表面に形成された交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハを該分割予定ラインに沿って分割して複数のデバイスチップを形成するウエーハの分割方法であって、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点をウエーハの内部に位置付けて該分割予定ラインに沿って該レーザビームをウエーハに照射して、ウエーハの内部に該分割予定ラインに沿った改質層を形成するレーザビーム照射ステップと、該レーザビーム照射ステップを実施する前又は後に、基材と加熱により軟化する粘着層とを有する粘着テープをウエーハに貼着する粘着テープ貼着ステップと、該粘着テープ貼着ステップを実施した後、該粘着テープを拡張することでウエーハに外力を付与してウエーハを該分割予定ラインに沿って分割して複数のデバイスチップを形成する分割ステップと、該粘着テープを加熱して該粘着テープの該粘着層を軟化させるとともに該分割ステップで形成された隣接するデバイスチップの間に該粘着層を侵入させ、分割によって生じた分割屑を該粘着層に接着させる分割屑捕獲ステップと、を具備したことを特徴とするウエーハの分割方法。前記分割ステップと前記分割屑捕獲ステップとは同時に実施される請求項1記載のウエーハの分割方法。しかし、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを使用してウエーハの内部に改質層を形成し、改質層が形成されたウエーハに外力を付与して分割すると、分割して形成された各デバイスチップの側面には分割屑が発生する。この分割屑がデバイスの表面に付着するとデバイスの品質を低下させる上、後工程のボンディングやパッケージングに支障をきたすという問題がある。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハの分割によって生ずる分割屑によってデバイスの品質を低下させることがなく、後工程に支障をきたす恐れのないウエーハの分割方法を提供することである。本発明によると、表面に形成された交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハを該分割予定ラインに沿って分割して複数のデバイスチップを形成するウエーハの分割方法であって、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点をウエーハの内部に位置付けて該分割予定ラインに沿って該レーザビームをウエーハに照射して、ウエーハの内部に該分割予定ラインに沿った改質層を形成するレーザビーム照射ステップと、該レーザビーム照射ステップを実施する前又は後に、基材と加熱により軟化する粘着層とを有する粘着テープをウエーハに貼着する粘着テープ貼着ステップと、該粘着テープ貼着ステップを実施した後、該粘着テープを拡張することでウエーハに外力を付与してウエーハを該分割予定ラインに沿って分割して複数のデバイスチップを形成する分割ステップと、該粘着テープを加熱して該粘着テープの該粘着層を軟化させるとともに該分割ステップで形成された隣接するデバイスチップの間に該粘着層を侵入させ、分割によって生じた分割屑を該粘着層に接着させる分割屑捕獲ステップと、を具備したことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。本発明によると、加熱により軟化する粘着層を有する粘着テープをウエーハに貼着し、粘着テープを拡張することによりウエーハを分割する。この分割と同時に又は分割後に粘着テープを加熱して分割されたデバイスチップ間に粘着層を侵入させ、チップ側面に生じた分割屑を粘着層に接着させて捕獲する。従って、分割屑がデバイスの表面に付着することが防止され、デバイスの品質低下を防止することができ、後工程に支障をきたす恐れがない。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明のウエーハの分割方法を実施するのに適したレーザ加工装置2の概略構成図が示されている。レーザ加工装置2は、静止基台4上にX軸方向に移動可能に搭載された第1スライドブロック6を含んでいる。第1スライドブロック6は、ボールねじ8及びパルスモータ10から構成される加工送り手段12により一対のガイドレール14に沿って加工送り方向、すなわちX軸方向に移動される。第1スライドブロック6上には第2スライドブロック16がY軸方向に移動可能に搭載されている。すなわち、第2スライドブロック16はボールねじ18及びパルスモータ20から構成される割り出し送り手段22により一対のガイドレール24に沿って割り出し方向、すなわちY軸方向に移動される。第2スライドブロック16上には円筒支持部材26を介してチャックテーブル28が搭載されており、チャックテーブル28は加工送り手段12及び割り出し送り手段22によりX軸方向及びY軸方向に移動可能である。チャックテーブル28には、チャックテーブル28に吸引保持された半導体ウエーハをクランプするクランパ30が設けられている。静止基台4にはコラム32が立設されており、このコラム32にはレーザビーム照射ユニット34を収容するケーシング35が取り付けられている。