"単一基板上に複数の太陽電池を組み合わせて形成する方法であって、孤立サイト方法で基板上に1つまたは複数の裏面接触層を被着させることと、孤立サイト方法で、前記1つまたは複数の裏面接触層に1つまたは複数の吸収体層を被着させることと、孤立サイト方法で、前記1つまたは複数の吸収体層に1つまたは複数のバッファ層を被着させることと、孤立サイト方法で、前記1つまたは複数のバッファ層に1つまたは複数の前面接触層を被着させることと、を含み、前記1つまたは複数の裏面接触層、前記1つまたは複数の吸収体層、前記1つまたは複数のバッファ層、および前記1つまたは複数の前面接触層が、1つまたは複数の試験可能な太陽電池用の1つまたは複数の孤立サイトをもつ処理領域をともに画定する、方法。異なる被着圧力が利用されて、少なくとも2つの異なる孤立サイトをもつ処理領域に前記1つまたは複数の吸収体層を被着させる、請求項1に記載の方法。異なる被着力が利用されて、少なくとも2つの異なる孤立サイトをもつ処理領域に前記1つまたは複数の吸収体層を被着させる、請求項1に記載の方法。異なる被着力供給タイプが利用されて、少なくとも2つの異なる孤立サイトをもつ処理領域に前記1つまたは複数の吸収体層を被着させる、請求項1に記載の方法。異なる基板温度が利用されて、少なくとも2つの異なる孤立サイトをもつ処理領域に前記1つまたは複数の吸収体層を被着させる、請求項1に記載の方法。前記基板の上に孤立サイト方法で1つまたは複数の裏面接触層を被着させることをさらに含み、前記1つまたは複数の裏面接触層を被着させることが、前記1つまたは複数の吸収体層を被着させる前に発生する、請求項1に記載の方法。前記1つまたは複数の裏面接触層に接続される1つまたは複数の電極パッドを被着させることをさらに含む、請求項6に記載の方法。前記1つまたは複数の吸収体層が、物理蒸着法によって蒸着される、請求項1に記載の方法。前記1つまたは複数の吸収体層が、化学浴析出法によって析出される、請求項1に記載の方法。前記1つまたは複数の吸収体層の内の少なくとも1つをドーパントでドーピングすることをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記1つまたは複数の吸収体層のそれぞれを硫化することをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記1つまたは複数の吸収体層のそれぞれをセレン化することをさらに含む、請求項1に記載の方法。各孤立サイトをもつ処理領域に太陽電池を画定することをさらに含む、請求項1に記載の方法。単一基板上に複数の太陽電池を組み合わせて形成する方法であって、孤立サイト方法で基板上に1つまたは複数の裏面接触層を被着させることであって、前記裏面接触層がモリブデンを備える、被着させることと、孤立サイト方法で、前記1つまたは複数の裏面接触層に1つまたは複数の吸収体層を被着させることであって、前記吸収体層がCZTSを備える、被着させることと、孤立サイト方法で、前記1つまたは複数の吸収体層に1つまたは複数のバッファ層を被着させることであって、前記バッファ層がCdSまたはZnSの内の1つを備える、被着させることと、孤立サイト方法で、前記1つまたは複数のバッファ層に1つまたは複数の前面接触層を被着させることであって、前記前面接着層がITOまたはAL:ZnOの内の1つを備える、被着させることと、を含み、前記1つまたは複数の裏面接触層、前記1つまたは複数の吸収体層、前記1つまたは複数のバッファ層、および前記1つまたは複数の前面接触層が、1つまたは複数の試験可能な太陽電池用の1つまたは複数の孤立サイトをもつ処理領域をともに画定する、方法。前記1つまたは複数の吸収体層を被着させることが、実質的に同時に銅、硫化亜鉛、および硫化スズを被着させることを含む、請求項14に記載の方法。前記1つまたは複数の吸収体層の内の少なくとも1つをドーパントでドーピングすることをさらに含む、請求項14に記載の方法。前記ドーパントが、ナトリウム、カリウム、アンチモンの内の1つを備える、請求項16に記載の方法。前記1つまたは複数の吸収体層のそれぞれを硫化することをさらに含む、請求項14に記載の方法。