"インバータケースに収納され、交流電流を出力する複数のパワー半導体モジュールが設けられたインバータ装置と、前記インバータケースに分離可能に固定されるコンバータケースに収納され、降圧回路および/または昇圧回路が設けられたDCDCコンバータ装置と、を備え、前記インバータケースは、パワー半導体モジュールが挿入される第1冷媒流路が形成され、前記コンバータケースと熱的に接触する第1流路形成体と、前記第1冷媒流路と平行に設けられパワー半導体モジュールが挿入される第2冷媒流路が形成され、前記コンバータケースと熱的に接触する第2流路形成体と、を有し、前記DCDCコンバータ装置は、電圧変換するためのインダクタ素子と、該インダクタ素子に流れる電流を制御するスイッチング素子が搭載されるスイッチング素子基板とを有し、前記インダクタ素子および前記スイッチング素子基板は、前記コンバータケースの前記第1流路形成体および前記第2流路形成体と熱的に接触する領域に配置されていることを特徴とする電力変換装置。請求項1に記載の電力変換装置において、冷媒は前記第1冷媒流路から前記第2冷媒流路へと流れ、前記インダクタ素子は前記第1流路形成体と熱的に接触する領域に配置され、前記スイッチング素子基板は前記第2流路形成体と熱的に接触する領域に配置されていることを特徴とする電力変換装置。請求項1に記載の電力変換装置において、前記インバータケースは、前記第1冷媒流路と前記第2冷媒流路とを連結する第3冷媒流路が形成されて前記コンバータケースと熱的に接触する第3流路形成体を有し、前記DCDCコンバータ装置は降圧回路および昇圧回路を備え、前記インダクタ素子は、前記コンバータケースの、前記第1流路形成体と熱的に接触する領域に配置され、前記降圧回路のスイッチング素子が搭載されている基板は、前記コンバータケースの、前記第2流路形成体および前記第3流路形成体のいずれか一方と熱的に接触する領域に配置され、前記昇圧回路のスイッチング素子が搭載されている基板は、前記コンバータケースの、前記第2流路形成体および前記第3流路形成体の他方と熱的に接触する領域に配置されていることを特徴とする電力変換装置。請求項3に記載の電力変換装置において、前記第1流路形成体、第2流路形成体および第3流路形成体のそれぞれは、対向する前記インバータケース方向に突出する凸部を有し、前記コンバータケースの前記インバータケースと対向する面は、少なくとも前記凸部と対向する領域が凹部を形成し、前記凸部は、前記凹部に入り込むように熱的に接触していることを特徴とする電力変換装置。請求項4に記載の電力変換装置において、前記凸部と前記凹部との隙間に熱伝導性グリースまたは放熱シートを配置したことを特徴とする電力変換装置。請求項5に記載の電力変換装置において、熱的に接触している前記凸部および前記凹部の側面は、それぞれ傾斜角が90度よりも小さな傾斜面で構成されていることを特徴とする電力変換装置。請求項6に記載の電力変換装置において、前記凸部の側面の傾斜角は、前記凹部の側面の傾斜角よりも大きいことを特徴とする電力変換装置。請求項1乃至7のいずれか一項に記載の電力変換装置において、前記コンバータケースに形成され、前記インダクタ素子およびスイッチング素子基板の上方に金属板を支持する複数の支持部材と、前記金属板上に載置され、前記DCDCコンバータ装置のスイッチング素子の駆動を制御する制御回路基板と、を備えたことを特徴とする電力変換装置。ところで、エンジンルーム内の温度環境は従来の使用環境より高く、特に高温域での使用は、インバータ装置やDCDCコンバータ装置の制御機能低下や構造部品の劣化を早めることが考えられる。このためインバータ装置やDCDCコンバータ装置の冷却機構としては、一般に水に混合物で構成する冷媒により装置を冷却しており、この冷却方法含む冷却機構として冷却効率が高く、省スペース性を良くすることが重要な技術要素となっている。しかしながら、インバータ装置およびDCDCコンバータ装置のそれぞれに対して冷却パイプを含む冷却機構が必要なため、冷却経路が複雑化し、また、車載スペースが増大するという問題があった。本発明に係る電力変換装置は、インバータケースに収納され、交流電流を出力する複数のパワー半導体モジュールが設けられたインバータ装置と、インバータケースに分離可能に固定されるコンバータケースに収納され、降圧回路および/または昇圧回路が設けられたDCDCコンバータ装置と、を備え、インバータケースは、パワー半導体モジュールが挿入される第1冷媒流路が形成され、コンバータケースと熱的に接触する第1流路形成体と、第1冷媒流路と平行に設けられパワー半導体モジュールが挿入される第2冷媒流路が形成され、コンバータケースと熱的に接触する第2流路形成体と、を有し、DCDCコンバータ装置は、電圧変換するためのインダクタ素子と、該インダクタ素子に流れる電流を制御するスイッチング素子が搭載されるスイッチング素子基板とを有し、インダクタ素子およびスイッチング素子基板は、コンバータケースの第1流路形成体および第2流路形成体と熱的に接触する領域に配置されていることを特徴とする。本発明によれば、電力変換装置の高温度環境による装置の機能低下や構成部品の劣化進行を防ぎ、大型化を抑えた電力変換装置を提供することができる。以下、図を参照して本発明を実施するための形態について説明する。図1,2は、電力変換装置1の外観を示す図である斜視図である。電力変換装置1は、DCDCコンバータ装置100とインバータ装置200とを一体化したものであり、図1,2ではDCDCコンバータ装置100とインバータ装置200とを分離した状態で示した。DCDCコンバータ装置100は、複数のボルト113によりインバータ装置200のケース底面側に固定されている。この電力変換装置1は電気自動車等に適用され、インバータ装置200は車載の高電圧蓄電池からの電力により走行用モータを駆動する。車両にはライトやラジオなどの補機を作動させるための低電圧蓄電池が搭載されており、DCDCコンバータ装置100は、高電圧蓄電池から低電圧蓄電池への電力変換または低電圧蓄電池から高電圧蓄電池への電力変換を行う。