半導体装置用回路部材の製造方法において、回路部に相当する開口部を有するレジストパターンを基板上に形成し、該レジストパターンを介して前記開口部内の基板上にめっき法により金属を前記レジストパターンの厚みよりも厚く析出させ、その後、前記レジストパターンを除去することにより、基板接触面が外部端子面を構成し、該外部端子面と反対側の表面が内部端子面を構成する端子部を複数備えるとともに、前記内部端子面の周囲に突起部を備えた回路部を形成する工程を有し、前記めっき法による金属の析出では、Cu、Ni、Ag、Pd、Auのいずれか2種以上の金属を順次積層することにより多層構造の前記回路部を形成するものであり、該多層構造の構成層のうち、最上層を除く構成層を前記レジストパターンの厚みよりも薄くなるように形成し、その後、最上層となる構成層を積層して前記レジストパターンの厚みよりも厚い多層構造とすることを特徴とする半導体装置用回路部材の製造方法。前記回路部の形成において、前記基板との接触面と反対側の表面が半導体素子搭載用の内部表面であり該内部表面の周囲に突起部を備えたダイパッドを前記端子部とともに形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置用回路部材。前記めっき法は電解めっきであり、前記基板は少なくとも前記回路部を形成する側の表面が導電性を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置用回路部材の製造方法。前記基板として、少なくとも前記回路部を形成する側の表面に溶解除去可能な金属層を備えものを使用し、多層構造の前記回路部の構成層のうち、前記基板上に形成する構成層は前記金属層と同時に溶解除去されない金属を用いて形成することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置用回路部材の製造方法。前記基板として、溶解除去可能な金属からなるものを使用し、多層構造の前記回路部の構成層のうち、前記基板上に形成する構成層は前記基板と同時に溶解除去されない金属を用いて形成することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置用回路部材の製造方法。請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の半導体装置用回路部材の製造方法により製造された半導体装置用回路部材の回路部の所望の位置に半導体素子を搭載し、該半導体素子の端子と前記半導体装置用回路部材の端子部の内部端子面とをワイヤ接続する工程と、前記半導体装置用回路部材の前記基板上で前記回路部、前記半導体素子および前記ワイヤを樹脂部材にて封止することにより、前記基板上に半導体装置を作製する工程と、樹脂封止された前記半導体装置を前記基板から剥離する工程と、を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。請求項4に記載の半導体装置用回路部材の製造方法により製造された半導体装置用回路部材の回路部の所望の位置に半導体素子を搭載し、該半導体素子の端子と前記半導体装置用回路部材の端子部の内部端子面とをワイヤ接続する工程と、前記半導体装置用回路部材の前記基板上で前記回路部、前記半導体素子および前記ワイヤを樹脂部材にて封止することにより、前記基板上に半導体装置を作製する工程と、前記基板が備える前記金属層を溶解除去することにより、樹脂封止された前記半導体装置を前記基板から剥離する工程と、を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。請求項5に記載の半導体装置用回路部材の製造方法により製造された半導体装置用回路部材の回路部の所望の位置に半導体素子を搭載し、該半導体素子の端子と前記半導体装置用回路部材の端子部の内部端子面とをワイヤ接続する工程と、前記半導体装置用回路部材の前記基板上で前記回路部、前記半導体素子および前記ワイヤを樹脂部材にて封止することにより、前記基板上に半導体装置を作製する工程と、前記基板を溶解除去することにより、樹脂封止された前記半導体装置を前記基板から剥離する工程と、を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。しかしながら、従来の回路部材を用いた樹脂封止型半導体装置の製造では、半導体装置を導電性基板から剥離する際、加わる力によって封止用の樹脂部材と回路部とが剥離したり、回路部にクラックが入り易く、信頼性の点で問題となっていた。本発明は、上記のような事情に鑑みてなされたものであり、多ピン化への対応が可能で信頼性が高い樹脂封止型半導体装置を安定して製造するための半導体装置用回路部材の製造方法と、それを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。