"入力カプラと、前記入力カプラに接続された第1および第2の半導体アームと、前記第1および第2の半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、前記第1の半導体アームに設けられた第1位相制御電極、第1変調電極、および補助電極と、前記第2の半導体アームに設けられた第2位相制御電極および第2変調電極と、を備え、前記第2変調電極の電極実効長は、前記第1変調電極の電極実効長よりも大きいことを特徴とするマッハツェンダ干渉素子。変調信号は、前記第1変調電極および前記第2変調電極のみに入力されることを特徴とする請求項1記載のマッハツェンダ干渉素子。前記第1変調電極、前記第2変調電極、および前記補助電極には、同じ値のバイアスが印加されることを特徴とする請求項2記載のマッハツェンダ干渉素子。前記第1変調電極および前記補助電極の電極実効長の和は、前記第2変調電極の電極実効長と実質的に等しいことを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のマッハツェンダ干渉素子。前記第2変調電極は、前記第2の半導体アーム上で2つに分割され、前記第2変調電極の一方は、前記第1変調電極と同じ電極実効長を有し、前記第2変調電極の他方は、前記補助電極と同じ電極実効長を有し、前記分割された第2変調電極のいずれにも同じ変調信号が入力されることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のマッハツェンダ干渉素子。前記補助電極に、前記第1変調電極に入力される変調信号と同じ変調信号が入力されることを特徴とする請求項5記載のマッハツェンダ干渉素子。負チャープを生じさせるマッハツェンダ干渉素子において消光比をチューニングしようとすると、調整が煩雑になる。本発明は、上記課題に鑑み、負チャープを生じさせるマッハツェンダ干渉素子において、消光比のチューニングを容易にすることを目的とする。本発明に係るマッハツェンダ干渉素子は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された第1および第2の半導体アームと、前記第1および第2の半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、前記第1の半導体アームに設けられた第1位相制御電極、第1変調電極、および補助電極と、前記第2の半導体アームに設けられた第2位相制御電極および第2変調電極と、を備え、前記第2変調電極の電極実効長は、前記第1変調電極の電極実効長よりも大きいことを特徴とする。本発明に係る干渉素子によれば、消光比のチューニングが容易になる。変調信号は、前記第1変調電極および前記第2変調電極のみに入力されてもよい。前記第1変調電極、前記第2変調電極、および前記補助電極には、同じ値のバイアスが印加されてもよい。前記第1変調電極および前記補助電極の電極実効長の和は、前記第2変調電極の電極実効長と実質的に等しくてもよい。前記第2変調電極は、前記第2の半導体アーム上で2つに分割され、前記第2変調電極の一方は、前記第1変調電極と同じ電極実効長を有し、前記第2変調電極の他方は、前記補助電極と同じ電極実効長を有し、前記分割された第2変調電極のいずれにも同じ変調信号が入力されてもよい。前記補助電極に、前記第1変調電極に入力される変調信号と同じ変調信号が入力されてもよい。本発明に係るマッハツェンダ干渉素子によれば、消光比のチューニングを容易にすることができる。比較例1実施例の説明の前に、図1を参照しつつ、比較例1について説明する。図1は、比較例1に係るマッハツェンダ干渉素子200の模式図である。マッハツェンダ干渉素子200は、2×2MMIからなる入力カプラ11と、2×2MMIからなる出力カプラ12と、入力カプラ11と出力カプラ12とを接続する第1半導体アーム13aおよび第2半導体アーム13bと、を備える。第1半導体アーム13a上には、コンタクト層を介して位相調整用電極14aが設けられるとともに、変調用電極15aが設けられている。第2半導体アーム13b上には、コンタクト層を介して位相調整用電極14bが設けられるとともに、変調用電極15bが設けられている。比較例に係るマッハツェンダ干渉素子200においては、変調用電極15aの長さが変調用電極15bの長さと異なっている。この構成により、変調用電極15aと変調用電極15bとに同じセンターバイアスと同じ振幅の変調信号を与えて、マッハツェンダ干渉素子200の出力光強度がオフからオンに切り替わるときに光の周波数が低くなり、波長を長くすることができる。