"n型AlGaN系半導体層からなるn型クラッド層と、バンドギャップエネルギが3.4eV以上のAlGaN系半導体層を有する活性層と、p型AlGaN系半導体層からなるp型クラッド層を少なくとも積層してなる窒化物半導体紫外線発光素子であって、前記p型クラッド層上に前記活性層から発光される紫外光を吸収するp型AlGaN系半導体層からなるp型コンタクト層が形成され、前記p型コンタクト層が前記p型クラッド層表面まで貫通する開口部を有し、前記p型コンタクト層上に前記p型コンタクト層とオーミック接触または非整流性接触するp電極金属層が、前記開口部を完全に遮蔽しないように形成され、少なくとも前記開口部上に前記紫外光を反射する反射金属層が形成され、前記反射金属層が、前記開口部を通して露出した前記p型クラッド層表面を、直接または前記紫外光を透過する透明絶縁層を介して覆っていることを特徴とする窒化物半導体紫外線発光素子。前記p型コンタクト層のAlNモル分率が0以上10未満であることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。前記反射金属層が少なくとも前記開口部上と前記p電極金属層上に形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。前記反射金属層が、Al、或いは、Alを主成分とする金属多層膜または合金で形成されていることを特徴とする請求項1~3の何れか1項に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。前記p型コンタクト層と前記開口部の合計面積に対する前記開口部の面積の比率が66以上であることを特徴とする請求項1~4の何れか1項に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。前記n型クラッド層上の前記n型クラッド層の表面と平行な面内の第1領域に、前記活性層、前記p型クラッド層、前記p型コンタクト層、及び、前記反射金属層が形成され、前記n型クラッド層上の前記第1領域以外の第2領域内の少なくとも一部に、n型AlGaN系半導体層からなるn型コンタクト層が形成され、前記n型コンタクト層のAlNモル分率が0以上60以下の範囲内にあって、且つ、前記n型クラッド層のAlNモル分率より小さく、前記n型コンタクト層とオーミック接触または非整流性接触するn電極が前記n型コンタクト層上に形成されていることを特徴とする請求項1~5の何れか1項に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。前記n型コンタクト層が、前記第2領域内の少なくとも一部の前記n型クラッド層表面上に再成長して形成されていることを特徴とする請求項6に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。前記n電極が、前記紫外光を反射する金属を主成分として含有していることを特徴とする請求項6または7に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。前記n電極が、Alを主成分とする金属多層膜または合金で形成されていることを特徴とする請求項8に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。前記n電極の一部が、前記n型クラッド層上の前記第2領域内の前記n型コンタクト層が形成されていない部分に形成されていることを特徴とする請求項6~9の何れか1項に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。前記n型クラッド層上の前記第2領域内の前記n型コンタクト層が形成されていない部分に、前記n電極と電気的に接続する前記紫外光を反射する金属を主成分とする反射金属層が形成されていることを特徴とする請求項6~9の何れか1項に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。前記n型クラッド層が、絶縁体層、半導体層、または、絶縁体層と半導体層の積層体からなる前記紫外光を透過するテンプレート上に形成されていることを特徴とする請求項1~11の何れか1項に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。前記テンプレートがAlN層を含むことを特徴とする請求項12に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。窒化物半導体紫外線発光素子は、p型クラッド層とn型クラッド層の間に活性層発光層を挟持したダブルヘテロ構造を備え、発光波長は活性層のバンドギャップエネルギ禁制帯幅で定まり、各クラッド層を構成するAlxGa1-xNのAlNモル分率xは、活性層より大きく設定されている。従って、発光波長の短波長化により、各クラッド層のAlNモル分率は大きくなる。例えば、発光中心波長が280nm付近の場合では、各クラッド層のAlNモル分率は60程度となり、発光中心波長が250nm付近の場合では、各クラッド層のAlNモル分率は75程度となる。AlGaN層からなるp型及びn型クラッド層の各AlNモル分率が大きくなると、p電極及びn電極との低抵抗でのオーミック接触が困難となる。特に、p型クラッド層は、AlNモル分率が10を超えて大きくなると高抵抗化が顕著となる。このため、窒化物半導体紫外線発光素子では、通常、p型クラッド層上に直接p電極を形成するのではなく、図26に示すように、p電極と低抵抗でオーミック接触可能なp型GaN等のp型コンタクト層をp型クラッド層上に形成し、p型コンタクト層上にp電極を形成することが行われている。上記特許文献1、特許文献2及び非特許文献3に開示された外部量子効率の改善技術では、何れも、発光素子を構成する窒化物半導体層の最上層を構成するp型窒化物半導体層上に当該p型窒化物半導体層とオーミック接触する一部が開口した金属電極を設けている。最上層を構成するp型窒化物半導体層は、活性層の上方全面に形成されているため、その上部に形成された反射層や高反射性金属層で活性層からの発光を反射するには、発光が当該p型窒化物半導体層で吸収されないことが必要である。