略平行配置され、透明電極が形成された第1の基板、及び、第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板の間に枠状に配置されたシール材と、前記第1の基板と前記第2の基板の間の、前記シール材の枠内領域に配置され、誘電率異方性が負の液晶材料が充填された、垂直配向する液晶層と、前記第1の基板の、前記液晶層とは反対側に配置される第1の偏光層、及び、前記第2の基板の、前記液晶層とは反対側に配置される第2の偏光層であって、略クロスニコルに配置され、一方の偏光層の吸収軸は、電圧印加時における前記液晶層の厚さ方向の中央に位置する液晶分子の配向方位に対して略45°となるように配置された第1の偏光層、及び、第2の偏光層と、前記第1の基板と前記第1の偏光層の間、前記第2の基板と前記第2の偏光層の間の少なくとも一方に配置された、負の二軸光学異方性を有する光学補償板であって、面内遅相軸方位が、近接する前記第1または第2の偏光層の吸収軸方位と略直交するように配置された負の二軸光学異方性を有する光学補償板とを有し、前記第1の基板、前記第2の基板の少なくとも一方は、前記液晶層側に突出する、高さが略等しい第1の高さである複数の凸部を備え、前記複数の凸部は、前記シール材の枠内領域にのみ形成され、前記凸部のない位置の前記液晶層は第2の厚さを有し、前記凸部の存在により、前記液晶層の厚さが、前記第2の厚さから前記第1の高さを減じた厚さとなる領域の面積が、前記凸部を備える基板の、前記液晶層が配置される領域の面積の5以上50以下のαである液晶表示素子。前記第1の高さは、0.5μm以上で、前記第2の厚さ以下である請求項1に記載の液晶表示素子。前記複数の凸部は規則的に配置されている請求項1または2に記載の液晶表示素子。前記第1の高さ、前記第2の厚さ、及び前記αは、前記第1、第2の偏光層の一方の吸収軸方位に対して45°方位、極角50°方向から観察したときに、前記液晶層への電圧無印加状態において、光抜けする光の色度が、0.28≦x<0.34、0.28≦y<0.34となる値である請求項1~3のいずれか1項に記載の液晶表示素子。前記凸部の断面形状は、基板に接する辺が相対的に長く、接しない辺が相対的に短く、側辺が傾斜するテーパー状である台形状である請求項1~4のいずれか1項に記載の液晶表示素子。前記第1の基板、前記第2の基板の双方が、前記液晶層側に突出する複数の凸部を備え、前記複数の凸部は、前記第1、第2の基板の法線方向から見たとき、重ならないように配置されている請求項1~5のいずれか1項に記載の液晶表示素子。前記第1、第2の基板の一方が前記複数の凸部を備え、他方が前記液晶層の厚さを制御する複数の柱状スペーサーを備え、前記複数の柱状スペーサーは、前記複数の凸部が配置されない前記一方基板上の領域に対向する位置の前記他方基板上に配置される請求項1~6のいずれか1項に記載の液晶表示素子。前記第1、第2の基板の一方が前記複数の凸部を備え、他方が前記液晶層の厚さを制御する複数の柱状スペーサーを備え、前記複数の凸部のうちの少なくとも1つには凹部が形成され、該凹部に対向する位置の前記他方基板上に、前記柱状スペーサーが配置されている請求項1~6のいずれか1項に記載の液晶表示素子。略平行配置され、透明電極が形成された第1の基板、及び、第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板の間に枠状に配置されたシール材と、前記第1の基板と前記第2の基板の間の、前記シール材の枠内領域に配置され、誘電率異方性が負の液晶材料が充填された、垂直配向する液晶層と、前記第1の基板の、前記液晶層とは反対側に配置される第1の偏光層、及び、前記第2の基板の、前記液晶層とは反対側に配置される第2の偏光層であって、略クロスニコルに配置され、一方の偏光層の吸収軸は、電圧印加時における前記液晶層の厚さ方向の中央に位置する液晶分子の配向方位に対して略45°となるように配置された第1の偏光層、及び、第2の偏光層と、前記第1の基板と前記第1の偏光層の間、前記第2の基板と前記第2の偏光層の間の少なくとも一方に配置された、負の二軸光学異方性を有する光学補償板であって、面内遅相軸方位が、近接する前記第1または第2の偏光層の吸収軸方位と略直交するように配置された負の二軸光学異方性を有する光学補償板とを有し、前記第1の基板、前記第2の基板の少なくとも一方は、前記液晶層側に突出する、高さが略等しい第1の高さである複数の凸部を備え、前記複数の凸部は、前記シール材の枠内領域にのみ形成され、前記凸部のない位置の前記液晶層は第2の厚さを有し、前記凸部の存在により、前記液晶層の厚さが、前記第2の厚さから前記第1の高さを減じた厚さとなる領域の面積が、前記凸部を備える基板の、前記液晶層が配置される領域の面積の5以上50以下のαである液晶表示素子を、一対のマザー基板を用いて複数製造する液晶表示素子の製造方法であって、前記凸部を前記シール材の枠内領域以外のマザー基板上には形成しないことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。