"平衡端子を備える高周波デバイスと、該高周波デバイスが実装され、前記平衡端子に接続する平衡出力用外部接続ポートを備える積層体と、を備えた高周波モジュールであって、前記積層体は、前記平衡端子と前記平衡出力用外部接続ポートとを接続する第1引き回しパターンと第2引き回しパターンとを備え、前記第1引き回しパターンと前記第2引き回しパターンとは、それぞれの特性インピーダンスが同じになる形状に形成されている、高周波モジュール。請求項1に記載の高周波モジュールであって、前記第1引き回しパターンと前記第2引き回しパターンとは、少なくとも一部が前記積層体の異なる層に形成されている、高周波モジュール。請求項1に記載の高周波モジュールであって、前記第1引き回しパターンと前記第2引き回しパターンとは異なるパターン幅になるように形成されている、高周波モジュール。請求項1または2に記載の高周波モジュールであって、前記第1引き回しパターンおよび第2引き回しパターンは、前記高周波デバイスの実装面側に形成され、高周波モジュールを構成する他の回路素子を形成する電極パターンおよび他の配線パターンは、前記実装面に対向する主面側に形成されている、高周波モジュール。請求項4に記載の高周波モジュールであって、前記第1引き回しパターンおよび第2引き回しパターンは、前記高周波デバイスの実装面と、前記積層体の内部に形成された第1内層グランド電極との間に、形成されている、高周波モジュール。請求項5に記載の高周波モジュールであって、前記積層体には、共通端子を各個別端子へ切り替えて接続するスイッチICが実装され、前記高周波デバイスは、前記個別端子に不平衡端子を接続するととともに、前記平衡端子を備える不平衡平衡変換機能付きSAWデバイスであり、前記他の回路素子を形成する電極パターンおよび他の配線パターンは、前記SAWデバイスと異なる個別端子に接続されるフィルタ回路を構成しており、前記フィルタ回路側を送信回路とし、前記SAWデバイス側を受信回路とし、前記スイッチICの共通端子側をアンテナ側回路とする、高周波モジュール。請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の高周波モジュールであって、前記高周波デバイスの前記平衡端子を構成する二つの入出力電極は、前記高周波デバイスの所定側面に沿って、平行に且つ近接して形成されており、前記平衡出力用外部接続ポートを構成する二つの外部接続用電極は、前記積層体の所定側面に沿って、平行に且つ近接して形成されている、高周波モジュール。請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の高周波モジュールであって、前記高周波デバイスは、それぞれに異なる第1の平衡端子および第2の平衡端子を備え、前記第1の平衡端子に接続する引き回しパターンと、前記第2の平衡端子に接続する引き回しパターンとでは、主たる線路部の延びる方向が直交している、高周波モジュール。しかしながら、従来のように、平衡出力に対する引き回しパターンとなる対の配線パターンを線路長、線路幅ともに同じ形状に形成する場合、設計的制約を受けるため、設計的自由度が低下する。このため、高周波モジュールを小型化し難くなる。また、設計的負荷が多くなってしまう。さらには、たとえ線路長、線路幅を同じに形成しても、図1Bに示すように、現実的には位相が180°からずれてしまうことがあり、結果的に伝送損失が生じてしまう。本発明の目的は、平衡端子を備えた構造であって、より設計自由度が高く且つ伝送特性の優れる高周波モジュールを実現することにある。この発明は、平衡端子を備える高周波デバイスと、該高周波デバイスが実装され平衡端子に接続する平衡出力用外部接続ポートを備える積層体と、を備えた高周波モジュールに関する。この高周波モジュールの積層体は、平衡端子と平衡出力用外部接続ポートとを接続する第1引き回しパターンと第2引き回しパターンとを備える。第1引き回しパターンと第2引き回しパターンとは、それぞれの特性インピーダンスが同じになる形状に形成されている。この構成では、平衡端子と平衡出力用外部接続ポートとを接続する二本の伝送線路の特性インピーダンスが同じになることにより、後述する図5に示すように、伝送による振幅減衰も位相ズレも生じない。この際、従来のように、二つの引き回しパターンを、同じ線路幅、線路長にする必要がないので、より自由度が高い状態で、引き回しパターンを設計することができる。