"電流注入により光利得をもつ光利得素子が設けられたリング共振器を有するリングレーザと、前記リングレーザに光学的に結合された導波路と、前記導波路の一端部に設けられた反射鏡とを有することを特徴とする光半導体素子。請求項1記載の光半導体素子において、前記導波路に光学的に結合された複数の前記リングレーザを有することを特徴とする光半導体素子。請求項2記載の光半導体素子において、複数の前記リングレーザの発振波長が互いに異なっていることを特徴とする光半導体素子。請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光半導体素子において、前記リングレーザと前記導波路とは、方向性結合器により光学的に結合されていることを特徴とする光半導体素子。請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光半導体素子において、前記リングレーザと前記導波路とは、多モード干渉光カプラにより光学的に結合されていることを特徴とする光半導体素子。請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光半導体素子において、前記リングレーザと前記導波路とは、2モード干渉光カプラにより光学的に結合されていることを特徴とする光半導体素子。請求項1乃至6のいずれか1項に記載の光半導体素子において、前記反射鏡は、分布ブラッグ反射鏡であることを特徴とする光半導体素子。請求項1乃至6のいずれか1項に記載の光半導体素子において、前記反射鏡は、前記導波路に結合された分波器と、前記分波器に結合されたループ導波路とを有するループミラーであることを特徴とする光半導体素子。請求項8記載の光半導体素子において、前記分波器は、方向性結合器であることを特徴とする光半導体素子。請求項8記載の光半導体素子において、前記分波器は、多モード干渉光カプラであることを特徴とする光半導体素子。請求項8記載の光半導体素子において、前記分波器は、Y分岐分波器であることを特徴とする光半導体素子。請求項1乃至11のいずれか1項に記載の光半導体素子において、前記リング共振器及び前記導波路のコア材料がシリコンであることを特徴とする光半導体素子。請求項12記載の光半導体素子において、前記光利得素子は、前記リング共振器に貼り合わされた化合物半導体層により形成されていることを特徴とする光半導体素子。しかしながら、リング共振器を用いたレーザは、一般的に時計回りClockwise:CW反時計回りCounterClockwise:CCWの両モードで発振することができる。このため、モード選択性を持たせる機能を備えていないリングレーザでは、CWモード及びCCWモードの両モードで発振が起こる。このとき、CWモード光とCCWモード光とは別のポートから出力されるため、1ポートあたりのパワーが半減する。出力パワーを増加するためにモード選択性を持たせる機能を備えることが考えられるが、その場合には素子サイズが大きくなり、消費電力が増加することもあった。本発明の目的は、リング共振器を用いた発光素子を有する光半導体素子に関し、素子サイズや消費電力が増大することなく出力パワーを向上しうる光半導体素子を提供することにある。実施形態の一観点によれば、電流注入により光利得をもつ光利得媒質層が設けられたリング共振器を有するリングレーザと、前記リングレーザに光学的に結合された導波路と、前記導波路の一端部に設けられた反射鏡とを有する光半導体素子が提供される。開示の光半導体素子によれば、リングレーザにより発振されるCWモード光とCCWモード光とを建設的に干渉させ、1モードを出力する場合と比較して出力パワーを大幅に増加することができる。また、モード選択性を持たせるための特別な機能を備えることは不要であり、素子サイズや消費電力の増大を抑制することができる。[第1実施形態]第1実施形態による光半導体素子について図1乃至図10を用いて説明する。図1は、本実施形態による光半導体素子の構造を示す平面図である。図2は、本実施形態による光半導体素子の構造を示す概略断面図である。図3は、本実施形態による光半導体素子の動作を説明する図である。図4乃至図10は、本実施形態の変形例による光半導体素子の構造を示す平面図である。はじめに、本実施形態による光半導体素子の構造について図1及び図2を用いて説明する。