"基板全体の複屈折量の最大値が3nm/cm以下の半導体用合成石英ガラス基板の少なくとも一方の面に非貫通の穴、溝又は段差を形成する研削工程と、研削による残留応力を除去する工程とを含む、非貫通の穴、溝又は段差を有する半導体用合成石英ガラス基板の製造方法。前記研削による残留応力を除去する工程が、鏡面加工工程により研削面の加工変質層を除去する請求項1記載の非貫通の穴、溝又は段差を有する半導体用合成石英ガラス基板の製造方法。前記鏡面加工工程が、非貫通の穴、溝又は段差の底面及び側面に回転研磨ツールの研磨加工部をそれぞれ独立した一定圧力で接触させて鏡面加工する請求項1又は2記載の半導体用合成石英ガラス基板の製造方法。前記鏡面加工工程が、非貫通の穴、溝又は段差に回転研磨ツールの研磨加工部を1~1,000,000Paの圧力で接触させて鏡面加工する請求項1~3のいずれか1項記載の半導体用合成石英ガラス基板の製造方法。前記鏡面加工工程が、非貫通の穴、溝又は段差の底面及び側面に回転研磨ツールの研磨加工部をそれぞれ独立した一定圧力で同時に接触させて鏡面加工する請求項2~4のいずれか1項記載の半導体用合成石英ガラス基板の製造方法。前記鏡面加工工程が、基板の非貫通の穴、溝又は段差の形状に沿うように回転研磨ツールと基板とを相対的に移動させて鏡面加工する請求項2~5のいずれか1項記載の半導体用合成石英ガラス基板の製造方法。前記鏡面加工工程が、基板の非貫通の穴、溝又は段差の形状に沿うように回転研磨ツールを公転あるいは基板保持台を回転させて鏡面加工する請求項6記載の半導体用合成石英ガラス基板の製造方法。前記鏡面加工工程が、基板の非貫通の穴、溝又は段差の形状に沿うように回転研磨ツールあるいは基板保持台を1軸以上の直線軸上を移動させて鏡面加工する請求項6記載の半導体用合成石英ガラス基板の製造方法。前記研削による残留応力を除去する工程が、ガラスエッチング溶液を用いて半導体用合成石英ガラス基板をウェットエッチングして研削面の加工変質層を除去する請求項1記載の非貫通の穴、溝又は段差を有する半導体用合成石英ガラス基板の製造方法。前記ガラスエッチング溶液が、フッ化水素酸又はフッ素化物塩を含む水溶液である請求項9記載の半導体用合成石英ガラス基板の製造方法。半導体用合成石英ガラス基板の表面の平坦度が0.01~0.5μm、平行度が10μm以下であり、非貫通の穴、溝又は段差を形成する前後の基板表面の平坦度の変化量が0.1μm以下であり、平行度の変化量が0.3μm以下である請求項1~10のいずれか1項記載の半導体用合成石英ガラス基板の製造方法。半導体用合成石英ガラス基板が、フォトマスク用、露光機部材用、レチクル用、又はナノインプリント用である請求項1~11のいずれか1項記載の半導体用合成石英ガラス基板の製造方法。本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、比較的簡便な方法でサイズ、底面の残し厚さ、平行度等、形状を高精度に安定的に制御され、加工を施す前後の基板全体の形状変化を抑えた、非貫通の穴、溝又は段差を有する半導体用合成石英ガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討した結果、基板に非貫通の穴、溝又は段差を形成する研削工程及び非貫通の穴、溝又は段差の底面及び側面の研削面を鏡面加工することにより、又はガラスエッチング溶液を用いて基板をウェットエッチングすることにより、加工変質層を除去して加工歪みによる残留応力を除去することが前記課題の解決に有用であることを見出した。即ち、本発明に係る半導体用合成石英ガラス基板は、一方の面に非貫通の穴、溝又は段差を有し、基板の表面にフォトマスクやナノインプリント用の加工を施すものであるが、非貫通の穴、溝又は段差を加工する前後において、表面の平坦度、平行度が大きく変化すると、表面の調整が再度必要となる場合が生じ、平坦度、平行度が大きく変化したままフォトマスクやナノインプリントの用途に使用した場合、露光時の焦点ずれや転写時のパターンずれが生じるおそれがある。これに対し、非貫通の穴、溝又は段差を形成すべき基板として、複屈折量の最大値を3nm/cm以下の基板、好ましくは更に表面の平坦度を0.5μm以下、平行度を10μm以下にした基板を用い、非貫通の穴、溝又は段差を研削加工した後、この研削加工により生じた残留応力を除去することにより、研削加工前後の形状精度が高く、基板表面の平坦度変化量を0.1μm以下、平行度変化量を0.3μm以下にすることができ、半導体用合成石英ガラス基板の製造方法として有効であることを知見した。なお、残留応力を除去しない場合あるいは残留応力の除去が不十分な場合は、基板表面の平坦度変化量、平行度変化量が上記の値にならないことを見出した。従って、本発明は以下の非貫通の穴、溝又は段差を有する半導体用合成石英ガラス基板の製造方法を提供するものである。請求項1:基板全体の複屈折量の最大値が3nm/cm以下の半導体用合成石英ガラス基板の少なくとも一方の面に非貫通の穴、溝又は段差を形成する研削工程と、研削による残留応力を除去する工程とを含む、非貫通の穴、溝又は段差を有する半導体用合成石英ガラス基板の製造方法。請求項2:前記研削による残留応力を除去する工程が、鏡面加工工程により研削面の加工変質層を除去する請求項1記載の非貫通の穴、溝又は段差を有する半導体用合成石英ガラス基板の製造方法。