そして、設計自由度が向上することにより、高周波モジュールをより容易に小型化することができる。また、この発明の高周波モジュールでは、第1引き回しパターンと第2引き回しパターンとは、少なくとも一部が積層体の異なる層に形成されている。この構成では、第1引き回しパターンおよび第2引き回しパターンの具体的構成を示している。このように、少なくともこれらの一部が異なる層に形成されることで、より設計自由度が向上し、小型化も容易に可能になる。また、この発明の高周波モジュールでは、第1引き回しパターンと第2引き回しパターンとは異なるパターン幅になるように形成されている。この構成では、第1引き回しパターンおよび第2引き回しパターンの具体的構成を示している。このように、それぞれの引き回しパターンのパターン幅を異ならせることで、容易に、パターンの長さが異なっていても特性インピーダンスを同じにすることができる。また、この発明の高周波モジュールでは、第1引き回しパターンおよび第2引き回しパターンは、高周波デバイスの実装面側に形成される。高周波モジュールを構成する他の回路素子を形成する電極パターンおよび他の配線パターンは、実装面に対向する主面側に形成されている。この構成では、第1引き回しパターンおよび第2引き回しパターンと、高周波モジュールを構成する他の回路素子を形成する電極パターンおよび他の配線パターンとが、積層体内で離間している。したがって、第1引き回しパターンおよび第2引き回しパターンと、高周波モジュールを構成する他の回路素子を形成する電極パターンおよび他の配線パターンとの間の電磁界的結合を抑制できる。また、この発明の高周波モジュールでは、第1引き回しパターンおよび第2引き回しパターンは、高周波デバイスの実装面と、積層体の内部に形成された第1内層グランド電極との間に、形成されている。この構成では、第1引き回しパターンおよび第2引き回しパターンが、高周波デバイスの実装面と、第1内層グランド電極との間に形成されることで、第1引き回しパターンおよび第2引き回しパターンのキャパシタンスの設計が容易になり、特性インピーダンスの設計がより容易になる。また、この発明の高周波モジュールでは、積層体には、共通端子を各個別端子へ切り替えて接続するスイッチICが実装されている。高周波デバイスは、個別端子に不平衡端子を接続するととともに、平衡端子を備える不平衡平衡変換機能付きSAWデバイスである。他の回路素子を形成する電極パターンおよび他の配線パターンは、SAWデバイスと異なる個別端子に接続されるフィルタ回路を構成している。そして、この高周波モジュールでは、フィルタ回路側を送信回路とし、SAWデバイス側を受信回路とし、スイッチICの共通端子側をアンテナ側回路とする。この構成では、高周波モジュールのより具体的な構成例を示しており、共通アンテナを用いて複数の通信信号を切り替えて送受信する高周波スイッチモジュールを実現した場合を示している。また、この発明の高周波モジュールでは、高周波デバイスの平衡端子を構成する二つの入出力電極は、高周波デバイスの所定側面に沿って平行に且つ近接して形成されている。また、この高周波モジュールでは、平衡出力用外部接続ポートを構成する二つの外部接続用電極は、積層体の所定側面に沿って平行に且つ近接して形成されている。この構成は、高周波デバイスおよび積層体の具体的構成を示している。このような構成であっても、引き回しパターンの自由度が高いため、高周波デバイスの平衡端子を構成する二つの入出力電極の配列方向と、平衡出力用外部接続ポートを構成する二つの外部接続用電極の配列方向とを適宜設定できる。これにより、高周波モジュールの形状自由度が向上し、小型化等が可能になる。また、この発明の高周波モジュールでは、高周波デバイスは、それぞれに異なる第1の平衡端子および第2の平衡端子を備える。第1の平衡端子に接続する引き回しパターンと、第2の平衡端子に接続する引き回しパターンとでは、主たる線路部の延びる方向が直交している。この構成では、高周波モジュールに用いる高周波デバイスの具体的構成を示している。上述の引き回しパターンの自由度が向上することを利用し、高周波デバイスが第1の平衡端子および第2の平衡端子を備える場合に、それぞれの引き回しパターンの主たる線路部の延びる方向を直交させれば、これら引き回しパターンの電磁界結合が抑圧され、これら引き回しパターン間のアイソレーションを向上できる。