"任意の長さで水平方向に互いに平行に延びる第1および第2の搬送路と、基板を1枚積載する荷台を有し、前記第1の搬送路の一端に設けられる第1の積出位置と、前記第1の搬送路の他端に設けられる第1の荷卸位置との間で前記第1の搬送路上を往復移動可能な第1のシャトルと、基板を1枚積載する荷台を有し、前記第2の搬送路の一端に設けられる第2の積出位置と、前記第2の搬送路の他端に設けられる第2の荷卸位置との間で前記第2の搬送路上を往復移動可能な第2のシャトルと、前記第1および第2の積出位置にアクセス可能に設けられ、第1のエリア内で基板を搬送するための1つまたは複数の第1の搬送アームを有する第1の搬送機構と、前記第1および第2の荷卸位置にアクセス可能に設けられ、第2のエリア内で基板を搬送するための1つまたは複数の第2の搬送アームを有する第2の搬送機構と、基板に所望の枚葉処理またはバッチ処理を施すために、前記第1および第2のエリアの少なくとも1つに配置される処理部とを有し、前記第1の搬送機構が、前記第1の搬送アームを用いて、前記第1および第2の積出位置で前記第1および第2のシャトルに基板を1枚ずつ積み、前記第2の搬送機構が、前記第2の搬送アームを用いて、前記第1および第2の荷卸位置で前記第1および第2のシャトルから基板を1枚ずつ卸し、前記第1のシャトルによる前記第1の積出位置から前記第1の荷卸位置への基板の搬送と、前記第2のシャトルによる前記第2の積出位置から前記第2の荷卸位置への基板の搬送とが独立に行われる、基板処理装置。任意の長さで水平方向に互いに平行に延びる第1および第2の搬送路と、基板を1枚積載する荷台を有し、前記第1の搬送路の一端に設けられる第1の積出位置と、前記第1の搬送路の他端に設けられる第1の荷卸位置との間で前記第1の搬送路上を往復移動可能な第1のシャトルと、基板を1枚積載する荷台を有し、前記第2の搬送路の一端に設けられる第2の積出位置と、前記第2の搬送路の他端に設けられる第2の荷卸位置との間で前記第2の搬送路上を往復移動可能な第2のシャトルと、前記第1および第2の荷卸位置の近くに一端を有し、そこから任意の長さで水平方向に互いに平行に延びる第3および第4の搬送路と、基板を1枚積載する荷台を有し、前記第3の搬送路の一端に設けられる第3の積出位置と、前記第3の搬送路の他端に設けられる第3の荷卸位置との間で前記第3の搬送路上を往復移動可能な第3のシャトルと、基板を1枚積載する荷台を有し、前記第4の搬送路の一端に設けられる第4の積出位置と、前記第4の搬送路の他端に設けられる第4の荷卸位置との間で前記第4の搬送路上を往復移動可能な第4のシャトルと、前記第1および第2の積出位置にアクセス可能に設けられ、第1のエリア内で基板を搬送するための1つまたは複数の第1の搬送アームを有する第1の搬送機構と、前記第1および第2の荷卸位置と前記第3および第4の積出位置とにアクセス可能に設けられ、第2のエリア内で基板を搬送するための1つまたは複数の第2の搬送アームを有する第2の搬送機構と、前記第3および第4の荷卸位置にアクセス可能に設けられ、第3のエリア内で基板を搬送するための1つまたは複数の第3の搬送アームを有する第3の搬送機構と、基板に所望の枚葉処理またはバッチ処理を施すために、前記第1、第2および第3のエリアの少なくとも1つに配置される処理部とを有し、前記第1の搬送機構が、前記第1の搬送アームを用いて、前記第1および第2の積出位置で前記第1および第2のシャトルに基板を1枚ずつ積み、前記第2の搬送機構が、前記第2の搬送アームを用いて、前記第1および第2の荷卸位置で前記第1および第2のシャトルから基板を1枚ずつ卸すとともに、前記第3および第4の積出位置で前記第3および第4のシャトルに基板を1枚ずつ積み、前記第3の搬送機構が、前記第3の搬送アームを用いて、前記第3および第4の荷卸位置で前記第3および第4のシャトルから基板を1枚ずつ卸し、前記第1のシャトルによる前記第1の積出位置から前記第1の荷卸位置への基板の搬送と、前記第2のシャトルによる前記第2の積出位置から前記第2の荷卸位置への基板の搬送と、前記第3のシャトルによる前記第3の積出位置から前記第3の荷卸位置への基板の搬送と、前記第4のシャトルによる前記第4の積出位置から前記第4の荷卸位置への基板の搬送とが独立に行われる、基板処理装置。前記第3のエリア内に、処理済みの基板を収納したカセットの払い出しが行われるアンローダ部が設けられ、前記第3の搬送機構は、前記第3の搬送アームを用いて、前記第3または第4のシャトルから卸した基板を前記カセットに収納する、請求項2に記載の基板処理装置。前記第3および第4の搬送路は一定の間隔を空けて上下に重なっている、請求項2または請求項3に記載の基板処理装置。前記第1のエリア内に、未処理の基板を収納したカセットの投入が行われるローダ部が設けられ、前記第1の搬送機構は、前記第1の搬送アームを用いて、前記第1または第2のシャトルへ積むための基板を前記カセットから取り出す、請求項1~4のいずれか一項に記載の基板処理装置。前記第1および第2の搬送路は一定の間隔を空けて上下に重なっている、請求項1~5のいずれか一項に記載の基板処理装置。任意の長さで水平方向に互いに平行に延びる第1および第2の搬送路と、基板を1枚積載する荷台を有し、前記第1の搬送路の一端に設けられる第1の積出位置と、前記第1の搬送路の他端に設けられる第1の荷卸位置との間で前記第1の搬送路上を往復移動可能な第1のシャトルと、基板を1枚積載する荷台を有し、前記第2の搬送路の一端に設けられる第2の積出位置と、前記第2の搬送路の他端に設けられる第2の荷卸位置との間で前記第2の搬送路上を往復移動可能な第2のシャトルと、前記第1および第2の積出位置にアクセス可能に設けられ、第1のエリア内で基板を搬送するための1つまたは複数の第1の搬送アームを有する第1の搬送機構と、前記第1および第2の荷卸位置にアクセス可能に設けられ、第2のエリア内で基板を搬送するための1つまたは複数の第2の搬送アームを有する第2の搬送機構と、基板に所望の枚葉処理またはバッチ処理を施すために、前記第1および第2のエリアの少なくとも1つに配置される処理部とを有し、前記第1の搬送機構が、前記第1の搬送アームを用いて、前記第1および第2の積出位置で前記第1および第2のシャトルに基板を1枚ずつ積み、前記第2の搬送機構が、前記第2の搬送アームを用いて、前記第1および第2の荷卸位置で前記第1および第2のシャトルから基板を1枚ずつ卸し、前記第1のシャトルによる前記第1の積出位置から前記第1の荷卸位置への基板の搬送と、前記第2のシャトルによる前記第2の積出位置から前記第2の荷卸位置への基板の搬送とが一定のタクト時間で交互に行われる、基板処理装置。前記第1のシャトルが基板を積んで前記第1の積出位置から前記第1の荷卸位置へ移動する動作と、前記第2のシャトルが基板を積まずに前記第2の荷卸位置から前記第2の積出位置へ移動する動作とが同時に行われ、前記第2のシャトルが基板を積んで前記第2の積出位置から前記第2の荷卸位置へ移動する動作と、前記第1のシャトルが基板を積まずに前記第1の荷卸位置から前記第1の積出位置へ移動する動作とが同時に行われる、請求項7に記載の基板処理装置。前記第1の搬送機構が前記第1のシャトルに基板を積む動作と、前記第2の搬送機構が前記第2のシャトルから基板を卸す動作とが独立したタイミングで行われ、前記第1の搬送機構が前記第2のシャトルへ基板を積む動作と、前記第2の搬送機構が前記第1のシャトルから基板を卸す動作とが独立したタイミングで行われる、請求項7または請求項8に記載の基板処理装置。任意の長さで水平方向に互いに平行に延びる第1および第2の搬送路と、基板を1枚積載する荷台を有し、前記第1の搬送路の一端に設けられる第1の積出位置と、前記第1の搬送路の他端に設けられる第1の荷卸位置との間で前記第1の搬送路上を往復移動可能な第1のシャトルと、基板を1枚積載する荷台を有し、前記第2の搬送路の一端に設けられる第2の積出位置と、前記第2の搬送路の他端に設けられる第2の荷卸位置との間で前記第2の搬送路上を往復移動可能な第2のシャトルと、前記第1および第2の荷卸位置の近くに一端を有し、そこから任意の長さで水平方向に互いに平行に延びる第3および第4の搬送路と、基板を1枚積載する荷台を有し、前記第3の搬送路の一端に設けられる第3の積出位置と、前記第3の搬送路の他端に設けられる第3の荷卸位置との間で前記第3の搬送路上を往復移動可能な第3のシャトルと、基板を1枚積載する荷台を有し、前記第4の搬送路の一端に設けられる第4の積出位置と、前記第4の搬送路の他端に設けられる第4の荷卸位置との間で前記第4の搬送路上を往復移動可能な第4のシャトルと、前記第1および第2の積出位置にアクセス可能に設けられ、第1のエリア内で基板を搬送するための1つまたは複数の第1の搬送アームを有する第1の搬送機構と、前記第1および第2の荷卸位置と前記第3および第4の積出位置とにアクセス可能に設けられ、第2のエリア内で基板を搬送するための1つまたは複数の第2の搬送アームを有する第2の搬送機構と、前記第3および第4の荷卸位置にアクセス可能に設けられ、第3のエリア内で基板を搬送するための1つまたは複数の第3の搬送アームを有する第3の搬送機構と、基板に所望の枚葉処理またはバッチ処理を施すために、前記第1、第2および第3のエリアの少なくとも1つに配置される処理部とを有し、前記第1の搬送機構が、前記第1の搬送アームを用いて、前記第1および第2の積出位置で前記第1および第2のシャトルに基板を1枚ずつ積み、前記第2の搬送機構が、前記第2の搬送アームを用いて、前記第1および第2の荷卸位置で前記第1および第2のシャトルから基板を1枚ずつ卸すとともに、前記第3および第4の積出位置で前記第3および第4のシャトルに基板を1枚ずつ積み、前記第3の搬送機構が、前記第3の搬送アームを用いて、前記第3および第4の荷卸位置で前記第3および第4のシャトルから基板を1枚ずつ卸し、前記第1のシャトルによる前記第1の積出位置から前記第1の荷卸位置への基板の搬送と前記第3のシャトルによる前記第3の積出位置から前記第3の荷卸位置への基板の搬送とが同時に行われるとともに、前記第2のシャトルによる前記第2の積出位置から前記第2の荷卸位置への基板の搬送と前記第4のシャトルによる前記第4の積出位置から前記第4の荷卸位置への基板の搬送とが同時に行われ、前記第1および第3のシャトルによる基板の搬送と前記第2および第4のシャトルによる基板の搬送とが一定のタクト時間で交互に行われる、基板処理装置。前記第1および第3のシャトルが基板を積んで前記第1および第3の積出位置から前記第1および第3の荷卸位置へそれぞれ移動する動作と、前記第2および第4のシャトルが基板を積まずに前記第2および第4の荷卸位置から前記第2および第4の積出位置へそれぞれ移動する動作とが同時に行われ、前記第2および第4のシャトルが基板を積んで前記第2および第4の積出位置から前記第2および第4の荷卸位置へそれぞれ移動する動作と、前記第1および第3のシャトルが基板を積まずに前記第1および第3の荷卸位置から前記第1および第3の積出位置へそれぞれ移動する動作とが同時に行われる、請求項10に記載の基板処理装置。前記第1の搬送機構が前記第1のシャトルに基板を積む動作と、前記第2の搬送機構が前記第2のシャトルから基板を卸す動作と、前記第2の搬送機構が前記第3のシャトルに基板を積む動作と、前記第4の搬送機構が前記第4のシャトルから基板を卸す動作とが独立したタイミングで行われ、前記第1の搬送機構が前記第2のシャトルに基板を積む動作と、前記第2の搬送機構が前記第1のシャトルから基板を卸す動作と、前記第2の搬送機構が前記第4のシャトルに基板を積む動作と、前記第3の搬送機構が前記第3のシャトルから基板を卸す動作とが独立したタイミングで行われ、請求項10または請求項11に記載の基板処理装置。前記処理部が、前記第2のエリア内で、一定の時間差で各々が同一の枚葉処理を繰り返し行う複数の枚葉式処理ユニットを有する、請求項10~12のいずれか一項に記載の基板処理装置。前記第2の搬送機構は、前記タクト時間内に、前記枚葉処理を未だ受けていない1枚の基板を前記第1または第2のシャトルのいずれかから卸し、その卸した基板を最も間近に前記枚葉処理が終了している前記枚葉式処理ユニットに搬入して、それと入れ替わりに前記枚葉処理を終えた基板を搬出し、その搬出した基板を前記第3または第4のシャトルのいずれかに積む、請求項13に記載の基板処理装置。前記処理部が、前記第2のエリア内に、一定の時間差で各々が第1の枚葉処理を繰り返し行う複数の第1の枚葉式処理ユニットと、一定の時間差で各々が前記第1の枚葉処理の次工程の第2の枚葉処理を繰り返し行う複数の第2の枚葉式処理ユニットとを有する、請求項10~12のいずれか一項に記載の基板処理装置。前記第2の搬送機構は、前記タクト時間内に、前記第1および第2の枚葉処理のいずれも未だ受けていない1枚の基板を前記第1または第2のシャトルのいずれかから卸し、その卸した基板を最も間近に前記第1の枚葉処理が終了している前記第1の枚葉式処理ユニットに搬入して、それと入れ替わりに前記第1の枚葉処理を終えた基板を搬出し、その搬出した基板を最も間近に前記第2の枚葉処理が終了している前記第2の枚葉式処理ユニットに搬入して、それと入れ替わりに前記第2の枚葉処理を終えた基板を搬出し、その搬出した基板を前記第3または第4のシャトルのいずれかに積む、請求項15に記載の基板処理装置。前記処理部が、前記第2のエリア内に、一定の時間差で各々が同一のバッチ処理を繰り返し行う複数のバッチ式処理ユニットを有する、請求項10~12のいずれか一項に記載の基板処理装置。前記第2の搬送機構は、前記タクト時間内に、前記バッチ処理を未だ受けていない1枚の基板を前記第1または第2のシャトルのいずれかから卸し、その卸した基板を最も間近に前記バッチ処理が終了している前記バッチ式処理ユニットに搬入して、それと入れ替わりに前記バッチ処理を終えた基板を搬出し、その搬出した基板を前記第3または第4のシャトルのいずれかに積む、請求項17に記載の基板処理装置。