このような目的を達成するために、半導体装置用回路部材の製造方法の第1の発明は、回路部に相当する開口部を有するレジストパターンを基板上に形成し、該レジストパターンを介して前記開口部内の基板上にめっき法により金属を前記レジストパターンの厚みよりも厚く析出させ、その後、前記レジストパターンを除去することにより、基板接触面が外部端子面を構成し、該外部端子面と反対側の表面が内部端子面を構成する端子部を複数備えるとともに、前記内部端子面の周囲に突起部を備えた回路部を形成する工程を有し、前記めっき法による金属の析出では、Cu、Ni、Ag、Pd、Auのいずれか2種以上の金属を順次積層することにより多層構造の前記回路部を形成するものであり、該多層構造の構成層のうち、最上層を除く構成層を前記レジストパターンの厚みよりも薄くなるように形成し、その後、最上層となる構成層を積層して前記レジストパターンの厚みよりも厚い多層構造とするような構成とした。また、半導体装置用回路部材の製造方法の第2の発明は、第1の発明の前記回路部の形成において、前記基板との接触面と反対側の表面が半導体素子搭載用の内部表面であり該内部表面の周囲に突起部を備えたダイパッドを前記端子部とともに形成するような構成とした。また、半導体装置用回路部材の製造方法の第3の発明は、第1の発明または第2の発明において、前記めっき法が電解めっきであり、前記基板は少なくとも前記回路部を形成する側の表面が導電性を有するような構成とした。また、半導体装置用回路部材の製造方法の第4の発明は、第3の発明において、前記基板として、少なくとも前記回路部を形成する側の表面に溶解除去可能な金属層を備えものを使用し、多層構造の前記回路部の構成層のうち、前記基板上に形成する構成層は前記金属層と同時に溶解除去されない金属を用いて形成するような構成とした。また、半導体装置用回路部材の製造方法の第5の発明は、第3の発明において、前記基板として、溶解除去可能な金属からなるものを使用し、多層構造の前記回路部の構成層のうち、前記基板上に形成する構成層は前記基板と同時に溶解除去されない金属を用いて形成するような構成とした。本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、上述の第1の発明~第3の発明のいずれかの半導体装置用回路部材の製造方法により製造された半導体装置用回路部材の回路部の所望の位置に半導体素子を搭載し、該半導体素子の端子と前記半導体装置用回路部材の端子部の内部端子面とをワイヤ接続する工程と、前記半導体装置用回路部材の前記基板上で前記回路部、前記半導体素子および前記ワイヤを樹脂部材にて封止することにより、前記基板上に半導体装置を作製する工程と、樹脂封止された前記半導体装置を前記基板から剥離する工程と、を有するような構成とした。また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、上述の第4の発明の半導体装置用回路部材の製造方法により製造された半導体装置用回路部材の回路部の所望の位置に半導体素子を搭載し、該半導体素子の端子と前記半導体装置用回路部材の端子部の内部端子面とをワイヤ接続する工程と、前記半導体装置用回路部材の前記基板上で前記回路部、前記半導体素子および前記ワイヤを樹脂部材にて封止することにより、前記基板上に半導体装置を作製する工程と、前記基板が備える前記金属層を溶解除去することにより、樹脂封止された前記半導体装置を前記基板から剥離する工程と、を有するような構成とした。また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、上述の第5の発明の半導体装置用回路部材の製造方法により製造された半導体装置用回路部材の回路部の所望の位置に半導体素子を搭載し、該半導体素子の端子と前記半導体装置用回路部材の端子部の内部端子面とをワイヤ接続する工程と、前記半導体装置用回路部材の前記基板上で前記回路部、前記半導体素子および前記ワイヤを樹脂部材にて封止することにより、前記基板上に半導体装置を作製する工程と、前記基板を溶解除去することにより、樹脂封止された前記半導体装置を前記基板から剥離する工程と、を有するような構成とした。本発明の半導体装置用回路部材の製造方法によれば、めっき法でレジストパターンの厚みよりも厚く金属を基板上に形成することにより、突起部を備えた回路部を確実、かつ、簡便に作製することができる。