ベースプレートと、前記ベースプレートに連結される可撓性の膜であって、前記可撓性の膜の外面が、基板を受ける面を提供し、前記可撓性の膜の内面および前記ベースプレートが複数のチャンバを画定し、前記基板を受ける面の対応する複数の領域に、独立して調整可能な圧力を提供する、可撓性の膜と、前記基板を受ける面の周辺領域に対応する前記複数のチャンバのうちの第1のチャンバ内に配設されるエッジヒータであって、前記複数のチャンバが同心円状に配置され、前記第1のチャンバがリング形状を有して前記複数のチャンバのうちで最も外側に位置する、エッジヒータとを備える、基板キャリアヘッド。前記基板を受ける面の中央領域に対応する前記複数のチャンバのうちの第2のチャンバに接続される冷却ユニットをさらに備え、前記第2のチャンバが円形形状を有して前記複数のチャンバのうちで最も内側に位置する、請求項1に記載の基板キャリアヘッド。前記エッジヒータが、前記第1のチャンバ内の前記可撓性の膜の前記内面に取り付けられるリング形状のヒータである、請求項2に記載の基板キャリアヘッド。前記エッジヒータが、ポリイミドから作られる上部フィルムと、ポリイミドから作られる下部フィルムと、前記上部フィルムと前記下部フィルムの間に配設される加熱要素とを備えるフィルムヒータである、請求項3に記載の基板キャリアヘッド。前記加熱要素が、エッチングされたコイルである、請求項3に記載の基板キャリアヘッド。前記冷却ユニットが、前記第2のチャンバの中心近くに位置する入り口開口および前記第2のチャンバのエッジ領域近くに均等に分散される複数の出口開口を介して前記第2のチャンバに接続される、請求項2に記載の基板キャリアヘッド。前記冷却ユニットが、前記第2のチャンバへの流体の流れを供給するため、前記第2のチャンバの前記入り口開口に接続される流体源と、前記流体の流れを所望の温度に冷却するよう構成される熱交換ユニットとを備える、請求項6に記載の基板キャリアヘッド。前記冷却ユニットが、前記第2のチャンバの前記入り口開口に接続される流体源を備え、前記第2のチャンバへの熱交換流体の流れを提供することおよび前記熱交換流体の前記流れを停止することによって、前記冷却ユニットが前記第2のチャンバをそれぞれ膨張および収縮する、請求項6に記載の基板キャリアヘッド。前記可撓性の膜の外側の周辺近くに配設される、加熱される保持リングアセンブリをさらに備える、請求項2に記載の基板キャリアヘッド。前記加熱される保持リングアセンブリが、前記ベースプレートに取り付けられる保持リングと、前記保持リングと前記ベースプレートの間に配設されるリング状フィルムヒータとを備える、請求項9に記載の基板キャリアヘッド。中心軸の周りに回転可能なプラテンと、前記プラテン上に配設される研磨パッドと、基板を保持し、処理中に前記基板を前記研磨パッドに対して押圧するように構成される基板キャリアヘッドであって、ベースプレート、前記ベースプレートに連結される可撓性の膜であって、前記可撓性の膜の外面が、基板を受ける面を提供し、前記可撓性の膜の内面および前記ベースプレートが複数のチャンバを画定し、前記基板を受ける面の対応する複数の領域に、独立して調整可能な圧力を提供する、可撓性の膜、および前記基板を受ける面の周辺領域に対応する前記複数のチャンバのうちの第1のチャンバ内に配設されるエッジヒータを備える基板キャリアヘッドとを備える、基板を研磨するための装置。前記基板キャリアヘッドが、前記基板を受ける面の中央領域に対応する前記複数のチャンバのうちの第2のチャンバに接続される冷却ユニットをさらに備える、請求項11に記載の装置。研磨中に前記基板のエッジ領域と接触する前記研磨パッドのターゲット領域に熱エネルギーを向けるように構成されるスポットヒータをさらに備え、前記スポットヒータが、前記研磨パッドの上に配設される加熱ランプを備える、請求項12に記載の装置。前記ターゲット領域が前記基板キャリアヘッドのすぐ上流に位置する、請求項13に記載の装置。前記基板キャリアヘッドが、前記可撓性の膜の外側の周辺近くに配設される加熱される保持リングアセンブリをさらに備える、請求項12に記載の装置。前記基板および前記研磨パッドの温度を測定するように構成される1つまたは複数のセンサと接続されるコントローラをさらに備え、前記研磨パッドおよび前記基板の温度測定にしたがって、前記スポットヒータ、前記加熱される保持リングアセンブリ、前記エッジヒータ、および前記冷却ユニットを前記コントローラが調整する、請求項15に記載の装置。