エピタキシャル成長装置の反応容器内を、塩化水素を含むガスで気相エッチングしてクリーニングした後に、さらに前記反応容器内のサセプタの温度を400°C以上800°C以下にしてシランを含むガスを前記反応容器内に流通することを特徴とするエピタキシャル成長装置の反応容器のクリーニング方法。前記シランを含むガスを前記反応容器内に流通することによって前記反応容器内のサセプタ表面に形成されるポリシリコン膜の平均厚さを、0.5μm未満とすることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャル成長装置の反応容器のクリーニング方法。前記シランを含むガスをトリクロロシランガスとすることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のエピタキシャル成長装置の反応容器のクリーニング方法。請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の方法によってエピタキシャル成長装置の反応容器をクリーニングした後に、該クリーニングされた反応容器内のサセプタ上にウェーハを載置し、加熱装置で加熱しながら原料ガスを流通することによって、前記ウェーハ表面上にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。しかし、デバイスの微細化に伴い、サセプタ表面に形成されたポリシリコン膜によってウェーハに与える影響が問題視されるようになった。サセプタにポリシリコン膜が形成されていると、エピタキシャル成長中にウェーハとポリシリコン膜が融着し、ウェーハをサセプタ上から移動させる際に融着したポリシリコン膜がウェーハから剥がれ、これによってウェーハ裏面に深いキズが生じ、一部はスリップになることがあった。また、サセプタ素材の高純度が進み、サセプタ表面の汚染物質の影響は小さくなってきたが、気相エッチングによる反応容器内のクリーニングに用いられる塩化水素ガスからの汚染物質の影響はまだ解決していない。ここで、塩化水素ガスの流通後に、ポリシリコン膜形成処理を行う代わりに、H2パージやH2ベイクを行うことにより、サセプタに付着した汚染物質を低減する方法も検討したが、短時間で十分な効果を得ることはできなかった。そこで本発明は、上記事情に鑑み、ウェーハとサセプタ表面上に形成されたポリシリコン膜とが融着することによって、ウェーハ裏面に深いキズが生じてしまうことを防止でき、さらに気相エッチングによるクリーニングに用いられる塩化水素ガスに取り込まれた汚染物質の影響を低減することができるエピタキシャル成長装置の反応容器のクリーニング方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。すなわち本発明では、エピタキシャル成長装置の反応容器内を、塩化水素を含むガスで気相エッチングしてクリーニングした後に、さらに前記反応容器内のサセプタの温度を400°C以上800°C以下にしてシランを含むガスを前記反応容器内に流通することを特徴とするエピタキシャル成長装置の反応容器のクリーニング方法を提供する。このようにすれば、サセプタ上に載置されるウェーハや、該ウェーハ表面上に形成されるエピタキシャル層への汚染を抑制することができる。さらに、サセプタの温度を、400°C以上800°C以下という比較的低温度にして前記シランを含むガスを流通するので、サセプタ表面上に極めて薄いポリシリコン膜が形成されるか、もしくはほとんどポリシリコン膜は形成されず、エピタキシャル成長時においてウェーハとポリシリコン膜とが融着し、ウェーハをサセプタ上から移動させる際に、ポリシリコン膜がウェーハから剥がれることによって、ウェーハ裏面にキズが生じることを防止できる。またこれによって、スリップの発生も抑制することができる。また、サセプタ温度を下げるのに時間がかかり過ぎてしまうこともなく、短時間でクリーニングを行うことができる。またこのとき、前記シランを含むガスを前記反応容器内に流通することによって前記反応容器内のサセプタ表面に形成されるポリシリコン膜の平均厚さを、0.5μm未満とすることが好ましい。このようにすれば、サセプタ表面上に形成されるポリシリコン膜が厚くなることによって生じる、ウェーハ裏面におけるポリシリコンの転写による裏面デポジションの発生もより効果的に抑制することができる。またこのとき、前記シランを含むガスをトリクロロシランガスとすることができる。このように、トリクロロシランはエピタキシャル成長時に用いられる一般的な原料ガスであり、ウェーハや、該ウェーハ表面上に形成されるエピタキシャル層に汚染等の悪影響を与える可能性が極めて低く、より効率的に塩化水素ガスを反応容器外へと排出できるため好ましい。