"平面視による形状が直線部を含む溝部を表面に備えているセラミック基板であって、前記溝部の底面には凹凸を備えていることを特徴とするセラミック基板。前記溝部が交差している交差領域を有し、前記交差領域の底面は、前記溝部が交差していない領域の底面よりも、前記表面との間の距離が大きいことを特徴とする請求項1に記載のセラミック基板。前記溝部の底面は、前記溝部の延設方向に凹凸が連続して配置されている形状であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のセラミック基板。請求項1から請求項3の何れか一項に記載のセラミック基板から分割して取得した基板と、電子部品と、を備えていることを特徴とする電子デバイス。請求項4に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする電子機器。請求項1から請求項3の何れか一項に記載のセラミック基板に電子部品を搭載する工程と、前記電子部品を搭載した後に前記セラミック基板を分割する工程と、を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法請求項1から請求項3の何れか一項に記載のセラミック基板から分割して取得した基板に電子部品を搭載する工程を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法セラミック基板の表面にレーザーを照射して溝部を形成する方法であって、平面視による形状が直線部を含む側面を形成する側面形成工程と、底面に凹凸を形成する底面加工工程と、を備えていることを特徴とするセラミック基板の製造方法。上述したように、特許文献1の方法で形成されるブレイクラインは、平面視で楕円が連続した形状となる。このようなブレイクラインに沿って1枚の大きなセラミック基板を分割すると、分割後の複数のセラミック基板の各々の外周側面即ち、端面には、ミシン目加工と比較すれば大きさは小さいものの、楕円に対応した凹凸が残されてしまう。セラミック基板の端面に凹凸が残されると、この凹凸の凸部が他のセラミック基板や、他の部材、製造装置等と接触して欠けてしまう可能性がある。セラミック基板の端面が欠けてしまうと、基板自体の品質が損なわれてしまう。また、この欠けた片が、他のセラミック基板や、他の部材、製造装置などに付着して、工程環境を悪化させてしてしまう可能性がある。そこで、この発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、欠けの発生を抑制できるようにしたセラミック基板、電子デバイス及び電子機器と、電子デバイスの製造方法及びセラミック基板の製造方法を提供することを目的の一つとする。上記課題を解決するために、本発明の一態様に係るセラミック基板は、平面視による形状が直線部を含む溝部を表面に備えているセラミック基板であって、前記溝部の底面には凹凸を備えていることを特徴とする。また、上記のセラミック基板において、前記溝部が交差している交差領域を有し、前記交差領域の底面は、前記溝部が交差していない領域の底面よりも、前記表面との間の距離が大きいことを特徴としてもよい。また、上記のセラミック基板において、前記溝部の底面は、前記溝部の延設方向に凹凸が連続して配置されている形状であることを特徴としてもよい。本発明の別の態様に係る電子デバイスは、上記のセラミック基板から分割して取得した基板と、電子部品と、を備えていることを特徴とする。ここで、本発明の電子部品としては、例えば、後述する圧電デバイス120が挙げられる。圧電デバイスには、その種類として、水晶の振動片等が含まれる。本発明のさらに別の態様に係る電子機器は、上記の電子デバイスを備えていることを特徴とする。ここで、本発明の電子機器としては、例えば、携帯電話、GPS端末、デジタルカメラ、時計腕時計を含む、ゲーム機のコントローラ、等が挙げられる。本発明のさらに別の態様に係る電子デバイスの製造方法は、上記のセラミック基板に電子部品を搭載する工程と、前記電子部品を搭載した後に前記セラミック基板を分割する工程と、を含むことを特徴とする。本発明のさらに別の態様に係る電子デバイスの製造方法は、上記のセラミック基板から分割して取得した基板に電子部品を搭載する工程を含むことを特徴とする。本発明のさらに別の態様に係るセラミック基板の製造方法は、セラミック基板の表面にレーザーを照射して溝部を形成する方法であって、平面視による形状が直線部を含む側面を形成する側面形成工程と、底面に凹凸を形成する底面加工工程と、を備えていることを特徴とする。