複数の光電変換部及びトランジスタを有する画素が配された画素部と、前記画素部の周囲に配され、トランジスタを有する周辺回路部と、を有する固体撮像装置の製造方法において、前記画素部のトランジスタ及び前記周辺回路部のトランジスタのゲート電極を形成する工程と、前記画素部と前記周辺回路部に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記画素部と前記周辺回路部の前記第1の絶縁膜の上に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記光電変換部の前記第2の絶縁膜をエッチングする工程と、前記光電変換部の前記エッチングされた第2の絶縁膜と前記周辺回路部の前記第2の絶縁膜の上に、金属膜を形成する工程と、前記周辺回路部の前記金属膜を除去し、前記光電変換部に前記金属膜から遮光膜を形成する工程と、を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。前記エッチングされた第2の絶縁膜の膜厚は、前記周辺回路部の第2の絶縁膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法。前記第1の絶縁膜は、シリコン窒化膜、もしくはシリコン酸化膜とシリコン窒化膜とが積層した構造であることを特徴とする請求項1あるいは2のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。前記第2の絶縁膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。前記第1の絶縁膜を形成した後、且つ前記第2の絶縁膜を形成する前に、前記画素部と前記周辺回路部に第3の絶縁膜を形成する工程と、前記周辺回路部の前記第1の絶縁膜と前記第3の絶縁膜とをエッチングし、前記周辺回路部のトランジスタのサイドウォールを形成する工程と、を有する請求項1乃至4のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。前記画素部の前記第2の絶縁膜をエッチングする工程において、前記第2の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜の少なくとも一部を除去することを特徴とする請求項5に記載の固体撮像装置の製造方法。前記金属膜は、タングステン、もしくはタングステンシリサイドであることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。前記画素部は、前記光電変換部の電荷を保持する電荷保持部を有し、前記遮光膜は前記電荷保持部に対応して形成されることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。前記複数の光電変換部は、焦点検出用の光電変換部を有し、前記遮光膜は、前記焦点検出用の光電変換部に対応して形成され、スリットを有することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。近年の固体撮像装置の多画素化、高機能化に伴い、光電変換部を制御し光電変換部から出力される信号を読み出すための周辺回路部に配されるトランジスタの高性能化が必須となってきている。このトランジスタの高性能化のためには、ゲート電極を形成するポリシリコン電極の線幅および線間スペースを微細化する必要がある。微細な線間スペースは微細な窪み凹形状を有する。特許文献1に記載の遮光のためのゲート電極の形成方法によると、ポリシリコン膜をエッチングによってパターニングしゲート電極を形成する工程がある。ここで、ポリシリコン膜をパターニングする場合には、周辺回路部に配されたトランジスタのゲート電極の微細な線間スペースにポリシリコン膜が残ってしまう可能性がある。このポリシリコン膜の残膜はリークの原因となり、歩留まりが低下する。歩留まりを向上させるために、ポリシリコン膜の下の絶縁膜を厚くすることで微細な凹形状をなだらかにし、エッチング時に膜が残らないようにする方法が考えられる。しかし、この方法では光電変換部と最表面に配されるマイクロレンズ間の距離が増大するために、固体撮像装置の光学特性が劣化する。このような課題は、特許文献1に記載のポリシリコン膜でない構成においても、たとえばタングステンなどの別の金属膜で遮光膜を形成する場合にも生じてしまう。