"タッチ面として知られる表面上に印加された力500、501、502を検出し、定量化するための装置であって、試験片と、絶縁性の基板10、10 ́と、前記基板に結合され、前記基板に関して固定された第1の電極31、315、316、310、311、312、313、314、315 ́、316 ́、317と、第2の電極32、321、322、320、324、323、325と、前記2つの電極と接触する導電性または半導電性のナノ粒子のアセンブリ20、200と、前記ナノ粒子アセンブリの電気的特性に関して比例する情報を提供する測定装置とを備え、前記電気的特性が前記第1の電極と第2の電極との間で測定され、前記電気的特性が前記アセンブリ20、200の前記ナノ粒子21間の距離の変化に比例し、前記試験片が前記ナノ粒子アセンブリ20、200自体である、装置。前記第2の電極32、325が前記第1の電極から離れ、前記基板に対して可動であり、前記ナノ粒子アセンブリ20、200が前記2つの電極間に配置されて、前記第2の電極32、325の運動が前記ナノ粒子アセンブリのナノ粒子21間の距離を変化させる、請求項1に記載の装置。前記電気的特性が前記ナノ粒子アセンブリの抵抗である、請求項1に記載の装置。前記電気的特性が前記ナノ粒子アセンブリの電気容量である、請求項1に記載の装置。前記第1の電極が、前記基板の表面上に第1の方向に延在する複数の平行な導電性のストリップ310、311、312、313、314から構成され、前記第2の電極320、321、322が、前記基板の表面から離れかつ前記表面と平行な表面内に、前記第1の方向と異なる第2の方向に延在する複数の平行な導電性のストリップから構成され、前記ナノ粒子アセンブリが、複数の離散したクラスタ200内にトポグラフィカルに構成され、前記第1の電極と第2の電極の導電性のストリップの方向が交差する位置において2つの電極の間に配置される、請求項2に記載の装置。前記ナノ粒子アセンブリ20が前記基板10上に配置され、前記基板表面の一部分を覆い、前記第1および第2の電極が、前記基板に結合されかつ前記ナノ粒子アセンブリ20によって覆われていない前記基板表面の一部分と前記ナノ粒子によって覆われた表面の周辺との間に延在する導電性のストリップ315、316、323、324から構成される、請求項1に記載の装置。前記ナノ粒子アセンブリが、前記基板10上に配置され、前記基板表面の一部分を覆い、前記第1の電極317が前記基板に結合されかつ前記ナノ粒子アセンブリによって覆われていない前記基板表面の一部分と前記ナノ粒子によって覆われた表面の周辺との間に延在する導電性のストリップから構成され、前記第2の電極325が、前記基板に対して可動で、前記ナノ粒子アセンブリの頂部に配置された、請求項1に記載の装置。前記ナノ粒子アセンブリが、前記基板10に対して実質的に垂直な方向に重ねられた数層のナノ粒子の層を備える、請求項6に記載の装置。前記ナノ粒子アセンブリが、前記基板10に対して実質的に垂直な方向に重ねられた数層のナノ粒子の層を備える、請求項7に記載の装置。前記基板の表面上に延在する前記ナノ粒子アセンブリが単一層であって、前記基板10 ́が前記表面に対して垂直な応力に関して圧縮可能であり、前記ナノ粒子アセンブリに対して垂直な局部的な圧力が前記アセンブリの粒子21間の距離に変化を生じさせる、請求項6に記載の装置。前記基板の表面上に延在する前記ナノ粒子アセンブリが単一層であって、前記基板10 ́が前記表面に対して垂直な応力に関して圧縮可能であり、前記ナノ粒子アセンブリに対して垂直な局部的な圧力が前記アセンブリの粒子21間の距離に変化を生じさせる、請求項7に記載の装置。絶縁性の基板10上に、第1の方向に延在する平行な導電性のストリップ310、311、312、313、314の第1のネットワークを形成するステップと、これらのストリップ上にナノ粒子のクラスタ200を形成するステップであって、前記クラスタが前記基板に対して垂直な方向に重ねられた少なくとも2層のナノ粒子の層を備え、前記クラスタが互いに離間され、前記ストリップ310、311、312、313、314の方向と平行な方向に繰返しパターンによって形成するステップと、前記集合体上に前記第1の方向と異なる第2の方向に延在しかつ前記ナノクラスタ200と接触するようになされた平行な導電性のストリップ320、321、322の第2のネットワークを形成するステップとを備える、請求項5に記載の装置の作製方法。