周期表における13族及び15族から構成される化合物半導体基板の表面を研磨する方法であって、酸化マグネシウムを主成分とする砥粒を酸化剤及び無機酸に含有させた研磨材スラリーを用いて、前記化合物半導体基板の表面をメカノケミカル研磨することを特徴とする化合物半導体基板の表面研磨方法。前記化合物半導体基板が、窒化ガリウム、ヒ化ガリウム、リン化ガリウム、インジウムリン化ガリウム、窒化アルミニウムまたはアルミニウム窒化ガリウムのいずれかである請求項1に記載の化合物半導体基板の表面研磨方法。前記酸化剤が過酸化水素であることを特徴とする請求項1または2に記載の化合物半導体基板の表面研磨方法。前記研磨材スラリーにおける前記過酸化水素濃度が重量混合比で5重量以上30重量以下であることを特徴とする請求項3に記載の化合物半導体基板の表面研磨方法。前記研磨材スラリーにおける前記砥粒が重量混合比で0.5重量以上20重量以下であることを特徴とする請求項1~4いずれかに記載の化合物半導体基板の表面研磨方法。前記無機酸が硫酸、硝酸、燐酸、塩酸のうちの少なくとも1種類である請求項1~5いずれかに記載の化合物半導体基板の表面研磨方法。前記酸化マグネシウム砥粒の平均粒径が10μm以下であることを特徴とする請求項1~6いずれかに記載の化合物半導体基板の表面研磨方法。前記酸化マグネシウム砥粒の平均粒径が0.5μm以下であることを特徴とする請求項1~6いずれかに記載の化合物半導体基板の表面研磨方法。特許文献1に記載の方法では、ダイヤモンド砥粒を用いて研磨すると、ダイヤモンド砥粒はGaN単結晶基板よりも硬度が大きいため、基板表面にスクラッチや加工変質層が残り、高品質の研磨表面が得られない恐れがある。非特許文献1に記載の方法では、GaN単結晶は高硬度であるため、CMPでは十分な研磨速度が得られず、加工効率が非常に悪い。研磨速度を上げるために、GaN単結晶基板に高い圧力をかけながらCMPを行う方法が知られているが、この方法では、加工変質層がGaN単結晶基板の内部深くに入り込んでしまう恐れがある。特許文献2に記載の方法では、エッチング融液の温度が600°C~900°Cと高温であるため、研磨工程においての作業性の低下及び危険性が高まる恐れがある。そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、近年電子デバイス材料としての重要性が認知され、パワーデバイスや発光デバイスへの適用に期待が高まっているGaNに代表される13族及び15族からなる化合物半導体基板を、表面平坦性が高く、表面粗さが小さく、表面の微小スクラッチや微小ピット、加工変質層が生じないような高品質な研磨表面を得つつ、かつ速い研磨速度を達成することができる研磨方法を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明では、周期表における13族及び15族から構成される化合物半導体基板の表面を研磨する方法であって、酸化マグネシウムを主成分とする砥粒を酸化剤及び無機酸に含有させた研磨材スラリーを用いて、前記化合物半導体基板の表面をメカノケミカル研磨する。前記化合物半導体基板が、窒化ガリウム、ヒ化ガリウム、リン化ガリウム、インジウムリン化ガリウム、窒化アルミニウムまたはアルミニウム窒化ガリウムのいずれかであることが好ましい。前記酸化剤が過酸化水素であることが好ましい。前記研磨材スラリーにおける前記過酸化水素濃度が重量混合比で5重量以上30重量以下であることが好ましい。前記研磨材スラリーにおける前記砥粒が重量混合比で0.5重量以上20重量以下であることが好ましい。前記無機酸が硫酸、硝酸、燐酸、塩酸のうちの少なくとも1種類であることが好ましい。前記酸化マグネシウム砥粒の平均粒径が10μm以下であることが好ましく、特に0.5μm以下であることが好ましい。GaNに代表される13族及び15族からなる化合物半導体基板を、表面平坦性が高く、表面粗さが小さく、表面の微小スクラッチや微小ピット、加工変質層が生じないような高品質な研磨表面を得つつ、かつ速い研磨速度で研磨することができる。以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面にしたがって説明する。アルカリ金属酸化物の一つである酸化マグネシウムMgOに過酸化水素を作用させることにより生成した過酸化マグネシウムMgO2表面には活性酸素の一種である水酸ラジカルヒドロキシルラジカル;OHが存在していることが報告されている非特許文献2。そこで、本発明者はMgOを砥粒として、過酸化水素水に分散させた研磨剤を用いることにより、MgO2表面に生成したヒドロキシルラジカルを積極的に利用し、化合物半導体基板の表面を研磨していく方法を発明した。ヒドロキシルラジカルは非常に酸化力が強く、GaN等の化学的に安定な材料とも反応するため、これら材料を加工することが可能である。