"スパッタリングターゲットを用い、基板の被成膜面に薄膜をスパッタリング法によって形成する成膜方法であって、前記スパッタリングターゲットが、金属を含有する材料からなるインゴットを1軸の圧延方向に圧延したものであり、前記薄膜が、前記基板を被成膜面の中心を通る回転軸で回転させながら成膜され、前記スパッタリングターゲットのスパッタ面が、前記基板の被成膜面と対向し、かつ前記被成膜面に対して所定の角度を有するように配置され、前記基板の回転軸と、前記スパッタ面の中心を通り前記基板の回転軸に対して平行な直線とがずれた位置にあり、前記スパッタリングターゲットが、前記基板の回転軸と前記スパッタ面に対して垂直な面との両方に平行な平面に対し、圧延方向が略垂直となるように配置されることを特徴とする成膜方法。前記スパッタリングターゲットが、圧延可能な材料からなることを特徴とする請求項1記載の成膜方法。前記金属が、ハフニウム、タンタル、タングステン、イリジウム、ランタン、レニウム、オスニウム、白金及び金からなる群から選択される単体の元素又は前記群から選ばれる2以上の元素からなる合金であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の成膜方法。前記薄膜が、クリプトン、キセノン及びラドンから選ばれるいずれかの希ガスを含有するスパッタガス中で成膜されることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の成膜方法。前記薄膜が、前記スパッタリングターゲットに含有されている金属のほかに、酸素、窒素及び炭素から選ばれる少なくともいずれかを含有することを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載の成膜方法。前記基板の回転軸と、前記ターゲットの中心を通り前記基板の回転軸に対して平行な直線とのオフセット距離が30~40cmであり、前記所定の角度が、0°~45°であることを特徴とする、請求項1から5のいずれかに記載の成膜方法。前記基板が透光性材料からなり、前記基板の被成膜面である主表面上に、請求項1から6のいずれかに記載の成膜方法を用いて転写パターンを形成するための薄膜を成膜することを特徴とする、マスクブランクの製造方法。前記薄膜が、露光光を遮光する遮光膜であり、前記基板が、合成石英ガラスからなることを特徴とする、請求項7記載のマスクブランクの製造方法。前記基板が、主表面上に露光光を反射する多層反射膜を備え、前記基板の被成膜面である前記多層反射膜上に、請求項1から6のいずれかに記載の成膜方法によって、転写パターンを形成するための薄膜である吸収体膜を成膜することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。前記基板が、低熱膨張ガラスからなることを特徴とする、請求項9記載の反射型マスクブランクの製造方法。請求項7又は8に記載のマスクブランクの製造方法により得られるマスクブランクの前記薄膜をパターニングして転写パターンを形成することを特徴とする、転写用マスクの製造方法。請求項9又は10に記載の反射型マスクブランクの製造方法により得られるマスクブランクの前記吸収体膜をパターニングして吸収体パターンを形成することを特徴とする、反射型マスクの製造方法。成膜室と前記成膜室内に設けられたスパッタリングターゲットとを少なくとも備え、基板の被成膜面に薄膜をスパッタリング法によって形成するための成膜装置であって、前記スパッタリングターゲットが、金属を含有する材料からなるインゴットを1軸の圧延方向に圧延したものであり、前記成膜室内に、前記基板を載置し、前記被成膜面の中心を通る回転軸で回転させる回転台を備え、前記スパッタリングターゲットが、そのスパッタ面が、前記回転台と対向し、かつ前記基板が回転台に載置されたときに前記被成膜面に対して所定の角度を有するように配置され、前記回転台の回転軸と、前記スパッタ面の中心を通り前記回転台の回転軸に対して平行な直線とがずれた位置にあり、前記スパッタリングターゲットが、前記回転台の回転軸と前記スパッタ面に対して垂直な面との両方に平行な平面に対し、圧延方向が略垂直となるように配置されることを特徴とする成膜装置。前記スパッタリングターゲットが、圧延可能な材料からなることを特徴とする請求項13記載の成膜装置。前記金属が、ハフニウム、タンタル、タングステン、イリジウム、ランタン、レニウム、オスニウム、白金及び金からなる群から選択される単体の元素又は前記群から選ばれる2以上の元素からなる合金であることを特徴とする、請求項13又は14に記載の成膜装置。前記薄膜の成膜時、前記成膜室に、クリプトン、キセノン及びラドンから選ばれるいずれかの希ガスを含有するスパッタガスが供給されていることを特徴とする請求項13から5のいずれかに記載の成膜装置。前記薄膜が、前記スパッタリングターゲットに含有されている金属のほかに、酸素、窒素及び炭素から選ばれる少なくともいずれかを含有することを特徴とする、請求項13から16のいずれかに記載の成膜装置。前記基板の回転軸と、前記ターゲットの中心を通り前記基板の回転軸平行な直線とのオフセット距離が30~40cmであり、前記ターゲット傾斜角が0°~45°であることを特徴とする、請求項13から17のいずれかに記載の成膜装置。Taは、ArFエキシマレーザー波長193nmの露光以下、ArF露光という。においてCr以上の高い遮光性を有しており、しかも酸素ガスを実質的に含まないエッチングガスでドライエッチング可能な材料として注目され始めている。Ta金属あるいは酸素の含有量が非常に少ない実質的に含有しないTa化合物は、塩素系ガス、フッ素系ガスのみでドライエッチング可能であるという利点を有している。また、酸素の含有量が比較的多いTa化合物の場合、塩素系ガスではエッチング速度が非常に遅く、実質的なドライエッチングはできないが、フッ素ガスでは実質的なドライエッチングが可能である。Ta金属あるいはTa化合物は、酸素ガスを実質的に含まないエッチングガスでドライエッチングできるため、ドライエッチング時のレジスト膜の消費量を大幅に低減Ta系遮光膜の膜厚と同等程度のレジスト膜の膜厚で可能できる。これにより、EB描画等によって転写パターンを形成した後のレジスト膜の幅に対する高さレジスト膜の厚さ方向もCr膜の場合に比べて大幅に低くでき、レジスト倒れや欠け等の問題も解消できる。しかしながら、Taタンタルを主成分とする遮光膜の形成を、従来のスパッタリング装置を用いて行う場合、遮光膜の膜厚の面内均一性に問題が生じることを、本発明者らは見出した。従来のスパッタリング装置を用いた場合、比較的軽い元素であるMoSiのスパッタリングによる成膜では問題が小さいことから、本発明者らは、Taを主成分とする遮光膜の膜厚の面内均一性に関する問題は、原子量180.9というTaの大きな原子量に起因する問題であると推論した。そして、Ta以外の重元素、例えば、ハフニウム、タンタル、タングステン、イリジウム、ランタン、レニウム、オスニウム、白金及び金においても、同様な面内均一性に関する問題が生じることを見出した。そこで、本発明は、基板の被成膜面に薄膜をスパッタリング法によって形成する成膜方法において、従来より均一な膜厚の金属、特に重元素を含有する材料の薄膜を形成することを目的とする。また、本発明は、膜厚の面内均一性の悪化に起因する不具合を大幅に低減したマスクブランク、反射型マスクブランク、転写用マスク及び反射型マスクの製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、基板の被成膜面に形成される薄膜の膜厚の面内均一性が向上することができる成膜装置を提供することを目的とする。本発明は、スパッタリングターゲットを用い、基板の被成膜面に薄膜をスパッタリング法によって形成する成膜方法において、スパッタリングターゲットである金属を含有する材料からなるインゴットの圧延方向を制御すること、及びスパッタリングターゲットと、基板との位置関係を適切に制御することにより、基板上に従来より均一な膜厚の薄膜を形成することができることを見出した。