"モジュールの第1の入力E1と第1の出力S1とを接続し、直列に電気接続された熱電対p1、n1の第1の組を備える第1の電気経路と、前記モジュールの第2の入力E2と第2の出力S2とを接続し、直列に電気接続された熱電対p2、n2の第2の組を備える第2の電気経路と、を備え、前記第2の組の熱電対の個数が前記第1の組の熱電対の個数より少ない、熱電モジュールであって、前記第1の組および前記第2の組の個々の熱電対は、導電性材料から作られ、互いに電気接続されている2つの脚部を備え、前記モジュールは、前記第2の組の熱電対を形成するために前記第1の組の脚部を短絡する手段9a、9b、9c、9dを備えることとを特徴とする、熱電モジュール。前記短絡する手段は、前記モジュールの第1の状態において前記第1の経路の前記熱電対からある距離をおいて保持され、前記モジュールの第2の状態において前記第1の経路の前記熱電対の脚部と電気的接触している導電性要素9a、9b、9c、9dを備えることを特徴とする、請求項1に記載のモジュール。前記導電性要素9a、9b、9c、9dは、前記熱電対のそれぞれの側に配置されている第1および第2の可動プレート10a、10bによって支持されていることを特徴とする、請求項2に記載のモジュール。前記経路の一方E1、S1は、ペルティエ効果モジュールを形成し、前記経路のもう一方E2、S2は、ゼーベック効果モジュールを形成することを特徴とする、請求項1に記載のモジュール。前記第1の入力E1と前記第2の入力E2とは、共通であることと、前記第1の出力S1と前記第2の出力S2とは、共通であることとを特徴とする、請求項1に記載のモジュール。本発明の目的は、発電モードと冷却モードの両方のため最適化され得る熱電モジュールを提供することである。本目的は、添付の請求項によって、特に、第1の組および第2の組の個々の熱電対が互いに電気接続された導電性材料から作られた2つの脚部を備える事実と、上記モジュールが第1の組の脚部を短絡し、それによって、第2の組の熱電対を形成する手段を備える事実とによって達成される傾向がある。他の利点および特徴は、非限定的な実施例の目的のためだけに記載され、添付図面に表された本発明の特有の実施形態についての以下の説明からより明瞭に理解できることになる。従来技術のモジュールとは異なり、以下に記載された熱電モジュールとこれの実施形態とは、使用される熱電対の個数を変化させることを可能にする電気経路の使用によってペルティエモードおよびゼーベックモードにおけるモジュールの最適動作を可能にする。以下、熱電対は、好ましくは、導電性、かつ、好ましくは、熱伝導性接続要素によって、脚部の一方の端部で互いに電気接続された2つの脚部を備える要素を定義する。全く同一の熱電対の脚部は、好ましくは、2種類の材料、たとえば、Pドープ型材料とNドープ型材料から作られる。半金属Bi、Sbなど、または、SiおよびSiGeのような縮退した半導体を使用することが可能である。使用される材料は、実際には、モジュールの使用環境に依存することになり、その結果、当業者は、熱電モジュールの使用のため適した材料を選択することが可能である。一般的な方法では、たとえば、図2に例示された熱電モジュールのような熱電モジュールは、複数の熱電対を備えることができる。モジュールの第1の入力E1と第1の出力S1とを接続する第1の電気経路は、直列に電気接続された熱電対p1、n1の第1の組を備え、モジュールの第2の入力E2と第2の出力S2とを接続する第2の電気経路は、直列に電気接続された熱電対p2、n2の第2の組を備える。第2の組の熱電対の個数は、第1の組の熱電対の個数より少ない。モジュールの入力群/出力群は、モジュールが用途に応じて電流発生器または蓄熱部に電気接続されることを可能にする2つの端子に対応することができる。脚部、したがって、熱電対の個数の変動は、実際には、モジュールの発電力ゼーベック効果または冷却力ペルティエ効果のいずれかが優先されることを可能にする。換言すると、モジュールのパラメータに応じて、第1の経路は、ペルティエ効果モジュールを形成することが可能であり、第2の経路は、ゼーベック効果モジュールを形成することが可能である。ペルティエ効果と関連付けられた経路は、必ずしもゼーベック経路より長くはなく、結果として、使用された幾何学的性質および材料にすべて依存して、第1の経路がゼーベック効果モジュールを形成し、第2の経路がペルティエ効果モジュールを形成し得ることになる。