"出力電流を取出すためのバスバー電極を有する太陽電池素子と、短辺と長辺とを有する形状であり、前記バスバー電極と重ね合せ接続されることにより、前記バスバー電極に電気的に接続される接続タブと、前記接続タブの前記短辺側の側面と前記バスバー電極との双方に固着するように設けられた短辺側固着体と、を含む、太陽電池モジュール。前記接続タブの前記長辺側の側面と前記バスバー電極との双方に固着する長辺側固着体がさらに設けられてなる、請求項1に記載の太陽電池モジュール。前記短辺側固着体が前記長辺の方向に対して前記バスバー電極と接する部分の長さが、前記長辺側固着体が前記短辺の方向に対して前記バスバー電極と接する部分の長さよりも大きい、請求項2に記載の太陽電池モジュール。前記短辺側固着体は、前記接続タブと接する最上部における前記バスバー電極面からの高さが、前記接続タブの高さに対して-90から20の範囲に入っている、請求項1から請求項3のいずれかに記載の太陽電池モジュール。前記短辺側固着体は、前記長辺の方向に対して前記バスバー電極と接する部分の長さが、前記接続タブの高さに対して30~300である、請求項1から請求項4のいずれかに記載の太陽電池モジュール。前記短辺側固着体は、前記長辺の方向に対する縦断面形状において、前記短辺側固着体が前記接続タブと接する最上部と、前記短辺側固着体が前記長辺の方向に対して前記バスバー電極と接する最長部とを仮想的に結ぶ直線に対して、上側方向に凸形状部又は下側-方向に凹部形状を有し、該凹又は凸形状部の外郭線における前記直線との最長距離が、前記最上部における前記短辺側固着体の前記バスバー電極からの高さに対して、-10~54である、請求項1から請求項5のいずれかに記載の太陽電池モジュール。前記短辺側固着体の前記長辺の方向に対する縦断面形状において、前記短辺側固着体が前記接続タブと接する最上部と、前記短辺側固着体が前記長辺の方向に対して前記バスバー電極と接する最長部とを仮想的に結ぶ直線と、前記バスバー電極面とのなす角度が、7~60°である、請求項1から請求項6のいずれかに記載の太陽電池モジュール。前記短辺側固着体は、前記バスバー電極と固着する側の面に、前記バスバー電極と接する第1領域と、前記第1領域に囲まれ、前記バスバー電極と接していない第2領域とを含む、請求項1から請求項7のいずれかに記載の太陽電池モジュール。前記バスバー電極と前記接続タブとは、導電性接合材を介して電気的に接続されるとともに、前記短辺側固着体が前記導電性接合材と同材質である、請求項1から請求項8のいずれかに記載の太陽電池モジュール。前記接続タブに設けられた前記導電性接合材の厚みが、前記接続タブの中央部よりも前記短辺側固着体に近い側が薄くなるように構成されている、請求項9に記載の太陽電池モジュール。前記導電性接合材は半田である、請求項9又は請求項10に記載の太陽電池モジュール。前記接続タブは、前記バスバー電極と半田付けで接続される前段階において、帯状の金属箔に半田層を被覆されたものであり、前記バスバー電極と接続される側の前記半田層の厚みが5μmから100μmである、請求項11に記載の太陽電池モジュール。出力電流を取出すためのバスバー電極を一主面上に有して成る太陽電池素子を準備する工程と、前記バスバー電極上であって前記バスバー電極の短部と所定距離を隔てて、導電性部材を介して、接続タブを接続する工程と、前記バスバー電極上であって前記接続タブの短辺側の側面に固着体の材料を供給する工程と、前記接続タブの前記短辺側の側面に対して前記固着体をフィレット状に形成する工程と、を有する、太陽電池モジュールの製造方法。前記導電性部材及び前記固着体の材料は半田からなるとともに、前記固着体の材料の供給は、前記バスバー電極と前記接続タブとの間で前記導電性部材を溶融させた状態で、前記バスバー電極を前記接続タブに対して相対的に押圧することによって、前記導電性部材を押し出すことにより行われる、請求項13に記載の太陽電池モジュールの製造方法。前記バスバー電極上の所定部位に該バスバー電極よりも半田濡れ性の悪い半田レジストを形成する工程をさらに含み、前記固着体の材料は、前記バスバー電極上の前記半田レジストと前記接続タブとの間に供給される、請求項13または請求項14に記載の太陽電池モジュールの製造方法。この様に太陽電池素子104にマイクロクラックCRが発生すると、バスバー電極102a,103aが太陽電池素子104の基板より剥離することがある。またその後の太陽電池素子104を充填材で封入するラミネート工程において、太陽電池素子104が割れたり、大きなクラックが発生したりすることがあり、太陽電池モジュールの製造工程における歩留りを低下させる原因となる。特に最近の太陽電池モジュールでは、環境面への配慮から使用する半田に鉛が実質的に含まれないものを使用するものが増えており、この鉛が実質的に含まれない半田を使用した場合では、その半田の物性から半田付け温度が高くなるため、前記のような接続タブ107の半田付け前後で太陽電池素子104の端部の反りの程度がさらに大きくなり、太陽電池素子104にマイクロクラックがより発生しやすい。さらに最近の太陽電池モジュールでは、コストダウンのために太陽電池素子104に使用するシリコン基板の厚みを薄くする傾向にあるため、太陽電池素子104のマイクロクラックの発生がさらに発生しやくなり、大きくなる問題となっている。本発明者らが繰り返し行ったテストでは、この太陽電池素子104の表面に生じる応力のため、太陽電池素子104の厚みが0.3mm未満になるとマイクロクラックが発生し易くなる。本発明の目的は、接続タブ107を太陽電池素子104上の電極に取り付けた場合に、太陽電池素子に発生する応力を緩和することにより、歩留りの安定した太陽電池モジュールを提供することにある。