の第1の金属粒子として使用することで、保護層22中に水素を吸収でき、さらに保護層22自体の変形も引き起こしにくいため、内部電極層11への水素の拡散を抑制するとともに、水素を吸蔵した保護層22の膨張や変形も起こりにくいため積層体10へ応力もかからない。このため第1の金属粒子としてPdは有効なものの1つである。一方、第2の金属粒子としてはCu,Au,Agなどが挙げられる。特にAu比率が高くなると水素拡散係数が小さくなる傾向があるので適当な比率でAuを用いると好適である。なお、第1の金属粒子と第2の金属粒子はそれぞれ複数種の金属材料を含んでいてもよい。例えば、保護層22は、第1の金属粒子としてのPdと、第2の金属粒子としてのCu及びAuとからなるものが挙げられる。以上の理由より、保護層22としては、Pd,Cu,Auからなるものが好適である。また、保護層22は、スパッタリング真空蒸着イオンプレーティングなどの物理的蒸着法或いは熱CVDコールドウォールCVDMOCVDALCVDプラズマCVDなどの化学的蒸着法などドライプロセスで形成された薄膜からなる。一方で保護層22は、前述のように複数の金属材料からなる。そこで本発明では、各材料をそれぞれターゲットにセットして蒸着を行うことにより保護層22を形成すればよい。この場合、保護層22は各金属の単体粒子がそれぞれの特性を維持したまま混合した状態の混合物となる。また、このような混合状態の保護層22を更に加熱して合金化してもよいし、或いは、各材料の合金をターゲットにセットして蒸着を行うことにより保護層22を形成してもよい。メッキ層23,24は、電解メッキにより形成された薄膜からなる。メッキ層23はハンダ喰われを防止するための層である。メッキ層23の材料としては例えばNiやNi-Pなどが挙げられる。また、メッキ層24は、ハンダ濡れ性を向上させるとともにメッキ層23の酸化を防止するための層である。メッキ層24の材料としては例えばSnやSn合金やAuなどが挙げられる。次に本実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ1の製造方法について図2のフローチャートを参照して説明する。まず誘電体セラミックを形成する原料粉末、有機バインダ、溶剤及びその他添加剤を混合してセラミックスラリーを作製するステップS1。次に、セラミックスラリーをドクターブレード法などによりシート状に形成乾燥してセラミックグリーンシートを得るステップS2。次にセラミックグリーンシートに所定のパターン形状で内部電極用のペーストを印刷するステップS3。該ペーストには共生地としてセラミック原料粉を所定分量混合しておくと好適である。次に、ペーストを印刷したセラミックグリーンシートを所定のパターン枚数積層した後に圧着してシート積層体を得るステップS4。次にシート積層体を個別チップに切断した後にステップS5、バレル研磨などで個別チップの表面を研磨するステップS6。次に、研磨後の個別チップに対して大気中又は窒素等の非酸化性ガス中で脱バインダ処理を行うステップS7。次に、個別チップの端部にディップ法や印刷法などで電極層21用のペーストを塗布するステップS8。次に脱バインダ処理後の個別チップを所定温度の窒素―水素雰囲気中で焼成しステップS9、さらに再酸化処理を行うことにより電極層21が形成された積層体10を得るステップS10。次に積層体10の電極層21の上に物理的蒸着法又は化学的蒸着法で保護層22を形成するステップS11。例えばスパッタリングを用いる場合、所定の治具に設置した積層体10をスパッタリング装置のステージにセットするとともに、保護層22を構成する各金属材料をそれぞれターゲットにセットする。各金属材料の配分比率については各ターゲットに印加する電圧等で制御すればよい。なお、保護層22を合金化する場合には、当該スパッタリングの後に所定の温度以上に加熱するか、若しくは保護層22を構成する合金をターゲットにセットしてスパッタリングを行えばよい。