"主平面と、前記主平面と反対側の裏面とを備えた半導体チップを基板上に実装する半導体チップ実装方法であって、前記半導体チップの前記主平面にチップ側バンプを形成するチップ側バンプ形成工程と、ピックアップ手段の吸着面に前記チップ側バンプを当接させながら前記半導体チップをピックアップするピックアップ工程と、前記裏面が前記基板と対向するように、前記半導体チップを前記基板の所定位置に載せる載置工程と、前記半導体チップを前記基板に固定する固定工程と、を有する半導体チップの実装方法。前記チップ側バンプ形成工程において、複数の前記チップ側バンプを形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体チップの実装方法前記ピックアップ工程の前に、複数の前記チップ側バンプの高さを揃えるレベリング工程を備えたことを特徴とする請求項2に記載の半導体チップの実装方法。複数の前記チップ側バンプは、前記半導体チップの素子部を囲むように設けられることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体チップの実装方法。前記ピックアップ工程において、前記チップ側バンプのみが前記吸着面に当接することを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体チップの実装方法。前記固定工程の後に、前記基板に金属線により基板側バンプを形成し、続けて前記金属線を前記チップ側バンプまで延長し、前記金属線を前記チップ側バンプに接続するワイヤボンディング工程を有することを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の半導体チップの実装方法。前記固定工程において、前記ピックアップ手段の前記吸着面を前記チップ側バンプに押圧し、前記半導体チップを前記基板に押し付けて固定することを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の半導体チップの実装方法。前記主平面には外部に露出する端子部が設けられ、前記チップ側バンプは前記端子部に形成されることを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載の半導体チップの実装方法。前記半導体チップの前記主平面には、前記主平面から突出する素子部が設けられており、前記チップ側バンプの前記主平面からの高さを前記素子部の突出高さよりも大きく形成することを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載の半導体チップの実装方法。前記半導体チップは、前記主平面に活性層が設けられた光電変換素子であることを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の半導体チップの実装方法。前記ピックアップ手段は、吸着コレットであり、前記ピックアップ工程において、前記チップ側バンプを吸着面に当接させながら前記半導体チップをピックアップすることを特徴とする請求項1から10のいずれか一項に記載の半導体チップの実装方法。基板と、前記基板上に設けられた半導体チップとしての光電変換素子と、前記基板上に設けられレンズ部を備えた光学部品と、を有する光電変換モジュールの製造方法であって、請求項6に記載の半導体チップの実装方法により、前記光電変換素子を前記基板に搭載した後に、前記レンズ部が前記光電変換素子と対向するように前記光学部品を前記基板上に搭載することを特徴とする光電変換モジュールの製造方法。ところで特許文献1に記載の光電変換モジュールの実装方法では、基板に貫通孔を設ける必要があったり、基板と半導体チップとの接合面を目視で確認できないなどの不都合が生じていた。そこで、半導体チップの基板への取り付けに際し、活性層を基板と反対側基板の上方を向けて取り付けるフェイスアップ実装方法を採用することが検討されている。しかしながら、単にフェイスアップ実装方法を用いて半導体チップを基板に取り付けるには、以下のような問題が生じる。すなわち、フェイスアップ実装方法では、半導体チップを吸着コレットに吸着させる際に、吸着コレットによる吸着力が半導体チップに作用し、半導体チップが損傷してしまう虞がある。