"以下からなる群より選択されるという点で特徴づけられる、ビトロセラミックスガラス組成物:●以下のモル百分率から構成されるガラス組成物A:-36~43のSiO2、好ましくは36~42のSiO2;-9~13のA12O3、好ましくは9~12のA12O3;-38~50のCaO;および必要に応じて以下のモル百分率の酸化物:-4~5のZnO;-2~9のMnO2;-2~6のB2O3;-0.1~1のCr2O3、好ましくは0.4~1のCr2O3;-0.1~4のTiO2、好ましくは2~4のTiO2;から選択される1つ以上の酸化物単数または複数;●以下のモル百分率から構成されるガラス組成物B:-43~48のSiO2;-4~5のA12O3;-8~10のCaO;-34~39のSrO;および必要に応じて以下のモル百分率の酸化物:-4~5のZnO;-2~9のMnO2;-2~5のB2O3;-0.1~1のCr2O3;から選択される1つ以上の酸化物単数または複数;●以下のモル百分率から構成されるガラス組成物C:-61~65のSiO2;-14~15のA12O3;-18~20のLa2O3;および必要に応じて以下のモル百分率の酸化物:-4~5のZnO;-4~5のMnO2;-2~3のB2O3;-4~5のCaO;-0.1~1のCr2O3;から選択される1つ以上の酸化物単数または複数。請求項1に記載のガラス組成物であって、その生成終わりおよび任意の熱処理の前には、非晶質ガラス相のみからなる、ガラス組成物。請求項1に記載のガラス組成物であって、600°C~1,000°C、特に700~950°C、例えば、800°C~900°C、さらに具体的には800°C~850°Cの温度プラトーで、1時間より長く、好ましくは50時間~720時間、さらに好ましくは50~100時間これを維持した後、50重量を超える結晶相および好ましくは100重量の結晶相を含み、該温度プラトーは、1つ以上の温度上昇勾配を0.5~3°C/分の速度で観察することによって達成される、ガラス組成物。請求項1~3のいずれか1項に記載の組成物であって、前記組成物Aが下の表に示される組成物A1~A12から選択される、組成物。請求項1~3のいずれか1項に記載の組成物であって、前記組成物Bが下の表に示される組成物B1~B10から選択される、組成物。請求項1~3のいずれか1項に記載の組成物であって、前記組成物Cが下の表に示される組成物C1~C7から選択される、組成物。粉末型である、請求項1~6のいずれか1項に記載のガラス組成物。少なくとも2つの部分をアセンブルするための方法であって、以下の連続的工程:a該部分を請求項1~7のいずれか1項に記載のガラス組成物と接触させる工程と;b該部分およびガラス組成物によって形成されるアセンブリが、1つ以上の温度プラトー単数または複数によって必要に応じて隔てられるかまたは中断される、温度勾配単数または複数を観察しながら、0.5°C/分と3°C/分との間で、該部分の間にガスケットを形成するために該ガラス組成物を軟化するために十分な温度T1までで構成される加熱速度で加熱される工程であって;次いで、該アセンブリを、T1以下の十分な温度T2で、かつ十分な期間維持し、その結果該ガラス組成物が固化して、50重量を超える結晶性相を含み、好ましくは100重量の結晶性相を含む、工程と;c該部分および該ガスケットによって形成される該アセンブリを室温または作動温度まで冷却する工程と;を行う方法。請求項8に記載の方法であって、前記部分および前記ガラス組成物によって形成される前記アセンブリが、プラトーで、600°C~1,000°C、特に700°C~950°C、例えば、800~900°C、さらに具体的には800°C~850°Cの温度T2で、1時間より長く、好ましくは50時間~720時間、さらに好ましくは50~100時間維持される、方法。請求項8または9に記載の方法であって、前記部分と前記ガラス組成物とを接触させる前記工程が、好ましくは20μm未満の粒径を有するガラス組成物の粉末を形成すること、この粉末を有機結合剤中に懸濁し、それによってペーストを得ること、および該部分の少なくとも1つの表面をコーティングして、得られたペーストとアセンブルさせることによって行われる、方法。請求項10に記載の方法であって、温度T1に達する前に、プラトーが、有機結合剤を除去するために十分な温度T3で、十分な期間観察され、例えば、プラトーが、300~500°Cの温度T3で、例えば、400°Cで、60~180分間、例えば、240分間観察される、方法。請求項11に記載の方法であって、ここで工程bの間、以下の手順が行われる、方法:前記温度が室温から0.5°C/分で上昇され、プラトーは400°Cで120分間であり、400°Cから3°C/分で該温度が上昇され、プラトーが800~950°Cで50~120時間であり、該温度は、3°C/分の速度で室温まで低下されるか、または作動温度まで低下される。請求項8または9に記載の方法であって、ここで前記部分を前記ガラス組成物と接触させる前記工程が、形成されるべきガスケットの形状を有するガラス部分を調製することによって、次いでこの部分をアセンブルされるべき部分の表面の間に配置することによって行われる、方法。請求項13に記載の方法であって、前記ガラス部分が、該ガラス部分の形状に適合している型の中で前記ガラス組成物の粉末を圧縮すること、次いで焼結することによって調製される、方法。請求項13に記載の方法であって、前記ガラス部分が、該ガラス部分の形状に適合している型の中で前記溶融ガラス組成物の直接鋳造を行うことによって調製される固体の大きいガラスブロックである、方法。請求項8~15のいずれか1項に記載の方法であって、アセンブルされるべき前記部分が、金属、金属合金;セラミックス;および前述の材料のいくつかを含む複合材料から選択される材料からできている、方法。請求項8~16のいずれか1項に記載の方法であって、アセンブルされるべき前記少なくとも2つの部分が、異なる材料からできている、方法。請求項8~17のいずれか1項に記載の方法であって、アセンブルされるべき前記少なくとも2つの部分が、高温電解槽HTEの一部または高温燃料電池SOFCの一部である、方法。請求項8~18のいずれか1項に記載の方法によって得られるガスケット。請求項8~18のいずれか1項に記載の方法によって得られるアセンブリ。請求項19に記載のガスケット、または請求項20に記載のアセンブリを備える、高温電解槽または高温燃料電池。発明の要旨本発明の目的は、とりわけ上記で列挙した要件を満たすガラス組成物を提供することである。本発明の目的はさらに、先行技術のガラス組成物の欠点、欠陥、限界および不利な点を有さず、かつ先行技術の組成物の問題を解決するガラス組成物を提供することである。