"リチウムイオン電池で使用されるリチウムイオン電極アセンブリを製造する方法であって、電気化学的活物質を含むナノ構造体を受容する段階と、前記ナノ構造の少なくとも一部を電気的に相互接続するべく、前記ナノ構造上にアモルファスシリコン及び/又はゲルマニウムを堆積する段階とを備える方法。前記電気化学的活物質は、シリコン、ゲルマニウム及びスズからなる一群から選択される請求項1に記載の方法。前記ナノ構造は、平均アスペクト比が少なくとも略4であるナノワイヤを含む請求項1に記載の方法。前記ナノワイヤは、完全放電状態において、略1ナノメータから2000ナノメータの間の平均断面寸法を有する請求項3に記載の方法。前記ナノワイヤは、完全放電状態において、少なくとも略2マイクロメータの長さを有する請求項3に記載の方法。前記アモルファスシリコン及び/又はゲルマニウムを堆積する段階は、シランを含有する処理ガスを、化学気相成長CVDチャンバに流す段階を有する請求項1に記載の方法。前記処理ガスの前記シランの濃度は、略1から略20の間である請求項6に記載の方法。前記アモルファスシリコン及び/又はゲルマニウムの堆積の間に、前記ナノ構造は、略200°Cから略700°Cの間の平均温度に維持される請求項1に記載の方法。前記ナノ構造は、基板に固着され、前記基板は、銅箔、ステンレススチール箔、ニッケル箔、及び、チタン箔からなる一群から選択される1以上の材料を含む請求項1に記載の方法。前記ナノ構造のうちの少なくとも略10が基板に固着されている請求項9に記載の方法。前記アモルファスシリコン及び/又はゲルマニウムの少なくとも一部は、前記ナノ構造を機械的に支持し前記ナノ構造と前記基板との間の更なる電気的接続を提供するべく、前記基板上に堆積される請求項9に記載の方法。前記ナノ構造は、バインダによって前記基板に固着され、前記バインダは、前記アモルファスシリコン及び/又はゲルマニウムの堆積の間に、少なくとも部分的に取り除かれる請求項9に記載の方法。前記ナノ構造の少なくとも一部を電気的に相互接続するべく、前記ナノ構造を圧縮する段階を更に備える請求項1に記載の方法。前記圧縮する段階は、前記ナノ構造を少なくとも略200°Cの温度に維持して実行される請求項13に記載の方法。前記圧縮する段階は、前記ナノ構造によって形成される層に電流を流すと同時に実行される請求項13に記載の方法。前記圧縮する段階は、前記アモルファスシリコン及び/又はゲルマニウムを堆積する段階の前に実行される請求項13に記載の方法。リチウムイオン電池で使用されるリチウムイオン電極サブアセンブリであって、電気化学的活物質を含むナノ構造と、前記ナノ構造上に堆積され、前記ナノ構造の少なくとも一部を電気的に相互接続するアモルファスシリコン及び/又はゲルマニウムを備えるリチウムイオン電極サブアセンブリ。電気化学的活物質を含むナノ構造と、前記ナノ構造上に堆積され、前記ナノ構造の少なくとも一部を電気的に相互接続するアモルファスシリコン及び/又はゲルマニウムを備えるリチウムイオン電池。リチウムイオン電池で使用されるリチウムイオン電極アセンブリを製造する方法であって、電気化学的活物質を含み活性層を形成するナノ構造体を受容する段階と、前記ナノ構造の少なくとも一部を電気的に相互接続するべく、前記活性層上に相互接続材料を堆積する段階とを備え、前記ナノ構造のうちの少なくとも10が基板に直接固着されている方法。前記相互接続材料は、金属含有材料である請求項19に記載の方法。前記相互接続材料は、銅、ニッケル、鉄、クロム、アルミニウム、金、銀、スズ、インジウム、ガリウム及び鉛からなる一群から選択される1以上を含む請求項19に記載の方法。更なる前記ナノ構造を電気的に相互接続し、既に存在する電気接続を更に改善するべく、前記活性層に処理を施す段階を更に備える請求項19に記載の方法。前記活性層に処理を施す段階は、前記活性層を少なくとも200°Cに熱する段階を含む請求項22に記載の方法。前記活性層に処理を施す段階は、前記活性層に圧力を加える段階を含む請求項23に記載の方法。前記活性層に処理を施す段階は、前記ナノ構造と金属を含有する前記相互接続材料との間の界面上に、金属シリサイドを形成する段階を含む請求項22に記載の方法。前記電気化学的活物質は、シリコン、ゲルマニウム及びスズからなる一群から選択される請求項19に記載の方法。リチウムイオン電池で使用されるリチウムイオン電極アセンブリを製造する方法であって、電気化学的活物質を含み、層を形成するナノ構造体を受容する段階と、前記ナノ構造体を結合し、前記ナノ構造体の少なくとも一部を電気的に相互接続するべく、前記層に電流を流す段階とを備える方法。前記電流を流す段階は、前記層の圧縮と同時に実行される請求項27に記載の方法。前記電流を流す段階は、前記ナノ構造を少なくとも略200°Cの温度に維持して実行される請求項27に記載の方法。以下の説明では、本発明の完全な理解を提供するべく、数多くの詳細事項が記載される。本発明は、これらの詳細事項の一部又は全てがなくとも、実施可能である。また、本発明を不必要に曖昧にしない目的から、周知のプロセスオペレーションに関してはその記載を省略している。また、発明が、特定の実施形態を参照して説明されるが、本発明はこれら実施形態に限定されることを意図していないことは理解されるべきである。ナノ構造及び特定のナノワイヤは、電池に使用される新規の材料の可能性を有している。粉化による電池性能の低下、ナノ構造内の電気的及び機械的接触の喪失等を起こすことなく、高容量電極活物質をナノ構造として採用することが提案されている。シリコンで観察されるように、リチオ化の間に大きな膨張が発生するが、ナノ構造はサイズが小さいためにナノ構造の構造的な信頼性が失われることはない。より詳細には、膨張が、少なくとも1つのナノスケールの寸法で発生し、膨張及び収縮の程度が小さいことから、膨張及び収縮の間に発生する応力は、破壊に達するようなレベルにまではならないと考えられる。ナノ構造の例には、ナノ粒子、ナノワイヤ、ナノファイバ、ナノロッド、ナノフレーク、及び、その他の数多くのナノ形状及び形態が含まれる。通常では、ナノ構造の少なくとも1つの寸法、例えば、ナノフレークの厚みは、略1マイクロメータ未満である。しばしば、ナノワイヤの断面、又は、ナノ粒子の3つの寸法が全て略1マイクロメータ未満であるといったように、2つ以上の寸法が略1マイクロメータ未満である。ナノワイヤは、2つの他の寸法よりも大きい主寸法を有する。