被検出ガスが接触することで温度上昇し抵抗値が変化する第1検出素子と、被検出ガスに対して不活性である第1補償素子とを有し、前記第1検出素子の抵抗値と前記第1補償素子の抵抗値との差に基づいて被検出ガスの濃度に対応した第1信号を出力する常用検出素子対と、被検出ガスが接触することで温度上昇し抵抗値が変化する第2検出素子と、被検出ガスに対して不活性である第2補償素子とを有し、前記常用検出素子対の劣化判断時、前記第2検出素子の抵抗値と前記第2補償素子の抵抗値との差に基づいて被検出ガスの濃度に対応し劣化判断基準となる第2信号を出力する基準検出素子対と、前記常用検出素子対及び前記基準検出素子対の両方を収容する検出室を有する素子ハウジングと、を備え、前記第1検出素子及び前記第1補償素子の第1並び方向と、前記第2検出素子及び前記第2補償素子の第2並び方向とは、平行であり、前記常用検出素子対と前記基準検出素子対とは、前記第1並び方向及び前記第2並び方向に直交する直交方向で並んでおり、前記第1検出素子及び前記第1補償素子の第1並び順と、前記第2検出素子及び前記第2補償素子の第2並び順とは、逆であることを特徴とするガスセンサ。前記検出室を加熱するヒータを備えることを特徴とする請求項1に記載のガスセンサ。前記検出室に配置され、当該検出室の温度を検出する温度センサと、前記常用検出素子対の第1信号と、前記基準検出素子対の第2信号とを、前記温度センサの検出する前記検出室の温度に基づいてそれぞれ補正する補正手段と、を備え、前記温度センサは、前記第1検出素子、前記第1補償素子、前記第2検出素子及び前記第2補償素子に囲まれるように配置されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のガスセンサ。前記第1検出素子、前記第1補償素子、前記第2検出素子及び前記第2補償素子のうちの少なくとも2つの素子間における熱干渉を低減する断熱部材を備えることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のガスセンサ。前記断熱部材は、前記第1検出素子、前記第1補償素子、前記第2検出素子及び前記第2補償素子間における熱干渉を低減するように十字形であることを特徴とする請求項4に記載のガスセンサ。前記断熱部材は筒状であり、当該筒状の断熱部材は、前記第1検出素子及び前記第2検出素子をそれぞれ囲むように設けられていることを特徴とする請求項4に記載のガスセンサ。前記筒状の断熱部材の周壁部には、被検出ガスの出入する貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項6に記載のガスセンサ。しかしながら、特許文献1の水素センサは、常用検出素子対を収容する第1素子ハウジングと、基準検出素子対を収容する第2素子ハウジングとを別々に備える構成であるので、水素センサを小型化し難いという不都合がある。また、このように複数の素子ハウジングを備える場合、素子ハウジング毎に、その内部の検出室を加熱するヒータや、この検出室の温度を検出する温度センサを設けることになり、部品点数が増加してしまい、水素センサを構成するためのコストが高くなる。そこで、特許文献1のように、1つの素子ハウジング内に、常用検出素子対と基準検出素子対とを配置する構成が考えられるが、常用検出素子対と基準検出素子対との間で相互に熱干渉してしまい、その結果、水素濃度の検出精度が低下する虞がある。そこで、本発明は、簡易な構成であって、被検出ガスの濃度を高精度で検出可能なガスセンサを提供することを課題とする。前記課題を解決するための手段として、本発明は、被検出ガスが接触することで温度上昇し抵抗値が変化する第1検出素子と、被検出ガスに対して不活性である第1補償素子とを有し、前記第1検出素子の抵抗値と前記第1補償素子の抵抗値との差に基づいて被検出ガスの濃度に対応した第1信号を出力する常用検出素子対と、被検出ガスが接触することで温度上昇し抵抗値が変化する第2検出素子と、被検出ガスに対して不活性である第2補償素子とを有し、前記常用検出素子対の劣化判断時、前記第2検出素子の抵抗値と前記第2補償素子の抵抗値との差に基づいて被検出ガスの濃度に対応し劣化判断基準となる第2信号を出力する基準検出素子対と、前記常用検出素子対及び前記基準検出素子対の両方を収容する検出室を有する素子ハウジングと、を備え、前記第1検出素子及び前記第1補償素子の第1並び方向と、前記第2検出素子及び前記第2補償素子の第2並び方向とは、平行であり、前記常用検出素子対と前記基準検出素子対とは、前記第1並び方向及び前記第2並び方向に直交する直交方向で並んでおり、前記第1検出素子及び前記第1補償素子の第1並び順と、前記第2検出素子及び前記第2補償素子の第2並び順とは、逆であることを特徴とするガスセンサである。このような構成によれば、1つの素子ハウジングを備える簡易な構成であるので、ガスセンサを小型化し易くなる。