繰返しパターンによってナノクラスタ200を形成するステップが、前記基板10/導電性のストリップ310、311、312、313、314の集合体の第1のネットワーク上に、前記ストリップ上に開口する穴部51を備える絶縁層50を形成するステップと、前記絶縁層50の前記穴部51内に、前記基板10の表面に対して実質的に垂直な方向に重ねられかつ下部にある導電性のストリップ310、311、312、313、314と接触するようになされた少なくとも2層を備えるナノクラスター200を形成するステップと、前記絶縁層50上に、前記第1の方向と異なる第2の方向に延在しかつ前記ナノクラスタ200と接触するようになされた平行な導電性のストリップ320、321、322の前記第2のネットワークを形成するステップとを備える、請求項12に記載の方法。前記測定装置が、前記ナノ粒子アセンブリに並列に接続する共振回路および同調インダクタンス70を備える、請求項4に記載の装置。前記共振回路が電磁励起を受けるステップと、前記ナノ粒子アセンブリが前記力を受けた場合に、前記回路の吸収量の変化を測定するステップとを備える請求項14に記載の装置に印加された力を測定する方法。前記電磁励起が連続励起周波数で実現され、測定された変化が前記回路の吸収スペクトルの周波数シフトである、請求項15に記載の方法。前記電磁励起がパルス周波数で実現され、測定された変化が弛張局面時の前記共振回路の放出量である、請求項15に記載の方法。前記励起が前記回路の共振周波数で実現され、測定された変化が前記共振周波数のシフトである、請求項16に記載の方法。前記共振回路が、電磁励起を受けた場合に固有の識別コードを放出する手段を備える、請求項14に記載の装置。請求項1に記載の装置を備えるタッチ面800。本発明は、タッチ面の反応が印加された接触力の系を定量化することを可能にさせるタッチ面を創出することを目的とする。この要求を満たすことができる従来から知られた技術は、試験片で実現される。即ち試験片は印加された力の作用で変形するため、変形可能な固体の荷重システムの影響下での変形のモードは、直接法により知ることができまたは計算できる。次に、受けた荷重システムを知るために、反転法reversemethodにより、その変形を測定するだけである。荷重の影響下にある試験片proofbodyの変形は、ほとんどの場合歪ゲージによって測定され、歪ゲージはそれの伸長に比例する電気的特性の変化を提示する。しかし、この方法はいくつかの態様において困難な点がある。まず第1に、この方法が効果的であるために、試験片の形状は単純で、その支持状態は制御されなければならない。一例として、試験片の表面に対して垂直な力がその縁部から十分に離れた位置において印加される場合には、その周辺で保持された薄くて平坦な試験片の荷重モードを反転法により決定することは容易であるが、試験片の表面が湾曲していたり、より複雑な方法で保持される場合には、そのような方法を用いることはかなり複雑になる。さらに、試験片は、ゲージで測定できるほどに十分変形可能でなければならない。しかし、上述の多くの用途では、剛性の高いタッチ面が所望される。そのため特に高感度の歪ゲージが使用されなければならない。米国特許第7116209号は、結合された表面に対して長軸方向すなわち接線方向の測定として知られる変形測定に適した特に高感度の歪ゲージを記述している。従来技術のゲージの測定原理は、ゲージが結合された試験片の変形の影響下で導電性のナノ粒子間の距離が修正された場合のナノ粒子アセンブリの抵抗率の変化に基づくものである。このようなゲージは、ネットワーク化されて、種々の荷重システムに反応する試験片の変形を正確に測定することができる。