"温度により減衰量が変化する温度可変減衰器と、前記温度可変減衰器に並列に設けられる第1の可変抵抗器と、一端が前記温度可変減衰器の一方の入出力端に接続され、他端が一方の信号入出力端を構成する第2の可変抵抗器と、一端が前記温度可変減衰器の他方の入出力端に接続され、他端が他方の信号入出力端を構成する第3の可変抵抗器とを備えることを特徴とする温度可変減衰回路。温度により減衰量が変化する温度可変減衰器と、前記温度可変減衰器に並列に設けられる第1の可変抵抗器と、一端が前記温度可変減衰器の一方の入出力端に接続され、他端が一方の信号入出力端を構成する第2の可変抵抗器とを備え、前記温度可変減衰器の他方の入出力端が他方の信号入出力端を構成することを特徴とする温度可変減衰回路。しかし、増幅器等の温度特性は、個体毎にばらつきがあり、また製造ロットによっても差が生じる。そのため、温度補償の精度を上げる場合、増幅器等の温度特性に合わせて個別に温度補償回路の温度特性を調整する必要がある。この調整を比較的容易に実現する手段としては、温度補償回路としてチップ型の温度可変減衰器を用いる方法がある。この場合、異なる温度特性を有したチップ型温度可変減衰器を複数用意し、増幅器等の温度特性に合わせてチップ型温度可変減衰器を選択すれば良い。具体的には、増幅器等の温度特性を予め測定し、その特性に合わせてチップ型温度可変減衰器を選択して実装する方法がある。しかし、この方法では、回路全体の温度特性の他に増幅器等の単体温度特性を測定する必要があるため、試験コストの増大となる。これを避ける方法としては、設計中心の温度特性を有するチップ型可変減衰器を、増幅器等の温度補償が必要な回路に予め組み込んでおき、回路全体の温度特性を測定した上で、必要に応じて最適な温度特性を持つチップ型温度可変減衰器に交換する方法がある。この場合、増幅器等の単体温度測定を実施する必要はないが、部品交換が発生した場合は組立コストが増大することとなる。また、どちらの場合でも異なる温度特性を有したチップを複数用意する必要があり、部品コストの増大となる。このように温度補償の精度を上げる場合、従来の方法ではそれに応じてコストも増大するという問題があった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、コスト増大を招来することなく高い精度の温度補償を可能にする温度可変減衰回路を得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、温度により減衰量が変化する温度可変減衰器と、前記温度可変減衰器に並列に設けられる第1の可変抵抗器と、一端が前記温度可変減衰器の一方の入出力端に接続され、他端が一方の信号入出力端を構成する第2の可変抵抗器と、一端が前記温度可変減衰器の他方の入出力端に接続され、他端が他方の信号入出力端を構成する第3の可変抵抗器とを備えることを特徴とする。本発明によれば、3つの可変抵抗器の各抵抗値を変化させることにより、回路全体の基準温度での減衰量を一定に保ったまま、減衰量の温度特性を任意に変化させることができる。そして、補償対象回路の温度特性に合わせて温度可変減衰回路の温度特性を容易に調整することができる。このとき、温度特性の変更は、温度特性の異なる温度可変減衰器を複数用意することなく実現できる。したがって、コスト増大を招来することなく高い精度の温度補償を可能にする温度可変減衰回路を実現できるという効果を奏する。以下に、本発明にかかる温度可変減衰回路の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1による温度可変減衰回路の構成を示す回路図である。図1において、本実施の形態1による温度可変減衰回路1aは、温度により減衰量が変化する温度可変減衰器2と、温度可変減衰器2に並列に接続された可変抵抗器R1と、温度可変減衰器2の一方の入出力端に一端が接続され他端が一方の入出力端子3aとなる可変抵抗器R2と、温度可変減衰器2の他方の入出力端に一端が接続され他端が他方の入出力端子3bとなる可変抵抗器R3とで構成される。ここで、図2は、図1に示す温度可変減衰器の構成例を示す回路図である。