フォトマスクのパターン形成面に一次電子をCD-SEMの電子線源から照射し、前記一次電子を照射したときに前記パターン形成面から放出される二次電子を前記CD-SEMの検出器により検出してSEM画像を取得し、取得したSEM画像を画像処理して前記フォトマスクのパターン寸法を計測するパターン寸法計測方法であって、前記フォトマスクのパターンと共に前記パターン形成面に形成された補正用パターンを前記SEM画像から抽出し、抽出された補正用パターンから前記一次電子の偏向量を算出し、該偏向量を補正量として前記パターン寸法の計測値を補正することを特徴とするパターン寸法計測方法。前記CD-SEMの電子線源から前記パターン形成面に垂直な角度である一次電子線の入射軸に対して対称性が異なり、かつ重心位置が異なるように前記補正用パターンを前記パターン形成面の複数箇所に形成して前記パターン寸法を計測することを特徴とする請求項1に記載のパターン寸法計測方法。前記パターン形成面の複数箇所に形成された補正用パターンの位置座標を前記SEM画像から求めて前記パターン寸法の計測値を補正することを特徴とする請求項2に記載のパターン寸法計測方法。前記一次電子の偏向量を前記フォトマスクのパターン設計データを基に算出することを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載のパターン寸法計測方法。前記一次電子の照射条件が異なる複数のSEM画像を取得して前記パターン寸法の計測値を補正することを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載のパターン寸法計測方法。前記CD-SEMから前記パターン形成面に照射される一次電子の走査速度、走査面積および走査順序を異ならせて前記複数のSEM画像を取得することを特徴とする請求項5に記載のパターン寸法計測方法。前記複数のSEM画像からホワイトバンド両側の輝度プロファイルを抽出し、抽出された輝度プロファイルにドリフト補正処理を施して前記パターン寸法の計測値を補正することを特徴とする請求項5または6に記載のパターン寸法計測方法。前記複数のSEM画像から抽出されたホワイトバンド両側の輝度プロファイルを関数で近似し、前記一次電子が偏向していない輝度プロファイルをデコンボリューション処理により算出して前記ドリフト補正処理を行うことを特徴とする請求項7に記載のパターン寸法計測方法。前記輝度プロファイルを近似する関数としてガウス関数とローレンツ関数の混合関数を用いて前記一次電子が偏向していない輝度プロファイルを算出することを特徴とする請求項8に記載のパターン寸法計測方法。前記一次電子の偏向量は取得する画像の中の位置によって調整されることを特徴とする請求項1~9のいずれか一項に記載のパターン寸法計測方法。請求項1~10のいずれか一項に記載された方法を用いてフォトマスクのパターン寸法を計測することを特徴とするパターン寸法計測装置。本発明はかかる背景技術に鑑みてなされたもので、フォトマスクのパターン形成面が帯電している場合でもパターン形成面のパターン寸法を高精度に計測することのできるパターン寸法計測方法およびパターン寸法計測装置を提供することを課題とする。上記課題を解決するために、本発明の第1の態様は、フォトマスクのパターン形成面に一次電子をCD-SEMの電子線源から照射し、前記一次電子を照射したときに前記パターン形成面から放出される二次電子を前記CD-SEMの検出器により検出してSEM画像を取得し、取得したSEM画像を画像処理して前記フォトマスクのパターン寸法を計測するパターン寸法計測方法であって、前記フォトマスクのパターンと共に前記パターン形成面に形成された補正用パターンを前記SEM画像から抽出し、抽出された補正用パターンから前記一次電子の偏向量を算出し、該偏向量を補正量として前記パターン寸法の計測値を補正することを特徴とする。本発明の第2の態様は、前記CD-SEMの電子線源から前記パターン形成面に垂直な角度である一次電子線の入射軸に対して対称性が異なり、かつ重心位置が異なるように前記補正用パターンを前記パターン形成面の複数箇所に形成して前記パターン寸法を計測することを特徴とする。本発明の第3の態様は、前記パターン形成面の複数箇所に形成された補正用パターンの位置座標を前記SEM画像から求めて前記パターン寸法の計測値を補正することを特徴とする。