第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の表面近傍に、互いに間隔を置いて設けられた第2導電型のソース領域とドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記半導体基板の表面であるチャネル形成領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域と前記チャネル形成領域の上にゲート絶縁膜を介して設けられたフローティング電極と、前記フローティングゲート電極とコントロール絶縁膜を介して設けられた、前記フローティングゲートと容量結合しているコントロールゲート電極と、前記フローティングゲート電極と前記ドレイン領域の間に設けられた、電子を前記ドレイン領域から前記フローティングゲート電極へ注入するためにのみ使用される注入領域と、電子を前記フローティングゲート電極から前記ドレイン領域へ引き抜くためにのみ使用される引き抜き領域と、を有し、前記注入領域と前記引き抜き領域とは異なるトンネル絶縁膜をそれぞれ有し、前記注入領域と前記引き抜き領域とは導電型の異なる領域を前記フローティングゲート領域の一部あるいは前記ドレイン領域の一部のいずれか一方に有することで区別される電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。前記注入領域は、前記ドレイン領域の表面に設けられた、前記ドレイン領域と同一の電位に固定された、前記ドレイン領域に比べて不純物濃度の低い第2導電型の領域とその上に設けられた第1のトンネル絶縁膜とを有し、前記引き抜き領域は、前記ドレイン領域の表面に設けられた、前記ドレイン領域と同一の電位に固定された、前記ドレイン領域に比べて不純物濃度の低い第1導電型の領域とその上に設けられた第2のトンネル絶縁膜とを有している請求項1記載の電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。前記ドレイン領域内の前記不純物濃度の低い第2導電型の領域と、前記不純物濃度の低い第1導電型の領域とは、離間して設けられており、前記第1および第2のトンネル絶縁膜は、前記純物濃度の低い第2導電型の領域と、前記不純物濃度の低い第1導電型の領域との上部にそれぞれ別個に設けられている請求項2記載の電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。前記ドレイン領域内の前記不純物濃度の低い第2導電型の領域と、前記不純物濃度の低い第1導電型の領域とは隣接して設けられており、前記第1および第2のトンネル絶縁膜は、前記純物濃度の低い第2導電型の領域と、前記不純物濃度の低い第1導電型の領域との上部にまたがる形で共通した1つのトンネル絶縁膜として設けられている請求項2記載の電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。前記ドレイン領域内の前記不純物濃度の低い第2導電型の領域の不純物濃度と、前記不純物濃度の低い第1導電型の領域の不純物濃度は、それぞれ1立方センチメートル当たり1E16atms以下である請求項2記載の電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。前記トンネル絶縁膜あるいは前記コントロール絶縁膜の少なくとも一つは、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の複合膜である請求項2記載の電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。前記純物濃度の低い第2導電型の領域上に設けられた前記第1のトンネル絶縁膜の面積は、前記不純物濃度の低い第1導電型の領域上に設けられた前記第2のトンネル絶縁膜の面積に比べて大きい請求項2記載の電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。前記純物濃度の低い第2導電型の領域上に設けられた前記第1のトンネル絶縁膜の面積と、前記不純物濃度の低い第1導電型の領域上に設けられた前記第2のトンネル絶縁膜の面積とは、前記フローティングゲート電極に前記純物濃度の低い第2導電型の領域から電子を注入する際、および、前記フローティングゲート電極から前記純物濃度の低い第1導電型の領域へ電子を引き抜く際に、単位面積あたりの電流密度が同一になる面積で設けられている請求項2記載の電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。前記純物濃度の低い第2導電型の領域上に設けられた前記第1のトンネル絶縁膜の膜厚は、前記不純物濃度の低い第1導電型の領域上に設けられた前記第2のトンネル絶縁膜の面積に比べて厚い請求項2記載の電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。