ゼーベック効果モードでは、目的は、最大電力Qgenを取得することであり、ペルティエ効果モードでは、目的は、最大冷却力Qcoldを取得することである。実施例の目的のため、以下の表Iに定義されたパラメータを考慮してモジュールを特徴付けることが可能である。この表では、熱的パラメータは、ケルビン単位で熱電対の端子での温度高温側Thおよび低温側Tfを定義する。材料のパラメータは、脚部を形成するために使用される材料の特性、ゼーベック係数Sと、熱伝導率λと、電気抵抗率ρと、脚部間に存在する材料の伝導率に対応するマトリックス本実施例では、利用されている材料は、空気であるの熱伝導率λairとを定義する。幾何学的パラメータは、脚部の個数n但し、n/2は、熱電対の個数に等しいと、脚部の高さLと、本例では、1辺の寸法がbである正方形によって定義される脚部の断面Anpと、2つの隣接脚部の間隔dと、脚部が分布するモジュールの表面Ateと、技術的な製造上の問題のための最も外側の脚部をモジュールの端部から分離する脚部端部距離とによってモジュールを定義する。環境に伴う熱交換パラメータは、モジュールの低温側と環境との間の熱交換表面Ahsと、モジュールの高温側と環境との間の伝達率hとを定義し、hは、たとえば、強制対流中の水によって定義され得る。電気的パラメータは、脚部とこの脚部の接続要素との間の電気抵抗に対応する電気接点抵抗Rcと、接点抵抗と脚部の電気抵抗とを含む一連の熱電対の端子で測定されたモジュールの内部抵抗に対応する内部抵抗Rintとを定義する。このようなパラメータを用いると、ゼーベックモードにおける電力と、ペルティエモードにおける冷却力とは、等式の形式で記述できる。後に続く等式は、電気的視点および熱的視点から組み込まれたパラメータと、モジュールが設置されることになる環境に結び付けられたパラメータとを考慮するモデルに基づいている。低温側温度は、温度Tfであるが、この低温側温度は、実際には、温度Tfより高い温度Tcにある熱電対の低温に現実には対応しない。その結果、等式中で考慮されるのは、環境の温度差Th-Tfではなく、モジュールの温度差Th-Tcである。後に続く実施形態の特有の実施例では、使用される熱電材料は、ゲルマニウムナノドットに基づく量子ドット超格子QDSL型のナノ構造材料である。異なる脚部は、空気によって分離され、そのため、λairが存在する。ゼーベックモードにおける電力Qgenは、その結果、等式:によって表現できる。等式1では、Tcは、未知であり、内部抵抗Rintと同様にNに依存し、Nは、熱電対の個数を表すN=n/2。Rintは、等式:によって定義され得る。Tcの表現を見分けるために、熱電モジュールのレベルで入力された電力と低温側から出力された熱との平衡性を表現する等式は、以下の通り、すなわち、と記述されるべきであり、式中、PSeebは、ゼーベック効果を表し、Pcondは、伝導による熱伝達を表し、Pjは、ジュール効果による損失を表し、Phsは、対流による熱伝達を表す。これらの4つの項は、Tcを利用し、等式:の解法をもたらし、式中、ΔTは、ThとTcとの間の温度差を表し、λairは、空気の熱伝導率を表し、Iは、熱電対を流れる電流を表す。この等式4は、TcがパラメータNの関数でもあることを明らかにする。等式1および4は、このように、熱電対の個数NによるQgenの依存性を実証する。表Iにおいて決められた変数によれば、図3は、熱電対の個数Nに対するQgenの変動を示し、ここで、τは、利用できる表面に関する脚部の充填率を表す。図3では、19.4mW.cm-2という最適点Qgen_maxが56,200という熱電対の個数NSeebに対して観察できる。この値NSeebは、等式:を解法することによって解析的に得ることも可能である。テストがペルティエモードに対しても実行された。ペルティエ効果、ジュール効果および熱伝導を考慮すると、パルティエ効果を優先する熱電モジュールの冷却力は、以下の形式:で記述できる。この等式6は、熱電対の個数を表す変数Nと、一連の熱電対を流れる電流Iとをさらに利用し、KNは、によって定義される全熱伝導度を表す。等式6および7の適用により、図4は、熱電対の個数に応じたQcoldの変動を表し、ここで、τは、利用できる表面に関する脚部の充填率を表す。本例では、入力パラメータは、ゼーベックモードとは異なる。