共鳴光対によって金属原子に電磁誘起透過現象を発生させる原子発振器であって、一定波長の光を発生させる光発生部と、前記光発生部が発生させた光を第1の光と第2の光に分離する第1の光分離部と、前記第2の光の周波数を変調することにより第3の光を生成する光変調部と、前記第1の光と前記第3の光とを混合する光混合部と、前記光混合部で混合された光が照射される金属原子と、前記金属原子を透過した光に含まれる前記第1の光と前記第3の光とを分離する第2の光分離部と、前記第2の光分離部で分離された前記第1の光を検出する光検出部と、前記光検出部の検出信号に基づいて、前記第1の光と前記第3の光とが前記共鳴光対となるように前記第3の光の周波数を制御する制御部と、を含む、原子発振器。請求項1において、前記第1の光分離部は、第1の偏光ビームスプリッターにより、光発生部が発生させた光を前記第1の光と前記第2の光に分離する、原子発振器。請求項1又は2において、前記光混合部は、第2の偏光ビームスプリッターにより、前記第1の光と前記第3の光とを混合する、原子発振器。請求項1乃至3のいずれかにおいて、前記第2の光分離部は、第3の偏光ビームスプリッターにより、前記金属原子を透過した光に含まれる前記第1の光と前記第3の光とを分離する、原子発振器。請求項1乃至4のいずれかにおいて、前記光変調部は、前記制御部が生成する制御信号の周波数に応じて前記第2の光の周波数を変調する電気光学変調器を含む、原子発振器。請求項1乃至4のいずれかにおいて、前記光変調部は、前記制御部が生成する制御信号の周波数に応じて前記第2の光の周波数を変調する音響光学変調器を含む、原子発振器。請求項6において、前記第3の光は、前記第2の光を入射光として前記音響光学変調器が出力するM次Mは1以上の整数の回折光を前記音響光学変調器に入射することにより、当該M次の回折光を入射光として前記音響光学変調器が出力するN次Nは1以上の整数の回折光である、原子発振器。共鳴光対によって金属原子に電磁誘起透過現象を発生させる原子発振器の制御方法であって、一定波長の光を発生させる光発生ステップと、前記光発生ステップで発生させた光を第1の光と第2の光に分離させる第1の光分離ステップと、前記第2の光の周波数を変調することにより第3の光を生成させる光変調ステップと、前記第1の光と前記第3の光とを混合させる光混合ステップと、前記光混合ステップで混合された光を金属原子に照射させる光照射ステップと、前記金属原子を透過した光に含まれる前記第1の光と前記第3の光とを分離させる第2の光分離ステップと、前記第2の光分離ステップで分離された前記第1の光を検出させる光検出ステップと、前記光検出ステップの検出結果に基づいて、前記第1の光と前記第3の光とが前記共鳴光対となるように前記第3の光の周波数を制御させる制御ステップと、を含む、原子発振器の制御方法。共鳴光対によって金属原子に電磁誘起透過現象を発生させる量子干渉装置であって、一定波長の光を発生させる光発生部と、前記光発生部が発生させた光を第1の光と第2の光に分離する第1の光分離部と、前記第2の光の周波数を変調することにより第3の光を生成する光変調部と、前記第1の光と前記第3の光とを混合する光混合部と、前記光混合部で混合された光が照射される金属原子と、前記金属原子を透過した光に含まれる前記第1の光と前記第3の光とを分離する第2の光分離部と、前記第2の光分離部で分離された前記第1の光を検出する光検出部と、前記光検出部の検出信号に基づいて、前記第1の光と前記第3の光とが前記共鳴光対となるように前記第3の光の周波数を制御する制御部と、を含む、量子干渉装置。しかしながら、従来の原子発振器では、光検出器が検出する光の強度が最大となるように、半導体レーザーの駆動電流をフィードバック制御しているため、半導体レーザーの出射光共鳴光対が不安定になり、周波数安定度が劣化するという問題がある。本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のいくつかの態様によれば、共鳴光対の不安定性を解消することにより高い周波数安定度を実現可能な原子発振器、原子発振器の制御方法及び量子干渉装置を提供することができる。1本発明は、共鳴光対によって金属原子に電磁誘起透過現象を発生させる原子発振器であって、一定波長の光を発生させる光発生部と、前記光発生部が発生させた光を第1の光と第2の光に分離する第1の光分離部と、前記第2の光の周波数を変調することにより第3の光を生成する光変調部と、前記第1の光と前記第3の光とを混合する光混合部と、前記光混合部で混合された光が照射される金属原子と、前記金属原子を透過した光に含まれる前記第1の光と前記第3の光とを分離する第2の光分離部と、前記第2の光分離部で分離された前記第1の光を検出する光検出部と、前記光検出部の検出信号に基づいて、前記第1の光と前記第3の光とが前記共鳴光対となるように前記第3の光の周波数を制御する制御部と、を含む、原子発振器である。本発明によれば、一定波長の光を第1の光と第2の光に分離し、第1の光とともに、第2の光の周波数を変調して発生させた第3の光を金属原子に照射し、金属原子を透過した第3の光を検出して金属原子に照射される第1の光と第3の光が金属原子に電磁誘起透過現象を発生させる共鳴光対となるように第3の光の周波数を制御する。