"水素を含有する被処理ガスから水素を分離する水素分離膜モジュールであって、水素が選択的に透過する筒状の水素分離膜と、前記水素分離膜を収容するケーシングと、前記水素分離膜の内側に配設されており、前記水素分離膜の内面とともに前記被処理ガスの流路を画成する外面を有する内挿部材と、前記水素分離膜の内側に前記被処理ガスを供給するためのガス供給口と、前記水素分離膜を透過しない非透過ガスを前記流路の下流側から排出するためのガス排出口と、前記ケーシングに設けられており前記水素分離膜を透過した水素を排出するための水素排出口と、を備える水素分離膜モジュール。前記内挿部材はガス供給管を有し、当該ガス供給管によって前記ガス供給口と前記ガス排出口が隔てられている、請求項1に記載の水素分離膜モジュール。前記筒状の水素分離膜は一方の端部の開口が閉鎖板によって閉鎖されており、前記内挿部材の前記外面が前記閉鎖板の近傍にまで延在している、請求項1又は2に記載の水素分離膜モジュール。請求項1~3のいずれか一項に記載の水素分離膜モジュールを用いた水素分離方法であり、前記筒状の水素分離膜の内面と前記内挿部材の外面とによって画成される流路に前記被処理ガスを供給し、前記被処理ガスに含まれる水素を前記筒状の水素分離膜の内側から外側へと透過させる水素分離方法。ところで、水素は、例えばメタンの水蒸気改質によって得られる下記式1。水蒸気改質により水素とともに生成する一酸化炭素を水性ガスシフト反応に供することにより、水素の収率を高めることができる下記式2。CH4H2O→CO3H2...1COH2O→CO2H2...2都市ガスや灯油を改質器に供給して水素を製造する場合、通常、改質器では水素及びその他のガスを含む混合ガスが生成する。その他のガスとしては、二酸化炭素、一酸化炭素、メタン及び水蒸気などが挙げられる。原料の種類や反応の条件によって異なるが、混合ガスの水素濃度が70体積程度であり、二酸化炭素濃度が30体積程度となる場合もある。本発明者らの検討によると、上記のように水素以外のガスを多く含む混合ガスを従来の水素分離膜モジュールで処理すると、高純度の水素ガスを得ることができても、一回の処理で十分に高い回収率を達成することができず、分離効率が低いという問題がある。これは、従来の水素分離膜モジュールは、水素濃度が99体積を超える被処理ガスを更に高純度にすることを主目的に開発されたものであるためと推察される。本発明は、水素を含有する被処理ガスから高純度の水素ガスを十分効率的に分離することが可能な水素分離モジュール及びこれを用いた水素分離方法を提供することを目的とする。本発明は、水素を含有する被処理ガスから水素を分離する水素分離膜モジュールであって、水素が選択的に透過する筒状の水素分離膜と、水素分離膜を収容するケーシングと、水素分離膜の内側に配設されており、水素分離膜の内面とともに被処理ガスの流路を画成する外面を有する内挿部材と、水素分離膜の内側に被処理ガスを供給するためのガス供給口と、水素分離膜を透過しない非透過ガスを流路の下流側から排出するためのガス排出口と、ケーシングに設けられており水素分離膜を透過した水素を排出するための水素排出口を備える水素分離膜モジュールを提供する。上記水素分離膜モジュールにおいては、水素分離膜の内面と内挿部材の外面とによって被処理ガスの流路が画成されている。この流路に被処理ガスを供給して水素分離膜の内面に沿うように被処理ガスを流すことにより、被処理ガスに含まれる水素分子が水素分離膜と接触する機会が十分に確保される。このため、水素排出口から排出される水素の量を十分に増大でき、高純度の水素ガスを十分に高い回収率で得ることができる。本発明においては、内挿部材がガス供給管を有し、当該ガス供給管によってガス供給口とガス排出口が隔てられていることが好ましい。これにより、ガス供給口からの被処理ガスがガス排出口にショートカットするのを防止できる。