マトリクス状に配列された、陽極および陰極と、前記陽極および前記陰極の間に介在された有機EL層とを有する複数の有機EL素子を備え、前記複数の有機EL素子は、前記陽極および前記陰極が短絡している短絡部分と、前記陽極、前記有機EL層および前記陰極のうちの少なくとも一つをレーザー照射することで高抵抗化して形成され、前記陽極又は前記陰極と前記短絡部分との間の電流経路上に位置する抵抗部とを含む非正常素子と、前記短絡部分を含まない正常素子とを含み、前記正常素子では、前記陽極および前記陰極間に第1電圧以上の電圧を印加したときに前記有機EL層が発光し、前記第1電圧未満の電圧を印加したときに前記有機EL層が発光せず、前記非正常素子では、前記陽極および前記陰極間に前記第1電圧より高い第2電圧以上の電圧を印加したときに前記有機EL層が発光し、前記第2電圧未満の電圧を印加したときに前記有機EL層が発光しない、有機ELパネル。前記抵抗部の抵抗値は、前記陽極および前記陰極間に第3電圧未満の電圧が印加されたときに、前記有機EL層の抵抗値よりも小さく、前記陽極および前記陰極間に第3電圧以上の電圧が印加されたときに、前記有機EL層の抵抗値よりも大きい、請求項1に記載の有機ELパネル。前記抵抗部は、レーザー照射により、前記陽極、前記有機EL層および前記陰極のうちの少なくとも一つが高抵抗物質に変性されたものである、請求項1に記載の有機ELパネル。前記抵抗部は、オーミック特性を有する、請求項3に記載の有機ELパネル。前記第3電圧は、前記正常素子の前記有機EL層に流れる電流の最大値の50の電流値に対応する電圧以下の電圧である請求項2に記載の有機ELパネル。前記抵抗部は、前記短絡部分を取り囲む又は前記短絡部分と接するように、前記陽極および前記陰極のうちの少なくとも一つにレーザー照射することで高抵抗化して形成される請求項1に記載の有機ELパネル。陽極、有機EL層および陰極を有する複数の有機EL素子を形成するステップと、前記複数の有機EL素子に含まれる非正常素子および正常素子のうちの非正常素子をリペアするステップとを含み、前記非正常素子は、前記陽極および前記陰極が短絡している短絡部分を含み、前記正常素子は、前記短絡部分を含まず、前記非正常素子をリペアするステップにおいて、前記非正常素子の前記陽極、前記有機EL層および前記陰極のうちの少なくとも一つをレーザー照射することで高抵抗化して、前記陽極又は前記陰極と前記短絡部分との間の電流経路上に抵抗部を形成し、前記正常素子では、前記陽極および前記陰極間に第1電圧以上の電圧を印加したときに前記有機EL層が発光し、前記第1電圧未満の電圧を印加したときに前記有機EL層が発光せず、前記非正常素子では、前記陽極および前記陰極間に前記第1電圧より高い第2電圧以上の電圧を印加したときに前記有機EL層が発光し、前記第2電圧未満の電圧を印加したときに前記有機EL層が発光しない、有機ELパネルの製造方法。しかしながら、特許文献1~3に開示されたリペア方法では、リペアされた非正常素子内のレーザー照射箇所には電流が流れなくなるため、その分だけリペアされた非正常素子内のレーザー照射されていない箇所点灯箇所の電流密度が上がり輝度劣化が加速される。また、リペアにおいて有機EL層に対して高エネルギーのレーザー照射が行われると、有機EL層が熱劣化する。その結果、特許文献1~3のリペア方法では、有機EL層の発光寿命が低下するという問題がある。本発明は、上記問題を鑑みてなされたものであり、有機EL層の発光寿命の低下を抑えつつ、短絡不良をリペアすることが可能な有機ELパネルおよびその製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の有機ELパネルは、マトリクス状に配列された、陽極および陰極と、前記陽極および前記陰極の間に介在された有機EL層とを有する複数の有機EL素子を備え、前記複数の有機EL素子は、前記陽極および前記陰極が短絡している短絡部分と、前記陽極、前記有機EL層および前記陰極のうちの少なくとも一つをレーザー照射することで高抵抗化して形成され、前記陽極又は前記陰極と前記短絡部分との間の電流経路上に位置する抵抗部とを含む非正常素子と、前記短絡部分を含まない正常素子とを含み、前記正常素子では、前記陽極および前記陰極間に第1電圧以上の電圧を印加したときに前記有機EL層が発光し、前記第1電圧未満の電圧を印加したときに前記有機EL層が発光せず、前記非正常素子では、前記陽極および前記陰極間に前記第1電圧より高い第2電圧以上の電圧を印加したときに前記有機EL層が発光し、前記第2電圧未満の電圧を印加したときに前記有機EL層が発光しないことを特徴とする。本発明に係る有機ELパネルおよびその製造方法によれば、有機EL層の発光寿命の低下を抑えつつ、短絡不良をリペアすることができる。