"処理液により処理された基板を溶剤蒸気により乾燥させる基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽の周囲を覆うチャンバと、前記チャンバ内を減圧する減圧手段と、基板を保持し、前記処理槽内の処理位置と、前記チャンバ内であって前記処理槽の上方にあたる乾燥位置との間で昇降可能な基板支持機構と、前記基板支持機構を挟んで設けられ、前記チャンバ内に溶剤蒸気を供給する一対の溶剤ノズルと、前記処理槽による基板の洗浄処理後、前記減圧手段により前記チャンバ内を減圧し、前記チャンバ内が所定圧力になった場合には、前記減圧手段による減圧を停止させ、前記基板支持機構を前記処理位置から上昇させるとともに、前記一対の溶剤ノズルから溶剤蒸気を供給させて行う置換処理の際に、前記一対の溶剤ノズルと前記基板支持機構とを相対的に移動させて、前記一対の溶剤ノズルからの基板への溶剤蒸気の供給位置を変えさせる制御手段と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。請求項1に記載の基板処理装置において、前記制御手段は、乾燥位置にて前記一対の溶剤ノズルに対して前記基板支持機構を昇降させることを特徴とする基板処理装置。請求項1に記載の基板処理装置において、前記一対の溶剤ノズルは、前記基板支持機構の昇降方向に移動可能に構成され、前記制御手段は、前記基板支持機構を乾燥位置に移動させた後、前記基板支持機構に対して前記一対の溶剤ノズルを昇降させることを特徴とする基板処理装置。請求項1から3のいずれかに記載の基板処理装置において、前記制御手段は、基板の半径分に相当する距離だけ昇降させることを特徴とする基板処理装置。請求項1に記載の基板処理装置において、前記一対の溶剤ノズルは、前記乾燥位置における前記基板支持機構の昇降方向に沿って上部と下部の少なくとも二箇所に設けられており、前記制御手段は、前記基板支持機構を乾燥位置に移動させた後、前記一対の溶剤ノズルの上部と下部とで交互に切り換えることを特徴とする基板処理装置。請求項1に記載の基板処理装置において、前記一対の溶剤ノズルは、前記乾燥位置における前記基板支持機構の昇降方向に沿って上部と下部の少なくとも二箇所に設けられており、前記制御手段は、下部の一対の溶剤ノズルから溶剤蒸気を供給させた状態で、前記基板支持機構を上昇させ、前記基板支持機構が乾燥位置に到達してから所定時間が経過した時点で、上部の一対の溶剤ノズルから溶剤蒸気を供給させることを特徴とする基板処理装置。請求項1に記載の基板処理装置において、前記制御手段は、処理位置から乾燥位置に前記基板支持機構を上昇させ、乾燥位置から下方に前記基板支持機構を下降させる際に、上昇時の速度を下降時の速度よりも速くすることを特徴とする基板処理装置。請求項1から7のいずれかに記載の基板処理装置において、前記制御手段は、前記基板支持機構が保持している基板の全面を処理液が覆った状態で前記基板支持機構の上昇を完了させることを特徴とする基板処理装置。処理液により処理された基板を溶剤蒸気により乾燥させる基板処理方法において、処理槽内の処理液に基板を浸漬させて洗浄を行う洗浄処理過程と、処理槽を覆ったチャンバ内を減圧する減圧過程と、チャンバ内の減圧を停止させる減圧停止過程と、処理槽内の基板を処理槽上方の乾燥位置に上昇させる際に、基板の全面を処理液が覆った状態で上昇を完了させる上昇過程と、基板に対して溶剤ノズルから溶剤蒸気を供給する供給過程と、溶剤ノズルと基板との相対位置を変えつつ基板に付着した処理液を溶剤蒸気で置換させる置換過程と、を備えていることを特徴とする基板処理方法。しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。すなわち、従来の装置は、乾燥位置における溶剤ノズルと基板との物理的な配置の関係上、基板の上部に特に溶剤蒸気が集中する。したがって、基板の全面に溶剤蒸気がゆきわたって、基板に付着している純水を溶剤蒸気で置換し終えるまでに長時間を要するという問題がある。また、その結果、溶剤の消費量が多くなるという問題がある。