対向離間して配設される第1及び第2の基板と、前記第1及び第2の基板の内側面に各々配設される第1及び第2の電極と、前記第1及び第2の電極間に介在し、前記第1及び第2の電極と電気的に接合される熱電素子と、前記第1の基板と前記第2の基板との間を充填する弾性体とを含む熱電モジュール。前記弾性体は、その一側表面及び他側表面のうちのいずれか一面が前記第1の基板及び前記第2の基板のうちのいずれか一つの基板側に物理的または化学的に締結されており、他方の表面は、他方の基板側に接触している請求項1に記載の熱電モジュール。前記弾性体の他方の表面には、エンボスまたは凹凸が設けられる請求項2に記載の熱電モジュール。前記弾性体の他方の表面と前記他方の基板側との間には、サーマルグリスがさらに介在する請求項3に記載の熱電モジュール。前記弾性体は、第1の弾性体及び第2の弾性体から成り、前記第1の弾性体の一側表面は、前記第1の基板側に物理的または化学的に締結されており、前記第2の弾性体の他側表面は、前記第2の基板側に物理的または化学的に締結されており、前記第1の弾性体の他側表面及び前記第2の弾性体の一側表面は、互いに接触している請求項1に記載の熱電モジュール。前記第1の弾性体の他側表面または前記第2の弾性体の一側表面には、エンボスまたは凹凸が設けられる請求項5に記載の熱電モジュール。前記第1の弾性体の他側表面と前記第2の弾性体の一側表面との間には、サーマルグリスがさらに介在する請求項6に記載の熱電モジュール。前記弾性体は、ABS、PMMA及びテフロン登録商標のうちのいずれか一つを含む請求項1に記載の熱電モジュール。前記弾性体は、セラミックパウダをさらに含む請求項8に記載の熱電モジュール。前記第1の基板と前記第1の電極との間、前記第2の基板と前記第2の電極との間、前記熱電素子と前記第1の電極との間及び前記熱電素子と前記第2の電極との間のうちの少なくともいずれか一つに、サーマルグリスをさらに介在する請求項1に記載の熱電モジュール。前記熱電素子は、前記第1及び第2の電極とソルダにより互いに接合される請求項1に記載の熱電モジュール。第1の電極、第1のソルダ層及び熱電素子が積層配設される第1の基板を形成するステップと、前記熱電素子に対応する第2の電極及び第2のソルダ層が積層配設される第2の基板を形成するステップと、前記第1の基板上に前記第2の基板を配設し、前記第1の基板と前記第2の基板との間に弾性体を充填するステップと、リフロー工程によって、前記第1及び第2のソルダ層により前記第1及び第2の電極と熱電素子とを互いに接合して熱電モジュールを形成するステップとを含む熱電モジュールの製造方法。前記弾性体は、その厚さが少なくとも前記熱電素子の高さと同じであることを特徴とする請求項12に記載の熱電モジュールの製造方法。前記第1の基板と前記第2の基板との間に弾性体を充填するステップは、前記第1の電極、前記第1のソルダ層及び前記熱電素子が配設された第1の基板上に前記弾性体を形成し、少なくとも前記熱電素子の高さと同じ厚さの弾性体を形成するステップであることを特徴とする請求項12に記載の熱電モジュールの製造方法。前記弾性体を形成したステップの後、該弾性体の露出された表面をエンボス処理または凹凸処理してエンボスまたは凹凸を形成するステップをさらに含む請求項14に記載の熱電モジュールの製造方法。前記第1の基板と前記第2の基板との間に弾性体を充填するステップは、前記第1の電極、前記第1のソルダ層及び前記熱電素子が配設された第1の基板上に第1の弾性体を形成するステップと、前記第2の電極が配設された第2の基板上に第2の弾性体を形成するステップとを含む請求項12に記載の熱電モジュールの製造方法。前記第1の基板上に前記第2の基板を配設するステップの前に、前記第1の基板上に設けられた第1の弾性体の露出された表面または第2の基板上に設けられた第2の弾性体の露出された表面を、エンボス処理または凹凸処理してエンボスまたは凹凸を形成するステップをさらに含む請求項16に記載の熱電モジュールの製造方法。前記第1の基板と前記第1の電極との間、前記第2の基板と前記第2の電極との間、前記熱電素子と前記第1の電極との間及び前記熱電素子と前記第2の電極との間のうちの少なくともいずれか一つの間に、サーマルグリスをさらに形成する請求項12に記載の熱電モジュールの製造方法。