後述するように、インバータ装置200のケース10の側壁内には冷媒が流れる冷媒流路が形成されている。冷媒は入口配管13から流路内に流入し、出口配管14から流出する。流路が形成された側壁の下端には、流路の開口を塞ぐために下カバー420が固定されている。すなわち、図2の下カバー420の下方に冷媒流路が形成されている。そのため、ケース10の底面側は下カバー420の部分がコの字状に突出し、底面部中央は凹部となっている。一方、DCDCコンバータ装置100のケース111は、インバータ装置200と対向する面に凹部111dが形成されている。インバータ装置200は、この凹部111dにケース10の底面部分が嵌り込むようにDCDCコンバータ装置100に固定される。図3はインバータ装置200の構成を説明する回路ブロック図である。なお、図3では半導体素子として絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを使用しており、以下略してIGBTと記す。上アームとして動作するIGBT328及びダイオード156と、下アームとして動作するIGBT330及びダイオード166とで、上下アームの直列回路150が構成される。インバータ回路140は、この直列回路150を、出力しようとする交流電力のU相、V相、W相の3相に対応して備えている。これらの3相は、この実施の形態では走行用モータに対応するモータジェネレータMG1の電機子巻線の3相の各相巻線に対応している。3相のそれぞれの上下アームの直列回路150は、直列回路の中点部分である中間電極169から交流電流を出力する。この中間電極169は、交流端子159及び交流端子188を通して、モータジェネレータMG1への交流電力線である交流バスバー802と接続される。上アームのIGBT328のコレクタ電極153は、正極端子157を介してコンデンサモジュール500の正極側のコンデンサ端子506に電気的に接続されている。また、下アームのIGBT330のエミッタ電極は、負極端子158を介してコンデンサモジュール500の負極側のコンデンサ端子504に電気的に接続されている。上述のように、制御回路172は上位の制御装置からコネクタ21を介して制御指令を受け、これに基づいてインバータ回路140を構成する各相の直列回路150の上アームあるいは下アームを構成するIGBT328やIGBT330を制御するための制御信号である制御パルスを発生し、ドライバ回路174に供給する。ドライバ回路174は、上記制御パルスに基づき、各相の直列回路150の上アームあるいは下アームを構成するIGBT328やIGBT330を制御するための駆動パルスを各相のIGBT328やIGBT330に供給する。IGBT328やIGBT330は、ドライバ回路174からの駆動パルスに基づき、導通あるいは遮断動作を行い、バッテリ136から供給された直流電力を三相交流電力に変換し、この変換された電力はモータジェネレータMG1に供給される。IGBT328は、コレクタ電極153と、信号用エミッタ電極155と、ゲート電極154を備えている。また、IGBT330は、コレクタ電極163と、信号用のエミッタ電極165と、ゲート電極164を備えている。ダイオード156が、コレクタ電極153とエミッタ電極155との間に電気的に接続されている。また、ダイオード166が、コレクタ電極163とエミッタ電極165との間に電気的に接続されている。スイッチング用パワー半導体素子としては金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ以下略してMOSFETと記すを用いてもよい、この場合はダイオード156やダイオード166は不要となる。スイッチング用パワー半導体素子としては、IGBTは直流電圧が比較的高い場合に適していて、MOSFETは直流電圧が比較的低い場合に適している。コンデンサモジュール500は、正極側のコンデンサ端子506と負極側のコンデンサ端子504と正極側の電源端子509と負極側の電源端子508とを備えている。バッテリ136からの高電圧の直流電力は、直流コネクタ138を介して、正極側の電源端子509や負極側の電源端子508に供給され、コンデンサモジュール500の正極側のコンデンサ端子506および負極側のコンデンサ端子504から、インバータ回路140へ供給される。一方、交流電力からインバータ回路140によって変換された直流電力は、正極側のコンデンサ端子506や負極側のコンデンサ端子504からコンデンサモジュール500に供給され、正極側の電源端子509や負極側の電源端子508から直流コネクタ138を介してバッテリ136に供給され、バッテリ136に蓄積される。制御回路172は、IGBT328及びIGBT330のスイッチングタイミングを演算処理するためのマイクロコンピュータ以下、マイコンと記述するを備えている。マイコンへの入力情報としては、モータジェネレータMG1に対して要求される目標トルク値、直列回路150からモータジェネレータMG1に供給される電流値、及びモータジェネレータMG1の回転子の磁極位置がある。目標トルク値は、不図示の上位の制御装置から出力された指令信号に基づくものである。電流値は、電流センサ180による検出信号に基づいて検出されたものである。磁極位置は、モータジェネレータMG1に設けられたレゾルバなどの回転磁極センサ不図示から出力された検出信号に基づいて検出されたものである。本実施形態では、電流センサ180は3相の電流値を検出する場合を例に挙げているが、2相分の電流値を検出するようにし、演算により3相分の電流を求めても良い。制御回路172内のマイコンは、目標トルク値に基づいてモータジェネレータMG1のd軸,q軸の電流指令値を演算し、この演算されたd軸,q軸の電流指令値と、検出されたd軸,q軸の電流値との差分に基づいてd軸,q軸の電圧指令値を演算し、この演算されたd軸,q軸の電圧指令値を、検出された磁極位置に基づいてU相、V相、W相の電圧指令値に変換する。そして、マイコンは、U相、V相、W相の電圧指令値に基づく基本波正弦波と搬送波三角波との比較に基づいてパルス状の変調波を生成し、この生成された変調波をPWMパルス幅変調信号としてドライバ回路174に出力する。