"基板と、前記基板上に垂直方向に配向したナノワイヤと、前記ナノワイヤを母体として前記ナノワイヤの少なくとも表面に付着した熱電材料からなる微粒子により形成される微粒子膜とを有することを特徴とする熱電素子。前記ナノワイヤがZnO或いはZnAlOからなり、前記微粒子がZnO或いはZnAlOからなることを特徴とする請求項1に記載の熱電素子。前記ナノワイヤが、少なくとも側壁に開口欠陥部を有するカーボンナチューブからなり、前記微粒子がZnO或いはZnAlOからなり、前記微粒子が前記開口欠陥部を介してカーボンナノチューブの内部にも侵入していることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の熱電素子。基板上に第1の電極を形成する工程と、前記電極上に触媒膜を形成したのち、熱処理により前記触媒膜を触媒粒子に変換する工程と、前記触媒微粒子を成長核としてナノワイヤを成長する工程と、前記ナノワイヤの少なくとも側面に熱電材料から微粒子を付着させて微粒子膜を製膜する工程と、前記微粒子膜上に第2の電極を形成する工程を有することを特徴とする熱電素子の製造方法。前記ナノワイヤの成長工程が、カーボンナノチューブの成長工程であり、前記微粒子膜の製膜工程の前に、前記カーボンナノチューブを酸素雰囲気下で熱処理することによって前記カーボンナノチューブの少なくとも側面に開口欠陥部を形成する工程を有することを特徴とする請求項4に記載の熱電素子の製造方法。前記第1の電極を複数個設け、前記第2の電極を形成する工程の前に、前記カーボンナノチューブ及び前記微粒子膜をレジスト膜で被覆する工程と、前記レジスト膜に前記第1の電極に達する開口を形成し、前記開口部を導電体で埋め込んで接続配線を形成する工程と、前記カーボンナノチューブ及び前記微粒子膜の頂部を露出させた後、前記第2の電極を、隣接する第1の電極に接続する接続配線に接続するように形成する工程を有することを特徴とする請求項4または請求項5に記載の熱電素子の製造方法。しかし、AD法を用いてZnO微粒子からなる厚膜を作製するのは困難であり、60nm程度の厚みしか得られなかった。そこで、トレンチ構造を形成した基板を用いることによって、50μm以上の厚みを得ることが可能になった。しかし、この場合、トレンチ構造を形成した分の面積がデバイスとして寄与しない領域となるので、従来想定していた膜に比べると熱電に寄与する領域が少なくなってしまう懸念がある。一方、本発明者は、鋭意研究の結果、図11に示すように、垂直配向した50μm程のCNTカーボンナノチューブに原子層堆積ALD法を施すと、CNT周辺に50nm程のアルミナ微粒子が成長することを見出した。この微粒子の堆積時間を長くすれば微粒子が集合した微粒子膜として堆積することも可能になる。したがって、本発明は、トレンチ構造を用いることなく、ナノワイヤを用いたZTの大きな熱電素子を実現することを目的とする。開示する一観点からは、基板と、前記基板上に垂直方向に配向したナノワイヤと、前記ナノワイヤを母体として前記ナノワイヤの少なくとも表面に付着した熱電材料からなる微粒子により形成される微粒子膜とを有することを特徴とする熱電素子が提供される。また、開示する別の観点からは、基板上に第1の電極を形成する工程と、前記電極上に触媒膜を形成したのち、熱処理により前記触媒膜を触媒粒子に変換する工程と、前記触媒微粒子を成長核としてナノワイヤを成長する工程と、前記ナノワイヤの少なくとも側面に熱電材料から微粒子を付着させて微粒子膜を製膜する工程と、前記微粒子膜上に第2の電極を形成する工程を有することを特徴とする熱電素子の製造方法が提供される。開示の熱電素子及びその製造方法によれば、トレンチ構造を用いることなく、ナノワイヤを用いたZTの大きな熱電素子を実現することが可能になる。ここで、図1乃至図3を参照して、本発明の実施の形態の熱電素子を説明する。図1は、本発明の実施の形態の熱電素子要素の概念的斜視図であり、基板1上に、触媒微粒子2を成長核として基板1に対して垂直方向に配向したナノワイヤ3と、その側面及び頂面に堆積した微粒子4の集合体による微粒子膜5とで熱電素子要素が構成される。この熱電素子要素の底部及び頂部に電極を設けることによって熱電素子となる。従来の熱電素子膜では微粒子のみを堆積して製膜していたため、トレンチ構造を用いた場合でしか60μm以上の厚みが得られなかった。一方、本発明では予め形成したナノワイヤを微粒子膜製膜の母体として使用することによって、60μm以上の厚みを有する熱電素子を実現することが可能になる。この場合の基板1としては、何でも良いが、例えば、表面に酸化膜を施したシリコン等を用いる。