単一基板上に複数の太陽電池を組み合わせて形成する方法であって、孤立サイト方法で基板上に1つまたは複数の裏面接触層を被着させることと、孤立サイト方法で、前記1つまたは複数の裏面接触層に1つまたは複数の吸収体層を被着させることであって、前記吸収体層がCIGSを備える、被着させることと、孤立サイト方法で、前記1つまたは複数の吸収体層に1つまたは複数のバッファ層を被着させることであって、前記バッファ層がCdS、ZnS、またはIn2Se3の内の1つを備える、被着させることと、孤立サイト方法で、前記1つまたは複数のバッファ層に1つまたは複数の前面接触層を被着させることであって、前記前面接着層がITOまたはAl:ZnOの内の1つを備える、被着させることと、を含み、前記1つまたは複数の裏面接触層、前記1つまたは複数の吸収体層、前記1つまたは複数のバッファ層、および前記1つまたは複数の前面接触層が、1つまたは複数の試験可能な太陽電池用の1つまたは複数の孤立サイトをもつ処理領域をともに画定する、方法前記1つまたは複数の吸収体層を被着させることが、実質的に同時に銅、ガリウム、およびインジウムを被着させることを含む、請求項19に記載の方法。前記1つまたは複数の吸収体層の内の少なくとも1つをドーパントでドーピングすることをさらに含む、請求項19に記載の方法。前記ドーパントが、ナトリウム、カリウム、アンチモンの内の1つを備える、請求項21に記載の方法。前記1つまたは複数の吸収体層のそれぞれをセレン化することをさらに含む、請求項21に記載の方法。太陽電池は、クリーンで再生可能なエネルギー源が必要されるのに伴い、幅広く研究されてきた。現在、市場では、単結晶シリコン太陽電池および多結晶シリコン太陽電池が主流の技術である。単結晶シリコン太陽電池および多結晶シリコン太陽電池は、太陽光を効率よく吸収するためにシリコンの厚い層を必要とする。これが、結晶シリコン太陽電池の低い材料活用率、したがって低コスト電気の達成の難しさを左右する。他方、薄膜太陽電池は、太陽光を効率よく直接的に電気に変換するためにはその固有の材料特性に起因して、吸収体材料の非常に薄い層を必要とする。アモルファスシリコン/微結晶シリコンSi、テルル化カドミウムCdTeおよび銅インジウムガリウムセレンCIGSは、現在生産中である薄膜太陽電池で使用される3つの主要な材料である。これらの3つの薄膜太陽電池の中で、CIGSは最良の実験室太陽電池効率20に近いおよび最良の大面積モジュール効率>12を有する。特に、硫化銅亜鉛スズCu2ZnSnS4CZTS太陽電池およびCIGS太陽電池の組合せ評価のために真空処理ツールを使用する太陽電池試験基板の開発は、なされてこなかった。材料においてであるのか、単位工程においてであるのか、それとも工程順序であるのかに関わりなく、太陽電池に対しては絶えず改善が求められている。しかしながら、太陽光発電企業は、完全基板処理に関して研究開発RDを実施している。この手法の結果として、RD費用は段階的に増加し、時宜を得た費用効果の高い方法で広範囲な実験を実施することが不可能になった。環境に優しい、持続可能かつ再生可能なエネルギー源に対する高まる需要から、大面積薄膜TF光起電PV装置の開発が進められている。世界的なエネルギー需要のかなりの割合を提供するという長期的な目標をもつと、光起電装置での使用のために地球に豊富にある高変換効率の材料に対する同時的なニーズがある。地球に豊富にある多くの直接バンドキャップ半導体材料は、現在、超大規模VLS生産たとえば、100ギガワットGWを超えるにおける高効率と低コストの両方の可能性の証拠を示しているようであるが、それらの開発および特徴付けには相対的にはほとんど注意が向けられてこなかった。すべての薄膜PV技術の中で、CIGSおよびCdTeは、10を超える安定化したモジュール効率の大量生産に到達した2つだけの材料である。太陽電池生産量は、2050年に27テラワットTWまで倍増することが予想される、急激に成長するエネルギーニーズに応えるために来る数十年に多大に増加しなければならない。しかしながら、インジウムIn、ガリウムGA、およびテルリウムTeの供給は、CIGS太陽電池パネルおよびCdTe太陽電池パネルの年間生産を抑制することがある。さらに、CIGSPVとともにフラットパネルディスプレイFPDおよび発光ダイオードLEDに使用されるこれらの材料に対する総需要から、インジウムおよびガリウムの価格上昇および供給上の制約が生じることがあるだろう。