"透光性基板上に形成された膜厚が50nm以上600nm以下である酸化インジウム系透明導電膜Iと、上記酸化インジウム系透明導電膜I上に形成された膜厚が200nm以上1000nm以下である酸化亜鉛系透明導電膜IIと、上記酸化亜鉛系透明導電膜II上に形成された膜厚が5nm以上200nm以下である酸化物系透明導電膜IIIとを備えることを特徴とする透明導電膜積層体。上記酸化物系透明導電膜IIIが、金属酸化物であり、Mg、Al、Si、Ti、Zn、Ga、In、Sn、W、Ceから選ばれる1種以上の元素を含有することを特徴とする請求項1に記載の透明導電膜積層体。上記酸化物系透明導電膜IIIが、ガリウム/アルミニウムドープ酸化亜鉛、アルミニウムドープ酸化亜鉛、ガリウムドープ酸化亜鉛、マグネシウムドープ酸化亜鉛、シリコンドープ酸化亜鉛、スズドープ酸化亜鉛、チタン/スズドープ酸化インジウム、ガリウムドープ酸化インジウム、セリウムドープ酸化インジウム、タングステンドープ酸化インジウムから選ばれる1種からなることを特徴とする請求項1に記載の透明導電膜積層体。上記酸化物系透明導電膜IIIが、酸化亜鉛を主成分とし、Mg、Al、Si、Ga、Sn、Wをから選ばれる1種以上の元素を含有することを特徴とする請求項1に記載の透明導電膜積層体。上記酸化物系透明導電膜IIIの表面が、仕事関数が4.5eV以上、波長400nm~1200nmにおける全光線透過率が75.0以上、ヘイズ率が8以上、及び表面抵抗が25Ω/□以下であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の透明導電膜積層体。上記酸化亜鉛系透明導電膜IIが、酸化亜鉛を主成分とし、アルミニウム又はガリウムから選ばれる1種以上の添加金属元素を、下記式1で示される範囲内で含有することを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の透明導電膜積層体。[Al]≦[Ga]≦―2.68×[Al]1.741但し、[Al]は、Al/ZnAlの原子数比で表したアルミニウム含有量であり、[Ga]は、Ga/ZnGaの原子数比で表したガリウム含有量である。また、[Al]≧0、[Ga]≧0である。上記酸化物系透明導電膜IIIの表面の仕事関数が、5.0eV以上であることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の透明導電膜積層体。酸化インジウム系透明導電膜Iが、酸化インジウムを主成分とし、Sn、Ti、W、Mo、Zr、Ce又はGaから選ばれる1種以上の金属元素を含有した結晶膜であることを特徴とする請求項1~7に記載の透明導電膜積層体。酸化インジウム系透明導電膜Iが、酸化インジウムを主成分とし、かつSnを含有し、その含有割合がSn/InSn原子数比で15原子以下であることを特徴とする請求項1~7に記載の透明導電膜積層体。酸化インジウム系透明導電膜Iが、酸化インジウムを主成分とし、かつTiを含有し、その含有割合がTi/InTi原子数比で5.5原子以下であることを特徴とする請求項1~7に記載の透明導電膜積層体。透光性基板上に膜厚が50nm以上600nm以下である酸化インジウム系透明導電膜Iをスパッタリング法により成膜する第1の成膜工程と、上記酸化インジウム系透明導電膜I上に、スパッタリング法により膜厚が200nm以上1000nm以下である酸化亜鉛系透明導電膜IIを成膜する第2の成膜工程と、上記酸化亜鉛系透明導電膜II上に、スパッタリング法により膜厚が5nm以上200nm以下である酸化物系透明導電膜IIIを成膜する第3の成膜工程とを有する透明導電膜積層体の製造方法。上記酸化物系透明導電膜IIIを形成するためのスパッタリングターゲットが、金属酸化物であり、Mg、Al、Si、Ti、Zn、Ga、In、Sn、W、Ceから選ばれる1種以上の元素を含有することを特徴とする請求項11に記載の透明導電膜積層体の製造方法。上記酸化物系透明導電膜IIIを形成するためのスパッタリングターゲットが、ガリウム/アルミニウムドープ酸化亜鉛、アルミニウムドープ酸化亜鉛、ガリウムドープ酸化亜鉛、マグネシウムドープ酸化亜鉛、シリコンドープ酸化亜鉛、スズドープ酸化亜鉛、チタン/スズドープ酸化インジウム、ガリウムドープ酸化インジウム、セリウムドープ酸化インジウム、タングステンドープ酸化インジウムから選ばれる1種からなることを特徴とする請求項11に記載の透明導電膜積層体の製造方法。上記酸化物系透明導電膜IIIを形成するためのスパッタリングターゲットが、酸化亜鉛を主成分とし、Mg、Al、Si、Ga、Sn、Wをから選ばれる1種以上の元素を含有することを特徴とする請求項11に記載の透明導電膜積層体の製造方法。上記酸化物系透明導電膜IIIの表面が、仕事関数が4.5eV以上、波長400nm~1200nmにおける全光線透過率が75.0以上、ヘイズ率が8以上、及び表面抵抗が25Ω/□以下であることを特徴とする請求項11~14のいずれか1項に記載の透明導電膜積層体の製造方法。上記酸化亜鉛系透明導電膜IIを形成するためのスパッタリングターゲットが、酸化亜鉛を主成分とし、アルミニウム又はガリウムから選ばれる1種以上の添加金属元素を、下記式1で示される範囲内で含有することを特徴とする請求項11~15のいずれか1項に記載の透明導電膜積層体の製造方法。[Al]≦[Ga]≦―2.68×[Al]1.741但し、[Al]は、Al/ZnAlの原子数比で表したアルミニウム含有量であり、[Ga]は、Ga/ZnGaの原子数比で表したガリウム含有量である。また、[Al]≧0、[Ga]≧0である。上記第2の成膜工程において、スパッタリングガス種として、アルゴンと水素の混合ガスの混合割合をH2/ArH2≦0.43とすることを特徴とする請求項11~16のいずれか1項に記載の透明導電膜積層体の製造方法。上記第1の成膜工程では、スパッタリングガス圧を0.1Pa以上1.0Pa未満とし、上記第2の成膜工程では、スパッタリングガス圧を1.0Pa以上15.0Pa以下とし、上記第3の成膜工程では、スパッタリングガス圧を0.1Pa以上1.0Pa未満とすることを特徴とする請求項11~17のいずれか1項に記載の透明導電膜積層体の製造方法。上記第1の成膜工程において酸化インジウム系透明導電膜Iが、基板温度100°C以下、スパッタリングガス圧0.1Pa以上1.0Pa未満の条件で、非晶質膜として形成された後、200°C以上600°C以下に加熱処理されて、上記透光性基板上に結晶化されることを特徴とする請求項11~18のいずれか1項に記載の透明導電膜積層体の製造方法。上記第1の成膜工程において酸化インジウム系透明導電膜Iが、基板温度200°C以上600°C以下、スパッタリングガス圧0.1Pa以上1.0Pa未満の条件で、上記透光性基板上に結晶膜として形成されることを特徴とする請求項11~18のいずれか1項に記載の透明導電膜積層体の製造方法。透光性基板上に、透明導電膜積層体と、光電変換層ユニットと、裏面電極層とが順に形成された薄膜太陽電池において、上記透明導電膜積層体は、上記透光性基板上に形成された膜厚が50nm以上600nm以下である酸化インジウム系透明導電膜Iと、上記酸化インジウム系透明導電膜I上に形成された膜厚が200nm以上1000nm以下である酸化亜鉛系透明導電膜IIと、上記酸化亜鉛系透明導電膜II上に形成された膜厚が5nm以上200nm以下である酸化物系透明導電膜IIIとを備えることを特徴とする透明導電膜積層体。