"冷却機構を有する半導体デバイスを製造するための製造方法であって、シリコンで形成された板状の加工対象物にレーザ光を集光させることにより、前記加工対象物の内部に改質領域を改質領域形成予定ラインに沿って延在するよう形成する改質領域形成工程と、前記改質領域形成工程の後、前記加工対象物に異方性エッチング処理を施すことにより、前記改質領域に沿ってエッチングを選択的に進展させ、冷却媒体を流通させるための流路を前記冷却機構として前記加工対象物の内部に形成するエッチング処理工程と、前記加工対象物の一主面側に機能素子を形成する機能素子形成工程と、を含む半導体デバイスの製造方法。冷却機構を有する半導体デバイスを製造するための製造方法であって、シリコンで形成された板状の加工対象物にレーザ光を集光させることにより、前記加工対象物の内部に改質領域を改質領域形成予定ラインに沿って延在するよう形成する改質領域形成工程と、前記改質領域形成工程の後、前記加工対象物に異方性エッチング処理を施すことにより、前記改質領域に沿ってエッチングを選択的に進展させ、冷却媒体を充填させるための空間を前記加工対象物の内部に形成するエッチング処理工程と、前記空間に冷却媒体を充填して前記冷却機構を前記加工対象物の内部に形成する工程と、前記加工対象物の一主面側に機能素子を形成する機能素子形成工程と、を含む半導体デバイスの製造方法。前記改質領域形成工程では、前記加工対象物において前記一主面の反対側の他主面に露出する他の改質領域を、前記改質領域の延在途中に連続するように前記加工対象物の厚さ方向に沿って形成し、前記エッチング処理工程では、前記他の改質領域に沿ってエッチングを選択的に進展させることにより、エッチング剤を前記他の改質領域から前記改質領域へと進入させる請求項1又は2記載の半導体デバイスの製造方法。前記他の改質領域に沿ってエッチングを進展させることにより形成された孔を閉塞する工程をさらに含む請求項3記載の半導体デバイスの製造方法。前記機能素子形成工程は、前記エッチング処理工程の後に実施される請求項1~4の何れか一項記載の半導体デバイスの製造方法。ここで、上記従来技術では、機能素子よりも大型の冷却フィン等の間接冷却手段を設ける必要があることから、大型化し易く、且つ冷却効率が低くなってしまう虞がある。かかる虞は、高出力の半導体デバイスを製造する場合、顕著となる。そこで、本発明は、冷却効率の向上及び小型化が可能な半導体デバイスを製造することができる半導体デバイスの製造方法を提供することを課題とする。上記課題を解決するために、本発明の一側面に係る半導体デバイスの製造方法は、冷却機構を有する半導体デバイスを製造するための製造方法であって、シリコンで形成された板状の加工対象物にレーザ光を集光させることにより、加工対象物の内部に改質領域を改質領域形成予定ラインに沿って延在するよう形成する改質領域形成工程と、改質領域形成工程の後、加工対象物に異方性エッチング処理を施すことにより、改質領域に沿ってエッチングを選択的に進展させ、冷却媒体を流通させるための流路を冷却機構として加工対象物の内部に形成するエッチング処理工程と、加工対象物の一主面側に機能素子を形成する機能素子形成工程と、を含む。この半導体デバイスの製造方法では、冷却媒体を流通させるための流路を加工対象物の内部に一体的に形成することができ、よって、冷却手段を別途設けることなく直接冷却が可能な半導体デバイスが得られることとなる。すなわち、冷却効率の向上及び小型化が可能な半導体デバイスを製造することができる。また、本発明の一側面に係る半導体デバイスの製造方法は、冷却機構を有する半導体デバイスを製造するための製造方法であって、シリコンで形成された板状の加工対象物にレーザ光を集光させることにより、加工対象物の内部に改質領域を改質領域形成予定ラインに沿って延在するよう形成する改質領域形成工程と、改質領域形成工程の後、加工対象物に異方性エッチング処理を施すことにより、改質領域に沿ってエッチングを選択的に進展させ、冷却媒体を充填させるための空間を加工対象物の内部に形成するエッチング処理工程と、空間に冷却媒体を充填して冷却機構を加工対象物の内部に形成する工程と、加工対象物の一主面側に機能素子を形成する機能素子形成工程と、を含む。この半導体デバイスの製造方法では、冷却媒体を充填させるための空間を加工対象物の内部に一体的に形成し、当該空間に冷却媒体を充填して冷却機構を加工対象物の内部に形成することができる。