特に、光電変換素子のように素子部が損傷しやすい半導体チップの実装には何らかの対策を講じることが必要であった。そこで、特許文献2の実装方法を適用することが考えられる。しかし、特許文献2の実装方法をもってしても、半導体チップの形状が異なれば、その吸着コレットの形状を変更せざるを得ず、異なる形状の半導体チップごとに異なる吸着コレットを用意しなければならない。したがって半導体チップの実装コストが嵩む原因となっていた。そこで本発明は、フェイスアップ実装方法において、低コストで半導体チップを損傷する虞のない半導体チップの実装方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明によれば以下が提供される。1主平面と、前記主平面と反対側の裏面とを備えた半導体チップを基板上に実装する半導体チップ実装方法であって、前記半導体チップの前記主平面にチップ側バンプを形成するチップ側バンプ形成工程と、ピックアップ手段の吸着面に前記チップ側バンプを当接させながら前記半導体チップをピックアップするピックアップ工程と、前記裏面が前記基板と対向するように、前記半導体チップを前記基板の所定位置に載せる載置工程と、前記半導体チップを前記基板へ固定する固定工程と、を有する半導体チップの実装方法。2前記チップ側バンプ形成工程において、複数の前記チップ側バンプを形成することを特徴とする1に記載の半導体チップの実装方法3前記ピックアップ工程の前に、複数の前記チップ側バンプの高さを揃えるレベリング工程を備えたことを特徴とする2に記載の半導体チップの実装方法。4複数の前記チップ側バンプは、前記半導体チップの素子部を囲むように設けられることを特徴とする2または3に記載の半導体チップの実装方法。5前記ピックアップ工程において、前記チップ側バンプのみが前記吸着面に当接することを特徴とする1から4のいずれか一項に記載の半導体チップの実装方法。6前記固定工程の後に、前記基板に金属線により基板側バンプを形成し、続けて前記金属線を前記チップ側バンプまで延長し、前記金属線を前記チップ側バンプに接続するワイヤボンディング工程を有することを特徴とする1から5のいずれか一項に記載の半導体チップの実装方法。7前記固定工程において、前記ピックアップ手段の吸着面を前記チップ側バンプに押圧し、前記半導体チップを前記基板に押し付けて固定することを特徴とする1から6のいずれか一項に記載の半導体チップの実装方法。8前記主平面には外部に露出する端子部が設けられ、前記チップ側バンプは前記端子部に形成されることを特徴とする1から7のいずれか一項に記載の半導体チップの実装方法。9前記半導体チップの前記主平面には、前記主平面から突出する素子部が設けられており、前記チップ側バンプの前記主平面からの高さを前記素子部の突出高さよりも大きく形成することを特徴とする1から8のいずれか一項に記載の半導体チップの実装方法。10前記半導体チップは、前記主平面に活性層が設けられた光電変換素子であることを特徴とする1から9のいずれか一項に記載の半導体チップの実装方法。11前記ピックアップ手段は、吸着コレットであり、前記ピックアップ工程において、前記チップ側バンプを吸着面に当接させながら前記半導体チップをピックアップすることを特徴とする1から10のいずれか一項に記載の半導体チップの実装方法。12基板と、前記基板上に設けられた半導体チップとしての光電変換素子と、前記基板上に設けられレンズ部を備えた光学部品と、を有する光電変換モジュールの製造方法であって、6に記載の半導体チップの実装方法により、前記光電変換素子を前記基板に搭載した後に、前記レンズ部が前記光電変換素子と対向するように前記光学部品を前記基板上に搭載することを特徴とする光電変換モジュールの製造方法。本発明に係る半導体チップの実装方法によれば、半導体チップをピックアップする際に、チップ側バンプをピックアップ手段の吸着面に当接させるので、ピックアップ時に作用する応力をチップ側バンプに集中させることができ、半導体チップが損傷することがない。