基板上の樹脂とモールドとを互いに接触させて、前記基板上に樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、前記モールドを保持する保持手段と、前記基板上にて前記樹脂のパターンを形成するインプリント領域に、異物、又は凹凸が存在するかどうかを検査する異物検査手段と、前記保持手段、及び前記異物検査手段の動作を制御する制御手段と、を備え、前記モールドは、前記パターンを形成するための凹凸パターンを有する第1押印部と、ダミー用の第2押印部との少なくとも2つの押印部を有し、前記保持手段は、前記モールドの前記保持手段に対向する面を保持する保持部と、少なくともいずれか一方の前記押印部を前記保持手段の側に退避させる退避手段とを備え、前記制御手段は、前記異物検査手段の検査結果に基づいて、前記インプリント領域に前記異物、又は凹凸が存在するかどうかを判定し、前記異物、又は凹凸が存在しないと判定した場合には、前記第1押印部を選択し、一方、前記異物、又は凹凸が存在すると判定した場合には、前記第2押印部を選択し、前記第2押印部を選択した場合には、前記第2押印部が前記第1押印部よりも前記基板との距離が近くなるように前記退避手段を制御した後、前記第2押印部と前記樹脂との接触を実行させる、ことを特徴とするインプリント装置。前記モールドは、前記保持手段に向かう面にくぼみ部を有し、前記第1押印部は、前記基板に向かう面で、かつ、前記くぼみ部が形成された領域に対向する位置に設置されることを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。前記第2押印部は、前記基板に向かう面で、かつ、前記くぼみ部が形成された領域に対向しない位置に設置されることを特徴とする請求項2に記載のインプリント装置。前記第1押印部は、第1基部と、該第1基部に形成される凹凸パターンとからなり、前記第1基部の高さは、前記第2押印部の頂部までの高さよりも高いことを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載のインプリント装置。前記モールドは、前記保持手段に向かう面に少なくとも2つのくぼみ部を有し、前記第2押印部は、前記基板に向かう面で、かつ、前記くぼみ部が形成された領域に対向する位置に設置されることを特徴とする請求項1又は2に記載のインプリント装置。前記第2押印部は、前記モールドの前記基板に向かう面との間に位置する緩衝部に設置された第2基部と、該第2基部に形成されるダミーパターンとからなることを特徴とする請求項3又は5に記載のインプリント装置。前記第2押印部は、緩衝部材で形成された第2基部からなることを特徴とする請求項3又は5に記載のインプリント装置。前記退避手段は、前記くぼみ部に形成される空間領域の内部圧力を増減させる圧力制御機構であることを特徴とする請求項1又は5に記載のインプリント装置。更に、前記インプリント領域に前記樹脂を塗布する塗布手段を備え、前記制御手段は、前記異物検査手段の前記検査結果に基づいて、前記塗布手段による前記樹脂の塗布量を調整することを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載のインプリント装置。更に、前記インプリント領域に前記樹脂を塗布する塗布手段を備え、前記制御手段は、前記第1押印部、又は前記第2押印部の選択結果に基づいて、前記塗布手段による前記樹脂の塗布量をそれぞれ変更することを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載のインプリント装置。前記樹脂は、紫外線を受光することで硬化する紫外線硬化樹脂であり、更に、前記紫外線を照射する照明系ユニットを備え、前記制御手段は、前記異物、又は凹凸が存在しないと判定した場合には、前記第1押印部と前記樹脂とを接触させる第1押印工程と、前記照明系ユニットにより前記樹脂に前記紫外線を照射させて硬化させる第1硬化工程と、前記樹脂が硬化した後、前記第1押印部と硬化した樹脂とを引き離す第1離型工程と、を実行することを特徴とする請求項1~10のいずれか1項に記載のインプリント装置。前記制御手段は、前記異物、又は凹凸が存在すると判定した場合には、前記第2押印部と前記樹脂とを接触させる第2押印工程を実行した後、前記照明系ユニットにより前記樹脂に前記紫外線を照射させて硬化させる第2硬化工程と、前記第2押印部と前記樹脂とを引き離す第2離型工程を実行し、前記第2硬化工程を前記第2離型工程の前、又は後に実行する、ことを特徴とする請求項11に記載のインプリント装置。