すなわち、上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。本発明は、下記の構成1~6であることを特徴とする成膜方法である。構成1スパッタリングターゲットを用い、基板の被成膜面に薄膜をスパッタリング法によって形成する成膜方法であって、前記スパッタリングターゲットが、金属を含有する材料からなるインゴットを1軸の圧延方向に圧延したものであり、前記薄膜が、前記基板を被成膜面の中心を通る回転軸で回転させながら成膜され、前記スパッタリングターゲットのスパッタ面が、前記基板の被成膜面と対向し、かつ前記被成膜面に対して所定の角度を有するように配置され、前記基板の回転軸と、前記スパッタ面の中心を通り前記基板の回転軸に対して平行な直線とがずれた位置にあり、前記スパッタリングターゲットが、前記基板の回転軸と前記スパッタ面に対して垂直な面との両方に平行な平面に対し、圧延方向が略垂直となるように配置されることを特徴とする成膜方法である。構成2前記スパッタリングターゲットが、圧延可能な材料からなることを特徴とする構成1記載の成膜方法である。構成3前記金属が、ハフニウム、タンタル、タングステン、イリジウム、ランタン、レニウム、オスニウム、白金及び金からなる群から選択される単体の元素又は前記群から選ばれる2以上の元素からなる合金であることを特徴とする、構成1又は2に記載の成膜方法である。構成4前記薄膜が、クリプトン、キセノン及びラドンから選ばれるいずれかの希ガスを含有するスパッタガス中で成膜されることを特徴とする構成1から3のいずれかに記載の成膜方法である。構成5前記薄膜が、前記スパッタリングターゲットに含有されている金属のほかに、酸素、窒素及び炭素から選ばれる少なくともいずれかを含有することを特徴とする、構成1から4のいずれかに記載の成膜方法である。構成6前記基板の回転軸と、前記ターゲットの中心を通り前記基板の回転軸に対して平行な直線とのオフセット距離が30~40cmであり、前記所定の角度が、0°~45°であることを特徴とする、構成1から5のいずれかに記載の成膜方法である。本発明は、下記の構成7~8であることを特徴とするマスクブランクの製造方法である。構成7前記基板が透光性材料からなり、前記基板の被成膜面である主表面上に、構成1から6のいずれかに記載の成膜方法を用いて転写パターンを形成するための薄膜を成膜することを特徴とする、マスクブランクの製造方法である。構成8前記薄膜が、露光光を遮光する遮光膜であり、前記基板が、合成石英ガラスからなることを特徴とする、構成7記載のマスクブランクの製造方法である。本発明は、下記の構成9~10であることを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法である。構成9前記基板が、主表面上に露光光を反射する多層反射膜を備え、前記基板の被成膜面である前記多層反射膜上に、構成1から6のいずれかに記載の成膜方法によって、転写パターンを形成するための薄膜である吸収体膜を成膜することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法である。構成10前記基板が、低熱膨張ガラスからなることを特徴とする、構成9記載の反射型マスクブランクの製造方法である。本発明は、下記の構成11~12であることを特徴とするマスク転写用マスク又は反射型マスクの製造方法である。構成11本発明は、構成7又は8に記載のマスクブランクの製造方法により得られるマスクブランクの前記薄膜をパターニングして転写パターンを形成することを特徴とする、転写用マスクの製造方法である。構成12本発明は、構成9又は10に記載の反射型マスクブランクの製造方法により得られるマスクブランクの前記吸収体膜をパターニングして吸収体パターンを形成することを特徴とする、反射型マスクの製造方法である。本発明は、下記の構成13~18であることを特徴とする成膜装置である。構成13本発明は、成膜室と前記成膜室内に設けられたスパッタリングターゲットとを少なくとも備え、基板の被成膜面に薄膜をスパッタリング法によって形成するための成膜装置であって、前記スパッタリングターゲットが、金属を含有する材料からなるインゴットを1軸の圧延方向に圧延したものであり、前記成膜室内に、前記基板を載置し、前記被成膜面の中心を通る回転軸で回転させる回転台を備え、前記スパッタリングターゲットが、そのスパッタ面が、前記回転台と対向し、かつ前記基板が回転台に載置されたときに前記被成膜面に対して所定の角度を有するように配置され、前記回転台の回転軸と、前記スパッタ面の中心を通り前記回転台の回転軸に対して平行な直線とがずれた位置にあり、前記スパッタリングターゲットが、前記回転台の回転軸と前記スパッタ面に対して垂直な面との両方に平行な平面に対し、圧延方向が略垂直となるように配置されることを特徴とする成膜装置である。構成14本発明は、前記スパッタリングターゲットが、圧延可能な材料からなることを特徴とする構成13記載の成膜装置である。構成15前記金属が、ハフニウム、タンタル、タングステン、イリジウム、ランタン、レニウム、オスニウム、白金及び金からなる群から選択される単体の元素又は前記群から選ばれる2以上の元素からなる合金であることを特徴とする、構成13又は14に記載の成膜装置である。構成16前記薄膜の成膜時、前記成膜室に、クリプトン、キセノン及びラドンから選ばれるいずれかの希ガスを含有するスパッタガスが供給されていることを特徴とする構成13から5のいずれかに記載の成膜装置である。構成17前記薄膜が、前記スパッタリングターゲットに含有されている金属のほかに、酸素、窒素及び炭素から選ばれる少なくともいずれかを含有することを特徴とする、構成13から16のいずれかに記載の成膜装置である。構成18前記基板の回転軸と、前記ターゲットの中心を通り前記基板の回転軸平行な直線とのオフセット距離が30~40cmであり、前記ターゲット傾斜角が0°~45°であることを特徴とする、構成13から17のいずれかに記載の成膜装置である。次に、本発明の成膜方法の構成1~6について説明する。本発明は、構成1にあるように、スパッタリングターゲットを用い、基板の被成膜面に薄膜をスパッタリング法によって形成する成膜方法であって、前記スパッタリングターゲットが、金属を含有する材料からなるインゴットを1軸の圧延方向に圧延したものであり、前記薄膜が、前記基板を被成膜面の中心を通る回転軸で回転させながら成膜され、前記スパッタリングターゲットのスパッタ面が、前記基板の被成膜面と対向し、かつ前記被成膜面に対して所定の角度を有するように配置され、前記基板の回転軸と、前記スパッタ面の中心を通り前記基板の回転軸に対して平行な直線とがずれた位置にあり、前記スパッタリングターゲットが、前記基板の回転軸と前記スパッタ面に対して垂直な面との両方に平行な平面に対し、圧延方向が略垂直となるように配置されることを特徴とする成膜方法である。構成1にあるように、本発明は、所定のスパッタリングターゲットを用い、基板の被成膜面に薄膜をスパッタリング法によって形成する成膜方法である。本発明の成膜方法で用いるスパッタリングターゲットは、金属を含有する材料からなるインゴットを1軸の圧延方向に圧延したものであることに特徴がある。すなわち、本発明者らは、インゴットを鍛造圧延してスパッタリングターゲットを作る際に、インゴットを多軸、例えば二軸の鍛造圧延方向に鍛造圧延したものと比べて、インゴットを1軸の鍛造圧延方向に鍛造圧延したスパッタリングターゲットを用いるならば、驚くべきことに、基板の被成膜面に形成される薄膜の膜厚の面内均一性が向上することを、見出した。鍛造圧延を含むインゴットの製造は、公知の製造方法、例えば特許文献2に記載されているような製造方法により行うことができる。本発明の成膜方法では、薄膜を基板の被成膜面に成膜する際に、基板を被成膜面の中心を通る回転軸で回転させながら成膜する。