化学気相成長により合成ダイヤモンド材料を製造するマイクロ波プラズマ反応器であって、前記マイクロ波プラズマ反応器は、周波数fのマイクロ波を発生させるよう構成されたマイクロ波発生器と、底部、頂板及び前記底部から前記頂板まで延びる側壁を備えていて、前記底部と前記頂板との間にマイクロ波共振モードを支える空胴共振器を構成するプラズマチャンバと、前記マイクロ波発生器からのマイクロ波を前記プラズマチャンバ中に送り込むマイクロ波結合構造体と、プロセスガスを前記プラズマチャンバ中に送り込み、そして前記プロセスガスを前記プラズマチャンバから除去するガス流システムと、前記プラズマチャンバ内に設けられていて、基板を支持する支持面を備えた基板ホルダと、前記支持面上に設けられた基板とを含み、前記基板は、使用中に前記合成ダイヤモンド材料を析出させるべき前記成長面を有し、前記空胴共振器内の前記基板の寸法及び配置場所は、使用中において前記成長面を横切って局所軸対称Ez電場プロフィールを発生させるよう選択され、前記局所軸対称Ez電場プロフィールは、高電場のリングによって境界付けられた実質的に平坦な中央部分を有し、前記実質的に平坦な中央部分は、前記成長面の面積の少なくとも60にわたって延びると共に中央Ez電場強度の±10以下のEz電場ばらつきを有し、前記高電場リングは、前記中央部分の周りに設けられると共に前記中央Ez電場強度よりも10~50高いピークEz電場強度を有する、マイクロ波プラズマ反応器。前記局所軸対称Ez電場プロフィールの前記実質的に平坦な中央部分は、前記中央Ez電場強度の±8以下、±6以下、±5以下、±4以下、±3以下、±2以下又は±1以下の電場ばらつきを有する、請求項1記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記高電場リングは、前記中央Ez電場強度よりも10~40、15~30又は15~25高いピークEz電場強度を有する、請求項1又は2記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記局所軸対称Ez電場プロフィールは、前記基板の前記成長面よりも、400MHz~500MHzのマイクロ波周波数fに関し、4mm、6mm又は8mm高い、800MHz~1000MHzのマイクロ波周波数fに関し、2mm、3mm又は4mm高い、又は2300MHz~2600MHzのマイクロ波周波数fに関し、0.7mm、1.0mm又は1.5mm高い高さのところで計算される、請求項1~3のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。化学気相成長により、合成ダイヤモンド材料を製造するマイクロ波プラズマ反応器であって、前記マイクロ波プラズマ反応器は、周波数fのマイクロ波を発生させるよう構成されたマイクロ波発生器と、底部、頂板及び前記底部から前記頂板まで延びる側壁を備えていて、前記底部と前記頂板との間にマイクロ波共振モードを支える空胴共振器を構成するプラズマチャンバと、前記マイクロ波発生器からのマイクロ波を前記プラズマチャンバ中に送り込むマイクロ波結合構造体と、プロセスガスを前記プラズマチャンバ中に送り込み、そして前記プロセスガスを前記プラズマチャンバから除去するガス流システムと、前記プラズマチャンバ内に設けられていて、基板を支持する支持面を備えた基板ホルダと、前記支持面上に設けられた基板とを含み、前記基板は、使用中に前記合成ダイヤモンド材料を析出させるべき前記成長面を有し、前記プラズマチャンバの前記底部よりも上方に位置する前記基板の前記成長面の基板直径と高さの比が10~14、11~13.5又は11.0~12.5である、マイクロ波プラズマ反応器。前記基板直径は、400~500MHzのマイクロ波周波数fに関し、165mm~415mm、185mm~375mm、205mm~375mm、205mm~330mm若しくは240mm~330mmであり、800~1000MHzのマイクロ波周波数fに関し、80mm~200mm、90mm~180mm、100mm~180mm、100mm~160mm若しくは115mm~160mmであり、又は2300~2600MHzのマイクロ波周波数fに関し、30mm~75mm、33mm~65mm、37mm~65mm、37mm~58mm若しくは42mm~58mmである、請求項1~5のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記プラズマチャンバの前記底部よりも上方の前記基板の前記成長面の前記高さは、400~500MHzのマイクロ波周波数fに関し、10mm~30mm若しくは14mm~27mmであり、800~1000MHzのマイクロ波周波数fに関し、5mm~15mm若しくは7mm~13mmであり、又は2300~2600MHzのマイクロ波周波数fに関し、2.0mm~5.5mm若しくは2.5mm~5.0mmである、請求項1~6のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。400MHz~500MHzの前記マイクロ波周波数f、前記基板直径及び前記空胴共振器内の前記基板の前記成長面の前記高さは、前記基板直径が180mm~230mmの場合、前記基板の直径の前記高さが14mm~20mmであり、前記基板直径が230mm~270mmである場合、前記成長面の前記高さが20mm~24mmであり、或いは前記基板直径が270mm~310mmの場合、前記成長面の前記高さが22mm~27mmであるよう選択されている、請求項1~7のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。800MHz~1000MHzの前記マイクロ波周波数f、前記基板直径及び前記空胴共振器内の前記基板の前記成長面の前記高さは、前記基板直径が90mm~110mmの場合、前記基板の直径の前記高さが7mm~10mmであり、前記基板直径が110mm~130mmである場合、前記成長面の前記高さが9.5mm~11.5mmであり、或いは前記基板直径が130mm~150mmの場合、前記成長面の前記高さが11mm~13mmであるよう選択されている、請求項1~7のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。2300MHz~2600MHzの前記マイクロ波周波数f、前記基板直径及び前記空胴共振器内の前記基板の前記成長面の前記高さは、前記基板直径が30mm~40mmの場合、前記基板の直径の前記高さが2.5mm~3.7mmであり、前記基板直径が40mm~48mmである場合、前記成長面の前記高さが3.5mm~4.2mmであり、或いは前記基板直径が48mm~55mmの場合、前記成長面の前記高さが4.0mm~4.8mmであるよう選択されている、請求項1~7のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記空胴共振器の直径と前記基板直径の比が1.5~5、2.0~4.5又は2.5~4.0であり、前記空胴共振器直径は、前記空胴共振器の高さの50未満、40未満、30未満又は20未満の高さのところで測定されている、請求項1~10のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記空胴共振器直径は、前記基板の前記成長面の高さのところで測定されている、請求項11記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記基板の前記成長面の中央領域の1つ又は2つ以上の測定値及び前記成長面の周辺領域の1つ又は2つ以上の測定値を含む少なくとも2つの温度測定値を取るよう構成された1つ又は2つ以上の温度測定装置と、前記基板の前記成長面上におけるCVDダイヤモンド成長中、前記少なくとも2つの温度測定値に基づいて前記基板の前記成長面の前記中央領域と前記周辺領域との間の温度差を制御するよう構成された基板温度制御システムとを更に含む、請求項1~12のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記基板温度制御システムは、次の条件、即ち、5°C<Tc-Te<120°C、10°C<Tc-Te<100°C、10°C<Tc-Te<80°C、20°C<Tc-Te<80°C又は20°C<Tc-Te<60°CTcは、前記成長面の前記中央領域の温度であり、Teは、前記成長面の前記周辺領域の温度であるを満たすよう前記基板の前記成長面上におけるCVDダイヤモンド成長中、前記基板の前記成長面の温度を制御するよう構成されている、請求項13記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記成長面の前記中央領域は、前記成長面の直径の50以下、40以下、30以下、20以下又は10以下の外径を有し、前記成長面の前記周辺領域は、前記成長面の直径の50超、60超、70超、80超、90超又は95超の内径を有する、請求項13又は14記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記基板は、前記基板ホルダの前記支持面と前記基板の後面との間に高さhのガス隙間を形成するようスペーサ要素によって間隔を置いた状態で前記基板ホルダの前記支持面上に設けられ、前記マイクロ波プラズマ反応器は、ガスを前記隙間に供給するガス供給システムを更に含み、前記スペーサ要素は、前記基板の下に、前記ガス供給システムからのガスが溜まることができる中央ガス隙間キャビティを画定するよう構成されている、請求項1~15のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記ガス隙間の前記高さhは、25μm~2000μm、50μm~1000μm、100μm~750μm、500μm~750μm、600μm~650μm、100μm~300μm又は150μm~250μmである、請求項16記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記基板温度制御システムは、前記基板の前記成長面の前記周辺領域を冷却するよう前記基板の周りに設けられた温度加減リングを更に含む、請求項13~17のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記温度加減リングは、前記基板の周りの前記基板ホルダの前記支持面にプロフィールを設けることにより又は別個のコンポーネントを前記基板上に配置することによって形成されている、請求項18記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記温度加減リングは、前記基板ホルダ上に設けられたスペーサ要素に設けられている、請求項19記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記温度加減リングは、500°Cを超える融点及び10Wm1K1を超える熱伝導率を有する、請求項18~20のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記温度加減リングは、金属製である、請求項18~21のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記温度加減リングは、タンタル、モリブデン、タングステン又はこれらの合金で作られている、請求項22記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記温度加減リングは、傾斜外面を有する、請求項18~23のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記ガス隙間の前記高さhは、前記基板の直径全体の60以上、70以上、80以上、90以上、95以上又は99以上の心出し直径を有する前記基板の少なくとも中央領域全体にわたり200μm以下、150μm以下、100μm以下、80μm以下、60μm以下、40μm以下、20μm、10μm以下又は5μm以下のばらつきを有する、請求項16又は17記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記ガス隙間は、第1のガス隙間高さを備えた中央領域及び第2のガス隙間高さを備えた周辺領域を有し、前記第1のガス隙間高さは、前記第2のガス隙間高さよりも大きい、請求項16、17又は25記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記基板ホルダは、前記プラズマチャンバから取り出し可能に構成されている、請求項1~26のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。