BaZr1xYxO3の組成であらわされるプロトン伝導体膜の形成方法であって、Ba2Zr4Y3を含む水溶液を調整する工程と、前記水溶性液に所定の濃度のKOHを添加することによってpH調整し、前駆体溶液を調整する工程と、前記pH調整した前駆体溶液中に基板を保持し、水熱条件下で膜形成を行う工程とからなることを特徴とする、プロトン伝導体膜の形成方法。前記pH調整したKOH溶液のpHが02M以上であることを特徴とする請求項1記載のプロトン伝導体膜の形成方法。請求項1乃至請求項2記載のプロトン伝導体膜の形成方法であって、基板がPdであることを特徴とするプロトン伝導体薄膜の形成方法。表面にNiO膜を形成した基板を用いる事を特徴とする請求項1乃至請求項2記載のプロトン伝導体膜の形成方法。しかしながら、ペロブスカイト型プロトン伝導体は、焼結温度が1500°C程度以上と高く、緻密な焼結体が得にくいため、燃料電池として構成させるための共焼結といった手法が使えない。そのため、レーザーアブレーション法やスパッタ法、有機金属プリカーサーの塗布法等の比較的低温で作製できる手法を用いる事が考えられる。しかしながら、膜の合成には300°Cから800°C程度の温度が必要であるとともに、酸素を成膜中に導入する必要があるため、Pdのような金属水素透過膜上に形成する場合、表面を酸化させてしまい、プロトン伝導体との界面に酸化物が存在することになる。そのため燃料電池として動作させた場合に、移動してきたプロトンが、界面に生成した酸化物の酸素と反応して、水が生成してしまい、プロトン伝導体膜が剥離するといった課題も誘発していた。すなわち、ペロブスカイト型プロトン伝導体の合成に高い温度と酸素が必要であるが故、界面への酸化物が挿入されるといった問題が生じてしまい、低温で酸化膜を介さずにプロトン伝導体を形成する手法の実現が望まれていた。さらに、酸化物プロトン伝導体は酸素原子の周囲をプロトンがホッピング伝導することによって、プロトン伝導性が発現する。そのため、プロトン伝導性材料の結晶性の向上がプロトン伝導特性向上に影響を与えるため、結晶性の良い膜を作る必要性があった。したがって、従来の方法では膜を形成する基材の酸化を防ぐためには合成、膜化温度の低温化と酸素分圧の低減が必要であって、一方でプロトン伝導性を確保するためには、結晶性が必要であるために、作製温度の低温化や酸素分圧の低減は相反することとなっていた。以上のように、良好な結晶性を有するプロトン伝導体膜を基材表面の酸化を防いだ状態で作製する技術の出現が待たれていた。前記従来の課題を解決するために、本発明のプロトン伝導体膜の形成方法によれば、BaZr1xYxO3の組成であらわされるプロトン伝導体膜の形成方法であって、Ba2Zr4Y3を含む水溶液を調整する工程と、前記水溶性液にKOHを添加することによってpH調整し、前駆体溶液を調整する工程と、前記pH調整した前駆体溶液中に基板を保持し、水熱条件で膜形成を行う工程とからなることを特徴とする工程とからなることを特徴としている。さらに本発明のプロトン伝導体膜の形成方法によれば、基板表面にNiOを形成した基板を用いてプロトン伝導体膜を形成することを特徴としている。以上のようなプロトン伝導体膜の形成方法とすることによって、200°C以下の低温でプロトン伝導体膜を基板の酸化無しに結晶性よく形成することが可能となる。以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。実施の形態1図1は、本発明の実施の形態1におけるプロトン伝導体膜の形成方法における工程フロー図である。また、図2は本発明の実施の形態1におけるプロトン伝導体膜の形成方法を示す概要図である。図2において、201は圧力容器、202は基板、203は水溶液、204は前駆体溶液、205はヒーター、206はテフロン登録商標製基板支持板である。圧力容器201中に基板202をテフロン登録商標製基板支持板206によって保持し、圧力容器201中へ金属組成を調整したBa2Zr4Y3を含む水溶液203を導入する。その後、KOHを用いてpHを調整して前駆体溶液204として、圧力容器中に基板202が前駆体溶液204で隠れるように配置する。圧力容器201をヒーター205で加熱することによって前駆体溶液204と基板を所定の温度に加熱することによってプロトン伝導体膜207が基板203上へ形成される。実施の形態1の構成。かかる形成方法によれば、KOHによってpH調整した前駆体溶液204中へ基板202を導入して、て、200°C以下の水熱条件とすることによって、基板上へプロトン伝導体膜が形成されることとなり、200°C以下の低温でプロトン伝導体膜が結晶性よく形成されることとなる。特に、基板202をPdとした場合には、Pdの酸化が生じない状態でプロトン伝導体膜が形成できることとなる。次に本発明のプロトン伝導体膜の形成方法について実施例に詳細を説明する。実施例1以下に本発明のプロトン伝導体膜の形成方法の実施例について図1および図2を用いて説明する。