基板の表面の第1領域にマスクを被覆する工程と、前記基板の表面の前記マスクから露出した第2領域にフッ素を付着させる表面加工を行なう工程と、前記表面加工を行なう工程の後、前記マスクを除去する工程と、前記マスクが除去された前記第1領域から前記第2領域にかけて半導体層を成長させる工程とを有する半導体基板の製造方法。前記表面加工を行なう工程は、前記第2領域にフッ素を含む溶液を塗布して行なう請求項1に記載の半導体基板の製造方法。前記表面加工を行なう工程は、前記基板に前記マスクを被覆した積層体を、フッ素を含む雰囲気内に配置して行なう請求項1に記載の半導体基板の製造方法。前記表面加工を行なう工程は、前記雰囲気内の圧力を大気圧よりも高くした状態で行なう請求項3に記載の半導体基板の製造方法。前記表面加工を行なう工程は、前記基板を加熱した状態で行なう請求項1-4のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。前記マスクを除去する工程と前記半導層を成長させる工程との間に、前記基板を加熱する工程をさらに有する請求項1-5のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。前記マスクを被覆する工程と前記表面加工を行なう工程との間に、前記第2領域に還元剤を塗布する工程をさらに有する請求項1-6のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。サファイアからなる前記基板を用い、窒化物半導体からなる前記半導体層を成長させる請求項1-7のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。前記表面が平面となっている前記基板を用いる請求項1-8のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。前記半導体層を成長させる工程は、前記第1領域に半導体結晶を形成させる第1工程と、該第1工程の後、前記半導体結晶を前記第2領域を覆うようにさらに成長させる第2工程とを有する請求項1-9のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。基板の表面の第1領域にマスクを被覆する工程と、前記基板の表面の前記マスクから露出した第2領域に表面エネルギーを小さくする表面加工を行なう工程と、前記表面加工を行なう工程の後、前記マスクを除去する工程と、前記マスクが除去された前記第1領域に半導体層を成長させる工程とを有する半導体基板の製造方法。平面である主面に複数の第1領域と該第1領域以外の第2領域とを有する基板と、該基板の前記主面上に前記第1領域および前記第2領域を覆うように順次積層された、第1半導体層、発光層および第2半導体層を有する半導体層とを備え、前記第1半導体層は、下端が前記第1領域に位置するとともに、上端が平面透視して前記第2領域と重なる領域に位置する転位を持つ発光素子。前記基板は、前記第2領域の前記主面にフッ素が存在している請求項12に記載の発光素子。前記第1半導体層のうち平面透視において前記第2領域と重なる部位の少なくとも一部は、前記基板の前記主面から離れて位置している請求項12または13に記載の発光素子。前記基板はサファイアからなり、前記半導体層は窒化物半導体からなる請求項12-14のいずれかに記載の発光素子。<半導体基板の製造方法>本発明は以下の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々変更を施すことができる。以下、本発明の実施の形態について、半導体基板の一例を発光素子とした場合を、図を参照しながら説明する。本例の半導体基板の製造方法は、基板にマスクを被覆する工程、表面加工を行なう工程、マスクを除去する工程および半導体層を成長させる工程を有している。本例の半導体基板の製造方法によって製造された発光素子を図1に示す。発光素子1は、基板2および半導体層7から構成されている。以下、図2-図8を参照しつつ、本例の発光素子1の製造方法について、各工程を説明する。なお、図2-図8は、図1のA-A’線で切断したときの断面に相当する位置を示している。基板にマスクを被覆する工程基板2にマスク3を被覆する工程について、図2を参照しつつ説明する。基板2は、例えばサファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、シリコンカーバイド、シリコンまたは二ホウ化ジルコニウムなどの単結晶または多結晶を用いることができる。