対象物39を解析及び/又は処理する粒子ビームデバイス1であって、光軸OAと、粒子ビームを発生させる少なくとも1つの粒子ビーム発生器23と、少なくとも第1電極装置4、少なくとも第2電極装置8、及び少なくとも第3電極装置9を有し、対象物39の方向に前記光軸OAに沿って前記粒子ビーム発生器23から始めて最初に前記第1電極装置4、続いて前記第2電極装置8、及びさらに続いて前記第3電極装置9を配置し、前記第1電極装置4は第1電位にあって前記粒子ビーム発生器23からの粒子を引き出すよう具現し、前記第2電極装置8は可変の第2電位にあり、前記第3電極装置9は前記第1電位にある少なくとも第1電極ユニット24と、少なくとも第4電極装置15、少なくとも第5電極装置16、及び少なくとも第6電極装置17を有し、対象物39の方向に、前記光軸OAに沿って前記第3電極装置9から始めて最初に前記第4電極装置15、続いて前記第5電極装置16、及びさらに続いて前記第6電極装置17を配置し、前記第4電極装置15は前記第1電位にあり、前記第5電極装置16は、可変の第3電位にある少なくとも第2電極ユニット26と、少なくとも第1加速装置17及び少なくとも第2加速装置18を有し、対象物39の方向に前記光軸OAに沿って前記第2電極ユニット26から始めて最初に前記第1加速装置17及び続いて前記第2加速装置18を配置し、前記第1加速装置17は第4電位にあり、前記第2加速装置18は第5電位にあり、前記粒子ビームを加速させる少なくとも1つの加速ユニット27と、を備える、粒子ビームデバイス。請求項1に記載の粒子ビームデバイス1において、該粒子ビームデバイス1は、以下の特徴:前記第1加速装置17を、前記第6電極装置として具現する、及び前記第6電極装置17は、可変の第6電位にある、の少なくとも一方を有する、粒子ビームデバイス。請求項1又は2に記載の粒子ビームデバイス1において、該粒子ビームデバイス1は少なくとも第1モノクロメータ電極装置11及び少なくとも第2モノクロメータ電極装置12を有する少なくとも1つのモノクロメータユニット10を備え、対象物39の方向に、前記光軸OAに沿って前記第1電極ユニット24から始めて最初に前記第1モノクロメータ電極装置11及び続いて前記第2モノクロメータ電極装置12を配置する粒子ビームデバイス。請求項3に記載の粒子ビームデバイス1において、該粒子ビームデバイス1は、以下の特徴:前記第3電極装置9を、モノクロメータ入力電極として具現する、及び前記第4電極装置15を、モノクロメータ出力電極として具現する、の少なくとも一方を有する、粒子ビームデバイス。請求項1~4のいずれか1項に記載の粒子ビームデバイス1において、前記第1加速装置17の前記第4電位及び/又は前記第2加速装置18の前記第5電位を、可変に構成した、粒子ビームデバイス。請求項1~5のいずれか1項に記載の粒子ビームデバイス1において、前記加速ユニット27は少なくとも第3加速装置19、少なくとも第4加速装置20、及び少なくとも第5加速装置21を有し、対象物39の方向に前記光軸OAに沿って前記第1加速装置17から始めて最初に前記第3加速装置19、続いて前記第4加速装置20、及びさらに続いて前記第5加速装置21を配置し、前記第3加速装置19は第7電位にあり、前記第4加速装置20は第8電位にあり、前記第5加速装置21は第9電位にある、粒子ビームデバイス。請求項6に記載の粒子ビームデバイス1において、該粒子ビームデバイス1は、以下の特徴:前記第7電位を可変に構成する、前記第8電位を可変に構成する、及び前記第9電位を可変に構成する、の少なくとも1つを有する、粒子ビームデバイス。請求項1~7のいずれか1項に記載の粒子ビームデバイス1において、該粒子ビームデバイス1は、以下の特徴:少なくとも1つの調整可能な高電圧供給ユニット5、及び少なくとも1つの調整可能な抵抗器ユニット29、57、の少なくとも一方を備える、粒子ビームデバイス。請求項1~8のいずれか1項に記載の粒子ビームデバイス1において、該粒子ビームデバイス1は少なくとも1つのコンデンサユニットを備え、該コンデンサユニットは、以下の特徴:少なくとも第1コンデンサ装置33及び少なくとも第2コンデンサ装置34、少なくとも第1コンデンサ装置33、少なくとも第2コンデンサ装置34、及び少なくとも第4コンデンサ装置35、及び少なくとも第1コンデンサ装置33、少なくとも第2コンデンサ装置34、少なくとも第4コンデンサ装置35、及び少なくとも第4コンデンサ装置38、の少なくとも1つを有する、粒子ビームデバイス。