"セリア粒子、シリカ粒子、及び水を含有する非晶質ガラス基板用研磨液組成物であって、前記研磨液組成物中におけるセリア粒子とシリカ粒子の合計含有量が4~20重量であり、前記セリア粒子と前記シリカ粒子との重量比セリア粒子/シリカ粒子が5/95~30/70であり、pHが4~12である、非晶質ガラス基板用研磨液組成物。前記シリカ粒子の、電子顕微鏡法により得られるシリカ粒子の投影面積A1とシリカ粒子の最大内接円面積Aとの面積比RA1/Aの平均値が、1.2~3.0である、請求項1記載の非晶質ガラス基板用研磨液組成物。前記シリカ粒子が、電子顕微鏡法により得られる投影画像における前記シリカ粒子の輪郭に、前記シリカ粒子の最大内接円半径の1/5~1/2の曲率半径をもった凸部を、平均2.0個以上有する、請求項1又は2に記載の非晶質ガラス基板用研磨液組成物。前記セリア粒子は、前記セリア粒子中の全希土類酸化物含有量が85重量以上であり、前記全希土類酸化物に占める酸化セリウムの含有量が60重量以上である、請求項1から3のいずれかに記載の非晶質ガラス基板用研磨液組成物。被研磨基板の研磨対象面に研磨液組成物を供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び又は前記被研磨基板を動かして研磨する工程を含むガラスハードディスク基板の製造方法であって、前記被研磨基板が非晶質ガラス基板であり、前記研磨液組成物が請求項1から4のいずれかに記載の非晶質ガラス基板用研磨液組成物である、ガラスハードディスク基板の製造方法。被研磨基板の研磨対象面に研磨液組成物を供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び又は前記被研磨基板を動かして研磨することを含むガラス基板の研磨方法であって、前記被研磨基板が非晶質ガラス基板であり、前記研磨液組成物が請求項1から4のいずれかに記載の非晶質ガラス基板用研磨液組成物である、ガラス基板の研磨方法。ハードディスク用のガラス基板としては、非晶質ガラス基板や結晶化ガラス基板が用いられるが、これらの基板は研磨終了後にアルカリ性洗浄剤で洗浄処理されることが多い。この際、研磨工程で平滑化した基板の表面粗さが15-30悪化するという大きな課題が存在する。しかしながら、前記特許文献1及び2記載の方法では、非晶質ガラス基板の研磨において、ガラス基板の表面粗さや、ピット、キズなどの欠陥を十分に低減することができない。本発明は、非晶質ガラス基板の研磨において、高い研磨速度で研磨でき、研磨後の基板表面の表面粗さ、ピット、及びキズの欠陥を低減できる研磨液組成物を提供する。本発明は、一態様において、セリア粒子、シリカ粒子、及び水を含有する非晶質ガラス基板用研磨液組成物であって、前記研磨液組成物中におけるセリア粒子とシリカ粒子の合計含有量が4~20重量であり、前記セリア粒子と前記シリカ粒子との重量比セリア粒子/シリカ粒子が5/95~30/70であり、pHが4~12である非晶質ガラス基板用研磨液組成物に関する。本発明は、その他の態様において、被研磨基板の研磨対象面に、本発明の研磨液組成物を供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び又は前記被研磨基板を動かして研磨する工程を含むガラスハードディスク基板の製造方法であって、前記被研磨基板が非晶質ガラス基板であり、前記研磨液組成物が本発明の前記非晶質ガラス基板用研磨液組成物であるガラスハードディスク基板の製造方法に関する。本発明は、さらにその他の態様において、被研磨基板の研磨対象面に研磨液組成物を供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び又は前記被研磨基板を動かして研磨することを含むガラス基板の研磨方法であって、前記被研磨基板が非晶質ガラス基板であり、前記研磨液組成物が本発明の前記非晶質ガラス基板用研磨液組成物であるガラス基板の研磨方法に関する。本発明によれば、非晶質ガラス基板の研磨において、研磨速度の向上と、研磨後の基板表面の表面粗さ、ピット、及びキズの低減とを実現できる研磨液組成物を提供しうる。また、本発明によれば、研磨終了後におけるアルカリ性洗浄剤による洗浄処理において、基板の表面粗さ悪化を抑制することができる。本発明は、砥粒としてセリア粒子とシリカ粒子を所定の範囲の含有量及び含有割合で含む研磨液組成物が、非晶質ガラス基板の研磨において、研磨速度の向上と、研磨後の基板表面の表面粗さ、ピット、及びキズの低減とを両立できるという知見に基づく。本発明は、一態様において、セリア粒子、シリカ粒子、及び水を含有する非晶質ガラス基板用研磨液組成物であって、前記研磨液組成物中におけるセリア粒子とシリカ粒子の合計含有量が4~20重量であり、前記セリア粒子と前記シリカ粒子との重量比セリア粒子/シリカ粒子が5/95~30/70であり、pHが4~12である非晶質ガラス基板用研磨液組成物以下、本発明の研磨液組成物とも言う。