"処理ガスをプラズマ化してシリコン基板をエッチングし、このシリコン基板に、上部開口幅が広く、底部幅が狭いテーパ状のエッチング構造を形成するプラズマエッチング方法であって、前記処理ガスとして、フッ素系ガス及び窒素ガスを用い、これらのガスをプラズマ化するとともに、プラズマ化した窒素ガスによって前記シリコン基板に耐エッチング層を形成しつつ、プラズマ化したフッ素系ガスによって前記シリコン基板をエッチングするようにしたことを特徴とするプラズマエッチング方法。上記エッチング時における窒素ガスの供給流量を調整することにより、形成されるエッチング構造のテーパ状態を制御することを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチング方法。前記テーパ状態とは、該テーパ領域の表面粗さであることを特徴とする請求項2に記載のプラズマエッチング方法。上記窒素ガスの供給流量は、100~400sccmの範囲内であることを特徴とする請求項2に記載のプラズマエッチング方法。上記エッチング時におけるチャンバ内の圧力を調整することにより、形成されるエッチング構造のテーパ状態を制御することを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチング方法。前記テーパ状態とは、該テーパ領域の表面粗さであることを特徴とする請求項5に記載のプラズマエッチング方法。上記チャンバ内の圧力は、12Pa~25Paであることを特徴とする請求項5に記載のプラズマエッチング方法。前記フッ素系ガス及び窒素ガスをプラズマ化して前記シリコン基板をエッチングする工程たる第1工程を実施した後、前記処理ガスとして、フッ素系ガス及び酸素系ガスを用い、これらのガスをプラズマ化するとともに、プラズマ化した酸素系ガスによって前記シリコン基板に耐エッチング層を形成しつつ、プラズマ化したフッ素系ガスによって前記シリコン基板をエッチングする第2工程を実施するようにしたことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のプラズマエッチング方法。前記第1工程の処理時間を4秒以上10秒以下の範囲としたことを特徴とする請求項8記載のプラズマエッチング方法。しかしながら、上記従来のエッチング方法のように、酸素ガスをプラズマ化することによってシリコン基板に形成される酸化膜により側壁を保護するようにしたのでは、シリコン基板の深さ方向にはエッチングが進みやすいのに対して、マスク直下部がアンダーカットするようなシリコン基板の幅方向にはエッチングが進みにくい。したがって、酸素ガスをプラズマ化するのでは、側壁上部が円弧状にえぐれた形状ボーイング形状となり易く図8参照、良好なエッチング形状を得ることができない。そして、ボーイング形状をしたエッチング構造が形成されると、例えば、テーパ状のエッチング構造を形成した後、CVD処理で成膜する場合に、ボーイング形状が均質なデポジションの障害となるので、ボーイング形状の部分に薄膜を形成し難くなるという問題を生じる。したがって、ボーイング形状が形成されないように、テーパ状にシリコン基板をエッチングすることが好ましい。尚、耐エッチング層は、例えば、C4F8ガスなどのフルオロカーボンガスをプラズマ化して重合膜を形成することによっても形成することができる。このため、前記酸素ガスに代えてフルオロカーボンガスを用い、フルオロカーボンガスによって形成される重合膜を耐エッチング層としたり、前記酸素ガスに加えてフルオロカーボンガスを用い、酸素ガスによって形成される酸化膜、及びフルオロカーボンガスによって形成される重合膜を耐エッチング層として、シリコン基板をエッチングしたりすることもできる。しかしながら、フルオロカーボンガスをプラズマ化して重合膜を形成した場合には、側壁の表面が荒れた状態表面粗さが粗い状態となり易く図6参照、高精度なエッチング構造を得ることができない。これは、プラズマ化したフルオロカーボンガスから形成される耐エッチング層が、シリコン基板の表面に堆積した重合膜であって、例えば、プラズマ化した酸素ガスとシリコン原子との化学反応によってシリコン基板の表面に形成される酸化膜のように均一に形成され難いためだと考えられる。即ち、重合膜が薄い部分重合物の堆積が少ない部分ではエッチングされ易く、重合膜の厚い部分重合物の堆積が多い部分ではエッチングされ難いため、エッチングが進み易い部分と進み難い部分とで凹凸が生じるのである。このような凹凸が残渣マイクロマスクとなるので、エッチング状態にむらが生じ、エッチングされた膜表面が荒れた状態表面粗さの高い状態になることが知られている。そして、表面粗さが粗いと、例えば、テーパ状のエッチング構造を形成した後、CVD処理で成膜する場合に、均一な膜厚の薄膜を形成することができないといった問題を生じる。したがって、表面粗さが粗くならないようにシリコン基板をエッチングすることが好ましい。本発明は、以上の実情に鑑みなされたものであって、ボーイング形状を防止し、表面が滑らかなテーパ状のエッチング構造を形成することが可能なプラズマエッチング方法の提供をその目的とする。