被成膜面の中心とは、被成膜面に外接する最小の円の中心のことをいう。例えば被成膜面が長方形又は正方形の場合には、被成膜面の中心は、対向する対角線の交点となる。図2を参照して具体的に説明するならば、被成膜面に外接する最小の円とは、符号60で示す半径Rの仮想円である。被成膜面に外接する最小の円60は、矩形の被成膜面の各頂点に外接している。被成膜面の中心は、円60の中心であって符号56として示している。同様に、スパッタ面の中心も、スパッタ面に外接する最小の円62の中心53とすることができる。また、本発明者らは、基板の被成膜面に形成される薄膜の膜厚の面内均一性は、スパッタリングターゲットと、基板との位置関係を適切なものとすることによって、より顕著に向上することを見出した。適切な位置関係とは、図1を参照して、3つの位置関係を説明するならば、次のような3つの位置関係である。第1の適切な位置関係は、スパッタリングターゲット5のスパッタ面52が、基板6の被成膜面51と対向し、かつ前記被成膜面51に対して所定の角度θを有するように配置されることである。図1に示すように、符号θで示される所定の角度θとは、スパッタリングターゲット5のスパッタ面52と、基板6の被成膜面51とがなす角度θであり、ターゲット傾斜角ともいう。第2の適切な位置関係は、図1に示すように、基板6の回転軸56と、スパッタ面52の中心53を通り基板6の回転軸56に対して平行な直線57とがずれた位置にあることである。ずれた位置にあるとは、回転軸56と、直線57とが、一致した位置にはなく、異なった位置に存在することをいう。第3の適切な位置関係は、図1に示すように、スパッタリングターゲット5が、基板6の回転軸56と、スパッタ面52に対して垂直な面との両方に平行な平面に対し、圧延方向55が略垂直となるように配置されることである。基板6の回転軸56と、スパッタ面52に対して垂直な面との両方に平行な平面とは、例えば、図2に示すような基板の中心及びスパッタ面52の中心53の両方を通る直線58と、基板6の回転軸56との両方をその平面上に有する平面を挙げることができ、圧延方向55はその平面に対して略垂直となるようにスパッタリングターゲット5の向きを調整して配置される。成膜装置のスパッタ室内にスパッタリングターゲット5を取り付けたときのスパッタリングターゲット5の圧延方向55によって、そのスパッタリングターゲット5を用いてスパッタリング法で成膜したときの平面視基板6の被成膜面51に平行な平面におけるスパッタ粒子の飛散分布が変わることを本発明者は突き止めた。スパッタリングターゲット5の圧延方向55が、基板6の回転軸56と、スパッタ面52に対して垂直な面との両方に平行な平面に対し、圧延方向55が平行となるように配置した場合、スパッタ粒子の飛散分布は、スパッタリングターゲット5のスパッタ面から前方の方向基板6の被成膜面51に向かう方向へ伸びていく傾向よりも、横方向前方の方向に対して垂直な水平方向に広がっていく傾向の方が強くなる。つまり、スパッタ粒子の飛散分布が発散しやすく、特定方向に飛散させるように制御することが難しくなる。これに対し、スパッタリングターゲット5の圧延方向55が、基板6の回転軸56と、スパッタ面52に対して垂直な面との両方に平行な平面に対し、圧延方向55が垂直となるように配置した場合、スパッタ粒子の飛散分布は、スパッタリングターゲット5のスパッタ面から前方の方向基板6の被成膜面51に向かう方向へ伸びていく傾向が強く、横方向前方の方向に対して垂直な水平方向に広がっていく傾向の方が小さくなる。つまり、スパッタ粒子の飛散分布が発散しにくく、特定方向に飛散させるように制御することが比較的容易になる。本発明者は、スパッタ粒子の飛散分布を制御しやすいスパッタリングターゲット5の取り付け方向を選択することで、基板6の被成膜面51に成膜される薄膜の膜厚の面内均一性を向上させたのである。さらに、スパッタ粒子の飛散分布を制御することによって、基板6の被成膜面51に到達せずに成膜装置内壁に付着してしまうスパッタ粒子の量を減少させることで、成膜速度を向上させることも実現している。また、構成2にあるように、本発明の成膜方法は、前記スパッタリングターゲットが、圧延可能な材料からなることを特徴とすることが好ましい。構成2にあるように、スパッタリングターゲットが、圧延可能な材料であることにより、1軸の圧延方向を有することができる。1軸の圧延方向を有するスパッタリングターゲットの圧延方向を所定の方向となるように配置して、スパッタリングによる成膜を行う場合、比較的均一な膜厚の成膜を行うことができ、成膜後の面内均一性が向上することができる。また、構成3にあるように、本発明の成膜方法は、前記金属が、ハフニウム、タンタル、タングステン、イリジウム、ランタン、レニウム、オスニウム、白金及び金からなる群から選択される単体の元素又は前記群から選ばれる2以上の元素からなる合金であることを特徴とすることが好ましい。構成3にあるように、金属が、ハフニウム、タンタル、タングステン、イリジウム、ランタン、レニウム、オスニウム、白金及び金のように比較的大きな原子量の金属である場合に、成膜の膜厚が不均一になるという問題が生じやすい。したがって、スパッタリングターゲットの材料が、ハフニウム、タンタル、タングステン、イリジウム、ランタン、レニウム、オスニウム、白金及び金からなる群から選択される単体の元素又は前記群から選ばれる2以上の元素からなる合金である場合に、本発明の成膜方法を好適に実施することができる。また、構成4にあるように、本発明の成膜方法は、前記薄膜が、クリプトン、キセノン及びラドンから選ばれるいずれかの希ガスを含有するスパッタガス中で成膜されることを特徴とすることが好ましい。構成4にあるように、クリプトン、キセノン及びラドンから選ばれるいずれかの希ガスを含有するスパッタガスを用いる場合には、成膜後の面内均一性が向上することができるという本発明の効果をより顕著に奏することができる。一般に、スパッタリング法によって薄膜を成膜する場合に用いられるスパッタガスはアルゴンである。クリプトン、キセノン、ラドンは、アルゴンよりも原子量が大きく重い。また、スパッタリングターゲットのスパッタ面から飛散したスパッタ粒子がクリプトン等の原子に衝突したときに生じる運動エネルギーの減衰量が、アルゴン原子に衝突するときの減衰量よりも大きい。このため、スパッタ粒子の飛散分布は、アルゴンをスパッタガスに用いた場合に比べて、クリプトン等をスパッタガスに用いた場合の方が全体的に縮小しやすく、飛散分布の制御もしにくくなり、成膜後の薄膜の面内均一性が低下し易い。本発明のように、スパッタ面から前方の方向基板6の被成膜面51に向かう方向へ伸びていく傾向を強めた構成とすることにより、成膜後の薄膜の面内均一性を向上させることができ、クリプトン等の原子量が大きいガスをスパッタガスに用いた場合の膜厚不均一性の問題を解消することができる。また、圧縮応力が大きい傾向を有する薄膜を成膜する場合においても、クリプトン等の原子量が大きいガスをスパッタガスに用いることにより、成膜された薄膜の圧縮応力を低減することができる。すなわち、クリプトン等の原子量が大きいガスをスパッタガスに用いた場合、アルゴンをスパッタガスに用いた場合に比べ、スパッタ粒子の運動エネルギーを低減させることができる。これにより、基板の被成膜面51にスパッタ粒子が撃ち込まれるときに生じる圧縮応力を低減させることができるので、成膜された薄膜の圧縮応力を低減できる。そのため、本発明の成膜方法では、クリプトン等の原子量が大きいガスをスパッタガスに用いることが好ましい。また、本発明の成膜方法は、窒素を含有するタンタル化合物膜を成膜するのに特に適している。また、構成5にあるように、本発明の成膜方法は、前記薄膜が、前記スパッタリングターゲットに含有されている金属のほかに、酸素、窒素及び炭素から選ばれる少なくともいずれかを含有することを特徴とすることが好ましい。