透明導電膜、および前記透明導電膜と接続するタッチパネルセンサー用の配線膜において、前記配線膜は、Ni、Zn、およびMnよりなる群から選択される合金元素の少なくとも一種を含むCu合金で構成されており、前記合金元素を一種含む場合は、Ni:0.1~6原子、Zn:0.1~6原子、またはMn:0.1~1.9原子のいずれかの含有量であり、前記合金元素を二種以上含む場合は、合計量で0.1~6原子ただし、Mnを含む場合のMn含有量は[6-x×2÷6]原子以下;式中、xはNiとZnの合計添加量であることを特徴とするタッチパネルセンサー用Cu合金配線膜。透明導電膜、および前記透明導電膜と接続するタッチパネルセンサー用の配線膜において、前記配線膜は、Ni、Zn、およびMnよりなる群から選択される合金元素の少なくとも一種を合計で0.1~30原子含むCu合金第1層と、純CuまたはCuを主成分とするCu合金であって前記第1層よりも電気抵抗率の低いCu合金からなる第2層と、を含む積層構造を有し、前記第1層は、前記透明導電膜と接続されていることを特徴とするタッチパネルセンサー用Cu合金配線膜。前記第1層の膜厚は、5~100nmである請求項2に記載のタッチパネルセンサー用Cu合金配線膜。請求項1~3のいずれかに記載のCu合金配線膜を備えたタッチパネルセンサー。前記透明導電膜が、フィルム基板上に形成されている請求項4に記載のタッチパネルセンサー。請求項2または3に記載のタッチパネルセンサー用Cu合金配線膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、Ni、Zn、およびMnよりなる群から選択される合金元素を少なくとも一種を、合計で0.1~30原子含み、残部Cuおよび不可避的不純物で構成されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。本発明の目的は、電気抵抗率を低く維持しつつ、透明導電膜との密着性に優れたタッチパネルセンサー用Cu合金配線膜、およびこれを用いたタッチパネルセンサー、並びに同配線膜形成に好適なスパッタリングターゲットを提供することにある。上記課題を達成し得た本発明は、透明導電膜、および前記透明導電膜と接続するタッチパネルセンサー用の配線膜において、前記配線膜は、Ni、Zn、およびMnよりなる群から選択される合金元素の少なくとも一種を含むCu合金で構成されており、前記合金元素を一種含む場合は、Ni:0.1~6原子、Zn:0.1~6原子、またはMn:0.1~1.9原子のいずれかの含有量であり、前記合金元素を二種以上含む場合は、合計量で0.1~6原子ただし、Mnを含む場合のMn含有量は[6-x×2÷6]原子以下;式中、xはNiとZnの合計添加量であることに要旨を有するCu合金配線膜である。また本発明の他の構成としては、透明導電膜、および前記透明導電膜と接続するタッチパネルセンサー用の配線膜において、前記配線膜は、Ni、Zn、およびMnよりなる群から選択される合金元素の少なくとも一種を合計で0.1~30原子含むCu合金第1層と、純CuまたはCuを主成分とするCu合金であって前記第1層よりも電気抵抗率の低いCu合金からなる第2層と、を含む積層構造を有し、前記第1層は、前記透明導電膜と接続されていることに要旨を有するCu合金配線膜である。上記積層構造とする場合の前記第1層の膜厚は、5~100nmであることが望ましい。本発明には上記Cu合金配線膜を備えたタッチパネルセンサーが含まれ、また前記透明導電膜が、フィルム基板上に形成されているタッチパネルセンサーも好ましい実施態様である。また本発明には、タッチパネルセンサー用Cu合金配線膜を形成するためのスパッタリングターゲットも含まれ、スパッタリングターゲットは、Ni、Zn、およびMnよりなる群から選択される合金元素を少なくとも一種を、合計で0.1~30原子含み、残部Cuおよび不可避的不純物で構成されていることに要旨を有する。