"プローブチップを具備した原子間力顕微鏡基盤の装置において、物体内に分子ダイポール/マルチポールdipole/multipoleが生成可能であり、前記プローブチップ上に多重鏡像力及び力勾配forcegradientを発生させるエネルギーソースを含む顕微鏡基盤の装置。前記エネルギーソースは、周波数fmで変調されるエネルギービームを放出する請求項1に記載の顕微鏡。前記エネルギーソースは、波長固定レーザfixedwavelengthlaser、波長可変レーザ、磁気イミッタmagneticemitter及び電磁気electromagneticイミッタである請求項1に記載の顕微鏡。物体のナノスケール分光検出方法において、物体内に分子ダイポール/マルチポールを生成するステップと、前記生成結果として、前記プローブチップ上の多重鏡像力及び力勾配を検出するステップとを含む方法。分光画像検出は、赤外線乃至RF範囲内である請求項5に記載の方法。前記検出は、大気atmosphericで10-10Torrまでの圧力及び/または摂氏100度及び1ミリケルビンmiliKelvinの間の温度で行われる請求項5に記載の方法。第1実施例では、物体内に分子ダイポール/マルチポールが生成可能であり、前記プローブチップ上に多重鏡像力及び力勾配を発生させるエネルギーソースを含む、プローブチップを具備した原子間力顕微鏡基盤の装置が提供される。他の実施例において、前記原子間力顕微鏡は、周波数fmで変調されるエネルギービームを放出するエネルギーソースを有する。第1実施例の他の具体的な形態において、前記エネルギーソースは、波長固定レーザ、波長可変レーザ、磁気イミッタ及び電磁気イミッタである。第1実施例のまた他の具体的な形態において、前記プローブチップは、カンチレバー及び調音器からなるグループから選択される機械的共振器である。第1実施例のまた他の形態において、前記エネルギーソースから放出されたエネルギーを前記物体上に集束させるエネルギー集束装置をさらに含む装置が提供される。他の実施例において、物体内に分子ダイポール/マルチポールが生成可能であり、前記プローブチップ上に多重鏡像力及び力勾配を発生させるエネルギーソースを含む、プローブチップを具備した原子間力顕微鏡基盤の装置が提供される。前記装置は、RF乃至可視光線及び赤外線波長からナノメートルスケールの分光分析を提供することができる。他の実施例において、物体内に分子ダイポール/マルチポールを生成するステップと、前記生成結果として、前記プローブチップ上の多重鏡像力及び力勾配を検出するステップとを含む、物体のナノスケールの分光検出方法が提供される。カンチレバーcantileverが第1機械的共鳴f0図1で振動される引力モードattractivemodeAFM7基盤の顕微鏡が提供される。f0における振動幅oscillationamplitudeの変化は、チップと物体との間のファンデルワールスvanderWaal引力を検出し、また、トポグラフィーtopographyフィードバック信号を得ることに利用され、従来のタッピングtappingモードAFMで物体上にAFMプローブを安定させる。k=3n/mの剛性定数及びf0=65KHzの第1機械的共鳴を有するカンチレバーを利用した。fm=360KHzのレーザ変調周波数を選択し、f0fmの上部側波帯における周波数は、425KHzとして検出された。従来の方法と違って、物体の特徴体の間の鏡像力勾配forcegradientを変調する周波数fmにおける励起/レーザビームエネルギーソース及びfmにおけるチップ内のミラー画像を変調する。この力勾配変調は、f0fm及びf0-fmで側波帯を生成するカンチレバー機械的共鳴周波数を順に変調する。カンチレバーの第2機械的共鳴の上部に置かれるように配列されたf0fm側波帯は、物体が2次元光学画像を記録するためにラスター走査rasterscanされる状態で、ロックインアンプlock-inamplifierを利用して検出される。ロックインに対する参照は、f0fmを中心とするバンドパスフィルターに引き続いて、2重平衡型混合器doublebalancedmixerでf0及びfm駆動信号を混合することで得られる。実験において、10nm半径の白金でコーティングされたシリコーンチップは、ガラス顕微鏡カバースライドを介在して集束させるfocused油浸対物レンズoilimmersionobjectiveNA=1.45を利用して、レーザビームによって照明される。レーザ、電磁気、または他のエネルギーソースが利用されることにより、カンチレバーチップは、当業者に知られている他の適宜な金属でコーティングされることができる。このような金属は、これに限らないが、白金などの貴金属及びニッケルなどの強磁性金属を含む。