半導体材料の活性領域と、前記活性領域上の第1のコンタクトであって、ボンディングパッド領域を有する第1のコンタクトと、前記第1のコンタクトの前記ボンディングパッド領域の下の活性領域に配置され、かつ前記第1のコンタクトの前記ボンディングパッド領域の下の領域において前記活性領域を流れる電流の流れを減少させるように構成された伝導性減少領域と、前記活性領域に電気的に結合された第2のコンタクトとを備えることを特徴とする発光デバイス。前記伝導性減少領域は、前記第1のコンタクトから前記活性領域まで延びていることを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。前記伝導性減少領域は、前記第1のコンタクトから前記活性領域の中まで延びていることを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。前記伝導性減少領域は、前記第1のコンタクトから前記活性領域を通じて延びていることを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。前記伝導性減少領域は、前記活性領域を通じて延びていることを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。前記第1のコンタクトと前記活性領域との間に配置されたp型半導体材料をさらに備え、前記伝導性減少領域は、前記第1のコンタクトから前記p型半導体材料を通じ、さらに前記活性領域を通じて延びていることを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。前記活性領域は、III族窒化物ベースの活性領域を備えていることを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。前記ボンディングパッド領域の前記第1のコンタクトの上にボンディングパッドをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。前記伝導性減少領域は、前記ボンディングパッドと自己整合されていることを特徴とする請求項8に記載の発光デバイス。前記伝導性減少領域は、絶縁領域を備えることを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。前記伝導性減少領域は、光を吸収しない領域を備えることを特徴とする請求項10に記載の発光デバイス。前記伝導性減少領域は、注入領域を備えることを特徴とする請求項10に記載の発光デバイス。III族窒化物ベースの活性領域と、前記活性領域の上のIII族窒化物ベースの層の上に直接ある第1のコンタクトであって、前記第1のコンタクトは、前記III族窒化物ベースの層に対してオーミックコンタクトを作る第1の部分および前記III族窒化物ベースの層に対してオーミックコンタクトを作らない第2の部分を有し、前記第2の部分は、前記第1のコンタクトのボンディングパッド領域に対応している第1のコンタクトと、前記活性領域に電気的に結合された第2のコンタクトとを備えることを特徴とする発光デバイス。前記第2の部分は、前記III族窒化物ベースの層と前記第1のコンタクトとの間の界面の損傷領域に対応していることを特徴とする請求項13に記載の発光デバイス。前記損傷領域は、前記III族窒化物ベースの層のウェットエッチングまたはドライエッチングされた領域を備えることを特徴とする請求項14に記載の発光デバイス。前記損傷領域は、高エネルギープラズマにさらされた、前記III族窒化物ベースの層および/または前記第1のコンタクトの領域を備えることを特徴とする請求項14に記載の発光デバイス。前記損傷領域は、H2にさらされた前記III族窒化物ベースの層の領域を備えることを特徴とする請求項14に記載の発光デバイス。前記損傷領域は、高エネルギーレーザにさらされた前記III族窒化物ベースの層の領域を備えることを特徴とする請求項14に記載の発光デバイス。前記第1のコンタクトの前記ボンディングパッド領域の上にワイヤボンディングパッドをさらに備えることを特徴とする請求項13に記載の発光デバイス。前記第1のコンタクトは、白金の層を備えることを特徴とする請求項13に記載の発光デバイス。前記白金の層は、実質的に透明であることを特徴とする請求項20に記載の発光デバイス。前記第1のコンタクトの前記ボンディングパッド領域の上にワイヤボンディングパッドをさらに備え、前記損傷領域と前記ワイヤボンディングパッドは自己整合されていることを特徴とする請求項14に記載の発光デバイス。半導体材料の活性領域と、前記活性領域の上のショットキーコンタクトと、前記活性領域および前記ショットキーコンタクトの上の第1のオーミックコンタクトであって、前記ショットキーコンタクトの上の前記第1のオーミックコンタクトの部分は、前記第1のオーミックコンタクトのボンディングパッド領域に対応している第1のオーミックコンタクトと、前記活性領域に電気的に結合された第2のオーミックコンタクトとを備えることを特徴とする発光デバイス。前記第1のオーミックコンタクトの前記ボンディングパッド領域の上にボンディングパッドをさらに備えることを特徴とする請求項23に記載の発光デバイス。前記活性領域は、III族窒化物ベースの活性領域を備えることを特徴とする請求項23に記載の発光デバイス。