"下記一般式1で表されることを特徴とするチオアミド化合物。ただし、前記一般式1中、R1は、-OR11、及び-NR12R13のいずれかを表す。R2及びR3は、それぞれ独立に、アミド基の保護基及び水素原子のいずれかを表す。前記R11は、水酸基の保護基及び水素原子のいずれかを表す。前記R12及び前記R13は、それぞれ独立に、アミノ基の保護基及び水素原子のいずれかを表すなお、前記R12及び前記R13は、一緒になって環構造の保護基を形成していてもよい。請求項1に記載のチオアミド化合物の製造方法であって、下記一般式2で表される化合物と、下記一般式3で表される化合物とを反応させる反応工程を含むことを特徴とするチオアミド化合物の製造方法。ただし、前記一般式2中、R1は、-OR11、及び-NR12R13のいずれかを表す。前記R11は、水酸基の保護基及び水素原子のいずれかを表す。前記R12及び前記R13は、それぞれ独立に、水素原子及びアミノ基の保護基のいずれかを表すなお、前記R12及び前記R13は、一緒になって環構造の保護基を形成していてもよい。前記一般式3中、R2及びR3は、それぞれ独立に、アミド基の保護基及び水素原子のいずれかを表す。反応工程が、銅錯体を用いて行われる請求項2に記載のチオアミド化合物の製造方法。銅錯体が、銅-光学活性ホスフィン錯体である請求項3に記載のチオアミド化合物の製造方法。下記一般式1で表されるチオアミド化合物を下記一般式4で表されるアセテート誘導体に転化する工程を含むことを特徴とする[4R,6R-6-アミノエチル-1,3-ジオキサン-4-イル]アセテート誘導体の製造方法。ただし、前記一般式1中、R1は、-OR11、及び-NR12R13のいずれかを表す。R2及びR3は、それぞれ独立に、アミド基の保護基及び水素原子のいずれかを表す。前記R11は、水酸基の保護基及び水素原子のいずれかを表す。前記R12及び前記R13は、それぞれ独立に、アミノ基の保護基及び水素原子のいずれかを表すなお、前記R12及び前記R13は、一緒になって環構造の保護基を形成していてもよい。ただし、前記一般式4中、R4は、カルボキシル基の保護基及び水素原子のいずれかを表す。R5及びR6は、それぞれ独立に、炭素数1~6の炭化水素基及び水素原子のいずれかを表すなお、前記R5及び前記R6は、一緒になって環構造を形成していてもよい。下記一般式1で表されるチオアミド化合物を下記一般式4で表されるアセテート誘導体に転化する工程を含むことを特徴とするアトルバスタチンの製造方法。ただし、前記一般式1中、R1は、-OR11、及び-NR12R13のいずれかを表す。R2及びR3は、それぞれ独立に、アミド基の保護基及び水素原子のいずれかを表す。前記R11は、水酸基の保護基及び水素原子のいずれかを表す。前記R12及び前記R13は、それぞれ独立に、アミノ基の保護基及び水素原子のいずれかを表すなお、前記R12及び前記R13は、一緒になって環構造の保護基を形成していてもよい。。ただし、前記一般式4中、R4は、カルボキシル基の保護基及び水素原子のいずれかを表す。R5及びR6は、それぞれ独立に、炭素数1~6の炭化水素基及び水素原子のいずれかを表すなお、前記R5及び前記R6は、一緒になって環構造を形成していてもよい。本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、[4R,6R-6-アミノエチル-1,3-ジオキサン-4-イル]アセテート誘導体を、効率よく且つ銅触媒などの安価に調製可能な触媒を用いて製造可能なチオアミド化合物、該チオアミド化合物の製造方法、前記チオアミド化合物を用いた[4R,6R-6-アミノエチル-1,3-ジオキサン-4-イル]アセテート誘導体の製造方法、及び前記チオアミド化合物を用いたアトルバスタチンの製造方法を提供することを目的とする。前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、<1>下記一般式1で表されることを特徴とするチオアミド化合物である。ただし、前記一般式1中、R1は、-OR11、及び-NR12R13のいずれかを表す。R2及びR3は、それぞれ独立に、アミド基の保護基及び水素原子のいずれかを表す。前記R11は、水酸基の保護基及び水素原子のいずれかを表す。前記R12及び前記R13は、それぞれ独立に、アミノ基の保護基及び水素原子のいずれかを表すなお、前記R12及び前記R13は、一緒になって環構造の保護基を形成していてもよい。<2>前記<1>に記載のチオアミド化合物の製造方法であって、下記一般式2で表される化合物と、下記一般式3で表される化合物とを反応させる反応工程を含むことを特徴とするチオアミド化合物の製造方法である。ただし、前記一般式2中、R1は、-OR11、及び-NR12R13のいずれかを表す。前記R11は、水酸基の保護基及び水素原子のいずれかを表す。前記R12及び前記R13は、それぞれ独立に、水素原子及びアミノ基の保護基のいずれかを表すなお、前記R12及び前記R13は、一緒になって環構造の保護基を形成していてもよい。前記一般式3中、R2及びR3は、それぞれ独立に、アミド基の保護基及び水素原子のいずれかを表す。<3>反応工程が、銅錯体を用いて行われる前記<2>に記載のチオアミド化合物の製造方法である。<4>銅錯体が、銅-光学活性ホスフィン錯体である前記<3>に記載のチオアミド化合物の製造方法である。<5>下記一般式1で表されるチオアミド化合物を下記一般式4で表されるアセテート誘導体に転化する工程を含むことを特徴とする[4R,6R-6-アミノエチル-1,3-ジオキサン-4-イル]アセテート誘導体の製造方法である。ただし、前記一般式1中、R1は、-OR11、及び-NR12R13のいずれかを表す。R2及びR3は、それぞれ独立に、アミド基の保護基及び水素原子のいずれかを表す。前記R11は、水酸基の保護基及び水素原子のいずれかを表す。前記R12及び前記R13は、それぞれ独立に、アミノ基の保護基及び水素原子のいずれかを表すなお、前記R12及び前記R13は、一緒になって環構造の保護基を形成していてもよい。ただし、前記一般式4中、R4は、カルボキシル基の保護基及び水素原子のいずれかを表す。R5及びR6は、それぞれ独立に、炭素数1~6の炭化水素基及び水素原子のいずれかを表すなお、前記R5及び前記R6は、一緒になって環構造を形成していてもよい。<6>下記一般式1で表されるチオアミド化合物を下記一般式4で表されるアセテート誘導体に転化する工程を含むことを特徴とするアトルバスタチンの製造方法である。ただし、前記一般式1中、R1は、-OR11、及び-NR12R13のいずれかを表す。R2及びR3は、それぞれ独立に、アミド基の保護基及び水素原子のいずれかを表す。前記R11は、水酸基の保護基及び水素原子のいずれかを表す。前記R12及び前記R13は、それぞれ独立に、アミノ基の保護基及び水素原子のいずれかを表すなお、前記R12及び前記R13は、一緒になって環構造の保護基を形成していてもよい。。ただし、前記一般式4中、R4は、カルボキシル基の保護基及び水素原子のいずれかを表す。R5及びR6は、それぞれ独立に、炭素数1~6の炭化水素基及び水素原子のいずれかを表すなお、前記R5及び前記R6は、一緒になって環構造を形成していてもよい。本発明によれば、従来における前記諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、[4R,6R-6-アミノエチル-1,3-ジオキサン-4-イル]アセテート誘導体を、効率よく且つ銅触媒などの安価に調製可能な触媒を用いて製造可能なチオアミド化合物、該チオアミド化合物の製造方法、前記チオアミド化合物を用いた[4R,6R-6-アミノエチル-1,3-ジオキサン-4-イル]アセテート誘導体の製造方法、及び前記チオアミド化合物を用いたアトルバスタチンの製造方法を提供することができる。本明細書、及び特許請求の範囲に記載された化学式及び一般式における立体配置は特に言及しない場合には、絶対配置を表す。チオアミド化合物本発明のチオアミド化合物は、下記一般式1で表される。ただし、前記一般式1中、R1は、-OR11、及び-NR12R13のいずれかを表す。R2及びR3は、それぞれ独立に、アミド基の保護基及び水素原子のいずれかを表す。前記R11は、水酸基の保護基及び水素原子のいずれかを表す。前記R12及び前記R13は、それぞれ独立に、アミノ基の保護基及び水素原子のいずれかを表すなお、前記R12及び前記R13は、一緒になって環構造の保護基を形成していてもよい。前記R11における水酸基の保護基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Greenら、ProtectiveGroupsinOrganicSynthesis3rdEdition,1999,JohnWileySons,Inc.などの成書を参照することができる。前記水酸基の保護基としては、例えば、アラルキル基、トリアルキルシリル基、アルコキシアルキル基、アルカノイル基、アリールカルボニル基などが挙げられる。保護基におけるアリール環ベンゼン環などが置換基を有する場合には、置換基としてハロゲン原子やアルコキシ基などが挙げられる。前記アラルキル基としては、例えば、ベンジル基、p-メトキシベンジル基、p-アミノベンジル基などが挙げられる。前記トリアルキルシリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、tert-ブチルジメチルシリル基などが挙げられる。前記アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基などが挙げられる。前記アルカノイル基としては、例えば、アセチル基、トリフルオロアセチル基などが挙げられる。前記アリールカルボニル基としては、例えば、ベンゾイル基、置換フェニルカルボニル基などが挙げられる。これらの中でも、[4R,6R-6-アミノエチル-1,3-ジオキサン-4-イル]アセテート誘導体を合成する際の脱保護の容易性の点から、アラルキル基が好ましく、ベンジル基がより好ましい。