"開気孔率が0.3以下であり、酸化イッテルビウム、酸化ホルミウム、酸化ジスプロシウム及び酸化エルビウムからなる群より選ばれた少なくとも1種の焼結体からなる、半導体製造装置用耐食性部材。前記焼結体には、Mg,Ca及びSrからなる群より選ばれた少なくとも1種とO及びFの少なくとも1種とを含む粒界相が分散している、請求項1又は2に記載の半導体製造装置用耐食性部材。嵩密度が8.8~9.2g/cm3であり、酸化イッテルビウムの焼結体からなる、請求項1又は2記載の半導体製造装置用耐食性部材。嵩密度が8.1~8.4g/cm3であり、酸化ホルミウムの焼結体からなる、請求項1又は2記載の半導体製造装置用耐食性部材。酸化イッテルビウム、酸化ホルミウム、酸化ジスプロシウム及び酸化エルビウムからなる群より選ばれた少なくとも1種の酸化物原料を、a焼結助剤を用いることなく目的とする半導体製造装置用耐食性部材の形状に成形したあと、不活性雰囲気下、所定の焼成温度でホットプレス焼成することにより、又は、bMg,Ca及びSrからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素のフッ化物である焼結助剤と共に目的とする半導体製造装置用耐食性部材の形状に成形したあと、不活性雰囲気下、前記所定の焼成温度より低い温度でホットプレス焼成することにより、前記酸化物原料を焼結させて開気孔率が0.3以下の焼結体を得る、半導体製造装置用耐食性部材の製法。前記酸化物原料を焼結させて開気孔率が0.3以下の焼結体を得たあと、1000°C以上で大気アニール処理を施す、請求項5に記載の半導体製造装置用耐食性部材の製法。本発明の半導体製造装置用耐食性部材は、開気孔率が0.3以下であり、酸化イッテルビウム、酸化ホルミウム、酸化ジスプロシウム及び酸化エルビウムからなる群より選ばれた少なくとも1種の焼結体からなるものである。焼結体としては、酸化イッテルビウム、酸化ホルミウム、酸化ジスプロシウム及び酸化エルビウムからなる群より選ばれた少なくとも1種の焼結体を用いる。これらは希土類酸化物の焼結体であるが、希土類酸化物の焼結体であっても、例えば酸化ガドリニウムの焼結体は緻密化に問題があり、酸化ユウロピウムの焼結体は緻密化可能であるがエッチングレートを十分抑制できないため適切でなく、酸化ネオジムの焼結体は大気保管中に崩壊してしまうため適切でない。また、焼結体としては、前出の群より選ばれた複数種の焼結体を用いることもできるが、その群より選ばれた1種の焼結体を用いてもよい。焼結体を作製する際に用いる酸化物原料は、不純物金属量が少ないほど好ましく、例えば酸化物の0.1wt以下であることが好ましい。開気孔率は、ここでは純水を媒体としたアルキメデス法により測定した値とする。開気孔率が0.3を超えると、エッチングレートが高くなったり強度が低下したりするため、好ましくない。開気孔率は、できるだけゼロに近いほど好ましい。このため、特に下限値は存在しない。本発明の半導体製造装置用耐食性部材において、焼結体には、Mg,Ca及びSrからなる群より選ばれた少なくとも1種とO及びFの少なくとも1種とを含む粒界相が分散していてもよい。例えば、MgOを含む粒界相が分散していたり、Ca,Fを含む粒界相が分散していてもよい。このような粒界相は、Mg,Ca又はSrを含む焼結助剤例えばMgF2とかCaF2などと共に焼成したときに生成するものであるが、そのような焼結助剤を用いると焼成温度を低くすることができるため、その分、消費エネルギーが少なくなり製造コストが低減する。本発明の半導体製造装置用耐食性部材としては、嵩密度が8.8~9.2g/cm3であり、酸化イッテルビウムの焼結体からなるものが好例として挙げられる。この場合、エッチングレートを十分抑制できるばかりでなく、前述の粒界相を分散させることにより強度も高くなる。また、嵩密度が8.1~8.4g/cm3であり、酸化ホルミウムの焼結体からなるものも好例として挙げられる。