"銅を主成分とする基材と、前記基材の表面の少なくとも一部を覆う電気アルミニウムめっき層と、前記電気アルミニウムめっき層の表面の一部が陽極酸化されたアルマイト層と、を有する放熱部品。前記電気アルミニウムめっき層の表面には、平坦化処理が施されている請求項1記載の放熱部品。前記アルマイト層は黒色化されている請求項1又は2記載の放熱部品。基板上に実装された半導体素子と、前記半導体素子上に配置された請求項1乃至3の何れか一項記載の放熱部品と、を有する半導体パッケージ。前記放熱部品は、前記電気アルミニウムめっき層及び前記アルマイト層が形成されてなく前記放熱部品の材料が露出している露出部を有し、前記露出部は、直接又は熱伝導部材を介して前記半導体素子と接している請求項4記載の半導体パッケージ。このように、従来技術では、放熱部品の表面を黒色化することによる放熱性の向上を示唆している。しかし、放熱部品の表面を黒色化するだけでは不十分である。例えば、特許文献1ではアルミニウム合金製のヒートシンクの表面を黒色化しているが、アルミニウム合金は銅よりも熱伝導率が低いため、その表面を黒色化するのみでは十分な伝熱性が得られない。又、特許文献2では銅や銅を主成分とする合金の板の表面をフッ素樹脂でコーティングしているが、フッ素樹脂は放射率が0.8以上と高い反面、熱伝導率が0.1~0.25W/mKと乏しいため、効率的な熱放射を行うことができず十分な放熱性が得られない。又、特許文献3では銅にアルミニウムを張り合わせたクラッド材を用いているが、クラッド材は高価であると共に、銅とアルミニウムとの間に存在する境界が、銅からアルミニウムへの効率の良い伝熱を妨げるという問題がある。本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、伝熱性及び放熱性に優れた放熱部品、及びそれを有する半導体パッケージを提供することを課題とする。本放熱部品は、銅を主成分とする基材と、前記基材の表面の少なくとも一部を覆う電気アルミニウムめっき層と、前記電気アルミニウムめっき層の表面の一部が陽極酸化されたアルマイト層と、を有することを要件とする。本半導体パッケージは、基板上に実装された半導体素子と、前記半導体素子上に配置された本発明に係る放熱部品と、を有することを要件とする。本発明によれば、伝熱性及び放熱性に優れた放熱部品、及びそれを有する半導体パッケージを提供できる。以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。第1の実施の形態図1は、第1の実施の形態に係る放熱部品を装着した半導体パッケージを例示する断面図である。図1を参照するに、半導体パッケージ10において、基板20上には半導体素子30が実装され、半導体素子30上には第1の実施の形態に係る放熱部品40が装着されている。基板20は、例えば、FR-4基板難燃性のガラス布基材にエポキシ樹脂を含浸させた銅張り積層板である。基板20の半導体素子30側の面には、電極パッド図示せずが形成されている。なお、基板20は、ビルドアップ工法により製造されたコアレスやコア有りの多層配線基板、スルービアで各配線層を接続する貫通多層配線基板、IVHInterstitialViaHoleで特定の配線層を接続するIVH多層配線基板等を含む様々な配線基板であってもよい。半導体素子30は、例えばシリコンSiやゲルマニウムGe等からなる半導体基板に半導体集積回路図示せずが形成されたものである。半導体素子30の基板20側の面には、電極パッド図示せずが形成されている。基板20の電極パッドと半導体素子30の電極パッドとは、例えば、はんだバンプ図示せず等を介して電気的に接続されている。半導体素子30は、例えば、CPU等に使用され、動作時に高温となる。なお、半導体素子30と放熱部品40とが接する部分にインジウム等の熱伝導部材を配置しても構わない。この場合、基板20に搭載された半導体素子30から発する熱は、半導体素子30上に配置された熱伝導部材を介して放熱部品40に伝熱される。このように、半導体素子30と放熱部品40とを直接接触させずに熱的に接続する手段として熱伝導部材を使用してもよい。放熱部品40は、基材41と、電気アルミニウムめっき層42と、アルマイト層43とを有し、例えば、接着剤図示せず等により基板20上に固着されている。放熱部品40は、半導体素子30と接しており、所謂ヒートスプレッダとして機能する。放熱部品40の平面形状は、例えば矩形状であり、例えば、縦30mm×横30mm~縦50mm×横50mm程度とすることができる。放熱部品40の厚さは、例えば、1~3mm程度とすることができる。