裏面に金属膜が形成されるとともに、予め形成された分断予定ラインに沿って個々のチップにダイシング加工された半導体ウエーハを、前記金属膜を介して粘着シートに貼着してリング状のフレームにマウントしたワークを固定するフレーム固定手段と、前記半導体ウエーハを前記分断予定ラインにより個々の半導体チップに分割する、その長手方向の中央部が両端部よりも高く形成されたスキージと、前記スキージを、該スキージの中心を前記半導体ウエーハの中心と略一致させるようにして前記粘着シートに押し当てて、前記スキージをその中心の回りに回転させる昇降回転機構と、を備えたことを特徴とする半導体ウエーハブレーキング装置。前記スキージの前記粘着シートに接触する上側の表面は、長手方向の中央部が最も高くなるような丸みをもって形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウエーハブレーキング装置。前記スキージの前記粘着シートに接触する上側の表面は、長手方向の中央部が最も高く、両端に向かって直線的に低くなるようにへの字状に形成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体ウエーハブレーキング装置。前記スキージの長手方向の長さは、少なくとも前記半導体ウエーハの径と略同じであることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の半導体ウエーハブレーキング装置。前記スキージの前記粘着シートに接触する表面は、その前記長手方向に垂直な断面が丸みを有していることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の半導体ウエーハブレーキング装置。前記スキージの前記粘着シートに接触する表面は、前記スキージを回転する際にスティックスリップが発生しないようにコーティングされていることを特徴とする請求項5に記載の半導体ウエーハブレーキング装置。裏面に金属膜が形成されるとともに、予め形成された分断予定ラインに沿って個々のチップにダイシング加工された半導体ウエーハを、前記金属膜を介して粘着シートに貼着してリング状のフレームにマウントしたワークを固定するフレーム固定工程と、その長手方向の中央部が両端部よりも高く形成されたスキージを、該スキージの中心を前記半導体ウエーハの中心と略一致させるようにして前記粘着シートに押し当てて、前記スキージをその中心の回りに回転させることにより、前記半導体ウエーハを前記分断予定ラインにより個々の半導体チップに分割するブレーキング工程と、を備えたことを特徴とする半導体ウエーハブレーキング方法。前記スキージの前記粘着シートに接触する上側の表面は、長手方向の中央部が最も高くなるような丸みをもって形成されていることを特徴とする請求項7に記載の半導体ウエーハブレーキング方法。前記スキージの前記粘着シートに接触する上側の表面は、長手方向の中央部が最も高く、両端に向かって直線的に低くなるように、への字状に形成されたことを特徴とする請求項7に記載の半導体ウエーハブレーキング方法。前記スキージの長手方向の長さは、少なくとも前記半導体ウエーハの径と略同じであることを特徴とする請求項7~9のいずれかに記載の半導体ウエーハブレーキング方法。前記スキージの前記粘着シートに接触する表面は、その前記長手方向に垂直な断面が丸みを有していることを特徴とする請求項7~10のいずれかに記載の半導体ウエーハブレーキング方法。しかしながら、前記従来のウエーハ分割ウエーハブレーキング方法では、以下のような問題がある。例えば、上記特許文献1に記載のものでは、ウエーハ分割治具を割断予定線に対して平行に当てており、その割断予定線の端から端の全体に一度にウエーハ分割治具が当たるので、割断予定線のライン全体に急激に曲げ応力がかかり、一度にそのライン全体が割れてしまうため、チップ破損が生じる虞があるという問題がある。また、割れた際に割れたことによる衝撃がフィルム内を伝播し、その伝播する形態が割断予定線に垂直に波打つ形で伝播する。場合によっては、割断予定ラインが短くなるウエーハの外周部のチップでは、隣のラインが割断されたことによる副次的な衝撃で割れることや、その割れの衝撃によって、割断予定ラインにそって割れるのではなく、チップ内で割断する場合が存在する。そうしたことから、割断予定ラインに沿って効率よく、大きく衝撃を与えることのない割断が求められる。