合成ガスからメタンに富むガスを生成するための方法であって、COおよびH2を含有する合成ガスが、メタンに富む生成ガス7から分岐されて還流されたガス流8と混合され、その後、メタン化触媒から成る触媒床1を通って案内され、その際、触媒床1内でメタン化が起こり、かつ放出される反応熱によりガス流が加熱される方法において、触媒床1が、相前後して貫流される複数のメタン化段2.1~2.4に分割され、これに対応して合成ガス4が部分流4.1~4.4に分割され、前記部分流がそれぞれ割り当てられたメタン化段2.1~2.4の触媒床に供給され、その際、1つのメタン化段を出てくる、前記段でのメタン化反応により加熱されているガス6.1~6.3が、後続のメタン化段のための合成ガス部分流4.2~4.4と混合され、その際に冷却され、その結果として生じる混合ガス流が、後続のメタン化段の触媒床1に供給ガスとして供給されることを特徴とする方法。メタンに富む生成ガス7から分岐されて還流されるガス流8が、少なくとも第1のメタン化段2.1の触媒床に供給されることを特徴とする請求項1に記載の方法。メタンに富む生成ガス7から分岐されて還流されるガス流8が、メタン化段2.1~2.4に供給される部分流に分割されることを特徴とする請求項2に記載の方法。メタン化段2.1~2.4に供給される供給ガスにおいて、低くとも300°Cの混合ガス温度が調整されることを特徴とする請求項1~3のいずれか一つに記載の方法。第1のメタン化段2.1に供給されるガス流8の量が、合成ガス4の全体流のうちの部分流4.1として第1のメタン化段2.1に供給される合成ガス4の量の2倍~4倍に相当することを特徴とする請求項1~4のいずれか一つに記載の方法。第1のメタン化段2.1には、供給ガスとして合成ガス4の10未満、好ましくは2~5が供給されることを特徴とする請求項1~5のいずれか一つに記載の方法。1つのメタン化段2.1~2.4の前に一緒にされるガス流の温度および流量が、後続のメタン化段で進行するメタン化反応を考慮して、メタン化段を出るメタンに富むガスが600°C~850°Cの、好ましくは800°C未満の流出温度になるように互いに適応されることを特徴とする請求項1~5のいずれか一つに記載の方法。第1のメタン化段2.1の前に、CO転換触媒を有するCO転換段3が接続されており、合成ガス4から、CO転換段3に供給される合成ガス部分流5が分岐されることを特徴とする請求項1~7のいずれか一つに記載の方法。CO転換段3に水蒸気9が供給されることを特徴とする請求項8に記載の方法。CO転換段3に、還流されるガス流の部分流が供給されることを特徴とする請求項8または9に記載の方法。CO転換段3および第1のメタン化段2.1に還流されるガス流8の総量が、合成ガス4の全体流のうちの部分流5、4.1としてCO転換段3および第1のメタン化段2.1に供給される合成ガス4の量の2倍~4倍に相当することを特徴とする請求項8~10のいずれか一つに記載の方法。合成ガス部分流5が、200°C~250°Cの温度でCO転換段3に供給されることを特徴とする請求項8~11のいずれか一つに記載の方法。転換段3に、供給ガスとして合成ガス4の10未満、好ましくは2~5が供給されることを特徴とする請求項8~12のいずれか一つに記載の方法。CO転換段を出るガス流およびメタン化段2.1~2.3を出るガスには、後続のメタン化段2.1~2.4内に流入する前に、合成ガス部分流4.1~4.4、および場合により、還流されるガス流8の少なくとも一部が、それぞれ後続のメタン化段2.1~2.4内でのメタン化のためのライトオフ温度より高いかまたはそれに等しい混合物温度が生じる量で混合され、その際、生じる混合ガス温度が好ましくは300°C超であることを特徴とする請求項8~13のいずれか一つに記載の方法。合成ガス部分流4.1~4.4が、メタン化段2.1~2.4から流出するメタンに富むガスを冷却するため、250°C未満の温度で供給されることを特徴とする請求項1~14のいずれか一つに記載の方法。請求項1~15のいずれか一つに記載の方法を実施するためのメタン化反応器であって、ハウジング11、ハウジング11内に配置されており、それぞれメタン化触媒から成る触媒床を有している複数のメタン化段2.1~2.4、合成ガス4を供給するための複数の合成ガス流入口、生成ガス流出口、第1のメタン化段2.1の流入口側に生成ガス部分流をガス還流するための機構12を備えており、貫流方向において各メタン化段2.1~2.4の前にそれぞれ、少なくとも1つの合成ガス流入口が配置されており、前記合成ガス流入口が分流器13でつながっており、前記分流器が合成ガス4を合成ガス部分流4.1~4.4に分割し、メタン化段2.1~2.4に供給する、メタン化反応器。