能動マトリクスディスプレイであって、前記能動マトリクスが、第1の方向に敷設された導線Ljの第1の組LDと、前記第1の方向に直交する第2の方向に敷設された導線liの第2の組LSとの交差領域により画定される有効領域ZA、および前記有効表示領域ZA外の前記能動マトリクス基板に形成された、前記第1および第2の導線の組のうち少なくとも1組の導線LD、LSにおける断線故障の修復要素を含んでいて、各修復要素Ekが、前記有効領域の両側で互いに反対側に配置された2本のオープンレッグを有するハーフリングで形成された導線であり、前記少なくとも1組の導線において、-前記導線の組は、導線のグループに分割されていて、-前記組の各導線グループには1個の修復要素だけが割り当てられていることにより、前記導線グループ内の1導線の前記修復が可能になり、前記修復要素の2本のオープンレッグの各々が、少なくとも前記有効領域のいずれかの側で前記修復要素が割り当てられた前記導線グループの導線と交差し、-各修復要素が導体の幅を有し、前記幅は、-前記修復要素が割り当てられた前記導線グループの導線と交差する前記交差領域に対応する修復領域ZRの長さにわたり実質的に一定であり、レーザーによる修復を可能にするように前記修復領域における前記幅が画定されていて、-前記修復領域外では可変であり、導線の容量結合およびアクセス抵抗を最適化するように、前記マトリクスの導線との交差領域外における幅が前記交差領域における幅よりも広いことを特徴とする能動マトリクスディスプレイ。前記交差領域外の修復要素の幅が、前記修復領域内の幅に等しいかまたはより大きい、請求項1に記載のディスプレイ。前記有効領域と前記マトリクスの一辺の間で前記マトリクスの周辺領域に配置された前記能動マトリクス基板にドライバ群が集積された種類である、請求項1に記載のディスプレイにおいて、前記能動マトリクス配列の前記第1および第2の導線の組のうち、ある導線Ljの組の前記修復要素Ekが、前記能動マトリクス基板上で、前記ドライバと前記マトリクスの一辺との間で、もう一方の組の導線Liを制御する集積ドライバDLiより遠方に配置されているディスプレイ。各修復要素の前記ハーフリングの前記オープンレッグが、対応する修復領域ZRのすぐ後ろで終端する、請求項1~3のいずれか1項に記載のディスプレイ。前記修復要素の前記ハーフリングは、前記セグメントの半数が前記オープンレッグを前記有効領域の一方の側に取り付けられ、半数をもう一方の側に取付けられるように分けられている、請求項1~4のいずれか1項に記載のディスプレイ。前記修復要素の前記ハーフリングの全ての取付セグメントが前記有効領域の同じ側にある、請求項1~4のいずれか1項に記載のディスプレイ。前記修復要素Ekが、前記能動マトリクス基板の表面に堆積された第1の導体レベルM1に形成されていて、前記マトリクスの導線が、少なくとも1個の絶縁層I1により前記第1の導体レベルM1から分離されていてそれよりも上の第2の導体レベルM2にあるこれらの導体要素と交差する、請求項1~6のいずれか1項に記載のディスプレイ。従ってこれらの大型ディスプレイまたは高解像度ディスプレイの場合、より安価な他の修復構造を見つける方がよいであろう。所与の工場および製品について数が推定できる全ての起こり得る断線故障の修復を、ディスプレイの特性を劣化させることなく、換言すれば浮遊抵抗および容量の観点からの修復構造の影響を減らすことにより、且つ特定の外部相互接続回路に頼ることなく可能にすることが必要である。本発明は、この問題の解決策を提供するものであり、各々が有効表示領域の周辺に形成されたハーフリングを含む導電修復要素を用いる能動マトリクス配列の断線用の修復構造において、各要素/ハーフリングが、当該ハーフリングの2本のオープンレッグと交差する配列の導線の1個のグループだけの修復に割り当てられている。次いで断線は、当該導線の修復要素のハーフリングの2本のオープンレッグとの2個の交差箇所の各々で接続を実現することにより修復される。