理解しやすくするために、可能な場合は、図に共通な同一の要素を指定するため、同一の参照番号が使用されている。一実施形態で開示される要素は、具体的な記述なしに、他の実施形態に有利に使用され得ることが意図される。本発明の実施形態は、一般に、半導体基板を研磨するための装置および方法に関する。詳細には、本発明の実施形態は、均一性を改善するための装置および方法に関する。本発明の実施形態は、研磨中に熱エネルギーを基板の周辺に加えるよう構成される加熱機構、または研磨中に基板の中央領域を冷却するよう構成される冷却機構、または研磨パッドの所与の半径上に温度のステップ状差異を作り出すように構成されるバイアスされた加熱機構を提供する。本発明の一実施形態は、基板キャリアヘッドのエッジ領域近くに配設されるヒータおよび基板キャリアヘッドの中心領域近くに配設される冷却機構を有する、基板キャリアヘッドを提供する。別の実施形態において、基板キャリアヘッドは、保持リングヒータに連結される保持リングを備える。本発明の別の実施形態は、研磨パッドの領域を加熱するよう構成されるスポットヒータを備える。本発明の実施形態は、研磨均一性を改善するため、研磨される基板の部分を加熱または冷却するステップを含む。本発明から利益を受けるようになされ得る洗浄モジュールの実施形態は、California、SantaClaraに位置するAppliedMaterials、Inc.から入手可能なREFLEXION登録商標、REFLEXIONLK登録商標、およびREFLEXIONGT登録商標研磨器である。本発明の利益としては、研磨中に、中心部の高温~エッジの低温のプロファイルによってもたらされる、基板全体にわたる不均一な除去速度を減少することを含む。本発明の実施形態は、研磨中に基板に対して押圧する膜の異なるゾーン間の圧力差によってもたらされる、S字型の不均一な除去プロファイルに対処するため、使用することもできる。本発明の実施形態は、銅などの金属の化学機械研磨、およびプリ金属誘電体層など誘電体層の化学機械研磨で使用することができる。図2は、本発明の一実施形態による基板キャリアヘッド101の概略側断面図である。基板キャリアヘッド101は、一般に、基板103を移送し、研磨中に研磨パッド図示せずに対し基板103を保持するように構成される。研磨中、基板キャリアヘッド101は、基板103の背面全体にわたって下向きの圧力を分散させるように構成される。基板キャリアヘッド101は、一般にベースアセンブリ114に移動可能に連結される筐体112を備える。ローディングチャンバ129が、筐体112とベースアセンブリ114の間に形成される。筐体112は、全体的に円形であり、ドライブシャフト図示せずに接続され、研磨中にドライブシャフトとともに回転および/または掃引することができる。垂直の孔121を、筐体112を貫通して形成し、ベースアセンブリ114の相対的な移動を可能にすることができる。ベースアセンブリ114は、剛体のベースプレート127、剛体のベースプレート127から延在し、筐体112の垂直の孔121を垂直に緩く摺動するジンバルロッド122を備える。ベースアセンブリ114は、筐体112の下に位置する、垂直に移動可能なアセンブリである。リング状の回転ダイアフラム120が、ベースアセンブリ114の剛体のベースプレート127に柔軟に筐体112を接続する。ジンバルロッド122およびリング状の回転ダイアフラム120によって、筐体112が回転運動をベースアセンブリ114に移送することを可能にし、ベースアセンブリ114が筐体112に対して垂直に動くことを可能にする。リング状の回転ダイアフラム120が屈曲し、ベースアセンブリ114が筐体112に対して枢動することを可能にし、その結果、基板103は、研磨パッドの研磨面と実質的に平行を維持することができる。ローディングチャンバ129は、筐体112、リング状の回転ダイアフラム120、および剛体のベースプレート127によって画定される。ローディングチャンバ129は、負荷、すなわち下向きの圧力または重さをベースアセンブリ114に加えるために使用される。研磨パッドに対するベースアセンブリ114の垂直位置も、ローディングチャンバ129によって制御される。ベースアセンブリ114は、保持リング111をさらに備える。保持リング111は、剛体のベースプレート127の外側エッジにアダプタ137を介して固定される、全体的に環状のリングであってよい。保持リング111は、研磨中に基板103が基板キャリアヘッド101から滑落することを防止するように構成される。