"圧電体膜であって、001配向を有するNaxLa1-xNiO3-x層と、001配向を有するNa,BiTiO3-BaTiO3層とを具備し、前記xは0.01以上0.1以下であり、前記NaxLa1-xNiO3-x0.01≦x≦0.1層および前記Na,BiTiO3-BaTiO3層が積層されている圧電体膜。前記Na,BiTiO3-BaTiO3層は、Mnを含有する、請求項1に記載の圧電体膜。インクジェットヘッドであって、第1電極および第2電極に挟まれた圧電体層を有する圧電体膜と、前記圧電体膜に接合された振動層と、インクを収容する圧力室を有するとともに、前記振動層における前記圧電体膜が接合した面とは反対側の面に接合された圧力室部材と、を備え、前記振動層は、圧電効果に基づく前記圧電体膜の変形に応じて当該振動層の膜厚方向に変位するように、前記圧電体膜に接合され、前記振動層と前記圧力室部材とは、前記振動層の変位に応じて前記圧力室の容積が変化するとともに、前記圧力室の容積の変化に応じて前記圧力室内のインクが吐出されるように、互いに接合されており、前記第1電極は、001配向を有するNaxLa1-xNiO3-x層を具備し、前記圧電体層は、001配向を有するNa,BiTiO3-BaTiO3層である、インクジェットヘッド。前記Na,BiTiO3-BaTiO3層は、Mnを含有する、請求項3に記載のインクジェットヘッド。インクジェットヘッドを用いて画像を形成する方法であって、前記インクジェットヘッドを準備する工程と、前記インクジェットヘッドは、第1電極および第2電極に挟まれた圧電体層を有する圧電体膜と、前記圧電体膜に接合された振動層と、インクを収容する圧力室を有するとともに、前記振動層における前記圧電体膜が接合した面とは反対側の面に接合された圧力室部材と、を備え、前記振動層は、圧電効果に基づく前記圧電体膜の変形に応じて当該振動層の膜厚方向に変位するように、前記圧電体膜に接合され、前記振動層と前記圧力室部材とは、前記振動層の変位に応じて前記圧力室の容積が変化するとともに、前記圧力室の容積の変化に応じて前記圧力室内のインクが吐出されるように、互いに接合されており、前記第1電極は、001配向を有するNaxLa1-xNiO3-x層を具備し、前記圧電体層は、001配向を有するNa,BiTiO3-BaTiO3層であり、前記第1電極および第2電極を介して前記圧電体層に電圧を印加することにより、圧電効果に基づき、前記圧力室の容積が変化するように前記振動層を当該層の膜厚方向に変位させ、当該変位により前記圧力室からインクを吐出させる工程と、を包含する、方法。前記Na,BiTiO3-BaTiO3層は、Mnを含有する、請求項5に記載の方法。角速度センサであって、振動部を有する基板と、前記振動部に接合されるとともに、第1電極および第2電極に挟まれた圧電体層を有する圧電体膜と、を備え、前記第1電極は、001配向を有するNaxLa1-xNiO3-x層を具備し、前記圧電体層は、001配向を有するNa,BiTiO3-BaTiO3層であり、前記第1電極および第2電極から選ばれる一方の電極が、前記振動部を発振させる駆動電圧を前記圧電体層に印加する駆動電極と、発振中の前記振動部に加わった角速度によって前記振動部に生じた変形を測定するためのセンス電極とを含む電極群とにより、構成されている、角速度センサ。前記Na,BiTiO3-BaTiO3層は、Mnを含有する、請求項7に記載の角速度センサ。角速度センサを用いて角速度を測定する方法であって、前記角速度センサを準備する工程と、前記角速度センサは、振動部を有する基板と、前記振動部に接合されるとともに、第1電極および第2電極に挟まれた圧電体層を有する圧電体膜と、を備え、前記第1電極は、001配向を有するNaxLa1-xNiO3-x層を具備し、前記圧電体層は、001配向を有するNa,BiTiO3-BaTiO3層であり、前記第1電極および第2電極から選ばれる一方の電極が、駆動電極とセンス電極とを含む電極群により構成されており、駆動電圧を、前記第1電極および第2電極から選ばれる他方の電極と前記駆動電極とを介して前記圧電体層に印加することにより、前記振動部を発振させる工程と、発振中の前記振動部に加わった角速度によって前記振動部に生じた変形を、前記他方の電極と前記センス電極とを介して測定することで前記加わった角速度の値を得る工程と、を包含する、方法。前記Na,BiTiO3-BaTiO3層は、Mnを含有する、請求項9に記載の方法。圧電発電素子であって、振動部を有する基板と、前記振動部に接合されるとともに、第1電極および第2電極に挟まれた圧電体層を有する圧電体膜と、を備え、前記第1電極は、001配向を有するNaxLa1-xNiO3-x層を具備し、前記圧電体層は、001配向を有するNa,BiTiO3-BaTiO3層である、圧電発電素子。前記Na,BiTiO3-BaTiO3層は、Mnを含有する、請求項11に記載の圧電発電素子。圧電発電素子を用いた発電方法であって、前記圧電発電素子を準備する工程と、前記圧電発電素子は、振動部を有する基板と、前記振動部に接合されるとともに、第1電極および第2電極に挟まれた圧電体層を有する圧電体膜と、を備え、前記第1電極は、001配向を有するNaxLa1-xNiO3-x層を具備し、前記圧電体層は、001配向を有するNa,BiTiO3-BaTiO3層であり、前記振動部に振動を与えることにより、前記第1電極および第2電極を介して電力を得る工程と、を包含する、方法。前記Na,BiTiO3-BaTiO3層は、Mnを含有する、請求項13に記載の方法。