このフィードバック制御により、第1の光と第3の光の周波数差を一定に保持することができるので、安定した周波数の発振信号を得ることができる。特に、本発明では、一方の共鳴光となる第1の光にはフィードバック制御による変調をかけず、第2の光にのみ変調をかけて他方の共鳴光である第3の光を発生させている。すなわち、第3の光は、フィードバック制御の影響を受けて若干不安定な周波数の共鳴光であるが、第1の光は、フィードバック制御の影響を受けないので、安定した周波数の共鳴光である。そして、金属原子を透過した若干不安定な周波数の第3の光は分離されて光検出部で検出されず、安定した周波数の第1の光のみが光検出部で検出されるので、光検出部の検出信号の安定性が従来よりも向上する。その結果、周波数安定度が極めて高い原子発振器を実現することができる。また、本発明によれば、金属原子を透過した第1の光は光検出部で検出されるが、第3の光は光検出部で検出されないので、光検出部のダイナミックレンジを小さくすることができる。2この原子発振器において、前記第1の光分離部は、第1の偏光ビームスプリッターにより、光発生部が発生させた光を前記第1の光と前記第2の光に分離するようにしてもよい。このように、偏光ビームスプリッターを用いることで、簡単な構成によって、光発生部が発生させた光を偏光成分毎に第1の光と第2の光に分離することができる。3この原子発振器において、前記光混合部は、第2の偏光ビームスプリッターにより、前記第1の光と前記第3の光とを混合するようにしてもよい。このように、偏光ビームスプリッターを用いることで、簡単な構成によって、異なる偏光の第1の光と第3の光を混合することができる。4この原子発振器において、前記第2の光分離部は、第3の偏光ビームスプリッターにより、前記金属原子を透過した光に含まれる前記第1の光と前記第3の光とを分離するようにしてもよい。このように、偏光ビームスプリッターを用いることで、簡単な構成によって、金属原子を透過した光を偏光成分毎に第1の光と第3の光に分離することができる。5この原子発振器において、前記光変調部は、前記制御部が生成する制御信号の周波数に応じて前記第2の光の周波数を変調する電気光学変調器を含むようにしてもよい。このように、電気光学変調器を用いて第2の光の周波数を変調することで、第2の光の周波数と制御信号の周波数との和の周波数の光及び第2の光の周波数と制御信号の周波数との差の周波数の光を生成することができるので、いずれか一方の光を第3の光とすることができる。6この原子発振器において、前記光変調部は、前記制御部が生成する制御信号の周波数に応じて前記第2の光の周波数を変調する音響光学変調器を含むようにしてもよい。このように、音響光学変調器を用いることで、第2の光を容易に変調することができる。7この原子発振器において、前記第3の光は、前記第2の光を入射光として前記音響光学変調器が出力するM次Mは1以上の整数の回折光を前記音響光学変調器に入射することにより、当該M次の回折光を入射光として前記音響光学変調器が出力するN次Nは1以上の整数の回折光であるようにしてもよい。第2の光を入射光としてこの音響光学変調器が出力するM次の回折光は、第2の光の周波数と制御信号の周波数のM倍との和の周波数の光となる。そして、このM次の回折光を入射光としてこの音響光学変調器が出力するN次の回折光は、第2の光の周波数と制御信号の周波数のMN倍との和の周波数の光となるので、このN次の回折光を第3の光とすることができる。従って、制御信号の周波数を、金属原子の第1の基底準位と第2の基底準位との周波数差の1/MNの周波数と一致させればよいので、フィードバック制御に要する消費電力を低減させることができる。特に、音響光学変調器が出力する1次の回折光は強度が高いので、M=N=1とすることで、第3の光の強度の低下を抑えることができ、電磁誘起透過現象の発現効率の低下を抑えることができる。8本発明は、共鳴光対によって金属原子に電磁誘起透過現象を発生させる原子発振器の制御方法であって、一定波長の光を発生させる光発生ステップと、前記光発生ステップで発生させた光を第1の光と第2の光に分離させる第1の光分離ステップと、前記第2の光の周波数を変調することにより第3の光を生成させる光変調ステップと、前記第1の光と前記第3の光とを混合させる光混合ステップと、前記光混合ステップで混合された光を金属原子に照射させる光照射ステップと、前記金属原子を透過した光に含まれる前記第1の光と前記第3の光とを分離させる第2の光分離ステップと、前記第2の光分離ステップで分離された前記第1の光を検出させる光検出ステップと、前記光検出ステップの検出結果に基づいて、前記第1の光と前記第3の光とが前記共鳴光対となるように前記第3の光の周波数を制御させる制御ステップと、を含む、原子発振器の制御方法である。9本発明は、共鳴光対によって金属原子に電磁誘起透過現象を発生させる量子干渉装置であって、一定波長の光を発生させる光発生部と、前記光発生部が発生させた光を第1の光と第2の光に分離する第1の光分離部と、前記第2の光の周波数を変調することにより第3の光を生成する光変調部と、前記第1の光と前記第3の光とを混合する光混合部と、前記光混合部で混合された光が照射される金属原子と、前記金属原子を透過した光に含まれる前記第1の光と前記第3の光とを分離する第2の光分離部と、前記第2の光分離部で分離された前記第1の光を検出する光検出部と、前記光検出部の検出信号に基づいて、前記第1の光と前記第3の光とが前記共鳴光対となるように前記第3の光の周波数を制御する制御部と、を含む、量子干渉装置である。