に関する。本発明の研磨液組成物によれば、非晶質ガラス基板の研磨において、生産性を損なわない高い研磨速度を維持しつつ、研磨後の基板表面の表面粗さ、ピット、及びキズを低減できる。また、本発明の研磨液組成物によれば、好ましくは、前記効果に加えて、研磨終了後におけるアルカリ性洗浄剤による洗浄処理において基板の表面粗さ悪化を抑制することができる。本発明の研磨液組成物により、非晶質ガラス基板の研磨において、研磨速度の向上と、研磨後の基板表面の表面粗さ、ピット、及びキズの低減とが実現できる理由は明らかではないが、以下のように推定される。すなわち、セリア粒子とシリカ粒子とがゆるく結合したネットワークが液中で形成されることにより、セリア粒子の分散安定性が増し、比重の大きなセリア粒子の沈降が抑制され、セリア粒子が被加工表面に接触して有効な切れ歯として作用するため研磨速度が向上する。そして、微細なシリカ粒子、特に球状コロイダルシリカ粒子が表面をソフトに研磨することで表面粗さや、表面欠陥が改善する。但し、本発明はこれらの推定に限定して解釈されなくてもよい。なお、本明細書において、基板表面のピット及びキズとは、基板表面の凹み欠陥のことであり、ピットとは穴状の凹み欠陥、キズとは筋状の凹み欠陥をいう。基板表面の表面粗さ、ピット及びキズは、光学式検査機やレーザー式検査機により測定でき、具体的には実施例の記載の方法で測定できる。[研磨液組成物]本発明の研磨液組成物は、研磨速度を向上させる観点、並びに、表面粗さ、ピット及びキズを低減する観点から、セリア粒子、シリカ粒子、及び水を含有する。研磨液組成物中におけるセリア粒子とシリカ粒子の合計含有量は、経済的に研磨速度を向上させる観点、表面粗さ、ピット及びキズを低減する観点から、4~20重量であり、好ましくは5~16重量、より好ましくは6~14重量、さらに好ましくは7~13重量、さらにより好ましくは8~12重量である。また、本発明の研磨液組成物中における、セリア粒子とシリカ粒子の重量比セリア粒子/シリカ粒子は、研磨速度を向上させる観点、並びに、表面粗さ、ピット及びキズを低減する観点から、5/95~30/70であり、好ましくは6/94~25/75、より好ましくは7/93~20/80、さらに好ましくは8/92~15/85である。セリア粒子本発明に用いられるセリア粒子は、市販品であってもよいし、自家調製したものであってもよい。セリア粒子の調製方法としては、焼成法、水熱合成法、塩触媒法、気相法PSV法等の従来公知の方法が挙げられるが、なかでも、焼成法が好ましい。より具体的には、研磨速度をさらに向上させる観点から、本実施形態の研磨液組成物に含まれるセリア粒子は、炭酸塩、硫酸塩、硝酸塩又はシュウ酸塩等の形態のセリウム化合物を焼成することにより得られるセリア粒子であると好ましい。他の成分と混合される前のセリア粒子の形態は、特に制限されず、粉末状であってもよいし、ゾル状であってもよい。本発明に用いられるセリア粒子の体積中位径D50は、研磨速度を向上させる観点から、その下限は、0.3μm以上が好ましく、より好ましくは0.5μm以上、さらに好ましくは0.8μm以上、さらにより好ましくは1.0μm以上である。また、表面粗さ、ピット、及びキズを低減する観点から、その上限は、3.0μm以下が好ましく、より好ましくは2.5μm以下、さらに好ましくは2.0μm以下、さらにより好ましくは1.8μm以下である。したがって、セリア粒子の体積中位径D50は、研磨速度を向上させる観点、並びに、表面粗さ、ピット及びキズを低減する観点から、0.3~3.0μmが好ましく、より好ましくは0.5~2.5μm、さらに好ましくは0.8~2.0μm、さらにより好ましくは1.0~1.8μmである。ここで、セリア粒子の体積中位径D50とは、体積分率で計算した累積体積頻度が粒径の小さい方から計算して50になる粒径をいい、具体的には、実施例に記載の方法により求めることができる。また、本発明に用いられるセリア粒子の平均一次粒子径は、研磨速度をさらに向上させる観点から、その下限は、5nm以上が好ましく、より好ましくは10nm以上、さらに好ましくは20nm以上である。また、表面粗さ、ピット、及びキズを低減する観点から、その上限は、100nm以下が好ましく、より好ましくは50nm以下、さらに好ましくは40nm以下である。したがって、セリア粒子の平均一次粒子径は、研磨速度を向上させる観点、並びに、表面粗さ、ピット及びキズを低減する観点から、5~100nmが好ましく、より好ましくは10~50nm、さらに好ましくは20~40nmである。なお、本明細書において、平均一次粒子径nmは、BET窒素吸着法によって算出される比表面積Sm2/gから、下記式で算出される粒径真球換算を意味する。