"透明基板と、誘電体材料が180°異なる2方向から交互に斜方蒸着され、各層の厚さが使用波長以下である斜方蒸着膜と、前記透明基板と前記斜方蒸着膜との間に高屈折率膜と低屈折率膜とが交互に積層され、屈折率が前記透明基板の屈折率よりも高く、前記斜方蒸着膜の屈折率よりも小さい界面反射防止膜とを備える位相差素子。前記界面反射防止膜の平均屈折率nは、下記式1の関係にある請求項1記載の位相差素子。ここで、nsubは前記透明基板の屈折率、noblx,noblynoblx>noblyはそれぞれ前記斜方蒸着膜面内の直交2軸x,yの屈折率である。前記界面反射防止膜は、前記斜方蒸着膜に接する膜がSiO2である請求項1又は2記載の位相差素子。前記界面反射防止膜は、低屈折率膜と高屈折率膜と低屈折率膜とがこの順に積層された3層構造であり、低屈折率膜の屈折率が1.5より小さく、高屈折率膜の屈折率が2.0より大きい請求項1乃至3のいずれか1項に記載の位相差素子。前記斜方蒸着膜の面内直交2軸x,yの屈折率noblx,noblynoblx>noblyのそれぞれが1.55以上1.7以下の範囲であり、前記3層構造の高屈折率膜の膜厚が0.1以上5.5nm以下の範囲である請求項4記載の位相差素子。前記界面反射防止膜の膜厚は、設計中心波長の90以下である請求項4記載の位相差素子。前記斜方蒸着膜に接するSiO2の膜厚が60nm以上である請求項3記載の位相差素子。前記斜方蒸着膜上に誘電体からなるCVDChemicalVaporDeposition膜を備える請求項1乃至7のいずれか1項に記載の位相差素子。表裏両面に反射防止膜を備える請求項1乃至8のいずれか1項に記載の位相差素子。前記斜方蒸着膜の誘電体材料が、Ta、Zr、Ti、Si、Al、Nb、Laのいずれかの酸化物、又はそれらの組み合わせである請求項1乃至9のいずれか1項に記載の位相差素子。透明基板上に高屈折率膜と低屈折率膜とを交互に積層し、屈折率が前記透明基板の屈折率よりも高く、前記斜方蒸着膜の屈折率よりも小さい界面反射防止膜を形成し、前記界面反射防止膜上に誘電体材料を180°異なる2方向から交互に斜方蒸着して各層の厚さが使用波長以下である斜方蒸着膜を形成する位相差素子の製造方法。透明基板と、誘電体材料が180°異なる2方向から交互に斜方蒸着され、各層の厚さが使用波長以下である斜方蒸着膜と、前記透明基板と前記斜方蒸着膜との間に高屈折率膜と低屈折率膜とが交互に積層され、屈折率が前記透明基板の屈折率よりも高く、前記斜方蒸着膜の屈折率よりも小さい界面反射防止膜とを備える位相差素子が、偏光ビームスプリッタと液晶セルとの間に配置されている液晶プロジェクター。透明基板と、誘電体材料が180°異なる2方向から交互に斜方蒸着され、各層の厚さが使用波長以下である斜方蒸着膜と、前記透明基板と前記斜方蒸着膜との間に高屈折率膜と低屈折率膜とが交互に積層され、屈折率が前記透明基板の屈折率よりも高く、前記斜方蒸着膜の屈折率よりも小さい界面反射防止膜とを備える位相差素子が搭載されている光学機器。前述のように斜方蒸着膜による位相差素子は、耐光性耐熱性に優れているものの、蒸着材料にTa2O5、ZrO2、TiO2などの高屈折率物質を用いているため、主たる透明基板であるガラス、石英などの屈折率と大きな差が生じ、基板/蒸着膜界面で入射光の反射が起こってしまう。本発明は、このような実情に鑑みて提案されたものであり、入射光の反射を低減することができる位相差素子及びその製造方法を提供することを目的とする。前述した課題を解決するために、本発明に係る位相差素子は、透明基板と、誘電体材料が180°異なる2方向から交互に斜方蒸着され、各層の厚さが使用波長以下である斜方蒸着膜と、前記透明基板と前記斜方蒸着膜との間に高屈折率膜と低屈折率膜とが交互に積層され、屈折率が前記基板の屈折率よりも高く、前記斜方蒸着膜の屈折率よりも小さい界面反射防止膜とを備えることを特徴とする。