"撮像エリアに複数の画素が二次元配列されてなる固体撮像装置であって、画素毎に光電変換部が形成された半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、前記光電変換部上の領域毎に凹部を有する第1屈折率膜と、前記第1屈折率膜の凹部に一部が埋め込まれた、第1屈折率よりも高い屈折率を有する第2屈折率膜とを備え、前記複数の画素には、前記撮像エリアの中央領域にある第1の画素と、前記撮像エリアの周辺領域にある第2の画素とが含まれ、前記第2の画素における第2屈折率膜の上面は、前記第1の画素側の端部が、前記第1の画素側とは反対側の端部よりも低くなるように傾斜していることを特徴とする固体撮像装置。前記第2の画素における前記第2屈折率膜の上面は、平面状であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記第2の画素における前記第2屈折率膜の上面は、曲面状であり、当該曲面の形状は、前記第1の画素側とは反対側の端部が、当該端部よりも第1の画素側に位置するすべての点よりも高くなるような形状であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記第1屈折率膜の凸部及び第2屈折率膜上に、前記各光電変換部に対応してカラーフィルターが形成されており、前記カラーフィルターの上面と、半導体基板とが平行であり、前記第2の画素において、カラーフィルターの下面と、対応する第2屈折率膜の上面とが平行であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の固体撮像装置。前記第1屈折率膜の凸部及び第2屈折率膜上に、前記各光電変換部に対応してカラーフィルターが形成されており、前記第2の画素におけるカラーフィルターの上面は、前記第1の画素側の端部が、前記第1の画素側と反対側の端部よりも低くなるよう傾斜し、前記第2の画素において、カラーフィルターの上面、カラーフィルターの下面、及び第2屈折率膜の上面がすべて平行となっていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の固体撮像装置。前記第2屈折率材料膜上面の傾斜角が前記半導体基板の上面を基準として、0°より大きく30°以下であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の固体撮像装置。前記第1の画素における第2屈折率膜の上面は、前記半導体基板の上面と平行であることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の固体撮像装置。前記第1屈折率材料膜内に、前記光電変換部毎に反射防止膜が形成されていることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の固体撮像装置。請求項1の固体撮像装置とレンズとを備えることを特徴とする撮像モジュール。撮像エリアに、当該撮像エリアの中央領域にある第1の画素と、当該撮像エリアの周辺領域にある第2の画素とを含む複数の画素が二次元配列されてなる固体撮像装置の製造方法であって、半導体基板に、画素毎に光電変換部を形成する工程と、前記半導体基板上に、前記光電変換部上の領域毎に凹部を有する第1屈折率膜を形成する工程と、前記第1屈折率膜の凹部に一部が埋め込まれ、前記第2の画素における第2屈折率膜の上面は、前記第1の画素側の端部が、前記第1の画素側とは反対側の端部よりも低くなるように傾斜するよう、第1屈折率よりも高い屈折率を有する第2屈折率膜を形成する工程とを含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。一般に、カメラレンズから入射した光は焦点を通った後、広がって固体撮像装置に入射することから、撮像エリアの中央領域にある画素では光が略垂直方向から入射し、撮像エリアの周辺領域にある画素では光が斜め方向から入射する。そのため、上記従来の固体撮像装置において、撮像エリアの周辺領域にある画素では、固体撮像装置の感度が低下するという課題がある。その要因のひとつとして、上記従来の固体撮像装置では、コア層の上面と半導体基板上面とが平行になるよう形成されているため、周辺領域にある画素では、コア層上面に光が斜め方向から大きな入射角で入射することが挙げられる。コア層上面に入射する光の入射角が大きくなると、コア層上面で光が反射しやすくなりコア層内部へ透過する光が減ることにより、周辺領域の画素における感度が低下する。