"被測定電流が流れる対象導体を周回する集磁コアを備えることなく、当該対象導体の検出部位から離間して設置され、所定の磁束検出方向の磁束を検出するセンサを用いて当該被測定電流を検出する電流検出装置であって、前記センサは、何れか一方を主センサ部とする第1センサ部及び第2センサ部を有し、前記第1センサ部及び前記第2センサ部は、前記磁束検出方向が互いに平行であって、両センサの検出中心と前記検出部位とが1つの基準直線上にあり、互いの位置関係が固定された状態で配置され、前記第1センサ部の検出値と前記第2センサ部の検出値との比に基づいて規定される検出値指標に基づいて、前記対象導体と前記主センサ部との前記基準直線上における離間距離の変化を補正する補正係数を導出する補正係数導出部と、前記主センサ部の検出値と前記補正係数とに基づいて、前記被測定電流を演算する電流演算部と、を備える電流検出装置。前記補正係数導出部は、前記主センサ部と前記検出部位との前記基準直線上における理想的な距離である基準検出距離と、前記第1センサ部と前記第2センサ部との前記基準直線上における固定された距離であるセンサ間距離と、前記検出値指標と、により規定された式に基づいて前記補正係数を導出する請求項1に記載の電流検出装置。前記補正係数導出部は、前記基準検出距離と、前記センサ間距離と、前記検出値指標と、さらに、前記基準直線及び前記検出部位での前記対象導体の延在方向に対して直交する方向における前記対象導体の幅である導体幅と、により規定された式に基づいて前記補正係数を導出する請求項2に記載の電流検出装置。前記第1センサ部及び前記第2センサ部は、1つの基板のそれぞれ異なる面において、当該基板の面に直交する方向視で互いに重複する位置に実装されている請求項1から3の何れか一項に記載の電流検出装置。上記背景に鑑みて、より簡易な構成で、精度良く、電流路を周回する集磁コアを用いることなく導体に流れる電流を測定可能な技術の提供が望まれる。上記課題に鑑みた本発明に係る電流検出装置の特徴構成は、被測定電流が流れる対象導体を周回する集磁コアを備えることなく、当該対象導体の検出部位から離間して設置され、所定の磁束検出方向の磁束を検出するセンサを用いて当該被測定電流を検出する電流検出装置であって、前記センサは、何れか一方を主センサ部とする第1センサ部及び第2センサ部を有し、前記第1センサ部及び前記第2センサ部は、前記磁束検出方向が互いに平行であって、両センサの検出中心と前記検出部位とが1つの基準直線上にあり、互いの位置関係が固定された状態で配置され、前記第1センサ部の検出値と前記第2センサ部の検出値との比に基づいて規定される検出値指標に基づいて、前記対象導体と前記主センサ部との前記基準直線上における離間距離の変化を補正する補正係数を導出する補正係数導出部と、前記主センサ部の検出値と前記補正係数とに基づいて、前記被測定電流を演算する電流演算部と、を備える点にある。この特徴構成によれば、互いの位置関係が固定された状態で、何れか一方を主センサ部とする第1センサ部及び第2センサ部を有して磁束を検出するセンサが構成される。そして、第1センサ部の検出値と第2センサ部の検出値との比に基づいて規定される検出値指標に基づいて、補正係数が導出される。第1センサ部と第2センサ部との位置関係は固定されているので、この補正係数は、第1センサ部及び第2センサ部の何れか一方である主センサ部と対象導体との基準直線上における離間距離の変化を補正する係数となる。従って、対象導体の検出部位と主センサ部との離間距離が変化しても、主センサ部の検出値と補正係数とに基づいて、精度良く被測定電流を演算することが可能となる。つまり、主センサ部を含め、少なくとも2つのセンサ部を設けることによって、センサ部と対象導体との位置ずれに起因する被測定電流の検出誤差を抑制し、検出精度を向上させることができる。即ち、本特徴構成によれば、より簡易な構成で、精度良く、電流路を周回する集磁コアを用いることなく導体に流れる電流を測定することが可能となる。尚、1つの態様として、本発明に係る電流検出装置の前記補正係数導出部は、前記主センサ部と前記検出部位との前記基準直線上における理想的な距離である基準検出距離と、前記第1センサ部と前記第2センサ部との前記基準直線上における固定された距離であるセンサ間距離と、前記検出値指標と、により規定された式に基づいて前記補正係数を導出すると好適である。基準検出距離とセンサ間距離とは、電流検出装置の構造により予め既知な値であるから固定値である。従って、補正係数導出部は、規定された式に検出値指標を代入することによって、容易に補正係数を導出することができる。