"基板内部で上表面からある深さまで垂直に伸長し、かつ第1の側壁、第1の底部、及び前記トレンチの前記第1の底部近傍の前記第1の側壁に形成されているパターンを有する第1のトレンチを前記基板内に形成するステップと、前記第1のトレンチの前記第1の側壁及び前記第1の底部上に酸化層を形成するステップと、を含み、前記酸化層は前記第1のトレンチ内に配されかつ前記第1のトレンチから前記酸化層によって分離されている第2のトレンチをもたらし、前記第2のトレンチは、前記パターンを呈さない実質的に垂直な第2の側壁及び実質的に平坦な第2の底部を有し、前記パターンは、前記第1のトレンチの前記底部と前記第1の側壁との間の酸化レートの差を補償することを特徴とする方法。前記パターンを形成するステップは、ノッチ形状を形成するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記基板はシリコンであり、前記第1のトレンチを形成するステップが、前記第1のトレンチの第1の底部の表面に沿って<111>シリコン結晶面を形成するステップと、前記第1のトレンチの前記第1の側壁の表面に沿って<110>シリコン結晶面を形成するステップと、前記<111>シリコン結晶面と前記<110>シリコン結晶面との間の酸化レートの差を補償する前記パターンの表面に沿って少なくとも1つのシリコン結晶面を形成するステップと、をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記パターンを有する第1のトレンチを形成するステップが、パッシバントガスに対する反応ガスの第1の比を有する第1の混合ガスを用いて第1の期間において前記基板をエッチングするステップと、パッシバントガスに対する反応ガスの前記第1の比をパッシバントガスに対する反応ガスの第2の比に変更するステップと、パッシバントガスに対する反応ガスの前記第2の比を有する第2の混合ガスを用いて第2の期間において前記基板をエッチングするステップと、を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記反応ガスがSF6でありかつ前記パッシバントガスがO2であり、パッシバントガスに対する反応ガスの前記第2の比が1.1:1であり、前記第2の期間が15秒から25秒であることを特徴とする請求項4に記載の方法。パッシバントガスに対する反応ガスの比を減少させて、パッシバントガスに対する反応ガスの第2の比をパッシバントガスに対する反応ガスの第1の比未満にするステップをさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の方法。前記混合ガスの流量を変化させて、前記第2の混合ガスの流量を前記第1の混合ガスの流量と異なる流量にするステップをさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の方法。前記混合ガスの流量を減少させて、前記第2の混合ガスの流量を前記第1の混合ガスの流量未満にするステップをさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の方法。前記混合ガスの圧力を変更して、前記第2の混合ガスの圧力を前記第1の混合ガスの圧力と異なる圧力にするステップをさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の方法。前記ガスの圧力を上昇させて、前記第2の混合ガスの圧力を前記第1の混合ガスの圧力よりも高くすることを特徴とする請求項4に記載の方法。中性ガスの流量を変更するステップをさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の方法。前記パターンを有する前記第1のトレンチを形成するステップが、エッチャント処理時間をパッシバント処理時間に変更し、エッチャントガス組成をパッシバントガス組成に変更する処理を用いて前記基板をエッチングするステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記パターンを有する前記第1のトレンチを形成するステップが、時間分割多重TDMエッチング処理を用いて、前記基板をエッチングするステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記パターンを有する前記第1のトレンチを形成するステップが、エッチングストップ層及びエッチングステップの組み合わせを用いて前記基板をエッチングするステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記パターンを有する前記第1のトレンチを形成するステップが、様々なクランプ圧力及び基板温度を用いて前記基板をエッチングして、前記シリコン内に所望の形状を提供するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。