"第1の基板と、前記第1の基板の一方の面に形成された絶縁体層と、前記絶縁体層において前記第1の基板が形成されている側の面と反対側の面に形成された第2の基板とを備え、前記絶縁体層の厚さが、1μmよりも大きいことを特徴とする三次元構造体。前記絶縁体層は多孔層として形成されており、前記多孔層における各孔の積層方向に対する断面形状が、多角形状又は円形状であることを特徴とする請求項1に記載の三次元構造体。前記多角形状が、三角形状、四角形状、及び、六角形状のいずれかであることを特徴とする請求項2に記載の三次元構造体。前記第1の基板と前記第2の基板とで前記孔のそれぞれを真空状態で封止していることを特徴とする請求項2又は3に記載の三次元構造体。請求項1~4のいずれか1項に記載の三次元構造体、可動電極層、及び、固定電極層を備えたセンサであって、前記第2の基板が、外部からの加速度に応じて弾性変形可能な梁部と、該梁部を介して前記絶縁体層に支持された錘部とを有し、前記絶縁体層が形成されている側の面と反対側の面に前記可動電極層が形成された可動部と、前記可動部と所定間隔をおいて対向する位置に設けられ、前記絶縁体層が形成されている側の面と反対側の面に前記固定電極層が形成された固定部とを備え、前記絶縁体層の積層方向をZ軸とした際、前記絶縁体層が、前記可動部及び前記可動電極層をX、Y、Z軸方向へ移動可能とする凹状のキャビティを備えていることを特徴とするセンサ。請求項1~4のいずれか1項に記載の三次元構造体、発熱用ヒータ、及び、前記発熱用ヒータを挟んで流体の上流側及び下流側にそれぞれ配置された一対の測温体を備えたセンサであって、前記絶縁体層が、前記第2の基板が形成されている側の面に形成された凹状のキャビティを備え、前記第2の基板が、前記キャビティの開口端を覆う位置に形成され、前記キャビティが形成されている側の面と反対側の面に前記発熱用ヒータが配置される橋架部を備え、前記測温体のそれぞれが、前記第2の基板において前記絶縁体層が形成されている側の面と反対側の面に配置されるとともに、前記三次元構造体の積層方向から見た場合に、前記橋架部の内側に配置された温接点と、前記橋架部よりも外側に配置された冷接点とを備えていることを特徴とするセンサ。請求項1~4のいずれか1項に記載の三次元構造体、半導体材料からなる蓋部材、第1の固定電極層、及び、第2の固定電極層を備えたセンサであって、前記絶縁体層が、前記第2の基板が形成されている側の面に形成された凹状のキャビティを備え、前記第2の基板が、前記キャビティの開口端を覆う位置に形成された橋架部を備え、前記蓋部材が、前記第2の基板における前記絶縁体層が形成されている側の面と反対側の面において凹状に形成され、且つ、前記三次元構造体の積層方向から見た場合に、少なくとも前記橋架部の全体を覆うように配置されるとともに、少なくとも外部と連通する連通孔を有しており、前記第1の固定電極層が、前記蓋部材において前記第2の基板が形成されている側の面と反対側の面に形成され、前記第2の固定電極層が、前記第2の基板において前記絶縁体層が形成されている側の面と反対側の面に形成されるとともに、前記三次元構造体の積層方向から見た場合に、前記蓋部材よりも外側に配置されていることを特徴とするセンサ。上記特許文献1の酸化膜用SOG酸化ケイ素200上に、電極を含むセンサデバイスを設けた場合、ベースとなる基板100で発生する寄生容量素子構造に寄生して存在する意図しない静電容量がセンサ感度を低下させる要因となる。したがって、センサデバイスと基板100とを電気的に切り離す必要がある。センサデバイスと基板100とを電気的に切り離す手段として、比誘電率がシリコンより小さく、絶縁耐力の大きい酸化膜でセンサデバイスと基板100とを切り離すことができるが、電気的な結合を少なくするためには酸化膜の厚さを厚くする必要がある。しかしながら、酸化膜の成膜には高温の条件が必要であり、高温で成膜し、室温に戻した場合、シリコンSiと酸化膜SiO2との線膨張率の差により、全体で反りが生じてしまう場合がある。これにより、センサを構成する構造物に歪みなどが生じることがあり、センサ感度の低下につながるという問題がある。そこで、本発明の目的は、センサデバイスと基板との間に発生する寄生容量を従来よりも抑制することができるとともに、センサデバイスと基板との電気的な結合を切り離すことによるセンサデバイスと基板との間の電気絶縁性を従来よりも向上することのできる三次元構造体、及び、該三次元構造体を用いたセンサを提供することである。1本発明の三次元構造体は、第1の基板と、前記第1の基板の一方の面に形成された絶縁体層と、前記絶縁体層において前記第1の基板が形成されている側の面と反対側の面に形成された第2の基板とを備え、前記絶縁体層の厚さが、1μmよりも大きいことを特徴とするものである。上記1の構成によれば、絶縁体層の厚さを、従来の酸化膜用SOGで限界と考えられる最大膜厚1μmよりも大きくすることで、第2の基板において絶縁体層が形成されている側の面と反対側の面に電極を含むセンサデバイスを設けた場合に、センサデバイスと第1の基板との間に発生する寄生容量を従来よりも抑制することができる。更に、上記1の構成によれば、第2の基板において絶縁体層が形成されている側の面と反対側の面に電極を含むセンサデバイスを設けた場合に、絶縁体層によって、センサデバイスと第1の基板との電気的な結合を切り離すことができるため、センサデバイスと第1の基板との間の電気絶縁性を従来よりも向上させることができる。なお、本発明中の絶縁体層の厚さは、20μm以上であることがさらに好ましい。本発明の三次元構造体において、絶縁体層の厚さを20μm以上とした場合には、実用上、寄生容量がないとみなして使用することが可能な場合がある。2上記1の三次元構造体においては、前記絶縁体層は多孔層として形成されており、前記多孔層における各孔の積層方向に対する断面形状が、多角形状又は円形状であることが好ましい。上記2の構成によれば、多孔層における各孔の積層方向に対する断面形状が、多角形状又は円形状である構造とすることで、第1の基板又は第2の基板と、多孔層との接触面積を小さくしつつ、多孔層の強度を確保した状態で、第1の基板又は第2の基板と、多孔層との熱膨張率の差による構造体全体の反りを抑制することができる。これにより、三次元構造体への局所的な応力集中を抑制することができる。