しかし、この原理は従来技術の他の技術と同様の限界に悩まされる。それらは、タッチ機能すなわちタッチ面に対して基本的に垂直な作用を測定する能力が、結合状態、試験片の形状、および反転法により応力を評価する能力に依存すること、ゲージが機能面に対して接線方向の変形を測定することである。従来技術のこれらの不利益を克服するために、本発明はタッチ面として知られる表面上に印加された力を検出し定量化するための装置を提案する。この装置は、試験片と、絶縁性の基板と、基板に結合され、基板に関して固定された第1の電極と、第2の電極と、前記第1及び第2の電極と接触する導電性または半導電性のナノ粒子アセンブリと、ナノ粒子アセンブリの電気的特性に関して比例情報を提供する測定装置とを備え、電気的特性は、第1の電極と第2の電極との間で測定され、アセンブリのナノ粒子間の距離の変化に比例し、試験片はナノ粒子アセンブリ自体である。このように、本発明は、ナノ粒子アセンブリ自体を試験片として利用し、アセンブリが剛性の表面に形成された場合でも、アセンブリに対して基本的に垂直な力の定量化を可能にする。基板は剛性であっても、いくらか圧縮性があってもよく、ナノ粒子アセンブリの変形はこの装置によって機能面の変形と分離されうる。したがって、基板およびその上に試験片を固定する方法が、試験片とナノ粒子の変形間の完全な結合を要求する従来技術と異なり、本発明の対象の装置は、この制約を克服し、タッチ面の形状および性質の実現にさらなる柔軟性をもたらす。ナノ粒子アセンブリは、1つまたは複数のナノ粒子の集合体で構成され、ナノ粒子は各集合体内でリガンドによって互いに結合され、集合体は互いに電気的に結合される。比例する情報は、測定された特性によって変化する測定値を意味し、比例の関数は、一次関数、指数関数または、測定の値と測定された特性の値の間で一価の関係univalentrelationshipを確立する任意の他の数学形式である。本発明は、下記に記述された有利な実施形態によって実施されることができ、それは単独で考慮されても、任意の技術的に効果のある組合せで考慮されてもよい。第1の実施形態によれば、第2の電極は、前記第1の電極から離れ、基板に対して可動であり、ナノ粒子アセンブリは2つの電極の間に配置されて、第2の電極の運動がナノ粒子アセンブリのナノ粒子間の距離を変化させる。この構成により、その先端部のそれぞれにおいて、即ち電極のそれぞれの上で受ける力を測定可能な基本的な力センサを創出することができる。基板に対して可動な電極は、電極の運動がこの電極と基板の間の相対距離を変化させて、ナノ粒子間の距離に変化を生じさせるように配置された電極を意味する。この運動は、実際には微小変位であり、ナノ粒子アセンブリおよび基板の剛性の機能である後方に移動する力backmovingforceによって対抗される。有利には、実現の構成にかかわらず、測定される電気的特性はナノ粒子アセンブリの抵抗である。この電気的特性は特に測定が容易である。あるいは、測定される電気的特性は、ナノ粒子アセンブリの電気容量である。この電気的特性は、すべての実現構成において、接触なしに遠隔で測定する場合に適するという利点を提供する。第1の実現構成の改良によれば、第1の電極は、基板の表面上で第1の方向に延在する複数の平行な導電性のストリップを備え、第2の電極は、第1の方向と異なる第2の方向に複数の平行な導電性のストリップを備え、ナノ粒子アセンブリは、複数の離散したクラスタ内にトポグラフィカルにtopographically構成され、クラスタは第1の電極および第2の電極の導電性のストリップの方向が交差する位置において2つの電極の間に配置される。このようにして、タッチ面は基本的な力センサのマトリクス状ネットワークによって機能化され、表面に圧力を加える力の印加点、およびその力の強さも決定する可能性を提供する。第2の実施形態によれば、ナノ粒子アセンブリは、基板上に配置され、基板表面の一部分を覆い、そして第1及び第2の電極は、基板に結合されかつナノ粒子アセンブリによって覆われていない基板表面の一部分とナノ粒子によって覆われた表面の周辺との間に延在する導電性のストリップからなる。