銅、銅合金、鉄、鉄合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる群の内の1つからなる導電性基体の最表面に、銀または銀合金を電気めっきで製膜し、製膜した銀または銀合金めっき層の表層を逆電流電解法で除去し、該表層を除去した銀または銀合金表面を、鏡面仕上げした整面精密プレスでプレス加工して、波長450nm以上の光に対し90以上の反射率の反射層に仕上げる光半導体装置用リードフレームの製造方法。銅、銅合金、鉄、鉄合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる群の内の1つからなる導電性基体の最表面に、銀または銀合金を電気めっきで0.2ないし10μmの厚さに製膜し、製膜した銀または銀合金めっき層の厚さの0.5ないし5を逆電流電解法で除去し、該表層を除去した銀または銀合金表面を、鏡面仕上げした整面精密プレスでプレス加工して、波長450nm以上の光に対し90以上の反射率の反射層に仕上げる光半導体装置用リードフレームの製造方法。前記導電性基体が、条または線の形態である請求項1または2に記載の光半導体装置用リードフレームの製造方法。前記逆電流電解法が周期的逆電解法である請求項1または2記載の光半導体装置用リードフレームの製造方法。前記周期的逆電解法によるめっきは、電流を通電する時間の間に電流を流さない無通電時間がめっき通電時間に対して1/5以上導入する請求項4に記載の光半導体装置用リードフレームの製造方法。請求項1または2に記載の光半導体装置用リードフレームの製造方法で製造された波長450nm以上の光に対して90以上の反射率の反射層を有する光半導体装置用リードフレーム。特許文献1のような公知の技術にて銀またはその合金皮膜を単純に形成しても、反射率は波長400nm~800nmの光で75以上、波長450nmの光で85程度と高水準である。しかしながら、近年の光半導体装置、特にLEDのリードフレームに求められる反射率は、チップの発光効率がいまだ数10程度であることから、これを極力効率的に活用すべく、より一層高い反射率レベル例えば波長450nm以上の光に対して85以上のものが求められてきている。そこで、特許文献2には、銀または銀合金の皮膜の結晶粒径を0.5μm~30μmとし、可視光域の反射率を85以上に高める手法として、めっき厚や表面粗度を規定し、結晶粒径を規定範囲に収めるために熱処理を施す等の技術が開示されている。しかし、この手法を用いた場合、材料に熱処理が施されるため、銀表面の酸化が進行することで反射率の低下が懸念され、また熱処理によって下地が銀表面にまで拡散して反射率の低下やワイヤボンディング性を劣化させることが懸念されている。そこで、本発明は、LEDフォトカプラフォトインタラプタなどに使用される光半導体装置用リードフレームにおいて、可視光域波長400~800nmにおいて全体的に従来の銀皮膜よりも反射率が高く、特に波長450nm近辺で発光するチップに対して反射率が良好で、高輝度かつ放熱性に優れたリードフレームおよびその製造方法を提供することを目的とする。本発明の光半導体装置用リードフレームの製造方法は、銅、銅合金、鉄、鉄合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる群の内の1つからなる導電性基体の最表面に、銀または銀合金を電気めっきで製膜し、製膜した銀または銀合金めっき層の表層を逆電流電解法PR電解法で除去し、該表層を除去した銀または銀合金表面を、鏡面仕上げした整面精密プレスでプレス加工して、波長450nm以上の光に対して85以上の反射率の反射層に仕上げる製造方法である。また、本発明の光半導体装置用リードフレームの製造方法は、銅、銅合金、鉄、鉄合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる群の内の1つからなる導電性基体の最表面に、銀または銀合金を電気めっきで0.2ないし10μmの厚さに製膜し、製膜した銀または銀合金めっき層の厚さの0.5ないし5を逆電流電解法で除去し、該表層を除去した銀または銀合金表面を、鏡面仕上げした整面精密プレスでプレス加工して、波長450nm以上の光に対して85以上の反射率の反射層に仕上げる製造方法である。本発明の光半導体装置用リードフレームの製造方法で用いる前記逆電流電解法が周期的逆電流電解法であることが好ましく、該周期的逆電流電解法によるめっきは、電流を通電する時間の間に電流を流さない無通電時間がめっき通電時間に対して1/5以上とすることが望ましい。本発明の光半導体装置用リードフレームは、前記光半導体装置用リードフレームの製造方法で製造された波長450nm以上の光に対して85以上の反射率の反射層を有するリードフレームである。