イオン源で発生したイオンビームを集束させるレンズと、前記イオンビームを前記試料上で走査する偏向器と、電子源で発生した電子ビームを集束させるレンズと、前記電子ビームを前記試料上で走査する偏向器と、前記試料の画像を取得するために前記試料から発生した二次粒子を検出する検出器とを具備し、前記イオンビームと前記電子ビームとが交わる位置が存在し、その交わる位置に前記試料を配置することができるステージあるいはマニピュレータ機構あるいはその両方を具備する荷電ビーム装置において、偏向量の異なる2種類以上のスキャンシステムを同期させ、高密度スキャンのイオンビームを隙間無く広範囲に照射することを特徴とする荷電粒子線装置。請求項1に記載の荷電粒子線装置において、偏向量の大きなイオンビームの偏向に電子ビームの偏向が追従し、イオンビームによって加工された箇所を直ちに観察することを特徴とした荷電粒子線装置。請求項1または請求項2のいずれかに記載の荷電粒子線装置において、連続的あるいは断続的にイオンビームで作製された試料の加工断面を、同期させた電子ビームで連続的あるいは断続的に観察することを特徴とした荷電粒子線装置。請求項1または請求項2のいずれかに記載の荷電粒子線装置において、イオンビームの偏向量を制御して複数の加工領域を隙間無く加工しようとした際に、複数以上の加工領域毎のつなぎ目が電子線で観察した画像に含まれないことを特徴とした荷電粒子線装置。請求項1または請求項2のいずれかに記載の荷電粒子線装置において、イオンビームの偏向量を制御して複数の加工領域を隙間無く加工しようとした際に、複数以上の加工領域毎のつなぎ目が電子線で観察した画像に含まれないことを特徴とした加工ならびに観察手法。請求項1または請求項2のいずれかに記載の荷電粒子線装置において、得られた隣接する画像をつなぎ合わせることで一枚の画像として表示することを特徴とした荷電粒子線装置。請求項1または請求項2のいずれかに記載の荷電粒子線装置において、イオンビームにより作製した一つの観察領域を複数枚による電子ビーム撮影を行い、高い解像度で観察することを特徴とした荷電粒子線装置。請求項7において、取得した複数枚の観察画像をつなぎ合わせて一つの高精細な断面画像として表示することを特徴とした荷電粒子線装置。請求項1または請求項2のいずれかに記載の荷電粒子線装置において、連続した断面SEM像を取得しようとした際に、画像情報を基にしてFIB加工の前に加工位置を補正する機能を付与することにより、試料が微動してもそれに追従して正確な連続断面を作製することが可能であることを特徴とする荷電粒子線装置。請求項9に記載の荷電粒子線装置において、特別な参照マークを作製することなく、イオンビームで加工された試料形状を参照しながら加工位置を補正することを特徴とする荷電粒子線装置。請求項1または請求項2のいずれかに記載の荷電粒子線装置において、取得した電子ビームの画像から試料の微動もしくは試料構造の変動を検知し、微動もしくは試料構造の変動によって目的の構造が視野から外れてしまわないように偏向位置を補正することを特徴とする荷電粒子線装置。請求項11に記載の荷電粒子線装置において、電子ビームによって検知した微動もしくは試料構造の変動をイオンビームの偏向量に反映させ、加工位置を補正することを特徴とした荷電粒子線装置。請求項1または請求項2のいずれかに記載の荷電粒子線装置において、加工位置を指定する際のイオンビームのスキャン密度と、加工の際のスキャン密度が異なっていることで試料へのダメージを軽減することを特徴とする荷電粒子線装置。FIB加工とSEM観察の繰り返しにより、試料の奥行き方向へ連続的な断面SEM像を得ようとしたとき、一回の加工で奥行き方向へ加工する量すなわちFIB加工ピッチは任意に設定することができる。ここで、FIB加工ピッチを細かく加工したい場合、単位面積あたりのスキャン密度を上げる必要があるが、単純にスキャン密度を高密度化していくには機械的に限界が生じてしまう。単位面積あたりのスキャン密度を上げるには倍率を上げる方法が最も簡単であるが、一度に照射できる領域が狭くなってしまう。