第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極とに挟まれた有機化合物層を有する複数の有機EL素子と、前記複数の有機EL素子間に設けられた逆テーパー状の側部を有する隔壁と、前記隔壁の上部に設けられた第3電極と、を備える発光装置であって、前記第1電極と前記第3電極とは同一材料からなる層であって、前記隔壁の逆テーパー状の側部は、前記隔壁よりも厚い膜厚で前記第1電極の上から前記第3電極の一部にかけて連続して形成された前記有機化合物層で覆われており、前記第2電極は前記第3電極に接触していることを特徴とする発光装置。基板に、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極とに挟まれた有機化合物層を有する複数の有機EL素子と、前記複数の有機EL素子間に設けられた逆テーパー状の側部を有する隔壁と、前記隔壁の上部に設けられた第3電極と、を備える発光装置の製造方法であって、前記基板の上に、逆テーパー形状の側部を有する複数の隔壁を形成する工程と、前記複数の隔壁で区画された領域のそれぞれに前記第1電極を形成するとともに、前記複数の隔壁の上部に前記第3電極を形成する工程と、前記複数の隔壁で区画された領域のそれぞれに前記有機化合物層を形成する工程と、前記有機化合物層の上および前記第3電極の上に連続する第2電極を形成する工程と、を有しており、前記第1電極と前記第3電極を同一材料で同時に形成し、前記有機化合物層を前記隔壁よりも厚く形成することを特徴とする発光装置の製造方法。ところが、特許文献2のように逆テーパー状の側部を有する隔壁を用いて下部電極と補助配線を一括で形成すると、逆テーパー状の側部で第2電極が段切れしたり、薄くなったりして抵抗が高くなってしまう場合がある。その結果、補助配線を設けても第2電極での電圧降下を抑制できなくなり、表示ムラが生じてしまう。本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、補助配線を簡便かつ安定して形成し、表示ムラの少ない発光装置を提供することを目的とする。本発明に係る発光装置は、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極とに挟まれた有機化合物層を有する複数の有機EL素子と、前記複数の有機EL素子間に設けられた逆テーパー状の側部を有する隔壁と、前記隔壁の上部に設けられた第3電極と、を備える発光装置であって、前記第1電極と前記第3電極とは同一材料からなる層であって、前記隔壁の逆テーパー状の側部は、前記隔壁よりも厚い膜厚で前記第1電極の上から前記第3電極の一部にかけて連続して形成された前記有機化合物層で覆われており、前記第2電極は前記第3電極に接触していることを特徴とする。また、本願発明に係る発光装置の製造方法は、基板に、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極とに挟まれた有機化合物層を有する複数の有機EL素子と、前記複数の有機EL素子間に設けられた逆テーパー状の側部を有する隔壁と、前記隔壁の上部に設けられた第3電極と、を備える発光装置の製造方法であって、前記基板の上に、逆テーパー形状の側部を有する複数の隔壁を形成する工程と、前記複数の隔壁で区画された領域のそれぞれに前記第1電極を形成するとともに、前記複数の隔壁の上部に前記第3電極を形成する工程と、前記複数の隔壁で区画された領域のそれぞれに前記有機化合物層を形成する工程と、前記有機化合物層の上および前記第3電極の上に連続する第2電極を形成する工程と、を有しており、前記第1電極と前記第3電極を同一材料で同時に形成し、前記有機化合物層を前記隔壁よりも厚く形成することを特徴とする。逆テーパー形状の側部を有する隔壁を利用して、補助配線と有機EL素子の第1電極基板側の電極を同時に形成すると共に、隔壁の膜厚よりも厚い有機化合物層によって隔壁の側部を確実に覆うことで、信頼性が高く表示ムラの少ない発光装置を安価で提供する。以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態を説明する。図1は本発明にかかる発光装置の概略断面図である。