また、上記特許文献2に記載のものでは、ブレーキング部材を溝の形成方向と異ならせてはいるが、ブレーキング部材が半導体ウエーハの内部にある場合、半導体ウエーハが、ブレーキング部材によってすでに半導体チップに分割された領域とまだ分割されていない領域に二分され、すでに半導体チップに分割された領域では応力が分散されてしまう。また、ブレーキング部材が平行移動していく側では粘着テープが縮み、移動した後の側では粘着テープが伸び、ブレーキング部材の摺動開始付近と摺動終了付近とで、粘着テープにかかるテンションが変化し、ブレーキング中において粘着テープのテンションにばらつきが生じる。具体的には、ブレーキング開始時においては、ブレーキングされて分割された部分は少なく、ブレーキングされていない部分が多い。よって、粘着テープ全体のテンションは比較的大きく、ブレーキング時にかかる粘着テープのテンションは大きい。それに対して、ブレーキング終了時では、すでにブレーキング部材が通過した領域においてはウエーハが分割されており、また半導体チップ間のつながりもないために、ゆるい状態になっている。すなわち、粘着テープ全体にかかるテンションは非常に小さくなる。こうした場合、ブレーキング開始時におけるブレーキング部材が粘着テープに与える摺動抵抗と、ブレーキング終了時におけるブレーキング部材が粘着テープに与える摺動抵抗は粘着テープのテンション状態が大きく異なるため、ブレーキングの割断における曲げ応力もブレーキング開始時とブレーキング終了時に大きく異なることになる。これは、例えばブレーキング開始時には、比較的精度よくブレーキングができるが、ブレーキング終了時にはブレーキングが行われない箇所が出てくるといった問題が生じることがある。このように粘着テープの応力が分散したり、テンションにばらつきが生じると、分割された半導体チップ同士が接触したりチップ配列がずれる等の問題がある。先の問題は、ブレーキング部材がウエーハに対して移動する前後の領域部分におけるテンションばらつきについてであるが、一方で、ウエーハに対して平行移動していくブレーキング部材の左右の領域においても、テンションのばらつきがある。すなわち、ブレーキング部材は直線状であり、それを平行移動するとなると、ブレーキング部材が通る軌跡は、長方形ないしは平行四辺形になる。フレームに粘着テープ貼り付けられたウエーハは、フレーム内周の形状どおり円状である。したがって、こうした場合、直線状のブレーキング部材が平行移動していく過程で、ブレーキング部材の左右の両端部において、初期過程は、ウエーハ部分が少なく、外側のフレームとウエーハの間のフィルム部分が占める割合が大きくなる。すなわち、フィルムの変形は大きくなる。しかし、ブレーキング部材が、ウエーハの中央部に差し掛かると、ウエーハの領域が大きくなり、それに対して、フレームとウエーハ間の粘着テープの領域が小さくなる。すなわち、フィルムの変形は小さくなる。こうした場合、ブレーキング部材の左右におけるフィルム部分とウエーハ部分の相対的な領域によって、ウエーハにかかるテンションに場所によるばらつきをうみ、こうしたことがブレーキングのばらつきに大きく影響する。また、半導体ウエーハは略円形であり、ウエーハ分割治具あるいはブレーキング部材を平行移動する場合には、平行移動の初期及び末端部においてはウエーハ分割治具と半導体ウエーハを貼着したシートを保持するフレームとが干渉しないようにフレーム径を大きくしなければならないという問題もある。さらに、平行移動する場合には、縦横2回分割動作が必要となり、また、縦横の動作以外に向きを代えるための円運動も必要になり、ウエーハ分割治具の動きに無駄が多いという問題もある。なお、これらのことは上記特許文献1においてもウエーハ分割治具を平行に移動しているため同様である。また、デバイス機構として半導体ウエーハの裏面にAlアルミニウムやNiニッケル等の金属膜バックメタルを形成する場合があり、これらの金属膜は分断性が低く、従来の分割方法では確実に分割することができなかった。本発明はこのような問題に鑑みて成されたものであり、裏面に金属膜が形成されたレーザー改質後の半導体ウエーハをブレーキングする際、チップが破損したり、チップの配列がずれたりすることなく、ウエーハ裏面の金属膜を確実に分割することのできる半導体ウエーハブレーキング装置及び方法を提供することを目的とする。