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、溶剤蒸気の供給形態を工夫することにより、溶剤蒸気による処理液の置換を短時間で行うことができ、溶剤の消費量を低減することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、請求項1に記載の発明は、処理液により処理された基板を溶剤蒸気により乾燥させる基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽の周囲を覆うチャンバと、前記チャンバ内を減圧する減圧手段と、基板を保持し、前記処理槽内の処理位置と、前記チャンバ内であって前記処理槽の上方にあたる乾燥位置との間で昇降可能な基板支持機構と、前記基板支持機構を挟んで設けられ、前記チャンバ内に溶剤蒸気を供給する一対の溶剤ノズルと、前記処理槽による基板の洗浄処理後、前記減圧手段により前記チャンバ内を減圧し、前記チャンバ内が所定圧力になった場合には、前記減圧手段による減圧を停止させ、前記基板支持機構を前記処理位置から上昇させるとともに、前記一対の溶剤ノズルから溶剤蒸気を供給させて行う置換処理の際に、前記一対の溶剤ノズルと前記基板支持機構とを相対的に移動させて、前記一対の溶剤ノズルからの基板への溶剤蒸気の供給位置を変えさせる制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。[作用効果]請求項1に記載の発明によれば、制御手段は、処理槽による基板の洗浄処理後、減圧手段によりチャンバ内を減圧し、チャンバ内が所定圧力になった場合には、減圧手段による減圧を停止させ、基板支持機構を処理位置から上昇させるとともに、一対の溶剤ノズルから溶剤蒸気を供給させて置換処理を行わせる。その際に、制御手段は、一対の溶剤ノズルと基板支持機構とを相対的に移動させる。したがって、一対の溶剤ノズルからの基板への溶剤蒸気の供給位置が変わるので、基板の上部に溶剤蒸気が集中することがなく、基板の全面に溶剤蒸気がゆきわたる。その結果、基板に付着している純水を溶剤蒸気によって短時間で置換でき、溶剤の消費量を低減することができる。また、本発明において、前記制御手段は、乾燥位置にて前記一対の溶剤ノズルに対して前記基板支持機構を昇降させることが好ましい請求項2。制御手段は、乾燥位置において一対の溶剤ノズルに対して基板支持機構を昇降させるので、一対の溶剤ノズルと基板支持機構とを相対的に移動させることができる。従来の装置であっても、基板支持機構は昇降するので、その昇降に係る制御を変えるだけで効果を得られる。したがって、装置に別体の機構を備える必要がなく、装置コストを低減しつつも効果を得ることができる。また、本発明において、前記一対の溶剤ノズルは、前記基板支持機構の昇降方向に移動可能に構成され、前記制御手段は、前記基板支持機構を乾燥位置に移動させた後、前記基板支持機構に対して前記一対の溶剤ノズルを昇降させることが好ましい請求項3。制御手段は、一対の溶剤ノズルを基板支持機構に対して昇降させるので、一対の溶剤ノズルと基板支持機構とを相対的に移動させることができる。相対的に重量が重い基板支持機構側を固定して、相対的に重量が軽い一対の溶剤ノズル側を移動させるので、駆動時における負荷を軽減することができる。また、本発明において、前記制御手段は、基板の半径分に相当する距離だけ昇降させることが好ましい請求項4。制御手段は、一対の溶剤ノズルと基板支持機構とを相対的に移動させる際に、基板の半径分に相当する距離だけ昇降させる。したがって、最小限の移動により基板の全面に溶剤蒸気をゆきわたらせることができ、効率的に置換を行わせることができる。また、本発明において、前記一対の溶剤ノズルは、前記乾燥位置における前記基板支持機構の昇降方向に沿って上部と下部の少なくとも二箇所に設けられており、前記制御手段は、前記基板支持機構を乾燥位置に移動させた後、前記一対の溶剤ノズルの上部と下部とで交互に切り換えることが好ましい請求項5。基板支持機構の昇降方向に沿って設けられた上部と下部の一対の溶剤ノズルを交互に切り換えるので、一対の溶剤ノズルや基板支持機構を昇降させる必要がない。したがって、一対の溶剤ノズルや基板支持機構を昇降させる構成に比較して、構造及び制御を簡易化することができる。また、本発明において、前記一対の溶剤ノズルは、前記乾燥位置における前記基板支持機構の昇降方向に沿って上部と下部の少なくとも二箇所に設けられており、前記制御手段は、下部の一対の溶剤ノズルから溶剤蒸気を供給させた状態で、前記基板支持機構を上昇させ、前記基板支持機構が乾燥位置に到達してから所定時間が経過した時点で、上部の一対の溶剤ノズルから溶剤蒸気を供給させることが好ましい請求項6。上部と下部の一対の溶剤ノズルのうち、下部の一対の溶剤ノズルから溶剤蒸気を供給させた状態で基板支持機構を乾燥位置へ移動させる。