また、1つの素子ハウジングを備え、その検出室は1つであるので、検出室を加熱するヒータや検出室の温度を検出する温度センサを備える場合、1つのヒータや1つの温度センサを増加すればよいので、部品点数が大幅に増加せず、ガスセンサを低コストで構成できる。また、第1検出素子及び前記1補償素子の第1並び方向と、第2検出素子及び第2補償素子の第2並び方向とは、平行であり、常用検出素子対と基準検出素子対とは、第1並び方向及び第2並び方向に直交する直交方向で並んでおり、第1検出素子及び第1補償素子の第1並び順と、第2検出素子及び第2補償素子の第2並び順とは、逆であるので、検出室において、被検出ガスが接触することで温度上昇する発熱する第1検出素子と第2検出素子とは、相互に遠ざかり離れて配置されることになる。これにより、第1検出素子と第2検出素子との間で、相互に熱干渉し難くなる。つまり、第1検出素子の温度及び抵抗値は、第2検出素子の熱によって変化し難くなり、第2検出素子の温度及び抵抗値は、第1検出素子の熱によって変化し難くなる。したがって、常用検出素子対の第1信号と、基準検出素子対の第2信号とは、それぞれ、被検出ガスの濃度のみに対応して変化し易くなる。ゆえに、被検出ガスの濃度を高精度で検出でき、また、常用検出素子対を良好に劣化判断できる。また、前記ガスセンサにおいて、前記検出室を加熱するヒータを備えることが好ましい。このような構成によれば、1つのヒータで、検出室に加えて、常用検出素子対第1検出素子、第1補償素子と、基準検出素子対第2検出素子、第2補償素子とを加熱暖機でき、また、ヒータの部品点数は最小となるので、ガスセンサは低コストとなる。さらに、常用検出素子対の雰囲気温度と、基準検出素子対の雰囲気温度とは、同一となり易いので、常用検出素子対を高精度で劣化判断できる。また、前記ガスセンサにおいて、前記検出室に配置され、当該検出室の温度を検出する温度センサと、前記常用検出素子対の第1信号と、前記基準検出素子対の第2信号とを、前記温度センサの検出する前記検出室の温度に基づいてそれぞれ補正する補正手段と、を備え、前記温度センサは、前記第1検出素子、前記第1補償素子、前記第2検出素子及び前記第2補償素子に囲まれるように配置されていることが好ましい。このような構成によれば、温度センサは、第1検出素子、第1補償素子、第2検出素子及び第2補償素子に囲まれるように配置されているので、素子ハウジング検出室を小さくしつつ、温度センサの検出する温度が、常用検出素子対及び基準検出素子対の雰囲気温度と等しくなり易くなる。そして、このように温度センサの検出する温度が、常用検出素子対及び基準検出素子対の雰囲気温度と等しくなり易いので、補正手段が、温度センサの検出する温度に基づいて、常用検出素子対の第1信号と、基準検出素子対の第2信号とを、それぞれ良好に補正でき、被検出ガスの濃度を高精度で検出したり、常用検出素子対を良好に劣化判断したりできる。また、前記ガスセンサにおいて、前記第1検出素子、前記第1補償素子、前記第2検出素子及び前記第2補償素子のうちの少なくとも2つの素子間における熱干渉を低減する断熱部材を備えることが好ましい。このような構成によれば、断熱部材によって、前記少なくとも2つの素子間における熱干渉を低減できる。また、前記ガスセンサにおいて、前記断熱部材は、前記第1検出素子、前記第1補償素子、前記第2検出素子及び前記第2補償素子間における熱干渉を低減するように十字形であることが好ましい。このような構成によれば、十字形の断熱部材によって、第1検出素子、第1補償素子、第2検出素子及び第2補償素子間における熱干渉を低減できる。また、前記ガスセンサにおいて、前記断熱部材は筒状であり、当該筒状の断熱部材は、前記第1検出素子及び前記第2検出素子をそれぞれ囲むように設けられていることが好ましい。このような構成によれば、筒状の断熱部材によって、第1検出素子及び第2検出素子への熱干渉をそれぞれ低減できる。また、前記ガスセンサにおいて、前記筒状の断熱部材の周壁部には、被検出ガスの出入する貫通孔が形成されていることが好ましい。このような構成によれば、貫通孔を介して、円筒状の断熱部材の内外に、被検出ガスを出入させることができる。本発明によれば、簡易な構成であって、被検出ガスの濃度を高精度で検出可能なガスセンサを提供することができる。≪第1実施形態≫以下、本発明の第1実施形態について、図1~図8を参照して説明する。まず、水素センサ1ガスセンサが組み込まれた燃料電池システム100を説明する。燃料電池システム100は、燃料電池車移動体に搭載されており、燃料電池スタック110燃料電池と、希釈器120と、水素センサ1と、ECU130ElectronicControlUnit、電子制御装置と、を備えている。<燃料電池スタック>燃料電池スタック110は、固体高分子型燃料電池PolymerElectrolyteFuelCell:PEFCであり、MEAMembraneElectrodeAssembly、膜電極接合体をセパレータ図示しないで挟持してなる単セルが複数積層されて構成されている。