"第1基板上に画素トランジスタと共に設けられた光電変換素子と、放射線の波長を前記光電変換素子の感度域の波長に変換する波長変換層と、前記光電変換素子と前記波長変換層との間に設けられ、前記感度域の波長に対して透明性を有すると共に放射線遮蔽機能を有する第2基板とを備えた放射線撮像装置。それぞれが前記光電変換素子および前記画素トランジスタを含む複数の画素を有し、前記第2基板の光入射側および光出射側の一方または両方にレンズアレイが設けられている請求項1に記載の放射線撮像装置。前記レンズアレイでは、複数のレンズがそれぞれ各画素に対向して設けられている請求項2に記載の放射線撮像装置。前記レンズアレイでは、各レンズが複数の画素に対向して設けられている請求項2に記載の放射線撮像装置。前記レンズアレイが放射線遮蔽機能を有する請求項2に記載の放射線撮像装置。前記波長変換層は放射線を可視光に変換する機能を有し、前記第2基板は、ガラスまたはプラスチックよりなる請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。前記第2基板は、無アルカリガラスよりなる請求項6に記載の放射線撮像装置。前記第2基板は、パラジウムPdおよびバリウムBaのうちの少なくとも1種を含有する鉛フリーガラスよりなる請求項6に記載の放射線撮像装置。前記画素トランジスタはゲート電極、ゲート絶縁膜および半導体層を積層した構造を有する請求項1に記載の放射線撮像装置。前記ゲート絶縁膜は、酸化シリコンまたは酸窒化シリコンを有する請求項9に記載の放射線撮像装置。前記半導体層は、多結晶シリコン、低温多結晶シリコン、微結晶シリコン、単結晶シリコンまたは非結晶シリコンを有する請求項9または請求項10に記載の放射線撮像装置。放射線に基づく画像を取得する撮像装置と、前記撮像装置により取得された画像を表示する表示装置とを備え、前記撮像装置は、第1基板上に画素トランジスタと共に設けられた光電変換素子と、放射線の波長を前記光電変換素子の感度域の波長に変換する波長変換層と、前記光電変換素子と前記波長変換層との間に設けられ、前記感度域の波長に対して透明性を有すると共に放射線遮蔽機能を有する第2基板とを有する放射線撮像表示システム。一方、上記放射線撮像装置では、波長変換層へ入射する放射線の中に、波長変換層をそのまま可視光へ変換されずに透過するものがある。このため、TFTが少なからず被曝し、上記のような正の固定電荷の蓄積によるトランジスタ特性劣化が生じる。従って、TFTにおける被曝量を軽減することが可能な放射線撮像装置の実現が望まれている。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、画素トランジスタにおける被曝量を軽減することが可能な放射線撮像装置を提供することにある。本発明の放射線撮像装置は、第1基板上に画素トランジスタと共に設けられた光電変換素子と、放射線の波長を光電変換素子の感度域の波長に変換する波長変換層と、光電変換素子と波長変換層との間に設けられ、上記感度域の波長に対して透明性を有すると共に放射線遮蔽機能を有する第2基板とを備えたものである。本発明の放射線撮像装置では、入射した放射線は、波長変換層において波長変換された後、第2基板を透過して第1基板へ到達する。これにより、波長変換後の光は、第1基板上に画素トランジスタと共に設けられた光電変換素子において受光され、その受光量に対応する電気信号撮像データが取得される光電変換される。第2基板が放射線遮蔽機能を有することにより、波長変換されずに波長変換層を透過してしまった放射線がある場合にも、そのような放射線が第1基板へ到達しにくい。本発明の放射線撮像表示システムは、放射線に基づく画像を取得する撮像装置上記本発明の放射線撮像装置と、この撮像装置により取得された画像を表示する表示装置とを備えたものである。本発明の放射線撮像装置および放射線撮像表示システムによれば、第1基板上に画素トランジスタと共に設けられた光電変換素子と、放射線の波長変換を行う波長変換層との間に第2基板を設け、この第2基板が放射線遮蔽機能を有するようにしたので、波長変換層を波長変換されずに透過した放射線を、第1基板へ到達する前に遮蔽することができる。