また、特許文献2に記載の固体撮像装置において、スリットを有する遮光膜を形成する場合にも、同様の課題が生じうる。そこで、本発明においては、遮光膜を有する固体撮像装置の光学特性を維持しつつ、歩留まりを向上させる製造方法を提供することを目的とする。本発明の固体撮像装置の製造方法は、複数の光電変換部及びトランジスタを有する画素が配された画素部と、前記画素部の周囲に配され、トランジスタを有する周辺回路部と、を有する固体撮像装置の製造方法において、前記画素部のトランジスタ及び前記周辺回路部のトランジスタのゲート電極を形成する工程と、前記画素部と前記周辺回路部に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記画素部と前記周辺回路部の前記第1の絶縁膜の上に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記光電変換部の前記第2の絶縁膜をエッチングする工程と、前記光電変換部の前記エッチングされた第2の絶縁膜と前記周辺回路部の前記第2の絶縁膜の上に、金属膜を形成する工程と、前記周辺回路部の前記金属膜を除去し、前記光電変換部に前記金属膜から遮光膜を形成する工程と、を有する。本発明によれば、遮光膜を有する固体撮像装置の光学特性を維持しつつ、歩留まりを向上させる製造方法を提供することが可能となる。実施例1本実施例の固体撮像装置について、図1、図4及び図5を用いて説明する。図1は本実施例の固体撮像装置の断面模式図であり、図4は本実施例の固体撮像装置の4画素分の回路図を示しており、図5はそれに対応する平面模式図である。まず、図4は本実施例の固体撮像装置の4画素分の回路図を示しており、図5はそれに対応する平面模式図を説明する。図4は、電荷保持部を有する画素413が2行2列で配列した構成を示している。402は光電変換部、403は電荷保持部、404は浮遊拡散部、405は電源部、407は画素出力部、408は第1の転送用トランジスタの第1のゲート電極、409は第2の転送用トランジスタの第2のゲート電極である。410はリセット用トランジスタのゲート電極、411は選択用トランジスタのゲート電極、412は増幅用トランジスタのゲート電極、423は排出部となるオーバーフロードレイン以下OFD用のゲート電極である。電源線は所定の電圧を供給する配線であり、電源部405と接続している。ここで、電源部405はリセット用トランジスタのドレイン、選択用トランジスタのドレイン、OFDのドレインとも同一のノードとなっている。RES、TX1、TX2、SEL、OFDは各ゲート電極にパルスを供給する制御線であり、垂直走査回路430からパルスが供給される。RESはリセット用トランジスタのゲート電極410に、TX1は第1のゲート電極408に、TX2は第2のゲート電極409にパルスを供給する制御線である。また、SELは選択用トランジスタのゲート電極411に、OFDはオーバーフロードレイン用のゲート電極423にパルスを供給する制御線である。OUTは信号線である。nやmとは自然数であり、ある行nとその隣の行n1、ある列mとその隣の列m1とを示している。信号線OUTから出力された信号は読み出し回路431に保持され、増幅や加算等の処理がなされうる。また、読み出し回路431から固体撮像装置の外部へOUT2から信号が出力される。この時、信号の加算等の処理やOUT2への信号出力を制御する制御信号が水平走査回路432から読み出し回路431へ供給される。この画素413が配置された領域を画素部450とし、画素部450の周囲に配された走査回路や読み出し回路が配置された領域を周辺回路部451とする。ここで、画素413とは、1つの光電変換部402を含む構成であり、光電変換装置の構成における最小の繰り返し単位である。この画素413が複数配された領域を撮像領域と称する。このような画素413における、グローバルシャッターの動作は次のようになる。ある蓄積期間が経過した後に、光電変換部402にて生じた電荷を第1のゲート電極408によって、電荷保持部403へと転送する。電荷保持部403にてある蓄積期間の信号電荷を保持している間、光電変換部402では再び信号電荷の蓄積が始まる。電荷保持部403の信号電荷は第2のゲート電極409によって浮遊拡散部404へと転送され、増幅用トランジスタの画素出力部407から信号として出力される。