平均一次粒子径nm=820/S前記セリア粒子中における全希土類酸化物の含有量は、研磨速度を向上させる観点、並びに、表面粗さ、ピット及びキズを低減する観点から、85重量以上が好ましく、より好ましくは88重量以上、さらに好ましくは90重量以上、さらにより好ましくは95重量以上である。また、前記全希土類酸化物に占める酸化セリウムの含有量酸化セリウム/全希土類酸化物合計は、研磨速度を向上させる観点、並びに、表面粗さ、ピット及びキズを低減する観点から、60重量以上が好ましく、より好ましくは62重量以上、さらに好ましくは64重量以上であり、さらにより好ましくは65重量以上である。本発明の研磨液組成物中におけるセリア粒子の含有量は、研磨速度の向上の観点から、その下限は、0.2重量以上が好ましく、より好ましくは0.3重量以上、さらに好ましくは0.5重量以上であり、さらにより好ましくは0.7重量以上である。また、表面粗さ、ピット、及びキズを低減する観点から、その上限は、6.0重量以下が好ましく、より好ましくは5.0重量以下、さらに好ましくは2.5重量以下、さらにより好ましくは2.0重量以下である。したがって、セリア粒子の含有量は、研磨速度を向上させる観点、並びに、表面粗さ、ピット及びキズを低減する観点から、0.2~6.0重量が好ましく、より好ましくは0.3~5.0重量、さらに好ましくは0.5~2.5重量、さらにより好ましくは0.7~2.0重量である。[シリカ粒子]本発明の研磨液組成物は、研磨速度向上の観点から、砥粒としてシリカ粒子を含有する。本発明に用いられるシリカ粒子としては、コロイダルシリカ粒子、ヒュームドシリカ粒子、表面修飾したシリカ粒子等が挙げられる。表面粗さ、ピット、キズを低減する観点から、コロイダルシリカ粒子が好ましい。シリカ粒子の使用形態としては、スラリー状であるのが好ましい。前記コロイダルシリカ粒子は、珪酸ナトリウム等の珪酸アルカリ金属塩を原料とし、水溶液中で縮合反応させて粒子を成長させる水ガラス法で得られうる。あるいは、前記コロイダルシリカは、テトラエトキシシラン等のアルコキシシランを原料とし、アルコール等の水溶性有機溶媒を含有する水中で縮合反応させて成長させるアルコキシシラン法で得られうる。本発明に用いられるシリカ粒子の一次粒子の平均粒子径は、研磨速度を向上させる観点、並びに、表面粗さ、ピット及びキズを低減する観点から、5~200nmが好ましく、より好ましくは7~100nm、さらに好ましくは9~80nm、さらにより好ましくは10~50nmである。ここで、本発明に用いられるシリカ粒子の一次粒子の平均粒子径は、具体的には、実施例に記載の方法により求めることができる。本発明に用いられるシリカ粒子は、電子顕微鏡法により得られるシリカ粒子の投影面積A1とシリカ粒子の最大内接円面積Aとの面積比RA1/Aの平均値が、1.2~3.0であることが好ましい。このような不定形の異形シリカ粒子は、その異形状に由来して、粒子と粒子又は粒子と研磨パッドとの摩擦が大きいために粒子の移動が少なく、被研磨基板との相対速度を維持できることから研磨砥粒として有効に機能するものと推定される。但し、本発明はこの推定に限定して解釈されなくてもよい。前記投影面積A1及び前記最大内接円面積Aは、具体的には、実施例に記載の方法により求めることができる。本発明に用いられるシリカ粒子の面積比Rの平均値は、研磨速度を向上させる観点、並びに、表面粗さ、ピット及びキズを低減する観点から、1.2~3.0が好ましく、より好ましくは1.2~2.6、さらに好ましくは1.2~2.2、さらにより好ましくは1.2~2.0である。本発明に用いられるシリカ粒子は、研磨速度を向上させる観点、並びに、表面粗さ、ピット及びキズを低減する観点から、粒子表面に一定の程度の大きさを有する凸部が存在することが好ましく、具体的には、電子顕微鏡法により得られる該シリカ粒子の投影画像の粒子輪郭に、該シリカ粒子の最大内接円半径の1/5~1/2の曲率半径を持った凸部以下、単に凸部とも言う。を平均2.0個以上有するものであるのが好ましい。本発明に用いられるシリカ粒子の前記凸部としては、研磨速度を向上させる観点から、平均2.0個以上有するのが好ましく、より好ましくは平均3.0個以上、さらに好ましくは平均4.0個以上である。上限値は特に限定されないが、表面粗さ、ピット及びキズを低減する観点から、平均20個以下が好ましく、より好ましくは平均15個以下、さらに好ましくは平均10個以下である。したがって、前記凸部は、研磨速度を向上させる観点、並びに、表面粗さ、ピット及びキズを低減する観点から、平均2.0~20個が好ましく、より好ましくは平均3.0~15個、さらに好ましくは平均4.0~10個である。このような形状のシリカ粒子は、粒子と粒子又は粒子と研磨パッドとの摩擦が大きいために粒子の移動が少なく、被研磨基板との相対速度を維持できることから研磨砥粒として有効に機能し、該凸部が研磨作用点となって研磨速度の向上と表面平滑性を両立するものと推定される。