"永久磁石、フェライトおよび電極パターンから成る非可逆回路素子と、磁性体を含む電子部品と、前記非可逆回路素子および前記電子部品が実装される基板とを備え、前記非可逆回路素子の前記永久磁石による磁力線が前記非可逆回路素子側に集中するように前記電子部品が前記基板に実装されていることを特徴とする複合電子モジュール。前記非可逆回路素子は、一対の前記永久磁石を有し、一方の前記永久磁石の一の磁極と他方の前記永久磁石の反対の磁極との間に前記フェライトが配置されて形成されていることを特徴とする請求項1に記載の複合電子モジュール。前記電子部品と前記非可逆回路素子とが、前記永久磁石の各磁極の並ぶ方向に並設されている特徴とする請求項2に記載の複合電子モジュール。前記電子部品と前記非可逆回路素子とが、前記永久磁石の各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向に並設されていることを特徴とする請求項2または3に記載の複合電子モジュール。前記永久磁石の各磁極の並ぶ方向における前記磁極の近傍に配置された電子部品と前記永久磁石との間隔は、前記永久磁石の各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向に配置された電子部品と永久磁石との間隔よりも狭いことを特徴とする請求項2ないし4のいずれかに記載の複合電子モジュール。前記電子部品の長手方向と前記永久磁石による磁力線の経路とが略平行になるように前記電子部品が配置されていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の複合電子モジュール。前記永久磁石の各磁極の並ぶ方向における、前記非可逆回路素子と前記基板端縁との距離が1.2mm以上であることを特徴とする請求項2ないし6のいずれかに記載の複合電子モジュール。前記永久磁石の各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向における、前記非可逆回路素子と前記基板端縁との距離が0.8mm以上であることを特徴とする請求項2ないし7のいずれかに記載の複合電子モジュール。ところで、近年、通信端末の小型化および薄型化に伴い、通信端末に実装される各種複合電子モジュールの小型化および低背化が要求されている。そこで、複合電子モジュールの小型化および低背化を図るために、ヨークを省いて非可逆電子素子500を基板に実装することにより複合電子モジュールを形成することが考えられる。このようにすれば、ヨークを実装するスペースを基板上に確保しなくともよいため、複合電子モジュールの小型化および低背化を図ることができる。ところが、この場合、電磁シールドとして機能するヨークが基板に実装されていないため、複合電子モジュールを形成する基板の外側に漏洩する永久磁石501による磁力線の数が増大する。したがって、複合電子モジュールの基板の外側における永久磁石501の磁界の影響が大きくなるため、例えば、このようにヨークが省略された複合電子モジュールをマザー基板などに実装する際に、マザー基板上の複合電子モジュールの周辺に実装される他の電子部品が永久磁石501の磁力により移動して所望の位置からずれるおそれがあり、位置ずれ防止の対策が求められている。この発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、複合電子モジュールの小型化および低背化を図ると共に、周辺に配置される電子部品に対する永久磁石による磁界の影響を抑制することができる複合電子モジュールを提供することを目的とする。上記した目的を達成するために、本発明の複合電子モジュールは、永久磁石、フェライトおよび電極パターンから成る非可逆回路素子と、磁性体を含む電子部品と、前記非可逆回路素子および前記電子部品が実装される基板とを備え、前記非可逆回路素子の前記永久磁石による磁力線が前記非可逆回路素子側に集中するように前記電子部品が前記基板に実装されていることを特徴としている請求項1。また、前記非可逆回路素子は、一対の前記永久磁石を有し、一方の前記永久磁石の一の磁極と他方の前記永久磁石の反対の磁極との間に前記フェライトが配置されて形成されているとよい請求項2。