この構成は、空間的に連続的な方法でタッチ面を機能化することを可能にする。第3の実施形態によれば、ナノ粒子アセンブリは、基板上に配置され、基板表面の一部分を覆い、第1の電極は、基板に結合されかつナノ粒子アセンブリによって覆われていない基板表面の一部分とナノ粒子によって覆われた表面の周辺との間に延在する導電性のストリップからなり、第2の電極は、基板に対して可動で、ナノ粒子アセンブリの頂部に配置される。この構成は、ナノ粒子アセンブリ上で作用する第2の電極に印加された力を、強さおよび配向において定量化することを可能にする。第2および第3の実施形態の第1の変形によれば、ナノ粒子アセンブリは、基板に対して実質的に垂直な方向に重ねられた数層のナノ粒子の層を備える。第2および第3の実施形態の第2の変形によれば、基板の表面上に延在するナノ粒子アセンブリは単一層であって、基板は表面に対して垂直な応力に関して圧縮可能であり、基板に対して垂直な局部的な圧力がアセンブリの粒子間の距離に変化を生じさせる。本発明はまた、第1の実施形態によるタッチ面の作製方法に関し、この方法は以下のステップから構成される。絶縁性の基板上に、第1の方向に延在する平行な導電性のストリップからなる第1のネットワークを形成するステップこれらのストリップ上にナノ粒子のクラスタを形成するステップであって、クラスタは基板に対して垂直な方向に重ねられた少なくとも2層のナノ粒子の層を備え、クラスタは、互いに離間され、ストリップの方向と平行な方向に繰返しパターンによって形成されるステップこの集合体上に、第1の方向と異なる第2の方向に延在し、ナノクラスタと接触するようになされた平行な導電性のストリップの第2のネットワークを形成するステップこのような表面は、周知の方法で用意可能であり、詳細には、電極の形成に関してはフォトリソグラフィやナノインプリンティング、ナノクラスタに関しては対流キャピラリデポジションやナノゼログラフィによる。この方法の特定の実施形態によれば、繰返しパターンによってナノクラスタを形成するステップは以下のステップから構成される。基板/導電性のストリップの集合体の第1のネットワーク上に、ストリップ上に開口する穴部を備える絶縁層を形成するステップ絶縁層の穴部内に、基板に対して実質的に垂直な方向に重ねられ、下部にある導電性のストリップと接触するようになされた少なくとも2層のナノクラスタを形成するステップこの集合体上に、第1の方向と異なる第2の方向に延在し、ナノクラスタと接触するようになされた平行な導電性のストリップの第2のネットワークを形成するステップこの方法の実施形態は、同じ手段で実施可能であり、実現の信頼性を増大させる。有利には、測定された電気的特性がナノ粒子アセンブリの電気容量に比例する場合には、測定装置は、ナノ粒子アセンブリに並列に接続する共振回路および同調インダクタンスを備える。この方法では、電磁励起によって回路を励起させることにより、接触なしに遠隔で測定することが可能である。本発明はまた、この最後の実施形態による装置に印加される力を測定する方法に関し、この方法は以下のステップから構成される。共振回路が電磁励起を受けるステップナノ粒子アセンブリが力を受けた場合に、回路の吸収量の変化を測定するステップこの方法は、タッチ面上に印加された力に比例する特性としてナノ粒子アセンブリの電気容量の変化を利用することを可能にし、電気容量は接触なしに遠隔で測定される。この方法の第1の変形によれば、電磁励起は連続励起周波数で実現され、測定された変化は回路の吸収スペクトルの周波数シフトである。有利には、励起は、回路の共振周波数で実現され、測定された変化はこの共振周波数のシフトである。この方法の第2の変形によれば、電磁励起はパルス周波数で実現され、測定された変化は弛緩局面relaxationpahses時の共振回路の放出量である。有利には、共振回路は、電磁励起を受けた場合に固有の識別コードを放出する手段を備える。本発明はまた、その実施形態のうちの任意の1つによる本発明の装置を備えるタッチ面に関する。