"基板にn型半導体層、活性層およびp型半導体層をこの順に有する半導体積層構造、並びに前記p型半導体層の上のp側電極を有するレーザ構造部と、前記半導体積層構造の対向する二つの側面に設けられた一対の共振器端面と、周囲気体よりも熱伝導率の高い非金属材料により構成され、前記レーザ構造部の上面のうち前記共振器端面の位置を含む領域に設けられた膜とを備えた半導体レーザ素子。前記非金属材料が、前記p側電極の材料よりも脆性である請求項1記載の半導体レーザ素子。前記非金属材料が、前記p側電極の材料よりも高抵抗である請求項1記載の半導体レーザ素子。前記非金属材料は、AlN,SiC,ダイヤモンドおよびダイヤモンドライクカーボンからなる群のうちの少なくとも1種である請求項1記載の半導体レーザ素子。前記膜の面内形状が、細分化されている請求項1記載の半導体レーザ素子。前記膜の厚みが、面内で変化している請求項1記載の半導体レーザ素子。前記p側電極は、前記共振器端面よりも内側に端面を持ち、前記膜の少なくとも一部は、前記半導体積層構造の上面のうち前記p側電極の端面と前記共振器端面との間の領域に設けられている請求項1記載の半導体レーザ素子。前記p側電極は、前記一対の共振器端面の一方から他方まで延在し、前記膜は、前記p側電極の上面に設けられている請求項1記載の半導体レーザ素子。前記p側電極の厚みが、前記共振器端面の近傍で薄くなる請求項8記載の半導体レーザ素子。前記半導体積層構造は、窒化ガリウム系化合物半導体により構成されている請求項1記載の半導体レーザ素子。基板にn型半導体層、活性層およびp型半導体層をこの順に有する半導体積層構造、並びに前記p型半導体層の上のp側電極を有するレーザ構造部を形成する工程と、前記レーザ構造部の上面のうち共振器端面の形成予定位置を含む領域に、周囲気体よりも熱伝導率の高い非金属材料よりなる膜を形成する工程と、前記膜を形成したのちに、前記半導体積層構造の対向する二つの側面を劈開することにより一対の共振器端面を形成する工程とを含む半導体レーザ素子の製造方法。しかしながら、p側電極を端面から後退させると、上述した熱拡散の効率悪化により、一定以上の高出力化が困難となってしまうという問題があった。本開示の目的は、共振器端面の熱拡散を促進することが可能な半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することにある。本開示による半導体レーザ素子は、以下のA~Dの構成要件を備えたものである。A基板にn型半導体層、活性層およびp型半導体層をこの順に有する半導体積層構造、並びにp型半導体層の上のp側電極を有するレーザ構造部B半導体積層構造の対向する二つの側面に設けられた一対の共振器端面C周囲気体よりも熱伝導率の高い非金属材料により構成され、レーザ構造部の上面のうち共振器端面の位置を含む領域に設けられた膜ここに周囲気体とは半導体レーザ素子の使用時の雰囲気、具体的には空気、または窒素パッケージ等に封止されている場合である。また非金属材料とは、半導体および絶縁体をいう。絶縁体は樹脂なども含む。本開示による半導体レーザ素子では、レーザ構造部の上面のうち共振器端面の位置を含む領域に、周囲気体よりも熱伝導率の高い非金属材料よりなる膜が設けられているので、共振器端面において生じた熱は、この膜を介して放散される。本開示による半導体レーザ素子の製造方法は、以下のA~Dの工程を含むものである。A基板にn型半導体層、活性層およびp型半導体層をこの順に有する半導体積層構造、並びにp型半導体層の上のp側電極を有するレーザ構造部を形成する工程Bレーザ構造部の上面のうち共振器端面の形成予定位置を含む領域に、周囲気体よりも熱伝導率の高い非金属材料よりなる膜を形成する工程C膜を形成したのちに、半導体積層構造の対向する二つの側面を劈開することにより一対の共振器端面を形成する工程本開示の半導体レーザ素子、または本開示の半導体レーザ素子の製造方法によれば、レーザ構造部の上面のうち共振器端面の位置を含む領域に、周囲気体よりも熱伝導率の高い非金属材料よりなる膜を設けるようにしたので、共振器端面の熱拡散を促進することが可能となる。以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。1.実施の形態p側電極の上面に、両方の共振器端面の近傍に非金属膜が設けられている例2.変形例1非金属膜が一方の共振器端面から他方の共振器端面まで延在している例3.変形例2非金属膜が片方の共振器端面の近傍に設けられている例4.