発明によれば、導電性基体上の最表面反射面に銀または銀合金からなる反射層を電気めっき法で形成し、次いで逆電流電解法で表層部を薄くめっき厚さの5以下除去し、その後鏡面仕上げした整面精密プレスでプレス加工する。このような工程を少なくとも1回以上のサイクルで繰り返すことにより可視光域である波長400~800nmの光に対して反射率を85以上に高めた光半導体装置用リードフレームを製造することができ、該リードフレームを提供することができる。本発明によれば、可視光域である波長400~800nmの光において全体的に従来の銀または銀合金皮膜よりも反射率が高く、特に波長450nm近辺で発光する光半導体チップ搭載時に反射率が良好であり、整面精密プレスでプレス加工することでリードフレーム表面は平滑化され、従って、リードフレームに光半導体素子等を実装する工程で実装のし易いリードフレームを提供することができる。一般に光半導体装置用リードフレームの加工方法は、導電性基体を先ず金型によるプレス打ち抜き加工またはエッチング加工で成形する。リードフレームの成形はファインピッチを要求される場合以外は一般的にプレス加工による打ち抜き加工である。この方法で成形加工すると図5に示すようにリードフレーム基体1の切断部11にバリが生じ、或いは鋭い角度の切断部となる。このようにバリ又は鋭い角度の切断部11が生じたリードフレーム基体1をそのままの状態にして下地めっきを施し、銀の電気めっきを施すと、電流がバリまた鋭い角度の切断部11に集中して、結果的にリードフレーム基板10の角側切断部11の近傍にめっきが厚く付く部分12が発生し、リードフレームの平面性が阻害される。このようにリードフレームに平面性がなくなると搭載するチップとの接続が不安定となり、後の光半導体素子の実装工程に悪影響を及ぼす。また、下地材料の表面状態により、銀めっきを施す際の電流密度が更に切断部11に集中することがあり、下地の表面状態の粗さによっては、2~3倍厚く銀が付着することがあり、前記可視光の反射率を低下させる原因ともなっている。上記問題に鑑み、導電性基体上の最表面に銀からなる反射層を電気めっき法で形成し、該電気めっき層を周期的逆電流PeriodicReversePR電流電解法を使用して、厚くなった切断部の銀めっきを除去することを試み、一応成功したが、平面部の銀めっきまでが溶解除去されてしまい、特に銀めっき厚さが3μm以下の場合、その現象が顕著に現れる結果となった。前記試みに基づき、銀からなる反射層を形成した後、逆電流電解法を使用し、まずリードフレームの平面部の銀めっきの表面突起のみを例えば次の条件で除去した。除去液めっき液:AgCN50g/リットル、KCN100g/リットル、K2CO330g/リットル除去条件:平均電流密度1A/dm2、カソード電流密度7.5A/dm2、アノード電流密度15A/dm2、アノード/カソード時間比7:3、周波数100Hz、温度30°C時間60秒その後、厚くなった切断部の銀めっき層を鏡面仕上げした整面精密プレスで潰して、全体を平面に整形する工程を設けることで優れた反射特性を有するリードフレームの作成に成功し、本発明に至った。なお、プレス加工は整面精密プレスを用いることで、めっきが厚くなった切断部を平面化するだけでなく、さらに、平面部の銀めっき表面状態を改善できる効果もある。本発明のリードフレームは、銀または銀合金以下銀または銀合金を区別して表現する必要がない場合は単に銀と表現することがあるからなる反射層を電気めっき法で形成し、次いで逆電流電解を行い表面粗さが極端に小さなめっき皮膜を形成する。めっき層皮膜を形成し、次いですぐに逆電流電解を行うことにより、パルス電源装置一つで、同じめっき槽で、電気めっきと逆電流電解を繰り返して行うことが可能である。このように銀の電解めっきで形成される銀めっき皮膜表面の微小な凸部を逆電流電解によって削りとり、表面の凹凸を極端に減らし、めっき表面を平滑にする。この結果、波長400~800nmの光に対する反射率を著しく向上させることができる。なお、前記では電気めっきで銀のめっき層皮膜を形成後逆電流電解法で銀めっき皮膜表面の微小な凸部を削りとったが、周期的逆電流電解法によってめっき被膜を形成した後に通常電流で電解研摩を行ってもよいし、めっき皮膜形成及び電解研摩を周期的逆電流電解法で行ってもよい。さらに、鏡面仕上げした整面精密プレスでプレス加工してめっきが厚く付着した切断部を平面化し、チップ搭載性を向上するとともに反射層の平滑化を行うことで、特に波長450nm~800nmで発光する光半導体発光チップを搭載する光半導体装置に好適に採用することができる。光半導体装置用リードフレームは、導電性基体を銅または銅合金、鉄または鉄合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金のいずれかの金属で形成することで、反射率特性がよくかつ反射皮膜を形成するのが容易であり、コストダウンにも寄与する。