透明導電膜、および前記透明導電膜と接続するタッチパネルセンサー用の配線膜において、前記配線膜は、Ni、Zn、およびMnよりなる群から選択される合金元素の少なくとも一種を合計量で0.1~40原子含み、残部Cuおよび不可避的不純物であることを特徴とする耐酸化性に優れたタッチパネルセンサー用Cu合金配線膜。透明導電膜、および前記透明導電膜と接続するタッチパネルセンサー用の配線膜において、前記配線膜は、Ni、Zn、およびMnよりなる群から選択される合金元素の少なくとも一種を合計量で0.1~40原子含むCu合金第1層と、純CuまたはCuを主成分とするCu合金であって前記第1層よりも電気抵抗率の低いCu合金からなる第2層と、を含む積層構造を有し、前記第2層は、前記透明導電膜と接続されていることを特徴とする耐酸化性に優れたタッチパネルセンサー用Cu合金配線膜。前記第1層の膜厚は、5~100nmである請求項2に記載のタッチパネルセンサー用Cu合金配線膜。請求項1~3のいずれかに記載のCu合金配線膜を備えたタッチパネルセンサー。前記透明導電膜が、フィルム基板上に形成されている請求項4に記載のタッチパネルセンサー。請求項1~3のいずれかに記載のタッチパネルセンサー用Cu合金配線膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、Ni、Zn、およびMnよりなる群から選択される合金元素を少なくとも一種を、合計で0.1~40原子含み、残部Cuおよび不可避的不純物で構成されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。請求項1に記載のCu合金配線膜の製造方法であって、前記成分組成を有するCu合金膜を成膜した後、200°C未満の温度で30秒以上加熱することを特徴とするCu合金配線膜の製造方法。本発明は上記のような事情に着目してなされたものであって、その目的は、耐酸化性に優れたタッチパネルセンサー用配線膜、及び該配線膜の製造方法、並びにこれを用いたタッチパネルセンサー、及び同配線膜形成に好適なスパッタリングターゲットを提供することにある。上記課題を達成し得た本発明は、透明導電膜、および前記透明導電膜と接続するタッチパネルセンサー用の配線膜において、前記配線膜は、Ni、Zn、およびMnよりなる群から選択される合金元素の少なくとも一種を合計量で0.1~40原子含み、残部Cuおよび不可避的不純物であることに要旨を有するCu合金配線膜である。また本発明の他の構成としては、透明導電膜、および前記透明導電膜と接続するタッチパネルセンサー用の配線膜において、前記配線膜は、Ni、Zn、およびMnよりなる群から選択される合金元素の少なくとも一種を合計量で0.1~40原子含むCu合金第1層と、純CuまたはCuを主成分とするCu合金であって前記第1層よりも電気抵抗率の低いCu合金からなる第2層と、を含む積層構造を有し、前記第2層は、前記透明導電膜と接続されていることに要旨を有するCu合金配線膜。上記積層構造とする場合の第1層の膜厚は、5~100nmであることが望ましい。本発明には、上記Cu合金配線膜を備えたタッチパネルセンサーが含まれ、また前記透明導電膜が、フィルム基板上に形成されているタッチパネルセンサーも好ましい実施態様である。また本発明には、タッチパネルセンサー用Cu合金配線膜を形成するためのスパッタリングターゲットも含まれ、スパッタリングターゲットはNi、Zn、およびMnよりなる群から選択される合金元素を少なくとも一種を、合計で0.1~40原子含み、残部Cuおよび不可避的不純物で構成されていることに要旨を有する。更に本発明は上記Cu合金配線膜の製造方法も提供するものであり、その製造方法は前記成分組成を有するCu合金膜を成膜した後、200°C未満の温度で30秒以上加熱することを特徴とすることに要旨を有する。