また、本発明は、以下の各態様であってもよい。即ち、上記課題を解決するために、本発明の一態様に係るセラミック基板は、セラミックからなる基材と、前記基材の一方の面側に形成された溝部と、を備え、前記溝部の平面視による形状は帯状であり、前記溝部の底面のうちの第1の底面と前記一方の面との間の距離は、前記溝部の底面であって前記第1の底面とは異なる位置にある第2の底面と前記一方の面との間の距離よりも大きいことを特徴とする。ここで、帯状とは、平面視で、溝部の幅方向の両側辺が、当該溝部の延設方向に沿って直線となっている形状のことである。このような構成であれば、基材であって、第1の底面の下にある第1の部位は、第2の底面の下にある第2の部位よりも薄くて強度が低い。即ち、第2の部位は、第1の部位よりも厚くて強度が高い。この第2の部位が存在することにより、セラミック基板の強度を高く保持することができ、セラミック基板が強度不足で意図せず割れてしまうことを防ぐことができる。また、セラミック基板を分割する工程では、第1の部位よりも第2の部位に力が集中してクラックが生じやすい。そして、第2の部位に生じたクラックを起点として、強度の小さい第1の部位が切断される。このため、セラミック基板を溝部に沿って容易に分割することができる。このように、セラミック基板を分割する前の工程では、セラミック基板が強度不足で割れてしまうことを防ぐことができる。また、セラミック基板を分割する工程では、セラミック基板を溝部に沿って容易に分割することができる。このため、セラミック基板は、その取り扱い即ち、ハンドリングの容易性と分割の容易性とを両立することができる。さらに、溝部の平面視による形状以下、平面形状ともいう。は帯状であり、溝部の側面は平面又は緩やかに湾曲した面となっている。この側面は、セラミック基板を分割した後は、分割後のセラミック基板の外周側面即ち、端面となる。分割後のセラミック基板の端面に凹凸を残さないようにすることができるため、凹凸を起点とする端面の割れ、欠けの発生を抑制することができる。端面が欠け難いため、セラミック基板の品質向上に寄与することができる。また、欠けたセラミック片が、他のセラミック基板や、他の部材、製造装置などに付着することを防ぐことができるので、工程環境の汚染を防止することができる。また、上記のセラミック基板において、前記溝部は、平面視による形状が帯状である第1の溝部と、平面視による形状が帯状であり、前記第1の溝部と平面視で交差する第2の溝部と、を有し、前記第1の溝部と前記第2の溝部とが交差する交差領域の底面と前記一方の面との間の距離は、前記溝部であって前記第1の溝部と前記第2の溝部とが交差しない非交差領域の底面と前記一方の面との間の距離よりも大きいことを特徴としてもよい。このような構成であれば、セラミック基板の強度に関し、交差領域の強度を非交差領域の強度よりも低くすることができ、交差領域を非交差領域よりも割れ易くすることができる。交差領域が割れやすくなっているため、交差領域を起点として非交差領域方向にクラックが進行し、非交差領域を割ることができる。このため、非交差領域が意図しない方向に割れたり、欠けたりすることを抑制できる。交差領域は、分割後のセラミック基板では角部に相当するため、角部のチッピングを抑制することができる。また、上記のセラミック基板において、前記溝部の底面の少なくとも一部は、縦断面視で、前記溝部の延設方向に沿って凹凸が連続して配置された形状であることを特徴としてもよい。ここで、縦断面とは、セラミック基板をその厚さ方向で切断したときの断面のことである。このような構成であれば、溝部の延設方向に沿って、低強度の第1の部位と、高強度の第2の部位とが交互に配置される。従って、ハンドリングの容易性と分割の容易性をそれぞれ高めることができる。また、上記のセラミック基板において、前記溝部の底面の一部は、縦断面視で、前記溝部の延設方向に沿う直線の形状であることを特徴としてもよい。このような構成であれば、直線の形状を有する即ち、平坦な底面の深さを調整することで、ハンドリングの容易性と分割の容易性をそれぞれ調整することができる。また、上記のセラミック基板において、前記凹凸の形状は波状であることを特徴としてもよい。このような構成であれば、溝部の底面は縦断面視で波の形状以下、波状ともいう。となる。波状の底面は、例えば、レーザー加工で形成することができる。