転写される凹凸パターンを有するモールドであって、被処理対象の基板に向かう第1面に、前記凹凸パターンを有する第1押印部と、ダミー用の第2押印部との少なくとも2つの押印部を有することを特徴とするモールド。請求項1~12のいずれか1項に記載のインプリント装置、又は、請求項13に記載のモールドを用いて基板上に樹脂のパターンを形成する工程と、前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、を有することを特徴とする物品の製造方法。しかしながら、特許文献1に示すパターン形成方法では、第1テンプレートと第2テンプレートとの2つのテンプレートを採用するため、装置構成が複雑となる。更に、一般のインプリント工程に、インプリント領域に異物や凹凸が存在すると、第1テンプレートと第2テンプレートとを交換する工程が加わるため、スループットが低下する。本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、インプリント領域に異物や凹凸が存在する場合、モールドの交換を行うことなく、パターン形成時のモールドの破損を防止するインプリント装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明は、基板上の樹脂とモールドとを互いに接触させて、基板上に樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、モールドを保持する保持手段と、基板上にて樹脂のパターンを形成するインプリント領域に、異物、又は凹凸が存在するかどうかを検査する異物検査手段と、保持手段、及び異物検査手段の動作を制御する制御手段と、を備え、モールドは、パターンを形成するための凹凸パターンを有する第1押印部と、ダミー用の第2押印部との少なくとも2つの押印部を有し、保持手段は、モールドの保持手段に対向する面を保持する保持部と、少なくともいずれか一方の押印部を保持手段の側に退避させる退避手段と、を備え、制御手段は、異物検査手段の検査結果に基づいて、インプリント領域に異物、又は凹凸が存在するかどうかを判定し、異物、又は凹凸が存在しないと判定した場合には、第1押印部を選択し、一方、異物、又は凹凸が存在すると判定した場合には、第2押印部を選択し、第2押印部を選択した場合には、第2押印部が第1押印部よりも基板との距離が近くなるように退避手段を制御した後、第2押印部と未硬化樹脂との接触を実行させることを特徴とする。本発明によれば、インプリント領域に異物や凹凸が存在する場合、モールドの交換を行うことなく、パターン形成時のモールドの破損を防止するインプリント装置を提供することができる。以下、本発明を実施するための形態について図面等を参照して説明する。第1実施形態まず、本発明の第1実施形態に係るインプリント装置について説明する。図1は、本実施形態のインプリント装置の構成を示す概略図である。このインプリント装置1は、半導体デバイス製造工程に使用される、被処理対象であるウエハ上基板上に対してモールドの凹凸パターンを転写する加工装置であり、インプリント技術の中でも光硬化法を採用した装置である。なお、以下の各図において、モールドに対する紫外線の照射軸と平行にZ軸鉛直方向を取り、Z軸に垂直な平面内で後述のモールド保持装置を基準としてウエハステージが移動する方向にX軸水平方向を取り、X軸に直交する方向にY軸を取って説明する。インプリント装置1は、照明系ユニット2と、モールド3と、モールド保持装置4と、ウエハ5と、ウエハステージ6と、塗布装置7と、異物検査装置8と、位置検出装置9と、制御装置10とを備える。照明系ユニット2は、インプリント処理の際に、モールド3に対して紫外線を照射する照明手段である。この照明系ユニット2は、光源2aと、不図示であるが、光源2aから出射された紫外線をインプリントに適切な光に調整する複数の光学素子や、照射、及び非照射を調整するシャッター等とから構成される。モールド3は、ウエハ5への対向面に、所定の凹凸パターン例えば、回路パターンが3次元状に形成された型材型である。また、モールド3の材質は、融解石英や透明有機ポリマー等、紫外線を透過させることが可能な材料とし、その他、金属等による形成部を含む場合もある。図2は、本実施形態に係るモールド3の形状を示す概略図であり、特に、図2aは、モールド3をZ方向の上面から見た平面図であり、図2bは、図2aのA-A ́断面を示す図である。本実施形態のモールド3の特徴は、図2に示すように、ウエハ5への対向面第1面3aにおいて、通常のインプリント工程に使用する凹凸パターン部第1押印部20に加えて、ダミー用の第2押印部21の少なくとも2つの押印部を有する点にある。