さらに基板2として、例えばシリコン基板上にサファイアを貼り合わせた接合基板などを用いてもよい。本例において、基板2は、サファイアの単結晶によって構成されている。基板2は、平面視形状が例えば四角形状などの多角形状または円形状などに設定されている。基板2の厚みは、例えば50μm以上2000μm以下となるように設定することができる。なお、基板2の厚みは、基板2の第1主面2Aから第2主面2Bまでの厚みを指す。基板2の第1主面2Aは、平坦な結晶成長面となっている。基板2の第1主面2Aは、例えば基板2の結晶面が揃っているものを用いることができる。基板2がサファイアの場合であれば、基板2の結晶面としては、例えばサファイアのA面、C面またはR面などを用いることができる。基板2の第1主面2Aは、平面となっている。基板2の第1主面2Aは、基板2の厚み方向に垂直な仮想平面に対して傾斜していてもよい。基板2の第1主面2Aは、仮想平面からの傾斜した傾斜角を基板2のオフ角に設定することができ、例えば01°以上3°以下となるように設定することができる。基板2の第1主面2Aの表面の平坦性は、表面粗さRzが例えば10nm以下に設定されている。基板2としては、基板2の第1主面2Aを研磨したものを用いてもよい。基板2の第1主面2Aの表面粗さRzとしては、JISB0601-2001に準拠した最大高さ粗さRzを用いればよい。表面粗さを測定する方法としては、例えばJISR1683-2007に準拠した方法に則って原子間力顕微鏡を用いて、基板2の第1主面2Aの表面粗さを測定してもよい。また、JISB0601-2001およびJISB0633-2001に準拠した方法に則って触針式表面粗さ測定機を用いてもよい。図2aに示すように、基板2の第1主面2Aの表面の第1領域5aにマスク3を被覆する。マスク3の厚みは、マスク3の材料と、後で塗布する加工溶液6の材料とによって適宜設定すればよく、例えば01μm以上5μm以下に設定することができる。なお、以下の説明において、基板2の第1領域5aに位置する表面を、被覆表面2aと称することがある。マスク3は、基板2の第1主面2Aを平面視して、例えば六角形状などの多角形状または円形状となるように設けることができる。マスク3の平面視形状は、基板2上に成長させる半導体の単位結晶格子の形状によって決めることができ、例えば六方晶の半導体を成長させる場合には、マスク3を六角形状とすればよい。マスク3は、平面視して、直径が05μm以上5μm以下となるように設定することができる。マスク3は、一定間隔をあけて規則的に、基板2上に配置することができる。隣接する2つのマスク3同士の間隔h0は、例えば01μm以上20μm以下となるように設定することができる。マスク3で被覆される基板2の表面の面積被覆表面2aの面積は、基板2の第1主面2A全体の面積に対して、40以上75以下となるように設定することができる。さらに、マスク3を六角形状に形成した場合、図2bに示すように、それぞれのマスク3の辺が向き合うように配置することができる。本例においては、後述する通り、基板2上に成長させる半導体層7として、結晶構造が六方晶である窒化ガリウムを用いることから、マスク3によって被覆される表面被覆表面2aの平面視形状は、六角形状に設定されている。マスク3としては、後に容易に除去することができるとともに、フッ素に対して耐性を持つ材料を選択することができる。マスク3は、例えば、酸化シリコンなどの酸化物材料、窒化シリコンなどの窒化物材料、金、銀もしくはニッケルなどの金属材料、またはフォトレジストを用いることができる。本例においては、マスク3として、ニッケルからなる金属材料を用いている。マスク3は、マスク材料をスパッタリング法または蒸着法などの真空積層法を用いることによって基板2上に積層膜を積層した後、所定の形状に当該積層膜をパターニングすることによって形成することができる。表面加工を行なう工程次に、図3に示すように、基板2上に設けられたマスク3から露出した基板2の表面にフッ素を付着させる表面加工を行なう。ここで、基板2の表面のうち、マスク3から露出した領域を第2領域5bとする。なお、以下の説明において、基板2の第2領域5bに位置する表面を、第1露出表面2bと称することがある。表面加工を行なう方法としては、基板2の第1露出表面2bにフッ素が付着すればよく、例えば、フッ素を含む溶液を塗布する方法、またはフッ素雰囲気中に配置する方法などを用いることができる。