本発明の一態様に係る有機ELパネルは、マトリクス状に配列された、陽極および陰極と、前記陽極および前記陰極の間に介在された有機EL層とを有する複数の有機EL素子を備え、前記複数の有機EL素子は、前記陽極および前記陰極が短絡している短絡部分と、前記陽極、前記有機EL層および前記陰極のうちの少なくとも一つをレーザー照射することで高抵抗化して形成され、前記陽極又は前記陰極と前記短絡部分との間の電流経路上に位置する抵抗部とを含む非正常素子と、前記短絡部分を含まない正常素子とを含み、前記正常素子では、前記陽極および前記陰極間に第1電圧以上の電圧を印加したときに前記有機EL層が発光し、前記第1電圧未満の電圧を印加したときに前記有機EL層が発光せず、前記非正常素子では、前記陽極および前記陰極間に前記第1電圧より高い第2電圧以上の電圧を印加したときに前記有機EL層が発光し、前記第2電圧未満の電圧を印加したときに前記有機EL層が発光しないことを特徴とする。本態様によれば、非正常素子において電極と短絡部分との間の電流経路上に抵抗部が存在するので、有機EL層にも電流を流して非正常素子を正常に発光させ、短絡不良をリペアすることができる。また、短絡部分は完全に絶縁化されず、電流の一部が短絡部分にも流れるので、有機EL層の電流密度が高くなることを抑えて非正常素子の発光寿命の低下を抑えることができる。ここで、前記抵抗部の抵抗値は、前記陽極および前記陰極間に第3電圧未満の電圧が印加されたときに、前記有機EL層の抵抗値よりも小さく、前記陽極および前記陰極間に第3電圧以上の電圧が印加されたときに、前記有機EL層の抵抗値よりも大きくてもよい。本態様によれば、電流経路上に存在する抵抗部の抵抗値が、第3電圧以上の電極間電圧正常素子において黒に近い低階調の輝度の光が発光する電圧において、有機EL層の抵抗値よりも大きくなされているので、第3電圧以上においては、抵抗部よりも有機EL層に電流を流し非正常素子を正常に発光させることができる。ゆえに、抵抗部を完全に絶縁化するようなリペアを行わなくても、第3電圧以上においては、短絡部分を完全に絶縁化するようなリペアを行った非正常素子と同等の発光特性を発揮することができる。また、有機EL層を新たに高抵抗化するようなリペアを行う必要がないため、リペアにより発光面積が減少して電流密度が増大したり、熱劣化したりすることがなく、有機EL層の発光寿命が低下してしまうこともない。このとき、第3電圧未満において有機EL層より短絡部分に電流が流れるため、非正常素子は正常に発光しないが、正常素子の発光も黒に近い低階調の輝度の光であるので、目視上は問題ない。また、前記抵抗部は、レーザー照射により、前記陽極、前記有機EL層および前記陰極のうちの少なくとも一つが高抵抗物質に変性されたものであってもよい。また、前記抵抗部は、オーミック特性を有してもよい。また、前記第3電圧は、前記正常素子の前記有機EL層に流れる電流の最大値の50の電流値に対応する電圧以下の電圧であってもよい。また、前記抵抗部は、前記短絡部分を取り囲む又は前記短絡部分と接するように、前記陽極および前記陰極のうちの少なくとも一つにレーザー照射することで高抵抗化して形成されてもよい。また、本発明の一態様に係る有機ELパネルの製造方法は、陽極、有機EL層および陰極を有する複数の有機EL素子を形成するステップと、前記複数の有機EL素子に含まれる非正常素子および正常素子のうちの非正常素子をリペアするステップとを含み、前記非正常素子は、前記陽極および前記陰極が短絡している短絡部分を含み、前記正常素子は、前記短絡部分を含まず、前記非正常素子をリペアするステップにおいて、前記非正常素子の前記陽極、前記有機EL層および前記陰極のうちの少なくとも一つをレーザー照射することで高抵抗化して、前記陽極又は前記陰極と前記短絡部分との間の電流経路上に抵抗部を形成し、前記正常素子では、前記陽極および前記陰極間に第1電圧以上の電圧を印加したときに前記有機EL層が発光し、前記第1電圧未満の電圧を印加したときに前記有機EL層が発光せず、前記非正常素子では、前記陽極および前記陰極間に前記第1電圧より高い第2電圧以上の電圧を印加したときに前記有機EL層が発光し、前記第2電圧未満の電圧を印加したときに前記有機EL層が発光しないことを特徴とする。本態様によれば、非正常素子の有機EL層の発光寿命の低下を抑えつつ、非正常素子の短絡不良をリペアすることができる。以下、本発明の実施の形態における有機ELパネルおよびその製造方法について、図面を参照しながら説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置および接続形態、ステップ、ステップの順序などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。本発明は、特許請求の範囲だけによって限定される。