"二次イオン質量分析を用いてサンプルに含まれる未知の組成、汚染物、残留物、不純物、又は欠陥を特定する方法であって:表面に未知の組成の部分を含む上記サンプルを、密閉されたチャンバ内に位置決めする段階;前記水蒸気の一部は前記サンプル表面上に吸着させるために、上記チャンバ内に水蒸気を供給する段階;イオンビームを発生する段階;上記の未知の組成の部分を含む表面の少なくとも一部をスパッタエッチングするために上記イオンビームを上記表面に方向付ける段階であって、上記の吸着した水蒸気は、上記スパッタエッチングにより生成された二次イオンの収率を増大させる段階;上記サンプルの上記表面から上記二次イオンを受容する段階;上記二次イオンを質量分析器に方向付ける段階;及び、上記二次イオンを分析して、上記サンプルに含まれる未知の組成、汚染物、残留物、不純物、又は欠陥を特定する段階;を有する、方法。上記二次イオンを上記質量分析器に方向付ける段階は正のイオンを上記質量分析器に方向付けることを含む請求項1記載の方法。上記水蒸気は上記チャンバの外側にある貯蔵器から提供される請求項1記載の方法。上記チャンバ内に上記水蒸気を供給する段階は注入針を通じて上記表面の方向に上記水蒸気を方向付けることを含む請求項1記載の方法。上記イオンビームは液体金属イオン源を使用して発生される請求項1記載の方法。上記液体金属はガリウムを有する請求項5記載の方法。上記表面に上記イオンビームを方向付ける段階は、上記サンプルの質量スペクトル又は上記サンプル中に存在する材料の深さのプロフィールを決定するように、又は画成された領域内に存在する材料をマッピングするように、上記イオンビームをパターン状に方向付けることを含む請求項1記載の方法。上記チャンバの内部を1.3×10-4Pa乃至約6.7×10-2Paの範囲の圧力で維持するために上記チャンバを排気することを含む請求項1記載の方法。上記水蒸気と上記サンプルとの間での反応を開始させることで上記サンプルをスパッタエッチングする上記イオンビームが、上記水蒸気が存在しない状態よりも、二次中性粒子に対する二次イオンの比を大きくする、請求項1に記載の方法。上記サンプルは、シリコン、アルミニウム、チタン、モリブデン、又はタングステンを有する、請求項1に記載の方法。[好ましい実施例の詳細な説明]本発明の好ましい実施例によるシステムは、ビームに衝突される試料表面の領域の方向に水蒸気を注入するガス注入システムと、試料から放出される粒子を分析する二次イオン質量分析計とを含む荷電粒子ビームシステムを有する。本発明を実行する集束イオンビームシステムを概略的に示す図1を参照するに、排気されたエンベロープ10は、液体金属イオン表面14が中におかれる上部ネック部分12と、抽出電極手段及び静電光学系を含む集束カラム16とを有する。イオンビーム18は、源14からカラム16及び20として示される静電偏向手段の間を通りサンプル22に向けられ、サンプル22は下部チャンバ26内の可動なX-Y段24上に位置決めされる半導体装置を典型的に有する。イオンビームを発生、集束、及び、方向付けるコンポーネントは、集合的にイオンビーム発生器29として参照される。イオンポンプ28がネック部分12を排気するために使用される。チャンバ26は、真空制御器32の制御下でターボ分子及び機械的ポンピングシステム30を用いて排気される。高電圧電源34は、約30keVのイオンビーム18を形成しこのイオンビームを下向きに方向付けるために液体金属イオン源14並びに集束カラム16中の適当な電極に接続される。パターン発生器38によって設けられるラスタパターンのような指定のパターンに従って動作される偏向制御器及び増幅器36は偏向板20に結合され、それによりビーム18はサンプル22の上表面上の対応するパターンを追跡するために制御されてもよい。源14は、ガリウムの金属イオンビームを典型的に提供するが、インジウム又はアルミニウムのような他の金属イオンも使用され得る。本発明は、酸素及びセシウムのような非金属イオンのビームとも使用され得る。液体金属イオン源は、材料をエッチングして取り去る又は堆積のいずれかによって表面22を変更、表面22を撮像、又は、以下に詳細に説明するように二次イオン質量分析計39を使用してサンプル22中に存在する材料を分析するために、サンプル22においてサブ0.1ミクロン幅のビームに集束されることができる。ガス注入システム、ガスソース26は、サンプル22及びイオンビーム18と相互作用させるためにガスを注入する。