"半導体ブロック及び下地基板の搬入及び搬出を行う搬入出部と、前記半導体ブロック表面に吸着する吸着パッド、前記吸着パッドに接続され、前記吸着パッドに吸着された前記半導体ブロックを空気圧により上下に移動させるアクチュエータ、及び前記アクチュエータに接続されたエア機器を備える支持部と、重合性ビニルモノマーを含む接着剤を前記下地基板上に塗布する塗布部と、前記半導体ブロック又は前記下地基板を載せ、前記搬入出部、前記支持部及び前記塗布部間を移動するステージと、前記塗布部において前記下地基板上に前記接着剤を塗布した後に塗布後の下地基板を前記半導体ブロックの下方へ搬送し、前記半導体ブロックを下方に降ろして前記下地基板と接着させる工程を制御する制御装置と、を備えることを特徴とする半導体ブロック接着装置。前記アクチュエータが、エアシリンダーである請求項1に記載の半導体ブロック接着装置。前記搬入出部が、前記半導体ブロックを前記ステージ上の所定位置に固定するガイドを備える請求項1又は2に記載の半導体ブロック接着装置。前記塗布部が、前記接着剤を混合するスタティックミキサーを備える請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体ブロック接着装置。前記接着剤が、1メタアクリル系モノマー、2重合開始剤、3硬化促進剤、及び4エラストマーを含むメタアクリル系接着剤である請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体ブロック接着装置。前記接着剤が、前記成分2を含む第1剤と、前記成分3を含む第2剤とを混合して得られる2剤型メタアクリル系接着剤である請求項5に記載の半導体ブロック接着装置。前記成分1が、ヒドロキシアクリルメタアクリレートを含む請求項5に記載の半導体ブロック接着装置。前記成分2が、クメンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ターシャリーブチルハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンジハイドロパーオキサイド、メチルエチルケトンパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド及びターシャリーブチルパーオキシベンゾエート及びこれらの組み合わせよりなる群から選択される請求項5~7のいずれか1項に記載の半導体ブロック接着装置。前記成分3が、β-ジケトンキレート及び/又はβ―ケトエステルである請求項5~8のいずれか1項に記載の半導体ブロック接着装置。前記接着剤が、1メタアクリル系モノマー100質量部に対して、成分2を0.5~10質量部、成分3を0.05~5質量部、成分4を5~35質量部含む請求項5~9のいずれか1項に記載の半導体ブロック接着装置。搬入出部と、支持部と、塗布部と、半導体ブロック又は下地基板を搬送するためのステージとを備える半導体ブロック接着装置を用いた半導体ブロック接着方法であって、半導体ブロックを前記ステージ上に載せ、前記半導体ブロックを前記搬入出部から前記支持部に搬送するステップと、前記支持部において前記半導体ブロックを前記ステージの上方へ持ち上げるステップと、前記ステージを前記支持部から前記搬入出部に戻し、前記ステージ上に下地基板を載せるステップと、前記下地基板を載せた前記ステージを前記搬入出部から前記塗布部へ搬送するステップと、前記塗布部において、前記下地基板上に重合性ビニルモノマーを含む接着剤を塗布するステップと、塗布後の前記下地基板を載せた前記ステージを前記塗布部から前記支持部へ搬送し、接着剤が塗布された前記下地基板上に前記半導体ブロックを載せ、前記下地基板と前記半導体ブロックとを接着するステップと、接着後の半導体ブロックを、前記支持部から前記搬入出部へ搬送するステップとを含む半導体ブロック接着方法。前記接着剤が、1メタアクリル系モノマー、2重合開始剤、3硬化促進剤、及び4エラストマーを含むメタアクリル系接着剤である請求項11に記載の半導体ブロック接着方法。前記接着剤が、前記成分2を含む第1剤と、前記成分3を含む第2剤とを混合して得られる2剤型メタアクリル系接着剤である請求項12に記載の半導体ブロック接着方法。前記成分1が、ヒドロキシアクリルメタアクリレートを含む請求項12に記載の半導体ブロック接着方法。前記成分2が、クメンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ターシャリーブチルハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンジハイドロパーオキサイド、メチルエチルケトンパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド及びターシャリーブチルパーオキシベンゾエート及びこれらの組み合わせよりなる群から選択される請求項12~14のいずれか1項に記載の半導体ブロック接着方法。