被処理基板に対面するように構成された支持面と、前記被処理基板の中心を含む中央部に接触して前記被処理基板を保持するために、前記支持面に設けられるように構成された静電チャックとを具備する基板搬送装置。請求項1に記載の基板搬送装置であって、前記静電チャックは、前記支持面から突出して設けられている基板搬送装置。請求項1又は2に記載の基板搬送装置であって、前記静電チャックの代表長さが、前記被処理基板の代表長さの1/4以下である基板搬送装置。請求項1又は2に記載の基板搬送装置であって、前記静電チャックの形状が円形状の平面形状である基板搬送装置。請求項4に記載の基板搬送装置であって、前記被処理基板の前記中央部の周囲に接触して前記被処理基板を保持するために、前記静電チャックの周囲に前記支持面から突出して設けられ、前記支持面から突出する方向で移動可能であるように構成された保持体をさらに具備する基板搬送装置。被処理基板に対面するように構成された支持面と、前記被処理基板の中心を含む中央部に接触して前記被処理基板を保持するために、前記支持面から突出して設けられるように構成された静電チャックと、前記被処理基板の前記中央部の周囲に接触して前記被処理基板を保持するために、前記静電チャックの周囲に前記支持面から突出して設けられ、前記支持面から突出する方向で移動可能であるように構成された保持体とを具備する基板搬送装置。請求項5に記載の基板搬送装置であって、前記保持体は、前記被処理基板を保持する本体と、前記本体を前記支持面から突出する向きに付勢する付勢部材とを有する基板搬送装置。請求項6に記載の基板搬送装置であって、前記静電チャックは、前記被処理基板と接触する第1の接触面を有し、前記本体は、前記被処理基板と接触する第2の接触面を有し、前記静電チャック及び前記本体により前記被処理基板が保持されない状態において、前記支持面に対する前記第2の接触面の高さが、前記支持面に対する前記第1の接触面の高さよりも大きい基板搬送装置。請求項7に記載の基板搬送装置であって、前記支持面は、円形状を有する前記被処理基板と対面し、前記静電チャックは、前記被処理基板の前記中心に接触する接触中心部を有し、前記保持体は、前記接触中心部を中心とする同一円上に複数設けられる基板搬送装置。被処理物に対面するように構成された支持面と、前記被処理物の中心を含む中央部に接触して前記被処理物を保持するために、前記支持面に設けられるように構成された静電チャックとを具備する保持装置。被処理物に対面するように構成された支持面と、前記被処理物の中心を含む中央部に接触して前記被処理物を保持するために、前記支持面から突出して設けられるように構成された静電チャックと、前記被処理物の前記中央部の周囲に接触して前記被処理物を保持するために、前記静電チャックの周囲に前記支持面から突出して設けられ、前記支持面から突出する方向で移動可能であるように構成された保持体とを具備する保持装置。しかしながら特許文献1に記載のゴム製の滑り止めパッドでは、300~500°C程度の高温状態において変質や変形が発生してしまい、搬送される基板の滑りが適切に抑制されなくなる。また200°C以下の状態でも、ゴム製の滑り止めパッドの粘着性により基板がパッドに貼り付いてしまう問題がある。これにより処理室間での基板の受け渡しの際に、基板が適切な位置に搬送されないことや、基板が損傷してしまうことが起こる。また特許文献2に記載のウエハ搬送ブレードでは、ブレード上に設けられた静電チャックにより、搬送される基板の裏面全体が支持される。そうすると処理工程中の温度等の影響により基板に反りが発生した場合に、ブレードが基板を保持する力が低下してしまう。以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、被処理基板に反りが発生した場合でも、処理温度に影響されることなく、被処理基板を十分に保持することができる基板搬送装置、及び保持装置を提供することにある。上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る基板搬送装置は、支持面と、静電チャックとを具備する。前記支持面は、被処理基板に対面するように構成される。前記静電チャックは、前記被処理基板の中心を含む中央部に接触して前記被処理基板を保持するために、前記支持面に設けられるように構成される。本発明の他の形態に係る基板搬送装置は、支持面と、静電チャックと、保持体とを具備する。前記支持面は、被処理基板に対面するように構成される。前記静電チャックは、前記被処理基板の中心を含む中央部に接触して前記被処理基板を保持するために、前記支持面から突出して設けられるように構成される。