第1導体と、前記第1導体を基準としたときに互いに同じ側に位置し、当該第1導体の少なくとも一部と対向していて平面視で互いに重なり合う複数の第2導体と、前記第1導体と複数の前記第2導体とを貫通し、前記第1導体に接続され、前記第2導体と絶縁されている接続部材と、複数の前記第2導体の各々に設けられ、前記接続部材が通過している開口と、前記開口に対向し形成され、当該開口を通過した前記接続部材と接続され、当該開口より大きい第3導体と、を備え、前記第3導体が位置する層の数が複数であり、かつ前記第2導体が位置する層の数以下であることを特徴とする構造体。請求項1に記載の構造体であって、複数の前記接続部材が、繰り返し配列され、前記第2導体には、前記接続部材の各々に対して前記開口が設けられ、かつ同一層に位置する前記第3導体の各々が、それぞれ異なる前記接続部材に接続され、それぞれ異なる前記開口に対向していることを特徴とする構造体。請求項1または2に記載の構造体であって、複数の前記第2導体を介して前記第1導体と対向し、前記接続部材と接続されている第4導体を備えることを特徴とする構造体。請求項1乃至3いずれかに記載の構造体であって、前記開口の各々に対して少なくとも一つの前記第3導体が対向していることを特徴とする構造体。請求項1乃至4いずれかに記載の構造体であって、異なる層に位置する複数の前記第3導体のいずれかに、他の前記第2導体よりも近接している前記第2導体が、少なくとも二つ厚み方向に連続していることを特徴とする構造体。請求項1乃至5いずれかに記載の構造体であって、前記第1導体を基準としたとき、前記第1導体、一の前記第3導体、一の前記第2導体、他の前記第3導体、他の前記第2導体の順に積層されていることを特徴とする構造体。請求項1乃至5いずれかに記載の構造体であって、前記第1導体を基準としたとき、前記第1導体、一の前記第2導体、一の前記第3導体、他の前記第3導体、他の前記第2導体の順に積層されていることを特徴とする構造体。請求項1乃至5いずれかに記載の構造体であって、前記第1導体を基準としたとき、前記第1導体、一の前記第3導体、一の前記第2導体、他の前記第2導体、他の前記第3導体の順に積層されていることを特徴とする構造体。請求項1乃至5いずれかに記載の構造体であって、前記第1導体を基準としたとき、前記第1導体、一の前記第2導体、一の前記第3導体、他の前記第2導体、他の前記第3導体の順に積層されていることを特徴とする構造体。請求項1乃至9いずれかに記載の構造体であって、前記接続部材は、貫通ビアであることを特徴とする構造体。請求項1乃至10いずれかに記載の構造体であって、前記第1導体と前記第2導体によって構成される第1の平行平板と、複数の前記第2導体によって構成される第2の平行平板とが、前記接続部材と前記第3導体とともに、電磁バンドギャップ構造を構成していることを特徴とする構造体。第1導体と、前記第1導体を基準としたとき互いに同じ側に位置し、当該第1導体の少なくとも一部と対向していて平面視で互いに重なり合う複数の第2導体と、前記第1導体と複数の前記第2導体とを貫通し、前記第1導体に接続され、前記第2導体と絶縁されている接続部材と、複数の前記第2導体の各々に設けられ、前記接続部材が通過している開口と、前記開口に対向し形成され、当該開口を通過した前記接続部材と接続され、当該開口より大きい第3導体と、を有する構造体を備え、前記第3導体が位置する層の数が複数であり、かつ前記第2導体が位置する層の数以下であることを特徴とする配線基板。請求項12に記載の配線基板であって、複数の前記構造体が、繰り返し配列されていることを特徴とする配線基板。請求項12または13に記載の配線基板であって、前記構造体は、複数の前記第2導体を介して前記第1導体と対向し、前記接続部材と接続されている第4導体を有することを特徴とする配線基板。請求項12乃至14いずれかに記載の配線基板であって、前記開口の各々に対して少なくとも一つの前記第3導体が対向していることを特徴とする配線基板。請求項12乃至15いずれかに記載の配線基板であって、異なる層に位置する複数の前記第3導体のいずれかに、他の前記第2導体よりも近接している前記第2導体が、少なくとも二つ厚み方向に連続していることを特徴とする配線基板。請求項12乃至15いずれかに記載の配線基板であって、前記第1導体を基準としたとき、前記第1導体、一の前記第3導体、一の前記第2導体、他の前記第3導体、他の前記第2導体の順に積層されていることを特徴とする配線基板。