基体に貼り付けられた第1の樹脂膜上に複数の半導体チップを配置する工程と、複数の前記半導体チップを樹脂組成物により板状に固め擬似基板を形成する工程と、前記擬似基板の一面を前記第1の樹脂膜及び前記基体より剥離する工程と、前記擬似基板の一面とは反対側の背面に、第2の樹脂膜及び金属膜を形成する工程と、前記擬似基板の一面より、前記金属膜がストッパーとなるレーザ光を照射することにより、前記樹脂組成物及び前記第2の樹脂膜を除去し、開口穴を形成する工程と、前記開口穴に前記金属膜と接続される貫通電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記第2の樹脂膜及び金属膜を形成する工程は、前記擬似基板の一面を前記第1の樹脂膜及び前記基体より剥離する工程よりも前に行われることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記擬似基板に第2の樹脂膜及び金属膜を形成する工程の前に、前記擬似基板の背面を研磨し、前記半導体チップを露出させる工程をさらに有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。前記貫通電極を形成した後、前記擬似基板の一面に、前記貫通電極と接続される配線を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。前記貫通電極を形成した後、前記金属膜に配線を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。前記擬似基板において前記樹脂組成物により形成されている領域を切断して前記複数の半導体チップを個片化する工程を有することを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。ところで、WLPにおいて、3次元化を行なう場合、モールド樹脂に貫通穴を形成するが、モールド樹脂には、無機フィラーが80以上含まれているため、ドリル等により貫通穴を形成する際、ドリルの先端部分が摩耗してしまう。このため、ドリルの先端部分を頻繁に交換する必要があり、高コスト化するという問題がある。また、レーザ光を用いて熱により貫通穴を形成する場合、レーザ光が照射される表面側では、所望の形状の貫通穴を形成することができるが、反対側の裏面側では、モールド樹脂が飛び散り貫通穴が所望の形状に形成されないという問題を有している。図1には、モールド樹脂にレーザ光を照射することにより形成された貫通穴の顕微鏡写真を示す。尚、図1aは、レーザ光が照射された側の表面における貫通穴の様子を示すものであり、図1bは、レーザ光が照射された側とは反対側の裏面における貫通穴の様子を示すものである。図1bに示される裏面における貫通穴は、図1aに示される表面における貫通穴とは異なる形状であり、所望の形状には形成されてはいない。このような形状の貫通穴に貫通電極を形成した場合、歩留りの低下や信頼性の低下を招いてしまう。よって、両面に配線層が形成されるWLPにおいて、モールド樹脂等の樹脂組成物に微細な貫通穴を低コストで形成することのできる半導体装置の製造方法が求められている。本実施の形態の一観点によれば、基体に貼り付けられた第1の樹脂膜上に複数の半導体チップを配置する工程と、複数の前記半導体チップを樹脂組成物により板状に固め擬似基板を形成する工程と、前記擬似基板の一面を前記第1の樹脂膜及び前記基体より剥離する工程と、前記擬似基板の一面とは反対側の背面に、第2の樹脂膜及び金属膜を形成する工程と、前記擬似基板の一面より、前記金属膜がストッパーとなるレーザ光を照射することにより、前記樹脂組成物及び前記第2の樹脂膜を除去し、開口穴を形成する工程と、前記開口穴に前記金属膜と接続される貫通電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。開示の半導体装置の製造方法によれば、両面に配線層が形成されるWLPにおいて、モールド樹脂等の樹脂組成物に微細な貫通穴を低コストで形成することのできる半導体装置の製造方法を提供することができる。実施するための形態について、以下に説明する。尚、同じ部材等については、同一の符号を付して説明を省略する。第1の実施の形態第1の実施の形態における半導体装置の製造方法ついて、図2から図5に基づき説明する。最初に、図2aに示すように、表面が平坦な基体11上に、基体11に接着する第1の樹脂膜12を形成し、第1の樹脂膜12上に、半導体チップ13を配置し接着させる。この際、半導体チップ13の回路面13aが、第1の樹脂膜12側になるように配置する。