真空チャンバ内の測定対象プラズマのプラズマ電位計測方法であって、該真空チャンバ内にイオンの質量分析を行える質量分析器を配置し、前記測定対象プラズマと前記質量分析器との間にバイアス電圧を印加して質量分析を実施し、該該質量分析実施にあたって、イオンが検出された分析条件に固定して、前記質量分析器内のサプレッサー電圧を変化させていき、イオン電流が検出されなくなるサプレッサー電圧と前記バイアス電圧の関係からプラズマ電位を算出することを特徴とするプラズマ電位計測方法。前記質量分析器はE×B型質量分析器を使用する請求項1に記載のプラズマ電位計測方法前記質量分析器は偏向磁場型質量分析器を使用する請求項1に記載のプラズマ電位計測方法真空チャンバ内にプラズマを発生させて所定の処理を行うプラズマ処理装置であって、該プラズマプラズマに対して配置される、該プラズマ中のイオンの質量分析を行える質量分析器と、前記質量分析器中に配設されたサプレッサーに電圧を印加するサプレッサー電源を含み、前記プラズマの電位を計測するにあたり、前記質量分析器とプラズマとの間にバイアス電圧を印加して該質量分析器に該電圧とプラズマ中のイオンの質量分析を実施し、該質量分析実施にあたって、イオンが検出された分析条件に固定し、前記サプレッサーに印加する電圧を順次大きくしていき、イオン電流が検出されなくなるサプレッサー電圧と前記バイアス電圧との関係からプラズマ電位を算出することのできることを特徴とするプラズマ処理装置。前記質量分析器はE×B型質量分析器である請求項4に記載のプラズマ電位測定装置。前記質量分析器は偏向磁場型質量分析器である請求項4に記載のプラズマ電位測定装置前記プラズマ処理装置が成膜、イオン注入、表面処理のいずれか1つあるいは2つ以上組み合わされたプラズマ処理を行うプラズマ装置である請求項4乃至6に記載のプラズマ処理装置。以上の説明から分かるように、イオン種計測とプラズマ電位計測の両方を実施するには、質量分析器とプローブ計測器の両方が必要である。しかし、それら両方をチャンバ内に設置するとすれば、チャンバ内にそのための設置スペースが必要となり、チャンバサイズが大型化してプラズマ処理装置の設置面積が増たり、プラズマ処理装置のコストアップを招く。そこで本発明は、プラズマの状態を示すパラメータであるプラズマ電位を、プローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せて計測でき、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割には安価に済むプラズマ電位計測方法を提供することを第1の課題とする。また本発明は、プラズマの状態を示すパラメータであるプラズマ電位を、プローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せて計測でき、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割には簡素化された安価なプラズマ電位計測装置を提供することを第2の課題とする。さらに、本発明では真空チャンバ内にプラズマを発生させ、該プラズマのもとで被処理物品に目的とする処理を施すプラズマ処理装置であって、プラズマの状態を示すパラメータであるプラズマ電位を、プローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せて計測でき、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割には、大型化することなく、安価に済むプラズマ処理装置を提供することを第3の課題とする。本発明は前記第1の課題を解決するため、プラズマ電位測定対象プラズマに対して該プラズマ中のイオンの質量分析を行える質量分析器を配置し、該質量分析器と該プラズマ電位測定対象プラズマとの間にバイアス電圧Vbを印加して質量分析を実施し、該質量分析実施にあたっては、イオンが検出された分析条件質量分析を実施してスペクトルにおいてピークが観測された条件、すなわちその時の電界強度、磁界の磁束密度及びイオンの軌道半径である。に固定し、前記質量分析器内に配置されたサプレッサーに印加する電圧を順次大きくしていき、イオンが計測されなくなる電圧Vsと前記バイアス電圧Vbとの関係から前記電位測定対象プラズマ電位を計測するプラズマ電位計測方法を提供する。本発明は第2の課題を解決するため、電位測定対象プラズマに対して配置されるべき、該プラズマ中のイオンの質量分析を行える質量分析器と、該質量分析器と該プラズマとの間に電圧を印加するためのバイアス電源と、前記質量分析器中に配設されたサプレッサーに電圧を印加するサプレッサー電源を含み、前記プラズマの電位を計測するにあたり、前記電圧印加部に、前記質量分析器と前記プラズマとの間にバイアス電圧Vbを印加して該質量分析器に該プラズマ中のイオンの質量分析を実施し、該質量分析実施にあたっては、イオンが検出された分析条件に固定し、前記質量分析器中に配置されたサプレッサーに印加する電圧を順次大きくしていき、イオンが計測されなくなる電圧Vsと前記バイアス電圧Vbとの関係から前記電位測定対象プラズマ電位を計測し、併せてイオン種を同定することができるプラズマ電位計測装置を提供する。