"リソグラフィ装置で使用する基板ホルダであって、表面を有する本体と、前記表面から突出し、基板を支持するための終端面を有する複数のバールと、前記本体表面の少なくとも一部分上に設けられた平坦化層とを備える基板ホルダ。前記平坦化層が、複数の別個に形成された副層から形成される請求項1に記載の基板ホルダ。前記平坦化層が、少なくとも前記バールの前記終端面は覆わない請求項1または2に記載の基板ホルダ。前記バールが側面を有し、前記平坦化層が、少なくとも前記バールの前記側面の一部分は覆わず、望ましくは前記バールの前記側面のすべてを覆わない請求項3に記載の基板ホルダ。前記平坦化層が、シリコンベースの材料、例えば有機前駆物質から形成される請求項1から4のいずれか一項に記載の基板ホルダ。前記平坦化層が、酸化珪素ベースの材料または窒化珪素ベースの材料から形成される請求項5に記載の基板ホルダ。前記平坦化層が、水素、メチル、フルオロ、ビニルなどから成る群から選択された官能基を含む請求項5または請求項6に記載の基板ホルダ。前記平坦化層が、ベンゾシクロブテンなど炭素ベースの材料から形成される請求項1から4のいずれか一項に記載の基板ホルダ。前記本体が、SiC炭化珪素、SiSiCシリコン処理をした炭化珪素、Si3N4窒化珪素、石英、およびZerodur商標ガラスセラミックから成る群から選択された材料から形成される請求項1から8のいずれか一項に記載の基板ホルダ。前記平坦化層上に設けられた電子的コンポーネントをさらに備える請求項1から9のいずれか一項に記載の基板ホルダ。パターニングデバイスを支持するように構成されたサポート構造と、前記パターニングデバイスによってパターニングされたビームを基板上に投影するように配置された投影システムと、前記基板を保持するように配置された基板ホルダとを備え、前記基板ホルダが、表面を有する本体と、前記表面から突出し、基板を支持する終端面を有する複数のバールと、および前記本体表面の少なくとも一部分上に設けられた平坦化層とを備える、リソグラフィ装置。前記平坦化層がシリコンベースの材料から形成される請求項11に記載のリソグラフィ装置。前記平坦化層が、ベンゾシクロブテンから形成される請求項11に記載のリソグラフィ装置。リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法であって、パターニング手段によってパターニングされたビームを基板ホルダに保持された基板の上に投影する工程を含み、前記基板ホルダが、表面を有する本体と、前記表面から突出し、基板を支持するための終端面を有する複数のバールと、前記本体表面の少なくとも一部分上に設けられた平坦化層とを備える、デバイス製造方法。リソグラフィ装置で使用する基板ホルダを製造する方法であって、表面および前記表面から突出し、基板を支持するための終端面を有する複数のバールを有する本体を設ける工程と、前記本体表面の少なくとも一部分上に平坦化層を形成する工程とを含む方法。0004従来型のリソグラフィ装置では、露光される基板は基板ホルダによって支持することができ、基板ホルダは基板テーブルによって支持される。基板ホルダは、別のサイズまたは形状を有してもよいが基板に対応するサイズおよび形状の平坦な剛体のディスクであることが多い。基板ホルダは、少なくとも1つの面から突出するバールまたはピンプルと称される突起の配列を有する。一実施形態では、基板ホルダは、両面上に突起の配列を有する。この場合、基板ホルダが基板テーブルに設置されるとき、基板ホルダの本体が基板テーブル上に小さな距離で保持され、一方、基板ホルダの1つの面のバールの終端が基板テーブルの表面上にある。同様に、基板が基板ホルダの反対側の面上のバールの頂部に静止するとき、基板は基板ホルダの本体から離隔される。この目的は、基板テーブルまたは基板ホルダのいずれかの上に存在する可能性がある粒子すなわち、ちり粒子などの汚染粒子が、基板ホルダまたは基板を歪めるのを防止する助けとすることである。バールの表面積の全体が、基板または基板ホルダの面積全体のごく一部分だけであるので、粒子はバール間に存在し、その存在が影響しないことになる可能性が高い。基板ホルダおよび基板は、基板の上部表面が基板テーブルの上部表面と実質的に同一平面になるように、基板テーブルの窪み内に収容されることが多い。0005高スループットリソグラフィ装置の使用時に基板にかかる高い加速度により、単に基板ホルダのバールに基板を載せることを可能にするのでは十分でない。基板は、所定の位置にクランプされる。所定の位置に基板をクランプする既知の方法に、真空クランプと静電クランプの2つがある。真空クランプでは、基板ホルダと基板の間の空間、および任意選択で基板ホルダと基板テーブルの間の空間が部分的に真空にされ、その結果、基板がその上のガスまたは液体のより高い圧力によって所定の位置に保持される。しかし、ビーム経路および/または基板もしくは基板ホルダの近くの環境が、例えば極端紫外線EUV放射リソグラフィ用に低圧力または極低圧力に維持されるところでは、真空クランプを用いることができない。この場合、基板をクランプするために基板または基板ホルダ全体にわたって十分に大きな圧力差を生じさせるのは不可能なことがある。したがって、静電クランプが用いられ得る。静電クランプでは、基板または基板の下面に貼った電極と基板テーブルおよび/または基板ホルダ上に設けられた電極との間に電位差が確立される。2つの電極は、大きなコンデンサとして動き、適切な電位差でかなりのクランプ力を生成することができる。静電機構は1対の電極とすることができ、一方が基板テーブル上、他方が基板上にあり、基板テーブル、基板ホルダおよび基板のまとまったスタックを一緒にクランプする。ある機構では、基板ホルダが基板テーブルにクランプされ、基板が基板ホルダに離れてクランプされるように、基板ホルダ上に1つまたは複数の電極が設けられてもよい。0006基板ホルダ上に1つまたは複数の電子的コンポーネントを設けるのが望ましい。例えば、基板および基板ホルダの温度の局所的制御を可能にするために、基板ホルダ上に1つまたは複数のヒータを設けるのが望ましい。例えば基板ホルダおよび/または基板の局所的温度を測定する温度センサである1つまたは複数のセンサを設けるのが望ましい。基板ホルダ上に静電クランプ用の電極を設けるのが望ましい。このようなコンポーネントは、基板ホルダの表面上でバール間に収容され得る。しかし、基板ホルダの表面が、その上に1つまたは複数の電子的コンポーネントの高信頼の形成を可能にするには粗すぎる可能性がある。基板ホルダの表面の粗さは、バールを形成する材料を除去するためのエッチング、レーザアブレーションおよび電子ビーム加工などのプロセスを用いることによるものである。00071つまたは複数の薄膜コンポーネントなどの1つまたは複数の電子的コンポーネントを確実に形成することができる基板ホルダを提供することが望ましい。0008本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置で使用する基板ホルダが提供され、この基板ホルダは、表面を有する本体と、この表面から突出し、基板を支持するための終端面を有する複数のバールと、本体表面の少なくとも一部分上に設けられた平坦化層とを備える。0009本発明の一態様によれば、パターニングデバイスを支持するように構成されたサポート構造と、パターニングデバイスによってパターニングされたビームを基板上に投影するように配置された投影システムと、基板を保持するように配置された基板ホルダであって、表面を有する本体、この表面から突出し、基板を支持する終端面を有する複数のバール、および本体表面の少なくとも一部分上に設けられた平坦化層を備える基板ホルダとを備えるリソグラフィ装置が提供される。