"半導体エミッタと、該半導体エミッタから放出されるほぼ全ての光を吸収するとともに、1つ又は複数の異なる光の波長スペクトルで再発光するように配置され、該再発光された光がエミッタパッケージから放出される際に、前記再発光された光を遮断する余分な変換材料のないように配置された変換材料とを備え、該変換材料から1つ又は複数の波長スペクトルで発光することを特徴とするエミッタパッケージ。前記半導体エミッタが、III族窒化物ベース材料系からの半導体材料で作製されていることを特徴とする請求項1に記載のエミッタパッケージ。前記半導体エミッタは、発光ダイオードLED又はレーザダイオードであることを特徴とする請求項1に記載のエミッタパッケージ。前記変換材料は、燐光体、蛍光染料及びフォトルミネセント半導体からなる群のうちの1つ又は複数の材料であることを特徴とする請求項1に記載のエミッタパッケージ。前記変換材料は、400~450nmの範囲のピーク励起波長を有することを特徴とする請求項1に記載のエミッタパッケージ。前記半導体エミッタは青色光を放出し、前記変換材料は、SrGa2S4:Eu2又はGd046Sr031Al123OxF138:Eu2006であり、該変換材料から緑色光を放出することを特徴とする請求項1に記載のエミッタパッケージ。前記半導体エミッタは紫外UV光を放出し、前記変換材料は、Sr:チオガレートSrGa2S4:Eu又はGd046Sr031Al123OxF138:Eu2006であり、該変換材料から緑色光を放出することを特徴とする請求項1に記載のエミッタパッケージ。前記変換材料は、前記半導体エミッタから放出された光の少なくとも90を吸収することを特徴とする請求項1に記載のエミッタパッケージ。前記変換材料は、Lu2O3:Eu3、Sr2xLaxCe1xEuxO4、Sr2Ce1xEuxO4、Sr2xEuxCeO4、SrTiO3:Pr3、Ga3、Sr,Ca,BaAl,Ga2S4:Eu2、Ba2Mg,ZnSi2O7:Eu2、Gd046Sr031Al123OxF138:Eu2006、Ba1xySrxCaySiO4:Eu、及びBa2SiO4:Eu2からなる群のうちの材料を含むことを特徴とする請求項1に記載のエミッタパッケージ。各々がバイアスに応答して発光する、1つ又は複数の半導体エミッタと、該半導体エミッタがその底面に配置される金属カップと、前記半導体エミッタに結合し、該半導体エミッタにバイアスを印加するための複数の導体と、前記半導体エミッタからの光が前記変換材料を通過するように、前記半導体エミッタからの光のほぼ全てを吸収するとともに、1つ又は複数の異なる波長の光を再発光するように配置され、該再発光された光がエミッタパッケージから放出される際に、前記再発光された光がほとんど遮断されないように配置された変換材料とを備え、該変換材料から1つ又は複数の波長スペクトルで発光することを特徴とする飽和変換材料を有するエミッタパッケージ。前記半導体エミッタは、III族窒化物ベース材料系からの半導体材料で作製された発光ダイオードLED又はレーザダイオードであることを特徴とする請求項10に記載のエミッタパッケージ。前記変換材料は、燐光体、蛍光染料及びフォトルミネセント半導体からなる群からの1つ又は複数の材料であることを特徴とする請求項10に記載のエミッタパッケージ。前記変換材料は、400~450nmの範囲のピーク励起波長を有することを特徴とする請求項10に記載のエミッタパッケージ。前記半導体エミッタは青色光を放出し、前記変換材料は、Sr:チオガレートSrGa2S4:Eu又はGd046Sr031Al123OxF138:Eu2006であり、前記変換材料から緑色光を放出することを特徴とする請求項10に記載のエミッタパッケージ。前記半導体エミッタは紫外UV光を放出し、前記変換材料は、Sr:チオガレートSrGa2S4:Eu又はGd046Sr031Al123OxF138:Eu2006であり、前記変換材料から緑色光を放出することを特徴とする請求項10に記載のエミッタパッケージ。前記LEDが搭載され、該LEDと前記金属カップの底面の間に配置されたサブマウントを備えていることを特徴とする請求項10に記載のエミッタパッケージ。前記金属カップ中にありかつ前記LEDと前記導体とを覆う保護材料層を備え、該保護材料層が、放射線に対して耐久力がありかつ透明であることを特徴とする請求項10に記載のエミッタパッケージ。