図1には有機EL素子1つ分の構造しか示されていないが、同様の構造が、基板10の上に繰り返し複数形成されている。基板10の上には、第1電極19と有機化合物層17と第2電極18からなる複数の有機EL素子が配置されており、有機EL素子間には逆テーパー状の側部を有する隔壁15が配置されている。隔壁の上には補助配線第3電極16が形成されている。補助配線16は、隔壁15の膜厚よりも薄い層を蒸着法やスパッタリング法などの真空成膜法を用いて基板10全体に形成した際、隔壁15の逆テーパー状の側部によって段切れすることを利用して形成される。つまり、逆テーパー状の側部を有する隔壁15が設けられた基板10の全体に、前記真空成膜法を用いて電極材料を形成すると、隔壁15の逆テーパー状の側部によって電気的に分離された電極層が形成される。そこで、隔壁15の上部に形成される電極層を補助配線16、隔壁15によって区切られた領域に形成される電極層を第1電極19として用いる。従って、補助配線16と第1電極19とは同一材料で同時に形成される。その後、第1電極19ごとに有機化合物層17が形成される。引用文献2の実施例および図1によれば、逆テーパー状の側部を有する隔壁を利用する同様の方法で補助配線と第1電極を形成した後、有機化合物層が蒸着法によって形成され、有機化合物層の上には第2電極がスパッタ法にて形成される。ところが、逆テーパー状の側部を有する隔壁の膜厚が、有機化合物層の膜厚170nmおよび第2電極の膜厚200nmに比べてかなり大きいため、第2電極を隔壁の側部を跨いで連続して形成することは難しい。そのため、第2電極が隔壁によって分離されてしまい、補助配線を設けても低抵抗化できないという問題が生じてしまう。そこで、本発明では、有機化合物層17の膜厚を隔壁15の膜厚以上にして、第1電極19の上から補助配線16の一部にかけて連続して形成する。このような構成によれば、逆テーパー状の側部を有機化合物層17で確実に覆うことができ、その後に基板10の全体に形成される第2電極18の膜厚を厚くしなくても、隔壁15の逆テーパー状の側部で段切れするのを防止することができる。さらに、第1電極と第2電極との間には有機化合物層17が形成されるため、第1電極と第2電極とが短絡するのを防止することができる。また、隔壁15の上部の有機化合物層17で覆われていない領域で、補助配線16と第2電極18とを接触させることができる。従って、本発明によれば、第2電極18による電圧降下を抑制し、信頼性が高く表示ムラが改善された発光装置を提供することができる。以下、本発明の発光装置を構成する各部材について詳しく説明する。基板10はガラス、石英、セラミック等の絶縁基板、あるいはシリコンなどの半導体基板である。回路層11には発光装置を駆動するためのトランジスタや配線が設けられており、トランジスタの活性層を構成する半導体層や、絶縁層、金属層などを含んでいる。トランジスタの活性層は、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコン等の中から、回路構成に応じて、移動度や特性バラツキなどを考慮して適宜選択するとよい。また基板10と回路層11との間には、基板10に含まれる不純物が回路層11に拡散して回路の不良を引き起こすのを防ぐため、SIOxやSINxまたはそれらの積層膜からなるアンダーコート層があってもよい。配線層12は、回路層11と有機EL素子との接続を中継するための層で、Mo、Ti、W、Ni、Ta、Cu、Al、Crあるいはそれらの合金、それらの積層構造体からなる。膜厚はパネル設計で要求される抵抗値で決定されるが、好適には100nm~1umである。また密着性の悪い材料や、熱により他層へ拡散しやすい金属を用いるときは、それぞれ上下に密着層やバリア層として他の金属を設けるとよい。パッシベーション層13は、回路層11の凹凸を平坦化すると共に、前記配線層12と有機EL素子とを、コンタクトホール以外の領域で絶縁させるためのものである。パッシベーション層13には、SiOxやSiNx、あるいはそれらの積層膜からなる無機パッシベーション層や、ポリイミド等からなる有機パッシベーション層や、それらの積層体によって形成することができる。