"ミスカットを有する窒化物半導体基板の主方位面上に、表面積が30平方マイクロメートル以上1000000平方マイクロメートル以下である制限領域を形成する工程と、アンモニアガス雰囲気中において、キャリアガスとして水素ガス又は水素の割合が60以上100未満の水素と窒素の混合ガスを用いてIII族原料を供給し、前記制限領域内で前記窒化物半導体基板の分子層ステップをステップフロー成長させ、前記制限領域内にテラスを形成する第1の成長工程と、前記キャリアガスを窒素ガス又は水素の割合が0超40以下の水素と窒素の混合ガスに変えて、1平方メートル当たり毎秒109個以上の核生成頻度で、前記制限領域内の前記テラス上に複数の2次元核を形成する第2の成長工程と、前記キャリアガスを水素ガス又は水素の割合が60以上100未満の水素と窒素の混合ガスに変えて、前記テラス上の前記複数の2次元核を横方向成長により互いにつなげ、1分子層の厚さの連続的な窒化物半導体薄膜にする第3の成長工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体薄膜の成長方法。前記第2の成長工程および前記第3の成長工程を交互に繰り返して、2分子層以上の厚さの窒化物半導体薄膜を形成することを特徴とする請求項1に記載の成長方法。前記窒化物半導体基板および前記窒化物半導体薄膜がGaNであり、前記第1から第3の成長工程における基板温度がそれぞれ700°C以上1200°C以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の成長方法。前記第1の成長工程で形成される前記テラスの表面積は、前記制限領域の表面積の80以上であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の成長方法。請求項1から4のいずれかに記載の成長方法により作製されたことを特徴とする窒化物半導体薄膜。ところが、特許文献1の明細書等においては、選択成長を行う際の最適な成長条件や成長方法に関しては十分検討されておらず、作製した窒化物半導体構造の結晶品質をさらに向上する余地が残されていた。例えば、窒化物半導体基板の表面が原子レベルで平坦であるとき、窒化物半導体薄膜の成長は、1分子層の段差ステップも存在しないテラス上において2次元核成長モードで進行する。この場合、2次元核がテラス上に核形成するためには比較的大きな過飽和度が必要であり、例えば、III族原料の供給量を大きくする必要がある。その後、発生した2次元核は横方向成長し、テラス全面を覆う1分子層厚の薄膜となる。ところが、この横方向成長時に、III族原料の供給量が核発生時と同じで大きいままであると、形成された1分子層厚の薄膜の結晶品質が劣化するという問題があった。また、III族原料の供給量が特に大きいと、2次元核がテラス全面を覆う1分子層厚の薄膜になる前に、2次元核の上にさらに別の2次元核が発生し、表面の平坦性が損なわれることもあった。上記の問題を解決するために、我々は、III族原料の供給量を多くして2次元核を発生させる成長工程と、III族原料の供給量を少なくして2次元核を横方向成長してテラス全面を覆う1分子層厚の薄膜を形成する成長工程を交互に繰り返すことによって、結晶品質の優れた窒化物半導体薄膜を形成する方法を開発した特願2010031813号参照。しかしながら、III族原料の供給量を変化させずに一定としたままでも、結晶品質の優れた窒化物半導体薄膜を形成する方法があればさらに望ましい。本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的は、III族原料の供給量を変化させずに一定としたまま、従来よりも原子レベルで平坦な表面を有する窒化物半導体薄膜及びその成長方法を提供することにある。このような目的を達成するために、本発明の第1の態様は、ミスカットを有する窒化物半導体基板の主方位面上に、表面積が30平方マイクロメートル以上1000000平方マイクロメートル以下である制限領域を形成する工程と、アンモニアガス雰囲気中において、キャリアガスとして水素ガス又は水素の割合が60以上100未満の水素と窒素の混合ガスを用いてIII族原料を供給し、前記制限領域内で前記窒化物半導体基板の分子層ステップをステップフロー成長させ、前記制限領域内にテラスを形成する第1の成長工程と、前記キャリアガスを窒素ガス又は水素の割合が0超40以下の水素と窒素の混合ガスに変えて、1平方メートル当たり毎秒109個以上の核生成頻度で、前記制限領域内の前記テラス上に複数の2次元核を形成する第2の成長工程と、前記キャリアガスを水素ガス又は水素の割合が60以上100未満の水素と窒素の混合ガスに変えて、前記テラス上の前記複数の2次元核を横方向成長により互いにつなげ、1分子層の厚さの連続的な窒化物半導体薄膜にする第3の成長工程とを含むことを特徴とする。