前記保護材料層上に変換材料層を備え、前記変換材料が、前記変換材料層の全体にわたって分布していることを特徴とする請求項17に記載のエミッタパッケージ。前記保護材料層が、該変換材料層中の前記変換材料と異なる濃度の変換材料を含んでいることを特徴とする請求項18に記載のエミッタパッケージ。前記金属カップを充填し、前記半導体エミッタと前記導体とを覆う変換材料層を備え、該変換材料層は前記変換材料をその全体にわたって分布させた、放射線に対して耐久性がありかつ透明な材料で作製されていることを特徴とする請求項10に記載のエミッタパッケージ。前記変換材料は、前記半導体エミッタから放出された光の少なくとも90を吸収することを特徴とする請求項10に記載のエミッタパッケージ。前記半導体エミッタからの光を分散させるための散乱粒子を含んでいることを特徴とする請求項10に記載のエミッタパッケージ。半導体エミッタと、該半導体エミッタからの光の全てを吸収するとともに、1つ又は複数の異なる光の波長スペクトルで再発光するように配置された変換材料からなることを特徴とする飽和変換材料を有するエミッタパッケージ。前記変換材料が、前記エミッタパッケージから放出されるように、前記再放出された光を遮断するような余分な変換材料がないように配置されていることを特徴とする請求項23に記載のエミッタパッケージ。前記半導体エミッタは、III族窒化物ベース材料系の半導体材料で作製された発光ダイオードLED又はレーザダイオードであることを特徴とする請求項23に記載のエミッタパッケージ。前記変換材料は、燐光体、蛍光染料及びフォトルミネセント半導体からなる群のうちの1つ又は複数の材料であることを特徴とする請求項23に記載のエミッタパッケージ。前記変換材料は、400~450nmの範囲のピーク励起波長を有することを特徴とする請求項23に記載のエミッタパッケージ。前記変換材料は、Sr:チオガレートSrGa2S4:Eu又はGd046Sr031Al123OxF138:Eu2006であり、前記変換材料から緑色光を放出することを特徴とする請求項23に記載のエミッタパッケージ。前記変換材料は、Lu2O3:Eu3、Sr2xLaxCe1xEuxO4、Sr2Ce1xEuxO4、Sr2xEuxCeO4、SrTiO3:Pr3、Ga3、Sr,Ca,BaAl,Ga2S4:Eu2、Ba2Mg,ZnSi2O7:Eu2、Gd046Sr031Al123OxF138:Eu2006、Ba1xySrxCaySiO4:Eu、及びBa2SiO4:Eu2からなる群のうちの材料を含むことを特徴とする請求項23に記載のエミッタパッケージ。したがって、本発明は、製作し易く高歩留まりの固体エミッタパッケージを提供し、同時にパッケージのバッチ間の限られた波長変動と経時的に動作に適合する波長及び発光特性とを示す飽和変換材料を有するエミッタパッケージを提供することを目的とする。本発明による飽和変換材料を有するエミッタパッケージの一実施形態は、半導体エミッタと変換材料を備えている。この変換材料は、半導体エミッタから放出されるほぼ全ての光を吸収し、1つ又は複数の異なる光の波長スペクトルで再発光するように構成されている。この変換材料は、再放出される光がエミッタパッケージから放出されるときにそれを遮断するような、変換材料の余分が無いようにも構成されている。このエミッタパッケージは、1つ又は複数の波長のスペクトルで変換材料から光を放出する。また、本発明による飽和変換材料エミッタパッケージの他の実施形態は、1つ又は複数の半導体エミッタを備え、そのそれぞれがバイアスに応答して発光する。半導体エミッタがその底部に配置された金属カップを備えている。半導体エミッタにバイアスを印加してそれらを発光させるために、複数の導体を半導体エミッタに結合させている。半導体エミッタからの光が変換材料を通過し、変換材料が半導体エミッタからの光をほぼすべて吸収し、1つ又は複数の異なる光の波長で光を再放出するように、変換材料を構成する。また、再放出される光がエミッタパッケージから放出されるときにそれをほとんど遮断しないように、この変換材料を構成する。このエミッタパッケージは、1つ又は複数の波長スペクトルで変換材料から光を放出する。本発明によるエミッタパッケージの一実施形態では、半導体エミッタがUV青色で発光するLEDを備え、このLED光が緑色燐光体を通過する。この燐光体は光によって飽和し、その結果パッケージがスペクトルの緑の部分で発光するようになる。