また本発明の目的は、半導体基板に生じる応力を緩和できる太陽電池モジュールの製造方法を提供することにある。以下の説明では、発明の実施の形態の説明に合わせて符号を付しているが、本発明は、実施の形態に限定されるものでないことは勿論である。本発明の太陽電池モジュールは、出力電流を取出すためのバスバー電極を有する太陽電池素子と、短辺と長辺とを有する形状であり前記バスバー電極と重ね合されることにより前記バスバー電極に電気的に接続される接続タブと、前記接続タブの前記短辺側の側面と前記バスバー電極との双方に固着するように設けられた短辺側固着体と、を含むものである。本発明の太陽電池モジュールによれば、前記接続タブは前記バスバー電極と重ね合されることにより接続されるとともに、前記接続タブの短辺側の側面に短辺側固着体が形成されるようにしたことにより、短辺側固着体により太陽電池素子面に発生する応力が分散されると共に短辺側固着体自体が応力に応じて変形する。このため、太陽電池素子面に発生する最大主応力を前記短辺側固着体によって緩和することができ、マイクロクラックの発生を減らすことができ、製造工程において、太陽電池素子が割れたり、クラックが発生したりすることが低減される。前記接続タブの長辺側の側面と前記バスバー電極との双方に固着する長辺側固着体がさらに設けられてなるものであってもよい。前記短辺側固着体が前記バスバー電極と接する部分の長さDが、前記長辺側固着体が前記バスバー電極と接する部分の長さEよりも大きいことが望ましい。これは、前記接続タブを前記バスバー電極に溶着する工程において太陽電池素子面に発生する応力の方向が、主として長辺の方向Kになるので、短辺側固着体で当該応力を効率よく緩和するためには、前記短辺側固着体が前記バスバー電極と接する部分の長さDを長くとるほうが有利になるからである。また、前記長辺側固着体が短辺の方向前記長辺の方向Kと直角な方向に対して前記バスバー電極と接する部分の長さEは短いほうが、前記バスバー電極と接続タブとの重なり面積が増加するので、好ましい。前記短辺側固着体は、前記長辺の方向に対する縦断面形状において、前記短辺側固着体が前記接続タブと接する最上部Zと、前記短辺側固着体が前記長辺の方向に対して前記バスバー電極と接する最長部Yとを仮想的に結ぶ直線Gに対して、上側方向又は下側-方向に凹又は凸形状部を有し、該凹又は凸形状部の外郭線における前記直線との最長距離Lが、前記最上部における前記短辺側固着体の前記バスバー電極からの高さAに対して、-10~54であることが望ましい。この短辺側固着体の形状によれば、前記接続タブを前記バスバー電極に溶着する工程において、前記接続タブの収縮により生じる力を前記太陽電池素子に分散して伝えることが、最も効率的にできる。さらに前記短辺側固着体の体積が適正な量になることから、前記短辺側固着体の収縮によって前記太陽電池素子に生じる最大主応力も低減させることができる。この結果、前記太陽電池素子にクラックが生じなくなる。本発明の太陽電池モジュールの製造方法は、一主面上に出力電流を取出すためのバスバー電極を有して成る太陽電池素子を準備する工程と、前記バスバー電極上であって前記バスバー電極の端と所定距離wを隔てて、導電性部材を介して、接続タブを接続する工程と、前記バスバー電極上であって前記接続タブの前記短辺側の側面に固着体19の材料を供給することで、前記接続タブの前記側面に対して前記固着体をフィレット状に形成する工程と、を有するものである。前記導電性部材及び前記固着体の材料は半田からなるとともに、前記固着体の材料の供給は、前記バスバー電極と前記接続タブとの間で前記導電性部材を溶融させた状態で、前記バスバー電極を前記接続タブに対して相対的に押圧することによって、前記導電性部材を押し出すことにより行ってもよい。この製造方法により、溶融状態の導電性部材を電極上の接続タブ端部に押し出して導電性部材の供給を行うことで、フィレット状の固着体を形成できるため、タクトアップが図れる。前記バスバー電極上の所定部位に該バスバー電極よりも半田濡れ性の悪い半田レジストを形成する工程をさらに含み、前記固着体の材料を、前記バスバー電極上の前記半田レジストと前記接続タブとの間に供給するようにしてもよい。この製造方法により、固着体は半田レジストよりも半田濡れ性の良い接続タブ及びバスバー電極側に保持されるため、従来よりも厚い固着体を形成することができる。それゆえ、温度変化が生じた場合に、接続タブと太陽電池素子との熱膨張係数の差異に起因して生じる応力を、フィレット状の固着体で緩和することができる。なお、半導体基板は、少なくとも一主面にバスバー電極を有していればよく、このバスバー電極と接続タブとを接続して太陽電池モジュールとするものであれば本発明を好適に利用することができる。以下、本発明の実施の形態を、添付図面を参照しながら詳細に説明する。<太陽電池素子>図1~図3は、本発明の一実施形態に係る太陽電池素子を示す図であり、図1は受光面側から平面視した図であり、図2は非受光面側から平面視した図であり、図3は断面構造図である。図中、1は半導体基板、2は受光面側の電極、2aは受光面側のバスバー電極、2bは受光面側のフィンガー電極、3は非受光面側の電極、3aは非受光面側のバスバー電極、3bは非受光面側の面電極、4は太陽電池素子、12は反射防止膜、13は非受光面電界領域BSF領域を示す。半導体基板1としては、単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、あるいはアモルファス半導体基板、化合物半導体基板等を適用することができるが、ここでは、単結晶半導体基板、多結晶半導体基板などの結晶系半導体基板を例にとって、具体的に説明する。