第1ピンド層、第1の厚みを有する第1非磁性スペーサ層、フリー層、ピンド層とフリー層との間に存在する第1非磁性スペーサ層、フリー層と基板との間に存在する第1ピンド層、第1の厚みと比較して大きい第2の厚みを有する第2非磁性スペーサ層、第2ピンド層、フリー層と第2ピンド層との間に存在する第2非磁性スペーサ層、を含み、書き込み電流が磁気接合を通過するとき、フリー層が複数の安定な磁性状態の間で切り替え可能であるように磁気接合が構成される、基板上に存在し、磁気装置内で使用するための、磁気接合。第1の厚みと比較して第2の厚みが5以上大きい、請求項1に記載の磁気接合。第1の厚みと比較して第2の厚みが40を超えて大きいことはない、請求項2に記載の磁気接合。第1の厚みと比較して第2の厚みが0.05から0.5ナノメートル大きい、請求項1に記載の磁気接合。磁気接合が、100を超える磁気抵抗比によって特徴付けられる、請求項1に記載の磁気接合。第1非磁性スペーサ層および第2非磁性スペーサ層のうち少なくとも1つが、トンネルバリア層である、請求項1に記載の磁気接合。第1非磁性スペーサ層および第2非磁性スペーサ層のうち少なくとも1つがMgOを含む、請求項6に記載の磁気接合。フリー層が、フリー層の面とは実質的に垂直なフリー層磁化を有する、請求項1に記載の磁気接合。第1ピンド層および第2ピンド層のうち少なくとも1つが、ピンド層面に実質的に垂直なピンド層磁化を含む、請求項8に記載の磁気接合。第1ピンド層、第2ピンド層、およびフリー層の少なくとも1つが合成層である、請求項1に記載の磁気接合。第1ピンド層に隣接する第1反強磁性層、および第2ピンド層に隣接する第2反強磁性層をさらに含む、請求項1に記載の磁気接合。基板上に存在し、各々が少なくとも1つの磁気接合を含む複数の磁気記憶素子、第1ピンド層、第1非磁性スペーサ層、フリー層、第2非磁性スペーサ層、および第2ピンド層を含む少なくとも1つの磁気接合であって、第1非磁性スペーサ層が第1ピンド層とフリー層との間に存在し、第2非磁性スペーサ層が第2ピンド層とフリー層との間に存在し、第1ピンド層がフリー層と基板との間に存在し、第1非磁性スペーサ層が第1の厚みを有し、第2非磁性スペーサ層が第1の厚みと比較して大きい第2の厚みを有し、書き込み電流が磁気接合を通過するとき、フリー層が複数の安定な磁性状態の間で切り替え可能であるように構成される磁気接合、および複数のビットライン、を含む磁気メモリ。第1の厚みと比較して第2の厚みが5以上大きく、かつ第1の厚みと比較して第2の厚みが40を超えて大きいことはない、請求項12に記載の磁気メモリ。磁気接合が、100を超える磁気抵抗比によって特徴付けられる、請求項12に記載の磁気メモリ。第1非磁性スペーサ層および第2非磁性スペーサ層のうち少なくとも1つが、トンネルバリア層である、請求項12に記載の磁気メモリ。フリー層が、フリー層の面とは実質的に垂直なフリー層磁化を有する、請求項12に記載の磁気メモリ。第1ピンド層および第2ピンド層のうち少なくとも1つが、ピンド層面に実質的に垂直なピンド層磁化を含む、請求項16に記載の磁気メモリ。第1ピンド層、第2ピンド層、およびフリー層の少なくとも1つが多層である、請求項12に記載の磁気メモリ。第1ピンド層を提供する段階、第1の厚みを有する第1非磁性スペーサ層を提供する段階、フリー層、ピンド層とフリー層との間に存在する第1非磁性スペーサ層、フリー層と基板との間に存在する第1ピンド層を提供する段階、第1の厚みと比較して大きい第2の厚みを有する第2非磁性スペーサ層を提供する段階、第2ピンド層、フリー層と第2ピンド層との間に存在する第2非磁性スペーサ層を提供する段階、を含み、書き込み電流が磁気接合を通過するとき、フリー層が複数の安定な磁性状態の間で切り替え可能であるように磁気接合が構成される、基板上に存在し、磁気装置内で使用するための、磁気接合を提供する方法。基板上に存在する磁気接合を提供するための、磁気装置内で使用可能な、方法およびシステムが記載される。磁気接合は、第1ピンド層、第1の厚みを有する第1非磁性スペーサ層、フリー層、第1の厚みよりも大きい第2の厚みを有する第2非磁性スペーサ層、および第2ピンド層を含む。第1非磁性スペーサ層はピンド層とフリー層との間にある。第1ピンド層はフリー層と基板との間にある。