"通風路に間隔を設けて配置され、前記通風路を流れる処理対象ガスが通過する多数の貫通孔を有する複数のハニカム構造体と、前記複数のハニカム構造体のうち隣り合う複数のハニカム構造体を1群のハニカム構造体群とし、このハニカム構造体群の両端に位置するハニカム構造体の両端に位置するハニカム構造体の外側に配置された第1および第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に高電圧を印加し前記ハニカム構造体の貫通孔および前記ハニカム構造体間の空間にプラズマを発生させる高電圧源とを備えたガス処理ユニットを前記通風路の入口から出口への処理対象ガスの通過方向に沿って1以上備えたガス処理装置において、最上流に位置する前記ガス処理ユニットの上流側から水分を供給する水分供給手段と、前記ガス処理ユニットが設置されている空間の湿度を下げる湿度低下手段と、前記水分供給手段が供給する水分の供給量を制御する一方、前記湿度低下手段の作動を制御する制御手段とを備え、前記制御手段は、運転開始の指示を受けた場合、所定の条件が成立するまで前記湿度低下手段を作動させて前記ガス処理ユニットが設置されている空間の湿度を下げた後、前記ガス処理ユニットの高電圧源をオンとすることを特徴とするガス処理装置。請求項1に記載されたガス処理装置において、前記湿度低下手段は、前記処理対象ガスの通風路を構成する隔壁の外周面に装着されたヒータであることを特徴とするガス処理装置。請求項1に記載されたガス処理装置において、前記ガス処理ユニットが設置されている空間の湿度を検出する湿度検出手段を備え、前記制御手段は、運転開始の指示を受けた場合、前記湿度検出手段が検出する湿度が所定値以下となるまで前記湿度低下手段を作動させた後、前記ガス処理ユニットの高電圧源をオンとすることを特徴とするガス処理装置。請求項1に記載されたガス処理装置において、前記制御手段は、運転開始の指示を受けた場合、所定時間が経過するまで前記湿度低下手段を作動させた後、前記ガス処理ユニットの高電圧源をオンとすることを特徴とするガス処理装置。請求項1に記載されたガス処理装置において、前記ガス処理ユニットに異常放電が発生したことを検知する異常放電検知手段を備え、前記制御手段は、前記異常放電検知手段によって異常放電の発生が検知された場合、異常放電の発生が検知されなくなるまで前記湿度低下手段を作動させることを特徴とするガス処理装置。しかしながら、図9に示したガス処理装置では、次のような問題を有する。このガス処理装置において、処理対象ガスGS中の水分湿度に着目すると、処理対象ガスGSは上流側のハニカム構造体8から下流側のハニカム構造体8に向かって流れて行く過程で、各ハニカム構造体8で発生したプラズマ放電によって処理を受けるが、処理を受ける度に処理対象ガスGS中に含まれる水分が消費されるので、処理対象ガスGSは上流側から下流側にかけて湿度が低下した状態となる。また、ハニカム構造体8の内部のでプラズマの発生状態は処理対象ガスGS中の水分が多いほど活発に行われ、水分が少なくなると抑制される特性がある。このため、第1のハニカム構造体群8A側を第1のガス処理ユニットGU1とし、第2のハニカム構造体群8B側を第2のガス処理ユニットGU2とした場合、仮に全てのハニカム構造体8の特性が同じであっても、第1のガス処理ユニットGU1よりも第2のガス処理ユニットGU2の方がプラズマの発生量が小さく、ガス処理能力が落ちる。図9には、ガス処理ユニットGUを2つとした例が示されているが、ガス処理ユニットがさらに設けられているものとすれば、下流側へ配置されるガス処理ユニットほどプラズマの発生量が小さく、ガス処理能力が落ちて行く。複数のガス処理ユニットのガス処理能力に大きな格差があると、ガス処理能力が過剰なガス処理ユニットとガス処理能力が不足するガス処理ユニットとが存在するということになり、全体としてのガス処理効率が落ちるとともにオゾンの発生の度合いも高まり、望ましくない。