従って、画素トランジスタにおける被曝量を軽減することが可能となる。以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。尚、説明は以下の順序で行う。実施の形態光電変換部とシンチレータ層との間にガラス基板およびレンズアレイを配置した例1.構成2.製造方法3.作用、効果<実施の形態>[構成]図1は、本発明の一実施の形態に係る放射線撮像装置放射線撮像装置1の全体構成を表すものである。放射線撮像装置1は、α線、β線、γ線、X線に代表される放射線を波長変換して受光し、放射線に基づく画像情報を読み取るものである。この放射線撮像装置1は、医療用をはじめ、手荷物検査等のその他の非破壊検査用のX線撮像装置として好適に用いられるものである。放射線撮像装置1は、第1基板11上に画素部12を有し、この画素部12の周囲には、例えば行走査部13、水平選択部14、列走査部15およびシステム制御部16からなる周辺回路部駆動部が設けられている。画素部12は、放射線撮像装置1における撮像エリアとなるものである。この画素部12には、入射光の光量に応じた電荷量の光電荷を発生して内部に蓄積する光電変換部後述の光電変換部111を含む単位画素12a以下、単に画素と記述する場合もあるが行列状に2次元配置されている。単位画素12aには、画素駆動線17として例えば2本の配線具体的には行選択線およびリセット制御線が画素行ごとに設けられている。画素部12には更に、行列状の画素配列に対して画素行ごとに画素駆動線17が行方向画素行の画素の配列方向に沿って配線され、画素列ごとに垂直信号線18が列方向画素列の画素の配列方向に沿って配線されている。画素駆動線17は、画素からの信号読み出しのための駆動信号を伝送するものである。図1では、画素駆動線17について1本の配線として示しているが、1本に限られるものではない。画素駆動線17の一端は、行走査部13の各行に対応した出力端に接続されている。この画素部12の構成については後述する。行走査部13は、シフトレジスタやアドレスデコーダ等によって構成され、画素部12の各画素12aを、例えば行単位で駆動する画素駆動部である。行走査部13によって選択走査された画素行の各単位画素から出力される信号は、垂直信号線18の各々を通して水平選択部14に供給される。水平選択部14は、垂直信号線18ごとに設けられたアンプや水平選択スイッチ等によって構成されている。列走査部15は、シフトレジスタやアドレスデコーダ等によって構成され、水平選択部14の各水平選択スイッチを走査しつつ順番に駆動する。この列走査部15による選択走査により、垂直信号線18の各々を通して伝送される各画素の信号が順番に水平信号線19に出力され、当該水平信号線19を通して基板11の外部へ伝送される。行走査部13、水平選択部14、列走査部15および水平信号線19からなる回路部分は、基板11上に直に形成された回路であってもよいし、あるいは外部制御ICに配設されたものであってもよい。また、それらの回路部分は、ケーブル等により接続された他の基板に形成されていてもよい。システム制御部16は、基板11の外部から与えられるクロックや、動作モードを指令するデータなどを受け取り、また、放射線撮像装置1の内部情報などのデータを出力する。システム制御部16はさらに、各種のタイミング信号を生成するタイミングジェネレータを有し、当該タイミングジェネレータで生成された各種のタイミング信号を基に行走査部13、水平選択部14および列走査部15などの周辺回路部の駆動制御を行う。[画素部12の詳細構成]図2は、画素部12の断面構造を表したものである。画素部12は、第1基板11上に、画素12a毎に光電変換部111を有し、これらの光電変換部111上に、層間絶縁膜等よりなる絶縁膜112が形成されている。この絶縁膜112上には、例えば保護膜113が設けられている。