"半導体材料からなる基板を有する光電変換部と、前記光電変換部の一主面の上に相互に間隔をおいて配された第1及び第2の電極と、を備え、前記光電変換部の一主面側に位置する前記基板の主面には、結晶面により構成された複数のテラスが設けられており、前記複数のテラスの少なくともひとつが前記第1の電極と前記第2の電極との間に収まっている、太陽電池。請求項1に記載の太陽電池において、前記テラスは、前記基板の主面を等方性エッチングした後に異方性エッチングすることにより形成されたものである。請求項1または2に記載の太陽電池において、前記第1の電極は、複数の第1のフィンガー部を有し、前記第2の電極は、前記第1のフィンガー部と隣り合う複数の第2のフィンガー部を有し、前記複数のテラスの少なくともひとつが前記第1のフィンガー部と前記第2のフィンガー部との間に収まっている。請求項3に記載の太陽電池において、前記第1のフィンガー部と前記第2のフィンガー部との間の隙間は、前記第1及び第2のフィンガー部のそれぞれの幅よりも狭い。請求項3または4に記載の太陽電池において、前記テラスを包囲するようにステップが設けられることにより、前記テラスと前記ステップとにより構成された凹部及び凸部の少なくとも一方を含む凹凸部が前記基板の主面に設けられており、前記複数の凹凸部の少なくともひとつが前記第1のフィンガー部と前記第2のフィンガー部との間に収まっている。半導体材料からなる基板を有する光電変換部と、前記光電変換部の一主面の上に相互に間隔をおいて配された第1及び第2の電極と、を備えた太陽電池の製造方法であって、前記基板の主面を等方性エッチングした後に異方性エッチングすることにより、前記光電変換部の一主面側に位置する前記基板の主面に、結晶面により構成された複数のテラスを形成し、前記光電変換部の前記一主面の上に、前記複数のテラスの少なくともひとつが収まるような間隔をおいて前記第1及び第2電極を形成する、太陽電池の製造方法。請求項6に記載の太陽電池の製造方法において、前記等方性エッチングによるエッチング量が、前記異方性エッチングによるエッチング量よりも多い。請求項6または7に記載の太陽電池の製造方法において、半導体材料からなるインゴットをワイヤーソーを用いてスライスすることにより前記基板を作製する。請求項6~8のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法において、アルカリ性のエッチング液を用いて前記異方性エッチングを行う。請求項9に記載の太陽電池の製造方法において、前記基板の主面の上に、CVD法により半導体層を形成することにより、前記基板と前記半導体層とを有する前記光電変換部を作製する。太陽電池の光電変換効率をさらに改善したいという要望がある。本発明は、改善された光電変換効率を有する太陽電池を提供することを主な目的とする。本発明に係る太陽電池は、光電変換部と、第1及び第2の電極とを備える。光電変換部は、半導体材料からなる基板を有する。第1及び第2の電極は、光電変換部の一主面の上に相互に間隔をおいて配されている。光電変換部の一主面側に位置する基板の主面には、結晶面により構成された複数のテラスが設けられている。複数のテラスの少なくともひとつが第1の電極と第2の電極との間に収まっている。本発明に係る太陽電池の製造方法は、半導体材料からなる基板を有する光電変換部と、光電変換部の一主面の上に相互に間隔をおいて配された第1及び第2の電極と、を備えた太陽電池の製造方法に関する。本発明に係る太陽電池の製造方法では、基板の主面を等方性エッチングした後に異方性エッチングすることにより、光電変換部の一主面側に位置する基板の主面に、結晶面により構成された複数のテラスを形成する。光電変換部の一主面の上に、複数のテラスの少なくともひとつが収まるような間隔をおいて第1及び第2電極を形成する。本発明によれば、改善された光電変換効率を有する太陽電池を提供することができる。以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。図1及び図2に示されるように、太陽電池1は、光電変換部20を備えている。光電変換部20は、裏面20aと、主として受光する受光面20bとを有する。光電変換部20は、受光した際に電子や正孔などのキャリアを生成する。光電変換部20は、半導体材料からなる基板10を有する。基板10は、一の導電型を有する。具体的には、本実施形態では、基板10は、n型の結晶半導体により構成されている。好ましく用いられるn型の結晶半導体としては、例えば、n型の単結晶シリコン等が挙げられる。基板10は、第1及び第2の主面10b、10aを有する。この第2の主面10aによって、光電変換部20の受光面20bが構成されている。第2の主面10aによって構成された受光面20bは、テクスチャ構造を有する。ここで、テクスチャ構造とは、表面反射を抑制し、光電変換部の光吸収量を増大させるために形成されている凹凸構造のことをいう。