前記純物濃度の低い第2導電型の領域上に設けられた前記第1のトンネル絶縁膜の膜厚と、前記不純物濃度の低い第1導電型の領域上に設けられた前記第2のトンネル絶縁膜の膜厚とは、前記フローティングゲート電極に前記純物濃度の低い第2導電型の領域から電子を注入する際、および、前記フローティングゲート電極から前記純物濃度の低い第1導電型の領域へ電子を引き抜く際に、単位面積あたりの電流密度が同一になる膜厚で設けられている請求項2記載の電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。前記注入領域は、前記フローティングゲート電極と電気的に接続された、第1導電型の低不純物濃度のフローティングゲート電極とその下に設けられた第1のトンネル絶縁膜とを有し、前記引き抜き領域は、前記フローティングゲート電極と電気的に接続された、第2導電型の低不純物濃度のフローティングゲート電極とその下に設けられた第2のトンネル絶縁膜とを有している請求項1記載の電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。前記第1導電型の低不純物濃度のフローティングゲート電極と前記第2導電型の低い不純物濃度のフローティングゲート電極とは、離間して形成された前記第1および第2のトンネル絶縁膜上にそれぞれ離間して配置されている請求項11記載の電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。前記第1導電型の低い不純物濃度のフローティングゲート電極と前記第2導電型の低い不純物濃度のフローティングゲート電極とは、前記第1および第2のトンネル絶縁膜とが連続して形成された同一の前記トンネル絶縁膜上に隣接して配置されている請求項11記載の電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。前記第1導電型の低い不純物濃度のフローティングゲート電極の不純物濃度と、前記第2導電型の低い不純物濃度のフローティングゲート電極の不純物濃度は、それぞれ1立方センチメートル当たり1E16atms以下である請求項11記載の電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。前記第1導電型の低い不純物濃度のフローティングゲート電極と前記第2導電型の低い不純物濃度のフローティングゲート電極とは、シリサイド領域により互いに電気的に同電位になるよう接続されている請求項11記載の電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。前記トンネル絶縁膜あるいは前記コントロールゲート絶縁膜の少なくとも一つは、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の複合膜である請求項11記載の電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。しかしながら、改善例のようにドレイン領域と別に専用のトンネル領域を設ける半導体装置においては、占有面積が増大し半導体装置のコストアップに繋がるなどの問題点があり、また数十万回から数百万回に及ぶ多数回のメモリセル情報の書き換えを行う際には未だ信頼性が十分とならなかった。そこで、占有面積を増加することなくトンネル絶縁膜の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を得ることを課題とする。上記問題点を解決するために、本発明は半導体装置を以下のように構成した。第1導電型の半導体領域表面の表面に、互いに間隔を置いて設けられた第2導電型のソース領域とドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記半導体領域表面であるチャネル形成領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域と前記チャネル形成領域の上にゲート絶縁膜を介して設けられたフローティングゲート電極と、前記フローティングゲート電極とコントロール絶縁膜を介して容量結合したコントロールゲート電極とからなる電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリにおいて、前記ドレイン領域内のトンネル領域には、前記ドレイン領域と同一の電位に固定された前記ドレイン領域に比べて不純物濃度の低い第2導電型の領域と、不純物濃度の低い第1導電型の領域とが形成されており、前記不純物濃度の低い第2導電型の領域と、前記不純物濃度の低い第1導電型の領域のそれぞれの上面には、トンネル絶縁膜が設けられている電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置とした。また、前記ドレイン領域内の前記不純物濃度の低い第2導電型の領域と、前記不純物濃度の低い第1導電型の領域とは、離間して設けられており、前記トンネル絶縁膜は、前記純物濃度の低い第2導電型の領域と、前記不純物濃度の低い第1導電型の領域との上部にそれぞれ別個に設けられている電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置とした。