"基板に少なくとも部分的に導電性又は半導電性の素子を製造する方法であって、前記素子は、一又はそれ以上の層を含み、前記方法は、a一又はそれ以上の層を含む形成可能な素子を形成する工程であって、少なくとも一つの層は、高アスペクト比分子構造HARM-構造の網を含み、前記HARM-構造は、導電性又は半導電性である、工程と、b前記形成可能な素子を前記構造の三次元表面に圧縮及び/又は真空シールすることにより、前記形成可能な素子を構造にコンフォーマルな手法で配置する工程と、一又はそれ以上の層を含み、コンフォーマルかつ少なくとも部分的に導電性又は半導電性の素子を製造する工程であって、少なくとも一つの層は、前記構造の三次元表面上に高アスペクト比分子構造HARM-構造の網を含む、工程と、を含むことを特徴とする方法。a工程は、一又はそれ以上のHARM-構造の網及び一又はそれ以上の追加材料を含む形成可能な素子を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。a工程は、一又はそれ以上のHARM-構造の網及び以下、ポリマー、紙、ニトロセルロース、ポリビニリデンフルオリドPVDF、ポリエチレンPE、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリカーボネート、アクリル、ポリテトラフルオロエチレンテフロンのうち一又はそれ以上を含む形成可能な素子を形成することを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。HARM-構造の一又はそれ以上の網は、ガス流から堆積することによって形成されることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。a工程は、一又はそれ以上の基板にHARM-構造を堆積することを含むことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。a工程は、一又はそれ以上の予備基板にHARM-構造を堆積する工程と、一又はそれ以上の予備基板から前記一又はそれ以上の基板に、堆積されたHARM-構造の一又はそれ以上の網を配置する工程と、を含むことを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。a工程は、HARM-構造の拡散性、磁性、機械性、対流性、熱拡散性、光泳動性、電気泳動性、重力性、音響性、粘性及び/又は慣性移動を含むことを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。圧縮する工程は、熱圧縮を含むことを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。前記構造は、一又はそれ以上の電気部品を含むことを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。前記HARM-構造は、個別の又は束ねられた形態でのナノチューブ、カーボンナノチューブ、フラーレン官能性カーボンナノチューブ、ナノバッド、窒化ホウ素ナノチューブ、炭素、リン、ホウ素、窒素、銀及び/又は珪素を含むナノロッド又はナノワイヤ、フィラメント及び/又は他の任意のチューブ、チューブ状物、ロッド及び/又はリボン及び/又は他の高アスペクト比分子構造を含むことを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。前記素子は、電磁放射に対して遮蔽するための一又はそれ以上の少なくとも部分的に導電性又は半導電性であるHARM-構造の網を含む前記構造にコンフォーマルに配置されることを特徴とする請求項1から10のいずれか一項に記載の方法。b工程は、電磁放射に対して遮蔽される構造にコンフォーマルな形態の一又はそれ以上のHARM-構造の網を含む前記形成可能な素子を配置することを含むことを特徴とする請求項1から11のいずれか一項に記載の方法。基板上のコンフォーマルかつ少なくとも部分的に導電性又は半導電性な素子であって、前記素子は、一又はそれ以上の層を含み、少なくとも一つの層は、高アスペクト比分子構造HARM-構造の網を含み、前記HARM構造は、導電性又は半導電性であり、前記素子は、前記基板の三次元表面にコンフォーマルに配置されることを特徴とする素子。前記素子は、接触及び/又は近接感知膜として機能するように構成されることを特徴とする請求項13に記載の素子。前記接触及び/又は前記近接感知膜は、少なくとも二つの検知領域を含むことを特徴とする請求項14に記載の素子。少なくとも一つの検知領域は、タッチスクリーンの一部分として機能するように構成されることを特徴とする請求項15に記載の素子。前記接触及び/又は前記近接感知膜は、ハプティックフィードバックを提供するように構成されることを特徴とする請求項13から16のいずれか一項に記載の素子。前記構造は、筐体、ディスプレイ、ディスプレイ部品、トランジスタ、集積回路、アンテナ、光起電装置、メモリ素子、メモリデバイス、トランスミッター、ポピュラーなプリント回路基板、電子装置のフレキシブルコネクタ、ディスプレイ源又は光源、熱音響スピーカー、携帯電話、コンピュータ、販売所又は案内所、製品パッケージ、家庭用品、窓、ダッシュボード、ステアリングホイール、車体、ヘルメット、バイザー、それらの部品、及びそれらの組み合わせからなる群から選択されることを特徴とする請求項13から17のいずれか一項に記載の素子。