"磁気的に標識された対象物Z、とりわけ生物的対象物、好ましくは細胞を殊に連続的に識別するための方法であって、磁気的に標識された少なくとも1つの対象物Zを磁界HE内で運動させるステップS1と、前記磁気的に標識された対象物Zに起因する前記磁界HEの局所的変化を測定するステップS2と、前記磁界HEの測定された局所的変化に基づいて、とりわけデジタル化された信号を形成するステップF1と、前記形成された信号1を数学的関数による少なくとも一度の畳み込みによって当該形成された信号1を処理するステップF2,F3と、前記処理された信号1を評価するステップF4と、を有し、前記信号1の評価は、前記信号1の極値M1,M2、とりわけ最大値の検出、および検出された極値M1,M2と殊に前もって設定された閾値10との比較を含み、当該閾値を上回ると前記対象物Zが識別される方法。前記磁界HEは前記対象物Zの運動方向に対して実質的に垂直に配向され、とりわけ磁気的に標識された前記対象物Zに基づく磁束密度の変化に起因する前記磁界HEの変化であって、前記対象物Zの運動方向に対して平行の変化が測定される、請求項1に記載の方法。前記磁界HEの変化は、ホイートストンブリッジR1,R2,R3,R4によって測定される、少なくとも請求項1に記載の方法。前記形成された信号1の処理は、とりわけ当該形成された信号1のガウス関数による畳み込みによる平滑化F2を含む、少なくとも請求項1に記載の方法。前記形成された信号1の処理F2,F3および/または評価F4は、1次以上のガウス関数の少なくとも1つの導関数による前記信号1の畳み込みF3を含む、少なくとも請求項1に記載の方法。前記形成された信号1の処理F2,F3は、前記対象物Zの速度vzおよび/またはセンサb,dの寸法に基づいて行われる、少なくとも請求項1に記載の方法。前記閾値10は動的に、とりわけ統計的方法によって適合される、少なくとも請求項1に記載の方法。磁気的に標識された対象物Z、とりわけ生物学的対象物、好ましくは細胞を殊に連続的に識別するためのセンサ装置20であって、請求項1から7の少なくとも1つによる方法による使用に適したセンサ装置において、磁界HEを形成する手段と、当該磁界を測定するセンサSと、前記センサSの信号VB,1を提供する手段Aと有し、前記センサはとりわけ少なくとも1つの電気抵抗R1,R2,R3,R4を有し、前記センサSは、前記形成された磁界HEの方向に対して垂直に配向されており、当該センサSは、当該センサSの領域内を前記対象物Zが運動するときに、前記磁気的に標識された対象物Zに起因する当該対象物Zの運動方向に対して平行の磁界HEの変化を測定するセンサ装置。前記センサSはホイートストン測定ブリッジR1,R2,R3,R4として構成されている、請求項8に記載のセンサ装置。磁気的に標識された対象物Z、とりわけ生物学的対象物、好ましくは細胞を殊に連続的に識別する装置であって、請求項1から7の少なくとも1つによる方法の実施に適した装置において、磁気的に標識された対象物を殊に連続的に識別する、とりわけ請求項8または9に記載のセンサ装置20と、少なくとも1つの対象物Zを前記センサ装置20に供給する手段B1と、前記少なくとも1つの対象物Zを前記センサ装置20から除去する手段B2と、前記センサ装置20により形成された信号1,VBを形成および処理し、前記形成された信号1,VBを数学的関数により少なくとも一度畳み込むように構成された手段F1,F2,F3と、前記処理された信号1を評価する評価ユニットCと、を有し、前記信号の評価は、前記信号1の極値M1,M2の検出F4、および検出された極値M1,M2と殊に前もって設定された閾値10との比較を含み、当該閾値を上回ると前記対象物Zが識別される装置。形成された信号1をガウス関数のn次の導関数により少なくとも一度畳み込むことによりセンサSによって前記形成された信号1を処理した後F2,F3に閾値10に基づいて、磁気的に標識された対象物Zが前記センサSの領域で磁界HE内を運動する際に当該磁気的に標識された対象物Zを殊に連続的に識別するために、磁界を測定するセンサSの信号1,1’,1,1の極値を使用する使用法であって、n≧0、nはゼロを含む自然数である使用法。