二次電池に任意の周波数の交流電圧を印加する交流電圧印加手段と、前記交流電圧を印加した際における、交流電圧、および前記交流電圧に対する応答電流を検出する検出手段と、前記検出手段により検出された前記交流電圧および前記応答電流に基づいて、前記二次電池の交流抵抗値を算出する交流抵抗算出手段と、前記検出手段により検出された前記交流電圧および前記応答電流に基づいて、前記交流電圧に対する前記応答電流の位相差を算出し、算出した位相差に基づいて、前記交流抵抗値の虚数値を算出する虚数値算出手段と、前記交流抵抗値と、予め取得した前記交流抵抗値の経時変化と前記二次電池の可逆容量の経時変化との関係を示す情報とに基づいて、前記二次電池の交流抵抗に基づく可逆容量値を算出する第1算出手段と、前記虚数値と、予め取得した前記虚数値の経時変化と前記二次電池の可逆容量の経時変化との関係を示す情報とに基づいて、前記二次電池の虚数値に基づく可逆容量値を算出する第2算出手段と、前記第1算出手段で算出された交流抵抗に基づく可逆容量値と、前記第2算出手段で算出された虚数値に基づく可逆容量値とに基づいて、前記二次電池の現在の可逆容量値を算出する第3算出手段と、を備えることを特徴とする電池制御装置。請求項1に記載の電池制御装置において、前記第3算出手段は、前記交流抵抗に基づく可逆容量値から、前記二次電池の現在の可逆容量値が存在する範囲を推定し、前記虚数値に基づく可逆容量値のうち、前記範囲内となる可逆容量値を、前記二次電池の現在の可逆容量値として算出することを特徴とする電池制御装置。請求項1または2に記載の電池制御装置において、前記交流電圧印加手段により印加する交流電圧の周波数を、経時変化前の二次電池に定電圧を印加した際における応答電流の挙動から決定される周波数に設定することを特徴とする電池制御装置。請求項3に記載の電池制御装置において、前記交流電圧印加手段により印加する交流電圧の周波数を、経時変化前の二次電池に定電圧を印加した際における応答電流の挙動から求められる、前記二次電池の非拡散領域からの応答電流が得られるような周波数に設定することを特徴とする電池制御装置。請求項1または2に記載の電池制御装置において、前記交流電圧印加手段により印加する交流電圧の周波数を、経時変化前の二次電池に周波数を変化させながら交流電圧を印加した際における前記二次電池の挙動から決定される周波数に設定することを特徴とする電池制御装置。請求項5に記載の電池制御装置において、前記交流電圧印加手段により印加する交流電圧の周波数を、経時変化前の二次電池に周波数を変化させながら交流電圧を印加することにより求められる、前記二次電池の非拡散領域からの応答電流が得られるような周波数に設定することを特徴とする電池制御装置。請求項1または2に記載の電池制御装置において、前記交流電圧印加手段により印加する交流電圧の周波数を、経時変化後の前記二次電池に交流電圧を印加した際における前記二次電池の挙動から決定される周波数に設定することを特徴とする電池制御装置。請求項1~7に記載の電池制御装置において、前記交流電圧印加手段は、インバータ回路により変換された交流電圧を、前記二次電池に印加することを特徴とする電池制御装置。請求項1~8に記載の電池制御装置において、前記第3算出手段により算出された前記二次電池の現在の可逆容量値に応じて、前記二次電池の充放電電流を制御する充放電電流制御手段をさらに備えることを特徴とする電池制御装置。上記従来技術は、所定周波数の交流電圧を印加した際における応答電流を積分し、得られた積分値に基づいて、二次電池の放電可能容量を算出するものである。一方で、交流電圧を印加した際に得られる応答電流は、一般的に、二次電池の抵抗成分の影響を受けるものであるため、二次電池内部で抵抗劣化が進行することに起因して二次電池の抵抗が高くなると、応答電流は、抵抗成分の影響により、その値が小さくなってしまうという性質がある。そのため、上記従来技術のように、応答電流の積分値を算出し、算出した積分値に基づいて、放電可能容量を算出する技術においては、抵抗劣化が進行し、応答電流の値が小さくなると、得られる積分値の算出精度が低下してしまい、結果として、放電可能容量の算出精度が低下してしまうという問題があった。本発明が解決しようとする課題は、二次電池の現在の可逆容量値を適切に検出可能な電池制御装置を提供することにある。