"セラミックス層と、前記セラミックス層を貫通して設けられた貫通孔内に充填された金属で構成される複数のビアと、前記セラミックス層上に配置され、発光素子が搭載され、前記ビアと接続される配線層と、を備える発光素子搭載用の配線基板であって、前記セラミックス層は、熱伝導率が6W/mK以下であり、前記複数のビアは、第1の直径を有する複数の第1のビアと、前記第1の直径とは異なる第2の直径を有する少なくとも一つの第2のビアを含み、前記第1のビアと前記第2のビアは、前記発光素子が搭載される発光素子搭載領域内に配置され、互いに隣接する前記第1のビアは、前記第1の直径以上、離間して配置されており、前記第2のビアは、前記発光素子搭載領域内において、前記第2のビアに隣接する全ての前記第1のビアから等距離離れた位置に配置されている、配線基板。請求項1記載の配線基板であって、前記複数の第1のビアは、格子状に配置されている、配線基板。請求項2記載の配線基板であって、前記格子状は、千鳥格子状を含む、配線基板。請求項1ないし請求項3いずれかに記載の配線基板であって、前記第1の直径は、前記第2の直径より大きいことを特徴とする、配線基板。請求項1ないし請求項3いずれかに記載の配線基板であって、前記第1のビアの、前記発光素子搭載領域との接触面積である第1の面積は、前記第2のビアの、前記発光素子搭載領域との接触面積である第2の面積より大きいことを特徴とする、配線基板。請求項1ないし請求項5いずれかに記載の配線基板であって、各前記第1のビアと前記第2のビアは、前記第1のビアの直径以上離間して配置されている、配線基板。請求項1ないし請求項6いずれかに記載の配線基板であって、前記セラミックス層は、アルミナおよびホウ珪酸ガラスからなる、配線基板。請求項7記載の配線基板であって、前記ホウ珪酸ガラスは、アルカリ土類金属を含む、配線基板。発光素子搭載領域の下部に金属体を有する絶縁基板を備える配線基板において、金属体の熱膨張係数は、絶縁基体の熱膨張係数よりも大きいため、金属体を介して、発光素子で発生した熱を放熱する際、金属体が絶縁基板に対して相対的に大きく熱膨張する。この結果、絶縁基板と金属体との間に大きな引っ張り応力が発生し、絶縁基板と金属体との界面にひび割れなどのクラックが発生するおそれがある。金属体の直径の拡大に伴い、クラック発生の可能性のある領域が広くなるため、クラック発生の可能性が高くなり、金属体の直径を縮小すると、クラック発生の可能性は低下するが、放熱性の低下により発光素子が過剰に高温化して損傷するという問題がある。本発明は上述の課題に鑑みてなされたものであり、絶縁基板と金属体との界面におけるクラックの抑制および発光素子で発生した熱の放熱性の向上を目的とする。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。[適用例1]セラミックス層と、前記セラミックス層を貫通して設けられた貫通孔内に充填された金属で構成される複数のビアと、前記セラミックス層上に配置され、発光素子が搭載され、前記ビアと接続される配線層と、を備える発光素子搭載用の配線基板であって、前記セラミックス層は、熱伝導率が6W/mK以下であり、前記複数のビアは、第1の直径を有する複数の第1のビアと、前記第1の直径とは異なる第2の直径を有する少なくとも一つの第2のビアを含み、互いに隣接する前記第1のビアは、前記発光素子搭載領域内において、所定の距離以上、離間して配置されており、前記第2のビアは、前記発光素子搭載領域内において、前記第2のビアに隣接する全ての前記第1のビアから等距離離れた位置に配置されている、配線基板。適用例1の配線基板によれば、発光素子搭載領域内に、複数の第1のビアが、所定の距離以上、離間して配置されているとともに、第2のビアは、第2のビアに隣接する全ての第1のビアから等距離離れた位置に配置されている。従って、発光素子搭載領域内において、ビア間にセラミックス層が存在することにより、セラミックス層とビア間の熱膨張率の差を低減できるので、セラミックス層とビアとの間の熱膨張率の差に起因する、セラミックス層とビアとの界面のクラック発生を抑制できる。また、第1のビアが複数配置されているので、放熱性を向上でき、配線基板に搭載される発光素子の過剰な高温化を抑制できる。また、第1のビアに加えて、第2のビアが、第2のビアに隣接する第1のビアと等距離離間して配置されている。