"ケイ素化合物とキャリアガスとの混合ガスである原料ガスを供給するソースノズルと、前記ソースノズルを中心として同心円上に所定の間隔をもって配置された、複数の支燃性ガス供給ノズルと、前記ソースノズル及び支燃性ガス供給ノズルを囲って収容し、前記ソースノズル及び支燃性ガス供給ノズルの間から可燃性ガスを供給する可燃性ガス供給ノズルと、を備えた合成シリカガラス製造用バーナにおいて、前記複数の支燃性ガス供給ノズルが、前記ソースノズルの中心線を中心軸とする仮想の円錐体の曲面上に、支燃性ガス供給ノズルの後端が仮想の円錐体の底面方向に、先端が仮想の円錐体の頂点方向に配置され、かつ、前記複数の支燃性ガス供給ノズルの先端が、支燃性ガス供給ノズルの後端に対して、夫々同一方向に所定角度回転した位置に配置されていることを特徴とする合成シリカガラス製造用バーナ。ケイ素化合物とキャリアガスとの混合ガスである原料ガスを供給するソースノズルと、前記ソースノズルを中心とした同心円上に設けられた、可燃性ガスを噴出するリング状の可燃性ガスノズルあるいは支燃性ガスを噴出する支燃性ガスノズルの少なくともいずれかのノズルと、前記可燃性ガスノズルあるいは支燃性ガスノズルの外側に、前記ソースノズルを中心として同心円上に所定の間隔をあけて配置された、複数の支燃性ガス供給ノズルと、前記複数の支燃性ガス供給ノズルを囲って収容し、前記複数の支燃性ガス供給ノズルの間から可燃性ガスを供給する可燃性ガス供給ノズルを備えた合成シリカガラス製造用バーナにおいて、前記複数の支燃性ガス供給ノズルが、前記ソースノズルの中心線を中心軸とする仮想の円錐体の曲面上に、支燃性ガス供給ノズルの後端が仮想の円錐体の底面方向に、先端が仮想の円錐体の頂点方向に配置され、かつ、前記複数の支燃性ガス供給ノズルの先端が、支燃性ガス供給ノズルの後端に対して、夫々同一方向に所定角度回転した位置に配置されていることを特徴とする合成シリカガラス製造用バーナ。前記請求項1乃至請求項2のいずれかに記載された合成シリカガラス製造用バーナと、前記合成シリカガラス製造用バーナに対向して回転可能に設置されたインゴット形成用のターゲットとを少なくとも備え、前記複数の支燃性ガス供給ノズルが配置される仮想の円錐体の頂点は、燃焼ガスの焦点であり、かつ前記複数の支燃性ガス供給ノズルの先端の回転方向が前記インゴット形成用のターゲットの回転方向と同一方向であることを特徴とする合成シリカガラス製造装置。ところで、特許文献1に記載された石英ガラス製バーナ60にあっては、図12に示すように、燃焼用リング状管62~65と燃焼用細管67とをテーパ構造とし、燃焼用リング状管62~65の焦点距離f2において、燃焼用リング状管62~65から噴射されたガスが合流するように構成され、また燃焼用細管67の焦点距離f1において、燃焼用細管67から噴射されたガスが合流するように構成されている。また前記燃焼用リング状管62~65の焦点距離f2は、燃焼用細管67の焦点距離f1より短くなるように構成され、インゴットの合成面インゴットの頂部において溶融シリカが付着する面は、前記燃焼ガス部分の焦点f1と、前記反応ガス部分の焦点f2との間に位置するようになされている。そのため、インゴットの合成面が前記燃焼ガス部分の焦点f1の近傍に位置している場合には、燃焼ガス部分による火炎が焦点f1で干渉し、火炎流や原料の流れに乱れが生じ、シリカガラス粉の堆積率低下や合成シリカガラスの品質にバラツキが生じるという課題があった。