酸化亜鉛と;酸化スズと;Al、Hf、Ni、Si、Ga、In、およびTaよりなる群から選択される少なくとも1種の金属M金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、面内方向および深さ方向の比抵抗をガウス分布で近似したとき、上記比抵抗の分散係数σが0.02以下であることを特徴とする酸化物焼結体。前記酸化物焼結体に含まれる金属元素の総量を1とし、全金属元素中に占める、Zn、Sn、M金属の含有量原子をそれぞれ、[Zn]、[Sn]、[M金属]としたとき、[Zn][Sn][M金属]に対する[M金属]の比、[Zn][Sn]に対する[Zn]の比、[Zn][Sn]に対する[Sn]の比は、それぞれ下式を満足するものである請求項1に記載の酸化物焼結体。[M金属]/[Zn][Sn][M金属]=0.01~0.30[Zn]/[Zn][Sn]=0.50~0.80[Sn]/[Zn][Sn]=0.20~0.50相対密度90以上、比抵抗0.10Ωcm以下である請求項1または2に記載の酸化物焼結体。請求項1~3のいずれかに記載の酸化物焼結体を用いて得られるスパッタリングターゲットであって、面内方向および深さ方向の比抵抗をガウス分布で近似したとき、上記比抵抗の分散係数σが0.02以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。前記スパッタリングターゲットに含まれる金属元素の総量を1とし、全金属元素中に占める、Zn、Sn、M金属の含有量原子をそれぞれ、[Zn]、[Sn]、[M金属]としたとき、[Zn][Sn][M金属]に対する[M金属]の比、[Zn][Sn]に対する[Zn]の比、[Zn][Sn]に対する[Sn]の比は、それぞれ下式を満足するものである請求項4に記載のスパッタリングターゲット。[M金属]/[Zn][Sn][M金属]=0.01~0.30[Zn]/[Zn][Sn]=0.50~0.80[Sn]/[Zn][Sn]=0.20~0.50相対密度90以上、比抵抗0.10Ωcm以下である請求項4または5に記載のスパッタリングターゲット。表示装置用酸化物半導体膜の製造に用いられるスパッタリングターゲットおよびその素材である酸化物焼結体は、導電性に優れ、且つ高い相対密度を有することが望まれている。また上記スパッタリングターゲットを用いて得られる酸化物半導体膜は、高いキャリア移動度を有することが望まれている。更に生産性や製造コストなどを考慮すると、高周波RFスパッタリング法でなく、高速成膜が容易な直流スパッタリング法で製造可能なスパッタリングターゲットの提供が望まれている。しかしながら、前述した特許文献2は高密度化という観点から検討されたものではなく、直流放電を安定継続して実施するには不十分であった。また特許文献3は、酸化物焼結体の導電性を向上するという観点から検討されたものではなく、やはり、直流放電を安定継続して実施するには不十分であった。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能であり、特に、直流スパッタリング法で製造しても長時間安定して放電することが可能な直流放電安定性に優れた酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供することにある。上記課題を解決し得た本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と;酸化スズと;Al、Hf、Ni、Si、Ga、In、およびTaよりなる群から選択される少なくとも1種の金属M金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、面内方向および深さ方向の比抵抗をガウス分布で近似したとき、上記比抵抗の分散係数σが0.02以下であるところに要旨を有するものである。本発明の好ましい実施形態において、上記酸化物焼結体に含まれる金属元素の総量を1とし、全金属元素中に占める、Zn、Sn、M金属の含有量原子をそれぞれ、[Zn]、[Sn]、[M金属]としたとき、[Zn][Sn][M金属]に対する[M金属]の比、[Zn][Sn]に対する[Zn]の比、[Zn][Sn]に対する[Sn]の比は、それぞれ下式を満足するものである。