"感知装置において、少なくとも1つの磁気抵抗感知要素504,506と、前記少なくとも1つの磁気抵抗感知要素を調整するための少なくとも1つの向き変え要素302と、i少なくとも1つの磁気抵抗感知要素504,506の少なくとも1つのオフセット調整を行うために少なくとも1つの向き変え要素に通信可能に結合されたオフセットストラップドライバー回路508と、ii少なくとも1つの磁気抵抗感知要素504,506の少なくとも1つのセット/リセットコントロールを行うために少なくとも1つの向き変え要素302に通信可能に結合されたセット/リセットストラップドライバー回路510と、iii第1の磁気抵抗感知要素504および第2の磁気抵抗感知要素506各々の出力を機能的に調整するための第1の演算増幅器512および第2の演算増幅器514と、の少なくとも1つを包含する半導体回路と、を備えており、前記少なくとも1つの磁気抵抗感知要素と、前記少なくとも1つの向き変え要素と、前記半導体回路は、単一のパッケージ内に配置され、前記半導体回路の少なくとも一部分と前記少なくとも1つの磁気抵抗感知要素は、第1のチップ上にモノリシックに形成され、前記半導体回路の少なくとも一部分は、第2のチップ上にモノリシックに形成されている、ことを特徴とする感知装置。前記第1及び第2チップは電気的に一体に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の感知装置。前記半導体回路と前記磁気抵抗感知要素の間に配置されているシールドを更に備えていることを特徴とする請求項1に記載の感知装置。少なくとも1つの磁気抵抗感知要素504,506が、第1の磁気抵抗感知要素504および第2の磁気抵抗感知要素506を包含し、前記半導体回路の第1の部分と第1の磁気抵抗感知要素が前記第1のチップに形成され、前記半導体回路の第2の部分と第2の磁気抵抗感知要素が第2のチップに形成されることを特徴とする請求項1に記載の感知装置。前記半導体回路の第1の部分が、少なくとも、第1の磁気抵抗感知要素504のオフセット調整を行うために少なくとも1つの向き変え要素に通信可能に結合されたオフセットストラップドライバー回路508と、第1の磁気抵抗感知要素504のセット/リセットコントロールを行うために少なくとも1つの向き変え要素に通信可能に結合されたセット/リセットストラップドライバー回路510と、第1の磁気抵抗感知要素504の出力を機能的に調整するための第1の演算増幅器512と、を包含し、前記半導体回路の第2の部分が、少なくとも、第2の磁気抵抗感知要素506のオフセット調整を行うために少なくとも1つの向き変え要素に通信可能に結合されたオフセットストラップドライバー回路と、第2の磁気抵抗感知要素506のセット/リセットコントロールを行うために少なくとも1つの向き変え要素に通信可能に結合されたセット/リセットストラップドライバー回路308と、第2の磁気抵抗感知要素506の出力を機能的に調整するための第2の演算増幅器514と、を包含することを特徴とする請求項4に記載の感知装置。少なくとも1つの増幅器が、少なくとも1つの半導体回路の第1及び第2の部分に包含されることを特徴とする請求項4に記載の感知装置。前記第1のチップが、前記第2のチップに対して直交して配置されることを特徴とする請求項1に記載の感知装置。前記第2のチップが、前記第1のチップの近位に配置されることを特徴とする請求項1に記載の感知装置。前記第1および第2のチップが電気的に接続されておらず、電気的な相互作用が電気的な接続のとは無関係であることを特徴とする請求項8に記載の感知装置。磁気感知装置とそれを作成する方法及びそれを使用する方法を開示している。感知装置は、磁界を検出又は測定するための1つ又は複数の磁気抵抗感知要素と、磁気抵抗感知要素を調整するための1つ又は複数の向き変え要素と、向き変え要素を制御又は駆動するためのドライバー回路を有する半導体回路とを含んでいる。磁気抵抗感知要素、向き変え要素、及び半導体回路は、全て、単一のパッケージ内に配置されているか、及び/又は単一つのチップ上にモノリシックに形成されている。本発明の好適な実施形態を、添付図面に関連付けて以下説明するが、各図面を通して、同様な要素には同様な参照番号を付している。本発明の原理を適用することのできる多種多様な実施形態に鑑み、図示の実施形態は、単なる例であり、本発明の範囲を限定するものではない旨理解頂きたい。