"[A]原子番号23~78の金属元素からなる群より選ばれる少なくとも1種の金属元素aと、-O-O-、-O-S-、-O-O-SO2-O-、-O-SO2-O-O-SO2-O-及び-O-C=O-O-O-からなる群より選ばれる少なくとも1種の配位子bとを含む化合物、[B]界面活性剤、並びに[C]溶媒を含有する金属酸化物膜形成用組成物。金属元素aが、ジルコニウム、モリブデン、ハフニウム及びタングステンからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属元素である請求項1に記載の金属酸化物膜形成用組成物。[A]化合物が、金属元素aの金属単体、金属オキソ酸、金属オキソ酸塩、金属酸化物、金属水酸化物、金属アルコキシド、金属ハロゲン化物及び金属オキシハロゲン化物からなる群より選ばれる少なくとも1種と、過酸化水素、チオ過酸化水素、過硫酸、ペルオキソ二硫酸及び過炭酸からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物との反応生成物である請求項1又は請求項2に記載の金属酸化物膜形成用組成物。[B]界面活性剤が、ノニオン系界面活性剤である請求項1、請求項2又は請求項3に記載の金属酸化物膜形成用組成物。[B]界面活性剤の含有量が、0.01質量以上10質量以下である請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の金属酸化物膜形成用組成物。[C]溶媒が、有機溶媒を80質量以上含有する請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の金属酸化物膜形成用組成物。多層レジストプロセスに用いられる請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の金属酸化物膜形成用組成物。本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は種々の基板に対して良好な均一塗布性を有する金属酸化物膜形成用組成物を提供することである。上記課題を解決するためになされた発明は、[A]原子番号23~78の金属元素からなる群より選ばれる少なくとも1種の金属元素aと、-O-O-、-O-S-、-O-O-SO2-O-、-O-SO2-O-O-SO2-O-及び-O-C=O-O-O-からなる群より選ばれる少なくとも1種の配位子bとを含む化合物以下、[A]化合物とも称する、[B]界面活性剤、並びに[C]溶媒を含有する金属酸化物膜形成用組成物である。本発明の金属酸化物膜形成用組成物が、[A]化合物及び[B]界面活性剤、及び[C]溶媒を含有することで種々の基板に対して良好な均一塗布性を有することができる。金属元素aは、ジルコニウム、モリブデン、ハフニウム及びタングステンからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属元素であることが好ましい。金属元素aを上記特定元素することで、当該金属酸化物膜形成用組成物の均一塗布性をより向上させることができる。[A]化合物は、金属元素aの金属単体、金属オキソ酸、金属オキソ酸塩、金属酸化物、金属水酸化物、金属アルコキシド、金属ハロゲン化物及び金属オキシハロゲン化物からなる群より選ばれる少なくとも1種と、過酸化水素、チオ過酸化水素、過硫酸、ペルオキソ二硫酸及び過炭酸からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物との反応生成物であることが好ましい。上記特定態様の金属元素aと、上記特定化合物との反応生成物とすることで容易に金属元素aと配位子bとを[A]化合物に含ませることができる。[B]界面活性剤は、ノニオン系界面活性剤であることが好ましい。[B]界面活性剤をノニオン系界面活性剤とすることで、当該金属酸化物膜形成用組成物の均一塗布性をより向上させることができる。[B]界面活性剤の含有量は、0.01質量以上10質量以下であることが好ましい。[B]界面活性剤の含有量を上記特定範囲とすることで、当該金属酸化物膜形成用組成物の均一塗布性をより向上させることができる。