前記R12及び前記R13におけるアミノ基の保護基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メトキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基、メチル基、エチル基、アリル基、ベンゼンスルホニル基などが挙げられる。また、前記R12及び前記R13が、一緒になって環構造の保護基を形成している場合は、例えば、フタロイル基Phth基が挙げられる。これらの中でも、温和な反応条件で脱保護が可能な点で、フタロイル基が好ましい。前記R2及び前記R3におけるアミド基の保護基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、トシル基、メトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、アリル基、トリイソプロピルシリル基、ベンジル基、メトキシカルボニル基などが挙げられる。これらの中でも、アルドール反応における反応成績に優れる点からアリル基が好ましい。本発明のチオアミド化合物は、立体異性体の混合物として得られる場合もあるが、この場合も本発明の範囲に包含される。前記一般式1で表されるチオアミド化合物の製造方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、下記本発明のチオアミド化合物の製造方法が好ましい。本発明のチオアミド化合物は、アトルバスタチン合成の有用な中間体である、[4R,6R-6-アミノエチル-1,3-ジオキサン-4-イル]アセテート誘導体を合成するための物質、更にはアトルバスタチンを合成するための物質として有用である。チオアミド化合物の製造方法本発明のチオアミド化合物の製造方法は、本発明の前記一般式1で表されるチオアミド化合物の製造方法であって、下記一般式2で表される化合物と、下記一般式3で表される化合物とを反応させる反応工程を含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。ただし、前記一般式2中、R1は、-OR11、及び-NR12R13のいずれかを表す。前記R11は、水酸基の保護基及び水素原子のいずれかを表す。前記R12及び前記R13は、それぞれ独立に、水素原子及びアミノ基の保護基のいずれかを表すなお、前記R12及び前記R13は、一緒になって環構造の保護基を形成していてもよい。前記一般式3中、R2及びR3は、それぞれ独立に、アミド基の保護基及び水素原子のいずれかを表す。前記一般式2中のR1は、前記一般式1中のR1と同じである。前記一般式3中のR2及びR3は、前記一般式1中のR2及びR3とそれぞれ同じである。<反応工程>前記反応工程としては、前記一般式2で表される化合物と、前記一般式3で表される化合物とを反応させる工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、銅錯体を用いることが好ましい。前記反応工程において、前記銅錯体を触媒として用いることにより、安価な銅を触媒源に用いて前記一般式1で表されるチオアミド化合物を製造することができる。前記銅錯体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、銅-光学活性ホスフィン錯体であることが、エナンチオ選択性が優れる点で好ましい。前記銅-光学活性ホスフィン錯体は、銅と光学活性ホスフィン配位子の錯体である。前記光学活性ホスフィン配位子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、シクロヘキシルアニシルメチルホスフィンCAMP、1,2-ビスアニシルフェニルホスフィノエタンDIPAMP、1,2-ビスアルキルメチルホスフィノエタンBisP、2,3-ビスジフェニルホスフィノブタンCHIRAPHOS、1,2-ビスジフェニルホスフィノプロパンPROPHOS、2,3-ビスジフェニルホスフィノ-5-ノルボルネンNORPHOS、2,3-O-イソプロピリデン-2,3-ジヒドロキシ-1,4-ビスジフェニルホスフィノブタンDIOP、1-シクロヘキシル-1,2-ビスジフェニルホスフィノエタンCYCPHOS、1-置換-3,4-ビスジフェニルホスフィノピロリジンDEGPHOS、2,4-ビス-ジフェニルホスフィノペンタンSKEWPHOS、1,2-ビス置換ホスホラノベンゼンDuPHOS、1,2-ビス置換ホスホラノエタンBPE、1-置換ホスホラノ-2-ジフェニルホスフィノベンゼンUCAP-Ph、1-ビス3,5-ジメチルフェニルホスフィノ-2-置換ホスホラノベンゼンUCAP-DM、1-置換ホスホラノ-2-ビス3,5-ジt-ブチル-4-メトキシフェニルホスフィノベンゼンUCAP-DTBM、1-置換ホスホラノ-2-ジ-ナフタレン-1-イル-ホスフィノベンゼンUCAP-1-Nap、1-[1’,2-ビスジフェニルホスフィノフェロセニル]エチルアミンBPPFA、1-[1’,2-ビスジフェニルホスフィノフェロセニル]エチルアルコールBPPFOH、2,2’-ビスジフェニルホスフィノ-1,1’-ジシクロペンタンBICP、2,2’-ビスジフェニルホスフィノ-1,1’-ビナフチルBINAP、2,2’-ビスジフェニルホスフィノ-1,1’-5,5’,6,6’,7,7’,8,8’,-オクタヒドロビナフチルH8-BINAP、2,2’-ビスジ-p-トリルホスフィノ-1,1’-ビナフチルTOL-BINAP、2,2’-ビスジ3,5-ジメチルフェニルホスフィノ-1,1’-ビナフチルDM-BINAP、2,2’-ビスジフェニルホスフィノ-6,6’-ジメチル-1,1’-ビフェニルBICHEP、5,6,5’,6’-ビスメチレンジオキシビフェニル-2,2’-ジイルビスジフェニルホスフィンSEGPHOS、5,6,5’,6’-ビスメチレンジオキシビフェニル-2,2’-ジイルビス3,5-ジメチルフェニルホスフィンDM-SEGPHOS、5,6,5’,6’-ビスメチレンジオキシビフェニル-2,2’-ジイルビス3,5-ジtert-ブチル-4-メトキシフェニルホスフィンDTBM-SEGPHOSなどが挙げられる。これらの中でも、エナンチオ選択性がより優れる点から、S,S-2,5置換-BPEが好ましく、S,S-Ph-BPEがより好ましい。なお、S,S-Ph-BPEは、以下の構造式で表される化合物である。ただし、Phはフェニル基を表す。なお、チオアミドとアルデヒドとのアルドール反応においては、アルデヒドのα位に酸性の水素原子がある場合には、通常の触媒においては、量論的にチオアミドを活性化するため、多量の触媒が必要である。しかし、前記銅-光学活性ホスフィン錯体を用いることにより、チオアミド前記一般式3で表される化合物を用いるアルドール反応において、アルデヒドのα位に酸性の水素原子がある場合にも、触媒的にチオアミドを活性化し言い換えれば、量論的にチオアミドを活性化せず、前記一般式1で表されるチオアミド化合物を製造することができる。そのため、前記銅-光学活性ホスフィン錯体は、触媒量の使用でよい。前記触媒量としては、前記一般式2で表される化合物に対して、1mol~9molが好ましい。前記反応工程における前記一般式2で表される化合物と前記一般式3で表される化合物との割合としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記一般式2で表される化合物に対して、前記一般式3で表される化合物が1.0当量~1.5当量であることが好ましい。前記反応工程において使用される溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、THFテトラヒドロフラン、DMFN,N-ジメチルホルムアミドなどが挙げられる。前記反応工程における反応温度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、-60°C~-40°Cが好ましい。前記反応工程における反応時間としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、5時間~36時間が好ましい。本発明のチオアミド化合物の製造方法により得られるチオアミド化合物は、立体異性体の混合物として得られる場合もあるが、この場合も本発明の範囲に包含される。本発明の製造方法により得られる前記一般式1で表されるチオアミド化合物は、アトルバスタチン合成の有用な中間体である、[4R,6R-6-アミノエチル-1,3-ジオキサン-4-イル]アセテート誘導体を合成するための物質、更にはアトルバスタチンを合成するための物質として有用である。[4R,6R-6-アミノエチル-1,3-ジオキサン-4-イル]アセテート誘導体の製造方法本発明の[4R,6R-6-アミノエチル-1,3-ジオキサン-4-イル]アセテート誘導体の製造方法は、前記一般式1で表されるチオアミド化合物を下記一般式4で表されるアセテート誘導体に転化する工程を含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。<転化する工程>前記転化する工程は、前記一般式1で表されるチオアミド化合物を下記一般式4で表されるアセテート誘導体に転化する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。ただし、前記一般式4中、R4は、カルボキシル基の保護基及び水素原子のいずれかを表す。R5及びR6は、それぞれ独立に、炭素数1~6の炭化水素基及び水素原子のいずれかを表すなお、前記R5及び前記R6は、一緒になって環構造を形成していてもよい。前記R4におけるカルボキシル基の保護基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Greenら、ProtectiveGroupsinOrganicSynthesis3rdEdition,1999,JohnWileySons,Inc.などの成書を参照することができる。前記カルボキシル基の保護基としては、例えば、アルキル基、トリアルキルシリル基などを挙げることができる。