炭素材で形成され、表面の一部又は全部がSi含浸層で覆われていることを特徴とする単結晶成長装置用部材。炭素材で形成された原形材の一部又は全部をシリコン融液に浸漬させ、前記原形材の表面の一部又は全部をSi含浸層で覆うことを特徴とする単結晶成長装置用部材の製造方法。前記シリコン融液を保持する炉内空間に接離自在のロードロック室を設け、前記原形材の一部又は全部を前記シリコン融液に浸漬させて製造した製品部材を、前記シリコン融液の周囲の雰囲気を維持したまま前記ロードロック室に移動させ、前記ロードロック室を前記炉内空間から隔絶させ、前記製品部材を前記ロードロック室から取り出し、別の原形材を前記ロードロック室に補充し、前記ロードロック室を炉外空間から隔絶させ、前記別の原形材を前記炉内空間に配置する請求項2に記載の単結晶成長装置用部材の製造方法。前記原形材をシリコンの溶融原料が貯留されるるつぼの上方に配置し、単結晶を成長させる工程の前に、前記原形材を下降させ前記原形材の下端部を前記溶融原料に浸漬させてから、前記原形材を前記溶融原料に触れない位置まで上昇させる請求項2に記載の単結晶成長装置用部材の製造方法。単結晶成長装置に使用される部材は、耐熱性等の観点から炭素材で形成することが好適である。しかしながら、部材を形成する素材に炭素以外の物質が含まれる場合、例えそれが微量であっても、得られる単結晶の品質を低下させてしまう場合がある。そのため、製造しようとるす単結晶の品質によっては、部材を形成する素材の炭素純度を極めて高いものとする必要性が生じ、コストを増加や、部材製造期間の長期化等が問題となる場合があった。また、炭素材で形成した部材の表面にはSiOが硬化凝結しやすく、フロー管など坩堝の近傍に配置した場合、それを放置しておくとやがて剥離して原料融液の表面状態を乱す問題があった。この問題に対し、上記特許文献2にも記載されているように、例えばフロー管の先端をSiOでコーティングする対処法も考えられるが、コーティングでは、何れ剥離するおそれがあり、同様の問題が残っていた。また、部材の表面に硬化凝結したSiOを、単結晶の製造が終了した後とり除く対処法も考えられるが、SiOの析出物を取り除くためには、砥石や砥粒を表面に附着させた研磨布などが用いる必要があり、その時発生する炭素またはその化合物の微粉が取りきれず、後に結晶成長時に落下し、単結晶が多結晶化し、結晶崩れを生じさせる問題があった。更に、炭素材で形成された部材は、熱を吸収するため、部材自体が加熱してしまうと、部材の外部から内部に対する、或は内部から外部に対する遮熱効果が得られなくなるという問題があった。そこで、本発明は、純度の低い炭素材で形成することができ、SiOが硬化凝結し難く、優れた遮熱効果を備える単結晶成長装置用部材とその製造方法を提供することを目的とする。本発明に係る単結晶成長装置用部材は、炭素材で形成され、表面の一部又は全部がSi含浸層で覆われている。本発明に係る単結晶成長装置用部材の製造方法では、炭素材で形成された原形材の一部又は全部をシリコン融液に浸漬させ、前記原形材の表面の一部又は全部をSi含浸層で覆う。本発明に係る単結晶成長装置用部材の製造方法では、前記シリコン融液を保持する炉内空間に接離自在のロードロック室を設け、前記原形材の一部又は全部を前記シリコン融液に浸漬させて製造した製品部材を、前記シリコン融液の周囲の雰囲気を維持したまま前記ロードロック室に移動させ、前記ロードロック室を前記炉内空間から隔絶させ、前記製品部材を前記ロードロック室から取り出し、別の原形材を前記ロードロック室に補充し、前記ロードロック室を炉外空間から隔絶させ、前記別の原形材を前記炉内空間に配置することとしてもよい。本発明に係る単結晶成長装置用部材の製造方法では、また、前記原形材をシリコンの溶融原料が貯留されるるつぼの上方に配置し、単結晶を成長させる工程の前に、前記原形材を下降させ前記原形材の下端部を前記溶融原料に浸漬させてから、前記原形材を前記溶融原料に触れない位置まで上昇させてもよい。本発明に係る単結晶成長装置用部材によれば、部材表面の一部又は全部を覆うSi含浸層がSiOに対し安定しているためSiOの硬化凝結が抑制され、しかもコーティングのように剥離するおそれもない。また、Si含浸層で覆われた表面は反射率が高く、裏面への熱伝達が抑制される。