"A酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位を含有し、且つ、芳香族基を含有する、酸の作用により有機溶剤に対する溶解度が減少する樹脂、B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する非イオン性化合物、及び、C溶剤を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて、膜を形成する工程、該膜を露光する工程、露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像することによりネガ型パターンを形成する工程を含むパターン形成方法。非イオン性化合物Bが下記一般式B1又はB2で表されることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。一般式B1中、Rは、有機基を表す。Aは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルケニレン基又はアリーレン基を表す。一般式B2中、Rは、有機基を表す。X及びYは、各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、シアノ基又はニトロ基を表す。XとYは互いに結合して環を形成してもよい。一般式B2で表される化合物のX又はYは、連結基を介して、又は単結合により、一般式B2で表される別の化合物のX又はYと結合してもよい。樹脂A中に含まれる酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位が下記一般式Iで表されることを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン形成方法。一般式I中、R0は、水素原子、又はフッ素原子又は水酸基で置換されていてもよい直鎖状或いは分岐状のアルキル基を表す。R1、R3及びR3は、各々独立に、置換基を有していてもよい直鎖状或いは分枝状アルキル基、又は置換基を有していてもよいシクロアルキル基を表す。R1、R3及びR3のいずれか2つが結合し単環、或いは多環構造を形成してもよい。樹脂A中に含まれる芳香族基を有する繰り返し単位が下記一般式IIで表されることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。一般式II中、R0は、水素原子、又はフッ素原子又は水酸基で置換されていてもよい直鎖状或いは分岐状のアルキル基を表す。Xは単結合、或いは2価の連結基を表す。Arは、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。芳香族基が置換基を有する場合、該置換基は、アルキル基置換基を有していてもよい、シクロアルキル基置換基を有していてもよい、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、ニトロ基又はカルボキシル基のいずれかである。R4は置換基を有していてもよいアルキレン基を表す。nは0~4の整数である。一般式IIにおいて、Xが-COO-又は-CONH-である請求項4に記載のパターン形成方法。樹脂Aが、フェノール性水酸基を有する芳香族基、並びに、フェノール性水酸基の水素原子が酸の作用により分解し脱離する基で置換された基を有する芳香族基を含有しない、請求項1~5のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記現像液が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有する現像液であることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載のパターン形成方法。請求項1~7のいずれか1項に記載のパターン形成方法に用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。請求項8に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成される感活性光線性又は感放射線性膜。請求項1~7のいずれか1項に記載のパターン形成方法を含む、半導体デバイスの製造方法。請求項10に記載の半導体デバイスの製造方法により製造された半導体デバイス。本発明は、上記課題を解決し、高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するための技術を提供することを目的とする。具体的には、本発明は、KrF光、電子線、EUV光を用い、高解像かつ高エッチング耐性を有し、更に現像残渣欠陥が低減されたネガ型のパターンを形成可能なパターン形成方法、その方法に用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及び感活性光線性又は感放射線性膜を提供することを目的とする。本発明は、例えば、以下の通りである。[1]A酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位を含有し、且つ、芳香族基を含有する、酸の作用により有機溶剤に対する溶解度が減少する樹脂、B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する非イオン性化合物、及び、C溶剤を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて、膜を形成する工程、該膜を露光する工程、露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像することによりネガ型パターンを形成する工程を含むパターン形成方法。[2]非イオン性化合物Bが下記一般式B1又はB2で表されることを特徴とする[1]に記載のパターン形成方法。一般式B1中、Rは、有機基を表す。Aは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルケニレン基又はアリーレン基を表す。一般式B2中、Rは、有機基を表す。X及びYは、各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、シアノ基又はニトロ基を表す。XとYは互いに結合して環を形成してもよい。一般式B2で表される化合物のX又はYは、連結基を介して、又は単結合により、一般式B2で表される別の化合物のX又はYと結合してもよい。[3]樹脂A中に含まれる酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位が下記一般式Iで表されることを特徴とする[1]又は[2]に記載のパターン形成方法。一般式I中、R0は、水素原子、又はフッ素原子又は水酸基で置換されていてもよい直鎖状或いは分岐状のアルキル基を表す。R1、R3及びR3は、各々独立に、置換基を有していてもよい直鎖状或いは分枝状アルキル基、又は置換基を有していてもよいシクロアルキル基を表す。R1、R3及びR3のいずれか2つが結合し単環、或いは多環構造を形成してもよい。[4]樹脂A中に含まれる芳香族基を有する繰り返し単位が下記一般式IIで表されることを特徴とする[1]~[3]のいずれか1項に記載のパターン形成方法。一般式II中、R0は、水素原子、又はフッ素原子又は水酸基で置換されていてもよい直鎖状或いは分岐状のアルキル基を表す。Xは単結合、或いは2価の連結基を表す。Arは、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。芳香族基が置換基を有する場合、該置換基は、アルキル基置換基を有していてもよい、シクロアルキル基置換基を有していてもよい、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、ニトロ基又はカルボキシル基のいずれかである。R4は置換基を有していてもよいアルキレン基を表す。nは0~4の整数である。[5]一般式IIにおいて、Xが-COO-又は-CONH-である[4]に記載のパターン形成方法。[6]樹脂Aが、フェノール性水酸基を有する芳香族基、並びに、フェノール性水酸基の水素原子が酸の作用により分解し脱離する基で置換された基を有する芳香族基を含有しない、[1]~[5]のいずれか1項に記載のパターン形成方法。[7]前記現像液が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有する現像液であることを特徴とする[1]~[6]のいずれか1項に記載のパターン形成方法。[8][1]~[7]のいずれか1項に記載のパターン形成方法に用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。[9][8]に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成される感活性光線性又は感放射線性膜。[10][1]~[7]のいずれか1項に記載のパターン形成方法を含む、半導体デバイスの製造方法。[11][10]に記載の半導体デバイスの製造方法により製造された半導体デバイス。本発明によれば、解像度、及び耐エッチング性能に優れ、更に現像残渣欠陥が低減されたレジスト組成物と、該レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供することができる。以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。本明細書に於ける基原子団の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、アルキル基とは、置換基を有さないアルキル基無置換アルキル基のみならず、置換基を有するアルキル基置換アルキル基をも包含するものである。本明細書中における活性光線又は放射線とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線EUV光、X線、電子線EB等を意味する。また、本発明において光とは、活性光線又は放射線を意味する。また、本明細書中における露光とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線、X線、EUV光などによる露光のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線による描画も露光に含める。本発明のパターン形成方法は、酸の作用により分解して極性基を生じる基と芳香族基を備えた酸分解性樹脂と非イオン性の酸発生剤を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、得られた膜を露光する工程、及び、露光した膜を有機溶剤を含む現像液を用いてネガ型のパターンを形成する工程を含む。そのような感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いた本発明のパターン形成方法は、特にKrF光、電子線、又はEUV光を用いた露光における、有機溶剤を含む現像液によるネガ型パターン形成において、解像性及び耐エッチング性能に優れ且つ現像残渣欠陥が低減されたパターン形成を可能とすることが、本発明者らにより見出された。まず、本発明のパターン形成方法において用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物以下、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物又は本発明の組成物ともいうについて詳細に説明する。なお、本発明の感活性光線性又は感放射線性膜は、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって形成される膜であり、例えば、基材に、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を塗布することにより形成される膜である。<感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物>本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、ネガ型の現像露光されると現像液に対して溶解性が減少し、露光部がパターンとして残り、未露光部が除去される現像に用いられる。即ち、本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、有機溶剤を含む現像液を用いた現像に用いられる有機溶剤現像用の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物とすることができる。ここで、有機溶剤現像用とは、少なくとも、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程に供される用途を意味する。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、典型的にはレジスト組成物であり、ネガ型のレジスト組成物即ち、有機溶剤現像用のレジスト組成物であることが、特に高い効果を得ることができることから好ましい。また本発明に係る組成物は、典型的には化学増幅型のレジスト組成物である。[1]酸の作用により有機溶剤に対する溶解度が減少する樹脂A本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に用いられる樹脂Aは、酸の作用により分解して極性基を生じる基以下、酸分解性基ともいうを有する繰り返し単位を含む樹脂以下、酸分解性樹脂ともいうであり、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂である。樹脂Aは、更に、芳香族基を含む。この芳香族基は、酸分解性基を有する繰り返し単位中に含有されていてもよいし、これとは異なる繰り返し単位中に含有されていてもよい。以下において、いずれの場合も含めて芳香族基を有する繰り返し単位という。なお、樹脂Aは、酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂でもある。酸分解性基を有する繰り返し単位樹脂Aは、酸分解性基を有する繰り返し単位を含有する。酸分解性基は、極性基を酸の作用により分解し脱離する基で保護した構造を有することが好ましい。極性基としては、有機溶剤を含む現像液中で難溶化又は不溶化する基であれば特に限定されないが、好ましくは、カルボキシル基、スルホン酸基等の酸性基従来レジストの現像液として用いられている、2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液中で解離する基、又はアルコール性水酸基等が挙げられる。なお、アルコール性水酸基とは、炭化水素基に結合した水酸基であって、芳香環上に直接結合した水酸基フェノール性水酸基以外の水酸基をいい、酸基としてα位がフッ素原子などの電子求引性基で置換された脂肪族アルコール例えば、フッ素化アルコール基ヘキサフルオロイソプロパノール基などは除くものとする。アルコール性水酸基としては、pKaが12以上且つ20以下の水酸基であることが好ましい。酸分解性基として好ましい基は、これらの基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。酸で脱離する基としては、例えば、-CR36R37R38、-CR36R37OR39、-CR01R02OR39等を挙げることができる。