"半導体スイッチング素子を内蔵した複数の半導体パッケージと、複数の結合ダイオードと、を有する電力変換装置であって、前記複数の半導体パッケージが設けられる面に対して立設する板状の導電部を有し、前記半導体パッケージのコレクタと前記電力変換装置の電圧源正極とを接続する第1導体と、前記複数の半導体パッケージが設けられる面に対して立設する板状の導電部を有し、前記半導体パッケージのエミッタと前記電力変換装置の電圧源負極とを接続する第2導体と、を備えること特徴とする電力変換装置。前記複数の半導体パッケージが設けられる面に対して立設する板状の導電部を有し、前記電源正極と接続される半導体パッケージを含む半導体パッケージと当該半導体パッケージと接続される結合ダイオードとを接続する第3導体と、前記第1導体の導電部と、前記第3導体の導電部と近接して沿うように配置される板状の導電部を有し、前記結合ダイオードと前記電力変換装置の電圧源とを接続する第4導体と、を備えることを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。前記複数の半導体パッケージが設けられる面に対して立設する板状の導電部を有し、前記電源負極と接続される半導体パッケージを含む半導体パッケージと当該半導体パッケージに接続される結合ダイオードとを接続する第5導体と、を備え、前記第4導体は、当該結合ダイオードと前記電圧源とを接続するとともに、前記第2導体の導電部と、前記第5導体の導電部と近接して沿うように配置される板状の導電部を、有することを特徴とする請求項2に記載の電力変換装置。前記第1導体の導電部または前記第3導体の導電部と近接して、沿うように配置される板状の導電部を有し、前記電源正極と接続された半導体パッケージに前記第3導体を介して直列に接続された半導体パッケージと、電力変換装置の交流端子と、を接続する第6導体を、備えることを特徴とする請求項2に記載の電力変換装置。前記第2導体の導電部または前記第5導体の導電部と近接して、沿うように配置される導電部を有し、前記電源負極と接続された半導体パッケージに前記第5導体を介して直列に接続された半導体パッケージと、電力変換装置の交流端子と、を接続する第7導体を、備えることを特徴とする請求項3に記載の電力変換装置。複数の半導体パッケージと、複数の結合ダイオードと、を有する電力変換装置において、前記半導体パッケージが設けられる面に対して立設する板状の導電部を有する導体で、前記電力変換装置の回路を構成することを特徴とする電力変換装置における導体の配置方法。前記回路を構成する各導電部において、流れる電流の向きが反対となる導電部を近接して沿うように設けることを特徴とする請求項6に記載の電力変換装置における導体の配置方法。直列接続された第1,第2単位電圧源を含み、3つの直流電圧レベルの3端子を有する直流電圧源と、前記第1単位電圧源の正極端子と交流端子との間に直列接続された第1,第2半導体スイッチング素子と、この直列接続点と前記第1,第2単位電圧源の直列接続点との間に接続された第1結合ダイオードと、前記交流端子と前記第2単位電圧源の負極端子との間に直列接続された第3,第4半導体スイッチング素子と、この直列接続点と前記第1,第2単位電圧源の直列接続点との間に接続された第2結合ダイオードと、を有する電力変換装置における導体の配置方法であって、前記第1単位電圧源と前記第1半導体スイッチング素子とを接続する導体は、前記それぞれの半導体スイッチング素子が配置される面に対して立設する板状の導電部を有し、この導電部に前記第1単位電圧源を接続することを特徴とする電力変換装置における導体の配置方法。前記第1,第2半導体スイッチング素子と前記第1結合ダイオードを接続する導体は、それぞれの半導体スイッチング素子が配置される面に対して立設する板状の導電部を有し、前記第1,第2結合ダイオードと前記第1,第2単位電圧源の直列接続点とを接続する導体を、前記第1,第2半導体スイッチング素子と前記第1結合ダイオードを接続する導体の導電部、及び前記第1単位電圧源と前記第1半導体スイッチング素子とを接続する導体の導電部に近接して沿うように形成することを特徴とする請求項8に記載の電力変換装置における導体の配置方法。前記第2半導体スイッチング素子と前記交流端子とを接続する導体を、前記第1,第2半導体スイッチング素子と前記第1結合ダイオードを接続する導体の導電部、及び前記第1単位電圧源と前記第1半導体スイッチング素子とを接続する導体の導電部に近接して沿うように形成することを特徴とする請求項9に記載の電力変換装置における導体の配置方法。前記第2単位電圧源と前記第4半導体スイッチング素子とを接続する導体は、前記それぞれの半導体スイッチング素子が配置される面に対して立設する板状の導電部を有し、この導電部に前記第2単位電圧源を接続することを特徴とする請求項8から請求項10のいずれか1項に記載の電力変換装置における導体の配置方法。