請求項3:前記鏡面加工工程が、非貫通の穴、溝又は段差の底面及び側面に回転研磨ツールの研磨加工部をそれぞれ独立した一定圧力で接触させて鏡面加工する請求項1又は2記載の半導体用合成石英ガラス基板の製造方法。請求項4:前記鏡面加工工程が、非貫通の穴、溝又は段差に回転研磨ツールの研磨加工部を1~1,000,000Paの圧力で接触させて鏡面加工する請求項1~3のいずれか1項記載の半導体用合成石英ガラス基板の製造方法。請求項5:前記鏡面加工工程が、非貫通の穴、溝又は段差の底面及び側面に回転研磨ツールの研磨加工部をそれぞれ独立した一定圧力で同時に接触させて鏡面加工する請求項2~4のいずれか1項記載の半導体用合成石英ガラス基板の製造方法。請求項6:前記鏡面加工工程が、基板の非貫通の穴、溝又は段差の形状に沿うように回転研磨ツールと基板とを相対的に移動させて鏡面加工する請求項2~5のいずれか1項記載の半導体用合成石英ガラス基板の製造方法。請求項7:前記鏡面加工工程が、基板の非貫通の穴、溝又は段差の形状に沿うように回転研磨ツールを公転あるいは基板保持台を回転させて鏡面加工する請求項6記載の半導体用合成石英ガラス基板の製造方法。請求項8:前記鏡面加工工程が、基板の非貫通の穴、溝又は段差の形状に沿うように回転研磨ツールあるいは基板保持台を1軸以上の直線軸上を移動させて鏡面加工する請求項6記載の半導体用合成石英ガラス基板の製造方法。請求項9:前記研削による残留応力を除去する工程が、ガラスエッチング溶液を用いて半導体用合成石英ガラス基板をウェットエッチングして研削面の加工変質層を除去する請求項1記載の非貫通の穴、溝又は段差を有する半導体用合成石英ガラス基板の製造方法。請求項10:前記ガラスエッチング溶液が、フッ化水素酸又はフッ素化物塩を含む水溶液である請求項9記載の半導体用合成石英ガラス基板の製造方法。請求項11:半導体用合成石英ガラス基板の表面の平坦度が0.01~0.5μm、平行度が10μm以下であり、非貫通の穴、溝又は段差を形成する前後の基板表面の平坦度の変化量が0.1μm以下であり、平行度の変化量が0.3μm以下である請求項1~10のいずれか1項記載の半導体用合成石英ガラス基板の製造方法。請求項12:半導体用合成石英ガラス基板が、フォトマスク用、露光機部材用、レチクル用、又はナノインプリント用である請求項1~11のいずれか1項記載の半導体用合成石英ガラス基板の製造方法。本発明によれば、IC等の製造に重要な光リソグラフィ法において使用されるフォトマスク基板用合成石英ガラス基板やナノインプリント用モールド基板等の非貫通の穴、溝又は段差を有する半導体用合成石英ガラス基板の製造において、基板全体の複屈折量の最大値が一定の範囲の半導体用合成石英ガラス基板を用いて非貫通の穴、溝又は段差の研削工程後、鏡面加工またはウェットエッチングにより研削面の加工変質層を除去して研削による残留応力を除去することにより、比較的簡便な方法で、形状精度が高い基板を得ることができ、非貫通の穴、溝又は段差の加工を施す前後の基板全体の形状変化を抑えることが可能となる。本発明の半導体用合成石英ガラス基板の製造方法は、原料合成石英ガラス基板として基板全体の複屈折量の最大値が3nm/cm以下である合成石英ガラス基板を用いて、基板の所用箇所に非貫通の穴、溝又は段差を形成する研削工程と、研削による残留応力を除去する工程とを含むものである。ここで、本発明の原料合成石英ガラス基板全体の複屈折量の最大値は、好ましくは3nm/cm以下、更に好ましくは2nm/cm以下、特に好ましくは1nm/cm以下である。このように複屈折量を低くすることにより、基板を内部の応力歪みが少ない状態にして、非貫通の穴、溝又は段差の加工を施す前後の基板全体の形状変化を抑えることが可能となる。複屈折量の最大値は、例えばUNIOPT社製の複屈折測定装置ABR-10Aを使用して、基板全体の複屈折量を測定し、その最大値とする。本発明の更に好ましい態様として、原料合成石英ガラス基板の非貫通の穴、溝又は段差の加工をする部分の複屈折量の最大値は、好ましくは2nm/cm以下、更に好ましくは1nm/cm以下、特に好ましくは0.5nm/cm以下である。このように加工する部分の複屈折量を低くすることにより、加工する部分の応力歪みが少ない状態にすることで、加工前後の、非貫通の穴、溝又は段差が施された面の反対側の面である基板表面における形状変化を抑えることが可能となる。ここで、本発明の原料合成石英ガラス基板として用いられる基板全体の複屈折量の最大値が3nm/cm以下である合成石英ガラス基板は、公知の方法により製造されたものであればよく、必要に応じて基板表面にCr膜等が成膜されていたり、ナノメートルオーダーの微細な凹凸パターンが存在していてもよい。複屈折量は、例えば、合成石英ガラスを1,200°Cから800°Cまで徐冷することによって低減することができる。この徐冷は所望の形状へ合成石英ガラスインゴットを成形する時に同時に実施することも可能である。また、成形後に行う合成石英ガラスのアニール処理後に大気中又は酸素雰囲気中で徐冷することも可能である。半導体用合成石英ガラス基板の形状は四角形状、円形状等とすることができ、ガラス基板の大きさは、ICフォトマスク基板やナノインプリント用基板のサイズから、大型液晶テレビフォトマスク用大型基板のサイズまで、適宜選定される。