"電子部品モジュールは、矩形状の絶縁基板と、前記絶縁基板の基板表面に配置されたランドと、半田を用いて前記ランドに接続され、前記基板表面に実装される電子部品と、前記基板表面を覆って配線パターンを保護し、この基板表面から前記電子部品に向けて隆起したソルダーレジストの保護層と、このソルダーレジストが施されず、前記基板表面を露出させたレジスト未形成領域と、前記基板表面にて前記電子部品を封止する封止樹脂とを具備し、前記レジスト未形成領域は、前記基板表面を区画する一辺から、この基板表面のうち前記電子部品の部品裏面下を経由し、前記基板表面を区画する当該一辺とは別の他辺までを連通して形成される。請求項1に記載の電子部品モジュールであって、前記基板表面には、複数個の電子部品が実装されており、前記レジスト未形成領域は、前記各電子部品の部品裏面下に設けられたレジスト未形成部と、これら各レジスト未形成部同士を連通させる中継開口とを備える。請求項2に記載の電子部品モジュールであって、前記電子部品の部品裏面は、交差する長辺と短辺とで区画された長方形にて形成されており、これら各電子部品のうち大型や中型の電子部品の長辺を、前記レジスト未形成領域の形成方向に沿って配置し、これら大型の電子部品と中型の電子部品との間には、小型の電子部品も配置しない。請求項1から3のいずれか一項に記載の電子部品モジュールであって、前記レジスト未形成領域は、前記一辺に連なり、前記封止樹脂の入口をなす入口側の基板周縁開口と、前記他辺に連なり、前記封止樹脂の出口をなす出口側の基板周縁開口とを備え、前記入口側の基板周縁開口の面積は、前記出口側の基板周縁開口の面積よりも大きく形成されている。請求項4に記載の電子部品モジュールであって、前記出口側の基板周縁開口は、前記基板表面を挟んで前記入口側の基板周縁開口の反対側に設けられている。請求項4又は5に記載の電子部品モジュールであって、前記基板表面に実装される複数個の電子部品のうち、最も大型の電子部品の端面を前記入口側の基板周縁開口に近接させる。請求項4から6のいずれか一項に記載の電子部品モジュールであって、前記基板表面に実装される複数個の電子部品のうち、その部品裏面から前記基板表面までの隙間が最も高い電子部品を前記入口側の基板周縁開口に近接させる一方、この隙間が低い電子部品を前記出口側の基板周縁開口に近接させる。請求項1から7のいずれか一項に記載の電子部品モジュールであって、前記ランドには、前記電子部品をリフローによって前記基板表面に実装する際に、前記半田と一体になって前記部品裏面から前記基板表面までの隙間を、この半田のみで形成させた場合よりも高くする予備半田が形成されている。請求項1から8のいずれか一項に記載の電子部品モジュールであって、前記絶縁基板は、その内部の層に配置され、前記ランドに接続される配線パターンを有する。請求項1から9のいずれか一項に記載の電子部品モジュールであって、前記保護層のうち、近接した前記ランドに挟まれた保護層は、隣接する保護層に繋げられ、このランドの一部を囲んだ略U字状に形成されている。以下、本発明の好適な実施の形態を図面に基づいて説明する。図1は、本実施例に係るテレビジョンチューナ電子部品モジュール2の外観斜視図であり、このチューナ2は、マザーボード1とともに、携帯機器、例えば携帯電話の筐体内に納められており、地上波デジタル放送の信号を受信可能である。当該チューナ2は平面視長方形状の絶縁基板4を備えている。絶縁基板4は、その厚み方向で対向した同形状の基板表面8や基板裏面10を有し図2、絶縁基板4はこの基板裏面10に形成された端子図示しないを介してマザーボード1に固定される。基板表面8の周縁は、前辺一辺11、横辺12,13、及び後辺他辺14で区画されており図1、前辺11や後辺14は横辺12,13よりも短い長さで形成され、この図1でみてこれら前辺11や後辺14の左右両端は、左側の横辺12と右側の横辺13とにそれぞれ交差する。また、図2に示されるように、絶縁基板4は、基板表面8よりも下側の内部層に内面の配線パターン26を備えている。この配線パターン26は、例えば銅箔で構成され、スルーホール等を介して基板表面8に配置されたランド16,17などや、上述した基板裏面10の端子に導通される。なお、これらランド16,17などの配置については図4を用いて別途説明する。本実施例の基板表面8には、チューナ2を構成する複数個の電子部品60,70,80,90が実装されている図3。なお、この図3や以降の図4~6では、構造の説明を容易にすべく図1,2の封止樹脂6を省略している。