この目的、およびさらに他の目的は、以下からなる以下から構成される群より選択されるという点で特徴づけられる、ビトロセラミックスガラス組成物により、本発明によって達成される:●以下のモル百分率からなるガラス組成物A:-36~43のSiO2、好ましくは36~42のSiO2;-9~13のA12O3、好ましくは9~12のA12O3;-38~50のCaO;および以下のモル百分率の以下の酸化物:-4~5のZnO;-2~9のMnO2;-2~6のB2O3;-0.1~1のCr2O3、好ましくは0.4~1のCr2O3;-0.1~4のTiO2、好ましくは2~4のTiO2;から選択される1つ以上の酸化物単数または複数;●以下のモル百分率からなるガラス組成物B:-43~48のSiO2;-4~5のA12O3;-8~10のCaO;-34~39のSrO;および必要に応じて以下のモル百分率の以下の酸化物:-4~5のZnO;-2~9のMnO2;-2~5のB2O3;-0.1~1のCr2O3;から選択される1つ以上の酸化物単数または複数;●以下のモル百分率からなるガラス組成物C:-61~65のSiO2;-14~15のA12O3;-18~20のLa2O3;および必要に応じて以下のモル百分率の酸化物:-4~5のZnO;-4~5のMnO2;-2~3のB2O3;-4~5のCaO;-0.1~1のCr2O3;から選択される1つ以上の酸化物単数または複数。ガラス組成物A、BまたはCの各々からなる全ての酸化物の総モル百分率は、100に等しいことが完全に理解される。ビトロセラミックスのファミリーに属するガラス処方の新規なファミリーとして規定され得る、本発明による組成物は、上記の文献で例示されるように先行技術では記載されておらず、先行技術の組成物の欠陥および不利な点は有さず、先行技術の組成物の問題に対する解決法を提供する。本発明による組成物は、これらの組成物について上記で列挙される要件および基準を満たす。本発明によるガラス組成物は、ビトロセラミックスガラス組成物であって、これは、また、ビトロセラミックス組成物と呼ばれてもよく、このことは、これらの組成物が、それらの生成終わり、例えば、一方では、1,500°Cまでの範囲であり得る温度でなんら結晶性相を含まないこと、および、もう一方では、それらの生成の後行われた、適切な熱処理後、これらのガラス組成物は、50重量より多くの結晶性相、好ましくは100重量の結晶性相を含むことを意味する。本発明による組成物は、それらの生成の終わり、および任意の他の熱処理それらを高温で維持する任意の他の操作の前には、非晶質ガラス相のみからなる。言い換えれば、それらの生成の終わり、および任意の熱処理の前には、本発明によるガラス組成物は一般には、完全に多孔性の性質の組成物であり、かつ100のガラス成分からなる。さらに、本発明によるガラス組成物は、それらを、600°C~1,000°C、特に700~950°C、例えば、800°C~900°C、さらに具体的には800°C~850°Cの温度プラトーで、1時間より長く、好ましくは50時間~720時間、さらに好ましくは50~100時間これを維持した後この温度プラトーは、温度を上昇するための1つ以上の勾配単数または複数を、0.5~3°C/分で観察することによって達成される;50重量を超える結晶相または結晶性成分、および好ましくは100重量の結晶相または結晶性成分を、そしてその結果、50未満の非晶質性ガラス状相、またはガラス状成分および好ましくは0重量の非晶質性ガラス状相、またはガラス状成分を含む。言い換えれば、最初は、それらの生成の終わりに非晶質性ガラスの性質である、すなわち、ガラスの結晶化をなんら受けていない、本発明によるガラス組成物は、一般には、600°C~1,000°C、特に700~950°C、例えば、800°C~900°C、さらに具体的には800°C~850°Cである、高温電解槽または燃料電池の作動温度のような高温で、1時間より長く、最大で1か月または720時間までにおよんでもよい期間の間、それらを維持した後、50を超える結晶性相を含む。本発明によるガラス組成物は、セラミックス基板金属または金属合金からできた部分の間、またはセラミックス基板セラミックス部分の間、またはさらにセラミックス基板、セラミックス部分および基板金属からできた部分の間でシールを創出する可能性をもたらす。実際、本発明によるガラスは、最初生成後は、完全にガラス状で、非晶質性の性質であり、一般には上述の条件高温で作動する電解槽または燃料電池のようなデバイス中で優勢である条件下で、適切な熱処理の後に、ビトロクリスタリンvitrocrystalline物質に変換され、改質される。ビトロクリスタリンvitrocrystallineという用語は、これらの物質が常にガラス相の残留物を含んでいるために、用いられる。これらのビトロクリスタリン物質は、この物質との固体結合を形成し、極めて限定された相互作用しか創出しないか、またはこの物質との相互作用をなんら創出しない場合さえある。本発明によるすべてのガラス組成物A、BおよびCはとりわけ、このガスケット/接合が、セラミックスのみともしくは金属のみと接触するか、またはさらにセラミックスおよび金属と接触するかにかかわらず、シール機能に適切な固体ガスケットシールの創出を可能にする。本発明による組成物はまた、上記で既に特定されたように、それらが接触される物質と低レベルの相互作用しか有さないか、または相互作用を全く有さない場合さえあるという驚くべき利点を有し、これは、それらがセラミックス、例えば、YSZ型のセラミックスであるか、もしくはMACOR型のセラミックスであるか;金属および合金、例えば、高クロム含量の鋼Crofer登録商標またはF18TNb登録商標、高クロム含量のニッケルHaynes登録商標230;またはさらには、電解質、例えば、LSM型の電解質;またはさらにはサーメット、例えば、Niサーメットであるかにかかわらない。驚くべきことに、本発明による組成物は、例えば、6~12.16-6°C-1という高い膨張係数と組み合わせて、基板との相互作用が極めて低レベルであるか、または全くなく、これによって、それらは、この物質この組成物が加熱および冷却のサイクルの間に接触される物質であるが有し得る種々のTECに適合することが可能になる。本発明による組成物のガラス遷移温度は、一般には700°C~900°C、例えば、800°C~850°Cである、高温電解槽または燃料電池の好ましい作動温度よりも一般には低い。従って、この組成物A、BおよびCのガラス遷移温度は、それ自体、それぞれ、730°C~850°Cである。本発明によるガラス組成物は、組成物A、BおよびCからなる群より選択される。