本発明によれば、一定波長の光を第1の光と第2の光に分離し、第1の光とともに、第2の光の周波数を変調して発生させた第3の光を金属原子に照射し、金属原子を透過した第3の光を検出して金属原子に照射される第1の光と第3の光が金属原子に電磁誘起透過現象を発生させる共鳴光対となるように第3の光の周波数を制御する。このフィードバック制御により、第1の光と第3の光の周波数差を一定に保持するころができるので、安定した周波数の発振信号を得ることができる。特に、本発明では、一方の共鳴光となる第1の光にはフィードバック制御による変調をかけず、第2の光にのみ変調をかけて他方の共鳴光である第3の光を発生させている。すなわち、第3の光は、フィードバック制御の影響を受けて若干不安定な周波数の共鳴光であるが、第1の光は、フィードバック制御の影響を受けないので、安定した周波数の共鳴光である。そして、金属原子を透過した若干不安定な周波数の第3の光は分離されて光検出部で検出されず、安定した周波数の第1の光のみが光検出部で検出されるので、光検出部の検出信号の安定性が従来よりも向上する。その結果、周波数安定度が極めて高い量子干渉装置を実現することができる。また、本発明によれば、金属原子を透過した第1の光は光検出部で検出されるが、第3の光は光検出部で検出されないので、光検出部のダイナミックレンジを小さくすることができる。以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。1.量子干渉装置図1は、本実施形態の量子干渉装置の機能ブロック図である。本実施形態の量子干渉装置1は、光発生部10、第1の光分離部20、光混合部30、金属原子40、第2の光分離部50、光検出部60、制御部70、光変調部80を含んで構成されている。光発生部10は、一定波長の光12を発生させる。第1の光分離部20は、光発生部20が発生させた光12を第1の光22と第2の光24に分離する。第1の光分離部20は、例えば、第1の偏光ビームスプリッターにより、光発生部10が発生させた光12を第1の光22と第2の光24に分離するようにしてもよい。光変調部80は、第1の光分離部20が分離した第2の光24の周波数を変調することにより第3の光82を生成する。光変調部80は、例えば、制御部70が生成する制御信号72の周波数に応じて第2の光24の周波数を変調する電気光学変調器を含むようにしてもよい。また、光変調部80は、例えば、制御部70が生成する制御信号72の周波数に応じて第2の光24の周波数を変調する音響光学変調器を含むようにしてもよい。この場合、第3の光82は、第2の光24を入射光として音響光学変調器が出力するM次Mは1以上の整数の回折光を音響光学変調器に入射することにより、当該M次の回折光を入射光として音響光学変調器が出力するN次Nは1以上の整数の回折光であるようにしてもよい。光混合部30は、第1の光分離部20が分離した第1の光22と光変調部80が生成した第3の光82とを混合し、金属原子20に照射する。光混合部30は、例えば、第2の偏光ビームスプリッターにより、第1の光22と第3の光82とを混合するようにしてもよい。金属原子40は、Λ型3準位を有する金属原子であり、例えば、ナトリウムNa原子、ルビジウムRb原子、セシウムCs原子等のアルカリ金属原子である。第2の光分離部50は、金属原子40を透過した光42に含まれる第1の光52と第3の光54とを分離する。第2の光分離部50は、例えば、第3の偏光ビームスプリッターにより、金属原子40を透過した光42に含まれる第1の光52と第3の光54とを分離するようにしてもよい。光検出部60は、第2の光分離部50で分離された第1の光52を検出する。制御部70は、光検出部60の検出信号62に基づいて、第1の光22と第3の光82とが金属原子40に電磁誘起透過現象を発生させる共鳴光対となるように第3の光82の周波数を制御する。以下では、量子干渉装置1の一例として、原子発振器を例に挙げて詳細に説明する。2.原子発振器2-1.第1実施形態図2は、第1実施形態の原子発振器の構成例を示す図である。図2に示すように、第1実施形態の原子発振器1aは、半導体レーザー110、偏光ビームスプリッターPBS:PolarizationBeamSplitter120、偏光ビームスプリッターPBS130、ガスセル140、偏光ビームスプリッターPBS150、光検出器160、検波回路170、電圧制御水晶発振器VCXO180、変調回路190、低周波発振器200、周波数変換回路210、電気光学変調器EOM:ElectroOpticModulator220を含んで構成されている。ガスセル140は、容器中に気体状のアルカリ金属原子が封入されたものである。半導体レーザー110は、単一波長λ0単一周波数f0の光を発生させて偏光ビームスプリッターPBS120に照射する。