但し、本発明はこの推定に限定して解釈されなくてもよい。前記凸部は、具体的には、実施例に記載の方法により求めることができる。前記凸部の平均個数は、具体的には、実施例に記載の方法により求めることができる。前記面積比R及び又は前記凸部個数を満たすシリカ粒子以下、異形シリカ粒子とも言う。は、従来公知のシリカ単分散粒子あるいはゾルを、高濃度下で水熱処理したり、又は前記単分散粒子分散液あるいはゾルにバインダー成分を加え、加熱処理して単分散粒子を接合させることによって得ることができる。このような異形シリカ粒子は、必要に応じて、得られた異形シリカ粒子分散液を分離分級して単分散粒子を除いたり、場合によっては単分散粒子を添加したりすることによって、異形シリカ粒子の大きさ、研磨液組成物中の異形シリカ粒子の割合を所望の程度に調整して用いることができる。本発明の研磨液組成物におけるシリカ粒子の含有量は、研磨速度を向上させる観点、並びに、表面粗さ、ピット及びキズを低減する観点から、好ましくは4~19重量、より好ましくは6~15重量、さらに好ましくは7~13重量、さらにより好ましくは8~12重量である。[分散剤]本発明の研磨液組成物は、セリア粒子の分散安定性を向上する観点、研磨速度を向上させる観点、並びに、表面粗さ、ピット及びキズを低減する観点から、分散剤を含有することが好ましい。分散剤としては、アニオン性界面活性剤、ノニオン性界面活性剤等の界面活性剤、あるいは、ポリアクリル酸又はその塩、アクリル酸系共重合体又はその塩、エチレンオキサイド-プロピレンオキサイドブロック共重合体プルロニック類等の高分子分散剤等が挙げられる。中でも、分散効果の観点から、ポリアクリル酸又はその塩が好ましい。前記分散剤の重量平均分子量は、研磨速度を向上させる観点、並びに、表面粗さ、ピット及びキズを低減する観点から、1,000~100,000であることが好ましく、より好ましくは5,000~80,000、さらに好ましくは10,000~60,000、である。上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCにより得られるクロマトグラム中のピークに基づいて算出した値である。前記分散剤の重量平均分子量は、具体的には、実施例に記載の方法により求めることができる。研磨液組成物中における、分散剤の含有量は、研磨速度を向上させる観点、並びに、表面粗さ、ピット及びキズを低減する観点から、0.0005~1.0重量が好ましく、より好ましくは0.001~0.5重量、さらに好ましくは0.005~0.4重量、さらに好ましくは0.01~0.3重量である。[水]本発明の研磨液組成物は、媒体として水を含有する。水としては、蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等が使用され得る。研磨液組成物中の水の含有量は、研磨液組成物の取扱いがさらに容易になるため、70重量以上が好ましく、より好ましくは75重量以上、さらに好ましくは80重量以上、さらにより好ましくは85重量以上である。また、前記水の含有量は、研磨速度向上の観点から、96重量以下が好ましく、より好ましくは95重量以下、さらに好ましくは94重量以下である。従って、前記媒体の含有量は、70~96重量が好ましく、より好ましくは75~95重量、さらに好ましくは80~94重量、さらにより好ましくは85~94重量である。[研磨液組成物のpH]本発明の研磨剤組成物のpHは、必要に応じてpH調整剤を用いて調整されうる。pH調整剤としては、塩基性化合物、又は酸性化合物等があげられる。塩基性化合物としては、アンモニア、水酸化カリウム、水溶性有機アミン及び四級アンモニウムハイドロオキサイド等があげられる。酸性化合物としては、硫酸、塩酸、硝酸又はリン酸等の無機酸、酢酸、シュウ酸、コハク酸、グリコール酸、リンゴ酸、クエン酸又は安息香酸等の有機酸等があげられる。本発明の研磨液組成物のpHは、研磨速度を向上させる観点、表面粗さ、ピット及びキズを低減する観点、並びに、研磨機の腐食防止及び作業者の安全性向上の観点から、4~12であり、好ましくは5~12、より好ましくは5~11、さらに好ましくは5~10、さらにより好ましくは5~9、さらにより好ましくは5~7である。pHは、前記酸の種類、含有量によって適宜調整できる。なお、上記のpHは、25°Cにおける研磨液組成物のpHであり、pHメータ東亜電波工業社製、HM-30Gを用いて測定でき、電極の研磨液組成物への浸漬後3分後の数値である。[その他の成分]本発明の研磨液組成物は、さらに、殺菌剤、抗菌剤、増粘剤、防錆剤等を含んでもよい。これらの成分の研磨液組成物中の含有量は、研磨特性の観点から、5重量以下が好ましく、より好ましくは3重量以下、さらに好ましくは1重量以下である。