基体11は、例えば、Siシリコン基板、ガラス基板、ステンレス等の金属板等を用いることができる。本実施の形態では、基体11としてSi基板を用いた場合について説明する。また、第1の樹脂膜12は、耐熱性や剥離性の観点から、熱発泡フィルム、又は、紫外線を照射することにより接着強度が低下するフィルムが用いられており、第1の樹脂膜12となるフィルムを基体11にラミネートすることにより接着されている。尚、本実施の形態においては、熱発泡フィルムを用いた場合について説明する。半導体チップ13は、SiやGaAs等の半導体基板の表面となる回路面13aに、電子回路等が形成されているものを切断し半導体チップとしたものである。次に、図2bに示すように、モールド樹脂等の樹脂組成物14により半導体チップ13の全体を覆う。具体的には、半導体チップ13が接着されている面にモールド樹脂等の樹脂組成物14を供給することにより、半導体チップ13を樹脂組成物14により埋めることができる。次に、図2cに示すように、モールド樹脂等の樹脂組成物14をプレスし、樹脂組成物14の表面を平坦化した状態で固める。これにより、半導体チップ13は樹脂組成物14により固められ、擬似ウエハ10としてウエハ形状に再構築される。尚、本実施の形態では、このように形成される擬似ウエハ10を擬似基板と記載する場合がある。次に、図2dに示すように、加熱することにより、発泡フィルム等の第1の樹脂膜12を半導体チップ13及び固まった状態の樹脂組成物14より剥離する。この際、基体11も剥がされる。これにより擬似ウエハ10が形成される。本実施の形態では擬似ウエハ10は、シリコンウエハ等と同様の略円形の形状のものについて説明するが、略長方形の形状のものであってもよい。擬似基板を略円形の形状で形成することによりウエハ用の検査装置等を用いて検査等を行なうことができ、擬似基板を略長方形の形状で形成することによりプリント基板等の基板用検査装置を用いて検査等を行なうことができる。尚、第1の樹脂膜12が、紫外線を照射することにより接着強度が低下するフィルムである場合には、紫外線を照射して剥離する。次に、図3aに示すように、樹脂組成物14により半導体チップ13がウエハ状に再構築された擬似ウエハ10において、半導体チップ13の回路面13aが形成されている面とは反対側の面、即ち、擬似ウエハ10の背面に第2の樹脂膜15を例えば貼り付けて形成する。更に、第2の樹脂膜15の上に金属膜16を例えば貼り付けて形成する。第2の樹脂膜15は絶縁性を有する材料により形成されており、金属膜16は、導電性を有するものであって、特に、後に配線を形成するものであるため、銅等の導電性の高い材料により形成されている。本実施の形態では、第2の樹脂膜15と金属膜16とが一体化されている樹脂付き銅箔RCC:ResinCoatedCopperを半導体チップ13の回路面13aが形成されている面とは反対側の面にラミネートする。しかし、第2の樹脂膜15と金属膜16の形成は、一体化された樹脂付き銅箔に限られず、別体のものを順次に形成してもよい。また、第2の樹脂膜15と金属膜16の形成は、擬似ウエハ10を第1の樹脂膜12及び前記基体11より剥離する工程よりも前に行われてもよい。次に、図3bに示すように、半導体チップ13の回路面13a側より、樹脂組成物14にレーザにより開口穴17を形成する。レーザはCO2レーザを用いて、金属膜16に達する開口穴17を形成する。CO2レーザによるレーザ光は、金属膜16を貫通しないように設定されているため、形成される開口穴17は金属膜16に達した段階でとまる。この際、CO2レーザにより飛び散った樹脂組成物14が半導体チップ13の回路面13aに付着しないよう不図示の樹脂層保護膜等が形成されている。この樹脂層等は、例えば、ドライフィルムレジスト等により形成されている。次に、図3cに示すように、シード層18を開口穴17、半導体チップ13の回路面13a及び樹脂組成物14の表面に形成し、更に、開口穴17が形成されている領域に開口を有するレジストパターン19をシード層18上に形成する。尚、シード層18は、金属材料を無電解メッキ、又は、スパッタリングすることにより形成されている。本実施の形態では、シード層18は、スパッタリングにより金属密着層と銅とを積層することにより形成されており、金属密着層を形成する材料としては、例えば、チタン、クロム等が用いられる。また、レジストパターン19は、シード層18上にフォトレジストを塗布し露光装置による露光及び現像を行なうことにより形成する。次に、図3dに示すように、電解メッキを行なうことにより、開口穴17に銅等を埋め込み貫通電極20を形成する。この後、レジストパターン19を剥離し、更に、擬似ウエハ10の表面に形成されているシード層18を除去する。