"測定ダイアフラムに歪センサが形成されている圧力センサにおいて、第1の半導体基板の一方の面に形成された半導体歪ゲージと、前記第1の半導体基板の一方の面に一方の面が接合された第2の半導体基板と、前記半導体歪ゲージを挟んで前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板の一方の面に直交して互いに対向して設けられ前記半導体歪ゲージを含む測定ダイアフラムを形成する第1,第2の測定室と、前記第1の半導体基板の他方の面に一面が接して設けられた支持基板と、この支持基板の他方の面に低融点ガラスを介して一面が接する金属よりなる支持台と、一端が前記第1の測定室に連通し一端側が前記支持基板に設けられ他端側が前記支持台に設けられた他端が外部に開口する第1の導圧孔と、一端が前記第2の測定室に連通し一端側が前記支持基板に設けられ他端側が前記支持台に設けられた他端が外部に開口する第2の導圧孔と、を具備したことを特徴とする圧力センサ。前記測定ダイアフラムと前記第1の測定室との第1の隙間と前記測定ダイアフラムと前記第2の測定室との第2の隙間とが前記測定ダイアフラムに過大圧が印加された場合に前記測定ダイアフラムが前記測定室に当たり保護されるような隙間に調節されたことを特徴とする請求項1記載の圧力センサ。前記第1の半導体基板の一方の面に設けられ前記歪ゲージに一端がそれぞれ接続された第1,第2の半導体電気配線と、前記第1の半導体基板に設けられ一端が前記第1,第2の半導体電気配線に電気的に接続され他方端が外部に取り出される複数の電極パッドと、を具備したことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の圧力センサ。前記複数の電極パッドは、前記第2の半導体基板の端部が切り欠かれて露出した前記第1の半導体基板の一方の面に設けられたことを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れかに記載の圧力センサ。前記第1,第2の測定室は、IPCエッチングにより形成されたことを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れかに記載の圧力センサ。このような装置においては、以下の問題点がある。このような半導体圧力センサを使った伝送器では、高圧側と低圧側のオイルが封入されている伝導穴構造、特に,圧力センサ周辺部の構造が違うため配管抵抗や封入されているオイル量が異なる。温度変化によるオイルの膨張、収縮で圧力が変化するが、オイル量が若干違うと圧力も異なるため、センサ特性へ影響を与える。過大圧保護をするためのセンターダイアフラムが必要で部品が多くなるためコストがかかる。更に、圧力、特に、静圧下でプロセスラインでの水衝撃等によって急激に圧力が変化する場合がある。この際に,高圧側及び低圧側の配管抵抗とオイル量が異なるため,オイル収縮の影響で高圧側と低圧側の圧力に時間のズレが発生するため,過大圧保護の動作点がずれてしまう場合がある。その時に,センサ部に大きな差圧が発生して圧力センサのダイアフラムに大きな差圧が加わりダイアフラムが破壊してしまう場合がある。本発明の目的は、上記の課題を解決するもので、特性が安定で、ローコスト化が可能な圧力センサを提供することにある。このような課題を達成するために、本発明では、請求項1の圧力センサにおいては、測定ダイアフラムに歪センサが形成されている圧力センサにおいて、第1の半導体基板の一方の面に形成された半導体歪ゲージと、前記第1の半導体基板の一方の面に一方の面が接合された第2の半導体基板と、前記半導体歪ゲージを挟んで前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板の一方の面に直交して互いに対向して設けられ前記半導体歪ゲージを含む測定ダイアフラムを形成する第1,第2の測定室と、前記第1の半導体基板の他方の面に一面が接して設けられた支持基板と、この支持基板の他方の面に低融点ガラスを介して一面が接する金属よりなる支持台と、一端が前記第1の測定室に連通し一端側が前記支持基板に設けられ他端側が前記支持台に設けられた他端が外部に開口する第1の導圧孔と、一端が前記第2の測定室に連通し一端側が前記支持基板に設けられ他端側が前記支持台に設けられた他端が外部に開口する第2の導圧孔と、を具備したことを特徴とする。本発明の請求項2の圧力センサにおいては、請求項1記載の圧力センサにおいて、前記測定ダイアフラムと前記第1の測定室との第1の隙間と前記測定ダイアフラムと前記第2の測定室との第2の隙間とが前記測定ダイアフラムに過大圧が印加された場合に前記測定ダイアフラムが前記測定室に当たり保護されるような隙間に調節されたことを特徴とする。