請求項9に記載の粒子ビームデバイス1において、該粒子ビームデバイス1は、以下の特徴:前記コンデンサユニットを、前記光軸OAと平行な前記粒子ビームを形成するよう具現する、前記コンデンサユニットを、照明視野を調整するよう具現する、及び前記コンデンサユニットを、照明アパーチャを調整するよう具現する、の少なくとも1つを有する、粒子ビームデバイス。請求項1~10のいずれか1項に記載の粒子ビームデバイス1において、前記第1電極装置4を、引出電極装置として具現した、粒子ビームデバイス。請求項1~11のいずれか1項に記載の粒子ビームデバイス1により、対象物39を解析及び/又は処理する方法であって、粒子ビームを、粒子ビーム発生器23を用いて発生させ、前記粒子ビームを、光軸OAに対して垂直な平面E内又は前記光軸OA上に、第1電極ユニット24を用いて、第2電位を選択することにより集束させ、前記粒子ビームを、第3電位を選択することにより前記光軸OA上の予め決定可能な点CO1に集束させる、方法。したがって、本発明は、固定の引出電位及び固定の高電圧の場合でも粒子ビームデバイスの光軸上のクロスオーバの位置を自由に調節できる、粒子ビームデバイス及び方法を示すという目的に基づく。本発明によれば、この目的は、請求項1の特徴を有する粒子ビームデバイスにより達成する。粒子ビームデバイスにより対象物を解析及び/又は処理する方法を、請求項12の特徴により示す。本発明のさらに他の特徴及び/又は代替的な実施形態は、以下の説明、添付の特許請求の範囲、及び/又は添付図面から明らかとなる。対象物を解析及び/又は処理する本発明による粒子ビームデバイスは、光軸と、粒子ビームを発生させる少なくとも1つの粒子ビーム発生器とを備える。例として、粒子ビームデバイスをTEMとして具現し、粒子ビーム発生器を電子ビーム発生器として具現する。本発明による粒子ビームデバイスは、少なくとも第1電極装置、少なくとも第2電極装置、及び少なくとも第3電極装置を有する、少なくとも第1電極ユニットを備え、対象物の方向に、光軸に沿って粒子ビーム発生器から始めて、最初に第1電極装置を配置し、続いて第2電極装置を配置し、さらに続いて第3電極装置を配置する。第1電極装置は、第1電位にあり、粒子ビーム発生器から粒子を引き出すよう具現する。一方、第2電極装置は、可変の第2電位にある。したがって、第2電位は、選択及び自由な調整が可能である。第3電極装置はさらに、第1電位、すなわち第1電極装置と同じ電位にある。第1電極ユニットに加えて、本発明による粒子ビームデバイスは、少なくとも第4電極装置、少なくとも第5電極装置、及び少なくとも第6電極装置を有する、少なくとも第2電極ユニットを備え、対象物の方向に、光軸に沿って第3電極装置から始めて、最初に第4電極装置を配置し、続いて第5電極装置を配置し、さらに続いて第6電極装置を配置する。第4電極装置は、第1電極装置のように、第1電位にある。一方、第5電極装置は可変の第3電位にある。したがって、第3電位は、選択及び自由な調整が可能である。さらに、本発明による粒子ビームデバイスは、粒子ビーム中の粒子を加速させる少なくとも1つの加速ユニットを備える。加速ユニットは、少なくとも第1加速装置及び少なくとも第2加速装置を有し、対象物の方向に、光軸に沿って第2電極ユニットから始めて、最初に第1加速装置を配置し、続いて第2加速装置を配置する。第1加速装置は第4電位にある。一方、第2加速装置は第5電位にある。第1加速装置の第4電位及び第2加速装置の第5電位を、粒子、例えば電子を特定のエネルギーにするために用いる高電圧により予め決定する。本発明は、以下の考慮事項に基づく。第5電極装置の第3電位の調整性の結果として、光軸上の粒子ビームのクロスオーバの位置を調整するためのさらに別の選択肢が得られる。意外にも、クロスオーバのこの調整は、加速ユニットの総電圧及び引出電位とは実質的に無関係に実行することができることが分かった。