"放射線露光によって蛍光を発する蛍光物質を含有した蛍光体を備える放射線画像変換パネルであって、前記蛍光体は、前記蛍光物質の結晶が柱状に成長してなる柱状結晶の群を含み、前記各柱状結晶の先端部は、先端面の中央部がその外周を囲む周縁部に比べて窪んだ凹形状である放射線画像変換パネル。請求項1に記載の放射線画像変換パネルであって、前記各柱状結晶の先端面の周縁部は、凸である放射線画像変換パネル。請求項1又は請求項2に記載の放射線画像変換パネルであって、前記各柱状結晶の先端面の中央部は、実質的に平坦である放射線画像変換パネル。請求項1から3のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルであって、前記蛍光体が形成される支持体を更に備え、前記蛍光体が形成される前記支持体の表面には、複数の凹部が2次元状に配列されて形成されている放射線画像変換パネル。請求項4に記載の放射線画像変換パネルであって、前記各凹部は、底に向かうに従って滑らかに径が小さくなるように形成されている放射線画像変換パネル。請求項4に記載の放射線画像変換パネルであって、前記各凹部は、底に向かうに従ってステップ的に径が小さくなるように形成されている放射線画像変換パネル。請求項4から6のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルであって、前記支持体は、前記蛍光体が発する蛍光に対して反射性を有する放射線画像変換パネル。請求項7に記載の放射線画像変換パネルであって、前記支持体は、アルミニウム又はアルミニウム合金で形成されている放射線画像変換パネル。請求項7に記載の放射線画像変換パネルであって、前記蛍光体が形成される前記支持体の表面にアルミニウム又はアルミニウム合金の膜が形成されている放射線画像変換パネル。請求項1から9のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルと、前記放射線画像変換パネルから発せられる蛍光を検出するセンサパネルと、を備え、前記各柱状結晶の先端側にあたる前記蛍光体の表面と前記センサパネルとの間に接着層を介在させて、前記放射線画像変換パネルと前記センサパネルとが貼り合わされている放射線画像検出装置。請求項4から9のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルと、前記放射線画像変換パネルから発せられる蛍光を検出するセンサパネルと、を備え、前記各柱状結晶の先端側にあたる前記蛍光体の表面と前記センサパネルとの間に接着層を介在させて、前記放射線画像変換パネルと前記センサパネルとが貼り合わされており、前記センサパネルには、前記蛍光を光電変換する複数の光電変換素子が2次元状に配列されて形成されており、前記支持体の前記複数の凹部の配列ピッチは、前記センサパネルの前記複数の光電変換素子の配列ピッチより小さい放射線画像検出装置。請求項11に記載の放射線画像検出装置であって、前記支持体の前記複数の凹部の配列ピッチは、前記センサパネルの前記複数の光電変換素子の配列ピッチの整数分の1である放射線画像検出装置。請求項10から12のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、前記センサパネル側に放射線入射面を有する放射線画像検出装置。請求項10から12のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、前記放射線画像変換パネル側に放射線入射面を有する放射線画像検出装置。特許文献2及び3に記載されたシンチレータにおいて、柱状結晶の先端部は、先端面の中央部がその外周を囲む周縁部に比べて突出した凸形状であるか、又は平坦である。先端部が上記の凸形状であると、シンチレータとセンサパネルとの間に接着層を介した放射線画像変換パネルとセンサパネルとの貼り合わせにおいて、柱状結晶の先端面の中央部から外れる接着層の領域は、負荷がかかりにくく接着が不十分となり易い。それにより、シンチレータとセンサパネルとの密着が不均一となり、画像ムラが発生する虞がある。また、放射線画像変換パネルとセンサパネルとを貼り合わる際や、被写体患者等を放射線画像検出装置に載置して撮影する際などに各柱状結晶に荷重が加わるが、柱状結晶の先端部が上記の凸形状であると、先端面の中央部の狭い領域に負荷が集中してしまい、柱状結晶が損傷する虞がある。また、先端部が平坦であると、柱状結晶の先端部の接着層に対する食い込みが抑制されるので、シンチレータとセンサパネルとの間に接着層の厚みだけ距離が置かれる。それにより、接着層における散乱が多くなり、画像の鮮鋭度が低下する虞がある。本発明は、上述した事情に鑑みなされたものであり、放射線画像検出装置によって取得される放射線画像の画質を向上させることを目的とする。1放射線露光によって蛍光を発する蛍光物質を含有した蛍光体を備える放射線画像変換パネルであって、前記蛍光体は、前記蛍光物質の結晶が柱状に成長してなる柱状結晶の群を含み、前記各柱状結晶の先端部は、先端面の中央部がその外周を囲む周縁部に比べて窪んだ凹形状である放射線画像変換パネル。2上記1の放射線画像変換パネルと、前記放射線画像変換パネルから発せられる蛍光を検出するセンサパネルと、を備え、前記各柱状結晶の先端側にあたる前記蛍光体の表面と前記センサパネルとの間に接着層を介在させて、前記放射線画像変換パネルと前記センサパネルとが貼り合わされている放射線画像検出装置。本発明によれば、柱状結晶の先端側にあたる蛍光体の表面とセンサパネルとの間に接着層を介在させた放射線画像変換パネルとセンサパネルとの貼り合わせにおいて、柱状結晶の先端面の略全体で負荷を掛けることができ、接着が先端面の略全体に亘って十分になされる。