"基板上に画素部と外部接続端子部が設けられ、該画素部と該外部接続端子部とをアルミニウム配線で接続する画像表示装置において、該外部接続端子部のコンタクト孔及び画素部の一部を除いて、該アルミニウム配線を直接被覆する有機保護膜と、該外部接続端子部を含み該画素部までの該アルミニウム配線を覆うように、該有機保護膜の上側に設けられたITO膜とを有することを特徴とする画像表示装置。請求項1に記載の画像表示装置において、該アルミニウム配線の近傍で該有機保護膜の一部が除去されており、該アルミニウム配線に近い該有機保護膜の断面には、該ITO膜が被覆されていることを特徴とする画像表示装置。請求項1又は2に記載の画像表示装置において、該ITO膜の上側は、該外部接続端子部のコンタクト孔を除いて、絶縁膜で被覆されていることを特徴とする画像表示装置。請求項1乃至3のいずれかに記載の画像表示装置において、該ITO膜は、画素部で用いられるITO膜と同じ形成工程で形成される膜体であることを特徴とする画像表示装置。請求項4に記載の画像表示装置において、該画素部は2層のITO膜を使用し、該外部接続端子部を含み該画素部までの該アルミニウム配線を覆うITO膜は、平面的に見た際に、前記2層のITO膜が互いに重なり合って全体を覆うように構成されていることを特徴とする画像表示装置。請求項1乃至5のいずれかに記載の画像表示装置において、該アルミニウム配線の下側には、層間絶縁膜が配置され、該層間絶縁膜と該アルミニウム配線との間には無機保護膜が配置されていることを特徴とする画像表示装置。請求項6に記載の画像表示装置において、該画素部には、低温ポリシリコンによる薄膜トランジスタが形成され、該層間絶縁膜はSiO膜であり、該無機保護膜はSiN膜であることを特徴とする画像表示装置。本発明が解決しようとする課題は、上述した問題を解消し、SiN膜をアルミニウム配線の下側に移動した場合のように、アルミニウム配線の上側に有機保護膜を配置した場合でも、当該配線の耐腐食性に優れた画像表示装置を提供することである。上記課題の解決を実現するため、本発明の画像表示装置は、以下のような特徴的構成を有している。1基板上に画素部と外部接続端子部が設けられ、該画素部と該外部接続端子部とをアルミニウム配線で接続する画像表示装置において、該外部接続端子部のコンタクト孔及び画素部の一部を除いて、該アルミニウム配線を直接被覆する有機保護膜と、該外部接続端子部を含み該画素部までの該アルミニウム配線を覆うように、該有機保護膜の上側に設けられたITO膜とを有することを特徴とする。2上記1に記載の画像表示装置において、該アルミニウム配線の近傍で該有機保護膜の一部が除去されており、該アルミニウム配線に近い該有機保護膜の断面には、該ITO膜が被覆されていることを特徴とする。3上記1又は2に記載の画像表示装置において、該ITO膜の上側は、該外部接続端子部のコンタクト孔を除いて、絶縁膜で被覆されていることを特徴とする。4上記1乃至3のいずれかに記載の画像表示装置において、該ITO膜は、画素部で用いられるITO膜と同じ形成工程で形成される膜体であることを特徴とする。5上記4に記載の画像表示装置において、該画素部は2層のITO膜を使用し、該外部接続端子部を含み該画素部までの該アルミニウム配線を覆うITO膜は、平面的に見た際に、前記2層のITO膜が互いに重なり合って全体を覆うように構成されていることを特徴とする。6上記1乃至5のいずれかに記載の画像表示装置において、該アルミニウム配線の下側には、層間絶縁膜が配置され、該層間絶縁膜と該アルミニウム配線との間には無機保護膜が配置されていることを特徴とする。7上記6に記載の画像表示装置において、該画素部には、低温ポリシリコンによる薄膜トランジスタが形成され、該層間絶縁膜はSiO膜であり、該無機保護膜はSiN膜であることを特徴とする。本発明の画像表示装置によれば、外部接続端子部のコンタクト孔及び画素部の一部を除いて、アルミニウム配線を直接被覆する有機保護膜と、該外部接続端子部を含み該画素部までの該アルミニウム配線を覆うように、該有機保護膜の上側に設けられたITO膜とを有するため、ITO膜がアルミニウム配線に対する耐腐食膜として寄与し、有機保護膜への水分の浸透を防止することが可能となる。また、該ITO膜には、画素部で使用するITO膜を用いることで、製造工程で工程数を増加させること無く、耐腐食対策を施すことが可能となる。以下、本発明の実施形態を図を用いて詳細に説明する。図3は、本発明の画像表示装置の第1の実施例を説明する平面図であり、図4は、図3の一点鎖線B-Bにおける断面図である。本発明の画像表示装置は、基板SUB上に画素部PXと外部接続端子部TMが設けられ、該画素部PXと該外部接続端子部TMとをアルミニウム配線LNで接続する画像表示装置において、該外部接続端子部TMのコンタクト孔CH及び画素部PXの一部を除いて、該アルミニウム配線LNを直接被覆する有機保護膜OPASと、該外部接続端子部TMを含み該画素部PXまでの該アルミニウム配線LNを覆うように、該有機保護膜OPASの上側に設けられた透明電極であるITO膜ITOとを有することを特徴とする。本発明の画像表示装置では、アルミニウム配線の下側に位置する層間絶縁膜であるSiO膜に、低温ポリシリコンLTPSの薄膜トランジスタTFT構造を形成する際に必要となるSiN膜も併せて連続形成する場合など、アルミニウム配線を保護する膜体が有機保護膜OPASのみとなる場合であっても、水分の浸透を抑制し、アルミニウム配線の酸化や腐食を防止することを可能としている。