この構成によって、従来の窒化物ベースの緑色LEDより優れるいくつかの利点がもたらされる。緑色LEDとは違って、緑色燐光体の発光スペクトルは固有の材料によって本質的に固定され、したがって、波長変動を受け難くなる。また、一般的に、燐光体は、スペクトル的により広い発光スペクトルを有し、それは用途によっては望ましいことがある。本発明による飽和変換材料を通過するLEDからの光は、燐光体の変換効率が単一ではないこと及びストークスシフトstokesshiftの故に損失を受けることがある。しかし、この損失は許容可能である。というのは、本発明によるLEDパッケージの好ましい実施形態は、UV及び青色で発光するIII族窒化物ベースLEDなどの高効率、高歩留りLEDを含み、それによって損失を補償し、その結果、典型的なLEDに比べてより高い発光効率のLEDパッケージがもたらされるからである。この技術は、固体照明用の多岐にわたる順応性のある製品の製作及び開発によく適している。本発明によるLEDパッケージの可能な用途には、それだけには限らないが、交通信号灯、表示装置、専用照明、信号等が含まれる。本発明では青色及び赤色エミッタを組み合わせて使用して白色光を放出するLEDパッケージを製作することもでき、このLEDパッケージは、高効率、光演色性の固体照明を必要とするほとんどどんな用途にも適しているはずである。この用途には屋内外の商用及び居住建築用照明、自動車テールライト、表示装置、フラッシュバルブ、ならびに一般照明が含まれる。これによって、累積的なエネルギー節約及び環境影響の低減がもたらされる。本発明のこれら及び他のさらなる特徴及び利点は、添付の図面と共になされた以下の詳細な説明から、当業者には明らかになるであろう。図1は、本発明による飽和変換材料を有するLEDパッケージの一実施形態を説明するための断面図である。このLEDパッケージ10は、互いに反対にドープされた2層に挟まれた活性層を一般的に備えるLED121つ以上のLEDを使用することもできるを備えている。これらの活性層は標準的な厚さであり、互いに反対にドープされた層間にバイアスを印加すると、活性層が全方向に光を放出する。このLED12の層は、相異なる多くの半導体材料系で作製することができ、このLED12は相異なる多くの色の光を放出することができる。また、LED12は、青色光を放出することが好ましく、青色光の高効率放射を提供するIII族窒化物ベースの材料系からの半導体材料で形成することができる。III族窒化物とは、窒素と周期律表のIII族元素、通常、アルミニウムAl、ガリウムGa、及びインジウムInとの間で形成された半導体化合物のことを示している。この用語はAlGaNやAlInGaNなどの三元化合物ternarycompound及び三級化合物tertiarycompoundのことも示している。LED12は、基板上に積層形成されたLEDの活性層と互いに反対にドープされた複数の層とを含む基板を備えることもできる。この基板は、サファイアAl2O3、シリコンSi、又は炭化ケイ素SiCなどの相異なる多くの材料で形成することができ、SiCの4Hポリタイプが基板として好ましい。3C、6H及び15Rポリタイプを含む他のSiCポリタイプを使用することもできる。適切な結晶構造転位をもたらすために基板と他のLED層の間にバッファ層を含むこともできる。炭化ケイ素は、サファイアに比べてIII族窒化物と結晶格子がはるかに近くマッチし、その結果、より高品質のIII族窒化膜が得られる。炭化ケイ素は、極めて高い熱伝導性も備え、そのため、サファイア上に形成された、いくつかのデバイスにおけるように炭化ケイ素上のIII族窒化物デバイスの出力電力が基板の熱放散によって制限されない。炭化ケイ素基板の使用可能性は、また、デバイスの分離機能及び寄生容量の減少をもたらし、商用デバイスを可能にする。SiC基板は、ノースカロナイナ州ダラムのクリーリサーチ有限会社から入手でき、その製造方法は、科学文献並びに米国再発行特許特許文献6参照及び米国特許に公表されている特許文献7及び8参照。このLEDの活性層及び互いに反対にドープされた層は、有機金属化学気相成長MOCVDなどの知られた半導体製造法を使用して基板上に形成する。同様にIII族窒化物のエピタキシャル成長の技法も、科学文献、ならびに米国特許に報告されている特許文献9、10、11、12参照。