上記一般式中、R36~R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。R01及びR02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36~R39、R01及びR02のアルキル基は、炭素数1~8のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、へキシル基、オクチル基等を挙げることができる。R36~R39、R01及びR02のシクロアルキル基は、単環型でも、多環型でもよい。単環型としては、炭素数3~8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数6~20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α-ピネル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基、アンドロスタニル基等を挙げることができる。なお、シクロアルキル基中の少なくとも1つの炭素原子が酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。R36~R39、R01及びR02のアリール基は、炭素数6~10のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基等を挙げることができる。R36~R39、R01及びR02のアラルキル基は、炭素数7~12のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等を挙げることができる。R36~R39、R01及びR02のアルケニル基は、炭素数2~8のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基、シクロへキセニル基等を挙げることができる。R36とR37とが結合して形成される環としては、シクロアルキル基単環若しくは多環であることが好ましい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5~6の単環のシクロアルキル基がより好ましく、炭素数5の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。樹脂Aが含有する酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位としては、下記一般式Iで表される繰り返し単位であることが好ましい。上記一般式I中、R0は、水素原子、又はフッ素原子又は水酸基で置換されていてもよい直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を表す。R1、R2及びR3は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい直鎖若しくは分岐のアルキル基、又は置換基を有していてもよいシクロアルキル基を表す。R1~R3の2つが結合して、単環若しくは多環構造を形成してもよい。R0についての直鎖若しくは分岐のアルキル基としては、炭素数1~4の直鎖若しくは分岐のアルキル基であることが好ましく、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などが挙げられる。このアルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としては、水酸基、フッ素原子が挙げられる。R0としては水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基であることが好ましい。R1~R3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。R1~R3のシクロアルキル基としては、単環でも多環でもよく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。R1~R3の2つが結合して形成される単環又は多環構造としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5又は6の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。好ましい態様の1つとしては、R1がメチル基又はエチル基であり、R2とR3とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が挙げられる。R1~R3により表されるアルキル基及びシクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、水酸基、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、アルキル基炭素数1~4、シクロアルキル基炭素数3~8、アルコキシ基炭素数1~4、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基炭素数2~6などが挙げられ、炭素数8以下が好ましい。前記一般式Iで表される繰り返し単位の特に好ましい態様としては、R1、R2及びR3は、各々独立に、直鎖又は分岐のアルキル基を表す態様である。この態様において、R1、R2及びR3についての直鎖又は分岐のアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基であることが好ましく、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基が挙げられる。R1としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。R2としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。R3としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基が好ましく、メチル基、エチル基、イソプロピル基、イソブチル基がより好ましく、メチル基、エチル基、イソプロピル基が特に好ましい。一般式Iで表される繰り返し単位の好ましい具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、Rxは、水素原子、CH3、CF3、又はCH2OHを表す。Rxa、Rxbはそれぞれ炭素数1~4のアルキル基を表す。Zは、置換基を表し、複数存在する場合、複数のZは互いに同じであっても異なっていてもよい。pは0又は正の整数を表す。Zの具体例及び好ましい例は、R1~R3などの各基が有し得る置換基の具体例及び好ましい例と同様である。樹脂Aの酸分解性基を有する繰り返し単位は、1種類であってもよいし、2種以上を併用してもよい。本発明における樹脂Aにおいて、酸分解性基を有する繰り返し単位好ましくは、前記一般式Iで表される繰り返し単位の含有量複数種類含有する場合はその合計は、露光部の有機系現像液に対する溶解性を十分に低下させる一方、未露光部の溶解性を十分に保ち、溶解コントラストを向上させる観点から、樹脂A中の全繰り返し単位に対して20~90モル以上であることが好ましく、30~80モルであることがより好ましく、40~70モルであることが特に好ましく、40~60モルであることが最も好ましい。芳香族基を有する繰り返し単位樹脂Aは、更に、芳香族基を有する繰り返し単位を含有する。本発明において、芳香族基を有する繰り返し単位bが下記一般式IIで表される繰り返し単位であることが好ましい。上記一般式II中、R0は、水素原子又は置換基を有していてもよい直鎖若しくは分岐のアルキル基を表す。Xは単結合又は2価の連結基を表す。Arは、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。芳香族基が置換基を有する場合、該置換基は、アルキル基置換基を有していてもよい、シクロアルキル基置換基を有していてもよい、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、ニトロ基又はカルボキシル基のいずれかである。R4は、置換基を有していてもよいアルキレン基を表す。nは0~4の整数を表す。R0についての直鎖若しくは分岐のアルキル基の具体例及び好ましい例としては、一般式IにおけるR0についての直鎖若しくは分岐のアルキル基の具体例及び好ましい例として前述したものと同様のものが挙げられる。Xは、2価の連結基が好ましい。この2価の連結基としては、好ましくは-COO-、-CONH-などが挙げられる。R4についてのアルキレン基としては、置換基を有していてもよく、炭素数1~4のアルキレン基であることが好ましく、メチレン基、エチレン基、プロピレン基などが挙げられる。R4についてのアルキレン基が有し得る置換基としては、炭素数1~4のアルキル基、フッ素原子などのハロゲン原子などが挙げられる。R4についてのアルキレン基が有し得る置換基とArにより表される芳香族基が有し得る置換基とが結合して環を形成していてもよく、該環を形成する基としては、アルキレン基例えば、エチレン基、プロピレン基を挙げることができる。R4としては、パターン形成における樹脂の好適なガラス転移温度Tgの観点から、単結合、又は置換基で置換されていてよいメチレン基であることが好ましい。Arにより表される芳香族基としては、置換基を有していてもよく、炭素数6~10のアリール基であることが好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基が挙げられる。Arにより表される芳香族基が有し得る置換基としては、直鎖状若しくは分枝状のアルキル基好ましくは炭素数1~4、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~10、アリール基好ましくは炭素数6~10、フッ素原子などのハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、ニトロ基、カルボキシル基などが挙げられる。前記置換基としての直鎖状若しくは分枝状のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基は更に置換基を有していてもよく、そのような更なる置換基としては、フッ素原子などのハロゲン原子などが挙げられる。Arにより表される芳香族基がフェニル基であり、該フェニル基が置換基を有する場合、該置換基はフェニル基の4位に置換することが好ましい。Arにより表される芳香族基としては、エッチング耐性の点から、置換基を有していてもよいフェニル基が好ましい。本発明における樹脂Aにおいて、一般式IIで表される繰り返し単位の含有量複数種類含有する場合はその合計は、露光部の有機系現像液に対する溶解性を十分に低下させる一方、未露光部の溶解性を十分に保ち、溶解コントラストを向上させる観点及びエッチング耐性を付与する観点から、樹脂A中の全繰り返し単位に対して10~70モル以上であることが好ましく、15~60モルであることがより好ましく、20~55モルであることが特に好ましい。樹脂Aは、芳香族基を有する繰り返し単位として、下記一般式IIIで表される繰り返し単位を含有していてもよい。上記一般式III中、Xaは水素原子又は直鎖若しくは分岐のアルキル基を表す。Rxは水素原子又は酸の作用により分解し脱離する基を表す。Xaについての直鎖若しくは分岐のアルキル基の具体例及び好ましい例としては、一般式IにおけるR0についての直鎖若しくは分岐のアルキル基の具体例及び好ましい例として前述したものと同様のものが挙げられる。Rxについての酸の作用により分解し脱離する基の具体例及び好ましい例としては、樹脂Aにおける酸分解性基を構成する極性基を保護している酸の作用により分解し脱離する基の具体例及び好ましい例として前述したものと同様のものが挙げられる。本発明における樹脂Aにおいて、前記一般式IIIで表される繰り返し単位の含有量複数種類含有する場合はその合計は、露光部の有機系現像液に対する溶解性を十分に低下させる一方、未露光部の溶解性を十分に保ち、溶解コントラストを向上させる観点から、樹脂A中の全繰り返し単位に対して、20モル以下であることが好ましく、10モル以下であることがより好ましく、5モル以下であることが更に好ましく、理想的には0モルであること、すなわち、前記繰り返し単位を含有しないことが特に好ましい。前記一般式IIIで表される繰り返し単位が、樹脂A中の全繰り返し単位に対して20モル以上存在すると有機溶剤に対して溶解しすぎパターンの解像性及び矩形性が得られない傾向にある。その他の繰り返し単位樹脂Aは、更に、ラクトン構造を有する繰り返し単位を有していてもよい。ラクトン構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIIで表される繰り返し単位がより好ましい。一般式AII中、Rb0は、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を有していてもよいアルキル基好ましくは炭素数1~4を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Rb0として、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。Abは、単結合、アルキレン基、単環または多環のシクロアルキル構造を有する2価の連結基、エーテル結合、エステル結合、カルボニル基、又はこれらを組み合わせた2価の連結基を表す。Abは、好ましくは、単結合、-Ab1-CO2-で表される2価の連結基である。Ab1は、直鎖又は分岐アルキレン基、単環または多環のシクロアルキレン基であり、好ましくはメチレン基、エチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基、ノルボルニレン基である。Vは、ラクトン構造を有する基を表す。ラクトン構造を有する基としては、ラクトン構造を有していればいずれでも用いることができるが、好ましくは5~7員環ラクトン構造であり、5~7員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式LC1-1~LC1-17のいずれかで表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造としてはLC1-1、LC1-4、LC1-5、LC1-6、LC1-8、LC1-13、LC1-14である。ラクトン構造部分は、置換基Rb2を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基Rb2としては、炭素数1~8のアルキル基、炭素数4~7の1価のシクロアルキル基、炭素数1~8のアルコキシ基、炭素数2~8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、シアノ基、酸分解性基である。n2は、0~4の整数を表す。n2が2以上の時、複数存在する置換基Rb2は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在する置換基Rb2同士が結合して環を形成してもよい。ラクトン基を有する繰り返し単位は、通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度eeが90以上のものが好ましく、より好ましくは95以上である。樹脂Aはラクトン構造を有する繰り返し単位を含有しても含有しなくてもよいが、ラクトン構造を有する繰り返し単位を含有する場合、樹脂A中の前記繰り返し単位の含有量は、全繰り返し単位に対して、0.5~50モルの範囲が好ましく、より好ましくは1~40モルの範囲であり、更に好ましくは3~30モルの範囲である。