ホモダインFMCWレーダデバイス向けのダイプレクサであって、水平偏波および末端中空導体ゲート40a~bを有する、互いに接近して隣接する2つの平行な中空導体チャネル36、38と、前記中空導体チャネル36、38を接続するための、パーティション42内の開口部44にあるカップリングゾーン46と、前記カップリングゾーン46の領域内に位置し、前記中空導体チャネル36、38に対して垂直に配置される窪み48、50と、を備え、前記ダイプレクサ30が、広帯域挙動を示し、前記カップリングゾーン内でのH20波の伝搬を可能にするように、前記カップリングゾーン46および前記窪み48、50の寸法に対する前記中空導体の寸法の比が選択され、前記中空導体ゲート40a~bでは、前記ダイプレクサに接続された送信器および受信器の中空導体への遷移領域52a~bがもたらされ、前記遷移領域52a~bが、所望の広帯域挙動をサポートするような位置および形態で実現され、前記ダイプレクサ30が、2つの対称ハーフシェル32、34から作製される、ダイプレクサ。前記中空導体チャネル36、38が、矩形断面を有する、請求項1に記載のダイプレクサ。前記窪み48、50が、概ねプリズム状で実現される、請求項1または2のうちの1項に記載のダイプレクサ。前記窪み48、50が、円筒状で実現される、請求項1または2のうちの1項に記載のダイプレクサ。請求項1~4のうちの1項に記載のダイプレクサであって、2つのハーフシェル32、34から構成され、前記中空導体チャネル36、38、前記窪み48、50および前記遷移領域52a~bが、前記ハーフシェル32、34からミリング形成される、ダイプレクサ。前記ミリングが、たとえば直径1mmを有するツールで行われる、請求項5に記載のダイプレクサ。射出形成された部品である2つのハーフシェル32、34から組立て可能である、請求項1~6のうちの1項に記載のダイプレクサ。前記ハーフシェル32、34が、プラスチック射出成形された部品である、請求項7に記載のダイプレクサ。前記ハーフシェル32、34の切断平面が、電界強度E54の平面である、請求項1~8のうちの1項に記載のダイプレクサ。請求項1~9のうちの1項に記載のダイプレクサ30を備える、充填レベル測定デバイス。簡略化のために、本発明のダイプレクサの同等の要素およびモジュールには、同等の参照符号を以下では使用する。電界の図示のために、また、本発明のダイプレクサについての原点として、図1は、2つの中空導体チャネル12および14を有するダイプレクサ1を示すが、これら中空導体チャネル12および14は、それぞれ、2つの中空導体セクション12a、12bおよび2つの中空導体セクション14a、14bから形成される。中空導体チャネル12と14とは、それぞれ中空導体セクション12a、12bおよび中空導体セクション14a、14bであり、中空導体カプラ16内で接続される。中空導体セクション12a、12bおよび中空導体セクション14a、14bの末端に配置されるのは、第1のゲート18a、第2のゲート18b、第3のゲート18c、および第4のゲート18dである。電界Eの方向、よって偏波方向は、第1のゲート18aおよび第4のゲート18dにおいて、各ケースについて矢印20で示される。第1のゲート18aおよび第4のゲート18dは、こうしたダイプレクサの場合には、それら自体が周知のコネクタゲートであり、中空導体中空導体セクション図示せずを用いて、送信器および受信器に接続される。図2は、2つの対称ハーフシェル32および34の形態の本発明のダイプレクサ30の一実施形態の例の斜視図である。好ましくは、本発明のダイプレクサ30の場合、ハーフシェル32および34の分離平面または切断平面は、電界Eの平面であるが、これは、図2中では、矢印54で示している。図面自体に関する理由で、図2の中空構造自体は、色なしで提示し、ケース毎に、適当な材料の周囲を囲むブロック内に導入しているが、こうした材料は、対称ハーフセル32および34がこのように作製されるように、ミリング形成されるのが好ましい。図2に示すように、好ましくは矩形断面および水平偏波を有する、互いに接近して隣接する2つの平行な中空導体チャネル36と38とが、パーティション42により分離され、これにより、中空導体セクション36a、36bおよび中空導体セクション38a、38bの末端に、第1のゲート40a、第2のゲート40b、第3のゲート40cおよび第4のゲート40dが形成される。中空導体チャネル36と38との間にカップリングゾーン46を提供するために、パーティション42は開口部44により遮られる。本発明のダイプレクサ30の所望の広帯域挙動は、カップリングゾーン46および窪み48、50の寸法に対する中空導体寸法の比が特定の比である場合にのみ取得されるので、中空導体寸法を任意に選択することはできない。これらの条件のより厳密な説明は、後に図4に関連して行う。結果として得られる中空導体寸法から、送信器および受信器との接続のためにシステム所定の中空導体断面に移動するために、各中空導体ゲート40a~40dに遷移領域52a~52dが導入される。遷移領域52a~52dは、位置および形状について、ダイプレクサ30の所望の広帯域挙動をサポートするように実現される。