前記目的を達成するために、本発明の半導体ウエーハブレーキング装置は、裏面に金属膜が形成されるとともに、予め形成された分断予定ラインに沿って個々のチップにダイシング加工された半導体ウエーハを、前記金属膜を介して粘着シートに貼着してリング状のフレームにマウントしたワークを固定するフレーム固定手段と、前記半導体ウエーハを前記分断予定ラインにより個々の半導体チップに分割する、その長手方向の中央部が両端部よりも高く形成されたスキージと、前記スキージを、該スキージの中心を前記半導体ウエーハの中心と略一致させるようにして前記粘着シートに押し当てて、前記スキージをその中心の回りに回転させる昇降回転機構と、を備えたことを特徴とする。これにより、例えば図1に示すように、ブレーキング部材100が移動する軌跡は、フレームFの内周形状と同じ円状になる。すなわち、ブレーキング部材100の両側において、絶えず一定のウエーハ領域W0と、ウエーハWとフレームFの内周部の間のフィルム領域S0が存在する。ブレーキング部材100がフィルムS越しにウエーハWを押し上げる上で、フィルムSに絶えず一定の捻る方向のトルクがかかり、その捻りを戻そうとする反力も同時に作用する。その捻る方向にかかる応力は、ウエーハ領域W0とウエーハWが貼り付けられていないフィルム領域S0は、ブレーキング部材100内及びその両端部で同じになることから、ブレーキング初期であれ、ブレーキング終期であれ絶えずフィルムSから受けるトルクは一定であり、安定してウエーハWを割断することができる。また、図2に示すように、ブレーキング部材100としてスキージを用いた場合に、ブレーキング部材スキージ100が回転する際のウエーハWの割れ方のメカニズムは以下のようになる。すなわち、例えば、特許文献1においては、割断予定ラインに平行に全て同時に割っていた。しかし、本願発明の場合は、割断予定ラインに対して、スキージ100がウエーハWに対して図に矢印Vで示すように回転移動する。そうすると、スキージ100が例えば、ウエーハWのX軸上と一致し、その状態から反時計回りに回転しながら、割断する場合に、まずX軸上からY側に一つ上に存在する割断予定ライン110に着目する。当該割断予定ライン110上において、スキージ100はまず割断予定ライン110の最外周部に接することになる。その際に、割断予定ライン110の最外周部に局所応力が作用し、最外周部で微小な割れを起こす。このとき割断予定ラインは最外周部分が割れを起こすが、内周側ではスキージ100が到達していないため割れを起こさない。その後徐々にスキージ100が回転していくに伴って、スキージ100と割断予定ライン110の交点部分は図に矢印Zで示すように徐々に内側に移動していく。それに伴って、ウエーハWにかかる局所応力の部分が移動する。これはウエーハWの割れがスキージ100と割断予定ライン110の交点の移動に沿って起こることを意味する。その結果、割断予定ライン110は特許文献1に記載のように一度に割れるのではなく、スキージ100の回転に伴って、徐々に割れるエリアが内側に入っていくことを意味する。こうすることでウエーハWの全エリア均等かつゆっくりと割れていくことになる。さらに、図2に示すように、X軸上にあるスキージ100が反時計回りに回転していく場合、第1象限において、外周部からウエーハの割れが徐々に内側に進展していく一方で、第3象限において、Y側で一つ下にある割断予定ラインにおいても、同様のメカニズムでウエーハWの外周部がまず割れて、スキージ100との交点が内側に進行していくにしたがって、ウエーハWも徐々に割れていく。なお、略同時に割れていく部分において、略対称位置で割れが進行する。よって、本願発明においては、先の特許文献2であったようなすでに割れた部分とウエーハが割れていない部分でフィルムのテンションが大きく変化して、初期に効率よく割れていたものが、後半割れミスを多数起こしてしまうという、問題を起こすことはない。これは、図2を用いて説明したように本願発明においては、絶えず対称位置で割れていくために、割れる位置のバランスがとれているからである。また、スキージで伸ばされたフィルムが戻ろうとしてトルクがかかる応力も、スキージの一方側と他端側にわけることができ、スキージ付近にかかる応力もバランスされている。また、スキージのウエーハに対する相対的な回転運動の際、スキージの両端部分が描く軌跡は円状であるため、特許文献1、2に示すような平行移動に基づく長方形や平行四辺形ではない。これは、特許文献1、2ではスキージの長方形や平行四辺形であるためスキージとフレーム内周が干渉していたが、本願の場合はフレーム内周も円状でスキージの運動軌跡も円状であるため、フレームとスキージの干渉を心配する必要はない。