本発明において、筒状の水素分離膜は一方の端部の開口が閉鎖板によって閉鎖されており、内挿部材の外面が閉鎖板の近傍にまで延在していることが好ましい。かかる構成により、水素分離膜の閉鎖されている側の端部から他方の端部にわたって水素分離膜の内面に沿うように流路を形成することができ、被処理ガスに含まれる水素分子が水素分離膜と接触する機会がより一層十分に確保される。本発明は、上記水素分離膜モジュールを用いた水素分離方法であり、筒状の水素分離膜の内面と内挿部材の外面とによって画成される流路に被処理ガスを供給し、被処理ガスに含まれる水素を筒状の水素分離膜の内側から外側へと透過させる水素分離方法を提供する。本発明に係る水素分離方法によれば、上記流路に被処理ガスを供給して水素分離膜の内面に沿うように被処理ガスを流すことにより、被処理ガスに含まれる水素分子が水素分離膜と接触する機会が十分に確保される。なお、高純度の水素ガスを十分に高い回収率で得るには、被処理ガスの流量を調整して流路内に層流を生じさせることが好ましい。本発明によれば、水素を含有する被処理ガスから高純度の水素ガスを十分効率的に分離することができる。以下、図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。<水素分離膜モジュール>第一実施形態図1に示す水素分離膜モジュール以下、単にモジュールという。10は、水素を含有する被処理ガスから水素を分離するためのものである。モジュール10は、水素が選択的に透過する円筒状の水素分離膜1と、水素分離膜1を収容するケーシング5と、水素分離膜1の内側に配設された内挿部材8とを備える。なお、ケーシング5及び内挿部材8の材質としては、ステンレス鋼やインコネル、ハステロイなどが挙げられる。水素分離膜1は、水素を選択的に透過する性質を有する。水素の選択的な透過は、温度200~600°C程度の条件下において、水素分離膜1の内面1aに接触した水素分子が解離して水素原子となり、水素原子が内面1a側と外面1b側の水素の分圧差をドライビングフォースとして外面1b側へと移動し、外面1b上において他の水素原子と結合して水素分子となることによって生じるものと推察される。水素分離膜1を構成する材料としては、パラジウム、パラジウムと銅の合金及びパラジウムと銀の合金などが挙げられる。なお、水素分離膜1の水素透過性能低下を抑制するため、上記パラジウム又はパラジウム合金に他の元素を添加してもよい。他の元素としては、例えばMg,Ti,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Y,Nb,Mo,Ag,Au,Pt,Rh,Ru,In,Sn,Pr,Sm及びGdなどが挙げられる。水素分離膜1は、上記材料のみからなる緻密膜であってもよく、あるいは、上記材料からなる緻密な薄膜を多孔体で支持してなるものであってもよい。前者の場合、水素分離膜1の厚さは、機械的強度及び水素透過性の点から、好ましくは2μm以上であり、より好ましくは5~25μmである。後者の場合、薄膜の厚さは、加工性の点から、好ましくは2μm以上であり、より好ましくは5~25μmである。なお、水素分離膜1が上記材料からなる緻密な薄膜と、これを支持する多孔体とによって構成される場合、多孔体の側においてはガス種の置換が阻害されやすいため、混合ガス被処理ガスと接触する側を緻密な薄膜とし、透過後の水素が接触する側を多孔体とすることが好ましい。水素分離膜1は円筒状であり、その内径は好ましくは10mm以上であり、より好ましくは25~40mmである。水素分離膜1の長さは好ましくは50mm以上であり、より好ましくは80~1000mmである。水素分離膜1の先端側の開口1cは閉鎖板2によって閉鎖されている。他方、水素分離膜1の基端側の開口1dには、貫通孔3aを有する板3が装着されている。