前記アルキル基としては、メチル基、エチル基、tert-ブチル基などが挙げられる。前記トリアルキルシリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基などが挙げられる。これらの中でも、酸性条件でも脱保護が可能である点からtert-ブチル基が好ましい。前記R5及び前記R6は、それぞれ独立に、炭素数1~6の炭化水素基及び水素原子のいずれかを表すなお、前記R5及び前記R6は、一緒になって環構造を形成していてもよい。炭素数1~6の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基などが挙げられる。前記R5及び前記R6が一緒になって形成される環構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、脂肪族炭化水素環が挙げられる。前記脂肪族炭化水素環としては、例えば、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環などが挙げられる。前記転化する工程について、前記一般式1におけるR1が-OR11の場合と、-NR12R13の場合に分けて、その一例を説明する。-転化する工程A前記一般式1におけるR1が-OR11の場合-前記転化する工程Aとしては、例えば、下記一般式1-1で表されるチオアミド化合物を下記一般式5で表される化合物へ転化する工程工程A-I、下記一般式5で表される化合物を下記一般式6で表される化合物へ転化する工程工程A-II、下記一般式6で表される化合物を下記一般式9で表される化合物へ転化する工程工程A-III、下記一般式9で表される化合物を下記一般式11で表される化合物へ転化する工程工程A-IV、及び下記一般式11で表される化合物を前記一般式4で表されるアセテート誘導体へ転化する工程工程A-Vをこの順で行うことが挙げられる。前記転化する工程Aを前記工程A-I~工程A-Vで行う場合には、前記工程A-I~工程A-Vをこの順で行う際に、他の工程を加えてもよい。また、前記工程A-I~工程A-Vのいずれかの工程を、これら以外のその他の工程に代えて行ってもよい。--工程A-I--前記工程A-Iは、下記一般式1-1で表されるチオアミド化合物を下記一般式5で表される化合物へ転化する工程である。ただし、前記一般式1-1中、R2、R3及びR11は、前記一般式1中のR2、R3及びR11とそれぞれ同じである。前記一般式5中、R2、R3及びR11は、前記一般式1-1中のR2、R3及びR11とそれぞれ同じである。前記R7は、水酸基の保護基を表す。前記R7としては、水酸基の保護基であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記一般式1における前記R11の説明で例示した保護基が挙げられる。前記R11と前記R7の水酸基の保護基の組合せとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記R7の基が前記R11の基よりも脱保護し易いことが好ましい。そのような組合せとしては、前記R11がベンジル基であり前記R7がtert-ブチルジメチルシリルTBS基であることが、選択的に前記R7を脱保護できる点で好ましい。前記工程A-Iとしては、前記一般式1-1中の水酸基の水素原子を前記R7基に変換できる限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、水酸基を保護する公知の方法に従って行うことができる。前記工程A-Iおいて、前記一般式1-1中の水酸基の水素原子をtert-ブチルジメチルシリルTBS基に置換する場合には、塩基存在下で反応を行うことが好ましい。前記塩基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、求核性が低い塩基が好ましく、2,6-ルチジンがより好ましい。--工程A-II--前記工程A-IIは、前記一般式5で表される化合物を下記一般式6で表される化合物へ転化する工程である。ただし、前記一般式6中、R7及びR11は、前記一般式5中のR7及びR11とそれぞれ同じである。前記一般式6中、R4は、前記一般式4中のR4と同じである。前記工程A-IIとしては、チオアミドをβケトエステルに変換できる限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Sメチル化に続く、相当するリチウムエノラートの付加反応を用いて行うことができる。また、前記工程A-IIは、YuichiroMutoh,ToshiakiMurai,OrganicLetters2003,Vol5,No.8,1361-1364.を参考にして行うことができる。--工程A-III--前記工程A-IIIとしては、前記一般式6で表される化合物を下記一般式9で表される化合物へ転化する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記R7の脱保護の後にジアステレオ選択的還元を行い、更にsyn-1,3-ジオールに対して保護基を導入し1,3-ジオキサン環を形成する方法などが挙げられる。ただし、前記一般式9中、R4及びR11は、前記一般式6中のR4及びR11とそれぞれ同じである。前記一般式9中、R5及びR6は、前記一般式4中のR5及びR6とそれぞれと同じである。前記R7の脱保護の後にジアステレオ選択的還元を行い、更にsyn-1,3-ジオールに対して保護基を導入し1,3-ジオキサン環を形成する方法としては、例えば、前記一般式6で表される化合物を下記一般式7で表される化合物に変換する工程工程A-III-1、下記一般式7で表される化合物を下記一般式8で表される化合物に変換する工程工程A-III-2、及び下記一般式8で表される化合物を前記一般式9で表される化合物に変換する工程工程A-III-3をこの順で行う方法が挙げられる。ただし、前記一般式7、及び一般式8中、R4及びR11は、前記一般式6中のR4及びR11とそれぞれ同じである。前記工程A-III-1としては、前記一般式6中の前記R7を水素原子に置換する、即ち、水酸基の保護基である前記R7を脱保護する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記R7がトリアルキルシリル基例えば、tert-ブチルジメチルシリルTBS基の場合には、酸性条件、又はフッ化物イオンによって脱保護する方法が挙げられる。前記フッ化物イオンによって脱保護する場合には、例えば、テトラブチルアンモニウムフルオリドTBAF、フッ化水素酸HF、フッ化セシウムCsFなどを用いることができる。前記工程A-III-2としては、前記一般式7中のカルボニル基を水酸基に還元することができる工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、LiAlH4、NaBH4などの還元剤を用いる工程が挙げられる。前記NaBH4を用いる場合には、通常、メタノール、エタノールなどのアルコール存在下で還元が行われる。なお、前記工程A-III-2においては、コンフォメーションを制御することでsyn選択性を発現することができる。コンフォメーションを制御する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、トリエチルボラン、ジエチルメトキシボランなどによるアルコールとケトン部位のキレート形成によりコンフォメーションを制御することが挙げられる。前記工程A-III-3としては、前記一般式8中の光学活性syn-1,3ジオールを、前記一般式9中の1,3-ジオキサン環に変換する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、2,2-ジメトキシプロパン、2-メトキシ-2-プロペン、アセトン、3,3-ジメトキシペンタン、シクロヘキサノン、シクロペンタノンなどを用いる方法が挙げられる。前記工程A-IIIにおいて、前記工程A-III-1及び工程A-III-2は、精製をすることなく行い、前記工程A-III-3で精製を行い、前記一般式9で表される化合物を得てもよい。--工程A-IV--前記工程A-IVとしては、前記一般式9で表される化合物を下記一般式11で表される化合物へ転化する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。ただし、前記一般式11中、R4、R5及びR6は、前記一般式9中のR4、R5及びR6とそれぞれ同じである。R8は、アジ基に変換可能な基を表す。前記R8としては、アジ基に変換可能な基であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、-OR10R10は、Ts基トシル基、Ms基メシル基、Tf基トリフルオロメタンスルホニル基等、ヨウ素原子などが挙げられる。前記工程A-IVとしては、例えば、前記一般式9で表される化合物を下記一般式10で表される化合物に変換する工程工程A-IV-1の後に、続いて、下記一般式10で表される化合物を前記一般式11で表される化合物に変換する工程工程A-IV-2などが挙げられる。ただし、前記一般式10中、R4、R5及びR6は、前記一般式9中のR4、R5及びR6とそれぞれ同じである。前記工程A-IV-1としては、前記一般式9中の前記R11を水素原子に置換する、即ち、水酸基の保護基R11を脱保護する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、従来公知の水酸基の脱保護の方法により行うことができる。前記R11が、ベンジル基の場合には、前記工程A-IV-1としては、例えば、水酸化パラジウム/炭素パールマン触媒などのパラジウム炭素Pd/Cを用いてベンジル基を脱保護する方法が挙げられる。前記工程A-IV-2としては、前記一般式10中の水酸基をアジ基に変換可能な基例えば、-OR10R10はトシル基に置換する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、パラトルエンスルホニルクロリドを用いて水酸基をトシル化する方法などが挙げられる。