本例においては、フッ素を含む溶液を塗布する方法を用いた場合について説明する。フッ素を含む溶液である加工溶液6としては、第1露出表面2bにフッ素が付着する材料を用いればよく、例えば、シランカップリング剤、フッ硝酸もしくはフッ化水素酸などのフッ化物、またはポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂を溶解させた溶液などを用いることができる。加工溶液6の濃度は、加工溶液6を構成する材料によって適宜設定することができる。本例において、加工溶液6としてフッ酸を用いた場合であれば、例えば35以上70以下のフッ酸の濃度である溶液を用いることができる。加工溶液6を基板2上に塗布する方法としては、例えば、加工溶液6をスピンコートして塗布するスピンコート塗布、加工溶液6をローラーに滴下して、ローラーで基板2を押圧しながら塗布するローラー塗布、加工溶液6を基板2の第1露出表面2bに向かって吹き付けるスプレー塗布、または加工溶液6中に基板2を浸漬するディップ塗布などを用いることができる。加工溶液6をスピンコート塗布によって基板2上に塗布する場合であれば、基板2を回転する回転台に載置させ、回転台を回転させることによって基板2を回転させた状態で、加工溶液6を基板2の第1主面2Aに滴下することにより、加工溶液6を基板2の第1露出表面2b全体に拡散させることができる。スピンコーターの回転速度は、加工溶液6の粘度によって適宜設定することができ、例えば500rpm以上5000rpm以下に設定することができる。フッ素を含む加工溶液6を基板2の表面に接触させることにより、図4に示すように、基板2の第1露出表面2bにフッ素を付着させることができる。以下の説明において、基板2のフッ素が付着した第1露出表面2bを、適宜、付着表面2b’と称する。ここで、付着とは、例えば、基板2の第1露出表面2b上にフッ化物またはフッ素分子が基板2と分子間力等によって基板2の表面上に存在している場合などである。基板2の表面に付着されるフッ素は、基板2の第1露出表面2b上に、例えば1原子層以上1000原子層以下の厚みに設定される。なお、ここでいう付着は、基板2の表面上にフッ素が存在していれば良く、例えば、フッ素が基板2の最表面に位置する原子がフッ素によって化学的に終端化されていてもよい。マスクを除去する工程その後、図5に示すように、表面加工を行なう工程の後、マスク3を基板2から除去する。以下の説明において、マスク3で被覆されていた基板2の第1主面2Aの表面を、適宜、第2露出表面2a’と称する。基板2からマスク3を除去する方法としては、例えば、フッ素を含まない溶液でマスク3を除去する方法などを用いることができる。マスク3としてニッケルを用いた場合であれば、マスク3を除去する溶液としては、硝酸を含む溶液を用いることができる。基板2からマスク3を除去することにより、マスク3で被覆されていた基板2の被覆表面2aを露出させることができる。また、マスク3を除去する溶液としては、マスク3を溶かしつつ基板2を溶かしにくい溶液を用いればよい。このような溶液に用いる材料は、例えば、マスク3を溶解する量と基板2を溶解する量との比率によって選択することができる。マスク3を除去する溶液は、具体的に、硫化水素、塩化水素または硝酸などを用いることができる。本例では、基板2がサファイアによって構成されていることから、マスク3を除去する際に、マスク3のニッケルを溶かしつつ基板2のサファイアを溶かしにくい溶液である硝酸を含む溶液などを用いることができる。以上のような工程を経ることにより、第1主面2Aに、複数の第2露出表面2a’と、フッ素が表面に存在する付着表面2b’とを有する半導体成長用基板2’を作製することができる。後述する通り、このような半導体成長用基板2’を用いて半導体成長を行なうことによって、結晶性を向上させた半導体層を提供することができる。半導体層を成長させる工程次に、図6に示すように、マスク3が除去された基板2の第1領域5aから第2領域5bにかけて半導体層7を成長させる。具体的には、基板2の表面のマスク3で被覆されていた部位である第2露出表面2a’から付着表面2b’にかけて半導体層7を成長させる。半導体層7は、第1半導体層7a、発光層7bおよび第2半導体層7cを順次積層することによって構成されている。半導体層7は、全体の厚みが例えば05μm以上20μm以下に設定される。半導体層7は、例えばIII-V族半導体を用いることができる。