"下記一般式1で表される繰り返し単位を有し、アルカリ不溶性又はアルカリ難溶性であり、酸の作用によりアルカリ可溶性となる重合体A、及び、感放射線性酸発生剤Bを含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。式中、R1は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~3のアルキル基であり、R20は、炭素数1~5のna2価の炭化水素基であり、Xは、単結合又は下記a-1、a-2、a-3及びa-4からなる群より選ばれる少なくとも1つの2価の基であり、naは、0~3の整数であり、nbは、0~10の整数であり、nanb≧1である。前記重合体Aが、更に、下記一般式2で表される繰り返し単位を有する請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。式中、R1は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~3のアルキル基であり、R3、R4及びR5は、相互に独立に、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は、炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基である。R4及びR5は、相互に結合して、それぞれが結合している炭素原子と共に、炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基又はその誘導体を形成してもよい。前記重合体Aが、更に、下記一般式2-1~2-6からなる群より選ばれる少なくとも1つの繰り返し単位を有する請求項1又は2に記載の感放射線性樹脂組成物。前記一般式2-1~2-6において、R1は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~3のアルキル基である。前記一般式2-1において、R6は、水素原子又は炭素数1~4の置換若しくは非置換のアルキル基であり、pは、1~3の整数である。前記一般式2-4及び2-5において、R7は、それぞれ、独立に、水素原子又はメトキシ基である。前記一般式2-2及び2-3において、R8は、それぞれ、独立に、単結合又はメチレン基であり、mは、それぞれ、独立に、0又は1である。前記一般式2-3及び2-5において、R9は、それぞれ、独立に、酸素原子又はメチレン基である。下記一般式1で表される繰り返し単位を有し、アルカリ不溶性又はアルカリ難溶性であり、酸の作用によりアルカリ可溶性となる重合体A、感放射線性酸発生剤B、及び、含フッ素重合体Cを含有し、前記重合体Aに含まれるフッ素原子の含有率が、前記含フッ素重合体Cに含まれるフッ素原子の含有率よりも少ないことを特徴とする感放射線性樹脂組成物。式中、R1は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~3のアルキル基であり、R20は、炭素数1~5のna2価の炭化水素基であり、Xは、単結合又は下記a-1、a-2、a-3及びa-4からなる群より選ばれる少なくとも1つの2価の基であり、naは、0~3の整数であり、nbは、0~10の整数であり、nanb≧1である。下記一般式1で表される繰り返し単位を含み、重量平均分子量が1,000~100,000であることを特徴とする重合体。式中、R1は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~3のアルキル基であり、R20は、炭素数1~5のna2価の炭化水素基であり、Xは、単結合又は下記a-1、a-2、a-3及びa-4からなる群より選ばれる少なくとも1つの2価の基であり、naは、0~3の整数であり、nbは、0~10の整数であり、nanb≧1である。更に、下記一般式2で表される繰り返し単位を有する請求項5に記載の重合体。式中、R1は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~3のアルキル基であり、R3、R4及びR5は、相互に独立に、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は、炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基である。R4及びR5は、相互に結合して、それぞれが結合している炭素原子と共に、炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基又はその誘導体を形成してもよい。更に、下記一般式2-1~2-6からなる群より選ばれる少なくとも1つの繰り返し単位を有する請求項5又は6に記載の重合体。前記一般式2-1~2-6において、R1は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~3のアルキル基である。前記一般式2-1において、R6は、水素原子又は炭素数1~4の置換若しくは非置換のアルキル基であり、pは、1~3の整数である。前記一般式2-4及び2-5において、R7は、それぞれ、独立に、水素原子又はメトキシ基である。前記一般式2-2及び2-3において、R8は、それぞれ、独立に、単結合又はメチレン基であり、mは、それぞれ、独立に、0又は1である。前記一般式2-3及び2-5において、R9は、それぞれ、独立に、酸素原子又はメチレン基である。請求項1乃至3のいずれかに記載の感放射線性樹脂組成物を用いて、基板上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜を露光する工程と、露光された前記フォトレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、を備えることを特徴とするレジストパターン形成方法。請求項4に記載の感放射線性樹脂組成物を用いて、基板上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜上に液浸露光用液体を配置し、前記液浸露光用液体を介して前記フォトレジスト膜を液浸露光する工程と、液浸露光された前記フォトレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、を備えることを特徴とするレジストパターン形成方法。半導体分野において、より高い集積度が求められるようになると、感放射線性樹脂組成物には、より優れた感度と共に、線幅や口径の異なるマスクパターンを、同じ露光量で、どれだけ忠実に再現できるかを示すパラメーターであるマスクエラーファクター以下、MEEFと略称するの低減化が必要とされるようになってきている。本発明は、上記課題に対処するためになされたもので、感度に優れると共に、MEEFを低減化することが可能な化学増幅型レジストを与える感放射線性樹脂組成物の提供を目的にする。本発明の発明者らは、特定の構造を有する繰り返し単位を有する重合体A及び感放射線性酸発生剤Bを含有する感放射線性樹脂組成物により、上記目的を達成できることを見出した。本発明は、以下に示される。1.下記一般式1で表される繰り返し単位を有し、アルカリ不溶性又はアルカリ難溶性であり、酸の作用によりアルカリ可溶性となる重合体A、及び、感放射線性酸発生剤Bを含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。式中、R1は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~3のアルキル基であり、R20は、炭素数1~5のna2価の炭化水素基であり、Xは、単結合又は下記a-1、a-2、a-3及びa-4からなる群より選ばれる少なくとも1つの2価の基であり、naは、0~3の整数であり、nbは、0~10の整数であり、nanb≧1である。2.上記重合体Aが、更に、下記一般式2で表される繰り返し単位を有する上記1に記載の感放射線性樹脂組成物。式中、R1は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~3のアルキル基であり、R3、R4及びR5は、相互に独立に、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は、炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基である。R4及びR5は、相互に結合して、それぞれが結合している炭素原子と共に、炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基又はその誘導体を形成してもよい。3.上記重合体Aが、更に、下記一般式2-1~2-6からなる群より選ばれる少なくとも1つの繰り返し単位を有する上記1又は2に記載の感放射線性樹脂組成物。上記一般式2-1~2-6において、R1は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~3のアルキル基である。上記一般式2-1において、R6は、水素原子又は炭素数1~4の置換若しくは非置換のアルキル基であり、pは、1~3の整数である。上記一般式2-4及び2-5において、R7は、それぞれ、独立に、水素原子又はメトキシ基である。上記一般式2-2及び2-3において、R8は、それぞれ、独立に、単結合又はメチレン基であり、mは、それぞれ、独立に、0又は1である。上記一般式2-3及び2-5において、R9は、それぞれ、独立に、酸素原子又はメチレン基である。4.下記一般式1で表される繰り返し単位を有し、アルカリ不溶性又はアルカリ難溶性であり、酸の作用によりアルカリ可溶性となる重合体A、感放射線性酸発生剤B、及び、含フッ素重合体Cを含有し、上記重合体Aに含まれるフッ素原子の含有率が、上記含フッ素重合体Cに含まれるフッ素原子の含有率よりも少ないことを特徴とする感放射線性樹脂組成物。式中、R1は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~3のアルキル基であり、R20は、炭素数1~5のna2価の炭化水素基であり、Xは、単結合又は下記a-1、a-2、a-3及びa-4からなる群より選ばれる少なくとも1つの2価の基であり、naは、0~3の整数であり、nbは、0~10の整数であり、nanb≧1である。5.下記一般式1で表される繰り返し単位を含み、重量平均分子量が1,000~100,000であることを特徴とする重合体。式中、R1は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~3のアルキル基であり、R20は、炭素数1~5のna2価の炭化水素基であり、Xは、単結合又は下記a-1、a-2、a-3及びa-4からなる群より選ばれる少なくとも1つの2価の基であり、naは、0~3の整数であり、nbは、0~10の整数であり、nanb≧1である。6.更に、下記一般式2で表される繰り返し単位を有する上記5に記載の重合体。式中、R1は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~3のアルキル基であり、R3、R4及びR5は、相互に独立に、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は、炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基である。R4及びR5は、相互に結合して、それぞれが結合している炭素原子と共に、炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基又はその誘導体を形成してもよい。7.更に、下記一般式2-1~2-6からなる群より選ばれる少なくとも1つの繰り返し単位を有する上記5又は6に記載の重合体。上記一般式2-1~2-6において、R1は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~3のアルキル基である。上記一般式2-1において、R6は、水素原子又は炭素数1~4の置換若しくは非置換のアルキル基であり、pは、1~3の整数である。上記一般式2-4及び2-5において、R7は、それぞれ、独立に、水素原子又はメトキシ基である。上記一般式2-2及び2-3において、R8は、それぞれ、独立に、単結合又はメチレン基であり、mは、それぞれ、独立に、0又は1である。上記一般式2-3及び2-5において、R9は、それぞれ、独立に、酸素原子又はメチレン基である。8.上記1乃至3のいずれかに記載の感放射線性樹脂組成物を用いて、基板上にフォトレジスト膜を形成する工程と、上記フォトレジスト膜を露光する工程と、露光された上記フォトレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、を備えることを特徴とするレジストパターン形成方法。9.上記4に記載の感放射線性樹脂組成物を用いて、基板上にフォトレジスト膜を形成する工程と、上記フォトレジスト膜上に液浸露光用液体を配置し、上記液浸露光用液体を介して上記フォトレジスト膜を液浸露光する工程と、液浸露光された上記フォトレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、を備えることを特徴とするレジストパターン形成方法。本発明の感放射線性樹脂組成物により、MEEFを良好に低減化することが可能な化学増幅型レジストが得られる。また、同じフォトマスクを用いた場合であって、露光量が多少ずれたときにも、ほぼ同一のパターン形状を得ることができる。即ち、良好な露光余裕度を得ることができる。1.感放射線性樹脂組成物及び重合体本発明の感放射線性樹脂組成物は、下記一般式1で表される繰り返し単位Iを有し、アルカリ不溶性又はアルカリ難溶性であり、酸の作用によりアルカリ可溶性となる重合体A及び感放射線性酸発生剤Bを含有することを特徴とする。また、本発明の重合体以下、重合体A’という。は、下記一般式1で表される繰り返し単位Iを含み、重量平均分子量が1,000~100,000であることを特徴とする。式中、R1は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~3のアルキル基であり、R20は、炭素数1~5のna2価の炭化水素基であり、Xは、単結合又は下記a-1、a-2、a-3及びa-4からなる群より選ばれる少なくとも1つの2価の基であり、naは、0~3の整数であり、nbは、0~10の整数であり、nanb≧1である。1-1.重合体A及びA’本発明において、重合体A及びA’は、共通して、繰り返し単位Iを有する重合体であり、それぞれ、他の繰り返し単位を有する重合体であってもよい。1-1-1.繰り返し単位I上記一般式1において、R1は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~3のアルキル基メチル基、エチル基、n-プロピル基又はイソプロピル基であり、好ましくはメチル基である。上記一般式1において、R20は、炭素数1~5のna2価の炭化水素基であり、この炭化水素基は、直鎖状又は分岐状とすることができる。また、naの数に依存して、ヒドロキシル基を有さない炭化水素基na=0、又は、ヒドロキシル基を有する炭化水素基na=1、2又は3とすることができる。この炭化水素基を構成する炭素原子の数は、好ましくは1~4である。尚、naは、0~3の整数であり、好ましくは0~2、より好ましくは0~1である。また、nbは、0~10の整数であり、好ましくは0~4、より好ましくは0~2である。naが、1~3の整数である場合、ヒドロキシル基が結合する炭素原子は、特に限定されない。また、nbが、1~10の整数である場合、ヒドロキシル基が結合する炭素原子は、特に限定されない。また、上記一般式1において、Xは、単結合又は上記式a-1~a-4からなる群より選ばれる少なくとも1つの2価の基である。尚、上記式a-1及びa-2で表される2価の基における結合手は、2つのうちのいずれが一般式1におけるR20に結合していてもよい。本発明において、Xは、好ましくは単結合である。上記繰り返し単位Iとしては、一般式1におけるnaが0であり、nbが1~10の整数である繰り返し単位以下、繰り返し単位Ixともいう。が好ましい下記一般式1x参照。以下、上記繰り返し単位Ixを有する重合体を、重合体Axという。式中、R1は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~3のアルキル基であり、R2は、メチレン基又は炭素数2~5のアルキレン基であり、Xは、単結合又は上記a-1、a-2、a-3及びa-4からなる群より選ばれる少なくとも1つの2価の基であり、nは、1~10の整数である。上記一般式1xにおいて、R2は、メチレン基又は炭素数2~5のアルキレン基であり、炭素数2~5のアルキレン基は、直鎖状又は分岐状の炭化水素基とすることができる。