前記保持体は、前記被処理基板の前記中央部の周囲に接触して前記被処理基板を保持するために、前記静電チャックの周囲に前記支持面から突出して設けられ、前記支持面から突出する方向で移動可能であるように構成される。本発明の一形態に係る保持装置は、支持面と、静電チャックとを具備する。前記支持面は、被処理物に対面するように構成される。前記静電チャックは、前記被処理物の中心を含む中央部に接触して前記被処理物を保持するために、前記支持面に設けられるように構成される。本発明の他の形態に係る保持装置は、支持面と、静電チャックと、保持体とを具備する。前記支持面は、被処理物に対面するように構成される。前記静電チャックは、前記被処理物の中心を含む中央部に接触して前記被処理物を保持するために、前記支持面から突出して設けられるように構成される。前記保持体は、前記被処理物の前記中央部の周囲に接触して前記被処理物を保持するために、前記静電チャックの周囲に前記支持面から突出して設けられ、前記支持面から突出する方向で移動可能であるように構成される。本発明の一実施形態に係る基板搬送装置は、支持面と、静電チャックとを具備する。前記支持面は、被処理基板に対面するように構成される。前記静電チャックは、前記被処理基板の中心を含む中央部に接触して前記被処理基板を保持するために、前記支持面に設けられるように構成される。この基板搬送装置では、被処理基板が静電チャックにより保持されるので、処理温度に影響されることなく被処理基板を十分に保持することができる。また被処理基板に反りが発生した場合でも、反りによる変形が少ない中央部が静電チャックにより保持されるので、反りによる変形の影響を受けずに被処理基板を十分に保持することができる。前記静電チャックは、前記支持面から突出して設けられていてもよい。これにより例えば被処理基板が凸状に反った場合でも、十分に被処理基板を保持することができる。前記静電チャックの代表長さが、前記被処理基板の代表長さの1/4以下であってもよい。これにより静電チャックを形成するためのコストを抑えることができる。前記静電チャックの形状が円形状の平面形状であってもよい。これにより、被処理基板に反りが発生した場合でも、被処理基板と静電チャックとが効率よく接触するので、被処理基板を十分に保持ことができる。前記基板搬送装置は、前記被処理基板の前記中央部の周囲に接触して前記被処理基板を保持するために、前記静電チャックの周囲に前記支持面から突出して設けられ、前記支持面から突出する方向で移動可能であるように構成された保持体をさらに具備してもよい。この基板搬送装置では、被処理基板の中央部の周囲が保持体により保持される。保持体は突出方向に移動可能であるので、反りによる変形に合わせて被処理基板を十分に保持することができる。本発明の他の実施形態に係る基板搬送装置は、支持面と、静電チャックと、保持体とを具備する。前記支持面は、被処理基板に対面するように構成される。前記静電チャックは、前記被処理基板の中心を含む中央部に接触して前記被処理基板を保持するために、前記支持面から突出して設けられるように構成される。前記保持体は、前記被処理基板の前記中央部の周囲に接触して前記被処理基板を保持するために、前記静電チャックの周囲に前記支持面から突出して設けられ、前記支持面から突出する方向で移動可能であるように構成される。この基板搬送装置では、被処理基板が静電チャックにより保持されるので、処理温度に影響されることなく被処理基板を十分に保持することができる。また被処理基板に反りが発生した場合でも、反りによる変形が少ない中央部が静電チャックにより保持され、中央部の周囲が保持体により保持される。保持体は突出方向に移動可能であるので、反りによる変形に合わせて被処理基板を十分に保持することができる。前記保持体は、前記被処理基板を保持する本体と、前記本体を前記支持面から突出する向きに付勢する付勢部材とを有してもよい。これにより被処理基板に反りが発生した場合でも、保持体が有する本体により被処理基板の中央部の周囲を十分に保持することができる。前記静電チャックは、前記被処理基板と接触する第1の接触面を有してもよい。また前記本体は、前記被処理基板と接触する第2の接触面を有してもよい。この場合、前記静電チャック及び前記本体により前記被処理基板が保持されない状態において、前記支持面に対する前記第2の接触面の高さが、前記支持面に対する前記第1の接触面の高さよりも大きくてもよい。これにより、被処理基板が凸状に反った場合及び凹状に反った場合のいずれの場合でも、保持体の本体により被処理基板の中央部の周囲を十分に保持することができる。前記支持面は、円形状を有する前記被処理基板と対面してもよい。この場合、前記静電チャックは、前記被処理基板の前記中心に接触する接触中心部を有してもよい。