更に、炭素材に混入している微量物質は、Si含浸層が形成される過程で炭素材から放出されるか、或は炭素材に残留してもSi含浸層に阻まれて単結晶の製造工程において放出されることはない。従って、純度の低い炭素材で形成することができ、SiOが硬化凝結し難く、優れた遮熱効果を備えたものとなる。本発明に係る単結晶成長方法では、炭素材で形成された原形材の一部又は全部をシリコン融液に浸漬させる簡単な操作で、炭素材表面の一部又は全部がSi含浸層で覆われた本発明に係る単結晶成長用部材を製造することができる。また、シリコン融液を貯留する容器の口径を大きいものとすれば、極めて大きな部材を製造することもできる。更に、原形材が複数の部品を結合させたものであっても、その表面の一部又は全部をSi含浸層で覆うことができるので、様々な形状の部材に適用できる。本発明に係る単結晶成長方法では、シリコン融液を保持する炉内空間に接離自在のロードロック室を設けることで、製品部材を連続して効率よく製造することができる。この場合、製品部材は、シリコン融液の周囲の雰囲気を維持したままロードロック室に移動させた後、ロードロック室を炉内空間から隔絶させることで取り出すことができる。また、炉内空間から隔絶されたロードロック室に別の原形材を補充し、ロードロック室を炉外空間から隔絶させた後、その原形材を炉内空間に配置することで、次の製造工程を行なうことが可能となる。本発明に係る単結晶成長方法は、単結晶を製造する工程に組み入れることも可能である。例えば、原形材がフロー管をなすものである場合、まず原形材を下降させ、原形材の下端部を溶融原料に浸漬させる。そして、単結晶を成長させる工程の前に、原形材を、下端部が溶融原料と反応した状態のフロー管とする。この溶融原料と反応した後のフロー管下端部は、単結晶のSiOに対し安定した状態となっているので、単結晶を成長させる工程においては、溶融原料からSiOが発生しても、フロー管の下端部はそのSiOと反応することはなく、SiOが析出することはない。しかも、フロー管下端部の安定化には、溶融原料を使用することしているため、単結晶を成長させる一連の工程の間隙を利用した処理が可能となる。また、原形材を高純度の炭素材とすることで、原形材を浸漬させた後のシリコン融液からシリコン単結晶を問題無く成長させることができる。本発明に係る単結晶成長装置用部材は、公知の炭素材をシリコン融液に浸漬させることにより得ることができる。炭素材は、純度が低いものであってもよく、例えば、99.98~99.99wtであればよい。また、単結晶成長装置に用いられるものであれば、どのような用途に用いられるものでもよく、フロー管やヒートシールド以外の部材であってもよい。炭素材をシリコン融液に浸漬させる条件として、圧力10~60Torrの希ガス雰囲気とすることが好ましく、シリコン融液の温度は1460度程度が好ましい。また、シリコン融液への浸漬速度及びシリコン融液からの引上げ速度は、10mm/min~mm/min程度でよく、外界への取出しは200°C以下で行うとよい。本発明に係る単結晶成長装置用部材の製造方法をCZ法による単結晶成長工程に組み込み、表面の一部をSiC含浸層で覆ったフロー管を製造し、そのフロー管を用いて単結晶を成長させた。フロー管の製造工程を具体的に説明する。まず、図1aに示すように坩堝3の上方に配置されているフロー管の原形材1を、図示しないステッピングモータで下降させ、図1bに示すように、原形材1の下端部1aを溶融原料2に浸漬させた。そして、原形材1の高さに対し、およそが浸漬したときに、ステッピングモータの回転方向を反転させ、図1cに示すように、製造されたフロー管4を溶融原料2に触れない位置まで上昇させた。なお、浸漬時間は、およそ5分であった。また、原形材1や坩堝3が収容されている図示しない真空チャンバ内は、アルゴン雰囲気とし、圧力を20Torrとし、溶融原料2の温度は1460°Cとした。原形材1は、純度99.99wtの炭素材で形成したものであり、フロー管として一般的な形状、すなわち円錐台を中空とした筒状のものを使用した。製造したフロー管4をそのまま使用して単結晶5を成長させたところ、純度が高く、ライフタイム値が低下することなく、欠陥の発生もなく、品質の高いものとなった。また、単結晶5を得た後、真空チャンバを開放してフロー管4の下端部4aの状態を調べたところ、SiOの析出は認められなかった。