従来では、熱電モジュールを、平らな基板上に熱電素子を接合して形成しているが、基板厚さの不均一またはパターンの精密度不良などにより不完全な接合が行われて、局部的な接合不良、接触抵抗の増加が生じることがある。このようなモジュールは、熱電モジュールの性能指数及び効率の低下と共に、熱衝撃、耐湿等による劣化が早期に発生し、信頼性が低下するという不都合がある。本発明は前述のように、基板厚さ不均一またはパターンの精密度不良などから引き起こされる不完全な接合による局部的な接合不良、接触抵抗の増加などの間題点に鑑みて成されたものであって、詳しくは、第1の基板と第2の基板との間に弾性体を充填して完全な接合がなされるようにして、局部的な接合不良、接触抵抗の増加などの間題を解決できる熱電モジュール及びその製造方法を提供するにその目的がある。上記自的を解決するために、本発明による熱電モジュールは、対向離間して配設される第1及び第2の基板と、前記第1及び第2の基板の内側面に各々配設される第1及び第2の電極と、前記第1及び第2の電極間に介在し、前記第1及び第2の電極と電気的に接合される熱電素子と、前記第1の基板と前記第2の基板との間を充填する弾性体とを含むことができる。前記弾性体は、その一側表面及び他側表面のうちのいずれか一面が前記第1の基板及び前記第2の基板のうちのいずれか一方に物理的または化学的に締結されており、他方の表面は、他方の基板側に接触している。ここで、前記弾性体の他方の表面は、エンボスembossingまたは凹凸が設けられることができる。ここで、前記弾性体の他方の表面と前記他方の基板側のとの間には、サーマルグリスthermalgreaseがさらに介在されることができる。ここで、前記弾性体は、第1の弾性体及び第2の弾性体から成り、前記第1の弾性体の一側表面は、前記第1の基板側に物理的または化学的に締結されており、前記第2の弾性体の他側表面は、前記第2の基板側に物理的または化学的に締結されており、前記第1の弾性体の他側表面及び前記第2の弾性体の一側表面は、互いに接触していることができる。ここで、前記第1の弾性体の他側表面または前記第2の弾性体の一側表面には、エンボスまたは凹凸が設けられることができる。ここで、前記第1の弾性体の他側表面または前記第2の弾性体の一側表面との間には、サーマルグリスがさらに介在されることができる。ここで、前記弾性体は、ABSAcrylonitrileButadieneStyrene、PMMAPolyMethoyMethAcrylate及びテフ口ン登録商標Teflonのうちのいずれか一つを含むことができる。ここで、前記弾性体は、セラミックパウダをさらに含むことができる。ここで、前記第1の基板と前記第1の電極との間、前記第2の基板と前記第2の電極との間、前記熱電素子と前記第1の電極との間及び前記熱電素子と前記第2の電極との間のうちの少なくともいずれか一つの間に、サーマルグリスをさらに介在することができる。ここで、前記熱電素子は、前記第1及び第2の電極とソルダにより互いに接合されることができる。上記目的を解決するために、本発明の他の好適な実施形態による熱電モジュール製造方法は、第1の電極、第1のソルダ層及び熱電素子が積層配設される第1の基板を形成するステップと、前記熱電素子に対応する第2の電極及び第2のソルダ層が積層配設される第2の基板を形成するステップと、前記第1の基板上に前記第2の基板を配設し、前記第1の基板と前記第2の基板との間に弾性体を充填するステップと、リフロー工程によって前記第1及び第2のソルダ層により前記第1及び第2の電極と熱電素子とを互いに接合して熱電モジュールを形成するステップとを含むことができる。ここで、前記弾性体は、その厚さが少なくとも前記熱電素子の高さと同じであってもよい。ここで、前記第1の基板と前記第2の基板との間に弾性体を充填するステップは、前記第1の電極、前記第1のソルダ層及び前記熱電素子が配設された第1の基板上に前記弾性体を形成し、少なくとも前記熱電素子の高さと同じ厚さの弾性体を形成することができる。ここで、前記弾性体を形成するステップの後、該弾性体の露出された表面をエンボス処理または凹凸処理してエンボスまたは凹凸を形成するステップをさらに含むことができる。ここで、前記第1の基板と前記第2の基板との間に弾性体を充填するステップは、前記第1の電極、前記第1のソルダ層及び前記熱電素子が配設された第1の基板上に第1の弾性体を形成するステップと、前記第2の電極が配設された第2の基板上に第2の弾性体を形成するステップとを含むことができる。