また、本発明に係る位相差素子の製造方法は、透明基板上に高屈折率膜と低屈折率膜とを交互に積層し、屈折率が前記透明基板の屈折率よりも高く、前記斜方蒸着膜の屈折率よりも小さい界面反射防止膜を形成し、前記界面反射防止膜上に誘電体材料を180°異なる2方向から交互に斜方蒸着して各層の厚さが使用波長以下である斜方蒸着膜を形成することを特徴とする。また、本発明に係る液晶プロジェクターは、透明基板と、誘電体材料が180°異なる2方向から交互に斜方蒸着され、各層の厚さが使用波長以下である斜方蒸着膜と、前記透明基板と前記斜方蒸着膜との間に高屈折率膜と低屈折率膜とが交互に積層され、屈折率が前記透明基板の屈折率よりも高く、前記斜方蒸着膜の屈折率よりも小さい界面反射防止膜とを備える位相差素子が、偏光ビームスプリッタと液晶セルとの間に配置されていることを特徴とする。また、本発明に係る光学機器は、透明基板と、誘電体材料が180°異なる2方向から交互に斜方蒸着され、各層の厚さが使用波長以下である斜方蒸着膜と、前記透明基板と前記斜方蒸着膜との間に高屈折率膜と低屈折率膜とが交互に積層され、屈折率が前記透明基板の屈折率よりも高く、前記斜方蒸着膜の屈折率よりも小さい界面反射防止膜とを備える位相差素子が搭載されていることを特徴とする。本発明は、高屈折率膜と低屈折率膜とが交互に積層され、屈折率が透明基板の屈折率よりも高く、斜方蒸着膜の屈折率よりも小さい界面反射防止膜を設けているため、入射光の反射を低減し、光学特性を向上させることができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら下記順序にて詳細に説明する。1.位相差素子の構成2.位相差素子の製造方法3.液晶プロジェクターへの適用例4.実施例<1.位相差素子の構成>図1は、本発明の一実施の形態に係る位相差素子を示す概略断面図である。図1に示すように、位相差素子1は、透明基板11と、透明基板11上に高屈折率膜と低屈折率膜とが交互に積層され、各層の厚さが使用波長以下である界面反射防止膜12と、界面反射防止膜12上に誘電体材料が180°異なる2方向から交互に斜方蒸着された斜方蒸着膜13と、斜方蒸着膜13上に形成されたCVDChemicalVaporDeposition誘電体膜14とを備える。また、これらの表裏両面に積層誘電体からなる反射防止膜15A、15Bを備える。透明基板11は、使用帯域の光に対して透明で、屈折率が1.1~2.2の材料、例えば、ガラス、石英、水晶などで構成されている。本実施の形態では、透明基板11の構成材料として、石英を用いることが好ましい。石英は、優れた耐熱性と極めて低い熱膨張係数を持ち、光透過率が紫外から赤外の全波長にわたって非常に高いため、例えば反射型液晶プロジェクターの位相差素子の場合、特に好ましく用いられる。界面反射防止膜12は、透明基板11と斜方蒸着膜13との間に高屈折率膜と低屈折率膜とが交互に積層されて構成され、透明基板11と斜方蒸着膜13との界面での入射光の反射を低減させるマッチング膜として機能する。この界面反射防止膜12は、ある単層材料からだけでは、基材の表面性と反射防止効果を持つ屈折率の両方を満たすことは難しい。そこで、本実施の形態では、界面反射防止膜12を高屈折率膜と低屈折率膜とが交互に積層された2層以上とすることにより、反射率を低減させる。また、界面反射防止膜12は、斜方蒸着膜13に接する膜がSiO2であることが好ましい。界面反射防止膜12の最上部を透明基板と同材質のSiO2とすることにより、斜方蒸着膜13の光学特性の変動を抑えることができる。また、このSiO2の膜厚は、60nm以上であることが好ましい。