請求項1~27のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器に用いられる基板であって、前記基板は、CVDダイヤモンドを成長させるべき平坦な成長面及び前記成長面と反対側の平坦な支持面を備えた炭化物形成耐熱金属の円筒形ディスクを含み、前記円筒形ディスクは、80mm以上の直径を有し、前記成長面は、100μm以下の平坦度ばらつきを有し、前記支持面は、100μm以下の平坦度ばらつきを有する、基板。前記成長面の前記平坦度ばらつきは、75μm以下、50μm以下、40μm以下、30μm以下、20μm以下、10μm以下、5μm以下又は1μm以下である、請求項28記載の基板。前記支持面の前記平坦度ばらつきは、75μm以下、50μm以下、40μm以下、30μm以下、20μm以下、10μm以下、5μm以下又は1μm以下である、請求項28又は29記載の基板。前記炭化物形成耐熱金属は、モリブデン、タングステン、ニオブ又はこれらの合金のうちの1つから選択される、請求項28~30のうちいずれか一に記載の基板。前記円筒形ディスクは、前記成長面のところの不純物を形成する黒鉛の重量で0.5以下、0.1以下、0.075以下、0.05以下、0.025以下、0.01以下、0.005以下又は0.001以下を占める、請求項28~31のうちいずれか一に記載の基板。前記円筒形ディスクは、炭化物形成耐熱金属の重量で少なくとも99、99.5、99.9、99.95又は99.99を占める、請求項28~32のうちいずれか一に記載の基板。前記成長面は、1nm~1μm、1nm~500nm、10nm~500nm、10m~200nm、10nm~100nm、10nm~50nm、20nm~100nm又は50nm~100nmの表面粗さRaを有する、請求項28~33のうちいずれか一に記載の基板。前記成長面の周りの前記基板の縁は、鋭利な縁、面取りされた縁又は丸くされた縁のうちの1つである、請求項28~34のうちいずれか一に記載の基板。前記成長面には、前記基板成長面の縁を中央領域から隔てる円形トレンチが設けられている、請求項28~35のうちずれか一に記載の基板。化学気相成長法を用いて合成ダイヤモンド材料を製造する方法であって、前記方法は、合成材料ダイヤモンドを製造するよう構成された反応器を用意するステップを含み、前記反応器内に設けられた基板ホルダ上に基板を配置するステップを含み、前記基板は、合成ダイヤモンド材料を成長させるべき成長面を有し、プロセスガスを前記反応器中に送り込むステップを含み、前記基板の前記成長面上に合成ダイヤモンド材料を成長させるステップを含み、前記方法は、前記合成ダイヤモンド材料の成長中、前記基板の前記成長面の中央領域の1つ又は2つ以上の測定値及び前記基板の成長面の周辺領域の1つ又は2つ以上の測定値を含む少なくとも2つの温度測定値を取るステップと、前記合成ダイヤモンド材料の成長中、前記少なくとも2つの温度測定値に基づいて前記基板の前記成長面の前記中央領域と前記周辺領域との間の温度差を制御するステップとを更に含み、前記合成ダイヤモンド材料の成長中における前記基板の前記成長面の温度は、5°C<Tc-Te<120°Cという条件を満たすよう制御され、上式において、Tcは、前記基板の前記成長面の前記中央領域の温度であり、Teは、前記基板の前記成長面の前記周辺領域の温度である、方法。前記基板の前記成長面の温度は、前記合成ダイヤモンド材料の成長中、10°C<Tc-Te<100°C、10°C<Tc-Te<80°C、20°C<Tc-Te<80°C又は20°C<Tc-Te<60°Cという条件を満たすよう制御される、請求項37記載の方法。前記反応器は、前記基板の前記成長面の0.05~10W/mm2又は1~5W/mm2の電力密度で作動される、請求項37又は38記載の方法。前記反応器は、2300~2600MHzのマイクロ波周波数において140トル以上、150トル以上、180トル以上若しくは200トル以上の圧力、800~1000MHzのマイクロ波周波数において80トル以上、100トル以上、120トル以上、140トル以上若しくは160トル以上の圧力又は400~500MHzのマイクロ波周波数において30トル以上、40トル以上、50トル以上、60トル以上若しくは70トル以上の圧力で作動される、請求項37~39のうちいずれか一に記載の方法。前記基板は、ガス隙間を形成するようスペーサ要素によって間隔を置いた状態で前記基板ホルダ上に設けられ、ガスが前記ガス隙間に供給され、前記ガスの流量は、前記反応器中に送り込まれる前記プロセスガスの流量の5以下、4以下、3以下、2以下又は1以下であるように制御される、請求項37~40のうちいずれか一に記載の方法。前記ガス隙間に供給される前記ガスは、互いに異なる熱伝導率を有する少なくとも2つのガスから成り、前記少なくとも2つのガスの比は、前記合成ダイヤモンド材料の成長中、前記少なくとも2つの温度測定値に基づいて前記基板の前記成長面の前記中央領域と前記周辺領域との間の前記温度差を制御するよう変えられる、請求項41記載の方法。前記ガス隙間に供給される前記ガスは、プロセスガスとして前記反応器にこれ又送り込まれる種類のガスで構成されている、請求項41又は42記載の方法。前記合成ダイヤモンド材料は、400~500MHzのマイクロ波周波数fに関し、165mm~415mm、185mm~375mm、205mm~375mm、205mm~330mm若しくは240mm~330mm、800~1000MHzのマイクロ波周波数fに関し、80mm~200mm、90mm~180mm、100mm~180mm、100mm~160mm若しくは115mm~160mm、又は2300~2600MHzのマイクロ波周波数fに関し、30mm~75mm、33mm~65mm、37mm~65mm、37mm~58mm若しくは42mm~58mmの直径を有する多結晶ダイヤモンドウェーハを形成するよう成長させられ、前記多結晶ダイヤモンドウェーハは、少なくとも中央領域上に実質的に亀裂のない自立型多結晶ダイヤモンドウェーハを生じさせるよう前記化学気相成長法を完了させた後、冷却時に前記基板から自然発生的に層状に剥離され、前記中央領域は、前記自立型多結晶ダイヤモンドウェーハの面積全体の少なくとも70、80、90又は95を占め、前記中央領域には、前記自立型多結晶ダイヤモンドウェーハの主要外側フェースの両方と交差すると共に長さ2mm超にわたって延びる亀裂が存在しない、請求項37~43のうちいずれか一に記載の方法。前記多結晶ダイヤモンドウェーハは、少なくとも100μm、300μm、500μm、700μm、1.0mm、1.2mm、1.5mm、2.0mm又は2.5mmの厚さまで成長させられる、請求項44記載の方法。単結晶ダイヤモンド基板が前記基板上に合成単結晶ダイヤモンド材料を成長させるために前記基板上に設けられ、前記少なくとも2つの温度測定値は、前記単結晶ダイヤモンド基板相互間の前記基板の領域のところで取られる、請求項37~45のうちいずれか一に記載の方法。前記基板は、後面プロフィールを維持するよう合成ダイヤモンド成長相互間で再処理される、請求項37~46のうちいずれか一に記載の方法。前記基板ホルダは、前記基板ホルダの支持面のプロフィールを維持するよう合成ダイヤモンド成長相互間で再処理される、請求項37~47のうちいずれか一に記載の方法。前記反応器内の前記基板の高さは、再処理によって前記基板及び/又は前記基板ホルダから除去される材料を考慮に入れて該基板を利用した次の合成ダイヤモンド成長中、前記反応器内の前記基板の前記成長面の実質的に一定の高さを維持するために、必要な場合には合成ダイヤモンド成長相互間で調節され、前記成長面の前記高さは、前記反応器内における前記基板の前記成長面の標的高さの2mm、1mm、0.8mm、0.5mm、0.3mm又は0.2mmの範囲内に維持される、請求項47又は48記載の方法。前記反応器を逆さまにし、それにより前記基板を支持している前記反応器の底部が地面に対して前記反応器の上壁を形成する、請求項37~49のうちいずれか一に記載の方法。化学気相成長法を用いて合成ダイヤモンド材料を製造する方法であって、前記方法は、合成材料ダイヤモンドを製造するよう構成された反応器を用意するステップを含み、前記反応器内に設けられた基板ホルダ上に基板を配置するステップを含み、前記基板は、合成ダイヤモンド材料を成長させるべき成長面を有し、プロセスガスを前記反応器中に送り込むステップを含み、前記基板の前記成長面上に合成ダイヤモンド材料を成長させるステップを含み、前記合成ダイヤモンド材料は、少なくとも120mmの直径を有する多結晶ダイヤモンドウェーハを形成するよう成長させられ、前記多結晶ダイヤモンドウェーハは、少なくとも中央領域上に実質的に亀裂のない自立型多結晶ダイヤモンドウェーハを生じさせるよう前記化学気相成長法を完了させた後、冷却時に前記基板から自然発生的に層状に剥離され、前記中央領域は、前記自立型多結晶ダイヤモンドウェーハの面積全体の少なくとも70を占め、前記中央領域には、前記自立型多結晶ダイヤモンドウェーハの主要外側フェースの両方と交差すると共に長さ2mm超にわたって延びる亀裂が存在しない、方法。前記中央領域は、前記自立型多結晶ダイヤモンドウェーハの面積全体の少なくとも80、90又は95を占める、請求項51記載の方法。前記多結晶ダイヤモンドウェーハの直径は、少なくとも140mm、160mm、200mm又は250mmである、請求項51又は52記載の方法。前記多結晶ダイヤモンドウェーハの直径は、400mm以下又は300mm以下である、請求項53記載の方法。