本発明の目的は、良好な品質の液晶表示素子及びその製造方法を提供することである。本発明の一観点によると、略平行配置され、透明電極が形成された第1の基板、及び、第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板の間に枠状に配置されたシール材と、前記第1の基板と前記第2の基板の間の、前記シール材の枠内領域に配置され、誘電率異方性が負の液晶材料が充填された、垂直配向する液晶層と、前記第1の基板の、前記液晶層とは反対側に配置される第1の偏光層、及び、前記第2の基板の、前記液晶層とは反対側に配置される第2の偏光層であって、略クロスニコルに配置され、一方の偏光層の吸収軸は、電圧印加時における前記液晶層の厚さ方向の中央に位置する液晶分子の配向方位に対して略45°となるように配置された第1の偏光層、及び、第2の偏光層と、前記第1の基板と前記第1の偏光層の間、前記第2の基板と前記第2の偏光層の間の少なくとも一方に配置された、負の二軸光学異方性を有する光学補償板であって、面内遅相軸方位が、近接する前記第1または第2の偏光層の吸収軸方位と略直交するように配置された負の二軸光学異方性を有する光学補償板とを有し、前記第1の基板、前記第2の基板の少なくとも一方は、前記液晶層側に突出する、高さが略等しい第1の高さである複数の凸部を備え、前記複数の凸部は、前記シール材の枠内領域にのみ形成され、前記凸部のない位置の前記液晶層は第2の厚さを有し、前記凸部の存在により、前記液晶層の厚さが、前記第2の厚さから前記第1の高さを減じた厚さとなる領域の面積が、前記凸部を備える基板の、前記液晶層が配置される領域の面積の5以上50以下のαである液晶表示素子が提供される。また、本発明の他の観点によると、略平行配置され、透明電極が形成された第1の基板、及び、第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板の間に枠状に配置されたシール材と、前記第1の基板と前記第2の基板の間の、前記シール材の枠内領域に配置され、誘電率異方性が負の液晶材料が充填された、垂直配向する液晶層と、前記第1の基板の、前記液晶層とは反対側に配置される第1の偏光層、及び、前記第2の基板の、前記液晶層とは反対側に配置される第2の偏光層であって、略クロスニコルに配置され、一方の偏光層の吸収軸は、電圧印加時における前記液晶層の厚さ方向の中央に位置する液晶分子の配向方位に対して略45°となるように配置された第1の偏光層、及び、第2の偏光層と、前記第1の基板と前記第1の偏光層の間、前記第2の基板と前記第2の偏光層の間の少なくとも一方に配置された、負の二軸光学異方性を有する光学補償板であって、面内遅相軸方位が、近接する前記第1または第2の偏光層の吸収軸方位と略直交するように配置された負の二軸光学異方性を有する光学補償板とを有し、前記第1の基板、前記第2の基板の少なくとも一方は、前記液晶層側に突出する、高さが略等しい第1の高さである複数の凸部を備え、前記複数の凸部は、前記シール材の枠内領域にのみ形成され、前記凸部のない位置の前記液晶層は第2の厚さを有し、前記凸部の存在により、前記液晶層の厚さが、前記第2の厚さから前記第1の高さを減じた厚さとなる領域の面積が、前記凸部を備える基板の、前記液晶層が配置される領域の面積の5以上50以下のαである液晶表示素子を、一対のマザー基板を用いて複数製造する液晶表示素子の製造方法であって、前記凸部を前記シール材の枠内領域以外のマザー基板上には形成しないことを特徴とする液晶表示素子の製造方法が提供される。本発明によれば、良好な品質の液晶表示素子及びその製造方法を提供することができる。本願発明者は、まず、従来の液晶表示素子の光抜けについてシミュレーション解析を行った。図1A及び図1Bは、それぞれシミュレーション解析の対象とした液晶表示素子の従来例を示す概略的な断面図及び斜視図である。