"分子内に、以下の第1の官能基を含有する繰り返し単位を含む高分子化合物Aと、分子内に、式1[式中、R1及びR2は、それぞれ独立に、炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。]で表される二価の有機基と2個以上の活性水素とを含有する活性水素化合物Bとを、含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料;第1の官能基:活性水素と反応しうる第2の官能基を電磁波の照射もしくは熱の作用により生成しうる官能基。前記高分子化合物Aが、更に、式2[式中、R3は、水素原子又はメチル基を表す。Raaは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Rは、酸により脱離しうる有機基を表す。R’は、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。aは、0又は1の整数を表し、n1は、1~5の整数を表す。Rが複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。R’が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。]で表される繰り返し単位を含有する高分子化合物A-1である請求項1に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。前記高分子化合物Aが、更に、式3[式中、R4は、水素原子又はメチル基を表す。R5及びR6は、炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Rbbは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Rは、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。bは、0又は1の整数を表し、n2は、1~5の整数を表す。R5が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。R6が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。Rが複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。]で表される繰り返し単位を含有する高分子化合物A-2である請求項1又は2に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。前記高分子化合物A-2が、更に、式4[式中、R7は、水素原子又はメチル基を表す。Rccは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。cは、0又は1の整数を表す。]で表される繰り返し単位、及び、式5[式中、R8は、水素原子又はメチル基を表す。Rは、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Rddは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。dは、0又は1の整数を表す。mは、1~5の整数を表す。Rが複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。]で表される繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも1種の繰り返し単位を含有する高分子化合物A-3である請求項3に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。前記第1の官能基が、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基からなる群から選ばれる少なくとも1種の基である請求項1~4のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が、式6[式中、Xaは、酸素原子又は硫黄原子を表し、R9及びR10は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。]で表される基である請求項5に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が、式7[式中、Xbは、酸素原子又は硫黄原子を表し、R11~R13は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。]で表される基である請求項5に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。前記活性水素化合物Bが、式8[式中、R14~R21及びR26~R33は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。R22~R25は、それぞれ独立に、炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Raaa、Rbbb及びRcccは、それぞれ独立に、炭素数1~20の二価の有機基を表す。該炭素数1~20の二価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。X1及びX2は、それぞれ独立に、アミノ基、置換アミノ基、水酸基又はチオール基を表す。p1、p2及びp3は、それぞれ独立に、0又は1の整数を表す。]で表される活性水素化合物である請求項1~7のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。更に、分子内に2個以上の不飽和二重結合を有する不飽和二重結合化合物Cを含む請求項3~8のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。前記不飽和二重結合化合物Cが、式9[式中、R34~R38及びR43~R47は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。R39~R42は、それぞれ独立に、炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Rddd、Reee及びRfffは、それぞれ独立に、炭素数1~20の二価の有機基を表す。該炭素数1~20の二価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。p4、p5及びp6は、それぞれ独立に、0又は1の整数を表す。]で表される不飽和二重結合化合物である請求項9に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。請求項1~10のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて形成した有機薄膜トランジスタ絶縁層を有する有機薄膜トランジスタ。前記有機薄膜トランジスタ絶縁層がゲート絶縁層である請求項11に記載の有機薄膜トランジスタ。請求項11又は12に記載の有機薄膜トランジスタを含むディスプレイ用部材。請求項13に記載のディスプレイ用部材を含むディスプレイ。しかしながら、有機エレクトロルミネッセンス素子有機EL素子のような発光素子の実用化を考慮すると、有機薄膜トランジスタの動作精度をより向上させる必要がある。そこで、有機薄膜トランジスタの閾値電圧Vthの絶対値及びヒステリシスを低下させることができる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料が求められている。本発明の目的は、閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供することである。以上の事に鑑み、架橋構造を形成しうる特定の樹脂組成物を用いてゲート絶縁層を形成することにより有機薄膜トランジスタの閾値電圧Vthの絶対値及びヒステリシスを小さくできる。即ち、本発明は、分子内に、以下の第1の官能基を含有する繰り返し単位を含む高分子化合物Aと、分子内に、式1[式中、R1及びR2は、それぞれ独立に、炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。]で表される二価の有機基と2個以上の活性水素とを含有する活性水素化合物Bとを、含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料;第1の官能基:活性水素と反応しうる第2の官能基を電磁波の照射もしくは熱の作用により生成しうる官能基。を提供するものである。ある一形態においては、前記高分子化合物Aが、更に、式2[式中、R3は、水素原子又はメチル基を表す。Raaは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Rは、酸により脱離しうる有機基を表す。R’は、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。aは、0又は1の整数を表し、n1は、1~5の整数を表す。Rが複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。R’が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。]で表される繰り返し単位を含有する高分子化合物A-1である。ある一形態においては、前記高分子化合物Aが、更に、式3[式中、R4は、水素原子又はメチル基を表す。R5及びR6は、炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Rbbは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Rは、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。bは、0又は1の整数を表し、n2は、1~5の整数を表す。R5が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。R6が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。Rが複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。]で表される繰り返し単位を含有する高分子化合物A-2である。ある一形態においては、前記高分子化合物A-2が、更に、式4[式中、R7は、水素原子又はメチル基を表す。Rccは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。cは、0又は1の整数を表す。]で表される繰り返し単位、及び、式5[式中、R8は、水素原子又はメチル基を表す。Rは、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Rddは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。dは、0又は1の整数を表す。mは、1~5の整数を表す。Rが複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。]で表される繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも1種の繰り返し単位を含有する高分子化合物A-3である。ある一形態においては、前記第1の官能基が、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基からなる群から選ばれる少なくとも1種の基である。ある一形態においては、前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が、式6[式中、Xaは、酸素原子又は硫黄原子を表し、R9及びR10は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。]で表される基である。