堆積反応炉であって、反応物をプラズマ源から反応室に向けて上から下への流れとして導くように構成された拡張空間を画成する供給部であって、前記拡張空間が前記反応室に向かって広がる供給部と、少なくとも1つの基板を前記反応室の上側から前記反応室に装填するための昇降機構と、を備え、前記堆積反応炉は、前記反応室内の前記少なくとも1つの基板上に連続自己飽和表面反応によって材料を堆積させるように構成される、堆積反応炉。前記昇降機構は前記供給部の寸法を変えるように構成される、請求項1に記載の堆積反応炉。前記供給部は収縮形状と伸長形状とを有し、前記昇降機構は前記供給部を前記伸長形状から前記収縮形状に移行させるよう、該供給部を押すまたは引くように構成され、前記供給部がその収縮形状のときに前記少なくとも1つの基板の前記装填を可能にする、請求項1または2に記載の堆積反応炉。前記供給部は鉛直方向に変形するように構成される、請求項1から3の何れか1項に記載の堆積反応炉。前記供給部は相互に嵌入するよう移動可能な1組の入れ子部分またはリング状部材を備える、請求項1から4の何れか1項に記載の堆積反応炉。前記供給部は2つの入れ子部分で構成される、請求項1から5の何れか1項に記載の堆積反応炉。前記供給部は拡張空間のフランジに取り付けられ、前記フランジは、堆積中、前記反応室の上側フランジに嵌着される、請求項1から6の何れか1項に記載の堆積反応炉。前記昇降機構は、前記少なくとも1つの基板を担持する基板ホルダを装填または取り出しのための上方位置と堆積のための下方位置との間で移動させるように構成される、請求項1から7の何れか1項に記載の堆積反応炉。前記プラズマ源と前記反応室との間に基板移送室を備える、請求項1から8の何れか1項に記載の堆積反応炉。前記基板移送室は、ロードロック用の界面を備える、請求項8に記載の堆積反応炉。前記供給部に手動式アクセスハッチを備える、請求項1に記載の堆積反応炉。前記昇降機構は、対称的に載置された複数の昇降機を備える、請求項1から11の何れか1項に記載の堆積反応炉。前記堆積反応炉は、前記少なくとも1つの基板を担持する基板ホルダを前記反応空間内の前記ガス流に対する一次障害物として使用するように構成される、請求項1から12の何れか1項に記載の堆積反応炉。前記基板ホルダと反応室壁との間に流れ調整部を備える、請求項1から13の何れか1項に記載の堆積反応炉。請求項1から14の何れか1項に記載の堆積反応炉を作動させること、を含む方法。この実施例においては、ALD反応炉に自動化されたウエハ装填システムと遠隔プラズマ発生器とを装備した。ウエハ装填システムをゲート弁によってロードロックフランジ122図1に取り付けた。この実験においては、堆積反応炉を閉鎖部材115なしで作動させ、プラズマ発生器を移送室の上側フランジ121の上に取り付けた。ALD反応炉の非ラジカル前駆体用供給管路371、372を窒素ガスでパージした。窒素の流量は、前記供給管路の各々において一般に50~150sccmの範囲内であった。反応室331の圧力をラジカルによる処理に適した圧力に維持するために、供給管路においては低窒素流量50sccmの使用が好ましいことも分かった。遠隔プラズマ発生器とALD反応室との間のラジカル源管路をアルゴンガスでパージした。アルゴンの流量は、一般に10~100sccmの範囲内であった。プラズマを確実に活性化するには、低アルゴン流量20sccmの使用が好ましいことも分かった。真空ポンプによって反応炉を真空に維持しながら、ALD反応室を200°Cに加熱した。プラズマ源によってラジカルを発生させている間、反応室の圧力は0.2~1.0hPaの範囲内であることが好ましいことも分かった。拡張空間のフランジ224を、拡張空間の入れ子部分241、242と共に、昇降機250によってウエハ操作位置に上昇させた。ゲート弁を開き、100mmのシリコンウエハを一枚有するウエハフォークを自動ウエハ装填システムによって、拡張空間のフランジ224と反応室のフランジ234との間の開離間隙を通して、基板ホルダ361の両区間の上方の空間に押し込んだ。次に、基板が基板ホルダ361の両区間に載るまで、ウエハフォークを下降させた。基板ホルダ361はその左右区間の間に開離間隙を有し、その間隙の幅は、ウエハフォークを基板ホルダの両側間で自由に上下移動させることが可能でありながら、ウエハフォークから取り上げられたウエハを基板ホルダの両区間でしっかり支持するために十分であった。