"少なくとも部分的に超高分子量ポリエチレンからなる医療用インプラントを形成するステップと、フリーラジカルを形成するために前記ポリエチレンにγ線又は電子線を照射し、空気への曝露の前に形成されたフリーラジカルを架橋するステップと、架橋されたポリエチレンのベアリング表面を光重合開始剤で被覆するステップと、その後に紫外線照射により被覆表面を光架橋するステップとを含む、耐摩耗性の超高分子量ポリエチレン医療用インプラントを製造する方法。前記光重合開始剤が、ベンゾフェノンである請求項1に記載の方法。前記ベンゾフェノンでの被覆が、蒸着により行われる請求項2に記載の方法。前記ベンゾフェノンでの被覆が、ベンゾフェノンのアセトン溶液への浸漬により行われる請求項2に記載の方法。前記医療用インプラントが、整形外科用インプラントである請求項1に記載の方法。前記γ線又は電子線の照射、及び前記架橋が、少なくとも2つの逐次的な放射線量で行われる請求項1に記載の方法。各放射線量が、3.0MRad未満である請求項6に記載の方法。前記UV及び前記光重合開始剤が、約1mm未満の深さまで浸透する請求項1の方法。前記インプラントが、γ線又は電子線での架橋と前記光架橋の間に冷却される請求項1に記載の方法。予備成形された超高分子量ポリエチレンUHMWPEインプラントにγ線又は電子線を照射し、続いて、該UHMWPE中に架橋を形成するために低酸素雰囲気下で加熱するステップと、前記予備成形され架橋されたインプラントのベアリング表面を光重合開始剤で被覆するステップと、前記架橋されたUHMWPEの光重合開始剤で被覆された表面を紫外UV線により光架橋するステップとを含む、予備成形されたUHMWPE医療用インプラントを架橋する方法。前記光重合開始剤が、ベンゾフェノンである請求項10に記載の方法前記ベンゾフェノンでの被覆が、蒸着により行われる請求項11に記載の方法。前記ベンゾフェノンでの被覆が、ベンゾフェノンのアセトン溶液への浸漬により行われる請求項11に記載の方法。前記医療用インプラントが、整形外科用インプラントである請求項10に記載の方法。前記医療用インプラントが、寛骨臼蓋又は脛骨挿入物である請求項14に記載の方法。前記γ線又は電子線の照射、及び前記架橋が、少なくとも2つの逐次的な放射線量で行われる請求項10に記載の方法。各放射線量が、3.0MRad未満である請求項16に記載の方法。前記UV及び前記光重合開始剤が、200mミクロン未満の深さまで浸透する請求項10に記載の方法。第1ポリマーベアリングと、1mm未満の深さまで架橋されたベアリング表面を有する、前記第1ポリマーベアリング上の関節接合用の第2ポリマーベアリングとを含む整形外科用関節。前記第1ポリマーベアリングが,ポリアリールエーテルケトンPAEKを含む請求項19に記載の整形外科用関節。前記PAEKが,ポリエーテルエーテルケトンPEEKである請求項20に記載の整形外科用関節。前記第2ポリマーベアリングが、超高分子量ポリエチレンUHMWPEである請求項20に記載の整形外科用関節。前記第2ポリマーベアリングが、架橋の前に、抗酸化剤を添加されている請求項22に記載の整形外科用関節。超高分子量ポリエチレンUHMWPEに抗酸化剤を添加するステップと、前記抗酸化剤を添加されたUHMWPEからなるインプラントのベアリング表面を光重合開始剤で被覆するステップと、その後、紫外線UV照射により前記ベアリング表面を架橋するステップとを含む、耐摩耗性のUHMWPE医療用インプラントを製造する方法。前記光重合開始剤が、前記抗酸化剤を添加されたUHMWPEの表面1mm未満まで浸透する請求項24に記載の方法。前記抗酸化剤を添加されたUHMWPEが、ベンゾフェノンとアセトンの混合物に浸漬される請求項25に記載の方法。前記ベンゾフェノンが、前記抗酸化剤を添加されたUHMWPEに200ミクロンと1mmの間の深さまで浸透される請求項26に記載の方法。本発明中では,紫外UV線は、UHMWPEベアリング表面を光架橋し、既にγ線又は電子線で架橋されたバルクUHMWPEインプラントに、追加の架橋表層を生成するのに利用される。