この発明によれば、設計自由度が高く、優れた伝送特性を有する、平衡出力が可能な高周波モジュールを実現することができる。本発明の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。本実施形態では、高周波モジュールとして、不平衡平衡変換機能付きSAWデュプレクサを備え、GSM850,GSM900,GSM1800,GSM1900の通信信号を送受信する高周波スイッチモジュールを例に説明する。図2は本実施形態の高周波スイッチモジュールの回路図である。高周波モジュール10は、スイッチIC11、SAWデュプレクサS1,S2、個別端子側フィルタ13A,13Bを備えており、積層体内に形成される回路素子および積層体の天面に実装される回路素子により形成される。スイッチIC11およびSAWデュプレクサS1,S2は実装型回路素子であり、積層体の天面に実装される。ここで、SAWデュプレクサS1,S2が本願発明の高周波デバイスに相当する。個別端子側フィルタ13A,13Bは、概略的にはインダクタおよびキャパシタにより構成されている。スイッチIC11は、共通端子PIC0と、複数本実施形態では9個の個別端子PIC11-PIC19を備える。スイッチIC11には、駆動電圧Vdd、制御電圧Vc1,Vc2,Vc3,Vc4が与えられる。スイッチIC11は、駆動電圧Vddが印加されることで駆動し、制御電圧Vc1,Vc2,Vc3,Vc4のHi,Lowの組合せにより、共通端子PIC0を個別端子PIC11-PIC19のいずれかに接続する。スイッチIC11の共通端子PIC0は、インダクタL2とインダクタL1およびキャパシタC1からなる位相整合回路兼ESD保護回路を介して、高周波モジュール10のアンテナポートPanに接続されている。スイッチIC11の個別端子PIC11は、個別端子側フィルタ13Aを介して、高周波モジュール10の第1送信信号入力ポートPtLに接続されている。第1送信信号入力ポートPtLには、GSM850送信信号もしくはGSM900送信信号が入力される。スイッチIC11の個別端子PIC12は、個別端子側フィルタ13Bを介して、高周波モジュール10の第2送信信号入力ポートPtHに接続されている。第2送信信号入力ポートPtHには、GSM1800送信信号もしくはGSM1900送信信号が入力される。ここで、個別端子側フィルタ13A,13Bの構成を説明する。個別端子側フィルタ13Aは、個別端子PIC11と第1送信信号入力ポートPtLとの間に直列接続されたインダクタGLt1,GLt2を備える。インダクタGLt1にはキャパシタGCc1が並列接続しており、インダクタGLt2にはキャパシタGCc2が並列接続している。インダクタGLt1の個別端子PIC11側は、キャパシタGCu1を介してグランドへ接続している。インダクタGLt1とインダクタGLt2との接続点は、キャパシタGCu2を介してグランドへ接続している。インダクタGLt2の第1送信信号入力ポートPtL側は、キャパシタGCu3を介してグランドへ接続している。このような構成とすることで、個別端子側フィルタ13は、ローパスフィルタとして機能する。この際、各回路素子であるインダクタGLt1,GLt2、キャパシタGCc1,GCc2,GCu1,GCu2,GCu3の形状を適宜設定し、各素子値を所望値に決定することで、GSM850送信信号およびGSM900送信信号の2倍高調波および3倍高調波とそれ以上の高調波を減衰させ、GSM850送信信号およびGSM900送信信号の基本周波数を通過させるローパスフィルタを形成することができる。これにより、第1送信信号入力ポートPtLから入力されたGSM850送信信号およびGSM900送信信号の高調波は遮断され、GSM850送信信号およびGSM900送信信号の基本周波数信号のみが、スイッチIC11の個別端子PIC11に入力される。個別端子側フィルタ13Bは、個別端子PIC12と第2送信信号入力ポートPtHとの間に直列接続されたインダクタDLt1,DLt2を備える。インダクタDLt1にはキャパシタDCc1が並列接続している。インダクタDLt1とインダクタDLt2との接続点は、キャパシタDCu2を介してグランドへ接続している。インダクタDLt2の第2送信信号入力ポートPtH側は、キャパシタDCu3を介してグランドへ接続している。このような構成とすることで、個別端子側フィルタ13Bは、ローパスフィルタとして機能する。