"圧電基板と、該圧電基板の主面上に設けられている表面弾性波素子と、該表面弾性波素子上に空隙を形成した状態で該圧電基板の主面を覆うカバー層と、該カバー層上に設けられ、かつ、該表面弾性波素子と電気的に接続されている接続部と、を含んでいる表面弾性波フィルタと、マザー基板上に実装される多層基板であって、前記接続部を介して前記表面弾性波フィルタが実装される多層基板と、を備えていること、を特徴とする回路モジュール。前記多層基板は、第1の主面及び第2の主面を有している基板本体と、前記第2の主面上に設けられている第1の接続端子と、を含んでおり、前記表面弾性波フィルタは、前記第1の主面上に実装され、前記多層基板は、前記第1の接続端子を介して前記マザー基板に実装されること、を特徴とする請求項1に記載の回路モジュール。前記多層基板は、前記第2の主面上に設けられている第2の接続端子を、更に含んでおり、前記接続部と前記第2の接続端子とが接続されること、を特徴とする請求項2に記載の回路モジュール。前記圧電基板の線膨張係数、前記多層基板の線膨張係数及び前記カバー層の線膨張係数は、略等しいこと、を特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の回路モジュール。前記圧電基板のヤング率は、前記多層基板のヤング率及び前記カバー層のヤング率よりも大きいこと、を特徴とする請求項4に記載の回路モジュール。前記接続部は、はんだバンプであること、を特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の回路モジュール。請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の回路モジュールと、前記回路モジュールが実装されるマザー基板と、を備えていること、を特徴とする複合回路モジュール。前記圧電基板の線膨張係数、前記多層基板の線膨張係数、前記カバー層の線膨張係数及び前記マザー基板の線膨張係数は、略等しいこと、を特徴とする請求項7に記載の複合回路モジュール。前記圧電基板のヤング率は、前記多層基板のヤング率、前記カバー層のヤング率及び前記マザー基板のヤング率よりも大きいこと、を特徴とする請求項8に記載の複合回路モジュール。そこで、本発明の目的は、加熱冷却時に、装置内部における接続に破損が発生することを抑制できる回路モジュール及び複合回路モジュールを提供することである。本発明の一形態に係る回路モジュールは、圧電基板と、該圧電基板の主面上に設けられている表面弾性波素子と、該表面弾性波素子上に空隙を形成した状態で該圧電基板の主面を覆うカバー層と、該カバー層上に設けられ、かつ、該表面弾性波素子と電気的に接続されている接続部と、を含んでいる表面弾性波フィルタと、マザー基板上に実装される多層基板であって、前記接続部を介して前記表面弾性波フィルタが実装される多層基板と、を備えていること、を特徴とする。本発明の一形態に係る複合回路モジュールは、前記回路モジュールと、前記回路モジュールが実装されるマザー基板と、を備えていること、を特徴とする。本発明によれば、加熱冷却時に、装置内部における接続に破損が発生することを抑制できる。以下に、本発明の実施形態に係る回路モジュール及び複合回路モジュールについて図面を参照しながら説明する。回路モジュールの構成以下に、本発明の一実施形態に係る回路モジュールの構成について図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る回路モジュール10の外観斜視図である。図2は、図1の回路モジュール10の回路構成を示した図である。以下では、略直方体状をなす回路モジュール10において、高さ方向をz軸方向と定義する。また、z軸方向から平面視したときの長辺方向をx軸方向と定義し、短辺方向をy軸方向と定義する。x軸、y軸、z軸は、互いに直交している。回路モジュール10は、図1及び図2に示すように、実装基板12、デュプレクサ14、整合素子16a~16d及び封止樹脂19を備えている。実装基板12は、図1に示すように、複数の絶縁体層が積層されてなる長方形状のセラミック多層基板であり、例えば、携帯電話のマザー基板上に実装される。実装基板12の材料は、例えば、LTCCLowTemperatureCo-firedCeramicsである。実装基板12は、基板本体12a、ランド電極41a~41f,45a~45f,90a~90i図2参照を含んでいる。基板本体12aは、主面Sa,Sb図1参照を有している。主面Saは、z軸方向の正方向側の主面であり、主面Sbは、z軸方向の負方向側の主面である。ランド電極41a~41f,45a~45fは、デュプレクサ14の実装のために用いられ、基板本体12aの主面Sa第2の主面上に設けられている。