シード層18は、ウエットエッチング及びドライエッチングにより除去する。尚、図3c及びdに示す工程の他、図3bに示す開口穴17を形成した後、電解メッキを行なうことにより、開口穴17の底部に露出している金属膜16の表面より銅等を堆積させることにより、開口穴17に貫通電極20を形成してもよい。次に、図4aに示すように、半導体チップ13の回路面13a側に絶縁層21を形成する。具体的には、半導体チップ13の回路面13a側に、感光性エポキシ、感光性ポリベンゾオキサゾール又は感光性ポリイミド等の感光性樹脂を塗布し、現像及びキュアを行なうことにより絶縁層21を形成する。次に、図4bに示すように、絶縁層21が形成されている側に多層配線構造部22を形成する。多層配線構造部22は、絶縁層21が形成されている側において、一般的なセミアディティブ法により形成する。具体的には、絶縁層21の表面にレジストパターンを形成し、RIEReactiveIonEtching等のドライエッチングを行なうことにより、絶縁層21に開口部を形成する。この後、全面にスパッタリング等によりシード層を形成した後、シード層上にフォトレジストを塗布し、露光装置による露光及び現像を行なうことにより、絶縁層21の開口部に開口を有するレジストパターンを形成する。この後、電解メッキを行ない、絶縁層21の開口部を銅等の材料により埋め込み接続電極を形成し、更に、レジストパターン及び露出しているシード層を除去する。シード層は、金属密着層と銅とを積層することにより形成されており、金属密着層を形成する材料としては、例えば、チタン、クロム等が用いられる。以上の絶縁層の形成、絶縁層における開口部の形成、接続電極の形成を繰り返し行なうことにより所望の層数を有する多層配線構造部22を形成することができる。次に、図4cに示すように、多層配線構造部22が形成されている面とは反対側の面に、金属膜16の表面にレジストパターン31を形成する。レジストパターン31は、金属膜16上にドライフィルムレジストを貼り付けた後、露光装置による露光及び現像を行なうことにより形成する。次に、図4dに示すように、レジストパターン31が形成されていない領域の金属膜16をエッチングにより除去することにより配線32を形成し、更に、有機溶剤等によりレジストパターン31を除去する。次に、図5aに示すように、配線32が形成されている面に絶縁層33を形成する。絶縁層33は、絶縁性樹脂を塗布することにより配線構造部34が形成される。尚、絶縁層の形成、絶縁層における開口部の形成、接続電極の形成を繰り返し行なうことにより所望の層数を有する多層配線構造部を形成することができる。次に、図5bに示すように、1点鎖線で示すダイシングラインD1に沿って、ダイシングにより切断し分離することにより、半導体装置を作製する。このようにして作製される半導体装置としては、半導体素子、MEMS素子、センサ素子、受動素子等のうちから選ばれる1又は2以上の素子を含むもの等が挙げられる。尚、本実施の形態では、モールド樹脂等の樹脂組成物14は、有機材料等の樹脂材料と無機フィラーとを有する材料により形成されている。無機フィラーは、酸化アルミニウム、酸化シリコン、水酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等のうちから選ばれる、1又は2以上の材料により形成されていることが好ましい。また、上記説明では、ウエハ形状に再構築する場合について説明したが、再構築は、ウエハ形状等の丸い形状以外にも、四角い形状であってもよい。ウエハ形状で再構築を行なった場合には、半導体装置の製造工程等において、半導体製造設備を用いることが可能であり、また、四角い形状で再構築を行なった場合には、プリント配線板製造設備を用いることができる。また、絶縁層33が形成されている側においても、配線構造部34を有する多層配線構造部を形成する場合、絶縁層33が形成されている側に形成される多層配線構造部は、多層配線構造部22と層数又は膜厚が同じであることが好ましい。層数又は膜厚を同じにすることにより、半導体チップ13及び樹脂組成物14に加わる応力が相殺され、作製される半導体装置の反りを低減することができる。尚、配線構造部34を有する多層配線構造部と多層配線構造部22とは層数及び膜厚がともに同じであることが、より好ましい。第2の実施の形態次に、第2の実施の形態における半導体装置の製造方法について、図6から図9に基づき説明する。最初に、図6aに示すように、表面が平坦な基体11上に、基体11に接着する第1の樹脂膜12を形成し、第1の樹脂膜12上に、半導体チップ13を配置し接着させる。