前記第3のエリア内に、処理済みの基板を収納したカセットの払い出しが行われるアンローダ部が設けられ、前記第3の搬送機構は、前記第3の搬送アームを用いて、前記第3または第4のシャトルから卸した基板を前記カセットに収納する、請求項10~18のいずれか一項に記載の基板処理装置。前記第3および第4の搬送路は一定の間隔を空けて上下に重なっている、請求項10~19に記載の基板処理装置。前記第1のエリア内に、未処理の基板を収納したカセットの投入が行われるローダ部が設けられ、前記第1の搬送機構は、前記第1の搬送アームを用いて、前記第1または第2のシャトルへ積むための基板を前記カセットから取り出す、請求項10~20のいずれか一項に記載の基板処理装置。前記第1および第2の搬送路は一定の間隔を空けて上下に重なっている、請求項10~21のいずれか一項に記載の基板処理装置。プロセスフローの上流側から下流側に向かって被処理基板を水平な方向で搬送する搬送ラインと、前記搬送ライン上に設けられ、その周囲に配置されている第1の処理部と基板の受け渡しを1枚ずつ行う第1の搬送機構と、前記搬送ライン上の前記第1の搬送機構よりも下流側に設けられ、その周囲に配置されている第2の処理部と基板の受け渡しを1枚ずつ行う第2の搬送機構と、前記搬送ラインの一区間を構成し、前記第1の搬送機構に隣接する第1および第2の積出位置から前記第2の搬送機構に隣接する第1および第2の荷卸位置へ基板をそれぞれ1枚ずつ積んで個別に枚葉搬送する往復移動可能な第1および第2のシャトルとを有する基板処理装置。プロセスフローの上流側から下流側に向かって被処理基板を水平な方向で搬送する搬送ラインと、前記搬送ライン上に設けられ、その周囲に配置されている第1の処理部と基板の受け渡しを1枚ずつ行う第1の搬送機構と、前記搬送ライン上の前記第1の搬送機構よりも下流側に設けられ、その周囲に配置されている第2の処理部と基板の受け渡しを1枚ずつ行う第2の搬送機構と、前記搬送ラインの一区間を構成し、前記第1の搬送機構に隣接する第1および第2の積出位置から前記第2の搬送機構に隣接する第1および第2の荷卸位置へ基板をそれぞれ1枚ずつ積んで枚葉搬送する往復移動可能な第1および第2のシャトルとを有し、前記第1のシャトルによる基板の搬送と前記第2のシャトルによる基板の搬送とが一定のタクト時間で交互に行われる、基板処理装置。前記第1のシャトルが基板を積んで前記第1の積出位置から前記第1の荷卸位置へ移動する動作と、前記第2のシャトルが基板を積まずに前記第2の荷卸位置から前記第2の積出位置へ移動する動作とが同時に行われ、前記第2のシャトルが基板を積んで前記第2の積出位置から前記第2の荷卸位置へ移動する動作と、前記第1のシャトルが基板を積まずに前記第1の荷卸位置から前記第1の積出位置へ移動する動作とが同時に行われる、請求項24に記載の基板処理装置。前記第1の搬送機構が前記第1のシャトルに基板を積む動作と、前記第2の搬送機構が前記第2のシャトルから基板を卸す動作とが独立したタイミングで行われ、前記第1の搬送機構が前記第2のシャトルへ基板を積む動作と、前記第2の搬送機構が前記第1のシャトルから基板を卸す動作とが独立したタイミングで行われる、請求項24または請求項25に記載の基板処理装置。前記第1および第2のシャトルは、任意の長さで平行に延びる第1および第2の搬送路上でそれぞれ独立に移動する、請求項23~26のいずれか一項に記載の基板処理装置。前記第1および第2の搬送路は一定の間隔を空けて上下に重なっている、請求項27に記載の基板処理装置。前記第1の処理部が、一定の時間差で各々が第1の枚葉処理を繰り返し行う複数の第1の枚葉式処理ユニットを有する、請求項24~28のいずれか一項記載の基板処理装置。前記第1の搬送機構は、前記タクト時間内に、前記第1の枚葉処理を未だ受けていない1枚の基板を前記搬送ラインの上流側から受け取り、その受け取った基板を最も間近に前記第1の枚葉処理が終了している前記第1の枚葉式処理ユニットに搬入して、それと入れ替わりに前記第1の枚葉処理を終えた基板を搬出し、その搬出した基板を前記第1または第2のシャトルのいずれかに積む、請求項29に記載の基板処理装置。前記第1の処理部が、一定の時間差で各々が第1の枚葉処理を繰り返し行う複数の第1の枚葉式処理ユニットと、一定の時間差で各々が前記第1の枚葉処理の次工程の第2の枚葉処理を繰り返し行う複数の第2の枚葉式処理ユニットとを有する、請求項24~28のいずれか一項に記載の基板処理装置。前記第1の搬送機構は、前記タクト時間内に、前記第1および第2の枚葉処理のいずれも未だ受けていない1枚の基板を前記搬送ラインの上流側から受け取り、その受け取った基板を最も間近に前記第1の枚葉処理が終了している前記第1の枚葉式処理ユニットに搬入して、それと入れ替わりに前記第1の枚葉処理を終えた基板を搬出し、その搬出した基板を最も間近に前記第2の枚葉処理が終了している前記第2の枚葉式処理ユニットに搬入して、それと入れ替わりに前記第2の枚葉処理を終えた基板を搬出し、その搬出した基板を前記第1または第2のシャトルのいずれかに積む、請求項31に記載の基板処理装置。前記第1の処理部が、一定の時間差で各々が第1のバッチ処理を繰り返し行う複数の第1のバッチ式処理ユニットを有する、請求項24~28のいずれか一項に記載の基板処理装置。前記第1の搬送機構は、前記タクト時間内に、前記第1のバッチ処理を未だ受けていない1枚の基板を前記搬送ラインの上流側から受け取り、その受け取った基板を最も間近に前記第1のバッチ処理が終了している前記第1のバッチ式処理ユニットに搬入して、それと入れ替わりに前記第1のバッチ処理を終えた基板を搬出し、その搬出した基板を前記第1または第2のシャトルのいずれかに積む、請求項33に記載の基板処理装置。前記第2の処理部が、一定の時間差で各々が第3の枚葉処理を繰り返し行う複数の第3の枚葉式処理ユニットを有する、請求項24~34のいずれか一項記載の基板処理装置。前記第2の搬送機構は、前記タクト時間内に、前記第3の枚葉処理を未だ受けていない1枚の基板を前記第1または第2のシャトルのいずれかから卸し、その卸した基板を最も間近に前記第3の枚葉処理が終了している前記第3の枚葉式処理ユニットに搬入して、それと入れ替わりに前記第3の枚葉処理を終えた基板を搬出し、その搬出した基板を前記搬送ラインの下流側に渡す、請求項35に記載の基板処理装置。前記第2の処理部が、一定の時間差で各々が第3の枚葉処理を繰り返し行う複数の第3の枚葉式処理ユニットと、一定の時間差で各々が前記第3の枚葉処理の次工程の第4の枚葉処理を繰り返し行う複数の第4の枚葉式処理ユニットとを有する、請求項24~34のいずれか一項に記載の基板処理装置。前記第2の搬送機構は、前記タクト時間内に、前記第3および第4の枚葉処理のいずれも未だ受けていない1枚の基板を前記第1または第2のシャトルのいずれかから卸し、その卸した基板を最も間近に前記第3の枚葉処理が終了している前記第3の枚葉式処理ユニットに搬入して、それと入れ替わりに前記第3の枚葉処理を終えた基板を搬出し、その搬出した基板を最も間近に前記第4の枚葉処理が終了している前記第4の枚葉式処理ユニットに搬入して、それと入れ替わりに前記第4の枚葉処理を終えた基板を搬出し、その搬出した基板を前記搬送ラインの下流側に渡す、請求項37に記載の基板処理装置。前記第2の処理部が、一定の時間差でいずれも第2のバッチ処理を繰り返し行う複数の第2のバッチ式処理ユニットを有する、請求項24~34のいずれか一項に記載の基板処理装置。前記第2の搬送機構は、前記タクト時間内に、前記第2のバッチ処理を未だ受けていない1枚の基板を前記第1または第2のシャトルのいずれかから卸し、その卸した基板を最も間近に前記第2のバッチ処理が終了している前記第2のバッチ式処理ユニットに搬入して、それと入れ替わりに前記第2のバッチ処理を終えた基板を搬出し、その搬出した基板を前記搬送ラインの下流側に渡す、請求項39に記載の基板処理装置。前記第1の搬送機構は、方位角方向に回転可能かつ鉛直方向に昇降可能であって、独立に水平の進退移動または伸縮移動を行える一対の第1の搬送アームを有し、前記一対の第1の搬送アームのいずれかを用いて前記搬送ラインの上流側から基板を受け取り、前記一対の第1の搬送アームの両方を用いて前記第1群の処理部と基板の受け渡しを行い、前記一対の第1の搬送アームのいずれかを用いて前記第1および第2のシャトルに基板を積む、請求項23~40のいずれか一項に記載の基板処理装置。前記第2の搬送機構は、方位角方向に回転可能かつ鉛直方向に昇降可能であって、独立に水平の進退移動または伸縮移動を行える一対の第2の搬送アームを有し、前記一対の第2の搬送アームのいずれかを用いて前記第1および第2のシャトルから基板を卸し、前記一対の第2の搬送アームの両方を用いて前記第2群の処理部と基板の受け渡しを行い、前記一対の第2の搬送アームのいずれかを用いて前記搬送ラインの下流側に基板を渡す、請求項23~41のいずれか一項に記載の基板処理装置。プロセスフローの上流側から下流側に向かって被処理基板を水平な方向で搬送する搬送ラインと、前記搬送ライン上に設けられ、その周囲に配置されている第1の処理部と基板の受け渡しを1枚ずつ行う第1の搬送機構と、前記搬送ライン上の前記第1の搬送機構よりも下流側に設けられ、その周囲に配置されている第2の処理部と基板の受け渡しを1枚ずつ行う第2の搬送機構と、前記搬送ライン上の前記第2の搬送機構よりも下流側に設けられ、その周囲に配置されている第3の処理部と基板の受け渡しを1枚ずつ行う第3の搬送機構と、前記搬送ラインの一区間を構成し、前記第1の搬送機構に隣接する第1および第2の積出位置から前記第2の搬送機構に隣接する第1および第2の荷卸位置へ基板をそれぞれ1枚ずつ枚葉搬送する往復移動可能な第1および第2のシャトルと、前記搬送ラインの一区間を構成し、前記第2の搬送機構に隣接する第3および第4の積出位置から前記第3の搬送機構に隣接する第3および第4の荷卸位置へ基板をそれぞれ1枚ずつ枚葉搬送する往復移動可能な第3および第4のシャトルとを有し、前記第1のシャトルによる基板の搬送と前記第3のシャトルによる基板の搬送とが同時に行われるともに、前記第2のシャトルによる基板の搬送と前記第4のシャトルによる基板の搬送とが同時に行われ、前記第1および第3のシャトルによる基板の搬送と前記第2および第4のシャトルによる基板の搬送とが一定のタクト時間で交互に行われる、基板処理装置。前記第1および第3のシャトルが基板を積んで前記第1および第3の積出位置から前記第1および第3の荷卸位置へそれぞれ移動する動作と、前記第2および第4のシャトルが基板を積まずに前記第2および第4の荷卸位置から前記第2および第4の積出位置へそれぞれ移動する動作とが同時に行われ、前記第2および第4のシャトルが基板を積んで前記第2および第4の積出位置から前記第2および第4の荷卸位置へそれぞれ移動する動作と、前記第1および第3のシャトルが基板を積まずに前記第1および第3の荷卸位置から前記第1および第3の積出位置へそれぞれ移動する動作とが同時に行われる、請求項43に記載の基板処理装置。前記第1の搬送機構が前記第1のシャトルに基板を積む動作と、前記第2の搬送機構が前記第2のシャトルから基板を卸す動作と、前記第2の搬送機構が前記第3のシャトルに基板を積む動作と、前記第3の搬送機構が前記第4のシャトルから基板を卸す動作とが独立したタイミングで行われ、前記第1の搬送機構が前記第2のシャトルに基板を積む動作と、前記第2の搬送機構が前記第1のシャトルから基板を卸す動作と、前記第2の搬送機構が前記第4のシャトルに基板を積む動作と、前記第3の搬送機構が前記第3のシャトルから基板を卸す動作とが独立したタイミングで行われる、請求項43または請求項44に記載の基板処理装置。前記第1および第2のシャトルは、任意の長さで平行に延びる第1および第2の搬送路上でそれぞれ独立に移動し、前記第3および第4のシャトルは、任意の長さで平行に延びる第3および第4の搬送路上でそれぞれ独立に移動する、請求項43~45のいずれか一項に記載の基板処理装置。前記第1および第2の搬送路は一定の間隔を空けて上下に重なり、前記第3および第4の搬送路は一定の間隔を空けて上下に重なっている、請求項46に記載の基板処理装置。前記第2の処理部が、一定の時間差で各々が同一の枚葉処理を繰り返し行う複数の枚葉式処理ユニットを有する、請求項43~47のいずれか一項に記載の基板処理装置。前記第2の搬送機構は、前記タクト時間内に、前記枚葉処理を未だ受けていない1枚の基板を前記第1または第2のシャトルのいずれかから卸し、その卸した基板を最も間近に前記枚葉処理が終了している前記枚葉式処理ユニットに搬入して、それと入れ替わりに前記枚葉処理を終えた基板を搬出し、その搬出した基板を前記第3または第4のシャトルのいずれかに積む、請求項48に記載の基板処理装置。前記第2の処理部が、一定の時間差で各々が第1の枚葉処理を繰り返し行う複数の第1の枚葉式処理ユニットと、一定の時間差で各々が前記第1の枚葉処理の次工程の第2の枚葉処理を繰り返し行う複数の第2の枚葉式処理ユニットとを有する、請求項43~47のいずれか一項に記載の基板処理装置。前記第2の搬送機構は、前記タクト時間内に、前記第1および第2の枚葉処理のいずれも未だ受けていない1枚の基板を前記第1または第2のシャトルのいずれかから卸し、その卸した基板を最も間近に前記第1の枚葉処理が終了している前記第1の枚葉式処理ユニットに搬入して、それと入れ替わりに前記第1の枚葉処理を終えた基板を搬出し、その搬出した基板を最も間近に前記第2の枚葉処理が終了している前記第2の枚葉式処理ユニットに搬入して、それと入れ替わりに前記第2の枚葉処理を終えた基板を搬出し、その搬出した基板を前記第3または第4のシャトルのいずれかに積む、請求項50に記載の基板処理装置。前記第2の処理部が、一定の時間差で各々が同一のバッチ処理を繰り返し行う複数のバッチ式処理ユニットを有する、請求項43~47のいずれか一項に記載の基板処理装置。前記第2の搬送機構は、前記タクト時間内に、前記第1のバッチ処理を未だ受けていない1枚の基板を前記第1または第2のシャトルのいずれかから卸し、その卸した基板を最も間近に前記バッチ処理が終了している前記バッチ式処理ユニットに搬入して、それと入れ替わりに前記バッチ処理を終えた基板を搬出し、その搬出した基板を前記第3または第4のシャトルのいずれかに積む、請求項52に記載の基板処理装置。