基板上にコンタクトプラグを形成する工程と、前記コンタクトプラグを被覆して第1の導電膜を成膜する工程と、前記第1の導電膜上に、酸素含有率が異なる複数層から構成される抵抗変化膜を成膜する工程と、前記抵抗変化膜上に第2の導電膜を成膜する工程と、前記第2の導電膜をパターニングして上部電極を形成する工程と、前記抵抗変化膜をパターニングして抵抗変化層を形成する工程と、前記第1の導電膜をパターニングして前記コンタクトプラグに接続された下部電極を形成する工程と、を備え、さらに、少なくとも前記下部電極を形成する工程の前に、前記抵抗変化層の端部又は前記抵抗変化層の端部となる前記抵抗変化膜の一部を絶縁化させるために酸化する工程を有する不揮発性半導体記憶素子の製造方法。前記抵抗変化層又は前記抵抗変化膜を酸化する工程は、前記抵抗変化層を形成する工程の後に、前記抵抗変化層の端部を絶縁化させるために酸化する工程である請求項1記載の不揮発性半導体記憶素子の製造方法。前記抵抗変化層又は前記抵抗変化膜を酸化する工程は、前記上部電極を形成する工程と前記抵抗変化層を形成する工程との間に、前記抵抗変化膜の前記一部を絶縁化させるために酸化する工程である請求項1記載の不揮発性半導体記憶素子の製造方法。さらに、前記上部電極の上に前記上部電極よりも高い圧縮応力を有するストレス強化層を形成する工程を有する請求項1記載の不揮発性半導体記憶素子の製造方法。前記抵抗変化層は、タンタル、ハフニウムまたはジルコニウムの酸化物層から構成される請求項1乃至4のいずれか1項に記載の不揮発性半導体記憶素子の製造方法。上述の不揮発性半導体記憶素子において、抵抗変化が安定して発現する状態に遷移させるために、抵抗変化素子に最初に電圧を印加して、酸素含有率の高い抵抗変化層の一部を局所的に短絡させるブレイク初期ブレイクダウンが行われる。この時重要な事は、抵抗変化素子以外のトランジスタや寄生抵抗成分に不要な電圧が伝わることなく、抵抗変化素子に十分な電圧が印加されることである。発明者らは、このために、抵抗変化素子の側壁部分を酸化して絶縁化することで、アクティブな面積を縮小化し、リーク電流を低減することを提案している。図9aから図9iは、発明者らが提案した不揮発性半導体記憶素子の要部の製造方法を示す断面図である。まず、図9aに示すように、トランジスタや下層配線などが形成されている基板100上に、アルミAl等で構成される導電層を形成し、これをパターニングすることで下層配線101を形成する。更に、下層配線101を被覆して基板100上に絶縁膜を形成した後に絶縁膜表面を平坦化することで層間絶縁層102を形成する。そして、所望のマスクを用いて層間絶縁層102をパターニングして、層間絶縁層102を貫通して下層配線101に達するコンタクトホール103を形成する。次に、図9bに示すように、まずタングステンWを主成分とする充填材で、コンタクトホール103を埋め込み、化学的機械研磨法CMP法を用いてウエハ全面を平坦化研磨し、層間絶縁層102上の不要な充填材を除去して、コンタクトホール103の内部にコンタクトプラグ104を形成する。次に、図9cに示すように、コンタクトプラグ104を被覆して、層間絶縁層102上に、後に下部電極105となるタンタル窒化物TaNから構成される第1の導電膜105’をスパッタ法で形成する。次に、図9dに示すように、第1の導電膜105’上に、遷移金属酸化物から構成される第1の抵抗変化膜106a’および第2の抵抗変化膜106b’をこの順で形成する。第1の抵抗変化膜106a’の酸素含有率としては、50~65atm、その抵抗率は2~50mΩcm、膜厚は20~100nmであり、第2の抵抗変化膜106b’の酸素含有率としては、65~75atm、その抵抗率は1E7すなわち、1×107mΩcm以上、膜厚は3~10nmである。次に、図9eに示すように、第2の抵抗変化膜106b’上に、パターニング後に上部電極107となる貴金属白金Pt、イリジウムIr、パラジウムPdなどから構成される第2の導電膜107’を形成する。次に、図9fに示すように、所望のマスクを用いて、第2の導電膜107’をパターニングして、上部電極107を形成する。続いて、図9gに示すように、所望のマスクを用いて、第1の抵抗変化膜106a’および第2の抵抗変化膜106b’をパターニングして、第1の抵抗変化層106aおよび第2の抵抗変化層106bの積層構造で構成される抵抗変化層106を形成する。更に、図9hに示すように、所望のマスクを用いて、第1の導電膜105’をパターニングして、下部電極105を形成して、抵抗変化層106を下部電極105および上部電極107で挟持した抵抗変化素子を形成する。通常、図9fから図9hは、同一のマスクを用いて、一連の工程として、実施される。素子のパターニングエッチングの途中で、他の工程の処理をすると、歩留低下や、製造のスループットが低下するなどの懸念があるからである。