窒化物半導体基板と、前記窒化物半導体基板の一方の主面上に形成されたAlsGa1sN0<s≦1層と、前記AlsGa1sN層上に形成されたInGaNよりなる量子井戸発光層とを備え、前記AlsGa1sN層は第1AlGaN層と、前記第1AlGaN層上に形成された第2AlGaN層とを有し、前記第1AlGaN層のAl濃度は前記第2AlGaN層のAl濃度よりも高いことを特徴とする、半導体発光素子。前記第1AlGaN層が前記一方の主面に接して形成されることを特徴とする、請求項1に記載の半導体発光素子。前記第1AlGaN層の膜厚は5nm以上500nm以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の半導体発光素子。前記第2AlGaN層はAltGa1tN0<t≦0.05よりなることを特徴とする、請求項1~3のいずれかに記載の半導体発光素子。前記第2AlGaN層の膜厚は前記第1AlGaN層の膜厚よりも厚いことを特徴とする、請求項1~4のいずれかに記載の半導体発光素子。前記第2AlGaN層の膜厚は400nm以上4μm以下であることを特徴とする、請求項1~5のいずれかに記載の半導体発光素子。前記量子井戸発光層上に形成されたGaNからなるp型コンタクト層と、前記p型コンタクト層上に形成された第一の電極と、第二の電極とをさらに備えることを特徴とする、請求項1~6のいずれかに記載の半導体発光素子。前記第二の電極は前記窒化物半導体基板の下面に形成されていることを特徴とする、請求項7に記載の半導体発光素子。前記窒化物半導体基板はAluGa1uN0≦u≦1よりなることを特徴とする、請求項1~8のいずれかに記載の半導体発光素子。前記窒化物半導体基板は相対的に欠陥密度の低い低欠陥領域と、相対的に欠陥密度が高く、かつ前記一方の主面において点状または線状に分布する欠陥集中領域とを有することを特徴とする、請求項1~9のいずれかに記載の半導体発光素子。前記低欠陥領域の転位密度は1×107個/cm2未満であることを特徴とする、請求項10に記載の半導体発光素子。AlGaN層に含まれるAlは、横方向に移動せずに下層を選ばずに成長する性質を有している。AlGaN層と窒化物半導体基板との濡れ性がよいのはこのAlの性質に起因している。そこで、AlGaN層のAl濃度を高めることによって、AlGaN層上に形成されるエピタキシャル層の成長面が一層平坦になり、発光ダイオードや半導体レーザなどの半導体発光素子の特性半導体レーザのしきい値や駆動電圧などを向上できるとも考えられる。しかしながら、AlGaN層のAl濃度が高いと、InGaN発光層との格子定数の差が大きくなり、InGaN発光層の結晶性が低下する。加えて、AlGaN層にクラックが生じやすくなり、AlGaN層を厚く形成することができなくなる。AlGaN層が薄いとInGaN発光層の結晶性の低下を招く。また、半導体レーザにおいてはAlGaN層が薄いと、発光光の基板側への漏れが大きくなるため半導体レーザの特性が悪化する。特に窒化物半導体基板はサファイア基板に比べて屈折率が高いので、発光光が漏れやすい。これらの理由により、AlGaN層のAl含有量を高めても半導体発光素子の特性を向上することには限界があった。したがって、本発明の目的は、特性を向上することのできる半導体発光素子を提供することである。本発明の一の半導体発光素子は、窒化物半導体基板と、窒化物半導体基板の一方の主面上に形成されたAlsGa1sN0<s≦1層と、AlsGa1sN層上に形成されたInGaNよりなる量子井戸発光層とを備えている。AlsGa1sN層は第1AlGaN層と、第1AlGaN層上に形成された第2AlGaN層とを有している。第1AlGaN層のAl濃度は第2AlGaN層のAl濃度よりも高い。本発明の一の半導体発光素子によれば、第1AlGaN層のAl濃度はその上に位置する第2AlGaN層のAl濃度よりも高いので、窒化物半導体基板の一方の主面にAlsGa1sN層が正常に成長しやすくなり、窒化物半導体基板上のエピタキシャル層の表面平坦性を改善することができる。