表現を変えると、クロスオーバを、第5電極装置の第3電位を変えることにより、粒子ビームデバイスのうち、加速ユニットに続くビーム経路における光軸上の任意の所望の点に位置決めすることができる。これは、加速ユニットの任意の総電圧値で、例えば、約20kV~約300kVの任意の総電圧値で、また任意の引出電位値で、例えば、約2kV~7kVの任意の引出電位値で、常に可能である。本発明による粒子ビームデバイスの一実施形態では、代替的又は付加的に、第1加速装置を第6電極装置として具現するようになっている。したがって、第1加速装置は、第2電極ユニットの一部でもあり加速ユニットの一部でもある。付加的又は代替的に、第6電極装置が可変の第6電位にあるようになっている。可変の第6電位は第4電位に相当し得る。第6電位の調整性は、光軸上のクロスオーバの位置を調整するためのさらに別の選択肢を提供する。本発明による粒子ビームデバイスのさらに別の実施形態では、さらに、粒子ビームデバイスは、付加的又は代替的に、少なくとも1つのモノクロメータユニットを備える。より詳細には、モノクロメータユニットが、少なくとも第1モノクロメータ電極装置及び少なくとも第2モノクロメータ電極装置を有するようになっている。対象物の方向に、光軸に沿って第1電極ユニットから始めて、最初に第1モノクロメータ電極装置を配置し、続いて第2モノクロメータ電極装置を配置する。しかしながら、本発明を、2つのモノクロメータ電極装置しか有さないモノクロメータユニットに制限しない。むしろ、モノクロメータユニットに3つ以上のモノクロメータ電極装置がある例示的な実施形態も提供する。すでに上述したように、モノクロメータユニットは、粒子ビームのうち、規定可能なエネルギーから僅かなずれしか有さない粒子を粒子ビームデバイスのさらなるビーム経路に通す。これは、より詳細に後述する。さらに、付加的又は代替的に、本発明による粒子ビームデバイスは、以下の特徴:第3電極装置を、モノクロメータ入力電極として具現する、又は第4電極装置を、モノクロメータ出力電極として具現する、の少なくとも一方を有するようになっている。プロセスにおいて、モノクロメータ入力電極は、モノクロメータユニットの入力側、すなわち粒子がモノクロメータユニットに入る側にある。反対に、モノクロメータ出力電極は、モノクロメータユニットの出力側、すなわち粒子がモノクロメータユニットから出て粒子ビームデバイスのさらなるビーム経路に入る側にある。例として、第1モノクロメータ入力電極及び/又は第2モノクロメータ出力電極を、アパーチャユニットの形態で形成する。この例示的な実施形態では、2つの要素を粒子ビームデバイスの2つの異なるユニットに関連付けるようにもなっている。表現を変えると、例えば、第3電極装置が第1電極ユニットの一部でもありモノクロメータユニットの一部でもあるようになっている。さらに、例えば、第4電極装置が第2電極ユニットの一部でもありモノクロメータユニットの一部でもあるようになっている。本発明による粒子ビームデバイスのさらに別の実施形態では、付加的又は代替的に、第2加速装置の第5電位を可変に構成するようになっている。付加的又は代替的に、加速ユニットが、少なくとも第3加速装置、少なくとも第4加速装置、及び少なくとも第5加速装置を有し、対象物の方向に、光軸に沿って第2加速装置から始めて、最初に第3加速装置を配置し、続いて第4加速装置を配置し、さらに続いて第5加速装置を配置するようになっている。第3加速装置は第7電位にある。一方、第4加速装置は第8電位にあり、第5加速装置は第9電位にある。例として、第7電位、第8電位、及び/又は第9電位を可変に構成するようになっている。上記例示的な実施形態は、粒子ビームの粒子に備えた加速エネルギーの特に適切な調整を可能にする。プロセスにおいて、2つの隣接する加速装置間の電位差を、加速ユニットによる所望の集束を確保するよう常に選択することができる。個々の隣接する加速装置間の電位差は、一定であっても異なっていてもよい。本発明を上記数の加速装置に制限しないことを明確にしておく。むしろ、任意の適当な数の加速装置を使用可能である。