前記工程A-IVにおいて、前記工程A-IV-1は、精製をすることなく行い、前記工程A-IV-2で精製を行い、前記一般式11で表される化合物を得てもよい。--工程A-V--前記工程A-Vは、前記一般式11で表される化合物を下記一般式4で表されるアセテート誘導体へ転化する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記工程A-Vとしては、例えば、前記一般式11で表される化合物を下記一般式12で表される化合物に変換する工程工程A-V-1の後に、続いて、下記一般式12で表される化合物を前記一般式4で表されるアセテート誘導体に変換する工程工程A-V-2が挙げられる。ただし、前記一般式12中、R4、R5及びR6は、前記一般式11中のR4、R5及びR6とそれぞれ同じである。前記工程A-V-1としては、前記一般式11中のR8アジ基に変換可能な基をアジ基N3-に置換する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、-OR10R10はトシル基をアジ基に置換する場合、求核剤としてのアジ化ナトリウムを反応させ、トシラートアニオンTsO-を脱離する求核置換反応を起こすことにより、アジ基を生成させる方法などが挙げられる。前記工程A-V-2としては、前記一般式12中のアジ基N3-を1級アミノ基に置換する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、トリフェニルホスフィンを用いたシュタウディンガー還元を用いる方法が挙げられる。前記工程A-Vにおいて、前記工程A-V-1は、精製をすることなく行い、前記工程A-V-2で精製を行い、前記一般式4で表されるアセテート誘導体を得てもよい。-転化する工程B前記一般式1におけるR1が-NR12R13の場合-前記転化する工程Bとしては、例えば、下記一般式1-2で表されるチオアミド化合物を下記一般式13で表される化合物へ転化する工程工程B-I、下記一般式13で表される化合物を下記一般式14で表される化合物へ転化する工程工程B-II、下記一般式14で表される化合物を下記一般式17で表される化合物へ転化する工程工程B-III、及び下記一般式17で表される化合物を前記一般式4で表されるアセテート誘導体へ転化する工程工程B-IVをこの順で行うことが挙げられる。前記転化する工程Bを前記工程B-I~工程B-IVで行う場合には、前記工程B-I~工程B-IVを順で行う際に、他の工程を加えてもよい。また、前記工程B-I~工程B-IVのいずれかの工程を、これら以外のその他の工程に代えて行ってもよい。--工程B-I--前記工程B-Iは、下記一般式1-2で表されるチオアミド化合物を下記一般式5で表される化合物へ転化する工程である。ただし、前記一般式1-2中、R2、R3、R12及びR13は、前記一般式1中のR2、R3、R12及びR13とそれぞれ同じである。前記一般式13中、R2、R3、R12及びR13は、前記一般式1-2中のR2、R3、R12及びR13とそれぞれ同じである。前記R9は、水酸基の保護基を表す。前記R9としては、水酸基の保護基であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記一般式1における前記R11の説明で例示した保護基などが挙げられる。前記工程B-Iとしては、前記一般式1-2中の水酸基の水素原子を前記R9基に変換できる限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、水酸基を保護する公知の方法に従って行うことができる。前記工程B-Iおいて、前記一般式1-2中の水酸基の水素原子をtert-ブチルジメチルシリルTBS基に置換する場合には、塩基存在下で、反応を行うことが好ましい。前記塩基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、求核性が低い塩基が好ましく、2,6-ルチジンがより好ましい。--工程B-II--前記工程B-IIは、下記一般式13で表される化合物を下記一般式14で表される化合物へ転化する工程である。ただし、前記一般式14中、R9、R12及びR13は、前記一般式13中のR9、R12及びR13とそれぞれ同じである。前記一般式14中、R4は、前記一般式4中のR4と同じである。前記工程B-IIとしては、チオアミドをβケトエステルに変換できる限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Sメチル化に続く、相当するリチウムエノラートの付加反応を用いて行うことができる。また、前記工程B-IIは、YuichiroMutoh,ToshiakiMurai,OrganicLetters2003,Vol5,No.8,1361-1364.を参考にして行うことができる。--工程B-III--前記工程B-IIIとしては、前記一般式14で表される化合物を下記一般式17で表される化合物へ転化する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記R9の脱保護の後にジアステレオ選択的還元を行い、更にsyn-1,3-ジオールに対して保護基を導入し1,3-ジオキサン環を形成する方法などが挙げられる。ただし、前記一般式17中、R4、R12及びR13は、前記一般式6中のR4、R12及びR13とそれぞれ同じである。前記一般式17中、R5及びR6は、前記一般式4中のR5及びR6とそれぞれと同じである。前記R9の脱保護の後にジアステレオ選択的還元を行い、更にsyn-1,3-ジオールに対して保護基を導入し1,3-ジオキサン環を形成する方法としては、例えば、前記一般式14で表される化合物を下記一般式15で表される化合物に変換する工程工程B-III-1、下記一般式15で表される化合物を下記一般式16で表される化合物に変換する工程工程B-III-2、及び下記一般式16で表される化合物を下記一般式17で表される化合物に変換する工程工程B-III-3をこの順で行う方法などが挙げられる。ただし、前記一般式15、及び一般式16中、R4、R12及びR13は、前記一般式14中のR4、R12及びR13とそれぞれ同じである。前記工程B-III-1としては、前記一般式14中の前記R9を水素原子に置換する、即ち、水酸基の保護基である前記R9を脱保護する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記R9がトリアルキルシリル基例えば、tert-ブチルジメチルシリルTBS基の場合には、酸性条件、又はフッ化物イオンによって脱保護する方法が挙げられる。前記フッ化物イオンによって脱保護する場合には、例えば、テトラブチルアンモニウムフルオリドTBAF、フッ化水素酸HF、フッ化セシウムCsFなどを用いることができる。前記工程B-III-2としては、前記一般式15中のカルボニル基を水酸基に還元することができる工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、LiAlH4、NaBH4などの還元剤を用いる工程が挙げられる。前記NaBH4を用いる場合には、通常、メタノール、エタノールなどのアルコール存在下で還元が行われる。なお、前記工程B-III-2においては、コンフォメーションを制御することでsyn選択性を発現することができる。コンフォメーションを制御する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、トリエチルボラン、ジエチルメトキシボランなどによるアルコールとケトン部位のキレート形成によりコンフォメーションを制御することが挙げられる。前記工程B-III-3としては、前記一般式16中の光学活性syn-1,3ジオールを、前記一般式17中の1,3-ジオキサン環に変換する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、2,2-ジメトキシプロパン、2-メトキシ-2-プロペン、アセトン、3,3-ジメトキシペンタン、シクロヘキサノン、シクロペンタノンなどを用いる方法が挙げられる。前記工程B-IIIにおいて、前記工程B-III-1及び工程B-III-2は、精製をすることなく行い、前記工程B-III-3で精製を行い、前記一般式17で表される化合物を得てもよい。--工程B-IV--前記工程B-IVとしては、前記一般式17で表される化合物を前記一般式4で表されるアセテート誘導体へ転化する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記工程B-IVにおいて、前記NR12R13をNH2に変換する、即ち、アミノ基の保護基を脱保護する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記R12及び前記R13が、一緒になってフタロイル基を形成している場合には、メチルアミン、ヒドラジン等を作用させることで脱保護する方法などが挙げられる。本発明の[4R,6R-6-アミノエチル-1,3-ジオキサン-4-イル]アセテート誘導体の製造方法は、アトルバスタチンの製造に有用な[4R,6R-6-アミノエチル-1,3-ジオキサン-4-イル]アセテート誘導体を効率よく安価に製造することができる。アトルバスタチンの製造方法前記アトルバスタチンの製造方法は、前記一般式1で表されるチオアミド化合物を前記一般式4で表されるアセテート誘導体に転化する工程を少なくとも含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。本発明においてアトルバスタチンとは、アトルバスタチン3R,5R-7-[2-4-フルオロフェニル-5-イソプロピル-3-フェニル-4-フェニルカルバモイル-1H-ピロル-1-イル]-3,5-ジヒドロキシヘプタン酸に加え、その製薬学的に許容される塩を包含する。