具体的には、まず、集積回路IC60は、搭載される電子部品のうち最も大型、つまり、基板表面8の接線方向でみた面積が最も大きな電子部品であり、例えば位相同期回路、発振回路や混合回路に相当する機能を備える。このIC60は、図3でみて基板表面8の前辺11寄りに設けられており、平面視長方形状の部品表面61を有する。なお、図2に示した部品裏面62もまた部品表面61と同形状をなす。これら部品表面61や部品裏面62は、交差する長辺64と短辺65とで区画されており、図3に示される如く、この長辺64が横辺12,13に沿って配置され、この図でみた奥側の短辺65が前辺11に近接して配置されている。次に、ノッチフィルタ70は、IC60に比して小さい中型の電子部品であり、テレビジョン受信波を通すものの、携帯電話の送信波をカットする機能を備えている。このノッチフィルタ70は、図3でみてIC60と後辺14との間に設けられており、平面視長方形状の部品表面71を有する。なお、図2に示した部品裏面72もまた部品表面71と同形状をなす。これら部品表面71や部品裏面72もまた、交差する長辺74と短辺75とで区画される。この長辺74が横辺12,13に沿って配置され、図3でみた奥側の短辺75がIC60の短辺65に近接して配置されている。続いて、水晶振動子80は、IC60に比して小さいが、ノッチフィルタ70に比して大きな中型の電子部品であり、局部発振器に相当する機能を備える。この水晶振動子80もノッチフィルタ70と同様に、図3でみてIC60と後辺14との間に設けられ、平面視長方形状の部品表面81を有する。なお、その部品裏面は図2の断面図には現れないが、部品表面81と同形状である。これら部品表面81や部品裏面は、交差する長辺84と短辺85とで区画されており、この長辺84が横辺12,13に沿って配置され、図3でみた奥側の短辺85がIC60の短辺65に近接して配置されている。一方、この図でみた手前の短辺85は後辺14に近接して配置される。また、チップ部品90は、ノッチフィルタ70に比して小さい小型の電子部品である。チップ部品90は、IC60、ノッチフィルタ70、水晶振動子80の作動を調整する機能などを備えている。詳しくは、各チップ部品90もまた、平面視長方形状の部品表面91を有する。なお、図2に示す部品裏面92もまた部品表面91と同形状である。これら部品表面91や部品裏面92は、交差する長辺94と短辺95とで区画されるが、本実施例で云えば計16個のチップ部品90が基板表面8に実装されており図3、これら長辺94や短辺95は、そのチップ部品90の位置に応じて向きが異なる。より具体的には、まず、この図3でみてIC60の左側には、その長手方向が横辺12に沿う4個のチップ部品90が配置されている。つまり、その長辺94がIC60の長辺64に平行方向に、短辺95が長辺64に直交方向にそれぞれ配置される。本実施例では、これら4個のチップ部品90のうちこの図3でみた手前側の2個のチップ部品90は、基板表面8に設けられた表面の配線パターン24で接続される。この配線パターン24も例えば銅箔で構成される。また、このIC60の右側には6個のチップ部品90が配置されている。そのうち5個のチップ部品90は、その長手方向が横辺13に交差する。換言すれば、その長辺94がIC60の長辺64に直交方向に、短辺95が長辺64に平行方向にそれぞれ配置される。本実施例では、これら5個のチップ部品90のうち図3でみた手前側の2個のチップ部品90が、基板表面8に設けられた表面の配線パターン24で接続されている。一方、IC60の右側の残り1個のチップ部品90は、その長手方向が横辺13に沿って配置されており、その長辺94がIC60の長辺64に平行方向に配置され、短辺95が長辺64に直交方向にそれぞれ配置される。さらに、この図3でみてIC60の手前側の近接位置には1個のチップ部品90が配置され、このチップ部品90は、その長手方向が横辺13に交差する。つまり、その長辺94がIC60の短辺65に平行方向に配置され、短辺95が短辺65に直交方向にそれぞれ配置されている。そして、IC60の周囲に設けられた計11個のチップ部品90は、図2に示した内面の配線パターン26を介してIC60に適宜接続されている。次に、この図3でみてノッチフィルタ70の左側には1個のチップ部品90が配置されている。当該チップ部品90は、その長手方向が横辺12に沿い、その長辺94がノッチフィルタ70の長辺74に平行方向に、短辺95が長辺74に直交方向にそれぞれ配置される。本実施例では、当該チップ部品90は、基板表面8に設けられた表面の配線パターン24を用いて、ノッチフィルタ70やIC60の左側に設けられた上記チップ部品90にも接続されている。