変形例3非金属膜が、鋭角のない面内形状を有している例5.変形例4非金属膜が、面内方向に分割された形状を有している例6.変形例5非金属膜の厚みを面内方向に変化させた例7.変形例6非金属膜が糊により貼付されている例8.変形例7p側コンタクト層およびp側パッド層の両方の端面が、共振器端面と同じ位置にある例9.変形例8p側コンタクト層およびp側パッド層の両方の端面が、共振器端面から後退した位置にある例10.変形例9p側コンタクト層の端面は共振器端面と同じ位置にあり、p側パッド層の端面は共振器端面から後退した位置にあり、p側パッド層の端面と非金属膜の端面とが離れている例11.変形例10p側コンタクト層およびp側パッド層の両方の端面が共振器端面から後退した位置にあり、p側パッド層の端面と非金属の端面とが離れている例図1は、本開示の一実施の形態に係る半導体レーザ素子の全体構成を表したものである。図2Aは、この半導体レーザ素子1をp側電極の側から見た平面構成を表し、図2Bは、図2AのIIB-IIB線における断面構成を表したものである。この半導体レーザ素子1は、例えば、パーソナルコンピュータや家庭用ゲーム機などのBD記録および再生用レーザとして用いられる発振波長約500nm以下、例えば400nm前後の青青紫半導体レーザ素子である。半導体レーザ素子1は、例えば、GaNよりなる基板11の一面側上面に、半導体積層構造10およびその上のp側電極20よりなるレーザ構造部2を有している。基板11の他面側下面にはn側電極30が設けられている。半導体積層構造10は、基板11にn型半導体層12,活性層13およびp型半導体層14がこの順に積層された構成を有している。p型半導体層14には、電流狭窄をするため帯状の突条部15が設けられており、突条部15に対応する活性層13の領域が発光領域となっている。突条部15の両側には、絶縁層16が設けられている。半導体積層構造10の、突条部15の長さ方向以下、共振器方向という。において対向する一対の側面は、共振器端面10F,10Rとなっている。p側電極20は、p型半導体層14の上に設けられている。p側電極20は、例えば、p側半導体層14の側から、p側コンタクト電極21およびp側パッド電極22をこの順に有している。p側コンタクト電極21は、p型半導体層14の突条部15の上面に電気的に接続されている。p側パッド電極22は、ワイヤーボンディング接続のためのものであり、p側コンタクト電極21より大きい面積で設けられている。p側コンタクト電極21は、例えば、一方の共振器端面10Fから他方の共振器端面10Rまで延在している。つまり、p側コンタクト電極21の端面21Aは、共振器端面10F,10Rと同じ位置にある。一方、p側パッド電極22の端面22Aは、共振器端面10F、10Rよりも内側に設けられている。このようにp側パッド電極22の端面22Aを内側に後退させることにより、共振器端面10F,10R近傍のp側電極20の厚みを薄くして、劈開時にp側電極20が剥がれたり、共振器端面10F,10Rに垂れ下がったりするのを抑えることが可能となる。レーザ構造部2の上面のうち共振器端面10F,10Rの位置を含む領域には、非金属膜40が設けられている。非金属膜40は、周囲気体よりも熱伝導率の高い非金属材料により構成されている。これにより、この半導体レーザ素子1では、共振器端面10F,10Rの熱拡散を促進することが可能となっている。非金属膜40は、p側コンタクト電極21およびp側パッド電極22よりなるp側電極20の上に、共振器端面10F,10Rの各々の位置から共振器方向に延在している。非金属膜40は、半導体積層構造10およびp側電極20よりも上層に設けられ、半導体レーザ素子1における最上層をなしている。非金属膜40の、共振器端面10F,10Rからの共振器方向における面内寸法L40は、特に限定されないが、例えば、後述する製造工程における劈開面の位置ずれ等を考慮すると、1um以上であることが望ましい。非金属膜40を構成する非金属材料は、p側電極20の材料よりも脆性であることが好ましい。これにより、劈開時に非金属膜40が剥がれたり、共振器端面10F,10Rに垂れ下がったりするのを抑えることが可能となる。また、非金属膜40を構成する非金属材料は、p側電極20の材料よりも高抵抗であることが好ましい。電流の流れるパスはp側電極20により規定する一方、それとは独立して非金属膜40による熱拡散経路を設けることが可能となり、設計の自由度を高めることが可能となる。