その具体例は、エチレン基、1,3-プロピレン基及び1,2-プロピレン基のプロピレン基、ブチレン基、ペンタメチレン基等であり、これらのうち、メチレン基が好ましい。上記一般式1xにおいて、nは1~10の整数を示す。nは、好ましくは1~3の整数であり、特に好ましくは1である。尚、ヒドロキシル基が結合する炭素原子は、特に限定されない。尚、上記一般式1xにおけるR1及びXについては、上記一般式1におけるR1の説明が適用される。また、上記一般式1xで表される繰り返し単位Ixとして、下記式1-1で表される繰り返し単位が好ましい。式中、R1は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~3のアルキル基であり、R2は、メチレン基又は炭素数2~5のアルキレン基であり、Xは、単結合又は上記a-1、a-2、a-3及びa-4からなる群より選ばれる少なくとも1つの2価の基である。上記一般式1-1で表される繰り返し単位としては、下記式1-1-1で表される繰り返し単位が特に好ましい。式中、R1は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~3のアルキル基であり、R2は、メチレン基又は炭素数2~5のアルキレン基であり、Xは、単結合又は上記a-1、a-2、a-3及びa-4からなる群より選ばれる少なくとも1つの2価の基である。上記一般式1で表され、naが1である繰り返し単位Iを与える化合物としては、下記式1aa~1adで表される化合物が挙げられる。式中、R1は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~3のアルキル基である。上記式1aa~1adで表した化合物等は、例えば、下記に示すように、一般式U-1で表される、エポキシ基を有するアダマンタン化合物と、一般式U-2で表される、アクリル酸、メタクリル酸、α-フルオロアクリル酸、α-トリフルオロメチルアクリル酸等のようなアクリル酸誘導体とを反応させることにより得ることができる。式中、R61は、ヒドロキシル基を有していてもよい炭素数1~5の1価の炭化水素基又は水素原子である。R62は、ヒドロキシル基を有していてもよい炭素数1~5の2価の炭化水素基又は単結合である。R61及びR62の炭素数の合計は5以下である。R1は、水素原子、フッ素原子、炭素数1~3のアルキル基又はトリフルオロメチル基である。nbは、0~10の整数である。エポキシ基を有するアダマンタン化合物と、アクリル酸誘導体とを反応させる際のモル比、反応用触媒、溶媒及び反応条件については、国際公開09/63829号パンフレットにおける[0021]~[0024]段落の記載内容が適用される。尚、上記一般式U-1で表される化合物は、例えば、下記反応によって得ることができる。式中、R61は、ヒドロキシル基を有していてもよい炭素数1~5の1価の炭化水素基又は水素原子である。R62は、ヒドロキシル基を有していてもよい炭素数1~5の2価の炭化水素基又は単結合である。R61及びR62の炭素数の合計は5以下である。nbは、0~10の整数である。上記一般式1xで表される繰り返し単位Ixを与える化合物としては、下記式1a~1fで表される化合物が挙げられる。これらのうち、式1a、1e及び1fで表される化合物が特に好ましい。上記式1a、1e、1f等の化合物は、例えば、下記に示すように、一般式U-3で表されるアクリル酸誘導体と、式U-4で表される、ヒドロキシ基を有するアダマンタン化合物とを、エチルジイソプロピルアミノカルボジイミド塩酸塩及びジメチルアミノピリジンの存在下、THF溶液中で反応させることにより得ることができる。式中、R1は、水素原子、フッ素原子、炭素数1~3のアルキル基又はトリフルオロメチル基である。nbは、0~10の整数である。本発明において、重合体A及びA’は、上記繰り返し単位Iを、1種のみ含有していてもよいし、2種以上含有していてもよい。上記重合体A及びA’において、上記繰り返し単位Iの含有割合は、重合体Aにおける繰り返し単位の全量を100モルとした場合に、好ましくは5~50モルであり、特に好ましくは10~30モルである。また、上記重合体Axにおいて、上記繰り返し単位Ixの含有割合は、重合体Axにおける繰り返し単位の全量を100モルとした場合に、好ましくは5~50モルであり、特に好ましくは10~30モルである。繰り返し単位I及び繰り返し単位Ixの含有割合が上記範囲にある重合体A又はAxを含む各組成物を用いると、MEEFが小さく、良好な形状を有するレジストパターンが得られる点で好ましい。本発明における重合体A、A’及びAxは、アルカリ不溶性又はアルカリ難溶性であり、酸の作用によりアルカリ可溶性となる重合体である。尚、本明細書において、アルカリ不溶性又はアルカリ難溶性とは、重合体A、A’又はAxを含有する感放射線性樹脂組成物を用いて形成したフォトレジスト膜からレジストパターンを形成する際に採用されるアルカリ現像条件下で、感放射線性樹脂組成物の代わりに重合体A、A’又はAxのみを用いて形成した膜厚100nmの被膜を現像した場合に、被膜の初期膜厚の50以上が現像後に残存する性質をいう。1-1-2.他の繰り返し単位本発明においては、上記のように、重合体A、重合体A’及び重合体Axは、他の繰り返し単位を有することができ、他の繰り返し単位としては、下記一般式2で表される繰り返し単位以下、繰り返し単位IIという。、下記一般式2-1~2-6からなる群より選択される少なくとも1種の繰り返し単位以下、繰り返し単位IIIという。、脂環式構造を含有する繰り返し単位以下、繰り返し単位IVともいう。、下記一般式5で表される繰り返し単位以下、繰り返し単位Vともいう。、芳香族化合物に由来する繰り返し単位以下、繰り返し単位VIともいう。等を含有することができる。式中、R1は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~3のアルキル基であり、R3、R4及びR5は、相互に独立に、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は、炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基である。R4及びR5は、相互に結合して、それぞれが結合している炭素原子と共に、炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基又はその誘導体を形成してもよい。一般式2-1~2-6において、R1は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~3のアルキル基である。一般式2-1において、R6は、水素原子又は炭素数1~4の置換若しくは非置換のアルキル基であり、pは、1~3の整数である。一般式2-4及び2-5において、R7は、それぞれ、独立に、水素原子又はメトキシ基である。一般式2-2及び2-3において、R8は、それぞれ、独立に、単結合又はメチレン基であり、mは、それぞれ、独立に、0又は1である。一般式2-3及び2-5において、R9は、それぞれ、独立に、酸素原子又はメチレン基である。式中、R1は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~3のアルキル基である。R51は、2価の有機基である。本発明の重合体A、A’及びAxは、繰り返し単位II及び/又はIIIを有する重合体であることが好ましい。1-1-2-1.繰り返し単位II上記一般式2において、R1は、上記一般式1におけるR1の説明が適用される。また、R3~R5で表した基のうち、炭素数1~4のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、tert-ブチル基等が挙げられる。また、R3~R5で表した基のうち、炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基としては、アダマンタン骨格、ノルボルナン骨格、トリシクロデカン骨格、テトラシクロドデカン骨格等の有橋式骨格を有する基;シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のシクロアルカン骨格を有する基;これらの基に含まれる水素原子を、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、tert-ブチル基等の炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の1種又は1個以上で置換した基等が挙げられる。更に、上記一般式2で表される繰り返し単位IIにおいて、R4及びR5は、相互に結合して、それぞれが結合している炭素原子と共に、炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基又はその誘導体基であってもよく、この2価の基としては、アダマンタン骨格、ノルボルナン骨格、トリシクロデカン骨格、テトラシクロドデカン骨格等の有橋式骨格を有する基;シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のシクロアルカン骨格を有する基;これらの基に含まれる水素原子を、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、tert-ブチル基等の炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の1種又は1個以上で置換した基等の脂環式骨格を有する基とすることができる。R3~R5で表した基のうち、脂環式炭化水素基としては、アダマンタン骨格を有するもの、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン骨格を有するもの、シクロペンチル骨格を有するもの、シクロヘキシル骨格を有するもの、シクロヘプチル骨格を有するもの、及びシクロオクチル骨格を有するものが好ましい。上記一般式2において、好ましい-CR3R4R5の例としては、tert-ブチル基、1-n-1-エチル-1-メチルプロピル基、1-n-1,1-ジメチルプロピル基、1-n-1,1-ジメチルブチル基、1-n-1,1-ジメチルペンチル基、1-1,1-ジエチルプロピル基、1-n-1,1-ジエチルブチル基、1-n-1,1-ジエチルペンチル基、1-1-メチルシクロペンチル基、1-1-エチルシクロペンチル基、1-1-n-プロピルシクロペンチル基、1-1-イソプロピルシクロペンチル基、1-1-メチルシクロヘキシル基、1-1-エチルシクロヘキシル基、1-1-n-プロピルシクロヘキシル基、1-1-イソプロピルシクロヘキシル基、1-{1-メチル-1-2-ノルボルニル}エチル基、1-{1-メチル-1-2-テトラシクロデカニル}エチル基、1-{1-メチル-1-1-アダマンチル}エチル基、2-2-メチルノルボルニル基、2-2-エチルノルボルニル基、2-2-n-プロピルノルボルニル基、2-2-イソプロピルノルボルニル基、2-2-メチルテトラシクロデカニル基、2-2-エチルテトラシクロデカニル基、2-2-n-プロピルテトラシクロデカニル基、2-2-イソプロピルテトラシクロデカニル基、2-2-メチルアダマンチル基、2-2-エチルアダマンチル基、2-2-n-プロピルアダマンチル基、2-2-イソプロピルアダマンチル基や、これらの脂環族環からなる基に含まれる水素原子を、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、tert-ブチル基等の炭素数1~4の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の1種以上あるいは1個以上で置換した基等を挙げることができる。上記繰り返し単位IIを与える好ましい単量体としては、メタアクリル酸2-メチルアダマンチル-2-イルエステル、メタアクリル酸2-メチル-3-ヒドロキシアダマンチル-2-イルエステル、メタアクリル酸2-エチルアダマンチル-2-イルエステル、メタアクリル酸2-エチル-3-ヒドロキシアダマンチル-2-イルエステル、メタアクリル酸2-n-プロピルアダマンチル-2-イルエステル、メタアクリル酸2-イソプロピルアダマンチル-2-イルエステル、メタアクリル酸-2-メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエステル、メタアクリル酸-2-エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエステル、メタアクリル酸-8-メチルトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イルエステル、メタアクリル酸-8-エチルトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イルエステル、メタアクリル酸-4-メチルテトラシクロ[6.2.13,6.02,7]ドデカン-4-イルエステル、メタアクリル酸-4-エチルテトラシクロ[6.2.13,6.02,7]ドデカン-4-イルエステル、メタアクリル酸1-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1-メチルエチルエステル、メタアクリル酸1-トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イル-1-メチルエチルエステル、メタアクリル酸1-テトラシクロ[6.2.13,6.02,7]ドデカン-4-イル-1-メチルエチルエステル、メタアクリル酸1-アダマンタン-1-イル-1-メチルエチルエステル、メタアクリル酸1-3-ヒドロキシアダマンタン-1-イル-1-メチルエチルエステル、メタアクリル酸1,1-ジシクロヘキシルエチルエステイル、メタアクリル酸1,1-ジビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエチルエステル、メタアクリル酸1,1-ジトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イルエチルエステル、メタアクリル酸1,1-ジテトラシクロ[6.2.13,6.02,7]ドデカン-4-イルエチルエステル、メタアクリル酸1,1-ジアダマンタン-1-イルエチルエステル、メタアクリル酸1-メチル-1-シクロペンチルエステル、メタアクリル酸1-エチル-1-シクロペンチルエステル、メタアクリル酸1-メチル-1-シクロヘキシルエステル、メタアクリル酸1-エチル-1-シクロヘキシルエステル等が挙げられる。これらの化合物のうち、メタアクリル酸2-メチルアダマンチル-2-イルエステル、メタアクリル酸2-エチルアダマンチル-2-イルエステル、メタアクリル酸-2-メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエステル、メタアクリル酸-2-エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエステル、メタアクリル酸1-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1-メチルエチルエステル、メタアクリル酸1-アダマンタン-1-イル-1-メチルエチルエステル、メタアクリル酸1-メチル-1-シクロペンチルエステル、メタアクリル酸1-エチル-1-シクロペンチルエステル、メタアクリル酸1-メチル-1-シクロヘキシルエステル、メタアクリル酸1-エチル-1-シクロヘキシルエステル等が特に好ましい。上記重合体A、A’及びAxは、この繰り返し単位IIを、1種のみ含有していてもよいし、2種以上含有していてもよい。上記重合体A、A’及びAxにおいて、この繰り返し単位IIの含有量は、重合体A、A’又はAxにおける繰り返し単位の全量を100モルとした場合に、好ましくは15~85モルであり、より好ましくは25~75モルであり、特に好ましくは35~60モルである。この繰り返し単位IIの含有割合が上記範囲にある重合体A又はAxを含む各組成物を用いると、溶解した後のコントラストが損なわれることなく、パターン形状が良好であり、基板との密着性に優れる。1-1-2-2.繰り返し単位III上記一般式2-1~2-6において、R1は、上記一般式1におけるR1の説明が適用される。上記一般式2-1において、R6で表した基のうち、炭素数1~4の非置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、tert-ブチル基等が挙げられる。上記繰り返し単位IIIを与える単量体としては、下記一般式3-1~3-6で表される化合物等が挙げられる。一般式3-1~3-6において、R1は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~3のアルキル基である。一般式3-1において、R6は、水素原子又は炭素数1~4の置換若しくは非置換のアルキル基であり、pは、1~3の整数である。