"Cuと、Al、In及びGaからなる群から選ばれる少なくとも1種以上のIIIb族元素と、O,S,Se及びTeからなる群から選ばれる少なくとも1種以上のVIb族元素を含むp型光吸収層と、前記p型光吸収層上に形成されるZn1-yMyO1-xSx、またはZn1-y-zMgzMyOMはB、Al、In及びGaからなる群から選ばれる少なくとも1つの元素、または、キャリア濃度を制御したGaPで表されるいずれかのn型半導体層と、を備え、前記Zn1-yMyO1-xSx及びZn1-y-zMgzMyOにおいて、x、y、zは0.55≦x≦1.0、0.001≦y≦0.05及び0.002≦yz≦1.0の関係を満たすことを特徴とする光電変換素子。前記GaPは、S、Se、Teからなる群から選ばれる1種以上のキャリア元素がドープされていることを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。前記GaPのキャリア濃度は、1014cm-3以上、1021cm-3以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の光電変換素子。請求項1乃至請求項3いずれか1項記載の光電変換素子を用いてなることを特徴とする太陽電池。実施形態は、開放電圧を増加させた光電変換素子および太陽電池を提供することを目的とする。実施形態の光電変換素子は、Cuと、Al、In及びGaからなる群から選ばれる少なくとも1種以上のIIIb族元素と、O,S,Se及びTeからなる群から選ばれる少なくとも1種以上のVIb族元素を含むp型光吸収層と、p型光吸収層上に形成されるZn1-yMyO1-xSx、またはZn1-y-zMgzMyOMはB、Al、In及びGaからなる群から選ばれる少なくとも1つの元素、または、キャリア濃度を制御したGaPで表されるいずれかのn型半導体層と、を備え、Zn1-yMyO1-xSx及びZn1-y-zMgzMyOにおいて、x、y、zは0.55≦x≦1.0、0.001≦y≦0.05及び0.002≦yz≦1.0の関係を満たすことを特徴とする。また、他の実施形態の太陽電池は、前記実施形態の光電変換素子を用いてなることを特徴とする。以下、図面を参照しながら、本発明の好適な一実施形態について詳細に説明する。光電変換素子図1の本実施形態に係る光電変換素子は、ソーダライムガラス1と、ソーダライムガラス1上に形成された下部電極2と、下部電極2上に形成されたp型光吸収層3と、p型光吸収層3上に形成されたn型半導体層4と、n型半導体層4上に形成された半絶縁層5と、半絶縁層5上に形成された透明電極6と、透明電極6上に形成された上部電極7と反射防止膜8と、を備える薄膜型光電変換素子である。実施形態において、図1の構成の光電変換素子を例に説明するが、下部電極2と上部電極7間にp型光吸収層3と、p型光吸収層3上にn型半導体層4が形成されていれば、他の構成については、特に限定するものではない。実施形態のp型光吸収層3は、Ib族元素、Al、In及びGaからなる群から選ばれる少なくとも1種以上のIIIb族元素、及びO,S,Se及びTeからなる群から選ばれる少なくとも1種以上のVIb族元素を含む化合物半導体であることが好ましい。Ib族元素の中からはCuを用いることがp型半導体を形成しやすいことからより望ましい。また、IIIb族元素の中からはInを用いることがGaとの組み合わせによりバンドギャップの大きさを目的とする値にしやすいことからより望ましい。また、VIb族元素の中からはTeを用いることがp型半導体になりやすいことからより望ましい。具体的には、p型光吸収層3として、CuIn,GaS,Se2、CuIn,GaSe,Te2、CuIn,Ga3Se,Te5、又はCuAl,Ga,InSe2、Cu2ZnSnS4等、より具体的には、CuInSe2、CuInTe2、CuGaSe2、CuIn3Te5等の化合物半導体を使用することができる。これら望ましい元素は、CBMの位置が高い、すなわち、エネルギーが小さければ、Te、Ga、Sが比較的多い化合物が有利である。実施形態のn型半導体層4はバッファー層として用いられ、高い開放電圧の光電変換素子を得ることのできるようにフェルミ準位が制御されたn型半導体が好ましい。