また、特許文献1や2の場合は、フレーム内径は円状であるのに対して、ブレーキング部材の移動軌跡は長方形や平行四辺形であるために、フレーム内径を干渉しないように大きく取らなければならなかったが、本願発明の場合、フレームの内径はスキージよりも少し大きい程度で十分であり、フレームに干渉することなく一定のトルクを作用させながら、安定してウエーハを割断することが可能となる。これにより、裏面に金属膜が形成されたレーザー改質後の半導体ウエーハをブレーキングする際、チップが破損したり、チップの配列がずれたりすることなく、ウエーハ裏面の金属膜を確実に分割することが可能となる。また、一つの実施態様として、前記スキージの前記粘着シートに接触する上側の表面は、長手方向の中央部が最も高くなるような丸みをもって形成されていることが好ましい。また、一つの実施態様として、前記スキージの前記粘着シートに接触する上側の表面は、長手方向の中央部が最も高く、両端に向かって直線的に低くなるようにへの字状に形成されたことが好ましい。これにより、スキージからの押圧力のかかりにくい半導体ウエーハの中央部に対しても確実に押圧力を加えることができ、全ての半導体チップを均等に分割していくことが可能となる。また、一つの実施態様として、前記スキージの長手方向の長さは、少なくとも前記半導体ウエーハの径と略同じであることが好ましい。これにより、スキージの運動に伴いスキージがワークのフレームと干渉することがないので、フレームを大型化する必要がない。また、一つの実施態様として、前記スキージの前記粘着シートに接触する表面は、その前記長手方向に垂直な断面が丸みを有していることが好ましい。これにより、スキージの回転により粘着シートを傷つけることなく、スキージをスムーズに回転して半導体チップを金属膜とともに確実に分割することが可能となる。また、一つの実施態様として、前記スキージの前記粘着シートに接触する表面は、前記スキージを回転する際にスティックスリップが発生しないようにコーティングされていることが好ましい。これにより、スキージの回転に伴いスティックスリップを発生させることなく、スキージを回転させ、半導体ウエーハを確実に分割することが可能となる。また、同様に前記目的を達成するために、本発明の半導体ウエーハブレーキング方法は、裏面に金属膜が形成されるとともに、予め形成された分断予定ラインに沿って個々のチップにダイシング加工された半導体ウエーハを、前記金属膜を介して粘着シートに貼着してリング状のフレームにマウントしたワークを固定するフレーム固定工程と、その長手方向の中央部が両端部よりも高く形成されたスキージを、該スキージの中心を前記半導体ウエーハの中心と略一致させるようにして前記粘着シートに押し当てて、前記スキージをその中心の回りに回転させることにより、前記半導体ウエーハを前記分断予定ラインにより個々の半導体チップに分割するブレーキング工程と、を備えたことを特徴とする。これにより、裏面に金属膜が形成されたレーザー改質後の半導体ウエーハをブレーキングする際、チップが破損したり、チップの配列がずれたりすることなく、ウエーハ裏面の金属膜を確実に分割することが可能となる。また、一つの実施態様として、前記スキージの前記粘着シートに接触する上側の表面は、長手方向の中央部が最も高くなるような丸みをもって形成されていることが好ましい。また、一つの実施態様として、前記スキージの前記粘着シートに接触する上側の表面は、長手方向の中央部が最も高く、両端に向かって直線的に低くなるように、への字状に形成されたことが好ましい。これにより、スキージからの押圧力のかかりにくい半導体ウエーハの中央部に対しても確実に押圧力を加えることができ、全ての半導体チップを均等に分割していくことが可能となる。また、一つの実施態様として、前記スキージの長手方向の長さは、少なくとも前記半導体ウエーハの径と略同じであることが好ましい。これにより、スキージの運動に伴いスキージがワークのフレームと干渉することがないので、フレームを大型化する必要がない。また、一つの実施態様として、前記スキージの前記粘着シートに接触する表面は、その前記長手方向に垂直な断面が丸みを有していることが好ましい。これにより、スキージの回転により粘着シートを傷つけることなく、スキージをスムーズに回転して半導体チップを金属膜とともに確実に分割することが可能となる。以上説明したように、本発明によれば、裏面に金属膜が形成されたレーザー改質後の半導体ウエーハをブレーキングする際、チップが破損したり、チップの配列がずれたりすることなく、ウエーハ裏面の金属膜を確実に分割することが可能となる。以下、添付図面を参照して、本発明に係る半導体ウエーハブレーキング装置及び方法について詳細に説明する。