行列状に配列された複数の画素を備える固体撮像装置であって、前記複数の画素の各列に対応して設けられ、前記複数の画素それぞれから読み出した信号電荷を垂直方向へ転送するための垂直転送部と、並列に配置され、前記垂直転送部から受け取った信号電荷を水平方向に転送するための複数の水平転送部と、前記複数の水平転送部間に設けられ、前記複数の水平転送部間で信号電荷の転送を行うための振り分け転送部とを備え、前記複数の水平転送部のうち、前記垂直転送部から信号電荷を受ける第1の水平転送部では、前記複数の水平転送部のチャネルを形成する導電型と同じ導電型の不純物が追加注入された第1不純物追加注入領域が前記複数の水平転送部の並び方向に沿って形成される固体撮像装置。前記第1の水平転送部の前記振り分け転送部側の側端の第1電位は、前記振り分け転送部が水平転送部間で信号電荷の転送を行うとき、前記第1の水平転送部の電位分布のうちで最も深くなるよう制御され、前記第1の水平転送部の前記振り分け転送部側の側端の第2電位は、前記複数の水平転送部が信号電荷を水平方向に転送するとき、前記第1の水平転送部の電位分布のうちで最も深くならないように制御される請求項1に記載の固体撮像装置。前記第1の水平転送部では、さらに、前記第1不純物追加注入領域の導電型と同じ導電型の不純物が追加注入された第2不純物追加注入領域が前記振り分け転送部側の側端部に形成される請求項1または2に記載の固体撮像装置。前記第1不純物追加注入領域は、前記複数の水平転送部間の方向に沿って前記複数の水平転送部にも形成されており、前記第2不純物追加注入領域は、前記第1の水平転送部の前記振り分け転送部側の側端部だけでなく前記振り分け転送部にも形成されている請求項3に記載の固体撮像装置。前記複数の水平転送部は、前記垂直転送部から信号電荷を受ける前記第1の水平転送部と、前記振り分け転送部から信号電荷を受ける第2の水平転送部とで構成され、前記第2不純物追加注入領域は、前記第2の水平転送部の前記振り分け転送部側の側端部にも形成され、前記第2不純物追加注入領域は、前記振り分け転送部を中心に、第1の水平転送部と第2の水平転送部とで対称になるように形成されている請求項4に記載の固体撮像装置。前記第1の水平転送部の前記振り分け転送部側の側端の第3電位は、前記画素から読み出す信号電荷量が所定値以下の場合で、かつ、水平転送部間で信号電荷の転送を行うとき、前記第1電位よりも深くなるよう制御される請求項4に記載の固体撮像装置。前記第2不純物追加注入領域の不純物濃度は、前記第1不純物追加注入領域の不純物濃度よりも高い請求項1~6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記複数の水平転送部のチャネルを形成する導電型は、N型である請求項1~7のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記複数の水平転送部それぞれを構成する転送電極は、4つの水平転送電極で構成され、前記複数の水平転送部は、水平4相駆動方式で駆動される請求項1~8のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記垂直転送部、前記複数の水平転送部及び前記振り分け転送部を構成する転送電極は、全て単層電極で構成される請求項1~9のいずれか1項に記載の固体撮像装置。請求項1~10のいずれか1項に記載の固体撮像装置を備えるカメラ。しかしながら、上記特許文献1の固体撮像装置の構成では、転送効率の改善は見込まれるものの実用上大きな課題がある。以下、その課題について説明する。図15は、図13に示すF-F’及びG-G’に沿った水平転送部の電位分布と信号電荷の蓄積状態とを模式的に示す図である。図15において、電位分布916は、G-G’に沿った水平バリア電極H1T下における第1水平転送レジスタ904の電位分布を示している。電位分布917は、F-F’に沿った水平蓄積電極H1S下における第1水平転送レジスタ904の電位分布を示している。また、第1水平転送レジスタ904においてP型不純物が追加注入された領域に対応するP型不純物注入領域911と、P型不純物が追加注入されてない領域に対応する領域912とが示されている。なお、電位分布917における斜線部はH1Sに蓄積可能な信号電荷量を示している。また、電位差918は、水平蓄積電極H1S下に電荷を最も多く蓄積した際の電位と水平バリア電極H1Tの電位分布917の電位差Δφを示している。換言すると、領域912において、水平蓄積電極H1S下の電位と水平バリア電極H1Tの電位との電位差がΔφより小さい場合は、蓄積されている信号電荷は水平方向へ信号電荷が漏れてしまい蓄積電荷量が減少してしまうことを示している。図15に示すように、水平蓄積電極H1S下及び水平バリア電極H1Tの電位分布において、いずれも領域912の電位はP型不純物注入領域911の電位よりも深くなっている。また水平蓄積電極H1S下の領域に電荷を蓄積するためには、P型不純物注入領域911における水平蓄積電極H1S下の電位分布917と領域912における水平バリア電極H1T下の電位分布916との電位の差がΔφ以上必要であるが、それを満たさない。そのため、水平蓄積電極H1S下第1水平転送レジスタ904は部分的にしか電荷を蓄積することができず取り扱い電荷量が大幅に低下してしまう。ここで、一般的な固体撮像装置の水平転送部における信号電荷の蓄積状態と比較する。