"電気光学効果を有する基板と、該基板上に形成された光導波路と、該光導波路内を導波する光波を変調するための変調用電極とを有する光導波路素子において、該光導波路は、複数の光導波路部分が互いに平行配置され、少なくとも一つの該光導波路部分には該変調用電極による電界が印加される構成を有し、該光導波路部分間の距離が300μm以下であり、かつ該光導波路部分間には溝が形成され、該溝の内側には、導電性材料が充填又は付着されていることを特徴とする光導波路素子。請求項1に記載の光導波路素子において、該溝の深さは450μm以上であることを特徴とする光導波路素子。本発明が解決しようとする課題は、上述した問題を解決し、ネスト型光導波路のように、光導波路が複数の光導波路部分を有し、該光導波路部分が互いに平行配置される光導波路素子において、光導波路部分が近接して配置される場合でも、各光導波路に印加される変調信号のクロストークを効果的に抑制することが可能な光導波路素子を提供することである。特に、本発明では、クロストークを低周波信号などの制御用信号の振幅の1/10以下変調信号の0.1程度に抑制することが望ましく、特に、光導波路部分間の距離が400μm以下、より好ましくは300μm以下の場合であっても、クロストークを効果的に抑制することが可能な光導波路素子を提供することである。請求項1に係る発明では、電気光学効果を有する基板と、該基板上に形成された光導波路と、該光導波路内を導波する光波を変調するための変調用電極とを有する光導波路素子において、該光導波路は、複数の光導波路部分が互いに平行配置され、少なくとも一つの該光導波路部分には該変調用電極による電界が印加される構成を有し、該光導波路部分間の距離が300μm以下であり、かつ該光導波路部分間には溝が形成され、該溝の内側には、導電性材料が充填又は付着されていることを特徴とする。請求項2に係る発明では、請求項1に記載の光導波路素子において、該溝の深さは450μm以上であることを特徴とする。また本発明の参考例では、溝の幅は50μm以上であることを特徴とする。またさらに本発明の別の参考例では、光導波路部分は、ネスト型光導波路のサブマッハツェンダ導波路であり、溝は異なるサブマッハツェンダ導波路間に形成されていることを特徴とする。請求項1に係る発明により、光導波路部分間の距離が300μm以下であり、かつ該光導波路部分間には溝が形成されているため、光導波路素子の小型化集積化を図りながら、変調用電極によるクロストークを抑制することが可能となる。またさらに、溝の深さは450μm以上であるため、溝が無い場合のクロストークの影響度を約半分以下に抑制することが可能となる。請求項2に係る発明により、溝の深さは450μm以上であるため、溝が無い場合のクロストークの影響度を約半分以下に抑制することが可能となる。また本発明の参考例により、溝の幅は50μm以上であるため、溝が無い場合のクロストークの影響度を約半分以下に抑制することが可能なる。またさらに別の参考例により、光導波路部分は、ネスト型光導波路のサブマッハツェンダ導波路であり、溝は異なるサブマッハツェンダ導波路間に形成されているため、サブマッハツェンダ導波路毎に異なる変調信号を印加する場合でも、双方のクロストークを効果的に抑制することが可能となる。以下、本発明に係る光導波路素子について、詳細に説明する。図1は本発明が適用可能なネスト型光導波路を示す平面図である。また、図2は、図1の一点鎖線Xにおける断面図を示している。なお、図1においては、光導波路の形状を説明するため、変調用電極を省略している。図1の光導波路素子は、電気光学効果を有する基板1、この基板1の表面部分に形成された光導波路2-0~2-9を具えている。光導波路は、光波の進行方向において、入力用導波路2-0、メインマッハツェンダ光導波路のメイン分岐導波路2-1,2-2、サブマッハツェンダ光導波路のサブ分岐導波路2-3~2-6、更にメインマッハツェンダ光導波路のメイン分岐導波路2-7,2-8、そして出力用導波路2-9を有している。図1のネスト型光導波路では、サブマッハツェンダ光導波路が互いに平行に配置されると共に、相互に近接して配置されている。また、図2に示すように、サブマッハツェンダ光導波路2-3,2-4に変調信号を印加するため、信号電極3-1と接地電極4-1,4-2が設けられている。また、他方のサブマッハツェンダ光導波路についても同様に、信号電極3-2と接地電極4-3,4-4が設けられている。基板1は、例えば、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、PLZTジルコン酸チタン酸鉛ランタン、及び石英系の材料及びこれらの組み合わせが利用可能である。特に、電気光学効果の高いニオブ酸リチウムLNやタンタル酸リチウムLT結晶が好適に利用される。光導波路の形成方法としては、Tiなどを熱拡散法やプロトン交換法などで基板表面に拡散させることにより形成することができる。また、特許文献4のように基板1の表面に光導波路の形状に合わせてリッジを形成し、光導波路を構成することも可能である。変調用電極は、TiAuの電極パターンの形成及び金メッキ方法などにより形成することが可能である。なお、特に図示してないが、基板1と変調用電極との間にはバッファ層を形成することもできる。これによって、光導波路を伝搬する光波が、変調用電極により吸収又は散乱されることを効果的に防止することができる。また、前記変調用電極から印加される変調信号と、前記光導波路内を導波する光波との速度整合をも向上させることができる。本発明の光導波路素子は、図1のようなネスト型光導波路に限定されるものではないが、図1のサブマッハツェンダ光導波路のように、複数の光導波路部分が互いに平行配置され、少なくとも一つの該光導波路部分には変調用電極信号電極及び接地電極による電界が印加される構成を有しているものには、好適に用いることが可能である。図4に示すように、光導波路部分間の距離が400μmより大きい場合には、クロストークによる電界の強さの影響を0.1以下に抑制することが可能である。本発明の光導波路素子の特徴は、光導波路部分間の距離を300μm以下としても、該光導波路部分間に溝を形成することにより、変調用電極によるクロストークを効果的に抑制することにある。具体的には、図1又は図2に示すように、溝10を光導波路部分間サブマッハツェンダ光導波路間に形成する。次に、図2を計算モデルとして、光導波路間の距離Lを固定し、溝の幅W及び深さHを変化させた場合に、一方の変調用電極が形成する電界が、他方の光導波路に与える影響、いわゆるクロストークの大きさを計算した。計算結果を、図3に示す。なお、Lは300μmとし、Wは1~101μm、Hは10~500μmの範囲で変化させた。また、計算結果は、溝が無い場合に形成される電界の強さを1として計算している。図3を見ると、溝10の幅Wが50μm以上又は溝10の深さHが450以上の場合には、クロストークに係る電界の強さを約半分以下に抑制可能であることが容易に理解される。つまり、光導波路部分間の間隔が300μmでありながら、400μmに離した場合と、同様の大きさにクロストークの影響を抑制することが可能となる。次に、本発明の光導波路素子の応用例としては、図1又は2に示した溝10の内側に、導電性材料を充填すること、あるいは導電性膜を形成することが可能である。この構成により、導電性材料等が電磁シールドに役割を果たし、一方の光導波路部分に係る変調用電極が形成する電界が、他方の光導波路部分に到達するのを抑制することが可能となる。導電性材料あるいは導電性膜には、金、アルミなどの導電性を有するものであれば特に限定されないが、変調用電極の形成と同時に導電性材料を充填又は付着させる場合には、変調用電極と同様の材料を使用することも可能である。"