基板が載置された載置体と、前記載置体が複数支持された載置体支持具と、前記載置体支持具が収容される反応管と、前記反応管の外側に設けられ、前記反応管内に収容された基板を加熱する加熱部とを備え、前記載置体の、前記基板と接触する面と前記載置体支持具と接触する面が、同じ粗さに表面加工されたことを特徴とする基板処理装置。載置体上に基板を載置する基板載置工程と、載置体を載置体支持具に複数支持する載置体支持工程と、基板が載置された載置体支持具を反応管内に収容する載置体支持具収容工程と、前記反応管内に収容された載置体支持具が支持する載置体上に載置された基板を熱処理する熱処理工程とを備え、前記基板載置工程より前に、前記載置体の前記基板と接触する面と前記載置体支持具と接触する面を、同じ粗さに表面加工することを特徴とする半導体装置の製造方法。上述のように、従来はサセプタ上面と下面の表面粗さが異なっていたが、このようにサセプタ上面と下面の表面粗さが異なっている状態で高温処理を行うと、サセプタが変形する場合があることが分かってきた。サセプタが変形すると、ボート上のサセプタが不安定なバタツキ状態となり、異物が発生し易くなる。また、ウェハの支持が不安定となり、スリップ発生の原因となる。本発明の目的は、高温処理においても、サセプタ変形を抑制することができる基板処理技術を提供することにある。前記課題を解決するための、本発明に係る基板処理装置の代表的な構成は、次のとおりである。基板が載置された載置体と、前記載置体が複数支持された載置体支持具と、前記載置体支持具が収容される反応管と、前記反応管の外側に設けられ、前記反応管内に収容された基板を加熱する加熱部とを備え、前記載置体の、前記基板と接触する面と前記載置体支持具と接触する面が、同じ粗さに表面加工されたことを特徴とする基板処理装置。また、本発明に係る半導体装置の製造方法の代表的な構成は、次のとおりである。載置体上に基板を載置する基板載置工程と、載置体を載置体支持具に複数支持する載置体支持工程と、基板が載置された載置体支持具を反応管内に収容する載置体支持具収容工程と、前記反応管内に収容された載置体支持具が支持する載置体上に載置された基板を熱処理する熱処理工程とを備え、前記基板載置工程より前に、前記載置体の前記基板と接触する面と前記載置体支持具と接触する面を、同じ粗さに表面加工することを特徴とする半導体装置の製造方法。上記の構成によれば、高温処理においてもサセプタ変形を抑制することができ、異物発生やスリップ発生を抑制することができる。以下、図面を参照して、本発明の実施形態における基板処理装置を説明する。本実施形態における基板処理装置は、一例として、半導体装置IC:IntegratedCircuitの製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。以下の説明では、基板処理装置として、基板に酸化、拡散処理やCVDChemicalVaporDeposition処理などを行うバッチ式縦型半導体製造装置以下、単に処理装置というを適用した場合について述べる。図1は、本発明の実施の形態で好適に用いられる基板処理装置の処理炉202及び処理炉周辺の概略構成図であり、縦断面図として示されている。図1に示されるように、処理炉202は加熱部としてのヒータ206を有する。ヒータ206は円筒形状であり、ヒータ素線とその周囲に設けられた断熱部材より構成され、図示しない保持体に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ206の内側には、ヒータ206と同心円状に反応管203が配設されている。反応管203は、石英SiO2または炭化シリコンSiC等の耐熱材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管203の内側の筒中空部には、処理室201が形成されており、基板としてのウェハ200を後述するボート217によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。なお、ウェハ200は、後述するサセプタ載置体2に載置され、ウェハ200を載置したサセプタ2が複数、垂直方向に多段にボート217に支持される。詳しくは後述する。反応管203の下方には、反応管203と同心円状にマニホールド209が配設されている。マニホールド209は、例えば、ステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。このマニホールド209は反応管203を支持するように設けられている。尚、マニホールド209と反応管203との間には、シール部材としてのOリングが設けられている。このマニホールド209が図示しない保持体に支持されることにより、反応管203は垂直に据え付けられた状態となっている。この反応管203とマニホールド209により反応容器が形成される。マニホールド209には、ガス排気管231が設けられると共に、ガス供給管232が水平に貫通するよう設けられている。