"Si-C溶液面に接触させたSiC種結晶の接触面にSiC単結晶を成長させる、溶液法によるSiC単結晶の製造方法において、結晶成長が完了した時に、成長したSiC単結晶が接触している上記溶液近傍のSi-C溶液のC濃度を低下させた後に、上記成長したSiC単結晶を上記溶液面から引き上げることを特徴とする溶液法によるSiC単結晶の製造方法。請求項1において、成長したSiC単結晶が接触している上記溶液近傍のSi-C溶液のC濃度を7at以下に低下させることを特徴とするSiC単結晶の製造方法。本発明は、上記従来技術の欠点を解消し、成長結晶端部のクラック発生を防止して、溶液法によりSiC単結晶を製造する方法を提供することを目的とする。上記の目的を達成するために、本発明によれば、Si-C溶液面に接触させたSiC種結晶の下面にSiC単結晶を成長させる、溶液法によるSiC単結晶の製造方法において、結晶成長が完了した時に、成長したSiC単結晶が接触している上記溶液面の近傍のSi-C溶液のC濃度を低下させた後に、上記成長したSiC単結晶を上記溶液面から引き上げることを特徴とする溶液法によるSiC単結晶の製造方法が提供される。本発明によれば、成長結晶端部に付着するSi-C溶液のC濃度が低下しているので、固化時に発生する応力が軽減され、クラックの発生が防止される。溶液法によるSiC単結晶の成長法においては、溶液のC濃度が低いとSiC単結晶の成長速度が遅い最大で70μm/hr程度ため、溶液のC溶解度を高める第3元素Cr等を添加してC濃度を高めることが一般的である。しかし、C濃度が高いと付着溶液の固化時に成長結晶と結合してクラックが発生する。本発明においては、結晶成長中は成長速度を確保するために必要なC濃度を維持し、結晶成長完了時にC濃度を低下させてクラックの発生を防止する。結晶成長完了時にC濃度を低下させる方法は、下記のいずれかによる。1成長結晶を引き上げる直前に、Si-C溶液の温度を低下させる。2成長結晶を引き上げる直前に、Si-C溶液のC溶解度を上げない元素を添加する。3成長結晶をSi-C溶液が固化しない温度まで昇温させ、Si-C溶液のC溶解度を上げない元素を添加してから、成長結晶を引き上げる。上記1のSi-C溶液の温度を下げる方法としては下記のいずれかが可能である。a高周波コイルの出力を下げるb高周波コイルに対する坩堝位置を変更する上記23で用いる、Si-C溶液のC溶解度を上げない元素としてはSiが最も適している。しかしSiに限定する必要はなく、Co,Nd,Py等の希土類元素、Al,Ga,In,Ti,P,As,Sb,Bi,Mo,Ni、等を用いることもできる。なお、成長結晶を引き上げる際には、成長結晶端部への溶液の付着を低減させるために、成長結晶を回転させることが望ましい。また、添加元素の供給は、黒鉛製の筒を介して粒状の元素Si等を溶液中に投入することができる。添加元素提供時には、溶液の回転等の溶質の攪拌を促進する工程を停止する事で、溶液を流動させない事が望ましい。また、溶液のC濃度を下げる時は、単結晶が接触している溶液近傍のC濃度を下げる事で、溶液におけるC濃度を下げる対象とする領域を絞り込むことができる。更にそのC濃度を下げる対象とする領域は成長した単結晶を引き上げる工程で単結晶に付着しうる領域である事が望ましい。そうすることによって、結晶引き上げ時に付着する溶液のC濃度をより確実に減らす事ができる。また、C濃度を減少させる操作後は、C濃度が減少した領域が拡散しないように、溶液の攪拌を行わない事が望ましい。図1に示した結晶成長装置により、表1に示したようにSi-C溶液のC濃度を2at~17atに変化させ、種結晶4H-SiCを用いて、成長温度1900°CでSiC単結晶を成長させた。成長結晶の端部におけるクラック発生の有無を調べ、表1に併せて示した。なお、表1中で、○はクラック発生なし、×はクラック発生ありを示す。0/5などの分数n1/n2は、分子n1がクラック発生サンプル数、分母n2が全サンプル数を示す。図2に、Si-C溶液のC濃度を17atとした場合の成長結晶端部の1A成長したままasgrownおよび1B酸処理後の状態、およびSi-C溶液のC濃度を2atとした場合の成長結晶端部の2A成長したままasgrownおよび2B酸処理後の状態を、それぞれ写真で示す。C濃度17atの場合は酸処理によりクラック発生部位から剥離が生じている。これに対してC濃度2atの場合は酸処理による剥離が全く生じていない。このように、酸処理によって、クラック発生の有無を明瞭に判定できた。この結果から、C濃度を7at以下にすることにより、成長結晶端部のクラック発生を完全に防止できることが分かる。本実施例では、本発明の方法のシミュレーションとして、初めからC濃度を種々に変えたSi-C溶液を用いてSiC単結晶成長を行なったが、結晶成長完了後にC濃度を変えた低下させた場合も、同等の効果が得られると考えられる。本発明に従ってSi-C溶液のC溶解度を上げない元素を添加する場合は、図1に仮想線で示したように、黒鉛製等の原料供給筒を介して添加するとよい。この場合、筒の先端はSi-C溶液に接触させないようにして、余分なCの添加を防止する。"