一般式3-4及び3-5において、R7は、それぞれ、独立に、水素原子又はメトキシ基である。一般式3-2及び3-3において、R8は、それぞれ、独立に、単結合又はメチレン基であり、mは、それぞれ、独立に、0又は1である。一般式3-3及び3-5において、R9は、それぞれ、独立に、酸素原子又はメチレン基である。上記一般式3-1~3-6における、R1及びR6は、それぞれ、上記一般式1におけるR1の説明、及び、上記一般式2-1におけるR6の説明が適用される。上記繰り返し単位IIIを与える好ましい単量体の具体例としては、メタアクリル酸-5-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[4.2.1.03,7]ノナ-2-イルエステル、メタアクリル酸-9-メトキシカルボニル-5-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[4.2.1.03,7]ノナ-2-イルエステル、メタアクリル酸-5-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[5.2.1.03,8]デカ-2-イルエステル、メタアクリル酸-10-メトキシカルボニル-5-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[5.2.1.03,8]ノナ-2-イルエステル、メタアクリル酸-6-オキソ-7-オキサ-ビシクロ[3.2.1]オクタ-2-イルエステル、メタアクリル酸-4-メトキシカルボニル-6-オキソ-7-オキサ-ビシクロ[3.2.1]オクタ-2-イルエステル、メタアクリル酸-7-オキソ-8-オキサ-ビシクロ[3.3.1]オクタ-2-イルエステル、メタアクリル酸-4-メトキシカルボニル-7-オキソ-8-オキサ-ビシクロ[3.3.1]オクタ-2-イルエステル、メタアクリル酸-2-オキソテトラヒドロピラン-4-イルエステル、メタアクリル酸-4-メチル-2-オキソテトラヒドロピラン-4-イルエステル、メタアクリル酸-4-エチル-2-オキソテトラヒドロピラン-4-イルエステル、メタアクリル酸-4-プロピル-2-オキソテトラヒドロピラン-4-イルエステル、メタアクリル酸-5-オキソテトラヒドロフラン-3-イルエステル、メタアクリル酸-2,2-ジメチル-5-オキソテトラヒドロフラン-3-イルエステル、メタアクリル酸-4,4-ジメチル-5-オキソテトラヒドロフラン-3-イルエステル、メタアクリル酸-2-オキソテトラヒドロフラン-3-イルエステル、メタアクリル酸-4,4-ジメチル-2-オキソテトラヒドロフラン-3-イルエステル、メタアクリル酸-5,5-ジメチル-2-オキソテトラヒドロフラン-3-イルエステル、メタアクリル酸-2-オキソテトラヒドロフラン-3-イルエステル、メタアクリル酸-5-オキソテトラヒドロフラン-2-イルメチルエステル、メタアクリル酸-3,3-ジメチル-5-オキソテトラヒドロフラン-2-イルメチルエステル、メタアクリル酸-4,4-ジメチル-5-オキソテトラヒドロフラン-2-イルメチルエステル等が挙げられる。上記重合体A、A’及びAxは、この繰り返し単位IIIを、1種のみ含有していてもよいし、2種以上含有していてもよい。上記重合体A、A’及びAxにおいて、この繰り返し単位IIIの含有量は、重合体A、A’又はAxにおける繰り返し単位の全量を100モルとした場合に、好ましくは10~50モルであり、特に好ましくは20~40モルである。この繰り返し単位IIIの含有割合が上記範囲にある重合体A又はAxを含む各組成物を用いると、現像欠陥を生じることなく、基板との密着性に優れたパターンを形成することができる。1-1-2-3.繰り返し単位IVこの繰り返し単位IVは、脂環式構造を含有する繰り返し単位であり、上記に示した繰り返し単位に含まれない繰り返し単位である。例えば、下記一般式4で表される繰り返し単位等が挙げられる。式中、R1は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~3のアルキル基であり、R41は、炭素数4~20の脂環式炭化水素基又はその誘導体である。上記一般式4において、R1は、上記一般式1におけるR1の説明が適用される。上記一般式4において、R41で表した、炭素数4~20の脂環式炭化水素基としては、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、ビシクロ[2.2.2]オクタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカン等のシクロアルカン類に由来する脂環族環からなる炭化水素基が挙げられる。これらのシクロアルカンに由来する脂環族環においては、置換基を有していてもよく、脂環族環を構成する炭素原子に結合している水素原子が、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、tert-ブチル基等の炭素数1~4の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の1種以上あるいは1個以上で置換されてなる炭化水素基であってもよい。更に、上記水素原子は、ヒドロキシル基、シアノ基、炭素数1~10のヒドロキシアルキル基、カルボキシル基、酸素原子で置換されてもよい。上記繰り返し単位IVを与える好ましい単量体としては、メタアクリル酸-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエステル、メタアクリル酸-ビシクロ[2.2.2]オクタ-2-イルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[5.2.1.02,6]デカ-7-イルエステル、メタアクリル酸-テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-イルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[3.3.1.13,7]デカ-1-イルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[3.3.1.13,7]デカ-2-イルエステル等が挙げられる。1-1-2-4.繰り返し単位Vこの繰り返し単位Vは、上記一般式5で表される繰り返し単位である。上記一般式5において、R1は、上記一般式1におけるR1の説明が適用される。また、一般式5におけるR51は、2価の有機基であり、好ましくは2価の炭化水素基である。2価の炭化水素基うち、鎖状又は環状の炭化水素基が好ましく、アルキレングリコール基であってもよいし、アルキレンエステル基であってもよい。好ましいR51としては、メチレン基、エチレン基、1,3-プロピレン基、1,2-プロピレン基等のプロピレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、トリデカメチレン基、テトラデカメチレン基、ペンタデカメチレン基、ヘキサデカメチレン基、ヘプタデカメチレン基、オクタデカメチレン基、ノナデカメチレン基、インサレン基、1-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチル1,3-プロピレン基、2-メチル-1,2-プロピレン基、1-メチル-1,4-ブチレン基、2-メチル-1,4-ブチレン基、メチリデン基、エチリデン基、プロピリデン基、又は、2-プロピリデン基等の飽和鎖状炭化水素基;1,3-シクロブチレン基等のシクロブチレン基、1,3-シクロペンチレン基等のシクロペンチレン基、1,4-シクロヘキシレン基等のシクロヘキシレン基、1,5-シクロオクチレン基等のシクロオクチレン基等の炭素数3~10のシクロアルキレン基等の単環式炭化水素環基;1,4-ノルボルニレン基若しくは2,5-ノルボルニレン基等のノルボルニレン基、1,5-アダマンチレン基、2,6-アダマンチレン基等のアダマンチレン基等の2~4環式炭素数4~30の炭化水素環基等の架橋環式炭化水素環基等が挙げられる。特に、R51が、2価の脂肪族環状炭化水素基を含む場合には、ビストリフルオロメチル-ヒドロキシ-メチル基と、この脂肪族環状炭化水素基との間にスペーサーとして炭素数1~4のアルキレン基を有することが好ましい。また、R51としては、2,5-ノルボルニレン基を含む炭化水素基、1,2-エチレン基及びプロピレン基が好ましい。更に、上記繰り返し単位Vを与える特に好ましい単量体としては、メタアクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-3-プロピルエステル、メタアクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-4-ブチルエステル、メタアクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-5-ペンチルエステル、メタアクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-4-ペンチルエステル、メタアクリル酸2-{[5-1’,1’,1’-トリフルオロ-2’-トリフルオロメチル-2’-ヒドロキシプロピル]ビシクロ[2.2.1]ヘプチル}エステル、メタアクリル酸3-{[8-1’,1’,1’-トリフルオロ-2’-トリフルオロメチル-2’-ヒドロキシプロピル]テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデシル}エステル等が挙げられる。1-1-2-5.繰り返し単位VIこの繰り返し単位VIは、芳香族化合物に由来する繰り返し単位である。上記繰り返し単位VIを与える好ましい単量体としては、スチレン、α-メチルスチレン、2-メチルスチレン、3-メチルスチレン、4-メチルスチレン、2-メトキシスチレン、3-メトキシスチレン、4-メトキシスチレン、4-2-tert-ブトキシカルボニルエチルオキシスチレン2-ヒドロキシスチレン、3-ヒドロキシスチレン、4-ヒドロキシスチレン、2-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、3-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、4-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、2-メチル-3-ヒドロキシスチレン、4-メチル-3-ヒドロキシスチレン、5-メチル-3-ヒドロキシスチレン、2-メチル-4-ヒドロキシスチレン、3-メチル-4-ヒドロキシスチレン、3,4-ジヒドロキシスチレン、2,4,6-トリヒドロキシスチレン、4-tert-ブトキシスチレン、4-tert-ブトキシ-α-メチルスチレン、4-2-エチル-2-プロポキシスチレン、4-2-エチル-2-プロポキシ-α-メチルスチレン、4-1-エトキシエトキシスチレン、4-1-エトキシエトキシ-α-メチルスチレン、メタアクリル酸フェニル、メタアクリル酸ベンジル、アセナフチレン、5-ヒドロキシアセナフチレン、1-ビニルナフタレン、2-ビニルナフタレン、2-ヒドロキシ-6-ビニルナフタレン、1-ナフチルメタアクリレート、2-ナフチルメタアクリレート、1-ナフチルメチルメタアクリレート、1-アントリルメタアクリレート、2-アントリルメタアクリレート、9-アントリルメタアクリレート、9-アントリルメチルメタアクリレート、1-ビニルピレン等が挙げられる。上記重合体A、A’及びAxにおいて、上記繰り返し単位IV~VIは、それぞれ、1種のみ含有されていてもよいし、2種以上が含有されていてもよい。1-1-2-6.繰り返し単位IV~VIの含有率上記重合体A、A’及びAxにおいて、繰り返し単位IVの含有率は、重合体A、A’又はAxにおける繰り返し単位の全量を100モルとした場合に、通常、30モル以下、好ましくは25モル以下である。この繰り返し単位IVの含有率が30モル以下である重合体A又はAxを含む各組成物を用いると、良好なレジストパターン形状及び解像度が得られる。また、上記重合体A、A’及びAxにおいて、上記繰り返し単位Vの含有率は、重合体A、A’又はAxにおける繰り返し単位の全量を100モルとした場合に、通常、30モル以下、好ましくは25モル以下である。この繰り返し単位Vの含有率が30モル以下である重合体A又はAxを含む各組成物を用いると、溶解コントラストが向上し良好なパターンが得られる。尚、上記含有率が過剰になると、得られるフォトレジスト膜がアルカリ現像液に溶解し易くなりすぎるため良好なパターンが形成されなくなるおそれがある。また、上記重合体A、A’及びAxにおいて、上記繰り返し単位VIの含有率は、重合体A、A’又はAxにおける繰り返し単位の全量を100モルとした場合に、通常、40モル以下、好ましくは30モル以下である。1-1-3.分子量本発明の感放射線性樹脂組成物に含まれる重合体AのゲルパーミエーションクロマトグラフィGPC法による標準ポリスチレン換算の重量平均分子量以下、Mwという。は、好ましくは1,000~100,000であり、より好ましくは1,000~30,000、更に好ましくは1,000~20,000である。Mwが上記範囲にある重合体Aを含む各組成物を用いると、レジストとした際の耐熱性及び現像性が優れる。また、重合体AのMwと、GPC法による数平均分子量以下、Mnという。との比Mw/Mnは、通常、1~5であり、好ましくは1~3である。上記重合体Aにおいて、Mwが1,000~100,000であり、Mw/Mnが1~5であると、より微細なレジストパターンの形成に好適な感放射線性樹脂組成物を得ることができる。また、本発明の重合体A’のGPC法によるMwは、1,000~100,000であり、好ましくは1,000~30,000、更に好ましくは1,000~20,000である。また、重合体A’のMw/Mnは、通常、1~5であり、好ましくは1~3である。本発明の重合体A’が上記性質を有することで、より微細なレジストパターンの形成に好適であり、レジストを形成した際の耐熱性及び現像性に優れた感放射線性樹脂組成物を得ることができる。1-1-4.重合体A、A’及びAxの製造方法上記重合体A、A’及びAxは、ハイドロパーオキシド、ジアルキルパーオキシド、ジアシルパーオキシド、アゾ化合物等のラジカル重合開始剤の存在下、繰り返し単位Iを与える単量体を含む単量体原料を、適当な溶媒中において重合することにより、製造することができる。重合温度は、通常、40°C~150°C、好ましくは50°C~120°Cである。また、重合時間は、通常、1~48時間、好ましくは1~24時間である。上記溶媒としては、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-ヘプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン等のアルカン類;シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のシクロアルカン類;デカリン、ノルボルナン等の脂環式炭化水素類;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素類;クロロブタン、ブロモヘキサン、ジクロロエタン、ヘキサメチレンジブロミド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸イソブチル、プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル類;アセトン、2-ブタノン、4-メチル-2-ペンタノン、2-ヘプタノン等のケトン類;テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジエトキシエタン等のエーテル類;メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、4-メチル-2-ペンタノール等のアルコール類等が挙げられる。尚、これらの溶媒は、単独で用いてよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。尚、本発明の感放射線性樹脂組成物の調製に用いられる重合体Aは、ハロゲン、金属等の不純物の含有量が少ないほど好ましい。このような不純物の含有量が少ない場合、フォトレジスト膜の感度、解像度、プロセス安定性、パターン形状等を更に向上させることができる。従って、上記方法により合成された重合体Aを精製に供することが好ましい。精製法としては、水洗、液液抽出等の化学的精製法や、これらの化学的精製法と限外ろ過、遠心分離等の物理的精製法とを組み合わせた方法等が挙げられる。また、上記方法により合成された重合体Aにおいては、単量体原料に由来する低分子量成分の含有量が少ないほど好ましい。具体的には、この含有量は、この重合体Aに対して、好ましくは0.1質量以下、より好ましくは0.07質量以下、更に好ましくは0.05質量以下である。