ランド電極90a~90iは、実装基板12のマザー基板への実装のために用いられ、基板本体12aの主面Sb第1の主面上に設けられている。ランド電極90aは、マザー基板図示せずを介して、アンテナに接続されている。ランド電極90cは、マザー基板を介して、受信回路に接続されている。ランド電極90eは、マザー基板を介して、受信回路に接続されている。ランド電極90hは、マザー基板を介して、送信回路に接続されている。ランド電極90b,90d,90f,90g,90iは、マザー基板を介して接地されている。デュプレクサ14は、図示しないアンテナが受信した相対的に高い周波数を有する受信信号をそれぞれ、回路モジュール10に設けられている受信回路図示せずに出力し、回路モジュール10に設けられている送信回路図示せずから出力されてきた相対的に低い周波数を有する送信信号を、アンテナへと出力する分波回路である。デュプレクサ14は、図1に示すように、実装基板12の主面Sa上に実装され、図1及び図2に示すように、SAWフィルタ32a,32bにより構成されている。なお、送信信号の周波数の方が、受信信号の周波数よりも高くてもよい。なお、受信回路及び送信回路は、回路モジュール10の外部に設けられてもよい。SAWフィルタ32aは、図2に示すように、送信回路とアンテナとの間に設けられており、相対的に低い周波数を有する送信信号を送信回路からアンテナへと通過させ、相対的に高い周波数を有する受信信号をアンテナから送信回路へと通過させない特性を有している。SAWフィルタ32bは、図2に示すように、アンテナと受信回路との間に設けられており、相対的に高い周波数を有する受信信号をアンテナから受信回路へと通過させ、相対的に低い周波数を有する送信信号を送信回路から受信回路へと通過させない特性を有している。以下に、SAWフィルタ32a,32bの構成について図面を参照しながら説明する。なお、SAWフィルタ32a,32bの基本構造は略同じであるので、SAWフィルタ32bを例にとって説明する。図3は、SAWフィルタ32bの内部構成を示した図である。図4は、SAWフィルタ32bの断面構造図である。図5は、SAWフィルタ32bの分解図である。図6は、SAWフィルタ32bの配線図である。図6では、信号線を太線で示し、グランド線を細線で示してある。信号線とは、受信信号が伝送される配線を意味し、グランド線とは、接地電位に保たれる配線を意味する。図7は、回路モジュール10の断面構造図である。SAWフィルタ32bは、図3ないし図6に示すように、圧電基板17、支持層18、カバー層20,22、バンプ接続部2424a~24f、接続部6666a~66f、縦結合部表面弾性波素子70,74、並列トラップ76,78及び直列トラップ80,82及びビアホール導体V1~V6を含んでいる。圧電基板17は、長方形状の板状をなしており、主面S1図4参照を有している。圧電基板17としては、リチウムタンタル酸ナトリウム基板やリチウムタンタル酸ニオブ基板やシリコン基板等が用いられる。主面S1は、圧電基板17の2つの主面のうちのz軸方向の負方向側に位置している主面を指している。圧電基板17の主面S1上には、図3及び図4に示すように、素子領域Eが規定されている。素子領域Eは、主面S1において、角部近傍及び各辺近傍を除く領域である。接続部66a~66fはそれぞれ、主面S1上に設けられたAl、Cu、Ni、Au、Pt等の導体層からなる。接続部66a,66c,66d,66fはそれぞれ、図3に示すように、主面S1の4つの角近傍に設けられている。接続部66b,66eはそれぞれ、図3に示すように、主面S1の中央から見てy軸方向の負方向側及び正方向側の長辺の中点近傍に設けられている。縦結合部表面弾性波素子70,74、並列トラップ76,78及び直列トラップ80,82は、主面S1上に設けられたAl、Cu、Ni、Au、Pt等の導体層からなり、図3及び図5に示すように、z軸方向から平面視したときに、素子領域E内に設けられている。接続部66d,66b間には、図3、図5及び図6に示すように、縦結合部70及び直列トラップ80が直列に接続されている。縦結合部70は、対向部70a~70fにより構成されている。対向部70a,70c,70d,70fはそれぞれ、接続部66eに接続されているグランド線と直列トラップ80を介して接続部66bに接続されている信号線とがz軸方向に対向することにより構成されている。対向部70b,70eはそれぞれ、接続部66dに接続されている信号線と接続部66eに接続されているグランド線とがz軸方向に対向することにより構成されている。そして、対向部70a~70fは、y軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。