"液晶層と、前記液晶層を挟んで対向配置された第1および第2の基板と、前記第1の基板の前記液晶層側に設けられた複数の画素電極と、前記複数の画素電極に対向して、前記第2の基板に設けられた対向電極とを備え、前記画素電極および前記対向電極の一方または両方の前記液晶層側の面が凹凸構造を有する液晶表示装置。各画素電極が前記凹凸構造を有し、前記対向電極の前記液晶層側の面は平坦となっている請求項1に記載の液晶表示装置。前記凹凸構造における凹面および凸面間の段差部分が基板面に垂直となっている請求項2に記載の液晶表示装置。前記凹凸構造における凹面および凸面間の段差部分がテーパ面である請求項2に記載の液晶表示装置。前記凹凸構造における凹面および凸面間の段差部分が逆テーパ面である請求項2に記載の液晶表示装置。前記画素電極の前記液晶層と反対側の面は平坦となっている請求項2ないし請求項5のいずれか1項に記載の液晶表示装置。前記複数の画素電極と前記第1の基板との間に、凹凸構造を有する下地層を有し、各画素電極の前記液晶層側の面は、前記下地層の凹凸構造の表面形状に倣った凹凸構造を有する請求項2ないし請求項5のいずれか1項に記載の液晶表示装置。前記下地層が、前記第1の基板の表面を覆う平坦化膜である請求項7に記載の液晶表示装置。前記第1の基板の表面を覆う平坦化膜を有し、前記平坦化膜上に、前記下地層としてのフォトレジスト膜が設けられている請求項7に記載の液晶表示装置。前記第1の基板の表面を覆う平坦化膜を有し、前記平坦化膜上に、前記下地層としての絶縁膜が設けられている請求項7に記載の液晶表示装置。前記下地層が、前記第1の基板上に設けられたカラーフィルタ層である請求項7に記載の液晶表示装置。前記第1の基板上にカラーフィルタ層を有し、前記カラーフィルタ層上に、前記下地層としての絶縁膜が設けられている請求項7に記載の液晶表示装置。前記液晶層では、前記画素電極および前記対向電極の近傍においてプレチルトが付与されている請求項1に記載の液晶表示装置。第1の基板上に複数の画素電極を形成する工程と、第2の基板上に対向電極を形成する工程と、前記第1および第2の基板間に、前記画素電極および前記対向電極を対向させて液晶層を封止する工程と、前記画素電極と前記対向電極とを通じて前記液晶層に電圧を印加しつつ、前記液晶層を露光することにより、前記液晶層にプレチルトを付与する工程とを含み、前記画素電極および前記対向電極の一方または両方の前記液晶層側の面に凹凸構造を形成する液晶表示装置の製造方法。各画素電極に前記凹凸構造を形成し、前記対向電極の前記液晶層側の面を平坦とする請求項14に記載の液晶表示装置の製造方法。前記凹凸構造における凹面および凸面間の段差部分を基板面に垂直とする請求項15に記載の液晶表示装置の製造方法。前記凹凸構造における凹面および凸面間の段差部分をテーパ面とする請求項15に記載の液晶表示装置の製造方法。前記凹凸構造における凹面および凸面間の段差部分を逆テーパ面とする請求項15に記載の液晶表示装置の製造方法。前記画素電極の前記液晶層と反対側の面を平坦とする請求項15ないし請求項18のいずれか1項に記載の液晶表示装置の製造方法。前記複数の画素電極の下地層として、前記第1の基板の表面を覆って平坦化膜を形成した後、前記平坦化膜の表面に凹凸構造を形成し、前記複数の画素電極を形成する工程では、各画素電極を、その液晶層側の面が前記平坦化膜の凹凸構造に倣った凹凸構造となるように、前記平坦化膜上に形成する請求項15ないし請求項18のいずれか1項に記載の液晶表示装置の製造方法。しかしながら、上記のような手法では、電圧応答特性を改善することはできるものの、液晶層のうち、スリットに対応する部分スリットの直上では、電圧が印加されず、液晶分子が配向しにくい倒れにくい。このため、スリット位置に対応して暗線局所的に光透過量の少ない部分が生じ、高透過率を得にくいという問題がある。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、良好な電圧応答特性を保持しつつ、高透過率を実現することが可能な液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法を提供することにある。本発明の液晶表示装置は、液晶層と、液晶層を挟んで対向配置された第1および第2の基板と、第1の基板の液晶層側に設けられた複数の画素電極と、複数の画素電極に対向して第2の基板に設けられた対向電極とを備えたものである。画素電極および対向電極の一方または両方の液晶層側の面が凹凸構造を有している。本発明の液晶表示装置の製造方法は、第1の基板上に複数の画素電極を形成する工程と、第2の基板上に対向電極を形成する工程と、第1および第2の基板間に画素電極および対向電極を対向させて液晶層を封止する工程と、画素電極と対向電極とを通じて液晶層に電圧を印加しつつ液晶層を露光することにより、液晶層にプレチルトを付与する工程とを含み、画素電極および対向電極の一方または両方の液晶層側の面に凹凸構造を形成するものである。本発明の液晶表示装置およびその製造方法では、画素電極および対向電極の一方または両方の液晶層側の面に凹凸構造を設けることにより、電圧印加時の液晶層では、凹凸構造における凹面および凸面間の高低差段差により、電界歪み横電界が発生する。一方で、スリットのような電極切り欠き部分が存在しないので、液晶層において電圧が印加されない領域がなくなり、局所的な領域において液晶分子の配向が不十分となることが抑制される。本発明の液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法によれば、画素電極および対向電極の一方または両方の液晶層側の面に凹凸構造を設けるようにしたので、電圧印加時には、液晶層に電界歪みを発生させ、これによりプレチルト付与を効率的に行うことができる。この一方で、局所的な領域において液晶分子の配向が不十分となることを抑制することができるので、その結果、透過率の低下を抑制できる。よって、良好な電圧応答特性を保持しつつ、高透過率を実現することが可能となる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。1.実施の形態画素電極の表面に凹凸構造を設け、裏面を平坦とした例2.変形例1画素電極の下地層平坦化膜に凹凸構造を設けた例3.変形例2画素電極の凹凸構造を2段階プロセスで形成した例4.変形例3画素電極の凹凸構造がテーパを有する例5.変形例4画素電極の凹凸構造が逆テーパを有する例6.変形例5-1~5-5画素電極の下地層に凹凸構造を設ける場合の詳細構成例7.変形例6画素電極端部の構造例8.実施例実施例1凹凸構造の段差を変化させた場合の透過率の測定結果実施例2変形例3において上底の幅を変化させた場合の透過率の測定結果実施例3変形例3において段差を変化させた場合の透過率の測定結果<実施の形態>[液晶表示装置1の構成]図1は、本発明の一実施の形態に係る液晶表示装置液晶表示装置1の全体構成を表すものである。液晶表示装置1は、例えば液晶表示パネル2、バックライト3、データドライバ51、ゲートドライバ52、タイミング制御部61およびバックライト駆動部62を備え、外部入力信号Dinに基づいて映像表示を行うものである。バックライト3は、液晶表示パネル2に向けて光を照射する光源であり、液晶表示パネル2の背面後述の偏光板19側の面側に配設されている。このバックライト3は、例えばLEDLightEmittingDiode:発光ダイオードやCCFLColdCathodeFluorescentLamp等を含むものである。