よって、冷却手段を別途設けることなく直接冷却が可能な半導体デバイスが得られることとなる。すなわち、冷却効率の向上及び小型化が可能な半導体デバイスを製造することができる。また、改質領域形成工程では、加工対象物において一主面の反対側の他主面に露出する他の改質領域を、改質領域の延在途中に連続するように加工対象物の厚さ方向に沿って形成し、エッチング処理工程では、他の改質領域に沿ってエッチングを選択的に進展させることにより、エッチング剤を他の改質領域から改質領域へと進入させてもよい。この場合、改質領域に沿ってエッチングを進展させて流路を形成する際、かかる改質領域のエッチングの進展を他の改質領域によって所望に制御することができる。このとき、他の改質領域に沿ってエッチングを進展させることにより形成された孔を閉塞する工程をさらに含む場合がある。また、機能素子形成工程は、エッチング処理工程の後に実施される場合がある。本発明によれば、冷却効率の向上及び小型化が可能な半導体デバイスを製造することが可能となる。以下、好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。本実施形態に係る半導体デバイスの製造方法では、加工対象物の内部にレーザ光を集光させて改質領域を形成する。そこで、まず、改質領域の形成について、図1~図6を参照して以下に説明する。図1に示すように、レーザ加工装置100は、レーザ光Lをパルス発振するレーザ光源101と、レーザ光Lの光軸光路の向きを90°変えるように配置されたダイクロイックミラー103と、レーザ光Lを集光するための集光用レンズ105と、を備えている。また、レーザ加工装置100は、集光用レンズ105で集光されたレーザ光Lが照射される加工対象物1を支持するための支持台107と、支持台107を移動させるためのステージ111と、レーザ光Lの出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源101を制御するレーザ光源制御部102と、ステージ111の移動を制御するステージ制御部115と、を備えている。このレーザ加工装置100においては、レーザ光源101から出射されたレーザ光Lは、ダイクロイックミラー103によってその光軸の向きを90°変えられ、支持台107上に載置された板状の加工対象物1の内部に集光用レンズ105によって集光される。これと共に、ステージ111が移動させられ、加工対象物1がレーザ光Lに対して改質領域形成予定ライン5に沿って相対移動させられる。これにより、改質領域形成予定ライン5に沿った改質領域が加工対象物1に形成されることとなる。加工対象物1としては、半導体材料や圧電材料等が用いられ、図2に示すように、加工対象物1には、改質領域形成予定ライン5が設定されている。ここでの改質領域形成予定ライン5は、直線状に延びた仮想線である。加工対象物1の内部に改質領域を形成する場合、図3に示すように、加工対象物1の内部に集光点Pを合わせた状態で、レーザ光Lを改質領域形成予定ライン5に沿ってすなわち、図2の矢印A方向に相対的に移動させる。これにより、図4~図6に示すように、改質領域7が改質領域形成予定ライン5に沿って加工対象物1の内部に形成され、この改質領域7が、後述のエッチング食刻による除去領域8となる。なお、集光点Pとは、レーザ光Lが集光する箇所のことである。また、改質領域形成予定ライン5は、直線状に限らず曲線状であってもよいし、3次元状であってもよいし、座標指定されたものであってもよい。また、改質領域7は、連続的に形成される場合もあるし、断続的に形成される場合もある。また、改質領域7は列状でも点状でもよく、要は、改質領域7は少なくとも加工対象物1の内部に形成されていればよい。また、改質領域7を起点に亀裂が形成される場合があり、亀裂及び改質領域7は、加工対象物1の外表面表面、裏面、若しくは外周面に露出していてもよい。ちなみに、ここでは、レーザ光Lが、加工対象物1を透過すると共に加工対象物1の内部の集光点近傍にて特に吸収され、これにより、加工対象物1に改質領域7が形成されるすなわち、内部吸収型レーザ加工。一般的に、表面3から溶融され除去されて穴や溝等の除去部が形成される表面吸収型レーザ加工場合、加工領域は表面3側から徐々に裏面側に進行する。ところで、本実施形態に係る改質領域7は、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域をいう。