"イソシアヌレート基を有する架橋された高分子材料を含み、酸化ジルコニウム粒子を含まない誘電体層と、前記誘電体層と接触する半導体層であって、非高分子の有機半導体材料を含み、電気的に絶縁性のポリマーを実質的に含まない半導体層と、を備える組み立て品。前記半導体層が、高分子有機半導体を含まないか又は実質的に含まない、請求項1に記載の組み立て品。イソシアヌレート基を有する前記架橋された高分子材料が、フリーラジカル重合性イソシアヌレート単量体を含む単量体組成物から調製される、請求項1又は2に記載の組み立て品。前記フリーラジカル重合性イソシアヌレート単量体が、少なくとも2つのメタアクリロイル基を含む、請求項3に記載の組み立て品。前記単量体組成物が、前記単量体組成物中のフリーラジカル重合性化合物の総重量に基づいて、少なくとも95重量パーセントの前記フリーラジカル重合性イソシアヌレート単量体を含む、請求項3又は4に記載の組み立て品。前記単量体組成物が、前記単量体組成物中のフリーラジカル重合性化合物の総重量に基づいて、少なくとも99重量パーセントの前記フリーラジカル重合性イソシアヌレート単量体を含む、請求項3又は4に記載の組み立て品。前記フリーラジカル重合性イソシアヌレート単量体が、トリス2-ヒドロキシエチルイソシアヌレートトリメタアクリレートを含む、請求項3~6のいずれか一項に記載の組み立て品。前記非高分子の有機半導体が、アセン、ヘテロアセン、又はそれらの置換誘導体を含む、請求項1~7項のいずれか一項に記載の組み立て品。前記アセン、ヘテロアセン、又はこれらの置換誘導体が、少なくとも1つのシリルエチニル置換基を含む、請求項8に記載の組み立て品。前記アセンは、6,13-ビストリイソプロピルシリルエチニルペンタセン、6,13-ビスイソプロペニルジイソプロピルシリルエチニルペンタセン、6,13-ビスアリルジイソプロピルシリルエチニルペンタセン、6,13-ビスシクロプロピルジイソプロピルシリルエチニルペンタセン、6,13-ビス1-メチレンプロピルジイソプロピルシリルエチニルペンタセン、6,13-ビスアリルジシクロプロピルシリルエチニルペンタセン、及び6,13-ビスシクロプロピルジイソプロピルシリルエチニル-2,3,9,10-テトラメチル-ペンタセンからなる群から選択される、請求項9に記載の組み立て品。請求項1~10のいずれか一項に記載の組み立て品を備える、電子デバイス。ゲート電極と、ソース電極と、ドレーン電極と、請求項1~10のいずれか一項に記載の組み立て品と、を備え、前記ゲート電極は前記誘電体層に隣接し、前記ソース電極及び前記ドレーン電極は、前記半導体層に隣接している、有機薄膜トランジスタ。前記有機薄膜トランジスタは、高分子基板上に配置されている、請求項12に記載の有機薄膜トランジスタ。ゲート電極と、無機酸化物層と、ソース電極と、ドレーン電極と、請求項1~10のいずれか一項に記載の組み立て品と、を備え、前記無機酸化物層は、前記ゲート電極と前記誘電体層との間に挟まれ、前記ソース電極及び前記ドレーン電極は、前記半導体層に隣接している、有機薄膜トランジスタ。前記有機薄膜トランジスタは、高分子基板上に配置されている、請求項14に記載の有機薄膜トランジスタ。特に断らないかぎり、本実施例及び本明細書の残りの部分における部、百分率、比などはすべて重量に基づいたものである。以下で具体的に供給元を示していない薬品は、例えば、Sigma-AldrichChemicalCo.Milwaukee,Wisconsinなどの、標準的な薬品供給業者から容易に入手可能である。[ZrO2-P樹脂の調製]酸化ジルコニウムジルコニアナノ粒子は、米国特許第7,241,437号Davidsonらに記載される、熱水技術を使用して調製された。ジルコニウム塩を含有する第一の供給原料に、最初の熱水処理を施し、ジルコニウム含有中間体及び副生成物を生成した。第二の供給原料は、第一の熱水処理中に生成された酸性の副生成物の少なくとも一部を除去することによって調製された。第二の供給原料に、その後、第二の熱水処理を施し、ジルコニアナノ粒子を含有するジルコニアゾルを形成した。ナノ粒子の寸法は、透過型電子顕微鏡によって測定された。サイズは、約1.8~11.2ナノメートルnmの範囲であり、平均粒径は4.7nm、標準偏差は1.3nmであった。