本発明は上述した事情を考慮してなされたものであり、ノズルから噴出した火炎の干渉を抑制し、火炎流や原料流の乱れを抑制することにより、シリカガラス粉の堆積率低下や合成シリカガラスの品質にバラツキを抑制した合成シリカガラス製造用バーナ及びそのバーナを用いた合成シリカガラス製造装置を提供することを目的とする。上述した目的を達成するため、本発明に係る合成シリカガラス製造用バーナは、ケイ素化合物とキャリアガスとの混合ガスである原料ガスを供給するソースノズルと、前記ソースノズルを中心として同心円上に所定の間隔をもって配置された、複数の支燃性ガス供給ノズルと、前記ソースノズル及び支燃性ガス供給ノズルを囲って収容し、前記ソースノズル及び支燃性ガス供給ノズルの間から可燃性ガスを供給する可燃性ガス供給ノズルと、を備えた合成シリカガラス製造用バーナにおいて、前記複数の支燃性ガス供給ノズルが、前記ソースノズルの中心線を中心軸とする仮想の円錐体の曲面上に、支燃性ガス供給ノズルの後端が仮想の円錐体の底面方向に、先端が仮想の円錐体の頂点方向に配置され、かつ、前記複数の支燃性ガス供給ノズルの先端が、支燃性ガス供給ノズルの後端に対して、夫々同一方向に所定角度回転した位置に配置されていることを特徴としている。このように、前記複数の支燃性ガス供給ノズルが特定の配置構成を有しているため、支燃性ガス供給ノズルから噴射された支燃性ガスは、仮想の円錐体の曲面に沿って円錐体の頂点方向に螺旋状に流下させることができる。この支燃性ガスの螺旋状の流れによって、バーナの焦点仮想の円錐体の頂点での火炎の衝突、干渉が抑制され、火炎流や原料の流れの乱れを抑制することができる。その結果、シリカガラス粉の堆積率低下や合成シリカガラスの品質にバラツキを抑制することができる。また、上述した目的を達成するため、本発明に係る合成シリカガラス製造用バーナは、ケイ素化合物とキャリアガスとの混合ガスである原料ガスを供給するソースノズルと、前記ソースノズルを中心とした同心円上に設けられた、可燃性ガスを噴出するリング状の可燃性ガスノズルあるいは支燃性ガスを噴出する支燃性ガスノズルの少なくともいずれかのノズルと、前記可燃性ガスノズルあるいは支燃性ガスノズルの外側に、前記ソースノズルを中心として同心円上に所定の間隔をあけて配置された、複数の支燃性ガス供給ノズルと、前記複数の支燃性ガス供給ノズルを囲って収容し、前記複数の支燃性ガス供給ノズルの間から可燃性ガスを供給する可燃性ガス供給ノズルを備えた合成シリカガラス製造用バーナにおいて、前記複数の支燃性ガス供給ノズルが、前記ソースノズルの中心線を中心軸とする仮想の円錐体の曲面上に、支燃性ガス供給ノズルの後端が仮想の円錐体の底面方向に、先端が仮想の円錐体の頂点方向に配置され、かつ、前記複数の支燃性ガス供給ノズルの先端が、支燃性ガス供給ノズルの後端に対して、夫々同一方向に所定角度回転した位置に配置されていることを特徴としている。この合成シリカガラス製造用バーナにおいても、前記したバーナと同様に、複数の支燃性ガス供給ノズルが特定の配置構成を有しているため、支燃性ガス供給ノズルから噴射された支燃性ガスは、仮想の円錐体の曲面に沿って円錐体の頂点方向に螺旋状に流下する。この支燃性ガスの螺旋状の流れによって、バーナの焦点仮想の円錐体の頂点での火炎の衝突、干渉が抑制され、火炎流や原料の流れの乱れを抑制することができる。その結果、シリカガラス粉の堆積率低下や合成シリカガラスの品質にバラツキを抑制することができる。ここで、上記した合成シリカガラス製造用バーナと、前記合成シリカガラス製造用バーナに対向して回転可能に設置されたインゴット形成用のターゲットとを少なくとも備え、前記複数の支燃性ガス供給ノズルが配置される仮想の円錐体の頂点は、燃焼ガスの焦点であり、かつ前記複数の支燃性ガス供給ノズルの先端の回転方向が、前記インゴット形成用のターゲットの回転方向と同一方向であることが望ましい。