例えば、半導体基板1としてシリコン基板1を用いる場合は、Bボロンなどのp型の半導体不純物を含んだp型シリコン基板1を用いる。単結晶シリコン基板1は、CZ法で引き上げられたシリコンインゴットを切断することで得ることができる。また、多結晶シリコン基板1は、キャスト法により得られたシリコンインゴットを切断する方法や、リボン法例えばEFGEdgedefinedFilmfedGrowthMethod法によりシート状の多結晶シリコンを形成し、これを切断する方法などによって、得ることができる。半導体基板1の受光面側には、バスバー電極2a、フィンガー電極2bが設けられている。その反対側である非受光面側には、面電極3b、バスバー電極3aが設けられている。特に、上述したp型半導体基板1を用いる場合には、非受光面側の面電極3bとして、p型の半導体不純物として作用するアルミニウムを主成分とすることが一般的である。面電極3bの形成方法としては、例えば、アルミペーストをスクリーン印刷法などによって塗布した後、熱処理を行う。この熱処理によって、半導体基板1の非受光面側にはアルミニウムなどの半導体不純物を高濃度に含んだp領域非受光面電界領域13が形成される。非受光面電界領域13は、BSF領域とも呼ばれ、光によって生成されたキャリアが面電極3bに到達して再結合損失する割合を低減する役割を果たすので、光電流密度Jscが向上する。また、この非受光面電界領域13では、少数キャリア電子密度が低減されるので、この非受光面電界領域13及び面電極3bに接する領域でのダイオード電流量暗電流量を低減する働きをし、開放電圧Vocが向上する。その結果、太陽電池特性を向上させる働きがある。なお、図1、図2に示した受光面側の電極2バスバー電極2a、フィンガー電極2bと非受光面側のバスバー電極3aには通常、抵抗率が低く、半田濡れ性のよい銀などを主成分とした電極が用いられる。このような電極形成の方法としては、バスバー電極2a、フィンガー電極2b、バスバー電極3aにスクリーン印刷法などによって、銀ペーストを塗布した後、焼成する方法がある。さらに、図3に示すように、この半導体基板1の受光面側にPリン原子を拡散させてp型とは逆の導電型であるn型の逆導電型拡散層1aを形成する。これによりpn接合を有する太陽電池素子4が作成される。また、半導体基板1の受光面側において、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜などからなる反射防止膜12を設ければ、好適に半導体基板1表面で反射した光を半導体基板1に再び取り込むことができるため、太陽電池特性を向上させることができる。<太陽電池モジュール>上述したようにして製作された太陽電池素子4を用いて構成される太陽電池モジュールを図4に示す。図中、7は接続タブ、8は透光性部材、9は充填材、10は非受光面シート保護材を示す。以下、各部材について説明する。透光性基板8としては、ガラスやポリカーボネート樹脂などからなる基板が用いられる。ガラス板には、白板ガラス、強化ガラス、倍強化ガラス、熱線反射ガラスなどが用いられるが、一般的には厚さ3mm~5mm程度の白板強化ガラスが使用される。他方、ポリカーボネート樹脂などの合成樹脂からなる基板を用いた場合には、厚みが5mm程度のものが多く使用される。充填材9は、エチレン-酢酸ビニル共重合体以下EVAと略すやポリビニルブチラールPVBから成り、Tダイ平板状口金を有する押し出し機により厚さ0.4~1mm程度のシート状に成形されたものが用いられる。これらはラミネート装置により減圧下にて加熱加圧を行うことで、軟化、融着して他の部材と一体化する。EVAやPVBは、酸化チタンや顔料等を含有させ白色等に着色させることがあるが、本発明に係る太陽電池モジュールにおける受光面側の充填材9においては、着色させると太陽電池素子4に入射する光量が減少し発電効率が低下するため、透明とする。また、非受光面側の充填材9に用いるEVAやPVBは透明でも構わないし、太陽電池モジュールの設置される周囲の設置環境に合わせ酸化チタンや顔料等を含有させ白色等に着色させても構わない。また、非受光面シート保護材10は、水分を透過しないようにアルミ箔を挟持した耐候性を有するフッ素系樹脂シートやアルミナ又はシリカを蒸着したポリエチレンテレフタレ-トPETシートなどが用いられ、透明でも良いし、白色や黒色等に着色して用いても良い。図4に示すように、接続タブ7は、バスバー電極2a、3aの略全長にわたって形成され、隣接する太陽電池素子4同士のバスバー電極2a、3aを電気的に接続するもの、あるいは太陽電池素子4と横配線不図示とを電気的あるいは機械的に接続するものである。接続タブ7が接続された太陽電池モジュールは、通常、透光性部材8と受光面側の充填材9を積層したものの上に載置され、さらに非受光面側の充填材9及び保護材10を順次積層した上で、ラミネート工程を経て一体化し、その後、枠体不図示及び端子ボックス不図示を取り付けて耐候性を有する太陽電池モジュールとする。端子ボックス不図示は、太陽電池素子4からの電気出力を外部回路に接続するために、保護材10に接着材等を用いて取り付けられる。この端子ボックスの一例としては、変性ポリフェニレンエーテル樹脂変性PPE樹脂などで紫外線などに対する耐光性を考慮して黒色で形成される。また、端子ボックスは、取り付け後の半田付け作業などを行いやすくするため、本体部と蓋部に分かれており、蓋部は本体部に嵌め込みやネジ止めにより固定される。端子ボックスの大きさは、取り付けられる太陽電池モジュールの大きさにより最適に決定すればよいが、一例として一辺が5~15cm程度、厚みが1~5cm程度のものが多く使用されている。