前記多結晶ダイヤモンドウェーハは、少なくとも1.0mm、1.2mm、1.5mm、2.0mm又は2.5mmの厚さまで成長させられる、請求項51~54のうちいずれか一に記載の方法。前記反応器は、マイクロ波プラズマ反応器である、請求項51~55のうちいずれか一に記載の方法。本発明の或る特定の実施形態の目的は、これら問題のうちの1つ又は2つ以上に少なくとも部分的に取り組むことにある。特に、本発明の或る特定の実施形態の目的は、一様且つ/或いは首尾一貫したCVDダイヤモンド生成物を提供することにある。本発明の第1の観点によれば、化学気相成長により合成ダイヤモンド材料を製造するマイクロ波プラズマ反応器であって、マイクロ波プラズマ反応器は、周波数fのマイクロ波を発生させるよう構成されたマイクロ波発生器と、底部、頂板及び底部から頂板まで延びる側壁を備えていて、底部と頂板との間にマイクロ波共振モードを支える空胴共振器を構成するプラズマチャンバと、マイクロ波発生器からのマイクロ波をプラズマチャンバ中に送り込むマイクロ波結合構造体と、プロセスガスをプラズマチャンバ中に送り込み、そしてプロセスガスをプラズマチャンバから除去するガス流システムと、プラズマチャンバ内に設けられていて、基板を支持する支持面を備えた基板ホルダと、支持面上に設けられた基板とを含み、基板は、使用中に合成ダイヤモンド材料を析出させるべき成長面を有し、空胴共振器内の基板の寸法及び配置場所は、使用中において成長面を横切って局所軸対称Ez電場プロフィールを発生させるよう選択され、局所軸対称Ez電場プロフィールは、高電場のリングによって境界付けられた実質的に平坦な中央部分を有し、実質的に平坦な中央部分は、成長面の面積の少なくとも60にわたって延びると共に中央Ez電場強度の±10以下のEz電場ばらつきを有し、高電場リングは、中央部分の周りに設けられると共に中央Ez電場強度よりも10~50高いピークEz電場強度を有することを特徴とするマイクロ波プラズマ反応器が提供される。本発明の第1の観点の別の定義によれば、化学気相成長により、合成ダイヤモンド材料を製造するマイクロ波プラズマ反応器であって、このマイクロ波プラズマ反応器は、周波数fのマイクロ波を発生させるよう構成されたマイクロ波発生器と、底部、頂板及び底部から頂板まで延びる側壁を備えていて、底部と頂板との間にマイクロ波共振モードを支える空胴共振器を構成するプラズマチャンバと、マイクロ波発生器からのマイクロ波をプラズマチャンバ中に送り込むマイクロ波結合構造体と、プロセスガスをプラズマチャンバ中に送り込み、そしてプロセスガスをプラズマチャンバから除去するガス流システムと、プラズマチャンバ内に設けられていて、基板を支持する支持面を備えた基板ホルダと、支持面上に設けられた基板とを含み、基板は、使用中に合成ダイヤモンド材料を析出させるべき成長面を有し、プラズマチャンバの底部よりも上方に位置する基板の成長面の基板直径と高さの比が10~14、11~13.5又は11.0~12.5であり、基板の成長面の高さは、基板の周りの表面の平均高さに対する相対高さであることを特徴とするマイクロ波プラズマ反応器が提供される。本発明の第2の観点によれば、本発明の第1の観点によるマイクロ波プラズマ反応器に用いられる基板であって、この基板は、CVDダイヤモンドを成長させるべき平坦な成長面及び成長面と反対側の平坦な支持面を備えた炭化物形成耐熱金属の円筒形ディスクを含み、円筒形ディスクは、80mm以上の直径を有し、成長面は、100μm以下の平坦度ばらつきを有し、支持面は、100μm以下の平坦度ばらつきを有することを特徴とする基板がが提供される。本発明の第3の観点によれば、化学気相成長法を用いて合成ダイヤモンド材料を製造する方法であって、この方法は、合成材料ダイヤモンドを製造するよう構成された反応器を用意するステップを含み、反応器内に設けられた基板ホルダ上に基板を配置するステップを含み、基板は、合成ダイヤモンド材料を成長させるべき成長面を有し、プロセスガスを反応器中に送り込むステップを含み、基板の成長面上に合成ダイヤモンド材料を成長させるステップを含み、方法は、合成ダイヤモンド材料の成長中、基板の成長面の中央領域の1つ又は2つ以上の測定値及び基板の成長面の周辺領域の1つ又は2つ以上の測定値を含む少なくとも2つの温度測定値を取るステップと、合成ダイヤモンド材料の成長中、少なくとも2つの温度測定値に基づいて基板の成長面の中央領域と周辺領域との間の温度差を制御するステップとを更に含み、合成ダイヤモンド材料の成長中における基板の成長面の温度は、5°C<Tc-Te<120°Cという条件を満たすよう制御され、上式において、Tcは、基板の成長面の中央領域の温度であり、Teは、基板の成長面の周辺領域の温度であることを特徴とする方法が提供される。本発明の第4の観点によれば、化学気相成長法を用いて合成ダイヤモンド材料を製造する方法であって、この方法は、合成材料ダイヤモンドを製造するよう構成された反応器を用意するステップを含み、反応器内に設けられた基板ホルダ上に基板を配置するステップを含み、基板は、合成ダイヤモンド材料を成長させるべき成長面を有し、プロセスガスを反応器中に送り込むステップを含み、基板の成長面上に合成ダイヤモンド材料を成長させるステップを含み、合成ダイヤモンド材料は、少なくとも120mmの直径を有する多結晶ダイヤモンドウェーハを形成するよう成長させられ、多結晶ダイヤモンドウェーハは、少なくとも中央領域上に実質的に亀裂のない自立型多結晶ダイヤモンドウェーハを生じさせるよう化学気相成長法を完了させた後、冷却時に基板から自然発生的に層状に剥離され、中央領域は、自立型多結晶ダイヤモンドウェーハの面積全体の少なくとも70を占め、中央領域には、自立型多結晶ダイヤモンドウェーハの主要外側フェースの両方と交差すると共に長さ2mm超にわたって延びる亀裂が存在しないことを特徴とする方法が提供される。本発明の良好な理解を得るため且つ本発明をどのように具体化するかを示すために、今、添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明するが、かかる実施形態は例示に過ぎない。基板の広い領域上に一様なCVDダイヤモンド成長を提供するために基板の上方に一様な大面積プラズマを生成するよう構成されたマイクロ波プラズマ反応器を提供することが望ましいと考えられる。直感的にマイクロ波プラズマ反応器は、かかる一様なプラズマを生成するために基板の上方に一様な電場をサポートするよう構成されるべきであることが見込まれる。本発明の第1の観点は、特定の形態の非一様電場が対応の一様な下に位置する電場よりも広い領域にわたって一様なプラズマを生じさせることができ、これにより広い領域上に一様なCVDダイヤモンド成長が得られるという見た目の直感に反する知見に基づいている。特に、本発明者は、高電場のリングによって境界付けられた実質的に平坦な中央部分を含む軸対称Ezプロフィールを有する電場を形成することが好ましいことを見出し、実質的に平坦な中央部分が基板の成長面の面積の少なくとも60にわたって延びると共に中央Ez電場強度の±10以下、±8以下、±6以下、±5以下、±4以下、±3以下、±2以下又は±1以下のEz電場ばらつきを有する。高電場リングは、中央部分の周りに配置され、中央Ez電場強度よりも10~50、10~40、15~30又は15~25高いピークEz電場強度を有する。高電場リングが基板の上方に平坦で大面積のプラズマを生成するようプラズマを外方に引くのを助けることができるということが判明した。さらに、プラズマの縁が高い熱放射損及び高い熱対流損を有するので、高電場リングは、かかる損失を保証する上で有利であると考えられる。この場合、一様なプラズマは、広い領域にわたって一様なCVDダイヤモンド成長を生じさせるよう下に位置する基板に向かって一様な熱流及び基板の成長面への活性種の一様な運搬を提供することができる。適当な基板寸法を選択し、基板をプラズマ反応器の空胴共振器内の正確な場所に位置決めすることによって上述した電場プロフィールを生成することができるということが判明した。この点に関し、基板成長面の上方に電場プロフィールを定めるよう特定のチャンバ形態について電場をモデル化することが可能である。共振時に必ずしも駆動周波数においてではない特定の寸法の空胴共振器について電場計算を実施することによって電場プロフィールをモデル化することができる。固有微分方程式解答プログラムを用いて計算を実施することができる。局所軸対称Ez電場プロフィールは、これが基板の成長面に対して計算される高さに従って変化する場合がある。本発明の実施形態によれば、局所軸対称Ez電場プロフィールは、基板の成長面よりも、400MHz~500MHzのマイクロ波周波数fに関し、4mm、6mm又は8mm高い、800MHz~1000MHzのマイクロ波周波数fに関し、2mm、3mm又は4mm高い、又は2300MHz~2600MHzのマイクロ波周波数fに関し、0.7mm、1.0mm又は1.5mm高い高さのところで計算される。基板をモデル化又は実験的測定によって示すことができる空胴共振器内に導入したときに電場プロフィールが著しく混乱状態になることが判明した。この点に関し、図1a~cは、プラズマ反応器の空胴共振器内の基板の種々の高さにより電場がどのように変化するかを示す電場プロフィールプロットを示している。かかるプロットは、Y軸上の電場Ezの大きさと基板上の空胴共振器の直径を横切る横方向位置Xとの関係を示している。図1aは、基板Sの成長面が空胴共振器Cの底部Bのすぐ上に配置されている場合の電場プロフィールを示している。電場プロフィールは、TM01nチャンバに関するJ0ベッセル関数である空のチャンバの電場プロフィールによって決定される。基板とチャンバ壁との間にセットアップされた同軸モードを形成するような基板の上縁から電場大きさへの寄与はほんの僅かに過ぎない。この構成例では、電場は、基板の中央領域の上方で高く、そして基板の縁に向かって著しく衰える。したがって、この電場プロフィールの結果として、基板成長面の周辺領域ではCVDダイヤモンド成長不良が生じる。図1bは、基板Sの成長面が空胴共振器Cの底部Bよりも高いところに位置した場合の電場プロフィールを示している。この場合、電場プロフィールは、基板とチャンバ壁との間にセットアップされていて、チャンバの中央領域中に次第に減衰する同軸モードによって決定される。この構成例では、電場は、基板の周辺領域の上方で高く、そして基板の中央領域に向かって減少する。したがって、この電場プロフィールの結果として、基板成長面の中央領域ではCVDダイヤモンド成長が不良である。図1cは、基板Sの成長面が空胴共振器C内の包囲面よりも上方の正確なところに配置された場合の電場プロフィールを示している。空のチャンバの電場プロフィールは、高電場のリングが基板縁の周りに配置された状態で基板の大部分の上方に実質的に一様な電場領域を形成するよう基板とチャンバ壁との間にセットアップされた同軸モードと釣り合いが取られている。電場の中央領域は、実質的に一様であるが、基板縁の周りに配置された高電場リングのちょうど内側に僅かに低い電場領域を有している。この低い電場領域により成長面のこの領域のところにCVDダイヤモンド成長不良が生じると考えられる。