電子部品を保持するベース基板と、前記電子部品を覆うように、前記ベース基板に重ねられたカバー基板と、を備えた試験用キャリアであって、前記ベース基板と前記カバー基板との間に介在すると共に前記電子部品を取り囲むシール部材を備えたことを特徴とする試験用キャリア。請求項1に記載の試験用キャリアであって、前記シール部材は、導電性を有する環状の弾性材から構成されていることを特徴とする試験用キャリア。請求項1又は2に記載の試験用キャリアであって、前記ベース基板又は前記カバー基板は、前記シール部材に粘着する粘着材を有することを特徴とする試験用キャリア。請求項1又は2に記載の試験用キャリアであって、前記シール部材は、前記カバー基板又は前記ベース基板の一部が挿入された溝を有することを特徴とする試験用キャリア。請求項4に記載の試験用キャリアであって、前記ベース基板又は前記カバー基板は、前記シール部材と接触する平滑部を有することを特徴とする試験用キャリア。請求項1に記載の試験用キャリアであって、前記シール部材は、ペースト状のゲル材、又はシート状のゲル材から構成されることを特徴とする試験用キャリア。請求項1~6の何れかに記載の試験用キャリアであって、前記電子部品は、半導体ウェハをダイシングすることで形成されたダイであることを特徴とする試験用キャリア。請求項1~7の何れかに記載の試験用キャリアであって、前記ベース基板と前記カバー基板との間に形成され、前記電子部品を収容する収容空間は、外気に比して減圧されていることを特徴とする試験用キャリア。試験用キャリアの基板組立体であって、基板と、環状のシール部材と、前記基板に設けられ、前記シール部材に粘着する粘着材と、を備えたことを特徴とする基板組立体。請求項9に記載の基板組立体であって、前記シール部材は、導電性を有する弾性材から構成されていることを特徴とする基板組立体。試験用キャリアの基板組立体であって、基板と、環状のシール部材を備え、前記シール部材は、前記基板の一部が挿入された溝を有することを特徴とする基板組立体。請求項11に記載の基板組立体であって、前記シール部材は、導電性を有する弾性材から構成されていることを特徴とする基板組立体。上記の試験用パッケージでは、外界の大気圧を利用してデバイス端子と基板側端子とをコンタクトさせるため、第1基板と第2基板との間に形成された空間に高い気密性が要求される。本発明が解決しようとする課題は、高い気密性を確保することが可能な試験用キャリア、及びその試験用キャリアの基板組立体を提供することである。[1]本発明に係る試験用キャリアは、電子部品を保持するベース基板と、前記電子部品を覆うように、前記ベース基板に重ねられたカバー基板と、を備えた試験用キャリアであって、前記ベース基板と前記カバー基板との間に介在すると共に前記電子部品を取り囲むシール部材を備えたことを特徴とする。[2]上記発明において、前記シール部材は、導電性を有する環状の弾性材から構成されていてもよい。[3]上記発明において、前記ベース基板又は前記カバー基板は、前記シール部材に粘着する粘着材を有してもよい。[4]上記発明において、前記シール部材は、前記カバー基板又は前記ベース基板の一部が挿入された溝を有してもよい。[5]上記発明において、前記ベース基板又は前記カバー基板は、前記シール部材と接触する平滑部を有してもよい。[6]上記発明において、前記シール部材は、ペースト状のゲル材、又はシート状のゲル材から構成されてもよい。[7]上記発明において、前記電子部品は、半導体ウェハをダイシングすることで形成されたダイであってもよい。[8]上記発明において、前記ベース基板と前記カバー基板との間に形成され、前記電子部品を収容する収容空間は、外気に比して減圧されていてもよい。[9]本発明に係る基板組立体は、試験用キャリアの基板組立体であって、基板と、環状のシール部材と、前記基板に設けられ、前記シール部材に粘着する粘着材と、を備えたことを特徴とする。[10]上記発明において、前記シール部材は、導電性を有する弾性材から構成されていてもよい。[11]本発明に係る基板組立体は、試験用キャリアの基板組立体であって、基板と、環状のシール部材を備え、前記シール部材は、前記基板の一部が挿入された溝を有することを特徴とする。