このようにして、10mAに等しい入力電流が一連の熱電対の中を流れる。これらの条件下で、ゼーベック効果を優先するモジュールと同数の熱電対を有するモジュールは、図4に示されるように、15.2Wという電力Qcoldを発生することになる。この値は、最適からはほど遠いが、図4は、実際に、熱電対の個数を2倍にする56,200から112,400に変わることによって、同じ条件下で、31W、すなわち、約100の性能の向上を得ることができることを明らかにする。これは、様々な電気経路を提案することによって状況ゼーベックモードまたはペルティエモードにおける動作に適合させられ得る上記モジュールの特有の利点が正当であることを証明する。上記実証は、2つの別個のモジュールに適用できる。2つの経路を1つのモジュールの内部に一体化する問題は、実際上、2つの効果が十分に最適化されるべき場合、ゼーベックモードでの動作のため予約された熱電対NSeedと、ペルティエモードにおける動作のため予約された熱電対の個数Npeltとの加算に対応する熱電対の総数Ntotを考慮しなければならない、ということにある。実際に、第1および第2の経路が電気的に独立である場合、すべての熱電対は、それにもかかわらず、モジュールの高温側と低温側との間の温度勾配が原因で、熱的に活性状態である。このように、上記の定義された等式では、電気的に介在する熱電対と熱的に介在する熱電対との間で区別がなされなければならない。発電ゼーベックモードでは、等式1および4は、このとき、それぞれ、およびになる。同様に、冷却モードでは、等式6および7は、それぞれ、およびになる。最後の4つの等式では、モジュールを最適化するために、電気項NSeebまたはNPeltまたは熱項Ntotのいずれかに対応する熱電対の正当な個数が考慮されなければならないことが明白である。幾何学的性質によれば、上記等式は、このようにして、モジュールが両方の効果のため十分に最適化されることを可能にする。図2および5に例示された第1の実施形態では、モジュールは、2つの別個の電気経路を組み入れる。換言すると、熱電対の第1の組と熱電対の第2の組とは連結されない。第1の経路は、たとえば、ペルティエ効果、すなわち、モジュールの冷却モードでの動作を優先するために最適化されている。この第1の経路は、第1の入力E1および第1の出力S1によって画定され、直列に接続された8個の熱電対、すなわち、好ましくは、8個のペアp1、n1を形成するために異なる材料から交互に形成された16個の脚部を含む。第2の経路は、たとえば、ゼーベック効果、すなわち、電流発生モードでの動作を優先するために最適化されている。この第2の経路は、第2の入力E2および第2の出力S2によって画定され、直列に接続された4個の熱電対、すなわち、4個のペアp2、n2を形成する8個の脚部p2、n2を含む。図2では、第1の入力と第2の入力とは、区別可能であり、第1の出力と第2の出力とは、区別可能である。当然ながら、前述の通り、ペルティエ最適化された経路は、必ずしもゼーベック経路より長くはない。このように、図2では、入力E1および出力S1の選択は、たとえば、冷却モードでのモジュールの使用を決定することになり、入力E2および出力S2の選択は、発電モードでのモジュールの使用を決定することになる。このため、スイッチ型のセレクタが入力/出力E1、E2、S1、S2の一方またはもう一方を接続するためにモジュールの入力および出力に取り付けられ得る。図5は、図2の線A-Aによる断面図を表す。この断面図は、好ましくは、たとえば、低温蓄熱部を形成する下端支持部7と、たとえば、高温蓄熱部を形成する上端支持部8との間で、コネクタ4aによって直列に接続されている3個の熱電対1a、1b、1cを含む。個々の熱電対は、好ましくは、脚部の端部と上端支持部8との間に位置している接続要素3によって互いに接続されている第1の脚部2aと第2の脚部2bとを備える。図5の例示的実施形態では、コネクタ4aは、下端支持部7に形成され、好ましくは、関連付けられた脚部と下端支持部7との間に設置される。第1の熱電対1aの第1の脚部2aは、入力E1としての役割を果たすコネクタ4bに接続され得る。図5の右端に位置する脚部は、後に続く熱電対の第1の脚部を構成する。図に表されていない代替的な実施形態によれば、図2の入力E1およびE2の高さにある脚部p1およびp2は、下端支持部の高さでこれらの入力の土台に電気接続される。