メモリセルアレイと、前記メモリセルアレイへのアクセスを制御するアクセス制御回路と、前記メモリセルアレイのリフレッシュを前記アクセス制御回路に指示するリフレッシュ制御回路と、を備え、前記リフレッシュ制御回路は、リセット信号の活性化によりリセット状態にいったん移行したあと前記リセット信号の非活性化により初期状態に移行したことに応答して、前記メモリセルアレイのリフレッシュを指示することを特徴とする半導体装置。前記リフレッシュ制御回路は、リフレッシュを指示するためのリフレッシュ信号を定期的に生成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記リフレッシュ制御回路は、前記初期状態への移行後、前記リフレッシュ信号を複数回送信することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記リフレッシュ制御回路は、前記初期状態への移行を契機として1回目のリフレッシュ信号を送信し、1回目のリフレッシュ信号の生成を契機として2回目以降のリフレッシュ信号を定期的に生成することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。前記リフレッシュ制御回路は、更に、第1のエグジット信号を受信したとき、前記リフレッシュ信号の生成を停止させることを特徴とする請求項3または4に記載の半導体装置。前記第1のエグジット信号は、クロックイネーブル信号であることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。前記リフレッシュ信号の送信回数を計数し、前記送信回数が規定回数に到達したとき第2のエグジット信号を送信するカウント制御回路、を更に備え、前記リフレッシュ制御回路は、前記第2のエグジット信号を受信したとき、前記リフレッシュ信号の生成を停止させることを特徴とする請求項3から6のいずれかに記載の半導体装置。前記カウント制御回路は、前記第2のエグジット信号を送信するとき、計数値を初期化することを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。メモリセルアレイと、リセット信号を受け取る制御回路であって、当該制御回路は、前記リセット信号が第1の論理レベルを取る第1の期間は前記メモリセルアレイをリセット状態にし、当該第1の期間の終了を示す前記リセット信号の前記第1の論理レベルから第2の論理レベルへの遷移に応じて、リフレッシュ信号を複数回繰り返し発行し、前記メモリセルアレイに当該複数回のリフレッシュ動作を実行させる、制御回路を備える半導体装置。前記制御回路は、外部からのリフレッシュ要求を受け取ることなく、前記メモリセルアレイに前記少なくとも2回のリフレッシュ動作を実行させることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。前記制御回路は、クロックイネーブル信号を受け取り、当該クロックイネーブル信号の供給に応じて、前記リフレッシュ信号の発行を停止することを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。前記制御回路は、自身が発行した前記リフレッシュ信号の発行回数をカウントする第1の回路部を含み、前記制御回路は、前記第1の回路部でカウントした前記発行回数が所定の回数に到達したことに応じて前記リフレッシュ信号の発行を停止することを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。リセット状態において、半導体装置は外部電圧を昇圧または降圧することにより所定値規定値の内部電圧を生成する。しかし、初期状態への遷移時点で内部電圧が規定値よりも高い状態となる可能性があると本発明者は認識した。内部電圧が規定値よりも高いままでは、正常な初期化処理をできなくなってしまう可能性がある。本発明にかかる半導体装置は、メモリセルアレイと、メモリセルアレイへのアクセスを制御するアクセス制御回路と、メモリセルアレイのリフレッシュをアクセス制御回路に指示するリフレッシュ制御回路を備える。リフレッシュ制御回路は、リセット信号の活性化によりリセット状態にいったん移行したあとリセット信号の非活性化により初期状態に移行したことに応答して、メモリセルアレイのリフレッシュを指示する。