構成5にあるように、薄膜が、前記薄膜が、前記スパッタリングターゲットに含有されている金属のほかに、酸素、窒素及び炭素から選ばれる少なくともいずれかを含有することにより、金属の酸化物薄膜、窒化物薄膜及び炭化物薄膜のいずれか一つ又はそれらの組み合わせの薄膜を形成することができる。スパッタリングによる成膜中に、酸素、窒素及び炭素を含む気体を導入することにより、金属の酸化物薄膜、窒化物薄膜及び炭化物薄膜を形成することができる。また、構成6にあるように、本発明の成膜方法は、前記基板の回転軸と、前記ターゲットの中心を通り前記基板の回転軸に対して平行な直線とのオフセット距離が30~40cmであり、前記所定の角度が、0°~45°であることを特徴とすることが好ましい。構成6にあるように、本発明のスパッタリング法による成膜方法において、所定のオフセット距離及び所定の角度であることによって、基板上に均一な膜厚の薄膜を形成することを確実にすることができる。オフセット距離Doffとは、図1に示すように、基板の回転軸56と、ターゲット5の中心53を通りかつ基板の回転軸53に対して平行な直線57との距離である。また、所定の角度ターゲット傾斜角は、0°から45°が適当であり、好ましくは10°から30°であることによって、より均一な膜厚を得ることができる。次に、本発明のマスクブランクの製造方法の構成7~8について説明する。本発明は、構成7にあるように、前記基板が透光性材料からなり、前記基板の被成膜面である主表面上に、構成1から6のいずれかに記載の成膜方法を用いて転写パターンを形成するための薄膜を成膜することを特徴とする、マスクブランクの製造方法である。構成7にあるように、上記構成1から6のいずれかに記載の成膜方法によれば、基板の被成膜面に形成される薄膜の膜厚の面内均一性が向上する。その結果、膜厚の面内均一性の悪化に起因する不具合を大幅に低減したマスクブランクを得ることができ、高い歩留まりのマスクブランクを得ることができる。また、構成8にあるように、本発明のマスクブランクの製造方法は、前記薄膜が、露光光を遮光する遮光膜であり、前記基板が、合成石英ガラスからなることを特徴とすることが好ましい。構成8にあるように、基板の材料として合成石英ガラスを用いることが好ましい。合成石英ガラスは化学的に安定で、他の工業材料と比較して熱膨張係数が極めて小さいなどの特徴を有する。また、合成石英ガラスは、FPD製造用途の転写用マスクで使用される超高圧水銀灯の露光光に対する光透過性も高い。さらには、合成石英ガラスは、半導体デバイス製造用途の転写用マスクで使用されるKrFエキシマレーザー波長:約248nmやArFエキシマレーザー波長:約193nmの露光光に対する光透過性も高い。これらのことからもわかるように、マスクブランク用基板の材料として、合成石英ガラスを好適に用いることができる。使用される露光光の光源によっては、基板の材料に、ソーダライムガラスやアルミノシリケートガラスなども適用可能である。次に、本発明の反射型マスクブランクの製造方法の構成9~10について説明する。構成9にあるように、本発明の反射型マスクブランクの製造方法は、前記基板が、主表面上に露光光を反射する多層反射膜を備え、前記基板の被成膜面である前記多層反射膜上に、構成1から6のいずれかに記載の成膜方法によって、転写パターンを形成するための薄膜である吸収体膜を成膜することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法である。構成9にあるように、構成1から6のいずれかに記載の成膜方法によれば、基板の被成膜面に形成される薄膜の膜厚の面内均一性が向上する。その結果、膜厚の面内均一性の悪化に起因する不具合を大幅に低減した反射型マスクブランクを得ることができる。すなわち、多層反射膜上に、転写パターンを形成するための薄膜である吸収体膜を成膜する際に、吸収体膜の膜厚を均一にすることができるので、高い歩留まりの反射型マスクブランクを得ることができる。なお、マスクブランク用基板への多層反射膜の形成は、公知の方法を用いて行うことができる。また、吸収体膜としては、タンタルと窒素を含む材料からなる下層及びタンタルと酸素を含む材料からなる上層を積層したものを用いることができる。また、構成10にあるように、本発明の反射型マスクブランクの製造方法は、前記基板が、低熱膨張ガラスからなることを特徴とすることが好ましい。構成10にあるように、露光光にEUV光を用いる反射型マスクブランク用の基板として、低熱膨張ガラスを好適に用いることができる。低熱膨張ガラスとしては、露光時の熱によるパターンの歪みを防止するため、0±1.0×10-7/°Cの範囲内、より好ましくは0±0.3×10-7/°Cの範囲内の低熱膨張係数を有するものが好ましい。この範囲の低熱膨張係数を有する素材としては、例えばアモルファスガラスであれば、SiO2に例えば5~10重量程度の範囲内でTiO2を添加したSiO2-TiO2系ガラス基板が好ましく挙げられる。次に、本発明のマスク転写用マスク又は反射型マスクの製造方法の構成11~12について説明する。本発明は、構成11にあるように、構成7又は8に記載のマスクブランクの製造方法により得られるマスクブランクの前記薄膜をパターニングして転写パターンを形成することを特徴とする、転写用マスクの製造方法である。構成11にあるように、構成7又は8に記載のマスクブランクの製造方法により得られたマスクブランクは、膜厚の面内均一性の悪化に起因する不具合を大幅に低減することができ、高い歩留まりとすることができる。そのため、構成7又は8により得られたマスクブランクの薄膜に転写パターンを形成した転写用マスクも、膜厚の面内均一性の悪化に起因する不具合を大幅に低減することができ、高い歩留まりとすることができる。なお、マスクブランクの薄膜への転写パターンの形成は、公知の方法を用いて行うことができる。本発明は、構成12にあるように、構成9又は10に記載の反射型マスクブランクの製造方法により得られるマスクブランクの前記吸収体膜をパターニングして吸収体パターンを形成することを特徴とする、反射型マスクの製造方法である。構成12にあるように、構成9又は10に記載の反射型マスクブランクの製造方法により得られた反射型マスクブランクは、膜厚の面内均一性の悪化に起因する不具合を大幅に低減することができ、高い歩留まりとすることができる。そのため、構成10により得られた反射型マスクブランクの薄膜に転写パターンを形成した反射型マスクも、膜厚の面内均一性の悪化に起因する不具合を大幅に低減することができ、高い歩留まりとすることができる。なお、反射型マスクブランクの薄膜への転写パターンの形成は、公知の方法を用いて行うことができる。次に、本発明の成膜装置の構成13~18について説明する。本発明は、構成13にあるように、成膜室と前記成膜室内に設けられたスパッタリングターゲットとを少なくとも備え、基板の被成膜面に薄膜をスパッタリング法によって形成するための成膜装置であって、前記スパッタリングターゲットが、金属を含有する材料からなるインゴットを1軸の圧延方向に圧延したものであり、前記成膜室内に、前記基板を載置し、前記被成膜面の中心を通る回転軸で回転させる回転台を備え、前記スパッタリングターゲットが、そのスパッタ面が、前記回転台と対向し、かつ前記基板が回転台に載置されたときに前記被成膜面に対して所定の角度を有するように配置され、前記回転台の回転軸と、前記スパッタ面の中心を通り前記回転台の回転軸に対して平行な直線とがずれた位置にあり、前記スパッタリングターゲットが、前記回転台の回転軸と前記スパッタ面に対して垂直な面との両方に平行な平面に対し、圧延方向が略垂直となるように配置されることを特徴とする成膜装置である。構成13にあるように、本発明の成膜装置は、成膜室と、その成膜室内に設けられたスパッタリングターゲットとを少なくとも備える。また、本発明の成膜装置は、成膜室内に回転台を備える。回転台は、基板を載置し、基板の被成膜面の中心を通る回転軸で回転させる構造を有する。