これにより、基板の上部から下部にわたって溶剤蒸気が供給される。その状態を所定時間だけ維持すると、溶剤蒸気があたりにくい基板の下部に重点的に溶剤蒸気が供給される。次いで、上部の一対の溶剤ノズルから溶剤蒸気を供給させる。これにより、基板の上部の置換処理が行われるので、基板の全面にわたって溶剤蒸気による置換処理が行われる。また、本発明において、前記制御手段は、処理位置から乾燥位置に前記基板支持機構を上昇させ、乾燥位置から下方に前記基板支持機構を下降させる際に、上昇時の速度を下降時の速度よりも速くすることが好ましい請求項7。処理位置から乾燥位置へ基板支持機構を上昇させる際の速度を、乾燥位置から下方へ基板支持機構を下降させる際の速度よりも速くする。これにより、溶剤蒸気があたりにくく、処理液が重力で溜まりやすい基板の下部を重点的に溶剤蒸気を供給することができる。その後、基板保持機構を下降させるので、基板の上部にも溶剤蒸気を供給でき、基板の全面に溶剤蒸気をゆきわたらせることができる。また、本発明において、前記制御手段は、前記基板支持機構が保持している基板の全面を処理液が覆った状態で前記基板支持機構の上昇を完了させることが好ましい請求項8。制御手段は、基板支持機構を処理位置から上昇させる際に、基板の全面を処理液が覆った状態で上昇を完了させると、溶剤蒸気による置換処理を、基板の全面においてほぼ均等に、かつ、処理液膜の表面だけでなく基板側まで行うことができる。したがって、例えば、基板に微細パターンが形成されていても、その奥に入り込んだ処理液も置換させることができ、溶剤を乾燥させた際に、処理液による表面張力の悪影響を受けにくくすることができる。その結果、乾燥時における微細パターンの倒れを防止できる。また、請求項9に記載の発明は、処理液により処理された基板を溶剤蒸気により乾燥させる基板処理方法において、処理槽内の処理液に基板を浸漬させて洗浄を行う洗浄処理過程と、処理槽を覆ったチャンバ内を減圧する減圧過程と、チャンバ内の減圧を停止させる減圧停止過程と、処理槽内の基板を処理槽上方の乾燥位置に上昇させる際に、基板の全面を処理液が覆った状態で上昇を完了させる上昇過程と、基板に対して溶剤ノズルから溶剤蒸気を供給する供給過程と、溶剤ノズルと基板との相対位置を変えつつ基板に付着した処理液を溶剤蒸気で置換させる置換過程と、を備えていることを特徴とするものである。[作用効果]請求項9に記載の発明によれば、洗浄処理過程で処理槽内の処理液に基板を浸漬させて洗浄を行い、減圧過程でチャンバ内を減圧し、減圧停止過程でチャンバ内の減圧を停止し、上昇過程において、処理槽内の基板を乾燥位置に上昇させるが、その際には、基板の全面を処理液が覆った状態で上昇を完了させる。そして、供給過程で溶剤ノズルから溶剤蒸気を基板に対して供給し、置換過程で溶剤ノズルと基板との相対位置を変えながら、基板に付着した処理液を溶剤蒸気で置換させる。基板と溶剤ノズルとの相対位置を変えつつ処理液を溶剤蒸気で置換するので、基板の上部に溶剤蒸気が集中することがなく、基板の全面に溶剤蒸気がゆきわたる。その結果、基板に付着している純水を溶剤蒸気によって短時間で置換でき、溶剤の消費量を低減できる。また、基板の全面を処理液が覆った状態で引き上げているので、溶剤蒸気による置換を、基板の全面においてほぼ均等に、かつ、処理液膜の表面だけでなく基板側まで行うことができる。したがって、例えば、基板に微細パターンが形成されていても、その奥に入り込んだ処理液も置換させることができ、溶剤を乾燥させた際に、処理液による表面張力の悪影響を受けにくくすることができる。その結果、乾燥時における微細パターンの倒れを防止できる。本発明に係る基板処理装置によれば、制御手段は、減圧手段によりチャンバ内を減圧し、チャンバ内が所定圧力になった場合には、減圧手段による減圧を停止させ、基板支持機構を処理位置から上昇させるとともに、一対の溶剤ノズルから溶剤蒸気を供給させて置換処理を行わせる。その際に、制御手段は、一対の溶剤ノズルと基板支持機構とを相対的に移動させる。したがって、一対の溶剤ノズルからの基板への溶剤蒸気の供給位置が変わるので、基板の上部に溶剤蒸気が集中することがなく、基板の全面に溶剤蒸気がゆきわたる。その結果、基板に付着している純水を溶剤蒸気によって短時間で置換でき、溶剤の消費量を低減できる。本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法について、以下にいくつかの実施例を挙げて説明する。