保持リング111の底面111aは実質的に平坦であってよく、または保持リング111の底面111aが複数のチャネルを有し、保持リング111の外側から基板に研磨組成物を搬送することを容易にすることができる。可撓性の膜133は、ベースアセンブリ114の剛体のベースプレート127の底側に、全体的にクランプされる。一実施形態において、可撓性の膜133および剛体のベースプレート127は、例えば、チャンバ126、180、182、184といった、複数のチャンバを形成してよい。チャンバ126、180、182は、可撓性の膜133と基板103の裏側の間に圧力を加えまたは真空を生成し、基板103を係合する。一実施形態において、可撓性の膜133は、剛体のベースプレート127から延在する装着点139に密封可能に連結され、複数のチャンバ126、180、182を形成するように構成されるディバイダ133aを備える。チャンバ126、180、182、184は、流体源に接続され、基板103を固定するために膨張および収縮され、基板103を解放し、基板103に圧力を加えることができる。一実施形態において、単一のチャネルが各チャンバ126、180、182、184に連結されてよく、各チャンバ126、180、182、184は、ガスまたは水など流体を、単一のチャネルを介して各チャンバに流すことにより膨張し、各チャンバから単一のチャネルを介して流体を流出することにより収縮することができる。図2に示すように、チャンバ126、180、182のそれぞれは、チャネル125、181、183をそれぞれ介して流体源に接続される。一実施形態において、チャンバ126、180、182、184図3には示さずは、図3に示すように同心円状に配置される。基板キャリアヘッド101内に、4つの同心円状のチャンバが記載されているが、より少ないまたはより多くの同心円状のチャンバを有する基板キャリアヘッドまたは非同心円状のパターンで配置される複数のチャンバを有する基板キャリアヘッドが、本発明の実施形態によって包含される。一実施形態において、1つまたは複数のチャンバ126、180、182は、例えば流体をチャンバ内に流すための1つまたは複数の入り口チャネルおよび流体をチャンバから流出するための1つまたは複数の出口チャネルといった、別個の入り口流体チャネルおよび出口流体チャネルを有することができる。処理中に、一定の流れの流体が、チャンバを通って流され、熱交換を実現し、チャンバ内で必要な圧力を維持する。一実施形態において、中央チャンバ126は、1つの入り口チャネル124および複数の出力チャネル125を介して温度および圧力制御ユニット187に接続される。温度および圧力制御ユニット187は、熱交換デバイス186に接続される流体源185を備える。熱交換デバイス186は、ヒータおよび冷却デバイスを備えることができる。研磨中に、例えば不活性ガスまたは水といった流体が、流体源185からチャンバ126に熱交換デバイス186を通ってポンピングされ、熱交換デバイス186内で流体は所望の温度に加熱または冷却される。チャンバ126内の加熱または冷却された流体は、熱交換流体の役割を果たし、チャンバ126に対応する基板103の部分のために温度を維持する。チャンバ126への流体の流れは、研磨プロセスにより必要とされる基板への圧力も提供する。圧力は、チャンバ126への流体の流量を調整することにより、変更することができる。一実施形態において、図3に示すように、チャンバ126は、チャンバ126の中心近くに配設される1つの入り口チャネル124、およびチャンバ126の外側の領域内に均等に分散される複数の出口チャネル125を有し、中心からエッジへ、実質的に均等な流体の流れの分散を可能にする。チャンバ126を膨張させ、基板103に対し圧力をかけるため、空気、窒素ガス、または水などの流体の流れが、入り口チャネル124を通ってチャンバ126に供給される。流体の流れは、入り口チャネル124から放射状に外側に複数の出口チャネル125に進み、チャンバ126を出る。チャンバ126内の圧力は、流体の流量を維持または調整することにより維持または調整することができる。チャンバ126を収縮させるため、流体の流れを入り口チャネル124から停止し、チャンバ126は、真空ポンプを使用して能動的に、または真空ポンプを使用せずに受動的に、複数の出口チャネル125から排出され得る。一実施形態において、温度および圧力制御ユニット187は、チャンバ126など、基板キャリアヘッド101の中央領域内の1つまたは複数のチャンバに冷却流体を提供するように構成され、処理中に基板103の中央領域を冷却する。