"光を所定の周期的な変調パターンで位相変調し、位相変調された光の回折光相互の干渉を利用して被露光物を所定の露光パターンで露光するための位相変調マスクであって、位相変調された光の回折光のうち1次の回折光のみによって前記被露光物が露光されるよう構成されていることを特徴とする位相変調マスク。所定の位相変調量を有する第1、...、第nn≧2の整数の位相変調群を有し、第kk=1~nの整数の位相変調群は、前記変調パターンに対応する所定の周期的な配置パターンで配置された複数の第kの位相変調領域を含み、各位相変調群における複数の位相変調領域の配置パターンは全て同一となっており、第kの位相変調領域の位相変調量をθkとし、第kの位相変調領域の面積をSkとするとき、以下の関係式が成立しており、各位相変調群における近接する2つの位相変調領域の間の距離と光の波長との比率は、前記位相変調マスクから1次の回折光のみが生成されるよう定められていることを特徴とする請求項1に記載の位相変調マスク。第uu=1~n-1の整数の位相変調群の第uの位相変調領域の位相変調量と第u1の位相変調群の第u1の位相変調領域の位相変調量との差は2π/nとなっており、第1、...、第nの位相変調領域の面積は全て同一となっており、第1、...、第nの位相変調群は各々、隙間無く配置された複数の正m角形領域m=4または6によって前記位相変調マスクを仮想的に区画した場合に、各正m角形領域において第1、...、第nの位相変調領域のいずれか1つの重心が正m角形領域の中心に位置するよう、配置されていることを特徴とする請求項2に記載の位相変調マスク。互いに異なる位相変調量を有する第1、...、第nn≧2の整数の位相変調群は、互いに異なる位相変調量を有する第1、第2および第3の位相変調群前記n=3となっており、第1、第2および第3の位相変調領域の形状は全て同一となっており、第1、第2および第3の位相変調群は各々、隙間無く配置された複数の正6角形領域によって前記位相変調マスクを仮想的に区画した場合に、各正6角形領域において第1、第2または第3の位相変調領域のいずれか1つの重心が正6角形領域の中心に位置するよう、配置されていることを特徴とする請求項3に記載の位相変調マスク。隣接する2つの前記正6角形領域の中心間距離をPとし、光の波長をλとするとき、以下の関係式が成立していることを特徴とする請求項4に記載の位相変調マスク。前記正6角形領域は、前記正6角形領域の中心に位置する第1、第2または第3の位相変調領域のいずれか1つと、各位相変調領域を取り囲むよう位置するとともに光遮蔽層を有する光遮蔽領域と、によって占められていることを特徴とする請求項5に記載の位相変調マスク。前記正6角形領域は、第1、第2または第3の位相変調領域のいずれか1つによって占められていることを特徴とする請求項5に記載の位相変調マスク。互いに異なる位相変調量を有する第1、...、第nn≧2の整数の位相変調群は、互いに異なる位相変調量を有する第1および第2の位相変調群前記n=2となっており、第1および第2の位相変調領域の形状は全て同一となっており、第1および第2の位相変調群は各々、隙間無く配置された複数の正4角形領域によって前記位相変調マスクを仮想的に区画した場合に、各正4角形領域において第1または第2の位相変調領域のいずれか1つの重心が正4角形領域の中心に位置するよう、配置されていることを特徴とする請求項3に記載の位相変調マスク。隣接する2つの前記正4角形領域の中心間距離をPとし、光の波長をλとするとき、以下の関係式が成立していることを特徴とする請求項8に記載の位相変調マスク。前記正4角形領域は、前記正4角形領域の中心に位置する第1または第2の位相変調領域のいずれか1つと、各位相変調領域を取り囲むよう位置するとともに光遮蔽層を有する光遮蔽領域と、によって占められていることを特徴とする請求項9に記載の位相変調マスク。前記正4角形領域は、第1または第2の位相変調領域のいずれか1つによって占められていることを特徴とする請求項9に記載の位相変調マスク。隙間無く配置された複数の正m角形領域m=4または6によって前記位相変調マスクを仮想的に区画した場合、各正m角形領域に、第1、...、第nの位相変調領域がそれぞれ1つずつ含まれており、各正m角形領域において、各位相変調領域は、正m角形領域に対応する回転対称性を有するよう配置されていることを特徴とする請求項2に記載の位相変調マスク。互いに異なる位相変調量を有する第1、...、第nn≧2の整数の位相変調群は、互いに異なる位相変調量を有する第1および第2の位相変調群前記n=2となっており、第1の位相変調群および第2の位相変調群は各々、隙間無く配置された複数の正4角形領域によって前記位相変調マスクを仮想的に区画した場合に、第1の位相変調領域の重心および第2の位相変調領域の重心がいずれも正4角形領域の中心に位置するよう、配置されており、第1の位相変調群の第1の位相変調領域の位相変調量と第2の位相変調群の第2の位相変調領域の位相変調量との差はπとなっており、第1の位相変調領域の面積と第2の位相変調領域の面積とは同一となっており、隣接する2つの前記正4角形領域の中心間距離をPとし、光の波長をλとするとき、以下の関係式が成立していることを特徴とする請求項12に記載の位相変調マスク。光を所定の周期的な変調パターンで位相変調し、位相変調された光の回折光相互の干渉を利用して被露光物を所定の露光パターンで露光する露光装置において、光を出射する照明光学系と、前記照明光学系の出射側に設けられ、前記照明光学系からの光を所定の周期的な変調パターンで位相変調して出射する位相変調マスクと、を備え、前記位相変調マスクは、位相変調マスクにより位相変調された光の回折光のうち1次の回折光のみによって前記被露光物が露光されるよう構成されていることを特徴とする露光装置。前記位相変調マスクは、請求項1乃至13のいずれかに記載の位相変調マスクからなることを特徴とする請求項14に記載の露光装置。光を所定の周期的な変調パターンで位相変調し、位相変調された光の回折光相互の干渉を利用して被露光物を所定の露光パターンで露光する露光方法において、光を出射する照明光学系を準備する工程と、位相変調された光の回折光のうち1次の回折光のみによって前記被露光物が露光されるよう、位相変調マスクを用いて前記照明光学系からの光を所定の周期的な変調パターンで位相変調する位相変調工程と、を備えたことを特徴とする露光方法。前記位相変調マスクは、請求項1乃至13のいずれかに記載の位相変調マスクからなることを特徴とする請求項16に記載の露光方法。特許文献1に示されるシステムにおいては、少なくとも一つの周期的な変動の範囲に渡って被露光物を移動させることによってはじめて、所望の平均的な強度分布を得ることができる。すなわち、被露光物を移動させることが必須となっている。さらに、特許文献1に示されるシステムにおいては、平均的な強度分布を精密に制御するためには、被露光物の移動距離を精密に制御する必要がある。従って、被露光物を保持するとともに移動させる保持具として、精密な保持具が必要となる。このため、システムの構造が複雑になってしまうことが考えられる。また、特許文献1において示されている光の伝搬方向における強度分布は、フォトマスクからの距離に対して完全に周期的には変化していない。すなわち、光の強度分布の周期性に乱れがみられる。この場合、精密な保持具を用いることにより、フォトマスクからの距離が光の強度分布の少なくとも一つの周期的な変動の範囲に渡って精密に変化するよう被露光物が移動させられたとしても、被露光物上に得られる平均的な強度分布が、被露光物の移動開始位置に応じて変化すると考えられる。このため、被露光物の移動開始位置に応じて、被露光物に形成される露光パターンが変化してしまうことが考えられる。本発明は、このような課題を効果的に解決し得る位相変調マスク、露光装置および露光方法を提供することを目的とする。本発明による位相変調マスクは、光を所定の周期的な変調パターンで位相変調し、位相変調された光の回折光相互の干渉を利用して被露光物を所定の露光パターンで露光するための位相変調マスクであって、位相変調された光の回折光のうち1次の回折光のみによって前記被露光物が露光されるよう構成されていることを特徴とする位相変調マスクである。本発明による位相変調マスクは、位相変調された光の回折光のうち1次の回折光のみによって被露光物が露光されるよう構成されている。このため、位相変調マスクからの距離に依らず一定の強度を有する光を生成することができる。これによって、位相変調マスクからの距離に依らず、被露光物を所望のパターンで精度良く露光することができる。本発明による位相変調マスクは、所定の位相変調量を有する第1、...