図16は、一般的な固体撮像装置の水平転送部における信号電荷の蓄積状態を模式的に示す図である。電位分布919は、水平転送部における水平バリア電極H1T下の電位分布を示している。電位分布920は、水平転送部における水平蓄積電極H1S下の電位分布を示している。電位分布920における斜線部はH1Sに蓄積可能な信号電荷量を示している。また、ここでの電位差918は、水平蓄積電極H1Sに電荷を最も多く蓄積した際の電位と水平バリア電極H1Tの電位差Δφを示している。図16では、図15のように部分的な不純物注入領域がないため、水平蓄積電極H1S全体に信号電荷を蓄積することができる。換言すると、上記特許文献1記載の固体撮像装置の構成のように、水平転送部間の転送を強化するために部分的に不純物追加注入を実施すれば、大幅な飽和信号電荷量の低下を招いてしまい広ダイナミックレンジな画質は得ることができない。なお、飽和信号電荷量の向上を図るために、例えば水平駆動電圧振幅の拡大や第1水平転送レジスタ904の距離を大幅に拡大する手段も考えられるが、いずれの手段を採用しても消費電力の増大、HH間転送不良の劣化に繋がってしまうので適用することができない。つまり、水平転送部を並列に設けた複数の出力部を有する構造においては、HH間転送と水平転送の劣化を防ぐと共に、水平転送部の飽和信号量の確保が重要である。しかし、これらの特性を両立するためには、上記特許文献1記載の固体撮像装置の構成では、高い水平駆動電圧が必要であり、その結果、消費電力の大幅な増大を招いてしまう。本発明は、上記従来の課題を解決するためになされたもので、HH間転送、水平転送劣化の抑制と共に水平転送部の飽和低下を克服できる固体撮像装置及びそれを備えたカメラを提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の一形態に係る固体撮像装置は、行列状に配列された複数の画素を備える固体撮像装置であって、前記複数の画素の各列に対応して設けられ、前記複数の画素それぞれから読み出した信号電荷を垂直方向へ転送するための垂直転送部と、並列に配置され、前記垂直転送部から受け取った信号電荷を水平方向に転送するための複数の水平転送部と、前記複数の水平転送部間に設けられ、前記複数の水平転送部間で信号電荷の転送を行うための振り分け転送部とを備え、前記複数の水平転送部のうち、前記垂直転送部から信号電荷を受ける第1の水平転送部では、前記複数の水平転送部のチャネルを形成する導電型と同じ導電型の不純物が追加注入された第1不純物追加注入領域が前記複数の水平転送部の並び方向に沿って形成される。この構成により、HH間転送、水平転送劣化の抑制と共に水平転送部の飽和低下を克服できる固体撮像装置を実現できる。ここで、前記第1の水平転送部の前記振り分け転送部側の側端の第1電位は、前記振り分け転送部が水平転送部間で信号電荷の転送を行うとき、前記第1の水平転送部の電位分布のうちで最も深くなるよう制御され、前記第1の水平転送部の前記振り分け転送部側の側端の第2電位は、前記複数の水平転送部が信号電荷を水平方向に転送するとき、前記第1の水平転送部の電位分布のうちで最も深くならないように制御されるとしてもよい。好ましくは、前記第1の水平転送部では、さらに、前記第1不純物追加注入領域の導電型と同じ導電型の不純物が追加注入された第2不純物追加注入領域が前記振り分け転送部側の側端部に形成される。ここで、前記第1不純物追加注入領域は、前記複数の水平転送部間の方向に沿って前記複数の水平転送部にも形成されており、前記第2不純物追加注入領域は、前記第1の水平転送部の前記振り分け転送部側の側端部だけでなく前記振り分け転送部にも形成されているとしてもよい。また、前記複数の水平転送部は、前記垂直転送部から信号電荷を受ける前記第1の水平転送部と、前記振り分け転送部から信号電荷を受ける第2の水平転送部とで構成され、前記第2不純物追加注入領域は、前記第2の水平転送部の前記振り分け転送部側の側端部にも形成され、前記第2不純物追加注入領域は、前記振り分け転送部を中心に、第1の水平転送部と第2の水平転送部とで対称になるように形成されているとしてもよい。また、前記第1の水平転送部の前記振り分け転送部側の側端の第3電位は、前記画素から読み出す信号電荷量が所定値以下の場合で、かつ、水平転送部間で信号電荷の転送を行うとき、前記第1電位よりも深くなるよう制御されるとしてもよい。ここで、前記第2不純物追加注入領域の不純物濃度は、前記第1不純物追加注入領域の不純物濃度よりも高い。また、前記複数の水平転送部のチャネルを形成する導電型は、N型であるとしてもよい。また、前記複数の水平転送部それぞれを構成する転送電極は、4つの水平転送電極で構成され、前記複数の水平転送部は、水平4相駆動方式で駆動されるとしてもよい。また、前記垂直転送部、前記複数の水平転送部及び前記振り分け転送部を構成する転送電極は、全て単層電極で構成されるとしてもよい。また、上記目的を達成するために、本発明の一形態に係るカメラは、上記の形態のいずれかに記載の固体撮像装置を備える。本発明によれば、HH間転送、水平転送劣化の抑制と共に水平転送部の飽和低下を克服できる固体撮像装置及びそれを備えたカメラを実現できる。以下本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本発明について、以下の実施の形態及び添付の図面を用いて説明を行うが、これは例示を目的としており、本発明がこれらに限定されることを意図しない。