基板の上で透明電極を製造する方法であって、次の各ステップを含んでおり、すなわち、基板を準備し、第1の透明導電性層が前記基板の上に析出され、前記基板と反対を向いているほうの前記導電性層の表面に金属酸化物層が析出され、前記金属酸化物層が熱分解によって複数の金属粒子に分割され、前記金属粒子の上に第2の透明導電性層が析出される、方法。光電池を製造する方法であって、次の各ステップを含んでおり、すなわち、基板を準備し、第1の透明導電性層が前記基板の上に析出され、前記基板と反対を向いているほうの前記導電性層の表面に金属酸化物層が析出され、前記金属酸化物層が熱分解によって複数の金属粒子に分割され、前記金属粒子の上に第2の透明導電性層が析出され、光電池を完成させるために前記第2の透明導電性層に層が塗布される、方法。光電池を製造する方法であって、次の各ステップを含んでおり、すなわち、基板を準備し、透明導電性の電極が前記基板の上に析出され、前記透明導電性の電極に第1の光活性のある積層が塗布され、前記第1の光活性のある積層に第1の中間層が塗布され、前記基板と反対を向いているほうの前記第1の中間層の表面に金属酸化物層が析出され、前記金属酸化物層が熱分解によって複数の金属粒子に分割され、前記金属粒子に第2の中間層が塗布され、前記第2の中間層に第2の光活性のある積層が塗布される、方法。光電池を製造する方法であって、次の各ステップを含んでおり、すなわち、基板を準備し、透明な導電性の電極が前記基板の上に析出され、前記透明導電性の電極に光活性のある積層が塗布され、前記光活性のある積層に第1の背面リフレクタ層が塗布され、前記基板と反対を向いているほうの前記第1の背面リフレクタ層の表面に金属酸化物層が析出され、前記金属酸化物層が熱分解によって複数の金属粒子に分割され、前記金属粒子に第2の背面リフレクタ層が塗布される、方法。前記金属酸化物層はスパッタにより析出される、請求項1から4のいずれか1項に記載の方法。前記金属酸化物層は銀、金、および/または白金を含んでいる、請求項1から5のいずれか1項に記載の方法。前記熱分解の温度は500°Cよりも低いか、またはこれに等しい、請求項1から4のいずれか1項に記載の方法。前記金属酸化物層は金属粒子が100ナノメートルよりも小さいか、またはこれに等しい直径を有するように分解される、請求項1から7のいずれか1項に記載の方法。前記金属酸化物層の析出中に気体酸素が供給される、請求項1から8のいずれか1項に記載の方法。前記第2の透明導電性層の厚みは50ナノメートルよりも小さいか、またはこれに等しい、請求項1または2に記載の方法。前記第1の背面リフレクタ層の厚みは50ナノメートルよりも小さいか、またはこれに等しい、請求項4に記載の方法。光電池の構造において、次のものを含んでおり、すなわち、基板と、2つの透明導電性の部分層を含み、金属酸化物からなる複数の金属粒子を含んでいる2つの前記部分層の間で平坦に広がる領域を含む、前記基板の上の透明導電性の電極とを含んでいる構造。構造において、次のものを含んでおり、すなわち、基板と、2つの透明導電性の部分層を含み、金属酸化物からなる複数の金属粒子を含んでいる2つの前記部分層の間で平坦に広がる領域を含む、前記基板の上の透明導電性の電極と、前記導電性の電極の上の光活性のある積層とを含んでいる構造。構造において、次のものを含んでおり、すなわち、基板と、前記基板の上の透明導電性の電極と、前記透明導電性の電極の上の第1の光活性のある積層と、2つの透明導電性の部分層を含み、金属酸化物からなる複数の金属粒子を含んでいる2つの前記部分層の間で平坦に広がる領域を含む、前記光活性のある積層の上の中間層と、前記中間層の上の第2の光活性のある積層とを含んでいる構造。構造において、次のものを含んでおり、すなわち、基板と、前記基板の上の透明導電性の電極と、前記透明導電性の電極の上の第1の光活性のある積層と、2つの透明導電性の部分層を含み、金属酸化物からなる複数の金属粒子を含んでいる2つの前記部分層の間で平坦に広がる領域を含む、前記光活性のある積層の上の背面リフレクタ層とを含んでいる構造。前記金属粒子はそれぞれ銀、金、および/または白金を含んでいる、請求項12から15のいずれか1項に記載の構造。