直列トラップ80は、縦結合部70と接続部66bとの間に直列に接続されている共振子である。並列トラップ76は、接続部66dと接続部66aとの間に直列に接続されている共振子である。接続部66f,66b間には、縦結合部74及び直列トラップ82が直列に接続されている。縦結合部74は、対向部74a~74fにより構成されている。対向部74a,74c,74d,74fは、接続部66eに接続されているグランド線と直列トラップ82を介して接続部66bに接続されている信号線とがz軸方向に対向することにより構成されている。対向部74b,74eは、接続部66fに接続されている信号線と接続部66eに接続されているグランド線とがz軸方向に対向することにより構成されている。そして、対向部74a~74fは、y軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。直列トラップ82は、縦結合部74と接続部66bとの間に直列に接続されている共振子である。並列トラップ78は、接続部66fと接続部66cとの間に直列に接続されている共振子である。支持層18及びカバー層20,22は、図3ないし図5に示すように、縦結合部70,74、並列トラップ76,78及び直列トラップ80,82上に空隙Spを形成した状態で圧電基板17の主面S1を覆っている。支持層18は、図3ないし図5に示すように、z軸方向から平面視したときに、素子領域Eを囲む長方形の枠状をなしている。より詳細には、支持層18は、図3に示すように、枠部18a及び突起部18b~18gを含んでいる。枠部18aは、主面S1の4辺に沿った長方形の枠状をなしている。突起部18b,18d,18e,18gはそれぞれ、主面S1の4つの角において、枠部18aの内側に向かって突出している。突起部18c,18fはそれぞれ、主面S1のy軸方向の正方向側及び負方向側の長辺の中点において、枠部18aの内側に向かって突出している。これにより、図3に示すように、突起部18b~18gはそれぞれ、z軸方向から平面視したときに、接続部66a~66fと重なっている。支持層18は、SAWフィルタ32b内に水分等が侵入することを防止する役割を果たしており、耐水性に優れた絶縁材料例えば、ポリイミドにより作製されている。また、素子領域Eとは、主面S1において、支持層18が設けられていない領域を意味する。カバー層20は、図4及び図5に示すように、支持層18のz軸方向の負方向側に設けられており、主面S1に対向している。より詳細には、カバー層20は、主面S1と略同じ長方形状をなしている。そして、カバー層20は、支持層18のz軸方向の負方向側に積層されることにより、主面S1と接触することなく空隙Spを介して対向している。カバー層20は、支持層18とは異なる絶縁材料により作製されてもよく、例えば、エポキシ樹脂により作製されている。カバー層22は、図4及び図5に示すように、カバー層20のz軸方向の負方向側に設けられている。より詳細には、カバー層22は、カバー層20と同じ長方形状をなしており、z軸方向から平面視したときに、カバー層20と一致した状態で重なっている。カバー層22は、SAWフィルタ32b内に水分等が侵入することを防止する役割を果たしており、耐水性に優れた絶縁材料例えば、ポリイミドにより作製されている。すなわち、カバー層22は、支持層18と同じ絶縁材料により作製されている。なお、カバー層22は、支持層18が硬化した後に形成されるので、カバー層22を支持層18上に直接に積層した場合には、カバー層22が支持層18に密着しにくい。そのため、SAWフィルタ32bでは、支持層18とカバー層22との間に、カバー層20が設けられている。すなわち、カバー層20は、支持層18とカバー層22とを接着している。なお、カバー層20とカバー層22とは、別の材料や異なる厚みで形成されてもよい。また、カバー層20,22の材料としては、樹脂などのフレキシブル材料や単結晶基板等のリジッド材料などでもよい。ビアホール導体V1~V6はそれぞれ、図3ないし図5に示すように、支持層18及びカバー層20,22をz軸方向に貫通している。ビアホール導体V1~V6のz軸方向の正方向側の端部はそれぞれ、接続部66a~66fに接続されている。バンプ24a~24fはそれぞれ、カバー層22のz軸方向の負方向側の主面上に設けられている球状のはんだであり、ビアホール導体V1~V6のz軸方向の負方向側の端部に接続されている。これにより、バンプ24a~24fは、ビアホール導体V1~V6及び接続部66a~66fを介して、縦結合部表面弾性波素子70,74、並列トラップ76,78及び直列トラップ80,82と電気的に接続されている。