前記HARM-構造は、個別の又は束状形態でのナノチューブ、カーボンナノチューブ、フラーレン官能性カーボンナノチューブ、ナノバッド、窒化ホウ素ナノチューブ、炭素、リン、ホウ素、窒素、銀及び/又は珪素を含むナノロッド又はナノワイヤ、フィラメント及び/又は他のチューブ、チューブ状物、ロッド及び/又はリボン及び/又は他の高アスペクト比分子構造を含むことを特徴とする請求項13から18のいずれか一項に記載の素子。前記素子は、電磁放射に対する遮蔽として機能するように構成されることを特徴とする請求項13に記載の素子。電磁放射に対して構造を遮蔽するための請求項13から20のいずれか一項に記載のコンフォーマルかつ少なくとも部分的に導電性又は半導電性な素子の使用。静電気散逸層ESD、バッテリの電極、スーパーキャップ、燃料電池、タッチセンサ、ハプティックインターフェース、ディスプレイ又はソーラセル、太陽電池の電荷キャリア分離層、ディスプレイの電荷キャリア再結合層、ディスプレイの電界放出層、タッチスクリーンの電荷キャリア輸送層、ハプティックインターフェース、熱音響スピーカー、ディスプレイ又はソーラセル及び/又はソース、ドレイン及び/又はゲート電極及び/又はトランジスタ、バックプレーン又はICの半導電層としての請求項13から20のいずれか一項に記載のコンフォーマルかつ少なくとも部分的に導電性又は半導電性な素子の使用。タッチセンサの素子及びハプティックインターフェースの素子の両方としての請求項13から20のいずれか一項に記載のシングルコンフォーマルかつ少なくとも部分的に導電性又は半導電性な素子の使用。本発明は、基板に少なくとも部分的に導電性又は半導電性の素子を製造する新規な方法であって、素子が一又はそれ以上の層を含み、少なくとも一つの層がHARM-構造の網を含む方法を提供することにより上述した従来技術の技術的な課題を低減することを目的とする。また、本発明は、基板にコンフォーマルかつ少なくとも部分的に導電性又は半導電性の素子を示すことを目的とする。また、本発明は、コンフォーマルな素子の使用を示すことを目的とする。本発明に係る方法、素子及び使用は、特許請求の範囲に示されたものにより特徴付けられる。本発明は、基板に少なくとも部分的に導電性又は半導電性の素子を製造する方法であって、前記素子は、一又はそれ以上の層を含み、前記方法は、a一又はそれ以上の層を含む形成可能な素子を形成する工程であって、少なくとも一つの層は、高アスペクト比分子構造HARM-構造の網を含み、前記HARM-構造は、導電性又は半導電性である、工程と、b前記形成可能な素子を前記構造の三次元表面に圧縮及び/又は真空シールすることにより、前記形成可能な素子を構造にコンフォーマルな手法で配置する工程と、一又はそれ以上の層を含み、コンフォーマルかつ少なくとも部分的に導電性又は半導電性の素子を製造する工程であって、少なくとも一つの層は、前記構造の前記三次元表面上の高アスペクト比分子構造HARM-構造の網を含む、工程と、を含む。本発明に係る基板上のコンフォーマルかつ少なくとも部分的に導電性又は半導電性の素子は、一又はそれ以上の層を含み、少なくとも一つの層は、前記構造の前記三次元表面上の高アスペクト比分子構造HARM-構造の網を含み、前記HARM-構造は、導電性又は半導電性であり、前記素子は、前記構造の前記三次元表面にコンフォーマルに配置される。素子とは、構造にコンフォーマルに配置されること、及び前記構造の表面とコンフォーマルな形状である任意の素子を意味する。前記素子は、一又はそれ以上のHARM-構造の網を含む。前記素子は、さらに一又はそれ以上の追加材料を含みうる。前記素子は、例えば、一又はそれ以上の材料の一又はそれ以上の層のような一又はそれ以上の層を含みうる。網networkとは、例えば、低密度、高密度、ランダム、方向付けられた、均質な、及び/又はパターンニングされた網及び/又は他の同様の構造を意味する。高アスペクト比分子構造HARM-構造の網とは、一又はそれ以上のHARM-構造を含む任意の上記構造を意味する。前記網は、多数のHARM-構造を含むことが好ましい。前記HARM-構造は、導電性又は半導電性である。本発明の一実施形態では、前記HARM-構造の一部分は、導電性であり、前記HARM-構造の他の部分は、半導電性である。HARM-構造とは、ナノチューブ、カーボンナノチューブ、フラーレン官能性カーボンナノチューブ、ナノバッド、窒化ホウ素ナノチューブ、炭素、リン、ホウ素、窒素、銀及び/又は珪素を含むナノロッド又はナノワイヤ、フィラメント及び/又は他のチューブ、チューブ状物、ロッド及び/又はリボン及び/又は他の高アスペクト比分子構造を意味する。前記HARM-構造は、個別の又は束ねられた形態でありうる。前記HARM-構造は、例えば前記基板に堆積される、及び/又は配置される前及び/又は後に、方向付けられ、塗布され、機能化されうる、及び/又は、そうでなければ変形されうる。フラーレン機能性カーボンナノチューブの一例は、カーボンナノバッドCNBであり、これは、チューブ状カーボン分子の側に共有結合されたフラーレン分子を有する分子である。HARM-構造、特にカーボンナノチューブ及びカーボンナノバッドは、機械的にフレキシブルな網の形態で基板に堆積されうる。HARM-構造網の薄い層を形成することが可能であることが利点である。このような層は、フレキシブルかつ形成可能であり、よって、所望の表面にコンフォーマルに形成及び調整しうる。さらに、HARM-構造の特性により、形成された網は、薄い堆積の場合であっても、導電性又は半導電性である。これらの有利な特徴は、接触検知膜等に使用されうる。構造とは、本発明に係る方法で使用されうる任意の構造を意味する。構造とは、例えば、一又はそれ以上のHARM-構造の網を含む形成可能な素子が、コンフォーマルな手法で配置されうる、任意の構造を意味する。本発明の一実施形態では、前記構造は、例えば、電磁放射に対して遮蔽シールドされた構造を含む。本発明の一実施形態では、前記構造は、一又はそれ以上の電子部品を含む。構造は、例えば、トランジスタ、集積回路、アンテナ、メモリ素子又は装置、トランスミッター、ロジック又はメモリ回路、及び/又は他の同様の構造を含みうる。構造は、ポピュラーなプリント回路基板を含みうる。構造は、電子装置においてフレキシブルコネクタを含みうる。構造は、例えば、携帯電話又はその一部分、製品パッケージ、販売所又はその一部分、家庭用品、窓、ダッシュボード又はステアリングホイール、車体、及び/又はヘルメット、及び/又は他の同様の構造を含みうる。さらに、任意の他の適切な構造が使用されうる。形成可能な素子とは、本発明に係る方法で使用されるのに適切な任意の所望の素子を意味する。適切な形成可能な素子は、構造をコンフォーマルな手法で、一又はそれ以上のHARM-構造の網及び可能な場合には一又はそれ以上の追加材料を含む形成可能な素子を配置する工程において、前記構造にコンフォーマルに配置されることが可能であり、前記構造をコンフォーマルと成形する。形成可能な素子は、本来、フレキシブル、固い、又は変形可能な素子でありうる。形成可能な素子は、一又はそれ以上の本来、フレキシブル、固い、及び/又は変形可能な材料を含みうる。例えば、固いポリマー基板が、例えば加熱、弾性及び/又はプラスチック変形可能及び/又はウェット形成により、フレキシブルになることが可能である場合に、固いポリマー基板のような本来固い材料は、形成可能な素子を含みうる、かつ本発明に係る方法で使用されうるため、前記基板にコンフォーマルに設置されうる。本発明の一実施形態では、形成可能な素子は、一又はそれ以上の層を含む。前記形成可能な素子は、任意の適切な手法により形成されうる。前記形成可能な素子の形成は、一又はそれ以上の製造工程を含みうる。本発明の一実施形態では、a工程は、一又はそれ以上のHARM-構造の網及び一又はそれ以上の追加材料を含む形成可能な素子を形成する工程を含む。本発明の一実施形態では、a工程は、一又はそれ以上のHARM-構造の網、及び以下:ポリマー、紙、ニトロセルロース、ポリビニリデンフルオリドPVDF、ポリエチレンPE、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリカーボネート、アクリル、ポリテトラフルオロエチレンテフロンのうち一又はそれ以上を含む形成可能な素子を形成することを含む。前記形成可能な素子は、一又はそれ以上の追加材料をさらに含みうる。本発明の一実施形態では、形成可能な素子は、一又はそれ以上の基板に堆積される一又はそれ以上のHARM-構造の網を含むように形成されうる。前記形成可能な素子は、例えば、所定数の基板の上面に交互に堆積された所定数のHARM-構造の網形状物を含みうる。すなわち、多層基板が形成される。本発明の一実施形態では、前記一又はそれ以上の基板は、一又はそれ以上のポリマー基板を含む。例えば、本発明の一実施形態では、少なくとも二つのHARM-構造の網が前記基板の両側に配置され、よって、多層構造としての形成可能な素子が形成される。本発明の一実施形態では、前記基板は、層の形態である。本発明の一実施形態では、多層構造を含む前記形成可能な素子は、前記基板にコンフォーマルな手法で配置される。例えば、前記構造が電磁放射に対して遮蔽される場合、その後、前記構造は、電磁放射に対して前記構造をより効果的に遮蔽する遮蔽素子等のコンフォーマルな多層素子を含んでもよい。例えば、前記構造が、太陽電池、すなわち、一又はそれ以上のHARM-構造の網を含む素子がコンフォーマルに取り付けられる、合成され湾曲した基板である場合、太陽電池は、一又はそれ以上のHARM-構造の網が、合成され湾曲した基板の湾曲に実質的にコンフォーマルに従う透明電極、電荷キャリア分離層及び裏面電極の全部又は一部として機能する、コンフォーマルな多層であってもよい。HARM-構造の網を含む前記形成可能な素子は、静電散逸層ESD、バッテリの電極、スーパーキャパシタ、燃料電池、タッチセンサ、ハプティックインターフェース、ディスプレイ又は太陽電池、太陽電池の電荷キャリア分離層、ディスプレイの電荷キャリア再結合層、タッチスクリーンの電荷キャリア例えば、イオン、電子又は正孔輸送層、ハプティックインターフェース、ソース、ドレイン又はゲート電極及び/又はトランジスタ又はICの半導電層を含みうる。本発明の一実施形態では、一又はそれ以上のHARM-構造の網は、堆積により形成される。本発明の一実施形態では、一又はそれ以上のHARM-構造の網は、ガスフローからの堆積により形成される。本発明の一実施形態では、一又はそれ以上のHARM-構造の網は、マトリックス材料に分散されることにより形成される。本発明の一実施形態では、a工程は、一又はそれ以上の基板にHARM-構造を堆積することを含む。よって、一又はそれ以上のHARM-構造の網は、一又はそれ以上の基板に形成されうる。本発明の一実施形態では、a工程は、ガスフローからHARM-構造をフィルタリングすることによりHARM-構造を堆積することを含む。本発明の一実施形態では、a工程は、一又はそれ以上のパターンニングされたHARM-構造の網を含む形成可能な素子を形成すること含む。本発明の一実施形態では、a工程は、パターンにHARM-構造を堆積することを含む。このようにしてパターンニングされたHARM-構造の網が形成される。