ここで、前記第1の基板上に前記第2の基板を配設するステップの前に、前記第1の基板上に設けられた第1の弾性体の露出された表面、または第2の基板上に設けられた第2の弾性体の露出された表面をエンボス処理または凹凸処理してエンボスまたは凹凸を形成するステップをさらに含むことができる。ここで、前記第1の基板と前記第1の電極との間、前記第2の基板と前記第2の電極との間、前記熱電素子と前記第1の電極との間及び前記熱電素子と前記第2の電極との間のうちの少なくともいずれか一つに、サーマルグリスをさらに形成することができる。本発明の実施形態によれば、熱電素子と第1の基板または第2の基板との間に未接点が発生されなく、局部的な接合不良、接触抵抗の増加などの従来問題が発生しないという効果を奏する。また、本発明によれば、第1の基板と第2の基板との間に弾性体を設けることによって、接合強度が向上して、耐久性が向上するという効果を奏する。また、本発明によれば、弾性体により平坦度が確保されることによって、大面積の熱電モジュールの製作が容易であるという効果を奏する。以下、本発明の好適な実施の形態は図面を参考にして詳細に説明する。次に示される各実施の形態は当業者にとって本発明の思想が十分に伝達されることができるようにするために例として挙げられるものである。従って、本発明は以下示している各実施の形態に限定されることなく他の形態で具体化されることができる。そして、図面において、装置の大きさ及び厚さなどは便宜上誇張して表現されることができる。明細書全体に渡って同一の参照符号は同一の構成要素を示している。図1は、本発明の一実施形態による熱電モジュールの断面図である。図2a及び図2bは、図1のA領域を拡大した拡大図である。図1~図2bを参照して、本発明の一実施形態による熱電モジュール100は、対向離間して配設される第1及び第2の基板110a、110bと、該第1及び第2の基板110a、110bの内側面に各々介在する第1及び第2の電極120a、120bと、該第1の基板110aと該第2の基板110bとの間に介在する熱電素子130とを含むことができる。また、熱電モジュール100は、第1の基板110aと第2の基板110bとの間に充填される弾性体140を含むことができる。第1及び第2の基板110a、110bは、熱電素子130と第1及び第2の電極120a、120bとを支持する役割をすることができる。さらに、熱電素子130が複数設けられる場合、第1及び第2の基板110a、110bは複数の熱電素子130を連結する役割を行うことができる。また、第1の基板110a及び第2の基板110bは外部装置と接合され、熱電素子130の熱交換を通じて外部から熱を吸熱または外部へ熱を放熱させる役割をすることができる。すなわち、第1の基板110a及び第2の基板110bは外部装置と熱電素子130との間の熱伝達を行う役割をすることができる。これにより、熱電モジュール100の効率は、第1及び第2の基板110a、110bの熱伝導率による影響を受けることができる。このため、第1及び第2の基板110a、110bは、熱伝導率の高いセラミックから成ることができる。また、第1及び第2の基板110a、110bは優秀な熱伝導率を有する金属から成ることができる。例えば、第1及び第2の基板110a、110bはアルミニウム及び銅等から成ることができる。これにより、第1及び第2の基板110a、110bは優秀な熱伝導率を有して、熱電効率を向上させることができる。ここで、第1の基板110a及び第2の基板110bの内側面、詳しくは、第1の基板110aと第1の電極120aとの間及び第2の基板110bと第2の電極120bとの間には、金属から成る第1及び第2の基板110a、110bと第1及び第2の電極120a、120bとの間を絶縁するための絶縁層図示せずを配設し、第1及び第2の基板110a、110bの電気絶縁性を提供することができる。該絶縁層は、熱電モジュール100を形成する工程に耐えることができる耐久性を有する材料から成ることができる。例えば、該絶縁層は、SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、NiO及びY2O3のうちのいずれか一つによって形成されることができる。