また、電荷保持部403にて信号電荷を保持している間に光電変換部402にて生じた電荷が電荷保持部403へ混入しないように、OFDによって光電変換部402の電荷を排出させる場合もある。リセット用トランジスタは、電荷保持部403から信号電荷が転送される前に浮遊拡散部404を所定の電位に設定するリセット動作。この時の浮遊拡散部404の電位をノイズ信号として画素出力部7から出力し、後に出力される信号電荷に基づく信号との差分をとることで、ノイズ信号を除去することができる。図5は、図4の固体撮像装置の平面模式図である。画素413が2行2列に配されている。413aを第1の画素、413bを第2の画素、413cを第3の画素、413dを第4の画素とする。図4と同様の機能を有する構成については、同一の符号を付し説明を省略する。各符号のa、b、c、dについては、それぞれ第1の画素、第2の画素、第3の画素、第4の画素の構成であることを示している。また、説明のため、コンタクトやゲート電極以外の配線の配置については省略している。図4において共通のノードとなっている部分は同一の半導体領域である場合や配線によって接続されている場合がある。画素の構成について、図5の第1の画素413aに着目して説明する。第1のゲート電極408aは電荷保持部403aの上部まで延在して配置されている。第1のゲート電極408aが電荷保持部403aの上部まで配されていることで、電荷保持部403aへの光の入射を低減させ、また、第1のゲート電極408aに供給される電圧を制御することによって、電荷保持部403aの暗電流を低減することが可能である。ここで、401及び414は素子分離部である。図1は、本実施例の固体撮像装置における、画素部450について図5のAB線での断面模式図と、周辺回路部451の任意のトランジスタの断面模式図とを示している。ここでは、信号電荷が電子の場合について説明する。図1において、半導体基板100は、ウエル101と素子分離部102を有する。そして、画素部450において、ウエル101には、光電変換部402を構成するN型の半導体領域103と、電荷保持部403を構成するN型の半導体領域104とが配されている。N型の半導体領域103の上部には、光電変換部402を構成し、表面保護層として機能しうるP型の半導体領域105が配されている。電荷保持部403には、半導体領域103と半導体領域104との電荷の転送を制御する、第1の転送トランジスタのゲート電極である第1のゲート電極408が配されている。第1のゲート電極408は、半導体領域103と半導体領域104との間から、半導体領域104を覆って、素子分離部102上まで配されている。そして、第1のゲート電極408の上部と光電変換部の上部に第1の絶縁膜106が配され、第1の絶縁膜106の上部に光電変換部402に対応した開口を有する第2の絶縁膜107が配されている。第1の絶縁膜106とウエル101との間にはゲート絶縁膜109が配されている。ゲート絶縁膜109は半導体基板100の主面111上に配され、光電変換部402や第1のゲート電極408が配置された領域に配されている。図1において、第2の絶縁膜107の上部に光電変換部402の受光面に対応した開口を有する遮光膜108が配され、遮光膜108を覆って層間絶縁膜110が配されている。層間絶縁膜110には遮光膜108へ電位を供給するためのプラグ114が配され、層間絶縁膜110の上にはプラグ114に接続する配線113が配されている。配線113は多層配線構造のうちの最下層最も半導体基板の主面111近傍に配された配線層に含まれる。つまり、本実施例における遮光膜108が最下層の配線層よりも半導体基板100の近傍に配されていることがわかる。その他にも、第1のゲート電極408へ制御信号を供給するためのプラグや配線などが配されうる不図示。光電変換部の受光面は半導体基板の主面111に含まれうる。そして、図1の周辺回路部451においては、ウエル101に周辺回路部451に配された走査回路や読み出し回路を構成するあるトランジスタが配されている。トランジスタは、LDD構造を有しており、例えばN型の半導体領域116と、半導体領域116よりも不純物濃度が低いN型の半導体領域115とから構成されるソースドレイン領域を有する。そして、トランジスタは、ソースドレイン領域の間に配され、半導体基板の主面111にゲート絶縁膜109と介して配されたゲート電極117を有する。トランジスタのゲート電極117は絶縁膜121を介して配されたサイドウォール120を有する。