本発明によれば、ノズルから噴出した火炎の干渉を抑制し、火炎流や原料流の乱れを抑制することにより、シリカ粉の堆積率低下や合成シリカガラスの品質にバラツキを抑制した合成シリカガラス製造用バーナ、及びそのバーナを用いた合成シリカガラス製造装置を得ることができる。本発明にかかる合成シリカガラス製造用バーナ及びそのバーナを用いた合成シリカガラス製造装置の実施形態について、図1乃至図5に基づいて説明する。尚、図1は、本発明に係る合成シリカガラス製造用バーナを用いた合成シリカガラス製造装置の概略断面図、図2は、本発明にかかる合成シリカガラス製造用バーナのノズルを示す平面図、図3は図2に示すI-I断面図、図4は、図2における一つのノズル3Cの配置状態側面を示す模式図、図5は、図2における一つのノズル3Cの配置状態正面を示す模式図である。図1に示すように、本発明の合成シリカガラス製造装置1は、下部が大気に常時開放されている炉体2を備えている。この炉体2は耐火物からなり、その頂部にシリカガラス製造用のバーナ3が設置されている。尚、前記炉体2の水平断面は円形に形成されている。また、前記炉体2の内部には、前記バーナ3に対向して設けられ、回転可能に設置されたインゴット形成用のターゲット4と、前記ターゲット4を回転及び昇降するインゴット昇降軸5が設けられている。更に、炉体2の下部には、ターゲット4に堆積されなかったシリカ微粒子を排気する排気口6が設けられている。また、前記排気口6には排気管7が接続され、この排気管7に排気ファン8が設けられている。尚、図1中、符号10は、ターゲット4上に形成されたインゴットであり、10aは、その合成面溶融シリカが付着する面である。次に、本発明にかかる合成シリカガラス製造用バーナ3のノズル構造について説明する。図2に示すように、このバーナ3は、原料とするケイ素化合物、例えば四塩化ケイ素SiCl4と、キャリアガス、例えば酸素O2との混合ガスである原料ガスを供給する円筒管3aからなるソースノズル3Aと、このソースノズル3Aを中心部に収容し、可燃性ガスである水素H2ガスを供給する円筒管3bからなるノズル3B可燃性ガスノズルとを有している。尚、前記ノズル3Bは、前記円筒管3aと円筒管3bとの間の空間から水素ガスを噴出するノズルとして機能する。また、ノズル3Bの内部には、ソースノズル3Aを囲うように、同心円上に複数図では4本の円筒管3cからなるノズル3C支燃性ガスノズルが設けられ、これらのノズル3Cから支燃性ガスである酸素O2ガスが供給されるように構成されている。前記複数のノズル3Cは、前記ソースノズル3Aの周りに形成された仮想同心円C1上に所定の間隔をあけて配置されている。尚、図2においては、ノズル3Cを、前記ソースノズル3Aの周りに一重の仮想の同心円C1上に配置した場合を示したが、ノズル3Cを数多く設け、複数の仮想の同心円上に配置しても良い。前記複数のノズル3Cは、図4、図5に示すように、前記ソースノズル3Aの中心線を中心軸Yとする仮想の円錐体Xの曲面X1上に、ノズル3Cの後端が仮想の円錐体の底面X2方向に、先端が仮想の円錐体Xの頂点X3方向に配置されている。即ち、各ノズル3Cは、図3、図4に示すように酸素ガスが仮想の円錐体Xの頂点X3バーナの焦点F方向に向けて噴出されるように、前記円錐体Xの母線と中心軸Yとのなす角が角度θ1に形成された仮想の円錐体Xの曲面X1上に配置されている。この角度θ1は、4度~7度が好ましい。