この含有量が0.1質量以下である場合には、本発明の感放射線性樹脂組成物の保管時に、異物を生成することがなく、本発明の感放射線性樹脂組成物の塗布時においても、塗布ムラを抑制することができ、レジストパターン形成時における欠陥の発生をも、十分に抑制することができる。更に、液浸露光の際に、フォトレジスト膜と接触した水等の液浸露光用液体への溶出物の量を抑制することができる。尚、上記単量体原料に由来する低分子量成分は、モノマー、ダイマー、トリマー、オリゴマー等を意味し、通常、分子量500以下の成分とすることができる。このような分子量500以下の成分は、例えば、水洗、液液抽出等の化学的精製法や、これらの化学的精製法と限外ろ過、遠心分離等の物理的精製法との組み合わせ等により除去することができる。また、上記単量体原料に由来する低分子量成分は、重合体Aを高速液体クロマトグラフィHPLCに供することより分析することができる。1-1-5.フッ素原子の含有率本発明においては、重合体Aが、上記の繰り返し単位からなるものとすることにより、微細加工に好適な感放射線性樹脂組成物を得ることができる。上記のように、重合体Aは、フッ素原子を含む重合体、又は、フッ素原子を含まない重合体とすることができる。重合体Aがフッ素原子を含む場合、フッ素原子の含有率の上限値は、通常、30質量である。尚、重合体Aと、後述する含フッ素重合体Cとを併用した組成物において、重合体Aに含まれるフッ素原子の含有率が、含フッ素重合体Cに含まれるフッ素原子の含有率よりも少ない構成とした場合には、液浸露光に適した感放射線性樹脂組成物を得ることができる。即ち、感放射線性樹脂組成物を用いて、フォトレジスト膜を形成した場合、含フッ素重合体Cは、フォトレジスト膜表層に偏在し易くなるため、液浸露光時に上層膜を別途形成する必要がなく、液浸露光を円滑に進めることができ、ライン幅のばらつきの発生を抑制して、所望形状のパターンを精度良く形成することができる。以下、後述する含フッ素重合体Cと併用され、フッ素原子の含有率が、含フッ素重合体Cに含まれるフッ素原子の含有率よりも少ない重合体A及びAxを、重合体A1とする。上記重合体A1におけるフッ素原子含有率は、重合体A1全体を100質量とした場合に、好ましくは0~4.9質量、更に好ましくは0~4質量である。このフッ素原子の含有率は、13C-NMRにより測定することができる。上記重合体A1は、繰り返し単位II及び/又は繰り返し単位IIIを有していることが好ましい。上記重合体A1は、フッ素原子含有率が上記範囲内であれば、繰り返し単位IV~繰り返し単位VIを有していてもよい。1-2.感放射線性酸発生剤Bこの感放射線性酸発生剤Bは、本発明の感放射線性樹脂組成物によって形成されたフォトレジスト膜が露光された際に、露光部からこの感放射線性酸発生剤Bに由来する酸を発生させる成分である。この酸の作用によって、露光部において、重合体Aに含まれる酸解離性基が解離する。そして、酸解離性基が解離した重合体は、アルカリ現像液に易溶性となる。その後、アルカリ現像液を用いてフォトレジスト膜の不要部分を除去することにより、所望の形状を有するポジ型のレジストパターンを得ることができる。上記感放射線性酸発生剤Bとしては、従来、公知の感放射線性酸発生剤を適用することができる。例えば、特開2009-134088号公報の段落[0080]~[0113]に記載されている化合物等を用いることができる。上記感放射線性酸発生剤Bとしては、具体的には、トリフェニルスルホニウム塩化合物、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム塩化合物、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム塩化合物、トリ4-tert-ブチルフェニルスルホニウム塩化合物、ジフェニルヨードニウム塩化合物、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウム塩化合物、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム塩化合物、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウム塩化合物、スクシンイミド類化合物、ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド類化合物等が挙げられる。これらの酸発生剤は、単独で用いてよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。上記感放射線性酸発生剤Bとしては、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、シクロヘキシル2-オキソシクロヘキシルメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジシクロヘキシル2-オキソシクロヘキシルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、2-オキソシクロヘキシルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-ヒドロキシ-1-ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-ヒドロキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-ヒドロキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-ヒドロキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-1-ナフチルアセトメチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-1-ナフチルアセトメチルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-1-ナフチルアセトメチルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、トリフルオロメタンスルホニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、パーフルオロ-n-オクタンスルホニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、N-ヒドロキシスクシイミドトリフルオロメタンスルホネート、N-ヒドロキシスクシイミドノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、N-ヒドロキシスクシイミドパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1,8-ナフタレンジカルボン酸イミドトリフルオロメタンスルホネートが好ましい。本発明の感放射線性樹脂組成物における感放射線性酸発生剤Bの含有量は、重合体A100質量部に対して、好ましくは0.1~30質量部、より好ましくは2~27質量部、特に好ましくは5~25質量部である。上記感放射線性酸発生剤Bの含有量が0.1~30質量部であると、感度及び解像度に優れ、良好なパターン形状を得ることができる。尚、上記含有量が0.1質量部未満であると、フォトレジスト膜としての感度や解像度が低下する場合がある。一方、30質量部を超えると、組成物の塗布性が低下し、良好なパターン形状が得られない場合がある。1-3.含フッ素重合体C本発明の感放射線性樹脂組成物は、上記のように、重合体A1と、感放射線性酸発生剤Bと、フッ素原子を含む含フッ素重合体Cとを含有する組成物とすることができる。このような感放射線性樹脂組成物は、液浸露光において、特に好適である。上記含フッ素重合体Cは、好ましくは、フッ素原子を含む繰り返し単位を含む重合体であり、フッ素原子を含まない繰り返し単位を有してもよい。1-3-1.繰り返し単位C1上記含フッ素重合体Cは、フッ素原子を含む繰り返し単位以下、繰り返し単位C1という。を有することが好ましい。このような繰り返し単位C1としては、下記一般式C1-1で表される繰り返し単位以下、繰り返し単位C1-1という。及び下記一般式C1-2で表される繰り返し単位以下、繰り返し単位C1-2という。が挙げられる。一般式C1-1中、R16は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基であり、Eは、連結基であり、R17は、少なくとも1つのフッ素原子を有する、炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は、炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体である。一般式C1-2中、R16は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基であり、R18は、単結合、又は、炭素数1~10のn1価の直鎖状、分岐状若しくは環状の、飽和若しくは不飽和の炭化水素基であり、R19は、単結合、又は、炭素数1~20の2価の直鎖状、分岐状若しくは環状の、飽和若しくは不飽和の炭化水素基であり、X1は、少なくとも1つのフッ素原子を有する、炭素数1~20の直鎖状若しくは分岐状の2価の炭化水素基であり、Gは、単結合又は-CO-であり、R20は、水素原子、酸解離性基又はアルカリ解離性基であり、nは、1~3の整数である。上記一般式C1-1において、Eは連結基である。連結基としては、単結合、酸素原子、硫黄原子、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、アミド基、スルホニルアミド基、ウレタン基等が挙げられる。上記一般式C1-1において、R17で表した基のうち、少なくとも1つのフッ素原子を有する炭素数1~6の直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基、2-2-メチルプロピル基、1-ペンチル基、2-ペンチル基、3-ペンチル基、1-2-メチルブチル基、1-3-メチルブチル基、2-2-メチルブチル基、2-3-メチルブチル基、ネオペンチル基、1-ヘキシル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基、1-2-メチルペンチル基、1-3-メチルペンチル基、1-4-メチルペンチル基、2-2-メチルペンチル基、2-3-メチルペンチル基、2-4-メチルペンチル基、3-2-メチルペンチル基、3-3-メチルペンチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の部分フッ素化された基やパーフルオロアルキル基等が挙げられる。また、少なくとも1つのフッ素原子を有する炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基又はその誘導体としては、シクロペンチル基、シクロペンチルメチル基、1-1-シクロペンチルエチル基、1-2-シクロペンチルエチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、1-1-シクロヘキシルエチル基、1-2-シクロヘキシルエチル基、シクロヘプチル基、シクロヘプチルメチル基、1-1-シクロヘプチルエチル基、1-2-シクロヘプチルエチル基、2-ノルボルニル基等の脂環式アルキル基の部分フッ素化された基やパーフルオロ脂環式アルキル基等がある。上記繰り返し単位C1-1を与える好ましい単量体としては、トリフルオロメチルメタアクリル酸エステル、2,2,2-トリフルオロエチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロエチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロn-プロピルメタアクリル酸エステル、パーフルオロイソプロピルメタアクリル酸エステル、パーフルオロn-ブチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロイソブチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロtert-ブチルメタアクリル酸エステル、2-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロピルメタアクリル酸エステル、1-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロシクロヘキシルメチルメタアクリル酸エステル、1-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルメタアクリル酸エステル、1-3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-ヘプタデカフルオロデシルメタアクリル酸エステル、1-5-トリフルオロメチル-3,3,4,4,5,6,6,6-オクタフルオロヘキシルメタアクリル酸エステル等が挙げられる。次に、上記一般式C1-2において、R18で表した基のうち、炭素数1~10のn1価の直鎖状又は分岐状の、飽和又は不飽和の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等の炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基に由来するn1価の炭化水素基等が挙げられる。また、n1価の環状の飽和若しくは不飽和炭化水素基としては、炭素数3~10の脂環式炭化水素又は芳香族炭化水素に由来する基が挙げられる。脂環式炭化水素としては、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、ビシクロ[2.2.2]オクタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカン等のシクロアルカン類等が挙げられる。また、芳香族炭化水素としては、ベンゼン、ナフタレン等が挙げられる。上記一般式C1-2において、R19で表した基のうち、炭素数1~20の2価の直鎖状又は分岐状の飽和又は不飽和の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等の炭素数1~20の直鎖状又は分岐状のアルキル基に由来する2価の炭化水素基等が挙げられる。また、2価の環状の飽和又は不飽和の炭化水素基としては、炭素数3~20の脂環式炭化水素又は芳香族炭化水素に由来する基が挙げられる。脂環式炭化水素としては、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、ビシクロ[2.2.2]オクタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン等のシクロアルカン類等が挙げられる。また、芳香族炭化水素としては、ベンゼン、ナフタレン等が挙げられる。尚、上記一般式C1-2において、R19は、上述の非置換の炭化水素基の誘導体であってよく、この炭化水素基における少なくとも1つの水素原子を、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、tert-ブチル基等の炭素数1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ヒドロキシル基、シアノ基、炭素数1~10のヒドロキシアルキル基、カルボキシル基、酸素原子等の1種又は2種以上により置換された基であってもよい。また、上記一般式C1-2において、nが、2又は3である場合、複数のR19は、全て同一の基であってもよく、一部又は全てが異なった基であってもよい。上記一般式C1-2において、R20で表した基のうち、酸解離性基とは、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、スルホン酸基等の酸性官能基中の水素原子を置換する基であって、酸の存在下で解離する基をいう。より具体的には、tert-ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、チオテトラヒドロピラニルスルファニルメチル基、チオテトラヒドロフラニルスルファニルメチル基や、アルコキシ置換メチル基、アルキルスルファニル置換メチル基等が挙げられる。尚、アルコキシ置換メチル基におけるアルコキシル基置換基としては、炭素数1~4のアルコキシル基が挙げられる。また、アルキルスルファニル置換メチル基におけるアルキル基置換基としては、炭素数1~4のアルキル基が挙げられる。また、酸解離性基としては、上記一般式2において、-CR3R4R5で表される基であってもよい。上記含フッ素重合体Cとして、上記一般式C1-2において、酸解離性基を有する繰り返し単位を有する重合体を用いると、露光部における含フッ素重合体Cの溶解性を向上させることができる点で好ましい。