半導体デバイスを製造する方法であって、パッシバントガスに対する反応ガスの第1の比、第1の流量、及び第1の圧力を有する第1の混合ガスを用いて第1の期間において前記シリコン基板をエッチングして、パッシバントガスに対する反応ガスの前記第1の比未満であるパッシバントガスに対する反応ガスの第2の比、第1の流量未満である第2の流量、及び第1の圧力よりも高い第2の圧力を有する第2の混合ガスを形成し、前記第2の混合ガスを用いて第2の期間において前記シリコン基板をエッチングすることで、シリコン基板内部で上表面からある深さまで垂直に伸長し、かつ第1の側壁、第1の底部、及び前記トレンチの前記第1の底部近傍の前記第1の側壁に形成されているパターンを有する第1のトレンチを前記基板内に形成するステップと、前記第1のトレンチの前記第1のトレンチ及び第1の底部上に酸化層を形成するステップと、を含み、前記酸化層は、前記第1のトレンチ内に配されて前記第1のトレンチから前記酸化層によって分離されている第2のトレンチをもたらし、前記第2のトレンチは、前記パターンを呈さない実質的に垂直な第2の側壁及び実質的に平坦な第2の底部を有し、前記方法は、さらに、前記第2のトレンチを導体で充填して横方向浮遊容量結合デバイスを形成するステップを含み、前記パターンが前記第1のトレンチの前記底部と前記第1の側壁との間の酸化レートの差を補償することを特徴とする方法。前記パターンを形成するステップが、ノッチ形状を形成するステップを含むことを特徴とする請求項16に記載の方法。前記基板がシリコンであり、前記第1のトレンチを形成するステップが、前記第1のトレンチの前記第1の底部の表面に沿って<111>シリコン結晶面を形成するステップと、前記第1のトレンチの前記第1の側壁の表面に沿って<110>シリコン結晶面を形成するステップと、前記<111>シリコン結晶面と前記<110>シリコン結晶面との間の酸化レートの差を補償する前記パターンの表面に沿って少なくとも1つのシリコン結晶面を形成するステップと、をさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の方法。半導体デバイスであって、ソース領域と、ドレイン領域と、ゲート領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に配されて前記ソースと前記ドレインとの間の導電経路を提供するドリフト領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記ドリフト領域内に配されているトレンチ領域内に形成されている浮遊容量結合と、を含み、前記トレンチの各々が、シリコン基板内で上表面からある深さまで垂直に伸長し、かつ第1の側壁、第1の底部、及び前記トレンチの前記第1の底部の近傍の前記第1の側壁上に形成されるパターンを有する第1のトレンチと、前記第1のトレンチの前記第1の側壁及び第1の底部上に設けられている酸化層と、を有し、前記酸化層は、前記第1のトレンチ内に配されており前記酸化層によって前記第1のトレンチから分離されている第2のトレンチをもたらし、前記第2のトレンチは前記パターンを持たない実質的に垂直な第2の側壁及び実質的に平坦な第2の底部を有し、前記トレンチの各々がさらに、前記第2のトレンチ内に配されて前記浮遊容量結合を形成する導電性材料を含み、前記パターンが前記第1のトレンチの前記底部と前記第1の側部との間の酸化レートの差を補償することを特徴とする半導体デバイス。前記第1のトレンチが、前記第1のトレンチの前記第1の底部の表面に沿った<111>シリコン結晶面と、前記第1のトレンチの前記第1の側部の表面に沿った<110>シリコン結晶面と、前記<111>シリコン結晶面と前記<110>シリコン結晶面との間の酸化レートの差を補償する前記パターンの表面に沿った少なくとも1つのシリコン結晶面と、を含むことを特徴とする請求項19に記載の半導体デバイス。前記パターンがノッチ形状を含むことを特徴とする請求項19に記載の半導体デバイス。ソース、ドレイン、ゲート、及びトレンチ構造を含む半導体デバイスであって、少なくとも1つのトレンチ構造が、シリコン基板内で上表面からある深さまで垂直に伸長し、かつ第1の側壁、第1の底部、及び前記トレンチの前記第1の底部の近傍の前記第1の側壁上に形成されるパターンを有する第1のトレンチと、前記第1のトレンチの前記第1の側壁及び第1の底部上に設けられている酸化層と、を有し、前記酸化層は前記第1のトレンチ内に配されており前記酸化層によって前記第1のトレンチから分離されている第2のトレンチをもたらし、前記第2のトレンチは前記パターンを持たない実質的に垂直な第2の側壁及び実質的に平坦な第2の底部を有し、前記パターンが前記第1のトレンチの前記底部と前記第1の側部との間の酸化レートの差を補償することを特徴とする半導体デバイス。前記第2のトレンチ内に配されて浮遊容量結合を形成する導電性材料をさらに含むことを特徴とする請求項22に記載の半導体デバイス。前記第1のトレンチの前記第1の底部の表面に沿った<111>シリコン結晶面と、前記第1のトレンチの前記第1の側部の表面に沿った<110>シリコン結晶面と、前記<111>シリコン結晶面と前記<110>シリコン結晶面との間の酸化レートの差を補償する前記パターンの表面に沿った少なくとも1つのシリコン結晶面と、を含むことを特徴とする請求項22に記載の半導体デバイス。前記パターンがノッチ形状を含むことを特徴とする請求項22に記載の半導体デバイス。本発明の実施例は、安定した横方向浮遊結合LFCCデバイスを形成する、より簡単かつより信頼性のある形成方法を可能にし、この方法は、現在の形成処理と組み合わせられる。本発明の実施例は、高いブレークダウン電圧を維持しつつオン抵抗を低下させるLFCC電界効果トランジスタも提供する。さらに、本発明の実施例は、LFCC電界効果トランジスタを形成する方法を提供する。1つの実施例によれば、方法は、シリコン基板内にあって基板内を上表面からある深さまで垂直に伸長する第1のトレンチを形成するステップを含み、当該第1のトレンチは第1の側壁、第1の底部、及び当該トレンチの第1の底部近傍の第1の側壁に形成されるパターンを有し、当該方法は、当該第1のトレンチの第1の側壁及び第1の底部上に酸化層を形成するステップを含み、酸化層は、第1のトレンチ内に配されておりかつ当該酸化層によって第1のトレンチから分離されている第2のトレンチをもたらす。