最後に、図9iに示すように、抵抗変化素子を酸素雰囲気中でアニールすることにより、第1の抵抗変化層106aの端部を酸化して絶縁領域106cを形成する。このとき、第2の抵抗変化層106bは最初から絶縁層に近いので、ほとんど酸化されない。以上の製造方法とすることにより、抵抗変化素子の側壁部分を酸化して絶縁化することで、第1の抵抗変化層106aのアクティブな面積を縮小し、抵抗変化層106中のダメージ領域を流れるリーク電流を低減し、ブレイク電圧の低電圧化、ブレイク電圧の印加時間の短時間化を実現することができる。しかしながら、上記で説明した製造方法を実現するためには、微細化、メモリの大容量化の点で課題がある。図10に、上述の製造方法で形成した不揮発性半導体記憶素子の不良ビットのSEM像による断面図を示す。抵抗変化素子が下層のコンタクトプラグ104とずれて形成された場合に、タングステンを主成分とするコンタクトプラグ104の上面が下部電極より外側にはみだし、図9iの酸素アニールによって酸化されることが分かる。タングステンは酸化されるとその抵抗値が増大するため、このコンタクトプラグ104の抵抗が上昇することで寄生抵抗が増大し、抵抗変化素子に必要な電圧が印加されなくなる。そのため、初期化に必要な電圧ブレイク電圧がメモリセルに印加できず、抵抗変化素子がブレイクされなかったり、抵抗変化に必要な閾値電圧が印加できないために抵抗変化できなくなることで、不良ビットが構成される。抵抗変化素子は微細化すればするほど、下層のコンタクトプラグ104とのマスク合わせマージンは減少する傾向であり、また、大容量化すればするほど、抵抗変化素子毎の位置のばらつきが増大するので、この現象の発生頻度は、微細化、大容量化に伴い悪化する傾向である。また、下部電極105でコンタクトプラグ104を完全に被覆していても、層間絶縁層102を介してコンタクトプラグ104が酸化されることも懸念される。本発明は、上記の課題を解決するもので、ブレイク時の低電圧高速動作が可能で、かつコンタクトプラグの酸化を抑えることが可能な抵抗変化型の不揮発性半導体記憶素子の製造方法を提供することを目的とする。特に、メモリの微細化大容量化に極めて貢献できる不揮発性半導体記憶素子の製造方法を提供することを目的とするものである。上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る不揮発性半導体記憶素子の製造方法は、基板上にコンタクトプラグを形成する工程と、コンタクトプラグを被覆して第1の導電膜を成膜する工程と、第1の導電膜上に、酸素含有率が異なる複数層から構成される抵抗変化膜を成膜する工程と、抵抗変化膜上に第2の導電膜を成膜する工程と、第2の導電膜をパターニングして上部電極を形成する工程と、抵抗変化膜をパターニングして抵抗変化層を形成する工程と、第1の導電膜をパターニングしてコンタクトプラグに接続された下部電極を形成する工程と、を備え、さらに、少なくとも下部電極を形成する工程の前に、抵抗変化層又は抵抗変化層の端部となる抵抗変化膜の一部を絶縁化させるために酸化する工程を有することを特徴とする。以上の製造方法とすることにより、抵抗変化素子の側壁部分を酸化して絶縁化することで、アクティブな面積素子の電気特性に影響する実効面積を縮小し、リーク電流を低減し、ブレイク電圧の低電圧化、印加時間の短時間化を実現することができる。また同時に、下部電極がパターニングされる前に抵抗変化層の側壁を酸化することで、全面に成膜された導電層が酸素の拡散バリアとなり、コンタクトプラグの酸化を原理的に防止することができる。また、上述の不揮発性半導体記憶素子の製造方法において、抵抗変化層又は抵抗変化膜を酸化する工程は、抵抗変化層を形成する工程の後に、抵抗変化層の端部を絶縁化させるために酸化する処理をおこなう工程であってもよい。これにより、抵抗変化層の端部から酸素が脱離しないようにする効果がある。特に抵抗変化膜のパターニング直後に、酸化することで、抵抗変化層が大気中に放置される時間が少なくなり、抵抗変化層の変動要因が少なくなる効果がある。また、端部に形成された側壁酸化領域が保護層となり、下部電極をパターニングする際の抵抗変化層のエッチングダメージも低減することができる。また、上述の不揮発性半導体記憶素子の製造方法において、抵抗変化層又は抵抗変化膜を酸化する工程は、上部電極を形成する工程と抵抗変化層を形成する工程との間に、抵抗変化膜の一部を絶縁化させるために酸化する処理をおこなう工程であってもよい。これにより、酸化処理の際に抵抗変化膜がパターニングされていないので、その分だけ酸素の拡散バリアが強化され、より確実にコンタクトプラグの酸化を防止することができる。また、抵抗変化膜が全面に残存している状態で酸化すると、抵抗変化膜の酸化レートが向上し、抵抗変化素子のアクティブ面積をより絞ることができ、リーク電流を更に低減することができる。