周辺回路部451には、トランジスタを覆って絶縁膜122が配され、絶縁膜122を覆って層間絶縁膜110が配されている。層間絶縁膜110には、ソースドレイン領域と接続を取るためのプラグ119が配され、プラグ119と接続した配線118が層間絶縁膜110の上に配されている。その他、図1の周辺回路部451は、ゲート電極に制御信号を供給するためのプラグや配線不図示を有している。更に、図1の画素部450及び周辺回路部451の上部には、配線やカラーフィルタやマイクロレンズなどの構成が適宜配置されている不図示。ここで、ゲート電極123は、他のトランジスタのゲート電極の一部であり、トランジスタのゲート電極117と微細な線間スペースで配置されている。図1に示したような本実施例の固体撮像装置の製造方法を図2及び図3を用いて説明する。図2及び図3は図1に示した固体撮像装置の製造方法の各工程における断面模式図である。図1と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。図1aのように、半導体基板100に素子分離部102をSTI法ShallowTranchIsolationやLOCOS法LocalOxidationofSiliconによって形成する。そして、イオン注入により、ウエル101を形成する。ウエル101は画素部450と周辺回路部451とで異なる構成を有していてもよい。次に、ウエル101に、画素部450の電荷保持部403を構成するN型半導体領域104、光電変換部402を構成するN型半導体領域103及びP型半導体領域105などの形成を順次行う。そして、ゲート絶縁膜109を形成し、その後、ポリシリコンを堆積し、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、画素部450に第1のゲート電極408を形成し、周辺回路部451にトランジスタのゲート電極117を形成する。次に、イオン注入によって、周辺回路部451のトランジスタのソースドレイン領域を構成するN型半導体領域115を形成する。なお、光電変換部402を構成するN型半導体領域103は、第1のゲート電極408を形成した後に、イオン注入を行うことで、第1のゲート電極408を利用して自己整合的に形成することもできる。次に、CVD法などによって、シリコン窒化膜からなる第1の絶縁膜201とシリコン酸化膜からなる第3の絶縁膜202とを積層させて形成する図2b。ここで、光電変換部402の第1の絶縁膜201は、絶縁膜106及び絶縁膜121を構成する膜である。第1の絶縁膜201は、画素部450においてエッチングストップ膜としても、反射防止膜としても機能しうる。図1cに示すように、図2bの構成から周辺回路部451のみ第1の絶縁膜201及び第3の絶縁膜202を除去するエッチングを行う。このエッチング工程によって、周辺回路部451は、ポリシリコンからなるゲート電極117の側壁にサイドウォール120が形成される。このサイドウォール120は第3の絶縁膜202から形成され、ゲート電極117とサイドウォール120との間及びゲート電極117上に第1の絶縁膜201の一部が残り絶縁膜121が形成される。つまり、この工程において、画素部450には絶縁膜106が形成され、周辺回路部451には絶縁膜121が形成される。そして、ソースドレイン領域が形成されうる領域は半導体基板100の主面111に露出している。この露出したソースドレイン領域が形成されうる領域に対して更にイオン注入を行い、半導体領域115よりも不純物濃度が高い半導体領域116を形成し、ソースドレイン領域が形成される。次に、図1dに示すように、CVD法などでシリコン酸化膜からなる第2の絶縁膜203を200nm程度の膜厚に形成する。この第2の絶縁膜203は、後述の工程における金属膜の形成及びパターニングを良好に行うための膜である。すなわち、周辺回路部451におけるゲート電極を構成するポリシリコンの間の微細な凹形状の部分204を第2の絶縁膜203が埋める。この方法により、後の工程において、金属膜をパターニングする際のエッチングにおいて、微細な凹形状の部分で残渣が残りにくくなる。また、トランジスタのゲート電極117上に第2の絶縁膜203が配されていることで、金属膜をエッチングする際にトランジスタを保護することが可能となる。次に、図1eに示すように、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、周辺回路部451にはフォトレジストのマスク205が配され、画素部450のみエッチングを行う。