透光性基板上に、透明導電膜積層体と、光電変換層ユニットと、裏面電極層とを順に形成する薄膜太陽電池の製造方法において、上記透光性基板上に膜厚が50nm以上600nm以下である酸化インジウム系透明導電膜Iをスパッタリング法により成膜する第1の成膜工程と、上記酸化インジウム系透明導電膜I上に、スパッタリング法により膜厚が200nm以上1000nm以下である酸化亜鉛系透明導電膜IIを成膜する第2の成膜工程と、上記酸化亜鉛系透明導電膜II上に、スパッタリング法により膜厚が5nm以上200nm以下である酸化物系透明導電膜IIIを成膜する第3の成膜工程とを有することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。本発明は、上述のような状況に鑑み、高効率のシリコン系薄膜太陽電池を製造する際に有用な、量産性で有利なスパッタリング法のみによって得られ、且つ最表面組織の複雑な空隙が無いため太陽電池製造の歩留まり低下防止が可能で、またSi層とのコンタクト性が改善され、且つ光閉じ込め効果に優れた透明導電膜積層体及びその製造方法、並びに薄膜太陽電池及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明者らは、かかる従来技術の問題を解決するために、鋭意研究を重ね、薄膜太陽電池の表面透明電極用となる透明導電膜として種々の透明導電膜材料を検討した結果、酸化インジウム系透明導電膜Iを下地として、その上に大きな結晶粒で構成された酸化亜鉛系透明導電膜IIが形成され、さらに酸化物系透明導電膜IIIが積層された構造の透明導電膜積層体が、薄膜系太陽電池の表面電極としてSi発電層の欠陥発生を防ぎ、Si層とのコンタクト性が改善され、且つ光閉じ込め効果にも優れた構造となることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明に係る透明導電膜積層体は、透光性基板上に形成された膜厚が50nm以上600nm以下である酸化インジウム系透明導電膜Iと、上記酸化インジウム系透明導電膜I上に形成された膜厚が200nm以上1000nm以下である酸化亜鉛系透明導電膜IIと、上記酸化亜鉛系透明導電膜II上に形成された膜厚が5nm以上200nm以下である酸化物系透明導電膜IIIとを備えることを特徴とする。また、本発明に係る透明導電膜積層体の製造方法は、透光性基板上に膜厚が50nm以上600nm以下である酸化インジウム系透明導電膜Iをスパッタリング法により成膜する第1の成膜工程と、上記酸化インジウム系透明導電膜I上に、スパッタリング法により膜厚が200nm以上1000nm以下である酸化亜鉛系透明導電膜IIを成膜する第2の成膜工程と、上記酸化亜鉛系透明導電膜II上に、スパッタリング法により膜厚が5nm以上200nm以下である酸化物系透明導電膜IIIを成膜する第3の成膜工程とを有することを特徴とする。また、本発明に係る薄膜太陽電池は、透光性基板上に、透明導電膜積層体と、光電変換層ユニットと、裏面電極層とが順に形成された薄膜太陽電池において、上記透明導電膜積層体は、上記透光性基板上に形成された膜厚が50nm以上600nm以下である酸化インジウム系透明導電膜Iと、上記酸化インジウム系透明導電膜I上に形成された膜厚が200nm以上1000nm以下である酸化亜鉛系透明導電膜IIと、上記酸化亜鉛系透明導電膜II上に形成された膜厚が5nm以上200nm以下である酸化物系透明導電膜IIIとを備えることを特徴とする。また、本発明に係る薄膜太陽電池の製造方法は、透光性基板上に、透明導電膜積層体と、光電変換層ユニットと、裏面電極層とを順に形成する薄膜太陽電池の製造方法において、上記透光性基板上に膜厚が50nm以上600nm以下である酸化インジウム系透明導電膜Iをスパッタリング法により成膜する第1の成膜工程と、上記酸化インジウム系透明導電膜I上に、スパッタリング法により膜厚が200nm以上1000nm以下である酸化亜鉛系透明導電膜IIを成膜する第2の成膜工程と、上記酸化亜鉛系透明導電膜II上に、スパッタリング法により膜厚が5nm以上200nm以下である酸化物系透明導電膜IIIを成膜する第3の成膜工程とを有することを特徴とする。本発明によれば、酸化インジウム系透明導電膜Iの上に、膜厚が200nm以上1000nm以下である酸化亜鉛系透明導電膜II、及び膜厚が5nm以上200nm以下である透明導電膜IIIを積層することで、最表面の凹凸間空隙が無く、ヘイズ率が8以上、且つ表面抵抗が25Ω/□以下の膜特性が得られ、太陽電池の発電層であるSi層の欠陥発生防止に有効で、光閉じ込め効果にも優れた透明導電膜積層体を提供することができる。また、本発明に係る透明導電膜積層体は、スパッタリング法のみで製造することができるため、薄膜太陽電池の表面透明電極用として導電性等に優れているだけでなく、従来の熱CVD法による透明導電膜と比較してコスト削減が可能となる。したがって、高効率のシリコン系薄膜太陽電池を簡単なプロセスで安価に提供することができるため工業的に極めて有用である。以下、本発明の実施の形態以下、本実施の形態というについて、図面を参照しながら下記順序にて詳細に説明する。1.透明導電膜積層体1-1.酸化インジウム系透明導電膜I1-2.酸化亜鉛系透明導電膜II1-3.酸化物系透明導電膜III1-4.透明導電膜積層体の特性2.透明導電膜積層体の製造方法2-1.酸化インジウム系透明導電膜Iの成膜2-2.酸化亜鉛系透明導電膜IIの成膜2-3.酸化物系透明導電膜IIIの成膜3.薄膜太陽電池及びその製造方法<1.透明導電膜積層体>本実施の形態に係る透明導電膜積層体は、透光性基板上に形成された酸化インジウム系透明導電膜Iを下地として、その上に、凹凸性に優れた酸化亜鉛系透明導電膜II、次いで酸化物系透明導電膜IIIが順次形成された三層積層構造を有する。この積層構造を採用することにより、高いヘイズ率を有し、いわゆる光閉じ込め効果が優れており、かつ低抵抗である。加えて、薄膜系太陽電池の光電変換層であるSi層の欠陥を防止できることから、薄膜太陽電池用の表面電極材料として非常に有用である。さらに、本実施の形態に係る透明導電膜積層体は、スパッタリング法のみで製造することができ、高い生産性を有する。<1-1.酸化インジウム系透明導電膜I>透光性基板上に形成された酸化インジウム系透明導電膜Iの膜厚は、50nm以上600nm以下である。酸化インジウム系透明導電膜Iの膜厚が50nm以上600nm以下範囲にあることにより、良好な透過率、ヘイズ率、及び表面抵抗を得ることができる。より好ましい酸化インジウム系透明導電膜Iの膜厚は、300nm以上500nm以下である。また、酸化インジウム系透明導電膜Iは、酸化インジウムを主成分としてSn、Ti、W、Mo、Zr、Ce又はGaから選ばれる1種以上の金属元素を含有した結晶膜である。酸化インジウムにSn、Ti、W、Mo、Zr、Ce又はGaの添加元素が含まれた結晶膜は、導電性に優れるため有用である。特に、Ti、W、Mo、Zr、Ce又はGaの元素が含まれると、移動度の高い膜が得られる。よって、キャリア濃度を増加させずに低抵抗となるため、可視域~近赤外域での透過率の高い低抵抗膜が実現できる。また、酸化インジウム系透明導電膜Iが酸化インジウムを主成分としてSnを含有する場合は、その含有割合がSn/InSn原子数比で15原子以下であることが好ましい。また、Tiを含有する場合は、その含有割合がTi/InTi原子数比で5.5原子以下であることが好ましい。また、Wを含有する場合は、その含有割合がW/InW原子数比で4.3原子以下であることが好ましい。また、Zrを含有する場合は、その含有割合がZr/InZr原子数比で6.5原子以下であることが好ましい。また、Moを含有する場合は、その含有割合がMo/InMo原子数比で6.7原子以下であることが好ましい。また、Ceを含有する場合は、その含有割合がCe/InCe原子数比で6.5原子以下であることが好ましい。また、Gaを含有する場合は、その含有割合がGa/InGa原子数比で6.5原子以下であることが好ましい。この範囲を超えて多く含有されると、高抵抗となるため有用でない。