請求項12乃至15いずれかに記載の配線基板であって、前記第1導体を基準としたとき、前記第1導体、一の前記第2導体、一の前記第3導体、他の前記第3導体、他の前記第2導体の順に積層されていることを特徴とする配線基板。請求項12乃至15いずれかに記載の配線基板であって、前記第1導体を基準としたとき、前記第1導体、一の前記第3導体、一の前記第2導体、他の前記第2導体、他の前記第3導体の順に積層されていることを特徴とする配線基板。請求項12乃至15いずれかに記載の配線基板であって、前記第1導体を基準としたとき、前記第1導体、一の前記第2導体、一の前記第3導体、他の前記第2導体、他の前記第3導体の順に積層されていることを特徴とする配線基板。請求項12乃至20いずれかに記載の配線基板であって、前記接続部材は、貫通ビアであることを特徴とする配線基板。請求項12乃至21いずれかに記載の配線基板であって、前記第1導体と前記第2導体によって構成される第1の平行平板と、複数の前記第2導体によって構成される第2の平行平板とが、前記接続部材と前記第3導体とともに、電磁バンドギャップ構造を構成していることを特徴とする配線基板。第1導体と、前記第1導体を基準としたときに互いに同じ側に位置し、当該第1導体の少なくとも一部と対向していて平面視で互いに重なり合う複数の第2導体と、前記第1導体と複数の前記第2導体とを貫通し、前記第1導体に接続され、前記第2導体と絶縁されている接続部材と、複数の前記第2導体の各々に設けられ、前記接続部材が通過している開口と、前記開口に対向し形成され、当該開口を通過した前記接続部材と接続され、当該開口より大きい第3導体と、を備え、前記第1導体と前記第2導体によって構成される第1の平行平板と、複数の前記第2導体によって構成される第2の平行平板とが、前記接続部材と前記第3導体とを共有して電磁バンドギャップ構造を構成していることを特徴とする構造体。請求項23に記載の構造体であって、複数の前記電磁バンドギャップ構造を構成し、第1の電磁バンドギャップ構造が、前記第1導体と、一の前記第2導体と、一の前記第3導体と、前記接続部材とによって構成され、第2の電磁バンドギャップ構造が、一の前記第2導体と、一の前記第3導体と、他の前記第2導体と、他の前記第3導体と、前記接続部材とによって構成されることを特徴とする構造体。請求項24に記載の構造体であって、複数の前記第2導体を介して前記第1導体と対向し、前記接続部材と接続されている第4導体を、さらに備え、前記第1の電磁バンドギャップ構造と、前記第2の電磁バンドギャップ構造と、第3の電磁バンドギャップ構造が、前記第4導体と、他の前記第2導体と、他の前記第3導体と、前記接続部材とによって、さらに構成されることを特徴とする構造体。しかしながら、配線基板中に構成される導体層間を伝播するノイズ対策として、上記技術のEBG構造を適用するとき、島状の導体エレメントを配置する層が追加されるため、配線基板の積層数が増えて、配線基板は厚くなる。特に、多数の導体層を備える多層の配線基板において、その傾向は顕著であった。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、各導体層間にEBG構造によるノイズ対策が施され、かつ極力薄く製造可能な構造体または配線基板を提供することにある。本発明によれば、第1導体と、前記第1導体を基準としたときに互いに同じ側に位置し、当該第1導体の少なくとも一部と対向していて平面視で互いに重なり合う複数の第2導体と、前記第1導体と複数の前記第2導体とを貫通し、前記第1導体に接続され、前記第2導体と絶縁されている接続部材と、複数の前記第2導体の各々に設けられ、前記接続部材が通過している開口と、前記開口に対向し形成され、当該開口を通過した前記接続部材と接続され、当該開口より大きい第3導体と、を備え、前記第3導体が位置する層の数が複数であり、かつ前記第2導体が位置する層の数以下であることを特徴とする構造体が提供される。また、本発明によれば、第1導体と、前記第1導体を基準としたときに互いに同じ側に位置し、当該第1導体の少なくとも一部と対向していて平面視で互いに重なり合う複数の第2導体と、前記第1導体と複数の前記第2導体とを貫通し、前記第1導体に接続され、前記第2導体と絶縁されている接続部材と、複数の前記第2導体の各々に設けられ、前記接続部材が通過している開口と、前記開口に対向し形成され、当該開口を通過した前記接続部材と接続され、当該開口より大きい第3導体と、を有する構造体を備え、前記第3導体が位置する層の数が複数であり、かつ前記第2導体が位置する層の数以下であることを特徴とする配線基板が提供される。