"TFT基板と対向基板とがシール材を介して対向し、前記TFT基板と前記対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示パネルを有する液晶表示装置であって、前記TFT基板の前記シール材の内側には、画素が形成された表示領域と、前記表示領域の外側で、走査線または映像信号線が形成された領域と前記走査線および映像信号線が形成されていない領域を有し、前記表示領域には、有機膜で形成された平坦化膜は存在せず、前記表示領域内には、TFT基板と対向基板の間隔を規定する柱状スペーサが形成され、前記シール材の内側で前記表示領域の外側であって、前記走査線および前記映像信号線が存在しない部分には、前記表示領域において前記柱状スペーサが接する前記TFT基板に形成された層と同じ層構造が形成されており、前記表示領域の外側に形成された前記層構造のうち、金属で形成された層はフローティングであることを特徴とする液晶表示装置。前記TFT基板において、前記シール材が形成されている部分には、走査線駆動回路が形成されており、前記走査線駆動回路の上方には、前記対向基板に形成された柱状スペーサが接しており、前記走査線駆動回路の上方に形成された、柱状スペーサが接する前記TFT基板側の層は前記表示領域における前記柱状スペーサが接する部分におけるTFT基板の層と同じ層構造が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記TFT基板は前記対向基板よりも大きく形成され、前記TFT基板が1枚となっている部分には端子部が形成され、前記端子部において、前記映像信号線と接続する映像信号線引き出し線、前記走査線駆動回路と接続する走査線駆動回路引き出し線が形成され、前記映像信号線引き出し線、前記走査線駆動回路引き出し線の形成されていない部分には、柱状スペーサ用台座が形成されており、前記端子部に形成された前記柱状スペーサ用台座は、前記表示領域に形成された前記柱状スペーサが接する前記TFT基板に形成された層と同じ層構造が形成されていることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。前記シール材が形成されている部分において、前記対向基板に形成されている前記スペーサは、ブラックマトリクスおよびオーバーコート膜が島状に形成されている部分に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。液晶表示パネルが複数形成されたマザーTFT基板とマザー対向基板からなるマザー基板であって、前記液晶表示パネル内の表示領域において、TFT基板と対向基板の間隔は柱状スペーサによって規定され、前記液晶表示パネルが形成されていない部分における、マザー対向基板とマザーTFT基板の間隔は柱状スペーサによって規定され、前記液晶表示パネルが存在しない部分の柱状スペーサの先端は、マザーTFT基板に形成された台座と接触し、前記台座は、前記液晶表示パネルにおける前記柱状スペーサのTFT基板側に形成された層構造と同じであり、前記層構造における導電膜はフロートであることを特徴とするマザー基板。前記液晶表示パネルが存在しない部分の柱状スペーサの先端が接する台座は島状に形成されていることを特徴とする請求項5に記載のマザー基板。第1の基板と、シール材を介して前記第1の基板と対向する第2の基板とを有する液晶表示装置であって、前記第1の基板の前記シール材の内側には、画素が形成された表示領域と、前記表示領域の外側で、配線または駆動回路が形成された領域と前記配線および前記駆動回路が形成されていない領域とを有し、前記表示領域には、有機膜で形成された平坦化膜は存在せず、前記表示領域内には、第1の基板と第2の基板の間隔を規定する柱状スペーサが形成され、前記シール材の内側で前記表示領域の外側であって、前記配線および前記駆動回路が存在しない部分に設けられた柱状スペーサには、前記表示領域において前記柱状スペーサに対応して形成された層と同じ層構造の台座が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。前記表示領域の外側で、配線または駆動回路が形成された領域に設けられた柱状スペーサには、前記表示領域において前記柱状スペーサに対応して形成された層と同じ層構造の台座が形成されていることを特徴とする請求項7に記載の液晶表示装置。前記シール材の内側で前記表示領域の外側であって、前記配線および前記駆動回路が存在しない部分に設けられた柱状スペーサに対応して形成された台座が有する金属で形成された層はフローティングであることを特徴とする請求項7に記載の液晶表示装置。表示装置、例えば液晶表示装置では、外形を小さくするためと配線の引き出し線の数を低減するために、駆動回路を液晶表示パネル中に直接形成することが行われている。この場合、駆動回路をポリシリコンで形成すると、回路特性は向上するが、画素領域におけるTFTをa‐Siで形成すると、プロセスが複雑となる。