より幅広く入手可能な原材料を使用した薄膜PVに関する製造およびRDインフラを活用する装置を開発するための努力が、世界にとって最優先と見なされるべきである。CZTS黄錫亜鉛鉱は、PV共同体の高まる関心を集めている、地球に豊富な材料系の1つの種類である。最近、IBMは、9.66変換効率のCU2ZNSNSE,S4CTZSS太陽電池を発表した。この太陽電池は、ヒドラジンを基にした溶液からの、スピンコート膜を使用していた。しかし、ヒドラジンは、既知の毒素である。また、この電池は、CdSバッファ層にカドミウムを、およびフッ化マグネシウム反射防止用コーティングを使用していた。この一連の材料は製造に望ましくない可能性があるが、非常に短期間での急激な効率の改善は、PVのためのCZTSタイプの材料の可能性を示している。この証明された性能と、32という理論上の単接合効率との間には依然として大きな隔たりが存在している。地球に豊富な材料を利用する薄膜PV装置が未成熟であることは、商業化までの時間の観点での手ごわい挑戦を表している。また、その同じ未成熟さは、画期的な発見の魅力的な機会があることも示唆している。CZTS等の四成分系は、複数の運動経路、熱力学的相平衡の考慮、欠陥化学、および界面制御の管理を必要とする。管理される広大な位相空間は、処理パラメータ、原資料の選択、組成、および全体的な統合方式を含む。従来のRD方法は、このような複雑さに対処するには設備が不十分であり、RDの従来のゆっくりとしたペースは、すでに確立されている薄膜PV製作ラインの増分的に改善する性能と競合しなければならないときに、任意の新しい材料が産業的に関連するようになることを制限するだろう。しかしながら、材料、セル構造および製造工程の複雑さのため、根本的な科学的な理解と大規模な製造可能性の両方とも、CZTS太陽電池およびCIGS太陽電池にとってまだ改善されていない。太陽電池産業がグリッドパリティの達成を推し進めるのに伴い、製造工程のより高い効率およびより低いコストのための材料、装置、およびプロセスウィンドウを探索するために、はるかに速く、かつはるかに幅広い調査が必要とされている。組み合わせて変え、評価することができる異なる種類のCZTS太陽電池およびCIGS太陽電池を形成するための効率的な方法が必要である。本発明の多様な実施形態は、以下の発明を実施するための形態および添付図面に開示される。1つまたは複数の実施形態の詳細な説明が、添付図とともに示される。詳細な説明は、かかる実施形態に関連して示されるが、どの特定の例にも制限されない。範囲は、特許請求の範囲によってのみ制限され、多数の代替形態、変更形態、および同等物が含まれる。多数の特定の詳細が、完全な理解を与えるために以下の説明で述べられる。これらの詳細は、例のために提供され、説明される技法は、これらの特定の詳細の内のいくらかまたはすべてがなくても特許請求の範囲に従って実践され得る。明確にするために、実施形態に関連する技術分野で既知である技術的な材料は、説明を不必要に不明瞭にすることを避けるために、詳しく説明されていない。太陽電池試験基板を形成して、材料、プロセス、および装置を組み合わせて試験する工程が、本明細書に説明されている。組合せ処理は、単一の基板上で複数の実験を実行できるようにし、太陽電池処理動作および太陽電池材料の迅速な評価を可能にする。太陽電池試験基板は、並行して、連続して、または連続および並行のなんらかの組合せのどちらかで異なる組合せプロセスを実行するように設計されている。組合せ処理のためのシステムおよび方法は、ともに全体として本明細書中で参考として援用する米国特許出願第2007/0267631号2006年5月18日出願、および米国特許第7,544,574号2006年2月10日出願に述べられている。本発明の実施形態は、組み合わせて変え、評価することができる異なる種類のCZTS太陽電池およびCIGS太陽電池を形成する方法を説明する。これらの方法論は、すべて、組合せ処理ツールを使用する孤立サイトをもった領域の形成、および太陽電池領域を形成するためのこれらの孤立サイトをもった領域の使用を組み込んでいる。したがって、複数の太陽電池が、組合せ方法論での使用のために単一基板上に迅速に形成され得る。