図2は、図1のA-A′線断面図である。本実施形態による光半導体素子は、図1に示すように、リング共振器により形成されたリングレーザ20と、リングレーザ20に光学的に結合された直線導波路40と、直線導波路40の一端部に設けられた反射鏡50とを有している。リングレーザ20と直線導波路40とは、2×2の光カプラ42により結合されている。図1に示す光導波路構造は、例えば図2に示すように、SOISiliconOnInsulator基板を用いて形成することができる。SOI基板は、シリコン基板10と、シリコン基板10上に形成された埋め込み絶縁層としてのシリコン酸化膜12と、シリコン酸化膜12上に形成されたシリコン層14とを有している。SOI基板を用いた光導波路構造では、シリコンによりコアを形成し、シリコン酸化膜によりクラッドを形成することができる。リングレーザ20は、シリコン層14をパターニングすることにより形成されたリング導波路22と、リング導波路22上に形成された光利得媒質層30とを有している。光利得媒質とは、光を増幅する機能を有する物質である。光利得媒質層30としては、例えば、半導体光増幅器の活性層構造を適用することができる。光利得媒質層30の一例としては、例えば図2に示すように、P型InGaAsP層24とN型InGaAsP層28とによりMQWMultipleQuantumWell:多重量子井戸層26を挟持した構造体が挙げられる。この場合、P型InGaAsP層24及びN型InGaAsP層28には、光利得媒質層30に電圧を印加して電流を注入するための一対の電極32,34が設けられる。光利得媒質層30は、例えば、InP基板上にエピタキシャル成長した後、InP基板から剥離し、分子間力を用いた物理的結合やポリマーを用いた化学的結合等によりリング導波路上に貼りつけ、所望の形状に加工することにより、形成することができる。直線導波路40及び反射鏡50は、例えば、SOI基板のシリコン層14をパターニングすることにより形成することができる。反射鏡50は、例えば、図1に示すような分布ブラッグ反射鏡である。屈折率の異なるシリコンとシリコン酸化膜とで周期構造を形成し、これらシリコン及びシリコン酸化膜内の光学長が例えばそれぞれλ/4となるように設計することにより、波長λの光を反射する反射鏡50となる。周期構造の繰り返し回数を適宜増減することにより、反射率を調整することができる。リングレーザ20、直線導波路40、反射鏡50上には、クラッドとしてのシリコン酸化膜16が形成されている。次に、本実施形態による光半導体素子の動作について図3を用いて説明する。リングレーザ20の電極32,34間に電圧を印加すると、光利得媒質層30に電流が注入されてMQW層26内に光学利得が生じる。リング共振器を用いたレーザは一般的に時計回りclockwise:CW反時計回りcounterclockwise:CCWの両モードで発振できるため、リング導波路22には、時計回り方向に伝搬する光CWモード光と、反時計回り方向に伝搬する光CCWモード光が発振される。リング導波路22内に発振される光の波長は、リング導波路22の周回光路長に応じた共振条件を満足する波長となる。リング導波路22内に発振されたCWモード光は、光カプラ42を介して直線導波路40に導かれ、反射鏡50によって反射された後に直線導波路40の出力ポート図面において右側から出力される。反射鏡50によって反射された光の一部は、光カプラ42を介してリング導波路22に導かれ、CCWモード光の誘導放出を起こす。このように、リング導波路22内に誘起されるCCWモード光は、反射鏡50から戻ってくるCWモード光を種として強制的に発振されたものであり、CWモード光とCCWモード光との位相関係は、反射鏡50から戻ってくるCWモード光の位相によって規定されることになる。リング導波路22内に誘起されたCCWモード光は、光カプラ42を介して直線導波路40に導かれ、直線導波路40の出力ポートから出力される。なお、上記の例ではCWモード光を種としてCCW光を強制的に発振しているが、例えば反射鏡50を直線導波路40の反対側の端部に設けるなどにより、CCWモード光を種としてCWモード光を強制的に発振するようにしてもよい。次に、図3を参照し、素子内の各点における位相について、順を追って説明する。