ここで、該絶縁層の厚さは、0.2μm~10μmの範囲内で形成することができる。これは、絶縁層の厚さが0.2μm未満の場合、絶縁性を確保するに難しいためである。一方、絶縁層の厚さが10μm超の場合、第1の基板110aまたは第2の基板110bと熱電素子130との間の熱伝導率を低下させることになるためである。また、絶縁層は、第1の基板110aと第2の基板110bとの間の絶縁性を確保する役割だけでなく、第1の基板110aと第2の基板110bとの間に設けられた空隙を埋める役割をさらに行うことができる。これで、第1の基板110aと第1の電極120aとの間と、第2の基板110bと第2の電極120aとの間で空隙により熱伝達が低下するのを防止することができる。一方、熱電素子130はP型半導体130a及びN型半導体130bを含むことができる。P型半導体130aとN型半導体130bとは同じ平面上に交代で配列されることができる。ここで、第1及び第2の電極120a、120bは、熱電素子130を挟んで対向するように配設されることができる。ここで、一対のP型半導体130a及びN型半導体130bはその下面に配設される第1の電極120aにより電気的に接続され、隣の他の一対のP型半導体130a及びN型半導体130bはその上面に配設される第2の電極120bにより電気的に接続されることができる。第1の電極120a及び第2の電極120bと熱電素子130とはソルダ150により互いに接合されていることができる。該ソルダ150は、PbSnまたはCuAgSnなどのようにSnを含むことができる。また、第1及び第2の電極120a、120bはワイヤ160により外部電源部に接続され、該外部電源部に電源を供給するかまたは供給されることができる。すなわち、熱電モジュール100が発電装置の役割をする場合、電源を外部電源部に供給でき、冷却装置の役割をする場合、電源を該外部電源部から供給されることができる。また、示されていないが、各構成間の境界面間にサーマルグリスthermalgreaseが介在されることができる。例えば、該サーマルグリスは、第1の基板110aと第1の電極120aとの間、第2の基板110bと第2の電極120bとの間、熱電素子130と第1の電極120aとの間及び熱電素子130と第2の電極120aとの間のうちの少なくともいずれか一つの間に介在されることができる。ここで、サーマルグリスは、各境界面で設けられた空隙を埋める役割をして、該空隙により熱伝導率が低下するのを防止する役割をすることができる。弾性体140は、第1の基板110aと第2の基板110bとの間、詳しくは、第1の基板110a側における第1の基板110aの一部領域及び第1の電極120aの一部領域と、第2の基板110b側における第2の基板110bの一部領域及び第2の電極120bの一部領域との間に充填されている。弾性体140は、熱電泰子130と第1の基板110aまたは第2の基板110bとの間に未接点が発生されなくて局部的な接合不良が発生されないようにし、局部的な接合不良による接触抵抗の増加などの間題が発生されないようにする。また、弾性体140は、第1の基板110aと第2の基板110bとの間の接合強度を向上させて、熱電モジュール100の耐久性を向上させる。これは、弾性体140が自体の弾性力を用いて第1の基板110aと第2の基板110bとの結合時に発生される圧力または接触不均衡を吸収出来るためである。ここで、弾性体140は、図2aに示すように、第1の基板110a側の表面である一側表面140a及び第2の基板110b側の表面である他側表面140bのうちのいずれか一つの表面は、第1の基板110a及び第2の基板110bのうちのいずれか一つの基板側に物理的または化学的に締結されており、他方の表面は、他方の基板側に接触していることができる。例えば、弾性体140の表面のうち、第1の基板110a側の表面である一側表面140aは第1の基板110a側、詳しくは、第1の基板110aの一定領域と第1の電極120aの一定領域とに物理的または化学的に締結されており、弾性体140の他側表面140bは第1の基板110a側、詳しくは、第2の基板110bの一定領域と第2の電極120bの一定領域とに接触していてもよい。これに対して、弾性体140と第2の基板110b側と物理的または化学的に締結されていてもよい。