加えて、エッチングする対象の抵抗変化膜に酸素が多く含有されることで、抵抗変化膜に形成された酸化領域が保護層となり、抵抗変化膜および第1の導電膜をパターニングする際のエッチングダメージも低減することができる。また、上述の不揮発性半導体記憶素子の製造方法において、上部電極の上に上部電極よりも高い圧縮応力を有するストレス強化層を形成する工程を有してもよい。これにより、下部電極となる第1の導電層、抵抗変化層となる抵抗変化膜が全面に残った状態で酸化を実施しても、ストレス変動による上部電極の反りを防止することができる。最後に、抵抗変化層は、タンタル、ハフニウムまたはジルコニウムの酸化物層から構成されてもよい。これらの材料はリテンション特性に優れ、かつ高速動作が可能な材料であるが、抵抗変化開始時にブレイクを必要とする抵抗変化層の材料であっても、本発明の効果により、そのブレイク特性を極めて安定化することができるからである。本発明の不揮発性半導体記憶素子の製造方法は、コンタクトプラグ上に形成された上部電極、抵抗変化層および下部電極から構成される抵抗変化素子において、下部電極をパターニングする前に、抵抗変化層の側壁を酸化することで、抵抗変化層の実効面積の縮小によるブレイク電圧の低電圧化短時間化と、コンタクトプラグの酸化防止とを両立させるものである。これは、パターニングされていない下部電極となる導電層が酸素の拡散バリアとして機能し、コンタクトプラグの酸化を原理的に防止することができるからである。本発明の不揮発性半導体記憶素子の製造方法は、特に、メモリの微細化大容量化に極めて貢献できるものである。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の各実施形態に示す膜厚や孔径などの数値は具体例としての一例を示すものであり、これらの数値に限定されるものではない。実施の形態1図1は、本発明の実施の形態1における不揮発性半導体記憶素子の要部の製造方法を示す断面図である。まず、図1aに示すように、トランジスタや下層配線などが形成されている基板100上に、アルミ等で構成される導電層膜厚:400~600nmを形成し、これをパターニングすることで下層配線101を形成する。そして、下層配線101を被覆して基板100上に絶縁膜を形成した後に絶縁層の表面を平坦化することで層間絶縁層102膜厚:500~1000nmを形成する。層間絶縁層102については、プラズマTEOS膜、ならびに配線間の寄生容量の低減のためにフッ素含有酸化物例えば、FSGおよびlow-k材料等が用いられる。そして、所望のマスクを用いて層間絶縁層102をパターニングして、層間絶縁層102を貫通して下層配線101に達するコンタクトホール103直径:50~300nmを形成する。ここでは、下層配線101の幅がコンタクトホール103の径より小さい場合には、マスク合わせずれの影響により下層配線101とコンタクトプラグ104の接触する面積が変わり、例えばセル電流が変動する。これを防止する観点から、下層配線101の幅はコンタクトホール103の径より大きくなるようにしている。次に、図1bに示すように、まず下層として密着層および拡散バリアとして機能するチタン窒化物TiN、膜厚:5~50nm及びチタンTi、膜厚:5~30nm層をスパッタ法で、そしてその上層として主成分となるタングステンW、膜厚:200~400nmをCVD法で成膜する。この結果、タングステンを主成分とする充填材で、コンタクトホール103は埋め込まれる。そして、化学的機械研磨法CMP法を用いてウエハ全面を平坦化研磨し、層間絶縁層102上の不要な充填材を除去して、コンタクトホール103の内部の基板100上にコンタクトプラグ104を形成する。次に、図1cに示すように、コンタクトプラグ104を被覆して、層間絶縁層102上に、後に下部電極105となるタンタル窒化物から構成される第1の導電膜105’TaN、膜厚:50~200nmをスパッタ法で形成成膜する。次に、図1dに示すように、第1の導電膜105’上に、酸素含有率が異なる複数層から構成される抵抗変化膜つまり遷移金属酸化物から構成される第1の抵抗変化膜106a’および第2の抵抗変化膜106b’をこの順で形成成膜する。第1の抵抗変化膜106a’の酸素含有率としては、50~65atm、その抵抗率は2~50mΩcm、膜厚は20~100nmであり、第2の抵抗変化膜106b’の酸素含有率としては、65~75atm、その抵抗率は1E7Ωcm以上、膜厚は3~10nmである。ここでは、タンタルターゲットをアルゴンArと酸素ガスO2雰囲気中でスパッタリングする、いわゆる、反応性スパッタ法で第1の抵抗変化膜106a’および第2の抵抗変化膜106b’を形成した。なお、第1の抵抗変化膜106a’は、第2の抵抗変化膜106b’に対して低酸素濃度および低抵抗の膜である。