前記光活性のある積層のほうを向いている前記部分層の厚みは50ナノメートルよりも小さいか、またはこれに等しい、請求項13から16のいずれか1項に記載の構造。光電池の優れた効率を可能にする、透明な基板の上で透明電極を製造する方法を提供することが望まれる。さらに、優れた効率をもつ光電池を具体化可能である、光電池を製造する方法を提供することが望まれる。さらに、光電池の優れた効率を可能にする、光電池の構造を提供することが望まれる。さらに、優れた効率を有する光電池を備えた構造を提供することが望まれる。本発明の1つの実施形態では、基板の上で透明電極を製造する方法は、基板の準備を含んでいる。第1の透明導電性層が基板の上に析出される。金属酸化物層が、基板と反対を向いているほうの導電性層の表面に析出される。金属酸化物層が、熱分解によって複数の金属粒子に分割される。金属粒子の上に第2の透明導電性層が析出される。金属粒子を含んだ透明電極を備えるこのような基板は、特に、薄層光電池ないし薄膜光電池のための正面電極を備える支持基板として利用可能である。次いで、光電池の光活性のある積層のp型層、i型層、およびn型層が、第2の導電性層の上に析出される。ある態様では基板は透明であり、たとえばガラスでできている。別の態様では基板は半透明であり、たとえば薄板でできている。特に、基板の上で透明電極を製造する方法は、1.4m2以上、特に5.5m2以上、たとえば5.72m2の広い面積の基板で適用可能であり、それにより、基板の面全体にわたって金属粒子の均等な分布を具体化可能である。さらにこの方法により、ほぼ等しい大きさの金属粒子を基板の面全体にわたって製造することが可能である。金属粒子の平均サイズはわずかな変動しか有していない。さらにこの方法により、比較的小さい金属粒子を製造することが可能であり、特に、複数の金属粒子は150nm以下の平均直径を有しており、特に100nm以下、たとえば70nm以下の平均直径を有している。別の態様では、金属酸化物層はスパッタによって析出される。すなわち金属酸化物層は、金属がターゲットとして利用される陰極スパッタリングスパッタ蒸着によって析出され、したがって、金属酸化物層はたとえば銀、金、および/または白金を含んでいる。金属酸化物層を複数の金属粒子に分割するための熱分解中の温度は、別の態様では500°Cよりも低いか、またはこれに等しい。特に熱分解のための温度は200°Cよりも高く、特に250°Cよりも高い。別の実施形態では、熱分解のための温度は300°Cよりも高く400°Cよりも低いか、またはこれに等しい。別の態様では、熱分解のための温度は450°Cよりも低いか、またはこれに等しく、たとえば380°Cよりも低いか、もしくはこれに等しく、特に350°Cよりも低いか、もしくはこれに等しい。金属酸化物層の析出中に、別の態様では酸素が供給される。金属に対する酸素の割合によって、金属酸化物層の密度が制御される。金属に対する酸素の割合によって、ある態様では金属粒子の大きさを制御可能である。たとえば、平均直径が100nmよりも小さく、またはこれに等しい金属粒子を製造することが可能である。金属粒子の大きさは、特に、金属に対する酸素の比率に依存して決まる。さらに金属粒子の大きさは熱分解のときの温度に依存して決まり、それにより、金属酸化物層が金属粒子に分解される。別の態様では熱分解に続いて、第2の透明導電性層が析出される前に、いわゆる焼なましプロセス英語:annealingが実施され、それによって金属粒子の大きさをさらに調整可能である。金属粒子が加熱され、一定の温度で保たれ、引き続いて冷却される。それにより、金属粒子の定義された所定の特性が実現される。金属酸化物層の物質特性が変化し、その結果、金属粒子は当初の金属酸化物層とは異なる物質特性を有するようになる。電極の金属粒子によって作動時に、基板に当たり、基板を通って電極へ達する光が、電極で吸収される。特に金属粒子で吸収が行われる。光が金属粒子に当たると、吸収によってプラズモンが形成される。入ってくる光が金属粒子のプラズモンを励起する。プラズモンと呼ばれるのは、半導体、金属、およびアイソレータにおける電荷担体の量子化された密度変動である。