以下、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明では、同一の部材に同一の符号を与える。これにより、重複する説明が省略され得る。[圧電体膜]図1Aは、本発明による圧電体膜の一形態を示す。図1Aに示される圧電体膜1aは、積層構造16aを有する。積層構造16aは、001配向を有するNaxLa1-xNiO3-x層0.01≦x≦0.113と、001配向を有するBi,Na,BaTiO3層15とをこの順に有する。積層されたこれらの層は互いに接する。当該Bi,Na,BaTiO3層15は、圧電体層である。当該Bi,Na,BaTiO3層15は、小さいリーク電流とともに、高い結晶性および高い001配向性を有する。このため、圧電体膜1aは、鉛を含有しないにも拘わらず、低い誘電損失およびPZTと同一の高い圧電性能を有する。LaNiO3層は、化学式ABO3により表されるペロブスカイト型の結晶構造を有する。当該結晶構造の格子定数は0.384nm擬立方晶である。このため、NaxLa1-xNiO3-x層13は、Bi,Na,BaTiO3層15に対する良好な格子整合性を有する。NaxLa1-xNiO3-x層13は、当該膜の下地層の組成および結晶構造に拘わらず、001配向を有する。例えば、大きく異なる格子定数0.543nmを有するSi単結晶基板の上に、001配向を有するNaxLa1-xNiO3-x層13が形成され得る。ステンレスなどの金属からなる基板、ガラスなどの非晶質材料からなる基板、およびセラミクス基板の上にも、001配向を有するNaxLa1-xNiO3-x層13が形成され得る。NaxLa1-xNiO3-x層13は、微量の不純物を含み得る。当該不純物は、典型的には、Laを置換する希土類元素である。NaxLa1-xNiO3-x層13は、膜厚方向に均一な組成を有し得る。これに代えて、NaxLa1-xNiO3-x層13は、膜厚方向にxxはNaxLa1-xNiO3-x層13に含有されるNaの量を表すが増加または減少する組成を有し得る。すなわち、Bi,Na,BaTiO3層15に接する面の値xは、接しない面の値xと異なり得る。NaxLa1-xNiO3-x層13は、Bi,Na,BaTiO3層15を形成するための界面層としても機能するから、これらの層が接する面では不等式0.01≦x≦0.1が充足されることが必要とされる。NaxLa1-xNiO3-x層13は酸化物導電体である。NaxLa1-xNiO3-x層13は、Bi,Na,BaTiO3層15に電圧を印加する第1電極として機能し得る。NaxLa1-xNiO3-x層13は、典型的にはスパッタリング法により形成され得る。NaxLa1-xNiO3-x層13は、パルスレーザー堆積法PLD法、化学気相成長法CVD法、ゾルゲル法、またはエアロゾル堆積法AD法のような薄膜形成手法によっても形成され得る。圧電体膜を製造する本発明の方法によれば、スパッタリング法により、001配向を有するNaxLa1-xNiO3-x層13が形成される。ニッケル酸ランタンナトリウムの酸素量を表す3-xは、誤差を含み得る。例えば、x=0.05であれば3-0.05=2.95である。しかし、ナトリウムの量が0.05である場合、ニッケル酸ランタンナトリウムの酸素量は完全に2.95に一致するとは限らない。高い結晶性、高い配向性、および小さいリーク電流を有する圧電体層の形成のために好適な界面層の組成を、圧電体層および界面層が有する格子定数の類似性または組成の類似性に基づいて予測することは困難である。即ち、圧電体層の格子定数または組成に類似する格子定数または組成を有する界面層を単に設けることによって、上記の望ましい圧電体層は得られない。この理由は、Bi,Na,BaTiO3のような多元系複合酸化物を構成する各元素酸素を除くが異なる蒸気圧を有するため、良好な結晶性および良好な配向性を有する、当該複合酸化物により構成される薄膜を形成することが一般に困難であるからである。本発明者らは、Naを添加したLaNiO3層であるNaxLa1-xNiO3-x層0.01≦x≦0.113の上に設けられたBi,Na,BaTiO3層15が、高い結晶性、高い配向性、および小さいリーク電流を有することを見出した。NaxLa1-xNiO3-x層13の厚みは限定されない。当該厚みが数格子単位約2nm以上であれば、高い結晶性、高い001配向性、および小さいリーク電流を有するBi,Na,BaTiO3層15が形成され得る。Bi,Na,BaTiO3層15は、Bi,Na,BaTiO3により構成される。Bi,Na,BaTiO3層15は、001の面方位を表面に有する。Bi,Na,BaTiO3層15の厚みは限定されない。当該厚みは、例えば、0.5μm以上、10μm以下である。Bi,Na,BaTiO3層15が薄くても、当該層が低い誘電損失および高い圧電性能を有する。Bi,Na,BaTiO3層15は、化学式ABO3により表されるペロブスカイト型の結晶構造を有する。サイトAおよびサイトBは、単独または複数の元素の配置に応じて、それぞれ2価および4価の平均価数を有する。サイトAはBi、NaおよびBaである。サイトBはTiである。Bi,Na,BaTiO3層15は、微量の不純物を含み得る。当該不純物は、典型的には、サイトAにおけるNaを置換するLiおよびKならびにBaを置換するSrおよびCaであり得る。当該不純物は、典型的には、サイトBにおけるTiを置換するZrであり得る。その他の当該不純物は、例えば、Mn、Fe、NbおよびTaであり得る。いくつかの不純物は、Bi,Na,BaTiO3層15の結晶性および圧電性能を向上し得る。