しかしながら、金属電極がp型窒化物半導体層と良好なオーミック接触するためには、最上層がp型GaN或いはAlNモル分率が10未満である必要がある。特に、p型GaNを使用することの必要性に関しては、上記特許文献1に記載があり、非特許文献3では、最上層のp型窒化物半導体層としてp型GaNを用いた実施例が記載されている。この場合、活性層からの発光波長が約355nm以下、更に短波長の場合、活性層からの発光が最上層のp型窒化物半導体層で吸収されるため、発光が反射層や高反射性金属層に到達せず、仮に一部が到達しても、反射した光が再度p型窒化物半導体層を通過する際に吸収されるため、有効に利用されず外部量子効率は改善されない。従って、上記特許文献1、特許文献2及び非特許文献3等に開示された外部量子効率の改善技術は、発光波長が約355nm以下の発光素子には有効な技術とは言えない。本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、発光中心波長が約355nm以下の窒化物半導体発光素子の外部量子効率の向上を図ることにある。上記目的を達成するために、本発明は、n型AlGaN系半導体層からなるn型クラッド層と、バンドギャップエネルギが3.4eV以上のAlGaN系半導体層を有する活性層と、p型AlGaN系半導体層からなるp型クラッド層を少なくとも積層してなる窒化物半導体紫外線発光素子であって、前記p型クラッド層上に前記活性層から発光される紫外光を吸収するp型AlGaN系半導体層からなるp型コンタクト層が形成され、前記p型コンタクト層が前記p型クラッド層表面まで貫通する開口部を有し、前記p型コンタクト層上に前記p型コンタクト層とオーミック接触または非整流性接触するp電極金属層が、前記開口部を完全に遮蔽しないように形成され、少なくとも前記開口部上に前記紫外光を反射する反射金属層が形成され、前記反射金属層が、前記開口部を通して露出した前記p型クラッド層表面を、直接または前記紫外光を透過する透明絶縁層を介して覆っていることを第1の特徴とする窒化物半導体紫外線発光素子を提供する。尚、本発明では、AlGaN系半導体は、一般式AlxGa1-xNxはAlNモル分率、0≦x≦1で表わされる3元または2元加工物を基本とし、そのバンドギャップエネルギがGaNx=0のバンドギャップエネルギ約3.4eV以上の3族窒化物半導体であり、当該バンドギャップエネルギに関する条件を満たす限りにおいて、微量のInが含有されている場合も含まれる。上記第1の特徴の窒化物半導体紫外線発光素子によれば、活性層から出射されp型クラッド層を通過した中心発光波長が355nm以下の紫外光の一部は、p型コンタクト層の開口部に入射し、当該p型コンタクト層で吸収されることなく確実に反射金属層に到達して反射されるため、当該反射光を有効に利用でき、外部量子効率の向上が図れる。更に、p型コンタクト層とp電極金属層はオーミック接触または非整流性接触しているため、p電極金属層からp型コンタクト層及びp型クラッド層を経由して活性層に至る電流経路が確保される。本願発明者は、p型コンタクト層が活性層の上方全面に形成されなくても上記電流経路が十分に確保され、良好に発光することを後述する実施例により確認している。中心発光波長が355nm以下の窒化物半導体紫外線発光素子では、p型クラッド層のAlNモル分率が10を超えて高くなり、p電極金属層と低抵抗でオーミック接触或いは非整流性接触できないため、p電極金属層とオーミック接触または非整流性接触可能なp型コンタクト層を設ける意義が生じる。更に、上記第1の特徴の窒化物半導体紫外線発光素子は、前記p型コンタクト層のAlNモル分率が0以上10未満であることが好ましい。p型コンタクト層のAlNモル分率が0以上10未満であれば、p電極金属層との間で、オーミック接触または低抵抗での非整流性接触が可能となる。特に、AlNモル分率が0のp型GaNを使用することで、低抵抗で良好なオーミック接触が可能となる。更に、上記第1の特徴の窒化物半導体紫外線発光素子は、前記反射金属層が少なくとも前記開口部上と前記p電極金属層上に形成されていることが好ましい。反射金属層をp電極金属層上にも形成することで、p電極金属層が離散的に形成される場合に、当該離散的なp電極金属層を相互に接続して一体のp電極として機能させることができる。更に、上記第1の特徴の窒化物半導体紫外線発光素子は、前記反射金属層が、Al、或いは、Alを主成分とする金属多層膜または合金で形成されていることが好ましい。更に、上記第1の特徴の窒化物半導体紫外線発光素子は、前記p型コンタクト層と前記開口部の合計面積に対する前記開口部の面積の比率が66以上であることが好ましい。当該比率が高いほど、反射される光が多くなるため、外部量子効率が高くなるが、p電極側の寄生抵抗が高くなり、順方向電圧が高電圧化するため、当該比率が高くなり過ぎると発光素子のアノードとカソード間に入力される電力に対する発光効率が低下する場合があり得る。当該が66では、実用的な順方向電圧が実現可能な範囲で、発光効率が低下することなく、外部量子効率の向上が図れる。尚、当該比率の上限は、発光素子に順方向電圧を印加するためにp電極金属層として一定の面積を確保する必要から、当該面積及び実用的な順方向電圧が実現可能な範囲に応じて100未満の所定値に決定される。更に、上記第1の特徴の窒化物半導体紫外線発光素子は、前記n型クラッド層上の前記n型クラッド層の表面と平行な面内の第1領域に、前記活性層、前記p型クラッド層、前記p型コンタクト層、及び、前記反射金属層が形成され、前記n型クラッド層上の前記第1領域以外の第2領域内の少なくとも一部に、n型AlGaN系半導体層からなるn型コンタクト層が形成され、前記n型コンタクト層のAlNモル分率が0以上60以下の範囲内にあって、且つ、前記n型クラッド層のAlNモル分率より小さく、前記n型コンタクト層とオーミック接触または非整流性接触するn電極が前記n型コンタクト層上に形成されていることを第2の特徴とする。上記第2の特徴の窒化物半導体紫外線発光素子によれば、n型クラッド層とn電極の間に、AlNモル分率が0以上60以下の範囲内でn型クラッド層よりAlNモル分率の小さいn型コンタクト層が介在しているため、n電極とn型コンタクト層間が確実にオーミック接触し、その接触抵抗が、n電極とn型クラッド層が直接接触する場合より低下する。