本発明は、上記問題の解決を図るべくなされたものであって、周辺領域にある画素でもコア層上面で光が反射しにくく、固体撮像装置の周辺領域の画素における感度の低下を抑制できる固体撮像装置とその製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明に係る固体撮像装置は、撮像エリアに複数の画素が二次元配列されてなる固体撮像装置であって、画素毎に光電変換部が形成された半導体基板と、半導体基板上に形成され、光電変換部上の領域毎に凹部を有する第1屈折率膜と、第1屈折率膜の凹部に一部が埋め込まれた、第1屈折率よりも高い屈折率を有する第2屈折率膜とを備え、複数の画素には、撮像エリアの中央領域にある第1の画素と、撮像エリアの周辺領域にある第2の画素とが含まれ、第2の画素における第2屈折率膜の上面は、第1の画素側の端部が、第1の画素側とは反対側の端部よりも低くなるように傾斜していることを特徴とする。また、本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、撮像エリアに、当該撮像エリアの中央領域にある第1の画素と、当該撮像エリアの周辺領域にある第2の画素とを含む複数の画素が二次元配列されてなる固体撮像装置の製造方法であって、半導体基板に、画素毎に光電変換部を形成する工程と、半導体基板上に、光電変換部上の領域毎に凹部を有する第1屈折率膜を形成する工程と、第1屈折率膜の凹部に一部が埋め込まれ、第2の画素における第2屈折率膜の上面は、第1の画素側の端部が、第1の画素側とは反対側の端部よりも低くなるように傾斜するよう、第1屈折率よりも高い屈折率を有する第2屈折率膜を形成する工程とを含むことを特徴とする。本発明に係る固体撮像装置では、撮像エリアの周辺領域にある画素において、第2屈折率膜であるコア層上面は、中央領域にある画素側の端部が、中央領域にある画素側と反対側の端部よりも低くなるよう傾斜するよう形成される。なお、端部の高さとは、半導体基板上面からの高さをいう。この構成により、周辺領域にある画素において、マイクロレンズを通った光は、コア層上面に垂直な方向と光の入射方向との成す角度である光の入射角度を、コア層上面が半導体基板に対して平行な場合よりも、小さくすることができる。そのため、従来と比べてコア層上面での光の反射を抑制することができる。すなわち、周辺領域にある画素でもコア層上面で光が反射しにくく、固体撮像装置の周辺領域の画素における感度の低下を抑制できる。実施の形態11.固体撮像装置100の全体構成図1は、実施の形態1に係る固体撮像装置100の平面図である。固体撮像装置100は、撮像エリア110に複数の画素が二次元配列されてなる。撮像エリア110において、中央領域120では光が垂直方向から入射し、周辺領域130では光が斜め方向から入射する。中央領域120にある画素を中央画素150、周辺領域130にある画素を周辺画素140とする。以下、周辺画素140としては、垂直転送方向では中央領域120と同じ位置にあり、水平転送方向では撮像エリア110の周縁部に位置するものを例に挙げて説明する。図2は、図1に示した固体撮像装置100の周辺画素140周辺の拡大図である。固体撮像装置100には、画素毎に光電変換部である正方形のフォトダイオード18が形成されている。また、固体撮像装置100は、水平方向に隣り合うフォトダイオード18間に形成された垂直転送レジスタ22、垂直転送レジスタ22上に形成された垂直転送電極32、及び垂直転送レジスタ24上にフォトダイオード18が露出するように開口を有する接続電極36を備える。垂直転送電極32と接続電極36とは、コンタクト34を介して接続されている。2.固体撮像装置100の周辺領域130における構成図3は、図2に示したA-A線での断面図であり、X軸正方向に、図1に示した中央画素150がある。固体撮像装置100は、n領域10とpウェル領域12とからなる半導体基板11、pウェル領域12内に形成されたフォトダイオード18及び垂直転送レジスタ24、pウェル領域12上を覆うように積層された絶縁膜30、絶縁膜30上に形成された電極32、及び電極32上に形成された第1屈折率材料膜であるクラッド層40とクラッド層40上に形成されたクラッド層の屈折率よりも高い屈折率を持つ第2屈折率材料膜であるコア層42とからなる導波路44を備えている。フォトダイオード18は、下層のn型拡散層14と上層のp型のホールアキュムレーション層16とからなる。また、フォトダイオード18上面を覆う絶縁膜30上に、反射防止膜31が形成される。絶縁膜30は、例えば、シリコン酸化膜からなり、反射防止膜31は、例えば、シリコン窒化膜からなる。なお、反射防止膜31の屈折率は、半導体基板11の屈折率より大きく、クラッド層40の屈折率より小さい。フォトダイオード18の一方側には、読み出しゲート28を介して垂直転送レジスタ24が形成されている。