Bi,Na,BaTiO3層15は、典型的にはスパッタリング法により形成され得る。Bi,Na,BaTiO3層15は、001配向を有する限り、例えば、PLD法、CVD法、ゾルゲル法、AD法のような他の薄膜形成手法によっても形成され得る。圧電体膜を製造する本発明の方法では、NaxLa1-xNiO3-x層0.01≦x≦0.113の上にスパッタリング法によりBi,Na,BaTiO3層15が形成される。図1Bは、本発明による圧電体膜の別の一形態を示す。図1Bに示される圧電体膜1bは、積層構造16bを有する。積層構造16bでは、図1Aに示される積層構造16aに金属電極層12が加えられている。積層構造16bでは、NaxLa1-xNiO3-x層0.01≦x≦0.113が当該金属電極層12上に形成されている。具体的には、積層構造16bは、金属電極層12と、001配向を有するNaxLa1-xNiO3-x層0.01≦x≦0.113と、001配向を有するBi,Na,BaTiO3層15とをこの順に有する。積層されたこれらの層は互いに接する。金属電極層12の材料の例は、白金Pt、パラジウムPd、または金Auのような金属;酸化ニッケルNiO、酸化ルテニウムRuO2、酸化イリジウムIrO2、またはルテニウム酸ストロンチウムSrRuO3のような酸化物導電体である。金属電極層12は、2種以上のこれらの材料により構成され得る。金属電極層12は低い電気抵抗および高い耐熱性を有することが好ましい。そのため、金属電極層12はPt層であることが好ましい。当該Pt層は、111配向を有し得る。即ち、本発明の圧電体膜は、Pt層をさらに備え得る。NaxLa1-xNiO3-x層13が当該Pt層上に形成され得る。金属電極層12は、NaxLa1-xNiO3-x層13とともに、圧電体層であるBi,Na,BaTiO3層15に電圧を印加する電極層として機能し得る。換言すれば、当該電極層は、NaxLa1-xNiO3-x層13および金属電極層12から構成される積層体である。図1Bに示される圧電体膜1bは、金属電極層12上に、NaxLa1-xNiO3-x層13、およびBi,Na,BaTiO3層15を順に形成することにより、製造され得る。圧電体膜を製造する本発明の方法では、NaxLa1-xNiO3-x層13を金属電極層好ましくはPt層12上に形成し得る。こうして、図1Bに示される圧電体膜1bが製造され得る。図1Cは、本発明による圧電体膜のまた別の一形態を示す。図1Cに示される圧電体膜1cは、積層構造16cを有する。積層構造16cでは、図1Aに示される積層構造16aに導電層17がさらに加えられている。当該導電層17は、第2電極である。当該導電層17は、Bi,Na,BaTiO3層15上に形成されている。具体的には、積層構造16cは、001配向を有するNaxLa1-xNiO3-x層13と、001配向を有するBi,Na,BaTiO3層15と、導電層17とをこの順に有する。積層されたこれらの層は互いに接する。圧電体膜1cでは、NaxLa1-xNiO3-x層13および導電層17の間に、Bi,Na,BaTiO3層15が挟まれている。NaxLa1-xNiO3-x層13および導電層17は、圧電体層であるBi,Na,BaTiO3層15に電圧を印加する電極層として機能し得る。導電層17は、導電性を有する材料により構成される。当該材料の例は、低い電気抵抗を有する金属である。当該材料は、NiO、RuO2、IrO3、SrRuO3、およびLaNiO3のような酸化物導電体であり得る。導電層17は、2種以上のこれらの材料により構成され得る。導電層17とBi,Na,BaTiO3層15との間に、両者の密着性を向上させる密着層が配置され得る。密着層の材料の例は、チタンTiである。当該材料は、タンタルTa、鉄Fe、コバルトCo、ニッケルNi、クロムCr、またはこれらの化合物であり得る。密着層は、2種以上のこれらの材料により構成され得る。密着層は、導電層17とBi,Na,BaTiO3層15との密着性に応じて、省略され得る。図1Cに示される圧電体膜1cは、NaxLa1-xNiO3-x層0.01≦x≦0.113上に、Bi,Na,BaTiO3層15および導電層17を順に形成することにより、製造され得る。導電層17は、例えば、スパッタリング法、PLD法、CVD法、ゾルゲル法、およびAD法のような薄膜形成手法により形成され得る。圧電体膜を製造する本発明の方法は、Bi,Na,BaTiO3層15上に導電層17を形成する工程をさらに包含し得る。こうして、図1Cに示される圧電体膜1cが製造され得る。図1Dは、本発明による圧電体膜のさらに別の一形態を示す。図1Dに示される圧電体膜1dは、積層構造16dを有する。積層構造16dでは、図1Aに示される積層構造16aに金属電極層12および導電層17がさらに加えられている。積層構造16dでは、NaxLa1-xNiO3-x層0.01≦x≦0.113が当該金属電極層12上に形成されている。導電層17がBi,Na,BaTiO3層15上に形成されている。具体的には、積層構造16dは、金属電極層12と、001配向を有するNaxLa1-xNiO3-x層13と、001配向を有するBi,Na,BaTiO3層15と、導電層17とをこの順に有する。積層されたこれらの層は互いに接する。圧電体膜1dの金属電極層12は、NaxLa1-xNiO3-x層13とともに、Bi,Na,BaTiO3層15に電圧を印加する電極層として機能し得る。換言すれば、当該電極層は、NaxLa1-xNiO3-x層13および金属電極層12の積層体である。