また、本発明の第2の態様は、第1の態様において、前記第2の成長工程および前記第3の成長工程を交互に繰り返して、2分子層以上の厚さの窒化物半導体薄膜を形成することを特徴とする。また、本発明の第3の態様は、第1又は第2の態様において、前記窒化物半導体基板および前記窒化物半導体薄膜がGaNであり、前記第1から第3の成長工程における基板温度がそれぞれ700°C以上1200°C以下であることを特徴とする。また、本発明の第4の態様は、第1から第3のいずれかの態様において、前記第1の成長工程で形成される前記テラスの表面積は、前記制限領域の表面積の80以上であることを特徴とする。また、本発明の第5の態様は、第1から第4のいずれかの態様の成長方法により作製されたことを特徴とする窒化物半導体薄膜である。本発明の成長方法によれば、複数の窒化物半導体2次元核を生成した後、キャリアガスを水素が多い組成にして、ゆっくりと2次元核を横方向成長させるため、従来の成長方法、すなわち、キャリアガスの組成を変化させない成長方法に比べて、高品質な、原子レベルで平坦な表面を有する窒化物半導体薄膜を得ることが出来る。以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。本発明に係る窒化物半導体薄膜の成長方法は、ミスカットを有する窒化物半導体基板の主方位面上に、表面積が30平方マイクロメートル以上1000000平方マイクロメートル以下である制限領域を形成する工程と、第1から第3の成長工程とを含む。第1の成長工程は、アンモニアガス雰囲気中において、キャリアガスとして水素ガス又は水素の割合が60以上100未満の水素と窒素の混合ガスを用いてIII族原料を供給し、制限領域内で窒化物半導体基板の分子層ステップをステップフロー成長させ、制限領域内にテラスを形成する工程である。第2の成長工程は、キャリアガスを窒素ガス又は水素の割合が0超40以下の水素と窒素の混合ガスに変えて、1平方メートル当たり毎秒109個以上の核生成頻度で、制限領域内のテラス上に複数の2次元核を形成する工程である。第3の成長工程は、キャリアガスを水素ガス又は水素の割合が60以上100未満の水素と窒素の混合ガスに変えて、テラス上の複数の2次元核を横方向成長により互いにつなげ、1分子層の厚さの連続的な窒化物半導体薄膜にする工程である。以下、実施例を具体的な数値等に言及しつつ説明するが、本発明はこれらの数値等にのみ制限されるものではないことに留意されたい。本実施例に係る窒化物半導体薄膜の成長方法では、まず、窒化物半導体基板の一種である、Ga面を主方位面とするGaN基板101の主方位面に、制限領域102を形成した。具体的には、Ga面を主方位面とするGaN基板101の主方位面にスパッタリング法により二酸化シリコン薄膜をマスク材103として形成し、フォトリソグラフィによりマスク開口部を設け、制限領域102とした図1a及びb。また、制限領域は、Ga面を主方位面とするGaN基板101の一部をドライエッチング装置でエッチングして、メサ104を残すことにより形成することもできる図1c及びd。これらの制限領域は、形状が円形、または、多角形であり、表面積は30平方マイクロメートル以上1000000平方マイクロメートル以下であることが望ましい。また、制限領域にはらせん成分を有する貫通転位は全くなかった。次に、制限領域102を形成したGaN基板101を有機金属気相成長装置MOCVDに導入し、キャリアガスとして水素、または、水素と窒素の混合ガスを毎分01リットル以上50リットル以下の流量で流す。混合ガスを用いる場合は、水素の割合を60以上にすることが望ましい。また、アンモニアガスを毎分01リットル以上20リットル以下の流量で流しながら基板温度を設定値になるまで上昇させる。基板温度の設定値としては、700°C以上、1200°C以下とすることができる。