また、この図3でみてノッチフィルタ70の手前側には大小2個のチップ部品90が配置されており、その長手方向がいずれも横辺12に交差する。つまり、その長辺94がノッチフィルタ70の短辺75に平行方向に、短辺95が短辺75に直交方向にそれぞれ配置される。本実施例では、これら2個のチップ部品90のうち左側の大きなチップ部品90は、基板表面8に設けられた表面の配線パターン24を介してノッチフィルタ70に接続される。一方、右側の小さなチップ部品90は、図2に示した内面の配線パターン26を介してノッチフィルタ70に接続されている。さらに、このノッチフィルタ70の右側には、上述したIC60に接続されるチップ部品90を含めて計3個のチップ部品90が配置され、いずれのチップ部品90も、その長辺94がノッチフィルタ70の長辺74に直交方向にそれぞれ配置されているが、そのうちこの図3でみて最も手前側のチップ部品90が内面の配線パターン26を介してノッチフィルタ70に接続されている。一方、これら計3個のチップ部品90のうち中央のチップ部品90は、基板表面8に設けられた表面の配線パターン24で水晶振動子80に接続されている。このように、本実施例では、IC60、ノッチフィルタ70や水晶振動子80である大型や中型の電子部品は、その長辺64,74,84がいずれも横辺12,13に対して平行に配置され、また、IC60の短辺65は、ノッチフィルタ70や水晶振動子80の短辺75,85に近接しており、これら短辺65と短辺75,85の間には、チップ部品90を配置させない。また、これらIC60、ノッチフィルタ70や水晶振動子80は図2の半田バンプ100を用いて基板表面8のランド16,17,18に、チップ部品90は例えば半田ペースト不図示を用いて基板表面8のランド19にそれぞれ実装される図4。詳しくは、図3から上記各電子部品を取り外した図4に示されるように、まず、ランド16は平面視円形状に形成され、IC60の部品裏面62の投影範囲に多数配置されている。そして、IC60は、半田バンプ100を部品裏面62のボンディングパッド66に設け、これら半田バンプ100とランド16とを位置合わせした後に、リフローによって基板表面8に実装されており、IC60は図2に示した内面の配線パターン26に適宜接続される。ここで、この図2に示されるように、本実施例のランド16には予備半田102が設けられている。この予備半田102は、約30μm1μm=1×10-6mの厚さでランド16の上に予め形成されており、このリフローの際には、半田バンプ100と一体の大きな太鼓形状になる。この結果、図5にて後述する部品裏面62から基板表面8までの広隙間隙間56を、この半田バンプ100のみで形成させた場合の広隙間56よりも高くすることができる。一方、図4に戻り、ランド17~19はいずれも平面視長方形状に形成されている。まず、ランド17は、ノッチフィルタ70の部品裏面72の投影範囲、具体的には、部品裏面72の隅部分、長辺74や短辺75の中央部分に相当する位置に計5個配置される。次に、ランド18は、水晶振動子80の部品裏面の投影範囲、具体的には、この部品裏面の隅部分に相当する位置に計4個配置されている。そして、ノッチフィルタ70や水晶振動子80もまた、半田バンプ100を部品裏面72等のボンディングパッド76等に設け、これら半田バンプ100とランド17,18とをそれぞれ位置合わせした後に、リフローによって基板表面8に実装される。これにより、ノッチフィルタ70や水晶振動子80は表面の配線パターン24や内面の配線パターン26に適宜接続される。続いて、ランド19は、チップ部品90の部品裏面92の投影範囲、詳しくは、部品裏面92の長手方向の両端部分に相当する位置に計2個ずつ配置され、その長辺20がチップ部品90の長手方向に対して直交、短辺21はチップ部品90の長手方向に対して平行にそれぞれ延びている。各チップ部品90もまた半田ペーストで基板表面8に実装されると、表面の配線パターン24や内面の配線パターン26に適宜接続される。上述のチューナ2にて受信されたテレビジョン信号は、IC60の位相同期回路や発振回路、さらに、ノッチフィルタ70を経てIC60の混合回路に入力される。また、この混合回路には、水晶振動子80からの局部発振信号も入力されており、混合回路は、テレビジョン信号と局部発振信号とを混合して中間周波信号に変換する。次いで、当該中間周波信号から不要な周波数成分が除去され、その後、この減衰された中間周波信号が増幅されて検波される。これにより、テレビジョンの信号処理に最適な映像信号や音声信号を基板裏面10の端子からマザーボード1に向けて出力できる。