圧電体膜1dでは、さらに、NaxLa1-xNiO3-x層13あるいはNaxLa1-xNiO3-x層13を具備する当該電極層と導電層17の間に、Bi,Na,BaTiO3層15が挟まれている。NaxLa1-xNiO3-x層13あるいはNaxLa1-xNiO3-x層13を具備する当該電極層および導電層17は、Bi,Na,BaTiO3層15に電圧を印加する電極層として機能し得る。図1Dに示される圧電体膜1dは、金属電極層12上にNaxLa1-xNiO3-x層13、Bi,Na,BaTiO3層15、および導電層17を順に形成することによって、製造され得る。圧電体膜を製造する本発明の方法は、NaxLa1-xNiO3-x層13を金属電極層好ましくはPt層12上に形成する工程を包含し得る。さらに、当該方法は、Bi,Na,BaTiO3層15上に導電層17を形成する工程をさらに包含し得る。こうして、図1Dに示される圧電体膜1dが製造され得る。本発明の圧電体膜は、図1Eに示すように、基板11をさらに備え得る。NaxLa1-xNiO3-x層0.01≦x≦0.113は当該基板11の上に形成される。図1Eに示される圧電体膜1eでは、図1Dに示される積層構造16dが基板11上に形成されている。基板11は、シリコンSi基板であり得る。Si単結晶基板が好ましい。基板11と積層構造16dとの間より具体的には、基板11と金属電極層12との間に、両者の密着性を向上させる密着層が配置され得る。ただし、密着層は導電性を必要とする。密着層の材料の例は、Tiである。当該材料は、Ta、Fe、Co、Ni、Crまたはこれらの化合物であり得る。密着層は、2種以上のこれらの材料により構成され得る。密着層は、基板11と積層構造16dとの密着性に応じて、省略され得る。図1Eに示す圧電体膜1eは、基板11上に、金属電極層好ましくはPt層12、NaxLa1-xNiO3-x層13、Bi,Na,BaTiO3層15、および導電層17を順に形成して、製造され得る。圧電体膜を製造する本発明の方法は、NaxLa1-xNiO3-x層13を基板11上に形成する工程を包含し得る。図1A~図1Dに示される圧電体膜1a~1dは、下地基板を用いて製造され得る。具体的には、当該圧電体膜1a~1dは、下地基板上に積層構造16a~16dを形成した後、当該下地基板を除去することによって製造され得る。当該下地基板は、エッチングのような公知の手法により除去され得る。図1Eに示される圧電体膜1eも、下地基板を用いて製造され得る。具体的な一形態では、下地基板が基板11を兼ねる。下地基板上に積層構造16dを形成した後、当該下地基板を除去し、さらに、別途準備した基板11上に積層構造16dを配置することによって、当該圧電体膜1eは製造され得る。下地基板は、MgOのようなNaCl型構造を有する酸化物基板;SrTiO3、LaAlO3、およびNdGaO3のようなペロブスカイト型構造を有する酸化物基板;Al2O3のようなコランダム型構造を有する酸化物基板;MgAl2O4のようなスピネル型構造を有する酸化物基板;TiO2のようなルチル型構造を有する酸化物基板;および、La,SrAl,TaO3、イットリア安定化ジルコニアYSZのような立方晶系の結晶構造を有する酸化物基板;であり得る。下地基板は、ガラス基板;アルミナのようなセラミクス基板;および、ステンレスのような金属基板;の表面に、NaCl型の結晶構造を有する酸化物薄膜を積層することによって形成され得る。この場合、当該酸化物薄膜の表面に、金属電極層12またはNaxLa1-xNiO3-x層13が形成され得る。酸化物薄膜の例は、MgO薄膜、NiO薄膜、および酸化コバルトCoO薄膜である。圧電体膜を製造する本発明の方法は、上述したように、下地基板上に、直接あるいは金属電極層12のような他の層を介して、NaxLa1-xNiO3-x層13を形成する工程を包含し得る。基板11を兼ね得る下地基板は除去された後、他の基板は配置され得る。このとき、当該他の基板は、金属電極層12またはNaxLa1-xNiO3-x層13に接するように配置され得る。当該他の基板は、Bi,Na,BaTiO3層15に接するように配置され得る。後者によれば、当該他の基板上に、Bi,Na,BaTiO3層15およびNaxLa1-xNiO3-x層13がこの順に積層された、圧電体膜が得られる。以下、上述の圧電体膜を具備する本発明のインクジェットヘッド、角速度センサ、および圧電発電素子を説明する。詳細は、特許文献2を参照されたい。特許文献3および特許文献4は、それぞれ、特許文献2に対応する米国特許公報および中国公開公報である。[インクジェットヘッド]以下、本発明のインクジェットヘッドを、図2~図4を参照しながら説明する。図2は、本発明のインクジェットヘッドの一形態を示す。図3は、図2に示されるインクジェットヘッド100における、圧力室部材およびアクチュエータ部を含む要部を示す分解図である。図2および図3における符号Aは、圧力室部材を指し示す。圧力室部材Aは、その厚み方向図の上下方向に貫通する貫通孔101を具備する。図3に示される貫通孔101は、圧力室部材Aの厚み方向に切断された当該貫通孔101の一部である。符号Bは、圧電体膜および振動層を具備するアクチュエータ部を指し示す。符号Cは、共通液室105およびインク流路107を具備するインク流路部材Cを指し示す。圧力室部材A、アクチュエータ部B、およびインク流路部材Cは、圧力室部材Aがアクチュエータ部Bおよびインク流路部材Cに挟まれるように、互いに接合している。圧力室部材A、アクチュエータ部Bおよびインク流路部材Cが互いに接合した状態で、貫通孔101は、共通液室105から供給されたインクを収容する圧力室102を形成する。