この工程を行うことによって、画素部450に第3の絶縁膜202及び第2の絶縁膜203の一部がエッチングされ、絶縁膜107が形成される。そして、周辺回路部451に第2の絶縁膜203からなる絶縁膜122が形成される。ここで、絶縁膜107は絶縁膜122よりも薄くなるようにエッチングされる。このような膜厚の絶縁膜107を得ることで、画素部450において、例えばマイクロレンズから光電変換部402の受光面までの光路長を短くできるため、光学特性を向上することが可能となる。また、画素部450において、光電変換部402の受光面から後述の遮光膜の下端までの距離を小さくすることができ、電荷保持部403への光の漏れを抑制することが可能となる。なお、画素部450においても、第2の絶縁膜203が形成されることでなだらかな表面形状が形成され、なだらかな表面をエッチングすることによって、エッチング後の第2の絶縁膜203の表面もなだらかな表面を得ることが可能である。よって、不要な部分の金属膜のエッチング残渣を低減することが可能となる。周辺回路部451のフォトレジストのマスク205を除去する。次に、図1fのように、PVD法やCVD法により、タングステンやタングステンシリサイド等の金属膜206を形成する。図1gでは、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術により、遮光膜が不要な部分に配された金属膜206を除去し、遮光膜108を形成する。遮光膜が不要な部分とは、例えば、光電変換部402の受光面、電荷保持部403の第1のゲート電極408のためのプラグ形成部不図示及び周辺回路部451などである。この時、光電変換部402上部の第1の絶縁膜106がエッチングストップ膜として機能しうる。また、周辺回路部451には画素部450に配された絶縁膜107よりも厚い絶縁膜122が配されているため、トランジスタなどへのエッチングダメージを低減することが可能となる。遮光膜108の下端はゲート酸化膜109、絶縁膜106及び絶縁膜107の厚みによって制御可能だが、トランジスタの耐圧や光電変換部402へのダメージを踏まえると、絶縁膜107の膜厚を制御することが好ましい。最後に、シリコン酸化膜やボロンやリンを含んだシリコン酸化膜を形成し、層間絶縁膜110を形成する。層間絶縁膜110にタングステンなどでプラグ114及び119を形成し、その上部にアルミニウムや銅で配線113及び118を形成することで、図1の構成を得ることが出来る。この後、図1には示していないが、更に配線やカラーフィルタやマイクロレンズなどを形成することによって、固体撮像装置が完成する。以上、説明してきたように、本実施例の製造方法によって、光学特性を維持しつつ、遮光膜の残渣を低減することが可能となり、歩留まりを向上させることが可能となる。また、遮光膜を形成する際のエッチングダメージから周辺回路部の素子を保護することが可能となる。また、遮光膜を形成する際のエッチングダメージから画素部の光電変換部へを保護することが可能となる。なお、本実施例の製造方法の第3の絶縁膜は、周辺回路部のトランジスタをLDD構造にしない場合には設けなくてもよい。また、周辺回路部のトランジスタをLDD構造にする場合でも、第1の絶縁膜の膜厚を調整することによってサイドウォールを形成することが可能であり、第3の絶縁膜を設けなくても良い。第3の絶縁膜を設けない場合には、画素部450の第2の絶縁膜を、周辺回路部451の第2の絶縁膜よりも薄くすることにより、光路長を短くすることが可能となり、光学特性を向上させることが可能となる。実施例2本実施例の固体撮像装置は、実施例1と同様に遮光膜を有する固体撮像装置に関する。本実施例の固体撮像装置は、実施例1と異なり、画素部450に画像信号を得る画素と焦点検出用の信号を得る画素とを有する固体撮像装置に関するものである。本実施例の固体撮像装置について図6及び図7を用いて説明する。図6aは、本実施例の固体撮像装置の画素713の回路図を示している。本実施例においては、図4に示した実施例1の固体撮像装置の画素413を図6aの画素713に置き換えている。図6aの画素713は、一般的なCMOS型固体撮像装置の回路構成を有しており、402は光電変換部、404は浮遊拡散部、405は電源部、407は画素出力部、408は第1の転送用トランジスタの第1のゲート電極である。