モジュールは、このようにして、2つの経路に共通した単一の入力と、2個の別個の出力とを備える。出力S1、S2の簡単な選択は、その結果、たとえば、2状態スイッチを使用することにより、動作モードが選択されることを可能にする。同じ原理によれば、モジュールが単一の出力と2個の別個の入力とを備えることも可能である。表Iの値を適用することにより、等式8から11までで行われる計算は、3134個の最適化されたゼーベック熱電対と、3899個の最適化されたペルティエ熱電対とに対する、すなわち、モジュール内に存在する合計7033個の熱電対に対するモジュールの最適化を明らかにする。発電モードでは、モジュールは、3.4mW/cm2という電力密度Qgenを提供し、冷却モードでは、0.03mWという熱電力Qcoldを提供することになる。このようなモジュールは、2つの機能が同じモジュール内で最適化されることを可能にする。2つの別個の電気経路を具備した第1の実施形態によるモジュールの製造方法は、ベース基材に導電性膜を堆積し、続いて、ゼーベック型のコネクタおよびペルティエ型のコネクタの輪郭を定めるためにベース基材をパターニングするステップを含むことができる。熱電材料の積層は、その後、ゼーベックコネクタおよびペルティエコネクタの上に堆積させられる。パターンは、ゼーベック最適化された熱電対およびペルティエ最適化された熱電対と関連付けられることになる異なる脚部の輪郭を定めるために熱電積層の上に形成される。このパターンは、その後、基材まで、または、ゼーベック/ペルティエコネクタまでエッチダウンされる。異なる脚部は、その後、電気的絶縁層に浸漬させることができ、この電気的絶縁層は、その後、脚部の自由端を同一平面のままにしておくために平坦化される。脚部が形成された後、脚部は、経路毎に交互になる第1の型および第2の型好ましくは、P型およびN型のドーピングを取得するためにドープされ得る。第2の導電性膜は、その後、電気的絶縁層および脚部の開放端の上の積層に堆積させられ、その後、同じ熱電対の脚部の輪郭が定められることを可能にする上端パターンを用いて絶縁層までエッチダウンされる。この上端パターンは、2つの異なる形状、すなわち、ゼーベック最適化された経路のための接続要素を形成するため設計された1つの形状と、ペルティエ最適化された経路のための接続要素を形成するため設計された別の形状とを備える。図6から9に例示された第2の実施形態では、第1の組および第2の組は、共通に熱電対要素を有している。換言すると、第2の電気経路は、第1の電気経路の要素から第1の電気経路に形成される。実際には、これらの熱電対要素は、脚部、接続要素、または、コネクタとすることができる。第1の組および第2の組の個々の熱電対は、このようにして、互いに電気接続された導電性材料から作られた2つの脚部を備え、上記モジュールは、第1の集合の脚部を短絡し、それによって、熱電対の第2の組を形成する手段9a、9b、9c、9dを備える。図6は、第1の電気経路を画定する一連の熱電対を形成する、すなわち、例示的実施形態では、ペルティエ最適化されたモジュールを形成する14個の熱電対p1、n1を備える熱電モジュールを平面図で例示する。図6では、一連の熱電対p1、n1は、これらの熱電対の端部の1つの高さで直列に互いに接続された複数行によって形成されている。図6のモジュール型式のモジュールの行による断面図が図7に例示される。この図7では、短絡手段は、たとえば、モジュールの第1の状態において第1の経路の熱電対からある距離をおいて保持されている導電性要素9a、9b、9c、9dによって形成される。図7では、このモジュールは、たとえば、ペルティエ最適化され、すなわち、熱電対すべてが活性状態である。特に、この実施例の場合、行は、6個の熱電対1a、1b、1c、1d、1e、1fを備え、各熱電対は、好ましくは、脚部2a、2bの端部と、たとえば、高温蓄熱部を形成する上端支持部8との間に位置している接続要素3によって互いに接続された第1の脚部2aと第2の脚部2bとを備える。図7の例示的実施形態では、コネクタ4aは、6個の熱電対1a、1b、1c、1d、1e、1fを直列に接続するために、たとえば、低温蓄熱部を形成する下端支持部7に形成されている。これらのコネクタ4aは、好ましくは、関連付けられた脚部と下端支持部7との間に嵌め込まれている。