本発明によれば、タッチパネルセンサー用配線膜として、耐酸化性向上元素を所定量含むCu合金を用いているため、Cu合金配線膜は耐酸化性に優れた効果を発揮する。更に耐酸化性に優れたCu合金膜第1層と、第1層よりも電気抵抗率の低い第2層との積層構造を有するCu合金第1層第2層は、より優れた耐酸化性と低い電気抵抗率を発揮することができる。したがって本発明によれば、従来から問題となっていた配線膜の低い耐酸化性を向上できると共に、更に電気抵抗率も低く維持したタッチパネルセンサー用Cu合金配線膜、及び該配線膜を用いたタッチパネルセンサーを提供できる。また本発明は、このような効果を有する上記Cu合金配線膜の製造方法、及び該配線膜の形成に好適なスパッタリングターゲットも提供するものである。本発明者らは、タッチパネルセンサー用配線に要求される電気抵抗を有しつつ耐酸化性に優れた配線膜、およびこれを用いたタッチパネルセンサーを提供すべく鋭意研究を行った。その結果、透明導電膜に接続する配線膜を、合金元素耐酸化性向上元素としてNi、Zn、およびMnよりなる群から選択される少なくとも一種を含むCu合金とすればよいことがわかった。具体的にはCu合金に含まれている合金元素Ni、Zn、MnがCu合金配線膜表面で濃化層を形成し、この濃化層が耐酸化性を高める効果を有することを見出した。この濃化層は、熱処理などによりCu合金中の固溶限を超える合金元素例えばNiがCu合金配線膜表面に拡散濃縮して形成されると考えられる。またZn、MnについてもNiと同様に濃化層を形成することがわかった。本発明において濃化層とは、Cu合金配線膜全体の合金含有率平均合金濃度よりも高い合金含有率を有する濃化層領域がCu合金配線膜表面に形成されていることをいい、合金元素は少なくともNi、Zn、Mnよりなる群から選択される少なくとも一種である。以下、耐酸化性に優れた本発明の実施形態について詳しく説明する。なお、本発明においてCu合金膜とは、スパッタリング等により成膜した状態をいい、Cu合金配線とは、Cu合金膜をエッチング加工等により配線形状にしたものをいうが、本発明では両者をあわせてCu合金配線膜で代表させることがある。まず、本発明の第一の実施形態について説明する。[Ni、Zn、およびMnよりなる群から選択される少なくとも一種を所定量含むCu合金:単層]本発明ではCuに耐酸化性向上元素として所定量のNi、Zn、およびMnよりなる群から選択される少なくとも一種を含有させて耐酸化性を向上させている。これらの元素は、Cu合金には固溶するがCu酸化膜には固溶しない元素より選択したものであり、これらの合金元素が固溶しているCu合金が酸化されると、これらの合金元素はCu酸化膜に固溶しないため、これらの合金元素は酸化により生成したCu酸化膜の界面下に掃き出されて濃化層を形成することがわかった。そしてこのような合金元素の濃化層により、Cu酸化膜の成長が最小限に抑えられるため、Cu合金配線膜の電気抵抗率の上昇を抑えることができる。本発明者らが検討した結果、Ni、Zn、Mn以外の元素では、耐酸化性向上に寄与する十分な濃化層が形成できないことが分かった。例えばMgもNi等と同様、Cu合金に固溶し、Cu酸化膜には固溶しない元素であるが、200°C未満の熱履歴しか加えられない場合、濃化層が十分に形成されないためCu酸化膜の成長を抑えることができず、Cu合金配線膜の電気抵抗率の上昇を抑えることができない。上述した耐酸化性向上元素のうち好ましいのはNi、Znであり、より好ましくはNiである。Niは、上述した界面での濃化現象が非常に強く発現され、形成される酸化被膜も薄く、高い耐酸化性向上効果が得られる元素だからである。Ni、Zn、およびMnよりなる群から選択される少なくとも一種の元素が界面に濃化した濃化層は、好ましくは、スパッタリング法詳細は後述する。によるCu合金成膜後、200°C未満で30秒以上の加熱処理を行なうことによって得られる。