ガス供給管232は、上流側で3つに分かれており、バルブ177、178、179とガス流量制御装置としてのMFC183、184、185を介して第1のガス供給源180、第2のガス供給源181、第3のガス供給源182にそれぞれ接続されている。MFC183、184、185及びバルブ177、178、179には、ガス流量制御部235が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の流量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。ガス排気管231の下流側には、図示しない圧力検出器としての圧力センサ及び圧力調整器としてのAPCバルブ242を介して真空ポンプ等の真空排気装置246が接続されている。圧力センサ及びAPCバルブ242には、圧力制御部236が電気的に接続されており、圧力制御部236は、圧力センサにより検出された圧力に基づいてAPCバルブ242の開度を調節することにより、処理室201内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御するよう構成されている。マニホールド209の下端は、シール部材としてのOリングを介して、ロードロック室140の天板251の上側と接している。天板251の中央には、上面視上から見た形状が円形の炉口161が設けられている。炉口161は、ウェハを搭載したボート217が垂直方向に通過できる大きさである。天板251の下側には、炉口161を気密に閉塞するための炉口蓋体としてのシールキャップ219が設けられている。シールキャップ219は、例えばステンレス等の金属よりなり、円盤状に形成されている。シールキャップ219の上面には、天板251の下側と当接するシール部材としてのOリングが設けられている。シールキャップ219には、回転機構254が設けられている。回転機構254の回転軸255はシールキャップ219を貫通してボート217に接続されており、ボート217を回転させることでウェハ200を回転させるように構成されている。シールキャップ219は、処理炉202の外側に設けられた昇降機構としての後述する昇降モータ248によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート217を処理室201に対し搬入搬出することが可能となっている。回転機構254及び昇降モータ248には、駆動制御部237が電気的に接続されており、所望の動作をするよう所望のタイミングにて制御するよう構成されている。ボート217の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板216が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ206からの熱がマニホールド209側に伝わりにくくなるよう構成されている。ヒータ206近傍には、処理室201内の温度を検出する温度検出体としての温度センサ図示せずが設けられる。ヒータ206及び温度センサには、電気的に温度制御部238が接続されており、温度センサにより検出された温度情報に基づきヒータ206への通電具合を調節することにより処理室201内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。この処理炉202の構成において、第1の処理ガスは、第1のガス供給源180から供給され、MFC183でその流量が調節された後、バルブ177を介して、ガス供給管232により処理室201内に導入される。第2の処理ガスは、第2のガス供給源181から供給され、MFC184でその流量が調節された後、バルブ178を介してガス供給管232により処理室201内に導入される。第3の処理ガスは、第3のガス供給源182から供給され、MFC185でその流量が調節された後、バルブ179を介してガス供給管232より処理室201内に導入される。また、処理室201内のガスは、ガス排気管231に接続された排気装置としての真空ポンプ246により、処理室201から排気される。本実施形態におけるサセプタ2とボート217の構造について説明する。サセプタ載置体支持具としてのボート217は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、ウェハ200を載置したサセプタ2を複数、水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。サセプタ2は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料で形成されている。図2は、本実施形態におけるサセプタ2がボート217に支持されている状態を示す側面図であり、ボート217の一部を示す図である。図3は、本実施形態におけるサセプタ2の平面図である。図3に示すように、本実施形態におけるサセプタ2は、上面視上側から見た形状がC字のリング状C字状をしており、2つのウェハ支持部2bを、繋ぎ部2aで接続する構造である。ウェハ支持部2bは、その上面及び下面が同じ表面粗さに加工された平面をなし、その上面によりウェハ200を面支持する。