LED12は、第1及び第2コンタクトを備え、各コンタクトをそれぞれの互いに反対にドープされた層とオーミック接触になるように構成することもできる。コンタクトに印加されたバイアスが互いに反対にドープされた層に伝わり、その結果、電子及び正孔がLEDの活性層内に注入され、そこでそれらの電子及び正孔は再結合して活性層を発光させる。機械的に安定させるために、LED12をサブマウント14上に搭載することもできる。このサブマウント14は、LED12に付与される電流量又は電力量を制御するため、あるいはLED12に印加される電気信号を修正するための電気回路を含むことができる。サブマウント14は、LEDパッケージ10を静電気ショックに強くするための構成部品及び回路も備えることができる。サブマウント14を金属カップ18の水平な底面16に搭載するが、この底面16は、一般的に、LED12のコンタクト間にバイアスを印加してLED12を発光させるための第1導通路conductivepath;導体20及び第2導通路22を有している。あるいは、サブマウント16及びその電気回路を通して、バイアスを全部又は部分的にLEDまたはそのコンタクトに印加することもできる。この金属カップ18は、LED12から放出された光を反射する反射面21を備えることができ、そのため、LEDパッケージ10から放出される全ての光に寄与する。LED12、サブマウント14、ならびに第1導通路20及び第2導通路22は、シリコン、樹脂、又はエポキシなどの放射線に対する耐久性があり透明な材料、好ましくはエポキシ材料で作製される保護層24中に包み込まれている。LEDパッケージ10の製作の際にエポキシを金属カップ18内に注入して底部を充填し、それによって、LED12と、サブマウント16と、第1導通路20及び第2導通路22をエポキシで覆うようにし、次いでエポキシを硬化させる。さらに、LED12は、透明材料層保護層24の上面に変換材料層conversionmateriallayer26を備え、この変換材料層26も、透明材料層24と同様に放射線に対する耐久性があり透明な材料で作製され、その層全体にわたって分布する変換材料28conversionmaterialも備えている。この変換材料28は、燐光体phosphor、蛍光染料fluorescentdye又はフォトルミネセンス半導体などの1つ又は複数の蛍光材料、又は燐光材料でよい。以下に、変換材料28として使用でき、励起の後で再放出される色でグループ分けした燐光体をリストアップする。<赤色>Y2O2S:Eu3,Bi3YVO4:Eu3,Bi3SrS:Eu2SrY2S4:Eu2CaLa2S4:Ce3Ca,SrS:Eu2Y2O3:Eu3,Bi3Lu2O3:Eu3Sr2xLaxCelxEuxO4Sr2Ce1xEuxO4Sr2xEuxCeO4Sr2CeO4SrTiO3:Pr3,Ga3<オレンジ色>SrSiO3:Eu,Bi<黄色/緑色>YBO3:Ce3,Tb3BaMgAl10Ol7:Eu2,Mn2Sr,Ca,BaAl,Ga2S4:Eu2ZnS:Cu,Al3LaPO4:Ce,TbCa8MgSiO44Cl2:Eu2,Mn2Gd,Y,Lu,Se,La,Sm3Al,Ga,In5O12:Ce3Gd,Y1xSmx3Al1yGay5O12:Ce3Y1pqrGdpCeqSmr3Al1yGay5O12Y3Al1sGas5O12:Ce3Y,Ga,La3Al5O12:Ce3Gd3In5O12:Ce3Gd,Y3Al5O12:Ce3,Pr3Ba2Mg,ZnSi2O7:Eu2Y,Ca,Sr3Al,Ga,Si5O,S12Gd046Sr031Al123OxF138:Eu2006Ba1xySrxCaySiO4:EuBa2SiO4:Eu2<青色>ZnS:Ag,Al<黄色/赤色の混合色>Y3Al5Ol2:Ce3,Pr3<白色>SrS:Eu2,Ce3,K上述したリストのうちから、青色及び/又は白色UVの発光スペクトルにおける励起を有すること、望ましいピーク発光をもたらすこと、効果的な光変換性を有すること、許容できるストークスシフトにより、以下の燐光体がLEDパッケージ10中の変換材料28として使用するのに最も適している。