前記繰り返し単位は1種類であってもよいし、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。特定のラクトン構造を用いることでパターンの解像性が向上し、矩形プロファイルが良好になる。以下に、樹脂A中のラクトン構造を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。式中、Rxは、H,CH3,CH2OH,又はCF3を表す。樹脂Aは、酸基を有する繰り返し単位を有してもよい。酸基としてはカルボキシル基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、ビススルホニルイミド基、α位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコール例えばヘキサフロロイソプロパノール基が挙げられ、カルボキシル基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。酸基を有する繰り返し単位を含有することによりコンタクトホール用途などでの解像性が増す。酸基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接酸基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖に酸基が結合している繰り返し単位、更には酸基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましく、連結基は単環又は多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。特に好ましくはアクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位である。酸基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、RxはH,CH3,CH2OH,又はCF3を表す。樹脂Aは、酸基を有する繰り返し単位を含有してもしなくても良いが、樹脂Aが酸基を有する繰り返し単位を含有する場合、前記繰り返し単位の含有量は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、1~25molが好ましく、より好ましくは1~20mol、更に好ましくは3~15molである。樹脂Aは、上述した繰り返し単位以外の繰り返し単位であって、水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を更に有していてもよい。これにより基板密着性、現像液親和性を向上させることができる。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位は、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましく、酸分解性基を有さないことが好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましく、アダマンチル基がより好ましい。また、水酸基で置換されていることが好ましく、少なくとも一つの水酸基で置換されたアダマンチル基を有する繰り返し単位を含有することがより好ましい。特に、樹脂Aは、発生酸の拡散を抑制する観点から、ヒドロキシアダマンチル基又はジヒドロキシアダマンチル基を有する繰り返し単位を含有することが最も好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造としては、下記一般式VIIa~VIIdで表される部分構造が好ましく、下記一般式VIIaで表される部分構造がより好ましい。一般式VIIa~VIIcに於いて、R2c~R4cは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R2c~R4cの内の少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、R2c~R4cの内の1つ又は2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式VIIaに於いて、更に好ましくは、R2c~R4cの内の2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式VIIa~VIIdで表される部分構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIIa~AIIdで表される繰り返し単位を挙げることができる。一般式AIIa~AIIdに於いて、R1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。R2c~R4cは、一般式VIIa~VIIcに於ける、R2c~R4cと同義である。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。樹脂Aは、水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を含有していても、含有していなくてもよいが、樹脂Aが水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を含有する場合、前記繰り返し単位の含有量は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、1~40molが好ましく、より好ましくは1~30mol、更に好ましくは3~20molである。本発明における樹脂Aは、更に極性基例えば、前記酸基、水酸基、シアノ基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有することができる。これにより、有機溶剤を含む現像液を用いた現像の際に樹脂の溶解性を適切に調整することができる。このような繰り返し単位としては、一般式IVで表される繰り返し単位が挙げられる。一般式IV中、R5は少なくとも一つの環状構造を有し、極性基を有さない炭化水素基を表す。Raは水素原子、アルキル基又は-CH2-O-Ra2基を表す。式中、Ra2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Raは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。R5が有する環状構造には、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。単環式炭化水素基としては、たとえば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基などの炭素数3~12のシクロアルキル基、シクロへキセニル基など炭素数3~12のシクロアルケニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数3~7の単環式炭化水素基であり、より好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。多環式炭化水素基には環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基が含まれ、環集合炭化水素基の例としては、ビシクロヘキシル基、パーヒドロナフタレニル基などが含まれる。架橋環式炭化水素環として、例えば、ピナン、ボルナン、ノルピナン、ノルボルナン、ビシクロオクタン環ビシクロ[2.2.2]オクタン環、ビシクロ[3.2.1]オクタン環等などの2環式炭化水素環及び、ホモブレダン、アダマンタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[4.3.1.12,5]ウンデカン環などの3環式炭化水素環、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、パーヒドロ-1,4-メタノ-5,8-メタノナフタレン環などの4環式炭化水素環などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環には、縮合環式炭化水素環、例えば、パーヒドロナフタレンデカリン、パーヒドロアントラセン、パーヒドロフェナントレン、パーヒドロアセナフテン、パーヒドロフルオレン、パーヒドロインデン、パーヒドロフェナレン環などの5~8員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環も含まれる。好ましい架橋環式炭化水素環として、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビシクロオクタニル基、トリシクロ[5、2、1、02,6]デカニル基、などが挙げられる。より好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、水素原子が置換されたヒドロキシル基、水素原子が置換されたアミノ基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル、エチル、ブチル、t-ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基は更に置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、水素原子が置換されたヒドロキシル基、水素原子が置換されたアミノ基を挙げることができる。上記水素原子の置換基としては、たとえばアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。好ましいアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基、好ましい置換メチル基としてはメトキシメチル、メトキシチオメチル、ベンジルオキシメチル、t-ブトキシメチル、2-メトキシエトキシメチル基、好ましい置換エチル基としては、1-エトキシエチル、1-メチル-1-メトキシエチル、好ましいアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などの炭素数1~6の脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基としては炭素数1~4のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。樹脂Aは、極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を含有してもしなくてもよいが、樹脂Aが極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を含有する場合、前記繰り返し単位の含有率は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、1~40モルが好ましく、より好ましくは1~20モルである。極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、又はCF3を表す。本発明の組成物に用いられる樹脂Aは、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更に感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有することができる。このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。これにより、本発明の組成物に用いられる樹脂に要求される性能、特に、1塗布溶剤に対する溶解性、2製膜性ガラス転移点、3アルカリ現像性、4膜べり親疎水性、アルカリ可溶性基選択、5未露光部の基板への密着性、6ドライエッチング耐性等の微調整が可能となる。このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、スチレン類、クロトン酸エステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。本発明の組成物に用いられる樹脂Aにおいて、各繰り返し構造単位の含有モル比は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物のドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。本発明における樹脂Aの形態としては、ランダム型、ブロック型、クシ型、スター型のいずれの形態でもよい。樹脂Aは、例えば、各構造に対応する不飽和モノマーのラジカル、カチオン、又はアニオン重合により合成することができる。また各構造の前駆体に相当する不飽和モノマーを用いて重合した後に、高分子反応を行うことにより目的とする樹脂を得ることも可能である。本発明における樹脂Aは、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、更には後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような本発明の組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤アゾ系開始剤、パーオキサイドなどを用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネートなどが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5~50質量であり、好ましくは10~30質量である。反応温度は、通常10°C~150°Cであり、好ましくは30°C~120°C、更に好ましくは60~100°Cである。反応終了後、室温まで放冷し、精製する。精製は、水洗や適切な溶媒を組み合わせることにより残留単量体やオリゴマー成分を除去する液々抽出法、特定の分子量以下のもののみを抽出除去する限外ろ過等の溶液状態での精製方法や、樹脂溶液を貧溶媒へ滴下することで樹脂を貧溶媒中に凝固させることにより残留単量体等を除去する再沈澱法やろ別した樹脂スラリーを貧溶媒で洗浄する等の固体状態での精製方法等の通常の方法を適用できる。たとえば、上記樹脂が難溶或いは不溶の溶媒貧溶媒を、該反応溶液の10倍以下の体積量、好ましくは10~5倍の体積量で、接触させることにより樹脂を固体として析出させる。ポリマー溶液からの沈殿又は再沈殿操作の際に用いる溶媒沈殿又は再沈殿溶媒としては、該ポリマーの貧溶媒であればよく、ポリマーの種類に応じて、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、ニトロ化合物、エーテル、ケトン、エステル、カーボネート、アルコール、カルボン酸、水、これらの溶媒を含む混合溶媒等の中から適宜選択して使用できる。沈殿又は再沈殿溶媒の使用量は、効率や収率等を考慮して適宜選択できるが、一般には、ポリマー溶液100質量部に対して、100~10000質量部、好ましくは200~2000質量部、更に好ましくは300~1000質量部である。沈殿又は再沈殿する際の温度としては、効率や操作性を考慮して適宜選択できるが、通常0~50°C程度、好ましくは室温付近例えば20~35°C程度である。沈殿又は再沈殿操作は、攪拌槽などの慣用の混合容器を用い、バッチ式、連続式等の公知の方法により行うことができる。沈殿又は再沈殿したポリマーは、通常、濾過、遠心分離等の慣用の固液分離に付し、乾燥して使用に供される。