III-V族半導体としては、III族窒化物半導体、ガリウム燐またはガリウムヒ素などを例示することができる。III族窒化物半導体としては、ボロン、アルミニウム、ガリウムまたはインジウムのうち少なくとも1つの窒化物からなる混晶を用いることができる。本例において、半導体層7として窒化ガリウムから構成されており、半導体層7の各層は、屈折率が、例えば18以上27以下に設定される。第1半導体層7aは、基板2の第1主面2Aに結晶成長させることによって設けられている。第1半導体層7aは、厚みが例えば05μm以上15μm以下となるように設定されている。発光層7bは、第1半導体層7a上に設けられている。発光層7bは、禁制帯幅の広い障壁層と禁制帯幅の狭い井戸層からなる量子井戸構造が複数回繰り返し規則的に積層された多層量子井戸構造MQW:MultipleQuantumWellを用いることができる。発光層7bは、厚みが例えば001μm以上1μm以下に設定されている。第2半導体層7cは、発光層7b上に設けられている。第2半導体層7cは、厚みが例えば005μm以上05μm以下に設定されている。第1半導体層7aおよび第2半導体層7cは、それぞれ電子または正孔のどちらかが多数キャリアとなるように設定されている。これによって、第1半導体層7aおよび第2半導体層7cは、それぞれ逆の導電型を示すように設定されている。半導体に導電型を付与する方法としては、例えばマグネシウム、亜鉛またはシリコンを不純物として添加する方法を用いることができる。半導体層7を基板2の第1主面2Aに結晶成長させる方法としては、分子線エピタキシャル法、有機金属エピタキシャル法、ハイドライド気相成長法またはパルスレーザデポジション法などを用いることができる。半導体層7を、基板2の第2露出表面2a’から付着表面2b’にかけて結晶成長させる方法としては、半導体層7の組成比、成長温度および成長圧力などの成長条件を調整する方法を用いることができる。このように半導体層7を結晶成長させる方法としては、例えば、基板2の第1主面2Aに対して垂直である垂直方向よりも第1主面2Aと平行な平面方向に結晶成長しやすくした横方向成長を用いることができる。半導体層7を横方向成長させる方法は、半導体層7のそれぞれの層において組成比、成長温度および成長圧力などの成長条件を調整する方法を用いることができる。電極を形成する工程次に、半導体層7に接続される電極をさらに形成してもよい。半導体層7に電極を形成する工程について付記しておく。第1半導体層7aに電気的に接続される第1電極と、第2半導体層7cに電気的に接続される第2電極とを形成する。このように形成された第1電極と第2電極とに電圧を印加することによって、半導体層7を発光させることができる。本例のように、基板2に付着表面2b’と第2露出表面2a’を形成した後、半導体層7を結晶成長させることによって、基板2に複数の突起を設ける必要がない。基板2の第1露出表面2bにフッ素を付着させることで、半導体層7を成長させる工程において、基板2の付着表面2b’から半導体層7が成長することを抑制することができる。これは、基板2の第1露出表面2bにフッ素が付着すると、基板2の付着表面2b’の表面エネルギーが高くなるからである。基板2の第1露出表面2bの表面エネルギーを高くすることで、付着表面2b’の濡れ性が低くなり、半導体層7の成長が抑制できるものと考えられる。そのため、表面加工を行なう工程において用いる溶液は、第1露出表面2bの表面エネルギーを高くすることができる材料を選択ればよい。このように基板2上に半導体層7を成長させた場合、基板2に複数の突起を設けて半導体層を成長させる場合と比較して、基板2と半導体層7とが接する接触面積を小さくすることができる。その結果、基板2と半導体層7との間から延びる転位の数を少なくすることができる。そして、半導体層7の厚み方向に延びる転位の数を少なくすることができることから、半導体層7の結晶品質を向上させることができ、半導体層7の発光効率を向上させることができる。また、第1半導体層7aを横方向に結晶成長させて、半導体層7の第1半導体層7a内で転位を結合させた場合には、発光層7bに延在する転位を少なくすることができるため、発光層7bで発光する領域を広げることができる。上述の実施形態にかかる半導体基板の製造方法を用いて、表面にフッ素を付着させて表面加工を行なった付着表面2b’を持つ基板2を実施例として作製した。この基板2の分析結果を、図7に示す。今回作製した基板2は、具体的に、サファイアからなる基板2を、濃度50のフッ酸の溶液に10分間浸漬させることによって、基板2の表面にフッ素を付着させる表面加工を行なった。