尚、絶縁膜112と保護膜113との間には、図示しない平坦化膜が設けられていてもよいし、保護膜113が平坦化膜を兼ねていてもよい。この保護膜113上には、第2基板114、レンズアレイ115、平坦化膜116およびシンチレータ層117波長変換層が例えばこの順に設けられている。即ち、画素部12では、その最も光入射側第1基板11から遠い側に、シンチレータ層117が配置され、このシンチレータ層117と保護膜113との間に、第2基板114と、レンズアレイ115が設けられた積層構造となっている。以下、画素部12の要部の構成について具体的に説明する。光電変換部111の回路構成図3は、光電変換部111の回路構成の一例である。光電変換部111は、フォトダイオード111A光電変換素子と、トランジスタTr1,Tr2,Tr3後述のトランジスタ111Bに相当と、前述の垂直信号線18と、画素駆動線17としての行選択線171およびリセット制御線とを含むものである。フォトダイオード111Aは、例えばPINフォトダイオードであり、例えばその感度域が可視域である受光波長帯域が可視域である。このフォトダイオード111Aは、カソード端子133に基準電位Vxrefが印加されることで、入射光の光量受光量に応じた電荷量の信号電荷を発生するものである。フォトダイオード111Aのアノードは蓄積ノードNに接続されている。蓄積ノードNには容量成分131が存在し、フォトダイオード111Aで発生した信号電荷は蓄積ノードNに蓄積される。尚、フォトダイオード111Aを蓄積ノードNとグランドGNDとの間に接続した構成としてもよい。トランジスタTr1,Tr2,Tr3画素トランジスタはいずれも、例えばNチャネル型の電界効果トランジスタであり、例えば微結晶シリコンまたは多結晶シリコン等のシリコン系半導体が用いられている。あるいは、酸化インジウムガリウム亜鉛InGaZnOまたは酸化亜鉛ZnO等の酸化物半導体が用いられていてもよい。トランジスタTr1は、リセットトランジスタであり、参照電位Vrefが与えられる端子132と蓄積ノードNとの間に接続されている。このトランジスタTr1は、リセット信号Vrstに応答してオンすることによって蓄積ノードNの電位を参照電位Vrefにリセットするものである。トランジスタTr2は、読出トランジスタであり、ゲートが蓄積ノードNに、端子134ドレインが電源VDDにそれぞれ接続されている。このトランジスタTr2は、フォトダイオード111Aで発生した信号電荷をゲートで受け、当該信号電荷に応じた信号電圧を出力する。トランジスタTr3は、行選択トランジスタであり、トランジスタTr2のソースと垂直信号線18との間に接続されており、行走査信号Vreadに応答してオンすることにより、トランジスタTr2から出力される信号を垂直信号線18に出力する。このトランジスタTr3については、トランジスタTr2のドレインと電源VDDとの間に接続する構成を採ることも可能である。光電変換部111の断面構成図4は、光電変換部111の断面構成の一例である。但し、図4では、簡便化のため、フォトダイオード111Aと、上記3つのトランジスタTr1,Tr2,Tr3のうち1つのトランジスタトランジスタ111Bとするの積層構造について示している。フォトダイオード111Aは、ガラス等よりなる第1基板11上の選択的な領域に、ゲート絶縁膜121を介してp型半導体層122を有している。第1基板11上詳細にはゲート絶縁膜121上には、また、そのp型半導体層122に対向してコンタクトホール貫通孔Hを有する第1層間絶縁膜112Aが設けられている。第1層間絶縁膜112AのコンタクトホールHにおいて、p型半導体層122上にはi型半導体層123が設けられており、このi型半導体層123上にはn型半導体層124が形成されている。n型半導体層124に、第2層間絶縁膜112Bのコンタクトホールを介して上部電極125が接続されている。尚、ここでは、基板側下部側にp型半導体層122、上部側にn型半導体層16をそれぞれ設けた例を挙げたが、これと逆の構造、即ち下部側基板側をn型、上部側をp型とした構造であってもよい。