SiO2の膜厚を60nm以上とすることにより、優れた光学特性を有する斜方蒸着膜13を得ることができる。斜方蒸着膜13においては、複屈折などの光学特性は成膜する基材表面に大きく依存するため、斜方蒸着膜/基板界面では、一般的な反射防止膜設計に斜方蒸着膜特有の効果を考慮する必要がある。界面反射防止膜12の屈折率は、透明基板11の屈折率よりも高く、斜方蒸着膜13の屈折率よりも小さい。これにより、入射光の反射を低減させることができる。より具体的には、界面反射防止膜12の平均屈折率nは、下記式1の関係にあることが好ましい。ここで、nsubは透明基板11の屈折率、noblx,noblynoblx>noblyはそれぞれ斜方蒸着膜13の面内の直交2軸x,yの屈折率である。界面反射防止膜12の屈折率は、位相差素子を利用する波長帯域によって決定され、例えば、基準波長を550nmとしたとき、ガラス基板の屈折率が1.51、斜方蒸着膜の屈折率が約1.63であるとすると、これらの中間値である屈折率1.53相当となるような誘電体を成膜すればよい。また、界面反射防止膜12は、低屈折率膜と高屈折率膜と低屈折率膜とがこの順に積層された3層構造であり、低屈折率膜の屈折率nLが1.5より小さく、高屈折率膜の屈折率nHが2.0より大きいことが好ましい。このような高屈折率膜としては、Nb2O5、TiO2、LaTiO3、Ta2O5などの高屈折材料を用いることができる。また、斜方蒸着膜の面内直交2軸x,yの屈折率noblx,noblynoblx>noblyのそれぞれが1.55以上1.7以下の範囲にあるとき、3層構造の高屈折率膜の膜厚が0.1以上5.5nm以下の範囲にあることが好ましい。これにより、青色波長帯域440~510nmにおいて0.3以下の反射率を実現することができる。また、この3層構造の界面反射防止膜の膜厚は、設計中心波長の90以下であることが好ましい。界面反射防止膜の膜厚が設計中心波長の90以下であることにより、反射率を低減させることができる。斜方蒸着膜13は、誘電体材料が180°異なる2方向から交互に斜方蒸着されている。斜方蒸着は、膜内不均質成膜初期と終期の屈折率差が生じることが知られている。斜方蒸着膜13による積層構造を設けた素子は、この屈折率差により、各層間で反射率が大きくなる。また、この屈折率差は、各層の膜厚に比例する。そこで、本実施の形態では、各層の厚さを使用波長以下とすることにより、層内での屈折率差を小さくし、各層間での反射を低減させることができる。さらに、各層の厚さを使用波長以下とすることにより、視野角依存性を改善させることができる。したがって、例えば反射型液晶プロジェクターに適用すれば、投影画像のコントラスト向上、色むらや色度のずれを低減することが可能となる。斜方蒸着膜13の誘電体材料は、Ta、Zr、Ti、Si、Al、Nb、Laのいずれかの酸化物、又はそれらの組み合わせであることが好ましい。具体的な誘電体材料としては、Ta2O5、ZrO2、TiO2、Ta2O5にTiO2を5~15wt添加した材料などが挙げられる。このような誘電材料を用いることにより、面内直交2軸x,yの屈折率noblx,noblynoblx>noblyのそれぞれが1.55以上1.7以下となるような斜方蒸着膜を得ることが可能となる。CVD誘電体膜14は、緻密性の高い膜であり、CVD法により成膜することにより得ることができる。このCVD誘電体膜14を成膜することにより、斜方蒸着膜13への大気中の水分の出入りを防止することができる。反射防止膜AR膜15A、16Bは、例えば、高屈折率膜、低屈折率膜から成る多層薄膜であり、表面反射を防ぎ、透過性を向上させる。このような構成の位相差素子によれば、入射光の反射を低減し、かつ視野角依存性を改善させることができる。<2.