半導体材料の活性領域と、前記活性領域の上の第1のオーミックコンタクトであって、前記第1のオーミックコンタクトの部分が、第1の伝導型の半導体材料の領域の上に直接あり、前記第1のオーミックコンタクトの第2の部分が、前記第1の伝導型と反対の第2の伝導型の半導体材料の領域の上に直接あり、前記第2の部分が前記第1のオーミックコンタクトのボンディングパッド領域に対応している第1のオーミックコンタクトと、前記活性領域に電気的に結合された第2のオーミックコンタクトとを備えることを特徴とする発光デバイス。前記第2の伝導型の半導体材料の前記領域は、第2の伝導型の半導体材料の層を備えることを特徴とする請求項26に記載の発光デバイス。前記第1の伝導型の半導体材料の領域は、前記第1の伝導型の半導体材料の層を備え、さらに前記第2の伝導型の半導体材料の前記領域は、前記第1の伝導型の半導体材料の前記層と共に配置されていることを特徴とする請求項26に記載の発光デバイス。前記活性領域が、III族窒化物ベースの活性領域を備えることを特徴とする請求項26に記載の発光デバイス。前記第1のオーミックコンタクトの前記ボンディングパッド領域の上にボンディングパッドをさらに備えることを特徴とする請求項26に記載の発光デバイス。半導体材料の活性領域を形成するステップと、前記活性領域の上に第1のコンタクトを形成するステップであって、前記第1のコンタクトは、ボンディングパッドを有するステップと、前記第1のコンタクトの前記ボンディングパッド領域の下の活性領域に配置され、かつ前記第1のコンタクトの前記ボンディングパッド領域の下の領域において、前記活性領域を流れる電流の流れを阻止するように構成された伝導性減少領域を形成するステップと、前記活性領域に電気的に結合された第2のコンタクトを形成するステップとを含むことを特徴とする発光デバイスを作製する方法。前記伝導性減少領域は、前記第1のコンタクトから前記活性領域まで延びることを特徴とする請求項31に記載の方法。前記伝導性減少領域は、前記第1のコンタクトから前記活性領域の中まで延びることを特徴とする請求項31に記載の方法。前記伝導性減少領域は、前記第1のコンタクトから前記活性領域を通じて延びることを特徴とする請求項31に記載の方法。前記伝導性減少領域は、前記活性領域を通じて延びることを特徴とする請求項31に記載の方法。前記第1のコンタクトと前記活性領域の間に配置されたp型半導体材料を形成するステップさらに含み、前記伝導性減少領域は、前記第1のコンタクトから前記p型半導体材料を通じ、さらに前記活性領域を通じて延びることを特徴とする請求項31に記載の方法。前記活性領域は、III族窒化物ベースの活性領域を備えることを特徴とする請求項31に記載の方法。前記ボンディングパッド領域の前記第1のコンタクトの上にボンディングパッドを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項31に記載の方法。前記伝導性減少領域は、前記ボンディングパッドと自己整合されることを特徴とする請求項38に記載の方法。伝導性減少領域を形成する前記ステップは、前記第1のオーミックコンタクトの上にマスク層を形成するステップであって、前記マスク層は、前記ボンディングパッドに対応する開口を有するステップと、前記マスク層の前記開口を通じて前記活性領域に原子を注入するステップとを含むことを特徴とする請求項31に記載の方法。前記マスク層の前記開口にボンディングパッドを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項40に記載の方法。III族窒化物ベースの活性領域を形成するステップと、前記活性領域の上のIII族窒化物ベースの層の上に直接第1のコンタクトを形成するステップであって、前記第1のコンタクトは、前記III族窒化物ベースの層に対してオーミックコンタクトを作る第1の部分および前記III族窒化物ベースの層に対してオーミックコンタクトを作らない第2の部分を有し、前記第2の部分は、前記第1のコンタクトのボンディングパッド領域に対応するステップと、前記活性領域に電気的に結合された第2のコンタクトを形成するステップとを含むことを特徴とする発光デバイスを作製する方法。第1のコンタクトを形成するステップは、前記第1のコンタクトの前記第2の部分に対応する前記III族窒化物ベースの層の領域を損傷するステップを含むことを特徴とする請求項42に記載の方法。領域を損傷するステップは、前記III族窒化物ベースの層の前記領域をウェットエッチングまたはドライエッチングすることを含むことを特徴とする請求項43に記載の方法。領域を損傷するステップは、前記III族窒化物ベースの層の前記領域および/または前記第1のコンタクトを高エネルギープラズマにさらすことを含むことを特徴とする請求項43に記載の方法。領域を損傷するステップは、前記III族窒化物ベースの層の前記領域をH2にさらすことを含むことを特徴とする請求項43に記載の方法。領域を損傷するステップは、前記III族窒化物ベースの層の前記領域を高エネルギーレーザにさらすことを含むことを特徴とする請求項43に記載の方法。前記第1のコンタクトの前記ボンディングパッド領域の上にワイヤボンディングパッドを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項42に記載の方法。半導体材料の活性領域を形成するステップと、前記活性領域の上にショットキーコンタクトを形成するステップと、前記活性領域および前記ショットキーコンタクトの上に第1のオーミックコンタクトを形成するステップであって、前記ショットキーコンタクトの上の前記第1のオーミックコンタクトの部分は、前記第1のオーミックコンタクトのボンディングパッド領域に対応するステップと、前記活性領域に電気的に結合された第2のオーミックコンタクトを形成するステップとを含むことを特徴とする発光デバイスを作製する方法。