そこで、実施形態では、Zn1-yMyO1-xSx、Zn1-y-zMgzMyOMはB、Al、In及びGaからなる群から選ばれる少なくとも1つの元素又はキャリア濃度を制御したn型のGaPのいずれかが好ましい。上記のn型半導体層4のうち、Zn1-yMyO1-xSxとZn1-y-zMgzMyOMはB、Al、In及びGaからなる群から選ばれる少なくとも1つの元素について説明する。光電変換素子のn型半導体層4として、ZnO1-xSxやZn1-zMgzOが従来、CBMを調整することのできるn型半導体層として知られている。しかし、OやSの欠陥や、化学量論比のずれにより、キャリアが導入されるだけで、開放電圧を上げるという目的にかなう程度にフェルミ準位の制御をすることは困難である。また、欠陥を利用したキャリアドープには結晶性の低下の問題がある。そこで上記のZnO1-xSxやZn1-zMgzOのZnをB、Al、In及びGaからなる群から選ばれる1種以上の元素キャリアで部分置換したことによりフェルミ準位を調節し開放電圧を上げた。ここで、S量であるxの値が0.5以下である場合、相対的にp型光吸収層3のCBMの位置が高いCBMのエネルギーが小さいため、開放電圧の増大は期待できない。そのため、0.55≦x≦1.0を満たすことが好ましい。例えば、p型光吸収層3がCuInSe2のようにCBMが比較的低い4.3eV以上、4.6eV以下の範囲内にある半導体層の場合はxの値が大きくなるにつれ、n型半導体層のバリアが高くなり短絡電流値が急激に小さくなる傾向があるため、xは0.55以上、0.7以下、さらには、0.6以上、0.68以下であることが好ましい。一方でCuInTe2のようにCBMが比較的高い3.5eV以上、4.0eV以下の範囲内にある半導体層の場合は、xが1に近い範囲、例えば0.65以上、1以下、さらには、0.68以上、0.85以下の範囲内のxであることが望ましい。CuGaSe2のように、上記の中間のCBMが3.8eV以上、4.3eV以下の範囲内にある半導体層の場合、xはこれらの中間領域である0.6以上、0.8以下、さらには、0.65以上、0.75以下にあることが望ましい。yの値が0の場合、実効的なキャリア濃度は欠陥により発生するために、特に光照射量が少ない場合の開放電圧は小さくなる傾向がある。一方で、yの値が大きくなりすぎると、Mによるn型半導体層中の移動度の低下を招き、n型半導体層内部でのキャリアの再結合割合が増加し、その結果短絡電流密度を減少させてしまう恐れがあるため、0.001≦y≦0.05の範囲が望ましい。このyの範囲は、好ましくは、0.005≦y≦0.04、さらには、0.01≦y≦0.03にあることが望ましい。また、このyの範囲は、非金属的温度依存性を示しているであればy>0.05であっても良く、ドーパントの種類により増減しうる。Mgは、CBMを適正な範囲とするためのものであり、そのMg量であるzの値があまり大きいと、Zn1-y-zMgzMyOの結晶構造がNaCl型となり望ましくない。そこで、yzは、0.001<yz≦0.55、さらには0.2以上が、結晶構造がZnOWurzite型となるため好ましい。一方で、yの値が大きくなりすぎると、Mによるn型半導体層中の移動度の低下を招き、n型半導体層内部でのキャリアの再結合割合が増加し、その結果短絡電流密度を減少させてしまう恐れがあるため、0.001≦y≦0.05の範囲が望ましい。Zn1-y-zMgzMyOのzは、0<z≦0.5が望ましい。その中でも、p型光吸収層3がCuInSe2のようにCBMが比較的低い4.3eV以上、4.6eV以下の範囲内にある半導体層の場合は、上記と同様の理由により0.1≦z≦0.4が好ましく、より好ましくは0.15≦z≦0.3である。また、p型光吸収層3がCuGaSe2のように、上記の中間のCBMが3.8eV以上、4.3eV以下の範囲内にある半導体層の場合、上記と同様の理由により0.15≦z≦0.5が好ましく、より好ましくは0.2≦z≦0.5である。また、p型光吸収層3がCuInTe2のようにCBMが比較的高い3.5eV以上、4.0eV以下の範囲内にある半導体層の場合は、0.2≦z≦0.5が好ましく、より好ましくは0.25≦z≦0.5である。