第1の熱電対1aの第1の脚部2aは、そのとき、入力E1としての役割を果たすコネクタ4bに接続され得る。ゼーベック効果に対してモジュールを最適化するために、穴部が特定の場所で下端支持部7および上端支持部8に穿孔され、モジュールの第2の状態において新しい熱電対を形成するように熱電対のある一定の脚部を短絡するために設計された導電性要素9a、9b、9c、9dの通過を可能にする。換言すると、導電性要素は、第1の経路内に第2の経路を形成するために、モジュールの第2の状態において第1の経路の熱電対の脚部と電気的接触している。本実施形態では、第1の入力および第2の入力は、好ましくは、共通であり、第1の出力および第2の出力は、好ましくは、共通である。図7では、穴部は、上端支持部8の高さで、第1の熱電対1aの第2の脚部と第2の熱電対1bの第1の脚部との間に、そして、第4の熱電対1dの第2の脚部と第5の熱電対1eの第1の脚部との間に形成されている。これらの穴部は、2つの隣接する熱電対の接続要素を互いに直接的に接続するため導電性要素9a、9bを通過させるために形成されている。さらに下端支持部7は、第3の熱電対1cの第1の脚部と第3の熱電対1cの第2の脚部との間に、そして、第6の熱電対1fの第1の脚部と第6の熱電対1fの第2の脚部との間に形成された穴部を備える。これらの下端穴部は、同じ熱電対のコネクタ4aを直接的に接続するため導電性要素9c、9dを通過させるために形成されている。この特有の実施例は、当然ながら、当業者がモジュールの目的に応じて変更することができる実施形態に過ぎない。図8は、導電性要素9a、9b、9c、9dが、たとえば、ゼーベック最適化されたモジュールを形成するために短絡位置にある点だけが相違している図7のモジュールの同じ断面図を例示する。したがって、行は、実施例では、ゼーベック熱電対と称される2個の活性熱電対1’aおよび1’bだけを備える。図8の第1のゼーベック熱電対1’aは、ペルティエ最適化された行の第1の熱電対1aの第1の脚部と、ペルティエ最適化された行の第2の熱電対1bの第2の脚部とによって形成されている。これらの2つの脚部は、このとき、ペルティエ最適化された行の第1の熱電対1aの接続部と、第1の導電性要素9aと、ペルティエ最適化された行の第2の熱電対1bの接続要素とによって互いに電気接続されている。図8の第2のゼーベック熱電対1’bは、ペルティエ最適化された行の第4の熱電対1dの第1の脚部と、ペルティエ最適化された行の第5の熱電対1eの第2の脚部とによって形成されている。これらの2つの脚部は、ペルティエ最適化された行の第4の熱電対1dの接続要素と、上端支持部8の高さの第2の導電性要素9bと、ペルティエ最適化された行の第5の熱電対1eの接続要素とによって互いに電気接続されている。2個のゼーベック熱電対1’aおよび1’bは、下端支持部7の高さで第3の導電性要素9cによって電気接続された2個の隣接するコネクタ4aによって直列に接続され、図8では、この直列接続部は、ペルティエ最適化された行の第3の熱電対1cの短絡によって形成される。ペルティエ最適化された行の第6の熱電対1fは、新しいゼーベック最適化された行を終端するために下端支持部7の高さで第4の導電性要素9dによって不活性状態にされる。図8では、不活性状態になった図7の異なる要素は、破線によって表されている。換言すると、図6において見ることができるモジュールは、ゼーベックモードでは、図9のモジュールに類似し、14個の初期熱電対ではなく、6個の活性熱電対p2、n2だけを備え、不活性脚部p1およびn1は、破線によって表されている。図7および8の特有の実施例では、短絡動作の手段は、上端および下端のそれぞれの第1の可動プレート10aおよび第2の可動プレート10bを備える。個々のプレートは、プレート10a、10bがモジュールに向かって動かされたとき、導電性要素9a、9b、9c、9dが現れ、新しい熱電対を形成するためにある一定の熱電対を短絡し得るように配置された導電性要素を具備している。第1のプレート10aおよび第2のプレート10bは、それぞれ、上端支持部8および下端支持部7と実質的に平行になることが可能であり、第1のプレート10aおよび第2のプレート10bにそれぞれ関連付けられた導電性要素は、下端支持部7および上端支持部8に穿孔された関連付けられた穴部に対向するように第1のプレートおよび第2のプレートに配置されている。