それぞれが第1の電極パッドを有する複数の半導体回路が設けられた半導体ウエハのスクライブライン内の特定箇所を選択的にハーフエッチングし、底面と側面を有する凹部を形成するする工程と、第1の絶縁膜を前記半導体ウエハの全面に形成した後、前記凹部の側面には前記第1の絶縁膜を残し、前記電極パッド上と前記凹部の底面に形成された前記第1の絶縁膜を除去し開口する工程と、レジストを定められた形状にパターニングした後、前記第1の電極パッドから前記凹部を覆う金属配線層を形成する工程と、前記半導体ウエハの全面に絶縁層を形成する工程と、前記凹部の前記底面から前記金属配線層を露出させるとともに前記半導体ウエハの半導体基板が所望の厚さになるよう裏面側から研削する工程と、研削された前記半導体基板の裏面の定められた領域に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記半導体基板の前記裏面の全面に金属膜を成膜し、パターニングされたレジストにより実装用の第2の電極パッドを前記第2の絶縁膜の表面に形成する工程と、前記スクライブラインの中央をダイシングし個片化する工程と、からなるウエハレベルCSPの製造方法。前記絶縁層の上にさらにモールド樹脂を全面に形成する工程を有する請求項1記載のウエハレベルCSPの製造方法。前記金属配線層はメッキ法により形成される請求項1あるいは2に記載のウエハレベルCSPの製造方法。前記第2の電極パッドの表面にさらにバンプ電極を形成する工程を有する請求項1ないし3のいずれか1項に記載のウエハレベルCSPの製造方法。しかし、前記ウエハレベルCSPにおいては、外部接続用の電極を形成するために、銅のポストを形成させる必要がある。銅ポストは、バンプ電極または実装基板と接続するためポスト面は完全に銅を露出させる必要があるが、銅ポストは、メッキ形成されるためポストの高さのバラツキが生じ、ポスト上面にモールド樹脂が付着し半田ボールとの接合信頼性が低下する問題が生じる。また、ポストの高さのバラツキを吸収するためには、モールド装置のトランスファ圧力を高精度にし、さらに特殊フィルムを使用する必要があり、パッケージの製造コストが高くなってしまうという問題が生じる。さらに、銅ポストがモールド樹脂の流動抵抗となり樹脂がウエハ面上に均一に拡がらず、樹脂の未充填が生じ、組立歩留りが低下する問題を引き起こす。また、基板接合用のバンプ電極はモールド樹脂封止側の銅ポスト上に形成するためバンプ電極の形成は、電解メッキ法が使用できず、ボールマウントあるいはスクリーン印刷法により行われる。そのため、100μm以下の狭ピッチバンプ電極の形成は困難になる。本発明のウエハレベルCSPは、基板接合用の電極をウエハ裏面に形成し、銅ポストを使用しない構造である。また、基板実装用の電極がモールド封止面にないため、上記課題をすべて解消することができる。本発明のウエハレベルCSPは、ウエハ裏面側に基板実装用の電極を有し、その構造は、スクライブライン上の特定箇所に形成したスルーホールの側面を利用して、ウエハ表裏間の電気接合をとることで実現する。スルーホールはシリコン基板のスクライブライン上をハーフエッチングして凹部を形成した後に裏面研磨することで形成される。本発明のウエハレベルCSPは、外部接続用の電極を形成するための銅のポストを形成する必要がなく、ポストのバラツキを吸収させるためのモールド装置の改良、特殊フィルムの使用する必要がなくなり、パッケージの製造コストが低くできる。銅ポストがないためモールド樹脂が流動抵抗を受けずにウエハ面上に均一に拡がるため、樹脂の未充填が生じず、組立歩留りが向上する。また、基板接合用のバンプはモールド樹脂封止面側にないため、半田ボールマウント、スクリーン印刷法のほか電解メッキ法によるバンプ形成ができ、100μm以下の狭ピッチバンプ電極の形成が可能になる。次に、本発明の実施例を、図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の第1実施例を表した上面図で、図2から図4は断面図である。第1実施例のウエハレベルCSPの構造を図面を参照しながら説明する。パッケージ組立に用いられる半導体回路形成後のウエハは、図2aに示すように、半導体基板1に電極パッド2が形成され、電極パット2の上層にチッ化シリコンなどの保護膜3が電極パッド2およびスクライブライン4上を除く部分に形成した形態とする。第1の工程は、図2bに示すようにスクライブラインエリアの特定箇所にハーフエッチング箇所5を選択的にウエットエッチングし、約50~100μm深さの凹部を形成する。次に図2cに示すようにポリイミドなどの絶縁膜6をウエハ全面に形成し、図2dに示すように電極パッド2およびスクライブライン上のハーフエッチング箇所5を選択的に開口する。このときに凹部の底面の絶縁膜は除去するが、凹部の側面には絶縁膜が残るようにする。次に、2000Å~5000Å厚さの銅をスパッタリングにより成膜した後、図3aに示すようにレジスト7を所望形状にパターニングし、図3bに示す厚さ約20~50μm程度の銅、アルミなどの金属配線層8をメッキ法によって形成させ、その上層に必要に応じて、ポリイミドなどの絶縁層9を全面に形成させる。次に図3cに示すように半導体回路の保護、パッケージのハンドリング、放熱性などを向上させる目的でトランスファモールドあるいはポッティングなどで厚さ30μm~100μm程度のモールド樹脂10を半導体回路側全面に封止する。次に、図3dに示すようにシリコン基板1を実装用途に従い、厚さ20μm~200μmにバックグラインドする。バックグラインドにより金属配線8のうちハーフエッチング箇所5の凹部に埋め込まれた部分の端面が裏面側に露出する。次に図4aに示すように、半導体基板1の研削面にポリイミドなどの絶縁膜11を成膜した後、所望形状にパターニングする図4b。次に、銅などの金属膜をウエハ裏面全面にスパッタなどの方法で成膜した後、レジストパターニングし、図4cに示すように厚さ10~50μm程度の電極パッド12を半導体基板1の裏面にメッキなどの方法で形成する。最後に、図5に示すようにスクライブラインの中心をスクライブ幅の50程度の切りしろでダイシングしパッケージを個片にする。上述の方法で、半導体基板1の裏面に実装用の電極パッド12を有するウエハレベルのパッケージを提供することができる。次に、本発明の第二の実施例について説明する。図6は、本発明の第2実施例を表した断面図である。半導体基板1の表面の一部に電極パッド2を形成し、電極パッド2の周囲に保護膜3と、保護膜3の上に絶縁膜6が形成され、最上層に絶縁膜9が形成されている。そして半導体基板1の裏面の一部に、絶縁膜11と電極パッドが形成されている。図6に示すように、第2の実施例は、モールド樹脂封止を行なわない構造のため、パッケージの厚さを100μm以下にすることができ、ICカードなど用途に対応することができる。次に、本発明の第3の実施例について説明する。図7は、本発明の第3の実施例を表した断面図である。図7に示すように、第3の実施例は、ウエハ裏面の実装用電極パッドにボールマウント法、スクリーン印刷法ほか電界メッキ法によってバンプ電極13が形成できるため、100μm以下の狭ピッチのバンプ形成を可能にする。この時は、ウエハ裏面に形成した絶縁膜をエラストマなどの緩衝材14を代替えに使用すると実装基板とバンプ間の応力を吸収し、実装時の信頼性が向上する。