ナノワイヤは、1より大きいアスペクト比を有し、典型的には、少なくとも略2、より一般的には、少なくとも略4のアスペクト比を有する。ナノワイヤは、主寸法を使用して、別の電気部品、例えば、基板又はその他のナノ構造との接続を行う。ある実施形態では、ナノワイヤは、一端又はその他の部分が基板と接触する態様で基板に固着される。基板に固着された端部を有するナノ構造は、端部固着ナノ構造とも称される。特定の実施形態では、活性層内の少なくとも50のナノ構造は、基板に固着している又は端部が固着している。高い割合で端部が固着されたナノワイヤを得るためには、ナノ構造の初期形成すなわち、成長段階で固着が発生する必要がある。別の実施形態では、ナノ構造基板に固着する部分は、略10から50の間である。この部分は、ナノ構造すなわち、電極層の相互接続されるネットワークを形成するのに十分であると考えられ、商業的に利用可能な容量レベルを達成するのに十分な活物質充電量を有する。基板に固着する部分の割合が大きいほど、容量は低くなるすなわち、電極層が薄くなる、又は、同じ容量を達成するのにより長いナノワイヤを必要とする。すなわち、単位面積当たりの所定の容量を達成するのに、相互接続されるネットワークすなわち、電極層の一定の厚みが必要とされる。典型的なナノワイヤの長さである20~25マイクロメータでは、商用的に利用可能な容量を提供するのに十分でない場合があり、相互接続されるネットワークが厚くなってしまう。ネットワークが厚い場合には、多くのナノ構造は直接基板に接続されない。ナノワイヤの長さ、ナノワイヤの方向、基板に固着するナノワイヤの部分及び容量の間には、様々なトレードオフの関係が存在し、それによって電極の設計が制約を受ける場合もある。ナノワイヤの他の2つの寸法は小さく、膨張を許容するために設けられる活性層中の隣接空乏域が存在することから、リチオ化の間にナノワイヤに蓄積する内部応力は小さく、大きな構造の場合に発生していたようなナノワイヤの破壊は発生しない。すなわち、ナノワイヤの2つの寸法が、使用される活物質、形状及びその他のパラメータによって決まる破壊のレベルを下回っている。特定の実施形態では、ナノ構造の平均断面寸法は、完全に放電された状態における平均の状態で略1ナノメータから2,000ナノメータの間であり、より詳細には、略600ナノメータから1500ナノメータの間である。相互接続構造のサイズは、略10ナノメータから1,000ナノメータの間であってもよい。同時にナノワイヤの主寸法は、上記の特徴を犠牲にすることなく、完全に放電した状態の平均で、例えば、少なくとも略10マイクロメータであってもよい。このように、高いアスペクト比を有するナノワイヤは、電極面の単位当り面積の容量及び材料の装填率が相対的に高くなるという利点を有する。ナノ構造は、電池セル全体の性能に寄与するべく、セルの電気端子のうちの1つと電気的に接続される必要がある。銅、ニッケル、ステンレススチール又はアルミ箔のような導電基板を使用して、活物質とセル端子との間の導電接続及び機械的支持を実現してもよい。このような実施形態では、ナノ構造を、基板の一方の側又は両側に配置することができる。ナノ構造は、基板に直接接触することにより例えば、基板固着ナノワイヤにより、又は、基板に間接的に接触することにより例えば、活物質、導電添加物等を含むその他のナノ構造を介して、基板との電気接続を形成することができる。本明細書の目的から、相互接続ナノ構造は、新規の電気接続を形成する技術、又は、ナノ構造の少なくとも一部分における既存の電気接続を改善する技術によって形成される。相互接続ナノ構造は、活性層内に配置されてもよい。この技術は、ナノ構造の一部と基板との間の新規の接続を形成することに関し、すでに接続が存在する場合には、この接続を改善させることに関していてもよい。相互接続はまた、ナノ構造と基板との間、及び/又は、ナノ構造同士に存在する機械的結合を新規に確立する及び/又は改善することに関してもよい。相互接続は、直接的例えば、2つのナノ構造が互いに直接電気的に接続されるであってもよいし、又は、間接的であってもよい例えば、2つのナノ構造が互いに1以上の相互接続材料構造を介して接続される。ある実施形態では、物理的及び導電的結合が、ナノ構造間及び/又はナノ構造と基板の間で形成される。これら及びその他の例について、以下に詳細に説明する。図1は、ある実施形態に係る、リチウムイオン電池で使用される相互接続ナノ構造を少なくとも部分的に有するリチウムイオン電極サブアセンブリを製造する方法の概略に対応するプロセスフローチャートである。プロセス100は、電気化学的な活物質を含有するナノ構造を受容するオペレーション102から開始してもよい。ある実施形態では、ナノ構造は、結晶シリコン及び/又はアモルファスシリコンのようなシリコン含有材料、ゲルマニウム含有材料、及び/又は、スズ含有材料を含む。その他の活物質の例については、以下で記載する。ナノ構造は、必ずしも電気化学的に活性でないその他の材料を含んでもよい。例えば、ナノ構造は、相互接続を改善することができる材料を含んでもよい。特定の実施形態において、ベースナノ構造は、実質的に活物質を含まない、又は、電極容量に対する活物質の寄与が非常に小さくてもよい。例えば、ベースナノ構造は、ニッケルシリサイドを含んでもよい。これらの構造は後に、実質的に全容量を電極に付与する1以上の活物質と相互接続される。例えば、アモルファスシリコンが、ニッケルシリサイド構造上に堆積されてもよい。一般的に、ニッケルシリサイドベース構造は、セルの全容量に対して大きく寄与しない。ベース構造において、リチオ化が発生しない又はほとんど発生しないように、サイクル構成が設計されてもよい。例えば、ベース構造の基板への固着を維持するためにベース構造の元の形態を保存するために、リチオ化を制限する態様が使用されてもよい。その他の例では、ベースナノ構造の容量寄与は、少なくとも略10、又は、少なくとも略25、又は、少なくとも略50、又は、少なくとも略75であってもよい。一例として、VLSvaporliquidsolid成長を使用してシリコンナノワイヤを形成してもよく、これらの上には、例えば、CVD技術を使用して後でアモルファスシリコンが堆積されることにより、相互接続される。ナノ構造内に複数の材料が存在する場合には、これらの材料は、様々な態様で分布していてもよい。例えば、1以上の材料がナノ構造の体積中に均一に分布してもよく、例えば、ナノワイヤの直径のような断面寸法にわたって均一に分布してもよい。