基板を装着するアノード電極と、前記アノード電極に対向するように配置され、対向する面に開口部が設けられた貫通孔を有するカソード電極と、前記アノード電極と前記カソード電極間にプロセスガスを導入するガス供給装置と、前記アノード電極と前記カソード電極間に交流電力を供給して、前記アノード電極と前記カソード電極間において前記プロセスガスをプラズマ状態にする交流電源とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。前記ガス供給装置が、前記プロセスガスを下方から上方に向かって前記アノード電極と前記カソード電極間に導入することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記ガス供給装置が、前記カソード電極の底面に沿って配置されたガス供給ノズルから前記カソード電極の底部に向けて前記プロセスガスを噴き出すことを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。前記カソード電極の前記開口部が設けられた両面にそれぞれ対向して前記アノード電極が配置されていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記カソード電極を複数備えることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記アノード電極及び前記カソード電極の少なくともいずれかがカーボンからなることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記貫通孔の直径が3.8mm以上且つ8.0mm以下であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記カソード電極の表面に前記開口部が最密に配置されていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記カソード電極に、長軸方向に沿った断面形状のサイズ又は形状が互いに異なる複数種類の前記貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記交流電源が供給する前記交流電力の周波数が、60Hz以上且つ27MHz以下であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記プロセスガスとして成膜用の原料ガスを含むガスを使用して、前記アノード電極上に配置された基板に前記原料ガスに含まれる原料を主成分とする膜を形成することを特徴とする請求項1項に記載のプラズマ処理装置。前記アノード電極上に配置された基板の表面に形成された膜をエッチングするガスを前記プロセスガスとして使用することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記プロセスガスとして酸素ガス及びアルゴンガスを含むガスを使用して、前記アノード電極上に配置された基板の表面に形成された膜をアッシングすることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。しかしながら、シャワー電極によるプラズマ処理を行うためには、直径が0.3~0.4mm程度の微細な孔をカソード電極の表面に多数形成する必要がある。このため、カソード電極の製造やメンテナンスが困難であり、コストが高い。また、シャワー電極の目詰まりによって連続使用ができない場合がある。これらの問題は、ホローカソード放電を利用したプラズマ処理装置でも同様に発生する。また、引用例ではカソードに対向する一つの面にのみプラズマを生成する構成であり、カソード電極の両面に均一で高密度のプラズマを安定して生成することは困難である。上記問題点に鑑み、本発明は、カソード電極の両面に均一で高密度のプラズマを安定して生成することができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。本発明の一態様によれば、処理基板を装着するアノード電極と、アノード電極に対向するように配置され、対向する面に開口部が設けられた貫通孔を有するカソード電極と、アノード電極とカソード電極間にプロセスガスを導入するガス供給装置と、アノード電極とカソード電極間に交流電力を供給して、アノード電極とカソード電極間においてプロセスガスをプラズマ状態にする交流電源と、アノード電極とカソード電極を格納するチャンバーと、チャンバーを真空排気する排気ポンプ及び排気速度を調整する排気速度制御部と、チャンバー内部の圧力を測定する圧力測定器を備えるプラズマ処理装置が提供される。