原子で、Gaを25以上、40未満含み、残部Cuおよび不可避的不純物からなり、酸素含有量が200ppm以下としたことを特徴とするCu-Ga系合金粉末。原子で、Gaを25以上、40未満含み、残部Cuおよび不可避的不純物からなり、酸素含有量が250ppm未満、かつ結晶粒径が10μmを超え、100μm以下としたことを特徴とするCu-Ga系合金スパッタリングターゲット材。請求項1に記載のCu-Ga系合金粉末を原料とし、これを400~850°Cの温度で固化成形することを特徴とするCu-Ga系スパッタリングターゲット材の製造方法。上述したように、特許文献1は、鋳造法のため、硬くかつ脆くなり、機械加工時に割れや欠けを発生する問題があり、一般に粉末冶金法によるターゲット材に移行されて来ている。しかし、また、粉末冶金法による特許文献2のような、混合粉末を用いる場合は、実施例に示すように全て200°Cと低い温度で固化成形されている。このように低い固化成形温度では十分にターゲット材の密度を上昇できない場合があり、特許文献1の段落[0004]に記載されている通り、低密度、高酸素はスパッタ時に異常放電やパーティクルの発生の原因になるという問題がある。また、2相以上の構成相からなるターゲット材も、各相のスパッタ率の違いなどが原因でスパッタの後半にターゲット材の表面に凹凸が発生し、パーティクルの増加による薄膜の不良率増加が生じる課題がある。また、特許文献3に開示する酸素含有量は250~310ppmと高いターゲット材が提案されている。しかしながら、このような最低でも250ppmと高い酸素含有量では、スパッタリングによる成膜中に異常放電やパーティクル、スプラッシュの発生を抑制し、酸化物による汚染もなく、高品質で組成の正確な太陽電池の光吸収層用薄膜を成膜させるには必ずしも十分でない。上述のような粉末冶金法の課題である高い酸素含有量を改善するため、発明者は原料となる合金粉末の組成とガスアトマイズ法等による酸素含有量、結晶粒径および固化成形温度を詳細に研究した結果、本発明に至った。その発明の要旨とするところは、1原子で、Gaを25以上、40未満含み、残部Cuおよび不可避的不純物からなり酸素含有量が200ppm以下としたことを特徴とするCu-Ga系合金粉末。2原子で、Gaを25以上、40未満含み、残部Cuおよび不可避的不純物からなり、酸素含有量が250ppm未満、かつ結晶粒径が10μmを超え、100μm以下としたことを特徴とするCu-Ga系合金スパッタリングターゲット材。3前記1に記載のCu-Ga系合金粉末を原料とし、これを400~850°Cの温度で固化成形することを特徴とするCu-Ga系スパッタリングターゲット材の製造方法にある。以上述べたように、本発明により、太陽電池の光吸収薄膜層を製造するための低酸素Cu-Ga系スパッタリングターゲット材を提供することを可能とした。以下、本発明について詳細に説明する。本発明の最も重要な点は、Ga含有量と結晶粒径および高温固化成形により、酸素含有量の低いCu-Ga系ターゲット材およびこの原料となるCu-Ga系合金粉末を得ていることである。本発明におけるGa含有量の領域のCu-Ga合金をガスアトマイズ法等の製造法により粉末とすると、Gaが25未満、もしくは40以上の含有量に当たる範囲のCu-Ga系合金よりも酸素含有量が低くなることを見出した。この現象の詳細な原因は定かではないが、Cu-Ga系の2元状態図において、本発明におけるGa含有量の領域で生成する相は、主にCu9Ga4相であり、この相と酸素の親和性が低いことが影響しているのではないかと考えられる。さらに、この粉末は、400°C以上の高温で固化成形することにより、成形時の酸素増加を抑制できることを見出した。一般的に金属粉末は真空中であっても高温に加熱されると周囲のわずかに残存する酸素と反応し、酸素含有量が増加する傾向がある。しかしながら、本合金においては400°C未満の低温で固化成形した場合に、特に酸素含有量の増加が大きく、400°C以上の高温で固化成形した場合に酸素含有量の増加が小さく抑えられることを見出した。この現象についての詳細な原因は不明であるが、本合金の主相であるCu9Ga4相の酸素との親和性が低く、真空中で400°C以上の高温に加熱すると酸素を含有できる平衡値が、400°C未満の低い温度よりも小さくなるのではないかと考えられる。なお、上述のように単一合金粉末を原料として固化成形に用いることで、より高い温度での固化成形が可能になる。また、本発明によるCu-Ga系ターゲット材は結晶粒径が10μmを超え、100μm以下であり、特許文献3よりも比較的粗大である。