"長尺チャンバと、前記チャンバ内にガスを供給するガス供給装置と、前記チャンバの長手方向と平行な向きに長尺な形状をもつスパイラルコイルと、前記スパイラルコイルに接続された高周波電源とを備え、前記長尺チャンバが開口部を備え、前記開口部と対向して配置され、かつ基材を保持する基材載置台を備え、前記チャンバの長手方向と前記開口部の長手方向とは平行に配置され、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構を備えたこと、を特徴とするプラズマ処理装置。前記スパイラルコイルは、平面状である、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記チャンバの前記スパイラルコイルに近い側の内壁面が、前記スパイラルコイルがなす平面と平行な平面である、請求項2記載のプラズマ処理装置。前記チャンバは、少なくとも片方が溝を備えた2枚の誘電体板に挟まれた空間として構成されている、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記チャンバの外形は、前記スパイラルコイルの外形よりも大きい、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記チャンバの深さ=前記チャンバの、前記スパイラルコイルから前記チャンバへの方向の長さと定義するとき、前記チャンバの深さが0.5mm以上7mm以下である、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記チャンバの深さ=前記チャンバの、前記スパイラルコイルから前記チャンバへの方向の長さと定義するとき、前記チャンバの深さが1mm以上5mm以下である、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記開口部は、前記チャンバにおいて、前記スパイラルコイルとは反対側に設けられている、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記開口部から前記チャンバへの向きと、前記スパイラルコイルから前記チャンバへの向きが、互いに垂直である、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記スパイラルコイルが中空の管から構成され、かつ、前記スパイラルコイル内に冷媒が流れるよう構成され、かつ、前記スパイラルコイルが前記チャンバの壁面を構成する部材、または、前記チャンバの壁面を構成する部材に接着された部材に接着されている、請求項1記載のプラズマ処理装置。水冷管が、前記チャンバの壁面を構成する部材、または、前記チャンバの壁面を構成する部材に接着された部材に接着されている、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記水冷管は、前記チャンバにおいて、前記スパイラルコイルとは反対側に設けられている、請求項11記載のプラズマ処理装置。前記水冷管は導体であり、かつ、接地されている、請求項12記載のプラズマ処理装置。前記スパイラルコイルの長手方向に平行で前記スパイラルコイルの中心を通る直線と、前記チャンバの長手方向に平行で前記チャンバの中心を通る直線と、前記チャンバへのガス導入部をなす線状部の長手方向に平行で前記線状部の中心を通る直線と、前記開口部の長手方向に平行で前記開口部の中心を通る直線が、互いに平行、かつ同一平面上に配置されている、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記チャンバの壁面を構成する部材、または、前記チャンバの壁面を構成する部材に接着された部材に、前記開口部の長尺方向と平行な向きに長尺の貫通穴が設けられ、前記貫通穴内に冷媒が流れるよう構成されている、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記開口部の近傍に、前記開口部の長尺方向と平行な向きに長尺な形状をもつシールドガス供給口を備えた、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記開口部の近傍に、前記開口部の長尺方向と平行な向きに並んだ多数のシールドガス供給口を備えた、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記開口部がなす線状部が、前記スパイラルコイルの短手方向を構成する部分よりもさらに内側に配置されている、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記チャンバへのガス導入部をなす線状部が、前記スパイラルコイルの短手方向を構成する部分よりもさらに内側に配置されている、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記スパイラルコイルを2個備え、かつ、2個のコイルの間に前記チャンバが挟まれている、請求項1記載のプラズマ処理装置。