しかしながら、実際には、停電場領域のすぐ外側の高電場リングがプラズマを外方に引っ張り、中央領域の僅かな非一様性を補償し、その結果、広い領域にわたって一様なCVDダイヤモンド成長を可能にする大きく且つ平坦で一様なプラズマが基板の大部分の上方に生じるのを助けることが判明した。注目されるべきこととして、電場プロフィールは又、マイクロ波プラズマ反応器が使用中にあることに存在する特性であるが、これは、使用中でない場合、マイクロ波プラズマ反応器の電場プロフィールをその共振周波数で又は所与の周波数によって駆動されている場合に存在するものとしてモデル化時に一義的に定められる。これらモデルのいずれもマイクロ波プラズマ反応器に利用でき、それによりそれほど過度の負担なくその電場プロフィールを決定することができる。本発明の第1の観点は、モデル化例えば、共振時にモデル化される又は実験的測定が定めるのを必要とする電場プロフィールに関して上述したが、プラズマ反応器の空胴共振器内の基板の簡単な寸法データ及びその配置場所の点で簡単すぎる定義を与えることができる。実際には、本発明者は、基板の直径と基板の成長面の高さ基板の成長面の高さは、基板を包囲した表面の平均高さに関するの比が10~14、11~13.5又は11.0~12.5である場合に基板の大部分上に位置していて、広い領域にわたって一様なCVDダイヤモンド成長を可能にする大きく且つ平坦で一様なプラズマを達成できるということを見出した。したがって、モデル化又は実験速度なしで本発明の第1の観点のこの別の定義を利用することができる。しかしながら、構成上、これら範囲から外れている場合、別の或るチャンバ幾何学的形状を利用すると、上述した電場プロフィールを形成することが依然として可能であることが想定される。この場合、構成が本発明の第1の観点と適合するかどうかを確かめるためにモデル化又は実験的測定が必要な場合がある。これとは逆に、構成上、電場プロフィールに基づく本発明の第1の観点の定義から外れている場合、これは、基板直径と基板の成長面の高さの比に基づく別の定義に依然として入る場合がある。これは、プラズマチャンバ内の基板の寸法及び配置場所が上述の電場プロフィールを形成するよう選択されているが、何らかの別の1つ又は複数の要素が基板の上方の電場プロフィールを改変させるよう設けられている場合であると言える。例えば、以下に説明するように、基板の縁の上方に位置した高電場リングの大きさを減少するために基板周りに金属製リングを配置するのが良い。代替的に又は追加的に、基板ホルダは、基板の縁の上方に位置した高電場リングの大きさを減少させるために電場を乱すよう形作られるのが良い。また、他の電場加減要素が想定される。例えば、電場プロフィールを乱す別の金属製物体、例えば基板の下に配置された金属製インサートが基板ホルダ上に配置されるのが良い。したがって、これら構成は、正確な基板直径/成長面高さの比を有する一方で、かなり高い電場リングが基板の縁の上方に位置しない状態で電場プロフィールを有するよう構成されるのが良い。基板ホルダが基板と同一直径である構成例の場合、基板ホルダは、全体が基板の下に配置され、基板を包囲する表面は、プラズマチャンバの底部によって形成されるのが良い。したがって、この場合、基板を包囲した表面の平均高さは、プラズマチャンバCの底部Bの高さに等しく、基板の成長面の高さHgsは、図2aに示されているように基板S及び基板ホルダSHを包囲したプラズマチャンバの底部から測定されることになる。変形例として、基板ホルダが基板よりも非常に大きく、かくして基板を包囲する広い平坦面が形成されている構成例の場合、基板を包囲した表面の平均高さ位置は、基板ホルダの頂面に等しい。したがって、この場合、基板の成長面の高さHgsは、図2bに示されているように基板Sを包囲した基板ホルダSHの頂面から測定されることになる。基板ホルダが基板から外方に延び、傾斜し、湾曲し又は段付き頂面が基板を包囲している構成例の場合、局所包囲表面の平均高さHlssをRsで示された基板の縁と半径方向Xで取った基板縁から基板の厚さの約2倍即ち、2×Tsの距離のところとの間の断面の高さの平均値Hlocalによって定めることができる。かかる構成例は、傾斜基板ホルダについて図2cに示されている。例えば、基板から45°の角度をなして半径方向に基板から距離2×Tsまで傾斜した頂面を有する基板ホルダの場合、基板を包囲した表面の平均高さは、基板ホルダSHの高さの半分に等しい。したがって、この場合、基板の成長面の高さHgsは、基板ホルダの高さSHの半分から測定される。上述のことと関連して、基板成長面と局所包囲表面との間に特定高さの段部を提供することにより、プラズマチャンバの電場プロフィールが乱され、空のチャンバの電場プロフィールが基板とチャンバ壁との間にセットアップされた同軸モードとの釣り合いが取られ、それにより高電場リングが上述したように基板縁の周りに局所化された状態で、実質的に一様な電場領域が基板の大部分上に形成されるということが判明した。本発明の実施形態は、TM01n共振チャンバ内での利用に特に適している。本発明の第1の観点は、具体化するのに必要な特定の幾何学的形状は、プラズマ反応器の動作周波数にも依存することになる。適当な幾何学的形状の例示を以下に記載する。基板直径は、400~500MHzのマイクロ波周波数fに関し、165mm~415mm、185mm~375mm、205mm~375mm、205mm~330mm若しくは240mm~330mmであり、800~1000MHzのマイクロ波周波数fに関し、80mm~200mm、90mm~180mm、100mm~180mm、100mm~160mm若しくは115mm~160mmであり、又は2300~2600MHzのマイクロ波周波数fに関し、30mm~75mm、33mm~65mm、37mm~65mm、37mm~58mm若しくは42mm~58mmであるよう選択されるのが良い。プラズマチャンバの底部よりも上方の基板の成長面の高さは、400~500MHzのマイクロ波周波数fに関し、10mm~30mm若しくは14mm~27mmであり、800~1000MHzのマイクロ波周波数fに関し、5mm~15mm若しくは7mm~13mmであり、又は2300~2600MHzのマイクロ波周波数fに関し、2.0mm~5.5mm若しくは2.5mm~5.0mmである。多数の動作周波数帯域幅についての特に有用な高さと直径の組み合わせが以下に与えられている。マイクロ波周波数fが400MHz~500MHzである場合、基板直径及び空胴共振器内における包囲表面の平均高さよりも上方の基板の成長面の高さは、オプションとして、基板直径が180mm~230mmの場合、基板の直径の高さが14mm~20mmであり、基板直径が230mm~270mmである場合、成長面の高さが20mm~24mmであり、或いは基板直径が270mm~310mmの場合、成長面の高さが22mm~27mmであるよう選択されるのが良い。マイクロ波周波数fが800MHz~1000MHzである場合、基板直径及び空胴共振器内における包囲表面の平均高さよりも上方の基板の成長面の高さは、オプションとして、基板直径が30mm~40mmの場合、基板の直径の高さが2.5mm~3.7mmであり、基板直径が40mm~48mmである場合、成長面の高さが3.5mm~4.2mmであり、或いは基板直径が48mm~55mmの場合、成長面の高さが4.0mm~4.8mmであるよう選択されるのが良い。マイクロ波周波数fが2300MHz~2600MHzである場合、基板直径及び空胴共振器内における包囲表面の平均高さよりも上方の基板の成長面の高さは、オプションとして、基板直径が30mm~40mmの場合、基板の直径の高さが2.5mm~3.7mmであり、基板直径が40mm~48mmである場合、成長面の高さが3.5mm~4.2mmであり、或いは基板直径が48mm~55mmの場合、成長面の高さが4.0mm~4.8mmであるよう選択されるのが良い。上述のことと関連して、反応器を使用の際に逆さまにすることが可能であることに注目されるべきである。例えば、標準的使用の際、基板は、チャンバの底部によって支持され、この底部は、地面に対してチャンバの底壁を形成する。しかしながら、反応器を逆さまにして基板を支持しているチャンバの底部が地面に対してチャンバの容積を形成するようにすることが可能である。この構成例では、包囲表面の平均高さの上方の成長面の高さは、下向きの方向に測定される。逆さまの向きでは、基板に向かうガス流は、主要な熱駆動対流かかる対流は、プラズマチャンバ内の下方において生じた大量の熱に起因して、上向きの方向であるに平行であると言える。この逆さま構成例は、或る特定の用途については幾つかの利点を有する場合がある。基板とチャンバとの間にセットアップされた同軸モードの大きさは、空胴共振器直径と基板直径の比によっても影響を受ける場合がある。したがって、或る特定の実施形態では、空胴共振器の直径と基板直径の比が1.5~5、2.0~4.5又は2.5~4.0である形態を提供することが好ましい場合があり、空胴共振器直径は、空胴共振器の高さの50未満、40未満、30未満又は20未満の高さのところで測定される。特に好ましい一構成例では、上述の比は、空胴共振器直径が基板の成長面の高さのところで測定される場合にも当てはまる。かくして、本発明の第1の観点としての実施形態は、広い面積にわたって一様なCVDダイヤモンド成長を達成することができる構造のプラズマ反応器を提供することを目的としている。さらに、かかる構造により達成される一様なプラズマは又、基板に向かう比較的一様な熱流を提供し、これは、CVDダイヤモンドが成長後に冷えると、CVDダイヤモンドの亀裂発生の問題を軽減するのを助けるということが判明した。この点に関し、CVDダイヤモンドウェーハ中の応力釣り合いは、主として、ダイヤモンドウェーハ全体にわたる成長温度のばらつきによって決まる。高温領域は、成長中における高温領域は、冷却中に互いに接触し、したがって、引っ張り状態になり、低温領域は相互接触の度合いが小さく、したがって、圧縮状態のままである。冷却中のCVDダイヤモンドウェーハ内の応力のばらつきの結果として、亀裂発生が生じることがある。したがって、基板温度の大きな変動は、望ましくない。とは言うものの、上述の構成を用いた場合の潜在的な一問題は、基板の縁の周りに設けられた高電場リングにより、基板の縁のところに高い基板温度が生じる場合があり、これにより、潜在的に、CVDダイヤモンド材料が成長後に冷えたときに基板の亀裂発生が生じることである。確かに、直感的に望ましい基板成長面全体にわたって完全に一様な温度を有するのではなく、本発明者は、基板成長面の縁温度が基板成長面の中央領域の温度よりも低いようにすることが実際には望ましいと考えている。かかる構成の理由は、CVDダイヤモンド材料内の圧縮領域が亀裂発生の源となる場合のある場所の近く、即ち、CVDダイヤモンドウェーハの縁の近くに位置するようにすることによって亀裂伝搬を最小限に抑えることができるということにある。したがって、基板成長面の縁を成長中、中央領域よりも僅かに低温状態に保つことは、結果として得られるCVDダイヤモンドウェーハの縁の近くに圧縮領域を形成する上で有利であると考えられる。