また、上記のセラミック基板において、前記凹凸の形状はノコギリの刃状であることを特徴としてもよい。このような構成であれば、溝部の底面は縦断面視でノコギリの刃のような形状以下、ノコギリ刃状ともいう。となる。ノコギリ刃状の底面は、例えば、レーザー加工で形成することができる。本発明の別の態様に係る圧電デバイスは、上記のセラミック基板と、前記セラミック基板に取り付けられた圧電素子と、を備えていることを特徴とする。このような構成であれば、セラミック基板の端面が欠けにくい圧電デバイスを提供することができる。本発明のさらに別の態様に係るセラミック基板の製造方法は、セラミックからなる基材の一方の面側に、平面視による形状が帯状である溝部を形成する溝部形成工程と、前記溝部の底面のうちの第1の底面と前記一方の面との間の距離が、前記溝部の底面であって前記第1の底面とは異なる位置にある第2の底面と前記一方の面との間の距離よりも大きくなるように、前記溝部の底面を加工する底面加工工程と、を備えていることを特徴とする。このような構成であれば、欠けの発生を抑制可能なセラミック基板を製造することができる。また、上記のセラミック基板の製造方法において、前記溝部形成工程では、前記基材の一方の面に第1のレーザー光を照射すると共に、当該第1のレーザー光を前記基材に対して相対的に移動させることにより、前記基材に前記溝部を形成し、前記底面加工工程では、前記溝部の底面に第2のレーザー光を照射すると共に、当該第2のレーザー光を前記溝部の延設方向に沿って相対的に移動させることにより、前記底面を縦断面視で凹凸が連続して配置された形状に加工し、前記第2のレーザー光の発振周波数は、前記第1のレーザー光の発振周波数よりも小さく、且つ、前記第2のレーザー光の前記基材に対する相対的な移動速度は、前記第1のレーザー光の前記基材に対する相対的な移動速度よりも大きいことを特徴としてもよい。このような方法であれば、溝部形成工程では、平面形状が帯状となるように溝部を形成することができる。また、底面加工工程では、縦断面視による形状以下、縦断面形状ともいう。が溝部の延設方向に沿って凹凸が連続して配置された形状となるように底面を加工することができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する各図において、同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その重複する説明は省略する。1第1実施形態1.1第1の構成例図1a~cは、本発明の第1実施形態に係るセラミック基板100の構成例第1の構成例を示す平面図及び断面図である。図1a~cに示すように、このセラミック基板100は、セラミックからなる基材1と、この基材1の一方の面例えば、表面の側に形成された溝部10と、を備えている。このセラミック基板100は複数枚の基板に分割される前の基板である。溝部10は、セラミック基板100を分割するためのブレイクラインである。また、セラミックの種類としては、例えばアルミナやジルコニア等を主成分とするものが挙げられる。なお、セラミックの種類はこれに限定されるものではなく、任意の材料を選択してよい。図1a~cに示すように、溝部10は、平面視でX軸方向に延設された第1の溝部11と、平面視でX軸方向と直交するY軸方向に延設された第2の溝部21と、を有する。第1の溝部11の平面視による形状即ち、平面形状は帯状であり、その側面12には凹凸が形成されていない。ここで、帯状とは、平面視で、溝部の幅方向の両側辺が、当該溝部の延設方向に沿って直線となっている形状のことである。第1の溝部11の側面12は平面、又は、図1cに示すようにセラミック基板100の厚さ方向即ち、Z軸方向に向かって緩やかに湾曲した面となっている。同様に、第2の溝部21の平面形状も帯状であり、その側面は平面又はZ軸方向に向かって緩やかに湾曲した面となっている。また、図1bに示すように、第1の溝部11の底面13は、縦断面視で、X軸方向に沿って複数の凹凸が連続して配置された形状となっている。ここで、縦断面とは、セラミック基板100をその厚さ方向で切断したときの断面のことである。第1の溝部11の底面には、凹凸の凹部に対応する底面即ち、第1の底面13aと、凹凸の凸部に対応する底面即ち、第2の底面13bとが存在する。凹部に対応する底面13aと基材1表面との間の距離をd1とし、凸部に対応する底面13bと基材1表面との間の距離をd2としたとき、距離d1は距離d2よりも大きいd1>d2。