上記目的を達成するための本発明は、処理ガスをプラズマ化してシリコン基板をエッチングし、このシリコン基板に、上部開口幅が広く、底部幅が狭いテーパ状の穴又は溝を形成するプラズマエッチング方法であって、前記処理ガスとして、フッ素系ガス及び窒素ガスを用い、これらのガスをプラズマ化するとともに、プラズマ化した窒素ガスによって前記シリコン基板に耐エッチング層を形成しつつ、プラズマ化したフッ素系ガスによって前記シリコン基板をエッチングするようにしたことを特徴とするプラズマエッチング方法に係る。フッ素系ガスと窒素ガスとのプラズマ化は同時であってもなくてもよい。この発明によれば、フッ素系ガス及び窒素ガスを処理ガスとして用い、これらのガスをプラズマ化してシリコン基板をエッチングする。具体的には、窒素ガスをプラズマ化することによってシリコン基板に耐エッチング層例えば、SiNからなる窒化膜を形成しながら、フッ素系ガスをプラズマ化することによってシリコン基板のエッチングを進行させる。プラズマ化した窒素ガスによって耐エッチング層を形成した場合には、プラズマ化した酸素ガスによって耐エッチング層を形成した場合に比べ、マスク直下部がアンダーカットする方向にエッチングされ易い。したがって、プラズマ化した窒素ガスによって耐エッチング層を形成した場合には、ボーイング形状が形成され難い。また、プラズマ化した窒素ガスによって耐エッチング層を形成した場合には、プラズマ化した窒素ガスとシリコン原子との化学反応によってシリコン基板の表面に形成される耐エッチング層が、シリコン基板の表面に堆積する重合膜のように耐エッチング層の層厚が不均一になり難く、これにより、エッチングによって形成されるエッチング構造の表面の凹凸が少なく、滑らかなものとなる。また、一般には、窒素ガスによって形成される耐エッチング層を用いた方が、酸素ガスによって形成される耐エッチング層を用いるよりも、表面の凹凸が少なく、滑らかなものとなる。このようにして、シリコン基板がエッチングされ、当該シリコン基板には、上部開口幅が広く、底部幅が狭いテーパ状のエッチング構造が形成される。斯くして、本発明に係るプラズマエッチング方法によれば、ボーイング形状がなく、しかも、表面が滑らかなテーパ状のエッチング構造を形成することができる。また、上記の構成において、エッチング時における窒素ガスの供給流量やエッチング時におけるチャンバ内の圧力を調整することにより、形成されたエッチング構造のテーパ状態を制御することも好ましい。ここで、エッチング構造のテーパ状態とは、形成されたテーパの形状の他、その表面粗さも含まれる。なお、表面粗さとは、JIS規格に従い対象物の表面からランダムに抜き取った各部分における、表面粗さを表すパラメータである算術平均粗さ、最大高さ、十点平均粗さ、凹凸の平均間隔、局部山頂の平均間隔及び負荷長さ率の一又はその組み合わせにより表される概念である。上記の構成によれば、比較的調整しやすいプロセス条件を変更することにより、テーパ状態を簡便に制御することができる。これにより、ボーイング形状がなく、しかも、表面が滑らかなテーパ状のエッチング構造を形成することが可能となる。ところで、プラズマ化した窒素ガスによって耐エッチング層を形成した場合、プラズマ化した酸素ガスによって耐エッチング層を形成した場合に比べ、耐エッチング層の強度が低いために、エッチング構造の幅方向へのエッチングが進行し易く、エッチング構造の深さ方向へのエッチングが進行し難い。このため、エッチング構造の深さ方向へのエッチング速度が遅くなり、一定レベル以上のエッチング速度が得られないときがある。そこで、このようなときには、前記フッ素系ガス及び窒素ガスをプラズマ化して前記シリコン基板をエッチングする工程たる第1工程を実施した後、前記処理ガスとして、フッ素系ガス及び酸素系ガスを用い、これらのガスをプラズマ化するとともに、プラズマ化した酸素系ガスによって前記シリコン基板に耐エッチング層を形成しつつ、プラズマ化したフッ素系ガスによって前記シリコン基板をエッチングする第2工程を実施すると良い。フッ素系ガスと酸素系ガスとのプラズマ化は同時であってもなくてもよい。このようにすれば、プラズマ化した酸素系ガスによって耐エッチング層を形成したときには、プラズマ化した窒素ガスによって耐エッチング層を形成したときよりも、耐エッチング層の強度が高くなるために、エッチング構造の幅方向よりも、エッチング構造の深さ方向にエッチングが進行し易いことから、より効率的に深さ方向へのエッチングを進行させることができる。その際、第1工程で形成されたエッチング構造の側壁は、窒素ガスのプラズマ化により形成された耐エッチング層によって保護され、ボーイング形状となるのが防止されており、また、第2工程でのエッチングによって新たに形成された側壁が、酸素系ガスのプラズマ化により形成される耐エッチング層例えば、SiO2からなる酸化膜によって保護されつつエッチングが進行する。