次に、図1eに示すように、第2の抵抗変化膜106b’上に、パターニング後に上部電極107となる貴金属白金Pt、イリジウムIr、パラジウムPdなどから構成される第2の導電膜107’を形成成膜する。次に、図1fに示すように、所望のマスクを用いて、第2の導電膜107’をパターニングして、パターニングされた第2の導電膜107’を上部電極107として形成する。次に、図1gに示すように、所望のマスクを用いて、第1の抵抗変化膜106a’および第2の抵抗変化膜106b’をパターニングする。例えば、難エッチング材料である上部電極107をマスクに用いて抵抗変化膜をパターニングしてもよい。パターニングされた抵抗変化膜は第1の抵抗変化層106aおよび第2の抵抗変化層106bの2層積層構造で構成される抵抗変化層106として形成する。この場合には、下部電極105となる第1の導電膜105’が抵抗変化膜のパターニングでエッチングされにくい条件で行うことが好ましい。例えば、第1の導電膜105’がエッチングされ難いガスで第1の抵抗変化膜106a’および第2の抵抗変化膜106b’をドライエッチングすることが好ましい。第1の導電膜105’の膜厚が残存すればするほど、第1の導電膜105’がより確実に酸素の拡散バリアとして機能するからである。なお、第1の抵抗変化層106aは、第2の抵抗変化層106bに対して低酸素濃度および低抵抗の抵抗変化膜である。ここで、第1の抵抗変化層106a第1の抵抗変化膜106a’は第1の遷移金属酸化物、例えば酸素不足型の酸化タンタルTaOx、0<x<2.5を主成分とした遷移金属酸化物で構成される。第2の抵抗変化層106b第2の抵抗変化膜106b’を構成する第2の遷移金属酸化物の酸素含有率は、第1の抵抗変化層106aを形成する第1の遷移金属酸化物の酸素含有率より高い。言い換えると、第2の遷移金属酸化物の酸素の組成比は、第1の遷移金属酸化物の酸素の組成比より高い。例えば、第2の抵抗変化層106bが酸化タンタルTaOyで構成されるとすると、x<yとなる。第1の抵抗変化層106aおよび第2の抵抗変化層106bがタンタル以外の遷移金属で構成される場合は、絶縁性を示す化学量論的組成からの酸素の不足度が小さい材料で構成される。抵抗変化層106を構成する材料として他にハフニウムHfやジルコニウムZrの酸化物を用いても、同様の積層構造の抵抗変化層が構成できる。なお、酸素不足型の遷移金属酸化物とは、化学量論的な組成を有する酸化物と比較して酸素の含有量原子比:総原子数に占める酸素原子数の割合が少ない酸化物をいう。遷移金属がTaの場合、化学量論的な酸化物の組成はTa2O5であって、TaとOの原子数の比率O/Taは2.5である。したがって、酸素不足型のTa酸化物において、TaとOの原子比は0より大きく、2.5より小さいことになる。次に、図1hに示すように、第1の導電膜105’がパターニングされていない抵抗変化素子を、酸素を含む雰囲気中でアニール以下、単にアニールと記載することにより温度:300~450°C、第1の抵抗変化層106aの端部側端部を絶縁化させるために酸化して絶縁領域106cを形成する。第2の抵抗変化層106bが、最初から絶縁層に近い場合は、ほとんど酸化されない。また、第1の導電膜105’の表面が露出された状態で酸化処理されるので、第1の導電膜105’の表層に酸化層が形成されることになる図示せず。本実施の形態の場合は、タンタル窒化物の表面が酸化されて、タンタル酸化物もしくは酸窒化物となる。最後に、図1iに示すように、所望のマスクを用いて、例えば上部電極107をマスクに用いて第1の導電膜105’をパターニングして、パターニングされた第1の導電膜105’をコンタクトプラグ104に接続された下部電極105として形成する。この結果、抵抗変化層106を下部電極105および上部電極107で挟持した抵抗変化素子が形成される。この場合には、第1の導電膜105’の表層近傍は、酸化処理により、膜質が変わっている。そのため、第1の導電膜105’のエッチングとしては、通常より時間がかかり、抵抗変化素子の底部寸法としては増加する方向になる。以降は、通常は、抵抗変化素子を層間絶縁膜で被覆する工程、抵抗変化素子の上部電極に接続するコンタクトプラグを形成する工程、そのコンタクトプラグに接続する上層配線を形成する工程などがあり図示せず、これらの工程を行うことで本発明の実施の形態1にかかる不揮発性半導体記憶素子を実現することができる。以上の製造方法とすることにより、コンタクトプラグ104上に形成された上部電極107、抵抗変化層106および下部電極105から構成される抵抗変化素子の製造方法において、下部電極105を形成する前に、抵抗変化層106の側壁が酸化される。これにより、抵抗変化層のアクティブな面積を縮小し、ブレイク電圧の低電圧化およびブレイク時間の短時間化と、コンタクトプラグの酸化防止とを両立させることができる。