更に、モールド3は、第1面3aの反対側の紫外線入射面第2面3bの中央部に、深さが1mm程度のくぼみ部22を有する。第1押印部20は、第2面3bに形成されたくぼみ部22に対向する第1面3aの領域の中心部に形成され、第1基部23と、該第1基部23上に形成される凹凸パターン24とから構成される。この第1基部23、及び凹凸パターン24の形状は、製造する物品により適宜設定される。第1基部23は、30μm程度の厚みで形成される。例えば、ウエハ5上の紫外線硬化樹脂に対して、数~数十μmのパターンを形成する場合には、凹凸パターン24の凸部24から凹部25までの深さは、数十~数百nm程度とする。第2押印部21は、第1押印部20と同様に第1面3aで、かつ、上記くぼみ部22に対向する領域の外に形成される。この場合、第2押印部21は、後述する第2押印工程を効率良く実施するために、図2aに示すように、第1押印部20とX方向で同じ列に形成することが望ましい。図3は、第2押印部21の形状の例を示す概略図である。この第2押印部21は、図3aに示すように、第2基部26と、該第2基部26上に形成されるダミーパターン27とから構成される。この第2基部26の外周形状は、第1押印部20と同様であり、厚みは、第1基部23の30μmに対して、15μm程度である。このとき、ダミーパターン27の形状は、第1押印部20の凹凸パターン24と同様である。但し、ダミーパターン27の形状は、これに限定するものではない。例えば、図3bに示すように、パターン中心部を底点とするなだらかな錘状のダミーパターン28を採用してもよいし、又は、図3cに示すように、特定のパターンを形成しなくともよい。特に、ダミーパターン27を採用する場合には、第1押印部20の第1基部23の厚みは、第1面3aからダミーパターン27の凸部までの高さ頂部までの高さよりも高く設定する。なお、この第2押印部21は、モールド3と一体で形成するのではなく、ウエハ5上に異物や凹凸や存在しても柔軟に押印可能なように、第1面3aと第2基部26との間に緩衝部を設けたり、又は、第2基部26を緩衝部材で形成したりしてもよい。このような柔軟性を有する材料としては、例えば、メタクリル酸メチル樹脂等がある。モールド保持装置4は、モールド3を保持し、ウエハ5上に塗布された紫外線硬化樹脂にモールド3を接触させる保持手段押印手段である。図4は、モールド保持装置4の構成を示す概略図である。このモールド保持装置4は、吸着力や静電力によりモールド3を引きつけて保持するチャック30を有するモールドベース保持部31と、該モールドベース31を駆動する不図示のベース駆動機構とを備える。モールドベース31は、そのZ方向の中心部に、照明系ユニット2から照射された紫外線をモールド3に向けて通過させるための空間32を有する。また、モールドベース31は、紫外線を通過させつつ、空間32に密に設置されるシールガラス33と、該シールガラス33とモールド3の第2面3bとで挟まれる空間領域34の内部圧力を増減させる圧力制御機構35とを有する。この圧力制御機構35は、空間領域34の内部圧力をインプリント装置1内の気圧よりも局所的に低下させることにより、図5に示すように、モールド3のくぼみ部22をモールド保持装置4側に向けて凸型に変形退避させることができる退避手段である。これとは反対に、圧力制御機構35は、空間領域34の内部圧力をインプリント装置1内の気圧よりも局所的に上昇させれば、不図示であるが、くぼみ部22をウエハ5側に向けて凸型に変形させることができる。ベース駆動機構は、押印動作のためにモールドベース31をZ方向に駆動する駆動系である。このベース駆動機構に採用するアクチュエーターは、リニアモーターやエアシリンダー等が採用可能である。更に、モールド保持装置4は、モールド3に圧縮力を加えることにより、凹凸パターン24を所望の形状に補正する不図示の倍率補正機構形状補正機構を備える場合もある。この倍率補正機構は、一般的に、モールド3の外周部側面の領域に対してそれぞれ対向するように設置された複数の駆動機構からなる。但し、倍率補正機構の構成は、これに限定されず、例えば、モールド3に対して引張力を加える構成としてもよいし、又は、モールドベース31自体を駆動させることでモールド3とモールドベース31との接触面にせん断力を与える構成としてもよい。なお、本実施形態のインプリント装置1では、固定されたウエハ5上の紫外線硬化樹脂に対してモールド3を押し付ける構成としているが、これとは反対に、固定されたモールド3に対してウエハ5上の紫外線硬化樹脂を押し付ける構成もあり得る。この場合、後述するウエハステージ6が押印手段となる。