また前記保持体は、前記接触中心部を中心とする同一円上に複数設けられてもよい。これにより、被処理基板の中心から同じ距離の位置に保持体が複数設けられるので、被処理基板に反りが発生した場合でも、被処理基板の反りによる変形量が略同等である箇所を保持体によって確実に保持することができる。本発明の一実施形態に係る保持装置は、支持面と、静電チャックとを具備する。前記支持面は、被処理物に対面するように構成される。前記静電チャックは、前記被処理物の中心を含む中央部に接触して前記被処理物を保持するために、前記支持面に設けられるように構成される。本発明の他の実施形態に係る保持装置は、支持面と、静電チャックと、保持体とを具備する。前記支持面は、被処理物に対面するように構成される。前記静電チャックは、前記被処理物の中心を含む中央部に接触して前記被処理物を保持するために、前記支持面から突出して設けられるように構成される。前記保持体は、前記被処理物の前記中央部の周囲に接触して前記被処理物を保持するために、前記静電チャックの周囲に前記支持面から突出して設けられ、前記支持面から突出する方向で移動可能であるように構成される。以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。<第1の実施形態>図1は、本発明の第1の実施形態に係る基板搬送装置を示す模式的な斜視図である。基板搬送装置100は、駆動部50と、駆動部50に連結された多関節アーム60と、多関節アーム60の先端に連結されたエンドエフェクタ1を有している。エンドエフェクタ1には、被処理基板としての半導体ウエハ2が載置される。駆動部50により多関節アーム60が回転及び伸縮するように駆動されることで、エンドエフェクタ1に載置された半導体ウエハ2が搬送される。なお、真空中において半導体ウエハ2が搬送されてもよいし、大気中において半導体ウエハ2が搬送されてもよい。本実施形態では、基板搬送装置100により、円形状を有する半導体ウエハ2が搬送される。半導体ウエハ2の直径は300mmであり、厚みは0.775mmである。しかしながら半導体ウエハ2の大きさや形状がこれに限定されるわけではない。また、搬送される被処理基板として半導体ウエハ2に限定されるわけではなく、被処理基板の材質、形状、大きさ、厚み等は適宜設定可能である。図2は、図1に示すエンドエフェクタ1を示す模式的な図である。図2Aはエンドエフェクタ1の平面図であり、図2Bは図2AのA-A線における断面図である。エンドエフェクタ1は、半導体ウエハ2を支持する支持部材3と、支持部材3に設けられた静電チャック4と、保持部としての保持ピン5を有する。支持部材3の材料としては、例えばアルミナ等のセラミックスやステンレス鋼等が用いられる。図2Aに示すように、支持部材3は、基部6と、基部6から延在する2本のフィンガー部7と、2本のフィンガー部7の間に配置された台部8とを有する。基部6及びフィンガー部7には、載置される半導体ウエハ2のエッジ部2aに沿って段差9が形成される。この円弧状に形成された段差9により、半導体ウエハ2を収容する凹部10が形成される。凹部10内における基部6、フィンガー部7及び台部8のそれぞれの上面は、同一平面上に位置し、従って上記各上面により構成される凹部10の底面11は平面状となる。この凹部10の底面11は、載置される半導体ウエハ2と対面する支持面に相当する以下、底面11を支持面11と記載する。また段差9は、段差9と半導体ウエハ2とが接触しない位置に、すなわち凹部10の平面形状が半導体ウエハ2の平面形状よりも大きくなる位置に形成される。本実施形態では、平面的に見た凹部10の直径は302mmであり、支持部材3の凹部10に対応する領域の厚みは1.8mmである。また凹部10に対応する領域以外の基部6の厚みは4mmであり、凹部10に対応する領域以外のフィンガー部7の厚みは3mmである。しかしながら、上記各寸法は適宜設定されてよい。静電チャック4は、支持面11を構成する台部8の上面から突出するように、台部8に設けられる。図2Aに示すように、静電チャック4は、載置される半導体ウエハ2の中心2bを含む中心部2cに接触して、半導体ウエハ2を保持する。すなわち台部8は、静電チャック4が半導体ウエハ2の中心部2cに接触するように、位置や形状が適宜設定されている。静電チャック4は、例えば蒸着やプリント技術を使って、例えば銅、アルミニウム又は金からなる薄膜電極を形成した後、その電極を例えばスパッタリング技術等により電気的絶縁体で覆うことにより形成される。電気的絶縁体としては、ポリイミド、炭化ケイ素セラミックス、アルミナ、窒化アルミニウム等が用いられる。