[M金属]/[Zn][Sn][M金属]=0.01~0.30[Zn]/[Zn][Sn]=0.50~0.80[Sn]/[Zn][Sn]=0.20~0.50本発明の好ましい実施形態において、上記酸化物焼結体は、相対密度90以上、比抵抗0.10Ωcm以下を満足するものである。また、上記課題を解決し得た本発明のスパッタリングターゲットは、上記のいずれかの酸化物焼結体を用いて得られるスパッタリングターゲットであって、面内方向および深さ方向の比抵抗をガウス分布で近似したとき、上記比抵抗の分散係数σが0.02以下であるところに要旨を有するものである。本発明の好ましい実施形態において、上記スパッタリングターゲットに含まれる金属元素の総量を1とし、全金属元素中に占める、Zn、Sn、M金属の含有量原子をそれぞれ、[Zn]、[Sn]、[M金属]としたとき、[Zn][Sn][M金属]に対する[M金属]の比、[Zn][Sn]に対する[Zn]の比、[Zn][Sn]に対する[Sn]の比は、それぞれ下式を満足するものである。[M金属]/[Zn][Sn][M金属]=0.01~0.30[Zn]/[Zn][Sn]=0.50~0.80[Sn]/[Zn][Sn]=0.20~0.50本発明の好ましい実施形態において、上記スパッタリングターゲットは、相対密度90以上、比抵抗0.10Ωcm以下を満足するものである。本発明によれば、低い比抵抗と、高い相対密度を有する酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを、希少金属のInを添加せずに、またはIn量を低減しても得られるため、原料コストを大幅に削減できる。また、本発明によれば、スパッタリングターゲットの使用開始から終了に至るまで、継続して、直流放電安定性に優れたスパッタリングターゲットが得られる。本発明のスパッタリングターゲットを用いれば、キャリア移動度の高い酸化物半導体膜を、高速成膜が容易な直流スパッタリング法により、安価に且つ安定して成膜できるため、生産性が向上する。本発明者らは、Znと、Snを含む酸化物ZTO半導体について、高い導電性と高い相対密度を有しており、直流スパッタリング法を適用しても長期間安定して放電可能なスパッタリングターゲット用酸化物焼結体を提供するため、検討を重ねてきた。その結果、ZTOを構成する金属元素Zn、Snの各酸化物と;Al、Hf、Ni、Si、Ga、In、およびTaよりなる群から選択される少なくとも1種の金属M金属の酸化物と、を混合および焼結して得られるM金属含有ZTO焼結体を用いれば、スパッタリングターゲットの同一面内面方向、長さ方向および深さ方向厚さ方向の比抵抗のばらつきが抑えられるすなわち、比抵抗の3次元ばらつきを抑制できるため、経時的に安定して、継続して直流放電が得られることを見出した。詳細には、後記する方法に基づき、面内方向および深さ方向の比抵抗をガウス分布正規分布で近似したとき、上記比抵抗の分散係数σが0.02以下である焼結体を用いれば、物理蒸着時の直流プラズマ放電安定性に特に優れており、成膜時の異常放電が少なく、安定した直流放電が継続して得られると共に、相対密度が高く、比抵抗が低い高品質なスパッタリングターゲット用酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットが得られることを見出した。更に、上記スパッタリングターゲットを用いて成膜された酸化物半導体薄膜を有するTFTは、キャリア密度が15cm2/Vs以上と、非常に高い特性が得られることも分かった。そして、このようなM金属含有ZTO焼結体を得るためには、好ましくは、全金属元素ZnSnM金属中に占めるM金属の合計量の比や、ZnおよびSnの合計量に対するZnまたはSnの各比が適切に制御された混合粉末を用い、所定の焼結条件好ましくは非還元性雰囲気下にて、1350~1650°Cの温度で5時間以上焼成するを行なえば良いことを見出し、本発明を完成した。以下、本発明に係る酸化物焼結体の構成要件について、詳しく説明する。