"水性アルカリ性現像剤中で現像することが可能な光結像性ポジ型底面反射防止膜組成物であって、発色団基を有する少なくとも一種の繰り返し単位と、ヒドロキシル及び/またはカルボキシル基を有する少なくとも一種の繰り返し単位とを含んでなるポリマー、末端ビニルエーテル基を有する架橋剤、場合によっては及び光酸発生剤を含む、上記組成物。発色団基がポリマーに化学的に結合しており、そして次の構造要素を含む化合物、すなわち芳香族炭化水素環、置換されているかもしくは置換されていないフェニル基、置換されているかもしくは置換されていないアントラシル基、置換されているかもしくは置換されていないフェナントリル基、置換されているかもしくは置換されていないナフチル基、酸素、窒素、硫黄及びこれらの混合物から選択されるヘテロ原子を含む置換されているかもしくは置換されていない複素環式芳香族環を含む化合物、から選択される、請求項1の組成物。ヒドロキシル及び/またはカルボキシル基を含む繰り返し単位が、アクリル酸、メタクリル酸、ビニルアルコール、ヒドロキシスチレン類、及びヒドロキシスチレンと1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロパノール含有ビニルモノマーとのコポリマーから選択されるモノマーから誘導される、請求項1の組成物。発色団基とヒドロキシル及び/またはカルボキシル基が同一の繰り返し単位中に存在する、請求項1の組成物。以下の一般構造式[式中、Rは、C1~C30線状、分枝状もしくは環状アルキル、置換されているかもしくは置換されていないC6~C40アリール、及び置換されているかもしくは置換されていないC7~C40脂肪環式炭化水素から選択され、そしてnは≧2である]で表されるビニルエーテル末端基含有架橋剤を含む、請求項1の組成物。酸または熱酸発生剤を更に含む、請求項1の組成物。酸、または熱酸発生剤から誘導される酸が、1.0を超えるpKaを有する、請求項6の組成物。酸、または熱酸発生剤から誘導される酸が、220°C未満の温度で反射防止膜から除去されるものである、請求項6の組成物。染料を更に含む、請求項1の組成物。染料が、モノマー性染料、ポリマー性染料、及びモノマー性染料とポリマー性染料との混合物からなる群から選択される、請求項9の組成物。反射防止膜層が、0.1~1.0の範囲のk値を有する、請求項1の組成物。反射防止膜層が、フォトレジストの厚さより薄い厚さを有する、請求項1の組成物。光酸発生剤が、50nm~450nmの範囲の化学線に感度を示すものである、請求項1の組成物。次の段階、すなわちa請求項1の光結像性底面反射防止膜組成物の塗膜を基材上に形成する段階、b前記反射防止膜をベーク処理する段階、c上面フォトレジスト層の塗膜を、上記底面塗膜の上に供する段階、d上記フォトレジスト層及び底面反射防止膜層を、同じ波長の化学線で像様露光する段階、e上記基材上の上記フォトレジスト層及び底面反射防止膜層を露光後ベーク処理する段階、及びf上記フォトレジスト層及び底面反射防止膜層を水性アルカリ性溶液で現像する段階、を含む、ポジ型の像を形成する方法。コーティングの後かつ反射防止膜組成物のベーク処理段階の前に、エッジビーズを除去する段階を更に含む、請求項14の方法。反射防止膜が、フォトレジスト層をコーティングする前のベーク処理段階の後で、有機溶剤及び水性アルカリ性溶液中に不溶性になり、そしてフォトレジスト層及び底面反射防止膜層の現像の前の化学線による露光の後で、水性アルカリ性溶液中に可溶性になる、請求項14の方法。吸光パラメータk及び屈折率nは、角度可変分光光度偏光解析器を用いて測定した。底面反射防止膜B.A.R.C.溶液を、下塗りしたシリコンウェハ上にスピンコートしそしてベーク処理して、所定の膜厚を得た。次いで、このコーティングされたウェハを、J.A.WoollamまたはSopraCorporation製造の偏光解析器を用いて測定した。得られたデータを近似して、このB.A.R.C.膜のk及びn値を得た。合成例1凝縮器、温度計、窒素ガス入口及び機械的攪拌機を備えた250ml四つ首フラスコに、9-アントラセンメタノールのメタクリレートエステルAMMA4.2g、4-アセトキシスチレン13.8g、アゾビスイソブチロニトリルAIBN0.8g、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルPGME50gを加えた。溶液が得られ、これを15分間脱気した。次いで、この反応混合物を70°Cに加熱し、そして窒素を流しながらこの温度で5時間攪拌した。重合完了後、得られた溶液を室温まで冷却し、そしてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水中26重量溶液7gを加えた。反応温度を40°Cに高めそしてこの温度に3時間維持して、その後、60°Cに高めた。60°Cで8時間加熱した後、反応混合物を室温まで冷却し、そして酢酸を用いて6のpHに酸性化した。