ウエハ5は、例えば、単結晶シリコンからなる被処理基板であり、被処理面には、成形部となる紫外線硬化樹脂以下、単に樹脂と表記するが塗布される。また、ウエハステージ6は、ウエハ5を真空吸着により保持し、かつ、XY平面内でモールド保持装置4に対して相対的に移動可能な基板保持手段である。このウエハステージ6は、不図示であるが、ウエハ5を直接保持する補助部材と、該補助部材を駆動するためのアクチュエーターとを備える。また、ウエハステージ6は、パターンの重ね合せのための精密な位置決めだけではなく、ウエハ5の表面の姿勢を調整する不図示の機構も有する。塗布装置7は、ウエハ5上に紫外線硬化樹脂を塗布する塗布手段である。この紫外線硬化樹脂は、紫外線を受光することにより硬化する性質を有する光硬化樹脂であり、製造する半導体デバイスの種類により適宜選択される。以下、簡単化のために、紫外線硬化樹脂を単に樹脂と表記し、紫外線照射前の未硬化の状態の樹脂を未硬化樹脂と表記する。ここで、樹脂は、揮発性が高く、一般に1~数ショットインプリント領域毎に塗布されるので、塗布装置7は、モールドベース11付近に設置し、可能な限りウエハステージ6の移動距離を短くすることが望ましい。また、本実施形態の塗布装置7は、塗布パターンを、上記の第1押印部20による第1押印工程用と、第2押印部21による第2押印工程用との2種類準備し、その選択結果により切り替え可能とする。異物検査装置8は、ウエハ5上に異物や凹凸が存在しているかどうかを検査する異物検査手段である。図6は、異物検査装置8の構成を示す概略図である。この異物検査装置8は、ウエハ5上の検査領域であるショットに向けて光を照射する照明系40と、ショットからの散乱光を受光する検出系41とを備える。この異物検査装置8が検査対象とする異物や凹凸のサイズは、数μmから数nmのオーダーである。ここで、照明系40が、ショットに対して照明光を照射すると、ショット上に異物又は、凹凸42が存在しない場合は、ショットの表面が平らな面であるため、入射光が正反射し、検出系41は、出射光を受光しない。一方、ショット上に異物42が存在する場合は、異物42にて光が正反射角度以外に散乱し、検出系41は、この散乱光を受光することで異物42を検出する。なお、異物検査装置8の構成は、これに限らず、例えば、CCDセンサー等を採用し、ショットを撮影することで異物検査を実施する撮像装置も適用可能である。これらの検査装置では、直接、検出系41からの出力信号に基づいて異物42の存在を判定してもよいし、異なるショットの出力信号や画像を適宜比較参照することで、その相違点から異物42の存在を判定してもよい。なお、この異物検査装置8による異物検査工程と、押印工程との間に大きく時間差があると、その間に異物42が付着する可能性があるため、異物検査工程後には、早急に押印工程に移行することが望ましい。そこで、図1に示すように、異物検査装置8をモールド保持装置4に可能な限り近隣に設置し、異物検査装置8は、押印工程と塗布工程との間で1ショット毎に検査を実施すれば、生産性を低下させることなく、所望のショットの異物検査を行うことができる。位置検出装置9は、ウエハ5上に設けられたアライメントマークを検出することで、ウエハ5の位置を検出する検出手段である。後述の制御装置10は、この位置検出装置9の出力信号に基づいて、ウエハ5の下地との位置や形状のずれ量を適宜算出し、塗布工程、及び押印工程等の際の基準とする。制御装置10は、インプリント装置1の各構成要素の動作、及び調整等を制御する制御手段である。この制御装置10は、インプリント装置1の各構成要素に回線により接続された、磁気記憶媒体等の記憶手段を有するコンピュータ、及びシーケンサ等で構成され、プログラム、若しくはシーケンスにより、各構成要素の制御を実行する。なお、制御装置10は、インプリント装置1と一体で構成しても良いし、若しくは、インプリント装置1とは別の場所に設置し、遠隔で制御する構成としても良い。次に、インプリント装置1によるインプリント工程について説明する。まず、インプリント装置1によるパターン形成工程塗布工程、押印工程、硬化工程、及び離型工程について説明する。図7は、ウエハ5上にパターンが形成されるまでの状態の流れを説明する概略図である。まず、図7aに示すように、塗布装置7は、ウエハ5上の目標のショットに対して樹脂未硬化樹脂50を塗布する塗布工程。次に、図7bに示すように、モールド保持装置4は、モールド3をウエハ5に対して少しずつ近づけて樹脂50に接触させ、第1押印部20に形成された凹凸パターン24を樹脂50に押し付ける押印工程。このとき、樹脂50は、凹凸パターン24に沿って流動しつつ、凹凸パターン24の隅々に充填される。