ある一形態においては、前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が、式7[式中、Xbは、酸素原子又は硫黄原子を表し、R11~R13は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。]で表される基である。ある一形態においては、前記活性水素化合物Bが、式8[式中、R14~R21及びR26~R33は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。R22~R25は、それぞれ独立に、炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Raaa、Rbbb及びRcccは、それぞれ独立に、炭素数1~20の二価の有機基を表す。該炭素数1~20の二価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。X1及びX2は、それぞれ独立に、アミノ基、置換アミノ基、水酸基又はチオール基を表す。p1、p2及びp3は、それぞれ独立に、0又は1の整数を表す。]で表される活性水素化合物である。ある一形態においては、更に、分子内に2個以上の不飽和二重結合を有する不飽和二重結合化合物Cを含む。ある一形態においては、前記不飽和二重結合化合物Cが、式9[式中、R34~R38及びR43~R47は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。R39~R42は、それぞれ独立に、炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Rddd、Reee及びRfffは、それぞれ独立に、炭素数1~20の二価の有機基を表す。該炭素数1~20の二価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。p4、p5及びp6は、それぞれ独立に、0又は1の整数を表す。]で表される不飽和二重結合化合物である。また、本発明は、上記有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて形成した有機薄膜トランジスタ絶縁層を有する有機薄膜トランジスタを提供する。ある一形態においては、前記有機薄膜トランジスタ絶縁層がゲート絶縁層である。また、本発明は、上記有機薄膜トランジスタを含むディスプレイ用部材を提供する。また、本発明は、上記ディスプレイ用部材を含むディスプレイを提供する。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて形成した絶縁層を有する有機薄膜トランジスタは、閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが低い。本明細書において、高分子化合物とは、分子中に同じ構造単位が複数繰り返された構造を含む化合物をいい、いわゆる2量体もこれに含まれる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、電磁波もしくは熱が作用した場合に活性水素と反応する官能基を複数有する高分子化合物A、及び分子内にオキシカルボニルオキシレン基にジ置換カルビレン基が結合した構造の二価の有機基と複数の活性水素を有する活性水素化合物Bを含有する。活性水素とは、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子のような炭素原子以外の原子に結合した水素原子をいう。<高分子化合物A>本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は高分子化合物Aを含み、該高分子化合物Aは第1の官能基を複数個有し、該第1の官能基が、活性水素と反応しうる第2の官能基を電磁波の照射もしくは熱の作用により生成しうる官能基である。前記高分子化合物Aに含まれる第1の官能基は活性水素と反応しないが、第1の官能基に電磁波が照射又は熱が作用すると第2の官能基が生成し、該第2の官能基が活性水素と反応する。つまり、前記第1の官能基は、電磁波の照射又は熱の作用により脱保護され、活性水素と反応しうる第2の官能基を生成する。第2の官能基は活性水素化合物Bの活性水素と反応してこれと結合することにより、絶縁層の内部に架橋構造を形成することができる。有機薄膜トランジスタ絶縁層の内部に架橋構造が形成されると、分子構造の移動が抑制され、絶縁層の分極が抑制される。絶縁層の分極が抑制されると、例えばゲート絶縁層として用いた場合に有機薄膜トランジスタの閾値電圧の絶対値が低下して、動作精度が向上する。第2の官能基は、有機薄膜トランジスタの絶縁層の形成工程において、電磁波が照射されるまで又は熱が加えられるまで保護ブロックされており、第1の官能基として有機薄膜トランジスタ絶縁層材料中に存在する。その結果、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の貯蔵安定性が向上する。前記第1の官能基の好ましい例としては、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が挙げられる。前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基は、イソシアナト基と反応しうる活性水素を1分子中に1個だけ有するブロック化剤とイソシアナト基とを反応させることにより製造することができる。前記ブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基は、イソチオシアナト基と反応しうる活性水素を1分子中に1個だけ有するブロック化剤とイソチオシアナト基とを反応させることにより製造することができる。前記ブロック化剤は、イソシアナト基又はイソチオシアナト基と反応した後でも、170°C以下の温度で解離するものが好ましい。ブロック化剤としては、例えば、アルコ-ル系化合物、フェノ-ル系化合物、活性メチレン系化合物、メルカプタン系化合物、酸アミド系化合物、酸イミド系化合物、イミダゾール系化合物、尿素系化合物、オキシム系化合物、アミン系化合物、イミン系化合物、重亜硫酸塩、ピリジン系化合物及びピラゾール系化合物が挙げられる。これらのブロック化剤は、単独使用してもよく、2種以上を混合して使用してもよい。好ましいブロック化剤としては、オキシム系化合物、ピラゾール系化合物が挙げられる。以下に、具体的なブロック化剤を例示する。アルコ-ル系化合物としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、2-エチルヘキサノール、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルカルビトール、ベンジルアルコール、及び、シクロヘキサノールが挙げられる。フェノール系化合物としては、例えば、フェノール、クレゾール、エチルフェノール、ブチルフェノール、ノニルフェノール、ジノニルフェノール、スチレン化フェノール、及び、ヒドロキシ安息香酸エステルが挙げられる。活性メチレン系化合物としては、例えば、マロン酸ジメチル、マロン酸ジエチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、及び、アセチルアセトンが挙げられる。メルカプタン系化合物としては、例えば、ブチルメルカプタン、及び、ドデシルメルカプタンが挙げられる。酸アミド系化合物としては、例えば、アセトアニリド、酢酸アミド、ε-カプロラクタム、δ-バレロラクタム、及び、γ-ブチロラクタムが挙げられる。酸イミド系化合物としては、例えば、コハク酸イミド、及び、マレイン酸イミドが挙げられる。イミダゾール系化合物としては、イミダゾール、及び、2-メチルイミダゾールが挙げられる。尿素系化合物としては、尿素、チオ尿素、及び、エチレン尿素が挙げられる。オキシム系化合物としては、ホルムアルドオキシム、アセトアルドオキシム、アセトオキシム、メチルエチルケトオキシム、及び、シクロヘキサノンオキシムが挙げられる。アミン系化合物としては、ジフェニルアミン、アニリン、及び、カルバゾールが挙げられる。イミン系化合物としては、エチレンイミン、及び、ポリエチレンイミンが挙げられる。重亜硫酸塩としては、重亜硫酸ソーダが挙げられる。ピリジン系化合物としては、2-ヒドロキシピリジン、及び、2-ヒドロキシキノリンが挙げられる。ピラゾール系化合物としては、3,5-ジメチルピラゾール、及び、3,5-ジエチルピラゾールが挙げられる。本発明に用いてもよいブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチアシアナト基としては、前記式6で表される基及び前記式7で表される基が好ましい。好ましい一形態では、高分子化合物Aは、式6で表される基、及び、式7で表される基を両方含有する。式6で表される基、及び、式7で表される基は反応性が相違し、高分子化合物Aが両方を含有している場合、硬化を段階的に行ったり、反応させる官能基を選択することが可能になる。式6及び式7中、Xaは、酸素原子又は硫黄原子を表し、Xbは、酸素原子又は硫黄原子を表し、R9~R13は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、飽和であっても不飽和であってもよい。炭素数1~20の一価の有機基としては、例えば、炭素数1~20の直鎖状炭化水素基、炭素数3~20の分岐状炭化水素基、炭素数3~20の環状炭化水素基、及び、炭素数6~20の芳香族炭化水素基が挙げられ、炭素数1~6の直鎖状炭化水素基、炭素数3~6の分岐状炭化水素基、炭素数3~6の環状炭化水素基、及び、炭素数6~20の芳香族炭化水素基が好ましい。炭素数1~20の直鎖状炭化水素基、炭素数3~20の分岐状炭化水素基、及び、炭素数3~20の環状炭化水素基は、これらの基に含まれる水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい。炭素数6~20の芳香族炭化水素基は、基中の水素原子がアルキル基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などで置換されていてもよい。炭素数1~20の一価の有機基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチニル基、シクロヘキシニル基、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、トリル基、キシリル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基、トリメチルナフチル基、ビニルナフチル基、エテニルナフチル基、メチルアンスリル基、エチルアンスリル基、クロロフェニル基、及び、ブロモフェニル基が挙げられる。炭素数1~20の一価の有機基としては、アルキル基が好ましい。ある一形態では、R9はメチル基であり、R10はエチル基であり、R11~R13は水素原子である。ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基としては、例えば、O-メチリデンアミノカルボキシアミノ基、O-1-エチリデンアミノカルボキシアミノ基、O-1-メチルエチリデンアミノカルボキシアミノ基、O-1-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノ基、N-3,5-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノ基、N-3-エチル-5-メチルピラゾリルカルボニルアミノ基、N-3,5-ジエチルピラゾリルカルボニルアミノ基、N-3-プロピル-5-メチルピラゾリルカルボニルアミノ基、及び、N-3-エチル-5-プロピルピラゾリルカルボニルアミノ基が挙げられる。ブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基としては、例えば、O-メチリデンアミノチオカルボキシアミノ基、O-1-エチリデンアミノチオカルボキシアミノ基、O-1-メチルエチリデンアミノチオカルボキシアミノ基、O-1-メチルプロピリデンアミノチオカルボキシアミノ基、N-3,5-ジメチルピラゾリルチオカルボニルアミノ基、N-3-エチル-5-メチルピラゾリルチオカルボニルアミノ基、N-3,5-ジエチルピラゾリルチオカルボニルアミノ基、N-3-プロピル-5-メチルピラゾリルチオカルボニルアミノ基、及び、N-3-エチル-5-プロピルピラゾリルチオカルボニルアミノ基が挙げられる。