これは、後述のレジストパターン形成方法における露光工程第2工程又は液浸露光工程において、フォトレジスト膜の露光部で発生した酸と反応して極性基を生じるためであると考えられる。上記一般式C1-2において、R20で表した基のうち、アルカリ解離性基とは、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基等の極性官能基中の水素原子を置換する基であって、アルカリの存在下で解離する基をいう。このようなアルカリ解離性基としては、上記の性質を示すものであれば、特に限定されないが、上記一般式C1-2において、Gが単結合である場合、R20としては、下記一般式R1-1で表される基を挙げることができる。式中、R81は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子に置換された、炭素数が1~10の炭化水素基である。上記一般式R1-1におけるR81としては、上記重合体Cが有することができる繰り返し単位C1-1を表す一般式C1-1におけるR17の説明が適用される。R81としては、上記非置換の炭化水素基の水素原子の全部がフッ素原子に置換された直鎖状又は分岐状で炭素数1~10のパーフルオロアルキル基が好ましく、トリフルオロメチル基が特に好ましい。また、上記一般式C1-2において、Gが-CO-である場合、アルカリ解離性基R20としては、下記一般式R1-2~R1-4で表される基を挙げることができる。一般式R1-2及びR1-3において、R10は、ハロゲン原子、又は、炭素数1~10のアルキル基、アルコキシル基、アシル基若しくはアシロキシ基であり、R10が複数存在する場合は、互いに、同一でも異なっていてもよい。m1は0~5の整数であり、m2は0~4の整数である。一般式R1-4において、R11及びR12は、それぞれ、独立に、水素原子又は炭素数1~10のアルキル基である。R11及びR12は、相互に結合して、炭素数4~20の脂環式構造を形成してもよい。上記一般式R1-2及びR1-3において、R10で表したハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。これらのうち、フッ素原子が好ましい。上記一般式R1-2及びR1-3において、R10で表した炭素数1~10のアルキル基としては、メチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基、2-2-メチルプロピル基、1-ペンチル基、2-ペンチル基、3-ペンチル基、1-2-メチルブチル基、1-3-メチルブチル基、2-2-メチルブチル基、2-3-メチルブチル基、ネオペンチル基、1-ヘキシル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基、1-2-メチルペンチル基、1-3-メチルペンチル基、1-4-メチルペンチル基、2-2-メチルペンチル基、2-3-メチルペンチル基、2-4-メチルペンチル基、3-2-メチルペンチル基、3-3-メチルペンチル基、1-ヘプチル基、2-ヘプチル基、1-オクチル基、2-オクチル基、2-エチルヘキシル基、1-ノニル基、1-デシル基等が挙げられる。上記一般式R1-2及びR1-3において、R10で表した炭素数1~10のアルコキシル基としては、メトキシ基、エトキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基等が挙げられる。上記一般式R1-2及びR1-3において、R10で表した炭素数1~10のアシル基としては、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基等が挙げられる。上記一般式R1-2及びR1-3において、R10で表した炭素数1~10のアシロキシ基としては、アセトキシ基、エチリルオキシ基、ブチリルオキシ基、tert-ブチリルオキシ基、tert-アミリルオキシ基、n-ヘキサンカルボニロキシ基、n-オクタンカルボニロキシ基等が挙げられる。上記一般式R1-4において、R11又はR12で表した炭素数1~10のアルキル基としては、上記一般式R1-2及びR1-3におけるR10と同じものを挙げることができる。また、R11及びR12が、相互に結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に形成する脂環式構造としては、シクロペンチル基、シクロペンチルメチル基、1-1-シクロペンチルエチル基、1-2-シクロペンチルエチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、1-1-シクロヘキシルエチル基、1-2-シクロヘキシルエチル基、シクロヘプチル基、シクロヘプチルメチル基、1-1-シクロヘプチルエチル基、1-2-シクロヘプチルエチル基、2-ノルボルニル基等が挙げられる。上記一般式R1-4で表した基の具体例としては、メチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基、1-ペンチル基、2-ペンチル基、3-ペンチル基、1-2-メチルブチル基、1-3-メチルブチル基、2-3-メチルブチル基、ネオペンチル基、1-ヘキシル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基、1-2-メチルペンチル基、1-3-メチルペンチル基、1-4-メチルペンチル基、2-3-メチルペンチル基、2-4-メチルペンチル基、3-2-メチルペンチル基等が挙げられる。これらのうち、メチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基及び2-ブチル基が好ましい。上記含フッ素重合体Cが、上記一般式C1-2におけるR20として、アルカリ解離性基を有する繰り返し単位を有する重合体であると、含フッ素重合体Cの現像液に対する親和性を向上させることができる点で好ましい。これは、後述するパターン形成方法の現像工程第3工程において、フォトレジスト膜に含まれる含フッ素重合体Cが現像液と反応し、極性基を生じるためであると考えられる。上記一般式C1-2において、X1で表した、少なくとも1つのフッ素原子で置換された炭素数1~20の直鎖状若しくは分岐状の2価の炭化水素基としては、例えば、下記式X-1~X-8等で表される基がある。上記繰り返し単位C1-2の具体例としては、下記一般式C1-2-1~C1-2-3で表される繰り返し単位が挙げられる。一般式C1-2-1~C1-2-3において、R16は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基であり、R19は、単結合、又は、炭素数1~20の2価の直鎖状、分岐状若しくは環状の、飽和若しくは不飽和の炭化水素基であり、X1は、少なくとも1つのフッ素原子を有する、炭素数1~20の直鎖状若しくは分岐状の2価の炭化水素基であり、R20は、水素原子、酸解離性基又はアルカリ解離性基であり、nは、1~3の整数である。尚、nが2又は3のとき、複数のR20は互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のX1は互いに同一であっても異なっていてもよい。上記繰り返し単位C1-2を与える単量体の具体例としては、下記一般式M-1~M-6で表される化合物がある。一般式M-1~M-6において、R16は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基であり、R20は、水素原子、酸解離性基又はアルカリ解離性基である。上記含フッ素重合体Cは、繰り返し単位C1以外に、他の繰り返し単位を有することができる。他の繰り返し単位としては、酸解離性基を有する繰り返し単位但し、繰り返し単位C1に該当するものを除く。以下、繰り返し単位C2という。、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位但し、繰り返し単位C1に該当するものを除く。以下、繰り返し単位C3という。、ラクトン骨格を有する繰り返し単位但し、繰り返し単位C1に該当するものを除く。以下、繰り返し単位C4という。等が挙げられる。繰り返し単位C3又はC4を有する重合体を用いることにより、現像工程第3工程における露光部の溶解性を向上させることができる。1-3-2.繰り返し単位C2上記含フッ素重合体Cとして、繰り返し単位C2を有する重合体を用いた感放射線性樹脂組成物を、例えば、液浸露光に供した場合、フォトレジスト膜の前進接触角と後退接触角との差を小さくすることができ、露光時のスキャン速度向上に対応することができる。上記繰り返し単位C2としては、上記重合体Aが有することができる、上記一般式2で表される繰り返し単位が好ましい。また、上記繰り返し単位C2が、上記一般式2で表される繰り返し単位である場合、下記一般式C2-1-1で表される繰り返し単位が特に好ましい。式中、R1は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~3のアルキル基であり、R22は、炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、kは、1~4の整数である。上記一般式C2-1-1において、R1は、上記一般式1におけるR1の説明が適用される。上記一般式C2-1-1において、R22で表した、炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、tert-ブチル基等が挙げられる。上記含フッ素重合体Cは、繰り返し単位C2を、1種のみ含有していてもよいし、2種以上含有していてもよい。1-3-3.繰り返し単位C3この繰り返し単位C3は、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位である。このアルカリ可溶性基は、pKaが4~11の水素原子を有する官能基であることが好ましい。これは、現像液に対する露光部の溶解性向上の観点からである。このような官能基としては、下記一般式C3a及び式C3bで表される官能基等が挙げられる。一般式C3aにおいて、R23は、少なくとも1つのフッ素原子を有する、炭素数1~10の炭化水素基を示す。一般式C3aにおいて、R23で表した、フッ素原子を有する炭素数1~10の炭化水素基は、炭素数1~10の炭化水素基における1又は2以上の水素原子がフッ素原子に置換されたものであれば、特に限定されないが、トリフルオロメチル基等が好ましい。尚、上記繰り返し単位C3の主鎖の構造は、特に限定されないが、メタアクリル酸エステル、α-トリフルオロアクリル酸エステル等の重合体における主鎖の構造であることが好ましい。上記繰り返し単位C3としては、一般式C3a-1、C3b-1で表される繰り返し単位が挙げられる。一般式C3a-1及びC3b-1において、R1は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~3のアルキル基であり、R25は、単結合、又は炭素数1~20の2価の直鎖状、分岐状若しくは環状の、飽和若しくは不飽和の炭化水素基である。一般式C3a-1において、R23は、少なくとも1つのフッ素原子を有する、炭素数1~10の炭化水素基であり、ncは0又は1を示す。上記一般式C3a-1において、R1は、上記一般式1におけるR1の説明が適用される。上記一般式C3a-1及びC3b-1において、R25で表した、炭素数1~20の2価の直鎖状、分岐状若しくは環状の、飽和若しくは不飽和の炭化水素基としては、上記重合体Aに係る上記一般式5におけるR51が、炭素数1~20の2価の直鎖状、分岐状若しくは環状の、飽和若しくは不飽和の炭化水素基である場合の説明を適用することができる。上記含フッ素重合体Cは、繰り返し単位C3を、1種のみ含有してよいし、2種以上を含有してもよい。1-3-4.繰り返し単位C4この繰り返し単位C4は、ラクトン骨格を有する繰り返し単位である。上記繰り返し単位C4としては、上記重合体Aが有することができる、上記一般式2-1~2-6で表される繰り返し単位が挙げられる。上記含フッ素重合体Cは、繰り返し単位C4を、1種のみ含有してよいし、2種以上を含有してもよい。1-3-5.繰り返し単位の含有率上記の繰り返し単位C1~C4の含有割合を以下に示す。繰り返し単位C1の含有割合は、含フッ素重合体Cを構成する繰り返し単位の合計を100モルとした場合に、好ましくは20~90モル、より好ましくは20~80モル、特に好ましくは20~70モルである。繰り返し単位C1の含有割合がこの範囲内である場合には、塗布後の撥水性と、現像液に対する親和性との両立という観点から特に有効である。また、繰り返し単位C2の含有割合は、含フッ素重合体Cを構成する繰り返し単位の合計を100モルとした場合に、通常、80モル以下であり、好ましくは20~80モル、更に好ましくは30~70モルである。繰り返し単位C2の含有割合がこの範囲内である場合には、前進接触角と後退接触角との差を小さくするという観点から特に有効である。更に、繰り返し単位C3の含有割合は、含フッ素重合体Cを構成する繰り返し単位の合計を100モルとした場合に、通常、50モル以下であり、好ましくは5~30モル、更に好ましくは5~20モルである。繰り返し単位C3の含有割合がこの範囲内である場合には、塗布後の撥水性と、現像液に対する親和性との両立という観点から特に有効である。また、繰り返し単位C4の含有割合は、含フッ素重合体Cを構成する繰り返し単位の合計を100モルとした場合に、通常、50モル以下であり、好ましくは5~30モル、更に好ましくは5~20モルである。繰り返し単位C4の含有割合がこの範囲内である場合には、塗布後の撥水性と、現像液に対する親和性の両立という観点から特に有効である。上記含フッ素重合体CのゲルパーミエーションクロマトグラフィGPC法によるポリスチレン換算の重量平均分子量Mwは、好ましくは1,000~50,000、より好ましくは1,000~40,000、更に好ましくは1,000~30,000である。尚、この含フッ素重合体CのMwが1,000~50,000である場合、十分な後退接触角を有するフォトレジスト膜を得ることができ、現像性にも優れる。尚、含フッ素重合体CのMwが50,000を超えると、フォトレジスト膜の現像性が低下する場合がある。また、含フッ素重合体CのMwとMnとの比Mw/Mnは、好ましくは1~5、更に好ましくは1~4である。本発明の感放射線性樹脂組成物における上記含フッ素重合体Cの含有量は、重合体A1100質量部に対して、好ましくは0.1~20質量部、より好ましくは1~10質量部、特に好ましくは1~7.5質量部である。上記含フッ素重合体Cの含有量が、0.1~20質量部であると、含フッ素重合体Cを含有させる効果が十分である。尚、上記含フッ素重合体Cの含有量が多すぎると、フォトレジスト膜の表面の撥水性が高くなりすぎて現像不良が起こる場合がある。1-3-6.フッ素原子含有率上記含フッ素重合体Cにおけるフッ素原子含有率は、含フッ素重合体C全体を100質量とした場合に、好ましくは5質量以上であり、より好ましくは5~50質量、更に好ましくは5~40質量である。尚、このフッ素原子の含有率は、13C-NMRにより測定することができる。上記含フッ素重合体Cにおけるフッ素原子含有率が5~50質量であると、重合体C及び重合体A1を含む感放射線性樹脂組成物によって形成されたフォトレジスト膜表面の撥水性を高めることができる。従って、フォトレジスト膜と液浸媒体とを遮断することを目的として、フォトレジスト膜に、上層膜を形成する必要がなく、そのまま、液浸露光法に好適に用いることができる。1-3-7.含フッ素重合体Cの製造方法上記含フッ素重合体Cは、ハイドロパーオキシド、ジアルキルパーオキシド、ジアシルパーオキシド、アゾ化合物等のラジカル重合開始剤の存在下、繰り返し単位C1等を形成することとなる単量体を含む単量体原料を、適当な溶媒中において重合することにより、製造することができる。重合系においては、必要に応じて、連鎖移動剤を併存させてもよい。重合温度は、通常、40°C~150°C、好ましくは50°C~120°Cである。また、重合時間は、通常、1~48時間、好ましくは1~24時間である。上記溶媒としては、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-ヘプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン等のアルカン類;シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のシクロアルカン類;デカリン、ノルボルナン等の脂環式炭化水素類;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素類;クロロブタン、ブロモヘキサン、ジクロロエタン、ヘキサメチレンジブロミド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸イソブチル、プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル類;アセトン、2-ブタノン、4-メチル-2-ペンタノン、2-ヘプタノン等のケトン類;テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジエトキシエタン等のエーテル類;メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、4-メチル-2-ペンタノール等のアルコール類等が挙げられる。