なお、特許文献4には、金属電極とハニカム電極との間の空間へ加湿装置によって水分を送り込むことにより、処理対象ガス中の水分濃度を高め、プラズマ放電を活性化させてガス浄化能力を高めるようにしたガス浄化装置が示されている。しかしかながら、この特許文献4に示された技術を図9に示したガス処理装置に適用した場合、加湿装置によって送り込む水分量を制御していないので、供給する水分量が過少であればプラズマ放電の発生状況が不充分でガス処理能力が不足する一方、供給する水分量が過多であれば放電が激しくなり火花放電のような異常放電が発生したり、放電によって発生するオゾン量も大となる。また、ガス処理装置の運転開始前に結露が生じるほど高湿度な環境下で、直ちにガス処理装置の運転を開始すると各ガス処理ユニットのガス処理能力が過剰に高まり、火花放電のような異常放電が発生して、ガス処理ユニットが損傷する可能性が高くなるという問題がある。本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、運転開始時に、火花放電のような異常放電が生じる虞を回避し、ガス処理ユニットの損傷を防ぐことが可能なガス処理装置を提供することにある。このような目的を達成するために本発明は、通風路に間隔を設けて配置され、通風路を流れる処理対象ガスが通過する多数の貫通孔を有する複数のハニカム構造体と、複数のハニカム構造体のうち隣り合う複数のハニカム構造体を1群のハニカム構造体群とし、このハニカム構造体群の両端に位置するハニカム構造体の両端に位置するハニカム構造体の外側に配置された第1および第2の電極と、第1の電極と第2の電極との間に高電圧を印加しハニカム構造体の貫通孔およびハニカム構造体間の空間にプラズマを発生させる高電圧源とを備えたガス処理ユニットを通風路の入口から出口への処理対象ガスの通過方向に沿って1以上備えたガス処理装置において、最上流に位置するガス処理ユニットの上流側から水分を供給する水分供給手段と、ガス処理ユニットが設置されている空間の湿度を下げる湿度低下手段と、水分供給手段が供給する水分の供給量を制御する一方、湿度低下手段の作動を制御する制御手段とを備え、制御手段は、運転開始の指示を受けた場合、所定の条件が成立するまで湿度低下手段を作動させてガス処理ユニットが設置されている空間の湿度を下げた後、ガス処理ユニットの高電圧源をオンとすることを特徴とする。この発明では、ガス処理装置の運転開始時、所定の条件が成立するまで湿度低下手段が作動して、ガス処理ユニットが設置されている空間の湿度が下げられた後、ガス処理ユニットの高電圧源がオンとされる。これにより、運転開始時、ガス処理ユニットが設置されている空間を低湿度とし、ガス処理ユニットのハニカム構造体を高インピーダンス化して、火花放電のような異常放電が生じる虞を回避することが可能となる。本発明では、運転開始の指示を受けた場合、所定の条件が成立するまで湿度低下手段を作動させるが、この場合の所定の条件として、例えば、ガス処理ユニットが設置されている空間の湿度が所定値以下となるまで湿度低下手段を作動させたり、所定時間が経過するまで湿度低下手段を作動させるようにしたりすることが考えられる。なお、処理対象ガスの通風路を構成する隔壁の外周面にヒータを装着し、このヒータを湿度低下手段として用いることが考えられる。また、運転中、異常放電の発生が検知された場合、異常放電の発生が検知されなくなるまで、湿度低下手段を作動させるようにすることも考えられる。本発明によれば、運転開始の指示を受けた場合、所定の条件が成立するまで湿度低下手段を作動させてガス処理ユニットが設置されている空間の湿度を下げた後、ガス処理ユニットの高電圧源をオンとするようにしたので、運転開始時、ガス処理ユニットが設置されている空間を低湿度とし、ガス処理ユニットのハニカム構造体を高インピーダンス化して、火花放電のような異常放電が生じる虞を回避し、ガス処理ユニットの損傷を防止することが可能となる。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。実施の形態1図1はこの発明に係るガス処理装置の一実施の形態実施の形態1の要部を示す図である。