0010本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法であって、基板を基板ホルダ上に保持する工程であって、基板ホルダが、表面を有する本体、この表面から突出し、基板を支持する終端面を有する複数のバール、および本体表面の少なくとも一部分上に設けられた平坦化層を備える工程と、パターニングデバイスによってパターニングされたビームを、基板ホルダによって保持されている基板上に投影する工程とを含むデバイス製造方法が提供される。0011本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置で使用する基板ホルダの製造方法が提供され、この方法は、表面およびこの表面から突出し、基板を支持するための終端面を有する複数のバールを有する本体を設ける工程と、本体表面の少なくとも一部分上に平坦化層を形成する工程とを含む。0024図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、0025-放射ビームB例えばUV放射、DUV放射またはEUV放射を調節するように構成された照明システム照明器ILと、0026-パターニングデバイス例えば、マスクMAを支持するように構築され、パターニングデバイスをあるパラメータに従って正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続されたサポート構造例えば、マスクテーブルMTと、0027-基板例えば、レジストコートウェーハWを保持するように構築され、基板をあるパラメータに従って正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル例えば、ウェーハテーブルWTと、0028-パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば1つまたは複数のダイが含まれているに投影するように構成された投影システム例えば屈折投影レンズシステムPSとを備えている。0029この照明システムは、放射を導くか、整形するか、または制御するために、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気、または他のタイプの光学コンポーネントなど様々なタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せを含むことができる。0030サポート構造MTはパターニングデバイスを保持する。サポート構造MTは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスが真空環境中で保持されるかどうかなど他の条件によって決まる形でパターニングデバイスを保持する。サポート構造MTは、パターニングデバイスを保持するために、機械クランプ技法、真空クランプ技法、静電クランプ技法、または他のクランプ技法を用いることができる。サポート構造MTは、例えばフレームまたはテーブルとすることができ、必要に応じて固定式または可動式とすることができる。サポート構造MTは、パターニングデバイスが、例えば投影システムに対して確実に所望の位置にあるようにすることができる。本明細書においてレチクルまたはマスクという用語を用いることがあれば、それは、パターニングデバイスという、より一般的な用語と同義と見なすことができる。0031本明細書に用いられる用語パターニングデバイスは、基板のターゲット部分にパターンを生み出すなどためにパターンを放射ビームの断面に与えるように使用することができる任意のデバイスを意味するものと広義に解釈されたい。放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャすなわちいわゆるアシストフィーチャを含む場合には、基板のターゲット部分の所望のパターンと正確には一致しないことがある点に留意されたい。一般的には、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などの、ターゲット部分中に生成されるデバイスにおける特定の機能層に相当することになる。0032パターニングデバイスは、透過型または反射型とすることができる。パターニングデバイスの諸例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクはリソグラフィで周知であり、バイナリ、レベンソン型alternating位相シフト、ハーフトーン型attenuated位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、小さな鏡の行列構成を使用し、鏡のそれぞれは、入来放射ビームを様々な方向で反射するように個別に傾けることができる。傾斜式鏡は、鏡行列によって反射される放射ビーム内にパターンを与える。0033本明細書で使用される投影システムという用語は、使用する露光放射、あるいは液浸液の使用または真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁光学システム、および静電光学システム、またはそれらの任意の組合せを始めとする、任意のタイプの投影システムが包含されているものとして広義に解釈されたい。本明細書における用語投影レンズのいかなる使用も、より一般的な用語投影システムと同義と見なされてもよい。0034本明細書で記述されるように、装置は透過タイプ例えば透過型マスクを使用するタイプである。あるいは、装置は反射型例えば上記で言及されたプログラマブルミラーアレイを使用するタイプまたは反射型マスクを使用するタイプとすることができる。0035リソグラフィ装置は、2つデュアルステージまたはそれより多い基板テーブルおよび/または2つ以上のパターニングデバイステーブルを有するタイプのものとすることができる。このようなマルチステージ機械では、追加のテーブルを並行して使用するか、あるいは1つまたは複数のテーブル上で予備工程を実行しながら1つまたは複数の他のテーブルを露光に使用することができる。0036図1を参照すると、イルミネータILは、放射源SOから放射ビームを受け取る。例えばこの放射源がエキシマレーザであるとき、放射源とリソグラフィ装置は別体とすることができる。このような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを備えたビームデリバリシステムBDを使用して放射源SOからイルミネータILへ渡される。他の例では、例えば放射源が水銀灯であるとき、放射源はリソグラフィ装置の一体型部品とすることができる。放射源SOおよびイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDも一緒に、放射システムと呼ぶことができる。0037イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調節するように構成されたアジャスタAMを備えることができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側半径範囲および/または内側半径範囲通常、σouter、σinnerとそれぞれ呼ばれるを調整することができる。さらに、イルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCOなどの様々な他のコンポーネントを備えることができる。イルミネータは、放射ビームがその横断面において所望の均一性および強度分布を有するように調節するのに使用されてもよい。