"基板上に所定パターンの被膜を形成する蒸着方法であって、前記基板上に蒸着粒子を付着させて前記被膜を形成する蒸着工程を有し、前記蒸着工程は、第1方向の異なる位置に配置された複数の蒸着源開口を備えた蒸着源と、前記複数の蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスクと、前記第1方向に沿って配置された複数の制限板を含み、前記蒸着源と前記蒸着マスクとの間に配置された制限板ユニットとを備えた蒸着ユニットを用いて、前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板の法線方向及び前記第1方向に直交する第2方向に沿って前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させながら、前記複数の蒸着源開口から放出され、前記第1方向に隣り合う前記制限板間の空間及び前記蒸着マスクに形成された複数のマスク開口を通過した蒸着粒子を前記基板に付着させる工程であり、前記複数の制限板のうちの少なくとも1つの前記第1方向における位置を補正する必要があるか否かを判断する判断工程と、前記判断工程において補正する必要があると判断した場合には、前記複数の制限板のうちの少なくとも1つの前記第1方向における位置を補正する補正工程とを更に有することを特徴とする蒸着方法。前記複数の制限板のうちの少なくとも1つの前記第1方向における位置と、前記複数の蒸着源開口のうちの少なくとも1つの前記第1方向における位置とを測定する測定工程を更に有し、前記測定工程において測定した前記制限板及び前記蒸着源開口の位置に基づいて、前記判断工程において補正する必要があるか否かを判断する請求項1に記載の蒸着方法。前記蒸着工程に先立って、前記判断工程及び前記補正工程を行う請求項1又は2に記載の蒸着方法。前記蒸着工程中に、前記判断工程及び前記補正工程を行う請求項1~3のいずれかに記載の蒸着方法。前記蒸着工程に先立ってチェック用基板に対して試し蒸着を行う工程を更に有し、前記チェック用基板に形成された被膜の評価結果に基づいて、前記判断工程において補正する必要があるか否かを判断する請求項1に記載の蒸着方法。前記補正工程において、前記制限板ユニット全体を前記第1方向に移動させて、前記複数の制限板の前記第1方向における位置を補正する請求項1~5のいずれかに記載の蒸着方法。前記制限板ユニットが制限板トレイに載置されており、前記補正工程において、前記制限板トレイを前記第1方向に移動させて、前記複数の制限板の前記第1方向における位置を補正する請求項1~6のいずれかに記載の蒸着方法。前記制限板ユニットが、前記第1方向に複数のユニット部品に分割されており、前記補正工程において、前記複数のユニット部品の少なくとも1つを前記第1方向に移動させて、前記複数の制限板のうちの少なくとも1つの前記第1方向における位置を補正する請求項1~5のいずれかに記載の蒸着方法。前記被膜が有機EL素子の発光層である請求項1~8のいずれかに記載の蒸着方法。請求項1~9のいずれかに記載の蒸着方法を用いて形成された発光層を備える有機EL表示装置。基板上に所定パターンの被膜を形成する蒸着装置であって、第1方向の異なる位置に配置された複数の蒸着源開口を備えた蒸着源、前記複数の蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスク、及び、前記第1方向に沿って配置された複数の制限板を含み、前記蒸着源と前記蒸着マスクとの間に配置された制限板ユニットを備えた蒸着ユニットと、前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板の法線方向及び前記第1方向に直交する第2方向に沿って前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させる移動機構と、前記複数の制限板のうちの少なくとも1つの前記第1方向における位置を補正する位置調整機構とを備えることを特徴とする蒸着装置。更に、前記複数の制限板のうちの少なくとも1つの前記第1方向における位置を測定する制限板センサと、前記複数の蒸着源開口のうちの少なくとも1つの前記第1方向における位置を測定する蒸着源センサとを備える請求項11に記載の蒸着装置。前記位置調整機構は、前記制限板ユニット全体を前記第1方向に移動させる請求項11又は12に記載の蒸着装置。前記制限板ユニットを載置する制限板トレイを更に備え、前記位置調整機構は前記制限板トレイを前記第1方向に移動させる請求項11~13のいずれかに記載の蒸着装置。前記制限板トレイに対して前記制限板ユニットを位置決めするための位置決め構造が前記制限板トレイ及び/又は前記制限板ユニットに設けられている請求項14に記載の蒸着装置。前記制限板ユニットが、前記第1方向に複数のユニット部品に分割されており、前記位置調整機構は、前記複数のユニット部品のそれぞれを独立して前記第1方向に移動させる請求項11又は12に記載の蒸着装置。前記複数のユニット部品が、互いに独立した複数の制限板トレイにそれぞれ載置されており、前記位置調整機構は、前記複数の制限板トレイのそれぞれを独立して前記第1方向に移動させる請求項16に記載の蒸着装置。特許文献3に記載された蒸着方法によれば、基板より小さな蒸着マスクを用いることができるので、大型の基板に対する蒸着が容易である。ところが、基板に対して蒸着マスクを相対的に移動させる必要があるので、基板と蒸着マスクとを離間させる必要がある。特許文献3では、蒸着マスクのマスク開口には、様々な方向から飛翔した蒸着粒子が入射しうるので、基板に形成された被膜の幅がマスク開口の幅よりも拡大し、被膜の端縁にボヤケが生じてしまう。特許文献4には、蒸着ビーム方向調整板によって、蒸着マスクに入射する蒸着ビームの指向性を向上させることが記載されている。ところが、実際の蒸着工程では、蒸着源や蒸着ビーム方向調整板は昇温され、それぞれの熱膨張係数に応じて熱膨張する。また、蒸着ビーム方向調整板には多量の蒸着材料が付着するので、定期的に新たなものと交換する必要がある。このような熱膨張や交換によって、蒸着源の蒸着ビーム放射孔と蒸着ビーム方向調整板の蒸着ビーム通過孔との相対的位置ズレが生じる可能性がある。蒸着ビーム通過孔の直径は約0.1mm~1mmと非常に小さいので、蒸着ビーム放射孔と蒸着ビーム通過孔とがわずかに位置ズレしただけで、蒸着ビーム放射孔から放出された蒸着粒子が、蒸着ビーム通過孔を通過することができないという事態が起こりうる。その場合には、基板上の所望する位置に被膜を形成することができない。本発明は、端縁のボヤケが抑えられた被膜を、基板上の所望位置に安定的に形成することができる、大型の基板にも適用可能な蒸着方法及び蒸着装置を提供することを目的とする。また、本発明は、信頼性及び表示品位に優れた、大型の有機EL表示装置を提供することを目的とする。本発明の蒸着方法は、基板上に所定パターンの被膜を形成する蒸着方法であって、前記基板上に蒸着粒子を付着させて前記被膜を形成する蒸着工程を有する。前記蒸着工程は、第1方向の異なる位置に配置された複数の蒸着源開口を備えた蒸着源と、前記複数の蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスクと、前記第1方向に沿って配置された複数の制限板を含み、前記蒸着源と前記蒸着マスクとの間に配置された制限板ユニットとを備えた蒸着ユニットを用いて、前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板の法線方向及び前記第1方向に直交する第2方向に沿って前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させながら、前記複数の蒸着源開口から放出され、前記第1方向に隣り合う前記制限板間の空間及び前記蒸着マスクに形成された複数のマスク開口を通過した蒸着粒子を前記基板に付着させる工程である。前記蒸着方法は、前記複数の制限板のうちの少なくとも1つの前記第1方向における位置を補正する必要があるか否かを判断する判断工程と、前記判断工程において補正する必要があると判断した場合には、前記複数の制限板のうちの少なくとも1つの前記第1方向における位置を補正する補正工程とを更に有することを特徴とする。本発明の有機EL表示装置は、上記の本発明の蒸着方法を用いて形成された発光層を備える。本発明の蒸着装置は、基板上に所定パターンの被膜を形成する蒸着装置であって、第1方向の異なる位置に配置された複数の蒸着源開口を備えた蒸着源、前記複数の蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスク、及び、前記第1方向に沿って配置された複数の制限板を含み、前記蒸着源と前記蒸着マスクとの間に配置された制限板ユニットを備えた蒸着ユニットと、前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板の法線方向及び前記第1方向に直交する第2方向に沿って前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させる移動機構と、前記複数の制限板のうちの少なくとも1つの前記第1方向における位置を補正する位置調整機構とを備えることを特徴とする。本発明の蒸着方法及び蒸着装置によれば、基板及び蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させながら、蒸着マスクに形成されたマスク開口を通過した蒸着粒子を基板に付着させるので、基板より小さな蒸着マスクを使用することができる。従って、大型基板に対しても蒸着による被膜を形成することができる。蒸着源開口と蒸着マスクとの間に設けられた複数の制限板が、第1方向に隣り合う制限板間の空間に入射した蒸着粒子を、その入射角度に応じて選択的に捕捉するので、マスク開口には、所定の入射角度以下の蒸着粒子のみが入射する。これにより、蒸着粒子の基板に対する最大入射角度が小さくなるので、基板に形成される被膜の端縁に生じるボヤケを抑制することができる。