基板上に形成されるバッファ層及び発光構造体を含む窒化物系発光素子であって、基板と、前記基板上に形成されるバッファ層と、前記バッファ層上に形成され、複数の窒化物層が積層されている発光構造体と、を含み、前記基板とバッファ層との間にエアホールが形成されていることを特徴とする窒化物系発光素子。前記発光構造体は、前記バッファ層上に形成されるn型の窒化物層と、前記n型の窒化物層上に形成される発光活性層と、前記発光活性層上に形成されるp型の窒化物層と、を含むことを特徴とする、請求項1に記載の窒化物系発光素子。前記基板は、n型のシリコン基板であることを特徴とする、請求項2に記載の窒化物系発光素子。前記バッファ層は、n型のバッファ層であることを特徴とする、請求項3に記載の窒化物系発光素子。前記発光構造体は、前記バッファ層上に形成されるp型の窒化物層と、前記p型の窒化物層の上部に形成される発光活性層と、前記発光活性層の上部に形成されるn型のZnO層と、を含むことを特徴とする、請求項1に記載の窒化物系発光素子。前記基板は、p型のシリコン基板であることを特徴とする、請求項5に記載の窒化物系発光素子。前記バッファ層は、p型のバッファ層であることを特徴とする、請求項6に記載の窒化物系発光素子。基板上に形成されるバッファ層及び発光構造体を含む窒化物系発光素子の製造方法であって、基板上にウルツ鉱型格子構造を有する物質を蒸着して蒸着層を形成し、前記蒸着層の表面にエッチングパターンを形成することによって、パターン化された格子緩衝層を形成し、前記パターン化された格子緩衝層上に窒化物を成長させることによってバッファ層及び発光構造体を形成することを含み、前記パターン化された格子緩衝層上に窒化物を成長させることによってバッファ層及び発光構造体を形成するときは、前記パターン化された格子緩衝層を除去し、前記除去された部分にエアギャップを形成することを特徴とする窒化物系発光素子の製造方法。前記蒸着層は、ZnOで形成されることを特徴とする、請求項8に記載の窒化物系発光素子の製造方法。前記蒸着層は、MOCVD方法で形成されることを特徴とする、請求項9に記載の窒化物系発光素子の製造方法。前記蒸着層は、スパッタリング方法で形成されることを特徴とする、請求項9に記載の窒化物系発光素子の製造方法。前記パターン化された格子緩衝層上に窒化物を成長させることによってバッファ層及び発光構造体を形成することは、初期は窒素ガス雰囲気で実施し、その後は水素ガス雰囲気で実施することを特徴とする、請求項9に記載の窒化物系発光素子の製造方法。前記基板は、シリコン基板又はサファイア基板であることを特徴とする、請求項8に記載の窒化物系発光素子の製造方法。前記パターン化された格子緩衝層は、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で形成されることを特徴とする、請求項8に記載の窒化物系発光素子の製造方法。本発明の目的は、パターン化された格子緩衝層を形成し、窒化物の成長時に発生する線欠陥dislocationを最少化することができ、輝度向上に寄与するエアギャップを形成できる窒化物系発光素子の製造方法を提供することにある。本発明の他の目的は、パターン化された格子緩衝層を用いて窒化物の結晶性及び輝度を向上できる窒化物系発光素子を提供することにある。前記の一つの目的を達成するための本発明の実施例に係る窒化物系発光素子の製造方法は、基板上にウルツ鉱Wurtzite型格子構造を有する物質を蒸着して蒸着層を形成し、前記蒸着層の表面にエッチングパターンを形成することによって、パターン化された格子緩衝層を形成し、前記パターン化された格子緩衝層上に窒化物を成長させることを含み、前記パターン化された格子緩衝層上に窒化物を成長させるときは、前記パターン化された格子緩衝層を除去し、前記除去された部分にエアギャップを形成することを特徴とする。このとき、前記蒸着層はZnOで形成されることが望ましい。また、パターン化された格子緩衝層は、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で形成することができる。前記の他の目的を達成するための本発明の実施例に係る窒化物系発光素子は、基板と、前記基板上に形成されるバッファ層と、前記バッファ層上に形成され、複数の窒化物層が積層されている発光構造体とを含み、前記基板とバッファ層との間にエアホールが形成されていることを特徴とする。