放射源SOと同様に、イルミネータILは、リソグラフィ装置の一部分を形成するものと、見なされても見なさなくてもよい。例えば、イルミネータILは、リソグラフィ装置の一体部品とすることも、リソグラフィ装置から別個の構成要素とすることもできる。後者の場合、リソグラフィ装置は、その上にイルミネータILが実装され得るように構成することができる。任意選択で、イルミネータILは取り外し可能であって、例えばリソグラフィ装置製造業者または別の製造業者によって別個に設けることができる。0038放射ビームBは、サポート構造例えばマスクテーブルMTに保持されるパターニングデバイス例えばマスクMAに入射し、パターニングデバイスによってパターン付けされる。放射ビームBはパターニングデバイスMAを通過した後、投影システムPSを通過し、投影システムPSは、ビームを基板Wのターゲット部分C上に合焦する。第2のポジショナPWおよび位置センサIF例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサを用いて、例えば放射ビームBの経路中に様々なターゲット部分Cを位置決めするように基板テーブルWTを正確に移動することができる。同様に、第1のポジショナPMおよび別の位置センサ図1に明確には示されていないを使用して、例えばマスクライブラリからの機械的に取り出した後に、またはスキャン中に、パターニングデバイスMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、サポート構造MTの移動は、第1のポジショナPMの一部を形成するロングストロークモジュール粗動位置決めおよびショートストロークモジュール微動位置決めを使用して実現することができる。同様に、基板テーブルWTの移動は、第2のポジショナPWの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合スキャナとは対照的に、サポート構造MTは、ショートストロークアクチュエータにのみ接続することができ、または固定することができる。パターニングデバイスMAおよび基板Wは、パターニングデバイスアライメントマークM1、M2および基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図示された基板アライメントマークは、専用ターゲット部分を占めるが、ターゲット部分間のスペースに配置されてもよいこれらはスクライブラインアライメントマークとして既知である。同様に、1つよりも多いダイがパターニングデバイスMA上に設けられている状況では、パターニングデバイスアライメントマークはダイ間に配置することができる。0039図示される装置は、以下のモードの少なくとも1つにおいて使用することが可能である。00401.ステップモードでは、サポート構造MTおよび基板テーブルWTを本質的に静止したままにしながら、放射ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分C上に一度に投影されるすなわち単一静的露光。次に、基板テーブルWTは、異なるターゲット部分Cを露光することができるようにX方向および/またはY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像を形成されるターゲット部分Cのサイズが制限される。00412.スキャンモードでは、サポート構造MTと基板テーブルWTとが同期してスキャンされるとともに、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分C上に投影されるすなわち単一動的露光。サポート構造MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの拡大縮小および像反転特性によって決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の非スキャン方向の幅が制限されるが、スキャン移動の長さによって、ターゲット部分のスキャン方向の高さが決定される。00423.別のモードでは、サポート構造MTは本質的に静止したままでプログラマブルパターニングデバイスを保持し、基板テーブルWTが移動またはスキャンされるとともに、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分C上に投影される。このモードでは、一般的にはパルス放射源が使用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの各移動の後で、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この作動モードは、上述のタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に応用することが可能である。0043前述の使用モードまたはまったく異なった使用モードの組合せおよび/または変形形態も用いられてもよい。0044多くのリソグラフィ装置では、より小さなフィーチャの結像を可能にし、かつ/または装置の有効NAを増加するために、流体、具体的には例えば液浸リソグラフィ装置用の液体が、液体供給システムIHを使用して投影システムの最終要素間に供給される。本発明の一実施形態が、このような液浸装置を参照しながら以下でさらに説明されるが、非液浸装置でも同様に実施され得る。投影システムの最終エレメントと基板との間に液体を供給するための機構は、少なくとも2つの一般的なカテゴリに分類することができる。これらは槽タイプの機構およびいわゆる局所的液浸システムである。槽タイプの機構では、基板の実質的に全体および任意選択により基板テーブルの一部分が、液体の槽内に沈んでいる。いわゆる局所的液浸システムは、液体が基板の局所的領域へのみ供給される液体供給システムを使用する。後者のカテゴリでは、液体で満たされた空間が、上面図では基板の上面より小さく、液体で満たされた領域は、この領域の下で基板が移動している間中、投影システムに対して実質的に静止したままである。本発明の一実施形態が対象とする別の機構に、液体が閉じ込められないオールウェットの解決策がある。この機構では、基板上面の実質的な全体および基板テーブルの全体または一部分が液浸液で覆われている。少なくとも基板を覆う液体の深さは小さい。液体は、基板上の液体の薄膜などの膜とすることができる。0045図2~図5に、4つの別々のタイプの局所液体供給システムが示されている。図2~図5の給液デバイスのうちの任意のものが、閉じ込められないシステムで使用され得るが、しかし、シーリング機構が存在しないもの、作動しないもの、液体を局所的領域だけに封止するのに通常ほど効率的でないもの、またはその他、液体を局所領域だけに封止するのに効果がないものである。0046局所的液浸システム向けに提案されている機構の1つに、液体閉じ込めシステムを使用して、液体を、基板の局所領域だけに供給し、かつ投影システムの最終エレメントと基板との間に供給するための液体供給システムに関するものがある一般に、基板は投影システムの最終エレメントより大きな表面積を有する。PCT特許出願第WO99/49504号に、このために構造に対して提案されている方法の1つが開示されている。図2および図3に示されるように、液体は、少なくとも1つの入口により、基板に対して、望ましくは基板の最終エレメントに対する移動方向に沿って供給され、投影システムの下を通った後に少なくとも1つの出口によって除去される。