上記のn型半導体層4のうち、キャリア濃度を制御したn型のGaPについて説明する。GaPは半導体基板としては知られているものの、光電変換素子のバッファー層として用いられてはいない。実施形態のn型半導体層4として用いるGaP型バッファー層は、キャリアをドープすることで、フェルミ準位を調節し開放電圧を上げた。実施形態のGaPは、S、Se、Teからなる群から選ばれる1種以上の元素がドープされていることが望ましい。開放電圧を調整するためにはGaの一部又は全部をAlで置換したGaαAl1-αPでもよい。GaPの上記元素のキャリア濃度は、1014cm-3以上、1021cm-3以下であることが望ましい。そのキャリア濃度は、好ましくは2.0×1014cm-3以上、5.0×1017cm-3以下、さらには3.0×1014cm-3以上、8.0×1016cm-3以下が好ましい。次にp型光吸収層3とn型半導体層の材料選定について説明する。p型光吸収層3のCBMの位置EcpeV、n型半導体層のCBMの位置EcneVは材料系によって異なり、pn接合を作製した際に整流性の出るもの、出ないものは、仕事関数、活性化ギャップの大きさから判断が可能となる。pn接合を作製する際は、図2に示すように光電変換素子として用いる場合、一般的にp、n層のバンドギャップの大きさは1eVを超えているためp、n層間の伝導帯下端の位置CBMの差ΔEc=|Ecp-Ecn|がバンドギャップの小さい層の半分以上であれば実施形態の効果を確認することが出来るバンドギャップが1.0eVの際、ΔEcは0.5eV以内が望ましい。望ましくは、ΔEcが0.3eV以内であり、究極的にはホモ接合のようにΔEc=0.0、現実的にはΔEcが0.1eV以内に収まることがより望ましい。CBMの差はX線光電子分光XPS:X-rayPhotoelectronSpectroscopyによりp型光吸収層3、n型半導体層4の価電子帯位置を基準物質例えばAuから求め、光学測定などから求められる両層のバンドギャップの大きさを加えることで見積もりが可能となる。フォトキャリアがない場合において、EcpがEcnよりも高い場合、開放電圧の最大値はEcnとp型光吸収層のフェルミ準位の間の大きさで決まるが、EcpがEcnよりも低い場合、開放電圧の最大値はp型、n型の半導体層のフェルミ準位の間の大きさで決まる。更に、n型半導体層のフェルミ準位がp型光吸収層のCBMの位置よりも高い場所に存在する場合、n型半導体層の電子がp型光吸収層側のキャリアと相殺し、開放電圧の最大値は大幅に減少する。一方で、p型光吸収層のCBMの位置が低すぎる場合、相対的にn型半導体層のバリアが高くなり、p型光吸収層で発生したキャリアがn型半導体層を超えられず、電流密度を高く出来ないという問題点がある。これは電流密度を上げる際に顕著な問題となる。図3に示すようにCu-In-Te系等の光吸収層材料のCBMはZnOのCBMより高く、ZnSのCBMより低いため、ZnO1-xSxで表される材料において、Sの置換率xを調整することにより、ZnO1-xSxのCBMをZnO、ZnSのCBMとの間で連続的に制御することが可能である。また、同様にCu-In-Te系等の光吸収層材料のCBMはZnOのCBMより高く、MgOのCBMより低いため、Zn1-zMgzOで表される材料において、Mgの置換率aを調整することにより、Zn1-zMgzOのCBMをZnO、MgOのCBMとの間で連続的に制御することが可能である。更に、AlなどキャリアでZnの一部を置換させ、その置換率y、zを変化させることで、Zn1-yAlyO1-xSx、Zn1-y-zMgzAlyOにおいてはCBMを大きく動かさずにフェルミ準位の制御が可能となる。Znの置換元素がAlだけでなく、B,In及びGaの少なくともいずれか1種であっても、同様にCBMを大きく動かさずにフェルミ準位の制御が可能となる。また、Cu-In-Te系等の光吸収層材料のCBMとn型半導体層のCBMバンドオフセットを解消するようにGaPとAlPの比率を調整することにより、GaαAl1-αPを調整することが可能である。CBMオフセットが最適化された形態で、キャリア濃度を制御して、CBMを大きく動かさずにフェルミ順位の制御が可能となる。GaαAl1-αPにはInが含まれていてもよい。