また、プラズマ化した酸素系ガスとシリコン原子との化学反応によってシリコン基板の表面に耐エッチング層が形成されるため、シリコン基板の表面に堆積する重合膜のように耐エッチング層の層厚が不均一になり難く、これにより、第2工程で形成されるエッチング構造の表面についても凹凸が少なく、滑らかなものとなる。このように、二段階でエッチングをして、第1工程で形成されたエッチング構造に対し、第2工程で更に深さ方向にエッチングを進行させれば、上述したように、ボーイング形状がなくて表面が滑らかなテーパ状のエッチング構造を形成することができる他、より速いエッチング速度が得られることから、深さの深いエッチング構造であっても、より短時間でエッチングを終了させることができる。また、窒素ガスのプラズマ化によって耐エッチング層を形成する第1工程では、酸素系ガスのプラズマ化によって耐エッチング層を形成する第2工程よりも、エッチング構造の幅方向へのエッチングが進行し易いことから、前記第1工程及び第2工程を順次実施する場合に、第1工程の処理時間が長いと、その分だけエッチング構造の幅方向にエッチングが進行して、第1工程で形成されるエッチング構造の側壁と、第2工程で形成されるエッチング構造の側壁との境界で段差を生じ易い。そこで、前記第1工程の処理時間を4秒以上とすることが好ましい。そうすれば、第1工程で幅方向へのエッチングを十分に行って、ボーイング形状を防止したテーパ状のエッチング構造を得ることができる。そして、前記第1工程の処理時間を10秒以下とすることが好ましい。そうすれば、第1工程で形成されるエッチング構造の幅方向へのエッチングを一定範囲内に抑え、その側壁と第2工程で形成されるエッチング構造の側壁との段差を生じ難くする生じたとしてもごく僅かとすることができる。尚、前記フッ素系ガスとしては、例えば、SF6ガスやCF4ガスを挙げることができ、前記酸素系ガスとしては、例えば、O2ガスを挙げることができる。以上のように、本発明に係るプラズマエッチング方法によれば、上部開口幅が広く、底部幅が狭いテーパ状の穴又は溝をシリコン基板に形成するに当たり、フッ素系ガス及び窒素ガスをプラズマ化して、プラズマ化した窒素ガスによりシリコン基板に耐エッチング層を形成しつつ、プラズマ化したフッ素系ガスによりシリコン基板をエッチングするようにしたので、ボーイング形状を防止し、表面が滑らかなテーパ状のエッチング構造テーパエッチング構造を形成することができる。1,装置の構成以下、本発明の具体的な実施形態について、添付図面に基づき説明する。まず、図1を基に、本発明の一実施形態に係るプラズマエッチング方法を実施するためのエッチング装置1について説明する。図1に示すように、このエッチング装置1は、閉塞空間を有する処理チャンバ11と、処理チャンバ11内に昇降自在に配設され、シリコン基板Kが載置される基台15と、基台15を昇降させる昇降シリンダ18と、処理チャンバ11内の圧力を減圧する排気装置20と、処理チャンバ11内に処理ガスを供給するガス供給装置25と、処理チャンバ11内に供給された処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成装置30と、基台15に高周波ないし低周波電力を供給する電源35とを備える。前記処理チャンバ11は、相互に連通した内部空間を有する下チャンバ12及び上チャンバ13から構成され、上チャンバ13は、下チャンバ12よりも小さく形成される。前記基台15は、シリコン基板Kが載置される上部材16と、昇降シリンダ18が接続される下部材17とから構成され、下チャンバ12内に配置されている。前記排気装置20は、下チャンバ12の側面に接続した排気管21を備え、排気管21を介して処理チャンバ11内の気体を排気し、処理チャンバ11の内部を所定圧力にする。前記ガス供給装置25は、SF6ガスを供給するガス供給部26と、N2ガスを供給するガス供給部27と、O2ガスを供給するガス供給部28と、一端が上チャンバ13の上面に接続し、他端が分岐して各ガス供給部26,27,28にそれぞれ接続した供給管29とを備えており、各ガス供給部26,27,28から供給管29を介して処理チャンバ11内にSF6ガス,N2ガス,O2ガスをそれぞれ供給する。前記SF6ガス,N2ガス,O2ガスは、それぞれ前記処理ガスとして処理チャンバ11内に供給されるものであり、前記SF6ガスに代えて、例えば、CF4ガスなどのフッ素系ガスを供給するようにしても良い。前記プラズマ生成装置30は、上チャンバ13の外周部に上下に並設される、複数の環状をしたコイル31と、各コイル31に高周波電力を供給する高周波電源32とから構成され、高周波電源32によってコイル31に高周波電力を供給することで、上チャンバ13内に供給されたSF6ガス,N2ガス及びO2ガスをプラズマ化する。前記電源35は、基台15に高周波電力を供給することで、基台15とプラズマとの間に電位差バイアス電位を生じさせ、SF6ガスのプラズマ化により生成されたイオンをシリコン基板Kに入射させる。