複数の制限板のうちの少なくとも1つの第1方向における位置を補正することにより、蒸着源開口に対する制限板の相対的位置ズレが低減されるので、被膜を所望する位置に安定的に形成することができる。本発明の有機EL表示装置は、上記の蒸着方法を用いて形成された発光層を備えるので、発光層の位置ズレや発光層の端縁のボヤケが抑えられる。従って、信頼性及び表示品位に優れ、大型化も可能な有機EL表示装置を提供することができる。本発明の蒸着方法は、基板上に所定パターンの被膜を形成する蒸着方法であって、前記基板上に蒸着粒子を付着させて前記被膜を形成する蒸着工程を有する。前記蒸着工程は、第1方向の異なる位置に配置された複数の蒸着源開口を備えた蒸着源と、前記複数の蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスクと、前記第1方向に沿って配置された複数の制限板を含み、前記蒸着源と前記蒸着マスクとの間に配置された制限板ユニットとを備えた蒸着ユニットを用いて、前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板の法線方向及び前記第1方向に直交する第2方向に沿って前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させながら、前記複数の蒸着源開口から放出され、前記第1方向に隣り合う前記制限板間の空間及び前記蒸着マスクに形成された複数のマスク開口を通過した蒸着粒子を前記基板に付着させる工程である。前記蒸着方法は、前記複数の制限板のうちの少なくとも1つの前記第1方向における位置を補正する必要があるか否かを判断する判断工程と、前記判断工程において補正する必要があると判断した場合には、前記複数の制限板のうちの少なくとも1つの前記第1方向における位置を補正する補正工程とを更に有することを特徴とする。上記の本発明の蒸着方法は、前記複数の制限板のうちの少なくとも1つの前記第1方向における位置と、前記複数の蒸着源開口のうちの少なくとも1つの前記第1方向における位置とを測定する測定工程を更に有することが好ましい。この場合、前記測定工程において測定した前記制限板及び前記蒸着源開口の位置に基づいて、前記判断工程において補正する必要があるか否かを判断することが好ましい。かかる好ましい構成によれば、制限板及び蒸着源開口の各位置の実測値に基づいて、蒸着源開口に対する制限板の第1方向における相対的位置を求めることができるので、両者の位置ズレを精度よく補正することができる。その結果、被膜の位置精度が更に向上する。また、制限板及び蒸着源開口の位置の測定は比較的簡単に行うことができるので、位置補正の要否の判断をするためのデータを迅速且つ容易に得ることができる。上記の本発明の蒸着方法において、前記蒸着工程に先立って、前記判断工程及び前記補正工程を行うことが好ましい。かかる好ましい構成によれば、蒸着前に、蒸着源開口に対する制限板の第1方向における相対的位置ズレが補正されるので、基板に形成される被膜の位置ズレの発生を効果的に予防することができる。前記蒸着工程中に、前記判断工程及び前記補正工程を行ってもよい。かかる構成によれば、蒸着工程中に新たに発生した、蒸着源開口に対する制限板の第1方向における相対的位置ズレを補正することができるので、基板に形成される被膜の位置ズレを更に低減することができる。前記蒸着工程に先立ってチェック用基板に対して試し蒸着を行う工程を更に有することが好ましい。この場合、前記チェック用基板に形成された被膜の評価結果に基づいて、前記判断工程において補正する必要があるか否かを判断することが好ましい。かかる好ましい構成によれば、蒸着源開口及び制限板の第1方向における位置を実測する必要がないので、そのための装置が不要となる。従って、蒸着装置の構成が簡単となり、装置コストや蒸着コストを低減することができる。前記補正工程において、前記制限板ユニット全体を前記第1方向に移動させて、前記複数の制限板の前記第1方向における位置を補正することが好ましい。かかる好ましい構成によれば、制限板の第1方向における位置を補正移動するための機構を簡単化できるので、装置コストや蒸着コストを低減することができる。前記制限板ユニットが制限板トレイに載置されており、前記補正工程において、前記制限板トレイを前記第1方向に移動させて、前記複数の制限板の前記第1方向における位置を補正することが好ましい。かかる好ましい構成によれば、制限板ユニットの交換を短時間で簡単に行うことができる。前記制限板ユニットが、前記第1方向に複数のユニット部品に分割されていることが好ましい。この場合、前記補正工程において、前記複数のユニット部品の少なくとも1つを前記第1方向に移動させて、前記複数の制限板のうちの少なくとも1つの前記第1方向における位置を補正することが好ましい。かかる好ましい構成によれば、制限板ユニット全体を第1方向に移動させて位置補正をする場合に比べて、より高精度な位置補正を行うことができる。従って、基板に形成される被膜の位置ズレを更に低減することができる。前記被膜が有機EL素子の発光層であることが好ましい。これにより、信頼性及び表示品位に優れ、大型化が可能な有機EL表示装置を提供することができる。本発明の蒸着装置は、基板上に所定パターンの被膜を形成する蒸着装置であって、第1方向の異なる位置に配置された複数の蒸着源開口を備えた蒸着源、前記複数の蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスク、及び、前記第1方向に沿って配置された複数の制限板を含み、前記蒸着源と前記蒸着マスクとの間に配置された制限板ユニットを備えた蒸着ユニットと、前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板の法線方向及び前記第1方向に直交する第2方向に沿って前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させる移動機構と、前記複数の制限板のうちの少なくとも1つの前記第1方向における位置を補正する位置調整機構とを備えることを特徴とする。上記の本発明の蒸着装置が、更に、前記複数の制限板のうちの少なくとも1つの前記第1方向における位置を測定する制限板センサと、前記複数の蒸着源開口のうちの少なくとも1つの前記第1方向における位置を測定する蒸着源センサとを備えることが好ましい。かかる好ましい構成によれば、制限板及び蒸着源開口の各位置の実測値に基づいて、蒸着源開口に対する制限板の第1方向における相対的位置を求めることができるので、両者の位置ズレを精度よく補正することができる。その結果、被膜の位置精度が更に向上する。また、制限板及び蒸着源開口の位置の測定は比較的簡単に行うことができるので、位置補正の要否の判断をするためのデータを迅速且つ容易に得ることができる。前記位置調整機構は、前記制限板ユニット全体を前記第1方向に移動させることが好まし。かかる好ましい構成によれば、制限板の第1方向における位置を補正移動するための位置調整機構の構成を簡単化できるので、装置コストや蒸着コストを低減することができる。本発明の蒸着装置が、前記制限板ユニットを載置する制限板トレイを更に備えることが好ましい。この場合、前記位置調整機構は前記制限板トレイを前記第1方向に移動させることが好ましい。かかる好ましい構成によれば、制限板ユニットの交換を短時間で簡単に行うことができる。上記において、前記制限板トレイに対して前記制限板ユニットを位置決めするための位置決め構造が前記制限板トレイ及び/又は前記制限板ユニットに設けられていることが好ましい。かかる好ましい構成によれば、制限板ユニットの交換によって、蒸着源開口に対する制限板の位置ズレが生じにくい。前記制限板ユニットが、前記第1方向に複数のユニット部品に分割されていることが好ましい。この場合、前記位置調整機構は、前記複数のユニット部品のそれぞれを独立して前記第1方向に移動させることが好ましい。かかる好ましい構成によれば、制限板ユニット全体を第1方向に移動させて位置補正をする場合に比べて、より高精度な位置補正を行うことができる。従って、基板に形成される被膜の位置ズレを更に低減することができる。前記複数のユニット部品が、互いに独立した複数の制限板トレイにそれぞれ載置されていることが好ましい。この場合、前記位置調整機構は、前記複数の制限板トレイのそれぞれを独立して前記第1方向に移動させることが好ましい。かかる好ましい構成によれば、ユニット部品の交換を短時間で簡単に行うことができる。以下に、本発明を好適な実施形態を示しながら詳細に説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されないことはいうまでもない。以下の説明において参照する各図は、説明の便宜上、本発明の実施形態の構成部材のうち、本発明を説明するために必要な主要部材のみを簡略化して示したものである。従って、本発明は以下の各図に示されていない任意の構成部材を備え得る。また、以下の各図中の部材の寸法は、実際の構成部材の寸法および各部材の寸法比率等を忠実に表したものではない。有機EL表示装置の構成本発明を適用して製造可能な有機EL表示装置の一例を説明する。本例の有機EL表示装置は、TFT基板側から光を取り出すボトムエミッション型で、赤R、緑G、青Bの各色からなる画素サブ画素の発光を制御することによりフルカラーの画像表示を行う有機EL表示装置である。まず、上記有機EL表示装置の全体構成について以下に説明する。図1は、有機EL表示装置の概略構成を示す断面図である。図2は、図1に示す有機EL表示装置を構成する画素の構成を示す平面図である。図3は、図2の3-3線に沿った有機EL表示装置を構成するTFT基板の矢視断面図である。図1に示すように、有機EL表示装置1は、TFT12図3参照が設けられたTFT基板10上に、TFT12に接続された有機EL素子20、接着層30、封止基板40がこの順に設けられた構成を有している。有機EL表示装置1の中央が画像表示を行う表示領域19であり、この表示領域19内に有機EL素子20が配置されている。