"ハードディスク上の欠陥領域を検出または分類する、機械に実装される方法であって、a第1のデータ周波数を有するデータパターンで前記ハードディスク上に記憶されるデータに対応する信号値たとえばx[n]、y[n]を受け取ることと、b前記第1のデータ周波数に対応する第1の評価量たとえばW[n]を生成することと、c前記第1のデータ周波数と異なる第2のデータ周波数に対応する第2の評価量たとえばZ[n]を生成することと、d前記第1の評価量および前記第2の評価量に基づいて、前記欠陥領域を検出または分類することとを含む、方法。前記信号値は、1前記ハードディスクに関連するリードチャネルのADCによって生成されるアナログデジタルコンバータADC出力信号値、または2前記ハードディスクに関連するリードチャネルの等化器によって生成される等化器出力信号値のいずれかである、請求項1に記載の発明。前記第1の評価量は、前記第1のデータ周波数における第1の離散型フーリエ変換DFT評価量であり、前記第2の評価量は、前記第2のデータ周波数における第2のDFT評価量である、請求項1に記載の発明。前記第1のデータ周波数は、2Tのデータ周波数であり、前記第2のデータ周波数は、DCデータ周波数である、請求項1に記載の発明。ステップbは、i前記欠陥領域に対応する前記信号値の第1のデータ周波数成分の第1の強度平均値たとえばXm[n]と、ii前記ハードディスク上の1つまたは複数の無欠陥領域に対応する前記第1のデータ周波数成分の第2の強度平均値たとえばXm,dとを生成することを含み、ステップcは、i前記欠陥領域に対応する前記信号値の第2のデータ周波数成分の第1の強度平均値たとえばZm[n]と、ii前記ハードディスク上の1つまたは複数の無欠陥領域に対応する前記第2のデータ周波数成分の第2の強度平均値たとえばZm,dとを生成することを含み、ステップdは、d1前記第1のデータ周波数成分の前記第1および第2の強度平均値を比較することと、d2前記第2のデータ周波数成分の前記第1および第2の強度平均値を比較することと、d3ステップd1およびd2の比較に基づいて、前記ハードディスク上の前記欠陥領域の位置を検出することとを含む、請求項1に記載の発明。ステップd3は、ステップd1の前記比較、またはステップd2の前記比較のいずれかが真であるとき、前記ハードディスク上の前記欠陥領域の前記位置を検出することを含む、請求項5に記載の発明。ステップd1は、前記第1のデータ周波数成分の前記第1の強度平均値が、前記第1のデータ周波数成分の前記第2の強度平均値の第1の特定の割合たとえばα1未満であるかどうかを判定することを含み、前記第1の特定の割合は1未満であり、ステップd2は、前記第2のデータ周波数成分の前記第1の強度平均値が、前記第2のデータ周波数成分の前記第2の強度平均値の第2の特定の割合たとえばα3よりも大きいかどうかを判定することを含み、前記第2の特定の割合は1未満である、請求項5に記載の発明。ステップbは、前記欠陥領域に対応する前記信号値の第1のデータ周波数成分の強度平均値たとえばXm,cを生成することを含み、ステップcは、前記欠陥領域に対応する前記信号値の第2のデータ周波数成分の強度平均値たとえばZm,cを生成することを含み、ステップdは、d1前記第1のデータ周波数成分の前記強度平均値と、前記第2のデータ周波数成分の前記強度平均値とを比較することと、d2ステップd1の前記比較に基づいて、前記ハードディスク上の前記欠陥領域を、熱凹凸TAまたはドロップアウト媒体欠陥MDに関連付けて分類することとを含む、請求項1に記載の発明。ステップd1は、前記第1のデータ周波数成分の前記強度平均値が、前記第2のデータ周波数成分の前記強度平均値の特定の割合たとえばα2未満であるかどうかを判定することを含み、前記特定の割合は1未満である、請求項8に記載の発明。