2以上の原料元素を半密閉型のpBN製内側容器内に入れ、さらにこの内側容器を半密閉型の耐熱性外側容器に入れて加熱手段を有する高圧炉内に配置し、前記高圧炉内を排気して所定の圧力の不活性ガスで満たした後、前記外側容器および内側容器を前記加熱手段によって加熱して昇温させ、上記内側容器内の原料元素を融解、反応させた後、徐々に温度を下げることにより多結晶を成長させることを特徴とするII-VI族化合物半導体多結晶の合成方法。上記外側容器はグラファイト製であり、表面はコーティング層で被覆されていることを特徴とする請求項1に記載のII-VI族化合物半導体多結晶の合成方法。昇温前の前記高圧炉内の不活性ガスの圧力は0.5MPa~1MPaであることを特徴とする請求項1または2に記載のII-VI族化合物半導体多結晶の合成方法。前記II-VI族化合物半導体多結晶はCdTe多結晶であり、前記昇温時の昇温速度は100~2000°C/時であることを特徴とする請求項3に記載のII-VI族化合物半導体多結晶の合成方法。II-VI族化合物半導体単結晶の原料となるII-VI族化合物半導体多結晶を合成する場合、合成を効率よく行なってコストダウンを図るには、合成に用いる容器のサイズを大きくして一度に多量の多結晶を合成できるようにするのが望ましい。しかしながら、特許文献1や特許文献2に開示されている技術のように密閉型石英アンプルを使用する合成方法にあっては、石英アンプルのサイズを大きくすると、アンプルの取り扱いが困難になるとともに、大型になるほど合成時の圧力上昇によってアンプルが破損しやすくなり、歩留まりが低下するという問題点がある。また、石英アンプルを使用する合成方法にあっては、合成終了後に石英アンプルは割って合成多結晶を取り出すため、石英アンプルは使い捨ての容器として扱われており、この点でもコストダウンが困難であった。本発明は、上記のような課題に着目してなされたもので、II-VI族化合物半導体多結晶の合成に用いる容器として石英アンプルを使用しなくても合成を行えるようにし、これによって歩留まりを低下させることなく容器の大型化を可能にして、コストダウンを図ることができるII-VI族化合物半導体多結晶の合成方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、請求項1に記載のII-VI族化合物半導体多結晶の合成方法は、2以上の原料元素を半密閉型のpBN製内側容器内に入れ、さらにこの内側容器を半密閉型の耐熱性外側容器に入れて加熱手段を有する高圧炉内に配置し、前記高圧炉内を排気して所定の圧力の不活性ガスで満たした後、前記外側容器および内側容器を前記加熱手段によって加熱して昇温させ、上記内側容器内の原料元素を融解、反応させた後、徐々に温度を下げることにより多結晶を成長させることを特徴とする。上記方法により、多結晶の合成に用いる容器として大型化が困難な石英アンプルを使用しなくても合成を行えるようになり、これによって容器の大型化が可能になる。また、多結晶の合成に用いる容器として石英アンプルを使用すると合成途中でアンプルが破裂して合成に失敗して歩留まりが低下することがあるが、本発明方法を適用することで石英アンプルを使用せずに合成を行えるため、容器の再使用が可能となってコストダウンを図ることができる。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のII-VI族化合物半導体多結晶の合成方法において、上記外側容器はグラファイト製であり、表面はガラス繊維系コーティング剤で被覆されていることを特徴とする。外側容器にグラファイト製の容器を使用することで取り扱いが容易となるとともに、表面がコーティング層で被覆されている外側容器を使用することで、容器の材料がグラファイトであっても、昇温中にガス化した原料が外側容器から漏れるのを抑制することができる。請求項3に記載の発明は、請求項1または2に記載のII-VI族化合物半導体多結晶の合成方法において、昇温前の前記高圧炉内の不活性ガスの圧力は0.5MPa以上であることを特徴とする。昇温前の前記高圧炉内の不活性ガスの圧力は0.5MPa以上とすることにより、昇温中に合成用の容器内でガス化した原料が容器から漏れるのを減少させることができる。