すなわち、基板がエレメントの下を-X方向にスキャンされるとき、液体はエレメントのX側に供給されて-X側に吸収される。0047図2は、液体が、入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によってエレメントのもう一方の側に吸収される機構を概略的に示す。基板Wの上の矢印は液体の流れる方向を示し、基板Wの下の矢印は基板テーブルの移動方向を示す。図2の説明では、液体は最終エレメントに対する基板の移動方向に沿って供給されるが、必ずしもこの通りでなくてもよい。様々な、方向ならびに最終エレメントのまわりに配置される入口および出口の数が可能であり、図3に示された一例では、入口の両側に出口がある組の4つが最終エレメントのまわりに規則的パターンで設けられている。液体の供給および回収のデバイスにおける矢印は、液体の流れる方向を示している。0048図4は、局所液体供給システムを備えた他の液浸リソグラフィ解決法を示したものである。液体は、投影システムPSの両側の2つの溝入口によって供給され、入口の半径方向外向きに配置された複数の個別の出口によって除去される。入口および出口は、投射される投影ビームが通過する孔を中心部分に備えたプレート内に配置することができる。液体は、投影システムPSの一方の側の1つの溝入口によって供給されて、投影システムPSのもう一方の側の複数の個別の出口によって除去され、したがって投影システムPSと基板Wとの間に液体の薄膜が流れる。入口および出口のどの組合せを選択して使用するかは、基板Wが移動する方向によって決定することができる入口と出口の他の組合せは使用されない。図4の断面図において、矢印は、入口に入って出口から出る液体の流れる方向を示している。0049提案されている別の機構に、投影システムの最終エレメントと基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部分に沿って広がる液体閉じ込め部材を、液体供給システムに設けるものがある。そのような機構が図5に示されている。液体閉じ込め部材は、Z方向光学軸の方向のいくらかの相対運動はあり得るが、XY平面では投影システムに対して実質的に静止している。液体閉じ込め部材と基板の面との間にシールが形成される。一実施形態では、シールは、液体閉じ込め構造体と基板の表面との間に形成され、ガスシールなどの非接触シールとすることができる。参照によりその全体が本明細書に組み込まれている米国特許出願公開第2004-0207824号に、このようなシステムが開示されている。0050図5は、流体ハンドリング構造体12を備えた局所液体供給システムを概略的に示したものである。流体ハンドリング構造体は、投影システムの最終エレメントと基板テーブルWTまたは基板Wとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在している。以下のテキストにおける基板Wの表面の参照は、特に明確に言及されていない限り、追加または別法として基板テーブルの表面を同じく意味していることにどうか留意されたい。流体ハンドリング構造体12は、Z方向光学軸の方向のいくらかの相対運動はあり得るが、XY平面では投影システムに対して実質的に静止している。一実施形態では、障壁部材と基板Wの表面との間にシールが形成され、流体シール、望ましくはガスシールなどの非接触シールであってもよい。0051液体ハンドリング構造体12の少なくとも一部は、投影システムPSの最終エレメントと基板Wとの間の空間11に液体を封じ込める。基板Wの表面と投影システムPSの最終エレメントとの間の空間に液体が閉じ込められるよう、投影システムのイメージフィールドのまわりに基板Wに対する非接触シール16を形成することができる。この空間は、少なくとも部分的に、投影システムPSの最終エレメント下方に、投影システムPSの最終エレメントを取り囲んで配置された流体ハンドリング構造体12によって形成されている。液体は、液体入口13によって投影システムの下の流体ハンドリング構造体12内の空間に導かれる。この液体は、液体出口13によって除去することができる。流体ハンドリング構造体12は、投影システムの最終エレメントの少し上に広がってもよい。液体のレベルが最終エレメントの上まで上昇しており、その結果、液体のバッファが設けられる。一実施形態では、流体ハンドリング構造体12は内周部を有し、その頂部端は、投影システムまたはその最終エレメントの形状にごく一致して例えば円形とすることができる。底部では、内周部がイメージフィールドの形状とごく一致しており、必ずしもそうである必要はないが、例えば長方形である。0052一実施形態では、液体は、使用中、流体ハンドリング構造体12の底部と基板Wの表面との間に形成されるガスシール16によって空間11内に封じ込められる。このガスシールは、ガス、例えば空気または合成空気によって形成されるが、一実施形態ではN2または他の不活性ガスである。ガスシール内の気体は、圧力をかけられ、入口15を通って流体ハンドリング構造体12と基板Wとの間の間隙へ供給される。このガスは、出口14を介して引き抜かれる。ガス入口15部分の超過圧力、出口14部分の真空レベルおよび隙間の幾何構造は、液体を閉じ込める内側に向かう高速ガス流16が存在するようになされている。流体ハンドリング構造体12と基板Wとの間の液体に対する気体の力が、液体を空間11内に封じ込める。入口/出口は、空間11を取り囲む環状の溝であってもよい。この環状の溝は、連続していても、あるいは不連続であってもよい。ガスの流れ16は、液体を空間11内に封じ込めるのに有効である。参照によりその全体が本明細書に組み込まれている米国特許出願公開第2004-0207824号に、このようなシステムが開示されている。0053図5の実例は、いつでも基板Wの頂面の局所領域にのみ液体が供給される、いわゆる局所領域の機構である。例えば米国特許出願公開第2006-0038968号に開示されているものなど単相抽出器または2相抽出器を利用する流体ハンドリングシステムを含めて他の機構が可能である。0054可能な別の機構に、気体抵抗の原理に基づいて作用するものがある。いわゆる気体抵抗の原理gasdragprincipleは、例えば米国特許出願公開第2008-0212046号、および2008年5月8日出願の米国特許出願第61/071,621号に説明されている。そのシステムでは、抽出穴は、望ましくは隅部を有する形状に構成される。隅部は、ステップまたはスキャンの方向に整列されてもよい。これによって、2つの出口がスキャン方向に対して垂直に整列している場合と比較して、ステップまたはスキャンの方向における所与の速度で流体を渡す構造体の面の2つの開口間のメニスカスに対する力が低減する。0055また、主液体回収フィーチャの外部で半径方向に配置されたガスナイフが、米国特許出願公開第2008-0212046号に開示されている。ガスナイフは、主液体抽出フィーチャを通過するあらゆる液体を捕える。このようなガスナイフは、米国特許出願公開第2008-0212046号に開示されているいわゆる気体抵抗の原理の機構、米国特許出願公開第2009-0262318号に開示されているものなど単相または2相の抽出器機構、または他の機構に存在し得る。0056多くの他のタイプの液体供給システムが可能である。本発明は、いかなる特定のタイプの液体供給システムにも液浸リソグラフィにも限定されない。本発明は、いかなるリソグラフィにも同様に適用され得る。EUVリソグラフィ装置では、ビーム経路は実質的に真空であり、前述の液浸機構は使用されない。0057コントロールシステム500は、リソグラフィ装置の全体的動作を制御し、具体的には以下でさらに説明される最適化プロセスを遂行する。