同図において、図9と同一符号は図9を参照して説明した構成要素と同一或いは同等構成要素を示し、その説明は省略する。この実施の形態においても、図9に示したガス処理装置と同様に、処理対象ガスGSの通過方向ダクト1の入口から出口への方向に方向に沿って、第1のガス処理ユニットGU1と第2のガス処理ユニットGU2をダクト1内に配置している。また、ガス処理ユニットGU1の第1の電極9と第2の電極10との間に導線12,13を介して高電圧源15-1からの高電圧V1を印加するようにし、ガス処理ユニットGU2の第1の電極10第2の電極11との間に導線13,14を介して高電圧源15-2からの高電圧V2V2>V1を印加するようにしている。また、ダクト1に対して、最上流に位置するガス処理ユニットGU1の上流側からダクト1内の空間に水分を供給する水分供給手段として、加湿装置17を設けている。また、処理対象ガスGSが流れるダクト1を構成する隔壁の外周面に、ダクト1内の湿度を低下させる湿度低下手段としてヒータ19を設けている。また、ダクト1を流れる処理対象ガスGSの出口側に、湿度検出センサ20を設けている。この実施の形態において、加湿装置17の加湿量、すなわちダクト1内の空間への水分の供給量は、制御部18によって調整制御されるようになっている。また、ヒータ19の動作も制御部18によって制御されるようになっている。なお、加湿装置17の加湿量の調整はガス処理装置の運転中に行われ、ヒータ19の動作の制御はガス処理装置の運転開始時に行われる。制御部18は、プロセッサや記憶装置からなるハードウェアと、これらのハードウェアと協働して各種機能を実現させるプログラムとによって実現され、上述した加湿装置17における加湿量の調整機能やヒータ19の動作の制御機能を有している。以下、この制御部18が有する加湿量の調整機能やヒータ19の動作の制御機能について、図2および図3に示すフローチャートを用いて説明する。加湿量の調整機能図2:運転中制御部18は、ガス処理装置の運転中、ガス処理ユニットGU1の高電圧源15-1が電極9,10間に印加している現在の電圧V1の値および電極9,10間に供給している現在の電流I1を検出しステップS101、この電圧V1,電流I1の値からガス処理ユニットGU1の現在の消費電力PW1を求めるステップS102。次に、制御部18は、ガス処理ユニットGU2の高電圧源15-2が電極10,11間に印加している現在の電圧V2の値および電極10,11間に供給している現在の電流I2を検出しステップS103、この電圧V2,電流I2の値からガス処理ユニットGU2の現在の消費電力PW2を求めるステップS104。そして、制御部18は、この求めたガス処理ユニットGU1の消費電力PW1とガス処理ユニットGU2の消費電力PW2とが等しくなるように、加湿装置17の加湿量を調整するステップS105。制御部18は、このステップS101~S105の処理動作を繰り返す。このガス処理装置では、下流側に位置するガス処理ユニットGU2の高電圧源15-2が印加する電圧V2の値が、上流側に位置するガス処理ユニットGU1の高電圧源15-1が印加する電圧V1の値よりも高くされている。また、加湿装置17の加湿量は一定ではなく、ガス処理ユニットGU1の消費電力PW1とガス処理ユニットGU2の消費電力PW2とが等しくなるように制御される。これにより、ガス処理ユニットGU1,GU2のプラズマの発生状況の格差が大幅に解消され、ガス処理ユニットGU1,GU2のガス処理能力が平準化され、ガス処理能力の過剰、不足によって生じる問題が緩和されるものとなる。ヒータの動作の制御機能図3:運転開始時制御部18は、運転開始の指示を受けるとステップS201のYES、湿度検出センサ20からのダクト1内の湿度の検出値hpvを取り込み、その湿度の検出値hpvと予め定められている閾値hstとを比較するステップS202。ここで、ダクト1内の湿度の検出値hpvが閾値hstよりも大きければ、ダクト1内が高湿度状態であると判断し、ヒータ19をONとするとともに、図示されていない送風ファンをONとするステップS203。