、第nn≧2の整数の位相変調群を有し、第kk=1~nの整数の位相変調群は、前記変調パターンに対応する所定の周期的な配置パターンで配置された複数の第kの位相変調領域を含み、各位相変調群における複数の位相変調領域の配置パターンは全て同一となっており、第kの位相変調領域の位相変調量をθkとし、第kの位相変調領域の面積をSkとするとき、以下の関係式が成立しており、各位相変調群における近接する2つの位相変調領域の間の距離と光の波長との比率は、前記位相変調マスクから1次の回折光のみが生成されるよう定められていてもよい。本発明による位相変調マスクにおいて、第uu=1~n-1の整数の位相変調群の第uの位相変調領域の位相変調量と第u1の位相変調群の第u1の位相変調領域の位相変調量との差は2π/nとなっており、第1、...、第nの位相変調領域の面積は全て同一となっており、第1、...、第nの位相変調群は各々、隙間無く配置された複数の正m角形領域m=4または6によって前記位相変調マスクを仮想的に区画した場合に、各正m角形領域において第1、...、第nの位相変調領域のいずれか1つの重心が正m角形領域の中心に位置するよう、配置されていてもよい。本発明による位相変調マスクにおいて、互いに異なる位相変調量を有する第1、...、第nn≧2の整数の位相変調群は、互いに異なる位相変調量を有する第1、第2および第3の位相変調群前記n=3となっており、第1、第2および第3の位相変調領域の形状は全て同一となっており、第1、第2および第3の位相変調群は各々、隙間無く配置された複数の正6角形領域によって前記位相変調マスクを仮想的に区画した場合に、各正6角形領域において第1、第2または第3の位相変調領域のいずれか1つの重心が正6角形領域の中心に位置するよう、配置されていてもよい。この場合、好ましくは、隣接する2つの前記正6角形領域の中心間距離をPとし、光の波長をλとするとき、以下の関係式が成立している。この場合、前記正6角形領域は、前記正6角形領域の中心に位置する第1、第2または第3の位相変調領域のいずれか1つと、各位相変調領域を取り囲むよう位置するとともに光遮蔽層を有する光遮蔽領域と、によって占められていてもよい。若しくは、前記正6角形領域は、第1、第2または第3の位相変調領域のいずれか1つによって占められていてもよい。本発明による位相変調マスクにおいて、互いに異なる位相変調量を有する第1、...、第nn≧2の整数の位相変調群は、互いに異なる位相変調量を有する第1および第2の位相変調群前記n=2となっており、第1および第2の位相変調領域の形状は全て同一となっており、第1および第2の位相変調群は各々、隙間無く配置された複数の正4角形領域によって前記位相変調マスクを仮想的に区画した場合に、各正4角形領域において第1または第2の位相変調領域のいずれか1つの重心が正4角形領域の中心に位置するよう、配置されていてもよい。この場合、好ましくは、隣接する2つの前記正4角形領域の中心間距離をPとし、光の波長をλとするとき、以下の関係式が成立している。この場合、前記正4角形領域は、前記正4角形領域の中心に位置する第1または第2の位相変調領域のいずれか1つと、各位相変調領域を取り囲むよう位置するとともに光遮蔽層を有する光遮蔽領域と、によって占められていてもよい。若しくは、前記正4角形領域は、第1または第2の位相変調領域のいずれか1つによって占められていてもよい。本発明による位相変調マスクにおいて、隙間無く配置された複数の正m角形領域m=4または6によって前記位相変調マスクを仮想的に区画した場合、各正m角形領域に、第1、...、第nの位相変調領域がそれぞれ1つずつ含まれており、各正m角形領域において、各位相変調領域は、正m角形領域に対応する回転対称性を有するよう配置されていてもよい。この場合、互いに異なる位相変調量を有する第1、...、第nn≧2の整数の位相変調群は、互いに異なる位相変調量を有する第1および第2の位相変調群前記n=2となっており、第1の位相変調群および第2の位相変調群は各々、隙間無く配置された複数の正4角形領域によって前記位相変調マスクを仮想的に区画した場合に、第1の位相変調領域の重心および第2の位相変調領域の重心がいずれも正4角形領域の中心に位置するよう、配置されており、第1の位相変調群の第1の位相変調領域の位相変調量と第2の位相変調群の第2の位相変調領域の位相変調量との差はπとなっており、第1の位相変調領域の面積と第2の位相変調領域の面積とは同一となっていてもよい。この場合、好ましくは、隣接する2つの前記正4角形領域の中心間距離をPとし、光の波長をλとするとき、以下の関係式が成立している。本発明による露光装置は、光を所定の周期的な変調パターンで位相変調し、位相変調された光の回折光相互の干渉を利用して被露光物を所定の露光パターンで露光する露光装置であって、光を出射する照明光学系と、前記照明光学系の出射側に設けられ、前記照明光学系からの光を所定の周期的な変調パターンで位相変調して出射する位相変調マスクと、を備え、前記位相変調マスクは、位相変調マスクにより位相変調された光の回折光のうち1次の回折光のみによって前記被露光物が露光されるよう構成されていることを特徴とする露光装置である。本発明による露光装置の位相変調マスクは、位相変調された光の回折光のうち1次の回折光のみによって被露光物が露光されるよう構成されている。このため、位相変調マスクからの距離に依らず一定の強度を有する光を生成することができる。これによって、位相変調マスクからの距離に依らず、被露光物を所望のパターンで精度良く露光することができる。本発明による露光方法は、光を所定の周期的な変調パターンで位相変調し、位相変調された光の回折光相互の干渉を利用して被露光物を所定の露光パターンで露光する露光方法であって、光を出射する照明光学系を準備する工程と、位相変調された光の回折光のうち1次の回折光のみによって前記被露光物が露光されるよう、位相変調マスクを用いて前記照明光学系からの光を所定の周期的な変調パターンで位相変調する位相変調工程と、を備えたことを特徴とする露光方法である。本発明による露光方法の位相変調工程は、位相変調された光の回折光のうち1次の回折光のみによって被露光物が露光されるよう、位相変調マスクを用いて照明光学系からの光を所定の周期的な変調パターンで位相変調する工程となっている。このため、位相変調マスクからの距離に依らず一定の強度を有する光を生成することができる。これによって、位相変調マスクからの距離に依らず、被露光物を所望のパターンで精度良く露光することができる。本発明によれば、位相変調マスクからの距離に依らず、被露光物を所望のパターンで精度良く露光することができる。第1の実施の形態以下、図1乃至図7abcを参照して、本発明の第1の実施の形態について説明する。はじめに図1を参照して、本実施の形態における露光装置10であって、光を所定の周期的な変調パターンで位相変調し、位相変調された光の回折光相互の干渉を利用して被露光物14を所定の露光パターンで露光する露光装置10について説明する。露光装置図1は、露光装置10を示す図である。図1に示すように、露光装置10は、光を出射する照明光学系11と、照明光学系11の出射側に設けられ、照明光学系11からの光を所定の周期的な変調パターンで位相変調して出射する位相変調マスク20と、位相変調マスク20の出射側に設けられ、被露光物14を保持するとともに位相変調マスク20と被露光物14との間の距離を変化させるよう移動自在となっている保持具17と、保持具17の移動を制御する制御手段18と、を備えている。照明光学系このうち照明光学系11は、好ましくは、相互にコヒーレントな光を位相変調マスク20に向けて出射するよう構成されている。すなわち照明光学系11は、好ましくは、図1に示す矢印Tの方向に伝搬される平行光であって、含まれる光の振幅および位相に一定の関係がある平行光を出射するよう構成されている。このような照明光学系11の具体的な構成は特には限定されないが、例えば、図1に示すように、照明光学系11は、レーザ光を出射するレーザ光源12と、レーザ光源12からのレーザ光を平行光として位相変調マスク20へ導くための折り返しミラー13aおよびビームエキスパンダー13b,13cと、を有している。位相変調マスク照明光学系11からの平行光は、位相変調マスク20において位相変調される。また位相変調マスク20を透過した光は、様々な方向へ回折し、この結果、被露光物14上に干渉パターンが形成される。ここで、本実施の形態による位相変調マスク20は、光を所定の周期的な変調パターンで位相変調し、この結果、被露光物14上に形成される干渉パターンが位相変調マスク20によって位相変調された光の回折光のうち1次の回折光のみによって生成されるよう、構成されている。