"高アスペクト比フィーチャーの表面を変性する方法であって、前記高アスペクト比フィーチャーの前記表面を、添加剤組成物と接触させて、変性された表面を製造する工程を含み、リンス溶液が前記変性された表面と接触する時に前記高アスペクト比フィーチャーに作用する力が、少なくとも前記リンス溶液の除去の間、または少なくとも前記高アスペクト比フィーチャーの乾燥の間、前記高アスペクト比フィーチャーの屈曲または崩壊を防止するために十分に最小化される方法。前記変性された表面と接触する前記リンス溶液が、約70度~約110度の範囲の接触角を有する、請求項1に記載の方法。前記表面が、窒化ガリウム、窒化チタン、非晶質炭素、窒化タンタル、窒化タングステン、ケイ化コバルト、ケイ化ニッケル、ポリシリコン、窒化ケイ素および/またはルテニウム、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、他のルテニウム含有化合物からなる群から選択されるルテニウム含有化合物、あるいはそれらのあらゆる組み合わせを含む、請求項1または2に記載の方法。前記表面が、窒化チタン、非晶質炭素、窒化タンタル、窒化タングステン、ケイ化コバルト、ケイ化ニッケルおよび/またはルテニウム、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、他のルテニウム含有化合物からなる群から選択されるルテニウム含有化合物、あるいはそれらのあらゆる組み合わせを含む、請求項1または2に記載の方法。前記表面が、ドープまたは非ドープの単結晶Si、ドープまたは非ドープの多結晶Si、ポリシリコン、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、あるいはそれらのあらゆる組み合わせを含む、請求項1または2に記載の方法。前記高アスペクト比フィーチャーが、窒化チタン、ルテニウム、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、他のルテニウム含有化合物、またはそれらのあらゆる組み合わせを含む、請求項1または2に記載の方法。前記添加剤組成物が、界面活性剤、少なくとも1種の溶媒、任意選択的に少なくとも1種の共界面活性剤、任意選択的に少なくとも1種の緩衝剤、任意選択的に少なくとも1種の消泡剤および少なくとも1種の安定剤を含む、請求項1~6のいずれか一項に記載の方法。前記界面活性剤が、酸、塩基、非イオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、双性イオン性界面活性剤およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項7に記載の方法。前記界面活性剤が、リン酸、ホスホン酸、ホスホン酸モノエステル、リン酸モノエステルおよびジエステル、カルボン酸、ジカルボン酸モノエステル、三カルボン酸モノおよびジエステル、硫酸モノエステル、スルホン酸、アミンおよびそれらの塩を含む、請求項7に記載の方法。前記界面活性剤が、i2~30個の炭素原子を有する直鎖炭化水素基、ii2~20個の炭素原子を有する分枝状炭化水素基、iii2~30個の炭素原子を有する2個の直鎖炭化水素基、iv6~30個の炭素原子を有する2個の分枝状炭化水素基、v式R1R2P=OR3式中、R1、R2およびR3は、互いに独立して、水素、ヒドロキシル、C2~C30アルキル、C2~C30アルケン、シクロアルキル、C2~C30アルコキシおよびそれらのあらゆる組み合わせからなる群から選択されるの種、vi式R1R2R3R4NX式中、R1、R2、R3およびR4は、互いに独立して、水素、C1~C30アルキル、C2~C30アルケン、シクロアルキル、C1~C30アルコキシ、C1~C30カルボキシレートおよびそれらのあらゆる組み合わせからなる群から選択され、そして、Xは-1の電荷を有する任意のアニオンであるの種、vii式[R1R2N]C=OCR3R4nC=O[NR5R6]式中、R1、R2、R3、R4、R5およびR6は、互いに独立して、水素、C2~C30アルキル、C2~C30アルケン、シクロアルキル、C2~C30アルコキシ、C2~C30カルボキシレートおよびそれらのあらゆる組み合わせからなる群から選択され、そしてn=1~12の任意の整数であるの種、viii式R1C=OOH式中、R1は、C1~C30アルキルまたはC2~C30アルキレン鎖から選択されるの種、ix式R1C=OOHCH2nO=HOCR2式中、R1またはR2は、互いに独立して、C1~C30アルキルまたはC2~C30アルキレン鎖から選択され、nは0~20の整数であるの種、x7~14個の炭素原子を有するペルフッ素化炭化水素基、ならびにxiそれらのあらゆる組み合わせからなる群から選択される種を含む、請求項7~9のいずれか一項に記載の方法。前記界面活性剤が、デシルホスホン酸、ドデシルホスホン酸、テトラデシルホスホン酸、ヘキサデシルホスホン酸、ビス2-エチルヘキシルホスフェート、オクタデシルホスホン酸、ペルフルオロヘプタン酸、ペルフルオロデカン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ホスホノ酢酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、リン酸水素ジオクタデシル、リン酸二水素オクタデシル、オクタデシルホスホン酸、ドデセニルコハク酸モノジエタノールアミド、オクタデシルホスホン酸、ラウリン酸、パルミチン酸、オレイン酸、ビャクシン酸、12-ヒドロキシステアリン酸およびドデシルアミンからなる群から選択される少なくとも1種を含む、請求項7~9のいずれか一項に記載の方法。