説明される方法の個々の工程のどれも、変化した工程条件または材料を試験するために、組み合わせて変え得る。組合せに基づいた迅速な装置試作方法の使用により、毎週、数百もの固有の太陽電池の製作、包括的な特徴付け、および分析が可能になり、学習率を劇的に上昇させる。代替の装置構造、プロセス統合化方式、および材料組成は、それ以外の場合、従来の方法およびツールを使用しても不可能だろう速度で体系的に調査される。地球に豊富な薄膜PV装置に適用されるこの開発ペースは、この分野でのRDの桁違いの加速を表すことがある。CZTSは、黄銅鉱構造化I-III-VI2化合物CIGSから進化する化合物半導体であり、インジウム/ガリウムは亜鉛/スズで、セレンSeは硫黄Sで置換されている。CZTS中の置換された元素は、CIGS元素よりも、比較的に数桁、豊富である。CZTSは、太陽電池の吸収体層の最適値に非常に近い、1.45eVと1.6eVの間のバンドギャップを有すると報告されている。さらに、CZTSのバンド端吸収係数は1cmあたり104を超え、薄膜太陽電池吸収体候補としてのその使用を可能にする。吸収係数は、厚さの単位当たりの材料によって吸収される光の部分の測度である。図1を参照すると、CZTS装置構造は、基板上の4つの一次層、つまり裏面接触層通常は、Mo、吸収体層CZTS、硫化カドミウムCdSまたは硫化亜鉛ZnSのバッファ層、およびインジウムスズ酸化物ITOまたはアルミニウム/酸化亜鉛Al:ZnOの前面接触層の被着を含んでよい。各材料および被着プロセスは、製造コストを削減し、セル効率を高める機会を提供する。さらに、現在のCIGSプロセスに対するプロセスの流れの類似性が、レガシー生産資産を改良して、より環境に優しい、地球に豊富な材料を使用したより低コストの装置を生産する魅力的な可能性を提供する。装置スタック内で最も重大な層であるCZTS吸収体層を被着するために多様な技法が使用されてきた。これらの技法は、硫化が後に続く電子線蒸着、ハイブリッドスパッタリング、硫化を用いる真空蒸発、セレン化水素H2Se焼鈍しが後に続くゾル-ゲル、パルスレーザー蒸着、硫化が後に続くスパッタリング、単一ステップ無線周波数RFスパッタリング、電子メッキ、および噴霧熱分解を含む。特注のHPC処理装置、電気試験車両、特徴付けセット、ならびに実験の設計およびデータ分析用のカスタマイズされたソフトウェアから構成される、ワークフローの各構成要素は、材料工程空間の迅速かつ効率的な利用、および装置構造への統合を実現するように設計される。HPCシステムおよび方法は、新しいPV材料を用いた作業の各段階、つまり、発見、開発、最適化、および製造拡大を加速する。一実施形態では、PVD、または硫化が後に続くスパッタリング、および/または先駆物質ソース化合物ターゲットを含む硫黄と組み合わされたスパッタリングが、CZTS被着のために使用され得る。PVDは、高い程度の組成制御および均一性制御を提供し、製法を大量生産に移行するための設備は、すでに最高18m2のガラス形成率に幅広く利用できる。本実施形態では、入ってくるガラスは、事前に被覆された、Moの裏面接着層を有する。ガラスは清掃され、次いで組合せPVDチャンバに装填されて、CZTS先駆物質たとえば、Cu、ZnS、およびSnS2を同時蒸着してよい。図2は、HPCPVDツール、および孤立サイト方法でさまざまな条件下で連続的に、同時に共スパッタされる膜を被着させるその固有の能力の実施形態を示す。二重回転段図2bは、ユーザが指定した場所にある所与の基板上に薄膜を被着できるように、サイト孤立を生じさせる。共スパッタリングは、4つの完全に独立したスパッタソースを使用して、さまざまな組成物を被着できるようにする。基板と各ガンのスパッタターゲットとの間の間隔も、単独で制御できる。一実施形態では、ツールは、反応スパッタリングを使用して被着を行うことができるように、4つの異なるプロセスガスを支援してよい。スパッタガンの電源は、直流DC、パルス化DC、またはRFである場合がある。実施形態では、HPCPVDツールは、角アーチファクトを生じさせず、優れたスポット内均一性およびスポット間均一性をもって孤立サイトをもつ領域を被着してよい。孤立サイトをもつ領域は、ほぼ10mmから30mの範囲の直径を有することがある。