第2非磁性スペーサ層はフリー層と第2ピンド層との間にある。さらに、磁気接合は、書き込み電流が磁気接合を通過するとき、フリー層が複数の安定な磁性状態の間で切り替え可能なように構成される。例示的実施形態は、磁気メモリなどの磁気装置内で使用可能な磁性要素、およびそのような磁性要素を用いた装置に関する。以下の記載は、当業者が本発明を実施し、使用することを可能にするように与えられ、かつ特許出願およびその要件に照らして提供される。例示的な実施形態および包括的な原理およびここに記載される特徴に対する様々な変更は容易に明らかである。例示的な実施形態は、特定の実施における特定の方法およびシステムの観点から主に記載される。しかしながら、本方法およびシステムは他の実施において有効に機能する。例示的実施形態、一実施形態、および他の実施形態などの表現は、同じまたは異なる実施形態並びに複数の実施形態を示してよい。実施形態は特定の部品を有するシステムおよび/または装置に関して記載される。しかしながら、システムおよび/または装置はここで示される以上のまたはそれより少ない部品を含んでよく、配置および部品のタイプの変更が本発明の範囲から逸脱することなく行われてよい。例示的な実施形態は、特定の段階を有する特定の方法に関しても記載される。しかしながら、本発明の方法およびシステムは、異なるおよび/または追加の段階、および順序が異なる段階例示的実施形態と整合しないを有する他の方法に関しても有効に機能する。本発明は、ここに示された実施形態に限定されることが意図されていないが、ここに記載される原理および特徴と整合する最も広い範囲に従うものである。例示的実施形態は、特定の部品を有する特定の磁性要素に関して記載される。当業者は本発明が、本発明と不整合ではない他のおよび/または追加の部品および/または他の特徴を有する磁性要素の使用と整合することを容易に認識するだろう。本発明の方法およびシステムはスピントランスファー現象の現在の理解に照らして記載される。結果的に当業者は、方法およびシステムの挙動の理論的説明がこのスピントランスファー現象の現在の理解に基づいてなされることを容易に認識するだろう。さらに、本発明の方法およびシステムは合成および/または簡易な特定の層に照らして記載される。しかしながら、当業者は層が他の構造を有してよいことを容易に認識するだろう。さらに、本発明の方法およびシステムは、特定の層を有する磁性要素に照らして記載される。しかしながら、当業者は本発明の方法およびシステムと矛盾しない追加のおよび/または異なる層を有する磁性要素が使用されてよいことを容易に認識するだろう。さらに、特定の部品が磁性体、強磁性体、およびフェリ磁性体として記載される。ここで用いられるように、磁性という用語は、強磁性体、フェリ磁性体、または他の構造を含んでよい。したがって、ここで用いられる用語磁性または強磁性は、強磁性体およびフェリ磁性体を含むが、これらに限定されない。本発明の方法およびシステムは、単一の要素に照らして記載される。しかしながら、当業者は本発明の方法およびシステムが複数の要素を有する磁気メモリの使用と整合することを容易に認識するだろう。さらに、ここで使用される面内とは、磁性要素の1つ以上の層の面の内部に実質的にあるか、または、それらの面に平行である。逆に、垂直は磁性要素の1つ以上の層に実質的に垂直な方向に対応する。基板上に存在する磁気接合を提供するための、磁気装置において使用可能な方法およびシステムが記載される。磁気接合は、第1ピンド層、第1の厚みを有する第1非磁性スペーサ層、フリー層、第1の厚みよりも大きい第2の厚みを有する第2非磁性スペーサ層、および第2ピンド層を含む。第1非磁性スペーサ層はピンド層とフリー層との間にある。第1ピンド層はフリー層と基板との間にある。第2非磁性スペーサ層はフリー層と第2ピンド層との間にある。さらに、磁気接合は、書き込み電流が磁気接合を通過するとき、フリー層が複数の安定な磁性状態の間で切り替え可能なように構成される。図2は、逆デュアル磁気接合100の例示的実施形態を示す。逆デュアル磁気接合100は、基板101に最も近い第1ピンド層111、第1非磁性スペーサ層120、フリー層130、第2非磁性スペーサ層140、および第2ピンド層140を含む。ピンド層110および150は各々磁化111および151を有する。