このよう加熱処理によりCu合金配線膜表面に合金元素が拡散して濃化し易くなるからである。加熱処理条件は、所望とする濃化層が得られれば特に限定されず、基板の耐熱性やプロセスの効率などによって適宜調整することができる。なお、上記の加熱処理は、濃化層の形成を目的に行うものであってもよいし、Cu合金膜形成後の熱履歴例えば、レジストをベークする工程が、前記温度時間を満たすものであってもよい。上記元素の含有量は合計量単独の場合は単独の含有量で0.1原子以上とする。上記元素の含有量が0.1原子未満では、濃化層の形成が不十分で満足な耐酸化性が得られない。上記元素の含有量は多いほど耐酸化性の向上に有効であるが、一方、上記元素の合計含有量が40原子を超えると、配線形状にエッチングする際のアンダーカット量の増大や、残渣の発生により、微細加工が難しくなるほか、Cu合金配線膜自体の電気抵抗率が高くなり、信号遅延や電力損失が大きくなる。耐酸化性向上の観点から、上記元素の合計含有量の好ましい下限値は0.3原子、より好ましくは0.7原子、更に好ましくは1.0原子である。また、電気抵抗率等の観点から合計含有量の好ましい上限値は、15原子、より好ましくは10原子、さらに好ましくは5原子である。本発明に用いられるCu合金配線膜は、上記元素を含み、残部:Cuおよび不可避的不純物である。上記Cu合金配線膜における各合金元素の含有量は、例えばICP発光分析法によって求めることができる。本発明では、配線材料として、上記Cu合金配線膜を単独で用いてもよいし、或いは上記元素を含むCu合金配線膜以下、第1層ということがあると、透明導電膜と接続され電気抵抗率が第1層よりも低いCu合金配線膜以下、第2層ということがあるとの積層構造としてもよい第二の実施形態。以下、本発明の第二の実施形態について説明する。[Ni、Zn、およびMnよりなる群から選択される少なくとも一種を上記所定量0.1~40原子含むCu合金第1層と、第1層よりも電気抵抗率の低いCu合金からなる第2層と、を含むCu合金配線膜:積層構造]上記のようにCu合金膜に含まれる耐酸化性向上に寄与する合金元素の添加量を増加させると、電気抵抗率も高くなる。そこで、このような耐酸化性に優れたCu合金配線膜第1層よりも電気抵抗率が低いCu合金配線膜第2層を透明導電膜と第1層の間に介在させることによって、Cu合金配線膜全体の電気抵抗率の低減を図ることができる図1参照。すなわち、Cu合金配線膜を第1層と第2層の積層構造とすることにより、電気抵抗率が低いというCu本来の特性を有効に最大限発揮させつつ、Cuの欠点であった耐酸化性をより一層向上させることができる。本発明において、第1層を構成するCu合金は、上記第一の実施形態のCu合金と同様である。本発明において、第2層を構成する第1層よりも電気抵抗率の低いCu合金は、耐酸化性向上元素を含むCu合金で構成されている第1層に比べて電気抵抗率が低くなるように、合金元素の種類および/または含有量を適切に制御すれば良く、純Cuも含まれる。電気抵抗率が低い元素好ましくは、純Cu並みに低い元素は、文献に記載の数値などを参照し、公知の元素から容易に選択することができる。ただし、電気抵抗率が高い元素であっても、含有量を少なくすればおおむね、0.05~1原子程度電気抵抗率を低減できるため、第2層に適用可能な上記合金元素は、電気抵抗率が低い元素に必ずしも限定されない。具体的には、タッチパネルにおける配線抵抗による信号遅延や電力損失を押さえる観点から、第2層の電気抵抗率を例えば10μΩcm以下とすることが好ましく、より好ましくは5μΩcm以下、更に好ましくは3.5μΩcm以下である。このような第2層としては、例えば、純CuやCu-Ca、Cu-Mgなどが好ましく用いられる。例えば第2層を構成する耐酸化性向上元素のNi、Zn、およびMnも合計量がおおむね1.5原子以下であれば、電気抵抗を低く抑えることができるので、当該元素の少なくとも一種を用いることもできる。