具体的には、電流駆動回路100が出力する一定の駆動電流直流の設定によって、半導体レーザー110の出射光の波長λ0周波数f0が一定に制御される。本実施形態では、波長λ0周波数f0が、アルカリ金属原子の2P32のI-1/2の励起準位I1/2の励起準位でもよいと2S12のI1/2の基底準位とのエネルギー差に相当する波長λ23周波数f23と一致するように駆動電流が設定される。ただし、波長λ0周波数f0は、必ずしもλ23f23と正確に一致させる必要はなく、λ23f23を中心とする所定範囲の波長周波数であってもよい。このような半導体レーザー110は、例えば、端面発光レーザーEdgeEmittingLaserや、垂直共振器面発光レーザーVCSEL:VerticalCavitySurfaceEmittingLaser等の面発光レーザーなどで実現することができる。半導体レーザー110の出射光は、進行方向Z軸に対して垂直な2軸X軸、Y軸とそれぞれ平行な方向に同じ位相で振動する2つの偏光成分X偏光、Y偏光を含む、波長λ0周波数f0の直線偏光の光である。図3Aに、半導体レーザー110の出射光の周波数スペクトラムの一例を示す。偏光ビームスプリッターPBS120は、半導体レーザー110の出射光に含まれる2つの偏光成分X偏光、Y偏光を分離する。偏光ビームスプリッターPBS120は、例えば、2つの三角プリズムを貼り合わせて構成され、反射面2つの三角プリズムを貼り合わせた面の法線と光の進行方向を含む面内に含まれる直線偏光P偏光を透過させ、P偏光と垂直な直線偏光S偏光を反射させる。本実施形態では、半導体レーザー110の出射光に含まれるX偏光とY偏光がそれぞれP偏光とS偏光となるように、偏光ビームスプリッターPBS120の反射面の角度が調整されている。すなわち、X偏光は偏光ビームスプリッターPBS120を透過して偏光ビームスプリッターPBS130に入射する。一方、Y偏光は偏光ビームスプリッターPBS120で反射して電気光学変調器EOM220に入射する。図3Bに、偏光ビームスプリッターPBS120を透過して偏光ビームスプリッターPBS130に入射する光の周波数スペクトラムの一例を示す。また、図3Cに、偏光ビームスプリッターPBS120で反射して電気光学変調器EOM220に入射する光の周波数スペクトラムの一例を示す。電気光学変調器EOM220に入射したY偏光波長λ0周波数f0は、周波数変換回路210の出力信号を変調信号変調周波数fmとして変調がかけられる。これにより、電気光学変調器EOM220は変調がかかったY偏光、ずなわち、周波数f0のY偏光、周波数f1=f0fmのY偏光、周波数f2=f0-fmのY偏光を含む光を出射する。電気光学変調器EOM220の出射光は、偏光ビームスプリッターPBS130に入射する。図3Dに、電気光学変調器EOM220から出射して偏光ビームスプリッターPBS130に入射する光の周波数スペクトラムの一例を示す。偏光ビームスプリッターPBS130は、偏光ビームスプリッターPBS120を透過して入射するX偏光と、電気光学変調器EOM220が出射するY偏光を混合してガスセル140に照射する。偏光ビームスプリッターPBS130の構造は、偏光ビームスプリッターPBS120と同じでよいが、本実施形態では、X偏光とY偏光がそれぞれP偏光とS偏光となるように、偏光ビームスプリッターPBS130が配置されている。すなわち、X偏光がP偏光となって偏光ビームスプリッターPBS130を透過し、Y偏光がS偏光となって偏光ビームスプリッターPBS130で反射してガスセル140に入射するように、偏光ビームスプリッターPBS130の反射面の角度が、偏光ビームスプリッターPBS120の反射面の角度と直交するように、調整されている。偏光ビームスプリッターPBS130で混合されたX偏光とY偏光は、ガスセル140に入射し、ガスセル140を透過した光は、偏光ビームスプリッターPBS150に入射する。図3Eに、偏光ビームスプリッターPBS130で混合されてガスセル140に入射する光の周波数スペクトラムの一例を示す。また、図3Fに、ガスセル140を透過して偏光ビームスプリッターPBS150に入射する光の周波数スペクトラムの一例を示す。偏光ビームスプリッターPBS150は、ガスセル140を透過した光に含まれるX偏光とY偏光を分離する。偏光ビームスプリッターPBS150の構造は、偏光ビームスプリッターPBS120と同じでよく、ガスセル140を透過した光に含まれるX偏光とY偏光がそれぞれP偏光とS偏光となるように、偏光ビームスプリッターPBS150の反射面の角度が調整されている。すなわち、X偏光は偏光ビームスプリッターPBS150を透過して光検出器160に入射するが、Y偏光は偏光ビームスプリッターPBS150で反射して光検出器160に入射しない。図3Gに、偏光ビームスプリッターPBS150を透過して光検出器160に入射する光の周波数スペクトラムの一例を示す。また、図3Hに、偏光ビームスプリッターPBS150で反射して光検出器160に入射しない光の周波数スペクトラムの一例を示す。光検出器160は、偏光ビームスプリッターPBS150を透過して入射する光を検出し、光の強度に応じた検出信号を出力する。