代表的な構造図1は、或る実施形態による、1つ又は複数の半導体装置構成要素の1つ又は複数の磁気抵抗感知要素との統合を示す単純化したブロック図である。一般に、統合又は統合されたという用語は、1つ又は複数のサブシステムが、より大きなシステムの中に含まれていることを意味している。他方、一体化されたとは、そのサブシステム、構造及び機能が、より大きなシステムの別の部分と混合されていることを示している。特に指定しない限り、本説明では、一体化された及び統合されたという用語は、どちらか又は両方の定義による複合アッセンブリを述べるのに互換可能に用いている。装置100は、第1及び第2部分102、104を含んでいる。第1部分102は、磁気抵抗感知要素以後、まとめてMRセンサーと呼ぶと、薄膜トレースのような配線とを含んでいる。第2部分104は、セット/リセットドライバー回路のような1つ又は複数の半導体装置構成要素を含んでいる。或る好適な実施形態では、第2部分104は、更に、信号調整回路と、第1部分102のMRセンサーのためのESD静電放電保護用回路を含んでいる。以下に論じるように、第2部分104は、CMOS相補形金属酸化膜半導体に用いられるような標準的な半導体製作技法には、特に適している。第1及び第2部分102、104は、同じチップ内に配置されているので、装置100は、個別の、1つのチップの、即ちモノリシック設計である。半導体装置をMRセンサーと統合する先行技術による試みでは、通常、少なくとも2つのダイが印刷回路板上に個々に配置され、末端のユーザーの装置例えば、携帯電話、携帯装置、時計、自動車のセンサーなどが大型になり、より複雑になる結果となっていた。1チップ設計の装置100は、大きさを小さくし、機能を追加することができる。第1及び第2部分102、104は、例えばCMOS、バイポーラ、バイポーラCMOS、GaAsヒ化ガリウム及びInPリン化インジウムのように、標準的なRFマイクロ波処理を使って製造することができる。GaAsのような技術は、処理速度の点では利点を提供できるが、SOI絶縁体上シリコン又はMOI絶縁体上マイクロ波、SOIの変更例を含む技法のような他の技法を使用すると、電力消費を最大限に削減することができる。或る実施形態では、SOIの0.35μ処理を使用している。或る好適な実施形態では、第1部分102は、以下に参考文献として援用している特許のリストに記載されているような標準的なリソグラフィー、金属被覆及びエッチング処理を使って製造されている。しかしながら、MRセンサーを製造するための他の技法を使用してもよい。第2部分104は、SOIの0.35μ処理、又はGaAs処理のような別のRF/マイクロ波法を使って製造するのが望ましい。MRセンサーを1つ又は複数の半導体装置構成要素と統合するのは、少なくとも2つの方法の内の1つで実現することができる。第1の実施形態では、MRセンサーは、半導体装置構成要素と同じダイ上に製作することができ、信号調整及びESD保護回路のような別の回路を含んでいてもよい。第2の実施形態では、MRセンサーは第1ダイ上に製作され、半導体装置構成要素の少なくとも幾つかは第2ダイ上に製作される。第1及び第2ダイは、互いに近接して配置され、単一の統合された回路集積回路チップ内にパッケージしてもよい。何れの場合も、具体的な用途次第で、半導体装置構成要素とMRセンサーの間に1つ又は複数の接続を含んでいるのが好都合である。例えば、そのような接続は、フィードバックを提供する。代わりに、半導体装置構成要素とMRセンサーは、互いに物理的には近接しているが、意図的な電気的相互作用は無くてもよい。従来式の半導体処理技法を使用できるので、具体的な半導体装置回路は、柔軟性があるためここでは開示していない。従って、CMOS/バイポーラ/バイポーラCMOSで実施可能な従来式の半導体設計は、目下開示している実施形態に従って使用することができる。実施することのできる代表的な半導体装置には、限定するわけではないが、コンデンサ、誘導子、演算増幅器、MRセンサー用のセット/リセット回路、加速度計、圧力センサー、位置感知回路、コンパス回路などがある。半導体装置構成要素の中には、MRセンサーの作動に影響を与えるほどの電磁場を生成するものもある。従って、統合装置100のMRセンサー部分102の高感度部分は、センサーの作動を最適にするため、半導体装置部分104の部分と物理的に分離されていなければならない。