[12]上記発明において、前記シール部材は、導電性を有する弾性材から構成されていてもよい。本発明では、ベース基板とカバー基板との間にシール部材が介在しているので、高い気密性を確保することができる。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。<<第1実施形態>>図1は本発明の第1実施形態におけるデバイス製造工程の一部を示すフローチャートである。本実施形態では、半導体ウェハのダイシングの後図1のステップS10の後であって最終パッケージングの前ステップS50の前に、ダイ90に作り込まれた集積回路等の電子回路の試験を行うステップS20~ステップS40。本実施形態では、先ず、ダイ90を試験用キャリア10Aに一時的に実装するステップS20。次いで、この試験用キャリア10Aを介してダイ90を試験装置不図示と電気的に接続することで、ダイ90に形成された電子回路の試験を実行するステップS30。そして、この試験が終了したら、試験用キャリア10Aを分解して当該キャリア10Aからダイ90を取り出しステップS40、このダイ90を本パッケージングすることで、デバイスが最終製品として完成する。以下に、本発明の第1実施形態においてダイ90が一時的に実装仮パッケージされる試験用キャリア10Aについて説明する。図2~図5は本実施形態における試験用キャリアを示す図であり、図6はその試験用キャリアのベース基板組立体を示す図、図7は配線パターンの変形例を示す図、図8~図13は本実施形態における試験用キャリアの変形例を示す断面図である。本実施形態における試験用キャリア10Aは、図2~図4に示すように、ダイ90が載置されたベース基板組立体20と、ダイ90を覆うようにベース基板組立体20に重ねられたカバー基板31Aと、を備えている。この試験用キャリア10Aは、大気圧よりも減圧した状態でベース基板組立体20とカバー基板31Aとの間にダイ90を挟み込むことで、ダイ90を保持する。ベース基板組立体20は、ベース基板21Aと、シール部材24と、を備えており、ベース基板21Aは、ベースフレーム22と、ベースフィルム23と、を有している。ベースフレーム22は、高い剛性少なくともベースフィルム23やカバーフィルム33よりも高い剛性を有し、中央に矩形状の開口221が形成されたリジッド基板である。このベースフレーム22は、例えば、ポリアミドイミド樹脂やセラミックス、ガラス等から構成されている。ベースフィルム23は、可撓性を有するフィルムであり、中央開口221を含めたベースフレーム22の全面に接着剤不図示によって貼り付けられている。このように本実施形態では、可撓性を有するベースフィルム23に、剛性の高いベースフレーム22が貼り付けられているので、ベース基板21Aのハンドリング性の向上が図られている。図5に示すように、このベースフィルム23は、配線パターン231が形成されたベース層232と、このベース層232を被覆するカバー層233と、を有している。ベースフィルム23のベース層232及びカバー層233は何れも、ポリイミドフィルムから構成されている。配線パターン231は、例えば、ベース層232上に積層された銅箔をエッチングすることで形成されている。図5及び図6に示すように、配線パターン231の一端は、カバー層233のスルーホール234を介してパッド236に接続されている。このパッド236には、ダイ90の電極91が接続される。一方、配線パターン231の他端は、カバー層233のスルーホール235を介して外部端子237に接続されている。この外部端子237には、ダイ90の電子回路の試験の際に、試験装置のコンタクトピンが接触することとなる。ベース基板組立体20のシール部材24は、図2~図4に示すように、上述したベース基板21A上に設けられた導電性を有する環状の弾性材である。このシール部材24は、例えば、ゴム原料にカーボンブラックや金属粉末等の導電体を添加した導電性ゴムから構成されており、具体的には、導電性シリコーンゴム等を例示することができる。このシール部材24は、ベースフレーム22の中央開口221に対応した形状の内孔241を有している。