長尺チャンバ内にガスを供給しつつ、前記チャンバに形成されたスリット状の開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、前記チャンバの長手方向と平行な向きに長尺な形状をもつスパイラルコイルに高周波電力を供給することで、前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させるプラズマ処理方法であって、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに前記チャンバと前記基材とを相対的に移動しながら前記基材の表面を処理すること、を特徴とするプラズマ処理方法。しかしながら、半導体の結晶化など、ごく短時間だけ基材の表面近傍を高温処理する用途に対して、従来の熱プラズマを大面積に発生させる技術は有効ではなかった。従来例に示した特許文献2に記載の、熱プラズマを大面積に発生させる技術においては、広幅化はされるものの、広幅化された領域における温度分布は100°C以上となっており、均一な熱処理の実現は不可能である。また、従来例に示した特許文献3、4に記載の、熱プラズマを大面積に発生させる技術においては、本質的には熱プラズマを揺動させるものであるから、実質的に熱処理されている時間は、回転させずに走査した場合と比べて短くなるので、大面積を処理する時間が特段短くなるものではない。また、均一処理のためには回転速度を走査速度に比べて十分に大きくする必要があり、ノズルの構成が複雑化することは避けられない。また、従来例に示した特許文献5に記載の技術は溶接技術であり、大面積を均一に処理するための構成ではない。仮にこれを大面積処理用途に適用しようとしても、この構成においては点状のアークが帯状電極に沿って振動するので、時間平均すると均一にプラズマが発生するものの、瞬間的には不均一なプラズマが生じている。したがって、大面積の均一処理には適用できない。また、従来例に示した特許文献6に記載の技術は、非特許文献1や特許文献1に開示されているDCアーク放電を用いたものと異なり、誘導結合型の高周波プラズマトーチであることが特徴である。無電極放電であることから、熱プラズマの安定性に優れ時間変化が小さい、電極材料の基材への混入コンタミネーションが少ないという利点がある。さて、誘導結合型プラズマトーチにおいては、高温プラズマから絶縁体材料を保護するために、絶縁体材料を二重管構成としてその間に冷媒を流す方法が一般的に採用されている。しかしながら、従来例に示した特許文献6に記載の技術においては、絶縁体材料が扁平な直方体状をなしていることから、これを単純に二重管構成としただけでは、十分な流量の冷媒を流すことができない。なぜなら、絶縁体材料は一般に金属に比べて機械的強度に劣るため、絶縁体材料を長尺方向に余りに長くすると、二重管の内圧を高くできなくなるからである。このため、大面積を均一に処理するのに限界がある。また、仮に絶縁体材料の冷却の問題がないと仮定しても、従来例に示した特許文献6に記載の技術においては、絶縁体材料の内部空間に形成した高温プラズマは、その最下部から噴出するごく一部のみが基材に直接作用する構成であるため、電力効率が悪いという問題点がある。また、絶縁体材料の内部空間においては、中心付近のプラズマ密度が高くなるので、長尺方向にプラズマが不均一となり、基材を均一に処理することができないという問題点がある。なお、点状の熱プラズマであっても、その直径が大きければ大面積処理の際の走査回数を減らせるため、用途によっては短時間で処理できる。しかし、熱プラズマの直径が大きいと、走査時に熱プラズマが基材上を通過する時間が実質的に長くなるため、ごく短時間だけ基材の表面近傍のみを高温処理することはできず、基材のかなり深い領域までが高温になり、例えばガラス基板の割れや膜剥がれなどの不具合を生じることがある。また、従来例に示した特許文献9に記載の技術では、先に述べた誘導結合型の高周波プラズマトーチと比較して、熱プラズマの安定性に劣り時間変化が大きい、電極材料の基材への混入コンタミネーションが多いという欠点がある。本発明はこのような課題に鑑みなされたもので、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。本願の第1発明のプラズマ処理装置は、長尺チャンバと、前記チャンバ内にガスを供給するガス供給装置と、前記チャンバの長手方向と平行な向きに長尺な形状をもつスパイラルコイルと、前記スパイラルコイルに接続された高周波電源とを備え、前記長尺チャンバが開口部を備え、前記開口部と対向して配置され、かつ基材を保持する基材載置台を備え、前記チャンバの長手方向と前記開口部の長手方向とは平行に配置され、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構を備えたこと、を特徴とする。このような構成により、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができる。本願の第1発明のプラズマ処理装置において、好適には、前記スパイラルコイルが、平面状であることが望ましい。このような構成により、簡単な構成でプラズマ処理装置を実現できる。また、この場合、さらに好適には、前記チャンバの前記スパイラルコイルに近い側の内壁面が、前記スパイラルコイルがなす平面と平行な平面であることが望ましい。このような構成により、プラズマ発生効率の良いプラズマ処理装置を実現できる。また、好適には、前記チャンバが、少なくとも片方が溝を備えた2枚の誘電体板に挟まれた空間として構成されていることが望ましい。このような構成により、簡単な構成でプラズマ処理装置を実現できる。