3上記2の三次元構造体においては、前記多角形状は、三角形状、四角形状、及び、六角形状のいずれかであることが好ましい。上記3の構成によれば、三次元構造体の用途又は使用状況に応じて、より具体的には、第1の基板又は第2の基板と、多孔層との接触面積を小さくする度合い等に応じて、多孔層の孔を種々の形状に形成することができる。4上記2又は3の三次元構造体においては、前記第1の基板と前記第2の基板とで前記孔のそれぞれを真空状態で封止していることが好ましい。上記4の構成によれば、第1の基板と第2の基板とで孔のそれぞれを真空状態で封止することによって、外部からの熱伝達経路を断つことができ、三次元構造体の断熱性又は耐熱性を確保することができる。なお、本発明の三次元構造体をMEMSMicroElectroMechanicalSystemsフローセンサに適用した場合、より具体的には、多孔層において第2の基板が形成されている側の面にキャビティを形成し、該キャビティの開口端に第2の基板を介して測温体サーモパイルを配置したような場合には、多孔層の各孔、より具体的には、各孔と第2の基板とで囲まれた空間の断熱性を向上させることができ、上記キャビティと三次元構造体の外部との熱伝達経路がより確実に断たれることで、測温体の測温精度を向上させることができる点で特に有効である。なお、本発明中の真空状態で封止するとは、例えば、三次元構造体の製造過程において、多孔層が形成された第1の基板と、第2の基板の前駆体層との位置を合わせた状態でチャンバー内に配置し、チャンバー内を例えば10-3Pa以下の減圧状態で維持することが含まれる。5本発明のセンサは、上記1~4のいずれかの三次元構造体、可動電極層、及び、固定電極層を備えたセンサであって、前記第2の基板が、外部からの加速度に応じて弾性変形可能な梁部と、該梁部を介して前記絶縁体層に支持された錘部とを有し、前記絶縁体層が形成されている側の面と反対側の面に前記可動電極層が形成された可動部と、前記可動部と所定間隔をおいて対向する位置に設けられ、前記絶縁体層が形成されている側の面と反対側の面に前記固定電極層が形成された固定部とを備え、前記絶縁体層の積層方向をZ軸とした際、前記絶縁体層が、前記可動部及び前記可動電極層をX、Y、Z軸方向へ移動可能とする凹状のキャビティを備えていることを特徴とするものである。なお、例えば、前記センサに検知部を設け、前記可動部及び前記可動電極層に外部から加速度が作用した場合に、前記可動電極層と前記固定電極層との間に発生する静電容量の変化に基づいて、前記可動部と前記固定電極層とに作用した加速度の大きさ及び方向を検知するようにしてもよい。上記5の構成によれば、絶縁体層の厚さを、従来の酸化膜用SOGで限界と考えられる最大膜厚1μmよりも大きくすることで、第2の基板の可動部及び固定部において絶縁体層が形成されている側の面と反対側の面にそれぞれ可動電極層及び固定電極層を形成した場合に、可動電極層及び固定電極層と、第1の基板との間に発生する寄生容量を従来よりも抑制することができる。これにより、センサの感度を低下させる要因となる寄生容量による影響を従来よりも抑制でき、センサとしての検知精度を従来よりも向上させることができる。更に、上記5の構成によれば、第2の基板可動部及び固定部と絶縁体層とによって、可動部において絶縁体層が形成されている側の面と反対側の面に形成された可動電極層、及び、固定部において絶縁体層が形成されている側の面と反対側の面に形成された固定電極層と、第1の基板との電気的な結合を切り離すことができるため、固定電極層及び可動電極層と、第1の基板との間の電気絶縁性を従来よりも向上させることができる。これにより、センサの感度を低下させる要因となる寄生容量による影響を従来よりも抑制でき、センサとしての検知精度を従来よりも向上させることができる。なお、本発明中の固定電極層及び可動電極層とは、例えば、その一部が櫛歯状に形成された固定電極層及び可動電極層が含まれる。6本発明のセンサは、上記1~4のいずれかの三次元構造体、発熱用ヒータ、及び、前記発熱用ヒータを挟んで流体の上流側及び下流側にそれぞれ配置された一対の測温体を備えたセンサであって、前記絶縁体層が、前記第2の基板が形成されている側の面に形成された凹状のキャビティを備え、前記第2の基板が、前記キャビティの開口端を覆う位置に形成され、前記キャビティ側の面と反対側の面に前記発熱用ヒータが配置される橋架部を備え、前記測温体のそれぞれが、前記第2の基板において前記絶縁体層側の面と反対側の面に配置されるとともに、前記三次元構造体の積層方向から見た場合に、前記橋架部の内側に配置された温接点と、前記橋架部よりも外側に配置された冷接点とを備えていることを特徴とするものである。なお、例えば、前記センサに検知部を設け、上流側から下流側に向けて流体が移動した場合に、上流側の測温体の温接点が冷却されて降温し、一方、流体によって運ばれる熱で下流側の測温体の温接点が温度上昇する特性を利用して、検知部が、測温体の測温結果に基づいて、流体の流量を検知するようにしておいてもよい。上記の構成6によれば、絶縁体層の厚さを、従来の酸化膜用SOGで限界と考えられる最大膜厚1μmよりも大きくすることで、第2の基板において絶縁体層が形成されている側の面と反対側の面に一対の測温体を配置した場合に、各測温体と、第1の基板との間に発生する寄生容量を従来よりも抑制することができる。これにより、センサの感度を低下させる要因となる寄生容量による影響を従来よりも抑制でき、センサとしての検知精度を従来よりも向上させることができる。更に、上記6の構成によれば、第2の基板と絶縁体層とによって、各測温体と、第1の基板との電気的な結合を切り離すことができるため、各測温体と、第1の基板との間の電気絶縁性を従来よりも向上させることができる。これにより、センサの感度を低下させる要因となる寄生容量による影響を従来よりも抑制でき、センサとしての検知精度を従来よりも向上させることができる。加えて、上記6の構成によれば、第1の基板と第2の基板とで多孔層の孔のそれぞれ、及び、キャビティを真空状態で封止することによって、各孔及びキャビティの断熱部としての性能を向上させることができる。この結果、第1の基板と第2の基板との熱伝達経路を断つことにより、各測温体へのセンサ全体の取り付け部からの熱伝達が防がれ、センサとしての検知精度を向上させることができる。