本実施形態では、電気絶縁体の材料として、支持部材3の材料と同じアルミナが用いられる。これにより、例えば半導体ウエハ2に対する処理工程中の温度が300~500°Cといった高温状態になっても、静電チャック4の電気的絶縁体に変質や変形が発生することを抑制することができる。従って静電チャック4により、適正に半導体ウエハ2を保持することができる。また静電チャック4から放出されるガスを低減することができるので、例えば真空中において半導体ウエハ2が搬送される場合に、その真空雰囲気がガスにより汚染されることを防止することができる。また本実施形態では、円弧上の薄膜電極が台部8に形成され、図2Aに示すように円形状の平面形状を有する静電チャック4が設けられる。これにより、円形状の半導体ウエハ2に反りが発生した場合でも、半導体ウエハ2と静電チャック4とが効率よく接触するので、半導体ウエハ2を十分に保持ことができる。しかしながら静電チャック4の形成方法や、用いられる材料、静電チャック4の平面形状等は適宜設定されてよく、例えば以下の実施形態で説明するような、平面形状が略矩形状である静電チャックが用いられてもよい。その他、楕円形状や多角形状等の平面形状を有する静電チャックが用いられてもよい。静電チャック4は、薄膜電極への電圧の印加が制御されることにより、半導体ウエハ2を保持するための保持力を適宜制御することが可能なものである。ここでいう保持力の制御とは、保持力があるかないか、つまり薄膜電極への印加電圧をON/OFF制御する形態に限られず、保持力を可変に制御する形態も含む。保持ピン5は、半導体ウエハ2の中心部2cの周囲の領域2dに接触して半導体ウエハ2を保持することが可能な位置に、支持面11から突出して形成される。本実施形態では、静電チャック4の中心部12を中心とする円O上に、3つの保持ピン5が形成される。静電チャック4の中心部12は、半導体ウエハ2の中心2bに接触する接触中心部に相当する。図2Aに示すように、3つの保持ピン5は、静電チャック4の中心部12を基準として、120度の等間隔で配置されている。また図2Bに示すように、保持ピン5は、支持面11に形成された取り付け孔13に嵌め込まれるようにして設けられている。そして保持ピン5は、取り付け孔13に沿って、保持ピン5が支持面11から突出する方向図2に示すz方向に移動可能なように設けられる。これら保持ピン5の材料としては、アルミナ等のセラミックスが用いられる。しかしながら、支持部材3に対する保持ピン5が形成される位置、保持ピン5の数や材料等は適宜設定されてよい。図3は、本実施形態に係る静電チャック4と保持ピン5とを詳しく説明するための図であり、図2Aに示すB-B線における断面図である。図3では、エンドエフェクタ1に半導体ウエハ2が載置されない状態、すなわち静電チャック4及び保持ピン5により半導体ウエハ2が保持されない状態が図示されている。上記したように、静電チャック4は支持面11から突出するように台部8に設けられる。従って図3に示すように、半導体ウエハ2と接触する静電チャック4の接触面14は、支持面11から高さH1の位置に配置される。高さH1は、搬送される半導体ウエハ2の反り量を考慮して適宜設定されればよく、詳しくは後述する。保持ピン5は、半導体ウエハ2の周囲の領域2dと接触し、半導体ウエハ2を保持する本体15を有する。この本体15が半導体ウエハ2の周囲の領域2dと接触することにより、例えば搬送される半導体ウエハ2の大きさに比べて静電チャック4の大きさが小さい場合に、鉛直方向で半導体ウエハ2が静電チャック4に対して傾いてしまうことを防止することができる。本実施形態では、半導体ウエハ2と本体15との静摩擦力が静電チャック4で発生する吸引力に加わることにより、半導体ウエハ2が保持ピン5と静電チャック4に保持される。しかしながら、本体15として静電チャックが用いられ、静電気力のみにより半導体ウエハ2が保持されてもよい。図3に示すように、半導体ウエハ2を保持しない状態での支持面11に対する本体15の接触面16の高さH2は、静電チャック4の接触面14の高さH1よりも大きい。図3では、静電チャック4の接触面14の高さH1と、保持ピン5の接触面16の高さH2との差を、差hとして図示している。保持ピン5の接触面16の高さH2と差hについては後述する。また保持ピン5は、保持ピン5が嵌め込まれる取り付け孔13の底面17と本体15との間に設けられた、付勢部材としてのバネ18を有する。このバネ18により、支持面11から突出する向きz軸の正の向きに本体15が付勢される。バネ18としては、例えばコイルバネや薄板バネ、その他本体15を付勢することができる各種の付勢部材が用いられる。