また、本発明によれば、第1導体と、前記第1導体を基準としたときに互いに同じ側に位置し、当該第1導体の少なくとも一部と対向していて平面視で互いに重なり合う複数の第2導体と、前記第1導体と複数の前記第2導体とを貫通し、前記第1導体に接続され、前記第2導体と絶縁されている接続部材と、複数の前記第2導体の各々に設けられ、前記接続部材が通過している開口と、前記開口に対向し形成され、当該開口を通過した前記接続部材と接続され、当該開口より大きい第3導体と、を備え、前記第1導体と前記第2導体によって構成される第1の平行平板と、複数の前記第2導体によって構成される第2の平行平板とが、前記接続部材と前記第3導体とを共有して電磁バンドギャップ構造を構成していることを特徴とする構造体が提供される。本発明によれば、各導体層間にEBG構造によるノイズ対策が施され、極力薄く製造可能な構造体、配線基板が提供される。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。図1は、本発明の実施形態に係る構造体10の一例の斜視図である。構造体10は、A層11、B層12、C層13、D層14およびE層15を少なくとも有する配線基板100に形成される導体性の各種構成要素によって構成される図9参照。図1に示す構造体10は、導体151を基準としたとき、導体151、導体エレメント141、導体131、導体エレメント121、導体111の順に積層されている。そして、構造体10は、導体151第1導体と、導体151を基準としたとき同じ側に位置し、導体151の少なくとも一部と対向していて平面視で互いに重なり合う導体111と導体131と複数の第2導体を備える。また、構造体10は、導体111と導体131と導体151とを貫通し、導体151に接続され、導体111と導体131と絶縁されている接続部材101を備える。さらに、構造体10は、導体111、導体131の各々に設けられ、接続部材101が通過している開口112、開口132を備える。さらに、構造体10は、開口112に対向し形成され、開口112を通過した接続部材101と接続され、開口112より大きい導体エレメント121第3導体を備える。さらに、構造体10は、開口132に対向し形成され、開口132を通過した接続部材101と接続され、開口132より大きい導体エレメント141第3導体を備える。なお、開口112と導体エレメント121とは他の導体プレーンを介さずに対向しており、開口132と導体エレメント141とは他の導体プレーンを介さずに対向している。本実施形態において、導体エレメント121または導体エレメント141第3導体が位置する層の数は、導体111と導体131第2導体が位置する層の数と等しい。さらに言えば、本実施形態において、導体エレメント121および導体エレメント141第3導体の数は、接続部材101が通過している開口112と開口132の数と等しい。また、本実施形態において、導体111は、導体151や導体131を含む他の導体プレーンよりも導体エレメント121に近接している。また、導体131は、導体151や導体111を含む他の導体プレーンよりも導体エレメント141に近接している。そして、導体111と導体131とは、厚み方向に連続しており、互いの間に他の導体プレーンを含まない。なお、ここで厚み方向に連続するとは、例えば導体151を基準として構造体10に含まれる導体プレーンに順番を付けたとき、その順番が連続することを意味している。当然、厚み方向に連続している導体111と導体131との間には、電気的な影響を与えない範囲で配線などの小さい導体パターンが含まれてもよく、全ての導体が排除されるわけではない。ここでいう、接続部材101とは、導体111、131、151のうち両端に位置する導体については完全に貫かなくてもよい。すなわち、接続部材101の一部が、両端に位置する導体の内部に僅かにでも形成されていればよい。また、接続部材101、導体111、導体エレメント121、導体131、導体エレメント141または導体151は、導電性の素材であればよく、各々が同一の素材であってもよいし、異なる素材であってもよい。構造体10は、上述のA層11、B層12、C層13、D層14およびE層15以外の層を備えても構わない。例えば、各層の間には誘電体層が位置してもよい。また、構造体10は、本発明の構成に矛盾しない範囲で、図示しない孔やビア、信号線等を他に備えてもよい。開口112または開口132は必ずしも中空である必要はなく、その内部に誘電体が充填されていてもよい。