図1に示す温度可変減衰器2は、例えば図2に示すように、抵抗器5,6,7からなるπ型減衰器において抵抗器6に並列に温度可変抵抗器例えばサーミスタ8を接続した構成である。さて、本実施の形態1による温度可変減衰回路1aの回路構成では、温度可変減衰器2と並列に可変抵抗器R1を接続することにより、温度可変減衰器2と可変抵抗器R1とで構成される回路の温度による減衰量の変化量を、温度可変減衰器2単体の変化量と比較し小さくすることができる。このとき、可変抵抗器R1の抵抗値を変化させることにより、温度による減衰量の変化量を、温度可変減衰器2単体の変化量よりも小さな値で任意に設定することができる。そして、可変抵抗器R1の抵抗値により温度可変減衰器2と可変抵抗器R1とで構成される回路の基準温度における減衰量は変化するが、温度可変減衰器2の両端に直列に可変抵抗器R2,R3を接続し、可変抵抗器R2,R3の抵抗値を可変抵抗器R1の抵抗値に対応させて変化させることにより、基準温度での回路全体の減衰量を一定に保ったまま、温度による減衰量の変化を任意に設定することができる。次に、図3は、図1に示す温度可変減衰回路における減衰量の温度特性例を示す特性図である。図4は、図3に示す3つの温度特性を得る図1に示す3つの可変抵抗器の設定内容を説明する図である。図3では、常温25°Cを基準温度とし、その常温における減衰量を6dBとした場合の、設定1での温度特性11と、設定2での温度特性12と、設定3での温度特性13とが示されている。設定1での温度特性11は、-0.007dB/dB/°Cである。設定2での温度特性12は、-0.006dB/dB/°Cである。設定3での温度特性13は、-0.005dB/dB/°Cである。図4において、設定1では、可変抵抗器R1はopen開放設定であり、可変抵抗器R2,R3はそれぞれshort短絡設定である。つまり、図1に示す温度可変減衰回路1aは、温度可変減衰器2で構成される。したがって、温度特性11は、温度可変減衰器2での減衰量の温度特性を示している。設定2では、可変抵抗器R1は90Ω設定であり、可変抵抗器R2,R3はそれぞれ5Ω設定である。設定2では、可変抵抗器R1は5Ω設定であり、可変抵抗器R2,R3はそれぞれ16Ω設定である。このように、可変抵抗器R1,R2,R3の各抵抗値を設定1、設定2、設定3と選択することにより、常温における減衰量を6dBに保ったまま、減衰量の温度特性を、温度特性11-0.007dB/dB/°C、温度特性12-0.006dB/dB/°C、温度特性13-0.005dB/dB/°Cと変化させることができる。次に、図5~図8を参照して、図3に示す3つの温度特性を実現する温度可変減衰回路の実現方法について説明する。図5は、図3に示す3つの温度特性を実現する温度可変減衰回路の実装例を示す概念図である。図6~図8は、図5に示す構成を用いて図3に示す設定1,設定2,設定3での温度特性をそれぞれ実現する温度可変減衰回路の実装例を示す概念図である。図5では、温度可変減衰器2としてチップ型温度可変減衰器15を用い、可変抵抗器R1,R2,R3として薄膜抵抗器R8~R14を用いる場合が示されている。図5において、RF無線周波信号パターン16~22は、薄膜基板上に形成されている。RF信号パターン16は、スルーホール23により回路グランドに接続されてグランドパターンになっている。このRF信号パターン16に、チップ型温度可変減衰器15のグランド面が接続されている。RF信号パターン17の一端は、RF信号パターン18の一端と共にチップ型温度可変減衰器15の一方の入出力端に接続され、RF信号パターン19の一端は、RF信号パターン20の一端と共にチップ型温度可変減衰器15の他方の入出力端に接続されている。RF信号パターン17には、可変抵抗器R2を構成する薄膜抵抗器R11,R12が形成され、また、RF信号パターン19には、可変抵抗器R3を構成する薄膜抵抗器R13,R14が形成されている。薄膜抵抗器R11,R14の各抵抗値は11Ωであり、薄膜抵抗器R12,R13の各抵抗値は5Ωである。RF信号パターン18は、一端がRF信号パターン17の一端側部に鋭角に突き当たる形で形成され、他端はRF信号パターン19と並行するように折れ曲がったRF信号パターン21となっている。