本発明は、二次電池に交流電圧を印加した際における、交流抵抗値および交流抵抗値の虚数値を算出し、交流抵抗値および交流抵抗値の虚数値に基づいて、交流抵抗値に基づく可逆容量値および虚数値に基づく可逆容量値を算出し、算出された交流抵抗値に基づく可逆容量値および虚数値に基づく可逆容量値に基づいて、二次電池の現在の可逆容量値を算出することにより、上記課題を解決する。本発明によれば、二次電池の抵抗が高くなることに起因する二次電池内部の抵抗劣化の影響を受けずに、二次電池の可逆容量値を適切に算出することができる。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図1は、本実施形態に係る電池制御システムを示す構成図である。図1に示すように、本実施形態に係る電池制御システムは、二次電池40を制御するためのシステムであり、バッテリコントローラ10と、充放電装置20と、交流電源30とを備えている。二次電池40としては、特に限定されず、リチウムイオン二次電池、ニッケルカドミウム電池、ニッケル水素電池、鉛蓄電池などの各種二次電池が挙げられる。なお、本実施形態では、二次電池40が、リチウムイオン二次電池である場合を例示して説明を行なうが、リチウムイオン二次電池に特に限定されるものではない。充放電装置20は、二次電池40の充放電を行なうための装置であり、バッテリコントローラ10からの指令に基づき、二次電池40の充電および放電を行なう。交流電源30は、二次電池40に交流電圧を印加するための装置であり、バッテリコントローラ10からの指令に基づいて、二次電池40に、所定の周波数fCの交流電圧を印加する。また、交流電源30は、二次電池40に印加した交流電圧および交流電圧に対する応答電流を検出し、検出した交流電圧および応答電流を、バッテリコントローラ10に送信する。図2に、交流電源30により印加される交流電流、および該交流電流に対する応答電流の一例を示す。バッテリコントローラ10は、充放電装置20および交流電源30を制御して、二次電池40を制御するための装置である。また、本実施形態においては、バッテリコントローラ10は、交流電源30により二次電池40に印加された交流電圧、および該交流電流に対する応答電流に基づいて、二次電池40の現在の可逆容量値QREVの算出を行なう。以下、バッテリコントローラ10により、二次電池40の現在の可逆容量値QREVを算出する方法について詳細に説明する。まず、バッテリコントローラ10は、交流電源30により二次電池40に印加された交流電圧、および該交流電流に対する応答電流に基づいて、下記式1にしたがい、二次電池40の交流抵抗|Z|を算出する。|Z|=V0/I01なお、上記式1中、V0は、図2に示すように、二次電池40に印加された交流電圧の振幅であり、また、I0は、該交流電流に対する応答電流の振幅である。次いで、バッテリコントローラ10は、交流電源30により二次電池40に印加された交流電圧、さらには、上記式1にしたがって算出された交流抵抗|Z|に基づいて、下記式2~4にしたがい、交流電圧と応答電流の位相差θ、交流抵抗|Z|のコンダクタンスZ、交流抵抗|Z|のリアクタンス-Zを算出する。θ=2πfct2Z=|Z|cosθ3-Z=|Z|sinθ4なお、上記式2中、fcは二次電池40に印加された交流電圧の周波数であり、tは交流電圧のピーク図2中、V0から、応答電流のピーク図2中、I0が得られるまでの時間である。ここで、図3に示す等価回路に周波数の異なる交流電圧を印加した場合における、交流抵抗|Z|、リアクタンス-Zの変化を示すシミュレーション結果を、図4、図5に示す。なお、図3に示す等価回路は、二次電池40を示す等価回路モデルであり、図3中において、R1は正負極間における電解液に由来する抵抗たとえば、Liイオンが正負極間を移動する際の抵抗であり、R2は反応抵抗主に、正負極の反応抵抗であり、C1は電気二重層容量主に、正極活物質表面および負極活物質表面の電気二重層容量であり、Zwは正負極内における電解液に由来する抵抗たとえば、Liイオンが電極内を移動する際の抵抗である。また、図4、図5においては、図3に示す等価回路において、電気二重層容量C1を変化させた場合における、交流抵抗|Z|、リアクタンス-Zの変化を示すシミュレーション結果を示している。