また、分布が特定のプロファイル例えば、漸増又は漸少する分布に従ってもよい。例えば、相互接続を改善する、所望のSEI層成分の形成を助長する、及び/又は、その他の表面特性を提供する材料を、ナノ構造の表面付近に位置させてもよい。また、コアシェル状の構造を形成する複数の材料については、Cui等による2010年5月25日出願の、米国仮出願第12787168号CORESHELLHIGHCAPACITYNANOWIRESFORBATTERYELECTRODES電池電極のためのコアシェル高容量ナノワイヤに記載されており、当該出願の内容は参照により本明細書に組み込まれる。オペレーション102において受容されたナノ構造は、既に活性層の形態であってもよい。このような実施形態では、プロセスはオペレーション104を含まない。ナノ構造は、基板、バインダ及びその他の手段によって、活性層内に保持されてもよい。基板の例としては、銅箔、ステンレススチール箔、ニッケル箔、及び、チタン箔が挙げられる。その他の基板の例については、以下に列挙する。ある実施形態では、ナノ構造は、基板に固着されるが、これについては、2009年5月7日出願の米国特許出願第12437529号ELECTRODEINCLUDINGNANOSTRUCTURESFORRECHARGEABLECELLS再充電可能電池のためのナノ構造を含む電極に記載されており、当該出願の内容は、参照により本明細書に組み込まれる。基板固着ナノ構造は、バインダを使用することなく、基板との直接結合を形成する。別のナノ構造基板固着の実施形態では、ナノ構造が互いに保持され、及び/又は、ポリフッ化ビニリデンPVDF、カルボキシメチルセルロースCMC、及び、ポリアクリル酸PAA等のバインダによって基板に固着されてもよい。バインダは後に、部分的に又は完全に活性層から取り除かれる。別の実施形態では、受容されたナノ構造は、活性層内に配置されず、プロセス100は、オペレーション104の活性層の形成に進んでもよい。例えば、ナノ構造は、最初に緩い形態で、例えば、粉状の形態で、形成されてもよい。このようなナノ構造は、エレクトロスピン、化学エッチング、滅又は化学還元/変換、独立CVD例えば、流動層反応器、PVD、溶液ベースの合成、又は、その他の好適な製造技術によって生成されてもよい。一部のナノ構造は、様々なサプライヤから商業的に入手可能である。例えば、シリコンナノロッドは、米国、カリフォルニア、ロスアンゼルスのAmericanElements社から入手可能例えば、製品コードSIM01NRである。オペレーション104において活性層の形成は、ナノ構造を、例えば、PVDFのようなポリマーバインダを含むスラリー中に混合することを伴ってもよい。バインダ及び/又はその他の材料は、恒久的に又は一時的に相互接続オペレーション自体によって恒久的な結合が確立されるまで活性層中にナノ構造を保持するのを助ける。以下に説明する相互接続オペレーションの間に確立される結合は、活性層中の活物質に提供される典型的な結合の支持構造とは区別可能である。このような相互接続オペレーションの間又は後に確立される結合は、ある実施形態では、化学的結合及び/又は金属結合であってもよい。この様な結合は、通常は、導電性を有し、相互接続されたナノ構造に機械的支持を提供する。ある実施形態では、バインダは後に活性層から少なくとも部分的に取り除かれて、ナノ構造の更なる膨張を可能とし、イオン移動経路を提供する。バインダを完全に又は部分的に除去することによって、被覆されるシリコン構造と活性シリコン粒子との間のような、その他の構造間の電気的接触及び接着を改善させてもよい。ナノ構造間の結合は、支持及び電気的相互接続に使用される。そして、基板上にスラリーが堆積され、乾燥されてもよい。これに替えて、ナノ構造は、基板又はその他の支持面に配置されて、重力、ファンデルワールス力、静電気場、電磁場、表面張力例えば、スラリー又はその他の手段によって、その面上に一時的に保持されてもよい。オペレーション104又はその他のオペレーションで形成される活性層は、次の処理の間に改質されてもよい。例えば、最初に形成された活性層が、以下に説明する層の圧縮の後には、厚みが小さくなってもよい。全体のプロセス100は、次に、ナノ構造を相互接続するオペレーション106に移る。相互接続は、相互接続オペレーションの前又は間に活性層に導入されてもよい1以上の相互接続材料を添加することを伴ってもよい。ある実施形態では、相互接続材料の堆積は、必要な相互接続を確立するのに十分であり、オペレーション106を完成するのに更なる処理が必要ない。その他の実施形態において、堆積の後に、1以上の結合技術を実行する。別の実施形態では、相互接続は、相互接続材料を使用せずに実行されてもよい、すなわち、ナノ構造間、及び/又は、ナノ構造と基板の間の直接結合を形成する。ある実施形態では、活性層の形成及びナノ構造の相互接続は、並列に実行されてもよい。例えば、ナノ構造の集合体が、これらの構造を圧縮することにより活性層内に形成されてもよく、それによりナノ構造間の結合が一部形成されてもよい。これらの例について、以下に詳細に記載する。上記したように、相互接続オペレーションは、例えば、アモルファスシリコンであるシリコン含有材料、例えば、電気分解バインダからのカーボン含有材料、例えば、シリサイドのような様々な望ましくない種の形成を低減する又は抑制する低い堆積温度を可能とするゲルマニウム、又は、例えば、銅粒子である金属含有材料のような1以上の相互接続材料を堆積することを伴ってもよい。堆積技術には、粒子の機械による分配、電気化学めっき、化学気相成長CVD、スパッタリング、物理気相成長PVD、化学的凝縮、及び、その他の堆積技術が使用されてもよい。ある実施形態では、相互接続材料の堆積により、十分な電気接続が確立され、ナノ構造の相互接続に、その他の堆積後処理は必要ない。図2には、相互接続材料の堆積の間に、ナノ構造202上に形成される層204の一例が示されている。図から分かるように、層204は2つの粒子を相互接続している。1つの具体的な例として、CVDを使用してシリコンを含有する材料を堆積する段階を以下に説明する。別の実施形態では、相互接続材料の堆積の後に、更なる処理の段階が実行される。これらの堆積後の段階は、新規の接続を形成する、及び/又は、既存の接続を改善するために必要であり、このオペレーションにおいて複数の別個の処理段階が存在する場合もあるが、オペレーション108の一部分を成すと見なされる。