次に、図7cに示すように、照明系ユニット2は、モールド3の上面から紫外線51を一定時間照射し、樹脂50を硬化させる硬化工程。次に、図7dに示すように、モールド保持装置4は、モールド3をウエハ5上の樹脂50から引き離す離型工程。インプリント装置1による以上の工程により、ウエハ5上のショットの表面には、凹凸パターン24に倣った3次元形状の樹脂の層が形成される。その後は、このインプリント装置1とは別のエッチング装置が、図7eに示すようにエッチング処理を行って溝を形成し、この溝の形成後、また別の樹脂剥離装置が、図7fに示すように樹脂50を除去することで、ウエハ5上へのパターン形成が完了する。次に、インプリント装置1によるインプリント工程の一連の流れについて説明する。図8は、本実施形態に係るインプリント工程の流れを示すフローチャートである。まず、このインプリント工程の実行に先立ち、制御装置10は、不図示のウエハ搬送系により、ウエハ5をウエハステージ6に載置させ、その後、ウエハステージ6に構成された不図示の真空吸着手段により、ウエハ5を保持させる。次に、制御装置10は、ウエハステージ6を適宜駆動させ、同時に、位置検出装置9に、ウエハ5上に設けられたアライメントマークを検出させて、ウエハ5の位置情報を取得する。その後、制御装置10は、図8に示す1ショット毎のインプリント処理を開始する。まず、制御装置10は、ウエハステージ6を駆動して目標の被処理領域である第1ショットを異物検査装置8の検査位置へ移動させ、異物検査装置8は、異物凹凸42の有無を検査する異物検査工程:ステップS100。このとき、異物検査装置8が異物42を検出した場合には、制御装置10は、異物42の個数、平面サイズ、高さ、及びウエハ5又はショットの座標内での位置等の検査結果を内部の記憶装置に記録する。なお、本実施形態では、この異物検査装置8による異物検査をショット毎に行うが、例えば、ウエハ5をウエハステージ6上に搭載する毎に、ウエハ5の全面を検査してもよい。次に、制御装置10は、再度ウエハステージ6を駆動して第1ショットを塗布装置7の塗布位置へ移動させ、第1ショットへ適量の樹脂50を塗布する塗布工程:ステップS101。ここで、制御装置10は、ステップS100にて凹状の変形が検知された場合には、塗布装置7に、記録されたショット座標部分の塗布量が多くなるよう塗布させる。この塗布量は、異物42毎に記録した平面サイズ、及び高さの情報に基づいて算出される。次に、制御装置10は、ステップS100での検査結果に基づいて、第1ショットに異物42が存在するかどうかの判定を実行するステップS102。このとき、制御装置10は、第1押印部20の凹凸パターン24の幅、及び深さに対して、異物42の平面サイズ、及び高さが十分に小さいかどうかを基準として異物42の存在を判定する。例えば、凹凸パターン24の幅が数十μmであれば、平面サイズが数nmの異物42は十分に小さいため、制御装置10は、これを異物と判定しなくともよい。また、検出された凹凸部が全て凹であれば、そのまま押印工程を実施しても、凹凸パターン24の破損の恐れがないため、制御装置10は、この場合もこれを異物と判定しなくともよい。このステップS102にて、制御装置10は、異物42が存在しないと判定した場合にはNO、使用する押印部を第1押印部20と選択し、以下のステップS103に移行する。次に、制御装置10は、第1押印部20とウエハ5上の塗布面との位置合わせや、倍率補正機構による凹凸パターン24の形状補正を実施し、ベース駆動機構を駆動させてウエハ5上の樹脂50に第1押印部20を接触させる第1押印工程:ステップS103。同時に、制御装置10は、圧力制御機構35により空間領域34の内部圧力を高圧にし、くぼみ部22の形状をウエハ5に向けて凸型に変形させ、第1押印部20が樹脂50に接触してから徐々に内部圧力を低下させて、最後にくぼみ部22の形状を平面に戻す。これにより、凹凸パターン24と樹脂50との間に存在する気体を外部に押し出せるので、樹脂50中に混入する気泡を低減させつつ充填を実施することができる。なお、ベース駆動機構の駆動量は、予め第1押印部20をウエハステージ6上の測距センサ不図示により計測し、また、ウエハ5をモールド保持装置4上の測距センサ不図示により計測して算出しておく。又は、制御装置10は、押印工程の完了を、モールド保持装置4の内部に設置された荷重センサー不図示の計測値に基づいて判断してもよい。次に、制御装置10は、一定時間樹脂50の充填を待った後、照明系ユニット2によりモールド3に対して紫外線を照射させ、樹脂50を硬化させる第1硬化工程:ステップS104。