MEAは、電解質膜固体高分子膜と、これを挟持するカソード及びアノードとを備えている。各セパレータには、溝や貫通孔からなるアノード流路111及びカソード流路112が形成されている。そして、水素が、水素タンク図示しないから、アノード流路111を介してアノードに供給され、酸素を含む空気が、外気を吸気するコンプレッサ図示しないから、カソード流路112を介してカソードに供給されると、アノード及びカソードに含まれる触媒Pt等上で電極反応が起こり、燃料電池スタック110が発電可能な状態となる。このように発電可能な状態の燃料電池スタック110と外部負荷例えば走行用のモータとが電気的に接続され、電流が取り出されると、燃料電池スタック110が発電するようになっている。また、アノード流路111から排出された未消費の水素を含むアノードオフガスは、配管111aを通って希釈器120に向かうようになっている。一方、カソード流路112から排出されたカソードオフガス希釈用ガスは、配管112aを通って希釈器120に向かうようになっている。<希釈器>希釈器120は、アノードオフガス中の水素を、カソードオフガス等で希釈する容器であり、その内部に希釈空間を有している。そして、水素を含む希釈後のガスは、配管120aを通って車外外部に排出されるようになっている。<ECU>ECU130は、CPU、ROM、RAM、各種インタフェイス、電子回路などを含んで構成されている。そして、ECU130は、IG131のON信号を検知した場合、水素センサ1に起動指令を出力するようになっている。なお、IG131は、燃料電池システム100燃料電池車の起動スイッチであり、運転席周りに配置されている。≪水素センサの構成≫水素センサ1は、図2に示すように、その第1検出素子31Aで水素を燃焼させることによって、配管120aを通流するガス中の水素濃度を検出する接触燃焼式のセンサである。水素センサ1は、所定の回路が形成された基板11と、基板11を収容する薄箱状のケース12と、ケース12の底壁部から鉛直下向きに延びる有底円筒状の素子ハウジング13と、検出室13aの温度を検出する温度センサ14と、素子ハウジング13の外側に取り付けられた円筒状のヒータ21と、ヒータ21の温度を検出する温度センサ22と、を備えている。ただし、素子ハウジング13は円筒状に限定されず、多角筒状六角筒状としてもよい。また、ヒータ21の形状位置数はこれに限定されず、例えば、素子ハウジング13内の検出室13aに、板状のヒータを複数備える構成としてもよい。ケース12は、ポリフェニレンサルファイド等の樹脂製である。そして、ケース12は、配管120aの天壁部120bにボルトによって取り付けられている。<素子ハウジング>素子ハウジング13は、その内部に水素を検出するために水素を含むガスを取り込む検出室13aを有している。そして、この検出室13aに、後記する常用検出素子対P1第1検出素子31Aと第1補償素子32Aとの対と、基準検出素子対P2第2検出素子31Bと第2補償素子32Bとの対とが配置されている図4参照。つまり、素子ハウジング13は、常用検出素子対P1及び基準検出素子対P2の両方を収容している。このような素子ハウジング13は、ヒータ21の熱が検出室13aに伝達するように、熱伝導度の高い材料SUS等の金属や、熱伝導度の高い樹脂から形成されている。また、素子ハウジング13の底壁部には、平面視で円形のガス出入口13bが形成されている。そして、ガス出入口13bを介して、水素を含むガスが、検出室13aと配管120aとの間で、出入するようになっている。なお、ガス出入口13bに蓋をするように、防爆フィルタ及び撥水フィルタいずれも図示しないが設けられている。防爆フィルタは、防爆性を確保するためのフィルタであり、例えば、金属製のメッシュや多孔質体から構成される。撥水フィルタは、ガス水素の通過を許容するが、液体水滴の通過を許容しないフィルタであり、例えば、テトラフルオロエチレン膜から構成される。<検出室用の温度センサ>温度センサ14は、平面視で円形を呈する検出室13aの中心円筒状の素子ハウジング13の中心軸線上に配置されている図4参照。そして、温度センサ14は、検出室13aの温度を検出し、後記するマイコン51に出力するようになっている図5参照。また、温度センサ14は、平面視において、第1検出素子31A、第1補償素子32A、第2検出素子31B及び第2補償素子32Bに囲まれるように配置されている。詳細には、温度センサ14は、第1検出素子31A、第1補償素子32A、第2検出素子31B及び第2補償素子32Bが、その頂点四隅に配置された仮想的な長方形の中心対角線の交点に配置されている。これにより、温度センサ14の検出する検出室13aの温度は、第1検出素子31A、第1補償素子32A、第2検出素子31B及び第2補償素子32Bの雰囲気温度と略等しくなるようになっている。すなわち、1つの温度センサ14によって、4つの素子第1検出素子31A等の雰囲気温度が検出されるようにレイアウトされており、温度センサ14の部品点数の削減が図られている。