また、チップ側バンプは半導体チップの主平面上の任意の位置に形成することができるので、どのような形状の半導体チップにも本実装方法を適用することができ、低コストで信頼性の高い半導体チップを提供することができる。また、本発明に係る光電変換モジュールの製造方法によれば、チップ側バンプと基板側バンプとを接続するワイヤを基板に沿うように配線できるため、基板からのワイヤ高さを低くすることができる。ゆえに、ワイヤと光学部品とを干渉させずにレンズ部と光電変換素子との距離を短くすることができ、光結合効率の高い光電変換モジュールを提供することができる。以下、本発明に係る半導体チップの実装方法及び光電変換モジュールの製造方法の実施形態を、図面を参照して説明する。なお、以下では半導体チップとして光電変換素子を採用した実施形態を説明する。<全体構造>図1は光電変換モジュール1を用いた光コネクタの斜視図である。光電変換モジュール1は、基板10と、基板10の上に設けられた光電変換素子20と、光電変換素子20を覆うように基板10の上に設けられた光学部品30とを備えている。また、光電変換モジュール1と光接続されるコネクタは、コネクタ本体3と、コネクタ本体3に端部が収容された複数の光ファイバ2とを備えている。光電変換モジュール1は、その内部に設けられた光電変換素子20により、複数の光ファイバ2から入力される光信号を電気信号に変換する、あるいは、電気信号を光信号に変換して光ファイバ2に出力するものである。図2は光電変換モジュール1の断面図である。光電変換モジュール1は、基板10と、半導体チップとしての光電変換素子20と、第1レンズ部31,第2レンズ部32及び反射面33を備えた光学部品30とを備えている。光電変換素子20は、フォトダイオード等の受光素子や、VCSELVerticalCavitySurfaceEmittingLaser等の発光素子である。光電変換素子20は受発光面である活性層21が光学部品30の第1レンズ部31と対向するように、基板10上に固定されている。光学部品30は透明樹脂により一体成形された部材であり、底面には第1レンズ部31が形成されている。この底面から基板10に向かって突出する脚部34が形成され、基板10と第1レンズ部31とを所定間隔離間させている。また、第1レンズ部31及び第2レンズ部32はコリメートレンズである。光電変換素子20が発光素子である場合は、第1レンズ部31が光電変換素子20から発光された光をコリメートして平行光化し、平行光とされた光は反射面33で第2レンズ部32に向けて反射され、第2レンズ部32は反射光を集光しながら外部に出射する。光学部品30は、第2レンズ部32に対向するように配置された光ファイバ2を介して光信号を伝達する。また、光電変換素子20にはチップ側バンプ41が形成され、ワイヤ40を介して基板10上に形成された基板側バンプ42と電気的に接続されている。基板側バンプ42は基板10上の基板電極11を介して、例えば、光電変換素子20を駆動するICまたはTIATransimpedanceAmplifierといった図示せぬ制御回路と接続される。以上の如く構成された光電変換モジュール1において、光電変換素子20が発光素子の場合、外部から基板電極11とワイヤ40を介して電気信号が光電変換素子20に入力されると、その電気信号に応じて光電変換素子20が光信号を発生させ、光信号は光ファイバ2を通じて外部機器に伝達される。また、光電変換素子20が受光素子の場合は、光ファイバ2を通じて光信号が光電変換素子20に入力されると、その光信号に応じて光電変換素子20が電気信号を発生させ、電気信号がワイヤ40を介して基板電極11に伝達される。<光電変換素子の実装方法及び光電変換モジュールの製造方法>以上のように構成される光電変換モジュール1の製造方法及び光電変換素子の実装方法を、図2から図8を参照して説明する。チップ側バンプ形成工程まず図3に示すように、光電変換素子20のチップ本体22のうち、活性層21が形成された主平面20Aに複数のチップ側バンプ41を形成する。このチップ側バンプ41は活性層21を除く主平面20A上の任意の場所に形成することができる。本実施形態においては、主平面20A上に形成されたチップ側電極23の上にチップ側バンプ41を形成している。