分離の量は、例えば理論的又は実験的手段を使って判定される。統合装置100の干渉する恐れのある部分の間に物理的な分離を導入する代わりに、米国仮特許出願第60/475191号に記載されているように、遮蔽層を設けてもよい。代表的製作技法図2は、装置200の代表的な断面を示しており、セット/リセットドライバー回路と共に使用される半導体構成要素ような1つ又は複数の半導体構成要素が、MRセンサーと共に実装されている。この例では、CMOS/バイポーラ半導体技術を想定している。半導体装置構成要素MRセンサー部分に関連するセット及び/又はオフセットストラップ用のあらゆる信号調整回路とドライバーを含むは、主にCMOS/バイポーラ下層内に製作され、MRセンサーは、接点ガラス層208の上方の層202-206内に製作されている。更に、図2には、様々な接点V1-V3及び金属被覆M1-M3と、NiFeパーマロイ構造第1絶縁体層206を参照が示されている。下層210、接点ガラス層208及び第1絶縁体層206に加えて、第2絶縁体層204と、不活性化層202も図示されている。或る実施形態では、層202-206は、標準的なリソグラフィー、金属被覆及びエッチング処理を使って形成されており、層208-210は、SOIの0.35μ処理か、GaAs処理のようなRF/マイクロ波法を使って形成されている。MRセンサーの別の構成要素セット、リセット及びオフセットストラップ;信号調整回路、及びESD保護回路は、層206-210内の様々な場所に含まれており、それら全てを図2に示してはいない。代表的磁気抵抗設計MRセンサーの設計に関して更に良く分かるように、以下のHoneywellの特許及び/又は特許出願を参照してゆくが、その全体を、参考文献としてここに援用する。1Bohlingerらへの米国特許第6,529,114号磁界感知装置この装置は、水晶の異方性磁界方向を有するMR材料で形成されている2つのセンサーユニットを含む、磁界を測定するための2軸統合装置を含んでいる。2つのセンサーユニットの内の第1センサーの要素は、第1方向に全異方性磁界を有している。2つのセンサーユニットの内の第2センサーの要素は、第1方向に垂直な第2方向に全異方性磁界を有している。第1及び第2センサーユニットの要素内の磁化の方向を設定するための手段が提供されている。第1センサーユニットの出力は、第1方向に垂直な磁界成分を表し、第2センサーの出力は、第2方向に垂直な磁界の成分を表す。2Pantらへの米国特許第6,232,776号Pantらの特許センサー面で入射磁界を等方的に感知するための磁界センサーPantらの特許は、入射磁界を等方的に感知する磁界センサーを提供している。これは、入射磁界を感知するための1つ又は複数の円形のMRセンサー要素を有する磁界センサー装置を備えることによって実現するのが望ましい。使用されるMR材料は、等方性であるのが望ましく、並外れた磁気抵抗CMR材料か、又は或る形態の巨大な磁気抵抗GMR材料である。センサー要素は円形なので、形状異方性は最小となる。従って、出来上がった磁界センサー装置は、センサー面での入射磁界の方向には比較的依存しない出力を提供する。Pantらの特許の或る実施形態では、磁界センサーは、第1脚と第2脚を含んでいる。第1脚は、出力ネットと第1電力供給端子の間に接続されている。第2脚は、出力ネットと第2電力供給端子の間に接続されている。入射磁界を等方的に感知するために、MR材料で形成されている少なくとも1つの円形のセンサー要素が、第1脚と第2脚の内の少なくとも1つに組み込まれている。2つ以上の円形のMRセンサー要素が、第1脚か第2脚の一方に組み込まれ、他方の脚は、非磁気抵抗材料で形成されているのが望ましい。2つ又はそれ以上の円形センサー要素は、多数の非磁気抵抗コネクタを介して直列に接続され対応する脚を形成しているのが望ましい。磁気センサー装置の感度を最大にするには、円形センサー要素は、CMR材料で形成するのが望ましい。しかしながら、GMR材料を使用することも考えられる。図示のCMR材料は、一般的に式LnAMnO3で表され、ここに、LnはLa、Nd又はPrであり、AはCa、Sr、Ba又はPbである。CMR材料は、LaCaMnOで、Laの濃度が26-32原子百分率、Caの濃度が9-20原子百分率、Mnの濃度が47-64原子百分率であるのが望ましい。