例えば、四角形状のガラス基板では20mm×20mm~152mm×152mmのサイズから1,000mm×2,000mmのサイズの基板が好適に用いられる。丸形状のガラス基板では6インチφ、8インチφのウェハサイズが好適に用いられる。ここで、半導体用合成石英ガラス基板の厚さは適宜選定されるが、0.1~300mm、好ましくは0.1~100mm、更に好ましくは0.2~30mmである。必要に応じて合成石英ガラス基板は、予め平坦度及び平行度を測定して、精度の確認を行っておくことが好ましい。平坦度の測定は、測定精度の観点から、レーザー光などのコヒーレントな光を基板表面に当てて反射させ、基板表面の高さの差が反射光の位相のずれとして観測されることを利用した光学干渉式の方法が好ましく、例えばZygo社製ZygoMarkIVxpやTROPEL社製UltraFlatM200を用いて測定できる。また、平行度も、Zygo社製ZygoMarkIVxpを用いて測定できる。本発明においては、このような半導体用合成石英ガラス基板に、露光装置やナノインプリント装置に組み込むために、装置の形態や用途に合わせて非貫通の穴、溝、又は段差を形成するものである。即ち、図1,2は四角形状の半導体用合成石英ガラス基板1の中央部に非貫通の穴2を形成したものであり、図3は円形状の基板1の中央部に非貫通の穴2を形成したものである。この場合、非貫通の穴は、通常基板1の裏面1bに形成され、基板1の表面には例えばフォトマスクやナノインプリント用加工が施される。図4は四角形状の基板1の中央部に幅方向に沿って溝3を形成したものである。図5は四角形状の基板1の表面1aの長さ方向両端部にそれぞれ段差4,4を形成したものである。この場合、段差は基板1の表面1aではなく、裏面1bに形成してもよく、また、図6に示したように、基板1の長さ方向両端部の表裏面にそれぞれ段差4を形成してもよい。更に、段差は基板の周縁部に沿って形成してもよく、図7,8はこれを示す。なお、図7は四角形状の基板1の周縁部に段差4を形成した例、図8は円形状の基板1の周縁部に段差4を形成した例を示す。なお、図7,8では段差4は基板1の表面1aに形成したが、裏面1bに形成することもできる。また、基板の一方の面に非貫通の穴、溝、段差の2種類以上を形成したり、基板の一方の面に非貫通の穴、溝、段差のいずれかを形成し、基板の他方の面にこれと異なる非貫通の穴、溝、段差のいずれかを形成してもよい。非貫通の穴の形状は、平面形状が円形状、楕円形状、長円状、四角状、多角形状とすることができるが、図2,3に示すような円形状が好ましい。その大きさは、円形状であれば直径、楕円形状や長円状であれば長径、角状であれば対角長が5~200mmであることが好ましい。溝の場合は、図4に示したように、両側壁3a,3bが互いに平行な平面に形成することが好ましいが、両側壁が平行でなくてもよく、一方又は双方の側壁が凸状又は凹状曲面であってもよい。更に、段差の場合、図5に示したように、その内壁4aが段差4の自由先端縁部4bにつながる基板端面と平行な平面に形成することが好ましいが、該端面と平行でなくてもよく、内壁が凸状又は凹状曲面であってもよい。なお、溝及び段差はその最大幅が5~200mmであることが好ましい。上記穴2、溝3、段差4の深さは基板の用途に応じて適宜選定されるが、半導体用合成石英ガラス基板の残し厚さ非貫通の穴、溝又は段差の底面と、これらが形成された面と反対側の面との距離図においてtで示すは、強度の点から0.05~80mm、好ましくは0.05~29mm、更に好ましくは0.05~11mmであり、半導体用合成石英ガラス基板の厚さの1~90、より好ましくは5~50、更に好ましくは10~30とすることが強度の点から好ましい。なお、例えばナノインプリント用基板の場合、上記非貫通の穴2、溝3は、基板の裏面側に形成し、穴2や溝3の底面に対向する表面部分にナノインプリントを施すための凹凸が形成される。また、段差4は、基板の表面側及び/又は裏面側に形成し、表面側にナノインプリントを施すための凹凸が形成される。本発明の製造方法において、初めに非貫通の穴、溝又は段差を形成する研削工程では、マシニングセンターやその他数値制御工作機械を用いて、合成石英ガラスの加工面に、割れ、ヒビ、激しいチッピング等の発生しない研削条件で砥石を回転、移動させ、所定のサイズ、深さの非貫通の穴、溝又は段差の研削を施して行う。具体的には、ダイヤモンド砥粒、CBN砥粒等を電着又はメタルボンドで固定した砥石を用いて、主軸回転数100~30,000rpm、特に1,000~15,000rpm、切削速度1~10,000mm/min、特に10~1,000mm/minで研削することが好ましい。本発明においては、上記の研削工程で生じた残留応力を除去するものであるが、研削による残留応力を除去する工程としては、鏡面加工工程により研削面を鏡面化して、あるいはガラスエッチング溶液を用いて原料合成石英ガラス基板をウェットエッチングして、研削面の加工変質層を除去することができる。非貫通の穴、溝又は段差の底面及び側面のそれぞれの研削面の鏡面加工工程は、研削面に回転研磨ツールの研磨加工部を底面と側面とにそれぞれ別個に独立した一定圧力で接触させて、一定速度で相対的に移動させて行う。一定圧力、一定速度の条件で研磨を行うことにより、一定の研磨レートで研削面を均一に研磨することができる。