前記成分3が、β-ジケトンキレート及び/又はβ―ケトエステルである請求項12~15のいずれか1項に記載の半導体ブロック接着方法。前記接着剤が、1メタアクリル系モノマー100質量部に対して、成分2を0.5~10質量部、成分3を0.05~5質量部、成分4を5~35質量部含む請求項12~16に記載の半導体ブロック接着方法。請求項11~17のいずれか1項の接着方法により得られる下地基板付き半導体ブロックを複数の薄板状に切断し、切断後の前記下地基板付き半導体ブロックを温水中に浸漬し、前記温水中において前記下地基板と前記半導体ブロックとを剥離することを特徴とする半導体ウエハの製造方法。しかしながら、特許文献1及び特許文献2に記載された方法では、シリコンブロックと台座とを接着する接着剤としてエポキシ系接着剤を用いている。エポキシ系接着剤は、主剤エポキシ樹脂と硬化剤とを一定量の割合でそれぞれ反応させて硬化させる必要があるため、主剤と硬化剤との混合比にズレが生じると、未反応部分が発生し、接着剤としての性能に変化が生じる場合がある。また、エポキシ系樹脂は、アルカリ溶剤やハロゲン系有機溶剤を用いて剥離する必要があるため、有機溶剤の洗浄工程が煩雑である。更にエポキシ系樹脂は、時間が経つにつれて接着剤の粘度が変化するため、連続的管理が難しい。そのため使用の際は作業員が必要な時期に必要な量だけ作製し、手作業によりブロック上に塗布していた。エポキシ系樹脂を使用した場合、自動化が困難で、半導体ウエハの製造効率を向上させることも難しい。上記問題点を鑑み、本発明は、自動化可能で、半導体ウエハの製造効率を向上可能な半導体ブロック接着装置、半導体ブロック接着方法及び半導体ウエハの製造方法を提供する。本発明者らは上記課題を解決するために鋭意研究した。本発明者らは半導体ブロックと下地基板とを接着する際に、エポキシ系樹脂の代わりに別の樹脂を用いる適切な装置を見出した。本発明により半導体ブロックと下地基板とを迅速に接着させることが自動化でき、かつ、本発明が半導体ウエハの製造効率の向上に有効であることを見出した。上記知見を基礎として完成した本発明は一側面において、a半導体ブロック及び下地基板の搬入及び搬出を行う搬入出部と、b半導体ブロック表面に吸着する吸着パッド、吸着パッドに接続され、吸着パッドに吸着された半導体ブロックを空気圧により上下に移動させるアクチュエータ、及びアクチュエータに接続されたエア機器を備える支持部と、c重合性ビニルモノマーを含む接着剤を下地基板上に塗布する塗布部と、d半導体ブロック又は下地基板を載せ、搬入出部、支持部及び塗布部間を移動するステージと、e塗布部において下地基板上に接着剤を塗布した後に塗布後の下地基板を半導体ブロックの下方へ搬送し、半導体ブロックを下方に降ろして下地基板と接着させる工程を制御する制御装置とを備える半導体ブロック接着装置である。本発明に係る半導体ブロック接着装置は一実施態様において、アクチュエータが、エアシリンダーである。本発明に係る半導体ブロック接着装置は一実施態様において、搬入出部が、半導体ブロックをステージ上の所定位置に固定するガイドを備える。本発明に係る半導体ブロック接着装置は一実施態様において、塗布部が、接着剤を混合するスタティックミキサーを備える。本発明に係る半導体ブロック接着装置は一実施態様において、接着剤が、1メタアクリル系モノマー、2重合開始剤、3硬化促進剤、及び4エラストマーを含むメタアクリル系接着剤である。本発明に係る半導体ブロック接着装置は一実施態様において、接着剤が、成分2を含む第1剤と、成分3を含む第2剤とを混合して得られる2剤型メタアクリル系接着剤である。本発明に係る半導体ブロック接着装置は一実施態様において、成分1が、ヒドロキシアクリルメタアクリレートを含む。本発明に係る半導体ブロック接着装置は一実施態様において、成分2が、クメンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ターシャリーブチルハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンジハイドロパーオキサイド、メチルエチルケトンパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド及びターシャリーブチルパーオキシベンゾエート及びこれらの組み合わせよりなる群から選択される。本発明に係る半導体ブロック接着装置は一実施態様において、成分3が、β-ジケトンキレート及び/又はβ―ケトエステルである。本発明に係る半導体ブロック接着装置は一実施態様において、接着剤が、1メタアクリル系モノマー100質量部に対して、成分2を0.5~10質量部、成分3を0.05~5質量部、成分4を5~35質量部含む。