孤立サイトをもつ領域の被着は、異なる複雑な多層スタックのアレイを生じさせることがあり、段階的な事前反応吸収体層が、単一基板上に被着できる図2c。その結果、膜組成、被着パラメータ、および厚さに対する優れた制御をもった固有のCZTSスタックを迅速に構築する能力が生じる。結果的に、HPCPVDツールは、VLS製造のために選ばれる最終被着方法に関わりなく、最適な三次TFPV組成物および四次TFPV組成物を調整するために必要とされる学習を迅速に加速できる。一実施形態では、HPCPVD方法論がベースラインのCIGS薄膜システムに適用されると、P-30ツール内のCuターゲット、CuGaターゲット、およびInターゲットは、材料ごとの1-3A/s被着速度がスパッタリング力とともに線形で増加したことを示した。さらに、共スパッタリングが、複雑なスタッキング実験のために均一な二次層および三次層内での膜化学量論の正確な制御を可能にした。共スパッタリングは、複数のソースからの本質的に付加的な被着を実現するので、被着速度は同様に本質的に付加的であり、3から7A/sの範囲内である。本実施形態では、再現性が素晴らしいことが示された。図3は、PVD製法パラメータの制御を通して得ることができる膜形態の大きな相違点の例を示す。Cu-In-Ga事前反応吸収体層膜は、HPCPVDツールで変化する条件下で被着され、厚さおよび組成を固定した状態に保っていた。形態は、PVD製法の変化だけで、名目上~1-10μmノジュールサイズ左からノジュールサイズで1桁の削減右に劇的に変化した。適切な制御によって、AFM測定値が単に10nmのRMS表面粗度を示すように、ノジュールサイズを削減し、形態を改善することができる。ナトリウムドーピングは、ソーダ石灰ガラスから外方拡散を介して意図的にまたは間接的にCIGS効率を大幅に上昇させることが判明している。根本的な仕組みは、十分に理解されていない。HPCPVDチャンバを使用すると、CZTSのためのドーピング研究は、第4のソースを使用して体系的におよび制御可能に調査できる。セルは、H2SガスまたはS蒸気環境において、高温炉500°Cから600°C内で硫化されてよい。異なる組成/格付けの単一基板上の一意のCZTS先駆物質を備えた各セルは、同じ硫化プロセスにさらされてよい。HPCワークフローで共スパッタリングおよびサイト孤立を利用できる能力は、バッファ層および前面接触層の被着にも適用することができ、組合せ固有CZTS光電池アレイの迅速な構築を可能にする。蒸着またはPVDを使用して金属グリッドを被着した後、セルは、機械スクライビングまたはレーザースクライビングで正確に画定し得る。最後に、単一基板上の孤立サイトをもつ太陽電池が、高スループット自動化様式で特徴付けられてよい。HPCPVDおよび補足焼鈍しチャンバは、自動化されたフロントインタフェース付きのクラスタツールに統合することができ、したがってCZTSプロセスフローは、真空を破壊することなく完了することができ、半導体膜の品質および太陽電池エネルギー変換効率にとって有利となる。CZTS等の膜材料は、地球上での豊富かつ安価なPV太陽エネルギー発生の可能性を提供するように見える。HPCワークフローは、完全な太陽モジュールへの統合のためにCZTS材料を迅速かつ効率的に調査し、最適化する能力を提供する。HPCPVDチャンバは、裏面接触層、CZTS吸収体、バッファ層、および前面接触層を被着させるために使用できる。さらに、硫化/セレン化用の焼鈍しチャンバ、レーザースクライバー、および他の必要なプロセス/計測ツールが使用される。継続している目標は、完全なCZTS太陽電池を最適化することであり、材料/処理空間内での多くの複雑な相互依存性の完全な特徴付けを必要とする。この手法および努力の規模は、世界記録の効率を大幅に進めると期待される。さらに重要なことには、ウィンドウ化および特徴付けを処理するための組合せ手法は、商業化までの時間の短縮につながる必要がある。HPCワークフローから生じる装置および処理の依存性のより根本的な理解が、より費用効率が高い生産用具の調達を可能にし、パイロットラインの迅速なデバッグを容易にし、VLS生産へのより早いランプを駆動する。また、本発明の実施形態は、HPC方法論を使用して、加速された速度でCIGS太陽電池を製作する。