7本発明のセンサは、上記1~4のいずれかの三次元構造体、半導体材料からなる蓋部材、第1の固定電極層、及び、第2の固定電極層を備えたセンサであって、前記絶縁体層が、前記第2の基板が形成されている側の面に形成された凹状のキャビティを備え、前記第2の基板が、前記キャビティの開口端を覆う位置に形成された橋架部を備え、前記蓋部材が、前記第2の基板における前記絶縁体層が形成されている側の面と反対側の面において凹状に形成され、且つ、前記三次元構造体の積層方向から見た場合に、少なくとも前記橋架部の全体を覆うように配置されるとともに、少なくとも外部と連通する連通孔を有しており、前記第1の固定電極層が、前記蓋部材において前記第2の基板が形成されている側の面と反対側の面に形成され、前記第2の固定電極層が、前記第2の基板において前記絶縁体層が形成されている側の面と反対側の面に形成されるとともに、前記三次元構造体の積層方向から見た場合に、前記蓋部材よりも外側に配置されていることを特徴とするものである。なお、例えば、前記センサに検知部を設け、前記錘部に外部からの圧力が作用した場合に、前記第1の固定電極層と前記第2の固定電極層との間に発生する静電容量の変化に基づいて、前記橋架部に加わった圧力値を検知するようにしてもよい。上記7の構成によれば、絶縁体層の厚さを、従来の酸化膜用SOGで限界と考えられる最大膜厚1μmよりも大きくすることで、蓋部材において前記第2の基板が形成されている側の面と反対側の面、及び、第2の基板において前記絶縁体層が形成されている側の面と反対側の面に、それぞれ、第1の固定電極層及び第2の固定電極層を形成した場合に、第1の固定電極層及び第2の固定電極層と、第1の基板との間に発生する寄生容量を従来よりも抑制することができる。これにより、センサの感度を低下させる要因となる寄生容量による影響を従来よりも抑制でき、センサとしての検知精度を従来よりも向上させることができる。更に、上記7の構成によれば、第2の基板と絶縁体層とによって、蓋部材において第2の基板が形成されている側の面と反対側の面に形成された第1の固定電極層、及び、第2の基板において絶縁体層が形成されている側の面と反対側の面に形成された第2の固定電極層と、第1の基板との電気的な結合を切り離すことができるため、第1の固定電極層及び第2の固定電極層と、第1の基板との間の電気絶縁性を従来よりも向上させることができる。これにより、センサの感度を低下させる要因となる寄生容量による影響を従来よりも抑制でき、センサとしての検知精度を従来よりも向上させることができる。なお、本発明中のキャビティの開口端を覆うとは、キャビティ内を外気に対して気密状態に保つこと、を意味する。<第1実施形態>以下、図1~図4を参照しながら、本発明の第1実施形態に係る三次元構造体について説明する。第1実施形態に係る三次元構造体の構成図1a,bに示すように、三次元構造体100は、第1の基板1と、多孔層絶縁体層2と、第2の基板3と、を備えているものである。なお、図1aにおいては、説明の都合上、多孔層2の外形を第2の基板3において多孔層2が形成されている側の面と反対側の面から透視した仮想線点線によって表している。第1の基板1は、ケイ素などの半導体からなるものである。多孔層2は、二酸化ケイ素などの絶縁体からなる層であり、第1の基板1の一方の面に形成されているものである。また、多孔層2は、ハニカム構造Honeycomb、つまり、正六角形状の孔2aを複数個並べた蜂の巣状の構造を有しているものである。また、多孔層2の厚さは、1μmよりも大きくなっている。なお、多孔層2の厚さは、3μm以上であることがより好ましく、20μm以上であることがさらに好ましい。第2の基板3は、ケイ素などの半導体からなるものであり、多孔層2において第1の基板1が形成されている側の面と反対側の面に形成されているものである。第1実施形態に係る三次元構造体の製造方法次に、三次元構造体100の製造方法の一例について、図2~図4を用いて説明する。まず、ベースとなるケイ素からなる板状材料例えば、シリコンウェハーを第1の基板1の前駆体層4として準備する図2a参照。次に、前駆体層4の一方の面にハニカム状のドライエッチングを行い、第1の基板1を作成する図2b参照。この工程では、まず、フォトマスクを製作する。このフォトマスクのマスクパターンは、図3に示すように、上記ハニカム構造を有している。正六角形状の孔の各辺の長さは10.4μmの寸法を有しており、孔において互いに対向する内壁面間の距離は18μmの寸法を有しており、互いに隣り合う孔の辺と辺との間の距離、つまり、残しパターンハニカム構造の枠の幅厚は2μmの寸法を有している。次に、前駆体層4の一方の面にフォトレジストを塗布し、露光により現像液への溶解性が変化するフォトレジストの特性に基づき、フォトレジスタにフォトマスクの画像を転写する。続いて、ドライエッチングに用いる第1のガスとして、SF66フッ化硫黄で深さ方向へのドライエッチング以下、エッチステップと、第2のガスとして、フッ素系のC4F8クタフルオロシクロブタンで重合物CF2nによる側壁面の保護以下、デボステップを行い、エッチステップとデボステップとを交互に繰り返してボッシュプロセスのドライエッチングを行う。ここでは、ハニカム構造において互いに隣り合う孔の間隔幅厚が2μmとなるように維持しつつ、前駆体層4を所定の深さまでエッチングする。なお、以下に、エッチステップ及びデボステップの各レシピ1,2を示す。1エッチステップ-コイル電源;1500W、エッチステップ時間;1.5秒、SF66フッ化硫黄の流量;400sccmstandardccmin、エッチステップ時の圧力;5Pa、プラテン電源;70Wduty10、100Hz2デボステップ-コイル電源;1500W、デボステップ時間;1.5秒、C4F8クタフルオロシクロブタンの流量;400sccmstandardccmin、デボステップ時の圧力;10Pa、プラテン電源;0Wなお、上記sccmstandardccminは、1気圧、0°Cに換算した場合の流量を示している。なお、上記各レシピ1,2で、前駆体層4にドライエッチングを実施した状態を示すSEM写真を下記の図4に示す。図4に示すように、ハニカム構造において互いに隣り合う孔間の間隔幅厚は均一な2μmの寸法を有している。