換言すると、導電性要素は、熱電対のそれぞれの側に、好ましくは、熱電対の脚部と垂直に配置された第1の可動プレート10aおよび第2の可動プレート10bによって支持されている。第1のプレート10aおよび第2のプレート10bは、微小電子機械システムMEMSを使用することにより動かされ得る。これらのプレートは、たとえば、刺激が印加されたときに移動する能力がある膜によって形成され得る。ある一定の熱電対の短絡は、互いにさらに遠く離れた新たな熱電対が第1の経路の異なる熱電対の脚部を使用して形成されることを可能にする。実施例の目的のため、短絡手段は、ペルティエ最適化されたモードからゼーベック最適化されたモードに切り替わるとき、モジュールの活性熱電対の個数を半分に分割することができる。第2の実施形態は、効率が改善され、寄生効果が低減されることを可能にする。このようにして、総数56,200個の熱電対に対するモジュールは、すべての熱電対を使用するペルティエモードにおいて冷却力15.2Wを供給し、個数28,100個の熱電対に対するゼーベックモードにおいて電力9.7mW.cm-2を供給する。これらの2つのモードと関連付けられた性能は、優秀であり、ペルティエ最適化だけが行われ、発電モードでは増加した電力密度を提供するモジュールへの冷却中に等価的な性能が得られることを可能にする。第2の実施形態によるモジュールの製造方法は、図10に例示されるように、第1の電気的絶縁層D1と、第1の導電性層M1と、第2の電気的絶縁層D2と、第2の導電性層M2と、熱電材料の層TEと、下端犠牲層Sbと、中央犠牲層Scと、上端犠牲層Shとの支持基材101への連続的な堆積を備える。このようにして達成された積層は、熱電モジュールの下端部分を形成するために使用されることになる。第1に、パターンがエッジの輪郭を定めるために積層に形成される。図11は、8個の脚部103からなる3行の輪郭を定めるために設計されたパターン102が形成されるスタックの平面図を例示する。この積層は、その後、図11の線C-Cによる断面図である図12の場合のように、第2の導電性層M2までパターン102に応じてエッチングされる。図11および12の特有の実施例では、各行は、好ましくは、ペルティエ効果を最適化するために直列に接続された4個の熱電対1a、1b、1c、1dを備えることになる。好ましくは、同じ行の2個の隣接する脚部は、異なる材料、たとえば、交番するpドープ型脚部およびnドープ型脚部から作られる。熱電材料は、たとえば、パターン102に応じたエッチングステップの直後に、イオン注入によってドープされ得る。図11では、行間スペースは、実際には2つの隣接する行の2個の対向する脚部の間の最小距離に対応する距離CD0によって画定される。図11および12では、左から右に、個々の行の高さで、第1の熱電対1aは、距離CD3によって分離された2つの脚部を備え、その後、第1の熱電対1aは、距離CD1によって第2の熱電対1bから分離され、第2の熱電対1bは、距離CD3によって分離された2つの脚部を備え、第2の熱電対1bは、距離CD2によって第3の熱電対1cから分離され、第3の熱電対1cは、距離CD4によって分離された2つの脚部を備え、第3の熱電対1cは、距離CD2によって第4の熱電対1dから分離され、その結果、行が4個以上の熱電対を備える場合、サイクルが繰り返され、図中、第4の熱電対は、距離CD3によって分離された2つの脚部を備える。製造が実行されるときに自己整合を実現し易くするために、CD0>CD4>CD3>CD2>CD1となり、すなわち、一連の広い距離と狭い距離とが存在する。当然ながら、以下のモジュールは、全く同じ行の2個の隣接する脚部の間でどのような距離を用いても達成することが可能であり、すなわち、自己整合を実現し易くしないが、従来のフォトリソグラフィステップおよびエッチングステップを使用できることを意味する。パターン102に応じたエッチング後、上記定義された距離の1つずつは、異なる脚部および行を分離する空乏スペースの輪郭を定める。第2の導電性層M2までエッチングした後、横寸法CD0の2つの行間のスペースが犠牲行間材料104によって充填される。この行間材料は、CD0によって画定された2つの行間のスペースを充填するために形成されている。行間材料は、このようにして、互いに対向する2つの行の脚部の側方壁部の高さで2つの隣接する行のすべての脚部と接触した棒状部を形成する。