本発明によれば、タッチパネルセンサー用Cu合金配線膜として、密着性向上元素を合金元素として所定量含むCu合金を用いているため、透明導電膜との密着性、および電気抵抗に優れた効果を発揮する。更に密着性に優れた第1層と、第1層よりも電気抵抗率の低い第2層との積層構造を有するCu合金第1層第2層を用いることによって、よりすぐれた密着性と低い電気抵抗率を発揮することができる。したがって本発明によれば、従来から問題となっていた透明導電膜との低い密着性を向上できると共に、電気抵抗率も低く維持したタッチパネルセンサー用Cu合金配線膜、及び該配線膜を用いたタッチパネルセンサーを提供できる。また本発明は、このような効果を有するタッチパネルセンサー用Cu合金配線膜の形成に好適なスパッタリングターゲットも提供するものである。本発明者らは、タッチパネルセンサー用配線に要求される低電気抵抗を維持しつつ、ITOなどの透明導電膜との密着性に優れた配線膜、およびこれを用いたタッチパネルセンサーを提供すべく鋭意研究を行った。特にタッチパネル用途では、ITOなどの透明導電膜と配線膜との密着性を高めることが重要であるが、配線膜と透明導電膜との密着性は、従来の液晶表示装置用途で検討されてきた配線膜と絶縁膜、或いは基板との密着性よりも低く、しかもタッチパネル製造過程における熱履歴は液晶表示装置製造過程の熱履歴よりも低いため200°C未満、液晶表示装置用途で検討されてきた密着性向上技術をタッチパネル用途に適用することはできなかった。本発明者らが更に検討を重ねた結果、透明導電膜に直接接続する配線膜を、合金元素密着性向上元素としてNi、Zn、およびMnよりなる群から選択される少なくとも一種を含むCu合金とすればよいことがわかった。具体的にはCu合金に含まれている合金元素Ni、Zn、Mnが透明導電膜との界面で濃化層を形成し、この濃化層が密着性を高める効果を有することを見出した。この濃化層は、熱処理などによりCu合金中の固溶限を超える合金元素Ni、Zn、Mnが透明導電膜との界面に拡散濃縮して形成されると考えられる。ここで本発明において濃化層とは、Cu合金配線膜全体の合金含有率平均合金濃度よりも高い合金含有率を有する濃化層領域がCu合金配線膜表面近傍透明導電膜接触面側に形成されていることをいい、合金元素は少なくともNi、Zn、Mnよりなる群から選択される少なくとも一種である。以下、透明導電膜との密着性に優れた本発明の実施形態について詳しく説明する。なお、本発明においてCu合金膜とは、スパッタリング等により成膜した状態をいい、Cu合金配線とは、Cu合金膜をエッチング加工等により配線形状にしたものをいうが、本発明では両者をあわせてCu合金配線膜で代表させることがある。まず、本発明の第一の実施形態について説明する。[Ni、Zn、およびMnよりなる群から選択される少なくとも一種を所定量含むCu合金:単層]本発明ではCuに密着性向上元素として所定量のNi、Zn、およびMnよりなる群から選択される少なくとも一種を含有させて密着性を向上させている。これらの元素は、Cu金属には固溶するが酸化Cuには固溶しない元素である。これらの元素が固溶しているCu合金が成膜過程の熱処理等によって酸化されると、上記元素は拡散して粒界や界面に濃化し、この濃化した層濃化層によって透明導電膜との密着性が向上すると考えられる。このような濃化層の形成によって、Cu合金配線膜を透明導電膜に直接接続させても十分な密着性を確保することができる。上述した密着性向上元素のうち好ましいのはNi、Znであり、より好ましくはNiである。Niは、上述した界面での濃化現象が非常に強く発現され、高い密着性向上効果が得られる元素だからである。Ni、Zn、およびMnよりなる群から選択される少なくとも一種の元素が界面に濃化した濃化層は、好ましくは、スパッタリング法詳細は後述する。