"基板上に、底面部の外形形状の一部または全部が円弧形状で、かつ周縁部から中央部へ連続的に厚みが増加するエッチングマスクを形成する工程と、前記エッチングマスクを用いてエッチング処理を施すことにより基板に針状の構造体を形成する工程と、前記構造体に上部斜面を形成する工程とを含むことを特徴とする針状体の製造方法。さらに前記基板に未貫通穴を形成する工程を有し、前記基板の前記未貫通穴が形成された面と反対の面の上に、前記底面部の外形形状の一部または全部が円弧形状で、かつ周縁部から中央部へ連続的に厚みが増加するエッチングマスクを形成することを特徴とする請求項1に記載の針状体の製造方法。前記基板上にレジストをパターニングした後に、前記レジストをリフローすることにより、前記エッチングマスクを形成することを特徴とする請求項1または2記載の針状体の製造方法。前記エッチングは異方性のドライエッチングであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項記載の針状体の製造方法。前記上部斜面を形成する工程は研削加工により行うことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項記載の針状体の製造方法。請求項1ないし5のいずれか1項記載の製造方法により製造された針状体。本発明の目的は、皮膚への穿刺時および複製版への転写時等に先端部の破損が生じにくい針状体を簡単な方法で大量に製造することを可能とする針状体の製造方法を提供することである。本発明の針状体の製造方法は、基板上に、底面部の外形形状の一部または全部が円弧形状で、かつ周縁部から中央部へ連続的に厚みが増加するエッチングマスクを形成する工程と、前記エッチングマスクを用いてエッチング処理を施すことにより基板に針状の構造体を形成する工程と、前記構造体に上部斜面を形成する工程とを含むことを特徴とする。また、本発明の針状体の製造方法は、さらに前記基板に未貫通穴を形成する工程を有し、前記基板の前記未貫通穴が形成された面と反対の面の上に、前記底面部の外形形状の一部または全部が円弧形状で、かつ周縁部から中央部へ連続的に厚みが増加するエッチングマスクを形成してもよい。前記エッチングマスクは、基板上にレジストをパターニングした後に、当該レジストをリフローすることにより形成することができる。また、前記エッチングは異方性のドライエッチングであってもよい。また、前記上部斜面を形成する工程は研削加工により行ってもよい。さらに、本発明は、上記の方法で製造された針状体も含む。本発明の針状体の製造方法によると、丸みを帯びた先端部を有する針状体を簡単な方法で大量に製造することが可能である。本発明の製造方法によって製造された針状体は先端部に丸みを帯びているため、皮膚への穿刺時および複製版への転写時等に先端部の破損が生じにくい。従って皮膚への穿刺性能や針状体の転写成型における歩留まりを向上させることができる。以下、本発明の針状体の製造方法の一例について説明する。図1a~cは、本発明の針状体の製造方法の一例を示す断面図である。まず、図1aに示す通り、基板11上にエッチングマスク12を形成する。ここで、基板11を構成する材料はウェットエッチング、ドライエッチング等で加工可能なものであれば良く、例えばチタン、アルミニウム、ステンレス鋼等の金属や、ポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル樹脂、フッ素樹脂等の合成樹脂、シリコンなどが挙げられる。また、エッチングマスク12は、底面部の外形形状の一部または全部に円弧形状を含み、かつ周縁部から中央部へ連続的に厚みが増加するような形状になっている。図1aにおけるエッチングマスク12は、底面部が円形をなすすなわち底面部の外形形状の全部に円弧形状を含む。このような形状を有するエッチングマスク12は、例えば基板11上にレジストを円形状にパターニングした後に、当該レジストをリフローすることにより形成することができる。次に、図1bに示す通り、上記エッチングマスク12を用いてエッチング処理を施すことにより、基板11に針状の構造体13を形成する。ここで、エッチングマスク12は周縁部から中央部へ連続的に厚みが増加しているため、エッチングが進行するのに伴ってエッチングマスク12は周縁部から徐々に除去される。その結果、基板11をテーパー形状に加工することが可能となる。なお、前記エッチングは異方性のドライエッチングであることが好ましく、例えば電子サイクロトロン共鳴ECR、誘導結合プラズマICP、磁気中性線放電NLD、マイクロ波、ヘリコン波等の各種放電方式を用いたドライエッチングを行うことが望ましい。また、前記エッチングマスク12の寸法や高さを制御することにより、前記基板11を針状に加工して得られる構造体13の根元寸法や側壁角鉛直方向に対して側壁がなす角度を制御することができる。