レーザビーム照射ユニット34は、図2に示すように、YAGレーザ又はYVO4レーザを発振するレーザ発振器62と、繰り返し周波数設定手段64と、パルス幅調整手段66と、パワー調整手段68とを含んでいる。レーザビーム照射ユニット34のパワー調整手段68により所定パワーに調整されたパルスレーザビームは、ケーシング35の先端に取り付けられた集光器36のミラー70で反射され、更に集光用対物レンズ72によって集光されてチャックテーブル28に保持されている半導体ウエーハWに照射される。ケーシング35の先端部には、集光器36とX軸方向に整列してレーザ加工すべき加工領域を検出する撮像手段38が配設されている。撮像手段38は、可視光によって半導体ウエーハの加工領域を撮像する通常のCCD等の撮像素子を含んでいる。撮像手段38は更に、半導体ウエーハに赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、この光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線CCD等の赤外線撮像素子から構成される赤外線撮像手段を含んでおり、撮像した画像信号はコントローラ制御手段40に送信される。コントローラ40はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置CPU42と、制御プログラム等を格納するリードオンリーメモリROM44と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリRAM46と、カウンタ48と、入力インターフェイス50と、出力インターフェイス52とを備えている。56は案内レール14に沿って配設されたリニアスケール54と、第1スライドブロック6に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される加工送り量検出手段であり、加工送り量検出手段56の検出信号はコントローラ40の入力エンターフェイス50に入力される。60はガイドレール24に沿って配設されたリニアスケール58と第2スライドブロック16に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される割り出し送り量検出手段であり、割り出し送り量検出手段60の検出信号はコントローラ40の入力インターフェイス50に入力される。撮像手段38で撮像した画像信号もコントローラ40の入力インターフェイス50に入力される。一方、コントローラ40の出力インターフェイス52からはパルスモータ10、パルスモータ20、レーザビーム照射ユニット34等に制御信号が出力される。図3に示すように、レーザ加工装置2の加工対象である半導体ウエーハ11の表面においては、格子状に形成された複数の分割予定ライン13によって区画された各領域にデバイス15が形成されている。好ましくは、レーザ加工を実施する前に、ウエーハ11は粘着テープTに貼着され、粘着テープTの外周部は環状フレームFに貼着される。これにより、ウエーハ11は粘着テープTを介して環状フレームFに支持された状態となり、ウエーハ11を粘着テープTを介してチャックテーブル28で吸引保持し、図1に示すクランプ30により環状フレームFをクランプすることにより、ウエーハ11はチャックテーブル28上に支持固定される。粘着テープTは、図5の拡大図に示すように、基材17と加熱により軟化する粘着層19とから構成される。基材17はポリオレフィン等の樹脂から構成され、加熱により軟化する粘着層19は例えばアクリル系の粘着層から構成される。本発明のウエーハの分割方法では、まず、チャックテーブル28に吸引保持されたウエーハ11を撮像手段38の直下に位置付けて、撮像手段38によりウエーハ11を撮像して、第1の方向に伸長する分割予定ライン13を集光器36とX軸方向に整列させるアライメントを実施する。次いで、チャックテーブル28を90度回転してから、第1の方向と直交する第2の方向に伸長する分割予定ライン13についても同様なアライメントを実施し、アライメントのデータをコントローラ40のRAM46に格納する。アライメント実施後、ウエーハ11の内部に改質層を形成するレーザビーム照射ステップを実施する。このレーザビーム照射ステップでは、図4及び図5に示すように、ウエーハ11に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点P図5参照を集光器36によりウエーハ11の内部に位置付けて、アライメントされた分割予定ライン13にレーザビームを照射し、チャックテーブル28を矢印X1方向に加工送りすることにより、ウエーハ11の内部に分割予定ライン13に沿った改質層21を形成する。チャックテーブル28をY軸方向に割り出し送りしながら第1の方向に伸長する全ての分割予定ライン13に沿ってウエーハ11の内部に同様な改質層21を形成する。次いで、チャックテーブル28を90度回転しから、第2の方向に伸長する全ての分割予定ライン13に沿ってウエーハ11の内部に同様な改質層21を形成する。改質層21は、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域をいい、溶融再硬化層として形成される。このレーザビーム照射ステップにおける加工条件は、例えば次のように設定されている。