前記第2の搬送機構は、方位角方向に回転可能かつ鉛直方向に昇降可能であって、独立に水平の進退移動または伸縮移動を行える一対の搬送アームを有し、前記一対の搬送アームのいずれかを用いて前記第1または第2のシャトルのいずれかから基板を卸し、前記一対の搬送アームの両方を用いて前記第2の処理部と基板の受け渡しを行い、前記第一対の搬送アームのいずれかを用いて前記第3および第4のシャトルに基板を積む、請求項43~53のいずれか一項に記載の基板処理装置。前記第2の搬送機構は、前記一対の搬送アームの一方を用いて前記第1のシャトルから基板を卸す動作と、前記一対の搬送アームの他方を用いて前記第4のシャトルに基板を積む動作とを同時に行い、前記一対の搬送アームの他方を用いて前記第2のシャトルから基板を卸す動作と、前記一対の搬送アームの一方を用いて前記第3のシャトルに基板を積む動作とを同時に行う、請求項54に記載の基板処理装置。前記第2の搬送機構は、専ら前記一対の搬送アームの一方を用いて前記第1または第2のシャトルから基板を卸す動作を行い、専ら前記一対の搬送アームの他方を用いて前記第3または第4のシャトルに基板を積む動作を行う、請求項54に記載の基板処理装置。上記のように複数の搬送ロボットに定置の基板中継台を介して基板のやり取りを行わせるインラインシステムにおいては、基板を渡す側の搬送ロボットが基板を基板中継台に載せた後に、基板を受け取る側の搬送ロボットが基板中継台から当該基板を持ち去るという手順になる。しかし、別な見方をすれば、基板を受け取る側の搬送ロボットが基板を基板中継台から持ち去った後に、基板を渡す側の搬送ロボットが別の基板を基板中継台に載せる手順でもある。要するに、ここで重要なことは、基板を渡す側の搬送ロボットが基板を基板中継台に載せる動作と、基板を受け取る側の搬送ロボットが基板を基板中継台から持ち去る動作とは同時に実行できない、ということである。両搬送ロボットは、それぞれ固有の搬送タスクを独立に行いつつも、双方の間で基板のやり取りを行う時は基板中継台の空き状況を確認しなければならず、場合によっては割り込み制御も必要になる。これによって、搬送効率の低下を来しているだけでなく、搬送ロボットの制御プラグラムソフトウェアが膨大かつ高コストになっている。さらに、多数または他種類の処理装置を概ねプロセスフローの順に横に並べるインラインシステムにおいては、各搬送ロボットがその搬送アームを昇降移動旋回移動進退移動させるだけでなく、そのロボット本体がシステム内に敷設されたレールに沿って水平方向に移動するようになっている。このように、多軸で重厚な搬送ロボットが水平移動を行うことによって、基板の搬送速度ないし搬送効率の更なる低下を来すうえ、パーティクルを発生し、あるいはパーティクルを巻き上げる懸念がある。上記のような問題は、他のシステム形態でも見られる。たとえば、枚葉式の処理装置とバッチ式の処理装置とを混在させる場合は、それぞれのタクトを揃えるのが格段に難しくなるため、上記のような基板中継台を介して複数の搬送ロボットを連携させる方式の不利点は一層顕著であり、インラインシステムの構築が非常に難しい。本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するものであり、枚葉処理またはバッチ処理の種類に関係なく、基板に施す一連の処理を新規な基板搬送方式により効率的かつ高スループットで行えるようにした基板処理装置を提供する。本発明の第1の観点における基板処理装置は、任意の長さで水平方向に互いに平行に延びる第1および第2の搬送路と、基板を1枚積載する荷台を有し、前記第1の搬送路の一端に設けられる第1の積出位置と、前記第1の搬送路の他端に設けられる第1の荷卸位置との間で前記第1の搬送路上を往復移動可能な第1のシャトルと、基板を1枚積載する荷台を有し、前記第2の搬送路の一端に設けられる第2の積出位置と、前記第2の搬送路の他端に設けられる第2の荷卸位置との間で前記第2の搬送路上を往復移動可能な第2のシャトルと、前記第1および第2の積出位置にアクセス可能に設けられ、第1のエリア内で基板を搬送するための1つまたは複数の第1の搬送アームを有する第1の搬送機構と、前記第1および第2の荷卸位置にアクセス可能に設けられ、第2のエリア内で基板を搬送するための1つまたは複数の第2の搬送アームを有する第2の搬送機構と、基板に所望の枚葉処理またはバッチ処理を施すために、前記第1および第2のエリアの少なくとも1つに配置される処理部とを有し、前記第1の搬送機構が、前記第1の搬送アームを用いて、前記第1および第2の積出位置で前記第1および第2のシャトルに基板を1枚ずつ積み、前記第2の搬送機構が、前記第2の搬送アームを用いて、前記第1および第2の荷卸位置で前記第1および第2のシャトルから基板を1枚ずつ卸し、前記第1のシャトルによる前記第1の積出位置から前記第1の荷卸位置への基板の搬送と、前記第2のシャトルによる前記第2の積出位置から前記第2の荷卸位置への基板の搬送とが独立に行われる。上記第1の観点の基板処理装置においては、上記のように、第1のシャトルによる第1の積出位置から第1の荷卸位置へ基板の枚葉搬送と、第2のシャトルによる第2の積出位置から前記第2の荷卸位置への基板の枚葉搬送とが独立に行われる。ここで、第1の搬送機構は、第1または第2のシャトルのどちらかが第1または第2の積出位置に滞在している間に基板を1枚積めばよい。第2の搬送機構は、第1または第2のシャトルのどちらかが第1または第2の荷卸位置に滞在している間に基板を1枚卸せばよい。各搬送機構は、直接的には第1および第2のシャトルの定型的かつ周期的な往復動作に合わせて基板の受け渡しまたは転送を行えばよく、相手側の搬送機構の出方または状況を気にする必要はない。本発明の第2の観点における基板処理装置は、任意の長さで水平方向に互いに平行に延びる第1および第2の搬送路と、基板を1枚積載する荷台を有し、前記第1の搬送路の一端に設けられる第1の積出位置と、前記第1の搬送路の他端に設けられる第1の荷卸位置との間で前記第1の搬送路上を往復移動可能な第1のシャトルと、基板を1枚積載する荷台を有し、前記第2の搬送路の一端に設けられる第2の積出位置と、前記第2の搬送路の他端に設けられる第2の荷卸位置との間で前記第2の搬送路上を往復移動可能な第2のシャトルと、前記第1および第2の荷卸位置の近くに一端を有し、そこから任意の長さで水平方向に互いに平行に延びる第3および第4の搬送路と、基板を1枚積載する荷台を有し、前記第3の搬送路の一端に設けられる第3の積出位置と、前記第3の搬送路の他端に設けられる第3の荷卸位置との間で前記第3の搬送路上を往復移動可能な第3のシャトルと、基板を1枚積載する荷台を有し、前記第4の搬送路の一端に設けられる第4の積出位置と、前記第4の搬送路の他端に設けられる第4の荷卸位置との間で前記第4の搬送路上を往復移動可能な第4のシャトルと、前記第1および第2の積出位置にアクセス可能に設けられ、第1のエリア内で基板を搬送するための1つまたは複数の第1の搬送アームを有する第1の搬送機構と、前記第1および第2の荷卸位置と前記第3および第4の積出位置とにアクセス可能に設けられ、第2のエリア内で基板を搬送するための1つまたは複数の第2の搬送アームを有する第2の搬送機構と、前記第3および第4の積出位置にアクセス可能に設けられ、第3のエリア内で基板を搬送するための1つまたは複数の第3の搬送アームを有する第3の搬送機構と、基板に所望の枚葉処理またはバッチ処理を施すために、前記第1、第2および第3のエリアの少なくとも1つに配置される処理部とを有し、前記第1の搬送機構が、前記第1の搬送アームを用いて、前記第1および第2の積出位置で前記第1および第2のシャトルに基板を1枚ずつ積み、前記第2の搬送機構が、前記第2の搬送アームを用いて、前記第1および第2の荷卸位置で前記第1および第2のシャトルから基板を1枚ずつ卸すとともに、前記第3および第4の積出位置で前記第3および第4のシャトルに基板を1枚ずつ積み、前記第3の搬送機構が、前記第3の搬送アームを用いて、前記第3および第4の荷卸位置で前記第3および第4のシャトルから基板を1枚ずつ卸し、前記第1のシャトルによる前記第1の積出位置から前記第1の荷卸位置への基板の搬送と、前記第2のシャトルによる前記第2の積出位置から前記第2の荷卸位置への基板の搬送と、前記第3のシャトルによる前記第3の積出位置から前記第3の荷卸位置への基板の搬送と、前記第4のシャトルによる前記第4の積出位置から前記第4の荷卸位置への基板の搬送とが独立に行われる。上記第2の観点の基板処理装置においては、上記のように、第1のシャトルによる第1の積出位置から第1の荷卸位置への基板の枚葉搬送と、第2のシャトルによる第2の積出位置から第2の荷卸位置への基板の枚葉搬送と、第3のシャトルによる第3の積出位置から第3の荷卸位置への基板の枚葉搬送と、第4のシャトルによる第4の積出位置から第4の荷卸位置への基板の枚葉搬送とが独立に行われる。ここで、第1の搬送機構は、第1または第2のシャトルのどちらかが第1または第2の積出位置に滞在している間に基板を1枚積めばよい。第2の搬送機構は、第1または第2のシャトルのどちらかが第1または第2の荷卸位置に滞在している間に基板を1枚卸し、第3または第4のシャトルのどちらかが第3または第4の積出位置に滞在している間に基板を1枚積めばよい。第3の搬送機構は、第3または第4のシャトルのどちらかが第3または第4の荷卸位置に滞在している間に基板を1枚卸せばよい。各搬送機構は、直接的にはその上流側および/または下流側の一対のシャトルの定型的かつ周期的な往復動作に合わせて基板の受け渡しまたは転送を行えばよく、他の搬送機構の出方または状況を気にする必要はない。本発明の第3の観点における基板処理装置は、任意の長さで水平方向に互いに平行に延びる第1および第2の搬送路と、基板を1枚積載する荷台を有し、前記第1の搬送路の一端に設けられる第1の積出位置と、前記第1の搬送路の他端に設けられる第1の荷卸位置との間で前記第1の搬送路上を往復移動可能な第1のシャトルと、基板を1枚積載する荷台を有し、前記第2の搬送路の一端に設けられる第2の積出位置と、前記第2の搬送路の他端に設けられる第2の荷卸位置との間で前記第2の搬送路上を往復移動可能な第2のシャトルと、前記第1および第2の積出位置にアクセス可能に設けられ、第1のエリア内で基板を搬送するための1つまたは複数の第1の搬送アームを有する第1の搬送機構と、前記第1および第2の荷卸位置にアクセス可能に設けられ、第2のエリア内で基板を搬送するための1つまたは複数の第2の搬送アームを有する第2の搬送機構と、基板に所望の枚葉処理またはバッチ処理を施すために、前記第1および第2のエリアの少なくとも1つに配置される処理部とを有し、前記第1の搬送機構が、前記第1の搬送アームを用いて、前記第1および第2の積出位置で前記第1および第2のシャトルに基板を1枚ずつ積み、前記第2の搬送機構が、前記第2の搬送アームを用いて、前記第1および第2の荷卸位置で前記第1および第2のシャトルから基板を1枚ずつ卸し、前記第1のシャトルによる前記第1の積出位置から前記第1の荷卸位置への基板の搬送と、前記第2のシャトルによる前記第2の積出位置から前記第2の荷卸位置への基板の搬送とが一定のタクト時間で交互に行われる。上記第3の観点の基板処理装置においては、上記のように、第1のシャトルによる第1の積出位置から第1の荷卸位置へ基板の枚葉搬送と、第2のシャトルによる第2の積出位置から前記第2の荷卸位置への基板の枚葉搬送とが一定のタクト時間で交互に行われる。ここで、第1の搬送機構は、第1および第2のシャトルがタクト時間の周期で交互に第1および第2の積出位置に滞在している間に基板を1枚積めばよい。第2の搬送機構は、第1および第2のシャトルがタクト時間の周期で交互に第1および第2の荷卸位置に滞在している間に基板を1枚卸せばよい。各搬送機構は、直接的には第1および第2のシャトルの定型的かつ周期的な往復動作に合わせてタクト時間の周期で基板の受け渡しまたは転送を行えばよく、相手側の搬送機構の出方または状況を気にする必要はない。本発明の第4の観点における基板処理装置は、任意の長さで水平方向に互いに平行に延びる第1および第2の搬送路と、基板を1枚積載する荷台を有し、前記第1の搬送路の一端に設けられる第1の積出位置と、前記第1の搬送路の他端に設けられる第1の荷卸位置との間で前記第1の搬送路上を往復移動可能な第1のシャトルと、基板を1枚積載する荷台を有し、前記第2の搬送路の一端に設けられる第2の積出位置と、前記第2の搬送路の他端に設けられる第2の荷卸位置との間で前記第2の搬送路上を往復移動可能な第2のシャトルと、前記第1および第2の荷卸位置の近くに一端を有し、そこから任意の長さで水平方向に互いに平行に延びる第3および第4の搬送路と、基板を1枚積載する荷台を有し、前記第3の搬送路の一端に設けられる第3の積出位置と、前記第3の搬送路の他端に設けられる第3の荷卸位置との間で前記第3の搬送路上を往復移動可能な第3のシャトルと、基板を1枚積載する荷台を有し、前記第4の搬送路の一端に設けられる第4の積出位置と、前記第4の搬送路の他端に設けられる第4の荷卸位置との間で前記第4の搬送路上を往復移動可能な第4のシャトルと、前記第1および第2の積出位置にアクセス可能に設けられ、第1のエリア内で基板を搬送するための1つまたは複数の第1の搬送アームを有する第1の搬送機構と、前記第1および第2の荷卸位置と前記第3および第4の積出位置とにアクセス可能に設けられ、第2のエリア内で基板を搬送するための1つまたは複数の第2の搬送アームを有する第2の搬送機構と、前記第3および第4の積出位置にアクセス可能に設けられ、第3のエリア内で基板を搬送するための1つまたは複数の第3の搬送アームを有する第3の搬送機構と、基板に所望の枚葉処理またはバッチ処理を施すために、前記第1、第2および第3のエリアの少なくとも1つに配置される処理部とを有し、前記第1の搬送機構が、前記第1の搬送アームを用いて、前記第1および第2の積出位置で前記第1および第2のシャトルに基板を1枚ずつ積み、前記第2の搬送機構が、前記第2の搬送アームを用いて、前記第1および第2の荷卸位置で前記第1および第2のシャトルから基板を1枚ずつ卸すとともに、前記第3および第4の積出位置で前記第3および第4のシャトルに基板を1枚ずつ積み、前記第3の搬送機構が、前記第3の搬送アームを用いて、前記第3および第4の荷卸位置で前記第3および第4のシャトルから基板を1枚ずつ卸し、前記第1のシャトルによる前記第1の積出位置から前記第1の荷卸位置への基板の搬送と前記第3のシャトルによる前記第3の積出位置から前記第3の荷卸位置への基板の搬送とが同時に行われるとともに、前記第2のシャトルによる前記第2の積出位置から前記第2の荷卸位置への基板の搬送と前記第4のシャトルによる前記第4の積出位置から前記第4の荷卸位置への基板の搬送とが同時に行われ、前記第1および第3のシャトルによる基板の搬送と前記第2および第4のシャトルによる基板の搬送とが一定のタクト時間で交互に行われる。