基板と、前記基板上に順に積層された下部電極層と、下部絶縁層と、上部絶縁層と、上部電極層と、を有し、前記下部絶縁層と前記上部絶縁層とが、空隙部を介して対向配置されており、材料または層厚の少なくともいずれかが異なり、数式1を満足することを特徴とする超音波振動子数式1ただし、K1は前記下部絶縁層の比誘電率、K2は前記上部絶縁層の比誘電率、T1は前記下部絶縁層の層厚、T2は前記上部絶縁層の層厚、ρ1xは前記下部絶縁層の中の電荷密度分布xは前記下部電極層からの距離、ρ2yは前記上部絶縁層の中の電荷密度分布yは前記上部電極層からの距離。同じ材料からなる前記下部絶縁層と前記上部絶縁層との層厚が異なることを特徴とする請求項1に記載の超音波振動子。前記下部絶縁層と前記上部絶縁層とが、材料および層厚が異なることを特徴とする請求項2に記載の超音波振動子。駆動時に前記下部絶縁層と、前記上部絶縁層とは接触せず、前記ρ1xおよび前記ρ2xは前記下部電極層および前記上部電極層に駆動信号が印加されても変化しないことを特徴とする請求項3に記載の超音波振動子。基板と、前記基板上に順に積層された下部電極層と、下部絶縁層と、上部絶縁層と、上部電極層と、を有し、前記下部絶縁層と前記上部絶縁層とが、空隙部を介して対向配置されており、材料または層厚の少なくともいずれかが異なり、数式1を満足する超音波振動子を具備することを特徴とする超音波診断装置。数式1ただし、K1は前記下部絶縁層の比誘電率、K2は前記上部絶縁層の比誘電率、T1は前記下部絶縁層の層厚、T2は前記上部絶縁層の層厚、ρ1xは前記下部絶縁層の中の電荷密度分布xは前記下部電極層からの距離、ρ2yは前記上部絶縁層の中の電荷密度分布yは前記上部電極層からの距離。同じ材料からなる前記下部絶縁層と前記上部絶縁層との層厚が異なる超音波振動子を具備することを特徴とする請求項5に記載の超音波診断装置。前記下部絶縁層と前記上部絶縁層とが、材料および層厚が異なる超音波振動子を具備することを特徴とする請求項6に記載の超音波診断装置。駆動時に前記下部絶縁層と、前記上部絶縁層とは接触せず、前記ρ1xおよび前記ρ2xは前記下部電極層および前記上部電極層に駆動信号が印加されても変化しない超音波振動子を具備することを特徴とする請求項7に記載の超音波診断装置。本発明の一の形態の超音波振動子は、基板と、前記基板上に順に積層された下部電極層と、下部絶縁層と、上部絶縁層と、上部電極層と、を有し、前記下部絶縁層と前記上部絶縁層とが、空隙部を介して対向配置されており、前記上部絶縁膜および前記下部絶縁膜は材料または厚みの少なくともいずれかが異なり、以下の数式1を満足する。数式1ただし、K1は前記下部絶縁層の比誘電率、K2は前記上部絶縁層の比誘電率、T1は前記下部絶縁層の層厚、T2は前記上部絶縁層の層厚、ρ1xは前記下部絶縁層の中の電荷密度分布xは前記下部電極層からの距離、ρ2yは前記上部絶縁層の中の電荷密度分布yは前記上部電極層からの距離。また、本発明の別の形態の超音波診断装置は、上記記載の超音波振動子を具備する。<第1実施形態>以下、本発明の第1実施形態の超音波振動子2について説明する。なお、以下の図は、説明のための、部材毎に縮尺等が異なる模式図である。図1に示すように、超音波振動子以下、振動子という2は、基板10と、基板10上に順に積層された下部電極層11と、下部絶縁層12と、ギャップ層14と、上部絶縁層15と、上部電極層16と、を具備し、下部絶縁層12と上部絶縁層15とは、空隙部13を介して対向配置している。なお、積層構造の説明において、各層の上下関係については、基板10の表面から法線方向に遠ざかる方向を上方向とする。例えば、図1において、上部電極層16は下部電極層11の上方に配設されている。静電容量型の振動子2は、上部電極層16と下部電極層11との間の距離の変化、すなわち上部電極層16、上部絶縁層15からなるメンブレン18の振動により、超音波を送受信する。上部電極層16上には保護層17を配置し、保護層17を含めてメンブレン18としてもよい。