プラズモンは、陽イオンに対して相対的に振動する電子と見なすこともできる。電子はたとえばプラズマ周波数で振動する。プラズモンは、このような固有周波数の量子化である。ある態様では、励起されたプラズモンは作動時にそのエネルギーを、電極に配置された光活性のある積層へと再び伝達する。そこでエネルギーが電気エネルギーへと変換される。プラズモンと光活性のある積層との間のエネルギー伝達は、複数の形式で可能である。たとえばプラズモンのエネルギーが再び放射され、光活性のある積層に放射伝達される。たとえば非放射性のエネルギー伝達は、特に、光活性のある積層へのプラズモンの導波モードの入力結合によって行われる。たとえばエネルギーは、いわゆる制限された導波モード英語:trappedwaveguidemodeとして伝達される。別の態様では、金属粒子の大きさは光活性のある積層に依存して設定され、たとえば光活性のある積層の材料および/または光活性のある積層の吸収の波長領域に依存して設定される。それによって良好なエネルギー伝達が可能である。別の態様では、金属粒子の材料は光活性のある積層に依存して設定され、たとえば光活性のある積層の材料および/または光活性のある積層の吸収の波長領域に依存して設定される。それによって良好なエネルギー伝達が可能である。基板およびその上に配置された電極が光電池のために使用されるとき、プラズモンから電極の上に配置された光活性のある積層へのエネルギー伝達は、光電流という結果をもたらす。したがって光電流は、ないし金属粒子による光電池の効率は、金属粒子のない従来式の光電池に対して高くなる。特に金属粒子によって、光散乱のために従来使用されている電極の粗面化を省略することが可能である。それは金属粒子が、入ってくる光の十分に高い収量をもたらすように作用するからである。別の態様では、光電池を製造するために、さらに別の層が第2の透明導電性層に塗布され、特に光活性のある積層、背面リフレクタ層、および/または背面電極層が塗布される。別の態様では、金属酸化物層は正面電極の代替または追加として、光活性のある積層に塗布された、背面リフレクタ層の第1の部分層の上に析出される。金属酸化物層は熱分解によって複数の金属粒子に分割され、背面リフレクタ層の第2の部分層に塗布される。このように、金属粒子は背面リフレクタ層に配置される。p-i-n層をそれぞれ備える光活性のある2つの積層を有する、いわゆるタンデムジャンクション光電池において、別の態様では、中間層の第1の部分層が第1の光活性のある積層の上に析出されてから、第2の光活性のある積層が析出される。金属酸化物層が、中間層の第1の部分層の上に析出される。金属酸化物層は熱分解によって複数の金属粒子に分割され、中間層の第2の部分層が金属粒子に塗布される。第2の光活性のある積層が金属粒子に塗布される。すなわち正面電極、中間層、ないし背面リフレクタ層の各層のうち少なくとも1つに金属粒子を取り込ませることが可能である。各層のうちの2つに、または上述した各層の全部に、金属粒子を取り込ませることも可能である。光活性のある3つの積層を相上下して有する、いわゆるトリプル電池では、特に金属粒子をそれぞれ備える2つの中間層が設けられ、これらの中間層がそれぞれ光活性のある3つの積層のうちの2つの間に配置される。別の態様では、3つを超える光活性のある積層が配置される。作動時に入射する光の主入射方向での金属粒子の可能な位置決めは、第1の光活性のある積層の前、第1および第2の光活性のある積層の間、第2および第3の光活性のある積層の間、n-1番目とn番目の光活性のある積層の間、ならびにn番目の光活性のある積層の後である。金属粒子はそれぞれ光活性のある積層から、たとえば50nmより小さい、またはこれに等しい厚みを有する薄い層によって分離される。こうして光活性のある積層と金属粒子との間の直接的な接触が回避される。それによって特に、金属粒子ないしプラズモンから光活性のある積層への良好なエネルギー伝達が具体化される。その他の利点、構成要件、発展例は図1から図8との関連で説明する以下の実施例から明らかとなる。同じ部材、同じ種類の部材、および同じ作用をする部材は、各図面において同じ符号が付されている場合がある。