亀裂発生が冷却中のCVDダイヤモンドウェーハの縁のところで開始される場合、CVDダイヤモンドウェーハの縁の付近の圧縮領域は、亀裂がCVDダイヤモンドウェーハの中心に向かって伝搬するのを阻止する。したがって、発生が開始された亀裂は、短く、しかも次に僅かな縁損傷を取り除くよう処理可能なCVDダイヤモンドウェーハの外縁のところに位置したままである傾向がある。したがって、或る特定の状況において、マイクロ波プラズマ反応器を改造してこれが基板の成長面の中央領域の1つ又は2つ以上の測定値オプションとして、2つ又は3つ以上及び成長面の周辺領域の1つ又は2つ以上の測定値オプションとして、2つ又は3つ以上を含む少なくとも2つの温度測定値を取るよう構成された1つ又は2つ以上の温度測定装置を有するようにすると有利であることが判明した。さらに、基板温度制御システムが設けられるのが良く、この基板温度制御システムは、基板の成長面上におけるCVDダイヤモンド成長中、少なくとも2つの温度測定値に基づいて基板の成長面の中央領域と周辺領域との間の温度差を制御するよう構成されるのが良い。中央領域温度測定値は、成長面の直径の50以下、40以下、30以下、20以下又は10以下の外径を有する中央領域で取られるのが良い。周辺領域温度測定値は、成長面の直径の50超、60超、70超、80超、90超又は95超の内径を有する基板の成長面の周辺領域で取られるのが良い。基板温度制御システムは、次の条件、即ち、5°C<Tc-Te<120°C、10°C<Tc-Te<100°C、10°C<Tc-Te<80°C、20°C<Tc-Te<80°C又は20°C<Tc-Te<60°Cを満たすよう基板の成長面上におけるCVDダイヤモンド成長中、基板の成長面の温度を制御するよう構成されるのが良く、Tcは、成長面の中央領域の温度であり、Teは、成長面の周辺領域の温度である。Tc-Teが大きすぎるようになると、冷却中、CVDダイヤモンドウェーハの中央領域に過度に大きな張力が生じる場合があり、それによりCVDダイヤモンドウェーハの中央領域に亀裂が生じる。Tc-Teが小さすぎるようになった場合、圧縮領域は、CVDダイヤモンドウェーハの縁の近くでは生じず、ウェーハの縁のところで発生開始する亀裂は、CVDダイヤモンドウェーハを横切って伝搬する可能性が多分にあり、その結果、完全なウェーハ破損を含む極めて長い亀裂が生じる。基板温度制御システムは、有利には、温度測定値を取ると共に基板の温度をそれに応じて調節するよう完全自動化される。代替的に又は追加的に、基板温度制御システムは、基板温度に対する手動調整を温度測定値に基づいて行うことができるよう構成されているのが良い。潜在的に、CVDダイヤモンド成長中、基板の成長面の中央領域と周辺領域との間の温度差を制御するために基板温度制御システムを構成することができる仕方は多種多様に存在する。一手段は、基板の下に設けられたガス隙間を用いることである。かかる構成例では、基板は、基板ホルダの支持面と基板の下面との間に高さhのガス隙間を形成するようスペーサ要素によって間隔を置いた状態で基板ホルダの支持面上に設けられている。この場合、基板温度制御システムは、ガスをガス隙間に供給するガス供給システムを更に含むのが良い。スペーサ要素は、基板の下に、ガス供給システムからのガスが溜まることができる中央ガス隙間キャビティを画定し、ガス隙間の熱伝導率を変更し、かくして基板の中央領域と周辺領域の相対温度を制御することができるよう構成されるのが良い。ガスを基板の下のガス隙間空胴に供給するガス供給システムは、プラズマチャンバ中への全ガス流量の5未満、4未満、3未満、2未満又は1未満の量のガスを供給するのが良い。即ち、基板の下に供給されるガスは、プラズマチャンバ中に供給される全ガスのほんの何分の一かであり、大部分は、有利には基板と反対側のプラズマチャンバの端のところに配置された主ガス入口を通ってプラズマチャンバに供給されるプロセスガスである。ガス隙間空胴に供給されるかかる量のガスは、基板の下でガス隙間内に溜まり、そして本明細書において説明した仕方で基板の温度を制御するのに十分であり、この場合、基板に向かって且つこの周りからガス出口に向かうプロセスガスの主プロセスガス流は、それほど乱されない。即ち、基板の温度を制御するためにガスをガス隙間空胴に供給するガス供給システムは、これが主プロセスガス入口からのガス流に悪影響を及ぼすことがないよう構成されている。図3は、かかる基板温度制御システムを含むプラズマ反応器の一例を示している。マイクロ波プラズマ反応器は、以下の基本的なコンポーネント、即ち、プラズマチャンバ2、プラズマチャンバ内に設けられていて、基板5を支持した基板ホルダ4、プラズマチャンバ2内にプラズマ8を生成するマイクロ波発生器6、マイクロ波発生器6からのマイクロ波を誘電体窓11を通ってプラズマチャンバ2内に送り込むマイクロ波結合構造体10及びプロセスガスをプラズマチャンバ2中に送り込んだりプロセスガスをプラズマチャンバ2から取り出したりする1つ又は2つ以上のガス入口12及び1つ又は2つ以上のガス出口14を備えたガス流システムを含む。プラズマチャンバは、使用中において定常マイクロ波をサポートする空胴共振器を形成するよう構成されている。一構成例によれば、プラズマチャンバは、使用中、TM01n定常マイクロ波、例えば、TM011モードをサポートするよう構成されている。動作周波数は、400~500MHz、800~1000MHz又は2300~260MHzであるのが良い。炭素源及び水素分子を含む源ガスがプラズマ反応器容器中に送り込まれ、かかる現ガスを定常マイクロ波によって活性化させると、高電場領域にプラズマを生成することができる。適当な基板がプラズマに近接して設けられた場合、ラジカルを含む反応性炭素がプラズマから拡散して基板に至り、そしてかかる反応性炭素を基板上に析出させることができる。水素原子も又、プラズマから基板に拡散することができ、そして選択的に、エッチングにより非ダイヤモンド炭素を基板から除去してダイヤモンド成長が起こることができるようにする。基板5は、基板ホルダ4の支持面20と基板5の支持面22との間にガス隙間18を形成するようスペーサワイヤ又はスペーサパッド16によって基板ホルダ4から間隔を置いて配置されている。ガス隙間の高さHは、特定の合成条件に応じて、25μm~2000μm、50μm~1000μm又は100μm~750μmであるのが良い。例えば、或る特定の高温ダイヤモンド合成プロセスに関し、500μm~750μm又は600μm~650μmのガス隙間高さが好ましいことが判明した。或る特定の低温ダイヤモンド合成プロセスに関し、100μm~300μm又は150μm~250μmのガス隙間高さが好ましいと判明した。さらに、ガス供給システム24が供給パイプ26を介してガス隙間18に結合されており、この供給パイプは、ガス供給システム24から基板ホルダ4を通って延び、そして基板ホルダ支持面に設けられた1つ又は2つ以上の出口を通ってガスをガス隙間18中に供給するよう構成されている。基板ホルダ4を冷却するために冷却液供給システム28も又設けられている。また、注目されるべきこととして、図3に示されているマイクロ波プラズマ反応器は、プラズマチャンバ内に設けられた別個の基板ホルダを有しているが、基板ホルダは、プラズマチャンバの底部によって形成されていても良い。基板ホルダという用語の使用は、かかる変形例を含むことを意図している。さらに、基板ホルダは、基板と同一の直径図示されているように又はこれよりも大きな直径を有する平坦な支持面を有するのが良い。例えば、基板ホルダは、チャンバ底部又はチャンバ底部上に設けられた別個のコンポーネントにより形成される広い平坦な正面を構成するのが良く、基板は、平坦な支持面の中央領域上に注意深く位置決めされるのが良い。一構成例では、平坦な支持面は、基板を位置合わせし、オプションとしてこれを保持する別の要素、例えば突出部又は溝を有するのが良い。変形例として、かかる追加の要素を設けなくても良く、その結果、基板ホルダは、基板を載せる平坦な支持面を提供するに過ぎない。冷却液供給システムは、基板ホルダに大まかな基本的冷却作用を提供する。しかしながら、このシステムは、広い領域上にCVDダイヤモンドの高品質且つ一様な析出物を得るために本発明者により必要とされると考えられる基板の細かい温度制御を行うには精度が不十分であることが判明した。したがって、基板温度のより正確な制御を可能にするためにガス供給システムが提供される。ガス供給システムは、熱伝導率が互いに異なる少なくとも2つのガスを基板の下のガス隙間中に噴射して少なくとも2つのガスの比を変化させ、それにより基板ホルダ上の基板の温度を制御するよう構成されるのが良い。例えば、ガス供給システムは、軽いガス気体、例えば水素と熱伝導率の小さい重いガス気体、例えばアルゴンとの混合物を利用するのが良い。有利には、基板の温度を制御するために用いられるガスは、主プロセス化学反応で利用されるガスであり、したがって、追加のガス源は不要である。基板の縁温度が基板の中央領域に対して高すぎる場合、軽ガスに対する重ガスの比率を増大させて基板の中央領域の下のガスの熱伝導率を減少させ、かくして基板の中央領域が基板の縁に対して昇温するようにするのが良い。これとは逆に、基板の縁温度が基板の中央領域に対して低すぎる場合、重ガスに対する軽ガスの比率を増大させて基板の中央領域の下のガスの熱伝導率を増大させ、かくして基板の中央領域が基板の縁に対して冷えるようにするのが良い。基板の絶対温度並びに基板の互いに異なる領域の相対温度も又、基板の下のガス隙間内のガス流量及びガス組成を変化させることにより制御できる。図4は、マイクロ波プラズマ反応器の一部分の平面図であり、基板ホルダ支持面20及びこの上に設けられたスペーサワイヤ16を詳細に示している。基板ホルダの支持面20は、ガスをガス隙間に供給する少なくとも1つのガス入口30を有している。少なくとも1つのガス入口30は、好ましくは、支持面20に中心対称的に位置決めされている。スペーサワイヤ16は、基板の下に中央ガス隙間空胴を形成するよう構成されるのが良く、その結果、ガスは、中央ガス隙間空胴内に溜まるようになる。図示の実施形態では、ワイヤ16は各々、形状が弧状であり、これらスペーサワイヤは、リングの状態に形作られており、スペーサワイヤ相互間にはガスを流通させることができる隙間32が形成されている。スペーサ要素は、導電性であると共に/或いは導電性接着剤、例えばSilverDAG商標により定位置に固定されるのが良く、この導電性接着剤は、スペーサ要素と基板ホルダとの良好な電気的接触を保証するのに有用であることが判明した。これは、温度制御に悪影響を及ぼす場合のある基板の下におけるアーク発生という問題を阻止するのに役立つ。また、スペーサワイヤのリング区分相互間の隙間の位置によりダイヤモンドウェーハの厚さに変化を生じさせることができるということが注目された。所望ならば、隙間の数及び位置を調整すると所与の反応器により生じるダイヤモンドウェーハに固有の他の非一様性を補償することができる。マイクロ波プラズマ反応器は、基板の成長面の中央領域の1つ又は2つ以上の測定値及び成長面の周辺領域の1つ又は2つ以上の測定値を含む少なくとも2つの温度測定値を取るよう構成された1つ又は2つ以上の温度測定装置を更に含む。