また、これらの金属を基体とするリードフレームは放熱特性に優れ、発光体が発光する際に発生する熱エネルギーを、リードフレームを介してスムーズに外部に放出することができ、発光素子の長寿命化及び長期にわたる反射率特性の安定化が可能となる。熱放出性は基体金属の導電率に依存する。基体金属としての熱放出性は導電率を規定するIACSInternationalAnnealedCopperStandardで少なくとも10以上あるものが好ましく、50以上であるものがさらに好ましい。光半導体装置用リードフレームは、銀からなる反射層の厚さを0.2μm以上とすることにより、長期信頼性が確保でき好ましい。一方、長期信頼性の面では厚さが10μmで飽和するので、厚さは10μm以下とすることにより必要以上に貴金属を使用することなくコストダウンを図ることができる。従って、反射層の厚さは0.2~10μmであれば効果は十分期待できるが、好ましくは0.5~7μm、さらに好ましくは1~5μmであることが好ましい。また、銀からなる反射層被膜の厚さが0.2μm以下であると、例えば基体に銅の条を用いると、基体の銅成分が銀皮膜の表面にまで拡散しやすくなることから、少なくとも0.2μm以上の被膜厚に形成することが好ましい。実際にめっき厚の上記下限値以上のものと下限値を下回るものとを作製し、長期信頼性、特に耐熱性を比較したところ、上記下限値以上のものの耐熱性がより高いことを確認した。光半導体装置用リードフレームは、導電性基体と銀からなる反射層との間に、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅または銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる中間層下地めっき層を形成することが好ましい。例えば、鉄系の基体を用いた場合は材料の熱伝導度が比較的低いため、下地めっきに銅または銅合金層を施すことにより、反射率を損なうことなく放熱性を向上させることができる。さらに、前記の銅めっきはめっき密着性の向上にも寄与するため発光素子が発光する際の発熱による密着性の劣化を防止できる。銅または銅合金を基体として用いた場合は、発光素子が発光する際の発熱による基体成分の反射層への拡散を抑制するために、下地にニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金層を施すことが有効である。これらの下地めっきの厚さは限定するものではないが、0.2~2.0μmの範囲が好ましい。光半導体装置用リードフレームのめっき皮膜は電気めっき法にて形成することが好ましい。クラッド法により張り合わせて反射層を形成する方法も考えられるが、貴金属被覆膜厚を数μmオーダーで好適に制御するには適していない。このため、反射層を形成するには厚さをマイクロメートルオーダーで適切に制御する製造方法として、電気めっき法が生産性やコスト面から優れる。本実施形態の光半導体装置は、少なくとも光半導体素子を搭載する箇所にのみ銀からなる反射層を設けることも可能である。このように部分的に反射層を設けることで、低コストで効果的に反射率特性を得ることができる。これは、光半導体素子の搭載部にのみ銀からなる反射層を形成することで、反射率特性は十分効果が上げられるためである。この場合、銀からなる反射層は部分的に形成する。例えばストライプめっきやスポットめっきなどの部分めっきで形成することができる。反射層が部分的に形成されるリードフレームを製造することは、反射層が不要となる部分の金属使用量を削減でき、環境にやさしく低コストの光半導体装置とすることができる。このように部分的に反射層を形成する手法では切断部が存在しないが、鏡面仕上げした整面精密プレスでプレス加工することで、逆電流電解後のめっき面を平滑化することができ、チップ搭載性をより向上することができる。以下、本発明の光半導体装置用リードフレームの実施の形態を、図面を用いて説明する。各図においては、リードフレームに光半導体素子が搭載されている状態を示す。なお、各実施形態はあくまでも一例であり、本発明の範囲は各実施形態に限定されるものではない。また、図示した形態は説明に必要な限度で省略して示しており、寸法や具体的なリードフレームないしは素子の構造が図示したものに限定して解釈されるものではない。図1は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの第一の実施形態を示す概略断面図である。本実施形態のリードフレーム10は、導電性基体1上に銀からなる反射層2が形成され、反射層2の一部の表面上に光半導体素子3が搭載され、該光半導体素子3はボンディングワイヤー7によって破断部9にて絶縁された他方のリードフレーム50と接続され、回路が形成されている。