本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と;酸化スズと;Al、Hf、Ni、Si、Ga、In、およびTaよりなる群から選択される少なくとも1種の金属M金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、面内および深さ方向の比抵抗をガウス分布で近似したとき、上記比抵抗の分散係数σが0.02以下であるところに特徴がある。まず、本発明に用いられるM金属について説明する。上記M金属は、Al、Hf、Ni、Si、Ga、In、およびTaよりなる群から選択される少なくとも1種の金属M金属であり、酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットの相対密度向上および比抵抗低減に寄与し、スパッタリングによって形成した膜特性の向上に有用な元素である。上記M金属は、単独で用いても良いし、2種以上を併用しても良い。詳細には、上記M金属は、ZnとSnのみから構成されるZn-Sn-OZTO焼結体の相対密度向上および比抵抗の低減に大きく寄与する元素として、数多くの基礎実験から選択された元素である。ZnOおよびSnO2のみを原料として得られるZTOは、焼結ままでは比抵抗が高く、相対密度も低い。このような焼結体から得られるスパッタリングターゲットは、相対密度が低く、異常放電が発生し易くなる。また、スパッタリングターゲットの比抵抗が高いと、直流電源によるプラズマ放電を行なう場合にプラズマ放電が発生し難くなり、プラズマ放電が安定しないといった問題が発生し易い。これに対し、本発明のM金属含有ZTO焼結体を用いると、後記する実施例で実証したように相対密度が高く、比抵抗も低いため、上述した問題を解消することができる。すなわち、ZnOおよびSnO2のみを原料として用いた場合に比べ、本発明で規定するM金属を、好ましくは所定比率で含有するM金属含有ZTO焼結体を用いることにより、酸化物焼結体の相対密度が向上し、且つ、比抵抗が低下することが分かった。その結果、上記酸化物焼結体を用いて得られるスパッタリングターゲットの相対密度も向上し、比抵抗も低下するようになるため、直流放電安定性が向上する。ここで、上記酸化物焼結体に含まれる金属元素の総量を1とし、全金属元素ZnSNM金属中に占める、Zn、Sn、M金属の含有量原子をそれぞれ、[Zn]、[Sn]、[M金属]としたとき、[Zn][Sn][M金属]に対する[M金属]の比、[Zn][Sn]に対する[Zn]の比、[Zn][Sn]に対する[Sn]の比は、それぞれ下式を満足することが好ましい。なお、M金属の含有量とは、M金属を単独で含有するときは単独の量であり、M金属を2種以上含有するときは2種以上の含有量である。[M金属]/[Zn][Sn][M金属]=0.01~0.30[Zn]/[Zn][Sn]=0.50~0.80[Sn]/[Zn][Sn]=0.20~0.50まず、[Zn][Sn][M金属]に対する[M金属]の比以下、単にM金属比と略記する場合がある。は0.01~0.30であることが好ましい。M金属比が0.01未満の場合、M金属添加による作用が有効に発揮されず、スパッタリングターゲットとしたときの直流放電安定性に劣るほか、薄膜を形成したときの移動度や、TFTの信頼性などが低下する。一方、上記M金属比が0.30を超えると、TFTのスイッチング特性オフ電流の増加、閾値電圧の変動、サブスレショルド特性の低下などや信頼性が低下し、表示装置などに適用した場合に必要とされる性能が得られなくなる。また、上記M金属がIn以外の金属から構成されている場合、当該M金属比が0.30を超えると、焼結体の密度を90以上にすることはできず、比抵抗も高くなるため、直流プラズマ放電が安定せず、異常放電が発生し易くなるといった問題が生じる。より好ましいM金属比は、M金属の種類によって相違する。すなわち、上記M金属が少なくともInまたはGaを含む場合、当該M金属比は、0.10以上0.25以下であることがより好ましく、更に好ましくは0.15以上0.25以下である。また、上記M金属が、Al、Hf、Ni、Si、およびTaよりなる群から選択される少なくとも1種の金属で構成されている場合すなわち、InおよびGaを含まない場合、当該M金属比は、0.01以上0.10以下であることがより好ましい。