従って、発光素子搭載領域におけるビアの占有割合を増加させることができるとともに、発光素子搭載領域内に偏り無くビアを配置でき、放熱性を向上できる。また、発光素子搭載領域内に収まるように、全てのビアが配置されている。こうすることにより、6W/mK以下という比較的低い熱伝導率のセラミックス層上に発光素子が搭載される配線基板において、発光素子搭載領域からビアがはみ出して配置されている場合に比して、放熱性を向上できる。[適用例2]請求項1記載の配線基板であって、前記複数の第1のビアは、格子状に配置されている、配線基板。適用例2の配線基板によれば、発光素子搭載領域内に第1のビアが格子状に配置されている。従って、発光素子搭載領域内に、第1のビアを、一定の間隔、離間させて、偏りなく多数配置できる。よって、発光素子領域におけるビアの専有面積を増加させることができ、放熱性を向上できる。[適用例3]適用例2記載の配線基板であって、前記格子状は、千鳥格子状を含む、配線基板。適用例3の配線基板によれば、第1のビアを、千鳥格子状に、一定の間隔、離間させて、偏り無く効率的に多数配置できる。よって、発光素子搭載領域におけるビアの専有面積を増加させることができる。[適用例4]適用例1ないし適用例3いずれか記載の配線基板であって、前記第1の直径は、前記第2の直径より大きいことを特徴とする、配線基板。適用例4の配線基板によれば、第1のビアの第1の直径は、第2のビアの第2の直径より大きく形成されている。従って、第2のビアよりも数多く配置される第1のビアの直径が、第2のビアの直径よりも大きいので、第1のビアの直径が第2のビアの直径よりも小さく形成されている場合に比して、発光素子搭載領域におけるビアの専有面積を増大できる。よって、発光素子において発生する熱の放熱性を向上できる。[適用例5]適用例1ないし適用例3いずれかに記載の配線基板であって、前記第1のビアの、前記発光素子搭載領域との接触面積である第1の面積は、前記第2のビアの、前記発光素子搭載領域との接触面積である第2の面積より大きいことを特徴とする、配線基板。適用例5の配線基板によれば、第2のビアよりも数多く配置される第1のビアの、発光素子搭載領域との接触面積が、第2のビアの、発光素子搭載領域との接触面積よりも大きいので、第1のビアの接触面積が第2のビアの接触面積よりも小さく形成されている場合に比して、発光素子搭載領域におけるビアの専有面積を増大できる。よって、発光素子において発生する熱の放熱性を向上できる。[適用例6]適用例1ないし適用例5いずれか記載の配線基板であって、各前記第1のビアと前記第2のビアは、前記第1のビアの直径以上離間して配置されている、配線基板。適用例6の配線基板によれば、各第1のビアと第2のビアは、第1のビアの直径以上離間して配置されている。従って、ビアを配置するための、セラミックス層に形成される貫通孔を、十分離間させて形成できるので、貫通孔形成時におけるセラミックス層のクラック発生を抑制できる。[適用例7]適用例1ないし適用例6いずれかに記載の配線基板であって、前記セラミックス層は、アルミナおよびホウ珪酸ガラスからなる、配線基板。適用例7の配線基板によれば、セラミックス層は、アルミナおよびホウ珪酸ガラスから形成されている。従って、アルミナからなる基板に比して、発光素子の輝度を向上できる。[適用例8]適用例7記載の配線基板であって、前記ホウ珪酸ガラスは、アルカリ土類金属を含む、配線基板。本発明において、上述した種々の態様は、適宜、組み合わせたり、一部を省略したりして適用することができる。A.第1実施例:A1.概略構成:図1は、第1実施例における発光装置10に用いられる発光素子搭載用の配線基板20の、発光素子搭載側からみた平面図である。図2は、第1実施例における配線基板20の概略構成を例示する断面図である。図2は、図1のA-A断面における断面図である。配線基板20は、発光ダイオードなどの発光素子150を搭載するための発光素子搭載用基板である。図1および図2に示すように、発光装置10は、実装用基板100、ハンダ層110、発光素子搭載用の配線基板20、発光素子150を備える。配線基板20は、外部接続用電極層120、セラミックス層130および配線層140を備える。配線基板20は、図2に示すようにハンダ層110を介して、実装用基板100と接合され、発光装置10の一部として使用されている。