実施の形態1図1は、本発明の実施の形態1に係る固体撮像装置を示した全体構成図である。図1に示す固体撮像装置は、行列状に配列された複数の画素を備える固体撮像装置であって、光電変換素子を含む画素部1、垂直転送部2、信号電荷の読み出し部3、第1水平転送部4、第2水平転送部5、振り分け転送部6、第1出力部7及び第2出力部8を備える。画素部1は、入射される可視光をその光量に応じた電荷量に光電変換する光電変換素子を含み、行列状マトリックス状に行列状に配列されている。換言すると、画素部1は入射される可視光をその光量に応じた電荷量の信号電荷を発生する。読み出し部3は、画素部1で発生した信号電荷を、読み出して垂直転送部2に伝達するためのものである。垂直転送部2は、複数の画素部1の各列に対応して設けられ、複数の画素部1それぞれから読み出した信号電荷を垂直方向へ転送する。換言すると、垂直転送部2は、画素部1で発生した信号電荷を、読み出し部3を介して読み出し、読み出した信号電荷を順次転送し、第1水平転送部4に転送する。第1水平転送部4及び第2水平転送部5は、本発明の複数の水平転送部の一例であり、並列に配置され、垂直転送部2から受け取った信号電荷を水平方向に転送する。具体的には、第1水平転送部4は、複数の水平転送部のうち、垂直転送部2から信号電荷を受ける。第2水平転送部5は、振り分け転送部6により第1水平転送部4から第2水平転送部5へ転送された信号電荷を受ける。より詳しくは、あるラインの信号電荷が垂直転送部から第1水平転送部4に転送され、振り分け転送部6によりその信号電荷が第2水平転送部5に転送される。次ラインの信号電荷を垂直転送部2から第1水平転送部4に転送される。その後、第1水平転送部4と第2水平転送部5に蓄積されている信号電荷を同時に水平方向に、対応する第1出力部7と第2出力部8に出力される。なお、第1水平転送部4では、第1水平転送部のチャネルを形成する導電型N型と同じ導電型N型の不純物が追加注入された不純物追加注入領域が少なくとも複数の水平転送部間の方向に沿って形成されている。この不純物追加注入領域は、本願の特徴的な部分であるが、後に詳述するためここでの説明は省略する。振り分け転送部6は、複数の水平転送部間に設けられ、複数の水平転送部間で信号電荷の転送を行う。具体的には、振り分け転送部6は、垂直転送部2から信号電荷を受け取った第1水平転送部4から第2水平転送部5へ信号電荷を転送する。第1出力部7は、第1水平転送部4より出力された信号電荷を検出して信号電圧に変換して出力し、第2出力部8は、第2水平転送部5より出力された信号電荷を検出して信号電圧に変換して出力する。このようにして、第1出力部7と第2出力部8とは、2ライン分の信号を出力する。以上のように構成された固体撮像装置では、並列に配置された水平転送部を有することにより、信号電荷を2ライン分ずつ同時に出力できるので高速駆動を実現することができる。次に、本願の特徴的な構成が形成されている第1水平転送部4、第2水平転送部5及び振り分け転送部6の詳細構成について説明する。図2は、本発明の実施の形態1における水平転送部の詳細構成を説明するための図である。図2には、N型の不純物追加注入領域11とN型の不純物追加注入領域12Aとを備える第1水平転送部4と、第2水平転送部5と、チャネルストップ領域9及び中間転送部15で構成される振り分け転送部6とが示されている。第1水平転送部4の垂直方向の上端部垂直転送部2の最終段には、垂直最終転送電極13が設けられている。第1水平転送部4には第1の水平転送電極21Aが設けられており、第2水平転送部5には第1の水平転送電極21Bが設けられている。また、第1水平転送部4及び第2水平転送部5にはそれぞれ、第2の水平転送電極22と、第3の水平転送電極23と、第4の水平転送電極24とが設けられている。このように、第1水平転送部4及び第2水平転送部5には、複数の第1~第4の水平転送電極が設けられている。振り分け転送部6では、中間転送部15の上に、第1水平転送部4及び第2水平転送部5間以下水平転送部間と記載の垂直転送HH転送を行うためのHH転送電極10が設けられている。チャネルストップ領域9は、第1水平転送部4及び第2水平転送部5の間すなわち振り分け転送部6において、HH間転送を行う中間転送部15が形成されていない領域に形成されている。また、図2では、信号電荷14Aが、第1水平転送部4から第2水平転送部5へ電荷転送HH間転送される転送経路Q1を模式的に示している。また、信号電荷14Bが第1水平転送部4において水平転送される転送経路P1を模式的に示している。N型の不純物追加注入領域11は、本発明の第1不純物追加注入領域の一例であり、本実施の形態における特徴的な構成要素である。具体的には、N型の不純物追加注入領域11は、少なくとも第1水平転送部4のチャネルを形成する導電型N型と同じ導電型N型の不純物が追加注入された領域であり、少なくとも第1水平転送部4に形成される。ここで、不純物追加注入領域11は、図2に示すように、水平転送部間の方向に沿って、中間転送部15および第2水平転送部5にも形成されている。N型の不純物追加注入領域12Aは、本発明の第2不純物追加注入領域の一例であり、本実施の形態における特徴的な構成要素である。N型の不純物追加注入領域12Aは、不純物追加注入領域11の導電型N型と同じ導電型の不純物N型が追加注入された領域であり、少なくとも第1の水平転送部の振り分け転送部6側の側端部に形成される。