次に、図1cに示す通り、前記構造体13に上部斜面14を形成し、針状体15を形成する。この上部斜面14を形成する工程は研削加工により好適に行うことができる。例えば、研削工具としてダイシングブレードを用いてもよい。ここで、前記上部斜面14の向きは、その先端部が円弧形状をなす向きに対応させる。これにより、図3に示したように先端部が丸みを帯びた針状体15が得られる。なお、要求される針状体15の先端角に応じて適宜前記上部斜面14の傾斜角を調整する。本発明の針状体の製造方法によって製造された針状体は先端部に丸みを帯びているため、皮膚への穿刺時および複製版への転写時等に先端部の破損が生じにくい。従って、皮膚への穿刺性能や針状体の転写成型における歩留まりを向上させることができる。また、前記エッチングマスク12を基板11上に複数アレイ状に配置することにより、簡単な工程で大量の針状体を製造することが可能である。次に、貫通穴を有する本発明の針状体の製造方法の一例について、図2a~dを用いて説明する。まず、図2aに示す通り、基板21に未貫通穴22を形成する。ここで、前記未貫通穴22を形成する工程は、ウェットエッチング、ドライエッチング、レーザー加工、機械加工等の各種の公知技術を用いることができる。次に、図2bに示す通り、前記未貫通穴22が形成された面とは反対の面の基板21上にエッチングマスク23を形成する。ここで、前記エッチングマスク23は、底面部の外形形状の一部または全部に円弧形状を含み、かつ周縁部から中央部へ連続的に厚みが増加する形状となっている。また、前記エッチングマスク23を形成する工程においては、前記エッチングマスク23と先に形成された未貫通穴22との位置合わせを行う。次に、図2cに示す通り、上記エッチングマスク23を用いてエッチング処理を施すことにより、基板21に針状の構造体24を形成する。この際、前記構造体24においては、先に形成された未貫通穴22は図2cのように貫通していても、あるいは未貫通のままでもどちらでも構わない。次に、図2dに示す通り、前記構造体24に上部斜面26を形成することにより、貫通穴25を有する針状体27が得られる。以下、実施例により、本発明の針状体の製造方法について説明する。実施例1図1a~cを参照する。まず、厚さ725μmの単結晶シリコンからなる基板11上に、スピンナーにより厚さ25μmのフォトレジスト層を形成した後、露光および現像を行い直径300μmの円形ドットパターンを形成した図示せず。次に、上記レジストパターンを150°Cでリフローすることにより、図1aに示す通り、高さ35μmの円弧状のエッチングマスク12を形成した。次に、図1bに示す通り、前記基板11を、上記エッチングマスク12をマスクとしてフロロカーボン系の混合ガスプラズマによるドライエッチング処理を施すことによって基板11を針状に加工した。ここで、得られた針状の構造体13の根元寸法は200μm、高さは500μm、側壁角は11°であった。次に、図1cに示す通り、前記構造体13にダイシングブレードを用いた研削加工により、傾斜角30°の上部斜面14を形成した。これにより、図3に示したように、先端部が丸みを帯びた高さ350μmの針状体15が得られた。実施例2図2a~dを参照する。まず、図2aに示す通り、厚さ725μmの単結晶シリコンからなる基板21に,フォトリソグラフィー、およびフロロカーボン系の混合ガスプラズマを用いたドライエッチング処理を施すことにより、直径30μm、深さ500μmの未貫通穴22を形成した。次に、図2bに示す通り、前記未貫通穴22が形成された面と反対の面の基板21上に,エッチングマスク23を形成した。なお、エッチングマスク23は前記未貫通穴22に対して10μmずらした位置に形成した。次に、図2cに示す通り、上記エッチングマスク23を用いてエッチング処理を施すことにより、基板21に針状の構造体24を形成した。次に、図2dに示す通り、前記構造体24に上部斜面26を形成することにより、先端部が丸みを帯び、かつ直径30μmの貫通穴25を有する高さ350μmの針状体27が得られた。なお、上記実施例では、底面部の外径形状の全部が円弧形状で、かつ周縁部が中央部へ連続的に厚みが増加するエッチングマスクを用いて、底面部が円形底面部の外形形状が全部円弧形状で、底部から上部に向うにつれて徐々に外径が小さくなる円錐状の側壁と、側壁の傾斜角より緩やかな傾斜角をもつ上部斜面とを有する針状体を形成する場合について述べたが、本発明はこれに限らない。例えば、底面部の外径形状の一部が円弧形状で一部が切欠部となっており、かつ周縁部が中央部へ連続的に厚みが増加するエッチングマスクを用いて、図4a,bに示すような形状の針状体を形成してもよい。ここで、図4aは針状体42の斜視図であり、図4bは図4aの平面図である。即ち、図4の針状体42は、底面部から上部斜面にかけて切欠溝41を形成した構成となっている。"