そして、枠体不図示は、太陽電池モジュールとして必要な機械的強度や耐候性能を確保し、また太陽電池モジュールを野外に設置する場合の架台不図示と太陽電池モジュールとの間を接続し、固定するためにも用いる。枠体は、太陽電池モジュールに必要な強度やコストを考慮してアルミニウムや樹脂などで形成される。アルミニウムで造る場合には、アルミニウムを押し出し成形して造られ、その表面にアルマイト処理やクリヤ塗装が施される。太陽電池モジュールを作製するにあたっては、透光性基板8上に受光面側の充填材9を置き、さらにその上に接続タブ7等で接続した太陽電池素子4を置く。さらにその上に非受光面側の充填材9、保護材10を順次積層する。このような状態にして、ラミネーターにセットし、減圧下にて加圧しながら100~200°Cで例えば15分~1時間加熱することにより、これらが一体化する。この一体化したものに必要に応じモジュール枠などを取り付けて太陽電池モジュールが完成する。太陽電池素子4同士を接続する前記接続タブ7の接続方法としては直列接続と並列接続とがある。太陽電池素子4同士を直列接続する場合には、接続タブ7の一端は、一つの太陽電池素子4のバスバー電極2aに、半田等の導電性接合材で接続され、もう一端は、他の太陽電池素子4のバスバー電極3aに、半田等の導電性接合材で接続される。また、並列接続する場合、接続タブ7の一端は、一つの太陽電池素子4のバスバー電極2a3aに接続され、接続タブ7のもう一端は、他の太陽電池素子4のバスバー電極2a3aに接続される。この接続タブ7の材質は、銅、銀、パラジウム、パラジウムと銀の合金、金、ニッケル、半田、鉛、などの良導電性の金属材料からなる。また、これらの金属材料を半田被覆したり、蒸着法、メッキ法などで表面金属膜を別途設ければ、導電性を確保できるだけではなく、腐食防止、酸化低減の観点からも接続タブ7としてより好ましいものとなる。なお、接続タブ7は、その導電性や半田による被覆のしやすさなどを考慮して、銅箔を用いることが好ましい。具体的には、厚み0.1~1.0mm程度、幅5~15mm程度の銅箔に片面20~70ミクロン程度の半田を被覆して、接続タブ7とすることができる。特に、受光面側のバスバー電極2aに接続する場合、接続タブ7の幅は、半導体基板1の受光面に影を作らないように、バスバー電極2aの幅と同じかそれ以下にすることが好ましい。太陽電池素子4同士を接続する接続タブ7の長さは、太陽電池モジュール全体の電気抵抗を少なくするため、太陽電池素子4のバスバー電極2a,3aにほぼ重なるようにする。一般的な150mm角の多結晶シリコン太陽電池素子4を使用する場合、接続タブ7の幅は、1~3mm程度、その長さは200~300mm程度である。本発明に係る太陽電池モジュールは、上述した電極2a,3aと接続タブ7の端部とを固着するため、接続タブ7の短辺側の側面に所定形状のフィレットを形成すること特徴を有している。図5は本発明に係る接続タブ7を取り付けた太陽電池素子4の受光面側の平面図である。図6は、接続タブ7の端部付近の領域の部分拡大図である。また図7は、太陽電池素子4の図5に示すA-A ́断面図である。本発明に係る太陽電池素子4では、バスバー電極2a,3a及び接続タブ7は、それぞれ短辺と長辺とを有する長方形の細長い形状となっている。ただし、接続タブ7の形状は単純な長方形に限定されるものではなく、たとえば長辺に切り欠きが入っているような変形された形状を含んでもよいものとする。そして接続タブ7の短辺側の側面とバスバー電極2a,3aとの双方を固着するように固着体が設けられている。この固着体を短辺側固着体という。この短辺側固着体により接続タブ7の短辺側の側面にフィレット19が形成される。一方、接続タブ7の長辺側の側面と前記バスバー電極2a,3aとの双方を固着する固着体がさらに設けられてなる。この固着体を長辺側固着体という。この長辺側固着体により、接続タブ7の長辺側の側面にフィレット20が形成される。図6に示すように、接続タブ7の側面にフィレット19,20を形成するために、接続タブ7を、バスバー電極2a,3aの端から長さwだけ離し、バスバー電極2a,3aの長辺から長さvだけ離して取り付けている。本発明に係る太陽電池素子4では、バスバー電極2a,3aの端から接続タブ7の短辺までの距離wと、バスバー電極2a,3aの長辺から接続タブ7の長辺までの距離vとは、w>vを満たす関係になっている。数値例をあげれば、バスバー電極2a,3aの短辺の幅1.6mm、接続タブ7の短辺の幅1.3mmに対して、w=2~3mm、v=0.15mmである。そして接続タブ7の短辺側側面からのフィレット19の突出幅をDとし、接続タブ7の長辺側側面からのフィレット20の突出幅をEとする。前記w>vの関係が満たされる結果、フィレット19の突出幅Dと、フィレット20の突出幅Eとの関係も、D>Eの関係となっている。このように、フィレット19の突出幅Dを大きくとることとしたのは、バスバー電極2a,3a及び接続タブ7が細長い形状となっているため、太陽電池素子面に発生する応力は、主として、その長手方向K図6参照に沿った方向に発生するからである。この応力を緩和するためには、接続タブ7の短辺においてフィレット19の突出幅Dを大きく形成することが最も効果的である。一方、前記長手方向Kと直角な方向に発生する応力は比較的小さい。したがって、応力緩和の観点から、フィレット20の突出幅Eを長く設定する意味は少ない。接続タブ7の幅を細くして、フィレット20の突出幅Eを長くとると、バスバー電極2a,3aと接続タブ7との重なり面積が減少することになり、電流量が減少して好ましくない。したがって、フィレット19の突出幅Dを長く、フィレット20の突出幅Eを短くとることにより、応力の緩和と、重なり面積の増大との2つの要求を満足させているのである。