温度測定値は、同時に又は互いに短い時間間隔内で取られるのが良く、基板温度制御装置は、温度勾配が上述の範囲から出ることがないよう用いられるのが良い。温度測定装置は、図3に示されているように高温計13から成るのが良い。2つの高温計が設けられるのが良く、1つは中央温度測定値を取るためのものであり、もう1つは周辺温度測定値を取るためのものである。変形例として、複数の熱電対を基板中に埋め込んでも良い。とは言うものの、熱電対の埋め込みは、困難でありしかも当てにできないばあいがあることが判明した。したがって、複数の高温測定手段が良好な解決手段であると考えられる。この点に関し、多結晶ダイヤモンド材料は、基板成長面上に生じるので、高温測定手段は、成長中のCVDダイヤモンド材料の温度に的を絞ることができるということが注目されよう。しかしながら、多結晶ダイヤモンド材料は、下に位置する基板と良好な熱的接触状態にあるので、多結晶ダイヤモンド材料の温度は、基板の下に位置する成長面の温度に等しくなる。単結晶ダイヤモンド成長の場合、温度測定値は、好ましくは、成長中の単結晶相互間で取られる。ダイヤモンドは、或る特定の高温測定波長では透明である場合があるので、高温測定手段は、適当な波長が高温測定手段について選択された場合、ダイヤモンドを通して基板の下に位置する成長面上に的を絞ることができる。基板温度制御システムは、基板の周りに設けられていて、基板の成長面の周辺領域を冷却する温度加減リングを更に含むのが良い。温度加減リングは、基板の周りの基板ホルダの支持面にプロフィールを設けることにより又は別個のコンポーネントを基板上に配置することによって形成されるのが良い。図5は、基板ホルダ4の上に且つ基板5の周りに配置されたかかる温度加減リング500を含むよう構成された別のマイクロ波プラズマ反応器の断面図である。温度加減リング500は、基板ホルダ上に支持された基板と同様な仕方で、支持脚部によりスペーサ上に設けられており、支持脚部は、基板ホルダとの接触箇所を提供するよう温度加減リングの下面に機械加工により形成されるのが良い。他の点において、図5に示されている構成は、図3に示されている構成と同一である。図6は、温度加減リングを詳細に示している。このリングは、プラズマチャンバ内に存在する過酷な熱的環境に対して堅牢であるべきである。有利には、リングは、500°Cを超える融点及び10Wm1K1を超える熱伝導率を有するべきである。リングは、好ましくは、金属製である。さらに、リングは、1×105Sm1を超える導電率を有するのが良い。適当な材料の例としては、タンタル、モリブデン、タングステン及びこれらの合金が挙げられる。リングは、好ましくは、完全なリングである。ただし複数の弧状セグメントから成るセグメント化リングを用いることが可能な場合がある。有利には、リングは、リングの中心軸線に対して傾斜した、例えば20°~80°の角度をなし、より好ましくは40°~60°の角度をなす外面502を有する。リングが幅の広い頂部分を有する場合、これは、全送り出し電力密度を減少させる場合のあることが判明した。したがって、リングの頂部分の幅は、5mm以下、3mm以下又は2mm以下であるの良い。一構成例では、リングは、幅1mmの垂直タンタルストリップで形成されるのが良い。しかしながら、リングの下方部分は、電力を吸収するよう広い幅を有し、ほぼダイヤモンド成長温度まで昇温することが望ましい。したがって、図示すると共に上述した傾斜断面構成が好ましい。リングと基板ホルダとの接触領域が狭いようにすることによってリングの温度を高温状態に保つのが良く、例えば、リングの下面の大部分を基板ホルダ及び/又はチャンバの底部から間隔を置いて配置するのが良い。かくして、リングの下に約0.5mmの隙間が設けられるのが良く、その結果、リングとリングが載せられる表面との熱伝導が殆ど生じないようになる。温度加減リングは、2つの役割を果たし、即ち、温度加減リングは、高電場のリングを基板縁から遠ざけ、又、温度加減リングは、別々に加熱されたりプラズマにより冷却されたりチャンバ底部によりするアイテムであるので、基板縁温度を直接加減する。したがって、リングは、基板の縁を冷却する機能を果たすことができ、それにより引っ張り応力の大きさが減少すると共にCVDダイヤモンドの亀裂発生の恐れが殆どなくなる。上述のことに照らして、基板の周りで基板ホルダに取り付けられたかかるリング構造体の使用は、上述の本発明の実施形態と組み合わせて用いるのに有利な場合があることは明らかであろう。かかるリング構造体の有利な作用効果は又、別のプラズマ反応器構成例についても明らかであると言える。例えば上述した構成を利用した場合であっても、多くの問題が依然として存在する場合がある。但し、これら問題は、上述の構成により実質的に軽減される場合がある。例えば、場合によっては、具体的に言えば、大面積多結晶ダイヤモンドディスク例えば、直径80mm以上を成長させるために大きな基板を用いた場合又は複数の単結晶ダイヤモンドを単一の成長段階で比較的広い面積例えば、直径80mm以上にわたって耐熱金属基板にくっつけられた複数の単結晶ダイヤモンド基板上に成長させる場合、基板の端から端までにおける非一様なCVDダイヤモンド成長、CVDダイヤモンド成長中における基板からのCVDダイヤモンドウェーハの層状剥離並びにCVDダイヤモンドウェーハの成長後の冷却の際の亀裂発生開始及び伝搬という問題が依然として存在する。これは、高品質一様なCVDダイヤモンドを成長させることができる領域を増大させる目下の要望があるので特に問題である。さらに、これら問題は、基板を次の成長段階において再使用する場合に悪化する傾向がある。これは、基板が高価でありしかも経済的に競合する工業プロセスにおいて再使用が望ましいので、特に問題である。本発明者が検討した考えられる一手段は、成長面の品質が成長後の冷却時にCVDダイヤモンドウェーハの取り外しに何らかの仕方で影響を及ぼすことであったが、かくして亀裂が生じた。しかしながら、成長面を処理して正確に定められた平坦度及び粗さを有するようにすることは、それ自体問題を解決するものではないということが判明した。これら問題の取り組みに焦点を当てた大規模な研究後、本発明者は、驚くべきこととして、観察された問題が基板の成長面全体にわたって基板の下のガス隙間の高さの極めて僅かなばらつきによって生じる温度の僅かな変化の結果であるということを見出した。具体的に説明すると、本発明者は、自分達のための供給業者により提供された円筒形耐熱金属基板は、名目上平坦な前面及び後面を有するが、これら表面は、十分に平坦ではないということを見出した。基板の後面の僅かな平坦度のばらつきの結果として、ガス隙間の高さの僅かなばらつきが生じ、この結果、基板全体にわたって冷却度の差が生じるということが判明した。ガス隙間高さのばらつきにより生じる温度のばらつきの結果として、CVDダイヤモンド成長後の冷却時にCVDダイヤモンドに応力のばらつきが生じ、それにより、ダイヤモンドウェーハが少なくとも成長段階の一部分において亀裂が生じる場合があり、その結果歩留りが減少する。上述の構成例は、円周方向に対称である温度のばらつきを制御することができるが、円周方向に対称ではない温度のばらつき、例えば、ガス隙間高さのばらつきにより生じる温度のばらつきを制御するのは困難である場合がある。例えば、耐熱金属基板は、使用中に垂れ下がって座屈する傾向があるこれらの融点から判断して長時間であるにもかかわらず。一様な垂れ下がりは、主として、上述したように制御可能なTc-Teを変更する。しかしながら、座屈により、対称ではないウェーハ縁周りの温度に非一様性が生じる。したがって、縁全体を圧縮状態に維持することは容易ではない。典型的な座屈の大きさは、20ミクロン山から谷までを超える場合がある。約200ミクロンのガス隙間の場合、これは、厚さの10のばらつき及び対応の温度変化に対応している。この結果、ウェーハ縁周りに最高60°Cまでの温度変化が生じる場合ある。この問題を解決するため、本発明者は、ガス隙間の高さhが200μm以下、150μm以下、100μm以下、80μm以下、60μm以下、40μm以下、20μm、10μm以下又は5μm以下のばらつきを有するようにすることが有利であることを見出した。これは、例えば、供給業者により提供される基板の後面を更に処理して基板ホルダの支持面のプロフィールと相補する極めて正確に定められたプロフィールを有するようにすることによって達成できる。例えば、基板ホルダの支持面が平坦である場合、基板ホルダの後面は、これは極めて正確に平坦であるように処理されるべきである。したがって、機械的手段好ましくは、一様な無指向性処理、例えば研削ではなくラップ仕上げによる基板後面形状の制御が有利であることが判明した。さらに、基板ホルダの支持面は又、基板の後面と相補する正確に定められたプロフィールを有するよう処理されるのが良い。最も好都合には、これは平坦であるが、基板ホルダ支持面及び基板の後面のプロフィールが極めて正確に定められたガス隙間高さを維持するよう相補している限り、他の形状を用いることができる。さらに、基板の支持面又は基板の後面の少なくとも一部分を計画的に形作ってガス隙間高さの制御された変化を提供し、例えば、周辺領域を優先的に冷却すると共に/或いは電場調節構造体を提供するよう基板の周囲に沿って僅かなガス隙間を設けることが可能である。したがって、ガス隙間の高さhのばらつきは、基板の直径全体の60以上、70以上、80以上、90以上、95以上又は99以上の心出し直径を有する基板の少なくとも中央領域全体にわたり200μm以下、150μm以下、100μm以下、80μm以下、60μm以下、40μm以下、20μm、10μm以下又は5μm以下であるのが良い。さらに、ガス隙間は、第1のガス隙間高さを備えた中央領域及び第2のガス隙間高さを備えた周辺領域を有するのが良く、第1のガス隙間高さは、第2のガス隙間高さよりも大きい。上述の説明は又、ダイヤモンドウェーハ亀裂発生の問題が基板の再使用によって悪化する理由に関する。基板は、CVDダイヤモンド成長段階中に座屈し、したがって平坦度を失う場合がある。したがって、所望の表面プロフィールを回復するために使用相互間で基板を再処理するのが有利であることが判明した。基板の厚さがかかる再処理によって減少するので、基板ホルダ高さを変化させると、次の成長段階の際、基板の成長面が最適高さのままであるようにすることができる。同様に、基板ホルダの支持面も又、成長段階相互間で再処理するのが良く、それにより所望のプロフィールが維持される。ただし、この支持面の座屈は、基板中に生じるばらつきよりも問題の程度が低いことが判明している。基板ホルダの支持面を容易に再処理することができるようにするためには、基板ホルダを容易に取り外しできるようにし、支持面の平坦度を求めるよう測定し、必要ならば再処理して支持面の平坦度を維持し、そしてプラズマチャンバ内に戻すことができるようチャンバ設計を構成することが望ましい。