また、[Zn][Sn]に対する[Zn]の比以下、単にZn比と略記する場合がある。は0.50~0.80であることが好ましい。Zn比が0.50を下回ると、スパッタリング法によって形成した薄膜の微細加工性が低下し、エッチング残渣が生じ易い。一方、Zn比が0.80を超えると、成膜後の薄膜の薬液耐性に劣るものとなり、微細加工の際に酸による溶出速度が速くなって高精度の加工を行なうことができない。より好ましいZn比は、0.55以上0.70以下である。また、[Zn][Sn]に対する[Sn]の比以下、単にSn比と略記する場合がある。は0.20~0.50であることが好ましい。Sn比が0.20を下回ると、スパッタリング法によって形成した薄膜の薬液耐性が低下し、微細加工の際、酸による溶出速度が速くなって高精度の加工を行なうことができない。一方、Sn比が0.50を超えると、スパッタリング法によって形成した薄膜の微細加工性が低下し、エッチング残渣が生じ易い。より好ましいSn比は、0.25以上0.40以下である。更に本発明の酸化物焼結体は、面内方向および深さ方向の比抵抗を測定し、ガウス分布正規分布で近似したとき、上記比抵抗の分散係数σが0.02以下に制御されたものである。具体的には、上記酸化物焼結体を10個以上用意し、面方向同一面内および深さ方向の比抵抗を四端子法によって測定する。ここで、面方向の比抵抗は以下のようにして測定する。まず、12cm角の酸化物焼結体を用意し、その表面を研削して露出させこれは、スパッタリングターゲット面に相当する部分である、露出した面内の複数個所中心位置と、中心位置から±6cmずつ離れた位置の合計3箇所について、それぞれ、3mm×3mm×30mmLの棒状に切り出し、研削加工したものを、面方向の比抵抗測定用サンプルとする。上記のようにして得られた合計3種類の比抵抗測定用サンプルについて、四端子法により比抵抗を測定した。次に、深さ方向の比抵抗は以下のようにして測定する。まず、厚さ9mmtの酸化物焼結体を用意し、深さ方向の複数個所[サンプル片の中心が1.5mm深さの位置、サンプル片の中心が4.5mm深さの位置酸化物焼結体厚さの1/2の位置、サンプル片の中心が7.5mmの位置の合計3箇所]で水平方向に切断して面を露出させ、露出した面内の個所同一深さの方向をサンプル片の中心にするから、深さ方向の比抵抗測定用サンプル片を水平方向に切り出す。上記サンプル片のサイズは、3mm×3mm×30mmLであり、表面を研削加工したものを、比抵抗の測定に用いた。深さ方向の比抵抗は、前述した面内方向の比抵抗と同様、四端子法により測定した。同様の操作を、10個以上の酸化物焼結体について行い、下記の式fxで表されるガウス分布で近似し、比抵抗の分散係数σを算出する。式中、μは、上記のようにして測定された、面内方向の各比抵抗および深さ方向の各比抵抗をすべて合算したときの平均値を示す。そして本発明では、上記のようにして得られた比抵抗の分散係数σが0.02以下に制御されていることが必要である。上記比抵抗の分散係数が0.02を超えると、比抵抗のばらつきが大きくなって、安定して継続的に直流放電が得られない。分散係数は小さい程よく、好ましくは0.015以下である。なお、本発明では、上述したように10個以上の酸化物焼結体を用いて、面方向および深さ方向の比抵抗の分散係数を算出している。本発明において10個以上としたのは、出来るだけ多数の試料を用いて精度の一層高い分散係数を得るためであり、本発明では、少なくとも10個で代表させた。よって、本発明では、酸化物焼結体を最低限10個選択し、上記の手順に従って分散係数を測定したときに、0.02以下を満足するものは全て、本発明の範囲内に含む趣旨である。本発明の酸化物焼結体は、好ましくは、相対密度90以上、比抵抗0.10Ωcm以下を満足するものである。ここで、上記比抵抗は、酸化物焼結体またはスパッタリングターゲットのt/2t=厚さであり、t/2は中央部分を四端子法で測定した値である。相対密度90以上本発明の酸化物焼結体は、相対密度が非常に高く、好ましくは90以上であり、より好ましくは95以上である。