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、本発明の課題を達成するのに必ずしも必要ではないが、より好ましい形態を構成するものとして説明される。図1は、本発明の実施の形態に係る表示装置の外観図である。図2は、本実施の形態に係る有機ELパネルの一部切り欠き斜視図である。図1の表示装置100は、図2の有機ELパネル110を備える。有機ELパネル110は、アクティブマトリクス基板21と、アクティブマトリクス基板21上にマトリクス状行列状に複数配置され、それぞれが異なる画素を構成する複数の画素回路駆動回路23と、複数の画素回路23の上に順次積層された陽極31、有機EL層40および陰極32透明電極と、各画素回路23と制御回路不図示とを接続する複数本のソース線24およびゲート線28とを備える。有機EL層40は、バンクにより各画素回路23つまり各画素に対応する複数の領域に区分されている。図3は、有機ELパネル110の画素の構成を示す回路図である。画素は、駆動トランジスタ25、スイッチングトランジスタ22およびコンデンサ26から構成される画素回路23と、有機EL素子30とを備える。駆動トランジスタ25は、有機EL素子30を駆動するトランジスタであり、また、スイッチングトランジスタ22は、画素を選択するためのトランジスタである。有機EL素子30は、アクティブマトリクス基板21上に画素に対応してマトリクス状に配列された素子であり、陽極31および陰極32と、バンクにより区分され、陽極31および陰極32の間に介在された有機EL層40とを有する。スイッチングトランジスタ22のソース電極22Sは、ソース線24に接続され、ゲート電極22Gは、ゲート線28に接続され、ドレイン電極22Dは、コンデンサ26および駆動トランジスタ25のゲート電極25Gに接続されている。また、駆動トランジスタ25のドレイン電極25Dは、電源線29に接続され、ソース電極25Sは有機EL素子30のアノードに接続されている。この構成において、ゲート線28にゲート信号が入力され、スイッチングトランジスタ22がオン状態になると、ソース線24を介して供給された信号電圧がコンデンサ26に書き込まれる。そして、コンデンサ26に書き込まれた電圧は、1フレーム期間を通じて保持される。コンデンサ26に保持された電圧により、駆動トランジスタ25のコンダクタンスがアナログ的に変化し、発光階調に対応した駆動電流が、有機EL素子30のアノードからカソードへと流れる。これにより、有機EL素子30の有機EL層40が発光し、画像として表示される。図4は、有機ELパネル110における2画素の構成を示す図である。なお、図4aは、有機ELパネル110の断面図図4bのA-A’線における断面図であり、図4bは、有機ELパネル110の平面図薄膜封止層61、封止用樹脂層62および透光基板70を除いた状態で図4aの有機ELパネル110を上方からみたときの上面図である。有機EL素子30aおよび30bは、それぞれ異なる画素における図3の有機EL素子30に対応する有機機能デバイスであり、基板10と、基板10上に形成された平坦化層20と、平坦化層20の上に順次形成された、陽極下部電極31、有機EL層40、陰極上部電極32と、薄膜封止層61、封止用樹脂層62および透光基板70とを備える。有機EL素子30aおよび30bの間の平坦化層20上には、有機EL層40を区画して絶縁分離する隔壁50が形成されている。隔壁50で分離された有機EL層40正孔注入層41および発光層42および陽極31は異なる画素を構成する。有機EL層40は、正孔注入層HIL:HoleInjectionLayer41、発光層EML:EmittingLayer42および電子輸送層ETL:ElectronTransportLayer43から構成される。有機EL層40は、陽極31と陰極32との間に形成される。有機EL層40の厚さは、例えば、100~200nmである。なお、有機EL層40としては、正孔注入層41、発光層42および電子輸送層43の他に、正孔輸送層HTL:HoleTransportLayerや電子注入層EIL:ElectronInjectionLayerを含むように構成してもよい。この場合、電子注入層としてはポリフェニレンビニレンPPVなどを用いることができ、正孔輸送層としてはトリフェルアミンやポリアニリンなどを用いることができる。基板10は、透明基板を用いることができ、例えば、厚みが0.5mmである透明の無アルカリガラスからなる透明ガラス基板である。なお、基板10として、樹脂からなる可撓性のフレキシブル基板を用いることもできる。基板10は必ずしも透明である必要はなく、図4のように有機EL素子がトップエミッション型の場合は、シリコン基板等の非透明な基板を基板10に用いることもできる。