本発明の半導体製造装置用耐食性部材の製法は、酸化イッテルビウム、酸化ホルミウム、酸化ジスプロシウム及び酸化エルビウムからなる群より選ばれた少なくとも1種の酸化物原料を、a焼結助剤を用いることなく目的とする半導体製造装置用耐食性部材の形状に成形したあと、不活性雰囲気下、所定の焼成温度でホットプレス焼成することにより、又は、bMg,Ca及びSrからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素のフッ化物である焼結助剤と共に目的とする半導体製造装置用耐食性部材の形状に成形したあと、不活性雰囲気下、前記所定の焼成温度より低い温度でホットプレス焼成することにより、前記酸化物原料を焼結させて開気孔率が0.3以下の焼結体を得るものである。この製法は、本発明の半導体製造装置用耐食性部材を得るのに好適である。ここで、不活性雰囲気とは、酸化物原料の焼成に影響を及ぼさない雰囲気であればよく、例えば窒素雰囲気やアルゴン雰囲気、ヘリウム雰囲気などが挙げられる。また、ホットプレス時の焼成温度及びプレス圧力は、開気孔率が0.3以下の緻密な焼結体が得られるような温度及び圧力であればよく、酸化物原料の種類に応じて適宜設定すればよい。例えば、焼成温度を1500~1800°Cの間で設定し、プレス圧力を100~300kgf/cm2の間で設定してもよい。更に、成形時の圧力は、特に制限するものではなく、形状を保持することのできる圧力に適宜設定すればよい。以下に、本発明の好適な実施例について説明する。Yb2O3,Er2O3,Ho2O3,Dy2O3,Gd2O3,Nd2O3,Eu2O3,Y2O3原料は、純度99.9以上、平均粒径1μm以下の市販粉末を使用した。Al2O3原料は純度99.5以上の平均粒径0.5μmの市販粉末を使用した。MgF2原料は、純度99.9以上の市販粉末を必要に応じて0.5~1μmに予備粉砕したものを使用した。CaF2原料についても同様のものを使用した。なお、予備粉砕は溶媒をイソプロピルアルコールとし、ジルコニア製玉石を使用してポットミル粉砕した。[実施例1~7,比較例1~6]実施例1~5,比較例1~6では、希土類酸化物原料を単味で用いて、半導体製造装置用耐食性部材を作製した。具体的には、まず、表1に示す希土類酸化物原料粉末を、200kgf/cm2の圧力で一軸加圧成形し、φ50mm、厚さ10mm程度の円盤状成形体を作製し、焼成用黒鉛モールドに収納した。次いで、ホットプレス法を用いて所定の焼成温度表1参照で焼成を行い、半導体製造装置用耐食性部材を得た。焼成時のプレス圧力は200kgf/cm2とし、焼成終了までAr雰囲気とした。焼成温度最高温度での保持時間は4時間とした。実施例6,7では、2種類の希土類酸化物原料を用いて、半導体製造装置用耐食性部材を作製した。具体的には、まず、表1に示す2種類の希土類酸化物原料粉末を秤量し、イソプロピルアルコールを溶媒とし、ナイロン製のポット、φ5mmのアルミナ玉石を用いて4時間湿式混合した。混合後スラリーを取り出し、窒素気流中110°Cで乾燥した。その後30メッシュの篩に通し、調合粉末とした。この調合粉末を用いて、実施例1~5,比較例1~6と同様にして、成形及び焼成を行った。なお、表1のYb2O3/25molHo2O3という表記は、100molのYb2O3に25molのHo2O3を加えた調合粉末であることを意味する。得られた各焼結体を各種評価用に加工し、以下の評価を行った。各評価結果を表1に示す。1開気孔率嵩密度純水を媒体としたアルキメデス法により測定した。試料形状は2と同形状に加工したものを用いた。2強度3mm×4mm×40mmのJISR1601に準じた形状に加工して4点曲げ試験を行い、強度を算出した。3結晶相評価焼結体を乳鉢で粉砕し、X線回折装置により結晶相を同定した。測定条件はCuKα,40kV,40mA,2θ=10-70°とし、封入管式X線回折装置ブルカーエイエックスエス製D8ADVANCEを使用した。4粒界相の評価複合材中の粒界相は、焼結体の結晶相と鏡面研磨した焼結体のSEM/EDS観察から評価した。