すなわち、接続部材101は、開口112または開口132に充填されている誘電体を貫き、かつ導体111または導体131と非接触に形成されてもよい。構造体10において、接続部材101と接続される導体151は、基準電位を与えてグラウンドとして機能させることが望ましい。導体111はA層11、導体エレメント121はB層12、導体131はC層13、導体エレメント141はD層14、導体151はE層15に位置するものとする。また、A層11、B層12、C層13、D層14およびE層15の相対的な位置関係は変形可能であり、これによって、導体111、導体エレメント121、導体131、導体エレメント141、導体151における相互の位置関係も変形可能である。上述のような構成をとることによって、導体111と導体131とから構成される平行平板は、導体エレメント121と導体エレメント141と接続部材101とともに、電磁バンドギャップ構造の少なくとも一部を構成することができる。また、導体131と導体151とから構成される平行平板は、導体エレメント141と接続部材101とともに、電磁バンドギャップ構造の少なくとも一部を構成することができる。図2は、図1に示す構造体10の断面図である。図2において破線で囲っている空間はEBG構造を成しており、それぞれEBG構造171およびEBG構造172と呼ぶことにする。EBG構造171は、導体111と導体131と導体エレメント121と導体エレメント141と接続部材101とによって構成される。また、EBG構造172は、導体131と導体151と導体エレメント141と接続部材101とによって構成される。すなわち、単一の構造体10がEBG構造171、EBG構造172を構成している。また、導体131と導体エレメント141と接続部材101とは、EBG構造171とEBG構造172との双方に共有されている。このため、従来のEBG構造を各平行平板ごとに設ける場合と比べて、本発明のEBG構造は配線基板を薄くすることができる。図1または図2に示す構造体10は、マッシュルーム型EBG構造を変形させた例である。接続部材101はマッシュルームの軸部分に相当し、インダクタンスを形成している。一方、導体エレメント121がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する導体111との間でキャパシタンスを形成する。また、導体エレメント141がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する導体131との間でキャパシタンスを形成する。図1または図2に示す構造体10も、マッシュルーム型EBG構造と同様に、平行平板を前記キャパシタンスと前記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、導体エレメント121を、キャパシタンスを形成する導体111に接近させて、キャパシタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域の低周波化を図ることができる。また、導体エレメント141を、キャパシタンスを形成する導体131に接近させて、キャパシタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域の低周波化を図ることができる。ただし、導体エレメント121を対向する導体111に近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。そして、導体エレメント141を対向する導体131に近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。なお、導体111と導体エレメント121の間隔、導体エレメント121と導体131の間隔、導体131と導体エレメント141の間隔、導体エレメント141と導体151の間隔、接続部材101の太さ、および導体エレメント121または導体エレメント141の相互間隔などを調節することにより、電磁波伝播の抑制対象となる周波数帯域バンドギャップ帯域を所望の値に定めることができる。図3は、図1に示す構造体10の導体エレメント121または導体エレメント141が取り得る変形例を示す図である。図3Aは、図1に示す構造体10で用いられる導体エレメント121または導体エレメント141の上面図である。導体エレメント121または導体エレメント141は四角形の形状をしている。なお、マッシュルーム型の構造体10を構成しうる導体エレメント121または導体エレメント141の形状は、四角形に限らず、三角形や六角形等の多角形、円形等であっても構わない。