ここで、示されていないが、第1の基板110aまたは第2の基板110b側と接触している弾性体140のいずれか一つの表面には、エンボスembossingまたは凹凸を設け、また、第1の基板110aまたは第2の基板110b側と接触している弾性体140のいずれか一つの表面上にはサーマルグリスがさらに介在されることができる。ここで、第1の基板110aまたは第2の基板110b側と接触している弾性体140のいずれか一つの表面に設けられたエンボスまたは凹凸は、弾性体140と基板との密着力を高めるためであり、サーマルグリスが介在することは、基板との密着力を高めると共に熱伝導性を高めるためである。弾性体140はABSAcrylonitrileButadieneStyrene、PMMAPolyMethoyMethAcrylate及びテフロン登録商標Teflonのうちのいずれか一つを含むことができ、絶縁特性または耐熱特性向上のためにセラミックパウダをさらに含むことができる。一方、第1の電極120aと第2の電極120bとの間に充填される弾性体140は、少なくとも第1の電極120aと第2の電極120bとの間の離間距離と同じ厚さで充填されるか、より好ましくは、該距離より厚く充填される。第1の基板110aと第2の基板110bとの間に充填される弾性体140は、少なくとも第1の基板110aと第2の基板110bとの間の離間距離と同じであり、より好ましくは、該距離より厚く充填される。これは、弾性体140が第1の基板110aと第2の基板110bとの接合時に弾性力を十分に発揮するためである。また、弾性体140は、図2bに示すように、第1の弾性体142及び第2の弾性体144から成ることができる。第1の弾性体142は、その一側表面142aが第1の基板110a側に物理的または化学的に締結されており、前記第2の弾性体144は、その他側表面144bが第2の基板110b側に物理的または化学的に締結されることができる。そして、第1の弾性体142の他側表面142b及び第2の弾性体144の一側表面144aは互いに接触するように設けられることができる。ここで、第1の弾性体142及び第2の弾性体144は各々、第1の基板110a及び第2の基板110bに物理的または化学的に接触しているため、各々特性に合う材料によって形成することができる。例えば、第2の基板110b側が熱を吸収する高温部で、第1の基板110a側が熱を放出する低温部の場合、第1の弾性体142及び第2の弾性体144の各々は、高温及び低温に適合した材料によって形成されることができる。もちろん、第1の弾性体142及び第2の弾性体144は同じ材料から成ってもよく、ABS、PMMA及びテフ口ンのうちのいずれか一つを含んでもよい。また、絶縁特性または耐熱特性向上のために、セラミックパウダをさらに含むことができる。互いに接触する第1の弾性体142の他側表面142bと第2の弾性体144の一側表面144aとの間にはサーマルグリスが介在され、第1の弾性体142の他側表面142b及び第2の弾性体144の一側表面144aのうちのいずれか一つの表面にはエンボスまたは凹凸を設けることができる。ここで、エンボスまたは凹凸は、第1の弾性体142と第2の弾性体144との間の密着力を高めるためであり、サーマルグリスは、第1の弾性体142と第2の弾性体144との間の密着力を高めると共に熱伝導性を高めるためである。図3~図6は、本発明の一実施形態による熱電モジュールの製造方法を示す断面図である。図3~図6を参照して、本発明の一実施形態による熱電モジュールの製造方法を具体的に説明することにする。図3を参照して、熱電モジュールを製造するために、まず第1の基板110aを提供する。第1の基板110aは、セラミックから成るセラミック基板であってもよい。また、第1の基板110aは優秀な熱伝導率を有する金属材料から成ることができ、第1の基板110aが金属材料から成る場合、第1の基板110a内側面上に絶縁層図示せずを形成することができる。該絶縁層は、SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、NiO及びY2O3のうちのいずれか一つによって形成することができる。ここで、絶縁層を形成する方法の例としては、印刷法、ALDAtomlayerDeposion法、スパッタリング法、E-beam法及びCVD法が挙げられ、その厚さは、絶縁性確保及び熱伝導率に対する影響を考慮して、0.2μm~10μmの厚さで形成することができる。