"入射光に応答して、光の入射位置に比例する信号が内部で発生する連続的な活性層を備えた位置敏感型光検出器であって、活性層は、該活性層での長手方向の勾配を決定する構成に従って分布した第1有機半導体1および第2有機半導体2を有し、前記活性層での長手方向の勾配は、第1有機半導体1と第2有機半導体2との間の相対的な濃度勾配、構造勾配またはその組合せのいずれかから選択され、第1有機半導体1および第2有機半導体2は、2つの電極10および15の間に配列されており、入射光が活性層に入射するときに、該光が入射する長手方向の位置を検出するために、活性層を横断する方向での該活性層の応答を測定することを特徴とする位置敏感型光検出器。構造勾配は、活性層の厚さ勾配であることを特徴とする、請求項1に記載の位置敏感型光検出器。活性層の厚さ勾配は、電子供与体として機能すると共に徐々に厚さが変化する、第1有機半導体1の第1層3と、電子受容体として機能すると共に、反対方向で第1層の厚さに相補的に徐々に厚さが変化する、第2有機半導体2の第2層4とを有することを特徴とする、請求項2に記載の位置敏感型光検出器。徐々に厚さが変化する、それぞれ第1半導体1および第2半導体2の第1層3および第2層4は、相補的なくさび形状を示すことを特徴とする、請求項3に記載の位置敏感型光検出器。活性層の相対的な濃度勾配は、有機材料からなり、かつ、一方は電子供与体として機能し、他方は電子受容体として機能し、それらの濃度は、活性層の長手方向に沿って徐々に変化するように分布した第1半導体1と第2半導体2の組合せを有することを特徴とする、請求項1に記載の位置敏感型光検出器。構造勾配は、活性層の長手方向の位置の関数としての有機半導体の結晶化度により決定されたことを特徴とする、請求項1に記載の位置敏感型光検出器。電極を有する活性層は、リジッド基板またはフレキシブル基板から選択された基板11の上に配列され、フレキシブル基板の場合にはタッチセンシティブセンサを構成することを特徴とする、請求項1に記載の位置敏感型光検出器。電極は、半透明基板の上に堆積したインジウム-亜鉛金属酸化物の透明アノードと、アルミニウムカソード15とを有し、これらの間に活性層が挟持されたことを特徴とする、請求項1に記載の位置敏感型光検出器。活性層は、厚さが100nmであることを特徴とする、請求項1に記載の位置敏感型光検出器。有機材料の熱蒸着を通じて半導体の第1層3および第2層4のくさび形状を取得し、その蒸着プロセスにおいて、徐々に移動可能なスクリーン9を介在させてくさび形状を成形することを特徴とする、請求項4に記載の位置敏感型光検出器を取得する方法。溶解による堆積プロセスにより、徐々に変化する構造を有する活性層を取得し、光検出器の端部間で、制御された横方向勾配に従って温度を調整して行われる加熱処理、溶媒蒸気によって後続の堆積層の処理時間が徐々に変化するような処理によって活性層の堆積を調整すること、またはその組合せ、から選択される裏面処理を施すことを特徴とする、請求項1に記載の位置敏感型光検出器を取得する方法。活性層を横断する方向での該活性層の応答を測定することは、光強度が既知でかつ経時的に一定である場合には電極を通じて抽出された電流を測定することによって、または、2つの波長λ1,λ2に対応する光電流を別々に測定し、活性層に対して交互に印加される2つの波長の電流の商を規定することによって測定することを伴うことを特徴とする、請求項1に記載の位置敏感型光検出器を取得する方法。電圧の大きさと長手方向の電流は、光の位置の連続的な検出を容易にする、光検出器全体にわたる平面上で照射される面積に依存する。有限の伝導手段によって長手方向の伝導が行われることを考えると、大規模な変位の検出においてこの種のセンサには問題がある。つまり、それを横断するときに電流が分散し、検出器の最大長さは、プロセスを通じての電荷損失と光検出器の感度とに制限される。標準的な用途では10cm未満の大きさの光検出器が生産されており、制御が必要な用途や広範囲での変位測定ではこの制限を克服する必要があるが、現在のところ達成されていない。この種のセンサは、シリコンの活性層を基礎とする半導体を使用して製造され、近赤外領域において最大検出を有する広いスペクトル応答を付与する。活性層のために使用される製造手段は、層堆積における高度な制御と層の単位面積当たりに相当のエネルギー消費とを必要とするという事実に起因して、この種の技術は大規模な測定において比較的高価である。また、過去数年間にわたって、溶解によって処理できる半導体が開発され、大きい関心を引き起こしてきた。