このため、n型クラッド層とn電極間の寄生抵抗を抑制でき、順方向電圧の低電圧化が図れ、結果として、発光素子の低消費電力化並びに長寿命化が図れる。更に、上記第2の特徴の窒化物半導体紫外線発光素子は、前記n型コンタクト層が、前記第2領域内の少なくとも一部の前記n型クラッド層表面上に再成長して形成されていることが好ましい。n型クラッド層上に、再成長によりn型コンタクト層を形成することで、予めn型コンタクト層をn型クラッド層の下側に形成する必要がないため、発光を裏面側から取り出すことができる。ここで、再成長とは、下地のn型クラッド層の結晶成長とn型コンタクト層の結晶成長が連続した一連の成長でないことを意味する。更に、上記第2の特徴の窒化物半導体紫外線発光素子は、前記n電極が、前記紫外光を反射する金属、例えば、Alを主成分とする金属多層膜または合金で形成されている場合、発光を裏面側から取り出す場合の取り出し効率の向上が図れる。同様に、n電極と接続する紫外線を反射する金属を含有する反射金属層をn型コンタクト層の形成されていないn型クラッド層上に形成することで、発光を裏面側から取り出す場合の取り出し効率の向上が図れる。活性層からn電極に至る電流経路の寄生抵抗を低下させるために、n型クラッド層の第2領域の面積は或る程度必要となるが、発光を裏面側から取り出す場合に、例えば下層側の基板表面で反射した光紫外線をn型クラッド層上の第2領域のn電極或いは反射金属層で再反射させることで、実際に発光素子から取り出せる発光量が増加し、外部量子効率が向上する。更に、上記第1または第2の特徴の窒化物半導体紫外線発光素子は、前記n型クラッド層が、絶縁体層、半導体層、または、絶縁体層と半導体層の積層体からなる前記紫外光を透過するテンプレート上に形成されていることが好ましく、更に、前記テンプレートがAlN層を含むことが好ましい。これにより、テンプレートを有した状態で、テンプレートを通過させ裏面側から発光を取り出すことが可能となる。上記特徴の窒化物半導体紫外線発光素子によれば、従来の外部量子効率の改善技術では困難であった中心波長が約355nm以下の発光に対しても、外部量子効率の向上が確実に図れる。本発明に係る窒化物半導体紫外線発光素子以下、適宜本発明素子と称するの実施の形態につき、図面に基づいて説明する。尚、以下の説明で使用する図面では、説明の理解の容易のために、要部を強調して発明内容を模式的に示しているため、各部の寸法比は必ずしも実際の素子と同じ寸法比とはなっていない。以下、本発明素子が発光ダイオードの場合を想定して説明する。[第1実施形態]図1に示すように、本発明素子1は、サファイア0001基板2上にAlN層3とAlGaN層4を成長させた基板をテンプレート5として用い、当該テンプレート5上に、n型AlGaNからなるn型クラッド層6、活性層7、AlNモル分率が活性層7より大きいp型AlGaNの電子ブロック層8、p型AlGaNのp型クラッド層9、p型GaNのp型コンタクト層10を順番に積層した積層構造を有している。p型コンタクト層10には、下側のp型クラッド層9の表面まで貫通する開口部11が反応性イオンエッチング等により形成されている。n型クラッド層6より上部の活性層7、電子ブロック層8、p型クラッド層9、p型コンタクト層10の一部が、n型クラッド層6の一部表面が露出するまで反応性イオンエッチング等により除去され、n型クラッド層6上の第1領域R1に活性層7からp型コンタクト層10までの積層構造が形成されている。活性層7は、一例として、膜厚10nmのn型AlGaNのバリア層7aと膜厚3.5nmのAlGaNまたはGaNの井戸層7bからなる単層の量子井戸構造となっている。活性層7は、下側層と上側層にAlNモル分率の大きいn型及びp型AlGaN層で挟持されるダブルヘテロジャンクション構造であれば良く、また、上記単層の量子井戸構造を多層化した多重量子井戸構造であっても良い。各AlGaN層は、有機金属化合物気相成長MOVPE法、或いは、分子線エピタキシMBE法等の周知のエピタキシャル成長法により形成されており、n型層のドナー不純物として例えばSiを使用し、p型層のアクセプタ不純物として例えばMgを使用する。尚、導電型を明記していないAlN層及びAlGaN層は、不純物注入されないアンドープ層である。活性層7以外の各AlGaN層の膜厚は、例えば、n型クラッド層6が2000nm、電子ブロック層8が2nm、p型クラッド層9が540nm、p型コンタクト層10が200nmである。p型コンタクト層10の表面に、例えば、Ni/Auのp電極12が、n型クラッド層6の第1領域R1を除く第2領域R2の表面に、例えば、Ti/Al/Ti/Auのn電極13が形成されている。更に、p型コンタクト層10の開口部11内及びp電極12上にAlからなる反射金属層14が形成されている。反射金属層14は、Al単層ではなく、Al/Ti/Auの3層金属膜であっても良い。p型コンタクト層10及びp電極12は、第1領域R1の一部を覆う格子状或いはメッシュ状、櫛状、または、ドット状或いは島状等のパターンに夫々加工されている。図2に、p電極12及びn電極13の平面視パターンの一例を示す。図2aは、p電極12及びn電極13が形成前の第1領域R1と第2領域R2を示す。図2に示す本発明素子1のチップサイズは縦横夫々800μmであり、第1領域R1の面積は約168000μm2である。図2b~図2dは、p電極12が、格子状パターン、櫛状パターン、ドット状パターンの場合を各別に示しており、p電極12の部分がクロスハッチで区別されている。本実施形態では、p型コンタクト層10とp電極12は同じパターンで重なり合っているが、p電極12がp型コンタクト層10より僅かに小さくても良い。また、p電極12がp型コンタクト層10より大きく、p型コンタクト層10の段差の側面を覆っていても、開口部11が存在している限りにおいて問題ない。第1領域R1内のp型コンタクト層10を除く部分が開口部11であるが、開口部11内にp電極12が存在する場合は、p電極12の形成されていない部分が実効的な開口部となる。