少なくとも第1のウエハ20と第2のウエハ30との間を分子接着接合する方法であって、少なくとも機械的位置合せのステップと、前記2つのウエハ20、30を接触させるステップと、前記2つのウエハの間の接合波の伝播を開始するステップと、を含む、方法において、機械的位置合せの前記ステップ及び前記2つのウエハを接触させる前記ステップの間、前記ウエハが、所定圧力閾値以上の第1の圧力P1の環境に配置され、接合波の伝播を開始する前記ステップの間、前記ウエハ20、30が、前記所定圧力閾値未満の第2の圧力P2の環境に配置されることを特徴とする方法。前記所定の圧力閾値が20ミリバール以上、5ミリバール以下であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記機械的位置合せ及び前記2つのウエハ20、30を接触させる前記ステップの前に、前記2つのウエハの間の空間を維持するように前記2つのウエハの間に少なくとも3つのスペーサ要素41、42、43を介在させると同時に、前記ウエハが互いに面するように配置され、前記機械的位置合せ及び前記2つのウエハ20、30を接触させる前記ステップが、前記スペーサ要素のうちの1つ41を後退させるステップと、前記2つのウエハ20、30に対して、前記2つのウエハを互いに対して位置合せするように、プッシャ44によって第1の横方向力を加えるステップであって、前記ウエハが少なくとも1つの保持フィンガ45;46によって保持されている、ステップと、他のスペーサ要素42、43を後退させるステップと、前記プッシャ44を後退させるステップと、前記2つのウエハ20、30に対して前記プッシャ44によって第2の横方向力を加えるステップと、前記プッシャ44を後退させるステップとを含むことを特徴とする、請求項1又は2に記載の方法。接合波を開始する前記ステップの間、前記ウエハが、前記接合波を自発的に開始するように、1mbar未満の第2の圧力の環境に配置されることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。接合波を開始する前記ステップが、前記2つのウエハのうちの一方の上に機械的圧力点を与えるステップを含むことを特徴とする、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。前記2つのウエハのうちの一方の上に前記機械的圧力点によって加えられる機械的圧力が、1MPa以上、33.3MPa以下であることを特徴とする、請求項4に記載の方法。第1のウエハ100の第1の面101の上に第1の一連のマイクロコンポーネント110を製作するステップと、少なくとも機械的位置合せのステップ、及び前記第1の一連のマイクロコンポーネントを備えた前記第1のウエハ100の前記第1の面を第2のウエハ200の面と接触させるステップとを含み、その後に、前記2つのウエハ100、200の間の接合波の伝播を開始するステップが続く、3次元複合構造300を製造する方法において、機械的位置合せの前記ステップ、前記ウエハを接触させる前記ステップ、及び前記ウエハの間の接合波の伝播を開始する前記ステップが、請求項1~6のいずれか一項に記載の接合方法に従って行われることを特徴とする方法。前記接合ステップの後、前記第1のウエハ100を薄層化して層100aを形成するステップを含むことを特徴とする、請求項7に記載の方法。前記層100aの、前記第1の一連のマイクロコンポーネント110を備えた前記面と反対側の面102に、第2の一連のマイクロコンポーネント140を製作するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項8に記載の方法。前記接合するステップの前に、前記第1の基板100の前記第1の一連のマイクロコンポーネント110を備えた前記面の上に、酸化物層を形成するステップを含むことを特徴とする、請求項7~9のいずれか一項に記載の方法。前記第1の基板100がSOI型の構造であることを特徴とする、請求項7~10のいずれか一項に記載の方法。少なくとも前記第1の一連のマイクロコンポーネント110がイメージセンサを備えることを特徴とする、請求項7~11のいずれか一項に記載の方法。