本発明の請求項1による方法、本発明の請求項7による装置、および本発明の請求項10による使用法は、磁気的に標識された対象物、とりわけ生物学的対象物、好ましくは細胞が、対象物の識別の際のS/N比が小さくても、確実に検出できるという利点を有する。形成された信号の形状が外部のパラメータ、たとえばセンサの特性に依存していても、この種の外部パラメータを形成された信号の処理のために使用することができ、これにより磁気的に標識された対象物の識別をさらに改善することができる。対象物が識別されると、すなわち処理された信号の振幅が閾値より上にあると、形成された信号の振幅値から、たとえば細胞の直径等のような細胞の物理学的特性を得ることができる。その他、評価の際に処理された信号の振幅が閾値を上回ることだけを確定し、センサ領域における対象物の存在だけを確定することも簡単に可能である。複数の対象物が順次連続してセンサの領域を通過するときには、このようにして対象物の数を決定することができる。本発明の別の有利な改善形態では、磁界が対象物の運動方向に対して実質的に垂直に配向されており、とりわけ、磁気的に標識された対象物に基づき磁束密度の変化によって磁界の変化が生じる場合、対象物の運動方向に対して平行の磁界の変化が測定される。ここでの利点は、対象物を識別するためのセンサの感度を最大にできることである。なぜなら測定された磁界の変化は、磁気的にマークされた対象物によって変化した磁束密度にだけ依存するからである。これにより簡単で信頼性の高い対象物識別が可能になる。本発明の別の有利な改善形態によれば、磁界の変化がホイートストンブリッジによって測定される。ここでの利点は、一般的には4つの抵抗を含むホイートストンブリッジによる測定によって、磁気的にマークされた対象物が少なくとも2つの抵抗を通り過ぎることにより形成された信号が異なって経過するようになり、この経過をそれぞれの対象物の極値を評価または分解することで対象物をより良く識別できることである。さらに磁気的にマークされた対象物を、ホイートストンブリッジの3つ以上の、とりわけ4つの抵抗で通過させることも可能である。この場合、細胞が4つの抵抗の空間的広がりに対して大きくなるよう抵抗を配置することができる。したがって対象物が4つの抵抗を通過すると個々の信号が形成され、この信号は個々の抵抗の信号の倍数の振幅を有する。本発明の別の有利な改善形態によれば、形成された信号の処理は、ガウス関数による形成された信号の畳み込みによる平滑化を含む。これにより、形成された信号の高周波成分を除去することができ、このことは最終的に、形成された信号の評価を改善する。形成された信号の処理は、ローパスフィルタリングを含むこともできる。その利点は、形成された信号のS/N比が改善され、磁気的にマークされた対象物の識別を、測定された磁界の変化に基づいて改善できることである。本発明の別の有利な改善形態によれば、形成された信号の処理および/または評価は、次数1またはそれ以上の次数のガウス関数の少なくとも1つの導関数による信号の畳み込みを含む。ここでの利点は、形成および/または処理された信号をガウス関数のn次の導関数n≧1により畳み込むことにより極値の検出が格段に改善されることである。ここでnは自然数であり、とりわけn=2である。畳み込みにより、形成された信号の領域の勾配が大きく変化して強調される。すなわち形成された信号に適用されると、信号の振幅が急速に、または大きく変化する信号領域が強調される。これにより信号の評価または信号の極値の検出が簡単になる。本発明の別の有利な改善形態によれば、形成された信号の処理が対象物の速度および/またはセンサ装置の寸法に基づいて行われる。ここでの利点は、これらが既知の外部量であり、これらは本方法の実施中は実質的に一定であり、および/または既知であることである。これらのパラメータを信号の処理および評価の際に利用することができ、全体として本方法の精度が向上する。本発明の別の有利な改善形態によれば、とりわけ統計学的方法によって閾値が動的に適合される。