平坦化層20は、トランジスタ等の回路素子を含む画素回路と、画素回路を平坦化するための平坦化膜とからなる。平坦化膜としては、例えば、絶縁性の有機材料を用いることができる。陽極31は、正孔が供給される、つまり、画素回路から電流が流れ込む電極アノードであり、平坦化層20上に形成される。有機EL素子30aおよび30bはトップエミッション型であるので、陽極31は、反射電極として構成されている。反射電極としての陽極31は、例えば、Al又は銀合金APCなどの反射金属の単層構造、あるいは、インジウム錫酸化物ITO:IndiumTinOxideなどの透明金属酸化物と銀合金APCなどの反射金属との2層構造とすることができる。陽極31の厚みは、例えば10~40nmとすることができる。なお、有機EL素子30aおよび30bがボトムエミッション型である場合、陽極31は、ITOなどの透明金属酸化物からなる透明電極とすることができる。正孔注入層41は、陽極31上に形成され、正孔を安定的に、または正孔の生成を補助して、発光層42に正孔を注入する機能を有する。正孔注入層41を形成することにより、駆動電圧を低電圧化することができるとともに、素子を長寿命化することができる。正孔注入層41は、正孔注入性の材料を主成分とする所定の有機材料を用いて形成することができ、例えばPEDOTポリエチレンジオキシチオフェン又はアニリンなどの化合物などを用いることができる。発光層42は、正孔注入層41上に形成されており、陽極31と陰極32とに所定の電圧が印加されることにより注入された電子と正孔とが再結合して生じるエネルギーにより、発光層42の発光材料が励起されて発光する。発光層42は、素子ごとに所定の電界発光機能を有する有機材料によって構成された有機発光層であり、例えば、下層としてα-NPDBis[N-1-naphthyl-N-phenyl]benzidineを用い、上層としてAlq3tris-8-hydroxyquinolinealuminumを用いた積層構造となっている。電子輸送層43は、発光層42と陰極32との間に形成され、陰極32から注入された電子を発光層42内へ効率良く輸送するとともに、発光層42と陰極32との界面での励起子の失活防止をし、さらには正孔をブロックする機能を有する。電子輸送層43は、発光層42および陰極32に隣接して形成され、また、各素子各画素に共通となるように形成されている。陰極32は、電子が供給される、つまり、画素回路へ電流が流れ出す電極カソードであり、陽極31に対して負の電圧を発光層42に印加して、電子を発光層42に注入する機能を有する。陰極32は、陽極31と対向するように形成された透明電極であって、電子輸送層43上に形成される。なお、陰極32は、各素子に共通となるように形成された共通電極である。陰極32の材料および構成は、特に限定されるものではないが、透過率の高い材料および構造を用いることが好ましい。これにより、発光効率が高いトップエミッション型の有機EL素子を用いた表示装置を実現することができる。陰極32の材料としては、例えば、インジウム錫酸化物ITO又はインジウム亜鉛酸化物IZO:IndiumZincOxideなどの透明金属酸化物を用いることができる。また、陰極32は、Mg、Agなどの材料を用いた透明電極とすることもできる。なお、陰極32の厚みは、例えば、10~40nmとすることができる。隔壁50は、例えば、レジストなどの黒色の感光性樹脂によって形成されている。薄膜封止層61は、陰極32上に形成される保護層であって、発光層42などの有機層や陰極32などを水分や酸素から保護し、発光層42などが劣化することを防止する。薄膜封止層61は透明であることが要求されることから、薄膜封止層61の材料としては、例えば、窒化珪素SiN、酸窒化珪素SiONおよび有機膜等の透明絶縁材料を用いることができる。封止用樹脂層62は、基板10上に形成された平坦化層20から薄膜封止層61までの一体形成された層有機層と透光基板70とを接合する接着層であるとともに、有機層を保護する保護層としても機能する。封止用樹脂層62の材料としては、例えば、アクリル系又はエポキシ系の樹脂などを用いることができる。ここで、有機EL素子30aは、リペアされた非正常素子である。つまり、有機EL素子30aは、製造工程において、陽極31と陰極32との間に導電性の異物90が混入しており、陽極31および陰極32が異物90を介して短絡している短絡部分と、陰極32にレーザー照射することで高抵抗化して形成され、陰極32と短絡部分との間の電流経路上に位置する変質部32aとを含む有機EL素子である。これに対し、有機EL素子30bは、短絡部分を含まない正常素子である。なお、変質部32aは本発明の抵抗部の一例であり、陰極32のレーザー照射されていない部分、言い換えると正常素子の陰極32に対して高抵抗の部分である。