特に、有機パッシベーション膜は、無機パッシベーションに比べて膜厚を厚く形成しやすいので、回路層11など下地の凹凸が最終的に光学的なムラとなってしまう場合、その凹凸を平坦化するのに好適である。この場合の有機パッシベーション層の膜厚は、下地の凹凸を十分に平坦化できる膜厚であり、好適には500nm~2umである。接続電極層14は配線層12と第1電極19を電気的に接続させるための層で、Mo、Ti、W、Ni、Ta、Cu、Al、Cr、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化、あるいはそれらの合金、あるいはそれらの積層体からなる。インジウムスズ酸化物やインジウム亜鉛酸化は、その後に成膜される第1電極との電気的接続が良好なために最表面に用いる事が好ましい。また接続電極層14を形成せずに、前記パッシベーション層に開けたコンタクトホールを介して配線層12と第1電極とを直接接触させてもよい。基板に設けられる隔壁15の側部は逆テーパー状になっている。隔壁15は、プロセス容易性の点で、ネガ型感光性樹脂を用いることが好ましい。ネガ型感光性樹脂を用いると隔壁の側部は逆テーパー形状となり、隔壁15の側部と基板とのなす角度である逆テーパー角を45°~85°とすることができる。本発明では、隔壁の膜厚を有機化合物層17の膜厚以下とするが、有機化合物層17の膜厚を厚くしすぎると有機EL素子の電極間の抵抗が高くなりすぎて発光効率を低下させてしまうため、隔壁の膜厚は50nm~1umとするのが好ましい。第1電極19および補助配線16は、第2電極よりも小さい抵抗率を有するのが好ましく、Mo、Ti、W、Ni、Ta、Cu、Al、Cr、Ag、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化、あるいはそれらの合金、それらの積層体で形成される。トップエミッション方式の発光装置の場合、第1電極19は、有機化合物層17にキャリアを注入する役割以外に、有機化合物層17で発せられ基板側に向かう光を光出射側へ反射する役割を有している。そのため、第1電極19および補助配線16を形成する層は、反射率の高いAg合金と有機化合物層17へのキャリア注入性のよいインジウムスズ酸化物との積層膜が好ましい。また、第1電極19での反射率を考慮すると、多くの金属で50nm以下の膜厚では反射率が大きく落ちることから、第1電極19および補助配線16を形成する層の膜厚は、好適には50nm~300nmである。隔壁15の逆テーパー状の側部によって電気的に分離される層のうち、隔壁15の上部に形成される層を補助配線16、隔壁15によって区切られている領域に形成される層を第1電極19として用いる。隔壁15で囲まれた領域を有機EL素子の発光領域として有効に利用するには、基板10を光出射側から見て、第1電極19の側部が隔壁15によって覆われているように形成することが好ましい。このような構成は基板10に対して90度以上の入射角で成膜粒子が基板に飛来する成膜方法、具体的には、スパッタ法や複数の蒸着源を備える蒸着装置を用いた蒸着法、基板を蒸着源の周りで回転させながら成膜する蒸着法で実現することができる。有機化合物層17は、少なくとも発光層を含んでおり、発光層の他に電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層、正孔注入層などの公知の機能層を含んでいてもよい。本発明ではメタルマスクを用いた蒸着法や塗布法などによって、発光層を有機EL素子ごとに選択的に形成する。有機化合物層17の成膜面積は隔壁15で区画された面積よりも広く、第1電極19から隔壁15の上部に形成された第3電極の少なくとも一部にかけて連続して有機化合物層17が形成され、第3電極の残りの部分有機EL素子間の一部分には有機化合物層17は形成されない。ここで、有機化合物層17の膜厚は図1に示したように、有機化合物層17の上部の高さaが、隔壁15に囲まれた領域において隔壁15の上部の高さb以上となるよう形成すれば、隔壁15の逆テーパー状の側部を有機化合物層17で確実に覆うことができる。その結果、後の第2電極18の成膜工程において、成膜粒子が回り込みにくい隔壁15の逆テーバー状の側部の影響を受けないため、第2電極を複数の有機EL素子に連続して形成することができる。