従来例による液晶表示素子は、相互に略平行に対向配置された上側基板セグメント基板80、下側基板コモン基板81、両基板80、81間に配置された液晶層82、上側偏光板83、及び、下側偏光板84を含んで構成される。上側基板80は、上側ガラス基板透明基板80a、上側ガラス基板80a上に形成された上側透明電極セグメント電極80b、及び、上側電極80b上に形成された上側配向膜80cを含む。同様に、下側基板81は、下側ガラス基板透明基板81a、下側ガラス基板81a上に形成された下側透明電極コモン電極81b、及び、下側電極81b上に形成された下側配向膜81cを含む。上側及び下側電極80b、81bはたとえばITOで形成され、所望の意匠を表示できるようパターニングされている。液晶層82は、垂直配向する液晶層である。液晶層82には、誘電率異方性が負の液晶材料が充填されている。上側偏光板83は、偏光層83a及びTAC層83bを含み、TAC層83bが上側ガラス基板80aに対向するように、上側基板80の液晶層82とは反対側の面に配置される。TAC層は、Cプレートとして機能することが知られている。下側偏光板84は、偏光層84a及び視角補償板二軸フィルム84bを含み、二軸フィルム84bが下側ガラス基板81aに対向するように、下側基板81の液晶層82とは反対側の面に配置される。上側及び下側偏光板83、84偏光層83a、84aは略クロスニコルに、かつ、一方の偏光板偏光層吸収軸が、電圧印加時における液晶層82の中央分子液晶層82の厚さ方向の中央に位置する液晶分子82aの配向方位に対して略45°となるように配置される。また、二軸フィルム84bは、その面内遅相軸方位が近接する偏光層84aの吸収軸方位と略直交するように配置される。図示は省略したが、下側偏光板84の下方には、バックライトが配置される。バックライトは、冷陰極管、無機LED、有機LED、電球などの光源を用いて構成される。液晶表示素子の表示状態は、上側偏光板83側から観察される。シミュレーション解析においては、偏光板吸収軸に対して45°方位における正面観察時を基準に、50°極角から観察したときの光抜けの色調を、株シンテック製液晶表示器シミュレータLCDMASTER72で計算した。解析にあたり、液晶層82のリタデーションを320nm、二軸フィルム84bの面内リタデーションReを55nm、厚さ方向のリタデーションRthを220nmに設定し、面内遅相軸方位は最近傍の偏光層84a吸収軸に直交するよう配置した。なお、材質は、ノルボルネン系プラスティックフィルムを想定した。Cプレートとして機能するTAC層83bの厚さ方向のリタデーションRthは、略50nmに設定した。上側及び下側偏光板83、84の偏光層83a、84aは、株ポラテクノ製SKN18243Tを想定し、吸収軸方位は上側が135°、下側は45°とした。液晶層82は、プレティルト角89°にて設定されたモノドメイン配向構造のものを想定し、プレティルト角の方位は液晶層82中央で90°方位とした。バックライトの光源には、標準光源D65を用いた。本願発明者は、比較のために、特許文献2に示される、Cプレートを用いて補償する液晶表示素子についても、シミュレーション解析を行った。図2は、比較例としてシミュレーション解析の対象とした液晶表示素子を示す概略的な斜視図である。比較例においては、下側偏光板84が、偏光層84aとTAC層84cの積層により構成されている点、及び、下側偏光板84と下側基板81との間にCプレート85が配置されている点において、図1A、図1Bに示した液晶表示素子と異なる。Cプレート85は、厚さ方向のリタデーションRthを180nmとし、材質はノルボルネン系プラスティックフィルムを想定した。その他の点においては、図1A、図1Bに示す液晶表示素子と等しい。図3は、従来例図1A、図1B及び比較例図2による液晶表示素子における、電圧無印加時の分光スペクトルを示すグラフである。本図に示すシミュレーション解析結果は、方位0°、液晶表示素子基板法線方向を極角0°と定義した場合の、極角50°から観察した場合の電圧無印加時分光スペクトルである。グラフの横軸は、光の波長を単位nmで示し、縦軸は光透過率を単位で示す。実線は二軸フィルムを用いた液晶表示素子図1A、図1Bに示す従来例による液晶表示素子、破線はCプレートを用いた液晶表示素子図2に示す比較例による液晶表示素子について、光抜けする光の波長と透過率の関係を示す。図1A、図1Bに示す従来例による液晶表示素子においては、530nm付近でほぼ光抜けのない状態が得られているが、短波長側、長波長側にシフトするにしたがって光抜けが増加する傾向がある。