尚、これらの溶媒は、単独で用いてよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。尚、本発明の感放射線性樹脂組成物の調製に用いられる含フッ素重合体Cは、ハロゲン、金属等の不純物の含有量が少ないほど好ましい。このような不純物の含有量が少ない場合、フォトレジスト膜の感度、解像度、プロセス安定性、パターン形状等を更に向上させることができる。従って、上記方法により合成された含フッ素重合体Cを精製に供することが好ましい。精製法としては、水洗、液液抽出等の化学的精製法や、これらの化学的精製法と限外ろ過、遠心分離等の物理的精製法とを組み合わせた方法等が挙げられる。1-4.その他の成分本発明の感放射線性樹脂組成物は、上記必須成分に加えて、酸拡散抑制剤、ラクトン化合物、溶剤、界面活性剤、増感剤、ハレーション防止剤、接着助剤、保存安定化剤、消泡剤、脂環族添加剤等を含んでもよい。1-4-1.酸拡散抑制剤この酸拡散抑制剤以下、酸拡散抑制剤Dという。は、液浸露光により、上記酸発生剤Bから生じる酸のフォトレジスト膜中における拡散現象を制御し、非露光部における好ましくない化学反応を抑制する作用を有する成分である。この酸拡散抑制剤を配合することにより、得られるパターン化されたレジスト膜部の寸法忠実性を向上させることができ、良好な形状を得ることができる。上記酸拡散制御剤Dとしては、下記一般式10で表される化合物以下、含窒素化合物Iという。、窒素原子を2個有する化合物以下、含窒素化合物IIという。、窒素原子を3個以上有する化合物以下、含窒素化合物IIIという。、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等が挙げられる。これらの酸拡散抑制剤は、単独で用いてよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。式中、R45~R47は、相互に独立に、水素原子、置換されていてもよい、直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、アリール基又はアラルキル基、あるいは、酸解離性基である。含窒素化合物Iが有することのできる酸解離性基として、具体的には、一般式10-1で表される基を挙げることができる。式中、Rp1~Rp3は、相互に独立に、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基若しくはそれから誘導される基を示すか、あるいはRp2及びRp3が相互に結合してそれぞれが結合している炭素原子と共に炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基若しくはそれから誘導される基を示し、Rp1が、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基若しくはそれから誘導される基を示す。上記一般式10-1において、Rp1~Rp3は、上記重合体Aが有することができる繰り返し単位IIを表す上記一般式2におけるR3~R5の説明が適用される。上記含窒素化合物Iが、酸解離性基を有さないアミン化合物である場合、例えば、n-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン等のモノアルキルアミン類;ジ-n-ブチルアミン、ジ-n-ペンチルアミン、ジ-n-ヘキシルアミン、ジ-n-ヘプチルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジ-n-ノニルアミン、ジ-n-デシルアミン等のジアルキルアミン類;トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-ノニルアミン、トリ-n-デシルアミン等のトリアルキルアミン類;アニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、2-メチルアニリン、3-メチルアニリン、4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、26-ジイソプロピルアニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、1-ナフチルアミン、2-4-アミノフェニル-2-3-ヒドロキシフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-4-ヒドロキシフェニルプロパン等の芳香族アミン類等が挙げられる。また、酸解離性基を有する含窒素化合物Iとしては、N-tert-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン、N-tert-ブトキシカルボニルピロリジン、N-tert-ブトキシカルボニル-N’,N-ジシクロヘキシルアミン、N-tert-ブトキシカルボニル-2-アダマンタンアミン、N-tert-ブトキシカルボニルジ-n-オクチルアミン、N-tert-ブトキシカルボニルジ-n-ノニルアミン、N-tert-ブトキシカルボニルジ-n-デシルアミン、N-tert-ブトキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N-tert-ブトキシカルボニル-N-メチル-1-アダマンチルアミン、N-tert-ブトキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン等が挙げられる。これらのうち、N-tert-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン、N-tert-ブトキシカルボニルピロリジン、N-tert-ブトキシカルボニル-N’,N-ジシクロヘキシルアミン及びN-tert-ブトキシカルボニル-2-アダマンタンアミンが好ましい。上記含窒素化合物IIとしては、エチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラキス2-ヒドロキシプロピルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノベンゾフェノン、4,4’-ジアミノジフェニルアミン、2,2’-ビス4-アミノフェニルプロパン、2-3-アミノフェニル-2-4-アミノフェニルプロパン、1,4-ビス[1-4-アミノフェニル-1-メチルエチル]ベンゼン、1,3-ビス[1-4-アミノフェニル-1-メチルエチル]ベンゼン等が挙げられる。上記含窒素化合物IIIとしては、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、ジメチルアミノエチルアクリルアミドの重合体等が挙げられる。上記アミド基含有化合物としては、ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N-メチルピロリドン等が挙げられる。上記ウレア化合物としては、尿素、メチルウレア、1,1-ジメチルウレア、1,3-ジメチルウレア、1,1,3,3-テトラメチルウレア、1,3-ジフェニルウレア、トリブチルチオウレア等が挙げられる。上記含窒素複素環化合物としては、ピリジン、2-メチルピリジン、4-メチルピリジン、2-エチルピリジン、4-エチルピリジン、2-フェニルピリジン、4-フェニルピリジン、N-メチル-4-フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、8-オキシキノリン、アクリジン等のピリジン類の他、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、4-メチルモルホリン、ピペラジン、1,4-ジメチルピペラジン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。上記酸拡散制御剤Dとしては、含窒素化合物I、含窒素化合物II及び含窒素複素環化合物が好ましい。本発明の感放射線性樹脂組成物が、酸拡散制御剤Dを含有する場合、この酸拡散制御剤Dの含有量は、重合体A100質量部に対して、好ましくは10質量部以下、より好ましくは5質量部以下である。含有量の下限値は、通常、0.01質量部である。尚、酸拡散制御剤Dの含有量が過剰になると、形成したフォトレジスト膜の感度が著しく低下する傾向にある。1-4-2.溶剤この溶剤以下、溶剤Fという。は、少なくとも、重合体A及びC並びに酸発生剤Bを溶解して、本発明の組成物を溶液状態にすることができるものが好ましい。上記溶剤Fとしては、直鎖状又は分岐状のケトン類、環状のケトン類、アルキレングリコールモノアルキルエーテル類、アルキレングリコールジアルキルエーテル類、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、カルボン酸エステル類、ヒドロキシル基を有するカルボン酸エステル類、アルコキシ基を有するカルボン酸エステル類、アルコール類、芳香族炭化水素類等が挙げられる。尚、これらの溶剤は、単独で用いてよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。上記ケトン類としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチル-n-ペンチルケトン、エチル-n-ブチルケトン、メチル-n-ヘキシルケトン、ジ-イソブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、2,4-ペンタンジオン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコール等が挙げられる。上記アルキレングリコールモノアルキルエーテル類としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、エチレングリコールモノ-n-ヘキシルエーテル、エチレングリコールモノ-n-オクチルエーテル、エチレングリコールモノ-2-エチルヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ-n-プロピルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等が挙げられる。上記アルキレングリコールジアルキルエーテル類としては、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル等が挙げられる。上記アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類としては、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ-n-プロピルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ-n-プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノイソプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ-n-ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノイソブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ-sec-ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ-tert-ブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類等が挙げられる。上記カルボン酸エステル類としては、酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸n-ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、しゅう酸ジエチル、マレイン酸ジエチル等が挙げられる。上記ヒドロキシル基を有するカルボン酸エステル類としては、2-ヒドロキシプロピオン酸メチル、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシプロピオン酸n-プロピル、2-ヒドロキシプロピオン酸イソプロピル、2-ヒドロキシプロピオン酸n-ブチル、2-ヒドロキシプロピオン酸イソブチル、2-ヒドロキシプロピオン酸sec-ブチル、2-ヒドロキシプロピオン酸tert-ブチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル等の2-ヒドロキシプロピオン酸アルキル類、ヒドロキシ酢酸エチル、2-ヒドロキシ-3-メチル酪酸メチル等が挙げられる。上記アルコキシ基を有するカルボン酸エステル類としては、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル等の3-アルコキシプロピオン酸アルキル類、エトキシ酢酸エチル、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルプロピオネート、3-メチル-3-メトキシブチルブチレート等が挙げられる。上記アルコール類としては、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、1-オクタノール、1-ノナノール、シクロヘキサノール、ベンジルアルコール等が挙げられる。上記芳香族炭化水素類としては、トルエン、キシレン等が挙げられる。その他、N-メチルピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ベンジルエチルエーテル、ジ-n-ヘキシルエーテル、カプロン酸、カプリル酸、炭酸エチレン、炭酸プロピレン等を用いることもできる。上記溶剤Fとしては、直鎖状又は分岐状のケトン類、環状のケトン類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、2-ヒドロキシプロピオン酸アルキル類、3-アルコキシプロピオン酸アルキル類等が好ましい。上記溶剤Fの使用量は、本発明の感放射線性樹脂組成物の全固形分濃度が、好ましくは1~50質量、より好ましくは1~25質量となるような量である。本発明の組成物は、例えば、孔径0.2μm程度のフィルターを用いたろ過によって、組成物溶液として用いることができる。1-4-3.ラクトン化合物このラクトン化合物以下、ラクトン化合物Eという。は、特に、液浸露光を利用したパターン形成方法において、フォトレジスト膜の表面における撥水性を効率よく発現させるために、含まれる重合体Cを、フォトレジスト膜の表層に偏析させる効果を付与する成分である。このラクトン化合物Eを含有させることで、重合体Cの添加量を従来よりも少なくすることができる。そして、このラクトン化合物Eを含有する組成物を用いることにより、LWR、現像欠陥、パターン倒れ耐性等のレジスト基本特性を損なうことなく、フォトレジスト膜から液浸露光用液体への成分の溶出を抑制することができる。また、高速スキャンにより液浸露光を行った場合にも、液滴を残すことなく、フォトレジスト膜の表面における撥水性を維持することができ、ウォーターマーク欠陥等の不良現象を抑制することができる。上記作用を付与するラクトン化合物Eとしては、γ-ブチロラクトン、バレロラクトン、メバロニックラクトン、ノルボルナンラクトン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で用いてよいし、2つ以上を組み合わせて用いてもよい。本発明の感放射線性樹脂組成物が、上記ラクトン化合物Eを含有する場合、その含有量は、フォトレジスト膜表面に、上記のような少ない添加量の重合体Cを偏析させる効果、及び、十分な撥水性を得る観点から、上記重合体A100質量部に対して、通常、30~200質量部、より好ましくは50~150質量部である。尚、このラクトン化合物Eの含有割合が過剰の場合、レジストの基本性能及び形状が著しく劣化するおそれがある。本発明の感放射線性樹脂組成物に含まれる水分量は、好ましくは1.0以下、更に好ましくは0.1以下、特に好ましくは0.05以下である。下限については、特に定めないが、0.001程度である。水分量が上記範囲にあると、MEEFをより抑制できる点や、露光余裕度が向上する点で好ましい。