図3は、ワークの一例を示す斜視図である。図3に示すように、ワークは、半導体ウエーハWの表面に半導体装置や電子部品等が形成された板状物であり、上面に粘着層が形成された厚さ100μm程度の粘着シートダイシングテープSに、半導体ウエーハWの裏面が貼付される。粘着シートSに貼着された半導体ウエーハWは、粘着シートSを介して、剛性のあるリング状のフレームFにマウントされる。フレームFにマウントされた半導体ウエーハWは、この状態で半導体ウエーハブレーキング装置において、フレーム固定手段によって固定され、粘着シートS側からスキージウエーハブレーキング部材によって押し上げられる。詳しくは後述するが、粘着シートSを押し上げたまま、スキージを回転することによって、半導体ウエーハWに予め形成された分割予定ラインに沿って、半導体ウエーハWが個々の半導体チップTに分割個片化されるようになっている。なお、本実施形態でブレーキングするワークは、半導体ウエーハWの裏面に、AlアルミニウムあるいはNiニッケル等の金属膜バックメタルが形成されている。本実施形態の半導体ウエーハブレーキング装置は、これらの分断性の低い金属膜バックメタルを確実にブレーキングするのに好適なものである。図4に、本発明に係る半導体ウエーハブレーキング装置の一実施形態を示す要部断面図を示す。図4に示すように、半導体ウエーハブレーキング装置は、ワーク2のフレームFを保持固定するフレーム固定手段10と、半導体ウエーハWを各半導体チップTに個片化するブレーキング部材としてのスキージ12を有して構成されている。フレーム固定手段10は、半導体ウエーハWをAlアルミニウムあるいはNiニッケル等のバックメタル4を介して粘着シートSに貼り付け、粘着シートSをフレームFにマウントしたワーク2のフレームFを保持固定するものである。また、スキージ12は、粘着シートSの下側から半導体ウエーハWを上方へ押し上げたまま回転することにより半導体ウエーハWを各半導体チップTに分割するものである。図5に、半導体ウエーハWとスキージ10との関係を平面図で示す。図5は、半導体ウエーハWの表面側から見た平面図であるが、スキージ12の位置もわかるように透視図として表現している。スキージ12は、半導体ウエーハWの径と少なくとも略同じ長さを有する棒状の部材であり、スキージ12の中心Pと半導体ウエーハWの中心とは略一致するように配置されている。なお、スキージ12の中心Pは、必ずしも半導体ウエーハWの中心と完全に一致する必要はなく、半導体ウエーハWの大きさに応じて、その位置を多少ずらして配置するようにしてもよい。スキージ12によって半導体ウエーハWをブレーキングする際には、スキージ12を、粘着シートSの下側から半導体ウエーハWを押し上げて図に矢印Aで示すように、スキージ12の中心Pの回りに回転する。すると、スキージ12によって押し上げられ、押圧力が加えられた部分において剪断力が働き、半導体ウエーハWに予めレーザーによって改質されて形成された分割予定ラインに沿って半導体ウエーハW及びバックメタル4がブレーキング分割されるようになっている。なお、このときブレーキング時における、スキージ12の回転数は例えば5rpmであり、スキージ12が粘着シートSを開始て半導体ウエーハWを押し上げる押圧力は、粘着シートSの引き込み量でいうと、例えば半導体ウエーハWのサイズが6/8inchを想定した場合で、21~24mm程度である。図6に、スキージ12の概略を示す。図6aはスキージ12の斜視図であり、図6bはスキージ12の正面図である。また、図6cは他のスキージ12’を示す正面図である。図6aに示すように、スキージ12は、棒状の部材であり、粘着シートSに接触する上側の表面12aは、図6bに示すように、長手方向の中央部が最も高くなるように丸みを帯びて山型に形成されている。また、スキージ12は、長手方向に垂直な断面が上側に丸みRを有するように形成されている。このスキージ12のR形状としては、例えばチューブ径が直径6mmのR形状を有している。また、スキージ12の硬度としては、チューブ肉厚が1mm、あるいはポリウレタンチューブ直径は6mmなどが好適に例示される。また、図6cに他のスキージの例を示すように、スキージ12’の上側の表面は、長手方向の中央部が最も高く、両端に向けて直線的に下がるように、への字状に形成されていてもよい。この場合には、最も高い山の頂上部12’bには丸みを形成しておくことが好ましい。図6aに示すように、スキージ12の中央部の下側には、支持部材14が取り付けられており、支持部材14の下部には、支持部材14を昇降及び回転可能に保持する昇降回転機構16が設置されている。