また、検出値指標は、上述したように、第1センサ部の検出値と第2センサ部の検出値との比に基づいて規定されるので、2つのセンサ部による実際の検出値である実測値を代入することによって、簡単に補正係数を導出することができる。このように、軽い演算負荷で、精度のよい電流検出が可能となる。ところで、被測定電流が流れる対象導体は、断面形状が円形の棒状導体であるとは限らず、例えば断面形状が長方形の板状導体などの場合もある。棒状導体と板状導体とでは、対象導体の検出部位から離間して設置されるセンサにおける磁束の生じ方が異なる。従って、センサ主センサ部の検出値と補正係数とに基づく被測定電流の演算例えば計算式や、補正係数の構成も異なるものとなる。扁平な導体や板状導体など、対象導体の延在方向に対して直交する方向において対象導体に所定の幅を有する導体の場合には、以下のように補正係数を導出すると好適である。即ち、1つの態様として、本発明に係る電流検出装置の前記補正係数導出部は、前記基準検出距離と、前記センサ間距離と、前記検出値指標と、さらに、前記基準直線及び前記検出部位での前記対象導体の延在方向に対して直交する方向における前記対象導体の幅である導体幅と、により規定された式に基づいて前記補正係数を導出すると好適である。第1センサ部及び第2センサ部は、一般的に基板に実装された状態で、対象導体の検出部位から離間して設置される。この際、第1センサ部及び第2センサ部が、それぞれ異なる基板に実装されてもよいが、同一の基板に実装されると、部品点数を減らすことができるので、電流検出精度の向上を図っても電流検出装置のコストの上昇を抑制することができる。また、第1センサ部及び第2センサ部が同一の基板に実装されることにより、両センサ部の位置関係を精度よく、且つ経年変化に対しても高い耐性を有して、固定することができる。その結果、電流の検出精度を向上させることができる。そのような好適な1つの態様として、本発明に係る電流検出装置の前記第1センサ部及び前記第2センサ部は、1つの基板のそれぞれ異なる面において、当該基板の面に直交する方向視で互いに重複する位置に実装されているとよい。以下、本発明の電流検出装置の実施形態を図面に基づいて説明する。電流検出装置10は、例えば、図11に示すような、回転電機60の駆動装置50に適用される。駆動装置50の制御装置52は、直流と交流との間で電力変換を行うインバータ53を制御することによって、回転電機60を制御する。制御装置52は、マイクロコンピュータやDSPdigitalsignalprocessorを中核として構成されている。制御装置52は、回転電機60が電動機として機能する際には、直流電源51の直流電力をインバータ53を介して交流電力に変換して回転電機60を駆動する。また、制御装置52は、回転電機60が発電機として機能する際には、発電された交流電力をインバータ53を介して直流電力に整流して直流電源51に回生させる。電流検出装置10のセンサ3は、インバータ53と回転電機60とを接続し、U相、V相、W相の3相それぞれの電流が流れるバスバーなどの導体対象導体の近傍に設置される。つまり、センサ3は、バスバーにおける電流検出部位から離間して設置される。例えば、制御装置52は、回転電機60が電動機として機能する際には、回転電機60に流す電流を、バスバーを流れる実電流と目標電流との偏差を求めてフィードバック制御する。このフィードバック制御のために実電流の検出が必要であり、当該実電流が電流検出装置10によって検出される。以下、電流検出装置10の詳細について説明する。図1は、上述したようなバスバーなど、電流検出装置10により検出される被測定電流が流れる測定対象の導体対象導体20に対するセンサ3の配置関係を模式的に示す斜視図である。ここでは、導体20として、断面形状が円形の棒状導体21を例示している。所定の磁束検出方向Cの磁束を検出するセンサ3は、棒状導体21の検出部位Tから離間して設置される。図2は、図1のII-II断面図、つまり、導体20の延在方向電流の通流方向に対して直交する方向での検出部位Tにおける断面図である。図1及び図2に示すように、本実施形態の電流検出装置10は、導体20を周回する集磁コアを備えることなく構成されている。参考として、導体20を周回する集磁コア90を備える構成の一例を図12に示している。この集磁コア90は、ギャップを有した断面がC字状の磁性体コアであり、導体20を流れる電流によって発生する磁束を収束させてギャップの間に設置したセンサ3Aに導くものである。本実施形態の電流検出装置10は、被測定電流が流れる導体20を周回する集磁コアを備えることなく、導体20の検出部位Tから離間して設置され、所定の磁束検出方向Cの磁束を検出するセンサ3を用いて被測定電流を検出する、いわゆるコアレス型の電流検出装置である。