"下記式IVで表される縮合多環芳香族部分を2以上有する芳香族重合体:G1及びG2は、それぞれ独立に、結合、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1~20のアルキル基、炭素原子数2~20のアルケニル基、炭素原子数2~20のアルキニル基、炭素原子数4~20の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数2~10のケトン基、炭素原子数1~20のアミノ基、炭素原子数1~20のアミド基、炭素原子数1~20のイミド基、炭素原子数1~20のスルフィド基、及び炭素原子数1~40のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつG1及びG2うちの少なくとも1つが結合であり、Bは、少なくとも1つのベンゼン環部分を有する縮合環であり、Yはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつA1~A4は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1~20のアルキル基、炭素原子数2~20のアルケニル基、炭素原子数2~20のアルキニル基、炭素原子数4~20の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数2~10のケトン基、炭素原子数1~20のアミノ基、炭素原子数1~20のアミド基、炭素原子数1~20のイミド基、炭素原子数1~20のスルフィド基、及び炭素原子数1~40のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつA1~A4のうちの隣接する2つが、互いに結合して炭素原子数4~20の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい。前記縮合多環芳香族部分が、下記式IV-1で表される、請求項1に記載の化合物:G1~G4は、それぞれ独立に、結合、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1~20のアルキル基、炭素原子数2~20のアルケニル基、炭素原子数2~20のアルキニル基、炭素原子数4~20の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数2~10のケトン基、炭素原子数1~20のアミノ基、炭素原子数1~20のアミド基、炭素原子数1~20のイミド基、炭素原子数1~20のスルフィド基、及び炭素原子数1~40のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつG1~G4うちの少なくとも1つが結合であり、Yはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつA1~A8は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1~20のアルキル基、炭素原子数2~20のアルケニル基、炭素原子数2~20のアルキニル基、炭素原子数4~20の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数2~10のケトン基、炭素原子数1~20のアミノ基、炭素原子数1~20のアミド基、炭素原子数1~20のイミド基、炭素原子数1~20のスルフィド基、及び炭素原子数1~40のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつA1~A8のうちの隣接する2つが、互いに結合して炭素原子数4~20の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい。G2及びG3が、結合であり、かつG1及びG4が、水素原子である、請求項2に記載の化合物。前記縮合多環芳香族部分が、下記式IV-1-1で表される、請求項1~3のいずれか一項に記載の重合体:G2及びG3は、結合。下記式Vの繰り返し単位を有する、請求項1~4のいずれか一項に記載の芳香族重合体:-{TT-QQ}-VTTは、前記縮合多環芳香族部分であり;かつQQは、結合、又は二価の基。下記式V-1の繰り返し単位を有する、請求項1に記載の芳香族重合体:G1及びG4は、それぞれ独立に、結合、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1~20のアルキル基、炭素原子数2~20のアルケニル基、炭素原子数2~20のアルキニル基、炭素原子数4~20の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数2~10のケトン基、炭素原子数1~20のアミノ基、炭素原子数1~20のアミド基、炭素原子数1~20のイミド基、炭素原子数1~20のスルフィド基、及び炭素原子数1~40のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、Yはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、A1~A8は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1~20のアルキル基、炭素原子数2~20のアルケニル基、炭素原子数2~20のアルキニル基、炭素原子数4~20の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数2~10のケトン基、炭素原子数1~20のアミノ基、炭素原子数1~20のアミド基、炭素原子数1~20のイミド基、炭素原子数1~20のスルフィド基、及び炭素原子数1~40のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつA1~A8のうちの隣接する2つが、互いに結合して炭素原子数4~20の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよく、かつQQは、結合、又は二価の基。