ハードディスク上の欠陥領域を検出または分類する装置であって、a第1のデータ周波数を有するデータパターンで前記ハードディスク上に記憶されるデータに対応する信号値たとえばx[n]、y[n]を受け取る手段と、b前記第1のデータ周波数に対応する第1の評価量を生成する手段と、c前記第1のデータ周波数と異なる第2のデータ周波数に対応する第2の評価量を生成する手段と、d前記第1の評価量および前記第2の評価量に基づいて、前記欠陥領域を検出または分類する手段とを含む、装置。図1は、本発明の1つの実施形態による、トンネル磁気抵抗TMR読取ヘッドを使用するハードディスクドライブ用のリードチャネル100のハイレベルブロック図を示す。リードチャネル100の従来の主信号処理経路は、TMR読取ヘッド図示せずからのアナログ読取ヘッド出力信号105を受け取り、バイナリハード判断出力データ信号145を出力する。図1に示すように、リードチャネル100は、プリアンプ110、アナログフロントエンドAFE120、アナログデジタルコンバータADC130、およびデジタルバックエンドDBE140を含む。プリアンプ110は、読取ヘッド出力信号105を増幅し、かつ調整し、信号振幅および周波数成分が、AFE120によって処理するための特定の範囲内に確実になるようにし、AFE120は、プリアンプ110からの前置増幅信号115をさらに増幅し、かつ調整する。ADC130は、AFE出力信号129をデジタル化し、バイナリ出力データ信号145を生成するDBE140によるデジタル信号処理用のマルチビットデジタル信号XADC出力サンプルx[n]から成るを生成する。図1に示すように、AFE120は、ハイパスフィルタ122、可変利得アンプ124、磁気抵抗非対称MRA補償モジュール126、および連続時間ローパスフィルタ128を含む一方、DBE140は、部分応答PR等化器142およびソフトたとえばビタビ検出器144を含む。本発明で特に注目するもののうち、PR等化器142は、ADC130からのデジタル化ADC出力信号Xを受け取り、マルチビット等化信号Y等化器出力サンプルy[n]から成るを生成し、ソフト検出器144は、マルチビット等化信号Yを処理して、バイナリ出力データ信号145を生成する。PR等化器142は、必須ではないが、デジタル有限インパルス応答DFIRフィルタとして実装することができる。それに加えて、TMRリードチャネル100は、媒体欠陥MD/熱凹凸TA検出および分類サブシステム150を含み、このシステムは、DBE140からの信号147を受け取り、かつ処理し、ハードディスク上の欠陥領域の位置を検出し、各検出欠陥領域をMD領域またはTA領域のいずれかに分類し、その情報は、信号155内に表わされる。1つの実装形態において、信号147は、ADC130によって生成されるADC出力信号Xである。別の実装形態においては、信号147は、PR等化器142によって生成される等化信号Yである。図2は、本発明の1つの考え得る実装形態による、図1のMD/TA検出および分類DCサブシステム150のハイレベルブロック図を示す。この特定の実装形態において、DCサブシステム150は、ハードディスク上の欠陥領域を検出および分類するために、図1の信号XのADC出力サンプルx[n]を処理する。具体的には、DCサブシステム150は、ADC出力サンプルx[n]を処理し、欠陥領域の位置および継続長を検出する欠陥検出器202と、欠陥検出器202によって生成される統計量を処理し、各検出欠陥領域をMD領域またはTA領域のいずれかに分類する欠陥分類器204とを含む。図3は、図1および2のMD/TADCサブシステム150のより詳細なブロック図を示す。図3に示すように、図2の欠陥検出器202は、離散型フーリエ変換DFTブロック302、移動平均MAフィルタ304、平均生成器meangenerator308および310、スカラ乗算器312および314、ならびに検出ブロック306を含む一方、図2の欠陥分類器204は、平均生成器316、スカラ乗算器318、および分類ブロック320を含む。MD/TAの検出および分類を実行するために、データは、2MTの周期を有する、一定のMTのデータパターンを使用してハードディスクに書き込まれるが、ここで、Mは整数で、Tは1ビットの継続長である。