また、本発明は、エピタキシャル成長装置の反応容器をクリーニングした後に、該クリーニングされた反応容器内のサセプタ上にウェーハを載置し、加熱装置で加熱しながら原料ガスを流通することによって、前記ウェーハ表面上にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。このように、気相エッチングによるクリーニングにおいて、反応容器内に残留した塩化水素からの汚染を抑制しつつ、さらにウェーハとサセプタ表面上に形成されたポリシリコン膜との融着によるウェーハ裏面におけるキズの発生、またこれによるスリップの発生も抑制しながら、高い生産性のままで高品質なエピタキシャルウェーハを製造することができる。以上説明したように、本発明によれば、気相エッチングにより、重金属等の汚染物質を含んだまま反応容器内に残留している塩化水素を含むガスによってサセプタ上に載置されるウェーハや、該ウェーハ表面上に形成されるエピタキシャル層が汚染されることを抑制することができる。さらに、サセプタの温度を400°C以上800°C以下という比較的低温度にして前記シランを含むガスを流通するため、サセプタ表面上に極めて厚さの薄いポリシリコン膜が形成されるか、もしくはポリシリコン膜は形成されず、エピタキシャル成長時においてウェーハとポリシリコン膜とが融着し、ウェーハをサセプタ上から移動させる際に、ポリシリコン膜がウェーハから剥がれることによってウェーハ裏面にキズが生じることを防止できる。またこれによって、スリップの発生も抑制することができる。また、サセプタ温度を下げるのに時間がかかり過ぎてしまうこともなく、短時間でクリーニングを行うことができる。以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるわけではない。まず、本発明のクリーニング方法が適用される一般的な枚葉式エピタキシャル成長装置について、図1を参照しながら説明するが、本発明はこれには限定されず、縦型、バレル型等の各種のエピタキシャル成長装置を用いた場合であっても適用することができる。図1に示すエピタキシャル成長装置1の反応容器2内において、最外周部より内側に複数の貫通孔3が設けられたサセプタ4は、ウェーハ回転機構不図示に接続されており、該ウェーハ回転機構によってエピタキシャル成長中はサセプタ4を回転させて、加熱装置5によって反応容器2内を加熱しながらシリコンエピタキシャル層をシリコンウェーハW上に膜厚均一にエピタキシャル成長させる。反応容器2には、反応容器2内に原料ガス及びキャリアガス例えば、水素を含むエピタキシャル成長ガスをサセプタ4の上側の領域に流通して、サセプタ4上に載置されたシリコンウェーハWの主表面上に原料ガスとキャリアガスを供給するガス導入管6が接続されている。サセプタ4の下側の領域には、このガス導入管6を用いて水素等の雰囲気ガスを流通する。また、反応容器2のガス導入管6が接続されている側の反対側には、反応容器2内からガスを排出するガス排出管7が接続されている。以下に、本発明のエピタキシャル成長装置の反応容器のクリーニング方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法の一例について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されるわけではない。まず、本発明のクリーニング方法について説明する。図1に示したようなエピタキシャル成長装置において、サセプタの温度を1100~1200°C程度とし、ガス導入管6より反応容器2内に、塩化水素を含むガスを流通し、ガス排出管7より反応容器2外へと前記混合ガスを排出することにより、前記混合ガスを反応容器2内に1~2分程度流通させ、反応容器2内及びサセプタ4表面上のポリシリコンの堆積物を気相エッチングする。このとき、前記塩化水素を含むガスとしては、特には限定されないが、例えば塩化水素ガスと水素ガスとの混合ガスとすることができる。その後、水素ガスのみを反応容器2内へ流通させながら、サセプタ4の温度を400~800°Cまで降温する。そしてサセプタ4の温度が400~800°Cまで降温された状態で、シランを含むガスを1~2分程度流通させ、前記気相エッチングによって反応容器2内に残留した前記塩化水素を含むガスを、ガス排出管7より反応容器2外へと排出する。サセプタの温度を400°C~800°Cとすれば、比較的低温であるため、サセプタの表面に厚いポリシリコン膜が形成されることはなく、また、サセプタ温度を下げるのに時間がかかり過ぎてしまい、その後製造されるエピタキシャルウェーハの生産性を悪化させてしまうこともない。このとき、前記シランを含むガスとしては、特には限定されないが、例えばトリクロロシランガスと水素ガスの混合ガスとすることができる。トリクロロシランであれば、シリコンウェーハWや、その後シリコンウェーハW表面上に成長されるシリコンエピタキシャル層に汚染等の悪影響を及ぼす危険性が無く、H2パージやH2ベイクに比べ、より効果的に塩化水素を反応容器2外へと排出できるため好ましい。