また、好適には、前記チャンバの外形が、前記スパイラルコイルの外形よりも大きいことが望ましい。このような構成により、プラズマ発生効率の良いプラズマ処理装置を実現できる。また、好適には、前記チャンバの深さ=前記チャンバの、前記スパイラルコイルから前記チャンバへの方向の長さと定義するとき、前記チャンバの深さが0.5mm以上7mm以下であることが望ましい。さらに好適には、前記チャンバの深さが1mm以上5mm以下であることが望ましい。このような構成により、プラズマ発生効率の良いプラズマ処理装置を実現できる。また、前記開口部が、前記チャンバにおいて、前記スパイラルコイルとは反対側に設けられていてもよいし、前記開口部から前記チャンバへの向きと、前記スパイラルコイルから前記チャンバへの向きが、互いに垂直であってもよい。また、好適には、前記スパイラルコイルが中空の管から構成され、かつ、前記スパイラルコイル内に冷媒が流れるよう構成され、かつ、前記スパイラルコイルが前記チャンバの壁面を構成する部材、または、前記チャンバの壁面を構成する部材に接着された部材に接着されていることが望ましい。このような構成により、プラズマ処理装置の効果的な冷却が実現できる。また、好適には、水冷管が、前記チャンバの壁面を構成する部材、または、前記チャンバの壁面を構成する部材に接着された部材に接着されていることが望ましい。このような構成により、プラズマ処理装置の効果的な冷却が実現できる。また、この場合、さらに好適には、前記水冷管が、前記チャンバにおいて、前記スパイラルコイルとは反対側に設けられていることが望ましい。このような構成により、プラズマ処理装置のさらに効果的な冷却が実現できる。また、この場合、さらに好適には、前記水冷管が導体であり、かつ、接地されていることが望ましい。このような構成により、プラズマの着火点火が容易になる。また、好適には、前記スパイラルコイルの長手方向に平行で前記スパイラルコイルの中心を通る直線と、前記チャンバの長手方向に平行で前記チャンバの中心を通る直線と、前記チャンバへのガス導入部をなす線状部の長手方向に平行で前記線状部の中心を通る直線と、前記開口部の長手方向に平行で前記開口部の中心を通る直線が、互いに平行、かつ同一平面上に配置されていることが望ましい。このような構成により、プラズマ発生効率の良いプラズマ処理装置を実現できる。また、前記チャンバの壁面を構成する部材、または、前記チャンバの壁面を構成する部材に接着された部材に、前記開口部の長尺方向と平行な向きに長尺の貫通穴が設けられ、前記貫通穴内に冷媒が流れるよう構成されていてもよい。このような構成により、プラズマ処理装置の効果的な冷却が実現できる。また、好適には、前記開口部の近傍に、前記開口部の長尺方向と平行な向きに長尺な形状をもつシールドガス供給口を備えること、あるいは、前記開口部の近傍に、前記開口部の長尺方向と平行な向きに並んだ多数のシールドガス供給口を備えることが望ましい。このような構成により、処理に不要、あるいは悪影響を及ぼすガスのプラズマ照射面への混入を均一に低減することが可能となる。また、好適には、前記開口部がなす線状部が、前記スパイラルコイルの短手方向を構成する部分よりもさらに内側に配置されていることが望ましく、さらには、前記チャンバへのガス導入部をなす線状部が、前記スパイラルコイルの短手方向を構成する部分よりもさらに内側に配置されていることが望ましい。このような構成により、より安定したプラズマ発生が実現できる。また、前記スパイラルコイルを2個備え、かつ、2個のコイルの間に前記チャンバが挟まれていてもよい。このような構成により、より高温のプラズマを発生させることが可能となる。本願の第2発明のプラズマ処理方法は、長尺チャンバ内にガスを供給しつつ、前記チャンバに形成されたスリット状の開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、前記チャンバの長手方向と平行な向きに長尺な形状をもつスパイラルコイルに高周波電力を供給することで、前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させるプラズマ処理方法であって、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに前記チャンバと前記基材とを相対的に移動しながら前記基材の表面を処理することを特徴とする。このような構成により、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができる。本発明によれば、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができる。以下、本発明の実施の形態におけるプラズマ処理装置について図面を用いて説明する。実施の形態1以下、本発明の実施の形態1について、図1~図3を参照して説明する。図1aは、本発明の実施の形態1におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図である。図1bは、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に平行で、かつ、基材に垂直な面で切った断面図である。図1bは図1aの破線で切った断面図、図1aは図1bの破線で切った断面図である。また、図2は、図1に示した誘導結合型プラズマトーチユニットの組立構成図であり、各部品一部の斜視図を並べたものである。