図2は、イオンビーム発生器29、ガスソース46、及び、SIMS39の一部の拡大図でありサンプル22の近傍における夫々の相対位置を示す。撮像用に二次放出を検出するために使用される電子増倍管40は、ビデオ回路及び増幅器42に接続され、このビデオ回路及び増幅器42は制御器36からも偏向信号を受信するビデオモニタ44に対して駆動を供給する。排気されたエンベロープ10は、集束イオンビームによって実施される動作の結果を見るために使用され得、又は、電子ビーム処理を実施し得る走査型電子顕微鏡SEM43を任意に含んでもよい。SEM43は、電子ビーム発生器41と関連する電源及び制御装置45とを含む。SEMを含む好ましい集束イオンビームは、本発明の譲受人であるFEI社からの外1モデルである。好ましいガスソース46は、ベローズ52内の保持手段を介して上記ソースを位置決めするために適合される並進装置48によってチャンバ26の側面に内向きにおかれる。本発明の譲受人に譲受されるGasInjectionSystemに対するRasmussenへの米国特許第5,435,850号は、ガス状の蒸気をサンプル22の方向に導入及び方向付ける装置を開示する。図3を参照するに、ガスソース46は貯蔵器50を有し、この貯蔵器内で水蒸気源94が受容される。水蒸気源94は、他の汚染物を排気されたエンベロープ10の中に導入すること無く水蒸気を放出する硫酸マグネシウムのような吸湿性の塩の粒剤を典型的に有する。貯蔵器50の下端部にはガスを基板22に方向付ける小さいオリフィスを含む毛細管を有する針56形状のノズルが設けられる。針56は、約0.5mmの内径を有し、典型的にサンプル22から約100mmのところに位置決めされる。針56は、ロック取付け部100によって貯蔵器50のねじが切ってある下端部に取り付けられる。針56を電気的に隔離するためには、ロック取付け部100は外2のような電気的絶縁材料から成り、針56はガスソース46の金属部分と接触されない。貯蔵器50の上フランジ76は、密閉チャンバ78の周辺に固定され、この密閉チャンバの最後は支持管80から垂れ下がる。支持管80は、ベローズ52の下端部並びにベローズ内の位置決め機構図示せずにねじで取り付けられる。貯蔵器50は、針56の長手軸方向に延長され中央の円筒形の路84が設けられる固体の金属ブロックを有し、この路を通じてガスが皮下針に伝えられる。下端部において長手軸方向の路84は86で狭くされ、路84から針56までのガスの流れを調整するために、バルブプランジャ90の先細り状の端と協働するOリングのバルブシール部88を受容する肩部を形成する。プランジャ90は、アクチュエータ98の下端部におかれ、アクチュエータは路84内に同軸上に配置され路を通じて延在するロッドを有する。アクチュエータ98の外径は、ガスの伝播用チャネルを形成するために路84の内径よりも小さい。貯蔵器50中の中央路84の周りには、円筒形の路84に平行であり実質的にこの路を囲む関係にある複数の細長い円筒形のチャンバ92が配置され、各チャンバ92は、水蒸気源材料94を受容するために適合される長手軸方向のボアを貯蔵器ブロック50中に有する。貯蔵器の上端部96は密閉チャンバ78に対して開けられ、この密閉チャンバにおいて貯蔵器チャンバの中で発生される水蒸気が中央路84に連通される。中央ロッド延長部138は、アクチュエータ98の端により140においてねじ込み可能に係合され、膜122の中央はフランジ134と中央ロッド延長部138のヘッド部142の間に密閉式に配置される。金属ベローズ174は、支持管80内の気圧から膜122の上の領域126を分離する。ベローズ174は、リング170と176の間に延在され、リング170はスペーサリング部材120と熱シンク110の間でロックされる一方でリンク176はシンク110の空洞184の端の最も近くで中央ロッド延長部138の上端部に固定され、シンク内ではロッド150として摺動されプランジャ90及びOリング88を有するバルブを開閉するためにばね154の附勢に対して動かされる。膜122は、密閉チャンバ78の上壁及びチャンバ26に排出される領域126の低壁を画成する。アクチュエータ98は、周辺で保持される膜122を中央で係合するために放射状のフランジ134をチャンバ78内に有する一方でアクチュエータの部分136が膜122中の中央アパーチャを通り中央ロッド延長部138のヘッド端内の窪みへ入る。