CuGa合金粉末と、100μm以下の平均粒度を有するNaCl粉末との混合粉末を作製し、前記混合粉末を加圧焼結するCuGaNa系スパッタリング用ターゲットの製造方法。請求項1に記載のCuGaNa系スパッタリング用ターゲットの製造方法であって、前記NaCl粉末は、45μm以下の平均粒度を有するCuGaNa系スパッタリング用ターゲットの製造方法。請求項1に記載のCuGaNa系スパッタリング用ターゲットであって、前記混合粉末は、真空ホットプレス法で加圧焼結されるCuGaNa系スパッタリング用ターゲットの製造方法。CuGa合金粉末とNaCl粉末との混合粉末の焼結体からなり、30原子以上50原子以下のGaと3重量以上5重量以下のNaとを含有し、97以上の相対密度を有するCuGaNa系スパッタリング用ターゲット。請求項4に記載のCuGaNa系スパッタリング用ターゲットであって、平均抵抗値が42μΩcm以下であるCuGaNa系スパッタリング用ターゲット。しかしながら、特許文献1、2にはNaを含有するCuGaターゲットの製造方法の詳細については記載されていない。また、この種のターゲットにおいては、安定したスパッタを行うために、相対密度が高く、抵抗値のバラツキが小さいことが必要とされる。以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、相対密度の高く、抵抗値のバラツキが小さいCuGaNa系スパッタリング用ターゲット及びその製造方法を提供することにある。上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るCuGaNa系スパッタリング用ターゲットの製造方法は、CuGa合金粉末と、100μm以下の平均粒度を有するNaCl粉末との混合粉末を作製し、上記混合粉末を加圧焼結する。本発明の一形態に係るCuGaNa系スパッタリング用ターゲットは、CuGa合金粉末とNaCl粉末との混合粉末の焼結体からなり、30原子以上50原子以下のGaと3重量以上5重量以下のNaとを含有し、97以上の相対密度を有する。本発明の一実施形態に係るCuGaNa系スパッタリング用ターゲットの製造方法は、CuGa合金粉末と、100μm以下の平均粒度を有するNaCl粉末との混合粉末を作製し、上記混合粉末を加圧焼結する。上記製造方法においては、CuGa合金粉末に添加されるNa原料としてNaCl粉末を採用し、そのNaCl粉末の平均粒度を規定することにより、高密度化および抵抗値の均一化を実現するようにしている。すなわち、NaCl粉末の平均粒度を100μm以下に制限することで、焼結体の相対密度を例えば97以上に高めることができるとともに、抵抗値のバラツキを例えば±10以下に抑えることができる。ここで、本明細書において平均粒度とは、レーザー散乱回折法で測定した粒度分布の積算が50の値D50を意味する。また、平均粒度の値は、ベックマンコールター社製装置LS13320による測定値を用いた。NaCl粉末の平均粒径が100μmを超えると、焼結体の相対密度は97に達することができず、また抵抗値のバラツキも±100以上に達するおそれがある。この場合、安定したスパッタを実現することが困難となり、異常放電やパーティクルの発生の原因となり得る。CuGa合金粉末は、CuとGaの合金インゴットを粉砕することで作製され、例えば200μm以下の平均粒度に分級された粉末が用いられる。NaCl粉末は、CuGa合金粉末と混合された後、板状に加圧焼結される。焼結法は特に限定されず、例えば真空中でのホットプレス法が適用される。焼結体のGa含有量は、例えば30原子以上50原子以下とされる。一方、Na含有量は、3重量以上5重量以下とされる。これにより、42μΩcmの平均抵抗値と、±10以下の抵抗値バラツキを実現することができる。以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。