該インプラントは、1~10Mradの間、又はそれより高い量の範囲で前もって架橋されていても良い。該表層の厚みは、約100μmの深さに制御される。この範囲では、該表層は、測定可能な摩耗ベアリング表面上のマシーンマークが保存されているかによって決めることができるを示すことなく、少なくとも500万回の摩耗シミュレーション試験に耐えることができる。ポリエチレンのUV架橋は、UV放射により発生する炭素中心フリーラジカルの反応である。ポリエチレンのUV架橋の機構を下に簡潔に示す。UV光を、光重合開始剤であるベンゾフェノンを含むポリエチレンに放射すると、ベンゾフェノンはUVエネルギーを吸収し、三重項励起状態へと移行する。この三重項励起状態のベンゾフェノンは、ポリエチレンから水素を引き抜き、ポリエチレン炭素ラジカルを生じる。生成したPE炭素中心ラジカルはフリーラジカル反応を経て架橋を形成する。三重項励起状態の量子収率は、ベンゾフェノンにおいては非常に高く、三重項状態は水素の引き抜きにおいて非常に効率的である。UV架橋プロセスにおいては、炭素-炭素結合の鎖切断は起こらず、炭素ラジカルは炭素-水素結合の開裂のみによって生じることに留意されたい。それゆえ、γ線又は電子線による架橋プロセスとは異なり、UV架橋は分子量の低下にはつながらない。表面が光架橋された、既にバルク架橋されたUHMWPEの表面摩耗性能の向上により、UHMWPE寛骨臼蓋は摩耗する危険なく、ごく薄く<3mm設計することができる。現在のFDAの基準は、6.0mmの厚さのUHMWPEである。より薄い臼蓋を用いることで大腿部ヘッドのサイズが最大化される。大腿部ヘッドのサイズが大きければ大きいほど、脱臼の確率は有意に低下する脱臼は、全股関節置換の修正の原因の一位である。非常に薄いUHMWPEベアリングのもう一つの長所は、股関節の表面を再建する用途の場合、UHMWPE上のコバルト-クロムを許容できることである。現在の表面再建ベアリングは、通常、コバルト-クロム上のコバルト-クロムであり、金属アレルギーを起こす患者もいる金属イオンを放出するかもしれない。本発明のもう一つの長所は、膝の脛骨挿入物用途である。膝の修正の原因の一つは、脛骨インプラントが軟らかい骨床bedに位置してしまうことである。移植後時間が経つにつれ、脛骨の軟らかい骨はインプラントを低い位置に沈みこませ、大腿部と脛骨の間のギャップが広くなり、衝撃力が大きくなり、脛骨挿入物の摩耗を加速する。本発明により、脛骨挿入物を薄くすることが可能となる例えば、通常の6mm基準に対して3mm。脛骨挿入物が薄ければ薄いほど、骨の切断も少なくてすむ。大腿部側及び脛骨側の両方で、骨は硬さの勾配を有する。膝関節のベアリング部分に近いほど、骨も硬くなる。すなわち、切断する骨が薄いほど、膝インプラントは強い骨に接することとなる。通常、摩耗率は、10Mradのγ線を照射されたバルクUHMWPEで2.5mm/百万サイクルよりも大きい。ゆえに、γ線又は電子線で既に架橋された材料上に施された追加のUV表面光架橋は、予想外にも、現在の架橋されたUHMWPEよりも低い摩耗を生じる。最終的な耐摩耗性能は、高度に架橋されたUHMWPEからできた、表面がUV表面架橋されていないものに比べて有意に向上した。向上した光架橋表面により、代替ベアリング材料例えば一般にPAEK、特にPEEKの使用が可能となる。UVによる架橋は、非イオン型の架橋方法である。架橋プロセス中、UHMWPE中のC-H結合のみが開裂し、続いて架橋される。ゆえに、C-C結合開裂は生じず、架橋後の分子量の低下は不可能である。UVは表層のみを架橋し、耐摩耗性を向上するが、バルク材料全体は未処理の状態のまま保たれるか、又は低度に架橋された状態に保たれる例えばN2-Vacプロセス。N2-Vacプロセスでは、1未満の酸素窒素中、UHMWPEを3Mradで処理し、続くアニーリングは行わない。それゆえ、部品全体が高い破壊靭性を有する図4。