複数のビアが配列された誘電体基板と、上記誘電体基板の表面及び裏面に形成されて、上記ビアに接続される接地導体と、上記誘電体基板裏面の接地導体に形成された誘電体開口部と、上記誘電体開口部に一端が接続され、他端が一部のビア配列をショート端とする誘電体導波路と、上記誘電体開口部に設けられた抵抗体と、を有したシールドカバーと、高周波半導体が載置されるとともに、上記シールドカバーの裏面が導電性接続部を介して接合されることで当該高周波半導体を収容する空間を形成するパッケージと、を備えた高周波モジュール。上記誘電体開口部と一部の上記ビア配列の間の長さは、上記高周波半導体の処理する高周波信号の不要電磁波が上記シールドカバーの誘電体基板内を伝播する波長の4分の1の長さとしたことを特徴とする請求項1記載の高周波モジュール。上記不要電磁は、上記高周波半導体とパッケージ内の信号端子との間の信号伝送路で発生し、上記誘電体開口部および抵抗体は、上記不要電磁による定在波のショート端となる位置に配置されることを特徴とする請求項2記載の高周波モジュール。マイクロ波帯またはミリ波帯の高周波半導体を備えた請求項1から請求項3の何れか1項記載の高周波モジュール。複数のビアが配列された誘電体基板と、上記誘電体基板の表面、及び高周波半導体の載置される外部パッケージと接合される裏面に形成されて、上記ビアに接続された接地導体と、上記誘電体基板裏面の接地導体に設けられた誘電体開口部と、上記誘電体開口部に一端が接続され、他端が一部のビア配列をショート端とする誘電体導波路と、上記誘電体開口部に設けられた抵抗体と、を備えた高周波モジュール用シールドカバー。しかしながら、上記の従来の高周波モジュールでは、増幅器のようなデバイス部品が多い場合に、その収容面積に伴いカットオフブロックが大きくなるため、カットオフブロックの接地領域や固定ネジ数の増大に伴ってモジュール寸法が大きくなるという問題があった。また、増幅器のようなデバイス部品のサイズが大きい場合は、それに伴いカットオフブロックの内部空間サイズが大きくなって、カットオフ周波数を高くすることができなくなるという問題があった。この発明は係る課題を解決するためになされたものであり、高周波モジュールのシールドされた内部空間に発生する定在波による不要共振を抑圧するとともに、小型化を図ることを目的とする。この発明による高周波モジュールは、複数のビアホールが配列された誘電体基板と、上記誘電体基板の表面及び裏面に形成されて、上記ビアホールに接続される接地導体と、上記誘電体基板裏面の接地導体に形成された誘電体開口部と、上記誘電体開口部に一端が接続され、他端が一部のビアホール配列をショート端とする誘電体導波路と、上記誘電体開口部に設けられた抵抗体と、を有したシールドカバーと、高周波半導体が載置されるとともに、上記シールドカバーの裏面が導電性接続部を介して接合されることで、当該高周波半導体を収容する空間を形成するパッケージと、を備えたものである。また、この発明による高周波モジュール用シールドカバーは、複数のビアホールが配列された誘電体基板と、上記誘電体基板の表面、及び高周波半導体の載置される外部パッケージと接合される裏面に形成されて、上記ビアホールに接続された接地導体と、上記誘電体基板裏面の接地導体に設けられた誘電体開口部と、上記誘電体開口部に一端が接続され、他端が一部のビアホール配列をショート端とする誘電体導波路と、上記誘電体開口部に設けられた抵抗体と、を備えたものである。この発明によれば、電磁気的にシールドされた内部空間に発生する定在波による不要共振を抑圧し、良好な電気性能を確保するとともに、高周波モジュールの小型化を図ることができる。実施の形態1.図1は、この発明に係る実施の形態1による高周波モジュールの構成を示す断面図である。図2は、実施の形態1による高周波モジュール用の多層基板シールドカバーを裏面から見た図である。図において、実施の形態1の高周波モジュール100は、デバイス部品1と、金属ブロック2と、パッケージ4と、多層基板シールドカバー3と、シャーシ5を備えて構成される。