同時に、第2AlGaN層のAl濃度はその下に位置する第1AlGaN層のAl濃度よりも低いので、量子井戸発光層との格子定数の差が小さくなり、量子井戸発光層の結晶性を向上することができる。加えて、第2AlGaN層のAl濃度はその下に位置する第1AlGaN層のAl濃度よりも低いので、第2AlGaN層にクラックが生じにくくなり、第2AlGaN層を厚く形成することができる。これにより、半導体発光素子が半導体レーザである場合に、半導体レーザの発光光の窒化物半導体基板側への漏れを防ぎ、半導体レーザの発光特性を向上することができる。また、量子井戸発光層の結晶性の低下を防ぐことができるため、半導体発光素子の特性を向上することができる。本発明の一の半導体発光素子において好ましくは、第1AlGaN層が窒化物半導体基板の一方の主面に接して形成される。これにより、窒化物半導体基板の一方の主面の全域にわたって第1AlGaN層が正常に成長しやすくなり、特性をさらに向上することができる。本発明の一の半導体発光素子において好ましくは、第2AlGaN層はAltGa1tN0<t≦0.05よりなっている。第2AlGaN層のAl組成を5以下とすることにより、特性を一層向上することができる。本発明の一の半導体発光素子において好ましくは、第2AlGaN層の膜厚は第1AlGaN層の膜厚よりも厚い。第2AlGaN層はAl濃度が低いので、膜厚を厚くしてもクラックが生じにくい。したがって、第2AlGaN層の膜厚を厚くすることで結晶性を一層改善するとともに、基板側への光の漏れを防ぐことができる。本発明の他の半導体発光素子は、窒化物半導体基板と、窒化物半導体基板の一方の主面上に形成されたAlsGa1sN0<s≦1層と、AlsGa1sN層上に形成されたInGaNよりなる量子井戸発光層とを備えている。AlsGa1sN層のAl濃度は、窒化物半導体基板側から量子井戸発光層側にかけて徐々に小さくなっている。これにより、AlsGa1sN層の表面平坦性を向上しつつ、量子井戸発光層の結晶品質を向上することができる。本発明の他の半導体発光素子において好ましくは、AlsGa1sN層における窒化物半導体基板に最も近い部分はAlsGa1sN0.05≦s≦1よりなっている。窒化物半導体基板に最も近い部分のAl組成を5以上とすることにより、AlsGa1sN層の表面平坦性が向上する。本発明の他の半導体発光素子において好ましくは、AlsGa1sN層における量子井戸発光層に最も近い部分はAlsGa1sN0<s<0.05よりなっている。量子井戸発光層に最も近い部分のAl組成を5未満とすることにより、量子井戸発光層の結晶品質が向上する。本発明の一および他の半導体発光素子において好ましくは、窒化物半導体基板はAluGa1uN0≦u≦1よりなっている。上記基板は熱的に安定であり、かつ製造が容易であるため、窒化物半導体基板として適している。本発明の一および他の半導体発光素子において好ましくは、窒化物半導体基板は相対的に欠陥密度の低い低欠陥領域と、相対的に欠陥密度が高く、かつ窒化物半導体基板の一方の主面において点状または線状に分布する欠陥集中領域とを有している。本発明の一および他の半導体発光素子において好ましくは、低欠陥領域の転位密度は1×107個/cm2未満である。これにより、低欠陥領域を発光領域とすることができ、半導体発光素子の特性および信頼性をさらに向上することができる。本発明の半導体発光素子によれば、半導体発光素子の特性を向上することができる。以下、本発明の実施の形態について図面に基づいて説明する。実施の形態1図1は、本発明の実施の形態1における半導体レーザの構成を示す断面図である。図1を参照して、本実施の形態における半導体発光素子としての半導体レーザ30は、窒化物半導体基板としての基板1と、AlGaN層2と、中間層3と、量子井戸発光層4と、ガイド層5と、p型電子ブロック層6と、p型クラッド層7と、p型コンタクト層8と、絶縁層10と、電極11および12とを備えている。