なお、非正常素子では、欠陥部、つまり、製造工程において混入した導電性の異物90によって陽極31と陰極32との間に短絡箇所が生じるため、非正常素子を含む有機ELパネル110には、短絡箇所に起因する不良として滅点又は暗点が生じる。異物90は、例えば、陽極31の材料であるAlが、陽極31の形成後に陽極31上に付着したものである。このような導電性の異物90が付着した状態で、有機EL層40および陰極32が積層されると、陽極31と陰極32との間に短絡部分が生じる。このような短絡箇所があると、本来は発光を駆動するための電流が短絡部分に集中して流れてしまうので、異物90が混入した素子は十分に又は全く発光することができなくなる。このように正常な発光機能を喪失した素子に対応する画素を滅点画素ともいう。変質部32aは、異物90の周辺に位置する陰極32の一部にレーザー照射することで形成されている。変質部32aは、陰極32の構成材料がレーザー光の照射によって高抵抗物質に変性された部分である。よって、変質部32aは、レーザー光の照射痕として観察することができる。陰極32がITOで構成される場合、変質部32aは、レーザー光の照射によってITOの組織構造が粒状の組織構造に変質させられた部分であり、ITOの他の部分よりも高抵抗化している。陰極32へのレーザー光の照射は、異物90による短絡箇所を包囲するように行われる。例えば、陰極32に対して、異物90を中心に10μm程度離れた周囲に定められる20μm×20μmの正方形の輪郭線上をトレースしてレーザー光を照射する。その結果、陰極32において、異物90を取り囲むように、図4bに示すようなロの字形状額縁状の変質部32aが形成される。変質部32aの抵抗値は、レーザー光の照射を受けていない陰極32の本来の抵抗値よりも高くなっており、変質部32aのシート抵抗値は1MΩ/□以上である。なお、以下の説明では、レーザー光が照射された箇所の抵抗値が、レーザー光が照射される前の抵抗値と比べて高くなっていることを高抵抗化するという。図5は、変質部32aが形成された有機EL素子30aつまりリペアされた非正常素子の有機EL層40、異物90および変質部32aの電気的な接続関係を示す等価回路図である。図5に示すように、リペアされた有機EL素子30aでは、異物90により構成される抵抗R1と、変質部32aにより構成される抵抗R2とが直接に接続され、抵抗R1およびR2の直列接続に対して有機EL層40により構成される抵抗ELが並列に接続された等価回路となる。このような回路において、変質部32aにより構成される抵抗R2の大きさが大きくなると、抵抗R1およびR2による合成抵抗は大きくなり、抵抗R1およびR2に流れる電流は小さくなる。従って、高抵抗である変質部32aを有機EL素子30aに形成することにより、異物90に流れる電流を制御することができる。図6A~図6Cは、有機EL素子30aおよび30bつまりリペアされた非正常素子および正常素子の電流-電圧特性を示す図である。なお、図6A~図6Cにおいて、横軸は陽極31と陰極32との間に印加される電圧を示し、縦軸は有機EL層40又は異物90および変質部32aに流れる電流を示している。また、図6Bは図6Aの縦軸のレンジを縮小したものであり、図6Cは図6Aの縦軸のレンジを拡大したものである。また、I1はリペアされた非正常素子の有機EL層40図5の抵抗ELに流れる電流を示し、I2はリペアされた非正常素子の異物90および変質部32a図5の抵抗R1およびR2に流れる電流を示し、I3は正常素子の有機EL層40に流れる電流を示し、I4はリペアされていない、つまり変質部32aが形成されていない非正常素子の異物90に流れる電流を示している。また、電流I1およびI3は有機EL層40の発光輝度と線形の関係にある。図6A~図6Cに示すように、有機EL層40に流れる電流I1およびI3はELダイオード特性を示して非線形であるのに対し、変質部32aはオーミック特性を有するため、抵抗R1およびR2に流れる電流I2およびI4はオーミック特性を示して線形となる。そして、非正常素子では、リペアにより異物90および変質部32aに流れる電流がI4からI2に変化し、流れる電流が少なくなる。また、電流I1は電流I3に対し、異物90および変質部32aに電流が流れる分だけ電圧に対する電流の変化率が小さい。図6A~図6Cの電流I3に示すように、正常素子では、陽極31と陰極32との間にV1第1電圧以上の電圧を印加したときに有機EL層40に電流が流れて有機EL層40が発光し、V1未満の電圧を印加したときに有機EL層40に電流が流れず有機EL層40が発光しない。一方、図6A~図6Cの電流I1に示すように、リペアされた非正常素子では、陽極31と陰極32との間にV1より高いV2第2電圧以上の電圧を印加したときに有機EL層40に電流が流れて有機EL層40が発光し、V2未満の電圧を印加したときに有機EL層40に電流が流れず有機EL層40が発光しない。