本発明に係る窒化物系発光素子の製造方法は、ウルツ鉱型構造を有し、表面パターンを有する格子緩衝層を用いる。したがって、本発明に係る窒化物系発光素子の製造方法は、窒化物の成長時に発生する線欠陥の密度を低下させることができ、また、窒化物の成長時にエアギャップを形成することができる。これによって、製造される窒化物系発光素子は、優れた結晶性と共にエアギャップを有することができ、輝度を向上させることができる。以下、添付の図面を参照して本発明の好適な実施例に係るシリコン基板を用いた窒化物系発光素子及びその製造方法について詳細に説明する。図1は、本発明の実施例に係るパターン化された格子緩衝層を用いた窒化物系発光素子の製造方法を概略的に示した図である。図1を参照すると、図示した窒化物系発光素子の製造方法は、蒸着層形成段階S10、パターン化された格子緩衝層形成段階S20及び窒化物成長段階S30を含む。まず、蒸着層形成段階S10では、図2に示した例のように、基板110上に格子緩衝層を形成できる物質を蒸着することによって蒸着層120を形成する。基板としては、サファイア基板、シリコン基板などのように、窒化物系発光素子の製造時に成長基板として用いられる多様な基板を用いることができる。蒸着層120は、MOCVD方法で形成することができる。また、蒸着層120は、スパッタリング方法で形成することができる。MOCVD方法で蒸着層を形成する場合、蒸着層の品質を高めることができる。一方、スパッタリング方法で蒸着層を形成する場合、蒸着層の成長速度を高めることができる。一方、格子緩衝層を形成できる物質は、ウルツ鉱型格子構造を有する物質であることが望ましい。発光素子に適用される窒化物は、主にウルツ鉱型格子構造を有するGaNである。したがって、格子緩衝層もウルツ鉱型構造を有する場合、基板と窒化物との格子ミスマッチングlatticemismatchingを緩和することができる。基板と窒化物における格子定数の差が大きい場合、成長する窒化物には多くの線欠陥が発生する。線欠陥の密度が高いほど窒化物の結晶性は低下し、発光素子の輝度低下をもたらす。したがって、格子ミスマッチングが緩和される場合、窒化物の成長時に線欠陥密度の減少をもたらす。その結果、製造される発光素子の結晶性及び輝度が向上する。ウルツ鉱型格子構造を有する物質としてはZnOを提示することができる。ZnOは、GaNと同様にウルツ鉱型構造を有する。また、ZnOは、格子定数がa=3249Å、c=5207Åであって、GaNの格子定数a=3189Å、c=5185Åと類似している。したがって、ZnO上にGaNを成長させる場合、格子マッチングによってGaNの成長時に発生する線欠陥を最少化することができる。ZnOは、水素ガスでエッチングすることができる。したがって、水素ガス雰囲気よりは窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガスなどの不活性ガス雰囲気でZnOの蒸着を行うことが望ましい。また、窒化物の成長も水素ガス雰囲気下で行うと、結晶品質がより良くなると知られている。しかし、水素ガス雰囲気下では、ZnO材質の格子緩衝層がエッチングされる。したがって、バッファ層のような1番目の窒化物層は不活性ガス雰囲気で形成し、残りの窒化物層は水素ガス雰囲気で形成することが望ましい。次に、パターン化された格子緩衝層形成段階S20では、蒸着層の表面にエッチングパターンを形成し、パターン化された格子緩衝層を形成する。パターン化された格子緩衝層は、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を用いて形成することができる。図3~図6は、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を用いてパターン化された格子緩衝層を形成する例を示した図である。まず、図3に示した例のように、蒸着層120上にフォトレジスト130を塗布する。その後、図4に示した例のように、露光、現像工程などを通してフォトレジストパターン130aを形成する。