たとえば、1つの実装形態において、4Tの周期を有する、M=2およびそれに対応する2Tのデータパターンたとえば[11001100...]がハードディスクに書き込まれる。別の実装形態においては、Mは、2以外の値を有することができる。DFTブロック302は、ADC出力サンプルx[n]に対して2つの異なるDFT写像を並行して実行し、2つの異なるDFT出力サンプルW[n]およびZ[n]を生成するが、ここで、DFT出力サンプルW[n]は、MTのデータ周波数に対応し、DFT出力サンプルZ[n]は、MTのデータ周波数と異なるデータ周波数に対応する。たとえば、ハードドライブデータが2Tのデータパターンを有する、1つの考え得る実装形態において、以下の等式1および2によって与えられるように、DFT出力サンプルW[n]は、2Tのデータ周波数に基づいており、DFT出力サンプルZ[n]は、DCすなわち0データ周波数に基づいている。W[n]=sqrt{│x[n-4]-x[n-2]x[n]-x[n2]│∧2│x[n-3]-x[n-1]x[n1]-x[n3]│∧2}1Z[n]=│x[n-4]x[n-3]x[n-2]x[n-1]x[n]x[n1]x[n2]x[n3]│2ハードウェア実装形態を単純化するために、1つの考え得る実装形態において、2Tの周波数DFTサンプルW[n]の計算は、以下の等式3によって与えられるように、単純化することができる。W[n]=│x[n-4]-x[n-2]x[n]-x[n2]││x[n-3]-x[n-1]x[n1]-x[n3]│3あるいは、DFT出力サンプルW[n]およびZ[n]は、等式1および2に示される8つのサンプルの組以外のADC出力サンプルx[n]の組を使用して生成することができ、これらのDFTサンプルは、8つよりも少ないか、または多いサンプルを使用して計算することができる点を、当業者は理解されたい。それに加えて、DFT出力サンプルZ[n]は、DCデータ周波数以外のデータ周波数に基づくことができる。図4は、図3のDFTブロック302の1つの考え得るハードウェア実装形態を示す。等式1および2は、サンプルx[n]の前後でADC出力サンプルx[i]を使用するので、入力サンプルx[n]に対応する、図4に示したDFT出力サンプルは、W[n-3]およびZ[n-3]となることに留意されたい。再び図3を参照すると、移動平均MAフィルタ304は、それぞれ、以下の等式4および5に従う、DFT出力サンプルW[n]およびZ[n]の局所平均値Wm[n]およびZm[n]を生成する。ここで、N1は、4または8などの適当な数である。計算効率に関して、局所平均値Wm[n]およびZm[n]は、合計がN1によって除算されていないので、スケール変換平均値scaledaverageであることに留意されたい。平均生成器308は、以下の等式6に従って、無欠陥平均値Wm,dを生成する。ここで、等式6で使用される局所平均値Wm[n]は、無欠陥領域に対応する。同様に、平均生成器310は、以下の等式7に従って、無欠陥平均値Zm,dを生成する。ここで、等式7で使用される局所平均値Zm[n]は、無欠陥領域に対応する。無欠陥平均値Wm,dおよびZm,dは、ハードディスクの正常なすなわち無欠陥の領域だけに関する等式6および7内で更新されることに留意されたい。重み因子γは、1未満の適当な値、典型的には0に近い値たとえば<0.1に設定される。1つの実装形態において、重み因子γは、0.05である。1つの考え得る実装形態において、無欠陥平均値Wm,dおよびZm,dは、それぞれ400および10となる適当なシード値を使用して初期化される。これらおよび他のパラメータに関する正確な値は、実際のハードドライブからのデータを使用したシミュレーションを介して決定することができる。高データレート動作を支援するために、無欠陥平均値Wm,dおよびZm,dの更新は、4ビットに1回行うことができ、更新がビットごとに行われる等式6および7に記述される全レート実行とは対照的に、4分の1レート実行になる。スカラ乗算器312および314は、無欠陥平均値Wm,dおよびZm,dをそれぞれ特定のスケール因子α1およびα3によってスケール変換する。