によるCu合金成膜後、約100°C以上で1分間以上の加熱処理を行なうことによって得られる。このような加熱処理により界面に合金元素が拡散して濃化し易くなるからである。加熱処理条件の上限は、所望とする濃化層が得られれば特に限定されず、基板の耐熱性やプロセスの効率などによって適宜調整することができる。なお、上記の加熱処理は、濃化層の形成を目的に行うものであってもよいし、Cu合金膜形成後の熱履歴例えば、スパッタリングやレジストをベークする工程が、前記温度時間を満たすものであってもよい。上記元素の含有量は合計量で0.1原子以上とする。上記元素の含有量が0.1原子未満では、透明導電膜との十分な密着性が得られない。上記元素の含有量は多いほど密着性の向上に有効であるが、一方、上記元素の合計含有量が6原子を超えると、配線形状にエッチングする際のアンダーカット量の増大や、残渣の発生により、微細加工が難しくなるほか、Cu合金配線膜自体の電気抵抗率が高くなり、信号遅延や電力損失が大きくなる。上述の通り、密着性の観点から、上記元素の合計含有量の好ましい下限値は0.3原子、より好ましくは0.5原子、更に好ましくは1.0原子である。また、電気抵抗率等の観点から合計含有量の好ましい上限値は、5.0原子、より好ましくは4.0原子、さらに好ましくは2.0原子である。上記各元素の単独含有量は、以下の通り元素の種類によって異なり得る。元素の種類によって密着性および電気抵抗に対する負荷影響が異なるからである。Niは、十分な密着性を発揮するために0.1原子以上、好ましくは0.3原子以上、より好ましくは0.5原子以上含有させる必要がある。一方、過剰な添加は加工性の悪化や電気抵抗率が高くなりすぎるためNi含有量は、6原子以下、好ましくは4.0原子以下、より好ましくは2.0原子以下とする。Znは、十分な密着性を発揮するために0.1原子以上、好ましくは0.3原子以上、より好ましくは0.5原子以上含有させる必要がある。一方、過剰な添加は加工性の悪化や電気抵抗率が高くなりすぎるためZn含有量は、6原子以下、好ましくは4.0原子以下、より好ましくは2.0原子以下である。Mnは、十分な密着性を発揮するために0.1原子以上、好ましくは0.3原子以上、より好ましくは0.5原子以上含有させる必要がある。一方、過剰な添加は加工性の悪化や電気抵抗率が高くなりすぎるためMn含有量は、1.9原子以下、好ましくは1.5原子以下、より好ましくは1.0原子以下である。上記元素を少なくとも2種以上含むときにおけるNi、Znの好ましい範囲は上記の通りであるが、少なくともMnを含むときのMn含有量は[6-x×2÷6]原子以下式中、xはNiとZnの合計添加量とし、上記合計含有量の上限に応じて、好ましくは[5.0-x×1.9÷6]原子以下式中、xはNiとZnの合計添加量、更に好ましくは[4.0-x×1.9÷6]原子以下式中、xはNiとZnの合計添加量、より更に好ましくは[2.0-x×1.9÷6]原子以下式中、xはNiとZnの合計添加量とすることが望ましい。本発明に用いられるCu合金配線膜は、上記元素を含み、残部:Cuおよび不可避的不純物である。上記Cu合金配線膜における各合金元素の含有量は、例えばICP発光分析法によって求めることができる。本発明では、配線材料として、上記Cu合金配線膜を単独で用いてもよいし、或いは上記元素を含むCu合金配線膜以下、第1層ということがあるに、電気抵抗率が第1層よりも低いCu合金配線膜以下、第2層ということがあるを積層第1層の透明導電膜接触面と反対側の面させてもよい第二の実施形態。以下、本発明の第二の実施形態について説明する。