前記第3,第4半導体スイッチング素子と前記第2結合ダイオードを接続する導体は、それぞれの半導体スイッチング素子が配置される面に対して立設する板状の導電部を有し、前記第1,第2結合ダイオードと前記第1,第2単位電圧源の直列接続点とを接続する導体を、前記第3,第4半導体スイッチング素子と前記第2結合ダイオードを接続する導体の導電部、及び前記第2単位電圧源と前記第4半導体スイッチング素子とを接続する導体の導電部に近接して沿うように形成することを特徴とする請求項11に記載の電力変換装置における導体の配置方法。前記第3半導体スイッチング素子と前記交流端子とを接続する導体を、前記第3,第4半導体スイッチング素子と前記第2結合ダイオードを接続する導体の導電部、及び前記第2単位電圧源と前記第4半導体スイッチング素子とを接続する導体の導電部に近接して沿うように形成することを特徴とする請求項12に記載の電力変換装置における導体の配置方法。しかしながら、板状の導体をスイッチング素子が配置される面と平行に積層した場合、導体の面によって電力変換装置の寸法が大きくなってしまい、電力変換装置の小型化を妨げる要因となるおそれがある。また、コンデンサと、コンデンサと接続されるスイッチング素子との距離が長くなると、この部分の配線インダクタンスが増加して、サージ電圧が高くなるおそれがある。また、電力変換装置から電力が供給される負荷の容量が増加すると、電力変換装置に対しても、大電流出力が要求されるようになる。そして、負荷電流の増大によって増える電力損失を低減するために、負荷電流の増加にともなって、電力変換装置の高電圧出力化が進んでいる。このように、電力変換装置の大電流化、高電圧化が進むにしたがって、スイッチング素子のスイッチ時のサージ電圧が増加することとなる。そこで、電力変換装置のスイッチング損失を低減するために、配線インダクタンスのさらなる低減が求められている。上記事情に鑑み、本発明は、電力変換装置において、スイッチング素子のスイッチング時のサージ電圧を低減することに貢献する技術を提供することを目的としている。上記目的を達成する本発明の電力変換装置の一態様は、直流を交流、または交流を直流に変換する電力変換装置において、スイッチング素子と、直流電圧源とを接続する導体が、スイッチング素子が設けられる面に対して立設する板状の導電部を有し、この導電部に直流電圧源が接続されることを特徴としている。また、上記目的を達成する本発明の電力変換装置の他の態様は、直流を交流、または交流を直流に変換する電力変換装置において、電力変換装置の回路を構成する導体が、この回路を構成する素子パッケージ群が設けられる面に対して立設する板状の導電部を有し、それぞれの導体の導電部を流れる電流が逆方向となる導電部同士を並行かつ近接して設け、平行積層導体を構成することを特徴としている。また、上記目的を達成する本発明の電力変換装置における導体の配置方法の一態様は、直流を交流、または交流を直流に変換する電力変換装置における導体の配置方法であって、スイッチング素子が設けられる面に対して立設する板状の導電部を有する導体で、スイッチング素子と直流電圧源とを接続することを特徴としている。また、上記目的を達成する本発明の電力変換装置における導体の配置方法の他の態様は、直流を交流、または交流を直流に変換する電力変換装置における導体の配置方法であって、電力変換装置の回路を構成する素子パッケージ群が設けられる面に対して立設する板状の導電部を有する導体で回路を構成するとともに、導電部を流れる電流が逆方向となる導体の導電部同士を並行かつ近接して設けることを特徴としている。以上の発明によれば、電力変換装置において、スイッチング素子のスイッチング時のサージ電圧の低減に貢献することができる。本発明の実施形態に係る電力変換装置及び電力変換装置における導体の配置方法について、図を参照して詳細に説明する。実施形態1図1,2は、実施形態1に係る電力変換装置である3レベルインバータ装置1の1相分の構造を示す図であり、図1は、平滑コンデンサ8,9を接続する前の図であり、図2は、平滑コンデンサ8,9を接続した図である。また、図3は、実施形態1に係る3レベルインバータ装置1に対応する電気回路図である。実施形態の説明では、スイッチング素子として、IGBTを例にとって説明するが、MOSFET、バイポーラトランジスタなど、他のスイッチング素子を用いた場合にも同様の効果を得ることができる実施形態2も同様である。また、実施形態において、半導体パッケージのコレクタ、エミッタの数をそれぞれ2つ設けた例を示しているが、コレクタエミッタの数は、それぞれ1つであっても複数個であっても、実施形態1に係るインバータ装置と同様に構成することができる。図1a,図2aに示すように、実施形態1に係る3レベルインバータ装置1は、略直線上に並べられた素子パッケージ群2~7と、直流電圧源を構成する第1,第2の単位電圧源である平滑コンデンサ8,9とを備える。そして、素子パッケージ群2~7を構成する各素子パッケージ同士または、素子パッケージと平滑コンデンサ若しくは、交流端子を電気的に接続する導体10~16を備える。