バックライト駆動部62は、そのバックライト3の点灯動作発光動作を制御するものである。タイミング制御部61は、ゲートドライバ52、データドライバ51およびバックライト駆動部62の駆動タイミングを制御すると共に、外部入力信号Dinに基づく映像信号をデータドライバ51へ供給するものである。ゲートドライバ52は、タイミング制御部61によるタイミング制御に従って、液晶表示パネル2内の各画素10を駆動するものである。データドライバ51は、タイミング制御部61から供給される映像信号外部入力信号Dinに基づく映像信号に対してD/A変換を施すと共に、そのD/A変換後の映像信号を液晶表示パネル2の各画素10へ出力するものである。液晶表示パネル2は、ゲートドライバ52から供給される駆動信号およびデータドライバ51から供給される映像信号に基づき、バックライト3から発せられる光を変調するものである。この液晶表示パネル2は、全体としてマトリクス状に配置された複数の画素10を含む。図2は、液晶表示パネル2の断面構成を表すものである。但し、図2では、画素10の一部領域のみを示している。液晶表示パネル2は、駆動基板11と対向基板18との間に液晶層15を挟み込んだものであり、駆動基板11および対向基板18の外側には、偏光板19および偏光板20が貼り合わせられている。駆動基板11上には、駆動基板11の表面を覆って平坦化膜12が形成されている。この平坦化膜12上に、画素電極13が画素10毎に配設されており、この画素電極13の表面を覆って配向膜14が形成されている。対向基板18の液晶層15側の面には、有効表示領域のほぼ全面に渡って対向電極17が配設され、この対向電極17の表面を覆って配向膜16が形成されている。駆動基板11は、例えばガラス基板上に画素10を駆動するための駆動回路、例えば前述したゲートドライバ52、データドライバ51、タイミング制御部61およびバックライト制御部62等が配設されたものである。この駆動基板11上において、各画素電極13には、ゲートドライバ52およびデータドライバ51からの各駆動信号が伝送されるゲート線やソース線等の配線と、TFT薄膜トランジスタいずれも図示せず等が接続されている。平坦化膜12は、上記のような駆動回路や配線等の配設された駆動基板11の表面を平坦化するオーバーコート膜である。この平坦化膜12は、熱硬化性樹脂または光反応性樹脂よりなる有機膜よりなる絶縁膜であり、例えば厚みが1μm~10μmである。あるいは、このような有機膜よりなる平坦化膜12の代わりに、例えばシリコン酸化膜SiO2,シリコン窒化膜SiN,シリコン酸窒化膜SiON等の無機絶縁膜が設けられていてもよい。画素電極の構成画素電極13は、例えばITOインジウム錫酸化物やIZO等の透明導電膜からなり、表面液晶層15側の面に凹凸構造を有している。本実施の形態において、凹凸構造は、基板面に平行な方向に沿って交互に配列する凹面13aおよび凸面13bを有すると共に、これらの間の段差部分は、基板面に垂直な垂直面13cとなっている。尚、画素電極13の液晶層15側の面のみが凹凸構造を有しており、平坦化膜12側の面は平坦となっている。図3Aは、画素電極13の平面構成の一例を模式的に表したものである。このように、画素電極13に設けられた凹凸構造は、例えば所定のパターン凹凸パターンで形成されている。即ち、凹面13aが、電極面内の複数の方向ここでは4つの方向A1~A4に沿って延在して設けられ、その他の部分が凸面13bとなっている。このような凹凸パターンを有することにより、画素10内に配向方向の異なる領域が形成配向分割されるため、視野角特性が向上する。図3Bは、画素電極13の断面構成の一部を拡大したものである。凹面13aの幅Sは、例えば1μm~20μmであることが望ましく、この凹面13aと同方向に延在する凸面13bの幅L=凹面13a同士の間隔ピッチは、例えば1μm~20μmであることが望ましい。幅S,Lが1μmよりも狭いと、画素電極13の形成が難しくなり、十分な歩留りを確保することが困難となる。一方、幅S,Lが20μmよりも広いと、駆動電圧を印加した場合に、画素電極13と対向電極との間に良好な斜め電界が生じにくくなり、液晶分子全体の配向が僅かに乱れ易くなる。特に、幅Sが2μm以上10μm以下であると共に、幅Lが2μm以上10μm以下であることがより望ましい。十分な歩留りを確保されるうえ、駆動電圧印加時における液晶分子の配向がより良好になるからである。凹面13aから画素電極13裏面までの距離厚みTaは、例えば50nm~250nmであることが望ましく、凸面13bから画素電極13裏面までの距離厚みTbは、例えば100nm~300nmであることが望ましい。詳細は後述するが、これらの凹面13aおよび凸面13b間の段差厚みTa,Tbの差に応じて、電圧印加時の液晶層15における透過率が変化する。但し、その段差は、50nm以上であることが望ましい。良好な配向制御が可能となり、十分な歩留りを確保できると共に、透過率の低下、プロセス時間の延長を防ぐことができるからである。画素電極における他の凹凸パターン例尚、凹凸パターンとしては、このような凹面13aが4方向に沿って延在するパターンに限らず、例えばストライプ状やV字状など様々なパターンを採用できる。また、凹面13aの幅Sやその数、凸面13bの幅Lやその数についても任意に設定可能である。また、凹面13aおよび凸面13bの各平面形状を、例えば次のように設定してもよい。例えば図4Aに示したように、画素電極13のエッジ部EEにおいて、凹面13a1および凸面13b1の外側端部E1が、それらの延在方向ここでは、方向A4と直交する方向に沿って切断されたような構造以下、直角構造というとしてもよい。ここで、図3Cに示したように、例えばエッジ部EEにおいて外側端部E0が、画素電極13の矩形状の各辺に沿って斜めに切断されたような構造の場合、外側端部E0付近の液晶分子は矢印太線の向きに倒れ、配向制御の妨げとなる虞がある。そこで、外側端部E1を上記のような直角構造とすることで、図4Bに示したように、外側端部E1付近の液晶分子は方向A4に沿って倒れ易くなり、配向制御が容易となる。あるいは、図5A~Eに示したような平面構成としてもよい。但し、A,Bは画素電極全体の平面構成を表したものであり、Cは画素電極の一部、Dは1つの凹面を拡大して示したものである。図5A,Bに示したように、画素電極13の縁部分において、凸面13b2,13b3がそれぞれ繋がっているような構造であってもよい。また逆に、図示はしないが、縁部分において凹面13a2,13a3がそれぞれ繋がっていてもよい。また、図5Cに示したように、凹面13a4の内側端部E2図3Aにおける領域ECに対応する部分が、上記外側端部E1と同様、凹面13a4の延在方向ここでは方向A1と直交する方向に沿って切断されたような直角構造となっていてもよい。また、凹面13a4の外側端部E1と内側端部E2との両方が直角構造となっていてもよい。更に、上記のような直角構造の他にも、例えば図5Dに示したように、各凸面13b5の外側端部E3が丸く成形されたようなR形状を有していてもよい。これにより、図5Dの矢印で示したように任意の方向に液晶分子を配向させることができる。あるいは、そのようなR形状に限らず、例えば図5Eに示したように、外側端部E4が多角形状を有していてもよい。また、図示はしないが、各凹面の外側端部と内側端部との一方または両方が、上記のようなR形状や多角形状を有していてもよい。尚、上記説明では、4つの方向A1~A4に沿って凹面および凸面がそれぞれ延在して設けられた画素電極構造4つの領域に配向分割された構造を例に挙げたが、凹面および凸面の延在方向は、これに限定されない。