基板1は窒化物半導体よりなっており、たとえばAluGa1uN0≦u≦1よりなっている。より具体的には、基板1はAlNまたはGaNよりなっている。基板1の上面1a上にはAlGaN層2が上面1aに接して形成されている。AlGaN層2上にはInvGa1vN0≦v<1よりなる中間層3が形成されている。中間層3上には量子井戸発光層4が形成されている。量子井戸発光層4は図示しない複数の障壁層と井戸層とを有している。障壁層と井戸層とは積層方向図1中縦方向に交互に形成されている。井戸層はInwGa1wN0<w<0.5よりなっており、障壁層はInxGa1xN0≦x<wよりなっている。障壁層におけるエネルギ障壁によって、量子井戸発光層4に注入されたキャリアが井戸層に閉じ込められる。図2は、本発明の実施の形態1におけるAlGaN層内のAl組成分布を示す図である。図1および図2を参照して、AlGaN層2は、AlsGa1sN0<s≦1よりなっており、第1AlGaN層2aと第2AlGaN層2bとを有している。第1AlGaN層2aは基板1側に形成されており、第2AlGaN層2bは量子井戸発光層4側第1AlGaN層2a上に形成されている。第1AlGaN層2aのAl濃度は第2AlGaN層2bの濃度よりも高い。具体的には、第1AlGaN層2aのAl組成は12であり、第2AlGaN層2bのAl組成は3である。これにより、AlGaN層2における基板1に最も近い部分基板1との境界面のAl濃度が量子井戸発光層4に最も近い部分中間層3との境界面のAl濃度よりも高くなっている。また、第2AlGaN層2bはAltGa1tN0<t≦0.05よりなっていることが好ましく、第2AlGaN層2bの膜厚は第1AlGaN層2aの膜厚よりも厚いことが好ましい。また、第1AlGaN層2aの膜厚を500nm以下、好ましくは200nm以下とすることにより、第1AlGaN層2aにクラックが入るのを抑止することができる。第1AlGaN層2aの膜厚を5nm以上、好ましくは20nm以上とすることにより、GaN基板上にAlGaN層2を均一に形成することができる。さらに、第2AlGaN層2bの膜厚を400nm以上とすることにより、発光光の基板1側への漏れを効果的に防ぐことができ、第2AlGaN層2bの膜厚を1μm以上とすることにより、量子井戸発光層4の結晶性を向上することができる。第2AlGaN層2bの膜厚を4μm以下とすることにより、第2AlGaN層2bにクラックが入るのを抑止することができ、第2AlGaN層2bの膜厚を3μm以下とすることにより、第2AlGaN層2bの形成を効率よく行なうことができる。図1を参照して、量子井戸発光層4上にはたとえばアンドープGaNよりなるガイド層5が形成されており、ガイド層5上にはたとえばAlGaNよりなるp型電子ブロック層6が形成されている。p型電子ブロック層6上にはAlGaNよりなるp型クラッド層7が形成されており、p型クラッド層7上にはGaNよりなるp型コンタクト層8が形成されている。p型コンタクト層8上には開口部10aを有する絶縁層10が形成されている。開口部10a内を埋めるように電極12が絶縁層10上に形成されている。電極12は絶縁層10と直接接触している。基板1の下面1bには電極11が形成されている。本実施の形態の半導体レーザ30においては、電極11p電極および電極12n電極へ所定の電位が与えられると、電極11および電極12の間に電圧が発生し、第2AlGaN層2bおよびp型クラッド層7の各々から量子井戸発光層4へキャリアが注入される。そして、注入されたキャリア同士が量子井戸発光層においてそれぞれ再結合し、光が放出される。この光は、量子井戸発光層の端面から紙面に垂直な方向に放出される。続いて、本実施の形態における半導体レーザの製造方法について、図3~図5を用いて説明する。