アクチュエータ部Bが具備する圧電体膜および振動層は、平面視において圧力室102と重複する。図2および図3における符号103は、圧電体膜の一部である個別電極層を指し示す。図2に示されるように、インクジェットヘッド100は、平面視においてジグザグ状に配置された2以上の個別電極層103を、即ち、圧電体膜を、具備する。インク流路部材Cは、平面視においてストライプ状に配置された2以上の共通液室105を具備する。図2および図3において、各共通液室105は、平面視において2以上の圧力室102と重複する。共通液室105は、インクジェットヘッド100におけるインク供給方向図2における矢印方向に伸びている。インク流路部材Cは、共通液室105内のインクを圧力室102に供給する供給口106と、圧力室102内のインクをノズル孔108から吐出するインク流路107とを具備する。通常、1つの供給孔106および1つのノズル孔108が、1つの圧力室102に対応付けられている。ノズル孔108は、ノズル板Dに形成されている。ノズル板Dは、圧力室部材Aとともにインク流路部材Cを挟むように、インク流路部材Cに接合している。図2における符号EはICチップを指し示す。ICチップEは、アクチュエータ部Bの表面に露出する個別電極層103に、ボンディングワイヤBWを介して電気的に接続されている。図2を明瞭にするために、一部のボンディングワイヤBWのみが図2に示される。図3は、圧力室部材Aおよびアクチュエータ部Bを含む要部の構成を示す。図4は、圧力室部材Aおよびアクチュエータ部Bにおける、インク供給方向図2における矢印方向に直交する断面を示す。アクチュエータ部Bは、第1電極個別電極層103および第2電極共通電極層112に挟まれた圧電体層15を有する圧電体膜104104a-104dを具備する。1つの個別電極層103は、1つの圧電体膜104a~104dに対応付けられている。共通電極層112は、圧電体膜104a~104dに共通する電極である。図4における破線で囲まれているように、上述した圧電体膜104がインクジェットヘッド内部に配置される。当該圧電体膜は、[圧電体膜]と題された項目で説明された圧電体膜である。なお図4において図示はしていないが、図1B、図1D、図1Eで説明したように、金属電極層12を含んでも構わない。[インクジェットヘッドを用いた画像形成方法]本発明の画像を形成する方法は、上述した本発明のインクジェットヘッドにおいて、第1および第2電極すなわち、個別電極層および共通電極層を介して圧電体層に電圧を印加し、圧電効果により振動層を当該層の膜厚方向に変位させて圧力室の容積を変化させる工程、ならびに当該変位により圧力室からインクを吐出させる工程を含有する。紙のような画像形成対象物とインクジェットヘッドとの間の相対位置を変化させながら、圧電体層に印加する電圧を変化させてインクジェットヘッドからのインクの吐出タイミングおよび吐出量を制御することによって、対象物の表面に画像が形成される。本明細書において用いられる用語画像は、文字を含む。換言すれば、本発明の画像を形成する方法により、紙のような印刷対象物に、文字、絵、図形などが印刷される。当該方法では、高い表現力を有する印刷をなし得る。[角速度センサ]図5は、本発明の角速度センサの一例を示す。図6は、図5に示される角速度センサ21aの断面E1を示す。図5に示される角速度センサ21aは、いわゆる音叉型角速度センサである。これは車両用ナビゲーション装置およびデジタルスチルカメラの手ぶれ補正センサに使用され得る。図5に示される角速度センサ21aは、振動部200bを有する基板200と、振動部200bに接合された圧電体膜208とを備える。基板200は、固定部200aと、固定部200aから所定の方向に伸びた一対のアーム振動部200bとを具備する。振動部200bが延びる方向は、角速度センサ21が測定する角速度の回転中心軸Lが延びる方向と同一である。具体的には、当該方向は、図5ではY方向である。基板200の厚み方向図5におけるZ方向から見て、基板200は2本のアーム振動部200bを有する音叉の形状を有している。基板200を構成する材料は限定されない。当該材料は、例えば、Si、ガラス、セラミクス、金属である。基板200は、Si単結晶基板であり得る。基板200の厚みは、角速度センサ21aとしての機能が発現できる限り、限定されない。より具体的には、基板200の厚みは0.1mm以上0.8mm以下である。固定部200aの厚みは、振動部200bの厚みと異なり得る。圧電体膜208は、振動部200bに接合している。当該圧電体膜208は、[圧電体膜]と題された項目で説明された圧電体膜である。図5および図6に示されるように、当該圧電体膜208は、第1電極13202、圧電体層15、および第2電極17205を具備する。第2電極205は、駆動電極206およびセンス電極207を含む電極群を具備する。駆動電極206は、振動部200bを発振させる駆動電圧を圧電体層15に印加する。センス電極207は、振動部200bに加わった角速度によって振動部200bに生じた変形を測定する。振動部200bの発振方向は、通常、その幅方向図5におけるX方向である。より具体的には、図5に示される角速度センサでは、一対の駆動電極206が、振動部200bの幅方向に対する両端部に、振動部200bの長さ方向図5のY方向に沿って設けられている。1本の駆動電極206が、振動部200bの幅方向に対する一方の端部に設けられ得る。