すなわち、マッハツェンダ干渉素子200は、負チャープ特性を有している。なお、電極の長さとは、電極自身の長さではなく、電極と半導体とが接している部分の長さ電極窓の長さである。この電極の長さのことを電極実効長と称する。マッハツェンダ干渉素子200の駆動時には、アイパターンのクロスポイントを50に設定し、かつ、消光比を大きくする必要がある。図2a~図2dは、無チャープ特性を有するマッハツェンダ干渉素子におけるクロスポイント調整および消光比調整について説明するための図である。無チャープ特性を有するマッハツェンダ干渉素子とは、各アームにおける変調用電極の電極実効長が同じに設定されている干渉素子である。図2aは、クロスポイント調整および消光比調整の前のアイパターンを示す。図2aの例では、各アームの変調用電極に入力される作動の変調信号のセンターバイアスが-2Vであり、信号振幅Vppが2Vに設定されている。次に、いずれか一方のアームの位相調整用電極を用いてクロスポイントが50に設定される。図2bは、設定されたクロスポイントでのアイパターンを示す。図2bの例では、一方の位相調整用電極に-5Vのバイアスが印加されている。次に、変調信号のセンターバイアスを変化させることによって、消光比を拡大する。図2cは、拡大された消光比を示し、図2dは、最大の消光比を示す。図2cの例では、センターバイアスが-4Vに設定されている。図2dの例では、センターバイアスが-6Vに設定されている。なお、無チャープ特性を有するマッハツェンダ干渉素子においては、センターバイアスを同じにすれば、消光比が変化してもアイパターンのクロスポイントは変化しない。つまり、消光比はセンターバイアスによって、またクロスポイントは位相調整用電極バイアスによって、各々独立にコントロールすることができる。また、位相調整用電極バイアスによって一度クロスポイントを50に設定すれば、センターバイアスを変えてもクロスポイントは殆ど変わらず、消光比だけを変えることができるため、調整が容易である。図3a~図3fは、負チャープ特性を有するマッハツェンダ干渉素子200におけるクロスポイント調整および消光比調整について説明するための図である。図3aは、クロスポイント調整および消光比調整の前のアイパターンを示す。図3aの例では、変調用電極15a,15bに入力される作動の変調信号のセンターバイアスが-2Vであり、信号振幅Vppが2Vに設定されている。次に、位相調整用電極14a,14bのいずれかを用いてクロスポイントが50に設定される。図3bは、設定されたクロスポイントでのアイパターンを示す。図3bの例では、位相調整用電極14a,14bのいずれかに-5Vのバイアスが印加されている。次に、変調信号のセンターバイアスを変化させることによって、消光比を拡大する。この場合、負チャープ特性を有するマッハツェンダ干渉素子200では、センターバイアスを同じにしても、当該センターバイアスが印加される変調用電極15aの長さと変調用電極15bの長さとが異なることから、クロスポイントもずれてしまう。図3cは、センターバイアスが-4Vに設定され、消光比が拡大してクロスポイントが50からずれた例を示す。そこで、位相調整用電極14a,14bを用いて、クロスポイントを再度50に調整する。図3dは、クロスポイントが調整された例を示す。図3dの例では、位相調整用電極14a,14bのいずれかに-6Vのバイアスが印加されている。次に、変調信号のセンターバイアスを変化させることによって、消光比を拡大する。この場合においても、消光比の拡大に伴ってクロスポイントがずれる。図3eは、消光比が拡大してクロスポイントが50からずれた例を示す。図3fは、さらにクロスポイントが調整された例を示す。このように、負チャープ特性を有するマッハツェンダ干渉素子200では、消光比調整の際にクロスポイントがずれることから、消光比調整が煩雑となる。以下の、実施例においては、消光比の調整が容易なマッハツェンダ干渉素子について説明する。図4aは、実施例1に係るマッハツェンダ干渉素子100の上面模式図の例である。図4aに示すように、マッハツェンダ干渉素子100は、半導体基板上のメサ状の光導波路の経路を組み合わせて構成される。なお、図4aにおいては、各光導波路が透過して見えている。図4bは、図4aのA-A間の断面模式図の例であり、図4cは、図4aのB-B間の断面模式図の例である。図4bを参照して、光導波路は、半導体基板41上に形成されている。