以下、図面を参照して本発明の実施例1について説明する。図1は、実施例1に係る基板処理装置の概略構成を示したブロック図である。実施例1に係る基板処理装置1は、処理槽3を備えている。この処理槽3は、処理液を貯留し、起立姿勢の複数枚の基板Wを収容可能に構成されている。処理槽3の底部には、二本の供給管5が設けられている。二本の供給管5は、複数枚の基板Wが整列されている方向紙面の手前奥方向に沿って長軸を有し、処理槽3の底面に沿って処理液を供給する。各供給管5には、供給配管7の一端側が連通接続されている。供給配管7の他端側には、処理液供給源9が連通接続されている。供給配管7には、制御弁である処理液弁11が設けられている。処理液弁11は、処理液供給源9から二本の供給管5への処理液の供給流量を制御する。処理槽3は、チャンバ13によって周囲を覆われている。チャンバ13は、上部に開閉自在の上部カバー15を備えている。起立姿勢で複数枚の基板Wを保持するリフタ17は、昇降機構19によって昇降が行われる。リフタ17は、チャンバ27の外部の上方に相当する待機位置と、処理槽3の内部に相当する処理位置図1中に実線で示す位置と、チャンバ13の内部であって処理槽3の上方に相当する乾燥位置とにわたり移動可能になっている。また、昇降機構19は、後述するように乾燥時昇降動作をリフタ17に対して行わせる。なお、上述したリフタ17が本発明における基板支持機構に相当する。上部カバー15の下方であって、リフタ17の昇降方向を挟んだチャンバ13の上部内壁には、一対の気体ノズル21が設けられている。また、一対の気体ノズル21の下方であって、一対の気体ノズル21と処理槽3の上部との高さ方向における中間部付近には、一対の溶剤ノズル23が設けられている。一対の気体ノズル21には、気体供給管25の一端側が連通接続されている。その他端側は、気体供給源27に連通接続されている。気体供給源27は、乾燥気体を供給する。乾燥気体としては、例えば、ドライ窒素が挙げられる。気体供給管25は、制御弁である乾燥気体弁29を設けられている。乾燥気体弁29は、気体供給管25を流通する乾燥気体の流量を調整する。気体供給管25のうち、一対の気体ノズル21に近い位置には、インラインヒータ不図示を備え、乾燥気体を加熱して供給することが好ましい。これにより、乾燥気体による溶剤の乾燥速度を速めることができる。一対の溶剤ノズル23には、溶剤蒸気供給管31の一端側が連通接続されている。溶剤蒸気供給管31の他端側には、溶剤蒸気供給源33が連通接続されている。溶剤蒸気供給管31には、制御弁である蒸気弁35が設けられている。この蒸気弁35は、溶剤蒸気供給管31を流通する溶剤蒸気の流量を調整する。また、本実施例では、溶剤蒸気供給源33は、例えば、イソプロピルアルコールIPAを溶剤蒸気として供給する。溶剤蒸気としては、その他に、例えば、フッ素系の溶剤であるハイドロフルオロエーテルHFEの蒸気を用いることもできる。チャンバ13には、その内部から気体を外部に対して排出する排気管37を設けられている。この排気管37は、減圧ポンプ39を備えている。この排気管37には、制御弁である減圧弁41が設けられている。この減圧弁41は、減圧ポンプ39とともにチャンバ13の減圧を制御する。また、チャンバ13には、呼吸弁43が設けられている。この呼吸弁43は、チャンバ13のパージ処理時や減圧状態を解消する際に開放される。なお、上記の減圧ポンプ39が本発明における減圧手段に相当する。処理槽3の底部には、排出口45が設けられている。この排出口45には、QDR弁47が設けられている。QDR弁47は処理槽3内の処理液をチャンバ13内に一旦排出する。排出口45は、大径を有し、QDR弁47により処理槽3内の処理液を急速に排出する。チャンバ13の底部には、排出管49が取り付けられている。この排出管49は、チャンバ13内の処理液を外部に排出する。この排出管49には、制御弁である排液弁51が取り付けられている。上述した処理液弁11、昇降機構19、乾燥気体弁29、蒸気弁35、減圧ポンプ39、減圧弁41、呼吸弁43、QDR弁47、排液弁51などの動作は、本発明における制御手段に相当する制御部53によって統括的に制御される。制御部53は、各部を制御するとともに、記憶部55を参照する。記憶部55は、例えば、各部の処理手順を規定したレシピを予め記憶している。また、記憶部55は、上述した昇降機構19によるリフタ17の昇降動作に関する移動距離などを予め記憶している。