このため光抜けに着色が生じる。図2に示す比較例による液晶表示素子においては、従来例による液晶表示素子と比べたとき、非常に大きい光抜けが生じていることがわかる。しかし広い波長範囲でフラットな光抜け状態である。本願発明者は、実際に図2に示す比較例と同条件で液晶表示素子を作製して観察した。その結果、光抜けは大きいが、着色する現象は見られなかった。図3に示すシミュレーション結果から、二軸フィルムを用いた場合、偏光板の視角特性をすべての波長範囲では完全には改善できないために光抜けが生じ、フィルムや液晶層のパラメータ等により様々な色調に着色すると考えられる。図4A~図4Gは、第1の実施例による液晶表示素子の製造方法を示す概略図である。図4Aを参照する。片面が研磨処理され、その表面にSiO2アンダーコートが施され、その上にITO透明導電膜が成膜された青板ガラス基板80a、81aを作製し、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程にて、ITO導電膜に所望の電極パターンを形成し、ガラス基板80a、81a上にセグメント電極80b、コモン電極81bを形成する。図4Bを参照する。ガラス基板81aを30秒回転させ、コモン電極81b上に、株大阪有機化学製透明ネガ型感光性樹脂をスピンナーにて所望の厚さに塗布し、ホットプレート上で100°C、120秒間の仮焼成を行い、樹脂膜を形成する。膜厚はスピンナーの回転数により、略0.5μm~略5μmの範囲で制御可能である。高圧水銀ランプを光源とする密着露光機を用い紫外線を、所望の柱状スペーサーが形成できるように作製されたフォトマスクを介して、樹脂塗布面とフォトマスクを略密着させた状態で露光する。その後、濃度1の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に浸漬することにより、感光性樹脂の現像を行い、純水を使用してのリンス、基板の乾燥の後、クリーンオーブン内で220°C、30分の本焼成を行うことで、コモン電極81b上に複数の等しい高さの凸部81dを形成する。図4Cを参照する。ガラス基板80a、81aを弱アルカリ、純水にてブラシ洗浄後、基板80a、81aを乾燥させ、低圧水銀ランプまたは酸素キャリアを用いた大気圧プラズマ等によるドライ洗浄を行う。次に、フレキソ印刷法にて所望のパターンの株チッソ石油化学製垂直配向膜を両基板にパターン塗布する。コモン基板に関しては、コモン電極81b上及び凸部81d上に塗布がなされ、セグメント基板に関しては、セグメント電極80b上に塗布が行われる。クリーンオーブン内で、90°C、略5分の仮焼成、160°C~280°C、30分~60分の本焼成を実施する。コモン電極81b上及び凸部81d上に垂直配向膜81cが形成され、セグメント電極80b上に垂直配向膜80cが形成される。焼成後、一方の基板または双方の基板に対してラビング処理を行う。一方の基板にのみラビング処理を施す場合は、凸部81dが存在しない基板セグメント基板を処理することが好ましい。なお、たとえば特開2004-252298号公報に記載があるように、コモン電極及びセグメント電極に矩形状開口部スリットが、電極間で開口部短手方向に互い違いに配置されている電極構造が採用され、電極間に電圧を印加したときには、開口部のエッジ付近に発生する斜め電界により、液晶分子配向が制御できる場合には、ラビング処理は不要である。こうして、セグメント基板80及びコモン基板81が作製される。図4Dを参照する。液晶表示素子の2枚の基板80、81が重なる領域の外形よりわずかに小さい枠状のシール86を一方の基板に印刷する。シール86の印刷にあたっては、凸部81dが、枠状シールの内側領域にのみ配置するようにする。シール86を印刷しない基板に対しては、所望のセル厚が得られる球状スペーサーを、乾式散布法で面内にランダムに配置する。実施例においては、シール材として株三井化学製ストラクトボンドHC1920、ガラススペーサーとしては、株宇部日東化成製のハイプレシカ、導電性粒子としては株積水化学製の導電性粒子AUEを用いた。両基板80、81を電極80b、81b形成面が対向するように貼り合わせ、150°Cで熱圧着することにより、基板間の均一性を向上させつつ固着した。焼成時間は1時間以上とした。図4Eを参照する。図4A~図4Dを参照して説明した工程は、2枚のマザー基板90から、規則的に配置された複数の液晶表示素子を取り出すように実施した多面取り。