図1b,図2bに示すように、この導体10~16は、素子パッケージ群2~7が配置される面以後、パッケージ面とするに対して立設する板状の導電部10a~16aを有する。まず、素子パッケージ群2~7について図1c,図3を参照して説明する。図3に示すように、実施形態1に係る3レベルインバータ装置1は、平滑コンデンサ8と交流端子17との間に直列に接続される半導体パッケージ2,3と、半導体パッケージ2と半導体パッケージ3の直列接続点と、平滑コンデンサ8,9の直列接続点との間に接続された結合ダイオード6と、交流端子17と平滑コンデンサ9との間に直列された半導体パッケージ4,5と、半導体パッケージ4と半導体パッケージ5の直列接続点と、平滑コンデンサ8,9の直列接続点との間に接続された結合ダイオード7とから構成される。各素子パッケージ群2~7は、ヒートシンク18上に配置される。なお、各半導体パッケージ2~5は、IGBT2a~5aとそれに逆並列に接続されるダイオード2b~5bとをそれぞれ備える。図1cに示すように、半導体パッケージ2のエミッタEが半導体パッケージ3のコレクタCと隣接するように設けられ、半導体パッケージ3のコレクタCと結合ダイオード6のカソードK1とが隣接するように結合ダイオード6が設けられる。また、半導体パッケージ5のコレクタCが半導体パッケージ4のエミッタEと隣接するように設けられ、半導体パッケージ4のエミッタEと結合ダイオード7のアノードA2とが隣接するように結合ダイオード7が設けられる。さらに、結合ダイオード6のアノードA1と結合ダイオード7のアノードA2とが隣接し、結合ダイオード6のカソードK1と結合ダイオード7のカソードK2とが隣接するように結合ダイオード6,7が一体に形成されている。その結果、半導体パッケージ2~5及び結合ダイオード6,7は、略直線上に並んだ状態で配置される。なお、実施形態では、結合ダイオード6と結合ダイオード7とが一体のパッケージを構成しているが、結合ダイオード6と結合ダイオード7の形状や構成は特に限定するものではなく、結合ダイオード6と結合ダイオード7とを個別に設けてもよい。また、それぞれの結合ダイオード6,7は、1つずつ設ける形態の他に、複数のダイオードを直列接続した形態実質は、並列に接続した形態であってもよい。次に、3レベルインバータ装置1を構成する導体10~16について、3レベルインバータ装置1に導体10~16を個別に設けた状態を参照して詳細に説明する。図4a,図4bに示すように、半導体パッケージ2のコレクタCと平滑コンデンサ8の正極端子とを接続する導体10は、パッケージ面に対して立設する板状の導電部10aを有する。導電部10aは、半導体パッケージ2から立設する立設部10bと、この立設部10bの上部側端部から、隣接する半導体パッケージ3方向に延伸する延伸部10cを有する。この延伸部10cの端部に、平滑コンデンサ8の正極端子と接続されるスタッドボルトなどの接続部10dが延伸部10c面から突出して設けられる。なお、延伸部10cは、後述の導体12の導電部12aの高さ程度の距離だけ半導体パッケージ3から離間して設けられる。図2aに示すように、接続部10dに平滑コンデンサ8を接続した後、接続部10dは、ナットなどにより締結される他の接続部と平滑コンデンサ8,9との接続も同様である。なお、接続部10dにおける接続方法は、着脱式のコネクタを使用するなど、適宜周知の接続方法を適用すればよい。さらに、図4a,図4bに示すように、半導体パッケージ5のエミッタEと平滑コンデンサ9の負極端子とを接続する導体11は、パッケージ面に対して立設する板状の導電部11aを有する。導電部11aは、半導体パッケージ5から立設する立設部11bと、この立設部11bの上部側端部から、隣接する半導体パッケージ4方向に延伸する延伸部11cを有し、この延伸部11cの端部に、平滑コンデンサ9の負極端子と接続される接続部11dが延伸部11c面から突出して設けられる。なお、延伸部11cは、後述の導体13の導電部13aの高さ程度の距離だけ半導体パッケージ4から離間して設けられる。図5a,図5bに示すように、半導体パッケージ2のエミッタEと、半導体パッケージ3のコレクタC、結合ダイオード6のカソードK1とを接続する導体12は、パッケージ面に対して立設する板状の導電部12aを有する。同様に、半導体パッケージ5のコレクタCと、半導体パッケージ4のエミッタE、結合ダイオード7のアノードA2とを接続する導体13は、パッケージ面に対して立設する板状の導電部13aを有する。図6a,図6bに示すように、結合ダイオード6のアノードA1と、結合ダイオード7のカソードK2と、平滑コンデンサ8,9の接続点とを接続する導体14は、パッケージ面に対して立設する板状の導電部14aを有する。導電部14aは、第1,第2延伸部14b,14c、第1,第2折り返し部14d,14eと、接続導体部14fとから構成される。