尚、磁束の方向を変更したり、磁束を局所的に集中させたりする磁性体をホール素子などと一体化したセンサデバイスも実用化されている。しかし、このようなセンサデバイスをセンサ3として用いた場合であっても、導体20を周回する集磁コアを用いなければ、ここではコアレス型の電流検出装置として扱うものとする。電流検出装置10は、導体20に電流が流れることによって発生する磁界磁束密度をセンサ3により検出し、その磁束密度に比例する電流を検出する。但し、例えば、上述したように回転電機60に流れる電流を検出するような用途の場合、回転電機60の振動によって、導体20とセンサ3との距離が変動する可能性がある。また、回転電機60が車両などの駆動源として利用される場合には、車両自体の振動によっても導体20とセンサ3との距離が変動する可能性がある。これらは、一例であり、電流検出装置10が回転電機60以外の電流を検出する場合においても、種々の要因により導体20とセンサ3との距離が変動する可能性がある。導体20とセンサ3との距離が変動すると、センサ3が検出する磁界の強さ磁束密度の大きさも変動するため、電流検出の精度が低下してしまうことになる。このため、図1及び図2に示すように、センサ3は、少なくとも第1センサ部1及び第2センサ部2の2つのセンサ部を有して構成される。これら第1センサ部1及び第2センサ部2の何れか一方のセンサ部は、その検出結果を主に用いて被測定電流が演算される主センサ部として機能する。第1センサ部1及び第2センサ部2は、磁束検出方向CC1,C2が互いに平行であって、両センサの検出中心PP1,P2と検出部位Tとが1つの基準直線M上にあり、互いの位置関係が固定された状態で配置されている。つまり、基準直線M上における第1センサ部1の検出中心P1と、第2センサ部2の検出中心P2との距離センサ間距離tが固定されている。本実施形態では、第1センサ部1及び第2センサ部2は、1つの基板30のそれぞれ異なる面において、基板30の面に直交する方向視で互いに重複する位置に実装されている。第1センサ部1及び第2センサ部2が、集積回路ICなどの電子部品で構成されている場合には、センサ間距離tは、ICのパッケージ寸法と基板30の寸法とにより、所定の公差部品の寸法公差及び組み立て公差の範囲内で規定される。本実施形態では、第1センサ部1及び第2センサ部2の内、第1センサ部1を主センサ部とする。電流検出装置10は、導体20に電流が流れることによって発生する磁界磁束密度を主センサ部により検出し、その磁束密度に比例する電流を検出する。図2において導体20棒状導体21を中心とする一点鎖線の同心円は、導体20を紙面表側から裏面側へ流れる電流により発生する磁束Φを示している。また、第1センサ部1の検出中心P1及び第2センサ部2の検出中心P2における中抜き矢印は、それぞれの検出中心Pにおける磁束密度BB1,B2を示している。当然ながら、導体20に近いほど磁界は強く、磁束密度も大きいから、主センサ部は導体20の近傍に配置されることが望ましい。従って、本実施形態では、図2に示すように、主センサ部である第1センサ部1が、第2センサ部2よりも導体20の近傍に配置されている。そして、主センサ部である第1センサ部1と、導体20の検出部位Tとの基準直線M上における理想的な距離を基準検出距離h1と称する。ここで、基準検出距離h1は、振動等の外力が第1センサ部1及び導体20に作用していない静的な状態での、第1センサ部1と導体20の検出部位Tとの、基準直線M上でn距離である。上述したように、第1センサ部1と第2センサ部2との基準直線M上におけるセンサ間距離tは固定値であるから、第2センサ部2と導体20の検出部位Tとの基準直線M上における理想的な距離h2は、基準検出距離h1とセンサ間距離tとの和になる。電流検出装置10は、導体20に対してこのように配置されるセンサ3第1センサ部1及び第2センサ部2を用いて、導体20に流れる被測定電流を検出する。具体的には、回転電機60における適用例である図11を用いて上述したように、センサ3とマイクロコンピュータなどで構成された制御装置52との協働により、電流検出装置10が構成され、被測定電流が検出される。つまり、センサ3と、センサ3の検出結果を信号処理して検出電流値を算出する信号処理部4との協働により、電流検出装置10が構成される。図3は、そのような電流検出装置10の構成例を模式的に示すブロック図である。センサ3第1センサ部1及び第2センサ部2は、例えば、ホール素子、MR磁気抵抗効果素子、MI磁気インピーダンス素子等の各種の磁気検出素子を用いて構成される。本実施形態においては、第1センサ部1及び第2センサ部2は、それぞれホール素子11と、当該ホール素子11の出力を少なくともインピーダンス変換するバッファアンプ12とが集積されたICとして構成される。