被写体からの光を光電変換して画素信号を出力する撮像素子と、前記被写体からの光を前記撮像素子に結像させるレンズと、前記レンズを保持するレンズホルダと、前記レンズホルダと非接触状態にて前記レンズをその光軸に垂直な水平方向に移動させることにより、前記撮像素子の受光面上で結像する光像と前記撮像素子とを相対的に変位させる光学的シフト機構とを備え、前記レンズホルダには、前記水平方向の磁界を発生させる水平方向マグネットと、前記光軸方向の磁界を発生させる軸方向マグネットとが設けられ、前記光学的シフト機構には、前記水平方向マグネットに磁力を作用させることにより、前記水平方向における前記レンズの位置を制御する水平方向位置制御部と、前記軸方向マグネットに磁力を作用させることにより、前記光軸方向における前記レンズの位置を制御する軸方向位置制御部とが設けられたことを特徴とする撮像装置。前記水平方向マグネットは、前記レンズの外周を囲むように複数配置され、前記水平方向位置制御部は、前記各水平方向マグネットの外側において当該各水平方向マグネットにそれぞれ対向するように複数配置されたことを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。前記水平方向マグネットの1つの磁極面と、この磁極面に対向する前記水平方向位置制御部の1つの磁極面とは、前記光軸方向から見て一方が凸状をなす円弧面であり、他方が凹状をなす円弧面であることを特徴とする請求項2に記載の撮像装置。前記レンズホルダには、前記水平方向の磁界を発生させる水平位置検出用マグネットが更に設けられ、前記光学的シフト機構には、前記水平位置検出用マグネットが発生した磁界を検出することにより、前記レンズの水平位置を検出する水平方向磁気センサが設けられたことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の撮像装置。前記複数の水平方向位置制御部は、電磁石と、前記レンズを介して前記電磁石に対向する位置に配置された永久磁石とを含むことを特徴とする請求項2に記載の撮像装置。前記レンズホルダは、前記レンズの外周部を保持する外周保持部と、当該外周保持部から前記水平方向外側に突設された第1および第2の突設部対を有し、前記第1および第2の突設部対では、各突設部が前記光軸を対称中心とした対称位置にそれぞれ配置されると共に、互いに逆方向に突設され、前記水平方向マグネットは、前記各突設部にそれぞれ配置されると共に、当該突設部の突設方向に垂直かつ前記光軸に垂直な方向に磁界を発生させ、前記水平方向位置制御部は、前記第1および第2の突設部対の各々において、対応する前記水平方向マグネットに対してそれぞれ同一方向に磁力を作用させることを特徴とする請求項2に記載の撮像装置。前記各突設部には、前記水平方向の磁界を発生させる水平位置検出用マグネットが更に設けられ、前記光学的シフト機構には、前記水平位置検出用マグネットが発生した磁界を検出することにより、前記レンズの水平位置を検出する水平方向磁気センサが設けられたことを特徴とする請求項6に記載の撮像装置。請求項1から請求項7のいずれかに記載の撮像装置と、当該撮像装置の撮像画像を超解像処理する画像処理装置とを備えた撮像システム。ところで、上記撮像装置を監視カメラ等に適用する場合には、超解像処理のために行われる撮像素子の受光面上における光像の位置制御すなわち、画素ずらし制御は、高い精度を維持しつつ長時間安定して行われることが望ましい。しかしながら、上記特許文献2~4に記載の従来技術では、平行平板ガラスまたはそれを保持する部材は、その支持や傾斜時の駆動押圧の構成上、周囲の部材に対して完全に非接触の状態とならないため、長時間使用する際には、シフト機構と周囲の部材との当接や摺動に起因する各部材の摩耗や破損等が発生して安定した画素ずらし制御が難しくなるという問題があった。また、上記従来技術のように平行平板ガラスを傾斜させて光像と撮像素子とを相対的に微小変位させる構成では、シフト機構と周囲の部材とを非接触とした場合、高精度な画素ずらし制御を行うことが難しいという問題もあった。本発明は、このような従来技術の課題を鑑みて案出されたものであり、高い精度を維持しつつ長時間安定して画素ずらし制御を行うことを可能とした撮像装置およびこれを備えた撮像システムを提供することを主目的とする。本発明の撮像装置は、被写体からの光を光電変換して画素信号を出力する撮像素子と、前記被写体からの光を前記撮像素子に結像させるレンズと、前記レンズを保持するレンズホルダと、前記レンズホルダと非接触状態にて前記レンズをその光軸に垂直な水平方向に移動させることにより、前記撮像素子の受光面上で結像する光像と前記撮像素子とを相対的に変位させる光学的シフト機構とを備え、前記レンズホルダには、前記水平方向の磁界を発生させる水平方向マグネットと、前記光軸方向の磁界を発生させる軸方向マグネットとが設けられ、前記光学的シフト機構には、前記水平方向マグネットに磁力を作用させることにより、前記水平方向における前記レンズの位置を制御する水平方向位置制御部と、前記軸方向マグネットに磁力を作用させることにより、前記光軸方向における前記レンズの位置を制御する軸方向位置制御部とが設けられたことを特徴とする。このように本発明によれば、高い精度を維持しつつ長時間安定して画素ずらし制御を行うことが可能となるという優れた効果を奏する。