位相差素子の製造方法>次に、本実施の形態における位相差素子の製作方法について説明する。図2は、本発明の一実施の形態に係る位相差素子の製造方法を示すフローチャートである。先ず、ステップS1では、透明基板に、スパッタ法、CVD法、蒸着法などにより界面反射防止膜として積層の誘電体膜を成膜する。誘電体には、Ta、Zr、Ti、Si、Al、Nb、Laなどの酸化物、Mgのフッ化物、又はそれらを組み合わせたものを用いることができる。そして、透明基板11の屈折率と斜方蒸着膜13の屈折率の中間の値を持つ界面反射防止膜12を得る。この界面反射防止膜12の斜方蒸着膜13と接する最上部の膜は、SiO2であることが好ましい。ステップS2では、界面反射防止膜12に、斜方蒸着により高屈折材を成膜する。具体的には、成膜する度に透明基板11を面内方向に180°回転させることにより、成膜方向が異なる多数層からなる斜方蒸着膜13を成膜する。この際、1層あたりの膜厚を波長以下とする多層構造とする。また、斜方蒸着膜中に耐湿性向上の目的で低屈折率物質を充填してもよい。高屈折率材料としては、Ta、Zr、Ti、Si、Al、Nb、Laなどの酸化物、又はそれらを組み合わせたものを用いることができる。また、斜方蒸着膜13の成膜後に、色抜き、及び柱状組織間に吸着している水分を蒸発させるためにアニール処理を行う。アニール処理は、柱状組織間の水分が十分に蒸発する100°C以上であることが好ましい。また、温度を上げすぎると、柱状組織同士が成長して空隙部が減少し、複屈折の低下、透過率の低下などが起こるため、300°C以下であることが好ましい。また、アニール処理後、斜方蒸着膜13への大気中の水分の出入りを防止するため、プラズマCVDにより緻密性の高い誘電体を成膜する。ステップS3では、透過率向上の目的で、スパッタにより表裏両面に反射防止膜AR膜を成膜する。AR膜は一般的に用いられる高屈折膜、低屈折膜からなる多層薄膜としても構わない。ステップS4では、所望の大きさに切断する。切断には、ガラススクライバー等の切断装置を用いることができる。以上の製造方法により、入射光の反射が低減され、かつ視野角依存性が改善された位相差素子を得ることができる。<3.液晶プロジェクターへの適用例>次に、本実施の形態における位相差素子を1/4波長板として機能させ、反射型の液晶セルを用いた反射型液晶プロジェクターに搭載させた適用例について説明する。反射型液晶プロジェクターでは、液晶セル上に表示される画像に対して平面偏光を入射し、セル上の画像に対応する画素により反射される楕円偏光から所定の平面偏光を取り出し、投射レンズによりスクリーン上に投射される。図3は、反射型液晶プロジェクターに用いられる光学エンジンの一部の構成を示す概略断面図である。この反射型液晶プロジェクターは、偏光ビームスプリッタ21と、本技術を適用した1/4波長板22と、液晶セル23とを備える。この反射型液晶プロジェクターにおいて、光源より発せられた光は、平面偏光に変換されたのちR赤、G、Bの各色光に分解され、各色に設けられた偏光ビームスプリッタ21に入射する。偏光ビームスプリッタ21の偏光面で反射するS偏光、又は透過するP偏光は、反射型液晶セル23に入射し、画素ごとに変調した反射光が出射して再度偏光ビームスプリッタ21に戻る。その際、各偏光ビームスプリッタ21に入射する光は、平行光のみではなく、ある程度角度を有して入射する光も存在する。これにより、偏光ビームスプリッタ21に入射する光線と入射光軸のなす角度が大きくなると、投影画像のコントラストが低下する。そのため、偏光ビームスプリッタ21と液晶セル23の間に1/4波長板22を配置する。