本発明の請求項3の圧力センサにおいては、請求項1又は請求項2記載の圧力センサにおいて、前記第1の半導体基板の一方の面に設けられ前記歪ゲージに一端がそれぞれ接続された第1,第2の半導体電気配線と、前記第1の半導体基板に設けられ一端が前記第1,第2の半導体電気配線に電気的に接続され他方端が外部に取り出される複数の電極パッドと、を具備したことを特徴とする。本発明の請求項4の圧力センサにおいては、請求項1乃至請求項3の何れかに記載の圧力センサにおいて、前記複数の電極パッドは、前記第2の半導体基板の端部が切り欠かれて露出した前記第1の半導体基板の一方の面に設けられたことを特徴とする。本発明の請求項5の圧力センサにおいては、請求項1乃至請求項4の何れかに記載の圧力センサにおいて、前記第1,第2の測定室は、IPCエッチングにより形成されたことを特徴とする。本発明の請求項1によれば、次のような効果がある。圧力センサの低圧側、高圧側の構造を対称にすることで、圧力,特に静圧化で急激に圧力が変化した場合でも,高圧側及び低圧側の配管抵抗とオイル量が同じであるため,オイルが収縮しても高圧側と低圧側の圧力も同じになる。そのため、プロセスラインでの水衝撃による急激な圧力変化でも差圧が発生しないため、ダイアフラムに過大な差圧が加わることがない。そのためセンサは破壊しない。また、温度変化によるオイルの膨張、収縮で発生する圧力も等しくなるため、温度特性が安定になる圧力センサが得られる。第1の導圧孔と第2の導圧孔の開口部が支持台に設けられたので、支持台側から全ての測定圧の入力が出来、測定圧の入力の取り扱いが容易な圧力センサが得られる。本発明の請求項2によれば、次のような効果がある。請求項1の効果以外にギャップを調整することで過大圧が加わった場合にダイアフラムが対面にぶつかることでダイアフラム破壊を防止する設計が可能になる。そのため、過大圧保護構造であるセンタダイアフラムも不要にすることができ、低コストな圧力センサが得られる。本発明の請求項3によれば、次のような効果がある。第1の半導体基板の一方の面に設けられ、歪ゲージに一端がそれぞれ接続された第1,第2の半導体電気配線と、第1の半導体基板に設けられ一端が、第1,第2の半導体電気配線に電気的に接続され他方端が外部に取り出される複数の電極パッドとが設けられたので、構成が簡潔に出来、更に、低コストな圧力センサが得られる。本発明の請求項4によれば、次のような効果がある。電極パッドは、第2の半導体基板の端部が切り欠かれて露出した第1の半導体基板の一方の面に設けられたので、第1の半導体基板の一方の面に対向する方向から全ての信号取出しが出来、信号取出の接続が容易な圧力センサが得られる。本発明の請求項5によれば、次のような効果がある。第1,第2の測定室は、IPCエッチングにより形成されたので、横方向にエッチングが広がらないため穴の側面を垂直に加工できる。そのため、穴を小さく出来るため、センサが小型化できる圧力センサが得られる。また、サイドエッチングしないため、寸法再現性が良く、形状が安定になる。その結果、小型で形状再現性が良い圧力センサが得られる。以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。図1は本発明の一実施例の要部構成説明図で図2のA-A断面図、図2は図1の上面図、図3は図2のB-B断面図、図4は図2のC-C断面図である。図5から図11は図1の製作工程説明図である。図において、図12と同一記号の構成は同一機能を表す。以下、図12との相違部分のみ説明する。図1において、半導体歪ゲージ22は、第1の半導体基板21の一方の面に形成されている。この場合は、第1の半導体基板21はシリコン基板が使用されている。第2の半導体基板23は、第1の半導体基板21の一方の面に一方の面が接合されている。この場合は、第2の半導体基板23はシリコン基板が使用されている。第1,第2の測定室24,25は、半導体歪ゲージ22を挟んで、第1の半導体基板21と第2の半導体基板23の一方の面に直交して、互いに対向して設けられ、半導体歪ゲージ22を含む測定ダイアフラム26を形成する。この場合は、測定ダイアフラム26と第1の測定室24との第1の隙間24aと、測定ダイアフラム26と第2の測定室25との第2の隙間25aとが、測定ダイアフラム26に過大圧が印加された場合に、測定ダイアフラム26が測定室24,25に当たり保護されるような隙間に調節されている。支持基板27は、第1の半導体基板21の他方の面に一面が接して設けられている。この場合は、ガラスが用いられている。支持台28は、この支持基板27の他方の面に、低融点ガラス29を介して一面が接し、金属よりなる。第1の導圧孔31は、一端が第1の測定室24に連通し、一端側が支持基板27に設けられ、他端側が支持台28に設けられ、他端が外部に開口する。