ここで、不純物追加注入領域12Aは、図2に示すように、第1水平転送部4の振り分け転送部6側の側端部だけでなく振り分け転送部6にも形成されている。次に、以上のように構成された第1水平転送部4と、第2水平転送部5と、振り分け転送部6との特徴的な部分、すなわち、HH転送時及び水平転送時における第1の水平転送電極21A下の第1水平転送部4の電位分布について説明する。図3は、本発明の実施の形態1における水平転送部間の垂直転送時の駆動タイミングを示す図である。図4は、本発明の実施の形態1における水平転送部間の垂直転送時のA-A’に沿った電位分布を模式的に示す図である。図3に示すように、まず、時刻taにおいて、垂直最終転送電極13にφVLのローレベル例えば-6V、第1の水平転送電極21AにφH1a例えば1.8V、第1の水平転送電極21BにφH1bのハイレベル例えば1.8V、HH転送電極10にφHHTのハイレベル例えば0Vの転送パルスを印加する。また、第2の水平転送電極22にφH2のローレベル例えば0V、第3の水平転送電極23にφH3のローレベル例えば0V、第4の水平転送電極24にφH4のローレベル例えば0Vの転送パルスを印加する。このように転送パルスを印加することにより、第1の水平転送電極21A下の第1水平転送部4、HH転送電極10下の中間転送部15、第1の水平転送電極21B下の第2水平転送部5は、図4のaに示す電位分布を示す。それにより、信号電荷は垂直転送部2から第1水平転送部4及び中間転送部15に転送される。なお、図4aにおいて、HH転送電極10下の中間転送部15の電位は第1の水平転送電極21B下の第2水平転送部5の電位より深くなっているが、第1の水平転送電極21B下の第2水平転送部5の電位がHH転送電極10下の中間転送部15の電位より深くなるよう形成されていても良い。また、第1水平転送部4内の不純物追加注入領域11と第2水平転送部5内の不純物追加注入領域11の不純物濃度構成濃度及び領域を同じにすることで、図4aに示す電位分布のように、電位をほぼ同じにすることができる。それにより、水平転送効率などの各チャネルにおける特性差を抑制することができる。次に、時刻tbにおいて、第1の水平転送電極21Aに印加するφH1Aの転送パルスをローレベル例えば0Vに遷移させる。このように転送パルスを印加することにより、第1の水平転送電極21A下の第1水平転送部4、HH転送電極10下の中間転送部15、第1の水平転送電極21B下の第2水平転送部5は、図4のbに示す電位分布を示す。それにより、第1水平転送部4の信号電荷は中間転送部15へ転送される。次に、時刻tcにおいて、HH転送電極10下の中間転送部15に印加する転送パルスφHHTをローレベル例えば-6Vに遷移させる。このように転送パルスを印加することにより、第1の水平転送電極21A下の第1水平転送部4、HH転送電極10下の中間転送部15、第1の水平転送電極21B下の第2水平転送部5は、図4のcに示す電位分布を示す。それにより、中間転送部15の信号電荷は第2水平転送部5へ転送される。以上のようにして、水平転送部間の転送HH転送を完了することができる。次に、HH転送電極10に印加するφHHTはローレベルに維持して水平転送部間のバリアを形成したまま、次の信号電荷を垂直転送部から第1水平転送部4へ同様に転送させる。その後、各水平転送部の信号電荷を同時に水平転送し各出力部で出力する図示せず。このように転送パルスを印加することにより、第1の水平転送電極21A下の第1水平転送部4、HH転送電極10下の中間転送部15、第1の水平転送電極21B下の第2水平転送部5は、HH転送及び水平転送を行うことができる。ここで、さらに、図5を用いて、第1の水平転送電極21A下の第1水平転送部4、HH転送電極10下の中間転送部15、第1の水平転送電極21B下の第2水平転送部5のHH転送時及び水平転送時における特徴的な電位分布とその効果について説明する。図5は、本発明の実施の形態1における水平転送部間の垂直転送時及び水平転送時のA-A’に沿った電位分布を模式的に示す図である。図5aは図4aと同様にHH転送時の電位分布を示しており、図5bは、水平転送時の電位分布を示している。図5aに示すように、第1水平転送部4では、HH電極沿いの不純物追加注入領域12Aの電位が最も深くなっている。つまり、HH転送時、HH転送電極10下の中間転送部15に近い第1水平転送部4の領域では、HH転送電極10をハイレベルにして電位を深くすることで、HH転送時の電界を強化することができる。しかし、第1水平転送部4内の転送距離は、高速駆動する信号電荷にとっては長いため、HH転送電極10下の中間転送部15からの距離がやや遠い領域では、HH転送電極による転送電界強化の効果は極端に低下する。そのため、本実施の形態では、第1水平転送部4の振り分け転送部6側の側端部及び振り分け転送部6に不純物追加注入領域12Aを形成する。それにより、HH転送電極10下の中間転送部15からやや距離が離れた領域の電位を深くすることができ、転送電界を強化することができる。すなわち、転送劣化を抑制することができる。一方、図5bに示すように、第1水平転送部4では、HH電極沿いの不純物追加注入領域12Aの電位が最も深くなってはいない。ここで、電位31はφH1aがハイレベル時、電位32はローレベル時における第1の水平転送電極21A下の第1水平転送部4の電位分布を示している。