ハウジング11が定置式で上から下へと貫流される装置を構成し、メタン化段2.1~2.4の間に触媒のない空間が配置されており、前記触媒のない空間に合成ガス流入口が接続されていることを特徴とする請求項16に記載のメタン化反応器。触媒のない空間が、例えば不活性材料から成る球状床または充填床のような混合要素を内包しており、前記混合要素が、個々の触媒床から出たそれぞれの生成ガスを、供給されるガスと良好に混合させることを特徴とする請求項17に記載のメタン化反応器。ガス還流機構12に分岐配管が接続しており、貫流方向においてメタン化段2.1~2.4の前で、それぞれ少なくとも1つの分岐配管がハウジング11内へと通じていることを特徴とする請求項16~18のいずれか一つに記載のメタン化反応器。貫流方向において第1のメタン化段2.1の前に、CO転換触媒から成る触媒床を有するCO転換段3が接続されており、流れの方向においてCO転換段3の触媒床の前に、合成ガス流入口が配置されており、前記合成ガス流入口を通って合成ガス部分流5が供給され得ることを特徴とする請求項16~19のいずれか一つに記載のメタン化反応器。ガス還流機構12に少なくとも1つの分岐配管が接続しており、前記分岐配管が、貫流方向においてCO転換段3の前でハウジング内に通じていることを特徴とする請求項20に記載のメタン化反応器。本発明の課題は、メタン化プロセスの効率を改善することである。この課題は本発明により、請求項1に記載の方法によって解決される。従属請求項2~12は本方法の有利な形態に関する。本発明に従い触媒床は、相前後して貫流される複数のメタン化段に分割される。これに対応して合成ガスは部分流に分割され、これらの部分流はそれぞれ割り当てられたメタン化段の触媒床に供給され、その際、1つのメタン化段を出てくる、その段でのメタン化反応により加熱されているガスは、後続のメタン化段のためのより冷たい合成ガス部分流と混合され、その際に冷却され、その結果として生じる混合ガス流が、後続のメタン化段の触媒床に供給ガスとして供給される。特に、合成ガス流を個々の触媒段に一様でなく分割することも本発明の枠内である。これに関して特に有利なのは、供給する合成ガスの量を、触媒段から触媒段へと漸進的に増やしていくことである。なぜなら、それぞれその前にあるメタン化段からの生成ガス流は、還流される最終生成ガス流の場合と同じように、反応温度抑制機能も有しているからである。量に差を付けたプロセス操作により、1つのメタン化段から流出するそれぞれのメタンに富む生成ガスを、次のメタン化段のために用意された合成ガス部分流により効果的に冷却することができる。このため好ましくは、合成ガス部分流は250°C未満の温度で、例えば約100°C~200°Cの温度で供給し、先行するメタン化段から流出するメタンに富むガスと混合する。この直接的な冷却により、メタン化反応の反応熱の大部分がガスから取り除かれ、これにより生成ガスから分岐して還流させるガス量を減らすことができる。さらに、メタン化段での温度操作を改善することができ、メタン化段からの流出温度を低下させることができ、これがメタン化反応の平衡転化率を改善させる。本発明に従い、合成ガス流を相前後して貫流される多数のメタン化段に分割し、かつ直接的なガス冷却を活用することにより、メタン化反応を比較的低い温度レベルで起こすことができる。つまりメタン化段の数が増えるにつれ、より高いメタン転化率が可能になる。メタンに富む生成ガスから分岐されて還流されるガス流は、第1のメタン化段の触媒床に供給することができる。さらなるプロセス改善に寄与する本発明による方法の有利な形態の一つでは、生成ガスから分岐されて還流されるガス流が部分流に分割され、これらの部分流がそれぞれのメタン化段に供給される。第2のメタン化段以降では、供給される供給ガスの温度は、低くとも300°Cの混合ガス温度が生じるように調整されるのが望ましい。還流されるガス流は冷却されるのが有用である。さらに、1つのメタン化段の前に一緒にされるガス流の温度および流量は、後続のメタン化段で進行するメタン化反応を考慮して、メタン化段を出るメタンに富むガスが600°C~850°Cの、好ましくは800°C未満の流出温度になるように互いに適応されるべきである。第1のメタン化段に供給されるガス流の量は、合成ガスの全体流のうちの部分流として第1のメタン化段に供給される合成ガスの量の2倍~4倍に相当するのが有用である。