コントロールシステム500は、中央処理装置、揮発性記憶手段および不揮発性記憶手段、キーボードおよびスクリーンなどの1つまたは複数の入出力デバイス、1つまたは複数のネットワーク接続、およびリソグラフィ装置の様々な部分に対する1つまたは複数のインターフェースを備える、適切にプログラムされた汎用コンピュータとして実施することができる。コントロールコンピュータとリソグラフィ装置との1対1の関係が必要とはされないことが理解されよう。本発明の一実施形態では、1つのコンピュータが複数のリソグラフィ装置を制御することができる。本発明の一実施形態では、ネットワーク接続された複数のコンピュータが、1つのリソグラフィ装置を制御するのに使用され得る。コントロールシステム500は、リソグラフィ装置が一部分を形成するリソセルもしくはクラスタの1つまたは複数の関連するプロセスデバイスおよび基板ハンドリングデバイスを制御するようにも構成され得る。コントロールシステム500は、リソセルもしくはクラスタの監視用コントロールシステムおよび/または製造工場の全体的コントロールシステムに従属するようにも構成することができる。0058図6は、本発明の一実施形態による基板ホルダ100を示す。基板ホルダ100は、基板テーブルWTの窪み内に保持され、基板Wを支持する。基板ホルダの本体100Aは、実質的に基板Wに対応する形状およびサイズの平坦なディスクの形態を有する。一実施形態では両面になっているが、基板ホルダは、両側の少なくとも頂面において、一般にバールと称される突起106を有する。一実施形態では、基板ホルダは、基板テーブルと一体になった部分であり、下面にはバールがない。図6で、バールは、原寸に比例して示されているわけではない。実際的な実施形態では、例えば直径300mmの基板ホルダの端から端まで分配された何百ものバールが存在し得る。バールの頂点は、例えば1mm2未満の小さな面積を有し、その結果、基板ホルダ100の1つの面のすべてのバールの総計面積は、基板ホルダの表面積全体の約1未満である。このようにして、基板、基板ホルダまたは基板テーブルの表面上に存在し得るいかなる粒子もバール間に降り、したがって基板または基板ホルダの変形をもたらさなくなる確率が非常に高い。バールの配置は、規則的なものにするか、または基板および基板テーブル上の力の適切な分布をもたらすために必要に応じて変化させることができる。バールは、平面図のいかなる形状も有することができるが、平面図では一般に円形である。バールは、それらの高さの全体にわたって同一の形状および寸法を有することができるが、一般に先細りになっている。バールが、基板ホルダの本体表面100Aの残りから突出することができる距離は、約1μmから約5mmまで、望ましくは約10μmから約1μmまでである。基板ホルダ100の本体100Aの厚さは、約20mmから約50mmまでの範囲内であり得る。0059本発明の一実施形態では、基板ホルダ100は非導電の剛体材料で構成される。適切な材料には、SiC炭化珪素、SiSiCシリコン処理をした炭化珪素、Si3N4窒化珪素、石英、および/またはZerodur商標ガラスセラミックなどの様々な他のセラミックおよびガラスセラミックが含まれる。基板ホルダ100は、関連する材料のソリッドディスクから、突出するバールを残すように選択的に材料を除去することにより、製造することができる。材料を除去するための適切な技法には、放電加工EDM、エッチング、および/またはレーザアブレーションが含まれる。これらの技法は、例えば数マイクロメートル程度の粗さ値Raを有する粗い表面を残す。これらの除去技法で達成可能な最小限の粗さは、材料の特性から導出され得る。例えば、SiSiCなどの2相材料の場合には、達成可能な最小限の粗さは、2相材料の粒子サイズによって決定される。このような残留粗さは、基板の表面上に1つまたは複数の薄膜コンポーネントなどの1つまたは複数の電気的コンポーネントを形成する際の困難さ、およびこのようなコンポーネントの不信頼性をもたらす。この粗さが、電子的コンポーネントを形成するように基板ホルダ上に成長するかまたはコーティングされた薄い層に、間隙および亀裂をもたらすので、これらの問題が生じる可能性がある。薄膜コンポーネントは、約2nmから約50μmまでの範囲の層厚さを有してもよく、化学的気相成長法、物理的気相成長法例えばスパッタリング、浸漬コーティング、スピンコーティングおよび/またはスプレイコーティングを含むプロセスによって形成され得る。0060基板テーブル上に形成される電子的コンポーネントは、例えば電極、抵抗加熱器および/または、歪みセンサ、磁気センサ、圧力センサまたは温度センサなどのセンサを含むことができる。基板ホルダおよび/または基板の温度を局所的に監視し、かつ/または制御するために、基板ホルダまたは基板の温度変化および応力の、好ましくないものまたは所望の誘起されたものを低減するように、加熱器およびセンサを使用することができる。基板の局所的膨張または収縮によるオーバーレイエラーなどの結像誤差を低減するかまたは除去するために、基板の温度および/または応力を制御するのが望ましい。例えば、液浸リソグラフィ装置では、基板上の残留液浸液例えば水の蒸発により、基板が局所的に冷却されて収縮する可能性がある。反対に、投影ビームによる露光中に基板に加えられるエネルギーにより、基板がかなり加熱されて膨張する可能性がある。0061一実施形態では、形成されるコンポーネントは、静電クランプのための電極である。静電クランプでは、基板または基板の下面に貼った電極と基板テーブルおよび/または基板ホルダ上に設けられた電極との間に電位差が確立される。2つの電極は、大きなコンデンサとして動き、適切な電位差でかなりのクランプ力を生成することができる。静電機構は1対の電極とすることができ、一方が基板テーブル上、他方が基板上にあり、基板テーブル、基板ホルダおよび基板のまとまったスタックを一緒にクランプする。ある機構では、基板ホルダが基板テーブルにクランプされ、それとは別に基板が基板ホルダにクランプされるように、基板ホルダ上に1つまたは複数の電極が設けられてもよい。0062一実施形態では、基板Wの温度を制御するために、基板ホルダ100および基板Wに所望の熱量を供給するように、1つまたは複数の局所的加熱器101がコントローラ103によって制御される。基板ホルダ100および/または基板Wの温度を監視するコントローラ104に、1つまたは複数の温度センサ102が接続される。電圧源105が、基板Wと基板テーブルWTの間に例えば10~100ボルト程度の電位差を生成し、その結果、静電力が基板W、基板ホルダ100および基板テーブルWTを一緒にクランプする。一実施形態では、基板Wの下面の電極と基板テーブルWTの窪みの底部の電極との間に電位差が与えられる。基板の温度を局所的に制御するために1つまたは複数の加熱器および温度センサを使用する機構が、2010年9月20日に出願された同時係属の米国特許出願第61/384,666号に説明されており、この文献の全体が参照によって本明細書に組み込まれる。同文献に説明されている機構は、本明細書に説明されている抵抗加熱器および温度センサを利用するように変更することができる。0063図7は、図6の基板ホルダ100の一部分を拡大して上部表面107およびいくつかのバール106を示す断面図である。一実施形態では、上部表面107上でバール106の間の少なくともいくらかの領域に、本発明の平坦化層108が設けられる。一実施形態では、電子的コンポーネントが形成されることになっているところのみ、または実質的に基板ホルダ100の上部表面の全体にわたって、平坦化層を設けることができる。