具体的には、非金属膜40を構成する非金属材料は、例えば、窒化アルミニウムAlN,炭化ケイ素SiC,ダイヤモンドおよびダイヤモンドライクカーボンDiamondLikeCarbonからなる群のうちの少なくとも1種であることが好ましい。これらの材料は上述した脆性、高熱伝導率、高抵抗を兼ね備えているからである。非金属膜40の厚みは、特に限定されないが、例えば数10nm以上であることが望ましい。なお、一対の共振器端面10F,10Rには、一対の反射鏡膜50F,50R図1には図示せず、図2参照。がそれぞれ設けられている。これら一対の反射鏡膜50F,50Rのうち一方の反射鏡膜50Fの反射率は低くなるように、他方の反射鏡膜50Rの反射率は高くなるようにそれぞれ調整されている。これにより、活性層13において発生した光は一対の反射鏡膜50F,50Rの間を往復して増幅され、一方の反射鏡膜50Fからレーザビームとして出射するようになっている。反射鏡膜50F,50Rは、半導体積層構造10,絶縁層16,p側電極20,n側電極30および非金属膜40の端面を被覆しているが、反射鏡膜50F,50Rの端部が非金属膜40の上面の一部にかかっていてもよい図2Aでは図示せず、図2B参照。図7ないし図17も同様。。以下、上述した各層の厚みおよび材料について説明する。基板11は、例えば、n型不純物としてシリコンSiを添加したn型GaNにより構成されている。n型半導体層12は、例えば、基板11の側から、n型クラッド層およびn側ガイド層をこの順に有している。n型クラッド層は、例えば、積層方向における厚さ以下、単に厚さという。が2.5μm~2.6μmであり、n型不純物としてシリコンSiを添加したn型AlGaN混晶により構成されている。n側ガイド層は、例えば、厚さが0.21μmであり、n型不純物としてシリコンSiを添加したn型GaNにより構成されている。活性層13は、例えば、厚さが0.056μmであり、組成の異なるInxGa1-xN但し、x≧0混晶によりそれぞれ形成された井戸層と障壁層との多重量子井戸構造を有している。p型半導体層14は、例えば、基板11の側から、p側ガイド層,電子障壁層p型クラッド層およびp側コンタクト層をこの順に有している。p側ガイド層は、例えば、厚さが0.19μmであり、p型不純物としてマグネシウムMgを添加したp型GaNにより構成されている。電子障壁層は、例えば、厚さが0.02μmであり、p型不純物としてマグネシウムMgを添加したp型AlGaN混晶により構成されている。p型クラッド層は、例えば、厚さが0.38μmであり、AlGaN混晶層とp型不純物としてマグネシウムMgを添加したp型GaN層との超格子構造を有している。p側コンタクト層は、例えば、厚さが0.10μmであり、p型不純物としてマグネシウムMgを添加したp型GaNにより構成されている。絶縁層16は、横モードの制御を行うためのものであり、ZrO2,Nb2O5,TiO2,Ta2O5,SiN,AlN,HfO2,Al2O3,ZnOなどの高屈折率を有する誘電体材料により構成されている。p側電極20のp側コンタクト電極21およびp側パッド電極22は、いずれも金属により構成され、p型半導体層14と電気的に接続されている。p側コンタクト電極21は、例えば、p型半導体層14の側からパラジウムPd,白金Ptおよび金Auが順次積層された構造を有している。p側パッド電極22は、例えば、金Auにより構成されている。n側電極30は、例えば、チタンTi,白金Ptおよび金Auが順次積層された構造を有しており、基板11を介してn型半導体層12と電気的に接続されている。一対の反射鏡膜50F,50Rは、反射率によって膜構成が異なり、主出射側端面フロント端面10Fの反射鏡膜50Fは、例えば酸化アルミニウムAl2O3単層により構成されている。後方端面リア端面10Fの反射鏡膜50Rは、例えば、酸化アルミニウムAl2O3/酸化チタンTiO2などの多層膜により構成されている。この半導体レーザ素子1は、例えば、次のようにして製造することができる。まず、例えば、GaNよりなる基板11を用意し、この基板11の表面に、例えばMOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition;有機金属化学気相成長法により、上述した材料よりなるn型半導体層12,活性層13およびp型半導体層14を成長させ、半導体積層構造10を形成する。次いで、p側半導体層14上にエッチング用のマスクを形成し、例えばドライエッチングにより、p側半導体層14の厚み方向の一部を削除して帯状の突条部15を形成する。