第1の官能基としては、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基が好ましい。本発明に用いられる高分子化合物Aの好ましい一態様は、更に、前記式2で表される繰り返し単位を含有する高分子化合物A-1である。式2中、R3は、水素原子又はメチル基を表す。ある一形態では、R3はメチル基である。式2中、R’は、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。該一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。該炭素数1~20の一価の有機基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、飽和であっても不飽和であってもよい。炭素数1~20の一価の有機基としては、例えば、炭素数1~20の直鎖状炭化水素基、炭素数3~20の分岐状炭化水素基、炭素数3~20の環状炭化水素基、及び、炭素数6~20の芳香族炭化水素基が挙げられ、炭素数1~6の直鎖状炭化水素基、炭素数3~6の分岐状炭化水素基、炭素数3~6の環状炭化水素基、及び、炭素数6~20の芳香族炭化水素基が好ましい。炭素数6~20の芳香族炭化水素基は、基中の水素原子がアルキル基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などで置換されていてもよい。フッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~20の一価の有機基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチニル基、シクロヘキシニル基、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、トリル基、キシリル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基、トリメチルナフチル基、ビニルナフチル基、エテニルナフチル基、メチルアンスリル基、エチルアンスリル基、クロロフェニル基、及び、ブロモフェニル基が挙げられる。炭素数1~20の一価の有機基としては、アルキル基が好ましい。ある一形態ではR’は、水素原子である。式2中、Rは、酸の作用により脱離しうる有機基を表す。酸により脱離しうる有機基は、好ましくは、酸の作用により脱離してフェノール性水酸基を生成する有機基である。フェノール性水酸基は前記第2の官能基と反応して架橋構造を形成することができる。該酸により脱離しうる有機基としては、例えば、メトキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、1-エトキシエチル基、2-エトキシエチル基、テトラヒドロピラニル基、シクロプロピルメチル基、及び、シクロヘキシル基が挙げられる。式2中、n1は、1~5の整数を表す。ある一形態では、n1は1である。式2中、Raaは、主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。連結部分は、本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を架橋させる環境条件の下で反応性を示さない構造を有する二価の基であればよい。該連結部分としては、例えば、炭素数1~20の二価の有機基からなる結合、エーテル結合-O-、ケトン結合-CO-、エステル結合-COO-、-OCO-、アミド結合-NHCO-、-CONH-、ウレタン結合-NHCOO-、-OCONH-及びこれらの結合が組み合わされた結合が挙げられる。該連結部分中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。aは、0又は1の整数を表す。ある一形態では、aは0である。前記炭素数1~20の二価の有機基としては、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよい。炭素数1~20の二価の有機基としては、例えば、炭素数1~20の二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の二価の環状炭化水素基、及び、アルキル基等で置換されていてもよい炭素数6~20の二価の芳香族炭化水素基が挙げられる。中でも、炭素数1~6の二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~6の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数3~6の二価の環状炭化水素基、及び、アルキル基等で置換されていてもよい二価の炭素数6~20の芳香族炭化水素基が好ましい。二価の脂肪族炭化水素基及び二価の環状炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、イソプロピレン基、イソブチレン基、ジメチルプロピレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、及び、シクロヘキシレン基が挙げられる。アルキル基等で置換されていてもよい炭素数6~20の二価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ジメチルフェニレン基、トリメチルフェニレン基、エチレンフェニレン基、ジエチレンフェニレン基、トリエチレンフェニレン基、プロピレンフェニレン基、ブチレンフェニレン基、メチルナフチレン基、ジメチルナフチレン基、トリメチルナフチレン基、ビニルナフチレン基、エテニルナフチレン基、メチルアンスリレン基、及び、エチルアンスリレン基が挙げられる。本発明に用いられる高分子化合物Aの好ましい他の態様は、更に、前記式3で表される繰り返し単位を含有する高分子化合物A-2である。高分子化合物A-2に含まれるR5及びR6で置換されたジチオカルバミルメチルフェニル基-Ph-CH2-SCSNR5R6は、電磁波の照射もしくは熱の作用によりベンジルラジカルを生成する。ベンジルラジカルはラジカルカップリングにより炭素炭素結合を形成することができる。それゆえ、高分子化合物A-2は、絶縁層の内部に架橋構造を形成することができる。また、ベンジルラジカルは不飽和二重結合を有する化合物のラジカル重合を開始することができる。それゆえ、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料が不飽和二重結合を有する化合物を含む場合は、絶縁層の内部に架橋構造を形成することができる。式3中、R4は、水素原子又はメチル基を表す。ある一形態では、R4は、水素原子である。式3中、R5及びR6は、それぞれ独立に、炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。R5及びR6で表される炭素数1~20の一価の有機基の定義及び具体例は、前述のR’で表される炭素数1~20の一価の有機基の定義及び具体例と同じである。ある一形態では、R5及びR6はエチル基である。式3中、Rbbは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Rbbで表される連結部分の定義及び具体例は、前述のRaaで表される連結部分の定義及び具体例と同じである。bは、0又は1の整数を表す。ある一形態では、bは0である。式3中、Rは、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Rで表される炭素数1~20の一価の有機基の定義及び具体例は、前述のR’で表される炭素数1~20の一価の有機基の定義及び具体例と同じである。ある一形態では、Rは水素原子である。式3中、n2は、1~5の整数を表す。ある一形態では、n2は1である。本発明に用いられる高分子化合物A-2の好ましい態様は、更に、前記式4で表される繰り返し単位及び前記式5で表される繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも1種の繰り返し単位を含有する高分子化合物A-3である。高分子化合物A-3に含まれる末端不飽和二重結合は、例えば、高分子化合物A-2が提供するベンジルラジカルと反応して重合する。その際、ラジカル反応は、前記第2の官能基と活性水素との反応に平行して進行し、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の架橋密度が効果的に高められる。式4中、R7は、水素原子又はメチル基を表す。ある一形態では、R7はメチル基である。式4中、Rccは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。Rccで表される連結部分の定義及び具体例は、前述のRaaで表される連結部分の定義及び具体例と同じである。ある一形態では、Rccは-COO-CH2CH2-で表される結合である。cは、0又は1の整数を表す。ある一形態では、cは1である。式5中、R8は、水素原子又はメチル基を表す。ある一形態では、R8はメチル基である。式5中、Rddは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。Rddで表される連結部分の定義及び具体例は、前述のRaaで表される連結部分の定義及び具体例と同じである。ある一形態では、Rddは-COO-CH2CH2-NH-CO-NH-で表される結合である。cは、0又は1の整数を表す。ある一形態では、cは1である。式5中、mは、1~5の整数を表す。ある一形態では、mは1である。式5中、Rは、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Rで表される炭素数1~20の一価の有機基の定義及び具体例は、前述のR’で表される炭素数1~20の一価の有機基の定義及び具体例と同じである。ある一形態では、Rは水素原子である。高分子化合物Aは、例えば、第1の官能基を含有する重合性モノマーを、光重合開始剤もしくは熱重合開始剤を用いて重合させる方法により製造することが出来る。第1の官能基を含有する重合性モノマーとしては、例えば、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基又はブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基と不飽和結合とを分子内に有するモノマーが挙げられる。該ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基又はブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基と不飽和結合とを分子内に有するモノマーは、イソシアナト基又はイソチオシアナト基と不飽和結合とを分子内に有する化合物と、ブロック化剤とを反応させることにより製造することが出来る。不飽和結合としては、不飽和二重結合が好ましい。分子内に不飽和二重結合とイソシアナト基とを有する化合物としては、例えば、2-アクリロイルオキシエチルイソシアネート、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、及び、2-2’-メタクリロイルオキシエチルオキシエチルイソシアネートが挙げられる。分子内に不飽和二重結合とイソチオシアナト基とを有する化合物としては、例えば、2-アクリロイルオキシエチルイソチオシアネート、2-メタクリロイルオキシエチルイソチオシアネート、及び、2-2’-メタクリロイルオキシエチルオキシエチルイソチオシアネートが挙げられる。重合性モノマーに含まれるブロック化剤としては、前記のブロック化剤を好適に用いることが出来る。ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基又はブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基と不飽和結合とを分子内に有するモノマーの製造においては、必要に応じて有機溶媒、触媒等を添加することが出来る。