分子量が、1,000以上である、請求項1~6のいずれか一項に記載の重合体。a有機溶媒、及び下記式IIで表される縮合多環芳香族化合物を含有する組成物を提供するステップ:X1及びX2は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1~20のアルキル基、炭素原子数2~20のアルケニル基、炭素原子数2~20のアルキニル基、炭素原子数4~20の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数2~10のケトン基、炭素原子数1~20のアミノ基、炭素原子数1~20のアミド基、炭素原子数1~20のイミド基、炭素原子数1~20のスルフィド基、及び炭素原子数1~40のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつX1及びX2うちの少なくとも1つがハロゲン原子であり、Bは、少なくとも1つのベンゼン環部分を有する縮合環であり、Yはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつA1~A4は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1~20のアルキル基、炭素原子数2~20のアルケニル基、炭素原子数2~20のアルキニル基、炭素原子数4~20の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数2~10のケトン基、炭素原子数1~20のアミノ基、炭素原子数1~20のアミド基、炭素原子数1~20のイミド基、炭素原子数1~20のスルフィド基、及び炭素原子数1~40のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつA1~A4のうちの隣接する2つが、互いに結合して炭素原子数4~20の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい;bX1及びX2うちの少なくとも1のハロゲン原子を置換可能な部分を2以上有する結合化合物を、前記組成物に添加して、2以上の前記縮合多環芳香族化合物を互いに結合させるステップ、を含む、請求項1~7のいずれか一項に記載の芳香族重合体の合成方法。工程bの反応を、溝呂木ヘック反応、根岸カップリング、右田小杉スティルカップリング、薗頭カップリング、鈴木宮浦カップリング、ブッフバルトハートウィッグ反応、熊田玉尾コリューカップリングからなる群より選択されるカップリング反応によって達成する、請求項8に記載の方法。前記縮合多環芳香族化合物が、下記式II-1で表される、請求項8又は9に記載の方法:X1~X4は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1~20のアルキル基、炭素原子数2~20のアルケニル基、炭素原子数2~20のアルキニル基、炭素原子数4~20の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数2~10のケトン基、炭素原子数1~20のアミノ基、炭素原子数1~20のアミド基、炭素原子数1~20のイミド基、炭素原子数1~20のスルフィド基、及び炭素原子数1~40のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつX1~X4うちの少なくとも1つがハロゲン原子であり、Yはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつA1~A8は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1~20のアルキル基、炭素原子数2~20のアルケニル基、炭素原子数2~20のアルキニル基、炭素原子数4~20の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数2~10のケトン基、炭素原子数1~20のアミノ基、炭素原子数1~20のアミド基、炭素原子数1~20のイミド基、炭素原子数1~20のスルフィド基、及び炭素原子数1~40のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつA1~A8のうちの隣接する2つが、互いに結合して炭素原子数4~20の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい。X2及びX3が、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1~20のアルキル基、炭素原子数2~20のアルケニル基、炭素原子数2~20のアルキニル基、炭素原子数4~20の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数2~10のケトン基、炭素原子数1~20のアミノ基、炭素原子数1~20のアミド基、炭素原子数1~20のイミド基、炭素原子数1~20のスルフィド基、及び炭素原子数1~40のアルキルシリルアルキニル基からなる群より選択され、かつX2及びX3うちの少なくとも1つが、ハロゲン原子であり、かつX1及びX4が、水素原子である、請求項10に記載の方法。前記縮合多環芳香族化合物が、下記式II-1-1で表される、請求項11に記載の方法:有機溶媒、及び前記有機溶媒に少なくとも部分的に溶解している請求項1~7のいずれか一項に記載の芳香族重合体を含有する、芳香族重合体含有溶液。請求項13に記載の溶液を基材に塗布するステップ、基材に塗布された前記溶液から前記有機溶媒を除去するステップ、を含む、有機半導体膜の製造方法。請求項14に記載の方法によって有機半導体膜を製造するステップを含む、有機半導体デバイスの製造方法。請求項1~7のいずれか一項に記載の重合体を含有する有機半導体膜を有する、有機半導体デバイス。