もたらされたスケール変換無欠陥平均値α1Wm,dおよびα3Zm,d、ならびに局所平均値Wm[n]およびZm[n]は、検出ブロック306に加えられ、検出ブロック306は、以下の等式8に従って、バイナリ検出フラグD[n]を生成する。ここで、0<α1<1およびα3>1である。言い換えると、等式8の1行目に明記された2つの条件のうちのいずれかが真であれば、欠陥領域が検出されるすなわちD[n]=1。その一方、それら2つの条件のいずれも満足されなければ、欠陥領域は検出されないすなわちD[n]=0。1つの実装形態において、スケール因子α1およびα3は、それぞれ0.5および5.0に設定される。正常なすなわち無欠陥の領域において、2TのDFT成分の局所平均値Wm[n]は、その成分の無欠陥平均値Wm,dにほぼ等しく、同様に、DCDFT成分の局所平均値Zm[n]は、その成分の無欠陥平均値Zm,dにほぼ等しい。したがって、正常な領域において、等式8内のいずれの不等式も満足されない。他方では、欠陥領域すなわちMD領域またはTMR-TA領域において、2TのDFT成分の局所平均値Wm[n]は、その成分の無欠陥平均値Wm,dよりも十分小さい一方、DCDFT成分の局所平均値Zm[n]は、その成分の無欠陥平均値Zm,dよりも十分大きいか、または大きくない可能性がある。TMR-TAに対応する欠陥領域において、TAの発生は、信号スペクトルが2Tの周波数のみを含む無欠陥領域に比べてより広いスペクトルを含む読取信号をもたらすので、DCDFT成分の強度は、無欠陥領域の強度よりも大きい。したがって、欠陥領域において、等式8内の少なくとも1つの不等式が、満足される。さらに、このMD/TA検出器が、TAが信号基準線の大幅なシフトとして現れる、GMRヘッドからの信号を処理するのに使用されるとき、等式8内の第2の不等式は、欠陥領域がGMR-TAを含む間に満足される一方、第1の不等式は、満足されるか、または満足されない可能性がある。欠陥領域が、検出ブロック306によって検出されるとき、欠陥分類器204の平均生成器316は、以下の等式9および10に従って、それぞれ欠陥平均値Wm,cおよびZm,cを生成し始める。Wm,c=Wm[n]Wm[n1]Wm[nLm-1]9Zm,c[n]=Zm[n]Zm[n1]Zm[nLm-1]10ここで、nは、i=0,1,...,Lm-1においてD[ni]=1になるようなものであり、Lm=min{Ld,Lmax},Lmax=64、Ldは、検出された欠陥長のビット数である。実装の容易性によって、量Lmaxは、64などの固定長に設定することができ、または、量Lmaxは、総欠陥長Ldに等しく設定することができる。スカラ乗算器318は、特定のスケール因子α2によって欠陥平均値Wm,cをスケール変換する。分類ブロック320は、以下のような等式11に従って、バイナリ分類フラグC[n]を生成する。ここで、0<α2<1。具体的には、C=1は、欠陥領域がMD領域であることを意味し、C=0は、欠陥領域がTA領域であることを意味する。1つの実装形態において、スケール因子α2は、0.2に設定される。MD領域において、ドロップアウトタイプMDの発生が主に信号の減衰として現れるので、2TのDFT成分の平均値Wm,cは、DCDFT成分の平均値Zm,cよりも大きい。したがって、MD領域において、等式11内の不等式が、満足される。他方では、TA領域において、TAによって発生するDC周波数成分の発生のために、2TのDFT成分の平均値Wm,cは、DCDFT成分の平均値Zm,cよりも小さい。したがって、TA領域において、等式11内の不等式は、満足されない。TMR-TA領域において、2TのDFT成分は、ドロップアウト効果によって減衰し、DCDFT成分は、増大する一方、GMR-TA領域において、DCDFT成分は、強い基準線シフトによって著しく増大する。