図示している各層および各領域、およびこれらの相互の比率は、原則として縮尺に忠実であると見なすことはできず、むしろ、たとえば層や領域のような個々の要素はより良い図示のために、および/またはより良い理解のために誇張して太く、あるいは大きく寸法決めして、図示されている場合がある。図1は、光電池100の断面の模式図を示している。平坦に広がる基板101の表面102の上に、同じく平坦に広がる透明電極110が配置されている。透明導電性の電極110は、作動中に入射する放射の主方向で層状に基板101の上に配置されている。作動中に入射する放射の主方向は、図1のX方向と等しい向きである。透明導電性の電極110の上に、光電効果によって放射エネルギーを電気エネルギーへ変換するようにセットアップされた光活性のある積層120が配置されている。光活性のある積層120の上には、背面リフレクタ層130が配置されている。背面リフレクタ層130により、光活性のある積層120を通って電気エネルギーに変換されることなく到達した放射を、光活性のある積層120の方向へ反射して戻すことが可能である。背面リフレクタ層130の上には別の電極140、いわゆる背面電極が配置されている。基板101は、ある実施形態では太陽光に対してできる限り透明である。特に基板101は、可視スペクトルの光および赤外領域の光に対して特別に透過性であり、400nmから1200nmの波長領域で85を超える透過率を有している。基板はたとえばガラス、特に鉄分の乏しい板ガラス、石英ガラス、または圧延ガラスを含んでいる。基板101は、基板101の上に配置される積層を支持するように構成されている。光電性の積層120は、ある実施形態では、pドーピングされた層と、nドーピングされた層と、pドーピング層とnドーピング層との間に配置された実質的に真性の層とを含んでいる。光活性のある積層は平坦に広がっている。ある実施形態では、pドーピング層はX方向で透明電極110の表面116の上に配置されている。別の実施形態では、nドーピング層が表面116の上に配置される。実質的に真性の層はドーピングされておらず、ないしは隣接するpドーピング層ないしnドーピング層に比べて非常にわずかにドーピングされている。実質的に真性の層は、光を吸収して光電式に変換するようにセットアップされている。実質的に真性の層は、エネルギーを吸収して電気エネルギーに変換するようにセットアップされている。この光電式の構造は、特に400から1200nmの波長領域の光を吸収するようにセットアップされている。別の実施形態では、基板101は半透明であり、すなわち400から1200nmの波長領域の光に対して実質的に透過性でない。この実施形態に基づく層列は、半透明の基板、その上に任意選択で配置される電気絶縁層、その上に任意選択で配置される背面リフレクタ層、その上に任意選択で配置される金属の背面接触部、その上に配置される金属粒子を含む導電性層、その上に配置される光活性のある積層120、その上に配置される金属粒子を含む導電性層110である。別の実施形態では、別の光活性のある積層160図7が、導電性層130と導電性層110の間に配置される。特に3つまたはそれ以上の光活性のある積層が、導電性層130と導電性層110の間に配置される。X方向において、光活性のある積層120の上には背面リフレクタ層130が配置されており、およびその上には、光活性のある積層120から電流ないし電圧を運び出すようにセットアップされた背面電極140が配置されている。別の態様では、少なくとも別の光活性のある積層160図7が、電極110と背面リフレクタ層130ないし電極140との間に配置される。透明導電性層110は、たとえば酸化亜鉛を含んでいる。別の実施形態では、透明電極110はこれ以外の透明導電性の酸化物を含んでおり、たとえばITOやSnO2を含んでいる。透明導電性層110は良好な光学的な透過率を有しており、ならびに良好な導電性を有している。光活性のある積層120は特にシリコンを含んでおり、たとえばミクロ結晶シリコンおよび/または非晶質シリコンを含んでいる。光電池100はいわゆる薄膜太陽電池ないし薄層太陽電池として施工される。光電池100の各層は、X方向で、数十nmから数マイクロメートルの範囲内の厚みを有している。