ところで、基板表面8にはソルダーレジスト層保護層30が施されている図3,4。このソルダーレジスト層30は、図3,4の他、この図4から平面視円形状のランド16、平面視長方形状のランド17~19や表面の配線パターン24を省略した図5にも示される如く、周囲よりも濃い色で塗りつぶされた箇所である。具体的には、本実施例のソルダーレジスト層30は、表面の配線パターン24を保護しており図4、溶融半田によるランド17~19と配線パターン24との導通を防止する。つまり、ソルダーレジスト層30は、表面の配線パターン24を覆いつつ、平面視長方形状のランド17~19を囲繞しており、横辺12,13や後辺14の近傍に多く配置されている。より詳しくは、図4,5でみて濃い色で塗りつぶされた箇所が、前辺11と横辺12,13との交差付近から後辺14と横辺12,13との交差付近まで延び、また、IC60の設置位置の手前側から後辺14までに多く存在している。一方、チップ部品90は互いに特に接近して配置されることから、そのランド19に挟まれたソルダーレジスト層30は、隣接するソルダーレジスト層30に繋げられている。例えば、右側の横辺13の近傍に配置された5個のチップ部品90に注目すると、その長手方向が横辺13に交差している図3。そして、図4でみて奥から2番目や4番目に位置した各チップ部品90のランド19,19のうち、IC60寄りのランド19には、横辺13に向けて開口を有した略U字状のソルダーレジスト層30が設けられている図4,5。当該略U字状のソルダーレジスト層30の柱部分は、隣り合うランド19の短辺21間をそれぞれ覆う。一方、この略U字状のソルダーレジスト層30の底部分は、IC60寄りの長辺20に沿ってこれら柱部分を繋いでいる。これにより、ソルダーレジスト層30が当該柱部分のみで構成された場合に比して、その面積を大きくすることができる。なお、本実施例のソルダーレジスト層30は、平面視円形状のランド16については囲繞していない。その理由は、当該ランド16は内面の配線パターン26にて導通され、ランド16を表面の配線パターン24で導通させていないし、また、上記のように、本実施例のランド16上には予備半田102を設けて部品裏面62から基板表面8までの広隙間56をより高くしているからである。このように、ソルダーレジスト層30は表面の配線パターン24を保護するため、その保護層表面31は、IC60、ノッチフィルタ70、水晶振動子80やチップ部品90に向けて隆起約20μmしている。換言すれば、各部品裏面62,72,92等から保護層表面31までの空間に相当する図5の狭隙間隙間36は、これら部品裏面62,72,92等から基板表面8までの空間に相当する広隙間56よりも低くなる。これに対し、基板表面8のうちソルダーレジスト層30を除いた総ての領域には、この広隙間56を構成するレジスト未形成領域40が設けられている。具体的には、レジスト未形成領域40は、この図5に示される如く、ソルダーレジスト層30よりも薄い色で示された箇所であり、封止樹脂6の充填までは基板表面8が露出する箇所である。そして、このレジスト未形成領域40は、前辺11からIC60、ノッチフィルタ70、水晶振動子80やチップ部品90の各部品裏面下、つまり、部品裏面62,72,92等の投影範囲を経由し、後辺14までを連通して形成され、レジスト未形成領域40による広隙間56は、ソルダーレジスト層30による狭隙間36よりも約20μm程度高められている。より詳しくは、本実施例のレジスト未形成領域40は5種類の領域からなる図5。まず、表面基板8には、前辺11に近接した樹脂入口入口側の基板周縁開口41が備えられている。この樹脂入口41は、供給される封止樹脂6の入口をなし、この図5でみて前辺11と横辺12,13との交差付近にて濃い色で塗りつぶされたソルダーレジスト層30,30の間に設けられており、前辺11と同じ広隙間56で形成され、この前辺11に連なっている。また、表面基板8には、後辺14に近接した樹脂出口出口側の基板周縁開口54が備えられる。この樹脂出口54が、供給された封止樹脂6の出口をなし、図5でみて後辺14と横辺13との交差付近であって、水晶振動子80の設置位置の手前側にて濃い色で塗りつぶされたソルダーレジスト層30,30の間に設けられている。この樹脂出口54も、後辺14と同じ広隙間56で形成され、この後辺14に連なる。つまり、本実施例の樹脂出口54は、表面基板8を挟んで樹脂入口41の反対側に設けられており、また、この図5からも明らかなように、この樹脂入口41の開口面積は樹脂出口54の開口面積よりも大きく形成されている。