ドライバ回路174は、下アームを駆動する場合、PWM信号を増幅したドライブ信号を、対応する下アームのIGBT330のゲート電極に出力する。また、ドライバ回路174は、上アームを駆動する場合、PWM信号の基準電位のレベルを上アームの基準電位のレベルにシフトしてからPWM信号を増幅し、これをドライブ信号として、対応する上アームのIGBT328のゲート電極にそれぞれ出力する。また、制御回路172内のマイコンは、異常検知過電流、過電圧、過温度などを行い、直列回路150を保護している。このため、制御回路172にはセンシング情報が入力されている。例えば、各アームの信号用のエミッタ電極155及び信号用のエミッタ電極165からは各IGBT328とIGBT330のエミッタ電極に流れる電流の情報が、対応する駆動部ICに入力されている。これにより、各駆動部ICは過電流検知を行い、過電流が検知された場合には対応するIGBT328,IGBT330のスイッチング動作を停止させ、対応するIGBT328,IGBT328330を過電流から保護する。直列回路150に設けられた温度センサ不図示からは直列回路150の温度の情報がマイコンに入力されている。また、マイコンには直列回路150の直流正極側の電圧の情報が入力されている。マイコンは、それらの情報に基づいて過温度検知及び過電圧検知を行い、過温度或いは過電圧が検知された場合には全てのIGBT328,IGBT330のスイッチング動作を停止させる。図4は、インバータ装置200の分解斜視図である。冷媒を流入するための入口配管13と冷媒を流出するための出口配管14が、ケース10の同一側壁に配置されている。ケース10内の底部側にはコの字形状に流路形成部12a,12b,12cが設けられている。なお、流路形成部12cは流路形成部12aと平行に対向配置されており、図4では見えていない。流路形成部12a,12b,12cには、後述する冷媒流路19図7参照が形成されている。入口配管13から流入した冷媒は、流路形成部12a~12c内の冷媒流路19を流れて、出口配管14から流出される。互いに平行となっている流路形成部12a,12cには、パワー半導体モジュール300a~300cを冷媒流路内に装着するための開口部400が複数形成されている。図4に示す例では、図示左側の設けられた流路形成部12aには、パワー半導体モジュール300a,300bが装着される2つの開口部400が形成されている。一方、図では見えないが、反対側に平行に設けられた流路形成部12cにはパワー半導体モジュール300cが装着される開口部400が1つ形成されている。これらの開口400は、流路形成部12a,12cにパワー半導体モジュール300a~300cを固定することによって塞がれる。図5、6は、パワー半導体モジュール300aを説明する図である。なお、パワー半導体モジュール300a~300cはいずれも同じ構造であり、代表してパワー半導体モジュール300aの構造を説明する。図5はパワー半導体モジュール300aの外観を示す斜視図であり、図6はパワー半導体モジュール300aを断面Dで切断して方向Eから見たときの断面図である。なお、図5,6において信号端子325Uは、図3に開示したゲート電極154および信号用エミッタ電極155に対応し、信号端子325Lは、図3に開示したゲート電極164およびエミッタ電極165に対応する。また直流正極端子315Bは、図3に開示した正極端子157と同一のものであり、直流負極端子319Bは、図3に開示した負極端子158と同一のものである。また交流端子320Bは、図3に開示した交流端子159と同じものである。図6の断面図は、上下アームの直列回路150のIGBT328およびダイオード156が配置される部分を示している。IGBT330およびダイオード166は、IGBT328およびダイオード156に対して図面に垂直方向に並置されている。IGBT328およびダイオード156は、導体板315と導体板318との間に挟まれるように固着されている。同様に、IGBT330およびダイオード166は、導体板319と導体板320との間に挟まれるように固着されている。導体板315等は、その放熱面が露出した状態で第一封止樹脂348によって封止され、当該放熱面に絶縁シート333が熱圧着される。第一封止樹脂348により封止されたモジュール一次封止体は、モジュールケース304の中に挿入され、絶縁シート333を挟んでCAN型冷却器であるモジュールケース304の内面に熱圧着される。ここで、CAN型冷却器とは、一面に挿入口306と他面に底を有する筒形状をした冷却器である。モジュールケース304の内部に残存する空隙には、第二封止樹脂351が充填される。モジュールケース304は、電気伝導性を有する部材、例えばアルミ合金材料Al,AlSi,AlSiC,Al-C等で構成され、かつ、つなぎ目の無い状態で一体に成形される。モジュールケース304は、挿入口306以外に開口を設けない構造であり、挿入口306は、フランジ304Bよって、その外周を囲まれている。また、他の面より広い面を有する第1放熱面307A及び第2放熱面307Bがそれぞれ対向した状態で配置され、これらの放熱面に対向するようにして、各パワー半導体素子IGBT328、IGBT330、ダイオード156、ダイオード166が配置されている。当該対向する第1放熱面307Aと第2放熱面307Bと繋ぐ3つの面は、当該第1放熱面307A及び第2放熱面307Bより狭い幅で密閉された面を構成し、残りの一辺の面に挿入口306が形成される。モジュールケース304の形状は、正確な直方体である必要が無く、角が図6に示す如く曲面を成していても良い。このような形状の金属製のケースを用いることで、モジュールケース304を水や油などの冷媒が流れる冷媒流路19内に挿入しても、冷媒に対するシールをフランジ304Bにて確保できるため、冷却媒体がモジュールケース304の内部に侵入するのを簡易な構成で防ぐことができる。また、対向した第1放熱面307Aと第2放熱面307Bに、フィン305がそれぞれ均一に形成される。