このことは、特に脛骨挿入物で長所であり、UV架橋された層の厚みは200ミクロン未満となり、これは、ベアリング表面下でのミーゼス応力vonMisesstressの深さである1~2mmに比べて非常に小さい。それゆえ、UV架橋されたベアリングでは、接合表面の摩耗は低く、疲労摩耗点食と剥離もより少ない。耐摩耗性ポリエチレン医療用インプラント例えば整形外科用インプラントの製造方法は、少なくとも部分的には超高分子量ポリエチレンUHMWPEから医療用インプラントを形成することを含む。UHMWPEにγ線又は電子線を照射することによりフリーラジカルが生じる。続いて、生じたフリーラジカルは、空気への曝露の前に、熱を用いて架橋される。代替的に、米国特許出願公開第20100036491号その開示は引用することにより本明細書中の一部をなすで議論されるように、UHMWPEに抗酸化剤ビタミンE、アントシアニンarothocynaninを添加しても良い。架橋されたポリエチレンのベアリング表面は、光重合開始剤で被覆される。被覆の乾燥後、被覆表面は紫外線UV放射により架橋される。好ましくは、光重合開始剤はベンゾフェノンである。ベンゾフェノンによる被覆は蒸着により行われる。代替的には、ベンゾフェノンでの被覆は、ベンゾフェノンのアセトン溶液中への浸漬により行われても良く、その際の濃度は、好ましくはアセトン1mlにつきベンゾフェノン1~100mg、さらに好ましくはアセトン1mlにつき10mgである。UVでの光架橋の前に架橋されている場合には、γ線又は電子線の照射及び架橋は、特許文献6に説明されるように逐次的に行われる。この方法を用いた場合、各放射線量は3.0MRad以下である。該被覆プロセスは、光重合開始剤がUHMWPEに200ミクロンと1mmの間の深さまで浸透することができるようなものである。深さは光重合開始剤への浸漬時間に依存する。インプラントは、γ線架橋又は電子線架橋と、光架橋との間の冷却を許容される。光架橋は、好ましくは、約65°C、又は65°Cと室温との間で起こることが好ましい。使用可能な光重合開始剤としては、2-メチルアントラキノン、2-エチルアントラキノン、2-クロロアントラキノン、p-クロラニル、ベンジルスルフィド、ベンジルスルホキシド、フェニルスルホキシド、4-アセチルビフェニル、アントロン、ヘキサクロロベンゼン、ベンゾフェノン、4,4’-ジメトキシベンゾフェノンdimethoxybezophenone、4-ニトロベンゾフェノン、2-クロロベンゾフェノン、4-クロロベンゾフェノン、及び4,4’-ジクロロベンゾフェノンが挙げられる。光架橋に用いられるUV光は、好ましくは300~400nm、最も好ましくは350nmの波長を有する。光強度は最大100mW/cm2であるが、好ましくはprerably50mW/cm2であり得る。UVによる架橋は、酸素を含まない媒体中で行うことができる。酸素を含まない反応媒体としては、酸素を含まない水、不活性雰囲気が挙げられる。反応温度は最大でUHMWPEの溶融温度約135°Cまで可能である。UVによる架橋方法は、ベアリング表面のみを選択的に架橋することができ、ベアリングでない表面はマスクされ、さらに表面架橋されない。このことは、耐摩耗性を最大化し、部品例えば脛骨挿入物のポリエチレンポストの破損につながりかねない品質の低下を防ぐ。UVによる架橋は、γ線又は電子線によるものと比べて、安価な工程である。実施例1市販のポリエチレン寛骨臼蓋Stryker米国特許特許文献2に従いN2Vac処理又は未処理のGUR1020UHMWPEStryker米国特許特許文献6により、3度逐次的に架橋される。Strykerorthopaedicsから入手を用いた。350nmの波長を有する紫外光を光源として使用した。Aldrich製のベンゾフェノンを光重合開始剤として使用した。UV架橋プロセスは以下に説明したとおりである。既にバルク架橋された幾つかのUHMWPE寛骨臼蓋をベンゾフェノンのアセトン溶液に浸漬した。