また、ナノワイヤ3としては、導電性を有し且つ低熱伝導率の材料が好適であり、ZnO、ZnAlOAlはn型のドーパント或いはCNTが好適である。特に、ナノワイヤ3のように一次元構造物を用いることにより、バルク材料の場合に比べて1/100程度の熱伝導率にすることができ好適になる。ナノワイヤ3とは、直径が10nm~100nmの一次元構造物を意味し、長さは任意である。熱電素子の無次元性能指数ZTは、性能指数Zと温度Tの積で表わされるが、Sをゼーベック係数、σを電気伝導率、κを熱伝導率とすると、無次元性能指数ZTは、ZT=S2σT/κとなる。したがって、熱伝導率κが小さいほど無次元性能指数ZTが大きくなり、電気伝導率σが大きいほど無次元性能指数ZTが小さくなる。なお、ナノワイヤ3としてCNTを用いる場合には、CNTの熱伝導率が大きいので、酸素アニールなどでCNTの頂面及び側面に穴を開けて開口欠陥部を形成する必要がある。CNTの熱伝導はフォノンが支配的であるので、穴を開けることにより熱伝導率を低下させることができる。このような開口欠陥部を形成すると、開口欠陥部を介してCNTの内部にも微粒子4が侵入し、熱電効果がさらに高まる。また、触媒微粒子2としては、成長させるナノワイヤ3の種類によるが、ZnOやZnAlOの場合にはNiが好適であり、CNTの場合には、Fe,Ni,Coが好適である。また、微粒子膜5を構成する微粒子4の材料としては、上記の無次元性能指数ZTの式から明らかなように、導電性を有し且つ低熱伝導率の材料である必要があるので、ZnO或いはZnAlOを用いる。例えば、ZnOナノ微粒子膜の体積占有率は24で、空隙の大きさは160nm程度である。上記の非特許文献1に報告されているように、150nmの空隙を持つZnAlOのZTが0.5付近である報告を考慮すると、微粒子膜5だけでZT0.5付近の値となり、ナノワイヤ3も熱電に寄与するため0.5以上の値にすることが可能になる。この時、ナノワイヤ3の長さは成長時間により任意に制御することができるので、トレンチ構造を用いることなく、60μm以上の厚さを有する熱電素子を実現することができる。次に、図2を参照して、本発明の実施の形態の熱電素子要素の製造工程を説明する。まず、図2aに示すように、基板1上に触媒膜6を形成し、次いで、図2bに示すように、熱処理を施すことによって触媒膜6を触媒微粒子2に変換する。次いで、図2cに示すように、熱CVD法等を用いて触媒微粒子2を成長核としてナノワイヤ3を基板1に対して垂直配向するように成長させる。ZnOナノワイヤを成長させる場合には、亜鉛源としてジンクパウダー或いはジエチルジンクを用い、酸素源として酸素或いは水をもちいる。また、CNTを成長させる場合には、原料ガスとして、炭化水素系ガス、水素、アルゴンなどを用いる。なお、ナノワイヤ3としてCNTを用いる場合には、図3dに示すように、ナノワイヤ3の成長後に酸素アニールによりナノワイヤ3の頂面及び側面に開口欠陥部7を形成する。次いで、図3eに示すように、ALD法を用いてナノワイヤ3の頂部及び側面に微粒子4を堆積させ、多数の微粒子4の集合体からなる微粒子膜5を形成することによって、熱電素子要素が得られる。この時のナノワイヤ3の長さが微粒子膜5の厚さに対応する。この熱電素子要素の底面及び頂面に電極を用いることによって、熱電素子が得られる。次に、図4乃至図6を参照して、本発明の実施例1の熱電素子の製造工程を説明する。まず、図4aに示すように、シリコンからなる基板11上に、レジスト12を利用したリフトオフ法によりTi/Au、Ti/Pt或いはCr/Auのいずれかからなる下部電極13を形成する。なお、レジスト12上に堆積する下部電極材料は図示を省略する。次いで、図4bに示すように、レジスト12を除去したのち、新たなレジスト14を利用したリフトオフ法により、厚さが5nm以下のNi膜15を形成する。次いで、図4cに示すように、レジスト14を除去したのち、600°C~1000°C、例えば、700°Cで熱処理することによって、Ni膜15をNi微粒子16に変換する。次いで、図4dに示すように、Ni微粒子16を成長核として、亜鉛源としてジンクパウダー、酸素源として酸素を用いた熱CVD法によって、長さが100μmのZnOナノワイヤ17を成長させる。ついで、図5eに示す様に、亜鉛源としてジンクパウダー、酸素源として酸素を用いたALD法を用いてZnO微粒子18をZnOナノワイヤ17の側面及び頂面に堆積させる。この時、堆積時間でZnO微粒子18の緻密さを制御することによってZnO微粒子膜19となる。この時のZnOナノワイヤ17の長さがZnO微粒子膜19の厚さに対応する。次いで、図5fに示すように、レジスト20を塗布したのち、露光現像することによって下部電極に対するコンタクトホール21を形成する。