磁気メモリの製造装置であって、前記磁気メモリの磁性層に磁場を印加し、前記磁性層の磁化方向を初期化する磁石と、前記磁性層に磁場が印加されている間に、前記磁性層に高周波磁場を印加する磁場発生器と、を具備することを特徴とする磁気メモリの製造装置。前記高周波磁場の向きは、前記磁石の磁場の向きに対して略垂直であることを特徴とする請求項1に記載の磁気メモリの製造装置。前記高周波磁場の周波数は、前記磁性層の共鳴周波数を含む所定の範囲内であることを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気メモリの製造装置。前記高周波磁場の周波数は、5GHz以上50GHz以下の範囲内であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の磁気メモリの製造装置。前記磁場発生器は、コイルであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の磁気メモリの製造装置。前記磁石は、電磁石、又は超伝導磁石であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の磁気メモリの製造装置。前記磁気メモリは、磁化方向が可変である第1の磁性層と、磁化方向が不変である第2の磁性層と、前記第2の磁性層の漏れ磁場を低減する第3の磁性層とを含むことを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の磁気メモリの製造装置。実施形態は、より小さい磁場で磁性層の磁化方向を所定の方向に設定することが可能な磁気メモリの製造装置を提供する。実施形態に係る磁気メモリの製造装置は、前記磁気メモリの磁性層に磁場を印加し、前記磁性層の磁化方向を初期化する磁石と、前記磁性層に磁場が印加されている間に、前記磁性層に高周波磁場を印加する磁場発生器とを具備する。以下、実施形態について図面を参照して説明する。ただし、図面は模式的または概念的なものであり、各図面の寸法および比率などは必ずしも現実のものと同一とは限らないことに留意すべきである。また、図面の相互間で同じ部分を表す場合においても、互いの寸法の関係や比率が異なって表される場合もある。特に、以下に示す幾つかの実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための装置および方法を例示したものであって、構成部品の形状、構造、配置などによって、本発明の技術思想が特定されるものではない。なお、以下の説明において、同一の機能及び構成を有する要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。図1は、本実施形態に係るMTJ素子磁気抵抗素子10の構成を示す断面図である。MTJ素子10は、下から順に、記憶層11、非磁性層トンネルバリア層12、参照層13、非磁性層スペーサ層14、調整層15が積層されて構成されている。なお、図1の積層順序は、逆転していても構わない。図中の矢印は、磁化の様子を表している。MTJ素子10の平面形状は、例えば円である。記憶層11及び参照層13はそれぞれ、強磁性材料からなり、膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、それらの容易磁化方向は膜面に対して垂直である。すなわち、MTJ素子10は、記憶層11及び参照層13の磁化方向がそれぞれ膜面に対して垂直方向を向く、垂直磁化型MTJ素子である。記憶層11は、磁化方向が可変である反転する。参照層13は、磁化方向が不変である固着している。参照層13は、記憶層11よりも十分大きな垂直磁気異方性エネルギーを持つように設計される。磁気異方性の設定は、材料構成や膜厚を調整することで可能である。このようにして、記憶層11の磁化反転電流を小さくし、参照層13の磁化反転電流を記憶層11のそれよりも大きくする。これにより、所定の書き込み電流に対して、磁化方向が可変の記憶層11と磁化方向が不変の参照層13とを備えたMTJ素子10を実現できる。非磁性層12は、非磁性金属、非磁性半導体、又は絶縁体などを用いることができる。非磁性層12として絶縁体を用いた場合はトンネルバリア層と呼ばれる。トンネルバリア層12としては、酸化マグネシウムMgOなどが用いられる。調整層15は、参照層13からの漏れ磁場を低減し、この漏れ磁場が記憶層11に印加されて記憶層11の保磁力がシフトするのを抑制する機能を有する。MTJ素子10を構成する記憶層11及び参照層13は磁性材料から構成されているため、外部に対して磁場を発生している。