さらに、第1放熱面307A及び第2放熱面307Bの外周には、厚みが極端に薄くなっている湾曲部304Aが形成されている。湾曲部304Aは、フィン305を加圧することで簡単に変形する程度まで厚みを極端に薄くしてあるため、モジュール一次封止体が挿入された後の生産性が向上する。モジュールケース304の外部には、コンデンサモジュール500と電気的に接続するための金属製の直流正極配線315Aおよび直流負極配線319Aが設けられており、その先端部に直流正極端子315B157と直流負極端子319B158がそれぞれ形成されている。また、モータジェネレータMG1に交流電力を供給するための金属製の交流配線320Aが設けられており、その先端に交流端子320B159が形成されている。本実施形態では、直流正極配線315Aは導体板315と接続され、直流負極配線319Aは導体板319と接続され、交流配線320Aは導体板320と接続される。モジュールケース304の外部にはさらに、ドライバ回路174と電気的に接続するための金属製の信号配線324Uおよび324Lが設けられており、その先端部に信号端子325U154,155と信号端子325L164,165がそれぞれ形成されている。本実施形態では、信号配線324UはIGBT328と接続され、信号配線324LはIGBT328と接続される。直流正極配線315A、直流負極配線319A、交流配線320A、信号配線324Uおよび信号配線324Lは、樹脂材料で成形された配線絶縁部608によって相互に絶縁された状態で、補助モールド体600として一体に成型される。配線絶縁部608は、各配線を支持するための支持部材としても作用し、これに用いる樹脂材料は、絶縁性を有する熱硬化性樹脂かあるいは熱可塑性樹脂が適している。これにより、直流正極配線315A、直流負極配線319A、交流配線320A、信号配線324Uおよび信号配線324Lの間の絶縁性を確保でき、高密度配線が可能となる。補助モールド体600は、モジュール一次封止体と金属接合された後に、配線絶縁部608に設けられたネジ穴を貫通するネジ309によってモジュールケース304に固定される。接続部370におけるモジュール一次封止体と補助モールド体600との金属接合には、たとえばTIG溶接などを用いることができる。直流正極配線315Aと直流負極配線319Aは、配線絶縁部608を間に挟んで対向した状態で互いに積層され、略平行に延びる形状を成している。こうした配置および形状とすることで、パワー半導体素子のスイッチング動作時に瞬間的に流れる電流が、対向してかつ逆方向に流れる。これにより、電流が作る磁界が互いに相殺する作用をなし、この作用により低インダクタンス化が可能となる。なお、交流配線320Aや信号端子325U,325Lも、直流正極配線315A及び直流負極配線319Aと同様の方向に向かって延びている。モジュール一次封止体と補助モールド体600が金属接合により接続されている接続部370は、第二封止樹脂351によりモジュールケース304内で封止される。これにより、接続部370とモジュールケース304との間で必要な絶縁距離を安定的に確保することができるため、封止しない場合と比較してパワー半導体モジュール300aの小型化が実現できる。図4に戻って、コの字形状に設けられた流路形成部12a~12cによって囲まれた領域は、コンデンサモジュール500を収納するための収納空間405を形成している。収納空間405に収納されたコンデンサモジュール500は、流路形成部12a~12c内の冷媒流路を流れる冷媒によって冷やされる。このように、コンデンサモジュール500は、冷媒流路が設けられた流路形成部12a~12cによって囲まれるように配置されるため、効率良く冷却される。また、コンデンサモジュール500の外側面に沿って流路が形成されているので、流路やコンデンサモジュール500やパワー半導体モジュール300a~300cとの配置が整然と整い、全体がより小型となる。また冷媒流路がコンデンサモジュール500の長辺に沿って配置されており、冷媒流路に挿入固定されるパワー半導体モジュール300a~300cとの距離が略一定となるので、平滑コンデンサとパワー半導体モジュール回路との回路定数が3相の各相においてバランスし易くなり、スパイク電圧を低減し易い回路構成となる。本実施の形態では、冷媒としては水が最も適している。しかし、水以外であっても利用できる。コンデンサモジュール500の上方には、バスバーアッセンブリ800が配置される。バスバーアッセンブリ800は、交流バスバーや当該交流バスバーを保持する保持部材を備えており、さらに電流センサ180を保持している。流路形成部12a~12cとケース10とを一体にアルミ材の鋳造で作ることにより、冷却効果に加えて、ケース10の機械的強度を強くする効果がある。また、インバータ装置200全体の熱伝導が良くなり冷却効率が向上する。もちろん、流路形成部12a~12cをケース10と別体で形成するようにしても構わない。ドライバ回路基板22は、バスバーアッセンブリ800の上方に配置される。またドライバ回路基板22と制御回路基板20の間には金属ベース板11が配置される。金属ベース板11は、ケース10に固定される。当該金属ベース板11は、ドライバ回路基板22及び制御回路基板20に搭載される回路群の電磁シールドの機能を奏すると共にドライバ回路基板22と制御回路基板20とが発生する熱を逃がし、冷却する作用を有している。さらに金属ベース板11は、制御回路基板20の機械的な共振周波数を高める作用を奏する。すなわち金属ベース板11に制御回路基板20を固定するためのねじ止め部を短い間隔で配置することが可能となり、機械的な振動が発生した場合の支持点間の距離を短くでき、共振周波数を高くできる。エンジン等から伝わる振動周波数に対して制御回路基板20の共振周波数を高くできるので、振動の影響を受け難く、信頼性が向上する。蓋8は、金属ベース板11に固定されて、制御回路基板20を外部からの電磁ノイズから保護する。本実施形態に係るケース10は、流路形成部12が収納された部分は略直方体の形状を為しているが、ケース10の一側面側から突出収納部10gが形成されている。