[C]溶媒は、有機溶媒を80質量以上含有することが好ましい。[C]溶媒を、有機溶媒を含有する溶媒とすることで当該金属酸化物膜形成用組成物の均一塗布性をより向上させることができる。当該金属酸化物膜形成用組成物は、多層レジストプロセス用として好適である。上述したように、当該金属酸化物膜形成用組成物は、種々の基板に対して良好な均一塗布性を有することから、多層レジストプロセスにおいて疎水性を有する無機膜上に塗布するような場合においても好適に使用することができる。以上説明したように、本発明は、種々の基板に対して良好な均一塗布性を有する金属酸化物膜形成用組成物を提供することができる。従って、当該金属酸化物膜形成用組成物は今後更に微細化が進行すると予想されるリソグラフィー工程におけるレジストパターンの形成用として好適に用いることができる。<金属酸化物膜形成用組成物>本発明の金属酸化物膜形成用組成物は、[A]化合物、[B]界面活性剤及び[C]溶媒を含有する。また、当該金属酸化物膜形成用組成物は、本発明の効果を損なわない限り、その他の任意成分を含有してもよい。以下、各成分を詳述する。<[A]化合物>[A]化合物は、原子番号23~78の金属元素からなる群より選ばれる少なくとも1種の金属元素aと、-O-O-、-O-S-、-O-O-SO2-O-、-O-SO2-O-O-SO2-O-及び-O-C=O-O-O-からなる群より選ばれる少なくとも1種の配位子bとを含む化合物である。なお、[A]化合物は2種以上を併用してもよい。配位子としては、配位子b以外にも、例えば酢酸イオン、プロピオン酸イオン等のカルボン酸イオン;アセチルアセトネートイオン、メチルアセチルアセトネートイオン、ベンゾイルアセトネートイオン等のβ-ジケトネートイオン;メチラートイオン、エチラートイオン等のアルコラートイオン;フェノラートイオン、メチルフェノラートイオン等のフェノラートイオン;F-、Cl-、Br-、I-等のハロゲン化物アニオン;O2-、NO3-、CN-、ClO4-、HSO4-、H2PO4-、BF4-、PF6-、SbF6-、脂肪族スルホネートアニオン、芳香族スルホネートアニオン、フッ素化アルカンスルホネートアニオン;アンモニアメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、ピリジン等の含窒素中性配位子;トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリフェニルホスファイト等の含リン中性配位子等が挙げられる。金属元素aは、ジルコニウム、モリブデン、ハフニウム及びタングステンからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属元素であることが好ましい。金属元素aを上記特定元素することで、当該金属酸化物膜形成用組成物の均一塗布性をより向上させることができる。[A]化合物は、金属元素aの金属単体、金属オキソ酸、金属オキソ酸塩、金属酸化物、金属水酸化物、金属アルコキシド、金属ハロゲン化物及び金属オキシハロゲン化物からなる群より選ばれる少なくとも1種と、過酸化水素、チオ過酸化水素、過硫酸、ペルオキソ二硫酸及び過炭酸からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物との反応生成物であることが好ましい。上記特定態様の金属元素aと、上記特定化合物との反応生成物とすることで容易に金属元素aと配位子bとを[A]化合物に含ませることができる。[A]化合物の含有量としては、当該金属酸化物膜形成用組成物100質量に対して、0.05質量以上20質量以下が好ましい。[A]化合物の含有量を上記特定範囲とすることで、当該金属酸化物膜形成用組成物の均一塗布性をより向上させることができる。<[A]化合物の合成方法>[A]化合物の合成方法について、金属元素aとして好ましいタングステンを使用し、過酸化水素と反応させる場合を例に説明する。まず、市販されているタングステン酸塩をイオン交換水等に溶解させ、プロトン型陽イオン交換樹脂に接触させ、イオン交換することでタングステン酸水溶液を得る。