また、バンプ24a~24fはそれぞれ、図2及び図7に示すように、SAWフィルタ32bが実装基板12に実装される際に、実装基板12のランド電極45a~45fに接続される。具体的には、バンプ24a,24c,24eはそれぞれ、図2に示すように、実装基板12のランド電極45a,45c,45eに接続され、実装基板12及びマザー基板を介して接地されている。バンプ24bは、実装基板12のランド電極45bに接続され、実装基板12及びマザー基板を介してアンテナに接続されている。バンプ24d,24fはそれぞれ、実装基板12のランド電極45d,45fに接続され、実装基板12及びマザー基板を介して受信回路に接続されている。これにより、SAWフィルタ32bは、バンプ24a~24fを介して実装基板12の主面Sa上に実装されている。以上のように構成されたSAWフィルタ32bの動作は以下に説明するとおりである。バンプ24bから直列トラップ80を介して受信信号が入力してくると、対向部70a,70c,70d,70fにおいて弾性表面波が発生する。弾性表面波は、圧電基板17の表面を進行する。対向部70b,70eは、対向部70a,70c,70d,70fにおいて発生した弾性表面波を受信信号に変換する。この後、受信信号は、バンプ24dを介してSAWフィルタ32b外へと出力する。また、バンプ24bから入力された受信信号は、直列トラップ82を介して対向部74a,74c,74d,74fに入力され、その対向部74a,74c,74d,74fにおいて弾性表面波が発生する。弾性表面波は、圧電基板17の表面を進行する。対向部74b,74eは、対向部74a,74c,74d,74fにおいて発生した弾性表面波を受信信号に変換する。この後、受信信号は、バンプ24fを介してSAWフィルタ32b外へと出力する。なお、対向部70を通過する信号に対して対向部74を通過する信号は、位相が180°異なっており、バンプ24d,24fは、いわゆるバランス型の受信端子を構成している。以上のように構成された回路モジュール10は、マザー基板に実装される。以下に、回路モジュール10及びマザー基板を備えた複合回路モジュール200について図面を参照しながら説明する。図8は、複合回路モジュール200の構造図である。マザー基板201は、基板本体202及びランド電極204を含んでいる。基板本体202は、ガラスエポキシ等の樹脂からなる基板である。ランド電極204は、基板本体202のz軸方向の正方向側の面に複数設けられている。実装基板12のランド電極90とマザー基板201のランド電極204とははんだにより接続されている。これにより、実装基板12は、ランド電極90を介してマザー基板201に実装される。整合素子16a~16dは、図1に示すように、実装基板12の主面Sa上に実装され、実装基板12とデュプレクサ14との間のインピーダンス整合を取るためのチップ型電子部品である。整合素子16a,16b,16cは、図2に示すように、ランド電極41a,41c,45bとランド電極90i,90h,90bとの間に直列接続されている整合素子である。整合素子16dは、ランド電極45d及びランド電極90cとを接続する信号線と、ランド電極45f及びランド電極90eとを接続する信号線との間に接続されている整合素子である。封止樹脂19は、実装基板12の主面Sa、デュプレクサ14及び整合素子16a~16dを覆うように設けられている。これにより、デュプレクサ14及び整合素子16a~16dが保護されている。なお、封止樹脂19としては、エポキシ樹脂等が用いられる。以上のように構成された回路モジュール10及び複合回路モジュール200では、実装基板12、圧電基板17、カバー層20,22及びマザー基板201は、以下に示すヤング率を有している。表1は、実装基板12、圧電基板17、カバー層20,22及びマザー基板201のヤング率を示した表である。表1によれば、圧電基板17のヤング率は、実装基板12のヤング率、カバー層20,22のヤング率及びマザー基板201のヤング率よりも大きい。また、圧電基板17、実装基板12、マザー基板201及びカバー層20,22の材料としては、これらの線膨張係数が略等しいものが用いられる。以上のように構成された回路モジュール10は、以下に説明するように動作する。回路モジュール10が搭載された無線通信機器から送信信号が送信される場合には、送信回路は、送信信号を生成する。送信信号は、デュプレクサ14を通過してアンテナへと伝送される。ここで、デュプレクサ14のSAWフィルタ32aは、バンプ25cとバンプ25dとの間において送信信号を通過させ、バンプ25cとバンプ25dとの間において受信信号を通過させない特性を有している。よって、アンテナが受信した受信信号は、バンプ25dからSAWフィルタ32aに入力しても、バンプ25cから出力できない。よって、送信回路に受信信号が侵入することが抑制される。