つまり、水平転送時、HH転送電極10をローレベルにすることで、HH転送電極10下の中間転送部15だけでなく、HH転送電極10下の中間転送部15に近い第1水平転送部4の領域の電位も浅くなったためである。そのため、図5bに示すように、第1の水平転送電極21A下の第1水平転送部4内において、水平転送時に電位が最も深くなるのは不純物追加注入領域12Aではなく、第1水平転送部4の中央部付近の領域になる。これは、第1水平転送部4の垂直転送部2側は、垂直最終転送電極13がローレベルで維持しているため、電位が浅くなっているからである。さらに、図2に示すように不純物追加注入領域11は不純物の注入濃度に傾斜を設けているため、第1水平転送部4の中央より垂直転送部2側が浅くなっているからである。したがって、水平転送時に電位が最も深くなるのは不純物追加注入領域12Aではないため、図2に示すように信号電荷14Bは転送経路P1に沿って転送され、不純物追加注入領域12Aを通過しない。すなわち、転送劣化を抑制することができるという効果を奏する。以上を言い換えると、第1水平転送部4の振り分け転送部6側の側端の電位は、振り分け転送部6が水平転送部間で信号電荷の転送を行うとき、第1水平転送部4の電位のうち最も深くなるよう制御される。一方、第1水平転送部4の振り分け転送部6側の側端の電位は、第1水平転送部4および第2水平転送部5が信号電荷を水平方向に転送するときは、第1水平転送部4の電位のうち最も深くならないように制御される。続いて、本実施の形態の構成により、従来と比べて飽和信号電荷量が改善することについて説明する。図13に示す従来の固体撮像装置では、HH転送及び水平転送の転送電界を強化するために設けているP型不純物注入領域911の電位うち、HH転送ゲート906側の端部の電位が最も深くなる。そのため、水平転送時に蓄積できる電荷量が大幅に低下してしまう課題があった。これは、上述したように、信号電荷を蓄積できる蓄積電荷量は電位が最も深い領域によって律速されるからである。一方、本実施の形態の固体撮像装置では、第1の水平転送電極21A下の第1水平転送部4内において、HH転送時に電位が最も深くなるのは不純物追加注入領域12Aである。しかし、第1の水平転送電極21A下の第1水平転送部4内において、水平転送時水平転送時前の信号電荷を蓄積する時に電位が最も深くなるのは不純物追加注入領域12A付近の領域ではなく第1水平転送部4の中央部付近に近い領域であるため、蓄積できる電荷量が低下することはない。このことについて、図6を用いてさらに説明する。図6は、本発明の実施の形態1における水平転送時のB-B’に沿った電位分布を模式的に示す図である。図6に示すように、水平転送部間の転送であるHH転送を実施しない第4の水平転送電極24下の第1水平転送部4においても、図5の第1の水平転送電極21A下の第1水平転送部4の電位分布と同様に、水平転送時の際、第1水平転送部4の不純物追加注入領域12Aの電位は、最も深くなっていない。具体的には、図6aに示すように、第4の水平転送電極24下の第1水平転送部4の電位が電位33及び電位34のいずれを示す場合でも第1水平転送部4の不純物追加注入領域12Aは、第1水平転送部4において電位が最も深くなっていない。ここで、電位33は、第4の水平転送電極24に印加するφH4がハイレベルである時、電位34は第4の水平転送電極24に印加するφH4がローレベルである時を示している。また、図6bは、図6aの場合において、第4の水平転送電極24下に信号電荷を蓄積したときの模式図である。斜線部は蓄積された信号電荷を、Δφは信号電荷を最も多く蓄積した際の第4の水平転送電極24の電位と、隣接した第3の水平転送電極23にローレベルを印加したときの電位との電位差を示している。上述したように、第4の水平転送電極24下の第1水平転送部4において、局所的に電位が深くなるような箇所はないので、水平転送部全体に渡り信号電荷を蓄積することができ十分は飽和電荷量を確保することができる。なお、図5では第1の水平転送電極21A下の電位分布について、図6では第4の水平転送電極24下の電位分布について説明したが、第2の水平転送電極22、第3の水平転送電極23下においても同様であり、水平転送時の際、第1水平転送部4において、第1水平転送部4のHH転送電極沿いの不純物追加注入領域12Aの電位は最も深くなく飽和が低下することはない。以上、本実施の形態によれば、第1水平転送部4において、水平転送部間のHH転送時には電位が最も深く、水平転送時には電位が最も深くならないようにHH転送電極10に沿った不純物追加注入領域12Aを形成する。それにより、HH転送劣化と水平転送劣化を克服すると共に、飽和電荷量の低下を防ぐことが可能になる。それにより、HH間転送、水平転送劣化の抑制と共に水平転送部の飽和低下を克服できる固体撮像装置を実現できる。なお、図2では、HH転送電荷を強化する不純物追加注入領域11は、HH転送方向が深くなるように注入する不純物の濃度の傾斜を設けているがそれに限らない。例えば、HH転送電極10に沿った不純物追加注入領域12Aに接するまで傾斜を設けないとしてもよい。その場合、図5bのように、水平転送時に第1水平転送部4の中央付近からHH電極間にかけての電位を、傾斜がなく平らに近い状態で形成することができるという効果を奏する。それにより、水平転送時の信号電荷の蛇行を抑制でき水平転送効率劣化を克服することができる。また、本実施の形態では、全ての転送電極は単層電極で構成されている。