アクチュエータ98は、中央ロッド延長部138中のはめ合いねじを係合するために適合されるねじが切ってある部分140を有する。中央ロッド延長部138は、動作ロッド150の下端部においてねじ14とはめあわされる上内部ねじが切ってある部分144を具備する。ロッド150は、図1中のベローズ52の中の位置決め機構内手段又はそれ以外の制御下で線形な動きを受容するために適合される。熱シンク110中の上空洞152は、中央ロッド延長分及びアクチュエータを含む取り付けられる部分がガスの流れを閉めるためにプランジャ90をOリング88に対して閉める方向に通常附勢されるよう、熱シンクと中央ロッド延長部138の上端部の間で動作されるばね154を収容する。しかしながら、ロッド150が図示しない手段によって上向きに引き上げられるとき、バルブは中央ロッド延長部138及びリング176が熱シンク110中の低窪み184内で摺動されると開けられる。膜122は、アクチュエータの動きと共に曲げられる。熱シンク110の上端部分158は、減少された円筒形の径を有し、その周りで図示しない手段によって電流が提供されるバンドヒータ159を受容し、ヒータは収縮バンド160によって覆われ定位置で保たれる。サーミスタ162は、熱シンクの部分158内に埋め込まれ、電流がバンドヒータ159に供給されるとサーミスタ162は貯蔵器50及びその中の材料を加熱するために所望の上げられたレベルで熱シンクの温度を調整する制御回路にフィードバックを提供する。従ってヒータ及び制御はチャンバ26の真空領域外に便利におかれ電気的フィードスルーを除去するが、発生される熱は真空壁を介して貯蔵器に伝達される。ガス注入システム46は、筐体を形成し、その中でガスを発生させガスを含むエンクロージャを提供し、エンクロージャはチャンバ92及び貯蔵器50の中央路84並びにシール部材102の下端部によって囲われる密閉チャンバ78を含む。気密性のエンクロージャは、シール部材102とスペーサリング部材120の間でその周辺においてクランプされる柔軟なゴム膜を追加的に有する一方で、前述の通りアクチュエータのフランジ134と中央ロッド延長部138のヘッド142の間でアクチュエータ98に対して密閉関係で中央でクランプされる。貯蔵器50内の吸湿化合物から水を昇華する所望の温度に貯蔵器50があるとき、バルブ58は、バルブプランジャ40を開けその位置を調整するために装置の外側からアクチュエータのロッド150を引き抜くことで開けられてもよい一方でノズル56は図4に拡大され図5に更に拡大して示すようにサンプルの所望領域の方向に向けられる。路84と針56の間に位置決めされるアパーチャ163は水蒸気の流れを制限する。出願人は、水蒸気が硫酸マグネシウムの粒剤から室温で昇華されアパーチャ163が約25mmの径を有する場合に水蒸気の適切な流れが維持されることが分かった。水蒸気は、チャンバ中のバックグランド圧力を約5×10-5ミリバールにさせる。図4は、以下に説明するようにバイアス電圧を提供するために針56に取り付けられる導線164を示す。導線164は、シール165を手段として下部チャンバ26の壁を通じて調節可能な電圧源166まで延在される。ベローズ52は、チャンバ26内の真空に影響を与えること無くサンプルに対する針組立体及び貯蔵器の動きを収容する。ガスフラックスを確立するために、貯蔵器は所定の温度まで加熱される。動作される温度の範囲は、吸湿性材料及びその含水量に依存し、加熱は室温より上の温度の場合要求されなくてもよい。別のタイプの水蒸気伝達システムは、TJStark他H2OEnhancedFocuedIonBeamMicromachiningJVacuumScienceandTechnologyB,13pp256569Nov/Dec1995に記載される。このシステムでは、水蒸気はチャンバ26の外側にある貯蔵器から流れ出、針バルブによって制御される。針56への入口におけるガス圧力は、GranvillePhilipsの対流ゲージを使用してモニタされ得る。針バルブは、一回の実行において約5×10-5ミリバールである適切なバックグランド圧力をチャンバ中で維持するために調節される。別のタイプのガス伝達システムは、GasDeliveryForIonBeamDepositionandEtchingにKirch他への米国特許第5,149,974号に記載される。