すなわち位相変調マスク20は、1次の回折光のみによって被露光物14が露光されるよう構成されている。以下、位相変調マスク20の構成について説明する。はじめに、位相変調マスク20の周期性について説明する。位相変調マスク20は、所定の位相変調量を有する第1、...、第nの位相変調群を有している。ここで、nは2以上の整数である。また、第kの位相変調群は、前記変調パターンに対応する所定の周期的な配置パターンで配置された複数の第kの位相変調領域を含み、各位相変調群における複数の位相変調領域の配置パターンは全て同一となっている。ここでkは、1~nの範囲内の任意の整数である。このように位相変調マスク20を構成することにより、光を所定の周期的な変調パターンで位相変調することが可能となっている。このような位相変調マスク20の具体的な構造について、図2乃至図4を参照して説明する。図2は、位相変調マスク20を示す平面図であり、図3は、図2の位相変調マスクをIII-III方向から見た縦断面図である。本実施の形態においては、上述のnが3となっている例について説明する。具体的には、図2に示すように、位相変調マスク20は、光を第1の位相変調量θ1で変調する第1位相変調群21と、光を第2の位相変調量θ2で変調する第2位相変調群22と、光を第3の位相変調量θ3で変調する第3位相変調群23と、を有している。このうち第1位相変調群21は、光を第1の位相変調量θ1で変調するよう構成された複数の第1位相変調領域21aを含んでいる。同様に、第2位相変調群22は、光を第2の位相変調量θ2で変調するよう構成された複数の第2位相変調領域22aを含んでおり、第3位相変調群23は、光を第3の位相変調量θ3で変調するよう構成された複数の第3位相変調領域23aを含んでいる。また図2に示すように、位相変調マスク20のうち第1位相変調領域21a、第2位相変調領域22aおよび第3位相変調領域23a以外の領域は、光を遮蔽する光遮蔽領域25によって占められている。図2から明らかなように、第1位相変調領域21a、第2位相変調領域22aおよび第3位相変調領域23aはいずれも、同一の直径Rを有する円形の領域となっている。すなわち、第1位相変調領域21a、第2位相変調領域22aおよび第3位相変調領域23aの形状および面積は全て同一となっている。次に図3を参照して、光の伝搬方向における位相変調マスク20の構造について説明する。図3に示すように、第1位相変調領域21a、第2位相変調領域22aおよび第3位相変調領域23aは、その表面に凹凸が設けられ、光透過性を有する基材71によって形成されている。基材71は、例えばその屈折率がnである石英ガラスから構成されている。位相変調量次に、基材71から形成される各位相変調領域の位相変調量について説明する。各位相変調群の位相変調領域の位相変調量は、第uの位相変調群の第uの位相変調領域の位相変調量と第u1の位相変調群の第u1の位相変調領域の位相変調量との差が2π/nとなるよう設定されている。ここでuは、1~n-1の範囲内の任意の整数である。なお上述のように、本実施の形態においては、整数nが3となっている。すなわち、本実施の形態において、第1位相変調領域21aの第1の位相変調量θ1と第2位相変調領域22aの第2の位相変調量θ2との差が2π/3となっており、また、第2位相変調領域22aの第2の位相変調量θ2と第3位相変調領域23aの第3の位相変調量θ3との差が2π/3となっている。このように各位相変調領域21a,22a,23aを設定するための具体的な構成について、図3を参照して説明する。図3に示すように、基材71のうち第1位相変調領域21aを構成する部分の厚みと、基材71のうち第2位相変調領域22aを構成する部分の厚みとの差をΔh1とする。この場合、空気の屈折率を1とすると、第1位相変調領域21aにおける第1の位相変調量θ1と、第2位相変調領域22aにおける第2の位相変調量θ2との差はΔh1×n-1×2π/λになる。ここで、位相変調マスク20の基材71は、第1の位相変調量θ1と第2の位相変調量θ2との差が2π/3となるよう構成されている。ここでλは、光の波長を表している。同様に、図3において、基材71のうち第2位相変調領域22aを構成する部分の厚みと、基材71のうち第3位相変調領域23aを構成する部分の厚みとの差がΔh2で表されている。この場合、空気の屈折率を1とすると、第2位相変調領域22aにおける第2の位相変調量θ2と、第3位相変調領域23aにおける第3の位相変調量θ3との差はΔh2×n-1×2π/λになる。ここで、位相変調マスク20の基材71は、第2の位相変調量θ2と第3の位相変調量θ3との差が2π/3となるよう構成されている。光遮蔽領域また図3に示すように、光遮蔽領域25は、基材71の表面に遮蔽層72を設けることにより構成されている。遮蔽層72は、光の透過率をほぼゼロとすることができる材料から構成されており、例えば、クロム、アルミニウム、シリコン酸化物または誘電体多層膜などの遮光材料から構成されている。配置パターン次に、各位相変調群21,22,23における配置パターンについて説明する。図2に示すように、第1位相変調群21の各第1位相変調領域21aは、所定の周期的な配置パターンで配置されている。具体的には、各第1位相変調領域21aは、各第1位相変調領域21aが仮想的な三角格子図示せずの頂点を占めるよう配置されている。同様に、各第2位相変調領域22aは、各第2位相変調領域22aが仮想的な三角格子の頂点を占めるよう配置されており、各第3位相変調領域23aは、各第3位相変調領域23aが仮想的な三角格子の頂点を占めるよう配置されている。また、複数の第1位相変調領域21aの配置パターンと、複数の第2位相変調領域22aの配置パターンと、複数の第3位相変調領域23aの配置パターンとは全て同一となっている。ここで配置パターンは同一という文言の意味について、図4を参照して説明する。図4は、図2から位相変調領域21a,22a,23aのみを抽出して示す平面図である。本実施の形態において、複数の第1位相変調領域21aの配置パターンと複数の第2位相変調領域22aの配置パターンとが同一であるとは、各第1位相変調領域21aを所定のベクトルt1に沿って平行移動させた場合、各第1位相変調領域21aの重心と各第2位相変調領域22aの重心とが一致することを意味している。また、複数の第1位相変調領域21aの配置パターンと複数の第3位相変調領域23aの配置パターンとが同一であるとは、各第1位相変調領域21aを所定のベクトルt2に沿って平行移動させた場合、各第1位相変調領域21aの重心と各第3位相変調領域23aの重心とが一致することを意味している。すなわち配置パターンは同一とは、一の位相変調群の各位相変調領域の重心を、当該位相変調群を回転させたり拡大または縮小させたりすることなく、当該位相変調群を所定のベクトルに沿って平行移動させることのみによって、その他の全ての位相変調群の各位相変調領域の重心に一致させることができることを意味している。各位相変調領域の重心の位置次に、各位相変調領域21a,22a,23aの重心の位置について説明する。図2に示すように、隙間無く配置された複数の正6角形領域41によって位相変調マスク20を仮想的に区画した場合を考える。この場合、各位相変調群21,22,23は、各正6角形領域41において各位相変調領域21a,22a,23aのいずれか1つの重心27が正6角形領域41の中心42に位置するよう、配置されている。この場合、図2に示すように、各正6角形領域41は、各正6角形領域41の中心に位置する第1位相変調領域21a,第2位相変調領域22aまたは第3位相変調領域23aと、各位相変調領域21a,22a,23aを取り囲むよう位置する光遮蔽領域25と、によって占められることになる。周期構造の周期次に、位相変調マスク20における周期的な構造の周期について説明する。図2に示すように、位相変調マスク20を正6角形領域41によって仮想的に区画した場合の、隣接する2つの正6角形領域41の中心間距離をPとする。この場合、中心間距離Pは、光の波長λと中心間距離Pとの間に以下の数5の関係が成立するよう定められている。このように中心間距離Pと光の波長λとの比率を定めることにより、後述するように、被露光物14上に形成される干渉パターンに1次の回折光のみが現れるようにすることができる。すなわち、位相変調マスク20から1次の回折光のみが生成されるようにすることができる。なお図2から明らかなように、近接する2つの位相変調領域間の中心間距離、例えば近接する2つの第1位相変調領域21a間の中心間距離は、隣接する2つの正6角形領域41の中心間距離Pの3^05倍、すなわち3^05Pとなっている。