信号処理部4は、補正係数導出部5と、電流演算部8とを備えて構成されている。また、補正係数導出部5は、検出値指標演算部6と、補正係数演算部7とを備えて構成されている。検出値指標演算部6は、第1センサ部1の検出値と第2センサ部2の検出値との比に基づいて規定される検出値指標αを演算する機能部である。検出値指標αについては後述する。補正係数演算部7は、検出値指標αに基づいて、導体20と主センサ部ここでは第1センサ部1との基準直線M上における離間距離基準検出距離h1の変化を補正する補正係数kを演算する。つまり、検出値指標演算部6及び補正係数演算部7を備える補正係数導出部5は、第1センサ部1の検出値と第2センサ部2の検出値との比に基づいて規定される検出値指標αに基づいて、導体20と主センサ部との基準直線M上における離間距離基準検出距離h1の変化を補正する補正係数kを導出する。電流演算部8は、主センサ部の検出値と補正係数kとに基づいて、被測定電流を演算し、検出電流値を出力する。このように、本実施形態の電流検出装置10は、基準直線M上における離間距離基準検出距離h1の変化を補正する機能を有して、主センサ部の検出値から検出電流値を演算するので、精度よく被測定電流を演算することができる。以下、検出値指標α及び補正係数kの導出方法について詳細に説明する。はじめに、棒状導体21を流れる電流より生じる磁界について説明する。図4は、棒状導体21を流れる電流により生じる磁界を示している。無限に長いと仮定した直線状の棒状導体21を流れている電流iが棒状導体21から所定距離rの点Qに作る磁界の強さHは、H=i/2πr[A/m]=[N/Wb]である。電流iの作る磁界H[N/Wb]により、仮想的な概念としての1[Wb]の磁荷は、F=1×H[N]の力を受ける。この力に逆らって当該磁荷を図4に破線で示す半径rの円周上を1周りさせるために要する仕事Wは、W=1×H×2πr[J]である。アンペールの法則により、電流iが流れている導体20の周りを、電流iにより生じる磁界から受ける力に逆らって、磁気量m[Wb]の磁極磁荷を1周りさせるのに要する仕事は、道筋に関係なくW[J]である。従って、仕事Wは、W[J]=mi[WbA]である。磁荷が1[Wb]のとき、仕事Wは、W[J]=1[Wb]×i[A]=1×H×2πr[J]であり、磁界の強さHは、H=i/2πr[A/m]=[N/Wb]となる。磁束密度B[wb/m2]は、磁界の強さH[N/Wb]に透磁率μ[wb2/Nm2]を乗じたものである。図1及び図2に示すように、導体20とセンサ3との間が空気層の場合には、真空中の透磁率μ0=4π×10-7を用いて、B=μ0i/2πr[wb/m2]となる。第1センサ部1及び第2センサ部2を構成するICは、この磁束密度Bに比例した電圧値を検出値として出力するものである。信号処理部4は、一定の演算式やマップ等を用いて、第1センサ部1及び第2センサ部2から受け取った電圧値から磁束密度Bに基づく電流値を演算可能である。以下においては、説明を解りやすくするために、第1センサ部1及び第2センサ部2の検出値が磁束密度Bであるものとして説明する。ここで、図2を参照すると、導体20からの所定距離r半径rは、第1センサ部1主センサ部と棒状導体21の検出部位Tとの基準直線M上における基準検出距離h1、及び、第2センサ部2と検出部位Tとの基準直線M上における距離h2=基準検出距離h1センサ間距離tに相当する。従って、第1センサ部1主センサ部が検出する磁束密度B1、及び第2センサ部2が検出する磁束密度B2は、棒状導体21と第1センサ部1との距離が基準検出距離h1であるとき、それぞれ下記式及び式となる。ここで、第1センサ部1主センサ部が検出する磁束密度B1と、第2センサ部2が検出する磁束密度B2との比検出値の比は、棒状導体21と第1センサ部1との距離が基準検出距離h1であるとき、下記式となる。式から明らかなように、この比は、変動する可能性のある棒状導体21と第1センサ部1との距離と、固定値であるセンサ間距離tによってのみ定まる値であり、この比を検出値指標αとする。尚、棒状導体21と第1センサ部1との距離が基準検出距離h1であるときの検出値指標αの値は、検出値指標αの初期値理想値α0と称する。ここで、棒状導体21と第1センサ部1との距離が、基準検出距離h1に対して基準直線M上においてΔhだけ大きくなった場合、センサ間距離tは固定値であるから、両センサ部における磁束密度B1及びB2は、それぞれ下記式及び式に示す磁束密度B1及びB2となり、検出値指標αは、下記式に示す値となる。