有機EL素子20は、当該有機EL素子20が積層されたTFT基板10を、接着層30を用いて封止基板40と貼り合わせることで、これら一対の基板10,40間に封入されている。このように有機EL素子20がTFT基板10と封止基板40との間に封入されていることで、有機EL素子20への酸素や水分の外部からの浸入が防止されている。TFT基板10は、図3に示すように、支持基板として、例えばガラス基板等の透明な絶縁基板11を備える。但し、トップエミッション型の有機EL表示装置では、絶縁基板11は透明である必要はない。絶縁基板11上には、図2に示すように、水平方向に敷設された複数のゲート線と、垂直方向に敷設され、ゲート線と交差する複数の信号線とからなる複数の配線14が設けられている。ゲート線には、ゲート線を駆動する図示しないゲート線駆動回路が接続され、信号線には、信号線を駆動する図示しない信号線駆動回路が接続されている。絶縁基板11上には、これら配線14で囲まれた各領域に、赤R、緑G、青Bの色の有機EL素子20からなるサブ画素2R,2G,2Bが、マトリクス状に配置されている。サブ画素2Rは赤色光を発射し、サブ画素2Gは緑色光を発射し、サブ画素2Bは青色光を発射する。列方向図2の上下方向には同色のサブ画素が配置され、行方向図2の左右方向にはサブ画素2R,2G,2Bからなる繰り返し単位が繰り返して配置されている。行方向の繰り返し単位を構成するサブ画素2R,2G,2Bが画素2すなわち、1画素を構成する。各サブ画素2R,2G,2Bは、各色の発光を担う発光層23R,23G,23Bを備える。発光層23R,23G,23Bは、列方向図2の上下方向にストライプ状に延設されている。TFT基板10の構成を説明する。TFT基板10は、図3に示すように、ガラス基板等の透明な絶縁基板11上に、TFT12スイッチング素子、配線14、層間膜13層間絶縁膜、平坦化膜、エッジカバー15等を備える。TFT12はサブ画素2R,2G,2Bの発光を制御するスイッチング素子として機能するものであり、サブ画素2R,2G,2Bごとに設けられる。TFT12は配線14に接続される。層間膜13は、平坦化膜としても機能するものであり、TFT12及び配線14を覆うように絶縁基板11上の表示領域19の全面に積層されている。層間膜13上には、第1電極21が形成されている。第1電極21は、層間膜13に形成されたコンタクトホール13aを介して、TFT12に電気的に接続されている。エッジカバー15は、層間膜13上に、第1電極21のパターン端部を被覆するように形成されている。エッジカバー15は、第1電極21のパターン端部で有機EL層27が薄くなったり電界集中が起こったりすることで、有機EL素子20を構成する第1電極21と第2電極26とが短絡することを防止するための絶縁層である。エッジカバー15には、サブ画素2R,2G,2B毎に開口15R,15G,15Bが設けられている。このエッジカバー15の開口15R,15G,15Bが、各サブ画素2R,2G,2Bの発光領域となる。言い換えれば、各サブ画素2R,2G,2Bは、絶縁性を有するエッジカバー15によって仕切られている。エッジカバー15は、素子分離膜としても機能する。有機EL素子20について説明する。有機EL素子20は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第1電極21、有機EL層27、第2電極26をこの順に備える。第1電極21は、有機EL層27に正孔を注入供給する機能を有する層である。第1電極21は、前記したようにコンタクトホール13aを介してTFT12と接続されている。有機EL層27は、図3に示すように、第1電極21と第2電極26との間に、第1電極21側から、正孔注入層兼正孔輸送層22、発光層23R,23G,23B、電子輸送層24、電子注入層25をこの順に備える。本実施形態では、第1電極21を陽極とし、第2電極26を陰極としているが、第1電極21を陰極とし、第2電極26を陽極としてもよく、この場合は有機EL層27を構成する各層の順序は反転する。正孔注入層兼正孔輸送層22は、正孔注入層としての機能と正孔輸送層としての機能とを併せ持つ。正孔注入層は、有機EL層27への正孔注入効率を高める機能を有する層である。正孔輸送層は、発光層23R,23G,23Bへの正孔輸送効率を高める機能を有する層である。正孔注入層兼正孔輸送層22は、第1電極21およびエッジカバー15を覆うように、TFT基板10における表示領域19の全面に一様に形成されている。本実施形態では、正孔注入層と正孔輸送層とが一体化された正孔注入層兼正孔輸送層22を設けているが、本発明はこれに限定されず、正孔注入層と正孔輸送層とが互いに独立した層として形成されていてもよい。正孔注入層兼正孔輸送層22上には、発光層23R,23G,23Bが、エッジカバー15の開口15R,15G,15Bを覆うように、それぞれ、サブ画素2R,2G,2Bの列に対応して形成されている。発光層23R,23G,23Bは、第1電極21側から注入されたホール正孔と第2電極26側から注入された電子とを再結合させて光を出射する機能を有する層である。発光層23R,23G,23Bは、それぞれ、低分子蛍光色素や金属錯体等の発光効率が高い材料を含む。電子輸送層24は、第2電極26から発光層23R,23G,23Bへの電子輸送効率を高める機能を有する層である。電子注入層25は、第2電極26から有機EL層27への電子注入効率を高める機能を有する層である。電子輸送層24は、発光層23R,23G,23Bおよび正孔注入層兼正孔輸送層22を覆うように、これら発光層23R,23G,23Bおよび正孔注入層兼正孔輸送層22上に、TFT基板10における表示領域19の全面にわたって一様に形成されている。また、電子注入層25は、電子輸送層24を覆うように、電子輸送層24上に、TFT基板10における表示領域19の全面にわたって一様に形成されている。本実施形態では、電子輸送層24と電子注入層25とは互いに独立した層として設けられているが、本発明はこれに限定されず、両者が一体化された単一の層即ち、電子輸送層兼電子注入層として設けられていてもよい。第2電極26は、有機EL層27に電子を注入する機能を有する層である。第2電極26は、電子注入層25を覆うように、電子注入層25上に、TFT基板10における表示領域19の全面にわたって一様に形成されている。なお、発光層23R,23G,23B以外の有機層は有機EL層27として必須ではなく、要求される有機EL素子20の特性に応じて取捨選択すればよい。また、有機EL層27は、必要に応じて、キャリアブロッキング層を更に有していてもよい。例えば、発光層23R,23G,23Bと電子輸送層24との間にキャリアブロッキング層として正孔ブロッキング層を追加することで、正孔が電子輸送層24に抜けるのを阻止し、発光効率を向上することができる。有機EL表示装置の製造方法次に、有機EL表示装置1の製造方法について以下に説明する。図4は、上記の有機EL表示装置1の製造工程を工程順に示すフローチャートである。図4に示すように、本実施形態にかかる有機EL表示装置1の製造方法は、例えば、TFT基板第1電極の作製工程S1、正孔注入層正孔輸送層の形成工程S2、発光層の形成工程S3、電子輸送層の形成工程S4、電子注入層の形成工程S5、第2電極の形成工程S6、封止工程S7をこの順に備えている。以下に、図4の各工程を説明する。但し、以下に示す各構成要素の寸法、材質、形状等はあくまで一例に過ぎず、本発明はこれに限定されるものではない。また、本実施形態では第1電極21を陽極とし、第2電極26を陰極としており、これとは逆に第1電極21を陰極とし、第2電極26を陽極とする場合には、有機EL層の積層順は以下の説明と反転する。同様に、第1電極21および第2電極26を構成する材料も以下の説明と反転する。最初に、絶縁基板11上に公知の方法でTFT12及び配線14等を形成する。絶縁基板11としては、例えば透明なガラス基板あるいはプラスチック基板等を用いることができる。一実施例では、絶縁基板11として、厚さが約1mm、縦横寸法が500×400mmの矩形形状のガラス板を用いることができる。次いで、TFT12及び配線14を覆うように絶縁基板11上に感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングを行うことで、層間膜13を形成する。層間膜13の材料としては、例えばアクリル樹脂やポリイミド樹脂等の絶縁性材料を用いることができる。但し、ポリイミド樹脂は一般に透明ではなく、有色である。このため図3に示すようなボトムエミッション型の有機EL表示装置1を製造する場合には、層間膜13としてはアクリル樹脂等の透明性樹脂を用いることが好ましい。層間膜13の厚さは、TFT12の上面の段差を解消することができればよく、特に限定されない。一実施例では、アクリル樹脂を用いて厚さ約2μmの層間膜13を形成することができる。次に、層間膜13に、第1電極21をTFT12に電気的に接続するためのコンタクトホール13aを形成する。次に、層間膜13上に、第1電極21を形成する。即ち、層間膜13上に導電膜電極膜を成膜する。次いで、導電膜上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを行った後、塩化第二鉄をエッチング液として、導電膜をエッチングする。その後、レジスト剥離液を用いてフォトレジストを剥離し、さらに基板洗浄を行う。これにより、層間膜13上にマトリクス状の第1電極21が得られる。第1電極21に用いられる導電膜材料としては、ITOIndiumTinOxide:インジウム錫酸化物、IZOIndiumZincOxide:インジウム亜鉛酸化物、ガリウム添加酸化亜鉛GZO等の透明導電材料、金Au、ニッケルNi、白金Pt等の金属材料を用いることができる。導電膜の積層方法としては、スパッタ法、真空蒸着法、CVDchemicalvapordeposition、化学蒸着法、プラズマCVD法、印刷法等を用いることができる。一実施例では、スパッタ法により、ITOを用いて、厚さ約100nmの第1電極21を形成することができる。