濾過は、耐溶剤性の濾材を用い、好ましくは加圧下で行われる。乾燥は、常圧又は減圧下好ましくは減圧下、30~100°C程度、好ましくは30~50°C程度の温度で行われる。なお、一度、樹脂を析出させて、分離した後に、再び溶媒に溶解させ、該樹脂が難溶或いは不溶の溶媒と接触させてもよい。即ち、上記ラジカル重合反応終了後、該ポリマーが難溶或いは不溶の溶媒を接触させ、樹脂を析出させ工程a、樹脂を溶液から分離し工程b、改めて溶媒に溶解させ樹脂溶液Aを調製工程c、その後、該樹脂溶液Aに、該樹脂が難溶或いは不溶の溶媒を、樹脂溶液Aの10倍未満の体積量好ましくは5倍以下の体積量で、接触させることにより樹脂固体を析出させ工程d、析出した樹脂を分離する工程eことを含む方法でもよい。また、組成物の調製後に樹脂が凝集することなどを抑制する為に、例えば、特開2009-037108号公報に記載のように、合成された樹脂を溶剤に溶解して溶液とし、その溶液を30°C~90°C程度で30分~4時間程度加熱するような工程を加えてもよい。本発明の組成物に用いられる樹脂Aの重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは1,000~200,000であり、より好ましくは2,000~100,000、更により好ましくは3,000~70,000、特に好ましくは5,000~50,000である。重量平均分子量を、1,000~200,000とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、かつ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。分散度分子量分布は、通常1.0~3.0であり、好ましくは1.0~2.6、更に好ましくは1.2~2.4、特に好ましくは1.4~2.2の範囲のものが使用される。分子量分布が上記範囲を満たしていると、解像度、レジスト形状が優れ、かつ、レジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物において、樹脂Aの組成物全体中の含有量は、全固形分中30~99質量が好ましく、より好ましくは60~95質量である。また、本発明において、樹脂Aは、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。更に、本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物において、樹脂Aと共に、樹脂A以外の酸分解性樹脂酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂を更に含んでいてもよい。樹脂A以外の酸分解性樹脂としては、樹脂Aにおいて含まれていてもよい繰り返し単位と同様の繰り返し単位から構成される酸分解性樹脂であり、それら繰り返し単位の好ましい範囲や樹脂中の含有量は、樹脂Aについて説明したものと同様である。樹脂A以外の酸分解性樹脂が含まれる場合、本発明に係る組成物中の酸分解性樹脂の含有量は、樹脂Aと樹脂A以外の酸分解性樹脂との含有量の合計が上記の範囲となればよい。樹脂Aと樹脂A以外の酸分解性樹脂との質量比は、本発明の効果が良好に奏される範囲で適宜調整可能であるが、[樹脂A/樹脂A以外の酸分解性樹脂]=99.9/0.1~10/90の範囲であることが好ましく、99.9/0.1~60/40の範囲であることがより好ましい。本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、酸分解性樹脂として樹脂Aのみを含有することが、レジストパターンの高解像性及び矩形なプロファイルを提供し、ドライエッチング時のエッチング耐性を付与する観点から好ましい。[2]活性光線又は放射線の照射により酸を発生する非イオン性化合物B本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する非イオン性化合物化合物Bともいうを含有する。酸発生剤として非イオン性化合物を用いることにより、有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が向上し、残渣欠陥の問題を解消することが可能となる。化合物Bは、非イオン性の酸発生剤であれば特に限定されてないが、例えば、イミノスルホネート誘導体、オキシムスルホネート誘導体、ジスルホン誘導体、ジアゾスルホン誘導体等を挙げることができる。化合物Bは、イミノスルホネート誘導体としての下記一般式B1で表される化合物、又は、オキシムスルホネート誘導体としての下記一般式B2で表される化合物であることが好ましい。一般式B1及びB2中、Rは有機基を表す。Aは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルケニレン基又はアリーレン基を表す。X及びYは、各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、シアノ基又はニトロ基を表す。XとYは互いに結合して環を形成してもよい。一般式B2で表される化合物のX又はYは、連結基を介して、又は単結合により、一般式B2で表される別の化合物のX又はYと結合してもよい。一般式B1中のAのアルキレン基は、炭素数1~12のアルキレン基であることが好ましく、炭素数1~6のアルキレン基であることがより好ましい。Aとしてのアルキレン基の具体例としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基などを挙げることができる。Aのシクロアルキレン基は、単環構造であっても、多環構造であっても良く、炭素数3~12のシクロアルキレン基であることが好ましく、炭素数5~10のシクロアルキレン基であることがより好ましい。Aとしてのシクロアルキレン基の具体例としては、例えば、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基、シクロオクチレン基、シクロドデシレン基、アダマンチレン基などを挙げることができる。Aのアルケニレン基は、炭素数2~12のアルケニレン基であることが好ましく、炭素数2~6のアルケニレン基であることがより好ましい。Aとしてのアルケニレン基の具体例としては、例えば、エチニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基などを挙げることができる。Aのシクロアルケニレン基は、単環構造であっても、多環構造であっても良く、炭素数3~12のシクロアルケニレン基であることが好ましく、炭素数5~10のシクロアルケニレン基であることがより好ましい。Aとしてのシクロアルケニレン基の具体例としては、シクロプロペニレン基、シクロヘキセニレン基、シクロオクテニレン基、ノルボルニレン基などを挙げることができる。Aのアリーレン基は、炭素数6~10のアリーレン基であることが好ましい。Aとしてのアリーレン基の具体例としては、例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基などを挙げることができる。なお、Aとしてのシクロアルキレン基、シクロアルケニレン基は、環員として、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含んでいてもよい。Aにより表されるアルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルケニレン基及びアリーレン基は、更に置換基を有していてもよく、このような更なる置換基としては、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~14、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、アルキルアミド基例えば炭素数1~15、アルキルチオ基例えば炭素数1~15、アリールチオ基例えば炭素数6~14などを挙げることができる。一般式B2中のX及びYとしてのアルキル基は、直鎖状であっても、分岐状であってもよく、炭素数1~15のアルキル基であることが好ましく、炭素数1~5のアルキル基であることがより好ましい。X及びYとしてのアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基などを挙げることができる。X及びYとしてのシクロアルキル基は、単環構造であっても、多環構造であっても良く、炭素数3~15のシクロアルキル基であることが好ましく、炭素数3~10のシクロアルキル基であることがより好ましい。X及びYとしてのシクロアルキル基の具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。X及びYとしてのアリール基は、炭素数6~15のアリール基であることが好ましい。X及びYとしてのアリール基の具体例としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基などを挙げることができる。XとYとが結合して形成してもよい環としては、例えば、炭化水素環又はヘテロ環を挙げることができる。XとYとが結合して形成してもよい環は5又は6員環であることが好ましい。XとYとが結合して形成された環の具体例としては、シクロヘキサン環、1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン環、2,5-ジヒドロ-5-[2-メチルフェニルシアノメチレン]チオフェン環などを好適に挙げることができる。Xがフルオロアルキル基、シアノ基又はニトロ基であるとともに、Yがアルキル基又はアリール基であることが好ましく、Xがフルオロアルキル基又はシアノ基であるとともに、Yがアリール基であることがより好ましい。X及びYにより表されるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、更に置換基を有していてもよく、このような更なる置換基としては、先に説明したAにより表されるアルキレン基等が有していてもよい置換基として挙げたものと同じ例が挙げられる。また、XとYとが結合して形成された環は、更に置換基を有していてもよく、このような更なる置換基としては、先に説明したAとしてのアルキレン基等が更に有していてもよい置換基として挙げたものに加え、アリールシアノメチレン基例えば炭素数8~15、アルキルアリールシアノメチレン基例えば炭素数9~20なども挙げることができる。また、XとYとが結合して形成された環が、更なる2個の置換基を有するとともに、当該置換基の2個が互いに結合して、更に、環を形成してもよい。このような更なる環としては、飽和若しくは不飽和の炭化水素環、飽和若しくは不飽和のヘテロ環を挙げることができ、5~6員環であることが好ましい。一般式B2で表される化合物のX又はYが、連結基を介して、一般式B2で表される別の化合物のX又はYと結合する場合の当該連結基としては、例えば、―COO-、-OCO-、-CO-、-O-、-S―、-SO―、―SO2-、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基、又は、これらの組み合わせからなる基を挙げることができる。連結基を構造する原子数は1~20が好ましい。この連結基は更に置換基を有していてもよく、このような置換基としては、上記Aとしてのアルキレン基等が更に有していてもよい置換基として挙げたものと同じ例が挙げられる。上記一般式B1及びB2中、Rの有機基としては、例えば、アルキル基、及び、後述する一般式Iで表される基などを挙げることができる。Rとしてのアルキル基は、直鎖状であっても、分岐状であってもよく、炭素数1~15のアルキル基であることが好ましく、炭素数1~5のアルキル基であることがより好ましい。Rとしてのアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基などを挙げることができる。Rとしてのアルキル基は、更に置換基を有していてもよく、このような更なる置換基としては、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~14、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基などを挙げることができ、フッ素原子であることが好ましい。Rとしてのアルキル基は、フルオロアルキル基炭素数1~15が好ましく、炭素数1~5がより好ましいであることが好ましく、これにより、露光部において発生するスルホン酸が強酸となることから、感度をより向上させることができる。その結果、EL及びDOFを更に向上できるとともに、LWR及び残渣欠陥を更に低減できる。Rとしてのフルオロアルキル基はパーフルオロアルキル基であることが好ましい。Rの有機基は、下記一般式BIで表される基であることがより好ましい。一般式I中のCyで表される環状の有機基は、鎖状の基と比較して嵩高く、露光部において発生したスルホン酸を露光部内に留めやすくするので、非露光部に酸が拡散して意図しない反応を起こす虞れをより低減でき、その結果、EL及びDOFを更に向上できるとともに、LWR及び残渣欠陥を更に低減できる。一般式BI中、R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表し、複数存在する場合のR1及びR2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。L1は、二価の連結基を表し、複数存在する場合のL1は同一でも異なっていてもよい。Cyは、環状の有機基を表す。xは0~20の整数を表す。yは0~10の整数を表す。はスルホニル基との結合手を表す。R1及びR2におけるアルキル基は、置換基好ましくはフッ素原子を有していてもよく、炭素数1~4のものが好ましい。更に好ましくは炭素数1~4のパーフルオロアルキル基である。R1及びR2の具体例としては、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F15、C8F17、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、CH2CH2C4F9が挙げられ、中でもCF3が好ましい。R1及びR2としては、好ましくはフッ素原子又はCF3である。L1としては特に限定されず、―COO-、-OCO-、-CO-、-O-、-S―、-SO―、―SO2-、アルキレン基、シクロアルキレン基、又はアルケニレン基などが挙げられ、L1を構成する原子数は1~20が好ましく、1~3がより好ましい。これらのなかでも―COO-、-OCO-、-CO-、又は-O-、が好ましく、―COO-、又は-OCO-、がより好ましい。Cyの環状の有機基としては特に限定されず、例えば、脂環基、アリール基又は複素環基芳香族複素環及び非芳香族複素環、例えば、テトラヒドロピラン環、ラクトン環構造も含む等が挙げられる。Cyとしての脂環基としては、単環でも多環でもよく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、ノルボルナン-1-イル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基の炭素数7以上のかさ高い構造を有する脂環基が、PEB露光後加熱工程での膜中拡散性を抑制でき、MEEFマスクエラーエンハンスメントファクター向上の観点から好ましい。Cyとしてのアリール基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環が挙げられる。中でも193nmにおける光吸光度の観点から低吸光度のナフタレンが好ましい。