通常、光活性のある層は電極および場合により反射層とともに広い面積で基板101に塗布される。1つまたは複数の構造化ステップにより、電気的に直列に配線された複数の個々のストライプ状の太陽電池が形成される。セルストライプとも呼ばれるストライプ状の太陽電池の幅は、ミリメートル単位からセンチメートル単位の範囲内にある。たとえば複数の光電池100を備えるソーラーモジュールが構成される。外側のセルストライプに集電装置が塗布されるのが普通であり、これを介して薄層ソーラーモジュールに接続して、生成された電気出力を運び出すことができる。基板と反対を向いているほうの透明電極110の表面116は、ある実施形態では、できるだけ均一に構成された粗面のテクスチャーを有しており、それにより表面116は、400から1200nmの波長領域の入射光に対して良好な散乱能力を有するようになっている。それにより、光活性のある積層120の効率を高めることができる。光活性のある積層120を通る入射放射の経路が平均的に長くなり、入射光が光活性のある積層120へより良く入力結合され、入射放射のいっそう高い吸収確率が達成されるからである。別の実施形態では、透明電極110の表面116は平滑に構成される。この実施形態では、表面116に粗面のテクスチャーをつけることが省略される。後で詳しく説明するように、それにもかかわらず本発明では、光活性のある積層120に当たる放射の高い吸収確率、およびこれに伴って高い効率を可能にすることが可能である。透明電極は複数の金属粒子112を有している。金属粒子112は、表面116に沿って配置されている。金属粒子112は光活性のある積層120に対して間隔を有しており、光活性のある積層120と直接的に接触してはいない。金属粒子112と光活性のある積層120との間には、透明電極110の透明導電性の部分層113が配置されている。透明導電性の部分層113は、50nmよりも小さい厚み117図6をX方向で有しており、特に厚み117は40nmよりも小さいか、またはこれに等しく、たとえば35nmよりも小さいか、またはこれに等しい。金属粒子112と基板101の間には、電極110の透明導電性の部分層111が構成されている。金属粒子112は、導電性層110の材料で取り囲まれている。導電性の部分層111と導電性の部分層113は透明導電性の酸化物をそれぞれ有しており、金属粒子112を共同で包囲している。金属粒子112が配置されている平坦に広がる領域の主伝搬方向は、表面102および表面116の平坦な広がりと実質的に同じ方向である。金属粒子112は実質的に球形である。金属粒子はこれ以外の形態を有することもでき、たとえば円板形である。金属粒子112は、100nmよりも小さいか、またはこれに等しい平均直径を有している。金属粒子のそれぞれの大きさは、断面でそれぞれ120nmより小さいか、またはこれに等しく、たとえば80nmより小さいか、またはこれに等しく、特に70nmより小さいか、またはこれに等しい。金属粒子112は、表面102およびこれに伴って基板101よりも、表面116およびこれに伴って光活性のある積層120の近くに配置されるように、電極110に配置されている。金属粒子112は、たとえば銀をそれぞれ含んでいる。別の実施形態では、金属粒子は金をそれぞれ含んでいる。別の実施形態では、金属粒子112は白金をそれぞれ含んでいる。作動時に入ってくる放射Rは金属粒子112に当たる。入ってくる放射は金属粒子112で改変され、引き続いて放射に由来するエネルギーが、光活性のある積層120に転移される。入ってくる放射Rが金属粒子112で改変されることで、光活性のある積層120を通る放射の平均経路が長くなり、それにより、吸収確率が高くなるので、太陽電池の効率の向上が実現される。たとえば、入ってくる放射Rは金属粒子112でプラズモン効果によって改変される。図2Aは、場所的に限られた表面プラズモンを金属粒子112でそれぞれ励起する、入ってくる放射Rを模式的に示している。この励起は時点tのとき、時点tΔtに比べて相違する電場Eを生じさせる。放射Rの吸収はプラズモンの形成につながる。