もちろん、他のシランを用いても良く、モノシラン、モノクロロシラン、ジクロロシラン、テトラクロロシラン四塩化珪素等としても良い。また、前記シランを含むガスを流通させることにより、サセプタ表面上にポリシリコン膜が形成されることがある。このとき形成されるポリシリコン膜の平均厚さは、0.5μm未満とすることが好ましい。さらには0.05μm未満とすることがより好ましい。サセプタ表面上にポリシリコン膜が形成されなければ特に問題は無いが、もし形成された場合であっても、上記のように極めて厚さの薄いポリシリコン膜であれば、該シリコン膜とシリコンウェーハWとがエピタキシャル成長時において融着し、これを剥がすときにシリコンウェーハWの裏面に深いキズが生じてしまい、これによって一部にスリップが発生してしまうといった問題が発生することを抑制することができる。さらに、前記サセプタ表面上に形成されるポリシリコン膜が厚くなることによって、ウェーハ裏面におけるポリシリコンの転写による裏面デポジションの発生も抑制することができる。次に、本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法について説明する。まず、前記のように本発明の方法によってクリーニングされた反応容器2を有するエピタキシャル成長装置1を用いて、投入温度例えば500~700°Cを調整した反応容器2内においてサセプタ4上にシリコンウェーハを載置する。ここで反応容器2内には、シリコンウェーハWが投入される前段階から、ガス導入管6を介して水素ガスが流通されている。次に、サセプタ4上のシリコンウェーハWを、加熱装置5により水素熱処理温度例えば1050~1200°Cまで加熱する。そして、シリコンウェーハWを所望の成長温度例えば1000~1180°Cまで降温させ、シリコンウェーハWの主表面上に、ガス導入管6を介して原料ガス例えばトリクロロシラン:SiHCl3及びキャリアガス例えば水素をそれぞれ略水平に供給することによって、シリコンウェーハWの主表面上にシリコンエピタキシャル層が形成され、シリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる。以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例1図1に示したようなエピタキシャル成長装置において、サセプタの温度を1190°Cとして塩化水素と水素の混合ガスを、流量を10slmとして1分間流通させてから、水素ガスのみを同様に流通させながらサセプタの温度を800°Cまで降温し、この温度のままでトリクロロシランと水素の混合ガスを、流量を10slmとして2分間流通させることによって反応容器のクリーニングを実施した。その後、該クリーニングが実施された反応容器内において、サセプタ上に直径200mm、P型で抵抗率10Ωcmのシリコン単結晶ウェーハを載置し、温度1100°Cで、ガス導入管より原料ガスとしてSiHCl3を、キャリアガスとして水素ガスを供給して、10μmのエピタキシャル成長を行い、シリコンエピタキシャルウェーハを製造した。このようにして製造されたシリコンエピタキシャルウェーハにケミカルパッシベーション処理をしてからμ-PCD法によりウェーハライフタイムを測定した。その結果、サセプタ表面上に形成されたポリシリコン膜の平均厚さは0.4μmとなり、面内平均ライフタイムは2100μsecとなった。また集光灯下でのスリップ評価では、スリップが発生していないことが確認された。このときの結果を下記表1に示す。実施例2サセプタの温度を800°Cではなく600°Cまで降温させたこと以外は実施例1と同様に反応容器のクリーニングを実施し、その後、該クリーニングが実施された反応容器内において、シリコンエピタキシャルウェーハを製造した。このようにして製造されたシリコンエピタキシャルウェーハにケミカルパッシベーション処理をしてからμ-PCD法によりウェーハライフタイムを測定した。その結果、サセプタ表面上にポリシリコン膜の形成は確認されず、面内平均ライフタイムは2080μsecとなった。また集光灯下でのスリップ評価では、スリップが発生していないことが確認された。このときの結果を下記表1に示す。実施例3サセプタの温度を800°Cではなく400°Cまで降温させたこと以外は実施例1と同様に反応容器のクリーニングを実施し、その後、該クリーニングが実施された反応容器内において、シリコンエピタキシャルウェーハを製造した。このようにして製造されたシリコンエピタキシャルウェーハにケミカルパッシベーション処理をしてからμ-PCD法によりウェーハライフタイムを測定した。その結果、サセプタ表面上にポリシリコン膜の形成は確認されず、面内平均ライフタイムは2130μsecとなった。また集光灯下でのスリップ評価では、スリップが発生していないことが確認された。このときの結果を下記表1に示す。