<ヒータ>ヒータ21は、抵抗器であって電気ヒータであり、後記するヒータ駆動回路52から通電にされることで発熱する発熱体である。ヒータ21は、温度抵抗係数抵抗温度係数が大きく、その抵抗値とその温度とが線形関係となる材料で形成されている。このような特性を有する材料としては、白金Pt、モリブデンMo、タンタルTa、銅Cu等の金属や、ニクロム、SUS等の合金から選択された少なくとも一種を使用できる。<ヒータ用の温度センサ>温度センサ22は、ヒータ21の温度を検出し、後記するマイコン51に出力するようになっている図5参照。<ブリッジ回路>水素センサ1は、図5に示すように、常用検出素子対P1図4参照を含む第1ブリッジ回路B1と、基準検出素子対P2を含む第2ブリッジ回路B2と、を備えている。第1ブリッジ回路B1は、通常時に起動し、水素濃度を検出する回路であり、一方、第2ブリッジ回路B2は、マイコン51からの指令に従って常用検出素子対P1第1ブリッジ回路B1の劣化判断時に起動し、水素濃度を検出する回路である。すなわち、通常時、マイコン51からの指令に従って後記する電圧発生回路53から第1ブリッジ回路B1に電圧が印加通電され、一方、常用検出素子対P1第1ブリッジ回路B1の劣化判断時、マイコン51からの指令に従って電圧発生回路53から第1ブリッジ回路B1及び第2ブリッジ回路B2に電圧が印加通電されるようになっている。ここで、第1ブリッジ回路B1と第2ブリッジ回路B2とは、同様の構成であるので、以下、第1ブリッジ回路B1について詳細に説明する。第1ブリッジ回路B1は、第1直列辺30と、第2直列辺40と、を備えている。<第1ブリッジ回路-第1直列辺>第1直列辺30は、第1検出素子31A抵抗値R31と第1補償素子32A抵抗値R32とを備え、第1検出素子31Aと第1補償素子32Aとが直列に接続されることで構成されている。そして、常用検出素子対P1は、第1検出素子31Aと第1補償素子32Aとの対組で構成されている図3、図4参照。第1検出素子31Aは、基板11から鉛直下向きに延びると共に第1直列辺30の一部を構成する金属製のステー31d、31dの下端に固定されており、検出室13aに配置されている図2~図4参照。一方、第1補償素子32Aは、第1検出素子31Aと同様に、基板11から鉛直下向きに延びると共に第1直列辺30の一部を構成する金属製のステー32d、32dの下端に固定されており、検出室13aに配置されている。第1検出素子31Aは、水素に対して活性である公知の素子であって、触媒抵抗体とも称されるものであり、コイル31aと、コイル31aを被覆した球状の担体31bと、担体31bに担持された酸化触媒31cと、を備えている。コイル31aは、前記したヒータ21と同様に、白金Pt等の温度抵抗係数の大きい材料で形成されている。担体31bは、アルミナ等から形成された多孔質体である。酸化触媒31cは、水素に対して活性が高く、水素を酸化燃焼させる貴金属白金等から形成されている。ただし、第1検出素子31Aは、コイル型に限定されず、その他に例えば、薄膜型でもよい。したがって、第1検出素子31Aの温度及び抵抗値R31は、1検出室13aの温度雰囲気温度、環境温度と、2水素が酸化触媒31cに接触し、燃焼酸化したことによる燃焼熱と、に基づいて変化することになる。第1補償素子32Aは、水素に対して不活性である公知の素子であって、コイル32aと、コイル32aを被覆した球状の担体32bと、水素に対して不活性とするために担体32bの表面を被覆した不活性層図示しないと、を備えている。不活性層は、アルミナAl2O3やシリカSiO2等の非金属や、金Au等の水素と反応しない金属から形成される。そして、第1補償素子32Aに水素が接触しても、水素は触媒燃焼反応せず、燃焼熱は生成しないようになっている。したがって、第1補償素子32Aの温度及び抵抗値R32は、検出室13aの温度雰囲気温度、環境温度のみに基づいて変化することになる。<第1ブリッジ回路-第2直列辺>第2直列辺40は、第1抵抗41抵抗値R41と、第2抵抗42抵抗値R42とを備え、第1抵抗41と第2抵抗42とが直列に接続されることで構成されている。第1抵抗41及び第2抵抗42は、基板11上に取り付けられている図2参照。第1抵抗41の抵抗値R41、第2抵抗42の抵抗値R42は、固定値である。<第1直列辺、第2直列辺の接続状態>第1直列辺30の両端と、第2直列辺40の両端とは、それぞれ接続されて入力端子T1、入力端子T2を構成している。入力端子T1、入力端子T2は、電圧発生回路53に接続されており、電圧発生回路53で発生した電圧VINが入力端子T1、T2に印加し、第1ブリッジ回路B1に通電するようになっている。第1直列辺30において、第1検出素子31Aと第1補償素子32Aとの間の中間点は、出力端子T3を構成し、第2直列辺40において、第1抵抗41と第2抵抗42との間の中間点は出力端子T4を構成している。