この検出値指標αは、第1センサ部1及び第2センサ部2の実際の検出値である実測値に基づく値であるので、以下これを検出値指標αの実測値αhと称する。尚、式~式は、変動分Δhに負の値を代入することにより、棒状導体21と第1センサ部1との距離が縮まった場合にも適用可能である。第1センサ部1と第2センサ部2は、センサ間距離tがt≠0となるように配置されているので、棒状導体21と第1センサ部1との距離が変化した場合には、検出値指標αの初期値理想値α0と、実測値αhとは異なる値となる。従って、例えば、マイクロコンピュータのプログラムメモリやパラメータメモリなどに格納された検出値指標αの初期値理想値α0と、第1センサ部1及び第2センサ部2による実測値に基づいて演算された検出値指標αの実測値αhとを比較することによって、信号処理部4は、棒状導体21とセンサ3との位置ずれの有無を判定することができる。また、棒状導体21と第1センサ部1との距離の変動分Δhは、式を変形することにより、下記式となる。棒状導体21と第1センサ部1主センサ部との距離が基準検出距離h1に対して増減している場合、下記式に示すように、第1センサ部1主センサ部による実測値である磁束密度B1に対して補正係数kを乗じることによって、棒状導体21と第1センサ部1との距離が基準検出距離h1であるときの磁束密度Bを求めることができる。つまり、基準検出距離h1の変動による主センサ部の検出値の変動を、補正係数kを用いて補正することができる。補正係数kは、下記式を変形することにより、下記式に示すように定義される。尚、棒状導体21と第1センサ部1との距離の変動分Δhは、上記式に示したように、基準検出距離h1、センサ間距離t、及び両センサ部の実測値を用いて演算される検出値指標αの実測値αhにより求められた値を用いる。即ち、補正係数演算部7は、検出値指標αに基づいて、導体20と主センサ部ここでは第1センサ部1との基準直線M上における離間距離基準検出距離h1の変化変動分Δhを補正する補正係数kを演算する。上記式及び式より、第1センサ部1において検出される磁束密度B1が定まる。この磁束密度B1より電流演算部8は、棒状導体21を流れる電流i、即ち被測定電流を演算することができる。つまり、電流演算部8は、主センサ部の検出値と補正係数kとに基づいて、被測定電流を演算し、検出電流値を出力する。図3を例示して上述したように、電流検出装置10の信号処理部4は、マイクロコンピュータなどの論理演算装置を中核として構成される。磁束密度B磁束密度Bに比例した電圧値はセンサ3によって検出されるが、検出された磁束密度BB1,B2に基づく電流の値は、例えばマイクロコンピュータのハードウェアと当該ハードウェア上で実行されるプログラムソフトウェアとの協働によって算出される。以下、そのようなマイクロコンピュータによる演算により電流を検出する手順の一例を図5のフローチャートを用いて説明する。尚、上記において説明した内容については適宜省略する。はじめに初期化ステップとして、基準検出距離h1、センサ間距離t、検出値指標αの初期値α0がプログラムメモリやパラメータメモリなどから取得され、マイクロコンピュータの内部レジスタに格納される01。これらの値は、固定値であるから、電流値の演算の都度、取得する必要はない。繰り返し実行される電流検出処理が継続する間は、初期化ステップ01の次の処理であるステップ02から終了判定ステップ09までが繰り返される。電流検出の頻度、つまり、電流検出周期は、例えば図11に示した回転電機60の駆動装置50など、制御対象の電流値を用いて制御を行う装置の要求仕様によって規定され、プログラムなどに設定されている。上述したステップ02からステップ09は、要求される電流検出周期以内に実行される。繰り返し実行される電流検出処理のはじめに、第1センサ部1の検出値磁束密度B1及び第2センサ部2の検出値磁束密度B2が取得される検出値取得ステップ02。第1センサ部1及び第2センサ部2がアナログデータで検出値を出力する場合には、例えばマイクロコンピュータに内蔵されたA/Dコンバータによりデジタルデータに変換されて内部レジスタに格納される。勿論、A/Dコンバータはマイクロコンピュータと別の素子であってもよい。次に、第1センサ部1及び第2センサ部2の検出値を用いて検出値指標αの実測値αhが演算され、内部レジスタに格納される検出値指標演算ステップ03。次に、初期化ステップ01で取得された検出値指標αの初期値α0と、検出値指標演算ステップ03で演算された検出値指標αの実測値αhとが一致するか否かが判定される位置ずれ判定ステップ04。上述したように、導体20とセンサ3との間に位置ずれが生じると、両検出値指標αの値が異なるので、位置ずれの有無を判定することができる。