上述の製造方法で作成した本発明の実施の形態1の不揮発性半導体記憶素子の側壁酸化量とコンタクトプラグのコンタクト抵抗との関係を図2に示す。図2は、抵抗変化層106の側壁を酸化した量を横軸に、コンタクトプラグ104のコンタクト抵抗を縦軸に示す。側壁酸化量とは、ウェハ全面に抵抗変化層106を形成したモニタウェハを用い、その表面を側壁酸化時と同じ時間だけ酸化して抵抗変化層106表面から縦方向に進行する酸化量を、光学的な膜厚測定器で測定した推測量である。実際の抵抗変化素子の側壁で進行する酸化量は、他の要因により、影響を受けてモニタウェハを用いて測定した側壁酸化量と異なることもあるが、定性的な特性は変わらないと考えられる。図2より、抵抗変化素子形成後下部電極形成後にアニールを実施していた図9の製造方法では、コンタクト抵抗が32Ω程度で、側壁酸化量が70nmになると、急激に40Ω以上に上昇している。これは側壁酸化量を多くすることで、酸素がコンタクトプラグ104まで到達し、コンタクトプラグ104が酸化されるビットが生じることを示唆している。一方で、本発明の実施の形態1の製造方法では、コンタクト抵抗は30Ω以下と低く、側壁酸化量が増加しても抵抗上昇がないことがわかる。また、本発明の実施の形態1の不揮発性半導体記憶素子において、側壁酸化量とブレイク電圧との関係を図3に示す。図3は、抵抗変化層106の側壁を酸化した量を横軸に、抵抗変化素子のブレイク電圧を縦軸に示す。抵抗変化素子形成後にアニールを実施していた図9の製造方法と同様に、側壁酸化量を多くすることで、抵抗変化素子のアクティブ面積が縮小し、ブレイク電圧が低減される効果が発現していることを確認した。最後に、側壁酸化を実施する工程の違いにより、抵抗変化素子の底部寸法にどのような影響を与えるかについて説明する。図4Aは、本発明の実施の形態1における不揮発性半導体記憶素子の側壁酸化量と抵抗変化素子の底部寸法との関係を示したものである。図4Aは、抵抗変化層の側壁を酸化した量を横軸に、抵抗変化素子の底部の寸法を縦軸に示す。図4Bは、本発明の実施の形態1の製造方法による抵抗変化素子と図9の製造方法による抵抗変化素子とを示したものである。図4Bより、抵抗変化層形成直後にアニールした本発明の実施の形態1の製造方法による抵抗変化素子の底部寸法Bが、抵抗変化素子形成後下部電極形成後にアニールした図9の抵抗変化素子の底部寸法Aに比べて、大きくなることがわかる。この理由は、下部電極105をエッチングする場合の表層状態の違いに起因する。本発明の実施の形態1では、下部電極105の加工前に抵抗変化層106の酸化を実施するので、下部電極105の表面が酸化される。このため、図9と同様のエッチングを下部電極105に対して行うと、下部電極105に酸素が含有されている分、下部電極105のエッチングが進行しにくくなり、下部電極105はテーパー形状となる。つまり、図9の製造方法で形成された下部電極105の上部寸法と底部寸法の差aに対して、本発明の実施の形態1の製造方法で形成された下部電極105の上部寸法と底部寸法の差bはより大きくなり、この差が抵抗変化素子の底部寸法の違いz=b-a=B-A/2になってあらわれるのである。このz量の大きさは、抵抗変化素子の膜構成、寸法およびエッチング条件にも依存するが、差が生じることに違いはない。実施の形態2図5は、本発明の実施の形態2における不揮発性半導体記憶素子の要部の製造方法を示す断面図である。図5において、図1と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。図5に示すように、本発明の実施の形態1の不揮発性半導体記憶素子の製造方法と、本発明の実施の形態2の不揮発性半導体記憶素子の製造方法との違いは、抵抗変化素子の側壁酸化のためのアニール工程絶縁領域106c形成工程をどのタイミングで行うかという点である。本発明の実施の形態1の製造方法では、第1の抵抗変化膜106a’をパターニングした後つまり抵抗変化層106を形成した後にアニールを実施して絶縁領域106cを形成していたのに対し、本発明の実施の形態2の製造方法では、第2の導電膜107’をパターニングした後、つまり上部電極107を形成してからエッチングによる抵抗変化層106を形成するまでの間にアニールを実施して絶縁領域106cを形成している。よって、図5e以前の工程は、図1a~図1eと同様であるので、説明を省略する。まず、図5fに示すように、コンタクトプラグ104を被覆して、層間絶縁層102上に、後に下部電極105となる第1の導電膜105’、遷移金属酸化物から構成される第1の抵抗変化膜106a’および第2の抵抗変化膜106b’、ならびに後に上部電極107となる第2の導電膜107’が形成された状態において、所望のマスクを用いて、第2の導電膜107’をパターニングして、上部電極107を形成する。