そして、出力端子T3、出力端子T4は、マイコン51に接続されており、第1ブリッジ回路B1の電位差V1OUT第1信号が、マイコン51に出力されるようになっている。すなわち、第1抵抗41の抵抗値R41及び第2抵抗42の抵抗値R42は固定値あることに対して、第1検出素子31Aの抵抗値R31が、1検出室13aの温度と2水素の燃焼熱とに基づいて変化し、第1補償素子32Aの抵抗値R32が1検出室13aの温度に基づいて変化し、抵抗値R31と抵抗値R32との差に基づく、出力端子T3、T4の電位差V1OUTが、第1ブリッジ回路B1の第1信号として、マイコン51に出力されるようになっている。ここで、検出室13aの温度が常温25°C等であり、水素濃度が0である場合、第1ブリッジ回路B1の電位差V1OUTが0となるように、第1検出素子31Aの抵抗値R31、第1補償素子32Aの抵抗値R32、第1抵抗41の抵抗値R41及び第2抵抗42の抵抗値R42は、設定されている。そして、第1検出素子31Aの抵抗値R31と、第1補償素子32Aの抵抗値R32とは、検出室13aの温度に対応して同様に変化するので、第1ブリッジ回路B1の電位差V1OUTは、水素濃度に対応して変化するようになっている。<第2ブリッジ回路>第2ブリッジ回路B2は、第1ブリッジ回路B1と同様の構成であり、第1ブリッジ回路B1の常用検出素子対P1第1検出素子31A、第1補償素子32Aの劣化判断時に、通電されることで駆動し、劣化判断基準となる電位差V2OUT第2信号を、マイコン51に出力する回路である。すなわち、第2ブリッジ回路B2は、第1ブリッジ回路B1と比較して、第1検出素子31Aに代えて第2検出素子31Bを、第1補償素子32Aに代えて第2補償素子32Bを、備えている。第2検出素子31B及び第2補償素子32Bは、検出室13aに配置されている図2~図4参照。そして、基準検出素子対P2は、第2検出素子31Bと第2補償素子32Bとの対組で構成されている。第2検出素子31Bは、第1検出素子31Aと同様の構成であり、その抵抗値R31は、1検出室13aの温度と2水素の燃焼熱とに基づいて変化するようになっている。第2補償素子32Bは、第1補償素子32Aと同様の構成であり、その抵抗値R32は、1検出室13aの温度に基づいて変化するようになっている。そして、第2ブリッジ回路B2における出力端子T3、T4の電位差V2OUTが、第2ブリッジ回路B2の第2信号として、マイコン51に出力されるようになっている。<第1検出素子等の配置状況>ここで、第1検出素子31A、第1補償素子32A、第2検出素子31B及び第2補償素子32Bの配置状況について、図4を参照して説明する。なお、第1検出素子31A及び第2検出素子31Bは、これに水素が接触すると燃焼熱を生成し発熱する。第1検出素子31A及び第1補償素子32Aの第1並び方向D1と、第2検出素子31B及び第2補償素子32Bの第2並び方向D2とは、平行であって、ここでは、配管120aにおけるオフガスの通流方向図2の左右方向と一致している。ただし、第1並び方向D1及び第2並び方向D2は、これに限定されず、例えば、配管120aにおけるオフガスの通流方向と直交する方向図2の紙面に対して垂直方向でもよい。そして、常用検出素子対P1と基準検出素子対P2とは、第1並び方向D1及び第2並び方向D2と直交する直交方向D5図4の上下方向において、所定間隔をあけて並んでいる。また、平面視において、常用検出素子対P1における第1検出素子31A及び第1補償素子32Aの第1並び順と、基準検出素子対P2における第2検出素子31B及び第2補償素子32Bの第2並び順とは、逆となっている図4参照。これにより、第1検出素子31A、第1補償素子32A、第2検出素子31B及び第2補償素子32Bは、仮想的な長方形正方形とすることが好ましいの頂点に配置されており、第1検出素子31Aと第2検出素子31Bとは、前記仮想的な長方形において対角に配置されている。このようにして、水素の燃焼により発熱する第1検出素子31Aと第2検出素子31Bとが相互に遠ざかり離れて配置されているので、第1検出素子31Aと第2検出素子31Bとが直交方向D5において並んでいる構成と比較して、第1検出素子31Aと第2検出素子31Bとの間で、相互に熱干渉し難くなっている。すなわち、第1検出素子31Aの温度及び抵抗値R31は、第2検出素子31Bの熱によって変化し難くなり、第2検出素子31Bの温度及び抵抗値R31は、第1検出素子31Aの熱によって変化し難くなる。したがって、第1ブリッジ回路B1常用検出素子対P1の電位差V1OUT第1信号と、第2ブリッジ回路B2基準検出素子対P2の電位差V2OUT第2信号とは、それぞれ、水素濃度のみに対応して変化し易くなる。ゆえに、水素濃度を高精度で検出でき、また、マイコン51が常用検出素子対P1を良好に劣化判断するようになっている。<マイコン>水素センサ1は、マイコン51制御手段、補正手段を備えている。マイコン51は、CPU、ROM、RAM、各種インタフェイス、電子回路等を含んで構成されており、その内部に記憶されたプログラムに従って、各種機能を発揮する。