基板キャリアヘッド101は、可撓性の膜133のエッジ領域の近くに配設され、処理中に基板のエッジ領域を加熱するように構成されるエッジヒータ116をさらに備える。一実施形態において、エッジヒータ116は、チャンバ182など、外側のチャンバ内の可撓性の膜133の内面に取り付けられるリング状フィルムヒータである。エッジヒータ116は、空間に嵌め込まれるよう十分小さく、耐食性である任意のヒータであってよい。図4は、エッジヒータ116の斜視図の一実施形態を例示する。エッジヒータ116は、上部フィルム116a、下部フィルム116b、および上部フィルム116aと下部フィルム116bの間に配設される加熱要素116cを備える。加熱要素116cは、エッチングされた箔またはワイヤ結合された要素であってよい。上部フィルム116aおよび下部フィルム116bは、DuPont製のKAPTON登録商標フィルムなど、広範囲の温度内で安定を維持するポリイミドフィルムであってよい。再び図2を参照すると、基板キャリアヘッド101は、処理中に保持リング111を加熱するように構成される保持リングヒータ117をさらに備える。一実施形態において、保持リングヒータ117は、保持リング111とアダプタ137の間に配設され、図4のエッジヒータ116と同様に、リング状膜ヒータであってよい。別の実施形態において、保持リングヒータ117は、保持リング111またはアダプタ137の中に埋め込まれる加熱要素であってよい。中央チャンバ126への冷却ならびに/またはエッジチャンバ182および保持リング111への加熱を実現することによって、基板キャリアヘッド101は、基板の中央領域とエッジ領域の間の温度差を効率的に補償し、研磨中の均一性を改善することができる。エッジヒータ116、保持リングヒータ117、およびチャンバ126内の冷却流体は、別個にまたは組み合わせて使用することができる。本発明の実施形態は、研磨パッドをスポット加熱し、研磨中に基板の中央領域とエッジ領域の間の温度差を補償する装置および方法をさらに含む。図5は、本発明の実施形態による研磨ステーション100の側断面図である。図6は、図5の研磨ステーション100の平面図である。研磨ステーション100は、一般に、研磨パッド152が配置される回転可能プラテン151および、研磨パッド152の上に移動可能に配設される基板キャリアヘッド101を備える。研磨ステーション100は、1つの基板キャリアヘッド101および1つのプラテン151を有する、独立型デバイスであってよい。研磨ステーション100は、複数のプラテンおよび複数のプラテン間を循環する複数のキャリア基板ヘッドを有するシステム上に配設することもできる。回転可能プラテン151および研磨パッド152は、一般に、処理される基板103よりも大きく、均一な処理を可能にし、かつ/または複数の基板を同時に処理することが可能になる。例えば、基板103が8インチ200mm径ディスクである場合、プラテン151および研磨パッド152は、直径が約20インチである。基板103が12インチ300mm径ディスクである場合、プラテン151および研磨パッド152は、直径が約30インチである。一実施形態において、プラテン151は、ステンレス鋼ドライブシャフト155により、プラテンドライバモータ図示せずに接続される、回転可能なアルミニウムまたはステンレス鋼の板である。ほとんどの研磨プロセスで、プラテンドライバモータは、プラテン151を中心軸156の周りに、約30から約200RPM毎分回転数の間の速度で回転するが、より低い回転速度またはより高い回転速度を使用することができる。研磨パッド152は、化学機械研磨CMP法または電気化学機械研磨ECMP法を使用して基板103を研磨するように構成される、粗面化研磨面152aを有する。一実施形態において、研磨パッド152は、感圧接着層によりプラテン151に取り付けることができる。研磨パッド152は、一般に消耗品であり、交換することができる。一実施形態において、プラテン151は、CMPまたはECMP材料から作られるベルトパッドを有する研磨構造によって、交換することができる。研磨ステーション100は、研磨パッド152全体を覆って湿らすため十分な研磨溶液またはスラリ154を提供するように構成される、研磨組成物供給管153をさらに備える。