他の実施例において、カンチレバーのチップはコーティングされない。集束されたレーザは、物体内に光学ダイポールモーメントを生成励起する。チップがガラス表面上の物体に接近するほど、この励起されたダイポールは、チップ内のミラー画像を検出/確認し、その結果、プローブチップ上に引力及び力勾配を引き起こす。段落0011で言及したように、プローブチップ上のこの力及び力勾配は、カンチレバーの第2機械的共鳴の上部に置かれるように配列されたfofm側波帯でカンチレバー応答を測定することで検出される。実験は、fofm側波帯が第2機械的共鳴の上部に置かれるようにする設定setupで行われるが、fofm側波帯は、カンチレバーのより高い機械的共鳴の上部に置かれることができる。このダイポールとダイポールとの相互作用をさらに向上させるために、対物レンズの入射瞳entrancepupilで放射状偏光子radialpolarizerARCoptixを利用する。この光学機器は、4個のレーザλ=633nm、594nm、543nm、475nmを対物レンズに対して独立して結合できるように配置される。対物レンズの入射瞳における光パワーは、略100μWになるように調節された。他の実施例において、サンプルの吸収波長が知られていない場合は、波長可変レーザ/励起装置が利用されてもよい。また、他の実施例では、電磁気または磁気励起装置が物体を励起することに利用されてもよい。より一般的な実施例では、物体を励起することができるエネルギーソースが利用されてもよい。第一の実験は、6-tamra染料dyeを利用して行われた。水に溶解された4×10-7mMの6-tamra染料100μL滴を綺麗なガラス顕微鏡カバースライド上に収集してこれを乾燥させた。染料は、略50nmの平均寸法を有した小さい島状islandsに凝集され、最も小さい特徴体図2で矢印で指定されるは、略10nmであった。543nmの光学共鳴ピーク近くの一連の波長におけるトポグラフィー図2の一行目及び光学鏡像力勾配図2の下の行を同時に記録した。予想通り、画像で若干の熱ドリフトthermaldriftを除き、トポグラフィー信号は、波長によるコントラスト変化がないことを示す。一方、鏡像力信号は、最大コントラストが観察された543nmで光学共鳴を通じて走査scanした時、鮮明なコントラスト変化を示す。475nm及び633nmで光学鏡像力顕微鏡の写真では、事実上、コントラストが見えなかった。光学鏡像力顕微鏡の写真は、背景信号が記録された全ての波長で同一になるように正規化された。分光コントラストspectroscopiccontrastを示す記録された最も小さい光学鏡像力特徴体は、側面寸法が10nmであり、6-tamra分子の高さに対応する0.5nmの特徴体高さを有した。チップ直径が略10nmであるので、最も小さい物体特徴体は、10nmより顕著に小さい側面寸法を有さなければならないと推論することができる。撮像概念をさらに立証するために、6-tamra染料の厚い層をガラス顕微鏡カバースライドに塗布spreadし、パーキンエルマーラムダ40分光光度計Perkin-ElmerLambda40spectrophotometerを利用してフィルムの吸収スペクトルを記録した。図3は、記録されたパーキンエルマースペクトル実線上に重畳された波長による6-tamra島状island上に記録された光学鏡像力勾配信号を示す;一致する。第二の実験において、YOYO3染料λ=594nm近くのピーク吸収を利用して6-tamra実験と類似した実験を行った。この実験では、YOYO3島状island内に塵埃dustを閉じこめた。図4一行目は、島状の中心における塵埃が鮮明に見える543nm、594nm及び633nmに記録された一連のトポグラフィー画像を示す。図4二行目は、同時に記録された光学鏡像力勾配顕微鏡の写真を示す。最も高い分光コントラストは、λ=594nmで観察され、予想通り、塵埃パーティクルは分光コントラストがないことを示す。観察された光学コントラストに対する4つの可能性のある候補がある。第一の二つの候補は、写真変位顕微鏡photodisplacementmicroscopy8から得られる。第一の場合に、チップ-強化光学分野tip-enhancedopticalfieldは、チョッピングchopping周波数fmでガラス基板の温度増加及び対応する周期的膨脹を引き起こす共鳴周波数でチップ下方の分子内に非常に局所化された光吸収をもたらすことができる。しかし、このような場合は、ΔL=Pabsα/κここで、Pabsは、チップ下方の局所吸収パワーであり、αは、熱膨脹係数であり、κは、ガラス基板の熱導電率によって9表れる膨脹振幅ΔLになるであろう。