また、前記ドレイン領域内の前記不純物濃度の低い第2導電型の領域と、前記不純物濃度の低い第1導電型の領域とは隣接して設けられており、前記トンネル絶縁膜は、前記純物濃度の低い第2導電型の領域と、前記不純物濃度の低い第1導電型の領域との上部にまたがる形で共通の1つが設けられている電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置とした。また、前記純物濃度の低い第2導電型の領域上に設けられた前記トンネル絶縁膜の面積は、前記不純物濃度の低い第1導電型の領域上に設けられた前記トンネル絶縁膜の面積に比べて大きい電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置とした。また、前記純物濃度の低い第2導電型の領域上に設けられた前記トンネル絶縁膜の面積と、前記不純物濃度の低い第1導電型の領域上に設けられた前記トンネル絶縁膜の面積とは、前記フローティングゲート電極に前記純物濃度の低い第2導電型の領域から電子を注入する際、および、前記フローティングゲート電極から前記純物濃度の低い第1導電型の領域へ電子を引き抜く際に、単位面積あたりの電流密度が同一になる面積で設けられている電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置とした。また、前記純物濃度の低い第2導電型の領域上に設けられた前記トンネル絶縁膜の膜厚は、前記不純物濃度の低い第1導電型の領域上に設けられた前記トンネル絶縁膜の面積に比べて厚い電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置とした。また、前記純物濃度の低い第2導電型の領域上に設けられた前記トンネル絶縁膜の膜厚と、前記不純物濃度の低い第1導電型の領域上に設けられた前記トンネル絶縁膜の膜厚とは、前記フローティングゲート電極に前記純物濃度の低い第2導電型の領域から電子を注入する際、および、前記フローティングゲート電極から前記純物濃度の低い第1導電型の領域へ電子を引き抜く際に、単位面積あたりの電流密度が同一になる膜厚で設けられている電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置とした。このように、ドレイン領域からフローティングゲート電極へ電子を注入する場合と、フローティングゲート電極からドレイン領域へ電子を引き抜く場合とで、電子を通過させるトンネル絶縁膜の領域を異なるようにできるため、各領域においてデータの書き換えによってトンネル絶縁膜を通過する電子の総量をおよそ半減することができる。これによりトンネル絶縁膜の劣化を防止することができる。これにより電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置における書き換え特性や保持特性に顕著に影響を与えるトンネル絶縁膜の劣化を抑制し、高い信頼性を持った電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を得ることができる。以下では図面を参考に発明を実施するための様々な形態を実施例に基づいて説明する。図1は、本発明による電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置の第1の実施例を示す模式的断面図である。第1導電型のP型のシリコン基板101表面に、互いに間隔を置いて第2導電型のN型のソース領域201とドレイン領域202とが設けられ、ソース領域201とドレイン領域202との間のP型のシリコン基板101表面であるチャネル形成領域を規定している。ソース領域201とドレイン領域202とチャネル形成領域の上には、例えばシリコン酸化膜からなる厚さ400Åのゲート絶縁膜301を介してポリシリコンなどからなるフローティングゲート電極501が設けられ、フローティングゲート電極501上には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜あるいはそれらの複合膜などからなるコントロール絶縁膜601を介して容量結合したポリシリコンなどからなるコントロールゲート電極701が形成されている。ドレイン領域202内のトンネル領域801の表面には、不純物濃度が低いN型の低不純物濃度領域961と同じく不純物濃度が低いP型の低不純物濃度領域962が、離間して設けられている。N型の低不純物濃度領域961の表面、およびP型の低不純物濃度領域962の表面には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜あるいはそれらの複合膜などからなる厚さ80オングストローム程度の電子注入用のトンネル絶縁膜401、電子引き抜き用のトンネル絶縁膜402がそれぞれ設けられている。N型の低不純物濃度領域961と電子注入用のトンネル絶縁膜401とその上のフローティングゲート電極が注入領域811を形成し、P型の低不純物濃度領域962と引き抜き領域812と電子引き抜き用のトンネル絶縁膜402とその上のフローティングゲート電極が引き抜き領域812を形成している。ここで、ドレイン領域202内のN型の低不純物濃度領域961と、P型の低不純物濃度領域962とは、ドレイン領域と概ね同電位になるように電気的に接続されている。また、N型の低不純物濃度領域961の不純物濃度と、P型の低不純物濃度領域962の不純物濃度は、それぞれ1立方センチメートル当たり1E16atms以下としてある。