"高純度ケイ素を調製するための方法であって、SiO2含有出発物質から炭素塩素化によってSiCl4が調製され、さらなるステップにおいて前記SiCl4から前記高純度ケイ素が得られ、前記方法ステップのいずれにおいても元素状ケイ素が供給されないことを特徴とする方法。前記方法において得られた副生成物が、前記方法に再循環され、再利用されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記方法において得られたHClが、炭素塩素化のために用いられることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。前記高純度ケイ素は、得られた前記SiCl4の水素化による塩素化モノシランHnSiCl4nn=1~3の生成、およびこれらのモノシランの分解によって調製されることを特徴とする、前記請求項のいずれかに記載の方法。前記塩素化モノシランの分解によって得られた前記HClは、炭素塩素化のために用いられることを特徴とする、請求項4に記載の方法。前記炭素塩素化反応および/または前記塩素化モノシランの分解の間に得られた水素が、前記SiCl4の水素化のために用いられ、前記塩素化モノシランを生成することを特徴とする、請求項4または5に記載の方法。塩素化モノシランHnSiCl4nn=1~3が分解されて高純度ケイ素を生成する間に副生成物として形成されたSiCl4が、水素との反応による塩素化モノシランHnSiCl4nn=1~3の調製のために用いられることを特徴とする、請求項4から6のいずれかに記載の方法。得られた前記SiCl4が塩素化モノシランHnSiCl4nn=1~3へと水素化され、前記塩素化モノシランは不均化によってSiH4およびSiCl4に転換され、得られた前記SiH4は高純度の元素状ケイ素およびH2に分解されることを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の方法。前記炭素塩素化反応の間に得られた水素が、高純度の元素状Siを生成するためのSiH4の前記分解からのさらなる水素と一緒にSiCl4の水素化に用いられ、HClの脱離を伴って塩素化モノシランを生成することを特徴とする、請求項8に記載の方法。塩素化モノシランの前記不均化反応において形成された前記SiCl4は、水素との反応によって塩素化モノシランを得るために用いられることを特徴とする、請求項8または9に記載の方法。得られた前記SiCl4がプラズマ化学プロセスにおいて用いられ、HClの脱離を伴って塩素化ポリシランが得られ、および前記塩素化ポリシランの熱分解によって高純度ケイ素が調製されることを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の方法。得られた前記HClは、炭素塩素化のために用いられることを特徴とする、請求項11に記載の方法。前記炭素塩素化反応の間に得られた前記水素は、前記プラズマ化学プロセスにおいて用いられることを特徴とする、請求項11または12に記載の方法。前記塩素化ポリシランの前記熱分解の間に得られたSiCl4は、前記プラズマ化学プロセスのステップに再循環されることを特徴とする、請求項11から13のいずれかに記載の方法。得られた前記SiCl4が塩素化モノシランHnSiCl4nn=1~3へと水素化され、得られた前記塩素化モノシランは、プラズマ化学プロセスにおいて用いられてHClの脱離を伴って塩素化ポリシランを生成し、前記塩素化ポリシランから熱分解によって高純度ケイ素が調製されることを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の方法。前記炭素塩素化反応の間に得られた前記水素は、HClの脱離を伴う前記SiCl4の水素化のために用いられることを特徴とする、請求項15に記載の方法。元素状Siへの塩素化ポリシランの前記熱分解の間に得られたSiCl4は、水素との反応によって塩素化モノシランを得るために用いられることを特徴とする、請求項15または16に記載の方法。塩素化ポリシランの前記熱分解の間に放出された、HClおよび/またはH2および/または塩素化モノシランが、塩素化ポリシランを調製するための前記方法に再循環されることを特徴とする、請求項11から17のいずれかに記載の方法。プラズマ化学プロセスにおいて、SiCl4と塩素化モノシランHnSiCl4nn=1~3との混合物を用いて、HClの脱離を伴って塩素化ポリシランが得られることを特徴とする、請求項11から18のいずれかに記載の方法。