相互接続材料は、活性層が形成される前後に、活性層に導入されてもよい。例えば、緩いナノ構造を、相互接続材料粒子と混合してもよい。相互接続材料粒子は、例えば、ワイヤ、ロッド、フィラメント、メッシュ、泡、及び、その他の様々な形状であってもよい。この混合物が、例えば、オペレーション104において、活性層中に形成されてもよい。活性層が形成された後に相互接続材料が導入される場合には、活性層は、材料が活性層を貫通するのを可能とするのに十分な空隙率全堆積に対する空隙の割合を有してもよい。図3には、ある実施形態に係る、相互接続材料を堆積した後に存在してもよい、2つのナノ構造302及び相互接続材料粒子304を含む配置が示されている。例えば、図3に示すように堆積の後に、ナノ構造302の間に一部の接触が存在しており、この接触は、バッテリー性能の観点からすると不適切であると考えられる。また、多くのナノ構造は、互いに、別のナノ構造及び/又は基板から、電気的に接続されていない状態のままである。このように、ナノ構造を含む及び/又は1以上の相互接続材料を含む活性層を、オペレーション106において更に処理して、活性層中に十分な程度の相互接続例えば、一定の導電性及び/又は機械的強度が得られるを確立する必要がある場合がある。加熱、圧縮又は電流印加等の様々な技術を使用することができる。技術の選択は、一部、ナノ構造材料及び相互接続材料、及び、その他の要因に応じて行われる。例えば、相互接続に金属粒子を使用する場合、これら粒子を溶融して、溶融金属がナノ構造周辺を流れることを可能にする及び/又は隣接するナノ構造を合金にすることを可能とするべく、活性層を加熱してもよい。ある実施形態では、相互接続を形成する金属とナノ構造とが合金となってもよく、別の場合には、シリコン含有ナノ構造とシリサイドを形成してもよい。機械的な表面接触を確立する例えば、圧縮のみによって形成されるのとは対照的に、合金を形成することは、通常、より強い機械的結合を提供し、より良好な導電性を提供する。特に、例えば、シリコンナノワイヤのような高容量ナノ構造に適用される場合に、このような合金相互接続は有用である。先に説明したように、多くのナノ構造は、導電性が十分でなく、サイクル間の基板との電気的接続を失ってしまう可能性がある。高い導電性及び機械的に優れた強度を有する相互接続は、このような問題の発生を最小にし、長いサイクル及び/又はデイープサイクルにわたって、基板と導通可能な活物質をより多く含むことを助ける。図4には、このような結合技術のうちの1以上を実行した後の、2つのナノ構造402及び改質された相互接続材料粒子404の一例が示されている。より広い接触面積を確立するべく、及び、様々な相間物質例えば、化学反応物、合金及びその他の形態学的組み合わせを形成するべく、結合技術が使用されてもよい。このような例については、以下に詳細に説明する。ある実施形態では、特別な相互接続材料を活性層に添加せずに、オペレーション106において相互接続が実行されてもよい。すなわち、活性層の処理の間に、ナノ構造が互いに及び/又は基板との間に直接接続を形成する。ナノ構造は、圧力、熱及び/又は電流を印加することにより、又は、以下に記載するその他の結合技術を使用することにより、直接相互接続されてもよい。特定の実施形態において、ナノ構造の表面は、相互接続を強固にするべく、改質される又は機能化されてもよい。本明細書に記載される相互接続技術の様々な例は、同じオペレーション又は連続した一連のオペレーションにおいて組み合わせられてもよい。例えば、圧縮する又は電流を流すことによってナノ構造を接続した後に、電気接続を更に改善するべく、シリコン含有材料を堆積してもよい。ある実施形態では、ナノ構造は、アモルファスシリコンのようなシリコン含有材料を堆積することによって、相互接続される。ナノ構造を有する活性層は、CVDチャンバに提供される。以下の説明及びプロセスパラメータは、概して、PECVDに関する。しかしながら、シリコン含有相互接続材料は、よく知られた熱CVDのようなその他の処理によって堆積することもできる。熱CVDプロセスでは、通常、例えば、シリコンの場合、略300°Cから600°Cの、より詳細には、略450°Cから550°Cの比較的高温の堆積温度が採用される。ジシランが使用される場合には、堆積温度は略400°C未満である。略200°Cから400°Cの間の温度で実行される熱CVD技術を使用して、ゲルマニウムが堆積されてもよい。PECVD堆積に使用される温度は、これよりも低い。ナノ構造を、まず加熱してもよい。シランのような前躯体を含むシリコンを含有する処理ガス、及び/又は、アルゴン、窒素、ヘリウム、水素、酸素、二酸化炭素、メタンのような1以上のキャリアガスをチャンバに導入する。ある例では、ヘリウム中のシランの濃度は、分圧に基づいて略5から20の間であり、より詳細には、略8から15の間である。処理ガスはまた、ホスフィンのような材料を含むドーパントを含んでもよい。ある実施形態では、チャンバは、略0.1Torrから10Torrの間、より詳細には、略0.5Torrから2Torrの間の圧力に維持される。前駆体を含有するシリコンの分解を促進するべく、プラズマをチャンバ内で点火させてもよい。以下に示すプロセスパラメータすなわち、FR電力及び流量が、直径略4インチまでの基板を処理可能な、英国SurfaceTechnologySystems社から入手可能なSTSMESCMultiplexCVDシステムに対して供給される。ここで、当業者であれば、これらの処理パラメータは、別の種類のチャンバのサイズ及び基板のサイズに合わせて、大きく又は小さくすることが可能であることが理解できる。ある実施形態では、RF電力は、略10Wと100Wの間に維持されてもよく、処理ガスの全体の流量は、略200sccmから1000sccmmpの間、より詳細には、略400sccmから700sccmの間に維持されてもよい。ある実施形態では、アモルファスシリコンの相互接続を形成する段階は、略1Torrの圧力に維持された処理チャンバで実行される。処理ガスは、略50sccmのシラン及び略500sccmのヘリウムを含有する。活物質をドープするべく、略50sccmの15ホススフィンを、処理ガスに添加してもよい。基板は略300°Cに維持される。RF電力は、略50ワットに設定される。ナノ構造の適切な相互接続に必要なシリコン含有の適切な厚みを達成するべく、堆積が約5分から30分間実行されてもよい。