基板の第1の領域上の第1の回路デバイスの第1のチャンネルとして適した第1の層を形成する段階と、前記基板の異なる第2の領域上の第2の回路デバイスの第2のチャンネルとして適した第2の層を形成する段階とを備え、前記基板の第1の界面を決定する前記第1の層は、基板材料の基板の格子面間隔とは異なる第1の格子面間隔を有する第1の材料を含み、前記第2の層は、第1の格子面間隔とは異なり、および、前記基板の第2の界面を決定する前記基板材料の基板の格子面間隔と異なる第2の格子面間隔を有する異なる第2の材料を含む方法。前記第1の格子面間隔と前記基板の格子面間隔との差が前記第1の材料中の引っ張り歪を決定し、前記第2の格子面間隔と前記基板の格子面間隔との差が前記第2の材料中の圧縮歪を決定する請求項1に記載の方法。前記基板は、傾斜シリコン合金材料を含み、前記第1の層を形成する段階が、前記第1の層中で2軸方向の引っ張り歪を引き起こす、十分な厚さのシリコン材料を蒸着する段階を含み、前記第2の層を形成する段階が、前記第2の層中で2軸方向のコヒーレントな圧縮歪を引き起こす合金の割合を有する、十分な厚さのシリコン合金材料を蒸着する段階を含む請求項1に記載の方法。前記基板材料が、前記第1の層中で2軸方向の引っ張り歪、および、前記第2の層中で2軸方向のコヒーレントな圧縮歪を引き起こすのに十分な厚さ、および前記第1および第2の領域における最終的な合金の割合への十分な合金の割合の増加を有する傾斜シリコン合金材料である請求項1に記載の方法。前記基板材料がSi1-XGeXを含み、前記第1の材料がシリコンを含み、前記第2の材料がSi1-YGeYを含み、X<Yである請求項1に記載の方法。Xが0.1と0.3との間であり、Yが0.2と0.6との間である請求項5に記載の方法。シリコン合金材料の傾斜緩和層を形成するシリコン合金材料の十分な化学気相蒸着によって前記基板材料を形成する段階をさらに備える請求項1に記載の方法。前記シリコン合金材料の傾斜緩和層を形成する段階が、5標準リットル毎分slmと50slmとの間の水素環境のフローH2中で、500°Cと1000°Cとの間の温度まで前記基板を加熱する段階と、10Torrと200Torrとの間の圧力に前記基板を与圧する段階と、50標準立方センチメートル毎分sccmと500sccmとの間の流量でシリコン前駆体を流入する段階と、前記基板の前記第1の界面の表面と前記第2の界面の表面に、10パーセントと35パーセントとの間のGeの割合を有することを引き起こすのに十分な量まで、Ge前駆体の流量を0sccmから最終的な量まで増加する段階とを含む傾斜緩和SiGeの化学気相蒸着CVDエピタキシャル成長をする段階を有する請求項7に記載の方法。前記シリコン前駆体を流入する段階が、シランSiH4、ジシランSi2H6、およびジクロロシランSiH2Cl2のうちの1つを流入させて、純粋なSiの100オングストロームと1000オングストロームとの間の厚さを有する基板ベース材料を蒸着する段階を含む請求項8に記載の方法。前記Ge前駆体の流量を増加する段階が、ゲルマンGeH4の流量を、0sccmから、前記基板の前記第1の界面の表面および前記第2の界面の表面がGeの前記割合を有することとなる最終的な量まで増加する段階を含む請求項8に記載の方法。前記傾斜緩和SiGeを形成する段階が、SiGeの化学気相蒸着CVDエピタキシャル成長の間に、50sccmと100sccmとの間のHClを流入する段階を含む請求項7に記載の方法。前記第1の層を形成する段階が、前記第1の領域上にシリコン材料のエピタキシャル層を形成するシリコン材料の十分な選択化学気相蒸着を含む請求項1に記載の方法。前記シリコン材料のエピタキシャル層を形成する段階が、5標準リットル毎分slmと50slmとの間の水素環境のフローH2中で、600°Cと900°Cとの間の温度まで前記基板を加熱する段階と、10Torrと200Toorとの間の圧力まで前記基板を与圧する段階と、50標準立方センチメートル毎分sccmと500sccmとの間の流量でシリコン前駆体を流入する段階とを含む引っ張り歪Siの選択化学気相蒸着CVDエピタキシャル成長する段階を有する請求項12に記載の方法。前記シリコン前駆体を流入する段階が、ジクロロシランSiH2Cl2を流入させて、純粋なSiの100オングストロームと1000オングストロームとの間の厚さを有するシリコン材料を蒸着する段階を含む請求項13に記載の方法。前記シリコン材料のエピタキシャル層を形成する段階が、引っ張り歪Siの化学気相蒸着CVDエピタキシャル成長の間に、50sccmと500sccmとの間のHClを流入する段階を含む請求項12に記載の方法。前記第2の層を形成する段階が、前記第2の領域上にシリコン合金材料のエピタキシャル層を形成するシリコン合金材料の十分な選択化学気相蒸着を含む請求項1に記載の方法。前記シリコン合金材料のエピタキシャル層を形成する段階が、5標準リットル毎分slmと50slmとの間の水素環境のフローH2中で、500°Cと800°Cとの間の温度まで前記基板を加熱する段階と、10Torrと200Toorとの間の圧力まで前記基板を与圧する段階と、50標準立方センチメートル毎分sccmと500sccmとの間の流量でシリコン前駆体を流入する段階と、20パーセントと50パーセントとの間のGeの割合を有する前記第2の層とすべく、最大100標準立方センチメートル毎分sccmの流量でGe前駆体を流入する段階を含む圧縮歪SiGeの選択化学気相蒸着CVDエピタキシャル成長する段階を有する請求項16に記載の方法。