レーザー加工装置であって、被加工物を保持するチャックテーブルと、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザービームを該チャックテーブルに保持された被加工物の内部に集光点を合わせて照射し、被加工物内部に改質層を形成するレーザービーム照射手段と、該チャックテーブルを加工送り方向に移動する加工送り手段と、該チャックテーブルを該加工送り方向に直交する割り出し送り方向に移動する割り出し送り手段と、該チャックテーブル、該レーザービーム照射手段、該加工送り手段及び該割り出し送り手段を収容して内部に加工室を画成する外装カバーと、を具備し、該加工室を画成する該外装カバーの一部には、排気路を介して吸引源に連通した排気口が開口しており、該排気口は、レーザービームが照射される被加工物の加工点、該加工送り手段及び該割り出し送り手段より下方に位置していることを特徴とするレーザー加工装置。上述したように、レーザー加工装置では、加工中に加工水を使用しないため、ウエーハはドライな状態で加工される。しかし、レーザー加工装置はクリーンルーム内に設置されているが、装置内部には潜在的に埃や塵が存在する。これは、埃や塵が普通に存在する空間で装置を製造したり輸送したりしているために、半導体ウエーハやMEMSMicroElectroMechanicalSystemsウエーハ等を加工するクリーンルーム内に設置する以前から装置内部に内在していたものである。更に、レーザー加工装置内部にはチャックテーブルを回転する機構や、加工送り機構及び割り出し送り機構等の摺動機構があるために、これらの摺動機構から発塵する場合もある。実際に稼動を開始した後は、加工装置内部に内在又は発塵した埃や塵が、高速で摺動するチャックテーブル及びチャックテーブル送り機構によって舞い上がり、チャックテーブルに保持されたウエーハ上に付着する場合がある。ウエーハ内部に改質層を形成するレーザー加工装置の場合、完全なドライ加工であるのに加えて、加工時に加工屑が発生しないため洗浄ユニットによる洗浄工程もないことから、一度ウエーハに付着した埃や塵は排除されず次工程へと流れていき、問題になってしまう。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、加工室内に存在する埃や塵を排出する機能を有するレーザー加工装置を提供することである。本発明によると、レーザー加工装置であって、被加工物を保持するチャックテーブルと、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザービームを該チャックテーブルに保持された被加工物の内部に集光点を合わせて照射し、被加工物内部に改質層を形成するレーザービーム照射手段と、該チャックテーブルを加工送り方向に移動する加工送り手段と、該チャックテーブルを該加工送り方向に直交する割り出し送り方向に移動する割り出し送り手段と、該チャックテーブル、該レーザービーム照射手段、該加工送り手段及び該割り出し送り手段を収容して内部に加工室を画成する外装カバーと、を具備し、該加工室を画成する該外装カバーの一部には、排気路を介して吸引源に連通した排気口が開口しており、該排気口は、レーザービームが照射される被加工物の加工点、該加工送り手段及び該割り出し送り手段より下方に位置していることを特徴とするレーザー加工装置が提供される。本発明のレーザー加工装置によると、チャックテーブル及びチャックテーブルを加工送り方向及び割り出し送り方向に移動するチャックテーブル送り機構の近傍下部に吸引源に接続された排気口を設けたため、装置内部に所謂ダウンフローの気流が発生し、装置内に存在していた埃や塵及び/又はチャックテーブル送り機構のような摺動部から発塵した埃や塵が上方に舞い上がるのを防ぐことができ、延いてはチャックテーブルに保持された被加工物に付着するのを防止することができる。更には、加工装置の天井又は天井近傍に外気を装置内に取り入れる吸気口が設けられていると、ダウンフローの流れを形成し易くなり有利である。吸気口には発塵フィルタが設置されているのが好ましい。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明実施形態に係るレーザー加工装置2の外観斜視図が示されている。レーザー加工装置2は、静止基台4上にX軸方向に移動可能に搭載された第1スライドブロック6を含んでいる。第1スライドブロック6は、ボールねじ8及びパルスモータ10から構成される加工送り手段12により一対のガイドレール14に沿って加工送り方向、すなわちX軸方向に移動される。第1スライドブロック6上には第2スライドブロック16がY軸方向に移動可能に搭載されている。すなわち、第2スライドブロック16はボールねじ18及びパルスモータ20から構成される割り出し送り手段22により一対のガイドレール24に沿って割り出し方向、すなわちY軸方向に移動される。第2スライドブロック16上には円筒支持部材26を介してチャックテーブル28が搭載されており、チャックテーブル28は回転可能であるとともに、加工送り手段12及び割り出し送り手段22によりX軸方向及びY軸方向に移動可能である。チャックテーブル28には、チャックテーブル28に吸引保持されたウエーハを支持する環状フレームをクランプするクランプ30が設けられている。静止基台4にはコラム32が立設されており、このコラム32にはレーザービーム照射ユニット34を収容するケーシング35が取り付けられている。レーザービーム照射ユニット34は、図2に示すように、YAGレーザー又はYVO4レーザーを発振するレーザー発振器62と、繰り返し周波数設定手段64と、パルス幅調整手段66と、パワー調整手段68とを含んでいる。レーザービーム照射ユニット34のパワー調整手段68により所定パワーに調整されたパルスレーザービームは、ケーシング35の先端に取り付けられた集光器36のミラー70で反射され、更に集光用対物レンズ72によって集光されてチャックテーブル28に保持されている光デバイスウエーハ11に照射される。ケーシング35の先端部には、集光器36とX軸方向に整列してレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段38が配設されている。