尚、この際、センサ3におけるアナログ信号処理の誤差や、A/D変換時の丸め誤差、検出値指標αの実測値αhを演算する際の丸め誤差等を考慮して、判定を実行すると好適である。例えば、初期値α0と実測値αhとの差Δαが所定の判定しきい値以下であるときに、両者が一致すると判定すると好適である。位置ずれ判定ステップ04において、位置ずれが発生していると判定されると補正要と判定されたことと等価であるから、次に補正係数kが演算され、内部レジスタに格納される補正係数演算ステップ05。補正係数kは、式~式を示して上述したように、基準検出距離h1、センサ間距離t、検出値指標αの実測値αhの関数fh1,t,αhである。ステップ01~ステップ03において内部レジスタに格納済みのこれらの値を用いて、補正係数kが導出される。補正係数kが導出されると、式に示したように、この補正係数kを用いて、主センサ部ここでは第1センサ部1の検出値磁束密度B1が補正され、内部レジスタに格納される検出値補正ステップ07。そして、補正された検出値磁束密度B1を用いて、被測定電流の値が演算される電流値演算ステップ08。位置ずれ判定ステップ04において、初期値α0と実測値αhとが一致すると判定された場合には、位置ずれが発生しておらず、補正不要と判定されたことと等価である。従って、補正係数演算ステップ05及び検出値補正ステップ07をスキップして、電流値演算ステップ08へ進み、補正されていない検出値磁束密度B1を用いて、被測定電流の値が演算される。但し、α0=αhの場合には、式において変動分Δhが0となるので、式において補正係数kは1となる。従って、位置ずれ判定ステップ04を設けることなく、常に補正係数演算ステップ05及び検出値補正ステップ07を実行しても構わない。しかし、上述したように、初期値α0と実測値αhとの差Δαが所定の判定しきい値以下であるときに、両者が一致すると判定することが好ましい。従って、位置ずれ判定ステップ04において補正不要と判定された場合であっても、初期値α0と実測値αhとの差Δαが0ではなく、式における変動分Δhが0とはならない場合がある。このため、図5に示すように、位置ずれ判定ステップ04を設けると好ましい。尚、位置ずれ判定ステップ04において補正不要と判定された場合に、補正係数kを1に設定する補正係数設定ステップ06Aを設けて、この補正係数設定ステップ06Aの後に検出値補正ステップ07を実行するようにしてもよい。また、位置ずれ判定ステップ04において補正不要と判定された場合に、検出値指標αの実測値αhを初期値α0に設定する検出値指標設定ステップ06Bを設けて、この検出値指標設定ステップ06Bの後に、補正係数演算ステップ05及び検出値補正ステップ07を実行するようにしてもよい。以上、棒状導体21を流れる被測定電流を検出する例を用いて、本発明の電流検出装置10を説明した。しかし、導体20は、このような棒状導体21に限定されるものではない。例えば、図11に示した回転電機60の駆動装置50などでは、大電流が導体20を流れる場合があり、その場合には断面積の大きい導体20を用いる必要がある。この際、設置効率や配線効率を考慮して、導体20としてのバスバーが図6に示すように断面形状が長方形の平板状に形成される場合がある。このような、板状導体22を流れる電流が形成する磁界は、棒状導体21を流れる電流が形成する磁界とは異なるものとなる。厳密には、ビオサバールの法則に基づき、板状導体22の断面積の微小面積を通る電流により発生する磁界を求め、センサ3の検出中心Pにおける当該磁界の磁束検出方向Cのベクトル成分を求め、それを全断面積に亘って積分する必要がある。しかし、これは非常に煩雑であるので、実用性を考慮して近似式を用いると好適である。尚、棒状導体21についての説明において引用したアンペールの法則は、ビオサバールの法則に基づく積分結果と等価である。従って、以下の実用性を考慮した近似式の説明においては、上述したアンペールの法則から導かれる磁界を用いて説明する。図4を参照して説明したように、棒状導体21を流れる電流iが棒状導体21から所定距離rの点Qに作る磁界の強さHは、H=i/2πr[A/m]=[N/Wb]である。そして、電流iが流れている導体20の周りを、電流iにより生じる磁界から受ける力に逆らって、磁気量が1[Wb]の磁極磁荷を1周りさせるのに要する仕事は、経路に関係なく、W[J]=1[Wb]×i[A]=1×H×2πr[WbA]となる。ここで、図7に示すように、電流iが流れている板状導体22の周りを、電流iにより生じる磁界から受ける力に逆らって、磁気量が1[Wb]の磁極磁荷を点Qから長方形上の経路を通って1周させるのに要する仕事Wを考える。