第2の導圧孔32は、一端が第2の測定室25に連通し、一端側が支持基板27に設けられ、他端側が支持台28に設けられ、他端が外部に開口する。第1,第2の半導体電気配線33,34は、第1の半導体基板21の一方の面に設けられ、歪ゲージ22に一端がそれぞれ接続されている。図2に示す如く、複数の電極パッド35a,35b,35c,35d,35eは、第1の半導体基板21に設けられ、一端が第1,第2の半導体電気配線33,34に電気的に接続され、他方端が外部に取り出される。この場合は、電極パッド35a,35b,35c,35d,35eは、第2の半導体基板23の端部が切り欠かれて露出した、第1の半導体基板21の一方の面に設けられている。なお、第1,第2の測定室24,25は、IPCエッチングInductiveCoupledPlasmaReactiveIonEtchingにより形成されている。以上の構成において、図5に示す如く、第1のシリコン基板101に拡散抵抗などの振動式半導体歪ゲージ102と、振動式半導体歪ゲージ102に一端が接続された第1,第2の半導体電気配線103,104を形成する。ここで、図5において、aは図2のA-A断面図における制作工程、bは図2のB-B断面図における制作工程を示す。以下、図5から図11において同じ。図6に示す如く、第2のシリコン基板105の両端をカットして、第1のシリコン基板101の一方の面に、後に示す電極用のパットが形成できるようにする。図7に示す如く、第1のシリコン基板101に、第2のシリコン基板105を接合する。図8に示す如く、IPCエッチングにより、第1の測定室106と第2の測定室107とを形成し、同時に、測定ダイアフラム108を形成する。そして、パット部の電極109a,109b,109c、109d,109eをスパッタ等で形成する。図9に示す如く、ガラス材よりなる支持基板110に、第1の導圧孔111と第2の導圧孔112を形成する。図10に示す如く、支持基板110に第1のシリコン基板101と第2のシリコン基板105とを接合する。図11に示す如く、支持台113を、低融点ガラス114を介して、支持基板109に接続する。そして、支持台113に、第1の導圧孔111と第2の導圧孔112とにそれぞれ連通する連通孔115,116を設ける。この結果、圧力センサの低圧側、高圧側の構造を対称にすることで、圧力,特に静圧化で急激に圧力が変化した場合でも,高圧側及び低圧側の配管抵抗とオイル量が同じであるため,オイルが収縮しても高圧側と低圧側の圧力も同じになる。そのため、プロセスラインでの水衝撃による急激な圧力変化でも差圧が発生しないため、ダイアフラムに過大な差圧が加わることがない。そのためセンサは破壊しない。また、温度変化によるオイルの膨張、収縮で発生する圧力も等しくなるため、温度特性が安定になる圧力センサが得られる。第1の導圧孔31と第2の導圧孔32の開口部が支持台28に設けられたので、支持台28側から全ての測定圧の入力が出来、測定圧の入力の取り扱いが容易な圧力センサが得られる。請求項1の効果以外にギャップ24a、24bを調整することで、過大圧が加わった場合にダイアフラム26が対面にぶつかることで、ダイアフラム破壊を防止する設計が可能になる。そのため、過大圧保護構造であるセンタダイアフラムも不要にすることができ、低コストな圧力センサが得られる。第1の半導体基板21の一方の面に設けられ、歪ゲージ22に一端がそれぞれ接続された第1,第2の半導体電気配線33,34と、第1の半導体基板21に設けられ一端が、第1,第2の半導体電気配線33,34に電気的に接続され、他方端が外部に取り出される複数の電極パッド35とが設けられたので、構成が簡潔に出来、更に、低コストな圧力センサが得られる。電極パッド35は、第2の半導体基板23の端部が切り欠かれて露出した、第1の半導体基板21の一方の面に設けられたので、第1の半導体基板21の一方の面に対向する方向から全ての信号取出しが出来、信号取出の接続が容易な圧力センサが得られる。第1,第2の測定室24,25は、IPCエッチングにより形成されたので、横方向にエッチングが広がらないため穴の側面を垂直に加工できる。そのため、穴を小さく出来るため、センサが小型化できる圧力センサが得られる。また、サイドエッチングしないため、寸法再現性が良く、形状が安定になる。その結果、小型で形状再現性が良い圧力センサが得られる。なお、前述の実施例においては、支持基板27に付いて、ガラスが使用されていると説明したが、これに限ることはなく、例えば、サファイアであっても良い。また、以上の説明は、本発明の説明および例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎない。したがって本発明は、上記実施例に限定されることなく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、変形をも含むものである。"