上述のことに照らして、多くの合成ダイヤモンド成長作業について同一の基板を再使用する一方法では、再処理によって基板及び/又は基板ホルダから除去される材料を考慮に入れて合成ダイヤモンド成長中、反応器内の基板の成長面の実質的に一定の高さを維持するために、反応器内の基板の高さを必要な場合には合成ダイヤモンド成長相互間で調節する。成長面の高さは、反応器内における基板の成長面の標的高さの2mm、1mm、0.8mm、0.5mm、0.3mm又は0.2mmの範囲内に維持されるのが良い。この方法を用いると、成長段階相互間で再処理状態にされ、したがって薄い状態になった基板の寿命を延ばすことができると共に成長面を上述した反応器内におけるCVDダイヤモンド成長に最適な高さ位置に維持することができる。高さが調節可能な基板ホルダを提供することによって成長面の高さを調節することができる。変形例として、固定高さの基板ホルダが用いられている場合、基板厚さが数値的に上記において定められた厚さ公差又は許容誤差範囲をいったん下回ると、基板ホルダを基板直径に適合した段部を備える基板ホルダに変更して成長面高さをその交差範囲内に戻すのが良い。高さが調節可能な基板ホルダは、原理的には良好なオプションであるように思われるが、実際には高さの固定された基板ホルダは、プラズマ反応器内の基板成長面の正確且つ再現可能な存在場所を達成する上で信頼性が高いと言え、他方、可動部品の数が少ないよう反応器形態を単純化することができる。上述のことに照らして、本発明の第2の観点は、上述のマイクロ波プラズマ反応器に用いられるのに適した基板であって、この基板は、CVDダイヤモンドを成長させるべき平坦な成長面及び成長面と反対側の平坦な支持面を備えた炭化物形成耐熱金属の円筒形ディスクを含み、円筒形ディスクは、80mm以上の直径を有し、成長面は、100μm以下の平坦度ばらつきを有し、支持面は、100μm以下の平坦度ばらつきを有することを特徴とする基板に関する。上述したことに加えて、本発明者は又、供給業者により提供された幾つかの円筒形耐熱金属基板の使用の結果として、前面と後面の両方を上述したように処理した場合であっても、一様且つ高品質のCVDダイヤモンドが得られないことを見出した。この問題の取り組みに的を絞った多大な別途研究後、本発明者は再び、この問題が基板の品質にあることを見出した。特に、本発明者は、市販の耐熱金属が不純物、例えば鉄やニッケルを形成する少量の黒煙を含んでいる場合が多いことを見出した。極めて僅かな割合のかかる不純物が存在していても、これはかかる基板の成長面上におけるCVDダイヤモンド成長に悪影響を及ぼすことが判明した。したがって、本発明者は、上述の基板の前面と後面の両方の正確な処理を適用することに加えて、少なくとも基板の成長面のところに不純物を形成する0.1未満の黒鉛を含む化学的純度の極めて高い炭化物形成耐熱金属基板を用いることが有利であることを見出した。図7は、かかる基板を示している。基板は、前側成長面102、後側支持面104及び円筒形側壁106を有している。基板は、炭化物形成耐熱金属の中実本体で形成されている。オプションとして、炭化物形成耐熱金属は、モリブデン、タングステン、ニオブ又はこれらの合金のうちの1つから選択される。円筒形ディスクは、好ましくは、基板の成長面のところの不純物を形成する黒鉛の重量で0.5以下、0.1以下、0.075以下、0.05以下、0.025以下、0.01以下、0.005以下又は0.001以下を占める。円筒形ディスクは、炭化物形成耐熱金属の重量で少なくとも99、99.5、99.9、99.95又は99.99を占めるこれは、単一の炭化物形成耐熱金属又は炭化物形成耐熱金属の合金、例えばタングステンとモリブデンの合金から成るのが良い。当然のことながら、不純物が存在しないのが理想的であるが、炭化物形成耐熱金属を製造したり処理したりするプロセスの限度及び純度の高い材料を得るためのコストに応じて、或る程度の極めて低い不純物レベルが依然として存在するのが通例である。したがって、成長面のところの不純物形成黒鉛の重量で0.01ppmpartspermillion:百万部当たりの部という下限を実際に適用するのが良い。本発明の実施形態によれば、基板の成長面及び支持面の平坦度のばらつきは、できるだけ小さいのが良い。例えば、成長面及び/又は支持面の平坦度ばらつきは、75μm以下、50μm以下、40μm以下、30μm以下、20μm以下、10μm以下、5μm以下又は1μm以下であるのが良い。当然のことながら、平坦度のばらつきがないのが理想的であるが、平坦度ばらつきを除くために用いられる表面処理技術及び工業プロセスにおいてコストとの密接な関わりを持つ良好な平坦度を達成するのに必要な処理時間の限度に応じて或る程度の極めて小さなばらつきが依然として存在するのが通例である。したがって、0.001μm又は0.01μmの平坦度のばらつきに関する下限を適用するのが良い。オプションとして、円筒形ディスクの直径は、本発明の第1の観点と関連した上述した範囲内にある。CVDダイヤモンドウェーハをウェーハの実質的な亀裂が成長後のウェーハの冷却及び基板からのウェーハの取り外しの際に生じることなく、これら範囲内に納まった状態で基板上に首尾良く成長させることができるということが判明した。また、円筒形ディスクという用語は、ほぼ円筒形のディスク、例えば、平均周長の±10mm、±5mm又は±1mmの真円度の範囲内の断面を有するディスクを含むようになっていることが注目されるべきである。本発明者は又、縁改造例、例えば面取り縁及び溝並びに切断誤差に及ぶことを意図している。オプションとして、動作周波数が400~500MHzのマイクロ波プラズマ反応器に関し、円筒形ディスクの深さは、10mm~30mm又は15mm~25mmであるのが良い。変形例として、動作周波数が800~1000MHzのマイクロ波プラズマ反応器に関し、円筒形ディスクの深さは、5mm~15mm又は7mm~13mmであっても良い。さらに変形例として、動作周波数が2300~2600MHzのマイクロ波プラズマ反応器の場合、円筒形ディスクの直径は、2.0mm~5.5mm又は2.5mm~4.5mmであって良い。基板の深さは、CVDダイヤモンド成長プロセスが上述のプラズマチャンバ内における包囲表面の平均高さと比較して、成長面の高さの影響を非常に受けやすいので、重要であることが判明した。オプションとして、成長面の表面粗さRaは、1nm~1μmである。成長面の粗さは、この成長面上で成長させられるCVDダイヤモンドの結晶構造と基板へのCVDダイヤモンドの密着強度の両方に影響を及ぼす場合のあることが判明した。CVDダイヤモンド成長にとって最適な比表面粗さは、或る程度までは、所望のCVDダイヤモンド材料の種類で決まる。しかしながら、1nm~1μmの表面粗さRaが成長中において早期層状剥離を阻止する上で十分な成長中におけるCVDダイヤモンドに対する密着力を提供する一方で、材料の亀裂発生なくCVD成長後の冷却時にダイヤモンド材料を基板から剥離することができるほど十分に低い密着力を提供するために特に有用であることが判明した。選択される比表面粗さは、成長させられるべきCVDダイヤモンド材料の種類で決まる場合がある。したがって、かかる粗さの好ましい範囲は、1nm~500nm、10nm~500nm、10nm~200nm、10nm~100nm、10nm~50nm、20nm~100nm又は50nm~100nmであるのが良い。例えば、薄い厚さ500ミクロン未満のCVDダイヤモンドウェーハに関し、約10nmRaの標的表面粗さを用いるのが良い。これよりも厚い厚さ500~5000ミクロンのCVDダイヤモンドウェーハの場合、10nm~200nmRaというこれよりも高い標的値を用いるのが良い。単結晶ダイヤモンド基板が析出前に耐熱金属基板に取り付けられる単結晶ダイヤモンド成長に関し、単結晶基板の取り付け及びその後の単結晶基板上におけるCVD成長に先立ち、100nm~500nmの表面粗さを提供するのが良い。単結晶ダイヤモンド基板が取り付けられる下に位置する金属製基板の表面粗さ、平坦度及び温度は、単結晶CVD材料が単結晶ダイヤモンド基板を支持した下に位置する金属製基板上に直接的に成長するのではなく、単結晶ダイヤモンド基板上で成長するということにもかかわらず、重要である。これは、単結晶ダイヤモンド成長中、多結晶ダイヤモンド材料が単結晶相互間で下に位置する支持基板上で成長するからである。この多結晶ダイヤモンド材料がCVDダイヤモンド成長中に層状に剥離した場合、成長段階が阻害される場合がある。さらに、この多結晶ダイヤモンドが冷却時に亀裂を生じた場合、これにより、この中に埋め込まれる単結晶ダイヤモンド材料の亀裂発生が生じる場合がある。したがって、多結晶ウェーハの成長に関する問題は、単結晶材料の成長にも当てはまると言える。この点に関し、本発明との関連において基板及び基板成長面について言及する場合、これらは、単結晶CVDダイヤモンド成長に関し、下に位置する基板に取り付けられる単結晶基板ではなく、この下に位置する基板を意味している。この下に位置する基板を基板キャリヤと呼ぶ場合がある。と言うのは、下に位置する基板がこの上の別の単結晶ダイヤモンド基板を担持するからである。さらに、基板の成長面の温度について言及する場合、これは、単結晶ダイヤモンド基板の成長面の温度ではなく、下に位置する基板の成長面の温度を意味している。代表的には、先ず最初に、ラップ仕上げ用流体中に懸濁させたダイヤモンドグリットを用いて耐熱金属ディスクを鋳鉄ホイール上でラップ仕上げする。一般に、ラップ仕上げプロセスは、バルク材料除去のため、更に所与のプロセスについて所要の平坦度を達成するために用いられる。ラップ仕上げされたままの表面を用いるが少ないながらも存在する。ラップ仕上げの代表的なRa値は、100nm~500nmである。しかしながら、通常、次に例えば研削/研磨機械を用いると共に目の細かいグリットを用いてラップ仕上げ表面を更に処理して低い表面粗さ値を得る。CVDダイヤモンド成長に先立って、耐熱金属基板をクリーニングしてラップ仕上げプロセスに起因して生じた全ての汚染物を除去すると共に/或いはかかる耐熱金属基板にシード添加してこれら耐熱金属基板上におけるダイヤモンド成長のための核形成を助けるのが良い。ラップ仕上げ及び研磨技術は、当該技術分野において知られているが、本発明の実施形態によれば、CVDダイヤモンド生成物に関する所望の表面仕上げだけでなく正確な量の平坦度及び密着力を提供してCVDダイヤモンド生成物が亀裂を生じないでCVDダイヤモンド成長後の冷却時に耐熱金属基板から剥離されるようにすることを考慮に入れて正確な技術を適当な組み合わせ状態で特定のCVDダイヤモンド生成物について選択する。基板上で成長したCVDダイヤモンド材料の亀裂発生及び剥離を制御するために基板について別の改造を行うことができる。図8a~図8dは、考えられる種々の形態の基板を示している。図8aは、成長面周りに鋭利な上縁400を備えた円筒形基板を示している。図8b及び図8cは、それぞれ、上縁が面取りされ402又は丸くされた404改造実施形態を示している。これら改造は、新たな亀裂を開始させるよりも既存の亀裂を広げるほうが極めて容易であるグリフィスの破壊条件という前提に基づいている。ダイヤモンド中のウェーハ亀裂の大部分は、ディスクの縁から広がる。したがって、小さな半径方向亀裂を最小限に抑えることができれば、亀裂のないウェーハを得る可能性が高くなる。