また、第2層に適用可能な上記合金元素は、酸素ガスや窒素ガスのガス成分を含んでいても良く、例えば、Cu-OやCu-Nなどを用いることができる。なお、第1層よりも電気抵抗率の低いCu合金は、上述した適用可能な元素を含み、実質的に残部がCuおよび不可避的不純物である。上記のような第2層を第1層と積層させてCu合金配線膜を構成した場合、第2層によって電気抵抗率を低減できるため望ましい。すなわち、電気抵抗が低い第2層のみでは従来のCu配線膜と同様、酸化されやすい状態にあるが、第2層に第1層を積層させているため、上記第1層の効果により、第2層の酸化を防止することができる。なお、第2層と透明導電膜の間に任意の第3層を設けてもよい。例えば第2層と透明導電膜の間の密着性を向上させるために、密着性向上に寄与する層を設けてもよい。以上のように、本発明のCu合金配線膜は、耐酸化性向上元素を含むCu合金単層第一の実施形態で構成されているか、あるいは電気抵抗をより一層向上させる観点から第1層と第2層の積層構造第二の実施形態で構成されているが、各膜厚については特に限定されず、要求される電気抵抗率に応じて適宜調整すればよい。例えば上記Cu合金膜を単独単層で用いるときの好ましい厚さは、膜厚が厚すぎると配線形状や残渣が問題になることがあるため、好ましくは600nm以下、より好ましくは450nm以下、更に好ましくは300nm以下である。また優れた耐酸化性向上効果を得るには、好ましくは50nm以上、より好ましくは100nm以上、更に好ましくは150nm以上とすることが望ましい。Cu合金配線膜を上記第1層と第2層の積層構造として用いるときの、好ましい合計厚さは、おおむね100nm以上、より好ましくは150nm以上であり、好ましくは600nm以下、より好ましくは200nm以下である。また積層構造としたときの第1層の膜厚は、低い電気抵抗率を確保する観点からは、好ましくは100nm以下、より好ましくは80nm以下とすることが望ましく、耐酸化性向上を考慮すると、好ましくは5nm以上、より好ましくは30nm以上とすることが望ましい。上述したように、耐酸化性に優れた効果を発揮するCu合金配線膜は、成膜後に熱処理を施すことによって、格段に優れた耐酸化性向上効果が得られる。これは、成膜後の熱処理により、合金元素の透明導電膜界面への濃化が促進されるためであると考えられる。熱処理温度は、合金元素をCu合金膜表面に拡散濃縮させて濃化層を形成するためには好ましくは50°C以上、より好ましくは100°C以上とする必要がある。一方、熱処理温度が高くなりすぎると、Cuの酸化が促進されてしまい、Cu酸化膜が厚く形成されて電気抵抗が高くなると共に、樹脂基板の耐熱温度を超えてしまうことから、好ましくは200°C未満、より好ましくは170°C以下である。また上記温度域における熱処理時間は、濃化層を形成すると共に、過度なCu酸化膜の形成を抑制する観点からは、おおむね、保持時間:30秒~30分間の範囲内とすることが好ましい。本発明では透明導電膜と接続するCu合金配線膜第一の実施形態、あるいは第1層と第2層の積層からなるCu合金配線膜第二の実施形態に特徴があり、それ以外の構成は特に限定されず、タッチパネルセンサーの分野で通常用いられる公知の構成を採用することができる。例えば、抵抗膜方式のタッチパネルセンサーは、次の様にして製造することができる。即ち、基板上に透明導電膜を形成してから、レジスト塗布、露光、現像、エッチングを順次行った後、Cu合金膜を形成して、レジスト塗布、露光、現像、エッチングを実施して配線を形成し、次いで、該配線を被覆する絶縁膜等を形成して、上部電極とすることができる。また、基板上に透明導電膜を形成してから、上部電極と同様にフォトリソグラフィを行い、次いで、上部電極の場合と同様に、Cu合金膜単独構造の場合から配線を形成し、次いで該配線を被覆する絶縁膜を形成し、マイクロドットスペーサ等を形成して下部電極とすることができる。