始めに図3を参照して、基板1の上面1a上に、第1AlGaN層2aと、第2AlGaN層2bと、中間層3と、量子井戸発光層4と、ガイド層5と、p型電子ブロック層6と、p型クラッド層7と、p型コンタクト層8とをこの順序でエピタキシャル成長させる。これらの層はたとえばMOCVD法有機金属気相成長法を用いて形成される。ここで、第1AlGaN層2aおよび第2AlGaN層2bは、Alを含むガスの濃度および成長温度を変えることにより形成される。また、量子井戸発光層4における障壁層および井戸層は、Inを含むガスの濃度を周期的に変化させることで形成される。次に図4を参照して、p型コンタクト層8上に絶縁層10を形成する。続いて、絶縁層10上に図示しないレジストを形成し、このレジストをマスクとして絶縁層10をエッチングする。その結果、絶縁層10の所定の位置に開口部10aが形成される。次に図5を参照して、開口部10aを埋めるように絶縁層10上に電極12を形成する。続いて、基板1の下面1bに電極11を形成する。その後、図中A-A線に沿って基板1をダイシングし、個々の半導体レーザに分離する。以上の工程により、図1に示す半導体レーザ30が得られる。本実施の形態における半導体レーザ30は、基板1と、基板1の上面1a上に形成されたAlGaN層2と、AlGaN層2上に形成されたInGaNよりなる量子井戸発光層4とを備えている。AlGaN層2における基板1に最も近い部分のAl濃度は、AlGaN層2における量子井戸発光層4に最も近い部分のAl濃度よりも高い。本実施の形態における半導体レーザ30によれば、基板1に最も近い部分にある第1AlGaN層2aのAl濃度が高いので、エピタキシャル層の表面平坦性を改善することができる。同時に、量子井戸発光層4に最も近い部分にある第2AlGaN層2bのAl濃度が低いので、量子井戸発光層4との格子定数の差が小さくなり、量子井戸発光層4の結晶性を向上することができる。加えて、AlGaN層2にクラックが生じにくくなり、AlGaN層2を厚く形成することができる。これにより、発光光の基板1側への漏れを防ぐとともに、量子井戸発光層4の結晶性の低下を防ぐことができる。その結果、半導体レーザの発光特性を向上することができる。また、AlGaN層2が基板1の上面1aに接して形成されるので、基板1の上面1aの全域にわたってAlGaN層2が正常に成長しやすくなり、半導体レーザの発光特性をさらに向上することができる。また、AlGaN層2は第1AlGaN層2aと、第1AlGaN層2a上に形成された第2AlGaN層2bとを有しており、第1AlGaN層2aのAl濃度は第2AlGaN層2bのAl濃度よりも高い。これにより、第1AlGaN層2aによって基板1との濡れ性を確保しつつ、第2AlGaN層2bによって量子井戸発光層4との格子定数の差を小さくすることができる。加えて、第2AlGaN層2bを厚く形成することにより、発光光の基板1側への漏れを防ぎ、半導体レーザの発光特性を改善することができる。また、第2AlGaN層2bの膜厚は第1AlGaN層2aの膜厚よりも厚い。これにより、第2AlGaN層2bの膜厚を厚くしてもクラックが生じにくくなり、量子井戸発光層4の結晶性を一層改善することができる。さらに、基板1はAluGa1uN0≦u≦1よりなっているので、基板1の製造が容易となる。実施の形態2図6は、本発明の実施の形態2における半導体レーザの構成を示す断面図である。図6を参照して、本実施の形態における半導体レーザ30は、AlGaN層2の組成分布において実施の形態1の半導体レーザと異なっている。図7は、本発明の実施の形態2におけるAlGaN層内のAl組成分布を示す図である。図6および図7を参照して、AlGaN層2中のAl濃度は基板1との境界面から中間層3との境界面にかけて一定の割合で徐々に減少している。具体的には、Al組成は12から3に減少している。このため、本実施の形態のAlGaN層2は1つの層により構成されている。