また、図示を省略したが、半導体ウエーハブレーキング装置には、これらの動きを制御するための制御手段も備えられている。半導体ウエーハWのブレーキング時には、昇降回転機構16により、支持部材14を介してスキージ12を上昇させて、粘着シートSの下側から半導体ウエーハWを押し上げ、スキージ12をその中心の回りに回転させるようになっている。このように、本実施形態においては、スキージ1212’のように長手方向の中央部を高くするように形成したため、押圧力の掛り難い半導体ウエーハの中央部に対しても、十分に押圧力を加えることができ、全ての半導体チップを金属膜バックメタルとともに確実に分割することができる。特に、スキージ12が上昇してウエーハを押し上げる場合、スキージが仮にフラットな形状である場合、粘着シートの張力によっては、ウエーハを貼り付けた粘着シートの外周部だけにスキージが当接し、粘着シートの内周部はスキージから浮き上がる場合も存在する。こうした場合において、ウエーハの大きさ、スキージの上昇量、粘着シートの張力などに関係なく安定してスキージの応力が、スキージのライン全体にかかるようにするため、スキージとウエーハを貼り付けた粘着シートが一様な応力を有するためにも、スキージの形状は中央部を高くした形状が望ましい。そのラウンド形状は、粘着シートの張力分布に応じて設定するのが望ましい。図7に、ブレーキング時のスキージ12の作用を拡大して模式的に示す。図7に示すように、ブレーキング時には、スキージ12は粘着シートSを下側から押し上げて、矢印A方向に移動回転する。このようにスキージ12を移動させると、粘着シートSがスキージ12の押圧力によって変位し、隣り合う半導体チップT同士の間に形成されていた分割予定ラインが剪断力により分割されて、隣り合う半導体チップT同士の間隔が広がる。さらに、これに伴い、半導体ウエーハWの下側に貼り付けられていたバックメタル4にも剪断力が働き、バックメタル4も分割されて、半導体ウエーハWが完全に分割されて半導体チップTとなる。粘着シートSは、PVCポリ塩化ビニルやPOポリオレフィン等の材料で形成されており、スキージ12が移動していく方向Aの粘着シートSは、スキージ12によって押されて縮み、スキージ12の移動方向Aより後側の粘着シートSは引き伸ばされる。また、スキージ12の粘着シートSに接触する表面12aにはRが形成されているが、スキージ12を移動させていくときに粘着シートSとの間でスティックスリップが発生しないように、スキージ12の表面12aにコーティングを施すことが好ましい。スキージ12のコーティングの材質としては、例えば、ポリプロピレンフィルムNITTO製あるいはコーティング無しのポリウレタンチューブなどが好適に例示される。図8に、スキージ12を回転させて半導体ウエーハWのブレーキングを行う様子を平面図で示す。図8に示すように、スキージ12は、下側から粘着シートSを介してバックメタル4及び半導体ウエーハWを押し上げて、中心Pの回りに矢印Aで示すように回転していく。このとき半導体ウエーハWに形成された分割予定ラインは、スキージ12の回転に伴い、図に矢印Bで示すように最外周側から割れていく。図示は省略したが、図の矢印Bと対称の位置においても同じように最外周側から分割予定ラインに沿って半導体チップTが分割されていく。したがって、本実施形態においては、従来のように分割予定ライン全体が一度に割れてしまうことはなく、スキージ12の回転に伴って外周側から徐々に割れていくので、半導体チップTが破損することはない。また、スキージ12が回転していくとき、図に矢印Cで示すスキージ12が回転していく側の領域では粘着シートSは縮み、図に矢印Dで示すスキージ12が回転した後の側の領域では粘着シートSは伸びる。したがって、粘着シートS全体で見ると粘着シートSにかかる応力のバランスが均等になるようになっている。その結果、分割された半導体チップTの配列がずれるようなことはない。また、スキージが回転する際の粘着シートの伸び縮みについて、スキージの半径が大きい部分、すなわちウエーハの外周部分は、スキージが粘着シートを押し上げながら回転することで、スキージが近づいてくる部分の粘着シートの縮みは大きく、かつスキージが通過した後の粘着シートの伸びも大きく取ることができる。よって、ウエーハ外周部では、特に粘着シートの伸び縮みを大きく取り、最初にウエーハ外周部でチップを分割するきっかけを与えることが可能となる。