本発明の一実施形態では、a工程は、一又はそれ以上の予備基板にHARM-構造を堆積する工程と、一又はそれ以上の予備基板から、前記形成可能な素子で使用される前記一又はそれ以上の基板に、堆積されたHARM-構造の一又はそれ以上の網を、例えば移動のように配置する工程と、を含む。HARM-構造の一又はそれ以上の網は、前記一又はそれ以上の基板にパターンを形成するように移動されうる。本発明の一実施形態では、a工程は、フィルター材料にガスフローからHARM-構造をフィルタリングすることによりHARM-構造を堆積すること、及び前記フィルター材料から前記基板へ、堆積されたHARM-構造を移動することを含む。予備基板とは、本発明に係る方法で使用されるように適切な任意の所望の基板であることを意味する。予備基板は、フレキシブル、固い、及び/又は変形可能な材料を含みうる。予備基板は、例えば、ポリマー、紙、ニトロセルロース、ポリビニリデンフルオリドPVDF、ポリエチレンPE、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリカーボネート、アクリル、ポリテトラフルオロエチレンテフロンを含みうる。基板とは、本発明に係る方法で使用されるように適切な任意の所望の基板であることを意味する。基板は、本来、フレキシブル、固い、及び/又は変形可能な材料を含みうる。前記基板は、例えば、ポリマー、紙、ニトロセルロース、ポリビニリデンフルオリドPVDF、ポリエチレンPE、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリカーボネート、アクリル、ポリテトラフルオロエチレンテフロンを含みうる。本発明の一実施形態では、前記基板は、ポリマーを含む。本発明の一実施形態では、収集フィルターは、予備基板として機能する。本発明の一実施形態では、収集フィルターは、基板として機能する。本発明の一実施形態では、a工程は、HARM-構造の拡散性、磁性、機械性、対流性、熱拡散性、光泳動性、電気泳動性、重力性、音響性、粘性及び/又は慣性移動を含む本発明に係る他の機構も可能である。これらは、例えば、慣性衝突、重力沈下及び音響フォーカシングを含んで組み合わせられうる。例えば、基板及び/又は予備基板へのHARM-構造の堆積は、例えば、拡散性、磁性、機械性、対流性、熱拡散性、光泳動性、電気泳動性、重力性、音響性、粘性及び/又は慣性移動により行われうる。一又はそれ以上の予備基板から一又はそれ以上の基板への、一又はそれ以上の予備基板に堆積されたHARM-構造の一又はそれ以上の網形状物の配置は、表面接着力の違いによる移動、又は拡散性、磁性、機械性、対流性、熱拡散性、光泳動性、電気泳動性、重力性、音響性、粘性及び/又は慣性移動により行われうる。本発明の一実施形態では、a工程は、スプレー、スピンコート、グラビア印刷、フレキソグラフィック印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、又は基板へのHARM-構造のソリューションの他の液体印刷を含む。本発明の一実施形態では、基板にコンフォーマルな手法で前記形成可能な素子を配置する、b工程は、前記基板に前記形成可能な素子を圧縮プレス及び/又は真空シールすることを含む。例えば、前記形成可能な素子は、熱形成により前記基板の表面に配置される。本発明の一実施形態では、圧縮する工程は、ホットプレスを含む。本発明の一実施形態では、圧縮する工程は、熱圧縮を含む。熱圧縮は、物理的な圧縮及び加熱を含む。物理的な圧縮は、弾性又はリジッドスタンプを通じて行われうる。リジッドスタンプの場合には、当該スタンプは、前記構造の形状に実質的に合わせる。本発明の一実施形態では、真空シールは、前記形成可能な素子と前記構造のコンフォーマルな表面との間に生成される真空が用いられ、前記形成可能な構造は、前記構造にコンフォーマルに取り付けられるようになる。本発明の一実施形態では、前記方法は、前記形成可能な素子から一又はそれ以上の材料を除去する工程をさらに含みうる。例えば、一又はそれ以上の層が除去されうる。これは、前記基板にコンフォーマルな手法で前記形成可能な素子を配置する工程の前、工程の最中、及び/又は工程の後に行われうる。例えば、基板のような一又はそれ以上の層は、前記基板にコンフォーマルな手法で前記形成可能な素子を配置する工程の後に除去される。本発明の一実施形態では、a工程からb工程は、並行して及び/又は順番に繰り返される。本発明に係る方法は、バッチ、ステップ-バッチ及び/又は連続処理として行われうる。本発明の一実施形態では、前記基板にコンフォーマルに配置される前記素子は、一又はそれ以上の少なくとも部分的に導電性又は半導電性のHARM-構造の網を含む。本発明の一実施形態では、前記基板にコンフォーマルに配置される前記素子は、電磁放射に対する遮蔽のために、一又はそれ以上の少なくとも部分的に導電性又は半導電性のHARM-構造の網を含む。本発明の一実施形態では、工程bは、電磁放射に対して遮蔽される構造にコンフォーマルな手法で一又はそれ以上のHARM-構造の網を含む前記形成可能な素子を配置することを含む。本発明の一実施形態では、前記方法は、例えば、化合物表面のような構造にコンフォーマルに配置されるディスプレイ、太陽電池、タッチセンサ、タッチスクリーン、ハプティックインターフェース及び/又は熱音響スピーカーの全部又は一部として、一又はそれ以上のHARM-構造の網を含む形成可能な素子を形成する工程を含む。本発明の一実施形態では、前記素子は、例えば、化合物表面のような構造にコンフォーマルに配置されるディスプレイ、太陽電池、タッチセンサ、タッチスクリーン、ハプティックインターフェース及び/又は熱音響スピーカーの全部又は一部として、形成される。