具体的には、図4に示すように、アルミニウム配線LNの上側には有機保護膜OPASが配置されるが、その上側にITO膜ITOを配置し、しかも、当該ITO膜ITOで、図3に示すように、アルミニウム配線LNを覆うことで、有機保護膜OPASに至る水分の浸透を遮断することが可能となる。なお、薄膜トランジスタ低温SiN膜LSINのような絶縁膜が、アルミニウム配線の上側に配置される場合があるが、このような低温SiN膜LSINは、薄膜トランジスタTFTを高温にできないために使用される膜体であり、有機保護膜OPASへの水分の浸透を防止する上では、不十分である。ITO膜ITOは、図3及び4に示すように、外部接続端子TMのコンタクト孔CHから、画素部PXまでのアルミニウム配線LN上を覆っている。特に、ITO膜は、コンタクト孔CHに露出したアルミニウム配線LNと、電気的に接続しているため、外部接続端子と同電位のITO膜で、アルミニウム配線LNを覆うこととなる。このため、ITO膜とアルミニウム配線LNとの間の容量負荷を上げることなく、アルミニウム配線LNをITO膜ITOで保護することが可能となる。アルミニウム配線LNの耐腐食膜として使用するITO膜ITOは、画素部PXで用いられるITO膜と同じ形成工程で形成される膜体を使用することが好ましい。画素部PXでは、透明電極が多用されており、これらに係る透明電極ITO膜の一工程を利用して、当該耐腐食膜を形成することが可能である。外部接続端子のコンタクト孔を、アルミニウム配線LNを被覆する有機保護膜などをくり貫き形成し、さらに、画素部で用いたITO膜を利用してアルミニウム配線を被覆し保護すると共に、アルミニウム配線にITO膜を接続するよう構成することは、いずれも従来のプロセスで使用されている穴あけや膜形成工程で同時に処理できることから、プロセス負荷を上げることなく、アルミニウム配線LNの耐腐食性を向上することができる。本発明の画像表示装置では、アルミニウム配線LNの下側には、層間絶縁膜SIOが配置され、該層間絶縁膜と該アルミニウム配線との間には無機保護膜SINが配置されている。このように、従来のアルミニウム配線上に形成されていたSiN膜などの無機保護膜絶縁膜を、アルミニウム配線LN下の層間絶縁膜SIOと連続成膜することで、製造に係る成膜工程を簡略化することが可能となる。特に、画素部PXに、低温ポリシリコンLTPSによる薄膜トランジスタを使用する場合には、層間絶縁膜SIOには、例えば、SiO膜を使用し、当該無機保護膜SINとしては、SiN膜を使用することが可能である。図5に示すように、アルミニウム配線LNを覆うITO膜ITOには、外部接続端子部のコンタクト孔CHを除いて、絶縁膜LSINで被覆することも有効である。これにより、ITO膜が露出している部分を減らし、電気的な短絡漏電などを抑制することが可能となる。なお、図5は、図4と同様に、図3の一点鎖線B-Bにおける、絶縁膜LSINの配置位置を変更した第2の実施例の断面図を示す。図6乃至図9に示す画像表示装置では、画素部PXは2層のITO膜ITO1,ITO2を使用し、外部接続端子部を含み該画素部までの該アルミニウム配線LNを覆うITO膜は、平面的に見た際に、前記2層のITO膜ITO1,ITO2が互いに重なり合って全体を覆うように構成されている。このような構成は、画素部PXで使用される透明電極ITO膜と、アルミニウム配線LNを保護し、外部接続端子部に接続されるITO膜ITOとは電気的な接続を遮断する必要があるため、部分的な空白ITO膜が存在しない部分が存在しないよう構成するためのものである。具体的には、第3の実施例として図6及び図7に示すように、画素部PXでITO膜が二層構造ITO1,ITO2になっている場合、外部接続端子部からアルミニウム配線LNをAL配線に沿って覆うITO膜ITO1の被覆の欠ける部分を、もう一層のITO膜ITO2で事前に覆っておく構造を示している。当然、アルミニウム配線LNを覆うITO膜ITO1と、画素部PXで使用されるITO膜ITO1,ITO2とは電気的に接続されていない。なお、図7は、図6の一点鎖線C-C’における断面図を示している。第4の実施例である図8及び図9は、図6及び図7とが逆に、外部接続端子部からアルミニウム配線LNをAL配線に沿って覆うITO膜ITO2の被覆の欠ける部分を、もう一層のITO膜ITO1で事前に覆っておく構造を示している。当然、アルミニウム配線LNを覆うITO膜ITO2と、画素部PXで使用されるITO膜ITO1,ITO2とは電気的に接続されていない。なお、図9は、図8の一点鎖線D-D’における断面図を示している。次に、第5の実施例として、図10のように、アルミニウム配線LNの近傍で、符号1で示す領域は、有機保護膜の一部が除去されており、該アルミニウム配線LNに近い該有機保護膜の断面には、図11及び図12のように、ITO膜ITOが被覆されている。図11は、図10の一点鎖線E-Eにおける断面図を示し、図12は、図10の一点鎖線F-Fにおける断面図を示す。このように、アルミニウム配線LNを被覆する有機保護膜OPASが一部除去され、当該有機保護膜の断面側面から水分の浸透が危惧される場合には、このような箇所にも図11及び図12のように、ITO膜ITOで覆うよう構成することが好ましい。さらに、第6の実施例である図13のように、ITO膜で覆う部分が多くなるに従い、短絡や漏電も危惧されるため、コンタクト孔CHを除く部分を低温SiN膜LSINで覆うことが好ましい。なお、図13は、図11と同様に、図10の一点鎖線E-Eにおける他の実施例を示す断面図である。"