前記第1のオーミックコンタクトの前記ボンディングパッド領域の上にボンディングパッドを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項49に記載の方法。前記活性領域は、III族窒化物ベースの活性領域を含むことを特徴とする請求項49に記載の方法。半導体材料の活性領域を形成するステップと、前記活性領域の上に第1のオーミックコンタクトを形成するステップであって、前記第1のオーミックコンタクトの部分が、第1の伝導型の半導体材料の領域の上に直接あり、前記第1のオーミックコンタクトの第2の部分が、前記第1の伝導型と反対の第2の伝導型の半導体材料の領域の上に直接あり、前記第2の部分が前記第1のオーミックコンタクトのボンディングパッド領域に対応しているステップと、前記活性領域に電気的に結合された第2のオーミックコンタクトを形成するステップとを含むことを特徴とする発光デバイスを作製する方法。前記第2の伝導型の半導体材料の前記領域は、第2の伝導型の半導体材料の層を備えることを特徴とする請求項52に記載の方法。前記第1の伝導型の半導体材料の領域は、前記第1の伝導型の半導体材料の層を備え、前記第2の伝導型の半導体材料の前記領域は、前記第1の伝導型の半導体材料の前記層と共に配置されることを特徴とする請求項52に記載の方法。前記活性領域は、III族窒化物ベースの活性領域を備えることを特徴とする請求項52に記載の方法。前記第1のコンタクトの前記ボンディングパッド領域の上にワイヤボンディングパッドを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項52に記載の方法。従来のLEDの効率は、活性領域で発生された光のすべてを放出することができないことによって制限されている可能性がある。LEDが通電されたとき、活性領域からの全方向への発光は、例えば光を吸収するワイヤボンディングパッドによって、LEDから出るのを妨げられる可能性がある。一般に、窒化ガリウムベースのLEDでは、電流拡散コンタクト層が設けられ、発光デバイスの断面全体にわたってキャリア注入の一様性が高められる。電流は、ボンディングパッドおよびp型コンタクトを通じてLEDのp側に注入される。デバイスの活性領域で発生される光は、キャリアの注入に比例する。したがって、実質的に透明なp型コンタクト層などの電流拡散層を使用することにより、活性領域全体にわたって実質的に一様な光子の放出がもたらされる可能性がある。しかし、ワイヤボンディングパッドは、一般に透明な構造体ではないので、ワイヤボンディングパッドに入射する、LEDの活性領域から放出された光子は、ワイヤボンディングパッドで吸収される可能性がある。例えば、いくつかの例では、ワイヤボンディングパッドに入射する光のほぼ70が吸収される可能性がある。そのような光子の吸収は、LEDから漏れ出る光の量を減少させる可能性があり、そしてLEDの効率を下げる可能性がある。本発明のいくつかの実施形態は、半導体材料の活性領域および前記活性領域の上の第1のコンタクトを備える発光デバイスおよび/または発光デバイスの作製方法を提供する。前記第1のコンタクトは、その上にボンディングパッド領域を有する。伝導性減少領域reducedconductionregionが、前記第1のコンタクトの前記ボンディングパッド領域の下の活性領域に配置され、前記第1のコンタクトの前記ボンディングパッド領域の下の領域において、活性領域を流れる電流の流れを阻止するように構成される。第2のコンタクトが、前記活性領域に電気的に結合される。本発明のさらに他の実施形態では、前記伝導性減少領域は、前記活性領域を通じて延びる。前記伝導性減少領域は、前記第1のコンタクトから前記活性領域まで、前記活性領域の中まで、または前記活性領域を通じて延びることができる。また、前記第1のコンタクトと前記活性領域との間にp型半導体材料を配置することができる。そのような場合、前記伝導性減少領域は、前記第1のコンタクトから前記p型半導体材料を通じ、さらに前記活性領域を通じて延びることができる。本発明の追加の実施形態では、前記活性領域は、III族窒化物ベースの活性領域を備える。また、ボンディングパッドを、前記ボンディングパッド領域の前記第1のコンタクトの上に設けることができる。前記伝導性減少領域は、前記ボンディングパッドと自己整合される可能性がある。前記伝導性減少領域は、絶縁領域とすることができる。また、前記伝導性減少領域は、光を吸収しない領域とすることができる。前記伝導性減少領域は、注入領域を備えることができる。本発明のさらに他の実施形態では、III族窒化物ベースの活性領域、および前記活性領域上のIII族窒化物ベースの層のすぐ上の第1のコンタクトを備える発光デバイスおよび発光デバイスの作製方法が提供される。前記第1のコンタクトは、前記III族窒化物ベースの層に対してオーミックコンタクトを形成する第1の部分および前記III族窒化物ベースの層に対してオーミックコンタクトを形成しない第2の部分を有する。前記第2の部分は、前記第1のコンタクトのボンディングパッド領域に対応する。第2のコンタクトが、前記活性領域に電気的に結合される。本発明の追加の実施形態では、前記第2の部分は、前記III族窒化物ベースの層と前記第1のコンタクトとの間の界面の損傷領域に対応する。