Pantらの特許の別の実施形態では、磁界センサーは、第1脚、第2脚、第3脚及び第4脚を含んでいる。第1脚と第2脚は、第1出力ネット及び第2出力ネットそれぞれと第1電力供給端子との間に接続されているのが望ましい。第3脚と第4脚は、第1出力ネット及び第2出力ネットそれぞれと第2電力供給端子との間に接続されているのが望ましい。入射磁界を等方的に感知するために、MR材料で形成されている少なくとも1つの円形のセンサー要素が、第1脚、第2脚、第3脚及び第4脚の内の少なくとも1つに組み込まれている。第1脚と第4脚は、それぞれ、2つ又はそれ以上の円形のMRセンサー要素で形成され、第2脚と第3脚は、非磁気抵抗材料で形成されているのが望ましい。第1脚と第4脚のそれぞれは、対応する2つ又はそれ以上の円形センサー要素が、多数の非磁気抵抗コネクタによって直列に接続され対応する脚を形成しているのが望ましい。円形のMRセンサー要素は、先に述べたのと同じCMR材料で形成されているのが望ましい。3Wanへの米国特許第5,952,825号Wanの特許磁界を作るための一体化されたコイルを有する磁界感知装置Wanの特許は、設定/再設定特性と、固有のコイル配置を使用して磁気感知要素に既知の磁界を作る独立した特性の両方を提供している。これらの両方の特性が磁界センサーに存在していると、センサーの機能性が、2つの特性を有する個々の機能の総計を遥かに超えて増大する。これをやり易くするため、Wanの特許は、電気的橋絡ネットワーク内に配置されたMRセンサー内の磁気領域を設定及び再設定するための手段と、相対する橋絡要素内の磁化の方向を設定するための電流ストラップとを含む非常に小さな低電力の装置を使用している。相対する橋絡要素内の磁化の方向は、具体的な設計次第で、同じ方向に設定してもよいし、反対方向に設定してもよい。電流ストラップは、磁界感知要素に既知の磁界を作り出す。既知の磁界は、試験、設定、補正、校正のような機能、並びにフィードバックアプリケーションに用いられる。4Witcraftらへの米国特許第5,820,924号磁気抵抗センサーを製作する方法Witcraftらの特許は、iシリコン基板を提供する段階を含む磁界センサーを製作する段階と、ii前記基板上に絶縁層を形成し、第1磁界を新しいラインとして生成する段階と、iii前記絶縁層上の前記MR材料の第1磁界が存在する中に層を形成する段階と、iv異方性磁界の第1値を求める段階と、v所望の異方性磁界を提供するように選択された温度でアニーリングする段階と、を含む方法を提供している。5Pantらへの米国特許第5,247,278号Pantらの特許II磁界感知装置Pantらの特許IIは、設定/再設定特性と、磁気感知要素に既知の磁界を作り出す独立した機能とを提供している。これらの両方の特性が磁界センサーに存在していると、センサーの機能性が、2つの特性を有する個々の機能の総計を遥かに超えて増大する。或る態様では、Pantらの特許IIは、電気的橋絡ネットワーク内に配置されたMR感知要素内の磁気領域を設定及び再設定するための装置を含んでいる。電流ストラップは、具体的な設計次第で、相対する橋絡要素内の磁化の方向を、同じ方向か、又は反対方向に設定するように設けられている。本発明の別の態様では、第2電流ストラップは、磁界感知要素に既知の磁界を作り出す。既知の磁界は、試験、設定、及び校正のような機能に用いられる。6Witcraftらの米国特許出願第09/947,733号Witcraftらの特許II磁気センサー上のセット及びオフセットストラップの効率を改良するための方法及びシステムWitcraftらの特許IIは、キーパー材料を磁界感知構造に近接して提供する段階を含む、磁界センサーを製造するための方法を提供している。センサーは、基板、電流ストラップ及び磁界感知構造を含んでいる。Witcraftらの特許IIは、更に、電流ストラップとしてセット-リセットストラップかオフセットストラップのどちらかを提供している。この実施形態は、更に、同じセンサー内にセット-リセットストラップとオフセットストラップの両方を含んでいてもよい。別の実施形態では、磁界感知構造は、更に、互いに、及び出力端子に電気的に接続されているパーマロイ条片を含んでおり、ここで磁界表示が作り出される。7Wanらの米国特許出願第10/002,454号Wanらの特許II360度の回転式位置センサーWanらの特許IIでは、360度回転式位置センサーは、ホールセンサーとMRセンサーを備えている。