ウエハ200と、分子接着により前記ウエハに接合された半導体結晶材料の層と、を備え、前記層が、前記層と前記ウエハとの間の接合界面の付近に位置する第1の面と、前記第1の面と反対側の第2の面と、を有し、前記半導体結晶材料の層が、その第1の面に第1の一連のマイクロコンポーネントを備え、その第2の面に前記第1の一連のマイクロコンポーネントと位置合せされている第2の一連のマイクロコンポーネントを備える、3次元複合構造300であって、前記第1の一連のマイクロコンポーネントと前記第2の一連のマイクロコンポーネントとの間の残留位置合せずれが、当該構造の表面全体にわたって均一に100nm未満である、3次元複合構造。前記第1の一連のマイクロコンポーネントと前記第2の一連のマイクロコンポーネントとの間の残留位置合せずれが、当該構造の表面の少なくとも50にわたって50nm未満である、請求項13に記載の3次元複合構造。当該構造の直径が300mm以上である、請求項13又は14に記載の3次元複合構造。前記マイクロコンポーネントの少なくともいくつかがイメージセンサである、請求項13~15のいずれか一項に記載の3次元複合構造。本発明の目的は、低圧接合の利点を保持しながら、ウエハ又は基板において分子接着による別のウエハ又は基板上への接合中に発生する不均一な変形を制限することを可能にする、解決法を提供することである。この目的のために、本発明は、少なくとも第1のウエハと第2のウエハとの間を分子接着接合する方法であって、少なくとも機械的位置合せのステップと、2つのウエハを接触させるステップと、2つのウエハの間の接合波の伝播を開始するステップとを含む方法を提供し、本方法では、機械的位置合せの前記ステップ及び2つのウエハを接触させる前記ステップの間、ウエハは、所定圧力閾値以上の第1の圧力の環境に配置され、接合波の伝播を開始する前記ステップの間、ウエハは、前記所定圧力閾値未満の第2の圧力の環境に配置される。本発明の方法により、機械的位置合せのステップ及びウエハを接触させるステップのすべてを、接合波の伝播を開始する危険なしに行うことが可能になる。それは、これらのステップ中に、ウエハの環境の圧力がしかるべく選択された所定閾値を上回るように維持されるためである。結果として得られる構造における不均一な変形の危険は、このように、接合波の伝播の開始の瞬間を、すなわちウエハが正しく位置合せされ且つ完全に接触する瞬間を制御することによって回避される。接合波の伝播の開始が、所定圧力閾値を下回る第2の圧力で発生するため、ボイドタイプの欠陥が非常にわずかであり変形が制御される優れた接合がさらに得られる。3D集積化の特定の場合において、これにより、マイクロコンポーネントの追加の層の後続する形成中、又は各々が相互に位置合せされるように意図されたマイクロコンポーネントを備える、2つのウエハの接合中における、位置合せ不良すなわちオーバーレイの危険が大幅に低減する。本発明の一態様によれば、所定圧力閾値は20ミリバール以上、5ミリバール以下である。たとえば、機械的位置合せ及び2つのウエハを接触させるステップの間、2つのウエハは、約400ミリバールの第1の圧力の環境に配置される。しかしながら、第1の圧力は、本発明の範囲から逸脱することなく周囲圧力に近づくか又は周囲圧力を超えてもよい。本発明の方法の特定の実施形態によれば、機械的位置合せ及び2つのウエハを接触させるステップの前に、2つのウエハの間の空間を維持するように2つのウエハの間に少なくとも3つのスペーサ要素を介在させると同時に、ウエハは互いに面するように配置され、機械的位置合せ及び2つのウエハを接触させるステップは、スペーサ要素のうちの1つを後退させるステップと、2つのウエハに対して、2つのウエハを互いに対して位置合せするように、プッシャによって第1の横方向力を加えるステップであって、ウエハが少なくとも1つの保持フィンガによって保持されている、ステップと、他のスペーサ要素を後退させるステップと、プッシャを後退させるステップと、2つのウエハに対してプッシャによって第2の横方向力を加えるステップと、プッシャを後退させるステップとを含む。本発明の態様によれば、接合波を開始するステップの間、ウエハは、接合波を自発的に開始するように、1mbar未満の第2の圧力の環境に配置される。