ロゴスキーコイルと、前記ロゴスキーコイルの出力信号を積分する積分器と、前記ロゴスキーコイルに沿った円環状部分を有する光ファイバと、前記光ファイバに直線偏光波を入射し、磁界により生じたファラデー回転を電気信号に変換する光源/光検出信号処理部と、前記積分器の出力と前記光源/光検出信号処理部の出力とを足し合わせる加算器と、を備えたことを特徴とする電流センサ。前記積分器の出力および前記光源/光検出信号処理部の出力を比較し、それぞれのゲインを調整するゲイン比較/調整部をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の電流センサ。前記光源/光検出信号処理部の出力信号の高域帯を遮断するローパスフィルタをさらに備えたことを特徴とする請求項1または2に記載の電流センサ。ロゴスキー型電流センサは、電流の時間微分値を検出する方式のため、直流成分を測定することができない。一方で、光ファイバ電流センサは、直流、交流ともに測定することができるが、一般に、ファラデー効果の感度は小さいため、S/N比が良くない。ファラデー効果の感度を上げるためには導体250の周囲の光ファイバ310の巻数を増やす必要があるが、巻数を増やすと光ファイバの長さが長くなり、高域特性が低下してしまうという問題がある。そこで、本発明は、被測定電流が流れる導体の大きさ、形状に柔軟に対応でき、直流交流とも高S/N比で測定可能な電流センサを提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明の電流センサは、ロゴスキーコイルと、前記ロゴスキーコイルの出力信号を積分する積分器と、前記ロゴスキーコイルに沿った円環状部分を有する光ファイバと、前記光ファイバに直線偏光波を入射し、磁界により生じたファラデー回転を電気信号に変換する光源/光検出信号処理部と、前記積分器の出力と前記光源/光検出信号処理部の出力とを足し合わせる加算器と、を備えたことを特徴とする。ここで、前記積分器の出力および前記光源/光検出信号処理部の出力を比較し、それぞれのゲインを調整するゲイン比較/調整部をさらに備えるようにしてもよい。また、前記光源/光検出信号処理部の出力信号の高域帯を遮断するローパスフィルタをさらに備えるようにしてもよい。本発明によれば、被測定電流が流れる導体の大きさ、形状に柔軟に対応でき、直流交流とも高S/N比で測定可能な電流センサが提供される。本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る電流センサ10の構成を示す図である。本図に示すように、導体250を流れる電流Iを測定する電流センサ10は、非磁性体芯材110に導線を巻き付けたロゴスキーコイル120と、非磁性体芯材110に沿って円環状に巻かれた光ファイバ130と、ロゴスキーコイル120の誘起起電力を積分する積分器140と、光源/光検出信号処理部150と、積分器140の出力を増幅する第1増幅器160と、光源/光検出信号処理部150の出力を増幅する第2増幅器162と、ゲイン比較/調整部170と、第2増幅器162の高周波成分を除去するローパスフィルタLPF180と、第1増幅器160の出力とローパスフィルタ180LPFの出力とを足し合わせる加算器190とを備えている。積分器140は、例えば、オペアンプによるミラー積分器を用いることができ、ロゴスキーコイル120の誘起起電力を積分して第1増幅器160に出力する。光源/光検出信号処理部150は、光ファイバ130に直線偏光波を入射し、磁界により生じたファラデー回転を被測定電流Iに比例した電気信号に変換する処理を行ない、第2増幅器162に出力する。ゲイン比較/調整部170は、積分器140の出力と光源/光検出信号処理部150の出力とを比較し、それぞれの検出感度を合わせる処理を行なう。なお、非磁性体芯材110を中空とし、円環状の光ファイバ130を中空部分に通すようにしてもよい。本実施形態に係る電流センサ10は、被測定電流Iを流す導体250が、非磁性体芯材210の中央を貫通するように配置される。また、非磁性体芯材110に沿って円環状に巻かれた光ファイバ130は、高S/N比を実現するために、巻数を増やすことができる。すなわち、本実施形態の電流センサ10は、ロゴスキー型の電流センサと光ファイバ電流センサとを組み合わせることにより、被測定電流が流れる導体の大きさ、形状に柔軟に対応でき、直流交流とも高S/N比で測定可能としている。光ファイバ電流センサの検出結果を出力する光源/光検出信号処理部150から出力された検出結果は、LPF180を通すことにより、高域側をカットしている。このため、高S/N比で測定可能とするために光ファイバ130の巻数を増加させることによって高域特性が低下しても、測定結果に影響を与えることを防いでいる。電流センサ10では、被測定電流Iの測定に先立ち、導体250に既知の基準電流I0を流してゲイン比較/調整部170が第1増幅器160および第2増幅器162のゲイン設定を行なう。ゲイン設定において、ゲイン比較/調整部170は、光源/光検出信号部150の出力を停止させ、第1増幅器160の出力が基準電流I0と一致するように第1増幅器160のゲインを設定し、また、積分器140の出力を停止させ、第2増幅器162の出力が基準電流I0と一致するように第2増幅器162のゲインを設定する。以降は、設定されたゲインにより導体250を流れる被測定電流Iの測定を行なうことができる。このとき、積分器140の出力値の周波数特性と、光源/光検出信号部150の出力値の周波数特性は既知であるため、加算器190の出力値に基づいて被測定電流Iの測定値を得ることができる。なお、LPF180を積分器140の出力値の周波数特性と、光源/光検出信号部150の出力値の周波数特性とを考慮して設計するようにしてもよい。被測定電流Iの測定時において、ロゴスキーコイル120には、導体250を流れる測定電流Iの変化に応じた誘起起電力が生じる。この誘起起電力を積分器140が積分し、積分器140の出力を、第1増幅器160がゲイン比較/調整部170によって設定されたゲインで増幅する。同時に、導体250を流れる測定電流Iにより光ファイバ130入射された直線偏光波にファラデー回転が生じ、光源/光検出信号処理部150がファラデー回転を被測定電流Iに比例した電気信号に変換し、出力する。この出力を、第2増幅器162がゲイン比較/調整部170によって設定されたゲインで増幅する。そして、加算器190が第1増幅器160の出力と第2増幅器162の出力とを加算して出力する。なお、図1に示した例では、非磁性体芯材110に導線を巻き付けてロゴスキーコイル120を形成していたが、図2に示すように、円環状の光ファイバ130を芯材にしてロゴスキーコイル120を形成して電流センサ11を構成してもよい。この場合、非磁性体芯材110は省略することができる。以上説明したように、本実施形態の電流センサによれば、被測定電流が流れる導体の大きさ、形状に柔軟に対応でき、直流交流とも高S/N比で測定可能となる。