ここで、仮に1/4波長板22の基板/蒸着膜界面で入射光ここではS偏光とするがわずかに反射したとすると、入射光は1/4波長板を往復することになるため1/2波長板を通過したときと同様の影響を受け、S偏光からP偏光に変換されてしまう。この場合、反射型液晶プロジェクターで投影画像を黒表示としたいとき、P偏光が偏光ビームスプリッタに戻り、明部として投影白表示され、投影画像のコントラストが大幅に低下する。一方、本技術を適用した1/4波長板22は、入射光の反射が低減されているため、液晶セル23から偏光ビームスプリッタ21に戻る光は全てS偏光となり、P偏光として偏光ビームスプリッタ22に戻ることがないため、投影画像のコントラストを大幅に改善することができる。また、反射型液晶プロジェクターにおいては、1/4波長板22、及び液晶セル23に入射する光は、±10度程度の角度依存性を有することが一般的であるが、本技術を適用した1/4波長板22は、入射光に対する位相差の角度依存性が垂直入射光に対して小さく、かつ対称であるため、明るさやコントラストを向上させることができる。なお、本技術を適用した位相差素子は、前述した適用例に限られるものではなく、例えば、光ピックアップ、レーザ機器などの光学機器にも適用することができる。<4.実施例>以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。<4.1位相差素子の界面反射防止膜を形成するためのシミュレーション>1/4波長板の界面反射防止膜を形成するため、シミュレーションを行った。ここでは、先ず、界面反射防止膜が形成されていない位相差素子と界面反射防止膜が形成された位相差素子とを比較した。そして、反射率を低減可能な界面反射防止膜として、高屈折率膜と低屈折率膜とが交互に積層された3層構造について検討した。[界面反射防止膜が形成されていない位相差素子]図4は、界面反射防止膜が形成されていない位相差素子のシミュレーションモデルを示す模式図である。この位相差素子は、透明基板を石英とし、斜方蒸着膜をTa2O5とした。また、表面のみに反射防止膜ARを設けた。また、図5は、石英基板及びTa2O5斜方蒸着膜の屈折率波長分散を示すグラフである。また、図6は、界面反射防止膜が形成されていない位相差素子の反射率を示すグラフである。図5及び図6から分かるように、石英基板と斜方蒸着膜には大きな屈折率差があり、図4に示す位相差素子の構造では、s偏光成分及びp偏光成分の双方の反射率Rp,Rsを下げるのは困難であることが分かった。[界面反射防止膜が形成された位相差素子]次に、透明基板と斜方蒸着膜との間に界面反射防止膜を形成した位相差素子についてシミュレーションを行った。位相差素子は、図7に示すように、透明基板と斜方蒸着膜との間に界面反射防止膜を形成した。それ以外は図4に示す位相差素子と同様に、透明基板11を石英とし、斜方蒸着膜13をTa2O5とした。また、表面のみに反射防止膜ARを設けた。図8は、Al2O3界面反射防止膜、石英基板及びTa2O5斜方蒸着膜の屈折率波長分散を示すグラフである。また、図9は、Al2O3界面反射防止膜が形成された位相差素子の反射率を示すグラフである。図8及び図9から分かるように、Al2O3界面反射防止膜は、屈折率がTa2O5斜方蒸着膜よりも高く、青色波長帯域において反射率Rp、Rsの低減の効果が小さいことが分かった。図10は、SiO2界面反射防止膜、石英基板及びTa2O5斜方蒸着膜の屈折率波長分散を示すグラフである。また、図11は、SiO2界面反射防止膜が形成された位相差素子の反射率を示すグラフである。図10及び図11から分かるように、SiO2界面反射防止膜は、屈折率が石英基板よりも低く、青色波長帯域において反射率Rp、Rsの低減の効果が小さいことが分かった。次に、位相差素子の反射率が低くなる最適界面反射防止膜について、屈折率をシミュレーションにより求めた。