この仕事Wは、図4に示す円周上の経路2πrを長方形上の経路2Y2Xに置き換えて、W[J]=1[Wb]×i[A]=1×H×2Y2X[WbA]となる。ここから、磁界の強さHを求めると、H=i/2Y2X[A/m]=[N/Wb]となる。棒状導体21と同様、図6に示すように、板状導体22とセンサ3との間が空気層の場合には、真空中の透磁率μ0=4π×10-7[wb2/Nm2]を用いて、磁束密度B[wb/m2]は、B=μ0i/2Y2X[wb/m2]となる。板状導体22の幅導体幅Yが、板状導体22の中心から点Qまでの距離Xの数倍以上ある場合には、このように近似することが可能である。尚、図6を参照して以下に説明するように、点Qはセンサ3の検出中心Pに対応し、板状導体22の中心から点Qまでの距離Xは基準検出距離h1に対応する。板状導体22に対しても図6に示すように、第1センサ部1を主センサ部として、第1センサ部1及び第2センサ部2が配置される。そして、電流検出装置10は、導体20に電流が流れることによって発生する磁界H磁束密度Bを主センサ部により検出し、その磁束密度Bに比例する電流を検出する。図2と同様に、一点鎖線の楕円は板状導体22を紙面表側から裏面側へ流れる電流により発生する磁束Φを示している。また、第1センサ部1の検出中心P1及び第2センサ部2の検出中心P2における中抜き矢印は、それぞれの検出中心Pにおける磁束密度BB1,B2を示している。基準検出距離h1は、棒状導体21と同様に主センサ部である第1センサ部1の検出中心P1と板状導体22の検出部位Tとの基準直線M上における理想的な距離である。また、基準直線M上におけるセンサ間距離t、第2センサ部2の検出中心P2と板状導体22の検出部位Tとの基準直線M上における距離h2も同様である。第1センサ部1主センサ部が検出する磁束密度B1、及び第2センサ部2が検出する磁束密度B2は、板状導体22の幅導体幅がYであるとき、それぞれ下記式及び式となる。尚、導体幅Yは、検出部位Tでの導体20の延在方向及び基準直線Mに対して直交する方向における導体20の幅である。式及び式により、検出値指標α、特に板状導体22と第1センサ部1との距離が基準検出距離h1であるときの検出値指標αの初期値理想値α0は下記式となる。ここで、板状導体22と第1センサ部1との距離が、基準検出距離h1に対して基準直線M上においてΔhだけ大きくなった場合、両センサ部における磁束密度B1及びB2は、それぞれ下記式及び式に示す磁束密度B1及びB2となり、検出値指標αは、下記式に示す実測値αhとなる。尚、棒状導体21と同様に、式~式は、変動分Δhに負の値を代入することにより、板状導体22と第1センサ部1との距離が縮まった場合にも適用可能である板状導体22と第1センサ部1との距離の変動分Δhは、式を変形することにより、下記式となる。板状導体22と第1センサ部1主センサ部との距離が基準検出距離h1に対して増減している場合、下記式に示すように、第1センサ部1主センサ部による実測値である磁束密度B1に対して補正係数kを乗じることによって、板状導体22と第1センサ部1との距離が基準検出距離h1であるときの磁束密度B1に補正することができる。上記式を変形することにより、補正係数kは下記式となる。尚、板状導体22と第1センサ部1との距離の変動分Δhは、上記式に示したように、基準検出距離h1、センサ間距離t、及び両センサ部の実測値を用いて演算される検出値指標αの実測値αhにより求められた値を用いる。以上説明したように、被測定電流が流れる対象導体が板状導体22であっても、好適な電流検出装置10を構成することが可能である。尚、図3を参照して説明した電流検出装置10の機能部については、棒状導体21と同様であるので説明を省略する。尚、マイクロコンピュータによる演算によって電流を検出する手順も、基本的に棒状導体21と同様であるが、図8のフローチャートを参照して相違点を中心に補足する。はじめに初期化ステップ11において、基準検出距離h1、センサ間距離t、検出値指標αの初期値α0に加えて、導体幅Yが、プログラムメモリやパラメータメモリなどから取得され、内部レジスタに格納される。そして、繰り返し実行される電流検出処理のはじめに、第1センサ部1の検出値磁束密度B1及び第2センサ部2の検出値磁束密度B2が取得される検出値取得ステップ12。次に、第1センサ部1及び第2センサ部2の検出値を用いて検出値指標αの実測値αhが演算され、内部レジスタに格納される検出値指標演算ステップ13。次に、初期化ステップ11で取得された検出値指標αの初期値α0と、検出値指標演算ステップ13で演算された検出値指標αの実測値αhとが一致するか否かが判定される位置ずれ判定ステップ14。