この際、半導体チップ13の回路面13aが、第1の樹脂膜12側になるように配置する。次に、図6bに示すように、モールド樹脂等の樹脂組成物14により半導体チップ13の全体を覆う。具体的には、半導体チップ13が接着されている面にモールド樹脂等の樹脂組成物14を供給することにより、半導体チップ13を樹脂組成物14により埋めることができる。次に、図6cに示すように、モールド樹脂等の樹脂組成物14をプレスし、樹脂組成物14の表面を平坦化した状態で固める。これにより、半導体チップ13は樹脂組成物14により固められ、擬似ウエハ10としてウエハ形状に再構築される。次に、図6dに示すように、加熱することにより、発泡フィルム等の第1の樹脂膜12を半導体チップ13及び固まった状態の樹脂組成物14より剥離する。この際、基体11も剥がされる。これにより擬似ウエハ10が形成される。尚、第1の樹脂膜12が、紫外線を照射することにより接着強度が低下するフィルムである場合には、紫外線を照射して剥離する。次に、図7aに示すように、半導体チップ13の回路面13aが形成されている面とは反対側の樹脂組成物14を研磨により除去し、擬似ウエハ10aを形成する。この研磨は、例えば、半導体チップ13が露出するまで行なう。このように研磨により樹脂組成物14を薄くすることにより、後述するようにレーザ光を照射して開口穴17を形成する際に、開口を小さく形成することができる。尚、本実施の形態では、第1の樹脂膜12及び基体11を剥離した後に、擬似ウエハ10の研磨を行なう場合について説明するが、擬似ウエハ10に第1の樹脂膜12及び基体11が付着している状態で、擬似ウエハ10の研磨を行なってもよい。この場合、研磨を行なった後に、擬似ウエハ10aより第1の樹脂膜12及び基体11を剥離する。次に、図7bに示すように、樹脂組成物14により半導体チップ13がウエハ状に再構築された擬似ウエハ10aにおいて、半導体チップ13の回路面13aが形成されている面とは反対側の面に第2の樹脂膜15を貼り付け、更に、金属膜16を貼り付ける。第2の樹脂膜15は絶縁性を有する材料により形成されており、金属膜16は、導電性を有するものであって、特に、後に配線を形成するものであるため、銅等の導電性の高い材料により形成されている。本実施の形態では、第2の樹脂膜15と金属膜16とが一体化されている樹脂付き銅箔RCCを半導体チップ13の回路面13aが形成されている面とは反対側の面にラミネートする。次に、図7cに示すように、半導体チップ13の回路面13a側より、樹脂組成物14にレーザにより開口穴17を形成する。レーザはCO2レーザを用いて、金属膜16に達する開口穴17を形成する。CO2レーザによるレーザ光は、金属膜16を貫通しないように設定されているため、形成される開口穴17は金属膜16に達した段階でとまる。この際、CO2レーザにより飛び散った樹脂組成物14が半導体チップ13の回路面13aに付着しないよう不図示の樹脂層等が形成されている。この樹脂層等は、例えば、ドライフィルムレジスト等により形成されている。次に、図7dに示すように、シード層18を開口穴17、半導体チップ13の回路面13a及び樹脂組成物14の表面に形成し、更に、開口穴17が形成されている領域に開口を有するレジストパターン19をシード層18上に形成する。尚、シード層18は、金属材料を無電解メッキ、又は、スパッタリングすることにより形成されている。本実施の形態では、シード層18は、スパッタリングにより金属密着層と銅とを積層することにより形成されており、金属密着層を形成する材料としては、例えば、チタン、クロム等が用いられる。また、レジストパターン19は、シード層18上にフォトレジストを塗布し露光装置による露光及び現像を行なうことにより形成する。次に、図8aに示すように、電解メッキを行なうことにより、開口穴17に銅等を埋め込み貫通電極20を形成する。この後、レジストパターン19を剥離し、更に、擬似ウエハ10aの表面に形成されているシード層18を除去する。シード層18は、ウエットエッチング及びドライエッチングにより除去する。次に、図8bに示すように、半導体チップ13の回路面13a側に絶縁層21を形成する。具体的には、半導体チップ13の回路面13a側に、感光性エポキシ、感光性ポリベンゾオキサゾール又は感光性ポリイミド等の感光性樹脂を塗布し、現像及びキュアを行なうことにより絶縁層21を形成する。次に、図8cに示すように、絶縁層21が形成されている側に多層配線構造部22を形成する。多層配線構造部22は、絶縁層21が形成されている側において、一般的なセミアディティブ法により形成する。