ナノ粒子の縦横比は約1~3.4の範囲であった。ジルコニアゾルのジルコニアナノ粒子は、次いで3-メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランA-174により、米国特許第7,264,872号Walker,Jr.らの実施例2に記載されるものと同様のプロセスによって表面改変され、この開示は、1つのシラン、A-174のみが使用されたことを除いて、その内容を参照によって本願明細書に引用するものとする。このプロセスにより、表面改変されたジルコニアナノ粒子分散液が得られた。表面改変されたジルコニアナノ粒子分散液は、THEITA及びIRG184とイソホロン溶媒中で組み合わせられた。合わせた材料を、磁気攪拌によって混合した。この混合物を、浴温65°C及び真空6mmHg800Paを使用して回転蒸発にかけ、水、メチルエチルケトン、及び1-メトキシプロパン-2-オールの選択的除去を確実に実施した。得られた混合物は、約8.5重量パーセントのTHEITA、並びに40.0重量パーセントの表面改変されたジルコニアナノ粒子、1.5重量パーセントのIRG184、及び50.0重量パーセントのイソホロンを含んだ。結果として得られた混合物は、50重量パーセントの固形物、及び40重量パーセントの表面改変されたジルコニアナノ粒子を含んだ。混合物を室温まで冷却し、次いできれいな茶色ガラス瓶に、1.0マイクロメートルのフィルタを通して濾過した。[誘電体配合物の調製][配合物1]THEITA1.2061g、0.2099gのIRG184、及び18.6026gのn-ブチルベンゼンを、電磁攪拌棒とともに茶色ガラス広口瓶に入れた。広口瓶に蓋をして内容物を撹拌し、配合物1を準備した。[配合物2]ZrO2-P樹脂及びイソホロンを、電磁攪拌棒とともに茶色ガラス広口瓶に入れた。広口瓶に蓋をして内容物を撹拌し、配合物2を準備した。[配合物3]TMPTA16.9992g及び2.9959gのIRG184を、電磁攪拌棒とともに茶色ガラス広口瓶に入れて、広口瓶に蓋をし、IRG184が溶解されるまで内容物を撹拌した。この溶液の一部1.0459g及び13.8930gのn-ブチルベンゼンを、電磁攪拌棒とともに別個の茶色ガラス広口瓶に加えた。広口瓶に蓋をして内容物を撹拌し、配合物3を準備した。[配合物4]PVP0.6476g及び17.1185gのPGMEAを、電磁攪拌棒とともに茶色ガラス広口瓶に入れた。広口瓶に蓋をして、PVPが溶解されるまで内容物を撹拌した。次いで、0.1924gのメラミン-CO-ホルムアルデヒド溶液を広口瓶に加え、内容物を撹拌して、配合物4を準備した。配合物1~4は、表1下記にまとめられる。[ゲート電極/ゲート誘電体基板の調製][ゲート電極/ゲート誘電体基板1]シリコンウェハは、ほぼ半分に分割され、次いで酸素プラズマを使用してクリーニングされた。分割されたウェハは、プラズマ洗浄システムで、500Wの出力設定、及び標準状態で1立方センチメートル毎分sccmの酸素流量を使用して、3分間処理された。結果として得られた、プラズマ洗浄された、分割されたウェハは、クリーニングの後、確実に室温となるように数分間冷却され、次いで配合物1は、ウェハの熱酸化物表面の上を2000rpmで、432回転毎分/秒rpm/secのランプ速度で、2分間スピンコーティングされた。コーティングされた基板は、窒素でパージされたUV照射チャンバ254nm殺菌ランプに移され、そこでコーティングされた基板誘電体は、10分間照射された照射量=1.2ジュール/cm2。UV照射の後、基板は100°Cに予熱されたホットプレート上に10分間配置された。誘電体層の厚さは、約66nmであった。[ゲート電極/ゲート誘電体基板2]シリコンウェハは、酸素プラズマを使用してクリーニングされた。ウェハは、500Wの出力設定及び標準状態で1立方センチメートル毎分sccmの酸素流量を使用して、プラズマクリーニングシステムで、3分間処理された。プラズマクリーニングされたウェハは、クリーニング後に、確実に室温になるように数分間冷却され、次いで配合物2は、ウェハの熱酸化物表面上を、432回転毎分/秒rpm/secのランプ速度で、2000rpmで1分間、スピンコーティングされた。