改質領域7としては、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等があり、これらが混在した領域もある。さらに、改質領域7としては、加工対象物1の材料において密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域や、格子欠陥が形成された領域があるこれらをまとめて高密転移領域ともいう。また、溶融処理領域や屈折率変化領域、改質領域7の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域、格子欠陥が形成された領域は、さらにそれら領域の内部や改質領域7と非改質領域との界面に亀裂割れ、マイクロクラックを内包している場合がある。内包される亀裂は改質領域7の全面に渡る場合や一部分のみや複数部分に形成される場合がある。加工対象物1としては、シリコンを含む、又はシリコンからなるものが挙げられる。ここで、本実施形態では、加工対象物1に改質領域7を形成した後、この加工対象物1にエッチング処理を施すことにより、改質領域7に沿ってすなわち、改質領域7、改質領域7に含まれる亀裂、又は改質領域7から延びる亀裂に沿ってエッチングを選択的に進展させ、加工対象物1における改質領域7に沿った部分を除去する。なお、この亀裂は、クラック、微小クラック、割れ等とも称される以下、単に亀裂という。本実施形態のエッチング処理では、例えば、毛細管現象等を利用して、加工対象物1の改質領域7に含まれる又は該改質領域7から延びる亀裂にエッチング剤を浸潤させ、亀裂面に沿ってエッチングを進展させる。これにより、加工対象物1では、亀裂に沿って選択的且つ高いエッチングレートでエッチングを進展させ除去する。これと共に、改質領域7自体のエッチングレートが高いという特徴を利用して、改質領域7に沿って選択的にエッチングを進展させ除去する。エッチング処理としては、例えばエッチング剤に加工対象物1を浸漬する場合ディッピング方式:Dippingと、加工対象物1を回転させつつエッチング剤を塗布する場合スピンエッチング方式:SpinEtchingとがある。エッチング剤としては、例えば、KOH、TMAH、EDPエチレンジアミンピロカテコール、NaOH水酸化ナトリウム、CsOH水酸化セシウム、NH4OH水酸化アンモニウム、ヒドラジン等が挙げられる。また、エッチング剤としては、液体状のものだけでなく、ゲル状ゼリー状,半固形状のものを用いることができる。ここでのエッチング剤は、常温~100°C前後の温度で用いられ、必要とされるエッチングレート等に応じて適宜の温度に設定される。例えば、シリコンで形成された加工対象物1をKOHでエッチング処理する場合には、好ましいとして、約60°Cとされる。また、本実施形態では、エッチング処理として、特定方向のエッチング速度が速い若しくは遅いエッチングである異方性エッチング処理を行っている。この異方性エッチング処理の場合には、比較的薄い加工対象物だけでなく厚いもの例えば、厚さ800μm~100μmにも適用できる。また、この場合、改質領域7を形成する面が面方位と異なるときにも、この改質領域7に沿ってエッチングを進行させることができる。つまり、ここでの異方性エッチング処理では、結晶方位に倣った面方位のエッチングに加えて、結晶方位に依存しないエッチングも可能である。次に、第1実施形態に係る半導体デバイスの製造方法ついて詳細に説明する。図7は、本実施形態を示すフローチャートであり、図8~13は、本実施形態を説明するためのフロー図である。本実施形態は、例えばCPUCentralProcessingUnitやハイパワートランジスタ等の半導体デバイスシリコンデバイスを製造するものであり、ここでは、図13に示すように、加工対象物1に機能素子15が搭載されて成るCMOSComplementaryMetalOxideSemiconductorセンサを製造する。また、特に本実施形態では、図10に示すように、加工対象物1内に3次元微細加工を施すことにより、冷却媒体が流通される微細孔であるマイクロ流路流路24を冷却機構として加工対象物1内に形成する。ここでのマイクロ流路24は、加工対象物1内部における厚さ方向中央位置に、表面3視で一の方向に沿って折り返されるよう蛇行して当該一の方向の直交方向に進行する波状に延在している。