基板上に形成された第1導電型の第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上に形成され、光を生成する活性層と、前記活性層上に形成された第2導電型の第2のクラッド層とを備え、前記第2のクラッド層の上部は、前端面と後端面とを結ぶ方向に延び、電流注入領域となるリッジ部と、前記リッジ部の側方に第1の溝を挟んで配置された第1のウイング部と、前記リッジ部の前記第1のウイング部とは逆の側方に第2の溝を挟んで配置された第2のウイング部とを構成しており、前端面側領域における前記リッジ部の幅は、前記前端面側領域を除く領域のうち第1の領域における前記リッジ部の幅よりも大きく、前記前端面側領域における前記リッジ部と前記第1のウイング部との間隔は、前記第1の領域における前記リッジ部と前記第1のウイング部との最小間隔よりも大きく、前記前端面側領域における前記リッジ部と前記第2のウイング部との間隔は、前記第1の領域における前記リッジ部と前記第2のウイング部との最小間隔よりも大きい半導体レーザ装置。請求項1に記載の半導体レーザ装置において、前記前端面側領域では、前記リッジ部の幅は、前記光の横モ-ドが単一となるカットオフ幅よりも大きく、前記第1の領域では、前記リッジ部の幅は、前記カットオフ幅よりも小さいことを特徴とする半導体レーザ装置。請求項1または2に記載の半導体レーザ装置において、前記前端面側領域における前記リッジ部の幅をWR1、前記第1の領域における前記リッジ部の幅をWR2、前記前端面側領域における前記リッジ部と前記第1のウイング部との間隔をW1、前記第1の領域における前記リッジ部と前記第1のウイング部との最小間隔をW3、前記前端面側領域における前記リッジ部と前記第2のウイング部との間隔をW2、前記第1の領域における前記リッジ部と前記第2のウイング部との最小間隔をW4とするとき、W3<1.4×WR1-WR2/2、且つW1>1.4×WR1-WR1/2、及びW4<1.4×WR1-WR2/2、且つW2>1.4×WR1-WR1/2の条件を満たすことを特徴とする半導体レーザ装置。請求項1~3のうちいずれか1つに記載の半導体レーザ装置において、前記第1の領域は、後端面側領域であることを特徴とする半導体レーザ装置。請求項4に記載の半導体レーザ装置において、前記前端面側領域と前記後端面側領域の間には第2の領域が設けられており、前記第2の領域では、前記前端面側から前記後端面側に向かうにつれて前記リッジ部の幅が小さくなるように、前記リッジ部が平面視においてテーパー状に形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。請求項5に記載の半導体レーザ装置において、前記後端面側領域から前記第2の領域の一部に至る領域における前記第1のウイング部の幅は、前記前端面側領域における前記第1のウイング部の幅よりも大きく、前記後端面側領域から前記第2の領域の一部に至る領域における前記第2のウイング部の幅は、前記前端面側領域における前記第2のウイング部の幅よりも大きいことを特徴とする半導体レーザ装置。請求項4~6のうちいずれか1つに記載の半導体レーザ装置において、前記後端面側領域では、前記第1のウイング部と前記リッジ部との間隔が繰り返し大小に変化し、且つ前記第2のウイング部と前記リッジ部との間隔が繰り返し大小に変化することを特徴とする半導体レーザ装置。請求項7に記載の半導体レーザ装置において、前記後端面側領域では、前記第1のウイング部の前記リッジ部に面した側面に第1の凹部と第1の凸部とが交互に繰り返し形成されており、前記第1の凸部における前記第1のウイング部と前記リッジ部との間隔と、前記第1の凹部における前記ウイング部と前記リッジ部との間隔との差は1μm以上であり、且つ、前記第2のウイング部の前記リッジ部に面した側面に第2の凹部と第2の凸部とが交互に繰り返し形成されており、前記第2の凸部における前記第2のウイング部と前記リッジ部との間隔と、前記第2の凹部における前記ウイング部と前記リッジ部との間隔の差は1μm以上であることを特徴とする半導体レーザ装置。請求項1~3のうちいずれか1つに記載の半導体レーザ装置において、前記第1の領域は、前記前端面側領域と後端面側領域との間に設けられた中間領域であることを特徴とする半導体レーザ装置。請求項9に記載の半導体レーザ装置において、前記後端面側領域における前記リッジ部の幅は、前記中間領域における前記リッジ部の幅より大きく、前記後端面側領域における前記リッジ部と前記第1のウイング部との間隔は、前記中間領域における前記リッジ部と前記第1のウイング部との最小間隔よりも大きく、前記後端面側領域における前記リッジ部と前記第2のウイング部との間隔は、前記中間領域における前記リッジ部と前記第2のウイング部との最小間隔よりも大きいことを特徴とする半導体レーザ装置。近年の光ディスクシステムの大容量化の進展によりCDやDVDよりもさらに大容量の記録を可能にするBD光ディスクシステムの市場が立ち上がり、波長405nm帯の青紫レーザ光を得ることが可能な窒化物材料系の半導体レーザが実用化されている。このような市場動向において、CD、DVDに加えてBD用の光ディスクの記録、再生が可能な3波長対応の光ディスクシステムの需要が高まっている。3波長光ディスクシステムにおいては、光ピックアップの組み立て精度が最も高いレベルで要求されるBD用光ディスクシステムの光学系の設計を優先することが多く、赤色レーザや赤外レーザの光ディスクシステム光学系におけるレーザ光の利用効率は、従来の光ディスクシステムと比較して、低くなっている。さらに、2波長光ディスクシステムの大型化を招かないためには、光学系の部品配置の設計精度も厳しくなり、3波長光ディスクシステムに使用される赤色レーザ、赤外レーザのレーザ光放射パターン遠方放射パターン:FFPの形状やビームの出射方向光軸は、低出力から高出力動作時まで、及び低温から高温動作時においても可能な限り一定となることが要望されている。