本発明の別の態様によれば、接合波を開始するステップは、2つのウエハのうちの一方の上に機械的圧力点を与えるステップを含む。本発明はまた、第1のウエハの一面の上にマイクロコンポーネントの第1の層を製作するステップと、少なくとも機械的位置合せのステップ、及びマイクロコンポーネントの層を備えた前記第1のウエハの面を第2のウエハの面と接触させるステップとを含み、その後に、2つのウエハの間の接合波の伝播を開始するステップが続く、3次元複合構造を製造する方法において、機械的位置合せのステップ、ウエハを接触させるステップ、及びウエハの間の接合波の伝播を開始するステップが、本発明による接合方法に従って行われる、方法に関する。低圧で行われる分子接着接合の本発明の方法を用いることにより、マイクロコンポーネントの層の転写中に、位置合せ不良オーバーレイの現象をなくすか又は制限し、非常に高品質の多層半導体ウエハを製造することができる。マイクロコンポーネントの層は、特にイメージセンサを構成することができる。本発明はさらに、ウエハと、分子接着により前記ウエハに接合された半導体結晶材料の層とを備え、当該層が、当該層とウエハとの間の接合界面の付近に位置する第1の面と、第1の面と反対側の第2の面とを有し、半導体結晶材料の層が、その第1の面に第1の一連のマイクロコンポーネントを備え、その第2の面に第1の一連のマイクロコンポーネントと位置合せされる第2の一連のマイクロコンポーネントを備える、3次元複合構造であって、第1の一連のマイクロコンポーネントと第2の一連のマイクロコンポーネントとの間の残留位置合せずれが、本構造の表面全体にわたって均一に100nm未満である、3次元複合構造に関する。このように残留位置合せが制限されることにより、短絡、歪み又は2つの一連のマイクロコンポーネントのうちのマイクロコンポーネント間の接続不良等の製造欠陥の発生が大幅に低減する。第1の一連のマイクロコンポーネントがピクセルによって形成された撮像素子を構成し、第2の一連のマイクロコンポーネントが各ピクセルと位置合せされるように意図されたカラーフィルタを構成する場合、すべてのピクセルに対して着色機能を保証することができる。本発明の態様によれば、第1の一連のマイクロコンポーネントと第2の一連のマイクロコンポーネントとの間の残留位置合せずれは、本構造の表面の少なくとも50にわたって50nm未満である。本発明の別の態様によれば、本構造は、直径が300mm以上である。さらに本発明の別の態様によれば、マイクロコンポーネントの少なくともいくつかはイメージセンサである。添付図面を参照して、限定しない例として示す本発明の特定の実施形態の以下の説明から、本発明の他の特徴及び利点が明らかとなろう。本発明は、概して、少なくとも、第1の基板又はウエハを第2の基板又はウエハの上に分子接着接合することを含む、複合構造の製造に適用される。分子接着接合は、それ自体周知の技法である。分子接着接合の原理は、2つの表面を直接、すなわち、特別な材料接着剤、ワックス、ろう等を用いることなく接触させることに基づくことを想起されたい。こうした操作には、接合される表面が十分に平滑であって粒子又は汚染物質のないことと、それらが、通常は数ナノメートル未満の距離で、接触を開始するのを可能にするために十分互いに近接することとが必要である。この場合、2つの表面の間の引力は、接合波の伝播をもたらすために十分強く、それにより分子接着接合される2つの表面の原子又は分子の間の電子相互作用のすべての引力ファンデルワールス力によって引き起こされる接合がもたらされる。分子接着は、一方のウエハ上の少なくとも1つの接触点からの接合波の伝播をトリガするために、その接触点がもう1つのウエハと密接な接触を開始することによって達成される。ここで、接合波は、開始点から伝播し、2つのウエハ間の密接に接触する表面全体接合界面にわたる、接触点からの引力ファンデルワールス力の広がりに対応する、連結又は分子接着の前面を指す。接触点は、通常、2つのウエハのうちの一方の露出面の上に機械的圧力を加えることによって開始する。しかしながら、この接触点を、接触している2つのウエハを、非常に低い圧力、通常は5ミリバールmbar未満の圧力にさらすことにより、及び/又は一方のウエハの他方のウエハに対する重力の作用により、自発的に発生させてもよい。