加工対象物1は、照射するレーザ光Lの波長例えば1064nmに対して透明なシリコン基板である。ここでの加工対象物1は、P型シリコン基板とされ、100面となる表面一主面3及び裏面21他主面を有している。この加工対象物1には、改質領域形成予定ラインが3次元的な座標指定によりプログラマブルに設定されている。改質領域形成予定ラインは、形成するマイクロ流路24に対応して延在するよう設定されている。つまり、改質領域形成予定ラインは、表面3視において一の方向に沿って折り返されるよう蛇行して当該一の方向の直交方向に進行する波状に設定されている。機能素子15は、例えば、結晶成長により形成された半導体動作層、フォトダイオード等の受光素子、レーザダイオード等の発光素子、或いは回路として形成された回路素子等である。本実施形態において加工対象物1を加工する場合、まず、加工対象物1にレーザ光Lを集光させることにより、加工対象物1の内部に改質領域7を形成する図7のS1。具体的には、加工対象物1の表面3側を上方にして載置台に載置して保持する。そして、加工対象物1の内部における厚さ方向中央部にレーザ光Lの集光点以下、単に集光点というを合わせ、当該集光点を改質領域形成予定ラインに沿って移動しつつ、レーザ光Lを表面3側から照射する。これにより、図8に示すように、形成するマイクロ流路24図10参照に沿って連続的な改質領域7aすなわち、表面3視において折り返されるよう蛇行する波状な改質領域7を、加工対象物1の内部のみに形成する。これに併せ、集光点を改質領域形成予定ラインの一端に併せ、当該集光点を厚さ方向に裏面21まで移動しつつ、レーザ光Lを表面3側から照射する。また、集光点を改質領域形成予定ラインの他端に併せ、当該集光点を厚さ方向に裏面21まで移動しつつ、レーザ光Lを表面3側から照射する。これにより、マイクロ流路24の流出入部24x図9参照を構成するものとして、裏面21に露出し且つ改質領域7aの一端及び他端のそれぞれに連続する改質領域7b,7bを、厚さ方向に沿ってそれぞれ形成する。なお、ここでは、パルスレーザ光をレーザ光Lとしてスポット照射することから、形成される改質領域7は改質スポットで構成されている。また、改質領域7には、該改質領域7から発生した亀裂が内包されて形成されている以下の改質領域7について同じ。次に、加工対象物1に対し、例えば85°CのKOHをエッチング剤として用いて異方性エッチング処理を施す図7のS2。これにより、図9aに示すように、加工対象物1において裏面21から改質領域7bへとエッチング剤が進入されて浸潤され、改質領域7bに沿ってエッチングが進展されて加工対象物1が除去され、その結果、流出入部24xが形成される。そして、図9b,cに示すように、改質領域7bから改質領域7aへとエッチング剤が進入されて浸潤され、改質領域7aに沿ってエッチングが進展されて加工対象物1が除去され、その結果、図10に示すように、マイクロ流路24の形成が完了される。次に、加工対象物1の表面3側に機能素子15を形成する図7のS3。具体的には、まず、図11a,bに示すように、加工対象物1を洗浄し乾燥した後、熱酸化処理を施して表面3上に二酸化シリコン膜31SiO2を成長させ、この二酸化シリコン膜31上に感光性樹脂膜であるフォトレジスト32を塗布する。続いて、図11cに示すように、フォトリソグラフィ処理によりフォトレジスト32をパターニングした後、このフォトレジスト32をマスクとして二酸化シリコン膜31をエッチングにより除去し、加工対象物1の表面3の所定部分を露出させる。続いて、図11dに示すように、フォトレジスト32を除去し洗浄した後、二酸化シリコン膜31をマスクとしてリンイオン33を表面3に注入し、所定分布を有するN型領域34を加工対象物1の表面3側に形成する。続いて、図12aに示すように、二酸化シリコン膜31を溶解除去して洗浄し、表面3にパッド膜35SiO2、シリコン窒化膜36Si3N4及びフォトレジスト37をこの順に形成する。そして、フォトリソグラフィ処理によりフォトレジスト37をパターニングした後、このフォトレジスト37をマスクとしてパッド膜35及びシリコン窒化膜36をエッチングにより除去し、加工対象物1の表面3の所定部分を露出させる。続いて、図12bに示すように、フォトレジスト37を剥離し洗浄した後、シリコン窒化膜36をマスクとして、加工対象物1の表面3側にフィールド膜38SiO2を部分的に形成する。