この際、各回路素子であるインダクタDLt1,DLt2、キャパシタDCc1,DCu2,DCu3の形状を適宜設定し、各素子値を所望値に決定することで、GSM1800送信信号およびGSM1900送信信号の2倍高調波および3倍高調波とそれ以上の高調波を減衰させ、GSM1800送信信号およびGSM1900送信信号の基本周波数を通過させるローパスフィルタを形成することができる。これにより、第2送信信号入力ポートPtHから入力されたGSM1800送信信号およびGSM1900送信信号の高調波は遮断され、GSM1800送信信号およびGSM1900送信信号の基本周波数信号のみが、スイッチIC11の個別端子PIC12に入力される。スイッチIC11の個別端子PIC13,PIC15は、グランド電位に接続している。スイッチIC11の個別端子PIC14には、SAWデュプレクサS2の不平衡端子が接続している。個別端子PIC14とSAWデュプレクサS2の不平衡端子とを接続する線路とグランド電位との間には、整合用のインダクタL3が接続している。SAWデュプレクサS2は、それぞれが不平衡平衡変換機能を有するGSM850受信信号帯域を通過帯域とする第1SAWフィルタと、GSM900受信信号帯域を通過帯域とする第2SAWフィルタとから構成されている。SAWデュプレクサS2は、不平衡端子から入力されたGSM850受信信号を、第1SAWフィルタの平衡端子から出力し、第2SAWフィルタで減衰させる。SAWデュプレクサS2は、不平衡端子から入力されたGSM900受信信号を、第1SAWフィルタで減衰し、第2SAWフィルタの平衡端子から出力する。SAWデュプレクサS2の第1SAWフィルタの平衡端子を構成する二つの端子は、それぞれ配線パターン101,102を介して、高周波モジュール10の第1受信信号出力ポートPrL11,PrL12に接続されている。この第1受信信号出力ポートPrL11,PrL12が、本発明の平衡出力用外部接続ポートに相当する。そして、詳細な構造は、後述するが、配線パターン101,102は、特性インピーダンスが一致するように、形成されている。SAWデュプレクサS2の第2SAWフィルタの平衡端子を構成する二つの端子は、それぞれ配線パターン201,202を介して、高周波モジュール10の第2受信信号出力ポートPrL21,PrL22に接続されている。この第2受信信号出力ポートPrL21,PrL22も、本発明の平衡出力用外部接続ポートに相当する。そして、詳細な構造は、後述するが、配線パターン201,202は、特性インピーダンスが一致するように、形成されている。スイッチIC11の個別端子PIC16には、SAWデュプレクサS1の不平衡端子が接続している。個別端子PIC16とSAWデュプレクサS1の不平衡端子とを接続する線路とグランド電位との間には、整合用のインダクタL4が接続している。SAWデュプレクサS1は、それぞれが不平衡平衡変換機能を有するGSM1800受信信号帯域を通過帯域とする第3SAWフィルタと、GSM1900受信信号帯域を通過帯域とする第4SAWフィルタとから構成されている。SAWデュプレクサS1は、不平衡端子から入力されたGSM1800受信信号を、第3SAWフィルタの平衡端子から出力し、第4SAWフィルタで減衰させる。SAWデュプレクサS1は、不平衡端子から入力されたGSM1900受信信号を、第3SAWフィルタで減衰し、第4SAWフィルタの平衡端子から出力する。SAWデュプレクサS1の第3SAWフィルタの平衡端子を構成する二つの端子は、それぞれ配線パターン301,302を介して、高周波モジュール10の第3受信信号出力ポートPrH11,PrH12に接続されている。この第3受信信号出力ポートPrH11,PrH12も、本発明の平衡出力用外部接続ポートに相当する。そして、詳細な構造は、後述するが、配線パターン301,302は、特性インピーダンスが一致するように、形成されている。SAWデュプレクサS1の第4SAWフィルタの平衡端子を構成する二つの端子は、それぞれ配線パターン401,402を介して、高周波モジュール10の第4受信信号出力ポートPrH21,PrH22に接続されている。この第4受信信号出力ポートPrH21,PrH22も、本発明の平衡出力用外部接続ポートに相当する。そして、詳細な構造は、後述するが、配線パターン401,402は、特性インピーダンスが一致するように、形成されている。