前記損傷領域には、前記III族窒化物ベースの層のウェットエッチングまたはドライエッチングされた領域、高エネルギープラズマにさらされた前記III族窒化物ベースの層の領域および/または第1のコンタクト、H2にさらされた前記III族窒化物ベースの層の領域、および/または高エネルギーレーザにさらされた前記III族窒化物ベースの層の領域を含めることができる。本発明のさらに他の実施形態では、ワイヤボンディングパッドが、前記第1のコンタクトの前記ボンディングパッド領域上に設けられる。さらに、前記第1のコンタクトは、白金の層を備えることができ、前記白金の層は、実質的に透明である可能性がある。また、前記損傷領域と前記ワイヤボンディングパッドは、自己整合される可能性がある。本発明のさらに他の実施形態では、半導体材料の活性領域と、前記活性領域上のショットキーコンタクトと、前記活性領域および前記ショットキーコンタクト上の第1のオーミックコンタクトとを備える発光デバイスおよび発光デバイスの作製方法が提供される。前記ショットキーコンタクト上の前記第1のオーミックコンタクトの部分は、前記第1のオーミックコンタクトのボンディングパッド領域に対応する。第2のオーミックコンタクトが、前記活性領域に電気的に結合される。ボンディングパッドを、前記第1のオーミックコンタクトの前記ボンディングパッド領域上に設けることができる。前記活性領域は、III族窒化物ベースの活性領域を備えることができる。本発明の他の実施形態では、半導体材料の活性領域と、前記活性領域上の第1のオーミックコンタクトを備える発光デバイスおよび発光デバイスを作製する方法が提供される。前記第1のオーミックコンタクトの部分は、第1の伝導型の半導体材料の領域の上に直接あり、前記第1のオーミックコンタクトの第2の部分は、前記第1の伝導型と反対の第2の伝導型の半導体材料の領域の上に直接ある。前記第2の部分は、前記第1のオーミックコンタクトのボンディングパッド領域に対応する。第2のオーミックコンタクトが、前記活性領域に電気的に結合される。前記第2の伝導型の半導体材料の領域は、第2の伝導型の半導体材料の層を備えることができる。前記第1の伝導型の半導体材料の領域は、前記第1の伝導型の半導体材料の層を備えることができ、さらに前記第2の伝導型の半導体材料の領域は、前記第1の伝導型の半導体材料の層と共に配置される可能性がある。前記活性領域は、III族窒化物ベースの活性領域を備えることができる。ボンディングパッドは、前記第1のオーミックコンタクトの前記ボンディングパッド領域上に設けることができる。本発明の実施形態が示されている添付の図面を参照して、以下で本発明をより完全に説明する。しかし、本発明は、本明細書に示される実施形態に限定されるように解釈されるべきでない。むしろ、これらの実施形態は、この開示が徹底的かつ完全であり本発明の範囲を当業者に十分に伝えるために提供されている。図面において、層および領域の厚さは、明瞭性のために誇張されている。全体を通して、同様な数字は同様な要素を参照する。本明細書で使用されるとき、用語および/またはは、関連付けられて列挙された項目の1つまたは複数の任意のすべての組合せを含む。本明細書で使用される用語は、特定の実施形態を説明する目的のためだけのものであり、本発明を制限するように意図されていない。本明細書で使用されるときに、単数形ひとつのおよびそのは、文脈が特に明らかに指示しない限り、複数形も含むことが意図されている。さらに理解されることであろうが、用語備えるは、本明細書で使用されるとき、述べられた特徴、整数integer、ステップ、動作、要素、および/または部品の存在を明示するが、1つまたは複数の他の特徴、整数、ステップ、動作、要素、部品、および/またはこれらのグループの存在または追加を排除しない。理解されることであろうが、層、領域または基板のような要素が、他の要素の上にある、または他の要素の上へ延びていると言及されるとき、それは、他の要素の上に直接ある、もしくは他の要素の上へ直接延びていることがあり、または介在要素が存在することもある。対照的に、要素が、他の要素の上に直接ある、または他の要素の上へ直接延びていると言及されるとき、介在要素は存在しない。また、理解されることであろうが、要素が別の要素に接続または結合されていると言及されるとき、それは、別の要素に直接接続もしくは結合されていることがあり、または介在要素が存在することがある。対照的に、要素が別の要素に直接接続または直接結合されていると言及されるとき、介在要素は存在しない。明細書全体を通して、同様な数字は同様な要素を参照する。理解されることであろうが、第1、第2などの用語は、様々な要素、部品、領域、層および/または部分を記述するために本明細書で使用されることがあるが、これらの要素、部品、領域、層および/または部分は、これらの用語によって限定されるべきでない。これらの用語は、1つの要素、部品、領域、層または部分を別の領域、層または部分と区別するために使用されているだけである。したがって、以下で述べる第1の要素、部品、領域、層または部分は、本発明の教示から逸脱することなく、第2の要素、部品、領域、層または部分と呼ばれうる。さらに、より下のまたは底およびより上のまたは頂上などの相対的な用語は、図に示されているような1つの要素の別の要素に対する関係を記述するために本明細書で使用されることがある。理解されることであろうが、相対的な用語は、図に示された向きの外にデバイスの異なる向きを含むことが意図されている。