換言すれば、大型のIC60は、その短辺65を含む端面が樹脂入口41に接近し、中型の水晶振動子80は、その短辺85を含む端面が樹脂入口41よりも樹脂出口54に接近していることが分かる。次に、前辺11と後辺14との間を横辺12,13に沿って延びたソルダーレジスト層30,30の内周側には、レジスト未形成部42,43,44,45が備えられている。これらレジスト未形成部42,43,44,45は、各電子部品の部品裏面下に位置する広隙間56である。レジスト未形成部42が大型のIC60、レジスト未形成部43が中型のノッチフィルタ70、レジスト未形成部44が中型の水晶振動子80、レジスト未形成部45が小型のチップ部品90の部品裏面下にそれぞれ対応している。また、レジスト未形成部42は図5でみた奥側にて樹脂入口41に連通し、レジスト未形成部44は当該図でみた手前側にて樹脂出口54に連通している。これにより、大型のIC60、中型のノッチフィルタ70や水晶振動子80は、その長辺64,74,84がいずれも特にレジスト未形成部42,44の形成方向、つまり、樹脂入口41から反対側の樹脂出口54までに沿って配置されていることが分かる。しかも、本実施例で云えば、大型のIC60下の広隙間56だけは、約30μmの予備半田102によってノッチフィルタ70や水晶振動子80下の広隙間56よりも高くされている。したがって、ノッチフィルタ70や水晶振動子80側の広隙間56は狭隙間36よりも約20μm高くなるのに対し、IC60側の広隙間56は狭隙間36よりも約50μm高くなる。すなわち、同じ広隙間56であっても、より高い広隙間56であるIC60が樹脂入口41に近接され、通常高さの広隙間56であるノッチフィルタ70や水晶振動子80が、樹脂入口41よりも樹脂出口54に近接されていることも分かる。続いて、これら各レジスト未形成部42,43,44,45同士は、内側中継開口中継開口46,47,48,49,50で連通されている。具体的には、内側中継開口46,47,48,49,50は各電子部品の部品裏面下には該当しない領域であるが、まず、内側中継開口46は、図5でみてレジスト未形成部42の左側を横辺12に向けて広げており、このレジスト未形成部42と横辺12近傍に位置した4箇所のレジスト未形成部45とを繋いでいる。また、内側中継開口47は、図5でみてレジスト未形成部42の右側を横辺13に向けて広げ、上記略U字状のソルダーレジスト層30の底部分を除き、このレジスト未形成部42と横辺13近傍に位置した4箇所のレジスト未形成部45とを繋いでいる。さらに、内側中継開口48は、図5でみてレジスト未形成部42の手前側とレジスト未形成部43の奥側とを繋ぎ、一方、内側中継開口49は、この図でみてレジスト未形成部42の手前側とレジスト未形成部44の奥側とを繋いでいる。さらにまた、内側中継開口50は、横辺13近傍に位置した5箇所のレジスト未形成部45の中央部分をこの横辺13に沿ってそれぞれ繋ぐ他、レジスト未形成部43とその手前側の1箇所のレジスト未形成部45とを繋いでいる。さらに、内側中継開口50は、このレジスト未形成部43とその右側の2箇所のレジスト未形成部45とをそれぞれ繋ぐとともに、当該2箇所のレジスト未形成部45のうち、その手前側のレジスト未形成部45とレジスト未形成部44とを繋いでいる。また、各レジスト未形成部45には、流入口51が形成されている。これら流入口51は、封入樹脂6をレジスト未形成部45により導き易くするものであり、各レジスト未形成部45の長辺のうち、内側中継開口46、内側中継開口47や内側中継開口50に連通していない中央部分に適宜設置され、レジスト未形成部45の領域を広げている。このように、前辺11と後辺14との間を横辺12,13に沿って延びたソルダーレジスト層30,30の内周側には、このソルダーレジスト層30よりも薄い色で示されたレジスト未形成領域40による広隙間56が広範囲に亘って連続する。一方、本実施例のレジスト未形成領域40は、横辺12,13に沿って延びたソルダーレジスト層30,30の外周側にも、樹脂入口41と樹脂出口54とを連通させる周縁未形成部55を有している。この周縁未形成部55は、前辺11、横辺12,13、後辺14に沿ってそれぞれ形成され、広隙間56をソルダーレジスト層30の外周側にも設けている。また、これら周縁未形成部55のうち、後辺14の位置する周縁未形成部55と大きなチップ部品90に相当するレジスト未形成部45とは、外側中継開口52で繋がれている。