このガス伝達システムは、試料の上に位置決めされイオンビームと同軸上にあるシリンダの中にガスを導入する。シリンダは、イオンビームを出入りさせるアパーチャを有し、ガスは底のアパーチャを通じて試料の表面に広げられる。シリンダは、検出するために二次粒子をシリンダから偏向させるよう電気又は磁場を適用する偏向手段を含んでもよい。加熱されてもよい段24の上にサンプル22を挿入し、貯蔵器50に配水するためにドア60が開けられる。ドアは、貯蔵器50の中の温度が実質的に室温の上である場合に開けられ得ないよう連動される。62において概略的に示されるゲートバルブは、イオン源及び集束カラム装置を密封するためにドア60が開けられ得る前に閉じられる。ガス蒸気源46のヒータと共に真空制御システムは、サンプル22をスパッタリングするために基板22の方向に向けられるようにチャンバ中のガス蒸気のフラックスを確立するために適当な蒸気圧力状態を提供するよう動作される。高電圧電源は、イオンビーム18を励起し集束するためにイオンビームカラム16中の電極に適当な加速電圧を供給する。イオンビームは、濃縮された水蒸気が上に付着されるサンプルを当てると水蒸気とサンプル22の間で反応を開始し、サンプル22をスパッタエッチングするエネルギーを提供する。偏向制御器及び増幅器36は、所望のパターンにイオンビームを偏向させるが、イオンビームの偏向はサンプル22をエッチングするのに十分に遅い速度である。偏向の速さ、ループ時間等への考慮は当業者に理解される。上述の通り、真空システムはチャンバ26内で約1×10-6トルと約5×10-4トルの間の真空を提供する。ガス蒸気の放出により、チャンバのバックグランド圧力は好適に約10-5トルである。実施例では、ガスソース46は針56の毛細管を介して1平方センチメートル当たり毎秒約1×1016乃至1×1017の分子のガスフラックスを提供する温度に加熱される一方で金属イオン源及び集束カラムはラスタされた領域内で1平方センチメートル当たり毎秒約1×1013乃至1×1015の荷電粒子のフラックスを発生させるために適切に制御される。約0.1トルの圧力がサンプル表面の近傍で得られる一方でチャンバの圧力は約8×10-5トル以下のままである。試料における正確な水圧は重要でなく、圧力及び流れのパラメータは二次イオンの数が所望のレベルに増加されるまで水蒸気の流れを増加させることで全ての特定の実行に対して容易に決定され得る。システム中の水蒸気の量はバックグランドの真空を許容できないレベルまで下げること無く二次イオン収量を高めるのに十分でなくてはならない。当業者は、全ての特定の適用に対して適当な圧力及びガスの流れを容易に決定し得る。動作において、本発明によるシステムは、二次イオン質量分析計即ちSIMSを実行するために有利的に使用され、集束一次イオンビーム18によって衝撃されるサンプルは元素の含量のために分析される。SIMSは、本出願の譲受人であるFEI社からのシステムを含み多くの集束ビームシステムに対して付属品として入手できる。SIMSは、例えば、ABBExtrel,Pittsburgh,Pennsylvaniaからも単独に入手できる。サンプル22は、段24上に配置される一方で水分を含む硫酸マグネシウムの粒剤はるつぼ50の中に配置され、その後、チャンバ26が閉じられ排気されイオンビーム18が発生されサンプルに向けられるようゲート62が開けられる。サンプルは、良く理解される方法において段24の動きによって位置決めされ得る。針56は、水蒸気が関心領域の方向に向けられ得るよう位置決めされる。使用される水蒸気源材料に依存して、十分な水蒸気が室温で材料から導き出されてもよく、又は、るつぼ50が水蒸気を生成するために素子54によって加熱されてもよい。水蒸気が生成されると、バルブ58は水蒸気を逃がすために開けられる。パターン発生器38は、良く理解される方法においてサンプル22の特定の領域に対応するラスタパターン中のイオンビーム18を偏向させるためにモニタ44上でプログラムされ得る。集束イオンビームを機能させるために区分26中で十分な真空を維持する間にサンプル22の表面に付着される水分子を十分に提供するために、針56は好ましくは、100mm内と試料22の非常に近傍に位置決めされる。金属針56を試料22の近傍に位置決めすることは、二次イオンを収集するために使用される電界と干渉するといった不利な点を有し、結果としてコレクション効率が減少される。