デバイス部品1は、放熱シートや熱良導性接着剤などを介して金属ブロック2上に載置され、ねじ締結により固定される。パッケージ4と金属ブロック2はシャーシ5上に載置されて、ねじ締結や接着剤によって固定される。パッケージ4は、中央部が刳り貫かれて壁に囲まれた空洞キャビティが形成され、この空洞に金属ブロック2が収容される。多層基板シールドカバー3は、導電性接続部である金属バンプ20を介して、パッケージ4の壁の上面に接合される。デバイス部品1は、増幅器やミクサ等を構成する半導体素子からなり、マイクロ波帯またはミリ波帯のRF信号について、信号増幅や周波数変換等の信号処理を行う。デバイス部品1は、例えば半導体素子からなるMMICmonolithicmicrowaveintegratedcircuitやMICmicrowaveintegratedcircuitが実装されたパッケージを気密封止し、底面にねじ穴の設けられた金属キャリアを接合することで構成される。デバイス部品1は、内部に収容される半導体素子との間でRF信号の入出力を行うための、外部端子29が設けられている。金属ブロック2は、熱伝導率の高い熱良導性の導電性材料からなり、例えばタングステンや銅等を含有した合金や、炭素系の複合材料等によって構成される。シャーシ5は、鉄ニッケルコバルト合金やタングステンなどの合金によって構成される。パッケージ4は、複数の誘電体層と導体層が積層された多層基板からなり、親基板を構成する。パッケージ4の表裏上下層には、グランドパターン接地導体21、22が形成されている。パッケージ4の表層上層には、マイクロストリップ線路を形成する信号パターン導体線路24が形成されている。信号パターン24は信号ビア貫通VIA26を介して、内層信号パターン導体線路25に接続される。また、グランドパターン21、22と内層グランドパターン27は、内層の複数のグランドビア貫通VIA23に接続されている。複数のグランドビア23は、波長λまたはλ/2の整数倍の電磁波が、パッケージ4の側面を通過して外部との間で出入りするのを遮断するように、パッケージ4の内層に所定の間隔で配列されている。ここで、λは、デバイス部品1で処理されるRF信号の使用帯域における、パッケージ4を構成する誘電体内を伝播する波長である。また、デバイス部品1の外部端子29は、金や銀からなる導体ワイヤ導線や導体リボンなどの導電線31を介して、パッケージ4壁上面の信号パターン24に接続される。多層基板シールドカバー3は、複数の単層または多層の誘電体10と導体層グランドパターン11、12、18が積層された多層基板からなり、パッケージ4の上部を電磁気的にシールドする上蓋を構成する。多層基板シールドカバー3は、表面上面にグランドパターン11が形成され、裏面下面側の中底面表層から側壁50の内層にかけてグランドパターン12が形成される。また、多層基板シールドカバー3は、裏面側の中底を囲むように下側パッケージ4側に向かって突き出した、側壁50が設けられている。多層基板シールドカバー3は、側壁50の最下面にグランドパターン18が形成されている。グランドパターン11、12は、複数のグランドビア貫通VIA14、15によって接続される。また、グランドパターン12、18は、複数のグランドビア貫通VIA19によって接続される。複数のグランドビア19は、側壁50内側面に沿って、λ/8以下の間隔で配列されており、波長λまたはλ/2の整数倍の電磁波の通過を遮断するように構成されている。ここで、λは、デバイス部品1で処理されるRF信号の使用帯域における、誘電体10内を伝播する波長である。また、複数のグランドビア15は、同様に側壁50内側面に沿って、λ/8以下の間隔で配列されており、誘電体10内を伝播する波長λまたはλ/2の整数倍の電磁波の通過を遮断するように構成されている。図の例では、グランドビア15はグランドビア19と直線的に接続されている。