第1延伸部14bは、パッケージ面に対して立設する板状の導電体であって、結合ダイオード6のアノードA1から半導体パッケージ3及び半導体パッケージ2まで延伸して設けられる。第2延伸部14cは、パッケージ面に対して立設する板状の導電体であって、結合ダイオード7のカソードK2から半導体パッケージ4及び半導体パッケージ5まで延伸して設けられる。第1延伸部14bは、図5aで示した導体12の導電部12aの高さと略等しく、この導電部12aに沿うように配置される。また、第2延伸部14cは、図5aで示した導体13の導電部13aの高さと略等しく、この導電部13aに沿うように配置される。そして、図6aに示すように、第1,第2延伸部14b,14cの端部から、それぞれパッケージ面に対して立設するように第1,第2折り返し部14d,14eが設けられ、折り返し部14dと折り返し部14eとを接続するように、板状の接続導体部14fが設けられる。接続導体部14fは、第1延伸部14b及び第2延伸部14cの高さより高い位置に設けられる。なお、接続導体部14fには、平滑コンデンサ8,9の接続点と接続される接続部14gが接続導体部14f面から突出して設けられる。また、接続導体部14fには、後述の導体16の交流端子接続部16eが貫通する貫通孔14hが形成されている。図7a,図7bに示すように、半導体パッケージ3と交流端子17とを接続する導体15は、導体14に沿うように形成される。つまり、導体15は、導体14の第1延伸部14bと並行して配置される板状の第1導電部15bと、導体14の折り返し部14dと並行して配置される板状の折り返し部15cと、導体14の接続導体部14fと並行して配置される板状の第2導電部15dとを有する。なお、第2導電部15dの端部には、交流端子17と接続するための接続部15eが、第2導電部15d面から突出して設けられる。同様に、半導体パッケージ4と交流端子17とを接続する導体16は、導体14に沿うように形成される。つまり、導体16は、導体14の第2延伸部14cと並行して配置される板状の第1導電部16bと、導体14の折り返し部14eと並行して配置される板状の折り返し部16cと、導体14の接続導体部14fと並行して配置される板状の第2導電部16dとを有する。なお、第2導電部16dの端部には、交流端子17と接続するための接続部16eが、第2導電部16d面から突出して設けられる。本発明の実施形態1に係る3レベルインバータ装置1の配線インダクタンス低減効果について、図8~図11を参照して説明する。図8~図11は、実施形態1に係る3レベルインバータ装置1の各動作モードモード1~モード4における電流経路を説明する説明図である。図8aに示すように、半導体パッケージ2及び半導体パッケージ3がターンオンし、半導体パッケージ4及び半導体パッケージ5がターンオフした場合モード1、3レベルインバータ回路を流れる電流は、導体10→半導体パッケージ2→導体12→半導体パッケージ3→導体15→交流端子17となる。図8bに示すように、本発明の実施形態1に係る3レベルインバータ装置1は、導体10の立設部10bと導体15の折り返し部15cとが沿うように、また、導体10の延伸部10cと導体15の第2導電部15dとがそれぞれ沿うように並行して配置されている。この導体10の立設部10bまたは、延伸部10cを流れる電流の向き図中細字矢印で示すと導体15の折り返し部15cまたは、第2導電部15dを流れる電流の向き図中太字矢印で示すが逆向きであるので、立設部10bと折り返し部15cまたは、延伸部10cと第2導電部15dで流れる電流が、立設部10bと折り返し部15cまたは、延伸部10cと第2導電部15dで発生した磁界をお互いに打ち消しあうこととなり、配線インダクタンスが低減する。同様の理由により、導体12の導電部12aと導体15の第1導電部15bとを近接して沿うように配置しているので、この導体12の導電部12aを流れる電流の向き図中細字矢印で示すと導体15の第1導電部15bを流れる電流の向き図中太字矢印で示すが逆向きとなり、配線インダクタンスが低減する。図9aに示すように、半導体パッケージ3がターンオンし、半導体パッケージ2,4,5がターンオフした場合モード2、3レベルインバータ回路を流れる電流は、導体14→結合ダイオード6→導体12→半導体パッケージ3→導体15→交流端子17となる。図9bに示すように、実施形態1に係る3レベルインバータ装置1は、モード2の場合においても、平板状の導体12,14,15を流れる電流の向きが逆向きになるように各々の導体12,14,15が近接して配置される。つまり、導体14の接続導体部14f電流の向きを細字矢印で示すと、導体15の第2導電部15d電流の向きを太字矢印で示すが近接して沿うように配置されている。また、導体14の折り返し部14d電流の向きを細字矢印で示すと、導体15の折り返し部15c電流の向きを太字矢印で示すが近接して沿うように配置されている。さらに、導体14の第1延伸部14b電流の向きを細字矢印で示すと、導体12の導電部12aと導体15の第1導電部15b電流の向きを太字矢印で示すが近接して沿うように配置され積層導体を構成している。