本発明によれば、リセット信号が供給されたとき、初期化処理の開始時にメモリセルアレイに対してリフレッシュ動作を実行することによって余分な電流を強制的に消費させることにより、内部電圧を規定値以内に安定させやすくなる。以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。図1は、半導体装置100の機能ブロック図である。半導体装置100は、複数のメモリセルMCを含むメモリセルアレイ110を備える。メモリセルアレイ110内においては、複数のワード線WLと複数のビット線BLが交差しており、これらの交点にメモリセルMCが配置される。なお、図1には1本のワード線WLと1本のビット線BLの交点に配置された1個のメモリセルMCのみを図示している。ワード線WLの選択はロウデコーダ120により行われる。また、ビット線BLはそれぞれセンス回路121内の対応するセンスアンプSAに接続されており、カラムデコーダ122によって選択されたセンスアンプSAがデータ入出力回路123に接続される。データ入出力回路123はデータ入出力端子DQに接続されており、リード動作時においてはメモリセルアレイ110から読み出されたリードデータをデータ入出力端子DQを介して外部に出力し、ライト動作時においては外部からデータ入出力端子DQに入力されたライトデータをメモリセルアレイ110に供給する。ロウデコーダ120に供給されるロウアドレスは、マルチプレクサ130を介してロウアドレスコントロール回路131から供給される。また、ロウデコーダ120は、ロウコントロール回路132によって制御される。ロウアドレスコントロール回路131は、アドレス端子ADDを介してアドレス入力回路133に入力されたアドレス外部アドレスのうち、ロウアドレスが供給される回路である。また、コマンド端子CMDを介してコマンド入力回路140に入力されたコマンドがアクティブコマンドACTである場合、アクティブコマンド発生回路141はアクティブコマンドIACTを活性化させ、これをロウコントロール回路132に供給する。アクティブコマンドIACTはマルチプレクサ130にも供給され、アクティブコマンドIACTが活性化するとマルチプレクサ130は入力ノードa1を選択する。これにより、外部からアクティブコマンドACTとロウアドレスが入力されると、ロウデコーダ120は外部から入力されたロウアドレスが示すワード線WLを活性化させる。ワード線WLが活性化されると、そのワード線WLにより選択される全てのメモリセルの情報が読み出され、センスアンプSAによって増幅される。カラムデコーダ122に供給されるカラムアドレスは、カラムアドレスコントロール回路134から供給される。また、カラムデコーダ122の動作は、カラムコントロール回路135によって制御される。カラムアドレスコントロール回路134は、アドレス端子ADDを介してアドレス入力回路133に入力されたアドレス外部アドレスのうち、カラムアドレスが供給される回路である。また、コマンド端子CMDを介してコマンド入力回路140に入力されたコマンドがカラムコマンドリードコマンドまたはライトコマンドである場合、カラムコマンド発生回路142はリード/ライト命令ICOLを活性化させ、これをカラムコントロール回路135に供給する。これにより、外部からカラムコマンドとカラムアドレスが入力されると、カラムデコーダ122は外部から入力されたカラムアドレスが示すセンスアンプSAを選択する。その結果、リード動作時においては選択されたセンスアンプSAによって増幅されたリードデータがデータ入出力回路123に出力され、ライト動作時においてはデータ入出力回路123から供給されるライトデータによって、選択されたセンスアンプSAの情報が上書きされる。本実施形態におけるアクセス制御回路は、カラムアドレスコントロール回路134、カラムコントロール回路135、ロウアドレスコントロール回路131、マルチプレクサ130、ロウデコーダ120およびロウコントロール回路132を含んで形成される。コマンド端子CMDに入力されるコマンドには、アクティブコマンドやカラムコマンドのほかに、オートリフレッシュコマンドREF、セルフリフレッシュエントリコマンドSRE、セルフリフレッシュイグジットコマンドSRX等、さまざまなコマンドが存在する。DRAMなどの半導体装置100においては、メモリセルMCのデータを安定保持するため、各ワード線WLが定期的に活性化される。これをリフレッシュとよぶ。リフレッシュには、オートリフレッシュとセルフリフレッシュの2種類がある。オートリフレッシュは、コマンド端子CMDにオートリフレッシュコマンドREFが入力されたときに実行される。