その後、当該表面加工を行なった基板2を、純水で3分間流水洗浄することによって、基板2の表面に付着したフッ酸の溶液を洗浄した。このように作製した基板2の付着表面2b’を、X線光電子分光分析法XrayPhotoelectronSpectroscopy略称XPSで表面分析を行なった。図7に示す通り、基板2の付着表面2b’からフッ素が検出されていることが分かる。このような基板2に半導体を成長させたところ、付着表面2b’に島状の半導体の微結晶が一部形成されていることはあったが、付着表面2b’全体に半導体成長を抑制することができた。一方、比較例として、上述の実施例の基板の製造方法に対して、フッ素を付着させる表面加工を行なっていない基板2を作製した。そして、この比較例の基板の表面をXPSによって表面分析した結果を、図8に示す。図8に示す通り、基板2の表面からはフッ素が検出されなかった。このような基板2の表面に半導体を成長させたところ、表面加工を行なっていない基板2の表面に半導体が成長した。半導体基板の製造方法の各種変形例以下、本発明の半導体基板の製造方法の変形例について説明をする。なお、上述の半導体基板の製造方法と重複する部分については同一符号を付し、その説明を省略する。変形例1表面加工を行なう工程は、基板2にマスク3を被覆した積層体を、フッ素を含む雰囲気内に配置してもよい。これにより、基板2の第1露出表面2bにフッ素を付着させることができる。具体的には、フッ素を含む雰囲気内に、例えば、フッ化窒素、四フッ化メタン、またはフッ化水素などのフッ化物の気体を存在させればよい。さらに、フッ素を含む雰囲気の容器内に、プラズマを発生させて、雰囲気中のフッ素をラジカル化してもよい。雰囲気内でフッ素をラジカル化させることにより、フッ素を基板2の第1露出表面2bに付着しやすくすることができる。この際、基板2の第1主面2Aをフッ素イオンとは反対のプラスに帯電させてもよい。雰囲気内のフッ素イオンがマイナスに帯電していることから、基板2の第1主面2Aをプラスに帯電させることによって、フッ素イオンを基板2の第1主面2Aの方向に飛びやすくすることができる。その結果、雰囲気内のフッ素を基板2の第1露出表面2bに付着しやすくすることができる。また、フッ素を含む雰囲気内に、基板2にマスク3を被覆した積層体を配置する際に、当該雰囲気内の圧力を、大気圧よりも高くしてもよい。雰囲気内の圧力は、例えば、11atm以上15atm以下となるように設定することができる。基板2にマスク3を被覆した積層体を、大気圧よりも雰囲気内の圧力を高くした状態で当該雰囲気内に配置することにより、第1露出表面2aに付着したフッ素が再度雰囲気内に飛散するのを抑制することができる。その結果、基板2の第1露出表面2aにフッ素が付着する量を多くすることができる。変形例2表面加工を行なう工程は、基板2を加熱した状態で行なってもよい。基板2を加熱する際の基板温度は、例えば30°C以上300°C以下に設定することができる。基板2を加熱する方法としては、例えば基板2の下にヒーターを配置して加熱すればよい。基板2を加熱した状態で、基板2の第1露出表面2bにフッ素を付着させる表面加工を行なうことによって、基板2の第1露出表面2bにフッ素を付着させやすくすることができる。基板2を加熱した状態で、基板2の第1露出表面2bにフッ素を付着させることによって、基板2の表面を構成する基板2の終端に位置する原子がフッ素によって化学的に終端化されやすくすることができる。基板2の付着表面2b’が、化学的にフッ素で終端化されることにより、基板2の第1露出表面2bにフッ素をより強固に付着させることができる。その結果、基板2の付着表面2b’に半導体層7が付着されにくくすることができるため、基板2に半導体層7を成長させる工程の歩留まりを向上させることができる。変形例3さらに、マスク3を除去する工程と半導体層7を成長させる工程との間に、基板2を加熱する工程をさらに有していてもよい。換言すると、マスク3を除去する工程の後であって、半導体層7を成長させる工程の前に、基板2を加熱する工程を有していてもよい。これにより、付着表面2b’に付着したフッ素で基板2の終端に位置する原子を化学的に終端化されやすくすることができる。また、このように基板2を加熱することにより、マスク3が除去された第2露出表面2a’上にある物質を除去して清浄化することができる。このような加熱は、加熱温度を例えば300°C以上1000°C以下に設定することができる。