吸収断面σ=10-16cm2を有するチップ下方の単一分子を仮定すれば、前記設定を利用して検出されるには小さ過ぎるΔL=6×10-18mを得る。第二の場合に、光学分野は、これを周期的に膨脹させるチップ内に光吸収をもたらすことができる。実験に対するこの状況を計算し、シミュレーションして、その結果として得られた周期的膨脹振幅が本方式補充資料を参照によって検出されるには小さ過ぎる2.1×10-6nmより小さいことを発見した。第三候補の可能性は、吸収された光パワーによる分子の直接膨脹から引き起こされる。分子吸収されたパワーによる10Kの非常に高い温度増加及びα=10-6/Kを仮定すれば、分子の膨脹は、前記設定で検出されるには小さ過ぎる略2×10-6nmになると推定される。第四のコントラストメカニズムは、本明細書で提案された、即ち、走査プローブチップで物体とその画像ダイポールとの間の鏡像力勾配である。鏡像力勾配の推定値を含ませるために、チップサンプルの相互作用の有限要素COMSOL分析を行った。物理学の核心的特徴は、基板上のパーティクルと相互作用するチップを示した図5のaを参照して理解することができる。ガラスでチップのミラー画像だけでなく、ガラスにおけるパーティクルのミラー画像に交替することで、ガラス基板の効果を含ませることができる。図5b;ガラスミラーの複合反射率Rは、フレネルFresnel方程式であるR=1-n/1nによって表れ、nは、ガラスの複合屈折率である。図5のbの状況を図5のbにおけるパーティクル/画像の対を弱いチップミラー画像及びチップにおけるマルチ反射させる図5のdで近似approximateさせる。弱い反射を無視すれば、図5のdにおける状況をパーティクルがチップでミラー画像と本来相互作用している図5のeで近似させることができる。図5のcの点線は、パーティクルのない図5のaにおける状況の完全full電磁気シミュレーションを利用して算出されたチップ-基板の間隔対光学鏡像力勾配を制御ルーフが瞬間的に開放された状態で獲得された実験接近曲線と比較して示す;検出された信号は、測定されたチップ振動振幅に対して規定化された。チップがサンプル表面から後退した状態で、カンチレバーの振動振幅は40nmであった。図5のfは、パーティクルのある図5のaの場合に対するチップ-パーティクルの間隔対算出された力勾配を示す。予想通り、非常に局所化された鏡像力ダイポール結合により、nm距離にわたって信号の急速な減衰を確認する。また、この急速な減衰を実験的に観察する。今までは走査システムで熱ドラフトによるこの減衰曲線を記録しようとしたが、チップが表面から単に1nmのみ後退した場合トンネリング顕微鏡のようにも画像コントラストは完全に消える。図5のeの場合に対する簡素化されたダイポール理論演算及び完全電磁気場演算は、補充資料で提供される下記参照。測定されたデータから鏡像力及び力勾配を推定することができる。425KHzの第2共鳴でS/N比は、10Hzの帯域幅で30dBであった。第2共鳴Q1において、Qは115であり、基本fundamentalQ2において、Qは115であった。これから、検出された力は、2.7×10-12Nであり、力勾配は2.1×10-5N/mであった補充資料参照。真空で作動させ、Qを10,000に増加させるか、さらに低い温度にするか、カンチレバー共鳴周波数を増加させるか、または、さらに低い剛性のカンチレバー6、7を利用することで、検出可能力は10-18N範囲に減少されることができる。結論として、走査プローブチップで物体とそのミラー画像との間の鏡像力勾配の検出に基づいて、新しい技法の走査顕微鏡を導入した。チップから散乱する光に基づいた亀裂のない近接顕微鏡10、11は、可視光線から赤外線までのナノ有効範囲の物体を撮像するにあたって非常に成功的であるが、近接相互作用の遠距離検出に基づいているため、信号が非常に弱い。しかし、本方法は、適切な周波数のエネルギーソースを利用することで、RF乃至可視光及び赤外線波長から拡張されることができ、この技法を利用すれば、可視波長visiblewavelengthで原子分解能atomicresolutionを達成することに妨害物がないことが分かる。また、電子及び磁気振動は、同一の技法を利用して撮像されることができる。従って、開示された方法は、100m~10-2nmのナノ有効範囲の物体を撮像することができる。これらの例では、カンチレバーが利用されたが、調音器tuningforkまたは当業者に知られた他の機械的共振器が代用されることができる。また、上述した例では、物体/サンプル上にレーザビームを集束させるために光学レンズが利用されたが、他のエネルギー場が利用される実施例では、電気ビーム集束装置などの他の集束装置が利用されることができることが当業者なら分かるであろう。