"支持基板と、該支持基板に設けられ、所定のキャリアを発生する機能を有する自己組織化単分子膜と、該自己組織化単分子膜に隣接して設けられ、真性有機半導体材料から構成されると共に、前記自己組織化単分子膜から発生したキャリアが供給されるキャリア輸送層とを備える熱電変換素子。前記キャリア輸送層の前記自己組織化単分子膜とは逆側に隣接して設けられると共に、前記キャリア輸送層に所定のキャリアを供給可能なキャリア発生層を備える請求項1に記載の熱電変換素子。前記自己組織化単分子膜は、トリクロロ1H,1H,2H,2H-ヘプタデカフルオロデシルシラン、1-ブロモ-11-ウンデシルトリクロロシラン、3-クロロプロピルトリクロロシラン、3-ブロモプロピルトリクロロシラン、2-4-クロロスルホニルエチルトリクロロシラン、トリクロロ3,3,3-トリフロオロプロピルシラン、ニトロ安息香酸若しくはトリクロロ-2-シアノエチルシランのいずれかである請求項1または請求項2に記載の熱電変換素子。前記キャリア輸送層は、低分子材料によって構成された請求項1、請求項2または請求項3に記載の熱電変換素子。前記キャリア発生層は、低分子材料によって構成された請求項2に記載の熱電変換素子。前記キャリア輸送層は、その材料のキャリア移動度が概ね0.1cm2/Vs以上であると共に、キャリアが供給された際の電気伝導率が概ね0.1S/cm以上である請求項1、請求項2、請求項3、請求項4または請求項5に記載の熱電変換素子。前記キャリア発生層は、その材料と前記キャリア輸送層材料との電荷移動量が概ね0.5以上であると共に、ドナー型有機材料の場合はHOMO準位が概ね-4eV以上であり、アクセプター型有機材料の場合はLUMO準位が概ね-5eV以下である若しくは、その材料と前記キャリア輸送層材料との電荷移動量が概ね0.5以上であると共に、ドナー型無機材料の場合はフェルミ準位が概ね-4eV以上であり、アクセプター型無機材料の場合はフェルミ準位が概ね-5eV以下である請求項2または請求項5に記載の熱電変換素子。前記キャリア輸送層材料は、アントラセン若しくはその誘導体、テトラセン若しくはその誘導体、ペンタセン若しくはその誘導体、ルブレン若しくはその誘導体、フラーレン若しくはその誘導体、グラフェン若しくはその誘導体、ピセン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリアセチレン若しくはその誘導体、ポリジアセチレン若しくはその誘導体のいずれかである請求項1、請求項2または請求項3に記載の熱電変換素子。前記キャリア発生層は、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、ジクロロジシアノベンゾキノン、三酸化モリブデン、三酸化タングステン、ジベンゾテトラチアフルバレン、ビスエチレンジチオテトラチアフルバレン、ビスシクロペンタジエニルの金属錯体若しくはその誘導体、アクリジンオレンジベース、炭酸セシウム、フッ化リチウムのいずれかである請求項2に記載の熱電変換素子。支持基板に所定のキャリアを発生する機能を有する自己組織化単分子膜を形成する工程と、該自己組織化単分子膜に隣接して、真性有機半導体材料により前記自己組織化単分子膜から発生したキャリアが供給されるキャリア輸送層を形成する工程を備える熱電変換素子の製造方法。前記キャリア輸送層の前記自己組織化単分子膜とは逆側に隣接して、前記キャリア輸送層に所定のキャリアを供給可能なキャリア発生層を形成する工程を備える請求項10に記載の熱電変換素子の製造方法。前記キャリア輸送層は、低分子材料を真空蒸着することにより形成する請求項10または請求項11に記載の熱電変換素子の製造方法。前記キャリア発生層は、低分子材料を真空蒸着することにより形成する請求項11に記載の熱電変換素子の製造方法。しかしながら、電気伝導率を向上させるべく導電性高分子等の半導体にドーピングを施した場合には、不純物による散乱でキャリアの移動が妨げられたり、高濃度のドーピングにより金属的伝導性が発現してゼーベック係数が著しく低下したりするといった懸念が生じる。本発明は以上の点に鑑みて創案されたものであって、高いパワーファクターを実現することが可能な熱電変換素子及びその製造方法を提供することを目的とする。上記の目的を達成するために、本発明に係る熱電変換素子では、支持基板と、該支持基板に設けられ、所定のキャリアを発生する機能を有する自己組織化単分子膜と、該自己組織化単分子膜に隣接して設けられ、真性有機半導体材料から構成されると共に、前記自己組織化単分子膜から発生したキャリアが供給されるキャリア輸送層とを備える。