前記分子内にブロック化剤でブロックされたイソシアナト基と不飽和二重結合とを有するモノマーとしては、例えば、2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、及び、2-N-1’,3’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレートが挙げられる。前記分子内にブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基と不飽和二重結合とを有するモノマーとしては、例えば、2-O-1’-メチルプロピリデンアミノチオカルボキシアミノエチル-メタクリレート、及び、2-N-1’,3’-ジメチルピラゾリルチオカルボニルアミノエチル-メタクリレートが挙げられる。前記光重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン、2,2-ジメトキシ-2-フェニルアセトフェノン、2,2-ジエトキシアセトフェノン、4-イソプロピル-2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオフェノン、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオフェノン、4,4’-ビスジエチルアミノベンゾフェノン、ベンゾフェノン、メチルo-ベンゾイルベンゾエート、1-フェニル-1,2-プロパンジオン-2-O-エトキシカルボニルオキシム、1-フェニル-1,2-プロパンジオン-2-o-ベンゾイルオキシム、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインオクチルエーテル、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール、ジアセチル等のカルボニル化合物、メチルアントラキノン、クロロアントラキノン、クロロチオキサントン、2-メチルチオキサントン、2-イソプロピルチオキサントン等のアントラキノン誘導体又はチオキサントン誘導体、ジフェニルジスルフィド、ジチオカーバメート等の硫黄化合物が挙げられる。重合を開始させるエネルギーとして光エネルギーを用いる場合は、重合性モノマーに照射する光の波長は、360nm以上、好ましくは360~450nmである。前記熱重合開始剤としては、ラジカル重合の開始剤となる化合物であればよく、例えば、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル、2,2’-アゾビスイソバレロニトリル、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、4,4’-アゾビス4-シアノバレリックアシッド、1、1’-アゾビスシクロヘキサンカルボニトリル、2,2’-アゾビス2-メチルプロパン、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオンアミジン2塩酸塩等のアゾ系化合物、メチルエチルケトンパーオキシド、メチルイソブチルケトンパーオキシド、シクロヘキサノンパーオキシド、アセチルアセトンパーオキシド等のケトンパーオキシド類、イソブチルパーオキシド、ベンゾイルパーオキシド、2,4-ジクロロベンゾイルパーオキシド、o-メチルベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、p-クロロベンゾイルパーオキシド等のジアシルパーオキシド類、2,4,4-トリメチルペンチル-2-ヒドロパーオキシド、ジイソプロピルベンゼンヒドロパーオキシド、クメンヒドロパーオキシド、tert-ブチルヒドロパーオキシド等のヒドロパーオキシド類、ジクミルパーオキシド、tert-ブチルクミルパーオキシド、ジ-tert-ブチルパーオキシド、トリスtert-ブチルパーオキシトリアジン等のジアルキルパーオキシド類、1,1-ジ-tert-ブチルパーオキシシクロヘキサン、2,2-ジtert-ブチルパーオキシブタン等のパーオキシケタール類、tert-ブチルパーオキシピバレート、tert-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキサノエート、tert-ブチルパーオキシイソブチレート、ジ-tert-ブチルパーオキシヘキサヒドロテレフタレート、ジ-tert-ブチルパーオキシアゼレート、tert-ブチルパーオキシ-3,5,5-トリメチルヘキサノエート、tert-ブチルパーオキシアセテート、tert-ブチルパーオキシベンゾエート、ジ-tert-ブチルパーオキシトリメチルアジペート等のアルキルパーエステル類、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ-sec-ブチルパーオキシジカーボネート、tert-ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート等のパーオキシカーボネート類が挙げられる。高分子化合物A-1は、例えば、第1の官能基を含有する重合性モノマーと式2で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとを、光重合開始剤もしくは熱重合開始剤を用いて共重合させる方法により製造することが出来る。式2で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとしては、例えば、41-エトキシエトキシスチレン、4ターシャリーブトキシスチレン、及び、2エチル-2-アダマンチルオキシ-メタクリレートが挙げられる。高分子化合物A-2は、例えば、第1の官能基を含有する重合性モノマーと式3で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとを、光重合開始剤もしくは熱重合開始剤を用いて共重合させる方法により製造することが出来る。式3で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとしては、例えば、N,N-ジエチルジチオカルバミルメチルスチレンが挙げられる。また、高分子化合物A-2は、前記式3で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの代わりに、式[式中、R、R4、Rbb、b及びn2は前記と同意義であり、Xはハロゲン原子である。]で表される構造の重合性モノマーを使用すること以外は前記と同様にしてモノマー混合物の共重合を行い、次いで、N,N-ジアルキルチオカルバミック酸金属塩と反応させる方法により製造してもよい。分子内に活性水素を有する重合性モノマーとしては、アクリル酸-2-ヒドロキシエチル、アクリル酸-2-ヒドロキシプロピル、アクリル酸-3-ヒドロキシプロピル、アクリル酸-2-ヒドロキシブチル、アクリル酸-4-ヒドロキシフェニル、アクリル酸-2-ヒドロキシフェニルエチル2-アミノエチルメタアクリレート、メタアクリル酸-2-ヒドロキシエチル、メタアクリル酸-2-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸-3-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸-2-ヒドロキシブチル、メタアクリル酸-4-ヒドロキシフェニル、メタアクリル酸-2-ヒドロキシフェニルエチル、4-アミノスチレン、4-アリルアニリン、4-アミノフェニルビニルエーテル、4-N-フェニルアミノフェニルアリルエーテル、4-N-メチルアミノフェニルアリルエーテル、4-アミノフェニルアリルエーテル、アリルアミン、2-アミノエチルアクリレート、4-ヒドロキシスチレン、及び、4-ヒドロキシアリルベンゼンが挙げられる。高分子化合物A-3は、例えば、第1の官能基を含有する重合性モノマーと式3で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーと分子内に活性水素を有する重合性モノマーを、光重合開始剤もしくは熱重合開始剤を用いて共重合させた後、分子内に活性水素と反応する官能基と不飽和二重結合とを含有する化合物と反応させる方法により製造することが出来る。分子内に活性水素と反応する官能基と不飽和二重結合とを含有する化合物としては、アクリロイルクロライド、メタクリロイルクロライド、アクリル酸無水物、メタクリル酸無水物、2-イソシアナトエチルアクリレート、2-イソシアナトエチルメタクリレート、4-ビニルベンゾイルクロライド、及び、4-ビニルフェニルイソシアネートが挙げられる。高分子化合物A、高分子化合物A-1、高分子化合物A-2及び高分子化合物A-3の製造において、前記第1の官能基を含有する重合性モノマー、式2で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、式3で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、分子内に活性水素を有する重合性モノマー以外の重合性モノマーを重合時に添加して製造してもよい。追加して使用される重合性モノマーとしては、例えば、アクリル酸エステル及びその誘導体、メタアクリル酸エステル及びその誘導体、スチレン及びその誘導体、酢酸ビニル及びその誘導体、メタアクリロニトリル及びその誘導体、アクリロニトリル及びその誘導体、有機カルボン酸のビニルエステル及びその誘導体、有機カルボン酸のアリルエステル及びその誘導体、フマル酸のジアルキルエステル及びその誘導体、マレイン酸のジアルキルエステル及びその誘導体、イタコン酸のジアルキルエステル及びその誘導体、有機カルボン酸のN-ビニルアミド誘導体、末端不飽和炭化水素及びその誘導体、及び、不飽和炭化水素基を含む有機ゲルマニウム誘導体が挙げられる。追加して使用される重合性モノマーの種類は、絶縁層に要求される特性に応じて適宜選択される。溶媒に対する優れた耐久性や有機薄膜トランジスタのヒステリシスを小さくする観点からは、スチレンやスチレン誘導体のように、これらの化合物を含む膜において、分子の密度が高く、硬い膜を形成するモノマーが選択される。また、ゲート電極や基板の表面等の絶縁層の隣接面に対する密着性の観点からは、メタアクリル酸エステル及びその誘導体、アクリル酸エステル及びその誘導体のように、高分子化合物A~高分子化合物A-3に可塑性を付与するモノマーが選択される。アクリル酸エステル類及びその誘導体は、単官能のアクリレートであっても、使用量に制約は出てくるものの、多官能のアクリレートであってもよい。アクリル酸エステル及びその誘導体としては、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸-n-プロピル、アクリル酸イソプロピル、アクリル酸-n-ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸-sec-ブチル、アクリル酸ヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸-2-エチルヘキシル、アクリル酸デシル、アクリル酸イソボルニル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル、エチレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、1,4-ブタンジオールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールペンタアクリレート、2,2,2-トリフルオロエチルアクリレート、2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルアクリレート、2-パーフルオロブチルエチルアクリレート、2-パーフルオロヘキシルエチルアクリレート、2-パーフルオロオクチルエチルアクリレート、2-パーフルオロデシルエチルアクリレート、2-パーフルオロ-3-メチルブチルエチルアクリレート、2-パーフルオロ-5-メチルヘキシルエチルアクリレート、2-パーフルオロ-7-メチルオクチルエチルアクリレート、1H,1H,3H-テトラフルオロプロピルアクリレート、1H,1H,5H-オクタフルオロペンチルアクリレート、1H,1H,7H-ドデカフルオロヘプチルアクリレート、1H,1H,9H-ヘキサデカフルオロノニルアクリレート、1H-1-トリフルオロメチルトリフルオロエチルアクリレート、1H,1H,3H-ヘキサフルオロブチルアクリレート、N,N-ジメチルアクリルアミド、N,N-ジエチルアクリルアミド、及び、N-アクリロイルモルフォリンが挙げられる。