ゲート絶縁膜121は、例えば、トランジスタ111Bにおけるゲート絶縁膜と同一の層として形成され、例えば酸化シリコンSiO2膜、あるいは酸化シリコン膜および酸窒化シリコン膜および窒化シリコン膜等の絶縁膜を積層したものである。p型半導体層122は、例えば多結晶シリコンポリシリコンあるいは微結晶シリコンに、例えばボロンBがドープされてなるp領域であり、厚みは例えば40nm~50nmである。このp型半導体層122は、例えば信号電荷を読み出すための下部電極アノードを兼ねており、前述の蓄積ノードNに接続されているあるいは、p型半導体層122が蓄積ノードNとなって、電荷を蓄積させるようになっている。第1層間絶縁膜112Aは、例えば酸化シリコン膜および窒化シリコン膜等の絶縁膜を積層したものである。この第1層間絶縁膜112Aは、例えばトランジスタ111Bにおける層間絶縁膜と同一層として形成されている。第2層間絶縁膜112Bは、例えば酸化シリコン膜により構成されている。尚、これらの第1層間絶縁膜112Aおよび第2層間絶縁膜112Bが、前述の絶縁膜112に相当するものである。i型半導体層123は、p型とn型の中間の導電性を示す半導体層、例えばノンドープの真性半導体層であり、例えば非結晶シリコンアモルファスシリコンにより構成されている。i型半導体層123の厚みは、例えば400nm~1000nmであるが、厚みが大きい程、光感度を高めることができる。n型半導体層124は、例えば非結晶シリコンアモルファスシリコンにより構成され、n領域を形成するものである。このn型半導体層124の厚みは例えば、10nm~50nmである。上部電極125カソードは、光電変換のための基準電位を供給するための電極であり、例えばITO等の透明導電膜により構成されている。この上部電極125には、この上部電極125に電圧を供給するための電源配線127が接続されている。電源配線127は上部電極125よりも低抵抗の材料、例えばTi、Al、Mo、W、Cr等によって構成されている。トランジスタ111Bでは、第1基板11上に、Ti、Al、Mo、W、Cr等からなるゲート電極120が形成され、このゲート電極120上にはゲート絶縁膜121が形成されている。ゲート絶縁膜121の上に半導体層126が形成されており、この半導体層126には、リーク電流を低減するためにチャネル領域とドレインソース領域との間にLDD126a,126bが設けられている。半導体層126は例えば多結晶シリコン、低温多結晶シリコン、微結晶シリコン、単結晶シリコンまたは非結晶シリコンにより構成されている。半導体層126上に設けられた第1層間絶縁膜112Aには、読出し用の信号線や各種の配線を含む配線層128がTi、Al、Mo、W、Cr等によって形成されている。第2基板114第2基板114は、例えば可視光に対して高い透明性を有するガラスやプラスチック等により構成されている。但し、この第2基板114は、フォトダイオード111Aにおける感度域の光に対して透明性を有する材料であればよく、必ずしも可視域に限定されるものではない。第2基板114は、上記のような透明性を有する一方、放射線遮蔽機能を有しており、即ち、放射線電磁波に対する阻止能を有している。このような阻止能は、原始番号の大きな密度の高い物質を含有する程、高いものとなる。このような第2基板114としては、例えば無アルカリガラス例えば旭硝子株製AN100や、パラジウムやバリウムを含有させたガラス等が好適に用いられる。0.7mmの厚みの無アルカリガラスを用いた場合には、管電圧80kVで18、管電圧140kVで26も放射線透過率を減弱することができる後述の図13参照。また、パラジウムやバリウムの含有により、鉛フリーのガラス基板を用いて放射線X線遮蔽率を高めることができる。尚、上記のようなガラスにおける放射線の阻止能をSとすると、この阻止能Sは、ある物質中における飛跡の単位長当たりのエネルギー損失で定義され、以下の式1で表される。これは、ベーテの式2により、NZに依存する。