[Ni、Zn、およびMnよりなる群から選択される少なくとも一種を所定量含むCu合金第1層と、第1層よりも電気抵抗率の低いCu合金からなる第2層と、を含むCu合金配線膜:積層構造]透明導電膜に直接接触するCu合金配線膜第1層は、上記本発明の第一の実施形態と同じく、密着性向上に寄与する上記元素Ni、Zn、及びMnよりなる群から選択される少なくとも一種を含むCu合金で構成されており、これにより、透明導電膜との密着性が向上するが、合金元素添加量が増加するにしたがって、密着性と共に電気抵抗率も高くなる。そこで、第1層よりも電気抵抗率が低い第2層を第1層に積層させることによって、Cu合金配線膜全体の電気抵抗率の低減を図ることができる図1参照。すなわち、Cu合金配線膜を第1層と第2層の積層構造とすることにより、電気抵抗率が低いというCu本来の特性を有効に最大限発揮させつつ、Cuの欠点であった透明導電膜との密着性をより一層向上させることができる。本発明において、第2層を構成する第1層よりも電気抵抗率の低いCu合金は、密着性向上元素を含むCu合金で構成されている第1層に比べて電気抵抗率が低くなるように、合金元素の種類および/または含有量を適切に制御すればよく、純Cuも含まれる。電気抵抗率が低い元素好ましくは、純Cu並みに低い元素は、文献に記載の数値などを参照し、公知の元素から容易に選択することができる。ただし、電気抵抗率が高い元素であっても、含有量を少なくすればおおむね、0.05~1原子程度電気抵抗率を低減できるため、第2層に適用可能な上記合金元素は、電気抵抗率が低い元素に必ずしも限定されない。具体的には、タッチパネルにおける配線抵抗による信号遅延や電力損失を押さえる観点から、第2層の電気抵抗率を例えば11μΩcm以下とすることが好ましく、より好ましくは8.0μΩcm以下、更に好ましくは5.0μΩcm以下である。このような第2層としては、例えば、純CuやCu-Ni、Cu-Mn、Cu-Mg、Cu-Caなどが好ましく用いられる。また、第2層に適用可能な上記合金元素は、酸素ガスや窒素ガスのガス成分を含んでいても良く、例えば、Cu-OやCu-Nなどを用いることができる。なお、第1層よりも電気抵抗率の低いCu合金は、上述した適用可能な元素を含み、実質的に残部がCuおよび不可避的不純物である。上記のような第2層を第1層と積層させてCu合金配線膜を構成した場合、第2層によって電気抵抗率を低減できるため、上記第一の実施形態と比べて、第1層の密着性向上元素の含有量を増やして密着性をより高めることができる。すなわち、第1層と第2層の積層構造としたCu合金配線膜の電気抵抗率は、低電気抵抗率の第2層に依拠しているため、単層の場合と比べて密着性向上元素量を増加させることができる。したがって第1層と透明導電膜との密着性を向上させる観点からは、第1層のCu合金には、Ni、Zn、およびMnよりなる群から選択される少なくとも一種を合計量で、0.1原子以上、好ましくは0.5原子以上、より好ましくは1.0原子以上とする必要があるが、上限は、合計量で30原子以下、好ましくは20原子以下、より好ましくは15原子以下まで含有させることができる残部は実質的にCuおよび不可避的不純物である。以上のように、本発明のCu合金配線膜は、密着性向上元素を含むCu合金単層第一の実施形態で構成されているか、あるいは密着性と電気抵抗をより一層良好にさせる観点から第1層と第2層の積層構造第二の実施形態で構成されているが、各膜厚については特に限定されず、要求される密着性や電気抵抗率に応じて適宜調整すればよい。例えば上記Cu合金膜を単独単層で用いるときの好ましい厚さは、膜厚が厚すぎると配線形状の悪化やエッチング残渣が生じることがあるため、好ましくは600nm以下、より好ましくは500nm以下、更に好ましくは450nm以下である。また膜厚が薄すぎる場合には配線抵抗が高くなることがあるため、好ましくは50nm以上、より好ましくは70nm以上、更に好ましくは100nm以上とすることが望ましい。