活物質の堆積物の厚みは、エネルギー密度条件、材料の特性例えば、論理的容量、破壊応力限界、テンプレート表面積、及び、その他のパラメータによって決定されてもよい。ある実施形態では、略10ナノメータから500ナノメータの厚み、より詳細には、略50ナノメータから300ナノメータの厚みを有するアモルファスシリコンの層が堆積される。このような層は、典型的には、10分~20分間堆積を行ってもよいことが分かっている。所望の厚みは、活性層の空隙率、ナノ構造の方向及び形状、この層に望ましい架橋結合の程度に依存する。ナノ構造はまた、金属粒子、金属ナノワイヤ又は金属半田のような1以上の金属含有相互接続材料を使用して相互接続されてもよい。金属含有材料の例には、銅、ニッケル、鉄、クロム、アルミニウム、金、銀、スズ、インジウム、ゲルマニウム、鉛又はこれらの組み合わせが含まれる。ある実施形態では、金属含有材料として、リチウムが含まれる。リチウムの一部は、後に、電荷を搬送するイオンとして機能し、例えば、形成サイクルの間にリチウムが失われるのを補償するのに使用されてもよい。相互接続に使用される金属は、電気化学的に安定である必要がある。粒子サイズは、活性層の形成の前に粒子が導入される場合には、大きな粒子を使用することが可能であり、活性層の形成の後に粒子が導入される場合には、活性層を貫通可能な小さな粒子を使用する必要があるといったように、活性層の形成の前後に使用されるかに依存して異なる。金属半田の例としては、スズ、鉛、銅、亜鉛、銀、その他の材料、及び、これらの組み合わせ例えば、スズ-鉛、銅-亜鉛、銅-銀が含まれる。半田は、基板上に活性層を形成する前に、基板に塗布されてもよい。同じ実施形態又は別の実施形態において、半田は、活性層の形成の前又は形成の間に、ナノ構造上に導入されてもよい。活性層の形成の後に、半田が導入されてもよい。表面上及びナノ構造の接合点への半田の流れを改善するべく、ナノ構造の表面に特に処理を行ってもよい。相互接続材料を含有する金属と、ナノ構造とを接続するには、加熱、圧縮及び電流の印加のような1以上の結合技術を実行することが必要となる。ある実施形態では、ナノ構造と相互接続材料を含有する金属との混合体が、少なくとも200°Cに熱せられる。加熱の間には、混合体に圧力が印加される。シリコンを含むナノ構造の場合、当該ナノ構造と相互接続材料との界面に金属シリサイドが形成されてもよい。補完的な処理オペレーションには、表面機能化、pH変更、及び/又は、良好な接合及び/又は活性化を促進するエッチングが含まれてもよい。機能化の例には、ヘキサメチルジシラザンHMDS又はその他の化学物質を使用して、官能基又は水素終端をヒドロシリル化することによってベース構造の表面を改質することにより、疎水性を変更することが含まれる。また、所望の分散均一性を達成するべく、界面活性剤を使用してもよい。活性層に圧力を加えることにより、ナノ構造を相互接続可能であることが分かっている。更なる相互接続材料を使用する必要なく、2つの構造が融合fuseすると、相互接続が得られる。また、この技術を、本明細書に記載される様々な相互接続材料に適用することが可能である。圧力レベル、圧力印加時間及びその他の処理パラメータ例えば、加熱は、ナノ構造及び基板の材料、空間的配置、及び、ナノ構造の空間的特性例えば、寸法、空隙率、機械的特性弾性、形さ及びその他の要因に依存してもよい。加熱は通常、この結合技術を促進するために行われる。また、加熱されたナノ構造は可撓性を有して、溶融するのに必要な圧力を低減させてもよく、それにより、ナノ構造が損傷してしまうのを回避できると考えられる。ある実施形態において、ナノ構造は、少なくとも略200°C、より詳細には、少なくとも略300°C、又は、少なくとも略700°Cに加熱される。ある特定の実施形態では、加熱は、略50Torrの不活性雰囲気中にアルゴンガスを500sccmで流しながら行われた。別の実施形態では、還元環境が使用され、例えば、アルゴン中に略4の水素を含む。この混合体が、略50Torrに保持されたチャンバに流量略500sccmで供給された。別の実施形態では、加熱は、酸化環境中で実行される。例えば、周囲圧力略760Torrで空気を使用してもよい。ナノ構造を相互接続する別の方法は、ナノ構造を含む活性層に電流を流すことである。上記で説明した圧力を印加する技術と同様、この技術は、相互接続材料を使用しても使用しなくても実行可能である。また、この技術は、本明細書で記載されたその他の相互接続技術と組み合わせることが可能である。例えば、圧力下で、活性層に電流を流してもよい。層は、相互接続を更に促進するべく、加熱されてもよい。特定の理論に限定されることなく、電流が活性層を流れる時に、高い抵抗値を有するナノ構造の接点が加熱される。加熱により、溶解を含む様々な形態学的歪みが生じ、それにより、接点におけるナノ構造の結合の形成が助長される。活性層に電流を流すために、活性層が、2つの金属板の間で圧縮されてもよい。これらの金属板は、ナノ構造及び基板が、金属板に接合してしまうのを防ぐべく、特別な表面処理が施されている。そして、これらの金属板にDC又はAC電圧が印加される。電圧レベルは、活性層の伝導率及びその他の因子例えば、物質の特性に依存してもよい。抵抗性を下げるために、ナノ構造はドープされてもよく、及び/又は、導電性を有する添加物が活性層に添加されてもよい。ある実施形態では、ナノ構造の相互接続は、電気接続の形成、基板との機械的結合に関してもよい。一例では、緩みを持たせた状態で受容されるナノ構造は先ず、基板表面に配置される。これらナノ構造の少なくとも一部は、例えば、熱アニールによって、基板と融合される。例えば、少なくとも略200°C、より詳細には、少なくとも略300°Cという高温で、あるナノ構造材料は、特定の基板材料と化学的に反応する、又は、合金を形成する又はその他の組み合わせを形成してもよい。例えば、ナノ構造を含むシリコンを銅表面に接触させた状態で、少なくとも略200°Cに加熱することにより、様々な銅シリサイド相が形成されてもよい。シリサイドは、ナノ構造に対して機械的接続及び/又は電気的接続の両方を提供することができる。更に、シリサイドは、サイクル間の膨張がシリコンよりも小さく、基板とナノ構造との結合を維持するのに適している。ナノ構造は、本明細書に記載されるその他の様々な技術を使用して、基板に接続することが可能である。例えば、シリコンを含む材料を、上記のように基板上に分散したナノ構造を覆うように堆積させてもよい。