それにより、蛍光体とセンサパネルとの密着が均一となり、画像ムラが発生することが防止される。また、負荷が柱状結晶の先端面の略全体に分散されるので、柱状結晶が損傷することも防止される。また、柱状結晶の先端の周縁部が接着層に食い込むことで、周縁部と、センサパネルとの間の距離が狭まる。それにより、周縁部から出射される蛍光が接着層によって散乱されることが抑制され、画像の鮮鋭度が向上する。図1は、本発明の実施形態を説明するための、放射線画像検出装置の一例の構成を示し、図2は、図1の放射線画像検出装置のセンサパネルの構成を示す。放射線画像検出装置1は、放射線露光によって蛍光を発するシンチレータ蛍光体18を有する放射線画像変換パネル2と、放射線画像変換パネル2のシンチレータ18の蛍光を光電変換する光電変換素子26の2次元配列を有するセンサパネル3と、を備えている。放射線画像変換パネル2は、支持体11を有し、シンチレータ18は支持体11上に形成されている。放射線画像変換パネル2は、センサパネル3とは別に構成され、支持体11とは反対側のシンチレータ18の面をセンサパネル3の光電変換素子26の2次元配列に対向させ、シンチレータ18と光電変換素子26とを光学的に結合させる樹脂層を介してセンサパネル3に貼り合わされている。本例の放射線画像検出装置1は、ISS型の放射線画像検出装置であり、放射線は、センサパネル3側から照射され、センサパネル3を透過してシンチレータ18に入射する。放射線が入射したシンチレータ18において蛍光が発生し、ここで発生した蛍光がセンサパネル3の光電変換素子26によって光電変換される。蛍光を多く発生させるシンチレータ18の放射線入射側がセンサパネル3に隣設されるため、感度が向上する。センサパネル3は、薄膜トランジスタTFT:ThinFilmTransistorからなるスイッチ素子28が絶縁性基板に形成されたTFT基板16を有し、光電変換素子26の2次元配列はTFT基板16上に形成されている。そして、TFT基板16上には、これらの光電変換素子26を覆い、TFT基板16の表面を平坦化するための平坦化層23が形成されている。そして、放射線画像変換パネル2とセンサパネル3とを貼り合わせるための接着層25が平坦化層23上に形成されている。平坦化層23及び接着層25が上記の樹脂層を形成する。樹脂層の厚みは、感度、及び画像の鮮鋭度の観点から、50μm以下であることが好ましく、5μm~30μmであることがより好ましい。各光電変換素子26は、シンチレータ18の蛍光が入射されることにより電荷を生成する光導電層20と、この光導電層20の表裏面に設けられた一対の電極とで構成されている。光導電層20のシンチレータ層18側の面に設けられた電極22は、光導電層20にバイアス電圧を印加するためのバイアス電極であり、反対側の面に設けられた電極24は、光導電層20で生成された電荷を収集する電荷収集電極である。スイッチ素子28は、光電変換素子26の2次元配列に対応してTFT基板16に2次元に配列されており、各光電変換素子26の電荷収集電極24は、TFT基板16の対応するスイッチ素子28に接続されている。各電荷収集電極24に収集された電荷は、スイッチ素子28を介して読み出される。TFT基板16には、一方向行方向に延設され各スイッチ素子28をオン/オフさせるための複数本のゲート線30と、ゲート線30と直交する方向列方向に延設されオン状態のスイッチ素子28を介して電荷を読み出すための複数の信号線データ線32が設けられている。そして、TFT基板16の周縁部には、個々のゲート線30及び個々の信号線32が接続された接続端子38が配置されている。この接続端子38は、図2に示すように、接続回路39を介して回路基板図示せずに接続される。この回路基板は、外部回路としてのゲート線ドライバ、及び信号処理部を有する。各スイッチ素子28は、ゲート線ドライバからゲート線30を介して供給される信号により行単位で順にオン状態とされる。そして、オン状態とされたスイッチ素子28によって読み出された電荷は、電荷信号として信号線32を伝送されて信号処理部に入力される。これにより、電荷が行単位で順に読み出され、上記の信号処理部において電気信号に変換され、デジタル画像データが生成される。以下、放射線画像変換パネル2及びそのシンチレータ18について詳細に説明する。図3は、放射線画像変換パネル2の構成を模式的に示し、図4は、シンチレータ18の図3におけるIVIV線断面を示す。放射線画像変換パネル2は、支持体11と、支持体11上に形成されたシンチレータ18とを有している。シンチレータ18を形成する蛍光物質には、例えば、CsI:Tl、NaI:Tlタリウム賦活ヨウ化ナトリウム、CsI:Naナトリウム賦活ヨウ化セシウム、等を用いることができ、なかでも、発光スペクトルがa-Siフォトダイオードの分光感度の極大値550nm付近と適合する点で、CsI:Tlが好ましい。シンチレータ18は、気相堆積法により、支持体11上で上記の蛍光物質の結晶が柱状に成長してなる柱状結晶35の群によって形成されている。隣り合う柱状結晶35の間には空隙が置かれ、柱状結晶35は互いに独立して存在する。図4に明らかなように、柱状結晶35は、結晶の成長方向に対しほぼ均一な断面径を有し、かつ柱状結晶35の周囲に間隙を有しており、柱状結晶35が互いに独立して存在することがわかる。柱状結晶35の結晶径柱径は、光ガイド効果、機械的強度、そして画素欠陥防止の観点から、2μm以上8μm以下であることが好ましい。柱径が小さすぎると、柱状結晶35の機械的強度が不足し、衝撃等により損傷する懸念があり、柱径が大きすぎると、光電変換素子26毎の柱状結晶35の数が少なくなり、結晶にクラックが生じた際にその素子が欠陥となる確率が高くなる懸念がある。