この貫通孔3aを通じて被処理ガスを水素分離膜1の内側に供給できるようになっている。なお、閉鎖板2及び板3の材質としては、ステンレス鋼やインコネル、ハステロイなどが挙げられる。水素分離膜1と、閉鎖板2及び板3との接合部は気密性が保たれており、これらの接合はロウ付けや電子ビーム溶接によって行うことができる。内挿部材8は、水素分離膜1の内径よりも一回り小さい外径を有する内筒管8aと、板3の貫通孔3aに挿入されており先端が閉鎖板2の近傍に位置するガス供給管8bと、内筒管8aとガス供給管8bとによって形成されるアニュラスを先端側において塞ぐ閉塞板8c及び基端側で塞ぐ閉塞板8dとを有する。上記構成の内挿部材8を水素分離膜1の内側に配設することにより、内筒管8aの外面8Fと水素分離膜1の内面1aとによって被処理ガスの流路9が画成される。内挿部材8の内筒管8aは、閉鎖板2の近傍にまで延在している。内筒管8aの先端閉塞板8cの上面と閉鎖板2の離間距離は、好ましくは0.1~10mmであり、より好ましくは0.1~5mmである。内筒管8aの外面8Fと水素分離膜1の内面1aの離間距離は、好ましくは0.1~30mmであり、より好ましくは1~25mmであり、更に好ましくは1~20mmである。この距離が0.1mm未満であると被処理ガスの流量を大きくしたときに水素の分離効率が不十分となりやすく、他方、30mmを超えると被処理ガスに含まれる水素分子が水素分離膜1と接触する機会が低下しやすい。ガス供給管8bの基端側には、切り欠8eが設けられている。流路9を通過してきたガス非透過ガスが切り欠8eを通じてガス排出口10bに移送されるようになっている。本実施形態においては、ガス供給管8bの基端がガス供給口10aをなし、貫通孔3aとガス供給管8bとの間のアニュラスがガス排出口10bをなしている。なお、図1に示す通り、内挿部材8は、内筒管8aとガス供給管8bとの間が空洞であるが、この部分は空洞でなくてもよい。ケーシング5は、水素分離膜1を収容している。ケーシング5の上端面には水素排出口5aが設けられている。水素分離膜1を透過した水素を水素排出口5aから排出できるようになっている。上記構成のモジュール10によれば、以下のような効果が奏される。すなわち、モジュール10においては、図1に矢印で示すように、水素分離膜1の内面1aと内挿部材8の内筒管8aの外面8Fとによって画成される流路9に被処理ガスを流すことができる。これにより、被処理ガスに含まれる水素分子が水素分離膜1と接触する機会が十分に確保される。このため、水素排出口5aから排出される水素の量を十分に増大でき、高純度の水素ガスを十分に高い回収率で得ることができる。また、モジュール10においては、内挿部材8のガス供給管8bによってガス供給口10aとガス排出口10bが隔てられている。これにより、ガス供給口10aからの被処理ガスがガス排出口10bにショートカットするのを防止できる。更に、モジュール10においては、水素分離膜1は先端側の開口1cが閉鎖板2によって閉鎖されており、内挿部材8の内筒管8aが閉鎖板2の近傍にまで延在している。かかる構成により、水素分離膜1の上端から下端にわたって水素分離膜1の内面1aに沿うように流路9を形成することができ、被処理ガスに含まれる水素分子が水素分離膜1と接触する機会がより一層十分に確保される。第二実施形態図2に示すモジュール20は、水素が選択的に透過する円筒状の水素分離膜1と、水素分離膜1を収容するケーシング5と、水素分離膜1の内側に配設された内挿部材18とを備える。モジュール20は、内挿部材8の代わりに、以下の構成の内挿部材18を備える点において、上述のモジュール10と相違する。以下、この相違点をなす内挿部材18について主に説明する。内挿部材18は、図2に示す通り、内筒管18aと、その基端部をなすガス供給管18bとによって構成される。