堆積の間、前躯体を含むシリコンが、活性層を貫通して基板に達する。このように、シリコンを含む材料が、ナノ構造と基板との界面に堆積される。この界面への堆積により、上記と同様に、ナノ構造と基板との間の機械的支持及び電気接続が提供されてもよい。ある実施形態では、基板は、ナノ構造の相互接続を強化する1以上の表面層を含む。例えば、薄い層例えば、略100nmから10μmのスズ、銅、金、これらの合金の半田、及び、その他の様々な種類の半田を、基板表面に堆積させてもよい。そして、ナノ構造が、この機能化された面上に分散される。ある実施形態では、このような複合体を加熱した後、圧縮する。更に、複合体は、基板及び半田層が活性層上に存在するように方向付けられる。溶解した半田は、重力及び表面張力により、少なくとも部分的に活性層を貫通して、ナノワイヤを相互接続し、ナノワイヤの少なくとも一部分が基板に接続されるのを助ける。本明細書に記載された1以上の技術を利用して相互接続されるナノ構造は、少なくとも1つの電気化学的活物質を含む。この活物質は、電池の充放電サイクルのリチウムイオンのインサーション及びエクストラクションに適した物質である。このような電気化学的活物質の例には、シリコン含有材料例えば、結晶シリコン、アモルファスシリコン、その他のシリサイド、酸化シリコン、亜酸化物、酸窒化物、スズ含有材料例えば、スズ、酸化スズ、ゲルマニウム、炭素含有材料、種々の金属水素化物例えば、MgH2、シリサイド、リン化物、及び、窒化物が挙げられる。その他の例としては、炭素及びシリコンの組み合わせ例えば、カーボン被覆シリコン、シリコン被覆カーボン、シリコンドープカーボン、カーボンドープシリコン、及び、炭素及びシリコンを含む合金、炭素及びゲルマニウムの組み合わせ例えば、カーボン被覆ゲルマニウム、ゲルマニウム被覆カーボン、ゲルマニウムドープカーボン、及び、カーボンドープゲルマニウム、カーボン及びスズの組み合わせ例えば、カーボン被覆スズ、スズ被覆カーボン、スズドープカーボン、及び、カーボンドープスズが挙げられる。列挙した物質は一般的に負極サブアセンブリを製造するのに使用されるが、上記の技術は、正極サブアセンブリの製造に利用可能である。正極の電気化学的活物質の例には、様々なリチウム金属酸化物例えば、LiCoO2、LiFePO4、LiMnO2、LiNiO2、LiMn2O4、LiCoPO4、LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2、LiNiXCoYAlZO2、LiFe2SO43、Li2FeSiO4、Na2FeO4、フッ化炭素、フッ化鉄FeF3のような金属フッ化物、金属酸化物、硫黄、及び、これらの組み合わせが挙げられる。これら正極及び負極活物質のドープされたバリエーション及び化学量論的バリエーションが、本明細書に記載された様々な技術を使用して相互接続されるナノ構造に存在してもよい。ドーパントの例には、周期表のIII族及びV族元素が含まれ、例えば、ボロン、アルミニウム、ガリウム、インジウム、テリウム、リン、ヒ素、アンチモン及びビスマスが含まれ、硫黄、セレン及びリチウムのようなその他の好適なドーパントも含まれる。ドーパントは、ナノ構造の導電性を改善するのに使用されてもよく、導電性の改善は、上記の課題に対処するべく、電気化学的側面及び加工の側面から重要であると考えられる。基板は、電極の一部例えば、集電体を構成してもよいし、又は、製造工程の間に、活物質を含む電極層及びその他の構造を支持する一時的な担体として使用されてもよいし、及び/又は、電極製造の間の材料のソース例えば、金属シリサイド堆積における金属のソースとして使用されてもよい。基板が電極の一部を構成する場合には、当該電極での使用に機械的に、電気的に及び電気化学的に適した材料を含んでもよい。このような材料の例には、銅、銅で被覆された金属酸化物、ステンレススチール、チタン、アルミニウム、ニッケル、クロム、タングステン、金属窒化物、金属炭化物、炭素、カーボンファイバー、グラファイト、グラフェン、カーボンメッシュ、導電ポリマー、又は、多層構造を含む上記の組み合わせが挙げられる。特定の実施形態では、ベース材料は、略1マイクロメータから50マイクロメータの間、より詳細には、略5マイクロメータから30マイクロメータの間の厚みを有する金属箔である。基板は、ロール状、シート状又はその他の形態で、1以上の以下のオペレーションで使用される処理装置に供給されてもよい。電極は通常、積層体型又はジェリーロール型に組み立てられる。図5A及び図5Bは、ある実施形態に係る、正極電極502、負極電極504、及び、2つのシート状のセパレータ506a及び506bを含むアライメントされた積層体の側面図及び上面図である。正極電極502は、正極活性層502a及び被覆されていない正極基板部分502bを含む。同様に、負極電極504は、負極活性層504a及び被覆されていない負極基板部分504bを含む。多くの実施形態において、負極活性層504aの露出領域は、正極活性層502aの露出領域よりも僅かに大きく、正極活性層502aから放出されるリチウムイオンのうちの大部分又は全てが、負極活性層504aに入るようにしている。一実施形態において、負極活性層504aは、1以上の方向典型的には全方向に正極活性層502aを略0.25mmから5mm越えて延在する。より詳細な実施形態では、負極活性層は、1以上の方向に正極活性層を略1mmから2mm越えて延在する。ある実施形態では、セパレータのシート506a及び506bの縁は、少なくとも負極活性層504aの外縁を越えて延在して、電極と別の電池構成要素とを電気的に絶縁する。被覆されていない正極基板部分502bは、正極端子を接続するために使用されてもよく、負極電極504及び/又はセパレータシート506a及び506bを越えて延在してもよい。同様に、被覆されていない負極基板部分504bは、負極端子を接続するために使用されてもよく、正極電極502及び/又はセパレータシート506a及び506bを越えて延在してもよい。正極電極502が、扁平正極集電体502bの対向する両側にそれぞれ設けられる2つの正極活性層512a及び512bと共に示されている。同様に、負極電極504が、扁平負極集電体の対向する両側にそれぞれ設けられる2つの負極活性層514a及び514bと共に示されている。正極活性層512a、対応するセパレータのシート506a、及び、対応する負極活性層514aの間の間隔は、通常、特に電池の第1サイクルの場合、非常に小さい又は存在しない。