金属材料で作られた少なくとも1つの導電層4、14、23を含む回路基板1、11、21の内部または上に少なくとも1つの金属表面6、12-1、13-1、26-1を有する素子または部品5、12、13、26を実装する方法であって、素子5、12、13、26の少なくとも1つの金属表面6、12-1、13-1、26-1と回路基板1、11、21の少なくとも1つの導電層4、14、23との間の接続は超音波溶接または高周波摩擦溶接を用いて形成されることを特徴とする、方法。素子5、12、13、26の金属表面6、12-1、13-1、26-1と回路基板1、11、21の導電層4、14、23との間に実質的な全面接続が形成されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。素子5の金属表面6と回路基板1の導電層4とを接続した後に、回路基板1の導電層4に接続された素子5の少なくとも部分的な被覆または埋め込み10が形成されることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。回路基板1の導電層4に接続された素子5の接合7、8、9が、それ自体周知の方式で、特に接続を、および特に素子の被覆または埋め込みを形成した後で実行されることを特徴とする、請求項1、2、または3に記載の方法。素子が、異なる伝導材料、特に金属の、少なくとも2つの層またはプライ12-1、12-2、13-1、13-2、26-1、26-2を含む、またはこれらからなる回路基板素子12、13、26によって形成されることを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。回路基板の内部または上に実装された素子12、13、26の金属表面12-1、12-2、13-1、13-2、26-1、26-2またはプライは外部部品25に接続されることを特徴とする、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。回路基板1、11、21の内部または上に実装された素子5、12、13、26の金属表面6、または少なくとも1つの層またはプライ12-1、12-2、13-1、13-2、26-1、26-2が、純物質またはその合金としての、銅、アルミニウム、ニッケル、スズ、亜鉛、チタン、銀、金、パラジウム、バナジウム、クロム、マグネシウム、鉄、鋼、ステンレス鋼、およびインジウムからなる群より選択されることを特徴とする、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。回路基板11、21の内部または上に実装された素子12、13、26が二元または三元金属基板によって形成され、回路基板11、21の伝導材料の少なくとも1つの層14、23に対向する素子12、13、26の層12-1、13-1、26-1は銅またはCu含有合金によって形成されることを特徴とする、請求項5から7のいずれか一項に記載の方法。回路基板11、21の伝導材料の少なくとも1つの層14、23に対向する層12-1、13-1、26-1の反対側の素子12、13、26の層12-2、13-2、26-2が、銅とは異なる金属、具体的にはアルミニウムまたはアルミニウム合金によって形成されることを特徴とする、請求項8に記載の方法。回路基板素子12、13、26が、実質的に類似または同一の高い熱伝導率を有する金属によって形成されることを特徴とする、請求項8または9に記載の方法。金属材料で作られた少なくとも1つの導電層4、14、23を含む回路基板であって、回路基板1、11、21は少なくとも1つの金属表面6、12-1、13-1、26-1を有する素子または部品5、12、13、26を含み、素子5、12、13、26または部品の金属表面6、12-1、13-1、26-1は、超音波溶接または高周波摩擦溶接を用いて回路基板1、11、21の少なくとも1つの導電層4、14、23に接続されるか、または接続可能であることを特徴とする、回路基板。素子5、12、13、26の金属表面6、12-1、13-1、26-1と回路基板1、11、21の導電層4、14、23との間に実質的な全面接続が設けられることを特徴とする、請求項11に記載の回路基板。素子が、異なる伝導材料、具体的には金属の、少なくとも2つの層またはプライ12-1、12-2、13-1、13-2、26-1、26-2を含む、またはこれらからなる回路基板素子12、13、26を含むことを特徴とする、請求項11または12に記載の回路基板。