例えば、図のデバイスがひっくり返された場合、他の要素のより下の側にあると記述された要素は、そのとき、他の要素のより上の側に向けられるだろう。したがって、例示的な用語より下のは、図の特定の向きに応じてより下のとより上のの両方の向きを包含することができる。同様に、図の1つのデバイスがひっくり返された場合、他の要素より下にまたはの真下にと記述された要素は、他の要素より上に向けられるだろう。したがって、例示的な用語より下にまたはの真下には、上と下の向きの両方を包含することができる。本発明の実施形態は、本発明の理想的な実施形態の略図である断面図を参照して、本明細書で説明される。したがって、例えば製造技術および/または許容誤差の結果としてこれらの説明図の形からの変動が予期される。したがって、本発明の実施形態は、本明細書で示される領域の特定の形に限定されるものとして解釈されるべきでなく、例えば製造に起因する形の変動を含むことになっている。例えば、矩形として図示または説明されたエッチング領域は、一般に、丸くなった又は曲がった形態を有している。したがって、図示された領域は本質的に模式的であり、それらの形はデバイスの領域の正確な形を示すことを意図されておらず、また本発明の範囲を限定することを意図されていない。特に定義されなければ、本明細書で使用されるすべての用語技術的および科学的用語を含むは、この発明が属する技術分野の当業者によって一般的に理解されるのと同じ意味を有している。さらに理解されることであろうが、一般に使用される辞書で定義されているような用語は、関連した技術分野の文脈におけるその意味と一致した意味を持つものとして解釈されるべきであり、本明細書で明確にそのように定義されない限り、理想化された又は過度に形式的な意味で解釈されない。また、当業者には理解されることであろうが、別の形態に隣接して配置された構造または形態についての言及は、隣接した形態に部分的に重なる、または隣接した形態の下に横たわる部分を含むことがある。本明細書で開示されたLEDの様々な実施形態は基板を備えるものの、当業者は理解するであろうが、LEDを備えるエピタキシャル層が成長された結晶性エピタキシャル成長基板を除去することができ、独立したfreestandingエピタキシャル層を、元の基板よりも優れた熱的、電気的、構造的および/または光学的特性を有する可能性のある代わりのキャリア基板すなわちサブマウントsubmountに取り付けることができる。本明細書で説明される本発明は、結晶性エピタキシャル成長基板を有する構造に限定されず、エピタキシャル層が元の成長基板から除去されて代わりのキャリア基板に結合された構造に関係して利用することができる。本発明のいくつかの実施形態は、ワイヤボンディングパッドまたは他の光吸収構造の下の領域において、デバイスの活性領域への電流の流れを減少させることおよび/または妨げることによって、発光デバイスの有効性を改善することができる。したがって、本発明のいくつかの実施形態は、ワイヤボンディングパッドの下に電流阻止機構を有する発光デバイスおよび発光デバイスの作製方法を提供することができる。ワイヤボンディングパッドのすぐ下に電流が注入されるのを減らし、かつ/または妨げることによって、電流は、ワイヤボンディングパッドの下でないデバイスの部分で、光子放出にいっそう変換されやくなる可能性がある。したがって、ワイヤボンディングパッドによって光が吸収される確率が減少する可能性がある。本発明のいくつかの実施形態では、本発明のいくつかの実施形態による発光デバイスの効率の向上は、ワイヤボンディングパッドの大きさに比例する可能性がある。本発明の実施形態は、III族窒化物ベースのデバイスのような窒化物ベースの発光デバイスで使用するのに特に適切である可能性がある。本明細書で使用されるときに、用語III族窒化物は、窒素と、周期律表のIII族の元素、通常アルミニウムAl、ガリウムGa、および/またはインジウムInとの間で形成された半導体化合物を意味する。また、この用語は、AlGaNおよびAlInGaNのような3元および4元化合物も意味する。当業者は十分理解するように、III族元素は窒素と結合して、2元例えば、GaN、3元例えば、AlGaN、AlInN、および4元例えば、AlInGaN化合物を形成することができる。これらの化合物はすべて、1モルの窒素が、合計の1モルのIII族元素と結合する実験式を有する。したがって、AlxGa1-xN0≦x≦1のような式がこれらの化合物を記述するためにしばしば使用される。しかしながら、本発明の実施形態は窒化ガリウムベースの発光デバイスなどのIII族窒化物ベースの発光デバイスを参照して本明細書で説明されるが、本発明の特定の実施形態は、例えばGaAsおよび/またはGaPベースのデバイスなどの他の半導体発光デバイスに適している可能性がある。本発明のいくつかの実施形態による発光デバイスには、シリコン、炭化珪素、窒化ガリウムおよび/または他の半導体材料を含むことができる1つまたは複数の半導体層と、サファイア、シリコン、炭化珪素および/または他のマイクロエレクトロニクス基板を備えることができる基板と、金属層および/または他の導電層を備えることができる1つまたは複数のコンタクト層とを備える発光ダイオード、レーザダイオード、および/または他の半導体デバイスを含めることができる。いくつかの実施形態では、紫外、青および/または緑のLEDを提供することができる。半導体発光デバイスの設計および作製は、当業者によく知られており、本明細書で詳細に説明する必要はない。例えば、本発明のいくつかの実施形態による発光デバイスには、ノースカロライナ州ダラムのCreeInc.