"基板と、前記基板の上に配置される裏面電極層と、前記裏面電極層の上に配置される光吸収層と、前記光吸収層の上に配置されるウィンドウ層と、前記裏面電極層及び前記光吸収層の間に介され、第1導電型酸化物を含む導電層と、を含むことを特徴とする、太陽光発電装置。前記第1導電型酸化物はp型酸化物を含むことを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。前記導電層はナトリウムを含むことを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。前記導電層は、インジウムチンオキサイド、チンオキサイド、またはインジウムチンジンクオキサイドを含むことを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。前記光吸収層には前記導電層を露出する貫通溝が形成され、前記貫通溝の内側に配置され、前記ウィンドウ層から延びて、前記導電層に接続される接続部を含むことを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。前記接続部は、前記導電層を通じて前記裏面電極層に接続されることを特徴とする、請求項5に記載の太陽光発電装置。前記導電層の厚さは1nm乃至200nmであることを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。前記光吸収層は前記第1導電型酸化物のような導電型を有する物質を含み、前記ウィンドウ層は第2導電型の物質を含むことを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。裏面電極層と、前記裏面電極層の上に配置される第1導電型の酸化物層と、前記酸化物層の上に配置される第1導電型の光吸収層と、前記光吸収層の上に配置される第2導電型のウィンドウ層と、を含むことを特徴とする、太陽光発電装置。前記酸化物層はI族元素がドーピングされた金属酸化物を含むことを特徴とする、請求項9に記載の太陽光発電装置。前記光吸収層はI族-III族-VI族系化合物半導体を含み、前記ウィンドウ層はIII族元素がドーピングされた金属酸化物を含むことを特徴とする、請求項10に記載の太陽光発電装置。前記I族元素はナトリウムであることを特徴とする、請求項10に記載の太陽光発電装置。前記酸化物層の厚さは約1nm乃至約200nmであることを特徴とする、請求項9に記載の太陽光発電装置。前記ウィンドウ層及び前記光吸収層を貫通する第3貫通溝を含み、前記第3貫通溝は前記酸化物層の上面を露出させることを特徴とする、請求項9に記載の太陽光発電装置。基板の上に裏面電極層を形成するステップと、前記裏面電極の上に第1導電型酸化物を蒸着して導電層を形成するステップと、前記導電層の上に光吸収層を形成するステップと、前記光吸収層の上にウィンドウ層を形成するステップと、を含むことを特徴とする、太陽光発電装置の製造方法。前記第1導電型酸化物は、インジウムチンオキサイド、チンオキサイド、及びインジウムチンジンクオキサイドで構成されるグループから選択され、前記光吸収層はI-III-IV族化合物を含むことを特徴とする、請求項15に記載の太陽光発電装置の製造方法。前記光吸収層に前記導電層の上面を露出する貫通溝を形成するステップを含み、前記ウィンドウ層を形成するステップで、前記貫通溝の内側に透明な導電物質を蒸着するステップを含むことを特徴とする、請求項16に記載の太陽光発電装置の製造方法。本発明の目的は、向上した機械的及び電気的な特性を有する太陽光発電装置及びその製造方法を提供することにある。本発明に従う太陽光発電装置は、基板、上記基板の上に配置される裏面電極層、上記裏面電極層の上に配置される光吸収層、上記光吸収層の上に配置されるウィンドウ層、及び上記裏面電極層及び上記光吸収層の間に介され、第1導電型酸化物を含む導電層を含む。本発明に従う太陽光発電装置は、裏面電極層、上記裏面電極層の上に配置される第1導電型の酸化物層、上記酸化物層の上に配置される第1導電型の光吸収層、及び上記光吸収層の上に配置される第2導電型のウィンドウ層を含む。