この場合には、第1の抵抗変化膜106a’および第2の抵抗変化膜106b’が上記第2の導電膜107’のパターニングでエッチングされにくい条件で行うことが好ましい。例えば、第1の抵抗変化膜106a’および第2の抵抗変化膜106b’がエッチングされ難いガスで第2の導電膜107’をドライエッチングすることが好ましい。抵抗変化膜の残存膜厚がばらつくと、次工程のアニールで側壁酸化量のばらつきが発生するので、これを防止するためである。次に、図5gに示すように、第1の導電膜105’、第1の抵抗変化膜106a’および第2の抵抗変化膜106b’がパターニングされていない状態の抵抗変化素子を酸素を含む雰囲気中でアニールすることにより温度:300~450°C、第1の抵抗変化膜106a’の一部上部電極107および下部電極105の間に位置し、後に第1の抵抗変化層106aの端部となる部分と表面に露出する部分を絶縁化させるために酸化して、絶縁領域106c’を形成する。このとき酸化は膜厚方向だけでなく、抵抗変化素子の内部方向にも進行する。上述したように、第2の抵抗変化膜106b’が、最初から絶縁層に近い場合は、ほとんど酸化されない。また、酸化の進行度合いによっては、第1の導電膜105’の表面が酸化されることもある図示せず。次に、図5hに示すように、所望のマスクを用いて、例えば上部電極107をマスクに用いて第1の抵抗変化膜106a’および第2の抵抗変化膜106b’絶縁領域106c’をパターニングして、第1の抵抗変化層106aおよび第2の抵抗変化層106bの積層構造で構成される抵抗変化層106を形成する。抵抗変化素子の内部に進行した酸化領域が絶縁領域106cとなって、抵抗変化素子の端部を覆うことになる。このため、抵抗変化素子の端部は酸素を大量に含有した絶縁領域で覆われているので、抵抗変化層106をエッチングする際のエッチングガスの打ち込みなどを抑制することができる。また、第2の抵抗変化層106bは、酸化により大量に酸素を含んだ状態となるので、膜質が変わっている。そのため、エッチングとしては、通常より時間がかかり、抵抗変化素子の底部寸法としては増加する方向になる。最後に、図5iに示すように、所望のマスクを用いて、例えば上部電極107をマスクにして第1の導電膜105’をパターニングして、下部電極105を形成する。この結果、抵抗変化層106を下部電極105および上部電極107で挟持した抵抗変化素子が形成される。以降は、通常は、抵抗変化素子を層間絶縁膜で被覆する工程、抵抗変化素子の上部電極に接続するコンタクトプラグを形成する工程、そのコンタクトプラグに接続する上層配線を形成する工程などがあり図示せず、これらの工程を行うことで本発明の実施の形態2にかかる不揮発性半導体記憶素子を実現することができる。以上の製造方法とすることにより、コンタクトプラグ104上に形成された上部電極107、抵抗変化層106および下部電極105から構成される抵抗変化素子の製造方法において、下部電極105を形成する前に、抵抗変化層106の側壁が酸化される。これにより、抵抗変化層の実効面積の縮小によるブレイク電圧の低電圧化およびブレイク時間の短時間化と、コンタクトプラグの酸化防止とを両立させることができる。上述の製造方法で作成した本発明の実施の形態2の不揮発性半導体記憶素子については、本発明の実施の形態1の不揮発性半導体記憶素子に比べて、以下に示す有利な効果がある。図6に、本発明の実施の形態2の製造方法における不揮発性半導体記憶素子の側壁酸化量と初期抵抗との関係を示す。図6は、抵抗変化層106の側壁を酸化した量を横軸に、抵抗変化素子の初期抵抗を縦軸に示す。側壁酸化量は、上述したモニタウェハの縦方向に進行する酸化量であり、一定の目安である。図6から、図9の製造方法、本発明の実施の形態1の製造方法に比べて、本発明の実施の形態2の製造方法では、同様の初期抵抗を得る同様の絶縁領域106cを形成するのに、必要な側壁酸化量が少なくてすむことが分かる。いいかえると、上部電極107を形成した直後に抵抗変化層106を酸化した場合には、実効的な側壁酸化レートが向上し、より抵抗変化素子の内側まで酸化できることがわかる。これは明らかではないが、抵抗変化層を介した場合に、抵抗変化層中の酸素の拡散係数が大きくなることが原因と推測する。実施の形態3上述した、図6で抵抗変化素子の側壁酸化のためのアニールを上部電極107形成の直後に実施すると、実効的な側壁酸化レートが向上することを確認したが、その一方で側壁酸化を過剰にすると、初期抵抗が非常に高抵抗化してブレイクできないメモリセルができることがわかった。これを解析すると、上部電極107が剥離していることが原因であると判明した。これは、抵抗変化層106が全面に残った状態での、酸化処理は、ストレス変動が大きく、その影響を受けて上部電極107が剥離したものによると考えられる。