前記HARM-構造の網は、形成可能な素子及び/又はコンフォーマルに覆われた構造の全部又は一部に接触又は接続されてもよい。EM-遮蔽の場合には、コンフォーマルに覆われた構造の少なくとも一部は、また、EMI遮蔽又はファラデーケージの一部であってもよい。本発明に係る、基板にコンフォーマルかつ少なくとも部分的に導電性又は半導電性の素子は、一又はそれ以上の層を含み、少なくとも一つの層は、HARM-構造の網を含む。本発明の一実施形態では、前記素子は、接触及び/又は近接検知膜として機能するように構成される。接触及び/又は近接検知膜とは、接触及び/又は近接検知装置において接触及び/又は近接検知素子として使用されうる膜を意味する。作動中に、接触及び/又は近接検知膜が、接触及び/又は近接検知装置の適切に構成された電気的な測定回路の一部として接続される場合、前記膜への対象物の接触、又は前記膜の近傍における対象物の存在例えば、指、スタイラス、ポインター又は他の対象物は、接触及び/又は近接膜の位置が検出されうる、又は接触及び/又は近接膜の近接位置も判定されうることに基づいて、関連する回路の一又はそれ以上の特性を変更させる。実際には、この変更は、励起信号を供給する工程、接触及び/又は近接検知膜からの応答信号を受信する工程、及び後の変化を監視する工程により検出される。本発明の一実施形態では、前記素子は、光学的に透明な接触及び/又は近接検知膜として機能するように構成される。透明の表現は、可視光に対して実質的に透明であることを意味し、可視光を50以上透過することが好ましく、80以上透過することがより好ましく、90以上透過することが最も好ましい。しかし、本発明の範囲から逸脱しない範囲で、可視光の50以下を透過する透明層が使用されうることが当業者には明らかである。本発明の一実施形態では、前記素子は、少なくとも一つの層を含むHARM-構造の網を含み、前記HARM-構造は、導電性である。例えば、前記素子は、少なくとも一つの導電性の層を含む。接触及び/又は近接検知装置の一部としての接触及び/又は近接検知膜の動作において、励起信号が供給され得、応答信号が一又はそれ以上の導電層から測定されうる。本発明の一実施形態では、接触及び/又は近接検知膜は、一又はそれ以上の検知領域を含む。接触及び/又は近接検知膜内の検知領域とは、アクティブ、又は、例えば実際の接触及び/又は近接検知動作が行われる領域内のような接触及び/又は近接検知膜の操作部分を意味する。接触検知領域は、また、前記接触及び/又は近接検知膜の全体領域に及びうる。本発明の一実施形態では、前記接触及び/又は近接検知膜は、少なくとも二つの検知領域を含む。本発明の一実施形態では、少なくとも一つの検知領域は、タッチスクリーンの一部として機能するように構成される。本発明の一実施形態では、少なくとも一つの検知領域は、スイッチ又はボタンの一部として機能するように構成される。本発明の一実施形態では、少なくとも一つの検知領域は、タッチスクリーンの一部として機能するように構成され、少なくとも一つの他の検知領域は、スイッチ又はボタンの一部として機能するように構成される。例えば、検知領域は、従来の携帯電話等の機械的なボタン又はスイッチに置き換えられるように構成されうる。本発明の一実施形態では、前記接触及び/又は近接検知膜は、ハプティックフィードバックを提供するように構成される。本発明の一実施形態では、前記接触及び/又は近接検知膜、及び例えば導電層のようなHARM-構造の網を含む特定の層は、ハプティックフィードバックを提供するように構成される。HARM-構造の網を含む層は、抵抗性、容量性及び/又は誘導性接触検知のような接触検知、及び容量性又は電気活性ポリマーに基づくハプティックフィードバックのようなハプティックフィードバックの両方のために適切な範囲での導電率のような電気特性を有する。本発明の一実施形態では、導電率は、1ohm/sqから100Mohm/sqであり、100ohm/sqから1Mohm/sqであることが好ましく、1kohm/sqから100kohm/sqであることがより好ましく、10kohm/sqであることが最も好ましい。接触及び/又は近接検知膜のこの特徴は、接触及び/又は近接検知膜に、小さな電界が例えば肌の近くを通過したときに、対象物に対してフィードバック感覚を生成する特性を提供しうる。例えば、指のような対象物の接触が第1の時間に監視され、前記層が第2の時間に、同一の対象物へのハプティック感覚を提供するように駆動されるように、これらの二つの間で多重化されることにより、前記層の機能は、検知機能とハプティックフィードバック機能との間で切り替えられる。本発明の一実施形態では、前記第一の時間は、前記第二の時間に先行する。本発明の一実施形態では、前記第一の時間は、前記第二の時間に先行する及び/又は続く。ハプティックの用語は、接触又は触覚感覚を示す。接触検知装置とのユーザのやり取りを促進するために、接触及び/又は近接検知膜は、表面の接触位置でのユーザの接触に応じて、表面の接触位置でフィードバック感覚を提供するように構成される。フィードバック感覚は、視覚、聴覚、運動感覚、及び/又は触覚キューを通じて提供されうる。アクティブかつ抵抗的な力のフィードバックのような運動感覚フィードバック、及び振動、手触り、熱又は他の物理的な感覚のような触覚フィードバックは、ハプティックフィードバックとして一括して示される。本発明の一実施形態では、ハプティックフィードバックは、容量性ハプティックフィードバックである。