上記第4の観点の基板処理装置においては、上記のように、第1のシャトルによる第1の積出位置から第1の荷卸位置への基板の枚葉搬送と第3のシャトルによる第3の積出位置から第3の荷卸位置への基板の枚葉搬送とが同時に行われるとともに、第2のシャトルによる第2の積出位置から第2の荷卸位置への基板の枚葉搬送と第4のシャトルによる第4の積出位置から第4の荷卸位置への基板の枚葉搬送とが同時に行われ、第1および第3のシャトルによる基板の枚葉搬送と第2および第4のシャトルによる基板の枚葉搬送とが一定のタクト時間で交互に行われる。第1、第2、第3、第4の全てのシャトルが同期して往復動作するので、搬送プログラムの負担は軽いうえ、システム搬送効率ないしスループットが高い。また、第1の搬送機構は、第1または第2のシャトルのどちらかが第1または第2の積出位置に滞在している間に基板を1枚積めばよい。第2の搬送機構は、第1または第2のシャトルのどちらかが第1または第2の荷卸位置に滞在している間に基板を1枚卸し、第3または第4のシャトルのどちらかが第3または第4の積出位置に滞在している間に基板を1枚積めばよい。第3の搬送機構は、第3または第4のシャトルのどちらかが第3または第4の荷卸位置に滞在している間に基板を1枚卸せばよい。各搬送機構は、直接的にはその上流側および/または下流側の一対のシャトルの定型的かつ周期的な往復動作に合わせてタクト時間の周期で基板の受け渡しまたは転送を行えばよく、他の搬送機構の出方または状況を気にする必要はない。本発明の第5の観点における基板処理装置は、プロセスフローの上流側から下流側に向かって被処理基板を水平な方向で搬送する搬送ラインと、前記搬送ライン上に設けられ、その周囲に配置されている第1の処理部と基板の受け渡しを1枚ずつ行う第1の搬送機構と、前記搬送ライン上の前記第1の搬送機構よりも下流側に設けられ、その周囲に配置されている第2の処理部と基板の受け渡しを1枚ずつ行う第2の搬送機構と、前記搬送ラインの一区間を構成し、前記第1の搬送機構に隣接する第1および第2の積出位置から前記第2の搬送機構に隣接する第1および第2の荷卸位置へ基板をそれぞれ1枚ずつ積んで個別に枚葉搬送する往復移動可能な第1および第2のシャトルとを有する。本発明の第5の観点の基板処理装置においては、第1のシャトルによる第1の積出位置から第1の荷卸位置へ基板の枚葉搬送と、第2のシャトルによる第2の積出位置から前記第2の荷卸位置への基板の枚葉搬送とを独立に行うことができる。したがって、第1の搬送機構は、第1または第2のシャトルのどちらかが第1または第2の積出位置に滞在している間に基板を1枚積めばよい。第2の搬送機構は、第1または第2のシャトルのどちらかが第1または第2の荷卸位置に滞在している間に基板を1枚卸せばよい。各搬送機構は、直接的には第1および第2のシャトルの定型的かつ周期的な往復動作に合わせて基板の受け渡しまたは転送を行えばよく、相手側の搬送機構の出方または状況を気にする必要はない。本発明の第6の観点における基板処理装置は、プロセスフローの上流側から下流側に向かって被処理基板を水平な方向で搬送する搬送ラインと、前記搬送ライン上に設けられ、その周囲に配置されている第1の処理部と基板の受け渡しを1枚ずつ行う第1の搬送機構と、前記搬送ライン上の前記第1の搬送機構よりも下流側に設けられ、その周囲に配置されている第2の処理部と基板の受け渡しを1枚ずつ行う第2の搬送機構と、前記搬送ラインの一区間を構成し、前記第1の搬送機構に隣接する第1および第2の積出位置から前記第2の搬送機構に隣接する第1および第2の荷卸位置へ基板をそれぞれ1枚ずつ積んで枚葉搬送する往復移動可能な第1および第2のシャトルとを有し、前記第1のシャトルによる基板の搬送と前記第2のシャトルによる基板の搬送とが一定のタクト時間で交互に行われる。上記第5の観点の基板処理装置においては、上記のように、第1のシャトルによる基板の枚葉搬送と第2のシャトルによる基板の枚葉搬送とが一定のタクト時間で交互に行われる。ここで、第1の搬送機構は、第1および第2のシャトルがタクト時間の周期で交互に第1および第2の積出位置に滞在している間に基板を1枚積めばよい。第2の搬送機構は、第1および第2のシャトルがタクト時間の周期で交互に第1および第2の荷卸位置に滞在している間に基板を1枚卸せばよい。各搬送機構は、直接的には第1および第2のシャトルの定型的かつ周期的な往復動作に合わせてタクト時間の周期で基板の受け渡しまたは転送を行えばよく、相手側の搬送機構の出方または状況を気にする必要はない。本発明の第7の観点における基板処理装置は、プロセスフローの上流側から下流側に向かって被処理基板を水平な方向で搬送する搬送ラインと、前記搬送ライン上に設けられ、その周囲に配置されている第1の処理部と基板の受け渡しを1枚ずつ行う第1の搬送機構と、前記搬送ライン上の前記第1の搬送機構よりも下流側に設けられ、その周囲に配置されている第2の処理部と基板の受け渡しを1枚ずつ行う第2の搬送機構と、前記搬送ライン上の前記第2の搬送機構よりも下流側に設けられ、その周囲に配置されている第3の処理部と基板の受け渡しを1枚ずつ行う第3の搬送機構と、前記搬送ラインの一区間を構成し、前記第1の搬送機構に隣接する第1および第2の積出位置から前記第2の搬送機構に隣接する第1および第2の荷卸位置へ基板をそれぞれ1枚ずつ枚葉搬送する往復移動可能な第1および第2のシャトルと、前記搬送ラインの一区間を構成し、前記第2の搬送機構に隣接する第3および第4の積出位置から前記第3の搬送機構に隣接する第3および第4の荷卸位置へ基板をそれぞれ1枚ずつ枚葉搬送する往復移動可能な第3および第4のシャトルとを有し、前記第1のシャトルによる基板の搬送と前記第3のシャトルによる基板の搬送とが同時に行われるともに、前記第2のシャトルによる基板の搬送と前記第4のシャトルによる基板の搬送とが同時に行われ、前記第1および第3のシャトルによる基板の搬送と前記第2および第4のシャトルによる基板の搬送とが一定のタクト時間で交互に行われる。上記第7の観点の基板処理装置においては、上記のように、第1のシャトルによる第1の積出位置から第1の荷卸位置への基板の枚葉搬送と第3のシャトルによる第3の積出位置から第3の荷卸位置への基板の枚葉搬送とが同時に行われるとともに、第2のシャトルによる第2の積出位置から第2の荷卸位置への基板の枚葉搬送と第4のシャトルによる第4の積出位置から第4の荷卸位置への基板の枚葉搬送とが同時に行われ、第1および第3のシャトルによる基板の枚葉搬送と第2および第4のシャトルによる基板の枚葉搬送とが一定のタクト時間で交互に行われる。第1、第2、第3、第4の全てのシャトルが同期して往復動作するので、搬送プログラムの負担は軽いうえ、システム搬送効率ないしスループットが高い。また、第1の搬送機構は、第1または第2のシャトルのどちらかが第1または第2の積出位置に滞在している間に基板を1枚積めばよい。第2の搬送機構は、第1または第2のシャトルのどちらかが第1または第2の荷卸位置に滞在している間に基板を1枚卸し、第3または第4のシャトルのどちらかが第3または第4の積出位置に滞在している間に基板を1枚積めばよい。第3の搬送機構は、第3または第4のシャトルのどちらかが第3または第4の荷卸位置に滞在している間に基板を1枚卸せばよい。各搬送機構は、直接的にはその上流側および/または下流側の一対のシャトルの定型的かつ周期的な往復動作に合わせてタクト時間の周期で基板の受け渡しまたは転送を行えばよく、他の搬送機構の出方または状況を気にする必要はない。本発明の基板処理装置によれば、上記のような構成および作用により、枚葉処理またはバッチ処理の種類に関係なく、基板に施す一連の処理を新規な基板搬送方式により効率的かつ高スループットで行うことができる。以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。図1に、本発明の一実施形態における基板処理装置のシステム構成を示す。この基板処理装置は、たとえば図17に示すような色素増感太陽電池の製造プロセスにおいて、対向電極陽極と貼り合わされる前の透明基板側の積層アッセンブリをインラインで製作する工程で使用される。この色素増感太陽電池は、基本構造として、透明電極陰極200と対向電極陽極202との間に増感色素を担持する多孔質の半導体微粒子層204と電解質層206とを挟み込んでいる。ここで、半導体微粒子層204は、透明電極200、電界質層206および対向電極202と共にセル単位に分割されており、透明基板208上に透明電極200を介して形成される。対向電極202は対向基板210上に下地電極205を介して形成されている。各セルの透明電極200は、隣の対向電極202と電気的に接続されており、モジュール全体で多数のセルが電気的に直列接続または並列接続されている。かかる構成の色素増感太陽電池においては、透明基板208の裏側から可視光が照射されると、半導体微粒子層204に担持されている色素が励起され、電子を放出する。放出された電子は半導体微粒子層204を介して透明電極200に導かれ、外部に送り出される。送り出された電子は、外部回路図示せずを経由して対向電極202に戻り、電界質層206中のイオンを介して再び半導体微粒子層204内の色素に受け取られる。こうして、光エネルギーを即時に電力に変換して出力するようになっている。この実施形態の基板処理装置においては、透明電極200がパターニングされる前のブランケットの透明導電層が形成されている透明基板208が、未処理の被処理基板Gとして投入される。そして、各々の基板Gに対して、透明電極200のパターニング、半導体微粒子層204の成膜、焼成および多孔質半導体微粒子層204への色素吸着といった一連のメインプロセスおよびそれらのメインプロセスに付随するサブプロセス洗浄処理、熱処理等がインラインで順次行われる。結果として、対向電極陽極202と貼り合わされる前の透明基板208側の積層アッセンブリ208/200/204が作製される。そして、この透明基板208側の積層アッセンブリが、処理済みの基板Gとして、次工程を担う別の基板処理装置へ向けて払い出しされる。この実施形態における基板Gは、四角形または矩形の形状を有するものとする。[装置全体の構成]図1において、この基板処理装置は、横長のプロセスステーション10をシステム中心部に配置し、その長手方向X方向の両端部にローダ12およびアンローダ14を連結している。ローダ12は、未処理の基板Gをカセット単位でたとえば自走搬送車より搬入するポートであり、複数枚たとえば25枚の未処理基板Gを水平姿勢で縦に積み重ねて収納するカセットCをシステム幅方向Y方向に複数個並べて載置するカセットステージ16と、このステージ16上のいずれかのカセットCから基板Gを1枚単位で取り出し、取り出した基板Gをプロセスステーション10へ投入するローダ搬送機構18とを備えている。ローダ搬送機構18は、Y,Z,θの3軸で移動する本体18aと、この本体18a上で進退または伸縮移動の可能な1本の搬送アーム18bとを有しており、隣接するプロセスステーション10側と定置の基板中継台20を介して基板Gのやり取りを行えるようになっている。アンローダ14は、処理済みの基板Gをカセット単位でたとえば自走搬送車へ払い出しするポートであり、複数枚25枚の処理済み基板Gを水平姿勢で縦に積み重ねて収納するカセットCをシステム幅方向Y方向に複数個並べて載置するカセットステージ22と、このステージ22上のいずれかのカセットCへ処理済みの基板Gを1枚ずつ収納するアンローダ搬送機構24とを備えている。アンローダ搬送機構24は、Y,Z,θの3軸で移動する本体24aと、この本体24a上で進退または伸縮移動の可能な1本の搬送アーム24bとを有しており、隣接するプロセスステーション10側と定置の基板中継台26を介して基板Gのやり取りを行えるようになっている。プロセスステーション10は、ローダ12からアンローダ14に向かってシステム長手方向X方向にまっすぐ延びる搬送ライン28を有し、この搬送ライン28を挟んでその左右両側に後述する多数および多種類の処理ユニット44~54を配置している。搬送ライン28上には、複数図示の例では4つの枚葉搬送機構30,32,34,36と複数3つのシャトル搬送部38,40,42とが交互に並んで一列に配置されている。より詳細には、第1の枚葉搬送機構30は、プロセスフローに関して搬送ライン28上の最上流に位置し、ローダ12に隣接する基板中継台20と第1のシャトル搬送部38とに挟まれている。この第1の枚葉搬送機構30の左右両側に広がる第1のエリアには、1枚ずつ基板Gの被処理面を洗浄するための1台または複数台の枚葉式洗浄ユニット44と、1枚ずつ基板Gの被処理面上の透明導電層を透明電極200にパターニングするための1台または複数台の枚葉式パターニングユニット46がそれぞれ配置されている。なお、すべての枚葉処理ユニットに当てはまることであるが、この基板処理装置において同一の枚葉式処理ユニットを複数集約して配置する場合は、それら複数のユニットを縦に積み重ねる構成を好適に採ることができる。第2の枚葉搬送機構32は、搬送ライン28上で第1の枚葉搬送機構30よりも下流側に位置し、第1のシャトル搬送部38と第2のシャトル搬送部40とに挟まれている。