スパッタリングターゲットは、金属を含有する材料からなるインゴットを1軸の圧延方向に圧延したものである。本発明の成膜装置では、スパッタリングターゲットと、基板との位置関係は、上述の適切な3つの位置関係とする構造を有する。すなわち、図1を参照すると、第1の適切な位置関係は、スパッタリングターゲット5のスパッタ面52が、基板6の被成膜面51と対向し、かつ前記被成膜面51に対して所定の角度θを有するように配置されることである。第2の適切な位置関係は、図1に示すように、基板6の回転軸56と、スパッタ面52の中心53を通り基板6の回転軸56に対して平行な直線57とがずれた位置にあることである。第3の適切な位置関係は、図1に示すように、スパッタリングターゲットが、基板6の回転軸56と、スパッタ面52に対して垂直な面との両方に平行な平面に対し、圧延方向55が略垂直となるように配置されることである。本発明の成膜装置を用いるならば、本発明の成膜方法による成膜を好適に行うことができる。すなわち、本発明の成膜装置を用いることによって、基板の被成膜面に形成される薄膜の膜厚の面内均一性が向上することができる。また、構成14にあるように、本発明の成膜装置は、前記スパッタリングターゲットが、圧延可能な材料からなることを特徴とすることが好ましい。構成14にあるように、スパッタリングターゲットが、圧延可能な材料であることにより、1軸の圧延方向を有することができる。1軸の圧延方向を有するスパッタリングターゲットの圧延方向を所定の方向となるように配置して、スパッタリングによる成膜を行う場合、比較的均一な膜厚の成膜を行うことができる成膜装置を得ることができる。また、構成15にあるように、本発明の成膜装置は、前記金属が、ハフニウム、タンタル、タングステン、イリジウム、ランタン、レニウム、オスニウム、白金及び金からなる群から選択される単体の元素又は前記群から選ばれる2以上の元素からなる合金であることを特徴とすることが好ましい。構成15にあるように、金属が、ハフニウム、タンタル、タングステン、イリジウム、ランタン、レニウム、オスニウム、白金及び金のように比較的大きな原子量の金属である場合に、成膜の膜厚が不均一になるという問題が生じやすい。したがって、スパッタリングターゲットの材料が、ハフニウム、タンタル、タングステン、イリジウム、ランタン、レニウム、オスニウム、白金及び金からなる群から選択される単体の元素又は前記群から選ばれる2以上の元素からなる合金である場合に、本発明の成膜方法を好適に実施することができる成膜装置を得ることができる。また、構成16にあるように、本発明の成膜装置は、前記薄膜の成膜時、前記成膜室に、クリプトン、キセノン及びラドンから選ばれるいずれかの希ガスを含有するスパッタガスが供給されていることを特徴とすることが好ましい。構成16にあるように、クリプトン、キセノン及びラドンから選ばれるいずれかの希ガスを含有するスパッタガスを用いる場合には、成膜後の面内均一性が向上することができるという本発明の効果をより顕著に奏することができる。クリプトン等の原子量が大きいガスをスパッタガスに用いることは、圧縮応力が大きい傾向を有する薄膜を成膜する成膜装置において好ましく、特に、窒素を含有するタンタル化合物膜を成膜する成膜装置の場合、最適である。また、構成17にあるように、本発明の成膜装置は、前記薄膜が、前記スパッタリングターゲットに含有されている金属のほかに、酸素、窒素及び炭素から選ばれる少なくともいずれかを含有することを特徴とすることが好ましい。構成17にあるように、本発明の成膜装置は、金属の酸化物薄膜、窒化物薄膜及び炭化物薄膜のいずれか一つ又はそれらの組み合わせの薄膜を形成するために好適に用いることができる。そのため、スパッタリングによる成膜中に、酸素、窒素及び炭素を含む気体を導入することにより、金属の酸化物薄膜、窒化物薄膜及び炭化物薄膜を形成することができるような構成を有することが好ましい。また、構成18にあるように、本発明の成膜装置は、前記基板の回転軸と、前記ターゲットの中心を通り前記基板の回転軸平行な直線とのオフセット距離が30~40cmであり、前記ターゲット傾斜角が0°~45°であることを特徴とすることが好ましい。構成18にあるように、発明の成膜装置は、所定のオフセット距離Doff及び所定の角度θであることによって、成膜の際に、基板上に均一な膜厚の薄膜を形成することを確実にすることができる。所定の角度ターゲット傾斜角は、0°から45°が適当であり、好ましくは10°から30°であることによって、より均一な膜厚を得ることができる。本発明によれば、基板の被成膜面に薄膜をスパッタリング法によって形成する成膜方法において、従来より均一な膜厚の金属、特に重元素を含有する材料の薄膜を形成することができる成膜方法を提供することができる。また、本発明によれば、膜厚の面内均一性の悪化に起因する不具合を大幅に低減したマスクブランク、反射型マスクブランク、転写用マスク及び反射型マスクの製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、基板の被成膜面に形成される薄膜の膜厚の面内均一性が向上することができる成膜装置を提供することができる。以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳述する。本発明は、図1及び図2に示すように、所定のスパッタリングターゲット5を用い、基板6の被成膜面51に薄膜をスパッタリング法によって形成する成膜方法である。図2は、図1の側面模式図に対応する平面図である。本発明の成膜方法で用いるスパッタリングターゲット5は、金属を含有する材料からなるインゴットを1軸の圧延方向55に圧延したものであることに特徴がある。また、基板6の被成膜面51と、スパッタリングターゲット5の圧延方向55及びターゲット傾斜角θとの配置を所定の位置関係とすることに特徴がある。本発明によれば、基板の被成膜面に形成される薄膜の膜厚の面内均一性を向上することができる。図1及び図2は、本発明の成膜装置における、基板6と、スパッタリングターゲット5との位置関係を示す模式図である。基板6は、回転軸56を有する。成膜中、基板6は回転台図示せずに載置され、回転軸56を中心に回転する。スパッタリングターゲット5は、スパッタリングターゲット5のスパッタ面52が、基板6の被成膜面51と対向し、かつ被成膜面51に対して所定の角度θを有するように配置される。また、基板6の回転軸56と、スパッタ面52の中心53を通り基板6の回転軸56に対して平行な直線57とがずれた位置にあるように、スパッタリングターゲット5を配置する。また、スパッタリングターゲット5の圧延方向55が、基板6の回転軸56と、スパッタ面52に対して垂直な面との両方に平行な平面に対し、略垂直となるように、スパッタリングターゲット5の向きを調整して配置される。図1及び図2に示す基板6及びスパッタリングターゲット5は、図3に示すような、スパッタリング装置のスパッタリングを行うスパッタ室成膜室13の中に配置することができる。図3に示すスパッタリング装置は、スパッタ室13を常に高真空状態に保持できるロードロック機構を設け、ロードロック室11からスパッタ室13への基板導入を、一定の間隔で、継続的に行えるような装置構成とすることができる。このような装置構成とすることにより、ロードロック室11からスパッタ室13への基板導入を、一定の間隔で、継続的に行うことができる。図3に示すスパッタリング装置において、ロードロック室11には、大気とロードロック室11を隔離するバルブ12、及びロードロック室11とスパッタ室13とを隔離するバルブ14が取り付けられている。ロードロック室11としては、上記で説明したスパッタ室13への基板6の導入を一定の間隔で継続的に行うことができる枚葉式であることができ、かつ所定の容積に設計されたものを設けることができる。スパッタ室13は図4に示すようなスパッタリングを行う真空槽と同等の機能を有することができる。