[研磨液組成物の調製方法]本発明の研磨液組成物は、各成分を公知の方法で混合することにより、調製することができる。研磨液組成物は、経済性の観点から、通常、濃縮液として製造され、これを使用時に希釈する場合が多い。したがって、本発明の研磨液組成物も、そのまま使用する形態でもよいし、濃縮液の形態であって希釈して使用するものでもよい。濃縮液を希釈する場合、その希釈倍率は、特に制限されず、前記濃縮液における各成分の濃度研磨材の含有量等や研磨条件等に応じて適宜決定できる。研磨液組成物のpHは、前記成分の混合後、所定のpHに調整してもよいし、混合前にそれぞれ調整していてもよい。[非晶質ガラス基板]本発明の研磨液組成物は、非晶質ガラス基板用の研磨液組成物である。本明細書において、本発明の研磨液組成物を用いた研磨の対象である非晶質ガラス基板は、結晶質部分の割合が非晶質部分の割合よりも少ないガラス基板を言い、結晶質部分の割合が10重量未満のガラス基板が好ましい。前記結晶質部分の割合は、例えば、実施例に記載のX線回折法により求めることができる。非晶質ガラス基板としては、例えば、石英ガラス、ソーダライムガラス、アルミノ珪酸ガラス基板、ホウ珪酸ガラス基板、アルミノホウ珪酸ガラス基板等が挙げられる。非晶質ガラス基板は、研磨速度向上の観点から、アルミノ珪酸ガラス基板、アルミノホウ珪酸ガラス基板が好ましく、アルミノ珪酸ガラス基板がより好ましい。アルミノ珪酸ガラス基板は、その構成元素としてO酸素以外ではSiケイ素を最も多く含み、次いでAl及びNaを多く含む。通常、Siの含有量は20~40重量であり、Alの含有量は3~25重量、Naの含有量は3~25重量で、他にもK、Ti、Zn、S、Ca、P、B、Zr、Fe、Sr、Nb、Ba、Niなどを含むことがあるが、ハードディスク用としては、研磨速度の向上及び基板の透明性維持の観点から、Alの含有量は、5~20重量が好ましく、7~15重量がより好ましい。同様の観点から、Naの含有量は3~20重量が好ましく、5~15重量がより好ましい。[研磨方法]したがって、本発明は、その他の態様として、本発明の研磨液組成物を用いた非晶質ガラス基板の研磨方法以下本発明の研磨方法とも言う。に関する。また、本発明は、さらにその他の態様として、非晶質ガラス基板の研磨における本発明の研磨液組成物の使用に関する。本発明の研磨方法の具体的な態様として、被研磨基板の研磨対象面に研磨液組成物を供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び又は前記被研磨基板を動かして研磨することを含むガラス基板の研磨方法であって、前記被研磨基板が非晶質ガラス基板であり、前記研磨液組成物が本発明の研磨液組成物であるガラス基板の研磨方法が挙げられる。また、非晶質ガラス基板の研磨における本発明の研磨液組成物の使用の具体的な態様として、非晶質ガラス基板である被研磨基板以下被研磨非晶質ガラス基板とも言う。の研磨対象面に研磨液組成物を供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び又は前記被研磨非晶質ガラス基板を動かして研磨することを含むガラス基板の研磨方法における本発明の研磨液組成物の使用が挙げられる。これらの研磨の具体的な実施形態は、後述するガラスハードディスク基板の製造方法における研磨工程を参照できる。[ガラスハードディスク基板の製造方法]本発明の研磨液組成物を用いた研磨は、ガラスハードディスク基板の製造方法における研磨工程に適用できる。したがって、本発明は、一態様において、本発明の研磨液組成物を用いて非晶質ガラス基板である被研磨基板被研磨非晶質ガラス基板を研磨する工程以下ガラス基板研磨工程1とも言う。を含むガラスハードディスク基板の製造方法以下本発明の基板製造方法とも言う。に関する。また、本発明は、その他の態様として、非晶質ガラス基板である被研磨基板を研磨する工程を含むガラスハードディスク基板の製造方法における本発明の研磨液組成物の使用に関する。本発明の基板製造方法の具体的な態様として、被研磨基板の研磨対象面に研磨液組成物を供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び又は前記被研磨基板を動かして研磨する工程を含むガラスハードディスク基板の製造方法であって、前記被研磨基板が非晶質ガラス基板であり、前記研磨液組成物が本発明の研磨液組成物であるガラスハードディスク基板の製造方法が挙げられる。また、ガラスハードディスク基板の製造方法における本発明の研磨液組成物の使用の具体的な態様として、非晶質ガラス基板である被研磨基板の研磨対象面に研磨液組成物を供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び又は前記被研磨非晶質ガラス基板を動かして研磨する工程を含むガラスハードディスク基板の製造方法における本発明の研磨液組成物の使用が挙げられる。