また、前記電子部品と前記非可逆回路素子とが、前記永久磁石の各磁極の並ぶ方向に並設されているのが望ましい請求項3。また、前記電子部品と前記非可逆回路素子とが、前記永久磁石の各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向に並設されているとよい請求項4。また、前記永久磁石の各磁極の並ぶ方向における前記磁極の近傍に配置された電子部品と前記永久磁石との間隔は、前記永久磁石の各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向に配置された電子部品と永久磁石との間隔よりも狭いとよい請求項5。また、前記電子部品の長手方向と前記永久磁石による磁力線の経路とが略平行になるように前記電子部品が配置されているとよい請求項6。また、前記永久磁石の各磁極の並ぶ方向における、前記非可逆回路素子と前記基板端縁との距離が1.2mm以上であるとよく請求項7、前記永久磁石の各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向における、前記非可逆回路素子と前記基板端縁との距離が0.8mm以上であるとよい請求項8。請求項1の発明によれば、本発明の複合電子モジュールは、永久磁石、フェライトおよび電極パターンから成る非可逆回路素子の永久磁石による磁力線が非可逆回路素子側に集中するように、磁性体を含む電子部品が基板に実装されているため、例えば金属製のヨークを省略しても、基板の外側に漏洩する永久磁石による磁力線の数を抑制することができるので、基板の周辺に複合電子モジュールに並設して配置される電子部品に対する永久磁石による磁界の影響を抑制することができる。また、金属製のヨークなどを基板に実装しなくても、基板の外側における永久磁石の磁界の影響を抑制することができるため、ヨークなどの電磁シールドとして機能する部材を実装するためのスペースを基板上に確保しなくてもよいので、複合電子モジュールの小型化および低背化を図ることができる。請求項2の発明よれば、一方の永久磁石の一の磁極と他方の永久磁石の反対の磁極との間にフェライトが配置されて非可逆回路素子が形成されることにより、実用的な構成で非可逆回路素子を形成することができる。請求項3の発明によれば、電子部品と非可逆回路素子とが、永久磁石の各磁極の並ぶ方向に並設されて、強い磁界が形成される永久磁石の磁極付近に磁性体を含む電子部品が配置されることにより、電子部品が磁路の一部となって永久磁石の磁極付近の磁力線が非可逆回路素子側に集中するため、効果的に基板の外側に漏洩する永久磁石による磁力線の数を抑制することができるので、より効果的に基板の周辺に配置される電子部品に対する永久磁石による磁界の影響を抑制することができる。請求項4の発明によれば、電子部品と非可逆回路素子とが、永久磁石の各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向に並設されることにより、磁性体を含む電子部品が磁路の一部となって永久磁石の一の磁極から反対の磁極へと向かう磁力線が非可逆回路素子側に集中するため、効果的に基板の外側に漏洩する永久磁石による磁力線の数を抑制することができるので、より効果的に基板の周辺に配置される電子部品に対する永久磁石による磁界の影響を抑制することができる。請求項5の発明によれば、永久磁石の各磁極の並ぶ方向における磁極の近傍に配置された電子部品と永久磁石との間隔が、永久磁石の各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向に配置された電子部品と永久磁石との間隔よりも狭く、最も磁力線が集中して磁界強度が強くなる永久磁石の各磁極の並ぶ方向における磁極の近傍に電子部品が近接して配置されているので、磁界の広がりをより効果的に抑制することができ、非可逆回路素子側に磁界を集中させることができる。また、電子部品の長手方向と永久磁石による磁力線の経路とが略平行になるように電子部品が配置されており、電子部品の長手方向と磁力線の経路とを平行にすることで、磁力線を電子部品により一層集中させることができ、非可逆回路素子側に磁力線を集中させることができる。