例えば、図6Aに示したように、凹面13a7が電極面内の2つの方向A5,A6に沿って延在して設けられ、その他の部分が凸面13b7となっている構造2つの領域に配向分割された構造であってもよい。また、図6Bに示したように、画素電極の縁部分において凸面13b8が繋がっているような構造であってもよい。尚、これらの2分割構造の場合には、偏光板19,20の光学軸が、4分割構造の場合と45°ずれることになる。対向基板18は、ガラス基板の表面対向電極17側の面または偏光板20側の面に、例えば赤R、緑G、青Bのフィルタが配列してなるカラーフィルタ図示せずを有するものである。但し、このカラーフィルタは、対向基板18に設けられていてもよいが、駆動基板11に設けられていてもよいCOAColorFilterOnArray構造であってもよい。対向電極17は、例えばITO等の透明導電膜からなり、各画素10に共通の電極として全ての画素電極13と対向して設けられている。この対向電極17の液晶層15側の面は、ここではスリットや間隙等の無い平坦な面となっている。但し、対向電極17は、間隙やスリット等の電極切欠き部分のない電極であればよく、例えば液晶層15側の面が凹凸面となっていたり、段差が形成されていてもよい。配向膜14,16は、例えば垂直配向膜であり、液晶層15内の液晶分子詳細には配向膜14,16近傍の液晶分子を、その長軸方向ダイレクタが基板面に対してほぼ垂直となるように配向させるものである。このような配向膜14,16としては、例えばポリイミドやポリシロキサン等の垂直配向剤が用いられる。液晶層15は、例えば垂直配向型の液晶分子を含むものである。この液晶層15では、液晶分子が、例えば長軸および短軸をそれぞれ中心軸として回転対称な形状をなし、負の誘電率異方性長軸方向における誘電率が短軸方向よりも小さい性質を示す。この液晶層15では、図7に示したように、配向膜14,16との界面近傍の液晶分子液晶分子15aが、配向膜14,16からの規制により長軸方向D1が基板面に略垂直となるように配向しつつ、その垂直方向から僅かに傾いた状態で保持されている。即ち、液晶層15の配向膜14,16との界面近傍では、いわゆるプレチルトが付与されており、液晶分子15aの垂直方向からの傾き角チルト角θは、例えば1°~4°程度である。チルト角θが大きい程、立ち上がりの応答速度は速くなるが、電圧無印加時における黒輝度が低下するため、コントラストが悪化する。このようなプレチルトは、液晶層15の配向膜14,16との界面近傍においてポリマーによって保持されており、この界面近傍の液晶分子の配向に倣って他の液晶分子例えば液晶層15の厚み方向における中央付近の液晶分子も同等の方向に配向している。偏光板19および偏光板20は、例えば互いにクロスニコルの状態で配置されており、バックライト3からの光を電圧無印加状態オフ状態では遮断、電圧印加状態オン状態では透過させるようになっている。即ち、ノーマリーブラックとなるように、偏光板19および偏光板20が駆動基板11および対向基板18に貼り合わせられている。[液晶表示装置1の製造方法]1.パネル封止工程液晶表示装置1は、例えば次のようにして製造することができる。即ち、まず図8Aに示したように、駆動基板11の表面を覆うように、平坦化膜12を例えばスピンコート法により成膜する。尚、この平坦化膜12の代わりに無機絶縁膜を成膜する場合には、例えばCVD法により、上述したようなシリコン酸化膜等を形成すればよい。この後、図8Bに示したように、平坦化膜12上の全面に渡って、例えばITOよりなる画素電極13を例えば蒸着法やスパッタ法により成膜する。続いて、図8Cに示したように、画素電極13の選択的な領域凹面13aに対応する領域を、例えばフォトリソグラフィによるハーフエッチング法により除去することにより、凹面13a,凸面13bおよび垂直面13cよりなる凹凸構造を形成する。尚、平坦化膜12にはコンタクトホールを設け、このコンタクトホールを介して画素電極13をそれぞれ、駆動基板11上に形成された駆動回路に電気的に接続されるようにする。このようにして形成した画素電極13の表面、具体的には凹面13a,凸面13bおよび垂直面13cを覆うように、垂直配向剤を例えばスピンコート法により塗布し、ベークすることにより、配向膜14を形成する。一方、対向基板18の表面に、対向電極17を例えば蒸着法やスパッタ法により成膜した後、この対向電極17の表面に垂直配向剤を、例えばスピンコート法により塗布し、ベークすることにより、配向膜16を形成する。この後、駆動基板11の周縁領域に、例えばUV硬化性や熱硬化性のシール部を印刷し、このシール部に囲まれた領域に、例えばUV硬化性のモノマーを混入させた液晶層15を滴下注入する。この後、駆動基板11上に、対向基板18を、例えば感光性のアクリル樹脂よりなるスペーサを介して重ね合わせ、シール部を硬化させる。このようにして、駆動基板11および対向基板18間に液晶層15が封止されたパネル封止体が形成される。2.プレチルト付与工程続いて、上記のようにして形成したパネル封止体において、液晶層15に電圧を印加しつつ露光UV照射することにより、液晶層15にプレチルトを付与する。具体的には、図9Aに示したように、対向電極17および画素電極13を通じて液晶層15に電電圧Vを印加する。この電圧印加により、液晶層15では、画素電極13表面に形成された凹面13aおよび凸面13b間の高低差段差に起因して、電界歪み横電界が発生する。これにより、液晶分子15aが画素電極13の凹凸パターンに応じて傾倒する。この液晶分子15aが傾いた状態で、UV照射を行うことによって、液晶層15に混入したモノマーが、配向膜14,16との界面近傍において硬化する。その後、図9Bに示したように、液晶層15を電圧無印加状態に戻すと、その界面近傍に形成されたポリマーが液晶分子15aを垂直方向から僅かに傾けた状態で保持する。このようにして、液晶分子15aには、図7に示したようなチルト角θが付与される。上記のようにしてプレチルト付与後のパネル封止体の駆動基板11の裏面に、偏光板19、対向基板18の表面に偏光板20を、互いにクロスニコル配置となるように貼り合わせる。これにより、図1に示した液晶表示装置1が完成する。尚、プレチルトを付与するための手法は、上記のものに限定される訳ではなく、少なくとも液晶封入後において、電圧を印加しつつ露光する工程を含むものであればよい。例えば、次のような特殊な配向膜を使用して、プレチルトを付与してもよい。即ち、側鎖において、プレチルト付与のための基と、付与したプレチルトを固定するための基感光基とを含む高分子を有する配向膜、あるいは感光性モノマーを含む配向膜等を使用することができる。このような特殊な配向膜を、駆動基板11側および対向基板18側の一方または両方に形成し但し、一方の基板側にのみ形成する場合は、他方の基板側には垂直配向膜を形成する、モノマーを含まないVA型の液晶を封入した後、電圧を印加しつつ露光を行う。このような手法によっても、プレチルトを付与することができる。[液晶表示装置1の作用]映像表示動作液晶表示装置1では、以下の要領で画素電極13と対向電極17との間に、外部入力信号Dinに基づく駆動電圧を印加することにより、映像が表示される。具体的には、タイミング制御部61の制御に応じて、ゲートドライバ52が、各画素10に接続されたゲート線に走査信号を順次供給すると共に、データドライバ51が、外部入力信号Dinに基づく映像信号を、所定のソース線に供給する。