本発明の第4の態様は、前記一次電子の偏向量を前記フォトマスクのパターン設計データを基に算出することを特徴とする。本発明の第5の態様は、前記一次電子の照射条件が異なる複数のSEM画像を取得して前記パターン寸法の計測値を補正することを特徴とする。本発明の第6の態様は、前記CD-SEMから前記パターン形成面に照射される一次電子の走査速度、走査面積および走査順序を異ならせて前記複数のSEM画像を取得することを特徴とする。本発明の第7の態様は、前記複数のSEM画像からホワイトバンド両側の輝度プロファイルを抽出し、抽出された輝度プロファイルにドリフト補正処理を施して前記パターン寸法の計測値を補正することを特徴とする。本発明の第8の態様は、前記複数のSEM画像から抽出されたホワイトバンド両側の輝度プロファイルを関数で近似し、前記一次電子が偏向していない輝度プロファイルをデコンボリューション処理により算出して前記ドリフト補正処理を行うことを特徴とする。本発明の第9の態様は、前記輝度プロファイルを近似する関数としてガウス関数とローレンツ関数の混合関数を用いて前記一次電子が偏向していない輝度プロファイルを算出することを特徴とする。本発明の第10の態様は、前記一次電子の偏向量は取得する画像の中の位置によって調整されることを特徴とする。本発明の第11の態様によるパターン寸法計測装置は、第1~第10の態様のいずれかの方法を用いてフォトマスクのパターン寸法を計測することを特徴とする。本発明によれば、フォトマスクのパターン形成面が帯電している場合やCD-SEMからの電子線照射によって帯電状態が変化した場合でもフォトマスクのパターン寸法を高精度に計測することができる。以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図1は本発明に係るパターン寸法計測方法を説明するための図、図2はフォトマスクのパターン形成面に形成される補正用パターンの一例を示す図、図3はフォトマスクのパターン形成面に形成される補正用パターンの他の例を示す図である。フォトマスクのパターン寸法をSEM画像から計測する場合、本発明の一実施形態では、図1に示されるように、まず、パターン設計データに基づいてフォトマスクのパターン形成面に形成された補正パラメータ算出用パターンの計測位置を指定するステップS1。そして、ステップS1で指定した計測位置のパターン形状と別途指定されるパターン構成材料とから最適な計測条件をデータベースから検索し、これを最適計測条件としてCD-SEMを制御する装置に転送するステップS2。このとき、CD-SEMを制御する装置では、ステップS1で指定した計測位置を含むSEM画像をCD-SEMから複数取得するステップS3。このSEM画像は直交するXY方向の画素数分を1回走査して得られるものであっても良いし、複数回走査した結果を積算することによって得られるものであっても良い。一般的には、帯電の影響を少なくするには、SEMの一次電子の電流値を小さくし、高速に走査することが好ましい場合が多く、ノイズが少ない良好な画像を得るためには複数回走査した結果を積算することによって得られるものであることが好ましい。補正パラメータ算出用パターンは、例えば、図2あるいは図3に示されるように、CD-SEMの電子線源からフォトマスクのパターン形成面に垂直な角度で入射する一次電子線に対する対称性や重心位置が異なる複数の補正用パターンから構成される。このような複数のパターンの計測結果は、パターン寸法の計測を開始する前に既に存在する帯電分布により、一次電子の偏向量を算出する工程に使用される。図5は、CD-SEMからの一次電子ビームが偏向してフォトマスクのパターン形成面に照射される場合を模式的に示す図である。図5に示されるように、フォトマスク基板51の上に形成されたパターン形成物質52に電子が過剰にある場合、CD-SEMからの一次電子53はパターン上の負電荷によって形成される電界によってパターンから離れる方向に偏向される。このとき、一次電子53が偏向する向きと大きさは一次電子のエネルギー、パターン部分の電位分布、パターンの形状と大きさなどに依存する。パターン寸法を計測する前のパターン部分の電位は、フォトマスク基板51とパターン形成物質52の物理的および化学的な性質の違いによって計測前の工程などにおいて発生する。