繋ぎ部2aは、2つのウェハ支持部2bを繋ぎ固定する。なお、サセプタ2をC字のリング状に形成するのは、ウェハ200を搬送するウェハ搬送機が、ウェハ200をサセプタ2上に載置し易くするためである。ウェハ200を載せた搬送機のフィンガーが、サセプタ2上に水平移動した後、C字の空隙部を通って下降することにより、ウェハ200をサセプタ2上に載置できる。ウェハ200をサセプタ2上から取り出すときは、ウェハ搬送機は逆の手順で動作する。図2に示すように、ボート217は、鉛直方向縦方向に延びるボート支柱217bと、ボート支柱217bから処理室201の中心方向に突出して設けられた複数のサセプタ支持部217aを備える。ボート217は、複数、例えば3本のボート支柱217bを備える。図2では、サセプタ支持部217aを2つだけ示すが、1つのボート支柱217bは10以上のサセプタ支持部217aを備える。1つのサセプタ支持部217a上には、サセプタ2が1つ支持される。さらに、1つのサセプタ2上には、ウェハ200が1枚載置される。図3の例では、サセプタ2は、3本のボート支柱217bにより、繋ぎ部2aと、繋ぎ部2aの両側のウェハ支持部2bの3点で、支持されている。この状態を、側面から見た図を、図4に示す。図4は、ボート217によるサセプタ2の支持状態を示す模式図である。図4において、217aaは、サセプタ2の繋ぎ部2aを支持するボート支柱のサセプタ支持部217aを意味し、217abは、サセプタ2のウェハ支持部2bを支持するボート支柱のサセプタ支持部217aを意味する。図3や図4に示すように、サセプタ2は、そのほぼ半分に相当する部分を、サセプタ支持部217aaと217abを支点として支持されるので、特にサセプタ支持部217abと接触する部分には、サセプタ2とウェハ200の重量によるストレスがかかり、サセプタ支持部217abを支点として、多少なりとも下方に垂れ下がる。サセプタ支持部217aの上面と、サセプタ2の下面の接触状態について説明する。図5は、本実施形態におけるサセプタ2とボート217の接触状態を示す模式図であり、図2における2A部分の拡大図である。図5に示すように、本実施形態においては、サセプタ2の下面を、サセプタ2の上面と同じ程度の表面粗さ、例えばRa=1.5~2.5μmに加工している。加工手順としては、まず、機械研磨処理により表面粗さRa=1.0μm程度に加工し、その後、ブラスト処理により表面粗さRa=1.5~2.5μm程度に加工する。因みに、図6は、従来例におけるサセプタ2とボート217の接触状態を示す模式図である。従来例においては、サセプタ2の下面に対して機械研磨処理を行うのみで、ブラスト処理を行っていない。したがって、サセプタ2の下面は、サセプタ2の上面Ra=1.5~2.5μmよりも平坦な、表面粗さRa=1.0μmになっている。サセプタ2の下面と上面の加工方法が異なり表面粗さが異なると、加熱処理した際、サセプタ2の下面と上面とで熱膨張の度合いが異なり変形しやすくなる。この変形により、サセプタ2の支点である217ab部に接する図4参照サセプタ2の下面にキズが入り欠陥となる。この欠陥は熱処理を繰り返すことでスリップとなりサセプタ2の変形に至る。図7に、本実施形態におけるサセプタと従来例におけるサセプタの、異物発生数を示す。図7の実施例は、サセプタ2上にウェハ200を載置したボート217を、処理室201内において10回熱処理したものであり、後述するボートローディングとボートアンローディングを10回行ったものである。図7において、縦軸は、ウェハ1枚当たりの異物発生数個/ウェハであり、51は、サセプタ2の下面を上面よりも平坦な表面粗さに機械研磨加工した従来例、52は、サセプタ2の下面を上面と同程度の表面粗さに機械研磨加工した実施例1、53は、サセプタ2の下面を上面よりも平坦な表面粗さにブラスト加工した従来例、54は、サセプタ2の下面を上面と同程度の表面粗さにブラスト加工した実施例2である。凡例は、○は、直径が0.080μm以上で0.160μm未満の異物を示し、□は、直径が0.160μm以上で1.000μm未満の異物を示し、△は、直径が1.000μm以上の異物を示す。例えば、51の従来例では、直径が0.080μm以上で0.160μm未満の異物○が28個程度のウェハや18個程度のウェハがあり、直径が0.160μm以上で1.000μm未満の異物□が26個程度のウェハがあり、直径が1.000μm以上の異物△が14個程度のウェハがあることが分かる。また、52の実施例1では、直径が0.080μm以上で0.160μm未満の異物○が18個程度のウェハがあり、直径が0.160μm以上で1.000μm未満の異物□が18個程度のウェハがあり、直径が1.000μm以上の異物△が12個程度のウェハがあることが分かる。また、53の従来例では、直径が0.080μm以上で0.160μm未満の異物○が24個程度のウェハがあり、直径が0.160μm以上で1.000μm未満の異物□が22個程度のウェハがあり、直径が1.000μm以上の異物△が26個程度のウェハがあることが分かる。