図6A~図6Cの電流I1およびI2に示すように、電流I1およびI2はV3第3電圧で交差するため、変質部32aの抵抗値は、陽極31と陰極32との間にV3未満の電圧が印加されたときに、有機EL層40の抵抗値変質部32aで囲われていない領域における陽極31と陰極32との間での抵抗値よりも小さい。そして、変質部32aの抵抗値は、陽極31と陰極32との間にV3以上の電圧が印加されたときに、有機EL層40の抵抗値よりも大きい。従って、V3を境にして、有機EL層40に流れる電流I1が異物90および変質部32aに流れる電流I2よりも大きくなり、有機EL層40は異物90の影響を受けることなく発光する。ここで、陽極31と陰極32との間の電圧が0VからV1の間では、非正常素子および正常素子のいずれにおいても有機EL層40に電流が流れず、発光は起こらない。しかし、陽極31と陰極32との間の電圧がV1を超えると、正常素子においてのみ有機EL層40に電流が流れ始めて発光が起こる。さらに、陽極31と陰極32との間の電圧がV2を超えると、リペアされた非正常素子においても電流が流れ始めて発光が起こる。このとき、V2は非常に低い電圧であり、陽極31と陰極32との間にV1とV2との間の電圧が印加されても、正常素子は視認できない低階調の低輝度の光しか発光せず、非正常素子が発光していないことは認識されない。そして、陽極31と陰極32との間の電圧が高くなってV3を超えると、正常素子は視認可能な高階調の高輝度の光を発光するが、リペアされた非正常素子において有機EL層40に変質部32aおよび異物90より多くの電流が流れ始めて正常素子と区別ない発光が起こる始めるため、非正常素子であることが認識されない。その結果、いずれの電圧領域においても、発光の違いによる正常素子および非正常素子の区別を困難にすることができる。このように、正常素子が視認できない程度の発光をしているときはリペアされた非正常素子が発光しないように、V2およびV3の値を設定することで、発光する必要のない低階調において、変質部32aおよび異物90に多くの電流を流してリペアに起因する有機EL層40の発光寿命の低下を抑えつつ、非正常素子のリペアを行うことができる。V3の値は、例えば正常素子の有機EL層40に流れる電流の最大値をImaxとしたときに、Imaxの50の電流値に対応する電圧以下の電圧とされる。例えば、Imaxの50の電流値に対応する電圧とされる。なお、電流の最大値であるImaxにおいて、有機ELの発光輝度は最大となる。V2およびV3の調整は、例えば変質部32aの幅図4における幅dを変化させたり、変質部32a形成におけるレーザー光の強度、照射時間などを変えて変性の度合いを変化させたりすることで変質部32aの抵抗値を変化させることにより行われる。以上、本実施の形態に係る有機ELパネル110によれば、短絡不良の原因となる異物90を囲むように陰極32の一部を変質させて変質部32aが形成されている。これにより、陰極32と異物90との間において、変質部32aによる高抵抗化領域を形成することができる。この結果、陽極31と陰極32とに電圧を供給したときに、変質部32aによって囲まれた有機EL層40の領域よりも、それ以外の有機EL層40の領域の方により電流が流れ易くなる。従って、異物90による陽極31と陰極32との間の短絡に起因する不良を解消することができ、有機EL層40の発光を回復させることができる。このとき、変質部32aは完全に絶縁化されず、ある程度の電流が異物90に流れるので、有機EL層40の発光寿命の低下は抑えられる。次に、本実施の形態に係る有機ELパネル110の製造方法について説明する。この製造方法には、有機EL素子30aの短絡に起因する不良をリペアする工程が含まれる。まず、本実施の形態に係る有機ELパネル110の製造方法におけるフローについて、図7を用いて説明する。図7は、本実施の形態に係る有機ELパネル110の製造方法を説明するフローチャートである。まず、陽極31と陰極32とが短絡している短絡部分を含む有機EL素子30aと短絡部分を含まない有機EL素子30bとを含む複数の有機EL素子が形成された有機ELパネル110を準備するステップS10。有機ELパネル110は、上述のとおり、有機EL素子が画素単位でマトリクス状に配置されたものである。次に、準備した有機ELパネル110において、画素ごとに有機EL素子を検査し、非正常素子を検出し、検出した非正常素子において陽極31と陰極32とが短絡している短絡部分を欠陥部として検出するステップS11。次に、レーザー照射を開始して、検出した短絡部分に起因する不良をレーザー照射することによってリペアするステップS12。これにより、複数の有機EL素子に含まれる非正常素子としての有機EL素子30aがリペアされる。以下、図7の各工程について、図8を用いて詳細に説明する。