また、図1bに示すように、第1の溝部11の底面13において、隣り合う凹部と凸部とを結ぶ線は曲線となっており、連続した複数の凹凸の縦断面視による形状即ち、縦断面形状は波状となっている。つまり、底面13の縦断面形状は波状となっている。図1bにおいて、セラミック基板100の厚さTは、例えば0.5mmである。また、距離d1は、例えば0.1~0.25mmである。距離d2は、例えば0.05~0.1mm程度である。図1cに示すように、第1の溝部11の幅wは、例えば0.02~0.1mm程度である。なお、図示しないが、第2の溝部21の底面も、縦断面視で、Y軸方向に沿って複数の凹凸が連続して配置された形状となっている。第2の溝部21の底面の縦断面形状も波状であり、その大きさd1、d2、wは、例えば第1の溝部11のそれらと同じ値となっている。また、図1aにおいて、第1の溝部11と第2の溝部21とで平面視で囲まれた領域即ち、分割後のセラミック基板の大きさは、例えば、各辺の長さL1、L2が1.5~2.0mm程度である。次に、セラミック基板100の第2、第3の構成例をそれぞれ説明する。1.2第2の構成例図2は、セラミック基板100の構成例第2の構成例を示す断面図である。図2に示す第2の構成例において、図1a~cに示した第1の構成例との違いは、溝部10の底面の縦断面形状にある。それ以外の点は第1の構成例と同じであり、溝部10の平面形状は図1aに示した通りである。図2に示すように、この第2の構成例において、第1の溝部11の底面の縦断面形状は、ノコギリ刃状となっている。即ち、底面13の縦断面形状はX軸方向に複数の凹凸が連続して配置された形状となっており、凹凸の凹部と凸部とを結ぶ線は直線となっている。図示しないが、第2の溝部21の底面の縦断面形状も、第1の溝部11と同様に、ノコギリ刃状であってもよい。1.3第3の構成例図3は、セラミック基板100の構成例第3の構成例を示す断面図である。図3に示す第3の構成例において、図1a~cに示した第1の構成例との違いは、第2の構成例と同様、溝部10の底面の縦断面形状にある。図3に示すように、この第3の構成例において、第1の溝部11の底面13の縦断面形状は、波と直線とを組み合わせた形状となっている。即ち、底面13の一部である底面13cは、その縦断面形状がX軸方向に沿う直線の形状となっている。図示しないが、第2の溝部21の底面の縦断面形状も、第1の溝部11と同様に、波と直線とを組み合わせた形状であってもよい。また、第1の溝部11の底面の縦断面形状と、第2の溝部21の底面の縦断面形状は、その少なくとも一方が、ノコギリの刃と直線とを組み合わせた形状であってもよい。1.4第1実施形態の効果本発明の第1実施形態第1、第2、第3の構成例によれば、基材1であって、第1の底面13aの下にある第1の部位1aは、第2の底面13bの下にある第2の部位1bよりも薄くて強度が小さい。即ち、第2の部位1bは、第1の部位1aよりも厚くて強度が大きい。第2の部位1bが存在することにより、セラミック基板100の強度を高く保持することができ、セラミック基板100が強度不足で意図せず割れてしまうことを防ぐことができる。また、セラミック基板100を分割する工程では、第1の部位1aよりも第2の部位1bに力が集中してクラックが生じ易い。そして、第2の部位1bに生じたクラックを起点として、強度の小さい第1の部位1aが切断される。このため、セラミック基板100を分割する工程では、セラミック基板100を溝部10に沿って容易に分割することができる。このように、セラミック基板100を分割する前の各工程では、セラミック基板100が強度不足で割れてしまうことを防ぐことができる。また、セラミック基板100を分割する工程では、セラミック基板100を溝部10に沿って容易に割ることができる。このため、セラミック基板100は、そのハンドリングの容易性と分割の容易性を両立することができる。さらに、第1の溝部11の平面形状は帯状であり、第1の溝部11の側面12は平面又は緩やかに湾曲した面となっている。この側面12は、図4aに示すように、分割により得られる複数枚のセラミック基板110の各々の外周側面即ち、端面となる。分割後のセラミック基板110の端面に凹凸を残さないようにすることができるため、凹凸を起点とする端面の割れ、欠けの発生を抑制することができる。これにより、セラミック基板の品質向上に寄与することができる。また、欠けたセラミック片が、他のセラミック基板や、他の部材、製造装置などに付着することを防ぐことができるので、工程環境の汚染を防止することができる。