この理由は、FFP形状や光軸の変化が大きいと、光ディスクシステムの光学系において設置された光出力をモニターする受光素子への光の入射光強度の変動につながり、温度変動に対し安定した光出力動作を得ることが困難となるからである。光ディスクシステムの小型化のためには、光出力モニター用受光素子の小型化や設置位置の制限がより厳しくなる。従って、3波長光ディスクシステムにおいて、赤色レーザや赤外レーザの光軸やFFP形状は、温度や光出力の変化に対して、より安定且つ、形状乱れのない単峰性に優れた特性を示すことが要望されている。さらに、3波長光ディスクシステムでは前述のように、赤色レーザ、赤外レーザの光の利用効率が低くなるため、更なる高温高出力動作とキンク発生の抑制、低電圧動作が要望されている。また、ハードディスクドライブ以下HDD分野においても、更なる記録密度の向上のため、熱アシストを用いた記録方式により、記録密度を飛躍的に向上することができることが見出されており、この熱源として、小型で且つ高い光出力と信頼性を有する赤外レーザが求められている。このような分野においては、レーザで記録ディスクを加熱する際に80mW強の光出力が必要である。さらに、データを読み書きするスライダー内にレーザ素子を実装する必要がある。このため共振器長300μm程度の短共振器長のレーザ素子において、80mW以上の高い光出力が必要となる。従って、HDD用レーザには光ディスクシステム用途のレーザよりも、短い共振器長において高温高出力動作とキンク発生の抑制、低電圧動作が求められている。これに対し、特許文献1に開示される従来のテーパーストライプ構造では、ストライプ幅が変化することで、高次横モードの抑制を行っている。この場合、ストライプ幅が変化する領域と、高次横モードを抑制する幅の狭い領域を長くする必要がある。その結果、高温高出力動作時における高次横モード発振の抑制効果を得るためには、ストライプ面積が縮小してしまう。つまり、高温高出力動作時における光軸の不安定化やFFP形状の乱れを抑えると、動作電圧が上昇してしまう。逆に低動作電圧を実現しようとすると、高温高出力動作時における光軸の不安定化やFFP形状の乱れが発生してしまう。本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、高温高出力動作時においても、キンクの発生を抑え、共振器長が比較的短い場合であっても低動作電流、低動作電圧を実現でき、光軸が安定し、FFP形状の乱れの少ない半導体レーザ装置を提供することを目的とする。本発明の実施形態の一例に係る半導体レーザ装置は、基板上に形成された第1導電型の第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上に形成され、光を生成する活性層と、前記活性層上に形成された第2導電型の第2のクラッド層とを備えている。さらに、前記第2のクラッド層の上部は、前端面と後端面とを結ぶ方向に延び、電流注入領域となるリッジ部と、前記リッジ部の側方に第1の溝を挟んで配置された第1のウイング部と、前記リッジ部の前記第1のウイング部とは逆の側方に第2の溝を挟んで配置された第2のウイング部とを構成している。前端面側領域における前記リッジ部の幅は、前記前端面側領域を除く領域のうち第1の領域における前記リッジ部の幅よりも大きく、前記前端面側領域における前記リッジ部と前記第1のウイング部との間隔は、前記第1の領域における前記リッジ部と前記第1のウイング部との最小間隔よりも大きく、前記前端面側領域における前記リッジ部と前記第2のウイング部との間隔は、前記第1の領域における前記リッジ部と前記第2のウイング部との最小間隔よりも大きい。この構成においては、前端面側領域におけるリッジ部の幅が第1の領域におけるリッジ部の幅より大きくなっているので、光密度が高くなる前端面側領域内のリッジ部の光密度を低減できる。そのため、動作電圧を低減でき、光が出射する前端面部分の溶融破壊を起こりにくくすることができる。さらに、第1の領域内でリッジ部の幅を小さくするとともに、リッジ部とウイング部との間隔すなわち溝幅を前端面側領域におけるリッジ部とウイング部との間隔より小さくすることで、高次横モード光を効果的に減衰させることができる。また、光軸の不安定化やFFP形状の乱れも低減することができる。従って、上述の構成によれば、高温高出力動作時においても、キンクの発生を抑え、共振器長が比較的短い場合であっても低動作電流、低動作電圧を実現でき、光軸が安定し、FFP形状の乱れの少ない半導体レーザ装置を実現することができる。前端面側領域で発振したレーザ光の基本横モード光及び高次横モード光は、リッジ幅が広いので、リッジ部と溝領域との屈折率差Δnによりリッジ部内に閉じ込められる。また、発振した高次横モード光はリッジ部外にも存在しうる。リッジ部外に存在している高次横モード光は、ウイング部に入射すると、反射して再びリッジ部に入射する成分と、屈折してウイング部内を導波する成分とに分かれる。ウイング部で反射した高次横モード光がリッジ部で基本モード光と結合すると、FFP形状の変形や光軸の変動が生じてしまう。これに対し、上述の構成では、前端面側領域でリッジ部とウイング部との間隔を広くとっているので、FFP形状の変形や光軸の変動を低減することができる。一方、第1の領域ではリッジ幅が小さくなっていることで、高次横モード光がリッジ部内を導波しにくく、高次横モード光は、リッジ部外へのしみ出し量を増大させながら伝播する。また、前端面側領域同様、リッジ外にしみ出した高次横モード光は、ウイング部と溝領域との境界で反射する成分と、当該境界で屈折し、ウイング部内に伝播する成分とに分けられる。ここで、第1の領域では高次横モード光は導波しにくくなっているため、ウイング部で反射し、再びリッジ部に入射しても基本モード光に影響を及ぼさない。従って、第1の領域において、ウイング部とリッジ部との間隔を小さくし、ウイング部内へ伝播する高次横モード光の量を増大させることで、第1の領域内のリッジ部で効率的に高次横モード光のみを減衰させることができる。