一方、走査線駆動回路は、映像信号線駆動回路に比べて回路規模が小さいので、a‐Siによって駆動回路を構成することが出来る。したがって、走査線駆動回路のみをa-Siで液晶表示パネル内に直接作りこみ、映像信号線駆動回路はICドライバによって形成することが行われている。このような構成の場合、シール部におけるギャップ調整にグラスファイバを用いると、走査線駆動回路を破壊する恐れがあるので、樹脂で形成された柱状スペーサを用いる必要がある。また、背景技術に記載したような、有機パッシベーション膜を使用した場合、有機パッシベーション膜は平坦化膜としての役割も有しているので、有機パッシベーション膜を用いない場合は、液晶表示パネルにおける種々の場所において、TFT基板と対向基板との間隔が異なることになり、たとえ、柱状スペーサを用いたとしても、TFT基板と対向基板との間隔を一定に保つことは困難になる。本発明の課題は、平坦化膜としての役割を有する有機パッシベーション膜を用いない液晶表示パネルにおいて、TFT基板と対向基板との間隔のむらを生じない、したがって、輝度むら、色むら等を生じることの少ない液晶表示装置を実現することである。本発明は上記問題を克服するものであり、具体的な手段は次のとおりである。すなわち、TFT基板と対向基板とがシール材を介して対向し、前記TFT基板と前記対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示パネルを有する液晶表示装置であって、前記TFT基板の前記シール材の内側には、画素が形成された表示領域と、前記表示領域の外側で、走査線または映像信号線が形成された領域と前記走査線および映像信号線が形成されていない領域を有し、前記表示領域には、有機膜で形成された平坦化膜は存在せず、前記表示領域内には、TFT基板と対向基板の間隔を規定する柱状スペーサが形成され、前記シール材の内側で前記表示領域の外側であって、前記走査線および前記映像信号線が存在しない部分には、前記表示領域において前記柱状スペーサが接する前記TFT基板に形成された層と同じ層構造が形成されており、前記表示領域の外側に形成された前記層構造のうち、金属で形成された層はフローティングであることを特徴とする液晶表示装置である。本発明の他の主な手段は次のとおりである。すなわち、第1の基板と、シール材を介して前記第1の基板と対向する第2の基板とを有する表示装置であって、前記第1の基板の前記シール材の内側には、画素が形成された表示領域と、前記表示領域の外側で、配線または駆動回路が形成された領域と前記配線および前記駆動回路が形成されていない領域とを有し、前記表示領域には、有機膜で形成された平坦化膜は存在せず、前記表示領域内には、第1の基板と第2の基板の間隔を規定する柱状スペーサが形成され、前記シール材の内側で前記表示領域の外側であって、前記配線および前記駆動回路が存在しない部分に設けられた柱状スペーサには、前記表示領域において前記柱状スペーサに対応して形成された層と同じ層構造の台座が形成されていることを特徴とする表示装置である。本発明によれば、液晶表示パネルにおいて、TFT基板と対向基板の間隔を一定にできるので、液晶表示パネルのギャップむら、すなわち、TFT基板と対向基板の間隔の不均一に起因する輝度むら、色度むらを抑制することが出来る。本発明の特徴である台座は、液晶表示パネルの表示領域を形成すると同時に形成することが出来るので、製造プロセスが増加することも無い。したがって、製造コストを上昇させることなく、液晶表示装置における輝度むら、色むらを抑制することが出来る。以下に本発明の内容を実施例を用いて詳細に説明する。図1は、本発明によるTFT基板100の平面図である。図1において、表示領域には走査線10が横方向に延在し、縦方向に配列している。走査線駆動回路12は、TFT基板100の左側に形成されており、走査線10は、この走査線駆動回12から横方向に延在している。走査線駆動回路12は、外部から信号を取り込むための走査線駆動回路引き出し線11が形成されている。図1において、映像信号線20が縦方向に延在し、横方向に配列している、映像信号線20からは、ICドライバ40に向けて映像信号線引き出し線21が配置されている。図1における周辺の点線と端部との領域がシール部50である。図1において、配線の無いところには、図示しない対向基板200に形成される柱状スペーサ150の台座140が形成されている。図1においては、シール部50の内側で、映像信号線20と走査線10が無いところ、および、シール部50の外側で、映像信号線引き出し線21、走査線駆動回路引き出し線11の無いところが該当する。図1においては、台座140は、シール部50の内側に2個、シール部50の外側には4個の群が2箇所形成されているが、これは例であって、一般には、もっと多くの台座140が形成される。図1には図示していないが、表示領域にも所定のピッチで台座140が形成されている。一般には、表示領域内のほうが、柱状スペーサ150の大きさが小さいので、台座140の大きさも小さい。