この第2の枚葉搬送機構32の左右両側に広がる第2のエリアには、1枚ずつ基板Gの被処理面上に半導体微粒子層作用極204を成膜たとえば印刷塗布するための1台または複数台の枚葉式作用極成膜ユニット48と、1枚ずつ塗布後の基板Gの被処理面をベーキングするための1台または複数台の枚葉式熱処理ユニット50がそれぞれ配置されている。第3の枚葉搬送機構34は、搬送ライン28上で第2の枚葉搬送機構32よりも下流側に位置し、第2のシャトル搬送部40と第3のシャトル搬送部42とに挟まれている。この第3の枚葉搬送機構34の左右両側に広がる第3のエリアには、基板G上に形成されている半導体微粒子層作用極204を複数枚たとえば100枚まとめて焼成するための一対のバッチ式焼成ユニット52A,52Bが配置されている。第4の枚葉搬送機構36は、搬送ライン28上で第3の枚葉搬送機構34より下流側に位置し、第3のシャトル搬送部42とアンローダ14に隣接する基板中継台26とに挟まれている。この第4の枚葉搬送機構36の左右両側に広がる第4のエリアには、基板G上に形成されている多孔質の半導体微粒子層作用極204に増感色素を吸着させるための1台または複数台の枚葉式色素吸着ユニット54が配置されている。図2および図3に、第2の枚葉搬送機構32の構成および搬送アーム可動範囲を示す。第1、第3および第4の枚葉搬送機構30,34,36も第2の枚葉搬送機構32と同様の構成および機能を有している。枚葉搬送機構32は、方位角方向θ方向に回転可能かつ鉛直方向Z方向に昇降可能であって、水平の進退または伸縮移動を各々独立に行える上下2段の搬送アームMU,MLを有している。より詳細には、枚葉搬送機構32は、図3に示すように、たとえばリニアモータまたはボールネジ機構を有する定置型の昇降駆動部56の昇降駆動軸58に上部および下部搬送本体60U,60Lを2段に重ねて昇降可能に取り付け、昇降駆動軸58上で各搬送本体60U,60Lを方位角方向θ方向で各々独立に任意の方角に回転移動できるように構成し、搬送本体60U,60L上で両搬送アームMU,MLをそれぞれ独立に進退または伸縮移動できるように構成している。各々の搬送アームMU,MLは、矩形の基板Gを1枚ずつ着脱可能に載置、担持または保持できるように構成されている。かかる構成の枚葉搬送機構32は、図2に示すように、第2のエリア内に配置されている任意の処理ユニットA枚葉式作用極成膜ユニット48およびB枚葉式熱処理ユニット50、ならびに上流側第1のシャトル搬送部38の上部シャトルJSU/下部シャトルJSLおよび下流側第2のシャトル搬送部40の上部シャトルKSU/下部シャトルKSLのいずれにもアクセス可能であり、各アクセス先で基板Gのやり取りを1枚ずつ行えるようになっている。なお、搬送ライン28の最上流に位置する第1の枚葉搬送機構30に対しては、定置の基板中継台20が上流側シャトルJSU/JSLに置き換わる。この基板中継台20は、1枚の基板Gを複数の支持ピンまたは昇降ピンに載せて水平に支持できる一対の載置台20U,20Lを上下に2段重ねて配置している。第1の枚葉搬送機構30から見て、上部載置台20Uは荷卸位置で静止している上流側の上部シャトルJSUに相当し、下部載置台20Lは荷卸位置で静止している上流側の下部シャトルJSLに相当する。また、搬送ライン28の最下流に位置する第4の枚葉搬送機構36に対しては、定置の基板中継台26が下流側シャトルKSU/KSLに置き換わる。この基板中継台26も、基板中継台20と同様に、1枚の基板Gを複数の支持ピンまたは昇降ピンに載せて水平に支持できる一対の載置台26U,26Lを上下2段に重ねて配置している。第4の枚葉搬送機構36から見て、上部載置台26Uは積出位置で静止している下流側の上部シャトルKSUに対応し、下部載置台26Lは積出位置で静止している下流側の下部シャトルKSLに対応している。[シャトル搬送部の構成]図4に、第1のシャトル搬送部38の構成およびシャトル可動範囲を示す。第2および第3のシャトル搬送部40,42も第1のシャトル搬送部38と同様の構成および機能を有している。図示のように、シャトル搬送部38は、鉛直方向で一定の間隔またはスペースを空けて、システム長手方向X方向に任意の長さで平行に延びる上部および下部搬送路62,64と、これらの搬送路62,64上で独立に直進移動する上部および下部シャトルSU,SLとを有している。各々のシャトルSU,SLは、基板Gを水平に1枚積載する荷台66を有している。この荷台66には、基板Gの四隅を保持する保持部68や、基板Gの積み卸しローディング/アンローディングの際に基板Gを水平姿勢で上げ下げする複数の昇降ピン70などが設けられている。各シャトルSU,SLの直進移動は、モータまたはシリンダ等を駆動源とし、LMガイド、ボールネジあるいはベルト等の直進可動機構を用いて行われる。搬送路62,64の上流側図の左側の端部には、両シャトルSU,SLが基板Gを積むために停止して一時的に滞在する上部および下部積出位置FU,FLがそれぞれ設けられている。一方、搬送路62,64の下流側図の右側の端部には、両シャトルSU,SLが基板Gを卸すために停止して一時的に滞在する上部および下部荷卸位置WU,WLがそれぞれ設けられている。上部シャトルSUは、上部積出位置FUで基板Gの積出のために一定時間TFUだけ滞在した後、上部搬送路62上を往路方向X方向に一定の速度または一定の走行時間で直進移動し、終点の上部荷卸位置WUに到達するとそこで停止して当該基板Gの荷卸のために一定時間TWUだけ滞在する。そして、その滞在時間TWUの経過後に、基板の無い空の状態で上部荷卸位置WUから上部搬送路62上を復路方向-X方向に一定の速度または一定の走行時間で直進移動し、終点の上部積出位置FUに到達するとそこで停止して新たな基板Gの積出のために一定時間TFUだけ滞在する。上部シャトルSUは、上記のような積出往動移動荷卸復動移動からなる一連の動作を一定のサイクルつまり2TSで繰り返すようになっている。ここで、TSはこの基板処理装置におけるシステム全体のタクト時間である。同様に、下部シャトルSLは、下部積出位置FLで基板Gの積出のために一定時間TFLだけ滞在した後、下部搬送路64上を往路方向X方向に一定の速度で直進移動し、終点の下部荷卸位置WLに到達するとそこで停止して当該基板Gの荷卸のために一定時間TWLだけ滞在する。そして、その滞在時間TWLの経過後に、基板の無い空の状態で下部荷卸位置WLから下部搬送路64上を復路方向-X方向に一定の速度または一定の走行時間で直進移動し、終点の下部積出位置FLに到達するとそこで停止して新たな基板Gの積出のために一定時間TFLだけ滞在する。下部シャトルSLも、上記のような積出往動移動荷卸復動移動からなる一連の動作を一定のサイクルつまり2TSで繰り返すようになっている。そして、上部シャトルSUの往復動作と下部シャトルSLの往復動作とは、互いに逆サイクルまたは逆位相の関係になっている。すなわち、上部シャトルSUが基板Gの積出のために上部積出位置FUに滞在している時は、下部シャトルSLが基板Gの荷卸のために下部荷卸位置WLで同じ時間だけ滞在する。つまり、TFU=TWLである。そして、上部シャトルSUが基板Gを積んで上部積出位置FUから上部荷卸位置WUに向かって上部搬送路62上を往路方向X方向に一定の速度または一定の走行時間で直進移動する時は、同時に下部シャトルSLが基板を積まない空の状態で下部荷卸位置WLから下部積出位置FLに向かって下部搬送路64上を復路方向-X方向に同一の速度または同一の走行時間で直進移動する。上部シャトルSUが基板Gの荷卸のために上部荷卸位置WUに滞在している時は、下部シャトルSLが基板Gの積出のために下部積出位置FLで同じ時間だけ滞在する。つまり、TFL=TWUである。そして、下部シャトルSLが基板Gを積んで下部積出位置FLから下部荷卸位置WLに向かって下部搬送路64上を往路方向X方向に一定の速度または一定の走行時間で直進移動する時は、同時に上部シャトルSUが基板を積まない空の状態で上部荷卸位置WUから上部積出位置FUに向かって上部搬送路62上を復路方向-X方向に同一の速度または同一の走行時間で直進移動する。要するに、TFU=TWL=TFL=TWUの関係がある。このように、この実施形態の基板処理装置では、上部シャトルSUによる上部積出位置FUから上部荷卸位置WUへの基板Gの枚葉搬送と、下部シャトルSLによる下部積出位置FLから下部荷卸位置WLへの基板Gの枚葉搬送とがタクト時間TS毎に交互に行われるようになっている。そして、そのような上部シャトルSUおよび下部シャトルSLによる交互の枚葉搬送が、第1、第2および第3のシャトル搬送部38,40,42の間で同時に、つまり同期して行われるようになっている。[処理ユニットの構成]図5Aおよび図5Bに、この実施形態の基板処理装置に組み込まれる枚葉式処理ユニットのタイプを示す。図5Aに示す第1のタイプは、処理室またはチャンバ72の中心部に設けたステージ74の上に基板Gを水平に載せ、ステージ74の上方で水平方向および鉛直方向に移動可能なヘッド76を用いて基板Gのおもて面被処理面に所要の枚葉処理を施す。たとえば、ブラシスクラバ洗浄装置または紫外線洗浄装置を用いる枚葉式洗浄式ユニット44、レーザエッチング装置を用いる枚葉式パターンニングユニット46およびスクリーン印刷機を用いる枚葉式作用極成膜ユニット48、ノズル式の色素吸着装置を用いる枚葉式色素吸着ユニット54は、この第1のタイプになる。その場合、ブラシスクラバ洗浄装置のヘッド76には回転ブラシが搭載され、紫外線洗浄装置のヘッド76には紫外線ランプが搭載され、レーザエッチング装置のヘッド76にはレーザ出射ユニットが搭載され、スクリーン印刷機のヘッド76にはスキージなどが搭載され、ノズル式の色素吸着装置のヘッド76にはスリットノズルの吐出口の長さが基板Gと略等しいノズル、もしくは各半導体微粒子層に対応した筒状、スリット状または円形状などの複数の吐出口を有するノズルが搭載される。図5Bに示す第2のタイプは、処理室またはチャンバ78の中心部に設けた回転駆動部80に結合されるスピンチャック82の上に基板Gを水平に載せて回転可能に保持し、スピンチャック82の上方で水平方向および鉛直方向に移動可能なヘッド84を用いて基板Gのおもて面被処理面に所要の枚葉処理を施す。たとえば、ノズル式の色素吸着装置を用いる枚葉式色素吸着ユニット54は、この第2のタイプになる。また、枚葉式洗浄ユニット44にジェットスクラバ洗浄装置を用いる場合や、枚葉式パターンニングユニット46にウエットエッチング装置を用いる場合も、この第2のタイプになる。その場合、ノズル式の色素吸着装置のヘッド84には色素溶液を吐出するノズルが搭載され、ジェットスクラバ洗浄装置のヘッド84には洗浄液を噴射するノズルが搭載され、ウエットエッチング装置のヘッド84にはエッチング液を吐出するノズルが搭載される。図6Aおよび図6Bに、上記第1および第2のタイプの枚葉式処理ユニットにおける基板のローディング/アンローディングの動作を示す。第1のタイプ図6Aにおいて、ステージ74上で処理済みの基板Giと次に処理を受ける基板Gjとを入れ替える場合、最初にステージ74の中から複数本の昇降ピン86が上昇突出して処理済みの基板Giを持ち上げる。そこに、処理室72の側壁の基板出入口75から空状態の搬送アームたとえば上部搬送アームMUが処理室72の中に入って来て、昇降ピン86から処理済みの基板Giを受け取り、受け取った基板Giを処理室72の外へ持ち去る。昇降ピン86はいったん下降する。直後に、この枚葉式処理ユニットで次に枚葉処理を受けるべき基板Gjを保持している下部搬送アームMLが処理室72の中に入って来て、直後に昇降ピン86が再び上昇してこの基板Gjを受け取る。そして、空状態になった下部搬送アームMLが処理室72の外へ出た後に、昇降ピン86がステージ74の中まで下降し、基板Gjがステージ74の上に載置される。第2のタイプ図6Bにおいても、回転駆動部80の中またはその付近に設けられている昇降ピン88を上記昇降ピン86と同様に搬送アームMU,MLと連携して昇降動作させることにより、スピンチャック82上で処理済みの基板Giと次に処理を受ける基板Gjとを上記と同様にして入れ替えることができる。図7に、この基板処理装置に含まれる枚葉式処理ユニットの第3のタイプを示す。この第3のタイプは、枚葉式熱処理ユニット50に用いられ、1枚の基板Gを載置して搬送するプレート90を、スライド式で引き出しのように本体熱処理室92に出し入れできるようにしている。熱処理を行っている間、プレート90は本体熱処理室92の外で待機するc。そして、熱処理が終了した後に、プレート90は、本体熱処理室92の中に入って基板Gを受け取り、受け取った基板Gを外に出して大気下で一定時間晒して冷却するb。その後、プレート90に備わっている昇降ピン94を搬送アームMU,MLと連携して昇降動作させることにより、プレート90上で処理済みの基板Giと次の基板Gjとを上記と同様にして入れ替えるようにしているa。図8に、この実施形態の基板処理装置に含まれるバッチ式焼成ユニット52A52Bの構成例を示す。このバッチ式焼成ユニット52A52Bは、縦型熱処理装置として構成されており、筒状の縦型加熱炉96と、この加熱炉96に収納可能な縦型基板ボート98と、この基板ボート98を下から保温筒100を介して支持するボート支持アーム102と、基板ボート98を加熱炉96に出し入れするためにボート支持アーム102を昇降移動させる昇降機構104とを有している。基板ボート98の平行に延びる複数本の基板支持棒106には、バッチ処理枚数たとえば100枚の基板Gを着脱可能に保持するための保持溝スロットが一定間隔で多数形成されている。このバッチ式焼成ユニット52A52Bにおいて、一回のバッチ式焼成処理が終了すると、図示のように、基板ボート98が加熱炉96の外下に引き出される。そこに、第3の枚葉搬送機構34の搬送アームMU,MLが、基板ボート98の各スロットに順次アクセスして、処理済みの基板Giと処理前の基板Gjとを1枚ずつ入れ替えるようになっている。