フォトダイオード18の他方側には、チャネルストップ領域としてのp型層26が形成されている。また、垂直転送レジスタ24が、下層のp型層20と上層のn型層の転送チャネル22とから形成される。また、垂直転送レジスタ24及び読み出しゲート28上に、絶縁膜30を介して、電荷読み出し及び電荷転送電極の機能を有する、例えば、ポリシリコン膜からなる電極32が形成される。さらに、電極32を覆うように、絶縁膜33を介して、遮光膜を兼ねた接続電極36が形成される。接続電極36と電極32はコンタクト34で接続されている。反射防止膜31及び接続電極36上を覆うように、フォトダイオード18上の領域毎に凹部40aを有するクラッド層40が形成され、クラッド層40の凹部40aに一部が埋め込まれたコア層42が形成される。クラッド層40とコア層42とからなる導波路44上に、例えば、窒化シリコンSiNやSiONからなるパッシベーション膜60が形成され、さらに、例えば、アクリル樹脂などの有機塗布膜からなる平坦化膜62、カラーフィルター64、及びマイクロレンズ66による積層構造が形成されている。なお導波路44、カラーフィルター64、及びマイクロレンズ66のレイアウト位置は、レイアウト中心が一致しても、カメラレンズに合わせてずらしても良い。3.周辺領域130にある周辺画素140における導波路44の詳細な説明導波路44のコア層42の上面42aは、平面視すると、四角形状となっている。また、固体撮像装置100の水平転送方向に沿う断面では、半導体基板11上面の平行面に対する斜め入射光が、導波路44のコア層42の上面42aに対し小さな入射角で入射するよう、導波路44におけるコア層42の上面42aは、中央画素150側の端部42cが、中央画素150と反対側の端部42dよりも低くなるよう傾斜して形成される。固体撮像装置100における中央画素150側の端部42cとは、撮像エリア110を平面視したときにおいて、周辺画素140の中心点及び中央画素150の中心点を結ぶ直線と、コア層42の上面42aの輪郭線本実施形態では四角形状であるとの2つの交点のうち、中央画素150に近い点をいう。中央画素150と反対側の端部42dとは、当該交点のうち、中央画素150に遠い点を言う。端部の高さとは、半導体基板11上面からの高さをいう。周辺画素140において、垂直転送方向に沿う断面から見ると光は略垂直に入射するように見え、水平転送方向断面から見ると光が斜め方向から入射するように見える。そのため、水平転送方向に沿う断面のみ導波路44のコア層42の上面42aを傾斜するよう形成する。コア層42の上面42aの半導体基板11の平行面に対する傾斜角度は、0°より大きく30°以下であり、この構成では、F値1~12での斜め光に対しコア層42上面42aが略垂直方向となる。なお、当該コア層42の上面42aの傾斜角度はカメラレンズ毎に異なる。また、コア層42の上面42aの傾斜により、コア層42の中央画素150側の端部と中央画素150側と反対側の端部とでは、例えば、画素サイズが1.0μmの場合、20~300nmの段差が形成される。また、コア層42の上面42aの直径または一辺長は、400~800nmで形成する。クラッド層40は、例えば、シリコン酸化膜等で形成され、コア層42は、例えば、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜等で形成される。コア層42の屈折率n1は、クラッド層40の屈折率n2とすると、n1=2.00、n2=1.45のようにn1>n2となるようにする。コア層42の上面から内部に入射した光が、コア層42とクラッド層40との界面42bに到達すると、コア層42の屈折率よりも低い屈折率の材料からなるクラッド層40に入りにくく、当該界面42bで光が反射する。そのため、導波路44により、積層方向上方から入射した光が、下方のフォトダイオード18へと導かれる。以上、特定の画素140を例に挙げて説明したが、周辺領域130内に存在するどの画素でも同様である。すなわち、コア層42の上面42aの中央画素150側の端部42cが、中央画素150と反対側の端部42dよりも低くなるよう傾斜する平面に形成される。4.固体撮像装置100の中央領域120における構成図4は、図1に示した中央領域120にある画素の、水平転送方向に沿う断面図である。中央領域120における固体撮像装置100の垂直転送方向に沿う断面から見ると、コア層42の上面は、光は略垂直な方向から入射するので、導波路44のコア層42の上面42aが半導体基板11に平行となるよう形成されている。5.導波路44の製造方法本発明の実施の形態1における、固体撮像装置100の製造方法について、図5~7を用いて要部となる導波路形成工程を説明する。