"レーザー光回析によって測定して1~500nmの平均一次粒子径を有し且つその表面に化学的に結合された電子供与基a2を有する、無機粒子、有機粒子、及び無機-有機ハイブリッド粒子a1からなる群から選択される固体研磨粒子Aを含有する研磨物品であって、前記固体研磨粒子Aが固体マトリックスBの全体にわたって又はその上面に又は全体にわたって及びその上面に分布している、研磨物品。無機粒子a1が、アルミナ、ゲルマニア、シリカ、セリア、チタニア、ジルコニア、酸化亜鉛、窒化ケイ素及び炭化ケイ素からなる群から選択され;有機粒子a1が、メラミン、メラミン誘導体、メラミン-ホルムアルデヒド樹脂、ジシアンジアミド、並びにエポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリエステル、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリビニルクロリド、ポリスチレン及びポリアクリレート及びポリメタクリレートそれらのそれぞれのコポリマー、グラフトコポリマー及びブレンドを含むからなる群から選択され;且つ無機-有機ハイブリッド粒子a1が、エポキシ樹脂、メラミン-ホルムアルデヒド樹脂、ポリウレタン、ポリエステル、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリビニルクロリド、ポリスチレン及びポリアクリレート及びポリメタクリレートそれらのそれぞれのコポリマー、グラフトコポリマー及びブレンドを含むからなる群から選択される少なくとも1種のポリマーで被覆された無機粒子a1;アルミナ、ゲルマニア、シリカ、セリア、チタニア、ジルコニア、酸化亜鉛、窒化ケイ素及び炭化ケイ素のうち少なくとも1種で被覆された有機粒子a1;及び少なくとも1種の無機粒子a1及び少なくとも1種の有機粒子a1からなる粒子からなる群から選択されることを特徴とする、請求項1に記載の研磨物品。電子供与基a2が、第1級、第2級及び第3級アミノ基及びホスファン基、ヒドラジン基、オキシム基、ビウレット基、カルボニル基、ヒドロキシル基、チオール基、スルファニル基、エーテル基、チオエーテル基、カルボン酸、スルホン酸、ホスホン酸及びリン酸エステル基並びにそれらから誘導されるアニオン性基、及びアミノメチレンカルボン酸及びホスホン酸基並びにそれらから誘導されるアニオン性基からなる群から選択されることを特徴とする、請求項1又は2に記載の研磨物品。研磨粒子A、電子供与基a2を、多価連結基a3を介して粒子a1に共有結合させることを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1項に記載の研磨物品。多価連結基a3が2~20個の炭素原子を有する有機部分からなる群から選択されることを特徴とする、請求項4に記載の研磨物品。多価連結基a3が、-O-、-CO-、-CS-、-CO-O-、-O-CO-O-、-O-CS-O-;--O-4Si、--O-3Si-、--O-2Si<、-O-S≡、--O-2Si-R-、-O-Si-R2-;-NR-、=N-、-N=N-、-NR-CO-、-NR-NR-CO-、-NR-NR-CS-、-O-CO-NR-、-O-CS-NR-、-NR-CO-NR-、-NR-CS-NR-;--O-3PO、--O-3PS、--O-2PO-、--O-2PS-、--NR-3PO、--NR-3PS、--NR-2PO-、--NR-2PS-;-S-、-SO-、-SO2-、-O-SO2-、及び-NR-SO2-からなる群から選択される少なくとも1つの多官能基a31を含有し、その際、残基Rが水素原子又は非反応性の、一価の、置換又は非置換の1個の炭素原子又は2~20個の炭素原子を有する部分であるが、但し、ケイ素に結合されたRが水素原子ではないことを条件とすることを特徴とする、請求項5に記載の研磨物品。固体マトリックスBが、研磨粒子Aを含有し且つ織布及び不織布及びテキスタイル、フォーム、及び圧縮材料からなる群から選択される、少なくとも1つの三次元構造を含有する又はそれらからなることを特徴とする、請求項1から6までのいずれか1項に記載の研磨物品。固体マトリックスBがバッキング材料Dに結合されていることを特徴とする、請求項1から7までのいずれか1項に記載の研磨物品。