当該突出収納部10dには、DCDCコンバータ装置100から延ばされる端子102や、直流側のバスバーアッセンブリ900や、抵抗器450が収納される。ここで抵抗器450は、コンデンサモジュール500のコンデンサ素子に蓄えられた電荷を放電するための抵抗素子である。このようにバッテリ136とコンデンサモジュール500との間の電気回路部品を突出収納部10dに集約しているため、配線の複雑化を抑制することができ、装置全体の小型化に寄与することができる。なお、蓋18は、DCDCコンバータ装置100から延ばされる端子102を接続するための作業用の窓17を塞ぐための部材である。なお、DCDCコンバータ装置100は、ケース10の底面と対向する面に、端子102が貫通する開口部101が形成されている。このように、インバータ装置200の底部側に流路形成部12を配置し、次にコンデンサモジュール500,バスバーアッセンブリ800,基板等の必要な部品を固定する作業を上から順次行えるように構成されており、生産性と信頼性が向上する。図7は、ケース10を下カバー420が設けられている底面側から見た図である。ケース10は、4つの側壁10a,10b,10c,10dを備える直方体形状を有している。ケース10の底面側には、冷媒流路19の開口部404が形成されている。コの字形状の冷媒流路19は、直線状の3つの流路部第1流路部19a,第2流路部19b,第3流路部19cから構成される。開口部404もコの字形状をしており、この開口部404は下カバー420によって塞がれる。下カバー420とケース10の間には、シール部材409が設けられ気密性を保っている。下カバー420には、第1流路部19aおよび第2流路部19bと対向する位置に、冷媒流路19とは反対の方向に向かって突出する3つの凸部406と1つの凸部407とが形成されている。3つの凸部406は、パワー半導体モジュール300a~300cに対応して設けられている。なお、第3流路部19cに対応する位置に形成された凸部407は、冷媒流路19の断面積を調整するために設けられたものであり、この部分にはパワー半導体モジュールは配置されない。凸部407は凸部406と同一形状である。符号10eで示す部分は、コンデンサモジュール500を収納する収納空間405図4参照の底部である。冷媒は、矢印417で示すように入口配管13に流入し、ケース10の長手方向の辺に沿って形成された第1流路部19a内を矢印418の方向に流れる。さらに、冷媒は、ケース10の短手方向の辺に沿って形成された第2流路部19b内を、矢印421の方向に流れる。この第2流路部19bは折り返し流路を形成する。さらに、冷媒は、ケース10の長手方向の辺に沿って形成された流路形成部12の第3流路部19cを流れる。第3流路部19cは、コンデンサモジュール500を挟んで第1流路部19aと平行に設けられている。冷媒は、矢印423で示すように出口配管14から流出される。第1流路部19a,第2流路部19b,第3流路部19cは、いずれも幅方向より深さ方向が大きく形成される。また、流路形成部12には、ケース10裏面に形成された開口部404と、複数の開口部400とが対向するように形成されているので、アルミ鋳造により製造し易い構成になっている。次に、DCDCコンバータ装置100について説明する。図8はDCDCコンバータ装置100の回路構成を示す図である。図8に示すように、本実施の形態のDCDCコンバータ装置100では、双方向DCDC対応としている。そのために、降圧回路HV回路、昇圧回路LV回路は、ダイオード整流ではなく同期整流構成としている。また、HVLV変換で高出力とするために、スイッチング素子への大電流部品の採用、平滑コイルの大型化を図っている。具体的には、HVLV側共に、リカバリーダイオードを持つMOSFETを利用したHブリッジ型同期整流スイッチング回路構成H1~H4とした。スイッチング制御にあっては、LC直列共振回路Cr,Lrを用いて高スイッチング周波数100kHzでゼロクロススイッチングさせ、変換効率を向上させて熱損失を低減するようにした。加えて、アクティブクランプ回路を設けて、降圧動作時の循環電流による損失を低減させ、ならびに、スイッチング時のサージ電圧発生を抑制してスイッチング素子の耐圧を低減させることで、回路部品の低耐圧化を図ることで装置を小型化している。さらに、LV側の高出力を確保するために、全波整流型の倍電流カレントダブラー方式とした。なお、高出力化にあたり、複数のスイッチング素子を並列同時作動させることで高出力を確保している。図8の例では、SWA1~SWA4、SWB1~SWB4のように4素子並列とした。また、スイッチング回路および平滑リアクトルの小型リアクトルL1,L2を、対称性を持たせるように2回路並列配置とすることで高出力化している。このように、小型リアクトルを2回路配置とすることで、大型リアクトル1台を配置させる場合に比べて、DCDCコンバータ装置全体の小型化が可能となる。図9,10および11は、DCDCコンバータ装置100における部品配置を説明する図である。図9はDCDCコンバータ装置100の分解斜視図である。図10は、DCDCコンバータ装置100とインバータ装置200とを一体化した電力変換装置1の断面図である。図11は、DCDCコンバータ装置100のケース内の部品配置を模式的に示した図である。図9に示すように、DCDCコンバータ装置100の回路部品は、金属製例えば、アルミダイカスト製のケース111内に収納されている。ケース111の開口部にはケースカバー112がボルト固定される。上述したように、ケース111の底面側に、インバータ装置200のケース10が固定される。ケース内の底面部分には、主トランス33、インダクタ素子34、スイッチング素子H1~H4が搭載されたパワー半導体モジュール35、スイッチング素子36が搭載されている昇圧回路基板32、コンデンサ38等が載置されている。主な発熱部品は、主トランス33、インダクタ素子34、パワー半導体モジュール35およびスイッチング素子36である。