なお、ボッシュプロセスでのエッチング量の面内分布はマスクパターンのサイズにより異なるが、通常1~5の誤差範囲内に収めることが可能であり、本製造工程では、3の誤差となった。また、前駆体層4に対する深さ方向のエッチング量の限度とてしては、残しパターンの幅等により異なるが、アスペクト比深さ方向のエッチング量と残しパターン幅の比を20以上に確保することが可能である。つまり、残しパターン幅が2μmの場合であれば、深さ方向のエッチング量残しパターンの高さを40μm以上確保することが可能である。また、残しパターン幅の寸法、及び、アスペクト比等を考慮すれば、上記レシピ1,2以外にも、コイル電源;1000W~2500W、エッチステップ時間又はデボステップ時間;1秒~8秒、エッチステップ時又はデボステップ時の圧力;3Pa~15Pa、プラテン電源;15W~150Wduty5~30、60Hz~100Hzでのレシピを使用できる。続いて、第1の基板1の一方の面に熱酸化処理を施す図2c参照。この熱酸化は、ウェット酸化で、例えば1000°Cの温度条件下で300分間実施される。これにより、図1bに示す多孔層2が第1の基板1の一方の面に形成される。そして、多孔層2と、第2の基板3の前駆体層5とを直接接合する図2d参照。この接合は、多孔層2において第1の基板1が形成されている側の接合面と前駆体層5の一方の接合面とに、硫酸過水洗浄で水酸基を付着し、多孔層2と前駆体層5の各接合面を合わせ、表面間引力により接合する。また、この接合は、真空中での真空封止又は大気中での大気圧封止による加圧処理、及び、200°C~1000°Cの温度条件下での加熱処理によって行われる。より具体的に、多孔層2の孔2a内を真空状態で封止する場合には、多孔層2が形成された第1の基板1と、前駆体層5とをチャンバー不図示内に配置するとともに、チャンバー内を10-3Pa以下の減圧状態とし、多孔層2の孔2a内を大気圧で封止する場合には、多孔層2が形成された第1の基板1と、前駆体層5とをチャンバー内に配置するとともに、チャンバー内に窒素を0~0.15MPaの加圧により導入し、400°Cの温度条件下、及び、2Mpaの圧力条件下で、30分間、多孔層2が形成された第1の基板1と、前駆体層5と、を加熱した後に、チャンバー内から取り出し、次に、大気雰囲気中で、1000°Cの温度条件下で、30分の加熱処理が行われる。なお、加熱処理は、大気圧雰囲気下で実施する場合に限らず、真空炉を用いて実施可能である。最後に、前駆体層5において多孔層2が形成されている側の面と反対側の面にCMPchemicalMechanicalPolishing等による研磨加工を施し、前駆体層5の不要な厚さ部分を取り除くことにより、第2の基板3を作成する図2e参照。上記構成によれば、多孔層2の厚さを、従来の酸化膜用SOGで限界と考えられる最大膜厚1μmよりも大きくすることで、第2の基板3において多孔層2が形成されている側の面と反対側の面に電極を含むセンサデバイスを設けた場合に、センサデバイスと第1の基板1との間に発生する寄生容量を従来よりも抑制することができる。上記構成によれば、第2の基板3において多孔層2が形成されている側の面と反対側の面に電極を含むセンサデバイスを設けた場合に、第2の基板3と多孔層2とによって、センサデバイスと第1の基板1との電気的な結合を切り離すことができるため、センサデバイスと第1の基板1との間の電気絶縁性を従来よりも向上させることができる。また、多孔層2における各孔2aの積層方向に対する断面形状が、正六角形状の孔2aを複数個並べた蜂の巣状の形状ハニカム形状を有することで、第1の基板1又は第2の基板3と、多孔層2との接触面積を小さくしつつ、多孔層2の強度を確保した状態で、第1の基1板又は第2の基板3と、多孔層2との熱膨張率の差による三次元構造体100全体の反りを抑制することができる。これにより、三次元構造体100への局所的な応力集中を抑制することができる。また、多孔層2においてハニカム構造の枠を構成する残しパターンの面積を小さくでき、残しパターンの高さを大きくすることで、第1の基板1と第2の基板3とが大気圧又は真空の空間孔2aを介して向かい合う容積を大きくできるので、寄生容量低減の面からも有効である。また、三次元構造体100の製造プロセスにおいて、多孔層2が形成された第1の基板1と、第2の基板3の前駆体層5とをチャンバー内に配置するとともに、チャンバー内を10-3Pa以下の減圧状態とすることにより、第1の基板1と第2の基板3とで孔2aのそれぞれを真空状態で封止することができるため、外部からの熱伝達経路を断つことができ、三次元構造体100の断熱性又は耐熱性を確保することができる。また、通常、前駆体層4の加工はリソグラフィ又は酸化膜エッチングという方法がとられる。酸化膜エッチングとして、フッサン系の溶液によるウェットエッチングが用いられるが、等方的なエッチングであるため、マスク下にサイドエッチが入り、設計されたマスクパターンよりも寸法が小さくなり、前駆体層4にマスクパターン通りの形状を再現できず、再現性、転写性、及び、制御性に乏しく、前駆体層4の残しパターン幅を小さくできない。また、前駆体層4に対するエッチングの深さが深くなるに連れて、垂直エッチング深さ×0.6~0.8の大きさのサイドエッチが入り、この点からも、深さ方向のエッチング量が制限され、残しパターンの高さを大きくできない。更に、塩素系のガスを使ったドライエッチングによる別の方法もあるが、この方法ではある程度の異方性エッチングが可能であるが、選択性のあるマスクがなく、選択比が低いため、マスクの断面プロフィール通りのエッチング形状となってしまい、垂直方向のエッチングが難しい。また、選択比が小さいので、当然深掘りは不可能である。また、上記の両方法ともに、前駆体層4の面内におけるエッチング量の分布も良くない。この点、本実施形態の上記レシピ1,2に基づいて、エッチステップとデボステップとを交互に繰り返してボッシュプロセスのドライエッチングによれば、高アスペクト比、残しパターン幅の微細化、パターン転写の精度、パターンの再現性、及び、制御性の全ての点で上記両方法よりも優れた前駆体層4の加工を実現できる。<第2実施形態>次に、図5~図7を用いて、本発明の第2実施形態に係るセンサについて説明する。