高い相対密度は、スパッタリング中での割れやノジュールの発生を防止し得るだけでなく、安定した放電を、スパッタリングターゲットの使用開始から終了に至るまで、常に連続して維持するなどの利点をもたらす。比抵抗0.10Ωcm以下本発明の酸化物焼結体は、比抵抗が小さく、0.10Ωcm以下であることが好ましく、より好ましくは0.05Ωcm以下である。これにより、直流電源を用いたプラズマ放電などによる直流スパッタリング法による成膜が可能となり、スパッタリングターゲットを用いた物理蒸着スパッタリング法を表示装置の生産ラインで効率よく行うことができる。次に、本発明の酸化物焼結体を製造する方法について説明する。本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と;酸化スズと;Al、Hf、Ni、Si、Ga、In、およびTaよりなる群から選択される少なくとも1種の金属M金属の酸化物と、を混合および焼結して得られるものであり、原料粉末からスパッタリングターゲットまでの基本工程を図1および図2に示す。図1には、M金属がIn以外の金属、すなわち、M金属=Al、Hf、Ni、Si、Ga、Taの場合における、酸化物焼結体の製造工程のフローを示し、図2には、M金属=Inの場合における、酸化物焼結体の製造工程のフローを示す。図1と図2の工程を対比すると、図1では、常圧焼結後に熱処理を行なっているのに対し、図2では、常圧焼結後の熱処理がない点でのみ、相違している。本発明では、M金属として2種類以上の金属元素を含む態様も包含しているが、例えば、M金属としてInおよびAlの2種類を使用するときは、図2の工程に基づき、製造すれば良い。まず、図1を参照しながら、M金属=Al、Hf、Ni、Si、Ga、Taの場合における、酸化物焼結体の製造工程を説明する。図1には、各酸化物の粉末を混合粉砕→乾燥造粒→成形→常圧焼結→熱処理して得られた酸化物焼結体を、加工→ボンディグしてスパッタリングターゲットを得るまでの基本工程を示している。上記工程のうち本発明では、以下に詳述するように焼結条件およびその後の熱処理条件を適切に制御したところに特徴があり、それ以外の工程は特に限定されず、通常用いられる工程を適宜選択することができる。以下、各工程を説明するが、本発明はこれに限定する趣旨ではなく、例えば、M金属の種類などによって適切に制御することが好ましい。まず、酸化亜鉛粉末、酸化スズ粉末、および酸化M金属粉末を所定の割合に配合し、混合粉砕する。用いられる各原料粉末の純度はそれぞれ、約99.99以上が好ましい。微量の不純物元素が存在すると、酸化物半導体膜の半導体特性を損なう恐れがあるためである。各原料粉末の配合割合は、Zn、Sn、およびM金属の比率が上述した範囲内となるように制御することが好ましい。混合および粉砕はポットミルを使い、原料粉末を水と共に投入して行うことが好ましい。これらの工程に用いられるボールやビーズは、例えばナイロン、アルミナ、ジルコニアなどの材質のものが好ましく用いられる。次に、上記工程で得られた混合粉末を乾燥し造粒した後、成形する。成形に当たっては、乾燥造粒後の粉末を所定寸法の金型に充填し、金型プレスで予備成形した後、CIP冷間静水圧プレスなどによって成形することが好ましい。焼結体の相対密度を上昇させるためには、予備成形の成形圧力を約0.2tonf/cm2以上に制御することが好ましく、成形時の圧力は約1.2tonf/cm2以上に制御することが好ましい。次に、このようにして得られた成形体に対し、常圧にて焼成を行う。本発明では、焼成温度:約1350°C~1650°C、保持時間:約5時間以上で焼結を行なうことが好ましい。これにより、相対密度の向上に寄与するZn2SnO4が焼結体中に多く形成され、その結果、スパッタリングターゲットの相対密度も高くなり、放電安定性が向上する。焼成温度が高いほど焼結体の相対密度が向上し易く、かつ短時間で処理できるため好ましいが、温度が高くなり過ぎると焼結体が分解し易くなるため、焼成条件は上記の範囲とするのが好ましい。より好ましくは、焼成温度:約1450°C~1600°C、保持時間:約8時間以上である。