そして、図5に示すように、このシール部材24は、平面視において中央開口221と内孔241とが実質的に一致するように、粘着材25を介して、ベースフィルム23上に貼り付けられている。この粘着材25は、電気絶縁性を有しており、具体的には、例えば、基材の両面に粘着層を有する両面テープや接着剤などを例示することができる。なお、粘着材25を用いずに、シール部材24をベースフィルム23上に直接貼り付けてもよい。シール部材24として、ペースト状或いはシート状のゲル材を用いてもよい。こうしたゲル材の具体例としては、例えば、シリコーンを主原料としたゲル材例えば、株式会社タイカ製のαGEL登録商標を例示することができる。シール部材24としてペースト状のゲル材を用いる場合には、当該ゲル材をベースフィルム23上に直接塗布すればよい。一方、シール部材24としてシート状のゲル材を用いる場合には、粘着材25を介して当該ゲル材をベースフィルム23に貼り付けたり、或いは、粘着材25を介さずに当該ゲル材をベースフィルム23に直接貼り付けてもよい。一方、試験用キャリア10Aのカバー基板31Aも、カバーフレーム32と、カバーフィルム33と、を備えている。カバーフレーム32は、高い剛性少なくともベースフィルム23やカバーフィルム33よりも高い剛性を有し、中央に矩形状の開口321が形成されたリジッド基板である。このカバーフレーム32は、ベースフレーム22と同様に、例えば、ポリアミドイミド樹脂やセラミックス、ガラス等から構成されている。カバーフィルム33は、例えばポリイミドフィルム等の可撓性を有するフィルムであり、中央開口321を含めたカバーフレーム32の全面に接着剤不図示によって貼り付けられている。このように本実施形態では、可撓性を有するカバーフィルム33に、剛性の高いカバーフレーム32が貼り付けられているので、カバー基板31Aのハンドリング性の向上が図られている。因みに、このカバーフィルム33には、上述のベースフィルム23と異なり、配線パターンが形成されていない。なお、上述したシール部材24を、ベースフィルム23に代えて、カバーフィルム33に粘着材25を介して貼り付けてもよい。以上に説明した試験用キャリア10Aは、以下のように組み立てられる。すなわち、先ず、電極91をパッド236に位置合わせした状態で、ダイ90をベース基板21Aのベースフィルム23上に載置する。ベースフィルム23上に載置されたダイ90は、シール部材24の内孔241内に位置しており、環状のシール部材24によって囲まれている。なお、ベース基板21Aにシール部材24を貼り付けてベース基板組立体20を予め形成しておく。次いで、大気圧に比して減圧した環境下で、シール部材24を介してベース基板21Aの上にカバー基板31Aを重ねて、ベース基板21Aとカバー基板31Aとの間にダイ90を挟み込む。この際、ベースフィルム23とカバーフィルム33とが直接接触するように、ベース基板21A上にカバー基板31Aを重ねる。次いで、ベース基板21Aとカバー基板31Aとの間にダイ90を挟み込んだ状態のまま、試験用キャリア10Aを大気圧環境に戻すことで、ベース基板21Aとカバー基板31Aとの間に形成された収容空間11図3参照内にダイ90が保持される。なお、ダイ90の電極91とベースフィルム23のパッド236とは、半田等で固定されていない。本実施形態では、収容空間11が外気に比して減圧されているので、ベースフィルム23とカバーフィルム33によってダイ90が押圧されて、ダイ90の電極91とベースフィルム23のパッド236とが相互に接触している。また、本実施形態では、シール材24がベース基板21Aとカバー基板31Aとの間に介在しているので、ベース基板21Aとカバー基板31Aとの間に形成される収容空間11の気密性を向上させることができる。また、本実施形態では、シール部材24に導電性を付与することで、上述の分解工程図1のステップS40におけるベース基板21Aとカバー基板31との剥離時の静電気の発生を抑制することができ、静電気放電ESD:ElectroStaticDischargeによるダイ90の電子回路の劣化や損傷を抑制することができる。また、本実施形態では、配線パターン231の存在によってベースフィルム23の表面に凹凸が形成されていても、粘着材25が当該凹凸を埋めるので、シール部材24による気密性を維持することができる。