図3Bは、図1に示す構造体10における導体エレメント121または導体エレメント141の一例の上面図である。ここで図示する導体エレメント121または導体エレメント141は平面方向に形成される螺旋状の伝送線路であって、一端は接続部材101に接続され、他端はオープン端となっている。ここで図示する導体エレメント121または導体エレメント141を用いることによって、構造体10は、導体エレメント121または導体エレメント141を含んで形成されるマイクロストリップ線路がオープンスタブとして機能するオープンスタブ型のEBG構造を構成することができる。接続部材101はインダクタンスを形成している。一方、導体エレメント121が、それぞれ導体111と電気的に結合することで導体111をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。そして、導体エレメント141が、それぞれ導体131と電気的に結合することで導体131をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。オープンスタブ型EBG構造は、平行平板を、前記オープンスタブと、前記インダクタンスからなる、直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、導体エレメント121または導体エレメント141を含んで形成されるオープンスタブのスタブ長を長くすることでバンドギャップ帯域の低周波化を図ることができる。なお、マイクロストリップ線路を形成する導体エレメント121と対向する導体111は近接していることが好ましい。そして、マイクロストリップ線路を形成する導体エレメント141と対向する導体131は近接していることが好ましい。なぜならば、導体エレメントと対向プレーンの距離が近いほど、前記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスが低くなり、バンドギャップ帯域を広帯域化することができるためである。ただし、導体エレメント121を対向する導体111に近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。また、導体エレメント141を対向する導体131に近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。図3Cは、図1に示す構造体10における導体エレメント121または導体エレメント141の一例の上面図である。ここで図示する導体エレメント121または導体エレメント141は四角形の導体であって、開口を有している。その開口の中には、一端が当該開口の淵に接続され、他端は接続部材101に接続される螺旋状のインダクタが形成されている。ここで図示する導体エレメント121または導体エレメント141を用いることによって、構造体10は、マッシュルーム型EBG構造を基本として、マッシュルームのヘッド部分にインダクタを設けることでインダクタンスを増加させた、インダクタンス増加型のEBG構造を構成することができる。より詳細には、導体エレメント121がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する導体111との間でキャパシタンスを形成する。また、導体エレメント141がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する導体131との間でキャパシタンスを形成する。インダクタンス増加型EBG構造は、平行平板を前記キャパシタンスと前記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、導体エレメント121を、キャパシタンスを形成する導体111に接近させて、キャパシタンスを大きくする、または前記インダクタの長さを長くしてインダクタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、導体エレメント121を対向する導体111に近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。また、導体エレメント141を、キャパシタンスを形成する導体131に接近させて、キャパシタンスを大きくする、または前記インダクタの長さを長くしてインダクタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、導体エレメント141を対向する導体131に近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。