なお、焼成雰囲気は非還元性雰囲気が好ましく、例えば炉内に酸素ガスを導入することによって雰囲気を調整することが好ましい。次に、このようにして得られた焼結体に対して熱処理を行い、本発明の酸化物焼結体を得る。本発明では、直流電源によるプラズマ放電を可能にするため、熱処理温度:約1000°C以上、保持時間:約8時間以上に制御することが好ましい。上記処理により、比抵抗は、例えば約100Ωcm熱処理前から0.10Ωcm熱処理後まで低下するようになる。より好ましくは、熱処理温度:約1100°C以上、保持時間:約10時間以上である。熱処理雰囲気は還元性雰囲気が好ましく、例えば炉内に窒素ガスを導入することによって雰囲気を調整することが好ましい。具体的には、M金属の種類などによって適切に制御することが好ましい。上記のようにして酸化物焼結体を得た後、常法により、加工→ボンディングを行なうと本発明のスパッタリングターゲットが得られる。このようにして得られるスパッタリングターゲットの比抵抗の分散係数も、前述した酸化物焼結体と同様、0.02以下である。更に、スパッタリングターゲットのZn比、Sn比、M金属比も、前述した酸化物焼結体に記載の好ましい比を満足する。また、上記スパッタリングターゲットの相対密度および比抵抗も、酸化物焼結体と同様、非常に良好なものであり、好ましい相対密度はおおむね90以上であり、好ましい比抵抗はおおむね0.10Ωcm以下である。次に、図2を参照しながら、M金属=Inの場合すなわち、M金属として少なくともInを含む場合における、酸化物焼結体の製造工程を説明する。上述したとおり、M金属としてInを少なくとも用いる場合は、前述した図1において、常圧焼結後の熱処理は行なわない。ここで、Inを含有する場合に焼結後の熱処理を行なわないとは、当該熱処理を行わなくても比抵抗が低下するから、このような熱処理は不要である熱処理工程が増えるため、生産性などを考慮すると無駄であるという意味であって、焼結後の熱処理を積極的に排除する趣旨では決してない。常圧焼結後の熱処理を行なっても比抵抗などの特性には何ら悪影響を及ぼさないため、生産性などを考慮しないのであれば焼結後の熱処理を行なっても良く、このようにして得られた物も、本発明の範囲内に包含される。上記以外の工程は、前述した図1に基づいて説明したとおりであり、詳細は、図1の説明部分を参照すれば良い。以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は、下記実施例に限定されず、本発明の趣旨に適合し得る範囲で適切に変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に含まれる。実験例1純度99.99の酸化亜鉛粉末JIS1種、純度99.99の酸化スズ粉末、および純度99.99の酸化アルミニウム粉末を[Zn]:[Sn]:[Al]=73.9:24.6:1.5の比率で配合し、ナイロンボールミルで20時間混合した。参考のため、表1に、Zn比およびSn比を示している。Al比は0.015である。次に、上記工程で得られた混合粉末を乾燥、造粒し、金型プレスにて成形圧力0.5tonf/cm2で予備成形した後、CIPにて成形圧力3tonf/cm2で本成形を行った。このようにして得られた成形体を、表1に示すように、常圧にて1500°Cで7時間保持して焼結を行なった。焼結炉内には酸素ガスを導入し、酸素雰囲気下で焼結した。次いで熱処理炉内に導入し、1200°Cで10時間熱処理した。熱処理炉内には窒素ガスを導入し、還元性雰囲気で熱処理した。このようにして得られた実験例1の酸化物焼結体の相対密度をアルキメデス法で測定したところ90以上であった。また上記酸化物焼結体の比抵抗を四端子法によって測定したところ、0.10Ωcm以下であり、良好な結果が得られた。次に、上記酸化物焼結体を4インチφ、5mmtの形状に加工し、バッキングプレートにボンディングしてスパッタリングターゲットを得た。このようにして得られたスパッタリングターゲットをスパッタリング装置に取り付け、DC直流マグネトロンスパッタリング法で、ガラス基板サイズ:100mm×100mm×0.50mm上に、酸化物半導体膜を形成した。