但し、υを入射粒子の速度、eを入射粒子の電荷電子の素電荷、zを入射粒子の電荷核電荷数:原子番号、Iをイオン化ポテンシャル、Nを単位面積あたりの吸収物質原子個数、Zを吸収物質の原子番号、m0を入射粒子の静止質量とする。このような第2基板114の光入射側シンチレータ層117側および光出射側保護膜113側の一方または両方ここでは、光入射側に、レンズアレイ115が配置されている。平坦化膜116は、このレンズアレイ115の表面の凹凸を平坦化するために形成されている。レンズアレイ115図5は、レンズアレイ115と、単位画素12aの配置関係を模式的に表したものである。レンズアレイ115は、複数のマイクロレンズ115aが2次元配列してなるものであり、各マイクロレンズ115aは、単位画素12aに対向して設けられている単位画素12a毎にマイクロレンズ115aが配置されている。このレンズアレイ115aは、光電変換部111の受光面が、各マイクロレンズ115aの焦点面に略一致するように設計、配置されている。但し、このような1画素に1つのマイクロレンズが配設された構成に限定されず、複数の画素12a例えばm×nの画素12aからなる領域;m,nは1以上の整数に対して1つのマイクロレンズ115aが配設されていてもよい。詳細には、図6に示したように、マイクロレンズ115aの光入射側の物質平坦化膜116の屈折率をA、マイクロレンズ115aの屈折率をB、光出射側の物質第2基板114の屈折率をCとした場合、A<Bであれば、マイクロレンズ115aは、凸レンズとなり、反対にA>Bであれば、凹レンズとなるように設計される。例えば、画素ピッチ幅を150μm、屈折率A=1.38、屈折率B=1.58、屈折率C=1.52、レンズ直径P=150μm、レンズ高さD=35μm、曲率半径R=103μmに設計した場合、マイクロレンズ115aの焦点距離d1は約570μmとなる。即ち、このマイクロレンズ115aの焦点距離に応じて、第2基板114の厚みが設定されている。あるいは、第2基板114の厚みに応じて、マイクロレンズ115aのレンズ設計がなされている。尚、このレンズアレイ115は、上記第2基板114と同様に、放射線遮蔽機能を有していてもよい。シンチレータ層117シンチレータ層117は、放射線をフォトダイオード111Aの感度域に波長変換するものである。このシンチレータ層117は、例えばX線を可視光に変換する蛍光体が用いられる。このような蛍光体としては、例えば、CsI,Gd2O2S,BaFXXはCl,Br,I等等が挙げられる。シンチレータ層117の厚みは例えば400μm~600μmである。尚、これらの蛍光体材料は水分によって劣化し易いものが多いため、シンチレータ層117上には、例えばパリレンCよりなる有機保護膜図示せずが設けられていることが望ましい。ここで、図7に、上記材料のうちのCsI400mmとGd2O2S370mmとにおける管電圧とX線吸収率との関係を示す。このように、CsIは、Gd2O2Sに比べ、X線吸収率が高いことがわかる。即ち、CsIでは、発光強度がGd2O2Sに比べて高く、透過するX線も少なくなる。[製造方法]次に、放射線撮像装置1における画素部12の作製方法について説明する。画素部12は、例えば次のようにして作製することができる。図8~図10は、画素部12の作製方法を工程順に説明するための断面図である。まず、所定の放射線遮蔽機能を発揮するような組成を有する第2基板114を用意し、図8Aに示したように、この第2基板114の一主面に、光学基材図示せずを塗布した後、例えばフォトレジスト等よりなる樹脂層1150を成膜する。続いて、図8Bに示したように、例えばフォトリソグラフィ法を用いて、樹脂層1150を露光および現像することにより、格子状に細分化する。これにより、パターン層115bを形成する。この後、図8Cに示したように、形成したパターン層115bを熱処理熱フローすることにより、曲面レンズ形状を形成する。このようにして、複数のマイクロレンズ115aからなるレンズアレイ115を形成する。