図12は、最適界面反射防止膜、石英基板及びTa2O5斜方蒸着膜の屈折率波長分散を示すグラフである。また、図13は、最適界面反射防止膜が形成された位相差素子の反射率を示すグラフである。図12及び図13から分かるように、最適界面反射防止膜の屈折率は、石英基板よりも高く、Ta2O5斜方蒸着膜よりも低い。この最適界面反射防止膜は、反射率Rp、Rsの低減の効果が大きく、青色波長帯域において0.2以下の反射率Rp、Rsが得られることが分かった。以上より、界面反射防止膜の屈折率が、透明基板の屈折率よりも高く、斜方蒸着膜の屈折率よりも小さいことにより、位相差素子の反射率を低減させることが可能であることが分かった。[3層構造による界面反射防止膜]前述の最適界面反射防止膜は、単層で最適屈折率を満たす材料が存在しないため、積層による最適界面反射防止膜のシミュレーションを行った。その結果、最適設計膜厚が66nmの単層の最適界面反射防止膜は、SiO2膜とNb2O5膜とSiO2膜とがこの順に積層された3層構造膜で実現可能であることが分かった。図14は、最適界面反射防止膜の反射率を示すグラフである。また、図15は、3層構造膜及び最適界面反射防止膜の反射率を示すグラフである。図15に示すグラフより、SiO2膜を76nm、Nb2O5膜を3.3nm、及びSiO2膜を44nm、この順番に積層することにより、反射率が最適界面反射防止膜の最適反射率とほぼ一致することが分かった。また、図16は、3層構造膜のNb2O5膜の厚さを2.3nm、3.3nm、又は4.3nmとしたときの反射率を示すグラフである。図16に示すグラフより、Nb2O5膜の厚さが±1nm変化すると大幅に反射率が変化し、Nb2O5膜の厚さが重要であることが分かった。図17は、3層構造の第2層をAl2O3膜としたときの位相差素子の反射率を示すグラフである。3層構造のNb2O5膜をAl2O3膜に代えて最適化を試みたが、例えば、図17に示すように、Al2O5膜の屈折率が小さいため、青色波長帯域において反射率Rp、Rsの低減の効果が小さいことが分かった。図18は、3層構造の第2層をNb2O5膜としたときの位相差素子の反射率を示すグラフである。SiO2膜を95nm、Nb2O5膜を3.0nm、及びSiO2膜を35nmに最適化したところ、青色波長帯域において0.2以下の反射率Rp、Rsが得られた。また、図17及び図18に示す結果より、3層構造の第2層をTiO2、LaTiO3,Ta2O5などの高屈折材料で代用可能であることが分かった。図19は、3層構造の界面反射防止膜を形成した位相差素子及び界面反射防止膜が形成されていない位相差素子の反射率を示すグラフである。図19に示すグラフから明らかのように、透明基板と斜方蒸着膜との間に、高屈折率膜と低屈折率膜とが交互に積層された界面反射防止膜を設けることにより、位相差素子の反射率Rp、Rsを低減させることができることが分かった。[斜方蒸着膜と界面反射防止膜との関係]次に、SiO2膜、Nb2O5膜、及びSiO2膜をこの順番に積層した3層構造の界面反射防止膜と、斜方蒸着膜の屈折率との関係についてシミュレーションを行った。なお、波長450nmにおける透明基板の屈折率を1.47とした。図20は、斜方蒸着膜の屈折率に対する3層構造の界面反射防止膜を形成した位相差素子の反射率を示すグラフである。ここで、界面反射防止膜は、SiO2膜を93nm、Nb2O5膜を3nm、及びSiO2膜を35nm、この順番に積層した3層構造とした。図20に示すグラフより、斜方蒸着膜の面内直交2軸x,yの屈折率noblx,noblynoblx>noblyのそれぞれが1.55以上1.7以下の範囲にあるとき、青色波長帯域440~510nmの反射率が0.3以下となることが分かった。