低圧での分子接着接合により、接合の品質を向上させることができるが、本出願人は、接合、より正確には接合波の伝播が、機械的位置合せ及びウエハを接触させる段階に開始した場合、ウエハに不均一な変形がもたらされる可能性があることを観察した。この目的で、本発明は、ウエハを、それを下回ると2つのウエハの処理中にそれらの間の接合波の伝播を開始する危険がある値である所定圧力閾値を上回る圧力を有する環境に置くことにより、機械的位置合せの操作及びそれらウエハを接触させる操作を行うことを提案する。周囲圧力という用語は、接合チャンバ内に自発的に、すなわち圧送手段を用いることなく広がっている圧力を意味するように意図されており、この圧力は、接合装置が配置されている環境の大気圧に対応する。圧力閾値は、大気圧を下回る。これらの操作が行われると、2つのウエハの間の接合波の伝播の開始を可能にするために、チャンバの圧力を定義された圧力閾値未満に低減することができる。ここで、本発明の方法の実施形態による2つのウエハの間の分子接着接合の実施形態について、図1及び図2A~図2Iを参照して説明する。図2Aでは、接合装置100のチャンバ110内に第1のウエハ即ち基板20が配置されており、チャンバは基板保持装置40を備えているステップS1。基板保持装置40は、平面性不良が好ましくは15ミクロン未満である支持板40aを備えている。支持板40aは、第1のウエハ20を第2のウエハ即ち基板30との分子接着によって組み立てる目的で、たとえば、支持板40aに関連する静電システム又は吸引システムにより、又は単純な重力により、第1のウエハ20を保持する。ウエハを保持する関連システム静電又は吸引によるは、位置合せ不良オーバーレイの問題を増大させることがないようにウエハを変形させないことが確認される限り使用される。ウエハ20が支持板上に保持されると、一時的に2つのウエハが接触するのを防止するように意図された3つのスペーサ要素41~43が適所に置かれる。接合装置は、ヘッド441を備えたプッシャ44をさらに備えている。プッシャ44は、図2Aに示すようにヘッド441が、ウエハ20及び30の縁から一定距離にあり、且つウエハに力を加えない後退位置と、図2Bに示すようにヘッド441が、ウエハ20及び30の縁に当接し、且つ、2つの保持フィンガ45及び46によって両側で保持される2つのウエハに対し、原則的に半径方向に位置合せ力を加え、フィンガ45は、ウエハ20及び30においてそれぞれ切欠き21及び31の形態で形成された位置合せマークと相互作用するように意図されている、機械的位置合せ位置との間で変位する。プッシャ44のヘッド441は、その位置合せ位置において、ウエハに対して推力を加え、それによりウエハを、保持フィンガ45及び46に当接するように配置することができ、それらの位置合せを確実にすることができる。そして、ウエハ30は、ウエハ30の下面32をウエハ20の上面22に面するように配置するように、スペーサ要素41~43上に置かれる図2B、ステップS2。この瞬間、プッシャ44はその機械的位置合せ位置にあり、ウエハに対しフィンガ45及び46に向かって保持力を加える。周知の方法で、接合されるように意図されたウエハ20及び30のそれぞれの面22及び32は、分子接着を可能とするために準備されている研磨、洗浄、疎水/親水処理等。後続する操作中、スペーサ要素41は後退し、その後、プッシャ44がその後退位置に配置され図2C、ステップS3、それにより、スペーサ要素41及び保持フィンガ45の位置にあるウエハ30の部分がウエハ20の上に下降する。プッシャ44が、ウエハを位置合せされた状態で維持するために、再びその位置合せ位置に配置される図2D、ステップS4。スペーサ要素は依然として2つのウエハの間にあり、すなわち、この場合、プッシャ44が、依然としてウエハを位置合せされた状態で保持するその位置にある間に、スペーサ要素42及び43が後退し図2E、ステップS5、その瞬間、ウエハ20及び30に圧縮応力がかかる。そして、ウエハに加わる応力を緩和するために、且つウエハ33をフィンガ45及び46に接して保持されている状態から解放し、ウエハ30の下面がウエハ20の上面に完全に載ることができるようにするために、プッシャ44はその後退位置に配置される図2F、ステップS6。