なお、図8の回路図との対応を記載すると、主トランス33はトランスTrに、インダクタ素子34はカレントダブラーのリアクトルL1,L2に、スイッチング素子36はスイッチング素子SWA1~SWA4,SAWB1~SWB4にそれぞれ対応している。昇圧回路基板32には、図8のスイッチング素子S1,S2等も搭載されている。スイッチング素子H1~H4の端子39はケース上方へと延在しており、パワー半導体モジュール35の上方に配置された降圧回路基板31と接続されている。降圧回路基板31はケース底面から上方に突出した複数の支持部材上に固定される。パワー半導体モジュール35においては、スイッチング素子H1~H4は、パターンが形成された金属基板上に実装されており、金属基板の裏面側はケース底面に密着するように固定されている。スイッチング素子36が実装される昇圧回路基板32も同様の金属基板で構成されている。図9では、昇圧回路基板32はコンデンサ38等の陰に隠れて見えないので、破線で示している。制御回路基板30には、昇圧回路や降圧回路に設けられたスイッチング素子を制御する制御回路が実装されている制御回路基板30は金属製のベース板37上に固定されている。ベース板37はケース111の底面部から上方に突出した複数の支持部111aに固定されている。これにより、制御回路基板30は、ケース底面部に配置された発熱部品主トランス33、インダクタ素子34やパワー半導体モジュール35などの上方に、ベース板37を介して配置されることになる。図10および11を参照して、DCDCコンバータ装置100に設けられた部品の配置について説明する。なお、図10の断面図では、インバータ装置200内に収納されている部品としては、流路形成部12に装着されたパワー半導体モジュール300a~300cのみを示した。前述したように、インバータ装置200のケース10内には、各側壁10a,10b,10cに沿って流路形成部12a~12cが設けられている。側壁10aに沿った流路形成部12aには第1流路部19aが形成され、側壁10bに沿った流路形成部12bには第2流路部19bが形成され、側壁10cに沿った流路形成部12cには第3流路部19cが形成されている。第1流路部19aにはパワー半導体モジュール300aが挿入され、第3流路部19cにはパワー半導体モジュール300cが挿入されている。なお、図示していないが、パワー半導体モジュール300bは第1流路部19aに挿入されている。DCDCコンバータ装置200のケース111は、ケース底部111bの外周面に凹部111dおよび凸部111cが形成されている。図1に示すように、ケース111の凹部111dは、少なくともケース10の底部外周面に設けられた凸部406に対向する領域に形成されている。すなわち、凹部111dは、凸部406を介して流路部19a,19b,19cに対向している。また、凸部111cは、ケース10の底部外周面の凸部406によって囲まれた領域に対向するように形成されている。図10では図示を省略しているが、ケース111とケース10との隙間には、熱伝導性能に優れたシール材放熱シート、熱伝導性グリースが設けられている。主トランス33は第1流路部19aと対向するケース内周面に固定されている。一方、スイッチング素子36と搭載する昇圧回路基板32やコンデンサ38は、第3流路部19cと対向するケース内周面に固定されている。主トランス33、昇圧回路基板32、コンデンサ38等はケース111の底面部にボルト41等によりネジ止めされているが、ケース底部の肉厚の厚い領域、例えば凸部111cにネジ穴が形成されている。また、流路部19a,19b,19cと対向しないケース底面部にも部品を配置する場合には、その部分の肉厚を厚くしてケース10と接触させることで、その部品の冷却効率の向上を図るようにしている。ベース板37はケース111に形成された支持部111a上にボルト固定されている、制御回路基板30はベース板37の上面に形成された凸部37a上にボルト等により固定されている。ケース111の開口部にはケースカバー112が取り付けられ、ケース内部が密閉されている。ケース111は、底面部凹部111dや凸部111cなどがインバータ装置200のケース10と熱的に接触しているため、ケース10の流路部19a~19cを流れる冷媒によって間接的に冷却されている。ケース底面部に部品を固定することにより、効果的に冷却が行われる。特に、発熱量の大きな部品に関しては、冷媒が直接接している下カバー402の凸部406が接触する領域に配置することで、冷却効果の向上を図ることができる。また、ベース板37は金属で形成されているので、制御回路基板30で発生した熱は支持部111aおよびケース111を介してケース10へと伝達される。また、ベース板37は、ケース底面部に設けられた発熱部品からの輻射熱の遮蔽部材として機能するとともに、銅材等を用いることでスイッチング素子からのスイッチング放射ノイズを遮蔽するシールドとしても機能する。図10の平面図は、ケース111の底面部に設けられた発熱部品の配置を示したものであり、ケースカバー112を外した状態を示す。破線はインバータ装置200のケース10に設けられた流路部19a~19cの配置を示している。流路部19a~19cは、ケース111の底面部に対してコの字形状に設けられており、第1流路部19aと第3流路部19cとは平行に設けられている。入口配管13から第1流路部19aに流入した冷媒は、第2流路部19b,第3流路部19cの順に流れて、出口配管14から流出する。主トランス33および2つのインダクタ素子34は、第1流路部19aと対向するケース底面部に配置されている。また、降圧回路を構成するパワー半導体モジュール35および降圧回路基板31は、主に第1流路部19aと対向するケース底面部に配置されている。昇圧回路を構成するスイッチング素子36および昇圧回路基板32は、第3流路部19cと対向するケース底面部に配置されている。このように、比較的発熱量の大きな部品を流路部19a~19cと対向する位置に配置して、冷却効率を高めるようにしている。なお、ケース111の底面部の外周面を、図10に示すような凹凸構造とせず平面状としても構わない。その場合でも、凸部406と接触しているケース底面部、すなわち、流路部19a~19cと対向するケース底面部に発熱部品を配置することで、発熱部品に対する冷却効率の向上を図ることができる。