この角度θ1が4度未満の場合には、溶融部の温度が上がらないため、好ましくない。一方、この角度θ1が7度を超える場合には乱流が起きるため、好ましくない。また、各ノズル3Cの仮想の円錐体Xの頂点X3焦点Fは、バーナ3の中心軸の延長上にあるターゲット4インゴット10形成中は溶融シリカが付着する合成面10aの近傍に位置するように制御される。好ましくは、各ノズル3Cの仮想の円錐体Xの頂点X3焦点Fがターゲット4インゴット10形成中は溶融シリカが付着する合成面10aに位置するように制御する。更に、各ノズル3Cは、図5に示すようにターゲット4インゴット10の回転方向に角度θ2をもって傾けて配置されている。即ち、各ノズル3Cの先端がノズル3Cの後端に対して、夫々同一方向に所定角度θ2回転した位置に配置されている。この角度θ2は、0.5度~5度が好ましい。この角度θ2が0.5度未満の場合には、旋廻流が生じない。また火炎が干渉するため、好ましくない。一方、この角度θ2が5度を超える場合には火炎が広がり乱流が起きるため、好ましくない。このように、前記ノズル3Cが特定の配置構成を有しているため、ノズル3Cから噴射された酸素ガスは、仮想の円錐体Xの曲面X1に沿って円錐体の頂点X3焦点F方向に螺旋状に流下する。この酸素ガスの螺旋状の流れによって焦点F円錐体の頂点X3での火炎の衝突、干渉が抑制され、火炎流や原料の流れの乱れを抑制することができる。その結果、シリカガラス粉の堆積率低下や合成シリカガラスの品質にバラツキを抑制することができる。また、前記ソースノズル3Aから供給される原料ガスの流速は、10~50m/secの範囲で所定値に設定され、各ノズル3Cから供給される酸素ガスの流速は、3~25m/secの範囲で所定値に設定される。また、ノズル3Bから供給される水素ガスの流速は、1~5m/secの範囲で所定値に設定される。また、ターゲット4は、1~10rpmで回転するように設定されている。前記バーナ3のソースノズル3Aから供給される原料ガスの流速と、各ノズル3Cから供給される酸素ガスの流速と、ノズル3Bから供給される水素ガスの流速との設定において、原料ガスの流速が酸素ガスの流速より速く、酸素ガスの流速が水素ガスの流速より速くなるよう制御がなされる。これにより、原料ガスと、火炎加水分解により生成されたシリカガラス微粒子との対流及び拡散が抑制され、ターゲットへの合成シリカガラス微粒子の捕捉率が向上し、高収率且つ速い合成速度でインゴットを製造することができる。次に、本発明にかかる第2の実施形態について図6乃至図9に基づいて説明する。図6に示しように、合成シリカガラス製造用バーナ10の反応ガス部分は、充分な反応温度に上がるように、Si化合物等の原料ガスを噴出する原料用円状管11と、原料ガスと反応させ石英ガラス粉を得るための可燃性ガス水素ガス、支燃性ガス酸素ガスを噴出する複数の燃焼用リング状管12~14とで構成された、いわゆる三重管構造になされている。即ち、原料用円状管11によってソースノズル11Aが構成され、燃焼用リング状管12によって可燃性ガス水素ガスノズル12Aが構成され、燃焼用リング状管13によって支燃性ガス酸素ガスノズル13Aが構成され、燃焼用リング状管14によって可燃性ガス水素ガスノズル14Aが構成されている。尚、特許文献1に記載されたように、燃焼用リング状管を更に設けることによって五重管構造になしても良い。また、前記石英ガラス製バーナ10の燃焼ガス部分は、可燃性ガス水素ガスを噴出する最外部の燃焼用リング状管15と、支燃性ガス酸素ガスを噴出する燃焼用細管16とで構成されている。