HClでのSiO2の炭素塩素化によるSiCl4の前記生成の間に得られたCOは、水蒸気による酸化炭素転換によってCO2および水素へ転換されることを特徴とする、請求項3から19のいずれかに記載の方法。酸化炭素転換によって得られた水素は、前記方法の実施の間にH2の損失を補填するために用いられることを特徴とする、請求項20に記載の方法。本発明の目的は、特に高い効率を特徴とする、より詳細には、さらなる原材料の投入および/または追加の廃棄物質の排出を必要としない、高純度ケイ素を調製するための方法を提供することにある。この目的は、本発明に従って請求項1に記載の方法によって達成される。方法の発展は、従属請求項から明らかである。本発明による方法において、高純度ケイ素はSiO2含有出発物質から、最初に炭素塩素化によってSiCl4を生成し、次に、生成されたSiCl4を、高純度ケイ素を得るためのさらなるステップにおいて用いることによって調製される。本発明による方法は、元素状ケイ素が、方法ステップのいずれにおいても供給されないような様式で実施される。これは、特に効率的で、特に安価な方法を達成する。本発明による方法において、高純度ケイ素はSiO2含有出発物質から、最初に炭素塩素化によってSiCl4を生成し、次に、生成されたSiCl4を、高純度ケイ素を得るためのさらなるステップにおいて用いることによって調製される。本発明による方法は、元素状ケイ素が、方法ステップのいずれにおいても供給されないような様式で実施される。これは、特に効率的で、特に安価な方法を達成する。方法のさらなる実施形態において、炭素塩素化反応は、700°C~1500°Cの温度、好ましくは800°C~1300°Cの温度、より好ましくは900°C~1100°Cの温度で実施できる。方法の発展において、方法で得られた副生成物は、方法に再循環され、再利用される。これは好ましくは、方法において得られた全ての副生成物について行われる。より詳細には、方法において得られたHClは、炭素塩素化のために用いられる。本発明による方法のさらなる実施形態において、方法において得られた高純度ケイ素は、半導体用途に適しており、半導体用途向けのケイ素の電子物性に悪影響を与える不純物を、10ppm未満、好ましくは1ppm未満、より好ましくは1ppb未満しか有さない。これらの不純物は、周期表の第3主族及び第5主族の元素、特にB、Al、P、As、ならびにまたCaおよびSnなどの金属およびFeなどの遷移金属である。かかる不純物は、ケイ素の伝導率およびケイ素における電荷キャリア寿命に関する電気的計測器を用いてまたは質量分析器を用いて、より詳細にはIC-PMS誘導結合プラズマによる質量分析装置を用いて測定できる。原則として、本発明は、本発明による方法の実施のための4つの主要な変形形態を提示し、変形形態のそれぞれにおいて、得られたSiCl4は、さらなる方法ステップで高純度ケイ素に転換される。方法のこれらの主要な変形形態は、請求項4、8、11および15に記載されている。付随する従属請求項は、得られた副生成物、特にHClおよび水素の利用を例示している。本発明との関連では、塩素化ポリシランは、それぞれが少なくとも1つの直接的なSi-Si結合を含有する化合物またはその化合物の混合物であり、その置換基は、塩素からまたは塩素および水素からなり、その組成は、少なくとも1:1の原子置換基:ケイ素比を含む。HClでの炭素塩素化によるSiO2からのSiCl4の調製の間に、ガス混合物が形成され、そのガス混合物から所望のSiCl4生成物が、例えば凝縮によって分離される。残る副生成物は、H2およびCOだけでなく、SiCl4およびHClの残留物も含有し得るガス混合物である。さらなる処理ステップに必要ならば、SiCl4およびHClは、例えば水または水溶液による単純なガス洗浄によって除去できる。H2およびCOを含有するガス混合物は、2つの方法でさらに処理できる。第1に、適切な分離方法、例えば、圧力スイング吸着法または膜分離法によって、水素を除去することが可能である。第2に、ガス混合物は、水蒸気による酸化炭素転換に供することができ、さらなる水素が以下の反応式に従って得られる。COH2O→CO2H2酸化炭素転換は、発熱過程であるので、炭素塩素化より低い温度で実施できる。酸化炭素転換は、Co3O4などの触媒、Fe/CrもしくはCr/Mo触媒、またはCu/Zn触媒を用いて、例えば、200°C~500°C、好ましくは300°C~450°Cで実施できる。次に、第2ステップにおいて水素を除去できる。