換言すると、行間材料104の堆積後、行間材料によって覆われた2つの対向する側壁部と、2つの他の空いている側壁部とが脚部毎に得られる。2段階で、行間スペースを充填することが可能であり、第1のステップでは、材料の等角堆積は、開放した状態を維持する行間スペースを除いて、すべてのスペースを充填する。エッチングは、その後、行間の高さだけで等角堆積材料を除去し、その後、第2のステップでは、行間材料が堆積させられる。この等角堆積を使用する方法は、CD0が距離CD1、CD2、CD3、CD4より大きくされることを必要とする。別の方法は、行間材料を直接的に堆積させることと、その後、行間スペースの高さだけで材料を残すためにエッチングが後に続けられるフォトリソグラフィによって行間材料を選択的に除去することとを含む。図13では、行間材料の局在化の後、2個の隣接する熱電対1a、1b、1c、1dの間のスペースは、第1の犠牲材料S1によって充填される。換言すると、空乏領域/脚部/充填領域/脚部の循環が得られる。特有の自己整合の場合、図12の距離CD1およびCD2によって画定されたスペースは、第1の犠牲材料S1によって充填される。この充填は、同じ熱電対の2つの脚部を分離する距離が2個の隣接する熱電対を分離する距離より大きい場合CD3およびCD4がCD1およびCD2より大きい場合、等角堆積と、後に続くエッチングとによって選択的に実行され得る。そうではない場合、距離CD1およびCD2によって画定されたスペースだけを充填するために、堆積と、後に続く、フォトリソグラフィおよびエッチングステップとを実行することも可能である。その後、開放領域ではすなわち、CD3およびCD4によって画定されたスペースの高さで、第2の導電性層M2は、第2の絶縁層D2が同一平面上になるまで、好ましくは、図13の場合のように第2の導電性層M2の側方エッチングを可能にする等方性エッチングを用いてエッチングされる。これは、異なるコネクタ4aが成形されることを可能にする。第2の導電性層M2がエッチングされた後、熱電対1a、1b、1dの脚部の間のスペースは、第2の犠牲材料S2によって充填される。換言すると、図13では、2つの脚部の間には、開放している1つのスペースだけが存在し、このスペースは、距離CD4によって画定されるスペースである。第2の犠牲材料S2は、等角堆積と、後に続くエッチングとによって局在化することが可能であり、距離CD3は、そのとき、CD4によって画定されたスペースを残すために距離CD4より小さくされる。当然ながら、CD4だけを開放状態で残すために、第2の犠牲材料S2の堆積と、後に続くフォトリソグラフィおよびエッチングステップとを実行することも可能である。第2の犠牲材料S2の堆積後、第2の絶縁層D2が第1の導電性層M1まで異方性方法でエッチングされる図13。図14では、第2の絶縁層D2のエッチングに続いて、第3の熱電対1cの脚部間のスペース、すなわち、距離CD4によって画定された既存の空乏領域は、第3の犠牲材料S3によって充填される。第2の犠牲材料S2は、その後、距離CD3によって画定されたスペースの高さで、すなわち、熱電対1aの2つの脚部の間と、熱電対1bの2つの脚部の間と、熱電対1dの2つの脚部の間とでアクセス可能である第2の絶縁層D2を作成するために選択的に除去される。この時点で、第2の絶縁層D2は、第1の導電性層M1まで選択的に除去される。第1の導電性層M1は、このようにして、距離CD3によって画定されたスペースを介してアクセス可能である。この導電性層M1は、その後、CD4によって画定された個々のスペースの高さに、突出部品の形で、導電性要素109aの輪郭が定められるまで、等方性エッチングによってエッチングされる。導電性要素109aの形成後、各行の高さで、行間材料を除いて、すなわち、材料S1およびS3を残して、すべての犠牲材料が取り除かれ、空乏領域は、その後、図15に例示されるように、第4の犠牲材料S4によって充填される。当然ながら、犠牲材料S1およびS3を同じ場所に残し、第4の材料S4でスペースを充填することが可能である。第4の犠牲材料S4の堆積は、構造体が残りの上端犠牲層Shと同一平面になるまで、構造体の平準化を後に続けることができる。