第2のトレンチは、パターンを持たず実質的に垂直な第2の側壁、及び実質的に平坦な第2の底部を有する。このパターンは、第1のトレンチの底部と第1の側壁との間の酸化レートの相違を補償する。他の実施例において、パターンを形成するステップはノッチ形状を形成するステップを含む。さらに他の実施例において、基板はシリコンであり、第1のトレンチを形成するステップは、第1のトレンチの第1の底部に沿って<111>シリコン結晶面を形成し、第1のトレンチの第1の側壁に沿って<110>シリコン結晶面を形成し、パターンに沿って<111>シリコン結晶面と<110>シリコン結晶面との間の酸化レートの差異を補償するシリコン結晶面を形成する。さらに他の実施例において、方法は、パッシバントpassivantガスに対する反応ガスの第1の比率を有する第1の混合ガスを用いて第1の期間に基板をエッチングし、第1の側壁を形成するステップをさらに含む。パッシバントガスに対する反応ガスの第1の比率は、その後、パッシバントガスに対する反応ガスの第2の比率に変更される。基板は、その後、パッシバントガスに対する反応ガスの第2の比率を有する第2の混合ガスを用いて第2の期間にエッチングされ、パターンが形成される。反応ガスはSF6であり得、パッシバントガスはO2であり得、パッシバントガスに対する反応ガスの第2の比率は、1.1:1であり得、第2の期間は15秒から25秒の間であり得る。1つの実施例において、第2の期間は20秒である。さらに他の実施例において、方法は、パッシバントガスに対する反応ガスの第2の比率をパッシバントガスに対する反応ガスの第1の比率よりも低くするように、パッシバントガスに対する反応ガスの比率を減少させるステップをさらに含む。さらに他の実施例において、方法は、第2の混合ガスの流量が第1の混合ガスの流量と異なるように、混合ガスの流量を変更するステップをさらに含む。さらに他の実施例において、方法は、第2の混合ガスの流量が、第1の混合ガスの流量よりも少なくなるように、混合ガスの流量を減少させるステップをさらに含む。さらに他の実施例において、方法は、第2の混合ガスの圧力が第1の混合ガスの圧力と異なるように、混合ガスの圧力を変更するステップをさらに含む。さらに他の実施例において、第2の混合ガスの圧力が第1の混合ガスの圧力よりも高くなるように、混合ガスの圧力を上昇させるステップを含む。さらに他の実施例において、方法は、中性ガスの流量を変更するステップを含む。アルゴン、ヘリウム、キセノン等の不活性ガスであり得る中性ガスの流量は、中性ガス自体の変更または混合ガスになされる変更と組み合わせて変更され得る。さらに他の実施例において、パターンを有する第1のトレンチを形成するステップは、エッチャント処理時間をパッシバント処理時間に変更する及び/またはエッチャントガス組成をパッシバントガス組成に変更する処理を用いて基板をエッチングするステップをさらに含む。さらに他の実施例において、パターンを有する第1のトレンチを形成するステップは、時間分割多重TDMエッチング処理を使用して基板をエッチングするステップをさらに含む。さらに他の実施例において、パターンを有する第1のトレンチを形成するステップは、エッチングストップ層及びエッチングステップの組み合わせを用いてエッチングするステップをさらに含む。さらに他の実施例において、パターンを有する第1のトレンチを形成するステップは、シリコン内に所望の形状を生成するために様々なクランプ圧力及び/または様々な基板温度を使用して基板をエッチングするステップをさらに含む。他の実施例において、半導体デバイスを製造する方法は、シリコン基板内にあって基板内部を上表面からある深さまで垂直に伸長する第1のトレンチを形成するステップを含む。第1の側壁、第1の底部、及びトレンチの第1の底部近傍の第1の側壁に形成されているパターンを有する第1のトレンチは、最初に、第1の混合ガスを用いて第1の期間においてシリコン基板をエッチングして第1の側壁を形成するステップによって形成される。第1の混合ガスは、パッシバントガスに対する反応ガスの第1の比率、第1の流量、及び第1の圧力を有する。第1の期間が経過した後、パッシバントガスに対する反応ガスの第1の比率よりも低いパッシバントガスに対する反応ガスの第2の比率、第1の流量よりも少ない第2の流量、及び第1の圧力よりも高い第2の圧力を有する第2の混合ガスが生成される。その後、シリコン基板が、第2の混合ガスを用いて第2の期間においてエッチングされて、パターンが形成される。その後、第1のトレンチの第1の側壁、第1の底部、及びノッチ形状を有し得るパターン上に酸化層が形成され、当該酸化層が第1のトレンチ内に配されておりかつ当該酸化層によって第1のトレンチから分離されている第2のトレンチをもたらす。第2のトレンチは、パターンを持たず実質的に垂直である第2の側壁、及び実質的に平坦な第2の底部を有する。その後、第2のトレンチは導電体を用いて充填され、横方向浮遊容量結合デバイスが形成される。基板はシリコンであり得る。第1のトレンチを形成するステップは、第1のトレンチの第1の底部に沿った<111>シリコン結晶面、第1のトレンチの第1の側壁に沿った<110>シリコン結晶面、及びパターンに沿っており<111>シリコン結晶面と<110>シリコン結晶面との間の酸化レートの差異を補償するシリコン結晶面を形成し得る。