勿論、多層基板シールドカバー3の側面にグランドパターンを被覆して、多層基板シールドカバー3の側面を通過し内外を出入りする電磁波を遮断するようにしても良い。このように、多層基板シールドカバー3は、上部全面がグランドパターン11に覆われており、また側面の外周に沿ってグランドビア15及び19が配列されているので、多層基板シールドカバー3の内側と外側との間で電磁波の通過を遮断するように、電磁気的なシールドがなされる。グランドパターン12は、側壁50に沿って伸長する、導体が刳り貫かれた誘電体表面が露出した矩形状のスリット13が形成されている。スリット13は、対面する側壁50に隣接して、二箇所配置されており、何れも電磁波が通過する誘電体窓を構成している。また、スリット13の開口を塞ぐように、多層基板シールドカバー3中底面におけるスリット13の形成領域に、抵抗体からなる抵抗パターン17が矩形状に印刷塗布されている。なお、スリット13の個数は2つに限ることはなく、1つでも良くまた3つ以上あっても良い。図1、2に示すように、多層基板シールドカバー3は、グランドパターン11、12により形成される上下平行2面と、両端がグランドパターン11、12に接続されてコの字形状に配列される複数のグランドビア貫通VIA16と、側壁50に沿って直線的に配列される複数のグランドビア15とによって、誘電体が充填された直方体形状の誘電体導波路30が形成される。この誘電体導波路30では、グランドビア15に近接した位置に、グランドパターン12に開口した上記スリット13が設けられ、当該スリット13は上記したように抵抗パターン17で覆われている。また、抵抗パターン17からλs/4波長離れた位置に、グランドビア15と対向するグランドビア16が配置されている。ここで、λsは、デバイス部品1の増幅器に接続されるRFRadioFrequency信号の伝送基板例えば外部端子29との接続部例えば導電線31や、マイクロストリップ線路例えば信号パターン24等から発生する不要電磁波が、誘電体10内を伝播する波長であり、例えばデバイス部品1で処理されるRF信号の使用帯域における、誘電体10内を伝播する波長λまたは波長λ/2の近辺の波長に等しくなる。グランドビア16は、スリット13の配置に合せ、スリット13を囲むように、対面する側壁50の内側二箇所の領域に配置されている。この2箇所の領域に配置されたグランドビア16の間には、適宜複数のグランドビア貫通VIA14が配列されている。なお、グランドビア16の配置領域は、2箇所に限ることはなく、1つでも良くまた3つ以上あっても良い。多層基板シールドカバー3裏面側の最下層のグランドパターン18は、金属バンプ20を介して、パッケージ4上のグランドパターン21に接合される。これによって、多層基板シールドカバー3とパッケージ4の内部に形成される空洞60に、デバイス部品1が収容されることとなる。なお、金属バンプ20は、はんだや金、銀バンプなどによって構成され、はんだ付けや超音波接合や圧接によって接合される。次に、図1を用いて、実施の形態1の高周波モジュール100の動作について説明する。デバイス部品1の増幅器に接続されるRFRadioFrequency信号の伝送基板例えば外部端子29との接続部例えば導電線31や、マイクロストリップ線路例えば信号パターン24等から、誘電体10内を伝播する波長がλsとなる不要電磁波が空間漏洩する。高周波モジュール100は、金属バンプ20を介して、パッケージ4のグランドパターン21に、多層基板シールドカバー3のグランドパターン18を接合することにより、デバイス部品1の収容される内部の空間空洞60が電磁気的にシールドされた閉空間となる。また、図1に示すように、グランドビアを介して表裏導体パターングランドパターンが導通された多層基板からなる多層基板シールドカバー3によって、電磁気的なシールドを行っている。このため高周波モジュール100の内部は外周で短絡されるので、不要電磁波によって平行平板モードの定在波が立つことでλs/2の倍数で発生し得る共振を、抑制する必要がある。