請求項7,8の発明によれば、永久磁石の各磁極の並ぶ方向における、非可逆回路素子と基板端縁との距離を1.2mm以上とし、永久磁石の各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向における、非可逆回路素子と基板端縁との距離を0.8mm以上とすることにより、より効果的に基板の周辺に配置される電子部品に対する永久磁石による磁界の影響を抑制することができる。本発明の複合電子モジュールの一実施形態について、図1~図4を参照して説明する。図1は本発明の複合電子モジュール1の一実施形態を示す図であって、aは配置状態を示す図、bは回路ブロック図である。図2は電子部品が基板上に適切に配置されることにより永久磁石の磁力線が非可逆回路素子に近い部分に集中することを説明するための図である。図3および図4は電子部品の配置位置による永久磁石の磁界の影響を調べた実験結果の一例を示す図である。構成図1に示す複合電子モジュール1は、樹脂やセラミックなどにより形成された基板2に、予め定められた特定方向にのみ信号を伝送する特性を有するアイソレータにより形成される非可逆回路素子3、送信信号を増幅するパワーアンプ4、各種電子部品5a~5gなどが実装されて形成される電力増幅モジュールであって、無線LAN規格やBluetooth登録商標規格の無線通信機器、携帯電話などの通信端末の送信回路部において使用される。基板2は、所定の電極パターンが形成された複数枚のセラミックグリーンシートの積層体が焼成された積層基板や積層樹脂基板などが目的に応じて選択されて使用される。また、複合電子モジュール1の使用目的に応じて、コンデンサやコイルなどの電子部品が内蔵された基板2を採用してもよい。非可逆回路素子3は、一対の永久磁石3a,3bと、フェライト3cとを有し、一方の永久磁石3aの一の磁極と他方の永久磁石3bの反対の磁極との間にフェライト3cが配置されて形成されている。具体的には、永久磁石3a,3bおよびフェライト3cは直方体状に形成されており、永久磁石3a,3bの磁界が、フェライト3cの主面に対してほぼ垂直方向に印加されるように、永久磁石3a,3bおよびフェライト3cが接合される。また、一方の永久磁石3aの一の磁極側の主面と、他方の永久磁石3bの反対の磁極側の主面と、フェライト3cの上端面および下端面とには、中心電極としての電極パターン3dが形成される。永久磁石3a,3bおよびフェライト3cが接合されたとき、電極パターン3dはフェライト3cに巻回し、その巻回状態を適宜調整することで、非可逆回路素子3の入力インピーダンスや挿入損失などの電気的特性を調整することができる。なお、永久磁石3a,3bの主面に形成される電極パターン3dは、銀、銅、金やその合金からなる電極膜材料、金や銀などの導体粉とエポキシ樹脂などからなる導体複合材料ペーストまたは接着剤などの電極膜材料により、印刷や転写により薄膜として形成される。また、これらの電極膜材料と感光物質とを混合してフォトリソグラフ、エッチングなどの加工技術を用いて、永久磁石3a,3bの主面に電極パターン3dを所定の形状に形成してもよい。また、フェライト3cの上端面および下端面に形成される電極パターン3dは、永久磁石3a,3bの主面に形成された電極パターン3dを中継するための中継電極および基板2に非可逆回路素子3を接続するための接続用電極として使用されるものであって、銀、銅、金やその合金からなる電極膜材料、金や銀などの導体粉とエポキシ樹脂などからなる導体複合材料ペーストまたは接着剤などの電極膜材料により、印刷や転写により厚膜として形成される。また、これらの電極膜材料と感光物質とを混合してフォトリソグラフ、エッチングなどの加工技術を用いて、フェライト3cの上端面および下端面に電極パターン3dを所定の形状に形成してもよい。また、永久磁石3a,3cの材質としては、残留磁束密度、保磁力といった磁気特性に優れ、高周波帯における絶縁性低損失性にも優れているストロンチウム系フェライトマグネットや、残留磁束密度、保磁力といった磁気特性に優れており、小型化に適し、高周波帯における絶縁性を考慮しても使用可能なランタンコバルト系フェライトマグネットなど、どのような材質のものを採用してもよい。