本発明は、別の一側面において、搬入出部と、支持部と、塗布部と、半導体ブロック又は下地基板を搬送するためのステージとを備える半導体ブロック接着装置を用いた半導体ブロック接着方法であって、a半導体ブロックをステージ上に載せ、半導体ブロックを搬入出部から支持部に搬送するステップと、b支持部において半導体ブロックをステージの上方へ持ち上げるステップと、cステージを支持部から搬入出部に戻し、ステージ上に下地基板を載せるステップと、d下地基板を載せたステージを搬入出部から塗布部へ搬送するステップと、e塗布部において、下地基板上に重合性ビニルモノマーを含む接着剤を塗布するステップと、f塗布後の下地基板を載せたステージを塗布部から支持部へ搬送し、接着剤が塗布された下地基板上に半導体ブロックを載せ、下地基板と半導体ブロックとを接着するステップと、g接着後の半導体ブロックを、支持部から搬入出部へ搬送するステップとを含む半導体ブロック接着方法である。本発明に係る半導体ブロック接着方法は一実施態様において、接着剤が、1メタアクリル系モノマー、2重合開始剤、3硬化促進剤、及び4エラストマーを含むメタアクリル系接着剤である。本発明に係る半導体ブロック接着方法は一実施態様において、接着剤が、成分2を含む第1剤と、成分3を含む第2剤とを混合して得られる2剤型メタアクリル系接着剤である。本発明に係る半導体ブロック接着方法は一実施態様において、成分1が、ヒドロキシアクリルメタアクリレートを含む。本発明に係る半導体ブロック接着方法は一実施態様において、成分2が、クメンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ターシャリーブチルハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンジハイドロパーオキサイド、メチルエチルケトンパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド及びターシャリーブチルパーオキシベンゾエート及びこれらの組み合わせよりなる群から選択される。本発明に係る半導体ブロック接着方法は一実施態様において、成分3が、β-ジケトンキレート及び/又はβ―ケトエステルである。本発明に係る半導体ブロック接着方法は一実施態様において、接着剤が、1メタアクリル系モノマー100質量部に対して、成分2を0.5~10質量部、成分3を0.05~5質量部、成分4を5~35質量部含む。本発明は、更に別の側面において、a本発明に係る接着方法により得られる下地基板付き半導体ブロックを複数の薄板状に切断し、b下地基板付き半導体ブロックを温水中に浸漬し、c温水中において下地基板と半導体ブロックとを剥離する半導体ウエハの製造方法の製造方法である。本発明によれば、自動化可能で、半導体ウエハの製造効率を向上可能な半導体ブロック接着装置、半導体ブロック接着方法及び半導体ウエハの製造方法が提供できる。次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面は模式的なものであり、厚みと平均寸法の関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものではない。-半導体ブロック接着装置-図1~2に示すように、本発明の実施の形態に係る半導体ブロック接着装置1は、半導体ブロック8及び下地基板7の搬入及び搬出を行う搬入出部2と、半導体ブロック8を支持し、半導体ブロック8を上下に移動させる支持部3と、接着剤を下地基板7上に塗布する塗布部4と、制御装置5と、表示装置6とを備える。搬入出部2、支持部3、塗布部4は架台11上に配置されている。架台11上には、搬送部材12が配置されており、この搬送部材12に沿ってステージ13が摺動可能に取り付けられている。図1の概略図及び図2の上面図に示すように、搬入出部2には、半導体ブロック8又は下地基板7の位置を決めるためのガイド21が、ステージ13の端部においてステージ13の上面に対して垂直に配置されている。ガイド21を備えることにより、半導体ブロック8及び下地基板7の位置合わせが容易になる。また、後述する支持部3により半導体ブロック8を支持する場合においても、半導体ブロック8がずれることなく確実に支持できる。なお、図2では、ステージ13の両脇に、板状のガイド21がそれぞれ1つずつ配置される例を示しているが、ガイドは1つのみでも構わない。また、ガイドの代わりに、光学式位置合わせ機構等を備えていても構わない。図5に示すように、支持部3は、搬送部材12図示せず又はステージ13を跨るように搬送部材12の上方に架設された支柱部31と、支柱部31から下方に懸架された複数の吸着パッド32及び複数のアクチュエータ33と、エア機器34とを備える。アクチュエータ33としては、エアシリンダー等を用いることにより、比重が大きい半導体ブロック8を落下させることなく上下に安定的に移動させることができる。吸着パッド32は、半導体ブロック8の長手方向に沿って並ぶように複数個配置されている。吸着パッド32の数に特に制限はないが、例えば半導体ブロック8として156×156×200mmの立方体状のシリコンインゴットを用いる場合は、吸着パッド32を4~6つ程度備えていれば安定的に半導体ブロック8を保持できる。