比較例1前記サセプタの温度を1190°Cから降温させず、そのままの温度でトリクロロシランと水素の混合ガスを流通させたこと以外は実施例1と同様に反応容器のクリーニングを実施し、その後、該クリーニングが実施された反応容器内において、シリコンエピタキシャルウェーハを製造した。このようにして製造されたシリコンエピタキシャルウェーハにケミカルパッシベーション処理をしてからμ-PCD法によりウェーハライフタイムを測定した。その結果、サセプタ表面上に形成されたポリシリコン膜の平均厚さは1μmとなり、面内平均ライフタイムは2100μsecとなった。しかし、シリコンウェーハとポリシリコン膜が融着してしまっていて、シリコンウェーハをサセプタ上から移動させる際に、ウェーハ裏面にキズが生じてしまった。さらに集光灯下でのスリップ評価では、2箇所から各1本のスリップが検出されてしまった。このときの結果を下記表1に示す。比較例2サセプタの温度を800°Cではなく300°Cまで降温させたこと以外は実施例1と同様に反応容器のクリーニングを実施し、その後、該クリーニングが実施された反応容器内において、シリコンエピタキシャルウェーハを製造した。このようにして製造されたシリコンエピタキシャルウェーハにケミカルパッシベーション処理をしてからμ-PCD法によりウェーハライフタイムを測定した。その結果、サセプタ表面上にポリシリコン膜の形成は確認されず、集光灯下でのスリップ評価でもスリップが発生していないことが確認されたが、サセプタ温度を降温させるのに非常に時間がかかってしまった上に、面内平均ライフタイムは1810μsecとあまり良くない結果となってしまった。このときの結果を下記表1に示す。比較例3前記サセプタの温度を1190°Cから降温させず、トリクロロシランと水素の混合ガスも流通させなかったこと以外は実施例1と同様に反応容器のクリーニングを実施し、その後、該クリーニングが実施された反応容器内において、シリコンエピタキシャルウェーハを製造した。このようにして製造されたシリコンエピタキシャルウェーハにケミカルパッシベーション処理をしてからμ-PCD法によりウェーハライフタイムを測定した。その結果、サセプタ表面上にポリシリコン膜の形成は確認されず、集光灯下でのスリップ評価でもスリップが発生していないことが確認されたが、気相エッチングに用いられ、反応容器内に残留していた塩化水素によってウェーハが汚染されており、面内平均ライフタイムは330μsecとなってしまった。このときの結果を下記表1に示す。比較例4トリクロロシランと水素の混合ガスではなく、水素ガスを流通させたH2パージこと以外は実施例2と同様に反応容器のクリーニングを実施し、その後、該クリーニングが実施された反応容器内において、シリコンエピタキシャルウェーハを製造した。このようにして製造されたシリコンエピタキシャルウェーハにケミカルパッシベーション処理をしてからμ-PCD法によりウェーハライフタイムを測定した。その結果、サセプタ表面上にポリシリコン膜の形成は確認されず、集光灯下でのスリップ評価では、スリップが発生していないことが確認された。しかし、気相エッチングに用いられ、反応容器内に残留していた塩化水素を完全に取り除くことはできず、わずかに残留した塩化水素によってシリコンウェーハが汚染され、面内平均ライフタイムは1520μsecとなった。このときの結果を下記表1に示す。比較例5サセプタの温度を600°Cまで降温させた後、再度サセプタの温度を1190°Cまで上昇させ、水素ガスを流量10slmで1分間流通させたH2ベイクこと以外は実施例2と同様に反応容器のクリーニングを実施し、その後、該クリーニングが実施された反応容器内において、シリコンエピタキシャルウェーハを製造した。このようにして製造されたシリコンエピタキシャルウェーハにケミカルパッシベーション処理をしてからμ-PCD法によりウェーハライフタイムを測定した。その結果、サセプタ表面上にポリシリコン膜の形成は確認されず、集光灯下でのスリップ評価では、スリップが発生していないことが確認された。しかし、気相エッチングに用いられ、反応容器内に残留していた塩化水素を完全に取り除くことはできず、わずかに残留した塩化水素によってシリコンウェーハが汚染され、面内平均ライフタイムは1350μsecとなった。このときの結果を下記表1に示す。実施例及び比較例より、塩化水素と水素との混合ガスを用いて気相エッチングを行った後に、400~800°Cの比較的低温度で、トリクロロシランと水素の混合ガスを流通することにより、短時間でウェーハ裏面におけるキズの発生を抑制し、これによってスリップが生じることも抑制できることがわかる。また、トリクロロシランと水素の混合ガスを反応容器内に流通することにより、何も流通しない場合や水素ガスのみを流通する場合に比べ、より効果的に反応容器内に残留した塩化水素を取り除くことができることがわかる。なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。