ただし、図10のようにボルト41等により部品をケース底面部に固定する場合、凸部111cのようにネジ穴の深さを考慮した肉厚にする必要がある。そのため、ケース111の底面部の外周面を平面状とする場合には、図10のように凹凸構造とする場合に比べて、ケース111全体の高さ寸法が大きくなってしまうという欠点がある。さらにケース111とケース10との接触面を凹凸構造とすることで、接触面積をより大きくすることができ、ケース111に対する冷却性能をより大きくすることができる。また、ケース111の凸部111cがケース10の凹部10eと接触することで、流路部19a~19cと対向していないケース底面部に配置された部品に対する冷却効率の向上を図ることができる。次に、凹凸構造における凹凸面の断面形状について説明する。図12は、図10の凸部406と凹部111dとが接触している部分の拡大図である。ケース111とケース10との間には、伝熱性能を向上させるために放熱シート120が配置されている。放熱シート120には、例えば、放熱用シリコーンゴムシートが用いられる。図12に示す例では、凸部406および凸部111cのいずれも、側面は傾斜角=0度で垂直になっている。すなわち、凸部406の側面と、それが嵌り込む凹部111dの側面とは垂直になっている。放熱シート120はケース111とケース10との間に挟み込まれ、若干圧縮されることにより適切な面圧とすることにより、適切な放熱特性が得られる。しかし、凸部406,111cの側面が垂直になっている場合には、予め設定された垂直な隙間に放熱シートが配置される構造であるため、適切な面圧を得ることができないばかりか、図12に示すように角部Cにおいて隙間が生じてしまうおそれがある。そこで、図13aに示すように、凸部111cの側面111f凹部111dの側面でもあるを傾斜角θ1<90度の傾斜面とするとともに、凸部406の対応する側面10fを傾斜角θ2<90度の傾斜面とした。傾斜角θ1およびθ2は90度よりも小さく設定されるが、好ましくは30~45度程度が良い。このように側面111f,10fを傾斜角が90度よりも小さな傾斜面とすることにより、ケース111をケース10に固定する際に、傾斜面部分の放熱シート120を圧縮することができ、適切な面圧とすることができる。また、角部の角度も90度よりも大きく緩やかになり、角部において隙間が生じ難くなる。さらに、傾斜角θ1,θ2をθ1>θ2のように設定することで、図13bの矢印のようにケース111をケース10方向に付勢して放熱シート120を圧縮した際に、斜面部分の放熱シートがケース10方向に押しやられる。その結果、放熱シート120が角部に入り込み、角部における隙間発生を防止する機能がより向上する。また、放熱シート120に代えて熱伝導性グリースをケース間の隙間に埋め込むようにしても良い。具体的には、ケース10,111の対向面全体にグリースを塗り、ケース111をケース10に固定すれば良い。この場合も、凸部111c、10eの側面が垂直に形成されていると、垂直面の間の隙間にグリースを隙間無く塗布するのは難しい。一方、凸部406、111cの側面を傾斜面とすることで、隙間無くグリースを行き渡らせることができる。例えば、電力変換装置1が車両のボンネット例えばエンジンルーム内に収納される場合では、グリースで覆われていない隙間があると、空気、湿気、水等の影響でその部分の冷却性能が劣化するおそれがある。しかし、ケース111とケース10との隙間を非常に小さくほぼゼロと皆節ぐらい小さく設定することにより、毛管現象による浸透性により隙間なく行き渡らせることができる。また、溶剤が蒸発してグリースが硬化することにより、水などの影響を防止できる。インバータ装置はHEVハイブリッド車,PHEVプラグインハイブリッド車あるいはEVに共通利用される動力駆動用コンポーネントであり、車両種別に関係なく利用されることが多い。一方、DCDCコンバータ装置はPHEVあるいはEVに搭載されるもので、車両種別に異なる場合が多く、かつ、LVバッテリ負荷に応じて多彩なDCDC容量への対応が必要である。そのため、DCDCコンバータ装置100の機種によっては嵌合面の形状がインバータ装置200と若干異なる場合も考えられる。そのような場合には、図14に示すようなアダプタベース板70をDCDCコンバータ装置100とインバータ装置200との間に配置することで、嵌合面の不一致を解消することができる。なお、嵌合部においては図13に示したような傾斜構造が採用される。上述した本実施の形態の電力変換装置1は、以下のような作用効果を奏する。1電力変換装置1は、ケース10に収納され、交流電流を出力する複数のパワー半導体モジュール300が設けられたインバータ装置200と、ケース10に分離可能に固定されるケース111に収納され、降圧回路および/または昇圧回路が設けられたDCDCコンバータ装置100と、を備える。そして、ケース10は、パワー半導体モジュール300が挿入される第1冷媒流路である第1流路部19aが形成され、ケース111と熱的に接触する流路形成部12aと、第1流路部19aと平行に設けられパワー半導体モジュール300が挿入される第2冷媒流路である第3流路部19cが形成され、ケース111と熱的に接触する流路形成部12cと、を有している。DCDCコンバータ装置100は、電圧変換するためのインダクタ素子主トランス33およびインダクタ素子34と、該インダクタ素子に流れる電流を制御するための、スイッチング素子36が搭載される昇圧回路基板32、スイッチング素子H1~H4が搭載されている基板パワー半導体モジュール35を有している。それらインダクタ素子およびスイッチング素子基板は、ケース111の流路形成部12aおよび流路形成部12cと熱的に接触する領域に配置されている。このように、流路部19a、19cが形成された流路形成部12a,12cに熱的に接触するようにケース111を固定し、そのケース111の流路形成部12a,12cと熱的に接触する領域に発熱部品である電圧変換用インダクタ素子34等を配置することで、インバータ装置200の冷却系を用いてDCDCコンバータ装置100の発熱部品を効率良く冷却することができる。