ループ閉鎖は少なくとも、ハーフリングの2本のオープンレッグを接続するセグメントにより実現される。本発明は従って、能動マトリクスディスプレイに関し、当該能動マトリクスは、第1の方向に敷設された導線の第1の組と、第1の方向に直交する第2の方向に敷設された導線の第2の組との交差領域により画定される有効領域、および前記有効表示領域外の能動マトリクス基板に形成された、前記第1および第2の導線の組のうち少なくとも1組の導線における断線故障の修復要素を含んでいて、各修復要素が、有効領域の両側で互いに反対側に配置された2本のオープンレッグを有するハーフリングで形成された導線であり、前記少なくとも1組の導線において、-前記導線の組は、導線のグループに分割されていて、-前記組の各導線グループには1個の修復要素だけが割り当てられていることにより、当該導線グループ内の1導線の修復が可能になり、当該修復要素の2本のオープンレッグの各々が、少なくとも当該有効領域のいずれかの側で当該修復要素が割り当てられた前記導線グループの導線と交差し、-各修復要素が導体の幅を有し、当該幅は、-当該修復要素が割り当てられた導線グループの導線と交差する交差領域に対応する修復領域の長さにわたり実質的に一定であり、レーザーによる修復を可能にするように当該修復領域における前記幅が画定されていて、-この修復領域外では可変であり、導線の容量結合およびアクセス抵抗を最適化するように、マトリクスの導線との交差領域外における幅が前記交差領域における幅よりも広いことを特徴とする。本発明の一態様によれば、能動マトリクス基板上でドライバ群が集積された種類のディスプレイの場合、能動マトリクス配列の前記第1および第2の導線の組のうち、一組の導線の修復要素が、能動マトリクス基板上で、もう一方の組の導線を制御する集積ドライバより遠方に配置されている。好適には、各修復要素のハーフリングのオープンレッグは対応する修復領域のすぐ後ろ、すなわちドライバとマトリクスの一辺との間で終端している。本発明の他の利点および特徴は以下の説明および添付図面に示す。図3に、本発明による、能動マトリクス配列の基板上に完全に集積された修復構造を示し、本例では、図の上下方向に敷設された導線lj、換言すれば通常は当該マトリクスのデータ線の修復に用いる。本発明によれば、N本の導線Ljを含んでいるディスプレイにおいて、これらの導線はN/k本連続した導線のグループとしてグループ化されていて、各グループに修復要素Ekが割り当てられている。修復構造は従って、k個の修復要素Ek、すなわちN/k本の導線のグループ毎に1個を含んでいる。修復要素は、有効領域の両側において互いに反対側に配置されていて当該修復要素が割り当てられた導線グループの少なくともN/k本の導線と交差する2本のオープンレッグを有するハーフリングを含んでいる。一例においてNは3072384列×8グループに等しく、従ってグループ毎に1個の修復要素、すなわち図でE1~E8と表記された合計8個の要素で形成されている。導線Ljを左から右に1~3072と付番した場合、E1は例えば導線1~384のうちの断線の修復に割り当てられ、E2は導線385~768のうちの断線の修復に、E3は導線769~1152のうちの断線の修復に、以下同様にE8は導線2689~3072のうちの断線の修復に割り当てられる。図3に示す実施形態において、各修復要素はハーフリングである。当該修復要素に割り当てられたグループのN/k本の導線が交差する各オープンレッグ上の領域は、これらの導線のレーザー修復領域である。これらの修復領域ZRを、図面の破線パターンの矩形フレームで示す。図面の修復領域のこの表現により、各修復要素を1個の導線グループだけに割当てることができ、オープンレッグ毎に1個、且つ有効領域ZAの両側で互いに反対側にある各修復要素の2個の修復領域の位置を明確に示すことができる。