そして、制御装置10は、樹脂が硬化した後、ベース駆動機構を再駆動させ、第1押印部20をウエハ5上の樹脂50から引き離し第1離型工程:ステップS105、その後、第1ショットに対するインプリント工程を終了する。制御装置10は、圧力制御機構35により空間領域34の内部圧力を高圧にして、くぼみ部22の形状をウエハ5側に向けて凸型に変形させて第1押印部20の離型を開始させる。その後、制御装置10は、徐々に内部圧力を減少させ、最後にくぼみ部22の形状を平面に戻す。これにより、くぼみ部22には、ウエハ5から離れる際の離型面積を小さくすることで離型力を減少させることができる。一方、ステップS102にて、制御装置10は、異物42が存在すると判定した場合にはYES、使用する押印部を第2押印部21と選択し、第2押印部21の押印位置にショットが位置するようにウエハステージ6を駆動する。そして、制御装置10は、ベース駆動機構を駆動させてウエハ5上の樹脂50に第2押印部21を接触させる第2押印工程:ステップS103。この場合、制御装置10は、予め圧力制御機構35により空間領域34の内部圧力を低圧にし、くぼみ部22の形状をモールドベース31側に向けて凸型に変形させておく。これにより、第1押印部20は、モールドベース31側に若干退避するので、第2押印部21と樹脂50との接触時に、第1ショットとは別のショットとの接触を回避することができる。次に、制御装置10は、接触後一定時間待った後、硬化工程ではなく、そのままベース駆動機構を再駆動させ、第2押印部21をウエハ5上の樹脂50から引き離す第2離型工程:ステップS107。このとき、離散的な液滴として塗布されていた樹脂50は、硬化していないため、充填された後、一様に均された状態になる。そして、制御装置10は、再度、ウエハステージ6を駆動し、第1ショットを第1押印部20の押印位置に移動させ、照明系ユニット2によりモールド3に対して紫外線を照射させることで樹脂50を硬化させる第2硬化工程:ステップS108。その後、制御装置10は、第1ショットに対するインプリント工程を終了する。なお、このとき樹脂50を硬化させるのは、異物42が存在した第1ショットの状態を、正常にパターンが形成された他のショットの状態に可能な限り近づけるためである。以上のように、本実施形態のインプリント装置1によれば、モールド3は、第1押印部20に加えて、ダミー用の第2押印部21を有し、インプリント領域に異物等が存在する場合には、第2押印部21を使用してインプリント工程を続行する。即ち、インプリント装置1は、インプリント領域に異物等が存在してもモールド3の交換を行う必要がないため、スループットを低下させることなく、パターン形成時のモールド3、特に凹凸パターン24が形成された第1押印部20の破損を防止することができる。第2実施形態次に、本発明の第2実施形態に係るインプリント装置について説明する。本実施形態のインプリント装置の特徴は、第1実施形態に係るモールドベース31の吸着部分を変更して、モールド3に形成される第2押印部21にも紫外線を照射させる点にある。図9は、本実施形態に係るモールドベースの吸着部分60を図示したモールド3を示す概略図である。図9に示すように、この場合、モールドベース31の吸着部分60は、モールド3の第2面3bにおいて、第1押印部20と第2押印部21との設置位置を結ぶX方向の透過列列61を回避するように、この列61を基準とした左右対称の領域とする。この構成によれば、図8に示す第1実施形態のインプリント工程におけるステップS108のように、第2押印部21を使用した際に、樹脂50を硬化させるために第1ショットを紫外線の照射部に移動させる必要がない。したがって、制御装置10は、第1ショットに異物42が存在すると判定し、第2押印部21を使用したインプリント工程を実行する際、ステップS107とS108とを逆、即ち、第1押印部20を使用したインプリント工程と同様とすることができる。これにより、本実施形態のインプリント装置は、第1実施形態と同様の効果を奏すると共に、ウエハステージ6の移動を単純化できるので、更にスループットを向上させることができる。第3実施形態次に、本発明の第3実施形態に係るインプリント装置について説明する。本実施形態のインプリント装置の特徴は、第1実施形態に係るモールド3の形状を変更し、第2面第2面3bに相当に少なくとも2つのくぼみ部を形成し、この各くぼみ部に対応した第1面第1面3aに相当に押印部を形成したモールドを採用する点にある。図10は、本実施形態に係るモールド70の形状を示す概略図である。特に、図10aは、モールド70をZ方向の上面から見た平面図であり、図10bは、図10aのA-A ́断面と、この場合のモールドベース71の構成を示す図である。