により製造販売されているデバイスのような炭化珪素基板の上に作製された窒化ガリウムベースのLEDおよび/またはレーザ構造のような構造を含めることができる。本発明は、特許文献1、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、14、15および/または16に記載されているような活性領域を実現するLEDおよび/またはレーザ構造で使用するのに適している可能性がある。これらの特許文献の開示は、あたかも完全に本明細書に示されたかのように参照により本明細書に組み込まれる。他の適切なLEDおよび/またはレーザ構造は、特許文献17および特許文献18に記載されている。さらに、特許文献19に記載されているような蛍光体被覆LEDも本発明の実施形態で使用するのに適している可能性がある。この開示は、あたかも完全に示されたかのように参照により本明細書に組み込まれる。LEDおよび/またはレーザは、発光が基板を通じて起こるように動作するように構成することができる。そのような実施形態では、基板をパターン形成して、例えば上で引用した特許文献18に記載されているように、デバイスの光出力を高めることができる。これらの構造を本明細書で説明されるように修正して、本発明のいくつかの実施形態による阻止構造を実現することができる。したがって、例えば、本発明の実施形態は、異なる形または大きさのボンディングパッドを有する発光デバイスで利用することができる。発光デバイスは、炭化珪素、サファイア、窒化ガリウム、シリコン、または他のIII族窒化物デバイスを実現するのに適した基板などの異なる基板の上にある可能性がある。発光デバイスは、次の個片化singulationおよび適切なキャリアへの取付けに適している可能性がある。発光デバイスには、例えば、単一量子井戸、多重量子井戸および/またはバルク活性領域デバイスを含めることができる。本発明のいくつかの実施形態は、デバイスのp側にトンネルコンタクトを利用するデバイスで使用することができる。図1は、本発明のいくつかの実施形態による発光デバイスの断面模式図である。図1に見られるように、n型炭化珪素基板などの基板10は、その上に設けられた窒化ガリウムベースの層などの任意選択のn型半導体層12を有する。n型半導体層12は、例えばバッファ層などの多層を備えることができる。本発明のいくつかの実施形態では、n型半導体層12は、一様な組成または傾斜した組成とすることができるシリコンドープAlGaN層およびシリコンドープGaN層として設けられる。炭化珪素基板に関連して本明細書で説明するが、本発明のいくつかの実施形態では、他の基板材料を利用することができる。例えば、サファイア基板、GaNまたは他の基板材料を利用することができる。そのような場合に、コンタクト20を、例えばn型半導体層12に接触するリセスrecess内に位置付けし、デバイスの第2のコンタクトを設けることができる。他の構成も利用することができる。単一または二重へテロ構造、量子井戸、多重量子井戸または他のそのような活性領域などの活性領域14を、n型半導体層の上に設けることができる。本明細書で使用されるとき、活性領域という用語は、動作時にデバイスで放出される光子の実質的な部分がキャリア再結合によって発生される発光デバイスの半導体材料の領域を意味し、この領域は1つまたは複数の層および/またはその部分である可能性がある。本発明のいくつかの実施形態では、活性領域は、デバイスで放出される光子の実質的にすべてがキャリア再結合によって発生される領域を意味する。また、図1に、任意選択のp型半導体層16が示されている。p型半導体材料層16は、例えば、GaN層などの窒化ガリウムベースの層とすることができる。本発明の特定の実施形態では、p型半導体層16は、マグネシウムドープGaNを含む。p型半導体層16は、1つまたは複数の層を備えることができ、一様な組成または傾斜した組成とすることができる。本発明のいくつかの実施形態では、p型半導体層16は、活性領域14の一部である。p型半導体材料層16に対してオーミックコンタクトを実現するコンタクト金属の第1のコンタクト金属層18も設けられる。いくつかの実施形態では、第1のコンタクト金属層18は、電流拡散層として機能することができる。p型半導体材料層16がGaNである本発明の特定の実施形態では、第1のコンタクト金属層18は、Ptとすることができる。本発明の特定の実施形態では、第1のコンタクト金属層18は、光透過性であり、いくつかの実施形態では、実質的に透明である。いくつかの実施形態では、第1のコンタクト金属層18は、Ptの比較的薄い層とすることができる。例えば、第1のコンタクト金属層18は、厚さ約54ÅのPtの層とすることができる。ワイヤボンディングパッド22または他の光吸収領域が、第1のコンタクト金属層18の上に設けられる。n型半導体材料に対してオーミックコンタクトを実現するコンタクト金属の第2のコンタクト金属層20も、設けられる。第2のコンタクト金属層20は、基板10の活性領域14と反対側の面に設けることができる。上で述べたように、本発明のいくつかの実施形態では、第2のコンタクト金属層は、例えば活性領域を備えるリセス内またはメサの基部の、n型半導体材料層12の部分の上に設けることができる。さらに、本発明のいくつかの実施形態では、任意選択の裏面注入または追加のエピタキシャル層が、基板10と第2のコンタクト金属層20との間に設けられることがある。さらに図1に示されるように、伝導性減少領域30が活性領域14に設けられ、ワイヤボンディングパッド22の下に位置付けされている。