図8~図11は、図7に示した接続タブ7の端部付近Sの拡大断面図を示している。図8は、断面視してフィレット19がくぼみを有する場合を示し、図9は、断面視してフィレット19が膨らみを有する場合を示している。さらに、図10は、フィレット19が接続タブ7よりも高く盛り上った状態を示している。非受光面バスバー電極3aに載っている接続タブ7についても同様の構造となるので、以下、受光面バスバー電極2a、非受光面バスバー電極3aを総称して、バスバー電極2a,3aという。フィレット19を形成するための固着体の材料は、非導電性樹脂、導電性樹脂など限定されないが、以下の例では、半田として説明する。また接続タブ7の表面は、被覆層5によってあらかじめ被覆されているものとする。被覆層5の成分は、共晶半田、鉛フリー半田でもよいし、従来周知の導電性接着剤を用いてもよく、電気的、機械的に接続タブ7とバスバー電極2a,3aとを接続するものであれば特に限定されるものではない。以下、被覆層5は、特に断りなければ、半田から構成されるものとして説明を進める。被覆層5を接続タブ7の表面に被覆するには、半田ディップ、半田めっきなどの方法を用いる。バスバー電極2a,3aの電極面から測った接続タブ7の高さ被覆層5の厚さを含むをHとし、接続タブ7とバスバー電極2a,3aの接合面における被覆層5の高さをhとする。フィレット19が接続タブ7に接する境界の最高点をZとし、バスバー電極2a,3aの電極面から測ったフィレット19の点Zまでの高さをAとする。また、点Zからバスバー電極2a,3aにおろした点をXとする。バスバー電極2a,3a上でのフィレット19の厚みが、Aの1以下になるフィレット19表面の点をYとし、点Zと点Yとを最短距離で結んだ線分を線分Gとする。この線分Gとバスバー電極2a,3aの表面とのなす角度をθとする。また、接続タブ7の端面から点Yまで測ったフィレット19の突出幅をDとする。フィレット19の表面が、線分Gより半導体基板1側にある場合すなわちフィレット19の表面がくぼんでいる場合、線分Gからフィレット19表面までの垂直距離のうち最も長い距離をくぼみ量-Lとする図8参照。また、フィレット19の表面が、線分Gより半導体基板1とは反対側にある場合すなわちフィレット19の表面が膨らんでいる場合は、線分Gからフィレット19表面までの垂直距離のうち最も長い距離を膨らみ量Lとする図9参照。また、フィレット19の表面が、接続タブ7の高さHよりも高く盛り上っている構造を、図10に示す。この場合、フィレット19の高さAは、接続タブ7の高さHよりも大きくなる。前記フィレット19の突出幅Dは、接続タブ7の高さHに対して30~300であることが望ましい。この理由は、突出幅Dが接続タブ7の高さHの30未満であれば、接続強度が弱くなるとともに、長手方向Kに沿った方向に発生する太陽電池素子面に発生する応力を十分緩和できず、太陽電池素子4にクラックが発生しやすくなるからである。また、突出幅Dが接続タブ7の高さHの300を超えれば、応力を緩和できるものの、接続タブ7とバスバー電極2a,3aとの縦方向に見た電気的な重なり部分の長さが減少し、太陽電池素子としての効率の低下が懸念されるからである。前記バスバー電極面となす角度θが、7°~60°であることが好ましい。角度θが60°以上であれば、突出幅Dが短すぎるのと同様、接続強度が弱くなるとともに、長手方向Kに沿った方向に発生する太陽電池素子面に発生する応力を十分緩和できなくなる。角度θが7°未満であれば、接続タブ7とバスバー電極2a,3aとの重なり長さが減少し、太陽電池素子としての効率の低下が懸念される。前記バスバー電極2a,3aと接続される側の接続タブ7の接合面における半田層の厚みhは、後述するように5μmから100μmであることが好ましい。このようなフィレット19を形成するための半田は、後に図12を用いて説明する太陽電池モジュールの製造工程におけるように、接続タブ7と半導体基板1との接合面における被覆層5から供給されるものであってもよく、後に図13を用いて説明する太陽電池モジュールの製造工程におけるように、外部から供給された半田であってもよい。もし、半田が被覆層5から供給されるものである場合、この被覆層5からの半田供給の結果、接続タブ7と半導体基板1との接合面における半田被覆層のうち、接続タブ7の端部に近い半田被覆層の厚みhが薄くなる。図11は、この接続タブ7の端部に近い半田被覆層が薄くなった状態を示す断面図である。この半田層の厚みhは、接続タブ7の端面に近づくほど、徐々に小さくなる。その結果、接続タブ7の高さFは、端部付近Sにおいて徐々に低くなる。具体的には、接続タブ7の高さHに比べて、接続タブ7の端部付近Sにおける高さHは、5μmから20μm減少する。また、本発明の実施形態の一例では、フィレット19のくぼみ量-Lがフィレット19の高さAの0~-54-0.54≦-L/A≦0、又はフィレット19の膨らみ量Lがフィレット19の高さAの0~100≦L/A≦0.1を満たす構成である。上の条件をひとつの式で表現すると、-0.54≦L/A≦0.1となる。くぼみ量-Lが高さAの-54よりも小さくLの絶対値が54よりも大きくなると、フィレット19の体積が小さくなりすぎ、接続タブ7をバスバー電極2a,3aに溶着させる工程で、接続タブ7の収縮により生じる力を十分分散させることができず、太陽電池素子4にクラックが発生する。特に図8のX点付近にクラックが発生しやすくなる。膨らみ量Lが高さAの10を超える場合、フィレット19の体積が大きくなりすぎてしまい、フィレット19の収縮による力が大きくなり太陽電池素子4にクラックが発生する。