基板2の第2露出表面2a’を清浄化して半導体層7を成長しやすくすることができるとともに、基板2の付着表面2b’を終端化して半導体層7を成長しにくくすることができる。その結果、半導体層7の結晶品質を向上させつつ、2つの工程を1つの工程で行なうことができるため生産性を向上させることができる。変形例4基板2にマスク3を被覆する工程と表面加工を行なう工程との間に、基板2の第2領域5bに還元剤を塗布する工程を有していてもよい。還元剤としては、例えば、ギ酸、シュウ酸、水素化ジイソブチルアルミニウム、亜鉛アマルガム、ヒドラジンまたは水素化ホウ素ナトリウムなどを用いることができる。還元剤を基板2上に塗布する方法としては、上述でフッ素を含む加工溶液6を塗布する方法と同様に行なえばよい。このように基板2の第2領域5bに還元剤を塗布することにより、基板2の第1露出表面2bをプラスの極性にすることができる。基板2の第1露出表面2bをプラスの極性にすることにより、表面加工を行なう工程においてフッ素が基板2の第1露出表面に付着されやすくすることができる。変形例5半導体層7を成長させる工程は、基板2の第1領域5aに半導体結晶である結晶体8を形成する第1工程と、当該第1工程の後、結晶体8を基板2の第2領域5bを覆うようにさらに成長させる第2工程とを有していてもよい。ここで、結晶体8を用いて第1半導体層7aを横方向成長させる工程について、図9a-cを用いて説明する。図9は、基板2の一部およびその周辺を拡大した拡大断面図である。図9aに示すように、基板2の第2露出表面2a’に半導体層7の構成元素からなる結晶体8を結晶成長させる。結晶体8は、基板2と比べて、例えば格子定数および熱膨張係数などが異なるため、基板2の第2露出表面2a’から内部に延びる転位9を有するようになる。転位9は、結晶成長させる半導体の層の結晶面に、意図しない結晶面または原子ステップが発生することによって生じやすくなり、例えば刃状転位またはらせん状転位などの種類がある。結晶体8の形状は、例えば三角錐形状または六角錐形状などの多角錐形状、三角錐台形状または六角錐台形状などの多角錐台形状、円錐形状、または円錐台形状などとすることができる。結晶体8は、基板2の第1主面2Aから頂部までの高さが、005μm以上2μm以下に設定することができる。本例において、結晶体8は六角錘形状で形成されている。結晶体8は、基板2の第1主面2Aに、組成比、成長温度および成長圧力などの成長条件を調整することによって結晶成長させることができる。基板2の付着表面2b’にはフッ素が付着していることから、結晶体8を基板2の第1主面2Aに結晶成長させる際に、半導体層7の結晶が成長しにくくなっている。これは、基板2の付着表面2b’の表面エネルギーが、第2露出表面2a’の表面エネルギーと比較して小さくなっているからである。そのため、表面エネルギーの小さい基板2の付着表面2b’に、第1半導体層7aを構成する原子または分子等が飛着してきたとしても再度飛散していくか第2露出表面2a’に移動すると考えられるからである。次に、図9bに示すように、結晶体8を横方向に成長させることにより、結晶体8を含む第2結晶体10を形成する。具体的には、基板2の第2露出表面2a’に形成した結晶体8の側面を、平面透視して、基板2の付着表面2b’を覆うように横方向へ結晶成長させて第2結晶体10を形成する。結晶体8を横方向に成長させることにより、基板2の第2露出表面2a’から厚み方向に延びる転位9を、基板2の第1主面2Aと平行な平面方向に曲げることができる。第2結晶体10をさらに横方向に成長させることによって、図9cに示すように、隣接する2つの第2結晶体10が合わさるようにする。隣接する2つの第2結晶体10同士を合わせることにより、それぞれの第2結晶体10から延びる転位9を結合させて、結合箇所から厚み方向に延びる転位9の数を減らすことができる。そして、第2結晶体10を合わせた第3結晶体11を上面全体が基板2の第1主面2Aに対して平坦になるまで、厚み方向に横方向成長を続けることにより、図10に示すように、第1半導体層7aを形成することができる。その後、図10に示すように、第1半導体層7a上に、発光層7bおよび第2半導体層7cを順次積層させる。発光層7bおよび第2半導体層7cは、第1半導体層7a上に、第1半導体層7aに続けて横方向成長させることによって形成することができる。従来、基板に結晶体を形成して半導体を横方向に結晶成長させるためには、結晶体を形成するために基板の主面に凹凸を設ける必要があった。