なお、意図的な添加だけでなく、p型光吸収層4に例えばCuIn,GaSe2等のCIGSを用いた場合、CIGSのInが拡散によって、n型半導体層に含まれることがある。GaαAl1-α―βInβPで表すと、βが、0<β≦0.1、望ましくは、0<β≦0.05である。上記のようにCBMオフセットが最適化されることによりpn界面での再結合のロスを押さえ、フェルミ準位を制御することで、光照射量が少ない場合でも高い開放電圧を得られやすくなり変換効率を向上させることが可能となる。なお、n型半導体層4にGaPを母体とする材料を用いる場合、p型光吸収層3としてCuInS2やCuInTe2を選択すると、n型半導体層4のCBMがp型光吸収層3のCBMよりも低く、開放電圧向上には不利であるため、SやTeの一部をSeで置換することが望ましい。また、Seの化合物の場合CuInSe2、CuGaSe2もしくは一部をS、Teで置換した場合、p型光吸収層3/n型半導体層4の格子定数が極めて近いことから、エピタキシャル成長も容易である。n型半導体のフェルミ準位の位置の求め方について説明する。キャリア濃度をnとすると、式1,2で表されるため、伝導帯のエネルギーとフェルミ準位のエネルギーの差は式3のようになる。式1式2式3これは、キャリア濃度が高い程フェルミ準位が伝導帯に近づくことを意味し、ZnO1-xSxにおいては形式価数2であるZnの一部をB、Al、Ga、Inなどの形式価数3である元素で置換することで電子ドープを行い、フェルミ準位を伝導帯近くに移動することが可能となる。また、CBMとフェルミ準位の差Ec-Efは、電気抵抗率の活性化ギャップから式4のように求めることが可能となる。式4Ec、Ef、mn、k、T、h、ρnはそれぞれ、伝導帯のエネルギー、フェルミ準位のエネルギー、電子の質量、Boltzmann定数、絶対温度、Planck定数、定数である。p型光吸収層のCBMとフェルミ準位の差は、n型半導体層と同様に下記式にて求めることができる。式5式6式7Ef、Ev、mp、k、T、h、ρpはそれぞれ、伝導帯のエネルギー、フェルミ準位のエネルギー、ホール正孔の質量、Boltzmann定数、絶対温度、Planck定数、定数である。上記に説明した、CBM、フェルミ準位から、好適なp型光吸収層3とn型半導体層4を適宜、設計選択すればよい。例えば、Zn1-yAlyO0.3S0.7のフェルミ準位の位置は、活性化エネルギーがy=0.01の150meVからy=0.02の60meVへと減少していることから、y=0.01からy=0.02にかけて90meV上昇していると確認できる両値は、実施例1Aと実施例1Bの値。それに伴い開放電圧も増大する。p型光吸収層3についても、キャリア濃度の増大とともにフェルミ準位が価電子帯に近づき、開放電圧向上につながる。以下、図1の実施形態の光電変換素子の概念図を例に、実施形態の光電変換素子について説明する。図1の光電変換素子は、例えばソーダライムガラス青板ガラスよりなる基板1と、ソーダライムガラス1上に形成された下部電極2と、下部電極2上に形成されたp型光吸収層3と、p型光吸収層3上に形成されたn型半導体層4と、n型半導体層4上に形成された半絶縁層5と、半絶縁層5上に形成された透明電極6と、透明電極6上に形成された上部電極7と反射防止膜8と、を備える光電変換素子の製造方法本実施形態では、まず、基板1上に下部電極2を形成する。下部電極2は、Mo等の導電性材料から構成される金属層である。下部電極2の形成方法としては、例えば、金属Moよりなるターゲットを用いたスパッタリング等の薄膜形成方法が挙げられる。基板1上に下部電極2を形成した後、p型光吸収層3を下部電極2上に形成する。p型光吸収層3の形成方法としては、スパッタリング、蒸着法等の薄膜形成方法が挙げられる。スパッタリングを用いる方法では、Arを含む雰囲気中、基板温度を10~400°Cとすることが好ましく、さらには250~350°Cで行うことがより好ましい。基板1の温度が低すぎる場合、形成されるp型光吸収層3の結晶性が悪くなり、逆にその温度が高すぎる場合、p型光吸収層3の結晶粒が大きくなりすぎ、光電変換素子の変換効率を下げる要因となりうる。