また、光電変換素子20の主平面20A上には活性層21に接続された金属製のチップ側電極23が設けられている。チップ側バンプ41は、例えばワイヤボンディング装置を用いて、ボンディングワイヤ金属線の先端を溶融させてイニシャルボールを形成し、このイニシャルボールを熱圧着あるいは加熱と超音波を併用して主平面20A上に固定してボールボンドを形成し、ボンディングワイヤをボールボンドから引きちぎることにより、形成できる。チップ側バンプ41は、およそ外径が100μmの球状に形成される。なお、一般的な活性層21の主平面20Aからの突出高さは2~3μmなので、チップ側バンプ41は活性層21よりも大きく形成される。なお、このチップ側バンプ41はチップ側電極23の上に形成すると、金属同士を接合させることができるので、半導体であるチップ本体22の上にチップ側バンプ41を形成する場合に比べて、接続強度を向上させることができる。また、後述するようにチップ側バンプ41を基板電極11とワイヤ40で接続することにより、活性層21の電気的導通を達成するための部位とすることもできる。レベリング工程次に図4に示すように、形成した複数のチップ側バンプ41の高さを揃えるために、複数のチップ側バンプ41にレベリング加工を施す。レベリング加工により、高さの異なる複数のチップ側バンプ41を圧縮変形させ、高さを揃える。レベリング加工は、例えば、チップ側バンプ41が形成された光電変換素子20を、スペーサ53を介してステージ51とレベラ52で挟み込み、光電変換素子20に圧縮荷重を作用させながらステージ51とレベラ52との間隔を維持し、所定時間保持することにより行われる。スペーサ53の高さは、レベリング後の目標とするチップ側バンプ41の高さを勘案して決定する。また、このレベリング工程により、チップ側バンプ41の頭部を平坦面とすることができるので、後述するピックアップ工程や固定工程において光電変換素子20の姿勢が安定する。なお、レベリング工程はこのような例に限られず、公知のレベリング加工を用いることができる。ピックアップ工程次に、図5の如く吸着コレットピックアップ手段60により光電変換素子20をピックアップする。吸着コレット60は、光電変換素子20を吸着させる吸着面61を備えている。本実施形態では、吸着コレット60は真空吸着コレットであり、吸着面61に開口する貫通孔62から吸気し、吸着面61に負圧を発生させることで吸着面61に光電変換素子20を吸着させる。なお、吸着面61は平坦面としてもよいが、図示したように活性層21のような半導体チップの素子部が接触しにくいように、活性層21に対応する部位が凹んだ凹面とすることが好ましい。吸着コレット60により光電変換素子20をピックアップすると、チップ側バンプ41は活性層21よりも大きいので、吸着面61は活性層21やチップ本体22には当接せず、チップ側バンプ41に当接する。したがって、ピックアップ時に吸着面61から光電変換素子20に作用する応力を、活性層21やチップ本体22ではなく、チップ側バンプ41に集中させることができる。したがって、活性層21やチップ本体22を損傷させることなく光電変換素子20をピックアップすることができる。載置工程続いて、ピックアップした光電変換素子20を移動させ、裏面20Bが基板10と対向するように基板10の所定位置に載置する。このとき、図6に示すように基板10上にはダイボンド材Aを塗布しておく。固定工程光電変換素子20を所定位置に載置したら、ダイボンドツール70により図7中の矢印Bの如く、基板10の上方から光電変換素子20を基板10に押し付ける。光電変換素子20を基板10に押し付けることにより、光電変換素子20と基板10との間に介在するダイボンド材Aを均一に拡げることができる。また、光電変換素子20の裏面20Bが基板10の表面と平行となるように光電変換素子20を基板10に密着させることにより、活性層21が基板10の主平面20Aに対して真上を向くように光電変換素子20の取り付け姿勢を調整することができる。このような光電変換素子20の固定工程においても、チップ側バンプ41は活性層21よりも大きいので、ダイボンドツール70の押圧面71は、活性層21やチップ本体22ではなく、チップ側バンプ41に当接する。