図1及び図2において、基材載置台1上に基材2が載置されている。誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、コイルをなす中空の導体管としての平面状のスパイラルコイル3が第一石英板4の近傍に配置される。誘電体製の長尺チャンバは、第二石英板5、第三石英板6によって囲まれた空間長尺チャンバ内部の空間7により画定される。長尺チャンバのスパイラルコイル3に近い側の内壁面は、スパイラルコイル3がなす平面と平行な平面である。このような構成では、スパイラルコイル3の任意の部位において、スパイラルコイル3から長尺チャンバまでの距離が等しくなるので、小さい高周波電力で誘導結合性プラズマの発生が可能となり、効率の良いプラズマ生成が実現できる。また、長尺チャンバの外形は、スパイラルコイル3の外形よりも大きく構成される。このような構成も、スパイラルコイル3の任意の部位において、スパイラルコイル3から長尺チャンバまでの距離が等しくなることに繋がるので、プラズマ発生効率の良いプラズマ処理装置を実現できる。誘導結合型プラズマトーチユニットTは、全体が接地された導体製のシールド部材図示しないで囲われ、高周波の漏洩ノイズが効果的に防止できるとともに、好ましくない異常放電などを効果的に防止できる。長尺チャンバ内部の空間7は、第二石英板5の片面をなす平面と、第三石英板6に設けられた凹部溝に囲まれている。つまり、長尺チャンバ全体が誘電体で囲まれている構成である。長尺チャンバ内部の空間7に発生したプラズマは、長尺チャンバにおけるスリット状の開口部としてのプラズマ噴出口8より基材2に向けて噴出する。また、長尺チャンバの長手方向とプラズマ噴出口8の長手方向とは平行に配置されている。また、プラズマ噴出口8は、長尺チャンバにおいて、スパイラルコイル3とは反対側に設けられている。第一石英板4に設けられた凹部溝と、第二石英板5の片面をなす平面長尺チャンバとは反対側の面に囲まれたプラズマガスマニホールド9が設けられている。プラズマガス供給配管10よりプラズマガスマニホールド9に供給されたガスは、第二石英板5に設けられた長尺のガス導入部としてのプラズマガス供給穴11を介して、長尺チャンバ内部の空間7に導入される。このような構成により、長手方向に均一なガス流れを簡単に実現できる。プラズマガス供給配管10へ導入するガスの流量は、その上流にマスフローコントローラなどの流量制御装置を備えることにより制御される。プラズマガス供給穴11は、長尺のスリットであるが、丸い穴状のものを長手方向に複数設けてもよい。スパイラルコイル3は、接着剤12により、第一石英板4に接着接合される。また、スパイラルコイル3の中心軸は、長尺チャンバの長手方向、及び、プラズマ噴出口8の長手方向と平行に配置されている。また、スパイラルコイル3の長手方向に平行でスパイラルコイル3の中心を通る直線図2の点線Aと、長尺チャンバの長手方向に平行で長尺チャンバの中心を通る直線図2の点線Bと、プラズマガス供給穴11の長手方向に平行でプラズマガス供給穴11の中心を通る直線図2の点線Cと、プラズマ噴出口8の長手方向に平行でプラズマ噴出口8の中心を通る直線図2の点線Dが、互いに平行、かつ同一平面上に配置されている。このような構成により、均一なプラズマを得つつ、プラズマを発生させる部分の体積を最小にできるので、プラズマ発生効率の良いプラズマ処理装置を実現できる。また、基材載置台1に近い部分に、シールドガス供給口としてのシールドガスノズル13が配置され、その内部にはシールドガスマニホールド14が設けられる。このように、2系統のガス導入が準備されており、プラズマ生成に適したプラズマガスとは別にシールドガスを供給して、大気中の酸素、二酸化炭素など、処理に不要、あるいは悪影響を及ぼすガスのプラズマ照射面への混入を低減することが可能となる。なお、シールドガス供給口は、プラズマ噴出口8の長尺方向と平行な向きに長尺な形状をもつスリットであってもよいし、あるいは、プラズマ噴出口8の長尺方向と平行な向きに並んだ多数の穴であってもよい。スパイラルコイル3は中空であり、その内部は冷媒流路となっている。すなわち、スパイラルコイル3の内部には冷媒としての冷却水が流れ、スパイラルコイル3の冷却と、これに接合された第一石英板4の冷却が実現される。また、冷媒流路となる導体製の水冷管15が、接着剤12により第三石英板6に接合されている。水冷管15は電気的に接地され、プラズマの着火点火が容易になるよう構成されている。第一石英板4、第二石英板5、及び第三石英板6は互いに接着接合されており、互いの熱伝導性を高めることによって、誘導結合型プラズマトーチユニットTが効果的に冷却されるように構成されている。スパイラルコイル3と第一石英板4との接合、水冷管15と第三石英板6との接合、及び、第一石英板4と第二石英板5との接合、第二石英板5と第三石英板6との接合は、溶接法によるものの他、各種接着剤を用いて行うことが可能である。冷却効率を確保するため、接着剤を用いる場合はできるだけ薄く、均一に塗布することが好ましい。スパイラルコイル3及び水冷管15を第一石英板4及び第三石英板6にそれぞれ接合する構成の利点は、既成の板材、管材を活用できるため、安価短納期で製作可能であること、また、長尺チャンバと冷媒流路の距離を小さくできるため、冷却効率が良いこと、である。