一般に、垂直磁化型MTJ素子では、参照層13から発生する漏れ磁場が面内磁化型MTJ素子のそれに比べて大きい。また、参照層13に比べて保磁力の小さい記憶層11は、参照層13からの漏れ磁場の影響を強く受ける。具体的には、参照層13からの漏れ磁場の影響により、記憶層11の保磁力がシフトし、磁化反転電流の増加や、熱安定性の低下を引き起こす。このため、本実施形態のMTJ素子10は、参照層13から記憶層11に印加される漏れ磁場を低減する調整層15を備えている。調整層15は、強磁性材料からなり、膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、その容易磁化方向は膜面に対して垂直である。調整層15は、参照層13と同様に、磁化方向が不変である。調整層15は、参照層13と反強磁性結合しており、調整層15と参照層13との磁化方向は反平行に設定される。スペーサ層14は、調整層15と参照層13とが強磁性的に結合しないように設けられている。スペーサ層14は、調整層15と参照層13とが熱工程によって混ざらないための耐熱性を有し、かつ調整層15を形成する際の結晶配向を制御する機能も有している。スペーサ層14としては、ルテニウムRu、白金Pt、銀Ag、又は銅Cuなどの非磁性金属を用いることができる。参照層13は、例えば、トンネルバリア層側に配置された界面磁性層13Aと、磁性層13Bとが積層されて構成されている。磁性層13Bは、参照層13に垂直磁化を付与する機能を有し、界面磁性層13Aは、MTJ素子10の磁気抵抗比MR比を向上させる機能を有する。磁性層13Bは、例えば、コバルトCo、及び鉄Feの群から選択される少なくとも1つの元素を含む合金と、白金Pt、パラジウムPd、及びクロムCrの群から選択される少なくとも1つの元素を含む合金とが交互に積層されて構成される。界面磁性層13Aは、スピン偏極率が高い磁性材料が用いられ、例えば、コバルトCo、鉄Fe、CoFe、或いはCoFeBなどが用いられる。なお、参照層13は、磁性層13Bと同じ材料からなる単層で構成してもよい。記憶層11及び調整層15はそれぞれ、例えば、磁性層13Bと同じ材料が用いられる。図2は、参照層13の他の構成を示す断面図である。参照層13は、SAFSyntheticAntiFerromagnet構造を有している。具体的には、参照層13は、磁性層13C、非磁性層13D、磁性層13Eが積層されて構成されている。磁性層13Cと磁性層13Eとは反強磁性結合している。参照層13をSAF構造とした場合、調整層15は、磁性層13Cと反強磁性結合するように磁化方向が設定される。磁性層13C及び磁性層13Eはそれぞれ、例えば、コバルトCo、及び鉄Feの群から選択される少なくとも1つの元素を含む合金と、白金Pt、パラジウムPd、及びクロムCrの群から選択される少なくとも1つの元素を含む合金とが交互に積層されて構成される。非磁性層13Dは、ルテニウムRu、白金Pt、銀Ag、或いは銅Cuなどの非磁性金属を用いることができる。本実施形態では、MTJ素子10に直接に書き込み電流を流し、この書き込み電流によってMTJ素子10の磁化状態を制御するスピン注入書き込み方式を採用する。MTJ素子10は、記憶層11と参照層13との磁化の相対関係が平行か反平行かによって、低抵抗状態と高抵抗状態とのいずれかをとることができる。MTJ素子10に対して、記憶層11から参照層13へ向かう書き込み電流を流すと、記憶層11と参照層13との磁化の相対関係が平行になる。この平行状態の場合、MTJ素子10の抵抗値は最も低くなり、MTJ素子10は低抵抗状態に設定される。MTJ素子10の低抵抗状態を、例えばデータ0と規定する。一方、MTJ素子10に対して、参照層13から記憶層11へ向かう書き込み電流を流すと、記憶層11と参照層13との磁化の相対関係が反平行になる。この反平行状態の場合、MTJ素子10の抵抗値は最も高くなり、MTJ素子10は高抵抗状態に設定される。MTJ素子10の高抵抗状態を、例えばデータ1と規定する。これにより、MTJ素子10を1ビットデータを記憶可能な記憶素子として使用することができる。MTJ素子10の抵抗状態とデータとの割り当ては任意に設定可能である。MTJ素子10からデータを読み出す場合は、MTJ素子10に読み出し電圧を印加し、この時にMTJ素子10に流れる読み出し電流に基づいてMTJ素子10の抵抗値を検知する。この読み出し電圧は、スピン注入によって磁化反転する閾値よりも十分小さい値に設定される。