なお、第1実施形態の部位1~3と、本実施形態の部位201~203とは、順に同様のものであるので、説明を省略することがある。第2実施形態に係る静電容量型センサの構成本実施形態に係る静電容量型センサ1000は、図5に示すように、第1実施形態と同様の三次元構造体200と、固定電極層204と、可動電極層205と、検知部206とを備えているものである。多孔層絶縁体層202は、図6bに示すように、上記孔2aと同様の孔202aを複数個並べた蜂の巣状の構造ハニカム構造を有しているものである。また、多孔層202は、図6bに示すように、第1の基板201において多孔層202が形成されている側の面に達する凹状のキャビティ202bを有しているものである。これにより、第2の基板203の後述する錘部207aは、図5a及び図6a,bに示すX,Y,Z軸方向への移動が可能となっている。なお、Z軸方向は、三次元構造体200多孔層202の積層方向を示している。第2の基板203は、図5aに示すように、可動部207と、この可動部207と対向する位置にY軸方向に沿って所定間隔をおいて配置された一対の固定部208とを有して構成されている。可動部207は、図5aに示すように、矩形枠状をなす錘部207aと、この錘部207aの両端部からX軸方向に細長い矩形枠状に延びるとともに、錘部207aに作用した外部からの加速度に応じて弾性変形可能な4つの梁部207bと、各梁部207bの端部に形成された柱状のアンカ部207cと、錘部207aの両端部からY軸方向に夫々櫛歯状に延びる各8本の細幅状の櫛歯部207dと、を有して構成されている。図5aに示すように、可動部207においては、錘部207aが各梁部207bとアンカ部207cとによって多孔層202に支持された所謂両持ち状に浮いた状態となっている。固定部208は、図5aに示すように、上記錘部207aの両端部からY軸方向に所定間隔をおいて位置する一対の細長い矩形枠状の基部208aと、一対の基部208aそれぞれの端部からY軸方向内部側に櫛歯状に延びる9本の細幅の櫛歯部208bとを有して構成されている。これらの櫛歯部208bは、上記各櫛歯部207dとX軸方向に所定間隔をおいて互いに隣り合って設けられている。なお、本実施形態では、可動部207が、錘部207aの両端部からY軸方向に夫々櫛歯状に延びる各8本の櫛歯部207dを有し、固定部208が、一対の基部208aそれぞれの端部からY軸方向内部側に延びる9本の櫛歯部208bを有する例について述べたが、櫛歯部207d及び櫛歯部208bの本数は、静電容量型センサ1000で必要とされる感度に応じて適宜変更できる。ここで、変形例として、可動部207が、錘部207aの両端部からY軸方向に夫々櫛歯状に延びる各7本以下、又は、各9本以上の櫛歯部207dを有していてもよく、固定部208が、一対の基部208aそれぞれの端部からY軸方向内部側に延びる8本以下、又は、10本以上の櫛歯部208bを有していてもよい。固定電極層204は、Al、Cu、又はPtなどの金属からなる層であり、図5aに示すように、各固定部208において多孔層202が形成されている側の面と反対側の面に形成されているものである。固定電極層204は、図6aに示すように、上記基部208aにおいて多孔層202が形成されている側の面と反対側の面に形成された電極配線用の電極パッド204aと、上記櫛歯部208bに対応する位置に形成された櫛歯電極部204bと、を有している。可動電極層205は、Al、Cu、又はPtなどの金属からなる層であり、図5aに示すように、可動部207において多孔層202が形成されている側の面と反対側の面に形成されている。可動電極層205は、図6aに示すように、上記アンカ部207cにおいて多孔層202が形成されている側の面と反対側の面に形成された電極配線用の電極パッド205aと、上記櫛歯部207dにおいて多孔層202が形成されている側の面と反対側の面に形成された櫛歯電極部205bと、を有している。なお、上記の電極パッド204a、205aは、平面的に四角形状に形成されるものでもよく、これ以外にも、例えば、三角形状等の多角形状若しくは円形状及び楕円形状等、種々の形状に形成できる。検知部206は、図5bに示すように、上記各電極パッド204a,205aに接続されており、錘部207aに外部からの加速度が作用した場合に、可動部207及び可動電極層205のX、Y、Z軸方向への移動に応じて、櫛歯電極部204b,205bの間に発生する静電容量の変化に基づいて、錘部207aに作用した加速度の大きさ及び方向を検知するものである。検知部206は、静電容量の変化を電圧変化に変換して所定の出力に増幅するための容量-電圧変換部、フィルタ、及び、信号増幅部等が接続された構造を有しており、静電容量の変化を加速度の大きさ及び方向として取得することができる。次に、静電容量型センサ1000の動作について説明する。静電容量型センサ1000では、櫛歯電極部204b,205bの間にコンデンサが形成され、これらのコンデンサの静電容量が、錘部207aに外部からの加速度が作用した場合に、可動部207及び可動電極層205のX、Y、Z軸方向への移動に基づく櫛歯電極部205bの変位に応じて差動的に変化することになり、静電容量の変化を、錘部207aに作用した加速度の大きさ及び方向として取得することができるものである。第2実施形態に係る静電容量型センサの製造方法次に、静電容量型センサ1000の製造方法の一例について、図7を用いて説明する。まず、第2の基板203において多孔層202が形成されている側の面と反対側の面に、アルミニウムAlからなる固定電極層204及び可動電極層205の前駆体層209を蒸着又はスパッタ法などの方法を用いて形成する図7a参照。なお、図7aにおいて、キャビティ202b図7d参照のすぐ脇にある多孔層202の側壁部は、略中央部分にキャビティ202bを形成するために、他の側壁部よりも横幅が予め厚くなっている。次に、前駆体層209において第2の基板203が形成されている側の面と反対側の面にレジスト図示せずなどのマスクパターンを形成した後、ウェットエッチング処理し、前駆体層209を固定電極層204及び可動電極層205の形状にパターニングする図7b参照。これにより、固定電極層204及び可動電極層205が形成される。続いて、第2の基板203において多孔層202が形成されている側の面と反対側の面側からのDEEPRIEDeepReactiveIonEtchingによって、第2の基板203に可動部207及び固定部208を形成する図7c参照。