その後、空のウエハフォークを基板ホルダ361の両区間の下方の空間からロードロック空間図示せずまで水平方向に引き込んだ。ロードロックフランジ122に取り付けたゲート弁図示せずによって、反応室を取り囲む反応炉の中間空間をロードロック空間から密閉した。空圧式昇降システムによって拡張空間のフランジ224を基板ホルダ361と共に反応室上の堆積位置まで下降させ、反応室空間を中間空間から密閉した。供給管路371を通してトリメチルアルミニウムTMA蒸気を反応室に0.1秒間パルス送出することによって、堆積プロセスを開始した。TMA分子が基板表面に化学吸着されてアルミニウム前駆体種の分子層が基板表面に形成された。その後、余分なTMA分子と表面反応から生じた反応副生成物メタンCH4分子などとを除去するために、非ラジカル前駆体供給管路371、372からの窒素とプラズマ発生器からのアルゴンガスとで反応室を8秒間パージした。遠隔プラズマ発生器側への反応性ガスの逆流を阻止するために、遠隔プラズマ発生器を通してアルゴンガスをALD反応室に連続的に流した。アルゴンの質量流量は20sccmであった。流れているアルゴンガスに酸素ガスを注入するために、遠隔プラズマ発生器の前にある酸素ガス管路のパルス送出弁を開いた。酸素ガスの質量流量は50sccmであった。酸素ガスの注入により遠隔プラズマ発生器内の圧力が変わったため、遠隔プラズマ発生器内におけるアルゴンと酸素ガスの混合流の安定化を1.5秒間待機した。この事前待機状態この実験では1.5秒間は、堆積プロセス中、各パルス送出シーケンスにおいてプラズマを確実にオンにするために役立った。次に、プラズマ発生器の電力レベルをRF電力オフレベルp1=0WからRF電力オンレベルp2=2500Wに上げ、酸素ラジカルを発生させるためにこのRF電力オンレベルを6秒間維持した。その後、電力レベルをRF電力オフレベルp1=0Wに戻した。0.5秒後、酸素ガス管路のパルス送出弁を閉じた。RF電力レベルの低下後の任意使用の事後待機状態この実験では0.5秒間は、堆積プロセス中、各パルス送出シーケンスにおいて制御された方法でプラズマを確実にオフにするために役立った。上記の基本的なパルス送出シーケンスを完了するために、TMAパルス後と同じ方法でシステムをパージすることによって残留前駆体分子と反応副生成物とを反応室から除去した。TMAパルス/パージ/ラジカルパルス/パージから成るパルス送出シーケンスを500回繰り返した。堆積プロセス後、昇降機250によって拡張空間フランジ224を拡張空間の入れ子部分241、242と共にウエハ操作位置に上昇させた。ゲート弁を開き、自動ウエハ装填システムによって空のウエハフォークを拡張空間のフランジ224と反応室のフランジ234との間の開離間隙を通して基板ホルダ361の両区間の下方の空間に押し込んだ。その後、基板がウエハフォークに載るまで、ウエハフォークを上昇させた。その後、ウエハフォークをウエハと共に基板ホルダ361の両区間の上方の空間から水平方向にロードロック空間図示せずまで引き込んだ。この結果、100mmのウエハは、このウエハ上の49箇所で測定した膜厚の不均一性が1シグマで2未満である高品質のAl2O3薄膜を有した。比較のために、熱ALDモードでTMAおよび分子状酸素O2を用いて200°Cで堆積実験を実施した。O2はTMA分子と反応するほど活性ではなく、薄膜が成長しないことが分かった。したがって、薄膜の成長には酸素ラジカルOが必要であった。上記の説明は、本発明の特定の実装例および実施形態の非限定例として、本発明の実施のために本発明者らが現時点で最良と考えている形態についての完全かつ有益な説明を提供した。ただし、本発明は上記の実施形態の詳細に限定されず、本発明の特徴から逸脱することなく他の実施形態において同等の手段を用いて実現することも可能であることは当業者には明らかである。さらに、本発明の上記実施形態の特徴のいくつかは、他の特徴を同様に使用することなく効果的に使用されてもよい。したがって、上記説明は、本発明を限定するものではなく、本発明の原理の単なる例示として考えられたい。よって、本発明の範囲は添付の特許請求の範囲によってのみ限定される。