本発明によれば、カソード電極の両面に均一で高密度のプラズマを安定して生成することができるプラズマ処理装置を提供できる。次に、図面を参照して、本発明の第1及び第2の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであることに留意すべきである。又、以下に示す第1及び第2の実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施形態は、構成部品の構造、配置などを下記のものに特定するものでない。この発明の実施形態は、請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。第1の実施形態本発明の第1の実施形態に係るプラズマ処理装置10は、図1に示すように、処理基板を装着するアノード電極11と、アノード電極11に対向する面に開口部が設けられた貫通孔120を有するカソード電極12と、アノード電極11とカソード電極12間にプロセスガス100を導入するガス供給装置13と、アノード電極11とカソード電極12間に交流電力を供給して、アノード電極11とカソード電極12間においてプロセスガス100をプラズマ状態にする交流電源14とを備える。図1に示したようにアノード電極11とカソード電極12は平板型であり、プラズマ処理装置10は容量結合型プラズマを利用したものである。容量結合方式の電極間の距離は概略均一であることが望ましい。表面に開口部が設けられたカソード電極12は、ホローカソード放電を生成させるホローカソード電極として機能する。以下に、ホローカソード放電について説明する。一般的な容量結合型プラズマでは、カソード電極12の表面への入射イオンにより放出される2次電子を起点として連鎖的にガス分子をイオン化することで電離を維持している。本発明の場合は、貫通孔120の内部を除くカソード電極12の表面でのプラズマ生成がこれにあたる。一方、貫通孔120内部でのプラズマ生成がホローカソード放電であり、ホローカソード放電では、カソード電極12の貫通孔120内部では電子が貫通孔120内部に閉じ込められ且つ運動エネルギーを持つことで、高密度電子の空間が形成される。即ち、カソード電極12に設けられた貫通孔120の側壁に発生する陰極降下によりデバイ遮断され、電子が貫通孔120の側壁に入射して消滅することはない。つまり、貫通孔120内部において電子が対向する壁面からはじき返される振り子運動Pendulum効果といわれるような反発を繰り返すことで、貫通孔120内部に高密度電子空間が形成される。ガス分子に衝突した電子は非弾性衝突を繰り返し、電離を維持促進する。これらの電子は貫通孔120内部で様々な方向に散乱し、電離増幅と累積電離を繰り返す。上記の現象を、図2~図5を参照して説明する。図2は、図1に示した領域Aを拡大した図である。アノード電極11とカソード電極12間にグロー放電領域101が形成されており、カソード電極12に形成された貫通孔120内部にホロー放電領域102が形成されている。なお、アノード電極11及びカソード電極12とグロー放電領域101間にシース領域200がそれぞれ形成されている。また、貫通孔120内部において、カソード電極12とホロー放電領域102間にシース領域200が形成されている。アノード電極11とカソード電極12間の間隔は距離Sとする。図3に示すように、貫通孔120に侵入したイオン50は、シース領域200によって加速され、カソード電極12の内壁面に衝突する。壁面から放射された2次電子60は、図4に示すように、シース電界によって壁面と垂直方向に加速される。加速されて十分なエネルギーを得た2次電子60は中性ガス分子70に衝突し、電子なだれを起こす。これにより、貫通孔120内部の電子密度は急速に増大する。図5に示すように、壁面から放射された2次電子60のうち、反対側の壁面近辺に到達した電子61は、反対側のシース電界で反発してプラズマ中に押し戻される。これが振り子運動効果とよばれ、貫通孔120内での電子の存在確立は飛躍的に増加する。これらの作用により、貫通孔120内は高電子密度に維持され、平行平板間に形成されるグロー放電とは異なるプラズマ構造となる。