また、上述の構成によれば、ウイング部を利用して高次横モード光を減衰させるので、リッジ部のうち、高次横モード光を抑制するために設けている第1の領域内に設けられた部分の長さを短くすることができ、高温高出力動作時のキンク発生を抑制しつつFFP形状の乱れや光軸変動を抑制し、素子抵抗の低減を併せて実現することが可能となる。なお、上記の構成において、前記前端面側領域では、前記リッジ部の幅を、前記光の横モ-ドが単一となるカットオフ幅よりも大きくし、前記第1の領域では、前記リッジ部の幅を、前記カットオフ幅よりも小さくすることにより、リッジ部のうち第1の領域内に設けられた部分内で高次横モード光が伝搬できなくなるので、より確実に高次横モード光を減衰させることが可能となる。本発明の一例によれば、高温高出力動作時においても、キンクの発生を抑え、共振器長が比較的短い場合であっても低動作電流、低動作電圧を実現でき、光軸が安定し、FFP形状の乱れの少ない半導体レーザ装置を実現することができる。実施形態以下、本発明の実施形態の一例に係る半導体レーザ装置について、図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置を示す断面図である。同図は、半導体レーザ装置において、光出射端面に平行な断面を示している。半導体レーザ装置は、n型GaAs基板10と、n型GaAs基板10の上面上に順に形成された、n型GaAsからなるn型バッファ層11、n型AlGaInPからなるn型クラッド層12、量子井戸構造を有する活性層13、p型AlGaInPからなるp型クラッド層14、p型GaInPからなる保護層15、及びp型GaAsからなるp型コンタクト層16を備えている。n型バッファ層11の膜厚は例えば0.5μmであり、n型クラッド層12の膜厚は例えば2.0μmであり、保護層15の膜厚は例えば50nmであり、p型コンタクト層16の膜厚は例えば0.4μmである。p型クラッド層14のうち後述のリッジ部30を構成する部分の膜厚は例えば1.2μmで、溝32が形成された部分の膜厚は例えば0.2μmである。また、n型GaAs基板10の裏面上にはAuなどからなるn側電極21が形成されている。ここで、p型コンタクト層16、保護層15、及びp型クラッド層14の上部はストライプ状に延び、電流注入領域となるリッジ部30を構成している。リッジ部30は、半導体レーザ装置の前端面と後端面とを結ぶ方向共振器方向に延びている。リッジ部の両側方には、それぞれ溝32を挟んでp型コンタクト層16、保護層15、及びp型クラッド層14の上部で構成されたウイング部31が形成されている。溝32は、p型コンタクト層16からp型クラッド層14の内部にまで形成されている。リッジ部30の側面を含む溝32の内面上、及びウイング部31内のp型コンタクト層16上には例えばSiNからなる電流ブロック層17が形成されている。該電流ブロック層17には、リッジ部30の上面上の位置に、電流注入のための開口が形成されている。また、p型コンタクト層16上及び電流ブロック層17上にはAuなどからなるp側電極20が形成されている。p側電極20は、電流ブロック層17の開口内でp型コンタクト層16に接している。この構造により、レーザを駆動するための電流は、p側電極20と、n側電極21とを通して流すことができる。なお、p型クラッド層14において、リッジ部30を構成する部分の上端から活性層13に達するまでの距離は例えば1.2μmであり、リッジ部30の下端から活性層13に達するまでの距離dp1は0.2μmである。また、図1に示すように、活性層13は、下から順に設けられたガイド層13g1、バリア層13b1、ウェル層13W1、バリア層13b2、ウェル層13W2、バリア層13b3、ガイド層13g2を有している。ウェル層13W1、13W2はGaAsからなり、バリア層13b1、13b2、13b3はAlGaAsからなり、ガイド層13g1、13g2はAlGaAsからなっている。すなわち、活性層13は、ウェル層の上下をバリア層が挟み、複数のウェル層及びバリア層全体の上下をガイド層が挟むように形成されている。以上の構造において、p型コンタクト層16から注入された電流は、電流ブロック層17によりリッジ部30のみに狭窄されて流れ、活性層13のうちリッジ部30下方に位置する部分に集中して注入されることになる。この結果、レーザ発振に必要なキャリアの反転分布状態が数十mA程度の小さい注入電流によって実現される。活性層13に注入されたキャリアの再結合によって生成された光は、活性層13に対して垂直な方向については、n型クラッド層12及びp型クラッド層14によって閉じ込められる。これと共に、活性層13に対して水平な方向についての光閉じ込めは、p型クラッド層14と、p型クラッド層14よりも低い屈折率を有する電流ブロック層17とによって行なわれる。また、電流ブロック層17は、レーザ発振光に対して透明であるので光吸収がほとんど無く、低損失の導波路を実現することができる。さらに、ストライプ状のリッジ部30内外の実効屈折率差Δnについては、dp1リッジ部30の下端から活性層13に達するまでの距離の大きさを制御することによって103のオーダーをもって精密に制御することができる。このように、本実施形態の半導体レーザ装置は、光分布を精密に制御することが可能であると共に、低動作電流である高出力半導体レーザとなっている。ここで、図2は、本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置のリッジ部30及びウイング部31の構造を示す平面図である。同図では、リッジ部30及びウイング部31の構造を理解しやすいように、p側電極20及び電流ブロック層17は示されていない。図2において、上方が共振器の前端面方向光の出射方向であり、下方が共振器の後端面方向である。