本発明に従う太陽光発電装置の製造方法は、基板の上に裏面電極層を形成するステップ、上記裏面電極の上に第1導電型酸化物を蒸着して導電層を形成するステップ、上記導電層の上に光吸収層を形成するステップ、及び上記光吸収層の上にウィンドウ層を形成するステップを含む。本発明に従う太陽光発電装置は、裏面電極層及び光吸収層の間に介される導電層を含む。この際、導電層が導電性酸化物を含む場合、導電層は裏面電極層及び光吸収層の全てに高い接着力を有することができる。したがって、導電層は裏面電極層及び光吸収層の間の結合力を強化させ、実施形態に従う太陽光発電装置は向上した機械的な特性を有する。また、ウィンドウ層及び裏面電極層は接続部により互いに連結される。この際、接続部は導電層を通じて裏面電極層に接続される。また、裏面電極層が形成された後、導電層が直ぐ形成されるので、裏面電極層及び導電層の間に付随的な反応により形成された接続特性を妨害する物質が介されない。したがって、導電層及び裏面電極層の間の接続特性が向上する。また、導電層及び接続部は全て導電性酸化物を含むことができる。これによって、接続部及び導電層の間の接続特性が向上する。結果的に、導電層により接続部及び裏面電極層の接続特性が向上する。また、導電層は光吸収層に使われるCIGS系化合物のような導電型のp型酸化物を含むことができる。これによって、導電層は光吸収層と裏面電極層の間の接続特性を向上させることができる。これによって、本発明に従う太陽光発電装置は、向上した電気的な特性を有する。また、導電層は裏面電極層を覆う。したがって、裏面電極層は導電層により保護される。したがって、本発明に従う太陽光発電装置は裏面電極層の腐食を防止し、向上した耐久性を有する。また、導電層にはナトリウムが含まれる。導電層に含まれたナトリウムは光吸収層を形成する過程で光吸収層に拡散されて、光吸収層の特性を向上させることができる。したがって、本発明に従う太陽光発電装置は、向上した機械的及び電気的な特性を有する。本発明を説明するに当たって、各基板、層、膜、または電極などが、各基板、層、膜、または電極などの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の構成要素を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各構成要素の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各構成要素のサイズは説明のために誇張することがあり、実際に適用されるサイズを意味するものではない。図1は、本発明の実施形態に従う太陽光発電装置を示す平面図である。図2は、図1のA-A’線に沿って切断した断面を示す断面図である。図1及び図2を参照すると、実施形態に従う太陽光発電装置は、支持基板100、裏面電極層200、導電層300、光吸収層400、バッファ層500、高抵抗バッファ層600、ウィンドウ層700、及び多数個の接続部800を含む。上記支持基板100はプレート形状を有し、上記裏面電極層200、上記光吸収層400、上記バッファ層500、上記高抵抗バッファ層600、上記ウィンドウ層700、及び上記接続部800を支持する。上記支持基板100は絶縁体でありうる。上記支持基板100は、ガラス基板、プラスチック基板、または金属基板でありうる。より詳しくは、上記支持基板100はソーダライムガラスsodalimeglass基板でありうる。上記支持基板100は透明でありえる。上記支持基板100はリジッドまたはフレキシブルである。上記裏面電極層200は上記支持基板100の上に配置される。上記裏面電極層200は金属層でありうる。上記裏面電極層200に使われる物質の例としてはモリブデンなどの金属が挙げられる。また、上記裏面電極層200は2つ以上の層を含むことができる。この際、各々の層は同一な金属で形成されたり、互いに異なる金属で形成される。上記導電層300は上記裏面電極層200の上に配置される。上記導電層300は上記裏面電極層200の上面の全体を覆う。上記導電層300は上記裏面電極層200と直接接触する。即ち、上記導電層300は上記裏面電極層200に直接的な接触により接続される。また、上記導電層300は上記光吸収層400に直接接続される。