また、電子注入用のトンネル絶縁膜401、電子引き抜き用のトンネル絶縁膜402あるいはコントロール絶縁膜601の少なくとも一つは、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の複合膜としてある。次にデータの書き換え時の動作を説明する。最初に、ドレイン領域202からフローティングゲート電極501に電荷電子を注入するには、ドレイン領域202に比べて、フローティングゲート電極501の電位を高く設定する。この場合、ドレイン領域202内のN型の低不純物濃度領域961の領域表面には電子が蓄積する方向の電界が印加されるので、N型の低不純物濃度領域961の表面に設けられた電子注入用のトンネル絶縁膜401には、フローティングゲート電極501とドレイン領域202との電位差がほぼ全て印加されて、N型の低不純物濃度領域961表面からフローティングゲート電極501へ電子が注入される。一方、P型の低不純物濃度領域962の表面は、空乏層が広がる方向の電界が印加されるので、フローティングゲート電極501とドレイン領域202との電位差はP型の低不純物濃度領域962の表面に設けられた電子引き抜き用のトンネル絶縁膜402と空乏層とで分割されてしまい、トンネル絶縁膜402には、空乏層に印加される分の電圧を除いた電圧が印加される。そのため、P型の低不純物濃度領域962表面からは、フローティングゲート電極501へ電子が注入されにくいことになる。他方、N型の低不純物濃度領域961表面からはフローティングゲート電極501へ電子が注入されやすい。即ち、ドレイン領域202からフローティングゲート電極501への電子の注入は注入領域811において行われ、引き抜き領域812においては行われない。続いて、フローティングゲート電極501から、ドレイン領域202に電荷を引く抜く場合には、上述のドレイン領域202からフローティングゲート電極501に電荷を注入する場合と逆に、ドレイン領域202内のN型の低不純物濃度領域961表面は空乏化するので、N型の低不純物濃度領域961の領域表面に設けられた電子注入用のトンネル絶縁膜401には、空乏層に印加される分の電圧を除いた電圧が印加されることになり、フローティングゲート電極501からN型の不純物濃度領域961表面への電子の引き抜きは行われにくい。これに対して、P型の低不純物濃度領域962の表面は、正孔が蓄積するので、P型の低不純物濃度領域962の表面に設けられた電子引き抜き用のトンネル絶縁膜402には、電位差がほぼ全て印加される。そのため、フローティングゲート電極501からP型の低不純物濃度領域962への電子の引き抜きは行われやすい。即ち、フローティングゲート電極501からドレイン領域への電子の引き抜きは引き抜き領域812のいて行われ、注入領域811においては行われない。このように、ドレイン領域202からフローティングゲート電極501へ電子を注入する場合と、フローティングゲート電極501からドレイン領域202へ電子を引き抜く場合とで、電子を通過させるトンネル絶縁膜を電子注入用のトンネル絶縁膜401と電子引き抜き用のトンネル絶縁膜402とに分けることができ、それぞれのトンネル絶縁膜を通過する電子の総量をおよそ半減することができる。これによりトンネル絶縁膜の劣化を防止することができる。本実施例では、ドレイン領域202内のN型の不純物濃度領域961とP型の低不純物濃度領域962とを離間して設け、電子注入用のトンネル絶縁膜401と電子引き抜き用のトンネル絶縁膜402とに分けて、N型の不純物濃度領域961とP型の低不純物濃度領域962との上部にそれぞれ別個に設けたため、注入領域と引き抜き領域は離間しており、それぞれの位置のトンネル絶縁膜が確実にフローティングゲート電極501への電子注入あるいはドレイン領域202への電子引き抜きを行うように役目を分担することができる。また、ドレイン領域202内のN型の不純物濃度領域961とP型の低不純物濃度領域962の不純物濃度は、それぞれ1立方センチメートル当たり1E16atms以下としたので、データ書き換え時のドレイン領域202とフローティングゲート電極501との間の電位差により、容易に表面が空乏化することができる。また、電子注入用のトンネル絶縁膜401と電子引き抜き用のトンネル絶縁膜402あるいはコントロール絶縁膜601の少なくとも一つは、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の複合膜としてあるため、信頼性を向上させることができる。図2は、本発明による電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置の第2の実施例を示す模式的断面図である。図1に示した第1の実施例に比べて異なる点は、ドレイン領域202内のN型の低不物濃度領域961とP型の低不純物濃度領域962とが隣接して形成されており、電子注入用のトンネル絶縁膜401と電子引き抜き用のトンネル絶縁膜402はN型の低不純物濃度領域961とP型の低不純物濃度領域962との上部にまたがる形で共通の1つのウインドウ内に設けられている点である。