図4は、電気二重層容量C1を変化させた場合における、交流抵抗|Z|のシミュレーション結果を示しており、図4に示すように、交流電圧の周波数を1Hzとした場合には、電気二重層容量C1が低下していくと、電気二重層容量C1=1.0×10-1Fで交流抵抗|Z|が上がり始め、電気二重層容量C1=1.0×10-4Fまで交流抵抗|Z|が上昇し、電気二重層容量C1=1.0×10-4F以下では、交流抵抗|Z|が変化しないという傾向を示すこととなる。なお、このような傾向は、交流電圧の周波数を10kHz、100kHz、1000kHz、10000kHzとした場合でも同様となる。ただし、交流電圧の周波数の増大に伴い、交流抵抗|Z|が上昇を開始する点が、より低容量側となる傾向となる。また、図5は、電気二重層容量C1を変化させた場合における、リアクタンス-Zのシミュレーション結果を示しており、図5に示すように、交流電圧の周波数を1Hzとした場合には、電気二重層容量C1が低下していくと、電気二重層容量C1=1.0×100Fからリアクタンス-Zが上がり始め、電気二重層容量C1=1.0×10-2Fでリアクタンス-Zが最大値となり、その後、電気二重層容量C1=1.0×10-6Fで、リアクタンス-Zが基の値となる。なお、このような傾向は、交流電圧の周波数を10kHz、100kHz、1000kHz、10000kHzとした場合でも同様となる。ただし、交流電圧の周波数の増大に伴い、リアクタンス-Zの最大値が、より低容量側となる傾向となる。ここで、電気二重層容量C1は、二次電池40の可逆容量値QREVと等しく、主として、二次電池40を構成する正極活物質表面および負極活物質表面の電気二重層容量であり、正極活物質および負極活物質の表面付近に、電解液が十分に存在し、これにより正極活物質および負極活物質の表面付近に、Liイオンが十分存在している場合には、電気二重層容量C1は、比較的高くなる傾向となる。すなわち、この場合には、二次電池40の現在の可逆容量値QREVも比較的高くなる傾向となる。その一方で、正極活物質および負極活物質の表面付近において、電解液が枯渇しており、これにより正極活物質および負極活物質の表面付近に存在するLiイオンの量が十分でない場合には、電気二重層容量C1は、比較的低くなる傾向となる。すなわち、この場合には、二次電池40の現在の可逆容量値QREVも比較的低くなる傾向となる。そのため、本実施形態では、バッテリコントローラ10に、このような交流抵抗|Z|およびリアクタンス-Zと、可逆容量値QREV電気二重層容量C1との関係を予め記憶させておき、交流抵抗|Z|およびリアクタンス-Zと、可逆容量値QREV電気二重層容量C1との関係に基づいて、二次電池40の現在の可逆容量値QREVを算出するものである。以下、バッテリコントローラ10により、交流抵抗|Z|およびリアクタンス-Zと、電気二重層容量C1との関係を用いて、二次電池40の可逆容量値QREVを算出する具体的な方法について、図6に示すフローチャートにしたがって、説明する。まず、ステップS1では、バッテリコントローラ10により、交流電源30に、二次電池40に交流電圧を印加させるための信号を送出する処理が行なわれる。そして、交流電源30は、バッテリコントローラ10からの信号に基づいて、二次電池40に所定の周波数fCの交流電圧を印加する。次いで、ステップS2では、交流電源30により、二次電池40に印加した交流電圧および交流電圧に対する応答電流を検出する処理が行われ、検出された交流電圧および応答電流は、バッテリコントローラ10に送信される。ステップS3では、バッテリコントローラ10により、ステップS2で検出された交流電圧および応答電流に基づき、上記式1にしたがって、二次電池40の交流抵抗|Z|の算出が行なわれる。次いで、ステップS4では、バッテリコントローラ10により、可逆容量の推定範囲PC_REVの算出が行なわれる。具体的には、まず、バッテリコントローラ10は、ステップS3で算出した二次電池40の交流抵抗|Z|、二次電池40に印加した交流電圧の周波数fc、および、図4に示すバッテリコントローラ10に予め記憶された交流抵抗|Z|と可逆容量値QREV電気二重層容量C1との関係に基づいて、交流抵抗|Z|に基づく可逆容量値QREV_impを算出する。そして、バッテリコントローラ10は、算出した交流抵抗|Z|に基づく可逆容量値QREV_impに基づいて、可逆容量値QREV_impを含む所定の範囲を、可逆容量の推定範囲PC_REVとして算出する。