また、エネルギーソースレーザビームがサンプルの底部からチップ及びサンプル領域を向かうように示されたが図1、エネルギーソースは、チップ及びサンプル領域の上部または側面からチップ及びサンプル領域に向かってもよい。上側照明に対して、ナノセンサーhttp://www.nanosensors.comからAdvanceTECラインのカンチレバーなどの突出チップを具備したカンチレバーが利用されてもよい。本例では、ダイポールに対して言及したが、前記方法及び装置は、マルチポール分子に対するナノメートルスケール顕微鏡に対しても適用可能である。補充資料I.電磁気場及び鏡像力シミュレーション有限要素パッケージCOMSOLでマクスウェル方程式を解くことで、3Dシミュレーションを行った。入射波波長543nmは、チップ軸に沿った電場及び集束された100μWレーザスポットと同一の振幅を有した平面波としてモデリングされた。問題領域を簡素化し、メモリー効率を増加させるために、X座標で対称が利用される。公開された実験材料パラメータ1を利用してPtチップ及びガラス基板をモデリングした。チップは、高さが0.29μmであり、実験で利用されたチップと同一の曲律半径を有する楕円としてモデリングされた。このシミュレーション領域は、0.5×1.0×1.8μmであった。有限領域は、0.5マイクロメートル厚さの完璧にマッチした層PMLを利用してシミュレーションされた。ガラス及び空気インターフェースを隣接PMS層とマッチングした。基板上のチップ及び基板上のパーティクル上のチップの二つの場合を考慮した。パーティクルは、6tamra分子を含む1nm直径の球体sphereであった。6tamraの吸収反応は、共鳴2で理想的なロレンチアンLorentzianオシレーターによって表れる。ロレンチアンモデルから6tamra分子を含むパーティクルに対する複合誘電定数1.7-7.1iを抽出した。パーティクル近くにおける電場分布が図6及び図7に示される。チップ上の鏡像力のz方向は、チップ表面3に対してマクスウェル応力テンソルMaxwellStressTensorのバウンダリーインテグレーションを行うことで算出された。マクスウェル応力テンソルMaxwellStressTensorは、下記の式によって表れる。最終的に、力勾配は、力対距離曲線の数値微分法numericaldifferentiationによって算出された。II.チップ加熱効果の分析及び推定チップ内に電磁気吸収によるパワーの時間平均された光学周波数沈積depositionを算出する機能が組み込まれたCOMSOLを利用する。再度、実験とマッチしたパラメータを使用した。チップは、10nmの、白金でコーティングされた10nm以上の直径を有したシリコーンコアで構成される。先ず、前記で説明したように、電磁気場分布を算出し、チップ内の堆積されたパワー密度を計算した。図8及び図9は、チップ内のカラーコーディングされたパワー密度分布を示す。堆積されたパワーは、チップの最短部における半径が略2nmの半球型領域に大部分局所化される。平均パワー密度は、チップがガラスサンプルと接触する場合図8に、1.0×1018W/m3であり、チップがガラス表面から0.5nm後退した場合図9は、0.5×1018W/m3である。金表面上の金チップの特殊な場合に対してシミュレーションを繰り返すことで、ダウンズDownesなど4の出刊された著作物に対するCOMSOLシミュレーションを立証する。沈積されたパワーは、鏡像力顕微鏡信号を導出するために、fm実験では、一般的に360KHzから減少chopされる。この変調結果は、チョッピング周波数でチップのAC拡張だけでなく、DC拡張をもたらす。コントラストは、AC信号から導出されるので、コントラストDC拡張は発生せず、それ以上考慮されないであろう。光熱変位のAC成分に対する式を導出するために、光熱変位分光学の観点でブラックBlackなど5によって表れる公式に従う。図10は、本導出derivationに利用されたチップの幾何学構造geometryを示す。このモデルにおいて、熱は、タップの最短部で沈積され、その変調は下記の式によって表れる熱拡散長さLtによって定義される距離で初期値の1/eで遅延される熱波thermalwaveをセットアップする。ここで、κは、チップの熱伝導率であり、ρは、密度であり、Cは、比熱specificheatであり、fmは、光学チョッピング周波数である。チップに利用される材料特性に対しては、Ltは、熱沈積領域のサイズより遥かに大きいため、参照5で定義するように、低い周波数限界にある。単一サイクルの変調上の温度上昇ΔTは、下記の式によって示す。