図4は、本実施形態に係る構造体10の一例の斜視図である。図4に示す構造体10は、導体151を基準としたとき、導体151、導体エレメント141、導体131、導体111、導体エレメント121の順に積層されている。各構成要素の順番が変化しているが、図4で説明したEBG構造に関する特性は、図1に示す構造体10と同様である。なお、図4に示す構造体10における導体エレメント121または導体エレメント141は、図3Bに示す形状を取り得る。このとき、構造体10は、上述したオープンスタブ型EBG構造の特性を同様に有する。また、図4に示す構造体10の導体エレメント121または導体エレメント141は、図3Cに示す形状を取りうる。このとき、構造体10は、図3Cを用いて説明したインダクタンス増加型EBG構造の特性を同様に有する。図5は、本実施形態に係る構造体10の一例の斜視図である。図5に示す構造体10は、導体151を基準としたとき、導体151、導体131、導体エレメント141、導体111、導体エレメント121の順に積層されている。各構成要素の順番が変化しているが、図5で説明したEBG構造に関する特性は、図1に示す構造体10と同様である。なお、図5に示す構造体10における導体エレメント121または導体エレメント141は、図3Bに示す形状を取り得る。このとき、構造体10は、上述したオープンスタブ型EBG構造の特性を同様に有する。また、図5に示す構造体10の導体エレメント121または導体エレメント141は、図3Cに示す形状を取りうる。このとき、構造体10は、図3Cを用いて説明したインダクタンス増加型EBG構造の特性を同様に有する。図6は、本実施形態に係る構造体10の一例の斜視図である。図6に示す構造体10は、導体151を基準としたとき、導体151、導体131、導体エレメント141、導体エレメント121、導体111の順に積層されている。各構成要素の順番が変化しているが、図6で説明したEBG構造に関する特性は、図1に示す構造体10と同様である。なお、図6に示す構造体10における導体エレメント121または導体エレメント141は、図3Bに示す形状を取り得る。このとき、構造体10は、上述したオープンスタブ型EBG構造の特性を同様に有する。また、図6に示す構造体10の導体エレメント121または導体エレメント141は、図3Cに示す形状を取りうる。このとき、構造体10は、図3Cを用いて説明したインダクタンス増加型EBG構造の特性を同様に有する。図7は、本実施形態に係る構造体10の一例の斜視図である。図7に示す構造体10は、図1に示す構造体10に、さらに導体111および導体131を介して導体151と対向し、接続部材101と接続されている導体161を追加した構成となっている。より詳細に言えば、図7に示す構造体10は、図の上から導体161、導体111、導体エレメント121、導体131、導体エレメント141、導体151の順番でそれぞれが配置されている。そして、構造体10は、導体151と、導体151を基準としたとき同じ側に位置し、導体151の少なくとも一部と対向していて平面視で互いに重なり合う導体111と導体131とを備える。また、構造体10は、導体161と導体111と導体131と導体151とを貫通し、導体161と導体151に接続され、導体111と導体131と絶縁されている接続部材101を備える。さらに、構造体10は、導体111、導体131の各々に設けられ、接続部材101が通過している開口112、開口132を備える。さらに、構造体10は、開口112に対向し形成され、当該開口を通過した接続部材101と接続される導体エレメント121を備える。さらに、構造体10は、開口132に対向し形成され、当該開口を通過した接続部材101と接続される導体エレメント141を備える。なお、開口112と導体エレメント121とは他の導体を介さずに対向しており、開口132と導体エレメント141とは他の導体を介さずに対向している。図8は、図7に示す構造体10の断面図である。図8において破線で囲っている空間はEBG構造を成しており、それぞれEBG構造171、EBG構造172およびEBG構造173と呼ぶことにする。EBG構造171は、導体111と導体131と導体エレメント121と導体エレメント141と接続部材101とによって構成される。また、EBG構造172は、導体131と導体151と導体エレメント141と接続部材101とによって構成される。