ここで、好ましい実施形態に照らして限定されることなしに、本発明をより詳細に記述する。図1:重ねられた数層で構成されるナノ粒子アセンブリを備える本発明による装置の第1の例示的な実施形態によれば、この装置は、第1の電極31が結合された絶縁性の基板10を備え、この第1の電極は基板に関して固定されている。測定手段40は、第1の電極31と、基板10に対して実質的に平行な離れた平面に配置された第2の電極32との間の電気的特性の変化を測定することを可能にする。ナノ粒子アセンブリ20は、2つの電極31,32の間に配置される。このアセンブリは、複数の導電性のまたは半導電性のナノ粒子21を備え、ナノ粒子は数層に組織され、電気的に耐性があるリガンドによって互いに結合される。このリガンドは、有利には、ナノ粒子と化学的に結合可能な官能基を含む化合物から選択される。限定されないが、クエン酸塩、アミン、ホスフィン、またはチオール官能基が挙げられる。一例として以下のものである。クエン酸塩官能基を含む化合物として、クエン酸ナトリウム、C6H5O7、3Naホスフィン官能基を含む化合物として、ビス―p―スルホネイトフェニルフェニルホスフィンナトリウムの二水和物アミン官能基を含む化合物として、アルキルアミン、C12H25NH2粒子は、懸濁液の形状で基板に付着され、ホスフィンまたはクエン酸塩官能基を含むリガンドの場合は水で懸濁され、アミン官能基を含むリガンドの場合はトルエンで懸濁される。ナノ粒子21の寸法は、2ナノメートル109と1マイクロメートルμmの間であり、2つの電極31,32間にあるナノ粒子のアセンブリ20の厚さは、付着された粒子の寸法および粒子の層の数によって、2ナノメートル109と100マイクロメートル106の間である。ナノ粒子は、例えば、金のナノ粒子である。第1の電極31、ナノ粒子アセンブリ20、および第2の電極32を備える集合体は、有利には、絶縁フィルム図示せずで覆われる。第2の電極32の表面に対して実質的に垂直な力がこの集合体に印加された場合には、この力がナノ粒子を変位させ、アセンブリ内の粒子間の距離を変化させる。電気的特性がナノ粒子間の距離に対して高感度である場合には、適切な手段を用いて2つの電極間でこの特性を測定することは、応力の影響下でのナノ粒子アセンブリの変形に関して比例する情報を提供する。この例示的な実施形態によれば、応力は第2の電極に対して実質的に垂直である方法で印加される。基板10は、剛性でも可撓性でもよく、ナノ粒子アセンブリはマイクロセンサ100の試験片を形成する。このようなマイクロセンサは、有利には、力または同じタイプの任意の他の物理的寸法を測定するために使用されうる。例えば、第2の電極上にマイクロマスmicro-massを形成することによって、マイクロ加速度計を形成することができる。図2:重要な側面であるタッチ面を機能化させ、この表面上で力の印加点の座標を検出するために、マイクロセンサ100はマトリクス配列で結合されうる。このために、複数の導電性のストリップ310~314が絶縁基板10上に任意の知られた方法で形成され、第1の電極を形成する。1つの実現例によれば、次に絶縁層50が、フォトリソグラフィなどの任意の知られた方法で導電性のストリップ上に形成される図2A。絶縁層50には、穴部51が設けられ、穴部は、導電性のストリップ310~314の伸長方向と直交する横方向のピッチで、かつこれと同じ方向に基板上のストリップの形成ピッチと等しいピッチで配置される。図2B:重ねられた少なくとも2層を備えるナノクラスタは、対流キャピラリデポジションなどの任意の知られた方法によって、導電性のストリップ310,314と接触して穴部内に付着される。第2の導電性のストリップ320~322は、基板上に形成された第1の導電性のストリップの方向と異なる方向に延在し、絶縁層50の穴部51内に配置されたナノクラスタと接触するように絶縁層50の表面に付着され、第2の電極を形成する。好ましくは、第2の電極を形成する第2の導電性のストリップ320~322の形成方向は、基板上に形成された第1の導電性のストリップ310~314の方向と直交する。