これらの組成物は、ガラスの3つのファミリーに属し、そしてこれらの組成物全てが、上述の必要性および基準を満たし、かつこれらの問題に対する解決法を提供する。具体的には、これらすべての組成物は、固体かつ漏出耐性のガスケットを創出し、このガスケットは、上述のような基板の材料との相互作用が極めて少ないかまたは全く無く、高いTECを有する。組成物Aは、いわゆるCASファミリーアルミノケイ酸カルシウムに属しており、これはその強力な化学的耐久性のために処方され、かつ高いTECを有する。組成物Bは、いわゆるSCASファミリーアルミノケイ酸ストロンチウムカルシウムに属し、これは、腐食および過度の結晶化反応の軽減を可能にするバリウムのストロンチウム置換によって以前のファミリーとは異なる。組成物Cは、いわゆるLASファミリーアルミノケイ酸ランタンその強力な化学的耐久性のために処方されるに属する。上述のガラスの3つのファミリーは全てが、高いTECおよび低い相互作用の両方を有する。これらの3つの組成物A、BまたはCでは、1つ以上の任意の酸化物単数または複数が必要に応じて、すでに上記した有利な特性の全体を保持しながら、創出したガスケットシールの特性を適合させるために、具体的にはガラス遷移温度を下げて、かつガスケットの形成を増強するために用いられ得る。このこれらの任意の酸化物単数または複数は一般には、ZnO、MnO、B2O3、Cr2O3、およびTiO2から選択される。好ましくは、この組成物A、組成物Bまたは組成物Cは実際には、上記の任意の酸化物単数または複数を含む。組成物Aは、下の表1に示される組成物A1~A12から選択されることが有利である。組成物Bは、下の表2に示される組成物B1~B10から選択されることが有利である。組成物Cは、下の表3に示される組成物C1~C7から選択されることが有利である。上記の表1~表3では、本発明によるガラス組成物A、BおよびCはまた、記号を用いることによって命名され、ここでは、この組成物が属するファミリーの名称、すなわち、CAS、SCASまたはLASが見られ、必要に応じてこの後に、この組成物に含まれる可能性のある酸化物単数または複数の任意の金属単数または複数の言及例えば、MnOに関してはMnが続く。本発明によるガラス組成物は、粉末、好ましくは予備焼結されたpre-sintered粉末の形態であってもよく、さらには、固体大きなブロックとしてであってもよい。本発明はさらに、少なくとも2つの部分でアセンブルするための方法に関し、ここでは、以下の連続工程を行う:aこの部分を前述で記載したようなガラス組成物と接触させる工程と;bこの部分およびガラス組成物によって形成されるアセンブリが、1つ以上の温度プラトー単数または複数によって必要に応じて隔てられるかまたは中断される、温度勾配単数または複数を観察しながら、0.5°C/分~3°C/分であり、この部分の間にガスケットを形成するためにこのガラス組成物を軟化するために十分な温度T1までから構成される加熱速度で加熱される工程であって;次いで、このアセンブリを、T1以下の十分な温度T2で、かつ十分な期間維持し、その結果ガラス組成物が固化して、50重量を超える結晶性相を含み、好ましくは100重量の結晶性相を含む、工程と;cこの部分およびガスケットによって形成されるアセンブリを室温または作動温度まで冷却する工程と。作動条件下では、次にガスケットは完全または部分的に結晶化され、固化されて、接触する物質と硬い結合を形成することに注意すべきである。上記部分およびガラス組成物によって形成されるアセンブリは、プラトーで、600°C~1,000°C、特に700°C~950°C、例えば、800~900°C、さらに具体的には800°C~850°Cの温度T2で、1時間より長く、好ましくは50時間~720時間、さらに好ましくは50~100時間維持される、ことが有利である。第一の実施形態によれば、上記部分をガラス組成物と接触させるための上記工程は、好ましくは20μm未満の粒径を有するガラス組成物の粉末を形成すること、この粉末を有機結合剤中に懸濁し、それによってペーストスラリーを得ること、およびこの部分の少なくとも1つの表面をコーティングして、得られたペーストスラリーとアセンブルさせることによって、行われる。温度T1に達する前に、プラトーは、有機結合剤を除去するために温度T3で、十分な期間観察されてもよく、例えば、プラトーは、300~500°Cの温度T3で、例えば、400°Cで、60~180分間、例えば、240分間観察されることが有利である。工程bの間、以下の手順が行われてもよい:室温から0.5°C/分で上昇され、プラトーは400°Cで120分間であり、400°Cから3°C/分で上昇され;プラトーは800~950°Cで50時間~120時間であり、3°C/分の速度で室温まで、または作動温度まで低下される。第二の実施形態によれば、上記部分をガラス組成物と接触させる上記工程は、形成されるべきガスケットの形状を有するガラス部分を調製することによって、次いでこの部分をアセンブルされるべき部分の表面の間に配置する工程によって行われる。上記ガラス部分は、このガラス部分の形状に適合している型の中で上記ガラス組成物の粉末を圧縮すること、次いで焼結することによって調製され得ることが有利である。さもなければ、上記ガラス部分はこのガラス部分の形状に適合している型の中で上記溶融ガラス組成物の直接鋳造を行うことによって調製される、固体の大きいガラスブロックであってもよい。この工程では、ガスケット/接合部は、おそらく、やはりガラス状の形態となり;結晶化は、熱処理を適用した際にのみ生じる。アセンブルされるべき上記部分が、金属、金属合金;セラミックス;および前述の材料のいくつかを含む複合材料から選択される材料から作製され得ることが有利である。アセンブルされるべき上記少なくとも2つの部分は、異なる材料から作製され得ることが有利である。アセンブルされるべき上記少なくとも2つの部分が、高温電解槽HTEの一部または高温燃料電池SOFCの一部であり得ることが有利である。本発明はさらに、上記の方法によって得られるガスケットに関する。本発明はまた、前述で記載の方法によって得られるアセンブリに関する。結局、本発明は、このようなガスケット、またはこのようなアセンブリを備える、高温電解槽または高温燃料電池に関する。本発明は、以下の、例示としてであって、添付の図面に関連して限定として示されるのではない、詳細な説明を読めばさらによく理解される。特定の実施形態の詳細な考察以下の詳細な説明はどちらかといえば、本発明による方法と関連して便宜上行う。本発明による方法の最初の工程はまず第一に、ガラス組成物を調製、生成する工程からなる。