本発明の一実施形態では、ハプティックフィードバックは、電気活性ポリマーに基づくハプティックフィードバックである。本発明の一実施形態では、接触及び/又は近接検知膜は、容量性接触及び/又は近接検知膜である。本発明の一実施形態では、接触及び/又は近接検知膜は、抵抗性接触及び/又は近接検知膜である。本発明の一実施形態では、前記構造は、筐体、ディスプレイ、ディスプレイ部品、トランジスタ、集積回路、アンテナ、光起電装置、メモリ素子、メモリデバイス、トランスミッター、ポピュラーなプリント回路基板、電子装置のフレキシブルコネクタ、ディスプレイ源又は光源、熱音響又は他のスピーカー、携帯電話、コンピュータ、製品パッケージ、家庭用品、窓、ダッシュボード、ステアリングホイール、車体、ヘルメット、バイザー、それらの部品、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される。ディスプレイ部品は、バックプレーン又はフロントプレーンでありうる。本発明の一実施形態では、前記素子は、電磁放射に対する遮蔽として機能するように構成される。さらに、本発明は、本発明に係る方法により基板に製造されるHARM-構造の一又はそれ以上の網を含むコンフォーマルかつ少なくとも部分的に導電性又は半導電性な素子の使用に関する。さらに、本発明は、基板にHARM-構造の一又はそれ以上の網を含むコンフォーマルかつ少なくとも部分的に導電性又は半導電性な素子の使用に関する。さらに、本発明は、電磁放射に対して前記構造を遮蔽するために、基板にHARM-構造の一又はそれ以上の網を含むコンフォーマルかつ少なくとも部分的に導電性又は半導電性な素子の使用に関する。さらに、本発明は、電磁干渉遮蔽EMI-shield又はEMS又はファラデーケージの全部又は一部として、本発明に係るコンフォーマルかつ少なくとも部分的に導電性又は半導電性な素子の使用に関する。さらに、本発明は、静電散逸層ESD、バッテリの電極、スーパーキャパシタ、燃料電池、タッチセンサ、ハプティックインターフェース、熱音響スピーカー、ディスプレイ又は太陽電池、太陽電池の電荷キャリア分離層、ディスプレイの電荷キャリア再結合層、ディスプレイの電界放出層、タッチスクリーンの電荷キャリア例えば、イオン、電子又は正孔輸送層、ハプティックインターフェース、ディスプレイ例えば、OLEDディスプレイ又は太陽電池、及び/又は、ソース、ドレイン又はゲート電極及び/又は、トランジスタ、バックプレーン又はICの導電層及び/又は半導電層として、本発明に係るコンフォーマルかつ少なくとも部分的に導電性又は半導電性な素子の使用に関する。さらに、本発明は、ハプティックフィードバックを提供するように構成される接触及び/又は近接検知膜として、本発明に係るコンフォーマルかつ少なくとも部分的に導電性又は半導電性な素子の使用に関する。さらに、本発明は、タッチセンサの素子及びハプティックインターフェースの素子の両方として、本発明に係るコンフォーマルかつ少なくとも部分的に導電性又は半導電性な素子の使用に関する。本発明に係る方法は、産業上及び商業上の両方で有益である。これらは、HARM-構造の網が複雑な構造でコンフォーマルに配置される、本発明に係る方法に多数使用される。これらは、ディスプレイ素子例えばバックライト、バックプレーン、光放出層、電界放出層、電荷キャリア輸送層及び透明導電層のような、太陽電池例えば透明層及び不透明導電層、光吸収層、電荷キャリア分離層、並びに電荷キャリア輸送層のような、タッチセンサ及びハプティックインターフェースの導電性及び半導電性層、電磁遮蔽、帯電防止層、熱音響スピーカー層、抵抗層、センサ層、薄膜集積回路層としてのディスプレイの素子を含みうる。このようなコンフォーマリティが有益な製品又は装置は、例えば、ダッシュボード及び車体の化合物表面、キッチン用品のような白物家電、販売所又は案内所、チップを含むプリント回路基板、携帯電話、タブレット及びパーソナルコンピュータ等のようなコンシューマエレクトロニクスを含む。一般に、本発明に係る方法は、ディスプレイ、太陽電池、バッテリ、燃料電池、EMS遮蔽、タッチセンサ、ハプティックインターフェース、ファラデーケージ及びスーパーキャパシタのような素子が、幾何学的に複雑な構造にコンフォーマルに取り付けられることを可能にする。本発明の特有の利点は、電磁放射に対して部品を遮蔽するコンフォーマルな導電性又は半導電性素子を製造する方法を提供することである。遮蔽のコンフォーマリティは、遮蔽の全体領域において遮蔽効果の良好な制御を可能にする。また、コンフォーマルな素子がHARM-構造の網を含む場合、薄い網であっても高い伝導率が達成されうる。これは、HARM-構造の薄い網であっても効果的な遮蔽を可能にする。遮蔽のコンフォーマリティは、また、製品の扱い及び処理をさらに容易にする。また、製品及び製品ラインの集積が安価かつ容易になる。さらに、機械的にフレキシブルになることにより、例えば、EMSの場合において、設計上の制限を取り除く。さらに、形成可能な素子のパターンニングは、例えば、PCBと空間で隔てられた個々の部品の遮蔽を可能にする。さらに、本発明は、接触及び/又は近接検知装置におけるコンフォーマルな接触及び/又は近接検知膜として用いられる少なくとも部分的に導電性又は半導電性な素子の新たなタイプを提供する。本発明の利点は、例えば、HARM-構造の網の少なくとも一つの層を含む形成可能な素子の特性に依存する。上述したように、HARM-構造の網の層は、形成可能な素子を、例えば、三次元表面への熱形成によりコンフォーマルに配置されるようにフレキシブルかつ形成可能である。