さらに、第1の場合において結果として生じる、水素を使い果たしたガス混合物もまた酸化炭素転換に供することができ、水素の第2の除去を達成できる。このようにして得られた水素は、炭素塩素化ステップにおいて得られたSiCl4のさらなる処理のための第1の方法の変形形態において利用できる。第1の実施形態において、この水素の少なくとも一部分は、HClの脱離を伴うSiCl4の水素化のために用いられて、塩素化モノシランHnSiCl4nn=1~3が生成され、これらは続いて、必要ならばさらなるH2を用いて、シーメンス法の様式での分解によりケイ素およびHClに転換される。追加のH2が分解反応の間に放出される場合、これは、SiCl4の水素化のために再び用いられる。両方の方法ステップにおいて、形成されたHClは、生成ガス混合物から分離され、SiO2からのSiCl4の調製のために再利用される。個々の反応ステップは、以下の通り単純化した形式で表すことができる。SiO24HCl2C→SiCl42H22COSiCl4nH2→HnSiCl4nnHCln=1~3HnSiCl4nxH2→Si4-nHClyH2n=2,3の場合x=0、n=1の場合x=1、n=1,2の場合y=0、n=3の場合y=1ケイ素を生成するための塩素化モノシランの反応の副生成物として発生し得るSiCl4は同様に、H2と再び反応させて塩素化モノシランを生成することによって、生成方法中へ再循環できる。方法の第2の実施形態において、水素は、HClの脱離を伴うSiCl4の水素化のために用いられて、塩素化モノシランHnSiCl4nn=1~3を生成し、これらは続いて、不均化によってSiH4に、続いてデグサ法においてケイ素およびH2に転換される。本発明のさらなる実施形態において、不均化は、触媒、例えば、独国特許出願公開2162537号明細書において言及されている、二級および三級アミンまたは四級アンモニウム塩の見込まれる存在下、0°C~400°C、好ましくは0°C~150°Cの温度で実施できる。形成された水素は、炭素塩素化からのさらなる水素と一緒に用いられ、得られたSiCl4から不均化および炭素塩素化の間に塩素化モノシランが再び得られる。形成されたHClは、再び用いられてSiO2の炭素塩素化によりSiCl4が得られる。個々の反応ステップは、以下の単純化した反応方程式n=1~3の場合に相当する。nSiO24nHCl2nC→nSiCl42nH22nCO4SiCl44nH2→4HnSiCl4n4nHCl4HnSiCl4n→nSiH44-nSiCl4nSiH4→nSi2nH2方法の第3の実施形態において、水素を用いて、プラズマ化学プロセスにおいてSiCl4から塩素化ポリシランを得る。これは同様に、HClも生成する。塩素化ポリシランは、熱分解によってケイ素およびSiCl4へ転換され、SiCl4は回収され、再び、プラズマ化学反応に供される。ここにおける手順は、PCT出願の国際公開第2006/125425号において記載されている通りであり得る。HClは、プラズマ化学プロセスのステップからの生成ガス混合物から分離され、SiO2の炭素塩素化によるSiCl4の調製のために再利用される。個々の反応ステップは、以下に例示の単純化した反応方程式に相当する。SiO24HCl2C→SiCl42H22CO2SiCl42H2→2/xSiCl2x4HCl2/xSiCl2x→SiSiCl4方法の第4の実施形態において、水素が、HClの脱離を伴うSiCl4の水素化のために用いられて、塩素化モノシランHnSiCl4nn=1~3を生成し、これらは続いて、プラズマ化学プロセスにおいて塩素化ポリシランへ転換され、次に、塩素化ポリシランは元素状ケイ素およびSiCl4へ熱分解される。塩素化モノシランのさらなる処理の間に放出される水素は同様に、SiCl4の水素化のために再利用される。熱分解からのSiCl4は、塩素化モノシランの調製のために再利用される。プラズマのプロセスの間および塩素化モノシランの生成の間に放出されるHClは、SiO2の炭素塩素化によるSiCl4の調製のために再利用される。個々の反応ステップは、HSiCl3の例として、単純化した以下の反応方程式に相当する。SiO24HCl2C→SiCl42H22CO2SiCl42H2→2HSiCl32HCl2HSiCl3→2/xSiCl2x2HCl2/xSiCl2x→SiSiCl4塩素化ポリシランのプラズマ化学的調製において、水素含有の塩素化ポリシランを形成することもまた可能である。熱分解の間に、これらは、SiCl4とHClおよび/またはH2とを放出する。