<マイコン-ヒータ制御機能>詳細には、マイコン51は、温度センサ22から入力されるヒータ21の温度及び/又は温度センサ14から入力される検出室13aの温度に基づいて、検出室13aの温度が目標温度以上となるように、ヒータ駆動回路52を制御PWM制御、ON/OFF制御、等する機能を備えている。前記目標温度は、例えば、検出室13aでオフガスの水蒸気が結露しない結露防止温度以上に設定される。<マイコン-電圧制御機能>また、マイコン51は、電圧発生回路53を制御して、1通常時、第1ブリッジ回路B1に所定電圧を印加し、2第1ブリッジ回路B1常用検出素子対P1の劣化判断時、第1ブリッジ回路B1及び第2ブリッジ回路B2基準検出素子対P2に所定電圧を印加させる機能を備えている。なお、第1ブリッジ回路B1の劣化判断は、例えば、1水素センサ1の積算使用時間が所定時間経過した場合、2積算水素濃度が所定濃度以上となった場合、等に実行される。<マイコン-補正機能>また、マイコン51補正手段は、第1ブリッジ回路B1常用検出素子対P1の電位差V1OUT第1信号と、補正係数αとを乗算し、電位差V1OUTを補正する機能を備えている。これにより、第1検出素子31Aと第1補償素子32Aとの個体差雰囲気温度が同一とした場合において、温度変化に起因する抵抗値R31、R32の差に基づく電位差V1OUTが補正、つまり、水素濃度のみに対応した電位差V1OUTに補正されるようになっている。ここで、補正係数αは、検出室13aの温度と、図6のマップとに基づいて算出される。ここでは、図6に示すように、検出室13aの温度が高くなるにつれて、補正係数αが大きくなる関係を例示している。これは、第1検出素子31Aのコイル31a、担体31bと、第1補償素子32Aのコイル32a、担体32bとが、完全に同一の仕様コイルの長さ太さ、担体の大きさ等であることは難しく、図7に示すように、水素濃度を0とした場合において、第1検出素子31Aの抵抗値R31と、第1補償素子32Aの抵抗値R32とに差が形成され、この抵抗値の差が、検出室13aの温度変化に伴って変化するからである。なお、図7では、第1補償素子32Aの抵抗値R32が、第1検出素子31Aの抵抗値R31よりも大きく、検出室13aの温度が高くなるにつれて、抵抗値R32と抵抗値R31との差が大きくなり、図6に示すように、補正係数αが大きくなる場合を例示しているが、これに限定されず、第1検出素子31A、第1補償素子32Aの仕様、第1ブリッジ回路B1への印加電圧の向き、等に基づいて、逆の傾向となる場合もある。また、図6のマップは、事前試験等によって求められ、マイコン51に記憶されている。これと同様に、マイコン51は、第2ブリッジ回路B2基準検出素子対P2の電位差V2OUT第2信号と、補正係数βとを乗算し、電位差V2OUTを補正する機能を備えている。これにより、第2検出素子31Bと第2補償素子32Bとの個体差に基づく電位差V2OUTが補正、つまり、水素濃度のみに対応した電位差V2OUTに補正されるようになっている。そして、マイコン51は、通常時、水素濃度に対応した補正後の電位差V1OUT又はこれを変換した信号を、ECU130に出力するようになっている。<マイコン-劣化判断機能>また、マイコン51劣化判断手段は、第1ブリッジ回路B1の常用検出素子対P1特に第1検出素子31Aが劣化したか否か判断する機能を備えている。具体的に例えば、マイコン51は、補正後の電位差V1OUT第1信号と、補正後の電位差V2OUT第2信号との差が、所定値以上である場合、常用検出素子対P1は劣化したと判断するようになっている。所定値は、常用検出素子対P1が劣化したと判断される値であり、事前試験等によって求められ、マイコン51に記憶されている。なお、常用検出素子対P1の第1検出素子31Aの劣化が進むと、酸化触媒31cの触媒機能が低下し、抵抗値R31が小さくなる。そして、マイコン51は、常用検出素子対P1が劣化していると判断した場合、これに対応した信号劣化信号をECU130に出力するようになっている。<ヒータ駆動回路、電圧発生回路>水素センサ1は、ヒータ駆動回路52と、電圧発生回路53と、を備えている。ヒータ駆動回路52は、DC-DCコンバータ等を備えて構成され、外部電源6112Vバッテリ等と接続されている。そして、ヒータ駆動回路52は、マイコン51の指令に従って、外部電源61からの電力を、その電流値を可変しつつ、ヒータ21に供給する機能を備えている。電圧発生回路53は、DC-DCコンバータ等を備えて構成され、外部電源62例えば12Vバッテリと接続されている。そして、電圧発生回路53は、マイコン51の指令に従って、1通常時、第1ブリッジ回路B1に、2常用検出素子対P1の劣化判断時、第1ブリッジ回路B1及び第2ブリッジ回路B2に、所定電圧を印加するようになっている。≪水素センサの動作≫次に、水素センサ1の動作について、図8を参照して説明する。