本実施形態の半導体レーザ装置においては、前端面と後端面には、前端面の反射率をRf、後端面の反射率をRrとするとRf<Rrとなるように誘電体膜図示せずがコーティングされている。具体的には、共振器の前端面における光の反射率が7、後端面における光の反射率が94となるように、誘電体膜によるコーティングが行なわれている。一般的に、高出力レーザでは、通常前端面の反射率Rfは10以下の低反射率、後端面の反射率は75以上の高反射率となるように誘電体膜をコーティングする。これは、前端面側での光取り出し効率を向上させ、且つ前端面内部での光密度を低減し、レーザ光の出射端面が溶融破壊CODする光出力レベルを向上させるためである。このとき、導波路の共振器方向の光密度は、前端面側の方が後端面側よりも高く、レーザ発振のために消費される活性層のキャリア数は、前端面側でより多く必要となる。そのため、電流の注入としては、共振器内部の光密度が相対的に高い前端面側により多くの電流を注入したほうが、電流-光出力特性でのスロープ効率を向上させ、温度特性に優れた素子を得ることができる。ここで、スロープ効率とは、単位電流注入量ΔI当たりの光出力の増大量ΔP、ΔP/ΔIを意味する。このため、図2に示すように、本実施形態の半導体レーザ装置では、前端面側のリッジ部30の幅ストライプ幅が大きく、後端面側のリッジ部30の幅が前端面側の幅よりも小さくなっている。これにより、リッジ部30の前端面側には後端面側よりも多くの電流を注入することが可能となっている。具体的には、ストライプ状のリッジ部30は、前端面側領域41内に設けられ、長さがL1で幅がWR1の部分30aと、後端面側領域43内に設けられ、長さがL3で幅がWR2の部分30cと、前端面側領域41と後端面側領域43との間の領域42内に設けられ、長さがL2の部分30bとを有している。部分30bでは、前端面側から後端面側に向かって幅が徐々に減少している。ウイング部31の幅は、前端面側領域41から領域42にかけて一定で、後端面側領域43では前端面側領域41及び領域42におけるよりも大きくなっている。この構成において、WR1>WR2とすることにより、光密度の高い前端面側への電流注入量を増大させることができるので、電流利用効率が向上し、動作電流値の低減を図ることができる。動作電流値が小さくなると、活性層の動作キャリア密度が小さくなるため、熱的に励起されたキャリアが活性層からクラッド層へ漏れることにより生じるキャリアのオーバーフローを抑制できる。そのため、高温動作時において熱飽和する最大光出力熱飽和レベルも増大する。この結果、動作電流値は低減され、高い熱飽和レベルが得られ、温度特性が向上する。さらに、WR1は横モードが単一となるカットオフ幅高次横モード光がカットオフされる幅よりも大きくなっているが、WR2は当該カットオフ幅よりも小さくなっている。このため、後端面側領域43内のリッジ部30部分30cでは、高次横モード光がリッジ部30の外部に漏れ出し、高次横モード光を減衰しやすくなっている。また、電流-光出力特性における非線形な折れ曲がりキンクが生じると、一定の光出力でレーザを動作させるAPC駆動が困難になり、光ディスクシステムの光源として安定な記録再生動作を得ることが困難になる。このため、光ディスク用の光源に使用される半導体レーザには高温動作時においても高いキンクレベルが要望される。キンクの発生を抑制するためには、高次横モード発振を抑制する必要がある。このためには、リッジの幅を狭くし、高次横モードをカットオフすればよい。しかしながら、リッジの幅を狭くしすぎると、電流注入面積が小さくなるため、素子の微分抵抗が増大し動作電圧の増大につながる。動作電圧が増大すると、レーザ素子の発熱も大きくなり、熱飽和レベルの低下がもたらされる。さらに、レーザの駆動回路の最大駆動電圧にも制限があり、動作電圧は低い方が好ましい。そこで、高次横モードをカットオフしつつ、活性層13への電流注入面積を広くするためには、高次横モードをカットするために形成するリッジ幅の狭い領域で、効率良く高次横モードをカットすることが有効であるといえる。ここで、本実施形態の半導体レーザ装置において、リッジ幅の狭い領域ではどのようにして高次横モード光を減衰させているかを考察する。一般的に、光の導波路としては、屈折率の高い材料を屈折率の低い材料で挟んで構成されたスラブ導波路が用いられる。このスラブ導波路をモデルとして考えた時、リッジ幅を狭く、つまり屈折率が高い部分の幅を狭くすることで、導波路を伝播する光は基本モードを除く高次モードが存在できなくなる。このことを利用して、リッジ幅の広い領域とリッジ幅の狭い領域を結合させ、リッジ幅の広い領域で発振した高次横モード光をリッジ幅の狭い領域に通すことで、存在できなくなった高次横モード光をリッジ外に漏らし、高次横モード光を抑制している。本実施形態の半導体レーザ装置においても、上述のように後端面側領域43内の部分30cの幅を小さくしているので、高次横モード光をリッジ部30の外部に漏らし、高次横モード光の低減が図られている。さらに、本実施形態の半導体レーザ装置においては、図2に示すように、前端面側領域41でのリッジ部30とウイング部31との距離すなわち溝32の幅を後端面側領域43でのリッジ部30とウイング部31との距離すなわち溝32の幅よりも大きくしている。具体的には、前端面側領域41近傍における第1の溝部の幅の最小値をW1、第2の溝部の幅の最小値をW2、後端面側領域43近傍における第1の溝部の幅の最小値をW3、第2の溝部の幅の最小値をW4としたとき、W3<A×WR1-WR2/2及びW4<A×WR1-WR2/2とする。ここで、Aは、リッジ幅WR1で生じる高次横モード光の共振器長方向と垂直な方向に拡がる距離のリッジ幅WR1に対する比すなわち、高次横モード光の垂直方向の拡がり距離/WR1である。なお、溝幅W1は、言い換えれば、前端面側領域41におけるリッジ部30と一方のウイング部第1のウイング部31との距離であり、溝幅W3は、後端面側領域43におけるリッジ部30と一方のウイング部31との距離である。