接合波の伝播が開始する前にウエハ20及び30が適切に位置合せされることを確実にするために、プッシャ44は再びその機械的位置合せ位置に配置される図2G、ステップS7。そして、ウエハ20及び30上に加えられた応力を緩和するために、プッシャはその後退位置に配置される図2H、ステップS8。本発明によれば、上述したステップS1~S8は、ウエハを第1の圧力P1である環境に配置している間に行われる。この目的で、図2A~図2Hに示すように、位置合せ並びにウエハ20及び30を漸次接触させるステップS3~S8は、周囲圧力と等しいか若しくはそれより高いか、又は周囲圧力を下回るが所定圧力閾値を上回る圧力であり得る圧力が広がっているチャンバ110内で行われる。後者の場合、チャンバは、真空ポンプ等の部分排気手段を備えている図2A~図2Hには表していない。より正確には、上述したように、機械的位置合せ及びウエハを接触させるステップの間に接合伝播が開始しないように、第1の圧力P1は、所定圧力閾値を上回り、たとえば20mbar以上、5mbar以下にある。特に、ステップS3以降、ウエハ30の接合面31の一部は、ウエハ20の接合面21に接触している。したがって、この瞬間以降、ウエハが、圧力が圧力閾値を下回る環境に配置されたとすると、ウエハの処理中、特にプッシャとウエハとの接触中、又はプッシャがウエハ30をウエハ20上に下降させるように後退する時、ウエハに加えられるいかなる接触又は衝撃も、接合波の伝播の開始をもたらしやすくなる。閾値を上回る圧力P1を用いることにより、本方法のこの段階において、ウエハの不均一な変形及び後続する位置合せ不良の現象オーバーレイをもたらす可能性のある、接合波の伝播をトリガしないようにすることができる。ステップS1~S8の間にウエハが配置される環境の圧力P1は、一定であっても一定でなくてもよいすなわち、位置合せ及び接触のステップの間に可変である可能性がある。機械的位置合せのステップ及びウエハを接触させるステップの後、分子接着接合が行われるステップS9。この目的で、チャンバ110の圧力は、圧力閾値を下回る第2の圧力P2、すなわち、通常は20mbar未満、好ましくは5mbar未満の圧力まで低下する。チャンバ内の圧力P2を非常に低い値、通常は5mbar未満まで低下させることにより、ウエハ20とウエハ30との間で接合波の伝播の開始を自発的に開始することができる。ステップS9中にウエハが配置される環境の圧力P2は、一定であっても一定でなくてもよいすなわち、開始ステップの間に可変である可能性がある。図2Iに示すように、別法として、接合波の伝播の開始を、ウエハ30の上に機械的接触点を与えるのを可能にするスタイレット51を備えたツール50によって行うことができる。有利には、但し強制ではないが、スタイレット51によりウエハ30上に加えられる機械的圧力を、接触点のレベルにおいて変形を制限するように制御することができる。図2Iに非常に概略的に示すように、ツール50は、動力計53を備えることができる。スタイレット51は、動力計53に接続され、自由端52を備え、それにより、2つのウエハ20及び30の間の接触点を開始するために機械的圧力がウエハ30上に加えられる。ツール50のウエハ30との接触面積52aの値が分かると、ツールによりウエハに加えられる支持力F支持力=機械的圧力×支持面を制御することにより、1MPa~33.3MPaの機械的圧力を加えることができる。このように、接触点の開始中に2つの基板のうちの一方に加えられる圧力を制限することにより、接触している2つのウエハの面のすべてに対する分子接着接合を行っている間に、ウエハにおいて発生する不均一な変形が低減する。端部52によってウエハ30上に加えられている支持力は、動力計53を用いて監視される。ウエハと接触するように意図された支持要素、より詳細には、支持要素の端部を、Teflon登録商標、シリコーン又はポリマー等の材料で作製するか又はそれで覆ってもよい。概して、支持要素の端部は、制御された方法で圧力を加えることができるために十分に剛性な材料で作製されるか又は覆われる。特に、柔軟すぎる材料は、変形し、不正確な接触面をもたらし、したがって、加えられる圧力が正確でなくなる可能性がある。