光電変換素子26のサイズにもよるが、典型的には、光電変換素子26毎の柱状結晶35の数は数十~数百本である。ここで、柱径は、柱状結晶35の成長方向上面から観察した結晶の最大径を示す。具体的な測定方法としては、柱状結晶35の成長方向上面からSEM走査型電子顕微鏡で観察することで柱径を測定する。柱状結晶35が100本から200本観察できる倍率約2000倍程度で観察し、1撮影に含まれる結晶全てに対し、柱径の最大値を測定して平均した値を採用している。柱径μmは小数点以下2桁まで読み、平均値をJISZ8401に従い小数点以下2桁目を丸めた値とする。また、柱状結晶35の長さ、即ちシンチレータ18の厚みは、放射線のエネルギーにもよるが、シンチレータ18における十分な放射線吸収及び画像の鮮鋭度の観点から、200μm以上700μm以下であることが好ましい。厚みが小さすぎると、放射線を十分に吸収することができず、感度が低下する虞があり、厚みが大きすぎると光拡散が生じ、柱状結晶35の光ガイド効果によっても画像の鮮鋭度が低下する懸念がある。放射線画像変換パネル2は、支持体11とは反対側のシンチレータ18の面、即ち柱状結晶35の先端をセンサパネル3に対向させ、センサパネル3に貼り合わされている。柱状結晶35に発生した蛍光は、柱状結晶35とその周囲の間隙空気との屈折率差に起因して柱状結晶内で全反射を繰り返すことで拡散を抑制され、その柱状結晶35が対向する光電変換素子26に導光される。それにより、画像の鮮鋭度が向上する。支持体11としては、その上にシンチレータ18を形成することができる限りにおいて特に限定されないが、例えば、カーボン板、CFRPcarbonfiberreinforcedplastic、ガラス板、石英基板、サファイア基板、鉄、スズ、クロム、アルミニウムなどから選択される金属シート、等を用いることができる。なかでも、シンチレータ18の各柱状結晶に発生した蛍光に対して反射性を有するアルミニウムやアルミニウム合金の金属シートを好適に用いることができる。支持体11にアルミニウムやアルミニウム合金の金属シートを用いた場合に、柱状結晶35に発生した蛍光のうち、センサパネル3とは反対側、即ち支持体11側に向かう蛍光をセンサパネル3側に向けて反射させることができる。それにより、蛍光の利用効率が高まり、感度が向上する。なお、アルミニウムやアルミニウム合金の金属シート以外のカーボン板等であっても、シンチレータ18が形成される表面にアルミニウムやアルミニウム合金の被膜が形成されたものであれば、同様の効果を奏する。また、シンチレータ18を形成するCsIは、温度上昇によって感度が低下する傾向にある。本例の放射線画像検出装置1は、上記の通りISS型であり、その場合にセンサパネル3の駆動回路等の制御部は、典型的には支持体11の裏側シンチレータ18とは反対側に配置され、制御部に発生した熱は支持体11に伝達される。支持体11にアルミニウムやアルミニウム合金の金属シートを用いた場合に、これらは熱伝導率に優れ、上記の制御部から伝達された熱を速やかに拡散させることができるので、シンチレータ18の局所的な温度上昇、それに起因する局所的な感度低下を防止することができる。それにより、画像ムラが発生することを防止することができる。シンチレータ18が形成される支持体11の表面には、複数の凹部12が2次元に配列されて設けられており、凹部12は略凹レンズ形状に形成されている。気相堆積法によれば、蛍光物質の結晶は、これらの凹部12の各々を起点として成長し、凹部12毎に一つの柱状結晶が形成される。それにより、柱状結晶35の分布の均一性が高まると共に、柱状結晶35の各々の形状の均一性も高まる。凹部12の径は、光電変換素子26のサイズ以下であり、凹部12の配列ピッチは、光電変換素子26の配列ピッチ以下である。好ましくは、凹部12の径は、柱状結晶35の柱径の好適な範囲2μm~8μmに対応して数μm~十数μmであり、凹部12の配列ピッチは、光電変換素子26毎の柱状結晶35の数が数十~数百本となるピッチである。より好ましくは、凹部12の配列ピッチは、光電変換素子26の配列ピッチの整数分の一である。それによれば、放射線画像変換パネル2とセンサパネル3との貼り合わせにおいて、両者の位置合わせを厳密に行わずとも、光電変換素子26毎の柱状結晶35の数が均一となり、素子間の光量のバラツキを防止して画像ムラが発生することを防止することができる。また、支持体11にアルミニウムやアルミニウム合金の金属シートを用いた場合に、凹部12が略凹レンズ形状に形成されていることによって、蛍光をセンサパネル3側に向けて反射させる際に蛍光を集光することができる。それにより、蛍光の拡散を抑制して、画像の鮮鋭度を向上させることができる。図5は、柱状結晶の先端部及びその周辺を拡大して示す。気相堆積法によって凹部12に形成された柱状結晶35の先端部は、凹部12の形状に倣って、先端面の中央部35aがその外周を囲む周縁部35bに比べて窪んだ凹形状を呈する。なお、先端面全体に亘って凹となっていてもよいが、図示の例において、中央部35aは、それ単独では、実質的に平坦となっており、また、周縁部35bは、それ単独では凸となっている。柱状結晶の先端部が凹形状であることにより、シンチレータ18とセンサパネル3との間に接着層25を介在させた放射線画像変換パネル2とセンサパネル3との貼り合わせにおいて、柱状結晶35の先端の周縁部35bが接着層25に食い込み、窪んだ中央部35aにも接着層25が入り込む。それにより、接着層25に対して柱状結晶35の先端面の略全体で負荷をかけることができ、特に中央部35aが平坦であれば、中央部35aの全体に亘って均一に接着層25に対して負荷をかけることができる。