このようにして形成されたHClは、SiO2の炭素塩素化によるSiCl4の調製のために再利用できる。このようにして形成された水素は、プラズマ化学プロセスのステップに再循環でき、または、第4の実施形態の場合は、塩素化モノシランの調製においてもまた利用できる。塩素化ポリシランの熱分解もまた、塩素化モノシランHnSiCl4nn=1~3を放出し得る。これらは、塩素化ポリシランのプラズマ化学的調製において再利用できる。塩素化モノシランは、適切な方法によってSiCl4から分離でき、第4の実施形態による方法におけるプラズマ化学反応において用いることもできるし、あるいはSiCl4との混合物中での水素化ステップに投入することもできる。本発明の前記実施形態における塩素化モノシランHnSiCl4nn=1~3の調製の間に、様々な程度の水素化によって化合物の混合物を形成することもまた可能である。第1に、これらは、適切な様式で、例えば、蒸留によって分離でき、さらなる転換は、対応する分離方法ステップにおいて達成できる。第2に、塩素化モノシランの混合物は、その成分にさらに分離することなく、さらに処理できる。プラズマ化学プロセスのステップを有する2つの実施形態は、SiCl4と塩素化モノシランとの混合物を用いて塩素化ポリシランの生成すること、およびそれに応じてより少量のH2を用いてプラズマ化学反応を行うことによって、互いに組み合わせることができる。かかる混合物は、例えば、SiCl4の水素化中における四塩化物の完全な転換を目的としないこと、または塩素化ポリシランの熱分解の間に、SiCl4と塩素化モノシランとの混合物を形成することによって、得ることができる。例えば、熱分解から得られたSiCl4のみ、あるいは炭素塩素化反応から生ずるSiCl4のみを水素化に供して、塩素化モノシランを生成することも同様に可能である。前記2つの方法もまた、塩素化モノシランからプラズマ化学的手段によって最初に塩素化ポリシランを生成することによって、組み合わせることができるが、一方、熱分解において形成されるSiCl4は、塩素化ポリシランのプラズマ化学的調製の場合、水素との別の反応に供される。全ての実施形態は、以下の実験方程式に相当する。SiO22C→Si2CO全ての追加の補助物質HCl、H2および中間体SiCl4、HnSiCl4n、SiH4、塩素化ポリシランは循環プロセス内で流通され、したがって、さらなる原材料の投入も追加の廃棄材料の排出も基本的に必要ない。4つの実施形態は、図1~6に概略的に示される。本発明によれば、補助物、中間体または反応副生成物の転換のために、元素状ケイ素は用いられない。方法の工業規模での実施においては、SiO2および炭素原料の汚染によって、および中間体の単離のための分離および精製ステップの間に起こる、HClおよびH2の損失を補填することのみが必要である。HClによるSiO2の炭素塩素化によって得られたSiCl4は、材料を、高純度ケイ素の調製への利用に不適切なものとする不純物を含有し得る。しかし、汚染されているSiCl4は、先行技術の方法によって十分に精製し、さらに処理して高純度ケイ素を生成することができる。中間体として塩素化モノシランHnSiCl4nn=1~3を含む本発明による方法の実施形態の場合は、不十分な純度を有するSiCl4を最初に水素化して塩素化モノシランを生成し、次いで、塩素化モノシランまたは塩素化モノシランとSiCl4との混合物を適切な方法によって精製することもまた可能である。あらゆる場合において、生成方法へのH2の完全な再循環のために、炭素塩素化ステップにおいて直接得られるガスの量を除いて、水素のさらなる必要性はない。しかし、特に、COおよび水素の分離は、工業的実施においてはH2の損失に関連する可能性があり、したがって酸化炭素転換によるH2の追加的生成は、これらの損失に置き換わることができる。さらに、H2とのクロロシランSiCl4またはHSiCl3の反応は、過剰の水素の存在下でしばしば実施される。対応する生成物および副生成物の除去の後に、この過剰な水素は生成方法に再循環できる。この回収ステップの間にも、損失が起こりうる可能性があり、これらは、酸化炭素転換から生じる水素によって、少なくとも部分的に相殺し得る。1.炭素塩素化細かく分割された石英4gを、活性化炭粉末4g、小麦粉2gおよび少量の水と混合して、ペースト状および粒状粒径およそ1~3mmに転換する。材料を完全に乾燥させて80°C、石英ウールプラグの間の直径2.5cmの石英ガラス管中へ導入し、1050°Cまでで完全にか焼する管状炉。