ここでの利点は、閾値を設定するために試料測定を前もって実施する必要がないことである。これにより本方法の実施が格段に簡単になり、磁気的にマークされた所定数の対象物を識別するための時間が短縮される。本発明のさらなる例が図面に示されており、以下詳細に説明する。図面について明細書で特に言及しない限り、おなじ参照符号は同じエレメントまたは同じ機能のエレメントを示す。図1から6にはそれぞれ本発明をより良く理解するために、それぞれの実施形態を簡素化して、磁気的にマークされた細胞Zの磁界HZが明示されている。しかし磁気的にマークされた真の細胞Zは一般的には固有の磁界HZを有しておらず、細胞はたとえば磁化可能な物質、とりわけ軟磁性または強磁性の粒子によって磁気的にマークされている。これらの粒子は、取り込まれた細胞Zとともに磁界HE内に局所的な磁束変化を形成し、この磁束変化は細胞Zの位置の領域における磁界HEの変化を引き起こす。この変化は、対応して構成されたセンサを細胞が通過する際に検出することができる。図1から6に示された細胞Zの磁界HZも同様に、細胞Zの位置領域において磁界HEの局所的変化に作用する。前に説明したようにこれらは対応して構成されたセンサにより検出することができる。したがって図1から6では、磁界HZを有する細胞Zを磁気的にマークされた細胞Zであると理解することができる。この細胞は、その位置領域において磁界HEの局所的変化を形成する。図1aは、磁気的にマークされた細胞が通過する際に測定したセンサの抵抗変化経過を時間に依存して示す線図である。図1aでは、x軸に時間がプロットされており、y軸には磁気抵抗素子Sの形のセンサの抵抗変化がプロットされている。図1bによれば磁界HZを有する磁気的にマークされた細胞Zが磁気抵抗素子またはセンサSに速度vzで接近し、細胞Zの運動方向に対して垂直の外部磁界HEが存在すると、磁気抵抗素子は図1aの抵抗変化の時間経過1を伴う信号を形成する。そしてセンサは磁界HEの局所的変化を細胞Zの磁界HZに基づいて検出する。細胞ZがさらにセンサSから離れると、センサSは抵抗を変化しない。すなわち曲線1はx軸上を経過し、抵抗変化はゼロである。磁気的にマークされた細胞ZがセンサSに左から右へ接近すると、センサSは磁界HZ、正確には細胞Zの運動方向に対して平行に配向された磁界HZの成分により抵抗を変化し、曲線1は上昇する図1aの経過1a。細胞Zが図1bにしたがいさらに左から右へセンサの方向に運動すると、曲線1は降下し、時点t1>t0までに再びゼロに達する。時点t1で細胞ZはセンサSに対して最小可能間隔の位置にある。細胞Zの磁界HZの軸とセンサSの中央軸とは完全に一致するから、センサSは細胞Zの磁界HZを測定せず、抵抗変化も測定しない。センサは細胞Zの運動方向に対してだけ感度を有するように構成されているから、抵抗変化はゼロである。細胞Zがさらに左から右へ図1cまたは図1dのように移動すると、センサSは負の抵抗変化1bを測定する。細胞Zの磁界HZの磁束線がセンサSの領域で反対方向に配向されるからである。細胞Zが速度vzでさらにセンサSから遠ざかると、負の抵抗変化1bは再び減少し、細胞ZがセンサSから十分に離れると抵抗変化はもはや検知されない。したがって経過1は再びゼロである。全体として経過1は、時点t1に対して点対称に形成されており、時点t0とt2に抵抗変化の極値を有する。持続期間Tとして実質的に、ゼロから上昇した経過1aが時点t0で極値に達し、時点t1でゼロ通過し、時点t2で負の抵抗変化1bの極値に達し、再び抵抗変化の経過が実質的にゼロになり一定である時間が定義される。図2は、ホイートストンブリッジの形のセンサを有するセンサ装置の基本図を示す。図2には、抵抗R1~R4を有するホイートストン測定ブリッジの基本が斜視図に示されている。ここでも細胞Zは磁気的に標識されている。すなわち細胞は磁界HZを有する。細胞Zは速度vzでホイートストンブリッジR1~R4の2つの抵抗R2,R4の上を順次、図3b~dのように移動し、このときにブリッジ電圧VBの変化を形成する。