本発明の実施の形態3の製造方法はこれを解決するものである。図7は、本発明の実施の形態3における不揮発性半導体記憶素子の要部の製造方法を示す断面図である。図7において、図1と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。図7に示すように、本発明の実施の形態3の不揮発性半導体記憶素子の製造方法と、本発明の実施の形態2の不揮発性半導体記憶素子の製造方法の違いは、上部電極107の上にストレス強化層108が配置されていることである。よって、図7d以前の工程は、図5a~図5dと同様であり、図7h以降の工程は、図5h~図5iと同様であるので、説明を省略する。まず、図7eに示すように、コンタクトプラグ104を被覆して、層間絶縁層102上に、後に下部電極105となる第1の導電膜105’、遷移金属酸化物から構成される第1の抵抗変化膜106a’および第2の抵抗変化膜106b’、後に上部電極107となる第2の導電膜107’、ならびにストレス強化膜108’をこの順で形成する。ストレス強化膜108’には、後のアニールによる引っ張り応力を抑制するために、第2の導電膜107’上部電極107よりも高い圧縮応力compressivestressを有するものを用いる。言い換えると、ストレス強化膜108’には、アニール絶縁領域106c’の形成により上部電極107で生じる引っ張り応力に対する応力耐性を強化するために、上部電極107で発生する応力よりも高い逆極性の応力つまり圧縮応力を、膜形成時に膜自身の特性として有するものを用いる。ここでは、ストレス強化膜108’を構成する材料としてチタンとアルミニウムの窒化物TiAlNを選択した。ストレス強化膜108’はかならずしも導電性である必要はない。絶縁性である場合には、上部電極107へ接続するコンタクトを形成する場合に、ストレス強化層108も開口上部電極107の表面が露出するまで貫通し、コンタクトプラグが埋め込まれる貫通孔を形成すればよいからである。次に、図7fに示すように、所望のマスクを用いて、第2の導電膜107’およびストレス強化膜108’をパターニングして、上部電極107およびその上のストレス強化層108を形成する。この場合にも、第1の抵抗変化膜106a’および第2の抵抗変化膜106b’が上記第2の導電膜107’およびストレス強化膜108’のパターニングでエッチングされにくい条件で行うことが好ましい。例えば、第1の抵抗変化膜106a’および第2の抵抗変化膜106b’がエッチングされ難いガスで第2の導電膜107’およびストレス強化膜108‘をドライエッチングすることが好ましい。第2の導電膜107’およびストレス強化膜108’のパターニング後の抵抗変化膜の残存膜厚がばらつくと、次工程のアニールで側壁酸化量のばらつきが発生するので、これを防止するためである。次に、図7gに示すように、第1の導電膜105’、第1の抵抗変化膜106a’および第2の抵抗変化膜106b’がパターニングされていない状態の抵抗変化素子を、酸素を含む雰囲気中でアニールすることにより温度:300~450°C、第1の抵抗変化膜106a’の一部を酸化して、絶縁領域106c’を形成する。このとき酸化は膜厚方向だけでなく、抵抗変化素子の内部方向にも進行する。上述したように、第2の抵抗変化膜106b’が、最初から絶縁層に近い場合は、ほとんど酸化されない。また、酸化の進行度合いによっては、第1の導電膜105’の表面が酸化されることもある図示せず。図7gの工程では、ストレス強化層108が配置されていることにより、上部電極107の反りを抑制することができ、上部電極107が剥離することを防止することができる。以降は、図5h~図5iと同様の工程にて、本発明の実施の形態3にかかる不揮発性半導体記憶素子を実現することができる。以上の製造方法とすることにより、コンタクトプラグ104上に形成された上部電極107、抵抗変化層106および下部電極105から構成される抵抗変化素子の製造方法において、下部電極105を形成する前に、抵抗変化層106の側壁が酸化される。これにより、抵抗変化層の実効面積の縮小によるブレイク電圧の低電圧化およびブレイク時間の短時間化と、コンタクトプラグの酸化防止とを両立させることができる。また、上述の製造方法で作成した本発明の実施の形態3の不揮発性半導体記憶素子については、本発明の実施の形態2の不揮発性半導体記憶素子に比べて、以下に示す有利な効果がある。図8A~図8Cに、不揮発性半導体記憶素子のSEM像による断面図を示す。図8Aおよび図8Bではストレス強化層108が配置されていない抵抗変化素子が示されており、上部電極107の剥離につながる電極の反りが顕著であることが示唆されている。また、上部電極107が薄いほど反り量が多くなり、上部電極107の膜厚ばらつきでも、抵抗変化素子の特性に影響があらわれることが示唆されている。