それにより、接着が先端の略全体に亘って十分になされ、シンチレータ18とセンサパネル3との密着が均一となり、画像ムラが発生することが防止される。また、負荷が柱状結晶35の先端面の略全体に分散されるので、柱状結晶が損傷することも防止される。また、柱状結晶35の先端の周縁部35bが接着層25に食い込むことで、周縁部35bと、センサパネル3との間の距離が狭まる。それにより、周縁部35bから出射される蛍光が接着層25によって散乱されることが抑制され、画像の鮮鋭度が向上する。なお、柱状結晶35の先端の中央部35aから出射された蛍光について接着層25による散乱が生じたとしても、その柱状結晶35が対向する光電変換素子26とは別の周囲の光電変換素子26に入射する率は、周縁部35bから出射された蛍光が散乱される場合に比べて低く、画像の鮮鋭度に及ぼす影響は小さい。更に、凸である周縁部35bは集光性を有し、周縁部35bから出射される蛍光の拡散が抑制される。それにより、画像の鮮鋭度が向上する。次に、上述したシンチレータ18の製造方法の一例について説明する。なお、蛍光物質としてCsI:Tlを用いた場合を例に説明する。シンチレータ18は、気相堆積法によって支持体11の表面に直接形成される。真空度0.01~10Paの環境下、CsI:Tlを抵抗加熱式のるつぼに通電するなどの手段で加熱して気化させ、支持体11の温度を室温20°C~300°CとしてCsI:Tlを支持体11上にCsIの結晶を堆積させ、柱状結晶35を成長させる。そして、支持体11の温度によって、柱状結晶35の先端の周縁部35bを凸とすることができる。なお、支持体11の温度及び凹部12の深さによって中央部35aの平坦度を制御することができる。以上によりシンチレータ18を効率よく、容易に製造することができる。また、この製造方法によれば、シンチレータ18の製膜における真空度や支持体11の温度を制御することで、簡易に種々の仕様のシンチレータを設計通りに製造することができるという利点をも有する。以上、説明したように、柱状結晶35の先端側にあたるシンチレータ18の表面とセンサパネル3との間に接着層25を介在させた放射線画像変換パネル2とセンサパネル3との貼り合わせにおいて、柱状結晶35の先端部を凹形状とすることにより、柱状結晶35の先端面の略全体で負荷を掛けることができ、接着が先端面の略全体に亘って十分になされる。それにより、シンチレータ18とセンサパネル3との密着が均一となり、画像ムラが発生することが防止される。また、負荷が柱状結晶35の先端面の略全体に分散されるので、柱状結晶35が損傷することも防止される。また、柱状結晶35の先端の周縁部35bが接着層に食い込むことで、周縁部35bと、センサパネル3との間の距離が狭まる。それにより、周縁部35bから出射される蛍光が接着層25によって散乱されることが抑制され、画像の鮮鋭度が向上する。なお、上述した放射線画像検出装置1においては、支持体11の表面の各凹部12が、略凹レンズ形状、即ち、底に向かうに従って滑らかに径が小さくなるように形成されているものとして説明したが、そこに成長する柱状結晶35の先端部が凹形状となる限りにおいて、凹部12は略凹レンズ形状に限定されない。凹部12は、柱状結晶35の先端部が凹形状となるように制御し易いものであることが好ましく、例えば、図6に示すように、底に向かうに従ってステップ的に径が小さくなる階段形状であってもよい。また、上述した放射線画像検出装置1においては、センサパネル3側から放射線が入射されるものとして説明したが、放射線画像変換パネル2側から放射線が入射される構成を採ることもできる。上述した放射線画像検出装置は、放射線画像を高感度、高精細に検出しうるため、低放射線照射量で鮮鋭な画像を検出することを要求される、マンモグラフィなどの医療診断用のX線撮影装置をはじめ、様々な装置に組み込んで使用することができる。例えば、工業用のX線撮影装置として非破壊検査に用いたり、或いは、電磁波以外の粒子線α線、β線、γ線の検出装置として用いたりすることができ、その応用範囲は広い。以下、センサパネル3を構成する各要素に用いることのできる材料について説明する。[光電変換素子]上述した光電変換素子26の光導電層20図1参照としては、例えばアモルファスシリコン等の無機半導体材料が用いられることが多いが、例えば特開2009-32854号公報に記載された有機光電変換OPC;Organicphotoelectricconversion材料も用いることができる。このOPC材料により形成された膜以下、OPC膜というを光導電層20として使用できる。OPC膜は、有機光電変換材料を含み、蛍光体層から発せられた光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する。このように有機光電変換材料を含むOPC膜であれば、可視域にシャープな吸収スペクトルを持ち、蛍光体層による発光以外の電磁波がOPC膜に吸収されることがほとんどなく、X線等の放射線がOPC膜で吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。OPC膜を構成する有機光電変換材料は、蛍光体層で発光した光を最も効率良く吸収するために、その吸収ピーク波長が、蛍光体層の発光ピーク波長と近いほど好ましい。有機光電変換材料の吸収ピーク波長と蛍光体層の発光ピーク波長とが一致することが理想的であるが、双方の差が小さければ蛍光体層から発された光を十分に吸収することが可能である。具体的には、有機光電変換材料の吸収ピーク波長と、蛍光体層の放射線に対する発光ピーク波長との差が、10nm以内であることが好ましく、5nm以内であることがより好ましい。