すなわち、近接する2つの第1位相変調領域21a間の中心間距離と、隣接する2つの正6角形領域41の中心間距離Pとの間には比例関係が成立している。従って、隣接する2つの正6角形領域41の中心間距離Pと光の波長λとの比率を所定範囲内に定めることは、近接する2つの第1位相変調領域21a間の中心間距離と光の波長λとの比率を所定範囲内に定めることと同義である。次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。はじめに、本実施の形態において採用される原理について説明する。非回折ビームの原理本実施の形態においては、非回折ビームの原理に着目することにより、位相変調マスク20からの距離に依らず、被露光物14を所望の一定のパターンで精度良く露光することが実現される。ここで非回折ビームの原理とは、波数ベクトルのビーム方向の成分が等しい平面波同士の干渉によるビームの光強度分布はビームの伝搬方向において変化しない、というものである。以下、この原理の概要を説明する。なお波数ベクトルとは、大きさが2π/λで、方向が平面波の伝播方向であるベクトルである。xyz空間における光の複素振幅分布をαx,y,zとする。また、z=0におけるxy面内の光の複素振幅分布αx,y,z=0のフーリエ変換、すなわち初期分布のフーリエ変換をAσx,σyとする。非回折ビームの原理によれば、初期分布のフーリエ変換Aσx,σyがフーリエ平面の所定の半径のリング内のみでゼロではない値をとる時、干渉により生じるビームの光強度分布がビーム方向に変化しないようになる。本実施の形態においては、この原理に基づいて、伝搬方向において光強度分布が変化しない光が得られるよう、上述の位相変調マスク20が構成されている。なお、非回折ビームの原理については、先行技術文献、例えばシミュレーションで見る光学現象株式会社新技術コミュニケーションズ発行に開示されており、ここでは詳細な説明は省略する。なお以下の記述において、伝搬方向において光強度分布が変化しない光を、非回折ビームと称する。図5は、非回折ビームが得られる条件を模式的に示す図である。図5において、矢印a~dはそれぞれ、複数の回折光の波数ベクトルを示している。図5において、矢印a~dで示される波数ベクトルは、それぞれ始点を一致させた状態で示されている。上述の非回折ビームの原理によれば、矢印a~dで示される各波数ベクトルの終点が所定の半径のリング内に収まる場合、伝搬方向において光強度分布が変化しない光が得られることになる。回折光が、周期的な変調パターンで光を位相変調する位相変調マスクからの回折光として得られる場合、非回折ビームを得るためには、以下の2つの条件が成立していることが必要となる。第1の条件は、位相変調マスクからの回折光のうち、0次光の強度がゼロとなっていることである。第2の条件は、0次光以外の回折光において、各々の方向余弦が等しくなっていることである。以下、2つの条件について説明する。第1の条件はじめに、第1の条件について説明する。位相変調マスクにおける周期的な構造が、所定の単位領域を繰り返し配置することにより得られていると仮定する。この場合、第1の条件は、位相変調マスクの単位領域内において複素振幅透過率の平均がゼロとなっていることを意味している。ここで、位相変調マスクが、所定の位相変調量を有する第1、...、第nn≧2の整数の位相変調群を有し、第kk=1~nの整数の位相変調群は各々、変調パターンに対応する所定の周期的な配置パターンで配置された複数の第kの位相変調領域を含み、各位相変調群における複数の位相変調領域の配置パターンは全て同一となっている場合を考える。この場合、位相変調マスクにおける周期的な構造を構成する単位領域は、第1、...、第nの位相変調領域をそれぞれ1つずつ含むことになる。従って、第kの位相変調領域の位相変調量をθkとし、第kの位相変調領域の面積をSkとするとき、第1の条件が成立することは、以下の数6が満たされることを意味している。第2の条件次に、第2の条件について説明する。簡単のため、まず一次元周期構造を例にとって考える。この場合、d次dは整数の回折光の回折角度φは以下の数7で表される。数7において、λは光の波長を表しており、P0は一次元周期構造のピッチを表している。得られる回折光は、波長λとピッチPとの関係に応じて、図6abcにそれぞれ示されるような3つの場合に分類される。このうち図6aは、P0/λ<1の関係が成立する場合に得られる回折光を示しており、図6bは、1≦P0/λ<2の関係が成立する場合に得られる回折光を示しており、図6cは、2≦P0/λの関係が成立する場合に得られる回折光を示している。すなわち、図6aは、数7の解としてd=0のみが得られる場合を示しており、図6bは、数7の解としてd=0,±1が得られる場合を示しており、図6cは、数7の解としてd=0,±1に加えてd=2,3,...も得られる場合を示している。上述のように、第2の条件は、0次光以外の回折光において、各々の方向余弦が等しくなっていることである。ここで図6bに示す態様においては、0次光以外に表れている光は1次光のみである。従って、図6bに示す例において現れている回折光は、各々の方向余弦すなわちcosφdd=1が等しい回折光のみとなっている。すなわち図6bに示す態様においては、第2の条件が満たされている。このことから、光の波長λと周期構造のピッチP0とを適切な範囲内に設定することにより、第2の条件を満たすことができるということがわかる。このことは、後述するように、二次元周期構造を有する位相変調マスク、すなわち本実施の形態による位相変調マスク20が用いられる場合にもあてはまる。本実施の形態による位相変調マスクの作用次に、本実施の形態による位相変調マスク20において、非回折ビームを得るための上述の第1および第2の条件が成立しているかどうかについて考察する。第1の条件上述のように、各位相変調群21,22,23における位相変調領域21a,22a,23aの配置パターンは全て同一となっている。この場合、本実施の形態による位相変調マスク20における周期的な構造を構成する単位領域は、第1位相変調領域21a,第2位相変調領域22aおよび第3位相変調領域23aを1つずつ含むことになる。また上述のように、各位相変調領域21a,22a,23aの面積は全て同一となっている。この場合、第1の条件における上述の数6は、以下の数8に置き換えられる。また上述のように、第1の位相変調量θ1と第2の位相変調量θ2との差は2π/3となっており、さらに、第2の位相変調量θ2と第3の位相変調量θ3との差は2π/3となっている。従って、本実施の形態による位相変調マスク20においては、上述の数8が満たされている。すなわち、非回折ビームを得るための第1の条件が成立している。第2の条件次に、第2の条件について、図7abcを参照して考察する。図7abcは、位相変調マスク20が生成し得る回折光を示す図であり、位相変調マスク20の出射面20bにおける光の複素振幅分布をフーリエ変換することにより得られる図である。このうち図7aは、隣接する2つの正6角形領域41の中心間距離Pと光の波長λの間にP/λ<2/3の関係が成立する場合に得られる回折光を示している。また図7bは、2/3≦P/λ<4/3の関係が成立する場合に得られる回折光を示しており、図7cは、4/3≦P/λの関係が成立する場合に得られる回折光を示している。図7abcにおいて、白丸は、回折光がゼロとなる位置を示しており、黒丸は、回折光がゼロとならない位置を示している。本実施の形態においては、図7abcにおいて黒丸で示される回折光のうち、中心に最も近い位置にある回折光を1次の回折光と定義し、1次の回折光よりも中心から遠い位置にある回折光を高次の回折光と定義する。図7abcにおいて、符号85で表されている円は、半径が1の円となっている。従って、図7abcの各々において、実際に得られる回折光、すなわち被露光物14における干渉パターンを生成する回折光は、円85の内側に位置する回折光となっている。図7aに示す例においては、円85の内側に黒丸が存在していない。従って、P/λ<2/3の関係が成立する場合、実際に得られる回折光は無い。また図7cに示す例においては、円85の内側に、1次の回折光を示す黒丸だけでなく、高次の回折光を示す黒丸も存在している。従って、4/3≦P/λの関係が成立する場合、中心から各回折光までの距離は、一定とはなっておらず、回折光により異なっている。一方、図7bに示す例においては、円85の内側に、1次の回折光を示す黒丸のみが存在している。従って、2/3≦P/λ<4/3の関係が成立する場合、中心から各回折光までの距離が一定となっている。従って、図7bに示す例において、得られる回折光は、各々の方向余弦が等しい1次の回折光のみとなっている。