"電力を供給することで発光する発光層を有した半導体積層構造と、前記半導体積層構造の上面に形成され、前記発光層が出射する光に対して透明であり導電性を有する透明電極と、前記透明電極の上面に形成され、前記発光層が出射する光に対して透明であり前記透明電極よりも屈折率が高い透明高屈折率膜と、を備え、前記透明高屈折率膜は、前記透明電極から離れるに従い連続的または段階的に屈折率が低くなり、かつ、前記透明電極からの距離にかかわらず構成元素が同一であることを特徴とする半導体発光素子。前記透明高屈折率膜の成膜条件が、前記透明電極からの距離に応じて異なっていることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。前記透明高屈折率膜を成膜する際の下地の温度が、前記透明電極から離れるほど低くなっていることを特徴とする請求項2に記載の半導体発光素子。前記透明高屈折率膜の上面が、凹凸状であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体発光素子。少なくとも前記透明高屈折率膜の上面に形成され、前記透明高屈折率膜よりも屈折率が低い保護膜を、さらに備えることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体発光素子。前記透明電極が酸化インジウムスズから成り、前記透明高屈折率膜が酸化チタンから成り、前記保護膜が酸化シリコンから成ることを特徴とする請求項5に記載の半導体発光素子。前記透明高屈折率膜の屈折率が、2.1以上であることを特徴とする請求項6に記載の半導体発光素子。前記透明高屈折率膜の膜厚は、50nm以上150nm以下であることを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の半導体発光素子。電力を供給することで発光する発光層を有した半導体積層構造を形成する半導体積層構造形成ステップと、前記半導体積層構造の上面に、前記発光層が出射する光に対して透明であり導電性を有する透明電極を形成する透明電極形成ステップと、前記透明電極の上面に、前記発光層が出射する光に対して透明であり前記透明電極よりも屈折率が高い透明高屈折率膜を形成する透明高屈折率膜形成ステップと、を備え、前記透明高屈折率膜形成ステップが、前記透明電極からの距離に応じて成膜条件を異ならせることで、前記透明電極から離れるに従い連続的または段階的に屈折率が低くなり、かつ、前記透明電極からの距離にかかわらず構成元素が同一である前記透明高屈折率膜を形成するものであることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。前記透明高屈折率膜形成ステップが、前記透明高屈折率膜を成膜する際の下地の温度を、前記透明電極から離れるほど低くするものであることを特徴とする請求項9に記載の半導体発光素子の製造方法。しかしながら、上記の半導体発光素子では、透明電極の屈折率よりも、突起の屈折率の方が小さいため、透明電極から突起に光が入射する際に全反射が生じる。そのため、光の取り出し効率を十分に向上させることができないため、問題となる。さらに、この半導体発光素子では、突起の構成元素および組成比を透明電極からの距離に応じて変動させる必要がある。そのため、突起の作製に必要な材料の種類が増えるとともに成膜条件の制御が困難になることで、突起を再現性良く作製することが困難になるとともにコストが高くなるため、問題となる。本発明は、上記の問題点に鑑み、光の取り出し効率を向上させるとともに、容易かつ再現性良く製造可能な半導体発光素子やその製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明は、電力を供給することで発光する発光層を有した半導体積層構造と、前記半導体積層構造の上面に形成され、前記発光層が出射する光に対して透明であり導電性を有する透明電極と、前記透明電極の上面に形成され、前記発光層が出射する光に対して透明であり前記透明電極よりも屈折率が高い透明高屈折率膜と、を備え、前記透明高屈折率膜は、前記透明電極から離れるに従い連続的または段階的に屈折率が低くなり、かつ、前記透明電極からの距離にかかわらず構成元素が同一であることを特徴とする半導体発光素子を提供する。