なお、図3に示す保持ピン5の本体15は、半導体ウエハ2と接触する接触面16の径が、バネ18と接続されている部分の径よりも小さくなるような形状を有している。しかしながら、本体15の形状は適宜設定されてよい。次に、本実施形態に係る基板搬送装置100のエンドエフェクタ1に、半導体ウエハ2が載置されるときの動作を説明する。図4はそのための図であり、エンドエフェクタ1上に、反りが発生していない半導体ウエハ2が載置された状態が図示されている。図4に示すように、半導体ウエハ2の中心2bを含む中心部2cが、静電チャック4の接触面14に接触する。そして静電チャック4が有する図示しない薄膜電極に電圧が印加されることで、半導体ウエハ2の中心部2cが、半導体ウエハ2の温度に影響されることなく十分に保持される。静電チャック4上に半導体ウエハ2が載置される前に、静電チャック4の薄膜電極に電圧が印加されてもよい。そして静電気力による吸着力が発生している静電チャック4上に半導体ウエハ2が載置されてもよい。半導体ウエハ2の中心部2cの周囲の領域2dでは、保持ピン5の本体15の接触面16と、半導体ウエハ2とが接触する。このとき保持ピン5が、支持面11に対する突出方向z方向で、半導体ウエハ2の自重により押圧される。これにより保持ピン5の本体15が、バネ18が付勢する向きと反対の向きに、取り付け孔13に沿って距離hだけ移動する。この結果、反りが発生していない半導体ウエハ2の周囲の領域2dが、突出する向きに付勢された保持ピン5の本体15により、十分に保持される。なお、保持ピン5が有するバネ18の弾性力や長さは、搬送される半導体ウエハ2を十分に保持することができる範囲で適宜設定されればよい。例えば、半導体ウエハ2の重量や、半導体ウエハ2の材料と保持ピン5の本体15の材料とで定められる静止摩擦係数等に基づいて、バネ18の弾性力や長さが適宜設定されればよい。図5は、エンドエフェクタ1上に反りが発生した半導体ウエハ2’が載置された状態を示す模式的な断面図である。図5では、凹状に反った半導体ウエハ2’、すなわち周囲の領域2’dが支持面11から離れる向きに変形した半導体ウエハ2’が図示されている。図4に示す反りが発生していない半導体ウエハ2と比べた場合の、図5に示す半導体ウエハ2’のエッジ部2’aにおける変形量を変形量D1と記載する。半導体ウエハ2’の反りは、例えば、半導体ウエハ2’に対する処理工程中の温度の影響や半導体ウエハ2’に形成される膜の応力等により発生する。図5に示すように、半導体ウエハ2’の中心部2’cが、静電チャック4により保持される。半導体ウエハ2’に反りが発生する場合でも、半導体ウエハ2’の中心部2’cでは、反りによる変形が比較的少ない。従って半導体ウエハ2’に反りが発生した場合でも、反りの影響が少ない半導体ウエハ2’の中心部2’cは、静電チャック4により十分に保持される。半導体ウエハ2’の周囲の領域2’dでは、反りの影響により半導体ウエハ2’が支持面11から離れるように変形する。しかしながら図4に示すように、保持ピン5の本体15の接触面16は、静電チャック4の接触面14よりも、支持面11に対して高い位置に配置されている。従ってエンドエフェクタ1に、凹状に反った半導体ウエハ2’が載置される場合でも、半導体ウエハ2’の周囲の領域2’dは、保持ピン5の本体15により十分に保持される。静電チャック4の接触面14の高さH1と、保持ピン5の本体15の接触面16の高さH2との差hは、処理される半導体ウエハ2’の反りによる変形量に基づいて適宜設定されればよい。例えば半導体ウエハ2’に発生する可能性のある反りによる変形量のうち、許容の範囲の変形量を適宜設定し、その許容の範囲の変形量に基づいて、差hの大きさが設定されればよい。本実施形態では、半導体ウエハ2’のエッジ部2’aの変形量がD1であり、保持ピン5の本体15と接触する部分2’eの変形量はhであるとする。そしてこれらの変形量を許容範囲として設定し、変形量hの大きさと略等しい大きさで差hが設定されている。あるいは、半導体ウエハ2’における許容範囲の変形量よりも若干大きく差hが設定されてもよい。この場合、保持ピン5の本体15が、凹状に変形した半導体ウエハ2’により若干押圧された状態で、半導体ウエハ2’の周囲の領域2’dを保持することになる。図6は、エンドエフェクタ1上に凸状に反った半導体ウエハ2’’が載置された状態を示す模式的な断面図である。図6に示すように、凸状に反った半導体ウエハ2’’は、周囲の領域2’’dが支持面11に近づく向きに変形している。半導体ウエハ2’’のエッジ部2’’aにおける変形量をD2とする。図6に示すように、反りによる変形が比較的少ない半導体ウエハ2’’の中心部2’’cが、静電チャック4により十分に保持される。