図8は、本実施の形態に係る有機ELパネル110の製造方法の各工程における有機ELパネル110の断面図である。なお、図8aは図7のステップS10の工程で準備された有機ELパネル110の断面図であり、図8bは図7のステップS12の工程において有機ELパネル110にレーザー光を照射する様子を示す断面図であり、図8cは図7のステップS12の工程において有機ELパネル110に形成される変質部32aを示す断面図である。まず、短絡部分を有する有機EL素子30aを含む有機ELパネル110を準備する工程図7のステップS10について、図8aを用いて説明する。まず、基板10上に、絶縁性の有機材料からなる平坦化膜を成膜して平坦化層20を形成し、その後、平坦化層20上に陽極31を形成する。陽極31は、例えば、スパッタリング法により、平坦化層20上に膜厚が30nmのAlを成膜し、その後、フォトリソグラフィおよびウエットエッチングによってAl膜をパターンニングすることで形成される。次に、例えば、PEDOTをキシレンよりなる溶剤に溶かし、このPEDOT溶液を陽極31上にスピンコートすることにより、正孔注入層41を形成する。次に、正孔注入層41の上に、例えば、真空蒸着法によりα-NPD、Alq3を積層し、発光層42を形成する。次に、例えば、ニトロ置換フルオレノン誘導体などの化合物を積層して電子輸送層43を形成する。電子輸送層43の積層方法としては、蒸着法、スピンコート法、キャスト法などを用いることができる。続いて、電子輸送層43が形成された基板10を大気曝露させることなく、陰極32を形成する。具体的には、電子輸送層43の上に、スパッタリング法によって、膜厚が35nmのITOIndiumTinOxideを形成することにより、陰極32を形成する。上記製造工程により、発光素子としての機能をもつ有機EL素子30aおよび30bが形成される。なお、有機ELパネル110を製造する場合においては、マトリクス状に区画された複数の発光層42を形成するために、陽極31の形成工程と正孔注入層41の形成工程との間に、感光性樹脂からなる隔壁50を所定形状にパターン形成する工程を含む。次に、陰極32の上に、例えば、プラズマCVDChemicalVaporDeposition法により膜厚が500nmの窒化珪素を成膜して、薄膜封止層61を形成する。薄膜封止層61は、陰極32の表面に接して形成されるので、特に保護膜としての条件を厳しくすることが好ましく、上記した窒化珪素に代表されるような非酸素系無機材料を用いることが好ましい。また、薄膜封止層61としては、例えば、酸化珪素や酸窒化珪素のような酸素系無機材料を用いたり、これらの無機材料を複数層に形成したりした構成としても構わない。なお、薄膜封止層61の形成方法は、プラズマCVD法に限らず、アルゴンプラズマを用いたスパッタリング法など、その他の方法であってもよい。次に、薄膜封止層61の表面に、封止用樹脂層62を塗布する。その後、塗布された封止用樹脂層62の上に、透明ガラスからなる透光基板70を配置する。ここで、透光基板70の主面に、予めカラーフィルタ調光層を形成しておいてもよい。この場合、カラーフィルタが形成された面を薄膜封止層61に対向させて、塗布された封止用樹脂層62上に透光基板70を配置する。なお、薄膜封止層61、封止用樹脂層62および透光基板70は、保護層として機能する。最後に、透光基板70を上面側から下方に向けて加圧しつつ熱又はエネルギー線を封止用樹脂層62に付加して封止用樹脂層62を硬化することで、透光基板70と薄膜封止層61とを接着する。このような方法により、図8aに示される有機ELパネル110を形成することができる。なお、陽極31、正孔注入層41、発光層42、電子輸送層43および陰極32の形成工程は、上記の実施の形態に限定されるものではない。次に、非正常素子としての有機EL素子30aを検出し、有機EL素子30aの欠陥部を検出する工程図7のステップS12について説明する。この工程では、異物90により短絡した部分、または、混入した異物90そのものを検出する。陽極31と陰極32とが短絡した部分又は異物90そのものの検出は、例えば、各素子に中間輝度階調に対応した輝度信号電圧を入力して正常素子の発光輝度に比べて低輝度の非正常素子の発光輝度を、CCDカメラを用いた輝度測定装置又は目視により検出することにより行われる。なお、短絡した部分又は異物90の検出方法は、この方法に限らず、例えば、各素子の陽極31および陰極32の間に流れる電流値を測定し、電流値の大きさに基づいて検出してもよい。この場合、順バイアス電圧を印加すると正常素子と同等の電流値が得られ、逆バイアスの電圧を印加するとリーク発光が観測される素子を、非正常素子と判断してもよい。次に、非正常素子である有機EL素子30aの欠陥部に起因する不良をレーザー照射によりリペアする工程図7のステップS12について説明する。