これにより、映像信号が供給されたソース線と走査信号が供給されたゲート線との交差点に位置する画素10が選択され、その画素10に駆動電圧が印加されることとなる。選択された画素10では、駆動電圧が印加されると、液晶層15に含まれる液晶分子15aの配向状態が、画素電極13および対向電極17間の電圧に応じて変化する。具体的には、電圧無印加状態から駆動電圧が印加されることにより、配向膜14,16の近傍に位置する液晶分子15aが倒れ、その動作に倣うように、液晶層15の厚み方向中央部に向かって、順次液晶分子15aが倒れていく。この際、液晶分子15aにチルト角が付与されていることにより、液晶分子15aがその自らの傾き方向に倒れ易くなることから、駆動電圧に対する応答時間が短くなる。その結果、液晶層15における光学的特性が変化し、バックライト3から液晶表示パネル2へ入射した光は、変調されて出射する。液晶表示装置1では、このようにして映像が表示される。ここで、比較例に係る液晶表示装置について説明する。図10は、比較例に係る液晶表示装置の画素の断面構成の一部を表したものである。この液晶表示装置は、駆動基板101と対向基板108との間に液晶層105を挟み込んだものであり、駆動基板101および対向基板108の外側には、入射側偏光板109および出射側偏光板110が貼り合わせられている。駆動基板101の液晶層105の面には、平坦化膜102を介して画素電極103が画素毎に配設されており、この画素電極103の表面を覆って配向膜104が形成されている。対向基板108の液晶層105側の面には、有効表示領域のほぼ全面に渡って対向電極107が配設され、この対向電極107の表面を覆って配向膜106が形成されている。即ち、比較例の液晶表示装置では、画素電極103が、複数のスリット103aを有する、いわゆるファインスリット構造が採用されている。図11は、上記比較例の電圧印加時における液晶分子の配向の様子を模式的に表したものである。但し、図11Aは、図10における領域Bの画素電極103付近を上面からみたもの、図11Bはその断面構成に相当する。また、簡便化のため、配向膜104は図示していない。このように、比較例では、画素電極103にスリット103a、即ち電極を切り欠いた部分が存在するため、その直上の領域には電圧が印加されず、液晶分子が所望の方向に配向しにくい倒れにくい。そのため、液晶分子15aが倒れず、基板面にほぼ垂直な方向に立ったままの配向状態となる。このような配向状態では、スリット103aに対応する領域において光の透過量が下がるため、透過率が低下してしまう。これに対し、本実施の形態では、電圧印加時における液晶分子15aの配向状態は以下のようになる。図12は、本実施の形態における電圧印加時の液晶分子15aの配向の様子を模式的に表したものである。但し、図12Aは、画素電極13付近を上面からみたもの、図12Bはその断面構成に相当する。また、簡便化のため、配向膜14は図示していない。このように、画素電極13はその表面に凹凸構造を有するが、スリットのような電極切り欠き部分は存在しないので、凸面13b上だけでなく、凹面13a上においても、印加電圧が不十分となることを抑制できる。このため、凹面13a上においても、液晶分子15aが倒れる。よって、上記のような局所的な領域において液晶分子の配向が不十分であることに伴う透過率の低下が抑制される。ここで、図13に、電圧印加時における液晶層15の電界分布等電位分布について示す。但し、各図において、Xμmは基板面において凹面13aの延在方向と直交する方向におけるスケールを示している。Zμmは、液晶層15の厚み方向におけるスケールであり、Z=0を画素電極13側配向膜14側、Z=3.5μmを対向電極17側配向膜16側とする。また、画素電極13の凹面13aの幅Sを4μm,厚みTaを50nm、凸面13bの幅Lを4μm,厚みTbを300nmとした。配向膜14,16は、垂直配向膜JALS2131-R6:JSR製を、第1サブ電極12A上に塗布し、ホットプレート上で80°C、80秒間乾燥させた後、窒素雰囲気のクリーンオーブン内で200°C、60分間ベークすることにより形成した。液晶層15としては、VA液晶材料に、アクリルモノマーA-BP-2E:新中村化学製を0.3wt混入したものを用い、液晶層15の厚みを3.5μmとした。また、図14には、上記比較例の液晶層105の電界分布について示す。尚、画素電極以外の構成条件およびプロセス条件は、上記と同様とした。図14からわかるように、比較例では、特に画素電極側の領域において、スリット103aに対応する領域では、電極部分103bに対応する領域よりも印加される電圧が低くなっていることがわかる。一方、図13に示した本実施の形態では、凹面13aに対応する領域においても、凸面13bに対応する領域とほぼ同程度の電圧が印加されていることがわかる。また、図15Aには電圧Vと応答時間ms:ミリ秒との関係、図15Bには、電圧Vと透過率との関係を示す。電圧応答については、図15Aに示したように、ファインスリット構造を有する比較例よりも良好な特性を実現できていることがわかる。一方、透過率については、図15Bに示したように、本実施の形態では比較例に比べて大幅に向上した。一例として、透過率分布についてのシミュレーション結果を図16Aに示す。但し、Yμmは、基板面において凹面13aの延在方向を示し、画素電極13のX,Y平面における寸法を30×30μm、凹面13aおよび凸面13bの各幅を4μmとした。また、液晶層15の厚みを3.5μm、印加電圧を7.5V、入射光の波長を550μmとした。尚、図16Bは、画素電極に幅4μmのスリットを4μm間隔で設けたファインスリット構造についての透過率分布である。このファインスリット構造においては、画素電極にスリットを設けたこと以外は、上記と同様の条件とした。このように、画素電極に凹凸構造を設けることにより、ファインスリット構造に比べ、暗線が軽減されて透過率が向上すると共に、均一な透過率分布を実現し易くなる。但し、各図では、透過率分布を白黒の濃淡で表している白に近い程、透過率が高く、黒に近い程、透過率が低いことを示している。以上説明したように、本実施の形態では、画素電極13の液晶層15側の面に凹凸構造、具体的には凹面13a,凸面13bおよび垂直面13cよりなる凹凸構造を設けたので、電圧印加時には、液晶層15に電界歪みを発生させることができる。従って、プレチルト付与を効率的に行うことができる。この一方で、局所的な領域における印加電圧の低下を抑制することができるので、その結果、透過率の低下を抑制できる。よって、良好な電圧応答特性を保持しつつ、高透過率を実現することが可能となる。以下、上記実施の形態の変形例変形例1~4について説明する。尚、上記実施の形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、適宜説明を省略する。<変形例1>図17は、変形例1に係る液晶表示装置における液晶表示パネルの断面構成画素の一部に相当を表すものである。本変形例の液晶表示パネルは、上記実施の形態の液晶表示パネル2と同様、駆動基板11と対向基板18との間に液晶層15を挟み込み、駆動基板11および対向基板18の外側に偏光板19,20が貼り合わせられたものである。また、駆動基板11上には、駆動基板11の表面を覆って平坦化膜21が形成され、この平坦化膜21上に、画素電極22が画素10毎に配設されている。このような構成において、本変形例においても、画素電極22の液晶層15側の面が凹凸構造を有し、対向電極17の液晶層15側の面は平坦となっている。