即ち、燃焼用リング状管15によって可燃性ガス水素ガスノズル15Aが構成され、燃焼用細管16によって支燃性ガス酸素ガスノズル16Aが構成されている。前記複数のノズル16Aは、前記ソースノズル11Aの周りに形成された仮想同心円C2上に所定の間隔をあけて配置されている。尚、図6においては、ノズル16Aを、前記ソースノズル11Aの周りに一重の仮想同心円C2上に配置した場合を示したが、ノズル16Aを数多く設け、複数の仮想同心円上に配置しても良い。前記複数のノズル16Aは、図7乃至図9に示すように、前記ソースノズル16Aの中心線を中心軸Yとする仮想の円錐体Xの曲面X1上に、ノズル3Cの後端が仮想の円錐体の底面X2方向に、先端が仮想の円錐体Xの頂点X3方向に配置されている。即ち、各ノズル16Aは、図7、図8に示すように酸素ガスが仮想の円錐体Xの頂点X3バーナの焦点F方向に向けて噴出されるように、前記円錐体Xの母線と中心軸Yとのなす角が角度θ3に形成された仮想の円錐体Xの曲面X1上に配置されている。この角度θ3は、4度~7度が好ましい。この角度θ3が4度未満の場合には、溶融部の温度が上がらないため、好ましくない。一方、この角度θ3が7度を超える場合には乱流が起きるため、好ましくない。また、各ノズル16Aの仮想の円錐体Xの頂点X3焦点Fは、バーナ3の中心軸の延長上にあるターゲット4インゴット10形成中は溶融シリカが付着する合成面10aの近傍に位置するように制御される。好ましくは、各ノズル16Aの仮想の円錐体Xの頂点X3焦点Fがターゲット4インゴット10形成中は溶融シリカが付着する合成面10aに位置するように制御する。更に、各ノズル16Aは、図9に示すようにターゲット4インゴット10の回転方向に角度θ4をもって傾けて配置されている。即ち、各ノズル16Aの先端がノズル16Aの後端に対して、夫々同一方向に所定角度θ4回転した位置に配置されている。この角度θ4は、0.5度~5度が好ましい。この角度θ4が0.5度未満の場合には、旋廻流が生じない。また火炎が干渉するため、好ましくない。一方、この角度θ4が5度を超える場合には火炎が広がり乱流が起きるため、好ましくない。また、このバーナ10にあっては、図7に示すように、従来のバーナ60と同様に、ガラス化反応を促進し、合成面の温度を上げ捕捉を補助し、かつ合成面の温度分布がひとつの極値を持つと同時に中央対称にするために、燃焼用リング状管12~15をテーパ構造と磨ると共に、燃焼用細管16を角度θ3に形成された仮想の円錐体Xの曲面X1上に配置し、更に燃焼用リング状管12~15の焦点距離F2を燃焼用細管67の焦点距離F1より短くすることにより、バーナ60の反応ガス部分の焦点F2が合成面10aよりも手前になるようにしている。このように、複数のノズル16Aから酸素ガスが螺旋状に噴出されるため、可燃性ガスと支燃性ガスの反応が促進され燃焼効率が向上し、溶融シリカが付着する合成面は高温で均一な温度分布となる。また、バーナの焦点に向けて噴出する火炎が焦点位置で干渉しないため火炎流の乱れや原料の乱れを防ぐことができる。その結果、脈理などのない屈折率の均一な合成シリカガラスが得られ、さらに原料の分散を防ぐことが可能となることから合成シリカガラス粉の堆積率の向上を図ることができる。また、前記バーナにあっては燃焼用リング状管12~15を有するため、大火力が得られ、炉内温度を上げると同時に原料ガスを効率よく反応させ、石英ガラス粉の堆積速度を増加させることができる。また、燃焼用リング状管12~15と同心円の円周上に、ノズル16Aが等間隔に複数本配置されているので、理想的な温度分布極値がひとつの中央対称で緩やかな球面状の温度分布を持った安定な火炎が得られる。