一般に、ガラスハードディスク基板は、溶融ガラスの型枠プレス又はシートガラスから切り出す方法によってガラス基材を得る工程から、形状加工工程、端面研磨工程、粗研削工程、精研削工程、粗研磨工程、仕上げ研磨工程、化学強化工程を経て製造される。化学強化工程は仕上げ研磨工程の前に施してもよい。また各工程の間には洗浄工程が含まれることがある。ガラスハードディスク基板は、記録部形成工程を経ることで磁気ハードディスクとなる。前記ガラス基板研磨工程1における被研磨非晶質ガラス基板は、前記精研削工程を経た後の非晶質ガラス基板であることが好ましく、前記仕上げ研磨工程前の非晶質ガラス基板であることがさらに好ましい。前記ガラス基板研磨工程1は、前記被研磨非晶質ガラス基板の研磨対象面に本発明の研磨液組成物を供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、所定の圧力荷重をかけながら、研磨パッドや前記被研磨非晶質ガラス基板を動かすこと等によって行うことができる。前記ガラス基板研磨工程1は、最終の基板品質をより向上させる観点から、粗研磨工程であることが好ましい。また、前記ガラス基板研磨工程1は、生産性の向上の点及び経済性向上の観点から、本発明の研磨液組成物を循環使用して前記被研磨ガラス基板を研磨することを含むことが好ましい。前記ガラス基板研磨工程1は、例えば、後述する研磨装置を用いて行うことができる。本発明において、研磨液組成物の循環使用とは、前記ガラス基板研磨工程1において、使用した研磨液組成物を回収して再度研磨機に投入し、該研磨液組成物を研磨機内で循環させて再利用することをいう。研磨後の廃研磨液を一度全量回収してから研磨機に再投入してもよいし、廃研磨液を回収タンクに戻しながら連続的に研磨機に再投入してもよい。研磨液組成物を研磨機内で循環使用する際、その再利用回数は特に制限されないが、研磨液組成物を用いて、被研磨非晶質ガラス基板を好ましくは10~30回、より好ましくは15~30回研磨する場合の使用に適している。[研磨装置]非晶質ガラス基板の研磨に用いられる研磨装置としては、特に制限はなく、被研磨基板を保持する、アラミド製やガラスエポキシ製等の治具キャリアともいう。と、研磨布研磨パッドともいう。を備えた片面又は両面研磨装置を用いることができる。中でも、両面研磨装置が好適に用いられる。研磨パッドの材質としては、有機高分子等が挙げられ、前記有機高分子としては、ポリウレタン等が挙げられ、粗研磨工程では、発泡ポリウレタン製硬質パッドが好適に用いられ、研磨パッド中にセリア粒子を含浸させたものが好適に用いられる。スウェード調のウレタン製軟質パッドを用いてもよい。前記研磨パッドの形状は、不織布状が好ましく、表面に溝を設けたものが好適に用いられる。該研磨装置を用いる研磨の具体例としては、被研磨非晶質ガラス基板をキャリアで保持し研磨パッドを貼り付けた1対の研磨定盤で挟み込み、研磨液組成物を研磨パッドと被研磨ガラス基板との間に供給し、所定の圧力の下で研磨定盤及び/又は被研磨ガラス基板を動かすことにより、研磨液組成物を被研磨非晶質ガラス基板に接触させながら被研磨基板を研磨する方法が挙げられる。前記ガラス基板研磨工程1における研磨荷重は、研磨速度を向上させる観点から、好ましくは3kPa以上、4kPa以上がより好ましく、5kPa以上がさらに好ましく、6kPa以上がさらにより好ましい。研磨中に研磨機に振動が発生しないように安定に研磨できるという観点から、好ましくは40kPa以下、30kPa以下がより好ましく、20kPa以下がさらに好ましく、15kPa以下がさらにより好ましい。従って、高い研磨速度を維持し、安定に研磨できるという観点から、好ましくは3~40kPa、より好ましくは4~30kPa、さらに好ましくは5~20kPa、さらにより好ましくは6~15kPaである。ここで、研磨荷重とは、研磨時に被研磨基板を挟み込む定盤から被研磨基板の研磨対象面に加えられる圧力をいう。ガラス基板研磨工程1における研磨液組成物の供給方法は、予め研磨液組成物の構成成分が十分に混合された状態で研磨パッドと被研磨ガラス基板の間にポンプ等で供給する方法、研磨の直前の供給ライン内等で構成成分を混合して供給する方法、セリア粒子スラリーとシリカ粒子スラリーとを別々に研磨装置に供給する方法等を用いることができる。ガラス基板研磨工程1における研磨液組成物の供給速度は、コスト低減の観点から、被研磨ガラス基板1cm2あたり1.0mL/分以下が好ましく、より好ましくは0.6mL/分以下、さらに好ましくは0.4mL/分以下である。また、前記供給速度は、研磨速度をさらに向上できることから、被研磨ガラス基板1cm2あたり0.01mL/分以上が好ましく、より好ましくは0.025mL/分以上、さらに好ましくは0.05mL/分以上である。