このような条件を満たすことが可能な有機光電変換材料としては、例えば、アリーリデン系有機化合物、キナクリドン系有機化合物、及びフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。例えばキナクリドンの可視域における吸収ピーク波長は560nmであるため、有機光電変換材料としてキナクリドンを用い、蛍光体層の材料としてCsITlを用いれば、上記ピーク波長の差を5nm以内にすることが可能となり、OPC膜で発生する電荷量をほぼ最大にすることができる。バイアス電極22及び電荷収集電極24の間に設けられる有機層の少なくとも一部をOPC膜によって構成することができる。この有機層は、より具体的には、電磁波を吸収する部位、光電変換部位、電子輸送部位、正孔輸送部位、電子ブロッキング部位、正孔ブロッキング部位、結晶化防止部位、電極、及び層間接触改良部位等の積み重ね若しくは混合により形成することができる。上記有機層は、有機p型化合物又は有機n型化合物を含有することが好ましい。有機p型半導体化合物は、主に正孔輸送性有機化合物に代表されるドナー性有機半導体化合物であり、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。更に詳しくは2つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。したがって、ドナー性有機化合物としては、電子供与性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。例えば、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物、ピラゾリン化合物、スチリルアミン化合物、ヒドラゾン化合物、トリフェニルメタン化合物、カルバゾール化合物、ポリシラン化合物、チオフェン化合物、フタロシアニン化合物、シアニン化合物、メロシアニン化合物、オキソノール化合物、ポリアミン化合物、インドール化合物、ピロール化合物、ピラゾール化合物、ポリアリーレン化合物、縮合芳香族炭素環化合物ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、フルオランテン誘導体、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体等を用いることができる。なお、これらに限らず、n型アクセプター性化合物として用いた有機化合物よりもイオン化ポテンシャルの小さい有機化合物であればドナー性有機半導体として用いることができる。有機n型半導体化合物は、主に電子輸送性有機化合物に代表されるアクセプター性有機半導体化合物であり、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。更に詳しくは2つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。したがって、アクセプター性有機化合物は、電子受容性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。例えば、縮合芳香族炭素環化合物ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、フルオランテン誘導体、窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含有する5ないし7員のヘテロ環化合物例えばピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、キノキサリン、キナゾリン、フタラジン、シンノリン、イソキノリン、プテリジン、アクリジン、フェナジン、フェナントロリン、テトラゾール、ピラゾール、イミダゾール、チアゾール、オキサゾール、インダゾール、ベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、カルバゾール、プリン、トリアゾロピリダジン、トリアゾロピリミジン、テトラザインデン、オキサジアゾール、イミダゾピリジン、ピラリジン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、ジベンズアゼピン、トリベンズアゼピン等、ポリアリーレン化合物、フルオレン化合物、シクロペンタジエン化合物、シリル化合物、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体などが挙げられる。なお、これらに限らず、ドナー性有機化合物として用いた有機化合物よりも電子親和力の大きな有機化合物であればアクセプター性有機半導体として用いることができる。p型有機色素又はn型有機色素としては、公知のものを用いることができるが、好ましくは、シアニン色素、スチリル色素、ヘミシアニン色素、メロシアニン色素ゼロメチンメロシアニンシンプルメロシアニンを含む、3核メロシアニン色素、4核メロシアニン色素、ロダシアニン色素、コンプレックスシアニン色素、コンプレックスメロシアニン色素、アロポーラー色素、オキソノール色素、ヘミオキソノール色素、スクアリウム色素、クロコニウム色素、アザメチン色素、クマリン色素、アリーリデン色素、アントラキノン色素、トリフェニルメタン色素、アゾ色素、アゾメチン色素、スピロ化合物、メタロセン色素、フルオレノン色素、フルギド色素、ペリレン色素、フェナジン色素、フェノチアジン色素、キノン色素、インジゴ色素、ジフェニルメタン色素、ポリエン色素、アクリジン色素、アクリジノン色素、ジフェニルアミン色素、キナクリドン色素、キノフタロン色素、フェノキサジン色素、フタロペリレン色素、ポルフィリン色素、クロロフィル色素、フタロシアニン色素、金属錯体色素、縮合芳香族炭素環系色素ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、フルオランテン誘導体等が挙げられる。