したがって、押圧時に光電変換素子20に作用する押圧力を、活性層21やチップ本体22ではなく、チップ側バンプ41に集中させることができ、活性層21やチップ本体22を損傷させることなく光電変換素子20を基板10に押圧することができる。もっとも本固定工程において、ダイボンドツール70の代わりに、ピックアップ工程で用いた吸着コレット60を用い、吸着コレット60の吸着面61を光電変換素子20に押し付け、光電変換素子20を基板10に固定してもよい。ワイヤボンディング工程次に図8に示すように、基板10の基板電極11の上に基板側バンプ42を形成し、基板側バンプ42と活性層21に接続されたチップ側バンプ41とをワイヤ40でワイヤボンディングする。具体的には、ワイヤボンディング装置を用い、ボンディングワイヤの先端を溶融させてイニシャルボールを形成し、このイニシャルボールを基板電極11上に固定してボールボンドを形成し、基板電極11の上に基板側バンプ42を形成する。続けて、先端を基板側バンプ42に固定したまま、チップ側バンプ41までボンディングワイヤを引き出し、引き出した先でボンディングワイヤに荷重や超音波等を加えてチップ側バンプ41に固定し、チップ側バンプ41の上でボンディングワイヤを引きちぎる。このようにして、ワイヤ40によりチップ側バンプ41及び基板側バンプ42とを接続することができる。本実施形態に係る光電変換素子20の実装方法によれば、チップ側バンプ形成工程で形成したチップ側バンプ41は、ピックアップ工程や固定工程において光電変換素子20を保護するためにだけ形成しているのではなく、ワイヤボンディング工程においてワイヤ40の接続先として利用される。つまり、本実施形態に係るチップ側バンプ形成工程は、後のワイヤボンディング工程で利用されるチップ側バンプ41をワイヤボンディング工程より先に形成するものといえる。したがって、ワイヤボンディング工程を含む光電変換素子の実装方法においては、チップ側バンプ形成工程はコストアップの要因とはならない。また、従来の実装方法でも、光電変換素子20を電気的に導通させるために、ワイヤ40で基板10と光電変換素子20とを接続することが行われている。したがって、従来の実装方法に比べてもチップ側バンプ形成工程がコストアップの要因とはならない。以上の工程により光電変換素子20の基板10への実装が完了する。したがって、本実施形態に係る光電変換素子20の基板10への実装方法によれば、活性層21やチップ本体22ではなく、チップ側バンプ41が吸着面61や押圧面71に当接する。したがって、吸着面61や押圧面71が活性層21やチップ本体22に直接外力を作用させることがないので、光電変換素子20を損傷させることなく基板10に実装することができる。また、このチップ側バンプ41は主平面20A上の活性層21を除く任意の場所に形成することができる。つまり、光電変換素子20の形状や、活性層21の設けた位置に関わらず、チップ側バンプ41を形成して本実装方法を適用することができる。また、このチップ側バンプ41は既存のワイヤボンディング装置を用いて形成することができる。したがって、本実施形態に係る光電変換素子20の基板10への実装方法は、特に専用の装置を用いることなく様々な形状の光電変換素子20を含む半導体チップの実装に適用することができる。なお、チップ側バンプ41は活性層21を囲む複数の任意の位置、より具体的には3箇所に、チップ側バンプ41を形成することが好ましい。ピックアップ工程及び固定工程において、安定した姿勢で光電変換素子20を吸着面61及び押圧面71に吸着押圧することができるからである。また、吸着や押圧した際に活性層が吸着面61あるいは押圧面71に当接しないように、複数のチップ側バンプ41が活性層21を囲むように、チップ側バンプ41を形成することが好ましい。光学部品取り付け工程次に、以上のように光電変換素子20が実装された基板10に、光電変換素子20を覆うように光学部品30を基板10に取り付けて、図2に示す光電変換モジュール1を作成する。光学部品30は、第1レンズ部31の中心が光電変換素子20の直上に位置するように、基板10に取り付ける。このとき、第1レンズ部31が光電変換素子20やワイヤ40と接触することを防止するために、光学部品30には脚部34が設けられている。