スパッタ室13への基板6の導入をロボットアーム19によって行う場合には、スパッタ室13とロードロック室11との間に搬送室15を設けることができる。ロボットアーム19は、腕19aが図示A方向に開閉することによりハンド19bを図示B方向に移動できる構成になっている。またロボットアーム19は図示C方向に回転できる構成になっている。さらにロボットアーム19は紙面に対し上下方向に移動できる構成になっている。さらに、成膜のスループットを向上させるためには、上記ロードロック室11と同様の構成を有するアンロードロック室16を追加してもよい。次に、薄膜を形成するスパッタリング装置の性能について説明する。薄膜を形成するスパッタリング時のガス圧、スパッタリング用DC電源9の出力、スパッタリングを行う時間は直接的に薄膜の膜質に影響を与えるため、ガス流量コントローラ、DC電源9その他機器の精度向上やコントローラから発信する設定信号の精度向上が必要である。スパッタリング時のガス圧は、装置の排気コンダクタンスにも影響を受けるため、排気口バルブの開度やシールドの位置を正確に決定できる機構も必要である。また、窒化シリコンを含む薄膜を形成する場合には、真空槽内壁から発生する水分等のガスが、膜の光学特性に大きな影響を与えるため、真空槽内を十分に排気できるポンプを装着し、真空槽内壁をベーキングできる機構を設けることが必要である。真空槽内の真空度は、成膜速度が10nm/分である場合はおおむね2×10-5Pa以下、成膜速度が5nm/分である場合には1×10-5Pa以下であることが必要である。さらに薄膜の膜厚の面内均一性を良好に保つには、基板6を回転させながら成膜を行うとともに、成膜の開始から成膜の終了までの間で基板6を整数回回転させて成膜を行うことが必要である。このためには、例えば、基板6の回転角位置を検出するセンサによって、放電をONにした時点成膜開始の基板6の回転角位置検出し、さらにこのセンサによって、基板6が整数回回転して放電をONにした時点と同じ回転角位置に基板6がきた時点で放電をOFF成膜終了にする機構を備えることが必要である。上述のように、成膜する薄膜の膜厚の面内均一性の向上のためには、基板6とターゲットの位置関係を適切なものにすることが必要である。本発明の成膜装置における、基板6と、スパッタリングターゲット5との位置関係について、さらに説明するならば、次のとおりである。スパッタリングターゲット5と基板6との位置関係について、図1及び図2を用いて説明する。オフセット距離Doff基板6の中心軸56と、ターゲットの中心を通りかつ前記基板6の中心軸56と平行な直線57との間の距離は、薄膜の膜厚の面内均一性を確保すべき面積によって調整することができる。一般には、良好な面内均一性を確保すべき面積が大きい場合に、必要なオフセット距離Doffは大きくなる。例えば、152mm角の基板6の場合、薄膜に転写パターンが形成される領域は、通常、基板6の中心を基準とする132mm角の内側領域である。その132mm角の内側領域で、薄膜の膜厚分布が±1nm以内の精度を実現するためには、オフセット距離Doffは200mmから350mm程度が必要であり、好ましいオフセット距離Doffは240mmから280mmである。ターゲット-基板間垂直距離Hは、オフセット距離Doffにより最適範囲が変化する。例えば、152mm角の基板6内で良好な面内均一性を確保するためには、ターゲット-基板間垂直距離Hは、200mmから380mm程度が必要であり、好ましいHは210mmから300mmである。ターゲット傾斜角θは、薄膜の膜厚の面内均一性のみならず成膜速度に影響する。具体的には、良好な薄膜の膜厚の面内均一性を得るため及び大きな成膜速度を得るために、ターゲット傾斜角θは、0°から45°が適当であり、好ましいターゲット傾斜角θは10°から30°である。図6は、本発明の成膜方法によって製造されるマスクブランクの構成の一例を示す断面図、図7は本発明の成膜方法によって製造される転写用マスクの構成の一例を示す断面図、図8は本発明の成膜方法によって製造されるマスクブランクから転写用マスクを製造するまでの過程を示す断面図である。以下、これらの図面を参照にしながら、本発明の成膜方法によって製造されるマスクブランク及び転写用マスクを説明する。図6に示されるように、本発明の成膜方法によって製造されるマスクブランクは、例えば、合成石英からなるガラス基板31上に、遮光層として、厚さ42nmのTaと窒素を含有する材料例えば、TaNで下層32が形成され、この下層32の上に、表面反射防止層として、例えば厚さ9nmのTaと酸素を含有する材料例えば、TaOで上層33が形成されてなるものである。下層のスパッタ成膜は、例えば、1軸圧延のタンタルターゲットを前記の位置関係で成膜室内に配置し、スパッタガスに窒素とキセノンの混合ガスを用いる反応性スパッタで行われる。また、上層のスパッタ成膜は、例えば、1軸圧延のタンタルターゲットを前記の位置関係で成膜室内に配置し、スパッタガスに酸素とアルゴンの混合ガスを用いる反応性スパッタで行われる。なお、下層32と上層33とで遮光膜30を構成する。下層32のN含有量は、例えば16atオージェ電子分光法による分析での含有量、以下同様、上層33のO含有量は、例えば58atとすることができる。遮光膜30をこのような構成とすることにより、ArFエキシマレーザーの露光光に対する表面反射率を30未満に、かつ裏面反射率を40未満とすることができている。また、本発明の成膜方法によって製造される転写用マスクは、図7に示されるように、図6に示されるマスクブランクの遮光膜30に、遮光膜30を残存させた部分30aと、除去した部分30bとから構成される微細パターンを形成したものである。次に、転写用マスクの製造方法について説明する。まず、図8cに示されるような、基板31上に下層32及び上層33を積層したマスクブランクを用意する。次に、下層32及び上層33を積層した基板31上に厚さ、150nmの電子線レジスト34を塗布し図8c参照、電子線描画及び現像を行い、レジストパターンを形成する図8d参照。次に、CF4ガスを用いたドライエッチングを行い、上層33のパターンを作製する図8e参照。続いて、Cl2ガスを用いたドライエッチングを行い下層32のパターンを作製する。さらに,30の追加エッチングを行い、基板31上に遮光膜のパターンを作製する図8f参照。なお、図8fにおいて、符号32aがTa窒化層32のパターンにおけるTa窒化層32の残存部である。続いて、遮光膜パターン上のレジストを除去し、転写用マスクとしての機能を有する遮光膜パターンを得ることができる図8g参照。本発明の成膜方法は、例えば、以下のようなマスクブランクの製造の際の、遮光膜、光半透過膜及び吸収体膜等の薄膜の形成に好適である。1前記薄膜が遷移金属を含む材料からなる遮光膜であるバイナリマスクブランクかかるバイナリマスクブランクは、透光性基板上に遮光膜を有する形態のものであり、この遮光膜は、クロム、タンタル、ルテニウム、タングステン、チタン、ハフニウム、モリブデン、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ランタン、レニウム、オスニウム、白金、金等の金属単体あるいはその金属の化合物を含む材料からなる。特に、遮光膜をタンタル、タングステン、ハフニウム、イリジウム、ランタン、レニウム、オスニウム、白金若しくは金等の金属単体又はそれらの金属の化合物を含む材料で形成することが好ましい。例えば、タンタルに、酸素、窒素、ホウ素などの元素から選ばれる1種以上の元素を添加したタンタル化合物で構成した遮光膜が挙げられる。かかるバイナリマスクブランクは、遮光膜を、遮光層と表面反射防止層の2層構造や、さらに遮光層と基板との間に裏面反射防止層を加えた3層構造としたものなどがある。また、遮光膜の膜厚方向における組成が連続的又は段階的に異なる組成傾斜膜としてもよい。2前記薄膜が、光半透過膜である位相シフトマスクブランクかかる位相シフトマスクブランクとしては、透光性基板ガラス基板上に光半透過膜を有する形態のものであって、該光半透過膜をパターニングしてシフタ部を設けるタイプであるハーフトーン型位相シフトマスクが作製される。