テクスチャ構造の具体例としては、100面を有する単結晶シリコン基板の表面に異方性エッチングを施すことによって得られるピラミッド状四角錐状や、四角錐台状の凹凸構造や、単結晶シリコン基板や多結晶シリコン基板の表面に、酸エッチングやドライエッチング等の方法で等方性エッチングを施すことによって得られる凹凸構造等が挙げられる。第2の主面10aの上には、実質的に真性なi型非晶質半導体層17iと、n型半導体層17nとがこの順番で配されている。半導体層17iは、例えば、水素を含有するi型のアモルファスシリコンなどにより構成することができる。半導体層17iの厚みは、発電に実質的に寄与しない程度の厚みである限りにおいて特に限定されない。半導体層17iの厚みは、例えば、数Å~250Å程度とすることができる。n型半導体層17nは、半導体層17iの上に配されている。半導体層17nは、基板10と同じ導電型を有する半導体層である。半導体層17nは、例えば、n型アモルファスシリコンなどのn型非晶質半導体により構成することができる。半導体層17nの厚みは、特に限定されない。半導体層17nの厚みは、例えば、50Å~500Å程度とすることができる。半導体層17nの上には、保護膜16が配されている。この保護膜16は、反射抑制膜としての機能も兼ね備えている。保護膜16は、例えば、酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜または酸窒化ケイ素膜等により構成することができる。なかでも、保護膜16は、窒化ケイ素膜により構成されていることが好ましい。保護膜16の厚みは、例えば80nm~1μm程度とすることができる。基板10の第1の主面10bの第1の領域の上には、n型半導体層12nが配されている。この半導体層12nによって、裏面20aの一部を構成しているn型表面20anが構成されている。半導体層12nは、例えば、n型アモルファスシリコンなどのn型非晶質半導体により構成することができる。半導体層12nの厚みは、例えば、20Å~500Å程度とすることができる。基板10の第1の主面10bの第1の領域とは異なる第2の領域の上には、p型半導体層13pが配されている。この半導体層13pによって、裏面20aの一部を構成しているp型表面20apが構成されている。半導体層13pは、p型アモルファスシリコンなどのp型非晶質半導体層により構成することができる。半導体層13pの厚みは、例えば、20Å~500Å程度とすることができる。なお、n型半導体層12nと第1の主面10bとの間に、例えば、数Å~250Å程度の実質的に発電に寄与しない厚みを有する実質的に真性なi型半導体層が配されていてもよい。同様に、p型半導体層13pと第1の主面10bとの間に、例えば、数Å~250Å程度の実質的に発電に寄与しない厚みを有する実質的に真性なi型半導体層が配されていてもよい。i型半導体層は、例えば、実質的に真性なi型アモルファスシリコンにより構成することができる。半導体層12nの一部の上には、絶縁層18が設けられている。具体的には、絶縁層18は、n型半導体層12nのx方向における中央部を除く両端部の上に設けられている。n型半導体層12nのx方向における中央部は、絶縁層18から露出している。絶縁層18の材質は、特に限定されない。絶縁層18は、例えば、酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜または酸窒化ケイ素膜により構成することができる。なかでも、絶縁層18は、窒化ケイ素膜により構成されていることが好ましい。光電変換部20の裏面20aの上には、n側電極14とp側電極15とが相互に間隔をおいて配されている。n側電極14は、n型表面20anの上に配されている。n側電極14は、多数キャリアである電子を収集する電極である。n側電極14は、複数のフィンガー部14aを有する。複数のフィンガー部14aは、x軸方向に沿って配列されている。フィンガー部14aは、x軸方向に対して垂直なy軸方向に沿って延びる直線状に設けられている。もっとも、フィンガー部14aが直線状である必要は必ずしもない。フィンガー部14aは、例えば、折れ曲がり形状を有していてもよい。複数のフィンガー部14aは、集電部を構成しているバスバー部14bに電気的に接続されている。バスバー部14bは、x軸方向に沿って延びる直線状に設けられている。もっとも、本発明において、集電部が設けられている必要は必ずしもない。本発明においては、電極は、例えば、複数のフィンガー部のみにより構成されていてもよいし、複数のフィンガー部と、それら複数のフィンガー部が電気的接続されたドット状の集電部とにより構成されていてもよい。p側電極15は、p型表面20apの上に配されている。p側電極15は、少数キャリアである正孔を収集する電極である。p側電極15は、複数のフィンガー部15aを有する。複数のフィンガー部15aは、x軸方向に沿って配列されている。フィンガー部15aは、フィンガー部14a、15aの幅方向に一致するx軸方向において、フィンガー部14aと隣り合っている。