そして、上記の上部電極、下部電極、および別途形成したテール部分を張り合わせて、タッチパネルセンサーを製造することができる。上記Cu合金膜は、スパッタリング法により成膜することが好ましい。スパッタリング法とは、真空中にAr等の不活性ガスを導入し、基板とスパッタリングターゲット以後、ターゲットという場合があるとの間でプラズマ放電を形成し、該プラズマ放電によりイオン化したArを上記ターゲットに衝突させて、該ターゲットの原子をたたき出し基板上に堆積させて薄膜を作製する方法である。スパッタリング法を用いれば、スパッタリングターゲットとほぼ同じ組成のCu合金膜を成膜できる。スパッタリング法としては、例えばDCスパッタリング法、RFスパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、反応性スパッタリング法等のいずれのスパッタリング法を採用してもよく、その形成条件は、適宜設定すればよい。上記スパッタリング法で、例えば、上記Cu合金膜を形成するには、上記ターゲットとして、上記の耐酸化性向上元素Ni、Zn、およびMnよりなる群から選択される少なくとも一種を所定量含有するCu合金からなるものであって、所望のCu合金膜と同一の組成のスパッタリングターゲットを用いれば、組成ズレすることなく、所望の成分組成のCu合金膜を形成することができるのでよい。スパッタリングターゲットの組成は、異なる組成のCu合金ターゲットを用いて調整しても良いし、あるいは、純Cuターゲットに合金元素の金属をチップオンすることによって調整しても良い。ターゲットの形状は、スパッタリング装置の形状や構造に応じて任意の形状角型プレート状、円形プレート状、ドーナツプレート状などに加工したものが含まれる。上記ターゲットの製造方法としては、溶解鋳造法や粉末焼結法、スプレイフォーミング法で、Cu基合金からなるインゴットを製造して得る方法や、Cu基合金からなるプリフォーム最終的な緻密体を得る前の中間体を製造した後、該プリフォームを緻密化手段により緻密化して得られる方法が挙げられる。また上記第1層と第2層の積層構造を有するCu合金膜を成膜する場合は、上記第2層を構成する材料をスパッタリング法により成膜して第2層を形成し、その上に、第1層をスパッタリング法により成膜して形成し、積層構成とすればよい。上記透明導電膜は特に限定されず、代表例として、酸化インジウム錫ITOまたは酸化インジウム亜鉛IZOからなるものを使用することができる。また、上記基板透明基板は、一般的に使用されているものとして、例えばガラス、ポリエチレンテレフタレート系、ポリカーボネート系、またはポリアミド系のものを使用することができる。200°C未満のプロセスで熱安定性を示すとともに、材料コストが安くロールトゥロールにも対応するポリエチレンテレフタレート系、ポリカーボネート系、またはポリアミド系等のフィルムを用いることが好ましい。本発明では例えば、固定電極である下部電極の基板にガラスを用い、可撓性の必要な上部電極の基板にポリカーボネート系等のフィルムを用いることができる。フィルム基板に加える熱履歴は、フィルムの耐熱温度以下であれば問題ないが、密着性向上の観点からは100°C以上の熱履歴に対する耐熱性を有するフィルムを用いることが好ましい。また、本発明のタッチパネルセンサーは、上記抵抗膜方式以外に、静電容量方式や超音波表面弾性波方式等のタッチパネルセンサーとしても用いることができる。以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。実施例1ポリエチレンテレフタレートPETを基板とし、その表面に、DCマグネトロンスパッタリング法で、下記に示すスパッタリング条件で透明導電膜ITO:膜厚は約100nmを形成した。