なお、配線基板20は複数のセラミックス層で構成されていてもよい。セラミックス層130は、アルミナとアルカリ土類金属酸化物を含むホウ珪酸ガラスを材料として形成されている。ホウ珪酸ガラスとして、例えば、SiO2-B2O3-CaO系、PbO-SiO2-B2O3系、ZnO-CaO-Al2O3-SiO2-B2O3系ガラスを用いることができる。セラミックス層130は、アルミナとホウ珪酸ガラスから形成されることにより、アルミナからなる基板に比して発光素子150の輝度を向上できるが、アルミナからなる基板に比して、熱伝導率が6W/mK以下と低くなる。第1実施例では、セラミックス層130に、第1のサーマルビア132および第2のサーマルビア134を配置することにより、セラミックス層130の熱伝導性を向上させ、発光素子150において生じる熱を、実装用基板100等へ伝熱させて発光装置10から放熱し、実装される発光素子150の過剰な高温化を抑制している。また、図1に示すように、セラミックス層130は、複数の第1のサーマルビア132a~132d、少なくとも一つの第2のサーマルビア134および配線導体136を備える。本実施例における第1のサーマルビア132a~132dは、第1のビアに該当し、第2のサーマルビア134は、第2のビアに該当する。第1のサーマルビア132、第2のサーマルビア134について、以下に説明する。なお、第1実施例において、第1のサーマルビア132a~132dは、第1のサーマルビア132とも表される。第1のサーマルビア132および第2のサーマルビア134は、発光素子150の動作により発生する熱を、実装用基板100へ伝熱し、配線基板20に実装される発光素子150の熱を放熱する。図2に示すように、第1のサーマルビア132は、セラミックス層130に形成されている略円柱状の貫通孔131内に、Ag合金が充填されることにより構成されている。第2のサーマルビア134は、セラミックス層130を貫通して形成された略円柱状の貫通孔133内に、Ag合金が充填されることにより設けられている。なお、第1のサーマルビア132と第2のサーマルビア134は、伝熱性を有する材料であれば、導電性の有無に関係なく種々の材料を用いてよい。導電性を有さず、伝熱性を有する材料は、例えば、窒化アルミニウムや炭化ケイ素などのセラミックス、伝熱性を有する樹脂、および、これらに、導電性を発揮しない程度に金属フィラーが添加された材料などを含む。図1を参照して、サーマルビアの配置状態について説明する。図1に示すように、第1実施例では、第1のサーマルビア132a~132dは、矩形状の発光素子搭載領域150a内に収まるように、換言すれば、発光素子搭載領域150aからはみ出すことなく、配置されている。発光素子搭載領域150aは、発光素子150を上面側から配線基板20の表面に投影した領域である。第1実施例では、4つの第1のサーマルビア132a~132dの配置位置が格子状となるように、発光素子搭載領域150aの四隅に配置されている。第2のサーマルビア134は、隣接する第1のサーマルビア132a~132dの全てから等距離離間して配置されている。なお、実施例において、隣接するとは、サーマルビア間に他のサーマルビアが設けられていない状態を意味する。第1のサーマルビア132が配置されている貫通孔131の直径d1は、第2のサーマルビア134が配置されている貫通孔133の直径d2よりも大きい。換言すれば、第1のサーマルビア132a~132dの、水平方向の断面の面積は、第2のサーマルビア134の水平方向の断面の面積よりも大きい。各第1のサーマルビア132a~132dは、互いに隣接する第1のサーマルビア132a~132dと、所定の距離d3、離間して配置されている。例えば、第1のサーマルビア132aは第1のサーマルビア132bおよび第1のサーマルビア132dと距離d3、離間して配置されている。また、第2のサーマルビア134は、第2のサーマルビア134に隣接する全ての第1のサーマルビア132a~132dから、等距離d4離れて配置されている。第1実施例では、d3,d4は、第1のサーマルビア132aの直径d1以上である。全ての第1のサーマルビア132a~132d,第2のサーマルビア134のそれぞれの間を、d1以上離間させることにより、各サーマルビアが配置される貫通孔131、133の形成時における、セラミックス層130のクラック発生が抑制される。