メタアクリル酸エステル類及びその誘導体は、単官能のメタアクリレートであってもよく、使用量に制約は出てくるものの、多官能のメタアクリレートであってもよい。メタアクリル酸エステル類及びその誘導体としては、例えば、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸-n-プロピル、メタアクリル酸イソプロピル、メタアクリル酸-n-ブチル、メタアクリル酸イソブチル、メタアクリル酸-sec-ブチル、メタアクリル酸ヘキシル、メタアクリル酸オクチル、メタアクリル酸-2-エチルヘキシル、メタアクリル酸デシル、メタアクリル酸イソボルニル、メタアクリル酸シクロヘキシル、メタアクリル酸フェニル、メタアクリル酸ベンジル、エチレングリコールジメタアクリレート、プロピレングリコールジメタアクリレート、1,4-ブタンジオールジメタアクリレート、ジエチレングリコールジメタアクリレート、トリエチレングリコールジメタアクリレート、トリメチロールプロパンジメタアクリレート、トリメチロールプロパントリメタアクリレート、ペンタエリスリトールペンタメタアクリレート、2,2,2-トリフルオロエチルメタアクリレート、2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルメタアクリレート、2-パーフルオロブチルエチルメタアクリレート、2-パーフルオロヘキシルエチルメタアクリレート、2-パーフルオロオクチルエチルメタアクリレート、2-パーフルオロデシルエチルメタアクリレート、2-パーフルオロ-3-メチルブチルエチルメタアクリレート、2-パーフルオロ-5-メチルヘキシルエチルメタアクリレート、2-パーフルオロ-7-メチルオクチルエチルメタアクリレート、1H,1H,3H-テトラフルオロプロピルメタアクリレート、1H,1H,5H-オクタフルオロペンチルメタアクリレート、1H,1H,7H-ドデカフルオロヘプチルメタアクリレート、1H,1H,9H-ヘキサデカフルオロノニルメタアクリレート、1H-1-トリフルオロメチルトリフルオロエチルメタアクリレート、1H,1H,3H-ヘキサフルオロブチルメタアクリレート、N,N-ジメチルメタアクリルアミド、N,N-ジエチルメタアクリルアミド、N-アクリロイルモルフォリンを挙げることができる。スチレン及びその誘導体としては、例えば、スチレン、2,4-ジメチル-α-メチルスチレン、o-メチルスチレン、m-メチルスチレン、p-メチルスチレン、2,4-ジメチルスチレン、2,5-ジメチルスチレン、2,6-ジメチルスチレン、3,4-ジメチルスチレン、3,5-ジメチルスチレン、2,4,6-トリメチルスチレン、2,4,5-トリメチルスチレン、ペンタメチルスチレン、o-エチルスチレン、m-エチルスチレン、p-エチルスチレン、o-クロロスチレン、m-クロロスチレン、p-クロロスチレン、o-ブロモスチレン、m-ブロモスチレン、p-ブロモスチレン、o-メトキシスチレン、m-メトキシスチレン、p-メトキシスチレン、2-ビニルビフェニル、3-ビニルビフェニル、4-ビニルビフェニル、1-ビニルナフタレン、2-ビニルナフタレン、4-ビニル-p-ターフェニル、1-ビニルアントラセン、α-メチルスチレン、o-イソプロペニルトルエン、m-イソプロペニルトルエン、p-イソプロペニルトルエン、2,4-ジメチル-α-メチルスチレン、2,3-ジメチル-α-メチルスチレン、3,5-ジメチル-α-メチルスチレン、p-イソプロピル-α-メチルスチレン、α-エチルスチレン、α-クロロスチレン、ジビニルベンゼン、ジビニルビフェニル、ジイソプロピルベンゼン、o-トリフルオロメチルスチレン、m-トリフルオロメチルスチレン、p-トリフルオロメチルスチレン、o-2,2,2-トリフルオロエチルスチレン、m-2,2,2-トリフルオロエチルスチレン、p-2,2,2-トリフルオロエチルスチレン、o-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルスチレン、m-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルスチレン、p-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルスチレン、及び、ペンタフルオロスチレンが挙げられる。有機カルボン酸のビニルエステル及びその誘導体としては、例えば、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル、安息香酸ビニル、及び、アジピン酸ジビニルが挙げられる。有機カルボン酸のアリルエステル及びその誘導体としては、例えば、酢酸アリル、安息香酸アリル、アジピン酸ジアリル、テレフタル酸ジアリル、イソフタル酸ジアリル、及び、フタル酸ジアリルが挙げられる。フマル酸のジアルキルエステル及びその誘導体としては、例えば、フマル酸ジメチル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジイソプロピル、フマル酸ジ-sec-ブチル、フマル酸ジイソブチル、フマル酸ジ-n-ブチル、フマル酸ジ-2-エチルヘキシル、及び、フマル酸ジベンジルが挙げられる。マレイン酸のジアルキルエステル及びその誘導体としては、例えば、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジイソプロピル、マレイン酸ジ-sec-ブチル、マレイン酸ジイソブチル、マレイン酸ジ-n-ブチル、マレイン酸ジ-2-エチルヘキシル、及び、マレイン酸ジベンジルが挙げられる。イタコン酸のジアルキルエステル及びその誘導体としては、例えば、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジイソプロピル、イタコン酸ジ-sec-ブチル、イタコン酸ジイソブチル、イタコン酸ジ-n-ブチル、イタコン酸ジ-2-エチルヘキシル、及び、イタコン酸ジベンジルが挙げられる。有機カルボン酸のN-ビニルアミド誘導体としては、例えば、N-メチル-N-ビニルアセトアミドが挙げられる。末端不飽和炭化水素及びその誘導体としては、例えば、1-ブテン、1-ペンテン、1-ヘキセン、1-オクテン、ビニルシクロヘキサン、塩化ビニル、及び、アリルアルコールが挙げられる。不飽和炭化水素基を含む有機ゲルマニウム誘導体としては、例えば、アリルトリメチルゲルマニウム、アリルトリエチルゲルマニウム、アリルトリブチルゲルマニウム、トリメチルビニルゲルマニウム、及び、トリエチルビニルゲルマニウムが挙げられる。追加して使用される重合性モノマーとしては、アクリル酸アルキルエステル、メタアクリル酸アルキルエステル、スチレン、アクリロニトリル、メタアクリロニトリル及びアリルトリメチルゲルマニウムが好ましい。ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基又はブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基と不飽和結合とを分子内に有するモノマーを用いて高分子化合物Aを製造する場合、該モノマーの仕込みモル量は、重合に関与する全てのモノマー中、5モル以上50モル以下が好ましく、5モル以上40モル以下がより好ましい。上記モノマーの仕込みモル量をこの範囲に調節することにより、絶縁層の内部に架橋構造が十分形成され、極性基の含有量が低いレベルに保たれ、絶縁層の分極が抑制される。高分子化合物A、高分子化合物A-1、高分子化合物A-2及び高分子化合物A-3のポリスチレン換算の重量平均分子量は、3000~1000000が好ましく、5000~500000がより好ましい。高分子化合物A、高分子化合物A-1、高分子化合物A-2及び高分子化合物A-3は、直鎖状でも分岐状でもよく、環状であってもよい。高分子化合物Aとしては、例えば、ポリスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリスチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリスチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリスチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリスチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート-コ-アリルトリメチルゲルマニウム、ポリスチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート-コ-アリルトリメチルゲルマニウム、及び、ポリスチレン-コ-4メトキシスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレートが挙げられる。高分子化合物A-1としては、例えば、ポリ4-1-エトキシエトキシスチレン-コ-スチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ4-1-エトキシエトキシスチレン-コ-スチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ4-1-エトキシエトキシスチレン-コ-スチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ4-1-エトキシエトキシスチレン-コ-スチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ4-1-エトキシエトキシスチレン-コ-スチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート-コ-アリルトリメチルゲルマニウム、ポリ4-1-エトキシエトキシスチレン-コ-スチレン-コ-4メトキシスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、及び、ポリ4-1-エトキシエトキシスチレン-コ-スチレン-コ-4メトキシスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレートが挙げられる。高分子化合物A-2としては、例えば、ポリN,N-ジエチルジチオカルバミルメチルスチレン-コ-スチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリN,N-ジエチルジチオカルバミルメチルスチレン-コ-スチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリN,N-ジエチルジチオカルバミルメチルスチレン-コ-スチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリN,N-ジエチルジチオカルバミルメチルスチレン-コ-スチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリN,N-ジエチルジチオカルバミルメチルスチレン-コ-スチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート-コ-アリルトリメチルゲルマニウム、ポリN,N-ジエチルジチオカルバミルメチルスチレン-コ-スチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート-コ-アリルトリメチルゲルマニウム、及び、ポリN,N-ジエチルジチオカルバミルメチルスチレン-コ-スチレン-コ-4メトキシスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレートが挙げられる。