さらに、本実施形態では、ベース基板21Aにシール部材24を貼り付けてベース基板組立体20を予め形成しておき、試験キャリア10Aの組立時に当該組立体20をハンドリングすることで作業性が向上する。なお、配線パターン231は、上記の構成に特に限定されない。例えば、図7に示すように、配線パターン231の一部を、ベースフィルム23の表面にインクジェット印刷によってリアルタイムに形成してもよい。或いは、配線パターン231の全てをインクジェット印刷によって形成してもよい。本実施形態では、導電性を有するシール部材24が、ベースフィルム23上に露出した配線パターン231の上に位置しても、電気絶縁性を有する粘着材25が、シール部材24と配線パターン231との間に介在するので、これらの間の電気絶縁性が確保される。なお、パッド236の位置や外部端子237の位置は特に限定されず、以下に説明する図8~図13に示すような構成であってもよいし、これらを組み合わせた構成であってもよい。例えば、図8に示す第1変形例のように、パッド236をベースフィルム23の上面に形成し、外部端子237をベースフレーム22の下面に形成してもよい。この場合には、パッド236と外部端子237とを接続する導電路238は、ベースフィルム23とベースフレーム22に形成される。また、図9に示す第2変形例のように、パッド236をベースフィルム23の上面に形成し、外部端子237をベースフィルム23の下面に形成してもよい。この場合には、導電路238はベースフィルム23に形成される。また、図10に示す第3変形例のように、パッド236をカバーフィルム33の下面に形成し、外部端子237をカバーフレーム32の上面に形成してもよい。この場合には、導電路238は、カバーフィルム33とカバーフレーム32に形成される。なお、特に図示しないが、図9に示す例と同様の要領で、外部端子237をカバーフィルム33の上面に形成してもよい。また、図11に示す第4変形例のように、パッド236をカバーフィルム23の下面に形成し、外部端子237をベースフレーム22の下面に形成してもよい。この場合には、導電路238は、カバーフィルム33、ベースフィルム23、及びベースフレーム22に形成される。さらに、ダイ90が上面及び下面の両面に電極91を有する場合には、図12に示す第5変形例のように、パッド236をベースフィルム23及びカバーフィルム33の両方に形成すると共に、外部端子237をベースフレーム22及びカバーフレーム32の両方に形成する。また、ダイ90が比較的厚い場合には、図13に示す第6変形例のように、ベースフレーム22とカバーフレーム32とがシール部材24を介して対向するように、ベース基板21A上にカバー基板31Aを重ねてもよい。<<第2実施形態>>図14及び図15は本発明の第2実施形態における試験用キャリアを示す図である。図14に示すように、本実施形態における試験用キャリア10Bは、ベース基板21Aと、カバー基板組立体30と、を備えており、カバー基板組立体30は、カバー基板31Aと、シール部材34と、を有している。なお、本実施形態におけるベース基板21A及びカバー基板31Aは、第1実施形態と同様であるので、同一の符号を付してその説明を省略する。カバー基板組立体30のシール部材34は、図14及び図15に示すように、カバー基板31Aに取り付けられた導電性を有する環状の弾性材である。このシール部材34は、第1実施形態で説明したシール部材24と同様に、例えば、ゴム原料にカーボンブラックや金属粉末等の導電体を添加した導電性ゴムから構成されており、具体的には、導電性シリコーンゴム等を例示することができる。このシール部材34は、カバーフレーム32の中央開口321に対応した形状の内孔341を有している。また、このシール部材34は、カバー基板31Aの外周部分が全周に亘って挿入された内周溝342を有している。なお、図14及び図15に示す例では、カバー基板31Aにおいてカバーフレーム32全体がシール部材34の内周溝342に挿入されているが、特にこれに限定されず、カバーフレーム32の外周部分のみを内周溝342に挿入してもよい。