なお、図5~7は、図3に示した固体撮像装置100の水平転送方向に沿う断面図である。図5に示すように、フォトダイオード18及び垂直転送レジスタ24が形成された半導体ウェル層12上に、電極32、接続電極36、及びそれらを覆うクラッド層40が形成されている。クラッド層40上にコア層の材料42eを堆積した後、レジスト膜50をエッチングマスクとする。レジスト膜50は、リソグラフィー技術によって、開口部50aと傾斜した上面50bを有するよう形成する。本リソグラフィー技術は、例えば、グレースケールマスク52を適用する。グレースケールマスク52は、石英ガラス52aと、石英ガラス52a上に形成されたクロム層52bとからなる。クロム層52bに、微小なサイズの開口が配置される。当該開口密度を変化させることで、クロム層52bの透過率が変化するため、傾斜した上面50bを持つレジスト膜50を形成できる。なお、グレースケールマスク52の透過率は、レジスト膜50の傾斜した上面50bの高さをより高くする部分に対応するものをより小さくする。図6に示すように、レジスト膜50をエッチングする。レジスト膜50が存在しない部分では、コア層の材料42eがエッチングされる。図6に示した製造工程を経て、図7に示すように、フォトダイオード18上の領域に凹部40aを有するクラッド層40と、クラッド層40の凹部40aに一部が埋め込まれたコア層42とからなる、導波路44を形成する。具体的には、エッチングはドライエッチングで行い、レジスト膜50が転写されることでコア層42の上面の傾斜が形成される。その後、他の領域で残っているレジスト膜50を除去する。6.固体撮像装置100の駆動図8aは固体撮像装置100を用いたモジュール1の模式図である。モジュール1は、例えば、デジタルカメラが考えられる。カメラレンズ400を通りマイクロレンズ66から入射した光は、導波路44を通り光電変換部であるフォトダイオード18に入射する。フォトダイオード18で光電変換が行われ、入射光に対応する電荷が発生する。発生した電荷は、読み出しゲート28を介して垂直転送レジスタ24に移動する。その後、電荷は、垂直転送レジスタ24から水平転送レジスタに移動し、外部に取り出される。7.導波路44の設計方法撮像エリア110内で、グレースケールマスクを用いる場合、図8bに示すように、任意エリアでコア層42の傾斜方向の設定が可能となる。エリア5が撮像エリア110の中央領域120にあり中央画素150の存在する領域、エリア5以外が撮像エリア110の周辺領域130にあり周辺画素140の存在する領域である。なお、撮像エリア110中心点の位置するエリア5を除く導波路44のコア層42を傾斜させる領域は、撮像エリア110全体の5~20の領域となる。撮像領域を分けた9つのエリアの傾斜角は、各エリアそれぞれ、中央画素150側の端部42cが、中央画素150と反対側の端部42dよりも低くなるような、一定の角度で設計する。図3に示す断面構造は、エリア2にある画素のものである。なお、エリア1、3、7、9のように角に位置する画素では、水平転送方向に沿う断面から見たときのみならず、垂直転送方向に沿う断面から見たときでも、導波路44のコア層42の上面42aが、中央画素150側の端部が中央画素150と反対側の端部よりも低くなる傾斜面として形成される。また、エリア4,6における導波路44コア層42の上面42aの傾斜角は、エリア2、8における導波路44コア層42の上面42aの傾きより小さい。これは、撮像エリア110中心点からより遠い方が、斜め光の入射角がより大きくなるため、対応して撮像エリア110中心点からの距離が大きい方が、より傾きが小さくなるよう傾きを調整する必要があるからである。8.効果この構成では、光が斜め方向から入射する周辺領域130にある画素において、導波路44のコア層42の上面42aは、中央画素150側の端部が、中央画素150側と反対側の端部よりも低くなるよう傾斜している。そのため、コア層42の上面42aの法線は、撮像エリア110中心点付近を向いており、コア層42の上面42aへの光の入射角は小さくなる。すなわち、周辺領域130にある画素でも、導波路44のコア層42の上面42aで光が反射しにくい。よって、撮像エリア110の周辺領域130での光のケラレが減少し、固体撮像装置100の撮像エリア110の周辺領域130における感度の低下を抑制できる実施の形態21.構成図9は、本発明の実施の形態2における、固体撮像装置200の周辺領域130にある周辺画素140の水平転送方向に沿う断面図である。下記以外の構成は、固体撮像装置100と同じなので説明を省略する。固体撮像装置200は、クラッド層240とコア層242とからなる導波路244、導波路244上に形成されたパッシベーション膜260、パッシベーション膜260上に形成されたカラーフィルター264、及びカラーフィルター264上に形成されたマイクロレンズ266を備える。