具体的には、回転研磨ツールの研磨加工部の接触時の圧力としては、経済性及び制御のし易さ等の点で1~1,000,000Pa、特に1,000~100,000Paであることが好ましい。また、速度は、経済性及び制御のし易さ等の点で1~10,000mm/minが好ましく、特に10~1,000mm/minが好ましい。移動量は合成石英ガラス基板の形状、大きさに応じて適宜決められる。回転研磨ツールは、その研磨加工部が研磨可能な回転体であればいかなるものでも構わないが、ツールチャッキング部を持ったスピンドル、リューターに研磨ツールを装着させる方式などが挙げられる。研磨ツールの材質としては、少なくともその研磨加工部がGC砥石、WA砥石、ダイヤモンド砥石、セリウム砥石、セリウムパッド、ゴム砥石、フェルトバフ、ポリウレタンなど、被加工物を加工除去できるものであれば種類は限定されない。研磨ツールの研磨加工部の形状は円又はドーナツ型の平盤、円柱型、砲弾型、ディスク型、たる型等が挙げられる。例えば、図9に示したように、研磨ツール10として、ピストン11に進退可能に収容され、図示していないモータ等の回転源の駆動により回転する回転軸12の先端に研磨加工部13を取り付けたものが使用し得る。この場合、非貫通の穴、溝又は段差の底面及び側面を同時に研磨する点から、研磨加工部13の非貫通の穴、溝又は段差の側面と接触する部分の高さ図9においてh1は該側面の高さ図2においてh0以上であることが好ましい。また、研磨加工部13の直径図9においてr1は、非貫通の穴が円形である場合にはその直径図2においてr0、楕円状、長円状等の場合にはその短径のそれぞれ1/2以上r1≧r0/2であることが好ましい。また、溝の場合にはその溝の幅の1/2以上r1≧W1/2、段差の場合にはその幅以上r1≧W2であることが好ましい。上述した非貫通の穴、溝又は段差の底面及び側面の研削面に回転研磨ツールの研磨加工部を接触させて研磨を行う場合、研磨砥粒スラリーを介在させた状態で加工を行うことが好ましい。この場合、研磨砥粒としてはシリカ、セリア、アランダム、ホワイトアランダムWA、エメリー、ジルコニア、SiC、ダイヤモンド、チタニア、ゲルマニア等が挙げられ、その粒度は10nm~10μmが好ましく、これらの水スラリーを好適に用いることができる。また、回転研磨ツールの相対移動速度は、上述したように、1~10,000mm/min、特に10~1,000mm/minの範囲で選定することができる。回転研磨ツールの研磨加工部の回転数は100~10,000rpm、好ましくは1,000~8,000rpm、更に好ましくは2,000~7,000rpmである。回転数が小さいと加工レートが遅くなり、研削面を鏡面化するのに時間がかかりすぎる場合があり、回転数が大きいと加工レートが速くなったり、ツールの磨耗が激しくなるため、鏡面化の制御が難しくなる場合がある。本発明の半導体用合成石英ガラス基板の製造方法は、非貫通の穴、溝又は段差の底面及び側面をそれぞれ独立の圧力で回転研磨ツールを接触させて鏡面加工することができる。圧力の調節は、空気圧ピストン、ロードセル等を用いることができ、例えば図9の回転研磨ツールの場合、空気圧ピストン11の圧力を調整することで底面に対する研磨加工部の圧力を調整することができ、また、図9の回転研磨ツールの場合、空気圧ピストン11に該ピストン11を非貫通の穴、溝又は段差の側部に向けて進退させる別のピストンを取り付け、該別のピストンの圧力を調整してピストン11の側部への圧力を調整し、あるいは更に別のピストンを設け、このピストンに進退する軸体を、基板を保持する基板保持台に連結し、この軸体の圧力を調整することで横方向への圧力を調整し、基板保持台の進退を調整するなどして、研磨加工部の上記側面に対する圧力を調整することができる。このように、底面と側面への圧力を独立させ、単独の回転研磨ツールをそれぞれの面に独立した一定圧力で回転研磨ツールを接触させながら、一定速度で相対的に移動させることにより、それぞれの面を同時に独立の研磨レートで均一に研磨することができる。非貫通の穴、溝又は段差の底面及び側面を回転研磨ツールにより同時ではなく順番に別々に研磨する方法は、回転研磨ツールが底面及び側面に同時に接触してしまう部分が生じ、当該部分における研磨が不均一になる上、研磨時間がかかる。なお、本発明の半導体用合成石英ガラス基板の製造方法は、基板の非貫通の穴、溝又は段差の形状に沿うように回転研磨ツールと基板とを相対的に移動させて鏡面加工することができる。移動させる方式は移動量、方向、速度を一定に制御できる方式であればいかなるものでもよい。例えば、多軸ロボット等を用いる方式等が挙げられる。回転研磨ツールと基板とを相対的に移動させる方法には、基板の非貫通の穴、溝又は段差の形状に沿うように回転研磨ツールを公転あるいは基板を回転させる方法と、1軸以上の直線軸上を移動させる方法等がある。基板の非貫通の穴、溝又は段差の形状に沿うように回転研磨ツールを公転あるいは基板を回転させて鏡面化する方法では、回転数、回転速度を一定に制御できる方式であればいかなるものでもよいが、例えばモータースピンドルにより、回転研磨ツールあるいは基板保持台を回転数0.1~10,000rpm、特に1~100rpmで、速度1~10,000mm/min、特に10~1,000mm/minで回転させる方式等が挙げられる。この方法は、真円形、楕円形あるいは壁面が曲面状の非貫通の穴、溝又は段差の底面及び側面を一定速度でそれぞれ独立した一定圧力にて均一に研磨して鏡面化する場合に特に有効である。