そして空隙部13は、メンブレン18が振動するための空間を構成している。なお、後述するように、下部電極層11、空隙部13、および上部電極層16は上方から観察したときの形状は特に限定されないが円形などを適用することができる。基板10の材質としては、特に限定されないが導電性を有する低抵抗シリコンウェハなどが挙げられる。基板10の表面には絶縁層不図示が形成されていてもよい。下部電極層11は、例えばMoモリブデン、Wタングステン、Tiチタン、Taタンタル、AlアルミニウムまたはCu銅等が挙げられる。また、下部電極層11は2種以上の導電性材料を積層した多層構造でもよい。下部電極層11上には、下部電極層11を被覆するように、下部絶縁層12が形成されている。下部絶縁層12は、例えば、プラズマCVD法により成膜される。下部絶縁層12としては、酸化シリコン層、窒化シリコン層、窒化ハフニウムHfN、またはハフニウム酸窒化物HfON等が挙げられる。しかし、後述するように、下部絶縁層12の材料および層厚は上部絶縁層15との関係において決定される。下部絶縁層12上には、空隙部13を形成するギャップ層14が形成されている。ギャップ層14の形状はメンブレンの形状等にあわせて適宜決定される。そして、ギャップ層14上には、上部絶縁層15が形成されている。上部絶縁層15には、下部絶縁層12と同様の材料を同様の方法で形成することができる。上部絶縁層15と下部絶縁層12とは、材料または層厚の少なくともいずれかが異なる。例えば、材料が異なる場合では、下部絶縁層12は層厚500nmの耐熱性に優れた酸化シリコン層であり、上部絶縁層15は層厚500nmの窒化シリコン層である。また層厚が異なる場合では、下部絶縁層12は層厚150nmの酸化シリコン層であり、上部絶縁層15は下部絶縁層12より厚い層厚500nmの酸化シリコン層である。また、材料および層厚が異なる場合では、下部絶縁層12は層厚150nmの酸化シリコン層であり、上部絶縁層15は層厚500nmの窒化シリコン層である。なお、上部絶縁層15/下部絶縁層12の材料として、フッ素系樹脂、ポリイミド、エポキシ樹脂、またはポリパラキシリレン系樹脂等の有機絶縁材料を用いてもよい。下部絶縁層12と上部絶縁層15との間には、ギャップ層14により、大気圧、加圧または減圧状態の空隙部13が形成されている。ここで、減圧状態とは、大気圧よりも圧力が低い状態を指し、いわゆる真空状態も含む。空隙部13は、略円柱形状であり、上方から見て下部電極層11と略同心上に設けられている。上部絶縁層15上には、上部電極層16が形成されている。上部電極層16は、上方から見て下部電極層11と略同心上、すなわち下部電極層11と対向する位置に設けられている。上部電極層16は、例えば、Alをスパッタリング法により成膜しパターニングすることで形成される。振動子2は、上方から見て略円形状を有するが、例えば正六角形状または矩形等でもよい。上部電極層16を構成する材料は、例えばCu、W、Ti、Ta等でもよい。また、上部電極層16は2種以上の導電性材料を積層した多層構造でもよい。上部電極層16上には、保護層17が形成されている。保護層17は例えば、プラズマCVD法により形成された窒化シリコン層である。保護層17は、酸化シリコン層、窒化ハフニウムHfN層、またはハフニウム酸窒化物HfON層等でもよい。また、図示しないが、保護層17上には、耐水性、耐薬品性等を有し、生体適合性および電気絶縁性に優れたポリパラキシリレン系樹脂またはポリイミド等の樹脂からなる層を形成してもよい。一般に、下部絶縁層12および上部絶縁層15の層厚等は、送受信する超音波の周波数、出力、超音波受信感度および絶縁耐圧等の仕様に基づいて決定されるが、本願の振動子2は、さらに、以下の数式1を満足する。