但し、本変形例では、画素電極22の下地層となる平坦化膜21の表面に凹凸構造が形成されており、画素電極22は、平坦化膜21上に、その表面形状に倣って略同一の厚みで設けられている。具体的には、平坦化膜21は、表面が凹面21aおよび凸面21bを基板面に平行な方向に沿って交互に配列してなる凹凸構造を有している。画素電極22の表面には、平坦化膜21の凹面21aに対応して凹面22a、平坦化膜21の凸面21bに対応して凸面22bを有する凹凸構造が形成されている。尚、この平坦化膜21は、上記実施の形態の平坦化膜12と同様の有機絶縁膜により構成されている。但し、この平坦化膜21の代わりに、例えばシリコン酸化膜,シリコン窒化膜,シリコン酸窒化膜等の無機絶縁膜が設けられていてもよい。このような画素電極22の凹凸構造は、例えば次のようにして形成することができる。即ち、まず図18Aに示したように、駆動基板11上に平坦化膜21を、上記実施の形態と同様の手法により形成する。続いて、図18Bに示したように、平坦化膜21の選択的な領域凹面21aに対応する領域を、例えば所定の深さ分だけエッチングすることにより、平坦化膜21の表面に凹面21aおよび凸面21bを形成する。この後、図18Cに示したように、平坦化膜21の凹凸構造を覆うように、画素電極22を、例えば蒸着法やスパッタ法等により形成することにより、図17に示した画素電極22が形成される。本変形例においても、上記実施の形態と同様、画素電極22の液晶層15側の面に、凹面22aおよび凸面22bを有する凹凸構造が形成されていることにより、電圧印加時には、液晶層15にプレチルト付与に効果的な電界歪みが発生する。一方、画素電極22全体としては、スリットのような電極切欠き部分が存在しないので、液晶層15の局所的な領域で透過率が低下することが抑制される。よって、上記実施の形態と同等の効果を得ることができる。<変形例2>図19A~Cは、変形例2に係る液晶表示装置における画素電極13の他の製造方法を工程順に表したものである。上記実施の形態では、画素電極13の凹凸構造を、平坦化膜12上に画素電極13を全面形成した後、ハーフエッチングすることにより形成したが、次のようにして形成することも可能である。即ち、図19Aに示したように、駆動基板11上に、平坦化膜12を形成した後、この平坦化膜12の全面に渡って、ITOよりなる電極層130を、例えば蒸着法やスパッタ法により成膜する。続いて、図19Bに示したように、電極層130の選択的な領域凹面13aに対応する領域を、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより除去する。この後、図19Cに示したように、ITOよりなる電極層131を、例えば蒸着法やスパッタ法により成膜する。これにより、露出した平坦化膜12の表面が電極層131によって覆われ、凹面13aおよび凸面13bを有する凹凸構造が形成される。このように、画素電極13の凹凸構造は、上記実施の形態で説明したものに限らず、様々な手法により形成することができる。即ち、画素電極13の液晶層15側の面が凹凸構造となっていれば、上記実施の形態と同等の効果を得ることができる。<変形例3>図20は、変形例3に係る液晶表示装置における液晶表示パネルの断面構成画素の一部に相当を表すものである。本変形例の液晶表示パネルは、上記実施の形態の液晶表示パネル2と同様、駆動基板11と対向基板18との間に液晶層15を挟み込み、駆動基板11および対向基板18の外側に偏光板19,20が貼り合わせられたものである。また、駆動基板11上には、平坦化膜12を介して画素電極23が画素10毎に配設されている。このような構成において、本変形例においても、画素電極23の液晶層15側の面が凹凸構造を有し、対向電極17の液晶層15側の面は平坦となっている。但し、本変形例では、画素電極23の凹凸構造がテーパを有している。具体的には、凹凸構造が、基板面に平行な方向に沿って交互に配列する凹面23aおよび凸面23bを有すると共に、これらの間の段差部分がテーパ面23cとなっている。このテーパ面23cのテーパ角基板面に垂直な方向を0°とするは、例えば0°より大きく80°以下である。即ち、本変形例では、画素電極23の表面に、断面形状を台形とする凸部が所定の間隔で配列したような凹凸構造が形成されている。このような画素電極23の凹凸構造は、例えばフォトリソグラフィによるエッチングにより形成することができる。本変形例においても、上記実施の形態と同様、画素電極23の液晶層15側の面に、凹面23aおよび凸面23bを有する凹凸構造が形成されていることにより、電圧印加時には、液晶層15にプレチルト付与に効果的な電界歪みが発生する。一方、画素電極23全体としては、スリットのような電極切欠き部分が存在しないので、液晶層15の局所的な領域で透過率が低下することが抑制される。よって、上記実施の形態と同等の効果を得ることができる。ここで、図21に、透過率分布についてのシミュレーション結果を示す。尚、画素電極13の寸法、凹凸構造、液晶層15の厚み、印加電圧、入射光の波長等の条件については、上記実施の形態におけるシミュレーション図16Aと同様とした。但し、テーパ角は、基板面に垂直な方向から30°傾斜させた。このように、段差部分にテーパ面を有する凹凸構造を設けることによっても、上記実施の形態と同様、暗線が軽減されて透過率が向上すると共に、均一な透過率分布を実現し易くなることがわかる。<変形例4>図22は、変形例4に係る液晶表示装置における液晶表示パネルの断面構成画素の一部に相当を表すものである。本変形例の液晶表示パネルは、上記実施の形態の液晶表示パネル2と同様、駆動基板11と対向基板18との間に液晶層15を挟み込み、駆動基板11および対向基板18の外側に偏光板19,20が貼り合わせられたものである。また、駆動基板11上には、平坦化膜12を介して画素電極24が画素10毎に配設されている。このような構成において、本変形例においても、画素電極24の液晶層15側の面が凹凸構造を有し、対向電極17の液晶層15側の面は平坦となっている。但し、本変形例では、画素電極24の凹凸構造が逆テーパを有している。具体的には、凹凸構造が、基板面に平行な方向に沿って交互に配列する凹面24aおよび凸面24bを有すると共に、これらの間の段差部分が逆テーパ面24cとなっている。即ち、本変形例では、画素電極24の表面に、断面形状を逆台形とする凸部が所定の間隔で配列したような凹凸構造が形成されている。このような画素電極24の凹凸構造は、例えばフォトリソグラフィによるエッチングにより形成することができる。本変形例においても、上記実施の形態と同様、画素電極24の液晶層15側の面に、凹面24aおよび凸面24bを有する凹凸構造が形成されていることにより、電圧印加時には、液晶層15にプレチルト付与に効果的な電界歪みが発生する。一方、画素電極22全体としては、スリットのような電極切欠き部分が存在しないので、液晶層15の局所的な領域で透過率が低下することが抑制される。よって、上記実施の形態と同等の効果を得ることができる。また、段差部分が逆テーパ面であることにより、垂直面の場合に比べ、小さな段差で電界歪みを発生させることができる。このため、画素電極全体の厚膜化することなく、配向制御が可能となる。続いて、上記変形例1において説明したような、画素電極の下地層に凹凸構造を有する場合の詳細構成について、以下の変形例5-1~5-5を例に挙げて説明する。<変形例5-1>図23は、変形例5-1に係る凹凸構造例を説明するための断面図である。