回路基板1、11、21の内部または上に実装された素子5、12、13、26の金属表面6、または少なくとも1つの層またはプライ12-1、12-2、13-1、13-2、26-1、26-2が、純物質またはその合金としての、銅、アルミニウム、ニッケル、スズ、亜鉛、チタン、銀、金、パラジウム、バナジウム、クロム、マグネシウム、鉄、鋼、ステンレス鋼、およびインジウムからなる群より選択されることを特徴とする、請求項11、12、または13に記載の回路基板。回路基板11、21の内部または上に実装された素子12、13、26が二元または三元金属基板で形成され、回路基板11、21の伝導材料の層14、28に対向する層12-1、13-1、26-1は銅またはCu含有合金で形成されることを特徴とする、請求項13または14に記載の回路基板。回路基板11、21の伝導材料の少なくとも1つの層14、23に対向する層12-1、13-1、26-1の反対側の回路基板素子12、13、26の層12-2、13-2、26-2が、銅とは異なる金属、具体的にはアルミニウムまたはアルミニウム合金によって形成されることを特徴とする、請求項13、14、または15に記載の回路基板。回路基板素子12、13、26が、実質的に類似または同一の高い熱伝導率を有する金属で形成されることを特徴とする、請求項13から16のいずれか1項に記載の回路基板。本発明は、回路基板および回路基板の導電層の内部または上に実装される部品または素子の金属表面の接続に伴う、周知の先行技術の問題を回避、または少なくとも低減することを目指し、具体的には適切な伝導率を提供する、確実で機械的に搭載可能な接続の形成を可能にすることを、目的とする。これらの目的を解決するために、先に定義されたような方法は基本的に、素子の少なくとも1つの金属表面と回路基板の少なくとも1つの導電層との間の接続が、超音波溶接または高周波摩擦溶接を用いて形成されることを、特徴とする。回路基板および回路基板の少なくとも1つの導電層の内部または上に実装される素子または部品の少なくとも1つの金属表面を接続するための超音波溶接または高周波摩擦溶接の使用は、互いに接続される平面または表面の間の機械的に安定した接続を提供するのみならず、発生した接続はまた、適切に良好な電気的、および必要に応じて熱的伝導率も、保証することになる。このような超音波溶接または高周波摩擦溶接作業において、接続するのに必要とされる熱は、接続される部品または平面または表面の間の分子および界面摩擦から生じる高周波機械的振動によって、得られる。必要な高周波振動は、たとえば、接続される素子または部品に圧力がかかった状態で振動が伝達される、ソノトロードまたは高周波振動ヘッドによって、供給される。このとき、互いに接続される素子の少なくとも表面が、結果的な摩擦によって加熱され始めるが、接続される部品の平面または表面は溶融するまで加熱されることはなく、互いに接続される平面または表面の接続は通常、特に酸化物層の破壊時に、素子の表面、または互いに接続される表面の連結によって、実質的に提供される。回路基板に接続される部品または素子、ならびに随意的に既存の回路基板の構造を注意深く扱いながら、回路基板の少なくとも1つの導電層の、そこに接続される素子または部品への機械的に安全な接続を、提供することが可能である。望ましい伝導率および機械的に安定した接続を提供するために、好適な実施形態によれば、素子の金属表面と回路基板の導電層との間に実質的な全面接続が形成されることが、提案される。素子または部品を回路基板に挿入するとき、および/または、やはり基本的に回路基板の外部表面に配置されてもよい、このような素子または部品を埋め込むために、回路基板の導電層に接続された素子の少なくとも部分的な被覆または埋め込みは、本発明による方法のさらに好適な実施形態にしたがって、素子の金属表面および回路基板の導電層を接続した後に、形成されることが提案される。回路基板の内部または上に実装される素子は、たとえばラジエータまたはヒートシンクに熱を運搬または熱を放散するのに役立ち得る一方で、回路基板の内部または上での付加的な接点が設けられた部品の埋め込みまたは受容が、頻繁に提供される。超音波溶接または高周波摩擦溶接を用いる本発明によって提供されるような実装に続く接触接続または接合のため、さらに好適な実施形態によれば、回路基板の導電層に接続される素子の接合は、それ自体周知の方式で、特に接続を、および特に素子の被覆または埋め込みを形成した後で、実行されることが提案される。