次に、所定パターンのエッジカバー15を形成する。エッジカバー15は、例えば層間膜13と同様の絶縁材料を使用することができ、層間膜13と同様の方法でパターニングすることができる。一実施例では、アクリル樹脂を用いて、厚さ約1μmのエッジカバー15を形成することができる。以上により、TFT基板10および第1電極21が作製される工程S1。次に、工程S1を経たTFT基板10を、脱水のために減圧ベーク処理し、更に第1電極21の表面洗浄のために酸素プラズマ処理する。次に、上記TFT基板10上に、正孔注入層および正孔輸送層本実施形態では正孔注入層兼正孔輸送層22を、TFT基板10の表示領域19の全面に蒸着法により形成するS2。具体的には、表示領域19の全面が開口したオープンマスクを、TFT基板10に密着固定し、TFT基板10とオープンマスクとを共に回転させながら、オープンマスクの開口を通じて正孔注入層および正孔輸送層の材料をTFT基板10の表示領域19の全面に蒸着する。正孔注入層と正孔輸送層とは、前記したように一体化されていてもよく、互いに独立した層であってもよい。層の厚みは、一層あたり例えば10~100nmである。正孔注入層および正孔輸送層の材料としては、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、およびこれらの誘導体、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物、アニリン系化合物等の、複素環式または鎖状式共役系のモノマー、オリゴマー、またはポリマー等が挙げられる。一実施例では、4,4-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニルα-NPDを使用して、厚さ30nmの正孔注入層兼正孔輸送層22を形成することができる。次に、正孔注入層兼正孔輸送層22上に、エッジカバー15の開口15R,15G,15Bを覆うように、発光層23R,23G,23Bをストライプ状に形成するS3。発光層23R,23G,23Bは、赤、緑、青の各色別に、所定領域を塗り分けるように蒸着される塗り分け蒸着。発光層23R,23G,23Bの材料としては、低分子蛍光色素、金属錯体等の発光効率が高い材料が用いられる。例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、アントラセン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、およびこれらの誘導体、トリス8-キノリノラトアルミニウム錯体、ビスベンゾキノリノラトベリリウム錯体、トリジベンゾイルメチルフェナントロリンユーロピウム錯体、ジトルイルビニルビフェニル等が挙げられる。発光層23R,23G,23Bの厚さは、例えば10~100nmにすることができる。本発明の蒸着方法及び蒸着装置は、この発光層23R,23G,23Bの塗り分け蒸着に特に好適に使用することができる。本発明を使用した発光層23R,23G,23Bの形成方法の詳細は後述する。次に、正孔注入層兼正孔輸送層22および発光層23R,23G,23Bを覆うように、TFT基板10の表示領域19の全面に電子輸送層24を蒸着法により形成するS4。電子輸送層24は、上記した正孔注入層正孔輸送層の形成工程S2と同様の方法により形成することができる。次に、電子輸送層24を覆うように、TFT基板10の表示領域19の全面に電子注入層25を蒸着法により形成するS5。電子注入層25は、上記した正孔注入層正孔輸送層の形成工程S2と同様の方法により形成することができる。電子輸送層24および電子注入層25の材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、およびこれらの誘導体や金属錯体、LiFフッ化リチウム等を用いることができる。前記したように電子輸送層24と電子注入層25とは、一体化された単一層として形成されてもよく、または独立した層として形成されてもよい。各層の厚さは、例えば1~100nmである。また、電子輸送層24および電子注入層25の合計厚さは、例えば20~200nmである。一実施例では、Alqトリス8-ヒドロキシキノリンアルミニウムを使用して厚さ30nmの電子輸送層24を形成し、LiFフッ化リチウムを使用して厚さ1nmの電子注入層25を形成することができる。次に、電子注入層25を覆うように、TFT基板10の表示領域19の全面に第2電極26を蒸着法により形成するS6。第2電極26は、上記した正孔注入層正孔輸送層の形成工程S2と同様の方法により形成することができる。第2電極26の材料電極材料としては、仕事関数の小さい金属等が好適に用いられる。このような電極材料としては、例えば、マグネシウム合金MgAg等、アルミニウム合金AlLi、AlCa、AlMg等、金属カルシウム等が挙げられる。第2電極26の厚さは、例えば50~100nmである。一実施例では、アルミニウムを用いて厚さ50nmの第2電極26を形成することができる。第2電極26上には、第2電極26を覆うように、外部から酸素や水分が有機EL素子20内に浸入することを阻止するために、保護膜を更に設けてもよい。保護膜の材料としては、絶縁性や導電性を有する材料を用いることができ、例えば窒化シリコンや酸化シリコンが挙げられる。保護膜の厚さは、例えば100~1000nmである。以上により、TFT基板10上に、第1電極21、有機EL層27、および第2電極26からなる有機EL素子20を形成できる。次いで、図1に示すように、有機EL素子20が形成されたTFT基板10と、封止基板40とを、接着層30にて貼り合わせ、有機EL素子20を封入する。封止基板40としては、例えば厚さが0.4~1.1mmのガラス基板あるいはプラスチック基板等の絶縁基板を用いることができる。かくして、有機EL表示装置1が得られる。このような有機EL表示装置1において、配線14からの信号入力によりTFT12をONオンさせると、第1電極21から有機EL層27へ正孔が注入される。一方、第2電極26から有機EL層27へ電子が注入される。正孔と電子とは発光層23R,23G,23B内で再結合し、エネルギーを失活する際に所定の色の光を出射する。各サブ画素2R,2G,2Bの発光輝度を制御することで、表示領域19に所定の画像を表示することができる。以下に、発光層23R,23G,23Bを塗り分け蒸着により形成する工程S3を説明する。新蒸着法発光層23R,23G,23Bを塗り分け蒸着する方法として、本発明者らは、特許文献1,2のような、蒸着時に基板と同等の大きさのマスクを基板に固定する蒸着方法に代えて、蒸着源及び蒸着マスクに対して基板を移動させながら蒸着を行う新規な蒸着方法以下、新蒸着法というを検討した。図5は、新蒸着法にかかる蒸着装置の基本構成を示した斜視図である。図6は、図5に示した蒸着装置の正面断面図である。蒸着源960と、蒸着マスク970と、これらの間に配置された制限板ユニット980とで蒸着ユニット950を構成する。蒸着源960と制限板ユニット980と蒸着マスク970との相対的位置は一定である。基板10が、蒸着マスク970に対して蒸着源960とは反対側を一定速度で矢印10aに沿って移動する。以下の説明の便宜のため、基板10の移動方向10aと平行な水平方向軸をY軸、Y軸と垂直な水平方向軸をX軸、X軸及びY軸に垂直な上下方向軸をZ軸とするXYZ直交座標系を設定する。Z軸は基板10の被蒸着面10eの法線方向と平行である。蒸着源960の上面には、それぞれが蒸着粒子91を放出する複数の蒸着源開口961が形成されている。複数の蒸着源開口961は、X軸と平行な一直線に沿って一定ピッチで配置されている。制限板ユニット980は、複数の制限板981を有する。各制限板981の主面面積が最大である面はYZ面と平行である。複数の制限板981は、複数の蒸着源開口961の配置方向即ち、X軸方向と平行に一定ピッチで配置されている。X軸方向に隣り合う制限板981間の、制限板ユニット980をZ軸方向に貫通する空間を、制限空間982と呼ぶ。蒸着マスク970には、複数のマスク開口971が形成されている。複数のマスク開口971は、X軸方向に沿って配置されている。蒸着源開口961から放出された蒸着粒子91は、制限空間982を通過し、更に、マスク開口971を通過して基板10に付着して、Y軸と平行なストライプ状の被膜90を形成する。発光層23R,23G,23Bの各色別に繰り返して蒸着を行うことにより、発光層23R,23G,23Bの塗り分け蒸着を行うことができる。このような新蒸着法によれば、蒸着マスク970の、基板10の移動方向10aの寸法Lmを、基板10の同方向の寸法とは無関係に設定することができる。従って、基板10よりも小さい蒸着マスク970を用いることができる。このため、基板10を大型化しても蒸着マスク970を大型化する必要がないので、蒸着マスク970の自重撓みや伸びの問題が発生しない。また、蒸着マスク970やこれを保持するフレーム等が巨大化重量化することもない。従って、特許文献1,2に記載された従来の蒸着法の問題が解決され、大型基板に対する塗り分け蒸着が可能になる。新蒸着法における制限板ユニット980の効果について説明する。図7は、新蒸着法において制限板ユニット980を省略した蒸着装置を図6と同様に示した断面図である。図7に示されているように、各蒸着源開口961から蒸着粒子91はある広がり指向性をもって放出される。即ち、図7において、蒸着源開口961から放出される蒸着粒子91の数は、蒸着源開口961の真上方向Z軸方向において最も多く、真上方向に対してなす角度出射角度が大きくなるにしたがって徐々に少なくなる。蒸着源開口961から放出された各蒸着粒子91は、それぞれの放出方向に向かって直進する。図7では、蒸着源開口961から放出される蒸着粒子91の流れを矢印で概念的に示している。矢印の長さは、蒸着粒子数に対応する。従って、各マスク開口971には、その真下に位置する蒸着源開口961から放出された蒸着粒子91が最も多く飛来するが、これに限定されず、斜め下方に位置する蒸着源開口961から放出された蒸着粒子91も飛来する。