本発明による粒子ビームデバイスのさらに別の実施形態では、さらに、付加的又は代替的に、粒子ビームデバイスは、少なくとも1つのコンデンサユニットを有し、コンデンサユニットは、以下の特徴:少なくとも第1コンデンサ装置及び少なくとも第2コンデンサ装置、少なくとも第1コンデンサ装置、少なくとも第2コンデンサ装置、及び少なくとも第3コンデンサ装置、又は少なくとも第1コンデンサ装置、少なくとも第2コンデンサ装置、少なくとも第3コンデンサ装置、及び少なくとも第4コンデンサ装置、の1つを有するようになっている。本発明を上記数のコンデンサ装置を有するコンデンサユニットに制限しないことを明確にしておく。むしろ、任意の適当な数のコンデンサ装置を使用可能である。上記コンデンサユニットは、より詳細には、粒子ビームが光軸と平行に対象物に衝突することを可能にするようになっている。付加的又は代替的に、コンデンサユニットを用いて照明視野を調整するようになっている。照明視野は、粒子ビームが照明する対象物の領域の寸法を意味することを理解されたい。表現を変えると、これらは、粒子ビームが衝突する対象物の領域の寸法である。再度付加的又は代替的に、コンデンサユニットを用いて照明アパーチャを調整するようになっている。ここで、照明アパーチャは、照明目的で対象物に送られる粒子ビームの円錐すなわち、対象物に衝突する粒子ビームの円錐の開口角を意味することを理解されたい。本発明による粒子ビームデバイスのさらに別の実施形態では、さらに、付加的又は代替的に、第1電極装置を粒子ビーム発生器の引出電極装置として具現するようになっている。したがって、この例示的な実施形態の第1電極装置は、第1電極ユニットの一部でもあり粒子ビーム発生器の一部でもある。すでに上述したように、本発明による粒子ビームデバイスを、例えばTEMとして具現する。しかしながら、本発明による粒子ビームデバイスをTEMに制限しないことを明確にしておく。むしろ、任意の適当な粒子ビームデバイス、例えばイオンビームデバイスを使用可能である。本発明は、上記特徴の少なくとも1つ又は上記特徴の少なくとも2つの組み合わせを有する粒子ビームデバイスにより対象物を解析及び/又は処理する方法にも関する。粒子ビームを、本発明による粒子ビームデバイスの粒子ビーム発生器により発生させる。粒子ビームを、続いて、光軸に対して垂直な平面内又は光軸上に、第1電極ユニットを用いて、第2電位を選択することにより集束させる。例として、この平面を、モノクロメータユニットに配置する。さらに、粒子ビームを、第3電位を選択することにより光軸上の予め決定可能な点に集束させる。この方法は、より詳細に後述する。次に、図を用いて、本発明を例示的な実施形態に基づきより詳細に説明する。図1は、TEMの形態の粒子ビームデバイス1の第1セクションの概略図を示す。粒子ビームデバイス1の第1セクションは、電子エミッタ2を有する電子ビーム発生器23を備える。例として、電子エミッタ2を、電界放出エミッタとして具現する。さらに電子エミッタ2を、加熱装置2Aに接続する。さらに、電子ビーム発生器23は、抑制電極3及び引出電極4を有する。したがって、電子ビーム発生器23は、3部構成設計を有する。電子エミッタ2を、エミッタ電位を供給する第1供給ユニット5高電圧供給ユニットに接続する。さらに、抑制電極3を、抑制電位を提供する第2供給ユニット6に接続する。さらに、引出電極4を、引出電極4において引出電位を提供する第3供給ユニット7に接続する。電子ビーム発生器23を用いて、粒子ビームを発生させ、粒子ビームは、電子から構成されて粒子ビームデバイス1の光軸OAに沿って対象物の方向に送られる。電子ビーム発生器23の下流には、第1電極ユニット24があり、これも同様に3部構成設計を有する。第1電極ユニット24は、最初に、引出電極4の形態の第1電極装置を有する。したがって、引出電極4は、電子ビーム発生器23の一部でもあり第1電極ユニット24の一部でもある。以下の本文において、引出電位を、第1電位とも称する。さらに、第1電極ユニット24は、第2電極装置8及び第3電極装置9を有する。第2電極装置8を、引出電極4と第3電極装置9との間に配置する。第2電極装置8を、可変の第2電位を提供するために第5供給ユニット25に接続する。したがって、第2電位は、自由に選択可能且つ調整可能である。