これは、PEB時の酸の拡散を抑制できるためであると考えられる。本発明の感放射線性樹脂組成物は、特に、化学増幅型レジストとして有用である。上記化学増幅型レジストにおいては、露光により酸発生剤から発生した酸の作用によって、重合体A中の酸解離性基が解離して、カルボキシル基を生じ、その結果、レジストの露光部において、アルカリ現像液に対する溶解性が高くなり、露光部がアルカリ現像液によって溶解、除去された後、ポジ型のレジストパターンが得られる。2.レジストパターンの形成方法本発明のレジストパターンの形成方法以下、レジストパターンの形成方法Iという。は、上記本発明の感放射線性樹脂組成物を用いて、基板上にフォトレジスト膜を形成する工程以下、第1工程という。と、このフォトレジスト膜を露光する工程以下、第2工程という。と、露光されたフォトレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程以下、第3工程という。と、を備えることを特徴とする。また、他の本発明のレジストパターン形成方法以下、レジストパターンの形成方法IIという。は、上記本発明の感放射線性樹脂組成物を用いて基板上にフォトレジスト膜を形成する工程第1工程と、このフォトレジスト膜上に液浸露光用液体を配置し、液浸露光用液体を介してフォトレジスト膜を液浸露光する工程以下、液浸露光工程という。と、液浸露光されたフォトレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程第3工程と、を備えることを特徴とする。レジストパターンの形成方法I及びIIにおける第1工程は、上記本発明の感放射線性樹脂組成物を用いて基板上にフォトレジスト膜を形成する工程である。組成物の塗布方法としては、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の方法が挙げられる。基板としては、シリコンウエハ、アルミニウムで被覆されたウェハ等が挙げられる。上記第1工程の具体例としては、得られるフォトレジスト膜が所定の膜厚となるように組成物を塗布し、その後、プレベークPBすることによって塗膜中の溶剤を揮発させる方法である。これにより、均一なフォトレジスト膜が形成される。フォトレジスト膜の厚さは、特に限定されないが、通常、0.05~0.40μmである。また、プレベークの条件は、組成物の構成によって、適宜、選択されるが、好ましくは30°C~200°C、より好ましくは50°C~170°Cである。尚、本発明においては、感放射線性樹脂組成物の潜在能力を最大限に引き出すため、例えば、特公平6-12452号公報特開昭59-93448号公報等に開示されているように、使用される基板上に有機系あるいは無機系の反射防止膜を形成しておくこともできる。また、環境雰囲気中に含まれる塩基性不純物等の影響を防止するため、例えば、特開平5-188598号公報等に開示されているように、フォトレジスト膜上に保護膜を設けることもできる。更に、フォトレジスト膜からの酸発生剤等の流出を防止するため、例えば、特開2005-352384号公報等に開示されているように、フォトレジスト膜上に液浸用保護膜を設けることもできる。尚、これらの技術は併用することができる。レジストパターンの形成方法Iにおける第2工程は、フォトレジスト膜を露光する工程である。この工程においては、通常、所望のパターンを形成するためのマスクパターンを有するフォトマスクを介して、下記に例示する放射線を、露光光として用い、この放射線を、上記フォトレジスト膜の表面に照射する。これにより、放射線は、フォトマスクの開口部を通過し、更に露光用のレンズを通過して、フォトレジスト膜に達する。フォトレジスト膜における露光部は、第3工程により除去される。上記放射線は、組成物中の酸発生剤の種類に応じて、適宜、選択することができるが、例えば、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等を用いることができる。これらのうち、ArFエキシマレーザー波長193nmあるいはKrFエキシマレーザー波長248nmで代表される遠紫外線が好ましく、特にArFエキシマレーザー波長193nmが好ましい。なお、露光量等の露光条件は、組成物の構成、添加剤が含有された場合のその種類等に応じて、適宜、選択することができる。レジストパターンの形成方法IIにおける液浸露光工程は、フォトレジスト膜上に液浸露光用液体を配置し、液浸露光用液体を介してフォトレジスト膜を液浸露光する工程である。この工程においては、通常、所望のパターンを形成するためのマスクパターンを有するフォトマスクを介して、上記レジストパターンの形成方法Iの第2工程において例示した放射線を、露光光として用い、この放射線を、上記フォトレジスト膜の表面に照射する。これにより、放射線は、フォトマスクの開口部を通過し、更に露光用のレンズを通過して、フォトレジスト膜に達する。フォトレジスト膜における露光部は、第3工程により除去される。上記液浸露光用液体としては、純水、長鎖又は環状の脂肪族化合物等を用いることができる。上記第2工程又は液浸露光工程の後、必要に応じて、露光された膜をベーク以下、PEBという。する工程を備えてもよい。この工程により、重合体成分中の酸解離性基の解離反応や、露光部に含まれる重合体の架橋反応を円滑に進めることができる。このPEBの加熱条件は、組成物の組成によって、適宜、選択されるが、架橋反応の円滑化の観点から、好ましくは30°C~200°Cであり、より好ましくは50°C~170°Cである。第3工程は、液浸露光されたフォトレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程である。この工程において、現像液を用いることにより、上記第2工程又は液浸露光工程における未露光部が除去され、露光部、即ち、上記フォトマスクの開口部のパターンを反映したパターンが、残存、形成される。上記現像液としては、通常、アルカリ性化合物を水に溶解させてなるアルカリ性水溶液が用いられる。このアルカリ性化合物としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、けい酸ナトリウム、メタけい酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8-ジアザビシクロ-[5.4.0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ-[4.3.0]-5-ノネン等が挙げられる。これらは、単独で用いてよいし、2つ以上を組み合わせて用いてもよい。また、上記化合物のうち、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドが好ましい。上記アルカリ性化合物の濃度は、通常、10質量以下である。この濃度が高すぎると、露光部も現像液に溶解する場合がある。上記現像液は、上記アルカリ性化合物のみを含む溶液であってよいし、有機溶剤、界面活性剤等を含む組成物であってもよい。上記有機溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、3-メチルシクロペンタノン、2,6-ジメチルシクロヘキサノン等のケトン類;メタノール、エタノール、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、1,4-ヘキサンジオール、1,4-ヘキサンジメチロール等のアルコール類;テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸イソアミル等のエステル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類や、フェノール、アセトニルアセトン、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。これらの有機溶媒は、単独で用いてよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。上記現像液が有機溶剤を含む場合、その含有量は、アルカリ性水溶液100体積部に対して、好ましくは100体積部以下である。この有機溶剤の含有量が多すぎる場合、現像性が低下して、未露光部の現像残りが多くなる場合がある。上記第3工程の後、基板上に残存したパターンは、通常、水で洗浄して乾燥される。以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。尚、合成例、実施例及び比較例における、部及びは、特に断らない限り、質量基準である。1.測定方法下記の合成例により得られた重合体のGPC測定方法、並びに、実施例及び比較例における評価方法は、以下の通りである。1-1.重合体の重量平均分子量Mw及び数平均分子量Mn東ソー社製GPCカラム以下、型式名である、G2000HXL2本、G3000HXL1本及びG4000HXL1本を連結して、テトラヒドロフランを溶出溶媒とし、流量1.0mL/分及びカラム温度40°Cの条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCにより測定した。1-2.マスクエラーファクターの評価IMEEF11レジストパターンの形成12インチシリコンウエハ表面に、下層反射防止膜形成用組成物商品名ARC66、日産化学社製を、半導体製造装置型式名LithiusPro-i、東京エレクトロン社製を使用して、スピンコートした。その後、PB205°C、60秒間を行うことにより、膜厚105nmの塗膜反射防止層を形成した。次いで、半導体製造装置型式名CLEANTRACKACT12、東京エレクトロン社製を使用して、反射防止層の表面に、感放射線性樹脂組成物をスピンコートした。そして、PB100°C、60秒し、冷却23°C、30秒間することにより、膜厚100nmのフォトレジスト層を形成した。その後、ArF液浸露光装置型式名S610C、NIKON社製を使用して、NA:1.30、Crosspoleの光学条件にて、ターゲットサイズが42nmライン/84nmピッチのフォトマスクを介して露光した以下、フォトマスクによって投影されるパターンの寸法をそのマスクの投影パターン寸法という。例えば、投影パターン寸法が42nmライン/84nmピッチのフォトマスクとは、42nmライン/84nmピッチのパターンを投影するためのフォトマスクをいう。。次いで、半導体製造装置型式名LithiusPro-i、東京エレクトロン社製のホットプレート上で、PEB100°C、60秒間し、冷却23°C、30秒間した。その後、現像カップのGPノズルにて、2.38テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を現像液としてパドル現像10秒間し、超純水でリンスした。そして、2,000rpm、15秒間振り切りで、スピンドライすることにより、レジストパターンラインアンドスペースパターンが形成された評価用シリコンウエハを得た。2最適露光量の決定このとき、42nmライン/84nmピッチのレジストパターンが形成される露光量を、最適露光量とした。3MEEF1の測定最適露光量にて、投影パターン寸法が、40nmライン/84nmピッチ、及び、44nmライン/84nmピッチのそれぞれのフォトマスクを介して露光した以外は、上記1と同じ工程を経てレジストパターンを形成した。得られたレジストパターンのライン幅の差を、フォトマスクの投影パターン寸法の差44nm-40nm=4nmで除した値を、MEEF1として算出した。即ち、MEEF1は、次式により求めることができる。MEEF1=形成されたレジストパターンのライン幅の差A-B/フォトマスクの投影パターン寸法の差A:投影パターン寸法が44nmライン/84nmピッチのフォトマスクで形成されたレジストパターンのライン幅nmB:投影パターン寸法が40nmライン/84nmピッチのフォトマスクで形成されたレジストパターンのライン幅nm1-3.マスクエラーファクターの評価IIMEEF21レジストパターンの形成ArFエキシマレーザー露光装置型式名NSR-S306C、NIKON社製を使用し、開口数0.78にて、投影パターン寸法が直径140nmホール以下、直径140nmHと記述し、Hを付記することがある。となるフォトマスクを介して露光した以外は、上記1-2における1と同じ工程を経て、レジストパターンを形成した。2最適露光量の決定このとき、直径100nmの円形のレジストパターンが形成される露光量を、最適露光量とした。3MEEF2の測定最適露光量にて、投影パターン寸法が直径136nmH、及び、直径144nmHのそれぞれのフォトマスクを介して露光した以外は、上記1と同じ工程を経てレジストパターンを形成した。得られたレジストパターンのホールの直径の差を、フォトマスクの投影パターン寸法の差144nm-136nm=8nmで除した値を、MEEF2として算出した。即ち、MEEF2は、次式により求めることができる。MEEF2=形成されたレジストパターンのホール直径の差C-D/フォトマスクの投影パターン寸法の差C:投影パターン寸法が144nmHのフォトマスクで形成されたレジストパターンの直径nmD:投影パターン寸法が136nmHのフォトマスクで形成されたレジストパターンの直径nm1-4.露光余裕度ELの評価EL11レジストパターンの形成12インチシリコンウエハ表面に、下層反射防止膜形成用組成物商品名ARC66、日産化学社製を、半導体製造装置型式名LithiusPro-i、東京エレクトロン社製を使用して、スピンコートした。その後、PB205°C、60秒間を行うことにより、膜厚105nmの塗膜反射防止層を形成した。次いで、半導体製造装置型式名CLEANTRACKACT12、東京エレクトロン社製を使用して、反射防止層の表面に、感放射線性樹脂組成物をスピンコートした。そして、表1又は表2に記載の条件にてPBし、冷却23°C、30秒間することにより、膜厚100nmのフォトレジスト層を形成した。その後、ArF液浸露光装置型式名S610C、NIKON社製を使用して、NA:1.30、Crosspoleの光学条件にて、ターゲットサイズが42nmライン/84nmピッチのフォトマスクを介して露光した。次いで、半導体製造装置型式名LithiusPro-i、東京エレクトロン社製のホットプレート上で、表1又は表2に記載の条件にてPEBし、冷却23°C、30秒間した。その後、現像カップのGPノズルにて、2.38テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を現像液としてパドル現像10秒間し、超純水でリンスした。そして、2,000rpm、15秒間振り切りで、スピンドライすることにより、レジストパターンラインアンドスペースパターンが形成された評価用シリコンウエハを得た。2最適露光量の決定このとき、42nmライン/84nmピッチのレジストパターンが形成される露光量を、最適露光量Eop1とした。3ELの測定上記フォトマスクを用い、露光量を、10~60mJ/cm2の範囲で、1.0mJ/cm2ステップで変化させた際に形成されるラインパターンのライン幅を測定し、TargetCDライン幅42nm±10を満たす露光量の範囲と最適露光量Eop1との比を指標として、下記式からEL1の値を求めた。この値が大きいほど、露光余裕度が高く、ELが良好であることを意味する。EL1=S1-T1/Eop1S1:TargetCD10となる露光量T1:TargetCD-10となる露光量1-5.露光余裕度ELの評価EL21レジストパターンの形成ArFエキシマレーザー露光装置型式名NSR-S306C、NIKON社製を使用し、開口数0.78にて、投影パターン寸法が直径140nmホールとなるフォトマスクを介して露光した以外は、上記1-4における1と同じ工程を経て、レジストパターンを形成した。2最適露光量の決定このとき、直径100nmの円形のレジストパターンが形成される露光量を、最適露光量Eop2とした。3ELの測定上記フォトマスクを用い、露光量を、10~60mJ/cm2の範囲で、1.0mJ/cm2ステップで変化させた際に形成されるホールパターンの直径を測定し、TargetCD直径100nm±10を満たす露光量の範囲と最適露光量Eop2との比を指標として、下記式からEL2の値を求めた。この値が大きいほど、露光余裕度が高く、ELが良好であることを意味する。EL2=S2-T2/Eop2S2:TargetCD10となる露光量T2:TargetCD-10となる露光量1-6.水分量感放射線性樹脂組成物中に含まれる水分量を、三菱化学社製微量水分測定装置CA-100を用いて測定した。2.重合体A及びC感放射線性樹脂組成物の製造に用いた単量体、重合体A及びCは、以下の通りである。合成例1単量体S2-6の合成窒素ガスによりフラスコ内を30分間パージした500mLの三口フラスコに、下記に示す、化合物M-319.2g100ミリモル及びジメチルホルムアミド150mLを入れ、室温下、化合物M-3が完全に溶解するまで撹拌した。