高電子密度領域に侵入したガス分子は電離と再結合を繰り返し、再結合時には高輝度の発光として観測される。高密度プラズマ中で生成された前駆体80はラジカル種であり、電極電位に関係なく貫通孔120の外側へ拡散し、例えばアノード電極11に配置された基板表面で薄膜を形成する。効率よく均一な高電子密度を得るための貫通孔120の径は、圧力、温度、プロセスガス種とその電子の平均自由工程から考察される。貫通孔120の径については後述する。なお、上記の原理から、カソード電極12には安価且つ加工が容易で、洗浄などのメンテナンスが容易なカーボン材などが好適である。例えばフッ酸処理によって、カーボン材からなるカソード電極12を洗浄できる。また、カーボン材を使用することにより、プラズマ処理工程における高温による変形が生じない。或いは、金属酸化膜が容易に形成されるアルミニウム合金などは、ホローカソード電極に適した材料である。他に、カーボン繊維入りカーボン、ステンレス合金、銅、銅合金、ガラス、セラミックスなどをカソード電極12に使用できる。または、上記の材料にアルマイト処理、めっき、溶射でコーティングを施してもよい。アノード電極11についてもカーボン材が好適に用いられる。また、カーボン繊維入りカーボン、アルミニウム合金、ステンレス合金、銅、銅合金、ガラス、セラミックスなどをアノード電極11に使用できる。または、これらの材料にアルマイト処理、めっき、溶射でコーティングを施してもよい。図1に示したプラズマ処理装置10では、ホローカソード放電が生じる多数の貫通孔120をカソード電極12の表面に一定の密度で形成することにより、カソード電極12の両面で均一な高電子密度電界を容易に達成することができる。これは、貫通孔120を介するプラズマの両極性拡散の性質により、カソード電極12の両面におけるプラズマ密度の濃淡の差が自動的に補正されるためである。これに対し、図6に示すような、カソード電極12Aの表面に凹部601を形成し、凹部601の底面にガス噴き出し口602を設けた比較例を検討する。この比較例は、カソード電極12Aの内部からプロセスガス100が供給されるシャワー電極を採用した例である。図6に示した比較例では、凹部601の内部が、ホローカソード放電による高密度プラズマが生成される空間である。凹部601の底面に形成された微小径のガス噴き出し口602からプロセスガス100を噴き出すことで、高密度プラズマ空間をプロセスガス100が効率的に通過するように構成されている。しかし、図6に示した比較例では、多数の凹部601にプロセスガス100を均一に供給することは困難であり、ガス噴き出し口602の開口径や長さ、プロセスガス100の流量や圧力などに、種々の制約がある。更に、ガス噴き出し口602が極微小径であるため、目詰まりを起こしやすい。目詰まりのためにプロセスガス100を導入できない場合には、目詰まりを起こした凹部601ではホローカソード放電が生じ難いため、カソード電極12Aの全面での放電の均一性が維持できない。一方、図1に示したプラズマ処理装置10では、ホローカソード放電による高密度プラズマが生成される貫通孔120付近に安定してプロセスガスが流される。このため、カソード電極12の両面のそれぞれの全面で放電の均一性が維持される。貫通孔120は、カソード電極12の表面にできるだけ数多く形成することが好ましい。例えば六方最密配置などのように、カソード電極12の表面に開口部が最密に配置されるように、貫通孔120を形成する。これにより、カソード電極12の表面に均一に高密度のプラズマが形成される。図7に、貫通孔120の開口部が形成されたカソード電極12の表面の例を示す。このとき、例えば図8に示すように、貫通孔120の径が5mmである場合に、上下方向に隣接する貫通孔120間の中心間距離を3mm、斜め方向に隣接する貫通孔120間の左右方向の距離を5.2mmに設定する。なお、図7に示したように、ガス供給装置13のプロセスガス100を噴き出すガス供給ノズル130は、カソード電極12の底面に向いており、且つ、ガス供給ノズル130が複数ある場合には、カソード電極12の底面に沿ってガス供給ノズル130が配列されている。ガス供給ノズル130をカソード電極12の底面に向けることにより、カソード電極12の両面にほぼ均等にプロセスガス100を供給することができる。プロセスガス100が複数の種類のガスを混合したガスである場合に、すべてのガスを混合したプロセスガス100をガス供給ノズル130から供給してもよいし、ガスの種類毎に異なるガス供給ノズル130からガスをそれぞれ供給してもよい。