つまり、本実施例のレジスト未形成領域40は、横辺12,13に沿って延びたソルダーレジスト層30,30の内周側のみならず、例えば後辺14には連なるが、レジスト未形成部43や内側中継開口50には連なっていないレジスト未形成部45に、基板表面8の外側から封止樹脂6を導入させる外側中継開口52も備えている。そして、図6に矢印で示されるように、前辺11付近に集まった封止樹脂6は、大きな樹脂入口41から基板表面8に導入され、レジスト未形成部42に広がる。この封止樹脂6の主流は、内側中継開口48を経由してレジスト未形成部43に到達するとともに、内側中継開口49を経由してレジスト未形成部44に到達する。同時に、この封止樹脂6は、内側中継開口46,47からレジスト未形成部45に到達し、また、内側中継開口50を経由して隣接のレジスト未形成部45にも到達する。なお、ソルダーレジスト層30に乗り上がった封止樹脂6は流入口51等からもレジスト未形成部45に到達する。レジスト未形成部43に到達した封止樹脂6は、周囲のレジスト未形成部45に到達するとともに、内側中継開口50を経由してレジスト未形成部44に到達する。その後、レジスト未形成部43からの封止樹脂6は、内側中継開口49を経由してレジスト未形成部44に到達した封止樹脂6と合流し、樹脂出口54から導出して後辺14付近に集まる。一方、前辺11付近に集まった封止樹脂6やソルダーレジスト層30に乗り上がった封止樹脂6は、ソルダーレジスト層30の外周側、つまり、周縁未形成部55にも広がる。この周縁未形成部55に広がった封止樹脂6は、外側中継開口52を経由して大きなチップ部品90に相当するレジスト未形成部45に到達し、レジスト未形成部43に到達した封止樹脂6に合流したり、後辺14付近に集まる。上述のチューナ2は、図7に示された工程を経て製造される。まず、同図のステップS701では、絶縁基板4を準備する。詳しくは、図8に示されるように、例えば4列で縦方向に並んだ絶縁基板4の集合体を準備する。この集合体は、左右に隣接した各絶縁基板4の横辺12,13が、若干の隙間を設けて連なり、また、前後に隣接した各絶縁基板4の前辺11及び後辺14も若干の隙間を設けて連なっている。これら各絶縁基板4の基板表面8には、ランド16~19や表面の配線パターン24が設けられ、また、各絶縁基板4の内層にも内面の配線パターン26が設けられている。次に、図7のステップS702では、ソルダーレジスト層30を設ける。具体的には、図9に示される如く、各基板表面8のうちレジスト未形成領域40を除いた領域に、例えばスクリーン印刷にてランド17,18,19の周囲にエポキシ樹脂製のソルダーレジスト層30を形成し、表面の配線パターン24を覆い隠す。これにより、前後に隣接した各基板表面8で見ると、前の基板表面8の樹脂出口54が、前辺11を挟んだ状態で後の基板表面8の樹脂入口41に連なり、また、左右に隣接した各基板表面8で見ると、左の基板表面8の横辺13に位置した周縁未形成部55と、右の基板表面8の横辺12に位置した周縁未形成部55とが連なることが分かる。続いて、ステップS703に進み、IC60、ノッチフィルタ70、水晶振動子80やチップ部品90の各電子部品を半田バンプ100等にて各基板表面8のランド16~19に実装すると、図10に示されるように、各絶縁表面4では、レジスト未形成部42,43,44,45が上記各電子部品で隠され、その周囲の内側中継開口46,47,48,49,50、樹脂入口41及び樹脂出口54、外側中継開口52や周縁未形成部55が見えるようになる。そして、ステップS704では封止樹脂6を充填する。詳しくは、図10の絶縁基板4の集合体を金型不図示にセットした後、所定の圧力に加圧したフィラーを含む封止樹脂6をこの金型内に流し込むと、封止樹脂6は、図10でみて最も奥側の各前辺11から供給され、各電子部品の部品表面61,71,81,91を覆ってチューナ2の外形を形成するとともに、広隙間56や狭隙間36に充填される。具体的には、封止樹脂6は、図11でみて奥側から手前側に向けて流れており、各基板表面8の樹脂入口41からレジスト未形成部42に入り、内側中継開口46,47,48,49,50を介してレジスト未形成部43,44,45を埋めて樹脂出口54に到達し、その後辺14付近、つまり、次の基板表面8の前辺11に溜まってから、当該基板表面8のレジスト未形成部42に入る。また、この封止樹脂6は、周縁未形成部55から外側中継開口52を介して上記大きなチップ部品90に相当するレジスト未形成部45にも到達する。そして、封止樹脂6による絶縁基板4の集合体への充填が完了すると、上記金型から絶縁基板4の集合体を取り出し、この封止樹脂6の例えば天井面などに金属コーティングを施しステップS705、一連のルーチンを抜ける。