本変形例は、上記変形例1と同様の凹凸構造を有する場合画素電極22の下地層である平坦化膜21の表面に凹凸構造21abを有する場合の詳細構成例である。図23に示したように、平坦化膜21は、基板11a上のトランジスタ120TFTや図示しない配線等を覆うように設けられている。トランジスタ120は、例えばゲート電極121上に、ゲート絶縁膜122を介して半導体層123を有している。半導体層123上にはソースドレイン電極124が配設され、これらが保護膜125によって被覆されている。尚、トランジスタ120としては、そのようなボトムゲート型のものに限らず、トップゲート型のものであってもよい。平坦化膜21には、このようなトランジスタ120ソースドレイン電極124と画素電極22との電気的導通を確保するためのコンタクトホールH1が設けられている。画素電極22は、平坦化膜21上において、コンタクトホールH1の底部を埋め込むと共に、凹凸構造21abの表面形状に倣って、略一定の厚みで形成されている。このような平坦化膜21における凹凸構造21abは、例えば次のようにして形成することができる。即ち、図示は省略するが、まず、駆動基板11上に平坦化膜21を上述したような手法により成膜した後、その平坦化膜21の表面に、フォトリソグラフィ法を用いて、凹凸構造21abおよびコンタクトホールH1を形成する。具体的には、まず、平坦化膜21上にフォトレジストを塗布形成し、所定のフォトマスクを用いて露光および現像を行い、フォトレジストをパターニングする。この際、フォトマスクとしては、コンタクトホールH1に対応して透過領域透過率約100を有すると共に、凹凸構造21abの形成領域に対応して半透過領域透過率数~数十を有するマスクを用いる。この凹凸構造21abに対応する領域は、いわゆるハーフトーンマスクとなっている。その後、エッチングを行い、フォトレジストを除去することにより、平坦化膜21の一部領域に、ソースドレイン電極124の表面まで貫通するコンタクトホールH1が形成される一方、他の選択的な領域には、その表面に所定の凹凸構造21abが形成される。この凹凸構造21abにおける凹部深さ凸部高さおよび凹部幅凸部幅は、上記フォトマスクにおける半透過領域の透過率やそのパターンにより調整することができる。この後、平坦膜21上に画素電極22を形成すればよい。本変形例のように、画素電極22の下地層平坦化膜21に凹凸構造21abを設ける場合に、ハーフトーンマスクを利用したフォトリソグラフィ法を用いることで、コンタクトホールH1の形成と同時に、凹凸構造21abを形成することができる。即ち、新たに製造工程を増やすことなく、平坦化膜21に凹凸構造21abを形成可能となる。<変形例5-2>図24Aは、変形例5-2に係る凹凸構造例を説明するための断面図である。本変形例は、上記変形例5-1と同様、画素電極22の下地層に凹凸構造を有するものであるが、次の点において上記変形例5-1と異なっている。即ち、本変形例では、平坦化膜12の表面が平坦となっており、この平坦化膜12上に凹凸構造25abを構成するフォトレジスト25が設けられている。平坦化膜12には、上記変形例5-1と同様、画素電極22とソースドレイン電極124との電気的導通を確保するためのコンタクトホールH1が設けられている。フォトレジスト25は、このコンタクトホールH1に対応する領域に開口を有すると共に、他の選択的な領域においてパターニングされて凹凸構造25abを形成している。画素電極22は、このフォトレジスト25上に、コンタクトホールH1の底部を埋め込むと共に、凹凸構造25abの形状に倣って、略一定の厚みで形成されている。このようなフォトレジスト25を用いた凹凸構造25abは、例えば次のようにして形成することができる。即ち、図示は省略するが、まず、駆動基板11上に平坦化膜12を上述したような手法により成膜した後、フォトリソグラフィ法を用いてコンタクトホールH1を形成する。続いて、平坦化膜12上にフォトレジスト25を塗布形成した後、このフォトレジスト25の露光および現像を行い、コンタクトホールH1においてソースドレイン電極124の表面が露出すると共に、凹凸構造25abの形成領域において平坦化膜12の表面が露出するように、パターニングを行う。これにより、フォトレジスト25を用いた凹凸構造25abが平坦化膜12上に形成される。画素電極22の下地層に凹凸構造を設ける場合には、上記変形例5-1において説明したように平坦化膜21自体に凹凸構造21abを設けてもよいが、本変形例のように、フォトレジスト25を利用して凹凸構造25abを形成してもよい。これにより、凹凸構造25abを、エッチング工程を経ることなく形成可能である。尚、本変形例では、凹凸構造25abにおける凹部深さ凸部高さおよび凹部幅凸部幅は、フォトレジスト25の膜厚やパターンにより調整することができる。また、ここでは、凹凸構造25abにおいて、フォトレジスト25が選択的な領域において平坦化膜12の表面まで除去されて平坦化膜12の表面の一部が画素電極に接触しているが、フォトレジスト25は必ずしも平坦化膜12の表面まで完全に除去されていなくともよい。即ち、図24Bに示したように、フォトレジスト25の画素電極22側の少なくとも一部に凹凸構造25abが設けられていればよく、平坦化膜12側の面は平坦であってもよい。<変形例5-3>図25Aは、変形例5-3に係る凹凸構造例を説明するための断面図である。本変形例は、上記変形例5-1,5-2と同様、画素電極22の下地層に凹凸構造を有するものである。また、上記変形例5-2と同様、平坦化膜12の表面は平坦となっており、この平坦化膜12上に別途凹凸構造を形成するようになっている。但し、本変形例では、平坦化膜12上に、無機絶縁膜26が設けられ、この無機絶縁膜26に凹凸構造26abが形成されている。この無機絶縁膜26は、例えばシリコン酸化膜,シリコン窒化膜,シリコン酸窒化膜等により構成され、コンタクトホールH1に対応する領域と、凹凸構造26abを構成する領域とにおいてそれぞれパターニングされている。画素電極22は、この無機絶縁膜26上に、コンタクトホールH1の底部を埋め込むと共に、凹凸構造26abの形状に倣って、略一定の厚みで形成されている。このような無機絶縁膜26を用いた凹凸構造26abは、例えば次のようにして形成することができる。即ち、図示は省略するが、まず、駆動基板11上に平坦化膜12を上述したような手法により成膜した後、フォトリソグラフィ法を用いてコンタクトホールH1を形成する。続いて、平坦化膜12上に無機絶縁膜26を例えばCVD法等により成膜した後、この無機絶縁膜26を、フォトリソグラフィ法により、コンタクトホールH1に対応する領域と、凹凸構造26abの形成領域とにおいてエッチングする。これにより、無機絶縁膜26を用いた凹凸構造26abが平坦化膜12上に形成される。画素電極22の下地層に凹凸構造を設ける場合、本変形例のように、平坦化膜12上に設けた無機絶縁膜26を利用して凹凸構造26abを形成してもよい。無機絶縁膜26を用いることにより、凹凸構造26abにおいて所望の凹凸形状を形成し易くなり、形状安定性も高まる。尚、この無機絶縁膜26についても、上記変形例5-2のフォトレジスト25と同様、凹凸構造26abにおいて必ずしも平坦化膜12の表面まで除去されていなくともよく、凹凸構造26abが画素電極22側の少なくとも一部にのみ設けられていてもよい。また、無機絶縁膜に限らず有機絶縁膜を用いてもよい。<変形例5-4>図26は、変形例5-4に係る凹凸構造例を説明するための断面図である。本変形例は、上記変形例5-1~5-3と同様、画素電極22の下地層に凹凸構造を有するものである。