本実施形態においては、内筒管18aの外面18Fと水素分離膜1の内面1aとによって被処理ガスの流路19が画成される。内筒管18aは、ガス供給管18bの外径よりも大きい外径を有する。非透過ガスが内挿部材18と板3の間を通じてガス排出口20bに至ることができる限り、内筒管18aの基端側は板3の近傍にまで延在していることが好ましい。本実施形態においては、ガス供給管18bの基端がガス供給口20aをなし、貫通孔3aとガス供給管18bとの間のアニュラスがガス排出口20bをなしている。内挿部材18の内筒管18aは、閉鎖板2の近傍にまで延在している。内筒管18aの先端と閉鎖板2の離間距離は、好ましくは0.1~10mmであり、より好ましくは0.1~5mmである。また、内筒管18aの外面18Fと水素分離膜1の内面1aの離間距離は、好ましくは0.1~30mmであり、より好ましくは1~25mmであり、更に好ましくは1~20mmである。上記構成のモジュール20によれば、以下のような効果が奏される。すなわち、モジュール20においては、図2に矢印で示すように、水素分離膜1の内面1aと内挿部材18の内筒管18aの外面18Fとによって画成される流路19に被処理ガスを流すことができる。これにより、被処理ガスに含まれる水素分子が水素分離膜1と接触する機会が十分に確保される。このため、水素排出口5aから排出される水素透過ガスの量を十分に増大でき、高純度の水素ガスを十分に高い回収率で得ることができる。また、モジュール20においては、内挿部材18のガス供給管18bによってガス供給口20aとガス排出口20bが隔てられている。これにより、ガス供給口20aからの被処理ガスがガス排出口20bにショートカットするのを防止できる。更に、モジュール20においては、水素分離膜1は先端側の開口1cが閉鎖板2によって閉鎖されており、内挿部材18の内筒管18aが閉鎖板2の近傍にまで延在している。かかる構成により、水素分離膜1の上端から下端にわたって水素分離膜1の内面1aに沿うように流路19を形成することができ、被処理ガスに含まれる水素分子が水素分離膜1と接触する機会がより一層十分に確保される。<水素分離方法>次に、本発明に係る水素分離膜モジュールを用いた水素分離方法について説明する。ここでは、第一実施形態に係るモジュール10を用いた水素分離方法を例示するが、モジュール20を用いても同様に実施することができる。本実施形態に係る水素分離方法は、水素分離膜1の内面1aと内挿部材8の外面8Fとによって画成される流路9に被処理ガスを供給し、被処理ガスに含まれる水素を筒状の水素分離膜1の内側から外側へと透過させるものである。被処理ガスの水素濃度は特に限定されるものではないが、被処理ガスの水素濃度は好ましくは50体積以上100体積未満であり、より好ましくは70体積以上100体積未満である。本発明に係る水素分離膜モジュールは比較的水素濃度が低い被処理ガスから高純度の水素を効率的に得られる点が特徴である。例えば、被処理ガスの水素濃度は95体積以下、90体積以下、85体積以下又は80体積以下であってもよい。被処理ガスに含まれる水素以外のガスとしては、二酸化炭素、一酸化炭素、メタン、窒素、水蒸気などが挙げられる。例えば、二酸化炭素の濃度が20~30体積の被処理ガスとして、合成ガス水素及び一酸化炭素を含む混合ガスを水性ガスシフト反応に供して得られる混合ガスが挙げられる。このガスは、更に、0.1~5体積の一酸化炭素、0.1~5体積のメタンを含む場合もあり、加えて、被処理ガスの0.1~60体積の水蒸気を含む場合もある。水素分離膜1の種類や性能にもよるが、使用時の水素分離膜1の温度は、好ましくは200~600°Cであり、より好ましくは300~500°Cである。水素分離膜1の内側の圧力は、好ましくは0.1~5MPaであり、より好ましくは0.5~4MPaである。他方、水素分離膜1の外側の圧力は、好ましくは水素分離膜1の内側の圧力より0.1MPa以上低い値であり、より好ましくは2MPa以上低い値である。