補正パラメータ算出用パターンについて、あらかじめ電位を設定し、例えば特許文献3に開示されているように、空間の電位分布をポアソン方程式を離散的に数値計算により解き、電界中の電子の飛跡を計算することができる。パターンの対称性は電子線源を通りフォトマスクのパターン形成面に垂直な軸に対して低く、パターンの重心位置は上記一次電子線の入射位置から離れているほど一次電子の偏向量は大きくなる。各補正パラメータ算出用パターンについて、各種電位を設定して計算した結果をテーブルとしてデータベースに保持し、パラメータ算出用パターンの偏向量の計測結果と比較することにより、後の工程で一次電子の偏向量による計測誤差を補正する際の電位に関するパラメータを得ることができる。補正パラメータ算出用パターンの計測時に、複数回の走査を積算すると、計測時に照射した電子による帯電状態の変化の影響によりSEM画像内でのパターンの位置にずれを生じる場合がある。このような計測途中のドリフトはパターンの対称性が電子線源を通りフォトマスクのパターン形成面に垂直な軸に対して低く、重心位置が上記一次電子線の入射位置から離れているほど大きい傾向がある。したがって、計測時に照射した電子による帯電状態の変化によるドリフトの影響は、電子線源を通りフォトマスクのパターン形成面に垂直な軸に対して対称性の高いパターンと対称性の低いパターンでの輝度プロファイルを比較することによって判別することができる。まず、対称性の高いパターンで帯電の影響がほとんど無視できる状態でのパターン端部の輝度プロファイルを得る。輝度プロファイルはパターン端部の両側で材料の違いによって輝度値が異なるため、ピークに対して非対称な形状となるのが一般的である。このような形状に対して数学的な関数で最小二乗法によりフィッティングすることが可能である。フィッティングに好適な関数は、被計測物の材料やパターン端部の形状によって異なるが、ガウス関数とローレンツ関数の混合関数をホワイトバンドのピークの両側で個別に設定することによって、種々の条件に対して精度良くフィッティングを行うことができる。フィッティングに好適な関数としては、具体的には、下式1で表される関数fxを用いることができる。ここで、xは計測する線分方向の位置座標、Mはガウス関数とローレンツ関数の混合割合を表す0から1の値をとるパラメータ、hはホワイトバンドのピーク値、x0はホワイトバンドのピーク位置、βはホワイトバンドの幅をあらわすパラメータで、ホワイトバンドの半値半幅に近い値をとる。まず、対称性の高いパターンにて、上記関数fxでフィッティングを行い、帯電によるドリフトの影響が小さい状態でのフィッティングパラメータの値を得る。次に、対象性の低いパターンで計測した輝度プロファイルを、フィッティングパラメータの値を用いた関数に対してドリフト量を仮定したコンボリューション処理によって得ることができる。こうして対称性の低いパターンに対して実際に計測した輝度プロファイルを最も良く再現するドリフト量の算出を数値計算による最適化処理によって行うことができる。また、既に公知となっているデコンボリューションの手法によってドリフト量を抽出してもよい。このような工程によってドリフト量の抽出を対称性および重心位置の異なる複数のパターンについて取得することによって、計測前の帯電による一次電子の偏向、ならびに計測途中の帯電状態の変動による一次電子の偏向の2種類のドリフト成分を抽出することができるステップS4。また、前記工程を被計測物の複数の位置について実施し、設計データと比較することによりCD-SEMの基板保持機構の位置座標と被計測パターンの位置関係、すなわち、XY方向の位置座標成分と回転方向の成分を抽出することができる。上記位置関係データを用いることによって、被計測物の所望の位置をSEMの観察領域に高精度に移動させることができる。また、このようにして算出した計測位置に電子ビームを照射したときの2種類のドリフト成分を設計データから算出することができ、このドリフト分を補償した位置に電子ビームを走査してSEM画像を取得し、設計データとのパターンマッチングを行うようにすることで、帯電によるドリフトでパターンマッチングが取れなくなる問題が起こる確率を下げることができる。