フリー層130は磁化131を有して示される。しかしながら、他の実施形態において、層110、130、および/または150は他の磁化を有してよい。逆デュアル磁気接合100は、非磁性スペーサ層120および140として、トンネルバリア層を含む。しかしながら、他の実施形態において、他の非磁性スペーサ層120および140が使用されてよい。例えば、導電層または絶縁性マトリックス内に導電チャネルまたは島を有するグラニュラ層が、バリア層120および140の代わりに使用され得る。これはここに記載される全ての実施形態において同様である。しかしながら、簡単のために、ここに記載される磁気接合のみが、逆デュアル磁気トンネル接合逆デュアルMTJが記載される関連で記載される。フリー層130およびピンド層110および150は一般的に強磁性である。しかしながら、1つ以上のフリー層130およびピンド層110および/または150は、合成反強磁性体ただしこれに限定されないを含む多層であってよい。図示された実施形態において、任意のシード層102および/または任意のキャップ層170が使用されてよい。特定の実施形態において、例えばTaシードが提供される。図示された実施形態において、任意のAFM層104および106が使用される。そのようなAFM層104および106は各々ピンド層110および150の各々に関して使用される。特定の実施形態において、AFM層104および/または160はPtMnを用いてよい。他の実施形態において、ピニング、または所定位置での固定、ピンド層110および150の磁化111および151の各々に関する他のメカニズムが使用されてよい。ピンド層110および/または150の各々は、CoFe、CoFeB、またはCoFeB/CoFeバイレイヤなどの材料を含んでよい。バリア層/非磁性スペーサ層120および140はMgOなどの材料を含んでよい。フリー層130は、CoFeBまたはドープされたCoFeB/CoFeBバイレイヤ、CoFeB/CoFeB/CoFeBトリレイヤまたはCoFeB/非磁性体/CoFeBトリレイヤ、または多層を含んでよい。例えば、CoFeBはCu、Ta、Cr、V、および/または他の元素でドーピングされてよく、フリー層130を形成するために使用されてよい。しかしながら、他の材料が逆デュアルMTJ100の層に関して使用されてよい。逆デュアルMTJ100は、トップバリア層140が厚いバリア層であるために、そう呼ばれる。トップ/第2バリア層140は、ボトム/第1バリア層120と比較して厚い。特定の実施形態において、第2非磁性スペーサ/バリア層150は、第1非磁性スペーサ/バリア層120と比較して少なくとも5厚い。そのような特定の実施形態において、第2非磁性スペーサ/バリア層140は、第1非磁性スペーサ/バリア層120と比較して40を超えて厚いことはない。例えば、第2非磁性スペーサ/バリア層140は、薄い非磁性スペーサ/バリア層120と比較して0.05から0.5ナノメートル厚い場合がある。他の実施形態において、第2非磁性スペーサ/バリア層140は、第1非磁性スペーサ/バリア層120と比較して30を超えて厚いことはない。例えば、第2非磁性スペーサ/バリア層140は、薄い非磁性スペーサ/バリア層120と比較して0.05から0.3ナノメートル厚い場合がある。さらに、図1から分かるように、厚い非磁性スペーサ/バリア層140は、薄い非磁性スペーサ/バリア層120と比較して基板から離れている。基板から離れた、厚い非磁性スペーサ/バリア層140の使用によって、逆デュアルMTJの性能が変わらないことが期待されてきた。しかしながら、逆デュアル磁気接合100が、類似する従来のデュアルMTJと比較して、より高い磁気抵抗を有する場合がある。例えば、特定の実施形態において、逆デュアルMTJ100は、室温例えばセ氏23°において50~200のオーダーのTMRを有する場合がある。他の実施形態において、逆デュアルMTJ100は室温例えばセ氏23°において100よりも大きい、または恐らく高いTMRを有する場合がある。比較すると、類似する逆デュアルMTJは50から100のオーダーのTMRを有するだろう。このように、特定の実施形態において、TMRは少なくとも2倍であるだろう。