タングステン酸塩としては、例えばメタタングステン酸アンモニウム、パラタングステン酸アンモニウム、タングステン酸ナトリウム、タングステン酸カリウム、タングステン酸カルシウム等が挙げられる。これらのうち、メタタングステン酸アンモニウムが、得られるタングステン酸水溶液の安定性が高いことから好ましい。タングステン酸塩水溶液の濃度としては、飽和溶解度以下であれば特に限定されないが、通常は0.01モル/L以上2.0モル/L以下であり、0.1モル/L以上1.0モル/L以下が好ましく、0.2モル/L以上0.5モル/L以下がより好ましい。陽イオン交換樹脂としては、タングステン酸塩の陽イオンをプロトンにイオン交換できるものであれば特に限定されないが、強酸タイプが好ましい。タングステン酸塩水溶液と陽イオン交換樹脂との接触方法としては、工業的に広く利用されているカラム方式が好ましい。イオン交換の際のタングステン酸塩水溶液の温度としては0°C以上70°C以下が好ましく、5°C以上50°C以下がより好ましい。イオン交換における空間速度としてはタングステン酸塩の陽イオンがプロトンに十分に交換される範囲内であれば特に限定されない。次に、タングステン酸水溶液に過酸化水素水を添加し反応させることで[A]化合物としてのペルオキソタングステン酸水溶液が得られる。反応温度としては、通常5°C~70°C、好ましくは10°C~50°Cである。5°C未満では反応が不十分な場合があり、70°Cを超えると過酸化水素が分解する場合がある。反応時間としては、通常0.1時間~3時間、好ましくは0.5時間~2時間である。なお、反応の際には攪拌を伴うことが好ましい。過酸化水素の添加量としては、タングステン1モルに対して通常0.5モル~15モル、好ましくは1モル~10モルである。過酸化水素の添加量が0.5モル未満の場合、反応が不十分な場合がある。また、15モルを超えて添加をしても効果に差はみられない。反応後は溶液中に残存する過酸化水素を除去することが好ましい。過酸化水素の除去方法としては、例えば90°C~100°Cで1時間~3時間加熱し、過酸化水素を分解除去する方法等が挙げられる。<[B]界面活性剤>[B]界面活性剤としては、例えばノニオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤等が挙げられる。なお、[B]界面活性剤は2種以上を併用してもよい。ノニオン系界面活性剤としては、例えばアセチレン基含有界面活性剤;ポリオキシエチレンPOEオクチルエーテル、POE2-エチル-ヘキシルエーテル、POEラウリルエーテル、POEミリスチルエーテル、POEセチルエーテル、POEステアリルエーテル、POEオレイルエーテル、POEイソステアリルエーテル、POEベヘニルエーテル、POEセチルステアリルジエーテル等のPOEアルキルエーテル;POEポリオキシプロピレンPOPブチルエーテル、POEPOPラウリルエーテル、POEPOPセチルエーテル、POEPOPグリコール等のPOEポリオキシプロピレンアルキルエーテル型;POEオクチルフェニルエーテル、POEノニルフェニルエーテル、POEクロロフェニルエーテル、POEナフチルエーテル等のPOEアリールエーテル;POE硬化ひまし油エーテル、POEひまし油エーテル;その他POEラノリンアルコールエーテル、POEフィトステロール等のPOE高級アルコールエーテル;モノステアリン酸POEグリセリル、オレイン酸POEグリセリル等のPOEグリセリン脂肪酸エステル;モノラウリン酸POEソルビタン、モノステアリン酸POEソルビタン、トリステアリン酸POEソルビタン、モノイソステアリン酸POEソルビタン等のPOEソルビタン脂肪酸エステル;ヘキサステアリン酸POEソルビトール、テトラステアリン酸POEソルビトール、テトラオレイン酸POEソルビトール、モノラウリン酸POEソルビトール等のPOEソルビトール脂肪酸エステル;ポリエチレングリコールモノラウリン酸、ポリエチレングリコールモノステアリン酸、ポリエチレングリコールモノオレイン酸、ポリエチレングリコールジステアリン酸、ポリエチレングリコールジオレイン酸、ポリエチレングリコールジイソステアリン酸等のポリエチレングリコール脂肪酸エステル;ポリエチレングリコールラノリン脂肪酸エステル等のエーテルエステル系;モノステアリン酸グリセリル、自己乳化型モノステアリン酸グリセリル、モノヒドロキシステアリン酸グリセリル、ジステアリン酸グリセリル等のグリセリン脂肪酸エステル;モノステアリン酸ジグリセリル、モノオレイン酸ジグリセリル、ジオレイン酸ジグリセリル、モノイソステアリン酸ジグリセリル、モノステアリン酸テトラグリセリル、トリステアリン酸テトラグリセリル、ペンタステアリン酸テトラグリセリル、モノラウリン酸ヘキサグリセリル、モノミリスチン酸ヘキサグリセリル、ジステアリン酸デカグリセリル、ジイソステアリン酸デカグリセリル等のポリグリセリン脂肪酸エステル;モノラウリン酸ソルビタン、モノステアリン酸ソルビタン、モノオレイン酸ソルビタン、トリオレイン酸ソルビタン、トリステアリン酸ソルビタン、モノイソステアリン酸ソルビタン等のソルビタン脂肪酸エステル;モノラウリン酸エチレングリコール、ジステアリン酸エチレングリコール等のエチレングリコール脂肪酸エステル;モノステアリン酸プロピレングリコール、自己乳化型モノステアリン酸プロピレングリコール等のプロピレングリコール脂肪酸エステル;モノステアリン酸ペンタエリスリトール、モノオレイン酸ペンタエリスリトール等のペンタエリスリトール脂肪酸エステル;マルチトールヒドロキシ脂肪酸エーテル、アルキル化多糖、アルキルポリグルコシド、シュガーエステル等の糖誘導体;α-モノイソステアリルグリセリルエーテル等のアルキルグリセリルエーテル;アセチル-モノグリセリド、乳酸モノグリセリド、クエン酸モノグリセリド等の有機酸モノグリセリド;ヤシ油脂肪酸モノエタノールアミド、ラウロイルモノエタノールアミド、ミリストイルモノエタノールアミド、ラウロイルジエタノールアミド、ヤシ油脂肪酸ジエタノールアミド、ラウロイルイソプロパノールアミド、ミリストイルイソプロパノールアミド、ヤシ油脂肪酸イソプロパノールアミド、POEラウロイルモノエタノールアミド、ヤシ油脂肪酸メチルモノエタノールアミド、ヤシ油脂肪酸メチルジエタノールアミド等の脂肪酸アルカノールアミド;POEラウリルアミン、POEステアリルアミン等のPOEアルキルアミン;ラウリルジメチルアミンオキサイド、ココジメチルアミンオキサイド、ココアミドプロピルジメチルアミンオキサイド等のアミンオキサイド等が挙げられる。アニオン系界面活性剤としては、例えばポリアリールアルカンスルホン酸塩、ジアルキルスルホコハク酸塩、ジアルキルスルホコハク酸、アルキルベンゼンスルホン酸、α-オレフィンスルホン酸、POEアルキルフェニルエーテルスルホン酸、POEアルキルエーテルスルホコハク酸ハーフエステル等のスルホン酸型界面活性剤;ポリアクリル酸、ポリメタアクリル酸、ポリマレイン酸、マレイン酸とオレフィンとの共重合物、アクリル酸とイタコン酸との共重合物、メタアクリル酸とイタコン酸との共重合物、マレイン酸とスチレンとの共重合物、アクリル酸とメタアクリル酸との共重合物、アクリル酸とアクリル酸メチルエステルとの共重合物、アクリル酸と酢酸ビニルとの共重合物、アクリル酸とマレイン酸との共重合物等のカルボン酸型界面活性剤;POEアルキルエーテル硫酸エステル、POEアルキルフェニルエーテル硫酸エステル、POEベンジルフェニルエーテル硫酸エステル、POEスチリルフェニルエーテル硫酸エステル、POEスチリルフェニルエーテルのポリマーの硫酸エステル、POEポリオキシプロピレンブロックポリマーの硫酸エステル、硫酸化オレフィン等の硫酸エステル型界面活性剤等が挙げられる。