さらに、硬すぎる材料では、ウエハの表面に欠陥圧痕が形成される可能性がある。機械的位置合せ及びウエハを接触させるステップと接合波の伝播を開始するステップとの間の遷移段階において、圧力を再び上昇させることがさらに可能である。本発明の方法は、分子接合に適合性のあるいかなるタイプの材料、特にシリコン又はゲルマニウム等の半導体材料、ガラス、石英、サファイア等の組立てにも適用可能である。組み立てられるウエハは、特に、直径が100mm、150mm、200mm、300mm又は450mmであり得る。ウエハは、それらの表面の大部分に又は限られた領域にのみマイクロコンポーネントをさらに備えることができる。本発明の接合方法の排他的ではない1つの特定の分野は、3次元構造の製造の分野である。ここで、本発明の実施形態による、初期基板上に形成されたマイクロコンポーネントの層を最終基板の上に転写することにより3次元構造を製造する方法を、図3A~図3D及び図4を参照して説明する。3次元構造の製造は、好ましくは半導体結晶材料から作製された初期ウエハ即ち基板100の表面上に、第1の一連のマイクロコンポーネント110を形成することで開始する図3A、ステップS10。マイクロコンポーネント110は、コンポーネント全体及び/又はその一部のみであり得る。初期基板100は、単層構造、たとえばシリコンの層であってもよく、又はSOI型の構造等、多層構造であってもよい。マイクロコンポーネント110は、製造されるマイクロコンポーネント110に対応するパターンを形成するための領域を画定することを可能にするマスクを用いて、フォトリソグラフィによって形成される。フォトリソグラフィによるマイクロコンポーネント110の形成中、初期基板100は、基板保持装置120上に保持される。基板保持装置は支持板120aを備え、その上に、たとえば支持板120aに関連する静電又は吸引システムにより、初期基板100が押圧される。そして、マイクロコンポーネント110を備える初期基板100の面101が、分子接着による接合の目的で、最終ウエハ即ち基板200の面201に面し且つ接触するように配置されるステップS20、図3B。本発明によれば、上述したステップS3~S8等、機械的位置合せ及び初期基板100を最終基板200と接触させるステップS20は、これらのステップ中において接合波伝播のいかなる開始も回避するために、圧力が5mbarを上回る筐体又はチャンバ図6Bには表していないにおいて行われる。代替実施形態によれば、基板保持装置によって保持されるのは、マイクロコンポーネントのない最終基板200であり、初期基板100が最終基板200の上部に置かれる。マイクロコンポーネント110を備え、且つ初期基板100と最終基板200との接合界面の付近及び/又は面101に接合されるように意図された最終基板200の面201に位置する、初期基板100の面101に、たとえばSiO2の酸化物層をさらに形成することができる。本発明によれば、互いに接触した、位置合せされた基板100及び200を収容しているチャンバ又は筐体図3A~図3Dには表してない内の圧力は、5mbar未満の値まで低下し、それにより、上述したように、基板の間の自発的接合を開始することができるステップS30、図3B。実際には、ほとんどの場合、チャンバ内の圧力の5mbar未満、好ましくは3mbar未満の値までの低下、接触点の開始及び接合波の伝播は、自発的に、すなわち、ウエハに追加の機械的圧力を加えることなく発生する。チャンバ又は筐体内への圧力を5mbar未満に低下させることは、この開始を自発的にトリガするのに十分であった。これらの低圧条件下で、下にある基板上における基板の重量は、分子接合を自発的に開始するのに十分であることが、目下考えられる。チャンバ内の圧力が、5mbar未満まで、又はいかなる場合も接触点の開始を確実にするように低下しない場合、基板200上に、好ましくはその縁に近接して機械的圧力Pmを加えることにより、2つの基板間で接触点を開始することも可能である。上に示したように、圧力Pmは、1MPa~33.3MPaにあってもよく、1mm2以下の支持面上に加えられることが可能である。接触点の開始により、初期基板100と最終基板200との界面にわたって接合波が伝播することになる。