また、上記の目的を達成するために、本発明に係る熱電変換素子の製造方法では、支持基板に所定のキャリアを発生する機能を有する自己組織化単分子膜を形成する工程と、該自己組織化単分子膜に隣接して、真性有機半導体材料により前記自己組織化単分子膜から発生したキャリアが供給されるキャリア輸送層を形成する工程を備える。ここで、支持基板上に自己組織化単分子膜が設けられたことによって、支持基板とキャリア輸送層有機薄膜との化学反応が抑制され、また表面エネルギーの減少等の効果により、キャリア輸送層中の分子配列が規則正しくなり易い傾向がある。そのため、移動度の高い高品質なキャリア輸送層を得やすくなる。また、自己組織化単分子膜が所定のキャリアを発生する機能を有することによって、自己組織化単分子膜から発生したキャリアをキャリア輸送層に供給することができる。なお、キャリア輸送層の自己組織化単分子膜とは逆側に隣接してキャリア輸送層に所定のキャリアを供給可能なキャリア発生層が設けられた場合には、自己組織化単分子膜及びキャリア発生層の双方から発生したキャリアをキャリア輸送層に供給することができる。また、キャリア輸送層が真性半導体材料から構成されたことによって、キャリアの移動が不純物で妨げられることがなく、また、通常のドーピングと違って過剰な濃度のキャリアが注入されることが無いためゼーベック係数の低下も抑制することが可能となる。更に、キャリア輸送層が有機材料で構成されたことによって、希少元素や有害元素を含まずに環境負荷が小さく、また、低コストで平易なプロセスで製造が可能となる。ここで、本発明の熱電変換素子は導電性高分子も含む有機材料全般や一部の無機材料を使用した熱電変換素子の製造に応用できるが、特に有機低分子等を使用した真空蒸着法での熱電変換素子に有利である。なお、キャリア輸送層及びキャリア発生層を低分子材料を真空蒸着することで形成した場合には、高精度な膜厚制御、材料の高純度化、微小な集積回路の作り込みが実現することとなる。本発明の熱電変換素子では、高いパワーファクターを実現することができる。また、本発明の熱電変換素子の製造方法では、高いパワーファクターを実現できる熱電変換素子を得ることができる。以下、本発明を実施するための形態以下、実施の形態と称するについて図面を参酌しながら説明する。図1は本発明を適用した熱電変換素子の一例を説明するための模式図であり、ここで示す熱電変換素子1は、主として支持基板2と、キャリア輸送層3と、キャリア発生層4と、電極5と、FDTS被膜6を有している。支持基板2は、ガラスや二酸化ケイ素から構成されている。なお、支持基板2の表面は平坦である方が好ましい。これは、支持基板2上に有機分子を積層していく際に、ナノレベルで分子が規則正しく配列している方が移動度の高い高性能な薄膜が得られるからである。なお、同じ材質の支持基板2であったとしても、乱雑な配列の場合には移動度の低い薄膜となってしまう。即ち、ナノレベルで平坦な支持基板2の表面上には分子が規則正しく配列し易く移動度の高い高性能な薄膜を得ることができ、反面、乱雑な凹凸のある支持基板2の表面上に積層した分子は乱雑な配列になる傾向があり移動度の低い薄膜となってしまうために、支持基板2の表面は平坦度が高い方が好ましいのである。そのため、支持基板2の表面には、密着性向上塗布剤としてFDTS[トリクロロ1H,1H,2H,2H-ヘプタデカフルオロデシルシラン]被膜6が形成されている。ここで、FDTS被膜6が形成されることによって、支持基板2の上層に有機薄膜を積層した場合に、有機薄膜と支持基板との化学反応が抑制され、また表面エネルギーの減少等の効果によって、有機薄膜中の分子配列が規則正しくなり易い傾向がある。そのため、移動度の高い高品質な有機薄膜を得やすいこととなる。また、FDTS被膜6はキャリアを発生する機能をも有しており、キャリア輸送層3に所定のキャリアを供給することができる。即ち、本実施の形態では、キャリア発生層4のみならずFDTS被膜6もキャリアをキャリア輸送層3に供給可能に構成されている。なお、本実施の形態では、支持基板2にFDTS被膜6が形成された場合を例に挙げて説明を行っているが、キャリアを発生する機能を有する自己組織化単分子膜SAMSelfAssembledMonolayerであれば充分である。例えば、1-ブロモ-11-ウンデシルトリクロロシラン、3-クロロプロピルトリクロロシラン、3-ブロモプロピルトリクロロシラン、2-4-クロロスルホニルエチルトリクロロシラン、トリクロロ3,3,3-トリフロオロプロピルシラン、ニトロ安息香酸若しくはトリクロロ-2-シアノエチルシラン等の被膜を支持基板2に形成しても良い。