図4Eには、一対のマザー基板90から、6つの液晶表示素子が作製される例を示した。マザー基板90には、液晶表示素子の製造工程、たとえば上下基板を重ね合わせる際の位置合わせに利用されるアライメントマーク91、複数の液晶表示素子を個々に分離する際の切断位置を示すカットマーク92が形成されている。シール86形成位置の側部には、外部取り出し電極87が形成される。上述のように、凸部81dは、枠状シール86の内側にのみ配置され、外部取り出し電極87、マザー基板90のエッジ周囲、アライメントマーク91上、及びカットマーク92上には配置されない。すなわち凸部81dは、シール86の枠内領域以外のマザー基板90上には形成されない。たとえば凸部81dがアライメントマーク91上やカットマーク92上に配置された場合、これらのマーク91、92を観察しにくくなり、高精度で液晶表示素子を製造することが困難になり、製造歩留まりを低下させる場合が生じる。凸部81dを枠状シール86の内側にのみ配置することで、高精度に、歩留まりの低下を回避して、液晶表示素子を製造することが可能となる。なお、図4Eには、6つの液晶表示素子が相互に境界を接してマザー基板90に形成される態様を示したが、図4Fに示すように、6つの液晶表示素子を、相互に境界を接しない態様で、マザー基板90に形成することもできる。この場合には、隣接する液晶表示素子の間にも、凸部81dは配置されないことになる。図4Gを参照する。図4Dを参照して説明した工程に続き、カットマーク92を基準として、各液晶表示素子を分断し、シール86の枠内領域に、液晶材料を真空注入法で注入する。その後、素子面内をプレスすることにより、余分に注入された液晶材料を排出する。そして紫外線硬化性樹脂を液晶材料注入口に塗布し、プレス状態を開放することにより、樹脂をわずかに内部に浸透させ、紫外線を照射することで樹脂を硬化して封止する。封止後、オーブンにて120°C、1時間の熱処理を行い、中性洗剤等で浸漬洗浄、純水リンスの後、乾燥させる。セグメント基板80、コモン基板81の外側液晶層82が配置される側とは反対側に、それぞれ偏光層83a、84aを略クロスニコルとなるように配置する。また、少なくとも一方の偏光層83a、84aと基板80、81との間に、二軸フィルムを、その遅相軸が、最近傍の偏光層の吸収軸と略直交するように配置する。図4Gには、偏光層83aとTAC層83bとからなる偏光板83を、TAC層83bがガラス基板80aと対向するように、セグメント基板80の外側に貼り合わせ、偏光層84aと二軸フィルム84bとからなる偏光板84を、二軸フィルム84bがガラス基板81aと対向するように、コモン基板81の外側に貼り合わせた例を示した。このようにして製造した液晶表示素子の外部取り出し電極87に、素子を電気的に駆動するためのフレキシブル基板、またはリードフレームを取り付ける。リードフレームには駆動回路を接続し、偏光板84の下方コモン基板81と反対側にバックライトを配置し液晶表示装置を構築する。図4Gに示す、第1の実施例による液晶表示素子は、図1Aに示した従来例と比較したとき、コモン基板81コモン電極81bと配向膜81cとの間の一部に、液晶層82側に突出する複数の凸部81dが形成されている点において相違する。その他の点は、図1Aに示す従来例と同様である。触針式段差計を用い、凸部81dのコモン基板81表面からの断面プロファイルを測定した。凸部81dを高さ略2μmで作製したとき、凸部81dの基板接触部分下底部分の幅は略28μm、上底部分の幅は略7μmであった。凸部81dの断面形状は台形状基板に接する辺が相対的に長く、接しない辺が相対的に短く、側辺が傾斜するテーパー状であることがわかる。複数の凸部81dは、たとえば基板コモン電極81bからの高さが相互に等しい四角錐台形状である。また、複数の凸部81dは、基板80、81間に枠状に配置されるシール86枠内に規則的に配置される。図5は、第2の実施例による液晶表示素子を示す概略的な断面図である。第1の実施例による液晶表示素子においては、コモン電極81b上に形成された凸部81dを覆うように垂直配向膜81cが塗布されていたが、第2の実施例においては、ガラス基板81a上に凸部81dが形成され、ガラス基板81a上及び凸部81d上に順に、コモン電極81b、配向膜81cが形成される。第2の実施例による液晶表示素子を製造するにあたっては、コモン基板81に関し、ガラス基板81a上に凸部81dを形成し、その後コモン電極81bを成膜及びパターニングで形成し、更にその上に垂直配向膜81cを塗布形成すればよい。