配線導体136は、セラミックス層130の発光素子搭載領域150aの外側に配置されており、導電性を有し、発光素子150と実装用基板100とを電気的に接続する。配線導体136は、セラミックス層130に形成されている略円柱状の貫通孔135の内壁面に、Ag合金が印刷されることにより構成されている。外部接続用電極層120は、ハンダ層110と対向するセラミックス層130の面上に配置されており、セラミックス層130の配線導体136と、ハンダ層110とを電気的に導通する。外部接続用電極層120は、タングステン、モリブデン、銀、銅などの金属を主成分とする導電性材料により形成されている。配線層140は、外部接続用電極層120とは異なるセラミックス層130の面上に配置されており、搭載される発光素子150と、セラミックス層130の配線導体136とを電気的に導通する。配線層140は、タングステン、モリブデン、銀、銅などの金属を主成分とする導電性材料により形成されている。発光素子150は、配線層140上における、発光素子搭載領域150a上に配置されている。搭載される発光素子150は、配線層140、セラミックス層130の配線導体136、外部接続用電極層120およびハンダ層110を介して、実装用基板100と電気的に導通される。A2.製造工程:図3~図7を参照して、配線基板20の製造工程について説明する。図3は、第1実施例における配線基板20の製造工程を説明する工程図である。セラミックス層130となる、ガラスセラミックスからなるグリーンシートを成形するステップS10。セラミックス層130が複数層の場合は複数のグリーンシートを成形する。具体的には、グリーンシートの材料となるガラス粉末およびセラミックス粉末を、所定の割合で混合した後、可塑剤、溶剤を加えてスラリーとし、生成したスラリーを、ドクターブレード法により、厚さ数100μmのシート状に成形する。なお、圧延法、カレンダーロール法、金属プレス法でグリーンシートの成形を行っても良い。グリーンシートの材料となるガラス粉末のガラス成分には、例えばSiO2-B2O3-Al2O3系、PB系ガラス、あるいはBi系ガラスなどが含まれる。また、セラミックス粉末には、例えばAl2O3-SiO2-ZrO2とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物、TiO2とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物、スピネル、ムライトコージェライトなど、が含まれる。成形されたグリーンシートに、第1のサーマルビア132、第2のサーマルビア134および配線導体136を配置するための貫通孔131、133および135を形成するステップS12。具体的には、ステップS10において成形されたグリーンシートに、打ち抜き加工を施して各貫通孔を形成する。図4および図5は、第1実施例における貫通孔の形成について説明する説明図である。図4に示すように、ダイ22の上にグリーンシート230を配置し、金型21でグリーンシート230をプレスして打ち抜き加工を行う。金型21は、貫通孔131を形成するための突部第1パンチングピン23と、貫通孔133を形成するための突部第2パンチングピン24、貫通孔135を形成するための突部第3パンチングピン25を備える。突部24は、突部23の直径より小さい直径を有する。打ち抜き加工により、図5に示すように、第1のサーマルビア132、第2のサーマルビア134および配線導体136が配置される位置に、貫通孔131、貫通孔133、貫通孔135が形成される。各貫通孔131,133,135は、同一の金型21を用いて、同時に打ち抜き加工され形成されることにより、各貫通孔間の位置ずれが抑制される。本実施例では、径の異なるパンチングピンを用いて打ち抜き加工を行ったが、レーザを用いて打ち抜き加工をおこなってもよい。グリーンシート230に形成された貫通孔131、133に、第1のサーマルビア132、第2のサーマルビア134となるビアペーストを充填するステップS14。図6は、第1実施例におけるビアペーストの充填について説明する説明図である。図6に示すように、各貫通孔131,133内に、タングステン、モリブデン、銀、銅などの金属を含むビアペースト232,234を、スクリーン印刷などの方法により充填する。