これにより、通風運転を行った状態で、ヒータ19がONとされ、このヒータ19が発生する熱がダクト1の壁を介してガス処理ユニットGU1,GU2の設置空間に熱伝導することで、そのガス処理ユニットGU1,GU2の設置空間の湿度が低下して行く。すなわち、ダクト1内の空間が除湿されて行く。制御部18は、このヒータ19による除湿により、湿度検出センサ20からの湿度の検出値hpvが閾値hst以下となるとステップS204のYES、ガス処理ユニットGU1,GU2の高電圧源15-1,15-2をONとしステップS205、ヒータ19をOFFとするステップS206。この場合、ガス処理ユニットGU1,GU2の高電圧源15-1,15-2がONとされても、ガス処理ユニットGU1,GU2が設置されている空間は閾値hst以下の低湿度状態とされているので、ガス処理ユニットGU1,GU2のハニカム構造体8が高インピーダンス化し、火花放電のような異常放電が生じることはない。これにより、ガス処理ユニットGU1,GU2の損傷を防ぐことが可能となる。制御部18は、その後、加湿装置17をONとしステップS208、図2を用いて説明した加湿装置17の加湿量の調整動作へと進むステップS209。なお、ステップS202において、hpv≦hstであった場合、制御部18は、ダクト1内は高湿度状態ではないと判断し、ヒータ19はONとせずに、送風ファンとガス処理ユニットGU1,GU2の高電圧源15-1,15-2をONとしてステップS207、ステップS208以降の処理へと進む。実施の形態2実施の形態1では、湿度検出センサ20を設け、ガス処理装置の運転開始時、湿度検出センサ20からの湿度の検出値hpvが閾値hst以下となるまでヒータ19をONとするようにした。これに対し、実施の形態2では、湿度検出センサ20は設けずに、ガス処理装置の運転開始時、所定時間経過するまで、ヒータ19をONとする。図4に実施の形態2における図3に対応するフローチャートを示す。実施の形態2のガス処理装置において、制御部18は、運転開始の指示を受けるとステップS301のYES、直ちにヒータ19をONとするとともに、送風ファンをONとするステップS302。そして、所定時間の経過を待ってステップS303のYES、ガス処理ユニットGU1,GU2の高電圧源15-1,15-2をONとしステップS304、ヒータ19をOFFとするステップS305。この場合、ガス処理ユニットGU1,GU2の高電圧源15-1,15-2がONとされても、ガス処理ユニットGU1,GU2が設置されている空間は所定時間ヒータ19がONとされることによって低湿度状態とされているので、ガス処理ユニットGU1,GU2のハニカム構造体8が高インピーダンス化し、火花放電のような異常放電が生じることはない。制御部18は、その後、加湿装置17をONとしステップS306、図2を用いて説明した加湿装置17の加湿量の調整動作へと進むステップS307。実施の形態3図5に実施の形態3のガス処理装置の要部を示す。このガス処理装置では、図1に示した実施の形態1のガス処理装置の構成に加え、ガス処理ユニットGU1の高電圧源15-1に対して異常放電検知部21-1を、ガス処理ユニットGU2の高電圧源15-2に対して異常放電検知部21-2を設け、異常放電検知部21-1および異常放電検知部21-2からの異常放電の検知結果を検知信号S11およびS12として制御部18へ送るようにしている。図6に異常放電検知部2121-1,21-2の要部の構成を示す。異常放電検知部21は、直流カット回路21Aと、放電周波数検出回路21Bと、整流平滑回路21Cと、レベル判定回路21Dとを備えている。直流カット回路21Aは、高電圧印加部1515-1,15-2の電圧供給端子T1とT2との間に生じる高電圧、すなわちガス処理ユニットGUGU1,GU2の電極間に印加される高電圧を取り込み、この高電圧に含まれる直流分をカットして出力する。放電周波数検出回路21Bは、直流カット回路21Aが出力する直流分がカットされた電圧より、所定周波数以上の電圧低周波信号をガス処理ユニットGUの電極間の放電により発生した雑音電圧として取り出す。