かかる位相シフトマスクにおいては、光半透過膜を透過した光に基づき転写領域に形成される光半透過膜パターンによる被転写基板のパターン不良を防止するために、透光性基板上に光半透過膜とその上の遮光膜遮光帯とを有する形態とするものが挙げられる。また、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクのほかに、透光性基板をエッチング等により掘り込んでシフタ部を設ける基板掘り込みタイプであるレベンソン型位相シフトマスク用やエンハンサー型位相シフトマスク用のマスクブランクが挙げられる。前記ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの光半透過膜は、実質的に露光に寄与しない強度の光例えば、露光波長に対して1~30を透過させるものであって、所定の位相差例えば180度を有するものであり、この光半透過膜をパターニングした光半透過部と、光半透過膜が形成されていない実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部とによって、光半透過部を透過して光の位相が光透過部を透過した光の位相に対して実質的に反転した関係になるようにすることによって、光半透過部と光透過部との境界部近傍を通過し回折現象によって互いに相手の領域に回り込んだ光が互いに打ち消しあうようにし、境界部における光強度をほぼゼロとし境界部のコントラスト即ち解像度を向上させるものである。この光半透過膜は、例えば、遮光膜を形成する材料として列挙されたものと同様の材料が適用可能である。露光光に対して所定の透過率で透過し、かつ所定の位相差を付与する必要があるため、前記材料に窒素や酸素を含有させた材料が望ましい。また、光半透過膜上に遮光膜を有する形態の場合、上記光半透過膜の材料が遷移金属及びケイ素を含むので、遮光膜の材料としては、光半透過膜に対してエッチング選択性を有するエッチング耐性を有する特にクロムや、クロムに酸素、窒素、炭素などの元素を添加したクロム化合物で構成することが好ましい。レベンソン型位相シフトマスクは、バイナリマスクブランクと同様の構成のマスクブランクから作製されるため、パターン形成用薄膜の構成については、バイナリマスクブランクの遮光膜と同様である。エンハンサー型位相シフトマスク用のマスクブランクの光半透過膜は、実質的に露光に寄与しない強度の光例えば、露光波長に対して1~30を透過させるものではあるが、透過する露光光に生じさせる位相差が小さい膜例えば、位相差が30度以下。好ましくは0度。であり、この点が、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの光半透過膜とは異なる。この光半透過膜の材料は、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの光半透過膜と同様の元素を含むが、各元素の組成比や膜厚は、露光光に対して所定の透過率と所定の小さな位相差となるように調整される。3前記薄膜が、1以上の半透過膜と遮光膜との積層構造である多階調マスクブランク半透過膜の材料については、前記のハーフトーン型位相シフトマスクブランクの光半透過膜と同様の材料が適用可能である。各元素の組成比や膜厚は、露光光に対して所定の透過率となるように調整される。遮光膜の材料についても、前記のバイナリマスクブランクの遮光膜が適用可能であるが、半透過膜との積層構造で、所定の遮光性能光学濃度となるように、遮光膜材料の組成や膜厚は調整される。また、上記1~3において、透光性基板と遮光膜との間、又は光半透過膜と遮光膜との間に、遮光膜や光半透過膜に対してエッチング耐性を有するエッチングストッパー膜を設けてもよい。エッチングストッパー膜は、エッチングストッパー膜をエッチングするときにエッチングマスク膜を同時に剥離することができる材料としてもよい。さらに、本発明の成膜方法は、以下のような反射型マスクブランクの製造に、特に好適に用いることができる。4高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層してなる多層反射膜上に吸収体膜を備える反射型マスクブランク反射型マスクは、EUVリソグラフィに用いられるマスクである。反射型マスクは、基板上に露光光を反射する多層反射膜が形成され、多層反射膜上に露光光を吸収する吸収体膜がパターン状に形成された構造を有する。露光機パターン転写装置に搭載された反射型マスクに入射した光EUV光は、吸収体膜のある部分では吸収され、吸収体膜のない部分では多層反射膜により反射された光像が反射光学系を通して半導体基板上に転写される。多層反射膜は、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層して形成される。多層反射膜の例としては、Mo膜とSi膜を交互に40周期程度積層したMo/Si周期積層膜、Ru/Si周期多層膜、Mo/Be周期多層膜、Mo化合物/Si化合物周期多層膜、Si/Nb周期多層膜、Si/Mo/Ru周期多層膜、Si/Mo/Ru/Mo周期多層膜、Si/Ru/Mo/Ru周期多層膜などがある。露光波長により、材質を適宜選択することができる。吸収体膜は、露光光である例えばEUV光を吸収する機能を有するもので、例えばタンタルTa単体又はTaを主成分とする材料を好ましく用いることができる。このような吸収体膜の結晶状態は、平滑性、平坦性の点から、アモルファス状又は微結晶の構造を有しているものが好ましい。Taを主成分とする材料としては、TaとNを含む材料、Taを含み、さらにOとNの少なくともいずれかを含む材料、TaとGeを含む材料、TaとGeとNを含む材料、TaとHfを含む材料、TaとHfとNを含む材料、TaとZrを含む材料、TaとZrとNを含む材料、等を用いることができる。TaにSi、Ge等を加えることにより、アモルファス状の材料が容易に得られ、平滑性を向上させることができる。また、TaにNやOを加えれば、酸化に対する耐性が向上するため、経時的な安定性を向上させることができるという効果が得られる。EUV反射型マスクブランクの場合、表面欠陥に対する非常に高いレベルの条件を満たす必要がある。本発明の成膜方法は、EUV反射型マスクブランクに用いる吸収体膜の成膜のために、特に好適に用いることができる。以下、本発明の実施例についてさらに詳細に説明する。本実施例及び比較例による成膜には、図3で説明したDCマグネトロンスパッタリング装置を用いた。ここで、図3に示すDCマグネトロンスパッタリング装置におけるスパッタ室13は、図4に示すように、真空槽1を有しており、この真空槽1の内部にマグネトロンカソード2及び基板ホルダ3が配置されている。マグネトロンカソード2にはバッキングプレート4に接着されたスパッタリングターゲット5が装着されている。本実施例では、バッキングプレート4に無酸素銅を用い、スパッタリングターゲット5とバッキングプレート4の接着ボンディング剤にはインジウムを用いている。バッキングプレート4は水冷機構により直接又は間接的に冷却されている。マグネトロンカソード2とバッキングプレート4及びスパッタリングターゲット5は電気的に結合されている。基板ホルダ3には透明基板6が装着されている。また、本実施例及び比較例による成膜には、図4におけるスパッタリングターゲット5と基板6とが、図1及び図2に示すように、基板とターゲットの対向する面が所定のターゲット傾斜角θを有するように、スパッタリングターゲット5と基板が配置されている構成の装置を用いた。この場合、スパッタリングターゲット5と基板のオフセット距離Doffは340mm、ターゲット-基板間垂直距離Hは380mm、ターゲット傾斜角は15°とした。真空槽1は排気口7を介して真空ポンプにより排気されている。