上記ドリフト成分の算出に使用する設計データの面積は広いほど精度が向上する。例えば、数ミクロン程度の距離範囲では十分な補正ができない。また、数ミリメートル以上の距離範囲にわたって計算すると、処理に時間がかかる上に、計算量を増やした分の精度向上が見込めない。したがって、算出に使用するパターンデータの範囲は計測位置からおおよそ100ミクロンμmないし3mm以内の領域とするのが好ましい。このようにしてパターンマッチングを行った結果得られた被計測パターンの座標と、前記複数のパラメータ抽出パターンの計測によって補正し、かつ、パターン設計データからドリフトの影響を補正して得られる座標を比較することによって、帯電による補正が適正であるかどうかが判断されるステップS6。ステップS6での比較結果が、あらかじめ設定された範囲内にあることが確認できれば、輝度プロファイルを算出し、ホワイトバンドの間隔からパターン寸法を計測することができる。ホワイトバンドの間隔はピーク値に対する閾値であっても良いし、微分処理後にピークを求めて最大傾斜点で定義しても良い。また、前記近似関数を使用する方法であってもよい。ホワイトバンドの間隔からパターン寸法を計測する場合、両方のホワイトバンドのドリフト量を周辺のパターンレイアウトから算出して補正することによって、一次電子の帯電による偏向でSEM画像に歪みを生じた分、すなわちSEM画像内の部分的な倍率変動を補正するステップS7。こうして、帯電の影響が高精度に補正されたパターン寸法が出力されるステップS8。ステップS6での比較結果が、あらかじめ設定された範囲外にあることが確認された場合、想定された帯電のモデルと異なった現象が起こっていることになり、計測値の信頼性が低いことが発見される。このような計測点は異常値として判別できるように出力することによって、誤計測を防止することにもなるステップS9。本発明の実施の形態について実施例を用いてさらに説明する。石英ガラス基板上に厚さ60nmのモリブデンシリサイドを主成分とする膜が形成されたフォトマスクブランクを用意した。上記モリブデンシリサイド膜の上にレジストを塗布し、電子線露光装置を用いて露光し、ベーキング後に現像処理をおこなってレジストパターンを形成した。ドライエッチングによってモリブデンシリサイド膜をエッチング加工した後、表面に残ったレジストを除去し、フォトマスクを得た。フォトマスクの転写に用いられる領域外の周辺部に設けた補正パラメータ算出用パターンの計測を行った。その結果、CD-SEMからフォトマスクのパターン形成面に垂直な角度で入射する一次電子線に対して対称性の高いパターンと非対称なパターンでの計測前の帯電による一次電子のドリフト量の成分が150nmあることがわかった。対称性の高いパターンでは計測中のドリフトは認められず、SEM画像から良好な輝度プロファイルが得られた。パターン端部のホワイトバンドの両側を式1で表されるガウス関数とローレンツ関数の混合関数を用いて最小二乗法によるフィッティングを行い、ホワイトバンドの形状をあらわすパラメータを抽出した。その結果、図6に示すように、輝度プロファイルをA、B、Cの領域に分割し、それぞれの領域についてガウス関数とローレンツ関数の混合関数で最適なパラメータを算出して、それぞれ関数1、関数2、関数3とした合成関数で元のSEM画像輝度プロファイルを十分な精度で再現した。次に、上記パラメータ抽出用パターンの計測を基板面内の複数箇所について実施し、前記関数のフィッティングにより帯電状態が基板面内で均一とみなしても良いことを確認した。また、複数の走査条件でSEM画像を取得し、計測途中の画像ドリフトの影響が最小となる条件を選択した結果、計測途中の画像ドリフトは無視できることを確認した。次に、計測位置の周囲について、X方向に±500ミクロン、Y方向に500ミクロンの領域について、パターン設計データから非対称な帯電分布となる成分を抽出した。抽出した帯電分布をもとに、一次電子の飛跡を計算し、帯電による一次電子の偏向量を算出した。その結果、対称性の高い位置では縦横2.8ミクロンの走査範囲でドリフトによる歪みは無視できるのに対して、非対称な位置ではSEM画像内の1ミクロンの幅について、ドリフト量に0.4nmの差があることがわかった。この補正値をもとに、SEM画像から計測したパターン寸法を適正に補正し、高精度の計測が可能となった。