本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法では、半導体装置用回路部材の回路部が、その基板接触面と反対側の表面の周囲に突起部を有しているので、回路部材の基板上で樹脂封止が行なわれる際に、上記突起部が樹脂部材に係合して回路部を確実に固定するので、樹脂封止された半導体装置を基板から剥離する工程において、樹脂部材と回路部が剥離したり、回路部にクラックが入ることが防止され、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置の製造が可能となる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。[樹脂封止型半導体装置]本発明の樹脂封止型半導体装置について説明する。図1は、本発明の樹脂封止型半導体装置の一実施形態を示す概略断面図であり、半導体装置の構造を理解しやすくするために、封止用の樹脂部材を仮想線2点鎖線で示している。図1において、樹脂封止型半導体装置1はPBGAタイプの樹脂封止型半導体装置であり、複数の端子部3がその外部端子面3cが一平面をなすように配置され、この端子部3の配列の略中央に端子部3の外部端子面3cと外部表面2cが同一平面をなすようにダイパッド2が配置され、ダイパッド2の内部表面2b上に電気絶縁性材料6を介して半導体素子5がその素子面と反対側を固着されて搭載されている。この半導体素子5の端子5aは、端子部3の内部端子面3bにワイヤ7によって接続されている。そして、端子部3の外部端子面3cと、ダイパッド2の外部表面2cを外部に露出させるように、端子部3、ダイパッド2、半導体素子5、ワイヤ7が樹脂部材8により封止されている。樹脂部材8は、従来から樹脂封止型半導体装置に用いられている電気絶縁性の樹脂材料を用いることができ、特に制限はない。また、外部に露出している端子部3の外部端子面3cには、半田ボール9が取り付けられている。このような本発明の樹脂封止型半導体装置1では、ダイパッド2は内部表面2bの周囲に突起部2aを有し、また、各端子部3は内部端子面3bの周囲に突起部3aを有する構造である。上記のダイパッド2の突起部2a、端子部3の突起部3aは、これらを封止している樹脂部材8に係合して、ダイパッド2や端子部3を確実に固定し、樹脂封止型半導体装置1は信頼性が高いものとなる。上記のダイパッド2および端子部3は、Cu、Ni、Ag、Pd、Auのいずれか1種の金属からなる単層構造、あるいは、2種以上の金属からなる多層構造とすることができる。また、ダイパッド2の突起部2a、端子部3の突起部3aは、少なくともダイパッド2や端子部3が形成する一平面に平行な方向図1では、樹脂封止型半導体装置1の裏面に平行な方向図面左右方向に2~5μm程度の長さで突出していることが好ましい。尚、樹脂封止型半導体装置1は、半田ボール9を備えないものであってもよい。また、端子部3の内部端子面3b上に、接続用のめっき層を備えるものであってもよい。この接続用めっき層は、Au、Pt、Ag等のいずれからなる単層めっきとすることができ、厚みは0.1~10μm程度が好ましい。図2は、本発明の樹脂封止型半導体装置の他の実施形態を示す概略断面図であり、半導体装置の構造を理解しやすくするために、封止用の樹脂部材を仮想線2点鎖線で示している。図2において、樹脂封止型半導体装置11はPBGAタイプの樹脂封止型半導体装置であり、複数の端子部13がその外部端子面13cが一平面をなすように配置され、各端子部13の内部端子面13b上の一部に電気絶縁性材料16を介して半導体素子15がその素子面と反対側を固着されて搭載されている。この半導体素子15の端子15aは、端子部13の内部端子面13b上に形成された接続用のめっき層14にワイヤ17によって接続されている。そして、端子部13の外部端子面13cを外部に露出させるように、端子部13、半導体素子15、ワイヤ17が樹脂部材18により封止されている。樹脂部材18は、従来から樹脂封止型半導体装置に用いられている電気絶縁性の樹脂材料を用いることができ、特に制限はない。また、外部に露出した端子部13の外部端子面13cには、半田ボール19が取り付けられている。このような本発明の樹脂封止型半導体装置11では、各端子部13は内部端子面13bの周囲に突起部13aを有する構造である。しがたって、端子部13の突起部13aは、これらを封止している樹脂部材18に係合して端子部13を確実に固定するので、樹脂封止型半導体装置11は信頼性が高いものとなる。上記の端子部13は、Cu、Ni、Ag、Pd、Auのいずれか1種の金属からなる単層構造、あるいは、2種以上の金属からなる多層構造とすることができる。端子部13の突起部13aは、少なくとも端子部13が形成する一平面に平行な方向図2では、樹脂封止型半導体装置11の裏面に平行な方向図面の左右方向に2~5μm程度の長さで突出していることが好ましい。また、接続用のめっき層14は、Au、Pt、Ag等のいずれからなる単層めっきとすることができ、厚みは0.1~10μm程度が好ましい。