入力光信号を分岐する光分岐回路と、前記光分岐回路に並列に接続されたN個Nは2以上の整数の光変調部と、各光変調部で変調を受けた光信号を結合する光結合回路とを備え、第1番目の光変調部と第n番目nは2以上N以下の任意の整数の光変調部の応答周期比は、1:1/2n-1であり、前記光分岐回路は、第1番目の光変調部と第n番目の光変調部に、前記入力光信号を電界強度比1:1/2n-12で分岐し、前記光結合回路は、第1番目の光変調部と第n番目の光変調部からの光信号を電界強度比1:1/2n-12で結合することを特徴とする光変調回路。各光変調部がプッシュプル駆動型のマッハツェンダ変調器であることを特徴とする請求項1記載の光変調回路。各マッハツェンダ変調器が変調電極を有し、各変調電極が縦続に接続されていることを特徴とする請求項2記載の光変調回路。請求項1から3のいずれかに記載の光変調回路が並列に2個接続され、各光変調回路からの光信号に光位相差π/2を付与する光位相差付与部を有することを特徴とするベクトル変調器。本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、出力光信号の非線形性が抑制された光変調回路を提供することにある。このような目的を達成するために、本発明の第1の態様は、入力光信号を分岐する光分岐回路と、前記光分岐回路に並列に接続されたN個Nは2以上の整数の光変調部と、各光変調部で変調を受けた光信号を結合する光結合回路とを備え、第1番目の光変調部と第n番目nは2以上N以下の任意の整数の光変調部の応答周期比は、1:1/2n-1であり、前記光分岐回路は、第1番目の光変調部と第n番目の光変調部に、前記入力光信号を電界強度比1:1/2n-12で分岐し、前記光結合回路は、第1番目の光変調部と第n番目の光変調部からの光信号を電界強度比1:1/2n-12で結合することを特徴とする光変調回路である。また、本発明の第2の態様は、第1の態様において、各光変調部がプッシュプル駆動型のマッハツェンダ変調器であることを特徴とする。また、本発明の第3の態様は、第2の態様において、各マッハツェンダ変調器が変調電極を有し、各変調電極が縦続に接続されていることを特徴とする。また、本発明の第4の態様は、第1から第3のいずれかの態様の光変調回路が並列に2個接続され、各光変調回路からの光信号に光位相差π/2を付与する光位相差付与部を有することを特徴とするベクトル変調器である。本発明によれば、高次のフーリエ成分を生成して一次のフーリエ成分に加えることにより、出力光信号の非線形性が抑制された光変調回路を提供することができる。以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。まず、本発明の基本的考え方について説明する。その後、具体的実施例について説明を行う。本発明の基本的考え方図4を参照して、本発明の基本的考え方を説明する。本発明の一実施形態に係る光変調回路は、入力光信号を分岐する光分岐回路401と、光分岐回路に並列に接続された第1の光変調部410及び第2の光変調部420と、各光変調部で変調を受けた光信号を結合する光結合回路402とを備える。第1の光変調部410と第2の光変調部420の応答周期比を1:1/3とし、かつ、光分岐回路401による第1の光変調部410と第2の光変調部420への分岐の電界強度比を1:1/32=9:1とする。そして、光結合回路402による結合の電界強度比を1:1/32=9:1とする。当該応答周期比および電界強度比は三角波のフーリエ展開である次式による。このように、二次のフーリエ成分を加えることで、駆動電圧に対する応答曲線の非線形性を抑えることができる。図5に示すように、線形性が改善されている。上記の説明では二次の成分のみを検討して説明したが、同様に高次のフーリエ成分を一次の成分に加えていくことによって、駆動電圧に対する応答曲線の非線形性を抑えることができる。一般化すると、本発明による光変調回路は、N個Nは2以上の整数の並列に接続された光変調部を有する。