そして、EBG構造173は、導体161と導体111と導体エレメント121と接続部材101とによって構成される。すなわち、単一の構造体10がEBG構造171、EBG構造172、EBG構造173を構成している。また、導体131と導体エレメント141とは、EBG構造171とEBG構造172との双方に共有されている。そして、導体111と導体エレメント121とは、EBG構造171とEBG構造173との双方に共有されている。さらに、接続部材101は、EBG構造171とEBG構造172とEBG構造173とに共有されている。上述したとおり、図7または図8に示される構造体10は、図1または図2に示される構造体10に比べて、より複雑にEBG構造が組み合わされた構成であることがわかる。図1~図6を用いて説明した構造体10は、いずれも接続部材101を構成要素として含んでいる。接続部材101は、一層ごとに積層、スルーホール加工、配線形成を繰り返すビルドアップ方式によって形成されてもよい。また、接続部材101は、貫通ビアであってもよい。接続部材101が貫通ビアである場合、構造体10は、次のような製造工程で製造される。まず、a導体111と導体131と導体151と導体エレメント121と導体エレメント141とが互いに対向し、かつ各々が異なる層となるように積層する。そして、b導体111と導体131と導体151と導体エレメント121と導体エレメント141とを貫通するスルーホールを設け、当該スルーホール内に導体111、131、151の少なくとも一つと、導体エレメント121と導体エレメント141とを接続する接続部材101を形成させる。当然、図示しない構成要素があるのであれば、aの工程において適切に配置されることが望ましい。また、bの工程において、スルーホールを設ける方法は、適用可能であれば何を用いてもよく、例えばドリルでスルーホールを空けてもよい。さらに、bの工程において、接続部材101を形成する方法は、適用可能であれば何を用いてもよく、例えばスルーホール内面をめっきすることによって形成してもよい。なお、図7または図8を用いて説明した構造体10の製造方法について、新たな構成要素として導体161が追加されるが、それ以外は上述の製造方法と同様である。必要な構成要素を積層した後に、接続部材を貫通ビアとして形成して各構成要素を接続することによって、ビルドアップ方式と比べて、製造工程を短縮することができ、製造コストも低減することができる。図9は、本実施形態に係る配線基板100の上面図と断面図である。より詳細には、図9Aは配線基板100の上面図であって、図9Bは図9Aに示す断面における断面図である。図9Aにおいて、破線で示す四角形は、繰り返し配列された構造体10の各々がB層12に備える導体エレメント121、またはD層14に備える導体エレメント141を示している。また、図9Aにおいて、上記破線で示す四角形内の円は、繰り返し配列された構造体10の各々が備える接続部材101を示している。なお、図9においては、図1で説明した構造体10が上下反転した状態で、繰り返し配列されているものとし、図9Bにおいて、夫々の構造体10は黒色で図示する。すなわち、配線基板100は図の上からE層15、D層14、C層13、B層12、A層11の順番で積層している。そして、各々の構造体10は、図の上から導体151、導体エレメント141、導体131、導体エレメント121、導体111の順番でそれぞれが配置されている。図9に図示されているように、B層12に位置する導体エレメント121の各々が、それぞれ異なる接続部材101に接続されている。また、D層14に位置する導体エレメント141の各々が、それぞれ異なる接続部材101に接続されている。A層11、B層12、C層13、D層14およびE層15は、図示した構成要素以外の構成、例えば電気信号を伝送する伝送路等を含んでもよい。また、配線基板100は、A層11、B層12、C層13、D層14、E層15とは異なる層を備えてもよく、これらの層に上述した構成要素以外の構成要素、例えば伝送路等を含んでもよい。ただし、配線基板100において構造体10が繰り返し配列されている領域、および当該領域の近傍に伝送路を配列すると構造体10が成しているEBG構造の特性が変化するため、このような配列は避けることが望ましい。配線基板100は、構造体10を繰り返し配列された領域において、バンドギャップ帯域の電磁波伝播を抑制することができる。すなわち、バンドギャップ帯域の電磁波を発生するノイズ源や、特定の周波数帯域の電磁波から防護したい素子等を囲むように構造体10を配列すればよく、その配列パターンは複数の態様を取りうる。