Cyとしての複素環基としては、単環構造でも多環構造でもよく、例えば、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ピリジン環、ピペリジン環、デカヒドロイソキノリン環由来のものが挙げられる。中でもフラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピペリジン環、デカヒドロイソキノリン環由来のものが好ましい。また、環状の有機基としては、ラクトン構造を挙げることもでき、具体例としては、樹脂Aが有していてもよい前述の一般式LC1-1~LC1-17で表されるラクトン構造を挙げることができる。上記環状の有機基は、置換基を有していてもよく、該置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基直鎖、分岐のいずれであっても良く、炭素数1~12が好ましい、シクロアルキル基単環、多環、スピロ環のいずれであっても良く、炭素数3~20が好ましい、アリール基炭素数6~14が好ましい、ヒドロキシ基、シアノ基、アルコキシ基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、ウレイド基、エーテル結合、チオエーテル結合、スルホンアミド結合、スルホン酸エステル結合、及び、これらの結合及び基から選択される2種以上が組み合わされてなる基等が挙げられる。なお、環状の有機基を構成する炭素環形成に寄与する炭素はカルボニル炭素であっても良い。xは1~12が好ましく、1~4がより好ましく、1が特に好ましい。yは0~8が好ましく、0~4がより好ましい。上記一般式BIで表される基は、下記一般式BII又はBIIIで表される基であることがより好ましい。一般式BII中、Xfは、それぞれ独立に、フッ素原子、又は少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。R3及びR4は、それぞれ独立に、水素原子、又はアルキル基を表し、複数存在する場合のR3及びR4は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。L2は、二価の連結基を表し、複数存在する場合のL2は同一でも異なっていてもよい。Cyは、環状の有機基を表す。x’は0~20の整数を表す。y’は0~10の整数を表す。z’は0~10の整数を表す。但し1≦x’y’z’である。一般式BIII中、Arは、アリール基を表し、R5以外にも置換基を有していてもよい。R5は、炭化水素基を有する基を表す。pは0以上の整数を表す。一般式BII及び一般式BIII中、はスルホニル基との結合手を表す。以下、一般式BIIで表される基について詳述する。Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基におけるアルキル基としては、好ましくは炭素数1~10であり、より好ましくは炭素数1~4である。また、Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。Xfとして、好ましくは、フッ素原子又は炭素数1~4のパーフルオロアルキル基である。Xfの具体的としては、フッ素原子、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F15、C8F17、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、CH2CH2C4F9が挙げられ、中でもフッ素原子、CF3が好ましい。特に、双方のXfがフッ素原子であることが好ましい。R3及びR4のアルキル基としては、前記R1及びR2におけるアルキル基と同様のものが挙げられる。x’は1~10の整数であることが好ましく、1~5の整数であることがより好ましい。y’は0~4の整数であることが好ましく、0であることがより好ましい。z’は0~8の整数であることが好ましく、0~4の整数であることがより好ましい。L2の2価の連結基としては、特に限定されず、前記L1における連結基と同様のものが挙げられる。なお、z’はL2の繰り返し数を表す。Cyの環状の有機基としては、前記一般式BIにおけるものと同様のものが挙げられる。以下、一般式BIIIで表される基について詳述する。一般式BIII中、Arのアリール基としては、炭素数6~30の芳香族環が好ましい。具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、ペンタレン環、インデン環、アズレン環、ヘプタレン環、インデセン環、ペリレン環、ペンタセン環、アセタフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環、ナフタセン環、ペンタセン環、クリセン環、トリフェニレン環、インデン環、フルオレン環、トリフェニレン環、ナフタセン環、ビフェニル環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キノキサゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チアントレン環、クロメン環、キサンテン環、フェノキサチイン環、フェノチアジン環、フェナジン環等が挙げられ、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環が好ましく、ベンゼン環がより好ましい。上記ArはR5以外に置換基を有していてもよく、R5以外の置換基としては、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基等を挙げることができる。また、2以上の置換基を有する場合、少なくとも二つの置換基が互いに結合して環を形成してもよい。R5としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、tert-ブトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基、p-トリルオキシ基等のアリールオキシ基、メチルチオキシ基、エチルチオキシ基、tert-ブチルチオキシ基等のアルキルチオキシ基、フェニルチオキシ基、p-トリルチオキシ基等のアリールチオキシ基、メトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、アセトキシ基、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘプチル基、ヘキシル基、ドデシル基、2―エチルヘキシル基等の直鎖アルキル基及び分岐アルキル基、ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、アセチレン基、プロピニル基、ヘキシニル基等のアルキニル基、フェニル基、トリル基等のアリール基、ベンゾイル基、アセチル基、トリル基等のアシル基等が挙げられる。R5により表される、炭化水素基を有する基における炭化水素基としては、例えば非環式炭化水素基、又は環状脂肪族基が挙げられ、炭素原子数が3以上のものが好ましい。R5としては、Arに隣接する炭素原子が3級若しくは4級の炭素原子であることが好ましい。R5としての非環式炭化水素基としては、イソプロピル基、t―ブチル基、t―ペンチル基、ネオペンチル基、s-ブチル基、イソブチル基、イソヘキシル基、3,3-ジメチルペンチル基、2-エチルヘキシル基等が挙げられる。非環式炭化水素基の有する炭素数の上限としては、好ましくは12以下、更に好ましくは10以下である。R5としての環状脂肪族基としては、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基、カンフェニル基、デカヒドロナフチル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、カンホロイル基、ジシクロヘキシル基、ピネニル基等が挙げられ、置換基を有していてもよい。環状脂肪族基の有する炭素数の上限としては、好ましくは15以下、更に好ましくは12以下である。上記非環式炭化水素基又は環状脂肪族基が置換基を有している場合、その置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、メトキシ基、エトキシ基、tert-ブトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基、p-トリルオキシ基等のアリールオキシ基、メチルチオキシ基、エチルチオキシ基、tert-ブチルチオキシ基等のアルキルチオキシ基、フェニルチオキシ基、p-トリルチオキシ基等のアリールチオオキシ基、メトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、アセトキシ基、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘプチル基、ヘキシル基、ドデシル基、2―エチルヘキシル基等の直鎖アルキル基、及び分岐アルキル基、シクロヘキシル基等の環状アルキル基、ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、アセチレン基、プロピニル基、ヘキシニル基等のアルキニル基、フェニル基、トリル基等のアリール基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホン酸基、カルボニル基、シアノ基等が挙げられる。R5としての環状脂肪族基又は非環式炭化水素基の具体例としては以下のものが挙げられる。酸拡散抑制の観点から、上記の中でも下記構造がより好ましい。pは0以上の整数を表し、その上限は化学的に可能な数であれば特に限定されない。酸の拡散抑制の観点から、pは通常0~5、好ましくは1~4、更に好ましくは2~3、最も好ましくは3を表す。R5は、酸拡散抑制の観点から、アリール環のスルホン酸基に対するo位に置換していることが好ましく、2つのo位を置換している構造であることがより好ましい。一般式BIIIで表される基は、一態様において、下記一般式BIII’で表される基である。式中、Aは一般式BIIIにおけるR5と同様であり、二つのAは同一でも異なってもよい。R1~R3は、各々独立に、水素原子、炭化水素基を有する基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基又はニトロ基を表す。炭化水素基を有する基の具体例としては、上記に例示した基と同様の基が挙げられる。上記一般式BII又はBIIIで表される有機基は、一般式BIIで表される有機基であり、かつ、x’が1~10の整数であることがより好ましい。このような形態によれば、露光部において発生するスルホン酸が強酸となることから、感度をより向上させることができる。その結果、EL及びDOFを更に向上できるとともに、LWR及び残渣欠陥を更に低減できる。一般式BIで示される基の具体例を以下に示す。また、化合物Bは、ジスルホン誘導体としての下記一般式B3で表される化合物、又は、ジアゾスルホン誘導体としての下記一般式B4で表される化合物であっても良い。上記一般式B3中、Ar1及びAr2は、各々独立して、アリール基を表す。上記一般式B4中、Ra1及びRa2は、各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基、及びアリール基を表す。Ar1、Ar2、Ra1及びRa2としてのアリール基としては、上記一般式B2のX及びYとしてのアリール基で説明したものを挙げることができる。Ra1及びRa2としてのアルキル基及びシクロアルキル基としては、それぞれ、上記一般式B2のX及びYとしてのアルキル基及びシクロアルキル基で説明したものを挙げることができる。Ar1、Ar2、Ra1及びRa2は、更に置換基と有していてもよく、このような更なる置換基としては、上記一般式B2のX及びYの更なる置換基として説明したものを挙げることができる。化合物Bの分子量は、100~1500であることが好ましく、200~1000であることがより好ましい。化合物Bの具体例として、下記化合物を例示するがこれらに限定されるものではない。化合物Bは、1種類又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。化合物Bの感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の含有率は、組成物の全固形分を基準として、0.1~15質量が好ましく、より好ましくは、0.5~13質量、更に好ましくは1~12質量、特に好ましくは4~10質量である。また、化合物Bは、化合物B以外の酸発生剤以下、化合物B’ともいうと組み合わされて使用されても良い。化合物B’としては、公知のものであれば特に限定されないが、好ましくは下記一般式ZI又はZIIで表される化合物を挙げることができる。上記一般式ZIにおいて、R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1~30、好ましくは1~20である。また、R201~R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201~R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基例えば、ブチレン基、ペンチレン基を挙げることができる。Z-は、非求核性アニオン求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンを表す。Z-としては、例えば、スルホン酸アニオン脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなど、カルボン酸アニオン脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなど、スルホニルイミドアニオン、ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチドアニオン等を挙げられる。脂肪族スルホン酸アニオン及び脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位は、アルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数1~30の直鎖又は分岐のアルキル基及び炭素数3~30のシクロアルキル基が挙げられる。芳香族スルホン酸アニオン及び芳香族カルボン酸アニオンにおける芳香族基としては、好ましくは炭素数6~14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。上記で挙げたアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。この具体例としては、ニトロ基、フッ素原子などのハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基好ましくは炭素数1~15、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~15、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~7、アシル基好ましくは炭素数2~12、アルコキシカルボニルオキシ基好ましくは炭素数2~7、アルキルチオ基好ましくは炭素数1~15、アルキルスルホニル基好ましくは炭素数1~15、アルキルイミノスルホニル基好ましくは炭素数2~15、アリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数6~20、アルキルアリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数7~20、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数10~20、アルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数5~20、シクロアルキルアルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数8~20等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基として更にアルキル基好ましくは炭素数1~15を挙げることができる。アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数6~12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基等を挙げることができる。スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチドアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1~5のアルキル基が好ましい。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基等を挙げることができ、フッ素原子又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。その他のZ-としては、例えば、弗素化燐、弗素化硼素、弗素化アンチモン等を挙げることができる。Z-としては、スルホン酸の少なくともα位がフッ素原子で置換された脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換された芳香族スルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたビスアルキルスルホニルイミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたトリスアルキルスルホニルメチドアニオンが好ましい。非求核性アニオンとして、より好ましくはパーフロロ脂肪族スルホン酸アニオン更に好ましくは炭素数4~8、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸アニオン、更により好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロベンゼンスルホン酸アニオン、3,5-ビストリフロロメチルベンゼンスルホン酸アニオンである。酸強度の観点からは、発生酸のpKaが-1以下であることが、感度向上のために好ましい。R201、R202及びR203の有機基としては、アリール基炭素数6~15が好ましい、直鎖又は分岐のアルキル基炭素数1~10が好ましい、シクロアルキル基炭素数3~15が好ましいなどが挙げられる。R201、R202及びR203のうち、少なくとも1つがアリール基であることが好ましく、三つ全てがアリール基であることがより好ましい。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基などの他に、インドール残基、ピロール残基などのヘテロアリール基も可能である。これらアリール基は更に置換基を有していてもよい。その置換基としては、ニトロ基、フッ素原子などのハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基好ましくは炭素数1~15、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~15、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~7、アシル基好ましくは炭素数2~12、アルコキシカルボニルオキシ基好ましくは炭素数2~7等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、R201、R202及びR203から選ばれる2つが、単結合又は連結基を介して結合していてもよい。連結基としてはアルキレン基炭素数1~3が好ましい、-O-,-S-,-CO-,-SO2-などがあげられるが、これらに限定されるものではない。R201、R202及びR203のうち、少なくとも1つがアリール基でない場合の好ましい構造としては、特開2004-233661号公報の段落0046,0047、特開2003-35948号公報の段落0040~0046、US2003/0224288A1号明細書に式I-1~I-70として例示されている化合物、US2003/0077540A1号明細書に式IA-1~IA-54、式IB-1~IB-24として例示されている化合物等のカチオン構造を挙げることができる。一般式ZII中、R204及びR205は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。R204及びR205のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基としては、前述の化合物ZIにおけるR201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基として説明したアリール基と同様である。R204及びR205のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としても、前述の化合物ZIにおけるR201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよいものが挙げられる。Z-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZ-の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。化合物B’の中で、特に好ましい例を以下に挙げる。酸発生剤化合物B以外の酸発生剤が併用される場合、この酸発生剤の量も含むの全量は、レジスト組成物の全固形分を基準として、0.1~20質量が好ましく、0.5~17質量がより好ましく、1~12質量が更に好ましく、2.5~9質量が特に好ましい。化合物Bと化合物B’とを併用した場合の酸発生剤の使用量は、モル比化合物B/化合物B’で、通常99/1~20/80、好ましくは99/1~40/60、更に好ましくは99/1~50/50である。[3]溶剤C本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を調製する際に使用することができる溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン好ましくは炭素数4~10、環を有しても良いモノケトン化合物好ましくは炭素数4~10、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、ピルビン酸アルキル等の有機溶剤を挙げることができる。これらの溶剤の具体例は、米国特許出願公開2008/0187860号明細書[0441]~[0455]に記載のものを挙げることができる。本発明においては、有機溶剤として構造中に水酸基を含有する溶剤と、水酸基を含有しない溶剤とを混合した混合溶剤を使用してもよい。水酸基を含有する溶剤、水酸基を含有しない溶剤としては前述の例示化合物が適宜選択可能であるが、水酸基を含有する溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル等が好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、別名1-メトキシ-2-プロパノール、乳酸エチルがより好ましい。また、水酸基を含有しない溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、アルキルアルコキシプロピオネート、環を含有しても良いモノケトン化合物、環状ラクトン、酢酸アルキルなどが好ましく、これらの内でもプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、別名1-メトキシ-2-アセトキシプロパン、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノン、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチルが特に好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノンが最も好ましい。水酸基を含有する溶剤と水酸基を含有しない溶剤との混合比質量は、1/99~99/1、好ましくは10/90~90/10、更に好ましくは20/80~60/40である。水酸基を含有しない溶剤を50質量以上含有する混合溶剤が塗布均一性の点で特に好ましい。溶剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含むことが好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート単独溶媒又はプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する2種類以上の混合溶剤であることが好ましい。[4]塩基性化合物D本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減するために、塩基性化合物Dを含有していてもよい。塩基性化合物としては、好ましくは、下記式A~Eで示される構造を有する化合物を挙げることができる。一般式AとEにおいて、R200、R201及びR202は、同一でも異なってもよく、水素原子、アルキル基好ましくは炭素数1~20、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~20又はアリール基炭素数6~20を表し、ここで、R201とR202は、互いに結合して環を形成してもよい。R203、R204、R205及びR206は、同一でも異なってもよく、炭素数1~20個のアルキル基を表す。上記アルキル基について、置換基を有するアルキル基としては、炭素数1~20のアミノアルキル基、炭素数1~20のヒドロキシアルキル基又は炭素数1~20のシアノアルキル基が好ましい。これら一般式AとE中のアルキル基は、無置換であることがより好ましい。好ましい化合物として、グアニジン、アミノピロリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン、アミノアルキルモルフォリン、ピペリジン等を挙げることができ、更に好ましい化合物として、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウムカルボキシレート構造、トリアルキルアミン構造、アニリン構造又はピリジン構造を有する化合物、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体等を挙げることができる。イミダゾール構造を有する化合物としては、イミダゾール、2、4、5-トリフェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール等が挙げられる。ジアザビシクロ構造を有する化合物としては、1、4-ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン、1、5-ジアザビシクロ[4,3,0]ノナ-5-エン、1、8-ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデカー7-エン等が挙げられる。オニウムヒドロキシド構造を有する化合物としては、トリアリールスルホニウムヒドロキシド、フェナシルスルホニウムヒドロキシド、2-オキソアルキル基を有するスルホニウムヒドロキシド、具体的にはトリフェニルスルホニウムヒドロキシド、トリスt-ブチルフェニルスルホニウムヒドロキシド、ビスt-ブチルフェニルヨードニウムヒドロキシド、フェナシルチオフェニウムヒドロキシド、2-オキソプロピルチオフェニウムヒドロキシド等が挙げられる。オニウムカルボキシレート構造を有する化合物としては、オニウムヒドロキシド構造を有する化合物のアニオン部がカルボキシレートになったものであり、例えばアセテート、アダマンタンー1-カルボキシレート、パーフロロアルキルカルボキシレート等が挙げられる。トリアルキルアミン構造を有する化合物としては、トリn-ブチルアミン、トリn-オクチルアミン等を挙げることができる。アニリン構造を有する化合物としては、2,6-ジイソプロピルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、N,N-ジブチルアニリン、N,N-ジヘキシルアニリン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリスメトキシエトキシエチルアミン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体としては、N,N-ビスヒドロキシエチルアニリン等を挙げることができる。好ましい塩基性化合物として、更に、フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物を挙げることができる。前記フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物は、少なくとも1つのアルキル基が窒素原子に結合していることが好ましい。また、前記アルキル鎖中に、酸素原子を有し、オキシアルキレン基が形成されていることが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上、好ましくは3~9個、更に好ましくは4~6個である。オキシアルキレン基の中でも-CH2CH2O-、-CHCH3CH2O-若しくは-CH2CH2CH2O-の構造が好ましい。前記フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物の具体例としては、米国特許出願公開2007/0224539号明細書の[0066]に例示されている化合物C1-1~C3-3が挙げられるが、これらに限定されるものではない。本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は塩基性化合物を含有してもしていなくてもよいが、含有する場合、塩基性化合物の使用量は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の固形分を基準として、通常、0.001~10質量、好ましくは0.01~5質量である。酸発生剤と塩基性化合物の組成物中の使用割合は、酸発生剤/塩基性化合物モル比=2.5~300であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのレジストパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。酸発生剤/塩基性化合物モル比は、より好ましくは5.0~200、更に好ましくは7.0~150である。[5]界面活性剤E本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、更に界面活性剤を含有してもしなくても良く、含有する場合、フッ素及び/又はシリコン系界面活性剤フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を有する界面活性剤のいずれか、あるいは2種以上を含有することがより好ましい。