上記課題を解決するためになされた第1の発明は、被写体からの光を光電変換して画素信号を出力する撮像素子と、前記被写体からの光を前記撮像素子に結像させるレンズと、前記レンズを保持するレンズホルダと、前記レンズホルダと非接触状態にて前記レンズをその光軸に垂直な水平方向に移動させることにより、前記撮像素子の受光面上で結像する光像と前記撮像素子とを相対的に変位させる光学的シフト機構とを備え、前記レンズホルダには、前記水平方向の磁界を発生させる水平方向マグネットと、前記光軸方向の磁界を発生させる軸方向マグネットとが設けられ、前記光学的シフト機構には、前記水平方向マグネットに磁力を作用させることにより、前記水平方向における前記レンズの位置を制御する水平方向位置制御部と、前記軸方向マグネットに磁力を作用させることにより、前記光軸方向における前記レンズの位置を制御する軸方向位置制御部とが設けられた構成とする。これによると、光学的シフト機構と非接触状態にてレンズをその光軸に垂直な水平方向に移動させることができるため、高い精度を維持しつつ長時間安定して画素ずらし制御を行うことが可能となる。また、第2の発明は、前記水平方向マグネットは、前記レンズの外周を囲むように複数配置され、前記水平方向位置制御部は、前記各水平方向マグネットの外側において当該各水平方向マグネットにそれぞれ対向するように複数配置された構成とする。これによると、簡易な構成により、光学的シフト機構と非接触状態にてレンズをその光軸に垂直な水平方向に移動させることが可能となる。また、第3の発明は、前記水平方向マグネットの1つの磁極面と、この磁極面に対向する前記水平方向位置制御部の1つの磁極面とは、前記光軸方向から見て一方が凸状をなす円弧面であり、他方が凹状をなす円弧面である構成とする。これによると、水平方向マグネットおよび水平方向位置制御部の磁極面を平面とした場合に比べて、光軸レンズの軸を中心としたレンズの回転が生じた際に、その回転方向と逆方向により大きな回転抑制トルクを発生させることができるため、より高精度な画素ずらし制御が可能となる。また、第4の発明は、前記レンズホルダには、前記水平方向の磁界を発生させる水平位置検出用マグネットが更に設けられ、前記光学的シフト機構には、前記水平位置検出用マグネットが発生した磁界を検出することにより、前記レンズの水平位置を検出する水平方向磁気センサが設けられた構成とする。これによると、簡易な構成により、レンズの水平方向位置を確実に検出することが可能となる。また、第5の発明は、前記複数の水平方向位置制御部は、電磁石と、前記レンズを介して前記電磁石に対向する位置に配置された永久磁石とを含む構成とする。これによると、永久磁石を適切に配置して用いることにより、画素ずらし制御に影響を及ぼすことなく、消費電力を抑えて低コスト化が可能となると共に、水平方向におけるレンズの位置制御が容易となる。また、第6の発明は、前記レンズホルダは、前記レンズの外周部を保持する外周保持部と、当該外周保持部から前記水平方向外側に突設された第1および第2の突設部対を有し、前記第1および第2の突設部対では、各突設部が前記光軸を対称中心とした対称位置にそれぞれ配置されると共に、互いに逆方向に突設され、前記水平方向マグネットは、前記各突設部にそれぞれ配置されると共に、当該突設部の突設方向に垂直かつ前記光軸に垂直な方向に磁界を発生させ、前記水平方向位置制御部は、前記第1および第2の突設部対の各々において、対応する前記水平方向マグネットに対してそれぞれ同一方向に磁力を作用させる構成とする。これによると、各突設部対水平方向マグネットにおいて、磁極方向が互いに平行に2軸上に配置された水平方向位置制御部の磁気力を水平方向マグネットに作用させる構成であるため、光軸回りのレンズの回動を効果的に抑制することができ、より高精度でかつ安定した画素ずらし制御が可能となる。また、第7の発明は、前記各突設部には、前記水平方向の磁界を発生させる水平位置検出用マグネットが更に設けられ、前記光学的シフト機構には、前記水平位置検出用マグネットが発生した磁界を検出することにより、前記レンズの水平位置を検出する水平方向磁気センサが設けられた構成とする。これによると、簡易な構成により、レンズの水平方向位置を高精度に検出することが可能となる。また、第8の発明は、上記第1から第7の発明に係る撮像装置と、当該撮像装置の撮像画像を超解像処理する画像処理装置とを備えた撮像システムである。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。以下の説明では、用語軸方向は光軸方向図4中の上下方向を示す共に、用語水平方向は光軸と直交する方向図4中の前後方向、左右方向を含むを示すものとする。また、各図では、同様の構造および機能を有する構成要素については同一の符号を付し、必要に応じて数字の符号に添字A~Dを付して複数の構成要素を区別するものとする。<第1実施形態>k1図1は、本発明の第1実施形態に係るネットワークカメラシステム撮像システム1の全体構成図である。図1に示すように、ネットワークカメラシステム1は、少なくとも1台ここでは3台の撮像装置2と、撮像装置2による映像撮像画像を超解像処理する画像処理装置3とで構成される。撮像装置2と画像処理装置3とは、インターネット4を介して接続される。