上記記載のように、DNTTは、縮合環の数が少ないことによって有機溶媒に対するわずかな溶解性を有しているものの、それでもなお、産業的に溶液法で用いるのには充分な溶解性を達成していなかった特許文献4。また、充分な溶解性を有する低分子有機半導体化合物から溶液法で用いる場合にも、得られる有機半導体膜を用いた素子間の特性にバラツキが生じるという問題があった。さらに、このような低分子有機半導体化合物を溶液法で用いる場合にも、溶液の粘度が低く、したがって充分な厚さの有機半導体膜を得ること、及び疎水性表面上に半導体膜形成を形成することが容易ではないという問題があった。したがって本発明では、上記のような問題を少なくとも部分的に解消する芳香族重合体、並びにこのような新規な芳香族重合体の合成及び使用方法を提供する。本発明の発明者等は、DNTT類似の構造の縮合多環芳香族部分を2以上有する芳香族重合体によって、上記のような問題を少なくとも部分的に解消できることを見出して、本発明に想到した。本発明の芳香族重合体は、下記式IVで表される縮合多環芳香族部分を2以上有する:G1及びG2は、それぞれ独立に、結合、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつG1及びG2うちの少なくとも1つが結合であり、Bは、少なくとも1つのベンゼン環部分を有する縮合環であり、Yはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつA1~A4は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつ隣接する2つが互いに結合して芳香族基を形成していてもよい。本発明の芳香族重合体では、縮合多環芳香族部分が、中心部の縮合ヘテロ環に隣接するベンゼン環に結合等を有することによって、縮合多環芳香族部分が、比較的大きい溶解度を提供することができる。これは、縮合多環芳香族部分の中心部の縮合ヘテロ環に隣接するベンゼン環、すなわち縮合多環芳香族部分の中心に近い位置に結合等が存在することによって、この部分の結晶性が低下しており、それによって溶解度が大きくなること、この結合等の極性によってこの部分の極性が大きくなること等によると考えられる。なお、特許文献4の一般式は、縮合ベンゼン環の水素が置換されたDNTTについても包含しているものの、具体的には、中心部の縮合ヘテロ環から最も離れた位置が置換されたDNTTを開示しているのみであり、中心部の縮合ヘテロ環に隣接するベンゼン環が置換された態様については具体的に開示していない。また、特許文献4では、中心部の縮合ヘテロ環に隣接するベンゼン環が置換されたDNTTを合成する具体的な方法は開示していない。また、本発明は、本発明の芳香族重合体の合成方法及び使用方法等に関する。また、本発明は、本発明の芳香族重合体を含有している溶液、有機半導体膜、有機半導体デバイス等に関する。定義本明細書の記載においては、記載を簡潔にするために、炭素原子数1~20のアルキル基、炭素原子数2~20のアルケニル基、炭素原子数2~20のアルキニル基、炭素原子数4~20の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数2~10のケトン基、炭素原子数1~20のアミノ基、炭素原子数1~20のアミド基、炭素原子数1~20のイミド基、炭素原子数1~20のスルフィド基、及び炭素原子数1~40のアルキルシリルアルキニル基との記載を、アルキル基等として表すものとする。ここで、炭素原子数1~40のアルキルシリルアルキニル基は、炭素原子数1~40のトリアルキルシリルアルキニル基、特に下記の式を有するトリアルキルシリルアルキニル基であってよい:R1~R3は、それぞれ独立に、炭素原子数1~10のアルキル基、特にメチル基、エチル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基からなる群より選択される基。本明細書の記載において、カルコゲンは、酸素、硫黄、セレン、テルル、及びポロニウム、特に硫黄、及びセレン、より特に硫黄を意味している。本明細書の記載において、ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、及びアスタチン、特に塩素、臭素、及びヨウ素、より特に臭素を意味している。本明細書の記載において、隣接する2つの基が互いに結合して形成されている炭素原子数4~20の置換又は非置換の芳香族基は、例えば下記の構造を有する置換又は非置換の芳香族基であってよい:本明細書の記載において、求ジエン型アルケンがベンゼン環に付加した炭素原子数2~20の置換基Dに関して、求ジエン型アルケンとしては、特許文献5を参照することができる。このような求ジエン型アルケンを縮合多環芳香族部分のベンゼン環に付加させる方法については、特許文献5を参照することができる。なお、特許文献5に記載のように、縮合多環芳香族部分のベンゼン環に付加したこのような求ジエン型アルケンは、縮合多環芳香族部分の結晶性を低下させることによって、このような縮合多環芳香族部分を有する本発明の芳香族重合体の溶解度を大きくすることができる。また、このような縮合多環芳香族部分を有する本発明の芳香族重合体を溶液法で用いて半導体膜を製造する場合、この部分を含有する溶液の塗膜を加熱することによって、溶液からの溶媒の除去と併せて、求ジエン型アルケンを脱離させて除去することができる。