請求項4に記載の発明は、請求項3に記載のII-VI族化合物半導体多結晶の合成方法において、前記II-VI族化合物半導体多結晶はCdTe多結晶であり、前記昇温時の昇温速度は100~2000°C/時であることを特徴とする。昇温時の昇温速度を100~2000°C/時とすることにより、未反応の残留原料をなくし、CdTe多結晶の合成を確実に行うことができる。本発明によれば、合成に用いる容器として石英アンプルを使用しなくてもII-VI族化合物半導体多結晶の合成を行えるようにし、これによって歩留まりを低下させることなく容器の大型化を可能にして、コストダウンを図ることができるという効果がある。以下、本発明の好適な実施の形態を図面に基づいて説明する。図1は、本実施形態のCdTe多結晶等のII-VI族化合物半導体多結晶の合成に使用する装置の概略構成図である。図1において、符号1は高圧炉であり、この高圧炉1には配管2aを介して真空ポンプ3が、また配管2bを介して加圧装置4がそれぞれ接続されており、真空ポンプ3により高圧炉1内の空気を排気した後、配管2bよりN2等の不活性ガス等を導入して内部ガスを置換し、さらに加圧装置4により不活性ガスを圧入して高圧炉1内の圧力を調整できるように構成されている。上記加圧装置4には、例えば高圧ガスボンベを使用し、そのガスの圧力を減圧弁で減圧して圧力コントローラ5を通して高圧炉1内に供給させ、所望の圧力に設定するような構成が考えられる。また、本実施形態の結晶合成装置では、上記高圧炉1の中央に合成容器6が配置され、この合成容器6を包囲するようにヒータ7が設けられている。なお、合成時にCd等の蒸気圧が高くなって原料が容器から飛び出すおそれがあるため、合成容器6は、内側容器6aと外側容器6bとからなる二重構造の容器とし、内側容器6aはpBN製とし下端が閉塞、上端が開口された円筒状のルツボと、このルツボの上部開口端の外径とほぼ同一の径を有する円板状蓋体とから構成されている。また、外側容器6bはグラファイト製とし、下端が閉塞、上端が開口され上記内側容器6aよりも一回り大きな径を有する円筒状胴体と、この円筒状胴体の開口端の外径とほぼ同一の径を有する円板状蓋体とから構成されている。グラファイト製外側容器6bはガスを透過させるので、表面をガラス繊維系コーティング剤で被覆したものを使用するのが望ましい。これにより、外側容器6bからガスが漏れるのを抑制することができる。さらに、上記外側容器6bの蓋は図示しないネジよって胴体部に半密閉状態で固定可能に構成する。また、外側容器6bの凹部の高さは内側容器6aの全体の高さと同一とすることで、外側容器6bの蓋を胴体部に固定した際に、内側容器6aの蓋を上方から押さえることで内側容器6aの蓋が内部のガスの圧力でずれないようにすると良い。さらに、合成前に炉内ガスの置換を行う際に、合成容器内のガスの置換も行えるようにするため、容器の蓋を開け、ガス置換後に蓋を閉める機構を設けておくのが望ましい。図1の結晶合成装置を用いて例えばCdTe多結晶の合成を行うには、まず、所定重量のCdの塊8とTeの塊9をそれぞれ内側容器としてのpBN製ルツボ6aに入れて蓋をする。そして、そのルツボをグラファイト製の外側容器6bに入れて蓋をし、ネジによって蓋を胴体部に固定する。続いて、その容器を高圧炉1内にセットし、真空ポンプ3により炉内を真空排気してから加圧装置4で不活性ガスを炉内に導入して、内部圧力を0.5MPa以上に設定する。不活性ガスを高圧炉内に導入することにより、昇温中に合成用の容器内でガス化した原料が容器から漏れるのを抑制することができる。その後、ヒータ7に給電して高圧炉1内を昇温する。図2には、この昇温の際の炉内温度の変化が示されている。図2に示すように、まずCdとTeが融ける500°C近傍で第1の反応が始まって発生した反応熱で炉内温度が一時的に高くなる。続いて、800~900°Cで未反応のCdとTeによる第2の反応が起こり反応熱で炉内温度が一時的に高くなる。さらに、未反応のCdとTeが残っていると1000°C近傍で第3の反応が起こる。その後、高圧炉1内をCdTeの融点である1092°Cまで昇温し、所定時間その状態を維持して原料のCdとTeを完全に反応させてCdTeにさせた後、炉内を冷却してCdTe多結晶を成長させ、合成容器6を取り出して内側容器6aと外側容器6bの蓋をはずし、CdTe多結晶を取り出す。