続いて、突条部15の側面に、上述した材料よりなる絶縁層16を形成する。そののち、図3Aに示したように、絶縁層16およびp側半導体層14の上に、p側コンタクト層21およびp側パッド電極22を積層して、p側電極20を形成する。このとき、例えば、p側コンタクト電極21は、共振器端面10F,10Rの形成予定位置劈開位置10Cを超えて、共振器方向において隣接する複数の半導体レーザ素子1に共通に連続して形成する。一方、p側パッド電極22は、個々の半導体レーザ素子1ごとに、共振器端面10F,10Rの形成予定位置劈開位置10Cよりも内側に形成する。これにより、半導体積層構造10およびその上のp側電極20よりなるレーザ構造部2が形成される。p側電極20を形成したのち、図3Bに示したように、レーザ構造部2の上面のうち共振器端面10F,10Rの形成予定位置劈開位置10Cを含む領域に、例えば蒸着またはスパッタにより、上述した材料よりなる非金属膜40を形成する。また、同じく図3Bに示したように、基板11の裏面側を例えばラッピングおよびポリッシングして基板11の厚さを例えば100μm程度としたのち、基板11の下面裏面にn側電極30を形成する。そののち、図4Aに示したように、劈開を行い、一対の共振器端面10F,10を形成し、個々の半導体レーザ素子1を分離する。このように非金属膜40の形成後に劈開を行うことにより、共振器端面10F,10Rの直上に、一定の厚みおよびボリュームの非金属膜40を安定的に形成することが可能となる。特に、半導体レーザ素子1の材料が窒化ガリウム系化合物半導体である場合には、劈開性が非常に悪いので、劈開面の位置がずれやすい。この場合、想定されるずれ量よりも、非金属膜40の面内寸法L40を十分に大きくしておくことにより、劈開面のずれが発生しても共振器端面10F,10Rの直上に安定して非金属膜40を形成することが可能となる。劈開を行ったのち、図4Bに示したように、一対の共振器端面10F,10Rに、適宜、端面コーティングを施し、反射鏡膜50F,50Rを形成する。反射鏡膜50F,50Rの一部は非金属膜40の上面に回り込んでもよい。なお、反射鏡膜50F,50Rの回り込みによる熱拡散は、以下の制限があり、大きな効果を期待することは難しい。その制限とは、1端面コーティング厚みは光学条件で決定され、厚みの制限があること、2光学的に透明な材料しか使用できないこと、および3回り込みのため厚みが安定しないことである。従って、本実施の形態のように反射鏡膜50F,50Rとは別に非金属膜40を形成するのが効果的である。以上により、図1に示した半導体レーザ素子1が完成する。この半導体レーザ素子1では、n側電極30とp側電極20との間に所定の電圧が印加されると、活性層13に電流が注入されて、電子-正孔再結合により発光が起こる。この光は、一対の反射鏡膜50F,50Rにより反射され、その間を往復してレーザ発振を生じ、レーザビームとして外部に射出される。ここでは、レーザ構造部20の上面のうち共振器端面10F,10Rの位置を含む領域に、周囲気体よりも熱伝導率の高い非金属材料よりなる非金属膜40が設けられている。共振器端面10F,10Rで発生した熱は、p側電極20本実施の形態ではp側コンタクト電極21を介し、更にその上の非金属膜40に熱拡散する。よって、共振器端面10F,10Rの温度上昇が抑えられ、結果として寿命の低下が抑制される。これに対して従来では、端面の発熱を抑えるため、p側電極を劈開面上いっぱいまで形成するようにしていたので、劈開時にp側電極が引っ張られて、図5に示したように、p側電極120の剥がれ120Aが生じて熱はけが悪化したり、図6に示したように、端面110Fへの垂れ下がり120Bが発生してレーザビームLBの進行を阻害したりしていた。また、p側電極の剥がれや垂れを防止するためにp側電極を劈開面より後退させるようにした場合には、共振器端面で発生した熱が拡散されないので、端面の温度上昇が抑えられなくなっていた。なお、図5および図6では、図1ないし図3に対応する構成要素には100番台の同一の符号を付している。このように本実施の形態では、レーザ構造部2の上面のうち共振器端面10F,10Rの位置を含む領域に、周囲気体よりも熱伝導率の高い非金属材料よりなる非金属膜40を設けるようにしたので、共振器端面10F,10Rの熱拡散を促進し、寿命の低下を抑え、更に高出力化が可能となる。非金属膜40を構成する非金属材料の熱伝導率が高ければ高い程、この効果を大きくすることが可能である。