電極及びセパレータは、ジェリーロール型に共にきつく巻かれる又は積層体として構成され、密封容器に入れられる。電解質が導入された後に、電極及びセパレータは容器内で膨張する傾向があり、リチウムイオンが2つの電極及びセパレータ間を循環することから、第1サイクルの隙間又はドライ領域が取り除かれる。巻きつけられた構成が一般的である。細長い電極が2つセパレータのシートと共に巻かれてサブアセンブリ内に配置され時に、ジェリーロールと称される、多くの場合、円筒形状の容器の内部曲面に従った形状及びサイズを有する。図6Aには、正極電極606及び負極電極604を含むジェリーロールの上面図が示されている。電極間の白い空間は、セパレータのシートを表している。ジェリーロールが、容器602に入れられる。ある実施形態では、ジェリーロールにはその中心に心棒608が挿入されており、それにより、最初に巻きつける直径を確立し、内部の巻きが中心軸領域を占めるのを防いでいる。ある実施形態では、心棒608は、導電材料で形成されていてもよく、電池端子の一部を構成してもよい。図6Bには、ジェリーロールから伸びる正極タブ612及び負極タブ614を有するジェリーロールの斜視図が示されている。タブは、電極基板の被覆されていない部分に溶接されてもよい。電極の長さ及び幅は、電池全体の寸法、及び、活性層及び集電体の高さに依存する。例えば、広く知られている直径18mm及び長さ65mmの18650電池は、略300mmから1000mmの間の長さの電極を有する。低率放電/高容量のアプリケーションに対応する短い電極は、より厚みが大きく巻き数が少ない。充放電サイクルの間に電極が膨張し容器に圧力がかかることから、一部のリチウムイオン電池の場合には、円筒形状の設計が望ましい。丸型の容器は、十分に薄く且つ圧力に十分耐えられるように形成されてもよい。プリズム電池は、同様に巻き型の電池であるが、容器の長手方向に沿って内圧により容器が曲がる可能性がある。また、電池の異なる部分では圧力が一定ではなく、プリズム電池の角部分に何もない空間ができてしまう場合がある。リチウムイオン電池に空の空間ができてしまうと、電極が膨張する時に電極が不均一に押される傾向があることから望ましくない。更に、電解質が凝集して、空の空間に位置する電極間にドライ領域ができてしまうことが考えられ、リチウムイオンの電極間の移動に悪影響を与える。しかしながら、矩形のフォームファクターを有するといったような特定のアプリケーションの場合には、プリズム電池が適切である。ある実施形態では、プリズム電池は、矩形の電極及びセパレータのシートの積層体を採用して、巻き型のプリズム電池に伴う問題を回避する。図7は、容器702内に位置する巻き型プリズムジェリーロールの上面図である。ジェリーロールは、正極電極704及び負極電極706を含む。電極間の白で示された空間は、セパレータシートを表している。ジェリーロールが、矩形のプリズム型容器に入れられる。図6A及び図6Bに示した円筒形状のジェリーロールとは異なり、プリズム状のジェリーロールの巻きは、ジェリーロールの中央の平坦に延びる部分から開始される。一実施形態において、ジェリーロールは、ジェリーロールの中央に心棒図示せずを含み、心棒に電極及びセパレータを巻きつけてもよい。図8Aには、交互に設けられる複数の正極電極及び負極電極、並びに、これら電極間に配置されるセパレータの複数のセット801a、801b及び801cを含む積層体セル800の側面図が示されている。積層体セルは、プリズム電池に特に適した、任意の形状に形成することができる。しかしながら、このようなセルは、通常、正極電極及び負極電極の複数のセットを必要とし、より複雑な電極の配置を必要とする。集電体タブは通常、各電極から延在し、電池端子へと延びる集電体全体へと接続する。電極が上記のように配置されると、セルが電解質で満たされる。リチウムイオン電池の電解質は、液体、固体又はゲルであってもよい。固体の電解質を有するリチウムイオン電池は、リチウムポリマー電池とも称される。典型的な液体の電解質は、1以上の溶媒及び1以上の塩を含み、そのうちの少なくとも1つがリチウムを含む。第1充電サイクル時に、形成サイクルとも称されるの間に、電解質中の有機溶媒が、負極上で部分的に分解されてSEI層が形成される。相間物質は、一般的に絶縁性を有するが、イオン伝導性を有するので、リチウムイオンが通過可能である。相間物質はまた、後の充電サブサイクルにおいて電解質が分解されるのを防ぐ。一部のリチウムイオン電池に好適な非水溶媒の例としては、環状カーボネート例えば、エチレンカーボネートEC、プロピレンカーボネートPC、ブチレンカーボネートBC及びビニレンエチレンカーボネートVEC、ビニレンカーボネートVC、ラクトン例えば、γ-ブチロラクトンGBL、γ-バレロラクトンGVL、及び、α-アンゲリカラクトンAGL、鎖状カーボネート例えば、ジメチルカーボネートDMC、メチルエチルカーボネートMEC、ジエチルカーボネートDEC、メチルプロピルカーボネートMPC、ジプロピルカーボネートDPC、メチルブチルカーボネートNBC及びジブチルカーボネートDBC、エーテル例えば、テトラヒドロフランTHF、2-メチルテトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、1,2-ジエトキシエタンDME、1,2-ジエトキシエタン及び1,2-ジブトキシエタン、亜鉛酸塩例えば、アセトニトリル及びアジポニトリル、鎖状エステル例えば、プロピオン酸メチル、ピバル酸メチル、ピバル酸ブチル及びピバル酸オクチル、アミド例えば、ジメチルホルムアミド、有機リン酸塩例えば、トリメチルフォスフェイト、トリオクチルフォスフェイト、S=O基を含む有機化合物例えば、ジメチルスルホン及びジビニルスルホン、及び、これらの組み合わせが挙げられる。非水溶液溶媒を組み合わせて使用することができる。組み合わせの例としては、環状カーボネート及び鎖状カーボネートの組み合わせ、環状カーボネート及びラクトンの組み合わせ、環状カーボネート、ラクトン及び鎖状カーボネートの組み合わせ、環状カーボネート、鎖状カーボネート及びラクトンの組み合わせ、環状カーボネート、鎖状カーボネート及びエーテルの組み合わせ、環状カーボネート、鎖状カーボネート及び鎖状エステルの組み合わせが挙げられる。一実施形態において、環状カーボネートは、環状エステルと組み合わせられてもよい。