水素分離膜1の内面1aの面積Acm2と、単位時間当たりの被処理ガスに含まれる水素の量BNm3/時との比A/Bは、十分に高い回収率を達成する観点から、好ましくは0.05以上であり、より好ましくは0.09~0.11である図7参照。A/Bの値が0.05未満であると水素回収率が不十分となりやすい。なお、A/Bの値が0.11を超える場合は、被処理ガスの流量に対してモジュール10の性能が過剰であることを意味する。モジュール10における流路9内においては、高純度の水素ガスを十分に高い回収率で得るには、被処理ガスの流れが層流であることが好ましい。被処理ガスの流量を調整したり、場合によっては流路9の流路断面積を適宜設定したりすることによって流路9内に層流を生じさせることができる。本実施形態に係る水素分離方法によれば、流路9に被処理ガスを供給して水素分離膜1の内面1aに沿うように被処理ガスを流すことにより、被処理ガスに含まれる水素分子が水素分離膜1と接触する機会が十分に確保される。以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては、ケーシング5内に一つの水素分離膜1を設置する場合を例示したが、図3,4に示すように、ケーシング5内に複数の水素分離膜1を設置してもよい。図3に示すモジュール30は、ケーシング5内に7本の水素分離膜1を有し図4参照、それぞれの水素分離膜1の内側に内挿部材28が挿入されている。内挿部材28は、第一実施形態に係る内装部材8と同様の構成を有し、水素分離膜1の上端の閉鎖板2の近傍にまで延在している。なお、ケーシング5内に設置する水素分離膜1の本数は7本に限定されない。また、内挿部材28の構成は、第二実施形態に係る内挿部材18と同様のもの、または内挿部材8と内装部材18の混成であってもよい。また、上記実施形態においては、製造の容易性の点で好適な例として、内挿部材8,18の先端側から閉鎖板2に向けて放出された被処理ガスが流路9,19へと単に流入する構成を挙げたが、水素分離膜1の先端側に以下のような工夫を施してもよい。例えば、水素分離膜1の長手方向に対して傾斜した方向にガスを吐出するノズルを水素分離膜1の先端側に設けてもよい。これにより、流路9,19内を被処理ガスが螺旋状に流れ、より一層高い水素回収率が期待できる。本発明においては、水素分離膜の内面と内挿部材の外面とによって流路が画成される構成であれば、水素分離膜は両端が開放された状態で使用されてもよい。また、被処理ガスの流れる方向が上記実施形態と逆向きであってもよい。水素分離膜の形状は円筒形に限られず、断面形状が楕円形や矩形、多角形であってもよい。本発明に係る水素分離膜モジュール及びこれを用いた水素分離方法の効果を確認するため、以下の実施例1,2及び比較例1に係る水素分離試験を行った。実施例1図1に示すモジュール10と同様の構成を有するモジュールを作製し、水素分離試験を行った。表1に本実施例に係るモジュールのサイズを示し、表2に評価条件を示す。実施例2図2に示すモジュール20と同様の構成を有するモジュールを作製し、水素分離試験を行った。モジュールのサイズ及び評価条件は、実施例1と同様とした表1,2参照。比較例1図5に示すモジュール50と同様の構成を有するモジュールを作製し、水素分離試験を行った。図5に示すモジュール50は、内挿部材8が水素分離膜1の内側に配設されていない点において、図1に示すモジュール10と相違する。モジュールのサイズ内筒管を除く及び評価条件は、実施例1と同様とした表1,2参照。実施例1,2及び比較例1の結果を図6,7に示す。図6にはプロセスシミュレータ商品名:PRO/II、インベンシス社製による計算結果理論値、図7にはCFD商品名:Flunetver.12、ANSYS社製による計算結果理論値も示す。"