図10~図12は、それぞれ配線基板100が取りうる構造体10の配列パターンを示す図である。ただし、図10~図12に図示される網掛けの部材は、半導体パッケージ181と半導体パッケージ182とする。図10に示すように、構造体10は半導体パッケージ181と半導体パッケージ182の間に帯状に配置されてもよい。また、図11に示すように、構造体10は半導体パッケージ181を囲むように配置されてもよいし、そして、図12に示すように、構造体10は半導体パッケージ182を囲むように配置されていてもよい。ただし、抑制対象の電磁波がいずれの方向から伝播しても、複数の構造体10を通過させるように配列することによって、より効果的に電磁波の伝播を抑制することができる。従って、図10または図11に示す配列パターンのように、一方の半導体パッケージから他方の半導体パッケージに向かう方向に、複数の構造体10が並列される方が、図12に示す配列パターンより好ましい。ここで、本実施形態の効果について述べる。構造体10は、導体111、131、151と導体エレメント121、141と接続部材101とによってEBG構造を構成することができる。従って、構造体10において、導体111と導体131とから成る平行平板を伝播するノイズと、導体131と導体151とから成る平行平板を伝播するノイズと、を抑制することができる。また、配線基板100は、ノイズ伝播を防ぎたい領域に構造体10を配列することによって、A層11とC層13との間を伝播するノイズと、C層13とE層15との間を伝播するノイズとを抑制することができる。また、本発明者らは、接続部材が通過する開口の各々に少なくとも一つの導体エレメントが対向するように配置し、かつ導体エレメントと接続部材とを接続することによって、当該開口を有する導体を含む平行平板間にEBG構造を構成しうることを見出した。本実施形態で説明した構造体10は、いずれも上記見解に基づいて考案されたものである。これらの構造体10においては、導体エレメントが形成される層の数が必要最低限に抑えられるため、本実施形態の構造体10を用いた配線基板100は、より薄く製造することができる。以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。例えば、上記の実施形態において、本発明の第2導体上記実施形態における導体131および導体151は二つとしたが、三つ以上であってもよい。当然、第2導体の数が増えるほど、構造体または配線基板の層が増える。このとき、ノイズ伝播を抑制するべき平行平板が増えるのであれば、本発明の第2導体に相当する導体エレメントが形成される層も増やしてよい。また、上記の実施形態において、導体111と導体131とから成る平行平板を伝播するノイズと、導体131と導体151とから成る平行平板を伝播するノイズと、を抑制することを前提に、あるいはA層11とC層13との間を伝播するノイズと、C層13とE層15との間を伝播するノイズとを抑制することを前提に説明したが、これに限らなくてもよい。すなわち、導体111と導体131とから成る平行平板を伝播するノイズと、導体131と導体151とから成る平行平板を伝播するノイズと、の少なくとも一方に対して抑制できるようにEBGを構成してもよい。また、A層11とC層13との間を伝播するノイズと、C層13とE層15との間を伝播するノイズと、の少なくとも一方に対して抑制できるようにEBG構造を構成してもよい。このとき、上記の実施形態で説明した構造体10から、導体エレメント121または導体エレメント141の少なくとも一方を省くことができる場合がある。そして、導体エレメント第3導体が位置する層の数が、開口が設けられている導体第2導体が位置する層の数より少なくなる可能性や、導体エレメントの数が、接続部材が通過している開口の数より少なくなる可能性もある。そして、上記の実施形態において、構造体10はいずれも単一の接続部材101を有するように図示されているが、必ずしもこれに限らない。すなわち、上記の実施形態で説明した構造体10が複数連結した構成を単一の構造体として見なすことができる。従って、このような構造体において、複数の接続部材が繰り返し配列され、かつ同一層に位置する導体エレメントの各々が、それぞれ異なる接続部材に接続されている。この出願は、2010年3月8日に出願された日本特許出願特願2010-051091号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。