また、非可逆回路素子3は、図1に示すように、永久磁石3a,3bの各磁極の並ぶ方向において、基板2の端縁からの距離Xが1.2mm以上となる位置に基板2に配置されており、永久磁石3a,3bの各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向において、基板2の端縁からの距離Yが0.8mm以上となる位置に基板2に配置されている。パワーアンプ4は、送信信号を増幅する機能を有し、複合電子モジュール1の使用目的に応じて、高周波帯域の送信信号を増幅する機能を有するものなど、適宜、種々の回路構成でパワーアンプ4を形成すればよい。電子部品5a~5gは、整合回路など、複合電子モジュール1を形成するのに必要な種々の回路を形成するために、チップコンデンサやチップコイル、チップ抵抗などが適宜選択されて基板2上に実装されたものである。なお、この実施形態では、外部電極や内部の電極パターンなどにFe、Co、Niなどの磁性体を含む電子部品5a~5fが、非可逆回路素子3の永久磁石3a,3bによる磁力線MFが非可逆回路素子3側に集中するように基板2に実装されている。具体的には、電子部品5a,5c,5dは、永久磁石3a,3bの各磁極の並ぶ方向に非可逆回路素子3に並設されて、電子部品5b,5e,5fは、永久磁石3a,3bの各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向である非可逆回路素子3のフェライト3cの側面が露出する辺側に並設されて、基板2に実装されている。また、永久磁石3a,3bの各磁極の並ぶ方向における磁極の近傍に配置された電子部品5a,5dと永久磁石3a,3bとの間隔が、永久磁石3a,3bの各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向に配置された電子部品5b,5e,5fと永久磁石3a,3bとの間隔よりも狭くなるように、各電子部品5a,5b,5d~5fは基板2に配置されている。また、電子部品5b,5e,5fの長手方向と永久磁石3a,3bによる磁力線MFの経路とが略平行になるように電子部品5b,5e,5fが配置されている。すなわち、図2に示すように、永久磁石3a,3bによる磁力線MFは、非可逆回路素子3の短辺付近において、該短辺とほぼ平行に分布するため、電子部品5b,5e,5fは、その長手方向が永久磁石3a,3bの各磁極の並ぶ方向と略平行になるように配置されている。そして、この実施形態では、図1bに示すように、入力ポートPinを介して入力された送信信号がパワーアンプ4により増幅され、増幅された送信信号が非可逆回路素子3を介して出力ポートPoutから出力される複合電子モジュール1が形成されている。なお、図1bでは、複合電子モジュール1の機能のみを示し、整合回路などの回路構成は図示省略している。非可逆回路素子3の周囲に配置された磁性体を含む電子部品の効果図2中の点線矢印で示すように、基板2に非可逆回路素子3が実装されたときに、一方の永久磁石3aの磁極から他方の永久磁石3bの磁極まで、基板2の外側に大量に漏洩した状態で永久磁石3a,3bによる磁力線MFが形成される。ところが、磁性体を含む電子部品5a~5fは磁力線MFの磁路の一部となるため、同図中に実線矢印で示すように、非可逆回路素子3の周囲に磁性体を含む電子部品5a~5fが配置されることで、電子部品5a~5fが磁力線MFの磁路の一部となって永久磁石3a,3bの磁力線MFが非可逆回路素子3側に近い領域に集中するため、複合電子モジュール1の基板2の外側に漏洩する永久磁石3a,3bによる磁力線MFの数が効果的に抑制される。非可逆回路素子3を形成する永久磁石3a,3bによる磁界の影響について図3は永久磁石3a,3bの各磁極の並ぶ方向において非可逆回路素子3から距離Xの位置に、外部電極などにNiなどの上記した磁性体を含むチップコンデンサやチップコイル、チップ抵抗などの電子部品を5回繰り返して配置した場合に、永久磁石3a,3bにより形成される磁界による磁気力により当該電子部品が移動したり、傾いたり、回転したりした回数を示すものである。図3に示すように、非可逆回路素子3からの距離Xが1.1mm以下の位置に電子部品が配置されれば、ほぼすべての電子部品が永久磁石3a,3bによる磁界の影響を受けて、移動したり、傾いたり、回転したりするものと考えられる。