このような酸化インジウム系透明導電膜Iの中でも、本実施の形態では、Snをドーパントとして含むITO膜、Tiをドーパントとして含むITiO膜が好適に用いられる。<1-2.酸化亜鉛系透明導電膜II>酸化亜鉛系透明導電膜IIの膜厚は、200nm以上1000nm以下である。膜厚が200nm未満であると、高いヘイズ率を得るのが困難となり、膜厚が1000nmを超えると、ヘイズ率等の特性は維持できるものの透過性及び生産性の点で不利となる。また、本提案の製法を用いれば1000nm以下の膜厚で十分なヘイズ率が得られることから、1000nm以下を採用する。より好ましい酸化亜鉛系透明導電膜IIの膜厚は、300nm以上600nm以下である。また、酸化亜鉛系透明導電膜IIは、添加元素を含まなくてもよいが、酸化物膜に導電性を付与する目的で、アルミニウム、ガリウムなどの添加元素を含んでいてもよい。具体的には、図1に示すように、酸化亜鉛を主成分とし、アルミニウム又はガリウムから選ばれる1種以上の添加金属元素が含まれる場合、アルミニウムの含有量とガリウムの含有量が下記の式1で示される範囲内にあることが好ましい。[Al]≦[Ga]≦―2.68×[Al]1.741但し、[Al]は、Al/ZnAlの原子数比で表したアルミニウム含有量であり、一方、[Ga]は、Ga/ZnGaの原子数比で表したガリウム含有量である。また、[Al]≧0、[Ga]≧0である。酸化亜鉛系透明導電膜II中のアルミニウム及びガリウムの含有量が式1で規定される範囲より多くなると、表面凹凸が大きくてヘイズ率の高い透明導電膜をスパッタリング法で高速に製造すること困難となる。本実施の形態における酸化亜鉛系透明導電膜IIは、国際公開第2010/104111号に開示された酸化亜鉛系透明導電膜とは異なり、添加元素を含まない場合も包含する。添加元素を含まない場合は、導電性が不十分になることも懸念されるが、下地膜として酸化インジウム系透明導電膜Iが存在することと、酸化亜鉛系透明導電膜IIとSi層との間に下記酸化物系透明導電膜IIIを積層することで、透明導電膜積層体とSi層との電気的なコンタクト性が改善されるため、有用となる。なお、酸化亜鉛系透明導電膜IIには、亜鉛、アルミニウム、ガリウム及び酸素以外に、他の元素例えば、インジウム、チタン、ゲルマニウム、シリコン、タングステン、モリブデン、イリジウム、ルテニウム、レニウム、セリウム、マグネシウム、珪素、フッ素などが、本発明の目的を損なわない範囲で含まれていてもかまわない。<1-3.酸化物透明導電膜III>酸化物系透明導電膜IIIの膜厚は、5nm以上200nm以下である。膜厚が5nm未満であると、酸化亜鉛系透明導電膜IIに対する表面被覆が不十分となる事態が発生し、その上に形成されるSi層の欠陥の発生を防ぐことができない。一方、膜厚が200nmを超えると、透過性の低下のみならず、凹凸性が損なわれることからヘイズ率の低下及び生産性の低下を招いてしまう。また、酸化物系透明導電膜IIIは、金属酸化物であり、Mg、Al、Si、Ti、Zn、Ga、In、Sn、W、Ceから選ばれる1種以上の元素を含有することが好ましい。これにより、酸化物系透明導電膜IIIは、Si光電変換層との接触層として、正孔を取り出す電極として機能することができ、高仕事関数φ=4.5eV~5.5eVが得られる。また、この場合でも、膜厚が5nm未満であると、安定して高い仕事関数が得られない。ここで、酸化物系透明導電膜IIIの組成については上記元素の組み合わせであれば配合比も限定されない。仕事関数を含め透明性、導電性の観点からIn2O3やZnOを主体とする透明導電性酸化物が好ましい。酸化物系透明導電膜IIIの具体例としては、例えば、ガリウム/アルミニウムドープ酸化亜鉛GAZO、アルミニウムドープ酸化亜鉛AZO、ガリウムドープ酸化亜鉛GZO、マグネシウムドープ酸化亜鉛ZMgO、シリコンドープ酸化亜鉛SZO、スズドープ酸化亜鉛ZTO、チタン/スズドープ酸化インジウムITiTO、ガリウムドープ酸化インジウムIGO、セリウムドープ酸化インジウムICO、タングステンドープ酸化インジウムIWOなどが挙げられる。一般的にIn2O3系酸化物は、耐水素プラズマ性が懸念されるが、本提案で規定している200nm以下の膜厚であれば、水素プラズマの影響も非常に小さく、表面電極として使用しても問題ないレベルである。また、特に、本発明者の知見において、Gaを添加したインジウム酸化物は、フッ素ドープ酸化スズFTOと比較して水素プラズマによる透過率の低下が小さいという結果も得られている。ただし、酸化物系透明導電膜IIIの膜厚を10nm以下の薄膜とする場合、酸化物系透明導電膜IIIは、耐水素プラズマ性の観点から、酸化亜鉛を主成分とし、Mg、Al、Si、Ga、Sn、Wをから選ばれる1種以上の元素を含有することが好ましい。<1-4.透明導電膜積層体の特性>本実施の形態に係る透明導電膜積層体において、その膜厚は、酸化インジウム系透明導電膜Iが、50nm以上600nm以下であり、酸化亜鉛系透明導電膜IIが200nm以上1000nm以下である。より好ましい酸化インジウム系透明導電膜Iの膜厚は、300nm以上500n以下であり、酸化亜鉛系透明導電膜IIの膜厚は、300nm以上600nm以下である。また、酸化物系透明導電膜IIIの厚さは、5nm以上200nm以下である。酸化物系透明導電膜IIIの厚さが5nm未満となると、酸化亜鉛系透明導電膜IIの表面を完全に覆うことが困難となり、Si層の欠陥発生を防ぐことができない。また、酸化物系透明導電膜IIIの厚さが200nmを超えると、生産性の低下及び特性の劣化を招くおそれがある。酸化インジウム系透明導電膜I、酸化亜鉛系透明導電膜II、及び酸化物系透明導電膜IIIの総膜厚は、上述した膜厚を満足すれば特に制限されるわけではなく、材料の組成などに応じて355nm以上1800nm以下、特に600nm以上1500nm以下であることが好ましい。また、最表面である酸化物系透明導電膜IIIの仕事関数は、4.5eV以上であることが好ましい。仕事関数が4.5eV未満の場合は、特にp型Si層から正孔を取り出す電極としての役割を機能させることができず、結果として変換効率の低下を招く。十分な正孔の取り出しを果たすために、透明導電膜積層体の最表面では仕事関数が4.5eV以上であることが必要であり、5.0eV以上であることがより好ましい。また、酸化物系透明導電膜IIIの表面抵抗は、25Ω/□以下であることが好ましい。表面抵抗が25Ω/□を超えると、太陽電池の表面電極に利用したときに、表面電極での電力損失が大きくなり、高効率の太陽電池を実現することができない。本実施の形態に係る透明導電膜積層体は、上述のような積層構造であるため、表面抵抗を25Ω/□以下とすることができる。本実施の形態に係る透明導電膜積層体の表面抵抗は、好ましくは20Ω/□以下、より好ましくは13Ω/□以下、さらに好ましくは10Ω/□以下、最も好ましくは8Ω/□以下である。酸化物系透明導電膜IIIの表面抵抗は、低いほど表面電極部での電力損失が小さいため、大きなセル面積でも高効率の太陽電池を実現できるので好ましい。逆に表面電極の表面抵抗が高いと、太陽電池のセルが大きい場合、表面電極での電力損失が無視できないレベルに大きくなるため、セル面積を小さくして、抵抗の低い金属配線で多くの小型セルを配線して面積を増加させる必要がある。表面抵抗が25Ω/□以下であれば、少なくとも5cm□の太陽電池セルを実現でき、20Ω/□以下であれば、少なくとも8cm□の太陽電池セルを実現できる。さらに、13Ω/□以下であれば、少なくとも15cm□のセルを実現でき、10Ω/□以下であれば、少なくとも17cm□のセルを実現でき、8Ω/□以下であれば少なくとも、20cm□のセルを実現できる。セル面積が大きい太陽電池は、金属配線によって接続する必要がないため、セルの間隔を小さくすることができる。