得られたポリマーを、メタノール600ml中で析出させ、そして得られた固形物を濾過し、メタノール及び脱イオン水で洗浄し、次いで乾燥した。析出したポリマーを、PGME60g中で再溶解し、そして再びメタノール600ml中で析出させた。得られた固形物を濾過し、洗浄しそして減圧下に40°Cで乾燥した。得られたポリマー以下の構造式Iで表されるポリマーは、ポリスチレン標準を使用してゲル透過クロマトグラフィGPCにより測定して、12,800の重量平均分子量Mw及び5,400の数平均分子量Mnを有していた。合成例2~5以下の構造式II~Vを有するポリマーを、合成例1と同様の手順で合成した。ただし、各々の構造式に示したモノマー比に沿って異なる種及び量のモノマーを使用した。例1合成例1からの構造式Iで表されるコポリマー2.5g、トリス4-ビニルオキシブチルトリメリテート0.25g、VectomerR5015、Aldrich社から入手可能、及びトリフェニルスルホニウムノナフレート0.05gを、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA68g及びプロピレングリコールモノメチルエーテルPGME29g中に溶解して、反射防止膜組成物とした。この溶液を、0.1μmフィルターに通して濾過した。例2合成例1からの構造式Iで表されるコポリマー3g、ビス4-ビニルオキシブチルアジペート0.4g、VectomerR4060、Aldrich社から入手可能、及びシュウ酸0.01gを、PGMEA67.6g及びPGME28.8g中に溶解して、反射防止膜組成物とした。この溶液を0.1μmフィルターに通して濾過した。例3合成例2からの構造式IIで表されるコポリマー2.6g、トリス4-ビニルオキシブチルトリメリテート0.26g、VectomerR5015、Aldrich社から入手可能、及びトリフェニルスルホニウムノナフレート0.05gを、PGMEA68g及びPGME29g中に溶解して、反射防止膜組成物とした。この溶液を0.1μmフィルターに通した。例4合成例1からの構造式Iで表されるコポリマー3g、トリエチレングリコールジビニルエーテル0.6g、RAPI-CURERDVE-3、ISP社日本から入手可能、及びシュウ酸0.01gを、PGMEA67.6g及びPGME28.8g中に攪拌しながら溶解して、反射防止膜組成物とした。この溶液を、0.1μmフィルターに通して濾過した。例5合成例3からの構造式IIIで表されるコポリマー4g、トリス4-ビニルオキシブチルトリメリテート0.5g、VectomerR5015、Aldrich社から入手可能、及びシュウ酸0.02gを、PGMEA70g及びPGME30g中に攪拌しながら溶解して反射防止膜組成物とした。この溶液を、0.1μmフィルターに通して濾過した。例6合成例4からの構造式IVで表されるコポリマー2g、トリス4-ビニルオキシブチルトリメリテート0.2g、VectomerR5015、Aldrich社から入手可能、及びシュウ酸0.01gを、PGMEA70g及びPGME30g中に攪拌しながら溶解して、反射防止膜組成物とした。この溶液を0.1μmフィルターに通して濾過した。例7合成例5からの構造式Vで表されるコポリマー2g、トリス4-ビニルオキシブチルトリメリテート0.2g、VectomerR5015、Aldrich社から入手可能、及びシュウ酸0.01gを、PGMEA70g及びPGME30g中に攪拌しながら溶解して、反射防止膜組成物とした。この溶液を0.1μmフィルターに通して濾過した。例8例1で調製した溶液を、2500rpmで60秒間、6インチシリコンウェハ上にスピンコートし、次いでホットプレートで170°Cで90秒間ベーク処理して、硬化した反射防止膜層を形成した。J.A.WoollamcompanyまたはSopracorporation製の偏光解析器によって測定したこの塗膜の膜厚は、約700Åであった。このコーティングされたウェハを観察すると、コーティング工程中に反射防止膜上に形成されたエッジビーズは、30重量PGMEA及び70重量PGMEからなる混合物をエッジビーズ除去溶剤として用いて、シリコンウェハを裏面リンスすることによって簡単に除去できることが分かった。例1~8で調製した溶液を6インチシリコンウェハ上にスピンコートし、そして異なる温度でホットプレート上でベーク処理した一つのサンプルにつき一つのベーク処理温度及び二枚のウェハ。B.A.R.C.塗膜の各々の組からの一つのコーティングされたウェハは、通常のフォトレジスト溶剤であるPGMEAでパドル現像し、そして残りのウェハは現像剤でパドル現像した。現像は、それぞれ60秒間行い、次いでスピン乾燥した。150°Cを超える温度でベーク処理した場合は、これらのウェハ上では、反射防止膜層に明らかな膜厚の変化は観察されなかった。これは、これらの膜は高程度に架橋され、耐溶剤性であること、すなわち、フォトレジストをB.A.R.C.