また、第3の構成例によれば、縦断面形状が直線の形状である底面13cの深さ即ち、底面13cと基材1表面との間の距離d3を、例えばd2<d3≦d1の範囲内で任意に調整することにより、セラミック基板100の強度即ち、割れ易さであり、割れ難さでもあるを調整することができる。2第2実施形態本発明では、第1の溝部11と第2の溝部21とが交差する交差領域の底面を、溝部10であって第1の溝部11と第2の溝部21とが交差しない非交差領域の底面よりも深く形成してもよい。第2実施形態では、このような形態について、複数の例を挙げて説明する。2.1第1の構成例図5a及びbは、本発明の第2実施形態に係るセラミック基板200の構成例第1の構成例を示す平面図及び断面図である。図5a及びbに示すように、このセラミック基板200において、第1の溝部11と第2の溝部21とが交差する交差領域の底面33は、第1の溝部11又は第2の溝部21であって互いに交差しない非交差領域の底面よりも、基材1表面から深い位置に形成されている。図5bに示すように、第1の構成例では、第1の溝部11の非交差領域の底面13は、縦断面視で直線である。図示しないが、第2の溝部21の非交差領域の底面も、縦断面視で直線である。一方、交差領域の底面33は、縦断面視で凹部となっている。第1の構成例において、非交差領域の底面13と基材1表面との間の距離をd4とし、交差領域の底面33と基材1表面との間の距離をd5としたとき、距離d5は距離d4よりも大きいd5>d4。距離d4は、例えば0.05~0.1mmである。距離d5は、例えば0.1~0.25mmである。2.2第2の構成例また、本発明の第2実施形態では、図5bに示した交差領域の底面33と、第1実施形態で説明した各構成例とを組み合わせてもよい。図6は、本発明の第2実施形態に係るセラミック基板200の構成例第2の構成例を示す断面図である。図6に示すように、第1の溝部11の底面13は、縦断面視で、X軸方向に沿って複数の凹凸が連続して配置された形状となっている。この連続する複数の凹凸の縦断面形状は、例えば波状となっている又は、図3に示したノコギリ刃状であってもよい。。また、第1の溝部11と第2の溝部21とが交差する交差領域の底面33は、溝部10の非交差領域にある何れの底面よりも、基材1表面から深い位置に形成されている。2.3第2実施形態の効果本発明の第2実施形態によれば、セラミック基板200の強度に関し、交差領域の強度は非交差領域の強度よりも低く、交差領域は非交差領域よりも割れ易い。交差領域が割れやすくなっているため、交差領域を起点として非交差領域方向にクラックが進行し、非交差領域を割ることができる。このため、非交差領域が意図しない方向に割れたり、欠けたりすることを抑制できる。交差領域は、分割後のセラミック基板では角部に相当するため、角部のチッピングを抑制することができる。また、第2の構成例によれば、上記の効果と第1実施形態の効果の両方を奏する。3第3実施形態次に、本発明の第3実施形態に係るセラミック基板の製造方法と、その製造方法に適した溝部形成装置について説明する。まず始めに、溝部形成装置の構成例について説明する。3.1製造装置図7は、本発明の第3実施形態に係る溝部形成装置300の構成例を示すブロック図である。図7に示すように、この溝部形成装置300は、PC描画コントローラ301と、レーザー発振コントローラ302と、ガルバノコントローラ303と、レーザー発振器304と、加工ステージ305と、ステージコントローラ306と、装置電源307と、レーザー電源308と、ガルバノスキャナ310とを備えている。PC描画コントローラ301は、例えば、第1、第2実施形態で説明した溝部10の設計に関する情報例えば、溝部を形成する座標位置X,Y、溝部の深さ距離d1、d2、d3、d4、d5等に関する情報を保持している。PC描画コントローラ301は、この設計に関する情報に基づいて、レーザー発振コントローラ302、ガルバノコントローラ303及びステージコントローラ306にそれぞれ制御信号を送信する。レーザー発振コントローラ302は、レーザー発振器304に制御信号を送信して、そのレーザーのパルス周期T=1/f、f:発振周波数、パルス幅τ、出力を制御する。ガルバノコントローラ303は、ガルバノスキャナ310に制御信号を送信して、ガルバノスキャナ310によるレーザー光の走査動作を制御する。レーザー発振器304は、レーザー光をガルバノスキャナ310に向けて出射する。