その結果、逆デュアルMTJ100は、従来のデュアルMTJの利益の多くを有してよく、一方で高い信号を生成する。図3は、薄い非磁性スペーサ/バリア層120’、および薄い非磁性スペーサ/バリア層120と比較して基板101’から離れた厚い非磁性スペーサ/バリア層150’を有する逆デュアルMTJ100’の他の例示的実施形態を示す。逆デュアル磁気接合100’の各部は、図2に示される逆デュアル磁気接合100のものと類似する。類似する部分は同じ番号で参照される。このように、磁気接合100’は、磁化111’を有する第1ピンド層110’、第1非磁性スペーサ層120’、フリー層130’、第2非磁性スペーサ層140’、および磁化151’を有する第2ピンド層150’を含み、これらは各々磁化111を有する第1ピンド層110、第1非磁性スペーサ層120、フリー層130、第2非磁性スペーサ層140、および第2ピンド層150’と類似する。さらに任意のAFM層104’および160’並びに任意のシード層102’および任意のキャップ層170’が示されるが、これらは各々層104、160、102、および170に類似する。層102’、104’、110’、120’、130’、140’、150’、160’、および170’の構造および機能は、各々層102、104、110、120、130、140、150、160、および170に類似する。示される実施形態において、フリー層130’は複数の副層を含む多層である。図示される実施形態において、ただ2つの副層132および134が示される。しかしながら、他の数の副層が使用されてよい。副層B132はCu、Ta、Cr、V、および他の元素でドープされたCoFeBを含んでよく、一方で副層A134はCoFeBを含んでよい。他の実施形態において、フリー層130’は、磁性であってよいか、または磁性でなくてよい、追加の層を含んでよい。例えば、フリー層130’は、1つ以上の非磁性層と交互配置された磁性層を含む合成層であってよい。図4は、薄い非磁性スペーサ/バリア層120、および薄い非磁性スペーサ/バリア層120と比較して基板101から離れた厚い非磁性スペーサ/バリア層140を有する逆デュアル磁気接合100の他の実施形態を示す。逆デュアル磁気接合100の各部は、逆デュアル磁気接合100および100’のものと類似する。類似する部分は同じ番号で参照される。このように、磁気接合100は、第1ピンド層110、第1非磁性スペーサ層120、フリー層130、第2非磁性スペーサ層140、および磁化151を有する第2ピンド層150を含み、これらは各々第1ピンド層110/110’、第1非磁性スペーサ層120/120’、フリー層130/130’、第2非磁性スペーサ層140/140’、および磁化151/151’を有する第2ピンド層150/150’と類似する。さらに任意のAFM層104および160並びに任意のシード層102および任意のキャップ層170が示されるが、これらは各々層104/104’、160/160’、102/102’、および170/170’に類似する。層102、104、110、120、130、140、150、160、および170の構造および機能は、各々層102/102’、104/104’、110/110’、120/120’、130/130’、140/140’、150/150’、160/160’、および170/170’に類似する。図4に示された実施形態において、第1ピンド層110は、磁化115を有するピンド、またはレファレンス、層116、および磁化113を有するピニング層112、を含み、その各々が強磁性である。ピンド層112およびレファレンス層116は非磁性層114によって分離される。例えば、ピニング層112はCoFeを含んでよく、一方でレファレンス層116はCoFeB、またはCoFe/CoFeBバイレイヤを含んでよい。第1ピンド層110のみが多層を含むように示されているが、第2ピンド層150または第1ピンド層110および第2ピンド層150の双方が、レファレンス層116およびピニング層112などの多層を含んでよい。図5は、薄い非磁性スペーサ/バリア層120、および薄い非磁性スペーサ/バリア層140と比較して基板101から離れた厚い非磁性スペーサ/バリア層140を有する逆デュアル磁気接合100の他の実施形態を示す。