透明導電膜の成膜は、成膜前にチャンバー内の雰囲気を一旦、到達真空度:3×106Torrにしてから、透明導電膜と同一の成分組成の直径4インチの円盤型ターゲットを用いて行なった。スパッタリング条件Arガス流量:8sccmO2ガス流量:0.8sccmスパッタパワー:260W基板温度:室温透明導電膜を形成した後、引き続き透明導電膜表面に、DCマグネトロンスパッタリング法で、下記に示すスパッタリング条件で表1に示す成分組成を有するCu合金膜膜厚は約200nmを形成した。成膜は、成膜前にチャンバー内の雰囲気を一旦、到達真空度:3×106Torrにしてから、各Cu合金膜と同一の成分組成の直径4インチの円盤型ターゲットを用いて行なった。なお、形成されたCu合金膜の組成はICP発光分析法で確認した。スパッタリング条件Arガス流量:30sccmArガス圧:20mTorrスパッタパワー:260W基板温度:室温Cu合金膜を形成して試料を得た。耐酸化性上記のようにして得られたCu合金膜を用いて、下記条件の熱処理を行った後、酸化被膜の厚さを測定した。具体的には上記Cu合金膜の断面をTEM観察倍率:150万倍してCu合金膜表面に形成された酸化被膜の膜厚Cu合金膜表面から厚さ方向を測定した表中、150°C熱処理後。本実施例では、酸化被膜の膜厚が30nm未満を○、30nm以上を×と評価した表中、合否。なお、参考のため熱処理前の酸化被膜膜厚についても測定した表中、150°C熱処理前。湿度:60温度:150°C保持時間:1時間雰囲気:大気条件Cu合金膜表面における濃化層の有無上記150°C熱処理後に、各試料に濃化層が形成されているかを確認した。詳細には、各試料をTEM画像と界面のEDXライン分析により、濃化層がCu合金膜表面にできているかを確認した。本実施例では、濃化層が確認できたものを○、確認できなかったものを×と判定した表中、濃化層。結果を表1に示す。No.1~21は、Ni、Zn、およびMnよりなる群から選択される一種を含むCu合金膜残部:Cu及び不可避的不純物の例である。またNo.22~33は、Ni、Zn、およびMnよりなる群から選択される少なくとも二種を含むCu合金膜残部:Cu及び不可避的不純物の例である。これらはいずれも、本発明で規定する合金元素の含有量を有し、且つ、スパッタリング条件を本発明の好ましい範囲に制御して制作したため、耐酸化性に優れていた。これに対し、No.34~37は、合金元素を含まない純CuNo.34、本発明で規定する合金元素以外の元素を含むCu合金膜No.35~37の例であり、スパッタリング条件を本発明の好ましい範囲に制御したにもかかわらず、耐酸化性が悪かった。実施例2上記実施例1と同様にしてポリエチレンテレフタレートPETを基板とし、その表面に、透明導電膜ITO:膜厚は約100nmを形成した。透明導電膜を形成した後、引き続き透明導電膜表面に、上記実施例1と同様にしてDCマグネトロンスパッタリング法で、表2に示す成分組成を有する第2層純Cu、またはCu合金:膜厚は約200nmを形成した。引き続き第2層表面に、上記実施例1と同様にしてDCマグネトロンスパッタリング法で、表2に示す成分組成を有する第1層を成膜して第1層と第2層の積層構造を有するCu合金膜を形成した。上記のようにして得られたCu合金膜について、実施例1と同様にして耐酸化性、濃化層の有無を評価した。結果を表2に示す。No.1~15は、第1層としてNi、Zn、およびMnよりなる群から選択される一種を含むCu合金膜残部:Cu及び不可避的不純物の例である。これらはいずれも、本発明で規定する合金元素の含有量を有し、且つ、スパッタリング条件を本発明の好ましい範囲に制御して制作したため、耐酸化性に優れていた。なお、実施例2では第1層よりも電気抵抗率が低い第2層Cu及び不可避的不純物、または0.1原子のNi、Zn、Mnのいずれかと残部Cu及び不可避的不純物を形成していることから、いずれも10μΩcm以下の電気抵抗率であった。