成長炉内に、原料からSiC種結晶基板上にSiC単結晶を成長させるための種結晶、該種結晶を支え且つ種結晶から熱を外部に伝達するための支持軸、原料を収容する坩堝および坩堝からの放熱を防ぐための断熱材、および炉外に設けた複数のエネルギーを放出可能なエネルギー放出体から出力されたエネルギーによって発熱して成長炉内を加熱するために断熱材の内側に発熱部材が設けられているSiC単結晶製造装置。成長炉内に、溶液法により原料溶液からSiC種結晶基板上にSiC単結晶を成長させるための種結晶、該種結晶を支え且つ種結晶から熱を外部に伝達するための支持軸、原料溶液を収容する坩堝および坩堝からの放熱を防ぐための断熱材、および炉外に設けた複数のエネルギーを放出可能なエネルギー放出体から出力されたエネルギーによって発熱して成長炉内を加熱するために断熱材の内側に発熱部材が設けられている請求項1に記載のSiC単結晶製造装置。前記成長炉が坩堝の少なくとも上方に空間を有し、前記発熱部材が前記断熱材の内側における坩堝および空間を包囲する面全体に設けられてなる請求項1又は2に記載のSiC単結晶製造装置。前記発熱部材が、黒鉛製である請求項1~3のいずれか1項に記載のSiC単結晶製造装置。前記エネルギー放出体が、高周波コイルである請求項1~4のいずれか1項に記載のSiC単結晶製造装置。しかし、これらの公知の単結晶製造装置においては、成長炉内を直接加熱するために高周波加熱コイルが備えられており、これらの技術をSiC単結晶の製造装置、特に溶液法によるSiC単結晶の製造装置に適用したのでは、溶液中の温度が不均一になることが避けられず部分的な過冷による多結晶の生成を防止乃至は抑制することが困難である。従って、本発明の目的は、成長炉内を均熱化することが可能で種結晶近傍でのSiC多結晶の発生を抑制し得るSiC単結晶の製造装置、特に溶液法によるSiC単結晶製造装置を提供することである。本発明は、成長炉内に、原料からSiC種結晶基板上にSiC単結晶を成長させるための種結晶、該種結晶を支え且つ種結晶から熱を外部に伝達するための支持軸、原料を収容する坩堝および坩堝からの放熱を防ぐための断熱材、および炉外に設けた複数の異なるエネルギーを放出可能なエネルギー放出体から出力されたエネルギーによって発熱して成長炉内を加熱するために断熱材の内側に発熱部材が設けられているSiC単結晶製造装置に関する。本発明によれば、成長炉内を均熱化することが可能であり種結晶近傍でのSiC多結晶の発生を抑制し得る、例えば溶液法によるSiC単結晶製造装置を得ることができる。特に、本発明において、以下の実施態様を挙げることができる。1前記成長炉が坩堝の少なくとも上方に空間を有し、前記発熱部材が前記断熱材の内側における坩堝および空間を包囲する面全体に設けられてなる前記SiC単結晶製造装置。2前記発熱部材が、黒鉛製である前記SiC単結晶製造装置。3前記エネルギー放出体が、高周波コイルである前記SiC単結晶製造装置。以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳説する。図1において、本発明の実施態様のSiC単結晶成長装置1は、成長炉2内に溶液法により原料溶液3からSiC種結晶基板上にSiC単結晶を成長させるための種結晶4、該種結晶を支え且つ種結晶から熱を外部に伝達するための支持軸5、原料溶液を収容する坩堝6および坩堝6からの放熱を防ぐための断熱材7、および炉外に設けた複数の異なるエネルギーを放出可能なエネルギー放出体8から出力されたエネルギーによって発熱して成長炉2内を加熱するために断熱材7の内側に発熱部材9が設けられている。本発明の実施態様のSiC単結晶成長装置によれば、エネルギー放出体から出力されたエネルギーを受ける発熱部材による間接的な加熱構造を有することにより、図4に示すようにそれぞれ各位置の温度を熱電対の位置を変えて測定して得られた、溶液がない場合の坩堝内の深さ方向鉛直方向の温度差ΔTが1.90°C/cmで溶液面方向水平方向の温度差ΔTが1.22°C/cmであり得て、図6に示すように、溶液がある場合の深さ方向鉛直方向の温度差が坩堝内の溶液内および溶液上の空間の合計でも10°C程度以内であって、ほとんどなくほぼ均一な温度分布を得ることが可能となる。これにより、本発明の実施態様の溶液法SiC単結晶製造装置によれば、図8に示すように、種結晶近傍に多結晶が付着していないか極めて少ない。これに対して、従来のSiC単結晶成長装置10は、図2に示すように成長炉2内に、溶液法により原料溶液3からSiC種結晶基板上にSiC単結晶を成長させるための種結晶4、該種結晶を支え且つ種結晶から熱を外部に伝達するための支持軸5、原料溶液3を収容する坩堝6および坩堝6からの放熱を防ぐための断熱材7、場合により坩堝の一部を覆いエネルギー放出体により発熱するための断熱材7の外側に発熱部材図示せず、および炉外に成長炉内を加熱するためのエネルギー放出体8を備えている。