すべての画素において、カラーフィルター264は、パッシベーション膜260が形成されたクラッド層240の凸部及びコア層242上に形成され、カラーフィルター264の上面とn領域10とが平行である。また、周辺領域130にある周辺画素140において、カラーフィルター264の下面と、対応するコア層242の上面242aとが平行である。2.効果この構成では、カラーフィルター264は、平坦化膜としての機能も兼ねる。そのため、実施の形態1におけるカラーフィルター64下の平坦化膜62が無いので、製造工程を減らして固体撮像装置を製造することができる。また、実施の形態1と比べ、マイクロレンズ266の位置を下げた低背化構造が実現でき、カメラレンズ400と固体撮像装置200との間の距離を小さくすることができる。さらに、固体撮像装置200内の界面の数が減り、界面での光吸収が抑制されるため、固体撮像装置200の感度向上につながる。実施の形態31.構成図10は、本発明の実施の形態3における、固体撮像装置300の周辺領域130にある周辺画素140での水平転送方向に沿う断面図である。固体撮像装置100と同じなので説明を省略する。固体撮像装置300は、クラッド層340とコア層342とからなる導波路344、導波路344上に形成されたパッシベーション膜360、パッシベーション膜360上に均一な厚さで形成されたカラーフィルター364、及びカラーフィルター364上に形成された平坦化膜365を備える。すべての画素においてカラーフィルター364は、パッシベーション膜360が形成されたクラッド層340の凸部及びコア層342上に形成されている。また、光が斜め方向から入射する周辺領域130の周辺画素140におけるカラーフィルター364の上面364aは、中央画素150側の端部が、中央画素150側と反対側の端部よりも低くなるよう傾斜している。2.効果本実施の形態では、実施の形態1と比べて、マイクロレンズ366の位置の下がった低背化構造が実現でき、カメラレンズ400と固体撮像装置300との間の距離を小さくすることができる。また、カラーフィルター364の厚みを均一にできるので、実施の形態2と比べて、カラーフィルター364による光の吸収を低減し、固体撮像装置300の感度を向上できる。[変形例]1.コア層上面の傾きコア層上面の傾きは、実施の形態等で示したように、撮像領域を9つのエリアに分け、エリアごとにそれぞれ一定としても良いし、例えば、より細かくエリア分けを行い、撮像エリア中心点から近いエリアほど傾きを緩やかにする等の構成を採っても良い。また、実施の形態等では、撮像エリアの角に位置する領域では、垂直転送方向に沿う断面から見たときでも、水平転送方向に沿う断面から見たときでも、コア層上面を傾斜させる構成を採っているが、図8bにおけるエリア1,2,3,7,8,9を水平転送方向に沿う断面から見たとき、エリア4,6を垂直転送方向に沿う断面から見たとき、それぞれコア層上面を傾斜させる構成を採っても良い。2.コア層上面が曲面状である場合コア層上面の形状は、実施の形態等で示した傾斜した平面状でも良いし、傾斜した曲面状でも良い。当該曲面の形状として、例えば、上または下に凸な曲面形状がある。また、曲面の形状は、撮像エリア中心点を通るよう曲面を切った断面を考えるとき、当該断面の上側の曲線の接線の傾きは、常に正もしくは常に負となる曲面であるほうが好ましい。中央領域120にある画素側と反対側の端部が、中央領域120にある画素側の点よりも高くなるような形状であるほうが好ましい。3.その他実施の形態等では、CCDタイプの固体撮像装置を用いたが、MOSタイプの固体撮像装置を用いても良い。実施の形態等において、導波路上に形成されるパッシベーション膜、及びクラッド層内に、フォトダイオード毎に形成されている反射防止膜は無くても良い。コア層上面の形状は、実施の形態等で示した四角柱状でも良いし、例えば、円形状、三角形状、五角形状、その他多角形状を採ってもよい。実施の形態2,3では、パッシベーション膜が形成された導波路上に直接カラーフィルターが形成されているが、パッシベーション膜とカラーフィルターとの間に平坦化膜を形成し、カラーフィルターの下面と半導体基板とを任意の傾きで傾けるような構成を採っても良い。なお、本発明に係る固体撮像装置の構成などは、上記実施の形態に係る固体撮像装置の構成に限定されるものではなく、本発明の効果を奏する範囲において、種々の変形および応用が可能である。そして、技術的思想を逸脱しない範囲において、上述の各工程で使用したプロセスを、他の等価なプロセスに置換することが可能である。また、工程順を入れ替えることも、材料種を変更することも可能である。"