スイッチIC11の個別端子PIC17,PIC18,PIC19は、それぞれ第1,第2,第3入出力ポートPumt1,Pumt2,Pumt3に接続している。<高周波モジュール10の構造説明>上述の回路構成からなる高周波モジュール10は、複数の誘電体層PL1-PL19を積層してなる積層体900と、該積層体900の天面に実装された各種実装型回路素子からなる。図3は、本実施形態の高周波モジュールの積層図である。なお、図3は、積層体900の天面側の最上層を第1層PL1として、最下層を第19層PL19として示しており、底面側から電極パターンを平面視した図である。そして、図3の各層に記載の丸印は、層間を接続する導電性ビアホールである。図4Aは積層体900の天面の実装構成図であり、図4Bは積層体900の底面の外部接続用ランドの構成図である。第1層PL1誘電体層901には、スイッチIC11、SAWデュプレクサS1,S2、インダクタL1,L3,L4を実装するための実装用ランドが形成されている。これら実装用ランドは、誘電体層901の天面側に形成されている。ここで、SAWデュプレクサS1,S2の実装用ランドは、これらSAWデュプレクサS1,S2の短手方向が、積層体900の長手方向と平行になるように形成されている。また、SAWデュプレクサS1の実装用ランドは、平衡端子用ランドP111,P112および、平衡端子用ランドP121,P122が、積層体900の短手方向に平行になるように形成されている。同様に、SAWデュプレクサS2の実装用ランドは、平衡端子用ランドP211,P212および、平衡端子用ランドP221,P222が、積層体900の短手方向に平行になるように形成されている。このような構成により、SAWデュプレクサS1,S2は、それぞれの短手方向が積層体900の長手方向に平行になるように、積層体900へ実装される。したがって、従来の図1Aに示したように、SAWデュプレクサS1,S2の長手方向が積層体900の長手方向に平行になるように、SAWデュプレクサS1,S2を積層体900へ実装するよりも、平面視した面積を小さくすることができる。これにより、高周波モジュール10を小型に形成することができる。そして、このようなSAWデュプレクサS1,S2の配置の自由度を上げられるのは、後述するように、SAWデュプレクサS1,S2の平衡端子用ランドP111,P112,P121,P122,P211,P212,P221,P222からの引き回しの自由度が向上しているからである。第2層PL2誘電体層902には、配線パターン101,201,202,301,401,402をそれぞれに構成する線状の引き回し電極が形成されている。配線パターン101は、平衡端子用ランドP211に導電性ビアホールで接続している。配線パターン201は、平衡端子用ランドP221に導電性ビアホールで接続している。配線パターン202は、平衡端子用ランドP222に導電性ビアホールで接続している。配線パターン301は、平衡端子用ランドP111に導電性ビアホールで接続している。配線パターン401は、平衡端子用ランドP121に導電性ビアホールで接続している。配線パターン402は、平衡端子用ランドP122に導電性ビアホールで接続している。第3層PL3誘電体層903には、配線パターン102,202,302をそれぞれに構成する線状の引き回し電極が形成されている。配線パターン102は、平衡端子用ランドP212に導電性ビアホールで接続している。配線パターン202は、第2層PL2の配線パターン202に導電性ビアホールで接続している。配線パターン302は、平衡端子用ランドP121に導電性ビアホールで接続している。第4層PL4誘電体層904には、内層グランド電極GNDが略全面に形成されている。第5層PL5誘電体層905には、アンテナ側回路用の引き回し電極が形成されている。第6層PL6誘電体層906には、配線パターン201を構成する線状の引き回し電極が形成されている。配線パターン402は、第2層PL2の配線パターン402に導電性ビアホールで接続している。また、第6層誘電体層906には、制御電圧用の引き回し電極が形成されている。第7層PL7誘電体層907には、内層グランド電極GNDが略全面に形成されている。第8層PL8誘電体層908から第17層PL17誘電体層917までは、上述の個別端子側フィルタ13A,13B、およびアンテナ側の位相整合回路兼ESD保護用のインダクタL1以外を構成する各回路素子が内層電極パターンにより形成されている。