2,エッチング構造の形成次に、以上のように構成されたエッチング装置1を用い、上部開口幅が広く、底部幅が狭いテーパ状のエッチング構造をシリコン基板Kに形成するプラズマエッチング方法について説明する。まず、シリコン基板Kをエッチング装置1内に搬入して基台15上に載置する搬入工程を実施した後、SF6ガス及びN2ガスの混合ガスをプラズマ化して基台15上のシリコン基板Kをエッチングする第1エッチング工程を、例えば、4秒以上10秒以下の時間実施する。この第1エッチング工程では、ガス供給部26,27からSF6ガス及びN2ガスを処理チャンバ11内にそれぞれ供給し、排気装置20によって処理チャンバ11内を所定圧力とし、高周波電源32,35によってコイル31及び基台15に高周波電力をそれぞれ供給する。尚、N2ガスの好ましい供給流量としては、例えば、SF6ガスの供給流量の0.75倍以上1倍以下である。また、後述の実験結果から得られるように、テーパエッチング構造の表面粗さを良好なものとするには、N2ガスの供給流量を100~400sccmの範囲内とすることが好ましい。処理チャンバ11内に供給されたSF6ガス及びN2ガスはプラズマ化され、プラズマ化されたSF6ガスによってシリコン基板Kがエッチングされ、プラズマ化されたN2ガスによってシリコン基板Kに耐エッチング層が形成される。また、後述の実験結果から得られるように、テーパエッチング構造の表面粗さを良好なものとするには、処理チャンバ11内の圧力を12Pa~25Paの範囲内とすることが好ましい。以下の実施例において、表面粗さを算出するにあたっては、図2に示すように、顕微鏡の断面写真に基づいて、JIS定義の最大高さRyに準じ、適当な基準長における山頂線と谷底線との間隔を測定して評価している。ただし、請求の範囲における表面粗さとは、この実施例における評価方法によるものに限定されるものではなく、前述のJIS規格に従った任意のものを採用することができる。具体的には、SF6ガスから生じたラジカルがシリコン原子と化学反応したり、同じくSF6ガスから生じたイオンがバイアス電位によりシリコン基板Kに入射したりすることによってシリコン基板Kがエッチングされ、N2ガスから生じたイオンがシリコン原子と化学反応することによって、例えば、SiNからなる窒化膜が耐エッチング層としてシリコン基板Kの表面に形成される。このようにして、シリコン基板Kのエッチングと耐エッチング層の形成とが同時進行し、耐エッチング層によって保護されつつシリコン基板Kのエッチングが進行する。ここで、プラズマ化したN2ガスによって耐エッチング層を形成した場合には、プラズマ化したO2ガスによって耐エッチング層を形成した場合に比べ、耐エッチング層の強度が低いので、マスク直下部がアンダーカットする方向にエッチングされ易い。この結果、ボーイング形状が形成され難く、良好な形状のテーパエッチング構造を得ることが容易となる。また、プラズマ化したN2ガスとシリコン原子との化学反応によって耐エッチング層が形成されるため、シリコン基板Kの表面に堆積する重合膜のように耐エッチング層の層厚が不均一になり難く、これにより、エッチングによって形成されるエッチング構造の表面の凹凸が少なく、滑らかなものとなる。そして、当該第1エッチング工程が終了すると、シリコン基板Kは、例えば、図3aに示すような形状となる。尚、この図3aにおいて、符号Mはマスク、符号Hはエッチング構造を示している。この後、SF6ガス及びO2ガスの混合ガスをプラズマ化して基台15上のシリコン基板Kをエッチングする第2エッチング工程を実施し、第1エッチング工程で形成されたエッチング構造に対し、第2エッチング工程で更に深さ方向にエッチングを進行させる。この第2エッチング工程では、ガス供給部26,28からSF6ガス及びO2ガスを処理チャンバ11内にそれぞれ供給し、排気装置20によって処理チャンバ11内を所定圧力とし、高周波電源32,35によってコイル31及び基台15に高周波電力をそれぞれ供給する。尚、O2ガスの好ましい供給流量としては、例えば、SF6ガスの供給流量の0.75倍以上1倍以下である。処理チャンバ11内に供給されたSF6ガス及びO2ガスはプラズマ化され、プラズマ化されたSF6ガスによってシリコン基板Kがエッチングされ、プラズマ化されたO2ガスによってシリコン基板Kに耐エッチング層が形成される。具体的には、上述のように、SF6ガスから生じたラジカルがシリコン原子と化学反応したり、同じくSF6ガスから生じたイオンがバイアス電位によりシリコン基板Kに入射したりすることによってシリコン基板Kがエッチングされ、O2ガスから生じたイオンがシリコン原子と化学反応することによって、例えば、SiO2からなる酸化膜が耐エッチング層としてシリコン基板Kの表面に形成される。このように、第2エッチング工程においても、シリコン基板Kのエッチングと耐エッチング層の形成とが同時進行し、耐エッチング層によって保護されつつシリコン基板Kのエッチングが進行する。ここで、第2エッチング工程において、N2ガスに代えてO2ガスを用いているのは、以下の理由からである。