従って、注入領域811と引き抜き領域812とは連続して配置されており、両者の境界はN型の低不純物濃度領域961とP型の低不純物濃度領域962とが接する接合の上にある。このような形態を取ることで、占有面積の縮小を図ることができる。構成のその他の部分の説明については、図1と同じ符号を付記することで説明に代える。図3は、本発明による電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置の第3の実施例を示す模式的断面図である。第1導電型のP型のシリコン基板101表面に、互いに間隔を置いて第2導電型のN型のソース領域201とドレイン領域202とが設けられ、ソース領域201とドレイン領域202との間のP型のシリコン基板101表面であるチャネル形成領域と、ソース領域201とドレイン領域202とチャネル形成領域の上には、例えばシリコン酸化膜からなる厚さ400Åのゲート絶縁膜301を介してポリシリコンなどからなるフローティングゲート電極501が設けられ、フローティングゲート電極501上には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜あるいはそれらの複合膜などからなるコントロール絶縁膜601を介して容量結合したポリシリコンなどからなるコントロールゲート電極701が形成されている。ドレイン領域202内のトンネル領域801上には、N型の低不純物濃度領域961とP型の低不純物濃度領域962が、離間して設けられており、N型の低不純物濃度領域961の表面、およびP型の低不純物濃度領域962の表面には、それぞれシリコン酸化膜やシリコン窒化膜あるいはそれらの複合膜などからなる厚さ80オングストローム程度の電子注入用のトンネル絶縁膜401、電子引き抜き用のトンネル絶縁膜402が設けられている。ここで、N型の低不純物濃度領域961の表面、に設けられた電子注入用のトンネル絶縁膜401の面積は、P型の低不純物濃度領域962の表面に設けられた電子引き抜き用のトンネル絶縁膜402の面積に比べて大きくなるように形成してある。即ち、注入領域811の方が引き抜き領域812よりも大きくなっている。これは、データの書き換え時、ドレイン領域202からフローティングゲート電極501に電荷を注入する場合には、ドレイン領域202に比べてフローティングゲート電極の電位が高く設定されるが、その際にフローティングゲート電極501とドレイン領域202との間にかかる電圧は、フローティングゲート電極501から、ドレイン領域202に電荷を引き抜く場合にフローティングゲート電極501とドレイン領域202との間にかかる電圧に比べて大きな電圧となるために、フローティングゲート電極501への電子注入を行う側のトンネル酸化膜電子注入用のトンネル酸化膜401を通過する単位面積あたりの電流密度が大きくなってしまい、偏ったストレスが生じ、劣化を早めるのを防止するためである。上述のドレイン領域202からフローティングゲート電極501に電子を注入する時とフローティングゲート電極501からドレイン領域202へ電子を引き抜き時との電位の差は、印加電圧の経路の違いに拠るものである。フローティングゲート電極501から、ドレイン領域202に電荷を引き抜く場合には、図示しないが、データ書換えを行うメモリセルを選択するためのセレクトゲートトランジスタを経由するが、その際にバックゲート電圧によるセレクトゲートトランジスタの閾値上昇により、その分、セレクトゲートトランジスタを経由して印加されるデータ書き換え用の電圧が低下した形でドレイン領域202に印加されるためである。図3に示した第3の実施例においては、N型の低不純物濃度領域961の表面に設けられた電子注入用のトンネル絶縁膜401の面積を、P型の低不純物濃度領域962の表面に設けられた電子引き抜き用のトンネル絶縁膜402の面積に比べて大きく形成することで、データの書き換え時にフローティングゲート電極501へ電子注入を行う側のトンネル酸化膜に偏ったストレスが生じてしまうことを防止し、劣化を抑制することができる。図3の例では、N型の低不純物濃度領域961の表面、に設けられた電子注入用のトンネル絶縁膜401の面積は、P型の低不純物濃度領域962の表面に設けられた電子引き抜き用のトンネル絶縁膜402の面積に比べて大きくなるように図示したが、望ましくは、ドレイン領域202からフローティングゲート電極501に電子を注入する時とフローティングゲート電極501からドレイン領域202へ電子を引き抜き時の電位の差に応じて、電子注入用のトンネル絶縁膜401と電子引き抜き用のトンネル絶縁膜402の面積比を設定して、電子注入用のトンネル絶縁膜401と電子引き抜き用のトンネル絶縁膜402のどちら側も、同じ電流密度となるように設定することがより良い。その他の説明については、図1と同じ符号を付記することで説明に代える。図4は、本発明による電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置の第4の実施例を示す模式的断面図である。図1に示した第一の実施例と異なる点は、N型の低不純物濃度領域961の表面、に設けられた電子注入用のトンネル絶縁膜401の膜厚が、P型の低不純物濃度領域962の表面に設けられた電子引き抜き用のトンネル絶縁膜402の膜厚に比べて厚く形成してある点である。