尚、樹脂封止型半導体装置11は、半田ボール19を備えないものであってもよい。また、端子部13の内部端子面13b上に、接続用のめっき層14を備えないものであってもよい。図3は、本発明の樹脂封止型半導体装置の他の実施形態を示す概略断面図であり、半導体装置の構造を理解しやすくするために、封止用の樹脂部材を仮想線2点鎖線で示している。図3において、樹脂封止型半導体装置21はPBGAタイプの樹脂封止型半導体装置であり、複数の端子部23がその外部端子面23cが一平面をなすように配置され、この端子部23の配列の略中央に半導体素子25が配置されている。この半導体素子25の端子25aは、端子部23の内部端子面23b上に形成された接続用のめっき層24にワイヤ27によって接続されている。そして、端子部23の外部端子面23cと半導体素子25の素子面と反対側を外部に露出させるように、端子部23、半導体素子25、ワイヤ27が樹脂部材28により封止されている。樹脂部材28は、従来から樹脂封止型半導体装置に用いられている電気絶縁性の樹脂材料を用いることができ、特に制限はない。また、外部に露出している端子部23の外部端子面23cには、半田ボール29が取り付けられている。このような本発明の樹脂封止型半導体装置21では、各端子部23は内部端子面23bの周囲に突起部23aを有する構造である。この端子部23の突起部23aは、これらを封止している樹脂部材28に係合して端子部23を確実に固定することができ、樹脂封止型半導体装置21は信頼性が高いものとなる。上記の端子部23は、Cu、Ni、Ag、Pd、Auのいずれか1種の金属からなる単層構造、あるいは、2種以上の金属からなる多層構造とすることができる。端子部23の突起部23aは、少なくとも端子部23が形成する一平面に平行な方向図3では、樹脂封止型半導体装置21の裏面に平行な方向図面の左右方向に2~5μm程度の長さで突出していることが好ましい。また、接続用のめっき層24は、Au、Pt、Ag等のいずれからなる単層めっきとすることができ、厚みは0.1~10μm程度が好ましい。尚、樹脂封止型半導体装置21は、半田ボール29を備えないものであってもよい。また、端子部23の内部端子面23b上に、接続用のめっき層24を備えないものであってもよい。[半導体装置用回路部材]図4は、本発明の半導体装置用回路部材の一実施形態を示す平面図であり、図5は図4に示される半導体装置用回路部材のA-A線における概略断面図である。図4および図5において、本発明の半導体装置用回路部材51は、基板52と、この基板52の一方の面に設けられた回路部53からなっており、回路部53は、矩形のダイパッド54と、このダイパッド54の4方向にそれぞれ1列に所定の間隔で配列された複数の端子部55で構成されている。基板52は、銅、鉄-ニッケル合金、鉄-ニッケル-クロム合金、鉄-ニッケル-カーボン合金等の導電性基板、少なくとも回路部53が設けられた面にCu、Ni、Ag、Pd、Auあるいはこれらの合金からなる導電性層を備えた絶縁性基板いずれでもよく、後述する半導体装置用回路部材の製造方法において、回路部53の形成を電解めっき法により行う場合には、少なくとも回路部53が設けられた面が導電性を有する基板を使用する。また、本発明の半導体装置用回路部材を用いた樹脂封止型半導体装置の製造において、樹脂封止後の半導体装置の剥離のために、溶解除去可能な金属層例えば、銅層等を予め形成した基板52を用いてもよい。回路部53は、基板52との接触面と反対側の表面の周囲に突起部が形成されたものであり、本実施形態では、ダイパッド54と端子部55からなる。具体的には、ダイパッド54の半導体素子搭載面である内部表面54bの周囲に突起部54aが形成されている。また、端子部55の内部端子面55b半導体素子との結線部位の周囲に突起部55aが形成されている。図6は、端子部55の断面形状の例を示す図であり、端子部55は、内部端子面55bがほぼ平坦で、基板52の表面に平行な方向に突起部55aが突出したような、いわゆるキノコ型の断面図6A、あるいは、内部端子面55bが凹形状であり、突起部55aは基板52の表面に対して斜め上方に突出したような、いわゆるY字型の断面図6Bであってもよい。このような何れの断面形状であっても、突起部55aは、基板52に平行な方向に2~5μm程度の長さで突出していることが好ましい。ダイパッド54の突起部54aについても、同様である。ダイパッド54、端子部55からなる回路部53は、Cu、Ni、Ag、Pd、Auのいずれか1種の金属からなる単層構造、あるいは、2種以上の金属からなる多層構造とすることができる。多層構造の場合、例えば、基板52側から、Pd、Ni、Pdの順に積層することができ、また、上述のように、溶解除去可能な金属層例えば、銅層等を予め形成した基板52を用いた場合、基板52銅層側から、Au、Ni、Pdの順に積層することもできる。