前記塩としては、例えば、ナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩;カルシウム塩、マグネシウム塩等のアルカリ土類金属塩;アンモニウム塩;トリアルキルアミン塩等の有機塩基塩などが挙げられる。前記アトルバスタチンとしては、アトルバスタチンのアルカリ土類金属塩が好ましく、アトルバスタチンカルシウムがより好ましい。<転化する工程>前記転化する工程としては、本発明の前記[4R,6R-6-アミノエチル-1,3-ジオキサン-4-イル]アセテート誘導体の製造方法に記載した転化する工程が挙げられる。<その他の工程>前記その他の工程としては、例えば、[4R,6R-6-アミノエチル-1,3-ジオキサン-4-イル]アセテート誘導体から、アトルバスタチン特にアトルバスタチンカルシウムを製造する工程が挙げられる。前記[4R,6R-6-アミノエチル-1,3-ジオキサン-4-イル]アセテート誘導体、即ち、前記一般式4で表されるアセテート誘導体から、アトルバスタチンカルシウムを製造する工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、KelvinL.Baumann,etal.,TetrahedronLetters,Vol.33,No.17,pp.2283-2284,1992に記載の方法などが挙げられる。本発明のアトルバスタチンの製造方法は、アトルバスタチンを効率よく且つ安価に製造することができる。以下に本発明の実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。なお、以下の実施例において、THFはテトラヒドロフランを表す。DMFはN,N-ジメチルホルムアミドを表す。Bnはベンジル基を表す。TBSはtert-ブチルジメチルシリル基を表す。Tsはトシル基を表す。実施例1<チオアミド化合物A-1の合成1><<化合物XN,N-ジアリルチオアセトアミドの合成>>300mLナスフラスコにN,N-ジアリルアセトアミド5.0g、36mmol、1当量、StanislawKrompiec,etal.,JournalofMolecularCatalysisA:Chemical2005,Vil225,No.1,91-101.に従って合成、ローソン試薬7.3g、18mmol、0.5当量、及び乾燥THF180mLを順次加えて12時間加熱還流した後、室温に戻して1規定塩酸3mL加えた。得られた二相混合物を酢酸エチル20mLで抽出し、有機層を飽和重曹水、及び飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過及び濃縮後に得られた残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィーヘキサン/酢酸エチル=10/1体積比で精製し、下記化合物XN,N-ジアリルチオアセトアミドを淡黄色油状物として得た。収量4.8g収率86。<<2,2,5,7,8-ペンタメチルクロマノールリチウム塩の合成>>加熱真空乾燥した5mLナスフラスコに2,2,5,7,8-ペンタメチルクロマノール88.1mg、0.40mmolを加え1時間減圧乾燥した後、フラスコ内をアルゴン雰囲気にして乾燥テトラヒドロフランTHF2mLを加えた。フラスコをアセトン-ドライアイス浴で-78°Cに冷却し、n-ブチルリチウム247μL、0.40mmol、1.62Mへキサン溶液をゆっくりと加え、同温度で1時間撹拌し、2,2,5,7,8-ペンタメチルクロマノールリチウム塩の0.2MTHF溶液を得た。<<Cu/S,S-Ph-BPEの合成>>加熱真空乾燥した5mLナスフラスコに[CuCH3CN4]PF6Strem社製、149.0mg、0.40mmolとS,S-Ph-BPEStrem社製、202.5mg、0.40mmolをグローブボックス内で加えた後、アルゴン雰囲気下にてTHF4mLを加えてCu/S,S-Ph-BPE銅-光学活性ホスフィン錯体の0.1MTHF溶液を得た。<<チオアミド化合物A-1の合成>>加熱真空乾燥した100mLナスフラスコにN,N-ジメチルホルムアミドDMF60mL、3-ベンジルオキシプロパナール1.0g、6.09mmol、1当量、AmandaM.Heapy,MargaretA.Brimble,Tetrahedron,Vol.66,No.29,5424-5431.に従って合成、N,N-ジアリルチオアセトアミド上記化合物X、1.13g、7.30mmol、1.2当量、上記で調製したCu/S,S-Ph-BPE溶液3.65mL、0.365mmol、0.06当量をアルゴン雰囲気下加えた。ナスフラスコを-40°Cの恒温槽へ移し、上記で調製した2,2,5,7,8-ペンタメチルクロマノールリチウム塩のTHF溶液1.83mL、0.365mmol、0.06当量を加え、-40°Cで36時間撹拌した後、飽和塩化アンモニウム水溶液30mLと2,2-ビピリジン57mg、0.365mmol、0.06当量を加え、その混合溶液を酢酸エチル20mLで3回抽出した。得られた有機層を蒸留水、飽和重曹水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過及び濃縮後に得られる残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィーヘキサン/酢酸エチル=5/1~2/1体積比で精製し、下記チオアミド化合物A-1を黄色油状物として得た。収量1.64g収率84、92ee。得られたチオアミド化合物A-1のIRスペクトル、1HNMRスペクトル、13CNMRスペクトル、比旋光度、ESI-MSスペクトル、及びHRMSスペクトルデータを示す。IRneatν3413,3085,2919,2861,1643,1496,1411cm-11HNMRCDCl3δ7.34-7.29m,5H,5.86dddd,J=5.7,5.7,10.3,17.2Hz,1H,5.73dddd,J=5.0,5.0,10.3,17.2Hz,1H,5.26-5.09m,4H,4.75dd,J=5.7,14.7Hz,1H,4.54-4.50m,1H,4.51s,2H,4.41-4.35m,1H,4.32-4.25m,1H,4.10-4.04m,1H,3.71-3.68m,2H,2.84dd,J=2.8,15.4Hz,1H,2.76dd,J=8.7,15.4Hz,1H,1.91-1.79m,2H13CNMRCDCl3δ202.5,138.1,130.5,130.5,130.5,128.3,127.6,127.5,118.4,117.7,73.1,69.0,67.9,55.5,52.8,48.3,36.3[α]D22-33.9c0.33,CHCl3,92eesampleESI-MSm/z342.2[MNa]HRMSESIAnal.calcd.forC18H25NNaO2Sm/z342.1498[MNa],found;342.1500.実施例2<チオアミド化合物A-1の合成2>触媒の種類を変えて、チオアミド化合物A-1を合成した。具体的には以下のとおりである。加熱真空乾燥した20mLナスフラスコに[CuCH3CN4]PF6分子量372.726.7mg、0.018mmol、0.09当量とS-BINAPStrem社製、分子量622.67、11.2mg、0.018mmol、0.09当量をグローブボックス内で加え、アルゴン雰囲気下THF180μLを加えて5分間撹拌した後、DMF2mL、3-ベンジルオキシプロパナール32.8μL、0.20mmol、1当量、及びN,N-ジアリルチオアセトアミド上記化合物X、38.2μL、0.24mmol、1.2当量を加えた。試験管を-60°Cの恒温槽へ移し、上記で調製した2,2,5,7,8-ペンタメチルクロマノールリチウム塩の0.2MTHF溶液90μL、0.018mmol、0.09当量を加え、-60°Cで60時間撹拌した後、THF/酢酸混合溶液10:1体積比2mLと2,2-ビピリジン2.8mg、0.018mmol、0.09当量を加えて反応を停止した。蒸留水2mLを加えた後、混合溶液を酢酸エチル2mLで3回抽出した。得られた有機層を飽和重曹水、及び飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、チオアミド化合物A-1NMR収率25、-10eeを得た。実施例3<チオアミド化合物A-1の合成3>触媒の種類を変えて、チオアミドチオアミド化合物A-1を合成した。具体的には以下のとおりである。加熱真空乾燥した20mLナスフラスコに[CuCH3CN4]PF6分子量372.726.7mg、0.018mmol、0.09当量とR,R-iPr-DuPhos分子量418.587.5mg、0.018mmol、0.09当量をグローブボックス内で加え、アルゴン雰囲気下THF180μLを加えて5分間撹拌した後、DMF2mL、3-ベンジルオキシプロパナール32.8μL、0.20mmol、1当量、及びN,N-ジアリルチオアセトアミド上記化合物X、38.2μL、0.24mmol、1.2当量を加えた。試験管を-60°Cの恒温槽へ移し、上記で調製した2,2,5,7,8-ペンタメチルクロマノールリチウム塩の0.2MTHF溶液90μL、0.018mmol、0.09当量を加え、-60°Cで60時間撹拌した後、THF/酢酸混合溶液10:1体積比2mLと2,2-ビピリジン2.8mg、0.018mmol、0.09当量を加えて反応を停止した。蒸留水2mLを加えた後、混合溶液を酢酸エチル2mLで3回抽出した。得られた有機層を飽和重曹水、及び飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、チオアミド化合物A-1NMR収率52,-46eeを得た。実施例4<チオアミド化合物A-2の合成>チオアミド化合物A-1とは保護基の種類が異なるチオアミド化合物A-2を合成した。具体的に以下のとおりである。加熱真空乾燥した20mL試験管にDMF2mL、3-ベンジルオキシプロパナール33μL、0.20mmol、1当量、AmandaM.Heapy,MargaretA.Brimble,Tetrahedron,Vol.66,No.29,5424-5431.