複数のMTJ素子10を含むMRAM磁気メモリ21の製造方法では、図3に示すように、まず、複数のMRAM21を備えたMRAMウエハ20を形成する。各MRAM21は、複数のメモリセルMCからなるメモリセルアレイ22、及びメモリセルアレイ22を制御する周辺回路図示せずを備えている。各メモリセルMCは、MTJ素子10と、例えばnチャネルMOSFETからなる選択トランジスタ23とから構成される。MTJ素子10の一端はビット線BLに電気的に接続され、MTJ素子10の他端は選択トランジスタ23の電流経路の一端に電気的に接続されている。選択トランジスタ23の電流経路の他端はビット線/BLに電気的に接続され、選択トランジスタ23のゲートはワード線WLに電気的に接続されている。MRAMウエハ20は、最終的には、複数のMRAMMRAMチップ21にダイシングされる。MTJ素子10を作製した段階では、MTJ素子10を構成する複数の磁性層は、磁化方向がランダムになっている。このため、図1のような磁化配列を有するMTJ素子10を得るためには、MTJ素子10を構成する複数の磁性層の各々の磁化方向を所定の方向に設定する、すなわち複数の磁性層の各々の磁化方向を初期化する製造工程が必要である。一般的に、MTJ素子10を微細化すると、MTJ素子10を構成する各磁性層を磁化反転させるのに必要な磁場反転磁場が大きくなる。図4は、MTJ素子を構成する磁性層のサイズと反転磁場との関係を示すグラフである。図4の横軸はMTJ素子を構成する磁性層の直径nm、図4の縦軸は保磁力反転磁場HcOeを表している。図4から理解できるように、MTJ素子を微細化すなわち、MTJ素子を構成する各磁性層を微細化すると、磁性層の反転磁場が大きくなる。従って、MTJ素子を構成する磁性層の磁化方向を初期化するには、大きな磁場が発生できる磁石が必要である。磁性体は、異方性エネルギーや飽和磁化に応じて、高周波磁場と磁気共鳴する固有の共鳴周波数を有している。垂直磁化を有する磁性体に対して面内方向に、共鳴周波数を有する高周波磁場を作用させると磁気共鳴現象が生じ、磁性体の磁気モーメントは急速に面内方向に傾き、歳差運動を始める。このとき、磁性体の保磁力反転磁場は、高周波磁場の影響で本来の保磁力と比べて実効的に非常に小さくなる。磁気共鳴とは、磁気モーメントの歳差運動が、その運動の周波数、又はこれに充分近い周波数を有する高周波磁場を印加すると活発化する現象である。そこで、本実施形態では、MTJ素子10を構成する磁性層の磁化方向を設定する製造工程において、磁性層に磁化方向を設定するための磁場反転磁場を印加すると同時に、磁性層に高周波磁場を印加することで、小さい反転磁場で磁性層の磁化方向を所定の方向に設定するようにしている。図5は、本実施形態に係る磁場印加装置製造装置30の構成を示す側面図である。磁場印加装置30は、MRAMウエハ20が載置されるステージ31、MRAMウエハ20に磁場を印加する磁石32A及び32B、MRAMウエハ20に高周波磁場マイクロ波磁場を印加する磁場発生器33、及び制御回路34を備えている。磁石32A及び32Bとしては、例えば、電磁石、又は超伝導磁石が用いられる。磁石32A及び32Bの平面形状は例えば円である。磁石32A及び32Bは、ステージ31及びMRAMウエハ20と所定の距離を空けつつ、ステージ31に載置されたMRAMウエハ20を上下から挟むように配置される。磁石32A及び32Bはそれぞれ、設定する磁化方向に応じて、図面の下方向又は上方向に磁場を発生する。これにより、MRAMウエハ20には、図面の上から下へ向かう磁場、又は下から上へ向かう磁場が印加される。磁場発生器33としては、例えばコイルが用いられる。コイル33は、MTJ素子を構成する磁性層の面内方向と同じ方向に高周波磁場を発生するように配置される。このため、コイル33は、図5に示すように、コイル33の水平方向の一端から出て他端に入るような高周波磁場を発生する。これにより、コイル33から発生された高周波磁場は、MTJ素子10を構成する磁性層に対して面内方向に印加される。すなわち、MTJ素子10に印加される高周波磁場の向きは、磁石32A及び32Bの磁場の向きに対して略垂直である。高周波磁場の周波数は、2GHz以上50GHz以下の範囲内に設定される。コイル33は、例えば磁石32Bに取り付けられている。制御回路34は、磁石32A及び32Bの動作、及びコイル33の動作を制御する。ステージ31は、二次元に移動可能なように構成されている。ステージ31は、MRAMウエハ20のうち磁場を印加する領域が磁石32A及び32B間に配置されるように、MRAMウエハ20を移動する。