図8は、図7の蒸着装置において、あるマスク開口971を通過した蒸着粒子91によって基板10上に形成される被膜90の、図7と同様にY軸と平行な方向に沿って見た断面図である。上述したように、様々な方向から飛来した蒸着粒子91がマスク開口971を通過する。基板10の被蒸着面10eに到達する蒸着粒子91の数は、マスク開口971の真上の領域で最も多く、これから遠くなるにしたがって徐々に少なくなる。従って、図8に示すように、基板10の被蒸着面10eには、マスク開口971を真上方向に基板10に投影した領域に、厚く且つ略一定厚みを有する被膜主部90cが形成され、その両側に、被膜主部90cより遠くなるにしたがって徐々に薄くなるボヤケ部分90eが形成される。そして、このボヤケ部分90eが被膜90の端縁のボヤケを生じさせる。ボヤケ部分90eの幅Weを小さくするためには、蒸着マスク970と基板10との間隔を小さくすればよい。しかしながら、蒸着マスク970に対して基板10を相対的に移動させる必要があるので、蒸着マスク970と基板10との間隔をゼロにすることができない。ボヤケ部分90eの幅Weが大きくなりボヤケ部分90eが隣の異なる色の発光層領域に及ぶと、混色を生じたり、有機EL素子の特性が劣化したりする。混色が生じないようにするためにボヤケ部分90eが隣の異なる色の発光層領域に及ばないようにするためには、画素図2のサブ画素2R,2G,2Bを意味するの開口幅を狭くするか、または、画素のピッチを大きくして、非発光領域を大きくする必要がある。ところが、画素の開口幅を狭くすると、発光領域が小さくなるので輝度が低下する。必要な輝度を得るために電流密度を高くすると、有機EL素子が短寿命化したり、損傷しやすくなったりして、信頼性が低下する。一方、画素ピッチを大きくすると、高精細表示を実現できず、表示品位が低下する。これに対して、新蒸着法では、図6に示されているように、蒸着源960と蒸着マスク970との間に制限板ユニット980が設けられている。各蒸着源開口961から、ある広がり指向性をもって放出された蒸着粒子91のうち、その速度ベクトルのX軸方向成分が大きな蒸着粒子91は、制限板981に衝突し付着するので、制限空間982を通過することができず、マスク開口971に到達することはできない。即ち、制限板981は、マスク開口971に入射する蒸着粒子91の入射角度を制限する。ここで、マスク開口971に対する入射角度は、XZ面への投影図において、マスク開口971に入射する蒸着粒子91の飛翔方向がZ軸に対してなす角度で定義される。このように、複数の制限板981を備えた制限板ユニット980を用いることにより、X軸方向における蒸着粒子91の指向性を向上させることができる。従って、ボヤケ部分90eの幅Weを小さくすることができる。上述した特許文献3に記載された従来の蒸着方法では、新蒸着法の制限板ユニット980に相当する部材が用いられていない。また、蒸着源には、基板の相対移動方向と直交する方向に沿った単一のスロット状の開口から蒸着粒子が放出される。このような構成では、マスク開口に対する蒸着粒子の入射角度は、新蒸着法に比べて大きくなるので、被膜の端縁に有害なボヤケが生じてしまう。以上のように、新蒸着法によれば、基板10に形成される被膜90の端縁のボヤケ部分90eの幅Weを小さくすることができる。従って、新蒸着法を用いて発光層23R,23G,23Bの塗り分け蒸着をすれば、混色の発生を防止することができる。よって、画素ピッチを縮小することができ、その場合には、高精細表示が可能な有機EL表示装置を提供することができる。一方、画素ピッチを変えずに発光領域を拡大してもよく、その場合には、高輝度表示が可能な有機EL表示装置を提供することができる。また、高輝度化のために電流密度を高くする必要がないので、有機EL素子が短寿命化したり損傷したりすることがなく、信頼性の低下を防止できる。しかしながら、本発明者らの検討によれば、新蒸着法を用いて実際に基板10上に被膜90を形成すると、被膜90が所望する位置に形成されないという問題が発生することを見出した。更に、この問題は、蒸着源開口961と制限板981との間のX軸方向における相対的な位置ズレに起因することを見出した。これについて、以下に説明する。図9Aは、蒸着源開口961と制限板981との間で相対的位置ズレが生じていない理想的状態において、基板10に形成された被膜90を示した断面図である。本例では、1つの制限空間982に対して1つの蒸着源開口961が配置されており、X軸方向において、蒸着源開口961は一対の制限板981の中央位置に配置されている。蒸着源開口961から放出された蒸着粒子91のうち、当該蒸着源開口961の真上の制限空間982を通過し、更にマスク開口971を通過した蒸着粒子91が、基板10に付着し被膜90を形成する。図9Bは、蒸着源開口961と制限板981との間にX軸方向の相対的位置ズレが生じた状態において、基板10に形成された被膜90を示した断面図である。本例では、蒸着源開口961に対して制限板981が図9Bの紙面の左方向に位置ズレしている。制限板981が蒸着源開口961及び蒸着マスク970に対して相対的に位置ズレすることにより、図9Aでは形成された被膜90aが形成されず、不所望な位置に被膜90bが形成されている。即ち、被膜90aが被膜90bの位置に位置ズレしている。新蒸着法において、図9Bに示したように、被膜90が所望する位置に形成されないという問題は、制限板981が、各マスク開口971に入射する蒸着粒子91を放出する蒸着源開口961を選択しているからである。上述した蒸着源開口961と制限板981との間のX軸方向における相対的な位置ズレは、例えば、制限板ユニット980を交換した場合に生じうる。上述したように、速度ベクトルのX軸方向成分が大きな蒸着粒子は制限板981に捕捉されるので、時間の経過とともに制限板981の表面には蒸着材料が堆積する。制限板981に堆積した蒸着材料が剥がれて蒸着源960上に落下し再蒸発すると、基板10の不所望な位置に蒸着粒子が付着してしまう。また、制限板981に堆積した蒸着材料が蒸着源開口961上に落下すると、蒸着源開口961が塞がれてしまい、基板10の所望する位置に被膜が形成されない。さらに、蒸着材料の堆積厚みが増大すると、例えば制限空間982のX軸方向間隔が縮小するので、制限板981による蒸着粒子91の所望する選別機能が発揮されなくなる。従って、蒸着材料が付着した制限板ユニット980を新しいものに交換することは新蒸着法では不可避である。新しい制限板ユニット980を取り付ける際に、蒸着源開口961に対する制限板981の位置ズレが生じる可能性がある。また、蒸着源開口961と制限板981との間のX軸方向における相対的な位置ズレは、蒸着源960及び制限板ユニット980がそれぞれ熱膨張することによっても生じうる。蒸着源960は、気化した蒸着材料を蒸着粒子91として蒸着源開口961から放出させるため、高温に維持する必要があり、その熱膨張は避けることができない。また、制限板ユニット980も蒸着源960からの輻射熱により加熱され熱膨張する。更に、蒸着源960と制限板ユニット980とは、材料が異なるため線膨張係数が異なる。その結果、蒸着源開口961に対する制限板981の位置ズレが生じる可能性がある。更に、装置が大型化したり、蒸着源960の温度がより高温に昇温されたり、長期間に渡って連続的に運転したりした場合には、蒸着源開口961と制限板981との間の相対的な位置ズレはより顕著となる。即ち、装置が大型化すると、熱膨張量も大きくなるので、特にX軸方向の端部において、蒸着源開口961と制限板981との間の相対的な位置ズレは大きくなる。また、量産時のスループットを向上させるために成膜速度を上げる場合には、蒸着源960の温度を上昇させる必要があるので、熱膨張量が大きくなり、蒸着源開口961と制限板981との間の相対的な位置ズレは大きくなる。更に、長期間に渡って連続的に運転した場合には、蒸着源960及び制限板ユニット980の温度が上昇下降を繰り返すので、また、制限板ユニット980の交換回数が増えるので、蒸着源開口961と制限板981との間の相対的な位置ズレは大きくなる。本発明者らは、新蒸着法の上記の問題を解決するべく鋭意検討し、本発明を完成するに至った。以下に、本発明を好適な実施形態を用いて説明する。実施形態1図10は、本発明の実施形態1にかかる蒸着装置の基本構成を示した斜視図である。図11は、図10に示した蒸着装置の正面断面図である。蒸着源60と、蒸着マスク70と、これらの間に配置された制限板ユニット80とで蒸着ユニット50を構成する。基板10が、蒸着マスク70に対して蒸着源60とは反対側を一定速度で矢印10aに沿って移動する。以下の説明の便宜のため、基板10の移動方向10aと平行な水平方向軸をY軸、Y軸と垂直な水平方向軸をX軸、X軸及びY軸に垂直な上下方向軸をZ軸とするXYZ直交座標系を設定する。Z軸は基板10の被蒸着面10eの法線方向と平行である。説明の便宜のため、Z軸方向の矢印の側図11の紙面の上側を上側と称する。蒸着源60は、その上面即ち、蒸着マスク70に対向する面に、複数の蒸着源開口61を備える。複数の蒸着源開口61は、X軸方向と平行な直線に沿って一定ピッチで配置されている。各蒸着源開口61は、Z軸と平行に上方に向かって開口したノズル形状を有しており、蒸着マスク70に向かって、発光層の材料となる蒸着粒子91を放出する。蒸着マスク70は、その主面面積が最大である面がXY面と平行な板状物であり、X軸方向に沿って複数のマスク開口71がX軸方向の異なる位置に形成されている。マスク開口71は、蒸着マスク70をZ軸方向に貫通する貫通穴である。本実施形態では、各マスク開口71の開口形状はY軸に平行なスロット形状を有しているが、本発明はこれに限定されない。全てのマスク開口71の形状及び寸法は同じであってもよいし、異なっていてもよい。マスク開口71のX軸方向ピッチは一定であってもよいし、異なっていてもよい。蒸着マスク70は図示しないマスクテンション機構によって保持されることが好ましい。マスクテンション機構は、蒸着マスク70に、その主面と平行な方向に張力を印加することにより、蒸着マスク70に自重によるたわみや伸びが発生するのを防ぐ。