最後に、可動部207の櫛歯部207dと固定部208の櫛歯部208bとの間可動電極層205の櫛歯電極部205bと固定電極層204の櫛歯電極部204bとの間に形成された隙間を利用したエッチングによって、多孔層202の略中央部分を除去する図7d参照。これにより、多孔層202の略中央部分に凹状のキャビティ202bが形成される。上記構成によれば、多孔層202の厚さを、従来の酸化膜用SOGで限界と考えられる最大膜厚1μmよりも大きくすることで、第2の基板203の可動部207及び固定部208において多孔層202が形成されている側の面と反対側の面にそれぞれ可動電極層205及び固定電極層204を形成した場合に、可動電極層205及び固定電極層204と、第1の基板201との間に発生する寄生容量を従来よりも抑制することができる。これにより、静電容量型センサ1000のセンサ感度を低下させる要因となる寄生容量による影響を従来よりも抑制でき、静電容量型センサ1000としての検知精度を従来よりも向上させることができる。上記構成によれば、第2の基板203と多孔層202とによって、固定電極層204及び可動電極層205と、第1の基板201との電気的な結合を切り離すことができるため、固定電極層204及び可動電極層205と、第1の基板201との間の電気絶縁性を従来よりも向上させることができる。これにより、静電容量型センサ1000のセンサ感度を低下させる要因となる寄生容量による影響を従来よりも抑制でき、静電容量型センサ1000としての検知精度を従来よりも向上させることができる。<第3実施形態>次に、図8を用いて、本発明の第3実施形態に係るセンサについて説明する。なお、第1実施形態の部位1~3と、本実施形態の部位301~303とは、順に同様のものであるので、説明を省略することがある。なお、図8aは、保護膜308を除去して、発熱用ヒータ304及びサーモパイル305,306を露出させた状態を示している。また、図8a中の矢印は、流体の流れる方向を示している。なお、図8aにおいては、説明の都合上、キャビティ302bの外形を第2の基板303において多孔層302が形成されている側の面と反対側の面から透視した仮想線一点鎖線によって表している。第3実施形態に係るMEMSフローセンサの構成本実施形態に係るMEMSフローセンサ2000は、図8に示すように、第1実施形態と同様の三次元構造体300と、発熱用ヒータ304と、一対のサーモパイル測温体305,306と、検知部307とを備えているものである。多孔層絶縁体層302は、図8bに示すように、上記孔2aと同様の孔302aを複数個並べた蜂の巣状の構造ハニカム構造を有しているものである。多孔層302の孔302a内は、10-3Pa以下の減圧状態で真空封止されている。これにより、各孔302aの内部、より具体的に、各孔302aと第2の基板203とで囲まれた空間は、キャビティ302bと三次元構造体300の外部との熱伝達経路を断つ断熱部としての役割を有するものである。また、多孔層302は、図8bに示すように、第2の基板303が形成されている側の面に形成された凹状のキャビティ302bを有しているものである。キャビティ302bは、第1の基板301の側から第2の基板303の側に向かうに連れて幅が広くなる台形状に形成されているものである。第2の基板303は、キャビティ302bの開口端を覆う位置に形成され、キャビティ302bが形成されている側の面と反対側の面に形成された薄膜状の橋架部303aを有しているものである。橋架部303aは、キャビティ302bによって多孔層302と断熱されている。発熱用ヒータ304は、ポリシリコンなどの多結晶シリコンからなるものであって、図8aに示すように、その一端部が橋架部303aの略中央部に配置されている。サーモパイル305,306は、例えばポリシリコン/アルミニウムからなる熱電対によって構成されており、図8aに示すように、第2の基板303において多孔層302が形成されている側の面と反対側の面に配置されている。サーモパイル305,306は、発熱用ヒータ304を挟むようにして、流体の上流側と下流側の対称な位置にそれぞれ配置されている。サーモパイル305,306は、橋架部303aの縁を横切るようにして配置されたポリシリコンからなる第1の細線305a,306aと、アルミニウムからなる第2の細線305b,306bとを有しているものである。図8aに示すように、第1の細線305a,306a及び第2の細線305b,306bは、交互かつ平行に配線されている。サーモパイル305は、図8aに示すように、橋架部303aの内側において第1の細線305aと第2の細線305bとの接続点として構成された温接点305cと、橋架部303aの外側において第1の細線305aと第2の細線305bとの接続点として構成された冷接点305dとを有しているものである。同様に、サーモパイル306は、図8aに示すように、橋架部303aの内側において第1の細線306aと第2の細線306bとの接続点として構成された温接点306cと、橋架部303aの外側において第1の細線306aと第2の細線306bとの接続点として構成された冷接点306dとを有しているものである。つまり、図8aに示すように、三次元構造体300の積層方向から見た場合に、温接点305c,306cは、橋架部303aキャビティ302bの内側に配置されており、冷接点305d,306dは、橋架部303aキャビティ302bよりも外側に配置されている。これにより、温接点305c,306cは、薄膜状の橋架部303aにおいてキャビティ302bが形成されている側の面と反対側の面に配置されているので、熱容量が小さく、流体に触れると敏感に温度が変化するが、冷接点305d,306dは、第2の基板303の橋架部303aを除く厚膜部分において多孔層302が形成されている側の面と反対側の面に配置されているので、流体と接触しても温度が変化し難くなっている。発熱用ヒータ304及び第1の細線305a,306aには、1.0×1019ions/cm3の燐Pがドーピングされているものである。また、発熱用ヒータ304及びサーモパイル305,306は、保護膜308で覆われているものである。