研磨加工原理:活性種と被加工物との反応、及び加工過程[GaNの場合]例として被加工物がGaNである場合における被加工物としてのGaNの加工過程を図1により説明する。まず、過酸化水素水処理液により生成したヒドロキシルラジカル活性種10を伴った砥粒MgO211がGaN基板13上に吸着する。吸着した砥粒12表面に存在するヒドロキシルラジカルにより、下記に示す反応式1にしたがって、GaNの表面である被加工面13aに存在するガリウムGa14を酸化し、酸化物酸化ガリウム;Ga2O315を生成すると考えられる。このとき、砥粒11は微細な凹部には入り込めず、凸部に吸着するため、凸部から順次加工されていく。そして、被加工物13としてのGaNの表面の酸化反応後、被加工面13aに対して酸化反応により生じた酸化物層Ga2O3を無機酸により除去することにより、被加工面13aの酸化された領域が優先的に加工されていくと考えられる。なお、酸化反応により生じた酸化物層がGa2O3の場合、酸化物層の除去には硫酸を用いることができる。斯かる場合、以下の反応式2にしたがって、被加工面13aに形成された酸化物層が優先的に加工されていく図2。この様に砥粒11表面に生成した活性種が被加工物表面原子と反応しながら進行する化学的作用が優勢な研磨方法であるため、加工ダメージが極めて小さく、また、砥粒である酸化マグネシウムのモース硬度が6であるため、ダイヤモンド砥粒を用いて研磨する場合よりも表面の微小スクラッチや微小ピットの発生が抑制され、精度の高い研磨表面を得ることができる。本実施の形態について図3を用いて説明する。回転している研磨定盤20上に敷設された研磨パッド21へ研磨材スラリー22が滴下される。被研磨基板23は治具24へワックスにより固定されている。被研磨基板23の研磨パッド21への押圧は小さ過ぎると研磨速度が極めて遅くなり、大きすぎると表面スクラッチなどの品質低下を招くため、本実施の形態における被研磨基板23の研磨パッド21への押圧は0.05MPa以上0.15MPa以下の範囲が好ましい。本実施の形態に係る研磨パッド21には、合成繊維、天然繊維、ガラス繊維、樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1種の材料を含む多孔体を用いることができる。特に、研磨パッド21は、合成繊維、天然繊維および合成樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1種の材料からなる多孔体であることが望ましい。このような軟らかい材料から形成された研磨パッド21を使用すれば、被研磨基板23へ与える研磨ダメージを抑制できるからである。例えば研磨パッド21に使われる具体的な材料としては、ポリウレタン系材料があり、ポリウレタン自身を発泡させて多孔体を構成した研磨パッド21や、ポリエステル系材料など他の材料にポリウレタンを結合させた研磨パッド21などがある。本実施の形態に係る研磨材スラリー22は、過酸化水素水溶液に研磨砥粒として酸化マグネシウム0.5重量以上20重量以下の割合で分散したものが好ましい。0.5重量未満だと研磨砥粒の量及び研磨に寄与する活性種の量が少なくなり、研磨速度が非常に小さくなってしまう。また、20重量を超えると研磨砥粒の安定な分散が困難となり、凝集や沈殿を引き起こしてしまうためである。本実施の形態に係る研磨材スラリー22中の過酸化水素濃度は、重量混合比で5以上30以下であることが好ましい。重量混合比で5より小さい場合、ケミカルな反応を引き起こす活性種の生成量が減少し、十分な研磨速度が得られない。一方、重量混合比で30超であると研磨砥粒である酸化マグネシウムの酸化が進行し、より硬度の大きい過酸化マグネシウムの割合が増加することにより、非研磨材表面へのスクラッチや研磨ダメージが導入されてしまうからである。研磨砥粒である酸化マグネシウムの平均粒径について特に制限はないが、10μm以下であることが好ましい。さらに好ましくは0.5μm以下である。平均粒径が大きすぎると、酸化マグネシウム粒子を安定な状態で研磨材スラリー22に分散させることが困難となり、研磨中に二次凝集により平均粒径が変化する等の問題が生じるからである。また、平均粒径が大きすぎると、研磨パッド21の孔内に酸化マグネシウム砥粒が固定されにくくなるため、研磨精度が低下してしまうためである。以下に、本発明の化合物半導体基板のメカノケミカル研磨方法の具体例についてGaN基板を例にして、比較例とともに説明する。尚、本明細書において、表面状態は光干渉式表面粗さ測定器にて測定された化合物半導体基板23表面の中心付近のイメージを表すものである。研磨材スラリー22として、酸化マグネシウムからなる砥粒を、酸化剤である過酸化水素及び無機酸である硫酸に含有させたものを用いた。研磨材スラリー22中の過酸化水素濃度がサンプル1において5、サンプル2において15、及びサンプル3について30、比較例1として3及び比較例2として40の研磨材スラリー22を用いて表面状態の変化がなくなるまでGaN基板をメカノケミカル研磨した。