本発明によるガラス組成物は、シリカSiO2、アルミナAl2O3、および酸化カルシウム、ならびに必要に応じて以下の酸化物:ZnO、MnO2、B2O3、Cr2O3およびTiO2から選択される1つ以上の酸化物単数または複数からなるガラス組成物Aか、またはシリカSiO2、アルミナAl2O3、酸化カルシウムおよび酸化ストロンチウム、ならびに必要に応じて以下の酸化物:ZnO、MnO2、B2O3、およびCr2O3から選択される1つ以上の酸化物単数または複数からなるガラス組成物Bか、またはシリカSiO2、アルミナAl2O3、および酸化ランタンLa2O3、ならびに必要に応じて以下の酸化物:ZnO、MnO2、B2O3、CaOおよびCr2O3から選択される1つ以上の酸化物単数または複数からなる。好ましくは、このガラス組成物A、ガラス組成物B、またはガラス組成物Cは実際には、上述の任意の酸化物のうち1つ以上を含む。これらの組成物A、BおよびCにおける各々の構成要素のモル比および好ましいモル比、ならびに特定の構成要素A1~A12、B1~B10およびC1~C7における各々の構成要素のモル比は上述している。当然ながら、組成物A、BおよびCの各々の構成要素のモル百分率の合計は100に等しい。第一の実施形態による本発明によるガラス組成物は、まず第一に、上記組成物のガラスの種々の酸化物の材料である前駆化合物から、これらの酸化物を含有するガラスを合成することによって調製され得る、粉末の組成物である。酸化物の材料である前駆化合物とは一般には、特に溶融の間、ガラスを生成するための条件下でこの酸化物に変換され得る、化合物または材料を意味する。このこれらの酸化物単数または複数の前駆化合物、材料単数または複数は、これらの純粋な酸化物、および/またはこれらの酸化物のいくつかからなる化合物、および/または、炭酸塩のような材料特に溶融の間にガラスの生成の条件のもとで酸化物に変換され得る他の材料から構成されてもよい。ほとんどの場合、酸化物の前駆材料は、この同じ純粋な酸化物からなる。この酸化物、これらの酸化物の前駆体材料、およびこれらの材料の供給業者による言及は、下の表4に列挙する。これらの純粋な酸化物、いくつかの酸化物からなる化合物、または前駆材料、化合物は一般に粉末の形態である。まず第一に、それらを、例えば、マッフル炉oven中で、50°Cで乾燥する。次に、それらを、最終のガラス組成物中で意図する割合を観察しながら秤量し、これを望み通り得て、次に乳鉢のような任意の適切なデバイス中で混合して粉砕する。次に粉砕した粉末の混合物を、一般には、ロジウム/プラチナからできたるつぼに入れ、次に、粉末の混合物の種々の構成要素を、例えば、ガラスを生成するための、図5に図示されており、かつ以下の連続工程を包含する以下の溶融手順を観察しながら溶融する。-工程1abc:温度の上昇は室温から、5~15°C/分の速度で、例えば、10°C分-1abで、850°C~950°C、例えば900°Cという最大温度まで、次に、プラトーbcがこの温度で45~75分間、例えば、1時間観察される。この工程は、炭酸塩が出発混合物で用いられる場合、炭酸塩の脱炭酸ガスに必要である。そうでなければ、温度の直接の上昇は、例えば、0.5°C/分の速度で、室温から最大でプラトーの温度deまで行われる。-工程2cde:温度の上昇はプラトー温度bcから、5~15°C/分の速度で、例えば、10°C分-1で、1,500°C~1,600°C、例えば1,550°Ccdという最大温度まで、次に、プラトーがこの温度で100~200分間、例えば、180分間観察されるde。この工程によれば、ガラスをその融点にすることが可能であり、したがって、その生成を開始することが可能である。-工程3ef:溶融されたガラスを、急速に、直接、1,500°C~1,600°Cの温度、例えば1,550°Cという温度から、室温まで冷却して、それを固化するために、金属プレート上にキャスィングする。この冷却速度は一般に、900°C/分~1200°C/分、例えば、103°C/分であると推定される。次いで、得られたガラスを再度粉砕し、次いで下記の工程4の条件下で再溶融する。-工程4fgh:温度の新しい上昇であって、室温から、5~15°C分-1の速度、例えば、10°C分-1で、1,500°C~1,600°C、例えば1,550°Cという最大温度fgまでであり、次に、プラトーがこの温度で20~40分間、例えば、30分間観察されるgh。-工程5hi:工程3と同じ方式で、再溶融されたガラスを、急速に冷却するため、それを固化するために、金属プレート上にキャスィングする。冷却後、均一なガラスをそれによって得て、これに関してガラス遷移温度は一般には、その組成物に応じて730°C~850°Cで変化する。上記のプラトーの温度、例えば、1,500~1,550°Cの温度が、ガラスの生成温度であると定義されることに注意すべきである。冷却後に得られる均一なガラスを回収し、次いで乳鉢または任意の他の適切なデバイス中で粉砕して、粉末を得て、次にこれをふるいにかけて、適正な粒径を得たが、この粒子は、例えば、5~250μm、好ましくは10~100μm、特に20μm、少なくとも20μmのサイズを有する。次いでこのふるいにかけた粉末を慣習的に、液体の有機セメントまたは結合剤一般には両方とも粘性でかつ粘着性と混合して、ガラスペースト、いわゆるスラリーを得て、これがアセンブルされる基板この間で密閉の漏出耐性ガスケットが作製されるべきの表面にわたって均一に展開されることを可能にする。言い換えれば、ガラスのおよび結合剤の混合物は一般に、ガスケットが適合されなければならない、しばしば狭い溝に分配することが容易な伸展性のペーストの稠度consistencyを有する。この結合剤は一般に、1つ以上の分散性化合物単数または複数、例えば、テルピネオールを一般には、ペーストの総重量に基づいて、10~15重量の量で、1つ以上の結合化合物単数または複数、例えば、ポリビニルブチラールPVBを一般には、ペーストの総重量に基づいて、4~8重量の量で、および1つ以上の溶媒単数または複数、例えば、エタノールを、ペーストの総重量に基づいて、10~20重量の量で含む。有機結合剤で形成されたペーストの典型的な組成物は、下の表5に示す。初期に記載されるガラス組成物の懸濁物であるペーストは、アセンブルされるべき部分の少なくとも1つの表面に対して伸展され、コーティングされ、塗布され好ましくは均一に、次いで、アセンブルされるべき両方の部分の表面が、接触される。このろう付け配置は一般に、サンドイッチ配置と呼ばれる。なぜなら、ろう付け配置のペーストはアセンブルされるべき部分の表面の間に直接おかれているからである。