基板の非貫通の穴、溝又は段差の形状に沿うように回転研磨ツールあるいは基板を1軸以上の直線軸上を移動させて鏡面加工する方法では、移動量、速度を一定に制御できる方式であればいかなるものでもよいが、例えば、回転研磨ツールあるいは基板保持台を速度1~10,000mm/min、特に10~1,000mm/minでサーボモーター等によりスライダー上を移動させる方式等が挙げられる。この方法は、角形あるいは壁面が平面状の非貫通の穴、溝又は段差の底面及び側面を一定圧力、一定速度で均一に研磨して鏡面化する場合に特に有効である。一方、ガラスエッチング溶液を用いて研削した合成石英ガラス基板をウェットエッチングする工程は、好ましくはガラスエッチング溶液として濃度1~60質量、更に好ましくは20~50質量のフッ化水素酸又はフッ素化物塩を含む水溶液を用いて、原料合成石英ガラス基板をガラスエッチング溶液に浸漬させて行う。フッ素化合物塩としては、フッ化ナトリウム、フッ化アンモニウム等が挙げられる。ガラスエッチング溶液は、エッチングの均一性向上や安定性のために、フッ化水素酸とフッ素化物塩の混合水溶液や、界面活性剤等の添加も効果がある。この場合、処理温度、処理時間はガラスエッチング溶液の濃度によって相違するが、通常、処理温度は10~80°C、特に20~40°Cとすることが好ましく、処理時間は10秒~10時間、特に30秒~5時間とすることが好ましい。なお、上記鏡面研磨による研磨厚さ、ウェットエッチングによるエッチング厚さは残留応力を除去し得る量であるが、通常0.01~5μm、特に0.1~3μmである。また、鏡面加工工程により研削面の加工変質層を除去した場合の合成石英ガラスの、非貫通の穴、溝又は段差の側面及び底面の面粗度Raは1nm以下、好ましくは0.5nm以下であることが好ましい。非貫通の穴、溝又は段差の底面及び側面が鏡面でないと、光を透過させることができず、露光ができなくなる場合や、汚れが発生すると汚れが光の透過を邪魔してしまったり、パターンが汚染されたりする場合が生じて好ましくない。なお、面粗度RaはJISB0601に準拠した値である。本発明の半導体用合成石英ガラス基板における非貫通の穴、溝又は段差の加工を施す前後の基板表面の平坦度変化量は、0.1μm以下、好ましくは0.05μm以下、更に好ましくは0.02μm以下である。基板表面の平坦度変化量が大きいと、基板表面を高平坦度に精密研磨された合成石英ガラス基板を原料に非貫通の穴、溝又は段差の加工を施した場合、基板表面の平坦度が加工後に悪化するおそれがある。なお、本発明の半導体用合成石英ガラス基板の基板表面の平坦度は、パターン均一性の点で0.01~0.5μm、好ましくは0.01~0.3μm、更に好ましくは0.01~0.1μmである。平坦度が低いと、基板表面にフォトマスクパターンや転写用微小凹凸パターンがある場合、露光時の焦点ずれや転写時のパターンずれが生じるおそれがある。本発明の半導体用合成石英ガラス基板における加工前後の基板裏面の非貫通の穴、溝又は段差を除いた部分の平坦度変化量は、0.1μm以下、好ましくは0.05μm以下、更に好ましくは0.02μm以下である。平坦度変化量が大きいと、基板表面を高平坦度に精密研磨された合成石英ガラス基板を原料に非貫通の穴、溝又は段差の加工を施した場合、基板裏面の非貫通の穴、溝又は段差を除いた部分の平坦度が加工後に悪化するおそれがある。なお、本発明の半導体用合成石英ガラス基板における基板裏面の非貫通の穴、溝又は段差を除いた部分の平坦度は、基板の把持の点で0.01~1.0μm、好ましくは0.01~0.5μm、更に好ましくは0.01~0.1μmである。平坦度が低いと、基板裏面の非貫通の穴、溝又は段差を除いた部分を真空吸着、クランプ等で把持して露光装置やパターニング装置に組み込む場合、空気漏れ、クランプ圧力の不均一等により、把持できなかったり、把持できても精密に平行に把持することができないおそれがある。本発明の半導体用合成石英ガラス基板の鏡面研磨後の非貫通の穴、溝又は段差の底面の平坦度は、基板の把持の点で0.01~40μm、好ましくは0.01~10μm、更に好ましくは0.01~5μmである。平坦度が低いと、非貫通の穴、溝又は段差の底面を把持して露光装置やパターニング装置に組み込む場合、精密に平行に把持することができないおそれがある。また平坦度が低いと、非貫通の穴、溝又は段差を通して気体や液体の流入、排出等を行う場合、気体や液体が安定的に流れないおそれがある。また、基板表面と非貫通の穴、溝又は段差の底面の平行度は、パターンのずれの点で100μm以下、好ましくは50μm以下、更に好ましくは10μm以下である。平行度が低いと、非貫通の穴、溝又は段差を変形させて樹脂にインプリントする場合、きれいな対称形に変形させることができず、また非貫通の穴、溝又は段差の底面を把持して露光装置やパターニング装置に組み込む場合、基板を平行に精密に把持することができず、焦点ずれ、パターンずれが生じるおそれがある。また、基板表面と、基板裏面の溝又は段差を除いた部分の加工前後の平行度変化量は、0.3μm以下、好ましくは0.2μm以下、更に好ましくは0.1μm以下である。平行度変化量が大きいと、高平行度に精密研磨された合成石英ガラス基板を原料に非貫通の穴、溝又は段差の加工を施した場合、基板の平行度が加工後に悪化するおそれがある。