研磨溶液154は、一般的に、反応性の薬剤、例えば酸化物研磨のためのイオンが除去された水、研磨剤粒子、例えば酸化物研磨のための二酸化ケイ素、および化学的反応性触媒、例えば酸化物研磨のための水酸化カリウムを含む。研磨ステーション100は、研磨パッド152の状態を維持するように構成されるパッドコンディショナ159をさらに備えることができ、その結果、研磨パッド152は、研磨パッド152に対して押圧される任意の基板を効果的に研磨することとなる。実施形態において、パッドコンディショナ159は、独立して回転するコンディショナヘッド167を保持する回転可能アーム166および関連する洗浄鉢162を備えることができる。研磨ステーション100は、熱エネルギーを研磨パッド152上のターゲットスポット158に向けるように構成される、スポットヒータ157をさらに備える。研磨パッド152が中心軸156の周りに回転するとき、スポットヒータ157は、研磨パッド152のバンド161を加熱することができる。一実施形態において、バンド161は、研磨中に基板103のエッジが研磨パッド152と接触する領域と重複する。一実施形態において、スポットヒータ157は、ランプ163など放射エネルギー源、およびランプ163からターゲットスポット158に放射エネルギーを反射して合焦するよう構成されるフォーカシングリフレクタ164を含むことができる。処理中に、基板103のエッジ領域は、中心軸156から距離160離れて、研磨パッド152と接触することができる。一実施形態において、ランプ163は、中心軸156から距離160離れて配設され、バンド161をカバーする。スポットヒータ157は、バンド161の上の任意の場所に配置することができる。一実施形態において、図6に示すように、スポットヒータ157は、研磨パッド152の上に配設され、基板キャリアヘッド101のすぐ上流のターゲットスポット158に熱エネルギーを向ける。この構成によって、スポットヒータ157により加熱された直後に、研磨パッド152の領域を基板キャリアヘッド101の下で回転することが可能となる。スポットヒータ157の効率は、スポットヒータ157を基板キャリアヘッド101のすぐ上流に配置することにより改善される。というのは、加熱された領域は、環境および研磨スラリに、短時間曝されるからである。一実施形態において、スポットヒータ157をオンにし、研磨パッド152が研磨前の一定期間回転し、研磨中に基板103のエッジ領域と接触する、バンド161を予熱することができる。代替実施形態において、スポットヒータ157は、バンド161を加熱するため、研磨パッド152の下に配設される、リング状薄膜ヒータであってもよい。研磨ステーション100は、コントローラ190をさらに備えることができる。コントローラ190は、スポットヒータ157、保持リングヒータ117、エッジヒータ116、または温度および圧力制御ユニット187を制御および調整し、研磨中に均一性を得ることができる。一実施形態において、コントローラ190は、異なる半径における基板103の温度、または基板103と接触する研磨パッド152の温度を測定するため使用される、熱電対などの温度センサ168と結合することができる。コントローラ190は、温度センサからの温度測定にしたがって、スポットヒータ157、保持リングヒータ117、エッジヒータ116、または温度および圧力制御ユニット187を調整することができる。一実施形態において、コントローラ190は、処理中の基板のin‐situ熱イメージングを生成し、実時間温度制御を実施するために基板のin‐situ熱イメージングを使用することができる。コントローラ190は、処理目的を達成するため、スポットヒータ157、保持リングヒータ117、エッジヒータ116、または温度および圧力制御ユニット187を個別に、同時に、または様々な組合せで作動させるよう設定することもできる。スポットヒータ157、保持リングヒータ117、エッジヒータ116、および温度および圧力制御ユニット187など、本発明の温度制御機構は、基板または研磨パッド内の空間的な温度制御を実現する。本発明の温度制御機構は、研磨前、研磨中、および/または研磨後に作動される場合、基板、基板キャリアヘッド、および研磨パッドの過渡的な温度制御も実施することができる。上記が本発明の実施形態を対象とする一方で、本発明の他のさらなる実施形態を、本発明の基本範囲から逸脱することなく考案することができ、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲により決定される。