1対の電極間に、p型半導体層とn型半導体層とを有し、該p型半導体とn型半導体の少なくともいずれかが有機半導体であり、かつ、それらの半導体層の間に、該p型半導体及びn型半導体を含むバルクヘテロ接合構造層を中間層として有する光電変換膜感光層を好適に用いることができる。このように、光電変換膜において、バルクへテロ接合構造層を含ませることにより有機層のキャリア拡散長が短いという欠点を補い、光電変換効率を向上させることができる。なお、上記バルクへテロ接合構造については、特開2005-303266号公報において詳細に説明されている。光電変換膜の厚みは、蛍光体層からの光を吸収する点では膜厚は大きいほど好ましいが、電荷分離に寄与しない割合を考慮すると、30nm以上300nm以下が好ましく、より好ましくは、50nm以上250nm以下、特に好ましくは80nm以上200nm以下である。上述したOPC膜に関するその他の構成は、例えば、特開2009-32854号公報の記載が参考となる。[スイッチ素子]スイッチ素子28の活性層としては、例えばアモルファスシリコン等の無機半導体材料が使われることが多いが、例えば特開2009-212389号公報に記載されたように、有機材料を使用することができる。有機TFTはいかなるタイプの構造でもよいが、最も好ましいのは電界効果型トランジスタFET構造である。このFET構造は、絶縁性基板上面の一部にゲート電極を設け、更に該電極を覆い、かつ電極以外の部分で基板と接するように絶縁体層を設けている。更に絶縁体層の上面に半導体活性層を設け、その上面の一部に透明ソース電極と透明ドレイン電極とを隔離して配置している。なお、この構成はトップコンタクト型素子と呼ばれるが、ソース電極とドレイン電極とが半導体活性層の下部にあるボトムコンタクト型素子も好ましく用いることができる。また、キャリアが有機半導体膜の膜厚方向に流れる縦型トランジスタ構造であってもよい。活性層ここでいう有機半導体材料とは、半導体の特性を示す有機材料のことであり、無機材料からなる半導体と同様に、正孔ホールをキャリアとして伝導するp型有機半導体材料あるいは単にp型材料、正孔輸送材料とも言う。と、電子をキャリアとして伝導するn型有機半導体材料あるいは単にn型材料、電子輸送材料とも言う。がある。有機半導体材料は一般にp型材料の方が良好な特性を示すものが多く、また、一般に大気下でのトランジスタ動作安定性もp型トランジスタの方が優れているため、ここでは、p型有機半導体材料について説明する。有機薄膜トランジスタの特性の一つに、有機半導体層中のキャリアの動きやすさを示すキャリア移動度単に移動度とも言うμがある。用途によっても異なるが、一般に移動度は高い方がよく、1.0×107cm2/Vs以上であることが好ましく、1.0×106cm2/Vs以上であることがより好ましく、1.0×105cm2/Vs以上であることが更に好ましい。移動度は電界効果トランジスタFET素子を作製したときの特性や飛行時間計測TOF法により求めることができる。前記p型有機半導体材料は、低分子材料でも高分子材料でも良いが、好ましくは低分子材料である。低分子材料は、昇華精製や再結晶、カラムクロマトグラフィーなどの様々な精製法が適用できるため高純度化が容易であること、分子構造が定まっているため秩序の高い結晶構造を取りやすいこと、などの理由から高い特性を示すものが多い。低分子材料の分子量は、好ましくは100以上5000以下、より好ましくは150以上3000以下、更に好ましくは200以上2000以下である。このようなp型有機半導体材料としては、フタロシアニン化合物又はナフタロシアニン化合物を例示することができ、具体例を以下に示す。なお、Mは金属原子、Buはブチル基、Prはプロピル基、Etはエチル基、Phはフェニル基をそれぞれ表す。活性層以外のスイッチ素子の構成要素ゲート電極、ソース電極、又はドレイン電極を構成する材料としては、必要な導電性を有するものであれば特に制限はないが、例えば、ITOインジウムドープ酸化スズ、IZOインジウムドープ酸化亜鉛、SnO2、ATOアンチモンドープ酸化スズ、ZnO、AZOアルミニウムドープ酸化亜鉛、GZOガリウムドープ酸化亜鉛、TiO2、FTOフッ素ドープ酸化スズなどの透明導電性酸化物、PEDOT/PSSポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸などの透明導電性ポリマー、カーボンナノチューブなどの炭素材料が挙げられる。これらの電極材料は、例えば真空蒸着法、スパッタリング、溶液塗布法等の方法で成膜することができる。絶縁層に用いられる材料としては、必要な絶縁効果を有するものであれば特に制限はないが、例えば、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、アルミナなどの無機材料、ポリエステルPENポリエチレンナフタレート、PETポリエチレンテレフタレートなど、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリアクリレート、エポキシ樹脂、ポリパラキシリレン樹脂、ノボラック樹脂、PVAポリビニルアルコール、PSポリスチレン、などの有機材料が挙げられる。これらの絶縁膜材料は、例えば真空蒸着法、スパッタリング、溶液塗布法等の方法で成膜することができる。上述した有機TFTに関するその他の構成は、例えば、特開2009-212389号公報の記載が参考となる。