このようなことから、実施の形態1の多層基板シールドカバー3には、高周波モジュール100の内部で発生する不要電磁波による定在波のショート端に、抵抗パターン17で覆われたスリット13を設けている。加えて、表裏の導体パターングランドパターン11、12とグランドビア15、16で構成される誘電体導波路30を設けて、抵抗パターン17からλs/4の距離でグランドビア16により誘電体導波路30の一方の端部をショートさせている。また、誘電体導波路30の他方の端部は、抵抗パターン17で覆われたスリット30を介して、空洞60内からの不要電磁波が出入りするようになされている。抵抗パターン17は、平行平板モードのインピーダンスと等しく設定すると、外周は抵抗終端され、不要電磁波による定在波が抑圧されることとなる。抵抗パターン17とλs/4の誘電体導波路30は容易に基板に作り込みができるとともに、従来の高周波モジュールのような複雑な形状のカットオフブロックが不要となるため、実装が容易となり、また小型化を図ることが可能となる。このように、実施の形態1の高周波回路モジュールは、多層基板シールドカバー3において、内部の閉空間に立つ定在波のショート端に、導体パターンが開口したスリット13とスリット13を覆う抵抗パターン17を設けるとともに、表裏導体パターンとグランドビアからなるショートエンドの誘電体導波路30を設けて、多層基板を形成する。また、この誘電体導波路30は、抵抗パターン17からショートエンドまでの導波路の長さをλs/4としている。また、不要電磁波による定在波のショート端は、多層基板シールドカバー3とパッケージ5によって形成される内部空間空洞60の端部界面付近に生じるので、多層基板シールドカバー3の下方に突出した突出部側壁50を設けて、デバイス部品1を収容する空洞を形成し、その突出部の内側面に隣接する位置に、誘電体導波路30に通じる誘電体窓となるスリット13を設けている。これによって、定在波のショート端が抵抗終端となるので、高周波モジュール内部に複雑なカットオフ構造を必要とせずとも、不要電磁波の定在波による共振を抑圧し、損失の少ない良好な電気特性を確保することができる。また、高周波モジュール内部に複雑なカットオフ構造が必要ないので、デバイス部品を収容するパッケージやシールドカバーを小型化することができる。なお、多層基板シールドカバー3の下方に突出した突出部側壁50を設ける代わりに、パッケージ4に、デバイス部品1を収容するための空洞を形成しても良く、これによって多層基板シールドカバー3がより単純な板形状となる。以上説明した通り、実施の形態1による高周波モジュールは、複数のビアホールグランドビアが配列された誘電体基板と、上記誘電体基板の表面及び裏面に形成されて、上記ビアホールに接続される接地導体と、上記誘電体基板裏面の接地導体に形成されたスリット状の誘電体開口部スリット13と、上記誘電体開口部に一端が接続され、他端が一部のビアホールグランドビア16配列をショート端とする誘電体導波路30と、上記誘電体開口部に設けられた抵抗体抵抗パターン17と、を有したシールドカバー多層基板シールドカバー3と、高周波半導体デバイス部品1が載置されるとともに、上記シールドカバーの裏面が導電性接続部金属バンプ20を介して接合されることで当該高周波半導体を収容する空間を形成するパッケージ4と、を備えたことを特徴とする。また、上記誘電体開口部と一部の上記ビアホール配列との間の長さは、上記高周波半導体の処理する高周波信号の不要電磁波が上記シールドカバーの誘電体基板内を伝播する波長の4分の1であっても良い。また、上記不要電磁は、上記高周波半導体とパッケージ内の信号端子との間の信号伝送路で発生し、上記誘電体開口部および抵抗体は、上記不要電磁による定在波のショート端となる位置に配置されるものであっても良い。これによって、電磁気的にシールドされた内部空間に発生する定在波による不要共振を抑圧し、良好な電気性能を確保するとともに、高周波モジュールの小型化を図ることができるという効果が得られる。