試料を動かすことで広い領域の加工は可能であるが、高精細な加工ピッチを実現するためには試料ドリフトの影響が大きくなるため適当な手法ではない。つまり、これまでは加工領域とスキャン密度はトレードオフの関係となっており、広い領域を高密度でスキャンする方法が無かった。そのため、試料の奥行き方向へ連続的な断面SEM像を得ようとした場合、広い領域で高精細な加工ピッチを実現することができないでいた。また、上記手法におけるSEM観察の際、広い領域から微細な構造物を観察しようとした場合は低倍率で観察してしまうと単位面積あたりの解像度が低下してしまうために目的構造が極微小である場合その形状を把握できない。観察倍率を上げれば解像度は改善するが、倍率を上げてしまうと観察視野領域が縮小してしまう。つまり、観察面積と画像解像度の関係もトレードオフであるため、広い領域全体を高い解像度で観察することが困難であった。本発明は、上記課題に鑑み、広い領域で高精細な加工ピッチを実現し、広い領域を高精度に観察を行うことができる荷電粒子線装置及び加工観察方法を提供することを目的とする。偏向量の緻密な高精細スキャンと偏向量の大きなイメージシフトという2種類以上のFIB偏向制御を同期させ、従来よりも広い領域を高密度でスキャンする。また、FIBのイメージシフトを用いて加工された位置にSEMのイメージシフトを追従させる。作製した一つの断面に対し複数枚のSEM像を取得し、それをつなぎ合わせることによって高精細な画像を作成する。従来よりも広い領域を高精細スキャンで加工し、高精細な三次元構築用データを取得することが可能となる。図1は、SEM像による観察と、同チャンバー内でFIBによる微細加工が可能であり、連続断面SEM像を取得するための制御機構を有する加工観察装置の構成を示した模式図である。FIB光学系要素10は、イオンビーム11を試料30上で照射かつ走査するための照射光学系から形成される。イオンビーム11を取り出すためのイオン源12とFIB集束レンズ13、FIB偏向器14、FIB対物レンズ15を有し、FIBに必要な構成要件を全て含んだ系を意味する。SEM電子光学系要素20は、一次電子線21を試料30上で照射かつ走査するための照射光学系から形成される。よって、一次電子線21を発生する電子源22やビームを走査するためのSEM偏向器23、SEM集束レンズ24、SEM対物レンズ25等、SEMに必要な構成要件を全て含んだ系を意味する。上記したFIB光学系要素10とSEM電子光学系要素20は一つのチャンバー31を共有しており、両者から照射されるイオンビーム11及び一次電子線21は、チャンバー31内に設置された試料30上の同一箇所を走査可能であることとする。チャンバー31は、試料ステージ32、検出器33、及びチャンバー31内の真空を保つための排気ポンプ34から構成されている。イオン源12から取り出されたイオンビーム11は、集束レンズ13と対物レンズ15によって細く集束され、偏向器14によって試料30上を走査する。照射によるイオンの試料30への衝突によって発生するスパッタリング現象で試料加工を行う。試料30から放出された二次電子35は検出器33で検出される。また、一次電子線21の照射により試料30より発生した二次電子35も、検出器33により検出される。FIB光学系10とSEM電子光学系要素20、検出器33、試料ステージ32は制御部36により制御され、光学系の設定ウインドウや観察像などはCRT37に表示される。FIB偏向器14は制御部36によってコントロールされ、偏向のシステムは高密度に偏向できる加工スキャンと、広範囲を偏向できるイメージシフトなどの2種類以上のシステムで偏向管理しているとし、また、SEMの偏向システムも同様の仕組みであるとする。図2および図3のフローチャートは一般的な連続断面FIB加工SEM観察の手順を示したものである。図2は短形穴40を上FIB光学系要素10から試料を見る方向から示したものである。まず初めに短形穴40をFIBで作製し、断面を露出させた状態にしておく。この短形穴40はSEM観察用電子ビーム通過路として利用される。