"円形凹部と該円形凹部を囲繞する環状凸部とを裏面に備えるウエーハであって、該円形凹部の直径が該環状凸部の上面から該円形凹部の底面に向かって大きくなる様に該環状凸部の内周壁が傾斜していることを特徴とするウエーハ。請求項1記載のウエーハを搬送するウエーハの搬送方法であって、複数の支持指を前記円形凹部内に挿入し、該支持指を半径方向外側に移動して前記環状凸部の前記内周壁の上方を該支持指で支持した状態でウエーハを搬送することを特徴とするウエーハの搬送方法。ところで、ウエーハのデバイスが個別半導体デバイスの場合、円形凹部の底面に電極となる金属膜を形成する。このようなウエーハでは、円形凹部を直接吸着パッドで吸着して搬送すると、吸着パッドとの接触により異物コンタミが円形凹部に付着して金属膜形成時に問題となる。一方、ベルヌーイパッドを用いた非接触搬送では、発生する負圧でウエーハの円形凹部の部分が撓んで環状凸部と円形凹部との境界から破損してしまう恐れがあるとともに、搬送時にウエーハが横滑りすることによる搬送の難しさもある。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、上述した従来の問題点を解決したウエーハ及びウエーハの搬送方法を提供することである。請求項1記載の発明によると、円形凹部と該円形凹部を囲繞する環状凸部とを裏面に備えるウエーハであって、該円形凹部の直径が該環状凸部の上面から該円形凹部の底面に向かって大きくなる様に該環状凸部の内周壁が傾斜していることを特徴とするウエーハが提供される。請求項2記載の発明によると、請求項1記載のウエーハを搬送するウエーハの搬送方法であって、複数の支持指を前記円形凹部内に挿入し、該支持指を半径方向外側に移動して前記環状凸部の前記内周壁の上方を該支持指で支持した状態でウエーハを搬送することを特徴とするウエーハの搬送方法が提供される。請求項1記載の発明によると、ウエーハの搬送時に円形凹部の底面に異物コンタミが付着することがなく、また搬送中に環状凸部と円形凹部との境界から破損する恐れが低減された裏面に円形凹部と該円形凹部を囲繞する環状凸部とを備えるウエーハが提供される。請求項2記載の発明によると、円形凹部の底面に異物コンタミを付着させる恐れがなく、また搬送中に環状凸部と円形凹部との境界から破損する恐れが低減されたウエーハの搬送方法が提供される。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は所定の厚さに加工される前の半導体ウエーハの斜視図である。図1に示す半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハから成っており、表面11aに複数のストリート13が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート13によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19を備えている。また、半導体ウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。半導体ウエーハ11の表面11aには、保護テープ貼着工程により保護テープ23が貼着される。従って、半導体ウエーハ11の表面11aは保護テープ23によって保護され、図2に示すように裏面11bが露出する形態となる。図3を参照すると、本発明のウエーハの形成方法およびウエーハの搬送方法を実施するのに適した研削装置2の斜視図が示されている。4は研削装置2のベースであり、ベース4の後方にはコラム6が立設されている。このコラム6には、上下方向に伸びる一対のガイドレール8が固定されている。この一対のガイドレール8に沿って研削ユニット研削手段10が上下方向に移動可能に装着されている。研削ユニット10は、研削ユニット10のハウジング20を支持する支持ブラケット34が一対のガイドレール8に沿って上下方向に移動する移動基台12に取り付けられている。研削ユニット10はハウジング20と、ハウジング20中に回転可能に収容されたスピンドル22と、スピンドル22を回転駆動するモータ24と、スピンドル22の先端に固定されたホイールマウント26と、ホイールマウント26に着脱可能に装着された研削ホイール28を含んでいる。研削ユニット10は、研削ユニット10を一対の案内レール8に沿って上下方向に移動するボールねじ14とパルスモータ16とから構成される研削ユニット送り機構18を備えている。パルスモータ16を駆動すると、ボールねじ14が回転し、移動基台12が上下方向に移動される。ベース4の中間部分にはチャックテーブル38を備えたチャックテーブル機構36が配設されている。チャックテーブル38は図示しないチャックテーブル移動機構により、ウエーハ搬入搬出領域と研削ユニット10に対向する切削領域との間でY軸方向に移動される。40はチャックテーブル機構36をカバーする蛇腹である。ベース4の前側部分には2個のカセット載置台42,44が一体的に形成されており、カセット載置台42上には研削前のウエーハを収容するカセット46が載置され、カセット載置台44上には研削後のウエーハを収容するカセット48が載置される。2個のカセット載置台42,44に加えて、ベース4の前側部分にはウエーハ搬送ロボット50と、複数の位置決めピン54を有する位置決め機構52と、ウエーハ搬入機構ローディングアーム56と、ウエーハ搬出機構アンローディングアーム58と、スピンナテーブル61を有するスピンナ洗浄ユニット60が配設されている。図4を参照すると、ウエーハ搬出機構アンローディングアーム58の要部斜視図が示されている。ウエーハ搬出機構58は、旋回アーム62と、旋回アーム62の先端に取り付けられたヘッド部64と、ヘッド部64に装着された伸縮可能な一対の支持部材66,68と、支持部材66,68の先端に装着された支持指70とから構成される。支持指70はゴム等の弾性部材から形成されるのが好ましい。