一方、非可逆回路素子3からの距離Xが1.3mm以上の位置に電子部品が配置されれば、すべての電子部品が永久磁石3a,3bによる磁界の影響を受けにくく、移動したり、傾いたり、回転したりしないものと考えられる。図4は永久磁石3a,3bの各磁極の配置方向とほぼ直交する方向において非可逆回路素子3から距離Yの位置に、外部電極などにNiなどの上記した磁性体を含むチップコンデンサやチップコイル、チップ抵抗などの電子部品を5回繰り返して配置した場合に、永久磁石3a,3bにより形成された磁界による磁気力により当該電子部品が移動したり、傾いたり、回転したりした回数を示すものである。図4に示すように、非可逆回路素子3からの距離Xが0.7mm以下の位置に電子部品が配置されれば、ほぼすべての電子部品が永久磁石3a,3bによる磁界の影響を受けやすく、移動したり、傾いたり、回転したりするものと考えられる。一方、非可逆回路素子3からの距離Yが0.9mm以上の位置に電子部品が配置されれば、すべての電子部品が永久磁石3a,3bによる磁界の影響を受けにくく、移動したり、傾いたり、回転したりしないものと考えられる。したがって、基板2の端縁から非可逆回路素子3までの距離を適切に設定して基板2上に非可逆回路素子3を実装することにより複合電子モジュール1を形成することで、複合電子モジュール1と他の電子部品とをマザー基板などに一緒に実装するときに、マザー基板上の複合電子モジュール1の周辺に配置された電子部品と複合電子モジュールに搭載された非可逆回路素子3との間に適切な間隔を設けることができるため、複合電子モジュール1の周辺に配置された電子部品が、はんだなどにより固定される前に非可逆回路素子3の永久磁石3a,3bによる磁界の影響を受けて、移動したり、傾いたり、回転したりすることで位置ずれしたりするのを防止することができる。以上のように、上記した実施形態によれば、永久磁石3a,3b、フェライト3cおよび電極パターン3dから成る非可逆回路素子3の永久磁石3a,3bによる磁力線MFが非可逆回路素子3側に集中するように、磁性体を含む電子部品5a~5fが基板2に実装されているため、例えば金属製のヨークを省略しても、基板2の外側に漏洩する永久磁石3a,3bによる磁力線MFの数を抑制することができるので、基板2の周辺に複合電子モジュール1に並設して配置される電子部品に対する永久磁石3a,3bによる磁界の影響を抑制することができる。また、金属製のヨークなどを基板2に実装しなくても、複合電子モジュール1の基板2の外側における永久磁石3a,3bの磁界の影響を抑制することができるため、ヨークなどの電磁シールドとして機能する部材を実装するためのスペースを基板2上に確保しなくてもよいので、複合電子モジュール1の小型化および低背化を図ることができる。また、一方の永久磁石3aの一の磁極と他方の永久磁石3bの反対の磁極との間にフェライト3cが配置されて非可逆回路素子3が形成されることにより、コンパクトで実用的な構成で非可逆回路素子3を形成することができる。また、電子部品5a,5c,5dと非可逆回路素子3とが、永久磁石3a,3bの各磁極の並ぶ方向に並設されて、強い磁界が形成される永久磁石3a,3bの磁極付近に磁性体を含む電子部品5a,5c,5dが配置されることにより、電子部品5a,5c,5dが磁路の一部となって永久磁石3a,3bの磁極付近の磁力線MFが非可逆回路素子3側に集中するため、効果的に基板2の外側に漏洩する永久磁石3a,3bによる磁力線MFの数を抑制することができるので、基板2の周辺に配置される電子部品に対する永久磁石3a,3bによる磁界の影響をより効果的に抑制することができる。また、電子部品5b,5e,5fと非可逆回路素子3とが、永久磁石3a,3bの各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向に並設されることにより、磁性体を含む電子部品5b,5e,5fが磁路の一部となって、フェライト3cを介して連結された永久磁石3a,3bの一の磁極と反対の磁極との間に形成される磁力線MFが非可逆回路素子3側に集中するため、効果的に基板2の外側に漏洩する永久磁石3a,3bによる磁力線MFの数を抑制することができ、その結果、基板2の周辺に配置されて複合電子モジュール1に並設される電子部品に対して、位置ずれの原因となっていた永久磁石3a,3bによる磁界の悪影響を抑制することができる。