そして、図12cに示すように、パッド膜35及びシリコン窒化膜36を除去し洗浄した後、熱酸化法によってゲート膜39SiO2を成長させる。続いて、図12dに示すように、多結晶シリコン膜40を表面3上に堆積させ、フォトリソグラフィ処理により多結晶シリコン膜40をパターニングし、ゲート電極41を形成した後、このゲート電極41をマスクとしてゲート膜39をエッチングにより除去する。続いて、図13aに示すように、Pチャネルトランジスタ側図示左側をレジスト膜42で覆い、Nチャネルトランジスタ側図示右側にヒ素43を注入し、加工対象物1の表面3にソース領域44及びドレイン領域45を形成する。一方、図13bに示すように、Nチャネルトランジスタ側をレジスト膜46で覆い、Pチャネルトランジスタ側にボロン47を注入し、加工対象物1の表面3にソース領域48及びドレイン領域49を形成する。そして、図13cに示すように、層間絶縁膜50SiO2を表面3上に堆積させると共に、フォトリソグラフィ処理により層間絶縁膜50をパターニングし、電極引出口51を形成する。最後に、図13dに示すように、アルミ膜を表面3上に堆積させると共に、フォトリソグラフィ処理によりアルミ膜をパターニングし、導通部53を形成する。これにより、Pチャネルトランジスタ54及びNチャネルトランジスタ55を表面3側に機能素子15として備えたCMOSセンサが、半導体デバイス10として形成されることとなる。その後、半導体デバイス10は、例えば、回路基板上に半田ボールを介して電気的に接続される。以上、本実施形態では、シリコン基板である加工対象物1の内部に表面3及び裏面21に露出しない連続的な改質領域7を形成し、この改質領域7を異方性エッチングで除去することによって、半導体デバイス10の内部にて冷却媒体を流すことができるマイクロ流路24を形成している。よって、マイクロ流路24を加工対象物1の内部に一体的に形成でき、冷却手段を別途設けることなく直接冷却が可能な半導体デバイスが得られることとなる。すなわち、本実施形態によれば、冷却効率の向上及び小型化が可能な半導体デバイス10を製造することができる。なお、エッチング剤に添加物を添加することで特定の結晶方位のエッチングレートが変化する場合があることから、所望のエッチングレートで異方性エッチング処理を行うべく、加工対象物1の結晶方位に応じた添加物をエッチング剤に添加してもよい。次に、第2実施形態について説明する。なお、本実施形態の説明においては、上記第1実施形態と異なる点について主に説明する。図14は本実施形態を説明するための加工対象物を示す図であり、図15は本実施形態の異方性エッチング処理を説明するための加工対象物の拡大断面図である。本実施形態が上記第1実施形態と異なる点は、表面3視にて波状に延びるマイクロ流路24図10参照に代えて、表面3視にて矩形螺旋状に延びるマイクロ流路を冷却機構として加工対象物1内に形成する点である。具体的には、まず、加工対象物1の内部にレーザ光Lを集光させることにより、図14に示すように、表面3視において加工対象物1の中心から矩形螺旋状に延在する改質領域67aを、加工対象物1の内部にのみ形成する。これと共に、マイクロ流路の流出入部を構成するものとして、裏面21に露出し且つ改質領域67aの一端に連続する改質領域67bと、裏面21に露出し且つ改質領域67aの他端に連続する改質領域67bとを、厚さ方向に沿ってそれぞれ形成する。これに加え、本実施形態では、加工対象物1の内部にレーザ光Lを集光させることにより、後段の異方性エッチング処理においてエッチング剤を改質領域67aへと導くものとして、加工対象物1に改質領域67cを複数形成する。改質領域67cは、裏面21に露出し且つ改質領域67aの延在途中に連続するように、加工対象物1の厚さ方向に沿って延在している。換言すると、改質領域67cは、加工対象物1の内部において表面3に沿った方向に連続的に形成される改質領域67aの途中一端と他端との間の所定位置から、厚さ方向に沿って裏面21に至るまで連続的に延在している。次に、加工対象物1に対し、異方性エッチング処理を施す。これにより、加工対象物1において裏面21から改質領域67bへとエッチング剤が進入されて浸潤され、改質領域67bに沿ってエッチングが進展される。そして、この改質領域67bから改質領域67aへとエッチング剤が進入されて浸潤され、改質領域67aに沿ってエッチングが進展される。