モールド70は、第2面70bにおいて、X方向の中心軸を中心としつつY方向の中心軸に対してそれぞれ対称となるように、第1くぼみ部72、及び第2くぼみ部73を有する。この各くぼみ部72、73の形状は、第1実施形態に係るくぼみ部22と同様である。一方、モールド70は、第1面70aにおいて、第2面70bに形成された第1くぼみ部72に対向する領域の中心部に形成される第1押印部74と、第2面70bに形成された第2くぼみ部73に対向する領域の中心部に形成される第2押印部75とを有する。ここで、第1押印部74は、第1実施形態に係る第1押印部20に対応し、生産用の凹凸パターン76が形成されており、一方、第2押印部75は、第1実施形態に係る第2押印部21に対応し、ダミー用の凹凸パターン77が形成されている。但し、本実施形態の第1押印部74と第2押印部75との第1面70aからの高さは、同一である。これに対して、モールドベース71は、モールド70の第1くぼみ部72と第2くぼみ部73との形状をそれぞれ独立して変形可能とする、シールガラス78、79で形成された第1空間領域80、及び第2空間領域81とを有する。この第1空間領域80、及び第2空間領域81では、第1実施形態に係る圧力制御機構35と同様に、それぞれ第1圧力制御機構82と第2圧力制御機構83とにより内部圧力が制御される。この場合、制御装置10は、第1押印部74の使用時には、第2圧力制御機構83により第2空間領域81の内部圧力を低圧にし、第2くぼみ部73の形状をモールドベース71側に向けて凸型に変形させておく。これにより、第2押印部75は、モールドベース71側に若干退避するので、第1押印部74と樹脂50との接触時に第1ショットとは別のショットとの接触を回避することができる。これは、第2押印部75の使用時も同様である。更に、モールドベース71の吸着部分84は、第2実施形態と同様に、モールド70の第2面70bにおいて、第1押印部74と第2押印部75との設置位置を結ぶX方向の透過列列85を回避するように、この列85を基準とした左右対称の領域とする。この構成によれば、本実施形態のインプリント装置は、第2実施形態と同様の効果を奏すると共に、第1押印部74、及び第2押印部75の相対高さを自在に調整できる点で有利である。なお、図10に示すように、第1空間領域80、及び第2空間領域81を有するモールドベース71を採用する場合には、以下のような変形もあり得る。例えば、モールド70において、ダミー用の凹凸パターン77が形成された第2押印部75の第1面70aからの高さを、生産用の凹凸パターン76が形成された第1押印部74の第1面70aからの高さよりも予め高く設定する。このとき、モールドベース71は、第1押印部74に対応する第1空間領域80には上記のような内部圧力を制御する第1圧力制御機構82を設置せず、第2押印部75に対応した第2圧力制御機構83のみを設置する。この場合、制御装置10は、第1押印部74の使用時には、常に第2圧力制御機構83により第2空間領域81の内部圧力を低圧にして、第2くぼみ部73の形状をモールドベース71側に向けて凸型に変形させておく。これにより、第2押印部75は、モールドベース71側に若干退避するので、第1押印部74と樹脂50との接触時に第1ショットとは別のショットとの接触を回避することができる。一方、制御装置10は、第2押印部75の使用時には、単に第2くぼみ部73の形状をモールドベース71側に向けて凸型に変形させる退避状態を解除すればよい。この構成によれば、モールドベース71は、第2圧力制御機構83のみを制御すればよいので、更に装置構成、及び制御の単純化が可能となる。なお、この構成を採用する場合には、モールド70における第1押印部74の位置に対して、第1くぼみ部72を必ずしも設置する必要はない。物品の製造方法物品としてのデバイス半導体集積回路素子、液晶表示素子等の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板にパターンを形成する工程を含む。更に、該製造方法は、パターンが形成された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア記録媒体や光学素子等の他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンが形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能品質生産性生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。