即ち、上記導電層300の上面は上記光吸収層400に直接接触され、これによって、上記導電層300は上記光吸収層400に接続される。上記導電層300は第1導電型酸化物を含む。例えば、上記導電層300はp型酸化物を含む。上記p型酸化物は金属酸化物でありうる。上記p型酸化物は、インジウムチンオキサイド、チンオキサイド、及びインジウムチンジンクオキサイドで構成されるグループから選択できる。より詳しくは、上記p型酸化物はI族元素がドーピングされた金属酸化物でありうる。例えば、上記p型酸化物はナトリウムがドーピングされたインジウムチンオキサイド、ナトリウムがドーピングされたチンオキサイド、またはナトリウムがドーピングされたインジウムジンクオキサイドでありうる。上記導電層300は酸化物を含む。より詳しくは、上記導電層300は酸化物で構成される。即ち、上記導電層300は酸化物層である。したがって、上記導電層300は安定である。即ち、酸化物は金属より化学的に安定するため、上記導電層300は上記裏面電極層200より安定的である。これによって、上記導電層300を形成する過程で上記裏面電極層200をなす物質と上記p型酸化物との間の副反応が殆ど起こらない。これによって、上記導電層300及び上記裏面電極層200の間の結合力を阻害する副産物などが形成されず、上記導電層300及び上記裏面電極層200の間の結合力が向上する。追加的に、上記導電層300及び上記裏面電極層200の間の接続特性が向上する。即ち、上記導電層300は高い機械的及び電気的接続特性を有し、上記裏面電極層200に接続される。前述したように、上記導電層300にはナトリウムが含まれる。上記導電層300にはナトリウムがドーパント形態にドーピングされる。即ち、上記p型酸化物にナトリウムがドーピングされる。上記裏面電極層200及び上記光吸収層400にもナトリウムが含まれる。この際、上記導電層300のナトリウムの濃度が最も高いことがある。上記導電層300の厚さは約1nm乃至約200nmでありうる。上記導電層300は透明で、低い抵抗を有する。また、上記導電層300は上記裏面電極層200と同一にパターニングされる。上記裏面電極層200及び上記導電層300には第1貫通溝TH1が形成される。上記第1貫通溝TH1は上記支持基板100の上面を露出するオープン領域である。上記第1貫通溝TH1は平面視して、一方向に延びる形状を有することができる。上記第1貫通溝TH1の幅は約80μm乃至200μmでありうる。上記第1貫通溝TH1によって、上記裏面電極層200は多数個の裏面電極に区分される。即ち、上記第1貫通溝TH1によって、上記裏面電極が定義される。上記裏面電極は上記第1貫通溝TH1によって互いに離隔する。上記裏面電極はストライプ形態に配置される。これとは異なり、上記裏面電極はマトリックス形態に配置される。この際、上記第1貫通溝TH1は平面視して、格子形態に形成される。上記光吸収層400は上記裏面電極層200の上に配置される。また、上記光吸収層400に含まれた物質は上記第1貫通溝TH1に詰められる。上記光吸収層400は第1導電型の化合物半導体を含む。例えば、上記光吸収層400はp型化合物半導体を含む。即ち、上記光吸収層400はp型半導体層である。上記光吸収層400はI-III-VI族系化合物を含む。例えば、上記光吸収層400は、銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2;CIGS系結晶構造、銅-インジウム-セレナイド系、または銅-ガリウム-セレナイド系結晶構造を有することができる。上記光吸収層400のエネルギーバンドギャップbandgapは約1eV乃至1.8eVでありうる。上記バッファ層500は上記光吸収層400の上に配置される。上記バッファ層500は硫化カドミウムCdSを含み、上記バッファ層500のエネルギーバンドギャップは約2.2eV乃至2.4eVである。上記高抵抗バッファ層600は上記バッファ層500の上に配置される。上記高抵抗バッファ層600は不純物がドーピングされていないジンクオキサイドi-ZnOを含む。上記高抵抗バッファ層600のエネルギーバンドギャップは約3.1eV乃至3.3eVである。上記光吸収層400、上記バッファ層500、及び上記高抵抗バッファ層600には第2貫通溝TH2が形成される。