プラズモンのエネルギーは光活性のある積層120に転移され、そこで電気エネルギーへと変換される。それによって作動時の効率が向上する。入ってくる放射Rが、従来よりも高い割合で電気エネルギーに変換されるからである。吸収確率は、従来の光電池に比べたとき、金属粒子112の配置およびその結果として生じるプラズモン効果によって高くなる。図2Bは、非放射性のエネルギー伝達の形態を示している。入ってくる放射Rは、たとえば金属粒子112で表面プラズモン共鳴を励起する。このようなプラズモンの共鳴およびこれに伴うエネルギーは、その後、限定された導波モードMとして光活性のある積層に伝達される。さらにこれが光活性のある積層120で、電気エネルギーへと変換される。このように金属粒子112により、入ってくる放射Rが、金属粒子112がない場合よりも高い割合で電気エネルギーに変換される。図3Aは、密度の低い銀からなる金属粒子112の近距離場分布を示している。図3Bは、金属粒子112の密度が高い銀からなる金属粒子112の近距離場分布を示している。図4は、ある実施形態に基づく光電池を製造する方法の手順を模式的に示している。ステップ201では基板101が準備され、導電性の透明な部分層111が基板101の上に析出される。ある実施形態では、部分層111の粗面の表面が形成される。別の実施形態では、できるだけ平坦で均等に平たい部分層111の表面114図5が形成される。次にステップ202で、部分層111の表面114に金属酸化物層115図5が析出される。金属酸化物層115はスパッタ蒸着法によって析出される。そのようにして、たとえば5平方メートルを超える広い面の上でも、金属酸化物層の均等な析出が可能である。金属酸化物層115は、ある実施形態では金、銀、および白金のうち少なくとも1つを含んでいる。ステップ202で、ある実施形態では金属酸化物層115の析出中に気体酸素が析出室へ導入される。供給される酸素の量により、酸化物層115の単位面積あたりの金属密度を制御可能である。さらにステップ202では、層115のX方向での厚みが設定事項にしたがって制御される。金属密度と厚みはステップ202で、次にステップ203で形成される金属粒子102が100nmよりも小さいか、またはこれに等しい平均直径を有するように制御される。ステップ203で、熱分解英語:thermaldecompositionが実施される。別の態様では、ステップ203で焼きなまし英語:annealingが実施される。金属酸化物層115はステップ203で加熱され、再び冷却される。ステップ203で金属酸化物層115は複数の金属粒子112に分割される。ステップ203で金属酸化物層115は分解して複数の金属粒子112になる。金属粒子は金属酸化物層115から形成される。金属酸化物層115の分割と金属粒子112の形成は、500°Cよりも低いか、またはこれに等しい温度で行われる。金属酸化物層115の分割は、金属粒子112の平均直径が100nmよりも小さいか、またはこれに等しくなるような温度で行われる。次いでステップ204で、透明導電性層113が析出される。特に層113はスパッタ蒸着によって析出される。層113は、金属粒子112を覆うように析出される。層113の表面116図6は金属粒子112に対して間隔をおいており、それにより、金属粒子112が電極110の外部に達することはない。金属粒子112は表面116と接触しない。次いでステップ205で、特にプラズマ化学気相成長法PECVDにより、光活性のある積層120が表面116の上に析出される。図5は、図4の方法ステップ202の後の実施形態に基づく層111と層115とを備える基板101の模式図を示している。基板101と反対を向いているほうの第1の透明導電性層111の表面114には、平坦に広がる金属酸化物層115が塗布されている。金属酸化物層115は、熱分解によって、特に過熱と冷却によって、100nmよりも小さいか、またはこれに等しい平均直径を有する金属粒子112へと分解するように塗布されている。図6は、図4の方法ステップ204の後の層111および層113ならびに金属粒子112を備える基板101の断面の模式図を示している。金属粒子112は金属酸化物層115から形成されており、第2の透明導電性層113により覆われている。