つまり、本実施の形態においては、冷媒流路の断面が円形であるので、従来例に示した特許文献6に記載の技術において二重管構成として水冷した場合に比べて、はるかに大量の冷媒を流すことができ、効果的な冷却が可能である。また、スパイラルコイル3の両端は、図示しない銅板を通じて図示しない高周波整合回路に接続される。長方形のスリット状のプラズマ噴出口8が設けられ、基材載置台1或いは、基材載置台1上の基材2は、プラズマ噴出口8と対向して配置されている。この状態で、長尺チャンバ内にガスを供給しつつ、プラズマ噴出口8から基材2に向けてガスを噴出させながら、図示していない高周波電源よりスパイラルコイル3に高周波電力を供給することにより、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、プラズマ噴出口8からプラズマを基材2に照射することにより、基材2上の薄膜22をプラズマ処理することができる。プラズマ噴出口8の長手方向に対して垂直な向きに、長尺チャンバと基材載置台1とを相対的に移動させることで、基材2を処理する。つまり、図1aの左右方向へ、図1bの紙面に垂直な方向へ、誘導結合型プラズマトーチユニットTまたは基材載置台1を動かす。長尺チャンバ内に供給するガスとして種々のものが使用可能だが、プラズマの安定性、着火性、プラズマに暴露される部材の寿命などを考えると、不活性ガス主体であることが望ましい。なかでも、Arガスが典型的に用いられる。Arのみでプラズマを生成させた場合、プラズマは相当高温となる10,000K以上。なお、本構成においては、プラズマ噴出口8の長手方向の長さが、基材2の幅以上となっているので、一度の走査誘導結合型プラズマトーチユニットTと基材載置台1とを相対的に移動することで基材2の表面近傍の薄膜22の全体を処理することができる。このようなプラズマ処理装置において、長尺チャンバ内にガス噴出口よりArまたはArH2ガスを供給しつつ、プラズマ噴出口8から基材2に向けてガスを噴出させながら、図示していない高周波電源より13.56MHzの高周波電力を、スパイラルコイル3に供給することにより、長尺チャンバ内部の空間7に高周波電磁界を発生させることでプラズマを発生させ、プラズマ噴出口8からプラズマを基材2に照射するとともに走査することで、半導体膜の結晶化などの熱処理を行うことができる。誘導結合性の熱プラズマが発生する際には、図3に示すように、環状で強い発光を示すプラズマリングPが現れる。プラズマリングPは、スパイラルコイル3の形に沿うように形成される。プラズマリングPは、プラズマ密度がとくに高く、かつ、ガス温度がとくに高温となっている領域であると考えられる。なお、図3aは、図1aと同一断面、図3bは図1bと同一の断面を示している。プラズマ発生の条件としては、プラズマ噴出口8と基材2間の距離=3~50mm、走査速度=50~3000mm/s、プラズマガス総流量=1~100SLM、ArH2ガス中のH2濃度=0~10、シールドガスN2流量=1~100SLM、高周波電力=0.5~10kW程度の値が適切である。ただし、これらの諸量のうち、ガス流量及び電力は、プラズマ噴出口8の長さ100mm当たりの値である。ガス流量や電力などのパラメータは、プラズマ噴出口8の長さに比例した量を投入することが適切と考えられるためである。このように、プラズマ噴出口8の長手方向と、基材載置台1とが平行に配置されたまま、プラズマ噴出口8の長手方向とは垂直な向きに、長尺チャンバと基材載置台1とを相対的に移動するので、生成すべきプラズマの長さと、基材2の処理長さがほぼ等しくなるように構成することが可能となる。また、長尺チャンバをその中心軸に垂直な面で切った断面の幅図1aにおける、長尺チャンバ内部の空間7の幅は、プラズマ噴出口8の幅図1aにおける隙間の幅よりも少し大きい程度でよい。つまり、生成すべきプラズマの体積を、従来と比較して極めて小さくすることができる。その結果、電力効率が飛躍的に高まる。なお、長尺チャンバ内部の空間7の深さを、=長尺チャンバの、スパイラルコイル3から長尺チャンバへの方向の長さと定義すると、長尺チャンバ内部の空間7の深さは図1aのdに相当する。長尺チャンバ内部の空間7の長さ長手方向の大きさを95mmとして深さdを変化させて大気圧にて実験したところ、深さdが1mm以上5mm以下のときに、高周波電力10kW以下でArガスによる熱プラズマの発生に成功した。高周波電力をさらに上げれば、深さdが0.5mm以上7mm以下でも熱プラズマが発生するものと考えられるが、この範囲から外れれば、大気圧での誘導結合性プラズマ処理が困難である。この実験結果から、深さdは0.5mm以上7mm以下であることが望ましく、さらに好適には、深さdは1mm以上5mm以下であることが望ましいといえる。このことは、長尺チャンバ内部の空間7の体積が小さくてよいということをも示しており、従来例に比較して高い電力効率が得られるものと考えられる。また、長尺チャンバ内部の空間7においては、長尺方向に比較的均一なプラズマが生成できるので、特許文献6に開示されている従来例などと比べて、基材を均一に処理することができる。実施の形態2以下、本発明の実施の形態2について、図4を参照して説明する。図4は本発明の実施の形態2におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に平行で、かつ、基材に垂直な面で切った断面図であり、図1bに相当する。