溝幅W2は、前端面側領域41におけるリッジ部30と他方のウイング部第2のウイング部31との距離であり、溝幅W4は、後端面側領域43におけるリッジ部30と他方のウイング部31との距離である。この構成によれば、リッジ幅の狭い後端面側領域43でウイング部31とリッジ部30との間隔が小さくなっているので、リッジ部30からしみ出た高次横モード光の多くは、ウイング部31を含む活性層13に対して垂直な領域と、溝32を含む活性層13に対して垂直な領域でウイング部31側に屈折する。このため、リッジ部30からしみ出た高次横モード光の多くは、リッジ部30から離れる方向に伝播する。また、活性層13に垂直な領域と、溝32を含む活性層13に垂直な領域とで反射した高次横モード光はリッジ部30方向に戻るものの、リッジ部30内を伝搬できないので、結果としてリッジ部30内の高次横モード光は効果的に減衰される。また、リッジ幅が広い前端面側領域41では、リッジ部30とウイング部31との距離は長くとられているので、高次横モード光がウイング部31で反射してリッジ部30導波領域に戻ってくるのを防いでいる。この結果、本実施形態の半導体レーザ装置においては、高温動作時においても高いキンク光出力を得ることができる。このため、本実施形態の半導体レーザ装置を、例えば光ディスクシステムの光源として用いた場合に安定な記録再生動作を得ることができるようになる。ここで、図3、図4、及び図5は、種々のW1、W2及びW3、W4の大きさに対し導波路を伝播する高次横モード光と基本モード光が共振器を一往復した後における、基本モード光を基準とした高次横モード光の強度比の関係をシミュレーションで計算した結果を示す図である。高次横モード光の基本モード光に対する強度比すなわち、高次横モード光の強度/基本モード光の強度が高いことは、高次横モード光成分が多く存在することを意味し、この場合、半導体レーザ装置のキンクレベルが低くなると考えられる。従って、高次横モード光の強度比が小さい方が高次横モード光が減衰していると言え、好ましい。なお、シミュレーションは波長λ=780nmで発振する赤外レーザにおいて、共振器長L=350μm、前端面側領域41内の部分30aのリッジ幅4.0μm、後端面側領域43内の部分30cリッジ幅1.9μmの条件で行っている。まず、高次横モード光がリッジに対してどのように分布しているかを考察する。図3は、W1、W2を7μmと一定にした時に、リッジ部30内外の実効屈折率差Δnを2.0~7.0×103とした場合の、1次モード光の強度比すなわち、1次モード光の強度/基本モード0次モード光の強度と後端面側溝幅W3またはW4との関係を示している。この図より、実効屈折率差Δnを大きくすると1次モード/基本モード強度比の変化が少なく、Δnを小さくすると1次モード/基本モード強度比の変化が大きくなることが分かる。これは、Δnが小さいと閉じ込めが弱くなるため、リッジ部外に光が漏れ出し、漏れ出した高次横モード光がウイング部側に伝播する結果、1次モードの減衰量が増加したものと考えられる。ここで、種々のWR1の幅に対し発振した高次横モード光がΔnの値により、水平横方向活性層に対して水平で且つ共振器方向に垂直な方向にどの程度まで拡がるかをシミュレーションした結果を図4に示す。ここでは、Δn=2.0×103、WR1=4.0μm、発振波長780nmで計算を行っている。図4には、リッジ部の中心を基準とした時の、共振器の光軸に対して垂直な方向の高次横モード光の拡がりを示している。ここで、一般的に電界強度が1/e以下になる部分は考慮しなくても問題はないとされている。すなわち、光出力は電界の二乗となるため図4の縦軸においては1/e2=0.135以下を考慮しなくてもよい。これより、電界強度が1/e2=0.135以下になる距離を高次横モード光の拡がりの幅とすると、当該拡がり幅は約5.5μmとなり、リッジ幅が4.0μmの場合にはリッジ幅の約1.4倍に相当する。従って、幅がWR1の部分30aで発振した高次横モード光はリッジ部両側の1.4×WR1の範囲で拡がりながら前端面側領域41を伝播し、領域42に進入する。領域42内の部分30bではリッジ部が平面図においてテーパー形状となっているため、高次横モード光は散乱し、リッジ部外に漏れ出す。さらに、後端面側領域43では高次横モード光はカットオフされるため、伝播できなくなった高次横モード光はリッジ部外に漏れ出してくる。すなわち、共振器方向に伝播する高次横モード光を効率良く減衰させ、基本横モード光との不要な結合を防ぐためには、後端面側領域43で溝32の幅の最小値W3、W4は1.4×WR1-WR2/2より狭くすることが好ましい。また、前端面側から出射される光は安定した形状の光を得る必要があるため、前端面側領域41に存在する高次横モード光はウイング部31に達しないようにすることが望ましい。すなわち、溝32の最小値W1及びW2は、W1又はW2>A本実施形態では1.4×WR1-WR1/2の関係を満たすことが望ましい。ここで、Δnを大きくしていくと高次横モード光はリッジ部内に閉じ込められるため、高次横モード光の拡がり幅は狭くなる。そこで、最も高次横モード光が拡がる、Δn=2.0×103の場合における、リッジ幅との比1.4倍をもって高次横モード光の拡がり範囲とする。次に、前端面側領域41での溝32の幅W1、W2の依存性について考察する。図5は、前端面側領域41での溝32の幅W1、W2を5μm、7μm、9μmとしたときの、1次モード/基本モード強度比図中に示す1次モード強度比と後端面側領域43での溝32の幅W3、W4との関係を示している。ここで、Δnは2.5×103としている。なお、WR1、WR2の値は固定している。図5から、W3及びW4をある一定の溝幅より狭くすると、W1、W2の値によらず1次モード/基本モード強度比が急激に下がり、高次横モード光がカットオフされることが分かる。この結果より、前端面側領域41においてリッジ幅を変化させた場合、1次モード/基本モード強度比はW3及びW4の値に依存して急激に変化し、WR1の値には依存いないことが分かる。