尚、レンズアレイ115は、上記のような手法いわゆるレジストリフロー法に限定されず、他の様々な手法により形成可能である。例えば、第2基板114上に光学基材を塗布し、インプリント法によりレンズ形状を転写することにより、形成するようにしてもよい。また、グレースケールマスクによりフォトレジストを露光および現像することにより、グレースケールに応じた立体的なレンズ形状を形成するようにしてもよい。次に、図9Aに示したように、レンズアレイ115上に、有機材料よりなる平坦化膜116を成膜して、レンズアレイ115の表面を平坦化する。尚、この平坦化膜116上には、必要に応じて、例えば窒化シリコンよりなる保護膜を成膜してもよい。続いて、図9Bに示したように、その平坦化膜116上あるいは保護膜を形成した場合には保護膜上に、上述した材料よりなるシンチレータ層117を、例えば蒸着法により形成する。また、シンチレータ層117として、特に吸湿性の高い材料例えばCsI等を用いる場合には、このシンチレータ層117上に、パリレンCよりなる保護膜を、例えばCVDChemicalVaporDeposition:化学気相成長法により形成することが望ましい。この一方で、例えばガラスよりなる第1基板11を用意し、第1基板11上に、光電変換部111フォトダイオード111A,トランジスタ111B含むと、絶縁膜112とを、公知の薄膜プロセスにより形成した後、保護膜113を例えばCVD法により成膜しておく。最後に、図10に示したように、第2基板114の下面シンチレータ層117が設けられていない側の面と保護膜113とが向かい合うように、第1基板11と第2基板12とを重ね合わせた後、これらを、例えば外周をシールすることにより貼り合わせる。重ね合わせの際には、第2基板114には、アライメントマークを形成しておく。以上により、図2に示した画素部12を作製することができる。[作用効果]本実施の形態の作用、効果について、図1~図6および図11~図13を参照して説明する。放射線撮像装置1では、図示しない放射線例えばX線照射源から照射され、被写体検出体を透過した放射線を取り込み、この放射線を波長変換した後に光電変換することによって、被写体の画像を電気信号として得る。詳細には、放射線撮像装置1に入射した放射線は、まず、シンチレータ層117において、光電変換部111即ちフォトダイオード111Aの感度域ここでは可視域の波長に変換される。そして、この波長変換後の光は、シンチレータ層117を出射すると、平坦化層116、レンズアレイ115、第2基板114、保護膜113および絶縁膜112を順に透過し、光電変換部111へ入射する。光電変換部111では、フォトダイオード111Aに、図示しない電源配線から上部電極125を介して所定の電位が印加されると、例えば上部電極125の側から入射した光を、その受光量に応じた電荷量の信号電荷に変換する光電変換がなされる。この光電変換によって発生した信号電荷は、p型半導体層122の側から光電流として取り出される。詳細には、フォトダイオード111Aにおける光電変換によって発生した電荷は、蓄積層p型半導体層122,蓄積ノードNにより収集され、この蓄積層から電流として読み出され、トランジスタTr2読出トランジスタのゲートに与えられる。トランジスタTr2は当該信号電荷に応じた信号電圧を出力する。トランジスタTr2から出力される信号は、行走査信号Vreadに応答してトランジスタTr3がオンすると、垂直信号線18に出力される読み出される。読み出された信号は、垂直信号線18を介して画素列ごとに、水平選択部14へ出力される。本実施の形態では、上記のようにして、入射した放射線X線の波長変換および光電変換により電気信号撮像データが取得されるが、この一方で、シンチレータ層117において波長変換されずに、シンチレータ層117を透過してしまう光が存在する。このような放射線が、光電変換部111へ入射すると、特にトランジスタ111Bにおいて次のような不具合が生じる。即ち、トランジスタ111Bは、酸化シリコン膜を含むゲート絶縁膜121を有するが、このゲート絶縁膜121中に放射線が取り込まれると、光電効果、コンプトン散乱あるいは電子対生成等により膜中の電子が励起される。