この配置に適用されるべきろう付け組成物のペースト懸濁物の量は一般には、ペースト1cm2あたり0.1~0.4cm3程度である。あるいは、アセンブルされるべき部分の表面は、一般には1~500μmの間隔を残すように閉じられ、この間隔は、ろう付け組成物での毛管効果によって充填され、このろう付け組成物は、この目的で作製された空間またはリザーバー中で充填されるべき間隔に近接して配置され、このリザーバーは、当該分野の当業者の知識によってミリメートルの寸法を有し得る。このろう付け配置は、毛細管配置と呼ばれる。本発明によるろう付け配置を用いれば、このような毛細管ろう付け、すなわち、ろう付け接合部へのろう付け組成物の浸潤を、サンドイッチ配置の場合のようにアセンブルされるべき部分の間にろう付け組成物を直接配置することなく達成することが可能である。この毛細管配置に適用されるべきろう付け組成物の懸濁物であるペーストの量は、一般には、上記で示されるものと同じ程度である。ろう付け組成物ペーストを適用する他のろう付け配置が、当然ながら可能である。あるいは、上記のように得られるガラス粉末は、圧縮され、次いで、例えば、グラファイトからできた型またはプレフォーム中で焼結され、ここでは適合した形態は、得られることが望ましいガスケットの形状と適合している。この型またはこのプレフォームとしては、例えば、溝furrowまたは溝grooveが挙げられ、この形状は、ガスケットが適合されるべき溝grooveの形状である。焼結されたガラス部分がそれによって得られ、これを型から取り出して、次に、アセンブルされるべき部分の間に置く。本発明によるガラス組成物は、もはや粉末としてではなく、固体の大きな塊として出現し得る。粉末が一般には、別個の粒子からなり、この寸法、例えば、平均直径は、5μm~250μmにおよんでもよいが、固体の大きなブロックは一般には、1~50cmというその最大直径で規定されるサイズを有するということを本発明者らは、述べよう。この固体の大きなブロックを溶融して、溶融したガラスを直接、例えば、グラファイトからできた型またはプレフォームにキャスティングすることは可能であるここでは適合した形状は、得られることが望ましい接合部の形状と適合している。この型またはこのプレフォームは、例えば、溝furrowまたは溝grooveを備えてもよく、この形状は、ガスケットが適合される溝grooveの形状である。ガラス部分はそれによって、大きな、固体のガラスブロックの形態で得られ、これを型から取り出して、次に、アセンブルされるべき部分の間に置く。本発明による方法の第二の工程は一般に、厳密に言えば、アセンブルを達成することからなる。アセンブルの前に、そして一般には、アセンブルされるべき表面をガラス組成物のペーストでコーティングする前に、あるいは、焼結して圧縮したガラスまたは固体の大きいガラス部分の配置の前に、アセンブルされるべき部分の表面の両方またはそれ以上を一般には、例えば、ケトン、エステル、エーテル、アルコールタイプ、またはそれらの混合物の有機溶媒中で脱脂し;次いで乾燥する。アセンブルされるべき部分は、一般には、2つであるが、最大100までにおよんでもよい多数の部分を同時にアセンブルすることも可能である。本発明によれば、常に優れた結果をともなって、複雑な形状、幾何形状および/または大きいサイズの部分をアセンブルすることが可能である。アセンブルされるべき2つの部分は、同じ物質からできてもよいし、またはそれらは異なる物質であってもよい。これは、極めて差の大きい物質、特に熱膨張係数が極めて異なる物質のアセンブルを可能にするという点で、本発明による組成物の利点の1つである。アセンブルされるべき部分は、金属および金属合金;サーメットCermets;セラミックス;および上述の材料のいくつかを含む複合材料から選択される物質からできていてもよい。金属および合金のうちでも、鋼鉄、例えば、Crofer登録商標またはF18Tnb登録商標ArcekorMittal登録商標のような高いクロム含量を有する鋼鉄;ならびにニッケル合金、例えば、Haynes登録商標230のような高クロム含量のニッケル合金を挙げることができる。セラミックスのうちでも、SiO2、MgO、Al2O3、K2O、B2O3およびフッ素、またはさらに、LSMランタンストロンチウムマンガナイトLa1-xSrxMny3-δを含むマシナブルビトロセラミックスである、YSZイッテリア安定化ジルコニア型またはマコールMacor型のセラミックスを挙げることができる。サーメットのうちでも、Niサーメットを挙げることができる。本発明によるガラス組成物の優先的な適用は、EHTの、またはSOFCの種々の構成要素のアセンブリングであり、本発明による組成物を適用する本発明による方法でアセンブルされ得る材料は、好ましくは、これらの装置、デバイスの種々の要素を構成する材料から選択される。従って、EHTカソードSOFCモードのアノードおよびEHTアノードSOFCモードのカソードに好ましい材料はそれぞれ、酸化ニッケル-ガドリニアドープセリアNiO-CGOサーメットおよびランタンストロンチウムマンガナイトLa1-XSrXMnyO3-δまたはLSMであり、電解質に好ましい材料は、LSMである。これらは、SOFCモードで現在産業上最も一般的に用いられる材料であるが、NiO-YSZサーメット、ニッケル酸塩La4Ni3O10、La/Nd2NiO4、クロム-マンガナイトLaCeSrCrMnO、フェライトLa1-XSrXFeyO3-δ、輝コバルト鉱La1-XSrXCoyO3-δまたはチタン酸塩La4Srn-4TinO3n2-δのような、多くの他の材料および組み合わせが考慮され得る。金属材料Crofer登録商標、F18TNb登録商標、Haynes登録商標230の、ならびにYSZおよびMacor登録商標セラミックスの組成物中の質量割合および熱膨張係数TECは、下の表6、表7および表8に示す。アセンブルされるように準備した部分を、オーブンのような加熱デバイスに入れるか、または任意の他の適切な手段によって加熱する。アセンブリは、空気雰囲気下で行ってもよい。アセンブルされるべき部分その表面がガラス組成物と、例えば、ガラスペーストとアセンブルされるべきを、例えば、オーブン中で、加熱サイクルに、一般には空気雰囲気下で、またはアルゴンのような不活性ガスの雰囲気下で供する。このサイクルは、基礎的な工程として、一般には50~720時間、例えば、100時間の期間にわたる、一般には800°C~950°Cの温度T2これは熱サイクルの最大温度T1であっても、またはこの最大温度T1より下の温度であってもよいで得られるプラトー熱のプラトーから構成される。