この場合、透明電極の屈折率よりも、透明高屈折率膜の屈折率が高くなる。そのため、透明電極から透明高屈折率膜に光が入射する界面において、全反射を抑制することが可能になる。また、透明高屈折率膜の屈折率は、前記透明電極から離れるに従い低くなる。そのため、透明高屈折率膜から外部、例えば空気中に光を出射する界面の臨界角を大きくして、当該界面における全反射を抑制することが可能になる。さらにこの場合、透明高屈折率膜は、同一の構成元素から成る。そのため、透明高屈折率膜の成膜条件の制御が容易になり、再現性良く透明高屈折率膜を作製することが可能になる。また、透明高屈折率膜の作製にかかるコストを、低くすることができる。さらに、上記特徴の半導体発光素子は、前記透明高屈折率膜の成膜条件が、前記透明電極からの距離に応じて異なっていると、好ましい。この場合、透明高屈折率膜の成膜条件を制御することで、透明高屈折率膜の屈折率を制御することになる。そのため、透明高屈折率膜を容易かつ再現性良く作製することが可能になる。さらに、上記特徴の半導体発光素子は、前記透明高屈折率膜を成膜する際の下地の温度が、前記透明電極から離れるほど低くなっていると、好ましい。この場合、透明高屈折率膜の透過率の低下を抑制しながら、透明高屈折率膜の屈折率を低くすることができる。したがって、透過率の低下に伴う光取り出し効率の低下を、抑制することが可能になる。さらに、上記特徴の半導体発光素子は、前記透明高屈折率膜の上面が、凹凸状であると、好ましい。この場合、凹部の底や凸部の先端だけでなく、凸部の側壁からも光を取り出すことが可能になる。そのため、光の取り出し効率を、向上することが可能になる。さらに、上記特徴の半導体発光素子は、少なくとも前記透明高屈折率膜の上面に形成され、前記透明高屈折率膜よりも屈折率が低い保護膜を、さらに備えてもよい。この場合においても、透明高屈折率膜の屈折率は、前記透明電極から離れるに従い低くなるため、透明高屈折率膜から保護膜に光が入射する界面の臨界角を大きくして、当該界面における全反射を抑制することが可能になる。さらに、上記特徴の半導体発光素子は、前記透明電極が酸化インジウムスズから成り、前記透明高屈折率膜が酸化チタンから成り、前記保護膜が酸化シリコンから成ってもよい。また、上記特徴の半導体発光素子は、前記透明高屈折率膜の屈折率が、2.1以上であると、好ましい。この場合、透明電極から透明高屈折率膜に光が入射する際に全反射が生じることを、効果的に抑制することが可能になる。また、上記特徴の半導体発光素子は、前記透明高屈折率膜の膜厚は、50nm以上150nm以下であると、好ましい。この場合、透明電極から透明高屈折率膜に光を効果的に取り出すとともに、透明高屈折率膜による光の減衰を効果的に抑制することが可能になる。また、本発明は、電力を供給することで発光する発光層を有した半導体積層構造を形成する半導体積層構造形成ステップと、前記半導体積層構造の上面に、前記発光層が出射する光に対して透明であり導電性を有する透明電極を形成する透明電極形成ステップと、前記透明電極の上面に、前記発光層が出射する光に対して透明であり前記透明電極よりも屈折率が高い透明高屈折率膜を形成する透明高屈折率膜形成ステップと、を備え、前記透明高屈折率膜形成ステップが、前記透明電極からの距離に応じて成膜条件を異ならせることで、前記透明電極から離れるに従い連続的または段階的に屈折率が低くなり、かつ、前記透明電極からの距離にかかわらず構成元素が同一である前記透明高屈折率膜を形成するものであることを特徴とする半導体発光素子の製造方法を提供する。この場合、透明電極の屈折率よりも、透明高屈折率膜の屈折率が高くなる。そのため、透明電極から透明高屈折率膜に光が入射する界面において、全反射を抑制することが可能になる。また、透明高屈折率膜の屈折率は、光の進行方向に沿って低くなる。そのため、透明高屈折率膜の屈折率を無用に低下させることなく、透明高屈折率膜から外部に光を出射する界面の臨界角を大きくして、当該界面における全反射を抑制することが可能になる。さらにこの場合、透明高屈折率膜が同一の構成元素から成り、その成膜条件を制御することで、透明高屈折率膜の屈折率を制御することになる。そのため、成膜条件の制御が容易であるとともに、透明高屈折率膜を容易かつ再現性良く作製することが可能になる。また、透明高屈折率膜の作製にかかるコストを、低くすることができる。