即ち、プラズマ化したN2ガスによって耐エッチング層を形成した場合、プラズマ化したO2ガスによって耐エッチング層を形成した場合に比べ、エッチング構造の幅方向へはエッチングが進行し易いものの、エッチング構造の深さ方向へはエッチングが進行し難いため、エッチング構造の深さ方向へのエッチング速度が遅くなり、一定レベル以上のエッチング速度が得られないときがあるからである。したがって、O2ガスを用いるようにすれば、より効率的に深さ方向にエッチングを進行させることができる。その際、第1エッチング工程で形成されたエッチング構造の側壁は、N2ガスのプラズマ化により形成された耐エッチング層によって保護され、ボーイング形状となるのがすでに防止されている。そして、第2エッチング工程でのエッチングによって新たに形成された側壁が、O2ガスのプラズマ化により形成される耐エッチング層によって保護されつつエッチングが進行する。また、更に、プラズマ化したO2ガスとシリコン原子との化学反応によってシリコン基板Kの表面に耐エッチング層が形成されるため、シリコン基板Kの表面に堆積する重合膜のように耐エッチング層の層厚が不均一になり難く、これにより、第2エッチング工程で形成されるエッチング構造の表面についても凹凸が少なく、滑らかなものとなる。そして、当該第2エッチング工程が終了すると、シリコン基板Kは、例えば、図3bに示すような形状となる。尚、この図3bにおいて、符号Mはマスク、符号Hはエッチング構造を示している。このようにして、第1エッチング工程及び第2エッチング工程を順次実施し、シリコン基板Kに、上部開口幅が広く、底部幅が狭いテーパ状のエッチング構造が形成されると、シリコン基板Kを外部に搬出する搬出工程を実施する。このように、本例のプラズマエッチング方法によれば、上部開口幅が広く、底部幅が狭いテーパ状のエッチング構造をシリコン基板Kに形成するに当たり、SF6ガス及びN2ガスの混合ガスをプラズマ化してシリコン基板Kをエッチングする第1エッチング工程と、SF6ガス及びO2ガスの混合ガスをプラズマ化してシリコン基板Kをエッチングする第2エッチング工程とを順次実施するようにしたので、ボーイング形状がなく、しかも、表面が滑らかなテーパ状のエッチング構造を形成することができる。また、第2エッチング工程において、エッチング構造の深さ方向に速いエッチング速度でエッチングすることができるため、深さの深いエッチング構造であっても、より短時間でエッチングを終了させることができる。また、第1エッチング工程の処理時間を4秒以上10秒以下の範囲としているので、第1エッチング工程の処理時間が長くなるのを防止することができる。これは、N2ガスのプラズマ化によって耐エッチング層を形成する第1エッチング工程では、O2ガスのプラズマ化によって耐エッチング層を形成する第2エッチング工程よりも、エッチング構造Hの深さ方向へのエッチングが進行し難く、エッチング構造Hの幅方向へのエッチングが進行し易いことから、第1エッチング工程の処理時間が長いと、その分だけエッチング構造Hの幅方向にエッチングが進行して、第1エッチング工程で形成されるエッチング構造Hの側壁と、第2エッチング工程で形成されるエッチング構造Hの側壁との境界で段差Sを生じ易いという問題を生じるからである図4参照。したがって、上記のようにすることで、エッチング構造Hの幅方向へのエッチングを一定範囲内に抑えることができ、段差Sを生じ難くする生じたとしてもごく僅かとすることができる。因みに、実施例1として、本例のプラズマエッチング方法を適用してシリコン基板Kをエッチングし、このシリコン基板Kに、上部開口幅が広く、底部幅が狭いテーパ状の穴を形成したところ、図5の顕微鏡写真に示すように、ボーイング形状が形成されることもなく、また、表面が荒れず、滑らかな表面のテーパエッチング構造が形成された。具体的には、側壁の表面粗さが0.15μmであり、テーパ角度が84°であった。尚、第1エッチング工程の処理条件は、処理時間を0.08分と、処理チャンバ11内の圧力を12Paと、コイル31に供給する高周波電力を2500Wと、基台15に供給する電力を85Wと、SF6ガスの供給流量を200sccmと、N2ガスの供給流量を150sccmとし、第2エッチング工程の処理条件は、処理時間を3分と、処理チャンバ11内の圧力を12Paと、コイル31に供給する高周波電力を2500Wと、基台15に供給する電力を85Wと、SF6ガスの供給流量を200sccmと、O2ガスの供給流量を150sccmとした。また、図5aは、形成されたエッチング構造の断面全体を示した顕微鏡写真であり、図5bは、形成されたエッチング構造の上部を拡大して示した顕微鏡写真であり、図5cは、形成されたエッチング構造の底部を拡大して示した顕微鏡写真である。