本発明の実施の形態2においては、実施の形態1とは、プラズマ噴出口8の長手方向の大きさが異なるだけであるから、それ以外の説明は省略する。図1においては、プラズマ噴出口8の長手方向の大きさが比較的大きく、プラズマリングPの発生位置よりも外側までが開口部であった。つまり、開口部がなす線状部が、スパイラルコイル3の短手方向を構成する部分よりも外側にまで延びて配置されていた。このような構成では、プラズマガスの流量を増すと、プラズマリングPがプラズマ噴出口8から基材2に向けて飛び出しそうになり、プラズマが不安定化する場合があった。実施の形態2においては、プラズマ噴出口8の長手方向の大きさが比較的小さく、プラズマリングPの発生位置よりも内側のみが開口部である。つまり、開口部がなす線状部が、スパイラルコイル3の短手方向を構成する部分よりも内側に配置されている。この場合は、プラズマガスの流量を増した場合においても、プラズマリングPがプラズマ噴出口8から基材2に向けて飛び出しそうにはなりにくく、プラズマが不安定化しにくいという利点がある。実施の形態3以下、本発明の実施の形態3について、図5を参照して説明する。図5は本発明の実施の形態3におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1bに相当する。図1、図4においては、プラズマガス供給穴11の長手方向の大きさが比較的大きく、プラズマリングPの発生位置よりも外側までがガス導入部であった。つまり、長尺チャンバへのプラズマガス供給穴11をなす線状部が、スパイラルコイル3の短手方向を構成する部分よりも外側にまで延びて配置されていた。このような構成では、プラズマガスの流量を増すと、プラズマリングPがプラズマ噴出口8から基材2に向けて飛び出しそうになり、プラズマが不安定化する場合があった。実施の形態3においては、プラズマガス供給穴11の長手方向の大きさが比較的小さく、プラズマリングPの発生位置よりも内側のみがガス導入部である。つまり、長尺チャンバへのプラズマガス供給穴11をなす線状部が、スパイラルコイル3の短手方向を構成する部分よりも内側に配置されている。この場合は、プラズマガスの流量を増した場合においても、プラズマリングPがプラズマ噴出口8から基材2に向けて飛び出しそうにはなりにくく、プラズマが不安定化しにくいという利点がある。実施の形態3においては、さらに、実施の形態2で説明した構成をも採用しており、より安定的にプラズマ生成を行える。実施の形態4以下、本発明の実施の形態4について、図6を参照して説明する。図6は本発明の実施の形態4におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。図6においては、第二石英板5に、プラズマ噴出口8の長尺方向と平行な向きに長尺の貫通穴16が設けられ、貫通穴16内に冷媒が流れるよう構成されている。このような構成により、第二石英板5の冷却がより効果的に実現できる。実施の形態5以下、本発明の実施の形態5について、図7を参照して説明する。図7は本発明の実施の形態5におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。図7においては、第一石英板4及び第三石英板6に、プラズマ噴出口8の長尺方向と平行な向きに長尺の貫通穴16が設けられ、貫通穴16内に冷媒が流れるよう構成されている。このような構成により、第一石英板4及び第三石英板6の冷却が効果的に実現できる。実施の形態6以下、本発明の実施の形態6について、図8を参照して説明する。図8は本発明の実施の形態6におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。図8において、長尺チャンバ内部の空間7は、プラズマガス供給穴11からプラズマ噴出口8に向けて徐々にその幅が小さくなるように構成されている。このような構成により、長尺チャンバ内部の空間7の体積をより小さくできるので、高い電力効率が得られる。実施の形態7以下、本発明の実施の形態7について、図9を参照して説明する。図9は本発明の実施の形態7におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。図9においては、内部にシールドガスマニホールド14を備えたシールドガスノズル13が、第三石英板6に接触するように配置されている。このような構成により、誘導結合型プラズマトーチユニットTをより小型化することができる。実施の形態8以下、本発明の実施の形態8について、図10を参照して説明する。図10は本発明の実施の形態8におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。図10においては、プラズマガス、シールドガスの他に、シースガスの供給が可能となっている。すなわち、第一石英板4に設けられた凹部溝と、第二石英板5の片面をなす平面長尺チャンバとは反対側の面に囲まれたシースガスマニホールド17が2つ、プラズマガスマニホールド9を挟んで設けられている。シースガスマニホールド17に供給されたガスは、第二石英板5に設けられた長尺のガス導入部としてのシースガス供給穴18を介して、長尺チャンバ内部の空間7に、長尺チャンバの外周部分に沿って導入される。このような構成により、長尺チャンバの内壁面を構成する第二石英板5及び第三石英板6の表面を、効果的に熱プラズマから保護することが可能となる。