したがって、セルを接続してモジュールを作製すると、一つのモジュールの単位面積当たり発電量が大きくなるだけでなく、セルの面積当たりの製造コストも削減することができる。また、上述のように表面抵抗を低くすることにより、表面電極での電力損失の影響を無視することが可能となる。また、酸化物系透明導電膜IIIの表面のヘイズ率は、8以上であることが好ましく、より好ましくは12以上、さらに好ましくは16以上であり、最も好ましくは20以上である。シングル構造の標準的な薄膜シリコン系太陽電池セルにおいて、変換効率10以上を実現するためには、ヘイズ率12以上が必要不可欠である。また、同様の評価で、変換効率12以上を実現するためには、ヘイズ率16以上の表面電極を用いることが有効である。本実施の形態に係る透明導電膜積層体は、下地に酸化インジウム系透明導電膜Iを挿入していることに加え、上述した酸化亜鉛系透明導電膜II及び酸化物透明導電膜IIIを積層していることにより、高いヘイズ率を実現することができる。以上説明したように、本実施の形態に係る透明導電膜積層体は、光閉じ込め効果にも優れるだけでなく、酸化物系透明導電膜IIIが膜表面組織の凹凸間空隙を改善し、Si層の欠陥発生を防ぐことができる。また、酸化物透明導電膜IIIの表面において4.5eV以上の高い仕事関数を有しているため、電極として円滑にSi層から正孔を取り出すことが可能となる。また、本実施の形態に係る透明導電膜積層体は、特にSi層の欠陥や正孔輸送といった観点からコンタクト抵抗を低減し、かつ高いヘイズ率及び優れた導電性を有しており、波長380nm以上1200nm以下の可視光線から近赤外線までを含む太陽光の光エネルギーを極めて有効に電気エネルギーに変換することができる。したがって、高効率太陽電池の表面電極用途として非常に有用である。<2.透明導電膜積層体の製造方法>本実施の形態に係る透明導電膜積層体の製造方法は、透光性基板上に膜厚が50nm以上600nm以下である酸化インジウム系透明導電膜Iをスパッタリング法により成膜する第1の成膜工程と、酸化インジウム系透明導電膜I上に、スパッタリング法により膜厚が200nm以上1000nm以下である酸化亜鉛系透明導電膜IIを成膜する第2の成膜工程と、酸化亜鉛系透明導電膜II上に、スパッタリング法により膜厚が5nm以上200nm以下である酸化物系透明導電膜IIIを成膜する第3の成膜工程とを有するものである。このように成膜することにより、高いヘイズ率を有し、いわゆる光閉じ込め効果が優れており、かつ低抵抗であり、加えて、薄膜系太陽電池の光電変換層であるSi層の欠陥を防止できる透明導電膜積層体を得ることができる。さらに、スパッタリング法のみで透明導電膜積層体を製造することができるため、高い生産性を有する。以下、各透明導電膜の成膜方法について詳細に説明する。<2-1.酸化インジウム系透明導電膜Iの成膜>先ず、透光性基板上に膜厚が50nm以上600nm以下である酸化インジウム系透明導電膜Iをスパッタリング法により成膜する。酸化インジウム系透明導電膜Iの成膜には、Sn、Ti、W、Mo、Zr、Ce又はGaから選ばれる1種以上の金属元素を含有した酸化インジウムを主成分とする酸化物焼結体ターゲットが用いられる。なお、酸化物焼結体ターゲットを用いてスパッタ法で酸化物膜を得ると、揮発性物質を含まない限り、酸化物膜の組成はターゲットと同等である。このような酸化物焼結体ターゲットの中でも、Snを含有し、その含有割合がSn/InSn原子数比で15原子以下であるものや、Tiを含有し、その含有割合がTi/InTi原子数比で5.5原子以下であるものが好適に用いられる。この酸化インジウム系透明導電膜Iの形成方法には、基板を加熱せずに非晶質膜を形成した後に、加熱処理して結晶化する第1の方法と、基板を加熱して結晶質膜を形成する第2の方法を用いることができる。第1の方法では、基板温度100°C以下、スパッタリングガス圧0.1以上1.0Pa未満の条件で、非晶質膜を形成した後に、引き続き、200°C以上600°C以下に加熱処理して、非晶質膜が結晶化され、酸化インジウム系透明導電膜が形成される。また、第2の方法では、基板温度200°C以上600°C以下、スパッタリングガス圧0.1Pa以上1.0Pa未満の条件で、酸化インジウム系透明導電膜が結晶膜として形成される。本実施の形態においては、基板を加熱せずに非晶質膜を形成した後に、加熱処理して結晶化する第1の方法を用いることが好ましい。これは、第1の方法のほうが、基板を加熱して結晶質膜を形成する第2の方法よりもヘイズ率がより大きな膜が得られるためである。<2-2.酸化亜鉛系透明導電膜IIの成膜>次に、酸化インジウム系透明導電膜I上に、スパッタリング法により膜厚が200nm以上1000nm以下である酸化亜鉛系透明導電膜IIを成膜する。酸化亜鉛系透明導電膜IIの成膜には、酸化亜鉛を主成分とする酸化物焼結体ターゲットが用いられる。なお、酸化物焼結体ターゲットを用いてスパッタ法で酸化物膜を得ると、揮発性物質を含まない限り、酸化物膜の組成はターゲットと同等である。酸化亜鉛系透明導電膜IIを形成するための酸化物焼結体ターゲットは、添加元素を含まなくてもよいが、酸化物膜に導電性を付与する目的で、アルミニウム、ガリウムなどの添加元素を含んでいてもよい。具体的には、図1に示すように酸化亜鉛を主成分とし、アルミニウム又はガリウムから選ばれる1種以上の添加金属元素が含まれる場合、アルミニウムの含有量とガリウムの含有量が下記の式1で示される範囲内にあることが好ましい。[Al]≦[Ga]≦―2.68×[Al]1.741但し、[Al]は、Al/ZnAlの原子数比で表したアルミニウム含有量であり、一方、[Ga]は、Ga/ZnGaの原子数比で表したガリウム含有量である。また、[Al]≧0、[Ga]≧0である。酸化亜鉛系透明導電膜IIを形成するためのスパッタリングターゲット中のアルミニウム及びガリウムの含有量が式1で規定される範囲より多くなると、表面凹凸が大きくてヘイズ率の高い透明導電膜をスパッタリング法で高速に製造すること困難となる。本実施の形態では、スパッタリングガス圧が1.0Pa以上15.0Pa以下の条件で酸化亜鉛系透明導電膜IIを成膜することが好ましい。スパッタリングガス圧が1.0Pa未満の場合、表面凹凸の大きい膜が得られ難く、Ra値が35.0nm以上の膜が得られなくなってしまう。一方、15.0Paを超えると成膜速度が遅くなってしまい好ましくない。例えば、静止対向成膜において、ターゲットへの直流投入電力密度が1.66W/cm2以上の高い電力を投入して40nm/min以上の成膜速度を得るためには、スパッタリングガス圧を15.0Pa以下とする必要がある。また、酸化亜鉛系透明導電膜IIの成膜時において、ヘイズ率を高めるために有効な水素ガスを導入してもよい。この際、導入する水素の混合割合モル比については、特に限定されないが、割合が多くなるほどヘイズ率が高くなる一方、多すぎると透過率が低下する。したがって、導入する水素の混合割合は、透過率の低下を考慮し、H2/ArH2≦0.43とすることがより好ましい。また、酸化亜鉛系透明導電膜IIの成膜時において、基板温度は、200°C以上600°C以下とすることが好ましい。これにより、透明導電膜の結晶性が良くなり、キャリア電子の移動度が増大し、優れた導電性を実現することができる。基板温度が200°C未満であると、膜の粒子の成長が劣るためRa値の大きな膜を得ることができない。また、基板温度が600°Cを超えると、加熱に要する電力量が多くなり製造コストが増加するなどの問題が生じるだけでなく、基板としてガラス基板を用いた場合にはその軟化点を超えてしまい、ガラスが劣化してしまうなどの問題も生じるため好ましくない。透明導電膜の成膜において、スパッタリングターゲットへの投入電力を増大させると、成膜速度が増加し、膜の生産性が向上する。