光カプラ42のクロス方向への伝搬時の位相変化をα、バー方向への伝搬時の位相変化をβと定義する。a点におけるCWモード光の位相を0とすると、光カプラ42をクロス方向に伝搬してb点に達する光の位相はαとなる。b点から直線導波路40を左方向に伝搬し、反射鏡50で反射されてc点まで伝搬したときの位相変化をφとすると、c点における位相はαφとなる。c点まで伝搬した光は、光カプラ42をクロス方向に伝搬してリング導波路22に戻る成分と、光カプラ42をバー方向に伝搬して直線導波路40を直進する成分とに分かれる。このとき、リング導波路22に戻る成分のd点における位相は、2αφとなる。また、直線導波路40を直進する成分のg点における位相は、αφβとなる。リング導波路22を1周したときの位相変化は、共振条件からmを整数として2mπとなるため、e点における位相はそれよりβだけ位相変化が小さい2αφ2mπ-βとなる。したがって、CCWモード光がリング導波路22から出たときのf点における位相は、3αφ2mπ-βとなる。以上より、リング導波路22から出てきたCCWモード光のf点における位相と、リング導波路22から出てきて反射鏡50で反射されてきたCWモード光のg点における位相との間の位相差は、2α-βmπとなる。2×2の光カプラ42ではαとβの差がπになることから、これら光が建設的干渉条件を満たしていることが判る。すなわち、リングレーザ20から出力されるCWモード光及びCCWモード光は、1ポートに集められ、反射鏡50から戻ってくるときの位相変化量φによらず建設的干渉が起こる。これにより、CWモード光及びCCWモード光のうちの一方のモードのみを出力する場合と比較して、出力パワーを2倍にすることができる後述の第1及び第4参考例を参照。また、CWモード光及びCCWモード光のうちの一方のモードを選択的に発振させるための種光源は不要であり後述の第2参考例を参照、素子サイズを小さくすることができ、消費電力を低減することができる。また、製造コストを低廉化することができる。また、CWモード光及びCCWモード光のうちの一方のモードを選択的に発振させるために導波路構造を非対称にする必要はなく後述の第3参考例を参照、それによる導波路損失を防止することができる。光カプラ42は、図1に示すような方向性結合器に限定されるものではなく、種々の2×2光カプラを適用することができる。例えば、図4に示すようなMMIMultimodeInterferometer:多モード干渉カプラ、図5に示すようなTMI2ModeInterferometer:2モード干渉カプラ、図6に示すようなXカプラが挙げられる。MMIカプラは、分岐比の自由度が限定されるものの、加工精度に対するトレランスが大きい利点があり、特にサイズ変化に対する特性変化の大きいシリコン細線導波路を使用する場合に有効である。TMIカプラは、分岐比の自由度があるうえ、方向性結合器のような2導波路間のギャップがなく、加工精度による特性ばらつきを低減することが可能である。また、反射鏡50は、図1に示すような分布ブラッグ反射鏡に限定されるものではなく、種々の反射鏡を適用することができる。図7乃至図10は、反射鏡50としてループミラーを用いた例である。図7に示す反射鏡50は、ループミラーを構成する分波器として方向性結合器を用いたものである。図8に示す反射鏡50は、ループミラーを構成する分波器としてMMIカプラを用いたものである。図9に示す反射鏡50は、ループミラーを構成する分波器としてTMIカプラを用いたものである。図10に示す反射鏡50は、ループミラーを構成する分波器としてY分岐を用いたものである。このように、本実施形態によれば、リングレーザに結合された導波路の一端部に反射鏡を設け、リングレーザにより発振されるCWモード光とCCWモード光とを建設的に干渉させるので、1モードを出力する場合と比較して出力パワーを大幅に増加することができる。また、導波路の一端部に反射鏡を設けるだけであり、1モードを選択的に発振させるための特別な機能を設けることを要しないため、素子サイズの増大や消費電力の増大を抑えることができる。[第2実施形態]第2実施形態による光半導体素子について図11乃至図13を用いて説明する。図1乃至図10に示す第1実施形態による光半導体素子と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図11は、本実施形態による光半導体素子の構造を示す平面図である。