前記界面活性剤が、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ドデセニルコハク酸モノジエタノールアミド、エチレンジアミンテトラキスエトキシレート-ブロック-プロポキシレートテトロール、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール、ポリオキシプロピレンスクロースエーテル、t-オクチルフェノキシポリエトキシエタノール、ポリオキシエチレン9ノニルフェニルエーテル分枝状、ポリオキシエチレンソルビトールヘキサオレエート、ポリオキシエチレンソルビトールテトラオレエート、ポリエチレングリコールソルビタンモノオレエート、ソルビタンモノオレエート、アルキル-ポリグルコシド、エチルペルフルオロブチレート、1,1,3,3,5,5-ヘキサメチル-1,5-ビス[2-5-ノルボルネン-2-イルエチル]トリシロキサン、単量体オクタデシルシラン誘導体、シロキサン変性ポリシラザン、シリコーン-ポリエーテルコポリマー、ヘプタデカンフルオロオクタンスルホン酸テトラエチルアンモニウム、ステアリルトリメチルアンモニウムクロリド、4-4-ジエチルアミノフェニルアゾ-1-4-ニトロベンジルピリジウムブロミド、セチルピリジニウムクロリド一水和物、ベンザルコニウムクロリド、ベンゼトニウムクロリド、ベンジルジメチルドデシルアンモニウムクロリド、ベンジルジメチルヘキサデシルアンモニウムクロリド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ジメチルジオクタデシルアンモニウムクロリド、ドデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムp-トルエンスルホネート、ジドデシルジメチルアンモニウムブロミド、ジ水素化タロージメチルアンモニウムクロリド、テトラヘプチルアンモニウムブロミド、テトラキスデシルアンモニウムブロミド、Aliquat登録商標336およびオキシフェノニウムブロミド、ジメチルジオクタデシルアンモニウムクロリド、ジメチルジヘキサデシルアンモニウムブロミド、ナトリウムポリオキシエチレンラウリルエーテル、ナトリウムジヘキシルスルホスクシネート、ジシクロヘキシルスルホスクシネートナトリウム塩、ナトリウム7-エチル-2-メチル-4-ウンデシルスルフェート、SODOSILRM02、ホスフェートフルオロ界面活性剤、エチレンオキシドアルキルアミン、N,N-ジメチルドデシルアミンN-オキシド、ナトリウムコカミンプロピオネート、3-N,N-ジメチルミリスチルアンモニオプロパンスルホネート、3-4-ヘプチルフェニル-3-ヒドロキシプロピルジメチルアンモニオプロパンスルホネート、グアニジンヒドロクロリド、テトラブチルアンモニウムトリフルオロメタンスルホネート、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも1種を含む、請求項7~9のいずれか一項に記載の方法。少なくとも1種の溶媒が、式R1R2R3COH式中、R1、R2およびR3は、互いに独立して、水素、C2~C30アルキル、C2~C30アルケン、シクロアルキル、C2~C30アルコキシおよびそれらの組み合わせからなる群から選択されるの化合物である、請求項7~12のいずれか一項に記載の方法。前記少なくとも1種の溶媒が、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、2-エチル-1-ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、ブチレンカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジプロピレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテルDPGME、トリプロピレングリコールメチルエーテルTPGME、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールn-プロピルエーテル、ジプロピレングリコールn-プロピルエーテルDPGPE、トリプロピレングリコールn-プロピルエーテル、プロピレングリコールn-ブチルエーテル、ジプロピレングリコールn-ブチルエーテル、トリプロピレングリコールn-ブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、2,3-ジヒドロデカフルオロペンタン、エチルペルフルオロブチルエーテル、メチルペルフルオロブチルエーテル、アルキルカーボネート、アルキレンカーボネート、4-メチル-2-ペンタノール、高密度流体、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される種を含む、請求項7~12のいずれか一項に記載の方法。前記共界面活性剤ポリエチレングリコール/プロピレングリコールまたは緩衝剤を含む、請求項7~14のいずれか一項に記載の方法。約20度~約120度の添加剤組成物プロセス温度を含む、請求項7~14のいずれか一項に記載の方法。約60~約6000秒の添加剤組成物プロセス時間を含む、請求項7~14のいずれか一項に記載の方法。前記リンス溶液が、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、ブチレンカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジプロピレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテルDPGME、トリプロピレングリコールメチルエーテルTPGME、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールn-プロピルエーテル、トリプロピレングリコールn-プロピルエーテル、プロピレングリコールn-ブチルエーテル、ジプロピレングリコールn-ブチルエーテル、トリプロピレングリコールn-ブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、2,3-ジヒドロデカフルオロペンタン、エチルペルフルオロブチルエーテル、メチルペルフルオロブチルエーテル、アルキルカーボネート、アルキレンカーボネート、4-メチル-2-ペンタノール、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも1種の溶媒を含む、請求項1~17のいずれか一項に記載の方法。