針56を電気的にバイアスするために導線164図4を使用することによってコレクション場との干渉は著しく減少され得る。使用される好ましいバイアス電圧は、針56の位置及び二次イオンの収集光学の構造と変化される。正確なバイアス電圧は、二次イオンの数が最大化されるまでバイアス電圧を変化させることで容易に決定され得る。水蒸気がサンプル22に向けられると水がサンプル表面上に吸収される。集束イオンビームがサンプルの表面を走査すると、水と上記表面の材料の間で化学反応が行なわれることを可能にするためにエネルギーが提供され、反応の生成物が除去又はスパッタリングされて除かれる。本発明による装置を概略的に示す図6を参照するに、抽出及び移動光学270が一次イオンビーム18の衝突により、サンプル22において生成される二次イオンを収集するためにイオンビームカラムに対して位置決めされる。移動光学は二次イオンを四極子質量分析計272に向ける。質量分析計272に向けられる集合二次イオンは、分析され得るようイオンストリームを集束するために最初にレンズ図示せずを通される。集束されたイオンストリームは、質力分析計272を通り、イオン検出器292に向けられる。イオン検出器292は、分析結果を計算し収集するコンピュータを含む電子システムに結合されるのに適当な信号にイオンを変換する。イオン検出器292は、質量分析計からイオンを受信する電子増倍管を適切に有し、電子増倍管において結果として生成される電子は適当な出力信号を提供する。四極子質力分析計及びイオン検出器の詳細な構成及び動作は周知であり当業者に理解される。本発明によると、分析のために生成される二次イオンの量は、源46からの水蒸気の導入により大きく増加され、それによって分析の感度及び正確さを高める一方で10nm未満の横方向解像度を提供するLMISが使用される。イオンの著しく増加された生成は、O2に対するH2Oの増加された付着及び中性からイオンを含むスパッタリング試料の高められた変換の結果であることを仮定する。外部ガスの給排水は必要なく、同じシステムが分析並びにサンプルを機械加工するために使用され得る。機械加工は、特定の埋め込み層の化学的性質が調査されるべきとき分析と共に有利的に使用され得、これは、イオンビームが最初に所望の層を機械加工するために最初に使用され得るからである。図7は、集束イオンビームによって3つの異なる条件下でスパッタリングされたアルミニウムサンプルから一定期間内に検出される異なる質量の正イオンの数を示す。線400は、水蒸気注入が無くガス注入針56がサンプルの近傍から除去されて検出される異なる質量のイオンの数又はカウントを示す。線404は、水蒸気の注入が無くガス注入針56がサンプルの近傍に位置決めされ電気的にバイアスされて検出される異なる質量のイオンの数を示す。線400及び404に対するイオンをカウントする間のバックグランド真空圧力は約5.5×10-7ミリバールである。線408は、水蒸気が注入されバイアス電圧が注入針56に印加され検出される異なる質量のイオンの数を示す。水蒸気の注入がある場合のバックグランド真空圧力は約3.3×10-5ミリバールである。水蒸気注入がある場合における一定期間中にカウントされるイオンの合計数は566であり、水蒸気注入が無く針が注入されバイアスされカウントされるイオンの合計数は54であり、水蒸気注入が無く針が除去されカウントされるイオンの合計数は34である。図8は、図7に類似するがサンプルは主にシリコンを有する。線412は、水蒸気注入が無くガス注入針56がサンプルの近傍から除去されて検出される異なる質量のイオンの数又はカウントを示す。線416は、水蒸気の注入が無くガス注入針56がサンプルの近傍に位置決めされ電気的にバイアスされて検出される異なる質量のイオンの数を示す。線412及び416に対するイオンをカウントする間のバックグランド真空圧力は約5.5×10-7ミリバールである。線418は、水蒸気が注入されバイアス電圧が注入針56に印加され検出される異なる質量のイオンの数を示す。水蒸気の注入がある場合のバックグランド真空圧力は約3.3×10-5ミリバールである。水蒸気注入がある場合における一定期間中にカウントされるイオンの合計数は291であり、水蒸気注入が無く針が注入されバイアスされカウントされるイオンの合計数は8であり、水蒸気注入が無く針が除去されカウントされるイオンの合計数は11である。図9は、図7及び図8に類似するがサンプルは主にチタンを有する。