また、永久磁石3a,3bの各磁極の並ぶ方向における磁極の近傍に配置された電子部品5a,5dと永久磁石3a,3bとの間隔が、永久磁石3a,3bの各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向に配置された電子部品5b,5e,5fと永久磁石3a,3bとの間隔よりも狭く、最も磁力線MFが集中して磁界強度が強くなる永久磁石3a,3bの各磁極の並ぶ方向における磁極の近傍に電子部品5a,5dが近接して配置されているので、磁界の広がりをより効果的に抑制することができ、非可逆回路素子3側に磁界を集中させることができる。また、電子部品5b,5e,5fの長手方向と永久磁石3a,3bによる磁力線MFの経路とが略平行になるように電子部品が配置されており、電子部品5b,5e,5fの長手方向と磁力線MFの経路とを平行にすることで、磁力線MFを電子部品5b,5e,5fにより一層集中させることができ、非可逆回路素子3側に磁力線MFを集中させることができる。また、永久磁石3a,3bの各磁極の並ぶ方向における、非可逆回路素子3と基板2の端縁との距離を1.2mm以上とし、永久磁石3a,3bの各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向における、非可逆回路素子3と基板2の端縁との距離を0.8mm以上とすることにより、より効果的に基板2の周辺に配置されて複合電子モジュール1に並設される電子部品に対し、従来のような位置ずれの原因となっていた永久磁石3a,3bによる磁界の悪影響を抑制することができる。なお、この実施形態では、複合電子モジュール1を他の電子部品とマザー基板などに実装する際に、実装クリアランスとして約0.1mm、複合電子モジュールと他の電子部品との間隔を開ける必要があるため、図3および図4を参照して説明した、X方向およびY方向において永久磁石3a,3bによる磁界の影響を受けない最短距離よりも0.1mm短くした距離で非可逆回路素子3を基板2に実装している。したがって、永久磁石3a,3bの各磁極の並ぶ方向における、非可逆回路素子3と基板2の端縁との距離を1.3mm以上とし、永久磁石3a,3bの各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向における、非可逆回路素子3と基板2の端縁との距離を0.9mm以上として、非可逆回路素子3を基板2に実装してもよいのはもちろんである。なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能であり、例えば、図5に示すように、複合電子モジュール1に、段間フィルタ6SAWフィルタや電力検出器7がさらに実装されていてもよいし、図6に示すように、複合電子モジュール1に、デュプレクサ8がさらに実装されていてもよい。また、複合電子モジュール1に、図示省略したスイッチ、ダイプレクサなどのマルチプレクサ、カプラなどがさらに搭載されていてもよい。なお、図5および図6は複合電子モジュールのそれぞれ異なる例の回路ブロック図である。また、複合電子モジュール1は、非磁性体金属や磁性体金属などのカバーをさらに備えてもよいし、樹脂でモールドされてもよい。また、非可逆回路素子3は、上記した構成を有するアイソレータに限られるものではなく、その他の構成を有する周知のアイソレータを適宜、非可逆回路素子3として採用してもよい。また、サーキュレータにより非可逆回路素子3を形成してもよい。また、複合電子モジュール1の基板2上に配置される磁性体を含む電子部品の配置位置は上記した位置に限られるものではなく、複合電子モジュール1の基板2上に実装される非可逆回路素子3の配置位置などに応じて、永久磁石3a,3bの磁力線MFが効果的に非可逆回路素子3側に集中するように電子部品の基板2上の配置位置を設定すればよい。また、基板2上に配設される電子部品としては上記した例に限られるものではなく、複合電子モジュール1の使用目的や設計に応じて、適宜、最適な電子部品を選択すればよい。"