また、比較例1として、処理時間を3.5分と、処理チャンバ11内の圧力を12Paと、コイル31に供給する高周波電力を2500Wと、基台15に供給する電力を15Wと、SF6ガスの供給流量を240sccmと、O2ガスの供給流量を120sccmと、C4F8ガスの供給流量を180sccmとした処理条件の第1エッチング工程と、処理時間を5.5分と、処理チャンバ11内の圧力を12Paと、コイル31に供給する高周波電力を2500Wと、基台15に供給する電力を85W~140Wと、SF6ガスの供給流量を200sccmと、O2ガスの供給流量を150sccmとした処理条件の第2エッチング工程とを順次実施したところ、図6に示すように、開口部上部表面が荒れた穴が形成された。具体的には、側壁上部の表面粗さが0.3μmであった。尚、図6aは、形成されたエッチング構造の断面全体を示した顕微鏡写真であり、図6bは、形成されたエッチング構造の上部を拡大して示した顕微鏡写真であり、図6cは、形成されたエッチング構造の底部を拡大して示した顕微鏡写真である。また、実施例2として、処理時間を3分と、処理チャンバ11内の圧力を12Paと、コイル31に供給する高周波電力を2500Wと、基台15に供給する電力を85Wと、SF6ガスの供給流量を200sccmと、N2ガスの供給流量を150sccmとした処理条件でシリコン基板Kをエッチングしたところ、図7の顕微鏡写真に示すように、表面が荒れず、滑らかな表面の穴が形成された。一方、比較例2として、処理時間を6.5分と、処理チャンバ11内の圧力を12Paと、コイル31に供給する高周波電力を3500Wと、基台15に供給する電力を100Wと、SF6ガスの供給流量を180sccmと、O2ガスの供給流量を80sccmとした処理条件でシリコン基板Kをエッチングしたところ、図8の顕微鏡写真に示すように、穴の側壁にボーイング形状が形成された。前記比較例1から分かるように、C4F8ガスのプラズマ化によって形成される耐エッチング層で側壁を保護すると、C4F8ガスを使用する第1エッチング工程で形成されたエッチング構造の側壁表面穴の上部側壁表面が荒れている。前記比較例2から分かるように、当初からO2ガスのプラズマ化によって形成される耐エッチング層で側壁を保護すると、ボーイング形状が形成される。その一方、前記実施例1及び2から分かるように、N2ガスのプラズマ化によって形成される耐エッチング層で側壁を保護すれば、ボーイング形状がなく、表面が滑らかなテーパエッチング構造を形成することができるテーパとは、上部開口幅が広く、底部幅が狭い形状であれば、椀状など、あらゆる先細り形態を含む。また、前記実施例2からは、N2ガスのプラズマ化によって形成される耐エッチング層で側壁を保護すれば、表面が滑らかなエッチング構造を形成可能であることが分かる。これらの実施例1及び2,比較例1及び比較例2からも、N2ガスのプラズマ化によって形成される耐エッチング層で側壁を保護すれば、ボーイング形状が形成されることがなく、また、表面が荒れず、滑らかな表面のテーパエッチング構造が形成されることが明らかである。参照の便宜のために、実施例1及び2,比較例1及び2の条件表を図9として掲げておく。3,N2ガスエッチングにおけるプロセス条件の適正化上記では、N2ガスのプラズマ化によって形成される耐エッチング層で側壁を保護することにより、ボーイング形状がなく、表面が滑らかなテーパエッチング構造を形成することができる方法を説明したが、本願発明者らは、更なる鋭意検討の結果、N2ガスの流量や反応チャンバの圧力によっても、形成されるテーパエッチング構造の状態形状やその表面粗さを含むが大きく変化することを実験により発見した。このことは、N2ガスを用いたエッチング時に、これらプロセス条件を適正化することにより、テーパ状態を制御することが可能になったことを意味する。以下、この実験結果について説明する。3-1,第3の実施例まず、実施例3として、本願発明者らは、N2ガスエッチング時において供給するN2の量を変化させることによって、テーパ状態がどのように変化するかを実験した。図10~図14は、他のプロセス条件を同一として、N2ガスの流量を次第に増やしたときに、エッチング構造の様子がどのように変化するかを示す顕微鏡写真である。各図bは、各図aの側壁部分を拡大した顕微鏡写真であり、表面荒れの様子が比較的わかりやすいものとなっている。各図で共通するプロセス条件は、エッチング処理時間は7分、処理チャンバ11内の圧力は12Pa、基台温度は10°C、コイル31に供給する高周波電力は2500W、基台15に供給する電力は50W、SF6ガスの供給流量は300sccmである。そして、本願発明者らは、N2ガスの供給流量を50~400sccmの範囲内で変化させた。図10aは、N2ガスの供給流量を50sccmとしたときに形成されたエッチング構造の断面全体を示した顕微鏡写真であり、図10bは、形成されたエッチング構造の側壁を拡大して示した顕微鏡写真である。図10bの様子からエッチング構造側部の表面は荒れていることが読み取れる。同図における表面粗さの計測結果は、154nmであり、エッチングレートは、16.2μm/分であった。図11aは、N2ガスの供給流量を100sccmとしたときに形成されたエッチング構造の断面全体を示した顕微鏡写真であり、図11bは、形成されたエッチング構造の側壁を拡大して示した顕微鏡写真である。