前記表面を前記添加剤組成物と接触させる前に、前記表面をリンスする工程をさらに含む、請求項1~18のいずれか一項に記載の方法。前記変性された表面をリンス溶液でリンスする工程をさらに含む、請求項1~19のいずれか一項に記載の方法。前記リンス溶液が、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、ブチレンカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジプロピレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテルDPGME、トリプロピレングリコールメチルエーテルTPGME、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールn-プロピルエーテル、ジプロピレングリコールn-プロピルエーテルDPGPE、トリプロピレングリコールn-プロピルエーテル、プロピレングリコールn-ブチルエーテル、ジプロピレングリコールn-ブチルエーテル、トリプロピレングリコールn-ブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、2,3-ジヒドロデカフルオロペンタン、エチルペルフルオロブチルエーテル、メチルペルフルオロブチルエーテル、アルキルカーボネート、アルキレンカーボネート、4-メチル-2-ペンタノール、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも1種の溶媒を含む、請求項20に記載の方法。前記リンス溶液が、ヒドロキノン、ブチル化ヒドロキシトルエンBHT、ブチル化ヒドロアニソールBHAおよびジフェニルアミンからなる群から選択される少なくとも1種のフリーラジカルを含む、請求項20に記載の方法。前記リンス溶液が少なくとも1種のイオン交換樹脂を含む、請求項20に記載の方法。前記リンスの後に前記変性された表面を乾燥する工程をさらに含む、請求項1~23のいずれか一項に記載の方法。前記乾燥工程が、スピンドライ、蒸気乾燥および窒素乾燥からなる群から選択される方法を含む、請求項24に記載の方法。リンス時間t=xにおける前記変性された表面の前記接触角は、リンス時間t=0における前記変性された表面の前記接触角とは約/-10度以下異なり、xは約60秒~約600秒以上の範囲にある、請求項1~25のいずれか一項に記載の方法。前記添加剤組成物がその場でブレンドされる、請求項1~26のいずれか一項に記載の方法。熱処理、反応性イオンエッチングまたはプラズマエッチングプロセスを通して、前記変性された表面を初期状態に戻す工程をさらに含む、請求項1~27のいずれか一項に記載の方法。添加剤組成物および変性された表面を含む製造物品であって、前記添加剤組成物が、少なくとも1種の界面活性剤、少なくとも1種の有機溶媒、および任意選択的に少なくとも1種の共界面活性剤、任意選択的に少なくとも1種の消泡剤、任意選択的に少なくとも1種の緩衝剤および少なくとも1種の安定剤を含む製造物品。変性された高アスペクト比表面を含む製造物品であって、前記変性された表面が、吸着された界面活性剤化合物およびリンス溶液を含み、前記変性された表面と接触する前記組成物が、約70度~約110度の範囲の接触角を有し、そして前記変性された高アスペクト比表面が、窒化チタン、非晶質炭素、窒化タンタル、窒化タングステン、ケイ化コバルト、ケイ化ニッケル、ポリシリコン、窒化ケイ素、および/またはルテニウム、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、他のルテニウム含有化合物からなる群から選択されるルテニウム含有化合物、あるいはそれらのあらゆる組み合わせを含む製造物品。変性された高アスペクト比表面を含む製造物品であって、前記変性された表面が、吸着された界面活性剤化合物およびリンス溶液を含み、前記変性された表面と接触する前記組成物が、約70度~約110度の範囲の接触角を有し、そして前記変性された高アスペクト比表面が、ドープまたは非ドープの単結晶Si、ドープまたは非ドープの多結晶Si、ポリシリコン、二酸化ケイ素、窒化ケイ素またはそれらの組み合わせを含む製造物品。要約本発明は、一般に、乾燥間の高アスペクト比構造へのダメージを防止する方法に関する。より詳しくは、本発明は、変性された表面における組成物の接触角が約90度であるように、フィーチャーの表面を変性する方法に関する。一態様において、高アスペクト比フィーチャーの表面を変性する方法であって、前記方法は、高アスペクト比フィーチャーの表面を、添加剤組成物と接触させて、変性された表面を製造する工程を含み、リンス溶液が変性された表面と接触する時に高アスペクト比フィーチャーに作用する力が、少なくともリンス溶液の除去の間、または少なくとも高アスペクト比フィーチャーの乾燥の間、高アスペクト比フィーチャーの屈曲または崩壊を防止するために十分最小化される方法。もう1つの態様において、添加剤組成物および変性された表面を含む製造物品であって、添加剤組成物が、少なくとも1種の界面活性剤、少なくとも1種の有機溶媒、任意に少なくとも1種の共界面活性剤、任意に少なくとも1種の消泡剤、任意に少なくとも1種の緩衝剤および少なくとも1種の安定剤を含む前記物品が記載される。なおもう1つの態様において、変性された高アスペクト比表面を含む製造物品であって、前記変性された表面が、吸着された界面活性剤化合物およびリンス溶液を含み、変性された表面と接触する上記組成物が、約70度~約110度の範囲の接触角を有し、そして変性された高アスペクト比表面が、ドープ単結晶シリコン、ドープ多結晶シリコン、非ドープの単結晶シリコン、非ドープの多結晶シリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、非晶質炭素、窒化ガリウム、窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステン、ケイ化コバルト、ケイ化ニッケル、ルテニウム、酸化ルテニウム、他のルテニウム含有化合物、またはそれらの組み合わせを含む前記物品が記載される。