素子または部品と回路基板の伝導または導電層との間の直接結合に加えて、たとえば、回路基板の伝導または導電層に使用される材料とは異なる材料で形成された接続部位または接点が設けられた外部部品との接続を確立するために、このような異なる材料の結合を可能にする、多層合成素子を提供する必要がある。本発明による方法の文脈において、および素子または部品と回路基板の伝導または導電層との間に良好な伝導率を有する機械的に安定した接続を考慮して、本発明による方法のさらに好適な実施形態によれば、素子は、異なる伝導材料、具体的には金属の、少なくとも2つの層またはプライを含む、またはこれらからなる回路基板素子によって形成されることが、提案される。外部素子または部品への結合のため、さらに好適な実施形態によれば、金属表面、または回路基板の内部または上に実装された素子のプライが外部部品に接続されることが、提案される。この点に関して、さらに好適な実施形態によれば、具体的には接続される随意的に異なる材料または金属に関して、回路基板の内部または上に実装される素子の、金属表面、または少なくとも1つの層またはプライは、純物質またはその合金としての、銅、アルミニウム、ニッケル、スズ、亜鉛、チタン、銀、金、パラジウム、バナジウム、クロム、マグネシウム、鉄、鋼、ステンレス鋼、およびインジウムからなる群より選択されることが、提案される。回路基板の伝導または導電層との特に確実で良好な結合を保証するために、回路基板の内部または上に実装された素子は、二元または三元金属基板によって形成されることがさらに提案され、ここで回路基板の伝導材料の少なくとも1つの層に対向する素子の層は、本発明による方法のさらに好適な実施形態に対応して、銅またはCu含有合金で形成されている。外部部品、またはたとえばこのような外部部品の接続または接触部位との結合のため、さらに好適な実施形態によれば、回路基板の伝導材料の少なくとも1つの層に対向する層の反対側の素子の層は、銅とは異なる金属、具体的にはアルミニウムまたはアルミニウム合金によって形成されることが、提案される。特に高い温度応力および高い温度差に曝される回路基板において、確実で安定した機械的接続を支持するために、および/またはこのように異なる温度での接続の分離または破壊を回避するために、さらに好適な実施形態によれば、回路基板素子は、実質的に類似または同一の高い熱伝導率を有する金属によって形成されることが、提案される。先に定義された目的を解決するために、金属材料で作られた少なくとも1つの導電層を含む回路基板は、基本的にこの回路基板が少なくとも1つの金属表面を有する素子または部品を含むことを特徴とし、ここで素子または部品の金属表面は、超音波溶接または高周波摩擦溶接を用いて回路基板の少なくとも1つの導電層に接続されるか、または接続可能である。すでに上記で指摘されたように、回路基板の内部または上に実装される素子または部品の金属表面との機械的に安定した接続のみならず、このような接続の適切に良好な伝導率もまた、確実で簡単な方式で提供されることになる。接続の良好な機械的強度、および、所望の伝導率を提供するために場合により付加的に必要とされる広い接続表面積を実現するために、さらに好適な実施形態によれば、素子の金属表面と回路基板の導電層との間に実質的な全面接続が設けられることが、提案される。特に、回路基板の伝導または導電層の材料とは異なる材料を随意的に含む外部部品との結合のため、さらに好適な実施形態によれば、素子は、異なる伝導材料、具体的には金属の、少なくとも2つの層またはプライを含む、またはこれらからなる回路基板素子を含むことが、提案される。さらに、回路基板の少なくとも1つの伝導または導電層との特に確実で良好な結合を保証するために、回路基板の内部または上に実装される素子の、金属表面、または少なくとも1つの層またはプライは、本発明による回路基板のさらに好適な実施形態に対応して、純物質またはその合金としての、銅、アルミニウム、ニッケル、スズ、亜鉛、チタン、銀、金、パラジウム、バナジウム、クロム、マグネシウム、鉄、鋼、ステンレス鋼、およびインジウムからなる群より選択されることが、さらに提案される。回路基板の伝導または導電層との結合のため、さらに好適な実施形態によれば、回路基板の内部または上に実装された素子は、二元または三元金属基板によって形成され、ここで回路基板の、伝導材料で作られた層に対向する層は、銅またはCu含有合金で形成されることが、提案される。