同図における表面粗さの計測結果は、75nmであり、エッチングレートは、14.6μm/分であった。図12aは、N2ガスの供給流量を200sccmとしたときに形成されたエッチング構造の断面全体を示した顕微鏡写真であり、図12bは、形成されたエッチング構造の側壁を拡大して示した顕微鏡写真である。同図における表面粗さの計測結果は、71nmであり、エッチングレートは、12.3μm/分であった。図13aは、N2ガスの供給流量を300sccmとしたときに形成されたエッチング構造の断面全体を示した顕微鏡写真であり、図13bは、形成されたエッチング構造の側壁を拡大して示した顕微鏡写真である。同図における表面粗さの計測結果は、54nmであり、エッチングレートは、12.1μm/分であった。図14aは、N2ガスの供給流量を400sccmとしたときに形成されたエッチング構造の断面全体を示した顕微鏡写真であり、図14bは、形成されたエッチング構造の側壁を拡大して示した顕微鏡写真である。同図における表面粗さの計測結果は、60nmであり、エッチングレートは、12.7μm/分であった。図10から図14の実験結果を表にまとめたものが図15である。図15をみると、N2ガスの供給流量が増えるに従って、表面粗さが概ね減少することがわかる。これは、より多くのN2ガスのプラズマ化によって耐エッチング層が形成されることにより、エッチング構造の側壁保護が行われるからであると考えられる。N2ガスの供給流量を100~400sccmの範囲内で調整すれば、N2ガスの流量を50sccmとした場合と比較して、半分以下の良好な表面粗さの値を得ることができて好ましい。なお、N2ガスの供給流量が増えるに従って、エッチングレートが下がる傾向にあるのは、SF6ガスがN2ガスに希釈されているからだと考えられる。3-2,第4の実施例次に、実施例4として、本願発明者らは、N2ガスエッチング時においてチャンバ内の圧力を変化させることによって、テーパ状態がどのように変化するかを実験した。図16~図18は、他のプロセス条件を同一として、N2ガスエッチング時のチャンバ内圧力を次第に増やしたときに、エッチング構造の様子がどのように変化するかを示す顕微鏡写真である。各図aは、形成されたエッチング構造の断面全体を示した顕微鏡写真であり、各図bは、形成されたエッチング構造の上部を拡大した顕微鏡写真であり、各図cは、形成されたエッチング構造の底部を拡大して示した顕微鏡写真である。図16~図18で共通するプロセス条件は、エッチング処理時間は4分、基台温度は10°C、コイル31に供給する高周波電力は2500W、基台15に供給する電力は10W、SF6ガスの供給流量は200sccm、N2ガスの供給流量は300sccmとした。そして、本願発明者らは、処理チャンバ11内の圧力を12~25Paの間で変化させた。図16aは、処理チャンバ11内の圧力を12Paとしたときに形成されたエッチング構造の断面全体を示した顕微鏡写真であり、図16bは、形成されたエッチング構造の側壁を拡大して示した顕微鏡写真であり、図16cは、さらに、図16bの側壁を拡大して示した顕微鏡写真である。同図における表面粗さの計測結果は、44nmであり、エッチングレートは、10.1μm/分であった。図17aは、処理チャンバ11内の圧力を16Paとしたときに形成されたエッチング構造の断面全体を示した顕微鏡写真であり、図17bは、形成されたエッチング構造の側壁を拡大して示した顕微鏡写真であり、図17cは、さらに、図17bの側壁を拡大して示した顕微鏡写真である。同図における表面粗さの計測結果は、67nmであり、エッチングレートは、10.4μm/分であった。図18aは、処理チャンバ11内の圧力を25Paとしたときに形成されたエッチング構造の断面全体を示した顕微鏡写真であり、図18bは、形成されたエッチング構造の側壁を拡大して示した顕微鏡写真であり、図18cは、さらに、図18bの側壁を拡大して示した顕微鏡写真である。同図における表面粗さの計測結果は、83nmであり、エッチングレートは、10.9μm/分であった。図16から図18の実験結果を表にまとめたものが図19である。図19をみると、処理チャンバ11内の圧力を12Pa~25Paとしたときには、圧力が高まるにつれて表面粗さの値は大きくなるものの、いずれの圧力においても100nm未満の比較的良好な表面粗さが得られることがわかった。なお、各図の顕微鏡写真から微妙なテーパ形状を直接読み取るのは難しいが、図16から図18へとチャンバ内圧力が高まるにつれて、テーパの形状がより直線的になっているので、それについて説明する。その前提として、図20を用いて、テーパ角度の決定方法を説明しておく。図20は、エッチング構造テーパエッチング構造の断面を示す模式図である。同図に示すように、エッチング構造の側壁部テーパ部は一般に弧を描くが、そのテーパ部に接線Lを引き、エッチング構造の端部上端部と下端部すなわち底部との2カ所がこの接線Lからどの程度離れているかを、それぞれΔXで定義する。