磁石又は360度回転式位置センサーの一方は、回転軸に取り付けられている。360度回転式位置センサーは、磁石に相当近接して配置されているので、磁石が生成した磁界を検出することができる。ホールセンサーは、磁界の極性を検出する。MRセンサーは、磁界の角度位置を180度まで検出する。ホールセンサーからの出力とMRセンサーからの出力を組み合わせると、磁界の角度位置を360度まで感知できる。8Dettmannらへの米国特許第5/521,501号Dettmannらの特許再磁化線と1つ又は複数の磁気抵抗抵抗器で作られている磁界センサーDettmannらの特許は、磁界依存抵抗器の長手方向に垂直に、絶縁様式で配置されている高伝導薄膜導体条片上に1つ又は複数のMR薄膜条片を備えている単一の磁界依存抵抗器を提供している。高伝導薄膜導体条片には、蛇行構造が設けられている。交番磁界方向を有する蛇行条片が互いに隣接して配置され、抵抗が測定対象の磁界の影響の下で全てのサブレンジで等方向に変化しているにもかかわらず、電流の流れの下で抵抗を作り出すために、MR薄膜条片は、条片の長手方向に対して或る角度で反対方向に傾斜している床屋の看板柱様構造を有する領域に分割されている。高伝導薄膜導体条片は蛇行しているので、磁化の方向を逆転させるのに必要な電流が僅かで済むことになり好都合である。更に、互いに隣接して配置されている蛇行条片の磁界は、反対方向であるために互いに大きく相殺し合うので、センサーチップの外側に存在する漂遊磁界は、非常に低い。従って、磁界センサーは、互いに近接して作動させることができる。同じ理由で、再磁化導体のインダクタンスも非常に低いので、インダクタンスによる測定周波数の制限は生じない。磁界センサーをMR抵抗器で作動させる場合、MR抵抗器には定電流が供給される。MR抵抗器の電圧は、出力信号として測定される。或る方向の電流パルスが高伝導薄膜導体条片を通って流れると、MR抵抗器の領域内の自己磁化は、或る方式で設定される。この状態では、測定対象の磁界は、MR抵抗器の抵抗値を増大させる。これは、出力信号が、磁界の無い場合より大きいことを意味している。次いで先のパルスと反対方向の電流のパルスが高伝導薄膜導体条片に送られると、自己磁化の方向が逆転する。従って、測定対象の磁界は抵抗が減少し、出力電圧は、磁界が無い場合より小さくなる。パルスの方向が一定に変化すれば、測定対象の磁界に比例する振幅を有するAC電圧が、出力に存在することになる。MR薄膜条片の抵抗値の低速ドリフトに繋がる温度のような全ての影響は、AC出力電圧に影響を与えない。しかし、出力AC電圧振幅における温度が高くなると、MR効果の減少が認められる。従って、別の実施形態では、更に高伝導の薄膜条片が、全てのMR薄膜条片の下に設けられている。これらの高伝導薄膜条片を通る電流は、測定対象の掛けられる磁界が電流によって丁度相殺されるように、センサーの出力電圧によって制御される。この場合、MR磁界センサーはゼロ検出器として作用する。この装置の出力量は、補正電流の量であり、装置の温度には依存しない。同様に、センサーは変調されないので、非線形性は、センサー特性曲線に何の役割も果たさない。Dettmannらの特許の別の実施形態では、それぞれが複数の領域を備えている4つの平行MR抵抗器が、薄層の再磁化導体と高伝導補正導体の上に設けられている。領域には、それぞれが床屋の看板柱様構造の正及び負の角度の交互する領域で始まるように、MR薄膜条片の長手方向から正の角度と負の角度に交互する床屋の看板柱様構造が設けられている。4つの抵抗器は、ホイートストンブリッジを形成するように接続されている。再磁化導体を互いに反対方向に交番するパルスで再作動させると、ブリッジの出力にAC電圧信号が現れる。この信号には、ブリッジの恐らく同じでない4つの抵抗値から生じる1つの直流電圧信号だけが重ねられる。しかしながら、この直流電圧成分は、1つの抵抗器を使用した場合より相当に小さく、単純な評価が可能となる。勿論、ここでも測定対象磁界の補正を採用してもよい。ブリッジ装置は、偶数の領域から形成されている4つの抵抗器を備えている。床屋の看板柱様構造の角度の順序だけが、抵抗器毎に変わっている。再磁化の方向は、領域内で、再磁化導体を通る第1の強力な電流パルスによって設定される。センサーブリッジは、磁界に反応するので、更に再磁化すること無く従来の方法で使用することができる。