p型光吸収層3を成膜後、結晶粒成長をコントロールするためにアニールを行うのも良い。p型光吸収層3を形成した後、n型半導体層4をp型光吸収層3上に形成する。n型半導体層4の形成方法としては、スパッタリング、蒸着法、化学気相蒸着法CVD:ChemicalVaporDeposition、分子線エピタキシー法MBE:MolecularBeamEpitaxy等が挙げられる。n型半導体層4をスパッタリングで形成する場合、基板温度は10~300°Cとすることが好ましく、200~250°Cで行うことがより好ましい。基板温度が低すぎると形成されるn型半導体層4の結晶性が悪くなり、逆にその温度が高すぎると目的とする結晶構造の材料が得られないため、目的のn型半導体層4を形成することが難しくなる。n型半導体層4を形成した後、n型半導体層4上にリーク電流を抑えるための半絶縁層5を形成し、半絶縁層5上に透明電極6を形成し、透明電極6上に上部電極7を形成する。上部電極7上には反射防止膜8を形成することが好ましい。なお、半絶縁層5はn型半導体層4の抵抗値が大きい場合は省略することも可能である。上記において、p型光吸収層は一部のものを例示して説明したが、他のp型光吸収層3を備える光電変換素子においても上記実施形態と同様の効果を得ることができる。実施例1A縦25mm×横15mm×厚さ1mmのソーダライムガラスよりなる基板上にMo単体から構成されるターゲットを用いAr気流中スパッタリングによりMoよりなる下部電極を形成する。下部電極の膜厚は600nmとする。ソーダライムガラス上のMo下部電極上にCu:In:Te=1:3:5のターゲットを用いAr気流中でスパッタリングを行いp型光吸収層を形成する。膜厚は1.5μmとする。続いてZn:Al:O:Sがモル比で99:1:30:70のターゲットを用いスパッタリングによりn型半導体層を形成する。膜厚は50nmとする。半絶縁層にはi-ZnOやZn:O:Sがモル比で100:30:70のターゲットを用いスパッタリングを行いn型半導体層を形成する。膜厚は200nmとする。n型半導体層の抵抗が高い場合はこの半絶縁層を省いてもかまわない。次に、通常の成膜方法により、Alよりなる膜厚1μmの上部電極、SiNよりなる膜厚100nmの反射防止膜層を形成する。これにより実施形態の光電変換素子を得ることができる。実施例1Bn型半導体層のスパッタにおいてターゲットとしてZn:Al:O:Sがモル比で98:2:30:70を用いること以外は実施例1Aと同様の方法で実施例1Bの光電変換素子を得る。実施例1Cn型半導体層のスパッタにおいてターゲットとしてZn:Al:O:Sがモル比で99:1:20:80を用いること以外は実施例1Aと同様の方法で実施例1Cの光電変換素子を得る。実施例1Dn型半導体層のスパッタにおいてターゲットとしてZn:Al:O:Sがモル比で98:2:20:80を用いること以外は実施例1Aと同様の方法で実施例1Dの光電変換素子を得る。実施例1En型半導体層のスパッタにおいてターゲットとしてZn:Mg:Al:Oがモル比で69:30:1:100を用いること以外は実施例1Aと同様の方法で実施例1Eの光電変換素子を得る。実施例1Fn型半導体層のスパッタにおいてターゲットとしてZn:Mg:Al:Oがモル比で68:30:2:100を用いること以外は実施例1-と同様の方法で実施例1Fの光電変換素子を得る。実施例1Gn型半導体層のスパッタにおいてターゲットとしてZn:Mg:Al:Oがモル比で67:28:5:100を用いること以外は実施例1Aと同様の方法で実施例1Gの光電変換素子を得る。実施例1Hn型半導体層のスパッタにおいてターゲットとしてZn:Al:O:Sがモル比で95:5:20:80を用いること以外は実施例1Aと同様の方法で実施例1Hの光電変換素子を得る。実施例1Cn型半導体層のスパッタにおいてターゲットとしてZn:Mg:Oがモル比で70:30:100を用いること以外は実施例1Aと同様の方法で比較例1Aの光電変換素子を得る。比較例1Bn型半導体層としてCdSで構成される層を形成する以外は実施例1と同様の方法で比較例1Bの光電変換素子を得る。なお、CdSで構成される層は化学溶液成長法により形成される。また、膜厚は100nmとする。