なおもう1つの態様において、変性された高アスペクト比表面を含む製造物品であって、前記変性された表面が、吸着された界面活性剤化合物およびリンス溶液を含み、変性された表面と接触する上記組成物が、約70度~約110度の範囲の接触角を有し、そして変性された高アスペクト比表面が、窒化チタン、ルテニウム、酸化ルテニウム、他のルテニウム含有化合物、またはそれらの組み合わせを含む前記物品が記載される。本発明の他の態様、特徴および利点は、以下の開示および添付の請求の範囲からより完全に明白である。詳細な説明およびそれらの好ましい実施形態本発明は、一般に、乾燥の間に壊れやすい高アスペクト比構造が経験する毛管力を低下させ、したがって、乾燥の間の前記高アスペクト比構造へのダメージを実質的に防止する方法に関する。より詳しくは、本発明は、上記変性された表面における組成物の接触角が約90度であるように、フィーチャーの表面を変性する方法に関連がある。Young-Laplace方程式:Δp=2γcosθ/rによると、表面の接触角θが90°に接近し、そして表面と接触する組成物の表面張力γが最小化される例えば、その中に界面活性剤を含むことによって時、曲率半径rによる高アスペクト比フィーチャーの両面上での圧力差Δpはゼロに近づき、したがって、フィーチャーの崩壊が最小化されるか、または防止される。その終わり頃、本発明は、それと接触するリンス溶液が約90度の接触角を有するように、高アスペクト比フィーチャーの表面を変性する方法に関連がある。これらの条件下で、毛管力は、ゼロに近づくことが予想される。参照を容易にするために、マイクロエレクトロニクスデバイスは、マイクロエレクトロニクス集積回路、エネルギー収集またはコンピュータチップ用途のために製造される、半導体基板、フラットパネルディスプレー、相変化メモリデバイス、太陽パネルおよび太陽電池デバイスを含む他の製品、光電池、およびマイクロエレクトロメカニカルシステムMEMSに相当する。マイクロエレクトロニクスデバイス、マイクロエレクトロニクス基板およびマイクロエレクトロニクスデバイス構造という用語は、いずれかの形態で限定される意味はなく、そして最終的にはマイクロエレクトロニクスデバイスまたはマイクロエレクトロニクスアセンブリになるあらゆる基板または構造を含むことが理解されるべきである。マイクロエレクトロニクスデバイスは、パターン化されることが可能であり、ブランケットを有することが可能であり、コントロールおよび/または試験デバイスであることが可能である。本明細書に使用される場合、約は、明示された値の±5に相当することが意図される。十分に最小化された力とは、本明細書において、高アスペクト比フィーチャーの屈曲または崩壊の最小化に相当するものとして定義される。より詳しくは、上記構造上のフィーチャーの全領域に基づき、高アスペクト比フィーチャーの10未満が、その上に上記フィーチャーを有する構造の乾燥の間に屈曲または崩壊し、より好ましくは、高アスペクト比フィーチャーの5未満が乾燥の間に屈曲または崩壊し、なおより好ましくは、高アスペクト比フィーチャーの2未満が乾燥の間に屈曲または崩壊し、そして最も好ましくは、高アスペクト比フィーチャーの1未満が、その上に上記フィーチャーを有する構造の乾燥の間に屈曲または崩壊する。屈曲は、リンスの前のその空間的位置に対するフィーチャーのあらゆる偏向に相当し、そしてフィーチャーの接触または固着を含むが、フィーチャーは、他のフィーチャーに接触または固着しないで屈曲可能であることは認識されるべきである。崩壊は、リンスの前のその空間的位置に対するフィーチャーのより実質的な偏向に相当し、フィーチャーは、ドミノ効果を受けているすなわち、第2の上への1つフィーチャーの崩壊によって、第2のフィーチャーなどの崩壊が導かれる。崩壊は、構造からのフィーチャーの完全な除去、または互いの上へのフィーチャーのほんの部分的な崩壊を含むことができる。本明細書に定義される場合、高アスペクト比フィーチャーは、アスペクト比その幅に対するフィーチャーの高さの比率が2:1より高く、好ましくは5:1より高く、さらに好ましくは10:1より高いマイクロエレクトロニクスデバイス上のフィーチャーに相当する。高アスペクト比を有するフィーチャーには、限定されないが、シャロートレンチアイソレーションSTIフィーチャー、ゲートトランジスタ、コンタクト、フラッシュメモリ、およびDRAMコンデンサなどのフロントエンドオブラインFEOLフィーチャー、バックエンドオブラインBEOLフィーチャー、ならびにMEMSおよび光電池用途例えば銀太陽電池などの関連分野で見出される他のフィーチャーが含まれる。本明細書に定義される場合、リンス溶液は、水72.8ダイン/cm以下、好ましくは約72.8ダイン/cm~約65ダイン/cm、より好ましくは約72.8ダイン/cm~約70ダイン/cmの範囲の表面張力を有する組成物に相当する。本明細書に定義される場合、高アスペクト比フィーチャーの表面から酸化物などの犠牲材料を除去するとは、酸化物などの犠牲材料の厚さに関係なく、高アスペクト比フィーチャーの表面を露出させるためのマイクロエレクトロニクスデバイスからの酸化物などの犠牲材料の除去に相当する。本明細書に定義される場合、上記Young-Laplace方程式でΔpに相当する低乾燥力は、接触角θが好ましくは90度に接近し、および/または、液体の表面張力γが好ましくは減少した、低いΔpに相当する。多数の変動のため、低い毛管力は、高アスペクト比フィーチャーが乾燥の間に屈曲または崩壊しないように十分低い毛管力に相当し、容易に当業者よって決定される。本明細書に定義される場合、残留物は、限定されないが、プラズマエッチング、灰化、ウェットエッチングおよびそれらの組み合わせを含むマイクロエレクトロニクスデバイスの製造の間に生じる粒子に相当する。