フィンガー部14aとフィンガー部15aとは、x軸方向において、相互に間隔をおいて交互に配されている。複数のフィンガー部15aは、集電部を構成しているバスバー部15bに電気的に接続されている。バスバー部15bは、x軸方向に沿って延びる直線状に設けられている。フィンガー部14a、15aの幅は、それぞれ、0.01mm~10mm程度であることが好ましく、0.05mm~5mmであることがより好ましい。フィンガー部14aの幅とフィンガー部15aとの幅は、異なっていてもよいし、等しくてもよいが、少数キャリアを収集するフィンガー部15aの幅が、多数キャリアを収集するフィンガー部14aの幅よりも広いことが好ましい。フィンガー部14a、15aの幅方向と一致するx軸方向におけるフィンガー部14aとフィンガー部15aとの間の隙間の寸法は、0.001mm~1mm程度であることが好ましく、0.005mm~0.5mmであることがより好ましい。フィンガー部14aとフィンガー部15aとの間の隙間は、フィンガー部14a、15aの幅よりも狭いことが好ましい。このようにすることにより、キャリアの収集効率を向上できるため、より改善された光電変換効率を得ることができる。フィンガー部14aとフィンガー部15aとの間の隙間の寸法は、フィンガー部14a、15aの幅以下であることが好ましく、0.5倍以下であることがより好ましい。図3及び図4に示されるように、基板10は、少なくとも主面10bに結晶面により構成された複数のテラス10cを有する。具体的には、主面10bには、複数のテラス10cと共に、複数のステップ10dが設けられている。テラス10cは、ステップ10dによって包囲されている。テラス10cと、そのテラス10cを包囲するステップ10dとにより、凹部及び凸部の少なくとも一方を含む凹凸部10eが構成されている。テラス10cとステップ10dとにより構成された凹凸部10eは、凹部であってもよいし、凸部であってもよい。また、凹凸部10eとして、凹部と凸部との両方が設けられていてもよい。ステップ10dも結晶面により構成されていることが好ましい。凹凸部10eは、結晶シリコン基板をアルカリ性のエッチング液等を用いて異方性エッチングすることにより形成することができる。例えば、結晶シリコンの100基板により基板10を構成した場合、テラス10cが100面により構成され、ステップ10dが111面により構成される。例えば、結晶シリコンの111基板により基板10を構成した場合は、テラス10cが111面により構成され、ステップ10dが1-11、、面により構成される。従って、100基板の場合には、テラス10cは長方形状である。テラス10cとステップ10dとの成す角の大きさは、典型的には、125°である。また、111基板の場合には、テラス10cは三角形状である。テラス10cとステップ10dとの成す角の大きさは、典型的には、120°である。従って、凹凸部10eは、典型的には、底面が四角形もしくは三角形である角錐台状の凹部または凸部となる。但し、凹凸部10eは、図3に示されるように、重なるように形成される場合もある。従って、凹凸部10eの形状は、底面が長方形である角錐台に必ずしも限定されるわけではない。なお、テラス10cが正方形状である場合、テラス10cの対角線に対して、フィンガー部14a、15aが略平行に延びていることが好ましい。図5に示すように、太陽電池1では、複数のテラス10cの少なくともひとつがn側電極14とp側電極15との間に収まっている。詳細には、複数のテラス10cの少なくともひとつがフィンガー部14aとフィンガー部15aとの間に収まっている。より詳細には、複数の凹凸部10eの少なくともひとつがフィンガー部14aとフィンガー部15aとの間に収まっている。ところで、例えば凹凸部10eが大きく、深い場合は、第1の主面10bの上に設けられる半導体層12n、13pや電極14,15の形状精度が低下しがちである。特に、レジストを用いて形成したマスクを用いて半導体層12nや電極14,15を形成する場合は、レジストが凹凸部10eにより好適に塗布しにくく、高い形状精度のマスクの形成が困難であるため、半導体層12n、13pや電極14,15の形状精度が低下しやすい。従って、光電変換効率が低くなりがちである。また、電極14,15の接触等を抑制するために、電極14,15の形状精度を考慮して、n側電極14とp側電極15との間の間隔を大きく設計する必要があるため、設計の観点からも、光電変換効率の向上が困難となる。ここで、太陽電池1では、テラス10cが、複数のテラス10cの少なくともひとつがn側電極14とp側電極15との間に収まるような大きさで設けられている。このため、テラス10cの存在に起因する半導体層12n、13pや電極14,15の形状精度の低下を抑制することができる。よって、n側電極14とp側電極15との間の間隔を狭く設計することも可能となる。従って、改善された光電変換効率を実現し得る。