これにより、脈理が無く入射光軸を含む断面に極値がひとつで中央対称な屈折率分布を持つシリカガラスの合成が可能となった。また、前記した第1の実施の形態と同様に、バーナ10の反応ガス部分であるソースノズル11Aから供給される原料ガスの流速は、10~50m/secの範囲で所定値に設定される。また、ノズル12Aから供給される水素ガスの流速は、0.5~4m/secの範囲で所定値に設定される。また、ノズル13Aから供給される酸素ガスの流速は、1~5m/secの範囲で所定値に設定される。更に、ノズル14Aから供給される水素ガスの流速は、0.5~4m/secの範囲で所定値に設定される。また、バーナ10の燃焼ガス部分であるノズル15Aから供給される水素ガスの流速は、1~5m/secの範囲で所定値に設定される。また、ノズル16Aから供給される酸素ガスの流速は、3~25m/secの範囲で所定値に設定される。尚、このノズル15Aから供給する水素ガスの流速は、ノズル15A内に収容されたノズル12A、14Aから供給する水素ガスの流速以上即ち、内径側より外径側の水素ガス流速が速いようにに設定される。複数のノズル16Aから供給する酸素ガスの流速は、ノズル13Aから供給する酸素ガスの流速以下即ち、外径側より内径側の酸素ガス流速が速いようにに設定される。さらに、原料ガスの流速は酸素ガスの流速より速く、酸素ガスの流速は水素ガスの流速より速くなるように設定される。これにより、原料ガスと、火炎加水分解により生成されたシリカ微粒子との対流及び拡散が、より抑制され、ターゲットへの合成シリカガラス微粒子の捕捉率が向上する。したがって、この第二の実施の形態によれば、高収率且つ速い合成速度でインゴットを製造することができる。実施例1図1に示すように、バーナ中心に配された原料噴出部と、それを中心とする円周上に等間隔に複数の酸素用ノズルを配し円周上に2列に配置、その外周には水素ガスを噴出する円筒状の外管を備えた石英ガラス製バーナにおいて、図4に示すθ1が6度の仮想円錐体の曲面状に配置された酸素用ノズルを、図5に示すように同一円周上で同じ方向に0.5度θ2傾けた石英ガラス製バーナを用いて,中心の原料噴出管からは原料ガスとしてSiCl4ガスと酸素ガスとの混合ガスを流量5~20l/minで噴出させた。バーナ外周の円筒状外管からは流量200~300l/minの水素ガスを、複数の酸素用ノズルは円周上に2列に配置されており、流量100~170l/minの酸素ガスを供給し、石英ガラスを合成した。その結果、脈理、泡の混入も無く、口径がφ250mmの合成シリカガラスインゴットを得ることができた。また、そのときの合成シリカガラス粉の堆積率は90であった。実施例2図1に示すように、バーナ中心に配された原料噴出部と、それを中心とする円周上に等間隔に複数の酸素用ノズルを配し円周上に2列に配置、その外周には水素ガスを噴出する円筒状の外管を備えた石英ガラス製バーナにおいて、図4に示すθ1が6度の仮想円錐体の曲面状に配置された酸素用ノズルを、図5に示すように酸素用ノズルを同一円周上で同じ方向に5度θ2傾けた石英ガラス製バーナを用いて,中心の原料噴出管からは原料ガスとしてSiCl4ガスと酸素ガスとの混合ガスを流量5~20l/minで噴出させた。バーナ外周の円筒状外管からは流量200~300l/minの水素ガスを、複数の酸素用ノズルは円周上に2列に配置されており、流量100~170l/minの酸素ガスを供給し、石英ガラスを合成した。その結果、脈理、泡の混入も無く、口径がφ250mmの合成シリカガラスインゴットを得ることができた。