なお静電チャック4の接触面14の高さH1は、凸状に変形する半導体ウエハ2’’の変形量D2に基づいて設定されている。すなわち凸状に変形する半導体ウエハ2’’が、フィンガー部7の上面支持面11の一部に接触しないように、接触面14の高さH1が適宜設定される。これにより半導体ウエハ2’’とフィンガー部7とが接触することで、半導体ウエハ2’’の中央部2’’cが浮き上がってしまい、静電チャック4による保持力が低下してしまうことを防止することができる。また、半導体ウエハ2’’とフィンガー部7とが接触することで、ダストが発生してしまうことを防止することができる。なお、処理される半導体ウエハ2’’が、例えば半導体ウエハ2’’に形成される膜の材料等により、凸状に変形する可能性が低いと判断される場合には、静電チャック4の接触面14の高さH1が任意に設定されてもよい。例えば静電チャック4の接触面14と支持面11とが同一面状となるように設定されてもよい。この場合、保持ピン5の接触面16が、支持面11から所定の高さに位置するように、保持ピン5が配置されればよい。半導体ウエハ2’’の周囲の領域2’’dでは、反りの影響により、半導体ウエハ2’’が支持面11に近づくように変形する。しかしながら本実施形態の保持ピン5は、取り付け孔13に沿って突出方向z方向で移動可能であるので、半導体ウエハ2’’の変形に合わせて、半導体ウエハ2’’の周囲の領域2’’dを十分に保持することができる。このことはエンドエフェクタ1に凸状に変形した半導体ウエハ2’’が載置される場合でも、反りが発生していない半導体ウエハ2が図4に示す状態から凸状に変形した場合でも同様である。本実施形態では、半導体ウエハ2’’のエッジ部2’’aの変形量がD2であり、保持ピン5の本体15と接触する部分2’’eの変形量はh’であるとする。従って保持ピン5の本体15が、バネ18により付勢される向きと反対側の向きで、距離h’だけ移動可能なように設けられている。すなわち半導体ウエハ2’’の変形量D2変形量h’に基づいて、バネ18の長さや弾性力、あるいは本体15の大きさ等を適宜設定し、保持ピン5の移動量を所期のものとすればよい。なお、図5に示す差hと図6に示す距離h’が略等しくなるように、保持ピン5がエンドエフェクタ1に設けられてもよい。凸状に反った半導体ウエハ2’’がエンドエフェクタ1上から、例えば図示しない処理室のステージ等に移動すると、バネ18の弾性力により保持ピン5の本体15が移動し、図4に示す状態に戻る。次に、図2に示す円形状の静電チャック4の半径Xと、半導体ウエハ2の反り量との関係について説明する。図7は、そのための図である。ここでは半導体ウエハ2が中心2bから凹状に変形するものとし、その変形による半導体ウエハ2の形状の曲率半径をRとする。具体的な例示として、直径300mmの半導体ウエハ2が凸状に1mm反ったとすると、半導体ウエハ2の曲率半径Rは、約11mとなる。また静電チャック4の平面度を0.05mmとし、静電チャック4の吸着可能な許容間隔を0.1mmとする。すなわち図7に示す静電チャック4の表面19から0.1mm以下の範囲においては、半導体ウエハ2に静電気力が作用するので、その範囲に含まれる半導体ウエハ2は保持されることになる。半導体ウエハ2に厳密には接触していない領域であって、半導体ウエハ2を保持することが可能な領域20も、実質的には半導体ウエハ2に接触してこれを保持しているものとみなす。従って、図7に示す表面19は、図4等に示す静電チャック4の接触面14に相当する。図7に示すように静電チャック4の端部21においては、半導体ウエハ2の反り量Yは0.05mm以下でなければならない。上記のような条件において、以下の2つの式に基づいて、静電チャック4の半径Xを算出する。上記した条件と、式1及び2との関係により、静電チャック4の半径Xは、約33mm以下となる。すなわち半導体ウエハ2の中心2bに対応する位置22から半径33mmの範囲で静電チャック4を形成すればよいことになる。半導体ウエハ2の直径は300mmであるから、その半導体ウエハ2の半径の4分の1以上の大きさの半径を有する静電チャック4を形成すればよいことが分かる。すなわち本実施形態では、半導体ウエハ2の半径及び静電チャック4の半径が、半導体ウエハ2及び静電チャック4の代表長さに相当するものとして採用される。半導体ウエハ2の直径及び静電チャック4の直径が、半導体ウエハ2及び静電チャック4の代表長さとしてそれぞれ採用されてもよい。また例えばFPDFlatPanelDisplayに用いられるガラス基板等の矩形の平面形状を有する基板が搬送される場合、その基板の対角線の長さや端辺の長さ等が代表長さとして採用されてもよい。また矩形の平面形状を有する静電チャックが用いられる場合も、静電チャックの対角線の長さや端辺の長さ等が代表長さとして採用されてもよい。