さらに、上記特徴の半導体発光素子の製造方法は、前記透明高屈折率膜形成ステップが、前記透明高屈折率膜を成膜する際の下地の温度を、前記透明電極から離れるほど低くするものであると、好ましい。この場合、透明高屈折率膜の透過率の低下を抑制しながら、透明高屈折率膜の屈折率を低くすることができる。したがって、透過率の低下に伴う光取り出し効率の低下を、抑制することが可能になる。上記特徴の半導体発光素子やその製造方法によれば、光が入射する界面の全反射を抑制することで、半導体発光素子の光の取り出し効率を向上させることが可能になる。さらに、上記特徴の半導体発光素子やその製造方法によれば、透明高屈折率膜ひいては半導体発光素子を容易かつ再現性良く作製することが可能になる。以下、本発明の実施形態として、窒化ガリウムGaN系のLEDを例示する。ただし、本発明を適用可能な半導体発光素子は、当該LEDに限られるものではない。<半導体発光素子の製造方法>最初に、本発明の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法の一例について、図面を参照して説明する。図1~図3は、本発明の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法の一例を示す断面図である。また、図1a、図1b、図1c、図1d、図1e、図2a、図2b、図2c、図2d、図3の順番で、半導体発光素子の製造工程の進行を示している。最初に、図1a及び図1bに示すように、サファイアなどから成る基板10の上面を、凹凸状に加工する。例えば、このような凹凸は、凹部溝を形成すべき部分を除いて基板10の表面上にレジストを形成し、ICPInductivelyCoupledPlasma等のエッチングを行うことで、形成することができる。なお、エッチングで使用したレジストは、当該エッチングの後に除去する。次に、図1cに示すように、凹凸状とした基板10の上面に、半導体積層構造11~13を形成する。具体的に例えば、凹凸状とした基板10の上面に、n型のGaNから成るnクラッド層11、GaNから成る障壁層とInxGa1-xN0<x≦1から成る井戸層とが交互に積層されるとともに最初及び最後の層が障壁層となる多重量子井戸構造を備えた発光層活性層12、p型のGaNから成るpクラッド層13を、この順番で積層する。nクラッド層11、発光層12及びpクラッド層13は、例えばMOCVDMetalOrganicChemicalVaporDepositionなどによって積層することができる。また、n型のGaNのドーパントとして、例えばSiを用いることができる。また、p型のGaNのドーパントとして、例えばMgを用いることができる。また、このpクラッド層13の積層後、p型ドーパンドを活性化するべくアニールを行ってもよい。また、nクラッド層11、発光層12及びpクラッド層13を構成するGaNやInxGa1-xNに、Alなどの他の元素が含まれていてもよい。次に、図1dに示すように、半導体積層構造11~13の上面pクラッド層13の上面に、発光層12が出射する光に対して透明であるとともに導電性を有する透明電極14を形成する。この透明電極14は、例えば酸化インジウムスズIndiumTinOxide:ITOから成り、例えばスパッタなどによって形成される。次に、図1eに示すように、透明電極14の上面に、発光層12が出射する光に対して透明であり透明電極14よりも屈折率が高い透明高屈折率膜15を形成する。この透明高屈折率膜15は、例えば酸化チタンTiO2から成り、例えばスパッタなどによって形成される。透明高屈折率膜15は、透明電極14から離れるに従い、連続的または段階的に屈折率が低くなるように形成する。ただし、透明高屈折率膜15は、透明電極14からの距離にかかわらず構成元素が同一になるようにする。このような透明高屈折率膜15の形成方法の一例について、図4及び図5を参照して説明する。図4は、透明高屈折率膜の屈折率と成膜時の基板温度との関係を示すグラフであり、図5は、透明高屈折率膜の透過率と成膜時の基板温度との関係を示すグラフである。図4に示すように、透明高屈折率膜15を成す酸化チタンは、成膜時の基板温度下地の温度を低くするほど、屈折率が低くなる。