本実施形態における試験用キャリア10Bは、上述の第1実施形態における試験用キャリア10Aと同様に組み立てられるが、事前にカバー基板31Aにシール部材34が取り付けられて、カバー基板組立体30を予め形成しておく点で、第1実施形態と相違する。本実施形態では、第1実施形態と同様に、シール材34がベース基板21Aとカバー基板31Aとの間に介在しているので、ベース基板21Aとカバー基板31Aとの間に形成される収容空間11の気密性を向上させることができる。また、本実施形態では、第1実施形態と同様に、シール部材34に導電性を付与することで、上述の分解工程図1のステップS40において、ESDによるダイ90の電子回路の劣化や損傷を抑制することができる。さらに、本実施形態では、カバー基板31Aにシール部材34を貼り付けてカバー基板組立体30を予め形成しておき、試験キャリア10Bの組立時に当該組立体30をハンドリングすることで作業性が向上する。とりわけ本実施形態では、シール部材34の内周溝342にカバー基板31Aの外周部分を挿入するので、シール部材34をカバー基板31Aに取り付けるための粘着材が不要となる。なお、ダイ90が比較的厚い場合には、ベースフレーム22とカバーフレーム32とがシール部材34を介して対向するように、ベース基板21Aにカバー基板31Aを重ねてもよい。図16は本実施形態における試験用キャリアの変形例を示す図である。なお、図16に示すように、ベースフィルム23とシール部材34との間に、電気絶縁性を有する絶縁フィルム26を介在させてもよい。この絶縁フィルム26は、粘着材を介してベースフィルム23に貼り付けられている。これにより、配線パターン231の存在によってベースフィルム23の表面が凹凸となっていても、絶縁フィルム26によって平滑な面が確保されるので、シール部材34による気密性を維持することができる。また、ベースフィルム23上に配線パターン231が露出しても、電気絶縁性を有する絶縁フィルム26が配線パターン231とシール部材34との間に介在するので、シール部材34と配線パターン231との間の電気絶縁性が確保される。なお、絶縁フィルム26に代えて、ベースフィルム23においてシール部材34に対向する位置に、基材の片面のみに粘着層を有する片面テープを貼り付けたり、ソルダレジスト等を印刷することで平滑な面を確保してもよい。本実施形態における絶縁フィルム26、片面テープ、或いはソルダレジストが本発明における平滑部の一例に相当する。また、上述のシール部材34を、カバー基板31Aに代えて、ベース基板21Aに取り付けてもよい。この場合に、シール部材34の密着性を向上させるために、カバーフィルム33とシール部材34との間に絶縁フィルム26を介在させてもよい。<<第3実施形態>>図17は本発明の第3実施形態における試験用キャリアを示す図である。本実施形態では、ベース基板の構成が第1実施形態と相違するが、それ以外の構成は第1実施形態と同様である。図17に示すように、本実施形態におけるベース基板21Bは、高い剛性少なくともカバーフィルム33よりも高い剛性を有するが、中央開口を有しない平板状のリジッド基板のみから構成されている。このベース基板21Bは、例えば、ポリアミドイミド樹脂、セラミックス、ガラス等から構成されている。なお、特に図示しないが、ベース基板21Bを、例えば単層又は多層のプリント配線板で構成することで、ベース基板21Bに配線パターン231を形成することができる。本実施形態でも、シール部材24が、ベース基板21Bとカバー基板31Aとの間に介在しており、ベース基板21Bとカバー基板31Aの間に保持されたダイ90は、環状のシール部材24に囲まれている。なお、第1実施形態で説明したように、粘着材でシール部材24をベース基板21B又はカバー基板31Aに予め貼り付けてもよい。本実施形態では、第1実施形態と同様に、シール材24がベース基板21Bとカバー基板31Aとの間に介在しているので、ベース基板21Bとカバー基板31Aとの間に形成される収容空間11の気密性を向上させることができる。また、本実施形態では、第1実施形態と同様に、シール部材24に導電性が付与されているので、図1のステップS40分解工程において、ESDによるダイ90の電子回路の劣化や損傷を抑制止することができる。