本明細書に定義される場合、汚染物質は、プラズマエッチング、灰化またはウェットエッチングの後にマイクロエレクトロニクスデバイスの表面上に存在する残留物を除く化学物質、反応および化学副産物、ならびに前記プロセスの副産物である他の任意の材料に相当する。典型的に、汚染物質は性質上有機物である。本明細書に定義される場合、エッチング後の残留物は、気相式プラズマエッチングプロセス、例えば、BEOLデュアルダマシンプロセッシングの後に残存する材料に相当する。エッチング後の残留物は、性質上、有機物、有機金属、オリゴマー/ポリマーまたは無機物であり得、例えば、シリコン含有材料、炭素ベースの有機材料、ならびに酸素およびフッ素などのエッチング気体残留物であり得る。本明細書に定義される場合、灰化後の残留物は、本明細書に使用される場合、硬化されたフォトレジストおよび/または底面反射防止コーティングBARC材料を除去するための酸化または還元するプラズマ灰化の後に残存する材料に相当する。灰化後の残留物は、性質上、有機物、有機金属、オリゴマー/ポリマーまたは無機物であり得る。高密度流体は、本明細書に使用される場合、超臨界流体または未臨界流体に相当する。超臨界流体という用語は、意図された化合物の圧力-温度図において臨界温度Tc以上および臨界圧Pc以上の条件下にある材料を示すために本明細書に使用される。使用される好ましい超臨界流体はCO2であり、これは、単独で、またはAr、NH3、N2、CH4、C2H4、CHF3、C2H6、n-C3H8、H2O、N2Oなどの別の添加剤との混合物で使用されてよい。未臨界流体という用語は、未臨界状態、すなわち、その特定の溶媒と関連した臨界温度未満および/または臨界圧未満にある溶媒を記載する。好ましくは、未臨界流体は、様々な密度の高圧液体である。DRAMセルは、4F2、6F2、8F2などの様々なセルデザインを使用して設計される。当業者は、50nmプロセスノードF=50での4F22F×2Fのセルデザインに関して、ピッチまたはコンデンサからコンデンサまでの中心間距離は100nmであることを理解する例えば、httpwwweetimescomelectronicsnews4081855The50nmDRAMbattleragesonAnoverviewofMicronstechnology;米国特許第7,349,232号を参照のこと。一般には、本明細書に記載される発明は、高アスペクト比フィーチャーの表面を変性することに関し、上記方法は、表面を添加剤組成物と接触させて、変性された表面を製造する工程と、変性された表面をリンス溶液と接触させる工程とを含み、リンス溶液が変性された表面と接触する時に高アスペクト比フィーチャーに作用する力は、少なくともリンス溶液の除去の間、または少なくとも高アスペクト比フィーチャーの乾燥の間、高アスペクト比フィーチャーの屈曲または崩壊を防止するために十分最小化される。高アスペクト比フィーチャーに作用する力には、限定されないが、高アスペクト比フィーチャーの両面上の圧力差Δpが含まれる。高アスペクト比フィーチャーの表面は、少なくとも1種のシリコン例えば、ドープ単結晶シリコン、ドープ多結晶シリコン、非ドープの単結晶シリコン、非ドープの多結晶シリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリシリコン、非晶質炭素、窒化ガリウム、窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステン、ケイ化コバルト、ケイ化ニッケルおよび/またはルテニウム例えば、ルテニウム、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、他のルテニウム含有化合物、あるいはそれらのあらゆる組み合わせを含むことができる。第1の態様第1の態様において、高アスペクト比フィーチャーの表面における接触角を保持する方法が記載され、上記方法は、表面を添加剤組成物と接触させて、変性された表面を製造する工程を含み、変性された表面と接触するリンス溶液は、約70度~約110度の範囲の接触角を有する。好ましくは、接触角は、約70度~約110度、より好ましくは約85度~約105度、そして最も好ましくは約85度~約95度の範囲にある。高アスペクト比フィーチャーの表面は、窒化ガリウム、窒化チタン、非晶質炭素、窒化タンタル、窒化タングステン、ケイ化コバルト、ケイ化ニッケル、ポリシリコン、窒化ケイ素および/またはルテニウム例えば、ルテニウム、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、他のルテニウム含有化合物、あるいはそれらのあらゆる組み合わせを含む。一実施形態において、変性された表面はリンス溶液でリンスされ、リンス時間t=xにおける変性された表面の接触角は、リンス時間t=0における変性された表面の接触角とは約/-10度以下異なる。ここでは、xは約60秒~約600秒以上の範囲にある。好ましくは、添加剤組成物は、ウェットプロセスツールでその場でブレンドされる。好ましくは、高アスペクト比フィーチャーの表面は、窒化チタンおよび/またはルテニウム例えば、ルテニウム、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、他のルテニウム含有化合物、あるいはそれらの任意の組み合わせを含む。第1の態様の一実施形態において、高アスペクト比フィーチャーの表面における接触角を保持する方法が記載され、上記方法は、窒化ガリウム、窒化チタン、非晶質炭素、窒化タンタル、窒化タングステン、ケイ化コバルト、ケイ化ニッケル、ポリシリコン、窒化ケイ素、および/またはルテニウム含有表面を、添加剤組成物と接触させ、変性された表面を製造する工程と、変性された表面をリンス溶液でリンスする工程とを含み、変性された表面と接触するリンス溶液は、約70度~約110度、より好ましくは約85度~約105度、そして最も好ましくは約85度~約95度の範囲の接触角を有する。