大規模スケールの製造に適合することを考えると、関連する堆積技術は比較的単純で、これにより製造コストは低く維持される。このケースでは、ナノチューブまたはフラーレンのようなsp2型の混成炭素から得られ、半導体の分子および共役ポリマーまたはナノ構造を用いる有機半導体、および、無機コロイド状ナノ結晶が使用される。種々の研究は、活性層が、小さい分子をベースとする場合と、溶解により堆積したポリマーをベースとする場合の両方で、従来の光検出器としての有機半導体の大きな将来性を開示してきた。有機半導体は、処理するのが容易なだけではなく、プラスチック材料の有利な特性の多くの態様を共有する。例えば、低コスト、可撓性および軽さである。このような材料をベースとしたデバイスは、高効率、広いダイナミックレンジおよび長い平均寿命を含む、実用化に必要とされる仕様のすべてを満たす。実際、近年、横効果を有する従来の構造と、抵抗層が有機材料でなく複数の電気コンタクトの1つである類似の形状で、有機材料をベースとする位置光検出器が開示されている。現在の結果は有望であるが、単に無機半導体を有機半導体に置き換えただけでは、既存のデバイスに見られる上記の制限は解決されない。目的を達成し、前記欠点を解消するために、本発明では、新規な位置敏感型光検出器を開発した。それは、先行技術と同様に、入射光が入射する位置に比例する信号が前記入射光に応答して内部で発生するような連続的な活性層を備える。本発明の新規な点の主要なものの1つは、活性層内で長手方向の勾配を決定する構成に従って分布した第1および第2有機半導体を活性層が有するという事実に特徴を有することである。長手方向の勾配は、第1有機半導体と第2有機半導体との間の相対的な濃度勾配、構造勾配またはその組み合わせのいずれかである。第1および第2有機半導体は、入射光が入射するときに、この入射光が入射する長手方向の位置を検出するために、2つの電極の間に配置されて活性層の応答を横方向で測定する。この構成は、低い製造コストを有する点に加えて、処理が容易であるという点、可撓性を有する点、軽い点、高効率である点、広いダイナミックレンジと長い平均寿命を有する点で非常に有利であり、また、その動作範囲を増加させる。本発明の一実施形態では、構造勾配は活性層内での厚さ勾配である。つまり、第1および第2有機半導体層の活性層の厚さは、本発明の好ましい実施形態でのような勾配に応じて変化する。活性層の当該厚さ勾配は、電子供与体として機能すると共に徐々に厚さが変化する第1有機半導体の第1層と、電子受容体として機能すると共に第1層の厚さを補うように反対方向で徐々に厚さが変化する第2有機半導体の第2層とを有する。この意味では、活性層の厚さ勾配の主要な構成は、徐々に厚さが変化する第1および第2層はそれぞれ相補的なくさび形状を示すという事実によって決定される。換言すると、第1有機層の厚さが減少する場合、第2層の厚さはくさび状に増加する。本発明の一実施形態では、活性層の相対的な濃度勾配は、電子供与体および電子受容体であってそれらの濃度が活性層の長手方向に沿って徐々に変化するように分布した、有機材料からなる第1および第2半導体の組合せを有する。それは、構造勾配が、活性層の長手方向の位置の関数としての、2つの有機半導体の結晶化度によって決定される場合に生じる。つまり、第1および第2半導体の結晶化度は、活性層の長手方向に沿って徐々に変化する。活性層は、例えばインジウム-亜鉛金属酸化物からなる半透明アノードとアルミニウムカソードとを含む2つの電極の間に挟持される。上記の説明によれば、活性層の表面上での光の位置を検出するのに必要とされる主要な概念は、2つの有機半導体層の濃度および/またはそれらの構造が徐々に変化することであり、これにより、本発明の目的である光検出器の応答を測定するのに使用可能な2つの運転方法が容易になる。電極を通じて抽出される電流と2つの波長での相対的な測定を基礎とする電流との平均値であり、これにより、光検出器に入射する2つの入射波長に対応する光電流は、活性層に対して交互に印加される2つの波長の電流の商を規定する前に別々に測定される。第1の方法は、生成される電流が、表面上のこの点で吸収される光に、各材料について規定された厚さ制限内で比例的に依存することを必要とする。より大きい半導体濃度または結晶性または厚さを有する検出器上の点は、より小さい濃度または結晶化度を有する別の点よりも多くの光を吸収する。それゆえ、相対的な濃度勾配を設けることにより、吸収される光量は入射する光線の位置に応じて可変となる。