第3電極装置9を第3供給ユニット7に接続し、第3電極装置9は、引出電極4のように、引出電位の形態の第1電位にある。電極ユニット24の下流には、モノクロメータユニット10がある。モノクロメータユニット10は、複数の素子からなる。素子の1つは、第3電極装置9の形態の入力電極である。したがって、第3電極装置9は、第2電極ユニット24の一部でもありモノクロメータユニット10の一部でもある。さらに、モノクロメータユニット10には、第1モノクロメータ電極装置11、第2モノクロメータ電極装置12、第3モノクロメータ電極装置13、及び第4モノクロメータ電極装置14を設け、これらはΩ形状に配置する。さらに、モノクロメータユニット10は、出口電極15を有し、これを第4モノクロメータ電極装置14の後ろに配置する。出口電極15を、引出電極4のように、第3供給ユニット7に接続し、出口電極15は引出電位の形態の第1電位にある。モノクロメータユニット10の後ろには、第2電極ユニット26を配置し、これは、ここで示す実施形態では3部構成設計を有する。それゆえ、第2電極ユニット26は、出口電極15の形態の第4電極装置を有する。したがって、出口電極15は、第2電極ユニット26の一部でもありモノクロメータユニット10の一部でもある。さらに、第2電極ユニット26は、第5電極装置16を有し、これを可変の第3電位を提供する第4供給ユニット22に接続する。したがって、第5電極装置16の第3電位は、自由に選択可能且つ調整可能である。第2電極ユニット26はさらに、第6電極装置17を有する。第2電極ユニット26の後ろには、加速ユニット27を配置し、これは、ここに示す実施形態では、5つの加速装置、すなわち第6電極装置17の形態の第1加速装置、第2加速装置18、第3加速装置19、第4加速装置20、及び第5加速装置21からなる。したがって、第6電極装置17は、第2電極ユニット26の一部でもあり加速ユニット27の一部でもある。各上記加速装置17~21を抵抗チェーン28を介して相互接続し、各上記加速装置17~21は第1供給ユニット5高電圧供給ユニットを介して供給を受ける。したがって、最初に第1抵抗器57がある。さらに、第2抵抗器29を、第6電極装置17の形態の第1加速装置と第2加速装置18との間に接続する。第3抵抗器30を、第2加速装置18と第3加速装置19との間に接続する。第4抵抗器31を、第3加速装置19と第4加速装置20との間にさらに接続する。さらに、第5抵抗器32を、第4加速装置20と第5加速装置21との間に接続する。各上記抵抗器又は複数の上記抵抗器例として、全部の抵抗器でさえあるを、可変に構成することができる。ここで示す例示的な実施形態では、第1抵抗器57及び第2抵抗器29は、固定的に具現され、加速ユニット27の特定の電位プロファイルを光軸OAに沿って提供するよう互いに異なる。第3抵抗器30、第4抵抗器31、及び第5抵抗器32は、同一であり、可変に具現しない。より詳細には、各加速装置17~21における電位を、第1供給ユニット5の調整により、したがって提供した高電圧の調整により、変更及び調整するようになっている。本発明のさらに別の実施形態では、第1抵抗器57及び第2抵抗器29を可変に具現するようになっている。各加速装置における電位を、第1抵抗器57及び/又は第2抵抗器29の抵抗値の調整により変更及び調整することができる。例として、エミッタ電位は-200kV、引出電位は-196kV、第6電極装置17における電位は-175kV、第2加速装置18における電位は-150kV、第3加速装置19における電位は-100kV、第4加速装置20における電位は-50kV、第5加速装置21における電位は0kVである。各加速装置間の電位差が同一ではなく異なることを見ることができる。しかしながら、本発明の実施形態として、各加速装置間の電位差の少なくとも2つ又は全部さえもが同じ大きさであるものも提供する。以下の本文において、粒子ビームデバイス1の第1セクションの各素子の機能及び効果を次に説明する。第2電極装置8における第2電位を第5供給ユニット25により適切に調整することで、図1に示す等価equivalentビーム経路に従ってモノクロメータユニット10の平面Eに電子ビームを収束させることが可能となる。