コーティングされた基板は、100°Cに予熱されたホットプレート上に10分間配置された。次いで基板は、窒素でパージされたUV照射チャンバ254nm殺菌ランプに移され、そこでコーティングされた誘電体は、10分間照射された照射量=1.2ジュール/cm2。UV照射後、基板は100°Cに予熱されたホットプレート上に10分間配置された。[ゲート電極/ゲート誘電体基板3]シリコンウェハは、ほぼ半分に分割され、次いで酸素プラズマを使用してクリーニングされた。分割されたウェハは、プラズマ洗浄システムで、500Wの出力設定、及び標準状態で1立方センチメートル毎分sccmの酸素流量を使用して3分間処理された。プラズマ洗浄され、分割されたウェハは、クリーニング後、確実に室温となるように数分間冷却され、次いで配合物3は、ウェハの熱酸化物表面の上を2000rpmで、432回転毎分/秒rpm/secのランプ速度で、2分間スピンコーティングされた。コーティングされた基板は、窒素でパージされたUV照射チャンバ254nm殺菌ランプに移され、そこでコーティングされた基板誘電体は、10分間照射された照射量=1.2ジュール/cm2。UV照射後、基板は100°Cに予熱されたホットプレート上に10分間配置された。誘電体層の厚さは、約65nmであった。[ゲート電極/ゲート誘電体基板4]シリコンウェハは、ほぼ半分に分割され、次いで酸素プラズマを使用してクリーニングされた。分割されたウェハは、プラズマ洗浄システムで、500Wの出力設定、及び標準状態で1立方センチメートル毎分sccmの酸素流量を使用して3分間処理された。プラズマ洗浄された、分割されたウェハは、クニーニング後、確実に室温となるように数分間冷却され、次いで配合物4は、ウェハの熱酸化物表面の上を2000rpmで、432回転毎分/秒rpm/secのランプ速度で、1分間スピンコーティングされた。コーティングされた基板は、100°Cに予熱されたホットプレート上に2分間配置された。その後、コーティングされた基板は160°Cに予熱された別のホットプレート上に30分間配置された。[有機半導体溶液の調製]アニソール及びデカンは、ガラス瓶の中で重量を計量され、瓶に蓋をして振とうし、91/9w/wアニソール/デカン溶媒混合物を準備した。TIPSペンタセン及びアニソール/デカン溶液混合物を、茶色のガラス広口瓶内で、電磁攪拌棒を伴って組み合わせ、広口瓶を金属の缶でカバーして光から遮蔽し、室温で約48時間撹拌して、アニソール/デカン溶液中に1.8重量パーセントのTIPSペンタセンを準備した。ゲート電極/ゲート誘電体基板をディップコーティングする前に、溶液はPTFEフィルタで濾過された。[実施例1、並びに比較例C-1、C-2、及びC-3]ゲート電極/ゲート誘電体基板は、約25mm×35mmの小片に分割された。ゲート電極/ゲート誘電体基板のそれぞれ一片は、基板に対するゲート誘電体の静電容量を測定するために使用され、もう一片は、薄膜トランジスタTFTを作製するために使用された。ゲート誘電体の静電容量は、以下のように測定された。直径5mmの金の回路パッド、すなわち電極が、ゲート誘電体表面上にシャドウマスクにより蒸着される。複合材料ゲート誘電体コーティングにSiO2を加えたものの、高度にドープされたSi電極ゲート電極と金電極との間の静電容量は、AGILENTE4980A精密LCRメータAgilentTechnologies,Inc.SantaClara,Californiaによって測定される。100nmの熱酸化物SiO2の静電容量は、345ピコファラド/ミリメートル2pF/mm2だった。実施例1、比較例C-1,比較例C-2、及び比較例C-3でそれぞれ利用された、ゲート電極/ゲート誘電体基板1、2、3、及び4に対する、複合材料ゲート誘電体コーティングにSiO2を加えたものの合計静電容量は、表2下記に報告される。薄膜トランジスタTFTは、以下のように製造される。約5mLの有機半導体溶液がディップコーティングタンク長さ約50mm、幅約5mm、高さ約30mm内に配置されている。それぞれのゲート電極/ゲート誘電体基板の一片が、有機半導体溶液内で、約3ミリメートル毎分のドロー速度で、NimaTechnologyLtd.Coventry,UnitedKingdomのNIMAD1Lなどの入手可能なディップコーティング装置を使用して、ディップコーティングされる。