位置ずれ判定ステップ14において、位置ずれが発生している補正要と判定されると補正係数kが演算される補正係数演算ステップ15。補正係数kは、式~式を示して上述したように、導体幅Y、基準検出距離h1、センサ間距離t、検出値指標αの実測値αhの関数fY,h1,t,αhである。補正係数kは、ステップ11~ステップ13において内部レジスタに格納済みのこれらの値を用いて導出される。補正係数kが導出されると、式に示したように、この補正係数kを用いて、主センサ部ここでは第1センサ部1の検出値磁束密度B1が補正される検出値補正ステップ17。そして、補正された検出値磁束密度B1を用いて、被測定電流の値が演算される電流値演算ステップ18。その他の実施形態1以上、棒状導体21と板状導体22とを例示して、本発明の電流検出装置10が簡易な構成で、精度良く、導体20に流れる電流を測定できることを説明した。上記説明を参酌すれば、導体20の断面形状が楕円形状など、他の形状となっても、主センサの検出中心Pにおける磁界の強さHや、磁束密度Bを立式することで本発明を適用可能である。従って、本発明は、上述した断面形状の導体20に限定されるものではなく、種々の断面形状を有する導体20に適用可能である。また、上記説明においては、板状導体22の磁束密度Bを近似式によって定義したが、近似することなく、積分等を用いて厳密に定義してもよい。2上記説明においては、補正係数kを計算式に基づいて求める例を示した。しかし、補正係数kは、計算式によって求める形態に限らず、検出値指標αの実測値αhと補正係数kとの関係を定義したマップ補正係数マップを参照して設定されてもよい。そのようなマップは、予め実験やシミュレーションによって用意されると好適である。特に、断面形状から導体20の周囲に生成される磁界Hを演算する式が複雑になるような導体20では、都度計算によって補正係数kを求めることが困難であったり、演算負荷が高くなったりする可能性がある。そのような導体20の場合には、予め用意された補正係数マップを参照することによって補正係数kが設定されると演算負荷を抑制できて好適である。3上記説明においては、第1センサ部1及び第2センサ部2が、1つの基板30のそれぞれ異なる面において、基板30の面に直交する方向視で互いに重複する位置に実装されている例を示した。しかし、第1センサ部1及び第2センサ部2は、磁束検出方向Cが互いに平行であって、両センサの検出中心PP1,P2と検出部位Tとが1つの基準直線M上にあり、互いの位置関係が固定された状態で配置されるのであれば、複数の基板に別れて実装されていてもよい。例えば、第1センサ部1及び第2センサ部2は、図9aに示すように導体20を挟んで向かい合う基板3031,32にそれぞれ実装されていてもよい。また、この場合においても、第1センサ部1と第2センサ部2とが導体20を挟んで対向してそれぞれの基板30に実装される形態に限定されるものではない。図9bに示すように、第1センサ部1及び第2センサ部2は、導体20を挟んで向かい合う基板3031,32に同方向に実装されてもよい。4また、第1センサ部1及び第2センサ部2が複数の基板31及び32に別れて実装される場合、図9に示したように、基板31と基板32とが導体20を挟んで配置される形態に限定されるものではない。例えば、図10に示すように、導体20に対して同じ側において、別個の基板33及び34が備えられ、それぞれ一方に第1センサ部1が実装され、他方に第2センサ部2が実装されていてもよい。図10では、基板33及び基板34が背中合わせに、つまり、センサ3の実装されていない面同士を対向させて配置される例を示しているが、勿論他の配置でもよい。例えば、基板33及び基板34は、センサ3の実装されている面同士を対向させて配置されても良いし、センサ3の実装されていない面とセンサ3の実装されている面とを対向させて、つまり、同一方向を向いて配置されてもよい。また、基板33及び基板34が背中合わせに配置される場合には、図10に示す例では両基板の間に隙間を設けているが、この形態に限らず、センサ3の実装されていない面同士を密着させて配置されてもよい。5上記説明においては、第1センサ部1の検出値と第2センサ部2の検出値との比である検出値指標αが、B2/B1により定義される場合を例示した。しかし、検出値指標αは、第1センサ部1の検出値と第2センサ部2の検出値との比であればよいので、B1/B2としてもよい。当然ながら、この場合には、補正係数k等の式も上述した例とは異なることになるが、当業者であれば上記説明より容易に導出可能であるから詳細な説明は省略する。以上説明したように、本発明によれば、簡易な構成で、精度良く、電流路を周回する集磁コアを用いることなく導体に流れる電流を測定することが可能となる。"