撮像装置2で生成した撮像データは、例えば遠隔地に存在するユーザ端末としての画像処理装置3に送信され、そこで画像処理され後に映像として表示される。また、画像処理装置3からは、撮像動作を制御するための各種のコマンド信号が撮像装置2に対して送信される。なお、撮像データは、例えばTCPUDP/IPといった、いわゆるインターネットプロトコルを利用して撮像装置2から画像処理装置3に送信されるが、撮像データを、例えば暗号化、カプセル化してVPNVertualPrivateNetworkを利用して送信してもよく、専用回線によって撮像装置2と画像処理装置3が1対1の関係で接続される、いわゆるCCTVClosedCircuitTVと称されるネットワークカメラシステムとしてもよい。図2は、図1に示した撮像装置2及び画像処理装置3の概略構成を示すブロック図である。図2に示すように、撮像装置2は、撮像部11と、画像処理部12と、データ圧縮送信部13と、シフト制御部14とを備えている。撮像部11は、被写体からの光を光電変換してアナログの画素信号を出力する撮像素子31を備えている。この撮像素子31には、2次元CMOSイメージセンサ例えば、15×15mmサイズを用いることができる。撮像素子31は、図示しないイメージセンサモジュールの基板に搭載され、レンズ51図4参照に近接してここでは、1mm間隔配置されている。撮像素子31は、入射光のうちRRed成分を受光するR画素と、BBlue成分を受光するB画素と、GGreen成分を受光するG画素の各画素がいわゆるベイヤ配列に基づいて配列された、いわゆる単板式のカラー撮像素子である。このベイヤ配列では、G画素が全画素数の1/2の画素数で千鳥状チェッカフラッグ状に配置され、R画素及びB画素が各全画素数の1/4ずつの画素数でG画素の配置位置を除く位置に分散配置されている。撮像素子31から出力されるアナログ信号はA/D変換器32でディジタル信号に変換され、このディジタル信号は画像処理部12に入力され、ここで色補正、デモザイク処理、階調補正γ補正、YC分離処理等を施されて画像データに変換される。この画像データは、データ圧縮送信部13において例えばH.264やMPEG4等の圧縮処理を施された上で画像処理装置3に送信される。後に詳述するが、撮像部11は、撮像素子31の受光面上で結像する光像と撮像素子31とを相対的に微小変位させる光学的シフト機構35を備えている。光学的シフト機構35は、レンズ51図4参照の水平方向の位置を制御する複数の水平方向位置制御部36と、レンズ51の水平方向の位置を検出する複数の水平方向磁気センサ37と、レンズ51の軸方向の位置を制御する複数の軸方向位置制御部38と、レンズ51の軸方向の位置を検出する複数の軸方向磁気センサ39とから主として構成されている。ここで、水平方向位置制御部36と軸方向位置制御部38とは、レンズ51を所定の位置に静止状態で保持するのみならず、それぞれレンズ51を水平方向または軸方向に駆動する水平方向および軸方向に移動させることが可能である。光学的シフト機構35は、シフト制御部14により制御される。両磁気センサ37、39はレンズ51の位置情報を検出してシフト制御部14に出力する。シフト制御部14は、この位置情報に基づいて水平方向位置制御部36および軸方向位置制御部38を制御してレンズ51を水平方向および軸方向に移動させる。画像処理装置3は、データ受信復号部21と、表示部22と、記憶部23と、超解像処理部24と、周期設定部25と、入力部26とを備えている。なお、この画像処理装置3は、パソコンやワークステーション等の情報処理装置に所要のアプリケーションソフトウェアを導入することで構成される他、CCTVレコーダなど専用の装置であってもよい。画像処理装置3では、撮像装置2から送信された圧縮画像データが、データ受信復号部21にて受信されて復号された後、RGBの画像データに変換されて、リアルタイムにディスプレイ等からなる表示部22に表示される。さらに、RGBの画像データは、ハードディスクドライブ装置等からなる記憶部23に送られて、ここに一時的に蓄積され、必要に応じて記憶部23から読み出して表示部22で再生することができる。また、例えば交通事故の検証の用途等で高解像度画像の必要が生じた場合には、記憶部23から画像データを読み出して超解像処理部24にて超解像処理を施して高解像度画像静止画像を生成し、その高解像度画像を表示部22に表示させることができる。また、入力部26は、ユーザからの撮像周期の入力を受け付けて、これを周期設定部25に送る。周期設定部25は、入力部26から送られてきた撮像周期に基づいて水平方向の移動周期を決定し、この移動周期に関するコマンド信号を撮像装置2に送信する。撮像装置2のシフト制御部14は、水平方向の移動周期に関するコマンド信号に基づいて、光学的シフト機構35を動作させることにより、指定された移動周期に対応する移動速度でレンズ51を水平方向に駆動する。また、周期設定部25は、駆動回路33に対して撮像タイミングに関する情報を送信し、これにより、駆動回路33のタイミングジェネレータ図示せずは制御用の同期パルスを所定間隔で発生する。この同期パルスは、撮像素子31に出力され、これにより、撮像素子31の電荷蓄積期間電子シャッタ期間の始期および終期が決定される。