また、AlGaN層2のAl組成分布は図7に示す場合の他、たとえば図8のようなものであってもよい。図6および図8を参照して、AlGaN層2中のAl濃度は基板1との境界面から減少し、AlGaN層2中のある位置で極小値となり、中間層3との境界面にかけて増加している。図7および図8のいずれの場合にも、AlGaN層2における基板1に最も近い部分基板1との境界面のAl濃度が量子井戸発光層4に最も近い部分中間層3との境界面のAl濃度よりも高くなっている。なお、これ以外の半導体レーザ30の構成、動作、および製造方法は、実施の形態1における半導体レーザと同様であるため、同一の構成には同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。本実施の形態における半導体レーザ30によれば、実施の形態1における半導体レーザと同様の効果を得ることができる。実施の形態3図9は、本発明の実施の形態3における半導体レーザに使用される基板を模式的に示した図である。aは斜視図であり、bはaのIXB-IXB線に沿う断面図である。図9a、bを参照して、本実施の形態における基板1は、低欠陥領域50と、低欠陥領域50に比べて欠陥密度の高い領域である欠陥集中領域51とを有している。欠陥集中領域51は基板1の上面1aにおいて点状に分布しており、厚さ方向図9b中縦方向に基板1を貫通している。なお、図9a、bにおいては、低欠陥領域50と欠陥集中領域51との境界線が実線で示されているが、低欠陥領域50と欠陥集中領域51との境界には実際にはこのような線はない。本実施の形態における基板1は、製造時に欠陥をある領域に集中させることにより、それ以外の領域の欠陥を低減したものである。このような基板1を半導体レーザ30が備えていることにより、低欠陥領域50を発光領域とすることができ、半導体レーザの発光特性をさらに向上することができる。なお、本実施の形態における基板としては、図9に示すように欠陥集中領域51が点状に分布している場合の他、図10に示すように欠陥集中領域51が上面1aにおいて線状に分布しているものであってもよい。本実施例では、本発明例1の半導体レーザおよび比較例1の半導体レーザを製造し、それぞれの半導体レーザの発光特性を調べた。本発明例1の半導体レーザは以下の製造方法により製造した。本発明例1:実施の形態1に示す製造方法に従って半導体レーザを製造した。始めに、貫通転位密度1×106cm2未満の低欠陥領域と、線状に分布する欠陥集中領域とを有するn型GaN0001基板を準備し、成膜装置内のサセプタ上に配置した。続いて、装置内圧力を30kPaにコントロールしながらアンモニアと水素とを導入し、基板を1050°Cに加熱した状態で10分間クリーニングを行なった。続いて、基板温度を1100°Cまで上昇させ、キャリアガスを主に水素として、トリメチルガリウム24μmol/分、トリメチルアルミニウム4.3μmol/分、アンモニア、およびモノシランを装置内に導入した。これにより、膜厚50μmのn型第1AlGaN層Al組成12を成長した。次に基板温度を1100°Cに保ったまま、キャリアガスを主に水素として、トリメチルガリウム99μmol/分、トリメチルアルミニウム8.2μmol/分、アンモニア、およびモノシランを装置内に導入した。これにより、膜厚2μmのn型第2AlGaNクラッド層Al組成3を成長した。次に基板温度を1100°Cに保ったまま、キャリアガスを主に水素として、トリメチルガリウムおよびアンモニアを装置内に導入し、膜厚3nmのノンドープGaN中間層を成長した。次に層の成長を一旦中断し、基板温度を880°Cまで上昇させ、キャリアガスを主に窒素として、トリメチルガリウム、トリメチルインジウム、およびアンモニアを装置内に導入した。これにより、厚さ15nmのノンドープInGaN障壁層In組成1を成長した。その後基板温度を800°Cに低下させ、キャリアガスを主に窒素として、トリメチルガリウム、トリメチルインジウム、およびアンモニアを装置内に導入した。