これは、電流の依存性の生成につながり、それもまた、入射光が入射する位置に応じて変化する。この方法は明らかに、光強度が既知でかつそれが経時的に一定である実際的な用途において光源が使用される場合にのみ使用可能である。既に示したように、光検出器の応答を測定する第2の方法では、2つの波長を有する光源が用いられ、入射光線の強度に依存しないように電気信号を正規化することを可能にする。この運転方法は、入射光の波長に応じたそれぞれ異なる特徴的な光電子的応答を各材料が有するという前提に基づいている。つまり、1つの材料が他方を吸収する場合、それは、より透明であって逆もまた同様である。このように、複数の材料の1つを多く含む活性層の一部は、光スペクトルの特定の部分特定の色に対して、その他の部分に対してよりも感度が高い。それゆえ、2つの有機半導体の勾配を含有する活性層の全光電子の応答は、層の表面上に入射する入射光の位置と、この点でのこれら2つの有機半導体の相対的な濃度とに応じて変化する。混合物の最大吸収波長が結晶化度に依存することを考えると、この論理は構造勾配に対しても有効である。それゆえ、2つの波長で別々に測定される光電流の間の商は、入射光が入射する位置に応じて変化する。したがって、本発明の目的であるセンサは、2つの波長での電流の商の変化を通じて、活性層に入射する光の変化の検出を可能にする。活性層中の各位置は商の値に対応するので、デバイスは、活性層上での光の位置を正確に定めることができる。それは2つの波長の間の商を測定するので、この運転方法は、入射光の強度における無彩色の変動に依存しない。本発明の目的であるセンサは、光検出器の応答を測定する2つの方法と一緒に、活性層の表面での光の位置を継続的に検出することを可能にし、さらに、空間解像度は、部分的に勾配の大きさによって付与され、また部分的に活性層で照明される点の大きさによって付与される。照明される点が小さい場合、わずか数百ミクロン以下の解像度を可能にする勾配を製造できる。さらに、デバイスの構造は、それが活性層の横方向に延びる2つのコンタクトのみを必要とすることを考えると、製造と動作の両方の観点で非常に単純である。コンタクト間の構造は、活性層の長さに沿って一定であり、活性層の厚さによって付与される。当該厚さは、好ましい実施形態では100nmである。それゆえ、表面積の大きい活性層の使用は、従来技術の光検出器と異なり限定的な損失を生じず、電流はミリメートルの距離で伝送される。これにより、大きい光検出器を製造可能となる。有機半導体の使用はまた、フレキシブル基板またはリジッド基板の両方で、活性層のフレキシブル基板を使用する場合には光検出器をタッチセンシティブセンサとして使用できるように本発明を使用することも可能にし、また、広いスペクトル範囲、いわゆる紫外線、可視光線および近赤外線で高い光感度を有するデバイスを取得することも可能にする。さらに、本発明は、目的である位置敏感型光検出器を取得する方法にも関し、半導体の第1および第2層におけるくさび形状を有機材料の熱蒸着によって取得し、蒸着中に徐々に移動可能なスクリーンを介在させ、くさび形状を形成する。活性層が徐々に変化する構造を示す場合、溶解による堆積プロセスによってそれを取得すところ、光検出器の2つの端部の間で、制御された横方向勾配に従って温度を調整して行われる、裏面加熱処理を施す。裏面処理はまた、抽出された層の後続の処理時間が下記のようにして徐々に変化するような処理によって、溶媒蒸気への活性層の露出を調整することを伴うことを可能にする。つまり、最も露出された領域は露出が小さい領域よりも大きい応答を提供するようにして、である。本発明は、前記処理の組合せを伴う、即ち、温度と溶媒蒸気への露出の両方を調整する、裏面処理の可能性を考慮している。この明細書の説明の理解を容易にするために、またその不可欠な部分として、本発明の目的の非制限的な例を示す一連の図が以下に記載されている。以下は、上記の図に基づいた本発明の説明である。図1は、本発明の目的である光検出器のより良い理解を支援するために既に動作プロセスが説明された、従来の光検出器を示す。図2は、本発明の目的である光検出器の一実施形態の第1の例を示す。活性層は、厚さ勾配からなる構造勾配を有し、徐々に変化する厚さを有するくさび形状の第1層3に従って堆積した第1有機半導体1で順々に構成される。さらに、活性層は、下記のようにして、図2のように反対方向で第1層の厚さに相補的に徐々に厚さが変化する第2層4に従って堆積した第2有機半導体2を有する。