5エッチングレート各焼結体表面を鏡面に研磨し、ICPプラズマ耐食試験装置を用いて下記条件の耐食試験を行った。表面粗さ計により測定した非暴露面と暴露面との段差を試験時間で割ることにより各材料のエッチングレートを算出した。ICP:800W、バイアス:450W、導入ガス:NF3/O2/Ar=75/35/100sccm0.05Torr、暴露時間:10h、試料温度:室温6化学分析焼結体中の不純物金属量Yb,Ho,Dy,Er,Mg,Ca,Srを除く金属元素は誘導結合プラズマICP発光スペクトル分析、並びに誘導結合プラズマICP質量分析による。7体積抵抗率測定JISC2141に準じた方法により、大気中、室温にて測定した。試験片形状はφ50mm×0.5~1mmとし、主電極は直径20mm、ガード電極は内径30mm、外径40mm、印加電極は直径40mmとなるよう各電極を銀で形成した。印加電圧は2kV/mmとし、電圧印加後1分時の電流値を読み取り、その電流値から室温体積抵抗率を算出した。[評価結果]表1に示すように、実施例1~4では、Yb2O3,Er2O3,Ho2O3,Dy2O3をそれぞれ単味で用いて、焼成温度1500°Cで緻密化したところ、エッチレートが224~252nm/hであり、耐食性が高かった。また、実施例5では、Yb2O3を焼成温度1800°Cで緻密化したところ、エッチレートが210nm/hであり、実施例1と比べて耐食性が向上した。実施例5で耐食性が向上した理由は、より高温で焼成したことで粒径が粗大化して相対的に低耐食な粒界面積が減ることによって、全体の耐食性が向上したと推察している。実施例1~5の材料は体積抵抗率が1×1015Ωcm以上と高く、静電チャックやヒーター材として好適であった。実施例6では、Yb2O3とHo2O3との混合粉末、実施例7では、Yb2O3とEr2O3との混合粉末を用いて、焼成温度1500°Cで緻密化したところ、比較例1~6に比べて耐食性が優れ、実施例1単味に比べて強度が向上し体積抵抗率も高くなる傾向が見られた。これら実施例6,7では、XRD解析より、Yb2O3のピークが低角度側にシフトしており、Ho2O3やEr2O3のピークが検出されなかったことから、それぞれYb2O3-Ho2O3固溶体Yb2O3-Ho2O3ss、Yb2O3-Er2O3固溶体Yb2O3-Er2O3ssを形成していると考えられる。一方、比較例1,2では、Y2O3,Al2O3を1500、1700°Cでそれぞれ焼成したところ、いずれも緻密化したが、耐食性は実施例1~4より劣っていた。比較例3では、Yb2O3を1300°Cで焼成したところ、開気孔率4.6と気孔が多いため、耐食性が実施例1~4より劣っていた。比較例4,5では、Gd2O3,Eu2O3を1500°Cでそれぞれ焼成したところ、Gd2O3は開気孔率2.5と気孔が多いため、耐食性が実施例1~4より劣っていた。Eu2O3は粒界が非常に低耐食であり、粒界を介して焼結体内部にフッ素が侵入し、腐食が進んだと考えられる。Yb2O3,Er2O3,Ho2O3,Dy2O3は粒界がEu2O3より高耐食であることが、希土類酸化物中で耐食性が高い要因の一つと推察している。比較例6では、Nd2O3を1500°Cで焼成したが、大気保管数日で焼結体が崩壊し、評価不能であった。[実施例8~15]実施例8~15では、希土類酸化物と2A族元素アルカリ土類金属のフッ化物との調合粉末を用いて、半導体製造装置用耐食性部材を作製した。具体的には、まず、表2に示す希土類酸化物と2A族元素のフッ化物とを秤量し、イソプロピルアルコールを溶媒とし、ナイロン製のポット、φ5mmのアルミナ玉石を用いて4時間湿式混合した。混合後スラリーを取り出し、窒素気流中110°Cで乾燥した。その後30メッシュの篩に通し、調合粉末とした。続いて、その調合粉末を、200kgf/cm2の圧力で一軸加圧成形し、φ35mm、厚さ10mm程度の円盤状成形体を作製し、焼成用黒鉛モールドに収納した。次いで、ホットプレス法を用いて所定の焼成温度表2で焼成を行い、半導体製造装置用耐食性部材を得た。