他の実施例において、半導体デバイスは、ソース領域、ドレイン領域、ゲート領域、ソース領域とドレイン領域との間に配されてソース領域とドレイン領域との間の導電経路を提供するドリフト領域、及びソース領域とドレイン領域との間のドリフト領域内に配されているトレンチ領域内に形成された浮遊容量結合を含む。トレンチの各々は、シリコン基板内を上表面からある深さまで垂直に伸長している第1のトレンチを含む。第1のトレンチは、第1の側壁、第1の底部、及びトレンチの第1の底部近傍の第1の側壁に形成されているパターンを有する。酸化層が第1のトレンチの第1の側壁、第1の底部、及びパターン上に設けられ、第1のトレンチ内に配されておりかつ酸化層によって第1のトレンチから分離されている第2のトレンチをもたらす。第2のトレンチは、パターンを持たずに実質的に垂直である第2の側壁、及び実質的に平坦な第2の底部を有する。導電性材料が第2のトレンチ内に配されて、浮遊容量結合が形成される。ノッチ形状を有し得るパターンは、第1のトレンチの底部と第1の側壁との間の酸化レートの差異を補償する。第1のトレンチは、第1のトレンチの第1の底部に沿った<111>シリコン結晶面、第1のトレンチの第1の側壁に沿った<110>シリコン結晶面、及びパターンに沿っており<111>シリコン結晶面と<110>シリコン結晶面との間の酸化レートの差異を補償するシリコン結晶面を有し得る。他の実施例において、半導体デバイスは、ソース、ドレイン、ゲート、及びトレンチ構造を含む。トレンチ構造の少なくとも1つは、シリコン基板内を上表面からある深さまで垂直に伸長している第1のトレンチを含む。第1のトレンチは、第1の側壁、第1の底部、及びトレンチの第1の底部近傍の第1の側壁に形成されているパターンを有する。酸化層は、第1のトレンチの第1の側壁及び第1の底部上に設けられ、第1のトレンチ内に配されておりかつ当該酸化層によって第1のトレンチから分離されている第2のトレンチをもたらす。第2のトレンチは、パターンをもたず実質的に垂直な第2の側壁、実質的に平坦な第2の底部を有する。パターンは、第1のトレンチの底部と第1の側壁との間の酸化レートの差を補償する。少なくとも1つのトレンチ構造は、第2のトレンチ内に配された導電性材料をさらに含んで浮遊容量結合を形成し得る。第1のトレンチは、第1のトレンチの第1の底部に沿った<111>シリコン結晶面、第1のトレンチの第1の側壁表面に沿った<110>シリコン結晶面、及びパターンに沿っており<111>シリコン結晶面と<110>シリコン結晶面との間の酸化レートの差異を補償するシリコン結晶面を含み得る。パターンは、ノッチ形状であり得る。本開示のさらなる適用領域は、本明細書において以下に提供される発明を実施するための実施の形態から明らかになるだろう。発明を実施するための形態及び特定の例は、様々な実施例を示し、例示のみを目的とし、本開示の範囲を必ずしも限定しない。本発明の性質及び利点のさらなる理解は、以下に示されている明細書の残りの部分及び図面を参照することによって実現され得る。図面は、本発明の発明を実施する形態内に組み込まれる。以下の記述において、説明の目的のために、特定の詳細が説明されて、本発明の完全な理解がもたらされる。しかし、本発明がこれらの特定の詳細無しに実施されてもよいことは明らかである。実施例は、安定した横方向浮遊容量結合LFCCデバイスを製造する容易で信頼性のある製造方法を可能にし、当該方法は、現在の製造処理に組み込まれ得る。実施例は、より高いブレークダウン電圧を維持しつつオン抵抗を低下させる横方向浮遊制御キャパシタを有する電界効果トランジスタも提供する。実施例は、さらに、横方向浮遊制御キャパシタを有するこれらの電界効果トランジスタを製造する方法も提供する。実施例において、電界効果トランジスタのドリフト領域は、ゲート領域に電圧がかけられた際にソース領域とドレイン領域との間で電流を導電するアクティブドリフト領域と、アクティブドリフト領域を電界成形してブレークダウン電圧を改善する非アクティブな浮遊電荷制御FCC領域と、を含む。このFCC構造は、ソース領域とドレイン領域との間のドリフト領域内に配されているトレンチ領域内に形成される。FCCを含みかつシリコン基板内に垂直に伸長するトレンチの各々は、第1の側壁、第1の底部、及びトレンチの第1の底部近傍の第1の側壁に形成されたパターンを有する。第1のトレンチの第1の側壁及び第1の底部上に配されている酸化層は、第1のトレンチ内に第2のトレンチを配し、第2のトレンチは第1のトレンチから酸化層によって分離されている。ノッチパターンであり得る第1のトレンチ内のパターン故に、第2のトレンチは、名目的に平坦な底部を有し、垂直な側部の近傍において凹状側壁をもたないように形成される。このパターンは、第1のトレンチの底部と第1の側壁との間の酸化レートの差異を補償する。導電性材料が第2のトレンチ内に配され、浮遊容量結合が形成される。FCC領域を含むトレンチが形成され得るので、終端領域におけるトレンチは、活性領域内のトレンチに対して平行かまたは垂直である。これらの実施例の詳細は、以下に図面を参照しつつ説明される。さらに、トレンチを充填するために高ドープされたポリシリコンを使用する必要がありかつ追加のポリシリコン堆積が必要な従来技術とは異なり、実施例は、ドーピングに先だってゲート高分子を堆積することを可能にする。さらに、パターン構造を使用することは、FCCデバイスに有害な潜在的なボイドを除去する。実施例は、トレンチ側壁上の特別な隔離酸化層からの様々なシリコンドーパント拡散を促進する追加の熱的ステップを加えること無しに、電界酸化層隔離ICフロー内にLFCCデバイスのトレンチキャパシタを集積することを可能にする。