スパッタリング条件は、DCスパッタリングパワー150W、Ar/0.1体積O2雰囲気、圧力0.8mTorrとした。その結果、スパッタリングターゲットの使用開始から終了に至るまで、異常放電アーキングの発生は見られず、安定して放電することが確認された。また、上記スパッタリングターゲットについて、前述した方法に基づき、面内方向および深さ方向の比抵抗の分散係数を測定したところ、本発明の範囲内0.02以下を満足しており、バラツキの非常に小さいものであった表1を参照。表1には、上記スパッタリングターゲットの比抵抗t/2位置も併記しているが、本発明の範囲内0.10Ωcm以下であった。また、上記のスパッタリング条件で成膜した薄膜を用い、チャネル長10μm、チャネル幅100μmの薄膜トランジスタを作製してキャリア移動度を測定したところ、15cm2/Vs以上の高いキャリア移動度が得られた。実験例2純度99.99の酸化亜鉛粉末JIS1種、純度99.99の酸化スズ粉末、および純度99.99の酸化タンタル粉末を[Zn]:[Sn]:[Ta]=73.9:24.6:1.5の比率で配合し、1550°Cで5時間焼結した後、1150°Cで14時間熱処理したこと以外は、前述した実験例1と同様にして実験例2の酸化物焼結体を得たTa比=0.015。このようにして得られた実験例2の酸化物焼結体の相対密度および比抵抗を、前述した実験例1と同様にして測定したところ、相対密度は90以上、比抵抗は0.10Ωcm以下であり、良好な結果が得られた。次に、上記酸化物焼結体を、前述した実験例1と同様にしてDC直流マグネトロンスパッタリングを行なった結果、異常放電アーキングの発生は見られず、安定して放電することが確認された。また、上記スパッタリングターゲットについて、前述した方法に基づき、面方向および深さ方向の比抵抗の分散係数を測定したところ、本発明の範囲内0.02以下を満足しており、バラツキの非常に小さいものであった表1を参照。表1には、上記スパッタリングターゲットの比抵抗t/2位置も併記しているが、本発明の範囲内0.10Ωcm以下であった。また、上記のスパッタリング条件で成膜した薄膜を用い、前述した実験例1と同様にしてキャリア移動度を測定したところ、15cm2/Vs以上の高いキャリア移動度が得られた。実験例3純度99.99の酸化亜鉛粉末JIS1種、純度99.99の酸化スズ粉末、および純度99.99の酸化インジウム粉末を[Zn]:[Sn]:[In]=45.0:45.0:10.0の比率で配合し、1550°Cで5時間焼結した熱処理なしこと以外は、前述した実験例1と同様にして実験例3の酸化物焼結体を得たIn比=0.10。このようにして得られた実験例3の酸化物焼結体の相対密度および比抵抗を、前述した実験例1と同様にして測定したところ、相対密度は90以上、比抵抗は0.10Ωcm以下であり、良好な結果が得られた。次に、上記酸化物焼結体を、前述した実験例1と同様にしてDC直流マグネトロンスパッタリングを行なった結果、異常放電アーキングの発生は見られず、安定して放電することが確認された。また、上記スパッタリングターゲットについて、前述した方法に基づき、面方向および深さ方向の比抵抗の分散係数を測定したところ、本発明の範囲内0.02以下を満足しており、バラツキの非常に小さいものであった表1を参照。表1には、上記スパッタリングターゲットの比抵抗t/2位置も併記しているが、本発明の範囲内0.10Ωcm以下であった。参考のため、図3に、実験例3のスパッタリングターゲットについて、比抵抗のガウス分布正規分布曲線の結果を示す図3中、σ=0.010。比較のため、図3には、後記する比較例1のスパッタリングターゲットについて、比抵抗のガウス分布正規分布曲線の結果を示す図3中、σ=0.050。また、上記のスパッタリング条件で成膜した薄膜を用い、前述した実験例1と同様にしてキャリア移動度を測定したところ、15cm2/Vs以上の高いキャリア移動度が得られた。実験例4純度99.99の酸化亜鉛粉末JIS1種、純度99.99の酸化スズ粉末、および純度99.99の酸化インジウム粉末を[Zn]:[Sn]:[In]=35.0:35.0:30.0の比率で配合し、1550°Cで5時間焼結した熱処理なしこと以外は、前述した実験例1と同様にして実験例4の酸化物焼結体を得たIn比=0.10。