表1に、斜方蒸着膜の屈折率noblx,noblynoblx>noblyに対するNb2O5膜の有効膜厚範囲のシミュレーション結果を示す。斜方蒸着膜の屈折率noblx,noblynoblx>noblyが1.55のときNb2O5膜の有効膜厚範囲は0.5~3.5nmとなり、斜方蒸着膜の屈折率noblx,noblynoblx>noblyが1.70のときNb2O5膜の有効膜厚範囲は3.0~5.5nmとなることが分かった。次に、図21に示すように、3層構造の第2層のNb2O5膜を3nmに固定し、第1層のSiO2膜や第3層のSiO2膜の厚さを変えてシミュレーションを行った。図21に示すグラフより、第1層のSiO2膜及び第3層のSiO2膜の厚さが±10nm変動しても、反射率は大きく変動しないことが分かった。これらのシミュレーション結果より、低屈折率膜、高屈折率膜、及び低屈折率膜をこの順番に積層した3層構造の界面反射防止膜は、低屈折率膜の屈折率nLが1.5より小さく、高屈折率膜の屈折率nHが2.0より大きいことにより、反射率の低減が可能であることが分かった。そして、斜方蒸着膜の面内直交2軸x,yの屈折率noblx,noblynoblx>noblyのそれぞれが1.55以上1.7以下の範囲にあり、3層構造の高屈折率膜の膜厚が0.1以上5.5nm以下の範囲にあることにより、青色波長帯域440~510nmにおいて0.3以下の反射率を実現可能であることが分かった。<4.21/4波長板の作製>次に、前述のシミュレーション結果を実証するために、1/4波長板を作製した。図22は、実施例の位相差素子の構造を示す模式図である。また、図23は、比較例の位相差素子の構造を示す模式図である。[実施例]石英基板上に、石英基板の屈折率と、斜方蒸着膜の屈折率の中間の値を持つ誘電体膜界面反射防止膜をスパッタにより成膜した。この界面反射防止膜は、相対的に高屈折率物質と低屈折率物質の2種類の物質を交互に積層した構造とした。具体的には、石英基板/SiO293m/Nb2O5/SiO2の構造とし、界面反射防止膜の最上部は、斜方蒸着膜の光学特性が変動しないように、基板と同材質のSiO2とした。次に、Ta2O5を主成分とした蒸着材料を石英基板の法線方向に対して蒸着源が70°になるように蒸着を行った。この際、7nm成膜するごとに石英基板を面内方向に180°回転させることにより、成膜方向が異なる多数層からなる斜方蒸着膜を作製した。斜方蒸着膜の全層の膜厚は、青色波長帯域で1/4波長板として機能する約900nmとした。斜方蒸着後、色抜き、及び柱状組織間に吸着している水分を蒸発させるために200°Cでのアニール処理を行った。アニール後、斜方蒸着膜への大気中の水分の出入りを防止するため、プラズマTEOS-CVDにより緻密性の高い誘電体SiO2膜を成膜した。そして、これらの構造体の表裏両面にスパッタにより積層誘電体による反射防止膜を成膜した。以上のようにして図22に示す実施例の位相差素子を作製した。[比較例]界面反射防止膜を形成せずに、石英基板上に2層からなる斜方蒸着膜を作製した以外は、実施例と同様にして比較例の位相差素子を作製した。石英基板上にTa2O5を主成分とした蒸着材料を、基板法線方向に対して蒸着源が70°になるように蒸着を行った。この際、750nm成膜したのち基板を180°回転させ、成膜方向が異なる2層からなる斜方蒸着膜を作製した。2層の膜厚は、青色波長帯域で1/4波長板として機能する約1500nmとした。以上のようにして図23に示す比較例の位相差素子を作製した。[実施例及び比較例の光学特性]図24は、リタデーションReの波長依存性を示すグラフである。実施例及び比較例の位相差素子は、460nmのリタデーションが約115nmであり、1/4波長板として機能することが確認できた。