第n番目の光変調部は、駆動電圧Vに対して当該光変調部に光分岐回路により分岐された光信号の電界E0を以下のように変化させる。そして、光結合回路により、各光変調部で変調された光信号を結合する。ここで、第1番目と第n番目の光変調部に、光信号が電界強度比1:1/2n-12で分岐されるように光分岐回路を設計し、第1番目と第n番目の光変調部からの光信号が電界強度比1:1/2n-12で結合されるように光結合回路を設計する。式2から分かるように、第1番目と第n番目の光変調部の応答周期比は1:1/2n-1である。なお、本発明は、基板材料の選択XカットLNもしくはZカットLN、または、EO効果を有する酸化物結晶、半導体もしくはポリマ等や、シングル駆動またはデュアル駆動の選択には依存せず同様の効果を奏することに留意されたい。ここで、信号レベルの理想点からのズレの評価値について説明する。ズレの評価値を以下のように定義する。ここで、Mは変調多値数、Ekは実際の出力光信号レベル、Ekidealは理想レベル、EMAXは最大信号レベルである。EMAXは本明細書では1.00に規格化している図6参照。変調多値数M=4、8、16について、光変調部の並列数Nに対する評価値Dの変化をプロットしたものが図7である。基本的には、並列数N増加に伴い評価値Dは減少。つまり、並列数Nを増やすことで線形性が向上し、レベルズレが減少する。ただし、変調多値数が小さい場合、必ずしも単調減少にならない。例えばM=4の場合、DN=2=0.8に対し、DN=3=1.1となる。すなわち、4値変調に対してはN=2が最適なのである。8値変調、16値変調に対しては、並列数N増加によるレベルズレ減少と構成複雑化のトレードオフを勘案して構成を選択する必要がある。以下、実施例を説明する。実施例1XカットLN基板上に図8の光変調回路を形成した。第1の光変調部及び第2の光変調部は、それぞれシングル電極型のMZMである。第2の変調電極は、第1の変調電極の約3倍の長さとし、第1の光変調部の応答E1、第2の光変調部の応答E2が以下を満たすように設計した。第1の光変調部と第2の光変調部は、強度分岐比9:1の光カプラを光分岐回路、強度結合比9:1の光カプラを光結合回路として用いて接続した。実施例1に係る光変調回路全体の応答はE=0.9E10.1E2となる。位相調整部は、2つの光変調部の位相差をゼロにするために設けた。駆動電圧を等間隔、振幅2Vπの4値で駆動した場合、理想的な出力光信号レベル-1.00、-0.33、0.33、1.00に対し、従来の単独MZMでは、-1.00、-0.50、0.50、1.00となる一方、本実施例では、-1.00、-0.35、0.35、1.00となり、応答の線形性が向上し、より理想に近い信号レベルが得られた図9参照。実施例2実施例1との違いは、変調電極を縦続に接続して一本とした点である図10参照。これにより、駆動系を一系統化することができる。当然、第2の変調電極に多値電気信号が先に入力される構成としてもよい。また、第2の変調電極の長さが第1の変調電極の約3倍であれば、分割して配置してもよい。実施例3N=3の例として、図11に示す光変調回路を作製した。第1、第2、第3の光変調部の変調電極長の比を約1:3:5とし、応答が以下を満たすように設計した。強度分岐比225:25:9=1:1/9:1/25の光カプラを光分岐回路、強度結合比225:25:9の光カプラを光結合回路として用いて接続した。実施例3に係る光変調回路全体の応答はE=225E125E29E3/259となり、実施例1、2よりもさらに線形に近い応答が得られた図12参照。実施例4実施例2の光変調回路を2並列とし、図13に示すベクトル変調器IQ変調器を構成した。比較のため、従来の2並列MZMを用いたベクトル変調器を図14に示す。従来のベクトル変調器に比べ、図15に示すように、多値駆動時の信号点の理想点からのズレが少ない。例えば、各々4値のI、Qチャネル信号振幅2Vπで駆動すると、図15の○で示す16QAMの信号ダイアグラムが得られる。線形性向上により、従来のベクトル変調器で得られる結果△に比べて理想点◆に近い。