なお、ダイ90が比較的厚い場合には、ベース基板21Bとカバーフレーム32とがシール部材24を介して対向するように、ベース基板21Bにカバー基板31Aを重ねてもよい。<<第4実施形態>>図18は本発明の第4実施形態における試験用キャリアを示す図である。本実施形態では、カバー基板の構成が第1実施形態と相違するが、それ以外の構成は第1実施形態と同様である。図18に示すように、本実施形態におけるカバー基板31Bは、高い剛性少なくともベースフィルム23よりも高い剛性を有するが、中央開口を有しない平板状のリジッド基板のみから構成されている。このカバー基板31Bは、例えば、ポリアミドイミド樹脂、セラミックス、ガラス等から構成されている。本実施形態でも、シール部材24が、ベース基板21Aとカバー基板31Bとの間に介在しており、ベース基板21Aとカバー基板31Bとの間に保持されたダイ90は、環状のシール部材24に囲まれている。なお、第1実施形態と同様に、粘着材でシール部材24をベース基板21A又はカバー基板31Bに予め貼り付けてもよい。本実施形態では、第1実施形態と同様に、シール部材24がベース基板21Aとカバー基板31Bとの間に介在しているので、ベース基板21Aとカバー基板31Bとの間に形成される収容空間11の気密性を向上させることができる。また、本実施形態では、第1実施形態と同様に、シール部材24に導電性が付与されているので、図1のステップS40分解工程において、ESDによるダイ90の電子回路の劣化や損傷を抑制することができる。なお、ダイ90が比較的厚い場合には、ベースフレーム22とカバー基板31Bとがシール部材24を介して対向するように、ベース基板21Aにカバー基板31Bを重ねてもよい。<<第5実施形態>>図19は本発明の第5実施形態における試験用キャリアを示す図である。本実施形態では、カバー基板の構成が第1実施形態と相違するが、それ以外の構成は第1実施形態と同様である。図19に示すように、本実施形態におけるカバー基板31Cは、上述のカバーフィルム33のみから構成されている。本実施形態でも、シール部材24が、ベース基板21Aとカバー基板31Cとの間に介在しており、ベース基板21Aとカバー基板31Cとの間に保持されたダイ90は、環状のシール部材24に囲まれている。なお、第1実施形態で説明したように、粘着材でシール部材24をベース基板21A又はカバー基板31Cに予め貼り付けてもよい。本実施形態では、第1実施形態と同様に、シール部材24がベース基板21Aとカバー基板31Cとの間に介在しているので、ベース基板21Aとカバー基板31Cとの間に形成される収容空間11の気密性の向上を図ることができる。また、本実施形態では、第1実施形態と同様に、シール部材24に導電性が付与されているので、図1のステップS40分解工程において、ESDによるダイ90の電子回路の劣化や損傷を抑制することができる。なお、ダイ90が比較的厚い場合には、ベースフレーム22がシール部材24を介してカバー基板31Cに対向するように、ベース基板21Aにカバー基板31Cを重ねてもよい。<<第6実施形態>>図20は本発明の第6実施形態における試験用キャリアを示す図である。本実施形態では、ベース基板の構成が第1実施形態と相違するが、それ以外の構成は第1実施形態と同様である。図20に示すように、本実施形態におけるベース基板21Cは、上述のベースフィルム23のみから構成されている。本実施形態でも、シール部材24が、ベース基板21Cとカバー基板31Aとの間に介在しており、ベース基板21Cとカバー基板31Aとの間に保持されたダイ90は、環状のシール部材24に囲まれている。なお、第1実施形態で説明したように、粘着材でシール部材24をベース基板21C又はカバー基板31Aに予め貼り付けてもよい。本実施形態では、第1実施形態と同様に、シール部材24がベース基板21Cとカバー基板31Aとの間に介在しているので、ベース基板21Cとカバー基板31Aとの間に形成される収容空間11の気密性を向上させることができる。また、本実施形態では、第1実施形態と同様に、シール部材24に導電性が付与されているので、図1のステップS40分解工程において、ESDによるダイ90の電子回路の劣化や損傷を抑制することができる。