本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が界面活性剤を含有することにより、250nm以下、特に220nm以下の露光光源の使用時に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥の少ないレジストパターンを与えることが可能となる。フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤として、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0276]に記載の界面活性剤が挙げられ、例えばエフトップEF301、EF303、新秋田化成株製、フロラードFC430、431、4430住友スリーエム株製、メガファックF171、F173、F176、F189、F113、F110、F177、F120、R08大日本インキ化学工業株製、サーフロンS-382、SC101、102、103、104、105、106、KH-20旭硝子株製、トロイゾルS-366トロイケミカル株製、GF-300、GF-150東亜合成化学株製、サーフロンS-393セイミケミカル株製、エフトップEF121、EF122A、EF122B、RF122C、EF125M、EF135M、EF351、EF352、EF801、EF802、EF601株ジェムコ製、PF636、PF656、PF6320、PF6520OMNOVA社製、FTX-204G、208G、218G、230G、204D、208D、212D、218D、222D株ネオス製等である。またポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製もシリコン系界面活性剤として用いることができる。また、界面活性剤としては、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法テロマー法ともいわれる若しくはオリゴメリゼーション法オリゴマー法ともいわれるにより製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を有する重合体を用いた界面活性剤を用いることが出来る。フルオロ脂肪族化合物は、特開2002-90991号公報に記載された方法によって合成することが出来る。上記に該当する界面活性剤として、メガファックF178、F-470、F-473、F-475、F-476、F-472大日本インキ化学工業株製、C6F13基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシアルキレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体、C3F7基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシエチレンアクリレート又はメタクリレートとポリオキシプロピレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体等を挙げることができる。また、本発明では、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0280]に記載の、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。これらの界面活性剤は単独で使用してもよいし、また、いくつかの組み合わせで使用してもよい。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は界面活性剤を含有しても含有していなくてもよいが、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が界面活性剤を含有する場合、界面活性剤の使用量は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物全量溶剤を除くに対して、好ましくは0.0001~2質量、より好ましくは0.0005~1質量である。[6]その他添加剤F本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、カルボン酸オニウム塩を含有してもしなくても良い。このようなカルボン酸オニウム塩は、米国特許出願公開2008/0187860号明細書[0605]~[0606]に記載のものを挙げることができる。これらのカルボン酸オニウム塩は、スルホニウムヒドロキシド、ヨードニウムヒドロキシド、アンモニウムヒドロキシドとカルボン酸を適当な溶剤中酸化銀と反応させることによって合成できる。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物がカルボン酸オニウム塩を含有する場合、その含有量は、組成物の全固形分に対し、一般的には0.1~20質量、好ましくは0.5~10質量、更に好ましくは1~7質量である。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物には、必要に応じて更に染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、アルカリ可溶性樹脂、溶解阻止剤及び現像液に対する溶解性を促進させる化合物例えば、分子量1000以下のフェノール化合物、カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物等を含有させることができる。このような分子量1000以下のフェノール化合物は、例えば、特開平4-122938号、特開平2-28531号、米国特許第4,916,210、欧州特許第219294等に記載の方法を参考にして、当業者において容易に合成することができる。カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物の具体例としてはコール酸、デオキシコール酸、リトコール酸などのステロイド構造を有するカルボン酸誘導体、アダマンタンカルボン酸誘導体、アダマンタンジカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、解像力向上の観点から、膜厚30~250nmで使用されることが好ましく、より好ましくは、膜厚30~200nmで使用されることが好ましい。組成物中の固形分濃度を適切な範囲に設定して適度な粘度をもたせ、塗布性、製膜性を向上させることにより、このような膜厚とすることができる。本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の固形分濃度は、通常1.0~15質量であり、好ましくは、2.5~13質量、更に好ましくは3.0~12質量である。固形分濃度を前記範囲とすることで、レジスト溶液を基板上に均一に塗布することができ、更には高解像性及び矩形なプロファイルを有し、かつエッチング耐性に優れたレジストパターンを形成することが可能になる。その理由は明らかではないが、恐らく、固形分濃度を10質量以下、好ましくは5.7質量以下とすることで、レジスト溶液中での素材、特には光酸発生剤の凝集が抑制され、その結果として、均一なレジスト膜が形成できたものと考えられる。固形分濃度とは、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の総重量に対する、溶剤を除く他のレジスト成分の重量の重量百分率である。本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤、好ましくは前記混合溶剤に溶解し、フィルター濾過した後、所定の支持体基板上に塗布して用いる。フィルター濾過に用いるフィルターのポアサイズは0.1μm以下、より好ましくは0.05μm以下、更に好ましくは0.03μm以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。フィルター濾過においては、例えば特開2002-62667号公報のように、循環的な濾過を行ったり、複数種類のフィルターを直列又は並列に接続して濾過を行ったりしてもよい。また、組成物を複数回濾過してもよい。更に、フィルター濾過の前後で、組成物に対して脱気処理などを行ってもよい。[7]パターン形成方法本発明のパターン形成方法ネガ型パターン形成方法は、ア感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により膜感活性光線性又は感放射線性膜を形成する工程、イ該膜を露光する工程、及びウ有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を少なくとも含む。上記工程イにおける露光が、液浸露光であってもよい。本発明のパターン形成方法は、イ露光工程の後に、エ加熱工程を含むことが好ましい。本発明のパターン形成方法は、オアルカリ現像液を用いて現像する工程を更に含んでいてもよい。本発明のパターン形成方法は、イ露光工程を、複数回有することができる。本発明のパターン形成方法は、オ加熱工程を、複数回有することができる。感活性光線性又は感放射線性膜は、上記した本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物から形成されるものであり、より具体的には、基板上に形成されることが好ましい。本発明のパターン形成方法に於いて、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物による膜を基板上に形成する工程、膜を露光する工程、及び現像工程は、一般的に知られている方法により行うことができる。製膜後、露光工程の前に、前加熱工程PB;Prebakeを含むことも好ましい。また、露光工程の後かつ現像工程の前に、露光後加熱工程PEB;PostExposureBakeを含むことも好ましい。加熱温度はPB、PEB共に70~130°Cで行うことが好ましく、80~120°Cで行うことがより好ましい。加熱時間は30~300秒が好ましく、30~180秒がより好ましく、30~90秒が更に好ましい。加熱は通常の露光現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行っても良い。ベークにより露光部の反応が促進され、感度やパターンプロファイルが改善する。本発明における露光装置に用いられる光源波長としては、KrFエキシマレーザー248nm、EUV13nm、電子線等が挙げられ、KrFエキシマレーザーであることが好ましい。本発明において膜を形成する基板は特に限定されるものではなく、シリコン、SiN、SiO2やSiN等の無機基板、SOG等の塗布系無機基板等、IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造工程、更にはその他のフォトファブリケーションのリソグラフィー工程で一般的に用いられる基板を用いることができる。更に、必要に応じて有機反射防止膜を膜と基板の間に形成させても良い。例えば、レジストの下層に反射防止膜を設けてもよい。反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、アモルファスシリコン等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型のいずれも用いることができる。前者は膜形成に真空蒸着装置、CVD装置、スパッタリング装置等の設備を必要とする。有機反射防止膜としては、例えば特公平7-69611号記載のジフェニルアミン誘導体とホルムアルデヒド変性メラミン樹脂との縮合体、アルカリ可溶性樹脂、吸光剤からなるものや、米国特許5294680号記載の無水マレイン酸共重合体とジアミン型吸光剤の反応物、特開平6-118631号記載の樹脂バインダーとメチロールメラミン系熱架橋剤を含有するもの、特開平6-118656号記載のカルボン酸基とエポキシ基と吸光基を同一分子内に有するアクリル樹脂型反射防止膜、特開平8-87115号記載のメチロールメラミンとベンゾフェノン系吸光剤からなるもの、特開平8-179509号記載のポリビニルアルコール樹脂に低分子吸光剤を添加したもの等が挙げられる。また、有機反射防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のDUV30シリーズや、DUV-40シリーズ、シプレー社製のAR-2、AR-3、AR-5等の市販の有機反射防止膜を使用することもできる。また、必要に応じて、レジストの上層に反射防止膜を用いることが出来る。反射防止膜としては、たとえば、AZエレクトロニックマテリアルズ株製AQUATAR-II、AQUATAR-III、AQUATAR-VIIなどが挙げられる。本発明のパターン形成方法が、有機溶剤を含有する現像液を用いて現像する工程における当該現像液以下、有機系現像液とも言うとしては、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤及び炭化水素系溶剤を用いることができる。ケトン系溶剤としては、例えば、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、アセトン、2-ヘプタノンメチルアミルケトン、4-ヘプタノン、1-ヘキサノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、プロピレンカーボネート等を挙げることができる。エステル系溶剤としては、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルー3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等を挙げることができる。アルコール系溶剤としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール、n-デカノール等のアルコールや、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤等を挙げることができる。エーテル系溶剤としては、例えば、上記グリコールエーテル系溶剤の他、ジオキサン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。アミド系溶剤としては、例えば、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン等が使用できる。炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。上記の溶剤は、複数混合してもよいし、上記以外の溶剤や水と混合し使用してもよい。但し、本発明の効果を十二分に奏するためには、現像液全体としての含水率が10質量未満であることが好ましく、実質的に水分を含有しないことがより好ましい。すなわち、有機系現像液に対する有機溶剤の使用量は、現像液の全量に対して、90質量以上100質量以下であることが好ましく、95質量以上100質量以下であることが好ましい。特に、有機系現像液は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有する現像液であるのが好ましい。有機系現像液の蒸気圧は、20°Cに於いて、5kPa以下が好ましく、3kPa以下が更に好ましく、2kPa以下が特に好ましい。有機系現像液の蒸気圧を5kPa以下にすることにより、現像液の基板上あるいは現像カップ内での蒸発が抑制され、ウェハ面内の温度均一性が向上し、結果としてウェハ面内の寸法均一性が良化する。