高分子化合物A-3としては、例えば、ポリN,N-ジエチルジチオカルバミルメチルスチレン-コ-2-メタクリロイルオキシエチルメタクリレート-コ-スチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリN,N-ジエチルジチオカルバミルメチルスチレン-コ-2-メタクリロイルオキシエチルメタクリレート-コ-スチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリN,N-ジエチルジチオカルバミルメチルスチレン-コ-2-メタクリロイルオキシエチルメタクリレート-コ-スチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリN,N-ジエチルジチオカルバミルメチルスチレン-コ-2-メタクリロイルオキシエチルメタクリレート-コ-スチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリN,N-ジエチルジチオカルバミルメチルスチレン-コ-2-メタクリロイルオキシエチルメタクリレート-コ-スチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート-コ-アリルトリメチルゲルマニウム、ポリN,N-ジエチルジチオカルバミルメチルスチレン-コ-2-メタクリロイルオキシエチルメタクリレート-コ-スチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート-コ-アリルトリメチルゲルマニウム、ポリN,N-ジエチルジチオカルバミルメチルスチレン-コ-2-メタクリロイルオキシエチルメタクリレート-コ-スチレン-コ-4メトキシスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリN,N-ジエチルジチオカルバミルメチルスチレン-コ-2-メタクリロイルオキシエチルメタクリレート-コ-スチレン-コ-4メトキシスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリN,N-ジエチルジチオカルバミルメチルスチレン-コ-2-4-ビニルフェニルアミノカルボニルアミノエチルメタクリレート-コ-スチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリN,N-ジエチルジチオカルバミルメチルスチレン-コ-2-4-ビニルフェニルアミノカルボニルアミノエチルメタクリレート-コ-スチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリN,N-ジエチルジチオカルバミルメチルスチレン-コ-2-4-ビニルフェニルアミノカルボニルアミノエチルメタクリレート-コ-スチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリN,N-ジエチルジチオカルバミルメチルスチレン-コ-2-4-ビニルフェニルアミノカルボニルアミノエチルメタクリレート-コ-スチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリN,N-ジエチルジチオカルバミルメチルスチレン-コ-2-4-ビニルフェニルアミノカルボニルアミノエチルメタクリレート-コ-スチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート-コ-アリルトリメチルゲルマニウム、ポリN,N-ジエチルジチオカルバミルメチルスチレン-コ-2-4-ビニルフェニルアミノカルボニルアミノエチルメタクリレート-コ-スチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート-コ-アリルトリメチルゲルマニウム、ポリN,N-ジエチルジチオカルバミルメチルスチレン-コ-2-4-ビニルフェニルアミノカルボニルアミノエチルメタクリレート-コ-スチレン-コ-4メトキシスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、及び、ポリN,N-ジエチルジチオカルバミルメチルスチレン-コ-2-4-ビニルフェニルアミノカルボニルアミノエチルメタクリレート-コ-スチレン-コ-4メトキシスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレートが挙げられる。<活性水素化合物B>本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、分子内にオキシカルボニルオキシレン基にジ置換カルビレン基が結合した構造の二価の有機基と2個以上の活性水素とを含有する活性水素化合物Bを含む。また、オキシカルボニルオキシレン基にジ置換カルビレン基が結合した構造は酸を作用させると分解する。そのため、光酸発生剤と共に使用する等した場合、本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料はポジ型感光性の機能を奏しうる。活性水素化合物Bとしては、前記式1で表される活性水素化合物が好ましい。式1中、R1及びR2は、それぞれ独立に、炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。R1及びR2で表される炭素数1~20の一価の有機基の定義及び具体例は、前述のR’で表される炭素数1~20の一価の有機基の定義及び具体例と同じである。ある一形態では、R1及びR2はメチル基である。前記活性水素化合物Bとしては、前記式8で表される活性水素化合物が好ましい。式8中、R14~R21及びR26~R33は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。R14~R21及びR26~R33で表される炭素数1~20の一価の有機基の定義及び具体例は、前述のR’で表される炭素数1~20の一価の有機基の定義及び具体例と同じである。ある一形態では、R14~R21及びR26~R33は水素原子である。式8中、R22~R25は、それぞれ独立に、炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。R22~R25で表される炭素数1~20の一価の有機基の定義及び具体例は、前述のR’で表される炭素数1~20の一価の有機基の定義及び具体例と同じである。ある一形態では、R22~R25はメチル基である。Raaa、Rbbb及びRcccは、それぞれ独立に、炭素数1~20の二価の有機基を表す。該炭素数1~20の二価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。前記炭素数1~20の二価の有機基としては、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよい。炭素数1~20の二価の有機基としては、例えば、炭素数1~20の二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の二価の環状炭化水素基、及び、アルキル基等で置換されていてもよい炭素数6~20の二価の芳香族炭化水素基が挙げられる。中でも、炭素数1~6の二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~6の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数3~6の二価の環状炭化水素基、及び、アルキル基等で置換されていてもよい二価の炭素数6~20の芳香族炭化水素基が好ましい。二価の脂肪族炭化水素基及び二価の環状炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピルレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、イソプロピレン基、イソブチレン基、ジメチルプロピレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、及び、シクロヘキシレン基が挙げられる。アルキル基等で置換されていてもよい炭素数6~20の二価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ジメチルフェニレン基、トリメチルフェニレン基、エチレンフェニレン基、ジエチレンフェニレン基、トリエチレンフェニレン基、プロピレンフェニレン基、ブチレンフェニレン基、メチルナフチレン基、ジメチルナフチレン基、トリメチルナフチレン基、ビニルナフチレン基、エテニルナフチレン基、メチルアンスリレン基、及び、エチルアンスリレン基が挙げられる。式8中、X1及びX2は、それぞれ独立に、アミノ基、置換アミノ基、水酸基又はチオール基を表す。ここで、置換アミノ基とは、アミノ基中の水素原子が置換基で置換された基であり、アルキル基で置換されたアミノ基及び芳香族炭化水素基で置換されたアミノ基が挙げられる。アルキル基で置換されたアミノ基としては、例えば、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基及びブチルアミノ基が挙げられる。芳香族炭化水素基で置換されたアミノ基としては、例えば、フェニルアミノ基が挙げられる。ある一形態では、X1及びX2は、アミノ基である。式8中、p1、p2及びp3は、それぞれ独立に、0又は1の整数を表す。ある一形態では、p1及びp3が0であり、かつ、p2が1である。活性水素化合物Bは、例えば、ブロモフェニルクロロフォーメートと2,5-ジメチルヘキサン-2,5-ジオールとを脱酸剤の存在下で反応させて反応中間体を製造し、該反応中間体とアミノフェニルボロン酸ピナコールエステルとをカップリングさせる方法により製造することが出来る。活性水素化合物Bとしては、例えば、2,3-ビス4’-アミノビフェニル-4-オキシカルボニルオキシブタン及び2,5-ビス4’-アミノビフェニル-4-オキシカルボニルオキシヘキサンが挙げられる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料が高分子化合物A-2を含有する場合、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料中に、分子内に2個以上の不飽和二重結合を有する不飽和二重結合化合物Cを含有していてもよい。不飽和二重結合化合物Cに含まれる末端不飽和二重結合は、高分子化合物A-2が提供するベンジルラジカルと反応して重合する。該重合反応は、リビング的に進行するため、架橋密度が高い硬化膜が形成される。その際、ラジカル反応は、前記第2の官能基と活性水素との反応に平行して進行し、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の架橋密度が効果的に高められる。前記不飽和二重結合化合物Cとしては、式9で表される不飽和二重結合化合物が好ましい。式9中、R34~R38及びR43~R47は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。R34~R38及びR43~R47で表される炭素数1~20の一価の有機基の定義及び具体例は、前述のR’で表される炭素数1~20の一価の有機基の定義及び具体例と同じである。ある一形態では、R34~R38及びR43~R47は水素原子である。式9中、R39~R42は、それぞれ独立に、炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。R39~R42で表される炭素数1~20の一価の有機基の定義及び具体例は、前述のR’で表される炭素数1~20の一価の有機基の定義及び具体例と同じである。ある一形態では、R39~R42はメチル基である。Rddd、Reee及びRfffは、それぞれ独立に、炭素数1~20の二価の有機基を表す。該炭素数1~20の二価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Rddd、Reee及びRfffで表される炭素数1~20の二価の有機基の定義及び具体例は、前述のRaaa、Rbbb及びRcccで表される炭素数1~20の二価の有機基の定義及び具体例と同じである。式9中、p4、p5及びp6は、それぞれ独立に、0又は1の整数を表す。ある一態様では、p4は1であり、p5は1であり、p6は1である。不飽和二重結合化合物Cは、例えば、活性水素化合物Bと同様の方法により製造することが出来る。具体的には、ブロモフェニルクロロフォーメートと2,5-ジメチルヘキサン-2,5-ジオールとを脱酸剤の存在下で反応させて反応中間体を製造し、該反応中間体とビニルフェニルボロン酸とをカップリングさせる方法により製造することが出来る。