ターゲットへの投入電力を2.76W/cm2以上に増加させてスパッタリング成膜を行うと、例えば、静止対向成膜において90nm/min以上の成膜速度が実現でき、表面凹凸が大きくて高ヘイズ率の酸化亜鉛系透明導電膜を得ることができる。また、ターゲット上を基板が通過しながら成膜する通過型成膜搬送成膜においても、例えば同様の投入電力密度において成膜した5.1nmm/min搬送速度m/minで割ると、得られる膜厚nmが算出されるの高速搬送成膜においても表面凹凸性が優れて、ヘイズ率の高い酸化亜鉛系透明導電膜を得ることができる。なお、この場合の成膜速度は、本発明の目的を達成できれば特に制限されない。本実施の形態では、上述した条件で成膜することによって、ターゲットへの投入電力密度を2.760W/cm2以上に増加させた高速成膜を試みても、ヘイズ率が8以上、表面抵抗が25Ω/□以下の表面凹凸性を有する透明導電膜積層体を製造することができる。<2-3.酸化物系透明導電膜IIIの成膜>次に、酸化亜鉛系透明導電膜II上に、スパッタリング法により膜厚が5nm以上200nm以下である酸化物系透明導電膜IIIを成膜する。酸化物透明導電膜IIIの成膜には、金属酸化物であり、Mg、Al、Si、Ti、Zn、Ga、In、Sn、W、Ceから選ばれる1種以上の元素を含有する酸化物焼結体ターゲットが用いられる。なお、酸化物焼結体ターゲットを用いてスパッタ法で酸化物膜を得ると、揮発性物質を含まない限り、酸化物膜の組成はターゲットと同等である。酸化物系透明導電膜IIIを形成するためのスパッタリングターゲットとしては、ガリウム/アルミニウムドープ酸化亜鉛GAZO、アルミニウムドープ酸化亜鉛AZO、ガリウムドープ酸化亜鉛GZO、マグネシウムドープ酸化亜鉛ZMgO、シリコンドープ酸化亜鉛SZO、スズドープ酸化亜鉛ZTO、チタン/スズドープ酸化インジウムITiTO、ガリウムドープ酸化インジウムIGO、セリウムドープ酸化インジウムICO、タングステンドープ酸化インジウムIWOなどが挙げられる。また、酸化物系透明導電膜IIIの膜厚を10nm以下の薄膜とする場合、酸化物系透明導電膜IIIを形成するためのスパッタリングターゲットは、耐水素プラズマ性の観点から、酸化亜鉛を主成分とし、Mg、Al、Si、Ga、Sn、Wをから選ばれる1種以上の元素を含有することが好ましい。この酸化物透明導電膜IIIの成膜には、基板を加熱せずに非晶質膜を形成する第1の方法と、基板を加熱せずに非晶質膜を形成した後に、加熱処理して結晶化する第2の方法と、基板を加熱して結晶質膜を形成する第3の方法を用いることができる。第1の方法では、基板温度100°C以下、スパッタリングガス圧0.1以上1.0Pa未満の条件で、非晶質膜を形成する。第2の方法では、第1の方法で非晶質膜を形成した後に、引き続き、200°C以上600°C以下に加熱処理して、非晶質膜が結晶化され、酸化物透明導電膜が形成される。また、第3の方法では、基板温度200°C以上600°C以下、スパッタリングガス圧0.1Pa以上1.0Pa未満の条件で、酸化物系透明導電膜が結晶膜として形成される。本製法では、第1から第3の方法全てを用いることが可能であるが、Si層を積層する際に200°C以上の温度で加熱されることを想定すると、結晶化により化合物層を安定させておく第2または第3の方法が好ましい。さらに、この酸化物透明導電膜IIIを形成した後では、得られた透明導電膜積層体の表面を、UV/オゾン洗浄やプラズマ処理などを用いて表面洗浄処理しても良い。これにより、透明導電膜積層体表面に残存している汚染成分を取り除くことで仕事関数が向上する。以上説明したように、本実施の形態に係る透明導電膜積層体の製造方法によれば、膜厚が5nm以上200nm以下である酸化物系透明導電膜IIIを成膜することにより、光閉じ込め効果にも優れるだけでなく膜表面組織の凹凸間空隙を改善し、Si層の欠陥発生を防ぐことができる透明導電膜積層体を得ることができる。また、スパッタリング法のみで透明導電膜積層体を製造することができるため、薄膜太陽電池の表面透明電極用として導電性等に優れているだけでなく、従来の熱CVD法による透明導電膜と比較してコスト削減が可能となる。したがって、高効率のシリコン系薄膜太陽電池を簡単なプロセスで安価に提供することができるため工業的に極めて有用である。<3.薄膜太陽電池及びその製造方法>本実施の形態に係る薄膜太陽電池は、透光性基板上に、透明導電膜積層体と、光電変換層ユニットと、裏面電極層とが順に形成されている。本実施の形態に係る薄膜太陽電池は、上述した透明導電膜積層体を電極として用いていることを特徴とする光電変換素子である。太陽電池素子の構造は特に限定されず、p型半導体とn型半導体を積層したPN接合型、p型半導体とn型半導体の間に絶縁層I層を介在させたPIN接合型等が挙げられる。薄膜太陽電池は、半導体の種類によって大別され、微結晶シリコン又は/及びアモルファスシリコン等のシリコン系半導体薄膜を光電変換素子として用いたシリコン系太陽電池、CuInSe系やCuIn,GaSe系、AgIn,GaSe系、CuInS系、CuIn,GaS系、AgIn,GaS系やこれらの固溶体、GaAs系、CdTe系等で代表される化合物半導体の薄膜を光電変換素子として用いた化合物薄膜系太陽電池、及び、有機色素を用いた色素増感型太陽電池グレッツェルセル型太陽電池とも呼ばれるに分類されるが、本実施の形態に係る太陽電池は、何れの場合も含まれ、上述した透明導電膜積層体を電極として用いることで高効率を実現できる。特に、シリコン系太陽電池や化合物薄膜系太陽電池では、太陽光が入射する側受光部側、表側の電極には透明導電膜が必要不可欠であり、本実施の形態に係る透明導電膜積層体を用いることで高い変換効率の特性を発揮することができる。光電変換ユニットにおけるp型やn型の導電型半導体層は、光電変換ユニット内に内部電界を生じさせる役目を果たしている。この内部電界の大きさによって、薄膜太陽電池の重要な特性の1つである開放電圧Vocの値が左右される。i型層は、実質的に真性の半導体層であって光電変換ユニットの厚さの大部分を占めている。光電変換作用は、主としてこのi型層内で生じる。そのため、i型層は、通常i型光電変換層又は単に光電変換層と呼ばれる。光電変換層は、真性半導体層に限らず、ドープされた不純物ドーパントによって吸収される光の損失が問題にならない範囲で、微量にp型又はn型にドープされた層であってもよい。図2は、シリコン系非晶質薄膜太陽電池の構造の一例を示す図である。シリコン系薄膜を光電変換ユニット光吸収層に用いたシリコン系薄膜太陽電池には、非晶質薄膜太陽電池の他に、微結晶質薄膜太陽電池や結晶質薄膜太陽電池のほか、これらを積層したハイブリッド薄膜太陽電池も実用化されている。なお、前記の通り、光電変換ユニット又は薄膜太陽電池において、その主要部を占める光電変換層が非晶質のものは、非晶質ユニット又は非晶質薄膜太陽電池と称されている。また、光電変換層が結晶質のものは、結晶質ユニット又は結晶質薄膜太陽電池と称されている。さらに、光電変換層が微結晶質のものは、微結晶質ユニット又は結晶質薄膜太陽電池と称されている。このような薄膜太陽電池の変換効率を向上させる方法として、2以上の光電変換ユニットを積層してタンデム型太陽電池にする方法がある。例えば、この方法においては、薄膜太陽電池の光入射側に大きなバンドギャップを有する光電変換層を含む前方ユニットを配置し、その後方に順に小さなバンドギャップを有する光電変換層を含む後方ユニットを配置する。これにより、入射光の広い波長範囲にわたって光電変換を可能にし、太陽電池全体としての変換効率の向上を図ることができる。このタンデム型太陽電池の中でも、特に非晶質光電変換ユニットと、結晶質或いは微結晶質光電変換ユニットを積層したものはハイブリッド薄膜太陽電池と称される。