すなわち、前端面側領域41での溝32の幅を変化させた場合においても、高次横モード光のカットオフ効果はΔnで決定される光分布に依存し、少なくともW3またはW4<1.4×WR1-WR1/2且つ、W1またはW2-W3またはW4>WR2/2の関係式を満たすことで、高次横モード光の減衰効果を得られることが分かる。次に、W1及びW2を固定した場合の、高次横モード/基本モード強度比の前端面側領域41におけるリッジ幅依存性について考察する。図6は、W1及びW2を共に7μmに固定し、WR1をそれぞれ3.5μm、4.0μm、4.5μm、5.0μmに変化させたときの、1次モード/基本モード強度比とW3及びW4との関係を示す図である。本シミュレーションでは、WR2も固定値としている。ここで、Δnとの関係より算出した関係式に従って、W3またはW4を1.4×WR1-WR2/2より狭くし、W1またはW2を、W3またはW4WR2/2より大きくすることにより、高次横モード光を効率良く減衰させることができる。例えば、WR1が5.0μm、WR2が1.9μmの場合、W3、W4を6μm以下にすると高次横モード光を効率良く減衰させることができる。同様に、WR1を4.5μm、4.0μm、3.5μmとし、WR2を1.9μmとした場合、W3、W4をそれぞれ、5.35μm、4.65μm、3.95μmとすれば高次横モード光を効率良く減衰させることができる。これは、図6で示した結果において、1次モード/基本モード強度比が急峻に減少する変曲点とよく一致していることが分かる。すなわち、前端面側領域41での溝幅を変化させた場合においても、高次横モード光のカットオフ効果はΔnで決定される光分布に依存し、少なくともW3またはW4<1.4×WR1-WR2/2且つ、W1またはW2-W3またはW4>WR2/2の関係式を満たすことで、高次横モード光の減衰効果を得ることができる。これらの結果から、本実施形態に示すような構造を有する半導体レーザ装置では、従来の半導体レーザ装置と比較して、基本横モードの放射損失を大きく増大することなく、高次横モード光の放射損失をより大きくすることができる。このように、本実施形態に係る半導体レーザ装置では、リッジ幅が狭い領域で溝幅を狭くする構造を用いることにより、従来のテーパーストライプ構造と比較して、基本横モード光の放射損失をほぼ一定に保ちつつ、高次横モード光の放射損失を大きくし、高次横モード光の伝搬をより抑制することが可能であることが分かる。従って、本実施形態の半導体レーザ装置は、高い温度特性を有し、キンクレベルが高く、動作電圧が低くなっているだけでなく、FFP形状の乱れ及び光軸変動の発生が抑えられる。また、本実施形態の半導体レーザ装置では、ウイング部31を利用して高次横モード光を減衰させているので、リッジ幅が小さくなっている後端面側領域43の長さを短くしてもFFP形状の乱れや光軸変動を低減することができ、素子抵抗の低減を図ることができる。なお、図1ではn型GaAs基板10上に設けた赤外レーザ素子のみについて説明したが、同じn型GaAs基板10上に赤色レーザ素子又は青色レーザ素子を設けてもよい。また、図2では、リッジ部30のうち、幅が広い部分30aと幅が狭い部分30cとの間に平面視においてテーパー形状の部分30bを設ける例を示しているが、部分30bを設けずに部分30aと部分30cとが直接接続されていても、同様の効果を得ることができる。ただし、高次横モードを含む光が存在できる領域部分30aと、高次横モード光が存在できない領域部分30cとをテーパー形状を有する領域部分30bで連結することで、伝播ロスを最小限にしながら、高次横モードをカットすることが可能となる。従って、基本モード0次モード光の損失を低減する観点から、テーパー形状を有する領域を設けることがより好ましい。-実施形態の第1の変形例-次に、本発明の実施形態に係る第1の変形例として、前端面側領域と後端面側領域でのリッジ幅が同一で、前端面側、後端面側のリッジ幅より狭いリッジ幅を持つ領域が前端面側領域と後端面側領域とに挟まれた構造について説明する。第1の変形例に係る半導体レーザ装置の断面構造は図1に示す半導体レーザ装置と同様である。図7は、本発明の実施形態の第1の変形例に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。同図に示すように、本変形例においてリッジ部30は、前端面側領域51内に設けられ、幅がWR1で長さがL1の部分30aと、領域52内に設けられ、幅がWR1からWR2まで後端面に向かう方向に徐々に小さくなり、長さがL2の部分30bと、領域53内に設けられ、幅がWR1より小さいWR2で長さがL3の部分30cと、領域54内に設けられ、幅がWR2からWR1まで後端面に向かう方向に徐々に大きくなり、長さがL4の部分30dと、後端面側領域55内に設けられ、幅がWR1で長さがL5の部分30eとを有している。すなわち、本変形例のリッジ部30は、前端面側領域及び後端面側領域での幅よりも中間領域での幅が小さいストライプ形状をしている。なお、WR1は横モードが単一となるカットオフ幅よりも大きくなっているが、WR2は当該カットオフ幅よりも小さくなっている。また、前端面と後端面には、前端面の反射率をRf、後端面の反射率をRrとするとRf<Rrとなるように誘電体膜がコーティングされている。この構成によれば、WR1>WR2であることにより、リッジ幅WR1の領域で生じた高次横モード光を、リッジ幅WR2の領域でカットオフし、前端面側と後端面側のリッジ幅をWR1と同一にすることで、レーザ装置の製造プロセスの簡便化を図っている。つまり、前端面側及び後端面側で共に一定の長さで同一幅のリッジ部30を設けることにより、ウエハからバーに分割する際に、分割時の位置ずれに対するマージンを確保することができる。