逆デュアル磁気接合100の各部は、逆デュアル磁気接合100、100’、および100のものと類似する。類似する部分は同じ番号で参照される。結果的に、磁気接合100は、第1ピンド層110、第1非磁性スペーサ層120、フリー層130、第2非磁性スペーサ層140、および第2ピンド層150を含み、これらは各々第1ピンド層110/110’/110、第1非磁性スペーサ層120/120’/120、フリー層130/130’/130、第2非磁性スペーサ層140/140’/140、および第2ピンド層150/150’/150と類似する。さらに任意のAFM層104および160並びに任意のシード層102および任意のキャップ層170が示されるが、これらは各々層104/104’/104、160/160’/160、102/102’/102、および170/170’/170に類似する。層102、104、110、120、130、140、150、160、および170の構造および機能は、各々層102/102’/102、104/104’/104、110/110’/110、120/120’/120、130/130’/130、140/140’/140、150/150’/150、160/160’/160、および170/170’/170に類似する。示された実施形態において、第1ピンド層110および第2ピンド層150の双方が多層を含む。第2ピンド層150は、磁化155を有するピニング層156、非磁性層154、および磁化153を有するレファレンス層152を含む合成層である。さらに、第1ピンド層110は、各々磁化113’および117を有する2つのピニング層112’および118、並びに磁化115’を有するレファレンス層116’を含む。図6は、薄い非磁性スペーサ/バリア層220、および薄い非磁性スペーサ/バリア層220と比較して基板から離れた厚い非磁性スペーサ/バリア層240を有する逆デュアル磁気接合200の他の実施形態を示す。逆デュアル磁気接合200の各部は、逆デュアル磁気接合100、100’、100、および100のものと類似する。類似する部分は同じ番号で参照される。結果的に、磁気接合200は、第1ピンド層210、第1非磁性スペーサ層220、フリー層230、第2非磁性スペーサ層240、および第2ピンド層250を含み、これらは各々第1ピンド層110/110’/110/110、第1非磁性スペーサ層120/120’/120/120、フリー層130/130’/130/130、第2非磁性スペーサ層140/140’/140/140、および第2ピンド層150/150’/150/150と類似する。図示されていないが、ピンド層210および250のうち1つ以上に隣接する任意のAFM層が提供されてよい。さらに基板201上の任意のシード層202および任意のキャップ層270が示されるが、これらは各々層102/102’/102/102、および層170/170’/170に類似する。層202、204、210、220、230、240、250、260、および270の構造および機能は、各々層102/102’/102/102、104/104’/104/104、110/110’/110/110、120/120’/120/120、130/130’/130/130、140/140’/140/140、150/150’/150/150、160/160’/160/160、および170/170’/170/170に類似する。示される実施形態において、磁化211、231、および251は膜面垂直である。磁化211、231、および251は、図6において膜面垂直のみの成分を有するように示されており、図1~5は面内のみであるが、膜面垂直および面内が混合して使用されてよい。さらに、層210、220、および230は単一の層として示されるが、合成反強磁性体を含む多層が使用されてよい。図7は、薄い非磁性スペーサ/バリア層220’、および薄い非磁性スペーサ/バリア層220’と比較して基板から離れた厚い非磁性スペーサ/バリア層240’を有する逆デュアル磁気接合200’の他の実施形態を示す。逆デュアル磁気接合200’の各部は、逆デュアル磁気接合200のものと類似する。類似する部分は同じ番号で参照される。