MD/TADCサブシステム150の1つの考え得る実装形態において、ある欠陥領域の終端部と次の欠陥領域の先頭部との間のギャップが、特定の離間距離未満であるとき、2つの欠陥領域および間に入る正常な領域は、分類処理において1つの結合した欠陥領域に統合され、結合した欠陥領域は、第1の欠陥領域の先頭部から第2の欠陥領域の終端部まで延在する。本発明を、TMRトンネル磁気抵抗読取ヘッド用のリードチャネルに関して説明してきたが、本発明は、他のタイプの読取ヘッドに関して実装することができる点を当業者は理解されたい。本発明を、DFT処理に関して説明してきたが、本発明は、他の周波数に基づく変換を使用して実装することができる。本発明は、単一の集積回路ASICまたはFPGAなど、マルチチップモジュール、単一のカード、またはマルチカードの回路パックとしての考え得る実装形態を含む、アナログ、デジタル、またはアナログおよびデジタルの両方混合の回路に基づく処理として実装することができる。当業者には明らかなように、回路要素の様々な機能は、ソフトウェアプログラム中の処理ブロックとして実装することもできる。そのようなソフトウェアは、たとえば、デジタル信号プロセッサ、マイクロコントローラ、または汎用コンピュータで使用することができる。本発明は、方法、およびそれらの方法を実施する装置の形態で実施することができる。本発明は、磁気記録媒体、光記録媒体、固体メモリ、フロッピーディスク、CD-ROM、ハードドライブ、または他の機械読取可能記憶媒体などの、有形の媒体内に実装されたプログラムコードの形態で実施することもでき、プログラムコードが、コンピュータなどの機械によってロードされ、かつ実行されるとき、その機械は、本発明を実施する装置となる。本発明は、たとえば記憶媒体内に記憶され、または機械によってロードされ、かつ/もしくは実行される、プログラムコードの形態で実装することもでき、プログラムコードが、コンピュータなどの機械によってロードされ、かつ実行されるとき、その機械は、本発明を実施する装置となる。汎用プロセッサ上に実装されるとき、プログラムコードセグメントは、プロセッサと組み合わせて、特定の論理回路と同様に動作する固有のデバイスを提供する。明示的に記載されていない限り、各数値および範囲は、単語約またはほぼが値または範囲の値の前に置かれる場合のように、近似であると解釈されたい。さらに、以下の特許請求の範囲に記載された本発明の範囲から逸脱することなく、本発明の本質を説明するために、説明され、かつ図示された部品の詳細、材料、および構成において、当業者が様々な変更を行うことができる点は、理解されよう。特許請求の範囲における図番および/または図の参照符号の使用は、特許請求の範囲の理解を容易にするために、請求された主題の1つまたは複数の考え得る実施形態を識別することを目的としている。そのような使用が、それらの特許請求の範囲の範囲を、対応する図に示された実施形態に限定するものと必ずしも理解されるべきではない。本明細書に明記された例示的な方法のステップは、説明された順番で実行することを必ずしも要求されず、そのような方法のステップの順番は、例示的なものにすぎないことを理解されるべきである点を理解されたい。同様に、本発明の様々な実施形態と矛盾しない方法において、そのような方法に追加のステップを含めることができ、かつ、いくつかのステップを省略または組み合わせることができる。以下の特許請求の範囲の要素は、対応する符号と共に特定の順番で記載される場合があるが、特許請求の範囲の記載が、それらの要素の一部または全てを実装するための特定の順番を別段に示唆していなければ、それらの要素は、その特定の順番で実装されるように限定することを必ずしも目的とするものではない。本明細書における1つの実施形態またはある実施形態とは、その実施形態に関連して説明された特定の特徴、構造、または特性を、本発明の少なくとも1つの実施形態に含めることができることを意味する。本明細書内の様々な箇所で1つの実施形態においてという語句の出現は、必ずしも全て同じ実施形態を指すものではなく、別の、または代替の実施形態は、必ずしも他の実施形態と互いに排他的になるものではない。同じことが、用語実装形態に当てはまる。"