第1の基板110aの内側面上に第1の電極120aを形成する。該第1の電極120aは、導電材料を蒸着して導電膜を形成した後、導電膜をパターニングして形成することができる。しかし、本発明の実施形態では、これに限定するのではなく、例えば第1の電極120aはメッキ工程及び印刷工程等を通じて形成することができる。続いて、第1の電極120a上に第1のソルダ層150aを形成する。該第1のソルダ層150aは、PbSnまたはCuAgSnなどのようにSnを含む導電性ペーストを印刷して形成することができる。続いて、第1のソルダ層150a上に熱電素子130を配設する。該熱電素子130は、P型半導体130a及びN型半導体130bを含むことができる。P型半導体130aとN型半導体130bとを互いに交代で配設することができる。図4を参照して、第1の電極120a、第1のソルダ層150a及び熱電素子130が順に積層配設される第1の基板110a上に、弾性体140を形成する。該弾性体140は、第1の基板110aと第2の基板110bとを合着して熱電モジュール100を形成する時、第1の基板110aと第2の基板110bとの間を充填するように形成する。ここで、弾性体140は第1の基板110a、詳しくは、図4に示すように第1の電極120aが配設されないで露出された第1の基板110aの一定領域と、第1のソルダ層150a及び熱電素子130が配設されないで露出された第1の電極120aの一定領域上に形成されて、第1の基板110aを充填するように形成される。ここで、弾性体140は熱電素子130の高さと同じ厚さ、望ましくは熱電素子130より突出されるように熱電素子130の高さより厚く形成する。これは、以後第1の基板110aと第2の基板110bとを合着する時、弾性体140が一定圧力に押し付けられて弾性力が発生し、第1の基板110aと第2の基板110bとの合着において未接点が発生されないようにするためである。ここで、弾性体140の露出された表面にエンボス処理または凹凸を形成する工程を行うことができる。また、弾性体140の露出された表面にサーマルグリスを形成することができる。弾性体140の露出された表面に設けられたエンボスまたは凹凸は、第1の基板110aと第2の基板110bとの合着の際、合着力を高め、サーマルグリスは、熱伝導性を高める役割をする。図5を参照して、第1の基板110a上に第1の電極120a、第1のソルダ層150a及び熱電素子130を形成する工程と別個に、第2の基板110bを準備して、該第2の基板110bの内側面上に第2の電極120b及び第2のソルダ層150bを形成する工程を行う。ここで、第2の基板110bは、第1の基板110aと同様にセラミックから成るセラミック基板であって、優秀な熱伝導率を有する金属材料から成ることができる。第2の基板110bが金属材料から成る場合、第2の基板110bの内側面上に絶縁層図示せずを形成することができる。第2の基板110bの内側面上に、第2の電極120b及び第2のソルダ層150bを順に形成する。ここで、絶縁層、第2の電極120b及び第2のソルダ層150bは図4を参照して説明した絶縁層、第1の電極120a及び第1のソルダ層150aの材料と同じで、同じ形成方法などを通じて形成することができる。図6を参照して、熱電素子130と第2の電極120bとが互いに接触するように第1の基板110a上に第2の基板110bを配設した後、該第2の基板110bまたは該第1の基板110aに一定圧力を加えながら、リフロー工程を通じて第1及び第2の電極120a、120bと熱電素子130とを互いに接合することによって、熱電モジュールを製造することができる。ここで、第1の基板110aに加えられた一定圧力は、第1の基板110aと第2の基板110bとの間に充填される弾性体140が弾性力を有するようにして、第1の基板110aと第2の基板110bとが未接点なしに合着されるような役割をする。また、示されていないが、各構成間の境界面、例えば第1の基板110aと第1の電極120aとの間、第2の基板110bと第2の電極120bとの間、熱電素子130と第1の電極120aとの間及び熱電素子130と第2の電極120bとの間のうちの少なくともいずれか一つの間にサーマルグリスをさらに形成することができる。