結果的に、磁気接合200’は、第1ピンド層210’、第1非磁性スペーサ層220’、フリー層230’、第2非磁性スペーサ層240’、および第2ピンド層250’を含み、これらは各々第1ピンド層210、第1非磁性スペーサ層220、フリー層230、第2非磁性スペーサ層240、および第2ピンド層250と類似する。図示されていないが、ピンド層210’および250’のうち1つ以上に隣接する任意のAFM層が提供されてよい。さらに基板201’上の任意のシード層202’および任意のキャップ層270’が示されるが、これらは各々層202、および層270に類似する。層202’、204’、210’、220’、230’、240’、250’、260’、および270’の構造および機能は、各々層202、204、210、220、230、240、250、260、および270に類似する。図示される実施形態において、幾つかの層の磁化は膜面垂直であり、一方で他は面内である。ピンド層210’および250’の磁化211’および251’は、互いに垂直である。特に、図7において、第2ピンド層250’は膜面垂直な磁化を有し、一方で第1ピンド層210’は面内の磁化を有する。他の実施形態において、フリー層230’は図示されるように面内ではなく膜面垂直な磁化231’を有してよい。図7において磁化は膜面垂直のみ、または面内のみの成分を有するように示されるが、特定の層に関して膜面垂直および面内が混合されて使用されてよい。さらに、層210’、220’、および230’は単一の層として示されるが、合成反強磁性体を含む多層が使用されてよい。図8は、薄い非磁性スペーサ/バリア層220、および薄い非磁性スペーサ/バリア層220と比較して基板から離れた厚い非磁性スペーサ/バリア層240を有する逆デュアル磁気接合200の他の実施形態を示す。逆デュアル磁気接合200の各部は、逆デュアル磁気接合200および200’のものと類似する。類似する部分は同じ番号で参照される。結果的に、磁気接合200は、第1ピンド層210、第1非磁性スペーサ層220、フリー層230、第2非磁性スペーサ層240、および第2ピンド層250を含み、これらは各々第1ピンド層210/210’、第1非磁性スペーサ層220/220’、フリー層230/230’、第2非磁性スペーサ層240/240’、および第2ピンド層250/250’と類似する。図示されていないが、ピンド層210および250のうち1つ以上に隣接する任意のAFM層が提供されてよい。さらに基板201上の任意のシード層202および任意のキャップ層270が示されるが、これらは各々層202/202’、および層270/270’に類似する。層202、204、210、220、230、240、250、260、および270の構造および機能は、各々層202/202’、204/204’、210/210’、220/220’、230/230’、240/240’、250/250’、260/260’、および270/270’に類似する。図示される実施形態において、幾つかの層の磁化は膜面垂直であり、一方で他は面内である。ピンド層210および250の磁化211および251は、互いに垂直である。特に、図8において、第2ピンド層250は面内磁化を有し、一方で第1ピンド層210は膜面垂直の磁化を有する。他の実施形態において、フリー層230は図示されるように面内ではなく膜面垂直な磁化231を有してよい。図8において磁化は膜面垂直のみ、または面内のみの成分を有するように示されるが、特定の層に関して膜面垂直および面内が混合されて使用されてよい。さらに、層210、220、および230は単一の層として示されるが、合成反強磁性体を含む多層が使用されてよい。図9は、薄い非磁性スペーサ/バリア層220、および薄い非磁性スペーサ/バリア層220と比較して基板201から離れた厚い非磁性スペーサ/バリア層240を有する逆デュアル磁気接合200の他の実施形態を示す。逆デュアル磁気接合200の各部は、逆デュアル磁気接合200、200’および200のものと類似する。類似する部分は同じ番号で参照される。結果的に、磁気接合200は、第1ピンド層210、第1非磁性スペーサ層220、フリー層230、第2非磁性スペーサ層240、および第2ピンド層250を含み、これらは各々第1ピンド層210/210’/210、第1非磁性スペーサ層220/220’/220、フリー層230/230’/230、第2非磁性スペーサ層240/240’/240、および第2ピンド層250/250’/250と類似する。