撮像手段38は、可視光によって光デバイスウエーハ11の加工領域を撮像する通常のCCD等の撮像素子を含んでいる。撮像手段38は更に、光デバイスウエーハ11に赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、この光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線CCD等の赤外線撮像素子から構成される赤外線撮像手段を含んでおり、撮像した画像信号は図示しないコントローラ制御手段に送信される。56は案内レール14に沿って配設されたリニアスケール54と、第1スライドブロック6に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される加工送り量検出手段であり、加工送り量検出手段56の検出信号はコントローラに入力される。60はガイドレール24に沿って配設されたリニアスケール58と第2スライドブロック16に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される割り出し送り量検出手段であり、割り出し送り量検出手段60の検出信号はコントローラに入力される。レーザー加工装置2を構成するチャックテーブル28、レーザービーム照射ユニット34、加工送り手段12及び割り出し送り手段22が内部に加工室75図6参照を画成する外装カバー74により覆われている。外装カバー74には、レーザービームが照射される被加工物の加工点及び加工送り手段12及び割り出し送り手段22から構成されるチャックテーブル送り手段より下方に位置する排気口76を有している。図6に示すように、排気口76は、排気路80を介して吸引源82に接続されている。また、外装カバー74の天井部分には外気を取り入れる吸気口78が設けられている。この吸気口78は外装カバー74の天井近傍の側面に設けるようにしてもよい。図3を参照すると、被加工物の一例である光デバイスウエーハ11の表面側斜視図が示されている。光デバイスウエーハ11は、サファイア基板13上に窒化ガリウムGaN等のエピタキシャル層半導体層15が積層されて構成されている。光デバイスウエーハ11は、エピタキシャル層15が積層された表面11aと、サファイア基板13が露出した裏面11bとを有している。サファイア基板13は例えば100μmの厚みを有しており、エピタキシャル層15は例えば5μmの厚みを有している。エピタキシャル層15にLED等の複数の光デバイス19が格子状に形成された分割予定ラインストリート17によって区画されて形成されている。次に、図4及び図5を参照して、ウエーハ11の内部に改質層を形成するレーザー加工方法について説明する。レーザー加工を実施するのにあたり、図4に示すように、光デバイスウエーハ11は粘着テープTに貼着され、粘着テープTの外周部は環状フレームFに貼着されてウエーハユニット21としてハンドリングされる。レーザービーム照射ユニット34の集光器36で、ウエーハ11に対して透過性を有する波長のレーザービームを分割予定ライン17に対応するウエーハ11の内部に集光し、チャックテーブル28を矢印X1方向に加工送りしながら分割予定ライン17に沿ってレーザービームを照射することにより、ウエーハ内部に分割起点としての改質層23を形成する。チャックテーブル28に保持されているウエーハ11を所定ピッチで割り出し送りしながら、第1の方向に伸長する全ての分割予定ライン17に沿ってウエーハ内部に改質層23を形成する。次いで、チャックテーブル28を90度回転して、第1の方向に直交する第2の方向に伸長する全ての分割予定ライン17に沿ってウエーハ内部に同様な改質層23を形成する。このレーザー加工方法を更に詳細に説明すると、図5Aに示すように、チャックテーブル28を集光器36が位置するレーザービーム照射領域に移動し、所定のストリート17の一端を集光器36の直下に位置付ける。そして、集光器36からウエーハ11に対して透過性を有する波長のレーザービームを照射しつつ、チャックテーブル28を図5Aにおいて矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動する。図5Bに示すように、集光器36の照射位置がストリート17の他端の位置に達したら、パルスレーザービームの照射を停止するとともにチャックテーブル28の移動を停止する。パルスレーザービームの集光点Pをウエーハ11の内部に合わせることにより、ウエーハ11の内部にストリート17に沿って改質層23が形成される。この改質層23は、溶融再硬化層として形成される。改質層23は後の分割工程における分割起点として利用される。このレーザー加工方法における加工条件は、例えば次のように設定されている。光源:LD励起QスイッチNd:YVO4パルスレーザー波長:1064nm平均出力:0.1W繰り返し周波数:50kHz加工送り速度:200mm/秒ウエーハ11の内部に改質層23を形成するレーザー加工終了後には、ウエーハユニット21を分割装置にセットして、粘着テープTを半径方向に拡張することによりウエーハ11に外力を付与し、改質層23を分割起点としてウエーハ11を個々のデバイスチップ19に分割する。本実施形態のレーザー加工装置2では、光デバイスウエーハ11等の被加工物のレーザー加工時には、図6に示す吸引源82を作動させ、排気口76から加工室75内の雰囲気を強制的に排気している。排気口76は加工点及び加工送り手段12と割り出し送り手段22とから構成されるチャックテーブル送り手段より下方に設けられているため、加工室75内に符号84で示すダウンフローの気流が発生し、装置内に存在していた埃や塵及び/又はチャックテーブル送り手段のような摺動部から発塵した埃や塵が上方に舞い上がるのを防ぐことができ、延いてはチャックテーブル28に保持されたウエーハ11に付着するのを防ぐことができる。また、レーザー加工装置2の天井又は天井近傍に外気を装置内に取り入れる吸気口78が設けられているため、加工室75内にダウンフロー84を形成しやすくなる。吸気口78には図示しない集塵フィルタが設けられているのが好ましい。