しかしながら、電子は、等価ビーム経路に沿って進むのではなく、モノクロメータユニット10の非直線軸に沿って進む。ここで、静電偏向場を、第1モノクロメータ電極装置11、第2モノクロメータ電極装置12、第3モノクロメータ電極装置13、及び第4モノクロメータ電極装置14に提供して、モノクロメータユニット10が、予め決定可能なエネルギーを有する電子ビームの電子のうち、予め決定可能なエネルギーから僅かなずれしか有さない電子を粒子ビームデバイス1のさらなるビーム経路に通すようにする。予め決定可能なエネルギーのエネルギー幅を、可変スリット絞りにより調整し、例えば、0.05eV~0.7eV近辺にある。これは、光学収差を減らし、粒子ビームデバイス1の可能な分解能を高める。モノクロメータユニット10は、モノクロメータユニット10の入力側すなわち、電子がモノクロメータユニット10に入る側に第1平面図1には図示せずを有し、これを、モノクロメータユニット10の出力側すなわち、電子がモノクロメータユニット10から出る側の第2平面同様に、図1には図示せずに、モノクロメータユニット10の電子光学コンポーネントにより無収差結像する。第1平面及び第2平面は、モノクロメータユニット10の電子の経路に沿っており、ゼロ以外の間隔を有する。電子エミッタ2が放出する電子ビームを、電子ビームのクロスオーバ平面を上記第1平面に形成するよう第1電極ユニット24を通して送る。したがって、上記第1平面は、モノクロメータユニット10の入力側におけるクロスオーバ平面を表す。この第1平面は、モノクロメータユニット10の電子光学コンポーネントにより上記第2平面に無収差結像するため、第2平面は、モノクロメータユニット10の出力側におけるクロスオーバ平面を表す。モノクロメータユニット10の設計に応じて、モノクロメータユニット10の入力側におけるクロスオーバ平面とモノクロメータユニット10の出力側におけるクロスオーバ平面との間のビーム経路に、さらなる無収差又は非点収差クロスオーバ平面があり得る。図1に示す等価ビーム経路では、ビーム経路を、モノクロメータユニット10の入力側におけるクロスオーバ平面及びモノクロメータユニット10の出力側におけるクロスオーバ平面が平面Eで一致するかのように単純に示してある。電子を、所望の加速エネルギーを得るよう加速ユニット27で加速させる。ここで、このプロセスにおいて、第6電極装置17の形態の第1加速装置とさらなる加速装置18~21との間の電位降下を、第1に加速ユニット27の下流に配置し、第2に光軸OA上の電子ビームの実際に所望する位置よりも下に位置付ける光軸OAの位置に、電子ビームを集束させるよう選択する。これは、第4電極装置15と第6電極装置17の形態の第1加速装置との間の電位差、及び第6電極装置17の形態の第1加速装置と第2加速装置18との間の電位差が、さらに他の上記加速装置間のさらに他の電位差未満であることにより可能となる。ここで、電子ビームには、第2電極ユニット26の第5電極装置16における第3電位を第4供給ユニット22によって調整することにより、電子ビームが光軸OAに沿って電子ビーム発生器23の方向に所望の位置まで移動してそこに留まるという点で影響を及ぼす。電子ビームのクロスオーバCO1が、このとき所望の位置で得られる。したがって、粒子ビームデバイス1の第1セクションを用いて、引出電位若しくは電子エネルギーの変化が起きた場合に電子ビームのクロスオーバCO1を光軸OA上の任意の所望の位置に置くか又は所望の位置に残すことが可能である。これに必要な電位を、引出電位及び電子エネルギーに応じて適宜選択する。図2は、電子エネルギー高電圧HVで示すの関数としての第5電極装置16の第3電位及び可能な引出電位の可能値の概略図を示す。線で相互接続した点は、パラメータとしての所与の引出電位について、電子エネルギーに応じて光軸OAに沿ったクロスオーバ平面の位置が不動となるのにどの第3電位が必要かをそれぞれ示すものである。クロスオーバ平面の所与の位置について、3kV~5kVの範囲の各引出電位と10kV~200kVの各電子エネルギーとに適した第3電位を見出して、クロスオーバを所定のクロスオーバ平面で発生させるようにすることが可能であることを推測可能である。