このようにして得られた実験例4の酸化物焼結体の相対密度および比抵抗を、前述した実験例1と同様にして測定したところ、相対密度は90以上、比抵抗は0.10Ωcm以下であり、良好な結果が得られた。次に、上記酸化物焼結体を、前述した実験例1と同様にしてDC直流マグネトロンスパッタリングを行なった結果、異常放電アーキングの発生は見られず、安定して放電することが確認された。また、上記スパッタリングターゲットについて、前述した方法に基づき、面方向および深さ方向の比抵抗の分散係数を測定したところ、本発明の範囲内0.02以下を満足しており、バラツキの非常に小さいものであった表1を参照。表1には、上記スパッタリングターゲットの比抵抗t/2位置も併記しているが、本発明の範囲内0.10Ωcm以下であった。また、上記のスパッタリング条件で成膜した薄膜を用い、前述した実験例1と同様にしてキャリア移動度を測定したところ、15cm2/Vs以上の高いキャリア移動度が得られた。実験例5純度99.99の酸化亜鉛粉末JIS1種、純度99.99の酸化スズ粉末、および純度99.99の酸化ガリウム粉末を[Zn]:[Sn]:[Ga]=60.0:30.0:10.0の比率で配合し、1600°Cで8時間焼結した後、1200°Cで16時間熱処理したこと以外は、前述した実験例1と同様にして実験例5の酸化物焼結体を得たGa比=0.10。このようにして得られた実験例5の酸化物焼結体の相対密度および比抵抗を、前述した実験例1と同様にして測定したところ、相対密度は90以上、比抵抗は0.10Ωcm以下であり、良好な結果が得られた。次に、上記酸化物焼結体を、前述した実験例1と同様にしてDC直流マグネトロンスパッタリングを行なった結果、異常放電アーキングの発生は見られず、安定して放電することが確認された。また、上記スパッタリングターゲットについて、前述した方法に基づき、面方向および深さ方向の比抵抗の分散係数を測定したところ、本発明の範囲内0.02以下を満足しており、バラツキの非常に小さいものであった表1を参照。表1には、上記スパッタリングターゲットの比抵抗t/2位置も併記しているが、本発明の範囲内0.10Ωcm以下であった。また、上記のスパッタリング条件で成膜した薄膜を用い、前述した実験例1と同様にしてキャリア移動度を測定したところ、15cm2/Vs以上の高いキャリア移動度が得られた。比較例1前述した実験例2において、炉内に成形体を1300°Cで5時間保持して焼結し、1200°Cで10時間熱処理したこと以外は、上記実験例2と同様にして比較例1の酸化物焼結体を得た。このようにして得られた比較例1の酸化物焼結体の相対密度および比抵抗を、前述した実験例1と同様にして測定したところ、焼結温度が本発明で推奨する下限1350°Cより低いため、相対密度は90を下回り、比抵抗は0.10Ωを超えていた。次に、上記酸化物焼結体を、前述した実験例1と同様にしてDC直流マグネトロンスパッタリングを行なったところ、不定期に異常放電が生じた。上記スパッタリングターゲットについて、前述した方法に基づき、面方向および深さ方向の比抵抗の分散係数を測定したところ、本発明の範囲0.02以下を超えており、大きなバラツキが見られた。表1には、上記スパッタリングターゲットの比抵抗t/2位置も併記しているが、本発明の範囲0.10Ωcm以下を超えていた。また、上記のスパッタリング条件で成膜した薄膜を用い、前述した実験例1と同様にしてキャリア移動度を測定したところ、キャリア移動度は3.0cm2/Vsと、低かった。以上の実験結果より、本発明で規定するM金属を含有し、ビッカース硬度、更には深さ方向のビッカース硬度の分散係数が好ましい範囲に抑制されており、酸化物焼結体を構成する金属の組成比も本発明の好ましい要件を満足する実験例1~5の酸化物焼結体を用いて得られるスパッタリングターゲットは、高い相対密度および低い比抵抗を有しており、直流スパッタリング法で製造しても長時間安定して放電することが分かった。また、上記スパッタリングターゲットを用いて得られる薄膜は、高いキャリア移動度を有するため、酸化物半導体薄膜として極めて有用であることが分かった。