に従って合成、N,N-ジメチルチオアセトアミドAlfaAesar社製、24.5g、0.24mmol、1.2当量、上記で調製したCu/S,S-Ph-BPE溶液120μL、0.012mmol、0.06当量をアルゴン雰囲気下加えた。ナスフラスコを-40°Cの恒温槽へ移し、上記で調製した2,2,5,7,8-ペンタメチルクロマノールリチウム塩のTHF溶液60μL、0.012mmol、0.06当量を加え、-40°Cで40時間撹拌した後、飽和塩化アンモニウム水溶液2mLと2,2-ビピリジン1.8mg、0.012mmol、0.06当量を加え、その混合溶液を酢酸エチル3mLで3回抽出した。得られた有機層を蒸留水、飽和重曹水、及び飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過及び濃縮後に得られる残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィーヘキサン/酢酸エチル=5/1~1/1体積比で精製し、下記チオアミド化合物A-2を黄色油状物として得た。収量12.8mg収率24、90ee。得られたチオアミド化合物A-2のIRスペクトル、1HNMRスペクトル、13CNMRスペクトル、比旋光度、ESI-MSスペクトル、及びHRMSスペクトルデータを示す。IRneatν3406,2960,2871,1523cm-11HNMRCDCl3δ7.36-7.27m,5H,4.52s,2H,4.37-4.34m,1H,3.71-3.69m,2H,3.46s,3H,3.28s,3H,2.79dd,J=2.5,15.8Hz,1H,2.72dd,J=8.9,15.8Hz,1H,1.91-1.84m,2H13CNMRCDCl3δ202.5,138.5,128.3,127.6,127.5,73.1,69.0,67.8,52.9,44.6,44.5,41.9[α]D22-34.8c0.13,CHCl3,90eeESI-MSm/z280.2[MNa]HRMSESIAnal.calcd.forC14H21NNaO2Sm/z290.1185[MNa],found;290.1186.実施例5<チオアミド化合物A-3の合成>チオアミド化合物A-1とは保護基の種類が異なるチオアミド化合物A-3を合成した。具体的に以下のとおりである。加熱真空乾燥した20mL試験管にDMF2mL、3-tert-ブチルジメチルシリルオキシプロパナール37μL、0.20mmol、1当量、ChristianU.Gruenanger,BernhardBreit,AngewandteChemie,InternationalEdition,2010,Vol49,No.5,967-970.に従って合成、上記で調製したN,N-ジアリルチオアセトアミド38μL、0.24mmol、1.2当量、上記で調製したCu/S,S-Ph-BPE溶液180μL、0.018mmol、0.09当量をアルゴン雰囲気下加えた。ナスフラスコを-40°Cの恒温槽へ移し、上記で調製した2,2,5,7,8-ペンタメチルクロマノールリチウム塩のTHF溶液90μL、0.018mmol、0.09当量を加え、-40°Cで40時間撹拌した後、飽和塩化アンモニウム水溶液2mLと2,2-ビピリジン2.8mg、0.018mmol、0.06当量を加え、その混合溶液を酢酸エチル3mLで3回抽出した。得られた有機層を蒸留水、飽和重曹水、及び飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過及び濃縮後に得られる残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィーヘキサン/酢酸エチル=5/1~2/1体積比で精製し、下記チオアミド化合物A-3を黄色油状物として得た。収量35.7mg収率52、45ee。得られたチオアミド化合物A-3のIRスペクトル、1HNMRスペクトル、13CNMRスペクトル、比旋光度、ESI-MSスペクトル、及びHRMSスペクトルデータを示す。IRneatν3421,2927,2858,1643,1492,1411,1250cm-11HNMRCDCl3δ5.92dddd,J=5.7,5.7,10.3,17.2Hz,1H,5.82dddd,J=5.5,5.5,10.3,17.2Hz,1H,5.29-5.15m,4H,4.77dd,J=5.5,14.9Hz,1H,4.47dd,J=6.0,14.9Hz,1H,4.37-4.32m,2H,4.14-4.08m,1H,3.87-3.78m,2H,2.86-2.81m,2H,1.81-1.68m,2H,0.84s,9H,0.04s,6H13CNMRCDCl3δ202.7,130.7,118.4,117.8,69.5,61.2,55.7,53.4,48.7,32.2,25.9,18.2,-5.5[α]D22-17.2c0.17,CHCl3,45eeESI-MSm/z366.2[MNa]HRMSESIAnal.calcd.forC17H33NNaO2SSim/z366.1893[MNa],found;366.1892.実施例6<チオアミド化合物A-4の合成>チオアミド化合物A-4の合成を行った。加熱真空乾燥した50mLナスフラスコにDMF13mL、3-フタルイミジルプロパナールAuroraFineChemicals社製、266.0mg、1.13mmol、1当量、N,N-ジアリルチオアセトアミド244μL、1.35mmol、1.2当量、上記で調製したCu/S,S-Ph-BPE溶液100μL、0.10mmol、0.09当量をアルゴン雰囲気下加えた。ナスフラスコを-40°Cの恒温槽へ移し、上記で調製した2,2,5,7,8-ペンタメチルクロマノールリチウム塩のTHF溶液50μL、0.10mmol、0.09当量を加え、-40°Cで24時間撹拌した後、飽和塩化アンモニウム水溶液5mLと2,2-ビピリジン15.6mg、0.10mmol、0.09当量を加え、その混合溶液を酢酸エチル5mLで3回抽出した。得られた有機層を蒸留水、飽和重曹水、及び飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過及び濃縮後に得られる残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィーヘキサン/酢酸エチル=7/1~2/1体積比で精製し、下記チオアミド化合物A-4を黄色油状物として得た。収量251.1mg収率62、75ee。得られたチオアミド化合物A-4のIRスペクトル、1HNMRスペクトル、13CNMRスペクトル、比旋光度、ESI-MSスペクトル、及びHRMSスペクトルデータを示す。IRneatν3463,3086,2923,2865,1770,1712,1612,1492,1396cm-11HNMRCDCl3δ7.85-7.83m,2H,7.72-7.71m,2H,5.86dddd,J=6.4,6.4,10.7,17.2Hz,1H,5.78dddd,J=4.6,4.6,10.7,17.2Hz,1H,5.30-5.12m,4H,4.78dd,J=4.8,14.9Hz,1H,4.47dd,J=5.7,14.9Hz,1H,4.36-4.30m,1H,4.27-4.08m,3H,3.91-3.84m,2H,2.78-2.76m,2H,1.90-1.85m,2H13CNMRCDCl3δ202.1,168.5,133.9,132.0,130.6,130.5,123.2,118.5,118.0,68.0,55.7,53.0,47.8,35.2,34.7[α]D22-11.4c0.55,CHCl3,75eesampleESI-MSm/z381.4[MNa]HRMSESIAnal.calcd.forC19H22N2NaO3Sm/z381.1243[MNa],found;381.1243.実施例7<tert-ブチル[4R,6R-6-アミノエチル-2,2-ジメチル-1,3-ジオキサン-4-イル]アセテートの合成1><<化合物Bの合成>>加熱真空乾燥した100mLナスフラスコにアルゴン雰囲気下で、実施例1で合成したチオアミド化合物A-1800mg、2.5mmol、1当量、塩化メチレン30mLを加え、氷浴で0°Cに冷却した。2,6-ルチジン575μL、5.0mmol、2当量、tert-ブチルジメチルシリルTBSトリフラート860μL、3.75mmol、1.5当量を加え、室温にて3時間撹拌後、飽和塩化アンモニウム水溶液20mLを加えて反応を停止し、その混合溶液を塩化メチレン10mLで3回抽出した。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過及び濃縮し、化合物Bを淡黄色油状物として得た。収量1.04g収率96。得られた化合物BのIRスペクトル、1HNMRスペクトル、13CNMRスペクトル、比旋光度、ESI-MSスペクトル、及びHRMSスペクトルデータを示す。IRneatν2954,2858,1643,1493,1257,1115cm-11HNMRCDCl3δ7.33-7.29m,5H,5.92dddd,J=5.8,5.8,10.8,16.7Hz,1H,5.75dddd,J=4.8,4.8,10.3,17.2Hz,1H,5.25-5.08m,4H,4.83dd,J=5.7,14.2Hz,1H,4.61-4.53m,2H,4.48dd,J=3.0,15.1Hz,1H,4.34dd,J=6.9,14.2Hz,1H,4.00-3.95m,1H,3.64-3.51m,2H,3.10dd,J=8.2,13.8Hz,1H,2.83dd,J=4.1,13.8Hz,1H,1.90-1.86m,2H,0.84s,9H,0.06s,3H,0.02s,3H13CNMRCDCl3δ203.0,138.6,131.5,131.3,128.3,127.6,127.5,119.3,117.6,73.0,72.1,66.5,56.4,53.1,50.2,37.4,25.9,25.7,25.6,17.9,-4.3,-4.8[α]D226.8c1.0,CHCl3ESI-MSm/z456.3[MNa]HRMSESIAnal.calcd.forC24H39NNaO2SSim/z456.2363m/z[MNa],found;456.2358.