注入領域811と引き抜き領域812の大きさは同じである。第3の実施例で説明したとおり、データの書き換え時、ドレイン領域202からフローティングゲート電極501に電荷を注入する場合には、ドレイン領域202に比べてフローティングゲート電極の電位が高く設定されるが、その際にフローティングゲート電極501とドレイン領域202との間にかかる電圧は、フローティングゲート電極501から、ドレイン領域202に電荷を引き抜く場合にフローティングゲート電極501とドレイン領域202との間にかかる電圧に比べて大きな電圧となる。図4に示した第4の実施例では、N型の低不純物濃度領域961の表面、に設けられた電子注入用のトンネル絶縁膜401の膜厚は、P型の低不純物濃度領域962の表面に設けられた電子引き抜き用のトンネル絶縁膜402の膜厚に比べて厚く形成してある。このため、データの書き換え時、フローティングゲート電極501へ電子注入を行う側のトンネル酸化膜に偏ったストレスが生じてしまうことを防止し、劣化を抑制することができる。図4の例では、N型の低不純物濃度領域961の表面、に設けられた電子注入用のトンネル絶縁膜401の厚さは、P型の低不純物濃度領域962の表面に設けられた電子引き抜き用のトンネル絶縁膜402の厚さに比べて厚くなるように図示したが、望ましくは、ドレイン領域202からフローティングゲート電極501に電子を注入する時とフローティングゲート電極501からドレイン領域202へ電子を引き抜き時の電位の差に応じて、電子注入用のトンネル絶縁膜401と電子引き抜き用のトンネル絶縁膜402の膜厚比を設定して、電子注入用のトンネル絶縁膜401と電子引き抜き用のトンネル絶縁膜402のどちら側も、同じ電流密度となるように設定することがより良い。その他の説明については、図1と同じ符号を付記することで説明に代える。図5は、本発明による電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置の第5の実施例を示す模式的断面図である。第1導電型のP型のシリコン基板101表面に、互いに間隔を置いて第2導電型のN型のソース領域201とドレイン領域202とが設けられ、ソース領域201とドレイン領域202との間のP型のシリコン基板101表面であるチャネル形成領域と、ソース領域201とドレイン領域202とチャネル形成領域の上には、例えばシリコン酸化膜からなる厚さ400Åのゲート絶縁膜301を介してポリシリコンなどからなるフローティングゲート電極501が設けられ、フローティングゲート電極501上には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜あるいはそれらの複合膜などからなるコントロール絶縁膜601を介して容量結合したポリシリコンなどからなるコントロールゲート電極701が形成されている。ドレイン領域202内のトンネル領域801上には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜あるいはそれらの複合膜などからなる厚さ80オングストローム程度のトンネル絶縁膜401および402が離間して設けられている。そして、離間したトンネル絶縁膜401および402上には、それぞれポリシリコンなどからなるP型の低不純物濃度のフローティングゲート電極551と、N型の低不純物濃度のフローティングゲート電極552が形成されており、図示しないが、ポリシリコンあるいは他の配線材料などにより互いに概ね同じ電位になるよう電気的に接続されている。さらに、フローティングゲート電極501ともフローティングゲート電極501から延伸されたポリシリコンなどにより同様に電気的に接続されていて、これらは概ね同電位となっている。P型の低不純物濃度のフローティングゲート電極551とその下のトンネル絶縁膜401とその下のドレイン領域の一部が注入領域811を構成し、N型の低不純物濃度のフローティングゲート電極552とその下のトンネル絶縁膜402とその下のドレイン領域の一部が引き抜き領域812を構成している。また、P型の低不純物濃度のフローティングゲート電極551と、N型の低不純物濃度のフローティングゲート電極552の不純物濃度は、それぞれ1立方センチメートル当たり1E16atms以下としてある。また、トンネル絶縁膜401あるいはコントロール絶縁膜601の少なくとも一つは、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の複合膜としてある。本実施例では、書き換え特性や保持特性に顕著に影響を与えるトンネル領域801において、ドレイン領域202の表面に離間して形成されたトンネル絶縁膜401および402上に、P型の低不純物濃度のフローティングゲート電極551と、N型の低不純物濃度のフローティングゲート電極552がそれぞれ形成されることになる。次にデータの書き換え時の動作を説明する。最初に、ドレイン領域202からフローティングゲート電極に電荷を注入する場合には、ドレイン領域202に比べてフローティングゲート電極501の電位を高く設定する。