このため、従来の溶液法SiC単結晶製造装置によれば、たとえ坩堝の一部を覆いエネルギー放出体により発熱する発熱部材を有していても上面と下面との間で熱逃げが生じ、大きな温度分布温度勾配の発生が避けられず、図6に示すように、坩堝内の溶液内および溶液上の空間に深さ方向鉛直方向に、例えば約200°Cという大きな温度差が生じ得る。また、同様に坩堝内の溶液内炭素C濃度分布が発生する。このため、従来の溶液法製造装置によれば、図9に示すように、種結晶に多結晶が付着する。本発明のSiC単結晶成長装置において、前記種結晶は任意のSiC単結晶、例えば4H-SiC、6H-SiCや3C-SiCなどであり得る。また、本発明の前記実施態様のSiC単結晶成長装置において、坩堝は通常炭素製であって原料溶液に炭素Cを溶出してSiCの炭素源となり得る。そして、この坩堝は単一の構成材からなるものであってもよいが、図3に示すように中坩堝および外坩堝から構成されてもよい。また、本発明のSiC単結晶成長装置において、支持軸は耐熱性が必要なことから炭素棒であり得て、種結晶から熱を外部に伝達するために炉外に冷却機構、例えばガス冷却機構あるいは水冷機構が設けられていてもよい。また、本発明の実施態様のSiC単結晶成長装置において、複数の異なるエネルギーを放出可能なエネルギー放出体としては高周波エネルギーを放出する高周波コイルが挙げられる。また、本発明のSiC単結晶成長装置において、前記発熱部材は例えば黒鉛製であり得て、通常サセプターと呼ばれるものが用いられ得る。本発明のSiC単結晶成長装置においては、前記の構成部材を必須要件とするものであるが、図1に示すように、前記構成部材に加えて、前記成長炉2が坩堝6の少なくとも上方に空間11を有し、前記発熱部材9が前記断熱材7の内側における坩堝6および空間11を包囲する面全体に設けられ得る。本発明の実施態様のSiC単結晶成長装置において、前記発熱部材は、一体的であり得て鉛直方向の長さが坩堝の長さの1.5倍以上、特に2倍以上であり得て、炉内の空間全体を均一に加熱し得る。本発明の実施態様のSiC単結晶成長装置において、複数の異なるエネルギーを放出可能なエネルギー放出体は、通常炉外に複数個設けられる。そして、本発明の実施態様のSiC単結晶製造装置を用いれば、少なくとも2個の高周波コイルのエネルギー出力比率、例えば電流比率を変えることにより、図7に示すように、坩堝内の溶液中の深さ方向の温度分布を狭い範囲で付与することが可能となり、溶液内での対流を起こし易くなり、炭素C濃度の均一化が達成し得て、経時的なSiC単結晶成長の変化を抑制し得る。本発明の実施態様における原料溶液としては、SiとCとを必須成分とする任意の溶液を挙げることができる。例えば、Si含有溶液として、さらにTiおよび/又はCrを含むもの、例えばSi-Ti-C溶液又はNiおよびCrを含むもの、さらに前記Si、Cr、NiおよびC以外の元素であって希土類元素、遷移金属元素およびアルカリ土類金属元素のうちから選ばれるいずれか1種の元素を含むもの、例えば前記の元素がCeであるものが挙げられる。また、半導体材料用に任意のドーパントを含有し得る。前記の原料溶液の温度は1800~2100°C、特に1850~2050°C程度であり得る。本発明の実施態様のSiC単結晶製造装置による温度の制御は、高周波コイルから出力されたエネルギーを受けた発熱部材による間接的な加熱構造によって加熱し、例えば放射温度計による溶液面の温度観察および/又は炭素棒内側に設置した熱電対、例えばW-Reタングステン/レニューム熱電対を用いて温度測定を行って求められた測定温度に基づいて温度制御装置図示せずによって行うことができる。本発明のSiC単結晶製造装置を用いてSiC単結晶を製造する方法においては、少なくとも2個の高周波コイルの出力比率を変えることを除いて、それ自体公知の製造法、例えば溶液法におけるそれ自体公知の製造法、例えば黒鉛坩堝の形状、加熱方法、加熱時間、雰囲気、昇温速度および冷却速度を適用することができる。例えば、高周波コイルから出力されたエネルギーを受けた発熱部材による間接的な加熱による加熱時間原料の仕込みからSiC飽和濃度に達するまでの凡その時間としては坩堝の大きさにもよるが20分間~10時間程度例えば1~10時間程度で、雰囲気としては希ガス、例えばHe、Ne、Arなどの不活性ガスやそれらの一部をN2やメタンガスで置き換えたものが挙げられる。本発明のSiC単結晶製造装置を用いることによって、2000°C程度の高温、例えば1800~2100°C、特に1850~2050°C程度の溶液温度で長時間、例えば1時間以上、多結晶の成長を防止乃至は抑制したSiC単結晶を得ることができる。以下、本発明の実施例を示す。以下の各例において、SiC単結晶成長を以下の条件で行った。溶液温度:1900°Cガス流量:5L/分成長時間:1時間実施例1SiC単結晶の成長を、図1に示す本発明の実施態様のSiC単結晶製造装置を用いて行った。成長量は340μmであり、種結晶近傍での多結晶付着は観察されなかった。得られたSiC単結晶成長写真as-grownを図8に示す。比較例1SiC単結晶の成長を、図2に示す従来のSiC単結晶製造装置を用いて行った。成長量は340μmであり、種結晶近傍での多結晶付着が観察された。