但し、本変形例は、上記変形例5-1~5-3と異なり、駆動基板11上にカラーフィルタ層27を有するCOA構造への適用例である。本変形例では、基板11上に設けられたトランジスタ120を覆うようにカラーフィルタ層27が形成されている。このカラーフィルタ層27上には、このカラーフィルタ27の保護層としての絶縁膜28が設けられており、この絶縁膜28が凹凸構造28abを有している。カラーフィルタ層27は、例えば樹脂材料と、顔料や染料等とを含むものであり、画素毎にR,G,Bのいずれかの色に塗り分けられている。絶縁膜28は、例えば熱硬化性樹脂、光反応性樹脂などの有機膜またはシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜などの無機膜により構成され、コンタクトホールH1に対応する領域と、凹凸構造28abを構成する領域とにおいてそれぞれパターニングされている。画素電極22は、この絶縁膜28上に、コンタクトホールH1の底部を埋め込むと共に、凹凸構造28abの形状に倣って、略一定の厚みで形成されている。このような絶縁膜28を用いた凹凸構造28abは、例えば次のようにして形成することができる。即ち、図示は省略するが、まず、駆動基板11上にカラーフィルタ層27を成膜した後、例えば有機膜よりなる絶縁膜28を塗布する。この後、フォトリソグラフィ法を用いてコンタクトホールH1を形成すると共に、凹凸構造28abを形成する。これにより、絶縁膜28を用いた凹凸構造28abがカラーフィルタ層27上に形成される。尚、絶縁膜28をパターニングして凹凸構造28abを形成することにより、カラーフィルタ層27の表面の一部が保護膜となる絶縁膜28から露出するが、この露出したカラーフィルタ面は、最終的に画素電極22によって覆われることとなる。即ち、画素電極22例えばITOが保護膜として機能するため、凹凸構造28abの形成によって、カラーフィルタ層27が劣化し易くなることはない。画素電極22の下地層に凹凸構造を設ける場合、本変形例のようなCOA構造にも適用可能であり、この場合、カラーフィルタ層27上に設けられる絶縁膜28に凹凸構造28abを形成してもよい。また、この絶縁膜28についても、上記変形例5-2と同様、凹凸構造28abにおいて、必ずしもカラーフィルタ層27の表面まで除去されていなくともよく、絶縁膜28の画素電極22側の少なくとも一部にのみ凹凸構造28abが設けられていてもよい。尚、絶縁膜28として、無機膜を使用する場合には、駆動基板11上にカラーフィルタ層27を成膜した後、まずカラーフィルタ層27にコンタクトホールH1を形成する。次いで、このカラーフィルタ層27上に、上述のような無機膜を例えばCVD法により成膜した後、パターニングを行い凹凸構造28abを形成すればよい。<変形例5-5>また、図27に示したように、上記変形例5-4で説明したようなCOA構造において、カラーフィルタ層29の表面に直に凹凸構造29abを形成してもよい。尚、この場合、上記変形例5-1において説明したような所定のフォトマスクを利用することで、凹凸構造29abを、コンタクトホールH1と同一工程において一括形成できる。また、本変形例では、カラーフィルタ層29の全面を画素電極22が覆い、この画素電極22がカラーフィルタ層29の保護膜として機能するようになっている。このように、カラーフィルタ層29自体に凹凸構造29abを設けてもよい。尚、上記変形例5-1~5-5において、画素電極22の下地層に凹凸構造を設ける場合について説明したが、これは、対向電極17側に凹凸パターンを形成する場合にも適用可能である。例えば、対向基板18側にカラーフィルタ層が設けられる場合には、このカラーフィルタ層の表面またはカラーフィルタ層の保護膜の表面に凹凸構造を形成し、形成した凹凸構造を覆うように対向電極17を形成すればよい。<変形例6>図28A,Bは、画素電極端部の構成を説明するための模式図であり、Aは斜視構成、Bは駆動基板11上に平坦化膜21を介して設けられた画素電極22を画素電極22の側からみたものである。上記実施の形態および変形例において説明した画素電極では、その端部具体的には、ブラクマトリクス層に対向する非表示部分が除去されていてもよい。尚、画素電極としては、以下では、上記変形例1および変形例5-1~5-5において説明した、凹凸構造を有する下地層の上に設けられた画素電極画素電極22を例に挙げる。具体的には、画素電極22は、その電極端22E周辺部がこのような電極端22Eを有する画素電極22は、平坦化膜などの凹凸構造を有する下地層の上に画素電極22を形成した後、その端部をエッチング除去することにより形成する。このように、画素電極22がパターニングされた電極端22Eを有することで、画素端部において、斜め電界が強くなり液晶が所望の方向に配向し易くなる。ここで、上記変形例5-1の平坦化膜21上に、電極端22Eを有する画素電極22を形成してなる、次のようなサンプルを作製して、測定実験およびシミュレーションを行った。即ち、まず、ガラス基板上に、熱硬化樹脂JSR社製SS3969をスピンコート法により塗布し、ホットプレートを用いてプリベーク90°C,90秒間した。その後、230°Cに設定したオーブンにおいて、1時間ベークし、膜厚2μmの平坦化膜21を成膜した。この平坦化膜21の表面に、フォトリソグラフィ法により、ストライプ状の凹部溝を、幅4μm凸部の幅も4μm,深さ100nmでパターン形成した後、ITOを100nmの厚みで全面にわたって形成し、フォトリソグラフィ法により端部のみをエッチング除去した。形成した画素電極22と、別に用意した対向基板パターニングしていないベタの対向電極が形成された基板との各電極表面に配向膜JSR社製FPA材料を塗布した。続いて、これらの画素電極22および対向電極間に、液晶材料メルク社製MLC-7026を封止した。この後、画素電極22および対向電極を通じて液晶に電圧を供給しながら、UV露光を行うことで、配向膜近傍の液晶分子にプレチルトを付与した。このようにして作製したサンプルサンプルA:溝深さ100nmにおいて、透過率、チルト角および応答特性についてそれぞれ測定した。また、平坦化膜21に形成する溝の深さ以外は上記と同様の条件で作製したサンプルB溝深さ200nmおよびサンプルC溝深さ300nmについても、同様の測定を行った。また、上記サンプルA~Cの比較例として、次のようなサンプルDを作製し、同様の測定を行った。尚、サンプルDにおける駆動基板側の構造としては、図29に示したように、基板101上に平坦化膜102を形成し、この平坦化膜102上に、ファインスリット構造を有する画素電極103を配設したものを用いた。具体的には、まず、ガラス基板上に、上記と同様にして膜厚2μmの平坦化膜102凹凸構造なしを成膜した後、この平坦化膜102の全面にわたって、ITOを100nmの厚みで成膜した。この後、成膜したITOをフォトリソグラフィ法によりパターニングし、スリット103aに対応するストライプ状の領域と、端部領域とを選択的にエッチング除去した。尚、このスリット103aの幅は、上記サンプルA~Cと同等となるようにし、対向電極側の構成、配向膜および液晶の材料、電圧印加条件、UV露光条件は上記サンプルA~Cと同様とした。上記のようにして測定した透過率、チルト角および応答特性について、図30~図32にそれぞれ示す。尚、チルト角は、UV露光時に各電極へ印加された電圧と、それによって付与されるチルト角について示したものである。また、このチルト角の測定値としては、ある領域内に存在する液晶分子のそれぞれのチルト角を計測し、それらの平均をとったものを示す。