これらの主要な原因は、最適化された基板高さの副次的作用である。基板の縁の周りには高電場の局所領域が存在し、その結果、成長中における高い縁温度が生じる。したがって、CVDダイヤモンドウェーハは、引っ張り状態の張力下にある縁を有し、それにより冷却中に破損する可能性が高い。基板の上縁を面取りし又は丸くすることによってこの張力領域を取り扱い又は軽減することができる。別の考えられる改造は、図8dに示されているように成長面の周囲に沿ってぐるりと円形のトレンチ406を設けることである。トレンチ406は、基板成長面の縁を周囲領域から隔てる。この構成により、破損しやすいダイヤモンドリムを生じさせることができ、その結果、周囲領域は、亀裂のないCVDダイヤモンドウェーハを形成するようになる。基板を本発明の第1の観点としての実施形態に従って上述したスペーサ要素によって支持面から間隔を置いた状態でプラズマチャンバ内に配置するのが良い。特定の成長段階のための理想的なガス隙間は、利用される電力密度及び/又は成長温度で決まる。電力密度が低く且つ/或いは基板の成長温度が高い場合、平坦度に関する公差を甘くすることができ、しかもガス隙間を大きく作ることができ、例えば、500ミクロンガス隙間は、最高50ミクロンの非平坦度を受け入れることができ、更にその結果として、十分に一様な温度/応力分布状態が得られてウェーハについて高い歩留りを達成することができる。高温成長の場合、ガス隙間中における非一様度に対する公差の増大は、隙間サイズの影響をそれほど受けない冷却に対する大きな熱放射性コンポーネントに起因していると言える。プラズマチャンバ内の圧力及び/又は電力密度を増大させ又は基板の成長温度を減少させると、ガス隙間が小さく作られ、ガス隙間の一様性が極めて重要になる。したがって、本発明の実施形態は、高い圧力及び/又は電力で動作する場合に特に有用であり、基板公差は、極めて重要であることが判明している。例えば、マイクロ波プラズマ反応器を基板成長面の0.05~10w/mm2又は1~5W/mm2の電力密度で動作させるのが良い。さらに、マイクロ波プラズマ反応器は、2300~2600MHzのマイクロ波周波数において140トル以上、150トル以上、180トル以上若しくは200トル以上の圧力、800~1000MHzのマイクロ波周波数において80トル以上、100トル以上、120トル以上、140トル以上若しくは160トル以上の圧力又は400~500MHzのマイクロ波周波数において30トル以上、40トル以上、50トル以上、60トル以上若しくは70トル以上の圧力で作動されるのが良い。これら圧力は、典型的には水素で希釈された1~5CH4を含む標準型ダイヤモンド成長プラズマのための圧力である。当業者であれば認識されるように、もし他のガス、例えば酸素をプラズマチャンバに添加した場合にはこれら圧力範囲を変える場合がある。上述したような基板は、化学気相成長により合成ダイヤモンド膜を製造する方法、特に本発明の第1の観点に従って説明したマイクロ波プラズマ反応器を利用する方法に用いられるのに有利であることが判明した。しかしながら、原理的には、基板を他形式のCVDダイヤモンド反応器にも利用できる。ここまではマイクロ波プラズマ反応器を本発明の第1の観点に従って説明すると共にこのマイクロ波プラズマ反応器に用いられるのに適した基板を本発明の第2の観点に従って説明した。本発明の第3の観点は、合成ダイヤモンド材料を製造するよう構成された反応器を動作させる適当な方法に関する。本発明の第3観点としての方法は、基板成長面の中央領域と周辺領域の相対温度を制御して周辺領域がCVDダイヤモンド成長中、中央領域よりも僅かに低い温度のままであるようにする上述の技術的思想に基づいている。上述したように、これは、冷却中及び基板からの剥離中におけるCVDダイヤモンドウェーハの亀裂発生の問題を軽減するのが有利であると判明している。かくして、本発明の第3の観点によれば、化学気相成長法を用いて合成ダイヤモンド材料を製造する方法であって、この方法は、合成材料ダイヤモンドを製造するよう構成された反応器を用意するステップを含み、反応器内に設けられた基板ホルダ上に基板を配置するステップを含み、基板は、合成ダイヤモンド材料を成長させるべき成長面を有し、プロセスガスを反応器中に送り込むステップを含み、基板の成長面上に合成ダイヤモンド材料を成長させるステップを含み、方法は、合成ダイヤモンド材料の成長中、基板の成長面の中央領域の1つ又は2つ以上の測定値及び基板の成長面の周辺領域の1つ又は2つ以上の測定値を含む少なくとも2つの温度測定値を取るステップと、合成ダイヤモンド材料の成長中、少なくとも2つの温度測定値に基づいて基板の成長面の中央領域と周辺領域との間の温度差を制御するステップとを更に含み、合成ダイヤモンド材料の成長中における基板の成長面の温度は、5°C<Tc-Te<120°Cという条件を満たすよう制御され、上式において、Tcは、基板の成長面の中央領域の温度であり、Teは、基板の成長面の周辺領域の温度であることを特徴とする方法が提供される。この方法は、有利には、マイクロ波プラズマ反応器、例えば本発明の第1の観点によるマイクロ波プラズマ反応器を用いて実施されるのが良い。この方法は又、本発明の第2の観点としての基板を用いて実施されるのが良い。即ち、本発明の3つ全ての観点は、析出の一様性を向上させる一方で亀裂発生の問題を回避することによって一様且つ首尾一貫したCVDダイヤモンド生成物の実現を達成する共通の本発明の概念に関連している。本発明の或る特定の実施形態では、400~500MHzのマイクロ波周波数fに関し、165mm~415mm、185mm~375mm、205mm~375mm、205mm~330mm若しくは240mm~330mm、800~1000MHzのマイクロ波周波数fに関し、80mm~200mm、90mm~180mm、100mm~180mm、100mm~160mm若しくは115mm~160mm、又は2300~2600MHzのマイクロ波周波数fに関し、30mm~75mm、33mm~65mm、37mm~65mm、37mm~58mm若しくは42mm~58mmの直径を有する多結晶ダイヤモンドウェーハを成長させる。多結晶ダイヤモンドウェーハは、少なくとも中央領域上に実質的に亀裂のない自立型多結晶ダイヤモンドウェーハを生じさせるよう化学気相成長法を完了させた後、冷却時に基板から自然発生的に層状に剥離され、中央領域は、自立型多結晶ダイヤモンドウェーハの面積全体の少なくとも70、80、90又は95を占め、中央領域には、自立型多結晶ダイヤモンドウェーハの主要外側フェースの両方と交差すると共に長さ2mm超にわたって延びる亀裂が存在しない。多結晶ダイヤモンドウェーハを少なくとも100μm、300μm、500μm、700μm、1.0mm、1.2mm、1.5mm、2.0mm又は2.5mmの厚さまで成長させるのが良く、他方、依然として実質的に亀裂のない自然発生的層状剥離を得る。厚く且つ大径の多結晶ダイヤモンドウェーハについて自然発生的層状剥離を達成することは、成長中並びに冷却中及び層状剥離中、ウェーハに加わる大きな機械的応力に起因して過去においては困難であることが判明していた。いまや、本発明の実施形態により、厚く且つ大径の多結晶ダイヤモンドウェーハを基板から自然発生的に層状剥離することができる一方で、亀裂発生の問題が回避される。したがって、本発明の第4の観点により、化学気相成長法を用いて合成ダイヤモンド材料を製造する方法であって、この方法は、合成材料ダイヤモンドを製造するよう構成された反応器を用意するステップを含み、反応器内に設けられた基板ホルダ上に基板を配置するステップを含み、基板は、合成ダイヤモンド材料を成長させるべき成長面を有し、プロセスガスを反応器中に送り込むステップを含み、基板の成長面上に合成ダイヤモンド材料を成長させるステップを含み、合成ダイヤモンド材料は、少なくとも120mm、140mm、160mm、200mm又は250mmの直径を有する多結晶ダイヤモンドウェーハを形成するよう成長させられ、多結晶ダイヤモンドウェーハは、少なくとも中央領域上に実質的に亀裂のない自立型多結晶ダイヤモンドウェーハを生じさせるよう化学気相成長法を完了させた後、冷却時に基板から自然発生的に層状に剥離され、中央領域は、自立型多結晶ダイヤモンドウェーハの面積全体の少なくとも70、80、90又は95を占め、中央領域には、自立型多結晶ダイヤモンドウェーハの主要外側フェースの両方と交差すると共に長さ2mm超にわたって延びる亀裂が存在しないことを特徴とする方法が提供される。本発明の多結晶ダイヤモンドウェーハは、利用されるべき特定のプロセスに応じて、400mm以下又は300mm以下の直径を有するのが良い。多結晶ダイヤモンドウェーハを少なくとも1.0mm、少なくとも1.2mm、少なくとも1.5mm、少なくとも2.0mm又は少なくとも2.5mmの厚さまで成長させることができ、他方、基板からの自然発生的層状剥離中、亀裂発生の問題が回避される。有利には、高純度多結晶ダイヤモンドウェーハについては、マイクロ波プラズマ反応器が利用される。この実施形態により、厚く且つ大面積であり、しかも高純度の多結晶ダイヤモンドウェーハを経済的に製造することができる。実際問題として、厚さは、通常、10又は20mmを超えない。本発明の第4の観点は、有利には、上述の本発明の第1の観点、第2の観点及び第3の観点のうちの任意の1つ又は2つ以上用いて具体化できる。例えば、基板の位置を制御して本発明の第2の観点に従って正確に定められたガス隙間及び正確に形作られた基板を用いて本発明の第1の観点と関連して上述した電場プロフィールを発生させると共に/或いは本発明の第3の観点に従って成長面の中央領域と周辺領域との温度差を制御することにより、大径であり且つ厚いダイヤモンドウェーハの自然発生的層状剥離を可能にすると共に亀裂発生の問題を軽減することができる。本発明の実施形態は、広いCVD成長面積、良好な一様性、良好な再現性及び亀裂のない状態で首尾よく成長させられて基板から取り出されるダイヤモンドウェーハの数の面での良好な歩留りを提供することができる。一様性の向上を次のパラメータ、即ち、CVDダイヤモンド膜の厚さの一様性析出領域を横切る、ダイヤモンド材料の1つ又は2つ以上の品質パラメータの一様性例えば、色、光学的性質、電子的性質、窒素取り込み、ホウ素取り込み及び/又はホウ素活性化レベル、多結晶ダイヤモンド材料におけるテキスチャの一様性、表面形態学的特徴、結晶粒度等又は成長が基板キャリヤ上の単結晶ダイヤモンド基板のアレイ上で起こる単結晶ダイヤモンド材料中における各単結晶相互間の厚さの一様性、形態学的特徴、エッジ双晶形成、側方成長等のうちの1つ又は2つ以上によって測定可能である。一様性を評価するために選択される主要なパラメータは、合成プロセス、合成生成物から最終生成物を作製する場合の経済的側面及び最終生成物それ自体の要件で決まる。本発明を好ましい実施形態に関して具体的に図示すると共に説明したが、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲から逸脱することなく形態及び細部における種々の変更を実施できることは当業者には理解されよう。