特に図8のY点付近にクラックが発生しやすくなる。ここで、フィレット19の高さAと、接続タブ7の高さHとの関係を説明する。図8,図9は、フィレット19の高さAが接続タブ7の高さHよりも低い場合を示し、図10は、フィレット19の高さAが接続タブ7の高さHよりも高い場合を示している。フィレット19の高さAは、接続タブ7の高さHに対して、-90から20の範囲に入っていることが好ましい。この高さAが接続タブ7の高さHに対して、-90にまで到達しない場合は、応力の緩和力が弱くなる。20の以上の余剰半田が生じると応力が逆に高くなり応力緩和効果が出にくい。なおフィレット19の高さAは、接続タブ7の高さHに対して、-20から20の範囲に入っていることがさらに好ましい。例えば接続タブ7の高さHが0.3mmであれば、フィレット19の高さAは0.24~0.36mmであれば良い。このように接続タブ7先端の端面部に、接続タブ7の高さHの-90から20まで高さAを有するフィレット19が形成されていることにより、半田の断面積が増加し最大主応力が分散されると共に、半田の体積が十分確保され、この部分の半田自体が応力に応じて変形する効果が生まれる。これにより半導体基板1の主面に発生する応力をフィレット19によって緩和することができ、マイクロクラックの発生をなくすことが可能となる。なお、フィレット19を形成する固着体として、半田以外の材料を用いてもよい。非導電性樹脂、導電性樹脂などが例示できる。特に導電性樹脂が好ましい。非導電性樹脂の例として、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂があげられる。導電性樹脂として、非導電性樹脂に銀や炭素をフィラーとして加えたものがあげられる。また、ポリアセチレンにヨウ素をドーピングしたもの導電性ポリマーでもよい。<太陽電池モジュールの製造方法1>以下、本発明に係る太陽電池モジュールの製造方法について図12を用いて説明する。この太陽電池モジュールの製造方法は、接続タブ7の被覆層5を溶融させた状態で、バスバー電極2a,3aを接続タブ7に対して相対的に押圧することによって、接続タブ7の端部とバスバー電極2a,3aとの間に被覆層5の半田を押し出すことにより、フィレット19の材料を供給するものである。A図12aに示すように、一主面上にバスバー電極2a,3aを有して成る半導体基板1を準備する。B図12bに示すように、バスバー電極2a,3a上であって、接続タブ7の端から所定距離wを隔てた部位に被覆層5を介して接続タブ7を配置する。接続タブ7は、銅やアルミニウムのような低電気抵抗の太陽電池素子接続用配線材に、半田が、少なくともバスバー電極に接する面側に厚みhが5μmから100μm程度メッキやディピングにより帯状に被覆されたものを適当な長さに切断して用いる。半田は、錫-鉛の共晶半田でもよく、鉛フリー半田でもよい。この被覆層5の厚みhは、5μm未満だと高さHの近くまでフィレット19を作りきれない場合が生じる。100μmを超えると余剰半田が接続タブ7の高さH以上になり、応力を高めてしまい、マイクロクラックが発生する可能性が生じる。したがって、前記バスバー電極2a,3aと接続される側の前記半田層の厚みhが5μmから100μmであるようにしたことにより、フィレットを形成し易くなり、応力緩和の効果を確実なものにすることができる。C図12cに示すように、接続タブ7上の所定位置に押し付けピン18を下ろし、接続タブ7をバスバー電極2a,3aに押し付ける。押し付けピン18は複数あって、接続タブ7を複数個所で押し付けることにより、均一な力がかかるようにする。なお接続タブ7の端部は、特にうねりにより太陽電池素子4から浮かび上がり易く、先端部へのフィレット19を確実に作るため、接続タブ7の端から20mm以内に圧力をかけるポイントを設けることが好ましい。Dそして図12dのように、熱風吹き出しノズル17を通して、400°Cから500°C程度の熱風を、所定時間、例えば1,2秒、押し付けピン18付近に吹き付けることで、被覆層5を溶融させて接続タブ7とバスバー電極2a,3aとを接続する。このとき、被覆層5を溶融させた状態で、押し付けピン18で押圧することにより、バスバー電極2a,3a上の接続タブ7の短辺側の側面に半田からなるフィレット19を供給することができる。このとき、半導体基板1自体の半田濡れ性は悪いので、半田は、バスバー電極2a,3aの端部を乗り越えることはなく、バスバー電極2a,3aの端部の手前で止まる。Eその後半田が固化したら、図12eに示すように、押しつけピン18を上げる。溶融状態のフィレット19は、放熱によって冷え固まるため、バスバー電極2a,3aと接続タブ7とを接続した状態で、接続タブ7の端部に、所望の厚みと形状を有するフィレット19を形成することができる。このとき、押し付けビン18の押圧力や、接続タブ7とバスバー電極2a,3aとの間に介在する被覆層5の厚さを調整することにより、フィレット19の量を調節して供給することができる。このようにして、太陽電池素子4の受光面側と非受光面側のバスバー電極2a,3aにそれぞれ接続タブ7を半田付けすることができる。上述した太陽電池モジュールの製造方法によれば、被覆層5による接続タブ7とバスバー電極2a,3aとの接続と共に、被覆層5を接続タブ7の端部にフィレット19として供給することができ、太陽電池モジュールの製造におけるタクトアップが図れるため好ましい。また、バスバー電極2a,3aと接続タブ7との間に介在する被覆層5とフィレット19とを同じ半田材料で連続して形成できるため、被覆層5とフィレット19との間に抵抗成分となる酸化膜等の形成を抑制できるので、太陽電池モジュールの電気的特性の観点からも好ましい。