比較例1Cn型半導体層のスパッタにおいてターゲットとしてZn:O:Sがモル比で100:30:70を用いること以外は実施例1Aと同様の方法で比較例1Cの光電変換素子を得る。実施例1A~1Jと比較例1A,Bの各光電変換素子について、n型半導体層の組成と開放電圧Vを測定した。その結果を表1にまとめて示す。なお、n型半導体層の組成は、あらかじめ組成の判明している試料を測定することにより校正したエネルギー分散型X線分析EDX:EnergyDispersiveX-rayspectroscopyにより測定する。EDX測定は、光電変換素子の中心部分をイオンミリングにより、n型半導体層上部の積層膜を削り取り、500,000倍で断面TEM観察すると共に、5点の平均組成から組成を調べることができる。なお、5点の定め方は、50万倍のTEM断面像を膜厚方向と直交する方向に5等分割し、分割された領域の中心点とする。開放電圧はソーラーシミュレータによりAM1.5の擬似太陽光照射下で、電圧源とマルチメータを用い、電圧源の電圧を変化させ、擬似太陽光照射下での電流が0mAとなる電圧を測定して値を得た。上記表1より、実施例1A~1Hは、比較例1A~Cに比較し、高い電圧を示し、本発明が有効であることが理解できる。実施例2A縦25mm×横15mm×厚さ1mmのソーダライムガラスよりなる基板上にMo単体から構成されるターゲット用いAr気流中スパッタリングによりMoよりなる下部電極を形成する。下部電極の膜厚は500nm~1μm600nmとする。ソーダライムガラス上のMo下部電極上にCu:In:Te=1:3:5のターゲットを用いAr気流中でスパッタリングを行いp型光吸収層を形成する。膜厚は2μmとする。続いてSをキャリアとし、その濃度を4.0×1015cm-3としたn型GaPをMBEにて成膜を行い、n型半導体層を形成する。膜厚は50nmとする。半絶縁層にはi-ZnOやZn:O:S=100:30:70のターゲットを用いスパッタリングを行いn型半導体層を形成する。膜厚は200nmとする。n型半導体層の抵抗が高い場合はこの半絶縁層を省いてもかまわない。次に、通常の成膜方法により、Alよりなる膜厚1μmの上部電極、SiNよりなる膜厚100nmの反射防止膜層を形成する。これにより実施形態の光電変換素子を得ることができる。実施例2Bp型光吸収層にCuGaSe2を選び、n型半導体層のSの濃度を8.0×10-15としたこと以外は実施例2Aと同様の方法で実施例2Bの光電変換素子を得る。実施例2Bp型光吸収層にCuGaSe2を選び、n型半導体層のキャリアをSeとし、その濃度を5.0×10-15としたこと以外は実施例2Aと同様の方法で実施例2Cの光電変換素子を得る。比較例2Ap型光吸収層にCuGaSe2を選び、キャリアをドープしていないGaP層を実施例2Aのn型半導体層の換わりに用いたこと以外は実施例2Aと同様の方法で比較例2Aの光電変換素子を得る。比較例2Bp型GaP層を実施例2Aのn型半導体層の換わりに用いたこと以外は実施例2Aと同様の方法で比較例2Aの光電変換素子を得る。実施例2A~C、比較例2A,Bの各光電変換素子について、p型光吸収層、n型半導体層の組成と開放電圧Vを前記実施例1A~1Hと同様の方法により測定した。その結果を表2に示す。上記表2より、実施例2Aは、比較例2Aに比較し、実施例2B,Cは、比較例2Bに比較し、GaPのキャリア濃度を制御することで、開放電圧を向上させることができ、本発明が有効であることが理解できる。実施例3An型半導体層のZn1-yAlyO1-xSxのx、yを表3の値としたことは実施例1Aと同様の方法で実施例3Aの光電変換素子を得る。n型半導体層は、組成が異なるZn:Al:O:Sよりなるターゲットを用いてスパッタリングによりの組成が異なる適宜変更することにより形成した。得られたx量,y量の異なる光電変換素子について、開放電圧Vを前記実施例1A~1Hと同様の方法により測定した。その結果を表3に示す。上記表3より、xを変化させ、CBMの位置を調整することで、開放電圧が大きくなる。更に、yでフェルミ準位を適切に調整することで、開放電圧は更に向上できる実施例3Bn型半導体層のZn1-yAlyO1-xSxのx、yを表4の値とし、p型光吸収層にCu:In:Teがモル比で0.8:1:2であるターゲットを用いたたことは実施例1Aと同様の方法で実施例3Bの光電変換素子を得る。