尚、図1に示す素子構造は、図26に示す従来の発光ダイオードの素子構造と、p型コンタクト層10及びp電極12の構造及び反射金属層14を除き、基本的に同じである。従って、本発明素子1は、p型コンタクト層10及びp電極12の構造及び反射金属層14に特徴がある。次に、本発明素子1の製造方法について説明する。特に、図5に示すn電極構造部分の製造方法について詳細に説明する。図3~図8に、主たる製造工程における工程断面図を示す。先ず、図3に示すように、テンプレート5、及び、n型クラッド層6からp型コンタクト層10までの各層は、上述のように周知の成長方法により形成される。p型コンタクト層10の形成後、アクセプタ不純物であるMgの活性化のため、例えば800°Cで熱処理を施す。次に、図4に示すように、周知のフォトリソグラフィ技術により、p型コンタクト層10の表面の第1領域R1の開口部11が形成される箇所以外の部分を、例えばNiマスク図示せずで被覆し、Niマスクで被覆されていない部分のp型コンタクト層10を、下地のp型クラッド層9が露出するまで反応性イオンエッチング等の周知の異方性エッチング法により除去して開口部11を形成した後に、Niマスク20を除去する。次に、図5に示すように、周知のフォトリソグラフィ技術により、p型コンタクト層10の表面の第1領域R1を、例えばNiマスク図示せずで被覆し、引き続き、n型クラッド層6上の全面に堆積された活性層7からp型コンタクト層10までの各層の第2領域R2に位置する部分を、反応性イオンエッチング等の周知の異方性エッチング法により除去し、n型クラッド層6の表面が露出後に、Niマスクを除去する。引き続き、基板全面にn電極13の反転パターンとなるフォトレジスト図示せずを形成しておき、その上に、n電極13となるTi/Al/Ti/Auの4層金属膜を、電子ビーム蒸着法等により蒸着し、当該フォトレジストをリフトオフにより除去して、当該フォトレジスト上の4層金属膜を剥離し、必要に応じて、RTA瞬間熱アニール等により熱処理を加えて、図6に示すように、n型クラッド層6上にn電極13を形成する。Ti/Al/Ti/Auの4層金属膜の膜厚は、例えば、記載順に、20nm/100nm/50nm/100nmである。引き続き、基板全面にp電極12の反転パターンとなるフォトレジスト図示せずを形成しておき、その上に、p電極12となるNi/Auの2層金属膜を、電子ビーム蒸着法等により蒸着し、当該フォトレジストをリフトオフにより除去して、当該フォトレジスト上の2層金属膜を剥離し、RTA等により例えば450°Cの熱処理を加えて、図7に示すように、p型コンタクト層10の表面にp電極12を形成する。Ni/Auの2層金属膜の膜厚は、例えば、記載順に、60nm/50nmである。引き続き、基板全面に反射金属層14の反転パターンとなるフォトレジスト図示せずを形成しておき、その上に、反射金属層14となるAl/Ti/Auの3層金属膜を、電子ビーム蒸着法等により蒸着し、当該フォトレジストをリフトオフにより除去して、当該フォトレジスト上の3層金属膜を剥離し、図8に示すように、p電極12と開口部11内に露出したp型クラッド層9を覆うように第1領域R1の略全面に反射金属層14を形成する。Al/Ti/Auの3層金属膜の膜厚は、例えば、記載順に、100nm/100nm/200nmである。尚、反射金属層14に対しては熱処理を行わない。この結果、反射金属層14内のAl層が熱処理によって溶融しないため、紫外線を反射する機能が良好に保持される。また、反射金属層14は、p電極12とオーミック接触するため、ワイヤーボンディング用或いはフリップチップボンディング用等の電極パッドとして使用できる。次に、本発明素子1の実施例と、p型コンタクト層10及びp電極12をp型クラッド層9上のほぼ全面に形成し、反射金属層14を設けない図26に例示した従来の断面構造と同様のp型コンタクト及びp電極構造を有する比較例に対して、発光強度LI任意単位の波長依存性と、発光出力P単位:mWの順方向電流If単位:mAに対する特性、順方向電圧Vf単位:Vと順方向電流Ifの電流電圧特性を測定した結果を、図9~図11に示す。実施例及び比較例の何れもp型コンタクト層10としてp型GaNを使用した。また、実施例におけるp型コンタクト層10と開口部11の合計面積に対する開口部11の面積の比率開口率として67を使用した。つまり、第1領域R1の約3分の1にp電極12が形成されている。また、各AlGaN層のAlNモル分率は、例えば、n型クラッド層6が60、バリア層7aが50、井戸層7bが35、電子ブロック層8が100、p型クラッド層9が40である。図9a,bは、縦軸の発光強度LIを線形スケールと対数スケールで表した波長依存性を夫々示している。但し、実施例及び比較例の各順方向電流Ifは、何れも60mAである。図10aは、発光出力Pの順方向電流Ifに対する特性を示し、図10bは同じ測定結果に対して実施例の測定結果を比較例の測定結果で正規化した特性を示している。図11は、順方向電圧Vfと順方向電流Ifの電流電圧特性を示している。各図とも、実施例の測定結果を実線または黒い四角印■で、比較例の測定結果を破線または白抜き丸印○で、夫々示している。図9に示す結果より、実施例の発光強度LIは、発光中心領域より短波長側において顕著に、比較例より増大しており、ピーク発光波長も僅かに短波長化している。比較例のピーク波長は約307.0nmで、発光強度LIは約252.5[任意単位]であった。これに対して、実施例のピーク波長は約304.6nmで、発光強度LIは約301.0[任意単位]であった。以上の測定結果より、発光波長域全体で外部量子効率の改善が確認できた。更に、図10に示す結果より、実施例の発光出力Pは、順方向電流Ifに関係なく比較例より増大しており、外部量子効率の改善が確認できた。しかし、実施例は比較例に対し外部量子効率は向上しているが、p型コンタクト層10の面積が比較例の3分の1になり、オーミック接触面積が減少しているため、p電極12側の寄生抵抗が高くなっているため、順方向電圧Vfは、図11に示すように、実施例の方が高くなっている。そこで、夫々順方向電流Ifが60mAの場合における、発光出力Pと順方向電圧Vfを測定し、発光素子に注入した電力順方向電圧Vf×順方向電流Ifに対する発光出力Pの比率で表される変換効率Eウォールプラグ効率と一般に称されるを算出した結果を、図12の一覧表に示す。