蒸着源開口61と蒸着マスク70との間に、制限板ユニット80が配置されている。制限板ユニット80は、X軸方向に沿って一定ピッチで配置された複数の制限板81を備える。複数の制限板81は同一寸法の薄板であり、Y軸及びZ軸に平行な主面を有することが好ましい。X軸方向に隣り合う制限板81間の空間は、蒸着粒子91が通過する制限空間82である。本実施形態では、X軸方向において、隣り合う制限板81の中央に1つの蒸着源開口61が配置されている。従って、蒸着源開口61と制限空間82とが一対一に対応する。但し、本発明はこれに限定されず、1つの蒸着源開口61に対して複数の制限空間82が対応するように構成されていてもよく、あるいは、複数の蒸着源開口61に対して1つの制限空間82が対応するように構成されていてもよい。本発明において、蒸着源開口61に対応する制限空間82とは、蒸着源開口61から放出された蒸着粒子91が通過することができるように設計された制限空間82を意味する。図10及び図11では、蒸着源開口61及び制限空間82の数は8つであるが、本発明はこれに限定されず、これより多くても少なくてもよい。本実施形態では、制限板ユニット80は、略直方体状物または厚板状物に、Z軸方向に貫通する直方体状の貫通孔を、X軸方向に一定ピッチで形成することにより形成されている。各貫通孔が制限空間82となり、隣り合う貫通孔間の隔壁が制限板81となる。但し、制限板ユニット80の製造方法はこれに限定されない。例えば、別個に作成した同一寸法の複数の制限板81を保持体に溶接等で一定ピッチで固定してもよい。制限板81を冷却するための冷却装置、または、制限板81の温度を一定に維持するための調温装置が、制限板ユニット80に設けられていてもよい。参照符号86は、制限板ユニット80の位置をX軸方向に調整補正する位置調整機構である。位置調整機構86としては、制限板ユニット80をX軸方向に手動で移動させることができる例えばネジ機構であってもよいし、モーター等の公知のアクチュエータを含み電気信号により制御される電動機構であってもよい。参照符号85は、制限板81の位置特にX軸方向の位置を測定する制限板センサである。参照符号65は、蒸着源開口61の位置特にX軸方向の位置を測定する蒸着源センサである。制限板センサ85及び蒸着源センサ65は、制限板81及び蒸着源開口61の位置を非接触でそれぞれ測定することができるものが好ましく、例えば赤外線モニタ、CCDモニタ等で構成することができる。X軸方向に並んだ複数の制限板81及び複数の蒸着源開口61のうち、少なくともX軸方向の一方の端の制限板81及び蒸着源開口61の位置を測定することが好ましく、X軸方向の両端の制限板81及び蒸着源開口61の位置を測定することがより好ましく、全ての制限板81及び全ての蒸着源開口61の位置を測定することが特に好ましい。図10では、制限板センサ85及び蒸着源センサ65は、それぞれ1つ設けられているが、それぞれ複数設けられていてもよい。測定しようとする制限板81及び蒸着源開口61の全てを1つの制限板センサ85及び蒸着源センサ65で測定することが好ましい。但し、測定しようとする制限板81及び蒸着源開口61を複数の群に分けて、各群ごとに制限板センサ85及び蒸着源センサ65を1つずつ設けてもよい。蒸着源開口61と複数の制限板81とはZ軸方向に離間しており、且つ、複数の制限板81と蒸着マスク70とはZ軸方向に離間している。蒸着源60、制限板ユニット80、及び、蒸着マスク70の相対的位置は、位置調整機構86による制限板ユニット80の位置調整を除いて、少なくとも塗り分け蒸着を行う期間中は一定である。基板10は、保持装置55により保持される。保持装置55としては、例えば基板10の被蒸着面10eとは反対側の面を静電気力で保持する静電チャックを用いることができる。これにより、基板10の自重による撓みが実質的にない状態で基板10を保持することができる。但し、基板10を保持する保持装置55は、静電チャックに限定されず、これ以外の装置であってもよい。保持装置55に保持された基板10は、移動機構56によって、蒸着マスク70に対して蒸着源60とは反対側を、蒸着マスク70から一定間隔だけ離間した状態で、一定速度でY軸方向に沿って走査移動される。上記の蒸着ユニット50と、基板10と、基板10を保持する保持装置55と、基板10を移動させる移動機構56とは、図示しない真空チャンバ内に収納される。真空チャンバは密封された容器であり、その内部空間は減圧されて所定の低圧力状態に維持される。蒸着源開口61から放出された蒸着粒子91は、制限板ユニット80の制限空間82、蒸着マスク70のマスク開口71を順に通過する。蒸着粒子91は、Y軸方向に走行する基板10の被蒸着面即ち、基板10の蒸着マスク70に対向する側の面10eに付着して被膜90を形成する。被膜90は、Y軸方向に延びたストライプ状となる。被膜90を形成する蒸着粒子91は、必ず制限空間82及びマスク開口71を通過する。蒸着源開口61から放出された蒸着粒子91が、制限空間82及びマスク開口71を通過しないで基板10の被蒸着面10eに到達することがないように、制限板ユニット80及び蒸着マスク70が設計され、更に必要に応じて蒸着粒子91の飛翔を妨げる防着板等図示せずが設置されていてもよい。赤、緑、青の各色別に蒸着材料91を変えて3回の蒸着塗り分け蒸着を行うことにより、基板10の被蒸着面10eに赤、緑、青の各色に対応したストライプ状の被膜90即ち、発光層23R,23G,23Bを形成することができる。制限板81は、図6及び図7に示した新蒸着法における制限板981と同様に、速度ベクトルのX軸方向成分が大きな蒸着粒子91を衝突させ付着させることにより、XZ面への投影図において、マスク開口71に入射する蒸着粒子91の入射角度を制限する。ここで、マスク開口71に対する入射角度は、XZ面への投影図において、マスク開口71に入射する蒸着粒子91の飛翔方向がZ軸に対してなす角度で定義される。その結果、大きな入射角度でマスク開口71を通過する蒸着粒子91が低減する。従って、図8に示したボヤケ部分90eの幅Weが小さくなり、好ましくは厚み漸減部分90eが実質的に発生しなくなるので、ストライプ状の被膜90の両側の端縁のボヤケの発生が大幅に抑制される。その結果、有機EL表示装置において、混色が生じないように発光領域間の非発光領域の幅を大きくする必要がなくなる。よって、高輝度で高精細の表示を実現できる。また、輝度を高めるために発光層の電流密度を高くする必要がなくなるので、長寿命を実現でき、信頼性が向上する。マスク開口71に入射する蒸着粒子91の入射角度を制限するために、本実施形態では制限板81を用いる。制限空間82のX軸方向寸法は大きく、また、そのY軸方向寸法は実質的に任意に設定することができる。これにより、蒸着源開口61から見た制限空間82の開口面積が大きくなるので、制限板ユニット80に付着する蒸着粒子量を少なくすることができ、その結果、蒸着材料の無駄を少なくすることができる。また、制限板81に蒸着材料が付着することによる目詰まりが発生しにくくなるので、長時間の連続使用が可能となり、有機EL表示装置の量産性が向上する。更に、制限空間82の開口面積が大きいので、制限板81に付着した蒸着材料の洗浄が容易であり、保守が簡単となり、生産におけるストップロスが少なく、量産性が更に向上する。本実施形態では、制限板センサ85及び蒸着源センサ65を用いて制限板81及び蒸着源開口61の位置を検出し、両者間に有害なX軸方向の相対的位置ズレが生じていた場合には、位置制御機構86を用いて制限板ユニット80即ち、制限板81のX軸方向位置を補正する。以下に、制限板ユニット80の位置補正を行う本実施形態の蒸着方法を説明する。図12は、本発明の実施形態1にかかる蒸着装置を用いた蒸着方法のフロー図である。最初に、制限板81及び蒸着源開口61の位置を測定するステップS11。制限板81の位置は制限板センサ85を用いて、蒸着源開口61の位置は蒸着源センサ65を用いて、それぞれ測定する。次いで、制限板81及び蒸着源開口61の測定されたそれぞれの位置から、蒸着源開口61に対する制限板81の相対的位置ズレ量を算出するステップS12。ここで、蒸着源開口61に対する制限板81の相対的位置ズレ量とは、蒸着源開口61と、当該蒸着源開口61から放出された蒸着粒子91が通過できるように設計された制限空間82を規定する制限板81との相対的位置の、設計値からのズレ量を意味する。図11に示したように、制限空間82を通過しうる蒸着粒子91は、当該制限空間82の真下に位置するただ1つの蒸着源開口61から放出された蒸着粒子91に限定されるように設計されている場合には、蒸着源開口61に対する、当該蒸着源開口61に最も近い2つの制限板81の相対的位置を求める。この相対的位置の設計値に対する差を、相対的位置ズレ量とすることができる。ステップS11にて全ての制限板81及び全ての蒸着源開口61の位置を測定した場合には、全ての制限板81及び全ての蒸着源開口61について、相対的位置ズレ量を算出することが好ましい。次いで、蒸着源開口61に対する制限板81の相対的位置ズレを補正する必要があるか否かを判断するステップS13。例えば、ステップS12で算出した相対的位置ズレ量を、あらかじめ設定した閾値と比較することで判断することができる。この場合の閾値は、例えば、図9Bで説明したような、必要な被膜90aが形成されない条件、及び/又は、不所望な被膜90bが形成される条件を考慮して設定することができる。ステップS12にて複数の相対的位置ズレ量を算出した場合には、それぞれの相対的位置ズレ量について判断することが望ましい。ステップS13にて相対的位置ズレを補正する必要がないと判断した場合には、後述するステップS16を行う。ステップS13にて相対的位置ズレを補正する必要があると判断した場合には、制限板81の補正量を算出するステップS14。本実施形態では、制限板ユニット80を一体的に移動させる。従って、制限板ユニット80の最適な移動量補正量を算出する。次いで、ステップS13で求めた補正量に基づいて、制限板81のX軸方向位置を補正するステップS15。