そして、本実施の形態における固体撮像装置は、第1の水平転送電極21A~第4の水平転送電極24にそれぞれφH1~φH4の駆動電圧を印加し、信号電荷を水平方向に順次転送する水平4相駆動方式である。本実施の形態では、水平2相駆動方式に比べ低消費電力効果が大きく、水平3相駆動方式に比べ水平転送部間の垂直転送と水平転送の両立に適している水平4相駆動方式の例を示している。これにより、HH転送、水平転送、飽和低下を克服すると共に、低消費電力化を図ることができるという効果を奏する。しかしながら、本技術は、複層電極の構成や水平2相駆動方式、水平3相駆動方式の構成でも同様の効果を得ることができる。以下それを変形例として説明する。変形例1図7は、本発明の実施の形態1の変形例における固体撮像装置の水平転送部の詳細構成を説明するための図である。なお、図2と同様の要素には同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。図7に示す固体撮像装置は、垂直転送ゲート907、第1水平転送レジスタ64、第2水平転送レジスタ65、HH転送ゲート66、N型の不純物追加注入領域60及びN型の不純物追加注入領域61を備える。また、この固体撮像装置は、水平蓄積電極H1S、H2S、水平バリア電極H1T、H2Tが構成されている。そして、この固体撮像装置は、水平転送時には各電極にφH1、φH2の電圧を印加して信号電荷を転送する水平2相駆動を行う。つまり、図7に示す固体撮像装置は、従来例と同じ水平2相駆動方式の水平転送部に、実施の形態1の特徴部分を適用した構成である。ここで、N型の不純物追加注入領域61は、本発明の第1不純物追加注入領域の一例であり、第1水平転送レジスタ64のチャネルを形成する導電型N型と同じ導電型N型の不純物が追加注入された領域であり、第1水平転送レジスタ64に形成される。また、N型の不純物追加注入領域60は、本発明の第2不純物追加注入領域の一例である。N型の不純物追加注入領域60は、不純物追加注入領域61の導電型N型と同じ導電型の不純物N型が追加注入された領域であり、第1水平転送レジスタ64の振り分け転送部HH転送ゲート66側の側端部に形成される。また、図7では、信号電荷67Aが、第1水平転送レジスタ64から第2水平転送レジスタ65へ電荷転送HH間転送される転送経路Q4を模式的に示している。また、信号電荷67Bが第1水平転送レジスタ64において水平転送される転送経路P8を模式的に示している。このように構成された固体撮像装置は、上述した理由により、水平転送時において蛇行することもなく、飽和信号量の低下も発生しない。実施の形態2図8は、本発明の実施の形態2における固体撮像装置の水平転送部の詳細構成を説明するための図である。なお、図2と同様の要素には同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。実施の形態1と異なる点は、HH転送電極10に印加する転送パルスをハイレベル、ローレベル1、ローレベル2のように3つの異なる電圧を印加できる点と、HH転送電極10の3つの異なる電圧に対応してHH転送電極10に沿った不純物追加注入領域12Bが形成されている点である。ここで、ローレベル1とローレベル2とは以下の場面で選択される。すなわち、ローレベル1は、カメラの撮像条件が高ISO時のように極めて低照度時に選択され、HH転送電極10に印加される。その他の撮像条件では、ローレベル2が選択され、HH転送電極10に印加される。また、図8では、信号電荷25Aが、第1水平転送部4から第2水平転送部5へ電荷転送HH間転送される転送経路Q2を模式的に示している。また、信号電荷25B及び信号電荷25Cが第1水平転送部4において水平転送される転送経路P3、P2を模式的に示している。図9は、本発明の実施の形態2における水平転送部間の垂直転送時及び水平転送時のC-C’に沿った電位分布を模式的に示す図である。具体的には、図9aは、HH転送時における図8中のC-C’に沿った電位分布の模式図を示しており、図8bは、水平転送時における図8中のC-C’に沿った電位分布の模式図を示している。なお、HH転送動作は、実施の形態1と同様であり、図3に示す駆動パルスを各電極に印加することで信号電荷をHH転送する。つまり、図9aは、図3に示す時刻taの状態を示しており、実施の形態1におけるHH転送時の電位分布である図4aと同様の図となっている。そのため、第1水平転送部4ではHH転送電極10沿いの不純物追加注入領域12Bの領域が最も電位が深くなっている。図8bにおいて、電位41はHH転送電極10にローレベル1例えば-3Vの転送パルスが印加された時の電位分布を示している。電位42はHH転送電極10にローレベル2例えば-6Vの転送パルスが印加された時の電位分布を示している。図8bに示すように、HH転送電極10にローレベルの転送パルスを印加すると、HH転送電極10下の中間転送部15及びHH電極沿いの電位が浅くなるが、ローレベル1の負方向の電圧は、ローレベル2の電圧より小さいため、電位41は電位42より電位が深い。また、電位41は、第1水平転送部4におけるHH転送電極10沿いの不純物追加注入領域12Bにおいても電位42より深い。電位42は、実施の形態1同様に、第1水平転送部4における不純物追加注入領域12Bの電位が最も深くなっていない。一方、電位41では第1水平転送部4におけるHH転送電極10沿いの不純物追加注入領域12Bの電位が最も深くなっている。