また、回路モジュール10が搭載された無線通信機器が受信信号を受信する場合には、アンテナは、受信信号を受信する。受信信号は、デュプレクサ14を通過して受信回路へと伝送される。ここで、デュプレクサ14のSAWフィルタ32bは、バンプ24bから入力した受信信号をバンプ24dとバンプ24fからそれぞれ逆位相に分離して出力する特性を有している。よって、送信回路が生成した送信信号は、バンプ24bからSAWフィルタ32bに入力しても、バンプ24dから出力できない。同様に、アンテナが受信した受信信号は、バンプ24bからSAWフィルタ32bに入力しても、バンプ24d,24fから出力できない。よって、受信回路に送信信号及び受信信号が侵入することが抑制される。効果以上のような回路モジュール10及び複合回路モジュール200によれば、リフロー工程等の加熱冷却時に、回路モジュール10内部における接続に破損が発生することを抑制できる。より詳細には、特許文献1に記載の電子部品装置500では、圧電性単結晶基板506は、例えば、タンタル酸リチウムにより作製されている。また、基体504は、例えば、アルミナ等のセラミックにより作製されている。また、マザー基板は、例えば、ガラスエポキシ等の樹脂により作製されている。タンタル酸リチウム、アルミナ及びガラスエポキシは、それぞれ、線膨張係数及びヤング率等の材料物性において互いに異なっている。そのため、リフロー工程等で電子部品装置500が加熱冷却されると、SAWデバイス502、基体504及びマザー基板には異なる変形が生じる。その結果、電子部品装置500内の接続が破損するおそれがある。特に、SAWデバイス502と基体504との接続が破損するおそれがある。そこで、回路モジュール10及び複合回路モジュール200では、SAWフィルタ32a,32bにおいて、支持層18及びカバー層20,22は、縦結合部表面弾性波素子70,74、並列トラップ76,78及び直列トラップ80,82上に空隙Spを形成した状態で圧電基板17の主面S1を覆っている。そして、バンプ24a~24fは、カバー層22上に設けられ、かつ、縦結合部70,74、並列トラップ76,78及び直列トラップ80,82と電気的に接続されている。これにより、SAWフィルタ32a,32bは、実装基板12上に直接に実装されるようになる。すなわち、回路モジュール10及び複合回路モジュール200では、アルミナ等のセラミックにより作製されている基体504が不要となると共に、SAWデバイス502の低背化が図られる。よって、回路モジュール10及び複合回路モジュール200では、破損が発生しやすいSAWデバイス502と基体504との接続が存在しない。その結果、回路モジュール10及び複合回路モジュール200によれば、リフロー工程等の加熱冷却時に、回路モジュール10内部における接続に破損が発生することを抑制できる。また、回路モジュール10及び複合回路モジュール200では、バンプ24a~24fは、はんだバンプである。はんだバンプは、例えば、金バンプに比べてヤング率が小さいので変形しやすい。そのため、加熱によって、実装基板12及び圧電基板17に変形が発生したとしても、バンプ24a~24fは、金バンプに比べて大きく変形するので破損しにくい。その結果、回路モジュール10及び複合回路モジュール200では、回路モジュール10内部における接続に破損が発生することを抑制できる。なお、表1にも記載したように、カバー層20,22、実装基板12及びマザー基板201は、圧電基板17よりも小さいヤング率を有しているので変形しやすい。そのため、熱あるいは機械的な衝撃による変形を圧電基板17以外の部材で吸収できるため、バンプ24a~24fは、金バンプであっても回路モジュール10内部における接続に破損が発生することを抑制できる。また、回路モジュール10及び複合回路モジュール200では、圧電基板17のヤング率は、実装基板12のヤング率、カバー層20,22のヤング率及びマザー基板201のヤング率よりも大きい。これにより、回路モジュール10内に発生した応力をカバー層20,22、実装基板12等のヤング率の小さい部材で分散させることができ、応力集中を緩和することができるため、回路モジュール10内部における接続に破損が発生することをより効果的に抑制できる。なお、本実施形態のようなヤング率を持つ材料を使用すると共に、線膨張係数を別に設定してもよい。線膨張係数が近似する材料を圧電基板17、カバー層20,22、実装基板12及びマザー基板201として使用することにより、加熱されたときの膨張量収縮量の差を小さくすることができる。これにより、圧電基板17と実装基板12との接続部又は実装基板12とマザー基板201との接続部における応力集中による破断などを防止できる。"