基板上に中心導体と接地導体とを有し、前記中心導体の一端側から10Gbps以上の高周波電気信号が入力され、前記中心導体の他端側から前記高周波電気信号が出力され、前記基板の表面と裏面との間に導通のためのビアを複数有する高周波接続配線基板において、環境温度変化により前記複数のビア間でクラックが発生しないよう、前記ビアを形成すべき位置における前記接地導体の表面積に応じた所定の直径で各ビアが形成され、前記複数のビアは複数種類の直径から構成されることを特徴とする高周波接続配線基板。前記ビアの複数種類の直径は、10μm以上2mm以下からなることを特徴とする請求項1に記載の高周波接続配線基板。光変調器チップを備え、請求項1または2に記載の高周波接続配線基板を介して前記高周波電気信号が前記光変調器チップに入力されることを特徴とする光変調器モジュール。以上のように、従来技術では、高周波接続配線基板に設けるビアの直径がビア全てにおいてほぼ同じであった。そのため、接地導体の幅が狭くビアの直径に近い場合にはヒートサイクルやヒートショックのような環境温度を変化させる信頼性試験において、ビアのために高周波接続配線基板にクラックが入る場合があるという深刻な問題があった。そこで本発明は、環境温度が大きく変化しても破壊されない、信頼性の高い高周波接続配線基板、およびこれを備えた光変調器モジュールの提供を目的とする。上記課題を解決するために、本発明の請求項1に記載の高周波接続配線基板は、基板上に中心導体と接地導体とを有し、前記中心導体の一端側から10Gbps以上の高周波電気信号が入力され、前記中心導体の他端側から前記高周波電気信号が出力され、前記基板の表面と裏面との間に導通のためのビアを複数有する高周波接続配線基板において、環境温度変化により前記複数のビア間でクラックが発生しないよう、前記ビアを形成すべき位置における前記接地導体の表面積に応じた所定の直径で各ビアが形成され、前記複数のビアは複数種類の直径から構成されることを特徴としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項2に記載の高周波接続配線基板は、請求項1に記載の高周波接続配線基板において、前記ビアの複数種類の直径は、10μm以上2mm以下からなることを特徴としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項3に記載の光変調器モジュールは、光変調器チップを備え、請求項1または2に記載の高周波接続配線基板を介して前記高周波電気信号が前記光変調器チップに入力されることを特徴としている。本発明の高周波接続配線基板では、直径の異なるビアを組み合わせて用いる。つまり、面積的に広い箇所では直径の大きなビアを用い、面積的に狭い箇所では直径が小さなビアを用いる。その結果、高周波接続配線基板全体としての機械的な強度を保つことができるビア間の距離を確保でき、高周波電気特性を確保しつつ信頼性試験に耐えうる高周波接続配線基板、およびこれを備えた光変調器モジュールを実現できるという利点がある。以下、本発明の実施形態について説明する。なお、図3と図4に示した従来技術と同一の符号は同一機能部に対応しているため、ここでは同一の符号を持つ機能部の説明を省略する。光変調器モジュールとしての態様は図3に示す従来技術の態様と同様である。実施形態本発明による高周波接続配線基板の実施形態の上面図を図1に示す。本実施形態では12a、12b、及び12cの3種類のビアを用いている。また、11a、11b、11c、及び11dは高周波接続配線基板に形成したCPW電極のギャップである。12aは最も直径が小さく、12cは最も直径が大きいビアである。そして、12bはその中間の大きさで構成されている。図2は、図1の一部を拡大した本発明の原理を説明する図である。本発明では接地導体のうち幅と面積が小さい図2のような領域では、直径の小さなビア12aを用いている。図中、Daはビア12aの直径である。ここでは直径Daの小さなビア12aを用いているため、従来技術と比較して中心導体7cを介してのビア9間のギャップGa2を大きくすることができ、高周波電気特性を確保しつつ高周波接続配線基板6の機械的な強度を高めることができる。また、面積的に狭い領域には小さなビアを用いることができるので、ビア以外の面積が増えることになり機械的な強度を高めることができ、またビア間のギャップGa1を小さくできるので、優れた高周波電気特性を実現することも可能となる。さらに、12aのような直径の小さなビアを接地導体のコーナー部にも使用できるので、優れた高周波電気特性を実現することが可能となる。本出願人は実際に、本実施形態について従来技術と同様に-40°C~80°Cのヒートショック試験を500サイクル行った。その結果、試験を行った20個においてクラックが入ったサンプルはなく、本発明の効果を確認できた。なお、ビアの大きさとしては直径10μmから2mm程度の間で組み合わせると有効であることを確認した。各種実施形態高周波接続配線基板を形成する基板として以上において説明したAl2O3基板の他に、ALN、あるいは石英基板でも良いし、半導体基板でも良い。さらに、高周波接続配線基板に形成する電極構成としては構造が対称なCPW電極を用いた構成について説明したが、構造が非対称なCPW電極でも良いし、非対称コプレーナストリップACPSあるいは対称コプレーナストリップCPSなど、その他の構成でも良い。