本発明のいくつかの実施形態では、伝導性減少領域30は、活性領域14を通じて延びている。本明細書で使用されるとき、伝導性減少は、活性領域の他の部分よりも減少した電流の流れを有する領域を意味する。特定の実施形態では、減少は少なくとも一桁であり、いくつかの実施形態では、実質的にすべての電流の流れが伝導性減少領域で阻止される。本発明のいくつかの実施形態では、伝導性減少領域30は、活性領域14を通じて延びている。本発明のさらなる実施形態では、伝導性減少領域30は、第1のコンタクト金属層18から活性領域14まで延びている。いくつかの実施形態では、伝導性減少領域は、第1のコンタクト層18から活性領域14の中まで延びている。いくつかの実施形態では、伝導性減少領域は、第1のコンタクト層18から活性領域14を通じて延びている。伝導性減少領域30は、第1のコンタクト金属層18の上のワイヤボンディングパッド22の部分と実質的に同じ形および/または面積を有することができる。本発明のいくつかの実施形態では、伝導性減少領域30は、ワイヤボンディングパッド22よりも僅かに大きな面積であるが、本発明の他の実施形態では、伝導性減少領域30はワイヤボンディングパッド22よりも僅かに小さな面積である。本発明の特定の実施形態では、伝導性減少領域30は光を吸収しないか、または比較的少量の光を吸収するだけである。本発明のいくつかの実施形態では、伝導性減少領域30は絶縁領域である。伝導性減少領域30は、ワイヤボンディングパッド22の下の部分において活性領域14を流れる電流の流れを減少させ、かつ/または防げることができるので、この領域におけるキャリア再結合による光発生を減少させ、かつ/または防ぐことができる。特定の動作理論には限定されないが、そうである可能性がある。その理由は、ワイヤボンディングパッド22下の活性領域の部分で発生された光子がワイヤボンディングパッド22で吸収される可能性は、ワイヤボンディングパッド22下でない活性領域の部分で光子が発生された場合よりも高い可能性があるからである。ワイヤボンディングパッド22の下の活性領域で発生される光を減少させ、かつ/または無くすることによって、ワイヤボンディングパッド22で吸収される発光デバイスで発生された光の部分は、減少する可能性がある。一組の所与の動作条件に関して、ワイヤボンディングパッド22で吸収される光の量のこの減少は、ワイヤボンディングパッド22の下の領域で光が発生される場合に同じ条件の下で動作するデバイスに比べて、発光デバイスからの光抽出の向上をもたらすことができる。したがって、本発明のいくつかの実施形態は、ワイヤボンディングパッド22下の部分の活性領域14の中まで延びる、またいくつかの実施形態ではこの活性領域14を通じて延びる伝導性減少領域30を提供する。これは、キャリアが広がってワイヤボンディングパッド22の下の活性領域14に注入され、それによりワイヤボンディングパッド22の下の部分での光子発生をもたらす可能性を減少させることができる。図2Aおよび2Bは、図1に示すような伝導性減少領域を有する発光デバイスを形成するための本発明のいくつかの実施形態による工程を示している。図2Aに見られるように、発光デバイスの様々な層/領域が作製される。発光デバイスの作製における特定の工程は、作製されるべき構造に依存し、上で参照して組み込まれた特許文献に記載されておりかつ/または当業者にはよく知られているので、本明細書で繰り返す必要はない。また、図2Aは、ワイヤボンディングパッド22が形成される予定の領域に対応するウィンドウwindow42のあるマスク40の形成を示している。マスク40を使用して注入が行われてワイヤボンディングパッド22の領域の活性領域14に原子が注入され、図2Bに見られるような伝導性減少領域30が形成される。そのような注入は、例えば窒素の注入とすることができる。例えば、窒化ガリウムベースのデバイスの場合、60keV、2×1013cm-3のN2という注入条件は、MgドープGaNに非吸収および絶縁領域を生成することができる。特定の注入エネルギーおよび/または原子は、伝導性減少領域30が形成される構造に依存する可能性がある。図2Bに見られるように、注入後に、ウィンドウ42内にワイヤボンディングパッド22を形成することができる。したがって、本発明のいくつかの実施形態では、ワイヤボンディングパッド22と伝導性減少領域30は、自己整合される可能性がある。ワイヤボンディングパッド22は、例えば、ワイヤボンディングパッド22が形成される金属の1つの層または複数の層を形成し、次に層を平坦化してワイヤボンディングパッド22を実現することによって、形成することができる。その後で、マスク40を除去することができる。場合によっては、マスク40は、SiO2および/またはAlNなどの絶縁材料で作ることができ、例えばパッシベーション層としてデバイスの上に残してもよく、または除去してもよい。図3は、本発明のさらなる実施形態による発光デバイスを示す。図3において、第1のコンタクト金属層18は、p型半導体材料層16に対してオーミックコンタクトを実現するp型半導体材料層16と接触した第1の部分55、およびp型半導体材料層16に対してオーミックコンタクトを形成しないp型半導体材料層16と接触した第2の部分57を備える。本明細書で使用されるときに、オーミックコンタクトという用語は、約10e-03Ωcm2未満、またいくつかの実施形態では約10e-04Ωcm2未満の比接触抵抗率を有するコンタクトを意味する。