実施の形態9以下、本発明の実施の形態9について、図11を参照して説明する。図11は本発明の実施の形態9におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの組立構成図であり、各部品一部の斜視図を並べたものである。図11においては、水冷管15の代わりに、第二のスパイラルコイル19を設けている。つまり、スパイラルコイルを2個備え、かつ、2個のコイルの間に長尺チャンバが挟まれていている。これら2個のコイルには、周方向に同位相の電流が流れるように配線または高周波電源の位相制御を行う。こうすることで、長尺チャンバ内部の空間7内に、より強い電磁界を生成し、より高温のプラズマを発生させることが可能となる。実施の形態10以下、本発明の実施の形態10について、図12を参照して説明する。図12は本発明の実施の形態10におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの組立構成図であり、各部品一部の斜視図を並べたものである。図12においては、第一石英板4ではなく、第二石英板5に設けられた凹部溝と、第一石英板4の片面をなす平面長尺チャンバに向かう面に囲まれたプラズマガスマニホールド9が設けられている。プラズマガス供給配管10よりプラズマガスマニホールド9に供給されたガスは、第二石英板5に設けられた長尺のガス導入部としてのプラズマガス供給穴11貫通穴を介して、長尺チャンバ内部の空間7に導入される。実施の形態11以下、本発明の実施の形態11について、図13及び図14を参照して説明する。図13は本発明の実施の形態11におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの組立構成図であり、各部品一部の斜視図を並べたものである。また、図14aは、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図である。図14bは、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に平行で、かつ、基材に垂直な面で切った断面図である。図14bは図14aの破線で切った断面図、図14aは図14bの破線で切った断面図である。図13及び図14においては、第二石英板5に設けられた凹部溝と、第一石英板4の片面をなす平面長尺チャンバに向かう面に囲まれたプラズマガスマニホールド9が設けられているが、第一石英板4をごく薄く、かつ、プラズマガスマニホールド9をぎりぎり覆う大きさにて構成しており、第一石英板4と第二石英板5とは接着される。また、プラズマガス供給配管10は、第二石英板5の側方に設けられている。このような構成により、スパイラルコイル3に流す冷媒によって、長尺チャンバの内壁面を構成する第二石英板5を直接的に冷却できるので、冷却効率が高まる。実施の形態12以下、本発明の実施の形態12について、図15を参照して説明する。図15は本発明の実施の形態12におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。図15においては、第二石英板5に設けられた凹部溝と、第一石英板4の片面をなす平面長尺チャンバに向かう面に囲まれたプラズマガスマニホールド9が設けられおり、第一石英板4をごく薄く、かつ、プラズマガスマニホールド9をぎりぎり覆う大きさにて構成している点で、実施の形態11と同じである。さらに、実施の形態8と同様に、プラズマガス、シールドガスの他に、シースガスの供給が可能となっている。すなわち、第二石英板5に設けられた凹部溝と、第三石英板6の片面をなす平面長尺チャンバに向かう面に囲まれたシースガスマニホールド17が2つ、プラズマガスマニホールド9を挟んで設けられている。シースガス供給配管20からシースガスマニホールド17に供給されたガスは、第二石英板5に設けられた凹部の内側部分と、長尺チャンバ内部の空間7とが連通する、長尺チャンバの外周部分から、長尺チャンバ内部の空間7に導入される。このような構成により、長尺チャンバの内壁面を構成する第二石英板5及び第三石英板6の表面を、効果的に熱プラズマから保護することが可能となる。実施の形態13以下、本発明の実施の形態13について、図16及び図17を参照して説明する。図16は本発明の実施の形態13におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの組立構成図であり、各部品一部の斜視図を並べたものである。また、図17は、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図である。図16及び図17においては、開口部としてのプラズマ噴出口8の配置が、実施の形態1~12とは異なっている。すなわち、プラズマ噴出口8から長尺チャンバへの向きと、スパイラルコイル3から長尺チャンバへの向きが、互いに垂直になっている。実施の形態14以下、本発明の実施の形態14について、図18及び図19を参照して説明する。図18aは本発明の実施の形態14におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図である。図18bは、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に平行で、かつ、基材に垂直な面で切った断面図である。