つまり、両方の層が2つの電極、即ち対応するアノードおよび半透明基板11とカソード15との間に、ガラス支持部11上にアノード10が位置するように挟持された状態を維持するようにして、である。アノード10は、ガラス11からなる透明基板の上に堆積したインジウム-亜鉛金属酸化物の約100nmの薄層からなる市販の透明アノードである。本発明の実施形態では、カソード15はアルミニウム製であることに注目する必要がある。図2を用いて説明する光検出器を取得するために、以下で図3と4を用いて説明する方法を採用する。それゆえ、このセンサは、説明するように、アノードを構成する薄層および透明基板10が上に配置される支持部11を含む熱蒸着装置5を用いて製造される。熱蒸着装置5は、第1有機半導体1が包含される蒸着釜6を有し、当該釜はタングステンフィラメント7の上に配置され、加熱されて第1有機半導体の蒸着を引き起こし、アノード10を覆うスクリーン9が介在する蒸着コーン8を形成する。スクリーン9は電動であり、これにより、スクリーン9は、エンジン図示せずに駆動されるピニオン13が嵌合したラック12を含む。それゆえ、図4と5に示すように、まず、スクリーン9が特定の点で前進し始めるときにアノード10の端部が蒸着コーン8の内側に位置するようにして、スクリーン9はアノード10を覆う。その結果、エンジンに駆動されたスクリーン9が移動を続けながら、第1有機半導体1がアノード10の上に堆積し始める。スクリーン9の移動は、第1有機半導体1の堆積により形成される第1層3の厚さを検出するセンサ14によって開始される。上記の説明に基づいて、下記のようにして第1層がくさび形状に落ち着くことは容易に理解できる。つまり、続けて前記層1は蒸着釜6内で裏返されて第2有機半導体2が堆積し、同じ方向に移動する電動式スクリーン9によって第2層4が堆積し、この層4は第2有機半導体2によって構成されるようにして、である。これにより、アノードの方向に沿って略一定の全厚さを有する1つの単一層が得られる。最後に、約100nmの厚さ、約0.3の幅に対して約1cmの長さを有するアルミニウムカソード15が、第2層4の上に堆積する。図1の細部に示すように、第1層3と第2層4の傾斜面は、当該細部に示した寸法に従うエンジンの置き換えによって作成される小さいステップを用いて形成され、この例では2nmから4nmの高さに対して110μmの長さである。図6は、別の可能な実施形態を示す。活性層は、第1半導体1と第2半導体2との間の結晶性勾配によって形成され、この2つは結合している。このケースでは、電極は上記と同様の方法で堆積し、半透明基板10を有するアノードとカソード15とが得られる。このケースでは、第1半導体1と第2半導体2は、インク注入、スピンコーティング、ディップコーティング、ドクターブレード法などの方法を使用した溶解によって堆積する。これらの方法は、従来技術で知られており、詳細には説明しない。例示的な実施形態では、第1有機半導体1と第2有機半導体2は、半導体ポリマーとフラーレンの組合せまたは2つの半導体ポリマーの組合せでもよい。得られる混合層は、溶解による堆積に従って行われる処理に大きく依存する。したがって、例えば、後続の処理は、層を加熱および溶媒蒸気に露出させて、処理の温度と時間に依存する層の結晶化度を誘導することを含み、その結果、横方向の結晶性勾配が得られ、吸収される光量が入射光線の位置に従って変化することを可能にし、入射光が光検出器に入射する位置に応じた電流の生成を伴う。光の位置に応じた電気的応答を生成するために、不均一な処理が光検出器に沿って施される。例えば、光検出器を、その製造中に、光検出器の両端の間で制御された横方向の温度勾配に露出させることである。したがって、例えば、光検出器は下記のようにして一端で低温源にさらされ、他端で熱源にさらされる。つまり、参照番号16で表された最高温度に露出される領域が活性層にて高い結晶化度を有し、参照番号17で表された低温にさらされた領域が活性層にて低い結晶化度を有するようにして、である。図6に示す構成を取得する別の方法は、最も露出された領域で、露出が少ない領域よりも大きい応答が生み出されるようにして、溶媒蒸気への露出時間を変化させることを伴う。説明した構成のいずれかで、2つの異なる運転方法、即ち一方は抽出された電流の関数とし、他方は図7に示すような2つの波長に関する測定を基礎とする運転方法を使用して、活性層の表面上で光の位置を検出できる。抽出された電流の関数である方法では、生成される電流は、各半導体材料について規定される厚さ制限の範囲内で、表面のこの点で吸収される光に比例的に依存する。