以下は基板202としてPd基板を用いた例である。板厚みは02mm、5mm×5mmのPd板を基板202として用いた。この基板202を圧力容器内にテフロン登録商標板206に固定した。圧力容器201はステンレス製であり、基板202を導入する内面にはテフロン登録商標がコーティングしてある図示なし。一方でBa2、ZrOCl28H2O、YCl36H2OをそれぞれBa:ZrY1:09:01となるようにそれぞれ001モル秤量した。これらに水を50CC加えてスターラーを用いて溶解させ水溶液203を作製した。この水溶液203に所定量のKOHを加えて前駆体溶液204を作製した。KOHの量は加えた水に対し、濃度として0Mから10Mまでの範囲で調整して異なるKOH濃度の前駆体溶液204を調整した。この前駆体溶液204を基板202が内部に保持された圧力容器201内部に入れ、ふたを閉めた後、ヒーター205によって加熱するとともに圧力容器201内部の前駆体溶液204は攪拌しながら温度を上昇させた。昇温速度は毎時50°Cとして150°Cになるまで昇温して12時間保持し、その後放冷によって常温まで冷却した。以上の工程を経てプロトン伝導体膜207が形成された。上記の手順を各KOH濃度の前駆体溶液204について同じ条件で行い、基板202上への膜形成の有無および反応容器201内部に沈殿した粉末のX線回折を行い、得られた物質の同定を行うとともに、得られた膜についてX線回折およびEDAXによる組成分析を行った。その結果を表1に示す。表1は各反応温度で形成したときに、膜が得られたかどうか、および合成された物質の可否についての一覧である。反応温度が100°Cと低い場合には、プロトン伝導体膜は形成されず、また得られた物質もZrO2であった。150°Cの反応温度では、02M以上の領域で膜化と合成が可能であった。KOH濃度が高くなると膜厚が厚く、得られた膜の結晶化が進んでいる傾向が認められたが基材の溶解等の影響が出やすくなるため、合成範囲と基材の耐アルカリ性を考慮して条件を選べばよい事が判明した。一方で膜化はすべての領域で確認されたが、KOH濃度が高くなるほど膜厚が厚く、得られた膜の結晶化が進んでいる傾向が認められた。しかしながら、反応温度を200°Cにした場合には、いずれのKOH濃度領域においても、膜化は確認されなかった。また、Pd基板上へ形成されたプロトン伝導体膜のX線回折結果を図3に示す。Pd上へBaZr09Y01O3に起因するピークが認められるが、Pdの酸化物のピークは一切認められず、Pdの酸化を生じることなく高結晶性のプロトン伝導体膜が形成されていることが判明した。以上のように、Pd基板を酸化させることなく150°Cという低温にもかかわらず、高結晶性のBaZr09Y01O3膜をPd基板に形成することが可能となり、燃料電池や水素センサー等へのデバイス応用に最適なプロトン伝導体膜が実現できた。実施例2次に基板202としてAl2O3を用いて、さらに基板202上へNiOを形成した場合についてNiOを用いない場合と比較例を交えながら図2を用いて説明する。実施例1と同様の工程でプロトン伝導体膜を形成させるが、実施例1と異なる点は、基板202上へNiOを形成した点にある。NiOの形成方法について以下に説明する。NiOの形成方法はスパッタリングによる方法、有機プリカーサーによる塗布による方法など既存の方法を選択する事ができるが、以下にスパッタによる方法を説明する。基板として5mm□×05mm厚のAl2O3基板へNiOをターゲットとしてRFスパッタリングを行った。基板温度を350°C、酸素分圧20、スパッタ圧力01Paで行った。膜厚は10nmとした。次に、NiOを10nm形成した基板202を圧力容器201中のテフロン登録商標製基板支持板206で保持して実施例1と同様の条件でプロトン伝導体膜207の形成を行った。用いた前駆体溶液204のpHは02Mのものを用いた。Al2O3の基板を用いる場合には、2M以下のKOH濃度とすることが別の実験から必要であった。KOHの濃度を上げるとアルカリ性が強くなり、反応容器201中で溶解が認められたからである。KOH濃度を02Mとして、反応温度を150°Cとしてプロトン伝導体膜207の形成を行った。得られたプロトン伝導体膜207をX線回折によって結晶性の評価を行った。図4にX線回折結果を示す。比較のためにNiOを形成しない場合との比較を示した。X線回折からわかるように、NiOを基板202表面に形成することによってX線強度が増大するとともに、回折線がシャープになり結晶性が促進されていることが判明した。以上の結果からNiOの基板表面の形成は、プロトン伝導体膜207の形成において、種結晶的な役割を果たす事が判明した。本実施例で用いたNiOの成膜方法や厚みは上記記述に限定されるわけではなく、10nm程度膜厚があれば、結晶性の良いプロトン伝導体膜207を形成するための種結晶として機能することが判明した。