図6に示すように、空気圧により上下するアクチュエータ33を駆動して吸着パッド32を下方に移動させ、真空引きして吸着パッド32を半導体ブロック8表面に吸着させた後、図7に示すように上方に駆動させる。これにより、搬送部材12又はステージ13の上方で半導体ブロック8を支持することが可能である。一般に、半導体ブロック8として利用されるSiインゴットは、比重が大きい上に高価なため、取り扱いに注意を要する。図5に示す構造を具備することにより、Siインゴットに損傷を与えることなく半導体ブロック8を確実に吸着させることができるため、作業効率が高くなる。図1に示すように、塗布部4は、搬送部材12の上方に跨るように架設された支柱部41と、支柱部41に固定されたシリンジ42と、シリンジ42を介して接着剤を吐出させるディスペンサ43とを備える。塗布部4は、図示しない駆動手段によりステージ13の移動方向と垂直方向且つ架台11に水平方向即ち図1の奥行き方向にシリンジ42を移動させるとともに、ステージ13をステージ13の移動方向即ち図1の左右方向に移動させることにより、下地基板7の全面に接着剤を塗布する。接着剤の下地基板7上への塗布形状は特に制限されない。例えば下地基板7の表面全面にドット状にマトリクス状に配置してもよいし、表面全面に放射状、矩形状又はメアンダライン状に配置してもよい。塗布部4はスタティックミキサーを備えるのが好ましい、スタティックミキサーにより混合することで、後述する接着剤中に含まれる重合開始剤と硬化促進剤とを十分に反応させることができる。接着剤としてエポキシ系接着剤を用いる場合は、40~60コマ程度必要であり混合作業に注意を要するが、本発明の実施の形態に係る接着剤を用いた場合、スタティックミキサーのコマ数は6コマ程度で済み、混合作業を簡略化できる。本発明の実施の形態に好適な接着剤としては、重合性ビニルモノマーを含む接着剤を用いるのが好ましい。具体的には1メタアクリル系モノマー、2重合開始剤、3硬化促進剤、及び4エラストマーを含むメタアクリル系接着剤であるのが好ましい。更に好ましくは、成分2を含む第1剤と、成分3を含む第2剤とを混合して得られる2剤型メタアクリル系接着剤を用いるのが好ましい。一般に、2剤メタアクリル系接着剤は、2液の混合比がばらついていても硬化後の物性があまり変わらないため、連続的に作業を行う図1に示す装置には特に好適である。しかしながら一般的に利用されるメタアクリル系接着剤では接着力が高いために剥離が難しい。一方、本発明の実施の形態に用いられる成分1~4を含む接着剤は、90°C以下の温水と接触して膨潤する性質を有するため、半導体ブロック8と下地基板7との剥離が容易になる。更に、エポキシ系接着剤と比べて剥離の際に特別な溶剤を必要としないため剥離作業が容易になる。更に、本発明の実施の形態に係る接着剤は、エポキシ系樹脂に比べて硬化速度が著しく速いため、接着剤塗布から接着までの作業時間を図1の装置を用いて自動化し、短縮化できる。本発明は、半導体ウエハの製造効率を更に向上できる。接着剤の組成の詳細は、後述する。制御装置5は、ステージ13の移動を制御するステージ制御部51と、半導体ブロック8の支持及び昇降を制御するブロック昇降制御部52と、ディスペンサ43の吐出速度、吐出量、吐出時間及びシリンジ42を搬送部材12の上方で移動させるための駆動手段の動作を制御するディスペンサ制御部53を含む。制御装置5は、後述する接着工程における搬入出部2、支持部3、塗布部4、ステージ13の動作を制御する。制御装置5は表示装置6に接続されている。制御装置5は、表示装置6を介して作業者からの各種設定条件の入力を受け付けるとともに、運転状況を表示装置6に表示させることができる。表示装置6としては例えばタッチパネル等が用いられる。-半導体ブロック接着方法-次に、図1~図7の概略図及び図8のフローチャートを用いて、実施の形態に係る半導体ブロック接着方法を説明する。図8のステップS11において、図2に示すように、所定の形状に切削された半導体ブロック8を、ガイド21を用いて搬入出部2のステージ13上の所定の位置に載置し、半導体ブロック8を載せたステージ13を搬入出部2から支持部3に搬送する図3参照。ステップS13において、図6に示すように、空気圧により上下に移動するアクチュエータを動かして半導体ブロック8表面に吸着パッド32を配置し、真空吸着させる。その後、吸着パッド32に吸着された半導体ブロック8を図7に示すように、ステージ13の上方へ持ち上げる。ステップS15において、ステージ13を支持部3から搬入出部2に戻し、ステージ13上に下地基板7を載せる。その後、下地基板7を載せたステージ13を、搬入出部2から半導体ブロック8の下を通って塗布部4へ搬送する。ステップS17において、塗布部4で、重合性ビニルモノマーを含む接着剤を下地基板7の表面全面に塗布する。塗布形態は特に限定されない。2液型の接着剤を下地基板7上に同時に直接塗布してもよいし、1液型の接着剤を用いて塗布しても構わない。ステップS19において、塗布直後の下地基板7を載せたステージ13を塗布部4から支持部3へ速やかに搬送する。