通常、1回のオートリフレッシュコマンドREFにつき所定本数のワード線WLが順次リフレッシュされる。オートリフレッシュコマンドREFが定期的に入力されることにより、メモリセルアレイ110は定期的にオートリフレッシュされる。半導体装置100の通常動作時においては、オートリフレッシュにより半導体装置100のリフレッシュがなされる。セルフリフレッシュは、コマンド端子CMDにセルフリフレッシュエントリコマンドSREが入力されたときに実行される。通常、1回のセルフリフレッシュエントリコマンドSREが入力されると、セルフリフレッシュコマンド発生回路144は各ワード線WLを定期的にリフレッシュし始める。これは、セルフリフレッシュコマンド発生回路144がオシレータを備えるためである。セルフリフレッシュは、セルフリフレッシュイグジットコマンドSRXが入力されるまで継続される。半導体装置100がスリープ状態にあるときには、セルフリフレッシュにより半導体装置100のリフレッシュがなされる。本実施形態におけるリフレッシュ制御回路200は、リフレッシュコマンド発生回路143とセルフリフレッシュコマンド発生回路144を含む。オートリフレッシュはリフレッシュコマンド発生回路143により制御され、セルフリフレッシュはセルフリフレッシュコマンド発生回路144とリフレッシュコマンド発生回路143により制御される。オートリフレッシュコマンドREFが発行された場合、リフレッシュコマンド発生回路143はリフレッシュ命令ACTRを活性化させる。リフレッシュ命令ACTRが活性化すると、リフレッシュアドレスREFAが更新され、リフレッシュアドレスREFAはリフレッシュ命令ACTRとともにマルチプレクサ130に供給される。リフレッシュ命令ACTRが活性化しているときには、マルチプレクサ130は入力ノードb1を選択する。リフレッシュアドレスREFAはロウデコーダ120に供給され、リフレッシュアドレスREFAが示すワード線WLが活性化される。ワード線WLが活性化されると、そのワード線WLにより選択される全てのメモリセルの情報が読み出され、センスアンプSAによって増幅される。リフレッシュ命令ACTRは、ロウコントロール回路132にも供給され、ロウコントロール回路132によりロウデコーダ120が活性化される。リフレッシュ命令ACTRの活性化から所定時間が経過するとPRER信号が活性化されロウコントロール回路132によりロウデコーダ120が非活性化される。セルフリフレッシュエントリコマンドSREが発行されると、セルフリフレッシュコマンド発生回路144が活性化される。セルフリフレッシュコマンド発生回路144は、外部とは非同期な所定の周期でセルフリフレッシュ信号SRDセルフリフレッシュ要求信号を活性化させる。セルフリフレッシュ信号SRDはリフレッシュコマンド発生回路143に供給され、これによりオートリフレッシュコマンドREFが発行された場合と同様にしてリフレッシュが行われる。セルフリフレッシュイグジットコマンドSRXが発行されると、セルフリフレッシュコマンド発生回路144が非活性化され、セルフリフレッシュ信号SRDの発行が停止される。セルフリフレッシュ信号SRDとリフレッシュ命令ACTRをまとめて、リフレッシュ信号とよぶ。クロック入力回路150には、クロックイネーブル信号CKEおよびクロック信号CK、CKBが供給される。クロックイネーブル信号CKEは、クロック信号CKを有効化するときハイレベルに活性化される。クロック信号CKとクロック信号CKBは互いに相補である。クロック入力回路150は、クロックイネーブル信号CKEやクロック信号CK、CKBをセルフリフレッシュコマンド発生回路144とクロックコントロール回路152に供給する。クロックコントロール回路152は、クロックイネーブル信号CKEのセルフリフレッシュコマンド発生回路144への供給を制御する。詳細は、図2に関連して後述する。リセット入力回路154には、リセット信号RESETBが供給される。リセット信号RESETBは、リセット時にローレベルに活性化され、リセット時間経過後にハイレベルに不活性化される信号である。本実施形態におけるリセット時間は200μsecである。リセット入力回路154はリセット信号RESETBをリセットコントロール回路156に供給し、リセットコントロール回路156はリセット信号RESETBがハイレベルに不活性化されたときにワンショットリセット信号RES1を発生させる。