本実施形態では、位置調整機構86を用いて制限板ユニット80全体をX軸方向に移動させる。次いで、蒸着装置に基板10を投入しステップS16、蒸着を行い、基板10の被蒸着面10eに被膜90を形成するステップS17。被膜90を形成後、蒸着装置から基板10を取り出すステップS18。次いで、制限板ユニット80の交換タイミングか否かを判断するステップS19。上述した新蒸着法の場合と同様に、制限板ユニット80には蒸着材料が付着する。従って、蒸着材料が付着した制限板ユニット80を新しいものと交換する必要がある。交換タイミングであるか否かの判断は、例えば制限板ユニット80上の蒸着材料の堆積厚みを直接測定する方法、制限板ユニット80以外の部材に堆積した蒸着材料量から制限板ユニット80上の蒸着材料の堆積厚みを推定する方法、前回の制限板ユニット80の交換以降の総蒸着時間等から制限板ユニット80上の蒸着材料の堆積厚みを推定する方法等により求めた蒸着材料の堆積厚みを、所定の閾値と比較することにより行うことができる。ステップS19にて制限板ユニット80の交換タイミングであると判断した場合には、制限板ユニット80を交換しステップS20、ステップS11に戻る。従って、その後の蒸着に先だって、制限板ユニット80の交換や温度変化等による蒸着源開口61に対する制限板81の相対的位置ズレ量が測定され、必要に応じてこれが補正される。ステップS19にて制限板ユニット80の交換タイミングでないと判断した場合には、制限板ユニット80を交換することなく、ステップS11に戻る。従って、その後の蒸着に先だって、温度変化等による蒸着源開口61に対する制限板81の相対的位置ズレ量が測定され、必要に応じてこれが補正される。以上のように、本実施形態によれば、基板10に蒸着を行うのに先立って、蒸着源開口61に対する制限板81の相対的位置ズレ量を算出することにより制限板81のX軸方向位置の補正の要否を判断しステップS13、補正要の場合には制限板ユニット80のX軸方向位置を補正するステップS15。従って、制限板ユニット80の交換や制限板ユニット80と蒸着源60との間の熱膨張量差によって蒸着源開口61に対して制限板81がX軸方向に位置ズレしても、蒸着前に当該位置ズレは補正されるので、基板10の所望する位置に被膜90を常に安定的に成膜することができる。上記の図12に示したフローは一例であって、適宜変更することができる。例えば、図12において、ステップS19にて制限板ユニット80の交換タイミングでないと判断した場合、ステップS11ではなく、ステップS16に戻ってもよい。これは、例えば、制限板ユニット80を交換しない場合には、温度変化が生じず、したがって蒸着源開口61に対する制限板81の相対的位置が変化しないと推定できる場合に適用することができる。上記の図12では、基板10に蒸着を行うステップS17前に、制限板81の位置補正の要否を判断しステップS13、補正要の場合には制限板ユニット80の位置を補正したステップS15。これに代えて、または、これに加えて、基板10に蒸着を行っている間中、蒸着源開口61に対する制限板81の相対的位置を継続的に測定し、制限板81のX軸方向位置補正の要否判断を行い、制限板81の位置補正が必要と判断された場合には、制限板ユニット80の位置補正を行ってもよい。この方法によれば、蒸着中の温度変化等により蒸着源開口61に対して制限板81が位置ズレした場合でも、直ちに当該位置ズレを補正することができるので、被膜の形成精度が更に向上する。但し、制限板81及び蒸着源開口61の位置を測定し、補正の要否を判断し、必要な補正量を算出し、制限板ユニット80を移動させるという一連の工程を高速且つ高精度に行う必要があるので、制御装置の複雑化、装置コストの上昇等を招く可能性がある。上記の図10及び図11に示した蒸着装置において、制限板センサ85及び蒸着源センサ65を省略することができる。この場合には、制限板81のX軸方向位置の補正の要否を判断するために、基板10に蒸着する前に、チェック用基板に対する試し蒸着を行う。これを以下に説明する。図13は、制限板センサ85及び蒸着源センサ65を省略した本実施形態1にかかる蒸着装置を用いた蒸着方法のフロー図である。最初に、蒸着源開口61に対する制限板81の位置ズレをチェックするタイミングか否かを判断するステップS31。判断は、例えば、蒸着装置の立ち上げ直後か否か、制限板ユニット80の交換の有無、蒸着条件例えば蒸着源60の温度条件等の変更の有無、前回の位置ズレチェックからの経過時間等に基づいて行うことができる。ステップS31にて、制限板81の位置ズレをチェックする必要ありと判断した場合には、蒸着装置にチェック用基板を投入しステップS32、チェック用基板に蒸着試し蒸着を行いステップS33、蒸着装置からチェック用基板を取り出すステップS34。チェック用基板は、基板10と同一条件で蒸着できるものが好ましい。例えばTFT基板や、その被蒸着面に所定のパターンが形成された基板等を用いると、後述するステップS35での被膜の評価が容易になるので好ましい。次いで、チェック用基板に形成された被膜を評価するステップS35。例えば、被膜の所望する形成位置に対する、被膜の実際の形成位置のズレ量等を求めることができる。次いで、ステップS35での評価結果に基づいて、蒸着源開口61に対する制限板81の相対的位置ズレを補正する必要があるか否かを判断するステップS36。例えば、図9Bから理解できるように、チェック用基板に形成された被膜が所望位置からX軸方向に位置ズレしていた場合、当該位置ズレの原因は、蒸着源開口61に対して制限板81が相対的に位置ズレしていることにあると推測することができる。従って、ステップS35で求めた被膜の位置ズレ量を、あらかじめ設定した閾値と比較することで、制限板81の位置ズレの補正の要否を判断することができる。ステップS36にて相対的位置ズレを補正する必要がないと判断した場合には、後述するステップS39を行う。ステップS36にて相対的位置ズレを補正する必要があると判断した場合には、制限板81の補正量を算出するステップS37。本実施形態では、制限板ユニット80を一体的に移動させる。従って、制限板ユニット80の最適な移動量補正量を算出する。次いで、ステップS37で求めた補正量に基づいて、制限板81のX軸方向位置を補正するステップS38。本実施形態では、位置調整機構86を用いて制限板ユニット80全体をX軸方向に移動させる。次いで、蒸着装置に基板発光層23R,23G,23Bを形成すべき基板10を投入しステップS39、蒸着を行い、基板10の被蒸着面10eに被膜90を形成するステップS40。被膜90を形成後、蒸着装置から基板10を取り出すステップS41。次いで、制限板ユニット80の交換タイミングか否かを判断するステップS42。この判断は、図12に示したフローのステップS19と同様にして行うことができる。ステップS42にて制限板ユニット80の交換タイミングであると判断した場合には、制限板ユニット80を交換しステップS43、ステップS31に戻る。ステップS42にて制限板ユニット80の交換タイミングでないと判断した場合には、制限板ユニット80を交換することなく、ステップS31に戻る。以上のように、図13に示したフローによれば、制限板センサ85及び蒸着源センサ65を省略することができるので、蒸着装置の構成が簡単となり、装置コストや蒸着コストを低減することができる。但し、制限板81のX軸方向位置の補正の要否を判断するためにチェック用基板に対して試し蒸着をする必要があるので、図12に示したフローに比べると、制限板81の位置補正の要否判断ための作業が煩雑である。従って、1つの基板10に対する蒸着ごとに、補正の要否判断を行うことは、量産時のスループットを低下させるので現実的ではない。従って、被膜の位置精度の観点からは、図13のフローに比べて、図12のフローが好ましい。以上のように、本実施形態1によれば、蒸着源60と蒸着マスク70との間に制限板ユニット80を備えるので、図5及び図6に示した新蒸着法と同様に、被膜90の端縁のボヤケ部分90eの幅We図8参照を小さくすることができる。更に、蒸着源開口61に対する制限板81のX軸方向位置の補正の要否を判断し、補正要の場合には制限板ユニット80のX軸方向位置を補正するので、基板10上の所望する位置に被膜90を安定的に形成することができる。例えば、制限板ユニット80を交換した場合、蒸着源開口61に対して制限板81が位置ズレする可能性がある。このような場合であっても、基板10に蒸着を行う前に、当該位置ズレを補正することができるので、蒸着装置のメインテナンスによる生産性や良品率の低下を少なくすることができる。また、蒸着装置を大型化した場合、熱膨張量が大きくなるので、蒸着源開口61に対する制限板81の位置ズレ量も大きくなりやすい。そのような場合であっても、本発明は当該位置ズレを補正できるので、大型の蒸着装置に好ましく適用することができる。実施形態2図14は、本発明の実施形態2にかかる蒸着装置の、基板10の走行方向と平行な方向に沿って見た正面断面図である。図14において実施形態1にかかる蒸着装置を示した図10及び図11に示された部材と同じ部材には同じ符号が付されており、それらについての説明を省略する。以下に、実施形態1と異なる点を中心に本実施形態2を説明する。本実施形態2では、制限板ユニット80が制限板トレイ88上に載置されている。位置調整機構86は、制限板トレイ88の位置をX軸方向に調整補正する。制限板トレイ88は、制限板ユニット80の複数の制限空間82が形成された領域と対向する領域が開口した略矩形枠形状を有している。図14に示されているように、制限板トレイ88の各辺は、Z軸に略垂直な載置面88aと、Z軸に略平行な周囲壁88bとを備えた略L字状断面形状を有している。裁置面88aには、位置決めピン88pがZ軸と平行に上方に向かって立設されている。制限板ユニット80には、位置決めピン88pが貫入される位置決め孔80hが形成されている。位置決めピン88p及び位置決め孔80hは、それぞれ少なくとも2つ以上形成されていることが好ましい。制限板トレイ88の周囲壁88bで囲まれた領域内に制限板ユニット80を落とし込むと、位置決めピン88pが位置決め孔80hに嵌入する。