図の導線Lf等の断線は従って、当該導線に割り当てられた修復要素、本例ではE7の各オープンレッグのレーザー修復領域にレーザーを使用して、この導線Lfと各オープンレッグの間に2個の接続c1およびc2を設けることにより修復できる。修復要素がハーフリングである本例示的実施形態において、ハーフリングの2本のオープンレッグを結合するセグメントの反対側の有効領域側に修復導体が存在しないため、修復要素とアドレス線の間の交差により誘導される容量結合が最小化されることに注意されたい。実際、このため有効領域の当該側ではアドレス線の交差が生じていない。修復要素は、有効領域外に、オープンレッグが導線Ljと交差するように配置されている。特にディスプレイに固有のアドレス指定特徴を考慮することにより、この場合も修復要素と導線の交差に起因する容量結合を極力最小化する観点から、各種の実施形態が可能である。図3~6に、ディスプレイにおけるアドレス指定の各種の可能性を利用する、可能な実施形態を示す。これらの図全体を通じて、本発明による各修復要素の修復領域ZRを上と同様に示す共に、有効表示領域ZAを縞模様で示す。図3の実施形態は特に、マトリクスの導線群Ljに直交していて画像ドットの行の選択線に対応する導線群liのあるものが左、例えば回路DXLにより偶数導線から、その他のものは右、例えば回路DXRにより奇数導線からアドレス指定されるディスプレイに適している。本実施形態において、修復要素半分であるE1~E4には有効領域ZAの左側のハーフリングの2本のオープンレッグが取り付けられたセグメントが配置され、他の半分E5~E8には有効領域の右側のハーフリングの2本のオープンレッグが取り付けられたセグメントが配置されている。左側では、修復要素E1~E4は本例におけるl2、l2084等の偶数導線としか交差できず、修復要素E5~E8はl1、l2083等の奇数導線としか交差できない。図4に、本実施形態の1変型例を示し、修復要素のオープンレッグがそれらの修復領域のすぐ後ろで切断されているかまたは終端している。交差領域は従って、各修復要素が少なくとも修復する必要がある導線グループと交差するのに必要最小限に狭められている。これにより、図3の実施形態とは対照的に修復要素の長さがもはや実質的に等しくないため、導線群Ljとの結合に差異が生じる。しかし、結合におけるこのような差異は、マトリクスの画像ドットをアドレス指定するための標準的な条件下では、データ線Ljの帯電時間が画像ドットの帯電時間に比べて無視できるため、その観点から実際には問題ではない。図5に、図3の実施形態の別の変型例を示し、修復要素のセグメントが全て同じ側、本例では右側にある。このような実施形態は特に、マトリクスの導線群Ljに直交していて画像ドットの行の選択線に対応する導線群liの全てが回路DXまたは図2の回路DX1、DX2のような複数の制御回路により同じ側からアドレス指定されるディスプレイに適している。本実施形態では、導線群liはどの修復要素、特にセグメントSGのいずれとも交差しない。従って、不要な修復要素/アドレス線の結合が最小化される。図6は、図4の変型例に対応する図5の実施形態の変型例であり、これによると、各修復要素のオープンレッグがその修復領域のすぐ後ろで切断されている。図7に、集積ドライバを有するディスプレイに適用可能な本発明の別の実施形態を示す。集積ドライバと呼ばれるドライバが能動マトリクス基板上の有効領域間とマトリクスの一辺との間の周辺領域に形成されている。より具体的に示す例において、liと表記された選択線と呼ばれる導線を外部から受信する制御信号Scomに基づいて駆動する、図内でDliと表記された導線ドライバがある。本例でもまた、これらのドライバは能動領域の両側に重複配置されていて、各導線liの両端を介して制御信号を送信することができる。導線ドライバの重複配置により、レーザーによる修復を行うことなく断線故障を直接直すことができる。