高い半導体濃度または高い結晶性を有する検出器上の点は、低い濃度または結晶化度を有するその他の点よりも多くの光を吸収する。それゆえ、濃度勾配または横方向結晶性が設けられるため、吸収される光量は入射光が入射する位置に応じて変化し、入射光が入射する位置に依存する電流の生成を伴う場合がある。明らかに、実際上の用途において用いられる光源が既知の光強度を有しかつ経時的に一定である場合にのみ、この運転方法を使用できる。これは、図2~5を用いて説明される可変厚さ勾配を有するセンサにも適用可能である。第2の運転方法は、2つの波長λ1とλ2を有する光源19を使用し、これは電気信号が正規化されることを可能にし、これにより、それを入射光線に無関係とする。この運転方法は、互いに異なる入射光の波長の関数としての特徴的な光電子的応答を各材料が有するという前提を基礎とし、つまり一つの材料が他の材料を吸収する場合、それはより透明であって逆も同様である。このように、材料の1つが高濃度である活性層の一部は、光スペクトルの特定の部分に対して、その他の部分よりも感度が大きく、それゆえ、2つの有機半導体の勾配を含有する活性層の光電子的応答は、入射光が層の表面に入射する位置と、2つの有機半導体のこの点での相対的な濃度とに応じて変化する。したがって、2つの波長で別々に測定される光電流の間の商は、入射光が入射する位置に応じて変化する。それゆえ、デバイスは、2つの波長での光電流の商の変化を通じての活性層への光の入射の変化を検出することを可能にする。活性層での各位置は電流の値に対応するので、デバイスは活性層上での光の正確な位置を決定することを可能にする。2つの波長の間の商を測定することにより、この運転方法は、入射光強度の変動とは無関係となる。図7は、物体20の位置を測定する、例示的な実施形態を示す。光源19が波長λ1および代わりのλ2で照射する場合、光は活性層1と2に反射される。活性層1と2では、入射光は物体20の位置を提供する。これが、波長λ1とλ2に対応する光電流が処理装置18によって別々に測定される理由である。この同じ回路はまた、2つの値の間の商を以下のようにして規定する。つまり、活性層の表面上で照射される各点が前記商上の値に対応し、これにより物体20の位置が検出されるようにして、である。従来から使用される概念を一次元測定用の光検出器に適用することによって、連続的な二次元光検出器を取得できることに注目する必要がある横方向効果。それゆえ、本発明で説明する検出器を使用して、利用しやすい方向で位置検出するために使用される活性層で3つの電極を用いる。一方、以下のようにして、別の2つの横コンタクトを使用して直交する方向を検出する。つまり、各コンタクト上に1つ存在する3つの電気的読み出し部を用いて、検出器の表面上での二次元位置を知ることができるようにして、である。物体の位置に対して一定量の制御が必要とされるプロセスに本発明を適用できることは、上記の説明に基づいて容易にわかる。これにより、発光源19が必要とされ、光検出器は、本発明の有機半導体1および2と、デバイスでの光電流を2つの波長で別々に読み出す信号処置部18とで構成される。ファイバ内のキャビティでレーザビーム19のアライメントを検出することにもそれを適用できる。例えば、2つの点の間の相対的な距離を決定することをデバイスが可能にすることを考えると、物体との物理的コンタクトが必要とされない用途で長さを測定するためにも、同じ概念を適用できる。これは、最初の位置と最後の位置で、2つの異なる波長での光電流の商の値を、光電流の商の校正曲線と共に、位置の関数として考慮に入れることで実行される。デバイスの別の可能な用途は、物理外部パラメータ温度、圧力、PHなどの変化を決定するセンサである。この場合、センサ表面上での光の変位は、制御対象の外部パラメータに起因して、屈折率が変化を受けやすい中間を横切るビームが前に通過したことにより引き起こされる。最後に、アノードと半透明基板10の下の支持部として、ガラスの基板11を使用するのでなく、プラスチックの基板11を使用することにより、タッチセンシティブセンサとしての光電子デバイスの使用が容易となる。この用途は、プラスチックが受ける機械的変形をベースとし、当該機械的変形は活性層に入射する入射光の位置の変化を生じさせ、これによりプラスチックとセンサの変形が検出され、それの活性化が検出される。さらに、プラスチックが変形する度合いは、活性化層の表面上での光の変位の大きさを通じても測定できる。"