温度T2でのこの熱処理によって、本発明によるガラス組成物最初は非晶質性であるのビトロクリスタリン物質への変換、従って、2つの部分の間の堅実な結合、堅実な連結の形成が可能になる。従って、部分およびガラス組成物ペースト、焼結圧縮部分または固体の大きい部分によって形成されるアセンブリを、熱サイクルT1の最大温度にさせてもよくここで熱レベルまたはプラトーが観察され得るが、観察される温度の上昇は緩徐であることが好ましい、ここでは室温からの1つ以上の温度の勾配があり、このこれらの勾配は、可能性としては1つ以上の温度プラトー単数または複数によって中断されるか、および/または隔てられる。温度上昇段階の間に核形成現象が生じないように、温度上昇速度を選択し、それによって質の優れたガスケットの形成には有害となる結晶化現象を回避することが重要である。実際、結晶化は、例えば、上記のように800~950°Cで、このサイクルの最大温度T1以下である温度T2で、熱レベルプラトーの間に生じるのであって、温度の上昇の間ではない。この温度の上昇は、例えば、各々がある勾配、例えば、1分あたり0.5°C~1分あたり3°Cを有する1つ以上の温度勾配単数または複数で達成され得、このこれらの勾配単数または複数は、可能性としては1つ以上の温度プラトー単数または複数によって中断されるか、および/または隔てられる。一般には、分散剤化合物、結合化合物および溶媒化合物を含む有機結合剤を除去するために、60~180分、例えば120分の期間にわたって、300~500°C、例えば、400°Cの温度で、第一のプラトーレベルを行うことによって開始し、有機溶媒を除去するためのこの操作は一般には脱バインダ、脱結合debindingと呼ばれる。熱結晶化プラトーは、0.5~3°C/分の速度での温度上昇後に、熱サイクルの最大温度T1である温度T2で達成されてもよいし、またはこの熱プラトーは、温度のT1からT2への降下が観察された後、温度T1より下の温度T2で達成されてもよい。この最大温度T1は、境界面、すなわち、アセンブルされるべき部分を構成する材料の表面上での溶融ガラス組成物の湿化、および必要に応じてガラスの結晶化によってガスケットを形成するために十分な温度である。この組成によれば、この温度T1は従って、例えば、880°C~940°Cまで変化してもよく、例えば、これは910°Cであってもよい。組成物を成形、軟化するためのこのような温度によって、本発明の方法の別の利点に従えば、アセンブリを、特に空気中で、例えば、800°Cまでさらには最大900°Cまででも用いることが可能になる熱サイクルの終わりに、温度T2このサイクルの間に到達する最大温度T1であっても、そうでなければそれより低い温度であってもよいで観察されたプラトーの後、アセンブリを使用の温度まで、すなわち、一般には700°C~900°Cまで、例えば、1分あたり0.5°C~3°Cの速度で、または室温20~25°Cまで、0.5°C~3°C/分の速度で冷却する。以下で、スラリー調製物からガスケットを形成するための種々の方法を次に考察する。ガスケットは、粉砕して、例えば、20μm未満にふるいをかけたガラス粉末から調製する。次いでこの粉末を、表5に規定の割合に応じて有機結合剤と混合して、アセンブリに設けられる溝に入れることが容易になるペーストの稠度を得る。固体ガスケットを形成するために、種々の熱処理手順を、800°C~950°Cのプラトーで、50、100および720時間、検討した図6、図7、および図8。ここでも、核形成現象は温度上昇段階の間は生じず、それによって、質の優れたガスケットの形成には有害である結晶化現象を回避することに注意することが重要である。スラリーから調製されるガスケットの配置および結晶化のための最初の熱処理手順は、図6に記載しており、この最初の手順は、以下の連続工程を包含する。-工程1abc:温度の上昇は室温から、0.5°C分-1の速度abで、350~450°Cの範囲にある温度、例えば、400°Cまで、次に、この同じ温度での2時間のプラトーbc。この工程は、ガラスペーストから有機層を除去するために必要である。-工程2cde:温度の上昇はプラトーbcから、3°C分-1または0.5°C分-1の速度で、850°Ccdという温度まで、次に、この温度で100時間のプラトーde。この工程によって、配置および結晶化が可能になる。-工程3efg:温度を850°Cから800°Cまで、3°C分-1の速度で低下ef、およびこの温度で100時間のプラトーfg。次に、必要に応じて、温度を室温まで低下gh。この工程によれば、ガラスをセル中でその作動温度にして、それをこの温度で安定化することが可能になる。次に、基板上のガラス沈着の質が最適であり得る処理を規定しようと務めた。従って、配置の温度を増大し、スラリーから調製されたガスケットの配置および結晶化のための第二の加熱処理手順を開発した。この第二の手順は、図7に記載しており、これは、以下の連続手順を包含する。-工程1abc:温度の上昇は、0.5°C分-1の速度abで、350~450°Cの範囲にある温度、例えば、400°Cまで、続いて、同じ温度で1時間~3時間、例えば、2時間のプラトーbc。この工程は、ガラスペーストから有機層を除去するために必要である。-工程2cde:温度の上昇は、プラトーの温度bcから、3°C分-1または0.5°C分-1の速度で、880°C~940°Cの範囲にある温度、例えば、910°Ccdまで、次に、この温度で20分~1時間、例えば、20分間のプラトーde。この工程は、ガスケットの配置を条件付ける。-工程3efg:温度を910°Cから850°Cまで、3°C分-1の速度で低下ef、そしてプラトーは、この後者の温度850°Cで、50~100時間、例えば、50時間fg。この工程は、結晶化処理である。-工程4ghi:3°C分-1の速度で800°Cまで温度を低下gh、そしてプラトーはこの後者の温度800°Cで100時間~1000時間、例えば、100時間hi。この工程によって、ガラスを、セル中でその作動温度にして、それをこの温度で安定化することが可能になる。次に、必要に応じて、この温度を室温まで下げるij。第二の手順による処理によって、ガラス中で結晶化をよりよく制御することが可能になる。実際、ガラスのTgに近くにただしそれより上で温度を維持することは、核形成を最適化するには理想的な処理である。しかし、この処理は、ガラスの910°Cでの良好な沈着を妨げる粘度の増大をしてはならない。スラリーから調製されたガスケットの配置および結晶化のための第三の熱処理手順を図8に記載しており、この第三の手順は、以下の連続手順を包含する。-工程1abc:温度の上昇は、0.5°C分-1の速度abで、室温から350~450°Cの範囲にある温度、例えば、400°Cまで、続いて、同じ温度で2時間のプラトーbc。