また、図7に示すように、リッジ部30とウイング部31との間の溝32の幅W1、W2は、前端面側領域51内と後端面側領域55内で同一とし、中間領域である領域53内では、溝32の幅W3、W4は図7中のW4及びW4はW1、W2よりも小さくなっている。従って、ウイング部31の領域53内での幅は、ウイング部31の前端面側領域51内及び後端面側領域55内での幅よりも大きくなっている。具体的には、前端面側領域51及び後端面側領域55においてリッジ部30側方の溝32のうち一方の溝幅の最小値をW1、他方の溝幅の最小値をW2とし、リッジ幅が狭い中間領域領域53において、溝32の一方の幅の最小値をW3、他方の幅の最小値をW4としている。この構成において、W3<1.4×WR1-WR2/2、且つW1>1.4×WR1-WR1/2=0.9WR1、及びW4<1.4×WR1-WR2/2、且つW2>1.4×WR1-WR1/2=0.9WR1とすることで、図2に示す実施形態に係る半導体レーザ装置と同様の高次横モード光の減衰効果が得られ、高温動作時における高いキンク光出力を実現できる。さらに、電流注入面積の増加による低動作電圧駆動、製造プロセスの簡略化による低コスト化が実現できる。また、本変形例の半導体レーザ装置においても、前端面側領域51内のリッジ部30の幅は広くなっているので、光密度が相対的に高い前端面側に多くの電流を注入することが可能となっており、優れた温度特性を発揮できる。なお、図7ではリッジ幅が上述のカットオフ幅よりも大きくなっている部分30a、30eと、リッジ幅がカットオフ幅よりも小さくなっている部分30cとの間に平面視においてテーパー状にリッジ幅が変化する部分30b、30dをそれぞれ設けているが、部分30b、30dを設けずに、部分30aと部分30c、部分30eと部分30cとを連続的に形成しても同様の効果を得ることができる。-実施形態の第2の変形例-本発明の実施形態に係る第2の変形例として、本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置において、高次横モード光を減衰するために設けられたリッジ幅の狭い領域で、溝幅が最小となる部分とそれより溝幅が広い部分とが交互に繰り返し形成された溝が設けられている変形例について説明する。第2の変形例に係る半導体レーザ装置の断面構造は図1に示す半導体レーザ装置と同様である。図8は、本発明の実施形態の第2の変形例に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。本変形例に係る半導体レーザ装置において、前端面と後端面には、前端面の反射率をRf、後端面の反射率をRrとするとRf<Rrとなるように誘電体膜がコーティングされている。図8に示すように、本変形例の半導体レーザ装置においては、リッジ部30の形状は図2に示す実施形態に係る半導体レーザ装置と同様である。すなわち、ストライプ状のリッジ部30は、前端面側領域41内に設けられ、長さがL1で幅がWR1の部分30aと、後端面側領域43内に設けられ、長さがL3で幅がWR2の部分30cと、前端面側領域41と後端面側領域43との間の領域42内に設けられ、長さがL2の部分30bとを有している。部分30bでは、前端面側から後端面側に向かって幅が徐々に減少している。また、リッジ部30とウイング部31との間の溝32の前端面側領域41内での幅の最小値W1、W2は、後端面側領域43内での幅の最小値W3、W4よりも大きくなっている。さらに、後端面側領域43では、図2に示す実施形態と異なり、ウイング部31の境界部の形状は平面視において凹凸形状となっている。すなわち、後端面側領域43内の溝32では、溝幅が最大値W5、W6となる部分と最小値W3、W4となる部分とが交互に複数回繰り返されている。この構成において、W5-W3≧1μm、且つW6-W4≧1μmとすることで、高次横モード光の減衰効果が高められる。この効果について以下に説明する。まず、第2の変形例に係るウイング構造と、図2に示す実施形態に係るウイング構造とを比較しながら説明する。高次横モード光は、後端面側領域43内のリッジ幅が狭い部分30cではカットオフされるため、部分30c内を伝播することができず、部分30cの両側に漏れ出てくる。図2に示す実施形態に係る半導体レーザ装置においては、ウイング部31を利用して漏れ出た高次横モード光を、リッジ部30の外側すなわちウイング部31側に伝播させることで減衰させている。しかし、後端面側領域43では、ウイング部31の側面がリッジ部30の側面とほぼ平行になっているため、高次横モード光が、ウイング部31を含む活性層13に対して垂直な領域と、溝32を含む活性層13に対して垂直な領域で反射して再びリッジ部30内の光と結合し、FFP形状が乱れてしまう可能性がある。これに対して、本変形例に係る半導体レーザ装置においては、後端面側領域43内で、リッジ部30に向かうウイング部31の側面は、リッジ部30との距離が最小値W3及びW4をとる領域と、リッジ部30との距離が最大値W5及びW6となる領域とを交互に有した凹凸形状をしている。つまり、ウイング部31の側面は、リッジ部30の側面に対して平行な箇所と、リッジ部30の側面に対して垂直な箇所とで構成される。このため、リッジ部30から漏れ出た高次横モード光は、リッジ部30の側面に対して垂直なウイング部31の側面においてリッジ部30の外側方向に反射され、リッジ部30には戻らない。ここで、図9は、後端面側領域43での溝幅の最大値と最小値の差=W5-W3=W6-W4と、基本モード光を基準とした高次横モード光の強度比との関係をシミュレーションで計算した結果を示す図である。同図では、W3とW5の差を種々に変えた場合の、高次横モード光と基本モード光が共振器を一往復した後における、基本モード光を基準とした1次モード光の強度比を、高次横モード光の強度比として示している。リッジ幅が広くなるにつれ、高次横モード光の存在確率が増えていくが、この場合、1次モード光の強度比が大きいと、それ以上の高次横モード光の基本モード光に対する強度比も大きくなる。