図1に示したプラズマ処理装置10について、効率的にホローカソード放電を形成するための貫通孔120のサイズを決定するために、電子の挙動を検討する必要がある。以下に、貫通孔120における電子の挙動を説明する。図9に、図1の領域Aにおける放電状態の詳細を示す。電子は、カソード電極12に対してデバイ長λdよりも内側に侵入できず、反発する。また、貫通孔120の内壁面から放出された電子は、電子の平均自由工程付近でガス分子と1回目の衝突を起こし、ガス分子をイオン化してプラズマを生成する。図9において、貫通孔120の直径dから両側のデバイ長λdを除いた距離を長さaで示している。電子の平均自由工程meanfreepassをbとすると、以下の式1が成り立つ:a=2bc1式1において、長さcは、貫通孔120内部のシース領域を除いた領域の直径方向の距離である。貫通孔120の直径dは、以下の式2で表される:d=a2×λd=2bc2×λd2c=0の場合、十分な運動エネルギーを持った電子の移動空間が確保できず、貫通孔120内部に十分なプラズマ生成空間が確保されないことになる。なお、c>5bのように貫通孔120の直径dが太い場合には、図10に示すように、貫通孔120内部で高密度のプラズマが貫通孔120の壁面に張り付くように生成される。このため、長さfで表される貫通孔120の中心空間において、プラズマ密度が希薄になってしまう。一方、図11に示したように、貫通孔120の直径dが小さくなると貫通孔120内の長さcで表される電子移動範囲が小さくなる。このため、十分なプラズマ空間を発生できない。図11は、ガス種がアンモニア、温度が673Kである場合におけるホローカソード放電が生じる圧力P、貫通孔120の直径dの条件を示した表である。図11では、電子の平均自由工程Yに対する貫通孔120の直径dの比が2.38、衝突回数が3.7をホローカソード放電が生じる条件とした。図11に示すように、貫通孔120の直径dが小さくなるほど長さcは小さくなり、プラズマ生成空間を確保することが困難になる。長さcが最適であれば、十分な運動エネルギーを有する電子の移動空間が確保され、更に、十分な広さの高密度プラズマ空間が確保される。図12に、温度が673Kであるときの電子の平均自由工程Yと圧力Pとの関係を示す。図12において、丸印がアンモニアNH3ガスにおける平均自由工程、三角印がモノシランSiH4ガスにおける平均自由工程である。なお、図11に例示した圧力P=67、87、130Paでの平均自由工程Yを、図12では白抜きの丸印及び三角印で示している。なお、デバイ長λdと電子温度Te、及び電子密度neの関係は、以下の式3で表される:λd=7.4×103×Te/ne123図13に、デバイ長λdの計算値の例を示す。ここでは、一般的な高密度グロー放電プラズマの電子温度と電子密度を用いてデバイ長λdを算出した。なお、ガス分子の平均自由工程λgは式4、電子の平均自由工程λeは式5でそれぞれ表される:λg=3.11×1024×T4/P×D4λe=λg×4×2125式4で、Tは雰囲気温度K、Pは圧力Pa、Dはガス分子の直径mである。上記のように最適な長さcを設定することにより、貫通孔120の直径dを決定できる。つまり、所定の圧力、雰囲気温度、ガス種により、最も効率的にホローカソード放電が生じるように専用設計されたカソード電極12を用意することができる。図1に示したプラズマ処理装置10では、貫通孔120の内部で最も効率よく電子の振り子運動効果を利用してホローカソード放電を生じさせることが必要である。このとき、電子の平均自由工程は、雰囲気温度と圧力、ガス分子の大きさで決定される。発明者らは、多数の貫通孔120を形成したカソード電極12を使用して、モノシランSiH4ガスとアンモニアNH3ガスの混合ガスをプロセスガス100に用いて実験を行った。雰囲気温度Tを350°C~450°C、圧力Pを67Paに設定した場合に、貫通孔120の直径が5.0mm、カソード電極12の厚み、即ち貫通孔120の長さtが5mm、アノード電極11とカソード電極12間の距離Sが16mmのときにカソード電極12の両面に均一なマルチホロー放電を得ることができた。マルチホロー放電とは、各貫通孔120にそれぞれ生じたホローカソード放電が合わさってカソード電極12の表面に生じた放電である。また、貫通孔120の直径が3.9mm、2.9mmの場合には、図11に示したように、圧力Pがそれぞれ87Pa、130Pa付近で均一なマルチホロー放電が得られた。