ブリッジの4つ全ての抵抗器が同じ領域を備えているので、センサー装置の温度が変化しても、全抵抗器で同じ変化が起こるものと期待される。これは、層電圧変動、及びその結果としての磁気歪みのために生じる変動成分にも当てはまる。従って、センサーブリッジは、既知のセンサーブリッジ装置に比べてゼロポイントが小さく、従って、より小さい磁界を従来方式で測定するのにも適している。再磁化導体を通る定電流は、一定の安定した磁界を生成するように作用し、それによって一定のセンサー感度が設定される。従って、Dettmannらの特許の装置は、磁界測定の様々な評価方法に用いることができ好都合である。代表的な金属-絶縁体-金属コンデンサーの統合セット/リセットドライバ回路の機能性を持たせるために、図2の装置200は、多数の半導体装置構成要素を含んでいる。更に、第1誘電層206内に示されている金属‐絶縁体‐金属MIMコンデンサー350のような1つ又は複数の特殊なコンデンサーが含まれている。図示のように、MIMコンデンサー350は、接点V1と、低抵抗金属被覆M1の上に重なっている窒化物層との間に配置されている。MIMコンデンサー350は、第1誘電層206内に配置されるように図示しているが、替わりに、不活性化層202、第2誘電層204又はCMOS/バイポーラ下層210のような別の場所にあってもよい。統合型MIMコンデンサーは、小型で、多分全体のパッケージが小さくなるため、先行技術のMRセンサーと共に使用される線形コンデンサーを改良したものとなる。装置200は、MRセンサーに適した構成であり、パーマロイ及び構造が異なる他の構成を替わりに使用してもよい。更に別の実施形態では、MIM蓄電器350を、装置200内に組み込み、CMOS/バイポーラ下層210を、削除するか、又は何か別のベース又は基板材料と置き換えることもできる。統合型又は一体型セット/リセット回路図3は、代表的な実施形態による、ダイ上に、又はMRセンサーとモノリシックに実装される代表的なセット/リセット回路360、362を示す概略図である。図3に示す回路設計は、多くの可能な設計の一例であり、本発明を限定するものではない。代表的な回路360は、MRセンサーの信号ゲインを上げる増幅回路である。負のフィードバックループを有する2つの演算増幅器は、磁気抵抗ブリッジの脚を横切って感知される、局所磁界の変化を示す差動電圧信号を提供する。示された抵抗器値は、或る好適な実施形態に特に適しており、別の抵抗器値と構成は、別のMRセンサー設計により適している。同様に、2つの演算増幅器を回路360用に示しているが、別の設計では、これより多いか又は少ない演算増幅器を使用しており、これより多いか又は少ないバイアス抵抗器を備えている。代表的な回路362は、セット/リセットストラップを通るセット/リセット電流パルスを生成し、ブリッジ回路の薄膜磁気領域を適切な方向に適切に向ける切替回路である。回路362は、セット/リセットパルスを提供するようにESDRリレーによって切替られる相補対の電界効果トランジスタを含んでいる。回路360と同様に、特定の磁気抵抗器センサーを設計選択すると、切替回路が変わることになる。図示の抵抗器値は、或る好適な実施形態に合った値である。回路364は、完全に随意的なものであり、試験目的で用いられる。これは、本発明の意図する範囲から逸脱することなく、多くのアプリケーション特定の特性をセット/リセットドライバー回路に含ませることができるという柔軟性を示している。図3に示している全ての回路には、様々な修正を施すことができる。例えば、熱ドリフトを防ぐために熱又は温度補正回路が含まれている。代表的な半導体回路の統合図4は、セット/リセットドライバー回路が、チップ上に、又はMRセンサーとモノリシックに統合されている装置300の1つの実施形態の平面図である。装置300の代表的な部分は、磁気抵抗ブリッジ301、セット/リセットストラップ302、オフセットストラップ304、セット/リセット回路306-308、ブリッジ301の脚のインピーダンスを整合させるためのレーザートリムサイト310、ESD保護ダイオード312、MIMコンデンサー314、演算増幅器316、接点318及び試験サイト320を含んでいる。更なる情報については、先に援用した特許及び特許出願を参照されたい。図5-6は、MRセンサーと統合されている半導体回路の型式の例を示す単純化した回路図500-600である。