すなわち、数8の関係を満たす本実施の形態においては、非回折ビームを得るための第2の条件が成立している。上述のように、本実施の形態による位相変調マスク20においては、非回折ビームを得るための第1の条件および第2の条件が満たされている。このため本実施の形態によれば、被露光物14上に形成される干渉パターンが、位相変調マスク20によって位相変調された光の回折光のうち1次の回折光のみによって生成される。この場合、位相変調マスク20から出射される光の強度分布が、位相変調マスクからの距離に依らず一定となっている。従って、位相変調マスク20が近接露光において用いられる場合、位相変調マスク20と被露光物14との間の距離に依らず、所望の一定の露光パターンで被露光物14のレジスト層15を露光することができる。このため、精密な位置合わせ機能が保持具17に求められることがなく、これによって、露光装置10の構成を簡易なものにすることができる。また被露光物14に焦点深度以上の凹凸が形成されている場合であっても、所望の一定の露光パターンで被露光物14のレジスト層15を露光することが可能となる。また、被露光物14に焦点深度以上の凹凸が形成されている場合であっても露光が可能となることから、位相変調マスク20を密着露光の用途で用いることもできる。第1の実施の形態の変形例なお本実施の形態において、正6角形領域41が、正6角形領域41の中心に位置する位相変調領域21a,22a,23aのいずれか1つと、各位相変調領域21a,22a,23aを取り囲むよう位置するとともに光遮蔽層を有する光遮蔽領域25と、によって占められている例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図8および図9に示すように、各正6角形領域41は、位相変調領域21a,22a,23aのいずれか1つによって占められていてもよい。図8および図9に示す例においても、位相変調マスク20は、非回折ビームを得るための第1の条件および第2の条件を満たしている。このため、位相変調マスク20から出射される光の強度分布を、位相変調マスク20からの距離に依らず一定とすることができる。第2の実施の形態次に図10乃至図12を参照して、本発明の第2の実施の形態について説明する。図10乃至図12に示す第2の実施の形態は、各位相変調群の位相変調領域が、仮想的な四角格子の頂点を占めるよう配置されている点が異なるのみであり、他の構成は、図1乃至図7abcに示す第1の実施の形態と略同一である。図10乃至図12に示す第2の実施の形態において、図1乃至図7abcに示す第1の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。図10は、位相変調マスク20を示す平面図であり、図11は、図10の位相変調マスクを露光装置XI-XI方向から見た縦断面図である。本実施の形態においては、上述のnが2となっている例について説明する。具体的には、図10に示すように、位相変調マスク20は、光を第1の位相変調量θ1で変調する第1位相変調群21と、光を第2の位相変調量θ2で変調する第2位相変調群22と、を有している。このうち第1位相変調群21は、光を第1の位相変調量θ1で変調するよう構成された複数の第1位相変調領域21aを含んでいる。同様に、第2位相変調群22は、光を第2の位相変調量θ2で変調するよう構成された複数の第2位相変調領域22aを含んでいる。また図10に示すように、位相変調マスク20のうち第1位相変調領域21aおよび第2位相変調領域22a以外の領域は、光を遮蔽する光遮蔽領域25によって占められている。図10から明らかなように、第1位相変調領域21aおよび第2位相変調領域22aは、同一の直径Rを有する円形の領域となっている。すなわち、第1位相変調領域21aおよび第2位相変調領域22aの形状および面積は全て同一となっている。位相変調量次に、各位相変調領域の位相変調量について説明する。本実施の形態においても、各位相変調群の位相変調領域の位相変調量は、第uu=1~n-1の整数の位相変調群の第uの位相変調領域の位相変調量と第u1の位相変調群の第u1の位相変調領域の位相変調量との差が2π/nとなるよう設定されている。すなわち、第1位相変調領域21aの第1の位相変調量θ1と第2位相変調領域22aの第2の位相変調量θ2との差がπとなっている。図11に示すように、基材71のうち第1位相変調領域21aを構成する部分の厚みと、基材71のうち第2位相変調領域22aを構成する部分の厚みとの差をΔh3とする。この場合、空気の屈折率を1とすると、第1位相変調領域21aにおける第1の位相変調量θ1と、第2位相変調領域22aにおける第2の位相変調量θ2との差はΔh3×n-1×2π/λになる。ここで、位相変調マスク20の基材71は、第1の位相変調量θ1と第2の位相変調量θ2との差がπとなるよう構成されている。配置パターン次に、各位相変調群21,22における配置パターンについて説明する。図10に示すように、各位相変調群21,22は、各位相変調領域21a,22aが仮想的な四角格子図示せずの頂点を占めるよう配置されている。また、上述の第1の実施の形態の場合と同様に、複数の第1位相変調領域21aの配置パターンと、複数の第2位相変調領域22aの配置パターンとは同一となっている。各位相変調領域の重心の位置次に、各位相変調領域21a,22aの重心の位置について説明する。図10に示すように、隙間無く配置された複数の正4角形領域43によって位相変調マスク20を仮想的に区画した場合を考える。この場合、各位相変調群21,22は、各正4角形領域43において各位相変調領域21a,22aのいずれか1つの重心27が正4角形領域43の中心44に位置するよう、配置されている。この場合、図10に示すように、各正4角形領域43は、各正4角形領域43の中心に位置する第1位相変調領域21aまたは第2位相変調領域22aと、各位相変調領域21a,22aを取り囲むよう位置する光遮蔽領域25と、によって占められることになる。周期構造の周期次に、位相変調マスク20における周期的な構造の周期について説明する。図10に示すように、位相変調マスク20を正4角形領域43によって仮想的に区画した場合の、隣接する2つの正4角形領域43の中心間距離をPとする。この場合、中心間距離Pは、光の波長λと中心間距離Pとの間に以下の数9の関係が成立するよう定められている。このように中心間距離Pと光の波長λとの比率を定めることにより、後述するように、被露光物14上に形成される干渉パターンに1次の回折光のみが現れるようにすることができる。すなわち、位相変調マスク20から1次の回折光のみが生成されるようにすることができる。次に、本実施の形態による位相変調マスク20において、非回折ビームを得るための上述の第1および第2の条件が成立しているかどうかについて考察する。第1の条件上述のように、各位相変調群21,22における位相変調領域21a,22aの配置パターンは全て同一となっている。この場合、本実施の形態による位相変調マスク20における周期的な構造を構成する単位領域は、第1位相変調領域21aおよび第2位相変調領域22aを1つずつ含むことになる。また上述のように、各位相変調領域21a,22aの面積は全て同一となっている。また上述のように、第1の位相変調量θ1と第2の位相変調量θ2との差はπとなっている。従って、上述の第1の実施の形態の場合と同様に、本実施の形態による位相変調マスク20において、上述の数8が満たされている。すなわち、非回折ビームを得るための第1の条件が成立している。第2の条件次に、第2の条件について、図12abcを参照して考察する。図12abcは、位相変調マスク20が生成し得る回折光を示す図であり、位相変調マスク20の出射面20bにおける光の複素振幅分布をフーリエ変換することにより得られる図である。このうち図12aは、隣接する2つの正4角形領域41の中心間距離Pと光の波長λの間にP/λ<2^05/2の関係が成立する場合に得られる回折光を示している。また図12bは、2^05/2≦P/λ<10^05/2の関係が成立する場合に得られる回折光を示しており、図12cは、10^05/2≦P/λの関係が成立する場合に得られる回折光を示している。図12aに示す例においては、円85の内側に黒丸が存在していない。従って、P/λ<2^05/2の関係が成立する場合、実際に得られる回折光は無い。また図12cに示す例においては、円85の内側に、1次の回折光を示す黒丸だけでなく、高次の回折光を示す黒丸も存在している。従って、10^05/2≦P/λの関係が成立する場合、中心から各回折光までの距離は、一定とはなっておらず、回折光により異なっている。一方、図12bに示す例においては、円85の内側に、1次の回折光を示す黒丸のみが存在している。