本発明の実施形態は、単一基板上に孤立サイトをもつ太陽電池を作成することを可能にする。プロセスの流れは、基板固いガラスまたはステンレス鋼等の可撓箔のどちらかで開始する。基板は、次いで、図4に示されるMo等の裏面接触層で被覆されてよい。Moは、図5に示されるHPCPVDチャンバ内に被着されてよい。圧力、電力、および基板温度等の異なるスパッタリングプロセス条件が、孤立サイトをもつ領域ごとに使用できる。図2に示されるように、太陽電池を試験している間の便利なプロービングのために、電極パッドが、孤立サイトをもつMo層を同じチャンバ内に被着しながらシャドーマスクを通してスパッタできる、またはより大きいスパッタリング面積のある別のチャンバ内の単一被着でシャドーマスクを通して一度に行うことができる。Moが被着された後、CIGS吸収体層が、図6から図9に示されるように別のスパッタリングチャンバ内で被着され得る。図6は、積層膜の概略図である。図7は、以下に説明されるように、炉内でセレン化されるCIG先駆物質膜を共スパッタするため、または連続的にスパッタするためにCu、Cu-GaおよびInを使用するターゲットの構成を示す図である。連続スパッタリングのため、層は、Cu-Ga/InまたはIn/Cu-Ga二重層、またはCu-Ga/In/Cu-Ga/In/Cu-Ga/In多層、もしくは多様な元素組成のシーケンスの任意の他の組合せである場合がある。図8は、第4のターゲットでナトリウムNa化合物を使用して、特にCIGS被着の始めに吸収体先駆物質にNaを組み込む別の構成を示す図である。図9は、Cu2Se、In2Se3およびGa2Se3を使用して、CIGS膜を同時に共スパッタするターゲットの別の構成を示す図である。結果として生じる膜は、CIGS吸収体層を形成するために、このステップの後にセレン化を必要とすることもあれば、必要としないこともある。本明細書に説明するすべてのCIG被着またはCIGS被着の場合、基板温度は、室温から最高600°Cまでさまざまである。CIG被着またはCIGS被着と以前のMo層との間の位置合わせは、高精度を必要としない。これは、Mo上のスタックが、以下に説明するより狭い面積にスクライバーで印が付けられるためである。CIG先駆物質被着および/またはCIGS被着の後、図10に示されるように、膜は、Se含有環境において昇温で炉内でセレン化されてよい。H2SeまたはSe蒸気は、所望される多結晶CIGS膜に膜をセレン化するために使用できる。温度は、300°Cと600°C間で変わることがある。処理は、温度プロファイリングを使用して1つまたは2つ以上のステップで行うことができる。化学浴析出CBD法が次いで基板に適用されて、薄いバッファ層をCIGS吸収体の上部に析出してよい。別のHPC装置、つまりF20は、図11に示されるように孤立サイトをもつ膜を被着させるために使用できる。上述したように、機械スクライビングまたはレーザースクライビングを使用して、選択的にMo層の上のスタックを削除して、太陽電池領域を正確に画定できるため、Cdsスポットと以前のフィルムスタックとの間の位置合わせは重大ではない。図12に示されるように、ブランケット膜も通常の設備で被着できる。CdS層は、このステップの後に、またはスクライビングステップで除去して、Mo電極を露呈し、異なるスポットを電気的に遮蔽することができる。真性ZnOIZOおよびドーピングされたZnOAZOが、次いで、図13および図14に示されるように孤立サイトをもつスポットのある同じHPCスパッタリングチャンバを用いて連続的に被着できる。上述したように、以前の層に対するIZOおよびAZOの位置合わせは、重大ではない場合がある。スポットの金属グリッドは、図15に示されるように、太陽電池スタックの上に蒸着する、またはスパッタすることができる。機械スクライビングまたはレーザースクライビングを使用して、図16に示されるようにセル領域を画定できる。図17は、これらの孤立サイトCIGSセルの測定を示す。上述の例は、理解を明確にするためにある程度詳しく説明してきたが、本発明は、示されている詳細に制限されていない。本発明を実施するための多くの代替の方法がある。開示されている例は、例示的であって、制限的ではない。"