このブリッジ電圧は、抵抗R1,R2,R3,R4の間にホイートストン測定ブリッジの法則にしたがい印加される。ここで外部磁界HEは、細胞Zの速度vzの移動方向に対して垂直に配向されている。さらに図2には、細いパイプB1,B2が示されており、これらのパイプは、抵抗R1,R2,R3,R4を有するホイートストン測定ブリッジの形のセンサに細胞Zを供給し、さらに細胞Zを除去するために用いられる。もちろん他の形式の供給および除去手段も可能である。同様にコンピュータCの形式の評価ユニットが図示されており、評価ユニットは処理された信号の評価に用いられる。ここでコンピュータはセンサSの信号VBの処理F1,F2,F3,F4も行い、そのためにホイートストン測定ブリッジのブリッジ電圧VBを取り出すための端子Aと接続されている図示せず。図3aは、磁気的にマークされた細胞が通過する際のホイートストンブリッジの測定されたブリッジ電圧の変化を時間について示す線図である。図3aには、ブリッジ電圧VBの変化経過が示されている。ここでy軸Yにはブリッジ電圧VBの変化が、x軸Xには時間がプロットされている。曲線1は、細胞Zがホイートストン測定ブリッジR1,R2,R3,R4の抵抗R2,R4を通過する際のブリッジ電圧VBの変化経過を示す。この曲線は次の経過をたどる。磁界HZを有する細胞Zが図3bのように2つの抵抗R2,R4上を、図1b~1dと同じように左から右へ速度vzで移動すると、まず抵抗R2に細胞Zの磁界HZが印加される。ここでは経過1aを有する負のブリッジ電圧VBが形成され、この電圧は図3aに示すよう時点t0で極値を有する。細胞Zがさらに図3cに示すよう左から右へ移動すると、ブリッジ電圧VBの負の変化は再び減衰し、さらなる時間経過で時点t1の正の極値まで上昇する。時点t1で細胞Zは、間隔dで互いに離間された2つの抵抗R2とR4の間にある。すなわち細胞Zは実質的に2つの抵抗R2とR4の中央にある。細胞Zがさらに左から右へ図3dのように移動すると、ブリッジ電圧VBの正の変化の経過1bは再び減衰し、ゼロ点を通過し、さらなる経過1cで再び負になる。経過1cも時点t2で極値を有する。時点t2では抵抗R4にだけ細胞Zの磁界HZがまだ印加されている。これは図3bによる抵抗R2と同じである。したがって全体としてブリッジ電圧VBの変化は、時点t1に対して鏡面対称である。持続期間Tは、図1の説明に対応して定義される。すなわち、ゼロとは異なるブリッジ電圧VBの第1の変化から再びゼロになるブリッジ電圧VBの変化の間の持続時間であり、細胞Zが2つの抵抗R2,R4を通過する時間として定義される。図4は、種々の方法ステップを実行した後のセンサ信号の振幅の時間経過を示す。図4aにはx-y線図が示されており、x軸は時間軸、y軸Yは図1b~1dにしたがいセンサSにより形成された信号1Rの正の振幅を示す。ここで時点t=0とt=2000の間で磁気的にマークされた2つの細胞ZがセンサSを通過し、通り過ぎる。さらに閾値10が振幅4.1825に設定されている。信号1Rの振幅の複数のピークが閾値10を上回ることが分かる。これらはt=0からt=2000の間の領域だけでなく、細胞ZがセンサSを通過していない時点t>2000でも見られる。信号1Rを処理し、評価するために、これがデジタル化され、時間的に離散した信号1に変換される。ここでは細胞ZがセンサSを通過する速度vzおよびそこから生じる図3aまたは図1aに示した持続期間Tに依存して、ナイキストシャノンサンプリング定理を維持しなければならない。これに続いてデジタル信号1が平滑化され、高周波成分が除去される。そのために図4aのデジタル信号1がガウス関数により畳み込まれ、図4bに示す平滑化された信号1’が得られる。この平滑化信号1’は、ガウス関数の2次部分導関数により畳み込まれる。信号1’は前もって離散されているので畳み込まれた信号の経過1は、平滑化信号1’とガウス関数の二次導関数との積の離散的和に基づいて計算される。ここで離散的和の加重指数は、平滑化またはさらなる極値フィルタリングの最適化に用いられる外部の既知のパラメータに依存する。これらはとりわけ層流速度または細胞Zが運動する速度vzを含む。