制御部53は、この移動距離を参照して、乾燥位置におけるリフタ17の昇降動作を昇降機構19を介して制御する。次に、図2を参照して、上述した装置の動作について説明する。なお、図2は、処理過程を説明するための模式図であり、aは洗浄処理過程及び減圧過程を示し、bは減圧停止過程及び上昇過程を示しcは供給過程及び置換過程を示し、dは減圧乾燥過程を示し、eは乾燥過程を示す。まず、制御部53は、上部カバー15を開放し、複数枚の未処理の基板Wを保持しているリフタ17を待機位置から乾燥位置に搬入させる。次に、制御部53は、チャンバ13内の酸素濃度低減処理を行う。具体的には、上部カバー15を閉止するとともに、呼吸弁43を開放させたままで、乾燥気体弁29を開放して乾燥窒素ガスg1を気体供給源27からチャンバ13内に供給させる。これによりチャンバ13内及び処理槽3内にある空気が乾燥窒素ガスg1により押し出されてされて、チャンバ13内の酸素濃度が急速に低減される。さらに、制御部53は、リフタ17を乾燥位置から処理位置にまで下降させる図2a処理槽3及びチャンバ13内の酸素濃度が低減されると、制御部53は、処理液弁11を開放する。これにより、処理液供給源9から処理液例えば、常温の純水が処理槽3に供給され、処理槽3の上部から溢れた処理液がチャンバ13の底部で回収される。回収された処理液は、排出管49を介して図示しない排液処理部に排出される。この状態をレシピに応じた所定時間だけ維持させて、複数枚の基板Wに対して処理液による洗浄処理を行わせる。なお、上述した処理が本発明における洗浄処理過程に相当する。次に、呼吸弁43を閉止させ、減圧弁41を開放させて減圧ポンプ39を作動させる。そして、チャンバ13内が所定圧力に達した後、制御部53は減圧ポンプ39を停止させるとともに、減圧弁41を閉止させて減圧を停止させる図2a。なお、上述した処理が本発明における減圧過程及び減圧停止過程に相当する。処理液による洗浄処理を終え、チャンバ13内の減圧が完了すると、制御部53は、リフタ17を処理位置から乾燥位置にまで上昇させる図2b。このとき、昇降機構19は、制御部53の指示の下で、高速に乾燥位置にまでリフタ17を引き上げる。その際には、リフタ17で引き上げられた基板Wの表面全体において処理液が切れていない状態、すなわち、表面全体に処理液の膜が残り、表面全体を処理液が覆った状態であることが好ましい。このときの上昇速度をV1とする。なお、上述した処理が本発明における上昇過程に相当する。次に、制御部53は、QDR弁47を開放して、処理槽3内の処理液をチャンバ13の底部に急速排水させるとともに、一対の溶剤ノズル23から溶剤蒸気g2をチャンバ13内の乾燥位置にある複数枚の基板Wに向けて供給させる図2c。このとき、複数枚の基板Wは、その下部に対して溶剤蒸気が供給されることになる。さらに、制御部53は、昇降機構19を操作して、リフタ17を下降させて複数枚の基板Wの上部に対して溶剤蒸気が供給され、その後、再びリフタ17を乾燥位置に上昇させ、これを数回繰り返し行う。最後は、乾燥位置にリフタ17を停止させる。このときの下降速度をV2とすると、下降速度V2は上昇速度V1と同じである。これにより、基板Wの全面に対して溶剤蒸気g2がゆきわたり、このように、基板Wの表面全体において処理液の膜が残っている間に、その全面に溶剤蒸気を供給することで、基板Wの表面を覆っている処理液に溶剤蒸気が凝縮して、処理液が溶剤で置換される。このときの昇降距離は、基板Wの半径分であることが好ましい。これにより、最小限の移動で基板Wの全面に溶剤蒸気g2をゆきわたらせることができ、効率的に置換を行わせることができる。なお、このときの状態を示すのが図11である。なお、図11は、溶剤蒸気の供給状態を示す模式図であり、aは位置固定の場合を示し、bは移動させた場合を示す。リフタ17を乾燥位置に上昇させた状態は、図11aのように基板Wの上部及び中心部に溶剤蒸気g2が集中する。このままの状態を維持させたとしても、基板Wの全体に溶剤蒸気g2がゆきわたるが、長時間を要する。本実施例では、リフタ17を昇降させるので、下降させた際には図11bに示すように、溶剤蒸気g2の供給範囲が基板Wの全面にゆきわたるようなっている。なお、上述した処理が本発明における供給過程及び置換過程に相当する。次に、制御部53は、蒸気弁35を閉止させるとともに乾燥気体弁29を開放させる。さらに、排液弁51を開放して、チャンバ13の底部に貯留している処理液を排出管49から外部に排出させる。