その後、図5に示した例のように、蒸着層120でフォトレジストパターン130aによって露出する部分がエッチングされることによって、パターン化された蒸着層120aが形成される。パターン化された蒸着層120aは、本発明のパターン化された格子緩衝層になる。その後、図6に示した例のように、残留するフォトレジストを除去する。フォトレジストの除去は、アセトン、メタノールなどを用いて行うことができ、脱イオン水を用いたリンスDIRinse過程を含むことができる。次に、窒化物成長段階S30では、パターン化された格子緩衝層図6参照120a上に、GaNに代表される窒化物140を成長させる。GaNのような窒化物は、ウルツ鉱型構造を有する格子緩衝層120aによって低い線欠陥密度で成長することができる。このとき、窒化物の成長過程でパターン化された格子緩衝層120aが除去され、図7に示した例のようにエアギャップ120bが形成される。格子緩衝層120aは、全体又は一部のみが除去される。エアギャップ150は、乱反射層の役割をし、窒化物系発光素子の輝度上昇に寄与することができる。エアギャップ120bを形成するために、水素ガス雰囲気で窒化物を成長させることができる。例えば、ZnOの場合、水素ガスによって容易にエッチングされる。したがって、格子緩衝層120aをZnOで形成し、窒化物の成長時に雰囲気ガスを水素ガスにすると、窒化物の成長過程でZnOエッチングを通して容易にエアホールを形成することができる。もちろん、窒化物の成長初期から水素ガスを使用すると、格子緩衝層のエッチングによって窒化物成長初期の格子緩衝の効果を得ることが難しいので、成長する窒化物の線欠陥密度が高くなる。したがって、窒化物の成長初期は窒素ガスを用いて窒化物を成長させることによって格子緩衝効果を確保し、その後は水素ガスを用いてZnOなどからなる格子緩衝層を除去することが望ましい。図2~図7に示した過程で製造される窒化物系発光素子は、基板、エアギャップ及び窒化物系発光構造体を含む。窒化物系発光構造体は、複数の窒化物層が積層されて形成される。図8は、本発明に係るパターン化された格子緩衝層を用いた窒化物系発光素子の実施例を示した図である。図8を参照すると、図示した窒化物系発光素子は、下側から、基板810、バッファ層820、非ドーピング窒化物層840、n型の窒化物層850、発光活性層860及びp型の窒化物層870を含む。図8に示した例で、基板810とバッファ層820との間にはエアギャップ830が形成されている。エアギャップ830は、上述したように、パターン化された格子緩衝層の除去を通して形成することができる。図8に示した例で、バッファ層820は、AlN、ZrN、GaNなどの窒化物で形成することができる。次に、バッファ層820の上部には、格子マッチングをより容易にするために非ドーピング窒化物層840を形成することができる。非ドーピング窒化物層840は、必要に応じて省略可能であり、基板810として非ドーピングシリコン基板やサファイア基板を用いる場合に適用することが望ましい。次に、n型の窒化物層850は、非ドーピング窒化物層840の上部に形成され、非ドーピング窒化物層840が省略される場合、バッファ層820の上部に形成される。n型の窒化物層850には、n型の電気的特性を示すようにシリコンSiなどの不純物がドーピングされている。次に、発光活性層860は、n型の窒化物層850の上部に形成される。発光活性層860は、MQWMultipleQuantumWell構造を有することができる。発光活性層860の例としては、InxGa1-xN01≦x≦03とGaNが交互に積層されている構造を提示することができる。次に、p型の窒化物層870は発光活性層860の上部に形成され、n型の窒化物層850とは反対の電気的特性を示す。このために、p型の窒化物層870にはMgなどの不純物がドーピングされている。図8に示した例で、基板810としては、n型のシリコン基板を用いることができる。n型のシリコン基板を用いる場合、発光活性層860の下部の各層がn型に形成される。また、基板としてn型のシリコン基板を用いる場合、シリコン基板自体をn―電極として活用することができる。したがって、垂直型発光素子の製造時にも成長基板を除去するリフトオフ工程を省略することができ、さらに、n―電極形成工程を省略することができる。