好ましくは、ルテニウム含有表面は、ルテニウム、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、他のルテニウム含有化合物またはそれらの任意の組み合わせを含む。好ましくは、添加剤組成物は、ウェットプロセスツールでその場でブレンドされる。好ましくは、高アスペクト比フィーチャーの表面は、窒化チタンおよび/またはルテニウム例えば、ルテニウム、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、他のルテニウム含有化合物、あるいはそれらの任意の組み合わせを含む。第1の態様のもう1つの実施形態において、高アスペクト比フィーチャーの表面を変性する方法が記載され、上記方法は、表面を添加剤組成物と接触させ、変性された表面を製造する工程を含み、変性された表面と接触するリンス溶液は、約70度~約110度、より好ましくは約85度~約105度、そして最も好ましくは約85度~約95度の範囲の接触角を有する。好ましくは、高アスペクト比フィーチャーの表面は、窒化ガリウム、窒化チタン、非晶質炭素、窒化タンタル、窒化タングステン、ケイ化コバルト、ケイ化ニッケル、ポリシリコン、窒化ケイ素、および/またはルテニウム、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、他のルテニウム含有化合物からなる群から選択されるルテニウム含有化合物、あるいはそれらの任意の組み合わせを含む。好ましくは、添加剤組成物は、ウェットプロセスツールでその場でブレンドされる。好ましくは、高アスペクト比フィーチャーの表面は、窒化チタンおよび/またはルテニウム例えば、ルテニウム、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、他のルテニウム含有化合物、あるいはそれらの任意の組み合わせを含む。第1の態様のなおもう1つの実施形態において、高アスペクト比フィーチャーの表面を変性する方法が記載され、上記方法は、表面を添加剤組成物と接触させ、変性された表面を製造する工程と、変性された表面をリンス溶液でリンスする工程とを含み、変性された表面と接触するリンス溶液は、約70度~約110度、より好ましくは約85度~約105度、そして最も好ましくは約85度~約95度の範囲の接触角を有する。好ましくは、高アスペクト比フィーチャーの表面は、窒化ガリウム、窒化チタン、非晶質炭素、窒化タンタル、窒化タングステン、ケイ化コバルト、ケイ化ニッケル、ポリシリコン、窒化ケイ素、および/またはルテニウム、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、他のルテニウム含有化合物からなる群から選択されるルテニウム含有化合物、あるいはそれらの任意の組み合わせを含む。好ましくは、添加剤組成物は、ウェットプロセスツールでその場でブレンドされる。好ましくは、高アスペクト比フィーチャーの表面は、窒化チタンおよび/またはルテニウム例えば、ルテニウム、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、他のルテニウム含有化合物、あるいはそれらの任意の組み合わせを含む。リンスの間、高アスペクト比フィーチャーの表面における接触角を保持することおよび高アスペクト比フィーチャーの表面を変性することは、好ましくは、高アスペクト比フィーチャーの崩壊を実質的に防止するために行われることが認識されるべきである。本開示の目的のために、水は有機溶媒とは考えられない。高アスペクト比表面は、窒化ガリウム、窒化チタン、非晶質炭素、窒化タンタル、窒化タングステン、ケイ化コバルト、ケイ化ニッケル、ポリシリコン、窒化ケイ素、および/またはルテニウム、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、他のルテニウム含有化合物からなる群から選択されるルテニウム含有化合物、あるいはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。一実施形態において、高アスペクト比表面は窒化ケイ素を含む。もう1つの実施形態において、高いアスペクト比表面はルテニウム、例えば、元素ルテニウム、酸化ルテニウム、窒化ルテニウムおよび他のルテニウム含有化合物の少なくとも1種を含む。なおもう1つの実施形態において、高アスペクト比は窒化チタンを含む。添加剤組成物への曝露の前に表面が乾燥されるか、表面から汚染、残留物、犠牲材料またはそれらの組み合わせを除去するか次第で、高アスペクト比表面は前処理されてもよいことを当業者は認識するべきである。例えば、高アスペクト比表面が窒化チタンを含む場合、出発表面を製造するために犠牲層を除去することができる。必要に応じて、緩衝酸化物エッチングBOE、例えば、緩衝HF溶液または希釈HF溶液を含む組成物を使用して、犠牲酸化物層を達成することができる。緩衝HF溶液は、好ましくは、水中でHFをフッ化アンモニウムと組み合わせることによって調製される例えば、5.5重量HF水中49重量16.4重量NH4F水中40重量79.1重量水。BOEは緩衝HF溶液のみに限定されないこと、そしてこの具体的な緩衝HF溶液は一例として提案され、何れの形態であっても緩衝HF溶液を限定するように意図されないことは認識されるべきである。一実施形態において、犠牲酸化物層を除去するために使用される組成物は、高アスペクト比構造におけるBOEの湿潤を改善するための界面活性剤をさらに含むことができる。得られる表面は、好ましくは、性質上、親水性である。犠牲酸化物層の除去の条件には、約20度~約80度、好ましくは約20度~約30度の範囲の温度が含まれ、時間は、犠牲酸化物層の厚さ、温度、BOEまたは希釈HF溶液の濃度、および攪拌の量次第であり、当業者によって容易に決定される。BOEまたは希釈したHF溶液を含む組成物は、過酸化水素、硫酸およびアンモニアを実質的に含まない。