カチオン系界面活性剤としては、例えばラウリルトリメチルアンモニウムクロライド、ミリスチルトリメチルアンモニウムクロライド、パルミチルトリメチルアンモニウムクロライド、ステアリルトリメチルアンモニウムクロライド、オレイルトリメチルアンモニウムクロライド、セチルトリメチルアンモニウムクロライド、ベヘニルトリメチルアンモニウムクロライド、ヤシ油アルキルトリメチルアンモニウムクロライド、牛脂アルキルトリメチルアンモニウムクロライド、ステアリルトリメチルアンモニウムブロミド、ヤシ油アルキルトリメチルアンモニウムブロミド、セチルトリメチルアンモニウムメチル硫酸等のモノアルキル第四級アンモニウム塩;ジオクチルジメチルアンモニウムクロライド、ジラウリルジメチルアンモニウムクロライド、ジステアリルジメチルアンモニウムクロライド等のジアルキル第四級アンモニウム塩;ラノリン脂肪酸アミノプロピルエチルジメチルアンモニウムエチル硫酸、ラウロイルアミノエチルメチルジエチルアンモニウムメチル硫酸等のアシルアミノアルキル第四級アンモニウム塩;ジパルミチルポリエテノキシエチルアンモニウムクロライド、ジステアリルポリエテノキシメチルアンモニウムクロライド等のアルキルエテノキシ第四級アンモニウム塩;ラウリルイソキノリニウムクロライド等のアルキルイソキノリニウム塩;ラウリルジメチルベンジルアンモニウムクロライド、ステアリルジメチルベンジルアンモニウムクロライド等のベンザルコニウム塩;ベンジルジメチル{2-[2-p-1,1,3,3、-テトラメチルブチルフェノキシエトキシ]エチル}アンモニウムクロライド等のベンゼトニウム塩;セチルピリジニウムクロライド等のピリジニウム塩;イミダゾリニウム塩;N-ココイルアルギニンエチルエステルピロリドンカルボン酸塩、N-ラウロイルリジンエチルエチルエステル塩酸塩等のアシル塩基性アミノ酸アルキルエステル塩;ラウリルアミン塩酸塩等の第一級アミン塩;ジラウリルアミン酢酸塩等の第二級アミン塩;第三級アミン塩;脂肪酸アミドグアニジニウム塩;ラウリルトリエチレングリコールアンモニウムハイドロオキサイド等のアルキルトリアルキレングリコールアンモニウム塩等が挙げられる。[B]界面活性剤としては、ノニオン系界面活性剤が好ましい。[B]界面活性剤をノニオン系界面活性剤とすることで、当該金属酸化物膜形成用組成物の均一塗布性をより向上させることができる。[B]界面活性剤の含有量としては、当該金属酸化物膜形成用組成物100質量に対して、0.01質量以上10質量以下が好ましく、0.1質量以上5質量以下がより好ましい。[B]界面活性剤の含有量を上記特定範囲とすることで、当該金属酸化物膜形成用組成物の均一塗布性をより向上させることができる。<[C]溶媒>[C]溶媒としては、特に限定されないが、各成分を均一に溶解又は分散し、各成分と反応しないものが用いられる。このような[C]溶媒としては、純水が好ましい。また、[C]溶媒は、有機溶媒を80質量以上含有することが好ましい。有機溶媒としては、例えばアルコール類、エーテル類、芳香族炭化水素類、ケトン類、他のエステル類等が挙げられる。これらの有機溶媒は2種以上を併用してもよい。アルコール類としては、例えばメタノール、エタノール、ベンジルアルコール、2-フェニルエチルアルコール、3-フェニル-1-プロパノール等が挙げられる。エーテル類としては、例えば環状エーテル、グリコールエーテル、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート等が挙げられる。環状エーテルとしては、例えばテトラヒドロフラン等が挙げられる。グリコールエーテルとしては、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等が挙げられる。エチレングリコールアルキルエーテルアセテートとしては、例えばメチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等が挙げられる。ジエチレングリコールアルキルエーテルとしては、例えばジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等が挙げられる。プロピレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等が挙げられる。プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートとしては、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等が挙げられる。プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネートとしては、例えばプロピレンモノグリコールメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノブチルエーテルプロピオネート等が挙げられる。芳香族炭化水素類としては、例えばトルエン、キシレン等が挙げられる。ケトン類としては、例えばメチルエチルケトン、シクロヘキサノン、4-ヒドロキシ-4-メチル-2-ペンタノン等が挙げられる。他のエステル類としては、例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸メチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、3-ヒドロキシプロピオン酸メチル、3-ヒドロキシプロピオン酸エチル、3-ヒドロキシプロピオン酸プロピル、3-ヒドロキシプロピオン酸ブチル、2-ヒドロキシ-3-メチルブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチル、2-メトキシプロピオン酸メチル、2-メトキシプロピオン酸エチル、2-メトキシプロピオン酸プロピル、2-メトキシプロピオン酸ブチル、2-エトキシプロピオン酸メチル、2-エトキシプロピオン酸エチル、2-エトキシプロピオン酸プロピル、2-エトキシプロピオン酸ブチル、2-ブトキシプロピオン酸メチル、2-ブトキシプロピオン酸エチル、2-ブトキシプロピオン酸プロピル、2-ブトキシプロピオン酸ブチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-メトキシプロピオン酸プロピル、3-メトキシプロピオン酸ブチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸プロピル、3-エトキシプロピオン酸ブチル、3-プロポキシプロピオン酸メチル、3-プロポキシプロピオン酸エチル、3-プロポキシプロピオン酸プロピル、3-プロポキシプロピオン酸ブチル、3-ブトキシプロピオン酸メチル、3-ブトキシプロピオン酸エチル、3-ブトキシプロピオン酸プロピル、3-ブトキシプロピオン酸ブチル等が挙げられる。<その他の任意成分>当該金属酸化物膜形成用組成物は、[A]化合物、[B]界面活性剤及び[C]溶媒に加え、所期の効果を損なわない範囲において、接着助剤、保存安定剤等のその他の任意成分を含有してもよい。これらのその他の任意成分は、それぞれを2種以上併用してもよい。以下、各成分を詳述する。[接着助剤]接着助剤は、当該金属酸化物膜形成用組成物から形成される金属酸化物膜と基板、又は無機膜との接着性をより向上させることができる成分である。接着助剤としては、例えばカルボキシル基、メタアクリロイル基、ビニル基、イソシアネート基、オキシラニル基等の反応性官能基を有する官能性シランカップリング剤が挙げられる。具体的には、トリメトキシシリル安息香酸、γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ-イソシアナートプロピルトリエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン等が挙げられる。[保存安定剤]保存安定剤としては、例えば硫黄、キノン類、ヒドロキノン類、ポリオキシ化合物、アミン、ニトロニトロソ化合物等が挙げられる。具体的には、4-メトキシフェノール、N-ニトロソ-N-フェニルヒドロキシルアミンアルミニウム等が挙げられる。<金属酸化物膜形成用組成物の調製方法>本発明の金属酸化物膜形成用組成物は、[A]化合物及び[B]界面活性剤に加え、所期の効果を損なわない範囲で、その他の任意成分を所定の割合で[C]溶媒に混合することで調製される。当該金属酸化物膜形成用組成物を溶液状態として調製する場合、固形分濃度組成物溶液中に占める[C]溶媒以外の成分は、使用目的や所望の膜厚の値等に応じて任意の濃度例えば0.05質量~25質量程度に設定できる。