また、同期パルスは、シフト制御部14にも出力され、これにより、シフト制御部14では、撮像素子31が実際に露光されている期間を把握することができる。図3は、撮像装置2及び画像処理装置3における処理状況を示す模式図である。図3に示すように、撮像素子31は駆動回路33によって駆動され、駆動回路33が生成するタイミング信号に応じて一定の周期以下、撮像周期で撮像サンプリングが行われる。例えばフレームレートを30framesecとして1秒あたり30枚のフレーム画像を生成する場合、撮像周期は30ms程度に設定される。画像処理装置3の超解像処理部24では、時間的に連続する複数のフレーム画像から高解像度画像を生成する超解像処理が行われる。この超解像処理では、まず、記憶部23に蓄積されたフレーム画像がコマ送りで静止画として表示される。そして、その中からユーザにより基準画像基準低解像度画像が指定されると、その基準画像となるフレーム画像とその前後の複数のフレーム画像が記憶部23から読み出されて超解像処理部24に送られて超解像処理が行われる。超解像処理としては、例えば、MLMaximumlikelihood法、MAPMaximumAPosterior法や、POCSProjectionOntoConvexSets法などが採用され、アプリケーションソフトウェアをCPUで実行することで実現される。一般に超解像処理は演算量が多いため、処理の一部をGPUGraphicsProcessingUnitや、専用ハードウェアを用いて行うようにしてもよい。ここで、ML法とは、高解像度画像から推定された低解像度画像の画素値と、実際に観測された画素値との二乗誤差を評価関数とし、この評価関数を最小化するような高解像度画像を推定画像とする方法である。つまり、ML法とは、最尤推定の原理に基づく超解像処理方法である。また、MAP法とは、二乗誤差に高解像度画像の確率情報を付加した評価関数を最小化するような高解像度画像を推定する方法である。つまり、MAP法とは、高解像度画像に対するある先見情報を利用して、事後確率を最大化する最適化問題として高解像度画像を推定する超解像処理方法である。POCS法とは、高解像度画像と低解像度画像との画素値に関して連立方程式を作成し、その方程式を逐次的に解くことにより、高解像度画像を得る超解像処理方法である。これらの超解像処理は、まず、高解像度画像を仮定し、そして仮定した高解像度画像から、カメラモデルから得られる点広がり関数PSF関数に基づき、低解像度画像の画素について、その画素値を推定し、その推定値と観測された画素値観測値との差が小さくなるような高解像度画像を探索するという処理を有している。そのため、これらの超解像処理は、再構成型超解像処理と呼ばれている。さて、ここで高解像度画像を探索する処理は、低解像度画像として得られた画素が高解像度画像においてどの位置に対応するのかを探索するものであり、いわゆる位置合わせレジストレーションと呼ばれる処理である。一般に超解像処理では、複数の低解像度画像間の画素位置の変化が不明であっても高解像度化を可能とするため、着目画素の周囲に対して広範囲に位置合わせ処理を繰り返し実行する。このため計算コストが極めて大きくなることが知られている。一方、後に詳しく説明するように、本発明では光学的シフト機構35によってシフトされた画素の位置は既知であり、そして、その既知の位置で各フレーム画像、すなわち低解像度画像を撮像するようにしたため、少なくとも静止している被写体については、光学的シフトによって位置合わせ処理の多くを省略することが可能となり、計算コストを大幅に削減することができる。なお、時間的に連続する複数のフレーム間に及ぶ画像情報を利用する超解像処理は、特にフレーム間再構成型超解像処理と呼称されることもある。一方で、1つのフレーム内で再構成型超解像処理を行う場合は、フレーム内再構成型超解像と呼称される。本実施形態では、フレーム間再構成型超解像を採用している。なお、ここでは、画像処理装置3において超解像処理によって高解像度化された静止画像を再生するものとしているが、画像処理装置3の処理能力が十分に高ければ、超解像処理で得られた高解像度画像をフレーム画像として動画を再生することも可能である。図4および図5は、それぞれ光学的シフト機構35および磁気浮上部50の要部斜視図および要部平面図であり、図6は、磁気浮上部50の要部斜視図である。ここで、図4~図6には、撮像装置2の筐体内部における主要な構成要素が示されている。撮像装置2には、光学的シフト機構35と非接触の状態で水平方向および軸方向に移動可能な磁気浮上部50が設けられている。磁気浮上部50は、被写体からの光を撮像素子31に結像させるレンズ51と、このレンズ51を保持するレンズホルダ52と、主として水平方向の磁界磁力線を発生させることにより、水平方向におけるレンズ51の移動に供される4つの水平方向マグネット53A~53Dと、主として水平方向の磁界を発生させることにより、水平方向におけるレンズ51の水平方向位置すなわち、初期位置からの変位量の検出に供される4つの水平位置検出用マグネット54A~54Dと、主として軸方向の磁界を発生させることにより、軸方向におけるレンズ51の移動およびレンズ51の軸方向位置すなわち、初期位置からの変位量の検出に供される4つの軸方向マグネット55A~55Dとから主として構成される。