また、RF信号パターン20は、一端がRF信号パターン19の一端側部に鋭角に突き当たる形で形成され、他端はRF信号パターン17と並行するように折れ曲がったRF信号パターン22となっている。RF信号パターン18の他端側に薄膜抵抗器R8が形成され、RF信号パターン20の他端側に薄膜抵抗器R10が形成され、また、RF信号パターン22に薄膜抵抗器R9が形成されている。薄膜抵抗器R8,R10の各抵抗値は42.5Ωであり、薄膜抵抗器R9の抵抗値は5Ωである。薄膜抵抗器R8,R9,R10は可変抵抗器R1を構成しているが、RF信号パターン21とRF信号パターン22とは繋がっておらず、それぞれの他端は或る隙間24だけ離れている。以上の構成において、図3に示す設定1での温度特性11を有する温度可変減衰回路を実現する場合は、図6に示すように、薄膜抵抗器R11,R12を金リボン25aでショートさせ、薄膜抵抗器R13,R14を金リボン25bでショートさせる。そうすると、図1において、可変抵抗器R1はopen開放設定となり、可変抵抗器R2,R3はそれぞれshort短絡設定となり、図4に示す設定1となり、図3に示す温度特性11を有する温度可変減衰回路が得られる。また、図3に示す設定2での温度特性12を有する温度可変減衰回路を実現する場合には、図7に示すように、薄膜抵抗器R11を金リボン26aでショートさせ、薄膜抵抗器R14を金リボン26bでショートさせ、隙間24を金リボン26cでショートさせる。そうすると、図1において、可変抵抗器R1の抵抗値はR8R9R10=90Ω設定となり、可変抵抗器R2,R3の各抵抗値はR12=R13=5Ω設定となり、図4に示す設定2となり、図3に示す温度特性12を有する温度可変減衰回路が得られる。そして、図3に示す設定3での温度特性13を有する温度可変減衰回路を実現する場合には、図8に示すように、薄膜抵抗器R8を金リボン27aでショートさせ、隙間24を金リボン27bでショートさせ、薄膜抵抗器R10を金リボン27cでショートさせる。そうすると、図1において、可変抵抗器R1の抵抗値はR9=5Ω設定となり、可変抵抗器R2,R3の各抵抗値はR11R12=R13R14=16Ω設定となり、図4に示す設定3となり、図3に示す温度特性13を有する温度可変減衰回路が得られる。このように、本実施の形態1によれば、減衰量の温度特性は、可変抵抗器R1,R2,R3の抵抗値を変化させるだけで、簡単に任意の温度特性へ変更することができる。したがって、減衰量の温度特性が異なる複数の温度可変減衰回路を形成する場合に、従来のように異なる温度特性を有した複数の温度可変減衰器を用意する必要がなく、部品の削減が可能となる。また、本実施の形態1によれば、減衰量の温度特性が異なる複数の温度可変減衰回路を形成する場合に、図5の実装例に示したように、可変抵抗器R1,R2,R3のそれぞれを複数の固定抵抗器例えば薄膜抵抗器で構成しておき、目的とする温度特性に応じて不要な固定抵抗器を金リボン、金ワイヤ等でショートさせることにより容易に実現することができる。したがって、部品コストの削減、組立コストの削減が実現できる。また、コストの増大を伴わずに、補償する対象回路の温度特性に合わせて温度可変減衰回路の温度特性を容易に調整することができるので、精度の高い温度補償を実現することができる。実施の形態2.図9は、本発明の実施の形態2による温度可変減衰回路の構成を示す回路図である。なお、図9では、図1実施の形態1に示した構成要素と同一ないしは同等である構成要素には同一の符号が付されている。ここでは、本実施の形態2に関わる部分を中心に説明する。図9に示すように、本実施の形態2による温度可変減衰回路1bは、図1実施の形態1に示した構成において、可変抵抗器R2と可変抵抗器R3との一方を削除図9では可変抵抗器R3を削除した構成になっている。実施の形態1と比較すると、入出力端子3a側と入出力端子3b側とで異なる反射特性を有することになるが、基本的な動作は実施の形態1と同様である。本実施の形態1によれば、可変抵抗器を一つ削減できることにより、コストの削減および回路面積の削減が可能となる。"