不飽和二重結合化合物Cとしては、例えば、2,3-ビス4’-ビニルビフェニル-4-オキシカルボニルオキシブタン及び2,5-ビス4’-ビニルビフェニル-4-オキシカルボニルオキシヘキサンが挙げられる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料に含まれる活性水素化合物Bの添加量は、高分子化合物A中の第1の官能基を有する繰り返した単位の量に対して、0.1~10当量が好ましく、0.3~5当量がより好ましい。活性水素化合物Bの添加量が上記範囲以外では、架橋構造の形成が不十分になることがある。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料には、混合や粘度調節のための溶媒や、高分子化合物Aを架橋させるために用いる架橋剤、該架橋剤と組み合わせて用いられる添加剤などを含有させてよい。使用される溶媒としては、テトラヒドロフランやジエチルエーテルなどのエーテル溶媒、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素溶媒、シクロヘキサンなどの脂環式炭化水素溶媒、ペンテン等の不飽和炭化水素溶媒、キシレンなどの芳香族炭化水素溶媒、アセトンなどのケトン溶媒、ブチルアセテートなどのアセテート溶媒、イソプロピルアルコールなどのアルコール溶媒、クロロホルムなどのハロゲン溶媒、これらの溶媒の混合溶媒が挙げられる。また、添加剤としては、架橋反応を促進するための触媒、増感剤、レべリング剤、粘度調節剤などを用いることができる。該架橋反応を促進するための触媒としては、光酸発生剤、熱酸発生剤及び光カチオン重合開始剤が挙げられる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料には、光酸発生剤又は熱酸発生剤を添加することが好ましい。該光酸発生剤及び熱酸発生剤としては、例えば、ジアゾメタン誘導体、トリアジン誘導体、ヨードニウム塩及びスルホニウム塩を挙げることができる。ジアゾメタン誘導体としては、例えば、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタンが挙げられる。トリアジン誘導体としては、例えば、2-メチル-4,6-ジトリクロロメチル-トリアジンが挙げられる。ヨードニウム塩としては、例えば、トリルキュミルヨードニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレートが挙げられる。スルホニウム塩としては、例えば、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートが挙げられる。また、該光酸発生剤及び熱酸発生剤としては、前記の材料の他に、特開平9-118663号公報記載の化合物、特開2007-262401号公報記載の化合物も使用することができる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタに含まれる絶縁層の形成に用いられる組成物である。有機薄膜トランジスタの絶縁層中でも、オーバーコート層又はゲート絶縁層の形成に用いられることが好ましい。有機薄膜トランジスタ絶縁層材料としては、有機薄膜トランジスタオーバーコート層組成物、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層組成物であることが好ましく、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料であることがより好ましい。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料はフッ素を含む必要がない。そのため、本発明によれば、必要に応じて、閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが低く、フッ素を含まない有機薄膜トランジスタ絶縁層を提供することができる。フッ素を含まない有機薄膜トランジスタ絶縁層は、その表面が有機材料との親和性に優れる。その結果、例えば、有機薄膜トランジスタ絶縁層に隣接して有機半導体層を形成する場合、両者の密着性が良好になる。その場合に、形成される有機半導体層の表面の平坦性が向上する。また、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料がフッ素原子を含まないことで、親液部と撥液部とを有するバンク中に有機薄膜トランジスタ絶縁層材料とフッ素を含まない溶液とを含む絶縁層塗布液を塗布して有機薄膜トランジスタ絶縁層を形成する場合、該絶縁層塗布液の該バンクの撥液部への移動を抑制することができる。有機半導体化合物とフッ素を含有しない溶媒とを含む有機半導体塗布液を有機薄膜トランジスタ絶縁層上に塗布して有機半導体層を形成する場合、該溶媒と有機薄膜トランジスタ絶縁層の親和性が優れるため、膜厚が均一な有機半導体層を形成することができる。<有機薄膜トランジスタ>図1は、本発明の一実施形態であるボトムゲートトップコンタクト型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。この有機薄膜トランジスタには、基板1と、基板1上に形成されたゲート電極2と、ゲート電極2上に形成されたゲート絶縁層3と、ゲート絶縁層3上に形成された有機半導体層4と、有機半導体層4上にチャネル部を挟んで形成されたソース電極5及びドレイン電極6と、素子全体を覆うオーバーコート7とが、備えられている。ボトムゲートトップコンタクト型有機薄膜トランジスタは、例えば、基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に有機半導体層を形成し、有機半導体層上にソース電極、ドレイン電極を形成し、オーバーコートを形成することで製造することができる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料として、ゲート絶縁層を形成するのに好適に用いられる。また、有機薄膜トランジスタオーバーコート層材料として、オーバーコート層を形成するのに用いることもできる。図2は、本発明の一実施形態であるボトムゲートボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。この有機薄膜トランジスタには、基板1と、基板1上に形成されたゲート電極2と、ゲート電極2上に形成されたゲート絶縁層3と、ゲート絶縁層3上にチャネル部を挟んで形成されたソース電極5及びドレイン電極6と、ソース電極5及びドレイン電極6上に形成された有機半導体層4と、素子全体を覆うオーバーコート7とが、備えられている。ボトムゲートボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタは、例えば、基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上にソース電極、ドレイン電極を形成し、ソース電極、ドレイン電極上に有機半導体層を形成し、オーバーコートを形成することで製造することができる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料として、ゲート絶縁層を形成するのに好適に用いられる。また、有機薄膜トランジスタオーバーコート層材料として、オーバーコート層を形成するのに用いることもできる。<有機薄膜トランジスタ絶縁層の製造方法>ゲート絶縁層又はオーバーコート層の形成は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料に要すれば溶媒などを添加して絶縁層塗布液を調製し、絶縁層塗布液を、ゲート絶縁層又はオーバーコート層の下に位置することになる層の表面に塗布し、乾燥し、硬化させることにより行う。該絶縁層塗布液に用いられる有機溶媒としては、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を溶解させるものであれば特に制限は無いが、好ましくは、常圧での沸点が100°C~200°Cの有機溶媒である。該有機溶媒の例としては、2-ヘプタノン沸点151°C、及び、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート沸点146°Cが挙げられる。該絶縁層塗布液には、必要に応じてレベリング剤、界面活性剤、硬化触媒等を添加することができる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層組成物として、ゲート絶縁層の形成に用いることもできる。該絶縁層塗布液はスピンコート、ダイコート、スクリーン印刷、インクジェット等の公知の方法によりゲート電極上に塗布することができる。形成される塗布層は必要に応じて乾燥させる。ここでいう乾燥は、塗布された樹脂組成物に含まれる溶媒を除去することを意味する。乾燥させた塗布層は、次いで硬化させる。硬化は有機薄膜トランジスタ絶縁層材料が架橋することを意味する。トランジスタ絶縁層材料の架橋は、例えば、塗布層に電磁波の照射又は熱を印加することにより行われる。そうすると、高分子化合物Aの第1の官能基から第2の官能基が生成して、該第2の官能基が活性水素化合物Bの活性水素含有基と反応するからである。高分子化合物Aに含まれる第1の官能基が、電磁波又は電子線の照射により、活性水素と反応する第2の官能基を生成する官能基である場合、有機薄膜トランジスタ絶縁層は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を含む液を基材に塗布して該基材上に塗布層を形成する工程、及び、該塗布層に電磁波又は電子線を照射する工程を包含する形成方法で形成することが好ましい。高分子化合物Aに含まれる第1の官能基が、熱の作用により、活性水素と反応する第2の官能基を生成する官能基である場合、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を含む液を基材に塗布して該基材上に塗布層を形成する工程、及び、該塗布層に電磁波又は電子線を照射する工程を包含する形成方法で形成することが好ましく、有機薄膜トランジスタ絶縁層は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を含む液を基材に塗布して該基材上に塗布層を形成する工程、該塗布層に電磁波又は電子線を照射する工程、及び、該塗布層に熱を印加する工程を包含する形成方法で形成することがより好ましい。塗布層に電磁波又は電子線を照射する工程と、塗布層に電磁波又は電子線を照射する工程の両方行うことで、絶縁層の架橋密度が向上するからである。特に、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料をゲート絶縁層に使用する場合には、有機薄膜トランジスタの閾値電圧Vthの絶対値及びヒステリシスが小さくなる。絶縁層の架橋密度が向上することで電圧印加時の分極がより抑制され、有機薄膜トランジスタの閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さくなると考えられる。塗布層に熱を印加する場合は、塗布層を約80~250°C、好ましくは約100~230°Cの温度に加熱して約5~120分、好ましくは約10~60分維持する。加熱温度が低すぎたり加熱時間が短すぎると絶縁層の架橋が不十分になり、加熱温度が高すぎたり加熱時間が長すぎると絶縁層が損傷する可能性がある。塗布層に電磁波を照射する場合、絶縁層の架橋及び損傷の度合いを考慮して、照射条件を調節する。マイクロ波を印加して加熱する場合は、絶縁層の架橋が及び損傷の度合いを考慮して印加条件を調節する。照射する電磁波の波長は450nm以下が好ましく、より好ましくは150~410nmである。照射する電磁波の波長が450nmを越えると有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の架橋が不十分になる場合がある。電磁波としては、紫外線が好ましい。紫外線の照射は、例えば、半導体の製造のために使用されている露光装置やUV硬化性樹脂を硬化させるために使用されているUVランプを用いて行うことができる。電子線の照射は、例えば、超小型電子線照射管を用いて行うことができる。加熱はヒーター及びオーブンなどを用いて行うことができる。ゲート絶縁層上には、自己組織化単分子膜層を形成してもよい。