<多層レジストプロセスについて>多層レジストプロセスは、例えば1無機膜形成用組成物を用い、被加工基板上に無機膜を形成する工程、2当該金属酸化物膜形成用組成物を用い、上記無機膜上に金属酸化物膜を形成する工程、3レジスト組成物を用い、上記金属酸化物膜上にレジスト膜を形成する工程、4フォトマスクを介して放射線の照射により、上記レジスト膜を露光する工程、5上記露光されたレジスト膜を現像し、レジストパターンを形成する工程、及び6上記レジストパターンをマスクとした1又は複数回のドライエッチングにより、被加工基板にパターンを形成する工程を有する。以下、各工程を詳述する。なお、当該金属酸化物膜形成用組成物は、上記工程3を有さないプロセスであっても被加工基板にパターンを形成することができる。当該金属酸化物膜形成用組成物から形成される金属酸化物膜は、露光された部分が硬化し、現像液によって溶解せず、一方、未露光部については現像液に溶解することからパターンを形成することができる。[工程1]本工程では、無機膜形成用組成物を用い、被加工基板上に無機膜を形成する。上記被加工基板としては、例えばシリコンウェハ、アルミニウムで被覆されたウェハ等の従来公知の基板等が挙げられる。無機膜形成用組成物としては例えば特公平6-12452号公報や特開昭59-93448号公報等に開示されている従来公知の組成物等が挙げられる。無機膜の形成方法としては、被加工基板の表面に無機膜形成用組成物を塗布し、必要に応じて加熱処理を行うことにより形成できる。塗布方法としては、例えばスピンコート法、ロールコート法、ディップ法等が挙げられる。加熱温度しては、通常150°C~500°Cであり、好ましくは180°C~350°Cである。加熱時間としては、通常30秒~1,200秒であり、好ましくは45秒~600秒である。無機膜の膜厚としては、通常5nm~50nm程度である。[工程2]本工程では、当該金属酸化物膜形成用組成物を用い、上記無機膜上に金属酸化物膜を形成する。当該金属酸化物膜の形成方法としては、上述の無機膜の形成方法と同様の方法が適用できる。[工程3~5]工程3~5では、金属酸化物膜上にレジスト組成物を塗布し、露光、加熱及び現像し、レジストパターンを形成する。レジスト組成物としては、例えば光酸発生剤を含有するポジ型又はネガ型の化学増幅型レジスト組成物、アルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド系感光剤とからなるポジ型レジスト組成物、アルカリ可溶性樹脂と架橋剤とからなるネガ型レジスト組成物等が挙げられる。なお、本発明のパターン形成方法においては、このようなレジスト組成物として、市販品のレジスト組成物を使用することもできる。レジスト組成物の塗布方法としては、例えばスピンコート法等の従来の方法によって塗布することができる。なお、レジスト組成物を塗布する際には、得られるレジスト塗膜が所望の膜厚となるように、塗布するレジスト組成物の量を調整する。上記レジスト塗膜は、上記レジスト組成物を塗布することによって形成された塗膜をプレベークすることにより、塗膜中の溶媒即ち、レジスト組成物に含有される溶媒を揮発させて形成することができる。プレベークの温度としては、使用するレジスト組成物の種類等に応じて適宜調整されるが、30°C~200°Cが好ましく、50°C~150°Cがより好ましい。加熱時間としては、通常30秒~200秒であり、好ましくは45秒~120秒である。なお、このレジスト膜の表面にさらに他の塗膜を設けてもよい。レジスト膜の膜厚としては、通常、1nm~500nmであり、10nm~300nmが好ましい。次いで、得られたレジスト塗膜に、フォトマスクを介して選択的に放射線を照射してレジスト塗膜を露光する。放射線としては、レジスト組成物に使用されている酸発生剤の種類に応じて、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、電子線、γ線、分子線、イオンビーム等から適切に選択されるが、遠紫外線であることが好ましく、KrFエキシマレーザー光248nm、ArFエキシマレーザー光193nm、F2エキシマレーザー光波長157nm、Kr2エキシマレーザー光波長147nm、ArKrエキシマレーザー光波長134nm、極紫外線波長13nm等がより好ましい。