また、示されていないが、図1に示す熱電モジュール100のように第1の電極120a及び第2の電極120bに各々ワイヤ160を連結する工程を行うことができる。図7~図9は、本発明の他の実施形態による熱電モジュールの製造方法を示す断面図である。図7~図9を参照して、本発明の他の実施形態による熱電モジュールの製造方法を具体的に説明することにする。図7を参照して、熱電モジュールを製造するために、まず第1の基板110aを提供する。第1の基板110aの内側面上に、第1の電極120a、第1のソルダ層150a及び熱電素子130を形成する。ここで、第1の基板110aの材料によって絶縁層をさらに形成することができる。ここで、絶縁層、第1の電極120a、第1のソルダ層150a及び熱電素子130は図3を参照して説明した絶縁層、第1の電極120a、第1のソルダ層150a及び熱電素子130の材料と同じで、同じ形成方法などを通じて形成できるので詳細な説明は省略する。続いて、第1の基板110a上に第1の弾性体140aを形成する。該第1の弾性体140aは後述する第2の弾性体140bと合着され、図4を参照して説明した弾性体140と同じ役割をすることによって、第1の基板110aと第2の基板110bとの間に充填されるように、後述する第2の弾性体140bの厚さを考慮して適切な厚さで形成することができる。ここで、第1の弾性体140aは図4を参照して説明した弾性体140の厚さの半分に形成されることが望ましい。ここで、第2の弾性体140bの露出された表面にエンボス処理または凹凸処理してもよく、またサーマルグリスを形成してもよい。図8を参照して、第2の基板110bを提供する。続いて、第2の基板110bの内側面上に、第2の電極120b及び第2のソルダ層150bを形成する。ここで、第2の電極120b及び第2のソルダ層150bは図5を参照して説明した第2の電極120b及び第2のソルダ層150bの材料と同じで、同じ形成方法などを通じて形成できるので詳細な説明は省略する。続いて、第2の基板110b上に第2の弾性体140bを形成する。ここで、第2の弾性体140bは前述のように第1の弾性体140aと合着され、図4を参照して説明した弾性体140と同じ役割をするため、第1の基板110aと第2の基板110bとの間に充填されるように第1の弾性体140aの厚さを考慮して適切な厚さで形成することができる。ここで、第2の弾性体140bは第1の弾性体140aが図4を参照して説明した弾性体140厚さの半分で形成されている場合、第1の弾性体140aと同じ厚さで形成することが望ましい。ここで、第1の弾性体140aと同様に、第2の弾性体140bの露出された表面にエンボス処理または凹凸処理が行われることができ、またサーマルグリスを形成することができる。図9を参照して、熱電素子130と第2の電極120bとが互いに接触するように、第1の基板110a上に第2の基板110bを配設した後、第1の基板110aまたは第2の基板110bに一定圧力を加えながら、リフロー工程を通じて第1及び第2の電極120a、120bと熱電素子130とを互いに接合することによって、熱電モジュールを製造することができる。ここで、第1の基板110aまたは第2の基板110bに加えられた一定圧力は、第1の基板110aと第2の基板110bとの間に充填される第1の弾性体140a及び第2の弾性体140bが互いに密着しながら弾性力を有するようにして、第1の基板110aと第2の基板110bとが未接点なしに合着されるようにする役割をする。また、示されていないが、各構成間の境界面、例えば第1の基板110aと第1の電極120aとの間、第2の基板110bと第2の電極120bとの間、熱電素子130と第1の電極120aとの間及び熱電素子130と第2の電極120bとの間のうちの少なくともいずれか一つの間にサーマルグリスをさらに形成することができる。また、示されていないが、図1に示す熱電モジュール100と同様に、第1の電極120a及び第2の電極120bに各々ワイヤ16aを連結する工程を行うことができる。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、前記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。