この工程は、第一の手順の工程1の処理と同様に、ガラスペーストから有機層を除去するために必要である。-工程2cde:温度の上昇cdは、3°C分-1または0.5°C分-1の速度で、730°C~850°Cの範囲にある温度、例えば、760°Cまで、続いて、この温度で2時間のプラトーde。-工程3efg:温度の上昇efは、3°C分-1または0.5°C分-1の速度で、880°C~940°Cの範囲にある温度、例えば、910°Cまで、次いで、この温度で20分間のプラトーfg。この工程は、第一の手順による処理の工程2と等価である。-工程4ghi:3°C分-1または0.5°C分-1の速度で910°Cから850°Cまで温度を低下gh、そしてプラトーは、この温度で50~100時間、例えば、50時間hi。この工程は、結晶化処理である。-工程5ijk:温度は、3°C分-1の速度で800°Cまで低下ij、続いて、プラトーは、この温度で100~1,000時間jk。この工程では、ガラスを、セル中でその作動温度にして、それをこの温度で安定化することが可能になる。次に、必要に応じて、この温度を室温まで下げるkl。この接合を固体型で成形するための別の手順をまた、プレフォーム中で圧縮されたガラスの焼結によって試験して、固体の目的物を生成する棒型であって、100~150mmの長さ、2~4mmの幅、および1~2mmの高さという特徴的な寸法を有するか、または環型であって、15~25mmの内径および1~2mmの厚みを有する。適用される熱処理は、粉末が一旦、型に入れられれば、以下のとおりである:-温度の上昇は、0.5°C分-1の速度で、730°C~850°Cからなる温度までガラス組成物に応じて;-この温度での維持は、30分~2時間;-冷却は、3°C分-1の速度で、室温まで。本発明による方法によって調製されるガスケットを含む部分のアセンブリによって、正確性が高く一般には900°Cまでにおよび得る、高温の用途を有する複雑な形状の構造、装置、構成要素の作製が可能になる。言い換えれば、本発明による方法は、少なくとも2つの基板、部分の間のアセンブリを必要とし、一方で、両方とも良好な機械的強度および満足な密閉性気密性をこのアセンブリで保証する、任意のデバイス、装置、構造、構成要素の製造に特に適用され得る。これらのデバイス、装置、構造、構成要素は、種々の分野で必要性を満たし得るが、本発明が適用される好ましい分野は、高温電解槽および燃料電池の分野である。本発明はここで、当然ながら例示として示されており、限定ではない、以下の実施例によって記載される。本実施例では、本発明によるガラスは、上記の生成方法によって調製され、そしてこれらのガラスの主な物理的特性が決定される。これらの特性は以下である:-X線回折XRDによって決定される、ガラスの非晶性または結晶性の性質;-静水浮力hydrostaticbuoyancy法によって決定した密度MVg/cm3;-示差熱分析DTAによって、および膨張率測定によって決定したガラス遷移温度Tg°C;-示差熱分析DTAによって決定した結晶化温度Tx°C;-膨張率測定によって決定した、軟化温度Td°Cおよび熱膨張係数TEC。ガラス組成物A、CASガラスこれらのガラスの主な特性を、下の表9にまとめる。これらのガラスは全て、1,550°C未満の温度で生成され得、非晶質性の性質のガラスである。ガラス組成物B、SCASガラスこれらのガラスの主な特性を、下の表10にまとめる。これらのガラスは全て、1,550°C未満の温度で生成され得、非晶質性の性質のガラスである。ガラス組成物C、LASガラスこれらのガラスの主な特性を、下の表11にまとめる。これらのガラスは全て、1,550°Cの温度で生成されなければならず、非晶質性の性質のガラスである。本実施例では、本発明によるガラス組成物で形成されたガスケットの特徴を研究する。本研究は、境界面の質、および形成される結晶性相の性質を決定する工程からなる。境界面の質本発明によるガラス組成物と電解槽を作製する種々の材料との境界面を、種々の作動温度、すなわち、800~900°Cで、種々の期間、すなわち、50~720時間、酸化雰囲気空気のもとで研究する。これらの試験は、電解槽の代表的な物質のサンプルを用いて実験室で行い、ここでは、電解槽プロトタイプに対する試験について同じ方法で適用される少量のガラスペーストを置く。このガラス/金属およびガラス/セラミックスサンプルは、図6の熱処理手順によって、マッフルオーブン中で、空気中で処理する。次いで、境界面を走査電子顕微鏡SEMで観察する。●CASおよびSCASファミリーのガラスCASおよびSCASファミリーのガラスについて、異なる基板との接触および境界面の質の観点から、ガスケットの最高の特徴を、図6に記載される手順に従って、850°Cで少なくとも50時間の期間の処理後に得る。金属との境界面で、最高の接着の質を、事前に研磨した金属表面で得て、これは、それぞれ、CAS-B2ガラスとHaynes登録商標230合金からできた基板の研磨表面との間の境界面の図9、SCAS-B2ガラスとArcelorMittal登録商標のF18Tnb登録商標合金からできた研磨表面との間の境界面の図10、ならびにSCAS_Cr2ガラスとCrofer登録商標からできた基板の研磨表面との間の境界面の図11のSEMで撮った写真である、図9、図10および図11から明らかであるとおりである。図9、図10および図11では、熱処理を850°Cで50時間行った。全てのガラス組成物について、1~2μmの大きさの厚みを有する酸化クロム層を、この境界面で観察する。組成物CAS-B2については例外が見られ、850°Cで720時間の処理後に間質相は観察されず、これはCAS-B2ガラスとCrofer登録商標からできた基板の研磨表面との間の境界面のSEMで撮った写真である、図12に示され得るとおりである。ガスケットとYSZセラミックスとの間の境界面は常に、良好な質であり;新規な界面相は形成されず、かつ大きな相互拡散は観察されず、これはCASガラスとYSZセラミックスからできた基板の表面との間の境界面のSEMで撮った写真である、図13で観察され得るとおりである。Macor登録商標との接触の際、結合は良好であるが、Al2-O3が豊富な境界面の層の形成があり、これはCASガラスとMacor登録商標からできた基板の表面との間の境界面のSEMで撮った写真である、図14で観察され得るとおりである。図13および図14に関しては、850°Cで50時間熱処理を行った。●LASファミリーのガラスLASファミリーのガラスについては、それらのガラス遷移温度Tgが高いせいで、最高のガスケットの質は、950°Cで少なくとも50時間の処理後に得られる。