図3は、クロスオーバCO1図1を参照に隣接する粒子ビームデバイス1の第2セクションの例示的な実施形態を示す。クロスオーバCO1は、コンデンサユニットにより縮小結像する。この目的で、コンデンサユニットは、第1コンデンサ装置33、第2コンデンサ装置34、及び第3コンデンサ装置35を有する。このプロセスでは、第1コンデンサ装置33及び第2コンデンサ装置34を、クロスオーバCO1の像、すなわちクロスオーバCO2をクロスオーバ平面36で生成するよう作動させる。クロスオーバCO2は、このとき、単視野集光対物レンズsinglefieldcondenserobjectivelens38の焦点面37内で、第3コンデンサ装置35により結像する。単視野集光対物レンズ38は、前視野レンズprefieldlensユニット43及び結像レンズユニット44を有する。物体平面42に配置した対象物39を、ここで光軸OAと平行に位置合わせした電子ビームにより照明する。これは、粒子ビームデバイス1の高分解能モードで特に有利である。照明視野アパーチャ40を、第3コンデンサ装置35と単視野集光対物レンズ38との間に配置する。対象物39の照明領域の寸法は、照明視野アパーチャ40の直径と、単視野集光対物レンズ38による縮小倍率とにより決まる。ここでしめす例示的な実施形態では、照明アパーチャの寸法を決める電子ビームは、その断面が焦点面37で最小となるため、照明視野アパーチャ40による対象物39における照明視野の変化は、照明アパーチャに影響を及ぼさない。偏向系41を、単視野集光対物レンズ38の前方に配置する。偏向系41は、光軸OAに対する電子ビームの僅かなずれを補正する役割を果たす。粒子ビームデバイス1の高倍率範囲で対象物39の特定領域を照明するためだけに、照明視野アパーチャ40が複数の異なるアパーチャ開口を有するようになっている。所望のアパーチャ開口を自動的に調整することができる。図4は、図3に示すが図3とは異なる動作モードの、粒子ビームデバイス1の断面を示す。したがって、同一のコンポーネントには同一の参照符号を設けてある。図4は、STEM動作での粒子ビームデバイス1を示す。第3コンデンサ装置35は、単視野集光対物レンズ38の入力像平面45にクロスオーバCO2を形成して、クロスオーバCO1又はCO2の大幅に縮小した像が対象物39上にできるようにする。この縮小像を、物体平面42内で偏向系41により移動させる。電子ビームのアパーチャを、アパーチャユニット48により画定する。対象物39を走査する電子ビームの対象物39上の寸法を、第1コンデンサ装置33及び第2コンデンサ装置34の異なる作動により変更することができる。図5は、粒子ビームデバイス1の第2セクションのさらに別の例示的な実施形態を示す。同一のコンポーネントには、図4と同一の参照符号を設けてある。この例示的な実施形態では、第1コンデンサ装置33及び第2コンデンサ装置34を有するコンデンサユニットがある。第2コンデンサ装置34の下流には、単視野集光対物レンズ38がある。解析すべき対象物39を有する試料ホルダ47を、単視野集光対物レンズ38に配置する。さらに、単視野集光対物レンズ38の付近に偏向系41がある。さらに、単視野集光対物レンズ38の付近にアパーチャユニット48がある。単視野集光対物レンズ38の下流で光軸OAに沿って、第1投影ステージ49、第2投影ステージ50、及び検出器51を配置する。各上記素子の制御及び供給を、制御ユニットにより行う。したがって、第1コンデンサ装置33の作動及び供給を、第1制御ユニット52により行う。第2コンデンサ装置34用には、第2コンデンサ装置45の制御及び供給用の第2制御ユニット53がある。単視野集光対物レンズ38の作動及び供給を、第3制御ユニット54により行う。第1投影ステージ49用には第4制御ユニット55がある。さらに、第2投影ステージ50の制御及び供給を、第5制御ユニット56により行う。ここで示す例示的な実施形態では、単視野集光対物レンズ38の励起を、像の設定倍率とは無関係に予め固定的に決定する。STEMモードで電子ビームの非常に小さな直径を発生させるために、第1コンデンサ装置33及び第2コンデンサ装置34の励起を適宜変更することができる。STEMモードでの倍率を、偏向系41により決定する。