図6は、第3の実施例による液晶表示素子を示す概略的な断面図である。第1の実施例においては、凸部81dが基板81にのみ形成されていたが、第3の実施例においては、複数の凸部80d、81dが基板80、81に形成されている。セグメント基板80に形成される凸部80dの高さと、コモン基板81に形成される凸部81dの高さとは等しい。セグメント基板80側において、凸部80dは、セグメント電極80b上に形成され、セグメント電極80b及び凸部80dを覆うように配向膜80cが形成されている。凸部81dと同様に、複数の凸部80dも、シール86枠内に規則的に配置される。複数の凸部80dと複数の凸部81dとは、液晶表示素子の正面観察時にセグメント基板80及びコモン基板81の法線方向から見たとき、重ならないように配置されている。図7は、第4の実施例による液晶表示素子を示す概略的な断面図である。第1の実施例においては、球状スペーサーを面内にランダムに配置して、液晶層82の厚さを制御したが、第4の実施例においては、複数の柱状スペーサー88によって液晶層82の厚さを制御し、上下基板80、81を略平行に保持する。本図に示す例においては、柱状スペーサー88は、凸部の形成されていないセグメント基板80側に形成される。柱状スペーサー88の形成方法は、凸部81dの形成方法と同様である。柱状スペーサー88も、枠状シール86内に配置される。また、凸部81dが配置されないコモン基板81上の領域に対向する位置に配置される。すなわち複数のスペーサー88と複数の凸部81dとは、セグメント基板80及びコモン基板81の法線方向から見たとき、重ならないように配置される。柱状スペーサー88の上底部分を、凸部81dの形成されていないコモン基板81上の領域に配置することにより、柱状スペーサー88の高さにしたがって上下基板80、81が配置される。図8は、第5の実施例による液晶表示素子を示す概略的な断面図である。第4の実施例においては、複数のスペーサー88は、凸部81dが配置されない領域に対向する位置のセグメント基板80に配置されたが、第5の実施例においては、少なくとも1つのスペーサー88が、たとえばテーパーを有する直方体形状金塊形状の凸部81dの形成領域に対向する位置のセグメント基板80に配置されている。このような場合は、柱状スペーサー88の配置される部分に凸部81dが配置されないように、凸部81dの一部に底面が基板面となる凹部89を形成し、その凹部89に対向するセグメント基板80上の位置に柱状スペーサー88を配置する。第1~第5のすべての実施例において、下側偏光板84の下方には、冷陰極管、無機LED、有機LED、電球などの光源を備えるバックライトが配置され、上側偏光板83側から表示状態を観察する。第1~第5のいずれの実施例においても、上下基板80、81間に凸部がない構造部分の液晶層厚をd1、一方の基板に存在する凸部の上底部と対向基板間の液晶層厚をd2とするたとえば図4G参照。ここで0≦d2<d1の関係がある。複数の凸部の上底面の面積基板80、81法線方向から見たとき、液晶層厚がd2となる領域の面積は、基板面の面積基板80、81法線方向から見たとき、液晶層が存在する範囲の面積、凸部81dを備える基板81の、液晶層82が配置される領域の面積の5以上50以下とすることが好ましい。50を超えると、凸部を構成する樹脂部分に含まれる不純物により、セル厚不良が引き起こされやすくなる。特に、実施例で使用した透明ネガ型感光性樹脂は、塗布、仮焼成した後の表面がタック性を有しており、一度表面にごみが付着すると離脱しにくい傾向があるためである。また、5未満である場合、後述する凸部形成の効果が十分に奏されない。更に、凸部の面内配置は、上側及び下側基板80、81上の電極80b、81bパターンに依存せず、周期的に配置することが好ましい。図9A~図9Eは、一方の基板上における凸部、たとえばコモン基板81における凸部81dの配置態様を示す概略的な平面図である。たとえば図9Aに示すように、平面視において略矩形状となる四角錐台の凸部81dを市松模様状に配置することができる。また、図9Bに示すように、平面視において略菱形状となる四角錐台の凸部81dを市松模様状に配置することも可能である。図9Cに示すのは、平面視において帯状となるように、複数の金塊形状の凸部81dを液晶表示素子の左右方向に配置する例である。図9Dには、平面視において帯状となるように、複数の金塊形状の凸部81dを液晶表示素子の上下方向に配置する例を示した。