ワンショットリセット信号RES1は、リフレッシュコマンド発生回路143やクロックコントロール回路152に供給される。図2は、リフレッシュ制御回路200の回路図である。リフレッシュ制御回路200は、リフレッシュコマンド発生回路143とセルフリフレッシュコマンド発生回路144を含む。リフレッシュコマンド発生回路143は、パルス発生回路206とオートリフレッシュ制御回路202を含む。オートリフレッシュ制御回路202は、リセット信号RESETBに由来するAREF信号に応答してACTR信号を活性化させる。ロウコントロール回路132は、ACTR信号に応答してワード線WLをリフレッシュする。すなわち、ACTR信号は、ロウコントロール回路132へのリフレッシュ指示信号となる。セルフリフレッシュコマンド発生回路144は、セルフリフレッシュ制御回路204を含む。セルフリフレッシュ制御回路204は、SS信号の活性化によりセルフリフレッシュモードにエントリーし、定期的にSRD信号を活性化する。オートリフレッシュ制御回路202は、更に、SRD信号にも応答してACTR信号を活性化させる。SX信号が活性化されると、セルフリフレッシュモードが終了し、SRD信号は停止する。コマンド入力回路140は、コマンド端子CMDから各種コマンドを入力される。デーコーダDECは、オートリフレッシュコマンドREFが入力されたときにはAREF信号を活性化し、オートリフレッシュ制御回路202にオートリフレッシュを実行させる。クロック入力回路150には、クロックイネーブル信号CKE、クロック信号CK、CKBが供給される。リセット信号RESETBがローレベルからハイレベルに不活性化してから所定時間以下、準備時間とよぶが経過したとき、クロックイネーブル信号CKEはローレベルからハイレベルに活性化する。いいかえれば、リセット状態から初期状態に遷移し、更に、準備時間が経過したとき、クロック信号CK、CKBが有効化され、初期化処理を実行可能となる。クロックイネーブル信号CKEのハイアクティブとなると、クロックコントロール回路152に含まれるフリップフロップFF1がセットされる。したがって、SS信号がハイレベルに活性化されることはない。すなわち、準備時間が経過した後は、ICKE信号が再びロウレベルに駆動されるまでは、セルフリフレッシュ制御回路204は駆動されない。リセット信号RESETBがローレベルに活性化されると、リセット状態に遷移する。リセット時間が経過しリセット信号RESETBがハイレベルに不活性化したとき、すなわち、初期状態に遷移したとき、リセットコントロール回路156はワンショットパルス信号であるワンショットリセット信号RES1を生成する。ワンショットリセット信号RES1は、パルス発生回路206を経由してAREF信号をハイレベルに活性化し、オートリフレッシュ制御回路202にオートリフレッシュを実行させる。また、ワンショットリセット信号RES1は、フリップフロップFF1をリセットする。このため、フリップフロップFF1の出力であるICKE信号はローレベルとなる。AREF信号はハイレベルに活性化されているので、ICKE信号がローレベルとなるとSS信号が活性化され、セルフリフレッシュモードにエントリーする。ただし、セルフリフレッシュモードにエントリーしてから、実際に、SRD信号が活性化されるまでにはタイムラグがある。まとめると、リセット信号RESETBがハイレベルに不活性化されたときには、まず、AREF信号の活性化によりオートリフレッシュが1回だけ実行され、更に、セルフリフレッシュモードへのエントリーに基づいてSRD信号が定期的に活性化されることにより、セルフリフレッシュが複数回実行される。クロックイネーブル信号CKEは、準備時間の経過後、ハイレベルに活性化される。このとき、SX信号が活性化され、セルフリフレッシュモードは終了する。図3は、セルフリフレッシュ制御回路204の回路図である。セルフリフレッシュ制御回路204は、フリップフロップFF2、オシレータOSC、パルス発生回路208を含む。図4は、セルフリフレッシュ制御回路204の処理過程を示すタイムチャートである。リセット信号RESETBがローレベルに活性化されてリセット状態に遷移するとき、クロックイネーブル信号CKEはいったんローレベルに固定される。リセット時間の経過後、リセット信号RESETBがハイレベルに不活性化されて初期状態に遷移するとき、ワンショットパルスのSS信号が発生し、フリップフロップFF2がセットされる。これにより、セルフリフレッシュモードにエントリーし、フリップフロップFF2の出力であるSSTATE信号がハイレベルとなる。