図25は、透過率の波長依存性を示すグラフである。また、図26は、反射率の波長依存性を示すグラフである。実施例の位相差素子は、比較例の位相差素子よりも透過率が1程度高く、反射率が0.5程度低い値を示すことが分かった。反射率の低下は、界面反射防止膜、及び斜方蒸着膜の多層化の効果であり、反射率を低下させたことで、透過率も向上させることができた。次に、界面反射防止膜の効果を見積もるため、シミュレーションを行った。実施例で作製した位相差素子について、SiO293m/Nb2O5/SiO2の3層構造の界面反射防止膜の有無について、青色波長帯域の反射率を計算した。図27は、実施例及び比較例の位相差素子の反射率を示すグラフである。界面反射防止膜がない比較例の位相差素子に比べ、界面反射防止膜がある実施例の位相差素子は、反射率の平均値及びピーク値の両者とも半減する効果が示された。また、本技術においては、反射率の低減に加えて、視野角依存性改善の効果もあることが分かった。図28及び図29は、実施例の位相差素子のリタデーションの入射角度依存性を示すグラフである。また、図30は、比較例の位相差素子のリタデーションの入射角度依存性を示すグラフである。図31に示すように、位相差素子面内において、進相軸斜方蒸着方向と平行な方向をx軸、遅相軸斜方蒸着方向と垂直な方向をy軸、及び素子法線方向をz軸としたとき、z軸方向からの入射光角度を0とした。また、xz平面上に入射光を傾けた場合の角度をθとし、yz平面上に傾けた場合の角度をφとした。なお、図28~30に示すグラフは、入射光角度0のときのリタデーションの値で規格化したものである。実施例の位相差素子は、光軸に対してリタデーションの分布が左右対称となっていることが分かった。比較例の位相差素子は、θ方向のリタデーションは比較的左右対称となっているが、φ方向のリタデーションは、正確な測定を行うことができなかった。その理由は、比較例のように斜方蒸着膜が光の波長より十分に小さくない膜厚で積層されている場合、複屈折の軸が異なる2つの位相差素子が重なったようにみなされ、単純な屈折率差と軸方向という評価を行うことはできないからである。そのため、比較例の位相差素子は、角度依存性をもつ入射光に対して使用することは困難である。実施例の位相差素子は、光の波長より十分に小さな膜厚で積層しているため、各層の複屈折の軸が無視できるようになり、全層で一つの軸実施例の場合、z軸方向をもつ位相差素子と見なすことができるため、角度依存性を有する入射光に対して、適切な位相差素子となり得ることが分かった。以上のように、界面反射防止膜を導入し、さらに斜方蒸着膜の1層あたりの膜厚を使用波長以下とすることにより、反射率が低減され、かつ角度依存性が左右対称に改善されることがわかった。これらの実施例及び比較例の位相差素子を青色波長帯域用の1/4波長板として、反射型液晶プロジェクターに適用したところ、実施例の位相差素子を適用した場合、比較例の位相差素子を適用した場合と比べて明るさで1、コントラストで5の向上が見られた。当然、本技術を緑色波長帯域用、赤色用の1/4波長板として適用することで、明るさ及びコントラストのさらなる向上が期待できる。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形や変更が行えることは勿論である。例えば、前述した実施例の位相差素子は、各層の膜厚が等しいため、複屈折の軸はz軸方向となるが、例えば、各層の膜厚を変えることで、軸方向を任意に傾けるようにしてもよい。また、前述した実施例では、青色波長帯域の1/4波長板について説明したが、本技術は、緑色波長帯域、赤色波長帯域の1/4波長板や各チャンネルの1/2波長板、広帯域の1/4波長板、1/2波長板、位相差補償素子などに応用してもよい。"