なお、IG131のON信号を検知したECU130からの指令に従って、マイコン51は、図8の一連の処理を繰り返している。ステップS101において、マイコン51は、常用検出素子対P1の劣化判断時であるか否か判定する。劣化判断時であると判定した場合S101Yes、マイコン51の処理はステップS105に進む。一方、劣化判断時でないと判定した場合S101No、マイコン51の処理はステップS102に進む。なお、このようにステップS102に進む場合、通常時である。ステップS102において、マイコン51は、電圧発生回路53を制御して、第1ブリッジ回路B1に所定電圧を印加する。なお、第2ブリッジ回路B2はOFFする。ステップS103において、マイコン51は、第1ブリッジ回路B1からの電位差V1OUTを補正する。具体的には、マイコン51は、検出室13aの温度と図6のマップとに基づいて、補正係数αを算出し、電位差V1OUTと補正係数αとを乗算して、補正後の電位差V1OUTを算出する。ステップS104において、マイコン51は、補正後の電位差V1OUT又はこれに対応した信号を、ECU130に出力する。その後、マイコン51の処理は、リターンを通ってスタートに戻る。ステップS105において、マイコン51は、電圧発生回路53を制御して、第1ブリッジ回路B1、第2ブリッジ回路B2に、所定電圧をそれぞれ印加する。ステップS106において、マイコン51は、第1ブリッジ回路B1からの電位差V1OUTと、第2ブリッジ回路B2からの電位差V2OUTとをそれぞれ補正する。ステップS107において、マイコン51は、常用検出素子対P1が劣化しているか否か判定する。例えば、補正後の電位差V1OUTと、補正後の電位差V2OUTとの差の絶対値が所定値以上である場合、常用検出素子対P1は劣化していると判定する。常用検出素子対P1は劣化していると判定した場合S107Yes、マイコン51の処理は、ステップS108に進む。一方、常用検出素子対P1は劣化していないと判定した場合S107No、マイコン51の処理は、リターンを通って、スタートに戻る。ステップS108において、マイコン51は、常用検出素子対P1が劣化していることに対応した劣化信号を、ECU130に出力する。この場合において、ECU130は、常用検出素子対P1が劣化していることを運転者に報知するべく、報知装置図示しないを作動、例えば、警告ランプを点灯させる構成とすることが好ましい。その後、マイコン51の処理は、リターンを通って、スタートに戻る。≪水素センサの効果≫このような水素センサ1によれば次の効果を得る。1つの素子ハウジング13を備える構成であるので、水素センサ1を小型化し、低コストで構成できる。第1検出素子31Aと第2検出素子31Bとが離れているので、第1検出素子31Aと第2検出素子31Bとの間で熱干渉し難く、水素濃度を高精度で検出し、常用検出素子対P1を正確に劣化判断できる。素子ハウジング13が1つであり、検出室13aも1つであるので、1つのヒータ21で加熱できる。これにより、ヒータ21の部品点数が最小となり、水素センサ1を低コストで構成できる。温度センサ14が、第1検出素子31A、第1補償素子32A、第2検出素子31B及び第2補償素子32Bに囲まれた構成であるので、温度センサ14の検出する温度は、第1検出素子31A等の雰囲気温度と等しくなり易くなる。そして、温度センサ14の検出する温度に基づいて、電位差V1OUT、V2OUTを補正するので、水素濃度を高精度で検出したり、常用検出素子対P1の劣化判断を正確に実行したりできる。≪変形例≫以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されず、後記する形態の構成と適宜に組み合わせてもよいし、また、次のように変更してもよい。前記した実施形態では、被検出ガスが水素である構成を例示したが、その他のガスでもよい。前記した実施形態では、水素センサ1が接触燃焼式である構成を例示したが、その他の熱を発生する方式、例えば、熱伝導式、プロトン式、半導体式でもよい。前記した実施形態では、燃料電池システム100が燃料電池車に搭載された場合を例示したが、その他の移動体、例えば、自動二輪車、列車、船舶に搭載された構成でもよい。また、家庭用の据え置き型の燃料電池システムや、給湯システムに組み込まれた燃料電池システムに、本発明を適用してもよい。≪第2実施形態≫次に、本発明の第2実施形態について、図9を参照して説明する。なお、第1実施形態と異なる部分を説明する。第2実施形態に係る水素センサ2は、常用検出素子対P1とは別である常用検出素子対P3を備えている。そして、例えば、通常時、常用検出素子対P1と常用検出素子対P3とは、所定時間経過毎に交互に作動するように構成されており、常用検出素子対P1及び常用検出素子対P3の長寿命化が図られている。常用検出素子対P3は、第3検出素子31Cと第3補償素子32Cとの対で構成されている。なお、水素センサ1は、第1ブリッジ回路B1と同様の第3ブリッジ回路図示しないを備えており、常用検出素子対P3は前記第3ブリッジ回路図示しないの一部を構成している。