数式1図2、図3に示すように、K1は下部絶縁層12の比誘電率、K2は上部絶縁層15の比誘電率、T1は下部絶縁層12の層厚、T2は上部絶縁層15の層厚、ρ1xは下部絶縁層12の中の電荷密度分布、xは下部電極層からの距離、ρ2yは上部絶縁層15の中の電荷密度分布、yは上部電極層からの距離である。数式1の両辺の量を効果電荷量EEと名付ける。なお、超音波振動子に駆動信号を印加すると、絶縁膜に電流が流れるような印加バイアスを使用している場合には、下部絶縁層および上部絶縁層に電荷が蓄積される。つまり、ρ1およびρ2の値が変化する。ただし、ρ1およびρ2の値は常に比例関係を保ちながら変化する。また、絶縁膜に電流が流れないような印加バイアスを使用したり、超音波振動子の駆動時にρ1、ρ2の値が変化しないようにしたりしてもよい。例えば、駆動時に上部絶縁層15と下部絶縁層12が接触しないように、駆動電圧を低くしたり、メンブレンを硬くしたり、上部絶縁層15と下部絶縁層12との間隔を大きくしたり、キャビティ内に接触防止のための障害物を配設したりしてもよい。メンブレンを硬くする方法としては、絶縁膜の厚みや直径を調整する方法等が挙げられる。ここで、図3に絶縁層中の電荷分布の一例を示す。図3に示した例では電荷Eは電極層に近い領域に比較的多く存在し、上部絶縁層15と下部絶縁層12とでは密度分布ρが異なっている。発明者は、鋭意研究した結果、振動子2の特性に影響を及ぼすのは、総電荷量ET、すなわち層中の全電荷量ではなく、電荷密度分布等が重要な要因であることを見いだすに至った。図3において斜線で示される電荷密度分布の積分値が総電荷量ETに相当する。例えば、下部絶縁層12の総電荷量ET1は、以下の数式2で示される。数式2しかし、下部絶縁層12の総電荷量ET1と上部絶縁層15の総電荷量ET2とが同じであっても、振動子2の特性は安定しなかった。これは、電極層に近い位置にある電荷Eと、電極層から遠い位置にある電荷Eと、が振動子2の特性に対して及ぼす影響が異なるためであった。よって絶縁層の厚みが振動子の特性に関ってくる。さらに、電極層の比誘電率Kも寄与していた。そして、電極層からの距離、言い換えれば絶縁層の層厚方向の位置x、yと、その位置にある電荷Eとの積、および、それぞれの電極層の比誘電率Kが、振動子2の特性に影響を及ぼしていることが確認された。例えば電極層近傍に存在する電子電荷は数が多くても、電位への影響は小さい。そして電荷の量と位置と誘電率とを考慮した式1が、電位に影響を及ぼす蓄積電荷量である効果電荷量EEを示している。すなわち、数式1を満足すると、電荷の電位への影響が互いに等価となるために、振動子2の特性が安定する。例えば、下部絶縁層12として、層厚200nmの酸化シリコンSiO2を用い、K1=4.0の場合、数式2で示される総電荷量ET1は、8E-8C/cm2であった。これに対して、上部絶縁層15を、層厚500nmの窒化シリコンSi3N4、K2=8.0の場合、数式2で示される総電荷量ET2は、6.4E-8C/cm2であった。すなわち、下部絶縁層12の総電荷量ET1と、上部絶縁層15の総電荷量ET2とは異なる。しかし、このとき、数式1の左辺の効果電荷量EE1は、4E13C/cmであり、右辺の効果電荷量EE2は、4E13C/cmであった。なお、E13は10-13を示している。すなわち、数式1を満足していたので振動子2の特性は安定した。ちなみに、この効果電荷量の存在から、電極より絶縁膜表面までの電位差は、両者とも4.5Vとなる。電荷密度分布の測定は、公知の測定装置を用いることができる。さらに、表層面を少しずつ除去しながら表面電位を測定してもよい。表面層の除去には、研磨法またはエッチング法を用いることができる。例えば、酸化シリコン層はバッファードフッ酸溶液により、100nm/分の速度で徐々にエッチングされる。上記説明のように、実施形態の超音波振動子2は、絶縁層への電荷蓄積の影響がないために、特性が安定している。なお、式1を満足するように、効果電荷量EEを調整するには、下部絶縁層12と上部絶縁層15との層厚を変えることが製法の容易性および制御の容易性の観点から好ましい。