図9Eは、複数の金塊形状の凸部81dを液晶表示素子の上下方向及び左右方向に格子状に配置する例である。図9A~図9Eに示す例においては、凸部81dは、周期的かつ規則的に配置される。凸部81dの配置周期は、液晶表示素子を、基板法線方向を基準に深い極角角度から見たときに、輝度や色調のムラが観察されないように設定する。たとえば図9Aに示す、凸部81dの底面部分の面積を、液晶層82内の基板81の面積の50とする例においては、凸部81dの矩形状底面の一辺の長さは、5μm以上100μm以下とすることが好ましく、7μm以上50μm以下とすることがより好ましい。凸部81dの配置周期は、凸部81dの矩形状底面の重心の配置周期が、矩形状底面の一辺の長さの2倍となるように、設定することができる。なお、凸部81dの底面部分の面積を、液晶層82内の基板81の面積の25とする場合、図9Aに示す配置態様と比較したとき、配置周期を等しくし、矩形状底面の一辺の長さを、2-1/2倍とすることで、ムラが観察されにくくなる。本願発明者は、第1の実施例による液晶表示素子を、0°-180°方位3時方位、偏光層83a、84aの一方の吸収軸方位に対して45°をなす方位の、基板法線方向を基準とした極角50°方向から観察した場合に、液晶層82への電圧無印加状態において、光抜けする光の透過率が低く、かつ、無彩色となる液晶層厚d1、d2の組み合わせ、及び、液晶層厚がd1となる領域の面積と、d2となる領域の面積との比率を株シンテック製LCDMASTER72を用いてシミュレーション解析した。ここで無彩色領域を、D65標準光源を光源として使用し、色度座標x、yがともに0.28以上0.34未満の範囲と規定した。シミュレーションにあたり、偏光板として株ポラテクノ製SKN18243T、二軸フィルムとしてノルボルネン系環状オレフィン製二軸延伸フィルムを想定し、液晶材料の屈折率異方性Δnは0.0914に設定した。なお、このような条件のもとでは、図1A及び図1Bに示す液晶表示素子の従来例において、0°方位、50°極角における最低透過率が得られる液晶層厚は3.4μmであった。このためシミュレーションでは、液晶層厚d1の下限値を3.4μmとし、液晶層厚d2の範囲を0μm~3μm程度として、液晶層厚がd2となる領域の面積の、液晶層82が配置される基板81の面内方向面積に対する割合占有面積比αが5~50となる範囲を探査した。図10Aは、探査結果を示すグラフである。グラフの横軸は、基板81上に凸部81dが存在しない領域の液晶層厚であるd1を、単位μmで示し、縦軸は、凸部81dが存在する領域の液晶層厚であるd2を、単位μmで示す。横軸の数値と縦軸の数値とが交差するマスに記載する数値は、占有面積比αの一例を、単位で示したものである。色度座標x、yがともに0.28以上0.34未満の範囲内にあって無彩色が実現され、かつ、図3に破線で示す場合よりも、光透過率を低くできる範囲に斜線を付して示した。当該範囲においては、液晶層厚d1とd2の差が、1μm以上d1以下となる。図10Bは、第1の実施例による液晶表示素子、及び、従来例図1A、図1Bによる液晶表示素子における、電圧無印加時の分光スペクトルを示すグラフである。本図に示すシミュレーション解析結果は、0°方位3時方位、極角50°から観察した場合の電圧無印加時分光スペクトルである。グラフの横軸は、光の波長を単位nmで示し、縦軸は光透過率を単位で示す。実線で、d1=3.6μm、d2=2.6μm、液晶層厚がd1の領域の面積と、d2の領域の面積とが、それぞれ60、40であるとした第1の実施例による液晶表示素子の分光スペクトルを表し、破線で、液晶層厚が3.4μmで均一であるとした従来例による液晶表示素子のそれを表す。実線で示す例においても、破線で示す例においても、図3に破線で示す例Cプレートを用いた従来例による液晶表示素子と比較したとき、光透過率が著しく低く抑えられている。また、分光スペクトルを破線で示す従来例による液晶表示素子においては、波長550nm付近の光抜けが大幅に低下している一方で、短波長領域及び長波長領域において光抜けが生じていることから、外観上は青紫色を呈するように観察される。反面、分光スペクトルを実線で示す実施例による液晶表示素子においては、光透過率は従来例よりも高いが、全波長領域において光抜けが観察される。短波長領域及び長波長領域における透過率の方が相対的に高いが、視感度の高い550nm付近においても光抜けが生じているため、外観的には無彩色に観察される。実施例による液晶表示素子は、着色した光抜けが防止され、良好な品質を実現可能な液晶表示素子である。