図12に示す測定では、実施例及び比較例の何れもp型コンタクト層10としてp型GaNを使用し、更に、実施例では開口率として67を使用した。但し、p型コンタクト層10及びp電極12のパターンとして同じ開口率で3種類用意し、実施例1~3とした。実施例1~3及び比較例として夫々3サンプルを測定し、その平均値を図12に示す。尚、実施例1のパターンは、図2bに示す格子状パターンであり、実施例2のパターンは、図2cに示す櫛状パターンであり、実施例3のパターンは、図2dに示すドット状パターンである。図12より、比較例の3サンプルの平均の発光出力Pが5.85mW、順方向電圧Vfが6.23V、効率Eが1.57であったに対し、実施例1の3サンプルの平均の発光出力Pが7.55mW、順方向電圧Vfが7.41V、変換効率Eが1.70であり、実施例2の3サンプルの平均の発光出力Pが7.61mW、順方向電圧Vfが7.90V、変換効率Eが1.61であり、実施例3の3サンプルの平均の発光出力Pが7.70mW、順方向電圧Vfが7.81V、変換効率Eが1.64であった。比較例に対する発光出力Pの比率は、実施例1で129、実施例2で130、実施例3で132であった。一方、比較例に対する順方向電圧Vfの比率は、実施例1で119、実施例2で127、実施例3で125であった。実施例1~3の何れにおいても、順方向電圧Vfの上昇より発光出力Pの上昇が上回っているため、変換効率Eは実施例1~3の方が比較例より高くなっている。実施例1~3ではp型コンタクト層10及びp電極12のパターンが異なるが開口率が同じであるため、発光出力P及び順方向電圧Vfに大きな差は見られないが、3つの実施例1~3の中では、発光出力Pは実施例3が良く、変換効率Eでは実施例1が良いという傾向が見られる。また、本実施例では、開口率として67を使用したが、順方向電圧Vfが同じであれば、開口率が大きくなると、当然に発光出力Pは増大し、順方向電圧Vfも高くなる。そして、変換効率Eの観点からは、最適な開口率が、発光素子の構造、製造プロセス、電気的仕様等に応じて存在することになるが、外部量子効率に注目した場合は、開口率は大きい方が有利である。しかし、開口率が大きくなり過ぎると、p型コンタクト層10及びp電極12のパターン加工ができなくなり、順方向電圧Vfも実用的な範囲を超えて大きくなる可能性があるため、当然に発光素子の構造、製造プロセス、電気的仕様等に応じた上限が存在する。[第2実施形態]上記第1実施形態では、p型コンタクト層10とp電極12の開口部11を有する構造と反射金属層14を組み合わせた新規なp電極構造により、つまり、p電極12側での電極構造の改良により、外部量子効率が改善できることを説明した。しかし、図11及び図12に示すように、外部量子効率の改善に伴い、順方向電圧Vfが上昇する。第2実施形態では、p電極12側で発生する順方向電圧Vfの上昇を、n電極13側で軽減する実施形態につき説明する。図13に、第2実施形態における本発明素子20の断面構造を示す。図13に示すように、本発明素子20は、第2領域R2においてn型クラッド層6上にn型コンタクト層21を備え、n電極13がn型コンタクト層21上に形成されている点、つまり、当該n電極13の下地構造及び周辺構造を含むn電極構造に特徴があり、図1に示す第1実施形態の本発明素子1とは、当該n電極構造部分において相違し、その他の部分は本発明素子1と同じである。n型コンタクト層21のAlNモル分率は、0~60の範囲内好ましくは0~40の範囲内、より好ましくは0~25の範囲内で、n型クラッド層6のAlNモル分率より小さい値とする。また、n型コンタクト層21とn型クラッド層6のAlNモル分率の差は10乃至20以上であるのが好ましく、更に好ましくは、n型コンタクト層21がn型GaNAlNモル分率が0であるのが良い。次に、n電極構造部分の製造方法について、図14~図17を参照して説明する。第1実施形態で説明した図3~図5までの工程は同じであるので重複する説明は割愛する。第2領域R2に位置するn型クラッド層6の表面が露出した後、図14に示すように、選択成長用のマスクとなる非晶質であるSiO2膜22を、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、化学気相成長CVD法等の周知の堆積法により基板全面に膜厚200nmで堆積させ、周知のフォトリソグラフィ技術及びエッチング法により、堆積したSiO2膜22の第2領域内の一部に開口部23を形成する。引き続き、図15aに示すように、開口部23の底部に露出したn型クラッド層6の表面上に、エピタキシャル成長法により、n型GaNのn型コンタクト層21を選択成長させる。ここで、n型コンタクト層21としてn型AlGaNAlモル分率>0を使用した場合には、図15bに示すように、SiO2膜22上に多結晶のn型AlGaN24が堆積する。n型コンタクト層21がn型GaNの場合には、SiO2膜22が非晶質であり、その表面にはGaN分子を吸着するダングリングボンドが少ないため、n型コンタクト層21の表面結晶面と比較して吸着エネルギが極めて小さく、更に、GaN分子はマイグレーションが大きいため、吸着エネルギの大きいn型コンタクト層21の表面に専ら成長して、SiO2膜22上には多結晶としても成長しない。これに対して、n型コンタクト層21がn型AlGaNの場合には、AlN分子がGaN分子と比較してマイグレーションが小さく、SiO2膜22上への付着性が高いため、SiO2膜22の表面にはAlNを含む組成の多結晶が堆積する。引き続き、図16に示すように、フッ酸等を用いたウェットエッチングによりSiO2膜22を除去する。このとき、n型コンタクト層21がn型AlGaNの場合には、SiO2膜22上に成長した多結晶のn型AlGaN24は、SiO2膜22とともに除去される。以上の要領でn型クラッド層6上にn型コンタクト層21が形成された後は、図17に示すように、第1実施形態において説明したものと同じ要領で、n型コンタクト層21上にn電極13が形成され、引き続き、p型コンタクト層10の表面にp電極12が形成され、更に引き続き、p電極12と開口部11内に露出したp型クラッド層9を覆うように第1領域R1の略全面に反射金属層14が形成される。