層113は、層113がX方向で約50nmの厚み117を有するように、金属粒子112を覆っている。図6の構造は、基板101と、金属粒子112を備えた電極110とを含んでいる。次いで図6の構造の上に、特に表面116の上に、光活性のある積層120を析出することができる。図5の表面114と図6の表面116は平滑であり、層111ないし層113の平坦な広がりの全体にわたってできるだけ平面的になっている。別の実施形態では、これらの表面はそれぞれ粗面にテクスチャーがつけられている。層111はX方向で層113よりも厚いので、金属粒子120が配置されている平坦に広がる領域は、基板101の表面102よりも表面116の近傍に配置されている。図7は、2つの光活性のある積層120および160をX方向に積み重ねて有するタンデムジャンクション光電池断面の模式図を示している。基板と反対を向いているほうの光活性のある積層120の表面121の上には、中間層150が配置されている。第2の光活性のある積層160は、光活性のある積層120と反対を向いているほうの中間層150の表面に配置されている。中間層150はX方向で、これら両方の光活性のある積層120および160の間に配置されている。中間層150は、光活性のある積層120に接する第1の部分層151を含んでいる。中間層150の第2の部分層152は、第2の光活性のある積層160に接している。中間層150は、特に、ドーピングされたSiOx、SiCO、SiNx、SiCxOy、SiCxOyNz、ZnO、ITO、SnO2のうちの1つを含んでいる。ある実施形態では、第2の光活性のある積層160の上に背面リフレクタ層130が配置されている。別の実施形態では第2の光活性のある積層160の上に、機能に関して中間層150に相当する別の中間層が配置される。この別の中間層の上に別の光活性のある積層が配置され、それにより、いわゆるトリプル電池が構成される。ある態様では、これら両方の光活性のある積層120および160はそれぞれ異なる波長領域で特別に良好に吸収をし、それにより、全体として広い波長領域で特別に良好な吸収が行われる。中間層150は、ある実施形態では半透過性であり、このことは特に中間層150への金属粒子112の配置によって可能となる。中間層150は、光活性のある積層120で特別に良好に吸収される波長領域の放射を反射して、光活性のある積層120へとはね返す。中間層150は、光活性のある積層160で特別に良好に吸収される波長領域の放射に対しては透過性である。中間層150は複数の金属粒子112を含んでいる。金属粒子112は、両方の光活性のある積層120および160の間で、表面121に沿って平坦に広がる領域に配置されている。金属粒子112は、形状や機能に関して、図1から図6の実施形態のものに相当している。製造にあたっては、光活性のある積層120の析出に引き続いて、部分層151が表面121の上に析出される。これに続いて、金属酸化物層115が部分層151の上に析出されて、500°Cを下回る温度で加熱と冷却により金属粒子112へと分解される。これに続いて、第2の部分層152が析出される。そして部分層152の上に、第2の光活性のある積層160が析出される。金属粒子112は部分層151および152によって覆われ、それにより、光活性のある積層120および160とは直接的に接触しなくなる。このようにして、金属粒子112によるこれら両方の光活性のある積層120および160の意図しない電気接続が回避される。さらに、このようにして中間層から光活性のある積層120および160への良好なエネルギー伝達が可能である。中間層150の金属粒子112の材料と大きさは、特に、両方の光活性のある積層120および160の材料や吸収をする波長領域に依存して設定される。図8は、別の実施形態に基づく基板101を備える光電池の断面の模式図を示している。背面リフレクタ層130は、光活性のある積層120の表面121の上に配置されてこれに接する第1の部分層131を有している。背面リフレクタ層130は、光活性のある積層120と反対を向く第2の部分層132を有している。第1の部分層131と第2の部分層132は、複数の金属粒子112を取り囲んでいる。