図1は、本発明の一実施形態に係るCuGaNa系スパッタリング用ターゲットの製造方法を説明する工程フローである。本実施形態のCuGaNa系スパッタリング用ターゲットの製造方法は、CuGa合金粉末を作製する工程S1と、CuGa合金粉末にNaCl粉末を混合する工程S2と、CuGa合金粉末とNaCl粉末との混合粉末を焼結する工程S3と、焼結体をターゲット形状に加工する工程S4とを有する。[CuGa合金粉末の作製工程]CuGa合金粉末の作製工程S1は、本実施形態では、CuGa合金を作製する工程と、CuGa合金インゴットを粉砕する工程とを有する。CuGa合金は、所定の混合割合となるように秤量されたCuインゴットとGaインゴットをそれぞれ溶解し、所定形状の鋳造することで作製される。Cuインゴット及びGaインゴットの純度は特に制限されず、例えば4N程度が用いられる。Cuインゴット及びGaインゴットは同一のルツボに装入され、例えば真空誘導溶解炉で溶解される。CuGa合金インゴットの粉砕には、例えば、ジョークラッシャ、ロールミル等の適宜の破砕機を単独または組み合わせて用いることができる。本実施形態では、平均粒度が例えば200μm程度のCuGa合金粉末が作製される。[NaCl粉末の混合工程]次に、CuGa合金粉末とNaCl粉末との混合粉末が作製されるS2。CuGa合金粉末とNaCl粉末との混合方法は特に限定されず、シェーカミキサー等の公知の撹拌器あるいは混合器を使用することができる。NaCl粉末の平均粒度は、CuGaNa焼結体の相対密度や抵抗値の分布に大きく影響する。すなわち、NaCl粉末の平均粒度が大きいほど、得られる焼結体の相対密度は低く、抵抗値のばらつきが大きくなる。このような焼結体をスパッタリング用ターゲットに用いた場合、異常放電やパーティクルの発生頻度が高くなり、安定したスパッタ成膜が困難となる。そこで本実施形態では、平均粒度が100μm以下のNaCl粉末が使用される。これにより、得られる焼結体の相対密度を97以上に高めることができるとともに、抵抗値のバラツキを例えば±10以下に抑えることができる。一方、NaCl粉末の平均粒度が100μmを超えると、焼結体の相対密度は97に達することができず、抵抗値のバラツキも±100に達するおそれがある。NaCl粉末の平均粒度は、45μm以下であってもよい。これにより、相対密度98以上の焼結体を安定して製造することができる。また、得られる焼結体の抵抗値のバラツキの更なる低減を図ることができる。NaCl粉末の平均粒度の調製には、市販のNaCl粉末平均粒度377μmを破砕し、メッシュの目の大きさが例えば100μm以下の篩ふるいを用いて分級してもよい。図2は、上述のように調整したNaCl粉末の平均粒度を測定した一実験結果である。図において横軸は粒径μmであり、対数目盛で示されている。縦軸は頻度である。図2において、C1は、メッシュの目の大きさが150μmの篩を用いて分級したときの篩い上残量に相当する粉末の粒度分布を示し、C2は、メッシュの目の大きさが100μmの篩を用いて分級したときの篩い上残量に相当する粉末の粒度分布を示している。C3は、メッシュの目の大きさが45μmの篩を用いて分級したときの篩い上残量に相当する粉末の粒度分布を示し、C4は、メッシュの目の大きさが45μmの篩いを通過した粉末の粒度分布を示している。C2の平均粒度は147μmであり、C3の平均粒度は92μmであり、C4の平均粒度は33μmであった。C2~C4の平均粒度は、原料粉末の粉砕の程度によって変動するが、メッシュの目の大きさがそれぞれ150μm、100μmおよび45μmの篩を使用すれば、平均粒度がそれぞれ150μm以下、100μm以下および45μm以下の粉末を確実に得ることができる。CuGa合金粉末に対するNaCl粉末の混合比率は、作製されるCuGaNa焼結体の組成比に応じて定められる。