ここで、Pは、吸収されたパワーのピーク-ピーク変調であり、Vは、加熱中の材料の体積である。この場合、加熱された体積は、底部におけるチップ端部及び上部における熱拡散長さによって境界付けられる円錐状の領域である。円錐体の半角はθである。Vは、下記の式によって表れ、ピーク-ピーク温度変調は、である。この温度変調は、下記の式によって表れるピーク-ピークチップ拡張δLを発生させる。ここで、αは、チップの熱膨脹係数である。ΔTに対する置換は、ピーク-ピーク拡張を発生させる。シリコーンにおいて、熱拡散長さは、白金のほぼ2倍であるので、δLを推定するために、白金の熱的パラメータではなくシリコーンの熱的パラメータを利用する。1nm半径の半球hemisphere上に沈積された吸収されたパワーPは、10-9×2π/3Wである。シリコーンに対する熱的パラメータをκ=148W/mK、α=4.7×10-6及び10°のチップ円錐体半角としてった場合に、カンチレバーの熱雑音の0.01倍であるピーク-ピーク拡張δL=2.1×10-6を得た。また、有限要素電磁気シミュレーションから吸収されたパワーを一時的な熱分析に対するCOMSOLエネルギー転送モデルに入力させることで、温度上昇及びチップの拡張をシミュレーションした。温度分布は、図11に示す。計算されたチップ熱膨脹は、前記で導出された閉鎖型膨脹値より5倍小さい4.1×10-7である。III.検出された力及び力勾配の推定この段落では、検出された力及び力勾配を推定する。一般的な実験において、425KHzの第2カンチレバー共鳴で測定された信号/雑音は、10Hzのバンド幅で30dBである。第2共鳴でカンチレバーの熱雑音振幅Nは、下記の式6によって表れる。ここで、k2は、第2共鳴でカンチレバー剛性であり、Kは、ボルツマン定数であり、Bは、システムバンド幅であり、Q2は、カンチレバー第2共鳴のQであり、Tは、絶対温度であり、ω=2π×425KHzであり、N=2.4×10-4nmである。光学鏡像力に対応する測定された屈折Xは、この値または2.4×10-3以上の20dBであり、対応する力F=k2X/Q2または2.7×10-12Nである。カンチレバー雑音Nに基づいた最も小さい検出可能光学力は、2.7×10-13Nである。Nを減少させることで、さらに低い温度にするか、さらに高いQに対して真空で作業するか、さらに低い剛性のカンチレバーを利用するか、または、さらに高いカンチレバー周波数にすることで、最小検出可能光学力を顕著に減少させる。検出された鏡像力勾配を次のように推定する。360KHzで減少された光学ビームは、第1共鳴、または搬送周波数65KHzでカンチレバー振動振幅を順に変調させるチップとサンプルとの間の鏡像力勾配を変調する。この変調は、425KHz及び295KHzでキャリアを中心として側波帯を発生させる。変調指数がmであれば、側波帯対キャリア比は、m/2である。m/2=10-4であり、m=2×10-4になるように、実験で測定された側波帯対キャリア比は、-80db第2共鳴でQ強化enhancementが考慮された後であった。カンチレバー上に作用する光学鏡像力勾配変調F’による第1共鳴周波数において、カンチレバー振動振幅Aで変化Aは、下記の式によって表れる。ここで、k1は、カンチレバー強度であり、Q1は、第1共鳴周波数でQ因子である。ΔA/Aは、ΔA/A=2mの関係によりmと関連することができるので、前記方程式は、F’を算出する。M=2×10-4、Q1=115及びk1=3N/mを置換すると、F’=2.1×10-5N/mを得る。IV.画像ダイポールモデルの近似及び電気力electrodynamicシミュレーションとの比較この段落では、チップパーティクル力及び力勾配に対する閉鎖形態表現式closedformexpressionを導出するために、簡素化されたダイポール理論を説明する。本願の図5eに示すように、チップ上のミラー画像と相互作用するパーティクルダイポールの演算に対する問題を単純化することができる。関連寸法は、光学波長より遥かに少ないので、後方retradation効果を無視すれば、静電気近似は有効である。図12を参照すると、ダイポールからの距離dで電場のz成分は、下記の式によって表れ、ここで、2lは、ダイポール長さである。チップ上に導入されたダイポールは、下記の式によって表れ、ここで、Epは、パーティクルダイポールによるチップにおける電場である。パーティクル上に導入されたダイポールは、下記の式で表れ、ここで、Etは、チップダイポールによるパーティクルにおける電場である。方程式2及び3を解いて、Epに対する表現式を得て、下記の式からチップ上の力Fを導出する。ここで、ε=EEpである。