前述したように、周波数差が、アルカリ金属原子の2つの基底準位のエネルギー差ΔE12に相当する周波数と一致する2種類の光をアルカリ金属原子に照射すると、アルカリ金属原子はEIT現象を起こす。このEIT現象を起こすアルカリ金属原子の数が多いほどガスセル140を透過する光の強度が増大し、光検出器160の出力信号の電圧レベルが高くなる。光検出器160の出力信号は検波回路170に入力される。検波回路170は、数Hz~数百Hz程度の低い周波数で発振する低周波発振器200の発振信号を用いて光検出器160の出力信号を同期検波する。そして、検波回路170の出力信号の大きさに応じて、電圧制御水晶発振器VCXO180の発振周波数が微調整される。電圧制御水晶発振器VCXO180は、例えば、数MHz~数10MHz程度で発振する。変調回路190は、検波回路170による同期検波を可能とするために、低周波発振器200の発振信号検波回路170に供給される発振信号と同じを変調信号として電圧制御水晶発振器VCXO180の出力信号を変調する。変調回路190は、周波数混合器ミキサー、周波数変調FM:FrequencyModulation回路、振幅変調AM:AmplitudeModulation回路等により実現することができる。周波数変換回路210は、一定の周波数変換率で変調回路190の出力信号を周波数変換する。例えば、電圧制御水晶発振器VCXO180の発振周波数の中心値を10MHzとして、ガスセル140に封入されたアルカリ金属原子がセシウム原子ΔE12に相当する周波数は9.192631770GHzであれば、周波数変換率は9.192631770GHz/10MHzに設定される。周波数変換回路210は、例えば、PLLPhaseLockedLoop回路により実現することができる。そして、偏光ビームスプリッターPBS:PolarizationBeamSplitter120、偏光ビームスプリッターPBS130、ガスセル140、偏光ビームスプリッターPBS150、光検出器160、検波回路170、電圧制御水晶発振器VCXO180、変調回路190、周波数変換回路210、電気光学変調器EOM220を通るフィードバックループにより、周波数変換回路210の出力信号の周波数がΔE12に相当する周波数と正確に一致するように微調整される。例えば、ガスセル140に封入されたアルカリ金属原子がセシウム原子であれば、周波数変換回路210の出力信号の周波数がセシウム原子のΔE12に相当する周波数である9.192631770GHzと一致した状態で安定する。前述したように、電気光学変調器EOM220に入射したY偏光波長λ0周波数f0は、周波数変換回路210の出力信号を変調信号変調周波数fmとして変調がかけられる。これにより、電気光学変調器EOM220は周波数f0のY偏光とともに周波数f1=f0fmのY偏光と周波数f2=f0-fmのY偏光を含む光を出射し図3D参照、これらのY偏光は、偏光ビームスプリッターPBS130で周波数f0のX偏光と混合されてガスセル140に入射する図3E参照。このような構成の原子発振器1aでは、周波数f1=f0fm=f23f12=f13のY偏光と周波数f0=f23のX偏光又はY偏光が共鳴光対となり、共鳴光対の周波数差すなわち、周波数変換回路210の出力信号の周波数fmがΔE12に相当する周波数と正確に一致するか否かでEIT現象を起こすアルカリ原子の数が急峻に変化する。そのため、光検出器160の検出量は極めて敏感に変化し、周波数変換回路210の出力信号の周波数fmがΔE12に相当する周波数と正確に一致するようにフィードバック制御がかかる。特に、本実施形態の原子発振器によれば、半導体レーザー110が出射する単一波長の光をX偏光とY偏光に分離し、一方の共鳴光となるX偏光にはフィードバック制御による変調をかけず、Y偏光にのみ変調をかけて他方の共鳴光を発生させている。すなわち、Y偏光は、フィードバック制御の影響を受けて若干不安定な周波数の光であるが、X偏光は、フィードバック制御の影響を受けないので、安定した周波数の光である。そして、ガスセル140を透過した若干不安定な周波数のY偏光は、偏光ビームスプリッターPBS150で反射されて光検出器160に入射せず、安定した周波数のX偏光のみが光検出器160に入射するので、光検出器160の検出信号の安定性が従来よりも向上する。その結果、周波数安定度が極めて高い原子発振器を実現することができる。なお、ガスセルに封入された気体状のアルカリ金属原子は、自由に運動しているため入射光に対する相対速度が異なる。そのため、ドップラー効果により、アルカリ金属原子から見た入射光の見かけの波長が異なり、フィードバックループが安定した状態でも、EIT現象を起こすアルカリ金属原子は一部にすぎない。その結果、ガスセルを透過する光量は小さく、光検出器のダイナミックレンジは、本来、この光量を検出できる程度に設定すればよい。ただし、フィードバックループが安定するまでは、ガスセルに入射する光がすべてガスセルを透過するため光量がかなり大きく、従来の原子発振器では、ガスセルを透過した光がすべて光検出器に入射するため、光検出器の出力が飽和しないように十分なダイナミックレンジを確保しなければならない。