これは、雰囲気温度Tが400°Cのとき、モノシランガス中の電子の平均自由工程の4.72倍、アンモニアガス中の電子の平均自由工程の2.38倍になるモノシランガス中の電子の平均自由工程とアンモニアガス中の電子の平均自由工程の比は1.98である。。実際はプロセスガス100に混合ガスを使用するため、ガス流量比の多いアンモニアガス中の電子の平均自由工程を基準に貫通孔120の直径dを試算した。具体的には、モノシランガスとアンモニアガスの混合ガスを使用し、雰囲気温度Tが400°C、圧力Pが67Paのとき、貫通孔120の直径dを5mmとして、カソード電極12の両面に均一なマルチホロー放電が得られる。CVDのプロセスガスは通常、モノシラン、水素、窒素等のガス種が混合して導入されるが、貫通孔120直径の検討においては混合ガス中でもっとも平均自由工程が長いガス種に着目し、貫通孔120の直径の最適値を導いた。なお、加工の容易さや、所望の圧力でマルチホロー放電を得るためには、貫通孔120の直径dを3.8mm~8.0mm程度にすることが好ましい。これらの寸法は、シャワー電極を製造するために必要な0.3mm~0.4mmの孔を形成するよりも容易である。このため、プラズマ処理装置10の製造コストを低減することができる。なお、上記では貫通孔120の断面が円形である例を示した。しかし、貫通孔120の断面が概略直径が3.8mm~8.0mm程度の多角形であってもよい。また、長軸方向に沿った断面形状が互いに同一の多数の貫通孔120をカソード電極12に形成してもよいし、或いは、長軸方向に沿った断面形状のサイズ又は形状が互いに異なる貫通孔120を混在させて形成してもよい。直径dが異なる貫通孔120を混在させることによって、圧力や温度、ガス種などが異なる複数の条件で、それぞれマルチホロー放電を得ることができる。貫通孔120の長軸方向の長さ、即ちカソード電極12の厚みtは、ホローカソード放電が発生しやすいように、3mm~10mm程度、好ましくは5mm程度に設定される。アノード電極11とカソード電極12間の距離Sは、10mm~40mm程度が好ましい。これにより、アノード電極11とカソード電極12間に均一にプラズマを発生できる。図6に示した比較例などの従来手法では、ホローカソード放電による高密度プラズマが生成される凹部601からシャワーのようにプロセスガス100が均一に放出されることではじめて、カソード電極12Aの全面でプラズマの均一性を得ることができる。これに対し、図1に示したプラズマ処理装置10では、カソード電極12を介さずにプロセスガス100が導入される。貫通孔120の直径dがシャワー電極に必要な孔の直径よりもかなり大きいため、目詰まりの心配が無く、更に、メンテナンスも容易である。プラズマ処理装置10では、アノード電極11とカソード電極12間に、下方から上方に向かってプロセスガス100を導入することが好ましい。下方からプロセスガス100を導入することにより、比重の軽いプラズマ化したガス分子、ラジカル粒子は上方流としてカソード電極12の表面を自然に流れ上がる。したがって、シャワー電極のような複雑な構造を用いなくても、カソード電極12の表面にプロセスガスが均一に供給される。また、ホローカソード放電による高密度プラズマが生成される空間が貫通孔120であるため、カソード電極12の表裏でプラズマの連続性が確保されており、相互的にプラズマ密度の濃淡が自動補正される。このため、プラズマ処理装置10では、カソード電極12の両面で均一な高密度のプラズマ生成が可能である。なお、プロセスガス100がスムーズに流れるように、カソード電極12の表面は滑らかであることが好ましく、貫通孔120の内部表面を除いて、表面粗さを3μm以下に仕上げる。例えば、仕上げ記号が▽▽▽で表される程度にカソード電極12の表面を平坦にする。つまり、最大高さRyが6.3S、十点平均粗さRzが6.3Z、算術平均粗さRaが1.6aよりも小さくすることが好ましい。カソード電極12の表面粗さを小さくすることによって、基板1に形成される薄膜の成膜速度を上げることができる。以上に説明したように、本発明の第1の実施形態に係るプラズマ処理装置10によれば、カソード電極12に貫通孔120を形成することによって、カソード電極12の両面において均一で高密度のプラズマを安定して生成することができる。更に、数千個以上の微細孔加工が必要なシャワー電極を用いた装置と比較して、プラズマ処理装置10の製造期間が短く、且つ製造歩留まりが向上する。