n型半導体層は、組成が異なるZn、Al、O、Sよりなるターゲットを用いてスパッタリングによりの組成が異なる適宜変更することにより形成した。得られたy量の異なる光電変換素子について、開放電圧Vを前記実施例1A~1Hと同様の方法により測定した。その結果を表4に示す。上記表4より、yによりフェルミ準位を調整することで、開放電圧の向上が向上することが理解できる。実施例3Cn型半導体層のZn1-yInyO1-xSxのx、yを表5の値としたことは実施例1Aと同様の方法で実施例3Cの光電変換素子を得る。n型半導体層は、組成が異なるZn、In、O、Sよりなるターゲットを用いてスパッタリングによりの組成が異なる適宜変更することにより形成した。得られたy量の異なる光電変換素子について、開放電圧Vを前記実施例1A~1Jと同様の方法により測定した。その結果を表5に示す。上記表5より、yによりフェルミ準位を適切に調整することで、開放電圧が最大値を示す領域が存在することが理解できる。なお、y=0.05の場合は、微量の不純物が導入されている可能性がある。実施例3Dn型半導体層のZn07yMg03AlyOM=Alのyを表6の値としたことは実施例1Aと同様の方法で実施例3Dの光電変換素子を得る。n型半導体層は、組成が異なるZn、Mg、Al、Oよりなるターゲットを用いてスパッタリングによりの組成が異なる適宜変更することにより形成した。得られたy量の異なる光電変換素子について、開放電圧Vを前記実施例1A~1Jと同様の方法により測定した。その結果を表6に示す。実施例3En型半導体層のZn07yMg03InyOM=Inのyを表6の値としたことは実施例1Aと同様の方法で実施例3Eの光電変換素子を得る。n型半導体層は、組成が異なるZn、Mg、In、Oよりなるターゲットを用いてスパッタリングによりの組成が異なる適宜変更することにより形成した。得られたy量の異なる光電変換素子について、開放電圧Vを前記実施例1A~1Hと同様の方法により測定した。その結果を表6に示す。上記表6より、yによりフェルミ準位を調整することで開放電圧が向上し、本発明が有効であることが理解できる。実施例3F-H、比較例3F-Hp型光吸収層とn型半導体層を表7の値としたことは実施例1Aと同様の方法で実施例3E-H、比較例3F-Hの光電変換素子を得るp型半導体層およびn型半導体層は、組成が異なる表7の構成元素よりなるターゲットを用いてスパッタリングによりの組成が異なる適宜変更することにより形成した。得られた光電変換素子について、開放電圧Vを前記実施例1A~1Hと同様の方法により測定した。その結果を表7に示す。上記表7より、実施例3Fと比較例3F、実施例3Gと比較例3G、実施例3Hと比較例3Hを比較すると、各実施例は各比較例に比較し、開放電圧Vが高いことが理解できる。実施形態や実施例においてp型光吸収層をCuIn1-xGaxSe2等と記述してはいるが、元素比は多少変化しても良い。その中でも、例えばCuIn1-xGaxSe2の場合は、Cu/InGaが0.6以上1.2以下、Se/InGaが1.95以上2.2以下であることが単相で良好な結晶性を示すという理由により望ましい。CuIn3Te5の場合は、Cu/Inが0.25以上0.40以下、In/Teは0.50以上0.70以下であることが単相で良好な結晶性を示すという理由により好ましい。元素比の多少の変化はn型半導体層のZnOS系にも適応される。Zn1-yMyO1-xSxの場合は、ZnM/OSは0.9以上1.1以下であることが単相が得られるやすいという理由により好ましい。本発明の光電変換素子を太陽電池に用いることにより、開放電圧が高く、効率の高い太陽電池を得ることができる。以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態そのままに限定解釈されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成することができる。例えば、変形例の様に異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせても良い"