その後、当該集合体は絶縁基板4ごとに分割され、マザーボード1にそれぞれ搭載される。以上のように、本実施例によれば、矩形状の基板表面8にはランド16~19が配置されており、大型のIC60、中型のノッチフィルタ70や水晶振動子80、小型のチップ部品90の各電子部品は、いずれも半田を用いてランド16~19に接続され、基板表面8に実装される。そして、各電子部品の周囲を金属製のカバーではなく封止樹脂6で覆えば、上記半田も一括して封止できるのでモールドアンダーフィル構造、金属製のカバーで各電子部品の周囲を遮蔽する場合に比して、小型、薄型、かつ、低コストのチューナ2を構成できる。ここで、基板表面8には、ソルダーレジスト層30とレジスト未形成領域40とが設けられている。詳しくは、ソルダーレジスト層30は、基板表面8に形成された表面の配線パターン24を保護すべく基板表面8を覆う。これに対し、ソルダーレジスト層30が施されておらず、封止樹脂6の充填までは基板表面8を露出させた領域がレジスト未形成領域40になる。つまり、ソルダーレジスト層30は、基板表面8から電子部品60,70,80,90に向けて隆起し、これら保護層表面31と基板表面8とは高低差があり、部品裏面62,72,92等から基板表面8までの広隙間56は、これら部品裏面62,72,92等から保護層表面31までの狭隙間36よりも高くなる。そして、本実施例のレジスト未形成領域40は、基板表面8を区画する前辺11から、この基板表面8のうち部品裏面62,72,92等の下を経由し、前辺11とは別の後辺14までを連通して形成されている。これにより、封止樹脂6は、基板表面8を露出させた広隙間56を速やかに充填し、上記半田を直ちに封止できる。このように、基板表面8を露出させたレジスト未形成領域40が前辺11と後辺14との間を貫いて樹脂の流動性を真に高めるため、封止樹脂6の封止作業を短時間で完了できる。また、この封止樹脂6には細径のフィラーが不要になって、安価な樹脂でモールドアンダーフィル構造を得ることができ、製造コストの低廉化も阻害しない。しかも、レジスト未形成領域40が樹脂の流動抵抗を低めれば、上記半田には樹脂が完全に充填され、ボイドが生じ難くなる。よって、チューナ2とマザーボード1とをリフロー接続する際に上記半田が再溶融しても、この樹脂6へのクラックを防止できる。この結果、各電子部品60,70,80,90と絶縁基板4との接続信頼性が向上し、さらに、半田バンプ100の形成に要する半田量の調整も容易になる。また、このレジスト未形成領域40では、封止樹脂6が基板表面8に直に密着するため、この点も各電子部品60,70,80,90と絶縁基板4との接続信頼性の向上に寄与する。さらに、複数個の電子部品60,70,80,90を基板表面8に実装すると、基板表面8には、各部品裏面62,72,92等の下が電子部品60,70,80,90の個数だけ広くなり、樹脂の流動抵抗も増加する。しかし、前辺11と後辺14との間を貫いたレジスト未形成領域40は、広隙間56をなすレジスト未形成部42~45や、各部品裏面62,72,92等の下には該当しないものの、これら各レジスト未形成部42~45同士を連通させる内側中継開口46~50を有しており、上述した狭隙間36よりも高い広隙間56を基板表面8の広範囲に亘って設置できる。したがって、複数の電子部品60,70,80,90を基板表面8に実装しても、この基板表面8のうち各部品裏面62,72,92等の下に流入した樹脂の流動性は妨げられない。一方、図3でみてノッチフィルタ70の手前側には大きなチップ部品90が設けられ、そのレジスト未形成部45は、当該チップ部品90の部品裏面下であるが、ノッチフィルタ70下のレジスト未形成部43や内側中継開口50には繋がっていない。しかし、当該レジスト未形成部45には、外側中継開口52を介して基板表面8の外側から封止樹脂6が供給されており、当該チップ部品90も樹脂で完全に封止できる。よって、当該箇所のボイドも回避できる。さらに、大型のIC60下のレジスト未形成部42と、中型のノッチフィルタ70下及び水晶振動子80下のレジスト未形成部43,44との間には、小型のチップ部品90の配置によって形成されるランド19、表面の配線パターン24やソルダーレジスト層30など、樹脂の流動性を妨げる要因が除かれており、同じく基板表面8を露出させた中継開口48,49だけが存在する。よって、種々の大きさの電子部品を基板表面8に複数実装しても、各部品裏面下に樹脂を容易に充填できる。さらにまた、封止樹脂6は、前辺11に連なって大きく形成した入口側の樹脂入口41からレジスト未形成領域40に向けて多量に流入するので、樹脂の流動性がより高くなる。