次に、n型コンタクト層21を設けることの効果について説明する。第1実施形態の実施例では、n型クラッド層6のAlNモル分率が60の場合を例示したが、発光中心波長が280nmより短くなると、例えば、250nm付近では、n型クラッド層6のAlNモル分率は75程度まで高くなる。n型AlGaN系半導体層からなるn型クラッド層6とAlを主成分とするn電極13との間の接触抵抗は、n型クラッド層6のAlNモル分率が大きくなると、増加する傾向にあり、特に60を超えると顕著となる例えば、非特許文献2参照。当該接触抵抗の増加は、p電極とn電極間に印加する順方向電圧Vfの高電圧化を招き、消費電力の増大、更には、ジュール熱による発光素子の発熱量の増加による素子寿命の低下を招く虞がある。しかし、本第2実施形態では、発光中心波長の短波長化に伴ってn型クラッド層6のAlNモル分率が60を超えて増加しても、n型コンタクト層21としてn型GaNまたは低AlNモル分率のn型AlGaNを使用することで、n電極13との間の接触抵抗の増大が回避されるため、順方向電圧Vfの高電圧化が抑制され、低電圧動作が可能となる。図18に、n型AlxGa1-xN層上に形成したn電極Ti/Al/Ti/Au:最下層がTi、最上層がAuとn型AlGaN層との接触抵抗ρC単位:Ωcm2と熱処理温度T単位:°Cの関係を、n型AlGaN層のAlNモル分率xが、0、25、40、60、75の5通りについて測定した結果を示す。図18に示す各ポイントは、同じAlNモル分率の同じ熱処理温度で処理した複数のサンプルの接触抵抗の平均値をプロットしたもので、破線で示す曲線は、各ポイントの変化の傾向を便宜的に示すものである。尚、接触抵抗の測定は、公知のTLMTransmissionLineModel法により行った。熱処理温度は450°C~1000°Cの範囲内に設定し、AlNモル分率xが0のサンプルは、熱処理を行わない場合も測定対象とした。AlNモル分率xが0のサンプルは、熱処理なしの場合と、熱処理温度が450°Cの場合で接触抵抗は同じであった。また、AlNモル分率xが75のサンプルについては、熱処理温度が950°Cにおいて、AlNモル分率xが60のサンプルと比較して、接触抵抗が平均で200倍以上高く、良好なオーミック接触が形成されておらず、熱処理温度が900°C以下では、オーミック接触が得られていない。更に、AlNモル分率xが75のサンプルについては、接触抵抗のバラツキも大きく、更に2桁以上高い接触抵抗も測定されている。図18の測定結果より、各AlNモル分率xにおいて、接触抵抗ρCが低下し、最低値またはその近傍値となる熱処理温度Tの範囲があり、AlNモル分率xが小さい程、当該範囲が広く且つ低温域に分布し、大きい程、当該範囲が狭く且つ高温域に移動することが分かる。また、熱処理温度Tが当該温度範囲を超えて上昇すると接触抵抗ρCが上昇し、また、熱処理温度Tが当該温度範囲より低下した場合も接触抵抗ρCが上昇し、熱処理温度Tが低下し過ぎると、オーミック接触が形成されなくなる。AlNモル分率xが0~0.6の範囲内では、熱処理温度Tを適正に選択することで、接触抵抗ρCを0.01Ωcm2以下に調整できることが分かる。以上より、n型クラッド層6とn電極13の間に、n型クラッド層6よりAlNモル分率の小さいn型コンタクト層21を介在させることで、n電極13の接触抵抗の低下と熱処理温度の低下の両方を同時に図ることができる。特に、n型クラッド層6上に直接n電極13を形成した場合に、n電極13の接触抵抗が極めて大きな値となるn型クラッド層6のAlNモル分率が60を超える場合に、上記効果は顕著となる。上記第1実施形態では、n電極13形成時に必要に応じて、RTA瞬間熱アニール等により熱処理を加えることを説明したが、本第2実施形態において、n型コンタクト層21がn型AlGaNで形成される場合は、図18に示される測定結果より、n電極13との接触抵抗が熱処理温度に依存するため、当該熱処理は接触抵抗を低減するために行われる。この点は、n電極13をn型AlGaNのn型クラッド層6上に形成する第1実施形態においても同様である。更に、上述のn型コンタクト層21の形成後の工程では、n電極13を形成した後に、p電極12と反射金属層14を形成したが、p電極12の形成後にn電極13を形成しても良い。この場合、図18に示すように、n型コンタクト層21をn型GaNとすれば、熱処理温度を450°Cと低温化でき、或いは、熱処理を省略できるため、先に形成されたp電極12に対する後処理であるn電極13の形成時の熱処理による悪影響を排除できる。次に、n型コンタクト層21をn型クラッド層6の表面に選択成長させ、その上にn電極13を形成した実施例実施例4と、n型クラッド層6の表面にn電極13を直接形成した比較例比較例1の順方向電圧Vfの差異を測定した実験結果を、図19に示す。尚、本比較実験では、比較例1として、第1実施形態の比較実験で用いた比較例と同様に、p型コンタクト層10及びp電極12をp型クラッド層9上のほぼ全面に形成し、反射金属層14を設けないサンプルを使用した。このため、n電極構造部分の違いの影響を調べるために、実施例4も、比較例1と同様にp型コンタクト層10及びp電極12をp型クラッド層9上のほぼ全面に形成し、反射金属層14を設けないサンプルを使用した。実施例4及び比較例1のp型コンタクト層10はp型GaNで形成し、n型クラッド層6のAlNモル分率を75とし、実施例4のn型コンタクト層21はn型GaNで形成した。また、実施例4と比較例1のn型コンタクト層21の平面視パターンは、何れも図12b~dに示すものと同じである。図19に示される結果より、本発明素子20において、n型コンタクト層21を設けることで、順方向電圧Vfが大幅に改善低電圧化されていることが分かる。この結果、第1実施形態で採用したp電極構造による順方向電圧Vfの上昇が、第2実施形態で採用したn電極構造によって緩和或いは相殺され、本実施形態における外部量子効率の改善効果が、より短波長の波長域でも発揮されることになる。[第3実施形態]上記第2実施形態では、第2領域R2においてn型クラッド層6の露出面上の広範囲に亘ってn型コンタクト層21を備え、n電極13を当該n型コンタクト層21上に形成することで、順方向電圧Vfが低減されることを説明した。