Cu合金配線膜を上記第1層と第2層の積層構造として用いるときの、好ましい合計厚さは、おおむね100nm以上、より好ましくは200nm以上であり、好ましくは600nm以下、より好ましくは450nm以下である。また積層構造としたときの第1層の膜厚は、低い電気抵抗率と高い密着性を確保する観点からは、好ましくは100nm以下、より好ましくは50nm以下とすることが望ましく、密着性向上を考慮すると、好ましくは5nm以上、より好ましくは10nm以上とすることが望ましい。上述したように、密着性に優れた効果を発揮するCu合金配線膜は、成膜後に熱処理を施すことによって、格段に優れた密着力が得られる。これは、成膜後の熱処理により、合金元素の透明導電膜界面への濃化が促進されるためであると考えられる。上記熱処理条件は、温度が高いほど、また保持時間が長いほど、密着性向上に有効に作用する。しかし、熱処理温度は基板の耐熱温度以下にする必要があり、また保持時間が過度に長いとタッチパネルの生産性の低下を招く。よって上記熱処理条件は、おおむね、温度:100~230°C、保持時間:1~30分間の範囲内とすることが好ましい。このような熱処理は、密着性の更なる向上を目的に行う熱処理であってもよいし、前記Cu合金配線膜第1層形成後の熱履歴が、上記温度時間を満足するものであってもよい。本発明では透明導電膜と接続するCu合金配線膜第一の実施形態、あるいは第1層と第2層の積層からなるCu合金配線膜第二の実施形態に特徴があり、それ以外の構成は特に限定されず、タッチパネルセンサーの分野で通常用いられる公知の構成を採用することができる。例えば、抵抗膜方式のタッチパネルセンサーは、次の様にして製造することができる。即ち、基板上に透明導電膜を形成してから、レジスト塗布、露光、現像、エッチングを順次行った後、Cu合金配膜を形成して、レジスト塗布、露光、現像、エッチングを実施して配線を形成し、次いで、該配線を被覆する絶縁膜等を形成して、上部電極とすることができる。また、基板上に透明導電膜を形成してから、上部電極と同様にフォトリソグラフィーを行い、次いで、上部電極の場合と同様に、Cu合金膜単独構造の場合から配線を形成し、次いで該配線を被覆する絶縁膜を形成し、マイクロドットスペーサ等を形成して下部電極とすることができる。そして、上記の上部電極、下部電極、および別途形成したテール部分を張り合わせて、タッチパネルセンサーを製造することができる。上記Cu合金膜は、スパッタリング法により成膜することが好ましい。スパッタリング法とは、真空中にAr等の不活性ガスを導入し、基板とスパッタリングターゲット以後、ターゲットという場合があるとの間でプラズマ放電を形成し、該プラズマ放電によりイオン化したArを上記ターゲットに衝突させて、該ターゲットの原子をたたき出し基板上に堆積させて薄膜を作製する方法である。スパッタリング法を用いれば、スパッタリングターゲットとほぼ同じ組成のCu合金膜を成膜できる。スパッタリング法としては、例えばDCスパッタリング法、RFスパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、反応性スパッタリング法等のいずれのスパッタリング法を採用してもよく、その形成条件は、適宜設定すればよい。上記スパッタリング法で、例えば、上記Cu合金膜を形成するには、上記ターゲットとして、上記の密着性向上元素Ni、Zn、およびMnよりなる群から選択される少なくとも一種を所定量含有するCu合金からなるものであって、所望のCu合金膜と同一の組成のスパッタリングターゲットを用いれば、組成ズレすることなく、所望の成分組成のCu合金膜を形成することができるのでよい。スパッタリングターゲットの組成は、異なる組成のCu合金ターゲットを用いて調整しても良いし、あるいは、純Cuターゲットに合金元素の金属をチップオンすることによって調整しても良い。