基材41は、アルミニウムAlよりも熱伝導率の高い材料から形成されている。基材41の材料としては、例えば、銅Cuや銅合金等の銅Cuを主成分とする材料を挙げることができる。なお、銅Cuの熱伝導率は390W/mK程度であり、アルミニウムAlの熱伝導率は247W/mK程度である。電気アルミニウムめっき層42は、基材41の表面全体を覆うように形成されている。電気アルミニウムめっき層42は、電気アルミニウムめっき法により形成された層である。電気アルミニウムめっき層42の厚さは、例えば、20μm程度とすることができる。電気アルミニウムめっき層42の厚さは、電気量により制御することができる。電気アルミニウムめっき法は、水溶液を用いて行うことはできず、有機溶媒系めっき浴や高温溶融塩浴等を用いて行うことができる。有機溶媒系のめっき浴としては、AlCl3と、LiAlH4又はLiHとをエーテルに溶解したものや、テトラヒドロフランに溶解したもの、NaF2AlC2H53のトルエン溶液等を用いることができる。又、高温溶融塩浴としては、アルミニウムハロゲン化物とアルキルピリジニウムハロゲン化物との混合溶融塩浴等を用いることができる。又、例えば、特開2008-195990号公報に開示されているように、アルミニウムハロゲン化物、N-アルキルピリジニウムハライド類、N-アルキルイミダゾリウムハライド類、N,N’-アルキルイミダゾリウムハライド類、N-アルキルピラゾリウムハライド類及びN,N’-アルキルピラゾリウムハライド類からなる群より選ばれる1種又は2種以上の化合物、NaCl及びKClを混合溶融してなる電気アルミニウムめっき浴等を用いてもよい。なお、電気アルミニウムめっき法は、溶融めっき法等に比べて、めっき厚の制御性に優れている。アルマイト層43は、電気アルミニウムめっき層42の表面全体を覆うように形成されている。アルマイト層43は、陽極酸化法により形成された多孔質金属酸化層微小径の孔が規則正しく形成された酸化アルミニウムの層である。アルマイト層43の微小径の孔ポーラスには黒色系の色素が浸透されており、アルマイト層43の色調は黒色系とされている。アルマイト層43の厚さは、例えば、10μm程度とすることができる。アルマイト層43の厚さは、電気量により制御することができる。なお、黒色系のアルマイトの放射率は0.9~0.95程度であり、銅の放射率0.03~0.06やアルミニウムの放射率0.05~0.25と比較すると大幅に高い値である。陽極酸化法によりアルマイト層43を形成するには、例えば、電気アルミニウムめっき層42の表面を洗浄後、電解液好適には硫酸水溶液中に浸漬し、浸漬した電気アルミニウムめっき層42を陽極とし、これに対向配置される白金Pd電極を陰極として通電パルス電圧を印加すればよい。これにより、電気アルミニウムめっき層42の表面の一部が酸化され、アルマイト層43を形成することができる。このように、第1の実施の形態によれば、基材41をアルミニウムAlよりも熱伝導率の高い金属材料例えば、銅Cuや銅合金等の銅Cuを主成分とする材料から形成することにより、優れた伝熱性を実現できる。又、基材41の表面の少なくとも一部を電気アルミニウムめっき層42で被覆し、電気アルミニウムめっき層42の表面に銅やアルミニウムと比較して放射率が大幅に高い黒色系のアルマイト層43を形成することにより、優れた放熱性を実現できる。第1の実施の形態の変形例1第1の実施の形態の変形例1では、第1の実施の形態とは異なる放熱部品の例を示す。なお、第1の実施の形態の変形例1において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。図2は、第1の実施の形態の変形例1に係る放熱部品を装着した半導体パッケージを例示する断面図である。図2を参照するに、半導体パッケージ10Aは、放熱部品40が放熱部品40Aに置換されている点が、半導体パッケージ10図1参照と相違する。放熱部品40Aは、基材41と、電気アルミニウムめっき層42Aと、アルマイト層43Aとを有し、例えば、接着剤図示せず等により基板20上に固着されている。放熱部品40Aは、半導体素子30と接しており、所謂ヒートスプレッダとして機能する。放熱部品40Aの平面形状は、例えば矩形状であり、例えば、縦30mm×横30mm~縦50mm×横50mm程度とすることができる。放熱部品40Aの厚さは、例えば、1~3mm程度とすることができる。電気アルミニウムめっき層42A及びアルマイト層43Aは、基材41の表面全体を覆うようには形成されず、基材41の上面及び外側面のみを覆うように形成されている。その結果、半導体素子30は、電気アルミニウムめっき層42A及びアルマイト層43Aを介することなく基材41と接している。