これにより、膜厚3nmのノンドープInGaN井戸層In組成8を成長した。ノンドープInGaN障壁層を形成する工程とノンドープInGaN井戸層を形成する工程とを繰り返すことによって、3周期の量子井戸発光層を形成した。次に層の成長を一旦中断し、基板温度を1050°Cに上昇させた後、キャリアガスを主に水素として、トリメチルガリウムおよびアンモニアを装置内に導入した。これにより、膜厚100nmのノンドープGaNガイド層を成長した。続いてキャリアガスを主に水素として、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、アンモニア、およびシクロペンタジエニルマグネシウムを装置内に導入した。これにより、膜厚20nmのp型AlGaN電子ブロック層Al組成18を成長した。その後キャリアガスを主に水素として、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、アンモニア、およびシクロペンタジエニルマグネシウムを装置内に導入した。これにより、膜厚150nmのp型AlGaNクラッド層Al組成7を成長した。次にキャリアガスを主に水素として、トリメチルガリウム、アンモニア、およびシクロペンタジエニルマグネシウムを装置内に導入した。これにより、膜厚50nmのp型GaNコンタクト層を成長した。その後、基板を成膜装置内から取り出し、光学顕微鏡を用いてp型コンタクト層の表面観察を行なったところ、良好な表面平坦性が得られていた。次にp型GaNコンタクト層上に絶縁膜を形成し、エッチングによって絶縁膜に幅5μmの開口部を開口し、Ni/Auよりなるp電極を形成した。次に、GaN基板を減厚した後で基板の下面にn型電極を形成した。その後、長さ800μmのバー状にダイシングし、端面ミラーを形成した。以上の方法により図1の半導体レーザ青紫色発光素子を得た。また、比較例1の半導体レーザは以下の製造方法により製造した。比較例1:本発明例1の製造方法において、第1および第2AlGaN層を形成する代わりに、膜厚0.6μmのn型AlGaN層Al組成7を形成した。n型AlGaN層を形成する際には、基板温度を1100°Cに保ったまま、キャリアガスを主に窒素として、トリメチルガリウム49μmol/分、トリメチルアルミニウム4.0μmol/分、アンモニア、およびモノシランを装置内に導入した。これ以外は本発明例1と同様の方法を用いて半導体レーザ青紫色発光素子を製造した。このようにして得られた本発明例1の半導体レーザおよび比較例1の半導体レーザの各々に室温でパルス電流を印加したところ、レーザ発振が観測された。スロープ効率は本発明例1では1.0W/Aであり、比較例1では0.4W/Aであった。これらの結果から、本発明によれば半導体レーザの発光特性を向上できることが分かる。本実施例では、図1の半導体レーザにおける第2AlGaN層のAl組成とPLフォトルミネッセンス強度との関係を調べた。具体的には、以下の方法により半導体レーザを製造した。始めに、本発明例1と同様の方法により、n型GaN0001基板を準備し、クリーニングを行なった。そして、n型第1AlGaN層、n型第2AlGaNクラッド層、ノンドープGaN中間層、3周期の量子井戸発光層、およびノンドープGaNガイド層をn型GaN0001基板上に形成した。n型第2AlGaNクラッド層を形成する際には、トリメチルガリウムの供給量およびトリメチルアルミニウムの供給量の各々を変化させることにより、n型第2AlGaNクラッド層のAl組成を調節した。その後、基板を成膜装置内から取り出して、量子井戸構造に波長325nmのHe-Cdレーザを照射し、量子井戸構造からのPLの強度を観測した。図11は、本発明の実施例2における第2AlGaN層のAl組成とPL強度との関係を示す図である。図11を参照して、第2AlGaN層のAl組成が5以下である場合には、PL強度が飛躍的に向上することが分かる。