また、54の実施例2では、直径が0.080μm以上で0.160μm未満の異物○が21個程度のウェハがあり、直径が0.160μm以上で1.000μm未満の異物□が17個程度のウェハがあり、直径が1.000μm以上の異物△が10個程度のウェハがあることが分かる。このように、実施例1と実施例2のいずれにおいても、従来例よりも異物が減少したことが分かる。図8に、本実施形態におけるサセプタ下面の加工表面粗さと異物発生数の関係を示す。図8において、縦軸は、ウェハ1枚当たりの異物発生数個/ウェハであり、横軸は、サセプタ2下面の加工表面粗さμmである。図中の曲線81は、サセプタ2の上面の加工表面粗さと下面の加工表面粗さとの差を示す。凡例は、図7と同様である。図8に示すように、サセプタ2の下面の加工表面粗さが上面の加工表面粗さに近づくことで、変形が少なくなり異物発生数が減少することが分かる。次に、本発明で用いる基板処理装置の処理炉周辺の構成について説明する。予備室としてのロードロック室140の外面に下基板245が設けられる。下基板245には昇降台249と嵌合するガイドシャフト264及び昇降台249と螺合するボール螺子244が設けられる。下基板245に立設したガイドシャフト264及びボール螺子244の上端に上基板247が設けられる。ボール螺子244は上基板247に設けられた昇降モータ248により回転される。ボール螺子244が回転することにより昇降台249が昇降するように構成されている。昇降台249には中空の昇降シャフト250が垂設され、昇降台249と昇降シャフト250の連結部は気密となっている。昇降シャフト250は昇降台249と共に昇降するようになっている。昇降シャフト250はロードロック室140の天板251を遊貫する。昇降シャフト250が貫通する天板251の貫通穴は昇降シャフト250に対して接触することがない様充分な余裕がある。ロードロック室140と昇降台249との間には昇降シャフト250の周囲を覆うように伸縮性を有する中空伸縮体としてのベローズ265がロードロック室140を気密に保つために設けられる。ベローズ265は昇降台249の昇降量に対応できる充分な伸縮量を有し、ベローズ265の内径は昇降シャフト250の外形に比べ充分に大きくベローズ265の伸縮で接触することがないように構成されている。昇降シャフト250の下端には昇降基板252が水平に固着される。昇降基板252の下面にはOリング等のシール部材を介して駆動部カバー253が気密に取付けられる。昇降基板252と駆動部カバー253とで駆動部収納ケース256が構成されている。この構成により、駆動部収納ケース256内部はロードロック室140内の雰囲気と隔離される。また、駆動部収納ケース256の内部にはボート217の回転機構254が設けられ、回転機構254の周辺は、冷却機構257により、冷却される。電力供給ケーブル258が昇降シャフト250の上端から昇降シャフト250の中空部を通って回転機構254に導かれて接続されている。又、冷却機構257、シールキャップ219には冷却流路259が形成されており、冷却流路259には冷却水を供給する冷却水配管260が接続され、昇降シャフト250の上端から昇降シャフト250の中空部を通っている。昇降モータ248が駆動され、ボール螺子244が回転することで昇降台249及び昇降シャフト250を介して駆動部収納ケース256を昇降させる。駆動部収納ケース256が上昇することにより、昇降基板252に気密に設けられるシールキャップ219が処理炉202の開口部である炉口161を閉塞し、ウェハ処理が可能な状態となる。駆動部収納ケース256が下降することにより、シールキャップ219とともにボート217が降下され、ウェハ200を外部に搬出できる状態となる。ガス流量制御部235、圧力制御部236、駆動制御部237、温度制御部238は、操作部不図示、入出力部不図示とともに、基板処理装置全体を制御する主制御部239に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部235、圧力制御部236、駆動制御部237、温度制御部238、主制御部239は、コントローラ240として構成されている。次に、上記構成に係る処理炉202を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ウェハ200などの基板上に、Epi-SiGe膜を形成する方法について説明する。尚、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作は、コントローラ240により制御される。ロードロック室140内において、ボート217に複数のサセプタ2が装填された状態で、複数枚のウェハ200がそれぞれボート217上のサセプタ2に載置された後、図1に示されるように、複数枚のウェハ200をサセプタ2に載置したボート217は、昇降モータ248による昇降台249及び昇降シャフト250の昇降動作により処理室201内に搬入ボートローディングされる。この状態で、シールキャップ219はOリングを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。