ただし、台座140のピッチ、大きさ等は、各製品の必要性に応じて異なる。図2は図1に対してシール材50を介して対向基板200を貼り付けた状態である。シール部50の内側は、台座140以外は、図示を省略している。図2において、端子部120には、対向基板200は存在していないので、図1で説明したのと同様な構造となっている。図2において、シール部50内の台座140には図示しない柱状スペーサ150が存在しているが、端子部120の台座140には柱状スペーサ140は存在していない。柱状スペーサ150は対向基板200の端子部に対応する部分を除去したときに同時に除去されているからである。図3は本発明が対象とするIPSの表示領域における断面図である。図3において、ガラスで形成されたTFT基板100の上にゲート電極101が形成されている。ゲート電極101は例えば、AlNd合金の上にMoCrが積層された構成となっている。ゲート電極101の上にゲート絶縁膜102がSiNをスパッタリングすることによって形成されている。ゲート絶縁膜102の上で、ゲート電極101の上方に半導体層103が形成されている。半導体層103としてCVDによってa-Si膜が形成される。半導体層103の上には、ドレイン電極104とソース電極105が対向して形成されている。ドレイン電極104とソース電極105はMoCrによって同時に形成される。ドレイン電極104とソース電極105の間がTFTにおけるチャネル層となる。なお、半導体層103とドレイン電極104あるいはソース電極105との間にはオーミックコンタクトをとるために、図示しないnSi層が形成されている。図3において、ドレイン電極104あるいはソース電極105を形成した後、画素電極106がITOによって平面ベタで形成されている。画素電極106の一部はソース電極105と重なっており、画素電極106とソース電極105の電気的コンタクトを取っている。その後、ドレイン電極104、ソース電極105、画素電極106等を覆って無機パッシベーション膜107が形成さる。パッシベーション膜107は、CVDによるSiNによって形成されている。パッシベーション膜107は本来TFTを保護するために形成されるが、図3においては、コモン電極108と画素電極106の間の絶縁膜の役割を兼ねている。パッシベーション膜107の上には、櫛歯状のコモン電極108が形成されている。コモン電極108の上には図示しない配向膜が形成され、その上に液晶層が存在している。図3において、TはTFTが形成された領域であり、Sはソース電極105が形成された領域であり、Pは画素電極106が形成された領域であり、Dは映像信号線20が形成された領域である。図3において、対向基板200には、カラーフィルタ201とブラックマトリクス202が形成され、その上にオーバーコート膜203が形成されている。オーバーコート膜203の上に柱状スペーサ150が形成されている。対向基板200に形成されたブラックマトリクス202は柱状スペーサ150、対向基板200に形成された映像信号線20等を覆っている。なお、オーバーコート膜203の上の配向膜は図示を省略している。図3に示すように、柱状スペーサ150によってTFT基板100と対向基板200との間隔を維持している。図3においては、柱状スペーサ150の当たるところには、ゲート絶縁膜102、映像信号線20、無機パッシベーション膜107、コモン電極108が存在しているので、これらの膜が台座と同じ役割を有している。図4は、シール部50の内側において、配線等の無いところに柱状スペーサ150を形成した場合の断面図である。図4の左側は、図3と同様なので、説明を省略する。図4に示すように、シール部50の内側においても、配線等のないところでは、TFT基板100にはゲート絶縁膜102しか存在していなので、柱状スペーサ150の先端は、浮いた状態で、TFT基板100のゲート絶縁膜102との間にはギャップg1が存在していることになる。したがって、柱状スペーサ150を形成しても、TFT基板100と対向基板200の間の正確なギャップ形成を行うことは出来ない。図5は本発明による、シール部50の内側における柱状スペーサ150部分の断面図である。図5において、配線が無い所における柱状スペーサ150に対向するTFT基板100の部分には、表示領域において柱状スペーサ150が形成されている部分と同じ膜構成による台座140が形成されている。図5の台座140は、ゲート絶縁膜102の上に形成され、映像信号線と同層の金属層110、無機パッシベーション膜107、コモン電極と同層のITO108によって形成されている。これらの層のうち、金属層110,ITO108は導電膜であるが、これら導電層はフローティングとなっている。図6は、シール部50に走査線駆動回路12用のTFTが形成されている場合に、シール部50におけるTFT基板100と対向基板200の間隔を柱状スペーサ150で設定している状態を示す断面図である。図6において、柱状スペーサ150は、TFT基板100において、図3と同様な膜構造のところに形成されている。