半導体基板41は、図3bの半導体基板1と共通の半導体基板であってもよい。光導波路は、半導体基板41上において、下クラッド層42a、コア43、上クラッド層42bがこの順にメサ状に積層された構造を有している。半導体基板41の上面、光導波路の上面および側面には、パッシベーション膜44および絶縁膜45が順に積層されている。半導体基板41は、InPなどの半導体からなる。下クラッド層42aおよび上クラッド層42bは、InPなどの半導体からなる。コア43は、下クラッド層42aおよび上クラッド層42bよりもバンドギャップエネルギが小さい半導体からなり、InGaAsP系バルク層、AlGaInAsP系量子井戸構造層などである。コア43を通過する光は、下クラッド層42aおよび上クラッド層42bによって閉じ込められる。パッシベーション膜44は、InPなどの半導体からなる。絶縁膜45は、SiNなどの絶縁体からなる。図4aを参照して、マッハツェンダ干渉素子100には、第1入力端31aに接続された第1入力光導波路32aが設けられ、第2入力端31bに接続された第2入力光導波路32bが設けられている。第1入力光導波路32aおよび第2入力光導波路32bは、入力カプラ33で合流し、第1半導体アーム34aおよび第2半導体アーム34bに分岐する。マッハツェンダ干渉素子100の長手方向を対称軸とした場合に、第1半導体アーム34aは第1入力端31aと同じ側に配置され、第2半導体アーム34bは第2入力端31bと同じ側に配置されている。本実施例においては、入力カプラ33は、2×2のMMIMaltiModeInterferenceである。第1半導体アーム34aおよび第2半導体アーム34bは出力カプラ35で合流し、第1出力端37aに接続された第1出力光導波路36aと、第2出力端37bに接続された第2出力光導波路36bとに分岐する。マッハツェンダ干渉素子100の長手方向を対称軸とした場合に、第1出力端37aは第2半導体アーム34bと同じ側に配置され、第2出力端37bは第1半導体アーム34aと同じ側に配置されている。本実施例においては、出力カプラ35は、2×2のMMIである。第1半導体アーム34aには、位相調整用電極46aと変調用電極47aと補助電極48とが互いに離間して設けられている。位相調整用電極46a、補助電極48および変調用電極47aの位置関係は特に限定されるものではないが、本実施例においては、光入力端側から位相調整用電極46a、補助電極48および変調用電極47aの順に設けられている。第2半導体アーム34bには、位相調整用電極46bと変調用電極47bとが互いに離間して設けられている。位相調整用電極46bおよび変調用電極47bの位置関係は特に限定されるものではないが、本実施例においては、光入力端側から位相調整用電極46bおよび変調用電極47bの順に設けられている。図4cを参照して、変調用電極47a,47bは、上クラッド層42b上において、コンタクト層49を介して配置されている。コンタクト層49は、InGaAsなどの半導体からなる。なお、上クラッド層42bとコンタクト層49との間には、パッシベーション膜44および絶縁膜45は設けられていない。また、位相調整用電極46a,46b、変調用電極47a,47bおよび補助電極48は、Auなどの金属からなる。位相調整用電極46a,46bおよび補助電極48も、上クラッド層42b上において、コンタクト層49を介して配置されている。位相調整用電極46a,46bおよび各変調用電極47a,47bに電圧が印加されると、第1半導体アーム34aおよび第2半導体アーム34bにおいてコア43の屈折率が変化し、第1半導体アーム34aおよび第2半導体アーム34bを通過する光の位相が変化する。マッハツェンダ干渉素子100を変調器として用いる場合には、駆動回路21から変調用電極47a,47bに差動の変調信号が入力され、位相調整用電極46a,46bには第1半導体アーム34aを通過した光と第2半導体アーム34bを通過した光との位相差を調整するためのDCバイアスがDC電源22から印加される。補助電極48には、変調用電極47a,47bに入力される変調信号のセンターバイアスがDC電源23から印加される。本実施例における電極実効長は、コア43上方において、各電極がコンタクト層49を介して設けられている長さのことである。本実施例においては、変調用電極47bの電極実効長が変調用電極47aの電極実効長よりも大きく設定されている。本実施例においては、補助電極48を設けたことから、第1半導体アーム34aと第2半導体アーム34bとの間で、センターバイアスが印加される電極実効長の差が小さくなる。