処理室201内が所望の圧力真空度となるように真空排気装置246によって真空排気される。この際、処理室201内の圧力は、圧力センサで測定され、この測定された圧力に基づき圧力調節器242がフィードバック制御される。また、処理室201内が所望の温度となるようにヒータ206により加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように温度センサが検出した温度情報に基づきヒータ206への通電具合がフィードバック制御される。続いて、回転機構254により、ボート217が回転されることでウェハ200が回転される。第1のガス供給源180、第2のガス供給源181、第3のガス供給源182には、処理ガスとして、それぞれSiH4又はSi2H6、GeH4、H2が封入されており、次いで、これら処理ガス供給源からそれぞれの処理ガスが供給される。所望の流量となるようにMFC183、184、185の開度が調節された後、バルブ176、177、178が開かれ、それぞれの処理ガスがガス供給管232を流通して、処理室201の上部から処理室201内に導入される。導入されたガスは、処理室201内を通り、ガス排気管231から排気される。処理ガスは、処理室201内を通過する際にウェハ200と接触し、ウェハ200の上面上にEpi-SiGe膜が堆積デポジションされる。予め設定された時間が経過すると、図示しない不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室201内が不活性ガスで置換されると共に、処理室201内の圧力が常圧に復帰される。その後、昇降モータ248によりシールキャップ219が下降されて、炉口161が開口されると共に、処理済ウェハ200がボート217上のサセプタ2に載置された状態で、炉口161から反応管203の外部、つまりロードロック室140内に搬出ボートアンローディングされる。その後、処理済のウェハ200は、ボート217上のサセプタ2より取出されるウェハディスチャージ。尚、一例まで、本実施の形態の処理炉にてウェハを処理する際の処理条件としては、例えば、熱酸化膜の成膜において、処理温度100~1150°C、処理圧力50~101080Pa、ガス種、ガス供給流量0.5~20slm、が例示され、それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することでウェハに処理がなされる。以上説明した実施形態によれば、サセプタ上面と下面の表面粗さが同等になるので、高温処理を行う場合にも、サセプタの変形を抑制することができ、異物の発生やスリップ発生を抑制することができる。以上、本発明を実施形態に基づき説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。上記実施形態では、リング状のサセプタについて説明したが、リング状に限られず他の形状のサセプタであっても、本発明を適用することができる。また、上記実施形態では、ウェハをボート上のサセプタに載置したが、ウェハを載置したサセプタをボートに搭載するようにしてもよい。また、上記実施形態では、ウェハをボート上のサセプタに載置、取り出しする場所を真空置換可能なロードロック室としたが、基板への自然酸化膜の付着等がさほど問題とならない処理を行う場合には、真空置換可能なロードロック室に代えて、窒素ガス雰囲気やクリーンエア雰囲気を用い真空置換しないで行うように構成してもよい。また、上記実施形態では、エピタキシャル成長装置を例示して説明したが、CVD、ALD、酸化、拡散、アニール装置等その他の基板処理装置においても適用可能である。本明細書の記載には、少なくとも次の発明が含まれる。第1の発明は、基板が載置された載置体と、前記載置体が複数支持された載置体支持具と、前記載置体支持具が収容される反応管と、前記反応管の外側に設けられ、前記反応管内に収容された基板を加熱する加熱部とを備え、前記載置体の、前記基板と接触する面と前記載置体支持具と接触する面が、同じ粗さに表面加工されたことを特徴とする基板処理装置。第2の発明は、載置体上に基板を載置する基板載置工程と、載置体を載置体支持具に複数支持する載置体支持工程と、基板が載置された載置体支持具を反応管内に収容する載置体支持具収容工程と、前記反応管内に収容された載置体支持具が支持する載置体上に載置された基板を熱処理する熱処理工程とを備え、前記基板載置工程より前に、前記載置体の前記基板と接触する面と前記載置体支持具と接触する面を、同じ粗さに表面加工することを特徴とする半導体装置の製造方法。第3の発明は、第2の発明の半導体装置の製造方法であって、前記載置体支持工程、前記基板載置工程、前記載置体支持具収容工程の順に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。第4の発明は、第2の発明の半導体装置の製造方法であって、前記基板載置工程、前記載置体支持工程、前記載置体支持具収容工程の順に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。