第18層PL18誘電体層918には、内層グランド電極GNDが略全面に形成されている。積層体900の底面を構成する第19層PL19誘電体層919の底面側には、各種外部接続用ランドが形成されている。図4Bに示すように、誘電体層919を平面視した中央には、外部接続用グランド電極GNDoが形成されている。誘電体層919の長手方向に沿った一方の側辺付近には、当該長手方向に沿って、各平衡出力用外部接続ポートに相当する平衡出力用外部接続用ランドPmR111,PmR112,PmR211,PmR212,PmR311,PmR312,PmR411,PmR412が配列形成されている。これら平衡出力用外部接続用ランドPmR111,PmR112,PmR211,PmR212,PmR311,PmR312,PmR411,PmR412は、図2の第1受信信号出力ポートPrL11,PrL12、第2受信信号出力ポートPrL21,PrL22、第3受信信号出力ポートPrH11,PrH12、第4受信信号出力ポートPrH21,PrH22に対応する外部接続用ランドである。これら平衡出力用外部接続用ランドPmR111,PmR112,PmR211,PmR212,PmR311,PmR312,PmR411,PmR412は、図2の回路を実現するように、導電性ビアホールを介して、それぞれに配線パターン101,102,201,202,301,302,401,402に接続している。誘電体層919の長手方向に沿った他方の側辺付近には、当該長手方向に沿って、外部接続用ランドPmVD,PmVc1,PmVc2,PmVc3,PmVc4,PmAが配列形成されている。外部接続用ランドPmVD,PmVc1,PmVc2,PmVc3,PmVc4は、駆動電圧Vddおよび制御電圧Vc1-Vc4を印加するための外部接続用ランド図2のVdd,Vc1,Vc2,Vc3,Vc4に対応であり、外部接続用ランドPmAは、図2のアンテナポートPanに対応ずる外部接続用ランドである。誘電体層919の短手方向に沿った一方の側辺付近には、当該短手方向に沿って、外部接続用ランドPmTL,PmTHが形成されている。外部接続用ランドPmTL,PmTHは、第1送信信号入力ポートPtLおよび第2送信信号入力ポートPtHに対応する外部接続用ランドである。誘電体層919の短手方向に沿った他方の側辺付近には、当該短手方向に沿って、外部接続用ランドPmU1,PmU2,PmU3が配列形成されている。外部接続用ランドPmU1,PmU2,PmU3は、第1,第2,第3入出力ポートPumt1,Pumt2,Pumt3に対応する外部接続用ランドである。以上のような構造により、積層体900と当該積層体900に実装される実装回路部品とからなる高周波モジュール10が形成される。このような構造において、本実施形態の高周波モジュール10は、さらに次に特徴を有する。配線パターン101,102を構成する各引き回し電極は、配線電極長および配線電極幅を適宜設定することで、配線パターン101,102の特性インピーダンスが一致するように、形成されている。同様に、配線パターン201,202を構成する各引き回し電極は、配線電極長および配線電極幅を適宜設定することで、配線パターン201,202の特性インピーダンスが一致するように、形成されている。また、同様に、配線パターン301,302を構成する各引き回し電極は、配線電極長および配線電極幅を適宜設定することで、配線パターン301,302の特性インピーダンスが一致するように、形成されている。さらに、同様に、配線パターン401,402を構成する各引き回し電極は、配線電極長および配線電極幅を適宜設定することで、配線パターン401,402の特性インピーダンスが一致するように、形成されている。このように、それぞれのSAWデュプレクサS1,S2の各SAWフィルタに接続する平衡端子へ接続する配線パターン同士の特性インピーダンスを一致させるように設計すると、図5に示すような特性を得ることができる。図5は本実施形態の構成を用いた場合のGSM900受信信号に対するSAWフィルタ単体の振幅特性および位相特性と、高周波モジュールの振幅特性および位相特性を示す。図5に示すように、上述のように特性インピーダンスを一致させるように配線パターンを形成することで、当該配線パターンを伝送した後、すなわち、高周波モジュール10の平衡出力用外部接続ポートからの出力時において、振幅減衰も位相ズレも生じない。