SSTATE信号がハイレベルとなると、オシレータOSCが活性化され、パルス状のSOSC信号が定期的に出力される。本実施形態においては、7.8μsecごとにSOSC信号が活性化される。SSTATE信号は、パルス発生回路208によりワンショットパルスのSRD信号となる。上述したように、SRD信号はオートリフレッシュ制御回路202に供給され、リフレッシュが実行される。このように、SS信号の活性化によりセルフリフレッシュモードにエントリーすると、エントリーのタイミングから少し遅れて、SRD信号が定期的に活性化される。図5は、オートリフレッシュ制御回路202の回路図である。オートリフレッシュ制御回路202はフリップフロップFF3を含む。フリップフロップFF3は、AREF信号またはSRD信号がハイレベルに活性化されたときにセットされる。このとき、ACTR信号がハイレベルに活性化され、ロウコントロール回路132にリフレッシュの実行が指示される。また、RSTATE信号はハイレベルとなる。ロウコントロール回路132がリフレッシュを実行すると、RTO信号がハイレベルとなる。RSTATE信号がハイレベルのときにRTO信号もハイレベルとなると、PRER信号がハイレベルに活性化される詳細は後述。これによりPRER信号がハイレベルとなる。RTO信号は、遅延回路D1を経由してフリップフロップFF3をリセットすし、RSTATE信号はローレベルに戻り、PRER信号もローレベルに戻る。図6は、ロウコントロール回路132の回路図である。ロウコントロール回路132は、フリップフロップFF4とライズエッジ遅延回路210を含む。フリップフロップFF4は、アクティブコマンドIACTやACTR信号によりセットされ、プリチャージコマンドIPREやIPER信号によりリセットされる。フリップフロップFF4がセットされると、ASTATE信号が活性化され、ASTATE信号に応答してリフレッシュが実行される。また、ライズエッジ遅延回路210は、ASTATE信号の立ち上がりエッジを遅延させてRTO信号を発生させる。図7は、オートリフレッシュ制御回路202およびロウコントロール回路132の処理過程を示すタイムチャートである。まず、ワンショットパルスのAREF信号が入力されると、オートリフレッシュ制御回路202のフリップフロップFF3がセットされ、ACTR信号がハイレベルに活性化される。また、RSTATEもハイレベルに活性化される。ロウコントロール回路132のフリップフロップFF4は、ACTR信号によってセットされ、ASTATE信号がハイレベルとなり、リフレッシュが実行される。また、ライズエッジ遅延回路210により、ASTATE信号の立ち上がりエッジが遅延されてRTO信号が生成され、PRER信号が活性化され、しばらくしてフリップフロップFF3のリセットによりRSTATE信号はローレベルに戻る。ここで、RTO信号の立ち下がりエッジフォールエッジがASTATE信号の立ち下がりエッジよりも遅れるのは、ライズエッジ遅延回路210内のNAND回路とインバータ回路による信号遅延に基づく。以上のシーケンスにより、オートリフレッシュ制御回路202、ロウコントロール回路132に関わる各信号がローレベル不活性状態、すなわち、元の状態に戻る。セルフリフレッシュのときにはAREF信号ではなくSRD信号が活性化される。この場合にもフリップフロップFFがセットされてACTR信号がハイレベルに活性化されるため、基本的なシーケンスは同じである。したがって、オートリフレッシュの実行指示信号であるAREF信号、または、セルフリフレッシュの実行指示信号であるSRD信号が活性化されるごとに、上述のシーケンスが実行されてメモリセルアレイ110のリフレッシュが実行される。図8は、初期化段階におけるリフレッシュの処理過程を示すタイムチャートである。まず、リセット信号RESETBがローレベルに活性化され、リセット状態に遷移する。リセット時間として200μsecが設定される。リセット状態においては、外部電圧の昇降圧により内部電圧が生成される。リセット時間の経過後、リセット信号RESETBはハイレベルとなり、リセット状態から初期状態に遷移する。初期状態においては、ヒューズ素子等によって記憶されている各種設定にしたがった内部回路の動作設定等、各種の初期化処理が実行される。しかし、初期状態に遷移した時点において内部電圧が規定値より高くなっている場合には、正常な初期化処理を実行できなくなる可能性がある。