上記第2貫通溝TH2は上記光吸収層400を貫通する。また、上記第2貫通溝TH2は上記導電層300の上面を露出するオープン領域である。上記第2貫通溝TH2は上記第1貫通溝TH1に隣接して形成される。即ち、上記第2貫通溝TH2の一部は平面視して、上記第1貫通溝TH1の傍らに形成される。上記第2貫通溝TH2の幅は約80μm乃至約200μmでありうる。また、上記光吸収層400は上記第2貫通溝TH2によって多数個の光吸収部を定義する。即ち、上記光吸収層400は上記第2貫通溝TH2によって上記光吸収部に区分される。上記ウィンドウ層700は上記高抵抗バッファ層600の上に配置される。上記ウィンドウ層700は透明で、導電体である。また、上記ウィンドウ層700の抵抗は上記裏面電極層200の抵抗より高い。例えば、上記ウィンドウ層700の抵抗は上記裏面電極層200の抵抗より約10倍乃至200倍より大きいことがある。上記ウィンドウ層700は酸化物を含む。より詳しくは、上記ウィンドウ層700は第2導電型の酸化物を含む。即ち、上記ウィンドウ層700はn型酸化物層である。より詳しくは、上記ウィンドウ層はIII族元素がドーピングされた金属酸化物を含むことができる。例えば、上記ウィンドウ層700は、アルミニウムがドーピングされたジンクオキサイドAldopedzincoxide;AZOまたはガリウムドーピングされたジンクオキサイドGadopedzincoxide;GZOなどを含むことができる。上記ウィンドウ層700の厚さは約800nm乃至約1200nmでありうる。上記バッファ層500、上記高抵抗バッファ層600、及び上記ウィンドウ層700には第3貫通溝TH3が形成される。上記第3貫通溝TH3は上記導電層300の上面を露出するオープン領域である。例えば、上記第3貫通溝TH3の幅は約80μm乃至約200μmでありうる。上記第3貫通溝TH3は上記第2貫通溝TH2に隣接する位置に形成される。より詳しくは、上記第3貫通溝TH3は上記第2貫通溝TH2の傍らに配置される。即ち、平面視して、上記第3貫通溝TH3は上記第2貫通溝TH2の傍らに並べて配置される。上記バッファ層500は上記第2貫通溝TH2及び上記第3貫通溝TH3によって多数個のバッファに区分される。同様に、上記高抵抗バッファ層600は上記第2貫通溝TH2及び上記第3貫通溝TH3によって多数個の高抵抗バッファに区分される。また、上記第3貫通溝TH3によって、上記ウィンドウ層700は多数個のウィンドウに区分される。即ち、上記ウィンドウは上記第3貫通溝TH3によって定義される。上記ウィンドウは上記裏面電極と対応する形状を有する。即ち、上記ウィンドウはストライプ形態に配置される。これとは異なり、上記ウィンドウはマトリックス形態に配置される。また、上記第3貫通溝TH3によって、多数個のセルC1,C2...が定義される。より詳しくは、上記第2貫通溝TH2及び上記第3貫通溝TH3によって、上記セルC1,C2...が定義される。即ち、上記第2貫通溝TH2及び上記第3貫通溝TH3によって、実施形態に従う太陽光発電装置は上記セルC1,C2...に区分される。上記接続部800は上記第2貫通溝TH2の内側に配置される。上記接続部800は上記ウィンドウ層700から下方に延びて、上記導電層300に接続される。より詳しくは、上記接続部800は上記導電層300を通じて上記裏面電極層200に接続される。例えば、上記接続部800は上記第1セルC1のウィンドウから延びて、上記導電層300を通じて上記第2セルC2の裏面電極に接続される。したがって、上記接続部800は互いに隣接するセルを連結する。より詳しくは、上記接続部800は互いに隣接するセルに各々含まれたウィンドウと裏面電極とを連結する。上記接続部800は上記ウィンドウ層700と一体形成される。即ち、上記接続部800に使われる物質は、上記ウィンドウ層700に使われる物質と同一である。前述したように、上記導電層300は上記裏面電極層200及び上記光吸収層400の全てに高い接着力を有することができる。したがって、上記導電層300は上記裏面電極層200及び上記光吸収層400の間の結合力を強化させ、実施形態に従う太陽光発電装置は向上した機械的な特性を有する。また、前述したように、上記導電層300及び上記裏面電極層200は高い接続特性を有して接続される。