ステップS21において、接着剤が塗布された下地基板7上に半導体ブロック8を載せ、下地基板7と半導体ブロック8とを接着する。その後、ステップS23において、接着後の半導体ブロック8を支持部3から搬入出部2へ搬送し、下地基板付き半導体ブロックを得て、作業を終了する。実施の形態に係る半導体ブロック接着装置を用いた接着方法によれば、自動化可能で、半導体ウエハの製造効率を向上可能な接着方法が得られる。また、半導体ブロック8及び下地基板7の搬送を1台のステージが行うことにより、装置の簡略化が図れる。-接着剤-本発明の実施の形態に用いられる接着剤は、重合性ビニルモノマーを含む接着剤を用いるのが好ましく、特に、1メタアクリル系モノマー、2重合開始剤、3硬化促進剤、及び4エラストマーを含むメタアクリル系接着剤を用いることができる。1メタアクリル系モノマーメタアクリル系モノマーとは、アクリル酸及び/又はアクリル酸エステルから選ばれるアクリル系化合物という。アクリル系モノマーとしては、以下のものが挙げられる。1-1アルキルメタアクリレートアルキルメタアクリレートとしては、一般式Aで示されるアクリル系モノマー等が挙げられる。Z-O-R1A式中、Zはメタアクリロイル基を示し、R1は炭素数1~10のアルキル基を表す。ここで、R1は、炭素数1~10のアルキル基が好ましく、1~3のアルキル基がより好ましい。炭素数10を超えると表面硬化性が低下してベタツキが見られ、硬化速度が低下する場合おそれがある。このようなメタアクリル系モノマーとしては、メチルメタアクリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリレート、イソプロピルメタアクリレート及び2-エチルヘキシルメタアクリレート等が挙げられ、これらの1種又は2種以上が使用できる。これらの中では、安価で接着性が良好な点で、メチルメタアクリレート及び/又は2-エチルヘキシルメタアクリレートが好ましく、メチルメタアクリレートがより好ましい。1-2ビスフェノール骨格を有するメタアクリル酸モノマービスフェノール骨格を有するメタアクリル酸モノマーとしては、一般式Bで示されるアクリル系モノマー等が挙げられる。式中、Zはメタアクリロイル基を示し、R2は-C2H4-、-C3H6-、-CH2CHCH3-、-C4H8-又は-C6H12-を示し、R3、R’3は水素又は炭素数1~4のアルキル基を示し、p、p’は0~8の整数を示す。このようなメタアクリル系モノマーとしては、2,2-ビス4-メタアクリロキシフェニルプロパン、2,2-ビス4-メタアクリロキシエトキシフェニルプロパン、2,2-ビス4-メタアクリロキシジエトキシフェニルプロパン、2,2-ビス4-メタアクリロキシテトラエトキシフェニルプロパン、2,2-ビス4-メタアクリロキシポリエトキシフェニルプロパン、2,2-ビス4-メタアクリロキシプロポキシフェニルプロパン等が挙げられ、これらの1種又は2種以上が使用できる。これらの中では、効果が大きい点で、2,2-ビス4-メタアクリロキシポリエトキシフェニルプロパンが好ましい。1-3ジシクロペンテニルオキシアルキルメタアクリレートジシクロペンテニルオキシアルキレンメタアクリレートとしては、一般式Cで示されるアクリル系モノマー等が挙げられる。式中、Zはメタアクリロイル基を示し、R4は1~4個の炭素原子を有するアルキレン基を示し、qは1~20の整数を示す。このようなメタアクリル系モノマーとしては、ジシクロペンテニルオキシエチルメタアクリレート、ジシクロペンテニルオキシジエチレングリコールメタアクリレート、ジシクロペンテニルオキシトリエチレングリコールメタアクリレート及びジシクロペンテニルオキシプロピレングリコールメタアクリレート等が挙げられ、これらの1種又は2種以上が使用できる。これらの中では、表面硬化性が良く、容易に入手できる点で、ジシクロペンテニルオキシエチルメタアクリレートが好ましい。R4は、樹脂強度が大きい点で、1~4個の炭素原子を有するアルキレン基が好ましく、エチレン基がより好ましい。qは、硬化物の樹脂強度が大きい点で、1~3が好ましく、1がより好ましい。1-4芳香族基を有するメタアクリレート芳香族基を有するメタアクリレートとしては、一般式Dで示されるアクリル系モノマー等が挙げられる。Z-O-R5Or-R6D式中、Zはメタアクリロイル基を示し、R5は-C2H4-、-C3H6-、-CH2CHCH3-、-C4H8-又は-C6H12-を示し、R6はフェニル基又は炭素数1~3のアルキル基を有するフェニル基を示し、rは1~10の整数を示す。このようなメタアクリル系モノマーとしては、フェノキシエチルメタアクリレート、フェノキシジエチレングリコールメタアクリレート、フェノキシポリエチレングリコールメタアクリレート、フェノキシプロピルメタアクリレート、フェノキシジプロピレングリコールメタアクリレート及びフェノキシポリプロピレングリコールメタアクリレート等が挙げられ、これらの1種又は2種以上が使用できる。これらの中では、効果が大きい点で、フェノキシエチルメタアクリレートが好ましい。