その結果、高温度環境による装置の機能低下や構成部品の劣化進行を防止することができる。上述したように、インバータ装置はHEVハイブリッド車,PHEVプラグインハイブリッド車あるいはEVに共通利用される動力駆動用コンポーネントであり、車両種別に関係なく利用されることが多い。一方、DCDCコンバータ装置はPHEVあるいはEVに搭載されるもので、車両種別に異なる場合が多く、かつ、LVバッテリ負荷に応じて多彩なDCDC容量への対応が必要である。そのため、従来の装置では、インバータ装置とDCDCコンバータ装置とを別に配置し、それぞれに冷媒による冷却構造を備えているのが一般的である。その結果、冷却構造が各々の2回路分離構成となり、水路損失も多くなり、軽量小型化およびコスト低減の阻害要因となっていた。一方、本実施の形態では、インバータ装置200とDCDCコンバータ装置100とを分離一体型とし、DCDCコンバータ装置100の冷却系を省略する構成としているため、電力変換装置1の小型化を図ることができる。また、インバータ装置200の流路形成部12a、12cが熱的に接触するケース底部111bの領域だけでなく、それらの間の領域も冷却面として利用することができ、より多くの部品を冷却することができる。また、インバータ装置200とDCDCコンバータ装置100とを分離一体型としているので、車両種別に応じてDCDCコンバータ装置100が異なる場合でも、インバータ部分まで含めた構造回路設計変更する必要がなく、DCDC容量に応じて単独で変更が行える。なお、流路部19aと流路部19cとは、流路部19bによってケース10内でUターンするように接続されているが、流路部19aの出口と流路部19cの入口を側壁10bに形成し、配管等によりケース10の外部で連結するようにしても良い。2特に、発熱量が比較的大きい電圧変換用インダクタ素子34を、冷媒の流れの上流側である流路形成部12aと熱的に接触するケース111の領域に配置し、スイッチング素子基板を冷媒の流れの下流側である流路形成部12cと熱的に接触するケース111の領域に配置することで、発熱量の異なる複数の発熱部品に対して各々効果的な冷却を行うことができる。3冷媒流路19aと冷媒流路19cとを連結する冷媒流路19bが形成されてケース111と熱的に接触する流路形成部12bを有する。DCDCコンバータ装置100は降圧回路および昇圧回路を備え、インダクタ素子主トランス33,インダクタ素子34は、ケース111の、流路形成部12aと熱的に接触する領域に配置され、降圧回路のスイッチング素子H1~H4が搭載されている基板パワー半導体モジュール35は、ケース111の、流路形成部12cおよび流路形成部12bのいずれか一方と熱的に接触する領域に配置され、昇圧回路のスイッチング素子が搭載されている昇圧回路基板32は、ケース111の、流路形成部12cおよび流路形成部12bの他方と熱的に接触する領域に配置するようにしても良い。流路形成部12a~12cをこのように配置することにより、より多数の発熱部品を冷媒流路と対向するケース底部111bに配置することができる。なお、上述した実施の形態では、図11に示すように、パワー半導体モジュール35を流路形成部12bと接触するケース111の領域に配置したが、流路形成部12cと接触する領域に配置するようにしても良い。4流路形成部12a、流路形成部12cおよび流路形成部12bのそれぞれは、対向するケース111方向に突出する凸部406,407を有し、ケース111のケース10と対向する面は、少なくとも凸部406,407と対向する領域が凹部111dを形成し、凸部406,407を、凹部111dに入り込むように熱的に接触させるようにしても良い。その結果、ケース10とケース111との間の熱接触面積がより大きくなり、ケース111側の冷却効果がより向上する。また、肉厚を必要とする構造を凹部111d以外の肉厚の大きな領域に配置することで、ケース10とケース111とを積み上げるように固定したときの、積層方向寸法をより小さくすることができ、電力変換装置1の小型化を図ることができる。さらに、一体化時には凹凸を嵌め込むような作業となるため、組み立て作業が容易となる。5凸部と凹部との隙間に熱伝導性グリースまたは放熱シートを配置しても良く、それにより、ケース10とケース111と伝熱特性が向上する。なお、図10に示す例では、放熱シート120をケース10とケース111との隙間の全面に配置しているが、必ずしも全面に配置する必要はなく、例えば、発熱部品が配置されている領域の隙間に設けるようにしても良い。6図13に示すように、凸部406の側面10fと頂面との成す角度が90度よりも大きく、かつ、凹部111dの側面111fと底面との成す角度が90度よりも大きく設定することにより、熱伝導性グリースまたは放熱シートの密着性が良くなり、また、伝熱特性を阻害する要因である接触面における空隙等の発生を防止することができる。7さらに、側面111fの傾斜角θ1を側面10fの傾斜角θ2よりも大きくすることにより、空隙が生じやすい角部に放熱シート120を押し流すような効果が働き、角部における空隙の発生を撚り効果的に防止することができる。8ケース底部111bから突出した複数の支持部111aにより、ベース板37を電圧変換用インダクタ素子34および昇圧回路基板32の上方に支持し、そのベース板37上に制御回路基板30を載置するようにしても良い。このような構成とすることで、発熱部品からの熱輻射をベース板37により遮蔽することができるとともに、制御回路基板30で発生する熱をベース板37、支持部111aを介してケース底部111bへ逃がすことができる。なお、以上の説明はあくまでも一例であり、発明を解釈する際、上記実施の形態の記載事項と特許請求の範囲の記載事項の対応関係に何ら限定も拘束もされない。例えば、上述した実施の形態では、PHEVあるいはEV等の車両に搭載される電力変換装置を例に説明したが、本発明はこれらに限らず建設機械等の車両に用いられる電力変換装置にも適用することができる。"