5kPa以下の蒸気圧を有する具体的な例としては、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、2-ヘプタノンメチルアミルケトン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶剤、酢酸ブチル、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等のエステル系溶剤、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール、n-デカノール等のアルコール系溶剤、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミドのアミド系溶剤、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。特に好ましい範囲である2kPa以下の蒸気圧を有する具体的な例としては、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン等のケトン系溶剤、酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等のエステル系溶剤、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール、n-デカノール等のアルコール系溶剤、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミドのアミド系溶剤、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。有機系現像液には、必要に応じて界面活性剤を適当量添加することができる。界面活性剤としては特に限定されないが、例えば、イオン性や非イオン性のフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤等を用いることができる。これらのフッ素及び/又はシリコン系界面活性剤として、例えば特開昭62-36663号公報、特開昭61-226746号公報、特開昭61-226745号公報、特開昭62-170950号公報、特開昭63-34540号公報、特開平7-230165号公報、特開平8-62834号公報、特開平9-54432号公報、特開平9-5988号公報、米国特許第5405720号明細書、同5360692号明細書、同5529881号明細書、同5296330号明細書、同5436098号明細書、同5576143号明細書、同5294511号明細書、同5824451号明細書記載の界面活性剤を挙げることができ、好ましくは、非イオン性の界面活性剤である。非イオン性の界面活性剤としては特に限定されないが、フッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を用いることが更に好ましい。界面活性剤の使用量は現像液の全量に対して、通常0.001~5質量、好ましくは0.005~2質量、更に好ましくは0.01~0.5質量である。現像方法としては、たとえば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法パドル法、基板表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法ダイナミックディスペンス法などを適用することができる。上記各種の現像方法が、現像装置の現像ノズルから現像液をレジスト膜に向けて吐出する工程を含む場合、吐出される現像液の吐出圧吐出される現像液の単位面積あたりの流速は好ましくは2mL/sec/mm2以下、より好ましくは1.5mL/sec/mm2以下、更に好ましくは1mL/sec/mm2以下である。流速の下限は特に無いが、スループットを考慮すると0.2mL/sec/mm2以上が好ましい。吐出される現像液の吐出圧を上記の範囲とすることにより、現像後のレジスト残渣に由来するパターンの欠陥を著しく低減することができる。このメカニズムの詳細は定かではないが、恐らくは、吐出圧を上記範囲とすることで、現像液がレジスト膜に与える圧力が小さくなり、レジスト膜レジストパターンが不用意に削られたり崩れたりすることが抑制されるためと考えられる。なお、現像液の吐出圧mL/sec/mm2は、現像装置中の現像ノズル出口における値である。現像液の吐出圧を調整する方法としては、例えば、ポンプなどで吐出圧を調整する方法や、加圧タンクからの供給で圧力を調整することで変える方法などを挙げることができる。また、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後に、他の溶媒に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後には、リンス液を用いて洗浄する工程を含むことが好ましい。有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後のリンス工程に用いるリンス液としては、レジストパターンを溶解しなければ特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができる。前記リンス液としては、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤の具体例としては、有機溶剤を含む現像液において説明したものと同様のものを挙げることができる。有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後に、より好ましくは、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤からなる群より選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行い、更に好ましくは、アルコール系溶剤又はエステル系溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行い、特に好ましくは、1価アルコールを含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行い、最も好ましくは、炭素数5以上の1価アルコールを含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行う。ここで、リンス工程で用いられる1価アルコールとしては、直鎖状、分岐状、環状の1価アルコールが挙げられ、具体的には、1-ブタノール、2-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、tert―ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、1-ヘキサノール、4-メチル-2-ペンタノール、1-ヘプタノール、1-オクタノール、2-ヘキサノール、シクロペンタノール、2-ヘプタノール、2-オクタノール、3-ヘキサノール、3-ヘプタノール、3-オクタノール、4-オクタノールなどを用いることができ、特に好ましい炭素数5以上の1価アルコールとしては、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、4-メチル-2-ペンタノール、1-ペンタノール、3-メチル-1-ブタノールなどを用いることができる。前記各成分は、複数混合してもよいし、上記以外の有機溶剤と混合し使用してもよい。リンス液中の含水率は、10質量以下が好ましく、より好ましくは5質量以下、特に好ましくは3質量以下である。含水率を10質量以下にすることで、良好な現像特性を得ることができる。有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後に用いるリンス液の蒸気圧は、20°Cに於いて0.05kPa以上、5kPa以下が好ましく、0.1kPa以上、5kPa以下が更に好ましく、0.12kPa以上、3kPa以下が最も好ましい。リンス液の蒸気圧を0.05kPa以上、5kPa以下にすることにより、ウェハ面内の温度均一性が向上し、更にはリンス液の浸透に起因した膨潤が抑制され、ウェハ面内の寸法均一性が良化する。リンス液には、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。リンス工程においては、有機溶剤を含む現像液を用いる現像を行ったウェハを前記の有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄処理する。洗浄処理の方法は特に限定されないが、たとえば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法回転塗布法、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面にリンス液を噴霧する方法スプレー法、などを適用することができ、この中でも回転塗布方法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を2000rpm~4000rpmの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。また、リンス工程の後に加熱工程PostBakeを含むことも好ましい。ベークによりパターン間及びパターン内部に残留した現像液及びリンス液が除去される。リンス工程の後の加熱工程は、通常40~160°C、好ましくは70~95°Cで、通常10秒~3分、好ましくは30秒から90秒間行う。本発明のパターン形成方法が、アルカリ現像液を用いて現像する工程を更に有する場合、アルカリ現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n-プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ-n-ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用することができる。更に、上記アルカリ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1~20質量である。アルカリ現像液のpHは、通常10.0~15.0である。特に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの2.38質量の水溶液が望ましい。アルカリ現像の後に行うリンス処理におけるリンス液としては、純水を使用し、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。また、現像処理又はリンス処理の後に、パターン上に付着している現像液又はリンス液を超臨界流体により除去する処理を行うことができる。また、本発明は、上記した本発明のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法、及び、この製造方法により製造された電子デバイスにも関する。本発明の電子デバイスは、電気電子機器家電、OAメディア関連機器、光学用機器及び通信機器等に、好適に、搭載されるものである。以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明の内容がこれにより限定されるものではない。レジスト組成物の調製まず、下記表1に示す成分を用いて、固形分濃度6質量の溶液を調製した。次に、これを0.1μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターでろ過して、レジスト組成物を調製した。表1中の略号は、以下の通りである。樹脂A酸分解性樹脂として表2に示すPol-1~Pol-11を用いた。同表に示すMwは、GPC溶媒:THF測定により求めた重量平均分子量ポリスチレン換算であり、Pdは分散度Mw/MnMn:数平均分子量である。非イオン性化合物B塩基性化合物D界面活性剤W-1:メガファックF176大日本インキ化学工業製フッ素系W-2:メガファックR08大日本インキ化学工業製フッ素系及びシリコン系W-3:ポリシロキサンポリマーKP341信越化学工業製シリコン系W-4:下式で表される化合物溶剤A1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートA2:γブチロラクトンA3:シクロヘキサノンB1:プロピレングリコールモノメチルエーテルB2:乳酸エチル<評価>上記レジスト組成物を用い、下記評価方法により、解像度、残渣欠陥、エッチング耐性を評価した。結果を表3に示す。解像度シリコンウェハ上に有機反射防止膜DUV44BrewerScience社製を塗布し、膜厚60nmの反射防止膜を形成した。その上にレジスト組成物を塗布し、60秒間ベークPreBake;PBを行い、膜厚200nmのレジスト膜を形成した。得られたウェハをKrFエキシマレーザースキャナーNA0.80を用い、パターン露光を行った。その後60秒間ベークPostExposureBake;PEBした後、下表に示す現像液で30秒間現像した。リンス処理を行わない場合は、上記現像後、4000rpmの回転数で30秒間ウェハを回転させることにより、ラインアンドスペースパターンを得た。画像が形成されている最小ピッチを解像度とした。リンス処理する場合は、上記現像後、下表に示すリンス液でリンスした後、4000rpmの回転数で30秒間ウェハを回転させることにより、ラインアンドスペースパターンを得た。画像が形成されている最小ピッチを解像度とした。残渣欠陥シリコンウェハ上に有機反射防止膜DUV44BrewerScience社製を塗布し、膜厚60nmの反射防止膜を形成した。その上にレジスト組成物を塗布し、60秒間ベークPreBake;PBを行い、膜厚200nmのレジスト膜を形成した。得られたウェハをKrFエキシマレーザースキャナーNA0.80を用い、パターン露光を行った。その後60秒間ベークPostExposureBake;PEBした後、現像液で30秒間現像し、リンス液でリンスした後、4000rpmの回転数で30秒間ウェハを回転させることにより、ハーフピッチ180nmのラインアンドスペースパターンを得た。得られたパターンの残渣欠陥の個数8インチシリコンウェハ1枚当りの個数を数値化し、以下の通り評価した。二重丸:0~50個○:51~100個△:101~150個×:151個以上エッチング耐性シリコンウェハ上にレジスト組成物を塗布し、60秒間ベークPreBake;PBを行い、100nmのレジスト膜を形成した。得られたレジスト膜をKrFエキシマレーザースキャナーNA0.80を用い、全面露光を行い、その後、ネガ型現像液で30秒間現像し、リンス液でリンスしたのち、4000rpmの回転数で30秒間ウェハを回転させることにより、露光膜を得た。得られた露光膜を日立ハイテク社製のエッチング装置M-6000を用いて30秒間エッチングし、その前後の膜厚差を計測し、1秒当りのエッチング速度を評価した。得られた結果は以下の通り判断した。二重丸:0.70nmsec以上0.85nmsec未満○:0.85nmsec以上0.95nmsec未満△:0.95nmsec以上1.05nmsec未満×:1.05nmsec以上表3中の略号は、以下の通りである。現像液リンス液S-1:酢酸ブチルS-2:酢酸ペンチルS-3:アニソールS-4:1-ヘキサノールS-5:4-メチル-2-ペンタノールS-6:デカンS-7:オクタンS-8:1-ヘキサノール上記結果に示された良好なレジストパターン形成性能により、本発明のパターン形成方法は、半導体製造プロセスに好適に用い得ることがわかる。"