第3実施形態では、p電極構造部分だけでなく、n電極構造部分においても、外部量子効率を向上させる実施形態につき説明する。図20に、第3実施形態における本発明素子30の断面構造を示す。図20に示すように、本発明素子30は、第2領域R2においてn型クラッド層6上の一部にn型コンタクト層21を備え、n電極13が当該n型コンタクト層21上に形成され、更に、n型コンタクト層21で覆われていないn型クラッド層6の表面及びn電極13の上に、反射金属層14と同様の反射金属層31が形成されている点、つまり、当該n電極13の下地構造及び周辺構造を含むn電極構造に特徴があり、図1に示す第1実施形態の本発明素子1とは、当該n電極構造部分において相違し、その他の部分は本発明素子1と同じである。また、本発明素子30は、反射金属層31を備えている点で、第2実施形態の本発明素子20と相違する。n型コンタクト層21とn電極13については、平面視パターンの形状及び面積が異なるだけで、第2実施形態と全く同様であるので、重複する説明は割愛する。本発明素子30のn型コンタクト層21とn電極13の平面視パターンの一例を、図21aに示す。図21aに示すように、本発明素子30では、第1領域R1の外周に沿ってn型コンタクト層21図中クロスハッチ部分が形成され、その上にn電極13が形成されている。また、参考のために、図21bに、第1及び第2実施形態の本発明素子1,20で採用したn型コンタクト層21とn電極13の平面視パターンを示す。本発明素子30の反射金属層31は、例えば、本発明素子1,20のn電極13と同じ平面視パターンを備える。尚、図21a,bでは、p型コンタクト層10、開口部11及びp電極12の記載は省略している。次に、反射金属層31の製造方法について説明する。第1及び第2実施形態で説明した要領で、n電極13まで形成された後、基板全面に反射金属層31の反転パターンとなるフォトレジスト図示せずを形成しておき、その上に、反射金属層31となるAl/Ti/Auの3層金属膜を、電子ビーム蒸着法等により蒸着し、当該フォトレジストをリフトオフにより除去して、当該フォトレジスト上の3層金属膜を剥離し、図20に示すように、n電極13或いはn電極13の少なくとも一部を覆うように第2領域の略全面に反射金属層31を形成する。Al/Ti/Auの3層金属膜の膜厚は、例えば、p電極構造の反射金属層14と同様に、記載順に、100nm/100nm/200nmである。n電極13を被覆せず直接n型クラッド層6上に形成された反射金属層31は、紫外線を反射するAlを主として含むため、サファイア基板2側から反射され、n型クラッド層6を通過してn型クラッド層6表面の第2領域に到達する発光を、サファイア基板2側に向けて再反射する。尚、反射金属層31に対しては熱処理を行わない。この結果、反射金属層31内のAl層が熱処理によって溶融しないため、紫外線を反射する機能が良好に保持される。また、反射金属層31は、n電極13とオーミック接触するため、チップの周辺においてワイヤーボンディング用或いはフリップチップボンディング用等の電極パッドとして使用できる。尚、反射金属層14と反射金属層31は同じ組成及び構造である必要はない。例えば、一方がAl単層膜で、他方がAl/Ti/Auの3層膜であっても良い。また、反射金属層14は、p電極12の形成後に形成するが、2つの反射金属層14,31をp電極12の形成後に同時に形成しても良い。更に、以上説明した本発明素子30の製造方法では、n電極13と反射金属層31を個別に形成する実施形態について説明したが、反射金属層31を形成するのに代えて、図22に示すように、n電極13を、n型コンタクト層21上だけでなく、n型コンタクト層21に覆われていないn型クラッド層6上にも形成するのも好ましい実施形態である。この場合、n型コンタクト層21のAlNモル分率を25以下とし、n電極13の形成時の熱処理温度を600°C以下に抑えることが好ましい。更に好ましくは、n型コンタクト層21をn型GaNで形成し、熱処理を省略するのが良い。これにより、n電極13とn型コンタクト層21間の接触抵抗を低く抑えて良好なオーミック接触を形成するとともに、n電極13内のAl層が熱処理によって溶融しないため、n型クラッド層6上のn電極13が、紫外線を反射する機能を良好に発揮できるようになる。反射金属層31を備えた本発明素子30と、反射金属層31を備えていない本発明素子20の発電出力Pと順方向電圧Vfを測定した結果、本発明素子30の発光出力Pが、本発明素子20の発光出力Pより平均して20程度以上向上している。一方、本発明素子30と本発明素子20の間で順方向電圧Vfに大差がない。この結果より、n型コンタクト層21は、第1領域R1の外周に沿って形成すれば十分であることが分かる。そして、本発明素子30において、発光出力Pが本発明素子20より向上していることから、n型コンタクト層21の面積を抑えて、その代わりに反射金属層31を設けることで、発光出力Pが向上すること、つまり、外部量子効率が向上することが分かる。換言すれば、発光出力Pが同じであれば、反射金属層31を設けずにn型コンタクト層21の面積を必要最小限に抑えて、チップサイズを縮小できることになる。例えば、図21aに示す本発明素子30において反射金属層31を設けないとすれば、チップサイズは約640μm×480μmまで縮小可能であり、第1領域R1はチップ面積の50以上を占めることが可能となる。以下に、別の実施形態につき説明する。1上記各実施形態では、反射金属層14を、開口部11内において、p型クラッド層9表面上に直接形成する場合を説明したが、例えば、図23に示すように、開口部11内に紫外線特に、発光波長域の紫外線を透過するSiO2、AlN、HfO2等の透明絶縁膜15を堆積した後、反射金属層14を形成するようにしても良い。更に、上記第2及び第3実施形態において、p型コンタクト層10の開口部11内のSiO2膜22は、SiO2膜22が活性層7からの発光を透過するので、完全に除去されずに開口部11内に残存しても良い。