一方で、脚部34が大きいと、第1レンズ部31と活性層21とが離れてしまう。第1レンズ部31と活性層21との離間距離が長くなると、活性層21から出射した光が拡散してしまい、光損失が増大するので、第1レンズ部31と活性層21とをできるだけ近づけることが好ましい。この場合においても、本実施形態に係る光電変換モジュール1の製造方法よれば、チップ側バンプ41は光電変換素子20から突出して形成されるので、ワイヤ40を基板10に対して浅い角度基板10の表面に対して平行に近い角度でチップ側バンプ41に接続しても、ワイヤ40の光電変換素子20に対する十分な接続強度を確保することができる。そこで、ワイヤ40を基板10に対して浅い角度でチップ側バンプ41に接続することができる。つまり、活性層21よりも基板10から離間した領域を通過するワイヤ40を、できるだけ基板10に沿って形成することができるので、第1レンズ部31をワイヤ40と接触させないための脚部34の高さを低くすることができる。ゆえに、第1レンズ部31を活性層21にできるだけ近づけることができる。したがって、本実施形態によれば、光変換効率の高い光電変換モジュールを提供することができる。なお、上述の説明では第1レンズ部31が光電変換素子20やワイヤ40と接触することを防止するために脚部34を設けた例を挙げて説明したが、脚部34を設けるかわりに、基板10から離れるように窪んだ収容凹部を設け、収容凹部の底面に第1レンズ部31を設けても良い。以上のような光電変換モジュール1の製造方法により、例えば1ch当たり3個のチップ側バンプ41を形成した12chの光電変換素子20を基板10に取り付ける際には、480gの押圧力を光電変換素子20に作用させても、光電変換素子20に損傷は見られなかった。ところが、チップ側バンプ41を形成しない場合には、150gの押圧力を光電変換素子20に作用させた場合でも光電変換素子20が損傷した。特に複数個の活性層21がアレイ状に配列された光電変換素子20の場合には、1つでも活性層21が損傷してしまうと、光電変換素子20全体が使用できず、廃棄せざるを得ない。したがって、特に複数の活性層21が形成された光電変換素子20に本実施形態に係る実装方法を適用すると、歩留まりが格段に向上する。以上、本発明をその実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に多様な変更または改良を加えることができることは、当業者にとって明らかである。例えば、上述の実施形態では本発明を光電変換モジュールの製造に適用した例を挙げて説明したが、本発明はこの例に限られない。例えば、ICチップやLSI等の集積回路、あるいはイメージセンサ等の光電子部品、あるいは各種センサやアクチュエータが搭載されたMEMSMicroElectroMechanicalSystem等の実装にも適用することができる。特にチップ表面から突出した素子部を有する半導体チップを基板に取り付ける際には、本発明に係る半導体チップの実装方法を適用すると、素子部を損傷させることなく容易に基板に実装することができるので好適である。また、上述の実施形態では複数のチップ側バンプ41を主平面20Aに形成したが、単一のチップ側バンプ41を形成してもよい。この場合でも、チップ側バンプ41の高さが十分に大きければ活性層21を吸着面61あるいは押圧面71から保護できる。また、半導体チップがLSIチップである場合など、素子部が半導体チップの主平面から突出していない場合には、単一のチップ側バンプ41を設けるだけでもよい。吸着面61や押圧面71からの外力がチップ側バンプ41に集中するので、ピックアップ工程や固定工程において半導体チップに応力が集中することがなく、半導体チップの損傷を防止できる。もっとも、素子部が半導体チップの主平面から突出している場合でも、チップ側バンプ41の高さを素子部の突出高さより大きく形成すれば、ピックアップ工程及び固定工程時に、単一のチップ側バンプ41に応力を集中させることができ、素子部の損傷を防止することができる。また、本実施形態においては吸着コレットを用いたピックアップ装置を例に挙げて説明したが、本発明は特に吸着コレットに限られない。"