また、スイッチ素子28の活性層には、例えば特開2010-186860号公報に記載された非晶質酸化物も使用することができる。ここで、特開2010-186860号に記載された電界効果型トランジスタが有する非晶質酸化物含有の活性層について示す。この活性層は、電子又はホールの移動する電界効果型トランジスタのチャネル層として機能する。活性層は、非晶質酸化物半導体を含んだ構成とされている。この非晶質酸化物半導体は、低温で成膜可能であるために、可撓性のある基板上に好適に形成される。活性層に用いられる非晶質酸化物半導体としては、好ましくはIn、Sn、Zn、又はCdよりなる群より選ばれる少なくとも1種の元素を含む非晶質酸化物であり、より好ましくは、In、Sn、Znよりなる群より選ばれる少なくとも1種を含む非晶質酸化物、更に好ましくは、In、Znよりなる群より選ばれる少なくとも1種を含む非晶質酸化物である。活性層に用いられる非晶質酸化物としては、具体的には、In2O3、ZnO,SnO2、CdO,Indium-Zinc-OxideIZO、Indium-Tin-OxideITO、Gallium-Zinc-OxideGZO、Indium-Gallium-OxideIGO、Indium-Gallium-Zinc-OxideIGZOが挙げられる。活性層の成膜方法としては、酸化物半導体の多結晶焼結体をターゲットとして、気相成膜法を用いるのが好ましい。気相成膜法の中でも、スパッタリング法、パルスレーザー蒸着法PLD法が適している。更に、量産性の観点から、スパッタリング法が好ましい。例えば、RFマグネトロンスパッタリング蒸着法により、真空度及び酸素流量を制御して成膜される。成膜された活性層は、周知のX線回折法によりアモルファス膜であることが確認される。活性層の組成比は、RBSラザフォード後方散乱分析法により求められる。また、この活性層の電気伝導度は、好ましくは10-4Scm-1以上102Scm-1未満であり、より好ましくは10-1Scm-1以上102Scm-1未満である。この活性層の電気伝導度の調整方法としては、公知の酸素欠陥による調整方法や、組成比による調整方法、不純物による調整方法、酸化物半導体材料による調整方法が挙げられる。上述した非晶質酸化物に関するその他の構成は、例えば、特開2010-186860号公報の記載が参考となる。[絶縁性基板]絶縁性基板12としては、例えば、ガラス、石英、プラスチックフィルムなどが挙げられる。プラスチックフィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリエーテルスルホンPES、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネートPC、セルローストリアセテートTAC、セルロースアセテートプロピオネートCAP等からなるフィルム等が挙げられる。また、これらのプラスチックフィルムに、有機あるいは無機のフィラーを含有させてもよい。また、フレキシブルでかつ低熱膨張、高強度といった、既存のガラスやプラスチックでは得られない特性を有するアラミド、バイオナノファイバーなどを用いて形成されたフレキシブル基板も好適に使用しうる。アラミドアラミド材料は、ガラス転移温度315°Cという高い耐熱性、ヤング率が10GPaという高い剛性、熱膨張率が-3~5ppm/°Cという高い寸法安定性を有する。このため、アラミド製のフィルムを用いると、一般的な樹脂フィルムを用いる場合と比べて、半導体層の高品質の成膜が容易に行える。また、アラミド材料の高耐熱性により、電極材料を高温硬化させて低抵抗化できる。更に、ハンダのリフロー工程を含むICの自動実装にも対応できる。また更に、ITOindiumtinoxideやガスバリア膜、ガラス基板と熱膨張係数が近いために、製造後の反りが少ない。そして、割れにくい。ここで、ハロゲンを含まないハロゲンフリーJPCA-ES01-2003の規定に適合なアラミド材料を用いることが環境負荷低減の点で好ましい。アラミドフィルムは、ガラス基板やPET基板と積層されてもよいし、デバイスの筐体に貼り付けられてもよい。アラミドの分子間の凝集力水素結合力の高さによる溶媒への低溶解性を分子設計によって解決することにより、無色透明で薄いフィルムへの成形が容易とされたアラミド材料についても、好適に用いることができる。モノマーユニットの秩序性、及び芳香環上の置換基種位置を制御する分子設計により、アラミド材料の高剛性や寸法安定性に繋がる直線性の高い棒状の分子構造を維持しつつ、溶解性が良い成形の容易さが得られる。この分子設計により、ハロゲンフリーをも実現できる。また、フィルムの面内方向の特性が最適化されたアラミド材料についても、好適に用いることができる。成型中に逐次変化するアラミドフィルムの強度に応じて、溶液キャスト、縦延伸、横延伸の工程ごとに張力条件を制御することにより、直線性の高い棒状分子構造であって物性に異方性が生じやすいアラミドフィルムの面内方向の特性をバランスできる。具体的に、溶液キャスト工程では、溶媒の乾燥速度の制御による面内厚み方向の物性の等方化、溶媒を含んだ状態のフィルムの強度とキャストドラムからの剥離強度の最適化、を図る。縦延伸工程では、延伸中に逐次変化するフィルムの強度、溶媒の残留量に応じた延伸条件を精密に制御する。横延伸工程では、加熱によって変化するフィルム強度の変化に応じた横延伸の条件の制御、フィルムの残留応力を緩和するための横延伸の条件の制御を図る。このようなアラミド材料の使用により、成型後のアラミドフィルムがカールしてしまう問題を解決できる。上記の成形容易さに対する工夫、及びフィルム面内方向の特性のバランスに対する工夫のいずれにおいても、アラミドならではの直線性の高い棒状の分子構造が維持されているので、熱膨張係数を低く維持できる。