図11は、第1の変形例による液晶表示素子を示す概略的な斜視図である。第1~第5の実施例による液晶表示素子においては、片側の偏光層84aと基板81との間に二軸フィルム84bが配置されていたが、第1の変形例においては、両側の偏光層83a、84aと基板80、81との間に二軸フィルム83c、84bが配置される。第1の変形例による液晶表示素子も、第1~第5の実施例と同様に、着色した光抜けを防止し、良好な品質を実現することができる。図12は、第2の変形例による液晶表示素子を示す概略的な斜視図である。第1~第5の実施例、及び、第1の変形例は、視角補償板として二軸フィルム単体を用いる例であった。たとえばマルチプレックス駆動時に走査線数を増加させ、表示容量を拡大したい場合、電気光学特性における急峻性を改善するため、液晶層のリタデーションを増大させることが有効である。これに対応させるために、実施例や第1の変形例における二軸プレート83c、84bの厚さ方向リタデーションを大きくしてもよいが、少なくとも一方側の偏光層83a、84aと基板80、81との間に、二軸フィルムとCプレートを積層させて配置してもよい。この場合、二軸フィルムは、偏光層側に、Cプレートは基板側に配置する。第2の変形例においては、一方側の偏光板84と基板81との間に、偏光板84と隣接するように二軸フィルム84bを配置し、基板81と隣接するようにCプレート85を配置している。なお、第2の変形例においては、二軸フィルム84bとCプレート85は積層されて配置されているが、一方の偏光層と基板間に二軸フィルム84b、他方の偏光層と基板間にCプレート85を配置してもよい。本願発明者は、第2の変形例による液晶表示素子についても、第1の実施例による液晶表示素子に関して行い、結果を図10A及び図10Bに示したシミュレーションと同様のシミュレーションを行った。シミュレーションにあたり、偏光板として株ポラテクノ製SHC13U、二軸フィルムとしてノルボルネン系環状オレフィン製二軸延伸フィルムを想定し、液晶材料の屈折率異方性Δnは0.15に設定した。なお、このような条件のもとでは、図1A及び図1Bに示す液晶表示素子の従来例において、0°方位、50°極角における最低透過率が得られる液晶層厚は4μmであった。このためシミュレーションでは、液晶層厚d1の下限値を4μmとし、液晶層厚d2の範囲を0μm~3.9μm程度として、液晶層厚がd2となる領域の面積の、液晶層82内の基板81面積に対する割合占有面積比αが5~50となる範囲を探査した。図13Aは、探査結果を示すグラフである。グラフの両軸等の意味するところは、図10Aにおけるそれらと等しい。占有面積比αが5以上50以下、d1とd2の差が0.5μm以上のとき、光抜けの透過率を低くし、かつ、無彩色とすることができることがわかる。図13Bは、第2の変形例による液晶表示素子、及び、従来例図1A、図1Bによる液晶表示素子における、電圧無印加時の分光スペクトルを示すグラフである。本図に示すシミュレーション解析結果は、0°方位3時方位、極角50°から観察した場合の電圧無印加時分光スペクトルである。グラフの両軸の意味するところは、図10Bにおける場合と等しい。実線で、d1=4.0μm、d2=3.5μm、液晶層厚がd1の領域の面積と、d2の領域の面積とが、それぞれ65、35であるとした第2の変形例による液晶表示素子の分光スペクトルを表し、破線で、液晶層厚が4.0μmで均一であるとした従来例による液晶表示素子のそれを表す。実線で示す例においても、破線で示す例においても、図3に破線で示す例Cプレートを用いた従来例による液晶表示素子と比較したとき、光透過率が著しく低く抑えられている。また、分光スペクトルを破線で示す従来例による液晶表示素子においては、波長550nm付近の光抜けが低下している一方で、短波長領域及び長波長領域において光抜けが生じていることから、外観上は青紫色を呈するように観察される。反面、分光スペクトルを実線で示す第2の変形例による液晶表示素子においては、光透過率は従来例よりも高いが、全波長領域において光抜けが観察される。短波長領域及び長波長領域における透過率の方が相対的に高いが、視感度の高い550nm付近においても光抜けが生じているため、外観的には無彩色に観察される。第2の変形例による液晶表示素子も、着色した光抜けが防止され、良好な品質を実現可能な液晶表示素子である。以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。