そのため、透明高屈折率膜15の成膜の進行に応じて基板温度を徐々に下げることで、上述の特性を有する透明高屈折率膜15を形成することができる。具体的に例えば、成膜の開始時の基板温度を300°C、終了時の基板温度を100°Cにすると、透明電極14側の屈折率が略2.4であり、その反対側の屈折率が略2.2となる透明高屈折率膜15を形成することができる。また、図5に示すように、透明高屈折率膜15を成す酸化チタンは、成膜時の基板温度の変動に応じて透過率が変動するが、その変動量は小さくなる。そのため、透明高屈折率膜15の成膜時の基板温度を変動させると、透過率の変動を抑制しながら屈折率を変動させることができる。したがって、透過率の低下に伴う光取り出し効率の低下を、抑制することが可能になる。ただし、当然ながら、透明高屈折率膜15の透過率が高いほど、光の取り出し効率を高めることができる。そのため、詳細については後述するが、透明高屈折率膜15の透過率を無用に低下させないようにすると、好ましい。次に、図2aに示すように、透明高屈折率膜15の上面を、凹凸状に加工する。例えば、基板10の上面を凹凸状に加工した場合と同様に、凹部を形成すべき部分を除いて透明高屈折率膜15の表面上にレジストを形成し、ICP等のエッチングを行うことで、凹凸を形成する。なお、エッチングで使用したレジストは、当該エッチングの後に除去する。本例の半導体発光素子の製造方法では、後の工程で、透明電極14上にp電極16を形成し、nクラッド層11上にn電極17を形成する。そのため、p電極16を形成する領域Pについては透明電極14を露出させ、n電極17を形成する領域Nについてはnクラッド層11を露出させる必要がある。即ち、p電極16を形成する領域Pについては、透明高屈折率膜15を除去し、n電極17を形成する領域Nについては、透明高屈折率膜15と、透明電極14と、pクラッド層13と、発光層12と、nクラッド層11の一部と、を除去する必要がある。そこで、まず図2bに示すように、透明高屈折率膜15について、p電極16を形成する領域Pに該当する部分と、n電極17を形成する領域Nに該当する部分と、のそれぞれを除去する。次に、図2cに示すように、透明電極14と、pクラッド層13と、発光層12と、nクラッド層11とのそれぞれについて、n電極17を形成する領域Nに該当する部分を除去する。ただし、nクラッド層11については、n電極17を形成する領域Nに該当する部分を完全には除去せず、一部を残す。例えば、透明電極14は、王水等によるエッチングによって除去することができる。さらに例えば、透明高屈折率膜15やpクラッド層13、発光層12及びnクラッド層11は、ICP等のエッチングによって除去することができる。ただし、これらのエッチングを行う場合、除去すべき部分を除いてレジストを形成する必要がある。なお、それぞれのエッチングで使用したそれぞれのレジストは、それぞれのエッチングの終了後に除去する。次に、図2dに示すように、透明電極14を露出させた部分領域Pにp電極16を形成し、nクラッド層11を露出させた部分領域Nにn電極17を形成する。p電極16及びn電極17は、単一の金属の層としてもよいし、複数の金属の層を組み合わせたものとしてもよい。後者の場合、例えば、透明電極14上またはnクラッド層11上に形成されNiから成る第1Ni膜と、第1Ni膜上に形成されAlから成るAl膜と、Al膜上に形成されNiから成る第2Ni膜と、第2Ni膜上に形成されPtから成るPt膜と、Pt膜上に形成されAuから成るAu膜と、Au膜上に形成されNiから成る第3Ni膜と、から成るものとしてもよい。この場合、第1Ni膜は、透明電極14及びnクラッド層11のそれぞれとオーミック接触し得る。また、Al膜やPt膜は、発光層12が出射する光の少なくとも一部を反射し得る。また、第2Ni膜は、Al膜及びPt膜を強固に結びつけ得る。また、Au膜及び第3Ni膜は、電力を供給する外部の電源装置と電気的に接続するためのワイヤ等と、電気的及び物理的に接続し得る。p電極16及びn電極17は、例えば、p電極16を形成する領域P及びn電極17を形成する領域Nのそれぞれを除いてレジストを形成し、蒸着等によって電極16,17を成す膜を形成した後に当該レジストをリフトオフすることで、同時に形成することができる。そして、図3に示すように、透明高屈折率膜15の上面と、n電極17を形成するために露出させた部分の側面及び底面に、酸化シリコンSiO2から成る保護膜18を形成する。