表面は、好ましくは、窒化チタン、ルテニウムおよび/または窒化ケイ素、さらにより好ましくは、窒化チタンまたはルテニウムを含有し、そして添加剤組成物と接触して、高アスペクト比側壁の表面エネルギーが変性され、したがって、組成物が上記側壁と接触する時に接触角が設計される。添加剤組成物は、少なくとも1種の界面活性剤、少なくとも1種の溶媒、任意に少なくとも1種の共界面活性剤、任意に少なくとも1種の消泡剤、任意に少なくとも1種の緩衝溶液および少なくとも1種の安定剤を含むか、それらからなるか、またはそれらから本質的になる。考察される界面活性剤には、限定されないが、酸および塩基、非イオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、双性イオンの界面活性剤およびそれらの組み合わせが含まれる。好ましい酸性または塩基性界面活性剤には、限定されないが、酸または塩基官能性頭部および直鎖または分枝状炭化水素疎水性基尾部を有する界面活性剤、および/または酸性官能性頭部およびペルフッ素化炭化水素基尾部を有する界面活性剤が含まれる。好ましい酸または塩基官能性としては、リン酸、ホスホン酸、ホスホン酸モノエステル、リン酸モノエステルおよびジエステル、カルボン酸、ジカルボン酸モノエステル、三カルボン酸モノおよびジエステル、硫酸モノエステル、スルホン酸、アミンおよびそれらの塩が含まれる。炭化水素基は、好ましくは、少なくとも2個、例えば、2~30個の炭素原子を有する例えば、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、エイコシルなどが、分子がリン酸ジエステルおよびリン酸モノエステルなどの2本のアルキル鎖を含有する場合、いくらかより短い2~20個の炭素を有する炭化水素基例えば、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、2-エチルヘキシル、ドデシルが好ましい。ペルフッ素化炭化水素基は、好ましくは、7~14個の炭素原子例えば、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシルを有する。もう1つの実施形態において、界面活性剤は、式R1R2P=OR3式中、R1、R2およびR3は、互いに独立して、水素、ヒドロキシル、C1~C30アルキル、C2~C30アルケン、シクロアルキル、C2~C30アルコキシまたはそれらのあらゆる組み合わせからなる群から選択されるを有する化合物を含む。なおもう1つの実施形態において、界面活性剤は、式R1R2R3R4NX式中、R1、R2、R3およびR4は、互いに独立して、水素、C1~C30アルキル、C2~C30アルケン、シクロアルキル、C1~C30アルコキシ、C1~C30カルボキシレートまたはそれらのあらゆる組み合わせからなる群から選択され、そして、Xは-1の電荷を有するあらゆるアニオンであるを有する化合物を含む。なおもう1つの実施形態において、界面活性剤は、式[R1R2N]C=OCR3R4nC=O[NR5R6]式中、R1、R2、R3、R4、R5およびR6は、互いに独立して、水素、C2~C30アルキル、C2~C30アルケン、シクロアルキル、C2~C30アルコキシ、C2~C30カルボキシレートまたはそれらのあらゆる組み合わせからなる群から選択され、そしてn=1~12のいずれかの整数であるを有する化合物を含む。なおもう1つの実施形態において、界面活性剤は、式R1C=OOHまたはR1C=OOHCH2nO=HOCR2式中、R1またはR2は、C1~C30アルキルまたはC2~C30アルキレン鎖、好ましくは、C1~C20アルキルまたはC2~C20アルキレン鎖から選択され、nは0~20の整数であるを有するカルボン酸を含む。好ましい界面活性剤は、少なくとも1種のデシルホスホン酸、ドデシルホスホン酸DDPA、テトラデシルホスホン酸、ヘキサデシルホスホン酸、ビス2-エチルヘキシルホスフェート、オクタデシルホスホン酸、ペルフルオロヘプタン酸、ペルフルオロデカン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ホスホノ酢酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ドデセニルコハク酸、リン酸水素ジオクタデシル、リン酸二水素オクタデシル、ドデシルアミン、ドデセニルコハク酸モノジエタノールアミド、ラウリン酸、パルミチン酸、オレイン酸、ビャクシン酸、12-ヒドロキシステアリン酸、オクタデシルホスホン酸ODPA、最も好ましくは、ドデシルホスホン酸、オクタデシルホスホン酸またはそれらの組み合わせを含む。考察される非イオン性界面活性剤としては、限定されないが、ポリオキシエチレンラウリルエーテルEmalminNL100Sanyo、Brij30、Brij98、ドデセニルコハク酸モノジエタノールアミドDSDA、Sanyo、エチレンジアミンテトラキスエトキシレート-ブロック-プロポキシレートテトロールTetronic90R4、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコールNewpolePE68Sanyo、PluronicL31、Pluronic31R1、ポリオキシプロピレンスクロースエーテルSN008S、Sanyo、t-オクチルフェノキシポリエトキシエタノールTritonX100、ポリオキシエチレン9ノニルフェニルエーテル、分枝状IGEPALCO250、ポリオキシエチレンソルビトールヘキサオレエート、ポリオキシエチレンソルビトールテトラオレエート、ポリエチレングリコールソルビタンモノオレエートTween80、ソルビタンモノオレエートSpan80、アルキルポリグルコシド、エチルペルフルオロブチレート、1,1,3,3,5,5-ヘキサメチル-1,5-ビス[2-5-ノルボルネン-2-イルエチル]トリシロキサン、SIS6952.0Siliclad、Gelestなどの単量体オクタデシルシラン誘導体、PP1SG10SilicladGlide10Gelestなどのシロキサン変性ポリシラザン、SilwetL-77SetreChemicalCompanyおよびSilwetECOSpreaderMomentiveなどのシリコーンポリエーテルコポリマーが含まれる。