したがって、基板810としてn型のシリコン基板を用いる場合、水平型発光素子のみならず、発光面積が相対的に広い垂直型発光素子も容易に製造することができる。また、基板810としてn型のシリコン基板を用いる場合、高温での窒化物の成長時における基板の反り現象が微々たるものになり、高温での窒化物の均質な成長が可能である。一方、バッファ層820も、n型に形成することができる。バッファ層820を形成するAlNなどの窒化物のほとんどは、大きな電気抵抗を有する。しかし、バッファ層820をn型に形成する場合、バッファ層の電気抵抗が低くなる。また、基板810としてn型のシリコン基板を用い、バッファ層840をn型に形成する場合、n型のシリコン基板に注入される電子が発光活性層870まで障壁なく容易に移動することができる。したがって、この場合、発光素子の駆動効率をさらに高めることができる。図9は、本発明に係るパターン化された格子緩衝層を用いた窒化物系発光素子の他の実施例を示した図である。図9を参照すると、図示した窒化物系発光素子は、下側から、基板910、バッファ層920、p型の窒化物層940、発光活性層950及びn型のZnO層960を含む。また、図9に示した例で、基板910とバッファ層920との間にはエアギャップ930が形成されている。エアギャップ930は、上述したように、パターン化された格子緩衝層の除去を通して形成することができる。図9に示した例で、基板910、バッファ層920、エアギャップ930、及び発光構造体を構成する各層940~950は上述した通りであるので、それについての詳細な説明は省略する。一方、図9を参照すると、基板910上にp型の窒化物層940が先に形成され、その上に発光活性層950が形成される。従来のほとんどの窒化物系発光素子の製造方法では、p型の窒化物層を、発光活性層を形成した後の最後の段階で形成した。このとき、p型の窒化物層形成過程で発光活性層に及ぼす影響を最小化するために、成長温度を低下させた状態でp型の窒化物を形成した。その結果、p型の窒化物の結晶品質が低下し、これは、発光効率の低下をもたらした。しかし、本実施例では、p型の窒化物層940を、発光活性層950を形成する前に形成することによって、高品質のp型の窒化物層を得ることができた。n型のZnO層960は、発光活性層950の上部に形成され、p型の窒化物層940とは反対のn型の電気的特性を示す。n型のZnO層960にはSiなどがドーピングされていてもよい。ZnOは、上述したように、GaNとほぼ同一のウルツ鉱型格子構造を有する。また、ZnOは700~800°Cの温度でも成長が可能であるので、ZnOの成長時に下部の発光活性層950に及ぼす影響を最小化し、結晶品質を向上させることができる。したがって、本発明に適用されるn型のZnO層960は、1200°C程度の高温で成長するn型のGaNに取って代わるものである。また、図9に示した例で、基板910としては、p型のシリコン基板を用いることができる。p型のシリコン基板を用いる場合、発光活性層950の下部の各層がp型に形成される。基板910としてp型のシリコン基板を用いる場合、シリコン基板自体をp―電極として活用することができる。このとき、バッファ層920もp型に形成することができる。一方、バッファ層920をp型に形成する場合、バッファ層920のマグネシウムMgなどの不純物が基板910に浸透するようになる。この場合、基板910にp型の電気的特性が与えられる。したがって、基板910として絶縁特性を有するサファイア基板を用いるとしても、従来の垂直型発光素子の製造時とは異なって、その除去を要しない。上述したように、本発明に係る窒化物系発光素子の製造方法は、ウルツ鉱型構造を有し、表面パターンを有する格子緩衝層を用いる。したがって、本発明に係る窒化物系発光素子の製造方法は、窒化物の成長時に発生する線欠陥密度を低下させることができ、また、窒化物の成長時にエアギャップを形成することができる。これによって、製造される窒化物系発光素子の輝度を向上させることができる。以上、本発明は、実施例を中心に説明したが、当業者の水準で多様な変更や変形が可能である。このような変更と変形は、本発明の範囲を逸脱しない限り、本発明に属するものといえる。したがって、本発明の権利範囲は、以下で記載する特許請求の範囲によって判断しなければならない。