固体マトリックスBの研磨表面がパターン形成されていることを特徴とする、請求項1から8までのいずれか1項に記載の研磨物品。研磨粒子の製造方法であって、1レーザー光回析によって測定して1~500nmの平均一次粒子径を有し且つその表面に化学的に結合された電子供与基a2を有する、無機粒子、有機粒子、及び無機-有機ハイブリッド粒子a1からなる群から選択される少なくとも1種の固体研磨粒子Aを提供する工程;及び2該固体研磨粒子Aを、固体マトリックスBの全体にわたって又はその上面に又は全体にわたって及びその上面に分布させる工程を含む、研磨物品の製造方法。固体研磨粒子Aが-レーザー光回析によって測定して1~500nmの平均一次粒子径を有し且つその表面反応性官能基a4を含有する無機粒子、有機粒子及び無機-有機ハイブリッド粒子からなる群から選択される少なくとも1種の粒子a1aと、-一般式IX-ma3-YnI式中、記号及び変数は以下の意味を有する:mは1~3の整数であり;nは1~20の整数であり;X部分は粒子a1a上で官能基a4と反応可能な少なくとも1つの相補的な反応性官能基a5を含有し;a3は上で定義された多価連結基であり;且つY部分は上で定義された少なくとも1つの電子供与基a2を含有する又はそれらからなるの少なくとも1種の改質剤Cと、を反応させることによるプロセス工程1において製造されることを特徴とする、請求項10に記載の研磨物品の製造方法。無機粒子a1aが、アルミナ、ゲルマニア、シリカ、セリア、チタニア、ジルコニア、酸化亜鉛、窒化ケイ素及び炭化ケイ素からなる群から選択され;有機粒子a1aが、メラミン、メラミン誘導体、メラミン-ホルムアルデヒド樹脂、ジシアンジアミド、並びにエポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリエステル、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリビニルクロリド、ポリスチレン及びポリアクリレート及びポリメタクリレートそれらのそれぞれのコポリマー、グラフトコポリマー及びブレンドを含むからなる群から選択され;且つ無機-有機ハイブリッド粒子a1aが、エポキシ樹脂、メラミン-ホルムアルデヒド樹脂、ポリウレタン、ポリエステル、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリビニルクロリド、ポリスチレン及びポリアクリレート及びポリメタクリレートそれらのそれぞれのコポリマー、グラフトコポリマー及びブレンドを含むからなる群から選択される少なくとも1種のポリマーで被覆された無機粒子a1a;アルミナ、ゲルマニア、シリカ、セリア、チタニア、ジルコニア、酸化亜鉛、窒化ケイ素及び炭化ケイ素のうち少なくとも1種で被覆された有機粒子a1a;及び少なくとも1種の無機粒子a1a及び少なくとも1種の有機粒子a1aからなる粒子からなる群から選択されることを特徴とする、請求項9に記載の研磨物品の製造方法。反応性官能基a4がヒドロキシル基及びアミノ基からなる群から選択されることを特徴とする、請求項11又は12に記載の研磨物品の製造方法。部分Xが以下の一般式II-Si-Rp-a53-pII式中、可変要素Rは水素原子を除いて上で定義された意味を有し、可変要素a5及び記号は以下の意味を有する:p0、1又は2;a5水素、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素からなる群から選択される相補的な反応性官能原子;又は以下の一般式III-Z-RIII式中、可変要素Rは上で定義された意味を有し、可変要素Zは-O-、-S-、-CO-、-CS-、-O-CO-、-S-CO-、-O-CS-、-NH-及び-NR-からなる群から選択される二官能性連結基であるを有する相補的な反応性官能基を有することを特徴とする、請求項11から13までのいずれか1項に記載の研磨物品の製造方法。一般式IIの部分Xが、トリヒドロキシシリル、トリメトキシシリル及びトリエトキシシリルからなる群から選択されることを特徴とする、請求項14に記載の研磨物品の製造方法。部分Yが電子供与基a2からなることを特徴とする、請求項10から15までのいずれか1項に記載の研磨物品の製造方法。