尚、研磨材スラリー22中の酸化マグネシウム砥粒重量は10、砥粒粒径は0.5μmとした。その結果を表1に示す。表1には、研磨材スラリー22中の過酸化水素濃度を変化させてメカノケミカル研磨した場合の比較を示している。尚、表1において、研磨速度は表面状態が最良となるまでの研磨時間が3時間以内の場合を◎、3~6時間の場合を○、6時間以上の場合を×としている。また、表面状態に関しては、1視野700μm×500μmにスクラッチが残存する場合を×、残存しない場合を○としている。表1に示すように、研磨材スラリー22中の過酸化水素濃度が5以上30以下の範囲では、スクラッチの無い表面とともに、実用上十分な研磨速度が得られる。研磨材スラリー22中の過酸化水素濃度が5に満たない場合には、研磨速度が大きく低下した。これはケミカル反応に効果のある活性種の生成量が減少したためである。一方、研磨材スラリー22中の過酸化水素濃度が40の場合、研磨速度は十分得られているが、GaN基板表面のスクラッチが増加し、良好な表面が得られない。これは過酸化水素の酸化作用により、研磨砥粒である酸化マグネシウムの酸化が進行し、より硬度の大きい過酸化マグネシウムの割合が増大したためである。研磨材スラリー22中の酸化マグネシウム砥粒の重量比率がサンプル1において0.5、サンプル2において5、及びサンプル3について20、比較例1として0.3及び比較例2として30の研磨材スラリーを用いて表面状態の変化がなくなるまでGaN基板をメカノケミカル研磨した。尚、研磨材スラリー中の過酸化水素濃度は30、砥粒粒径は0.5μmとした。その結果を表2に示す。表2には、研磨材スラリー中の酸化マグネシウム砥粒重量を変化させてメカノケミカル研磨した場合の比較を示している。尚、表2において、研磨速度は表面状態が最良となるまでの研磨時間が3時間以内の場合を◎、3~6時間の場合を○、6時間以上の場合を×としている。また、表面状態に関しては、1視野700μm×500μmにスクラッチが残存する場合を×、残存しない場合を○としている。表2に示すように、研磨材スラリー22中の酸化マグネシウム砥粒重量が0.5以上20以下の範囲では、スクラッチの無い表面とともに、実用上十分な研磨速度が得られる。研磨材スラリー中の酸化マグネシウム砥粒重量が0.5に満たない場合には、研磨速度が大きく低下した。これはメカニカル反応に寄与する研磨砥粒の量が少ないことに加え、それに伴ってケミカル反応に効果のある活性種の生成量が減少したためである。一方、研磨材スラリー22中の酸化マグネシウム砥粒重量が30の場合、研磨速度は得られているが、GaN基板表面のスクラッチが増加し、良好な表面が得られない。これは研磨材スラリー22中の酸化マグネシウム砥粒重量が多くなることで研磨砥粒の安定な分散が困難となり、研磨中に一次粒子が凝集し、見掛けの平均粒径が変化したためである。研磨材スラリー22中の酸化マグネシウム砥粒の平均粒径がサンプル1において約0.5μm、サンプル2において約10μm、比較例1として約30μmの研磨材スラリー22を用いて表面状態の変化がなくなるまでGaN基板をメカノケミカル研磨した。尚、研磨材スラリー中の過酸化水素濃度は30、砥粒重量は10とした。その結果を表3に示す。表3には、研磨材スラリー22中の酸化マグネシウム砥粒の平均粒径を変化させてメカノケミカル研磨した場合の比較を示している。尚、表3において、研磨速度は表面状態が最良となるまでの研磨時間が3時間以内の場合を◎、3~6時間の場合を○、6時間以上の場合を×としている。また、表面状態に関しては、1視野700μm×500μmにスクラッチが残存する場合を×、残存しない場合を○としている。表3に示すように、研磨材スラリー22中の酸化マグネシウム砥粒の平均粒径が0.5μm以上10μm以下の範囲では、スクラッチの無い表面とともに、実用上十分な研磨速度が得られる。これは酸化マグネシウム砥粒の平均粒径がこの範囲では、砥粒が小さいためスクラッチを滑らかに修復し、また、砥粒の表面積が大きく、過酸化水素との反応で生成する活性種の量も増大するためである。研磨材スラリー22中の酸化マグネシウム砥粒の平均粒径が30μmの場合には、研磨速度が大きく低下した。これは砥粒表面積が減少た分、それに伴ってケミカル反応に効果のある活性種の生成量が減少したためである。さらに、GaN基板表面のスクラッチが増加し、良好な表面が得られていない原因は、平均粒径が大きくなり、酸化マグネシウム粒子を安定な状態で研磨材スラリー22に分散させることが困難となったため、研磨中に一次粒子が凝集し、見掛けの平均粒径が変化したためである。なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能であり、例えば、窒化ガリウム、ヒ化ガリウム、リン化ガリウム、インジウムリン化ガリウム、窒化アルミニウムまたはアルミニウム窒化ガリウムであれば、GaN基板と同じ研磨材スラリーを用いてメカノケミカル研磨することができる。