更に、環状カーボネートは、ラクトン及び鎖状エステルと組み合わせられてもよい。その他の構成要素には、フルオロエチレンカーボネートFEC及びピロカーボネートを含んでもよい。特定の実施形態では、鎖状エステルに対する環状カーボネートの割合は、体積比で、略1:9から10:0の間、好ましくは、2:8から7:3の間である。液体の電解質に対する塩は、以下のうちの1以上を含んでもよい。LiPF6、LiBF4、LiClO4LiAsF6、LiNCF3SO22、LiNC2F5SO22、LiCF3SO3、LiCCF3SO23、LiPF4CF32、LiPF3C2F53、LiPF3CF33、LiPF3iso-C3F73、LiPF5iso-C3F7、環状アルキル基を有するリチウム塩例えば、CF22SO22xLi及びCF23SO22xLi、リチウム-フルオロアルキル-フォスフェイトLiFAP、リチウムビスオキサレートボラートLiBOB、及び、これらの組み合わせが挙げられる。一般的な組み合わせとしては、LiPF6及びLiBF4の組み合わせ、LiPF6及びLiNCF3SO22の組み合わせ、LiBF4及びLiNCF3SO22の組み合わせが挙げられる。一実施形態において、液体非水溶媒又は溶媒の組み合わせ中の塩の総濃度は、少なくとも略0.3Mであり、より詳細な実施形態では、塩の濃度は少なくとも略0.7Mである。濃度の上限は溶解限度によって決められてもよく、また、略2.5M未満であってもよい、より詳細な実施形態では、略1.5M未満であってもよい。固体の電解質は、それ自体がセパレータとして機能するため、通常、別個にセパレータを設けることなく使用される。固体の電解質は、電気的絶縁性及びイオン伝導性を有し、電気化学的に安定である。固体の電解質を使用する場合、上記で説明した液体の電解質を使用する電池の場合と同様に、塩を含むリチウムが採用され、塩が有機溶媒に溶解されて固体のポリマー複合体として保持される。固体のポリマー電解質の例としては、導電の間に移動及び付着する電解質塩のリチウムイオンに対して利用可能な電子の孤立電子対を有する原子を含むモノマーから調合されたイオン伝導性を有するポリマーであってもよい。このようなポリマーの例としては、ポリビニリデンフッ化物PVDF又は塩化物、又は、これら誘導体の共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリエチレン-クロロトリフルオロ-エチレン、又は、ポリフッ化エチレン-プロピレン、ポリエチレンオキシドPEO及びオキシメチレン結合PEO、三官能性ウレタンと架橋結合されたPEO-PPO-PEO、ポリビスメトキシ-エトキシ-エトキシド-ホスファゼンMEEP、二官能性ウレタンと架橋結合されたチオール型PEO、ポリオリゴオキシエチレンメタクリレートコアルカリメタルメタクリレート、ポリアクリロニトリルPAN、ポリメチルメタクリレートPNMA、ポリメチルアクリロニトリルPMAN、ポリシロキサン、及び、これらの共重合体及び誘導体、アクリレート系ポリマー、その他の同様な無溶媒ポリマー、異なるポリマーを形成するべく縮合された又は架橋結合された上記のポリマーの組み合わせ、及び、上記のポリマーのうちの任意の物理的混合物が挙げられる。薄い積層体の強度を向上させるべく、上記のポリマーと組み合わせて使用してもよい導電性の低いポリマーの例として、ポリエステルPET、ポリプロピレンPP、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリビニリデンフルオライドPVDF、ポリカーボネートPC、ポリフェニレンサルファイドPPS及びポリテトラフルオロエチレンPTFEが挙げられる。図9には、一実施形態に係る巻型円筒形状セルの断面図が示されている。ジェリーロールは、螺旋巻型正極電極902、負極電極904、及び、セパレータ906の2つのシートを含む。ジェリーロールは、電池容器916に入れられて、キャップ918及びガスケット920を使用して電池が密封される。ある実施形態では、次のオペレーションが終了するまで電池は密封されない。ある場合には、キャップ918又は電池容器916は、安全装置を含む。例えば、過剰な圧力が電池内に蓄積する場合には、安全弁又は破裂弁を設けてもよい。ある実施形態では、一方向のガス放出弁が設けられ、正極材料の活性化の間に生成された酸素を当該弁を使用して放出する。また、損傷を受けて電池がショートしてしまうのを低減させるために、正の温度係数を有するPTCデバイスをキャップ918の導電経路に組み込んでもよい。キャップ918の外面を正極端子として使用してもよく、電池容器916の外面を負極端子として使用してもよい。別の実施形態では、電池の極性を反対にして、キャップ918の外面を負極端子として、電池容器916の外面を正極端子として使用してもよいタブ908及び910を使用して、正極電極及び負極電極と対応する端子との間の接続を確立してもよい。内部短絡の可能性を回避するべく、適切な絶縁ガスケット914及び912を挿入してもよい。例えば、内部絶縁に、Kapton登録商標膜を使用してもよい。製造の間に、キャップ918を電池容器916に圧着して、電池を密封してもよい。しかしながら、このオペレーションの前に、電解質図示せずを添加して、ジェリーロールの空隙を満たしてもよい。リチウムイオン電池には、典型的には剛性を有する容器が使用されるが、リチウムポリマー電池の場合には、可撓性を有する金属薄片型ポリマーラミネートされているの容器を使用してもよい。容器には、様々な材料を選択可能である。リチウムイオン電池の場合、Ti-6-4、その他のTi合金、Al、Al合金、及び、300系のステンレススチールが正の導電容器部分及びエンドキャップに好適であると考えられ、商用の純粋なTi、Ti合金、Cu、Al、Al合金、Ni、Pb及びステンレススチールが、負極導電容器部分及びエンドキャップに好適であると考えられる。上記では発明が、理解を明確にする目的から詳細に説明されたが、添付の特許請求の範囲内において、変更及び改良が可能であることは明らかである。本発明のプロセス、システム及び装置を実装するのに数多くの代替方法が存在することも明らかである。従って、本実施形態は例示することを目的としており、本発明は実施期待の詳細事項によって限定されない。本明細書に引用された、全ての文献、特許文献、特許出願文献又はその他の書面は、参照により、それぞれが独立して示されるようにその内容が本明細書に組み込まれる。"