図12は、本実施形態による光半導体素子の発光スペクトルの一例を示すグラフである。図13は、本実施形態の変形例による光半導体装置の構造を示す平面図である。本実施形態による光半導体素子は、図11に示すように、リングレーザ20の数が異なるほかは、図1に示す第1実施形態による光半導体素子と同様である。すなわち、本実施形態による光半導体素子では、リング共振器により形成された3つのリングレーザ20A,20B,20Cを設けている。リングレーザ20A,20B,20Cのリング導波路22A,22B,22Cは、周回光路長、すなわち共振波長が異なっている。リングレーザ20A,20B,20Cのリング導波路22A,22B,22Cは、2×2の光カプラ42A,42B,42Cを介して直線導波路40にそれぞれ結合されている。直線導波路40の一端部には、反射鏡50が設けられている。第1実施形態にて説明したように、直線導波路40の一端部に反射鏡50を設けることにより、リングレーザ20から発振されるCWモード光とCCWモード光とを建設的に干渉させつつ、出力ポートから出力することができる。このような動作は、直線導波路40に結合して複数のリングレーザ20A,20B,20Cを設けた場合にも同様である。リング導波路22A,22B,22Cの共振波長を変えることにより、異なる波長の発振光をひとまとめにした多波長光源を得ることが可能になる。例えば図12に示すように、リング導波路22A,22B,22Cの共振波長に対応して、波長λ1、λ2、λ3に発振波長を有する多波長光源を得ることができる。この場合においても、CWモード光とCCWモード光とが一つにまとめられるため、各リングレーザ20A,20B,20Cから得られるパワーを倍増することができる。CWモード光とCCWモード光との間の建設的干渉は、前述のように、光カプラ42と反射鏡50との間を往復する際の位相変化量φに影響を受けない。したがって、リングレーザ20A,20B,20Cを直線導波路40に結合する場所は、特に限定されるものではない。これにより、リングレーザ20A,20B,20Cの配置の自由度を大幅に向上することができる。例えば図13に示すように、直線導波路40の両側にリングレーザ20A,20B,20Cを配置することにより、バス導波路直線導波路40を短くすることができ、素子面積を大幅に削減することができる。このように、本実施形態によれば、リングレーザに結合された導波路の一端部に反射鏡を設け、リングレーザにより発振されるCWモード光とCCWモード光とを建設的に干渉させるので、1モードを出力する場合と比較して出力パワーを大幅に増加することができる。また、導波路の一端部に反射鏡を設けるだけであり、1モードを選択的に発振させるための特別な機能を設けることを要しないため、素子サイズの増大や消費電力の増大を抑えることができる。また、一の導波路に対して複数のリングレーザを設けることにより、光出力の多波長光源を実現することができる。[変形実施形態]上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、コア材料としてシリコンを用い、クラッド材料としてシリコン酸化膜を用いているが、コア材料及びクラッド材料は、これに限定されるものではない。例えば、コア材料を化合物半導体としてもよい。また、上記実施形態では、リング導波路22上に光利得媒質層30を設けているが、光利得媒質は、必ずしもリング導波路22上に設けられている必要はない。例えば、リング導波路22の一部を寸断し、この部分に化合物半導体により形成された半導体光増幅器のチップをフリップチップ実装するようにしてもよい。例えば、上記実施形態において、リング導波路22及び直線導波路40は、シリコンスラブ上にシリコンリブを形成したリブ構造の導波路としてもよい。また、上記実施形態において、分布ブラッグ反射鏡は、シリコンコアがある部分とない部分により形成しているが、シリコンコアの一部をシリコン酸化膜とした構造や、リブ導波路のスラブ部分の厚みを変化させた構造により形成してもよい。また、上記第2実施形態では、3つのリングレーザ20A,20B,20Cを設けたが、リングレーザの数は、3つに限定されるものではない。リングレーザ20の数は、2つでもよいし、4つ以上でもよい。