なお、本発明の半導体用合成石英ガラス基板の基板表面と、基板裏面の非貫通の穴、溝又は段差を除いた部分との平行度は、パターンのずれの点で5μm以下、好ましくは3μm以下、更に好ましくは1μm以下である。平行度が低いと、基板裏面を真空吸着等で把持して露光装置やパターニング装置に組み込む場合、基板を平行に精密に把持することができす、焦点ずれ、パターンずれが生じるおそれがある。以下、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。[実施例1]端面及び表裏面が研磨により鏡面化された大きさ100mm×100mm、厚さ6.35mmの合成石英ガラス基板を、原料基板として用意した。このとき原料基板全体の複屈折量の最大値は0.93nm/cm、基板の中心部分90mm×90mmの範囲における、表面の平坦度は0.091μm、裏面の中心70mmφを除いた部分の平坦度は0.121μm、基板の中心70mmφを除いた部分の平行度は0.3μmであった。なお、平坦度及び平行度の測定にはZygo社製ZygoMarkIVxpを使用した。そして、この合成石英ガラス基板の裏面の中心に、マシニングセンター、ダイヤモンド砥粒付砥石を使用して、基板の裏面の中心部分に深さ5.32mm、直径69.98mmφの円形の非貫通の穴を加工した。次に、合成石英ガラス基板を基板保持台に固定して、1,000rpmで回転する直径50mmφ、高さ30mmの羊毛フェルトバフを非貫通の穴の底面に3,500Pa、側面に2,000Paで押し当てて、基板保持台を10rpmで回転させ、60分間研磨し鏡面化した。合成石英ガラス基板の非貫通の穴の深さは5.35mm、残し厚さは1.00mm、直径は70mmφとなった。研磨後、基板の中心部分90mm×90mmにおける、表面の平坦度は0.081μm、裏面の中心70mmφを除いた部分の平坦度は0.105μm、基板の中心70mmφを除いた部分の平行度は0.3μmであった。基板の、表面の平坦度変化量は0.010μm、裏面の平坦度変化量は0.016μm、基板の平行度変化量は0μm検出限界以下であった。非貫通の穴の底部70mmφの範囲における平坦度は2μm、平行度は9μmであった。また、非貫通の穴の底面及び側面の面粗度Raは0.25nm以下であった。面粗度の測定には原子間力顕微鏡を使用した。なお、基板表面の平坦度変化量、平行度変化量が十分小さいことから、研削加工による残留応力は除去されたと判断された。[実施例2]端面及び表裏面が研磨により鏡面化された大きさ152mm×152mm、厚さ6.35mmの合成石英ガラス基板を、原料基板として用意した。このとき原料基板全体の複屈折量の最大値は1.53nm/cm、基板の中心部分142mm×142mmの範囲における、表面の平坦度は0.235μm、裏面の中心142mm×30mmを除いた部分の平坦度は0.481μm、基板の中心152mm×30mmを除いた部分の平行度は0.9μmであった。なお、平坦度及び平行度の測定にはZygo社製ZygoMarkIVxpを使用した。そして、この合成石英ガラス基板の裏面の中心に、マシニングセンター、ダイヤモンド砥粒付砥石を使用して、深さ4.98mm、幅29.98mm、長さ152mmの端面と平行な溝を加工した。次に、合成石英ガラス基板を基板保持台に固定して、1,000rpmで回転する直径30mmφ、高さ30mmの羊毛フェルトバフを溝底面に2,000Pa、片方の側面に2,000Paで押し当てて、基板保持台を50mm/minで5往復移動させ、溝底面及びもう一方の側面に上記と同じ圧力で押し当てて基板保持台を50mm/minで5往復移動させて鏡面化した。合成石英ガラス基板の溝の深さは4.00mm、残し厚さ2.35mm、幅は30mmとなった。研磨後、基板の中心部分142mm×142mmにおける、表面の平坦度は0.249μm、裏面の中心142mm×30mmを除いた部分の平坦度は0.503μm、基板の中心152mm×30mmを除いた部分の平行度は0.9μmであった。基板の、表面の平坦度変化量は0.014μm、裏面の平坦度変化量は0.022μm、基板の平行度変化量は0μm検出限界以下であった。溝の底部152mm×30mmの範囲における平坦度は3μm、平行度は15μmであった。また、溝の底面及び側面の面粗度Raは0.21nm以下であった。面粗度の測定には原子間力顕微鏡を使用した。なお、基板表面の平坦度変化量、平行度変化量が十分小さいことから、研削加工による残留応力は除去されたと判断された。[実施例3]端面及び表裏面が研磨により鏡面化された大きさ200mm×400mm、厚さ10mmの合成石英ガラス基板を、原料基板として用意した。このとき原料基板全体の複屈折量の最大値は2.43nm/cm、基板の中心部分190mm×390mmの範囲における、表面の平坦度は2.303μm、基板の中心部分190mm×360mmの範囲における、裏面の平坦度は3.145μm、基板の中心部分190mm×360mmの範囲における、平行度は5.3μmであった。なお、平坦度及び平行度の測定にはZygo社製ZygoMarkIVxpを使用した。そして、この合成石英ガラス基板の裏面の両端部に、マシニングセンター、ダイヤモンド砥粒付砥石を使用して、深さ6.95mm、幅19.99mm、長さ200mmの端面と平行な段差を加工した。