従って、2^05/2≦P/λ<10^05/2の関係が成立する場合、中心から各回折光までの距離が一定となっている。従って、図12bに示す例において、得られる回折光は、各々の方向余弦が等しい1次の回折光のみとなっている。すなわち、数9の関係を満たす本実施の形態においては、非回折ビームを得るための第2の条件が成立している。上述のように、本実施の形態による位相変調マスク20においては、非回折ビームを得るための第1の条件および第2の条件が満たされている。このため本実施の形態によれば、被露光物14上に形成される干渉パターンが、位相変調マスク20によって位相変調された光の回折光のうち1次の回折光のみによって生成される。このことにより、位相変調マスク20から出射される光の強度分布を、位相変調マスクからの距離に依らず一定とすることができる。第2の実施の形態の第1の変形例なお本実施の形態において、正4角形領域43が、正4角形領域43の中心に位置する位相変調領域21a,22aのいずれか1つと、各位相変調領域21a,22aを取り囲むよう位置するとともに光遮蔽層を有する光遮蔽領域25と、によって占められている例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図13および図14に示すように、各正4角形領域43は、位相変調領域21a,22aのいずれか1つによって占められていてもよい。図13および図14に示す例においても、位相変調マスク20は、非回折ビームを得るための第1の条件および第2の条件を満たしている。このため、位相変調マスク20から出射される光の強度分布を、位相変調マスク20からの距離に依らず一定とすることができる。第2の実施の形態の第2の変形例また本実施の形態および第1の変形例において、位相変調マスク20が、光を第1の位相変調量θ1で変調する第1位相変調群21と、光を第2の位相変調量θ2で変調する第2位相変調群22と、を有する例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図15に示すように、位相変調マスク20が、光を第1の位相変調量θ1で変調する第1位相変調群21と、光を第2の位相変調量θ2で変調する第2位相変調群22と、光を第3の位相変調量θ3で変調する第3位相変調群23と、光を第4の位相変調量θ4で変調する第4位相変調群24と、を有していてもよい。すなわち、上記のnが4となっていてもよい。図15に示すように、第1位相変調群21は、光を第1の位相変調量θ1で変調するよう構成された複数の第1位相変調領域21aを含んでいる。また第2位相変調群22は、光を第2の位相変調量θ2で変調するよう構成された複数の第2位相変調領域22aを含んでいる。また第3位相変調群23は、光を第3の位相変調量θ3で変調するよう構成された複数の第3位相変調領域23aを含んでいる。また第4位相変調群24は、光を第4の位相変調量θ4で変調するよう構成された複数の第4位相変調領域24aを含んでいる。また図15に示すように、位相変調マスク20のうち位相変調領域21a,22a,23a,24a以外の領域は、光を遮蔽する光遮蔽領域25によって占められている。図15から明らかなように、位相変調領域21a,22a,23a,24aはいずれも、同一の直径Rを有する円形の領域となっている。すなわち、各位相変調領域21a,22a,23a,24aの形状および面積は全て同一となっている。位相変調量本変形例においても、各位相変調群の位相変調領域の位相変調量は、第uu=1~n-1の整数の位相変調群の第uの位相変調領域の位相変調量と第u1の位相変調群の第u1の位相変調領域の位相変調量との差が2π/nとなるよう設定されている。すなわち、第1位相変調領域21aの第1の位相変調量θ1と第2位相変調領域22aの第2の位相変調量θ2との差がπ/2となり、第2位相変調領域22aの第2の位相変調量θ2と第3位相変調領域23aの第3の位相変調量θ3との差がπ/2となり、第3位相変調領域23aの第3の位相変調量θ3と第4位相変調領域24aの第4の位相変調量θ4との差がπ/2となっている。配置パターン次に、各位相変調群21,22,23,24における配置パターンについて説明する。図15に示すように、各位相変調群21,22,23,24は、各位相変調領域21a,22a,23a,24aが仮想的な四角格子図示せずの頂点を占めるよう配置されている。また、上述の各実施の形態の場合と同様に、複数の第1位相変調領域21aの配置パターンと、複数の第2位相変調領域22aの配置パターンと、複数の第3位相変調領域23aの配置パターンと、複数の第4位相変調領域24aの配置パターンとは全て同一となっている。各位相変調領域の重心の位置また図15に示すように、各位相変調群21,22,23,24は、各正4角形領域43において各位相変調領域21a,22a,23a,24aのいずれか1つの重心27が正4角形領域43の中心44に位置するよう、配置されている。本変形によれば、上述のように位相変調マスク20を構成することにより、位相変調マスク20における周期的な構造を構成する単位領域は、第1位相変調領域21a,第2位相変調領域22a,第3位相変調領域23aおよび第4位相変調領域24aを1つずつ含むことになる。また上述のように、各位相変調領域21a,22a,23a,24aの面積は全て同一となっている。また上述のように、第uu=1~3の整数の位相変調群の第uの位相変調領域の位相変調量と第u1の位相変調群の第u1の位相変調領域の位相変調量との差がπ/2となっている。このため、上述の各実施の形態の場合と同様に、本変形例による位相変調マスク20において、上述の数8が満たされている。すなわち、非回折ビームを得るための第1の条件が成立している。また本変形例において、隣接する2つの正4角形領域43の中心間距離Pと光の波長λとの比率は、非回折ビームを得るための第2の条件が満たされるよう定められている。このため、位相変調マスク20から出射される光の強度分布を、位相変調マスクからの距離に依らず一定とすることができる。なお、第2の条件を満たすための上記比率の具体的な範囲は、第1の実施の形態における記述から明らかなように、位相変調マスク20の出射面20bにおける光の複素振幅分布をフーリエ変換することにより算出され得る。第2の実施の形態の第3の変形例なお本実施の形態の第2の変形例において、正4角形領域43が、正4角形領域43の中心に位置する位相変調領域21a,22a,23a,24aのいずれか1つと、各位相変調領域21a,22a,23a,24aを取り囲むよう位置するとともに光遮蔽層を有する光遮蔽領域25と、によって占められている例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図16に示すように、各正4角形領域43は、位相変調領域21a,22a,23a,24aのいずれか1つによって占められていてもよい。図16に示す例においても、位相変調マスク20は、非回折ビームを得るための第1の条件および第2の条件を満たしている。このため、位相変調マスク20から出射される光の強度分布を、位相変調マスク20からの距離に依らず一定とすることができる。第3の実施の形態次に図17乃至図19を参照して、本発明の第3の実施の形態について説明する。図17乃至図19に示す第3の実施の形態は、位相変調マスクにおける周期的な構造を構成する単位領域が、位相変調マスクを仮想的に区画する複数の正m角形領域m=4または6であって、第1、...、第nの位相変調領域をそれぞれ1つずつ含む正m角形領域に一致している点が異なるのみであり、他の構成は、図1乃至図7abcに示す第1の実施の形態または図10乃至図12abcに示す第2の実施の形態と略同一である。図17乃至図19に示す第3の実施の形態において、図1乃至図7abcに示す第1の実施の形態または図10乃至図12abcに示す第2の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。図17は、位相変調マスク20を示す平面図であり、図18は、図17の位相変調マスクを露光装置XVIII-XVIII方向から見た縦断面図である。本実施の形態においては、上述のnが2となっている例について説明する。具体的には、図17に示すように、位相変調マスク20は、光を第1の位相変調量θ1で変調する第1位相変調群31と、光を第2の位相変調量θ2で変調する第2位相変調群32と、を有している。このうち第1位相変調群31は、光を第1の位相変調量θ1で変調するよう構成された複数の第1位相変調領域31aを含んでいる。同様に、第2位相変調群32は、光を第2の位相変調量θ2で変調するよう構成された複数の第2位相変調領域32aを含んでいる。