金属粒子112が配置されている平坦に広がる領域は、実質的に表面121に沿って延びている。表面121と金属粒子112の間の部分層131の厚み133は、50nmよりも小さいか、またはこれに等しい。背面リフレクタ層130にある金属粒子112により、吸収されることなく光活性のある積層120を通って背面リフレクタ層130まで達した放射が、光活性のある積層120の方向へ戻るように案内され、それによってこの放射を吸収することができる。別の態様では、複数の金属粒子112は正面電極110に配置されるだけでなく、背面リフレクタ130にも配置される。さらに別の実施形態では、たとえば図7に示すようなタンデムジャンクション電池において、金属粒子112は中間層150だけでなく正面電極110にも配置される。さらに別の実施形態では、金属粒子112はタンデムジャンクション電池においても、正面電極110と背面電極130の両方に配置される。金属粒子は、タンデムジャンクション太陽電池における実施形態では、中間層なしで正面電極および/または背面電極に配置される。金属粒子112は、ある実施形態では、X方向で基板101の次に位置する光活性のある積層120の前に配置される。その代替または追加として金属粒子112は、ある実施形態では、それぞれ直接的に隣接する2つの光活性のある積層の間に配置される。その代替または追加として金属粒子112は、ある実施形態では、基板101と反対に配置された光活性のある積層の後に配置される。金属粒子112は、ある実施形態では、光活性のある各々の積層の前および/または後にそれぞれ配置される。特に金属粒子112の平均サイズおよび/または材料は、金属粒子が配置される層に依存して設定される。たとえば電極110の金属粒子112の平均サイズおよび/または材料は、背面リフレクタ層130の金属粒子112の平均サイズおよび/または材料とは別様に設定される。たとえば電極110および/または背面電極層130の金属粒子112の平均サイズおよび/または材料は、中間層150の金属粒子112の平均サイズおよび/または材料とは別様に設定される。ある実施形態では、タンデムジャンクション電池において金属粒子112は、光活性のある積層120で特別に良好に吸収される波長領域の放射が、光活性のある積層120へ戻るように反射されるとともに、光活性のある積層160で特別に良好に吸収される波長領域の放射が反射されないように構成される。光活性のある積層120で特別に良好に吸収される波長領域の放射の吸収が可能であり、これに続いて光活性のある積層120へと戻る非放射性の伝達も可能である。別の態様では、タンデムジャンクション電池において金属粒子112は、光活性のある積層160で特別に良好に吸収される波長領域の放射が中間層150でプラズモンを励起し、そのエネルギーが光活性のある積層160へ伝達されるように構成される。光電池110に金属粒子112を配置することで、入ってくる放射の吸収確率およびこれに伴って太陽電池の効率が高くなる。それにより、光活性のある積層120ないし積層160の厚みを、特に実質的に真性の層の厚みを減らすことができ、それによって特に製造コストが削減される。スパッタ蒸着によって金属酸化物層115を塗布することで、5m2を超える大きさの、特に5.7m2を超える大きさの、広い面積の光電池モジュールの場合にも、金属粒子を使用することができる。このように広い面積のソーラーモジュールでも、ソーラーモジュールないしソーラーモジュールのセルの面全体にわたって均等に、金属粒子が配分されるからである。さらにスパッタ蒸着プロセスおよびこれに後続する加熱と冷却を、薄膜ソーラーセルの既存の製造プロセスへそのまま組み込むことができる。金属粒子112を利用することで、電極ないし中間層の構造化を省略することが可能である。テクスチャーなしで高い吸収確率が実現されるからである。それにより、太陽電池の電圧を高めることができる。表面テクスチャーがなければ、スパッタ/エッチングされた酸化亜鉛で低い直列抵抗が生じるからである。さらに、ある実施形態では背面リフレクタ層130への金属粒子112の配置によって、追加の背面電極140を省略することが可能である。