有利には、絶縁フィルム図示せずがこれらの全てを覆う。別の実施形態によれば、穴のネットワークを備える絶縁層は形成されず、第1の電極を形成する導電性のストリップ上に直接ナノクラスタが構造的に形成される。この集合体は、次に機能化のために表面上に形成され、タッチセンサとなりうる。あるいは、基板自体が機能面となりうる。例えば指からのまたはタッチペンによる圧力が、このように機能化された表面上に印加されると、印加形態により大領域または小領域がこの圧力の影響を受ける。影響を受けた領域に配置されたクラスタ200のナノ粒子間の距離は変化し、基板10上に配置された第1の電極とクラスタ200と接触する絶縁層50上に配置された第2の電極との間の結合の電気的特性を変化させる。例えば、この電気的特性は抵抗率である。したがって、導電性のストリップの対で処理して第1の電極と第2の電極の間の抵抗を測定することにより、その測定値を適切に処理して、圧力から生じる力の印加点および力の強さも決定することが可能である。例えば、力がこのように機能化された表面の中心に印加された場合、表面の中央を横切る導電性のストリップ312,321間で測定された抵抗は、表面の縁部に沿って延在する導電性のストリップ314,322間で測定された抵抗より大きな影響を受ける。図3:第2の実施形態によれば、本発明の対象である装置は、絶縁性の基板10を備え、その上に表面の大部分を覆うナノ粒子アセンブリ20が形成される。ナノ粒子アセンブリは、単一層でも、基板10の表面に対して垂直な方向に重ねられた数層を備えてもよい。導電性のストリップ315,316の第1の集合体は基板上に形成されて第1の電極を形成し、このストリップは基板のナノ粒子アセンブリによって覆われていない部分と、ナノ粒子アセンブリによって覆われている部分に跨っている。ストリップ323,324の第2の集合体は、第1のストリップの集合体と同じ方法で、ナノ粒子アセンブリ中央の中心点に関して第1の集合体と対称に形成される。最後に、絶縁フィルム60が全てを覆って付着される。図6:この実施形態の変形によれば、第1の電極を形成する離散したストリップは、1つまたは複数のストリップのグループ315 ́、316 ́にまとめられる。図4:このように機能化された表面に対して基本的に垂直な力の系501,502が表面に印加された場合には、これがナノ粒子アセンブリの大領域または小領域511,512に影響を及ぼす。影響を受けた領域511,512では、アセンブリのナノ粒子間の距離は変化し、電気的特性も変化する。第1の電極315,316と第2の電極322,324の間の1つまたは複数の電気的特性の測定値を用い、導電性のストリップで処理することにより、それらの間で測定が行われた2つのストリップを結合する方向の関数として電気的特性の変化を示すプロファイル601,602が得られる。これらの変化プロファイルに基づき、信号を適切に処理することで、力501,502の強さおよび印加点も決定されうる。図5:第3の実施形態によれば、本発明の対象である装置は、絶縁性の基板10を備え、その上に基板の表面の一部分を覆うナノ粒子アセンブリ20が形成される。第1の電極は、基板上に形成され、ナノ粒子アセンブリによって覆われていない基板の一部分とナノ粒子アセンブリの間に延在するストリップ317の集合体で形成され、ナノ粒子アセンブリと接触する。第2の電極325は、ナノ粒子アセンブリ上に配置され、この集合体は絶縁フィルム図示せずによって覆われる。第2の電極325に力が印加されると、力の垂直方向および接線方向の構成要素がアセンブリ20のナノ粒子間の距離を変化させる。力の印加点が分かっている場合、即ち実質的に第2の電極325の中心が印加点である場合、第2の電極325と第1の電極を形成するストリップ317のそれぞれとの間の電気的特性を測定し、信号を適切に処理することにより、ナノ粒子アセンブリに関する力の強さおよび配向を決定することができる。このようにして3次元の力マイクロセンサが創出され、力マイクロセンサはこうして機能化されたより大きい表面をカバーするためにマトリクス状のネットワークに組み込まれうる。