図1Aは、半導体トランジスタ製造において使用されるトレンチ105の図である。トレンチ105は、実質的に垂直な側壁110、及び中央において平坦な部分を有する滑らかに丸められた底部115を有するトレンチである。このタイプのトレンチ105がシリコン基板内にエッチングされる場合、垂直側壁110の表面及び滑らかに丸められた底部115の表面は異なった結晶面を有する。シリコンの酸化レートが、酸化の行われる結晶面に依存する故に、トレンチの側壁110及び底部115が異なった面を有することは、トレンチの側壁及び底部における異なった酸化レートをもたらす。この異なった酸化レートは、図1B及び図1Cに関連して示されているように、トレンチの底部周囲の一様でない酸化をもたらす。図1Bは、酸化130後のトレンチ105を示しており、トレンチ側壁110及びトレンチの底部115に沿った不均一な酸化135を示している。不均一な酸化は、トレンチの底部近傍にて導電性材料を堆積させるのが困難な槍状のボイド140をもたらし、後に堆積されFCC領域を形成するために使用される導電性材料内にボイドを生じさせる。図1Cは、酸化後のトレンチの走査電子顕微鏡SEM画像150であり、トレンチの底部近傍に槍状ボイド140を示している。上述のように、この槍状ボイドは、後の堆積処理において問題を生ずる。この槍状ボイドは、酸化135によって形成される第2のトレンチ内に導電性材料を体積することを困難にし、後に堆積される導電性材料内にボイドを生じさせ得る。図1Cは、側壁110及び底部115を有するトレンチが、シリコン基板145内に堆積されることを示している。槍状ボイドは、シリコン内に生成されたトレンチが酸化される際に発生する。シリコン内でのトレンチのエッチングは、第1のトレンチの底部115表面に沿って<111>シリコン結晶面を有し、トレンチの側壁110に沿って<110>シリコン結晶面を有するトレンチを形成する。これらの異なった結晶方位及び結晶構造によってシリコン酸化レートが変化することは、ボイド140を発生させる。図1Dは、図1Aに示されたトレンチを用いて形成された浮遊容量の走査電子顕微鏡SEM画像160であり、浮遊容量内のボイドを示している。画像160は、酸化処理によって形成された第2のトレンチを示しており、第2のトレンチは、LFCC構造を形成するために導電性材料で充填されている槍状ボイド140を有している。図160をみてわかるように、導電性材料は、酸化処理によって形成されている第2のトレンチの底部に配されている槍状領域内には良好には堆積されていない。このボイドは、LFCC構造を有するトランジスタにおける欠点を生み、この欠点は当該トランジスタの性能に悪影響をもたらす。図2Aは、実施例に従って、LFCC半導体トランジスタ構造を形成するために使用されるトレンチ205を示している。トレンチ205は、実質的に垂直な側壁210、及び中央部において平坦部を有するノッチのようであり得るパターン215を有している。パターン215は、トレンチ側壁及びトレンチ底部における不均一酸化を補償するために使用される。図1A-1Dを参照して上述されたように、シリコン基板におけるトレンチのエッチングは、トレンチが酸化処理を経る際に、トレンチの内部に槍状の酸化パターンを生ずる異なった結晶方位を有する側壁及び底部を形成する。トレンチ205がシリコン基板内にエッチングされる際、垂直側壁210の表面及びパターン215の表面は、異なった結晶面を有する。実質的に平坦にみえるパターン215の底部の表面は、<111>シリコン結晶面を有する。トレンチ205の側壁210の表面は、<110>結晶面を有する。パターン215のノッチ部分の表面は、<111>シリコン結晶面と<110>シリコン結晶面との間の酸化レートの差を補償する結晶面を有している。パターン215はノッチとして示されているが、異なった結晶面の間の酸化レートの差を補償するために他のパターンも使用され得る。図2Bは、酸化235後トレンチ230を示しており、ボイドを減少させるほぼ垂直な壁部210を有するノッチ領域215に沿った名目上平坦な底部を表している。図1A-1Cに示されている酸化と比較して、酸化235は、酸化135よりも実質的にさらに均一であり、トレンチの底部近傍において槍状ボイド140がない。酸化235は、第1のトレンチ内に第2のトレンチ240を形成し、後に第2のトレンチが、FCC領域を形成するために使用される導電性材料で充填される。この処理が、第2のトレンチ240を形成する故に、導電性材料が、さらに容易にかつさらに確実に第2のトレンチ内に堆積される。第2のトレンチの形状は、図2Cに示されているように、ボイドを形成せずにトレンチ内に一様に導電性材料が堆積されることを可能にする。図2Cは、図2Aに示されているトレンチを用いて形成された浮遊容量の走査電子顕微鏡SEM画像265であり、ボイドを有していない浮遊容量が示されている。画像265は、どんなボイドもなく酸化処理によって形成された第2のトレンチを示している。第2のトレンチは、導電性材料で充填されてLFCC構造が形成される。画像265からわかるように、導電性材料は、酸化処理によって形成される第2のトレンチ内に実質的に均一に堆積させられている。時間分割多重TDM、エッチングストップ層及びエッチングステップの組み合わせ、または変化させられるクランプ圧及び/もしくは変化させられる基板温度の組み合わせ等のエッチング処理を用いてシリコントレンチの終端を形成してノッチ形状を持たせることは、シリコン内で所望の形状を生成するために用いられ得る。画像265は、LFCC半導体デバイスの一部である浮遊容量を有するトレンチ230を示している。