この場合、P型の低不純物濃度のフローティングゲート電極551のトンネル絶縁膜401側の界面には、電子が蓄積する方向の電界が印加されるので、P型の低不純物濃度のフローティングゲート電極551の下面に設けられているトンネル絶縁膜401には、フローティングゲート電極551とドレイン領域202との電位差がほぼ全て印加されて、ドレイン領域表面202からP型の低い不純物濃度のフローティングゲート電極551へ電子が注入される。一方、N型の低不純物濃度のフローティングゲート電極552のトンネル絶縁膜402側の界面には空乏層が広がる方向の電界が印かされるので、N型の低不純物濃度のフローティングゲート電極552の下面に設けられたトンネル絶縁膜402には、空乏層に印加される分の電圧を除いた電圧が印加される。そのため、ドレイン領域202表面からN型の低不純物濃度のフローティングゲート電極552へは電子が注入されにくいことになる。他方、ドレイン領域202表面からP型の低不純物濃度のフローティングゲート電極551へは電子が注入されやすい。次に、フローティングゲート電極501から、ドレイン領域202に電荷を引き抜く場合には、上述のドレイン領域202からフローティングゲート電極501に電荷を注入する場合と逆に、P型の低不純物濃度のフローティングゲート電極551のトンネル絶縁膜401側の界面には空乏層が広がるので、トンネル絶縁膜401には、空乏層に印加される分の電圧を除いた電圧が印加されて、フローティングゲート電極501からドレイン領域202への電子の引き抜きは行われにくい。これに対して、N型の低不純物濃度のフローティングゲート電極552のトンネル絶縁膜402側の界面には、電子が蓄積するので、N型の低不純物濃度のフローティングゲート電極552の下面に設けられているトンネル絶縁膜402には、電位差がほぼ全て印加されるため、フローティングゲート電極501からドレイン領域202への電子の引き抜きは行われやすい。このように、ドレイン領域202からフローティングゲート電極501へ電子を注入する場合と、フローティングゲート電極501からドレイン領域202へ電子を引き抜く場合とで、電子を通過させるトンネル絶縁膜401および402を使い分けることができるため、各領域におけるデータの書き換えによってトンネル絶縁膜を通過する電子の総量を従来の構造に比べ半減することができる。これによりトンネル絶縁膜401の劣化を防止することができる。ここで、P型の低不純物濃度のフローティングゲート電極551とN型低い不純物濃度のフローティングゲート電極552とは、離間して形成されたトンネル絶縁膜401および402の上にそれぞれ離間して配置したため、それぞれのトンネル絶縁膜401が確実にフローティングゲート電極501への電子注入あるいはドレイン領域202への電子引き抜きの役目を分担して果たすことができる。また、P型の低不純物濃度のフローティングゲート電極551の不純物濃度と、N型の低不純物濃度のフローティングゲート電極552の不純物濃度は、それぞれ1立方センチメートル当たり1E16atms以下としたため、データ書き換え時のドレイン領域202とフローティングゲート電極501との間の電位差により容易に表面が空乏化することができる。また、トンネル絶縁膜401あるいはコントロール絶縁膜601の少なくとも一つを、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の複合膜とすることで、信頼性を向上させることが可能となる。図6は、本発明による電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置の第6の実施例を示す模式的断面図である。図5に示した第1の実施例と比べて異なる点は、P型の低い不純物濃度のフローティングゲート電極551とN型の低い不純物濃度のフローティングゲート電極552とは、連続して形成された同一のトンネル絶縁膜401上に隣接して配置した点である。これによって占有面積を縮小することができる。その他の説明については、図5と同じ符号を付記することで説明に代える。図7は、本発明による電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置の第7の実施例を示す模式的断面図である。図6に示した第6の実施例と比べて異なる点は、P型の低い不純物濃度のフローティングゲート電極551とN型の低い不純物濃度のフローティングゲート電極552とは、シリサイド領域561により互いに電気的に同電位になるよう接続されている点である。これによって、新たな専用の配線を必要とせず、占有面積の増大を防止しながら低抵抗でP型の低い不純物濃度のフローティングゲート電極551とN型の低い不純物濃度のフローティングゲート電極552を電気的に接続するとともに、フローティングゲート電極501とも低抵抗で同電位に結ぶことができる。その他の説明については、図5、図6と同じ符号を付記することで説明に代える。以上、説明したように、本発明によるこれらの手段によって、電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置における書き換え特性や保持特性に顕著に影響を与えるトンネル絶縁膜の劣化を抑制し、高い信頼性を持った電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を得ることができる。