ここで、光学的シフト機構35および磁気浮上部50では、光軸レンズの軸Oを中心として水平方向ここでは、図4中の前後方向および左右方向に略対称な構造となるように、各構成要素がそれぞれ設けられているレンズ51は、軸方向からみて略正方形を呈する両凸レンズであり、光学材料光学ガラスや透明樹脂等によって形成される。レンズ51は、ここでは1枚のレンズからなるが、複数枚のレンズからなるレンズ群として構成してもよい。また、光像を撮像素子31の受光面上に適切に結像させるために、磁気浮上部50とは別に被写体側に他の光学系を設けることができる。レンズホルダ52は、レンズ51の外周部を保持する筒部61と、この筒部61の4つの角部四隅の切り欠き部の下部からそれぞれ水平方向外側に突設された略直方体状をなす4つの突設部62A~62Dとを有している。筒部61は、光軸O方向からみて略正方形状の外形を有すると共に、レンズ51が嵌め込まれる方形の貫通孔61aを有している。水平方向マグネット53A~53Dは略直方体状をなす永久磁石からなる。水平方向マグネット53A~53Dでは、内方光軸O側に向けられた内側磁極面が筒部61の前後左右の各側面における幅方向前後または左右方向中央にぞれぞれ固着され、内側磁極面の対面となる外側磁極面ここでは、N極がぞれぞれ前後左右の方向に向けられている。各水平方向マグネット53A~53Dの外方には、それらと対向するように水平方向位置制御部36A~36Dがそれぞれ設けられている。水平方向位置制御部36A~36Dは、電磁鋼帯を複数積層してなる磁性体コアの周囲に導線からなるコイルを巻き付けた電磁石であり、図示しない筐体に取り付けられている。水平方向位置制御部36A~36Dの内側磁極面ここでは、N極は、水平方向マグネット53A~53Dの外側磁極面に対向して配置されており、これにより、水平方向位置制御部36A~36Dのコイルに所定の電流が供給されると、水平方向マグネット53A~53Dとそれらと対をなす水平方向位置制御部36A~36Dとの間には斥力が生じる。水平方向マグネット53A~53Dの上方には、所定の間隔をおいて水平位置検出用マグネット54A~54Dがそれぞれ配置されている。水平位置検出用マグネット54A~54Dは直方体状をなす永久磁石からなる。水平位置検出用マグネット54A~54Dでは、水平方向マグネット53A~53Dと同様に、内側磁極面が側面に対して固着され、外側磁極面ここでは、N極がぞれぞれ前後左右の方向に向けられている。各水平位置検出用マグネット54A~54Dの外方には、ホール素子からなる水平方向磁気センサ37A~37Dがそれぞれ設けられている。水平方向磁気センサ37A~37Dは、図示しない取付部材に固定され、それぞれ水平方向位置制御部36A~36Dの上方に所定の間隔をおいて配置されると共に、水平位置検出用マグネット54A~54Dの外側磁極面の中央部に対向する。水平方向磁気センサ37A~37Dは、それぞれ水平位置検出用マグネット54A~54Dが発生する磁界を電気信号に変換して出力する。これにより、レンズホルダ52レンズ51の水平方向位置を精度良く検出することが可能である。図6に示すように、各突設部62A~62D内には、軸方向マグネット55A~55Dが取り付けられている。軸方向マグネット55A~55Dは直方体状をなす永久磁石からなる。軸方向マグネット55A~55Dは、それぞれ上方に向けられた上側磁極面および下方に向けられた下側磁極面を有している。軸方向マグネット55A~55Dは、図5の平面視において光軸Oを中心として水平方向位置制御部36A~36Dおよび水平方向マグネット53A~53Dを45°回転させた位置にそれぞれ配置されている。各軸方向マグネット55A~55Dの上方には、図4に示すように、それらと同数の軸方向位置制御部38A~38Dがそれぞれ設けられている。軸方向位置制御部38A~38Dは、形状等の一部の違いを除けば水平方向位置制御部36A~36Dと同様の電磁石であり、図示しない筐体に取り付けられている。軸方向位置制御部38A~38Dの下側磁極面ここでは、N極は、軸方向マグネット55A~55Dの上側磁極面ここでは、N極に対向して配置されており、これにより、軸方向位置制御部38A~38Dのコイルに所定の電流が供給されると、両者の間には斥力が生じる。また、各軸方向マグネット55A~55Dの下方には、それらと同数の軸位置制御用マグネット40A~40Dがそれぞれ設けられている。軸位置制御用マグネット40A~40Dは直方体状をなす永久磁石からなり、軸方向位置制御部38A~38Dとのバランスを考慮して磁力が設定されている。軸位置制御用マグネット40A~40Dは、軸方向マグネット55A~55Dを介して軸方向位置制御部38A~38Dと上下方向にそれぞれ対をなすように配置されている。軸位置制御用マグネット40A~40Dの上側磁極面ここでは、S極は、軸方向マグネット55A~55Dの下側磁極面ここでは、S極の内側領域に対向して配置されており、これにより、両者の間には斥力が生じる。軸方向マグネット55A~55Dの上方には、ホール素子からなる軸方向磁気センサ39A~39Dがそれぞれ設けられている。軸方向磁気センサ39A~39Dは、図示しない取付部材に固定され、軸方向位置制御部38A~38Dの外方に所定の間隔をおいて配置されると共に、軸方向マグネット55A~55Dの上側磁極面の外側領域に対向する。