1つの実施例において、LFCC半導体デバイスは、ソース領域、ドレイン領域、ゲート領域、ソース領域とドレイン領域との間に配されておりソース領域とドレイン領域との間の導電経路をもたらすドリフト領域、及びトレンチ領域内に形成されてソース領域とドレイン領域との間のドリフト領域内に配される浮遊容量結合FCCを含んでいる。トレンチの各々は、シリコン基板内を上表面からある深さまで垂直に伸長している第1のトレンチをさらに含む。第1のトレンチは、第1の側壁、第1の底部、及びトレンチの第1の底部近傍の第1の側壁に形成されているパターンを有している。酸化層は、第1のトレンチの第1の側壁及び第1の底部上に配されており、第1のトレンチ内に配されかつ当該酸化層によって第1のトレンチから分離されている第2のトレンチをもたらす。第2のトレンチは、パターンを呈していない実質的に垂直な第2の側壁、及び実質的に平坦な第2の底部を有している。導電性材料が第2のトレンチ内に配されて、浮遊容量結合が形成される。シリコン酸化レートが曝されているシリコン格子面とともに変化するため、トレンチの底部にスタブstubを有するパターンを追加することで、槍形状が除去される。ノッチ形状であり得るパターンは、第1のトレンチの底部と第1の側壁との間の酸化レートの差を補償する。第1のトレンチは、第1のトレンチの第1の底部表面に沿って<111>シリコン結晶面を、第1のトレンチの第1の側壁表面に沿って<110>シリコン結晶面を、かつ<111>シリコン結晶面と<110>シリコン結晶面との間の酸化レートの差を補償するシリコン結晶面も形成可能である。このパターンを使用することは、図1A-1Dを参照して上述された槍頭断面を除去して、浮遊容量内のボイドを減少させる。さらに、TDM技術を用いた深いトレンチエッチャを使用することで、エッチャントステップ時間をパッシバントステップ時間に変更しかつエッチャントガス組成をパッシバントガス組成に変更することによって側壁形状が変更され得、パターンすなわちノッチ底部形状が形成され得る。シリコン内の深いトレンチの底部をノッチ形状にすることで、<111>結晶面の故の遅い酸化レートは、酸化のより遅い結晶面がくぼまされている間に、より厚いエッジを酸化する。図3は、実施例に従って、図2に示されているトレンチを用いてLFCC構造を形成するために使用される方法を示すフローチャートである。この方法は、基板内にトレンチをエッチングするLAM9400等のエッチングツールをセットアップすることによって操作305から開始する。次の操作310において、トレンチをエッチングするためのエッチングツール内にシリコン基板が提供される。操作315において、トレンチの側壁210を主にエッチングする第1のエッチング条件が設定される。第1のエッチング条件を設定することは、第1のガス混合比率、第1の圧力、第1のガス流量及び第1のバイアス電力biaspowerの設定を含む。第1の混合ガスは、SF6及びO2、並びにヘリウム、アルゴン、キセノンまたは他の希ガスもしくは不活性ガス等の任意の中性希釈物質の混合物を含み得る。SF6は反応ガスであり、O2はパッシバントガスである。1つの実施例において、SF6とO2の第1の比は、1.6:1であり、第1の圧力は55ミリトールであり、第1の全ガス流量は325SCCM立方センチメートル毎分であり、第1のバイアス電力は15ワットであり、第1の温度は7°Cに設定されるが、2°Cから12°Cの範囲であってもよい。第1のエッチング条件が一度設定されると、エッチング処理が操作320において開始する。エッチング操作320は、エッチングストップ層及びエッチングステップの組み合わせを使用する基板エッチングを含み得る。このエッチング操作は、シリコン内に所望の形状を生成するために、変化させられるクランプ圧力及び/または変化せられる基板温度も使用し得る。エッチングが操作320において終了すると、操作325において、エッチ条件を変えるときかの判定が行われる。判定は、第1の時間が経過したかどうかのチェックによってか、またはエンドポイント検出器等の検出器を用いることで行われる。操作325における判定が、エッチング条件を変える時間ではないと判定した場合、操作320においてエッチングが継続する。操作325における判定が、トレンチの底部のパターン215を形成するためにエッチング条件を変更する例えば、第1の時間が経過したと判定した場合、操作330において、エッチング条件の第2のセットが設定される。第2のエッチング条件の設定は、混合ガス、ガス圧力、ガス流量、温度、及びバイアス電力の内の任意の1つまたはこれらの組み合わせを設定することを含む。従って、操作330は、第2の混合ガス比率、第2の圧力、第2のガス流量、第2の温度、及び/または第2のバイアス電力を設定する。第2の混合ガスは、SF6及びO2、並びにヘリウム、アルゴン、キセノン、または他の希ガスもしくは不活性ガス等の任意の中性希釈物質を含み得る。1つの実施例において、SF6とO2の第2の比は1.1:1であり、第2の圧力は65ミリトールであり、第2のガス流量は313SCCMであり、第2のバイアス電力は15ワットであり、かつ第2の温度は7度に設定されるが2°Cから12°Cの範囲であってもよい。他の実施例において、SF6とO2の第2の比は1.1:1であり、第2の圧力は55ミリトールであり、第2のガス流量は313SCCMであり、第2のバイアス電力は15ワットであり、第2の温度は7°Cに設定されるが、2°Cから12°Cの範囲であってもよい。