この場合、消光比を調整する際にクロスポイントのずれが小さくなる。図5a~図5dは、マッハツェンダ干渉素子100におけるクロスポイント調整および消光比調整について説明するための図である。図5aは、クロスポイント調整および消光比調整の前のアイパターンを示す。図5aの例では、変調用電極47a,47bおよび補助電極48に入力されるセンターバイアスが-2Vであり、変調用電極47a,47bに入力される差動の変調信号の信号振幅Vppが2Vに設定されている。次に、位相調整用電極46a,46bのいずれかを用いてクロスポイントが50に設定される。図5bは、設定されたクロスポイントでのアイパターンを示す。図5bの例では、位相調整用電極46a,46bのいずれかに-5Vのバイアスが印加されている。次に、変調用電極47a,47bおよび補助電極48に入力されるセンターバイアスを変化させることによって、最大の消光比を探す。図5cは、拡大された消光比を示す。図5cの例では、変調用電極47a,47bに入力されるセンターバイアス、および補助電極48に入力されるDCバイアスが-4Vに設定されている。図5cに示すように、クロスポイントのずれが小さくなっている。これは、第1半導体アーム34aと第2半導体アーム34bとの間で、センターバイアスが印加される電極実効長の差が小さくなっているからである。図5dは、最大の消光比を示す。図5dの例では、変調用電極47a,47bに入力されるセンターバイアス、および補助電極48に入力されるDCバイアスが-6Vに設定されている。補助電極48の電極実効長は、特に限定されるものではないが、補助電極48の電極実効長と変調用電極47aの電極実効長との和が、変調用電極47bの電極実効長に近いほど好ましく、同一であることがより好ましい。なお、補助電極48に入力されるDC電圧は変調用電極47a,47bに入力される変調信号のセンターバイアスと同じであることが好ましいが、異なっていてもよい。図6aは、実施例2に係るマッハツェンダ干渉素子100aの上面模式図の例である。図6aに示すように、マッハツェンダ干渉素子100aが図4aのマッハツェンダ干渉素子100と異なる点は、第2半導体アーム34bの変調用電極47bが互いに離間した複数の電極に分割されている点である。この場合、変調用電極47bの電極実効長は、分割された複数の電極の電極実効長の合計である。本実施例においては、変調用電極47bの分割された全ての複数の電極に同一の変調信号が入力される。本実施例においては、変調用電極47bの電極実効長が変調用電極47aの電極実効長よりも大きく設定されている。補助電極48を設けたことから、第1半導体アーム34aと第2半導体アーム34bとの間で、センターバイアスが印加される電極実効長の差が小さくなる。それにより、消光比を調整する際にクロスポイントのずれが小さくなる。なお、変調用電極47bが2つの電極に分割されている場合、一方の電極の電極実効長と変調用電極47aの電極実効長とが同一であり、他方の電極の電極実効長と補助電極48の電極実効長とが同一であることが好ましい。この場合、第1半導体アーム34aと第2半導体アーム34bとで、電極パターンを同一にすることができる。それにより、第1半導体アーム34aと第2半導体アーム34bとで、センターバイアスが印加される電極実効長が同一となるため、クロスポイントのずれをより抑制することができる。この結果、無チャープ特性を有するマッハツェンダ干渉素子におけるクロスポイント調整および消光比調整と同様に、消光比はセンターバイアスによって、またクロスポイントは位相調整用電極バイアスによって、各々独立にコントロールすることができる。また、位相調整用電極バイアスによって一度クロスポイントを50に設定すれば、センターバイアスを変えてもクロスポイントは殆ど変わらず、消光比だけを変えることができるため、調整が容易である。また、変調用電極47bの電極実効長と変調用電極47aおよび補助電極48の電極実効長の和とが同一であれば、補助電極48にも変調用電極47aと同じ変調信号を入力することによって、無チャープ駆動を実現することもできる。図6bは、無チャープ駆動を実現するための構成図である。他の例上記各実施例においては、入力カプラおよび出力カプラとして2×2MMIを用いたが、1×2MMIなどを用いてもよい。また、方向性結合器をMMIの代わりに用いてもよい。以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。"