その結果、各板状の導電部を流れる電流により発生した磁界と、それらの導電部に近接して配置される他の導電部で発生した磁界とがお互いに打ち消しあうこととなり、配線インダクタンスが低減する。特に、導体10の立設部10b、導体15の折り返し部15c、導体14の折り返し部14dを略同一の形状として積層した積層導体構造とすることで、配線インダクタンスがより一層低減する。図10aに示すように、半導体パッケージ4及び半導体パッケージ5がターンオンし、半導体パッケージ2及び半導体パッケージ3がターンオフした場合モード3、3レベルインバータ回路を流れる電流は、交流端子17→導体16→半導体パッケージ4→導体13→半導体パッケージ5→導体11となる。図10bに示すように、実施形態1に係る3レベルインバータ装置1は、モード3の場合においても、平板状の導体11,13,16を流れる電流の向きが逆向きになるように各々の導体11,13,16が近接して配置される。つまり、導体16の第2導電部16d電流の向きを細字矢印で示すと、導体11の延伸部11c電流の向きを太字矢印で示すが近接して沿うように配置される。また、導体16の折り返し部16c電流の向きを細字矢印で示すと、導体11の立設部11b電流の向きを太字矢印で示すが近接して沿うように配置され積層導体を構成している。さらに、導体16の第1導電部16b電流の向きを細字矢印で示すと、導体13の導電部13a電流の向きを太字矢印で示すとが近接して沿うように配置され積層導体を構成している。その結果、各板状の導電部を流れる電流により発生した磁界と、それらの導電部に近接して配置される他の導電部で発生した磁界とがお互いに打ち消しあうこととなり、配線インダクタンスが低減する。図11aに示すように、半導体パッケージ4がターンオンし、半導体パッケージ2,3,5がターンオフした場合モード4、3レベルインバータ回路を流れる電流は、交流端子17→導体16→半導体パッケージ4→導体13→結合ダイオード7→導体14となる。図11bに示すように、実施形態1に係る3レベルインバータ装置1は、モード4の場合においても、平板状の導体13,14,16を流れる電流の向きが逆向きになるように各々の導体13,14,16が近接して配置される。つまり、導体16の第2導電部16d電流の向きを細字矢印で示すと、導体14の接続導体部14f電流の向きを太字矢印で示すが近接して沿うように配置され積層導体を構成している。また、導体16の折り返し部16c電流の向きを細字矢印で示すと、導体14の折り返し部14e電流の向きを太字矢印で示すが近接して沿うように配置され積層導体を構成している。さらに、導体16の第1導電部16b及び導体13の導電部13a電流の向きを細字矢印で示すと、導体14の第2延伸部14c電流の向きを太字矢印で示すとが近接して沿うように配置され積層導体を構成している。その結果、各板状の導電部を流れる電流により発生した磁界と、それらの導電部に近接して配置される他の導電部で発生した磁界とがお互いに打ち消しあうこととなり、配線インダクタンスが低減する。特に、導体11の立設部11b、導体14の折り返し部14e、導体16の折り返し部16cを略同一の形状として積層した積層導体構造とすることで、配線インダクタンスがより一層低減する。以上のように、本発明の実施形態1に係る電力変換装置及び電力変換装置の導体配置方法によれば、パッケージ面に対して立設する板状の導電部を有する導体で回路を構成することで、平滑コンデンサと、この平滑コンデンサと接続される半導体パッケージの端子との距離を短くすることができる。その結果、平滑コンデンサと半導体パッケージ間の配線インダクタンスが低減されるので、電力変換装置サージ電圧を低減することができる。また、回路を構成する導体において、流れる電流が逆方向となる導電部同士を近接して設け、積層導体を構成することで、お互いの配線インダクタンスを低減することができ、電力変換装置のサージ電圧を低減することができる。また、各導体の導電部が、パッケージ面に対して立設していることで、導体を組み立てる際の作業が容易になるとともに、導電部を積層した積層体の裏面表面どちらからでも直流電圧源または交流端子を接続することが可能となる。その結果、電力変換装置を構成する構成部材の配置設計が容易になる。また、導体をパッケージ面に対して立設させることで、パーケージ面と平行方向の導体面積が小さくなるので、電力変換装置を小型化することができる。また、平板状の導体がパッケージ面を覆うことがないので、半導体パッケージの放熱性が向上する。実施形態2本発明の実施形態2に係る電力変換装置である3レベルインバータ装置について図を参照して説明する。なお、本発明の実施形態2に係る3レベルインバータ装置は、半導体パッケージ2~5の配置形態が異なること以外は、実施形態1に係る3レベルインバータ装置1と同じである。