また、減圧弁41を開放させるとともに減圧ポンプ39を作動させてチャンバ13内を減圧させる。これにより、複数枚の基板Wの周囲には、乾燥窒素ガスg1が供給され、減圧状態とあいまって複数枚の基板Wに付着している溶剤が処理液とともに急速に揮発する。揮発した溶剤は、排気管37を通して外部に排出される図2d、e。その後、制御部53は、排液弁51及び減圧弁41を閉止させるとともに、減圧ポンプ39を停止させ、呼吸弁43を開放させる。これによりチャンバ13内が大気圧に戻される。そして、制御部53は、上部カバー15を開放させるとともに、リフタ17を待機位置にまで上昇させて、複数枚の基板Wに対する洗浄乾燥処理を終える。本実施例1に係る基板処理装置によると、処理槽3による基板Wの洗浄処理後、制御部53は、チャンバ13内を減圧し、チャンバ13内が所定圧力になった場合には、減圧を停止させ、リフタ17を処理位置から上昇させるとともに、一対の溶剤ノズル23から溶剤蒸気g2を供給させて置換処理を行わせる。その際に、制御部53は、リフタ17を一対の溶剤ノズル23に対して昇降させて移動させる。したがって、一対の溶剤ノズル23からの基板Wへの溶剤蒸気g2の供給位置が変わるので、基板Wの上部に溶剤蒸気g2が集中することがなく、基板Wの全面に溶剤蒸気g2がゆきわたる。その結果、基板Wに付着している純水を溶剤蒸気g2によって短時間で置換でき、溶剤の消費量を低減することができる。また、本実施例1は、リフタ17を昇降させて一対の溶剤ノズル23に対して移動させている。従来の装置であっても、リフタ17は昇降するので、その昇降に係る制御を変えるだけで効果を得られる。したがって、装置に別体の機構を備える必要がなく、装置コストを低減しつつも上述した効果を得ることができる。なお、ここで、図3及び図4を参照する。なお、図3は、実施例装置による処理過程を示す模式図である。図4は、従来例による処理過程を示す模式図である。本実施例1に係る装置では、基板Wは、乾燥位置に引き上げられた際に、基板Wに形成された微細パターンptを含めて処理液rqで覆われている図3a。そして、基板Wに対して溶剤蒸気g2が供給されると、基板Wを覆っている処理液rqの表面から次第に溶剤svで置換されてゆき、微細パターンptの奥に入り込んだ処理液rqも溶剤svで置換される図3b、c。その後、溶剤svが揮発するので、基板Wの表面側から溶剤svが揮発してゆき、微細パターンptが処理液rqの表面張力による倒れが生じにくくなっている。一方、従来例にかかる装置では、基板Wが乾燥位置に引き上げられた際に、基板Wの微細パターンptを処理液rqが覆っているものの、その表面が既に溶剤svで覆われている図3a。そして、基板Wに対して溶剤蒸気g2が供給されると、基板Wを覆っている処理液rqの表面側の溶剤svが増加するものの、微細パターンptの奥にまでは置換が進まない図3b、c。その後、溶剤svが揮発するので、基板Wの表面側から溶剤svが揮発してゆくが、微細パターンptの奥には処理液rqが置換されずに残留しているので、その表面張力の影響により微細パターンptの倒れが生じやすい。上述した本実施例1に係る装置は、基板Wの表面を処理液rqが覆った状態で乾燥位置にまで迅速に引き上げているので、基板Wの表面全体を覆った処理液の表面から奥まで溶剤svで置換することができる。したがって、従来例のような微細パターンptの倒れが生じにくくなっている。次に、図面を参照して本発明の実施例2について説明する。図5は、実施例2に係る基板処理装置の概略構成を示したブロック図である。なお、上述した実施例1と共通する構成については同符号を付すことにより詳細な説明については省略する。実施例2に係る基板処理装置1Aは、一対の溶剤ノズル23Aの構成が相違する。つまり、一対の溶剤ノズル23Aは、チャンバ13の内壁において、リフタ17の昇降方向に沿って移動可能に構成されている。一対の溶剤ノズル23Aは、ノズル昇降機構61によって昇降駆動される。ノズル昇降機構61は、制御部53によって所定のタイミングで操作される。具体的には、制御部53は、リフタ17を乾燥位置に移動させた後、ノズル昇降機構61を操作して、一対の溶剤ノズル23Aを基板Wに対して昇降させ、基板Wの全面に溶剤蒸気g2がゆきわたるようにする。ここで図6を参照する。なお、図6は、処理過程を説明するための模式図であり、aは洗浄処理過程及び減圧過程を示し、bは減圧停止過程及び上昇過程を示しcは供給過程及び置換過程を示し、dは減圧乾燥過程を示し、eは乾燥過程を示す。