なお、ダイ90が比較的厚い場合には、カバーフレーム32がシール部材24を介してベース基板21Cに対向するように、ベース基板21Cにカバー基板31Aを重ねてもよい。<<第7実施形態>>図21は本発明の第7実施形態における試験用キャリアを示す図である。本実施形態の試験用キャリアは、第3実施形態で説明したベース基板21B図17参照と、第5実施形態で説明したカバー基板31C図19参照と、から構成されている。本実施形態でも、シール部材24が、ベース基板21Bとカバー基板31Cとの間に介在しており、ベース基板21Bとカバー基板31Cとの間に保持されたダイ90は、環状のシール部材24に囲まれている。なお、第1実施形態で説明したように、粘着材でシール部材24をベース基板21B又はカバー基板31Cに予め貼り付けてもよい。本実施形態では、第1実施形態と同様に、シール部材24がベース基板21Bとカバー基板31Cとの間に介在しているので、ベース基板21Bとカバー基板31Cとの間に形成される収容空間11の気密性の向上を図ることができる。また、本実施形態では、第1実施形態と同様に、シール部材24に導電性が付与されているので、図1のステップS40分解工程において、ESDによるダイ90の電子回路の劣化や損傷を抑制することができる。<<第8実施形態>>図22は本発明の第8実施形態における試験用キャリアを示す図である。本実施形態の試験用キャリアは、第6実施形態で説明したベース基板21C図20参照と、第4実施形態で説明したカバー部材31B図18参照と、から構成されている。本実施形態でも、シール部材24が、ベース基板21Cとカバー基板31Bとの間に介在しており、ベース基板21Cとカバー基板31Bとの間に保持されたダイ90は、環状のシール部材24に囲まれている。なお、第1実施形態で説明したように、粘着材でシール部材24をベース基板21C又はカバー基板31Bに予め貼り付けてもよい。本実施形態では、第1実施形態と同様に、シール部材24がベース基板21Cとカバー基板31Bとの間に介在しているので、ベース基板21Cとカバー基板31Bとの間に形成される収容空間11の気密性の向上を図ることができる。また、本実施形態では、第1実施形態と同様に、シール部材24に導電性が付与されているので、図1のステップS40分解工程において、ESDによるダイ90の電子回路の劣化や損傷を抑制することができる。<<第9実施形態>>図23は本発明の第9実施形態における試験用キャリアを示す図である。本実施形態の試験用キャリアは、第6実施形態で説明したベース基板21C図20参照と、第5実施形態で説明したカバー基板31C図19参照と、から構成されている。本実施形態でも、シール部材24が、ベース基板21Cとカバー基板31Cとの間に介在しており、ベース基板21Cとカバー基板31Cとの間に保持されたダイ90は、環状のシール部材24に囲まれている。なお、第1実施形態で説明したように、粘着材でシール部材24をベース基板21C又はカバー基板31Cに予め貼り付けてもよい。本実施形態では、第1実施形態と同様に、シール部材24がベース基板21Cとカバー基板31Cとの間に介在しているので、ベース基板21Cとカバー基板31Cとの間に形成される収容空間11の気密性の向上を図ることができる。また、本実施形態では、第1実施形態と同様に、シール部材24に導電性が付与されているので、図1のステップS40分解工程において、ESDによるダイ90の電子回路の劣化や損傷を抑制することができる。なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。例えば、図14~図23に示す第2~第9実施形態において、図8~図12に示すような導電路を採用してもよい。また、図17~図23に示す第3~第9実施形態において、シール部材24に代えて、第2実施形態で説明したシール部材34を採用してもよい。また、第1~第9実施形態におけるベース基板とカバー基板の大きさの関係は特に限定されない。ベース基板をカバー基板よりも大きくしてもよいし、ベース基板をカバー基板よりも小さくしてもよいし、或いは、ベース基板とカバー基板とを同じ大きさとしてもよい。