[枚葉搬送機構の基本動作]図9Aおよび図9Bにつき、各枚葉搬送機構30,32,34,36が各担当エリア内の各枚葉式処理ユニットまたは各バッチ式処理ユニットにアクセスして処理済みの基板Giと処理前の基板Gjとを入れ替える動作を説明する。先ず、図9Aのaに示すように、当該枚葉搬送機構は、両搬送アームMU,MLを原位置または復動位置に引き戻した状態で、それぞれの搬送本体60U,60Lを昇降移動および回転移動させて、アクセス先の処理ユニット図示せずの手前に両搬送アームMU,MLを付ける。この時、両搬送アームMU,MLの片方たとえば下部搬送アームMLは、このアクセス先の処理ユニットで処理前の基板Gjを保持している。もう片方つまり上部搬送アームMUは、基板Gの無い空の状態になっている。この空状態の上部搬送アームMUの方を基板受け渡し用の高さ位置に合わせる。次に、当該枚葉搬送機構は、図9Aのbに示すように、空状態の上部搬送アームMUを往動位置まで前進または伸長移動させて、このアクセス先の処理ユニットから処理済みの基板Giを上部搬送アームMUで受け取る。次いで、図9Aのcに示すように、上部搬送アームMUを原位置まで後退または短縮移動させて、この処理ユニットから処理済みの基板Giを搬出する。こうして処理済みの基板Giを搬出した直後に、当該枚葉搬送機構は、図9Bのdに示すように、昇降移動図示の場合は上昇移動を行って、処理前の基板Gjを保持している方の下部搬送アームMLを基板受け渡し用の高さ位置に合わせる。次いで、図9Bのeに示すように、下部搬送アームMLを往動位置まで前進または伸長移動させて、当該処理ユニット内に処理前の基板Gjを搬入して渡す。そして、図9Bのfに示すように、空の状態になった下部搬送アームMLを原位置まで後退または短縮移動させる。この実施形態における各枚葉搬送機構30,32,34,36は、2つの搬送アームMU,MLを用いて、それと隣接する上流側のシャトルJSU/JSLまたは基板中継台2020U/20Lから1枚の基板Gを降ろす動作と、それと隣接する下流側のシャトルKSU/KSLまたは基板中継台2626U/26Lに1枚の基板Gを積む動作とを同時または並行して行うことができる。図10Aに、各枚葉搬送機構30,32,34,36において、上流側の上部シャトルJSUから1枚の基板Gjを卸し、これと同時に下流側の下部シャトルKSLに1枚の基板Giを積む動作を示す。この場合、当該枚葉搬送機構は、図10Aのaに示すように、両搬送アームMU,MLを原位置または復動位置に引き戻した状態で、それぞれの搬送本体60U,60Lを昇降移動および回転移動させて、上流側の上部シャトルJSUに上部搬送アームMUを付け、下流側の下部シャトルKSLに下部搬送アームMLを付ける。この時、上部搬送アームMUは空の状態であり、下部搬送アームMLは基板Giを保持している。また、上流側の上部シャトルJSUは基板Gjを積んでおり、下流側の下部シャトルKSLは空の状態になっている。次に、当該枚葉搬送機構は、図10Aのbに示すように、上部搬送アームMUを前進または伸長移動させて、上流側の上部シャトルJSUから基板Gjを卸し受け取り、同時に下部搬送アームMLを前進または伸長移動させて、下流側の下部シャトルKSLに基板Giを積む渡す。しかる後、図10Aのcに示すように、上部搬送アームMUおよび下部搬送アームMLを原位置に引き戻す。図10Bに、各枚葉搬送機構30,32,34,36において、上流側の下部シャトルJSLから1枚の基板Gjを卸し、それと同時に下流側の上部シャトルKSUに1枚の基板Giを積む動作を示す。この場合、当該枚葉搬送機構は、図10Bのaに示すように、両搬送アームMU,MLを原位置または復動位置に引き戻した状態で、それぞれの搬送本体60U,60Lを昇降移動および回転移動させて、上流側の下部シャトルJSLに下部搬送アームMLを付け、下流側の上部シャトルKSUに上部搬送アームMUを付ける。この時、下部搬送アームMLは空の状態であり、上部搬送アームMUは基板Giを保持している。また、上流側の下部シャトルJSLは基板Gjを積んでおり、下流側の上部シャトルKSUは空になっている。次に、当該枚葉搬送機構は、図10Bのbに示すように、下部搬送アームMLを前進または伸長移動させて、上流側の下部シャトルJSLから基板Gjを卸し受け取り、同時に上部搬送アームMUを前進または伸長移動させて、下流側の上部シャトルKSUに基板Giを積む渡す。しかる後、図10Bのcに示すように、上部搬送アームMUおよび下部搬送アームMLを原位置に引き戻す。また、この実施形態における各枚葉搬送機構30,32,34,36は、別の搬送形態として、2つの搬送アームMU,MLのうち、専ら一方たとえば上部搬送アームMUを用いて上流側のシャトルJSU/JSLまたは基板設置台2020U/20Lから1枚の基板Gを降ろす動作と、専ら他方つまり下部搬送アームMLを用いて下流側のシャトルKSU/KSLまたは基板設置台2626U/26Lに1枚の基板Gを積む動作とを並行してまたは順次行うことができる。たとえば、上部搬送アームMUを用いて上流側の上部シャトルJSUから1枚の基板Gjを卸し、かつ下部搬送アームMLを用いて下流側の下部シャトルKSLに1枚の基板Giを積むときは、図10Aと同様の並行的または同時的な動作を行うことができる。しかし、上部搬送アームMUを用いて上流側の下部シャトルJSLから1枚の基板Gjを卸し、かつ下部搬送アームMLを用いて下流側の上部シャトルKSUに1枚の基板Giを積むときは、図11Aおよび図11Bに示すように順次的な動作になる。先ず、当該枚葉搬送機構は図11Aのaに示すように、搬送本体60U,60Lを昇降移動および回転移動させて、下流側の上部シャトルKSUに基板Giを保持している下部搬送アームMLを付ける。次に、図11Aのbに示すように、下部搬送アームMLを前進または伸長移動させて、下流側の上部シャトルKSUに基板Gjを積む渡す。しかる後、図11Aのcに示すように、空になった下部搬送アームMLを原位置に引き戻す。次に、当該枚葉搬送機構は、図11Bのdに示すように、搬送本体60U,60Lを昇降移動および回転移動させて、上流側の下部シャトルJSLに空状態の上部搬送アームMUを付ける。次に、図11Bのeに示すように、上部搬送アームMUを前進または伸長移動させて、上流側の下部シャトルJSLから基板Gjを卸す受け取る。しかる後、図11Bのfに示すように、基板Gjを保持する上部搬送アームMUを原位置に引き戻す。[全工程の処理手順]ここで、この基板処理装置における1枚の基板Gnに対する全工程の処理手順を説明する。先ず、ローダ12において、ローダ搬送機構18がステージ16上のいずれか1つのカセットCから基板Gnを1枚抜き出し、その抜き出した基板Gnを基板中継台20に、つまり上部載置台20Uもしくは下部載置台20Lのいずれか一方に載置する。しかる後、第1の枚葉搬送機構30が、上部載置台20Uに載置されている場合は上部搬送アームMUにより、下部載置台20Lに載置されている場合は下部搬送アームMLにより、この基板Gnを引き取って、枚葉式洗浄ユニット44に搬入する。このとき、基板Gnが当該枚葉式洗浄ユニット44に搬入されるのに先立って、このユニット44で洗浄処理が済んだばかりの別の基板が搬出される。この枚葉式洗浄ユニット44では、ステージ74またはスピンチャック82上に載置または保持された基板Gnの被処理面ブランケットの透明導電層に対して洗浄ヘッド7684により枚葉方式の洗浄処理が施される。この洗浄処理によって、基板Gnの被処理面から異物や汚染物が除去される。上記のような枚葉方式の洗浄処理が終了すると、第1の枚葉搬送機構30が基板Gnを当該枚葉式洗浄ユニット44から搬出して、第1エリア内で搬送ライン28の向かい側に配置されている枚葉式パターニングユニット46に搬入する。このときも、基板Gnが当該枚葉式パターニングユニット46に搬入されるのに先立って、このユニット46でパターニング処理が済んだばかりの別の基板が搬出される。この枚葉式パターニングユニット46では、たとえばレーザエッチング法により、ステージ74上に載置された基板Gnの被処理面ブランケットの透明導電層に対してレーザ出射ヘッド76により枚葉方式のパターニング処理が施される。このパターニング処理によって、基板Gnの被処理面にはパターニングされた透明電極200が形成される。なお、透明導電層ないし透明電極200は、たとえばフッ素ドープSnO2FTO、あるいはインジウム-スズ酸化物ITOからなる。また、基板Gの母材である透明基板208は、たとえば石英、ガラスなどの透明無機材料、あるいはポリエステル、アクリル、ポリイミドなどの透明プラスチック材料からなる。上記のような枚葉方式のパターニング処理が終了すると、第1の枚葉搬送機構30は、この基板Gnを当該枚葉式パターニングユニット46から搬出し、第1のシャトル搬送部38の上部シャトルSUもしくは下部シャトルSLに積む。基板Gnを積んだ第1のシャトル搬送部38の上部シャトルSUもしくは下部シャトルSLは、その積出位置FUもしくはFLから荷卸位置WUもしくはWLまで移動する。この基板Gnが第1のシャトル搬送部38の荷卸位置WUもしくはWLに着くと、第2の枚葉搬送機構32がこの基板Gnを卸して、第2エリア内の枚葉式作用極成膜ユニット48へ搬入する。この場合も、基板Gnが当該枚葉式作用極成膜ユニット48に搬入されるのに先立って、このユニット48で作用極半導体微粒子層204の成膜処理が済んだばかりの別の基板が搬出される。枚葉式作用極成膜ユニット48では、たとえばスクリーン印刷法により、ステージ74上の基板Gnの被処理面パターニングされている透明電極200に対して印刷ヘッド76により枚葉方式の成膜処理が施される。この成膜処理によって、基板Gnの被処理面にはパターニングされた半導体微粒子層204が形成される。なお、半導体微粒子層204は、たとえばTiO2,ZnO,SnO2などの金属酸化物からなる。上記のような枚葉方式の作用極成膜処理が終了すると、第2の枚葉搬送機構32は、この基板Gnを当該枚葉式作用極成膜ユニット48から搬出して、第2エリア内で搬送ライン28の向かい側に配置されている枚葉式熱処理ユニット50に搬入する。このときも、基板Gnが当該枚葉式熱処理ユニット50に搬入されるのに先立って、このユニット50で熱処理が済んだばかりの別の基板が搬出される。枚葉式熱処理ユニット50においては、本体熱処理室92で基板Gnが所定温度で一定時間加熱され、基板被処理面の半導体微粒子層204がベーキングされる。そして、ベーキングの終了後に、本体熱処理室92からプレート90により外に搬出され、プレート90上で基板Gnは常温まで冷却される。この熱処理によって、半導体微粒子層204の密着性が向上する。上記のような枚葉方式の熱処理が終了すると、第2の枚葉搬送機構32は、この基板Gnを当該枚葉式熱処理ユニット50から搬出して、第2のシャトル搬送部40の上部シャトルSUもしくは下部シャトルSLに積む。基板Gnを積んだ第2のシャトル搬送部40の上部シャトルSUもしくは下部シャトルSLは、その積出位置FUもしくはFLから荷卸位置WUもしくはWLまで搬送する。第3の枚葉搬送部34は、第2のシャトル搬送部40の荷卸位置WUもしくはWLに着いた基板Gnを卸して、第3エリア内のバッチ式焼成ユニット52A,52Bのいずれか一方へ搬入する。このとき、基板Gnが当該バッチ式焼成ユニット52Aもしくは52Bの該当スロットに装入されるのに先立って、そのスロットからこのユニット52Aもしくは52Bで焼成処理が済んでいる別の基板が取り出され、ユニットの外へ搬出される。バッチ式焼成ユニット52A52Bでは、基板ボート98にバッチ処理枚数100枚の処理前の基板G1~G100この中に基板Gnが含まれるが全部揃ってから、昇降機構104によりボート支持アーム102を上昇させて、基板ボート98を加熱炉96の中に挿入または装填する。そして、加熱炉96の中で基板ボート98上の基板G1~G100が所定の温度で所定時間加熱され、結果として各基板G1~G100の被処理面上に半導体微粒子層204の焼結体が得られる。上記のようなバッチ方式の焼成処理が終了すると、昇降機構104がボート支持アーム102を下降させて、基板ボート98を加熱炉96の外に出し、大気空間に一定時間晒して冷却する。第3の枚葉搬送機構34は、1回分のバッチ式焼成処理焼成冷却を終えた当該バッチ式焼成ユニット52A52Bにタクト時間TSの周期でアクセスして、基板ボート98上の各スロットで処理済みの基板G1~G100と次回のバッチ式熱処理を受ける処理前の基板G101~G200とを1枚ずつ入れ替える。こうして、焼成処理済みの基板Gnは、第3の枚葉搬送機構34によってバッチ式焼成ユニット52A52Bから搬出され、第4のシャトル搬送部42の上部シャトルSUもしくは下部シャトルSLに積まれる。基板Gnを積んだ第4のシャトル搬送部42の上部シャトルSUもしくは下部シャトルSLは、その積出位置FUもしくはFLから荷卸位置WUもしくはWLまで搬送する。第4の枚葉搬送部36は、第3のシャトル搬送部42の荷卸位置WUもしくはWLに着いた基板Gnを卸して、第4のエリア内のいずれかの枚葉式色素吸着ユニット54へ搬入する。このとき、基板Gnが当該枚葉式色素吸着ユニット54に搬入されるのに先立って、当該ユニット54から色素吸着処理が済んだばかりの別の基板が取り出され、ユニット54の外へ搬出される。基板Gnを搬入した枚葉式色素吸着ユニット54では、スピンチャック82上で回転運動する基板Gnの被処理面多孔質の半導体微粒子層204に対してノズルヘッド84により色素溶液が吹き掛けられ、枚葉方式の色素吸着処理が実施される。この色素吸着処理によって、基板Gnの被処理面上の多孔質半導体微粒子層204に増感色素が吸着される。なお、この色素吸着ユニット54で用いられる色素溶液は、増感色素を所定の濃度で溶媒に溶かしたものである。増感色素としては、たとえば金属フタロシアニンなどの金属錯体あるいはシアニン系色素、塩基性色素などの有機色素が用いられる。溶媒には、たとえばアルコール類、エーテル類、アミド類、炭化水素などが用いられる。上記のような枚葉方式の色素吸着処理が終了すると、第4の枚葉搬送機構36は、この基板Gnを当該枚葉式色素吸着ユニット54から搬出して、基板中継台26に、つまり上部載置台26Uもしくは下部載置台26Lのいずれか一方に載置する。