次いで、図5gに示すように、コンタクトホールにCuを埋め込んで接続配線22を形成する。次いで、図6hに示すように、レジスト20を除去したのち、新たなレジスト23を塗布したのち、露光現像することによってZnOナノワイヤ17の頂部を露出させる。次いで、図6iに示すように、隣接する接続配線22に接続するようにCuからなる上部電極24を形成する。最後に、図6jに示すように、レジスト23を除去することによって、熱電素子が直列接続した熱電装置が得られる。ここで、どのくらいの性能値が得られるかを検討する。AD法のみによって作製した膜の体積占有率は24程度である。直径10nm~40nm程度のZnOナノワイヤ17が1010cm-2の密度で分布し、その中を占有率24AD法で得られた微粒子膜の占有率のZnO微粒子18が埋まると仮定した場合、空隙を占める占有率は68程度である。空隙がZnO微粒子18と同数個3.73×1021cm-3あるとすると、平均的な直径は160nm程度になる。上記の非特許文献1によると、空隙の直径増加に応じて無次元性能指数ZTが増加し、150nm程度の空隙を持つ膜ではZT=0.5以上の値が得られている。したがって、空隙の大きさが160nm程度だとすると、ZnO微粒子膜19だけで見ればZT=0.5の性能を持つことになり、さらに、ZnOナノワイヤ17も熱電に寄与するので、ZT>0.5となる。このように、本発明の実施例1においては、予め成長させたナノワイヤを母体にして微粒子膜を形成しているので、トレンチ構造を用いることなく、デバイスとして用いるのに必要な長さの熱電素子を実現することが可能になる。この時、ナノワイヤ及び微粒子として電気伝導率が大きく且つ熱伝導率の小さなZnOを用いているので、無次元性能指数ZTを0.5以上にすることが可能になる。次に、図7乃至図10を参照して、本発明の実施例2の熱電素子の製造工程を説明する。まず、図7aに示すように、シリコンからなる基板11上に、レジスト12を利用したリフトオフ法によりTi/Au、Ti/Pt或いはCr/Auのいずれかからなる下部電極13を形成する。なお、レジスト12上に堆積する下部電極材料は図示を省略する。次いで、図7bに示すように、レジスト12を除去したのち、新たなレジスト14を利用したリフトオフ法により、厚さが5nm以下のFe膜31を形成する。次いで、図7cに示すように、レジスト14を除去したのち、500°C~1000°C、例えば、700°Cで熱処理することによって、Fe膜31をFe微粒子32に変換する。次いで、図7dに示すように、Fe微粒子32を成長核として、ホットフィラメントCVD法により、長さが100μmのCNT33を成長させる。この時、原料ガスとしてアセチレンとアルゴンの混合ガス分圧比1:9を用い、ホットフィラメント温度を1000°Cとする。次いで、図8eに示すように、500°C~700°C、例えば、600°Cの温度において1kPaのO2雰囲気中で5秒乃至1時間、例えば、10分間アニールすることによって、CNT33の側壁に開口欠陥部34を形成する。次いで、図8fに示すように、亜鉛源としてジンクパウダー、酸素源として酸素を用いたALD法を用いてZnO微粒子18をCNT33の側面及び頂面に堆積させる。この時、堆積時間でZnO微粒子18の緻密さを制御することによってZnO微粒子膜19となるまた、図8g及び図8hに模式的に示すように、この時、原料ガスは開口欠陥部34を介してCNT33の内部に侵入し、内部にもZnO微粒子18が堆積する。なお、開口欠陥部34の大きさは数nm~数10nm程度になる。次いで、図9iに示すように、レジスト20を塗布したのち、露光現像することによって下部電極に対するコンタクトホール21を形成する。次いで、図9jに示すように、コンタクトホールにCuを埋め込んで接続配線22を形成する。次いで、図9kに示すように、レジスト20を除去したのち、新たなレジスト23を塗布したのち、露光現像することによってCNT33の頂部を露出させる。次いで、図10lに示すように、隣接する接続配線22に接続するようにCuからなる上部電極24を形成する。最後に、図10mに示すように、レジスト23を除去することによって、CNTを利用した熱電素子が直列接続した熱電装置が得られる。このように、本発明の実施例2においては、母体となるナノワイヤとして成長が容易なCNTを用いているので、熱電素子の形成が容易且つ安価になる。この時、CNTに開口欠陥部を設けているので、CNTの熱伝導率を開口欠陥部を設けないCNTに比べて大幅に低くすることができ、それによって、無次元性能指数ZTを大きくすることができる。"