ビアペースト232の充填されたグリーンシート230の貫通孔135にキャスタレーション印刷を行うステップS16。図7は、第1実施例におけるキャスタレーション印刷について説明する説明図である。図7に示すように、貫通孔135の内壁面に、タングステン、モリブデン、銀、銅などの金属を含むメタライズペースト236を、スクリーン印刷などの方法により塗布する。ビアペーストが充填されたグリーンシート230の表面に、メタライズペーストを印刷するステップS18。図8は、第1実施例におけるメタライズペースト印刷について説明する説明図である。グリーンシート230における、発光素子150搭載面に、配線層140となるメタライズペースト240をスクリーン印刷等により塗布するとともに、グリーンシート230における、実装用基板100側の面に、外部接続用電極層120となるメタライズペースト220をスクリーン印刷などにより塗布する。メタライズペースト240、220は、タングステン、モリブデン、銀、銅などを材料とするペーストである。以上のように形成されたグリーンシート230を積層しステップS20、積層体に貫通孔135を跨ぐように分割予定溝を溝入れし、焼成するステップS22。第1実施例では、グリーンシート230のガラス粉末は、SiO2-B2O3-Al2O3系を用いているので、焼成温度を約800°C~1000°Cで焼成する。ステップS22における焼成により、グリーンシート230はセラミックス層130となり、ビアペースト232,234は、第1のサーマルビア132、第2のサーマルビア134となり、メタライズペースト236は、配線導体136となり、メタライズペースト240は配線層140となり、メタライズペースト220は、外部接続用電極層120となる。配線基板20の配線層140や外部接続用電極層120、配線導体136の表面には、ニッケルNi、金AuやAg銀のメッキ処理が施され、その後、外形予定溝に沿って外延が切り落とされ、配線導体136が配線基板20の側面に露出する。以上説明したように、配線基板20が製造される。配線基板20の配線層140や外部接続用電極層120の表面には、ニッケルNi、金AuやAg銀のメッキ処理が施されてもよい。発光素子150は、配線基板20の発光素子搭載領域150a上に搭載され、配線基板20は、ハンダ層110を介して、実装用基板100と接合され、発光装置10が製造される。A3.シミュレーション結果:以上説明した第1実施例の配線基板20について、発光素子搭載領域とサーマルビアとの位置関係に基づく配線基板20上に実装した発光素子150の表面温度についてのシミュレーション結果について説明する。本シミュレーションは、第1のサーマルビア132、第2のサーマルビア134の、発光素子搭載領域150aからのはみ出し量と、発光素子150の表面温度との相関についてシミュレーションしたものである。図9は、第1実施例におけるシミュレーションモデルについて説明する断面図である。シミュレーションモデル30は、実装用基板300、ハンダ層310、配線基板35、発光素子350、発光素子350を配線基板35に接合するための接合層355、および、発光素子350を封止する封止樹脂360を備える。実装用基板300は、アルミ板301、絶縁層302,レジスト303、銅箔304を備える。配線基板35は、第1のサーマルビア332,第2のサーマルビア334、配線導体336を有するセラミックス層330、外部接続用電極層320および配線層340を備える。第1のサーマルビア332および第2のサーマルビア334は、第1のサーマルビア132および第2のサーマルビア134と同一の位置関係で配置されている。シミュレーションモデル30のシミュレーション条件を、表1に示す。また、シミュレーション結果を表2に示す。表1には、各部材の熱伝導率[W/mK]、厚み[μm]、および、大きさ[mm]を示す。なお、シミュレーションにおいて、モデル1~4は、セラミックス層330の材料が異なる。モデル1~3のセラミックス層330は、ホウ珪酸ガラスアルカリ土類金属酸化物を含むとアルミナを材料としており、モデル4のセラミックス層330はアルミナを材料としている。