まず、制御部53は、リフタ17を乾燥位置に下降させ、乾燥窒素ガスg1をチャンバ13内に供給させて、チャンバ13内の酸素濃度低減処理を行った後、リフタ17を乾燥位置から処理位置にまで下降させる。そして、所定時間の処理液による処理を行わせる。その後、チャンバ13内を減圧し、チャンバ13内が所定圧力に達した後、制御部53は減圧ポンプ39を停止させるとともに、減圧弁41を閉止させて減圧を停止させる図6a。処理液による洗浄処理の後、チャンバ13内の減圧が完了すると、制御部53は、リフタ17を乾燥位置まで上昇させる図6b。なお、リフタ17を高速に乾燥位置にまで引き上げられるようにして、リフタ17で引き上げられた基板Wの表面全体を処理液が覆った状態にするのが好ましいのは、上述した実施例1と同様である。次に、制御部53は、処理槽3内の処理液をチャンバ13の底部に急速排水させるとともに、一対の溶剤ノズル23から溶剤蒸気g2をチャンバ13内の乾燥位置にある複数枚の基板Wに向けて供給する。さらに、ノズル昇降機構61により一対の溶剤ノズル23を基板Wに対して昇降させる図6c。これにより、基板Wの全面に対して溶剤蒸気g2がゆきわたり、基板Wの表面を覆っている処理液に溶剤蒸気が凝縮して、処理液が溶剤で置換される。このときの一対の溶剤ノズル23の昇降距離は、基板Wの半径分であることが好ましい。その後、制御部53は、溶剤蒸気g2の供給を停止させ、チャンバ13に貯留している処理液を排出させ、チャンバ13内を減圧させる。これにより、複数枚の基板Wの周囲には、乾燥窒素ガスg1が供給され、複数枚の基板Wに付着している溶剤が処理液とともに急速に揮発する。揮発した溶剤は、排気管37を通して外部に排出される図6d、e。そして、制御部53は、チャンバ13内の圧力を大気圧に戻し、リフタ17を待機位置まで上昇させて、複数枚の基板Wに対する洗浄乾燥処理を終える。本実施例2に係る基板処理装置によると、制御部53は、一対の溶剤ノズル23Aをリフタ17に対して昇降させるので、一対の溶剤ノズル23Aをリフタ17に対して移動させることができる。したがって、上述した実施例1と同様の効果を奏することができる。また、相対的に重量が重いリフタ17側を固定して、相対的に重量が軽い一対の溶剤ノズル23A側を移動させるので、相対的な移動における駆動時における負荷を軽減することができる。次に、図面を参照して本発明の実施例3について説明する。図7は、実施例3に係る基板処理装置の概略構成を示したブロック図である。なお、上述した実施例1と共通する構成については同符号を付すことにより詳細な説明については省略する。実施例3に係る基板処理装置1Bは、上部の一対の溶剤ノズル23Bと、下部の一対の溶剤ノズル23Cとを備えている。上部の一対の溶剤ノズル23Bと、下部の一対の溶剤ノズル23Cとは、リフタ17の昇降方向に沿って上部と下部とに離間して配置されている。上部の一対の溶剤ノズル23Bには、溶剤蒸気供給管31Bの一端側が連通接続され、その他端側は三方弁65に連通接続されている。下部の一対の溶剤ノズル23Cには、溶剤蒸気供給管31Cの一端側が連通接続され、その他端側は三方弁65に連通接続されている。三方弁65は、溶剤蒸気供給管31に連通接続されている。三方弁65は、制御部53によって操作される。その操作は、リフタ17を乾燥位置に移動させた後、三方弁65を切り換えて、上部の一対の溶剤ノズル23Bから溶剤蒸気を供給させたり、下部の一対の溶剤ノズル23Cから溶剤蒸気を供給させたりする、いずれか一方の一対の溶剤ノズル23B、23Cから溶剤蒸気を供給させるという切り換え動作である。なお、いずれか一方の溶剤ノズル23B、23Cからしか溶剤蒸気g2を供給させていないのは、溶剤蒸気供給源27が共通だからである。つまり、溶剤蒸気g2を一度に供給できる量に限界があるからである。ここで図8を参照する。なお、図8は、処理過程を説明するための模式図であり、aは洗浄処理過程及び減圧過程を示し、bは減圧停止過程及び上昇過程を示しcは供給過程及び置換過程を示し、dは減圧乾燥過程を示し、eは乾燥過程を示す。まず、制御部53は、リフタ17を乾燥位置に下降させ、チャンバ13内の酸素濃度低減処理を行った後、リフタ17を処理位置まで下降させる。そして、所定時間の処理液による処理を行わせた後、チャンバ13内を減圧し、チャンバ13内が所定圧力に達した後、制御部53は減圧ポンプ39を停止させ、減圧弁41を閉止させて減圧を停止させる図8a。