線422は、水蒸気注入が無くガス注入針56がサンプルの近傍から除去されて検出される異なる質量のイオンの数又はカウントを示す。線426は、水蒸気の注入が無くガス注入針56がサンプルの近傍に位置決めされ電気的にバイアスされて検出される異なる質量のイオンの数を示す。線422及び426に対するイオンをカウントする間のバックグランド真空圧力は約5.5×10-7ミリバールである。線428は、水蒸気が注入されバイアス電圧が注入針56に印加され検出される異なる質量のイオンの数を示す。水蒸気の注入がある場合のバックグランド真空圧力は約3.3×10-5ミリバールである。水蒸気注入がある場合における一定期間中にカウントされるイオンの合計数は250であり、水蒸気注入が無く針が注入されバイアスされカウントされるイオンの合計数は6であり、水蒸気注入が無く針が除去されカウントされるイオンの合計数は10である。図6、図7、及び、図8は、検出される正の二次イオンの数が水蒸気の注入と共に大きく増加されることを示す。水H2Oは、酸素を含み、サンプルの表面を効果的に酸化されると考えられる。ある材料上では、水は、水が酸素よりも表面により効果的に付着し、それによって放出された材料との反応の可能性を増加させるため、酸素よりも二次イオン収量を高める。他の化合物、特にH2O2のような酸素を含む化合物も正の二次イオンの収量を増加するために便利である。水蒸気の導入及びイオン衝撃は、同時である必要はない。著しい向上は、水を堆積し水源の針56を二次イオン抽出場から引き出した後、SMIS分析をすることで実現される。水蒸気の使用は、ボロン、炭素、ナトリウム、カリウム、カルシウム、ニッケル、鉄、クロム、タンタル、銅、ヒ素、モリブデン、タングステン、及び、リンのイオン収量も増加させる。表1は、試験された幾つかの材料に対するイオン収量が増加された倍数を示す。本発明は、特に半導体の欠陥分析のために使用される。本発明は、表面又は埋め込まれたいずれかである、汚染物の粒子並びに他の残留物の元素の含量及び不純物並びに欠陥を識別するために使用され得る。特徴的大きさの半分又は三分の一の寸法の粒子は、回路を破壊し得る。0.18ミクロンのオーダの特徴では、0.06ミクロンほどの小さい粒子が集積回路を壊し得る。液体金属イオンビームの高い精度は、本発明の高められたイオン収量と組み合わされて非常に小さい汚染物の元素の含量が決定されることを可能にさせ、処理のエンジニアは汚染源を追跡し処理の収量を増加し得る。良く集束されたガリウムビームは、故障した時点で回路を露出させるために処理層の中をミリング又は通り、故障の原因を分析するためにSIMSを使用し得る。ガス注入システムは、多くの既存のLMISFIBシステムで利用可能であり、本発明は、ミクロン以下の元素のSIMS分析に対して変更すること無くこのようなシステムの使用を可能にさせる。ガス注入システムを有しないFIBシステムに対して、一つが容易に追加され得る。当然のことながら、本発明は、デュプラズマトロンのような異なるイオン源、及び、酸素、アルゴン、窒素等のような他の試料の一次イオンを使用するFIBにまだ適用可能である。磁場質量分析器及び飛行時間分析器のような他のタイプの質量分析器も使用され得る。当業者は、検出用にイオン化粒子を除去するためにレーザ又はフィールドイオン化のような他の手段を使用する分析システムに本発明が適用可能であることを理解する。上述の実施例は、例示に過ぎず、当業者は添付の特許請求の範囲に記載する本発明の範囲から逸脱すること無く変更され得る。本発明に従ってイオンをスパッタするために使用される集束イオンビームシステムの略図である。図1の集束イオンビームシステムの成分のサンプルの近傍における相対位置を示す拡大部分図である。図1のFIBシステムの中の基板の方向に水蒸気を注入するために使用されるガス封じ込め装置の部分断面図である。図1のガス注入システムの除去された部分的な拡大図である。図4のガス注入のノズルの拡大された側面図である。図1の集束イオンビームと共に使用される四極子質量分析計の略図である。本発明を使用し、及び、本発明を使用すること無くアルミニウムサンプルから検出される二次イオンの数のグラフである。本発明を使用し、及び、本発明を使用すること無くシリコンサンプルから検出される二次イオンの数のグラフである。本発明を使用し、及び、本発明を使用すること無くチタンサンプルから検出される二次イオンの数のグラフである。"