1-5ヒドロキシル基を有するメタアクリル系モノマーヒドロキシル基を有するメタアクリル系モノマーとしては、一般式Eで示されるアクリル系モノマー等が挙げられる。Z-O-R7Os-HE式中、Zはメタアクリロイル基を示し、R7は-C2H4-、-C3H6-、-CH2CHCH3-、-C4H8-又は-C6H12-を示し、sは1~10の整数を示す。このようなメタアクリル系モノマーとしては、2-ヒドロキシエチルメタアクリレート、2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート及びヒドロキシブチルメタアクリレート等といったヒドロキシアルキルメタアクリレートが挙げられ、これらの1種又は2種以上が使用できる。これらの中では、安価で接着性が良好な点で、2-ヒドロキシエチルメタアクリレート及び/又は2-ヒドロキシプロピルメタアクリレートが好ましい。他にも、1-6高級アルコールのメタアクリル酸エステル、1-7多価アルコールのメタアクリル酸エステル、或いは1-8メタアクリロイルオキシ基を有するウレタンプレポリマー等が使用できる。メタアクリル系モノマーの中では、効果が大きい点で、1-5ヒドロキシル基を有するメタアクリル系モノマーを含有することが好ましい。メタアクリル系モノマー中の、1-5ヒドロキシル基を有するメタアクリル系モノマーの含有割合は、メタアクリル系モノマー100質量部中、5~70質量部が好ましく、10~60質量部がより好ましい。メタアクリル系モノマーの中では、効果が大きい点で、下記のX又はYの組み合わせが好ましく、Yの組み合わせがより好ましい。X1-1アルキルメタアクリレート、1-3ジシクロペンテニルオキシアルキルメタアクリレート及び1-5ヒドロキシアルキルメタアクリレートの組み合わせ成分1-1、成分1-3及び成分1-5の含有割合は、成分1-1、成分1-3及び成分1-5の合計100質量部中、質量比で、成分1-1:成分1-3:成分1-5=40~90:5~35:5~35が好ましく、50~80:10~25:10~25がより好ましい。Y1-2ビスフェノール骨格を有するメタアクリル酸モノマー、1-4芳香族基を有するメタアクリレート及び1-5ヒドロキシアルキルメタアクリレートの組み合わせ成分1-2、成分1-4及び成分1-5の含有割合は、成分1-2、成分1-4及び成分1-5の合計100質量部中、質量比で、成分1-2:成分1-4:成分1-5=1~20:20~60:30~70が好ましく、5~15:30~55:35~60がより好ましい。2重合開始剤重合開始剤としては、クメンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ターシャリーブチルハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンジハイドロパーオキサイド、メチルエチルケトンパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド及びターシャリーブチルパーオキシベンゾエート等の有機過酸化物が好ましく、これらの1種又は2種以上が使用できる。これらの中では成分3や成分4との反応性の点で、クメンハイドロパーオキサイドが好ましい。成分2の使用量は、成分1100質量部に対して、0.5~10質量部が好ましく、1~7質量部が好ましい。0.5質量部未満では硬化速度が遅い場合があり、10質量部を越えると貯蔵安定性が遅い場合がある。3硬化促進剤硬化促進剤としては、β-ジケトンキレート及び/又はβ-ケトエステルが挙げられる。β-ジケトンキレートとしては、バナジルアセチルアセトネート、コバルトアセチルアセトネートオ及び銅アセチルアセトネート等が挙げられる。β-ケトエステルとしては、ナフテン酸バナジル、ステアリン酸バナジル、ナフテン酸銅若しくはオクチル酸コバルト等が挙げられ、これらの1種又は2種以上が使用できる。これらの中では、成分2との反応性の点で、還元性を有する金属塩が好ましく、バナジウムアセチルアセトネート、ナフテン酸銅及びオクチル酸コバルトからなる群のうちの1種又は2種以上がより好ましく、バナジルアセチルアセトネートが最も好ましい。成分3の使用量は、成分1100質量部に対して、0.05~5質量部が好ましく、0.1~2質量部がより好ましい。0.05質量部未満では硬化速度が遅く、接着性が小さい場合があり、5質量部を超えると未反応の成分が残り、接着性が低下する場合がある。4エラストマー本発明の実施の形態に係る接着剤は、剥離強度と衝撃強度を向上させるためにエラストマー成分を使用することが好ましい。