410はリセット用トランジスタのゲート電極、411は選択用トランジスタのゲート電極、412は増幅用トランジスタのゲート電極である。電源線は所定の電圧を供給する配線であり、電源部405と接続している。ここで、電源部405はリセット用トランジスタのドレイン、選択用トランジスタのドレインは同一のノードとなっている。RES、TX1、SELは各ゲート電極にパルスを供給する制御線であり、図4の垂直走査回路430からパルスが供給される。OUTは信号線である。駆動等については、説明を省略する。図6bは、本実施例の固体撮像装置の画素部750である。本実施例においては、図4に示した画素部450を図6bの画素部750に置き換えている。画素部750には図6aに示した画素713が、X方向及びそれに対して垂直なY方向に沿って複数配されている。ここで、画素部750に配された複数の画素713は、画像信号を得る画素713aと焦点検出用の信号を得る画素713bとを有する。画素713a及び画素713bとの違いは、画素713aには遮光膜が配されず、焦点検出用の画素713bには光電変換部402に対して偏りのある開口スリットを有する遮光膜が配されている。図6bにおいて、画素713a及び画素713bには、画素に対して1対1でマイクロレンズ701が配されている。画素713bには遮光膜702が配され、遮光膜702は、画素部750における画素713bのそれぞれの位置に応じて光電変換部402の重心と異なる重心を有する開口703を有する。このような構成によって、画素713bでの瞳分割が行われ、焦点検出用の信号を得ることが出来る。図7は、画素713bの光電変換部402の断面模式図であり、実施例1の図1に対応する断面模式図である。図7において、図1と同様な構成については同一の符号を付し、説明を省略する。本実施例において、実施例1と異なる部分は遮光膜702であり、遮光膜702は実施例1の遮光膜108と対応する。遮光膜702は画素部750の光電変換部402の受光面の上に延在し、開口703を有している。実施例1と同様に、本実施例においても絶縁膜107は遮光膜702とともに光電変換部402の受光面の上に延在している。本実施例においては、実施例1において遮光膜108を形成する際の金属膜のパターニングのマスクが異なる点以外は、製造方法は実施例1と同様である。つまり、本実施例に示した画像信号を得る画素と焦点検出用の信号を得る画素とを有する固体撮像装置においても、本発明の製造方法は適用可能であり、固体撮像装置の光学特性を維持しつつ、歩留まりを向上させる製造方法を提供することが可能となる。また、本実施例における遮光膜702が最下層の配線層配線113よりも半導体基板100の近傍に配されていることがわかる。このような位置に遮光膜108が配されることで、迷光を低減することが可能となり、より高品位な焦点検出信号を得ることが可能となる。なお、本実施例において、画素713は図6aに示した回路を適用したが、限定されるものではなく、例えば実施例1に示したような電荷保持部を有する回路であってもよい。以下、上記の各実施形態に係る固体撮像装置の応用例として、該固体撮像装置が組み込まれた撮像システムについて例示的に説明する。撮像システムの概念には、スチルカメラやカムコーダ等の撮影を主目的とする装置のみならず、撮影機能を補助的に備える装置例えば、パーソナルコンピュータ、携帯端末も含まれる。撮像システムは、上記の実施形態として例示された本発明に係る固体撮像装置と、該固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部とを含む。該処理部は、例えば、デジタルデータを処理するプロセッサを含みうる。また、固体撮像装置から焦点検出信号が出力される場合には、焦点検出処理部を更に有していてもよい。焦点検出処理部からの信号によって、光学系の焦点調節が行われうる。以上のようにして、本発明の固体撮像装置は撮像システムに適用される。遮光性能が高い本発明の固体撮像装置を用いることによって、迷光を抑制することが可能となり、得られる画像信号あるいは焦点検出信号の精度が向上する。得られる信号の精度が向上するため信号処理回路での画像処理が容易となる。よって、撮像システムの信号処理部などの構成を簡易なものにすることが可能となる。以上、説明したように、本発明の固体撮像装置の製造方法によって、遮光膜を有する固体撮像装置の光学特性を維持しつつ、歩留まりを向上させる製造方法を提供することが可能となる。