具体的には、モデル1のセラミックス層330は、第1実施例のセラミックス層130に用いられているSiO2-B2O3-CaO系ガラスとアルミナを材料としており、モデル2およびモデル3のセラミックス層330は、B2O3-MgO-Al2O3-SiO2-CaO系ガラスとアルミナを材料としている。本シミュレーションでは、互いに隣接する第1のサーマルビア332間、および第1のサーマルビア332と第2のサーマルビア334との間が、第1のサーマルビア332の直径以上離間し、かつ、第1のサーマルビア332、第2のサーマルビア334と、発光素子搭載領域との接触面積ができるだけ大きくなるように、第1のサーマルビア332および第2のサーマルビア334の直径が設定されている。モデル1~3に示す熱伝導率が6W/mK以下のセラミックス層を用いると、表2に示すように、発光素子搭載領域からの、第1のサーマルビア332、第2のサーマルビア334のはみ出し量に応じて発光素子350の表面温度が上昇する。すなわち、発光素子搭載領域からの、第1のサーマルビア332、第2のサーマルビア334のはみ出し量の増加に伴い、セラミックス層の放熱性能が低下する。これに対して、モデル4に示す熱伝導率が18W/mKのセラミックス層を用いると、表2に示すように、第1のサーマルビア332、第2のサーマルビア334が発光素子搭載領域から251/4程度はみ出したとしても、発光素子350の表面温度はほとんど変化が生じない。すなわち、発光素子搭載領域からの、第1のサーマルビア332、第2のサーマルビア334のはみ出し量に基づく放熱性能の差はほとんど無い。また、第1のサーマルビア332のみ配置され、第2のサーマルビア334が配置されていない場合シミュレーションNo.6に比して、第1のサーマルビア332と第2のサーマルビア334とが配置されている方が、発光素子搭載領域におけるサーマルビアの専有面積が増加し、放熱性能が向上する。なお、第1のサーマルビア332と第2のサーマルビアを同じ直径とした場合、サーマルビアを配置するための貫通孔の形成時に、クラックが発生する。以上のシミュレーション結果によれば、熱伝導率6W/mKのセラミックス層、例えば、ホウ珪酸ガラスアルカリ土類金属を含むとアルミナを材料とするセラミックス層を用いた配線基板35において、第1のサーマルビア332、第2のサーマルビア334が発光素子搭載領域内に収まっていることにより、発光素子350において生じる熱の放熱性能を向上できる。ひいては発光装置自体の輝度も向上する。以上説明した第1実施例の発光素子搭載用の配線基板20によれば、発光素子搭載領域150a内に、複数の第1のサーマルビア132が、所定の距離以上、離間して配置されているとともに、第2のサーマルビア134が、第2のサーマルビア134に隣接する全ての第1のサーマルビア132から等距離離れた位置に配置されている。従って、発光素子搭載領域150a内において、サーマルビア132,134間にセラミックス層130が存在することになり、セラミックス層130とサーマルビア132、134との間の熱膨張率の差が低減されるので、セラミックス層130とサーマルビア132,134との間の熱膨張率の差に起因する、セラミックス層130とサーマルビア132,134との界面のクラック発生を抑制できる。また、第1のサーマルビア132が複数配置されているので、放熱性を向上できる。また、第1のサーマルビア132に加えて、第2のサーマルビア134が、第2のサーマルビアに隣接する全ての第1のサーマルビア132と等距離離間して配置されている。従って、発光素子搭載領域150aにおけるサーマルビアの占有割合を増加させることができるとともに、発光素子搭載領域150a内に偏り無くサーマルビアを配置でき、放熱性を向上できる。また、発光素子搭載領域150a内に収まるように、全てのサーマルビア132,134が配置されている。こうすることにより、6W/mKという比較的低い熱伝導率のセラミックス層130上に発光素子150が搭載される配線基板20において、発光素子搭載領域150aからサーマルビア132,134がはみ出して配置されている場合に比して、放熱性を向上できる。また、発光素子搭載領域150a内に第1のサーマルビア132が格子状に配置されている。従って、発光素子搭載領域150a内に、第1のサーマルビア132を、一定の間隔、離間させて偏り無くに多数配置できる。よって、発光素子領域におけるサーマルビアの専有面積を増加させることができ、放熱性を向上できる。