ターゲットの形状は、スパッタリング装置の形状や構造に応じて任意の形状角型プレート状、円形プレート状、ドーナツプレート状などに加工したものが含まれる。上記ターゲットの製造方法としては、溶解鋳造法や粉末焼結法、スプレイフォーミング法で、Cu基合金からなるインゴットを製造して得る方法や、Cu基合金からなるプリフォーム最終的な緻密体を得る前の中間体を製造した後、該プリフォームを緻密化手段により緻密化して得られる方法が挙げられる。また上記第1層と第2層の積層構造を有するCu合金膜を成膜する場合は、第1層をスパッタリング法により成膜して形成した後、その上に、上記第2層を構成する材料をスパッタリング法により成膜して第2層を形成し、積層構成とすればよい。上記透明導電膜は特に限定されず、代表例として、酸化インジウム錫ITOまたは酸化インジウム亜鉛IZOからなるものを使用することができる。また、上記基板透明基板は、一般的に使用されているものとして、例えばガラス、ポリエチレンテレフタレート系、ポリカーボネート系、またはポリアミド系のものを使用することができる。200°C未満のプロセスで熱安定性を示すとともに、材料コストが安くロールトゥロールにも対応するポリエチレンテレフタレート系、ポリカーボネート系、またはポリアミド系等のフィルムを用いることが好ましい。本発明では例えば、固定電極である下部電極の基板にガラスを用い、可撓性の必要な上部電極の基板にポリカーボネート系等のフィルムを用いることができる。フィルム基板に加える熱履歴は、フィルムの耐熱温度以下であれば問題ないが、密着性向上の観点からは100°C以上の熱履歴に対する耐熱性を有するフィルムを用いることが好ましい。また、本発明のタッチパネルセンサーは、上記抵抗膜方式以外に、静電容量方式や超音波表面弾性波方式等のタッチパネルセンサーとしても用いることができる。以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。実施例1ポリエチレンテレフタレートPETを基板とし、その表面に、DCマグネトロンスパッタリング法で、下記に示すスパッタリング条件で透明導電膜ITOまたはIZO:膜厚は約100nmを形成した。透明導電膜の成膜は、成膜前にチャンバー内の雰囲気を一旦、到達真空度:3×106Torrにしてから、透明導電膜と同一の成分組成の直径4インチの円盤型ターゲットを用いて行なった。スパッタリング条件Arガス流量:8sccmO2ガス流量:0.8sccmスパッタパワー:260W基板温度:室温透明導電膜を形成した後、引き続き透明導電膜表面に、DCマグネトロンスパッタリング法で、下記に示すスパッタリング条件で表1に示す成分組成を有するCu合金膜膜厚は約200nmを形成した。成膜は、成膜前にチャンバー内の雰囲気を一旦、到達真空度:3×106Torrにしてから、各Cu合金膜と同一の成分組成の直径4インチの円盤型ターゲットを用いて行なった。なお、形成されたCu合金膜の組成はICP発光分析法で確認した。スパッタリング条件Arガス流量:30sccmArガス圧:20mTorrスパッタパワー:260W基板温度:室温上記の様にして得られたCu合金膜を用いて、150°C30分の熱処理後に以下の条件で、濃化層の有無、密着性、電気抵抗率を調べた。透明導電膜とCu合金膜との界面における濃化層の有無上記熱処理後に濃化層が形成されているかを確認した。詳細には、熱処理後の各試料をTEM画像と界面のEDXライン分析により、濃化層が透明導電膜とCu合金膜との界面にできているかを確認した。本実施例では、濃化層が確認できたものを○、確認できなかったものを×と判定した。密着性テープによる剥離試験で密着性を評価した。詳細には、Cu合金膜の表面にカッターナイフで1mm間隔のマス目を25マス作成した。なお、カッターナイフでの切り込み深さは透明導電膜に達するまでである透明導電膜は切断していない。