その露出した断面に対し加工領域41の最下端にあたるスライス1の位置へFIBをX方向に走査して加工を実施する。加工完了後、その加工により作製された新たな断面いわゆる観察面42をSEMにて撮影した後、FIBをY方向へ偏向してからスライス2の加工を開始する。これをY方向に繰り返すことによって、連続断面SEM像を取得することが可能である。図4および図5のフローチャートは本発明で三次元構築用データを取得するための連続断面FIB加工SEM観察の手順を示したものである。事前に短形穴40を作成する点は同様である。従来法ではステップを繰り返す毎にY方向にのみ加工位置がシフトしているが、本手法ではイメージシフトでX方向に加工位置を動かすことが特徴である。ここでは二つの加工領域、加工領域A43と加工領域B44に分けてデータ取得する場合を示す。加工領域A43は短形穴の左端に位置するように-X方向にイメージシフトし、加工領域A43の最下端であるスライス1を開始する。加工完了後、露出した断面A45に対しSEM像観察を実行する。この際のSEM像観察はイメージシフトを使用するなどして観察面A45の中心がSEM像の中心となるように観察を実施する。次はX方向にイメージシフトで加工領域B44に偏向してスライス2の加工を実施後、同様にSEMもイメージシフトで観察面B46のSEM像を取得する。この作業を3→4→5→6と繰り返すことによって、従来法と比較してX方向に広域の加工と連続断面観察が可能となる。加工領域は二つに限定する必要は無く、イメージシフトの偏向量に余裕があれば、2面以上の加工領域に増やすことが可能であるとする。また、イメージシフトによる偏向も、X方向に限定するものではなく、Y方向への偏向によって、Y軸方向へのデータ取得量を拡大することが可能である。図6は加工位置をX方向にずらす際の加工領域の重ね方を示したものである。加工領域A43と加工領域B44のつなぎ目はX方向に重ねる領域47分だけ重ねることとし、さらに後に加工する領域B44はY方向へのギャップ48分だけY方向にずらすこととする。もし、X軸上で隣り合うスライス、例えばスライス1とスライス2のY座標が全く同じであれば、加工と加工のつなぎ目であるスライス2の左端にスライス1右端の加工痕がアーティファクトとして残ってしまうが、スライス2を極微小量Y方向にずらすことによってアーティファクトを含まない断面像を取得することができる。また、加工位置のシフトは図6に示す1→2→3→4→5→6→7→8のような順番で行うこととする。仮に1→2→4→3→5→6→8→7のようなスネーク状の手順で行うと加工位置1と加工位置4のギャップが大きく、三次元化の際に誤差となるため、加工順序を遵守することがアーティファクトの無い像情報を取得する上で重要である。X軸上で隣り合う断面で得られた複数の観察像、例えばスライス1とスライス2の画像はそれぞれを取得した後に自動的に一枚の画像としてつなぎ合わされる仕組みとする。これにより、隣り合う複数枚の画像から一枚の広範囲の断面像として画像を得ることができる。次に、SEM像を高精細で取得するための手法について図7を用いて説明する。SEM像を高精細で取得するためには倍率を上げる必要が生じるが、倍率を上げることで観察可能な領域が制限されてしまう。ここで、図7に示すように作製した一つの断面50に対し、高倍率SEM観察領域51をア~ケのように断面全ての領域に対し隙間なく取得することにより、高精細なSEM観察画像を取得することができる。さらに、取得した複数の観察像はコンピュータ上で自動的につなぎ合わされる仕組みとすることによって一つのFIB断面から一枚の高解像度SEM画像として取得することが可能である。次に、FIBによる加工や連続断面SEM像取得中に発生するドリフトを補正する機構について説明する。FIBやSEMのイメージからドリフト補正することで、位置精度の高い三次元データの取得が可能となる。ドリフト補正の仕組みは、加工位置近傍の特徴的な試料構造や、図8に示すようなFIBで作製した参照マーク52を参照することで、加工中に発生したドリフトを画像情報から補正することが可能であるとする。