エラストマーとしては、アクリロニトリル-ブタジエン-メタクリル酸共重合体、アクリロニトリル-ブタジエン-メタクリレート共重合体、メチルメタクリレート-ブタジエン-スチレン共重合体、アクリロニトリル-スチレン-ブタジエン共重合体、並びに、アクリロニトリル-ブタジエンゴム、線状ポリウレタン、スチレン-ブタジエンゴム、クロロプレンゴム及びブタジエンゴム等の各種合成ゴム、天然ゴム、スチレン-ポリブタジエン-スチレン系合成ゴムといったスチレン系熱可塑性エラストマー、ポリエチレン-EPDM合成ゴムといったオレフィン系熱可塑性エラストマー、並びにカプロラクトン型、アジペート型及びPTMG型といったウレタン系熱可塑性エラストマー、ポリブチレンテレフタレート-ポリテトラメチレングリコールマルチブロックポリマーといったポリエステル系熱可塑性エラストマー、ナイロン-ポリオールブロック共重合体といったポリアミド系熱可塑性エラストマー、1,2-ポリブタジエン系熱可塑性エラストマー、並びに塩ビ系熱可塑性エラストマー等が挙げられる。これらのエラストマー成分は相溶性が良ければ、1種又は2種以上を使用することができる。又、末端メタアクリル変性したポリブタジエンも使用できる。これらの中では、メタアクリル系モノマーに対する溶解性や接着性の点で、メチルメタクリレート-ブタジエン-スチレン共重合体及び/又はアクリロニトリル-ブタジエンゴムが好ましく、その併用がより好ましい。成分4の使用量は、成分1100質量部に対して、5~35質量部が好ましく、10~30質量部がより好ましい。5質量部未満だと粘度及び接着性が低下する場合があり、35質量部を超えると、粘度が高すぎて作業上、不具合が生じる場合がある。5その他本発明の実施の形態に係る接着剤は、空気に接している部分の硬化を迅速にするために各種パラフィン類を使用することができる。パラフィン類としては、パラフィンワックス、マイクロクリスタリンワックス、カルナバろう、蜜ろう、ラノリン、鯨ろう、セレシン及びカンデリラろう等が挙げられる。これらの1種又は2種以上を使用することができる。パラフィン類の使用量は、成分1100質量部に対して、0.1~5質量部が好ましく、0.3~2.5質量部がより好ましい。0.1質量部未満では空気に接している部分の硬化が悪くなる場合があり、5質量部を超えると接着強度が低下する場合がある。本発明の実施の形態に係る接着剤は、貯蔵安定性を改良する目的で、重合禁止剤を含む各種の酸化防止剤等を使用することができる。酸化防止剤としては、ハイドロキノン、ハイドロキノンモノメチルエーテル、2,6-シタイシャリーブチルーp-クレゾール、2,2‘-メチレンビス4-メチル-6-ターシャリーブチルフェノール、トリフェニルホスフェート、フェノチアジン及びN-イソプロピル-N’-フェニル-p-フェニレンジアミン等が挙げられ、これらの1種又は2種以上を使用することができる。重合禁止剤の使用量は、成分1100質量部に対して、0.001~3質量部が好ましく、0.01~1質量部がより好ましい。0.001質量部未満では、効果がない場合があり、3質量部を超えると接着強度が低下する場合がある。本発明の実施の形態に係る接着剤は、接着性を改良する目的で、リン酸塩を使用することができる。リン酸塩としては、一般式Fで示される化合物等が挙げられる。式中、R8はCH2=CR9COOR10u-基但し、R9は水素又はメチル基、R10は-C2H4-、-C3H6-、-CH2CHCH3-、-C4H8-、-C6H12-又はを示し、uは1~10の整数を表す。を示し、tは1又は2の整数を表すリン酸塩としては、アシッドホスホオキシエチルメタアクリレート、アシッドホスホオキシプロピルメタアクリレート及びビス2-メタアクリロイルオキシエチルホスフェート等が挙げられ、これらの1種又は2種以上が使用できる。これらの中では、効果が大きい点で、アシッドホスホオキシエチルメタアクリレートが好ましい。リン酸塩の使用量は、成分1100質量部に対して、0.1~5質量部が好ましく、0.2~1.0質量部がより好ましい。0.1質量部未満では接着強度が低下する場合があり、5質量部を超えると接着強度が低下する場合がある。尚、これらの他にも所望により熱膨張性粒子、カップリング剤、可塑剤、充填剤、着色剤及び防腐剤等の既に知られている物質を使用することもできる。この他に粘度や流動性を調整する目的で、クロロスルホン化ポリエチレン、ポリウレタン、スチレン-アクリロニトリル共重合体及びポリメチルメタクリレート等の熱可塑性高分子、並びに、微粉末シリカ等も使用してもよい。本発明の実施の形態に用いられる接着剤の具体例を表1接着剤1及び表2接着剤2に示す。表1及び表2において、メチルメタクリレート、2-ヒドロキシエチルメタクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルメタクリレート、クメンハイドロパーオキサイド、メチルメタクリレート-ブタジエン-スチレン共重合体MMA-BD-ST共重合体、バナジルアセチルアセトネート、2-ヒドロキシプロピルメタクリレート、フェノキシエチルメタクリレートは、それぞれ市販品を使用した。また、アクリロニトリル-ブタジエンゴムAN-BDゴムは、高ニトリルNBRの市販品を使用し、パラフィン類は、パラフィンワックスの市販品、重合禁止剤は、ハイドロキノンモノメチルエーテルの市販品、リン酸塩は、アシッドホスホオキシエチルメタクリレートの市販品、2,2-ビス[4-メタクリロキシポリエトキシフェニル]プロパンは、一般式Bでp=5の市販品を使用した。