具体的には、絶縁層21の表面にレジストパターンを形成し、RIE等のドライエッチングを行なうことにより、絶縁層21に開口部を形成する。この後、全面にスパッタリング等によりシード層を形成した後、シード層上にフォトレジストを塗布し、露光装置による露光及び現像を行なうことにより、絶縁層21の開口部に開口を有するレジストパターンを形成する。この後、電解メッキを行ない、絶縁層21の開口部を銅等の材料により埋め込み接続電極を形成し、更に、レジストパターン及び露出しているシード層を除去する。シード層は、金属密着層と銅とを積層することにより形成されており、金属密着層を形成する材料としては、例えば、チタン、クロム等が用いられる。以上の絶縁層の形成、絶縁層における開口部の形成、接続電極の形成を繰り返し行なうことにより所望の層数を有する多層配線構造部22を形成することができる。次に、図8dに示すように、多層配線構造部22が形成されている面とは反対側の面に、金属膜16の表面にレジストパターン31を形成する。レジストパターン31は、金属膜16上にドライフィルムレジストを貼り付けた後、露光装置による露光及び現像を行なうことにより形成する。次に、図9aに示すように、レジストパターン31が形成されていない領域の金属膜16をエッチングにより除去することにより配線32を形成し、更に、有機溶剤等によりレジストパターン31を除去する。次に、図9bに示すように、配線32が形成されている面に絶縁層33を形成する。絶縁層33は、絶縁性樹脂を塗布することにより配線構造部34が形成される。尚、絶縁層の形成、絶縁層における開口部の形成、接続電極の形成を繰り返し行なうことにより所望の層数を有する多層配線構造部を形成することができる。次に、図9cに示すように、1点鎖線で示すダイシングラインD1に沿って、ダイシングにより切断し分離することにより、半導体装置を作製する。このようにして作製される半導体装置としては、半導体素子、MEMS素子、センサ素子、受動素子等のうちから選ばれる1又は2以上の素子を含むもの等が挙げられる。本実施の形態では、樹脂組成物14が薄く形成されているため、レーザ光により形成される開口穴17を小さくすることができる。また、回路面13aとは反対側においても半導体チップ13が露出しているため、樹脂組成物14による応力の影響がなくなるため、半導体装置における反りを低減することができる。尚、上記以外の内容については、第1の実施の形態と同様である。実施例1実施例1について説明する。実施例1は、第1の実施の形態における半導体装置の製造方法である。基体11となるシリコンウエハに、第1の樹脂膜12となる熱発泡フィルムをラミネートし、大きさが5mm×5mm、厚さが0.2mmの半導体チップ13となるシリコンのベアチップをフリップチップボンダにより、熱発泡フィルム上にマウントする。この際、ベアチップに形成されている回路面13aが、熱発泡フィルムの側となるようにマウントする。次に、ベアチップの背面及び側面を樹脂組成物14であるモールド樹脂により埋め込み、厚さ0.4mm、φ150mmの擬似ウエハ10を作製する。この後、加熱することにより熱発泡フィルム及びシリコンウエハを擬似ウエハ10より剥離し、モールド樹脂のキュアを行なう。この後、第2の樹脂膜15となる樹脂厚が0.05mm及び金属膜16となる銅箔の厚さが0.018mmのRCCをベアチップの回路面13aが露出している面と反対側の面にラミネートする。次に、擬似ウエハ10においてベアチップの回路面13aが露出している面に、レーザ光を照射し、モールド樹脂にφ0.2mmの開口穴17となるビアを形成する。このビアは銅箔に達するように形成する。この後、ビアの内壁等におけるゴミを除去するためプラズマ処理を行なった後、銅の無電解メッキによりシード層18を形成する。この後、シード層18の形成されている面に、ドライフィルムレジストをラミネートし、露光装置による露光及び現像を行なうことにより、ビアの形成されている領域に開口を有するレジストパターン19を形成する。この後、銅の電解メッキによりビアの内部を銅により埋め込みビア内部に貫通電極20を形成し、レジストパターン19をアミン系剥離液により剥離し、シード層18をウエットエッチング及びドライエッチングにより除去する次に、擬似ウエハ10においてベアチップの回路面13aが露出している面に、スピンコート用の感光性エポキシワニスを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、現像、キュア、残渣除去のための酸素プラズマ処理を行なう。これにより厚さ10μmであって、回路面13aの端子部及び貫通電極20の形成されている領域に、φ30μmの開口部を有する絶縁層21を形成する。