また、液浸露光法も採用することができる。なお、レジスト膜上に液浸上層膜形成組成物を用いて液浸上層膜を形成してもよい。露光後にレジスト膜の解像度、パターンプロファイル、現像性等を向上させるため、ポストベークを行う。このポストベークの温度としては、使用されるレジスト組成物の種類等に応じて適宜調整されるが、プレベークの温度としては、180°C以下が好ましく、150°C以下がより好ましい。加熱時間としては、通常30秒~200秒であり、好ましくは45秒~120秒である。ポストベーク後、レジスト塗膜を現像して、レジストパターンを形成する。現像に用いる現像液としては、使用されるレジスト組成物の種類に応じて適宜選択することができ、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネン等のアルカリ性水溶液が挙げられる。また、これらのアルカリ性水溶液は、水溶性有機溶媒、例えば、メタノール、エタノール等のアルコール類や、界面活性剤を適量添加したものであってもよい。[工程6]本工程では、上記レジストパターンをマスクとした1又は複数回のドライエッチングにより、被加工基板にパターンを形成する。ドライエッチングは、公知のドライエッチング装置を用いて行うことができる。また、ドライエッチング時のソースガスとしては、被エッチング物の元素組成にもよるが、O2、CO、CO2等の酸素原子を含むガス、He、N2、Ar等の不活性ガス、Cl2、BCl4等の塩素系ガス、CHF3、CF4等のフッ素系ガス、H2、NH3のガス等を使用することができる。なお、これらのガスは混合して用いることもできる。以下、実施例に基づき本発明を詳述するが、この実施例に本発明が限定的に解釈されるものではない。<金属酸化物膜形成用組成物の調製>[実施例1]メタタングステン酸アンモニウム日本無機化学工業製、WO3換算で90.8質量8.58gをイオン交換水112.1gに溶解させ、メタタングステン酸アンモニウム水溶液を調製した。内径30mmのカラムに200cm3のプロトン型陽イオン交換樹脂Amberlite200CT、ロームアンドハース製を充填した。調製したメタタングステン酸アンモニウム水溶液を上記陽イオン交換樹脂に約10cm3/分~20cm3/分の速度で通過させ、溶出後のpHが酸性を呈した時点で回収を開始し、メタタングステン酸アンモニウム水溶液の供給完了後、さらにイオン交換水を供給し、溶出液が再び中性に戻った時点で回収を終了した。さらに、水溶液中のタングステン酸濃度が4質量になるように調製した。回収したタングステン酸水溶液は約200gであった。得られた溶出液100gに過酸化水素水10g31質量を添加し室温で1時間攪拌した。その後、溶液を95°Cまで加熱し1.5時間攪拌した。室温まで冷却した後に、[A]化合物としての透明溶液に、[C]溶媒としての純水を加えてペルオキシタングステン酸溶液を得た。このペルオキシタングステン酸溶液100gに[B]界面活性剤としてのノニオン系アセチレン基含有界面活性剤日信化学製、サーフィノール4651gを添加し、金属酸化物膜形成用組成物を調製した。[比較例1]界面活性剤を含有しなかったこと以外は、実施例1と同様に操作して、金属酸化物膜形成用組成物を調製した。<均一塗布性>調製した各金属酸化物膜形成用組成物を5cm角のシリコンウェハー基板A及びポリジメチルシロキサン樹脂を塗布した5cm角のシリコンウェハー基板Bに塗布し、均一塗布性を評価した。塗布方法としては、上記基板A及びBに、各金属酸化物膜形成用組成物を約1cc滴下した後、基板をスピンコーターミカサ製、MS-A100で1,000回転/分で回転した。塗布後の均一塗布性を目視で確認した。塗膜が均一に形成されていた場合を均一塗布性が良好と判断し、塗膜が均一に形成されていなかった場合を均一塗布性が不良と判断した。その結果、実施例1の金属酸化物膜形成用組成物については、基板A及びBのいずれにおいても均一塗布性が良好であった。一方、比較例1の金属酸化物膜形成用組成物については、基板Aに対する均一塗布性は良好であったが、基板Bに対する均一塗布性は不良であった。"