特に回路基板に付加的に結合される外部部品の材料に応じて、さらに、好ましくは、回路基板の伝導材料の少なくとも1つの層に対向する層の反対側の回路基板素子の層は、銅とは異なる金属、具体的にはアルミニウムまたはアルミニウム合金で形成されることが、提案される。特に様々な温度応力および/または高い温度差の下で、安定した機械的接続を維持するために、さらに、回路基板素子は、本発明による回路基板のさらに好適な実施形態に対応して、実質的に類似または同一の高い熱伝導率を有する金属で形成されることが、提案される。以下、本発明は、添付図面に模式的に示される例示的な実施形態により、さらに詳細に説明される。図1において、模式的に1で示される回路基板の小領域が各々示されているが、回路基板1の多層構造は、伝導または導電層2、絶縁または非導電層3、および伝導または導電層4の提供によってのみ示されており、ここで素子または部品5は、以下により詳細に論じられるように、回路基板1の伝導または導電層4の小領域に接続されることになる。使用目的、または詳細に示されていない先の製造ステップにおける回路基板1の随意的に提供される製造に応じて、相応に大きい数の層またはプライが回路基板1に設けられてもよい。回路基板1の伝導または導電層4と、回路基板1の伝導または導電層4と部品5の金属表面6との間の部品または素子5との間の接続は、超音波溶接または高周波摩擦溶接によってなされる。このとき、詳細に示されないソノトロードまたは高周波振動ヘッドによって、互いに接続される部品または層または表面4に振動が印加され、ここで互いに接続される層4および6の温度の上昇は、前記振動によって発生する分子または界面摩擦によって実現される。通常は互いに接続される表面4および6の溶融まで実行されないこのような加熱は、図1bに示されるように、互いに接続される表面4および6の連結を実質的に行う。高周波振動ヘッドは、たとえば、20kHzの周波数で、たとえば5μmの偏位で、動作してもよい。摩擦溶接または超音波溶接は、回路基板1の伝導または導電層4と、そこに結合される部品または素子5の金属表面または層6との間に確実な機械的接続を生じ、こうして互いに接続される層4および6の間の安全な機械的接続、およびたとえば、電気的および熱的伝導接続も、提供する。素子または部品5の実装に続いて、特に部品5の保護のため、および随意的に回路基板1のさらなる層またはプライへの埋め込みのため、図1cに示されるような部品5のクラッディングまたは被覆が実行されるが、これは詳細には図示されない。図示される実施形態において、部品5は、絶縁材料10によって実質的に完全に被覆され、その上に、このような被覆10の形成の後に、回路基板1の付加的な導電層またはプライ9を用いて、部品または素子5の接点7と接点8との間の接合を行う。このため高周波摩擦溶接または超音波溶接により、表面4および6の機械的に安定した確実な接続、ならびに随意的に必要とされる適切に高い熱的および電気的伝導率を提供することが、可能である。図2aおよび図2bは各々、11で示される回路基板の変形実施形態を示す図である。それぞれ多層回路基板素子12または13を含む各素子は、回路基板11の上または内部に実装され、その接続は各々、回路基板11の模式的に図示される伝導または導電層14、またはその小領域を通じて、確立される。模式的に示されるように、回路基板11の内部または上に実装される素子または回路基板素子12または13は、異なる層またはプライ12-1および12-2または13-1および13-2をそれぞれ含み、これらは異なる伝導材料、具体的には金属で作られる。層またはプライ12-1および13-1は、簡単で確実な方式で回路基板11の伝導または導電層14との接続を得るために、たとえば銅または銅含有合金で作られ、このような伝導または導電層14は通常、銅で作られている。たとえば図3に示されるような、さらなる外部部品の接続のため、回路基板素子12の層またはプライ12-2、または回路基板素子13の層13-2は、以下に、特に図3を参照して詳細に論じられるように、外部部品と実質的に接続または結合されるために、たとえばアルミニウムまたはアルミニウム合金など、銅または銅含有材料とは異なる材料で作られる。