他の実施例において、SF6とO2の第2の比は1.3:1であり、第2の圧力は55ミリトールであり、第2のガス流量は330SCCMであり、第2のバイアス電力は15ワットであり、第2の温度は7°Cに設定されるが、2°Cから12°Cの範囲であってもよい。いくつかの実施例において、エッチング処理は連続的であるので、シリコン基板は、エッチング条件が第1のエッチング条件のセットから第2のエッチング条件のセットに変更される際にエッチングされている。例えば、エッチング条件の第2のセットは、オンザフライontheflyでO2の量を減少させることによって設定されて、圧力が減少させられ、トレンチ底部におけるイオン衝撃が増加させられて限界寸法criticaldimensionCDを広くし、その後にO2が増加され、圧力を増加させられてポリマー形成が増加させられ、トレンチ底部が狭くされて小さなノッチが形成され得る。1つの実施例において、エッチング条件の第2のセットの設定は、パッシバントガスに対する反応ガスの第2の比がパッシバントガスに対する反応ガスの第1の比よりも小さくなるように、パッシバントガスに対する反応ガスの比を減じることを含み得る。他の実施例において、エッチング条件の第2のセットの設定は、混合ガスの流量を変更して、第2の混合ガスの流量を第1の混合ガスの流量と異なるようにすることを含み得る。他の実施例において、エッチング条件の第2のセットの設定は、混合ガスの流量を減少させて、第2の混合ガスの流量を第1の混合ガスの流量よりも少なくすることを含み得る。他の実施例において、エッチング条件の第2のセットの設定は、ガス圧力を変更して、第2の混合ガスの圧力が第1の混合ガスの圧力と異なるようにすることを含み得る。他の実施例において、エッチング条件の第2のセットの設定は、ガス圧力を増加させて、第2の混合ガスの圧力が第1の混合ガスの圧力よりも大きくなるようにすることを含み得る。他の実施例において、パターンを有する第1のトレンチの形成は、エッチャント処理時間をパッシバント処理時間に変更する及び/またはエッチャントガス組成をパッシバントガス組成に変更する処理を用いて基板をエッチングすることをさらに含む。他の実施例において、中性ガスの流量が変更される。アルゴン、ヘリウム、キセノン等の不活性ガスであり得る中性ガスの流量は、それ自体または混合ガスになされる変更と組み合わされて変化させられ得る。連続的ではない他の実施例において、シリコンは、変化させられる圧力/エッチング/表面安定化処理passivationステップ時間を有するTDMエッチングを用いてエッチングされ、パターン215にノッチとして示されているのと同様のパターンが形成される。パターンまたはノッチは、さらに長いエッチングステップ及びさらに短いパッシバントステップを用いて、TDM処理において、トレンチ底部の短い深さに亘ってCDを増加させることによって形成され得る。第1のエッチング条件が第2のエッチング条件に変更される際、エッチング処理は操作335において継続され、トレンチの底部においてエッチングパターン215が形成される。操作335におけるエッチング処理は、15秒から25秒の範囲であり、1つの実施例において約20秒であり得る第2の期間において実行されるように設定される。エッチングが操作335において継続している間、パターン215を有するトレンチが完成されているか及びエッチング処理を停止する時間かの他の判定が操作340において行われる。判定は、第2の期間が経過したかをチェックすることによって行われる。操作340における判定が、エッチング処理を停止する時間ではないという判定であった場合、その後、操作335においてエッチングが継続する。操作340における判定が、エッチング処理を停止する時間である例えば、第2の時間が経過しているという判定であった場合、操作345においてエッチング処理が停止する。次に操作350において、第1のトレンチの第1の側壁210及びパターン215上に、酸化層が形成される。酸化層は、第1のトレンチ内に配されて第1のトレンチから酸化層235によって分離されている第2のトレンチをもたらす。第2のトレンチ240は、パターン215を呈さない実質的に垂直な側壁、及び実質的に平坦な第2の底部を有する。酸化処理の後、第2のトレンチの内部形状は、凹状側壁を有さないほぼ垂直な側部を有する名目的に平坦な底部からなる。このパターンは、第1のトレンチの底部と第1の側壁との間の酸化レートの差を補償する。次に酸化後の操作355において、第2のトレンチ240が導電性材料で充填されて、トレンチキャパシタまたはLFCCタイプのデバイスが形成される。この充填は、ドーピングされていないかまたは軽くドーピングされているポリシリコンを用いて継ぎ目無しに行われる。いくつかの実施例において、この充填処理は、化学気相蒸着CVD、物理蒸着PVDまたは他の技術で行われる。この処理は、浮遊容量デバイスが更なる処理に送られる場合に終了する。図4Aは、図3に関して上述されている方法に従って形成された浮遊容量結合FCC領域、及び活性ドリフト領域内pn接合を有する電界効果トランジスタFETを示している。このFETは、ソース405、ゲート410、ドレイン415、活性ドリフト領域図示せず、不活性垂直FCC領域4つ示されている425A-425D、Pリサーフresurf領域3つ示されている440A-440C、並びに断続的なNバッファ領域430及びボディ440を含んでいる。図4Bは、図4Aの上面図である。図4Cは、図4Bに示されているB-B′切断線に沿った図4A及び4Bの断面図である。図4Cは、活性ドリフト領域420、不活性垂直FCC領域425、及びPリサーフ層440を含んでいる。活性ドリフト領域420及びPリサーフ層440は、pn接合を形成している。