本発明におけるキャリア輸送層3は、高いキャリア移動度を有する真性有機半導体材料からなる必要がある。本実施の形態ではその一例であるペンタセンからキャリア輸送層3が構成されており、具体的には、真空蒸着法で積層されたペンタセン薄膜によって構成されている。なお、本実施の形態のキャリア輸送層3は、キャリア移動度が概ね0.1cm2/Vs以上であり、キャリア発生層4やFDTS被膜6からキャリアが供給された際の電気伝導率が概ね0.1S/cm以上である。ここで、本実施の形態では、キャリア輸送層3がペンタセンから構成された場合を例に挙げて説明を行っているが、キャリア輸送層3を構成する材料としては、アントラセン若しくはその誘導体、テトラセン若しくはその誘導体、ペンタセンの誘導体、ルブレン若しくはその誘導体、フラーレン若しくはその誘導体、グラフェン若しくはその誘導体、ピセン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリアセチレン若しくはその誘導体、ポリジアセチレン若しくはその誘導体であっても良い。上記で例示したキャリア輸送層3を構成する材料は、いずれもキャリア移動度が概ね0.1cm2/Vs以上であると共に、キャリア発生層4やFDTS被膜6からキャリアが供給された際の電気伝導率が概ね0.1S/cm以上であり、こうした材料でキャリア輸送層3を構成することによって、パワーファクターが1.0μW/mK2程度以上、膜厚等の条件によっては2.0μW/mK2以上を実現することが可能となる。キャリア発生層4は、キャリア輸送層3に所定のキャリアを供給するものであり、本実施の形態ではテトラフルオロテトラシアノキノジメタンF4-TCNQから構成されており、具体的には、真空蒸着法で積層された2nm厚のF4-TCNQによって構成されている。なお、本実施の形態のキャリア発生層4は、キャリア輸送層との電荷移動量が概ね0.5以上であり、LUMO準位が概ね-5eV以下の深い準位である。ここで、本実施の形態では、キャリア発生層4がF4-TCNQから構成された場合を例に挙げて説明を行っているが、キャリア発生層4を構成する材料としては、アクセプター型材料としてであれば、ジクロロジシアノベンゾキノンDDQ、三酸化モリブデンMoO3、三酸化タングステンWO3、ドナー型材料としてであれば、ジベンゾテトラチアフルバレンDB-TTF、ビスエチレンジチオテトラチアフルバレンBEDT-TTF、ビスシクロペンタジエニルの金属錯体若しくはその誘導体、アクリジンオレンジベースAOB、炭酸セシウムCsCO3、フッ化リチウムLiFであっても良い。上記で例示したキャリア発生層4を構成する材料は、いずれもキャリア輸送層との電荷移動量が概ね0.5以上であると共に、アクセプター型材料の場合にはLUMO準位が概ね-5eV以下であり、ドナー型材料の場合にはHOMO準位が概ね-4eV以上の浅い準位であり、高い電荷移動量を実現することが可能となる。ここで、電荷移動量とは、キャリア発生層4からキャリア輸送層3にどの程度のキャリアが供給されるかを示す値であり、0から1の範囲で定義され、理想的には電荷移動量が1の時に最大のキャリアが供給されることとなる。そして、この電荷移動量が大きくなる素因の一つにキャリア輸送層3とキャリア発生層4との間のエネルギー準位の関係がある。即ち、キャリア発生層4がドナー型有機材料である場合には、HOMO準位が概ね-4eV以上であると電荷移動量が大きくなる可能性が高まり、アクセプター型有機材料である場合には、LUMO準位が概ね-5eV以下であると電荷移動量が大きくなる可能性が高まる。同様に、キャリア発生層4がドナー型無機材料である場合には、フェルミ準位が概ね-4eV以上であると電荷移動量が大きくなる可能性が高まり、アクセプター型無機材料である場合には、フェルミ準位が概ね-5eV以下であると電荷移動量が大きくなる可能性が高まる。なお、こうしたエネルギー準位条件を満たさない場合には、大きな電荷移動量は見込めず、そのためにキャリア発生層4からのキャリアの供給量も増加し難くなる。電極5は、発生した起電力を取り出すためのものであり、本実施の形態では、50nm厚のAuから構成されているが、本発明においてその形状と材質は限定されるものではない。図2aは上記の様に構成された熱電変換素子1について、キャリア輸送層3の厚さとゼーベック係数との関係を示したものである。