HClガス約20ml/sを、1.5hの時間にわたって1050°Cでこのベッドに通す。形成された蒸気を、-50°Cで冷トラップ中に凝縮する。解凍後、約1.2g=理論値HClに基づく理論的収量の38のSiCl4を無色の液体として単離し、29SiNMR分光測定法によって特性解析する。2.塩素化ポリシランの生成のためのプラズマ反応H2300sccmおよびSiCl4600sccm1:2の混合物を、1.5~1.6hPaの範囲内で方法圧力を一定に維持しながら石英ガラス反応器中へ導入する。次に、ガス混合物を、高周波放電を用いてプラズマ状態へ転換し、塩素化ポリシランの沈殿が反応器の冷却された20°C石英ガラス壁上に形成される。導入された電力は400Wである。4時間後、オレンジ色がかった黄色の生成物を少量のSiCl4に溶解することによって反応器から除去する。減圧下でのSiCl4の除去の後で、塩素化ポリシラン187.7gが、オレンジ色がかった黄色の粘着性物質の形態で残る。平均モル質量は、凝固点降下法によって測定され、約1400g/molであり、塩素化ポリシランSiCl2nまたはSinCl2n2について、SiCl2nについては約n=14またはSinCl2n2については約n=13の平均鎖長に相当する。温浸後、生成物混合物中のSi対Clの比は、MOHRによる塩化物滴定によって測定されて、Si:Cl=1:1.8である実験分析式SiCl1.8に相当する。水素含有量は、図7に示された1HNMRスペクトルから推測できる通り、1質量よりはるかに少ない0.0008また1atomより少ない。この目的のために、溶媒についてδ=7.15ppmおよび生成物についてδ=3.75ppmの積分値が比較される。ここにおけるC6D6溶媒の含有量は、およそ27質量であり、その重水素化率は、99である。およそ10.9ppm、3.3ppm、-1.3ppmおよび-4.8ppmでの典型的な29SiNMRシフトは、図8に示されるスペクトルから明らかである。1および2の場合、これらのシグナルは、SiCl3末端基一級ケイ素原子のためのシグナルに典型的なシフト範囲内で起こり、2は、例えば、直鎖の領域中の中間要素として起こる通り、SiCl2基二級ケイ素原子のためのシグナルに典型的なシフト範囲内である。短鎖分枝化合物、例えば、デカクロロイソテトラシランとりわけ、δ=-32ppm、ドデカクロロネオペンタシランとりわけ、δ=-80ppm3の場合、これらのシグナルは、Si-Cl基三級ケイ素原子のためのシグナルに典型的なシフト範囲内であり、4は、もっぱらケイ素置換基のみを有するケイ素基四級ケイ素原子のためのシグナルに典型的なシフト範囲内にあるの低含有量は、以下のスペクトルに基づいて明白である。29SiNMRスペクトルの積分値は、短鎖成分中で言及されたSi-Cl基三級ケイ素原子およびもっぱらケイ素置換基のみを有するケイ素基四級ケイ素原子枝分かれ部位を形成するケイ素原子の含有量が、生成物混合物全体に基づいて、0.3質量であり、したがって1質量より少ないことを示す。低分子量のシクロシランは、混合物中で検出不可能であった。これらは、29SiNMRスペクトルにおいて、δ=5.8ppmSi4Cl8、δ=-1.7ppmSi5Cl10、δ=-2.5ppmSi6Cl12のシャープなシグナルを示すはずであるが、スペクトルがこの範囲内に多数のシグナルを有するから、これらは、スペクトルにおいて確実に同定できない。およそ-20ppmでのピークは、SiCl4溶媒から生ずる。3.Siへのハロゲン化ポリシランの分解油性の粘着性生成物を、減圧下800°Cまで管炉において加熱する。これは、灰色がかった黒色の残留物2.2gを形成し、粉末X線回析測定法によって結晶状Siとして確認された。4.ハロゲン化モノシランHSiCl3およびSiへの過程の間に形成されるSiCl4の転換Si粒径0.2~0.4mm0.5gを、石英ボート長さおよそ4cmのベッド上で層にし、直径2.5cmの石英管においてアルゴン下で乾燥させる。0°CでSiCl4蒸気によって飽和した水素20l/hを16分間このベッド上を通し、一方、ベッドは、マイクロ波電力300W、2.54GHzの導入によって鮮黄色に輝くまで加熱する。実験が終了した後、ベッドの重量計測をし、37mg5.5の質量での増加がSiの析出によって観察される。蒸気は、-50°Cで冷トラップ中に凝縮され、無色の液体が単離され、29SiNMR分光測定法によって特性解析される図9参照。反応の間に、SiCl4およそ3が、HSiCl3へ転換されることが、ここにおいて見出される。"