また、非金属膜40を構成する非金属材料が、p側電極20の材料よりも脆性であるようにしたので、非金属膜40の剥がれや垂れ下がりを抑えることが可能となる。更に、p側コンタクト電極21の端面21Aを共振器端面10F,10Rと同じ位置に設け、p側パッド電極22の端面22Aを、共振器端面10F、10Rよりも内側に設けるようにしたので、共振器端面10F,10R近傍のp側電極20の厚みを薄くすることが可能となる。よって、p側電極20の剥がれや垂れ下がりを抑えながら、非金属膜40により熱拡散を促進し、寿命の低下を抑える効果を更に高めることが可能となる。加えて、非金属膜40を構成する非金属材料が、p側電極20の材料よりも高抵抗であるようにしたので、電流の流れるパスはp側電極20により規定する一方、それとは独立して非金属膜40による熱拡散経路を設けることが可能となり、設計の自由度を高めることが可能となる。以下、非金属膜40に関する変形例1~6について説明する。変形例1図7は、変形例1に係る半導体レーザ素子1Aの上面構成および断面構成を表したものである。上記実施の形態では、図8に概略的に示したように、非金属膜40が、発熱の大きい共振器端面10F,10Rの近傍のみに設けられている場合について説明した。これに対して、本変形例は、非金属膜40を、図7に示したように、ワイヤーボンディング用の開口41を除いて、一方の共振器端面10Fから他方の共振器端面10Rまで共振器方向の全部に亘って設けるようにしたものである。これにより、大面積の非金属膜40による効率の良い熱拡散を行うことが可能となる。このことを除いては、この半導体レーザ素子1Aは、上記実施の形態と同様の構成、作用および効果を有し、上記実施の形態と同様にして製造することができる。変形例2図9は、変形例2に係る半導体レーザ素子1Bの上面構成および断面構成を表したものである。本変形例は、非金属膜40を、片方の共振器端面10Fまたは10Rの近傍に設けるようにしたものである。半導体レーザでは、一方の端面からの発光効率を上げるため、共振器端面10F,10Rの反射率を各々別の値となるように反射鏡膜50F,50Rを形成する場合がある。その際に、発熱の大きくなるほうの共振器端面10Fまたは10Rに非金属膜40を設けることにより、当該共振器端面10Fまたは10Rの熱拡散を促進し、温度上昇を抑えることが可能となる。このことを除いては、この半導体レーザ素子1Bは、上記実施の形態と同様の構成、作用および効果を有し、上記実施の形態と同様にして製造することができる。変形例3図10は、変形例3に係る半導体レーザ素子1Cの上面構成および断面構成を表したものである。この半導体レーザ素子1Cは、非金属膜40の面内形状を、鋭角を持たない形状としたものである。図10に示したような楕円または円に限らず、四角形や三角形の角を落とした形状であってもよい。非金属膜40が大きな応力を持つ材料により構成されている場合には、その非金属膜40自身や下地材料にクラックが生じるおそれがあり、特に鋭角となる部分には応力が集中しやすく、クラックが発生しやすい。非金属膜40を、鋭角のない平面形状とすることにより、非金属膜40内の応力を緩和し、非金属材料が大きな応力をもつ材料であってもクラックを抑えることが可能となり、材料選択性を上げることが可能となる。このことを除いては、この半導体レーザ素子1Cは、上記実施の形態と同様の構成、作用および効果を有し、上記実施の形態と同様にして製造することができる。変形例4図11は、変形例4に係る半導体レーザ素子1Dの上面構成および断面構成を表したものである。本変形例は、非金属膜40を格子状のスリット42により面内方向に分割したものである。分割した部分スリット42において膜内の応力が開放されるので、変形例3と同様にクラックを抑えることが可能となり、材料選択性を上げることが可能となる。このことを除いては、この半導体レーザ素子1Dは、上記実施の形態と同様の構成、作用および効果を有し、上記実施の形態と同様にして製造することができる。変形例5図12は、変形例5に係る半導体レーザ素子1Eの上面構成および断面構成を表したものである。本変形例は、非金属膜40の厚みを面内方向に変化させるようにしたものである。応力の高い膜を使用した場合には、ボリュームが大きくなるほどクラックが発生しやすくなる。図12に示したように、非金属膜40に、発熱の大きい共振器端面10F,10R近傍だけ厚みを大きくした厚膜部43を設けることにより、熱拡散の効率を高くしながら、クラックを抑制することが可能となる。このことを除いては、この半導体レーザ素子1Eは、上記実施の形態と同様の構成、作用および効果を有し、上記実施の形態と同様にして製造することができる。