処理液による洗浄処理の後、チャンバ13内の減圧が完了すると、制御部53は、リフタ17を乾燥位置まで上昇させる図8b。なお、リフタ17を高速に上昇させて、リフタ17で引き上げられた基板Wの表面全体を処理液が覆った状態にするのが好ましいのは、上述した実施例1と同様である。次に、制御部53は、処理槽3内の処理液をチャンバ13の底部に急速排水させるとともに、上部の一対の溶剤ノズル23Bから溶剤蒸気g2をチャンバ13内の乾燥位置にある複数枚の基板Wに向けて供給させる。所定時間後に、三方弁65を切り換えて、今度は下部の一対の溶剤ノズル23Cから溶剤蒸気g2を複数枚の基板Wに向けて供給させる図8c。これにより、基板Wの全面に対して溶剤蒸気g2がゆきわたり、基板Wの表面を覆っている処理液に溶剤蒸気が凝縮して、処理液が溶剤で置換される。その後、制御部53は、溶剤蒸気g2の供給を停止させ、チャンバ13に貯留している処理液を排出させ、チャンバ13内を減圧させる。これにより、複数枚の基板Wの周囲には、乾燥窒素ガスg1が供給され、複数枚の基板Wに付着している溶剤が処理液とともに急速に揮発する。揮発した溶剤は、排気管37を通して外部に排出される図8d、e。本実施例3に係る基板処理装置によると、上部の一対の溶剤ノズル23Bと下部の一対の溶剤ノズル23Cとを交互に切り換えるので、実施例1,2のようにリフタ17や一対の溶剤ノズル23を昇降させる必要がない。したがって、実施例1と同様の効果を奏しつつも、実施例1,2に比較して構造及び制御を簡易化できる。なお、実施例3における上部の一対の溶剤ノズル23Bと下部の一対の溶剤ノズル23Cとの切り換えを次のように行ってもよい。ここで図9を参照する。なお、図9は、溶剤ノズルの切り換えについて説明する模式図であり、aは上昇時を、bは最上昇時を、cはノズル切り換え時を示す。すなわち、処理位置にある基板Wをリフタ17が乾燥位置に上昇させる際には、下部の一対の溶剤ノズル23Cから溶剤蒸気g2を供給させておく図9a。そして、基板Wが乾燥位置に移動した後、その状態を所定時間だけ維持する図9b。基板Wの下部に溶剤蒸気g2が十分に凝縮した後、下部の一対の溶剤ノズル23Cからの溶剤蒸気g2を停止させるとともに、上部の一対の溶剤ノズル23Bから溶剤蒸気g2を供給させる図9c。このように、上部の一対の溶剤ノズル23Bと下部の一対の溶剤ノズル23Cのうち、下部の一対の溶剤ノズル23Cから溶剤蒸気g2を供給させた状態でリフタ17を乾燥位置へ移動させる。これにより、基板Wの上部から下部にわたって溶剤蒸気g2が供給される。その状態を所定時間だけ維持すると、溶剤蒸気g2があたりにくい基板Wの下部に重点的に溶剤蒸気g2が供給される。次いで、上部の一対の溶剤ノズル23Bから溶剤蒸気g2を供給させる。これにより、基板Wの上部の置換処理が行われるので、基板Wの全面にわたって溶剤蒸気g2による置換処理が行われる。本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。1上述した実施例1では、上昇速度V1と下降速度V2とを同じとしたが、上昇速度V1を下降速度V2よりも速くしてもよい。ここで、図10を参照する。なお、図10は、溶剤ノズルの切り換え及び昇降速度について説明する模式図であり、aは上昇時を、bは最上昇時を、cは下降時を示す。この場合、処理位置から乾燥位置へリフタ17を上昇させる際の上昇速度V1を、乾燥位置から下方へリフタ17を下降させる際の下降速度V2よりも速くする。これにより、溶剤蒸気g2があたりにくく、処理液が重力で溜まりやすい基板Wの下部を重点的に溶剤蒸気g2を供給することができる。その後、リフタ17を下降させるので、基板Wの上部にも溶剤蒸気g2を供給でき、基板Wの全面に溶剤蒸気g2をゆきわたらせることができる。2上述した各実施例1~3では、処理槽3が単槽式であったが、本発明はこのような処理槽3に限定されるものではなく、内槽と外槽とを有する処理槽3を採用してもよい。3上述した各実施例1~3では、円形状の基板Wを処理する装置を例にとって説明したが、本発明はそのような形状の基板を処理する装置に限定されるものではない。例えば、矩形状の基板を処理するものにも適用できる。4上述した実施例3では、上部の一対の溶剤ノズル23Bと、下部の一対の溶剤ノズル23Cとしたが、その中間にも一対の溶剤ノズルを配置して、三箇所の溶剤ノズルを切り換えるようにしてもよい。"