レーザー発振器304の種類は、例えば、光励起方式YAGレーザー発振器である。加工ステージ305は、基材1を支持するためのステージである。この加工ステージ305は、例えば、ガルバノスキャナ310の直下でステージを水平方向X軸方向、Y軸方向に移動するためのスライド機構を有する。ステージを移動させるための駆動力は、図示しない電気モーターから供給される。ステージコントローラ306は、加工ステージ305に制御信号を送信して、ステージの移動動作を制御する。装置電源307は、溝部形成装置300の各部例えば、PC描画コントローラ301、レーザー発振コントローラ302、ガルバノコントローラ303、ステージコントローラ306、レーザー電源308、ガルバノスキャナ310にそれぞれ電源を供給する。レーザー電源308は、所定の電流電圧値に調整され、安定化された電源をレーザー発振器304に供給する。図8は、レーザー発振器304によるパルス発振の波形の一例を示す図である。図8において、Tはパルス周期を、τはパルス幅即ち、レーザー光を照射している期間を示す。レーザー発振器304によるパルス周期Tは例えば10~100μsecであり、そのパルス幅τは例えば60nsecである。なお、上述したように、パルス周期T、パルス幅τの各長さは、レーザー発振コントローラ302によって制御される。図9は、ガルバノスキャナ310の構成例を示す概念図である。図9に示すように、ガルバノスキャナ310は、例えば、1段目のガルバノミラー312と、2段目のガルバノミラー313と、fθレンズ314と、を備えている。レーザー発振器304から出射されたレーザー光は、1段目のガルバノミラー312、2段目のガルバノミラー313、fθレンズ314を通って、加工ステージ305上の対象物この例では、図示しない基材1表面に照射される。ガルバノミラー312はガルバノモーター312aにミラー312bが取り付けられた構成になっている。同様に、ガルバノミラー313はガルバノモーター313aにミラー313bが取り付けられた構成になっている。2つのガルバノミラー312、313がそれぞれレーザー光の入射角を変化させ、加工ステージ305上の任意のXY座標へとレーザー光を導く。ガルバノモーター312a、313aがレーザー光の入射角を高速高精度に変更制御することで、レーザー光の照射点を高速高精度に移動制御することができる。基本的に1段目のミラー312bよりも2段目のミラー313bの方が大きい。fθレンズ314は、ガルバノミラー312、313によって導かれてきたレーザー光が加工ステージ305の表面に垂直に照射されるように、レーザー光を屈折集光させる。3.2第1の製造方法次に、セラミック基板の製造方法について説明する。ここでは、図7に示した溝部形成装置300を用いて、基材1の表面に溝部10を形成する場合について説明する。図10a~図11は、本発明の第3実施形態に係るセラミック基板の製造方法第1の製造方法を示す概念図である。図10aは平面図であり、図10bは断面図である。まず始めに、図7に示した溝部形成装置300の加工ステージ305上に、溝部が形成される前の基材1を配置する。次に、レーザー発振器304からガルバノスキャナ310を介して、基材1の表面上にレーザー光を照射させる。ここでは、例えば、図9に示した1段目のガルバノミラー312、及び、2段目のガルバノミラー313がそれぞれレーザー光の入射角を変更させる。或いは、入射角の変更と並行して、ガルバノスキャナ310に対して加工ステージ305を相対的に移動させてもよい。このような操作により、図10aに示すように、レーザー光をX軸方向に沿って走査させる。これにより、図10a及びbに示すように、基材1の表面に平面形状が帯状である第1の溝部11 ́を形成する以下、溝部形成工程という。。溝部形成工程では、例えば後述の底面形成工程と比べて、パルスの周波数f=1/Tを大きくし、且つ、基材1の表面に対するレーザー光の相対的な移動速度v一定を遅くする。これにより、各ショットがX軸方向で被って、重なり合う。この重なり合うところは図10aのように加工され、巨視的に見ると帯状状となる。なお、本発明者は、上記の溝部形成工程に関し、基材1の表面に照射されるレーザー光のスポット径Lを11μmとし、パルス発振の周波数fを1E5Hzとし、レーザー光の移動速度vを50mm/secとして、実際に、レーザー光を基材1の表面に対して走査してみた。その結果、平面形状が帯状である第1の溝部11 ́が形成されることを確認した。