そして、高次横モード光の強度比が大きい場合、キンクレベルが低くなると考えられる。従って、高次横モード光を減衰させるためには、1次モード光の強度比は小さい方が良い。図9には、W5とW3との差を0μmから2.5μmまで変化させた場合の1次モード光の強度比を示している。この結果から、W5とW3との差、及びW6とW4との差を1μm以上にすることで高次横モード光を効率良く減衰させることができることが分かる。すなわち、ウイング部31の側面を凹凸形状とし、当該側面のうちリッジ部30の側面に対してほぼ垂直になっている領域の幅を1μm以上にすることによって、ウイング部31の側面で反射した高次横モード光がリッジ部内に戻るのを効果的に防ぐことができることが分かる。また、ウイング部31をリッジ部30の近傍に設けると、リッジ部30に不要な応力が生じ、偏光特性の悪化や信頼性の悪化を招く可能性がある。これに対し、リッジ部30とウイング部31との間に所定幅の溝32を設けるとともに、ウイング部31の側面を凹凸形状とすることで、リッジ部30に加わる応力を低減させることが可能となる。この結果、高温動作時において高いキンク光出力と高い偏光特性及び高い信頼性を持った半導体レーザ装置を得ることができる。また、本変形例の半導体レーザ装置では、後端面側領域43内でウイング部31の側面を櫛形の凹凸形状としたが、ウイング部31側面が平面視において三角型の形状、鋸歯状、放物線型の形状、指数関数型の形状等、ウイング部31とリッジ部30との間隔を繰り返し変化させるような形状であれば、ウイング部31の側面とリッジ部30の側面とが平行な場合に比べて、ウイング部31と溝領域電流ブロック層17との境界領域でリッジ部30側へ反射する光成分を小さくすることができ、上述したのと同様の効果が得られる。なお、図7に示す半導体レーザ装置において、領域53内のウイング部31の側面を凹凸形状にしても高次横モード光を効率良く減衰させることができる。-実施形態の第3の変形例-本発明の実施形態に係る第3の変形例として、本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置において、ウイング部31の幅が変わる段差部分が、リッジ部30の幅が平面視においてテーパー状に変化する領域42内に設けられた構造について説明する。第3の変形例に係る半導体レーザ装置の断面構造は図1に示す半導体レーザ装置と同様である。また、本変形例に係る半導体レーザ装置のリッジ部30の形状は図2に示す半導体レーザ装置と同じであるので、以下ではウイング部31の構造を中心に説明する。なお、前端面と後端面には、前端面の反射率をRf、後端面の反射率をRrとするとRf<Rrとなるように誘電体膜がコーティングされている。図10は、本発明の実施形態の第3の変形例に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。同図に示すように、本変形例に係る半導体レーザ装置では、前端面側領域41内でのウイング部31の幅が、後端面側領域43内でのウイング部31の幅よりも小さくなっている。そして、ウイング部31の幅が変わる段差部分が、リッジ部30の幅が平面視において変化する領域42内に設けられている。そのため、領域42での溝32の幅は、前端面から後端面に向かってW2から連続的に拡がり、ウイング部31の段差部分で一旦狭まった後、W4まで拡がる。なお、図10においても図2と同様に、前端面側領域41において、リッジ部30側方の溝32のうち一方の溝幅の最小値をW1、他方の溝幅の最小値をW2とし、後端面側領域43において、リッジ部30側方の溝32のうち一方の溝幅の最小値をW3、他方の溝幅の最小値をW4としている。前端面からウイング部31の段差部分までの長さをXとしている。このような構成をとることによる効果を以下に説明する。高次横モード光は前端面側領域41内のリッジ部30を伝播した後、リッジ部30のうち領域42内に設けられた、リッジ幅が徐々に狭まる部分を伝播する際に徐々にしみ出てくる。このしみ出た高次横モード光は、ウイング部31に到達した後、ウイング部31と溝32内の電流ブロック層17図2参照との境界領域で反射してリッジ部30に戻るか、又は当該境界領域で屈折してウイング部31内を伝播していく。ここで、ウイング部31の幅が大きくなっている部分で反射した高次横モード光は、再びリッジ部30に入射して基本横モード光と結合するが、後端面側領域43内のリッジ部30では高次横モード光はカットオフされる。このため、溝32の幅を狭くすることによって、高次横モード光をウイング部31に伝播させる効果が高くなる。このように、領域42内に溝32の幅が変化するウイング部31の段差部を配置することで、結果として高次横モード光を効率良く除去することが可能となる。この結果、高温動作時においても高いキンク光出力を備えた半導体レーザ装置を得ることができる。以上の実施形態及びその変形例では、発振波長が780nmの赤外レーザを例にとって説明したが、これらの実施形態と同様のリッジ部、ウイング部、及び溝の構成を適用することで、青色レーザや赤色レーザ等の他の波長の光を出力するレーザにおいても同様の効果が得られる。なお、上述の実施形態及びその変形例に係る半導体レーザ装置の構成は、実施形態及び変形例の一例であって、各層の構成や形状、サイズ等は本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で適宜変形可能である。また、以上で説明した実施形態及び変形例に係る半導体レーザ装置の構成同士を適宜組み合わせることも可能である。例えば、図7に示す領域53内において、ウイング部31のリッジ部30に面した部分に図8に示すような凹凸を設けてもよいし、ウイング部31の幅が大きい領域が領域52内の一部から領域54内の一部に亘っていてもよい。図8に示すウイング部31のうち、凹凸を有する部分が領域42の一部内にまで設けられていても同様の効果を得ることができる。