該自己組織化単分子膜層は、例えば、有機溶媒中にアルキルクロロシラン化合物もしくはアルキルアルコキシシラン化合物を1~10重量溶解した溶液でゲート絶縁層を処理することにより形成することが出来る。アルキルクロロシラン化合物の例としては、メチルトリクロロシラン、エチルトリクロロシラン、ブチルトリクロロシラン、デシルトリクロロシラン、オクタデシルトリクロロシランが挙げられる。アルキルアルコキシシラン化合物の例としては、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシランが挙げられる。基板1、ゲート電極2、ソース電極5、ドレイン電極6及び有機半導体層4は、通常使用される材料及び方法で構成すればよい。基板の材料には樹脂やプラスチックの板やフィルム、ガラス板、シリコン板などが用いられる。電極の材料には、クロム、金、銀、アルミニウム、モリブデン等を用い、蒸着法、スパッタ法、印刷法、インクジェット法等の公知の方法で電極を形成する。有機半導体層4を形成するための有機半導体化合物としてはπ共役ポリマーが用いられ、例えば、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類、ポリアリルアミン類、フルオレン類、ポリカルバゾール類、ポリインドール類、ポリP-フェニレンビニレン類などを用いることができる。また、有機溶媒への溶解性を有する低分子物質、例えば、ペンタセンなどの多環芳香族の誘導体、フタロシアニン誘導体、ペリレン誘導体、テトラチアフルバレン誘導体、テトラシアノキノジメタン誘導体、フラーレン類、カーボンナノチューブ類などを用いることができる。具体的には、2,1,3-ベンゾチアジアゾール-4,7-ジエチレンボロネートと、2,6-ジブロモ-4,4-ビス-ヘキサデカニル-4H-シクロペンタ2,1-b;3,4-b’-ジチオフェンとの縮合物、9,9-ジ-n-オクチルフルオレン-2,7-ジエチレンボロネートと、5,5’-ジブロモ-2,2’-バイチオフェンとの縮合物等があげられる。有機半導体層の形成は、例えば、有機半導体化合物に要すれば溶媒などを添加して有機半導体塗布液を調製し、該有機半導体塗布液をゲート絶縁層上に塗布し、該有機半導体塗布液を乾燥させることにより行う。本発明では、ゲート絶縁層を構成する樹脂がベンゼン環を有し、有機半導体化合物と親和性がある。それゆえ、上記塗布乾燥法によって、有機半導体層とゲート絶縁層との間に均一で平坦な界面が形成される。有機半導体塗布液に使用される溶媒としては、有機半導体を溶解又は分散させるものであれば特に制限は無いが、好ましくは、常圧での沸点が50°C~200°Cの溶媒である。該溶媒の例としては、クロロホルム、トルエン、アニソール、2-ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが挙げられる。該有機半導体塗布液は、前記絶縁層塗布液と同様にスピンコート、ダイコート、スクリーン印刷、インクジェット等の公知の方法によりゲート絶縁層上に塗布することができる。本発明の有機薄膜トランジスタは、有機薄膜トランジスタを保護し、また、表面の平滑性を高める目的で、オーバーコート材でコートしてもよい。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて製造した絶縁層は、その上に平坦な膜等を積層することができ、積層構造を容易に形成することができる。また、該絶縁層上に有機エレクトロルミネッセンス素子を好適に搭載することができる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて、好適に有機薄膜トランジスタを有するディスプレイ用部材を作製できる。該有機薄膜トランジスタを有するディスプレイ用部材を用いて、ディスプレイ用部材を備えるディスプレイを作製できる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、絶縁層以外のトランジスタに含まれる層、有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれる層を形成する用途にも用いることができる。以下、本発明を実施例により説明するが、本発明は実施例により限定されるものではないことは言うまでもない。<合成例1>高分子化合物1の合成50ml耐圧容器エース製に、4-1-エトキシエトキシスチレン東ソー有機合成製を2.50g、4-ビニルアニソールアルドリッチ製を4.80g、2-O-[1’-メチルプロピリデンアミノ]カルボキシアミノエチル-メタクリレート昭和電工製、商品名カレンズMOI-BMを3.13g、2-N-1’,3’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート昭和電工製、商品名カレンズMOI-BPを0.82g、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオニトリルを0.06g、2-ヘプタノン東京化成製を26.37g入れ、アルゴンガスをバブリングし、密栓した。60°Cのオイルバス中で20時間重合させ、高分子化合物1が溶解している粘稠な2-ヘプタノン溶液を得た。高分子化合物1は、下記繰り返し単位を有している。括弧の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。高分子化合物1得られた高分子化合物1の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、76000であった島津製GPC、TskgelsuperHM-H1本TskgelsuperH20001本、移動相=THF。<合成例2>高分子化合物2の合成2,1,3-ベンゾチアジアゾール-4,7-ジエチレンボロネートを1.88g、及び2,6-ジブロモ-4,4-ビス-ヘキサデカニル-4H-シクロペンタ2,1-b;3,4-b’-ジチオフェンを3.81g含むトルエン80mL中に、窒素下において、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウムを0.75g、メチルトリオクチルアンモニウムクロライドAldrich製、商品名Aliquat336登録商標を1.0g、及び2Mの炭酸ナトリウム水溶液を24mL加えた。この混合物を激しく攪拌し、加熱して24時間還流した。粘稠な反応混合物をアセトン500mLに注ぎ、繊維状の黄色のポリマーを沈澱させた。このポリマーを濾過によって集め、アセトンで洗浄し、真空オーブンにおいて60°Cで一晩乾燥させた。得られたポリマーを高分子化合物2とよぶ。高分子化合物2は、下記繰り返し単位を有している。nは繰り返し単位の数を示している。高分子化合物2<合成例3>活性水素化合物1の合成セプタム及び三方コックを取り付けた150mlの三口フラスコに、4-ブロモ-フェニルクロロフォルメートを5.00g、トリエチルアミンを4.29g、脱水テトラヒドロフランを100ml入れ、氷浴で冷却した。2,5-ジメチル-2,5-ヘキサンジオール1.55gをガスタイトシリンジからゆっくり滴下した。滴下終了後、氷浴中で1時間攪拌して反応させ、更に、室温で一晩攪拌し、反応させた。反応終了後、反応混合物を水中に注ぎ、ジエチルエーテルで生成物を抽出し、有機層を更に水洗し、その後、分液し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。無水硫酸マグネシウムを濾別した後、濾液をロータリーエバポレーターで濃縮して2,5-ビス4-ブロモフェニルオキシカルボニルオキシ-2.5-ジメチルヘキサンを粘調な液体として得た。2,5-ビス4-ブロモフェニルオキシカルボニルオキシ-2.5-ジメチルヘキサンの得量は5.12gであった。2,5-ビス4-ブロモフェニルオキシカルボニルオキシ-2.5-ジメチルヘキサン三方コックを付けたジムロートを付けた300ml三つ口フラスコに、得られた2,5-ビス4-ブロモフェニルオキシカルボニルオキシ-2.5-ジメチルヘキサンを5.08g、4-4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イルアニリンを4.22g、炭酸カリウム和光純薬製を6.45g、トルエン和光純薬製を100ml、イオン交換水を20ml、攪拌子を入れ、マグネチックスターラーで攪拌しながら、反応混合物をアルゴンでバブリングしてフラスコ内部をアルゴン雰囲気にした。フラスコ内に1,1’-ビスジフェニルフォスフィノフェロセンジクロロパラジウムIIジクロロメタン錯体アルドリッチ製を0.076g加え、アルゴンバブリングを継続しながらフラスコを80°Cのオイルバスに浸け、6時間反応させた。反応終了後、反応液を室温まで戻し、反応混合物を500mlの分液ロートに移した。フラスコをトルエン100mlで洗浄し、洗浄液を分液ロートに移した。水層を分液した後、有機層にイオン交換水50mlを加えて有機層を水洗し、水層を分液した。水洗工程を3回繰り返した。水洗終了後、有機層を分液して無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥終了後、無水硫酸マグネシウムを濾別し、濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた粘調な液体にヘキサン100mlを加えて固体を析出させ、ガラスフィルターで固体を濾別し、減圧下で乾燥させて25-ビス4’-4-アミノビフェニルオキシカルボニルオキシ-2,5-ジメチルヘキサン活性水素化合物1を淡黄色針状結晶として得た。活性水素化合物1の得量は4.59gであった。活性水素化合物1<実施例1>有機薄膜トランジスタ絶縁層材料及び電界効果型有機薄膜トランジスタの製造10mlのサンプル瓶に、合成例1で得た高分子化合物1の2-ヘプタノン溶液を8.00g、合成例3で得た活性水素化合物1を0.215g、光酸発生剤MBZ-101;ミドリ化学製を0.24g入れ、攪拌しながら溶解させ、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である均一な塗布溶液1を調製した。得られた塗布溶液1を孔径0.2μmのメンブレンフィルターを用いて濾過し、クロム電極のついたガラス基板上にスピンコートし、ホットプレート上で100°Cで60分間焼成した。その後、アライナーCanon製;PLA-521を用いてUV光波長365nmを1800mJ/cm2照射し、窒素中、ホットプレート上で220°Cで30分間焼成し、ゲート絶縁層を得た。ゲート絶縁層の膜厚は、576nmであった。次に、高分子化合物2を溶媒であるキシレンに溶解させ、濃度が0.5重量である溶液有機半導体組成物を作製し、該溶液をメンブランフィルターでろ過して塗布液を調製した。得られる塗布液を、前記ゲート絶縁層上にスピンコート法により塗布し、約30nmの厚さを有する活性層を形成し、次いで、メタルマスクを用いた真空蒸着法により、活性層上に、チャネル長20μm、チャネル幅2mmのソース電極及びドレイン電極活性層側から、酸化モリブデン、金の順番で積層構造を有するを形成することにより、電界効果型有機薄膜トランジスタを作製した。<トランジスタ特性の評価>こうして作製した電界効果型有機薄膜トランジスタについて、ゲート電圧Vgを20~-40V、ソースドレイン間電圧Vsdを0~-40Vに変化させた条件で、そのトランジスタ特性を真空プロ-バBCT22MDC-5-HT-SCU;NagaseElectronicEquipmentsServiceCoLTD製を用いて測定した。結果を表1に示す。電界効果型有機薄膜トランジスタのヒステリシスは、ソースドレイン間電圧Vsdが-40Vで、ゲート電圧Vgを20V→-40Vに変化させた際の閾値電圧Vth1とゲート電圧Vgを-40V→20Vに変化させた際の閾値電圧Vth2との電圧差異で表した。<比較例1>電界効果型有機薄膜トランジスタの製造10mlのサンプル瓶に、ポリビニルフェノール-コ-ポリメチルメタクリレートアルドリッチ製、Mn=6700を1.00g、N,N,N’,N’,N,N-ヘキサメトキシメチルメラミン住友化学製を0.163g、熱酸発生剤みどり化学製、商品名:TAZ108を0.113g、2-ヘプタノンを7.00g入れ、攪拌溶解して均一な塗布溶液2を調製した。塗布溶液1に代えて塗布溶液2を用い、ゲート絶縁層の形成時にUV照射を行わない以外は実施例1と同様にして電界効果型有機薄膜トランジスタを作製し、トランジスタ特性を測定した。結果を表1に示す。"