加えて、第1電極19と第2電極18とが、有機化合物層17によって離間されるので、第1電極と第2電極との短絡も防止できる。第2電極18には、透過率の高いインジウムスズ酸化物やインジウム亜鉛酸化物などの透明導電材料を用いる事が好ましいが、可視光の透過率が60以上あれば、Mo、Ti、W、Ni、Ta、Cu、Al、Cr、Ag等の金属の極薄膜でも構わない。第2電極18の膜厚は透過率を考慮し、材料に応じて5nm~50nmの範囲でスパッタ法や蒸着法を用いて形成するのが好ましい。また、第2電極18は有機化合物層17が形成されていない隔壁15の上部で、補助配線16と電気的に接触している。本構成によれば、隔壁15の逆テーパー状の側部は有機化合物層17によって覆われるため、第2電極18は隔壁15の逆テーパーの側部で段切れすることがない。さらに、第1電極19と第2電極18とが、有機化合物層17によって離間されるので、第1電極と第2電極18との短絡を防止することができる。従って、信頼性の高い発光装置の製造が可能になる。また本構成によれば、第2電極18は隔壁15の上部で補助配線16と電気的に接触するため、電流は第2電極18と補助配線16とを流れ、抵抗値が大幅に下がる。これにより第2電極18の透過率を優先して設計しても、電圧降下を抑制することができ、表示ムラの少なく明るい発光装置の製造が可能になる。本実施例では、発光装置として3inchサイズのQVGAの表示装置を作製した例を示す。まず、ガラス基板10の上に多結晶Siを活性層としたトランジスタを形成して回路層11を形成した。その上に、スパッタリング法により配線層12としてTi/AlSi/Ti100nm/400nm/100nmを成膜して、回路層11に設けられたコンタクトホールを介して回路層と接続させた。配線層12の上に、パッシベーション層13を形成し、配線層12と後に形成する接続配線層14とを電気的に接続するためのコンタクトホールを形成した。パッシベーション層13として、まず無機パッシベーション層としてSiNxを膜厚300nm成膜してコンタクトホールをあけた後、その上に有機パッシベーション層としてポリイミドを膜厚1.5um成膜した。有機パッシベーション層はスピンコート法を用いて形成し、無機パッシベーション層のコンタクトホールと同一の場所に、フォトリソ法を用いたウェットエッチングプロセスによりコンタクトホールを設けた。続いて、コンタクトホールを覆うようにインジウムスズ酸化物を40nmの厚さに成膜して接続電極14を形成し、有機EL素子ごとに分割されるようにウェットエッチングプロセスによりパターニングした。接続電極層14が形成された基板10の上全体に、隔壁となるネガ型感光性樹脂をベーク後の膜厚が300nmになるようにスリットコータを用いて成膜した。その後、接続電極14の一部が露出するようにフォトリソを用いてパターニングし、有機EL素子の発光領域を区画する隔壁15を形成した。完成した隔壁の側部は逆テーパー状となっており、逆テーパー角は53°であった。次に第1電極19および補助配線16を形成する層として、AlNdを複数の蒸着源を備える蒸着装置で膜厚100nmに蒸着した。その後、有機EL素子ごとに赤R緑G青Bのいずれかの光を発する発光層を含む有機化合物層17が形成されるよう、メタルマスクを用いて成膜した。メタルマスクは、開口が隔壁15の開口よりも各辺10μm大きいものを用いた。有機化合物層17の膜厚は全ての有機EL素子において、300~420nmの範囲となるように成膜した。有機化合物層17の上にスパッタリング法を用いて第2電極としてインジウムスズ酸化膜を10nmの膜厚で成膜した。第1電極19および補助配線16を形成する層の形成工程から第2電極の成膜工程までは、一貫して真空下で行った。最後に、有機EL素子を覆うように、紫外線硬化型接着剤を用いてキャップガラスを基板10と接着して封止を行い、3inchの表示装置が完成した。得られた表示装置に全面白の表示をさせたところ、電圧降下によるムラ等がほとんど目立たず、良好な発光を示した。以上、実施例では表示装置の例を説明したが、本発明は照明器具や液晶パネルのバックライトなど各種発光装置に広く用いることが可能である。