以上により、第2AlGaN層はAltGa1tN0<t≦0.05よりなることが望ましい。本実施例では、AlGaN層を基板の一方の主面に接して形成することの効果について調べた。本発明例2の半導体レーザは以下の製造方法により製造した。本発明例2:始めに、本発明例1と同様の方法により、n型GaN0001基板を準備し、クリーニングを行なった。続いて、基板温度を1100°Cまで上昇させ、キャリアガスを主に水素として、トリメチルガリウム、アンモニア、およびモノシランを装置内に導入した。これにより、膜厚2μmのn型GaNバッファ層を形成した。その後、本発明例1と同様の方法により、n型第1AlGaN層、n型第2AlGaNクラッド層、ノンドープGaN中間層、3周期の量子井戸発光層、ノンドープGaNガイド層、p型AlGaN電子ブロック層、p型AlGaNクラッド層、およびp型GaNコンタクト層をn型GaNバッファ層上に形成した。その後、基板を成膜装置内から取り出し、光学顕微鏡を用いてp型コンタクト層の表面観察を行なったところ、ある程度良好な表面平坦性が得られていた。次に、本発明例1と同様の方法により、絶縁膜、p電極、およびn型電極を形成した。以上の工程により、半導体レーザ青紫色発光素子を得た。このようにして得られた本発明例2の半導体レーザに室温でパルス電流を印加したところ、レーザ発振が観測された。スロープ効率は0.6W/Aであった。本発明例1と本発明例2との結果から、AlGaN層を基板の一方の主面に接して形成することにより、発光特性を向上できることが分かる。本実施例では、本発明例3の半導体レーザを調べた。本発明例3の半導体レーザは以下の製造方法により製造した。本発明例3:実施の形態2に示す製造方法に従って半導体レーザを製造した。始めに、本発明例1と同様の方法により、n型GaN0001基板を準備し、クリーニングを行なった。続いて、基板温度を1100°Cまで上昇させ、キャリアガスを主に水素として、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、アンモニア、およびモノシランを装置内に導入した。これにより、膜厚0.6μmのn型AlGaN層を成長した。n型AlGaN層形成の際には、トリメチルガリウムの供給量およびトリメチルアルミニウムの供給量を以下のように変化させた。AlGaN層成長開始時には、トリメチルガリウムの供給量を24μmol/分とし、トリメチルアルミニウムの供給量を4.3μmol/分とした。これにより、成長開始時におけるAlGaN層のAl組成を12とした。そしてAlGaN層が成長するにつれてトリメチルガリウムおよびトリメチルアルミニウムの供給量を増加させていき、AlGaN層成長終了時には、トリメチルガリウムの供給量を99μmol/分とし、トリメチルアルミニウムの供給量を8.2μmol/分とした。これにより、成長終了時におけるAlGaN層のAl組成を12とした。AlGaN層の形成には20分間を要した。その後、本発明例1と同様の方法により、ノンドープGaN中間層、3周期の量子井戸発光層、ノンドープGaNガイド層、p型AlGaN電子ブロック層、p型AlGaNクラッド層、およびp型GaNコンタクト層をAlGaN層上に形成した。その後、基板を成膜装置内から取り出し、光学顕微鏡を用いてp型コンタクト層の表面観察を行なったところ、良好な表面平坦性が得られていた。次に本発明例1と同様の方法により、絶縁膜、p電極、およびn型電極を形成した。以上の工程により、半導体レーザ青紫色発光素子を得た。このようにして得られた本発明例3の半導体レーザに室温でパルス電流を印加したところ、レーザ発振が観測された。スロープ効率は1.2W/Aであった。本発明例3と比較例1との結果から、本発明によれば半導体レーザの発光特性を向上できることが分かる。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。