第1のメタン化段には、供給ガスとして合成ガスの10未満、好ましくは2~5を供給することができる。本発明による方法の特に好ましい実施形態の一つでは、第1のメタン化段の前に、CO転換触媒を有するCO転換段が接続されており、合成ガスから、CO転換段に供給される合成ガス部分流が分岐されている。転換段ではシフト触媒が使用され、ただしこのシフト触媒は金属カルボニルを生成する部分を含まない。通常の適切なシフト触媒は、金属の銅、亜鉛、およびクロムのうちの組合せを含有している。本発明に従い、合成ガス流全体がCO転換段を通って供給されるのではなく、合成ガスから分岐された、合成ガスの総量の10未満の部分流だけがCO転換段を通って供給されることが有利である。好ましくは、合成ガスの2~5だけが200°C~250°Cの流入温度で、CO転換段のシフト触媒から成る触媒床内に導入される。必要の際には、直接蒸気を加えることで供給ガス中に存在するCOをCO2および水素に転化させる。これにより、少量の供給ガス量中に存在するCO濃度が大きく低下し、したがって後続のメタン化段でのニッケルカルボニル生成の可能性は実質的になくなる。CO転換段にはプロセス蒸気のほかに、メタンに富む還流ガスも好ましくは60体積超で供給することができ、この還流ガスは生成ガスとして還流される。その際、この生成ガスは、本明細書で述べてきているメタン化段の後に据えられたさらなるメタン化反応器を通ってきてもよい。メタンに富む還流ガス流またはその部分流は、CO転換段を出るガス流にも混入させることができ、これに関し好ましい形態によれば、第1のCO転換段および第1のメタン化段に還流されるガス流の総量は、合成ガスの全体流のうちの部分流としてCO転換段および第1のメタン化段に供給される合成ガスの量の2倍~4倍に相当する。この比率は以下に還流比とも言う。本発明による大きな、好ましくは2~4の還流比により、混合ガス中のCO含有率は希釈によってさらに低下する。還流比を相応に調整することにより、CO転換の生成ガスと、供給された合成ガス流と、還流された生成ガス流とから成る混合ガスに関し、後続のメタン化のためのライトオフ温度Anspringtemperatureより高いかまたはそれに等しい混合物温度、例えば、使用する触媒タイプに応じて250°C~400°Cの間の混合物温度を調整することができる。前述の方法を実施するための請求項16に記載のメタン化反応器も本発明の対象である。請求項17~21はメタン化反応器の有利な形態を記載している。以下に、例示的実施形態を1つだけ示す図面に基づいて本発明を説明する。メタン化反応器は、ニッケルを含有するメタン化触媒から成る触媒床1を内包しており、この触媒床1は、相前後して貫流される複数のメタン化段2.1~2.4に分割されている。第1のメタン化段2.1の前には、シフト触媒とも言うCO転換触媒を有するCO転換段3が接続されている。図からは、COおよびH2を含有する合成ガス4が、部分流4.1~4.5、5に分割され、部分流5がCO転換段に供給され、残りの部分流4.1~4.4がそれぞれ割り当てられたメタン化段2.1~2.4の触媒床に供給されることが分かる。1つのメタン化段を出てくる、その段でのメタン化反応により加熱されているガス6.1~6.3は、後続のメタン化段のための合成ガス部分流4.2~4.4と混合され、その際に冷却される。結果として生じる混合ガス流が、後続のメタン化段の触媒床に供給ガスとして供給される。メタンに富む生成ガス7からガス流8が分岐されてメタン化反応器内に還流される。還流されるガス流8は、例示的実施形態では第1のメタン化段2.1の触媒床に供給されている。場合により、生成ガス7から分岐されて還流されるガス流を部分流に分割することもでき、これらの部分流はメタン化段2.1~2.4に割り当てられ、そのメタン化段に供給される。還流されるガス流8は冷却される。ガス流の流量および温度は、第2のおよびその後のそれぞれのメタン化段2.2~2.4の流入時の混合ガス流が、低くとも300°Cの混合ガス温度になるように互いに適応される。さらに、1つのメタン化段の前に一緒にされるガス流の温度および流量は、後続のメタン化段で進行するメタン化反応を考慮して、メタン化段を出るメタンに富むガス6.1~6.3が600°C~850°Cの、好ましくは約800°Cの流出温度になるように互いに適応される。CO転換段に供給される合成ガス部分流5の量は、全体として供給される供給ガスとしての合成ガス4の2~5の間の範囲内であることが好ましい。水蒸気直接蒸気9を加えることで、供給ガス中に存在するCOがCO2および水素に転化される。