次に、合成石英ガラス基板を基板保持台に固定して、1,000rpmで回転する直径30mmφ、高さ30mmの羊毛フェルトバフを段差底面に2,000Pa、側面に2,000Paで押し当てて、基板保持台を200mm/minで5往復移動させ、両辺の段差を鏡面化した。合成石英ガラス基板の段差の深さは7.00mm、残し厚さ3.00mm、幅は20mmとなった。研磨後、基板の中心部分190mm×390mmの範囲における、表面の平坦度は2.409μm、基板の中心部分190mm×360mmの範囲における、裏面の平坦度は3.233μm、基板の中心部分190mm×360mmの範囲における、平行度は5.5μmであった。基板の、表面の平坦度変化量は0.106μm、裏面の平坦度変化量は0.088μm、基板の平行度変化量は0.2μmであった。両辺の段差の底部200mm×20mmの範囲における平坦度はそれぞれ10μmと9μm、平行度はそれぞれ21μmと19μmであった。また、段差の底面及び側面の面粗度Raは0.28nm以下であった。面粗度の測定には原子間力顕微鏡を使用した。なお、基板表面の平坦度変化量、平行度変化量が十分小さいことから、研削加工による残留応力は除去されたと判断された。[実施例4]端面及び表裏面が研磨により鏡面化された大きさ100mm×100mm、厚さ6.35mmの合成石英ガラス基板を、原料基板として用意した。このとき原料基板全体の複屈折量の最大値は1.43nm/cm、基板の中心部分90mm×90mmの範囲における、表面の平坦度は0.115μm、裏面の中心70mmφを除いた部分の平坦度は0.191μm、基板の中心70mmφを除いた部分の平行度は0.3μmであった。なお、平坦度及び平行度の測定にはZygo社製ZygoMarkIVxpを使用した。そして、この合成石英ガラス基板の裏面の中心に、マシニングセンター、ダイヤモンド砥粒付砥石を使用して、深さ5.34mm、直径69.98mmφの円形の非貫通の穴を加工した。次に、合成石英ガラス基板を10質量フッ化水素酸水溶液中に室温で1時間浸漬させ、エッチングした。合成石英ガラス基板の非貫通の穴の深さは5.35mm、残し厚さは1.00mm、直径は70mmφとなった。エッチング後、基板の中心部分90mm×90mmにおける、表面の平坦度は0.131μm、裏面の中心70mmφを除いた部分の平坦度は0.220μm、基板の中心70mmφを除いた部分の平行度は0.3μmであった。基板の、表面の平坦度変化量は0.017μm、裏面の平坦度変化量は0.029μm、基板の平行度変化量は0μm検出限界以下であった。非貫通の穴の底部70mmφの範囲における平坦度は3μm、平行度は11μmであった。なお、基板表面の平坦度変化量、平行度変化量が十分小さいことから、研削加工による残留応力は除去されたと判断された。[実施例5]端面及び表裏面が研磨により鏡面化された大きさ152mm×152mm、厚さ6.35mmの合成石英ガラス基板を、原料基板として用意した。このとき原料基板全体の複屈折量の最大値は1.36nm/cm、基板の中心部分142mm×142mmの範囲における、表面の平坦度は0.217μm、裏面の中心142mm×30mmを除いた部分の平坦度は0.492μm、基板の中心152mm×30mmを除いた部分の平行度は0.9μmであった。なお、平坦度及び平行度の測定にはZygo社製ZygoMarkIVxpを使用した。そして、この合成石英ガラス基板の裏面の中心に、マシニングセンター、ダイヤモンド砥粒付砥石を使用して、深さ4.00mm、幅30.00mm、長さ152mmの端面と平行な溝を加工した。次に、合成石英ガラス基板を50質量フッ化水素酸水溶液中に室温で1分間浸漬させ、エッチングした。エッチング後、基板の中心部分142mm×142mmにおける、表面の平坦度は0.240μm、裏面の中心142mm×30mmを除いた部分の平坦度は0.525μm、基板の中心152mm×30mmを除いた部分の平行度は0.9μmであった。基板の、表面の平坦度変化量は0.023μm、裏面の平坦度変化量は0.033μm、基板の平行度変化量は0μm検出限界以下であった。溝の底部152mm×30mmの範囲における平坦度は4μm、平行度は10μmであった。なお、基板表面の平坦度変化量、平行度変化量が十分小さいことから、研削加工による残留応力は除去されたと判断された。[実施例6]端面及び表裏面が研磨により鏡面化された大きさ200mm×400mm、厚さ10mmの合成石英ガラス基板を、原料基板として用意した。このとき原料基板全体の複屈折量の最大値は2.36nm/cm、基板の中心部分190mm×390mmの範囲における、表面の平坦度は2.202μm、基板の中心部分190mm×360mmの範囲における、裏面の平坦度は3.217μm、基板の中心部分190mm×360mmの範囲における、平行度は5.3μmであった。なお、平坦度及び平行度の測定にはZygo社製ZygoMarkIVxpを使用した。そして、この合成石英ガラス基板の裏面の両端部に、マシニングセンター、ダイヤモンド砥粒付砥石を使用して、深さ7.00mm、幅20mm、長さ200mmの端面と平行な段差を加工した。次に、合成石英ガラス基板を50質量フッ化水素酸水溶液中に室温で1分間浸漬させ、エッチングした。