よって、実施形態1に係る3レベルインバータ装置1と同じ構成のものについては同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。なお、実施形態2に係る3レベルインバータ装置の電気回路図は、図3で示した実施形態1に係る3レベルインバータ装置1の電気回路図と同じである。図12,13は、実施形態2に係る3レベルインバータ装置19の1相分の構造を示す図であり、図12は、平滑コンデンサ8,9を接続する前の図であり、図13は、平滑コンデンサ8,9を接続した図である。図12a,13aに示すように、実施形態2に係る3レベルインバータ装置19は、略直線上に並べられた素子パッケージ群2~7と、直流電圧源を構成する第1,第2の単位電圧源である平滑コンデンサ8,9とを備える。そして、素子パッケージ群2~7を構成する各素子パッケージ同士、または、素子パッケージと平滑コンデンサ8,9若しくは、交流端子17を接続する導体20~26を備える。図12b,図13bに示すように、導体20~26は、パッケージ面に対して立設する板状の導電部20a~26aを有する。まず、素子パッケージ群2~7について図3、図12cを参照して説明する。図3に示すように、実施形態2に係る3レベルインバータ装置19は、実施形態1に係る3レベルインバータ装置1と同様に、平滑コンデンサ8と交流端子17との間に直列に接続される半導体パッケージ2,3と、半導体パッケージ2と半導体パッケージ3の直列接続点と、平滑コンデンサ8,9の直列接続点との間に接続された結合ダイオード6と、交流端子17と平滑コンデンサ9との間に直列された半導体パッケージ4,5と、半導体パッケージ4と半導体パッケージ5の直列接続点と、平滑コンデンサ8,9の直列接続点との間に接続された結合ダイオード7とから構成される。図12cに示すように、半導体パッケージ2は、半導体パッケージ3と結合ダイオード6との間に設けられる。この時、半導体パッケージ2は、半導体パッケージ2のエミッタEが結合ダイオード6のカソードK1及び半導体パッケージ3のコレクタCと隣接するように設けられる。また、半導体パッケージ5は、半導体パッケージ4と結合ダイオード7との間に設けられる。この時、半導体パッケージ5は、半導体パッケージ5のコレクタCが結合ダイオード7のアノードA2及び半導体パッケージ4のエミッタEと隣接するように設けられる。さらに、結合ダイオード6のアノードA1と結合ダイオード7のアノードA2とが隣接し、結合ダイオード6のカソードK1と結合ダイオード7のカソードK2とが隣接するように結合ダイオード6,7が一体に形成される。その結果、半導体パッケージ2~5及び結合ダイオード6,7は、略直線上に並んだ状態で配置される。次に、実施形態2に係る3レベルインバータ装置19を構成する導体20~26について、3レベルインバータ装置19に導体20~26を個別に設けた状態を参照しながら説明する。図14a,図14bに示すように、半導体パッケージ2のコレクタCと平滑コンデンサ8の正極端子とを接続する導体20は、パッケージ面に対して立設する板状の導電部20aを有する。この導電部20aの端部には、平滑コンデンサ8の正極端子と接続される接続部20bが導電部20a面から突出して設けられる。また、半導体パッケージ5のエミッタEと平滑コンデンサ9の負極端子とを接続する導体21は、パッケージ面に対して立設する板状の導電部21aを有する。この導電部21aの端部には、平滑コンデンサ9の負極端子と接続される接続部21bが導電部21a面から突出して設けられる。図15a,図15bに示すように、半導体パッケージ2のエミッタEと、半導体パッケージ3のコレクタC、結合ダイオード6のカソードK1とを接続する導体22は、パッケージ面に対して立設する板状の導電部22aを有する。同様に、半導体パッケージ5のコレクタCと、半導体パッケージ4のエミッタE、結合ダイオード7のアノードA2とを接続する導体23は、パッケージ面に対して立設する板状の導電部23aを有する。図16a,図16bに示すように、結合ダイオード6のアノードA1と、結合ダイオード7のカソードK2と、平滑コンデンサ8,9の接続点とを接続する導体24は、パッケージ面に対して立設する板状の導電部24aを有する。導電部24aは、第1,第2延伸部24b,24c、第1,第2折り返し部24d,24eと、接続導体部24fとから構成される。第1延伸部24bは、パッケージ面に対して立設する板状の導電体であって、第1延伸部24bは、結合ダイオード6のアノードA1から半導体パッケージ2まで延伸している。第2延伸部24cは、パッケージ面に対して立設する板状の導電体であって、第2延伸部24cは、結合ダイオード7のカソードK2から半導体パッケージ5まで延伸している。第1延伸部14bは、図15aで示した導体22の導電部22aの高さと略等しく、この導電部22aに沿うように配置される。また、第2延伸部24cは、図15aで示した導体23の導電部23aの高さと略等しく、この導電部23aに沿うように配置される。