上にコーティングした際に、フォトレジスト溶剤との相互混合が起こらなかったことを示している。末端ビニルエーテル基を含む架橋剤を用いずに調製した調合物について比較試験を行ったところ、塗膜全体が、PGMEA及び現像剤の両方に除去され得ることが観察された。例9例1~4で調製した溶液を6インチシリコンウェハ上にスピンコートし、そして170°Cで90秒間ベーク処理して、60ナノメータの厚さを得た。次いで、DUVフォトレジストAZRDX6270PClariantJapanK.K.から入手可能をその上にコーティングし、そして120°Cで90秒間ソフトベーク処理して、0.45ミクロンの厚さを得た。これらのコーティングされたウェハを、CannonFPA-3000EX5248nmステッパを用いて像様露光した。これらの露光されたウェハを、130°Cで90秒間、露光後ベーク処理し、その後、AZR300MIF現像剤ClariantCorp.から入手可能な、2.38重量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて60秒間パドル現像した。二次電子顕微鏡の結果は、22mJ/cm2では、0.20μm1:1密集ライン及び0.20μm孤立ラインの両方が、フォトレジスト層及び反射防止膜層の双方において完全に開いているopenことを示した。基材からの反射による明らかな定在波は、パターンプロフィル上には観察されなかった。例10ポリヒドロキシスチレン-メタクリレート55/45モル比1.5g、シュウ酸/トリエチルアミン1:10.075g、トリフェニルスルホニウムトリフレート0.06g、及びVectomerTM5015Aldrich社から入手可能0.225gを、乳酸エチル98.5g中に溶解してB.A.R.C.溶液を得た。この溶液を、0.2μmマイクロフィルターに通して濾過した。このB.A.R.C.膜は、J.A.WoollamWVASEVU-302TM偏光解析器によって測定して、193nmにおいてそれぞれ1.59及び0.62の屈折率n及び吸光パラメータkを示した。このB.A.R.C.溶液を、下塗りしたシリコンウェハ上にコーティングし、そしてホットプレートで200°Cで60秒間加熱して、35nmの膜厚を得た。このB.A.R.C.ウェハを、330nmの膜厚でAZR1020Pフォトレジストニュージャージー州ソマービル在のClariantCorp.から入手可能でコーティングした。このウェハを次いでホットプレートで120°Cで60秒間ベーク処理した。このコーティングされたウェハを、像様露光のためにISI193nmミニステッパを用いて露光した。次いで、この露光されたウェハを、130°Cで90秒間、露光後ベーク処理し、その後、AZR300MIF現像剤を用いて23°Cで30秒間パドル現像した。二次電子顕微鏡を用いて、0.15μmフォトレジスト/B.A.R.C.ライン1:1が、40mJ/cm2の線量で得られたことが確認された。例11ポリヒドロキシスチレン-メタクリレート55/45モル比0.075g、シアノ酢酸0.015g、及びVectomerTM50150.022gをプロピレングリコールモノメチルエーテル8.0g中に溶解した。この溶液を0.2μmマイクロフィルターに通して濾過した。このB.A.R.C.溶液を、下塗りしたシリコンウェハ上にコーティングし、そしてホットプレートで175°Cで60秒間加熱して293Åの膜厚を得た。このB.A.R.C.ウェハを、AZRT430フォトレジストニュージャージー州ソマービル在のClariantCorp.から入手可能でコーティングし、ホットプレート上で120°Cで60秒間加熱して116nmの膜厚を得た。このコーティングされたウェハを、像様露光のためにISI193nmミニステッパを用いて露光した。次いで、この露光されたウェハを120°Cで20秒間、露光後ベーク処理し、次いで、AZR300MIF現像剤を用いて23°Cで30秒間パドル現像した。二次電子顕微鏡を用いて、0.20μmフォトレジスト/B.A.R.C.ライン1:1が、20mJ/cm2の線量で得られたことが確認された。例12例10からのB.A.R.C.溶液を、下塗りしたシリコンウェハ上にコーティングし、そして175°Cで90秒間ベーク処理して499Åの膜厚を得た。このB.A.R.C.ウェハを、AZRT430フォトレジストニュージャージー州、ソマービル在のClariantCorp.から入手可能でコーティングし、ホットプレート上で120°Cで60秒間加熱して、116nmの膜厚を得た。このコーティングされたウェハを、像様露光のためのISI193nmミニステッパを用いて露光した。次いで、この露光されたウェハを120°Cで20秒間、露光後ベーク処理し、その後AZR300MIF現像剤を用いて23°Cで30秒間パドル現像した。二次電子顕微鏡を用いて、0.35μmフォトレジスト/B.A.R.C.ライン1:1が21mJ/cm2の線量で得られたことが確認された。"