図示されていないが、ピンド層210および250のうち1つ以上に隣接する任意のAFM層が提供されてよい。さらに基板201上の任意のシード層202および任意のキャップ層270が示されるが、これらは各々層202/202’/202、および層270/270’/270に類似する。層202、204、210、220、230、240、250、260、および270の構造および機能は、各々層202/202’/202、204/204’/204、210/210’/210、220/220’/220、230/230’/230、240/240’/240、250/250’/250、260/260’/260、および270/270’/270に類似する。図示される実施形態において、ピンド層210および250の磁化211および251は、互いに垂直である。しかしながら、磁化211および251はどちらも面内である。磁化251は、図9の紙面の面内または面外であってよく、フリー層230の容易軸に垂直である。層210、220、および230は単一の層として示されるが、合成反強磁性体を含む多層が使用されてよい。図10は、薄い非磁性スペーサ/バリア層220、および薄い非磁性スペーサ/バリア層220と比較して基板201から離れた厚い非磁性スペーサ/バリア層240を有する逆デュアル磁気接合200の他の実施形態を示す。逆デュアル磁気接合200の各部は、逆デュアル磁気接合200、200’、200および200のものと類似する。類似する部分は同じ番号で参照される。結果的に、磁気接合200は、第1ピンド層210、第1非磁性スペーサ層220、フリー層230、第2非磁性スペーサ層240、および第2ピンド層250を含み、これらは各々第1ピンド層210/210’/210/210、第1非磁性スペーサ層220/220’/220/220、フリー層230/230’/230/230、第2非磁性スペーサ層240/240’/240/240、および第2ピンド層250/250’/250/250と類似する。図示されていないが、ピンド層210および250のうち1つ以上に隣接する任意のAFM層が提供されてよい。さらに基板201上の任意のシード層202および任意のキャップ層270が示されるが、これらは各々層202/202’/202/202、および層270/270’/270/270に類似する。層202、204、210、220、230、240、250、260、および270の構造および機能は、各々層202/202’/202/202、204/204’/204/204、210/210’/210/210、220/220’/220/220、230/230’/230/230、240/240’/240/240、250/250’/250/250、260/260’/260/260、および270/270’/270/270に類似する。図示される実施形態において、ピンド層210および250の磁化211および251は、互いに垂直である。しかしながら、磁化211および251はどちらも面内である。磁化211は、図10の紙面の面内または面外であってよく、フリー層230の容易軸に垂直である。層210、220、および230は単一の層として示されるが、合成反強磁性体を含む多層が使用されてよい。図3-10の逆デュアル磁気接合100’、100、100、200、200’、200、200、および200は、図2の逆デュアル磁気接合100の利点の少なくとも幾つかを共有する。特に、磁気抵抗比またはバリア層のためのTMRは有意に増加され得る。フリー層が上側基板から離れた厚いバリア層が底部側基板に近い薄いバリア層と比較して高いTMRを有するように設計されることに留意されたい。さらに、第2ピンド層および厚いバリアは、第1ピンド層および基板に近い薄いバリア層と比較して高いTMRを有するように設計されることが好ましい。例えば、第2ピンド層としてのCoFeBドープ/CoFeBバイレイヤフリー層、上述の厚みを有するMgOバリア層、およびCoFeBまたはCoFeB/CoFeバイレイヤの使用が好ましい。図11は、逆デュアル磁気接合を作製するための方法300の例示的実施形態を示す。簡単のために、幾つかの段階は省略され、組み合わされ、または交互配置される。方法300は、磁気接合100との関連で記載される。