図6において、柱状スペーサ150が形成されている対向基板200にブラックマトリクス202およびオーバーコート膜203が形成されていると、シール材50の接着力が低下する場合がある。このような場合は、柱状スペーサ150が形成されている部分のみに、島状にブラックマトリクス202およびオーバーコート膜203を形成してもよい。また、図6では、TFTが1つのみを開示しているが、走査線駆動回路には複数のTFTが形成され、それらTFT間を接続する配線も種々設けられているが、それら構造について特に限定されるものではない。このように、本実施例によれば、少なくとも、シール部50の内側においては、表示領域も周辺領域もTFT基板100と対向基板200との間隔を正確に設定することが出来る。したがって、ギャップむら等に起因する輝度むら、色むら等を抑えることが出来る。液晶表示パネルは、生産性を向上させるために、マザー基板1000に多数の液晶表示パネル液晶セルを形成し、多数の液晶セルを同時に形成する。したがって、マザー基板1000の状態において、各液晶セルにおけるTFT基板100と対向基板200との間隔が正確に設定されていないとそれがそのまま、製品のギャップむらとなって現れる。図7はこの問題を対策する構成を示す平面模式図である。図7は、多数の液晶セルが形成されたマザー基板1000である。マザー基板1000は、多数のTFT基板100が形成されたマザーTFT基板と多数の対向基板200が形成されたマザー対向基板をマザー基板シール材500、および、各液晶表示パネルに形成されたシール材50によって貼り合わせたものである。図7において、1個のマザー基板1000に12個の液晶セルが形成されている。各液晶セルの点線は、表示領域と端子部60の境界を示すが、図7の状態では、まだ、端子部60に対向する箇所には対向基板200が向き合った状態である。したがって、TFT基板100と対向基板200を所定の間隔に保つためには、端子部60においても、対向基板200に形成された柱状スペーサ150、TFT基板100に形成された台座140が必要である。なお、図7の各液晶セルの端子部60において、映像信号線引出し線21が記載されている。また、ICドライバの位置を点線で示しているが、マザー基板の状態では、ICドライバは搭載されていない。図7において、各液晶セルが形成されていない部分にも、TFT基板100において柱状スペーサ150のための台座140、および、対向基板200において、図示しない柱状スペーサ150が形成されている。これによって、マザー基板1000全体において、TFT基板100と対向基板200との間隔を均一にすることができるので、各液晶セルにおいて、間隔を一定にすることが出来る。図7において、マザー基板1000の周辺全体にマザー基板シール材500が形成され、マザー基板1000の内部を機密に保っている。マザー基板1000の内部を気密にするのは、マザー基板形成後、基板の外側を研磨してTFT基板100あるいは対向基板200を薄くする場合があるからである。図8は、図7に示す液晶セル以外の場所に柱状スペーサ150を形成した場合の断面図である。図8において、液晶セルの外部において、対向基板200には膜は形成されておらず、TFT基板100にはゲート絶縁膜102のみ形成されているとしている。このような、構造においては、対向基板200に柱状スペーサ150を形成しても、ギャップg2が形成され、柱状スペーサ150では、TFT基板100と対向基板200の間隔を規定していることにならない。すなわち、図8の状態では、外部から圧力が加わった場合等には、TFT基板100あるいは対向基板200が変形し、対向基板200とTFT基板100との間隔を一定に保つことが出来ない。図9は、図8と同様な位置における柱状スペーサ150に対してTFT基板100に台座140を形成した状態を示している。該台座140は、ゲート絶縁膜102の上に形成された映像信号線と同層の金属層110、無機パッシベーション膜107、コモン電極と同層のITO108の3層によって形成されている。この場合の導電膜である金属層110とITO108とはフローティングとなっている。この膜構成は、表示領域における柱状スペーサ150がTFT基板100と対向している部分の膜構造と同様である。しかしこの場合も、表示領域に比べると、ブラックマトリクス202とオーバーコート膜203とが形成されていないため、柱状スペーサ150と台座140との間に間隔g3が形成されており、表示領域における間隔と正確に同一にすることは出来ない。図10は、図8と同様な位置における柱状スペーサ150に対してTFT基板100に台座140を形成した状態を示している。台座140の構造は図9と同様である。図10が図9と異なるところは、対向基板200にもブラックマトリクス202とオーバーコート膜203からなる柱状スペーサ下地台座140が形成されていることである。図10に示す表示領域での対向基板200に形成されたブラックマトリクス202とオーバーコート膜203と同じ構造の積層膜の上に柱状スペーサ150が形成されている。