このように、静電チャック4の大きさを、半導体ウエハ2の反り量に基づいて適宜設定することができる。これにより半導体ウエハ2が凸状に変形した際に、半導体ウエハの吸着に寄与しない領域に静電チャック4が形成されてしまうことを防止することができる。この結果、静電チャック4を形成するためのコストを抑えることができる。また、例えば静電チャック4を必要以上に大きくすることによる、静電チャック4からの放電の問題や、ダストの問題等を防止することができる。以上、本実施形態に係る基板搬送装置100では、半導体ウエハ2が静電チャック4により保持されるので、半導体ウエハ2の温度に影響されることなく半導体ウエハ2を十分に保持することができる。また半導体ウエハ2に反りが発生した場合でも、反りによる変形が少ない中央部2cが静電チャック4により保持され、中央部2の周囲の領域2dが保持ピン5により保持される。上記したように保持ピン5は突出方向に移動可能であるので、反りによる変形に合わせて半導体ウエハ2を十分に保持することができる。また図5及び6に示すように、保持ピン5の本体15は、バネ18により突出する向きに付勢されている。また凹状に変形する半導体ウエハ2の変形量に基づいて、保持ピン5の本体15の接触面16の高さH2と静電チャック4の接触面14の高さH1との差hが適宜設定されている。さらに、凸状に変形する半導体ウエハ2の変形量に基づいて、静電チャック4の接触面14の高さH1が適宜設定される。これにより半導体ウエハ2が凸状に反った場合及び凹状に反った場合のいずれの場合でも、静電チャック4及び保持ピン5により半導体ウエハ2を十分に保持することができる。また図2に示すように、3つの保持ピン5が、静電チャック4の中心部12を中心とする円O上に、120度の等間隔で配置される。従って半導体ウエハ2の中心部2cから同じ距離の位置に保持ピン5が複数設けられることになる。これにより半導体ウエハ2に反りが発生した場合でも、半導体ウエハ2の反りによる変形量が略同等である箇所を保持ピン5によって確実に保持することができる。<第2の実施形態>図8は、本発明の第2の実施形態に係る基板搬送装置のエンドエフェクタを示す模式的な斜視図である。これ以降の説明では、上記の実施形態で説明した基板搬送装置100における構成及び作用と同様な部分については、その説明を省略又は簡略化する。本実施形態に係る基板搬送装置では、エンドエフェクタ201に設けられる静電チャック204が、基部206に接続された台部208から取り外し可能な構造となっている。静電チャック204は、台部208に、ネジ223により接続される。しかしながら静電チャック204を台部208に取り付ける方法は、どのような方法でも構わない。静電チャック204が、エンドエフェクタ201から取り外し可能であるので、例えば故障等が発生した静電チャック204を新しいものに容易に交換することができる。また、搬送される図示しない半導体ウエハの予想される反り量に基づいて、適当な静電チャック204をエンドエフェクタ201に取り付けることができる。例えば、静電チャック204の接触面214の高さや、保持ピン205の接触面216の高さとの差、あるいは静電チャック204の接触面214の面積等を半導体ウエハの種類等に合わせて適宜設定し、その静電チャック204を適宜取り付けることができる。図9は、本実施形態の静電チャック204を構成する薄膜電極を示す模式的な図である。図9に示すように、本実施形態では、静電チャック204を構成する基板224に薄膜電極225a及び225bが形成される。また基板224上には、薄膜電極225a及び225bにそれぞれ電気的に接続される配線226a及び226bが形成される。各配線226a及び226bは、台部208との接続部分付近に位置する電極取り出し部227a及び227bまで延在する。薄膜電極225a及び225bと、配線226a及び226bとは、例えば蒸着やプリント技術により同時に形成されてもよいし、個別に形成されてもよい。図1に示す多関節アーム60の内部または外部に形成された図示しない配線により、電極取り出し部227a及び227b、配線226a及び226bを介して、2つの薄膜電極225a及び225bにそれぞれ極性の異なる電圧が印加される。そして2つの薄膜電極225a及び225b間に電位差が生じることで、半導体ウエハが静電チャック204に吸着する。このように本実施形態では、双極方式の静電チャック204が用いられる。図9に示す薄膜電極225a及び225bに代えて、複数の歯を有する櫛歯状の薄膜電極が2つ形成されてもよい。