図5に示される角速度センサでは、センス電極207は、振動部200bの長さ方向に沿って設けられており、かつ一対の駆動電極206の間に挟まれている。複数のセンス電極207が、振動部200b上に設けられ得る。センス電極207によって測定される振動部200bの変形は、通常、その厚み方向図5におけるZ方向の撓みである。本発明の角速度センサでは、第1電極および第2電極から選ばれる一方の電極が、駆動電極とセンス電極とを含む電極群により構成され得る。図5に示される角速度センサ21aでは、第2電極205が当該電極群により構成される。当該角速度センサとは異なり、第1電極202が当該電極群により構成され得る。接続端子202a、206aおよび207aが、第1電極202の端部、駆動電極206の端部およびセンス電極207の端部に、それぞれ形成されている。各接続端子の形状および位置は限定されない。図5では、接続端子は固定部200a上に設けられている。図5に示される角速度センサでは、圧電体膜208は、振動部200bおよび固定部200aの双方に接合している。しかし、圧電体膜208が振動部200bを発振させることができ、かつ振動部200bに生じた変形が圧電体膜208によって測定され得る限り、圧電体膜208の接合の状態は限定されない。例えば、圧電体膜208は、振動部200bのみに接合され得る。本発明の角速度センサは、一対の振動部200bからなる振動部群を2以上有し得る。そのような角速度センサは、複数の回転中心軸に対する角速度を測定し得、2軸あるいは3軸の角速度センサとして機能し得る。図5に示される角速度センサは、一対の振動部200bからなる1つの振動部群を有する。[角速度センサによる角速度の測定方法]本発明の角速度を測定する方法は、本発明の角速度センサを用いて、駆動電圧を圧電体層に印加して、基板の振動部を発振させる工程、および発振中の振動部に加わった角速度によって振動部に生じた変形を測定することによって当該角速度の値を得る工程、を有する。第1電極および第2電極のうち、駆動電極およびセンス電極として機能しない電極他方の電極と、駆動電極との間に駆動電圧が印加され、圧電体層に駆動電圧が印加される。他方の電極およびセンス電極が、角速度によって、発振中の振動部に生じた変形を測定する。以下、図5に示される角速度センサ21aを用いた角速度の測定方法を説明する。振動部200bの固有振動と共振する周波数の駆動電圧が、第1電極202および駆動電極206を介して圧電体層15に印加され、振動部200bを発振させる。駆動電圧は、例えば、第1電極202を接地し、かつ駆動電極206の電位を変化させることで印加され得る換言すれば、駆動電圧は、第1電極202と駆動電極206との間の電位差である。角速度センサ21aは、音叉の形状に配列された一対の振動部200bを有する。通常、一対の振動部200bのそれぞれが有する各駆動電極206に、正負が互いに逆である電圧をそれぞれ印加する。これにより、各振動部200bを、互いに逆方向に振動するモード図5に示される回転中心軸Lに対して対称的に振動するモードで発振させることができる。図5に示される角速度センサ21aでは、振動部200bはその幅方向X方向に発振する。一対の振動部200bの一方のみを発振させることによっても角速度の測定は可能である。しかし、高精度の測定のためには、両方の振動部200bを互いに逆方向に振動するモードで発振させることが好ましい。振動部200bが発振している角速度センサ21aに対して、その回転中心軸Lに対する角速度ωが加わるとき、各振動部200bは、コリオリ力によって厚み方向Z方向に撓む。一対の振動部200bが互いに逆方向に振動するモードで発振している場合、各振動部200bは、互いに逆向きに、同じ変化量だけ撓むことになる。この撓みに応じて、振動部200bに接合した圧電体層15も撓み、第1電極202とセンス電極207との間に、圧電体層15の撓みに応じた、即ち、生じたコリオリ力に対応した電位差が生じる。この電位差の大きさを測定することで、角速度センサ21aに加わった角速度ωを測定することができる。コリオリ力Fcと角速度ωとの間には以下の関係が成立する:Fc=2mvωここで、vは、発振中の振動部200bにおける発振方向の速度である。mは、振動部200bの質量である。この式に示されているように、コリオリ力Fcから角速度ωを算出し得る。[圧電発電素子]図7は、本発明の圧電発電素子の一例を示す。図8は、図7に示される圧電発電素子22aの断面F1を示す断面図である。圧電発電素子22aは、外部から与えられた機械的振動を電気エネルギーに変換する素子である。圧電発電素子22aは、車両および機械の動力振動および走行振動、ならびに歩行時に生じる振動、に包含される種々の振動から発電する自立的な電源装置に好適に適用される。図7に示される圧電発電素子22aは、振動部300bを有する基板300と、振動部300bに接合された圧電体膜308とを具備する。基板300は、固定部300aと、固定部300aから所定の方向に伸びた梁により構成される振動部300bと、を有する。固定部300aを構成する材料は、振動部300bを構成する材料と同一であり得る。しかし、これらの材料は互いに異なり得る。互いに異なる材料により構成された固定部300aが、振動部300bに接合され得る。基板300を構成する材料は限定されない。当該材料は、例えば、Si、ガラス、セラミクス、金属である。基板300は、Si単結晶基板であり得る。基板300は、例えば、0.1mm以上0.8mm以下の厚みを有する。固定部300aは振動部300bの厚みと異なる厚みを有し得る。