したがって、図10の構成であれば、表示領域と、図7に示す端子部60、液晶セルが形成されていない部分の対向基板200とTFT基板100との間隔を確実に同一とすることが出来き、液晶セルにおける液晶層300が存在する部分においても、ギャップむらを生ずることは無い。このように、本実施例によれば、マザー基板1000全体において、TFT基板100と対向基板200との間隔を一定に保つことができる。本実施例は、表示領域において、TFT基板100と対向基板200の間隔を保つための柱状スペーサ150をTFTの上に形成した例である。図11において、表示領域においては、対向基板200に形成された柱状スペーサ150は、TFT基板100に形成されたTFTの上方において、接している。この場合、図1におけるシール部50内における台座140の構成は対向基板200において下からゲート電極101、ゲート絶縁膜102、a‐Si膜103、ソースドレイン層105、無機パッシベーション膜107、コモン電極108を構成するITOである。そこで、図11の右側に示す台座140も同じ層構造を有する台座140となっている。ここで、図11の右側の図における台座140でのゲート電極101、ソースドレイン電極105、ITO108が導電膜である。これらの導電膜はフローティングである。図12は本実施例に対応する、シール部50における断面図である。図12において、柱状スペーサ150は、シール材50の内部に存在している。柱状スペーサ150は走査線駆動回路12を構成するTFTの上方において、TFT基板100に形成されたコモン電極108上に形成された配向膜に接している。すなわち、図12における柱状スペーサ150が接する部分のTFT基板100側の層構造は、表示領域とシール部50とで同様である。図示しないが、図7に示すような、液晶セルの端子部60に形成される台座140、液晶セルが形成されていない部分に形成される台座140の層構造も図11あるいは図12に示すような層構造、すなわち、ゲート電極101、ゲート絶縁膜102、a‐Si膜103、ソースドレイン層105、無機パッシベーション膜107、コモン電極108を構成するITOとから構成される。そして、導電膜であるゲート電極101、ソースドレイン電極104、105、ITO108はフローティングである。このように、本発明においては、表示領域以外に形成する柱状スペーサ150の台座140は、表示領域における柱状スペーサ150が接するTFT基板側の層構造と同一としているので、液晶表示パネルの表示領域と他の領域との間隔を均一にすることが出来、輝度むら、色むら等の発生を防止することが出来る。なお、実施例では、映像信号線20の上方、または、TFTの上方において柱状スペーサ150がTFT基板100に接するという構成であるが、これに限らず、表示領域の他の場所において、TFT基板100に接する場合であっても、液晶表示パネルの表示領域以外において、柱状スペーサ150が接する台座140として、表示領域と同じ層構造の台座140を形成すればよい。また、本発明の台座140は、TFT基板100の表示領域の形成プロセスと同時に、あるいは対向基板200の表示領域の形成プロセスと同時に形成することが出来るので、製造コストの上昇を伴うことは無い。また、上述の各実施例では、端子部と液晶セルが設けられない領域とに設けられる台座を、表示領域に設けられる台座と同様の構成とすることを開示してきたが、それに限定されるものではない。例えば、各層の膜厚とギャップ形成の尤度とを考慮し、台座として使用している映像信号線と同層の金属層に代えて、走査線と同層の金属層を用いることも可能である。また、コモン電極と同層のITOに代えて、画素電極と同層のITOを用いることも可能である。また、柱状スペーサの下地台座として、ブラックマトリクス、或いは、オーバーコート層に代えて、カラーフィルタ層を用いることも可能である。また、台座の導電層をフローティングとしているが、他の導電層と接続させ、台座の導電層の全て、或いは、一部に何かしらの電位が印加される構成であってもよい。また、上述の実施例では、a-Siによって走査線駆動回路が形成された構成を開示しているが、ポリシリコンによって画素と走査線駆動回路とを形成したものであってもよく、走査線駆動回路がシール下に形成されていないものであっても、本願発明の思想を逸脱しない範囲で適用することが可能である。また、以上の説明では、IPS方式の液晶表示装置を例にとって説明したが、本発明は、これに限らず、TN方式やVA方式の他の方式の液晶表示装置であって、液晶表示パネルに平坦化膜としても使用される有機パッシベーション膜を有さない液晶表示装置に対しても適用することが出来る。また、液晶表示装置に限らず、TFT基板と対向基板とに対応するガラス基板対を所定の間隙で保持する表示装置、例えば、有機EL表示装置や、機械的な駆動機構を用いて光の透過を制御するようなMEMS型の表示装置であっても本願発明を適用することができる。"