図8は、平坦化層108をさらに拡大して示す。わかるように、平坦化層は、上部表面107の粗さを埋め、表面107より実質的に滑らかな上部表面108aをもたらす。本発明の一実施形態では、表面108aの粗さRaは、約1.5μm未満、望ましくは約1μm未満、または望ましくは約0.5μm未満である。0064一実施形態では、平坦化層108は、複数、例えば2つのコーティング材料または前駆物質材料の層を加えることにより形成される。一実施形態では、平坦化層108は、コーティング材料または前駆物質材料の単一層を加えることにより形成される。平坦化層の材料次第で、形成されたコーティングの検査から、複数の副層を形成することにより平坦化層が与えられていると判断することが可能になり得る。一実施形態では、平坦化層108の複数の副層は、同一の材料から形成される。一実施形態では、平坦化層108の複数の副層は別々の材料から形成される。0065一実施形態では、平坦化層108は、酸化珪素または各Si原子に付加された官能基を有する窒化珪素ベースの混合物から形成される。これらの官能基は、水素、メチル、フルオロ、ビニルなどから成る群から選択することができる。このような材料は、米国特許第7,524,735号に開示されており、この文献の全体が参照によって本明細書に組み込まれる。誘電材料の前駆物質は、トリエトキシシランTES、テトラエチルオルトシランTEOS、テトラメトキシシランTMOS、メチルトリエトキシシランMTEOS、メチルトリメトキシシランMTMOS、ジメチルジメトキシシランDMDMOS、トリメチルメトキシシランTMMOS、ジメチルジエトキシシランDMDEOS、ビストリエトキシシリルエタンBTEOSEまたはビス-トリエトキシシリルメタンBTEOSM、テトラメチルシクロテトラシロキサンTMCTS、オクタメチルシクロテトラシロキサンOMCTSおよびテトタビニルテトラメチルシクロテトラシロキサンTVTMCTSといった混合物のうちの1つまたは複数を含むことができる。特定の実施形態では、誘電体前駆物質は、キャリア溶剤、例えばアルコールに混合される。一実施形態では、平坦化層108は、有機前駆物質から形成され得るSiCH32Oxから形成される。一実施形態では、平坦化層は、SiOx、例えばSiO2から形成される。一実施形態では、平坦化層は、ベンゾシクロブテンBCBなどの有機モノマーすなわち炭素ベースの材料から形成される。他の適切な材料には、酸化アルミニウムおよび酸化チタンなどの他の酸化物が含まれる。このような酸化物は、望ましくは非導電性である。このような酸化物層は、有機前駆物質から形成され得る。このような材料を加える方法は、米国特許第7,524,735号に説明されており、この文献の全体が参照によって本明細書に組み込まれる。一実施形態では、平坦化層は、SiCH32NおよびSiCH32Oのバックボーンから成るポリマー鎖から形成される。平坦化層を加える方法は、空気などの気体の環境または真空におけるディープコーティングdeepcoating、スピンコーティングおよびスプレイコーティングおよび堆積技法などのコーティング技法を例えば含んでいる。0066平坦化層は、約0.2μmから約200μmまで、望ましくは約2μmから約20μmまでの範囲の厚さを有してもよい。一実施形態では、平坦化層は約10μmである。平坦化層の厚さは、シリコン例えばリソグラフィ装置に使用されるシリコンウェーハの基板に加えられたコーティングと同一の体積によって決定されるようなコーティングの厚さである。平坦化層は、望ましくは基板ホルダの表面の粗さのほとんどまたはすべてを埋めるように十分に厚い。平坦化層が厚すぎると、硬化中に割れる可能性がより高くなる。以下で説明されるように、複数の別々のコートで平坦化層を加えると、このような亀裂の可能性を低減し、かつ最終層の表面粗さを低減することができる。0067一実施形態では、平坦化層は、基板ホルダ100をポリシラザン溶液でコーティングし、次いで、これを硬化させてシリコンベースの平坦化層を形成することにより加えられる。含まれる反応が、図16に示されている。一実施形態では、ポリシラザン溶液はスプレイ技法によって加えられる。それに加えて、またはその代わりに、スピンコーティングなどの他の技法を使用することができる。図17~図19は、本発明の実施形態の平坦化層を形成するのに使用することができる他の反応を示す。図17は、水性の媒体だけで進む反応を示す。図18は、熱の存在下において水性の媒体で進む反応を示す。図19は、熱の存在下において水性の媒体で進む別の反応を示す。図17~図19のそれぞれにおいて、Rは、水素、メチル、フルオロから成る群から選択された官能基を示す。図16~図19の化学反応において、-Si-N-バックボーン鎖を持つポリシラザンのSi-O-バックボーンへの変換が完成しない、すなわち100に到達しない可能性があることに留意されたい。硬化後の結果として生じる平坦化層は、低濃度の-Si-N-鎖から成り得る。0068平坦化層は、薄膜コンポーネントを形成する1つまたは複数の金属層または他の層を確実に形成するための十分に滑らかな表面をもたらす。特に、基板ホルダを形成するのに使用されるいくつかの材料で必要とされ得るガラス接合工程が不要なことがある。0069図9および図10は、平坦化層108を加える方法の一実施形態の工程を示す。図9に示されるように、基板ホルダ100の上部表面107にわたってポリシラザン溶液がスプレイされ、かつ硬化されて、連続した層108を形成する。この層は、最初にバール106ならびにそれらの間の空間を覆う。第2の工程で、バール106の頂部から平坦化層108が除去され、その結果が図10に示されている。この除去工程は、機械加工ラップ仕上または研磨、レーザを用いる化学過程エッチングなどおよび/または化学的機械的研磨CMPなどの既知の技法を用いて遂行することができる。この方法には、迅速で、工程を2つしか含まないという利点がある。0070図11~図14は、平坦化層108を加える方法のさらなる実施形態の工程を示す。この方法では、基板ホルダ100の上部表面107の全体にフォトレジスト110が加えられる。次いで、フォトレジストが選択的に露光され、フォトレジストがポジティブかネガティブかということ次第で、露光されたフォトレジストまたは露光されないフォトレジストが除去され、その結果、フォトレジスト110は、図12に示されるようにバール106だけを覆って残る。一実施形態では、フォトレジストは、バール106間の表面上に平坦化を導くために耐湿潤機能を有する。次いで、図13に示されるように、平坦化材料108が加えられる。最後に、残りのフォトレジストが除去され、平坦化材料108は、バール106間の空間にのみ残る。0071上記の方法のどちらでも、表面粗さを低減するために、複数のコーティング工程で平坦化層108を加えることができる。図15は、本発明の一実施形態による基板ホルダの1から4まで番号が付いた平坦化層の4つの試料に関して、粗さ値Raをμmの単位で示すグラフである。基板ホルダは、SiSiC材料のものであり、図5のAとして示されるように、あらゆるコーティングまたは他の処理に先立って、2.45μmの表面粗さRaを有していた。次いで、試料は、ポリシラザン溶液ClariantAdvancedMaterialsGmbHから入手したCAG37でスプレイコーティングされ、乾燥に任された。試料1および3の場合には、2.4μmの厚さの層を実現するのに十分な量の溶液が与えられた。試料2および4の場合には、4μmの厚さの層を実現するものより大量の溶液が加えられた。硬化後に、図15のBで示されるように、試料1および3の表面粗さRaは1.04μmと測定され、試料2および4の表面粗さRaは1.05μmと測定された。