従って、そのような構造により、導線Ljの断線故障の修復はレーザーだけで行われる。利点として、導線ドライバDliにより駆動される導線liに直交するアドレス線Ljの修復要素Ekは、これらのドライバより遠方に、換言すればドライバとマトリクスの一辺の間に配置されているため、能動領域から始めて外側へ、最初にこれらのドライバDli、次いで修復要素Ekが見出される。この構成が好都合なのは、この場合修復要素Ekが、数が減った制御信号Scom以外、これらのドライバDliにより駆動される導線liのいずれとも交差しないためである。修復要素/アドレスおよび/または制御線交差により誘導される浮遊結合容量は従って最適化最小化される。導線Ljの修復要素および導線liのドライバに適用できることは、導線liの修復要素および導線Ljの制御ドライバにも同様に適用できる。今説明した実施形態は、表示すべきビデオ情報が送信されるデータ線に対応する導線Ljにおける断線の修復に対応している。新規ビデオデータの適用が望まれる画像ドットの行を選択する選択線liは、通常、能動マトリクス基板の表面に形成されており、これらの断線故障が生じ難い。にもかかわらず、これらの導線に修復構造を設けることは望ましいであろう。図8は従って、マトリクスの2組の導線liおよびLjの断線の修復に対する本発明の適用を示し、修復要素Elkの第1の組Jlが有効領域外のそれらのセグメントSGlと共に導線liに平行な辺に沿って配置され、修復要素ELkの第2の組JLが有効領域外のそれらのセグメントSGlと共に導線Ljに平行な辺に沿って配置されている。図9a~9cに本発明の別の態様を示し、各修復要素毎に、交差領域にあるか否か、および問題の修復要素の修復領域の交差領域にあるか否かに応じて変化する導体の幅を判定することにより結合が最小化される。修復領域をグレーの領域で示す。より具体的には、図9aに、本例では各々導線L0~L5、L6~L10、L11~L15と交差する3個の修復要素E1、E2およびE3の下部オープンレッグの詳細を示す。本例では、これらのオープンレッグは各々自身に割り当てられた導線と共に、これらのうち1本を修復すべく、交差領域に対応する修復領域の後ろで終端している。本発明の一態様によれば、修復領域において、各修復要素は、導体の実質的に一定の幅e1を有し、レーザー修復と互換性がある。この修復領域において、修復要素と交差する導線Liは、導体の実質的に等しい幅e2を有している。通常、修復要素と、それが交差し且つ修復可能な導線との間の導体の交差領域は、20×20または30×30平方マイクロメートル程度である。修復領域外では、アクセス抵抗および/または導体と交差する導線との結合容量を最適化すべく、修復要素の導体の幅は可変的である。特に、各修復要素毎に、修復要素と、前記修復領域外で当該修復要素が交差する能動マトリクス配列の各導線、換言すれば導線Ljおよび/または導線liの各導線、との間の容量結合を、当該修復要素がこれらの導線と交差する限り、減らすことが目的であって、これらを修復することは意図していない。本発明の一態様によれば、修復要素毎に、修復領域外の各交差領域において、修復要素の導体の幅が幅e1<e1まで狭められる。好適には、この同じ交差領域において、当該位置で修復導体が交差する導線、本例では導線Lj、の導体の幅もまた、幅e2<e2まで狭められる。e1’とe2’は実質的に等しい。一つの実際的な例において、これらは4ミクロン程度である。本発明の別の態様によれば、修復領域外および交差領域t外では、好適には、修復要素のアクセス抵抗を最小化すべく、修復要素の導体の幅はより広く、例えば修復領域内の導体の幅e1に等しいかまたはより広い。図9b、9cに、アドレスおよび/または制御線との交差領域に応じて上に示した3個の特徴、すなわち修復領域ZRにおけるレーザー修復の幅、交差領域ZHCR外に領域における最小アクセス抵抗を得るべく最適化された可能な最大幅、修復領域ZCR外の交差領域における最小結合容量を得るべく最適化された可能な最小幅を組み合わせた、本発明による修復要素の導体の一般的な形式、本例では能動マトリクス基板表面のハーフリングを模式的に示す。