その結果、正孔が界面や欠陥にトラップされて残存し、これによって閾値電圧Vthが負側にシフトしてしまう。比較例ここで、本実施の形態の比較例に係る画素部100の断面構造と、シンチレータ層への入射光およびシンチレータ層からの出射光について模式化したものを、図11に示す。画素部100は、基板101上に、フォトダイオードおよびトランジスタを含む光電変換部102、絶縁膜103、保護膜104およびシンチレータ層105をこの順に有する。このような構造の場合、放射線L1がシンチレータ層105に入射すると、波長変換されて出射する可視光L2以外にも、上記のように波長変換されずに出射する放射線L1’が存在する。この放射線L1’が、光電変換部102へ入射すると、トランジスタが被曝し、これにより閾値電圧がシフトしてトランジスタ特性が劣化してしまう。また、図12には、低温ポリシリコンを用いたトランジスタへ放射線を照射した場合の、ゲート電圧に対するドレイン電流の関係電流電圧特性について示す。この際、X線照射条件としては、管電圧140kV,管電流70μAとし、トランジスタ測定条件としては、N型トランジスタのVdsソースドレイン電圧を6V、P型トランジスタのVdsを-6Vとした。また、ソースドレイン電流Idsは絶対値表記とした。この結果、放射線を照射した場合、閾値電圧が負側にシフトし、照射量が、0Gy,46Gy,397Gy,639Gyと増大するに従って、閾値電圧のシフト量が大きくなることがわかる。これに対し、本実施の形態では、図2に示したように、シンチレータ層117と光電変換部111との間に、第2基板114が設けられている。そして、この第2基板114が、フォトダイオード111Aの感度域の光例えば可視光に対して透明性を有する一方、放射線遮蔽機能を有している。これにより、シンチレータ層117を波長変換されずに透過した放射線は、第1基板11光電変換部111へ到達する前に、第2基板114において遮蔽される。従って、特に光電変換部111におけるトランジスタ111Bへの放射線の入射が抑制される。ここで、図13に、第2基板114として無アルカリガラスを用いた場合のガラス板厚mmと放射線透過率との関係について示す。但し、測定時の管電圧を80kV,140kVとした。図13に示したように、第2基板114として無アルカリガラスを用いることにより、放射線を効果的に遮蔽することができ、また板厚を大きくすることによりその遮蔽効果が高まることがわかる。以上のように、本実施の形態では、撮像エリアとなる画素部12において、第1基板11上の光電変換部111とシンチレータ層117との間に、放射線遮蔽機能を有する第2基板114を設けるようにしたので、放射線を、光電変換部111へ到達する前に遮蔽することができる。よって、画素トランジスタの被曝量を軽減することが可能となる。これにより、閾値電圧の負側へのシフトを抑制してトランジスタ特性を向上させることができる。このように、第2基板114を設けることで画素トランジスタの被曝量が軽減されるが、その一方で、第2基板114の厚みの分だけ、シンチレータ層117と光電変換部111との間の距離が離れてしまうことになる。一般に、シンチレータ層117では、波長変換後の光が分散しないように、柱状針状結晶となるように蛍光体材料が成膜されるが、上記のように光電変換部111までの距離が大きくなると、シンチレータ層117からの出射光が分散し、S/N比が低下することがある。これは、取得画像の劣化を招く。本実施の形態では、この第2基板114上にレンズアレイ115を設けているので、シンチレータ層117からの出射光は、マイクロレンズ115aにより、光電変換部111におけるフォトダイオード111aへ集光させることができる。このようにレンズアレイ115を用いることにより、フォトダイオード111aへの集光率を向上させることができ、これにより画素トランジスタの被曝量を軽減することができる。