軸方向磁気センサ39A~39Dは、軸方向マグネット55A~55Dが発生する磁界をそれぞれ電気信号に変換して出力することにより、レンズホルダ52レンズ51の軸方向位置を精度良く検出することが可能である。上記構成により、撮像装置2では、水平方向磁気センサ37A~37Dの検出結果に基づき4つの水平方向位置制御部36A~36Dのコイルに流す電流を制御して、各部の斥力の大きさを変化させることにより、水平方向図4中の前後方向、左右方向における磁気浮上部50すなわち、レンズ51の移動所定位置での静止を含むを制御することができる。また、軸方向磁気センサ39A~39Dの検出結果に基づき4つの軸方向位置制御部38A~38Dのコイルに流す電流を制御して、各部の斥力の大きさを変化させることにより、軸方向図4中の上下方向における磁気浮上部50の移動所定位置での静止を含むを制御することができる。なお、レンズ51の初期位置原点位置については、例えば、光学的に識別される複数のマーカをレンズホルダ52の適所に設け、そのマーカを反射型フォトセンサ等によって検出することにより認識することができる。このように、撮像装置2では、光学的シフト機構35と非接触状態すなわち、摺動部等が存在しない構成にてレンズ51を光軸Oに垂直な水平方向に移動させることができるため、高い精度を維持しつつ長時間安定して画素ずらし制御を行うことが可能となる。したがって、撮像装置2は監視カメラ等への適用に好適である。また、水平方向マグネット53は、レンズ51の外周を囲むように複数配置され、水平方向位置制御部36は、各水平方向マグネット53の外側において当該各水平方向マグネット53にそれぞれ対向するように複数配置された構成であるため、簡易な構成により画素ずらし制御を行うことが可能となる。図7は、撮像素子31への光の入射状況の一例レンズ51の前後方向移動時を示す模式図であり、図8は、撮像素子31への光の入射状況の一例レンズ51の光軸方向移動時を示す模式図である。図7中に実線および2点鎖線で示すように、レンズ51の上下方向位置および左右方向位置を変化させずに、レンズ51を前後方向に移動させることにより、撮像素子31の受光面31a上で結像する光像矢印参照と、撮像素子31とを相対的に微少変位させることができる。図示しないが、レンズ51を左右方向に移動させた場合にも、同様に受光面31a上で結像する光像と撮像素子31とを相対的に微少変位させることが可能である。また、図8中に実線および2点鎖線で示すように、レンズ51の前後方向位置および左右方向位置を変位させずに、レンズ51を上下方向に移動させることにより、マルチフォーカスが可能となる。図9および図10は、光像に対する画素の相対移動の一例それぞれ充填率25および充填率100を示す模式図である。光像に対する画素の相対的な移動は、実際は固定された撮像素子31の画素ここでは、4つに対して光像が微少変位するものであるが、ここでは、便宜上、画素に対する光像の相対的な水平方向の移動を、静止した光像被写体1画素に対して撮像素子31の画素画素中心が移動するように図示している。また、光像については、画素と同様の形状で示しており、ここでは、超解像処理における高解像度空間の画素を14画素ピッチサイズのサブピクセルとして規定している。図9に示す例では、上述のようなレンズ51の水平方向の移動に基づき、画素中心は、それぞれ矢印で示すように前方、左方、後方の順に14画素ピッチの移動量をもって移動する。ここで、16個のサブピクセルで構成される被写体1画素のうち斜線で埋められた4個のサブピクセル以下、有効サブピクセルという。が画素中心の移動範囲となり、画素の充填率ここでは、16個のサブピクセルにおける有効サブピクセルの割合は41625となる。この場合、斜線で埋められていない12個のサブピクセルは、超解像処理における高解像度空間において画素情報が欠落することとなる。図10に示す例では、画素中心について、それぞれ矢印で示すように、34画素ピッチの大きさの前方移動、14画素ピッチの大きさで左方移動、34画素ピッチの大きさの後方移動、14画素ピッチの大きさの左方移動、34画素ピッチの大きさの前方移動、14画素ピッチの大きさの左方移動、34画素ピッチの大きさの後方移動が順次実施される。この場合、被写体1画素のうち斜線で埋められた16個の全てのサブピクセルが画素中心の移動範囲となり、画素の充填率1616100となる。このように充填率を100とすることにより、超解像処理の効果を高めることができる。なお、画素中心の移動経路は、図10に示す場合に限定されず、他の移動経路を採用して充填率を100としてもよい。撮像装置2による撮像は、上記のような光像に対する画素の相対的な移動を所定の移動周期に基づき定速度で連続して行わせながら実施される。つまり、各サブピクセルに相当する位置において少しずつずれた複数のフレーム画像が順次生成される。このとき、サブピクセル領域内の所定の撮像基準位置で電荷蓄積が開始され、次の撮像基準位置の手前で電荷蓄積が完了して画素信号が出力されるという動作が繰り返される。なお、本実施形態においては、両凸レンズであるレンズ51の表面および裏面における屈折の度合いは、光の入射位置によって異なるため、レンズ51磁気浮上部50の移動量は、光像に対する画素の相対的な移動量と線形関係にはない。しかしながら、レンズ51の移動量と光像に対する画素の相対的な移動量とに線形性をもたせるようにレンズ51の特性を定めれば、レンズ51の構成は複雑になるものの画素ずらし制御がより容易となるという利点がある。