CO転換によりガス流10のCO含有率は、後続のメタン化段2.1で触媒を損傷させるニッケルカルボニル生成が生じ得ない程度に低下する。CO転換段3を出るガス流10は、メタンに富む生成ガスから分岐した還流ガス流8と混合され、この還流ガス流8は、CO転換段を出るガス流10と第1のメタン化段2.1に供給される合成ガス部分流4.1の混合から生じるガス流の量の2倍~4倍である。この比率は以下に還流比とも言う。この選択された還流比により、第1のメタン化段2.1に供給される混合ガス中のCO含有率を、ニッケルカルボニル生成によるメタン化触媒の損傷が不可能な程度に低下させることができる。こうして混合ガスは、CO転換触媒3の下に配置された第1のメタン化段2.1の触媒床に供給される。ここでは、ガス流の600°C~800°Cへの加熱を伴うメタン化が起こる。第1のメタン化段2.1の触媒床を出るメタンに富む生成ガスに、さらなる合成ガス部分流4.2が混入され、300°C超の混合物温度が調整される。これにより、ニッケルカルボニル生成によるメタン化触媒の損傷が生じないことが保証される。混合ガス温度をさらに調整するため、または後続のメタン化段2.2からの流出温度を下げるためにも、混合ガスが第2のメタン化段2.2に供給される前に、混合ガスに、還流ガス8から分岐された部分流を供給することもできる。第2のメタン化段2.2も、メタン化触媒から成る触媒床を有している。この場合、ガス流中でメタン化および温度上昇が生じる。前述のプロセスが、1つまたは複数のさらなるメタン化段で繰り返される。前述の方法を実施するための、図に示したメタン化反応器は、ハウジング11と、ハウジング内に配置されており、それぞれメタン化触媒から成る触媒床を有している複数のメタン化段2.1~2.4と、合成ガス4を供給するための複数の合成ガス流入口と、生成ガス流出口と、第1のメタン化段2.1の流入口側に生成ガス部分流をガス還流するための機構12とを含んでいる。貫流方向において各メタン化段2.1~2.4の前にそれぞれ、少なくとも1つの合成ガス流入口が配置されている。これらの合成ガス流入口は分流器13でつながっており、この分流器は合成ガス4を合成ガス部分流4.1~4.4に分割し、メタン化段2.1~2.4に供給する。図からは、ハウジング11が定置式で上から下へと貫流される装置を構成し、メタン化段2.1~2.4の間に触媒のない空間が配置されており、この触媒のない空間に合成ガス流入口が接続されていることが分かる。触媒のない空間は、例えば不活性材料から成る球状床、充填床、およびその類似物のような混合要素を内包することができ、この混合要素は、個々の触媒床から出たそれぞれの生成ガスを、供給されるガスと良好に混合させる。ガス還流機構12に分岐配管を接続することができ、この場合、貫流方向においてメタン化段2.1~2.4の前で、それぞれ少なくとも1つの分岐配管がハウジング11内へと通じている。貫流方向においては第1のメタン化段2.1の前、例示的実施形態では上に、CO転換触媒から成る触媒層を有するCO転換段3が接続されている。流れの方向において転換段3の触媒床の前に、合成ガス流入口が配置されており、この合成ガス流入口を通って合成ガス部分流5が供給され得る。さらに、CO転換触媒の触媒床の前の領域に、直接蒸気9を供給するための蒸気配管が通じている。例示的実施形態では、機構12にも分岐配管が接続しており、この分岐配管は、貫流方向において転換段3の前でハウジング内に通じており、転換段にも還流ガスの一部を送り込むことを可能にしている。供給されるガス5、4.1~4.4、12と、それぞれの触媒床から流出するガス流10、6.1~6.3との混合は、例えば、不活性球またはその他の混合材から成るベッドSchuettungのような混合要素によって行われる。ガスの流量は上から下へと増えていくので、合成ガス転化に必要な触媒床の高さは次第に増していき、その際、補充される床は、最初はガス量が少ないので、これに対応して触媒もあまり必要としない。これは特にCOシフト触媒床にも当てはまる。還流ガス8は、流れの方向に見て前述のメタン化段2.1~2.4の後で、つまりハウジング11の後で排出される。1つしかない図ではこれに関し、還流ガス8がその放出前に、概略的にしか示されていないさらなるメタン化反応器14を通って案内されてもよいことが示唆されている。さらに、供給配管、分岐配管、およびその類似物を備えた配管系は、純粋に概略的にしか示されておらず、特に、所望の流れの状態を調整できるように貫流制御手段を備え得ることは自明である。