製膜時の延伸条件の変更などにより、熱膨張係数を更に低減することも可能である。バイオナノファイバーナノファイバーは、光の波長に対して十分に小さなコンポーネントは光散乱を生じないことから、透明でフレキシブルな樹脂材料の補強として用いることができる。そして、ナノファイバーの中でも、バクテリアが産出するセルロースミクロフィブリル束は、幅50nmと、可視光波長に対して約1/10のサイズでかつ、高強度、高弾性、低熱膨である特徴を有しており、このバクテリアセルロースと透明樹脂との複合材料バイオナノファイバーということがあるを好適に用いることができる。バクテリアセルロースシートにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸硬化させることで、繊維を約60~70と高い比率で含有しながら、波長500nmで約90の光透過率を示す透明バイオナノファイバーが得られる。このバイオナノファイバーにより、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数約3~7ppm、鋼鉄並の強度、及び高弾性が得られる。上述したバイオナノファイバーに関する構成は、例えば、特開2008-34556号公報の記載が参考となる。[平坦化層及び接着層]シンチレータ18と光電変換素子26とを光学的に結合させる樹脂層としての平坦化層23及び接着層25は、シンチレータ18の蛍光を減衰させることなく光電変換素子26に到達させ得るものであれば特に制限はない。平坦化層23としては、ポリイミドやパリレンなどの樹脂を用いることができ、製膜性が良好なポリイミドを用いることが好ましい。接着層25としては、例えば、熱可塑性樹脂、UV硬化接着剤、加熱硬化型接着剤、室温硬化型接着剤、両面接着シート、等が挙げられるが、画像の鮮鋭度を低下させないという観点から、素子サイズに対して十分に薄い接着層を形成し得る低粘度エポキシ樹脂製の接着剤を用いることが好ましい。また、柱状結晶35の先端部の微細な凹凸窪んだ中央部35a及び単独では凸となる周縁部35bに順応してシンチレータ18とセンサパネル3と密着させるには、粘着剤を用いることがより好ましい。粘着剤としては、ゴム系粘着剤やシリコン系粘着剤やアクリル系粘着剤などが挙げられるが、光劣化等が少ないアクリル系粘着剤が好ましく、具体的には、日栄化工社製P‐202などを用いることができる。以上、説明したように、本明細書には、下記1から9の放射線画像変換パネルが開示されている。1放射線露光によって蛍光を発する蛍光物質を含有した蛍光体を備える放射線画像変換パネルであって、前記蛍光体は、前記蛍光物質の結晶が柱状に成長してなる柱状結晶の群を含み、前記各柱状結晶の先端部は、先端面の中央部がその外周を囲む周縁部に比べて窪んだ凹形状である放射線画像変換パネル。2上記1の放射線画像変換パネルであって、前記各柱状結晶の先端面の周縁部は、凸である放射線画像変換パネル。3上記1又は2の放射線画像変換パネルであって、前記各柱状結晶の先端面の中央部は、実質的に平坦である放射線画像変換パネル。4上記1から3のいずれか1つに記載の放射線画像変換パネルであって、前記蛍光体が形成される支持体を更に備え、前記蛍光体が形成される前記支持体の表面には、複数の凹部が2次元状に配列されて形成されている放射線画像変換パネル。5上記4に記載の放射線画像変換パネルであって、前記各凹部は、底に向かうに従って滑らかに径が小さくなるように形成されている放射線画像変換パネル。6上記4に記載の放射線画像変換パネルであって、前記各凹部は、底に向かうに従ってステップ的に径が小さくなるように形成されている放射線画像変換パネル。7上記4から6のいずれか1つに記載の放射線画像変換パネルであって、前記支持体は、前記蛍光体が発する蛍光に対して反射性を有する放射線画像変換パネル。8上記7の放射線画像変換パネルであって、前記支持体は、アルミニウム又はアルミニウム合金で形成されている放射線画像変換パネル。9上記7の放射線画像変換パネルであって、前記蛍光体が形成される前記支持体の表面にAl又はAl合金の膜が形成されている放射線画像変換パネル。また、本明細書には、下記10から14の放射線画像検出装置が開示されている。10上記1から9のいずれか1つに記載の放射線画像変換パネルと、前記放射線画像変換パネルから発せられる蛍光を検出するセンサパネルと、を備え、前記各柱状結晶の先端側にあたる前記蛍光体の表面と前記センサパネルとの間に接着層を介在させて、前記放射線画像変換パネルと前記センサパネルとが貼り合わされている放射線画像検出装置。11上記4から9のいずれか1つに記載の放射線画像変換パネルと、前記放射線画像変換パネルから発せられる蛍光を検出するセンサパネルと、を備え、前記各柱状結晶の先端側にあたる前記蛍光体の表面と前記センサパネルとの間に接着層を介在させて、前記放射線画像変換パネルと前記センサパネルとが貼り合わされており、前記センサパネルには、前記蛍光を光電変換する複数の光電変換素子が2次元状に配列されて形成されており、前記支持体の前記複数の凹部の配列ピッチは、前記センサパネルの前記複数の光電変換素子の配列ピッチより小さい放射線画像検出装置。12上記11の放射線画像検出装置であって、前記支持体の前記複数の凹部の配列ピッチは、前記センサパネルの前記複数の光電変換素子の配列ピッチの整数分の1である放射線画像検出装置。13上記10から12のいずれか1つに記載の放射線画像検出装置であって、前記センサパネル側に放射線入射面を有する放射線画像検出装置。14上記10から12のいずれか1つに記載の放射線画像検出装置であって、前記放射線画像変換パネル側に放射線入射面を有する放射線画像検出装置。"