0072第1の層は、第2の層が加えられる前に空気プラズマに約1分間暴露することにより、親水化された。単一層しか加えられない場合、または与えられる材料が疎水性ではない場合には、この工程は省略することができる。第2の層を形成するために与えられる材料の量は変化された。試料1および2は、2.4μmのコーティングを形成するための溶液の量を与えられ、一方、試料3および4は、厚さ4μmのコーティングを形成するための溶液の量を与えられた。第2のコーティングの硬化の後に、図15のCで示されるように、試料1~4の粗さRaの値は、それぞれ0.37μm、0.46μm、0.63μmおよび0.44μmと測定された。これらの結果から、2工程のコーティング技法によって表面粗さの改善を達成することができ、また、第2のコーティング層が、第1の与えられたコーティング層より厚くないのが望ましいことであり得る。0073次の表に、層の厚さおよび測定された粗さが示されている。0074上記で示された粗さ値は、半径2μmのダイヤモンドチップを有するTaylorHobsonのスタイラスプロファイラを用いて層の上をスキャンして層のプロファイルを測定し、等高線図からRaを推定したものである。代わりに、他の同等な測定器および方法を用いることができる。0075理解されるように、上記で説明された機構のあらゆるものが、任意の他の機構とともに使用することができ、それは本出願でカバーされる明確に説明された組合せのみではない。0076本文中では、ICの製造時におけるリソグラフィ装置の使用を具体的に参照することがあるが、本明細書で述べられているリソグラフィ装置には、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用の誘導パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、マイクロスケールのフィーチャさらにはナノスケールのフィーチャを有するコンポーネントの製造における他の応用分野があり得ることを理解されたい。それらのような代替の用途において、本明細書で使用されるウェーハまたはダイという語は、いずれも、より一般的な語である基板またはターゲット部分とそれぞれ同義であると見なしてもよいことが当業者には理解されよう。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック一般に基板にレジストの層を与え、露光後のレジストを現像するツール、メトロロジーツールおよび/またはインスペクションツール内で処理されてもよい。適用可能であれば、本開示は、そのようなものおよび他の基板処理ツールに適用されてもよい。その上、基板は、例えば多層ICを作製するために複数回処理されてもよく、そのため、本明細書に用いられる用語の基板は、既に複数の処理済の層を含む基板も意味してもよい。0077本明細書で用いられる用語放射およびビームは、紫外線UV放射例えば365nm、248nm、193nm、157nmまたは126nmの、またはおよそその波長を有するものを含むすべてのタイプの電磁放射を包含する。0078用語レンズは、文脈により可能な場合、屈折および反射光学コンポーネントを含めて様々な型の光学コンポーネントのいずれか1つまたは組合せを意味することができる。0079上記では、本発明の特定の実施形態について述べたが、本発明は、述べられているものとは別の方法で実施され得ることが理解されよう。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示した方法を記述した1つまたは複数の機械読取可能命令を含むコンピュータプログラムの形態を取ることができ、あるいはこのようなコンピュータプログラムを記憶したデータ記憶媒体例えば半導体記憶装置、磁気ディスクまたは光ディスクの形態を取ることができる。さらに、機械読取可能命令は、複数のコンピュータプログラム内で具体化することができる。これらの複数のコンピュータプログラムは、1つまたは複数の異なるメモリおよび/またはデータ記憶媒体上に記憶することができる。0080前述の諸コントローラは、信号を受け取り、処理し、かつ、送信するのに適した任意の構成を有することができる。例えば、コントローラの各々は、前述の方法のための機械読取可能命令を含むコンピュータプログラムを実行するための1つまたは複数のプロセッサを含むことができる。これらのコントローラは、このようなコンピュータプログラムを記憶するためのデータ記憶媒体、および/またはこのような媒体を受け入れるためのハードウェアも含むことができる。0081本発明の1つまたは複数の実施形態は、液浸液が槽の形態で提供されるものであれ、基板の局所表面領域にのみ提供されるものであれ、あるいは液浸液が基板および/または基板テーブル上に閉じ込められないものであれ、任意の液浸リソグラフィ装置に適用することができ、詳細には、それには限定されないが、上で言及したタイプの液浸リソグラフィ装置に適用することができる。非閉じ込め構造の場合、液浸液は、基板および/または基板テーブルの表面を流れることができ、したがって覆われていない基板テーブルおよび/または基板の表面の実質的に全体を濡らすことができる。このような非閉じ込め液浸システムの場合、液体供給システムは、液浸液を閉じ込めることができないか、あるいは一部分の液浸液閉じ込めを実現することができるが、液浸液を実質的に完全に閉じ込めることはできない。0082本明細書において企図されている液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、液体供給システムは、投影システムと基板および/または基板テーブルとの間の空間に液体を提供する機構であっても、あるいはそのような構造体の組合せであってもよい。液体供給システムは、1つまたは複数の構造体、1つまたは複数の液体入口、1つまたは複数のガス入口、1つまたは複数のガス出口および/または1つまたは複数の液体出口の組合せを含むことができ、この空間に液体を供給する。一実施形態では、この空間の表面は、基板および/または基板テーブルの一部であってもよく、あるいはこの空間の表面は、基板および/または基板テーブルの表面を完全に覆うことも可能であり、あるいはこの空間は、基板および/または基板テーブルを包絡することも可能である。液体供給システムは、任意選択で、さらに、位置、量、品質、形状、流量または他の任意の液体の特徴を制御するための1つまたは複数のエレメントを含むことも可能である。0083特徴1リソグラフィ装置で使用する基板ホルダであって、表面を有する本体と、表面から突出し、基板を支持するための終端面を有する複数のバールと、本体表面の少なくとも一部分上に設けられた平坦化層とを備える基板ホルダ。0084特徴2平坦化層が、約1.5μm未満、約1.0μm未満、または約0.5μm未満の表面粗さRaを有する特徴1に記載の基板ホルダ。0085特徴3平坦化層が、シリコンベースの材料、例えば有機前駆物質から形成される特徴1または2に記載の基板ホルダ。0086特徴4平坦化層が、酸化珪素ベースの材料または窒化珪素ベースの材料から形成される特徴3に記載の基板ホルダ。0087特徴5平坦化層が、水素、メチル、フルオロ、ビニルなどから成る群から選択された官能基を含む特徴3または特徴4に記載の基板ホルダ。0088特徴6平坦化層が、ベンゾシクロブテンなど炭素ベースの材料から形成される特徴1または特徴2に記載の基板ホルダ。0089特徴7本体が、SiC炭化珪素、SiSiCシリコン処理をした炭化珪素、Si3N4窒化珪素、石英、およびZerodur商標ガラスセラミックから成る群から選択された材料から形成される特徴1から6のいずれか1つに記載の基板ホルダ。