これに対して、本実施形態の原子発振器では、ガスセル140と光検出器160の間に偏光ビームスプリッターPBS150が設けられていることで、ガスセル140を透過した光のうちY偏光は反射して光検出器160に入射せずX偏光のみ光検出器160に入射するので、図4に示すように、フィードバックループが安定する前に光検出器160に入射する光量を従来よりも低下させることができるので、光検出器160のダイナミックレンジを従来よりも小さくすることができる。なお、図2の電流駆動回路100と半導体レーザー110による構成は、図1の光発生部10に相当する。また、図2のガスセル140に含まれるアルカリ金属原子は、図1の金属原子40に相当する。また、図2の偏光ビームスプリッターPBS120、偏光ビームスプリッターPBS130、偏光ビームスプリッターPBS150、光検出器160、電気光学変調器EOM220は、それぞれ図1の第1の光分離部20、光混合部30、第2の光分離部50、光検出部60、光変調部80に相当する。また、図2の検波回路170、電圧制御水晶発振器VCXO180、変調回路190、低周波発振器200、周波数変換回路210による構成は、図1の制御部70に相当する。2-2.第2実施形態図5は、第2実施形態の原子発振器の具体的な構成例を示す図である。図6に示すように、第2実施形態の原子発振器1aは、半導体レーザー110、偏光ビームスプリッターPBS:PolarizationBeamSplitter120、偏光ビームスプリッターPBS130、ガスセル140、偏光ビームスプリッターPBS150、光検出器160、検波回路170、電圧制御水晶発振器VCXO180、変調回路190、低周波発振器200、周波数変換回路210、音響光学変調器AOM:AcoustoOpticModulator240を含み、図2に示した第1実施形態の原子発振器1aの電気光学変調器EOM220の代わりに音響光学変調器AOM240を用いて構成されている。なお、図5において、図2と同じ構成には同じ符号を付している。半導体レーザー110は、第1実施形態と同様に、X偏光とY偏光を含む単一波長λ0単一周波数f0の光を発生させて偏光ビームスプリッターPBS120に照射する。図6Aに、半導体レーザー110の出射光の周波数スペクトラムの一例を示す。偏光ビームスプリッターPBS120は、第1実施形態と同様に、半導体レーザー110の出射光に含まれるX偏光を透過させるとともに、Y偏光を反射させ、両者を分離する。すなわち、X偏光は偏光ビームスプリッターPBS120を透過して偏光ビームスプリッターPBS130に入射し、Y偏光は偏光ビームスプリッターPBS120で反射して音響光学変調器AOM230に入射する。図6Bに、偏光ビームスプリッターPBS120を透過して偏光ビームスプリッターPBS130に入射する光の周波数スペクトラムの一例を示す。また、図6Cに、偏光ビームスプリッターPBS120で反射して音響光学変調器AOM230に入射する光の周波数スペクトラムの一例を示す。音響光学変調器AOM230に入射したY偏光波長λ0周波数f0は、周波数変換回路210の出力信号を変調信号変調周波数fmとして変調がかけられる。これにより、音響光学変調器AOM230は周波数f0のY偏光とともに、1次の回折光として周波数f0fmのY偏光、2次の回折光として周波数f02fmのY偏光、を出射する。本実施形態では、この2次の回折光である周波数f02fmのY偏光を偏光ビームスプリッターPBS130に入射させる。あるいは、図7に示すように、周波数f0のY偏光をプリズム232で反射させ、1/4波長板234を介して音響光学変調器AOM230に入射させる。そして、音響光学変調器AOM230が出射する1次の回折光周波数f0fmのY偏光をミラー236で全反射させて音響光学変調器AOM230に入射させ、この入射光周波数f0fmのY偏光に対する1次の回折光として音響光学変調器AOM230から出射する光周波数f02fmのY偏光を1/4波長板234を介してプリズム232に入射させる。周波数f02fmのY偏光は、1/4波長板234を2回透過した光なので、プリズム232で反射せずにそのまま透過する。この周波数f02fmのY偏光を偏光ビームスプリッターPBS130に入射させるようにしてもよい。1次の回折光は、2次の回折光よりも光量が大きいので、図7のような構成で周波数f02fmのY偏光を発生させた方が効率がよい。図6Dに、音響光学変調器AOM230から出射して偏光ビームスプリッターPBS130に入射する光の周波数スペクトラムの一例を示す。偏光ビームスプリッターPBS130は、偏光ビームスプリッターPBS120を透過して入射するX偏光と、音響光学変調器AOM230が出射するY偏光を混合してガスセル140に照射する。偏光ビームスプリッターPBS130で混合されたX偏光とY偏光は、ガスセル140に入射し、ガスセル140を透過した光は、偏光ビームスプリッターPBS150に入射する。図6Eに、偏光ビームスプリッターPBS130で混合されてガスセル140に入射する光の周波数スペクトラムの一例を示す。また、図6Fに、ガスセル140を透過して偏光ビームスプリッターPBS150に入射する光の周波数スペクトラムの一例を示す。偏光ビームスプリッターPBS150は、第1実施形態と同様に、ガスセル140を透過した光に含まれるX偏光とY偏光を分離する。