基板の主面に凹凸を設けて半導体層を成長させた場合、凹凸の凹部からも半導体が成長してしまい、半導体層に存在する転位を減らすことが困難だった。また、従来、基板の凹凸の凸部同士の間隔を広げると、凹凸の凹部の横幅が大きくなってしまっていた。そのため、凸部上面に形成した結晶体同士を横方向に成長させる際に、半導体層の基板主面に対する平坦性を確保できず、半導体層の結晶性を向上させることが難しかった。具体的には、基板の凹凸の凸部同士の間隔が、例えば3μm以上となると、基板上に成長させる半導体層の平坦性を向上させることが難しかった。本例の製造方法によれば、基板に凹凸を設けずに、基板上に結晶体8を形成することができる。基板2に凹凸をつける必要がないため、基板2上に成長させる第1半導体層7a内に存在する転位9が増えることを抑制することができる。また、凹部がないため、結晶体8を横方向に成長させる際に、平坦性を維持しつつ成長させることができる。その結果、第1半導体層7aの結晶性を向上させることができる。変形例6基板2の第2露出表面2a’に低温バッファ層13を形成した後、結晶体8を形成してもよい。基板2の第2露出表面2a’に低温バッファ層13を形成する工程、および低温バッファ層13上に結晶体8を形成する工程について図12を用いて説明する。基板2の第2露出表面2a’に低温バッファ層13を形成する工程について説明する。図12aに示すように、基板2の第2露出表面2a’に結晶体8を成長させる際の成長温度よりも低い温度で結晶成長を行なう。本例のように、半導体層7として窒化ガリウムを用いる場合には、第1半導体層7aの低温バッファ層13の成長温度は、例えば350°C以上800°C以下に設定すればよい。低温バッファ層13は、第1半導体層7aを構成する原子からなる微晶質体または微粒子などによって構成されている。低温バッファ層13を形成する工程の後に行う、低温バッファ層13上に結晶体8を形成する工程について説明する。図12bに示すように、基板2の第2露出表面2a’に形成した低温バッファ層13の上面に結晶体8を成長させる。結晶体8を形成する前に低温バッファ層13を形成した場合は、基板2の温度が通常の結晶成長させる温度よりも低いことから、基板2の付着表面2b’に半導体がさらに成長されにくくすることができる。一方、基板2の第2露出表面2a’に形成された低温バッファ層13の上面には、結晶が成長しやすくなっていることから、基板2の第2露出表面2a’には結晶体8を成長しやすくすることができる。結晶体8を形成する前に低温でバッファ層13を形成する場合には、半導体が基板2の付着表面2b’に結晶成長されにくくした状態で、基板2の第2露出表面2a’には結晶成長されやすくすることができる。そのため、結晶体8を基板2の第2露出表面2a’またはバッファ層13上に選択的に結晶成長させることができる。また、基板2の第2露出表面2a’に低温バッファ層13を形成する工程と、低温バッファ層13上に結晶体8を形成する工程との間に、基板2を加熱する工程を有していてもよい。基板2の第2露出表面2a’に低温バッファ層13を形成した後、基板2を加熱することにより、低温バッファ層13内に形成されている結晶核を増やしたり、結晶核の粒径を大きくしたりすることができる。基板2の加熱は、例えば600°C以上1200°C以下に設定することができる。また、基板2の加熱は、例えば、水素雰囲気中で行なうことができる。第2露出表面2bに低温バッファ層13を形成した基板2を加熱することにより、結晶核を増やすことができ、結晶体8を低温バッファ層13の上面にさらに結晶が成長しやすくすることができる。変形例7表面加工を行なう工程において、基板2上にマスク3を形成した積層体を加工溶液6に浸漬させるディップ塗布を行なってもよい。このように積層体を加工溶液6に浸漬させることにより、図13に示すように、マスク3から露出した基板2の第1主面2Aだけでなく基板2の側面2Cおよび第2主面2Bにフッ素を付着させることができる。積層体を加工溶液6に浸漬させるディップ塗布は、浸漬時間を、例えば、5分以上60分以下に設定することができる。積層体を加工溶液6に浸漬させるディップ塗布によって基板2の表面加工を行なった場合には、基板2の側面2Cおよび第2主面2Bにもフッ素を付着させることができる。これにより、半導体層7を成長させる工程において、基板2の第2露出表面2a’以外の基板2の表面からも半導体が成長することを抑制することができる。