ところで、図10に示したような光像に対する画素の相対移動は、光学的シフト機構35と非接触状態浮上状態にある磁気浮上部50の水平方向前後方向、左右方向の移動により実現されるが、場合によっては、光軸Oを中心とした意図しない磁気浮上部50レンズ51の回転が生じ得る。そのような回転が生じると、レンズ51の移動量の制御誤差が大きくなり、画素ずらし制御を高精度に行うことが困難となる。しかしながら、撮像装置2では、次のように、磁気浮上部50に回転抑制トルクを作用させることにより、そのような回転を抑制可能となっている。図11は、磁気浮上部50に作用する回転抑制トルクの説明図であり、図12は、磁気浮上部50の回転角と回転抑制トルクの関係を示すグラフである。図11Aは本願発明に係る構成であり、図11Bは比較例である。ここでは、光軸Oを中心として水平方向マグネット53レンズホルダ52が時計回りに僅かに回動した状態を示している。図11Aに示すように、本願発明に係る撮像装置2では、平面視図5参照において、水平方向マグネット53の外側磁極面65が凹状をなす円弧面として形成され、これに対応する水平方向位置制御部36の内側磁極面66が外側磁極面65と同一の曲率を有する凸状をなす円弧面として形成されている。一方、図11Bに示す比較例では、水平方向マグネット53の外側磁極面65および水平方向位置制御部36の内側磁極面66は平面として形成されている。ここで、レンズホルダ52が回動していない初期状態図5参照における外側磁極面65および内側磁極面66の端部間の間隔各磁極面を平坦とした場合の間隔L0と、比較例の回動前における外側磁極面65および内側磁極面66の間の間隔とは同一に設定されている。上記構成において、図11Aでは、光軸Oを中心とした水平方向マグネット53の時計回り方向の回動により、その回動を打ち消すように反時計回り方向に斥力F1による光軸O回りの回転抑制トルクF1×L1が自動的に作用する。同様に、図11Bでは、水平方向マグネット53の回動により、その回動を打ち消すように斥力F2による光軸O回りの回転抑制トルクF2×L2が作用する。この場合、距離L1>距離L2となるため、図12に示すように、A本願発明ではB比較例に比べて大きな回転抑制トルクを生じさせることが可能となる。比較例では、回動時の磁極面間の距離が本願発明の場合よりも小さくなって斥力F2が斥力F1よりも大きくなり得るが、距離L1、L2の大小の差が回転抑制トルクに及ぼす影響がより大きいため、本願発明の構成において大きな回転抑制トルクが得られる。このように、撮像装置2では、水平方向マグネット53の1つの磁極面と、この磁極面に対向する水平方向位置制御部36の1つの磁極面とについて、光軸O方向から見て一方を凸状の円弧面とし、他方を凹状の円弧面とする構成としたため、水平方向マグネットおよび水平方向位置制御部の磁極面を平面とした場合に比べて、光軸Oを中心としたレンズの回転が生じた際に、その回転方向と逆方向により大きな回転抑制トルクを発生させることができ、より高精度な画素ずらし制御が可能となる。なお、各水平方向マグネット53の外側磁極面65と、これに対応する水平方向位置制御部36の内側磁極面66との形状とは、互いに逆の構成としてもよい。<第2実施形態>図13は、本発明の第2実施形態に係る光学的シフト機構35の要部平面図であり、上述の第1実施形態における図5に対応するものである。図13では、上述の第1実施形態と同様の構成要素については同一の符号が付されている。また、第2実施形態では、以下で特に言及する事項を除いて第1実施形態の場合と同様として詳細な説明を省略する。図13に示すように、第2実施形態に係る光学的シフト機構35では、水平方向位置制御部36B、36Cが永久磁石で構成される点において第1実施形態の場合とは異なる。つまり、対をなす水平方向位置制御部36A、36Bおよび水平方向位置制御部36C、36Dについては、一方を永久磁石で構成することが可能であり、これにより、画素ずらし制御に影響を及ぼすことなく、消費電力を抑えて低コスト化が可能となると共に、水平方向におけるレンズの位置制御が容易となるという利点がある。<第3実施形態>図14~16は、それぞれ本発明の第3実施形態に係る光学的シフト機構35および磁気浮上部50の要部斜視図面図、平面図および部分拡大斜視図である。図14~図16では、上述の第1実施形態と同様の構成要素については同一の符号が付されている。また、第3実施形態では、以下で特に言及する事項を除いて第1または第2実施形態の場合と同様として詳細な説明を省略する。磁気浮上部50において、レンズホルダ52は、筒部外周保持部61の平面視図15参照の外形正方形における4辺の中央からそれぞれ水平方向外側に突設された略直方体状をなす4つの突設部62A~62Dを有している。ここで、一対の突設部62A、62B第1の突設部対は前後方向に配置され、他の一対の突設部62C、62D第2の突設部対は左右方向に配置されている。なお、各突設部62A~62Dの構成その周辺の構成も含むは同様であるため、以下では突設部62Aに注目して説明する。図14および図16に示すように、突設部62A内には、前後方向に配置された一対の水平方向マグネット53Aa、53Abと、上下方向に配置された一対の軸方向マグネット55Aa、55Abとが設けられている。