ダイパッド54、端子部55からなる回路部53の厚みは、特に制限されることはない。また、本発明の半導体装置用回路部材は、回路部としてダイパッドを含まないものであってもよい。図7は、ダイパッドを備えない本発明の半導体装置用回路部材の一実施形態を示す平面図であり、図8は図7に示される半導体装置用回路部材のB-B線における概略断面図である。図7および図8において、本発明の半導体装置用回路部材61は、基板62と、この基板62の一方の面に設けられた回路部63からなっており、回路部63は、搭載する半導体素子の外形形状図7に鎖線で示す形状に対応するように、回廊形状に所定の間隔で配列された複数の端子部65で構成されている。半導体装置用回路部材61を構成する基板62は、上述の基板52と同様である。また、回路部63は、基板62との接触面と反対側の表面の周囲に突起部が形成されたものであり、具体的には、端子部65の内部端子面65b半導体素子との結線部位の周囲に突起部65aが形成されている。この端子部65は、その内部端子面65bの一部に半導体素子を載置できる大きさを有する点を除いて、基本的構造は上述の端子部55と同様とすることができる。また、図9は、ダイパッドを備えない本発明の半導体装置用回路部材の他の実施形態を示す平面図であり、図10は図9に示される半導体装置用回路部材のC-C線における概略断面図である。図9および図10において、本発明の半導体装置用回路部材71は、基板72と、この基板72の一方の面に設けられた回路部73からなっており、回路部73は、中央に半導体素子の配置部位図9に鎖線で示す部位を囲むように回廊形状に所定の間隔で配列された複数の端子部75で構成されている。半導体装置用回路部材71を構成する基板72は、上述の基板52と同様である。また、回路部73は、基板72との接触面と反対側の表面の周囲に突起部が形成されたものであり、具体的には、端子部75の内部端子面75b半導体素子との結線部位の周囲に突起部75aが形成されている。この端子部75の構造は、上述の端子部55と同様とすることができる。尚、上述の半導体装置用回路部材の回路部の形状、配置、個数等は例示であり、これに限定されるものではない。また、本発明の半導体装置用回路部材は、基板上に複数の回路部を設けた複数面付けであってもよい。このような本発明では、半導体装置用回路部材の回路部が、その基板接触面と反対側の表面の周囲に突起部を有しているので、回路部材の基板上で樹脂封止が行なわれる際に、上記突起部が樹脂部材に係合して回路部を確実に固定するので、基板からの樹脂封止型半導体装置の剥離工程において、樹脂部材と回路部が剥離したり、回路部にクラックが入ることが防止され、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置の製造が可能となる。[半導体装置用回路部材の製造方法]次に、本発明の半導体装置用回路部材の製造方法について説明する。図11は、図4および図5に示される半導体装置用回路部材51を例とした本発明の半導体装置用回路部材の製造方法の一実施形態を示す工程図である。図11において、まず、基板52上にレジストパターン59を形成する図11A。このレジストパターン59は、回路部53の形成部位に相当する箇所に開口部59aをもち、この開口部59aには基板52が露出している。基板52は、鉄-ニッケル合金、鉄-ニッケル-クロム合金、鉄-ニッケル-カーボン合金等の導電性基板、表面にCu、Ni、Ag、Pd、Auあるいはこれらの合金からなる導電性層を備えた絶縁性基板を使用することができる。尚、後述する基板52からの回路部53の剥離が容易となるように、予め基板52の一面に凹凸をつける表面処理を行い、かつ、剥離性をもたせる剥離処理を行っておく等の処置をとることが好ましい。ここでの表面処理としては、サンドブラストによるブラスト処理、剥離処理としては、基板52の表面に酸化膜を形成する方法等が挙げられる。次に、電解めっき法により、レジストパターン59を介して基板52上に金属を析出させて、ダイパッド54と複数の端子部55からなる回路部53を形成する図11B。この回路部53は、Cu、Ni、Ag、Pd、Auのいずれか1種の金属からなる単層構造、あるいは、これらの2種以上の金属からなる多層構造とすることができる。多層構造の場合、例えば、基板52側から、Pd、Ni、Pdの順に積層することができる。また、溶解除去可能な金属層例えば、銅層等を予め形成した基板52を用いた場合、例えば、基板52側から、Au、Ni、Pdの順に積層して回路部53を形成してもよい。本発明では、電解めっきによる回路部53の形成において、レジストパターン59の厚みよりも厚く金属を析出させる。