これにより、制限板ユニット80は、制限板トレイ88に対してX軸方向及びY軸方向に位置決めされる。また、制限板ユニット80は、裁置面88aと接触することにより、制限板トレイ88に対してZ軸方向に位置決めされる。位置調整機構86が制限板トレイ88のX軸方向の位置を調整補正すると、制限板トレイ88上に搭載された制限板ユニット80のX軸方向の位置を調整補正することができる。本実施形態2は、上記を除いて実施形態1と同じである。実施形態1で説明したように、蒸着源開口61に対する制限板81のX軸方向位置の補正の要否を判断し、補正要の場合には制限板ユニット80のX軸方向位置を補正する図12、図13参照。従って、実施形態1と同様の効果を奏する。本実施形態では、制限板ユニット80は、制限板トレイ88上に正確に位置決めされて載置されているだけであり、且つ、位置調整機構86は制限板トレイ88に取り付けられている。従って、制限板ユニット80に位置調整機構86が取り付けられていた実施形態1に比べて、制限板ユニット80の交換を短時間で簡単に行うことができる。これにより、量産時のスループットやメインテナンス性が向上する。また、スループットを低下させることなく制限板ユニット80の交換頻度を上げることが可能となるので、常に蒸着材料の付着量が少ない制限板ユニット80を使用することができる。従って、制限板ユニット80に堆積した蒸着材料が蒸着源60又は蒸着源開口61上に落下したり、制限空間82の開口寸法が狭まったりすることがなく、高精度の蒸着を安定的に行うことができる。また、本実施形態によれば、制限板ユニット80の交換の際には、新しい制限板ユニット80を制限板トレイ88上に載置するだけで、制限板ユニット80を制限板トレイ88に対して正確に位置決めすることができる。従って、実施形態1に比べて、制限板ユニット80の交換による、蒸着源開口61に対する制限板81の位置ズレは生じにくい。従って、制限板ユニット80の交換後に制限板ユニット80の位置ズレを補正する頻度や時間を少なくすることができる。その結果、量産時のスループットが向上する。なお、図14では、制限板トレイ88に対して制限板ユニット80を位置決めする構造として、位置決めピン88pを位置決め孔80hに嵌入させる構造を用いたが、本発明はこれに限定されない。例えば、制限板ユニット80の外周面及び制限板トレイ88の周囲壁88bのいずれか一方に形成した突起を他方に当接させることにより、位置決めしてもよい。実施形態3図15は、本発明の実施形態3にかかる蒸着装置を構成する制限板ユニット80の平面図である。図16は、本実施形態3にかかる蒸着装置の、基板の走行方向と平行な方向に沿って見た正面断面図である。図15及び図16において実施形態1にかかる蒸着装置を示した図10及び図11に示された部材と同じ部材には同じ符号が付されており、それらについての説明を省略する。以下に、実施形態1と異なる点を中心に本実施形態3を説明する。本実施形態3では、制限板ユニット80が、複数のユニット部品83に分割されている。複数のユニット部品83は同一仕様であり、それぞれはX軸方向に沿って所定ピッチで配置された複数の制限板81を備える。X軸方向に隣り合う制限板81間の空間は、蒸着粒子91が通過する制限空間82である。複数のユニット部品83は、X軸方向に配置されている。複数のユニット部品83のそれぞれの位置をX軸方向に独立して調整補正することができるように、複数のユニット部品83に一対一に対応して複数の位置調整機構87が設けられている。位置調整機構87は、実地形態1の位置調整機構86と同様に、ユニット部品83をX軸方向に手動で移動させることができる例えばネジ機構であってもよいし、モーター等の公知のアクチュエータを含み電気信号により制御される電動機構であってもよい。各ユニット部品83のX軸方向位置を独立して補正するために、X軸方向に隣り合うユニット部品83間には隙間83gが形成されている。隙間83gの間隔は、ユニット部品83のX軸方向位置を補正できれば十分であり、狭い。従って、蒸着粒子91は隙間83gを通過してマスク開口71に入射することはできない。1つ又は複数の制限板センサ85を用いて、複数のユニット部品83の全ての制限板81の位置を測定することが好ましい。本実施形態3は、上記を除いて実施形態1と同じである。実施形態1で説明したように、蒸着源開口61に対する制限板81のX軸方向位置の補正の要否を判断し、補正要の場合には複数のユニット部品83のそれぞれのX軸方向位置を独立して補正する。従って、制限板ユニット80の全体をX軸方向に移動させて補正する実施形態1に比べて、本実施形態3では、蒸着源開口61に対する制限板81の位置ズレをユニット部品83ごとに補正することができるので、より高精度な位置補正を行うことができる。従って、基板10に形成される被膜90の位置ズレを更に低減することができる。図15及び図16では、1つのユニット部品83に2つの制限空間82が形成されていたが、1つのユニット部品83に形成される制限空間82の数は、これより少なくても多くてもよい。1つのユニット部品83がただ1つの制限空間82のみを含むように制限板ユニット80を複数のユニット部品83に分割すると、より高精度の位置補正を行うことができる。あるいは、ユニット部品83ごとに位置補正を行うことの煩雑さを低減するために、1つのユニット部品83が3つ以上の制限空間82を含むように制限板ユニット80を複数のユニット部品83に分割してもよい。図15及び図16では、制限板ユニット80を複数のユニット部品83に分割するための分割位置は、制限板81に設けられていたが、本発明はこれに限定されず、制限空間82に設けられてもよい。例えば、1つのユニット部品83がただ1つの制限板81のみを含むように、X軸方向に隣り合う制限板81の間の領域で制限板ユニット80を分割してもよい。この場合、位置調整機構87でユニット部品83のX軸方向位置を補正することにより、制限空間82のX軸方向の開口幅を調整することができる。この構成でも、蒸着源開口61に対する制限板81のX軸方向位置ズレを制限板81ごとに補正することができるので、より高精度の位置補正を行うことができる。図15及び図16では、位置調整機構87はユニット部品83に直接取り付けられていた。しかしながら、例えば、実施形態2と同様に、複数のユニット部品83を、ユニット部品83に一対一に対応するように分割された複数の制限板トレイ上にそれぞれ載置し、複数の制限板トレイのそれぞれに位置調整機構87を取り付けてもよい。ユニット部品83を制限板トレイに対して位置決めするための位置決め構造が、ユニット部品83及び/又は制限板トレイには設けられることが好ましい。このような構成では、実施形態2で説明したように、ユニット部品83の交換を短時間で簡単に行うことができる。また、複数のユニット部品83が同一仕様であることにより、ユニット部品83のX軸方向における配置順序は任意であるので、交換されるユニット部品83の数が増えても交換作業が煩雑になることはない。更に、制限空間82貫通穴が形成されていない以外は同一仕様のダミーユニット部品を作成し、例えば基板10の幅X軸方向寸法が小さい場合には、X軸方向の両端にダミーユニット部品を配置することにより、簡単に蒸着幅を狭くすることができる。上記の例では、複数のユニット部品83は全て同一仕様であったが、本発明はこれに限定されず、複数のユニット部品83の一部が他と仕様が異なっていてもよい。上記の実施形態1~3は例示に過ぎない。本発明は、上記の実施形態1~3に限定されず、適宜変更することができる。上記の実施形態では、蒸着源開口61に対する制限板81のX軸方向の位置ズレを補正した。これは、上述したように制限板81がX軸方向に位置ズレすると、所望する位置に被膜が形成されなかったり、不所望な位置に被膜が形成されたりする問題を解消するためである。本発明では、制限板81及び制限空間82を含む制限板ユニット80の位置ズレに対する許容範囲は、X軸方向に比べてY軸方向において格段に広い。しかしながら、本発明では、制限板81のY軸方向の位置ズレを補正する位置調整機構を更に備えていてもよい。蒸着源開口61に対する制限板81のY軸方向の位置ズレを補正することにより、制限板ユニット80に捕捉される蒸着材料の量を少なくすることができるので、蒸着材料の利用効率を改善することができる。あるいは、制限板81のXY面内での回転方向のズレを補正する回転位置調整機構を更に備えていてもよい。制限板81がXY面内での回転ズレを有していると、その回転ズレによって制限板81の少なくとも一部はX軸方向に位置ズレし、上述の問題が生じる。制限板81の回転ズレを補正する回転位置調整機構を設けることにより、回転ズレに起因する制限板81のX軸方向の位置ズレを補正することができる。制限板81のY軸方向の位置ズレや回転ズレの検出及び補正は、実施形態1で説明した図12又は図13と同様に行うことができる。Y軸方向の位置調整機構や回転位置調整機構は、実施形態1と同様に制限板ユニット80に直接取り付けてもよいし、実施形態2と同様に制限板ユニット80を搭載する制限板トレイに取り付けてもよい。更に、実施形態3と同様に、分割された複数のユニット部品83のそれぞれのY軸方向の位置ズレや回転ズレをユニット部品83ごとに独立して補正してもよい。基板10のX軸方向寸法が大きい場合には、上記の各実施形態に示した蒸着ユニット50をX軸方向位置及びY軸方向位置を異ならせて複数個配置してもよい。上記の実施形態1~3では、不動の蒸着ユニット50に対して基板10が移動したが、本発明はこれに限定されず、蒸着ユニット50及び基板10のうちの一方を他方に対して相対的に移動させればよい。例えば、基板10の位置を一定とし、蒸着ユニット50を移動させてもよく、あるいは、蒸着ユニット50及び基板10の両方を移動させてもよい。上記の実施形態1~3では、蒸着ユニット50の上方に基板10を配置したが、蒸着ユニット50と基板10との相対的位置関係はこれに限定されない。例えば、蒸着ユニット50の下方に基板10を配置してよく、あるいは、蒸着ユニット50と基板10とを水平方向に対向して配置してもよい。"