次いで、このマス目上に透明粘着テープ住友スリーエム社製Scotch登録商標600をしっかりと貼り付け、上記テープの引き剥がし角度が60°となるように保持しつつ、上記テープを一挙に引きはがして、上記テープにより剥離しなかったマス目の区画数をカウントし、全区画との比率膜残存率を求めた。測定は3回行い、3回の平均値を各試料の密着率とした。本実施例では、密着率が80未満:×、80以上:△、90以上:○、95以上:◎とし、80以上を合格ライン表中、○と表記とした。電気抵抗率上記各Cu合金膜を、フォトリソグラフィーとエッチング混酸によって、線幅100μm、線長4.0mmの電気抵抗評価用ラインパターンに加工した。電気抵抗は4端子法で電気抵抗率を測定した。電気抵抗率が11μΩcm以下を○、11μΩcm超を×とした。本実施例では、○を電気抵抗率良好と判断する。参考例としてCu合金膜の代わりに純Cu膜を形成した試料No.36、37についても、上記と同様にして密着性および電気抵抗率を測定した。これらの結果を表1に併記する。No.1~7、9~15、17~22、は、Ni、Zn、およびMnよりなる群から選択される一種を含む本発明の要件を満足するCu合金膜残部:Cu及び不可避的不純物の例である。またNo.24~35は、Ni、Zn、およびMnよりなる群から選択される少なくとも二種を含む本発明の要件を満足するCu合金膜残部:Cu及び不可避的不純物の例である。これらはいずれも、本発明で規定する合金元素の含有量を有し、且つ、スパッタリング条件を本発明の好ましい範囲に制御して制作したため、密着性に優れていると共に、電気抵抗率も低く制御されていた。これらの実施例では、合金元素の添加量が多くなると密着率も向上するが、電気抵抗率も高くなる傾向が観察された。これに対し、No.8、16、23は、合金元素の含有量が本発明で規定する範囲を外れているため、電気抵抗率が高かった。またNo.36、37は、合金元素を含まない純Cuの例であり、スパッタリング条件を本発明の好ましい範囲に制御したにもかかわらず、濃化層が形成されておらず、密着性が悪かった。No.38は、本発明の規定以外の合金元素を使用した例であり、濃化層が形成されて折らず、密着性が悪かった。実施例2上記実施例1と同様にしてポリエチレンテレフタレートPETを基板とし、その表面に、透明導電膜ITO:膜厚は約100nmを形成した。透明導電膜を形成した後、引き続き透明導電膜表面に、上記実施例1と同様にして表2に示す成分組成を有するCu合金膜膜厚は表2参照を形成した第1層。引き続き第1層表面に、DCマグネトロンスパッタリング法で、第1層上記実施例1のCu合金膜と同じスパッタリング条件で表2に示す成分組成を有する第2層純Cu、またはCu合金:膜厚は約300nmを成膜して第1層と第2層の積層構造を有するCu合金膜を形成した。上記のようにして得られたCu合金膜について、実施例1と同様にして各特性を評価した。結果を表2に示す。No.1~40は、第1層としてNi、Zn、およびMnよりなる群から選択される一種を含むCu合金膜残部:Cu及び不可避的不純物の例である。またNo.41~48は、第1層としてNi、Zn、およびMnよりなる群から選択される少なくとも二種を含むCu合金膜残部:Cu及び不可避的不純物の例である。これらはいずれも、本発明で規定する合金元素の含有量を有し、且つ、スパッタリング条件を本発明の好ましい範囲に制御して制作したため、密着性に優れていた。実施例1と同様、合金元素の添加量が多くなると密着性が向上する傾向を示すと共に、膜が厚くなるにしたがって密着性も高くなる傾向が観察された。なお、実施例2では第1層よりも電気抵抗率が低い第2層Cu及び不可避的不純物、または0.1原子Niと残部Cu及び不可避的不純物を形成していることから、いずれも11μΩcm以下の電気抵抗率であった。