焼成時のプレス圧力は200kgf/cm2とし、焼成終了までAr雰囲気とした。焼成温度最高温度での保持時間は4時間とした。なお、表2のYb2O3/1volMgF2という表記は、100volのYb2O3に1volのMgF2を加えた調合粉末であることを意味する。得られた各焼結体を各種評価用に加工し、先ほどと同様の評価を行った。各評価結果を表2に示す。実施例8,9では、Yb2O3に表2に示す所定量のMgF2を添加し、焼成温度1300°Cで緻密化したところ、焼結中にMgF2とYb2O3が反応し、Yb2O3マトリックス中に粒状のMgO,YbOF相が形成された図1参照。実施例1と比べて焼成温度が低いにもかかわらず、フッ化物の添加によって緻密な焼結が可能となり、耐食性は実施例1と同等であった。また、粒界相が分散導入されたことにより、実施例1よりも高強度化した。実施例10,11では、Yb2O3に表2に示す所定量のCaF2を添加し、焼成温度1200~1300°Cで緻密化したところ、Yb2O3マトリックス中にCa,Fを主とする粒界相が形成された図2参照。実施例1と比べて焼成温度が低いにもかかわらず、フッ化物の添加によって緻密な焼結が可能となり、耐食性は実施例1とほぼ同等であった。また、粒界相が分散導入されたことにより、実施例1よりも高強度化した。実施例12,13では、Ho2O3に表2に示す所定量のMgF2を添加し、焼成温度1300°Cで緻密化したところ、実施例8,9と同様、焼結中にMgF2とHo2O3が反応し、Ho2O3マトリックス中に粒状のMgO,HoOF相が形成された。実施例12,13では、実施例3と比べて焼成温度が低いにもかかわらず、フッ化物の添加によって緻密な焼結が可能となり、耐食性は実施例3と同等であった。また、粒界相が分散導入されたことにより、実施例3よりも高強度化した。実施例14,15では、Ho2O3に表2に示す所定量のCaF2を添加し、焼成温度1300°Cで緻密化したところ、実施例10,11と同様、Yb2O3マトリックス中にCa,Fを主とする粒界相が形成された。実施例14,15では、実施例3と比べて焼成温度が低いにもかかわらず、フッ化物の添加によって緻密な焼結が可能となり、耐食性は実施例3とほぼ同等であった。また、粒界相が分散導入されたことにより、実施例3よりも高強度化した。実施例9~11,13~15の材料は体積抵抗率が1×1015Ωcm以上と高く、静電チャックやヒーター材として好適であった。また、実施例8,12についても同様の特性が見込まれる。[実施例16~20]実施例16,17では、実施例1で得られた焼結体Yb2O31500°C焼成品を厚さ1mmに加工し、それぞれ1100°Cで10時間、1200°Cで10時間、大気アニール処理を行った。また、実施例18では、実施例5で得られた焼結体Yb2O31800°C焼成品、実施例19,20では、実施例6,7で得られた焼結体それぞれYb2O3-Ho2O3固溶体、Yb2O3-Er2O3固溶体を厚さ1mmに加工し、1200°Cで10時間、大気アニール処理を行った。得られた各大気アニール処理品を各種評価用に加工し、先ほどと同様の評価強度を除くを行った。各評価結果を表3に示す。実施例16~20では、いずれも大気アニール処理を行う前の焼結体に比べて耐食性が向上すると共に体積抵抗率が高くなった。また、いずれも大気アニール処理を行う前の焼結体に比べて白みを帯びた色調に変化した。具体的には、Yb2O3焼成品は象牙色から白色に変化し実施例16~18、Yb2O3-Ho2O3固溶体は橙褐色から橙白色に変化し実施例19、Yb2O3-Er2O3固溶体は赤褐色から桃色に変化した実施例20。焼成後に大気アニール処理を施すことにより焼結体に含まれる酸素欠損等が低減し、結晶性が向上することで耐食性、体積抵抗率が一段と向上したと推察される。本出願は、2010年3月30日に出願された日本国特許出願第2010079251号を優先権主張の基礎としており、引用によりその内容全てが本明細書に含まれる。"