より改善された光電変換効率を実現する観点からは、フィンガー部14aとフィンガー部15aとの間に収まっているテラス10cの、フィンガー部14a、15aの幅方向である寸法は、フィンガー部14aとフィンガー部15aとの間の隙間のx軸方向における寸法の0.8倍以下であることが好ましい。換言すれば、x軸方向における寸法が、フィンガー部14aとフィンガー部15aとの間の隙間のx軸方向における寸法の0.8以下であるテラス10cがフィンガー部14aとフィンガー部15aとの間に収まっていることが好ましい。以下、太陽電池1の製造方法の一例について説明する。まず、基板10を用意する。基板10は、例えば、半導体材料からなるインゴットをワイヤーソーを用いてスライスすることにより作製することができる。ワイヤーソーを用いてスライスすることにより作製された基板10の表面には、ソーマークと呼ばれるワイヤーソーに起因する線状の凹凸が設けられる。また、基板10の表層は、ワイヤーソー等との接触により、例えば厚みが10μm程度のダメージ層が設けられる。このため、ダメージ層及びソーマークを除去する工程を行うことが好ましい。このため、本実施形態では、まず、基板10の主面を等方性エッチングする。等方性エッチングに用いるエッチング剤は、特に限定されないが、例えば、フッ硝酸、ヨウ素酸、CF4O2やNF3O2等の等方性エッチングガス等が好ましく用いられ、なかでもフッ硝酸がより好ましく用いられる。さらには、フッ化水素と硝酸との体積容量比フッ化水素:硝酸が1:100~1:1であるフッ硝酸が好ましく用いられる。この等方性エッチングにおいて除去される基板10の表層の厚みは、ダメージ層及びソーマークが好適に除去できる程度であればよい。等方性エッチングにおいて除去される基板10の表層の厚みは、1μm~20μm程度であることが好ましく、3μm~15μmであることがさらに好ましい。次に、異方性エッチングを行うことにより、基板10の第1の主面10bに、テラス10cとステップ10dとを有する凹凸部10eを形成する。異方性エッチングに用いるエッチング剤は、特に限定されないが、アルカリ性のエッチング液や、NF3O2Cl2やClF3等の異方性エッチングガス等が好ましく用いられ、なかでも、水酸化ナトリウムや水酸化カリウム、TMAH水酸化テトラメチルアンモニウムなどのアルカリ性のエッチング液がより好ましく用いられる。例えば、エッチング工程を少なくする観点からは、等方性エッチングを行うことなく、異方性エッチングのみによりダメージ層及びソーマークの除去と、凹凸部10eの形成とを行うことが考えられる。しかしながら、この場合は、異方性エッチングにより除去しなければならない表層の厚みが大きくなる。このため、異方性エッチングを長期間にわたって行う必要がある。従って、テラス10c及びステップ10dの大きさが大きくなり、凹凸部10eが大きくなってしまう。それに対して、本実施形態では、等方性エッチングによりダメージ層やソーマークを除去した後に、異方性エッチングを行うことによりテラス10c及びステップ10dを有する凹凸部10eを形成する。このため、異方性エッチングを長期にわたって行う必要がない。よって、ダメージ層を表層に有さず、かつ、小さな凹凸部10eを有する基板10を作製することができる。即ち、凹凸部10eのサイズの増大を抑制することができる。従って、複数のテラス10cの少なくともひとつがn側電極14とp側電極15との間に収まった太陽電池1を作製することができる。凹凸部10eの大きさをより小さくする観点からは、等方性エッチングによるエッチング量が多いことが好ましい。そうすることにより、凹凸部10eをより小さくすることができる。異方性エッチングによるエッチング量は、等方性エッチングによるエッチング量の1倍以下であることがより好ましく、2倍以下であることがさらに好ましい。次に、基板10の第1の主面10bの上に、半導体層12n、13p等を適宜形成することにより、光電変換部20を作製する。CVDChemicalVaporDeposition法により形成した半導体膜を、フォトリソグラフィー法等を用いてパターニングすることにより半導体層12n、13pを形成することが好ましい。結晶面により構成されているテラス10cやステップ10dの上に、CVD法により半導体層12n、13pを形成することにより、第1の主面10bと半導体層12n、13pの界面準位密度を低くすることができる。このため、電子や正孔などのキャリアのライフタイムを長くすることができる。従って、より改善された光電変換効率を実現することができる。最後に、n側電極14とp側電極15とを形成することにより、太陽電池1を完成させることができる。なお、n側電極14とp側電極15とは、それぞれ、めっき法や、スクリーン印刷法等の各種印刷法等により形成することができる。なお、本実施形態では、フィンガー部が直線状に設けられている例について説明したが、フィンガー部は、例えば折れ曲がり形状に設けられていてもよい。基板の両主面にテクスチャ構造が設けられていてもよい。光電変換部は、裏面に露出するp型ドーパント拡散領域及びn型ドーパント拡散領域が設けられた、半導体材料からなる基板により構成されていてもよい。"