また、下記の式から力勾配F’小さいl<<dの限界で、鏡像力は、d-5の鏡像力スケールのd-4勾配に調節される。図13は、電気力シミュレーションに比較して、方程式5を利用して計算されたチップ-パーティクル間隔対力勾配の対比を示す。計算された曲線において、l=0.5nmとし、スケーリング定数E2αpαtを調節してシミュレーションされた曲線に合わせた。参照文献全ての内容は本明細書に参考として含まれる1.Frisbie,C.D.,Rozsynai,L.F.,Noy,A.,Wrighton,M.S.,Lieber,C.M.,FunctionalGroupImagingbyChemicalForceMicroscopy.Science265,2071207419942.Martin,Y.Wickramasinghe,H.K.Magneticimagingby‘forcemicroscopy’with1000Aresolution.Appl.Phys.Lett.50,1455-145719873.Rugar,D.,Mamin,H.J.,Guethner,P.,Lambert,S.E.,Stern,J.E.,McFadyen,I.Yogi,T.Magneticforcemicroscopy:GeneralprinciplesandapplicationtolongitudinalrecordingmediaJ.Appl.Phys.68,1169-118319904.Martin,Y.,Abraham,D.W.,Wickramasinghe,H.K.Highresolutioncapacitancemeasurementandpotentiometrybyforcemicroscopy,appl.Phys.Lett.52,1103-110519885.Nonnenmacher,M.,O’Boyle,M.P.Wickramasinghe,H.K.Kelvinprobeforcemicroscopy.Appl.Phys.Lett.58:2921-292319916.Rugar,D.,Yannoni,C.S.Sidles,J.A.Mechanicaldetectionofmagneticresonance.Nature360,563-56619927.Martin,Y.,Williams,C.C.,Wickramasinghe,H.K.Atomicforcemicroscopeforcemappingmappingandprofilingonasub100-Ascale.J.Appl.Phys.61,4723-472919878.Ameri,S.,Ash,E.A.,Neuman,V.Petts,C.R.PhotoDisplacementImaging,Elect.Lett.17,337-338,19819.Black,E.D.,Grudinin,I.S.,Rao,S.R.,Libbrecht,K.G.Enhancedphotothermaldisplacementspectroscopyforthin-filmcharacterizationusingaFabry-PerotresonatorJ.Appl.Phys.95,7655-7659200410.Zenhausern,F.,Martin,Y.,Wickramasinghe,H.K.ScanningInterferometricAperturelessMicroscopy:OpticalImagingat10AngstromResolution,Science269,1083-10851995.11.Knoll,B.Keilmann,F.Near-fieldprobingofvibrationalabsorptionforchemicalmicroscopy,Nature399,134-1371999.12.Palik,E.D.HandbookofOpticalConstantsofSolidsAcademic,198513.Eagen,C.F.AppliedOptics,Vol.20Issue17,pp.3035-3042198114.Jackson,J.D.ClassicalElectrodynamics,3rdEd.,JohnWileySons,Inc.,1999.15.Downes,A.,Salter,D.Elfick,A.,OpticsExpress,14,pp.5216-5222200616.Black,E.D.,Grudinin,I.S.,Rao,S.R.Libbrecht,K.G.,J.Appl.Phys.,95,pp.7655-76592004.17.Martin,Y.,Williams,C.C.Wickramasinghe,H.K.,J.Appl.Phys.,6110,pp4723-47291987."