本実施形態のリードフレームは、銅または銅合金、鉄または鉄合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる群の内の1つからなる金属線または金属条をプレス加工でリードフレーム形状の基体1に裁断する。次いで裁断したリードフレーム基体1の全面に、或いは光半導体素子3等を搭載する近辺の最表面に、銀または銀合金を電気めっきで製膜し反射層2とする。製膜条件等は後述する。次に銀を製膜した反射層2の最表面を逆電流電解法、好ましくは周期的逆電流電解法で製膜した銀層の厚さの0.5~5の厚さを溶解除去し、銀皮膜反射層表面の微小な突起を溶かし表面を平滑化する。平滑化した銀層表面を更に鏡面仕上げした整面精密プレスでプレス加工して表面平滑度を更に向上させ、銀または銀合金層表面反射層表面を、波長450nm以上の光を85以上の反射率で反射する反射層2に仕上げる。仕上げた反射層の上には光半導体素子3が搭載され、ボンディングワイヤー7で他方のリードフレーム50と接続されて回路を構成している。図2は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの第二の実施形態を示す概略断面図である。図2に示す実施形態のリードフレーム20が、図1に示すリードフレームと異なる点は、導電性基体1と反射層2との間に、中間層下地めっき層4が形成されていることである。その他の点については、図1に示すリードフレームと同様である。なお、中間層4については後述する。図3は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの第三の実施形態を示す概略断面図である。図3は、図2に示すリードフレーム20の反射層2上に搭載した光半導体素子3をモールド樹脂5および封止樹脂6によって水密に保護した様子を便宜的に示している。なお、図3は反射層2をリードフレーム1の全面に施した実施形態を示しているが、反射層2は光半導体素子3が搭載される部分及びその近傍である反射現象を起こす箇所および、モールド樹脂5の内部にのみ形成するようにしてもよい。図4は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの第四の実施形態を示す概略断面図である。図4に示すリードフレーム40は、導電性基体1の片面に銀からなる反射層2が形成されている。この実施態様のように、リードフレームの片面だけに反射層2を形成して光半導体装置を構成することも可能である。なお、本実施形態における概略断面図では、反射層2は導電性基体1の表層に段差を持って形成されているが、段差をなくす等、どのような形態に仕上げてもよい。また、図4において中間層4は導電性基体1の全面に形成されているが、導電性基体1と反射層2との間に介在する形態であれば、部分的に形成されていてもよい。以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。実施例として、厚さ0.25mm、幅180mmの表1に示す導電性基体に以下に示す前処理を行った後、表1に示す電気めっき処理または逆電流電解処理で銀皮膜を形成後、逆電流電解処理または通常の電解処理で電解研磨を施し、最後に鏡面状に仕上げた整面精密プレスでプレス加工して表面平滑度を更に向上させた本発明例1~27を作製した。参考例は、表1に示す導電性基体に通常電解で銀皮膜を形成後逆電流電解処理を施して電解研磨し、プレス加工を施さないでリードフレームとした。また、従来例1として、板厚0.25mm、幅180mmの表1に示す導電性基体に以下に示す前処理を行った後、電気めっき処理で銀皮膜を製膜し、リードフレームを作製した。また従来例2では、従来例1で得られたリードフレームに熱処理を残留酸素濃度500ppm以下の窒素雰囲気にて、300°Cで5分行い、結晶粒径を熱処理によって調整した。導電性基体として用いられた材料のうち、C18045EFTEC-64T、Cu-Cr-Sn-Zn系合金材料:Cu-0.3Cr-0.25Sn-0.5Zn、C19400Cu-Fe系合金材料:Cu-2.3Fe-0.03P-0.15Zn、C26800黄銅:Cu-35Zn、C52100リン青銅:Cu-8Sn-P、およびC77000洋白:Cu-18Ni-27Znは銅または銅合金の基体を表し、Cの後の数値はCDACopperDevelopmentAssociation規格による種類を示す。なお、C18045EFTEC-64Tは、古河電気工業株式会社製の銅合金である。また、A2014はアルミニウムまたはアルミニウム合金の基体を表し、日本工業規格JISH4000:2006などにその成分が規定されている。