真空槽内の雰囲気が形成する膜の特性に影響しない真空度まで達した後、ガス導入口8から窒素を含む混合ガスを導入し、DC電源9を用いてマグネトロンカソード2に負電圧を加え、スパッタリングによる成膜を行った。DC電源9はアーク検出機能を持ち、スパッタリング中の放電状態を監視することができる。真空槽1内部の圧力は圧力計10によって測定した。次に、本実施例による成膜の手順を説明する。本実施例及び比較例では、図6に示すように、基板31上にTaNからなる下層32及びTaOからなる上層33を順次成膜し、積層した。縦横の寸法が、約152mm×152mmで、厚さが6.35mmの合成石英からなる基板31を、DCマグネトロンスパッタリング装置の中に導入した。最初に、基板31上にTa窒化層下層32を次のように成膜した。すなわち、スパッタリング装置内を2×10-5Pa以下に排気した後、スパッタリング装置内にXeとN2との混合ガススパッタガスを導入した。このとき、Xeの流量は11sccm、N2の流量は15sccmとなるように調整した。スパッタリングターゲット5として、後述する所定のTaターゲットを用いた。ガスの流量が安定した後、DC電源9の電力を1.5kWに設定し、基板31上に所定の膜厚のTa窒化層32を成膜した。次に、Ta窒化層32を成膜した基板31をスパッタリング装置内に保持したまま、流量58sccmのArガスと、流量32.5sccmのO2ガスとを混合した混合ガススパッタガスをスパッタリング装置内に導入し、続いてDC電源9の電力を0.7kWに設定し、Ta窒化層32上に所定の膜厚のTa酸化層上層33を積層した図6参照。Ta酸化層33をDCマグネトロンスパッタリングで成膜する際には、ターゲット上に酸化膜が堆積して成膜速度が低下する場合がある。成膜速度の低下を抑制するには、DCパルスユニットが有効である。本実施例及び比較例ではアドバンスドエナジー社製Sparc-LEVアドバンスドエナジー社の商品名を用いた。Ta窒化層32及びTa酸化層33の膜厚及び光学濃度ODは、X線反射率法XRR及び分光光度計を用いて測定した。X線反射率法の測定装置は、リガク社製GXR300RDを用いた。また、分光光度計は、SHIMADZU製のSS3700を用いた。X線反射率法及び分光光度計の測定装置による基板6上の測定位置を説明するために、図5に、基板6と、スパッタリングターゲット5との位置関係を示す。基板6に成膜した積層膜測定の位置を示すため、基板6の中心をx=0mm、y=0mmとし、ターゲットから離れる方向をx軸、x軸に垂直な方向をy軸とすることにする。また、基板6の中心を0,0、例えば座標x=66mm、y=-66mmの位置を66,-66のように表記することとする。実施例1-1並びに比較例1-1及び1-2実施例1-1並びに比較例1-1及び1-2として、上述のように、合成石英からなる基板31上にTa窒化層32及びTa酸化層33を形成した実施例1-1の場合において、Ta窒化層32とTa酸化層33の各膜厚が前記の膜厚にほぼ等しくなる成膜時間を適用し、比較例1-1及び1-2も成膜した。。その後、それぞれの基板6上のTa窒化層32及びTa酸化層33の膜厚及び光学濃度ODを測定した。具体的には、実施例1-1及び比較例1-1~2では、所定の成膜後、それぞれの薄膜付基板6に対し、図5に示す黒点の基板6上の位置、すなわち位置0,0、-33,33及び-66,66の膜厚及び光学濃度を測定した。実施例1-1並びに比較例1-1及び1-2の実験条件及び測定結果のまとめを表1に示す。また、表2には各測定位置でのTa窒化層TaN及びTa酸化層TaOの膜厚及び光学濃度の測定値を示す。表中、範囲とは、最大値から最小値を差し引いた値であり、範囲の値が小さくなるほど膜厚の平面均一性が良好であることを示す。ターゲットの鍛造圧延方向55は、実施例11及び比較例11では1軸であったが、比較例12では多軸だった。ターゲットの圧延方向55の取り付け方向は、実施例1-1の場合は、図5に符号55で示す圧延方向55が、基板6のy軸と平行となるようにした。比較例1-1の場合には、x軸と平行実施例11の圧延方向55に対して垂直方向となるようにした。なお、比較例12では多軸の圧延方向なので、ターゲットの圧延方向の取り付け方向は観念することができない。表1及び表2から明らかなように、実施例1-1ターゲット圧延方向55が1軸かつ圧延方向55が基板6のy軸と平行の場合には、比較例と比べて、膜厚の範囲が小さくなることが明らかである。したがって、本願実施例1-1による成膜の場合には、良好な膜厚均一性を得ることができたといえる。また、実施例1-1の成膜時間と同じ時間で、比較例1-1及び1-2も成膜しているが、比較例1-1及び1-2は、実施例1-1の場合よりも膜厚が大幅に薄いという結果となっている。これは、スパッタ粒子が基板6に到達している全体量が、実施例1-1よりも少ないことを意味している。よって、実施例1-1は、比較例1-1及び1-2よりも成膜速度が大きく、生産性が高いといえる。実施例2-1及び比較例2-1~3実施例2-1及び比較例2-1~3では、成膜中に基板6の回転を行わずに、上述のように合成石英からなる基板31上にTa窒化層32及びTa酸化層33の組み合わせを2回積層させて形成した。所定の成膜後、それぞれの薄膜付基板に対し、図5に示す基板6上の破線の円の位置、すなわち位置-66,-66、0,-66、66,-66、-66,0、0,0、66,0、-66,66、0,66及び66,66の9点の膜厚を測定した。表3に、実施例2-1及び比較例2-1~3の実験条件を示す。さらに表3には、膜厚測定結果である基板周辺平均膜厚及び規格化基板周辺平均膜厚を示す。基板周辺平均膜厚とは、上記9点の膜厚測定点のうち、基板周辺部の測定点のみの平均、すなわち位置0,0を除く8点の測定点の平均である。規格化基板周辺平均膜厚とは、基板6の中心位置0,0の膜厚を1とした場合の各膜厚測定点での膜厚の割合規格化膜厚というについての、基板周辺部の8点の測定点の平均である。表4に、各膜厚測定点の測定値及び基板周辺平均膜厚を示す。また、表5に、各膜厚測定点の規格化膜厚及び規格化基板周辺平均膜厚を示す。実施例2-1及び比較例2-1~3の成膜の際には、上述のように成膜中に基板6の回転を行わなかった。しかしながら、実際の製品を製造する場合には、基板6を回転させながら成膜する。そのため、基板周辺部の膜厚は、実際の製品を製造する際の成膜では、基板周辺部全体にわたって基板周辺平均膜厚程度になることになる。すなわち、基板6の中心位置0,0の膜厚に対する割合である規格化基板周辺平均膜厚が1に近くなるほど、基板6全体にわたる膜厚の平面均一性が良好になるといえる。ターゲットの鍛造圧延方向55は、実施例21及び比較例21では1軸であったが、比較例22及び23では多軸だった。ターゲットの圧延方向55の取り付け方向は、実施例21の場合は、図5に符号55で示す圧延方向55が、基板6のy軸と平行となるようにした。比較例2-1の場合には、x軸と平行実施例21の圧延方向55に対して垂直方向となるようにした。なお、比較例22及び23では多軸の圧延方向なので、ターゲットの圧延方向の取り付け方向は観念することができない。表3~5から明らかなように、実施例2-1の規格化基板周辺平均膜厚の値は0.999であり、1に極めて近い。それに対して比較例2-1~3の規格化基板周辺平均膜厚の値は、全て1.01を超える値であった。以上のことから、実施例2-1ターゲット圧延方向55が1軸かつ圧延方向55が基板6のy軸と平行の場合には、比較例と比べて、基板6全体にわたる膜厚の平面均一性が良好であることが明らかである。また、実施例2-1の成膜時間と同じ時間で、比較例2-1~3も成膜しているが、比較例2-1~3は、実施例2-1の場合よりも膜厚が大幅に薄いという結果となっている。これは、基板6に到達しているスパッタ粒子の全体量単位時間にスパッタ粒子が基板6に到達する総量が、実施例2-1よりも少ないことを意味している。よって、実施例2-1は、比較例2-1~3よりも成膜速度が大きく、生産性が高いといえる。"