一般に本合金系では結晶粒が微細になることで高い強度が得られるとされているが、上述のように本発明によるターゲット材は比較的粗大な結晶粒度である。しかしながら、十分に実用に耐える強度を有していることがわかった。この理由として、本発明ターゲット材は酸素含有量が低いため、結晶粒度が比較的粗大であっても、粒界の酸化物などが少なく、強度に優れている可能性があると思われる。特に、酸素含有量を250ppm未満とすることで高い強度が得られることを見出した。なお、アトマイズ粉末の結晶粒径は本発明範囲の結晶粒径より十分に小さいが、固化成形温度の上昇にともない固化成形体の結晶粒径は大きくなる。したがって、400~850°Cで固化成形することにより、本発明範囲の粒径の固化成形体を得ることができる。また、発明者はガスアトマイズやディスクアトマイズについても検討した結果、本合金組成においてはタンク内を置換したり溶湯に吹き付けるガスとしてはArガスよりもN2ガスを用いるほうが、より低酸素を実現できることを見出した。以下、本発明に係る規制した理由を説明する。Gaを25以上、40未満Ga含有量が25以上、40未満の範囲にすることで、200ppm以下の低い酸素含有量を有するCu-Ga系合金粉末が実現できる。25未満もしくは40以上では、酸素含有量が増加してしまう。その理由は、上述したように、Cu-Ga系の2元状態図において、上記範囲でのGa含有量の領域で生成する相が、主にCu9Ga4相で、この相と酸素との親和性が低いことが影響すると考えられる。特にガスアトマイズ法等の製造法により顕著であり、その範囲を25以上、40未満とした。好ましくは29超え、38以下、より好ましくは30以上、35以下とする。粉末の酸素含有量が200ppm未満粉末の酸素含有量が200ppm未満である本合金系の粉末を用いることにより、酸素値250ppm未満の成形体が得られる。スパッタリングターゲット材の酸素含有量が250ppm未満酸素含有量が250ppm未満であると、スパッタリングによる成膜中に異常放電やパーティクル、スプラッシュの発生がなく、酸化物による汚染もなく、高品質で組成の正確な太陽電池の光吸収層用薄膜を成膜できることから、その上限を250ppm未満とした。また、この範囲の酸素含有量とすることにより高い強度も同時に得られる。好ましくは200ppm以下とする。より好ましくは180ppm以下とする。結晶粒径が10μmを超え、100μm以下結晶粒径が10μm以下となると十分な成形温度とすることができず、また、成形時の酸素量上昇の抑制効果が得られない。また、結晶粒径が100μm以上となると成形体の強度が低くなってしまう。好ましくは20~80μmとする。実質単一の合金粉末を用いる同じGa量のターゲット材を粉末冶金法で作製する場合、低Gaと高Ga粉末の混合とするより、単一合金とするほうが、より高い温度で固化成形ができるため好ましい。その理由は、上述したように、Cu-Ga系の2元状態図から分かるように、Ga含有量が増加するに伴い、固相線溶融開始温度が急激に低下するため、固化成形時の溶融を避けるために固化成形温度を低く設定せざるを得ないことから、より高い温度で固化成形を行いたくとも固化成形温度を高く設定できないからである。なお、本発明において、実質単一の合金粉末を用いるとは、同等Ga量の合金粉末でも、アトマイズのロットによりGa量は不可避的に前後する。このように同等Ga量で異ロットの粉末を混合したものも、実質単一の合金粉末とみなして扱う。粉末製造法本合金粉末はガスアトマイズ法やディスクアトマイズ法に代表される水アトマイズ法以外のアトマイズ法により作製することが好ましい。すなわち、真空溶解法などで得た溶製材や急冷薄帯法により得た薄帯を原料にこれらを粉砕する粉砕法や水アトマイズ法などの方法では酸素含有量が高くなってしまう。なお、タンク内の置換や溶湯に吹き付けるガスはArやN2などがあるが、N2を用いると更に低酸素が実現されるためより好ましい。400°C以上、850°C以下の温度で固化成形本発明ターゲット材は高温で固化成形することにより、固化成形時の酸素増加を少なく抑制できる。400°C未満では酸素増加が大きく、850°Cを超えると溶融してしまう。好ましくは650°C以上、830°C以下とする。より好ましくは700°C以上、800°C以下とする。なお、歩留まりの観点からはホットプレスによる固化成形が好ましい。また、本用途のスパッタリングターゲット材は大型化する傾向にあり、十分な密度も成形体を安定的に得るために、成形圧力は10MPa以上、成形時間は0.5時間以上が好ましい。