この際、本実施形態の結晶合成装置によれば、内側容器6aと外側容器6bのいずれも破壊する必要がなく、再使用することができるようになる。実施例次に、上記実施形態の結晶合成装置において、直径6インチ、高さ40cmのpBN製ルツボを使用し、原料のCdの塊とTeの塊をトータルで20kgpBN製ルツボに入れて、上記手順で高圧炉1内を排気し所定の圧力例えば0.5MPaの不活性ガスで満たしたのち1時間かけて1092°Cまで昇温し、2時間その状態を維持した後、5時間かけて炉内を室温まで冷却してCdTe多結晶を成長させる実験を120回繰り返し行った。その結果、内側容器6aと外側容器6bのいずれも一度も破損することがなかった。比較例1図3に示すように、直径3インチ、長さ50cmのpBN製の内側容器6a内に原料のCdの塊とTeの塊をトータルで5kg入れ、この内側容器6aを石英製の外側容器6b石英アンプル内に入れて真空封入し、それを図1と同様な結晶合成装置の高圧炉1内にセットした。そして、上記と同様な手順で高圧炉1内を11時間かけて1092°Cまで昇温し、2時間その状態を維持した後、35時間かけて炉内を室温まで冷却してCdTe多結晶を成長させる実験を120回繰り返し行った。その結果、前述した第1~第3の反応が起こる段階で120回に2回の頻度で外側容器である石英アンプルが破裂することがあった。比較例2pBN製の内側容器6aとして直径6インチ、長さ40cmのものを使用し、図3に示すように、pBN製の内側容器6a内に原料のCdの塊とTeの塊をトータルで20kg入れ、この内側容器6aを石英製の外側容器6b石英アンプル内に入れて真空封入し、それを図1と同様な結晶合成装置の高圧炉1内にセットした。そして、上記と同様な手順で高圧炉1内を11時間かけて1092°Cまで昇温し、2時間その状態を維持した後、35時間かけて炉内を室温まで冷却してCdTe多結晶を成長させる実験を120回繰り返し行った。その結果、前述した第1~第3の反応が起こる段階で10回に1回の頻度で外側容器である石英アンプルが破裂することがあった。比較例1と比較例2より、外側容器6bとして石英アンプルを使用した従来の合成方法を適用すると、昇温の過程で石英アンプルが破裂することがあること、およびそのような事故は容器の大きさが大きくなるほど頻度が高くなることが分かる。そのため、石英アンプルを使用した従来の合成方法では、10kg程度が一回の合成による重量の限界であった。また、前記実施例と上記比較例1および比較例2より、本発明の実施形態を適用することで、外側容器6bとして石英アンプルを使用せずに、グラファイト製容器を使用してもCdTe多結晶を成長させることができ、途中で容器が破損するような事故がないため容器を再使用することができることが分かる。しかも、pBN製の内側容器6aは直径を20cm以上とすることができるので、一回の合成で少なくとも20kgの多結晶の合成が可能となり、効率が大きく向上する。また、グラファイト製の容器は、製作費としての初期コストが石英アンプルに比べて高くなるが、数10回の繰り返し使用が可能であるとともに、石英アンプルを使用した場合のような廃棄物も出ないため、合成にかかるトータルのコストを下げることができる。以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、今回開示された実施例はすべての点で例示であって制限的なものではない。例えば前記実施例では、高圧炉1の昇温前の内部圧力を0.5MPaに設定すると説明したが、内部圧力を0.5MPaに限定されない。昇温前の望ましい内部圧力は0.5MPa~1MPaである。また、昇温速度も前記実施例のものに限定されず、100~2000°C/時のような範囲であればよい。また、前記実施例では、高圧炉1内を所定圧力の不活性ガスで満たすと説明したが、高圧炉1内にリザーバ部を設けて昇温中に原料のいずれか例えばCdの蒸気圧を発生させるように構成してもよい。さらに、以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をCdTe多結晶の合成に利用した場合を説明したが、本発明はCdTe多結晶以外のII-VI族化合物半導体多結晶の合成にも利用することができる。