ここで、図7Aに、二次電池40について繰り返し充放電を行なった際における、可逆容量値QREVの変化と、交流抵抗|Z|との関係を示す。図7Aに示すように、二次電池40について繰り返し充放電を行なった場合に、二次電池40の劣化に伴って、可逆容量値QREVが減少していくと、それに伴い交流抵抗|Z|も変化することとなる。なお、図7A中において、横軸は、たとえば、サイクル数とすることができる。そして、図7Aに示すように、たとえば、上述したステップS3において算出された交流抵抗|Z|の値がXであった場合には、バッテリコントローラ10により、交流抵抗|Z|=Xに相当する可逆容量値として、QREV_imp_Xが算出される。そして、バッテリコントローラ10は、図7Aに示すように、算出された可逆容量値QREV_imp_Xに基づいて、可逆容量の推定範囲PC_REVを設定する。具体的には、可逆容量値QREV_imp_Xを含む所定の値の範囲を、可逆容量の推定範囲PC_REVに設定する。次いで、ステップS5では、バッテリコントローラ10により、ステップS2で検出された交流電圧および応答電流に基づき、上記式2~4にしたがって、二次電池40のリアクタンス-Zの算出が行なわれる。そして、ステップS6では、バッテリコントローラ10により、ステップS5で算出されたリアクタンス-Z、およびステップS4で算出された可逆容量の推定範囲PC_REVに基づいて、二次電池40の現在の可逆容量値QREVを算出する処理が行なわれる。ここで、図7Bに、二次電池40について繰り返し充放電を行なった際における、可逆容量値QREVの変化と、リアクタンス-Zとの関係を示す。なお、この図7Bは、上述した図7Aに対応するグラフであり、図7Aと同様に、二次電池40について繰り返し充放電を行なった場合に、二次電池40の劣化に伴って、可逆容量値QREVが減少していくと、それに伴いリアクタンス-Zも変化することとなる。なお、図7B中において、横軸は、上述した図7Aと同様に、たとえば、サイクル数とすることができる。そして、図7Bに示すように、たとえば、上述したステップS5において算出されたリアクタンス-Zの値がYであった場合には、バッテリコントローラ10により、交流抵抗|Z|=Yに相当する可逆容量値として、QREV_imp_Y1およびQREV_imp_Y2の2つの値が算出される。これに対し、バッテリコントローラ10は、ステップS4で算出された可逆容量の推定範囲PC_REVを参照し、QREV_imp_Y1およびQREV_imp_Y2の2つの値のうち、いずれが可逆容量の推定範囲PC_REV内の値であるかの判断を行ない、可逆容量の推定範囲PC_REV内の値、すなわち、QREV_imp_Y2を選択し、これを二次電池40の現在の可逆容量値QREVとして算出する。そして、ステップS7に進み、バッテリコントローラ10は、ステップS6で算出された可逆容量値QREVに基づいて、二次電池40を充放電する際における最大充放電電流を設定する処理を行なう。具体的には、バッテリコントローラ10は、可逆容量値QREVが低いほど、二次電池40の経時劣化が進んでいると判断できるため、最大充放電電流の値を小さく設定する。以上のようにして、二次電池40の現在の可逆容量値QREVの算出が行なわれる。本実施形態では、上述したように、二次電池40の現在の可逆容量値QREVを算出する際には、まず、図7Aに示すように、交流抵抗|Z|図7Aに示す例では、交流抵抗|Z|=Xを算出し、交流抵抗|Z|に相当する可逆容量値QREV_imp_Xから、可逆容量の推定範囲PC_REVを設定する。ここで、交流抵抗|Z|は、公知のようにコンダクタンスZとリアクタンス-Zの合成ベクトルの絶対値であり、交流抵抗|Z|は、二次電池40の現在の可逆容量値QREVとの相関はあるものの、交流抵抗|Z|から算出される可逆容量値QREV_imp_Xは、二次電池40の現在の可逆容量値QREVと厳密には一致しない場合がある。すなわち、交流抵抗|Z|から、二次電池40の現在の可逆容量値QREVを精度良く算出することはできない。そのため、本実施形態では、交流抵抗|Z|に相当する可逆容量値QREV_imp_Xから、ある程度幅を持った範囲として、可逆容量の推定範囲PC_REVを設定するに留めておく。一方、上述したように、リアクタンス-Zも、交流抵抗|Z|と同様に、二次電池40の現在の可逆容量値QREVとの間に相関を有するものであり、そのため、リアクタンス-Zから算出される可逆容量値QREV_REAは、二次電池40の現在の可逆容量値QREVと高い精度で一致するという性質を有する。