このように、電気アルミニウムめっき層及びアルマイト層は、必ずしも基材41の表面全体を完全に覆うように形成しなくてもよく、例えば、基材41の半導体素子30と接する部分等には形成しなくても構わない。このようにすると、半導体素子30の発する熱が電気アルミニウムめっき層42A及びアルマイト層43Aを介することなく直接基材41に伝わるため、伝熱性をより一層向上することができる。なお、半導体素子30と基材41とが接する部分にインジウム等の熱伝導部材を配置しても構わない。この場合、基板20に搭載された半導体素子30から発する熱は、半導体素子30上に配置された熱伝導部材を介して基材41に伝熱される。このように、半導体素子30と基材41とを直接接触させずに熱的に接続する手段として熱伝導部材を使用してもよい。このように、第1の実施の形態の変形例1によれば、半導体素子30の発する熱を電気アルミニウムめっき層42A及びアルマイト層43Aを介することなく基材41に伝えることにより、放熱部品40Aの伝熱性をより一層向上することができる。第1の実施の形態の変形例2第1の実施の形態の変形例2では、電気アルミニウムめっき層42に平坦化処理を施す例を示す。なお、第1の実施の形態の変形例2において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。第1の実施の形態では、基材41の表面に電気アルミニウムめっき法により電気アルミニウムめっき層42を形成した後、電気アルミニウムめっき層42の表面に陽極酸化法によりアルマイト層43を形成した。しかし、発明者らの検討によれば、アルマイト層43を形成する前に、電気アルミニウムめっき層42の表面に研磨やブラスト処理等により平坦化処理を施すと、更に放熱性を向上できることが確認された。図3は、電気アルミニウムめっき層表面のSEM写真の例である。図3aは平坦化処理前倍率:1000倍、図3bは平坦化処理後倍率:1000倍の電気アルミニウムめっき層42の表面を示している。図4は、電気アルミニウムめっき層及びアルマイト層断面のSEM写真の例である。図4aは平坦化処理されていない電気アルミニウムめっき層42上にアルマイト層43を形成した場合の断面倍率:1500倍、図4bは平坦化処理された電気アルミニウムめっき層42上にアルマイト層43を形成した場合の断面倍率:500倍、図4cは平坦化処理された電気アルミニウムめっき層42上にアルマイト層43を形成した場合の断面倍率:1500倍を示している。なお、図4bと図4cは倍率が異なるのみである。図3及び図4に示すように、平坦化処理された電気アルミニウムめっき層42上にアルマイト層43を形成することにより、アルマイト層43が均一に成長し、表面が平坦で均一な厚さのアルマイト層43を形成することができる。このように形成されたアルマイト層43では、微小径の孔ポーラスがより規則正しく形成されるため、微小径の孔ポーラスに黒色系の色素を浸透した際の色調が、平坦化処理されていない電気アルミニウムめっき層42上にアルマイト層43を形成した場合よりも黒くなる。その結果、放射率が更に改善されるため、放熱性が向上すると考えられる。具体的な効果放熱性の向上に関しては後述する図5及び表1参照。なお、図4aに示す平坦化処理を施していない電気アルミニウムめっき層42の算術平均粗さRaは1~2μm程度であり、平坦化処理を施していない電気アルミニウムめっき層42の表面に形成されたアルマイト層43の算術平均粗さRaは1~2μm程度であった。又、図4b及び図4cに示す平坦化処理を施した電気アルミニウムめっき層42の算術平均粗さRaは0.5μm程度であり、平坦化処理を施した電気アルミニウムめっき層42の表面に形成されたアルマイト層43の算術平均粗さRaは0.5μm程度であった。発明者らの検討によれば、アルマイト層43の最適な算術平均粗さは1μm以下であると考えられる。ここで、算術平均粗さRaの測定は、JISB0633:2001に基づき、表面粗さ測定装置SURFCOME-MD-S75A、東京精密社製を用いて行った以降で示す算術平均粗さRaの測定も同様。このように、第1の実施の形態の変形例2によれば、電気アルミニウムめっき層42の表面に研磨やブラスト処理等を用いて平坦化処理を施し、その後、平坦化処理を施した電気アルミニウムめっき層42の表面に陽極酸化法によりアルマイト層43を形成することにより、表面が平坦で均一な厚さのアルマイト層43を形成することができる。その結果、微小径の孔ポーラスに黒色系の色素を浸透した際の色調が、第1の実施の形態のように平坦化処理されていない電気アルミニウムめっき層42上にアルマイト層43を形成した場合よりも黒くなるため、更に、放熱性を向上することができる。