次に、スパッタリングにより、チタンが0.1μm、銅が0.3μmの厚さの積層膜を成膜しシード層を形成する。この後、絶縁層21に形成された開口部に開口を有するレジストパターンを形成し、銅の電解メッキによりシード層が露出している部分に銅の接続電極を形成する。銅の電解メッキを行なった後、レジストパターンを有機溶剤等により剥離し、レジストパターンの下に形成されていたシード層をウエットエッチング及びドライエッチングにより除去する。このように形成された接続電極等により配線が形成され、更に、絶縁層を介し多層化することにより多層配線構造部22が形成される。次に、多層配線構造部22が形成されている面に保護フィルムをラミネート、この面と反対側の面の金属膜16となる銅箔上にドライフィルムレジストをラミネートし、露光装置による露光現像を行なうことにより、レジストパターンを形成する。この後、銅箔をウエットエッチング等により除去することにより、線幅が50μmの配線32を形成する。この後、ラミネートされている保護フィルムを剥離する。これにより、両面に配線を有する半導体装置が作製される。実施例2実施例2について説明する。実施例2は、第2の実施の形態における半導体装置の製造方法である。基体11となるシリコンウエハに、第1の樹脂膜12となる熱発泡フィルムをラミネートし、大きさが5mm×5mm、厚さが0.4mmの半導体チップ13となるシリコンのベアチップをフリップチップボンダにより、熱発泡フィルム上にマウントする。この際、ベアチップに形成されている回路面13aが、熱発泡フィルムの側となるようにマウントする。次に、ベアチップの背面及び側面を樹脂組成物14であるモールド樹脂により埋め込み、厚さ0.6mm、φ150mmの擬似ウエハ10を作製する。この後、加熱することにより熱発泡フィルム及びシリコンウエハを擬似ウエハ10より剥離し、モールド樹脂のキュアを行なう。この後、ベアチップの回路面13aが形成されている面と反対側の面を擬似ウエハの厚さが0.4mmになるまで研磨し、ベアチップを露出させ擬似ウエハ10aを形成する。この後、第2の樹脂膜15となる樹脂厚が0.05mm及び金属膜16となる銅箔の厚さが0.018mmのRCCをベアチップの回路面13aが露出している面と反対側の面にラミネートする。次に、擬似ウエハ10aにおいてベアチップの回路面13aが露出している面に、レーザ光を照射し、モールド樹脂にφ0.2mmの開口穴17となるビアを形成する。このビアは銅箔に達するように形成する。この後、ビアの内壁等におけるゴミを除去するためプラズマ処理を行なった後、銅の無電解メッキによりシード層18を形成する。この後、シード層18の形成されている面に、ドライフィルムレジストをラミネートし、露光装置による露光及び現像を行なうことにより、ビアの形成されている領域に開口を有するレジストパターン19を形成する。この後、銅の電解メッキによりビアの内部を銅により埋め込みビア内部に貫通電極20を形成し、レジストパターン19をアミン系剥離液により剥離し、シード層18をウエットエッチング及びドライエッチングにより除去する。次に、擬似ウエハ10aにおいてベアチップの回路面13aが露出している面に、スピンコート用の感光性エポキシワニスを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、現像、キュア、残渣除去のための酸素プラズマ処理を行なう。これにより厚さ10μmであって、回路面13aの端子部及び貫通電極20の形成されている領域に、φ30μmの開口部を有する絶縁層21を形成する。次に、スパッタリングにより、チタンが0.1μm、銅が0.3μmの厚さの積層膜を成膜しシード層を形成する。この後、絶縁層21に形成された開口部に開口を有するレジストパターンを形成し、銅の電解メッキによりシード層が露出している部分に銅の接続電極を形成する。銅の電解メッキを行なった後、レジストパターンを有機溶剤等により剥離し、レジストパターンの下に形成されていたシード層をウエットエッチング及びドライエッチングにより除去する。このように形成された接続電極等により配線が形成され、更に、絶縁層を介し多層化することにより多層配線構造部22が形成される。次に、多層配線構造部22が形成されている面に保護フィルムをラミネート、この面と反対側の面の金属膜16となる銅箔上にドライフィルムレジストをラミネートし、露光装置による露光現像を行なうことにより、レジストパターンを形成する。この後、銅箔をウエットエッチング等により除去することにより、線幅が50μmの配線32を形成する。この後、ラミネートされている保護フィルムを剥離する。これにより、両面に配線を有する半導体装置が作製される。