第4の犠牲材料S4は、上端犠牲層Shと同一平面であり、下端犠牲層Sbの高さの下で終端する連続膜を形成するために、少なくとも異なる脚部の間のスペースを充填するように堆積させられることも可能である。モジュールの下端部分は、この時点で完成し、上端部分の接続部は、まだ設けられていない。図16は、下端部分を形成し、中央犠牲層Scの側方表面に達するためにすべての行の高さで行間材料を除去した後の図11の線B-Bによる断面図を例示する。図17は、たとえば、各脚部の高さでの等方性エッチングによる中央犠牲層Scの部分選択エッチングの後に得られ、第3の導電性材料の層M3が部分選択エッチングによって作られた空乏を充填するために堆積させられている結果を例示する。2つの埋め込まれた電気接続パターンは、その後、個々の脚部の高さで2つの対向する面に得られる。行間スペースは、その後、再び、前に堆積させられた材料と同じ材料とすることができる行間材料によって充填され、第4の犠牲材料S4は、図18図11の線C-Cによる断面図に例示されるように、下端犠牲層Sbの下端部分の高さまで個々の脚部の間で選択的に除去され、その結果、下端犠牲層Sbの側方表面を剥離する。第4の犠牲材料S4の部分除去後、第5の犠牲材料S5が距離CD1およびCD2の高さに、すなわち、図18では、第1の熱電対1aと第2の熱電対1bとの間、第2の熱電対1bと第3の熱電対1cとの間、および、第3の熱電対1cと第4の熱電対1dとの間に画定されたスペースだけを充填するために堆積させられる。これは、前述のように、堆積と、その後に続くフォトリソグラフィおよびエッチングとによって、または、等角堆積と、その後に続くエッチングとによって達成され得るCD3およびCD4は、CD1およびCD2より大きい。第5の犠牲材料S5の堆積後、下端犠牲層Sbは、等方性方法で部分的にエッチングされ、第5の犠牲材料S5は、その後、中央犠牲層の下端部分まで、すなわち、図19に例示されるように層M3の下端部分まで除去される。第4の導電性層M4は、その後、堆積させられ、この堆積の後に、行間材料と同一平面になるまで平準化され、続いて、中央犠牲層Scの上端部分まで第4の導電性層M4が除去され、図20の断面図によれば、これは、第3の導電性層M3の上端部分に対応する。この時点では、熱電対1a、1b、1c、1dの接続要素105は、距離CD3およびCD4によって画定されたスペースの高さに形成されている。その後図21、開放されたままのスペースは、距離CD1によって、すなわち、第1の熱電対1aと第2の熱電対1bとの間に画定されたスペースを除いて、第6の犠牲材料S6によって充填され、その結果、このレベルでの導電性要素の形成を可能にする。図21の拡大図である図22では、スペースCD1の高さで、第6の犠牲材料S6の堆積後、第4の導電性層M4は、個々の棒状部が2つの別個の隣接する脚部の高さで、スペースCD1の高さの導電性層M3の反対側部と接触した、互いに実質的に平行である2つの棒状部b1、b2を形成するために第5の犠牲層S5まで選択的にエッチングされ得る。積層は、その後、第6の犠牲材料S6および上端犠牲層Shを部分的に除去し、しかし、行間材料104の内部高さを保つことにより平準化される図23。上端犠牲層Shの部分除去の厚さと実質的に等しい厚さの第7の犠牲層S7がその後に堆積させられる。その後、図23に例示されるように、第5の導電性層M5がCD1によって画定されたスペースの高さで導電性要素109bの輪郭を局所的に定めるために堆積させられる。膜がその後に積層の上に形成され、このようにして層M5によって形成された要素109bは、膜に固定されている。最後に、下端犠牲層Sb、中央犠牲層Sc、および上端犠牲層Shと、犠牲材料S4、S5、S6とは、直列に接続された4個の熱電対1a、1b、1c、1dによって形成された図24によるモジュールを得るために除去される。さらに、残りの金属層M4は、第2の熱電対1bと第3の熱電対1cとの短絡、および、第3の熱電対1cと第4の熱電対1dとの短絡を防ぐために、CD2によって画定されたスペースの高さで選択的に除去される。図24では、第1の導電性要素109bは、第1の熱電対1aの第2の脚部を第2の熱電対1bの第1の脚部と電気的接触させるために移動するように設計され、第2の導電性要素109aは、第3の熱電対1cの第1の脚部を第3の熱電対1cの第2の脚部と電気接触させるために、すなわち、熱電対1cを短絡するために移動するように設計されている。"