<赤色>Lu2O3:Eu3Sr2xLaxCe1xEuxO4Sr2CelxEuxO4Sr2xEuxCeO4SrTiO3:Pr3,Ga3<黄色/緑色>Sr,Ca,BaAl,Ga2S4:Eu2Ba2Mg,ZnSi2O7:Eu2Gd046Sr031Al123OxF138:Eu2006BalxySrxCaySiO4:EuBa2SiO4:Eu2製造の際に変換材料層26を保護層24の上面に注入して金属カップ18のほとんどまたは全てを充填し、硬化させる。変換材料28中の粒子は、UVLED12によって放出された光を吸収し、吸収波長と異なる1つ又は複数の波長スペクトルで吸収した光を再放出する。この変換材料28は、変換材料層26が2つ以上の波長の光を再放出するようにそれぞれ異なる波長で光を再放出する2つ以上のタイプの材料を含むことができる。この変換材料28は、変換材料層26の全体にわたって異なる濃度のこともある。この変換材料28によって吸収されて再放出されるLED光の量は、一般的にLED光が通過する変換材料28の量に比例する。しかし、LED光が過剰muchの変換材料28を通過する場合は、この変換材料28の再放出される光の一部分が、余分excessの変換材料28により、LEDパッケージ10から発光するのを遮断されることがある。このため、LEDパッケージ10の全体の発光効率が低下することがある。LED光が通過する変換材料28の量は、この変換材料28の濃度を変えること、又は変換材料層26の厚さを変えること、あるいはその両方によって変えることができる。LEDパッケージ10においては、LED12からの光が十分な量の変換材料28を通過し、それによって、ほぼ全てのLED光が吸収され、異なる波長の光が再放出される。同時に、この再放出された光は余分な変換材料28を通過せず、そのため、再放出された光はLEDパッケージ10から発光するのを遮断されない。十分な量の変換材料28を供給して遮断無しで完全な変換をもたらすことによって、変換材料28は飽和saturation状態になる。この変換材料28の飽和状態において、変換材料28の量は、LED12またはレーザの寸法及び光束に依存して変わる。寸法が増大して光束が増加するにつれて、より多くの変換材料28が必要とされる。変換材料28の飽和状態においては、LEDパッケージ10から放出された光は、主として、変換材料28によって発生された光子からなる。しかし、いくつかの実施形態では、得られるパッケージ放射の色度をわずかに修正するために、LED光のほんの一部を吸収無しで変換材料28を透過させることが望ましいことがある。LED12の場合、ほとんどの実施形態のLEDパッケージ10は、変換材料28が無い場合、主放射線の放出電力の10未満で発光する。すなわち、この変換材料28は、LED12からの光の90以上を吸収する。上述したように、LED12は青色を発光し、適切な変換材料は、SrGa2S4:Eu2Sr:チオガレートThiogallateやGd046Sr03lAl123OxF138:Eu2006などの緑色燐光体である。Sr:チオガレートは400から450nmの範囲のピーク励起波長を有し、Sr:チオガレートによって吸収され、次いで緑色光として再放出される青色光または白色光の割合は74±5と見積もられ、これによって、青色またはUV領域で励起する場合、この燐光体をより効果的なものの1つにする。青色領域での励起に効果的な、燐光体と組み合わせた高効率青色エミッタを使用すると、効果的に緑色を発光する飽和変換材料saturationconversionmaterialを有するLEDパッケージがもたらされる。図2乃至図4は、飽和又は飽和に近い緑色変換材料を含む青色LEDを備える本発明によるLEDパッケージについての性能研究の結果を示す図である。図2は、本発明による飽和変換材料を有するLEDパッケージの出力強度とピーク発光波長の関係をグラフに示す図で、本発明による4つの異なるLEDパッケージのナノメートルnm単位のピーク発光波長での発光性能を、それぞれのLEDパッケージにおけるLEDに350mAを印加した状態で、ルーメン単位でプロットしたグラフを示す図である。このグラフ40によれば、緑色Sr:チオガレート燐光体を変換材料として使用して、このLEDパッケージは、約530nmのピーク波長で最大58ルーメンまで発光したが、これは典型的な緑色発光LEDの性能より大幅に改善されている。図3は、本発明による飽和変換材料を有するLEDパッケージの波長スペクトルをグラフに示す図で、このLEDパッケージからの緑色Sr:チオガレート燐光体から再放出された光の発光スペクトルをオングストローム単位の強度で表したものとnm単位で測った波長との関係をプロットしたグラフを示す図である。