活性ドリフト領域420は、図4Dに関して説明されている垂直に積まれている交互pn接合を含む構造を有している。断続的なNバッファ領域430は、不活性垂直FCC領域425A-425Dと整列させられているセグメントを有する。Pリサーフ領域440A-440Cはゲート410まで伸張している。1つの実施例において、Pリサーフ領域440A-440Cは、Pボディ440、その先の下部LDMOS内の基板への接続を介して接地面に電気的に接続され得る。この接続は、FCCトレンチ内の電極-基板接合を確立する。Nバッファ領域430は、活性ドリフト領域とゲート410の下に形成されたチャンネルとの間の電気的コンタクトを形成する。ソース405は、ボディ440内に配されており、導体である。十分な電圧がゲート410に印加されると、チャンネルはゲート410の下にチャンネルを形成し、ソース405からチャンネル、Nバッファ領域430、活性ドリフト領域を介してドレイン415まで電流が流れる。図4Aに示されているFETは、不活性垂直FCC領域425A-425Dの間に有るドリフト領域の部分に1または複数の垂直pn接合を設けることによって形成され得る。この垂直に積み重ねられている交互P-N層構造は、FCCトレンチがエッチングされる前にエピタキシャル成長させられ得る。不活性垂直FCC領域4つ示されている425A-425Dは、図3に関して上述されている方法に従って形成され得る。この方法は、シリコン基板をエッチングして底部においてパターン215を有するトレンチを形成するステップと、トレンチを酸化して酸化層235及び第2のトレンチ240を形成するステップと、その後、第2のトレンチ240を導電性材料で充填するステップと、を含む。同一の手順が使用されて、複数のp-nエピタキシャル層が堆積された後に、FCCトレンチ内に複数の分離された浮遊電極が形成される。活性ドリフト領域へのpn接合の追加は、活性ドリフト領域内のキャリア濃度を約2倍に増加させ得、それによって、デバイスのオン抵抗を実質的に低下させる。1つの例において、ボックス状のドーピング形状が使用されると、ブレークダウン電圧が維持されつつ、Pリサーフ層の取り込みは、nドリフト濃度を1×1016/cm3~2×1016/cm3に増加させ得る。図4Dは、図4Aに示されている半導体デバイスの面C-C′に沿った断面図である。図4Aの半導体デバイスは、活性ドリフト領域内のpn接合、活性ドリフト領域445の各々の側部に配されている垂直不活性FCC領域425A-425Dを含んでいる。活性ドリフト領域445は、積み重ねられているpn接合を含み、このpn接合が活性ドリフト領域内のキャリア濃度を2倍に増加させ得ることによって、実質的にデバイスのオン抵抗が減少し得る。個々のp層及び個々のn層の厚さは、注入量dosageに依存して変化し得る。図4A-Dに示されているセル構造に加えて、本明細書に説明されているトレンチ処理は、両方が全体を参照することによって本明細書に含まれている同時係属の米国出願番号第12/424,044号出願日2009年4月17日及び同時係属の米国出願番号第11/801,819号出願日2007年5月10日に記載されているセル構造及び半導体デバイスの製造においても使用され得る。例えば、本明細書に記載されているトレンチ処理は、同時係属の米国出願番号第12/424,004号の図1A-3B及び同時係属の米国出願番号第11/801,819号の図1-3に示されているセル構造を形成するのに使用可能である。本明細書に記載されているトレンチ処理は、ソース、ドレイン、ゲート及びトレンチ構造を含む半導体デバイスに一般的に適用可能である。全体として、これらの半導体デバイスにおいて、トレンチ構造の少なくとも1つは、シリコン基板内を上表面からある深さまで垂直に伸長する第1のトレンチを含む。第1のトレンチは、第1の側壁、第1の底部、及び当該トレンチの第1の底部近傍の第1の側壁に形成されているパターンを有している。酸化層は、第1のトレンチの第1の側壁及び第1の底部に配されて、第1のトレンチ内に配されて、当該酸化層によって第1のトレンチから分離されている第2のトレンチをもたらす。第2のトレンチは、パターンを呈さずに実質的に垂直である第2の側壁、及び実質的に平坦な第2の底部を有する。このパターンは、第1のトレンチの底部と第1の側壁との間の酸化レートの差を補償する。この半導体デバイスの少なくとも1つのトレンチ構造は、第2のトレンチ内に配されている導電性材料をさらに含み、浮遊容量結合を形成している。この半導体デバイスの第1のトレンチは、第1のトレンチの第1の底部の表面に沿って<111>シリコン結晶面、第1のトレンチの第1の側壁の表面に沿って<110>シリコン結晶面、及び<111>シリコン結晶面と<110>シリコン結晶面との間の酸化レートの差を補償するパターン表面に沿った少なくとも1つのシリコン結晶面を含み得る。この半導体デバイスのトレンチ内のパターンは、ノッチ形状であり得る。本発明の特定の実施例が説明されてきたが、様々な変更例、置換例、置換構造、及び均等例が本発明の範囲に含まれている。本発明の範囲が、説明されている一連の複数の処理transaction及びステップに限定されないことが当業者に自明なように、記載されている発明は、いくつかの特定の実施例内の操作に限定されず、他の実施例においても自由に操作を行うことが可能である。従って、本明細書及び添付の図面は、限定的よりは例示的とみなされるべきである。追加、除去、削除、及び他の変形及び変更は、特許請求の範囲に記載されている本発明の広い精神及び範囲から逸脱することなく本発明になされてもよい。"