図3は、ハイブリッド薄膜太陽電池の構造の一例を示す図である。ハイブリッド薄膜太陽電池において、例えば、i型非晶質シリコンが光電変換し得る光の波長域は長波長側では800nm程度までであるが、i型結晶質或いは微結晶質シリコンは、それより長い約1150nm程度の波長までの光を光電変換することができる。次に、図2、3を用いて、本実施の形態に係る薄膜太陽電池の構成について、より具体的に説明する。図2、3において、透光性基板1上に、上述した酸化インジウム系透明導電膜Iである透明導電膜21と、酸化亜鉛系透明導電膜IIである透明導電膜22と、酸化物透明導電膜IIIである透明導電膜23とからなる透明導電膜積層体2が形成されている。透光性基板1としては、ガラス、透明樹脂等から成る板状部材やシート状部材が用いられる。透明導電膜積層体2上には、非晶質光電変換ユニット3が形成されている。非晶質光電変換ユニット3は、非晶質p型シリコンカーバイド層31と、ノンドープ非晶質i型シリコン光電変換層32と、n型シリコン系界面層33とから構成されている。非晶質p型シリコンカーバイド層31は、透明導電膜積層体2の還元による透過率低下を防止するため、基板温度180°C以下で形成されている。図3に示すハイブリッド薄膜太陽電池おいては、非晶質光電変換ユニット3の上に結晶質光電変換ユニット4が形成されている。結晶質光電変換ユニット4は、結晶質p型シリコン層41と、結晶質i型シリコン光電変換層42と、結晶質n型シリコン層43とから構成されている。非晶質光電変換ユニット3及び結晶質光電変換ユニット4以下、この両方のユニットをまとめて単に光電変換ユニットと称するの形成には、高周波プラズマCVD法が適している。光電変換ユニットの形成条件としては、基板温度100°C以上250°C以下ただし、非晶質p型シリコンカーバイド層31は、180°C以下、圧力30Pa以上1500Pa以下、高周波パワー密度0.01W/cm2以上0.5W/cm2以下が好ましく用いられる。光電変換ユニット形成に使用する原料ガスとしては、SiH4、Si2H6等のシリコン含有ガス、又は、それらのガスとH2を混合したものが用いられる。光電変換ユニットにおけるp型又はn型層を形成するためのドーパントガスとしては、B2H6又はPH3等が好ましく用いられる。図2に示すn型シリコン系界面層33上又は図3に示すn型シリコン系界面層43上には、裏面電極5が形成される。裏面電極5は、透明反射層51と、裏面反射層52とから構成されている。透明反射層51には、ZnO、ITO等の金属酸化物を用いることが好ましい。裏面反射層52には、Ag、Al又はそれらの合金を用いることが好ましい。裏面電極5の形成においては、スパッタリング、蒸着等の方法が好ましく用いられる。裏面電極5は、通常、0.5μm以上5μm以下、好ましくは1μm以上3μm以下の厚さとされる。裏面電極5の形成後、非晶質p型シリコンカーバイド層31の形成温度以上の雰囲気温度で大気圧近傍下に加熱することにより、太陽電池が完成する。加熱雰囲気に用いられる気体としては、大気、窒素、窒素と酸素の混合物等が好ましく用いられる。また、大気圧近傍とは概ね0.5気圧以上1.5気圧以下の範囲を示す。以上説明したように、本実施の形態に係る薄膜太陽電池の製造方法によれば、透明導電膜積層体2を電極としたシリコン系薄膜太陽電池を提供することができる。また、本実施の形態に係る薄膜太陽電池の製造方法では、透光性基板上に形成された酸化インジウム系透明導電膜Iを下地として、その上に、凹凸性に優れた酸化亜鉛系透明導電膜II、次いで高仕事関数を有する酸化物透明導電膜IIIが順次形成された三層積層構造を有する透明導電膜積層体とすることにより、高い変換効率を達成し得る薄膜太陽電池の表面透明電極用の透明導電膜を得ることができる。さらに、透明導電膜積層体は、従来の熱CVD法による透明導電膜と比べて安価に提供することができる。本実施の形態に係る薄膜太陽電池の製造方法は、高効率のシリコン系薄膜太陽電池を簡単なプロセスで安価に提供することができるため、工業的に極めて有用である。なお、図3にはハイブリッド薄膜太陽電池の構造を示しているが、光電変換ユニットは必ずしも2つである必要はなく、非晶質又は結晶質のシングル構造、3層以上の積層型太陽電池構造であってもよい。以下、本発明に係る三層積層構造の透明導電膜について、実施例を比較例と対比しながら説明する。なお、本発明は、この実施例によって限定されるものではない。[評価]1膜厚は、以下の手順で測定した。成膜前に基板の一部を予め油性マジックインクを塗布しておき、成膜後にエタノールでマジックをふき取り、膜の無い部分を形成し、膜の有る部分と無い部分の段差を、接触式表面形状測定器KLATencor社製Alpha-StepIQで測定して求めた。2透明導電膜の作製に用いたターゲットは、ICP発光分光分析セイコーインスツルメンツ社製、SPS4000で定量分析した。3透明導電性薄膜の抵抗値は、抵抗率計ロレスタEPダイアインスツルメンツ社製MCP-T360型による四探針法で測定した。4透明導電膜積層体の波長400-1200nmにおける全光線光透過率を分光光度計日立製作所社製U-4000で測定した。5膜のヘイズ率は、JIS規格K7136に基づいてヘイズメーター村上色彩技術研究所社製HM-150で評価した。6透明導電膜積層体の仕事関数は、大気中光電子分光装置理研計器製、AC-2で測定した。7透明導電膜積層体の表面組織は、走査型電子顕微鏡SEM、CarlZeiss社製ULTRA55により観察を行った。8透明導電膜積層体へ積層したSi層は、走査型電子顕微鏡SEM、CarlZeiss社製ULTRA55により断面観察を行い、クラックや剥離等の欠陥が存在しているか否かの判定を行った。具体的には、1枚のサンプルにつき、基板の長さ方向で20mm以上の間隔をあけて、10点の箇所について断面観察を行い、欠陥の有無を判定した。[実施例1]GAZOGAZOITiO以下の手順で、酸化インジウム系透明導電膜Iの上に酸化亜鉛系透明導電膜II、酸化物系透明導電膜IIIを形成した構造の表面凹凸の大きな透明導電膜積層体をスパッタリング法で作製した。[実施例1:酸化インジウム系透明導電膜Iの作製]最初に、表1に示す条件で透光性基板上に下地となる酸化インジウム系透明導電膜Iの成膜を行った。下地の酸化インジウム系透明導電膜の作製に用いたターゲット住友金属鉱山株式会社製の組成をICP発光分光分析セイコーインスツルメンツ社製、SPS4000で定量分析したところ、Ti/InTiで0.50原子以下であった。また、ターゲットの純度は99.999であり、大きさは6インチΦ×5mm厚さであった。このスパッタリングターゲットを、直流マグネトロンスパッタリング装置トッキ社製、SPF503Kの強磁性体ターゲット用カソードターゲット表面上から1cm離れた位置での水平磁場強度が、最大で約80kA/m1kGに取り付け、該スパッタリングターゲットの対向面に、厚み1.1mmのコーニング7059ガラス基板を取り付けた。なお、コーニング7059ガラス基板自体の可視光波長領域での平均光透過率は、92である。スパッタリングターゲットと基板との距離を50mmとした。チャンバ内の真空度が、2×10-4Pa以下に達した時点で、6vol.のO2ガスを混合したArガスをチャンバ内に導入して、ガス圧0.6Paとし、基板を300°Cまで加熱してから、直流投入電力300Wターゲットへの投入電力密度=直流投入電力÷ターゲット表面積=300W÷181cm2=1.660W/cm2を、ターゲットと基板の間に投入し、直流プラズマを発生させた。ターゲット表面のクリーニングのため10分間プリスパッタを行った後で、基板をターゲット中心の直上部に静止したまま、スパッタリング成膜を実施し、膜厚300nmの酸化インジウム系透明導電膜Iを基板上に形成した。