即ち、第2基板114と共にレンズアレイ115を設けることにより、S/N比低下による画像劣化を防ぎつつ、画素トランジスタの被曝量を軽減することができる。これは、第2基板114の板厚の設定と、レンズアレイ115のレンズ設計とを適切に行うことによって実現される。<変形例1>上記実施の形態では画素回路構成としてアクティブ駆動方式によるものを例に挙げて説明したが、図14に示したようなパッシブ駆動方式であってもよい。尚、上記実施の形態と同一の構成要素については同一符号を付してその説明は省略する。本変形例では、単位画素Pが、フォトダイオード111A、容量成分138およびトランジスタTr読出し用のトランジスタTr3に相当を含んで構成されている。トランジスタTrは、蓄積ノードNと垂直信号線18との間に接続されており、行走査信号Vreadに応答してオンすることにより、フォトダイオード111Aにおける受光量に基づいて蓄積ノードNに蓄積された信号電荷を垂直信号線18へ出力する。このように、画素の駆動方式は、上記実施の形態で述べたアククティブ駆動方式に限らず、本変形例のようなパッシブ駆動方式であってもよい。<適用例>上記第1の実施の形態第2の実施の形態および変形例1についても同様において説明した放射線撮像装置1は、例えば図15に示したような放射線撮像表示システム2に適用可能である。放射線撮像表示システム2は、放射線撮像装置1と、画像処理部25と、表示装置28とを備えている。このような構成により、放射線撮像表示システム2では、放射線撮像装置1が、X線源26から被写体27に向けて照射された放射線に基づき、被写体27の画像データDoutを取得し、画像処理部25へ出力する。画像処理部25は、入力された画像データDoutに対して所定の画像処理を施し、その画像処理後の画像データ表示データD1を表示装置28へ出力する。表示装置28は、モニタ画面28aを有し、入力された表示データD1に基づいて、そのモニタ画面28aに画像情報を表示する。このように、放射線撮像表示システム2では、放射線撮像装置1において、被写体27の画像を電気信号として取得可能であるため、取得した電気信号を表示装置28へ伝送することで、画像表示を行うことができる。即ち、放射線写真フィルムを用いることなく、被写体27の画像を観察可能となり、また、動画撮影および動画表示にも対応可能となる。以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態では、第2基板114の光入射側にレンズアレイ115を設けた場合について説明したが、このレンズアレイ115は必ずしも設けられていなくともよい。例えば、図16に示したように、第1基板11上に、光電変換部111、絶縁膜112、保護膜113、第2基板114およびシンチレータ層117をこの順に積層した構造であってもよい。即ち、シンチレータ層114と光電変換部111との間に所定の機能を有する第2基板114が設けられてさえいれば、本発明の効果を得ることができる。また、上記実施の形態では、レンズアレイ115を、第2基板114の光入射側にのみ形成した場合を例に挙げて説明したが、レンズアレイ115の配置場所はこれに限定されず、第2基板114の光出射側であってもよいし、第2基板114の両側に設けられていてもよい。いずれの場合にも、マイクロレンズの集光機能により、S/N比を向上させることができると共に、画素トランジスタの被曝量を軽減することが可能となる。更に、シンチレータ層117に用いられる波長変換材料は、上述したものに限定されず、他の様々な蛍光体材料を使用することができる。加えて、上記実施の形態では、フォトダイオード111Aを、基板側から、p型半導体層、i型半導体層およびn型半導体層の順に積層した構造としたが、基板側から、n型半導体層、i型半導体層およびp型半導体層の順に積層してもよい。また、本発明の放射線撮像装置は、上記実施の形態で説明した各構成要素を全て備えている必要はなく、また逆に他の層を備えていてもよい。例えば、上部電極125上に更に、SiN等からなる保護膜が形成されていてもよい。"