また、このように表面加工を行なうと基板2の第2主面2Bにフッ素によって付着しやすくなることから、発光素子1を基板2の第2主面2Bを実装面として回路基板などへ実装した際に、不要な表面電位が形成されず、表面に電流がリークされことを抑制することができる。<発光素子>上述した、半導体基板の製造方法を用いて作製した発光素子1について以下説明する。図13は、図1のA-A’線で切断したときの断面に相当する。なお、上述の発光素子1と重複する部分については同一符号を付し、その説明を省略する。本発明の発光素子は、図14に示すように、基板2および半導体層7を備えている。基板2は、平面の第1主面2Aに、複数の第1領域5aと第1領域5a以外の第2領域5bとを有している。基板2上に積層される半導体層7は、基板2の第1主面2A上に第1領域5a第2露出表面2a’および第2領域5bを覆うように、第1半導体層7a、発光層7bおよび第2半導体層7cが順次積層されている。本例は、上述した半導体基板の製造方法と同様に、基板2がサファイアからなり、半導体層7は窒化物半導体からなっている。光半導体層7は、上述の半導体基板の製造方法を用いて作製されていることから、図14に示すように、第1半導体層7aの内部に転位9を有している。転位9は、下端9aが第1領域5aに位置するとともに、上端9bが平面透視して第2領域5bと重なる領域に位置している。本例は、上述の通り、平面となった基板2から厚み方向に延びる転位9を曲げて結合させることによって数を減らすことができる。そのため、平面となった基板2上に、第1半導体層7aの厚み方向に延びる転位9の数を減らした半導体層7を持つ発光素子1を提供することができる。発光素子の各種変形例以下、本発明の発光素子の変形例について説明をする。なお、上述の発光素子と重複する部分については同一符号を付し、その説明を省略する。変形例1基板2は、第1主面2Aの第2領域5b付着表面2b’にフッ素が存在していてもよい。ここで、基板2の付着表面2b’に存在するフッ素は、基板2の表面上に付着していても、基板2の表面を終端化していてもよい。基板2の第2領域5b付着表面2b’にフッ素が存在していることにより、発光素子1に電圧を印加した際に、例えば基板2の付着表面2b’に表面電位が形成されにくくすることができる。そのため、半導体層7を流れる電流が基板2の付着表面2b’で短絡されることを抑制することができる。変形例2第1半導体層7aの下面のうち平面透視において、第2領域5bと重なる部分7a’は、図15に示すように、基板2の第1主面2Aから離れて位置していてもよい。具体的に、第1半導体層7aの下面の第2領域5bと重なる部分7a’は、第1半導体層7aの下面の少なくとも一部であればよい。図15に、基板2および半導体層7の一部を拡大した断面図である。第1半導体層7aが基板2の第1主面2Aの一部から離れて位置することにより、第1半導体層7aの下面全体が基板2の第1主面2A全体と接しないようになっている。そのため、第1半導体層が基板の主面全体と接している場合と比較して、基板2と第1半導体層7aとの界面に係る応力を緩和することができる。さらに、第1半導体層7aの下面のうち第2領域5bと重なる部分7a’が基板2の第1主面2Aから離れることにより、基板2と第1半導体層7a’との間に空間14を有していてもよい。このように基板2と第1半導体層7aとの間に空間14を有していることにより、発光層7bで発光した光を、第1半導体層7aと空間14との、屈折率の違い、または空間7a’と基板2との屈折率の違いによって散乱させることができる。その結果、発光素子1の発光ムラを改善することができる。<半導体成長用基板>半導体成長用基板2’は、図16aに示すように、平面である主面2Aに、それぞれが間隔を隔てて配置された複数の第1領域5a第2露出表面2a’と、第1領域5a以外であって、表面にフッ素が存在する第2領域5b付着表面2b’とを有している。このような半導体成長用基板2’上に半導体層7を成長させることにより、厚み方向に延在する転位9の数を減らして結晶性を向上させた半導体層7を提供することができる。また、図16bに示すように、第1領域5a第2露出表面2a’は、所定の間隔h1を隔てて配置されている。このような間隔h1は、例えば01μm以上20μm以下となるように設定することができる。半導体成長用基板2’は、上述した半導体基板の製造方法で、基板2にマスク3を被覆する工程、表面加工を行なう工程およびマスク3を除去する工程を順次行なうことによって作製することができる。