具体的には、求ジエン型アルケンがベンゼン環に付加した炭素原子数2~20の置換基Dは、例えば下記式B-1a及びB-2a、特に下記式B-1b及びB-2b、より特に下記式B-1c及びB-2cの化合物を挙げることができる:Ra、Rb、Rc及びRdはそれぞれ独立に、結合、水素、ハロゲン、水酸基、アミド基、メルカプト基、シアノ基、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数2~10のアルケニル基、炭素原子数2~10のアルキニル基、炭素原子数1~10のアルコキシ基、炭素原子数4~10の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数1~10のエステル基、炭素原子数1~10のエーテル基、炭素原子数1~10のケトン基、炭素原子数1~10のアミノ基、炭素原子数1~10のアミド基、炭素原子数1~10のイミド基、及び炭素原子数1~10のスルフィド基からなる群より選択され、Ra及びRbは、互いに結合して環を形成していてもよく、Rc及びRdは、互いに結合して環を形成していてもよく、nは、1~5の整数であり、且つZは、結合-、酸素-O-、メチレン性炭素-CRr2-、エチレン性炭素-CRr=、カルボニル基-C=O-、窒素-NRr-、及び硫黄-S-からなる群より選択され、且つnが2又はそれよりも大きいときにはそれぞれ異なっていてもよいRrはそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数2~10のアルケニル基、炭素原子数2~10のアルキニル基、炭素原子数1~10のアルコキシ基、炭素原子数4~10の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数1~10のエステル基、炭素原子数1~10のエーテル基、炭素原子数1~10のケトン基、炭素原子数1~10のアミノ基、炭素原子数1~10のアミド基、炭素原子数1~10のイミド基、及び炭素原子数1~10のスルフィド基からなる群より選択される。より具体的には、求ジエン型アルケンとしては、下記の式B-1-1~B-2-3の化合物を挙げることができる:R及びRrはそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、水酸基、アミド基、メルカプト基、シアノ基、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数2~10のアルケニル基、炭素原子数2~10のアルキニル基、炭素原子数1~10のアルコキシ基、炭素原子数4~10の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数1~10のエステル基、炭素原子数1~10のエーテル基、炭素原子数1~10のケトン基、炭素原子数1~10のアミノ基、炭素原子数1~10のアミド基、炭素原子数1~10のイミド基、及び炭素原子数1~10のスルフィド基からなる群より選択される。芳香族重合体本発明の芳香族重合体は、下記式IVで表される縮合多環芳香族部分を2以上有する:G1及びG2は、それぞれ独立に、結合、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつG1及びG2うちの少なくとも1つが結合であり、Bは、少なくとも1つのベンゼン環部分を有する縮合環であり、Yはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつA1~A4は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつA1~A4のうちの隣接する2つが、互いに結合して炭素原子数4~20の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい。ここで、縮合多環芳香族部分は、例えば下記式IV-1で表される:G1~G4は、それぞれ独立に、結合、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつG1~G4うちの少なくとも1つが結合であり、Yはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつA1~A8は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつA1~A8のうちの隣接する2つが、互いに結合して炭素原子数4~20の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい。ここで、式IV-1の縮合多環芳香族部分では、例えば、G2及びG3が、結合であり、かつG1及びG4が、水素原子である。この式IV-1の縮合多環芳香族部分は、特に、下記式IV-1-1で表される部分であってよい:縮合多環芳香族部分は、例えば下記式IV-2で表される:G1及びG2は、それぞれ独立に、結合、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつG1及びG2うちの少なくとも1つが結合であり、Dは、求ジエン型アルケンがベンゼン環に付加した炭素原子数2~20の置換基であり、Yはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつA1~A8は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつA1~A8のうちの隣接する2つが、互いに結合して炭素原子数4~20の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい。ここで、式IV-2の縮合多環芳香族部分では、例えば、G1及びG2がいずれも結合である。この式IV-2の縮合多環芳香族部分は、特に、下記式IV-2-1で表される化合物であってよい:G2及びG3は、結合であり、かつRrについては上記記載のとおりである。本発明の芳香族重合体は例えば、下記式Vの繰り返し単位を有する:-{TT-QQ}-VTTは、上記縮合多環芳香族部分であり;かつQQは、結合、又は二価の基。また、本発明の芳香族重合体は例えば、下記式V-1の繰り返し単位を有する:G1及びG4は、それぞれ独立に、結合、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、Yはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、A1~A8は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつA1~A8のうちの隣接する2つが、互いに結合して炭素原子数4~20の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよく、かつQQは、結合、又は二価の基。