<第2実施形態>次に、本発明の第2実施形態の超音波診断装置である超音波内視鏡3について説明する。超音波内視鏡3の超音波送受部30が具備する超音波振動子2Aは、第1実施形態の超音波振動子2と同じであるため、説明は省略する。図4に示すように超音波内視鏡3は、挿入部42と、操作部43と、ユニバーサルコード44と、を有する。ユニバーサルコード44の基端部には内視鏡コネクタ44Aが設けられている。内視鏡コネクタ44Aからは、カメラコントロールユニット不図示に電気コネクタ45Aを介して接続される電気ケーブル45と、超音波観測装置不図示に超音波コネクタ46Aを介して接続される超音波ケーブル46と、が延出している。挿入部42は、硬性部47と、湾曲部48と、可撓管部49と、が連設されている。そして、硬性部47の先端側には、超音波を送受するための振動子2を具備する超音波送受部30が設けられている。図5および図6に示すように、超音波送受信部30は、振動子アレイ31と駆動回路34とFPC35とを有する。FPC35は、可撓性を有し両面に実装面が形成されたフレキシブル配線板であり、硬性部47の挿入軸と略平行な軸を中心軸として略円筒状に巻回されている。円筒状のFPC35の外周面上には、2次元の超音波振動子アレイ以下振動子アレイという31が設けられている。振動子アレイ31は、FPC35の外周面上に周方向に配列された128個の振動子ユニット32を具備して構成されている。振動子ユニット32は、FPC35の外周面の法線方向から見て略長方形状を有し、円筒状のFPC35の外周面上において、短手方向を周方向として等間隔に配列されている。そして、図7に示すように、それぞれの振動子ユニット32は、64個の振動子エレメント33が配列されて構成されている。振動子エレメント33は、FPC35の外周面の法線方向から見て略正方形状を有しており、振動子ユニットの長手方向に1次元に配列されている。さらに、それぞれの振動子エレメント33は、それぞれが4個の超音波振動子2Aにより構成されている。4個の振動子2は並列接続されており、駆動信号が入力されると同時に同位相の超音波を送信する。FPC35の内周面上、すなわち振動子アレイ31が実装された実装面とは反対側の実装面上には、それぞれの振動子アレイ31の駆動回路34が実装されている。駆動回路34は、円筒状のFPC35の外周面上に形成された、複数の信号電極36および接地電極37に電気的に接続されている。信号電極36および接地電極37は、超音波ケーブル46内を挿通し超音波コネクタ46Aを介して超音波観測装置に接続される。超音波送受部30は、振動子アレイ31によって、硬性部47の挿入軸と略直交する平面上で放射状に超音波を送受信する電子式ラジアル走査と、硬性部47の挿入軸を含む平面上で放射状に超音波を送受信する電子式セクタ走査とを、同時または交互に行う。すなわち、超音波内視鏡3は、3次元の超音波走査が可能である。超音波内視鏡3は、絶縁層への蓄積の影響を受けない超音波振動子2Aを具備する。このため、超音波内視鏡3は特性が安定しており、品質の高い良好な超音波診断像を得ることが可能である。なお、超音波内視鏡3は、電子式ラジアル走査および電子式セクタ走査を行うが、走査方式はこれに限られるものではなく、リニア走査、コンベックス走査、または機械式走査でもよい。また、複数の振動子エレメントを1次元配列した超音波送受部でもよい。また、超音波診断装置は、内視鏡の処置具挿通孔に挿通されて体内に導入される超音波プローブ等でもよい。本発明は、上述した実施形態または変形例に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範囲において、実施形態または変形例の組み合わせ、種々の変更、改変等ができる。本出願は、2011年3月24日に日本国に出願された特願2011-066482号を優先権主張の基礎として出願するものであり、上記の開示内容は、本願明細書、請求の範囲、図面に引用されたものとする。