また、そのときの合成シリカガラス粉の堆積率は85であった。実施例3バーナ中心に配された原料噴出部と、その外側に同心円状に配置された2つのリング状の水素ガス噴出部を備える多重構造の石英ガラス製バーナにおいて、バーナの外周の水素ガス噴出用リング管内に複数の酸素用ノズルを円周上に2列に配置し、また酸素用ノズルを、図4に示すθ1が6度の仮想円錐体の曲面状に配置し、更に図5に示すように酸素用ノズルを同一円周上で同じ方向に5度θ2傾けた石英ガラス製バーナを用いた。そして、石英ガラス製バーナの中心の原料噴出管からは原料ガスとしてSiCl4ガスと酸素ガスとの混合ガスを流量5~20l/minで噴出させた。バーナ内周の水素ガス噴出用リング管からは流量30~80l/minの水素ガスを、バーナ外周の水素ガス噴出用リング管からは流量150~240l/minの水素ガスを、複数の酸素用ノズルは円周上に2列に配置されており、流量100~170l/minの酸素ガスを供給し、石英ガラスを合成した。その結果、脈理、泡の混入も無く、口径がφ250mmの合成シリカガラスインゴットを得ることができた。また、そのときの合成シリカガラス粉の堆積率は90であった。比較例1バーナ中心に配された原料噴出部と、それを中心とする円周上に等間隔に複数の酸素用ノズルを配し、その外周には水素ガスを噴出する円筒状の外管を備えた石英ガラス製バーナにおいて、前記酸素用ノズルを、図4に示すθ1が6度の仮想円錐体の曲面状に配置し、更に酸素用ノズルの先端を仮想円錐体の先端に向けて配置し図5に示すθ2は0度、バーナ中央に焦点を結ぶように配置した。そして、この石英ガラス製バーナを用いて、その中心の原料噴出管からは原料ガスとしてSiCl4ガスと酸素ガスとの混合ガスを流量5~20l/minで噴出させた。バーナ外周の円筒状外管からは流量200~300l/minの水素ガスを、複数の酸素用ノズルは円周上に2列に配置されており、流量100~170l/minの酸素ガスを供給し、石英ガラスを合成した。その結果、泡の混入も無く、口径がφ250mmの合成シリカガラスインゴットを得ることができたが、強い脈理が発生し、そのときの合成シリカガラス粉の堆積率は65であった。比較例2バーナ中心に配された原料噴出部と、その外側に同心円状に配置された2つのリング状の水素ガス噴出部を備える多重構造の石英ガラス製バーナにおいて、バーナの外周の水素ガス噴出用リング管内に複数の酸素用ノズルを円周上に2列に配置し、また酸素用ノズルを、図4に示すθ1が6度の仮想円錐体の曲面状に配置し、更に酸素用ノズルの先端を仮想円錐体の先端に向けて配置し図5に示すθ2は0度、バーナ中央に焦点を結ぶように配置した。そして、石英ガラス製バーナの中心の原料噴出管からは原料ガスとしてSiCl4ガスと酸素ガスとの混合ガスを流量5~20l/minで噴出させた。バーナ内周の水素ガス噴出用リング管からは流量30~80l/minの水素ガスを、バーナ外周の水素ガス噴出用リング管からは流量150~240l/minの水素ガスを、複数の酸素用ノズルは円周上に2列に配置されており、流量100~170l/minの酸素ガスを供給し、石英ガラスを合成した。その結果、泡の混入も無く、口径がφ250mm以上の合成シリカガラスインゴットを得ることができたが、弱い脈理が発生し、そのときの合成シリカガラス粉の堆積率は70であった。以上の実施例の結果、本発明に係る合成シリカガラス製造用バーナを用いることにより、原料ガス及び生成したシリカ微粒子の対流及び拡散を抑制することができ、合成速度を大きくしても収率が向上することを確認した。"