なお、QQとしての結合は、隣接する単位と結合可能であれば特に限定されず、例えば、単結合、二重結合、三重結合のいずれであってもよい。また、QQとしての二価の基は、隣接する単位と結合可能であれば特に限定されず、例えば、酸素、窒素等のヘテロ原子を伴っていてもよい炭素原子数1~40の炭化水素基であり、特に炭素原子数1~20のアルキレン基、炭素原子数2~20のアルケニレン基、炭素原子数2~20のアルキニレン基、炭素原子数4~20の置換又は非置換の二価芳香族基、炭素原子数2~10の二価ケトン基、炭素原子数1~20の二価アミノ基、炭素原子数1~20の二価アミド基、炭素原子数1~20の二価イミド基、炭素原子数1~20の二価スルフィド基、及び炭素原子数1~40の二価アルキルシリルアルキニル基からなる群より選択することができる。本発明の芳香族重合体は例えば、ゲル浸透クロマトグラフィーGPCによりポリスチレン換算で得られる分子量が、1,000以上、2,000以上、3,000以上、4,000以上、又は5,000以上でよい。また、本発明の芳香族重合体は例えば、GPCによりポリスチレン換算で得られる分子量が、500,000以下、100,000以下、100,000以下、50,000以下、30,000以下でよい。合成方法本発明の芳香族重合体を合成する方法は、下記の工程を含む:a有機溶媒、及び下記式IIで表される縮合多環芳香族化合物を含有する組成物を提供するステップ:X1及びX2は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつX1及びX2うちの少なくとも1つがハロゲン原子であり、Bは、少なくとも1つのベンゼン環部分を有する縮合環であり、Yはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつA1~A4は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつA1~A4のうちの隣接する2つが、互いに結合して炭素原子数4~20の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい;bX1及びX2うちの少なくとも1つのハロゲン原子を置換可能な部分を2以上有する結合化合物を、上記組成物に添加して、2以上の上記縮合多環芳香族化合物を互いに結合させるステップ。工程bで用いられる結合化合物のハロゲン原子を置換可能な部分、すなわち芳香族ハロゲン化物のハロゲンを置換可能な部分としては、様々な部分が知られている。このような部分を用いる反応としては、溝呂木ヘック反応、根岸カップリング、右田小杉スティルカップリング、薗頭カップリング、鈴木宮浦カップリング、ブッフバルトハートウィッグ反応、熊田玉尾コリューカップリング等のカップリング反応が知られている。このカップリング反応を促進するために、加熱を行ってもよい。それぞれのカップリング反応の概略は下記のとおりであるArは芳香族部分、Xはハロゲン、Rは水素、アルキル基等:1溝呂木ヘック反応Ar-XH2C=CHRPd触媒→Ar-HC=CHR2根岸カップリングAr-XR-Zn-XPd触媒→Ar-R3右田小杉スティルカップリングAr-XR-Sn-R’3Pd触媒→Ar-R4薗頭カップリングAr-XR-C≡C-HPd触媒塩基→Ar-C≡C-R5鈴木宮浦カップリングAr-XR-BOH2Pd触媒塩基→Ar-R6ブッフバルトハートウィッグ反応Ar-XR-NH2Pd触媒塩基→Ar-NHR7熊田玉尾コリューカップリングAr-XR-Mg-XNi触媒→Ar-Rここで用いることができる有機溶媒としては、式IIで表される縮合多環芳香族化合物を溶解及び/又は分散させることができる任意の有機溶媒を挙げることができる。具体的には、この有機溶媒としては、例えば、N-メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、アセトニトリル、酢酸エチル等の非プロトン性極性溶媒;ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、1、4-ジオキサン等のエーテル系溶媒;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレンすなわち1,3,5‐トリメチルベンゼン等の芳香族炭化水素類;ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素類;及びジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン等の含ハロゲン溶媒を考慮することができる。式IIで表される縮合多環芳香族化合物を含有する組成物への結合化合物の添加は、任意の方法で行うことができ、例えば結合化合物をそのまま添加すること、結合化合物を予め有機溶媒で希釈した上で添加すること等ができる。また、式IIで表される化合物と結合化合物との反応を促進するために、加熱を行ってもよい。上記式IIの化合物は、例えば下記式II-1で表される:X1~X4は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつX1~X4うちの少なくとも1つがハロゲン原子であり、Yはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつA1~A8は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつA1~A8のうちの隣接する2つが、互いに結合して炭素原子数4~20の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい。上記式II-1の化合物では例えば、X2及びX3が、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつX2及びX3うちの少なくとも1つが、ハロゲン原子であり;かつX1及びX4が、水素原子である。