変形例6図13は、変形例6に係る半導体レーザ素子1Fの上面構成および断面構成を表したものである。この半導体レーザ素子1Fは、膜本体44の片面に貼付用の糊45を設けたシール状の非金属膜40を有するものである。このように非金属膜40は蒸着またはスパッタ以外の方法で形成することも可能である。また、非金属膜40は、固体である必要はなく、液体あるいはゲル状でもよい。例えば液体またはゲル状の樹脂を塗布したのち乾燥させて溶媒を除去することにより非金属膜40を形成することも可能である。このことを除いては、この半導体レーザ素子1Fは、上記実施の形態と同様の構成、作用および効果を有し、上記実施の形態と同様にして製造することができる。続いて、p側電極20に関する変形例7~10について説明する。変形例7図14は、変形例7に係る半導体レーザ素子1Gの上面構成および断面構成を表したものである。上記実施の形態では、図2に示したように、p側コンタクト電極21の端面21Aは、共振器端面10F,10Rと同じ位置にあるが、p側パッド電極22の端面22Aは、共振器端面10F、10Rから離れた内側に後退した位置に設けられている場合について説明した。これに対して、本変形例は、図14に示したように、p側コンタクト電極21およびp側パッド電極22の両方が一方の共振器端面10Fから他方の共振器端面10Rまで延在しているものである。つまり、p側コンタクト電極21およびp側パッド電極22の両方の端面21A,22Aが、共振器端面10F,10Rと同じ位置に設けられている。ここでは、p側コンタクト電極21およびp側パッド電極22により共振器端面10F,10Rの熱拡散が行われるが、更に上部の非金属膜40によってその効率を高めることが可能となり、より高出力化が可能となる。このことを除いては、この半導体レーザ素子1Gは、上記実施の形態と同様の構成、作用および効果を有し、上記実施の形態と同様にして製造することができる。変形例8図15は、変形例8に係る半導体レーザ素子1Hの上面構成および断面構成を表したものである。本変形例は、p側コンタクト電極21およびp側パッド電極22の両方の端面21A,22Aを、共振器端面10F、10Rから離れた内側に後退した位置に設けるようにしたものである。非金属膜40の一部は、半導体積層構造10の上面のうちp側コンタクト電極21およびp側パッド電極22の端面21A,22Aと共振器端面10F,10Rとの間の領域に設けられている。非金属膜40の残部は、p側コンタクト電極21およびp側パッド電極22よりなるp側電極20の上面に設けられている。本変形例では、p側電極20を介さず非金属膜40により直接共振器端面10F,10Rの熱拡散を促進すると共に、p側電極20の剥がれや垂れ下がりを確実に抑えることが可能となる。このことを除いては、この半導体レーザ素子1Hは、上記実施の形態と同様の構成、作用および効果を有し、上記実施の形態と同様にして製造することができる。なお、変形例8において、p側コンタクト電極21の端面21Aと、p側パッド電極22の端面22Aとは、必ずしも揃っている必要はなく、共振器方向にずれた位置にあってもよい。変形例9図16は、変形例9に係る半導体レーザ素子1Iの上面構成および断面構成を表したものである。本変形例では、p側コンタクト電極21の端面21Aは、共振器端面10F,10Rと同じ位置にあるが、p側パッド電極22の端面22Aは、共振器端面10F、10Rから離れた内側に後退した位置に設けられている。p側パッド層22の端面22Aと、非金属膜40の端面40Aとは離れており、両者の間には隙間Gがある。このようにすることにより、p側パッド電極22と非金属膜40とが接触することで変質する可能性がある場合に、そのような変質を抑えることが可能となる。このことを除いては、この半導体レーザ素子1Iは、上記実施の形態と同様の構成、作用および効果を有し、上記実施の形態と同様にして製造することができる。変形例10図17は、変形例10に係る半導体レーザ素子1Jの上面構成および断面構成を表したものである。本変形例は、p側コンタクト電極21およびp側パッド電極22の両方の端面21A,22Aが、共振器端面10F、10Rから離れた内側に後退した位置に設けられている。p側コンタクト電極21およびp側パッド層22の端面21A,22Aと、非金属膜40の端面40Aとは離れており、両者の間には隙間Gがある。