[放熱性評価]第1の実施の形態に係る製造方法で作製した放熱部品放熱部品10Aとする、及び第1の実施の形態の変形例2に係る製造方法で作製した放熱部品放熱部品10Bとすると、比較例に係る放熱部品X、Y、及びZについての放熱性評価を行った。始めに、第1の実施の形態に係る製造方法で放熱部品10Aを作製した。具体的には、まず、銅Cuからなる基材41を準備し、基材41上に電気アルミニウムめっき法により厚さ略20μmの電気アルミニウムめっき層42を形成した。次に、電気アルミニウムめっき層42の表面全体を覆うように、陽極酸化法により厚さ略7μmのアルマイト層43を形成し、更に黒色系の色素を浸透してアルマイト層43を黒色化した。アルマイト層43の算術平均粗さRaは1.96μmであった。次に、第1の実施の形態の変形例2に係る製造方法で放熱部品10Bを作製した。具体的には、まず、銅Cuからなる基材41を準備し、基材41上に電気アルミニウムめっき法により厚さ略20μmの電気アルミニウムめっき層42を形成した。次に、電気アルミニウムめっき層42の表面に平坦化処理を施した後、電気アルミニウムめっき層42の表面全体を覆うように、陽極酸化法により厚さ略7μmのアルマイト層43を形成し、更に黒色系の色素を浸透してアルマイト層43を黒色化した。アルマイト層43の算術平均粗さRaは0.48μmであった。次に、比較例として、銅Cuからなる基材41のみのサンプル放熱部品Xとすると、銅Cuからなる基材41上に厚さ略20μmの電気アルミニウムめっき層42のみを形成したサンプル放熱部品Yとすると、銅Cuからなる基材41上に厚さ略20μmの黒色系めっき層NiとSnとの合金を用いためっき等を形成したサンプル放熱部品Zとするとを作製した。サンプル作製後、所定のブロックにヒータと温度計とサンプル放熱部品10A、放熱部品10B、放熱部品X、放熱部品Y、及び放熱部品Zを順番に搭載を取り付け、ヒータに一定電圧を3600秒60分間印加したときの温度計の温度を測定した。その結果を、図5及び表1に示す。図5及び表1において、60分経過後の温度上昇が小さいサンプルほど放熱性が優れていることを示している。図5及び表1に示すように、比較例である放熱部品X、放熱部品Y、及び放熱部品Zでは、60分経過時の温度は、それぞれ95.7°C、95.2°C、及び93.7°Cであった。又、放熱部品Xを基準とすると、放熱部品Y及び放熱部品Zの60分経過時の温度は、それぞれ-0.5°C、-2.0°Cであった。これに対して、第1の実施の形態に係る製造方法で製造した放熱部品10Aでは、60分経過時の温度は88.3°Cであった。又、放熱部品Xを基準とすると、放熱部品10Aの60分経過時の温度は、-7.4°Cであった。このように、第1の実施の形態に係る製造方法で製造した放熱部品10Aでは、比較例である放熱部品X、放熱部品Y、及び放熱部品Zに対して、放熱性が大幅に向上することが確認された。すなわち、銅Cuからなる基材41上に電気アルミニウムめっき層42を形成した後、電気アルミニウムめっき層42の表面を覆うようにアルマイト層43を形成し、更にアルマイト層43を黒色化することにより、従来例放熱部品X、放熱部品Y、及び放熱部品Zと比較して優れた放熱性を実現できることが確認された。又、第1の実施の形態の変形例2に係る製造方法で製造した放熱部品10Bでは、60分経過時の温度は86.5°Cであった。又、放熱部品Xを基準とすると、放熱部品10Bの60分経過時の温度は、-9.2°Cであった。これは、放熱部品10Aに対しても-1.8°Cであり、第1の実施の形態の変形例2に係る製造方法で製造した放熱部品10Bでは、第1の実施の形態に係る製造方法で製造した放熱部品10Aに対して、更に放熱性が向上略2向上することが確認された。すなわち、銅Cuからなる基材41上に電気アルミニウムめっき層42を形成した後、電気アルミニウムめっき層42の表面に平坦化処理を施し、平坦化処理を施した電気アルミニウムめっき層42の表面を覆うようにアルマイト層43を形成し、更にアルマイト層43を黒色化することにより、平坦化処理を施さない場合と比較して、更に放熱性を向上できることが確認された。以上、好ましい実施の形態及びその変形例について詳説したが、上述した実施の形態及びその変形例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及びその変形例に種々の変形及び置換を加えることができる。例えば、第1の実施の形態の変形例1に、更に、第1の実施の形態の変形例2と同様の変形を施しても構わない。又、放熱部品は平板状であっても構わない。"