しかしながら、方法310が接合100、100’、100、100、200、200’、200、200、および/または200などの他の磁気接合において使用され得る。さらに、方法300が磁気メモリの製造に組み込まれてよい。結果的に、方法300はSTT-RAM、または他の磁気メモリの製造において使用されてよい。方法300は、シード層102および任意のAFM層104が提供された後、開始してよい。段階302によってピンド層110が提供される。段階302は、ピンド層110の所定の厚みにおいて、所定の材料を堆積する段階を含んでよい。さらに、段階302はSAFを提供する段階を含んでよい。段階304によって非磁性スペーサ/バリア層120が提供される。段階304は、結晶MgOを含むがそれに限定されない、所定の非磁性材料を堆積する段階を含んでよい。さらに、材料の所定の厚みは段階304において堆積されてよい。段階306によってフリー層130が提供される。段階308において、層140などの追加の非磁性スペーサ/バリア層が提供されてよい。段階308は、層140が層120と比較して厚いように非磁性スペーサ/バリア層140に十分な厚みを提供する段階を含む。特定の実施形態において、段階308は層120と比較して厚い結晶MgOの層を堆積する段階を含む。段階310によって層150などの追加のピンド層が提供される。段階312によって製造が完了されてよい。例えば、反強磁性体層160および/またはキャップ層170が提供されてよい。磁気接合の層が積層されて堆積されその後画定される特定の実施形態において、段階312は磁気接合100を画定する段階、アニールを実行する段階、または他の方法で磁気接合100の作製を完了させる段階を含んでよい。さらに、もしも磁気接合100がSTT-RAMなどのメモリ内部に組み込まれる場合、段階312はコンタクト、バイアス構造、およびメモリの他の部分を提供する段階を含んでよい。結果的に、磁気接合の利点が実現され得る。さらに、磁気接合100、100’、100、100、200、200’、200、200、および/または200は磁気メモリ内で使用されてよい。図12は、そのようなメモリ400の1つの例示的実施形態を示す。磁気メモリ400は、リーディング/ライティングカラムセレクトドライバ402および406並びにワードラインセレクトドライバ404を含む。他のおよび/または異なる部品が提供されてよいことに留意されたい。メモリ400の保存領域は磁気記憶素子410を含む。各磁気記憶素子は少なくとも1つの磁気接合412および少なくとも1つの選択装置414を含む。特定の実施形態において、選択装置414はトランジスタである。磁気接合412は、磁気接合100、100’、100、100、200、200’、200、200、および/または200の1つであってよい。1つの磁気接合412が素子410毎に示されるが、他の実施形態において、素子毎に他の数の磁気接合412が提供されてよい。このように、磁気メモリ400は、良好な信号などの上述の利点を有し得る。様々な逆デュアル磁気接合100、100’、100、100、200、200’、200、200、および200が開示された。逆デュアル接合100、100’、100、100、200、200’、200、200、および200の様々な特徴が組み合わされてよいことに留意されたい。結果的に、向上された信号などの、磁気接合100、100’、100、100、200、200’、200、200、および200の1つ以上の利点が実現され得る。例えばスピントランスファートルクに基づくメモリなどの磁気メモリ素子において使用され得る逆デュアル磁気接合を提供するための方法およびシステム、および磁気メモリ素子を用いて作製されるメモリが記載されている。方法およびシステムはここに示される例示的実施形態に従って記述され、当業者は実施形態が変更されてよく、任意の変更は本発明の方法およびシステムの精神および範囲内にあることを容易に認識するだろう。例えば、図2-10に示される1つ以上の逆デュアルMTJの特徴を含む様々な組み合わせが使用されてよい。さらに、バリア層が記載されるけれども、他の非磁性スペーサ層が使用されてよい。したがって、添付する請求項の精神および範囲から逸脱することなく、多くの変更が当業者によってなされ得る。