エッチング後、基板の中心部分190mm×390mmの範囲における、表面の平坦度は2.253μm、基板の中心部分190mm×360mmの範囲における、裏面の平坦度は3.291μm、基板の中心部分190mm×360mmの範囲における、平行度は5.5μmであった。基板の、表面の平坦度変化量は0.051μm、裏面の平坦度変化量は0.074μm、基板の平行度変化量は0.2μmであった。両辺の段差の底部200mm×20mmの範囲における平坦度はそれぞれ9μmと11μm、平行度はそれぞれ17μmと19μmであった。なお、基板表面の平坦度変化量、平行度変化量が十分小さいことから、研削加工による残留応力は除去されたと判断された。[比較例1]端面及び表裏面が研磨により鏡面化された大きさ100mm×100mm、厚さ6.35mmの合成石英ガラス基板を、原料基板として用意した。このとき原料基板全体の複屈折量の最大値は10.94nm/cm、基板の中心部分90mm×90mmの範囲における、表面の平坦度は0.151μm、裏面の中心70mmφを除いた部分の平坦度は0.167μm、基板の中心70mmφを除いた部分の平行度は0.3μmであった。なお、平坦度及び平行度の測定にはZygo社製ZygoMarkIVxpを使用した。そして、この合成石英ガラス基板の裏面の中心に、マシニングセンター、ダイヤモンド砥粒付砥石を使用して、深さ5.32mm、直径69.98mmφの円形の非貫通の穴を加工した。次に、合成石英ガラス基板を基板保持台に固定して、1,000rpmで回転する直径50mmφ、高さ30mmの羊毛フェルトバフを非貫通の穴の底面に3,500Pa、側面に2,000Paで押し当てて、基板保持台を10rpmで回転させ、60分間研磨し鏡面化した。合成石英ガラス基板の非貫通の穴の深さは5.35mm、残し厚さ1.00mm、直径は70mmφとなった。研磨後、基板の中心部分90mm×90mmにおける、表面の平坦度は0.732μm、裏面の中心70mmφを除いた部分の平坦度は0.191μm、基板の中心70mmφを除いた部分の平行度は0.3μmであった。基板の、表面の平坦度変化量は0.581μm、裏面の平坦度変化量は0.024μm、基板の平行度変化量は0μm検出限界以下であった。非貫通の穴の底部70mmφの範囲における平坦度は4μm、平行度は10μmであった。また、非貫通の穴の底面及び側面の面粗度Raは0.25nm以下であった。面粗度の測定には原子間力顕微鏡を使用した。[比較例2]端面及び表裏面が研磨により鏡面化された大きさ152mm×152mm、厚さ6.35mmの合成石英ガラス基板を、原料基板として用意した。このとき原料基板全体の複屈折量の最大値は1.66nm/cm、基板の中心部分142mm×142mmの範囲における、表面の平坦度は0.217μm、裏面の中心142mm×30mmを除いた部分の平坦度は0.475μm、基板の中心152mm×30mmを除いた部分の平行度は0.9μmであった。なお、平坦度及び平行度の測定にはZygo社製ZygoMarkIVxpを使用した。そして、この合成石英ガラス基板の裏面の中心に、マシニングセンター、ダイヤモンド砥粒付砥石を使用して、深さ5.00mm、幅30.00mm、長さ152mmの端面と平行な溝を加工した。次に、合成石英ガラス基板を50質量フッ化水素酸水溶液中に室温で1分間浸漬させ、エッチングした。エッチング後、基板の中心部分142mm×142mmにおける、表面の平坦度は0.749μm、裏面の中心142mm×30mmを除いた部分の平坦度は0.552μm、基板の中心152mm×30mmを除いた部分の平行度は0.9μmであった。基板の、表面の平坦度変化量は0.532μm、裏面の平坦度変化量は0.077μm、基板の平行度変化量は0μm検出限界以下であった。溝の底部152mm×30mmの範囲における平坦度は2μm、平行度は10μmであった。また、溝の底面及び側面の面粗度Raは9.21nm以下であった。面粗度の測定には原子間力顕微鏡を使用した。[比較例3]端面及び表裏面が研磨により鏡面化された大きさ200mm×400mm、厚さ10mmの合成石英ガラス基板を、原料基板として用意した。このとき原料基板全体の複屈折量の最大値は2.39nm/cm、基板の中心部分190mm×390mmの範囲における、表面の平坦度は2.045μm、基板の中心部分190mm×360mmの範囲における、裏面の平坦度は3.302μm、基板の中心部分190mm×360mmの範囲における、平行度は5.3μmであった。なお、平坦度及び平行度の測定にはZygo社製ZygoMarkIVxpを使用した。そして、この合成石英ガラス基板の裏面の両端部に、マシニングセンター、ダイヤモンド砥粒付砥石を使用して、深さ7.00mm、幅20.00mm、長さ200mmの端面と平行な段差を加工した。研削加工後、基板の中心部分190mm×390mmの範囲における、表面の平坦度は2.527μm、基板の中心部分190mm×360mmの範囲における、裏面の平坦度は3.453μm、基板の中心部分190mm×360mmの範囲における、平行度は5.5μmであった。基板の、表面の平坦度変化量は0.482μm、裏面の平坦度変化量は0.151μm、基板の平行度変化量は0.2μmであった。両辺の段差の底部200mm×20mmの範囲における平坦度はそれぞれ4μmと3μm、平行度はそれぞれ10μmと10μmであった。また、段差の底面及び側面の面粗度Raは8.24nm以下であった。面粗度の測定には原子間力顕微鏡を使用した。"