上記導電層300及び上記接続部800は全て導電性酸化物を含むので、上記接続部800及び上記導電層300の間の接続特性が向上する。結果的に、上記導電層300によって、上記接続部800及び上記裏面電極層200の接続特性が向上する。また、上記導電層300は上記光吸収層400に使われるCIGS系化合物のような導電型のp型酸化物を含むことができる。したがって、上記導電層300は上記光吸収層400に向上した接続特性を有して接続され、上記導電層300は上記光吸収層400と上記裏面電極層200との間の接続特性を向上させることができる。これによって、実施形態に従う太陽光発電装置は向上した電気的な特性を有する。また、上記裏面電極層200は上記導電層300により保護される。より詳しくは、上記裏面電極層200で上記第3貫通溝TH3に露出される部分を上記導電層300が覆う。したがって、上記導電層300は上記裏面電極層200の腐食を防止し、実施形態に従う太陽光発電装置は向上した耐久性を有する。また、上記導電層300にはナトリウムが含まれる。上記導電層300に含まれたナトリウムは上記光吸収層400を形成する過程で上記光吸収層400に拡散されて、上記光吸収層400の特性を向上させることができる。したがって、実施形態に従う太陽光発電装置は、向上した機械的及び電気的な特性を有する。図3乃至図7は、本発明の実施形態に従う太陽光発電装置を製造する過程を示す断面図である。本製造方法に対する説明では、前述した太陽光発電装置に対する説明を参照する。即ち、前述した太陽光発電装置に対する説明は本製造方法に関する説明に本質的に結合できる。図3を参照すると、支持基板100の上に裏面電極層200が形成される。上記裏面電極層200はモリブデンターゲットを使用するスパッタリング工程により形成される。上記裏面電極層200の厚さは約100nm乃至約500nmでありうる。また、上記支持基板100及び上記裏面電極層200の間に拡散防止膜などの追加的な層が介される。以後、上記裏面電極層200の上に導電層300が形成される。上記導電層300はスパッタリング工程により形成される。上記導電層300はp型酸化物を含むスパッタリングターゲットを使用して形成される。また、上記スパッタリングターゲットにはナトリウムがドーピングされる。即ち、上記スパッタリングターゲットにナトリウムがドーピングされたp型酸化物が使われる。上記スパッタリングターゲットに使われる物質の例としては、ナトリウムがドーピングされたインジウムチンオキサイド、ナトリウムがドーピングされたチンオキサイド、またはナトリウムがドーピングされたインジウムチンジンクオキサイドなどが挙げられる。上記導電層300は約1nm乃至約200nmの厚さで蒸着される。上記導電層300にはナトリウムがドーピングされる。この際、上記スパッタリングターゲットにドーピングされるナトリウムの濃度は上記導電層300の厚さによって変わる。即ち、上記導電層300の厚さが薄くなる場合には、上記ドーピングされたナトリウムの濃度が高まることがある。反対に、上記導電層300の厚さが厚い場合には、上記ドーピングされたナトリウムの濃度は低まることがある。以後、上記裏面電極層200及び上記導電層300にはレーザーにより多数個の第1貫通溝TH1が形成される。即ち、上記裏面電極層200及び上記導電層300は同時にパターニングされる。これによって、上記裏面電極層200は上記第1貫通溝によって多数個の裏面電極に区分される。上記第1貫通溝TH1は上記支持基板100の上面を露出し、約80μm乃至約200μmの幅を有することができる。図4を参照すると、上記導電層300の上に光吸収層400、バッファ層500、及び高抵抗バッファ層600が形成される。上記光吸収層400はスパッタリング工程または蒸発法等により形成される。例えば、上記光吸収層400を形成するために、銅、インジウム、ガリウム、セレニウムを同時または区分して蒸発させながら銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2;CIGS系の光吸収層400を形成する方法と金属プリカーサ膜を形成させた後、セレン化Selenization工程により形成させる方法が幅広く使われている。