そこで、本実施形態においては、初期状態の遷移時に500μsecの準備時間を設け、この準備時間中に複数回のリフレッシュ処理を実行することにより、余分な電流を強制的に消費させ、内部電圧の低下を促している。図8では、この準備時間中における処理過程を中心として説明する。リセット信号RESETBがハイレベルに不活性化されると初期状態に遷移し、ワンショットパルスのRES1信号が活性化される。クロックコントロール回路152のフリップフロップFF1はRES1信号によりリセットされ、ICKE信号はローレベルとなる。ワンショットパルスのRES2信号が活性化され、AREF信号がハイレベルに活性化される。一方、SS信号も活性化し、セルフリフレッシュモードにエントリーする。ただし、セルフリフレッシュモードにエントリーしても、セルフリフレッシュ制御回路204はすぐにはSRD信号を発生させない。まずはAREF信号の活性化に対応して、オートリフレッシュ制御回路202はACTR信号を活性化する。ロウコントロール回路132において、フリップフロップFF4がセットされ、ASTATE信号がハイレベルとなり、ワンショットのRTO信号が出力される。こうして、1回目のリフレッシュはオートリフレッシュとして実行される。SS信号の活性化によりセルフリフレッシュモードにエントリーしていたため、しばらくしてSRD信号が定期的に発生するようになる。SRD信号が発生すると、オートリフレッシュ制御回路202は、ACTR信号、ASTATE信号、RTO信号を活性化させる。これにより2回目のリフレッシュがセルフリフレッシュとして実行される。セルフリフレッシュ制御回路204は、いったんセルフリフレッシュモードにエントリーすると、オシレータOSCが発振するため、SRD信号を定期的に活性化する。この結果、3回目以降のリフレッシュがセルフリフレッシュとして繰り返し実行される。クロックイネーブル信号CKEは、準備時間500μsecが経過するとハイレベルに活性化される。クロックイネーブル信号CKEの活性化により、SX信号がハイレベルに活性化する。この結果、セルフリフレッシュモードが終了し、SRD信号も停止される。まとめると、リセット信号RESETBの不活性化を契機としてリフレッシュが繰り返し実行され、クロックイネーブル信号CKEの活性化を契機としてリフレッシュが終了する。リセット信号RESETBやクロックイネーブル信号CKEのシーケンスは、いずれも既知のDRAMにおけるものと変わりない。図9は、変形例におけるリフレッシュ制御回路200の回路図である。変形例におけるセルフリフレッシュ制御回路204は、クロックイネーブル信号CKEの活性化ではなく、リフレッシュの回数が所定回数以下、規定回数とよぶに達したことを契機としてセルフリフレッシュモードを終了させる。このために、カウント制御回路212を追加している。カウント制御回路212は、カウンタ214とフリップフロップFF5を含む。リセット信号RESETBがハイレベルに不活性化されると、ワンショットパルスのRES1信号が発生し、フリップフロップFF5がセットされる。この状態でセルフリフレッシュモードにエントリーしてSRD信号が発生すると、カウンタ214はSRD信号の発生回数を数え始める。1回目のリフレッシュはオートリフレッシュとして実行されるため、SRD信号の発生回数が規定回数-1に達したとき、カウンタ214はその出力であるCMAX信号をハイレベルに活性化する。いいかえれば、準備期間中において実行されたリフレッシュの回数が規定回数に達したときにCMAXがハイレベルに活性化される。CMAX信号の活性化によりSX信号はハイレベルに活性化され、セルフリフレッシュモードは終了する。また、フリップフロップFF5はリセットされる。CMAX信号は、遅延回路D2によって遅延されたあとカウンタ214をリセットする。これにより、カウンタ214は保持しているカウント値をクリアする。また、CMAX信号はローレベルに戻る。以上、実施形態にもとづいて半導体装置100を説明した。半導体装置100は、リセット状態から初期状態に遷移するとき、実際の初期化処理を開始する前に複数回のリフレッシュを行っている。これにより、余分な電流を短期間に効率的に消費できるため、初期化処理をより安全に実行可能となる。また、内部電圧の降圧を促すための専用回路や専用素子を実質的に不要化できる。既存のリセット信号RESETBやクロックイネーブル信号CKEに対応して既存のセルフリフレッシュ制御回路204を制御するだけなので、実現しやすいというメリットもある。