このため、プラズマ処理装置10の製造コストの増大が抑制される。また、プラズマ処理装置10によれば、交流電源14の供給する交流電力の周波数に関係なく、大面積で均一な高密度プラズマの生成が可能である。交流電源14が供給する交流電力の周波数を、例えば60Hz~27MHz程度に設定しても、均一で高密度のプラズマを生成できる。つまり、高価なVHF帯の交流電力を供給する交流電源を使用する必要がない。これに対し、従来の平行平板型のプラズマ処理装置では、大面積で高密度の容量結合高周波放電のためには、例えば13.56MHzのRF帯の周波数に代えて、プラズマ密度の向上と定在波によるプラズマ密度の不均一とを解消するために、13.56MHz以上の27MHzなどのVHF帯の周波数を使用する必要があった。プラズマ処理装置10では、例えば250KHzのような安価な低周波RF帯であっても、VHF帯の交流電源を使用する従来のプラズマ処理装置と同等以上の高密度プラズマを得ることができる。なお、交流電源14が出力する交流電力を、パルスジェネレータを介してアノード電極11とカソード電極12間に供給してもよい。例えば、パルスジェネレータの出力をカソード電極12に供給し、アノード電極11を接地する。交流電力の供給を一定の周期で停止することにより、プラズマが安定して形成される。これは、交流電力の供給に停止期間を設けることによって電子の温度が下がり、放電の安定性が向上するためである。例えば、交流電力を供給するオン時間を600μ秒、交流電力の供給を停止するオフ時間を50μ秒として、オン時間とオフ時間を交互に繰り返すようにアノード電極11とカソード電極12間に交流電力が供給される。なお、オン時間は100μ秒~1000μ秒程度、オフ時間は10μ秒~100μ秒程度の範囲で設定されることが好ましい。上記のようにアノード電極11とカソード電極12間への交流電力の供給をパルス制御して、交流電力の供給を周期的にオンオフさせることより、異常放電の発生を抑制できる。<第1の変形例>図14に、アノード電極11が1つの場合におけるプラズマ処理装置10の例を示す。図14に示すようにカソード電極12の片側の表面にのみプラズマを励起する場合には、カソード電極12のプラズマを励起しない面から距離kの位置にカソード背板121を配置する。このとき、カソード電極12とカソード背板121間にプラズマが発生しないように、k<bb:電子の平均自由工程であるように距離kを設定する。このとき、カソード電極12とカソード背板121に交流電源14から交流電力が供給される。なお、アノード電極11とカソード電極12間、及びカソード電極12とカソード背板121間に、プロセスガス100が導入される。<第2の変形例>プラズマ処理装置10が、複数のカソード電極12を有する例を図15に示す。図15に示したプラズマ処理装置10では、アノード電極11とカソード電極12が交互に配置され、且つ、最も外側にはアノード電極11が配置されている。このため、アノード電極11の枚数はカソード電極12よりも1枚多い。図15ではカソード電極12が3枚である例を示したが、カソード電極12の枚数が3枚に限られないことはもちろんである。図15に示した構成を採用することにより、アノード電極11とカソード電極12に形成されるプラズマ領域の数を増やすことができる。これにより、プラズマ処理装置10の処理能力が向上する。第2の実施形態図1に示したプラズマ処理装置10は、プラズマ化学気相成長CVD装置、プラズマエッチング装置、プラズマアッシング装置などに適用可能である。図16に、図1に示したプラズマ処理装置10をプラズマCVD装置に使用した例を示す。アノード電極11及びカソード電極12はチャンバー20内に配置され、アノード電極11上に成膜処理対象の基板1が配置されている。アノード電極11は接地されている。プロセスガス100として成膜用の原料ガスを含むガスが使用され、ガス供給装置13からガス供給ノズル130を介してチャンバー20内にプロセスガス100が導入される。チャンバー20内の圧力はキャパシタンスゲージなどの圧力測定器16によって測定され、チャンバー20を真空排気する排気ポンプであり排気速度を調整する排気速度制御部APC15によってチャンバー20内の圧力が調整される。チャンバー20内のプロセスガス100の圧力が所定のガス圧に調整された後、交流電源14により所定の交流電力がカソード電極12とアノード電極11間に供給される。