2上記各実施形態では、開口部11を、p型クラッド層9上の全面にp型コンタクト層10を形成した後、反応性イオンエッチング等により一部を除去して形成したが、これに代えて、p型クラッド層9上の開口部11となる部分にSiO2等の選択成長用のマスクを形成した後、p型クラッド層9上にp型GaNのp型コンタクト層10を選択成長させ、選択成長用のマスク部分を開口部11として形成するようにしても良い。この場合、当該マスク部分に、SiO2等の紫外線を透過する絶縁膜を使用することで、当該マスク部分を除去せずに、その上に反射金属層14を形成することができる。3上記各実施形態では、p型コンタクト層10としてp型GaNを使用したが、AlNモル分率が10未満で、p電極と低抵抗で非整流性接触可能であれば使用可能である。図24に、本実施形態で使用したp電極とp型AlGaNとの界面における接触抵抗特性を示す電流電圧特性のAlNモル分率の依存性を示す。尚、図24の縦軸の電流値は相対値である。AlNモル分率0のp型GaNでは低抵抗で良好なオーミック特性を示していることが分かる。また、AlNモル分率9.5のp型AlGaNではバリスタ的な非線形な電流電圧特性を示しているが、1V以上の電圧印加では低抵抗な非整流性の抵抗特性を示していることが分かる。これに対して、AlNモル分率19.3のp型AlGaNは、抵抗値がp型GaNに比べて30倍以上高く実用的でない。また、AlNモル分率32.8のp型AlGaNは、抵抗値がp型GaNに比べて4桁程度高く使用不可能である。4上記第1実施形態では、n型クラッド層6上に形成するn電極13は、図26に示す従来の発光ダイオードの素子構造と同様に形成したが、例えば、図25に示すように、p電極12と同様に、n電極13の平面視形状を、n型クラッド層6の表面の一部が露出するパターンとし、その露出したn型クラッド層6の表面及びn電極13上に、反射金属層14と同様の反射金属層16を形成するのも好ましい。反射金属層14に加えて反射金属層16を設けることで、例えば、サファイア基板2側から反射され、n型クラッド層6を通過してn型クラッド層6表面の第2領域R2に到達する発光の一部を、サファイア基板2側に向けて再反射するため、更に外部量子効率が改善される。尚、反射金属層14と反射金属層16は同じ組成及び構造である必要はない。例えば、一方がAl単層膜で、他方がAl/Ti/Auの3層膜であっても良い。また、反射金属層14と反射金属層16は、p電極12の形成後に形成するが、2つの反射金属層14,16の形成順は特に問わないし、また、同時に形成しても良い。5上記実施形態では、本発明素子が発光ダイオードの場合を想定して説明したが、半導体レーザレーザダイオードにおいても、n電極をn型AlGaNからなるn型クラッド層上に直接形成することでn電極の接触抵抗が高くなる場合には、上記実施形態と同様に、n型クラッド層上に、AlNモル分率の小さいn型コンタクト層を設けることで、n電極の接触抵抗を低下させることができ、同様の電気的特性等の改善が図れる。6上記実施形態では、本発明素子1を構成するテンプレートとして、図1に示すテンプレート5を一例としたが、当該テンプレート5に限定されるものではなく、例えば、AlN層3を図26に示すELO-AlN層としても良く、AlGaN層4を省略して良く、更には、サファイア基板2に代えて他の基板を用いても良い。更に、上記実施形態で例示した本発明素子1を構成するAlGaNまたはGaNの各層の膜厚及びAlNモル分率は、一例であり、素子の仕様に応じて適宜変更可能である。また、上記実施形態では、電子ブロック層8を設ける場合を例示したが、電子ブロック層8は必ずしも設けなくても構わない。7上記各実施形態では、p電極12がNi/Auの場合、n電極13がTi/Al/Ti/Auの場合、反射金属層14,31がAl/Ti/Auの場合を例示したが、各電極及び反射金属層の材料及び膜厚は、上記のものに限定されるものではない。p電極12とn電極13の電極材料は、夫々の下地層であるp型コンタクト層10、n型クラッド層6またはn型コンタクト層21との間でオーミック接触または低接触抵抗での非整流性接触が可能な金属材料であれば良く、必ずしも上記した多層構造でなくても良く、更には、熱処理によって層構造が合金化していても良い。n電極13は、特に反射金属層31を設けない場合は、上述の如く、紫外線を反射する金属、例えば、Alを主成分として含有しているのが好ましい。n電極13は、n型クラッド層6またはn型コンタクト層21との粘着性を高めるための金属材料粘着層として、Tiを使用する場合を例示したが、Tiに代えてCrを用いても良く、また、斯かる粘着層を設けなくても良い。反射金属層14,31は、紫外線を反射する金属、例えば、Alを主成分として含有している必要があるが、下地層との間で必ずしもオーミック接触する必要はない。8上記各実施形態では、反射金属層14を形成する場合に、p電極12を覆うように第1領域の略全面に形成したが、反射金属層14を、第1領域に形成された活性層7からp型コンタクト層10まで積層体の側壁面にも形成するのも好ましい実施形態である。この場合、当該積層体の各層が電気的に短絡するのを防止するために、積層体の側壁面と反射電極14の間に、SiO2等により側壁絶縁膜を形成する必要がある。側壁絶縁膜は、p電極12を形成した後に、例えば、基板全面にSiO2等の絶縁膜を堆積し、異方性エッチングにより堆積した絶縁膜を除去することで、積層体の側壁面にサイドウォール状に残留した絶縁膜を側壁絶縁膜として形成する。側壁絶縁膜を形成した後、基板全面に反射金属層14の反転パターンとなるフォトレジストを、側壁絶縁膜を覆わないように形成し、上述の要領で、反射金属層14の材料膜の堆積、当該フォトレジストのリフトオフを経て、積層体の側壁面を覆う反射金属層14が形成される。9上記第3実施形態では、反射金属層31を形成する場合に、n電極13を覆うように第2領域の略全面に形成したが、反射金属層31を、第1領域に形成された活性層7からp型コンタクト層10まで積層体の側壁面にも形成するのも好ましい実施形態である。この場合、当該積層体の各層が電気的に短絡するのを防止するために、積層体の側壁面と反射金属層31の間に、SiO2等により側壁絶縁膜を形成する必要がある。側壁絶縁膜と反射金属層31の形成は、上記8と同様であるので、重複する説明は割愛する。"