本発明に係るプラズマ電位計測方法及び装置によると、プローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せてプラズマ電位を計測できるので、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割には安価に質量分析とプラズマ電位計測を行える。本発明に係るプラズマ電位計測方法及び装置における質量分析器としては代表例として図1に例示するタイプのE×B型質量分析器や図4に例示するタイプの偏向磁場型質量分析器を挙げることができる。E×B型質量分析器を採用する場合には、質量分析器でイオンが検出された電界強度Eと磁界の磁束密度Bの比E/Bとの関係から、また、偏向磁場型質量分析器を採用する場合には、質量分析器でイオンが検出された磁界の磁束密度Bとイオンの軌道半径rの積rBの関係から、プラズマ電位を算出する。本発明は前記第3課題を解決するため、真空チャンバ内にプラズマを発生させ、該プラズマのもとで被処理品に目的とする処理を施すことができるプラズマ処理装置であり、本発明に係るプラズマ電位計測装置を含んでいるプラズマ処理装置を提供する。本発明に係るプラズマ処理装置は本発明に係るプラズマ電位計測装置を含んでいるので、プラズマ状態を示すパラメータであるプラズマ電位をプローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せて計測でき、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割には、大型化することなく、安価に提供できる。本発明に係るプラズマ処理装置として、例えば膜形成、イオン注入、エッチング及び物品表面清浄化処理等の表面処理のうち選ばれた1又は2以上の処理を行えるプラズマ処理装置を例示できる。以上説明したように本発明によると、プラズマの状態を示すパラメータであるプラズマ電位を、プローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せて計測でき、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割には安価に済むプラズマ電位計測方法を提供することができる。また本発明によると、プラズマの状態を示すパラメータであるプラズマ電位を、プローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せて計測でき、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割には簡素化された安価なプラズマ電位計測装置を提供することができる。さらに本発明によると、真空チャンバ内にプラズマを発生させ、該プラズマのもとで被処理物品に目的とする処理を施すことができるプラズマ処理装置であって、プラズマの状態を示すパラメータであるプラズマ電位を、プローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せて計測でき、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割には、大型化することなく、安価に済むプラズマ処理装置を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。図1は従来技術と同じ構成の本発明に係るプラズマ電位計測装置例を備えたプラズマ処理装置の1例を示している。図1に示すプラズマ処理装置PAはプラズマ電位計測装置Aを備えている。プラズマ電位計測装置AはE×B型質量分析器3を含んでいる。本例では、プラズマ処理装置PAはバイアス電源10からバイアス電圧Vbが印加される被処理物品Sにプラズマのもとで目的とする処理例えばアルゴンイオン等のイオン照射による清浄化処理を施す装置である。プラズマ2は、例えば、チャンバ1内を図示省略の排気装置で排気減圧してガスプラズマ生成圧に維持しつつ、チャンバ1内に図示省略のガス供給装置からガス例えばアルゴンガスを供給し、図示省略の熱陰極型アーク放電によって生成することができる。本発明の各構成の働きは前記背景技術で説明したとおりである。本発明においては、E×B型質量分析器3とプラズマ2との間に電圧を印加して質量分析を実施し、該質量分析実施にあたっては、イオンが検出された分析条件に固定し、前記質量分析器内に配置されたサプレッサー12に印加する電圧を順番大きくしていき、イオンが計測されなくなる電圧Vsと前記Vbとの関係から前記電位測定対象プラズマ電位を計測し、併せてイオン種を同定することができる。