また、図3に示すように、p電極16及びn電極17の上面の一部端部や側面にも、保護膜18が形成され得る。また、後述する分割工程において、分割溝を形成する位置には、保護膜18が形成されないようにすると、好ましい。保護膜18は、例えばプラズマCVD等により酸化シリコンを全面的に形成した後、除去すべき部分を除いてレジストを形成し、フッ酸等のエッチャントを用いて当該部分の酸化シリコンを除去することで、形成することができる。なお、エッチングで使用したレジストは、エッチングの終了後に除去する。以上の工程によって、半導体発光素子1が形成される。ただし、この段階ではウエハの状態基板10及びnクラッド層11が共通となり、複数の半導体発光素子1が一体となっている状態であるため、必要に応じてチップへの分割を行う。この分割は、半導体発光素子1を単位として行われ、1つのチップには少なくとも1つの半導体発光素子1が含まれる。具体的に例えば、まずnクラッド層11に分割溝を形成する。この分割溝は、分割溝を形成すべき部分を除いてレジストを形成し、ICP等のエッチングを行うことで、形成することができる。なお、エッチングで使用したレジストは、エッチングの終了後に除去する。次に、基板10の凹凸が形成されていない方の面以下、裏面とするを、研磨等によって薄くする。そして、当該基板10の裏面に対して、レーザスクライブ等によってスクライブ溝を形成する。このとき、基板10におけるスクライブ溝を、nクラッド層11における分割溝と対向する位置に形成する。そして、例えば基板10の裏面側に形成されたスクライブ溝に刃を押し当てることで、スクライブ溝と分割溝との間が割れ、ウエハがチップに分割される。チップ化された半導体発光素子1は、例えばワイヤボンディングにより実装され、外部の電源装置と電気的に接続される。<半導体発光素子の動作>上述の半導体発光素子1に対して、p電極16及びn電極17から電力を供給すると、発光層12が光を出射する。発光層12が出射する光は、基板10側と、透明高屈折率膜15側と、にそれぞれ向かう。ただし、基板10側に向かう光の少なくとも一部は、凹凸状の基板10の表面で反射されて、透明高屈折率膜15側に向かう。透明高屈折率膜15側に向かう光は、透明電極14、透明高屈折率膜15及び保護膜18を通過して外部に出射される。本例の半導体発光素子1では、透明電極14、透明高屈折率膜15及び保護膜18を光が通過する際の全反射を抑制することで、光の取り出し効率を向上させる。これについて、以下図面を参照して具体的に説明する。図6は、透明電極、透明高屈折率膜及び保護膜と光の進行状態とを示す断面図である。なお、図示の都合上、断面を示すハッチングは省略している。図6に示すように、本例の半導体発光素子1では、透明電極14の屈折率が1.9、保護膜18の屈折率が1.5となっている。また、透明高屈折率膜15の屈折率は、透明電極14側が2.4、凹部の底15bが2.2、凸部の先端15tが2.2となっており、透明電極14から離れるに従い連続的または段階的に低くなるように変動しているものとする。また、以下では説明の具体化のため、凹部の底15bと凸部の先端15tとが平行であり、凸部の側壁15sが凹部の底15b及び凸部の先端15tに対して垂直である場合について例示する。透明電極14から透明高屈折率膜15に光が入射する界面では、光の入射先の屈折率が光の入射元の屈折率よりも高くなるため、全反射は生じない。一方、透明高屈折率膜15から保護膜18に光が入射する界面では、光の入射先の屈折率が光の入射元の屈折率よりも低くなるため、全反射が生じ得る。具体的には、透明高屈折率膜15から保護膜18に光が入射する界面の臨界角θ1よりも入射角が大きい光が、当該界面で全反射する。なお、本例の半導体発光素子1では、臨界角θ1が43°になる上記式1参照。ただし、上述のように本例の半導体発光素子1では、透明高屈折率膜15の上面を凹凸状にしている。そのため、A1及びA2の光のように、凹部の底15bや凸部の先端15tに対しては入射角が臨界角θ1よりも大きくなる即ち、全反射するが、凸部の側壁15sに対しては入射角が臨界角θ1よりも小さくなる即ち、全反射しないものが生じ得る。これについて、凹部の底15b及び凸部の先端15tに対して垂直な方向図中の上下方向を基準0°として光の角度を規定し、具体的に説明する。