振動部300bの厚みは、振動部300bの共振周波数を変化させて効率的な発電が行えるように調整され得る。錘荷重306が振動部300bに接合している。錘荷重306は、振動部300bの共振周波数を調整する。錘荷重306は、例えば、Niの蒸着薄膜である。錘荷重306の材料、形状および質量ならびに錘荷重306が接合される位置は、求められる振動部300bの共振周波数に応じて調整され得る。錘荷重306は省略され得る。振動部300bの共振周波数が調整されない場合には、錘荷重306は不要である。圧電体膜308は、振動部300bに接合している。当該圧電体膜308は、[圧電体膜]と題された項目で説明された圧電体膜である。図7および図8に示されるように、当該圧電体膜308は、第1電極13302、圧電体層15、および第2電極17305を具備する。図7に示される圧電発電素子では、第1電極302の一部分が露出している。当該一部分は接続端子302aとして機能し得る。図7に示される圧電発電素子では、圧電体膜308は、振動部300bおよび固定部300aの双方に接合し得る。圧電体膜308は、振動部300bのみに接合し得る。本発明の圧電発電素子では、複数の振動部300bを有することで、発生する電力量を増大し得る。各振動部300bが有する共振周波数を変化させることにより、広い周波数成分からなる機械的振動への対応が可能となる。[圧電発電素子を用いた発電方法]上述した本発明の圧電発電素子に振動を与えることにより、第1電極および第2電極を介して電力が得られる。外部から圧電発電素子22aに機械的振動が与えられると、振動部300bが、固定部300aに対して上下に撓む振動を始める。当該振動が、圧電効果による起電力を圧電体層15に生じる。このようにして、圧電体層15を挟持する第1電極302と第2電極305との間に電位差が発生する。圧電体層15が有する圧電性能が高いほど、第1および第2電極間に発生する電位差は大きくなる。特に、振動部300bの共振周波数が、外部から素子に与えられる機械的振動の周波数に近い場合、振動部300bの振幅が大きくなることで発電特性が向上する。そのため、錘荷重306によって、振動部300bの共振周波数が外部から素子に与えられる機械的振動の周波数に近くなるように調整されることが好ましい。実施例以下、実施例を用いて、本発明をより詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。実施例1実施例1では、図1Eに示される圧電体膜を作製した。当該圧電体膜は、基板11、金属電極層12、NaxLa1-xNiO3-x層13x=0.07、Bi,Na,BaTiO3層圧電体層15および導電層17を順に具備する。当該圧電体膜を、以下のように作製した。100の面方位を有するSi単結晶基板の表面に、RFマグネトロンスパッタリングにより、111配向を有するPt層厚み100nmを形成した。当該Pt層は、金属電極層12に対応する。ターゲットとして金属Ptを用い、アルゴンArガスの雰囲気下にて、RF出力15Wおよび基板温度300°Cの成膜条件で当該Pt層を形成した。当該Pt層を形成する前に、Ti層厚み2.5nmをSi単結晶基板の表面に形成し、Si単結晶基板とPt層との間の密着性を向上させた。当該Ti層は、金属Ptに代えて金属Tiをターゲットとして用いたこと以外は、当該Pt層の形成方法と同じ方法により形成された。次に、Pt層の表面に、RFマグネトロンスパッタリングにより、001配向を有するNaxLa1-xNiO3-x層13x=0.07厚み200nmを形成した。上記の組成を有するターゲットを用い、Arと酸素との混合ガス流量比Ar/O2が80/20の雰囲気下にて、RF出力100Wおよび基板温度300°Cの成膜条件下で当該NaxLa1-xNiO3-x層13を形成した。作製したNaxLa1-xNiO3-x層13x=0.07の組成は、エネルギー分散型X線分光法SEM-EDXおよび波長分散型X線マイクロアナライザWDSによって分析された。組成分析では、酸素Oのような軽元素の分析精度が劣るため、当該軽元素の正確な定量は困難であった。しかし、作製したNaxLa1-xNiO3-x層13x=0.07に含まれるNa,La,およびNiは、ターゲットと同一の組成を有することが確認された。次に、NaxLa1-xNiO3-x層13x=0.07の表面に、RFマグネトロンスパッタリングにより、MPB近傍組成のBi0.5Na0.5TiO3-BaTiO3層厚み2.7μmを形成した。当該層は、Bi,Na,BaTiO3層15に対応する。上記の組成を有するターゲットを用い、Arと酸素との混合ガス流量比Ar/O2が50/50の雰囲気下にて、RF出力170Wおよび基板温度650°Cの成膜条件下で当該層15を形成した。形成したBi0.5Na0.5TiO3-BaTiO3層Bi,Na,BaTiO3層の結晶構造を、X線回折によって解析した。X線回折は、Bi,Na,BaTiO3層の上からX線を入射して行なわれた。図9は、その結果を示す。以降の比較例においても、同一のX線回折が適用された。図9は、X線回折プロファイルの結果を示す。Si基板およびPt層に由来する反射ピークを除き、001配向を有するBi,Na,BaTiO3層に由来する反射ピークのみが観察された。当該001反射ピークの強度は、20,773cpsであり、非常に強かった。図9に示されるプロファイルは、実施例1で作製されたBi,Na,BaTiO3層が極めて高い001配向性を有することを意味する。続いて、当該プロファイルにおけるBi,Na,BaTiO3層に由来する001反射ピークの半値幅を、ロッキングカーブ測定により求めた。