0090特徴8平坦化層が、複数の別個に形成された副層から形成される特徴1から7のいずれか1つに記載の基板ホルダ。0091特徴9平坦化層が、約0.2μmから約200μmまでの範囲の厚さを有する特徴1から8のいずれか1つに記載の基板ホルダ。0092特徴10平坦化層が、少なくともバールの終端面は覆わない特徴1から9のいずれか1つに記載の基板ホルダ。0093特徴11バールが側面を有し、平坦化層が、少なくともバールの側面の一部分は覆わず、望ましくはバールの側面のすべてを覆わない特徴10に記載の基板ホルダ。0094特徴12平坦化層上に設けられた電子的コンポーネントをさらに備える特徴1から11のいずれか1つに記載の基板ホルダ。0095特徴13電子的コンポーネントが薄膜コンポーネントである特徴12に記載の基板ホルダ。0096特徴14電子的コンポーネントが、電極、加熱器、およびセンサから成る群から選択されたコンポーネントである特徴12または特徴13に記載の基板ホルダ。0097特徴15電極が、使用するとき静電クランプの電極である特徴14に記載の基板ホルダ。0098特徴16パターニングデバイスを支持するように構成されたサポート構造と、パターニングデバイスによってパターニングされたビームを基板上に投影するように配置された投影システムと、基板を保持するように配置された基板ホルダとを備え、基板ホルダが、表面を有する本体と、表面から突出し、基板を支持する終端面を有する複数のバールと、および本体表面の少なくとも一部分上に設けられた平坦化層とを備える、リソグラフィ装置。0099特徴17平坦化層が、約1.5μm未満、約1.0μm未満、または約0.5μm未満の表面粗さRaを有する特徴16に記載のリソグラフィ装置。00100特徴18平坦化層がシリコンベースの材料から形成される特徴16または17に記載のリソグラフィ装置。00101特徴19平坦化層が、酸化珪素ベースの材料または窒化珪素ベースの材料から形成される特徴18に記載のリソグラフィ装置。00102特徴20平坦化層が、水素、メチル、フルオロ、ビニルなどから成る群から選択された官能基を含む特徴18または特徴19に記載のリソグラフィ装置。00103特徴21平坦化層が、ベンゾシクロブテンから形成される特徴16または17に記載のリソグラフィ装置。00104特徴22本体が、SiC炭化珪素、SiSiCシリコン処理をした炭化珪素、Si3N4窒化珪素、石英、およびZerodur商標ガラスセラミックから成る群から選択された材料から形成される特徴16から21のいずれか1つに記載のリソグラフィ装置。00105特徴23平坦化層が、1つまたは複数の別個に形成された副層から形成される特徴16から22のいずれか1つに記載のリソグラフィ装置。00106特徴24平坦化層が、約0.2μmから約200μmまでの範囲の厚さを有する特徴16から23のいずれか1つに記載の基板ホルダ。00107特徴25平坦化層が、少なくともバールの終端面は覆わない特徴16から24のいずれか1つに記載のリソグラフィ装置。00108特徴26バールが側面を有し、平坦化層が、少なくともバールの側面の一部分は覆わず、望ましくはバールの側面のすべてを覆わない特徴25に記載のリソグラフィ装置。00109特徴27平坦化層上に設けられた電子的コンポーネントをさらに備える特徴16から26のいずれか1つに記載のリソグラフィ装置。00110特徴28電子的コンポーネントが薄膜コンポーネントである特徴27に記載のリソグラフィ装置。00111特徴29電子的コンポーネントが、電極、加熱器、およびセンサから成る群から選択されたコンポーネントである特徴27または特徴28に記載のリソグラフィ装置。00112特徴30電極が、使用するとき静電クランプの電極である特徴29に記載のリソグラフィ装置。00113特徴31基板テーブルをさらに備え、基板ホルダが、基板テーブルに組み込まれる特徴16から30のいずれか1つに記載のリソグラフィ装置。00114特徴32リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法であって、パターニング手段によってパターニングされたビームを基板ホルダに保持された基板の上に投影する工程を含み、基板ホルダが、表面を有する本体と、表面から突出し、基板を支持するための終端面を有する複数のバールと、本体表面の少なくとも一部分上に設けられた平坦化層とを備える、デバイス製造方法。00115特徴33リソグラフィ装置で使用する基板ホルダを製造する方法であって、表面および表面から突出し、基板を支持するための終端面を有する複数のバールを有する本体を設ける工程と、本体表面の少なくとも一部分上に平坦化層を形成する工程とを含む方法。00116特徴34平坦化層が、約1.5μm未満、約1.0μm未満、または約0.5μm未満の表面粗さRaを有するように形成される特徴33に記載の方法。00117特徴35平坦化層がシリコンベースの材料から形成される特徴33または特徴34に記載の方法。00118特徴36平坦化層が、酸化珪素ベースの材料または窒化珪素ベースの材料から形成される特徴35に記載の方法。00119特徴37平坦化層が、水素、メチル、フルオロ、ビニルなどから成る群から選択された官能基を含む特徴35または特徴36に記載の方法。00120特徴38平坦化層が、ベンゾシクロブテンから形成される特徴33または特徴34に記載の方法。00121特徴39本体が、SiC炭化珪素、SiSiCシリコン処理をした炭化珪素、Si3N4窒化珪素、石英、およびZerodur商標ガラスセラミックから成る群から選択された材料から形成される特徴33から38のいずれか1つに記載の方法。00122特徴40平坦化層が、1つまたは複数の別個に形成された副層から形成される特徴33から39のいずれか1つに記載の方法。00123特徴41平坦化層が、約0.2μmから約200μmまでの範囲の厚さを有する特徴33から40のいずれか1つに記載の方法。00124特徴42平坦化層が、少なくともバールの終端面は覆わない特徴33から41のいずれか1つに記載の方法。00125特徴43バールが側面を有し、平坦化層が、少なくともバールの側面の一部分は覆わず、望ましくはバールの側面のすべてを覆わない特徴42に記載の方法。00126特徴44平坦化層上に設けられた電子的コンポーネントをさらに含む特徴33から43のいずれか1つに記載の方法。00127特徴45電子的コンポーネントが薄膜コンポーネントである特徴44に記載の方法。00128特徴46電子的コンポーネントが、電極、加熱器、およびセンサから成る群から選択されたコンポーネントである特徴44または特徴45に記載の方法。00129特徴47電極が、使用するとき静電クランプの電極である特徴46に記載の方法。00130特徴48複数のバールを有する本体を設ける工程が、空所を設ける工程と、突出するバールを残すように空所から材料を除去する工程とを含む特徴33から47のいずれか1つに記載の方法。00131特徴49材料を除去する工程が、放電加工、レーザアブレーション、およびエッチングから成る群から選択された方法によって遂行される特徴48に記載の方法。00132特徴50平坦化層を形成する工程が、本体にポリシラザンの溶液を加える工程と、同溶液を硬化させて平坦化層を形成する工程とを含む特徴33から49のいずれか1つに記載の方法。00133上記の説明は、制限するものでなく、例示的なものである。したがって、以下で述べられている特許請求の範囲から逸脱することなしに、述べられている本発明に変更を加えることができることが、当業者には明らかであろう。"