金属プリカーサ膜を形成させた後、セレン化することを細分化すれば、銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程により上記裏面電極200の上に金属プリカーサ膜が形成される。以後、上記金属プリカーサ膜はセレン化Selenization工程により、銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2;CIGS系の光吸収層400が形成される。これとは異なり、上記銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程及び上記セレン化工程は、同時に進行できる。これとは異なり、銅ターゲット及びインジウムターゲットのみを使用したり、銅ターゲット及びガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程及びセレン化工程により、CIS系またはCIG系光吸収層400が形成される。以後、硫化カドミウムがスパッタリング工程または溶液成長法chemicalbathdepositon;CBDなどにより蒸着され、上記バッファ層500が形成される。以後、上記バッファ層500の上にジンクオキサイドがスパッタリング工程などにより蒸着され、上記高抵抗バッファ層600が形成される。上記バッファ層500及び上記高抵抗バッファ層600は低い厚さで蒸着される。例えば、上記バッファ層500及び上記高抵抗バッファ層600の厚さは約1nm乃至約80nmである。以後、上記光吸収層400、上記バッファ層500、及び上記高抵抗バッファ層600の一部が除去されて第2貫通溝TH2が形成される。上記第2貫通溝TH2はチップなどの機械的な装置またはレーザー装置などにより形成される。例えば、約40μm乃至約180μmの幅を有するチップにより、上記光吸収層400及び上記バッファ層500はパターニングされる。また、上記第2貫通溝TH2は約200乃至600nmの波長を有するレーザーにより形成される。この際、上記第2貫通溝TH2の幅は約80μm乃至約200μmでありうる。また、上記第2貫通溝TH2は上記導電層300の上面の一部を露出するように形成される。図5を参照すると、上記光吸収層400の上及び上記第2貫通溝TH2の内側にウィンドウ層700が形成される。即ち、上記ウィンドウ層700は上記高抵抗バッファ層600の上及び上記第2貫通溝TH2の内側に透明な導電物質が蒸着して形成される。より詳しくは、上記ウィンドウ層700はアルミニウムがドーピングされたジンクオキサイドが蒸着して形成される。この際、上記第2貫通溝TH2の内側に上記透明な導電物質が詰められ、上記ウィンドウ層700は上記導電層300に直接接触するようになる。これによって、上記第2貫通溝の内側に接続部800が各々形成される。図6を参照すると、上記バッファ層500、上記高抵抗バッファ層600、及び上記ウィンドウ層700の一部が除去されて第3貫通溝TH3が形成される。これによって、上記ウィンドウ層700はパターニングされて、多数個のウィンドウ及び多数個のセルC1,C2...が定義される。上記第3貫通溝TH3の幅は約80μm乃至約200μmでありうる。上記第3貫通溝TH3は上記導電層300の上面を露出して形成される。この際、上記導電層300は酸化物で形成されて、上記裏面電極層200を効率の良く保護することができる。即ち、上記導電層300は上記第3貫通溝によって、上記裏面電極層200の外部への露出を防止する。このように、上記導電層300を含む太陽光発電装置が形成される。実施形態に従う太陽光発電装置は、向上した電気的な特性及び機械的な特性を有する。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるものではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するのでない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用が可能であることが同業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。"