これと共に、本実施形態では、図14,15に示すように、裏面21から改質領域67cへとエッチング剤が進入されて浸潤され、改質領域67cに沿ってエッチングが進展され、そして、この改質領域67cからも改質領域67aへとエッチング剤が進入されて浸潤され、改質領域67aに沿ってエッチングが進展される。以上、本実施形態においても、冷却効率の向上及び小型化が可能な半導体デバイス10を製造するという上記作用効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、裏面21に露出し且つ改質領域67aの延在途中に連続するように改質領域67cを加工対象物1に形成しており、この改質領域67cに沿ってエッチングを選択的に進展させることにより、当該改質領域67cから改質領域67aへとエッチング剤を進入させている。これにより、改質領域67aに沿ってエッチングしてマイクロ流路を形成する際、かかる改質領域67aのエッチングの進展エッチングレートを改質領域67cによって所望に制御することができる。なお、加工対象物1において改質領域67aの矩形螺旋の角部は、表面3視で面取りされるように111面を有する場合がある。この場合、後段の異方性エッチング処理では、111面でエッチストップetchstopすることから、マイクロ流路の矩形螺旋の角部が面取りされて滑らかになり、マイクロ流路における冷却媒体の流通性を向上させることができる。ちなみに、本実施形態では、改質領域67cに沿ってエッチングが進展されることで形成される孔64y図14,15参照を、異方性エッチング処理後に埋設する場合がある。この場合、製造された半導体デバイス10において、孔64yに起因した製品上等の悪影響を抑制することが可能となる以下、同様。次に、第3実施形態について説明する。なお、本実施形態の説明においては、上記第2実施形態と異なる点について主に説明する。図16は本実施形態を説明するための加工対象物を示す図である。本実施形態では、加工対象物1に改質領域7を形成した後図14参照、加工対象物1に対して異方性エッチング処理を施し、この改質領域7に沿ってエッチングを進展させる。これにより、図16に示すように、加工対象物1内に、表面3視にて矩形螺旋状に延びる空間62を形成する。なお、空間62には、上記実施形態と同様に、流出入部62a,62bが形成されている。続いて、例えば無電解メッキにより、空間62に冷却媒体61を充填する。これにより、加工対象物1の内部に冷却機構61を形成する。そして、上記実施形態と同様に、加工対象物1の表面3側に機能素子15を形成する。冷却媒体61としては、熱伝導性の高い材料が用いられる。例えば冷却媒体61としては、Cu、Al等が用いられる場合や、その他の金属材料が用いられる場合がある。冷却機構61は、外部から冷却媒体61を冷却させることにより、半導体デバイスを冷却する。以上、本実施形態においても、冷却効率の向上及び小型化が可能な半導体デバイスを製造するという上記作用効果を奏する。なお、本実施形態では、空間62を形成後であって冷却媒体61を充填前に、機能素子15を形成してもよい。以上、好適な実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、各請求項に記載した要旨を変更しない範囲で変形し、又は他のものに適用したものであってもよい。例えば、改質領域7を形成する際のレーザ光入射面は、加工対象物1の表面3に限定されるものではなく、加工対象物1の裏面21であってもよい。また、上記第2実施形態では、エッチング剤を改質領域67aへと導くための改質領域67cを加工対象物1に複数形成したが、この改質領域67cと同様な改質領域を上記第1実施形態において適宜形成してもよい。この場合、エッチング剤を改質領域7aへと好適に導くことができ、改質領域7aに沿ったエッチングの進展を所望に制御することが可能となる。また、上記実施形態では、改質領域7を形成し、異方性エッチング処理を施した後に機能素子15を形成しているが、機能素子15を形成し、改質領域7を形成した後に異方性エッチング処理を施してもよいし、改質領域7を形成し、機能素子15を形成した後に異方性エッチング処理を施してもよい。これらの場合、機能素子15の形成後に該機能素子15が保護膜等で保護される。なお、形成する流路の形状は、種々の形状の流路であってもよく、要は、加工対象物1の内部に形成されていればよい。"