これにより、チャンバー20内のプロセスガス100がプラズマ化される。形成されたプラズマに基板1を曝すことにより、原料ガスに含まれる原料を主成分とする所望の薄膜が基板1の露出した表面に形成される。なお、図16に示す基板加熱ヒータ21によって、成膜処理中の基板1の温度を設定してもよい。成膜処理中の基板1の温度を所定の温度に設定することにより、成膜速度を速めたり、膜質を向上させたりすることができる。既に説明したように、図1に示したプラズマ処理装置10では、カソード電極12の表面に均一な高密度のプラズマが生成される。このため、図16に示したプラズマCVD装置によれば、原料ガスが効率よく分解され、高速で大面積に薄膜が基板1上に均一に形成される。したがって、形成される膜の膜厚、膜質の均一性が向上すると共に、成膜速度が向上する。プラズマ処理装置10を採用したプラズマCVD装置により、原料ガスを適宜選択することによって、所望の薄膜を形成できる。例えば、シリコン半導体薄膜、シリコン窒化薄膜、シリコン酸化薄膜、シリコン酸窒化薄膜、カーボン薄膜などを基板1上に形成することができる。具体的には、アンモニアNH3ガスとモノシランSiH4ガスの混合ガスを用いて、基板1上に窒化シリコンSiN膜が形成される。或いは、モノシランSiH4ガスとN2Oガスの混合ガスを、又はTEOSガスと酸素ガスを用いて、基板1上に酸化シリコンSiOx膜が形成される。図17に、カソード電極12に装着された交流電源14とは別に、アノード電極11に交流電源17を装着した例を示す。アノード電極11に交流電力を供給することによって、基板1に形成される薄膜の膜質を向上できる。交流電源17の供給する交流電力の周波数は、交流電源14の供給する交流電力の周波数と同等か、或いは低くともよい。例えば、交流電源17が供給する交流電力の周波数は60Hz~27MHz程度に設定される。なお、交流電源14からは交流電力を供給せず、交流電源17のみから交流電力を供給することにより、アノード電極11をクリーニングできる。具体的には、スパッタ用のガスをチャンバー20内に導入し、交流電源17から交流電力を供給しながらのスパッタエッチングによって、アノード電極11をクリーニングする。また、図14に示したようなアノード電極11が1つの場合に、カソード電極12とアノード電極11にそれぞれ交流電源14、17を装着した図18に示すプラズマ処理装置10を、プラズマCVD装置に使用してもよい。なお、既に説明したように、k<bとなるように、カソード電極12のプラズマを励起しない面からカソード背板121までの距離kが設定される。なお、図15に示したような複数のカソード電極12を有するプラズマ処理装置10をプラズマCVD装置に適用することによって、一度に成膜する基板の数が増大し、成膜処理能力を向上させることができる。図1に示したプラズマ処理装置10をプラズマCVD装置に適用した例を以上に説明した。図15や図16に示した構成で、プロセスガス100のガス種を替えることによって、図1に示したプラズマ処理装置10をプラズマエッチング装置やプラズマアッシング装置などに適用可能である。例えば、プラズマエッチング用ガスをプロセスガス100としてチャンバー20内に導入することによって、基板1上に形成された膜をエッチング除去するプラズマエッチング装置を実現できる。プラズマエッチング用ガスはエッチング対象の材料によって適宜選択されるが、例えば、三フッ化窒素NF3ガスや四フッ化炭素CF4ガスなどのフッ素系ガスを採用可能である。また、プラズマアッシング用ガスをプロセスガス100としてチャンバー20内に導入することによって、プラズマ処理装置10を用いたプラズマアッシング装置を実現できる。例えば、プロセスガス100として酸素及びアルゴンガスを使用することにより、エッチング用マスクとして基板1に形成されたカーボン膜やフォトレジスト膜などをアッシングできる。以上に説明したように、カソード電極12の両面において均一で高密度のプラズマを安定して生成することができるプラズマ処理装置10を使用することにより、プラズマCVD装置、プラズマエッチング装置、プラズマアッシング装置などの処理速度や精度を向上できる。上記のように、本発明は第1及び第2の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。即ち、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。