これらの代表的な線図は、MRセンサーと統合され、又は一体化されている回路の網羅的又は柔軟性のないリストを意図したものではなく、むしろ、そのように組み合わせられている回路の幅を示すためのものである。図5は、MRセンサーと統合されているコンパス回路502を示す単純化した回路図500である。この実施形態では、MRセンサーは、第1及び第2磁気抵抗感知要素504、506で形成されている。第1及び第2磁気抵抗感知要素504、506は、直交する磁界を感知し、それに応答して第1及び第2出力を提供する。三次元座標システムでは、例えば、第1磁気抵抗感知要素504は、X方向の磁界を感知し、第2磁気抵抗感知要素506は、Y方向の磁界を感知する。X-Y面は、勿論、座標システムによっては回転させてもよい。セット/リセット及び/又はオフセットストラップ図示せずの形態をした1つ又は複数の向き変え要素は、第1及び第2磁気抵抗感知要素504、506の上に形成されるか、又はこれと統合されている。先に述べたように、これらの向き変え要素は、第1及び第2磁気抵抗感知要素504、506の感知特性を制御及び調整するのに用いられる。コンパス回路502は、i第1及び/又は第2磁気抵抗感知要素504、506のオフセット調整を行うためのオフセットストラップドライバー回路508と、ii第1及び/又は第2磁気抵抗感知要素504、506のセット/リセットの順序付けを行うためのセット/リセットストラップドライバー回路510と、iii第1及び第2磁気抵抗感知要素504、506の出力を機能的に調整するための第1及び第2演算増幅器512、514と、を含んでいる。ストラップドライバー回路508、セット/リセットストラップドライバー回路510、及び第1及び第2差動増幅器512、514は、第1及び第2磁気抵抗感知要素504、506と同じパッケージに展開されている。替わりに、この回路は、同じダイ上に、第1及び第2磁気抵抗感知要素504、506とモノリシックに形成してもよい。コンパス回路502は、MRセンサーの温度の悪影響を阻止する温度補正回路を含んでいる。温度補正は、例えば、サーミスター、パーマロイ要素及び/又は能動調製回路の形態をしている。能動調製回路は、変化、即ち、温度の影響による電圧又は電流の減少又は増加を感知し、それに応じて電流及び/又は電圧の形態の補正を提供する。コンパス回路502は、別の要素も含んでいる。コンパス回路502の構成要素の詳細については、本開示に加えて、先に援用した特許及び特許出願を参照されたい。図6は、MRセンサーと統合されている第2コンパス回路602を示す単純化した回路図600である。この実施形態では、MRセンサーは、3つの直交磁界を感知できる第1、第2及び第3磁気抵抗感知要素604-608で形成されている。第1及び第2磁気抵抗感知要素604、606は、第1ダイ上に製作されており、第3磁気抵抗感知要素608は、第2ダイ上に製作されている。第2ダイは、本実施形態では、第1及び第2磁気抵抗感知要素604、606と共にパッケージングしてもよいし、そうでなくてもよい。三次元の座標システムでは、第1磁気抵抗感知要素604は、X方向の磁界を感知し、第2磁気抵抗感知要素606は、Y方向の磁界を感知する。第3磁気抵抗感知要素608は、Z方向の磁界を感知する。コンパス回路502と同様に、セット/リセット及び/又はオフセットストラップ図示せずの形態をした1つ又は複数の向き変え要素は、第1、第2及び第3磁気抵抗感知要素604-608上に形成され、又はこれと統合されている。コンパス回路602も、セット/リセット-ストラップ-ドライバー回路610と、第1、第2及び第3差動増幅器612-616と共に展開されている。セット/リセットストラップドライバー回路610は、第1、第2及び/又は第3磁気抵抗感知要素604-608のセット/リセット順序付けを行う。第1、第2及び第3差動増幅器612-616は、第1、第2及び第3磁気抵抗感知要素604-608の出力を、それぞれ機能的に調整するのに用いられる。本実施形態では、セット/リセット-ストラップ-ドライバー回路610と、第1、第2及び第3差動増幅器612-616の全ては、第1ダイ上に形成されている。しかしながら、第3磁気抵抗感知要素608とセット/リセットストラップが第2ダイ上に形成されていれば、セット/リセット-ストラップ-ドライバー回路610と第3差動増幅器616は、第2ダイと相互接続されている。