前記シリコン前駆体を流入する段階が、ジクロロシランSiH2Cl2を流入させて、SiGeの100オングストロームと1000オングストロームとの間の厚さを有するSiGe材料を蒸着する段階を含む請求項17に記載の方法。前記Ge前駆体を流入する段階が、SiGe材料の100オングストロームと1000オングストロームとの間の厚さを有する前記第2の層とすべくGeH4を流入させる段階を含む請求項17に記載の方法。前記シリコン合金材料のエピタキシャル層を形成する段階が、圧縮歪SiGeの化学気相蒸着CVDエピタキシャル成長中に、50sccmと500sccmとの間のHClを流入する段階を含む請求項16に記載の方法。前記第1の層の形成に先立って、前記傾斜SiGe材料の基板を形成する段階と、前記第1の層の形成に先立って、前記第1の領域と前記第2の領域との間に電気的に絶縁な材料を形成する段階をさらに備える請求項1に記載の方法。電気的に正に帯電したp型井戸領域を形成する、ホウ素およびアルミニウムのうちの1つを前記第1の領域における前記基板材料にドープする段階と、電気的に負に帯電したn型井戸領域を形成するリン、ヒ素、およびアンチモンのうちの1つを前記第2の領域における前記基板材料にドープする段階とをさらに備える請求項21に記載の方法。前記第1の層の形成に先立って前記基板の異なる前記第2の領域を覆う第1の誘電体層を形成する段階と、異なる前記第2の層の形成に先立って前記第1の層を覆う第2の誘電体層を形成する段階と、前記第1の層および異なる前記第2の層を覆う第3の誘電体層を形成する段階とをさらに備え、前記第3の誘電体層は、二酸化シリコンSiO2、酸化ハフニウムHfO、ケイ酸ハフニウムHfSiO4、二ケイ酸ハフニウムHfSi4O7、酸化ジルコニウムZrO、ケイ酸ジルコニウムZrSiO4、酸化タンタルTa2O5の内の1つの原子層成長法によって形成される請求項22に記載の方法。電気的に正に帯電したp型チャンネル領域を形成するホウ素およびアルミニウムのうちの1つを前記第1の層にドープする段階と、電気的に負に帯電したn型チャンネル領域を形成するリン、ヒ素、およびアンチモンのうちの1つを前記第2の層にドープする段階と、前記第1の層を覆う前記第3の誘電体層の表面上にn型ゲート電極を形成する段階と、前記n型ゲート電極に隣接した前記第1の層中にn型の第1の接合領域およびn型の第2の接合領域を形成する段階と、前記第2の層を覆う前記第3の誘電体層の表面上にp型ゲート電極を形成する段階と、前記p型ゲート電極に隣接した前記第2の層中にp型の第1の接合領域およびp型の第2の接合領域を形成する段階とをさらに備える請求項23に記載の方法。前記基板材料が、バルク基板上に第1の厚さのSiGe材料を成長する段階と、絶縁材料を含む基板上に、緩和した最上層の厚さの前記SiGe材料を移す段階とによって形成される段階をさらに備える請求項1に記載の方法。傾斜緩和シリコンゲルマニウム材料の基板の第1の界面の表面を決定する、Si1-XGeX材料の第1の領域上の第1の回路デバイス用の第1のチャンネルとして適したシリコン材料の層を備え、前記シリコン材料の層は、前記第1の界面における前記Si1-XGeX材料の格子面間隔よりも小さい格子面間隔のシリコン材料によって引き起こされる引っ張り歪を受けている装置。傾斜緩和シリコンゲルマニウム材料の基板の第2の界面の表面を決定する、Si1-XGeX材料の第2の領域上の第2の回路デバイス用の第2のチャンネルとして適したSi1-YGeY材料の層を備え、前記Si1-YGeY材料の層は、前記第2の界面における前記Si1-XGeX材料の格子面間隔よりも大きい格子面間隔の前記Si1-YGeY材料によって引き起こされる圧縮歪を受けている請求項26に記載の装置。前記シリコン材料の層が、厚さにおいて10ナノメータと20ナノメータとの間の厚さを有するシリコン材料のエピタキシャル層であり、前記Si1-YGeY材料の層が、厚さにおいて10ナノメータと20ナノメータとの間の厚さを有するSi1-YGeY材料のエピタキシャル層である請求項27に記載の装置。傾斜緩和シリコンゲルマニウム材料の基板の第2の界面の表面を決定するSi1-XGeX材料の第2の領域上の第2の回路デバイス用の第2のチャンネルとして適切なSi1-YGeY材料の層を備え、前記Si1-YGeY材料の層は、前記第2の界面における前記Si1-XGeX材料の格子面間隔よりも大きい格子面間隔の前記Si1-YGeY材料によって引き起こされる圧縮歪を受けている装置。Xが0.2であり、Yが0.5である請求項29に記載の装置。傾斜緩和シリコンゲルマニウム材料が、厚さにおいて1マイクロメータと3マイクロメータとの間の厚さの1つと、第1および第2の界面において0パーセントから10パーセントと30パーセントとの間まで増加するゲルマニウムの傾斜した濃度と、深さ方向において1マイクロメータあたり5パーセントGeと15パーセントGeとの間で増加する傾斜濃度の割合とを有する請求項29に記載の装置。