そして、2つの基板は、接触しているそれらの面全体接合界面にわたって分子接着により互いに接合する。基板100と基板200との間の接合界面において、このようにマイクロコンポーネント110の埋込層が得られる。接合後、図3Cに表すように、第1の一連のマイクロコンポーネント110の上方に存在する材料の一部を除去し、半導体結晶材料110aの層を形成するために、初期基板100が薄層化されるステップS40。基板100がSOI型の基板である場合、残りの層100aの厚さを区切るために、埋込絶縁層を有利に用いることができる。そして、最終基板200と初期基板100の残りの部分に対応する層100aとによって形成される、複合構造300が得られる。初期基板100を、特に化学機械研磨CMPにより、化学エッチングにより、又は事前に原子注入により基板に形成された脆弱面に沿ったへき開又は破断により、薄層化することができる。図3Dに表すように、3次元構造の製造における次のステップは、層100aの露出面102に第2の一連のマイクロコンポーネント140を形成することにある図3D、ステップS50。マイクロコンポーネント140は、最終コンポーネントを形成するため及び/又はマイクロコンポーネント140と共に機能するように意図されたコンポーネントを分離するために、マイクロコンポーネント110の相補的な部分に対応することができる。マイクロコンポーネント140を埋め込まれたマイクロコンポーネント110と位置合せされるように形成するために、マイクロコンポーネント110を形成するために用いたものと同様のフォトリソグラフィマスクが用いられる。マイクロコンポーネント110を形成する場合と同様に、最終基板200及び層100aによって形成された複合構造300は、装置120と同一の基板保持装置130の支持板130a上に保持される。そして、層100aの自由面にフォトリソグラフィマスクが付与される。変形では、3次元構造は、積層体によって形成され、その各層は、本発明の組立方法によって追加されており、当該各層は、直接隣接する層と位置合せされている。さらに別の変形では、最終基板200自体もまたマイクロコンポーネントを備える。本発明の分子接着接合方法により、変形なしに又は最低限変形が低減して最終基板上に初期基板100を接合することが可能となり、それにより、初期基板100の最終基板200上への転写の前後に、マイクロコンポーネント110の著しい残留位置合せずれがもはや観察されなくなる。したがって、ウエハの表面全体にわたり均一に、残留ずれを100nm未満の値に制限することができる。図3の特定の実施形態では、面101上に第1の一連のマイクロコンポーネント110を備えた初期基板100は、最初に接合支持体の上に配置される。そして、最終ウエハ即ち基板200が初期基板100の上に配置され、その面201は基板100の面101に面し且つ接触する。圧力が5mbar未満、又は好ましくは3mbar未満の値まで低減している間に観察された、自発的接合、すなわち追加の機械的圧力を与えることのない接合により、第1の一連のマイクロコンポーネント110及び第2の一連のマイクロコンポーネント140の位置合せされたマイクロコンポーネントの対の間の残留位置合せずれΔraoが、ウエハの表面全体にわたって均一に100nm未満の値に、且つウエハの表面の少なくとも50にわたって50nm未満の値に制限されることになる。そして、マイクロコンポーネント140を、それらが非常に小さいサイズたとえば<1μmであっても、初期基板の転写後でさえも、マイクロコンポーネント110と位置合せして容易に形成することができる。これにより、たとえば、2つの層に、又は同じ層の2つの別個の面に存在するマイクロコンポーネントを、不良な相互接続の危険を最小限にしながら、金属接続を用いて互いに相互接続することが可能になる。したがって、本発明の接合方法により、低圧でのウエハの分子接合中におけるウエハの不均一な変形の現象を制限することができる。ウエハがマイクロコンポーネントを備えている特定の場合において、本方法により、結局は、1つの回路層の別の層又は支持基板への転写中に位置合せ不良の現象オーバーレイをなくし、非常に高品質な多層半導体ウエハを製造することが可能になる。