図9bは、図7に示す実施形態に対応する修復要素に対応しており、修復要素は、集積ドライバおよび導線Ljの制御信号Scom以外、導線liのいずれとも交差しない。図9cは、図4に示す実施形態に対応しており、修復要素は導線liおよび導線Ljと交差している。修復要素により生じる導線の帯電を最小化する際に考慮すべき別の要素は、通常は別の基板に形成され、図10に模式的に示すように能動マトリクス回路の最後のレベルより上に置かれた対向電極CEの導電面である。当該導電面は、必ずしも有効表示領域に限られている訳ではなく、少なくとも一部は周辺を覆っていてよい。当該導電面と修復要素の結合も従って考慮に入れなければならない。特に、修復領域外の導体の幅の変動は、容量結合およびアクセス抵抗を最適化するための妥協から生じている。更に、好適には修復要素を対向電極導電面から最も遠い導体レベルに、換言すれば能動マトリクス基板の表面に形成することにより、導電面との結合が最小化される。修復要素の導線との交差領域における各種の対応導電レベルを、図9aの軸AA’およびBB’に沿った断面における修復領域ZR内の交差である場合は図10、11に示し、図9aの軸CC’およびBB’に沿った断面における修復領域外の場合は図12、13に示す。本発明による修復領域を図にグレーの領域で示す。図10に、導線L3との交差領域における、修復要素E1に沿った断面を示す。修復要素は、透明なガラスまたはプラスチックである能動マトリクス基板の直上、導体レベルM1上に形成される。この導体レベルは通常、Mo、Ti、Alまたはこれらの金属の任意の組合せまたは類似特性低抵抗、ハンダ付けへの適合性を有する金属から作られている。導線E3は、レベルM1の上の導体レベルM2に形成されていて、少なくとも1個の絶縁層I1、例えば窒化ケイ素SiNにより当該レベルM1から絶縁されている。少なくとも1個の他の絶縁およびパシベーション層I2が当該レベルM2の最上部に形成されている。図示しない変型例として、2個の導体レベルM1とM2の交差領域における、レベルI1とM2の間で、第2の導体レベルM2の直下でのアモルファスシリコンのスラブの局所堆積により、レーザー修復を妨げることなく、2レベル間の絶縁性が向上する。レーザー修復rplがある場合、図に破線で模式的に示すように、交差領域において絶縁体の穴および2個のレベルM1とM2との間に溶接がなされる。図11に、修復領域における交差領域を、本例では修復要素E1と導線L1の交差に対応する修復要素の軸に沿った断面BB’として示す。図12、13は、修復領域外の交差領域における断面図である。図12は、本例では修復要素E2と導線L5の交差に対応している。図13は、本例では修復要素E2と導線L2の交差に対応している。これらの2図は、互いに対向する導体の表面積、従って結合容量を減らすべく導体の幅が狭められた状態を示す。図示しない変型例として、2個の導体レベルM1とM2の交差領域における、レベルI1とM2の間で、第2の導体レベルM2の直下でのアモルファスシリコンのスラブの局所堆積により、2レベル間の絶縁性が向上する。今説明した本発明は、提示した例示的実施形態に限定されない。特に、導線の制御回路が外付けであるか内蔵であるか、それらが駆動する導線の両側に設置されているか否か、および選択線とデータ線の各々の故障率、並びに各ディスプレイに用いるアドレス指定の種類に応じて、最も適切な修復構造が決定される。更に、提示する図面は修復要素をハーフリングとして示しているが、本発明はこの実施形態に限定されない。特に、ハーフリングは、本発明の範囲から逸脱することなく、任意の手段、例えば、従来技術図1による外部ループにより閉じることができる。