そして、エッチング構造物の上端のΔX1と下端底部のΔX2とが等しくなるように接線Lの角度を調整して、その接線Lが水平線となす角度をθと称し、これをテーパ角度と定義する。このように定義したテーパ角度を図16~図18について検証すると、図16の場合で57.4度Δx=11μm、図17の場合で56.8度Δx=8μm、図18の場合で54.1度Δx=7μmとなっていた。すなわち、図16から図18へとチャンバ内圧力が高まるにつれて、接線Lとエッチング構造物の上端および下端底部との距離が小さくなっていることが読み取れる。図16から図18へとチャンバ内圧力を上げることによりテーパ角度θの角度が小さくなるのは、チャンバ内圧力を上げることにより、全方位的にエッチングが進むので、相対的に、エッチング構造の深さ方向より幅方向へのエッチング速度が高まるからであると考えられる。なお、本明細書において、テーパとは、上部開口幅が広く、底部幅が狭い形状であれば、椀状など、あらゆる先細り形態を含み、実施態様や用途により好適なテーパ角度は様々である。半導体製造プロセスなどにおいては、典型的には、テーパ角度が50~60度程度を有し、できるだけ直線状に近いテーパが好まれる。このように、直線状テーパが好まれる場合には、図16~図18の中で比較すると、Δxの値が小さく、より直線的なテーパ形状を有する図18のものが好まれることになる。3-3,第5の実施例次に、実施例5として、本願発明者らは、N2ガスエッチング時において基台15に供給する電力プラテンパワーを次第に増やしたとき、テーパ状態がどのように変化するかを実験した。図21~図23は、他のプロセス条件を同一として、基台15に供給する電力プラテンパワーを次第に増やしたとき、エッチング構造の様子がどのように変化するかを示す顕微鏡写真である。各図aは、形成されたエッチング構造の断面全体を示した顕微鏡写真であり、各図bは、形成されたエッチング構造の上部を拡大した顕微鏡写真である。各図で共通するプロセス条件は、エッチング処理時間は7分、処理チャンバ11内の圧力は12Pa、基台温度は10°C、コイル31に供給する高周波電力は2500W、SF6ガスの供給流量は200sccm、N2ガスの供給流量は300sccmとした。そして、本願発明者らは、基台15に供給する電力を30~70Wまで変化させた。図21aは、基台15に供給する電力を30Wとしたときに形成されたエッチング構造の断面全体を示した顕微鏡写真であり、図21bは、形成されたエッチング構造の上部側壁を拡大して示した顕微鏡写真である。同図における表面粗さの計測結果は、76nmであり、エッチングレートは、18.0μm/分であった。図22aは、基台15に供給する電力を50Wとしたときに形成されたエッチング構造の断面全体を示した顕微鏡写真であり、図22bは、形成されたエッチング構造の上部側壁を拡大して示した顕微鏡写真である。同図における表面粗さの計測結果は、54nmであり、エッチングレートは、12.1μm/分であった。図23aは、基台15に供給する電力を70Wとしたときに形成されたエッチング構造の断面全体を示した顕微鏡写真であり、図23bは、形成されたエッチング構造の上部側壁を拡大して示した顕微鏡写真である。同図における表面粗さの計測結果は、54nmであり、エッチングレートは、12.0μm/分であった。図21から図23の実験結果を表にまとめたものが図24である。前記実施例4の実験では、基台15に供給する電力プラテンパワーを10Wとしていたが、図21~図23に示されるように、本実施例のように、30~70Wの範囲内においても、表面粗さ、形状ともに良好なテーパエッチング構造が得られることがわかる。以上のように、本願発明者らは、N2ガスの流量や反応チャンバの圧力によっても、形成されるテーパエッチング構造の状態形状やその表面粗さを含むは、大きく変化することを実験により発見した。このことは、N2ガスを用いたエッチング時に、これらプロセス条件を適正化することにより、テーパ状態を制御することが可能になったことを意味する。以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の採り得る具体的な態様は、何らこれに限定されるものではない。上例では、前記第1エッチング工程及び第2エッチング工程を順次実施するようにしたが、これに限られるものではなく、形成すべきエッチング構造の深さが浅いときには、前記第1エッチング工程のみを実施し、前記第2エッチング工程を省略しても良い。また、上例では、N2ガスの流量や反応チャンバの圧力など、N2ガスエッチング時において適正化することが好適なプロセス条件を示したが、適正化するプロセス条件は、これらに限られるものでなく、プラテンパワーや他のプロセス条件、または複数のプロセス条件の任意の組み合わせであってもよい。また、前記エッチング装置1を用いて本発明に係るプラズマエッチング方法を実施したが、このプラズマエッチング方法の実施には、他の構造を備えたエッチング装置を用いるようにしても良い。"