そして、図16aに示すように、第1,第2延伸部24b,24cの端部から、それぞれパッケージ面に対して立設するように第1,第2折り返し部24d,24eが設けられ、第1折り返し部24dと第2折り返し部24eとを接続するように、板状の接続導体部24fが設けられる。この接続導体部24fは、第1延伸部24b及び第2延伸部24cの高さより高い位置に設けられる。なお、接続導体部24fには、平滑コンデンサ8,9の接続点と接続する接続部24gが接続導体部24f面から突出して設けられる。また、接続導体部24fには、後述の導体26の交流端子接続部26eが貫通する貫通孔24hが形成されている。図17a,図17bに示すように、半導体パッケージ3と交流端子17とを接続する導体25は、導体22、及び導体24に沿うように形成される。つまり、導体25は、パッケージ面に対して立設する導電部25aを有し、この導電部25aは、導体22の導電部22aと平行して配置される板状の第1導電部25bと、導体24の第1折り返し部24dと並行して配置される板状の第2導電部25cと、導体24の接続導体部24fと並行して配置される板状の接続導体部25dとを有する。なお、接続導体部25dには、交流端子17と接続するための交流端子接続部25eが、接続導体部25d面から突出して設けられる。同様に、半導体パッケージ4と交流端子17とを接続する導体26は、導体23、及び導体24に沿うように形成される。つまり、導体26は、パッケージ面に対して立設する導電部26aを有し、この導電部26aは、導体23の導電部23aと並行して配置される板状の第1導電部26bと、導体24の第2折り返し部24eと並行して配置される板状の第2導電部26cと、導体24の接続導体部24fと並行して配置される板状の接続導体部26dとを有する。なお、接続導体部26dには、交流端子17と接続するための交流端子接続部26eが、接続導体部26d面から突出して設けられる。本発明の実施形態2に係る3レベルインバータ装置19の配線インダクタンス低減効果について、図18~図21を参照して説明する。図18~図21は、実施形態に係る3レベルインバータ装置19の各動作モードモード1~モード4における電流経路を説明する説明図である。図18aに示すように、半導体パッケージ2及び半導体パッケージ3がターンオンし、半導体パッケージ4及び半導体パッケージ5がターンオフした場合モード1、3レベルインバータ回路を流れる電流は、導体20→半導体パッケージ2→導体22→半導体パッケージ3→導体25→交流端子17となる。図18bに示すように、本発明の実施形態2に係る3レベルインバータ装置19は、導体20の導電部20aと導体25の第2導電部25cとが近接して沿うように並行して配置されている。また、導体22の導電部22aと導体25の第1導電部25bとがそれぞれ沿うように並行して配置されている。この導体20の導電部20aを流れる電流の向き図中細字矢印で示すと導体25の第2導電部25cを流れる電流の向き図中太字矢印で示すが逆向きであるので、導電部20aと第2導電部25cで流れる電流が、導電部20aと第2導電部25cで発生した磁界をお互いに打ち消しあうこととなり、配線インダクタンスが低減する。同様の理由により、導体22の導電部22aと導体25の第1導電部25bとを近接して沿うように配置し積層導体を構成することで、この導体22の導電部22aを流れる電流の向き図中細字矢印で示すと導体25の第1導電部25bを流れる電流の向き図中太字矢印で示すが逆向きとなり、配線インダクタンスが低減する。図19aに示すように、半導体パッケージ3がターンオンし、半導体パッケージ2,4,5がターンオフした場合モード2、3レベルインバータ回路を流れる電流は、導体24→結合ダイオード6→導体22→半導体パッケージ3→導体25→交流端子17となる。図19bに示すように、実施形態2に係る3レベルインバータ装置19は、モード2の場合においても、平板状の導体22,24,25を流れる電流の向きが逆向きになるように各々の導体22,24,25が近接して配置される。つまり、導体24の接続導体部24f電流の向きを細字矢印で示すと、導体25の接続導体部25d電流の向きを太字矢印で示すが近接して沿うように配置される。また、導体24の折り返し部24d電流の向きを細字矢印で示すと、導体25の第2導電部25c電流の向きを太字矢印で示すが近接して沿うように配置される。さらに、導体22の導電部22a電流の向きを太字矢印で示すと、導体25の第1導電部25b電流の向きを太字矢印で示すと導体24の第1延伸部24b電流の向きを細字矢印で示すが近接して沿うように配置され積層導体を構成している。その結果、各板状の導電部を流れる電流により発生した磁界と、それらの導電部に近接して配置される他の導電部で発生した磁界とがお互いに打ち消しあうこととなり、配線インダクタンスが低減する。特に、導体20の導電部20a、導体24の折り返し部24d、導体25の第2導電部25cを略同一の形状として積層した積層導体構造とすることで、配線インダクタンスがより一層低減する。