これにより、低損失な平衡出力を実現できる。そして、このように、それぞれのSAWデュプレクサS1,S2の各SAWフィルタに接続する平衡端子へ接続する配線パターン同士の特性インピーダンスを一致させるように設計した場合、従来のように配線電極長、配線電極幅を完全に一致させるよりも、設計の自由度が向上する。これにより、積層体900内の配線パターンの設計自由度が向上し、より積層体900を小型化することができる。さらに、この構成を利用し、本実施形態の高周波モジュール10では、配線パターンを複数の誘電体層に亘って形成する。これにより、さらに積層体900の平面視した形状を小型化することができる。また、上述のように、配線パターンを構成する引き回し電極の形成層の隣接層に内層グランド電極GNDを形成し、SAWデュプレクサS1,S2の実装面と内層グランド電極との間に引き回し電極の形成層が狭持されているので、各配線パターンに対するグランド電位との間で生じるキャパシタンスの設計が容易になり、特性インピーダンスを、より容易に所望値へ設計することができる。また、図3に示すように、SAWデュプレクサS1の各SAWフィルタ用の平衡端子用ランドP111、P112から引き回される配線パターン301,302の主たる引き回し方向を積層体900の短手方向に平行にし、SAWデュプレクサS1の各SAWフィルタ用の平衡端子用ランドP121、P122から引き回される配線パターン401,402の主たる引き回し方向を積層体900の長手方向に平行にする。これにより、配線パターン301,302と、配線パターン401,402との電磁界結合を抑制できる。この結果、配線パターン301,302と配線パターン401,402との間のアイソレーションを向上できる。また、このようにアイソレーションが確保できることで、配線パターン301,302と配線パターン401,402の特性インピーダンスの設計を容易にすることができる。また、図3に示すように、平衡出力用の配線パターン101,102,201,202,301,302,401,402が積層体900の第2層PL2から第6層PL6に形成され、高周波モジュール10を構成する積層体900内に形成される他の回路素子の電極パターンが第8層PL8から第18層PL18に形成されている。その上で、これらの間となる第7層PL7に、内層グランド電極GNDが形成されている。このような構造により、平衡出力用の配線パターン101,102,201,202,301,302,401,402と他の回路素子とは、内層グランド電極GNDにより電気的に分離される。したがって、平衡出力用の配線パターン101,102,201,202,301,302,401,402と他の回路素子と間での電磁界結合が抑圧され、互いのアイソレーションを向上することができる。また、図3、図4に示すように、SAWデュプレクサS1,S2用の平衡端子用ランドP111,P112,P121,P122,P211,P212,P221,P222と、平衡出力用外部接続用ランドPmR111,PmR112,PmR211,PmR212,PmR311,PmR312,PmR411,PmR412とが、積層体900を平面視して、必ずしも重なる位置に形成される必要がない。これは、上述のように、特性インピーダンスを所望値に設計できれば、配線パターン101,102、配線パターン201,202、配線パターン301,302配線パターン401,402を必ずしも同じ形状で形成する必要がないからである。したがって、積層体900の内層の電極パターンの形状、外部接続用ランドの形成配列パターン、およびSAWデュプレクサS1,S2の実装ランドの配列パターンの設計自由度が向上し、より積層体900を小型に設計することもできる。以上のように、本実施形態の構成を用いれば、平衡出力端子を有しながら、低損失で小型の高周波モジュールを実現することができる。なお、本実施形態では、高周波モジュールとして高周波スイッチモジュールを例に説明したが、平衡出力端子を備える他の高周波モジュールであっても、上述の構成を適用でき、同様の作用効果を得ることができる。また、上述の説明では、平衡出力する高周波デバイスとして、SAWデュプレクサS1,S2を二個実装した例を示したが、単に平衡端子を有するSAWフィルタが一個だけの場合である等、平衡端子を有する高周波デバイスを少なくとも一個備える高周波モジュールであれば、上述の構成を適用でき、同様の作用効果を得ることができる。"