一対の支持部材66,68は、例えばヘッド部64中に収容されたエアシリンダによりヘッド部64に対して伸縮される。次に、図5乃至図7を参照して、本発明第1実施形態のウエーハの形成方法について説明する。本実施形態の形成方法は、図6に最もよく示されるように、傾斜した外周面32aを有する複数の研削砥石32を基台30の下端部に環状に配設した研削ホイール28を用いて研削により実施する。研削砥石32の外周面32aは基台30から離れるに従って半径方向外側に傾斜している。ウエーハ11は保護テープ23側がチャックテーブル38により吸引保持され、ウエーハ11の裏面11bが研削砥石32に対向してセットされる。ここで、チャックテーブル38に保持されたウエーハ11と研削ホイール28に装着された研削砥石32との関係について図7を参照して説明する。チャックテーブル38の回転中心P1と環状に配設された研削砥石32の回転中心P2は偏心しており、研削砥石32の外径はウエーハ11のデバイス領域17と外周余剰領域19との境界線25の直径より小さく境界線25の半径より大きい寸法に設定され、環状に配設された研削砥石32がチャックテーブル38の回転中心P1を通過するような関係になっている。図5及び図6に示すように、チャックテーブル38を矢印aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール28を矢印bで示す方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、研削ユニット送り機構18を作動して研削ホイール28の研削砥石32をウエーハ11の裏面に接触させる。そして、切削ホイール28を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りさせつつ、矢印cで示す方向に低速で移動させる。その結果、半導体ウエーハ11の裏面には、図8に示すように、デバイス領域17に対応する領域が研削除去されて所定厚さ例えば50μmの円形凹部72が形成されるとともに、外周余剰領域19に対応する領域は残存されて外周余剰領域19を含む環状凸部74が形成される。円形凹部72の直径が環状凸部74の上面74aから円形凹部72の底面72aに向かって大きくなる様に環状凸部74の内周壁74bが傾斜している。換言すると、環状凸部74の内周壁74bは、ウエーハ11の裏面11bから表面11aに向けて半径方向外側に傾斜している。図9を参照すると、本発明第2実施形態のウエーハの形成方法の一部断面側面図が示されている。本実施形態では、まず傾斜していない研削砥石を用いてウエーハ11のデバイス領域17に対応するウエーハの裏面を研削して円形凹部72を形成する。この研削により、環状凸部74の内周壁74cは円形凹部72の底面72aに対して垂直となる。次いで、傾斜したスピンドル78に装着された切削ブレード80で環状凸部74の内周壁74cをトリミングして、環状凸部74に傾斜した内周壁74bを形成する。このように傾斜したスピンドル78に装着された切削ブレード80によるトリミングによっても、第1実施形態と同様に、環状凸部74に傾斜した内周壁74bを形成することができる。第2実施形態の変形例として、まず、傾斜したスピンドル78に装着された切削ブレード80でウエーハ11のデバイス領域17と外周余剰領域19との境界線25に対応するウエーハ11の裏面11bに傾斜した環状溝を形成し、次いで環状溝の内周側に研削により円形凹部を形成するようにしてもよい。即ち、この変形例は第2実施形態のウエーハの形成方法の円形凹部形成ステップ及びトリミングステップを逆にしたものである。第1実施形態の形成方法によりウエーハ11の裏面11bの研削の終了したウエーハ11は、チャックテーブル移動機構を駆動することによりウエーハ搬入搬出領域に移動されて、ウエーハ搬出機構58によりチャックテーブル38から搬出される。この搬出方法搬送方法について図10及び図11を参照して詳細に説明する。図10に示すように、ウエーハ搬出機構58の支持部材66,68を縮めた状態で旋回アーム62を下降し、支持部材66,68の先端の支持指70をウエーハ11の円形凹部72中に挿入する。そして、ヘッド部64に内蔵されているエアシリンダを駆動して支持部材66,68を図11で矢印Aで示すように伸長し、支持指70で環状凸部74の内周壁74bの上方を支持する。支持部材66,68の伸縮はヘッド部64中に収容したエアシリンダで行うが、支持部材66,68の途中にスプリングを介装することにより、支持指70による環状凸部74の内周壁74bの上方の支持をより確実にすることができる。チャックテーブル38の吸引保持を解除してから、支持指70で環状凸部74の内周壁74bの上方を支持した状態で旋回アーム62を上昇してから図3で反時計周り方向に旋回し、スピンナ洗浄ユニット60のスピンナテーブル61まで搬送し、エアシリンダにより支持部材66,68をヘッド部64に引き込むことにより、ウエーハ11をスピンナテーブル61に載置する。スピンナ洗浄ユニット60でウエーハ11を洗浄及びスピン乾燥した後、ウエーハ搬送ロボット50で洗浄後のウエーハ11を吸引保持してカセット48の所定位置に挿入する。上述した実施形態では、本発明を半導体ウエーハ11に適用した例について説明したが、ウエーハは半導体ウエーハに限定されるものではなく、サファイアウエーハ、SiCウエーハ等の他のウエーハも含むものである。また、図1に示した半導体ウエーハ11はその表面11aに複数のデバイス15が形成されているが、本発明のウエーハは表面にデバイスを有しないインゴットから切り出されたウエーハを含むものである。更に、図8及び図9に示したウエーハ11は、環状凸部74が傾斜した内周壁74bを有しているが、この傾斜した内周壁74bを階段状に形成するようにしてもよい。傾斜した内周壁74bの形成方法は、上述した第1及び第2実施形態の形成方法に限定されるものではない。"