図20aに示すように、半導体パッケージ4及び半導体パッケージ5がターンオンし、半導体パッケージ2及び半導体パッケージ3がターンオフした場合モード3、3レベルインバータ回路を流れる電流は、交流端子17→導体26→半導体パッケージ4→導体23→半導体パッケージ5→導体21となる。図20bに示すように、実施形態2に係る3レベルインバータ装置19は、モード3の場合においても、平板状の導体21,23,26を流れる電流の向きが逆向きになるように各々の導体21,23,26が近接して配置される。つまり、導体26の第2導電部26c電流の向きを細字矢印で示すと、導体21の導電部21a電流の向きを太字矢印で示すが近接して沿うように配置され積層導体を構成している。また、導体26の第1導電部26b電流の向きを細字矢印で示すと、導体23の導電部23a電流の向きを太字矢印で示すが近接して沿うように配置され積層導体を構成している。その結果、各板状の導電部を流れる電流により発生した磁界と、それらの導電部に近接して配置される他の導電部で発生した磁界とがお互いに打ち消しあうこととなり、配線インダクタンスが低減する。図21aに示すように、半導体パッケージ4がターンオンし、半導体パッケージ2,3,5がターンオフした場合モード4、3レベルインバータ回路を流れる電流は、交流端子17→導体26→半導体パッケージ4→導体23→結合ダイオード7→導体24となる。図21bに示すように、実施形態2に係る3レベルインバータ装置19は、モード4の場合においても、平板状の導体23,24,26を流れる電流の向きが逆向きになるように各々の導体23,24,26が近接して配置される。つまり、導体26の接続導体部26d電流の向きを細字矢印で示すと、導体24の接続導体部24f電流の向きを太字矢印で示すが近接して沿うように配置され積層導体を構成している。また、導体26の第2導電部26c電流の向きを細字矢印で示すと、導体24の折り返し部24e電流の向きを太字矢印で示すが近接して沿うように配置され積層導体を構成している。さらに、導体26の第1導電部26b電流の向きを細字矢印で示す及び導体24の第2延伸部24c電流の向きを太字矢印で示すと、導体23の導電部23a電流の向きを太字矢印で示すとが近接して沿うように配置され積層導体を構成している。その結果、各板状の導電部を流れる電流により発生した磁界と、それらの導電部に近接して配置される他の導電部で発生した磁界とがお互いに打ち消しあうこととなり、配線インダクタンスが低減する。特に、導体21の導電部21a、導体24の折り返し部24e、導体26の第2導電部26cを略同一の形状として積層した積層導体構造とすることで、配線インダクタンスがより一層低減する。以上のように、本発明の実施形態2に係る電力変換装置19及び電力変換装置19の導体配置方法によれば、パッケージ面に対して立設する平板状の導電部を有する導体で回路を構成することで、平滑コンデンサと、この平滑コンデンサと接続される半導体パッケージの端子との距離を短くすることができる。その結果、平滑コンデンサと半導体パッケージ間の配線インダクタンスが低減されるので、電力変換装置で発生するサージ電圧を低減することができる。特に、実施形態2に係る電力変換装置19は、平滑コンデンサ8と半導体パッケージ2若しくは、平滑コンデンサ9と半導体パッケージ5とを接続する導体の長さが実施形態1に係る電力変換装置1と比較して短いので、実施形態1に係る電力変換装置1の有する効果に加えて、さらに配線インダクタンスを低減することができる。以上、本発明の電力変換装置及び電力変換装置の導体配置方法に関して、記載された具体例に対してのみ詳細に説明したが、本発明は、本発明の技術的思想の範囲で多彩な変形及び修正が可能であることは、当業者にとって明白なことであり、このような変形及び修正が本発明の電力変換装置及び電力変換装置の導体配置方法に属することは当然のことである。例えば、本発明の電力変換装置は、回路を構成する導体において、流れる電流が逆方向となる導電部同士を近接して設けるものである。よって、実施形態で説明したようにすべての導電部の組合せについて近接して設ける形態が好ましいが、電力変換装置の構成などを勘案して、一部の導電部の組合せについてのみ近接して設けた場合にも、本発明の電力変換装置及び電力変換装置の導体配置方法の効果を部分的に得ることができる。また、実施形態では、3レベルインバータ装置を例示して説明したが、実施形態の電力変換装置に限らず、さまざまな電力変換装置においてスイッチング素子と直流電源若しくは、交流電源の接続等、電力変換装置の回路を形成する導体に適用することができる。なお、実施形態の説明では、1相分の構造を示して説明したが、電力変換装置を3相とする場合には、3レベルインバータ装置1を3組用いればよい。また、各導体板状の導電部間に絶縁板を設けることで、導体間の短絡を防止し、電力変換装置の安全性を向上させることができる。"