図18bは図18aの破線で切った断面図、図18aは図18bの破線で切った断面図である。また、図19は、図18に示した誘導結合型プラズマトーチユニットの組立構成図であり、各部品一部の斜視図を並べたものである。図18及び図19においては、第一石英板4の内部に、プラズマ噴出口8の長手方向と同じ向きに長尺なハンガー状の形状をもつプラズマガスマニホールド9が形成されている。このような構成により、スパイラルコイル3に流す冷媒によって、長尺チャンバの内壁面を構成する第二石英板5を直接的に冷却できるので、冷却効率が高まる。また、プラズマガスマニホールド9内に生じる容量結合性の電磁界が弱くなるので、プラズマガスマニホールド内にプラズマが発生しにくいという利点がある。以上述べたプラズマ処理装置及び方法は、本発明の適用範囲のうちの典型例を例示したに過ぎない。例えば、誘導結合型プラズマトーチユニットTを、固定された基材載置台1に対して走査してもよいが、固定された誘導結合型プラズマトーチユニットTに対して、基材載置台1を走査してもよい。また、スパイラルコイル3が平面状である場合を例示したが、スパイラルコイル3は必ずしも平面でなくてもよい。例えば、渦の中央部に向かうにつれて、徐々にスパイラルコイル3と第一石英板4との距離が遠くなるような、所謂釣鐘型スパイラルコイルを用いた構成であってもよい。また、水冷管15を電気的に接地する場合を例示したが、絶縁体製の管で構成してもよい。とくに、プラズマ噴出口8の近傍に導体製の水冷管を配置すると、異常放電の原因となることがあるので、例えば、プラズマ噴出口8の近傍に絶縁体製の水冷管を配置し、プラズマ噴出口8から離れた位置に接地された導体製の水冷管を配置することも可能である。また、本発明の種々の構成によって、基材2の表面近傍を高温処理することが可能となる。これは、従来例で詳しく述べたTFT用半導体膜の結晶化や太陽電池用半導体膜の改質に適用可能であることは勿論、プラズマディスプレイパネルの保護層の清浄化や脱ガス低減、シリカ微粒子の集合体からなる誘電体層の表面平坦化や脱ガス低減、種々の電子デバイスのリフロー、固体不純物源を用いたプラズマドーピングなど、さまざまな表面処理に適用できる。また、太陽電池の製造方法としては、シリコンインゴットを粉砕して得られる粉末を基材上に塗布し、これにプラズマを照射して溶融させ多結晶シリコン膜を得る方法にも適用可能である。また、プラズマの着火を容易にするために、着火源を用いることも可能である。着火源としては、ガス給湯器などに用いられる点火用スパーク装置などを利用できる。また、説明においては簡単のため熱プラズマという言葉を用いているが、熱プラズマと低温プラズマの区分けは厳密には難しく、また、例えば、田中康規熱プラズマにおける非平衡性プラズマ核融合学会誌、Vol.82、No.82006pp.479-483において解説されているように、熱的平衡性のみでプラズマの種類を区分することも困難である。本発明は、基材を熱処理することを一つの目的としており、熱プラズマ、熱平衡プラズマ、高温プラズマなどの用語にとらわれず、高温のプラズマを照射する技術に関するものに適用可能である。また、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理する場合について詳しく例示したが、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理する場合においても、本発明は適用できる。プラズマガスに反応ガスを混ぜることにより、反応ガスによるプラズマを基材へ照射し、エッチングやCVDが実現できる。あるいは、プラズマガスとしては希ガスまたは希ガスに少量のH2ガスを加えたガスを用いつつ、シールドガスとして反応ガスを含むガスを供給することによって、プラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射し、エッチング、CVD、ドーピングなどのプラズマ処理を実現することもできる。プラズマガスとしてアルゴンを主成分とするガスを用いると、実施例で詳しく例示したように、熱プラズマが発生する。一方、プラズマガスとしてヘリウムを主成分とするガスを用いると、比較的低温のプラズマを発生させることができる。このような方法で、基材をあまり加熱することなく、エッチングや成膜などの処理が可能となる。エッチングに用いる反応ガスとしては、ハロゲン含有ガス、例えば、CxFyx、yは自然数、SF6などがあり、シリコンやシリコン化合物などをエッチングすることができる。反応ガスとしてO2を用いれば、有機物の除去、レジストアッシングなどが可能となる。CVDに用いる反応ガスとしては、モノシラン、ジシランなどがあり、シリコンやシリコン化合物の成膜が可能となる。あるいは、TEOSTetraethoxysilaneに代表されるシリコンを含有した有機ガスとO2の混合ガスを用いれば、シリコン酸化膜を成膜することができる。その他、撥水性親水性を改質する表面処理など、種々の低温プラズマ処理が可能である。従来技術例えば、特許文献7に記載のものに比較すると、誘導結合型であるため、単位体積あたり高いパワー密度を投入してもアーク放電に移行しにくいため、より高密度なプラズマが発生可能であり、その結果、速い反応速度が得られ、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することが可能となる。"