上記式IIの化合物は特に、下記式II-1-1で表される:上記式IIの化合物は、例えば下記式II-2で表される:X1及びX2は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつX1及びX2うちの少なくとも1つがハロゲン原子であり、Dは、求ジエン型アルケンがベンゼン環に付加した炭素原子数2~20の置換基であり、Yはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択され、かつA1~A8は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等からなる群より選択され、かつA1~A8のうちの隣接する2つが、互いに結合して炭素原子数4~20の置換又は非置換の芳香族基を形成していてもよい。ここで、式II-2の化合物では、例えば、X1及びX2がいずれもハロゲン原子である。この式II-2-1の化合物は、特に、下記式I-2-1で表される化合物であってよい:Rrについては上記記載のとおりである。式I、特に式I-1又はI-2の化合物では、A1、A4、A5及びA8が、特にA1~A8が水素原子であってよい。また、式I、特に式I-1又はI-2の化合物では、Yが、硫黄原子であってよい。芳香族重合体含有溶液本発明の芳香族重合体含有溶液は、有機溶媒、及びこの有機溶媒に少なくとも部分的に溶解している本発明の芳香族重合体を含有している。この芳香族重合体含有溶液は、任意の濃度で本発明の芳香族重合体を含有することができ、例えば本発明の芳香族重合体を、0.01~10質量、0.05~5質量、0.1~3質量の濃度で含有することができる。ここで用いることができる有機溶媒としては、本発明の芳香族重合体を劣化させずかつ溶解することができる任意の有機溶媒を挙げることができる。具体的には、この有機溶媒としては、例えば、N-メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、アセトニトリル、酢酸エチル等の非プロトン性極性溶媒;ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、1、4-ジオキサン等のエーテル系溶媒;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレンすなわち1,3,5‐トリメチルベンゼン等の芳香族炭化水素類;ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素類;及びジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン等の含ハロゲン溶媒を考慮することができる。有機半導体膜の製造方法有機半導体膜を製造する本発明の方法は、本発明の芳香族重合体含有溶液を基材に塗布するステップ、及び基材に塗布された上記溶液から有機溶媒を除去するステップを含む。溶液の基材への塗布は、任意の様式で行うことができ、例えばキャスト法、スピンコート法、プリント法等によって行うこと等ができる。また、溶液の基材への塗布は、単に溶液を基材に滴下して行うこともできる。溶液から有機溶媒の除去は、塗布ステップと同時に行われるようにしてもよい。溶液から有機溶媒の除去は、加熱によって促進することもできる。この場合、本発明の芳香族重合体を実質的に分解させない任意の温度、例えば80°C以上、100°C以上、120°C以上、又は140°C以上であって、200°C以下、220°C以下、240°C以下、260°C以下の温度で加熱を行うことができる。このような加熱は例えば、溶液を塗布された基材を、加熱された電気ヒーター等の加熱された物体に直接に接触させること、加熱された炉等の加熱された領域に導入すること、赤外線、マイクロ波等の電磁波で照射すること等によって達成できる。なお、付加化合物を脱離させて有機半導体膜を構成することを意図している本発明の芳香族重合体、例えば例えば式IV-2の芳香族重合体では、有機溶媒を除去するのと併せて、Dで表される置換基を脱離させて除去することができる。この脱離反応は加熱によって促進することができる。有機半導体デバイスの製造方法有機半導体デバイスを製造する本発明の方法は、有機半導体膜を製造する本発明の方法によって有機半導体膜を製造するステップを含む。またこの方法は随意に、有機半導体膜の上側又は下側に、電極層及び/又は誘電体層を形成するステップを更に含むことができる。有機半導体デバイス第1の本発明の有機半導体デバイスは、本発明の芳香族重合体を含有する有機半導体膜を有する。ここで、有機半導体膜が本発明の芳香族重合体を含有していることは、有機半導体膜が少なくとも検知可能な量で、本発明の芳香族重合体を含有していることを意味する。したがって例えば、そのままの形で有機半導体膜を構成することを意図している本発明の芳香族重合体、例えば式IV-1の芳香族重合体では、この芳香族重合体が有機半導体の実質的な部分を構成しており、すなわち有機半導体膜が実質的に本発明の芳香族重合体から構成されている。特に本発明の有機半導体デバイスは、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、ゲート絶縁膜、及び有機半導体膜を有する薄膜トランジスタであって、ゲート絶縁膜によってソース電極及びドレイン電極とゲート電極とを絶縁し、且つゲート電極に印加される電圧によってソース電極からドレイン電極へと有機半導体を通って流れる電流を制御する薄膜トランジスタである。また特に本発明の有機半導体デバイスは、有機半導体膜を活性層として有する太陽電池である。なお、本発明に関して、有機半導体デバイスは、有機半導体膜を有するデバイスを意味しており、電極層、誘電体層等の他の層は、無機材料で作られていても、有機材料で作られていてもよい。以下の例において、目的化合物の構造は、必要に応じて、1H核磁気共鳴スペクトル1H-NMRスペクトル、質量分析スペクトルMS、及び単結晶構造解析により決定した。