すなわち、X偏光は偏光ビームスプリッターPBS150を透過して光検出器160に入射するが、Y偏光は偏光ビームスプリッターPBS150で反射して光検出器160に入射しない。図6Gに、偏光ビームスプリッターPBS150を透過して光検出器160に入射する光の周波数スペクトラムの一例を示す。また、図6Hに、偏光ビームスプリッターPBS150で反射して光検出器160に入射しない光の周波数スペクトラムの一例を示す。光検出器160、検波回路170、電圧制御水晶発振器VCXO180、変調回路190、低周波発振器200、周波数変換回路210の動作は、第1実施形態と同様であるので、説明を省略する。ただし、周波数変換回路210の周波数変換率は、第1実施形態の周波数変換回路210の周波数変換率の1/2に設定される。例えば、電圧制御水晶発振器VCXO180の発振周波数の中心値を10MHzとして、ガスセル140に封入されたアルカリ金属原子がセシウム原子ΔE12に相当する周波数は9.192631770GHzであれば、周波数変換率は9.192631770GHz/10MHz×1/2に設定される。そして、偏光ビームスプリッターPBS:PolarizationBeamSplitter120、偏光ビームスプリッターPBS130、ガスセル140、偏光ビームスプリッターPBS150、光検出器160、検波回路170、電圧制御水晶発振器VCXO180、変調回路190、周波数変換回路210、音響光学変調器AOM230を通るフィードバックループにより、周波数変換回路210の出力信号の周波数がΔE12に相当する周波数の1/2の周波数と正確に一致するように微調整される。例えば、ガスセル140に封入されたアルカリ金属原子がセシウム原子であれば、周波数変換回路210の出力信号の周波数がセシウム原子のΔE12に相当する周波数9.192631770GHzの1/2の周波数である4.596315885GHzと一致した状態で安定する。前述したように、音響光学変調器AOM230に入射したY偏光波長λ0周波数f0は、周波数変換回路210の出力信号を変調信号変調周波数fmとして変調がかけられる。そして、偏光ビームスプリッターPBS130で、音響光学変調器AOM230が出射する周波数f02fmのY偏光と周波数f0のX偏光が混合されてガスセル140に入射する図6E参照。このような構成の原子発振器1aでは、周波数f02fm=f23f12=f13のY偏光と周波数f0=f23のX偏光又はY偏光が共鳴光対となり、共鳴光対の周波数差すなわち、周波数変換回路210の出力信号の周波数fmの2倍の周波数がΔE12に相当する周波数と正確に一致するか否かでEIT現象を起こすアルカリ原子の数が急峻に変化する。そのため、光検出器160の検出量は極めて敏感に変化し、周波数変換回路210の出力信号の周波数fmがΔE12に相当する周波数の1/2の周波数と正確に一致するようにフィードバック制御がかかる。特に、第2実施形態の原子発振器によれば、半導体レーザー110が出射する単一波長の光をX偏光とY偏光に分離し、一方の共鳴光となるX偏光にはフィードバック制御による変調をかけず、Y偏光にのみ変調をかけて他方の共鳴光を発生させている。すなわち、Y偏光は、フィードバック制御の影響を受けて若干不安定な周波数の光であるが、X偏光は、フィードバック制御の影響を受けないので、安定した周波数の光である。そして、ガスセル140を透過した若干不安定な周波数のY偏光は、偏光ビームスプリッターPBS150で反射されて光検出器160に入射せず、安定した周波数のX偏光のみが光検出器160に入射するので、光検出器160の検出信号の安定性が従来よりも向上する。その結果、周波数安定度が極めて高い原子発振器を実現することができる。さらに、本実施形態の原子発振器では、音響光学変調器AOM230が出射する周波数f02fmのY偏光を共鳴光とすることで、周波数変換回路210の出力信号の周波数fmがΔE12に相当する周波数の1/2の周波数になるので、第1実施形態の原子発振器よりも低消費電力にすることができる。なお、音響光学変調器AOM230が図7のような構成で周波数f02fmのY偏光を発生させれば、共鳴光となるY偏光の光量の低下を抑えることができるので、ガスセル140におけるEITの発現効率の低下を抑えることができる。従って、原子発振器の周波数安定度の劣化を抑えることができる。また、第2実施形態の原子発振器も、先に説明した第1実施形態の原子発振器と同様の理由により、光検出器160のダイナミックレンジを従来よりも小さくすることができる。なお、図5の電流駆動回路100と半導体レーザー110による構成は、図1の光発生部10に相当する。また、図5のガスセル140に含まれるアルカリ金属原子は、図1の金属原子40に相当する。また、図5の偏光ビームスプリッターPBS120、偏光ビームスプリッターPBS130、偏光ビームスプリッターPBS150、光検出器160、音響光学変調器AOM230は、それぞれ図1の第1の光分離部20、光混合部30、第2の光分離部50、光検出部60、光変調部80に相当する。また、図5の検波回路170、電圧制御水晶発振器VCXO180、変調回路190、低周波発振器200、周波数変換回路210による構成は、図1の制御部70に相当する。3.