電界E54の平面内のスリットカプラの図2に示す構造の動作の原理を、図3に概略的に示す。説明のために、図2にも参照を行う。理想的に無限に薄いパーティション42によりそれ自体が分離された中空導体チャネル36、38は、カップリングゾーン46中で開口部44によって接続される。カップリングゾーン46中では、H10モード波が、y方向とx方向との両方に伝搬することができる。図3のエッジe1が、第1のゲート38aから来るH10モード波の場に対して、強力な外乱位置を形成し、これにより、カップリングゾーン46内で、第2のゲート40bの前にE場の渦がもたらされる。カップリングゾーン46の様々な寸法との様々な周波数の組合せにより、渦によって第2のゲート40b中へのH10モード波の伝搬を阻止することができるが、これは、カップリングゾーン46の他方の端部の更なるエッジe2に励起される潜在的な戻りの波を阻止することもできるからである。ただし、この挙動は、狭帯域用途についてのみ当てはまる。さらに、ダイプレクサ30の設計に自由度がほとんどないので、出力ゲート40cおよび40dへの対称な-3dB結合を実現するのは非常に困難である。図3の上部には、z方向のカップリングゾーン46図2参照を示している。上で説明した理想的なスリットカプラのもう1つの問題は、その実際の実行および実装であるが、これは、実際の実施形態でのこうしたカプラが、厚さが有限であるパーティション42を常に有する図2参照からである。パーティション42が厚くなるほど、ダイプレクサを作製するのは容易になるが、先に述べた理想的な動作からはより逸脱する。しかし、厚さが有限であるパーティション42図2参照の問題、および、それから生じるカップリングゾーン46内での更なるエッジの問題を軽減するために、本発明は、E面内で接合された2つのハーフシェル34、36からの、図2に示すダイプレクサ30の構築を実現する。後に説明する中空導体構造の相互に整合した比率に従えば、広帯域用途向けのダイプレクサを容易に提供することが可能である。この点に関して、ダイプレクサ30の広帯域挙動を実現するために、複数の中空導体モードを利用する。このタイプのカプラの場合にとりわけ新規なことは、厳密に規定したエッジおよび外乱位置による、特には、共有されるカップリングゾーン46内の窪みによる、H20モードの普通とは異なる励起である。外乱位置はそれぞれ、伝搬不能な減衰波を励起し、このとき、減衰波は、エネルギー格納要素として働き、電気的性質を実現するように、互いに特定の関係に設定される。後者は、こうしたダイプレクサの3次元全波分析のためのそれ自体が周知のプログラムを用いて、外乱位置パラメータの意図的な変動により確認される。既に述べたように、カップリングゾーンは図3に示すz方向にあり、したがって、H20モード波とH01モード波との両方が励起される。制御された状態でこれをどのようにして利用することができるかを、本発明のダイプレクサ30の特別な形式の実施形態の1つの図4に示す構造のパラメータに基づいて説明する。z方向に延びる図3と比較されたいカップリングゾーン46図2参照の高さakにおいては、H20モード波、H01モード波、およびH10モード波が、互いに異なる伝播速度を有し、これにより干渉が共有され、このことは、渦図3の渦参照の場所に影響与える。カップリングゾーン46の高さakを最適化すると、第4のゲート40dの前にE場の渦を置き、所望の挙動を実現することが可能になる。窪み48、50図2参照のz方向において、幅bkと長さlkとを減少させ、パーティション42の遷移ゾーンlp、bpをカップリングゾーン46に適応させることにより、更なる最適化を行うことができる。70GHz~85GHzの場合の本発明のダイプレクサ30の一実施形態の実用例について、図4に基づき与えられるパラメータを以下に示す。このようにして、たとえば20の帯域幅を超えるゲートでの良好なマッチングの場合に、ほぼ対称な電力分配および良好な分離により特徴付けられるダイプレクサが実現される。本発明のダイプレクサ30が特別に作製しやすいのは、2つの対称なハーフシェルを使用した実装形態に起因するが、これらハーフシェルは、望まれる周波数の波長に対して、コンパクトに作製することが可能である。アルミニウム射出成形ハーフシェルを適用する場合、構造体の全体形状を、たとえば1mmのオーダの短いミリングツール直径を用いて作製することができるように設計することが可能であることが分かっている。このようにして、作業時間が短くなり、相対的に高い精度が得られる。図5および6は、本発明のダイプレクサ30の一実施形態の実用例の構造を斜視図形態で示す。図5は、各ハーフシェルのため、ブロック内に切り込んだ個別の構造を示し、図6は、ダイプレクサ30のため、互いに接合した各ハーフシェルのブロックから切り出した構造を拡大したものを示す。先に述べたアルミニウム以外の他の射出成形材料により、たとえばプラスチックといった合成材料など、ダイプレクサ30のハーフシェルのための選択肢が提供される。同様に、たとえば矩形または円筒状の窪みなど、図2および4に示す窪み48、50図2参照以外の他の形状の選択肢も提供される。本発明のダイプレクサは、レーダ信号を用いて動作する充填レベル測定デバイス内での適用に特に適している。