さらに、この樹脂はこのレジスト未形成領域40を速やかに充填した後、後辺14に連なる樹脂出口54から導出する。これにより、チューナ2の製造工程にて、複数の絶縁基板4を連結して集合させれば、樹脂出口54から導出した樹脂は、隣接した他の絶縁基板4の樹脂入口41から流入でき、樹脂の封止作業の効率化を図ることができる。さらにまた、前後に位置した基板表面8でみれば、樹脂出口54が樹脂入口41に対向するため、これら樹脂入口41や樹脂出口54が基板表面8の交差する辺に設けられて対向しない場合に比して、より広範囲のレジスト未形成領域40を基板表面8に配置でき、樹脂の流動性を最も高めることができる。また、大型のIC60は、その部品裏面下が基板表面8の広範囲に亘って存在することになり、樹脂への負荷も広範囲に亘って作用する。しかし、大型のIC60の短辺65を含む端面を、大きく形成された樹脂入口41に近接すれば、封止樹脂6は、当該大型のIC60下のレジスト未形成部42に向けて容易に流入する。さらに、中型の水晶振動子80の短辺85を含む端面を樹脂出口54に近接すれば、この樹脂を、仮に中型の水晶振動子80下のレジスト未形成部44から大型のIC60下のレジスト未形成部42に向けて流した場合に比して、樹脂の流動抵抗を確実に低減できる。さらにまた、広隙間56同士を比較し、本実施例で云えばこの広隙間56を最も高くできるIC60を、大きく形成した樹脂入口41に近接すれば、樹脂は、当該IC60下のレジスト未形成部42に向けて樹脂をより一層容易に流入する。一方、この広隙間56の低い水晶振動子80を樹脂出口54に近接すれば、この樹脂を、仮に中型の水晶振動子80下のレジスト未形成部44から大型のIC60下のレジスト未形成部42に向けて流した場合に比して、樹脂の流動抵抗を確実に低減できる。また、ランド16に設けられた約30μmの予備半田102は、リフローによってIC60を基板表面8に実装する際に、半田バンプ100と一体の太鼓形状になり、広隙間56を高くする。つまり、狭隙間36の高さが例えば約50μmであったとすると、半田バンプ100のみを用い、予備半田102を設けずに確保された広隙間56の高さは、高さ約20μmのソルダーレジスト層30が除かれたレジスト未形成領域40に相当するので約70μmになる。これに対し、予備半田102を設けて確保した広隙間56は約100μmになる。よって、樹脂の流動抵抗を大幅に低減できる。さらに、内面の配線パターン26の如く、配線パターンの内層化を図れば、基板表面8へのソルダーレジスト層30を省略できる。よって、ソルダーレジスト層30の範囲が少なくなり、前辺11と後辺14との間を貫いたレジスト未形成領域40を広範囲に亘って基板表面8に設置できる。ここで、レジスト未形成領域40を広範囲に形成し、ソルダーレジスト層30の範囲が少なくすれば、樹脂の流動性は向上する一方、過度に小さな面積のソルダーレジスト層30は、表面の配線パターン24を保護する機能を低下させるし、また、基板表面8に施し難い。そこで、例えば狭い範囲に隣接するチップ部品90の如く、ソルダーレジスト層30が、近接したランド19,19で挟まれている場合には、隣接するソルダーレジスト層30同士を繋いで略U字状に形成する。これにより、レジスト未形成領域40を広範囲に形成しつつも、ソルダーレジスト層30の機能確保や設置易さに必要な面積も確保できる。本発明は、上記実施例に限定されず、特許請求の範囲を逸脱しない範囲で種々の変更を行うことができる。例えば、上記実施例では、複数個の電気部品が基板表面に実装されているが、その一辺から他辺までが広隙間のレジスト未形成領域で貫かれていれば、本発明は、より大型の1個の電子部品が基板表面に実装される場合にも適用可能である。また、上記実施例では、前辺11と後辺14とが平行に配置され、この形態が最適であるものの、本発明は、前辺11と例えば右側の横辺13との如く、樹脂入口41と樹脂出口54とが交差する辺にそれぞれ設けられていても良い。さらに、予備半田を設置するランドもまた、必ずしも大型の電子部品だけに限定されるものではなく、中型や小型の電子部品に接続されるランドに予備半田を設置してその広隙間をより高くしても良い。さらにまた、上記実施例は、テレビジョンチューナ2に具現化した例で説明されているが、本発明は、モールドアンダーフィル構造を採用する限り、短距離無線通信の通信モジュールなどの各種の電子部品モジュールにも当然に適用可能である。そして、これらいずれの場合にも、上記と同様に、モールドアンダーフィル構造の長所を維持しつつ、接続信頼性を向上できるとの効果を奏する。"