このようにすることにより、p側コンタクト電極21およびp側パッド電極22と非金属膜40とが接触することで変質する可能性がある場合に、そのような変質を抑えることが可能となる。このことを除いては、この半導体レーザ素子1Jは、上記実施の形態と同様の構成、作用および効果を有し、上記実施の形態と同様にして製造することができる。なお、以上の非金属膜40に関する変形例1~6と、p側電極20に関する変形例7~10とは、任意に組み合わせることで、複数の効果を同時に得ることが可能である。以上、実施の形態を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚さ、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚さとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。例えば、上記実施の形態では、n型半導体層12,活性層13およびp側半導体層14をMOCVD法により形成する場合について説明したが、MOVPE法等の他の有機金属気相成長法により形成してもよく、あるいは、MBEMolecularBeamEpitaxy;分子線エピタキシー法等を用いてもよい。加えて、例えば、上記実施の形態では、半導体レーザ素子1の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。更にまた、本開示は、上記実施の形態で説明したようなIII族元素のうちの少なくともガリウムGaとV族元素のうちの少なくとも窒素Nとを含む窒化物系III-V族化合物半導体により構成された青青紫半導体レーザに限らず、より高出力のものや他の発振波長または他の材料系のものにも適用可能である。なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。1基板にn型半導体層、活性層およびp型半導体層をこの順に有する半導体積層構造、並びに前記p型半導体層の上のp側電極を有するレーザ構造部と、前記半導体積層構造の対向する二つの側面に設けられた一対の共振器端面と、周囲気体よりも熱伝導率の高い非金属材料により構成され、前記レーザ構造部の上面のうち前記共振器端面の位置を含む領域に設けられた膜とを備えた半導体レーザ素子。2前記非金属材料が、前記p側電極の材料よりも脆性である前記1記載の半導体レーザ素子。3前記非金属材料が、前記p側電極の材料よりも高抵抗である前記1または2記載の半導体レーザ素子。4前記非金属材料は、AlN,SiC,ダイヤモンドおよびダイヤモンドライクカーボンからなる群のうちの少なくとも1種である前記1ないし3のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。5前記膜の面内形状が、細分化されている前記1ないし4のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。6前記膜の厚みが、面内で変化している前記1ないし5のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。7前記p側電極は、前記共振器端面よりも内側に端面を持ち、前記膜の少なくとも一部は、前記半導体積層構造の上面のうち前記p側電極の端面と前記共振器端面との間の領域に設けられている前記1ないし6のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。8前記p側電極は、前記一対の共振器端面の一方から他方まで延在し、前記膜は、前記p側電極の上面に設けられている前記1ないし6のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。9前記p側電極の厚みが、前記共振器端面の近傍で薄くなる前記8記載の半導体レーザ素子。10前記半導体積層構造は、窒化ガリウム系化合物半導体により構成されている前記1ないし9のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。11基板にn型半導体層、活性層およびp型半導体層をこの順に有する半導体積層構造、並びに前記p型半導体層の上のp側電極を有するレーザ構造部を形成する工程と、前記レーザ構造部の上面のうち共振器端面の形成予定位置を含む領域に、周囲気体よりも熱伝導率の高い非金属材料よりなる膜を形成する工程と、前記膜を形成したのちに、前記半導体積層構造の対向する二つの側面を劈開することにより一対の共振器端面を形成する工程とを含む半導体レーザ素子の製造方法。"