このグラフ50によれば、各LEDパッケージは、約530~550nmに中心のある半値幅FWHM約70nmのピークを有する同様なスペクトルを示し、この半値幅は、一般の人間の目の明視の反応曲線のピークに近い。この結果、高効率の緑色光が放出された。また、出願人らはテストされるLEDパッケージのそれぞれの動作を維持し、LEDパッケージのそれぞれが約168時間変化無しでこの発光スペクトルを維持した。このため、このLEDパッケージが経時的に安定であることが示された。図4は、本発明による飽和変換材料を有するLEDパッケージの出力損失と動作時間の関係をグラフに示す図で、テストされる4つのLEDパッケージ10のうちの3つについての動作時間と光出力損失の関係をプロットしたグラフを示す図である。このグラフ60は、それぞれについて光出力損失が経時的に最小限であることを示している。このことは、また、LEDパッケージ10が経時的に安定であることを示し、この性能は標準の緑色発光LEDの性能に適合する。図5は、本発明による飽和変換材料を有するLEDパッケージの他の実施形態を説明するための断面図で、図1に示したLEDパッケージと類似の多くの特徴を備える本発明によるLEDパッケージの他の実施形態を示す図である。このLEDパッケージ70は、サブマウント74に搭載されたLED72を備え、次いで、このサブマウント74は、金属カップ78の水平な底面76に搭載される。LED72の全体にわたってバイアスを印加するために第1導体80及び第2導体82を設けるが、上述したのとは異なる方法でバイアスを印加することができる。LED72とサブマウント74と第1導通路80及び第2導通路82上に保護層84が設けられ、この保護層84上に変換材料層86が設けられ、この変換材料層86には変換材料88が含まれている。LED72は、UV光を放出し、相異なる多くの材料系、好ましくはIII族窒化物材料系である材料系で作製することができる。変換材料88は、上記でリストアップした任意の材料で作製することができるが、Sr:チオガレートなどの緑色燐光体が好ましい。変換材料層86の厚さ及びSr:チオガレートの濃度は、変換材料88が飽和状態になる、すなわち、再放出された緑色光の放出を遮断する余分の変換材料88無しでUV光の全てが吸収されるような値である。Sr:チオガレートは、白色光を吸収して緑色光を再放出するのに効果的であり、この燐光体を高効率白色LED72と組み合わせて使用する結果、効果的に緑色光を放出する飽和変換材料を有するLEDパッケージ70がもたらされる。図6は、本発明による飽和変換材料を有する半導体レーザパッケージの一実施形態を説明するための断面図で、図1に示したLEDパッケージ及び図5に示したLEDパッケージと類似の特徴を有する、本発明によるレーザダイオードパッケージの実施形態を示す図である。しかし、このレーザダイオードパッケージ90は、光源としてLEDを備える代わりに固体半導体レーザダイオード92を備えている。ミラー94,96がこのレーザダイオード92の2つの対向面上に設けられ、ミラー94は部分透過型である。これらのミラー94,96は、高度な平行/コヒーレント光源をもたらす誘導放出が生じるように光フィードバックをもたらす。このレーザダイオード92をサブマウント98に搭載することができ、次いで、このサブマウント98を、レーザダイオード92にバイアスを印加するための第1導通路104及び第2導通路106を備える金属カップ102の水平な底面100に搭載する。レーザダイオード92とサブマウント98と第1導通路104及び第2導通路106とを保護層108で覆う。変換材料層110は、保護層108上に設けられ、この変換材料層110は変換材料112を含んでいる。この変換材料112は、上述したどんな変換材料でもかまわない。様々な色の光を放出する様々なレーザダイオードをレーザダイオード92に使用することができ、このレーザダイオード92からの光が変換材料112を通過し、LEDパッケージ90が変換材料112の飽和状態で動作するように変換材料112を構成する。レーザダイオード92からの光の全てまたはほとんどは、変換材料112によって吸収され、余分の変換材料112によって遮断される再放出光の量を最小にしつつ、異なる波長の光として再放出される。