光源:LD励起QスイッチNd:YVO4パルスレーザ波長:1064nm繰り返し周波数:100kHzパルス出力:10μJ集光スポット径:φ1μm加工送り速度:100mm/秒尚、上述した実施形態では、レーザビーム照射ステップを実施する前に、粘着テープTをウエーハ11に貼着する粘着テープ貼着ステップを実施しているが、代替実施形態として、チャックテーブル28でウエーハ11を直接吸引保持してレーザビーム照射ステップを実施するようにしてもよい。ウエーハ11をチャックテーブル28で直接吸引保持してレーザビーム照射ステップを実施したならば、全ての分割予定ライン13に沿ってウエーハ11の内部に形成された改質層21を有するウエーハ11を、図3に示すように、粘着テープTを介して環状フレームFで支持する粘着テープ貼着ステップを実施する。レーザビーム照射ステップ及び粘着テープ貼着ステップ実施後、図6に示すエキスパンド装置分割装置80を用いてウエーハ11を変質層21が形成された分割予定ライン13に沿って個々のデバイスチップに分割する分割ステップを実施する。図6に示すエキスパンド装置80は、環状フレームFを保持するフレーム保持手段82と、フレーム保持手段82に保持された環状フレームFに装着された粘着テープTを拡張するテープ拡張手段84を具備している。フレーム保持手段82は、環状のフレーム保持部材86と、フレーム保持部材86の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ88から構成される。フレーム保持部材86の上面は環状フレームFを載置する載置面86aを形成しており、この載置面86a上に環状フレームFが載置される。そして、載置面86a上に載置された環状フレームFは、クランプ88によってフレーム保持部材86に固定される。このように構成されたフレーム保持手段82はテープ拡張手段84によって上下方向に移動可能に支持されている。テープ拡張手段84は、環状のフレーム保持部材86の内側に配設された拡張ドラム90を具備している。この拡張ドラム90は、環状フレームFの内径より小さく、該環状フレームFに装着された粘着テープTに貼着される半導体ウエーハ11の外径より大きい内径を有している。拡張ドラム90はその下端に一体的に形成された支持フランジ92を有している。テープ拡張手段84は更に、環状のフレーム保持部材86を上下方向に移動する駆動手段94を具備している。この駆動手段94は支持フランジ92上に配設された複数のエアシリンダ96から構成されており、そのピストンロッド98がフレーム保持部材86の下面に連結されている。複数のエアシリンダ96から構成される駆動手段94は、環状のフレーム保持部材86をその載置面86aが拡張ドラム90の上端と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム90の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動する。拡張ドラム90内には、図7に示すように、ヒータランプ100が配設されている。以上のように構成されたエキスパンド装置60を用いて実施するウエーハ分割工程について図7A及び図7Bを参照して説明する。図7Aに示すように、ウエーハ2を粘着テープTを介して支持した環状フレームFを、フレーム保持部材86の載置面86a上に載置し、クランプ88によってフレーム保持部材86を固定する。このとき、フレーム保持部材86はその載置面86aが拡張ドラム90の上端と略同一高さとなる基準位置に位置付けられる。次いで、エアシリンダ96を駆動してフレーム保持部材86を図7Bに示す拡張位置に下降する。これにより、フレーム保持部材86の載置面86a上に固定されている環状フレームFも下降するため、環状フレームFに装着された粘着テープTは拡張ドラム90の上端縁に当接して主に半径方向に拡張される。その結果、粘着テープTに貼着されているウエーハ11には放射状に引張力が作用する。このようにウエーハ11に放射状に引張力が作用すると、分割予定ライン13に沿って形成された変質層21は強度が低下されているので、この変質層21が分割起点となってウエーハ11は変質層21に沿って割断され、個々のデバイスチップ23に分割される。ウエーハ11を複数のデバイスチップ23に分割した後、ウエーハ11を変質層21を分割起点として分割予定ライン13に沿って分割した際にデバイスチップ23の側面に発生する分割屑を捕獲する分割屑捕獲ステップを実施する。この分割屑捕獲ステップでは、図8に示すように、ヒータランプ100で粘着テープTを加熱して、粘着テープTの粘着層19を軟化させて隣接するデバイスチップ23間に侵入させ、デバイスチップ23の側面23aに生じた分割屑25を粘着層19で接着して捕獲する。このように粘着層19で分割屑25を捕獲した後、ピックアップ装置でデバイスチップ23をピックアップすると、分割屑25は粘着層19に接着されているので、デバイスチップ23の側面23aから分割屑25が除去される。尚、この分割屑捕獲ステップは、図7Bに示す割断ステップと同時に実施するようにしてもよい。粘着テープTの加熱方法はヒータランプ100に限定されるものではなく、温風による加熱や他の加熱方法を採用しても良い。上述した実施形態では、半導体ウエーハ11に本発明の分割方法を適用した例について説明したが、本発明の加工対象となる被加工物はこれに限定されるものではなく、サファイアウエーハやSiCウエーハ等にも同様に適用することができる。