但し、図2aに示すグラフには、FDTS被膜6から供給されるキャリアの影響は含まれていない。ここで、ゼーベック係数はキャリア輸送層3の厚さによらず一定で200μV/K程度の高い値を保っている。これは、キャリア発生層4からキャリア輸送層3へのキャリアの供給量が一定で、またキャリア輸送層3に存在するキャリア濃度が過剰ではなく適切な量であるからと考えられる。また、本発明を適用した熱電変換素子1では、キャリア発生層4から供給されたキャリアのほとんどがキャリア発生層4とキャリア輸送層3との界面近傍にとどまっており、一方、キャリア輸送層3の中でもキャリア発生層4との界面から離れた領域ではキャリア濃度が非常に小さくなっていることから、ゼーベック係数の低下を抑えることの一因になっているものと考えられる。また、図2bは上記の様に構成された熱電変換素子1について、キャリア輸送層3の厚さとシートコンダクタンスとの関係を示したものである。但し、図2bに示すグラフには、FDTS被膜6から供給されるキャリアの影響は含まれていない。ここで、シートコンダクタンスとは、支持基板2と平行な2次元平面上での電気の流れやすさを表現する尺度である。図2bから明らかな様に、本実施の形態の熱電変換素子1では、キャリア輸送層3の厚さが2nmから8nmへと増すにしたがい、その厚み分のシートコンダクタンスが増加しているものの、キャリア輸送層3の厚さが10nm以上の場合にはシートコンダクタンスが飽和していることが分かる。この理由はキャリア発生層4からキャリア輸送層3へ供給されたキャリアの大多数がキャリア発生層4とキャリア輸送層3との界面近傍10nm程度の範囲に分布しているからと考えられる。また、図2cは上記の様に構成された熱電変換素子1について、キャリア輸送層3の厚さと電気伝導率との関係を示したものである。但し、図2cで示すグラフには、FDTS被膜6から供給されるキャリアの影響は含まれていない。また、図2dは上記の様に構成された熱電変換素子1について、キャリア輸送層3の厚さとパワーファクターとの関係を示したものである。但し、図2dで示すグラフには、FDTS被膜6から供給されるキャリアの影響は含まれていない。更に、図3は上記の様に構成された熱電変換素子1について、キャリア輸送層3のキャリア発生層4との界面状態の情報を得るために、ペンタセン薄膜表面を原子間力顕微鏡AFM:AtomicForceMicroscopeで撮影した画像である。なお、図3aはペンタセン薄膜が2nm厚さの場合、図3bはペンタセン薄膜が6nm厚さの場合、図3cはペンタセン薄膜が10nm厚さの場合、図3dはペンタセン薄膜が20nm厚さの場合の顕微鏡写真である。図3において、6nmの膜厚時は表面粗さrmsが3.75nmと最低値となっており、その他の膜厚時に比べペンタセン薄膜の表面状態が平滑化していることが分かる図3a及び図3b参照。一方、10nmの膜厚時には表面粗さrmsが4.84nm、20nmの膜厚時には表面粗さrmsが6.58nmといった具合に、6nmから10nm、20nmと膜厚を更に大きくしていくと、ペンタセン薄膜の表面は粗くなっていることが分かる図3c及び図3d参照。よって、本実施の形態の熱電変換素子1では、キャリア輸送層3の厚さが6nm以上の場合にキャリア輸送層3の表面、すなわちキャリア発生層4との界面状態が最も平滑化し、キャリアの電気伝導が最もスムーズに起こるものと考えられる。そのために、キャリア輸送層3の厚さが6nmである場合に、電気伝導率が最大値を有することとなる。なお、このことは、図2cからも明らかである。図2dから明らかな様に、本実施の形態の熱電変換素子1では、200μV/K程度の高いゼーベック係数を保持しているために、1.0μW/mK2以上の高いパワーファクターを得ることが出来る。中でもとりわけ電気伝導率が最大値を示す、キャリア輸送層3の厚さが6nm以上の場合に、最も高いパワーファクター2.0μW/mK2を実現できることが分かる。ところで、図4はペンタセン薄膜にキャリアを通常ドーピングした熱電変換素子について熱電特性を示したものであり、具体的には、図5で示す様に、密着性向上塗布剤としてHMDSヘキサメチルジンラザン被膜8が形成された支持基板2にF4-TCNQが注入された50nm厚のペンタセン薄膜7からなる熱電変換素子1についてのドーピング濃度と熱電性能との関係を示したものである。なお、HMDS被膜8は、支持基板2を自己集積化機能を有するHMDSの分子の溶液の蒸気にさらすことで形成することができる。