1分後、各臼蓋を溶液から取り出し、真空で1時間乾燥した。臼蓋は、無酸素水を生成するために不活性ガス窒素でパージしたガラス容器中の脱イオン水に浸漬した。ガラス容器を密封し、65°Cの湯浴に入れた。次に、各臼蓋に最大2時間紫外光を照射した。光照射後これにより光架橋PXLが生じた、各臼蓋をアセトン及び水で洗浄した。このプロセス中、見た目に変化は観測されなかった。光架橋されたPXL臼蓋を、耐摩耗性能に関して股関節部シミュレーターマシーンを用いて試験した。コバルト-クロム及びプラスチック球ヘッドPEEKはUV架橋された臼蓋の一つに対して用いた。未処理の臼蓋をコントロールとして用いた。摩耗試験は、ASTM標準方法に従い、社内で行われた。摩耗重量はASTMF2025を用いて得た。浸漬時間は、アセトン1ml当たり10mgのベンゾフェノンを含む溶液中1分間であった。UV放射は、50mW/cm2、かつ波長は平均して350nmであった。図1は、逐次的に架橋されたCoCr/X3登録商標臼蓋、及び光架橋されたCoCr/X3登録商標-PXLの同様な臼蓋上のコバルト-クロムの大腿部ヘッドの摩耗体積測定mgを示す。CoCr/X3登録商標-PXLでは摩耗は観測されなかった。UHMWPEは、特許文献6に説明されるプロセスに従い、最初に3度架橋されていた。図2に示したように、光架橋された臼蓋につけたマシーンマークは250万サイクル後においても依然として目視可能であることもわかった。N2Vac処理された臼蓋上のPEEKヘッド、及びN2Vac処理済かつPXLの臼蓋上のPEEKヘッドの摩耗試験においても同様の結果が得られた図3。該臼蓋は直径28mmで、標準の股関節部シミュレーター中にPEEKヘッドを有する。PEEK/N2Vac-PXLにおいては100万サイクル後摩耗は観測されなかったが、光架橋されていないN2Vac臼蓋では、10mgを上回る摩耗重量測定を生じた。図4は、未処理の超高分子量ポリエチレンの、光架橋前後のアイゾッド衝撃エネルギーを示す。UV放射による光架橋後の破壊靱性の低下は観測されない。図5は、N2VACで処理された酸素が1未満である雰囲気中、3Mradのγ線線量、かつ続くアニーリングは行わないUHMWPEベアリング上のコバルト-クロム補綴大腿部ヘッドの摩耗体積測定により試験されたASTMF-648-04を示すグラフである。図6は、N2VACで処理されたUHMWPEベアリング上のPEEKポリエーテルエーテルケトン補綴大腿部ヘッドの摩耗体積測定を示すグラフである。図7は、未処理の抗酸化剤アントシアニン添加UHMWPEを、UV表面架橋した同様の抗酸化剤処理UHMWPEと比較して、共に350万サイクルでの摩耗体積測定を示すグラフであり、摩耗率をmm3/百万サイクルで表す。ベンゾフェノンでUHMWPEを被覆する代替的な方法として、物理蒸着法PVDが利用される。光重合開始剤は、沸点以上に加熱することで揮発し、続いて、UHMWPEベアリング表面で凝縮し均一な薄膜を形成する。紫外光を光重合開始剤で被覆されたベアリング表面に照射し、表面を架橋する。ベアリング表面でない部分は、光重合開始剤で被覆されることを防ぐためにマスクされてもよい。CVD法もUHMWPEベアリング表面上に増感剤光重合開始剤を均一に被覆するために用いられてよい。代替的なベアリングの組み合わせとして、UVで架橋されたUHMWPE上のUVで架橋されたUHMWPEであることもできる。いかなる残存する光重合開始剤も、有利には、インプラントの製作前で光架橋後に、予備成形されたUHMWPEから除去されてよい。代替的には、製作後にインプラントが光架橋されるなら、残存する光重合開始剤は除去できる。本明細書中の発明を特定の実施形態を参照して説明してきたが、これらの実施形態は単に本発明の原理と用途を例示したに過ぎない。それゆえ、例示的な実施形態には数多くの変更を加えてもよく、添付の特許請求の範囲に記載される本発明の精神及び範囲を逸脱しない限り、他の変化を加えても構わないことが理解されよう。"