あるいは、基板224に1つの薄膜電極が形成され、その1つの薄膜電極と半導体ウエハとの間に電圧差を生じさせる単極方式の静電チャックが設けられてもよい。<第3の実施形態>図10は、本発明の第3の実施形態に係る保持装置を示す模式的な平面図である。図11は、図10に示すC-C線における断面図である。本実施形態に係る保持装置300は、例えば成膜室やエッチング室等の処理室に設けられるものであり、搬送された半導体ウエハ302を保持することが可能である。この保持装置300に保持された半導体ウエハ302に、各種の加工処理が行われる。図10及び図11に示すように、保持装置300は半導体ウエハ302が載置されるステージ325を有する。ステージ325は、載置された半導体ウエハ302と対面する支持面311を有する。ステージ325の材料としては、アルミナ等の絶縁材料が用いられる。ステージ325の中央部326には、半導体ウエハ302の中央部302cと接触しこれを保持する静電チャック304が、支持面311から突出するように設けられる。静電チャック304の周囲には、半導体ウエハ302の周囲の領域302dを保持する保持ピン305が複数設けられている。上記した実施形態で説明したものと同様に、保持ピン305は突出方向で移動可能となっており、半導体ウエハ302と接触する本体315と、本体315を突出する向きに付勢するバネ318とを有する。このような構成を有する保持装置300により、半導体ウエハ302に反りが発生した場合でも、反りによる変形の少ない半導体ウエハ302の中央部302cが静電チャック304により十分に保持される。また半導体ウエハ302の変形に合わせて移動可能な複数の保持ピン305により、半導体ウエハ302の周囲の領域302dが十分に保持される。静電チャック304や保持ピン305等の各寸法や、形成される位置等は、半導体ウエハ302の反り量に基づいて適宜設定されればよい。本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更され得る。例えば図12及び図13は、図2に示すエンドエフェクタ1の変形例を示す図である。図12に示すエンドエフェクタは、図2に示すエンドエフェクタ1と比べて、静電チャックが設けられる台部の平面形状が異なるものである。図12Aに示すエンドエフェクタ401が有する台部408は、静電チャック404と基部406との間に配置され、基部406に接続される部分408aの平面から見た幅の大きさが、図2に示す台部8よりも小さく設定されている。図12Bに示すエンドエフェクタ501では、2本のフィンガー部507の間に、2つの台部508a及び508bが形成されている。そして2つの台部508a及び508bが交差する領域に、静電チャック504が設けられている。このように、載置される半導体ウエハの中心部に静電チャックが接触するのであれば、エンドエフェクタが有する台部の形状は適宜設定されてよい。図13に示すエンドエフェクタ601は、基部606から延在する3本のフィンガー部607a~607cを有しており、3つのフィンガー部607a~607cのうち中央に位置するフィンガー部607bに静電チャック604が形成されている。すなわち、図13に示すエンドエフェクタ601では、フィンガー部607bが上記の実施形態で説明した台部としても機能する。このように静電チャックがフィンガー部に設けられてもよい。またフィンガー部の数も適宜設定可能である。上記した各実施形態に係る基板搬送装置では、エンドエフェクタについて詳しく説明し、エンドエフェクタ以外の多関節アーム等の構成は、図1に示すものを例示した。しかしながら、エンドエフェクタ以外の、被処理基板を搬送するための構成は、図1に示すものに限られず適宜設定されてよい。図4等に示すように、上記の各実施形態では、保持ピンが取り付け孔に嵌め込まれた。しかしながら、支持面から突出する方向に移動可能であるならば、保持ピンが支持面上に伸縮可能なように形成されてもよい。また図14に示す保持装置700のように、半導体ウエハ702の中央部702cを保持する静電チャック704のみが支持面711上に形成され、保持ピンが形成されない構成でもよい。このような構成でも、半導体ウエハ702の材料、重量、または反り量によっては、半導体ウエハ702を十分に保持することができる。なお本発明の一実施形態に係る基板搬送装置として、半導体ウエハの中央部を保持する静電チャックのみが支持面上に形成され、保持ピンが形成されない構成を有するエンドエフェクタを具備するものも考えられる。被処理基板としては、半導体ウエハに限られず、ディスプレイ、ソーラーパネル等に用いられるガラス基板であってもよい。あるいは、基板に限られず、部品や部材等の被処理物が搬送又は保持される場合でも、本発明は適用可能である。