変形例本発明は本実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。3-1.変形例1第1次実施形態又は第2実施形態の原子発振器1aに対して、半導体レーザー110の出射光の波長λ0周波数f0が、アルカリ金属原子の2P32のI-1/2の励起準位I1/2の励起準位でもよいと2S12のI-1/2の基底準位とのエネルギー差に相当する波長λ13周波数f13と一致するように駆動電流を設定するように変形してもよい。ただし、波長λ0周波数f0は、必ずしもλ13f13と正確に一致させる必要はなく、λ13f13を中心とする所定範囲の波長周波数であってもよい。第1実施形態の原子発振器の場合は、周波数f0=f13のX偏光又はY偏光と周波数f2=f0-fm=f13-f12=f23のY偏光とが共鳴光対となる。また、第2実施形態の原子発振器の場合は、周波数f0=f13のX偏光又はY偏光と周波数f0-2fm=f13-f12=f23のY偏光とが共鳴光対となる。あるいは、第1次実施形態又は第2実施形態の原子発振器に対して、半導体レーザー110の出射光の波長λ0周波数f0が、アルカリ金属原子の2P12のI-1/2の励起準位I1/2の励起準位でもよいと2S12のI1/2の基底準位とのエネルギー差に相当する波長周波数、又は、アルカリ金属原子の2P12のI-1/2の励起準位I1/2の励起準位でもよいと2S12のI-1/2の基底準位とのエネルギー差に相当する波長周波数と一致するように駆動電流を設定するように変形してもよい。すなわち、半導体レーザー110がD2線に代えてD1線を出射し、D1線の共鳴光対がガスセル140に入射するようにしてもよい。3-2.変形例2第2実施形態の原子発振器1aに対して、音響光学変調器AOM230による2次の回折光周波数f02fmの代わりに0次の光又は3次以上の回折光を偏光ビームスプリッターPBS130に入射させるように変形してもよい。その場合、偏光ビームスプリッターPBS130に入射するY偏光の周波数は、f0N×fmNは次数となるので、周波数変換回路210の出力信号の周波数fmが、ΔE12に相当する周波数の1/Nの周波数となるようにフィードバック制御すればよい。なお、図7と同様に、音響光学変調器AOM230の出射光の一部を反射させて音響光学変調器AOM230に入射させることで、周波数f0N×fmのY偏光を効率的に発生させることができる。3-3.変形例3図8に示すように、図2に示した第1実施形態の原子発振器1aに対して、偏光ビームスプリッターPBS130をハーフミラー240に置き換えてもよい。同様に、図9に示すように、図5に示した第2実施形態の原子発振器1aに対して、偏光ビームスプリッターPBS130をハーフミラー240に置き換えてもよい。なお、図8及び図9において、それぞれ図2及び図5と同じ構成には同じ符号を付している。ハーフミラー240は、偏光ビームスプリッターPBS120を透過して入射するX偏光の約50を透過するとともに約50を反射させる。同様に、ハーフミラー240は、電気光学変調器EOM220が出射するY偏光の約50を透過するとともに約50を反射させる。これにより、ハーフミラー240を透過したX偏光とハーフミラー240で反射したY偏光が混合されてガスセル140に照射される。図8及び図9に示した本変形例の原子発振器1aにおけるその他の構成及び動作は、それぞれ、図2に示した第1実施形態の原子発振器1a及び図5に示した第2実施形態の原子発振器1a同様であるため、説明を省略する。本変形例のように、偏光ビームスプリッターPBS130をハーフミラー240に置き換えても、周波数安定度が極めて高い原子発振器を実現することができる。また、第1実施形態や第2実施形態の原子発振器と比較して、ガスセル140におけるEITの発現効率は落ちるものの、光検出器160のダイナミックレンジを小さくすることができる。なお、本実施形態及び本変形例では原子発振器を例に挙げて説明したが、本発明は、原子発振器に限らず、共鳴光対によって金属原子に電磁誘起透過現象を発生させる様々な量子干渉装置に適用することができる。例えば、本実施形態又は変形例の原子発振器と同様の構成により、ガスセル140の周辺の磁場の変化に追従して電圧制御水晶発振器VCXO180の発振周波数が変化するため、ガスセル140の近傍に磁気測定対象物を配置することで磁気センサーとして機能する量子干渉装置を実現することもできる。また、例えば、本実施形態又は変形例の原子発振器と同様の構成により、極めて安定した金属原子の量子干渉状態量子コヒーレンス状態を作り出すことができるので、ガスセル140に入射する共鳴光対を取り出すことで、量子コンピュータ等に用いる光源として機能する量子干渉装置を実現することもできる。また、例えば、本実施形態又は変形例の原子発振器と同様の構成により、偏光ビームスプリッターPBS130又はハーフミラー240とガスセル140の間の空間に微粒子が存在すると共鳴光対の可干渉性が低下してEIT信号の強度が低下するため、EIT信号のプロファイルを解析することで、微粒子センサーとして機能する量子干渉装置を実現することもできる。本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。