また、たとえば図9に示すような1ステップ前の加工の形状を読み取ることで、次のステップの位置を判断するような仕組みとしても良い。図9aはスライス1加工直後であり、図9bはスライス2加工直後である。それぞれの加工後に形成される特徴的な表面形状53をドリフト補正のための参照領域54として使用することで、表面構造に特徴のない試料であってもドリフトを補正しながらプロセスを進めることが可能となる。取得するSEM像に関してもドリフト補正が可能であるとする。例えば、奥行き方向に向かって連続した構造がある場合に、その構造物のコントラストがSEM像上の常に同じXY座標となるように、画像取得の際にイメージシフトで微調整することとする。また、そのイメージシフト量に追従してFIBの加工領域、特にX座標もシフトすることが可能であるとする。そうすることで、Y方向の奥行きへ加工が進むにしたがって目的が徐々に位置を変えてしまう構造である場合、目的構造を逃がすことなく三次元構造データを取得することが可能となる。上記までは連続断面SEM像を取得することを前提としているが、観察をすることなく単純に加工のみの実施で、従来法よりも広い領域を加工する手法として用いることができる点も特徴の一つである。広範囲に高密度での加工スキャンが可能となるため、加工に時間を要していたスパッタリングレートの遅い材料に対して加工速度を向上することができる。さらに、高密度スキャンでのみ可能な高精細なパターンニングや、試料表面への高精細なイオンビーム描画を広い領域で実施することが可能となる。図10は操作者に表示させる画面を表示したものである。全体画面60の中に高精細FIB加工の実行を指示するボタン61と、高精細SEM観察の実行を指示するボタン62を備え、それぞれの機能を開始するためのボタン63を備えている。高精細FIB加工について操作者が設定する内容は、高精細FIB加工設定エリア64の中に表示され、Y方向へのスライスピッチとX方向の加工全体の横幅について設定可能であるとする。スライス加工の倍率や、X軸上の加工枚数や、隣り合うスライスとスライスのオーバーラップ量は設定可能であるとしても良いが、加工領域やスライスピッチから計算された推奨値が自動的に使用されるとしても良い。高精細SEM観察に関して操作者が設定する内容は、高精細SEM観察条件設定エリア65の中に表示され、観察倍率と一つの断面に対して撮影するSEM像枚数、縦×横に何枚取得するかなどを設定可能であるとする。また、FIBドリフト補正機能の実行を指示するボタン66やSEMドリフト補正機能の実行を指示するボタン67を備え、各機能を実行するか否かを設定できることとする。設定前のFIB観察倍率が低い状態であっても、実際に加工する際は指定した倍率に自動的に変更されることを特徴とする。例えば、スキャン密度が高い状態ではスパッタリングレートも高いため、加工の設定時には低い倍率で取得したSIM像を使用することにより、試料表面へのFIB照射によるダメージを最小限に軽減することが可能となる。本発明により、FIBスキャン密度を低下させることなく、高いスキャン密度を維持したままで、広い領域を加工することが可能となる。そのため、連続断面SEM像を取得する際、高精細な加工ピッチを維持したままで広い領域の連続断面を作製することが可能である。上記したイメージシフトの伴うFIB加工と、その加工された断面を自動的に追従するイメージシフト機能を用いたSEM観察を連続して繰り返すことにより、従来よりも広い範囲の連続断面SEM像を取得可能となる。また、作製した一断面に対し高倍率で複数枚のSEM像観察し、それをつなぎ合わせることで、より高精細なSEM像を取得することが可能となり、広範囲の詳細な画像を取得することが可能となる。また、FIBイメージシフト位置を調整することにより、FIB加工によるアーティファクトなくSEM像観察することが可能となる。高密度でのスキャンが可能となるため、加工に時間を要していたスパッタリングレートの遅い材料に対して加工速度を向上することができる。また、高密度スキャンでのみ可能な高精細パターンニングや試料表面へのイオンビーム描画を広い領域で実施することが可能となる。