更に、第2のサーマルビア134は、第2のサーマルビア134に隣接する第1のサーマルビア132と等距離離間して配置されている。従って、発光素子搭載領域150aの全面に偏り無くサーマルビア132,134を配置することができるので、発光素子150において発生する熱を、効率的に放熱できる。また、第1のサーマルビア132の半径は、第2のサーマルビア134の半径より大きく形成されている。従って、第2のサーマルビア134の半径が第1のサーマルビア132の半径よりも大きく形成されている場合に比して、発光素子搭載領域150aにおけるサーマルビア132、134の専有面積を増大できる。よって、発光素子150において発生する熱の放熱性を向上できる。また、各第1のサーマルビア132、および、各第1のサーマルビア132および第2のサーマルビア134は、第1のサーマルビア132の直径以上離間して配置されている。従って、サーマルビア132、134を配置するための、セラミックス層に形成された貫通孔を、十分離間させて形成できるので、貫通孔形成時におけるセラミックス層のクラック発生を抑制できる。B.第2実施例:図10は、第2実施例における配線基板40のサーマルビアの配置状態について説明する平面図である。第2実施例の配線基板40において、第1のサーマルビア432は、図10に太破線で示すように、発光素子搭載領域450a内に、千鳥格子状に配置されている。第2のサーマルビア434は、隣接する第1のサーマルビア432のそれぞれから、等距離離間して配置されている。第2実施例の配線基板40によれば、千鳥格子状に、一定の間隔、離間させて偏り無くに多数配置できる。よって、発光素子搭載領域におけるサーマルビアの専有面積を増加させることができる。C.第3実施例:図11は、第3実施例におけるサーマルビアの配置状態について説明する断面図である。第3実施例の発光装置50は、実装用基板500、ハンダ層510、発光素子搭載用の配線基板55、発光素子550を備える。配線基板55は、外部接続用電極層520、セラミックス層530および配線層540を備える。実装用基板500、ハンダ層510、外部接続用電極層520、配線層540は、第1実施例における実装用基板100、ハンダ層110、外部接続用電極層120、および、配線層140と同様の構成を備える。セラミックス層530は、第1のサーマルビア532,第2のサーマルビア534,第3のサーマルビア538、および、配線導体536を備える。配線導体536は、第1実施例と同様の構成を備える。第1のサーマルビア532、第2のサーマルビア534は、第1実施例の第1のサーマルビア132、第2のサーマルビア134と同位置に配置されており、第1実施例の第1のサーマルビア132、第2のサーマルビア134よりも厚みが薄く形成されている。第3のサーマルビア538は、セラミックス層530の、実装用基板500側に形成された窪み部537内に、Ag合金が充填されることにより構成されている。窪み部537の水平方向の断面は、平面視で、発光素子550と略等しい大きさ面積を有する。配線基板55は、第1実施例と同様の工程によって製造される。ただし、図3におけるステップS10,S12が異なる。以降、図3のステップ番号および図12を用いて説明する。図12は、第3実施例における貫通孔の形成について説明する説明図である。第1のサーマルビア532、第2のサーマルビア534が形成されるグリーンシート230aと、グリーンシート230aとは別に、第3のサーマルビア538が形成されるグリーンシート230bが成形されるステップS10。次に、図12aに示すように、成形されたグリーンシート230a打ち抜き加工を施して、第1のサーマルビア532、第2のサーマルビア534、配線導体536を形成するための貫通孔531、533、535を含む各種貫通孔を形成するとともに、図12bに示すように、グリーンシート230bに打ち抜き加工を施して、第3のサーマルビア538を充填するための貫通孔539を含む各種貫通孔を形成するステップS12。以降、図3のステップS14以降の処理に準じている。すなわち、それぞれのグリーンシート230a、230bについて、ビアペースの充填、メタライズペーストの印刷、キャスタレーション印刷を施し、両グリーンシート230a、230bを積層し、焼成して配線基板55が製造される。