通常のTEM動作すなわち非STEM動作では、検出器51における対象物39のスケールの変化を、第1投影ステージ49及び第2投影ステージ50の作動により引き起こす。さらに、対象物39における異なる照明視野及び照明アパーチャの設定を、図5に示す粒子ビームデバイス1の第2セクションにより、第1コンデンサ装置33及び第2コンデンサユニット34と前視野レンズユニット43とを用いて行うことが可能である。図6は、粒子ビームデバイス1の第1セクションのさらに別の例示的な実施形態の概略図を示す。図6の例示的な実施形態は、図1の例示的な実施形態に基づく。それゆえ、同一のコンポーネントには、同一の参照符号を設けてある。図6の例示的な実施形態が図1の例示的な実施形態と異なるのは、モノクロメータユニット10が第1開口59及び第2開口60を有するという点だけである。図6の例示的な実施形態のモノクロメータユニット10を、第1に、図1に示す例示的な実施形態のように動作させることができる。第2に、図6の例示的な実施形態のモノクロメータユニット10をオフに切り替えることが可能である。この場合、電子エミッタ2が発生した電子ビームは、第1開口59及び第2開口60を通過する。原理上、電子ビームは、モノクロメータユニット10が粒子ビームデバイス1に存在しないかのように粒子ビームデバイス1の光軸OAに沿って進む。この場合、第1電極ユニット24及び第2電極ユニット26をズームモードで動作させることも可能である。このプロセスにおいて、クロスオーバCO1の直径を、第2電極装置8の第2電位を変えることにより、またクロスオーバCO1の位置が固定のままであるときに第5電極装置16の第3電位を変えることにより、変更することができる。図7及び図8は、図1又は図6に示す粒子ビームデバイス1の簡略化した概略図を示す。同一のコンポーネントには、同一の参照符号を設けてある。したがって、図7及び図8は、電子エミッタ2、第1電極ユニット24、平面Eを有するモノクロメータユニット10、第2電極ユニット26、加速ユニット27但し、第2加速装置18、第3加速装置19、及び第4加速装置20のみを有する、第1コンデンサ装置33、及び第2コンデンサ装置34を示す。さらに、図7及び図8は、第2コンデンサ装置34に配置したアパーチャユニット58を示す。以下の本文において、電子ビームのビーム経路をより詳細に説明するが、このビーム経路は、図1に示す例示的な実施形態及び/又は図6に示す例示的な実施形態で生じ得る。原理上、図7及び図8は、コンデンサシステムの調整オプションを説明するものである。第2電極ユニット26の対応の励起は、非常に多数の電子がアパーチャユニット58を通過できるような光軸OAに沿ったクロスオーバCO1の位置決めを可能にする。例として、クロスオーバCO1を、加速ユニット27と第1コンデンサ装置33との間に配置する図7を参照。結果として、多くの電子がアパーチャユニット58を通過し、大きな電子電流が解析すべき対象物に送られる。この実施形態は、大電流用途に、例えば解析結像及び高分解能TEM検査に適している。図8は、別の用途を示す。第2電極ユニット26を、クロスオーバCO1を電子エミッタ2の方向に、例えば加速ユニット27の領域で変位させるよう励起することができる。一方で、図7と比較して、これは、解析すべき対象物の方向にアパーチャユニット58を通過させる電子を少なくさせる。他方で、これは、対象物に衝突する電子ビームのビーム円錐の開口角を小さくする。これは、生じ得る収差も小さくし、小径の電子ビームの形成を支援する。それゆえ、図8に示すビーム経路は、例えば走査透過型電子顕微鏡の画像取得STEM画像取得に適している。結論として、明記すべきは、本発明が、光軸OA又は電子ビームの伝播方向に沿った、より詳細には加速ユニット27と第1コンデンサ装置33との間の領域における、クロスオーバの随意の位置調整を可能にし、これが、任意の所望の電子エネルギーしたがって、任意の可能な高電圧及び任意の引出電圧設定で可能であるということである。この効果は、上述のモノクロメータユニットの有無を問わず粒子ビームデバイスで得られる。さらに、解析すべき対象物に送る電子ビームを、クロスオーバの随意に取得可能な位置により、適宜変えることが可能である。