まず、上述のように、角度が臨界角θ143°以下となる光は、凹部の底15bや凸部の先端15tで全反射せず、これらを通過する。一方、A1のように、臨界角θ1よりも大きい角度となる光は、凹部の底15bや凸部の先端15tで全反射する。ただし、A2のように、当該光の角度が90°-θ1=47°以上である場合、凸部の側壁15sにおいては光の入射角が臨界角θ1以下となるため、凸部の側壁15sで全反射せず、これを通過する。即ち、本例の半導体発光素子1では、θ1以下または90°-θ1以上の角度となる光について、全反射を抑制して界面を通過させることが可能になる。したがって、本例の半導体発光素子1では、光の取り出し効率を向上させることができる。なお、凹部の底15b及び凸部の先端15tと凸部の側壁15sとは、垂直以外の角度であってもよい。また、本例の半導体発光素子1に対する比較例として、透明高屈折率膜15の上面が凹凸状であるが、透明高屈折率膜15の屈折率が上述した例のように変動せず、2.4の一定値である場合について想定する。この比較例では、透明高屈折率膜15から保護膜18に光が入射する界面の臨界角が、38.7°になる上記式1参照。即ち、比較例において全反射が抑制される光の角度は、38.7°以下または51.3°以上となる。したがって、本例の半導体発光素子1の方が、比較例よりも、全反射が抑制される光の角度を8.6°も広げることができる。以上のように、本例の半導体発光素子1では、透明電極14の屈折率よりも、透明高屈折率膜15の屈折率が高くなる。そのため、透明電極14から透明高屈折率膜15に光が入射する界面において、全反射を抑制することが可能になる。また、透明高屈折率膜15の屈折率は、前記透明電極から離れるに従い低くなる。そのため、透明高屈折率膜から外部、例えば空気中に光を出射する界面の臨界角を大きくして、当該界面における全反射を抑制することが可能になる。さらに、透明高屈折率膜15は、同一の構成元素から成る。そのため、透明高屈折率膜15の成膜条件の制御が容易になり、再現性良く透明高屈折率膜15を作製することが可能になる。また、透明高屈折率膜15の作製にかかるコストを、低くすることができる。したがって、本例の半導体発光素子1では、光が入射する界面の全反射を抑制することで、半導体発光素子の光の取り出し効率を向上させることが可能になる。さらに、本例の半導体発光素子1では、透明高屈折率膜15ひいては半導体発光素子1を容易かつ再現性良く作製することが可能になる。また、p電極16及びn電極17にも光は入射するが、p電極16及びn電極17が上述したAl膜等を備えていれば、p電極16及びn電極17に入射する光が反射されるため、p電極16及びn電極17による光の吸収を抑制することができる。そのため、半導体発光素子1の光の取り出し効率を、向上させることができる。<変形等>なお、透明高屈折率膜15の膜厚を、50nm以上150nm以下にすると、透明電極14から透明高屈折率膜15に光を効果的に取り出すとともに、透明高屈折率膜15による光の減衰を効果的に抑制することが可能になるため、好ましい。また、透明高屈折率膜15の屈折率を2.1以上にすると、透明電極14から透明高屈折率膜15に光が入射する際に全反射が生じることを、効果的に抑制することが可能になるため、好ましい。また、透明高屈折率膜15の成膜時の基板温度を制御することで、透明高屈折率膜15の屈折率を制御する方法について例示したが、基板温度以外の成膜条件を制御してもよい。ただし、基板温度を制御する場合、上述のように透明高屈折率膜15の透過率の低下を抑制することができるため、好ましい。また、透明高屈折率膜15を設けず、透明電極14を凹凸状に加工する態様も想定され得る。しかしながら、透明電極14の加工が難しいことや、透明電極14の膜厚を変動させることによる半導体発光素子の動作の不具合等を考慮すると、上述の半導体発光素子1のように、透明高屈折率膜15を設ける構成とした方が好ましい。そして、透明高屈折率膜15を設けることで、透明高屈折率膜15から保護膜18に光が入射する界面の臨界角が大きくなり得るが、上述のように透明高屈折率膜15の屈折率を制御し、透明高屈折率膜15の上面を凹凸状に加工することで、当該界面を通過する光を増大させ、光の取り出し効率を向上することが可能になる。"