したがって、前記供給速度は、被研磨ガラス基板1cm2あたり0.01~1.0mL/分が好ましく、より好ましくは0.025~0.6mL/分、さらに好ましくは0.05~0.4mL/分である。また、研磨液組成物を循環使用する場合には、研磨速度をさらに向上できることから、被研磨ガラス基板1cm2あたり0.1mL/分以上が好ましく、より好ましくは0.2mL/分以上、さらに好ましくは0.5mL/分以上である。また、前記供給速度の上限は特に限定されないが、コスト低減の観点から、被研磨ガラス基板1cm2あたり3.0mL/分以下が好ましく、より好ましくは2.5mL/分以下、さらに好ましくは2.0mL/分以下である。したがって、前記供給速度は、被研磨ガラス基板1cm2あたり0.1~3.0mL/分が好ましく、より好ましくは0.2~2.5mL/分、さらに好ましくは0.5~2.0mL/分である。本発明の非晶質ガラス基板用研磨液組成物は、ガラスハードディスク基板の製造において有用である。また、フォトマスク、液晶ガラスなどのガラス素材の研磨にも好適に適用することができる。1.研磨液組成物の調製下記表1に示す組成となるように実施例1~9及び比較例1~9の研磨液組成物を調製した。具体的には、水に必要量のセリア粒子を攪拌分散させ、その後必要量のコロイダルシリカ粒子を攪拌分散させ20分間のマグネットスターラー攪拌を行う手法で研磨液組成物を調製した。実施例7の研磨液組成物のpHは、硫酸を用いて5.0に調整し、実施例8の研磨液組成物のpHは、KOHを用いて11.0に調整し、比較例7の研磨液組成物のpHは、硫酸を用いて2.0に調整した。比較例1及び比較例4の研磨液組成物については、pH調整していない。その他の研磨液組成物のpHは、下記表1に示すとおり、硫酸を用いて6.5~6.7に調整した。なお、実施例9の研磨液組成物は、0.01重量となるように、分散剤としてポリアクリル酸アンモニウム分子量35,000、花王株式会社製を添加した。セリア粒子の体積中位径、コロイダルシリカ粒子の平均一次粒子径、平均面積比R、及び平均凸部個数、並びに、分散剤の平均重量分子量は、下記の条件で測定した。セリア粒子の平均粒子径の測定方法セリア粒子の体積中位径D50を、レーザー回折散乱式粒度分布計商品名LA-920、堀場製作所製で測定した体積基準のメジアン径として算出した。セリア粒子中の全希土類酸化物含有量の測定方法セリア粒子中の全希土類酸化物の含有量は、酸で溶解し、溶液にシュウ酸を添加して沈殿物を生じさせ、この沈殿物を焼成して重量法にて測定した。また、前記全希土類酸化物に占める酸化セリウムの含有量は、ICP-AES法にて測定した。前記酸化セリウム含有量は、例えば、X線回折法によっても測定することができる。シリカ粒子の一次粒子の平均粒子径の測定方法シリカ/コロイダルシリカ粒子を含む試料を、透過型電子顕微鏡JEM-2000FX80kV、1~5万倍、日本電子社製により当該製造業者が添付した説明書に従って試料を観察し、TEMTransmissionElectronMicroscope像を写真撮影した。この写真をスキャナで画像データとしてパソコンに取り込み、解析ソフトWinROOFver.3.6販売元:三谷商事を用いて、個々のシリカ粒子の円相当径を計測し、粒子径を求めた。このようにして、1000個のシリカ粒子の粒子径を求めた後、これらの平均値を算出し、この平均値を平均粒子径とした。シリカ粒子の面積比Rの測定方法透過型電子顕微鏡TEMJEM―2000FX、製造元;日本電子によって、加速電圧80kV、撮影倍率5~10万倍の条件で取得した画像を、画像解析ソフトを用いて解析した。解析時の画像解像度は0.5nm/pixel以下が好ましく、10万倍画像の場合0.22nm/pixel、5万倍画像の場合0.44nm/pixelの解像度条件で解析した。解析手順は、独立した任意の粒子20個について、まず、TEM画像を色調調整/白黒反転した後、自動2値化及び必要に応じ手動操作により、粒子画像を忠実に再現してから自動計算により、各粒子について投影面積A1を求めた。次に各粒子に対し手動により、最大内接円を描いて最大内接円の面積Aを求めた。そして、各粒子に対応した投影面積A1及び最大内接円面積Aから、各粒子の面積比R=A1/Aを算出し、面積比Rの平均値を求めた。シリカ粒子の凸部のカウント方法凸部のカウント方法は、以下のように行った。透過型電子顕微鏡TEMJEM―2000FX、製造元;日本電子によって、加速電圧80kV、撮影倍率5~10万倍の条件で取得した画像を、画像解析ソフトWinROOF、販売元;三谷商事を用いて、前記面積比Rを求めたシリカ粒子20個について輪郭を注意深く観察し、各粒子における最大内接円半径rの1/5~1/2の曲率半径を持った凸部箇所の個数をカウントし、凸部個数の平均値を求めた。解析時の画像解像度は0.5nm/pixel以下が好ましく、10万倍画像の場合0.22nm/pixel、5万倍画像の場合0.44nm/pixelの解像度の条件で解析した。