本実施形態では、Ga含有量が30原子以上50原子以下、Na含有量が3重量以上5重量以下、残部CuのCuGaNa焼結体が作製される。なお不可避の不純物元素の混入や、In、Se等の第4、第5の元素の添加は排除されない。[混合粉末の焼結工程]続いて、CuGa合金粉末とNaCl粉末との混合粉末が焼結されるS3。本実施形態では真空ホットプレス法によって焼結体が作製されるが、これ以外にも、HIP法等の他の焼結法が採用されてもよい。焼結条件も特に限定されず、真空ホットプレス法では例えば温度700°C、圧力24.5MPa250kg/cm2等とすることができる。上記混合粉末は所定厚みの板状に焼結されるが、その平面形状は円形でもよいし矩形でもよい。以上のようにして、30原子以上50原子以下のGaと3重量以上5重量以下のNaとを含有し、98以上の相対密度と、42μΩcm以下の平均抵抗値とを有するCuGaNa系スパッタリング用ターゲットが作製される。[焼結体の機械加工工程]作製された焼結体は、所定のターゲット形状に加工されるS4。典型的には、焼結体は、旋盤等を用いて切削あるいは研削される。所定のサイズに加工されたターゲットは、インジウム等のロウ材を用いてバッキングプレートに接合され、ターゲットアセンブリを構成する。以上のように本実施形態においては、CuGa合金粉末に添加されるNa原料としてNaCl粉末を採用し、そのNaCl粉末の平均粒度を規定することにより、高密度化および抵抗値の均一化を実現するようにしている。Na原料にNaClを採用することにより、他のナトリウム化合物と比較して、取り扱い性、品質の安定性等において有利となる。例えばNaClは、NaF等と比較して毒性が低いため安全に取り扱うことができ、またNa2S等と比較して酸化し難いためターゲットの組成が安定に維持される。一方、NaCl粉末の平均粒度を100μm以下に制限することで、焼結体の相対密度を例えば97以上に高めることができるとともに、抵抗値のバラツキを例えば±10に抑えることができる。[実験例]本発明者らは、平均粒度の異なる複数種のNaCl粉末を準備し、これを平均粒度が200μmのCuGa合金粉末と混合した後、焼結体を作製し、その相対密度と抵抗値のバラツキを測定した。さらに各焼結体をスパッタ装置に組み込んでそのスパッタ性を評価した。実験例1平均粒度が150μmを超えるNaCl粉末図2においてC1で示される粒度分布を有する粉末をCuGa合金粉末に混合し、Cu-30atGa-3wtNa焼結体を作製した。焼結法には真空ホットプレス法を採用し、焼結温度を700°C、焼結圧力を24.5MPa250kg/cm2、焼結時間は2時間とした。焼結体の相対密度は、焼結体の見掛け密度と理論密度7.05g/cm3との比を計算により求めた。見掛け密度は、得られた焼結体を機械加工して外周及び厚みの寸法をノギス、マイクロメータ或いは3次元測定器を用いて測定して体積を求め、次に、電子天秤にて重量を測定し、重量/体積の式から求めた。焼結体の抵抗値は、4探針法によって測定した。測定装置は、NSP社製Σ-1を用いた。抵抗値のバラツキは、抵抗値の最大値、最小値及び平均値を算出し、[{最大値-最小値/平均値}×1/2]の式から求めた。スパッタ評価は、焼結体を直径10cm4インチ、厚み6mmに加工し、これをバッキングプレートに装着してスパッタ装置に組み込み、所定時間スパッタを行って異常放電の有無を評価した。異常放電が無かった場合を○、異常放電が認められた場合を×とした。実験の結果を表1に示す。焼結体の相対密度は95.9、平均抵抗値は200.1μΩcm、抵抗値のバラツキは±125、スパッタ評価は×であった。実験例2平均粒度が100μm以上150μm以下のNaCl粉末図2においてC2で示される粒度分布を有する粉末をCuGa合金粉末に混合し、実験例1と同一の焼結条件でCu-30atGa-3wtNa焼結体を作製した。