図4aは上記の様に構成された熱電変換素子1について、ドーピング濃度とゼーベック係数との関係を示したものである。ここで、比較的多量のドーピングを施した場合には、ゼーベック係数が150μV/K程度まで減少してしまうことがわかる。また、図4bは上記の様に構成された熱電変換素子1について、ドーピング濃度と電気伝導率およびキャリア移動度との関係を示したものである。図4bから、ドーピング量が増えるにしたがって、不純物散乱に伴うキャリア移動度の低下が起こり、結果として電気伝導率を制限していることが明らかである。また、図4cは上記の様に構成された熱電変換素子1について、ドーピング濃度とパワーファクターとの関係を示したものである。薄膜にキャリアをドーピングした熱電変換素子では、ゼーベック係数の低下と電気伝導率の制限の影響で、パワーファクターは0.16程度にとどまってしまっている。本発明を適用した熱電変換素子1では、キャリア輸送層3とキャリア発生層4やFDTS被膜6とを分離した構造を採用しており、こうした構造を採用することで、キャリアの移動が不純物散乱で妨げられることがなくなると共に、ゼーベック係数の低下をも抑制することが可能となる。よって、通常ドーピングを施した熱電変換素子よりも、本発明を適用した熱電変換素子の方が高いパワーファクターを得られることが明白である。また、本発明を適用した熱電変換素子1では、キャリア発生層4とFDTS被膜6の双方でキャリアを発生してキャリア輸送層3に供給する構造を採用しており、こうした構造を採用することで、高いパワーファクターを実現することが可能となる。即ち、本実施の形態では、キャリア輸送層3の高品質化のために必要なFDTS被膜6がキャリアを発生する機能をも有しているために、上述の通り、キャリア輸送層3の下層FDTS被膜2と上層キャリア発生層4の双方でキャリアを発生してキャリア輸送層3にキャリアが供給されることとなり、高いパワーファクターを実現することが可能となるのである。ここで、1キャリア発生層4を形成することなくFDTS被膜6のみからキャリアを発生してキャリア輸送層3に供給する構造や、2FDTS被膜6の代替としてHMDS被膜8を採用してキャリア発生層4のみからキャリアを発生してキャリア輸送層3に供給する構造も考えられる。しかしながら、高いパワーファクターを実現するためには、キャリア発生層4とFDTS被膜6の双方でキャリアを発生してキャリア発生層3に供給する構造を採用することが好ましい。そのため、本実施の形態では、キャリア発生層4とFDTS被膜6の双方でキャリアを発生する構造を採用している。なお、FDTS被膜6のみからキャリアを発生してキャリア輸送層3に供給するのみで、高いパワーファクターを得られる場合には、必ずしもキャリア発生層4を形成する必要はない。ここで、本実施の形態では、キャリア発生層4の上層に電極5が形成された場合を例に挙げて説明を行っているが、図6aで示す様に、支持基板2上にキャリア輸送層3及びキャリア発生層4と接する様に電極5が形成された構成としても良い。また、本実施の形態では、キャリア輸送層3及びキャリア発生層4が1層ずつ形成されて構成された場合を例に挙げて説明を行っているが、図6bや図6cで示す様に、キャリア輸送層3及びキャリア発生層4の2層を1組最小単位として、複数組が積層された構成としても良い。なお、ペンタセンからキャリア輸送層3が構成され、F4-TCNQからキャリア発生層4が構成された熱電変換素子1について、通常ドーピングを施した熱電変換素子よりも高いパワーファクターを得られることは上述した通りであるが、他の材料でキャリア輸送層3及びキャリア発生層4が構成された場合であっても同様の効果を奏することとなる。例えば、図7aはフラーレンC60に炭酸セシウムCsCO3をドーピングした共蒸着膜から成る熱電変換素子における、CsCO3ドーピング濃度とパワーファクターとの関係を示している。図7aから明らかな様に、フラーレンC60にCsCO3をドーピングした共蒸着膜から成る熱電変換素子から得られるパワーファクターは最大で0.3μW/mK2程度に留まっている。一方、図7bはフラーレンC60をキャリア輸送層3に用い、CsCO3をキャリア発生層4とした二層積層型の構造からなる熱電変換素子における、フラーレンC60膜厚とパワーファクターとの関係を示している。図7bから明らかな様に、フラーレンC60をキャリア輸送層3に用い、CsCO3をキャリア発生層4とした二層積層型の構造からなる熱電変換素子から得られるパワーファクターは最大で3μW/mK2程度を実現できることが分かる。"