このように、ローレベルの転送パルスがHH転送電極10に印加される場合には、信号電荷は電位が最も深い箇所に拡散されて転送される。そして、第1水平転送部4の振り分け転送部6側の側端の電位41は、画素部1から読み出す信号電荷量が所定値以下の場合で、かつ、水平転送部間で信号電荷の転送を行うとき、電位42よりも深くなるよう制御される。具体的には、水平転送時において、HH転送電極10にローレベル1の転送パルスが印加される時は、信号電荷は、転送経路P2で示すようにHH転送電極沿いの不純物追加注入領域12Bで転送される。また、水平転送時において、HH転送電極10にローレベル2の転送パルスが印加される時は、信号電荷は、転送経路P3で示すように第1の水平転送電極21A下の中央部に近いところで転送される。HH転送電極10にローレベル1の転送パルスが印加されるのは、極めて低照度時のみであり水平転送劣化が生じやすい場合にのみ適用選択される。このようにすることで、低照度時に固体撮像装置の画素部1が生成する少量の信号電荷を、HH転送電極10沿いの不純物追加注入領域12Bに集約し、電荷密度を高めて水平転送することができるので転送効率の劣化を抑制することができる。なお、上述したように、HH転送電極10にローレベル1の転送パルスが印加される場合、HH転送電極10沿いの不純物追加注入領域12Bの電位が最も深くなるため、第1水平転送部4の蓄積可能な飽和電荷量は低下してしまう。しかし、HH転送電極10にローレベル1の転送パルスが印加されるのは極めて低照度の時のみであり少信号の電荷量に限定した適用であるため問題にはならない。つまり、標準的な光量時や高輝度時などの場合では、HH転送電極10にはローレベル2が印加されるため、実施の形態1や図9aに示した電位分布を示すので、飽和電荷量が低下することはない。以上、本実施の形態によれば、HH転送電極10に印加する転送パルスをハイレベル、ローレベル1、ローレベル2のように3つの異なる電圧を印加できるように構成する。そして、極めて低照度時の水平転送時の際、HH転送電極10に印加する転送パルスとしてローレベル1を選択し、その他の撮像条件下では、HH転送電極10に印加する転送パルスとしてローレベル2を選択する。加えて、HH転送電極10に印加される3つの電圧条件に対応してHH転送電極10沿いの不純物追加注入領域12Bを形成する。すると、第1水平転送部4の振り分け転送部6側の側端の電位41は、画素部1から読み出す信号電荷量が所定値以下の場合で、かつ、水平転送部間で信号電荷の転送を行うとき、電位42よりも深くなるよう制御することができる。それにより、標準的な光量時や高輝度時などの場合に、飽和電荷量の低下を防ぐことができるだけでなく、極めて低照度で信号電荷量が少ない時でも水平転送劣化の抑制を行うことができる。したがって、本実施の形態の固体撮像装置によれば、HH転送劣化を防ぎ、かつ水平転送劣化の克服を更に強化でき、更に飽和電荷量の低下を抑制することができる。実施の形態3図10は、本発明の実施の形態3における固体撮像装置の水平転送部の詳細構成を説明するための図である。なお、図2と同様の要素には同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。本実施の形態の特徴は、HH転送電極10沿いの不純物追加注入領域12Cを、HH転送電極10を軸として第1水平転送部4と第2水平転送部5とに対称に形成している点である。具体的には、不純物追加注入領域12Cは、第1水平転送部4の振り分け転送部6側の側端部だけでなく、第2水平転送部5の振り分け転送部6側の側端部にも形成され、振り分け転送部6を軸として、第1水平転送部4と第2水平転送部5とで対称になるように形成されている。換言すると、本実施の形態の特徴は、第1水平転送部4における不純物追加注入領域12Cと、第2水平転送部5における不純物追加注入領域12Cとを同じ面積で形成している。さらに、実施の形態1と異なる点は、実施の形態2と同様に、HH転送電極10に印加する転送パルスをハイレベル、ローレベル1、ローレベル2のように3つの異なる電圧を印加する点である。具体的には、極めて低照度時で水平転送を行う際、HH転送電極10に印加する転送パルスとしてローレベル1例えば-3Vを選択し、その他の撮影条件では、HH転送電極10に印加する転送パルスとしてローレベル2例えば-6Vを選択する点と、HH転送電極10の3つの異なる電圧に対応してHH転送電極10に沿った不純物追加注入領域12Cが形成されている点である。また、図10では、信号電荷44が、第1水平転送部4から第2水平転送部5へ電荷転送HH間転送される転送経路Q3を模式的に示している。また、信号電荷35A及び信号電荷35Bが第1水平転送部4において水平転送される転送経路P5、P4を模式的に示している。さらに、信号電荷36A及び信号電荷36Bが第2水平転送部5において水平転送される転送経路P6、P7を模式的に示している。図11は、本発明の実施の形態3における水平転送部間の垂直転送時及び水平転送時のD-D’に沿った電位分布を模式的に示す図である。具体的には、図11aは、HH転送時における図10中のD-D’に沿った電位分布の模式図を示しており、図11bは、水平転送時における図10中のC-C’に沿った電位分布の模式図を示している。図10aでは、実施の形態1及び実施の形態2と同様に、図3に示す駆動パルスを各電極に印加することで信号電荷をHH転送する。つまり、図11aは、図3に示す時刻taの状態を示しており、実施の形態1におけるHH転送時の電位分布である図4aと同様の図となっている。