位相変調量本実施の形態においても、各位相変調群の位相変調領域の位相変調量は、第uu=1~n-1の整数の位相変調群の第uの位相変調領域の位相変調量と第u1の位相変調群の第u1の位相変調領域の位相変調量との差が2π/nとなるよう設定されている。すなわち、第1位相変調領域31aの第1の位相変調量θ1と第2位相変調領域32aの第2の位相変調量θ2との差がπとなっている。図18に示すように、基材71のうち第1位相変調領域31aを構成する部分の厚みと、基材71のうち第2位相変調領域32aを構成する部分の厚みとの差をΔh4とする。この場合、空気の屈折率を1とすると、第1位相変調領域31aにおける第1の位相変調量θ1と、第2位相変調領域32aにおける第2の位相変調量θ2との差はΔh4×n-1×2π/λになる。ここで、位相変調マスク20の基材71は、第1の位相変調量θ1と第2の位相変調量θ2との差がπとなるよう構成されている。配置パターン次に、各位相変調群における配置パターンについて説明する。本実施の形態において、各位相変調群は、隙間無く配置された複数の正m角形領域によって位相変調マスク20を仮想的に区画した場合、各正m角形領域に、第1、...、第nの位相変調領域がそれぞれ1つずつ含まれるよう構成されている。すなわち、図17に示すように、各位相変調群31,32は、隙間無く配置された複数の正4角形領域43によって位相変調マスク20を仮想的に区画した場合、各正4角形領域43に第1位相変調領域31aおよび第2位相変調領域32aがそれぞれ1つずつ含まれるよう構成されている。回転対称性また、各正m角形領域において、各位相変調領域は、正m角形領域に対応する回転対称性を有するよう配置されている。ここで正m角形領域に対応する回転対称性とは、各正m角形領域において、各位相変調領域の形状が互いにm回対称となっていることを意味している。具体的には、各正m角形領域において正m角形領域の中心を軸として各位相変調領域を2π/mだけ回転させる前後において、正m角形領域内における境界線が一致していることを意味している。ここで正m角形領域内における境界線とは、正m角形領域において、一の位相変調領域とその他の位相変調領域との間の境界を示す線である。例えば図17に示す例においては、正4角形領域43は、正4角形領域43の中心44に位置する円形の第2位相変調領域32aと、第2位相変調領域32aを取り囲むよう位置する第1位相変調領域31aとによって占められている。また各4角形領域43において、第1位相変調領域31aの重心37および第2位相変調領域32aの重心38は、正4角形領域43の中心44に位置している。このため図17に示す例において、正4角形領域43の中心44を軸として各位相変調領域31a,32aをπ/2だけ回転させる前後において、正4角形領域43内における境界線が一致している。すなわち各正4角形領域43において、各位相変調領域31a,32aは4回対称となっている。また各位相変調領域31a,32aは、各正4角形領域43における第1位相変調領域31aの面積と第2位相変調領域32aの面積とが同一となるよう構成されている。周期構造の周期次に、本実施の位相変調マスク20における周期的な構造の周期について説明する。本実施の形態において、隣接する2つの正4角形領域43の中心間距離Pは、光の波長λと中心間距離Pとの間に以下の数10の関係が成立するよう定められている。このように中心間距離Pと光の波長λとの比率を定めることにより、後述するように、被露光物14上に形成される干渉パターンに1次の回折光のみが現れるようにすることができる。すなわち、位相変調マスク20から1次の回折光のみが生成されるようにすることができる。次に、本実施の形態による位相変調マスク20において、非回折ビームを得るための上述の第1および第2の条件が成立しているかどうかについて考察する。第1の条件上述のように、本実施の形態による位相変調マスク20における周期的な構造を構成する単位領域、すなわち正4角形領域43は、第1位相変調領域31aおよび第2位相変調領域32aを1つずつ含んでいる。また上述のように、各位相変調領域31a,32aの面積は全て同一となっている。また上述のように、第1の位相変調量θ1と第2の位相変調量θ2との差はπとなっている。従って、上述の第1の実施の形態の場合と同様に、本実施の形態による位相変調マスク20において、上述の数8が満たされている。すなわち、非回折ビームを得るための第1の条件が成立している。第2の条件次に、第2の条件について、図19abcを参照して考察する。図19abcは、位相変調マスク20が生成し得る回折光を示す図であり、位相変調マスク20の出射面20bにおける光の複素振幅分布をフーリエ変換することにより得られる図である。このうち図19aは、隣接する2つの正4角形領域43の中心間距離Pと光の波長λの間にP/λ<1の関係が成立する場合に得られる回折光を示している。また図19bは、1≦P/λ<2^05の関係が成立する場合に得られる回折光を示しており、図19cは、2^05≦P/λの関係が成立する場合に得られる回折光を示している。図19aに示す例においては、円85の内側に黒丸が存在していない。従って、P/λ<1の関係が成立する場合、実際に得られる回折光は無い。また図19cに示す例においては、円85の内側に、1次の回折光を示す黒丸だけでなく、高次の回折光を示す黒丸も存在している。従って、2^05≦P/λの関係が成立する場合、中心から各回折光までの距離は、一定とはなっておらず、回折光により異なっている。一方、図19bに示す例においては、円85の内側に、1次の回折光を示す黒丸のみが存在している。従って、1≦P/λ<2^05の関係が成立する場合、中心から各回折光までの距離が一定となっている。従って、図19bに示す例において、得られる回折光は、各々の方向余弦が等しい1次の回折光のみとなっている。すなわち、数10の関係を満たす本実施の形態においては、非回折ビームを得るための第2の条件が成立している。上述のように、本実施の形態による位相変調マスク20においては、非回折ビームを得るための第1の条件および第2の条件が満たされている。このため本実施の形態によれば、被露光物14上に形成される干渉パターンが、位相変調マスク20によって位相変調された光の回折光のうち1次の回折光のみによって生成される。この場合、位相変調マスク20から出射される光の強度分布が、位相変調マスクからの距離に依らず一定となっている。第3の実施の形態の第1の変形例なお本実施の形態において、正4角形領域43の中心44に位置する第2位相変調領域32aが円形の形状を有する例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図20に示すように、各正4角形領域43の中心44に位置する第2位相変調領域32aが正4角形の形状を有していてもよい。ここで、各位相変調領域31a,32aは、各正4角形領域43における第1位相変調領域31aの面積と第2位相変調領域32aの面積とが同一となるよう構成されている。このため、図20に示す例においても、位相変調マスク20は、非回折ビームを得るための第1の条件および第2の条件を満たしている。このため、位相変調マスク20から出射される光の強度分布を、位相変調マスク20からの距離に依らず一定とすることができる。第3の実施の形態の第2の変形例また本実施の形態において、各位相変調領域の重心が正m角形領域の中心に位置する例を示した。しかしながら、各正m角形領域において各位相変調領域が正m角形領域に対応する回転対称性を有する限りにおいて、各位相変調領域の具体的な構造は限定されない。例えば位相変調マスク20を正4角形領域43によって仮想的に区画する場合、図21aに示すように、各位相変調領域が、正4角形領域43を4等分するよう設けられた第1~第4の位相変調領域31a,32a,33a,34aからなっていてもよい。また、位相変調マスク20を正6角形領域41によって仮想的に区画する場合、図21bに示すように、各位相変調領域が、正6角形領域41を6等分するよう設けられた第1~第6の位相変調領域31a,32a,33a,34a,35a,36aからなっていてもよい。図21abに示される例の各々において、位相変調領域の位相変調量は、第uu=1~n-1の整数の位相変調群の第uの位相変調領域の位相変調量と第u1の位相変調群の第u1の位相変調領域の位相変調量との差が2π/nとなるよう設定されている。ここでnは、図21aに示す例では4となっており、図21bに示す例では6となっている。また各位相変調領域の面積は全て同一になっている。このため、本変形例による位相変調マスク20において、上述の数8が満たされている。