この工程では、図8bに示すように、有機EL素子30a内において短絡した部分の上方の陰極32に対して、透光基板70側からレーザー光200の照射を行う。具体的には、異物90を検出した後、異物90によって陽極31と陰極32とが短絡した部分を取り囲むように、所定形状の輪郭線上に沿って線状にレーザー光200を照射して、陽極31の構成材料を変質させる。例えば、正方形の輪郭線上に沿って1周分、レーザー光200が照射される。なお、レーザー光200の焦点は、陰極32に合わせて設定される。レーザー光200は、レーザー発振装置を用いて発振させることができ、例えば、出力エネルギーが1~30μJで、パルス幅が数フェムト秒から数ピコ秒オーダーである超短パルスレーザーを用いることができる。好適なパルス幅の範囲は、100fs~20psである。これにより、有機EL層40に照射するレーザー光200のパルス時間を短くすることができるので、有機EL層40へのダメージを低減しつつ、短絡部分を高抵抗化することができる。なお、レーザー光200の波長としては、900~2500nmとすることができる。このとき、レーザー光200の照射条件は、目的とするV2およびV3の値に応じて、所望の変質部32aが形成されるように設定される。このように、超短パルスレーザーの照射により、アモルファス非晶質状態の陰極32の構成材料を変質させて容易に高抵抗化することができる。特に、超短パルスレーザーは、他のレーザーでは加工が容易ではない透明導電性材料について高抵抗化することができる。レーザー光200が照射された陰極32の一部の組織構造は、図8cに示すように、粒状の組織構造を有する変質部32aに変化する。ここでいう粒状の組織構造とは、多数の粒子が、粒子間に空隙を残存させつつ集合した組織構造のことを意味する。この粒状の組織構造を構成する各粒子の粒径は、一例として、10~500nmである。また、変質部32aの内部には、各々の粒子の間に空隙が生じている。この空隙により、変質部32aでは、変質していない部分の陰極32と比べて電流が流れにくくなっており、高抵抗になっていると考えられる。以上、本実施の形態に係る有機ELパネル110の製造方法によれば、異物90による陽極31と陰極32との間の短絡に起因する不良をリペアすることができ、有機EL層40の発光を回復させることができる。このとき、変質部32aは完全に絶縁化されず、ある程度の電流が異物90に流れるので、有機EL層40の発光寿命の低下は抑えられる。以上、本発明の有機ELパネルおよびその製造方法について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態の限定されるものではない。本発明の要旨を逸脱しない範囲内で当業者が思いつく各種変形を施したものも本発明の範囲内に含まれる。例えば、本実施の形態において、変質部32aは短絡部分異物90を取り囲むように陰極32にレーザー照射することで陰極32の一部短絡部分を取り囲む部分を高抵抗化して形成されるとした。しかし、図9に示すように、短絡部分と接するように陰極32にレーザー照射することで陰極32の一部短絡部分と接する部分を高抵抗化して形成されてもよい。また、本実施の形態において、変質部32aは、陰極32にレーザー照射することで高抵抗化して形成されるとしたが、陽極31にレーザー照射することで高抵抗化して、陽極31と短絡部分との間の電流経路上に形成されてもよいし、有機EL層40にレーザー照射することで高抵抗化して、陽極31又は陰極32と短絡部分との間の電流経路上に形成されてもよい。つまり、変質部32aは、レーザー照射により高抵抗化して形成され、陽極31又は陰極32と短絡部分との間に位置するものであれば、陽極31、陰極32および有機EL層40のいずれか又は全てに形成されてもよい。よって、変質部32aは、レーザー照射により、陽極31、有機EL層40および陰極32のうちの少なくとも一つの構成材料がレーザー光の照射によって高抵抗物質に変性された部分となる。この場合でも、図5で示した接続関係が有機EL層40、異物90および変質部32aの間で形成される。また、本実施の形態において、有機EL素子30aおよび30bは、さらに、隔壁50で分離された各有機EL素子30aおよび30bを覆うように、薄膜封止層61および封止用樹脂層62の上方に、赤、緑および青の色調整を行うための調光層であるカラーフィルタを備えてもよい。この場合、リペアのためのレーザー照射は、保護層とともにカラーフィルタを介して行われる。なお、カラーフィルタは、透光基板70の下面有機EL層40側の面に形成しておくこともできる。また、本実施の形態では、陽極31を下部電極、陰極32を上部電極とする構成について示したが、陽極31を上部電極、陰極32を下部電極とする構成であってもよい。