そして、フィレット19と被覆層5とが同じ半田材料でバスバー電極2a,3aと接合されるため、接合面に境界が生じにくい。それゆえ、バスバー電極2a,3aと接続タブ7との接着強度の点からも好ましい。また、押し付けピン18を使用することで、上述の効果に加え、バスバー電極2a,3a上の接続タブ7がバスバー電極2a,3aの幅から横方向にずれにくくすることができるため、接続タブ7とバスバー電極2a,3aとの接触面積の低下や、特に半導体基板1の受光面側で接続タブ7が影になって半導体基板1の発電効率を低下させることを予防できるため、好ましい。なお、バスバー電極2a,3aの端部に、バスバー電極2a,3aよりも半田濡れ性の悪い半田レジストを形成してもよい。半田レジストを形成すれば、半田が、バスバー電極2a,3aの端部を確実に乗り越えないようにすることができる。ここで、形成されたフィレット19の半田の厚みが所望の厚みが得られない場合は、フィレット19を形成するときに、接続タブ7の端部とバスバー電極2a,3aとの間に新たに半田材料を追加して溶融させることで、フィレット19の半田の厚みを充分なものとできる。この新たな半田材料は、形成されるフィレット19と同じ物性の半田材料からなるものでもよいし、異なる物性を有する半田材料からなるものでもよい。この新たな半田第二半田というの形成方法は、溶融状態の半田材料を接続タブ7の端部とバスバー電極2a,3aとの間に追加供給すればよい。半田材料を予め溶融状態にして、バスバー電極2a,3a上に流し込んでもよいし、固体の半田材料をバスバー電極2a,3a上の接続タブ7の端部に保持して、これを所定温度で溶融してもよい。このように、バスバー電極2a,3a上に、新たに半田材料を追加して溶融すれば、第二半田によって、フィレット19の半田の厚みを、より厚く形成することができるため好ましい。<太陽電池モジュールの製造方法2>次に、本発明の接続タブ7の端部に所定厚みを有するフィレット19を形成する太陽電池モジュールの他の製造方法について、図13を用いて詳細に説明する。Aまず、図13aに示すように、一主面上にバスバー電極2a,3aを有して成る半導体基板1を準備する。Bそして、図13bに示すように、このバスバー電極2a,3a上の所定部位にバスバー電極2a,3aよりも半田濡れ性の悪い半田レジスト11を形成する。半田レジスト11は、ガラス、熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、又は、その他の電極及び後述する接続タブ7よりも半田濡れ性の悪い周知の材料を用いることができる。半田レジスト11の形成方法は、バスバー電極2a,3a上の所定部位にスクリーン印刷法、蒸着法、若しくは樹脂等をヘラで塗布することなど種々の方法を用いることができる。C図13cに示すように、バスバー電極2a,3a上であって、半田レジスト11が形成された部位と所定距離w′を隔てた部位に、被覆層5を介して接続タブ7を配置する。接続タブ7は、半田レジスト11よりも半田濡れ性の良いものであることはもちろんである。D次に、図13dに示すように、バスバー電極2a,3a上で接続タブ7の端部と半田レジスト11との間にフィレット19の材料である半田を供給する。この半田は、共晶半田でも鉛フリー半田でもよい。この半田を供給する方法としては、予め溶融状態の半田材料をバスバー電極2a,3a上の接続タブ7の端部と半田レジスト11との間に流し込むことで供給してもよいし、予め固体の半田をバスバー電極2a,3a上の接続タブ7の端部と半田レジスト11との間に保持して、これを所定温度で溶融することで供給してもよい。そして、半田材料が固まる前に熱風吹き出しノズル図示せずを通して、400°Cから500°C程度の熱風を、所定時間、例えば1,2秒吹き付けることで、半田を溶融させて接続タブ7とバスバー電極2a,3aとを接続する。Eその後図13eに示すように、溶融状態の半田は放熱によって冷え固まり、フィレット19となる。このようにしてバスバー電極2a,3aと接続タブ7とを接続した状態で、接続タブ7の端部に対して所望の厚みと形状を有するフィレット19を形成することができる。なお、本発明において、接続タブ7の端部と半田レジスト11との間に、所定形状のフィレット19を形成できる理由としては、以下のように推測される。バスバー電極2a,3a上の接続タブ7の端部と半田レジスト11との間に半田を供給すると、半田は、その表面張力によって半田レジスト11から接続タブ7の端部側へ押し出される。その結果、半田レジスト11側から接続タブ7の端部側へ、半田が移動し、接続タブ7の端部側の方が半田レジスト11側よりも半田量が多い状態で保持される。このため、所望の厚みと形状を有するフィレット19を形成することができる。したがって、バスバー電極2a,3a上で接続タブ7と半田レジスト11との間に供給される半田の量を変化させたり、バスバー電極2a,3a上の接続タブ7の端部と半田レジスト11との距離w′を調整したりすることにより、フィレット19の形状を変化させることが可能となる。それゆえ、温度変化が生じた場合に、接続タブ7と半導体基板1との熱膨張係数の差異に起因して生じる応力を、フィレット19で緩和することができる。なお、本発明に係る太陽電池モジュール及びその製造方法は、上述の実施形態に限定されず、種々の変形を加えることはもちろんである。上述の図13の一実施形態では、半導体基板1のバスバー電極2a,3a上に半田レジスト11を形成してから接続タブ7をこのバスバー電極2a,3aに被覆層5を介して接続したが、これに限定されるものではなく、先にバスバー電極2a,3a上に被覆層5を介して接続タブ7を接続してから、半田レジスト11をバスバー電極2a,3a上に形成してもよい。