次に保護層22の上に、Niからならメッキ層23,Snからなるメッキ層24を順に電解メッキで形成するステップS12。ここで注目すべき点は、当該メッキ工程において活性水素が保護層22に吸蔵吸収されることにより、活性水素が積層体10内に侵入することを防止でき、これにより特性劣化を防止できることである。以上の工程により積層セラミックコンデンサ1が得られた。このように本実施の形態に係る積層セラミックコンデンサでは、外部電極20に水素吸蔵機能を有する保護層22が形成されているので、該保護層22の外層側に電解メッキでメッキ層23,24を形成する工程において活性水素が積層体10内に浸入することを防止することができる。なお、保護層22は物理的蒸着法又は化学的蒸着法で形成しているので、保護層22の形成工程において活性水素が積層体10内に浸入することがないので好適である。また物理的蒸着法又は化学的蒸着法で導電性の保護層22を形成しているのでディップ法などと比べて薄く形成でき、部品サイズの小型化に有利である。以上本発明の一実施の形態について詳述したが本発明はこれに限定されるものではない。例えば上記実施の形態ではチップ状電子部品の一例として積層セラミックコンデンサについて説明したが、他のチップ状電子部品でも本発明を実施することができる。すなわち本発明は、部品本体の材質等が不問であり、また外部電極の形状数なども不問である。さらに上記実施の形態では物理的蒸着法又は化学的蒸着法の一例としてスパッタ方式を用いて保護層22を形成することを例示したが、他の物理的蒸着法又は化学的蒸着法を用いても本願発明を実施することができる。また上記実施の形態では外部電極20の電極層21用のペーストと個別チップとを同時に焼成させていたが、個別チップを焼成して積層体10を得た後にペーストの塗布焼き付けを行って電極層21を形成してもよい。本発明の実施例について説明する。実施例1~7として以下に示す積層セラミックコンデンサを用意した。各実施例1~7では、内部電極層11はNi、外部電極20の電極層21はNi、保護層22はPd,Cu,Auの混合物、メッキ層23はNi、メッキ層24はSnを用いた。また、電極層21は積層体10と同時焼成した。保護層22の厚みは0.5μmとした。各実施例1~7における保護層22の各金属材料の含有率と、その水素吸蔵量及び水素拡散係数を図3に示す。また、Pd含有率、Cu含有率、Au含有率と水素吸蔵量、水素拡散係数の関係をグラフに示したものを図4及び図5に示す。図4及び図5から明らか内容に、水素の吸蔵量は、Pd比率が高くなると多くなる傾向がある。また、水素の拡散係数は、Au比率が高くなると小さくなる傾向がある。保護層22として効果があるのは、水素を取り込まない拡散係数が低いものであり、かつ水素を取り込んだ場合にトラップする能力水素吸蔵量が高いものと考えられる。つまり、Auにより水素を取り込まなくする効果とPdによりトラップする能力を組み合わせると、より効果的になる。特に、Au比率10以上で、Pd比率が高いものが有利と考えられる。上記実施例1~7についてメッキ工程での製品の劣化度合を確認して図6及び図7の結果を得た。メッキ工程での製品劣化の度合い以下劣化度合と言うは、メッキ前後で破壊電圧を20個ずつ測定し、メッキ前の破壊電圧の平均値-メッキ後の破壊電圧の平均値/メッキ前の破壊電圧の平均値により定義した。図6において良否判定は、劣化度合が-5以上で良判定図6では○で示すとした。また、比較例として、保護層22をCu100で形成したものを用意した。図6及び図7に示すように、本実施例1~7は何れも劣化度合が小さく、本発明によりメッキ工程における製品劣化を抑制する効果が確認された。特に、Pd25~55、Cu35~60、Au0~30の範囲の保護層22で、保護層22としてCu単体の比較例以上の効果が得られることが確認できた。また、Au10~30の範囲でいれると、Cu単体の比較例より大幅に製品劣化を抑制可能であることが確認できた。"