各試料を室温で乾燥させた。金のソース電極及びドレーン電極厚さ約80~100nmは、熱エバポレータを使用してシャドウマスクを通して蒸着され、これにより底面ゲート、上面コンタクト構造のトランジスタが形成された。ソース電極及びドレーン電極は、長方形であり、互いに平行で、電極の長い寸法で配向され、この長い寸法はチャネル幅に対応し、ディップコーティング方向、すなわちディップ軸に垂直である。ソース電極及びドレーン電極は寸法設定され、トランジスタの幅は約1000マイクロメートルであり、チャネル幅は、約100マイクロメートルであった。TFTの移動度は、下記のようにして測定された。それぞれの実施例及び比較例に対して、10個のTFTが、連続して測定された。選択されたTFTが基板のエッジに隣接していなかったという条件を除いて、TFTは無作為で選択された。飽和電界効果移動度μは、周囲条件下で、2つのソースメジャーユニットKeithleyInstruments,Inc.Cleveland,OhioのModel2400を使用して測定された。装置はS-1160シリーズプローブステーション上に置かれ、プローブはS-725-PRMマニピュレータを使用して接続されたどちらもSignatoneCorp.Gilroy,Californiaから入手可能。ドレーンソース間バイアス電圧VDSは、-40Vに保持され、一方でゲートソース間バイアス電圧VGSは、10V~-40Vの範囲にわたり1V刻みで増加させた。ドレーンソース間電流IDSは、VGSの関数として、-40Vの一定のVDSにおいて、10V~-40Vで、測定された。飽和電界効果移動度μを、VGSに対してIDSの平方根をプロットした直線部分の傾きから次式を使用して計算した。IDS=μWCVGS-Vt2÷2L飽和電界効果移動度μは、以下の式により、IDSの平方根対VGSのプロットの傾きmに関係し、式中、Cは、ゲート誘電体比静電容量すなわち、表2に示された合計静電容量、Wはチャネル幅、及びLはチャネル長さである。IDSの平方根対VGS曲線のプロットを使用すると、X軸の線形部分すなわち、IDSの平方根がゼロに等しいところの直線フィットの外挿は、閾値電圧Vtとして取られるX軸切片を提供する。加えて、IDSをVGSの関数として対数目盛を使用してプロットし、直線フィットがVtを含む曲線の部分に沿って描かれた曲線が生成される。閾値下曲線Sは、この線の傾きの逆数となるように定義される。OFF電流は、IDSの急激かつ連続的な上昇の直前のIDSの値として取られる。ON/OFF電流比は、IDS対VGS測定値からOFF電流への、最大のIDS値の比として取られる。全てのデバイスは、実施例1、比較例C-2、及び比較例C-3に対しては、約25°C、31の相対湿度R.H.、比較例C-1に対しては、約24°C、22のR.H.の周囲条件下で測定された。試料からの10個のTFTが測定された後、試料からの2個の更なるTFTが、VGSが、デバイスのシステリシスを評価するために、1V刻みで、10Vから-40Vへスウィープされ前進スウィープ、次いで10Vへ戻される後退スウィープことを除いて同様の様式で測定された。前進スウィープにおいてIDSが同じ電圧で得られたその値から5より多く逸脱した後退スィープにおける最初のVGSを、本明細書では発散電圧と定義する。全てのデバイスは、実施例1、比較例C-2、及び比較例C-3に対しては、約25°C、31の相対湿度R.H.、比較例C-1に対しては、約24°C、22のR.H.の周囲条件下で測定された。表3下記は、実施例1、並びに比較例C-1、比較例C-2、及び比較例C-3に対して性能特性を報告する。図3は、-2.75Vの発散電圧を有する実施例1のTFT及び-18.43Vの発散電圧を有する比較例C-2のTFTに対する、VGSの前進スウィープ及び後退スウィープの両方の間の、VGSのIDSを示す。当業者であれば本開示の範囲及び趣旨から逸脱することなく本開示の様々な改変及び変更を行うことが可能であり、また、本開示は上記に記載した例示的な実施形態に不要に限定されるべきではない点は理解されるべきである。"