溶解後、3.79g0.025ミリモルの1,8-ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデセン-7と、25.8g300ミリモルのメタクリル酸とを加え、攪拌下、120°Cで5時間反応させた。反応終了後、室温まで冷却し、エーテル抽出を行った。得られた抽出液を水で洗浄した。その後、抽出液を濃縮し、ヘキサンを加えて晶析を行い、白色固体物質を得た収量16.1g、収率58。これを化合物S2-6とする。NMR分析の結果を、以下に示す。1H-NMRσppm:1.283H、1.72~1.8915H、2.053H、4.15、4.39、6.42、6.5113C-NMRσppm:18.0、24.82C、27.52C、36.8、28.1、37.54C、47.9、68.3、73.5、125.8、136.1、167.4合成例2単量体S2-8の合成窒素ガスによりフラスコ内を30分間パージした500mLの三口フラスコにて、下記に示す、化合物M-525.2g150ミリモル、エチルジメチルアミノプロピルカルボジイミド塩酸塩31.6g165ミリモル及びジメチルアミノピリジン0.61g5ミリモルを、200mLのTHFに溶解した。次いで、0°Cの条件にて、更に、化合物M-414.4g100ミリモルを投入し、1時間撹拌し、その後、室温にて更に3時間撹拌した。水を加えて反応を停止させた後、酢酸エチルで抽出した。得られた抽出液を水で洗浄した。その後、減圧下、溶媒留去して得られた粗生成物をシリカゲルろ過により精製し、無色液体を得た収量18.8g、収率64。これを化合物S2-8とする。NMR分析の結果を、以下に示す。1H-NMRσppm:1.18~1.242H、1.38~1.689H、1.99~2.015H、5.142H、6.42、6.51、7.3513C-NMRσppm:18.0、31.1、31.52C、34.82C、41.52C、45.3、63.8、69.6、74.9、123.7、137.8、167.2、167,4合成例3重合体A-1の合成下記に示す、化合物S2-117.2g40モル、化合物S2-25.9g10モル、化合物S2-37.5g10モル及び化合物S2-421.0g40モルを、100gの2-ブタノンに溶解し、更に、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル1.9gを投入して、単量体溶液を準備した。一方、50gの2-ブタノンを、300mLの三口フラスコに投入し、窒素ガスにより、フラスコ内を、30分間パージした。窒素パージの後、三口フラスコ内の2-ブタノンを攪拌しながら、80°Cに加熱した。次いで、事前に準備した上記単量体溶液を、滴下漏斗を用いて、3時間かけて滴下し、重合を行った。滴下終了後、更に、80°Cで3時間撹拌した。重合終了後、重合溶液を水冷により、30°C以下に冷却した。そして、この重合溶液を1,000gのメタノールへ投入し、白色粉末を析出させ、その後、これを濾別した。濾別された白色粉末を、2度、200gのメタノールにてスラリー状で洗浄した後、濾別した。次いで、白色粉末共重合体を、50°Cで17時間乾燥した収量37g、収率74。この共重合体を、13C-NMR分析した結果、化合物S2-1、化合物S2-2、化合物S2-3及び化合物S2-4に由来する繰り返し単位の含有率モルは、それぞれ、41:9:9:51であった。これを重合体A-1とする。この重合体A-1のMwは7,400であり、フッ素原子の含有率は0であった。合成例4重合体A-2の合成下記に示す、化合物S2-133.11g40モル、化合物S2-212.22g10モル及び化合物S2-454.67g50モルを、200gの2-ブタノンに溶解し、更に、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル4.04gを投入して、単量体溶液を準備した。一方、100gの2-ブタノンを、1,000mLの三口フラスコに投入し、窒素ガスにより、フラスコ内を、30分間パージした。窒素パージの後、三口フラスコ内の2-ブタノンを攪拌しながら、80°Cに加熱した。次いで、事前に準備した上記単量体溶液を、滴下漏斗を用いて、3時間かけて滴下し、重合を行った。滴下終了後、更に、80°Cで3時間撹拌した。重合終了後、重合溶液を水冷により、30°C以下に冷却した。そして、この重合溶液を2,000gのメタノールへ投入し、白色粉末を析出させ、その後、これを濾別した。濾別された白色粉末を、2度、400gのメタノールにてスラリー状で洗浄した後、濾別した。次いで、白色粉末共重合体を50°Cで17時間乾燥した収量80.1g、収率80。この共重合体を、13C-NMR分析したところ、化合物S2-1、化合物S2-2及び化合物S2-4に由来する繰り返し単位の含有率モルは、それぞれ、39:11:50であった。これを、重合体A-2とする。この重合体A-2のMwは7,300であり、フッ素原子の含有率は0であった。合成例5重合体A-3の合成下記に示す、化合物S2-131.37g40モル、化合物S2-211.58g10モル、化合物S2-625.96g20モル及び化合物S2-431.09g30モルを、2-ブタノン100gに溶解し、更に、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル3.83gを投入して、単量体溶液を準備した。一方、100gの2-ブタノンを、1,000mLの三口フラスコに投入し、窒素ガスにより、フラスコ内を、30分間パージした。窒素パージの後、三口フラスコ内の2-ブタノンを攪拌しながら、80°Cに加熱した。次いで、事前に準備した上記単量体溶液を、滴下漏斗を用いて、3時間かけて滴下し、重合を行った。滴下終了後、更に、80°Cで3時間撹拌した。重合終了後、重合溶液を水冷により、30°C以下に冷却した。そして、この重合溶液を2,000gのメタノールへ投入し、白色粉末を析出させ、その後、これを濾別した。濾別された白色粉末を、2度、400gのメタノールにてスラリー状で洗浄した後、濾別した。次いで、白色粉末共重合体を50°Cで17時間乾燥した収量81g、収率81。この共重合体を、13C-NMR分析した結果、化合物S2-1、化合物S2-2、化合物S2-6及び化合物S2-4に由来する繰り返し単位の含有率モルは、それぞれ、40:10:19:31であった。これを重合体A-3とする。この重合体A-3のMwは7,800であり、フッ素原子の含有率は0であった。合成例6重合体A-4の合成下記に示す、化合物S2-132.22g40モル、化合物S2-211.89g10モル、化合物S2-613.33g10モル及び化合物S2-442.56g40モルを、2-ブタノン100gに溶解し、更に、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル3.93gを投入して、単量体溶液を準備した。一方、100gの2-ブタノンを、1,000mLの三口フラスコに投入し、窒素ガスにより、フラスコ内を、30分間パージした。窒素パージの後、三口フラスコ内の2-ブタノンを攪拌しながら、80°Cに加熱した。次いで、事前に準備した上記単量体溶液を、滴下漏斗を用いて、3時間かけて滴下し、重合を行った。滴下終了後、更に、80°Cで3時間撹拌した。重合終了後、重合溶液を水冷により、30°C以下に冷却した。そして、この重合溶液を2,000gのメタノールへ投入し、白色粉末を析出させ、その後、これを濾別した。濾別された白色粉末を、2度、400gのメタノールにてスラリー状で洗浄した後、濾別した。次いで、白色粉末共重合体を、50°Cで17時間乾燥した収量76g、収率76。この共重合体を、13C-NMR分析した結果、化合物S2-1、化合物S2-2、化合物S2-6及び化合物S2-4に由来する繰り返し単位の含有率モルは、それぞれ、40:11:10:39であった。これを重合体A-4とする。この重合体A-4のMwは7,500であり、フッ素原子の含有率は0であった。合成例7重合体A-5の合成下記に示す、化合物S2-131.95g40モル、化合物S2-211.79g10モル、化合物S2-714.05g10モル及び化合物S2-442.21g40モルを、2-ブタノン100gに溶解し、更に、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル3.90gを投入して、単量体溶液を準備した。一方、100gの2-ブタノンを、1,000mLの三口フラスコに投入し、窒素ガスにより、フラスコ内を、30分間パージした。窒素パージの後、三口フラスコ内の2-ブタノンを攪拌しながら、80°Cに加熱した。次いで、事前に準備した上記単量体溶液を、滴下漏斗を用いて、3時間かけて滴下し、重合を行った。滴下終了後、更に、80°Cで3時間撹拌した。重合終了後、重合溶液を水冷により、30°C以下に冷却した。そして、この重合溶液を2,000gのメタノールへ投入し、白色粉末を析出させ、その後、これを濾別した。濾別された白色粉末を、2度、400gのメタノールにてスラリー状で洗浄した後、濾別した。次いで、白色粉末共重合体を、50°Cで17時間乾燥した収量70g、収率70。この共重合体を、13C-NMR分析した結果、化合物S2-1、化合物S2-2、化合物S2-7及び化合物S2-4に由来する繰り返し単位の含有率モルは、それぞれ、39:11:11:39であった。これを重合体A-5とする。この重合体A-5のMwは7,100であり、フッ素原子の含有率は0であった。合成例8重合体A-6の合成下記に示す、化合物S2-131.97g40モル、化合物S2-211.80g10モル、化合物S2-813.99g10モル及び化合物S2-442.24g40モルを、2-ブタノン100gに溶解し、更に、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル3.90gを投入して、単量体溶液を準備した。一方、100gの2-ブタノンを、1,000mLの三口フラスコに投入し、窒素ガスにより、フラスコ内を、30分間パージした。窒素パージの後、三口フラスコ内の2-ブタノンを攪拌しながら、80°Cに加熱した。次いで、事前に準備した上記単量体溶液を、滴下漏斗を用いて、3時間かけて滴下し、重合を行った。滴下終了後、更に、80°Cで3時間撹拌した。重合終了後、重合溶液を水冷により、30°C以下に冷却した。そして、この重合溶液を2,000gのメタノールへ投入し、白色粉末を析出させ、その後、これを濾別した。濾別された白色粉末を、2度、400gのメタノールにてスラリー状で洗浄した後、濾別した。次いで、白色粉末共重合体を、50°Cで17時間乾燥した収量83g、収率83。この共重合体を、13C-NMR分析した結果、化合物S2-1、化合物S2-2、化合物S2-8及び化合物S2-4に由来する繰り返し単位の含有率モルは、それぞれ、39:10:11:40であった。これを重合体A-6とする。この重合体A-6のMwは7,300であり、フッ素原子の含有率は0であった。合成例9重合体C-1の合成下記に示す、化合物S3-110.8g60モル、化合物S3-25.6g25モル及び化合物S3-33.6g15モルを、2-ブタノン20gに溶解し、更に、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル1.9gを投入して、単量体溶液を準備した。一方、20gの2-ブタノンを、100mLの三口フラスコに投入し、窒素ガスにより、フラスコ内を、30分間パージした。窒素パージの後、三口フラスコ内の2-ブタノンを攪拌しながら、80°Cに加熱した。次いで、事前に準備した上記単量体溶液を、滴下漏斗を用いて、3時間かけて滴下し、重合を行った。滴下終了後、更に、80°Cで3時間撹拌した。重合終了後、重合溶液を水冷により、30°C以下に冷却した。そして、この重合溶液を600gのメタノールへ投入し、白色粉末を析出させ、その後、これを濾別した。濾別された白色粉末を、2度、300gのメタノールにてスラリー状で洗浄した後、濾別した。次いで、白色粉末共重合体を、50°Cで17時間乾燥した収量16g、収率82。この共重合体を、13C-NMR分析した結果、化合物S3-1、化合物S3-2及び化合物S3-3に由来する繰り返し単位の含有率モルは、それぞれ、61:24:15であった。これを重合体C-1とする。この重合体C-1のMwは6,500であり、フッ素原子の含有率は16.9であった。合成例10重合体C-2の合成下記に示す、化合物S3-43.1g20モル及び化合物S3-516.9g80モルを、2-ブタノン20gに溶解し、更に、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル1.9gを投入して、単量体溶液を準備した。一方、20gの2-ブタノンを、100mLの三口フラスコに投入し、窒素ガスにより、フラスコ内を、30分間パージした。窒素パージの後、三口フラスコ内の2-ブタノンを攪拌しながら、80°Cに加熱した。次いで、事前に準備した上記単量体溶液を、滴下漏斗を用いて、3時間かけて滴下し、重合を行った。滴下終了後、更に、80°Cで3時間撹拌した。重合終了後、重合溶液を水冷により、30°C以下に冷却した。そして、この重合溶液を600gのメタノールへ投入し、白色粉末を析出させ、その後、これを濾別した。濾別された白色粉末を、2度、300gのメタノールにてスラリー状で洗浄した後、濾別した。次いで、白色粉末共重合体を、50°Cで17時間乾燥した収量15g、収率75。この共重合体を、13C-NMR分析した結果、化合物S3-4及び化合物S3-5に由来する繰り返し単位の含有率モルは、それぞれ、21:79であった。これを重合体C-2とする。この重合体C-2のMwは6,500であり、フッ素原子の含有率は7.7であった。3.感放射線性樹脂組成物の製造及び評価組成物を製造するための他の原料成分を以下に示す。3-1.酸発生剤B下記に示す、トリフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネートB-1、並びに、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネートB-2、及び、トリフェニルスルホニウム=トリシクロ[3.3.1.13,7]デカニルジフルオロメタンスルホナートB-3を用いた。3-2.酸拡散制御剤D下記に示す、tert-ブチル-4-ヒドロキシ-1-ピペリジンカルボキシレートD-1及び2-フェニルベンズイミダゾールD-2並びに2,6-ジイソプロピルアニリンD-3を用いた。3-3.添加剤Eγ―ブチロラクトンEを用いた。3-4.溶剤FプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートF-1及びシクロヘキサノンF-2を用いた。実施例1重合体Aとして重合体A-3100部、酸発生剤Bとして酸発生剤B-212部、重合体Cとして重合体C-25部、酸拡散制御剤Dとして酸拡散制御剤D-10.8部、並びに、溶剤Fとして溶剤F-11876部及び溶剤F-2804部を混合して均一溶液とした。その後、孔径200nmのメンブランフィルターを用いてろ過することにより、感放射線性樹脂組成物組成物溶液を調製した総固形分濃度約7。得られた感放射線性樹脂組成物を用いて、上記の方法でMEEF1及びEL1を評価した。その結果を表1に示す。実施例2~7及び比較例1~2原料成分を、表1に記載の配合処方に従って用いた以外は、実施例1と同様にして感放射線性樹脂組成物を調製した。そして、MEEF1及びEL1の評価を行った。その結果を表1に示す。実施例8重合体Aとして重合体A-3100部、酸発生剤Bとして酸発生剤B-112部、酸拡散制御剤Dとして酸拡散制御剤D-10.8部及び酸拡散制御剤D-20.8部、並びに、溶剤Fとして溶剤F-11876部及び溶剤F-2804部を混合して均一溶液とした。その後、孔径200nmのメンブランフィルターを用いてろ過することにより、感放射線性樹脂組成物組成物溶液を調製した総固形分濃度約7。得られた感放射線性樹脂組成物を用いて、上記の方法でMEEF2及びEL2を評価した。その結果を表2に示す。実施例9~11及び比較例3原料成分を、表2に記載の配合処方に従って用いた以外は、実施例8と同様にして感放射線性樹脂組成物を調製した。そして、MEEF2及びEL2の評価を行った。その結果を表2に示す。表1から明らかなように、感放射線性樹脂組成物を液浸露光に用いた場合、比較例1及び2においては、繰り返し単位Iを含まない重合体A-1又はA-2を用いているため、MEEF1が5を超えた。一方、実施例1~7の感放射線性樹脂組成物は、MEEF1が4.3以下と低く、優れるものであった。また、EL1についてみると、比較例1及び2において14.5以下であり、実施例1~7では、15.6以上であった。また、組成物の水分量が0.1以下である実施例1~6においては、MEEF1が3.6以下、EL1が16.3以上と更に優れた効果を有していることが確認できた。また、表2から明らかなように、繰り返し単位Iを含む重合体を用いることによってドライ露光においてもMEEF2の低減及びEL2の向上効果が確認できた。"