図11bにおいて、電位51はHH転送電極10にローレベル1の転送パルスが印加された時の電位分布を示している。電位52はHH転送電極10にローレベル2の転送パルスが印加された時の電位分布を示している。水平転送時の際、極めて低照度時には、HH転送電極10にローレベル1の転送パルスが印加されて水平転送劣化の抑制を行う。また、その他の撮像条件下では、HH転送電極10にローレベル2の転送パルスが印加されて第1水平転送部4の飽和の低下をさせない。これらについては、上記実施の形態2と同じであるため詳細説明は省略する。以上、本実施の形態によれば、第1水平転送部4と第2水平転送部5とにおいて、HH転送電極10沿いの不純物追加注入領域12Cが対称的に形成されているため、HH転送電極10を軸として電位分布が対称に形成される。それにより、第1水平転送部4と第2水平転送部5とでは、ほぼ同じ電位分布状態で信号電荷の水平転送が行われるので、各水平転送部の水平転送効率差を抑制することができるという効果を奏する。また、図10中に示す転送経路P4及び転送経路P6は極めて低照度時に信号電荷が転送される転送経路を示している。転送経路P5及び転送経路P7は、それ以外の照度条件下での転送経路を示している。通常、一般的なCCD固体撮像装置において、極めて低照度条件下のような少量の信号電荷転送の場合、水平転送効率のバラツキが発生しやすく、複数の水平転送部で転送する場合、特に各水平転送部の水平転送効率差が顕著になる。しかし、本実施の形態によれば、図10及び図11bに示すように、極めて少量の信号電荷であっても、その少量の信号電荷をHH転送電極10沿いの不純物追加注入領域12Cに集約し、電荷密度を高めた上で水平転送することができる。それにより転送効率の劣化を抑制することができる。さらに加えて、第1水平転送部4と第2水平転送部5との水平転送効率差を抑制することができる。なぜなら、一般的に並列の水平転送部を複数有する構造の固体撮像装置は、HH転送の強化や水平転送部の飽和確保の観点から、第1水平転送部4と第2水平転送部5の幅が異なる場合が多い。しかし、本実施の形態の構造では、仮に各水平転送部の幅が異なっても、HH転送電極沿いにおいては同じ構成にすることができ、各水平転送部間の特性差を抑制することができるからである。なお、HH転送電極10沿いの不純物追加注入領域12Cを、注入する加速エネルギーを高めるなどで深い位置に形成すると、極めて少量時の信号電荷を水平転送する際、水平方向のフリンジ転送電界を強めることができる。これにより、更に水平転送効率の強化向上を図ることができる。以上、本実施の形態によれば、HH転送電極10に印加する転送パルスをハイレベル、ローレベル1、ローレベル2のように3つの異なる電圧を印加できるように構成する。そして、極めて低照度時の水平転送時の際、HH転送電極10に印加する転送パルスとしてローレベル1を選択し、その他の撮像条件下では、HH転送電極10に印加する転送パルスとしてローレベル2を選択する。加えて、HH転送電極10に印加される3つの電圧条件に対応してHH転送電極10沿いの不純物追加注入領域12Cを、HH転送電極10を軸にして第1水平転送部4と第2水平転送部5とに対して、対称に形成する。この構成により、水平転送の劣化やバラツキが生じやすい極めて低照度の信号条件時においても、水平転送効率の劣化を抑制すると共に、各水平転送部間の水平転送効率差を小さくすることができる。実施の形態4以下、実施の形態1~実施の形態3の固体撮像装置を備えるカメラシステムについて説明する。図12は、本発明における実施の形態4のカメラシステムの全体構成を示す図である。このカメラは、入射光を光電変換し、光電変換することにより生じた信号電荷を転送するCCD型の固体撮像装置100と、クロックドライバVDr140と、CDS相関二重サンプリングやADCアナログデジタル変換の処理を行なう前処理部CDS/ADC120と、画素補間や輝度色差処理等を行なって映像信号を出力するデジタル信号処理部DSP130と、タイミングジェネレータTG140とを備える。固体撮像装置100は、実施の形態1~3で説明した固体撮像装置である。VDr110は、垂直CCDによる電荷転送を制御する。具体的には、TG140から出力されたロジック信号Vt及びCHから駆動パルスφVを生成し、駆動パルスφVを固体撮像装置100の垂直CCDに供給し、垂直CCDによる電荷転送を制御する。TG140は、DSP130から水平同期信号HD、垂直同期信号VD及びクロック信号MCKの各パルスの入力を受け、固体撮像装置100の駆動に用いられる駆動パルスφHと、ロジック信号Vt及びCHを生成するとともに、前処理部120及びDSP130に信号処理パルスPROCを出力する。以上のように、カメラシステムは構成される。以上、本発明によれば、HH間転送、水平転送劣化の抑制と共に水平転送部の飽和低下を克服できる固体撮像装置及びそれを備えたカメラを実現できる。以上、本発明の固体撮像装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。本発明の要旨を逸脱しない範囲内で当業者が思いつく各種変形を施したものも本発明の範囲内に含まれる。また、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、複数の実施の形態における各構成要素を任意に組み合わせてもよい。