なお、グリーンシート230a、230bが積層されると、窪み部537が形成される。以上説明した第3実施例の配線基板55によれば、第1実施例と同様に、第1のサーマルビア532および第2のサーマルビア534が配置されているとともに、セラミックス層530の発光素子搭載領域における実装用基板500側に、発光素子搭載領域の面積と略同一の断面積を有する第3のサーマルビア538が配置されている。従って、第1実施例に比して、外部接続用電極層520とサーマルビアとの、接触面積を広くできる。よって、放熱性能を向上できる。ひいては発光装置自体の輝度も向上する。D.変形例:D1.変形例1:図13は、変形例1におけるサーマルビアの配置状態について説明する平面図である。図13に示すように、変形例1の配線基板60では、第1のサーマルビア632は、発光素子搭載領域650a内に、格子状に9個配置されている。第2のサーマルビア634は、隣接する第1のサーマルビア632のそれぞれから、等距離離間して配置されている。変形例1の配線基板60によれば、第1のサーマルビア632を、発光素子搭載領域650a内に、一定の間隔、離間させて偏り無く多数配置できる。よって、第1のサーマルビア632や第2のサーマルビア634の直径を調整して各サーマルビアの個数を調整したり、発光素子搭載領域650aの大きさに応じて、サーマルビア132の個数を増加させたり、種々の態様でサーマルビアを配置できる。なお、発光素子搭載領域650aが矩形の領域である場合、個数に関係なく、以下の関係を満たすように、第1のサーマルビア632、第2のサーマルビア634を配置してもよい。なお、発光素子搭載領域650aの第1の辺の長さをm1,第1の辺と直交する第2の辺の長さをm2,第1のサーマルビア632の直径をa、互いに隣接する第1のサーマルビア632間の距離をd2、第1のサーマルビア632と第2のサーマルビア634との間の距離をd3、第1の辺に沿った第1のサーマルビアの個数をx、第2の辺に沿った第1のサーマルビアの個数をyとする。m1≧axx-1aかつm2≧ayy-1aかつd2、d3≧aこうすれば、発光素子搭載領域650a内に第1のサーマルビア632を格子状に配置する際における、サーマルビアの大きさと個数とを簡易に調整できる。D2.変形例2:図14は、変形例2におけるサーマルビアの配置状態について説明する平面図である。図14に示すように、変形例2の配線基板70では、発光素子搭載領域750a内に収まるように、4つの第1のサーマルビア732が格子状に配置され、第2のサーマルビア734が、隣接する第1のサーマルビア732のそれぞれから等距離、離間して配置されている。ただし、配線基板70では、第2のサーマルビア734の直径D2が、各第1のサーマルビア732の直径D1よりも大きくなるように形成されている。換言すれば、第2のサーマルビア734の水平方向の断面積が、第1のサーマルビア732の水平方向の断面積よりも大きくなるように形成されている。変形例2のように、第2のサーマルビア734の直径を、第1のサーマルビア732の直径より大きく構成しても、全体として、発光素子搭載領域750a内に、サーマルビアを複数配置することができ、発光素子において発生する熱を、効率的に放熱できる。D3.変形例3:上述の実施例では、第1のサーマルビア、第2のサーマルビアの断面形状発光素子搭載領域との接触面の形状は、円であるが、例えば、矩形や三角形、多角形など、種々の形状としてもよい。発光素子搭載領域の形状や大きさに応じて、第1のサーマルビア、第2のサーマルビアとセラミックス層との間にクラックが発生しないように、第1のサーマルビア間および第1のサーマルビアと第2のサーマルビアとの間を、一定距離、離間させつつ、第1のサーマルビアおよび第2のサーマルビアと、発光素子搭載領域との、接触面積が最大限広くなるように、第1のサーマルビア、第2のサーマルビアの配置位置、大きさ発光素子搭載領域との接触面積、個数を決定することが好ましい。なお、第1のサーマルビア、第2のサーマルビアの断面形状が円以外の場合、第1のサーマルビア、第2のサーマルビアの直径とは、サーマルビアの断面の形状に対して、二点の距離の最大値により表されることとしてもよい。以上、本発明の種々の実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の構成をとることができる。"