ロッキングカーブ測定は、測定対象とする反射ピークの回折角2θに検出器detectorを固定した状態で、試料へのX線の入射角ωをスキャンさせることによって行われた。測定された半値幅は、膜の主面に垂直な方向に対する結晶軸の傾きの程度に対応している。半値幅が小さいほど、結晶性が高い。測定された半値幅は1.9°であり、非常に小さかった。これは、実施例1で作製されたBi,Na,BaTiO3層が極めて高い結晶性を有することを意味する。以降の比較例においても、同一のロッキングカーブ測定が適用された。次に、Bi,Na,BaTiO3層の表面に、蒸着により、Au層厚み100nmを形成した。当該Au層は、導電層17に対応する。このようにして、実施例1の圧電体膜が作製された。当該圧電体膜の強誘電特性および圧電性能を評価した。図10は、実施例1の圧電体膜のP-Eヒステリシス曲線を示す。図10に示されるように、Pt層およびAu層を介して圧電体層へ印加する電圧を増加させると、圧電体膜が良好な強誘電特性を現すことが確認された。インピーダンスアナライザを用いて1kHzにおける誘電損失tanδを測定した。当該圧電体膜のtanδは4.7であった。これは、当該圧電体膜のリーク電流が小さいことを意味する。圧電体膜の圧電性能は、以下のように評価した。圧電体膜を幅2mmAu層の幅を含んでに切り出して、カンチレバー状に加工した。次に、Pt層とAu層との間に電位差を印加してカンチレバーを変位させて得られた変位量をレーザー変位計により測定した。次に、測定された変位量を圧電定数d31に変換し、当該圧電定数d31により圧電性能を評価した。実施例1で作製した圧電体膜のd31は-79pC/Nであった。実施例2x=0.01である他は、実施例1と同様に実験を行った。実施例2による001反射ピークの強度は、8,862cpsであり、非常に強かった。実施例3x=0.10である他は、実施例1と同様に実験を行った。実施例3による001反射ピークの強度は、5,694cpsであり、非常に強かった。実施例4Bi0.5Na0.5TiO3-BaTiO3層15に添加物として0.2molのMnを加えた他は、実施例1と同様に実験を行った。実施例4による001反射ピークの強度は、12,584cpsであり、非常に強かった。実施例4で作製した圧電体膜のd31は-94pC/Nであった。実施例5実施例5では、ステンレス製の金属板を用いた他は、実施例1と同様に実験を行った。実施例5による001反射ピークの強度は、6,195cpsであり、非常に強かった。比較例1x=0Na無添加である他は、実施例1と同様に実験を行った。比較例1においても、001配向を有するBi,Na,BaTiO3層に由来する反射ピークが観察された。しかし、Bi,Na,BaTiO3層における他の結晶配向110に由来する反射ピークも観察された。上記001反射ピークの強度は、2,661cpsであり、実施例1におけるピーク強度20,773cpsに比べて低かった。これは、比較例1のBi,Na,BaTiO3層が、実施例1のBi,Na,BaTiO3層と比べてより劣った配向性を有することを意味する。上記001反射ピークの半値幅は2.9°であり、実施例1の半値幅よりも大きかった。これは、比較例1のBi,Na,BaTiO3層が、実施例1のBi,Na,BaTiO3層と比べてより劣った配向性を有することを意味する。次に、Bi,Na,BaTiO3層の表面に、蒸着により、Au層厚み100nmを形成した。このようにして、比較例1の圧電体膜が作製された。圧電体膜が具備するPt層およびAu層を用いて、当該圧電体膜の強誘電特性および圧電性能の評価を試みた。しかし、圧電体膜におけるリーク電流が非常に大きかったため、P-Eヒステリシス曲線を正確に測定することが困難であった図10参照。当該圧電体膜のtanδは40であった。比較例1の圧電体膜は、このような大きなリーク電流を有するため、比較例1の圧電体膜が有する正確な圧電定数d31の値を求めることは困難であった。推定される圧電定数d31は、およそ-40pC/Nであった。比較例2x=0.20であること以外は、実施例1と同様に実験した。比較例2による001反射ピークの強度は、1,505cpsであり、非常に弱かった。比較例3x=0Na無添加であること以外は、実施例5と同様に実験した。比較例3による001反射ピークの強度は、1,291cpsであり、非常に弱かった。以下の表1は、実施例および比較例の評価結果を要約している。表1に示されるように、001配向を有するNaxLa1-xNiO3-x層130.01≦x≦0.1が、高い001配向性および高い結晶性を有するBi,Na,BaTiO3層を得るために有用であった。すなわち、実施例1~4および比較例1~2は、001配向を有するNaxLa1-xNiO3-x層130.01≦x≦0.1が、高い110配向性および高い結晶性を有することを示す。実施例3および比較例2は、xが0.1を超えてはならないことを意味する。実施例2および比較例1は、xが0.01未満であってはならないことを意味する。実施例5は、下地基板として、Si100単結晶基板だけでなく、ステンレス金属板も用いられ得ることを意味する。本発明は、その意図および本質的な特徴から逸脱しない限り、他の実施形態に適用しうる。この明細書に開示されている実施形態は、あらゆる点で説明的なものであってこれに限定されない。本発明の範囲は、上記説明ではなく添付したクレームによって示されており、クレームと均等な意味および範囲にあるすべての変更はそれに含まれる。"