改質剤Cが、3-2-2-アミノエチルアミノエチルアミノ-プロピルトリメトキシシランAEPTS、3-2-2-アミノエチルアミノエチルアミノ-プロピルトリエトキシシラン、N-2-アミノエチル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-2-アミノエチル-3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-2-イミダゾリン-1-イル-プロピルトリエトキシシランIPTS、3-2-イミダゾリン-1-イル-プロピルトリメトキシシラン、ビス2-ヒドロキシエチル-3-アミノプロピルトリエトキシシランBHAP、ビス2-ヒドロキシエチル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-トリヒドロキシシリル-1-プロパンスルホン酸水中35TSPS、ジエチルホスファトエチルトリエトキシシランDPEOS、ジエチルホスファトエチルトリメトキシシランDPEOS、3-トリヒドロキシシリルプロピルメチルホスホナート一ナトリウム塩水中42TSMP、3-トリエトキシシリルプロピルコハク酸無水物TPSA、3-トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物、3-メルカプト-プロピルトリメトキシシラン、3-メルカプト-プロピルトリエトキシシラン、3-ウレイドプロピルトリメトキシシラン、3-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、N-ベンジル-N-2-アミノエチル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-ベンジル-N-2-アミノエチル-3-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-n-ブチル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-n-ブチル-3-アミノプロピルトリエトキシシラン、2-[メトキシポリエチレンオキシ-プロピルトリメトキシシラン、2-[メトキシポリエチレンオキシ-プロピルトリエトキシシラン、3-グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシジルオキシプロピルトリエトキシシラン、N,N-ジメチルアミノプロピルトリメトキシシランDAPMS、及びN,N-ジメチルアミノプロピルトリエトキシシラン、N,N-ジエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、N,N-ジエチルアミノプロピルトリエトキシシラン、N-トリエトキシシリルプロピルエチレンジアミン三酢酸三ナトリウム塩水中45、N-トリメトキシシリルプロピルエチレンジアミン三酢酸三ナトリウム塩水中45からなる群から選択されることを特徴とする、請求項10から16までのいずれか1項に記載の研磨物品の製造方法。固体研磨粒子Aが微粉砕した微粒子材料の形で、液体媒体の懸濁液の形で又は濃縮された固体ブレンドの形で固体マトリックスBの全体にわたって又はその上面に又は全体にわたって及びその上面に分布されることを特徴とする、請求項10から17までのいずれか1項に記載の研磨物品の製造方法。電子機器及び光学装置の製造に有用な基材の処理方法であって、1基材表面を、少なくとも1回、請求項1から9までのいずれか一項に規定された少なくとも1つの研磨物品と接触させるか又は請求項10から18までのいずれか1項に記載の方法に従って製造された少なくとも1つの研磨物品及び少なくとも1種の液体の化学機械的研磨剤と接触させる工程及び2基材表面を、平坦化を達成するのに十分な時間、化学機械的研磨する工程を含む、基材の処理方法。電子機器が半導体集積回路IC;液晶パネル;有機エレクトロルミネセンスパネル;プリント回路基板;マイクロマシン;DNAチップ、マイクロプラント及び磁気ヘッドであり;且つ光学装置が、光学ガラス;無機導電性フィルム;光集積回路;光切換エレメント;光導波路;光学単結晶;固体レーザー単結晶;ブルーレーザーLED用のサファイア基板;半導体単結晶;及び磁気ディスク用のガラス基板であることを特徴とする、請求項19に記載の方法。"