整流平滑回路21Cは、放電周波数検出回路21Bより取り出された雑音電圧を整流して平滑する。レベル判定回路21Dは、整流平滑回路21Cによって整流平滑化された雑音電圧の大きさを判定し、その雑音電圧の大きさが所定値を超えた場合に異常放電の発生を示す検知信号S1S11,S12を出力する。異常放電検知時のヒータの動作の制御機能図7:運転中ガス処理装置の運転中、ガス処理ユニットGU1で異常放電が発生すると、異常放電検知部19-1が異常放電の発生を示す検知信号S11を制御部18へ送る。また、ガス処理ユニットGU2で異常放電が発生すると、異常放電検知部19-2が異常放電の発生を示す検知信号S12を制御部18へ送るステップS404。制御部18は、異常放電検知部1919-1,19-2からガス処理ユニットGUGU1,GU2での異常放電の発生を示す検知信号S1S11,S12が送られてくるとステップS401のYES、ヒータ19をONとしステップS402、ガス処理ユニットGUGU1,GU2の設置空間の湿度を低下させる。そして、ガス処理ユニットGUGU1,GU2での異常放電が検知されなくなるとステップS403のYES、ヒータ19をOFFとする。このようにして、実施の形態3では、ガス処理装置の運転中、ガス処理ユニットGUGU1,GU2の設置空間が高湿度状態になり、ガス処理ユニットGUGU1,GU2のハニカム構造体8が低インピーダンスとなり、火花放電のような異常放電が発生したとしても、ヒータ19がONとなって、積極的に湿度が低下されるものとなり、異常放電が速やかに終息されるものとなる。なお、この実施の形態3においても、実施の形態2と同様に、湿度検出センサ20を設けずに、ガス処理装置の運転開始時、所定時間経過するまで、ヒータ19をONとするようにしてもよい。また、上述した実施の形態1~3では、湿度低下手段としてヒータ19を設けるようにしているが、ダクト1内の湿度を低下させることができればよく、他の手段を用いるようにしてもよい。例えば、熱風などで加温させるようにしたり、ファン動作による通風運転のみで湿度の低下を図るようにしたりしてもよい。なお、ヒータをダクト1内に設置するようにしてもよいが、そのようにするヒータがガス処理ユニットGUで生じる放電や処理対象ガスGSによって破損し易くなる。これに対して、ダクト1を構成する隔壁の外周面にヒータを装着すると、このヒータが発生する熱をその壁を介して処理対象ガスGSの設置空間に熱伝導させることができるので、ヒータが長持ちする。また、上述した実施の形態1~3において、電極10はガス処理ユニットGU1の第2の電極とガス処理ユニットGU2の第1の電極とを兼ねた共通電極とされているが、ガス処理ユニットGU1の第2の電極とガス処理ユニットGU2の第1の電極とを独立した電極とするようにしてもよい。また、上述した実施の形態1~3において、ハニカム構造体8はオゾンを分解する触媒機能を備えたものとしてもよく、処理対象ガスGSの通過方向の下流位置にオゾンを分解する触媒を設けるようにしてもよい。また、上述した実施の形態1~3では、ガス処理ユニットの数を2つとしたが、さらにその数を増やすようにしてもよい。また、ガス処理ユニット内のハニカム構造体の数は2つに限られるものではなく、さらにその数を増やしてもよい。また、ガス処理ユニットの数は必ずしも複数でなくてもよく、1つであっても構わない。ガス処理ユニットの数を増やす場合には、各ガス処理ユニットは、上流側から下流側に位置するガス処理ユニットほど、そのガス処理ユニットの高電圧源が印加する電圧の値を高くするようにする。また、各ガス処理ユニットの消費電力が等しくなるように、加湿装置の加湿量を調整するようにする。あるいは加湿装置の加湿量の調整に加えて、最上流に位置するガス処理ユニットの高電圧源が印加する電圧の値を調整するようにする。また、ガス処理ユニット毎に、異常放電検知部を設ける。また、上述した実施の形態1~3において、副生成物としてオゾンを大量に発生させ、オゾン発生器として転用するようにしてもよい。"