<<化合物Cの合成>>-酢酸tert-ブチルエステルリチウムエノラートの調製-加熱真空乾燥した20mLナスフラスコにアルゴン雰囲気下で酢酸tert-ブチルエステル1.0mL、7.46mmol、1当量、リチウムヘキサメチルジシラジド1.25g、7.46mmol、1当量を加えてアセトン-ドライアイス浴で-78°Cに冷却した。-78°Cに冷却した乾燥THF7.46mLをゆっくりと滴下後、同温度にて1時間撹拌し、酢酸tert-ブチルエステルリチウムエノラートの1.0MTHF溶液を得た。-化合物Cの合成-加熱真空乾燥した100mLナスフラスコにアルゴン雰囲気下で化合物B920mg、2.12mmol、1当量とジエチルエーテル23mLを加え、氷浴で0°Cに冷却した。メチルトリフラート467μL、4.24mmol、2当量を加えて0°Cにて5分間、室温にて4時間半撹拌後、フラスコをアセトン-ドライアイス浴で-78°Cに冷却し、上記で調製した酢酸tert-ブチルエステルリチウムエノラート64μL、6.40mmol、3当量をゆっくりと滴下して加えた。3時間撹拌後、塩化メチレン7mL、シリカゲル5gを加え、室温にて1時間半撹拌した。混合物をシリカゲルショートパッドカラムに通し、濾液を濃縮して得られた残渣にTHF20mL、1規定塩酸2mLを加え室温にて2時間撹拌後、混合溶液を酢酸エチル20mLで3回抽出した。得られた有機層を蒸留水、飽和重曹水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過及び濃縮後に得られた残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィーヘキサン/酢酸エチル=20/1体積比で精製し、下記化合物Cを無色油状物として得た。収量662mg収率72。得られた化合物CのIRスペクトル、1HNMRスペクトル、13CNMRスペクトル、比旋光度、ESI-MSスペクトル、及びHRMSスペクトルデータを示す。IRneatν2954,2931,2858,1739,1716,1647,1458,1369,1254,1146,1115cm-11HNMR;ketoform;δ7.36-7.28m,5H,4.50s,2H,4.50-4.43m,1H,3.56-3.48m,2H,3.34s,2H2.69d,J=6.4Hz,2H,1.81-1.77m,2H,1.45s,9H,0.85s,9H,0.05s,3H,0.03s,3H;enolform;δ12.15brs,1H,7.36-7.28m,5H,4.90s,1H,4.33s,2H,4.35-4.31m,1H,3.56-3.48m,2H,2.29d,J=6.6Hz,2H,1.77-1.73m,2H,1.47s,9H,0.87s,9H,0.05s,3H,0.02s,3H13CNMRCDCl3keto-enolmixture;δ202.1,166.3,138.4,128.3,127.6,127.5,113.9,92.8,81.8,80.6,73.0,73.0,72.9,67.2,66.6,66.4,52.0,50.3,43.8,37.3,37.2,28.6,28.3,28.0,25.8,17.9,-4.7,-4.8,-4.9[α]D22-7.6c0.5,CHCl3ESI-MSm/z459.3[MNa]HRMSESIAnal.calcd.forC24H40NaO5Sim/z459.2537[MNa],found;459.2534.<<化合物D、E、及びFの合成>>30mLナスフラスコにアルゴン雰囲気下、化合物C400mg、0.916mmol、1当量と乾燥THF2.5mLを入れ、氷浴で0°Cに冷却した。続いてテトラブチルアンモニウムフルオリド1.3mL、1.30mmol、1.4当量、1.0MTHF溶液をゆっくりと滴下し、0°Cで30分間、室温にて3時間撹拌後、蒸留水2mLを加え、混合液を酢酸エチル5mLで3回抽出した。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄し無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過及び濃縮し、下記化合物Dの粗生成物を淡黄色油状物質として得た。続いて、50mLナスフラスコに上記で得られた化合物D292mg、0.906mmol、1当量、乾燥THF8.5mL、メタノール2.4mLを入れ、ナスフラスコを-80°Cの恒温槽に移した後、ジエチルメトキシボラン1.0mL、1.0mmol、1.1当量、1.0MTHF溶液を加えて30分間撹拌した。水素化ホウ素ナトリウム37.8mg、1.0mmol、1.1当量を加えて-80°Cにて10時間撹拌後、酢酸2mLを加え、混合液を酢酸エチル10mLで3回抽出した。得られた有機層を飽和重曹水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過及び濃縮し、下記化合物Eの粗生成物を淡黄色油状物として得た。上記で得られた化合物E273mg、0.84mmol、1当量、アセトン2.6mL、パラトルエンスルホン酸一水和物16.0mgを30mLナスフラスコに移し、ジメトキシプロパン205μL、1.68mmol、2当量を加えて室温で4時間撹拌後、飽和重曹水を加えてpHを約7とした後、混合溶液をエーテル5mLで3回抽出した。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過及び濃縮し、下記化合物Fを淡黄色油状物質として得た。収量294mg3段階収率88。得られた化合物FのIRスペクトル、1HNMRスペクトル、13CNMRスペクトル、比旋光度、ESI-MSスペクトル、及びHRMSスペクトルデータを示す。IRν2981,2938,1724,1454,1369,1277,1153cm-11HNMRCDCl3δ7.38-7.27m,5H,4.50dd,J=4.8,12.1Hz,2H,4.28-4.21m,1H,4.09-4.02m,1H,3.61-3.50m,2H,2.42dd,J=7.1,15.1Hz,1H,2.29dd,J=6.2,15.1Hz,1H,1.81-1.68m,2H,1.56dt,J=2.3,12.6Hz,1H,1.44s,9H,1.44s,3H,1.35s,3H,1.25-1.15m,1H13CNMRCDCl3δ170.3,138.5,128.4,127.6,127.5,98.7,80.5,73.0,66.3,66.2,66.0,42.8,36.6,36.5,30.1,28.1,19.6[α]D2221.9c0.26,CHCl3ESI-MSm/z387.2[MNa]HRMSESIAnal.calcd.forC21H32NaO5m/z387.2142[MNa],found;387.2140.<<化合部G、及びHの合成>>化合物F153mg、0.419mmol、1当量、酢酸エチル1.5mL、水酸化パラジウム/炭素25mg、20w/wを20mLナスフラスコに加えて1気圧の水素雰囲気下、60°Cにて24時間撹拌した後、不要物をセライト濾過し、濾液を減圧濃縮して下記化合物Gを淡黄色油状物として得た。続いて、上記で得られた化合物G120.5mg、0.417mmol、1当量、4-ジメチルアミノピリジン15.3mg、0.125mmol、0.3当量、塩化メチレン2.5mLを20mLナスフラスコに入れ、氷浴で0°Cに冷却した。トリエチルアミン17μL、1.25mmol、3当量を加えて5分間撹拌し、パラトルエンスルホニルクロリド159.3mg、0.834mmol、2当量を加え、室温で4時間撹拌した後、塩化メチレン10mL、蒸留水10mLを加えた。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過及び濃縮後に得られる残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィーヘキサン/酢酸エチル=10/1~5/1体積比で精製し、化合物Hを無色油状物質として得た。収量165.1mg2段階収率91。得られた化合物HのIRスペクトル、1HNMRスペクトル、13CNMRスペクトル、比旋光度、ESI-MSスペクトル、及びHRMSスペクトルデータを示す。IRneatν2981,1728,1365,1176cm-11HNMRCDCl3δ7.91d,J=8.2Hz,2H,7.79d,4H,7.34d,J=8.2Hz,2H,4.26-4.18m,1H,4.18-4.13m,1H,4.11-4.06m,1H,3.99-3.91m,1H,2.45s,3H,2.39dd,J=7.1,15.1Hz,1H,2.26dd,J=6.2,15.1Hz,1H,1.89-1.67m,2H,1.51-1.45m,2H,1.44s,9H,1.34s,3H,1.27s,3H13CNMRCDCl3δ170.1,144.7,133.0,129.8,127.9,98.8,80.6,66.7,66.0,64.7,42.6,36.2,35.4,29.9,28.1,21.6,19.5[α]D2212.9c0.9,CHCl3ESI-MSm/z451.2[MNa]HRMSESIAnal.calcd.forC21H32NaO7Sm/z451.1761[MNa],found;451.1756.<<化合物I、及びJの合成>>20mLナスフラスコに化合物H120.0mg、0.277mmol、1当量、アジ化ナトリウム36.0mg、0.555mmol、2当量、N,N-ジメチルホルムアミド1.5mLを加えて室温にて6時間撹拌した後、蒸留水1mLを加えた。混合液を酢酸エチル3mLで抽出後、得られた有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。シリカゲルショートパッドカラムを通して濾過し、濾液を濃縮して下記化合物Iを得た。収量67.8mg収率82。10mL試験管に化合物I52.1mg、0.174mmol、1当量、THF1.0mL、蒸留水0.10mL、トリフェニルホスフィン91.3mg、0.348mmol、2当量を入れて50°Cにて2時間撹拌した後、THFを減圧留去した。