[実施例1:酸化亜鉛系透明導電膜IIの作製]次に、酸化インジウム系透明導電膜I上に、アルミニウムとガリウムを添加元素として含有した酸化亜鉛系焼結体ターゲット住友金属鉱山株式会社製を用いて、表面凹凸の大きい酸化亜鉛系透明導電膜IIを形成した。ターゲットの組成は、Al/ZnAlで0.30原子であり、Ga/ZnGaで0.30原子であった。何れのターゲットとも純度は、99.999であり、ターゲットの大きさは、6インチΦ×5mm厚さであった。酸化亜鉛系透明導電膜IIの成膜は、チャンバ内を真空引きし、その真空度が2×10-4Pa以下に達した時点で、純度99.9999質量のArガスをチャンバ内に導入して、ガス圧4.0Paとした。基板温度は400°Cとし、直流投入電力400Wターゲットへの投入電力密度=直流投入電力÷ターゲット表面積=400W÷181cm2=2.210W/cm2を、ターゲットと基板の間に投入し、直流プラズマを発生させた。ターゲット表面のクリーニングのため10分間プリスパッタを行った後で、基板をターゲット中心の直上部に静止したまま、スパッタリング成膜を実施し、膜厚400nmの酸化亜鉛系透明導電膜IIを形成し、透明導電膜積層体を得た。[実施例1:酸化物系透明導電膜IIIの作製]最後に、表1、2に示す条件で酸化亜鉛系透明導電膜IIの上に、アルミニウムとガリウムを添加元素として含有した酸化亜鉛系焼結体ターゲット住友金属鉱山株式会社製を用いて、酸化物系透明導電膜IIIを形成した。ターゲットの組成は、Al/ZnAlで2.00原子であり、Ga/ZnGaで2.00原子であった。何れのターゲットとも純度は、99.999であり、ターゲットの大きさは、6インチΦ×5mm厚さであった。透明導電膜IIIの成膜は、チャンバ内を真空引きし、その真空度が2×10-4Pa以下に達した時点で、純度99.9999質量のArガスをチャンバ内に導入して、ガス圧0.3Paとした。基板温度は300°Cとし、直流投入電力400Wターゲットへの投入電力密度=直流投入電力÷ターゲット表面積=400W÷181cm2=2.210W/cm2を、ターゲットと基板の間に投入し、直流プラズマを発生させた。ターゲット表面のクリーニングのため10分間プリスパッタを行った後で、基板をターゲット中心の直上部に静止したまま、スパッタリング成膜を実施し、膜厚50nmの酸化物系透明導電膜IIIを形成し、透明導電膜積層体を得た。[比較例1]GAZOITiO酸化インジウム系透明導電膜I及び酸化亜鉛系透明導電膜IIの作製を行い、酸化物系透明導電膜IIIを形成しなかった以外は、実施例1と同様にして透明導電膜積層体を得た。[特性評価:実施例1、比較例1]実施例1及び比較例1の透明導電性薄膜積層体の膜厚及び抵抗値を、前記1、3の方法で測定した。また、透明導電性薄膜積層体の波長400-1200nmにおける全光線光透過率及び膜のヘイズ率を、前記4、5の方法で測定した。また、得られた透明導電膜積層体最表面の仕事関数を前記6の方法で測定した。表3に示すように実施例1の透明導電膜積層体の膜厚は750nmであった。波長400-1200nmにおける全光線透過率は80.8であり、ヘイズ率も20.3と高かった。また、表面抵抗は9.9Ω/□であり、高い導電性を示した。また、透明導電膜積層体最表面の仕事関数は4.8eVであり、目標とする高い仕事関数を有し、高ヘイズ率及び低抵抗値を有する透明導電膜積層体を高速に得られることができることが確認された。また、比較例1の透明導電膜積層体の膜厚は700nmであった。波長400-1200nmにおける全光線透過率は81.0であり、ヘイズ率は19.6であった。また、表面抵抗は10.1Ω/□であった。また、透明導電膜積層体最表面の仕事関数は4.7eVであった。図4に酸化亜鉛系透明導電膜IIを形成後の透明導電性薄膜の表面SEM写真を示す。酸化亜鉛系透明導電膜II上には、図4の円内に示すような急峻な凹部が存在する。実施例1では、酸化亜鉛系透明導電膜IIの上に酸化物系透明導電膜IIIを形成し、このような急峻な凹部を解消している。一方、比較例1では、酸化物系透明導電膜IIIを形成していないため、急峻な凹部上にSi層が積層されることとなる。実施例1及び比較例1のそれぞれの透明導電膜積層体の上に、CVD法によりSi層を形成し、Si層の観察を行った。その結果、実施例1では欠陥が存在していなかったものの、比較例1においてはSi層におけるクラック、部分的な剥離が発生していた。したがって、実施例1のように酸化物系透明導電膜IIIを含めた三層構造であることが、Si層の欠陥防止に有効であることがわかった。[実施例2~7、比較例2~6:GAZOGAZOITiO]実施例1に示した酸化インジウム系透明導電膜I、酸化亜鉛系透明導電膜II及び酸化物系透明導電膜IIIについて、表1、2に示すようにそれぞれの膜厚を変えて、透明導電膜積層体の作製を実施した。その他の成膜条件は、実施例1と同様にして行った。作製した透明導電膜積層体の特性評価は、実施例1と同様の項目及び方法で実施した。[特性評価:実施例2~7、比較例2~6]表3に、得られた透明導電膜積層体の特性評価結果を示す。酸化亜鉛系透明導電膜IIの膜厚を150nmとした比較例2では、結晶粒が十分な高ヘイズ率を得るには十分に成長しておらず、ヘイズ率が7.0と低かった。また、酸化物系透明導電膜IIIの膜厚を3nmとした比較例3は、酸化亜鉛系透明導電膜IIの表面空隙を十分にカバーしきれておらず、Si層の積層を行った結果、Si層へのクラックが発生していた。一方、酸化物系透明導電膜IIIの膜厚を230nmとした比較例4においては、全光線透過率が74.8と低かった。次に、酸化インジウム系透明導電膜Iの膜厚を30nmとした比較例5は、導電性が十分でなく、得られた透明導電膜積層体としてのシート抵抗値が30.1Ω/□と高かった。一方、酸化インジウム系透明導電膜Iの膜厚を700nmとした比較例6においては、全光線透過率が73.8と低かった。したがって、上記比較例2~6のような透明導電膜積層体は、薄膜太陽電池の表面透明電極用として有用ではない。実施例2~7における透明導電膜積層体は、表面組織に複雑な空隙が存在していないことから、Si層の欠陥も発生しないことが確認された。また、高ヘイズ率及び低抵抗値を有することから、薄膜太陽電池の表面透明電極用として有用であることが確認された。[実施例8]AZOAZOITiO表1、2に示すように実施例1における酸化亜鉛系透明導電膜II及び酸化物系透明導電膜IIIをアルミニウム含有の酸化亜鉛AZOとした以外は、実施例1と同様の項目及び条件にて透明導電膜積層体を作製した。この酸化亜鉛系透明導電膜II及び酸化物透明導電膜IIIの作製に用いたターゲットの組成は、ICP発光分光分析セイコーインスツルメンツ社製、SPS4000で定量分析したところ、Al/ZnAlで0.50原子以下であった。また、ターゲットの純度は99.999であり、大きさは6インチΦ×5mm厚さであった。[比較例7]AZOITiO表1、2に示すように実施例8における酸化物系透明導電膜IIIを成膜しなかった以外は、実施例8と同様にして透明導電膜積層体を作製した。[特性評価:実施例8、比較例7]表3に、実施例8及び比較例7の透明導電膜積層体の特性評価結果を示す。透明導電性薄膜積層体の特性は、実施例1と同様の項目及び方法にて測定した。実施例8の透明導電膜積層体の膜厚は750nmであった。波長400-1200nmにおける全光線透過率は81.0であり、ヘイズ率も16.8と高かった。また、表面抵抗は11.4Ω/□であり、高い導電性を示した。また、透明導電膜積層体最表面の仕事関数は4.5eVであり、目標とする高い仕事関数を有し、高ヘイズ率及び低抵抗値を有する透明導電膜積層体を高速に得られることができることが確認された。