基板温度が安定したら、III族原料である、トリメチルガリウム又はトリエチルガリウムを供給する。TMG又はTEGの供給量としては、毎分1x106モル以上1x104モル以下であることが望ましく、特に、毎分5x106モル以上5x105モル以下であると最も大きな効果が得られる。本実施例においては、毎分5x106モルとした。ここで、GaN基板101には、一般に、ミスカットミスオリエンテーションが存在するが、このミスカットの傾斜角θは01度以上5度以下であることが望ましい図2a。TMG又はTEGを供給することによって、ミスカットに起因するGaNの分子層ステップ201が、制限領域102の内部でステップフロー成長を起こす。ステップフロー成長が進行するに伴い、ステップの一番上流側にあった面のテラス202の面積が拡大していき図2b、最終的に、このテラス202が制限領域102の表面積のほとんどを占める図2c。この時、この一番広い面テラス202の表面積が制限領域102の表面積の80以上の大きさであることが望ましい。以上の工程を工程1とする。次に、TMG又はTEGの供給量を一定としながら、キャリアガスの組成を変える。キャリアガスとして窒素、または、水素と窒素の混合ガスを毎分01リットル以上50リットル以下流す。混合ガスを用いる場合は、水素の割合を40以下にすることが望ましい。この時、工程1で形成された面テラス202の上にGaNの2次元核301が、1平方メートル当たり毎秒109個以上の頻度2次元核生成頻度で発生する図3a。この工程で、テラス202上に発生する2次元核301の個数は2次元核生成頻度とテラス202の面積から求められるが、テラス202上に2次元核301が1個以上100個以下発生するだけの時間だけ、この工程を行う。テラス202上に2次元核301を発生させる本工程を工程2とする。さらに、TMG又はTEGの供給量を一定としながら、キャリアガスの組成を再び変化させる。キャリアガスの組成や流量の望ましい範囲は、工程1と同様であるただし、必ずしも工程1と全く同じ組成や流量にする必要はない。。すなわち、キャリアガスとして水素、または、水素と窒素の混合ガスを毎分01リットル以上50リットル以下流す。混合ガスを用いる場合は、水素の割合を60以上にする。この工程では、工程2で発生したGaNの2次元核301を横方向成長させる。横方向成長することによって、2次元核がテラスの端まで大きくなったり、2次元核同士が合体したりすることによって、1分子層の厚さの連続的なGaN薄膜302となった図3b。この後にさらにIII族原料を供給し続けても、2次元核生成頻度が1平方メートル当たり毎秒109個未満と小さいため、新たに2次元核が生成することはなく、成長は自己停止する。そのため、本成長法は窒化物半導体の原子層エピタキシとして機能する。本工程を工程3とする。さらに、工程2と工程3を交互に繰り返すことにより、2分子層以上の厚さのGaN薄膜303を成長することも可能であった図3c。図4に、TMG又はTEGの供給量を毎分5x106モルとした時の、テラス上に発生するGaNの2次元核生成頻度のキャリアガス組成依存性を示した。基板温度は1050°Cである。キャリアガスの水素の組成が、40以下では2次元核生成頻度は1平方メートル当たり毎秒109個以上であり、60以上では109個未満であることが分かる。水素にはGaNをエッチングする性質があるため、水素の割合を増加することにより、2次元核生成頻度は低下する。本実施例の成長方法では、GaNの2次元核301を生成した後、キャリアガスを水素が多い組成にして、ゆっくりと2次元核301を横方向成長させて、GaN薄膜302、303を成長させるため、従来の成長方法、すなわち、キャリアガスの組成を変化させない成長方法に比べて、高品質なGaN薄膜を得ることが出来た。さらに、本作成法は一種の原子層エピタキシであるために、GaN薄膜の膜厚を分子層レベルで厳密に制御することも可能であった。本実施例では、GaN薄膜を成長する場合の例を示したが、III族原料として、Ga、Al、B、および、Inを含む有機金属を適宜用いることにより、AlN、BN、および、InNの2元窒化物半導体薄膜や、Al1abcBaGabIncN0≦a≦1,0≦b≦1,0≦c≦1混晶半導体薄膜を成長することも期待できる。また、本実施例では、窒化物半導体基板の主方位面に単一の制限領域を設けた場合について記述したが、制限領域が複数存在しても構わない。"