得られた焼結体の相対密度は96、平均抵抗値は83.9μΩcm、抵抗値のバラツキは±164、スパッタ評価は×であった表1。実験例3平均粒度が45μm以上100μm以下のNaCl粉末図2においてC3で示される粒度分布を有する粉末をCuGa合金粉末に混合し、実験例1と同一の焼結条件でCu-30atGa-3wtNa焼結体を作製した。得られた焼結体の相対密度は97.9、平均抵抗値は37.1μΩcm、抵抗値のバラツキは±10.3、スパッタ評価は○であった表1。実験例4平均粒度が45μm以下のNaCl粉末図2においてC4で示される粒度分布を有する粉末をCuGa合金粉末に混合し、実験例1と同一の焼結条件でCu-30atGa-3wtNa焼結体を作製した。得られた焼結体の相対密度は98.1、平均抵抗値は41.8μΩcm、抵抗値のバラツキは±7.5、スパッタ評価は○であった表1。実験例5平均粒度が45μm以上100μm以下のNaCl粉末図2においてC3で示される粒度分布を有する粉末をCuGa合金粉末に混合し、実験例1と同一の焼結条件でCu-50atGa-3wtNa焼結体を作製した。得られた焼結体の相対密度は98、平均抵抗値は35μΩcm、抵抗値のバラツキは±7.1、スパッタ評価は○であった表1。実験例6平均粒度が45μm以上100μm以下のNaCl粉末図2においてC3で示される粒度分布を有する粉末をCuGa合金粉末に混合し、実験例1と同一の焼結条件でCu-30atGa-5wtNa焼結体を作製した。得られた焼結体の相対密度は98.5、平均抵抗値は33μΩcm、抵抗値のバラツキは±7.5、スパッタ評価は○であった表1。表1に示すように、100μm以下の平均粒度を有するNaCl粉末を混合した焼結体においては、97以上の相対密度を得られることが確認された。また、これら焼結体の抵抗値の平均値が42μΩcm以下、抵抗値のバラツキが±10以下であることから、焼結体全体において組成の均一化を実現できることが確認された。また、NaCl粉末の平均粒度が小さいほど相対密度が高くなる傾向があることが確認された実験例4。続いて、図3は、平均粒度の異なる複数種のNaCl粉末を用いて、Cu-30atGa-3wtNa焼結体を作製したときの各サンプルのXRDチャートである。図においてP0は、市販のNaCl原料粉末平均粒度377μmを粉砕せずにCuGa合金粉末平均粒度200μmに混合して作製した焼結体のXRDチャートである。P1は、上記原料粉末を粉砕後、平均粒度が150μmを超えるもの図2においてC1で示される粒度分布を有する粉末をCuGa合金粉末に混合して作製した焼結体のXRDチャートである。P2は、上記原料粉末を粉砕後、平均粒度が100μm以上150μm以下のもの図2においてC2で示される粒度分布を有する粉末をCuGa合金粉末に混合して作製した焼結体のXRDチャートである。P3は、上記原料粉末を粉砕後、平均粒度が45μm以上100μm以下のもの図2においてC3で示される粒度分布を有する粉末をCuGa合金粉末に混合して作製した焼結体のXRDチャートである。P4は、上記原料粉末を粉砕後、平均粒度が45μm以下のもの図2においてC4で示される粒度分布を有する粉末をCuGa合金粉末に混合して作製した焼結体のXRDチャートである。図3に示すように、NaClの回折ピークは、NaCl粉末の平均粒度に関係なく一定であることから、焼結体に残留するNa化合物の量は、NaCl粉末の平均粒度に依存しないことが確認された。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。例えば以上の実施形態では、焼結体の焼結温度を700°Cとしたが、これに限られず、例えばNaClの融点以下の温度で適宜変更することが可能である。また以上の実施形態では、Cu-Ga-Naの三元系焼結体を例に挙げて説明したが、更にInやSe等の元素が添加された多元系焼結体の製造にも、本発明は適用可能である。