以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。上記の説明に関し、更に以下の付記を開示する。付記1基体に貼り付けられた第1の樹脂膜上に複数の半導体チップを配置する工程と、複数の前記半導体チップを樹脂組成物により板状に固め擬似基板を形成する工程と、前記擬似基板の一面を前記第1の樹脂膜及び前記基体より剥離する工程と、前記擬似基板の一面とは反対側の背面に、第2の樹脂膜及び金属膜を形成する工程と、前記擬似基板の一面より、前記金属膜がストッパーとなるレーザ光を照射することにより、前記樹脂組成物及び前記第2の樹脂膜を除去し、開口穴を形成する工程と、前記開口穴に前記金属膜と接続される貫通電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。付記2前記第2の樹脂膜及び金属膜を形成する工程は、前記擬似基板の一面を前記第1の樹脂膜及び前記基体より剥離する工程よりも前に行われることを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。付記3前記擬似基板に第2の樹脂膜及び金属膜を形成する工程の前に、前記擬似基板の背面を研磨し、前記半導体チップを露出させる工程をさらに有することを特徴とする付記1または2に記載の半導体装置の製造方法。付記4前記貫通電極を形成した後、前記擬似基板の一面に、前記貫通電極と接続される配線を形成する工程をさらに有することを特徴とする付記1から3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。付記5前記配線は、前記半導体チップに形成された回路と接続されていることを特徴とする付記4に記載の半導体装置の製造方法。付記6前記貫通電極を形成した後、前記金属膜に配線を形成する工程をさらに有することを特徴とする付記1から4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。付記7前記金属膜が貼り付けられた面に形成された配線を有する配線構造部と、前記金属膜が貼り付けられた面とは反対側に形成された配線を有する配線構造部とは、厚さ、または、配線の層数が同じであることを特徴とする付記6に記載の半導体装置の製造方法。付記8前記擬似基板において前記樹脂組成物により形成されている領域を切断して前記複数の半導体チップを個片化する工程を有することを特徴とする付記1から7のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。付記9前記半導体チップは、前記第1の樹脂膜に対向する面が回路面となるように、第1の樹脂膜上に配置されるものであることを特徴とする付記1から8のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。付記10前記第1の樹脂膜は、加熱または紫外線照射により前記擬似基板より剥離することを特徴とする付記1から9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。付記11前記樹脂組成物は、無機フィラーを有するものであることを特徴とする付記1から10のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。付記12前記樹脂組成物は、モールド樹脂であることを特徴とする付記1から10のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。付記13前記第2の樹脂膜は、絶縁体であることを特徴とする付記1から12のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。付記14前記金属膜は、銅または銅を含む材料により形成されていることを特徴とする付記1から13のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。付記15前記金属膜と前記第2の樹脂膜は一体化しているものであって、前記第2の樹脂膜及び金属膜を貼り付ける工程は、前記金属膜と前記第2の樹脂膜とが一体化しているものを前記擬似基板に貼り付けるものであることを特徴とする付記1から14のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。付記16前記擬似基板は、略円形または略長方形の形状であることを特徴とする付記1から15のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。