右側水平方向マグネット53Aaの右方には、水平方向位置制御部36Aが配置されている。水平方向位置制御部36Aの左側磁極面ここでは、N極は、右側水平方向マグネット53Aaの右側磁極面ここでは、N極に対向して配置されており、両者の間には斥力が生じる。また、左側水平方向マグネット53Abの左方には、水平位置制御用マグネット71Aが設けられている。水平位置制御用マグネット71Aは、略直方体状をなす永久磁石からなり、水平方向位置制御部36Aとのバランスを考慮して磁力が設定されている。水平位置制御用マグネット71Aは、一対の水平方向マグネット53Aa、53Abを介して水平方向位置制御部36Aと左右方向に対をなすように配置されている。左側水平方向マグネット53Abの左側磁極面ここでは、N極は、水平位置制御用マグネット71Aの右側磁極面ここでは、N極に対向して配置されており、両者の間には斥力が生じる。上側軸方向マグネット55Aaの上方には、軸方向位置制御部38Aが配置されている。軸方向位置制御部38Aの下側磁極面ここでは、N極は、上側軸方向マグネット55Aaの上側磁極面ここでは、N極に対向して配置されており、両者の間には斥力が生じる。また、下側軸方向マグネット55Abの下方には、軸位置制御用マグネット40Aが設けられている。軸位置制御用マグネット40Aは略直方体状をなす永久磁石からなり、一対の軸方向マグネット55Aa、55Abを介して軸方向位置制御部38Aと上下方向に対をなすように配置されている。下側軸方向マグネット55Abの下側磁極面ここでは、N極は、軸位置制御用マグネット40Aの上側磁極面ここでは、N極に対向して配置されており、両者の間には斥力が生じる。また、突設部62A内には、一対の水平方向マグネット53Aa、53Abの内方に、それぞれ直方体状をなす永久磁石からなる水平位置検出用マグネット54Aおよび軸位置検出用マグネット72Aが設けられている。水平位置検出用マグネット54Aの右方には、水平方向磁気センサ37Aが設けられている。水平方向磁気センサ37Aは、水平方向位置制御部36Aの後方に所定の間隔をおいて配置されると共に、水平位置検出用マグネット54Aの右側磁極面に対向する。これにより、水平方向磁気センサ37Aは、レンズホルダ52レンズ51の水平方向位置を精度良く検出することが可能である。軸位置検出用マグネット72A図16参照の下方には、軸方向磁気センサ39Aが設けられている。軸方向磁気センサ39Aは、軸位置制御用マグネット40Aの後方に所定の間隔をおいて配置されると共に、軸位置検出用マグネット72Aの下側磁極面に対向する。これにより、軸方向磁気センサ39Aは、レンズホルダ52レンズ51の軸方向位置を精度良く検出することが可能である。図15に示すように、一対の突設部62A、62Bにそれぞれ対応する水平方向位置制御部36A、36Bは同一方向左右方向に両磁極が配置されている。また、他の一対の突設部62C、62Dにそれぞれ対応する水平方向位置制御部36C、36Dは、光軸Oを中心に水平方向位置制御部36A、36Bを時計回り方向に90°回転させた位置にあり、ともに同一方向前後方向に両磁極が配置されている。つまり、上述の第1および第2実施形態では、図5および図13に示したように、磁極方向が1軸上に配置された2つの水平方向位置制御部水平方向位置制御部A、Bまたは水平方向位置制御部C、Dによって、一方向における磁気浮上部50レンズ51の移動を行う構成であるが、第3実施形態では、図15に示すように、磁極方向が互いに平行2軸上かつレンズを介して離間して配置された2つの水平方向位置制御部水平方向位置制御部A、Bまたは水平方向位置制御部C、Dによって、一方向における磁気浮上部50の移動を行う構成である。これにより、第3実施形態では、光軸O回りのレンズ51の回動をより効果的に抑制することができ、より高精度でかつ安定した画素ずらし制御が可能となる。ここでは、4つの突設部を設けた構成としたが、突設部の数を更に増大させた構成も可能である。また、第3実施形態では、光軸O回りのレンズ51の回動量を小さくできるため、第1および第2実施形態の場合と比較して水平方向磁気センサ37Aを水平方向位置制御部36Aの近傍に配置する必要がなくなり、水平方向磁気センサ37Aは、水平方向位置制御部36Aの磁界の影響を受けなくなる程度まで水平方向磁気センサ37Aとの距離を確保して、検出精度を高めることが可能となる。本発明を特定の実施形態に基づいて説明したが、これらの実施形態はあくまでも例示であって、本発明はこれらの実施形態によって限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、光学的シフト機構と磁気浮上部とを磁石の斥力を利用して非接触状態に保持する構成としたが、磁石の吸引力を利用してもよい。また、永久磁石や電磁石の構成は、上記実施形態に限定されず、少なくとも同様の機能を果たし得る限りにおいて周知の構成を適宜採用することができる。なお、上記実施形態に示した本発明に係る撮像装置およびこれを備えた撮像システムの各構成要素は、必ずしも全てが必須ではなく、少なくとも本発明の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜取捨選択することが可能である。