センサSがホイートストンブリッジR1,R2,R3,R4として構成されていれば、別のパラメータとして細胞Zの運動方向に対して平行の抵抗R2,R4のそれぞれの間隔dを使用することができる。個別の抵抗Rが存在していれば、その幅bを使用することができる。図4cには、離散され、平滑化され、ガウス関数の2次導関数により畳み込まれた信号1が、図4aないし4bの経過に対応して図示されている。局所的最大値M1,M2は細胞ZのセンサSの通過に対応することが分かる。この局所的最大値M1,M2は、信号1の他の経過とはその振幅の点で格段に際立っている。細胞Zが識別されるか否かを判断するために、静的閾値10が設定される。図4cではこれは0.04である。図4cでは振幅が0.04より大きい信号1の振幅だけが評価される。図4dは、前記の閾値10によるフィルタリングを実行した後の信号14の振幅を示す。パラメータ1の2つの値だけが示されており、これらは図4cの最大値M1とM2に対応する。したがって閾値10によるフィルタリングにより、細胞ZがセンサSを通過する際には図4dに示すように論理1だけが得られる。図4aに示す閾値10より上のそれぞれの最大値M1,M2から、細胞Zの物理的特性に関する付加的な情報、たとえば細胞Zの直径等が得られる。この閾値フィルタリングにより、図4dではセンサSを通過する細胞Zの数だけを測定することもできる。その他に、たとえば図4cの信号1を再度平滑化することにより、閾値フィルタリングの信頼性をさらに改善することができる。図5は、本発明の第1の実施形態による方法の経過を示す基本図である。図5には、第1の実施形態による本発明の方法が示されている。磁気的にマークされた対象物ZのセンサSの通過が第1のステップS1で磁界HE内を運動すると、対象物がセンサSを通過することによる対象物Zに起因した磁界HEの局所的変化が第2のステップS2で測定される。センサSにより形成された信号1RはまずA/D変換器F1でデジタル化され、時間的に離散した信号1に変換される。デジタル信号1は次にフィルタF2によって平滑化され、平滑化信号1’が別のフィルタF3で極値の決定のために、信号1’をガウス関数の2次導関数により畳み込むことによって処理される。次に生じた信号1は閾値に基づき閾値フィルタF4でフィルタリングされる。閾値フィルタF4から出力された信号1は、たとえば図4dの経過に対応する。極値フィルタF3から出力された信号1は図4cの信号1に対応する。フィルタF2から出力された信号1’は図4bの経過を有している。図4aの信号1はA/D変換器F1から出力された信号1に対応する。フィルタF2とF3を含むフィルタFに対するパラメータPは、外部の既知のパラメータ、たとえば層流速度または対象物ZがセンサSを通過する速度vz、センサSの幅bまたはホイートストン測定ブリッジの抵抗R1,R2,R3,R4の間隔dに相当する。図6は、ホイートストンブリッジの形のセンサを有するセンサ装置の別の実施形態の基本図である。図6では、抵抗R1~R4を有するホイートストンブリッジの基本形態が斜視図に示されている。ここでも細胞Zは磁気的に標識されている。細胞Zが速度vzで、図3b~dと同様にホイートストン測定ブリッジR1~R4の4つの抵抗R1,R2,R3,R4上を順次運動し、このときにブリッジ電圧VBの変化を引き起こす。この電圧の変化は、ホイートストン測定ブリッジの原理に対応して抵抗R1,R2,R3,R4間に印加される。ここで外部磁界HEは細胞Zの運動速度vzの方向に対して垂直に配向されている。ブリッジ電圧VBの変化は図3aの経過と実質的に同じ経過を有する。フィルタに対するパラメータとしての図3b~dの関連の間隔dは、2つの抵抗R2,R4の間隔ではなく、細胞Zの運動方向に沿った抵抗R1,R4の間隔の中点と、抵抗R2,R3の間隔の中点との間隔である。図6の装置の別の構造、すなわち細いパイプは図2にほぼ対応する。本発明の前記実施例に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、多種多様に変形することができる。"