例えば、接触及び/又は近接検知膜の三次元性は、接触及び/又は近接に基づく機能を実行する用途の範囲を拡大する。添付の図面において説明される例において、本発明の実施形態への参照が詳細になされる。図1は、電磁放射に対して構造を遮蔽するために、基板に少なくとも部分的に導電性又は半導電性な素子を製造する本方法の一実施形態の概念的な表示を示す。工程aにおいて、例えば、エアロゾルのような、多数の導電性のHARM-構造1は、基板2へのガス流5からHARM-構造1を濾過することにより形成可能な基板2上に堆積される。堆積されたHARM-構造は、基板上にHARM-構造の網を形成する。工程bにおいて、HARM-構造の網3が形成可能な基板2に堆積され、よって、形成可能な素子の形成は、基板4にコンフォーマルな手法でプレス圧縮されることである。EMSの場合には、構造は、電子部品であってもよい。また、基板上のHARM-構造の網を含み、コンフォーマルに取り付けられる形成可能な素子への構造が、単純になる。最後に、基板2は、除去される。このような手法でのHARM-構造の網を含むコンフォーマルな素子は、基板に製造される。フィルターのような予備基板にHARM-構造の網を堆積し、その後、フィルターから、例えばPETポリエチレンテレフタレートのような形成可能な基板へHARM-構造の網を移し、最後に、基板にPET基板上のHARM-構造の網を含む形成可能な素子をコンフォーマルに圧縮することも可能である。図2は、基板にHARM-構造の網を得るための本方法の一実施形態の概念的な表示を示す。HARM-構造1は、HARM-構造の網3がフィルター上に形成されるために、フィルターを通過するようになっている。図3は、本発明の一実施形態に係る多層構造を含む形成可能な素子を示す。この例では、HARM-構造の2つの網は、3つの形成可能な基板2の間に配置される又は挟まれる。基板は、例えば、ポリマーを含んでもよく、HARM-構造の網は、例えば、カーボンナノチューブを含んでもよい。図4は、形成可能な素子がコンフォーマルな手法で配置されている基板を示す。例えば、熱拡散圧縮thermophoreticcompressionにより、電子部品を含む基板4に配置されるコンフォーマルな素子6は、EM-遮蔽として機能する。また、図4は、例えば、ファラデーケージをコンプリートするための接続ピン7a、7bを接続する場合の使用を示す。図5は、基板2に、堆積されたHARM-構造3のパターンニングされた網を示す。堆積されたHARM-構造は、図の黒い四角形により示されたものである。HARM-構造は、使用される用途での機能に対応するパターンとして基板に堆積される。よって、基板に堆積された、HARM-構造のパターンニングされた網を有する基板、例えば遮蔽される構造の領域に対応するパターンは、構造の当該部位を遮蔽するために用いられうる。形成可能な素子のパターニングは、よって、例えばPCBのような空間で分離された個別の部品の遮蔽を可能にする。図6は、基板にコンフォーマルかつ少なくとも部分的に導電性又は半導電性の素子の製造の一例を示す。工程aは、多層化された構造の形態での形成可能な素子を形成することを含む。例えば、上述したようにHARM-構造のパターンニングされた又はパターンニングされない網が、例えば、ポリマー基板層に形成されるように、多層化された構造は、形成されうる。多層化された構造は、HARM-構造の網の少なくとも一つの薄い層を含む。本質的な特徴は、形成された多層化構造、又はHARM-構造を含む膜のフレキシビリティ及びフォーマリティである。工程bは、例えば熱圧縮又は真空シールを用いて、構造の三次元表面に形成可能な素子を熱形成することを含む。また、構造の表面をコンフォーマルに覆う他の手段が本発明に基づき可能である。例示的な実施形態では、形成可能な素子は、ディスプレイ及び電話ケースにコンフォーマルに配置される。基板にコンフォーマルに配置される素子は、本実施形態において、接触検知膜として機能するように構成される。HARM-構造を含む層の特性に基づいて、接触検知膜は、ハプティックフィードバックも提供しうる。また、図6の工程cからわかるように、基板上の多層化された素子、この場合には少なくとも携帯電話の一部は、任意の機械的なボタンの機能、又は従来の携帯電話で使用されるスイッチの機能を置換する。本発明により達成される技術的に改善された機能に加えて、有利には、基板に新たなコンフォーマルかつ導電性の素子の使用は、携帯電話等の外観を簡素化かつ改善する。図7は、本発明の一実施形態に係る、真空シーリングを用いたコンフォーマルな手法で配置される素子を示す。本実施形態では、1.5mmPET-G基板にHARM-構造のシート又は層は、フレームに配置され、基板がフレームでたわむように、150°Cで3.5分間、オーブンで加熱される。フレーム及びシートは、吸引ボックス一例が図8に示されるに設置され、吸引表面を通じて流れるガスによりシールがシートとシーリング素子との間に生成され、モールド表面に合わせるように、形成可能な素子がモールドに亘って引かれるようにモールド表面に真空が生成される。実施例1本発明の一実施形態に係る、形成可能な素子を形成する、形成可能な基板にHARM-構造の網をどのように堆積するかの一例として、SWCNTs単層カーボンナノチューブは、それぞれが炭素源及び触媒前駆体としての一酸化炭素及びフェロセンを用いるエアロゾル層流フローリアクタにおいて合成された。SWCNTsは、その後、直径2.45cmのニトロセルロース又は銀ディスクフィルタMilliporeCorp,USAを通じてフィルタリングされることにより、リアクタの気相ダウンストリームから直接収集された。