また、上記実施形態では、リングレーザ20,20A,20B,20Cのリング導波路22,22A,22B,22Cの平面形状を真円形状としたが、環状の導波路形状であれば、真円形状に限定されるものではない。また、リングレーザに結合される導波路は、必ずしも直線の導波路である必要はない。また、上記実施形態に記載した光半導体素子の構造、構成材料等は、一例を示したものにすぎず、当業者の技術常識等に応じて適宜修正や変更が可能である。[第1参考例]第1参考例による光半導体素子について図14を用いて説明する。図14は、本参考例による光半導体素子の構造を示す平面図である。本参考例による光半導体素子は、リング導波路62を有するリングレーザ60と、リングレーザ60に光学的に結合された直線導波路70とを有するものである。リング共振器を用いたレーザでは、一般的に時計回り反時計回りの両モードで発振できるため、リング導波路22には、時計回り方向に伝搬する光CWモード光と、反時計回り方向に伝搬する光CCWモード光とが発振される。この場合、リング導波路22内に発振された光のうち、CWモード光は光カプラ72を介して直線導波路70の左側へ伝搬し、CCWモード光は光カプラ74を介して直線導波路70の右側へ伝搬することになる。したがって、本参考例による光半導体素子では、CWモード光とCCWモード光とが別のポートから出力されるため、リングレーザ60の発振パワーに対して1ポートあたりのパワーが半減することになる。[第2参考例]第2参考例による光半導体素子について図15を用いて説明する。図15は、本参考例による光半導体素子の構造を示す平面図である。本参考例による光半導体素子は、第1参考例の光半導体素子の直線導波路70の一端部に、ASEAmplifiedSpontaneousEmission光源74を設けたものである。ASE光源74から発振される光を直線導波路70の一端部から導入し、光カプラ72を介してリング導波路62に導入することにより、ASE光源74からの光を種光としてCCWモード光を選択的に発振させることができる。これにより、1ポートあたりの出力パワーを改善することができる。ただし、本参考例による光半導体素子にはASE光源が必要なため、素子サイズが大きくなり、消費電力も増加する。また、製造コストの増加にも繋がる。[第3参考例]第3参考例による光半導体素子について図16を用いて説明する。図16は、本参考例による光半導体素子の構造を示す平面図である。本参考例による光半導体素子は、複数の直線導波路80を組み合わせ、導波路端面における光の反射を利用してリング共振器を形成したものである。一つの導波路端面図16では上部の導波路端面82の角度を左右の導波路80に対して非対称とすることにより、当該導波路端面82におけるCWモード光の反射率とCCWモード光の反射率とが異なるようにすることで、1モードを選択的に発振させることができる。しかしながら、本参考例による光半導体素子では、導波路が非対称のため導波路方向からずれた方向に反射されるため、導波路損失が避けられず、エネルギー効率が低下する。[第4参考例]第4参考例による光半導体素子について図17及び図18を用いて説明する。図17は、本参考例による光半導体素子の構造を示す平面図である。図18は、本参考例による光半導体素子の動作を説明する図である。本参考例による光半導体素子は、第1参考例による光半導体素子の2つの出力ポートから出力される発振光を、方向性結合器やY分岐などの合波器76を用いて合波し、1つの出力ポートから出力するものである。しかしながら、本参考例による光半導体素子では、CWモード光とCCWモード光との位相差によって、出力パワーが変化する。合波器76の入射前のCWモード光の位相をφ1、CCWモード光の位相をφ2と定義すると、φ1-φ2=0のときには、両モードのパワーは出力ポートに導かれ、出力パワーは1モードのときの2倍となる図18a。しかしながら、φ1-φ2=π/2のときには、両モードのパワーの半分しか出力ポートには出力されない図18b。更には、φ1-φ2=πになると、出力ポートに導かれる出力パワーは0になる図18c。CWモード光とCCWモード光とは独立に発振しており、位相関係は規定されておらず、時間的にも変化する。したがって、本参考例による光半導体素子では、必ずしも出力パワーが2倍にならず、出力パワーが変動することもある。"