しかし、図8Cに示したように、上部電極107の上部にストレス強化層108チタンとアルミニウムの窒化物を配した場合には、上部電極107の反りがまったくなく、剥離の心配がないことが分かる。以上、本発明の不揮発性半導体記憶素子の製造方法について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、これらの実施の形態に限定されるものではない。本発明の要旨を逸脱しない範囲内で当業者が思いつく各種変形を施したものも本発明の範囲内に含まれる。また、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、複数の実施の形態における各構成要素を任意に組み合わせてもよい。例えば、上記実施の形態において、第1の抵抗変化層106aおよび第2の抵抗変化層106bを構成する遷移金属酸化物層は、タンタル酸化物層であるとしたが、上部電極と下部電極間への電圧印加によって抵抗変化層として機能するものであれば、ハフニウムHf酸化物層やジルコニウムZr酸化物層等の他の遷移金属酸化物層であってもよい。例えば、ハフニウム酸化物層の積層構造を抵抗変化層106に採用する場合は、第1のハフニウム酸化物層の組成をHfOxとし、第2のハフニウム酸化物層の組成をHfOyとすると、0.9≦x≦1.6程度であって、yが1.8<y程度で、第2のハフニウム酸化物層の膜厚は3nm以上、4nm以下であることが好ましい。また、ジルコニウム酸化物層の積層構造を抵抗変化層106に採用する場合は、第1のジルコニウム酸化物層の組成をZrOxとし、第2のジルコニウム酸化物層の組成をZrOyとすると、0.9≦x≦1.4程度であって、yが1.9<y程度で、第2のジルコニウム酸化物層の膜厚は1nm以上、5nm以下であることが好ましい。また、ハフニウム酸化物層の積層構造を抵抗変化層106に採用する場合は、Hfターゲットを用い、アルゴンガスおよび酸素ガス中でスパッタリングする所謂反応性スパッタリング法によって、下部電極105の上に第1のハフニウム酸化物層を形成する。第2のハフニウム酸化物層は、この第1のハフニウム酸化物層を形成後に、アルゴンガスと酸素ガスのプラズマに第1のハフニウム酸化物層の表面を暴露することにより形成できる。第1のハフニウム酸化物層の酸素含有率は、上述したタンタル酸化物層の場合と同様、反応性スパッタ中のアルゴンガスに対する酸素ガスの流量比を変えることにより容易に調整することができる。なお、基板温度は特に加熱することなく室温とすることができる。また、第2のハフニウム酸化物層の膜厚は、アルゴンガスと酸素ガスのプラズマへの暴露時間により容易に調整することができる。ジルコニウム酸化物層の積層構造を採用する場合は、Zrターゲットを用い、アルゴンガスおよび酸素ガス中でスパッタリングする所謂反応性スパッタリング法によって、下部電極105の上に第1のジルコニウム酸化物層を形成する。第2のジルコニウム酸化物層は、この第1のジルコニウム酸化物層を形成後に、アルゴンガスと酸素ガスのプラズマに第1のジルコニウム酸化物層の表面を暴露することにより形成できる。第1のジルコニウム酸化物層の酸素含有率は、上述したタンタル酸化物層の場合と同様、反応性スパッタ中のアルゴンガスに対する酸素ガスの流量比を変えることにより容易に調整することができる。なお、基板温度は特に加熱することなく室温とすることができる。また、第2のジルコニウム酸化物層の膜厚は、アルゴンガスと酸素ガスのプラズマへの暴露時間により容易に調整することができる。また、上記実施の形態において述べた上部電極107および下部電極105の材料は一例であって、その他の材料を用いてもかまわない。例えば、上部電極107としては、Pt、Ir、Pd以外に、Au金、銅Cu、銀Agなど、抵抗変化層を構成する遷移金属の標準電極電位より大きい標準電極電位を有する材料を用いることができ、下部電極105としては、TaN以外に、タングステンW、ニッケルNiなど、上部電極107の標準電極電位より、標準電極電位が小さい材料を用いてもよい。上部電極107は、酸素含有率が高い第2の遷移金属酸化物層106bと接するように配置される。また、上記実施の形態において、抵抗変化素子の積層構造における第1の抵抗変化層106aと第2の抵抗変化層106bの積層順が上下逆に配置されても構わない。つまり、第1の導電膜105’の上に第2の抵抗変化膜106b’と、第1の抵抗変化膜106a’とを順に形成した後、これらの膜のパターニングと酸化が行われて抵抗変化素子が形成されても構わない。この場合には、酸素含有率が高い第2の抵抗変化膜106b’が接続される第1の導電膜105’下部電極105にPt、Ir、Pd、Au、銅、銀などを用い、酸素含有率が低い第1の抵抗変化膜106a’に接続される上部電極107にTaN、W、Niなどを用いればよい。