したがって、整流性であるか、または高い比接触低効率、例えば約10e-03Ωcm2を超える比接触抵抗率を有するコンタクトは、オーミックコンタクトという用語が本明細書で使用されるときのオーミックコンタクトではない。第2の部分57は、ワイヤボンディングパッド22の位置に対応している。オーミックコンタクトを形成しないことによって、部分57のp型半導体材料層16への電流注入を、減少し、かつ/または防げることができる。ワイヤボンディングパッド22の下の領域50のp型半導体層16および/または第1のコンタクト金属層18を損傷することによって、オーミックコンタクトを形成しない部分57を実現することができる。例えば、窒化ガリウムベースのデバイスでは、コンタクト金属とp型半導体材料との間の界面の品質が、結果として得られるオーミックコンタクトの品質を決定する可能性がある。したがって、例えば、第1のコンタクト金属層18の形成前に、領域50のp型半導体材料層16をArなどの高エネルギープラズマにさらして、p型伝導度を減少させることができる。また、第1のコンタクト金属層18の形成後に、領域50のp型半導体材料層16および第1のコンタクト金属層18を高エネルギープラズマにさらして、金属/GaN界面を損傷することができる。第1のコンタクト金属層18の形成前に、p型半導体材料層16の他の領域を保護しながら、領域50のp型半導体材料16をH2にさらすことができる。第1のコンタクト金属層18の形成前に、p型半導体材料層16の他の領域を保護しながら、領域50のp型半導体材料16をウェットエッチングまたはドライエッチングすることができる。また、第1のコンタクト金属層18の形成前に、p型半導体材料層16の他の領域を保護しながら、領域50のp型半導体材料層16を高エネルギーレーザにさらすことができる。p型半導体材料層16および/または金属層18のそのような選択的損傷は、例えば、図2Aおよび2Bに関連して上で説明したようなマスクを使用して、かつ/またはレーザを制御することによって行うことができる。利用される特定の条件は、利用される手順ならびにp型半導体材料層16および/または第1の金属コンタクト層18の組成に依存して、変化する可能性がある。図4は、本発明のさらなる実施形態による発光デバイスを示している。図4において、ショットキーコンタクト60が、p型半導体材料層16の上に設けられ、第1のコンタクト金属層18’が、p型半導体材料層16およびショットキーコンタクト60の上に形成される。ワイヤボンディングパッド22が、ショットキーコンタクト60上の第1のコンタクト金属層18’の部分に設けられる。ショットキーコンタクト60を形成することによって、第1のコンタクト金属層18’からp型半導体材料層16への電流注入を、ショットキーコンタクト60の領域で減少し、かつ/または妨ぐことができる。あるいは、ワイヤボンディングパッド22の下の領域に整流接合を設けることができる。整流接合は、例えば、p型半導体材料層16にn型イオンを注入してワイヤボンディングパッド22の下の領域をn型半導体材料に変換することによって、実現することができる。そのような注入は、例えば、図2Aおよび2Bに関連して上で述べたようなマスクを使用して行うことができる。あるいは、図4でショットキーコンタクト60が示されている場所にn型材料の領域が形成され、さらにn型半導体材料の領域およびp型半導体材料層16の上に第1のコンタクト金属18’が形成されるかもしれない。本発明の実施形態は、特定の発光デバイス構造に関連して図1から4に示したが、本発明のいくつかの実施形態に従って他の構造を実現することができる。したがって、本発明の実施形態は、上で説明したように1つまたは複数の様々な電流阻止機構を含むどんな発光構造によっても実現することができる。例えば、本発明のいくつかの実施形態による電流阻止機構は、上で参照して組み込まれた特許文献に述べられた例示的発光デバイス構造と共に実現することができる。本発明の実施形態を、ワイヤボンディングパッド22に関連して説明してきた。本明細書で使用されるとき、ボンディングパッドという用語は、光吸収コンタクト構造を意味する。ボンディングパッドは、単一または複数の層とすることができ、金属および/または金属合金とすることができ、かつ/または一様な組成または不均一な組成とすることができる。さらに、本発明の実施形態は、工程の特定の順序に関連して説明してきたが、本発明の教示から依然として利益を受けながら、説明された順序からの変形を実現することができる。したがって、2以上のステップを、本明細書で説明した順序の範囲外で行われるただ1つのステップまたは複数のステップに組み合わせることができる。例えば、伝導性減少領域30は、第2のコンタクト金属層20の形成前または後に形成することができる。したがって、本明細書で特に述べなければ、本発明の実施形態は、本明細書で説明した特定の順序の工程に限定されるものとして解釈されるべきでない。当業者は理解することであろうが、本発明の様々な実施形態は、図1~4に関係して個々に説明した。しかし、本発明の様々な実施形態に従って、図1~4の実施形態の組合せおよび部分的な組合せsubcombinationを実現することができる。図面および明細書で、本発明の実施形態が開示され、特定の用語が使用されたが、これらの用語は、一般的な記述的な意味でだけ使用され、制限する目的で使用されていない。本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲に示されている。