一方、粉末から固化成形する際の酸素量の増加をできるだけ少なくする観点からは熱間静水圧法HIP法が好ましい。この場合は、成形圧力は50MPa以上、成形時間は2時間以上が好ましい。以下、本発明について、実施例によって具体的に説明する。表1に示す組成に秤量した溶解原料を、耐火物坩堝にて20kg溶解し、内径8mmのノズルからこの溶湯を出湯し、表1に示すガスによって噴霧した。これら粉末を目開き500μmの網により分級し、500μm以下の粉末について酸素分析を行なった。作製した合金粉末を表2の組み合わせで合計組成となるように混合した原料粉末とした。なお、表2において、1種類の合金粉末のみ記載しているものは、他の粉末と混合することなく、単一合金粉末を原料粉末として用いたものである。また、組成の後に続く括弧は噴霧ガスを示す。これらの原料粉末を表1に示す条件で固化成形し、その固化成形体から試料を切り出し、酸素含有量を分析した。なお、ホットプレス法は直径105mmの黒鉛型を用い、高さ約10mmとなるように真空中で固化成形した。HIP法では直径150mmで高さ100mmの炭素鋼の容器を用い、これに粉末を充填後、脱気封入し、固化成形した。また、いずれの工法においても、成形体のほぼ中央部より、ワイヤーカットおよび平面研磨により酸素分析用の試料を作製した。また、比較として、減圧したAr雰囲気中の耐火物坩堝内で誘導溶解した原料を、直径が105mmで高さが100mmの鋳型に鋳込んだものを、鋳造材として比較材とした。ターゲット材の結晶粒径としては、作製したターゲット材から切り出した試験片を鏡面研磨し、この研磨面を酸溶液で腐食し光学顕微鏡写真を撮影し、この写真に一定長さの試験直線を引き、この直線と結晶粒界との交点の数を測定し、試験直線長さと交点の数の比、すなわち、[試験直線長さμm]/[交点の数個]により評価した。また、ターゲットの抗折強度は、作製したターゲット材から2mm角で長さが20mmの試験片を採取し、3点曲げ抗折試験機により評価した。表1は、合金粉末の組成、アトマイズガスおよび粉末の酸素含有量を示す。表1に示すように、No.1~10は本発明例であり、No.11~12は比較例である。比較例No.11は、合金粉末の組成であるGaの含有量が低いために酸素含有量が高い。比較例No.12は、合金粉末の組成であるGaの含有量が高いために比較例No.11と同様に、酸素含有量が高い。これに対し、本発明例であるNo.1~10は、いずれも本発明条件を満足し、特にNo.8~10はN2ガスで噴霧した粉末の酸素分析値はいずれも100ppm以下と低い値を示した。表2は、ターゲット材の原料粉末の組成、その合計組成、固化成形条件工法、温度、圧力、時間およびその評価結果を示す。この表2に示すように、No.1~10は本発明例であり、No.11~15は比較例である。比較例No.11は、原料合金粉末の組成であるGaの含有量が低いために酸素含有量が高くなる。そのためにスパッタ成膜時に異常放電やパーテクルが発生し、酸化物による汚染がされる。比較例No.12は、合金粉末の組成であるGaの含有量が高いために酸素含有量が高くなり、スパッタ成膜時に異常放電やパーテクルが発生し、酸化物による汚染がされる。比較例No.13は、スパッタリングターゲット材の酸素含有量が高く、かつ結晶粒径が小さいために十分な成形温度とすることができず、抗折強度が得られず、かつ、酸素が高いためにスパッタ成膜時に異常放電やパーテクルが発生し、酸化物による汚染がされる。比較例No.14は、成形温度が高いために、抗折強度が得られず、加工性も悪い。比較例No.15は、結晶粒径が大きくアトマイズ法ではなく鋳造のため、十分な抗折強度が得られず、また、加工性が悪い。これに対し、本発明例であるNo.1~10は、いずれも本発明条件を満足したスパッタリングターゲット材は350MPa以上の高い抗折強度を有し、いずれもワイヤカットや平面研磨など、通常の機械加工により、寸法は外径が101.6mmで厚さが5mmのスパッタリングターゲット材への加工が可能であった。以上のように、本発明により、酸素が低減され、最適な成形温度が得られ、350MPa以上の高い抗折強度を有し、かつ加工性の優れたスパッタリングターゲット材を得ることが出来、このスパッタリングターゲット材を用いてスパッタリングを行った時に安定かつ効率良く、膜組成の均一なCu-Gaスパッタリング膜を、例えば薄膜太陽電池の光吸収層を構成する層として形成することができる極めて優れた効果を奏するものである。特許出願人山陽特殊製鋼株式会社代理人弁理士椎名彊