特に、レーザダイオード92からの平行/コヒーレント光の場合に、LEDパッケージ90から放出される光の均質性を向上させるために、光をそれが保護層108及び変換材料層110を通過する際に散乱させることが望ましいことがある。光を散乱させる1つの方法は、ランダムに光を屈折させる散乱粒子114を使用することによるものである。効果的に光を散乱させるために、散乱粒子114の直径は、散乱される光の波長の約二分の一でなければならない。LEDパッケージ90では、この散乱粒子114を変換材料層110中に含ませた場合について示しているが、それらの散乱粒子114を保護層108中に含ませることもでき、又は変換材料層110上に配置される他の層中に形成することもできる。レーザダイオード92からの光は、変換材料112を通過する際に、これらの散乱粒子114を通過し、屈折されて混合して広がる。この散乱粒子114は、変換材料層110の全体にわたって均一に分布させて示すが、それらの散乱粒子114を変換材料層110の全体にわたって変化する濃度で分布させて、変換材料層110を通過するLED光のパターンをマッチさせることによって最も効果的に光を散乱させることもできる。好ましい散乱粒子114は、レーザダイオード光をあまり吸収せず、それらが中に埋め込まれる材料例えば、エポキシとかなり異なる屈折率を有するはずである。これらの散乱粒子114は、できるだけ高い屈折率を有すべきである。適切な散乱粒子114は、屈折率が高くn=2.6~2.9、光散乱に有効な酸化チタンTiO2で作ることができる。散乱粒子の主要な要件は、それらが、周囲の材料と異なる屈折率を有すること、及び、それらが、特定の寸法範囲の他の元素を有し、それによって小さいボイドまたはポアも散乱粒子として使用できることである。図7は、本発明による飽和変換材料を有するエミッタパッケージの、相異なる濃度の変換材料の層を備えた実施形態を説明するための断面図で、LED又はレーザダイオードのどちらかである半導体エミッタを備えたエミッタパッケージの他の実施形態を示す図である。上述したLEDパッケージ10,70及び90と同様に、エミッタパッケージ120は、サブマウント124と反射カップ126と第1導体128及び第2導体130と保護層132と変換材料層134とを備えている。しかし、エミッタパッケージ120において、この保護層132は、変換材料層134中の変換粒子138の濃度とは異なる濃度の変換粒子136を含んでいる。この変換粒子136は、変換粒子138とは異なるタイプでもよく、このため、保護層132と変換材料層134のそれぞれが異なる色の光を再放出するようになる。図7に示す半導体エミッタ122は、LED又はレーザダイオードのどちらかである。この実施形態では、変換材料の飽和状態で動作するようにエミッタパッケージ120を構成する。なお、符号76は、反射カップ126の水平な底面を示している。図8は、本発明による飽和変換材料を有するエミッタパッケージの、均質な濃度の変換材料の層を備えた実施形態を説明するための断面図である。このエミッタパッケージ150は、図7中のエミッタパッケージ120と同じであるが、保護層132と変換材料層134を備える代わりに、エミッタパッケージ150中の金属カップ152が、パッケージエミッタ158とサブマウント160と第1導通路162及び第2導通路164とを保護する働きをし、その全体にわたって分布した変換材料166を含有する単一の変換層156で充填されている。変換材料166を均質に分布させることもでき、異なる濃度に分布させることもできる。上述したと同様に、エミッタパッケージ150は、変換材料166の飽和状態で動作し、それによって、パッケージエミッタ158からの光の全てまたはほとんどを吸収し、再放出される光を著しく遮断する変換材料166無しで再放出するようにする。以上、本発明の実施形態について、好ましい構成を参照しながら詳細に説明したが、その他の実施形態も可能である。上述したLEDパッケージの実施形態のそれぞれは、様々な特徴を有する様々な構成部品を含むことができる。上述したLEDパッケージのそれぞれは、様々な材料系で作製した半導体エミッタを備えることができ、それぞれが散乱粒子を含むことができる。上記でリストアップしたもの以外の他の変換材料を使用することもできる。したがって、本発明の技術的特徴及び範囲を上述した本発明の好ましい実施形態に限定すべきではない。"