さらに、本発明の実施形態を詳細に説明する。本発明に係る図1において、バイアス電圧をVb、プラズマ電位をVpとすると、1式が成り立つ。ただし、m、v、Zはそれぞれイオンの質量、速度、価数、eは電気素量である。また1式において、イオンの熱エネルギーは室温状態において003eV程度と非常に小さいので無視している。なお、この場合、バイアス電圧は負電圧、プラズマ電位は正電位であるが、ともに絶対値で記載している。E×B型質量分析器において、イオンの検出条件は磁界Bと電界Eから受ける力が釣り合う場合であるから、2式のようになる。2式を1式に代入して整理すると3式が得られる。そして、質量分析において、イオンが検出された分析条件を固定し、サプレッサー12に印加する電圧を順番に大きくしていく、そうするとある電圧を閾値として、イオン電流が計測されなくなる。その電圧をVsとすると、次の4式がなりたつ。1式、4式より次の5式が成り立つ。したがって、5式より、プラズマ電位測定対象のプラズマ電位を算出することができる。また、3、5式より、6式が成り立ち、プラズマ中のイオン種の正確な同定を行うことができる。チャンバ1内にアルゴンガスを流し、熱陰極型アーク放電によってプラズマを生成し、E×B型質量分析器で分析した場合の一例を図2に示す。この場合のバイアス電圧Vbは380V、磁界は0102Tで固定し、イオンを検出したピーク偏向電界は442kVmであった。これらの条件に固定し、サプレッサー12に印加する電圧を大きくしていくと、392V付近でイオン検出電流が観測されなくなった。よって5式より、プラズマ電位Vpは12Vと求めることができる。また、ここでは磁界を固定して電界を変化させているが、逆に電界を固定して磁界を変化させてもよく、また両者を変化させてもよい。図3はプラズマを偏向磁場型質量分析器を用いて質量分析を実施している例である。チャンバ1内にプラズマ2が形成され、本プラズマに接するように偏向磁場型質量分析器19が設置されている。偏向磁場型質量分析器19にはバイアス電源22によって通常は負電圧を印加し、プラズマから正イオンを引き込んでいる。偏向磁場型質量分析器19の内部には磁界28が形成されており、引き込まれたイオン21は29の方向に力を受け、円軌道を描く。磁界28の強さによってイオン21の軌道半径が決まるので、一定の軌道半径上にFCスリット23、サプレッサー24、ファラデーカップ25を設置しておけば、最終的に電流計27によって検出されるのである。この時、E×B型質量分析器の場合と同様に、ファラデーカップ25からは2次電子が放出され、正確なイオン電流が計測されない場合があるので、その影響をなくすために、FCスリット23とファラデーカップ25の間にサプレッサー24を設置し、これにサプレッサー電源26により負電圧を印加し、放出した2次電子を再度ファラデーカップ25に押し返している。次に、質量分析器として偏向磁場型質量分析器を用いる場合について説明する。図3において、バイアス電圧をVb、プラズマ電位をVpとすると、E×B型質量分析器の場合と同様に前記1式が成り立つ。ここでも、1式において、イオンの熱エネルギーは室温状態において003eV程度と非常に小さいので無視している。偏向磁場型質量分析器において、イオンの検出条件は磁界Bから受ける力が遠心力と釣り合う場合であるから、7式のようになる。上記7式を1式に代入して整理すると、次の8式が得られる。そして、質量分析において、イオンが検出された条件に固定し、サプレッサー12に印加する電圧を順番に大きくしていく。するとある電圧を閾値として、イオン電流が計測されなくなる。その時の電圧をVsとすると、E×B型質量分析器の場合と同様に前記4式が成り立つ。前記1式と前記4式より、前記5式が成り立つ。したがって、測定対象プラズマのプラズマ電位を算出することができる。また、前記5式、8式より、次の9式が成り立つ。上記9式より、イオン種の正確な同定を行うこともできる。なお、本例の場合、バイアス電圧は負電圧、プラズマ電位は正電位であるが、いずれも絶対値で記載している。質量分析の実施方法については、イオンの軌道半径を固定して磁界を変化させるが、逆に磁界を固定してイオンの軌道半径を変化させてもよく、また両者を変化させてもよい。イオンの軌道半径を変化させる場合は、ファラデーカップ25、サプレッサー24及びFCスリット23を移動させることになる。なお上記4式は、測定結果からイオンのエネルギーを算出していることになり、通常はエネルギー分析器などを用いて測定を行う。しかし本方法では質量分析器のサプレッサーに印加する電圧を変化させ、イオン電流が検出されなくなったときの電圧からイオンのエネルギーを求めており、エネルギー分析器などを必要としないでプラズマ電位の測定を可能とする。