図2による実施形態において、回路基板11の伝導または導電層14への層12-1または13-1の接続は、高周波摩擦溶接または超音波溶接によってなされ、こうして再び良好な伝導率を有する機械的に安定した接続を提供する。図3は多層回路基板21を描写し、ここで個別の導電層またはこれのプライは23で示され、その間に位置して非導電または絶縁材料で作られた層またはプライは24で示される。電池25などのエネルギー供給源と結合するため、電池25の電極27と接続するために多層素子または回路基板素子26が再び設けられ、その一方で第二電極28との結合は、半田接合またはL字型半田プロファイル29を通じて実現される。アルミニウムまたはアルミニウム合金で作られた電極27の結合のため、素子または回路基板素子26はやはり、銅または銅含有材料の層またはプライ26-1、およびアルミニウムまたはアルミニウム含有材料の層またはプライ26-2を含み、こうして簡単で確実な方式で、アルミニウムの電極27と回路基板21の伝導または導電領域23との結合または接続を可能にするが、それに対して回路基板21の銅層23とアルミニウムの電極27との間の、たとえば半田付けによる機械的接続は、実現可能ではないだろう。たとえばニッケルで作られるかまたはこれで被覆された電極28との接続または結合のために使用される半田接合29の代わりに、多層回路基板素子26と類似の方式で、さらなる素子または回路基板素子が回路基板21に組み込まれることが可能であり、ここで銅または銅含有材料の第一の層またはプライは再び回路基板21の導電層23に接続され、その一方で、ニッケルで作られるかまたはこれで被覆された電極28との直接結合のため、この多層回路基板素子の第二の層またはプライは、ニッケルまたはニッケル含有材料を含む。機械的に安定した良好な伝導または導電接続のため、やはり図3による実施形態における多層回路基板素子を含む部品または素子26の実装は、図1aから図1dによる実施形態と類似の方式で、高周波摩擦溶接または超音波溶接によって実行される。以下の材料は、それぞれ素子または回路基板素子12、13、または26の、部品5の表面または金属層、および層またはプライ12-1および12-2、13-1および13-2、ならびに26-1および26-2の材料として、選択されてもよい。すなわち、銅、アルミニウム、ニッケル、スズ、亜鉛、チタン、銀、金、パラジウム、バナジウム、クロム、マグネシウム、鉄、鋼、ステンレス鋼、およびインジウムである。純物質の代わりに、上述の材料の合金もまた、使用されることが可能である。多層素子または回路基板素子12、13、または26に使用される材料の選択は、特に、それぞれ回路基板11または21において、素子またはこれに接続される小領域、ならびにこれに接続または結合される外部部品25を考慮してなされ、ここでたとえば、このような多層回路基板素子12、13、または26について、以下の材料組み合わせが採用されてもよく、追加データはこのような多層回路基板素子の重量パーセントで表される:アルミニウム-銅80/20アルミニウム-ニッケル70/30銅-ニッケル60/40銅-亜鉛75/25銅-ニッケル-銅40/20/40部品または半導体部品5または電池15など、図示される部品または素子または外部部品に加えて、具体的には、特に多層回路基板素子12、13、または26を通じて、たとえば以下の外部または追加部品との結合を行うことが、可能である。すなわちアルミニウムおよび/または銅で作られた電池ラグ付きのLiイオン蓄電池およびフィルム電池、ESDダイオードなどの半導体部品、特にアルミニウム端面またはアルミニウム接点が設けられたコンデンサなど、冷却素子、あるいは一般的には、たとえばLED、MOSFETなどのように高い放熱レベルを有する部品を含む、回路基板からの熱消散を強化するための装置である。さらに、特に多層素子または回路基板素子12、13、または26を使用するとき、電極およびこれに接続される多層素子または回路基板素子の金属表面の適切な材料または材料の組み合わせを用いて、高周波摩擦溶接または超音波溶接によって同様に、たとえば電池25の電極27または28などの追加外部部品の結合または接続または実装、ならびに回路基板11または21のそれぞれの伝導または導電層14または23と、これに接続されて回路基板の内部または上に実装される部品または素子12、13、または26のそれぞれの対向する金属表面12-1、13-1、または26-1との間の結合または接続も、実行することが可能である。