図6は、磁性層の反転磁場と高周波磁場の周波数との関係を示すグラフである。図6の横軸は高周波磁場の周波数を表しており、図6の縦軸は磁性層の反転磁場を表している。共鳴周波数f0、又はこれに充分近い周波数を有する高周波磁場を磁性層に印加すると、磁性層の反転磁場が十分小さくなる。一方、高周波磁場を磁性層に印加しない状態、又は共鳴周波数f0又はこれに充分近い周波数以外の高周波磁場を磁性層に印加した状態では、磁性層の反転磁場Hsw1が大きくなっている。従って、本実施形態では、磁性層の磁化方向を所定の方向に設定する、すなわち磁性層の磁化方向を初期化する着磁工程において、MTJ素子10に含まれる磁性層に共鳴周波数f0又はこれに充分近い周波数を有する高周波磁場を印加するのと同時に、磁石32A及び32Bによって磁性層の磁化方向を所定の方向に設定する反転磁場Hsw2を磁性層に印加する。これにより、反転磁場Hsw1より十分小さい反転磁場Hsw2を磁石32A及び32Bを用いて磁性層に印加しても、磁性層の磁化方向を初期化することができる。磁石32A及び32Bの磁場Hsw2は、例えば1~1.5T程度に設定するのが望ましい。図7は、着磁工程における磁石32A及び32Bとコイル33との動作を説明する図である。まず、制御回路34が磁石32A及び32Bを起動させることで、磁石32A及び32Bは、反転磁場Hsw2をMRAMウエハ20に印加する。MRAMウエハ20に反転磁場Hsw2が印加された後、制御回路34がコイル33を起動させることで、コイル33は、MRAMウエハ20に面内方向の高周波磁場Hhfを印加する。続いて、所定時間が経過した後、制御回路34は、コイル33の動作を停止する。続いて、コイル33の動作停止から所定時間が経過した後、制御回路34は、磁石32A及び32Bの動作を停止する。これにより、MRAMウエハ20への反転磁場Hsw2の印加が停止される。このようにして、MTJ素子10に含まれる磁性層のうち1つの磁性層の磁化方向が所定の方向に設定される。例えば、図1のMTJ素子10の着磁工程では、参照層13と調整層15との磁化方向が逆方向であるため、2回の着磁工程が行われる。本実施形態では、調整層15の垂直磁気異方性エネルギーは、参照層13の垂直磁気異方性エネルギーより大きいので、参照層13と調整層15との共鳴周波数は異なる。よって、高周波磁場の周波数、及び磁石32A及び32Bの磁場を所望の値に設定することで、1回の着磁工程において参照層13及び調整層15のうち一方の磁化方向のみを初期化することができる。例えば、1回目の着磁工程で、調整層15の磁化方向を図1の調整層15の磁化方向と同じ方向に設定する。続いて、2回目の着磁工程で、参照層13の磁化方向を図1の方向に設定する。この時、1回目と2回目との着磁工程では、高周波磁場は異なる周波数に設定される。同様に、1回目と2回目との着磁工程では、磁石32A及び32Bの磁場は異なる値に設定される。磁場印加装置30の構成例以下に、磁場印加装置30の他の構成例について説明する。図8は、磁場印加装置30の他の構成を示す側面図である。磁場印加装置30は、1個の磁石32を備えている。磁石32は、MRAMウエハ20が載置されたステージ31の上方に配置される。磁石32には、コイル33が取り付けられている。図8のように単極の磁石32を用いて、MRAMウエハ20に磁場を印加するようにしてもよい。効果以上詳述したように本実施形態では、磁場印加装置MRAM製造装置30は、MTJ素子10を構成する磁性層参照層13及び調整層15を含むに磁場を印加し、磁性層の磁化方向を所定の方向に設定する磁化方向を初期化する磁石32A及び32Bと、磁性層に磁場が印加されている間に、磁性層に高周波磁場を印加する磁場発生器コイル33とを備えている。そして、高周波磁場の周波数は、磁性層の共鳴周波数を含む所定の範囲内に設定される。従って本実施形態によれば、参照層13及び調整層15の磁化方向を所定の方向に設定する着磁工程において、参照層13及び調整層15の保磁力反転磁場を小さくすることが可能となる。これにより、より小さい磁場で参照層13及び調整層15の着磁を行うことが可能となる。この結果、着磁工程において、大きな磁場を発生する磁石を用いる必要がないため、磁場印加装置30のコスト及びサイズを低減することができる。また、MTJ素子10を微細化することで、参照層13及び調整層15の反転磁場が大きくなった場合でも、参照層13及び調整層15の磁化方向を所望の方向に設定することが可能となる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。