残渣にトルエン5mLを加えて混合液を減圧濃縮し、残渣に含まれる水を共沸混合物として留去した。得られた残渣に対して再びトルエン5mLを加え混合液を減圧濃縮し、得られた残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィー塩化メチレン/メタノール/トリエチルアミン=95/4/1体積比で精製し、化合物Jtert-ブチル[4R,6R-6-アミノエチル-2,2-ジメチル-1,3-ジオキサン-4-イル]アセテートを無色油状物質として得た。収量41.2mg収率87。得られた化合物IのIRスペクトル、1HNMRスペクトル、13CNMRスペクトル、比旋光度、ESI-MSスペクトル、及びHRMSスペクトルデータを示す。IRneatν2978,2939,2877,2098,1732cm-11HNMRCDCl3δ4.37-4.30m,1H,4.12-4.06m,1H,3.48-3.41m,2H,2.37dd,J=5.5,14.9Hz,1H,2.33dd,J=7.6,14.9Hz,1H,1.80-1.65m,2H,1.66dt,2.5,12.6Hz,1H,1.48s,3H,1.46s,9H,1.32s,3H,1.22-1.13m,1H13CNMRCDCl3δ170.1,98.8,80.6,66.1,65.8,47.5,42.6,36.4,35.6,30.0,28.1,19.6[α]D2217.9c0.21,CHCl3ESI-MSm/z322.2[MNa]HRMSESIAnal.calcd.forC14H25N3NaO4m/z322.1737[MNa],found;322.1737.得られた化合物JのIRスペクトル、1HNMRスペクトル、13CNMRスペクトル、比旋光度、ESI-MSスペクトル、及びHRMSスペクトルデータを示す。IRneatν3374,2981,2938,2873,1731,1176cm-11HNMRCDCl3δ4.25-4.19m,1H,3.98-3.92m,1H,2.80-2.77m,2H,2.39dd,J=6.9,15.1,1H,2.26dd,J=6.2,15.1,1H,1.95brs,2H,1.64-1.50m,3H,1.42s,9H,1.42s,3H,1.33s,3H,1.30-1.15m,1H13CNMRCDCl3δ170.2,98.6,80.5,67.4,66.2,42.6,39.5,38.4,36.5,30.1,28.0,19.7[α]D2211.5c0.28,CHCl3ESI-MSm/z274.2[MH]HRMSESIAnal.calcd.forC14H28NO4m/z274.2013[MH],found;274.2015.実施例8<tert-ブチル[4R,6R-6-アミノエチル-2,2-ジメチル-1,3-ジオキサン-4-イル]アセテートの合成2><<化合物Kの合成>>加熱真空乾燥した30mLナスフラスコにアルゴン雰囲気下で、実施例6で合成したチオアミド化合物A-4100.2mg、0.28mmol、1当量、及び塩化メチレン3.5mLを加え、氷浴で0°Cに冷却した。2,6-ルチジン64.0μL、0.56mmol、2当量、tert-ブチルジメチルシリルTBSトリフラート96.5μL、0.42mmol、1.5当量を加え、室温にて3時間撹拌後、飽和塩化アンモニウム水溶液3mLを加えて反応を停止し、その混合溶液を塩化メチレン5mLで3回抽出した。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過及び濃縮し、下記化合物Kを淡黄色油状物として得た。収量124.4mg収率94。得られた化合物KのIRスペクトル、1HNMRスペクトル、13CNMRスペクトル、比旋光度、ESI-MSスペクトル、及びHRMSスペクトルデータを示す。IRneatν2954,2857,1774,1712,1593,1496,1400cm-11HNMRCDCl3δ7.82-7.80m,2H,7.71-7.68m,2H,5.92dddd,J=5.7,5.7,10.3,17.2Hz,1H,5.82dddd,J=5.5,5.5,10.3,17.2Hz,1H,5.27-5.11m,4H,4.85dd,J=7.2,14.2Hz,1H,4.63-4.53m,2H,4.31dd,J=7.3,14.2Hz,1H,4.00dd,J=4.6,17.2Hz,1H,3.82-3.72m,2H,3.16dd,J=8.5,13.5Hz,1H,2.81dd,J=4.1,13.5Hz,1H,2.03-1.86m,2H,0.85s,9H,0.10s,3H,0.03s,3H13CNMRCDCl3δ202.5,168.2,133.8,132.2,131.3,131.2,123.1,119.4,117.6,72.2,56.5,53.1,49.1,35.7,34.0,25.8,17.8,-4.4,-4.7[α]D2310.1c0.19,CHCl3ESI-MSm/z495.2[MNa]HRMSESIAnal.calcd.forC25H36N2NaO3SSim/z495.2108m/z[MNa],found;495.2111<<化合物L、M、N、及びOの合成>>加熱真空乾燥した20mL試験管にアルゴン雰囲気下で化合物K83.5mg、0.177mmol、1当量とジエチルエーテル1.5mLを加え、氷浴で0°Cに冷却した。メチルトリフラート39μmL、0.353mmol、2当量を加えて0°Cにて5分間、室温にて4時間半撹拌後、フラスコをアセトン-ドライアイス浴で-78°Cに冷却し、上記で調製した酢酸tert-ブチルエステルリチウムエノラート177μL、0.177mmol、3当量をゆっくりと滴下して加えた。3時間撹拌後、塩化メチレン3mL、及びシリカゲル2gを加え、室温にて1時間半撹拌した。混合物をシリカゲルショートパッドカラムに通し、濾液を濃縮して得られた残渣にTHF10mL、1規定塩酸1mLを加え室温にて2時間撹拌後、混合溶液を酢酸エチル5mLで3回抽出した。得られた有機層を蒸留水、飽和重曹水、及び飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過及び濃縮し、下記化合物Lの粗生成物を淡黄色油状物として得た。続いて、アルゴン雰囲気下、化合物L60mg、0.126mmol、1当量と乾燥THF800μLを20mL試験管に移し、氷浴で0°Cに冷却した。続いてテトラブチルアンモニウムフルオリド176μL、0.176mmol、1.4当量、1.0MTHF溶液をゆっくりと滴下し、0°Cで30分間、室温にて3時間撹拌後、蒸留水0.5mLを加え、混合液を酢酸エチル3mLで3回抽出した。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄し無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過及び濃縮し、下記化合物Mの粗生成物を淡黄色油状物質として得た。続いて、20mLナスフラスコに化合物M45mg、0.124mmol、1当量、乾燥THF1.7mL、及びメタノール0.4mLを入れ、ナスフラスコを-80°Cの恒温槽に移した後、ジエチルメトキシボラン136μL、0.136mmol、1.1当量、1.0MTHF溶液を加えて30分間撹拌した。水素化ホウ素ナトリウム5.2mg、0.136mmol、1.1当量を加えて-80°Cにて10時間撹拌後、酢酸0.2mLを加え、混合液を酢酸エチル3mLで3回抽出した。得られた有機層を飽和重曹水、及び飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過及び濃縮し、下記化合物Nの粗生成物を淡黄色油状物として得た。続いて、得られた化合物N43.0mg、0.12mmol、1当量、アセトン0.5mL、及びパラトルエンスルホン酸一水和物2.3mg、0.012mmol、0.1当量を20mL試験管に移し、ジメトキシプロパン29.5μL、0.24mmol、2当量を加えて室温で4時間撹拌後、飽和重曹水を加えてpHを約7とした後、混合溶液をエーテル2mLで3回抽出した。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過及び濃縮し、化合物Oを淡黄色油状物質して得た。収量47mg4段階収率66。得られた化合物OのIRスペクトル、1HNMRスペクトル、及び13CNMRスペクトルデータを示す。IRneatν2923,2865,1770,1725,1712,1612,1492,1396cm-11HNMRCDCl3δ7.86-7.83m,2H,7.74-7.71m,2H,4.35-4.27m,1H,4.12-4.04m,1H,3.65-3.55m,2H,2.44dd,J=7.1,15.1Hz,1H,2.32dd,J=6.2,15.1Hz,1H,1.82-1.69m,2H,1.57dt,J=2.3,12.6Hz,1H,1.44s,9H,1.44s,3H,1.35s,3H,1.25-1.15m,1H13CNMRCDCl3δ170.5,168.6,133.9,132.0,130.6,80.5,73.0,67.9,66.2,42.8,36.7,36.6,33.1,30.1,28.1,19.6<<化合物Jの合成>>エタノール2.5mLに化合物O45mg、0.11mmol、1当量を溶解し、ヒドラジン一水和物70mL、2.25mmol、20当量を加えた後、60°Cにて1時間撹拌した。反応溶液を室温に戻した後、析出した固体を濾別し、濾液を減圧濃縮した。残渣に塩化メチレンと飽和食塩水を加え、水層を塩化メチレンで抽出し、得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過及び濃縮後に得られた残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィー塩化メチレン/メタノール/トリエチルアミン=95/4/1体積比で精製し、化合物Jを無色油状物質して得た。収量25.5mg収率85。"