本発明の実施の形態に用いられる接着剤は、表1及び表2に示すように、成分2を含む第1剤と、成分3を含む第2剤とを混合して得られる2剤型メタアクリル系接着剤を使用することができる。2剤型メタアクリル系接着剤とは、本発明の接着剤組成物の必須成分全てを貯蔵中は混合せず、接着剤組成物を第1剤及び第2剤に分け、第1剤に少なくとも成分2を、第2剤に少なくとも成分3を別々に貯蔵することができる。リン酸塩は第2剤に貯蔵することが好ましい。この場合、両剤を同時に又は別々に半導体ブロック8に塗布して接触、硬化することにより、2剤型の接着剤として使用できる。別の実施態様としては、第1剤及び第2剤のいずれか一方又は両方に重合性ビニルモノマー及びその他の任意の成分を予め含有せしめ、使用時に両者を混合することによって、1剤型の接着剤として使用できる。これらの実施態様の中では、貯蔵安定性に優れる点で、2剤型の接着剤として使用することが好ましい。以上詳細に説明したように、本発明の実施の形態に係る接着剤によれば、エポキシ系接着剤等に比べて硬化速度が速いため、接着時間が短時間で済み、作業効率を向上できる。また、2剤型の接着剤を用いる場合でも、2剤の正確な計量を必要とせず、不完全な計量、混合であっても接着性を低下させずに常温で硬化でき、紫外線等のエネルギーを使用する必要もない。更に、上記の接着剤は温水に浸漬することで膨潤するため、半導体ブロック8と下地基板7とを容易に剥離でき、有機溶剤等の取り扱い困難な液体を使用する必要もない。接着剤を膨潤させる温水の温度は、30~150°Cが好ましく、更には50~100°C、更には65~80°Cが好ましい。-半導体ウエハの製造方法-本発明の実施の形態に係る半導体ウエハの製造方法について、図9a~図9cの概略図及び図10のフローチャートを用いて説明する。図10のステップS101において、Si等の半導体インゴットを所定の大きさ例えば156×156×200mmのブロック状に切り出し、複数の半導体ブロック8を得る。この半導体ブロック8に、ブラシ研磨等により表面加工を施す。ステップS103において、図8のフローチャートに示した方法に従って半導体ブロック8に下地基板7を接着し、図9aに示す下地基板付き半導体ブロック10を作製する。ステップS105において、図9bに示すように、ワイヤソー装置により半導体ブロック8の表面から接着剤層9の半分程度までワイヤを進行させ、半導体ブロック8を複数の薄板状に切断する。ステップS107において、切削に用いた切削液スラリーを洗浄する。ステップS109において、切断後の下地基板付き半導体ブロック10を、図9cに示すように、温水100中に浸漬して接着剤層9を膨潤させ、下地基板7と半導体ブロック8とを剥離する。剥離により得られる複数の薄板を乾燥し、ステップS111において所定の検査を経た後、ステップS113において、半導体ウエハとして出荷する。得られた半導体ウエハは半導体集積回路又は太陽電池基板等に利用される。一例として、本発明の半導体ブロック接着装置を使用し、半導体ウエハを製造した。支柱部31には、吸着パッド32及びアクチュエータ33を5個ずつ懸架した。半導体ブロックとして156×156×200mmの立方体状のシリコンインゴットを使用した。接着剤として、接着剤1と接着剤2の2種類を使用した。半導体ブロックをワイヤソー装置により厚さ200μmの薄板を得るように、切断した。切削液スラリーとして水道水を用いた。切断後の下地基板付き半導体ブロックを、70°Cの温水に浸漬し、半導体ウエハを得た。接着剤1と接着剤2のいずれの接着剤を使用した場合でも、本発明の半導体ブロック接着装置は、自動化可能で、半導体ウエハの製造効率を向上可能であることが確認できた。得られた半導体ウエハは半導体集積回路又は太陽電池基板等に利用できる品質状態であった。その他の実施の形態本発明は上記の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。例えば図8に示すフローチャートでは、半導体ブロック8を先に装置内へ搬入した後下地基板7を装置内に搬送しているが、搬送部材12に着脱可能なステージ治具13を更に取り付ければ、半導体ブロック8と下地基板7の搬送順序を逆にすることもできる。また、図1に示す装置では、エアシリンダー等のアクチュエータ33を用いて吸着パッド32を上下に移動させる手法を開示しているが、図1の支持部の代わりに、例えば装置上方から下方へワイヤを垂らし、ワイヤの先端にブロック吸着部材を取り付けて、作業者が手作業により半導体ブロック8を持ち運ぶ形態も可能である。更に、塗布部4において接着剤を収容する容器内に接着剤の物理的状態を検出する検出器具を設けるなどしてもよい。このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は、上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。"