次に、ガスケットを全体として結晶化する。物質との境界面は、良好であるが、バルク中のクラックは、可視であり、これは、それぞれ、LASガラスとYSZ基板の表面との間の境界面のSEMで撮った写真である、図15および図16でみられるとおりである。図15および図16に関しては、熱処理を950°Cで50時間行った。形成された結晶相の性質結晶化の間に形成される相の性質は、処理の期間、温度、および最初のガラスの化学的組成に依存する。ガスケットを形成するための熱処理の後、ガスケットを全体として結晶化条件に、または部分的に結晶化の条件結晶質において、ここでは、結晶化相は、ガスケットシールの質量の50超に相当する。処理されたガスケットに存在するいくつかの相を特定して、以下の表12、表13および表14に列挙する。表12、表13および表14では、以下の表記を用いる:xは、測定を行わなかったことを示す;ampは、このガラスが非晶質性amorphousであることを示す;Un例えば、U6は、nの数を保有する未特定の結晶相を示し、UnmajorまたはUnminorは、この結晶化相Unがそれぞれ、大部分、小部分であることを示す;形成された結晶相、例えば0302、0755を作製する材料を示すために、表12、表13および表14で示される4の図番号は、下の表15に示される、これらの材料のJCPDS材料データシートのコードのキーに対応する。残留ガラス状相の組成物を、最初のガラスの組成から、結晶化プロセスが完全であって、結晶化相が既知であったと仮定することによって評価した。850°Cの温度で50時間の熱処理後ガラス組成物CAS、SCASおよびLASで調製したガスケット中の残留ガラス状相の推定のかつおよその組成物モルを、それぞれ下の表16、17および18に示す。粘性が高く、従って持続性が劣る、B2O3およびMnO2が豊富な相に関するものをおそらく除けば、残留のガラス状相のほとんどが高い耐久性である。本実施例では、シーリング密閉、気密性の試験を、本発明によるガラス組成物CAS-B2で調製したビトロセラミックスガスケットでの圧力低下を測定することによって行う。ガスケットの調製従来の成形方法をガラスガスケットに用い、この方法は、テルピネオール、ポリビニルブチラールおよびエタノールの0~20μmの粒径まで粉砕されたガラスの混合物からなるガラスペーストまたはスラリーを調製する工程からなる。この混合物を作製するために用いられる質量の割合は、分散剤の役割を果たす12のテルピネオール、結合剤の役割を果たす6のポリビニルブチラール、溶媒の役割を果たす12のエタノール、および70のガラス粉末である。得られた混合物は、展開することが容易な、延展性のペーストの稠度を有する。密閉および加圧アセンブリ密閉性、気密性および加圧状態の試験のために用いる試験アセンブリを、図17および図18に図式化する。図17は、ローディング荷重および熱処理の前のアセンブリを図示するが、図18は、ローディングおよび熱処理の後のアセンブリを図示する。試験アセンブリは本質的に3つの部分からなる:-Inconel登録商標XC750TEC:約15.710-6K-1からできた第一プレート151;-第一プレート151上に置かれたInconel登録商標XC750152でできた第二プレート;-セルをシミュレートするジルコニアのディスクまたはソール153;-重力荷重。密閉試験を行うため、上記のように調製したビトロセラミックスガスケットスラリー154を、Inconel登録商標XC750でできた第一プレート151と第二プレート152との間、およびInconel登録商標XC750でできた第二プレート152とジルコニアのソール153との間に置く。この試験は、冷条件下で与えた38キロの重力荷重155で800°Cで達成される。図17のアセンブリは、調節、パージングおよび分離のバルブ、ならびにセンサーを備えるヘリウム回路を供給される加圧回路に統合される。スラリーの配置ガスケットスラリーを、約50μmの直径にまたがってInconel登録商標XL750でできたプレート上にシリンジによってビーズ154として手技的に配置する。次いで、ジルコニアのソール153を、ビーズの上に配置して、38kg155の重力荷重を加え図18、次いで、全体をNABERTHERM登録商標L120/12No.177144-オーブンの中に1,200°Cでおいて、ここで配管をギロチンドアの下部に通過させる。試験の実施および結果密閉試験は、800°Cで行い;それらは、提唱されたアセンブリで経時的に生じる圧力低下を測定することからなる。用いられるガスは、ヘリウムであって、これを50mbarの工程でアセンブリ中に過剰圧に置く。これは、80mbar、100mbarおよび150mbarで3つの連続試験で段階的に進行させる。アセンブリに加えられる熱サイクルは、以下である:-温度上昇は、0.5°C/分の速度で、最大400°Cまで;-温度プラトーは、有機成分の脱バインダdebindingを達成するために、400°Cで120分;-温度上昇は、3°C/分の速度で、最大850°Cまで;温度は、850°Cで100時間維持;-この温度を800°C試験温度まで、0.5°C/分の速度で低下;-この温度800°Cを試験期間全体の間維持。漏出速度は、以下の式で規定する;式中:-Qは、漏出速度mbarLs-1である;-Vは、関連容積Lである。-ΔPは、圧力の低下mbarである;-tは、時間秒である。3つの連続試験を80、100、および150mbarで行った。図19のグラフは、行われた測定の全体を示す。これらの予備的密閉性試験では、金属/金属および金属/セラミックスの境界面の両方でのビトロセラミックスのガスケットの良好な能力が示される。これらの3つの試験の間、大気圧への復帰は、アセンブリの分離バルブを解放した後に達成される。試験の結果を以降の表19および表20に示す。表19は、ジルコニア/金属の境界面の密閉性、気密性を説明しており、表20は、金属/金属の境界面に関する。表19および表20は、ビトロセラミックスガスケットの密閉性試験の結果を示す。漏出速度の測定によって、ガスケットの性能は疑いの余地なく明らかになる。従って、本発明によるガスケットで得られる結果は、極めて良好であって、特定のEVHT構造で必要な密閉基準を満たすことに注意。さらに、長期間300時間にわたって行った試験によって以下が示された:-金属/金属の境界面では、300時間後大気圧は徐々に戻り、これによって、800°Cで200mbarの最初の圧力で、ヘリウムの210-4mbar1s-1という平均漏出速度が実証される。-ジルコニア/金属の境界面で、圧力差の安定化は約130mbarでこれは300時間にわたる。"