これにより、レジストパターン59の開口部59a内に析出した金属は、開口部59aの内壁に沿って上方に堆積した後、レジストパターン59から盛り上がりながらレジストパターン59の表面に沿って横方向にも析出する。次いで、レジストパターン59を除去する。これにより得られた回路部53は、上記の横方向への金属析出により、基板52との接触面と反対側の表面の周囲に突起部を備えたものとなる。すなわち、内部表面54bの周囲に突起部54aが形成されたダイパッド54、および、内部端子面55bの周囲に突起部55aが形成された端子部55が得られる図11C。次に、本発明の半導体装置用回路部材を用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法を、図4および図5に示される半導体装置用回路部材を例として図12を参照して説明する。まず、半導体装置用回路部材51のダイパッド54上に絶縁性部材6を介して半導体素子5を搭載する図12A。次に、半導体素子5の端子5aと、半導体装置用回路部材51の端子部55の内部端子面55bとを、ワイヤ7を用いて接続する図12B。その後、導電性基板52上で、端子部55、ダイパッド54、半導体素子5、ワイヤ7を樹脂部材8により封止する図12C。次いで、樹脂封止された半導体装置を導電性基板52から剥離し図12D、その後、端子部355の露出した外部端子面に半田ボール9を取り付けて樹脂封止型半導体装置1が得られる。ダイパッド54の半導体素子搭載面である内部表面54bの周囲に突起部54aが形成され、また、端子部55の内部端子面55bの周囲に突起部55aが形成されているので、上述の基板52からの樹脂封止型半導体装置1の剥離工程において、端子部55やダイパッド54が樹脂部材8から剥離したり、クラックが入ることが防止される。次に、具体的実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。まず、基板として、厚み0.15mmの銅板TEC64T1/2Hを準備し、この導電性の基板上に感光性レジスト旭化成株製AQ2558をラミネートし、所望のフォトマスクを介して露光し、現像して、レジストパターン厚み25μmを形成した。次いで、以下の1~3の順番にめっき層を3層積み上げた。1電解めっき液シアンAuカリウム溶液に基板を浸漬し、基板を負極とし、アノードTi/Pt電極を正極として、0.3A/dm2の電流密度にて8分間の電解めっきを行い、約0.5μmのAuめっきを施した。2再び、電解めっき液スルファミン酸ニッケル溶液に基板を浸漬し、基板を負極とし、アノードSラウンドニッケル;志村化工株製を正極として、3A/dm2の電流密度にて15分間の電解めっきを行い、約6~15μmのNiめっきを施した。3最後に、電解めっき液硫酸銅溶液に基板を浸漬し、基板を負極とし、アノード含リン銅;三菱マテリアル株製を正極として、3A/dm2の電流密度にて30分間の電解めっきを行い、約12~30μmのCuめっきを施した。次に、レジストパターンをアルカリもしくは有機溶剤により溶解除去して、図4および図5に示されるような本発明の半導体装置用回路部材を作製した。この回路部材におけるダイパッドは高さが30μmであり、基板との接触面と反対側の表面の周囲に、横方向に5μmの長さで突出した突起部を備えるものであった。また、端子部は高さが32μmであり、、基板との接触面と反対側の表面の周囲に、横方向に6μmの長さで突出した突起部を備えたものであった。一方、比較として、上記の3層構成のなかで、3Cuめっきの通電時間を10分間とした他は、上記と同様にして、半導体装置用回路部材を作製した。この半導体装置用回路部材におけるダイパッドは高さが18μmであり、基板との接触面と反対側の表面の周囲には突起部が存在しないものであった。また、端子部は高さが20μmであり、基板との接触面と反対側の表面の周囲には突起部が存在しないものであった。上述のように作製した半導体装置用回路部材のダイパッド上に絶縁性部材ダイアタッチ剤を介して半導体素子ダイパッドよりも面積が小さいを搭載し、この半導体素子の端子と、半導体装置用回路部材の端子部の内部端子面とを、ワイヤを用いて接続した。次いで、基板上で、ダイパッド、端子部、半導体素子、ワイヤを樹脂部材ノボラック系樹脂日東電工株製MP-8000により封止した。その後、基板をアンモニア系のエッチング液でエッチングすることにより、樹脂封止された半導体装置と基板とを剥離して、樹脂封止型半導体装置を得た。本発明の半導体装置用回路部材を用いた場合、得られた樹脂封止型半導体装置は、ダイパッドおよび端子部と樹脂部材との密着が良好であったが、比較の半導体装置用回路部材を用いた場合、得られた樹脂封止型半導体装置は、基板から剥離する際、端子が一部脱落するものがあった。