図7:アセンブリのナノ粒子間の距離に対して高感度である電気的特性は、例えばアセンブリの電気抵抗である。アセンブリのナノ粒子間の距離の変化にともなう電気的特性の変化は、従来技術で周知であり、本発明が任意の方法で任意の理論にリンクされることなく、ナノ粒子間のトンネル効果における変化に起因している。本発明の対象である装置の別の実施形態によれば、アセンブリの電気容量の変化を測定することが可能である。このために、導電性のナノ粒子21は、適切なリガンドによって結合され、リガンドは前述の化合物または、電気抵抗率が大きくかつ同様の化学結合特性を有する他の化合物から選択される。リガンドによって離間されたナノ粒子の各対はナノキャパシタを形成し、それの電気容量29は導電性のナノ粒子間の距離の注目すべき関数である。したがって、同様の方法で、このナノ粒子アセンブリ上に力が印加されると、ナノ粒子間の距離およびアセンブリの電気容量を変化させる。電極31,32間の電気容量のこの変化は、アセンブリを電気回路に直列/並列に組み込むことで測定することができる。この構成は、無線周波数の分野の従来技術で周知のプロトコルを用いて遠隔で測定値を読み取ることを可能にする。このために、共振回路は、例えば、インダクタンスをナノ粒子アセンブリと並列に接続することで実現される。そのような回路は、詳細には、それの共振周波数f0により規定され、下記の関係式で与えられる。上記の式において、Lはインダクタンスの値で固定、Cはナノ粒子アセンブリの電気容量で、アセンブリが受ける応力の関数として変化する。したがって、電磁励起を受けるそのような回路の共振周波数を測定することによって、アセンブリの電気容量の変化量を決定することが可能である。例えば、回路は、周波数f0の連続的な電磁励起を受ける。当初、システムはこの周波数において多くを吸収する。変形は、アセンブリの電気容量を変化させて吸収スペクトルをより高い周波数へ、またはより低い周波数へ変化させる。周波数f0における吸収係数は変化するようになる。別の実施形態によれば、回路は周波数f0のパルス状電磁励起を受ける。各励起パルス後に、弛緩時の回路の放出量を測定することは、吸収係数の測定、およびナノ粒子アセンブリの電気容量の推測を可能にする。導電性ストリップの対による測定を選択するために、装置は、固有の識別コードを含むコンポーネントに結合されうる。このバイナリコードは、第1の電極のストリップと第2の電極のストリップの間の各共振回路を起動させたり起動させないために使用されうる。図8:基板上に形成されたナノ粒子アセンブリは、単一層図8Bまたは重ねられた数層を備えうる図8A。次に集合体は、機能化させるために表面800上に付着または接着されることができ、実際には、これは本発明の対象である装置の厚さが与えられたタッチ面と同等物である。図8C:基板10に対して垂直な方向にナノ粒子アセンブリに力500が印加された場合には、重ねられた数層を備えるアセンブリのナノ粒子間の距離は、表面に対して垂直方向および接線方向の両方向に変化する。図8E:単一層のアセンブリの場合には、基板の表面に対して垂直な力500の印加は、それが基板の表面に対して接線方向のナノ粒子21の運動を生成する場合に、検出および測定されうるにすぎない。したがって、単一層のアセンブリの場合には、基板10 ́は、いくらか表面的な可撓性または圧縮性を有するように選択されて、垂直な力500がナノ粒子の接線方向の運動を生じさせるようにする。しかし、このアセンブリの変形自体が測定され、基板の圧縮性はゲインに類似する要因にすぎないため、ナノ粒子アセンブリは試験片のままである。図8D:表面的に圧縮可能な基板はまた、重ねられた数層で形成されたナノ粒子アセンブリとともに使用されうる。上記は、種々の特徴およびそれらの利点を通して、自体が定めた本発明の目的を実現することを明確に例示する。詳細には、タッチ面を機能化させて、この面上に印加される力のシステムの強さおよび配向に対して高感度であることを可能にする。"