初期にきっかけを与えてウエーハを分断すると、その分断を進展させる応力は、それほど大きい応力は必要なく、分断が進展するにしたがってその応力は小さくしていってよい。すなわち、初期の分断に、すなわち外周部の分断に最も大きな応力を与えて、ウエーハの内側にいくほど、小さい応力を与えればよいことになる。こうした原理は、スキージを押し上げて粘着シートをこすり付ける摩擦力は、スキージを回転させる機構を取ることで、自然に、半径の大きいところでは大きい摩擦力のもと、分断に対する応力を大きくすることができ、半径の小さいところでは小さい摩擦力で分断に対する応力を小さくすることができるため、分断の機構として理にかなっている。また、本実施形態においては、半導体ウエーハWの径と略同じ長さを有するスキージ12をその中心の回りに回転しているので、スキージ12の動きによってスキージ12がワーク2のフレームFと干渉することはなく、フレームFを大きくする必要もない。さらに、スキージ12を1回転すれば、完全に半導体ウエーハW及びバックメタル4が分割されるので、従来のように縦横2回ブレーキング部材を駆動する必要もなく、ブレーキング処理にかかる時間が短縮される。なお、本実施形態においては、図6に示したように、スキージ12の中央部が高くなるように形成されているため、押圧力の掛り難い中央部においても、半導体ウエーハWに対して十分な押圧力を加えることができ、全ての半導体チップTを裏面に形成されたバックメタル4とともに確実に分割することができる。図9に、本実施形態におけるブレーキング装置の処理の流れをフローチャートで示す。まず図9のステップS100において、図4に示すように、ワーク2のフレームFを半導体ウエーハブレーキング装置のフレーム固定手段10に固定する。このとき、粘着シートSが下側、半導体ウエーハWが上側となるようにする。次に、ステップS110において、昇降回転機構16によりスキージ12を上昇させて、スキージ12の上側の表面12aが粘着シートSに接触させ、下側から粘着シートSを介してバックメタル4及び半導体ウエーハWを押し上げるようにする。次に、ステップS120において、スキージ12を、下側から粘着シートSを介してバックメタル4及び半導体ウエーハWを押し上げたまま、昇降回転機構16によって図5に示すようにその中心Pの回りに回転する。これにより、図7、図8に示すように、バックメタル4も分割され半導体ウエーハWが半導体チップTに個片化される。すなわち、本実施形態のようにスキージ12をその中心の回りに回転して分割することにより、図7に示すように、AlアルミニウムあるいはNiニッケル等からなる分断性が低く従来分断が困難であったバックメタル4も確実に分断することができる。特に、本実施形態においては、スキージ12の中央部が高くなるように形成したため、押圧力の掛り難い半導体ウエーハWの中央部に対しても十分な押圧力を加えることができ、端部から中央部まで全ての半導体チップTを裏面に形成されたバックメタル4とともに確実に分割することができる。なお、上で説明した例においては、スキージの中心と回転中心とが一致していたが、必ずしも、これは一致していなくともよくて、回転中心をスキージの中心からオフセットさせても良い。図10に、回転中心をスキージの中心からオフセットした例を示す。図10aは、このようなスキージの斜視図であり、図10bはワークとの位置関係を示すようにした平面図である。図10aに示すように、スキージ12は図6に示すものと同様の棒状の部材であり、その中央部が水平梁部材18を介して支持部材14に取り付けられ、昇降回転機構16によって昇降可能かつ回転可能となっている。スキージ12と回転中心とのオフセット量Δは、例えば10mm~20mm程度に設定されているが、半導体ウエーハWのサイズに応じて適宜変更するようにしてもよい。図10bは、この回転中心からオフセットされたスキージ12とワークとの位置関係を示す平面図であるが、その位置関係をわかりやすくするために透視図として表現している。昇降回転機構16によって支持部材14が回転すると、支持部材14に設置された水平梁18によってスキージ12が図に矢印で示したように回転するようになっている。このように回転中心からオフセットされたスキージは、例えばウエーハサイズの大きいものに対して有効である。以上、本発明の半導体ウエーハブレーキング装置及び方法について詳細に説明したが、本発明は、以上の例には限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変形を行ってもよいのはもちろんである。