また、比較例7の透明導電膜積層体の膜厚は700nmであった。波長400-1200nmにおける全光線透過率は81.2であり、ヘイズ率も17.0であった。また、表面抵抗は11.5Ω/□であった。また、透明導電膜積層体最表面の仕事関数は4.6eVであった。次に、実施例8及び比較例7で得られた透明導電膜積層体の上にCVD法によるSi層形成を行い、観察を行った。その結果、実施例8では欠陥が存在していなかったものの、比較例7においてはSi層におけるクラック、部分的な剥離が発生していた。したがって、酸化物系透明導電膜IIIを含めた三層構造であることが、Si層の欠陥防止に有効であることがわかった。[実施例9]GZOGZOITiO表1、2に示すように実施例1における酸化亜鉛系透明導電膜II及び酸化物系透明導電膜IIIをガリウム含有の酸化亜鉛とした以外は、実施例1と同様の項目及び条件にて透明導電膜積層体を作製した。この酸化亜鉛系透明導電膜II及び酸化物透明導電膜IIIの作製に用いたターゲットの組成は、ICP発光分光分析セイコーインスツルメンツ社製、SPS4000で定量分析したところ、Ga/GaAlで0.50原子以下であった。また、ターゲットの純度は99.999であり、大きさは6インチΦ×5mm厚さであった。[比較例8]GZOITiO表1、2に示すように実施例9における酸化物系透明導電膜IIIを成膜しなかった以外は、実施例9と同様にして透明導電膜積層体を作製した。[特性評価:実施例9、比較例8]表3に、実施例9及び比較例8の透明導電膜積層体の特性評価結果を示す。透明導電性薄膜積層体の特性は、実施例1と同様の項目及び方法にて測定した。実施例9の透明導電膜積層体の膜厚は750nmであった。波長400-1200nmにおける全光線透過率は80.2であり、ヘイズ率も19.9と高かった。また、表面抵抗は9.5Ω/□であり、高い導電性を示した。また、透明導電膜積層体最表面の仕事関数は4.7eVであり、目標とする高い仕事関数を有し、高ヘイズ率及び低抵抗値を有する透明導電膜積層体を高速に得られることができることが確認された。また、比較例8の透明導電膜積層体の膜厚は700nmであった。波長400-1200nmにおける全光線透過率は80.3であり、ヘイズ率も20.3と高かった。また、表面抵抗は9.2Ω/□であった。また、透明導電膜積層体最表面の仕事関数は4.7eVであった。次に、実施例9及び比較例8で得られた透明導電膜積層体の上にCVD法によるSi層形成を行い、観察を行った。その結果、実施例9では欠陥が存在していなかったものの、比較例8においてはSi層におけるクラック、部分的な剥離が発生していた。したがって、酸化物系透明導電膜IIIを含めた三層構造であることが、Si層の欠陥防止に有効であることがわかった。[実施例10~16、比較例9~11]表1、2に示すように実施例1における酸化物系透明導電膜IIIを、それぞれMg/ZnMgで3.00原子実施例10:ZMgO、Si/ZnSiで3.00原子実施例11:SZO、Sn/ZnSnで6.00原子実施例12:ZTO、Ti/InTiで2.00原子及びSn/InSnで0.05原子実施例13:ITiTO、Ga/InGaで15.0原子実施例14:IGO、Ce/InCeで10.0原子実施例15:ICO、W/InWで1.00原子実施例16:IWO、V2O5比較例9、Al比較例10、Ni比較例11とした以外は、実施例1と同様の項目及び条件にて透明導電膜積層体を作製した。[特性評価:実施例10~16、比較例9~11]表3に、実施例10~16及び比較例9~11の透明導電膜積層体の特性評価結果を示す。透明導電性薄膜積層体の特性は、実施例1と同様の項目及び方法にて測定した。酸化物系透明導電膜IIIの組成をV2O5とした比較例9の透明導電膜積層体は、表面の仕事関数が5.4eVと良好であったものの、膜が肉眼でも確認できるほど着色しており、全光線透過率が70.4と非常に低かった。また、酸化物系透明導電膜IIIの組成を金属膜とした比較例10及び比較例11の透明導電膜積層体は、金属膜特有のキャリア散乱による反射率が酸化物膜と比較して高くなり、結果として全光線透過率がそれぞれ67.3比較例10、68.2比較例11と非常に低かった。したがって、上記比較例9~11のような透明導電膜積層体は、薄膜太陽電池の表面透明電極用として有用ではない。実施例10~16における透明導電膜積層体は、表面組織に複雑な空隙が存在していないことから、Si層の欠陥も発生しないことが確認された。また、高ヘイズ率及び低抵抗値を有することから、薄膜太陽電池の表面透明電極用として有用であることが確認された。[実施例17~21]表1、2に示すように実施例1における酸化インジウム系透明導電膜Iを、それぞれW/InWで1.00原子実施例17、Mo/InMoで1.00原子実施例18、Zr/InZrで1.00原子実施例19、Ce/InCeで10.0原子実施例20、Ga/InGaで15.0原子実施例21とした以外は、実施例1と同様の項目及び条件にて透明導電膜積層体を作製した。[特性評価:実施例17~21]表3に、実施例17~21の透明導電膜積層体の特性評価結果を示す。透明導電性薄膜積層体の特性は、実施例1と同様の項目及び方法にて測定した。実施例17~21における透明導電膜積層体は、表面組織に複雑な空隙が存在していないことから、Si層の欠陥も発生しないことが確認された。また、高ヘイズ率及び低抵抗値を有することから、薄膜太陽電池の表面透明電極用として有用であることが確認された。[実施例22~25]GAZOGAZOITiO表1、2に示すように実施例1における酸化インジウム系透明導電膜Iを下地として、その上に、水素H2ガスをH2/ArH2のモル比においてそれぞれ、0.01実施例22、0.25実施例23、0.43実施例24、0.50原子実施例25の割合で導入し、膜厚を300nmとした以外は実施例1と同様にして酸化亜鉛系透明導電膜IIを形成し、透明導電膜積層体を作製した。[特性評価:実施例22~25]表3に、実施例22~25の透明導電膜積層体の特性評価結果を示す。透明導電膜積層体の特性評価は、実施例1と同様の項目及び方法で実施した。透明導電膜積層体の膜特性は、成膜ガスのH2割合が増加するに伴い、ヘイズ率が増加し、表面抵抗も増加する傾向にあるものの、実施例22~25の透明導電膜積層体は、ヘイズ率が8以上と十分に高いだけでなく、表面抵抗も25Ω/□以下と低かった。加えて、酸化物系透明導電膜IIIの積層により、透明導電膜積層体の表面組織に複雑な空隙が存在していないことから、Si層の欠陥も発生しないことが確認された。また、高ヘイズ率及び低抵抗値を有することから、薄膜太陽電池の表面透明電極用として有用であることが確認された。[実施例26~29]GAZOGAZOITiO表1、2に示すように、それぞれ酸化インジウム系透明導電膜Iを形成する際実施例26、酸化亜鉛系透明導電膜IIを形成する際実施例27、または酸化物系透明導電膜IIIを形成する際実施例28に、基板を加熱せず室温にて非晶質膜を形成した後に、300°Cで加熱処理を施した以外は、実施例1と同様にして、透明導電膜積層体を作製した。加えて実施例29においては、酸化物系透明導電膜IIIを形成する際に、基板を加熱せず室温にて非晶質膜を形成し、加熱処理を加えないこととし、その他は実施例1と同様にして、透明導電膜積層体を作製した。[特性評価:実施例26~29]表3に、実施例26~29の透明導電膜積層体の特性評価結果を示す。透明導電性薄膜積層体の特性は、実施例1と同様の項目及び方法にて測定した。実施例26~29におかる透明導電膜積層体は、表面組織に複雑な空隙が存在していないことから、Si層の欠陥も発生しないことが確認された。また、高ヘイズ率及び低抵抗値を有することから、薄膜太陽電池の表面透明電極用として有用であることが確認された。"