第3検出素子31C及び第3補償素子32Cの第3並び方向D3は、第1並び方向D1及び第2並び方向D2と平行である。また、常用検出素子対P3は、直交方向D5において、基準検出素子対P2を対称中心として、常用検出素子対P1の反対側に、基準検出素子対P2に対して所定間隔をあけて並んでいる。さらに、常用検出素子対P3における第3検出素子31C及び第3補償素子32Cの第3並び順と、基準検出素子対P2における第2検出素子31B及び第2補償素子32Bの第2並び順とは逆となっている。これにより、常用検出素子対P3の第3検出素子31Cと、基準検出素子対P2の第2検出素子31Bとが離れて配置されるので、第3検出素子31Cと第2検出素子31Bとの間における熱干渉を低減できる。前記した実施形態では、2つの常用検出素子対P1、P3と、1つの基準検出素子対P2と、を備える構成を例示したが、その他に例えば、1つの常用検出素子対と、2つの基準検出素子対とを備える構成としてもよい。この場合、直交方向D5において、2つの基準検出素子対で、1つの常用検出素子対を挟む構成とすればよい。また、2つの常用検出素子対と、2つの基準検出素子対とを備える構成としてもよい。この場合、直交方向D5において、基準検出素子対と、常用検出素子対とを交互に並べる構成とすればよい。≪第3実施形態≫次に、本発明の第3実施形態について、図10~図11を参照して説明する。なお、第1実施形態と異なる部分を説明する。第3実施形態に係る水素センサ3は、平面視で十字形を呈する樹脂製ポリフェニレンサルファイド等の断熱部材15を備えている。ただし、断熱部材15は、腐食し難い金属製SUS等としてもよい。断熱部材15は、平面視において、互いの中間位置で交差する第1壁部15aと第2壁部15bとを備えている。第1壁部15aは、常用検出素子対P1と基準検出素子対P2との間で、第1並び方向D1及び第2並び方向D2と平行な方向で延びている。第2壁部15bは、常用検出素子対P1の第1検出素子31Aと第1補償素子32Aとの間、かつ、基準検出素子対P2の第2検出素子31Bと第2補償素子32Bとの間で、直交方向D5と平行な方向で延びている。なお、断熱部材15は、高さ方向において、ケース12の底壁部から下方に向かって、第1検出素子31A等よりも下方位置まで延びている。そして、温度センサ14は、第1壁部15aと第2壁部15bとの交差位置に取り付けられている。このような水素センサ3によれば、第1壁部15aが、常用検出素子対P1と基準検出素子対P2との間で延び、第2壁部15bが、第1検出素子31Aと第1補償素子32Aとの間、かつ、第2検出素子31Bと第2補償素子32Bとの間で延びているので、第1検出素子31A、第1補償素子32A、第2検出素子31B及び第2補償素子32B間における熱干渉を低減できる。前記した実施形態では、断熱部材15は十字形である構成を例示したが、その他に例えば、直交方向D5に延びる第2壁部15bを省略し、第1壁部15aのみを備える構成としてもよい。このような構成によれば、第1検出素子31Aの雰囲気温度と、第1補償素子32Aの雰囲気温度とが等しくなり易くなる。第2検出素子31Bの雰囲気温度と第2補償素子32Bの雰囲気温度とについても同様である。≪第4実施形態≫次に、本発明の第4実施形態について、図12~図13を参照して説明する。なお、第1実施形態と異なる部分を説明する。第4実施形態に係る水素センサ4は、円筒状を呈する4つの断熱部材16を備えている。ただし、円筒状に限定されず、多角筒状例えば六角筒状としてもよい。4つの断熱部材16は、ケース12の底壁部から下方に延びると共に、第1検出素子31A、第1補償素子32A、第2検出素子31B、第2補償素子32Bのそれぞれを囲んでいる。これにより、第1検出素子31A、第1補償素子32A、第2検出素子31B、第2補償素子32Bの間における熱干渉が低減されている。ただし、少なくとも第1検出素子31A、第2検出素子31Bのみをそれぞれ囲む構成としてもよい。円筒状の各断熱部材16の周壁部には、3つの貫通孔16aが形成されており、各貫通孔16aを通って、水素を含むオフガスが出入するようになっている。ただし、貫通孔16aの無い構成でもよい。3つの貫通孔16aは、第1並び方向D1又は第2並び方向D2から45°ずれた位置に形成されている。つまり、貫通孔16aは、任意の素子例えば第1検出素子31Aから最も近い素子第1補償素子32A又は第2補償素子32Bの方向に、形成されていない。これにより、第1並び方向D1第2並び方向D2又は直交方向D5において、隣り合う素子間例えば、第1検出素子31Aと第1補償素子32Aとの間における熱干渉が低減されている。ただし、貫通孔16aは、第1検出素子31A等を頂点とする仮想的な長方形の対角方向内側位置には形成されていない。これにより、第1検出素子31Aと第2検出素子31Bとの間、第1補償素子32Aと第2補償素子32Bとの間における熱干渉が低減されている。