使用した機器は以下のとおりである。1H-NMR:JEOLECA-500500MHzMS:BrukerAutoflexIIIMALDI単結晶構造解析:RigakuRAXISRAPIDSGPC:日本分析工業株式会社製のLC-9101カラム:JAIGEL-6H、JAIGEL-5H参考例1特許文献2特開2008-290963号公報日本化薬株式会社、広島大学に示される手法により、ジナフトチエノチオフェンDNTTDinaphthothienothiophene下記構造式、MW=340.46を合成した。上記のDNTT1,000mg2.93mmolを含有するメシチレンすなわち1,3,5トリメチルベンゼン100mLに、臭素Br2、MW=159.82341mg14.65mmolを加え、反応温度を40°Cに4時間保ち、その後、放冷して、臭素2置換ジナフトチエノチオフェンBr2置換DNTT下記構造式、Mw=498.25、1431mg、2.87mmol、収率98.1を得た。尚、反応物は、クロロホルムにより精製した。なお、Br2置換DNTTにおける臭素の置換位置は、参考例2におけるTIPS2置換DNTTの単結晶構造解析によるトリイソプロピルシリルTIPS基の位置により判定した。得られたBr2置換DNTTについての1H-NMR及びMS結果を下記に示す。1H-NMR500MHz,CDCl3,50°C:δ8.47d,J=8.3Hz,2H,8.44s,2H,7.97d,J=8.3Hz,2H,7.66t,J=8.3Hz,2H,7.59t,J=8.3Hz,2HMSm/z:497.513ポジティブイオン観測ExactMass:495.86参考例2参考例1により合成したBr2置換DNTTに対して、薗頭カップリング法により、トリイソプロピルシリルTIPS基の導入を行った。具体的には、Br2置換DNTTMw=498.25500mg1.0mmolに対して、PdPPh32Cl2Mw=701.90191.3mg、CuIMw=190.45134.1mg、ジイソプロピルアミンMw=101.200.706mL、CsCO3Mw=325.82791.6mg、トリイソプロピルシリルアセチレンMw=182.381.698mLを加え、減圧脱気と窒素置換を3回行った後、N,N-ジメチルホルムアミドN,N-DMF35mLを導入し、減圧脱気と窒素置換を再度3回行い、120°Cで20時間にわったって攪拌して反応を行わせた。これにより、トリイソプロピルシリルアセチレン2置換ジナフトチエノチオフェンTIPS2置換DNTT、下記構造式Mw=701.19479.1mg68.3mmol、収率68.0を得た。得られたTIPS2置換DNTTのクロロホルムへの溶解度は、0.2wtであった。なお、原料として用いられたDNTTは、クロロホルムに対しては実質的に溶解しなかった。得られたTIPS2置換DNTTについての1H-NMR及びMS結果を下記に示す。1H-NMR500MHz,CDCl3:δ8.61d,J=8.0Hz,2H,8.41s,2H,7.97d,J=8.0Hz,2H,7.63dd,J=8.0Hz,8.0Hz2H7.57dd,J=8.0Hz,8.0Hz,2H,1.40~1.47m,6H,1.34d,J=6.9Hz,36HMSm/z:700.3ExactMass:700.30得られたTIPS2置換DNTTについての単結晶構造解析結果を下記に示す。a=8.20445Åb=8.45916Åc=14.4881Åα=88.4754°β=89.3363°γ=89.5554°V=1005.11Å3また、このTIPS2置換DNTT体についての単結晶構造解析に基づく分子構造ORTEPOakRidgeThermalEllipsoidPlot図及び結晶パッキングステレオ図を、それぞれ図1及び2に示す。参考例3参考例2で得られたTIPS2置換DNTTMw=701.19を、0.2wtの濃度でクロロホルムに溶解させ、半導体素子作製用溶液を調整した。次に、300nmのSiO2酸化膜付nドープシリコンウェハー面抵抗1-10Ωcmに対して、UV-オゾン処理20分アイUV-オゾン洗浄装置OC-250615-DA、アイグラフィックス株式会社を行った。また、1,1,1,3,3,3-ヘキサメチルジシラザンHMDS1,1,1,3,3,3-hexamethyldisilazane10mmol/トルエン溶液を調整して、この溶液中に、UVオゾン処理を行ったシリコン基板を24時間にわたって浸漬させて、シリコン基板の疎水化処理を行った。その後、真空蒸着法サンユー電子、抵抗加熱方式蒸着装置:SVC-700TM/700-2によって、チャネル幅50μm及びチャネル長1.5mmのソース/ドレイン金電極を作製した。シリコン基板を40°Cに加熱しながら、チャネル部分に、半導体素子作成用溶液を滴下して溶媒を揮発させ、TIPS2置換DNTTからなる薄層を形成した。このようにして作製した素子を、真空下において70°Cで1時間にわたって加熱処理することにより、クロロホルム溶媒を乾燥除去して、有機半導体素子を作製した。得られた有機半導体素子の有機半導体特性の測定を行ったところ、p型半導体を示した。また、この有機半導体素子は、キャリア移動度が1×10-3cm2/Vsであり、オン/オフ比が105であり、かつ閾値電圧が-26Vであった。この有機半導体素子についてのFET特性の伝達特性を、図3に示す。ここで、図3では、ドレイン電圧VDが-80Vのときの、ドレイン電流IDA又はID1/2A1/2縦軸とゲート電圧VGV横軸との関係を示している。参考例4参考例1と同様にして、ジナフトチエノチオフェンDNTTDinaphthothienothiopheneMW=340.46を合成した。上記のDNTT5,000mg14.65mmolを含有するメシチレンすなわち1,3,5トリメチルベンゼン500mLに、N-フェニルマレイミドMW=173.1712.68g73.25mmolを加え、反応温度を160°Cに4時間保ち、その後、放冷し、分取精製して、DNTTにN-フェニルマレイミドが1つ付加したジナフトチエノチオフェン-N-フェニルマレイミド1付加体DNTT-PMI1付加体、立体異性体であるEndo体及びExo体の混合物下記構造式、Mw=513.63、376mg0.73mmol、収率4.9を得た。