従って、ノード618でコンパス回路602に加えられるセット/リセットパルスは、第1ダイを通り、セット/リセットインターフェース620を出て、第3磁気抵抗感知要素608のセット/リセット順序付けを実行するために、第2ダイに進む。同様に、第3差動増幅器616へと予定されている第3磁気抵抗感知要素608の出力信号は、センサーインターフェース622を通って第1ダイへ進む。別の実施形態では、セット/リセット-ストラップ-ドライバー回路610と、第1、第2及び第3差動増幅器612-616の内の幾つかは、第1ダイ上に形成されている。例えばセット/リセット-ストラップ-ドライバー回路610と第3差動増幅器616のような別の部分は、第2ダイ上に形成され、第1ダイに相互接続されている。当業者には理解頂けるように、コンパス回路602の構成要素の別の組み合わせも可能である。コンパス回路502と同様に、差動増幅器612-616は、それぞれ、磁気抵抗要素604-608の望ましくない変化を、有益に補正及び/又は取り消す随意の調節可能なオフセット及びゲインと共に展開されている。コンパス回路602は、先に述べたような、MRセンサーの温度の悪影響を阻止する温度補正回路も含んでいる。半導体構成要素をMRセンサーと統合するための代表的なプロセス下記表1は、セット/リセット回路のような1つ又は複数の半導体装置構成要素をMRセンサーと統合するための単純化した代表的なプロセスを示している。過去には、半導体鋳造工場は、そのプロセスが、磁気センサーを製造するのに通常用いられる材料によって汚染されるのを防ぐために相当に苦労したので、そのようなプロセスが独特なものになっていると考えられる。更に、磁気関連事業の会社例えば、ディスクドライブヘッド製造業者などは、電子機器会社とは区別されており、その特殊な製造技法は、互いに大きく隔たっている。或る好適な実施形態では、半導体装置処理はフロントエンドで行われ、MRセンサー作成に関連するリソグラフィーとエッチング段階は、バックエンドで行われる。表1は、多くのMRセンサー製造プロセスに一般的に適用できるように意図したものであり、そのため、具体的な構成をどのように得るかについての詳細事項を含んでいない。図2に示す構成では、誘電体と金属被覆の複数の層を得るために、バックエンド段階を数回繰り返すことになる。勿論、追加の洗浄及び他の段階も、適宜実行される。以上、MRセンサー装置と統合されているセット/リセットドライバー回路を有する装置と、代表的な処理オプションについて説明してきた。そのような統合された装置は、単一のチップとして製造することができるので、ユーザーは、特に、小型で多機能であるという利点を実現することができる。結論以上の詳細な説明では、ここに記載している代表的な実施形態を完全に理解して貰えるように、数多くの特定の詳細事項について説明している。しかしながら、理解頂けるように、これらの実施形態は、特定の詳細事項無しに実施することができる。別の例では、周知の方法、手順、構成要素及び回路については、後続の説明を混乱させないように、詳細に説明していない。更に、開示している実施形態は、例を示すためのものであり、別の実施形態を、開示している実施形態の代わりに使用してもよいし、これと組み合わせてもよい。更に、上記装置と構成要素を、上記技法だけでなく、シリコン/ガリウムヒ化物Si/GaAs、シリコン/ゲルマニウムSiGe、及び/又はシリコン/炭化物SiC製作技法を使って製作することも考えられる。これらの技法の中には、ヘテロ接合バイポーラトランジスタHBT製作プロセス、及び/又は、金属半導体電界効果トランジスタMESFET製作プロセスが含まれている。ここに記載している代表的な実施形態は、約0.4、5、10、12、24及び48ボルトの直流、及び約24及び120ボルトの交流などの適切な電圧を供給する、バッテリー、同期発電機などのような適切な電圧源を含むか、又はそれらと共に使用される様々な設備及び他の装置に展開することができる。以上、代表的な実施形態について図示し、説明してきた。更に、請求項は、その効果について述べていない場合は、記載している順序又は要素に限定しているわけではない。更に、手段という用語を使用している請求項については、U.S.C.§112、6の行使を意図しており、手段という用語の無い請求項は、そう意図していないということである。"