また、図8a~c中の各符号309~311は、それぞれ、発熱用ヒータ304及びサーモパイル305,306を検知部307に電気配線を介して接続するための電極パッドを示している。検知部307は、電極パッド309~311を介して発熱用ヒータ304及びサーモパイル305,306のそれぞれと接続されており、発熱用ヒータ304に電流を流して発熱させながら、流体の移動に応じたサーモパイル305,306の出力電圧値の変化に基づき、流体の流量を検知するものである。次に、MEMSフローセンサ2000の動作について説明する。MEMSフローセンサ2000では、流体の流れていない無風時には、サーモパイル305の出力電圧とサーモパイル306の出力電圧とは等しいが、図8aの矢印方向に、上流側から下流側に向けて流体が移動した場合、上流側のサーモパイル305の温接点305cは冷却されて降温し、出力電圧が小さくなる。一方、流体によって運ばれる熱で下流側のサーモパイル306の温接点306cは温度上昇し、出力電圧が大きくなる。従って、検知部307は、サーモパイル305,306の出力電圧値の変化に基づき、サーモパイル305,306の計測温度を演算することで、流体の流量を検知することができるものである。上記構成によれば、多孔層302の厚さを、従来の酸化膜用SOGで限界と考えられる最大膜厚1μmよりも大きくすることで、第2の基板303において多孔層302が形成されている側の面と反対側の面にサーモパイル305,306を配置した場合に、第2の細線305b,306bと、第1の基板301との間に発生する寄生容量を従来よりも抑制することができる。これにより、MEMSフローセンサ2000のセンサ感度を低下させる要因となる寄生容量による影響を従来よりも抑制でき、MEMSフローセンサ2000としての検知精度を従来よりも向上させることができる。上記構成によれば、第2の基板303と多孔層302とによって、第2の細線305b,306bと、第1の基板301との電気的な結合を切り離すことができるため、第2の細線305b,306bと、第1の基板301との間の電気絶縁性を従来よりも向上させることができる。これにより、MEMSフローセンサ2000のセンサ感度を低下させる要因となる寄生容量による影響を従来よりも抑制でき、MEMSフローセンサ2000としての検知精度を従来よりも向上させることができる。上記構成によれば、多孔層302の孔302a内が、10-3Pa以下の減圧状態で真空封止されているため、各孔302aの断熱部としての性能を向上させることができる。これにより、キャビティ302bと三次元構造体300の外部との熱伝達経路をより確実に断つことができ、サーモパイル305、306の出力電圧値の精度を向上させることができる点で特に有効である。<第4実施形態>次に、図9を用いて、本発明の第4実施形態に係るセンサについて説明する。なお、第1実施形態の部位1~3と、本実施形態の部位401~403とは、順に同様のものであるので、説明を省略することがある。なお、図9aにおいては、説明の都合上、キャビティ402bの外形を第2の基板403において多孔層402が形成されている側の面と反対側の面から透視した仮想線点線によって表している。同様に、図9aにおいては、説明の都合上、蓋部材404の各内壁面404bを蓋部材404において第1の固定電極層405が形成されている側の面から透視した仮想線破線によって表している。第4実施形態に係る静電容量型センサの構成本実施形態に係る静電容量型センサ3000は、図9a,bに示すように、第1実施形態と同様の三次元構造体400と、蓋部材404と、第1の固定電極層405と、第2の固定電極層406と、検知部407とを備えているものである。多孔層絶縁体層402は、図9bに示すように、上記孔2aと同様の孔402aを複数個並べた蜂の巣状の構造ハニカム構造を有しているものである。また、多孔層402は、図9bに示すように、第2の基板403が形成されている側の面に形成された凹状のキャビティ402bを有しているものである。各孔402a及びキャビティ402bは、第1の基板401と第2の基板403とによって気密状態で封止されており、各孔402a及びキャビティ402bと、第2の基板403とで囲まれた各空間内は、蓋部材404に印加された圧力の検出に適した雰囲気環境気密状態で維持されている。第2の基板403は、図9bに示すように、一様な厚さの薄膜状に加工された平板として形成されている。また、第2の基板403は、図9a中に点線で示すキャビティ402bと同じ位置に形成された略中央部分以下、橋架部というを有しているものである。そして、該橋架部によって、キャビティ402bの開口端が覆われている。ここで、キャビティ402bの開口端を覆うとは、キャビティ402b内を外気に対して気密状態に保つこと、を意味する。蓋部材404は、ケイ素などの半導体材料からなるものであり、図9a,bに示すように、第2の基板403において多孔層402が形成されている側と反対側の面において凹状に形成されているものである。図9aに示すように、蓋部材404は、三次元構造体400の積層方向から見た場合に、少なくとも橋架部キャビティ402bの全体を覆うように配置されているものである。また、図9bに示すように、蓋部材404の内部には、外部に連通するとともに、三次元構造体400の積層方向に対して垂直方向に延びる略直方体状の連通孔404aが形成されている。これにより、連通孔404aの内部は、外気圧と等しい圧力で維持されている。また、図9bに示すように、蓋部材404において連通孔404aを両側から挟むようにして対向する一対の内壁面404bは、キャビティ402bよりも外側に設けられている。これにより、橋架部は、連通孔404aの内部において、蓋部材404に妨げられることなく、三次元構造体400の積層方向に沿う方向に移動可能となっている。第1の固定電極層405は、Al、Cu、又はPtなどの金属からなる層であり、図9bに示すように、蓋部材404において第2の基板403が形成されている側の面と反対側の面に形成されている。第2の固定電極層406は、Al、Cu、又はPtなどの金属からなる層であり、図9bに示すように、第2の基板403において多孔層402が形成されている側の面と反対側の面に形成されている。