尚、反応物は、HPLCにより立体異性体を分取し、Endo体132mg、及びExo体151mgを得た。上記のDNTT-PMI1付加体Exo体151mg0.29mmolを含有するメシチレン50mLに、臭素Br2、MW=159.8235mg1.47mmolを加え、反応温度を40°Cに1時間保ち、その後、放冷して、臭素2置換ジナフトチエノチオフェン-N-フェニルマレイミド1付加体Br2置換DNTT-PMI1付加体下記構造式、Mw=673.44186mg0.276mmol、収率95.2を得た。得られたBr2置換DNTT-1PMI付加体についての1H-NMR及びMS結果を下記に示す。1H-NMR500MHz,CDCl3:δ8.39d,J=7.7Hz,1H,8.29d,J=7.7Hz,1H,7.67dd,J=7.7Hz,1H,7.64dd,J=7.7Hz,1H,7.41~7.44m,2H,7.31~7.32m,3H,7.27~7.29m,2H,6.52~6.54m,2H,5.25d,J=3.2Hz,1H,5.23d,J=3.2Hz,1H,3.59dd,J=3.2Hz,8.3Hz,1H,3.55dd,J=3.2Hz,8.3Hz,1HMSm/z:497.513ExactMass:670.92なお、MSでは、Br2置換DNTT-PMI1付加体からN-フェニルマレイミドが脱離したBr2置換DNTTExactMass:497.86が観測されたことが推定される。参考例5参考例4により合成したBr2置換DNTT-PMI1付加体に対して、薗頭カップリング法により、トリイソプロピルシリルTIPS基の導入を行った。具体的には、Br2置換DNTT-PMI1付加体Mw=673.44100mg0.148mmolに対して、PdPPh32Cl2Mw=701.9028.1mg、CuIMw=190.4520.0mg、ジイソプロピルアミンMw=101.200.11mL、トリイソプロピルシリルアセチレンMw=182.380.1mLを加え、減圧脱気と窒素置換を3回行った後、N,N-ジメチルホルムアミドN,N-DMF7mLを導入し、減圧脱気と窒素置換を再度3回行い、120°Cで20時間にわったって攪拌して反応を行わせた。これにより、トリイソプロピルシリルアセチレン2置換ジナフトチエノチオフェン-フェニルマレイミド1付加体exo体TIPS2置換DNTT-PMI1付加体exo体下記構造式、Mw=876.3774.9mg85.4mmol、収率57.7を得た。得られたTIPS2置換DNTT-PMI1付加体exo体についての1H-NMR及びMS結果を下記に示す。1H-NMR500MHz,CDCl3:δ8.52~8.54m,1H,8.43~8.45m,1H,7.60~7.64m,2H,7.43~7.46m,2H,7.31~7.33m,3H,7.25~7.29m,2H,6.52~6.54m,2H,5.29d,J=3.4Hz,1H,5.21d,J=3.4Hz,1H,3.62dd,J=3.4Hz,8.3Hz,1H,3.56dd,J=3.4Hz,8.3Hz,1H,1.36~1.43m,6H,1.31d,J=2.9Hz,12H,1.30d,J=4.0Hz,24HMSm/z:873.078ExactMass:875.37実施例1参考例1により合成したBr2置換DNTTに対して、薗頭カップリング法により、1,6-ヘプタジインを反応させ、DNTTのポリマー化を行った。具体的には、Br2置換DNTTMw498.25200mg0.41mmolに対して、PdPPh32Cl2Mw=701.90110mg0.15mmol、CuIMw=190.4560mg0.31mmol、Cs2CO3Mw=325.8170mg0.53mmolを添加して、減圧脱気と窒素置換を5回行った。次に、ジイソプロピルアミンMw=101.2,d=0.72g/cm30.14ml1.00mmol、ジメチルホルムアミド14ml、1,6-ヘプタジインMw=92.14,d=0.81g/cm30.20ml1.70mmolを添加し、減圧脱気と窒素置換を再度5回行い、120°Cで12時間にわたり攪拌して反応を行わせた。これにより、1,6-ヘプタジイン結合ジナフトチエノチオフェン重合体下記構造式を得た。ゲル浸透クロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算の分子量は、5,000以上ポリスチレン換算であった。得られた重合体のクロロホルムへの溶解度は、0.1wt以上であった。なお、原料として用いられたDNTTは、クロロホルムに対しては実質的に溶解しなかった。1,6-ヘプタジイン結合ジナフトチエノチオフェン重合体R=C3H6実施例2参考例1により合成したBr2置換DNTTに対して、薗頭カップリング法により、1,9-デカジインと反応させ、DNTTのポリマー化を行った。具体的には、Br2置換DNTTMw498.25200mg0.41mmolに対して、PdPPh32Cl2Mw=701.90100mg0.14mmol、CuIMw=190.4560mg0.31mmol、Cs2CO3Mw=325.8170mg0.53mmolを添加して、減圧脱気と窒素置換を5回行った。次に、ジイソプロピルアミンMw=101.2,d=0.72g/cm30.14ml1.00mmol、ジメチルホルムアミド14ml、1,9-デカジインMw=134.22,d=0.82g/cm30.28ml1.70mmolを添加し、減圧脱気と窒素置換を再度5回行い、120°Cで12時間にわたり攪拌して反応を行った。これにより、1,9-デカジイン結合ジナフトチエノチオフェン重合体下記構造式を得た。ゲル浸透クロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算の分子量は、5,000以上ポリスチレン換算であった。得られた重合体のクロロホルムへの溶解度は、0.1wt以上であった。1,6-ヘプタジイン結合ジナフトチエノチオフェン重合体R=C10H14"