また、第1の溝部11 ́の底面はほぼ平坦即ち、基材1の表面とほぼ平行であり、上記の条件では底面に凹凸は十分に形成されないことも確認した。次に、図10bに示すように、この第1の溝部11 ́のほぼ平坦な底面13 ́に対して、レーザー光を再度照射して、この底面13 ́にX軸方向に沿って連続した凹凸を形成する以下、底面加工工程という。。この底面加工工程も、溝部形成工程と同様に、ガルバノスキャナ310又は加工ステージ305を操作して、レーザー光を平面視でX軸方向に沿って移動させる。ここで、底面加工工程では、例えば、上記の溝部形成工程と比べて、パルス発振の周波数を小さくし、且つ、移動速度v一定を速くする。即ち、溝部形成工程で基材1に照射するレーザー光第1のレーザー光のパルス発振の周波数をf1とし、第1のレーザー光の移動速度をv1とする。また、底面形成工程で基材1に照射するレーザー光第2のレーザー光のパルス発振の周波数をf2とし、第2のレーザー光の移動速度をv2とする。このとき、f1>f2、且つ、v1<V2とする。これにより、底面13 ́に凹凸を形成し、例えば図1a~cに示した第1の溝部11を完成することができる。或いは、上記の底面加工工程では、レーザー光の1ショット1パルスで形成できる凹部の大きさ幅に対して、凹部の配置間隔がこの幅よりも大きくなるように、パルス発振の周波数fとレーザー光の移動速度vとを制御してもよい。これにより、第1の溝部11 ́の底面13 ́に複数の凹凸を等間隔に形成することができる。また、底面加工工程で、底面13 ́に形成される凹凸を大きな波状にする場合は、レーザー光のエネルギー即ち、レーザー発振器304の出力又は焦点位置、若しくはその両方を周期的に変更するとよい。これにより、基材1の表面において、レーザー光により加工される深さが変化するため、第1の溝部11 ́の底面13 ́を大きな波状例えば、図1bに示した波状に形成することができる。なお、図示しないが、第2の溝部21も、上記と同様の方法で、第1の溝部11と並行して形成することができる。例えば、溝部形成工程では、X軸方向に沿ってレーザー光を走査させた後で、Y軸方向に沿ってレーザー光を走査させる。次に、底面加工工程では、X軸方向に沿ってレーザー光を走査させた後で、Y軸方向にそってレーザー光を走査させる。これにより、例えば図1aに示した第2の溝部21を完成させることができる。次に、例えば図2に示したようなノコギリ刃状の底面を形成するのに適した方法について説明する。3.3第2の製造方法図12は、本発明の第3実施形態に係るセラミック基板の製造方法第2の製造方法を示す概念図である。図12に示すように、第1の溝部11 ́の底面13 ́をノコギリの刃状に形成する場合は、例えば底面加工工程で、レーザー光をX軸方向に沿って走査させながら、その移動速度vを、X軸方向における位置即ち、座標位置に応じて変化させる。移動速度vが遅い座標位置ではより多くのショットが被るため、深い位置まで加工される即ち、削られる。移動速度vが速い座標位置ではショットが被る回数は少ないため、深い位置まで加工されることはない。レーザー光をX軸方向に沿って走査さえながら、この移動速度vの遅い、速いを繰り返すことにより、第1の溝部11 ́の底面13 ́をノコギリ状にすることができる。図示しないが、第2の溝部21についても、上記と同様の方法で、その底面をノコギリ状にすることができる。3.4第3実施形態の効果本発明の第3実施形態によれば、第1実施形態又は第2実施形態で示した第1の溝部11、第2の溝部21を基材1の表面にそれぞれ形成することができる。4電子部品、電子機器図4aに示したように、上記のセラミック基板100、200は、溝部10に沿って分割することにより、複数枚のセラミック基板110に個片化される。図4bに示すように、このセラミック基板110の表面に、水晶の振動片等の圧電素子電子部品の一例120を取り付けることにより、圧電デバイス電子デバイスの一例が形成される。なお、本発明において、圧電素子120の取り付けは、セラミック基板100を分割する前後の何れのタイミングで行ってもよい。圧電素子120の取り付けを何れのタイミングで行ったとしても、セラミック基板110の端面が欠けにくい圧電デバイスを提供することができる。また、本発明では、上記の電子デバイスを各種の機器に組み込むことによって、基板の欠けが少なく、品質の高い電子機器を提供することができる。このような電子機器としては、例えば、携帯電話、GPS端末、デジタルカメラ、時計腕時計を含む、ゲーム機のコントローラ、等が挙げられる。"