また、図9aに示すように、第2の固定電極層406は、三次元構造体400の積層方向から見た場合に、蓋部材404よりも外側に配置されている検知部407は、図9bに示すように、第1の固定電極層405及び第2の固定電極層406に接続されており、連通孔404aの内部圧力外気圧とキャビティ402aの内部圧力との圧力差に基づく圧力変動に応じて、橋架部が三次元構造体400の積層方向に沿ってキャビティ402aに近づく側に凹み、或いは、キャビティ402aから離れる側に凸状に膨らむことに伴い、蓋部材404と橋架部との距離が変化した際に、第1の固定電極層405と第2の固定電極層406との間に発生する静電容量の変化に基づいて、橋架部に作用した圧力値を検知するものである。検知部407は、静電容量の変化を電圧変化に変換して所定の出力に増幅するための容量-電圧変換部、フィルタ、及び、信号増幅部等が接続された構造を有しており、静電容量の変化を圧力値として取得することができる。次に、静電容量型センサ3000の動作について説明する。静電容量型センサ3000では、第1の固定電極層405と第2の固定電極層406との間にコンデンサが形成され、このコンデンサの静電容量が、連通孔404aの内部圧力外気圧とキャビティ402aの内部圧力との圧力差に起因した橋架部の変位に応じて、差動的に変化することになり、静電容量の変化を、橋架部に作用した圧力値として取得することができるものである。上記構成によれば、多孔層402の厚さを、従来の酸化膜用SOGで限界と考えられる最大膜厚1μmよりも大きくすることで、蓋部材404において第2の基板403が形成されている側の面と反対側の面、及び、第2の基板403において多孔層402が形成されている側の面と反対側の面に、それぞれ、第1の固定電極層405及び第2の固定電極層406を形成した場合に、第1の固定電極層405及び第2の固定電極層406と、第1の基板401との間に発生する寄生容量を従来よりも抑制することができる。これにより、静電容量型センサ3000のセンサ感度を低下させる要因となる寄生容量による影響を従来よりも抑制でき、静電容量型センサ3000としての検知精度を従来よりも向上させることができる。更に、上記構成によれば、第2の基板403と多孔層402とによって、蓋部材404において第2の基板403が形成されている側の面と反対側の面に形成された第1の固定電極層405、及び、第2の基板403において多孔層402が形成されている側の面と反対側の面に形成された第2の固定電極層406と、第1の基板401との電気的な結合を切り離すことができるため、第1の固定電極層405及び第2の固定電極層406と、第1の基板401との間の電気絶縁性を従来よりも向上させることができる。これにより、静電容量型センサ3000のセンサ感度を低下させる要因となる寄生容量による影響を従来よりも抑制でき、静電容量型センサ3000としての検知精度を従来よりも向上させることができる。なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。例えば、第1実施形態において、正六角形状の孔を複数個並べたハニカム構造を有するフォトマスクのマスクパターン図3参照に代えて、図10に示す各マスクパターンのいずれかを三次元構造体の製造工程で使用してもよい。これにより、三次元構造体の用途又は使用状況に応じて、より具体的には、第1の基板1又は第2の基板3と、多孔層2との接触面積を小さくする度合い等に応じて、多孔層2の孔を種々の形状に形成することができる。なお、図10aは、正方形正四角形状の孔を複数個並べた構造を有するフォトマスクのマスクパターンを示している。また、図10bは、正三角形状の孔を複数個並べた構造を有するフォトマスクのマスクパターンを示している。また、図10cは、真円形状の孔を複数個並べた構造を有するフォトマスクのマスクパターンを示している。また、図10dは、長方形状の孔を複数個並べた構造を有するフォトマスクのマスクパターンを示している。このマスクパターンを使用した前駆体層4の加工によれば、第1の基板1において絶縁体層2が形成される側の面において、シリコンとして残る凸部分と、シリコンが掘られるトレンチ部分とが予め定められた比率で左右方向に連続的に並んだ凹凸状のトレンチ構造を形成することができる。なお、凸部分の幅=トレンチラインと、トレンチ部分の幅=スペースとの比は、後の熱酸化工程図2c参照が可能なように、例えば、1:1.1としておくことが好ましい。また、第2実施形態では、可動電極層205と、この可動電極層205と対向する位置にY軸方向に沿って所定間隔をおいて配置された一対の固定電極層204との組み合わせによる3つの部位からなる櫛歯型電極層を用いて静電容量型センサ1000を構成する例について述べたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、一対の可動電極層と固定電極層、つまり、2つの部位からなる電極層を用いて静電容量型センサを構成できる。これにより、部品点数を減らすことができ、静電容量型センサの製造コストを低減できる。また、第2実施形態では、図7a~dに示す各工程を順に行うことにより、静電容量型センサ1000を製造する例について述べたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、以下の工程1~5、つまり、1第1の基板201に多孔層層202を形成する工程、2多孔層202及び第1の基板201の略中央部分にキャビティを貫通エッチングで形成する工程、3多孔層202に第2の基板203を接合する工程、4第2の基板203に固定電極層204及び可動電極層205を形成する工程、5第2の基板203を櫛歯形状にエッチングする工程、を順に行うことによっても静電容量型センサを製造できる。これにより、第1の基板201の略中央部分を貫通させることで、静電容量型センサ全体の軽量化コンパクト化を図ることができる。また、第3実施形態では、三次元構造体300をMEMSフローセンサ2000に適用する例について述べたが、本発明はこれに限定されるものではなく、三次元構造体300を、検出対象の温度分布を画像化して表示する赤外線イメージセンサ等に適用してもよい。なお、上記各実施形態における三次元構造体は、センサにだけでなく、微小なアクチュエータの一部に使用することも可能であるとともに、その他の微小なデバイスの一部に用いることが可能である。"