しかしその一方で、図7Bに示すように、リアクタンス-Zから算出される可逆容量値としては、その性質上、通常、QREV_imp_Y1およびQREV_imp_Y2の2つの値が算出されてしまう。そのため、本実施形態では、まず、交流抵抗|Z|に相当する可逆容量値QREV_imp_Xから、ある程度幅を持った範囲として、可逆容量の推定範囲PC_REVを設定し、リアクタンス-Zから算出される可逆容量値である、QREV_imp_Y1およびQREV_imp_Y2の2つの値のうち、可逆容量の推定範囲PC_REVの範囲内となる値を選択し、これにより、二次電池40の現在の可逆容量値QREVを算出するものである。そして、本実施形態によれば、このような方法により、二次電池40の現在の可逆容量値QREVを高い精度で算出することが可能となる。次いで、交流電源30により二次電池40に印加する交流電圧の周波数fcの設定方法について、説明する。特に、本実施形態においては、二次電池40の可逆容量値QREVの経時変化を検出し、これにより、二次電池40の劣化状態を適切に把握するためには、二次電池40に印加する交流電圧の周波数fcとして、二次電池40の現在の可逆容量値QREV、すなわち、電気二重層容量C1を適切に検出可能な周波数を選択し、選択した周波数fcを用いて、上述した測定を行なうことが望ましい。特に、二次電池40の現在の可逆容量値QREV、すなわち、電気二重層容量C1を適切に検出するためには、電気二重層容量の充電が終了してしまい、反応物の拡散に律速されるような拡散領域に対応する周波数の交流電圧を印加することは望ましくない。そのため、以下においては、二次電池40に印加する交流電圧の周波数fcの設定方法について、説明する。図8は、本実施形態における交流電圧の周波数fcの設定方法を説明するための図であり、この図8は、使用前などの経時劣化してない二次電池40について、定電圧を印加した場合の電流値の時間変化を示している。この図8に示すように、使用前などの経時劣化してない二次電池40について、定電圧を印加すると、まず、時間t0において、定電圧の印加を開始すると、時間t1までは、所定の傾きL1で電流が減衰していく第1の段階。次いで、時間t1から時間t2までは、第1の段階の傾きL1よりも緩い傾きL2で電流が減衰していき第2の段階、次いで、時間t2から時間t3までは、第2の段階の傾きL2よりもさらに緩い傾きL3で電流が減衰していくこととなる第3の段階。ここで、第1の段階は、電気二重層による反応が起こる電気二重層領域、第2の段階は、正極および負極による反応が起こる電極反応領域、また、第3の段階は、拡散による反応が起こる拡散領域として定義することができる。すなわち、第1の段階および第2の段階は、非拡散領域として、第3の段階は、拡散領域として定義することができる。これに対して、本実施形態では、交流電圧の周波数fcを、tα≦t2、tβ≦t1、とした場合に、fc=1/tαとし、好ましくはfc=1/tβとする。すなわち、本実施形態では、図8に示すように使用前などの経時劣化してない二次電池40について、定電圧を印加した場合において、非拡散領域である、時間t0~t2、特に時間t0~t1において起こっている反応を適切に検知するために、交流電圧の周波数fcを上記範囲に設定する。本実施形態によれば、交流電圧の周波数fcを上記範囲に設定することにより、二次電池40の電気二重層容量C1を適切に検出することができ、結果として、二次電池40の現在の可逆容量値QREVを高い精度で算出することが可能となる。あるいは、交流電圧の周波数fcを設定する方法としては、上記方法に代えて、以下に説明する方法を採用してもよい。ここで、図9は、本実施形態における交流電圧の周波数fcの別の設定方法を説明するための図であり、この図9は、使用前などの経時劣化してない二次電池40について、周波数を変化させながら交流電圧を印加し、コンダクタンスZおよびリアクタンス-Zをプロットしたグラフを示している。この図9に示すように、使用前などの経時劣化してない二次電池40について、周波数を変化させながら、周波数を変化させながら交流電圧を印加した場合に、コンダクタンスZおよびリアクタンス-Zをプロットすると、Nyquistplotを描くこととなる。