また、42アロイは鉄系基体を表し、ニッケルを42質量含有し、残部が鉄と不可避不純物からなる合金を表す。なお、基体がA2014のときは電解脱脂酸洗亜鉛置換処理の工程を経て、その他の基体の場合は電解脱脂酸洗の工程を経た前処理を行った。また、それぞれ銀めっきを行う前は、銀ストライクめっきを行った。前処理条件[電解脱脂]脱脂液:NaOH60g/リットル脱脂条件:2.5A/dm2、温度60°C、脱脂時間60秒[酸洗]酸洗液:10硫酸酸洗条件:30秒間浸漬、酸洗温度:室温[亜鉛置換]基体がアルミニウムの時に使用亜鉛置換液:NaOH500g/リットル、ZnO100g/リットル、酒石酸C4H6O610g/リットル、FeCl22g/リットル処理条件:30秒間浸漬、温度:室温[Agストライクめっき]めっき液:KAgCN24.45g/リットル、KCN60g/リットルめっき条件:電流密度:5A/dm2、温度:25°C下地めっき条件[Niめっき]めっき液:NiSO3NH224H2O500g/リットル、NiCl230g/リットル、H3BO330g/リットルめっき条件:電流密度:5A/dm2、温度:50°C[Coめっき]めっき液:CoSO3NH224H2O500g/リットル、CoCl230g/リットル、H3BO330g/リットルめっき条件:電流密度:5A/dm2、温度:50°C[Cuめっき]めっき液:CuSO45H2O250g/リットル、H2SO450g/リットル、NaCl0.1g/リットルめっき条件:電流密度:6A/dm2、温度:40°C銀めっき条件[Agめっき]めっき液:AgCN50g/リットル、KCN100g/リットル、K2CO330g/リットルめっき条件:平均電流密度:1A/dm2、温度:30°C逆電流電解処理めっき時のアノード電流とカソード電流の電流比、時間比よりめっき被膜形成比を算出した。めっき被膜形成時には、アノード電流に対するカソード電流の比が大きくなければならない。パルス電源装置は北斗電工株式会社のパルスメッキ電源装置HCP-301Hを用いて、平均電流密度1A/dm2、カソード電流密度7.5A/dm2、アノード電流密度15A/dm2、アノード/カソード時間比7:3、周波数100Hz、温度30°C、時間60秒で行った。評価方法上記のようにして得られた、表1の発明例、参考例および従来例のリードフレームについて、下記試験および基準により評価を行った。その結果を表1に示す。1A反射率測定:分光光度計V660商品名、日本分光株製において、全反射率を300nm~800nmにかけて連続測定を実施した。このうち、400nm、450nm、および600nmにおける全反射率を表1に示す。それぞれ波長400nmでの反射率を85以上、波長450nm~800nmでの反射率を90以上であることを要求特性とした。1B耐熱性:150°Cの温度で3時間大気中にて熱処理を行った後、上記反射率測定を実施した。その結果、波長450nmの全反射率がまったく変化しなかったものをA、反射率低下が10以上だったものをBとし、反射率低下が10未満だったものを耐熱性に優れ安定な反射率が得られる実用レベルとして表1に示した。これらの結果から明らかなように、発明例は、従来例よりも400~800nmにおける反射率が従来例よりも良好であり、400nmで85以上、450~800nmで90以上を満足した。この結果から本発明例では従来の技術では達成し得なかった非常に優れた反射率が得られていることが分かる。一方の従来例1および参考例1は通常の銀めっき品であるが、波長400nmの反射率が85以下、さらに波長450nmでは反射率が85、87であった。この結果、450nm発光のチップを搭載した場合、本発明例の方が5~10も輝度が高いことを意味する。さらに従来例2は、銀めっき後に熱処理を施して結晶粒径を0.5μm以上に粗大化させた例であるが、初期の反射率が波長400nmでは85を僅かながら下回っており、さらに耐熱性が劣っていることが分かる。これは、リードフレームに従来例2のような熱処理を施すと、基体の銅成分が表層にまで拡散しやすくなり、その結果耐熱性に劣るものと考えられる。このため、熱処理を用いていない本発明例では耐熱性にも優れ、反射率が熱劣化しにくい光半導体用リードフレームが提供できる。これらの結果から、最表層の銀からなる反射層を形成後、逆電流電解法、または通常の電解法で製膜した銀層の厚さの0.5~5の厚さを溶解除去し、銀皮膜反射層表面の微小な突起を溶かし表面を平滑化し、鏡面状態に仕上げた整面精密プレスでプレス加工して表面平滑度を更に向上させたことで、波長400nmの光に対して反射率85以上、波長450~800nmの光に対して反射率90以上が達成でき、本発明のリードフレームを光半導体装置に用いることで、優れた輝度を示し、かつ耐熱性に優れるので長期にわたって高輝度を維持できる、優れた光半導体装置を提供できる。