分散剤の重量平均分子量の測定方法分散剤の重量平均分子量は、下記条件のゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCにより得られるクロマトグラム中のピークに基づいて算出した。GPC条件カラム:G4000PWXLG2500PWXL商品名、いずれも東ソー社製溶離液:0.2Mリン酸バッファー/アセトニトリル=9/1容量比流量:1.0mL/分カラム温度:40°C検出器:RI検出器標準物質:ポリエチレンオキサイドPEO、アニオン水系低分子用、重量平均分子量21万、101万、185万、54万、いずれも東ソー社製、重量平均分子量258万、1001万、いすれも創和化学株式会社製2.研磨方法上記で調製した実施例1~9及び比較例1~9の研磨液組成物を使用して、下記非晶質ガラス基板を被研磨基板として、下記条件で研磨を行った。被研磨非晶質ガラス基板の調製アルミナを含有する研磨液組成物であらかじめ精研削したアルミノ珪酸ガラス基板を非晶質ガラス基板として用意した。非晶質ガラス基板における結晶質部分の割合については、下記X線回折法により測定した。使用した非晶質ガラス基板の結晶質部分の割合は10重量未満であった。また、研磨前の非晶質ガラス基板の表面粗さRaは、0.3~0.4μmであった。ガラス基板の結晶質部分の測定方法アルミノ珪酸ガラス基板を割断した後、乳鉢で解砕して測定用サンプルを得た。X線回折法による測定条件は下記の通りとした。測定条件X線回折装置:株式会社リガク社製、粉末X線回折装置RINT2500VCX線発生電圧:40kV放射線:Cu-Kα1線λ=0.154050nm電流:120mAScanSpeed:10度/分測定ステップ:0.02度/分得られた粉末X線回折スペクトルから、粉末X線回折装置付属の粉末X線回折パターン総合解析ソフトJADEMDI社製を用いて各ピークの面積を算出し、結晶質部分の割合を算出した。上記ソフトによる算出処理は、上記ソフトの取扱説明書jadever.5ソフトウェア、取扱説明書ManualNo.MJ13133E02、理学電機社製に基づいて行った。研磨条件研磨装置:ラップマスターSFT社製片面研磨機型式:LP15研磨パッド:ガラス粗研磨用パッドセリア含浸、溝付研磨液組成物供給量:10mL/分被研磨基板1cm2あたりの供給速度:約0.33mL/分研磨荷重:12.7kPa下定盤回転数:50rpmキャリア:ガラスエポキシ製キャリア研磨時間:30分被研磨基板:アルミノ珪酸ガラス基板外径65mm、内径20mm、厚さ0.7mm投入基板枚数:1枚3.評価方法上記研磨について、研磨速度、並びに、研磨後の基板表面の表面粗さ、ピット、及びキズの評価を、以下のように行った。研磨速度の測定方法研磨前後の基板の重量差gを該基板の密度2.46g/cm3、基板の表面積30.04cm2、及び研磨時間分で除した単位時間当たりの研磨量を計算し、研磨速度μm/分を算出した。重量測定には、精密天秤AG204メトラートレド社製を使用した。シリカ粒子を含有しない比較例1の研磨液組成物の研磨速度を100としたときの相対速度を表1に示す。表面粗さ、ピット、キズの測定方法ZYGO社製NewView5000を用いて、研磨前後の基板のうち1枚を選択し、基板上の任意の領域069mm×052mmにおける、表面粗さRaを5点測定し、その平均値を算出した。また、表面粗さ測定の画像でピット、キズの有無を観察した。その結果を表1に示す。研磨後のガラス基板の洗浄方法研磨したガラス基板を、以下の条件で洗浄し、水洗浄後及びアルカリ洗浄後の表面粗さを測定した。表面粗さの測定は、前述の測定方法と同様に行った。水洗浄1洗浄-1:超純水300mLを入れた300mLガラスビーカーに研磨面を下にして被洗浄基板を浸漬し、200kHz-400Wの超音波を照射しながら、120秒間洗浄する。2洗浄-2:再度1を繰り返す。3乾燥:被研磨基板を取り出し、スピンドライにて完全に基板表面を乾燥させる。アルカリ洗浄4洗浄-1:KOH水溶液からなるpH12のアルカリ洗浄剤組成物300mLを入れた300mLガラスビーカーに研磨面を下にして被洗浄基板を浸漬し、200kHz-400Wの超音波を照射しながら、120秒間洗浄する。5洗浄-2:再度4を繰り返す。6すすぎ-1:超純水300mLを入れた300mLガラスビーカーに被洗浄基板を移し、200kHz-400Wの超音波を照射しながら120秒間すすぎを行なう。7すすぎ-2:再度6を繰り返す。8乾燥:被研磨基板を取り出し、スピンドライにて完全に基板表面を乾燥させる。上記表1に示すとおり、実施例1~9は、比較例1~9に比べ、研磨速度が向上し、且つ、表面粗さ、ピット、キズを低減できた。また、実施例1~9は、セリア粒子単独の比較例1と比べて、アルカリ洗浄後の粗さの悪化を抑制できた。"