直後に、アンローダ搬送機構24が、基板中継台26から基板Gnを引き取り、ステージ22上のいずれか1つのカセットCに処理済みの基板Gnを収納する。[枚葉搬送機構の転送形態1]図12を参照して、第2の枚葉搬送機構32が、第1の転送形態によって、上流側のシャトルJSU/JSLから下流側のシャトルKSU/KSLへ基板Gを転送するまでの一連の動作を説明する。この第1の転送形態は、第2のエリア内に2種類の処理ユニットつまり枚葉式作用極成膜ユニット48および枚葉式熱処理ユニット50がそれぞれ1台ずつ設けられている場合に適用される。この場合、1台の枚葉式作用極成膜ユニット48および1台の枚葉式熱処理ユニット50は、いずれもタクト時間TSのサイクルで各基板Gnに対して枚葉の成膜処理および枚葉の熱処理をそれぞれ施す。図12では、説明と理解の便宜上、枚葉式作用極成膜ユニット48を枚葉処理ユニットAと略称し、枚葉式熱処理ユニット50を枚葉処理ユニットBと略称する。図中、たとえば時点t0~t4の期間および時点t4~t8の期間は、タクト時間TSに相当する。図12において、時点t0では、当該エリア内で全ての枚葉処理を終えた1番目の基板G1が、枚葉搬送機構32の下部搬送アームML上で下流側の下部シャトルKSLへの積出を待っている。2番目の基板G2は、当該エリア内で後の工程を担う枚葉処理ユニットB内に滞在している。3番目の基板G3は、当該エリア内で前先の工程を担う枚葉処理ユニットA内に滞在している。この時、上流側第1のシャトル搬送部38の上部シャトルJSUが4番目の基板G4を積んで上部荷卸位置WUに到着する。この直後に、枚葉搬送機構32は、図10Aに示した動作により、上部搬送アームMUを用いて上流側の上部シャトルJSUから4番目の基板G4を卸すと同時に、下部搬送アームMLを用いて下流側の下部シャトルKSLに1番目の基板G1を積むt=t1~t2。次いで、枚葉搬送機構32は、枚葉処理ユニットAにアクセスして、上流側の上部シャトルJSUから卸したばかりの4番目の基板G4をこの時点で前工程成膜処理が済んでいる3番目の基板G3と入れ替えるt=t2~t3。この場合、空になっている方の下部搬送アームMLを用いて処理済みの3番目の基板G3を枚葉処理ユニットAから搬出し、それと入れ替わりに上部搬送アームMUを用いて処理前の4番目の基板G4を枚葉処理ユニットAに搬入する。次に、枚葉搬送機構32は、枚葉処理ユニットBにアクセスして、枚葉処理ユニットAから搬出したばかりの3番目の基板G3をこの時点で後工程熱処理が済んでいる2番目の基板G2と入れ替えるt=t3~t4。この場合、空になっている方の上部搬送アームMUを先に用いて処理済みの2番目の基板G2を枚葉処理ユニットBから搬出し、それと入れ替わりに下部搬送アームMLを用いて処理前の3番目の基板G3を枚葉処理ユニットBに搬入する。一方、上流側第1のシャトル搬送部38の下部シャトルJSLが5番目の基板G5を積んで下部荷卸位置WLに到着するt=t4。この直後に、枚葉搬送機構32は、図10Bに示した動作により、下部搬送アームMLを用いて上流側の下部シャトルJSLから5番目の基板G5を卸すと同時に、上部搬送アームMUを用いて下流側の上部シャトルKSUに2番目の基板G2を積むt=t5~t6。次いで、枚葉搬送機構32は、枚葉処理ユニットAにアクセスして、上流側の下部シャトルJSLから卸したばかりの5番目の基板G5をこの時点で前工程成膜処理が済んでいる4番目の基板G4と入れ替えるt=t6~t7。この場合、空になっている方の上部搬送アームMUを用いて処理済みの4番目の基板G4を枚葉処理ユニットAから搬出し、それと入れ替わりに下部搬送アームMLを用いて処理前の5番目の基板G5を枚葉処理ユニットAに搬入する。次に、枚葉搬送機構32は、枚葉処理ユニットBにアクセスして、枚葉処理ユニットAから搬出したばかりの4番目の基板G4をこの時点で後工程熱処理が済んでいる3番目の基板G3と入れ替えるt=t7~t8。この場合、空になっている方の下部搬送アームMLを先に用いて処理済みの3番目の基板G3を枚葉処理ユニットBから搬出し、それと入れ替わりに上部搬送アームMUを用いて処理前の4番目の基板G4を枚葉処理ユニットBに搬入する。搬出された3番目の基板G3は、下部搬送アームML上で下流側の下部シャトルKSLへの積出を待つ。一方、上流側第1のシャトル搬送部38の上部シャトルJSUが6番目の基板G6を積んで上部荷卸位置WUに到着するt=t8。以後も、タクト時間TSを基準周期として上記のような一連の基板転送動作が繰り返し行われる。[枚葉搬送機構の転送形態2]図13に、第2の枚葉搬送機構32が担当する第2のエリア内に、枚葉式処理ユニットA、Bがそれぞれ複数台たとえば2台A1,A2および3台B1,B2,B3ずつ設けられている場合に適用される第2の基板転送形態を示す。ここで、枚葉式処理ユニットA1,A2は、タクト時間TSの時間差で各々が2TSの基板滞在時間この中に正味の処理時間が含まれるを要する前工程の枚葉処理A枚葉式作用極成膜処理を繰り返し行うようになっている。一方、枚葉式処理ユニットB1,B2,B3は、タクト時間TSの時間差で各々が3TSの基板滞在時間を要する後工程の枚葉処理B枚葉式熱処理を繰り返し行うようになっている。この場合、時点t0では、当該エリア内で全ての枚葉処理を終えた1番目の基板G1が、枚葉搬送機構32の下部搬送アームMLに保持され、下流側の下部シャトルKSLへの積出を待っている。2番目、3番目および4番目の基板G2,G3,G4は、当該エリア内で後工程を担う枚葉処理ユニットB1,B2,B3内にそれぞれ滞在している。5番目および6番目の基板G5,G6は、当該エリア内で前工程を担う枚葉処理ユニットA1,A2内に滞在している。この時、上流側第1のシャトル搬送部38の上部シャトルJSUが7番目の基板G7を積んで上部荷卸位置WUに到着する。この直後に、枚葉搬送機構32は、図10Aに示した動作により、上部搬送アームMUを用いて上流側の上部シャトルJSUから7番目の基板G7を卸すと同時に、下部搬送アームMLを用いて下流側の下部シャトルKSLに1番目の基板G1を積むt=t1~t2。次いで、枚葉搬送機構32は、枚葉処理ユニットA1にアクセスして、上流側の上部シャトルJSUから卸したばかりの7番目の基板G7をこの時点で間近に前工程成膜処理が済んでいる5番目の基板G5と入れ替えるt=t2~t3。次に、枚葉搬送機構32は、枚葉処理ユニットB1にアクセスして、枚葉処理ユニットA1から搬出したばかりの5番目の基板G5をこの時点で間近に後工程熱処理が済んでいる2番目の基板G2と入れ替えるt=t3~t4。一方、上流側第1のシャトル搬送部38の下部シャトルJSLが8番目の基板G8を積んで下部荷卸位置WLに到着するt=t4。この直後に、枚葉搬送機構32は、図10Bに示した動作により、下部搬送アームMLを用いて上流側の下部シャトルJSLから8番目の基板G8を卸すと同時に、上部搬送アームMUを用いて下流側の上部シャトルKSUに2番目の基板G2を積むt=t5~t6。次いで、枚葉搬送機構32は、枚葉処理ユニットA2にアクセスして、上流側の下部シャトルJSLから卸したばかりの8番目の基板G8をこの時点で間近に前工程成膜処理が済んでいる6番目の基板G4と入れ替えるt=t6~t7。次に、枚葉搬送機構32は、枚葉処理ユニットB2にアクセスして、枚葉処理ユニットA2から搬出したばかりの6番目の基板G6をこの時点で間近に後工程熱処理が済んでいる3番目の基板G3と入れ替えるt=t7~t8。搬出された3番目の基板G3は、下部搬送アームML上で下流側の下部シャトルKSLへの積出を待つ。一方、上流側第1のシャトル搬送部38の上部シャトルJSUが9番目の基板G9を積んで上部荷卸位置WUに到着するt=t8。以後も、タクト時間TSを基準周期として上記のような一連の基板転送動作が繰り返し行われる。なお、第1の枚葉搬送機構30においても、搬送ライン28の上流側にシャトル搬送部ではなく基板中継台2020U/20Lが配置されている点が異なるだけで、上述した第2の枚葉搬送機構32と同様にタクト時間TSを基準周期として上記第1の転送形態または上記第2の転送形態による一連の基板転送動作が繰り返し行われる。[枚葉搬送機構の転送形態3]図14につき、第3の転送形態として、一対のバッチ式焼成ユニット52A,52Bが配置される第3のエリア内で第3の枚葉搬送機構34が行う一連の基板転送動作を説明する。これら2つのバッチ式焼成ユニット52A,52Bは、図15に示すように、TNのバッチ処理時間または基板滞在時間正味の焼成時間Ta冷却時間Tbを要する同一のバッチ式焼成処理を交互に繰り返し行うようになっている。ここで、バッチ処理枚数をN枚たとえば100枚とすると、タクト時間TSとバッチ処理時間TNとの間には、TR=NTSの関係がある。なお、図14では、説明と理解の便宜上、一方のバッチ式焼成ユニット52Aをバッチ処理ユニットCと略称し、他方のバッチ式焼成ユニット52Bをバッチ処理ユニットDと略称する。図中、たとえば時点t0~t4の期間および時点t4~t8の期間は、タクト時間TSに相当する。図14において、時点t0は、一方のバッチ処理ユニットCがバッチ処理バッチ式焼成処理を終えた直後である。この時、ユニットC基板ボート98の第1スロットから1番目の基板G1が枚葉搬送機構34の下部アームMLによって搬出されており、下流側第3のシャトル搬送部42の下部シャトルKSLへの積出を待っている。なお、1番目の基板G1と入れ替わりに201番目の基板G201がユニットC基板ボート98の第1スロットに搬入されている。2番目~100番目の基板G2~G100は、バッチ処理ユニットC基板ボート98の第2~第100スロット内にまだ滞在している。一方、101番目~200番目の基板G101~G200は、他方のバッチ処理ユニットD基板ボート98の第1~第100スロット内に滞在しており、バッチ処理バッチ式焼成処理が開始して間もない状況下にある。この時、上流側第2のシャトル搬送部40の上部シャトルJSUが202番目の基板G202を積んで上部荷卸位置WUに到着する。この直後に、枚葉搬送機構34は、図10Aと同様の動作により、下部搬送アームMLを用いて下流側の下部シャトルKSLに1番目の基板G1を積み、これと同時に上部搬送アームMUを用いて上流側の上部シャトルJSUから202番目の基板G202を卸すt=t1~t2。次いで、枚葉搬送機構34は、バッチ処理ユニットC基板ボート98の第2スロットにアクセスして、上流側の上部シャトルJSUから卸したばかりの202番目の基板G202をバッチ処理が済んでいる2番目の基板G2と入れ替えるt=t2~t3。直後に、上流側の下部シャトルJSLが、203番目の基板G203を積んで下部荷卸位置WUに到着するt=t4。この直後に、枚葉搬送機構32は、図11Aおよび図11Bに示した動作により、先に下部搬送アームMLを用いて下流側の上流シャトルKSUに2番目の基板G1を積み、次いで上部搬送アームMUを用いて上流側の下部シャトルJSLから203番目の基板G203を卸すt=t5~t6。次いで、枚葉搬送機構34は、バッチ処理ユニットC基板ボート98の第3スロットにアクセスして、上流側の下部シャトルJSLから卸したばかりの203番目の基板G203をバッチ処理が済んでいる3番目の基板G3と入れ替えるt=t6~t7。直後に、上流側の上部シャトルJSUが、204番目の基板G204を積んで下部荷卸位置WUに到着するt=t8。以後も、上記と同様の動作がタクト時間TSの周期で繰り返し行われる。図示省略するが、枚葉搬送機構34は、終には、バッチ処理ユニットC基板ボート98の第100スロットにアクセスして、上流側の上部シャトルJSUから卸したばかりの300番目の基板G300をバッチ処理が済んでいる100番目の基板G100と入れ替える。図15に示すように、他方のバッチ処理ユニットDは、丁度この頃に1回分のバッチ処理を終了する。以後、枚葉搬送機構34は、上流側のシャトルJSU/JSLからタクト時間TSの周期で順次卸される後続の301番目~400番目の基板G301~G400については、図15に示すように、上記と同様の手順によりバッチ処理ユニットDに処理済みの101番目~200番目の基板G101~G200と1枚ずつ入れ替えるようにタクト時間TSの周期で順次搬入する。そして、バッチ処理ユニットDより順次搬出された101番目~200番目の基板G101~G200は、タクト時間TSの周期で順次下流側のシャトルKSU/KSLに積まれて搬送ライン28の下流側に搬送される。この実施形態では、一対のバッチ処理ユニットC,Dバッチ式焼成ユニット52A,52Bの間でバッチ処理焼成処理と基板入れ替え動作とが襷がけで交互に繰り返し行われる。そして、基板入れ替え動作では、基板収納部基板ボート98上のスロットにおける処理済みの基板と処理前の基板との入れ替えがタクト時間TSを基準サイクルとして基板1枚ずつ1スロットずつ繰り返し行われる。[枚葉搬送機構の転送形態4]1台または複数台の枚葉式色素吸着ユニット54が配置される第4のエリア内で第4の枚葉搬送機構36が行う一連の基板転送動作は、基本的には、上述した第3のエリアにおける第3の枚葉搬送機構34の一連の基板転送動作第3の転送形態と似通っている。すなわち、上流側第3のシャトル搬送部42の上部シャトルJSUがn番目の基板Gnを積んで上部荷卸位置WUに到着すると、直後に第4の枚葉搬送機構36は、図10Aと同様の動作により、片方の搬送アームたとえば下部搬送アームMLに保持している処理済みの別の基板を下流側の基板中継台26の下部載置台26Lに載せる動作と、もう片方の上部搬送アームMUを用いて基板Gnを上部シャトルJSUから卸す動作とを同時に行う。次いで、枚葉搬送機構36は、この時点で最も間近に色素吸着が終了している枚葉式色素吸着ユニット54にアクセスして、上流側の上部シャトルJSUから卸したばかりの基板Gnを処理済みの基板GPと入れ替える。このとき、空になっている方の下部搬送アームMLを用いて処理済みの基板GPを当該枚葉式色素吸着ユニット54から搬出し、それと入れ替わりに上部搬送アームMUを用いて処理前の基板Gnを当該枚葉式色素吸着ユニット54に搬入する。