また、前に説明したように、バスバー電極2a,3aとして、通常、半田濡れ性がよく抵抗率の低い銀などを主成分とした電極が用いられるが、図14に示すように、このようなバスバー電極を形成しない部分を、少なくともバスバー電極2a,3aの端から接続タブ7までの距離wの部位に、部分的に作ることができる。電極を形成しない部分の作り方は、あらかじめマスクパターンを使って、電極を設ける領域と設けない領域とを作っておけばよい。また、全体に電極を設けた後、部分的に半田レジストを形成してもよい。これにより、フィレット19は、バスバー電極2a,3aと固着する側の面に、バスバー電極2a,3aと接する第1領域19aと、前記第1領域に囲まれ、前記バスバー電極と接していない第2領域19bとを含むことになる。前記第2領域19bは、半導体基板1または半田レジストの半田濡れ性が悪いため、空洞状になる。このような空洞状の第2領域19bを作ることにより、応力を、図14に示す三点X,Y′,Yに分散することができる。ここで点Y′は、第2領域19bの空洞内面とバスバー電極2a,3aとが接する点である。<実施例1>図8、図9に示す太陽電池モジュールのフィレット19の形状において、フィレット19の高さA、くぼみ量-L、膨らみ量Lをいくつか変更させて太陽電池モジュールを製造した。フィレット19の高さAは、接続タブ7の高さHと略同一の高さとした。L/A、-L/Aについてそれぞれ10個のサンプルを準備し、接続タブ7を溶着した後の、基板1にかかる応力の強さを計算した。サンプルの作成方法は、次のとおりである。厚さが100μmで、外形が15cm×15.5cmのP型の多結晶シリコンからなる半導体素子1の表面のダメージ層をNaOHでエッチングして洗浄した。次に、この半導体素子1を拡散炉中に配置して、オキシ塩化リンPOCl3の中で加熱することによって、半導体素子1の表面にリン原子を拡散させて、N型領域を形成した。その上にプラズマCVD法によって反射防止膜となる厚み850Åの窒化シリコン膜を形成した。この半導体素子1の非受光面側に面電極を形成するために、アルミニウム粉末を含む有機電極材料をスクリーン印刷法によって非受光面のほぼ全面に塗布して、その後溶剤を蒸散させて乾燥させた。そして、スクリーン印刷法によって、銀粉末を用いた有機電極材料を塗布して乾燥させることで、受光面側に受光面バスバー電極2aと受光面フィンガー電極2bを作成し、非受光面側にバスバー電極3aを作成した。この半導体素子1を、650°Cで15分間焼成させた。次に接続タブ7を受光面バスバー電極2a又は非受光面バスバー電極3aに溶着するために、接合材として半田を用いた。厚さ200μmの銅箔製の接続タブ7を溶融半田たまりに浸して、接続タブ7に半田層を20μm厚で塗布した。したがって、半田層を含む接続タブ7の高さHは240μmとなる。太陽電池素子4のバスバー電極2a,3aの上へ接続タブ7を配置した。その後押しつけピン18を下ろし、接続タブ7をバスバー電極2a,3aに押しつけた。この状態でノズル17から、400°Cから500°C程度の熱風を1、2秒程度、前記押しつけピン18で接続タブ7をバスバー電極2a,3aに押しつけている部分に吹き付け、接続タブ7の半田とバスバー電極2a,3aの半田を融かした。その際、溶融状態にある半田を接続タブ7の端部付近に供給することで、フィレット19を形成することができた。フィレット19の高さAは240μm程度である。その後、ホットエアーを止め、冷却させて接続タブ7をバスバー電極2a,3aに固着させた。以上において、供給する半田量を調節することで、フィレット19のL/Aと-L/Aの異なる複数のサンプルを製造した。以上のように作成された複数のサンプルについて、半導体基板1にかる応力Fx,Fyを計算した結果を、表1に示す。応力Fxは図8~図11の点Xの直下の基板にかかる応力を示し、Fyは図8~図11の点Yの直下の基板にかかる応力を示している。この表1の数値をグラフ化したものが図15である。グラフの左半分はフィレット19がくぼみ量を有している場合の応力Fxを示し、グラフの右半分はフィレット19が膨らみ量を有している場合の応力Fyを示す。ここで、破壊応力位置母数を8kgf/mm2、ワイブル係数を6と仮定したワイブル分布において、クラック発生確率10となる応力値を計算したところ、15.7kgf/mm2となったので、これを応力の閾値とした。図15のグラフによれば、応力Fxは、-Lが小さくなるほど絶対値Lが大きくなるほど増大している。応力Fyは、Lが大きくなるほど増大している。応力Fyが閾値を超えるLの範囲は、L>0.024kgf/mm2である。応力Fxが閾値を超えるLの範囲は、L<-0.13kgf/mm2である。したがって、応力Fx,Lyが閾値を超えない範囲は、A=0.24mmとして計算すれば、-0.54≦L/A≦0.1となる。この条件を満たす形状のフィレット19を設けることで、半導体素子1にクラックが発生することを抑制できる。<実施例2>接続タブ7を受光面バスバー電極2a又は非受光面バスバー電極3aに溶着するための接合材として、バスバー電極と同じ銀粉末有機電極材料を用いた。なお、銀粉末有機電極材料とは、銀粉末を主成分とし、有機ビヒクルとガラスフリットを銀100重量部に対してそれぞれ10~30重量部、0.1~5重量部を添加してペースト状にした電極材料をいう。接続タブ7溶着の際、溶融状態の半田を、バスバー電極2a,3a上で接続タブ7の端部に供給することにより、フィレット19を形成した。フィレット19の形状が-0.54≦L/A≦0.1を満たす場合は、応力Fx,Fyが閾値を超えない。したがって、クラックが生じないと予想される。"