この実施形態において、フィルターは、形成可能な基板の役割を果たす。フィルター表面の堆積温度は、45°Cであった。基板に形成されるSWCNT網の層厚は、所望の網厚さに応じて数秒から数時間に変更されうる堆積時間により制御された。測定結果は、ランダムに方向付けられたSWCNTの網が堆積されたことを示す。物理的な圧縮及び加熱熱圧縮は、構造に基板からコンフォーマルな手法で上に形成されたSWCNTの網を配置するために用いられた。熱圧縮は、まず、水に浸漬されることにより基板を軟化させ、その後、SWCNTの網が基板と構造との間に挟まれるように、基板と構造とが配置された2つの平行な加熱されたプレート間に力を加える。加熱された圧縮プレートは、また、必然的に、堆積基板、SWCNT-網及び遮蔽される構造を加熱させる。一実施例において、熱圧縮の後、基板は、SWCNTの網との接触から除去された。実施例2例えば、電磁放射に対する遮蔽のような、本発明に係る構造は、前記構造にコンフォーマルな手法で配置された多層構造を含みうる。多層構造は、単一のHARM-構造の網と比べて遮蔽を促進するために、例えば、多数のポリマー基板間に挟まれた多数のHARM-構造の網を含みうる。前記多相層素子は、第1のポリマー基板上にHARM-構造の第2の網を含みうる。HARM-構造の第1の網において、遮蔽される構造に面する側とは反対側に第1のポリマー基板が配置される。この多層素子は、よって、第1のポリマー基板の一方側の第1のHARM-構造の網と、第1のポリマー基板の他方側の第2のHARM-構造の網とを含む。第2の網が、第1及び第2のポリマー基板に挟まれる場合には、HARM-構造の第2の網上に第2のポリマー基板が存在しうる。熱圧縮は、二又はそれ以上のポリマー基板間に挟まれる一又はそれ以上のHARM-構造の網を有する多層構造を含む形成可能な素子を形成するために採用された。多層構造の形成の後、多層構造は、再び熱圧縮を用いて、遮蔽される構造にコンフォーマルな手法でプレスされた。熱圧縮工程は、多層構造が平行なプレートにおいて挟まれ、かつ構造が遮蔽されるように、遮蔽される多層構造と構造とが配置された2つの平行な加熱されたプレート間に力を加えることにより行われた。加熱された圧縮プレートにより、また、必然的に、遮蔽される構造が加熱される。実施例3本発明によれば、熱音響スピーカーは、湾曲したガラス基板において熱圧縮されるPET基板上の導電性のHARM-構造の網で製造される。電極が取り付けられ、スピーカーが、スピーカーを駆動するためのアンプの出力ジャックに取り付けられる。実施例4本発明によれば、例えば、HARM-構造の導電性網、すなわち、PET基板上のHARM-膜が、透明電極層及び/又は電荷キャリア分離層及び/又は電荷キャリア層として組み込まれる、FI20075757に概説される方法に基づいて太陽電池が製造されうる。太陽電池、つまり、形成可能な素子は、その後、湾曲したガラス基板において熱圧縮される。実施例5本発明によれば、例えば、集積されたタッチスクリーンを有する電気泳動ディスプイのような構造は、PET基板上の導電性HARM膜が、一又はそれ以上の透明電極層及び/又はバックプレーンのゲート層及び/又はバックプレーンの半導電層として組み込まれる、FI20095911に概説される方法に基づいて製造されうる。形成可能な素子は、その後、湾曲したガラス基板において熱圧縮される。実施例6本発明によれば、構造、例えば、タッチ検出表面及びハプティックインターフェース又はフィードバック表面が組み合わされて集積されたものを有する携帯電話が製造される。接触検知膜及びハプティックインターフェース又はフィードバック表面の両方として機能するように構成された素子は、PET基板上に導電性のHARM-構造を形成すること、つまり、形成可能な素子を形成すること、及び真空シーリングにより構造にこれをコンフォーマルに配置することにより製造される。この例では、形成可能な素子は、加熱され、その後、形成可能な素子が電話の形状に一致するconformedように真空引きされる。コンフォーマルに配置された素子の一部分は、タッチスクリーン及びハプティックインターフェースとして機能するためにディスプレイ領域を覆い、コンフォーマルに配置された素子の他の部分は、タッチスクリーン及びハプティックインターフェースとして機能するためにケーシングを覆う。接触検知膜及びハプティックインターフェースの組み合わせとして機能するように構成される素子の導電率は、1ohm/sqから100Mohm/sqであり、100ohm/sqから1Mohm/sqであることが好ましく、1kohm/sqから100kohm/sqであることがより好ましく、約10kohm/sqであることが最も好ましい。上記の電気伝導率を有するこの膜は、容量性ハプティックフィードバック又は電気活性ポリマーフィードバックのような、接触及び/又は近接検知及びハプティックフィードバックの両方に適している。この膜は、その後、適切なタッチ回路又は回路及び/又は適切なハプティック回路又は回路に接続された。膜を駆動する及び/又は監視する回路は、第1の時間において、対象物、例えば指のタッチが監視され、異なる第2の時間において、膜が同一の対象物にハプティック感覚を提供するように駆動されるようにこれらの2つを多重化することにより、タッチ検知機能とハプティックフィードバック機能とが切り替えられる。技術の進歩により本発明の基本概念は、様々な手法で実行されてもよいことが当業者にとって明らかである。本発明及びその実施形態は、よって、上述した実施例に限定されず、特許請求の範囲内で変更してもよい。"