その後まもなくして、上流側の下部シャトルJSLがn1番目の基板Gn1を積んで下部荷卸位置WLに到着する。その直後に、第4の枚葉搬送機構36は、図11Aおよび図11Bに示した動作により、先に下部搬送アームMLに保持している処理済みの基板GPを基板中継台26の上部載置台26Uに載せ、次いで上部搬送アームMUを用いて基板Gn1を下部シャトルJSLから卸す。そして、この時点で最も間近に色素吸着が終了している枚葉式色素吸着ユニット54にアクセスして、上流側の下部シャトルJSLから卸したばかりの基板Gn1を処理済みの別の基板GQと入れ替える。この場合、空になっている方の下部搬送アームMLを用いて処理済みの基板GQを当該枚葉式色素吸着ユニット54から搬出し、それと入れ替わりに上部搬送アームMUを用いて処理前の基板Gn1を当該枚葉式色素吸着ユニット54に搬入する。以後も、タクト時間TSを基本周期として上記のような一連の基板転送動作が繰り返し行われる。[実施形態における主な作用効果]上述したように、この実施形態の基板処理装置においては、搬送ライン28上に、複数第1~第4の枚葉搬送機構30,32,34,36と複数第1~第3のシャトル搬送部38,40,42とがプロセスフローの順に交互に並んで一列に配置されている。ここで、第1の枚葉搬送機構30は、タクト時間TSのサイクルで、その周囲第1のエリアに配置された1台または複数台の枚葉式洗浄ユニット44および1台または複数台の枚葉式パターンニングユニット46にアクセスして、各ユニットに基板Gの出し入れを1枚ずつ行う。第2の枚葉搬送機構32は、タクト時間TSのサイクルで、その周囲第2のエリアに配置された1台または複数台の枚葉式作用極成膜ユニット48および1台または複数台の熱処理ユニット50にアクセスして、各ユニットに基板Gの出し入れを1枚ずつ行う。第3の枚葉搬送機構34は、タクト時間TSのサイクルで、その周囲第3のエリアに配置された一対2台のバッチ式焼成ユニット52A,52Bにアクセスして、各ユニットに基板Gの出し入れを1枚ずつ行う。第4の枚葉搬送機構36は、タクト時間TSのサイクルで、その周囲第4のエリアに配置された1台または複数台の色素吸着ユニット54にアクセスして、アクセス先の各ユニットに基板Gの出し入れを1枚ずつ行う。第1の枚葉搬送機構30と第2の枚葉搬送機構32との間では、第1のシャトル搬送部38の上部/下部シャトルSU/SLを交互に用いて上流側30から下流側32に基板Gをタクト時間TSのサイクルで1枚ずつ搬送する。この場合、第1の枚葉搬送機構30は、上部/下部シャトルSU/SLのどちらかが積出位置FU/FLに滞在している間に基板Gを積めばよく、第2の枚葉搬送機構32の出方を気にしなくてよい。一方、第2の枚葉搬送機構32の方は、上部/下部シャトルSU/SLのどちらかが荷卸位置WU/WLに滞在している間に基板Gを卸せばよく、第1の枚葉搬送機構30側の状況を気にしなくてよい。同様の関係は、第2のシャトル搬送部40を挟んで基板Gをやりとりする第2の枚葉搬送機構32と第3の枚葉搬送機構34との間でも、および第3のシャトル搬送部42を挟んで基板Gをやりとりする第3の枚葉搬送機構34と第4の枚葉搬送機構36との間でも成立する。上流側の枚葉搬送機構は、上部/下部シャトルSU/SLのどちらかが積出位置FU/FLに滞在している間に基板Gを積めばよく、下流側の枚葉搬送機構は、上部/下部シャトルSU/SLのどちらかが荷卸位置WU/WLに滞在している間に基板Gを卸せばよい。したがって、上流側の枚葉搬送機構が基板Gjを積むタイミングと下流側の枚葉搬送機構が基板Giを卸すタイミングが一致していてもよく、多少ずれていてもよい。また、各々の枚葉搬送機構30,32,34,36は、各々の担当エリア内で基板Gの転送を行うために、搬送本体60U,60Lの昇降移動回転移動と搬送アームMU,MLの進退または伸縮移動を行えばよく、搬送本体60U,60Lの水平移動を必要としない。このため、各々の枚葉搬送機構30,32,34,36は、基板転送を高速かつ効率よく行えるうえ、パーティクルの発生または巻き上がりを少なくすることができる。一方、シャトル搬送部38,40,42は、基板Gを1枚積載するだけの軽量小型の荷台66を有する上部/下部シャトルSU/SLを一軸の搬送機構で水平移動させるだけなので、構造および動作が至って簡単であり、パーティクルを発生させることも少ない。さらに、各々のシャトル搬送部38,40,42は、同一構造および同一機能を有する上部シャトルSUおよび下部シャトルSLの定型動作積出滞在→往路移動→荷卸滞在→復路移動を逆サイクルまたは逆位相で繰り返し行えばよいので、搬送プログラムソフトウェアを著しく簡易化し低コスト化することができる。特に、この実施形態では、第1~第3のシャトル搬送部38,40,42の動作をすべて同期させているので、システム全体で搬送プログラムソフトウェアの一層の簡易化低コスト化さらには高スループットを実現することができる。また、この基板処理装置では、搬送ライン28に沿って枚葉式処理ユニット44,46,48,50,54およびバッチ式処理ユニット52A,52Bが混在して配置される。各枚葉搬送機構30,32,34,36は、各担当のエリア内に設けられる処理ユニットが枚葉式またはバッチ式のいずれであっても、一律にタクト時間TSのサイクルで基板Gを1枚ずつ出し入れまたは入れ替えする。これによって、搬送ライン28上の各部における基板の枚葉搬送がすべてタクト時間TSを基準周期として繰り返される。このことにより、枚葉式の処理ユニットとバッチ式の処理ユニットとが混在するシステムのインライン化を容易に構築することができる。なお、この基板処理装置において、搬送ライン28の最上流に位置する第1の枚葉搬送機構30は、定置の基板中継台20を介してローダ搬送機構18と基板Gを1枚ずつやり取りする。この場合、ローダ搬送機構18の搬送タスクは、枚葉搬送機構30の搬送タスクよりずっと少ないため、両者の間で基板Gの積み卸しが競合するのを容易に回避できる。また、ローダ搬送機構18がローダ12内でシステム幅方向Y方向に水平移動する際にパーティクルを発生し、あるいはパーティクルを巻き上げたとしても、プロセスステーション10の外のエリアであり、仮に未処理の基板Gにパーティクルが付着しても、第1工程の枚葉式洗浄ユニット44により除去されるので、支障はない。搬送ライン28の下流端側に設けられる定置の基板中継台26およびアンローダ搬送機構18にも同じことが当てはまる。[他の実施形態または変形例]上述した実施形態の基板処理装置において、ローダ12側の基板中継台2020U,20Lおよび/またはアンローダ14側の基板中継台2626U,26Lを上記シャトル搬送部38,40,42と同様のシャトル搬送部に置き換えることも可能である。上述した実施形態における基板処理装置の発展形として、たとえば図16に示すように、色素増感太陽電池図17の製造プロセスに使用する全ての処理ユニットを集約した処理システムを構築することも可能である。この処理システムでは、上記実施形態のように第1のプロセスステーション10により透明基板208側の第1積層アッセンブリ208/200/204を作製するとともに、第2のプロセスステーション110により対向基板210側の第2積層アッセンブリ210/205/202を作製し、貼り合わせユニット112において第1積層アッセンブリ208/200/204と第2積層アッセンブリ210/205/202とを貼り合わせるようにしている。ここで、第1のプロセスステーション10には、上記実施形態と同様に透明電極202がパターニングされる前のブランケットの透明導電層が形成されている透明基板208が未処理の基板Gとしてローダ12よりタクト時間TSのサイクルで投入される。一方、第2のプロセスステーション110には、下地電極205がパターニングされる前のブランケットの導電層たとえばFTOが形成されている対向基板210が未処理の基板Hとしてローダ114よりタクト時間TSのサイクルで投入される。ローダ114は、ローダ12と同様の構成および機能を有し、ローダ搬送機構116を備えている。第2のプロセスステーション110は、ローダ114から貼り合わせユニット112に向かってシステム長手方向X方向にまっすぐ延びる搬送ライン118を有し、この搬送ライン118を挟んでその左右両側に後述する多数および多種類の処理ユニット134~142Bを配置している。搬送ライン118上には、複数図示の例では3つの枚葉搬送機構120,122,124と複数3つのシャトル搬送部126,128,130とが交互に並んで一列に配置されている。より詳細には、第5の枚葉搬送機構120は、プロセスフローに関して搬送ライン118上の最上流に位置し、ローダ114に隣接する基板中継台132と第5のシャトル搬送部126とに挟まれている。この第5の枚葉搬送機構120の左右両側に広がる第1のエリアには、1枚ずつ基板Gの被処理面を洗浄するための1台または複数台の枚葉式洗浄ユニット134と、1枚ずつ基板Hの被処理面上のブランケットな導電層を下地電極205にパターニングするための1台または複数台の枚葉式パターニングユニット136がそれぞれ配置されている。第6の枚葉搬送機構122は、搬送ライン118上で第5の枚葉搬送機構120よりも下流側に位置し、第5のシャトル搬送部126と第6のシャトル搬送部128とに挟まれている。この第6の枚葉搬送機構122の左右両側に広がる第6のエリアには、1枚ずつ基板Hの被処理面上にたとえばカーボンからなる対向電極202を成膜たとえば印刷塗布するための1台または複数台の枚葉式対極成膜ユニット138と、1枚ずつ塗布後の基板Hの被処理面対向電極202をベーキングするための1台または複数台の枚葉式熱処理ユニット140がそれぞれ配置されている。第7の枚葉搬送機構124は、搬送ライン118上で第6の枚葉搬送機構122よりも下流側に位置し、第6のシャトル搬送部128と第7のシャトル搬送部130とに挟まれている。この第7の枚葉搬送機構124の左右両側に広がる第7のエリアには、基板H上の被処理面に形成されている対向電極202を複数枚たとえば100枚まとめて焼成するための一対のバッチ式焼成ユニット142A,142Bが配置されている。第5~第7の枚葉搬送機構120,122,124は、上記第1のプロセスステーション10における第1~第3の枚葉搬送機構30,32,34と同様の構成を有し、同様の作用を奏する。第5~第7のシャトル搬送部126,128,130は、上記第1のプロセスステーション10における第1~第3のシャトル搬送部38,40,42と同様の構成を有し、同様の作用を奏する。第2のプロセスステーション110においては、基板Hが搬送ライン118を下りながら第5~第7エリア内の所定の処理ユニットで一連の枚葉処理またはバッチ処理を順次受ける。そして、第2積層アッセンブリ210/205/202となった処理済みの基板Hは、タクト時間TSのサイクルで、第7のシャトル搬送部130の上部及び下部荷卸位置WU/WLから貼り合わせユニット112の搬送機構144に引き取られる。一方、第1のプロセスステーション10においては、上記実施形態のように基板Gが搬送ライン28を下りながら第1~第4エリア内の所定の処理ユニットで一連の枚葉処理またはバッチ処理を順次受ける。そして、第1積層アッセンブリ208/200/204となった処理済みの基板Gは、タクト時間TSのサイクルで、第4の枚葉搬送機構36に接続された第4のシャトル搬送部43の上部及び下部荷卸位置WU/WLから貼り合わせユニット112の搬送機構144に引き取られる。貼り合わせユニット112は、第1のプロセスステーション10より取り込んだ第1積層アッセンブリ208/200/204と第2のプロセスステーション110より取り込んだ第2積層アッセンブリ210/205/202とをたとえば接着剤を用いて貼り合わせて、一体的な積層アッセンブリ208/200/204/202/205/210を形成する。この一体化された積層アッセンブリ208/200/204/202/205/210は、次段の電解液注入ユニット146に送られ、このユニット146内で一体化積層アッセンブリの中に、より詳細には多孔質半導体微粒子層204と対向電極202との間に、電解液が注入される。最後に、次段の封止ユニット148において、電解液が漏れないように一体化積層アッセンブリに封止シールが施されて、最終製品である図17の色素増感太陽電池モジュールG/Hが得られる。この色素増感太陽電池モジュールG/Hは、アンローダ14からカセットCS単位で払い出しされる。なお、貼り合わせユニット112、電解液注入ユニット146および封止ユニット148の間では、本発明における枚葉搬送機構およびシャトル搬送部は使用されず、従来公知または周知の搬送機構図示せずによって基板または積層アッセンブリないし一体化積層アッセンブリ基板G/Hが1枚ずつ搬送される。別の変形例として、システムの仕様に応じて、いずれかのシャトル搬送部において、上部シャトルの往復動作積出往動移動荷卸復動移動と下部シャトルの往復動作積出往動移動荷卸復動移動とを独立または非同期で行わせることも可能である。上述したように、本発明においては、各枚葉搬送機構の周囲担当エリアに枚葉式またはバッチ式のいずれの処理ユニットを配置しても、搬送ライン上では一律に搬送タクトのサイクルで定型的な枚葉搬送または転送が行われる。したがって、上記実施形態のように枚葉式の処理ユニットとバッチ式の処理ユニットとが混在するシステムに限らず、システム内の全ての処理ユニットが枚葉式の処理ユニットであるようなインラインシステム、あるいはシステム内の全ての処理ユニットがバッチ式の処理ユニットであるようなインラインシステムにも本発明を適用することができる。さらには、インラインシステムに限らず、多数の処理ユニットをプロセスフローの順に概ね横に並べて配置する任意のシステムの一部または全体に本発明を適用することも可能である。したがって、本発明は、上記実施形態のような色素増感太陽電池の製造プロセス用の基板処理装置に限定されず、たとえば半導体デバイスやFPDを製造するための基板処理装置にも適用可能である。"