図30に示したように、ファインスリット構造を用いたサンプルDに比べ、画素電極に凹凸パターンを有するサンプルA~Cでは、透過率が約17も向上した。また、図31に示したように、サンプルDに比べ、サンプルA~Cでは、付与されるチルト角が大きくなっていることがわかる。これは、詳細は後述するが、サンプルDでは、液晶分子の配向状態にばらつきが生じ、サンプルA~Cでは配向状態が一定の状態に揃い易いことに起因するためと考えられる。上記のようにチルト角は、ある領域内に存在する液晶分子のチルト角の平均値であるため、液晶分子の倒れる方向にばらつきがあったり、倒れない液晶分子が存在している場合、それらの平均値は小さな値となり易い。一方、液晶分子の倒れる方向が一定の方向に揃っていると、液晶分子の実際のチルト角と、その平均値とが近い値となり易い。更に、図32に示したように、サンプルDに比べ、サンプルA~Cでは電圧に対する応答が速くなっていることがわかる。これは、プレチルトの方位が揃うことで液晶分子が一定の方向に倒れ易くなるためと考えられる。また、上記結果のうち、この応答特性と透過率については、溝深さを100nm,200nm,300nmとしたサンプルA~C間において、ほとんど差がみられないこともわかった。これらの結果の裏付けとして、プレチルト付与の際の電圧を変化させた場合5V,7.5V,10Vの液晶分子の配向についてシミュレーションしたものを、図33B,Cに示す。但し、図33Bはファインスリット構造を有する電極、図33Cは凹凸パターンを有する電極について示したものであり、図33Aに示したように、電極の凸部と凹部との境界付近ファインスリットでは電極部分とスリット部分との境界付近の領域S1について示している。また、各図には液晶分子をダイレクタの向きを表す線分D1と、長軸方向における端部D21,D22とを用いて模式的に表す。例えば、端部D21,D22間の長さ線分D1の長さが比較的長く表された液晶分子は、線分D1に沿った方向においてより大きな角度で倒れていることを示す。これらのシミュレーション結果からも、ファインスリット構造に比べ、凹凸構造を有する場合の液晶分子にはより大きなチルト角が付与されていることがわかる。また、ファインスリット構造では、電極長辺方向スリットの延在方向に沿って倒れている液晶分子に加え、電極長辺方向に直交する方向に倒れている液晶分子も数多く存在し、液晶分子の倒れる方向にばらつきが生じていることがわかる。これに対し、凹凸構造の場合には、液晶分子が、ほぼ電極長辺方向凹部の延在方向に沿うように倒れていることがわかる。また、図34A,Bには、ファインスリット構造および凹凸構造の各場合の液晶分子の配向状態を模式的に示す。図34Aに示したように、ファインスリット構造では、電極部分とスリット部分との境界付近において、液晶分子が捩れて画素電極から対向電極へ向けてダイレクタが回転しつつ配向する。また、電極部分とスリット部分とが交互に連続して配置されるため、右巻きR1の捩れツイストと、左巻きL1の捩れとが交互に現れる。図35B~Dに、このようなファインスリット構造における液晶分子の配向状態について、異なる角度からみたものを示す。尚、図35Bは、A図の矢印F1、図35Cは矢印F2、図35Dは矢印F3からそれぞれ見た配向状態を表している。このように、ファインスリット構造では、液晶分子の倒れる方向にばらつきがあり、これが応答速度の低下を招く。これに対し、図34Bに示したように、凹凸構造の場合には、液晶分子が略一定の方向に揃って倒れており、このことからもスムーズな電圧応答が実現されることがわかる。尚、上記変形例6では、画素電極22の電極端22E周縁部がパターニング除去された構成について説明したが、このような構成に限定されず、図36A,Bに示したように、周縁部は除去されていないくともよい。<実施例>以下、上記実施の形態および変形例に係る液晶表示装置の実施例実施例1~3について説明する。実施例1図23に、上記実施の形態に係る液晶表示パネル2において、段差凸面13bの厚みTbと凹面13aの厚みTaとの差を変化させた場合の透過率の測定結果を示す。この際、ITOよりなる画素電極13の凹面13aの幅Sを4μm、凸面13bの幅Lを4μm、液晶層15の厚みを3.5μm、印加電圧を7.5V、入射光の波長を550nmとした。また、段差は、50nm~500nmの範囲では50nm刻みで変化させ、1000nm~3000nmの範囲では500nm刻みで変化させた。また、500nm~800nmの範囲においては、750nmおよび800nmの2点において測定を行った。いずれの場合にも、液晶は問題なく配向したが、段差が大きくなるに従って、透過率は減少する傾向を示した。ここで、ファインスリット構造における透過率REF=0.71より高い透過率を実現できることから、段差は50nm~750nmの範囲であることが望ましい。また、より望ましくは、50nm~300nmである。成膜工程やエッチング工程におけるタクトタイムを短縮できると共に、段差が低減することにより、表面形状がフラットなベタ電極の構造により近づくため、透過率向上が期待できる。実施例2実施例2として、上記変形例3で説明した画素電極23におけるテーパ面23cのテーパ角θtを変化させた場合の透過率を測定した。具体的には、図24に示したように、凹面23aの幅S4μm,厚みTa50nm,ピッチ=台形状の凸部の下底の幅:4μmおよび凸面23bの厚みTb200nmをそれぞれ固定とし、凸面23bの幅Daを可変として、テーパ角θtを変化させた。このとき、幅Daは、3.5~1μmの範囲において0.5μm刻みで変化させた。いずれの場合にも、液晶は問題なく配向し、図25に示したように高透過率となった。また、透過率は、幅Daが1μmのときに最も高くなった。実施例3実施例3として、上記実施例2と同様、テーパ面23cのテーパ角θtを変化させた場合の透過率を測定した。但し、本実施例では、図26に示したように、凹面23aの幅S4μm,厚みTa50nm,ピッチ=台形状の凸部の下底の幅:4μmおよび凸面23bの幅1μmをそれぞれ固定とし、凸面23bの厚みTbを可変として、段差=Tb-50を変化させた。段差は、200~60nmの範囲において、20nm刻みで変化するようにした。いずれの場合にも、液晶は問題なく配向し、図27に示したように高透過率となった。また、段差が小さくなるに従ってより高い透過率を示した。以上、実施の形態および変形例を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、画素電極の表面にのみ凹凸構造を形成する場合を例に挙げて説明したが、凹凸構造は、対向電極の表面に設けてもよい。即ち、対向電極の表面に凹凸構造を設けて画素電極の表面をフラットに形成してもよいし、画素電極と対向電極の両方の表面に凹凸構造を設けてもよい。また、上記実施の形態等では、凹凸構造の段差部分を垂直面、テーパ面および逆テーパ面のいずれかとした場合を例に挙げて説明したが、これに限定されず、曲面であってもよい。更に、段差部分をテーパ面とする凹凸構造としては、断面形状が台形状となるようなものを例に挙げて説明したが、断面形状が三角形状即ち上底部分がない形状となるようなものであってもよい。更に、本発明の液晶表示装置における各層の材料や厚み、寸法等は、上述したものに限定されない。例えば、画素電極では、凹面の幅Sと凸面の幅Lとが互いに等しいS=L=4μmである場合を例に挙げて説明したが、スリットの幅Sと電極部分の幅Lとは互いに異なっていてもよい。"