このようなNyquistplotにおいては、図9に示す周波数fαよりも低周波側は、拡散領域に基づくものと判断することができ、一方、周波数fαよりも高周波側は、非拡散領域に基づくものと判断することができる。そのため、本実施形態では、交流電圧の周波数fcを、図9に示す周波数fα以上の周波数に設定する。そして、これにより、本実施形態によれば、二次電池40の電気二重層容量C1を適切に検出することができ、結果として、二次電池40の現在の可逆容量値QREVを高い精度で算出することが可能となる。あるいは、交流電圧の周波数fcを設定する方法としては、上記した各方法に代えて、実際に経時劣化させた二次電池40を準備し、実際に経時劣化させた二次電池40について、周波数を変化させながら、交流電圧を印加し、経時劣化させた二次電池40について、図9と同様に、コンダクタンスZおよびリアクタンス-Zをプロットし、得られたプロットに基づいて、交流電圧の周波数fcを設定する方法を採用してもよい。このような方法によれば、実際に経時劣化させた二次電池40を用いて、交流電圧の周波数fcを設定するため、二次電池40の電気二重層容量C1を適切に検出することができ、結果として、二次電池40の現在の可逆容量値QREVを高い精度で算出することが可能となる。本実施形態においては、二次電池40に交流電圧を印加し、交流電圧を印加した際における、交流抵抗|Z|およびリアクタンス-Zを算出し、交流抵抗|Z|に相当する可逆容量値QREV_impから、ある程度幅を持った範囲として、可逆容量の推定範囲PC_REVを設定し、リアクタンス-Zから算出される2つの可逆容量値のうち、可逆容量の推定範囲PC_REVの範囲内となる値を選択し、これにより、二次電池40の現在の可逆容量値QREVを算出するものである。そのため、本実施形態によれば、二次電池40の抵抗が高くなることに起因する二次電池40内部の抵抗劣化の影響を受けずに、電気二重層容量C1に基づく、二次電池40の現在の可逆容量値QREVを適切に算出することができる。特に、本実施形態によれば、電気二重層容量C1に基づく、二次電池40の現在の可逆容量値QREVを適切に算出することができることにより、純粋かつ安定的に利用可能な充放電容量を適切に把握することができる。加えて、本実施形態によれば、二次電池40の現在の可逆容量値QREVに応じて、二次電池40の最大充放電電流を設定するため、二次電池40の最大充放電電流を、二次電池40の劣化度に応じた適切なものに設定することが可能となる。ここで、二次電池においては、劣化の態様として、主として、抵抗劣化抵抗成分の増大による劣化および容量劣化可逆容量値が低下することによる劣化が挙げられるが、これらのうち、容量劣化が発生した場合には、位相成分が変化するという特性がある。そのため、上述した特許文献1特開2008-107168号公報に記載の技術などの従来技術のように、特定の位相範囲における応答電流のみを積分し、得られた積分値に基づいて、二次電池の放電可能容量を算出する技術においては、抵抗劣化と容量劣化とを区別することができないという問題がある。これに対し、本実施形態によれば、上記構成を採用することにより、このような問題を有効に解決できるものである。なお、上述の実施形態において、交流電圧印加装置30は本発明の交流電圧印加手段に、バッテリコントローラ10は本発明の検出手段、交流抵抗算出手段、虚数値算出手段、第1算出手段、第2算出手段、第3算出手段および充放電電流制御手段に、それぞれ相当する。以上、本発明の実施形態について説明したが、これらの実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。たとえば、上述した実施形態では、交流電圧印加装置30により、二次電池20に交流電圧を印加するような構成を例示したが、たとえば、本実施形態に係る電池制御システムが車両に用いられる場合には、交流電圧印加装置30を使用する代わりに、二次電池40をインバータ回路に接続し、インバータ回路を介して、交流電圧を印加するような構成を採用してもよい。このような構成とすることにより、交流電圧印加装置30を省略することができる。また、上述した実施形態では、一つの二次電池40のみからなる電池制御システムを例示して説明したが、本発明の電池制御装置は、複数の二次電池40からなる電池モジュールについてももちろん適用可能である。