すなわち、非回折ビームを得るための第1の条件が成立している。また本変形例において、隣接する2つの正m角形領域の中心間距離Pと光の波長λとの比率は、非回折ビームを得るための第2の条件が満たされるよう定められている。このため、位相変調マスク20から出射される光の強度分布を、位相変調マスクからの距離に依らず一定とすることができる。なお、第2の条件を満たすための上記比率の具体的な範囲は、第1の実施の形態における説明から明らかなように、位相変調マスク20の出射面20bにおける光の複素振幅分布をフーリエ変換することにより算出され得る。第3の実施の形態の第3の変形例なお本実施の形態において、位相変調領域の位相変調量は、第uu=1~n-1の整数の位相変調群の第uの位相変調領域の位相変調量と第u1の位相変調群の第u1の位相変調領域の位相変調量との差が2π/nとなるよう設定されており、また、各位相変調領域の面積は全て同一になっている例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、上述の数6が満たされる限りにおいて、各位相変調領域の具体的な構成は限定されない。例えば図22に示すように、正4角形領域43を構成する第1位相変調領域31a、第2位相変調領域32aおよび第3位相変調領域33aの面積が全て同一となっていなくてもよい。この場合、各位相変調領域31a,32a,33aの面積および位相変調量は、上述の数6が満たされるよう適宜設定される。上述の各実施の形態による位相変調マスク20を備えた露光装置10を用いて、被露光物14に対する露光を実施した例について説明する。図23は、後述する各実施例において用いられた位相変調マスク20および被露光物14を示す図である。なお後述する各実施例において、鉛直方向における光強度分布とは、図23に示す線D1-D1に沿って光強度分布を見た場合を意味しており、水平方向における光強度分布とは、図23に示す線D2-D2に沿って光強度分布を見た場合を意味している。実施例1図2に示す上述の第1の実施の形態による位相変調マスク20を作製した。各位相変調領域21a,22a,23aにおける円の半径Rは150nmとした。また、隣接する2つの正6角形領域41の中心間距離Pは400nmとした。光遮蔽領域25を構成する遮蔽層72としてはクロム層を用いた。また、照明光学系11のレーザ光源12としては、Nd:YAGレーザの第三高調波を放射することができる光源を用いた。この場合、光の波長λは355nmとなっていた。従って、P/λは1.128となっており、上述の数5が満たされていた。波長355nmの平行光を位相変調マスク20に照射した場合に得られる光強度分布を算出した。結果を図24abcに示す。このうち図24aは、鉛直方向における光強度分布を示す図であり、図24bは、水平方向における光強度分布を示す図であり、図24cは、図24abに示される光強度分布のスケールを示す図である。図24aに示すように、光の伝搬方向において光強度分布が変化しない光を得ることができた。なお図24abに示される光強度分布の範囲は、図2において枠XXIVで囲まれる範囲に対応している。なお光強度分布は、初期分布のフーリエ変換Aσx,σyに位相係数を掛け、その後、得られた関数の逆フーリエ変換を計算することにより得られる。具体的な計算手順については、先行技術文献、例えばシミュレーションで見る光学現象株式会社新技術コミュニケーションズ発行に開示されており、ここでは詳細な説明は省略する。なお本実施例においては、このような計算手順を実行することができる光学シミュレーションソフトが用いられている。例えば、PROLITHKLA-Tencor社が用いられ得る。位相変調マスク20と被露光物14との間のギャップを100μmとした状態で、被露光物14を露光した。ここで、被露光物14のレジスト層15としては、ポジ型のレジスト層を用いた。次に、被露光物14のレジスト層15に現像処理を施した。これによって得られた露光パターンを図25に示す。図25に示すように、本実施例によれば、図24bに示す水平方向の光強度分布に対応するパターンで、被露光物14のレジスト層15に開口部15aを形成することができた。実施例2図8に示す上述の第1の実施の形態の変形例による位相変調マスク20を作製した。隣接する2つの正6角形領域41の中心間距離Pは400nmとした。また、実施例1の場合と同様に、波長λが355nmである光を用いた。従って、P/λは1.128となっており、上述の数5が満たされていた。波長355nmの平行光を位相変調マスク20に照射した場合に得られる光強度分布を算出した。結果を図26abcに示す。このうち図26aは、鉛直方向における光強度分布を示す図であり、図26bは、水平方向における光強度分布を示す図であり、図26cは、図26abに示される光強度分布のスケールを示す図である。図26aに示すように、光の伝搬方向において光強度分布が変化しない光を得ることができた。なお図26abに示される光強度分布の範囲は、図8において枠XXVIで囲まれる範囲に対応している。実施例3図10に示す上述の第2の実施の形態による位相変調マスク20を作製した。各位相変調領域21a,22aにおける円の半径Rは150nmとした。また隣接する2つの正4角形領域43の中心間距離Pは450nmとした。また、実施例1の場合と同様に、波長λが355nmである光を用いた。従って、P/λは1.27となっており、上述の数9が満たされていた。波長355nmの平行光を位相変調マスク20に照射した場合に得られる光強度分布を算出した。結果を図27abcに示す。このうち図27aは、鉛直方向における光強度分布を示す図であり、図27bは、水平方向における光強度分布を示す図であり、図27cは、図27abに示される光強度分布のスケールを示す図である。図27aに示すように、光の伝搬方向において光強度分布が変化しない光を得ることができた。なお図27abに示される光強度分布の範囲は、図10において枠XXVIIで囲まれる範囲に対応している。実施例4図13に示す上述の第2の実施の形態の第1の変形例による位相変調マスク20を作製した。隣接する2つの正4角形領域43の中心間距離Pは450nmとした。また、実施例1の場合と同様に、波長λが355nmである光を用いた。従って、P/λは1.27となっており、上述の数9が満たされていた。波長355nmの平行光を位相変調マスク20に照射した場合に得られる光強度分布を算出した。結果を図28abcに示す。このうち図28aは、鉛直方向における光強度分布を示す図であり、図28bは、水平方向における光強度分布を示す図であり、図28cは、図28abに示される光強度分布のスケールを示す図である。図28aに示すように、光の伝搬方向において光強度分布が変化しない光を得ることができた。なお図28abに示される光強度分布の範囲は、図13において枠XXVIIIで囲まれる範囲に対応している。実施例5図16に示す上述の第2の実施の形態の第3の変形例による位相変調マスク20を作製した。隣接する2つの正4角形領域41の中心間距離Pは450nmとした。また、実施例1の場合と同様に、波長λが355nmである光を用いた。波長355nmの平行光を位相変調マスク20に照射した場合に得られる光強度分布を算出した。結果を図29abcに示す。このうち図29aは、鉛直方向における光強度分布を示す図であり、図29bは、水平方向における光強度分布を示す図であり、図29cは、図29abに示される光強度分布のスケールを示す図である。図29aに示すように、光の伝搬方向において光強度分布が変化しない光を得ることができた。なお図29abに示される光強度分布の範囲は、図16において枠XXIXで囲まれる範囲に対応している。実施例6図20に示す上述の第3の実施の形態の第1の変形例による位相変調マスク20を作製した。正4角形からなる第2位相変調領域32aの一辺の長さLは353.6nmとした。また隣接する2つの正4角形領域43の中心間距離P、すなわち正4角形領域の一辺の長さPは500nmとした。また、実施例1の場合と同様に、波長λが355nmである光を用いた。従って、P/λは1.27となっており、上述の数10が満たされていた。波長355nmの平行光を位相変調マスク20に照射した場合に得られる光強度分布を算出した。結果を図30abcに示す。このうち図30aは、鉛直方向における光強度分布を示す図であり、図30bは、水平方向における光強度分布を示す図であり、図30cは、図30abに示される光強度分布のスケールを示す図である。図30aに示すように、光の伝搬方向において光強度分布が変化しない光を得ることができた。なお図30abに示される光強度分布の範囲は、1つの正4角形領域43の範囲に対応している。"