考察されるカチオン性界面活性剤としては、限定されないが、ヘプタデカンフルオロオクタンスルホン酸テトラエチルアンモニウム、ステアリルトリメチルアンモニウムクロリドEconolTMS28、Sanyo、4-4-ジエチルアミノフェニルアゾ-1-4-ニトロベンジルピリジウムブロミド、セチルピリジニウムクロリド一水和物、ベンザルコニウムクロリド、ベンゼトニウムクロリド、ベンジルジメチルドデシルアンモニウムクロリド、ベンジルジメチルヘキサデシルアンモニウムクロリド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ジメチルジオクタデシルアンモニウムクロリド、ドデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムp-トルエンスルホネート、ジドデシルジメチルアンモニウムブロミド、ジ水素化タロージメチルアンモニウムクロリド、テトラヘプチルアンモニウムブロミド、テトラキスデシルアンモニウムブロミド、Aliquat登録商標336およびオキシフェノニウムブロミド、グアニジンヒドロクロリドCNH23Clまたはトリフレート塩、例えば、テトラブチルアンモニウムトリフルオロメタンスルホネートが含まれる。炭化水素基は、好ましくは、少なくとも10個、例えば、10~20個の炭素原子を有する例えば、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、エイコシルが、分子がジメチルジオクタデシルアンモニウムクロリド、ジメチルジヘキサデシルアンモニウムブロミドおよびジ水素化タロージメチルアンモニウムクロリド例えば、Arquad2HT75、AkzoNobelなどの2本の官能性アルキル鎖を含有する場合、いくらかより短い6~20個の炭素を有する炭化水素基例えば、ヘキシル、2-エチルヘキシル、ドデシルが好ましい。好ましくは、ジメチルジオクタデシルアンモニウムクロリド、ジ水素化タロージメチルアンモニウムクロリドまたはそれらの組み合わせが使用される。考察されるアニオン性界面活性剤には、限定されないが、ナトリウムポリオキシエチレンラウリルエーテル、ナトリウムジヘキシルスルホサクシネート、ジシクロヘキシルスルホサクシネートナトリウム塩、ナトリウム7-エチル-2-メチル-4-ウンデシルスルフェートTergitol4、SODOSILRM02およびホスフェートフルオロ界面活性剤、例えば、ZonylFSJが含まれる。双性イオン性界面活性剤には、限定されないが、エチレンオキシドアルキルアミンAOA8、Sanyo、N,N-ジメチルドデシルアミンN-オキシド、ナトリウムコカミンプロピネートLebonAplD、Sanyo、3-N,N-ジメチルミリスチルアンモニオプロパンスルホネート、および3-4-ヘプチルフェニル-3-ヒドロキシプロピルジメチルアンモニオプロパンスルホネートが含まれる。理論に束縛されることは望まないが、頭部官能基は高アスペクト比表面と相互作用し、疎水性尾部は約70~約110度の範囲で接触角を設計して、すなわち、界面活性剤は、高アスペクト比構造の表面上にコーティングを形成すると考えられる。添加剤組成物と表面との接触のための条件には、約1分~約100分、好ましくは約1分~約10分、より好ましくは約3分~約8分の範囲の蓄積時間で、約20度~約120度、好ましくは約20度~約80度、そしてより好ましくは約20度~約30度の範囲の温度を含み、添加剤組成物は、1回の適用または5回以上の適用で表面に接触させてよい。添加剤組成物中の界面活性剤の濃度は、好ましくは、約0.1重量~約10重量の範囲、より好ましくは約1重量~約5重量の範囲である。理論に束縛されることを望まないが、添加剤組成物中の界面活性剤は表面で物理的または化学的に吸着されることが可能であり、それによって表面が変性されることが考えられる。第1の態様の方法に用いられる添加剤組成物は、少なくとも1種の溶媒を含み、上記溶媒は、その中の少なくとも1種の界面活性剤の高い溶解度を確実にするように、ならびに表面の湿潤を促進するように選択される。好ましくは、少なくとも1種の溶媒は、次式R1R2R3COH式中、R1、R2およびR3は、互いに独立して、水素、C2~C30アルキル、C2~C30アルケン、シクロアルキル、C2~C30アルコキシおよびそれらの組み合わせからなる群から選択されるを有する。考察される溶媒には、限定されないが、水、アルコール、アルキレン、シリルハライド、カーボネート例えば、アルキルカーボネート、アルキレンカーボネートなど、グリコール、グリコールエーテル、炭化水素、ヒドロフルオロカーボン、およびそれらの組み合わせ、例えば、直鎖または分枝状メタノール、エタノール、イソプロパノールIPA、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、2-エチル-1-ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノールおよび高級アルコールジオール、トリオールなどを含む、4-メチル-2-ペンタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、ブチレンカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジプロピレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルすなわち、ブチルカルビトール、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルPGME、ジプロピレングリコールメチルエーテルDPGME、トリプロピレングリコールメチルエーテルTPGME、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールn-プロピルエーテル、ジプロピレングリコールn-プロピルエーテルDPGPE、トリプロピレングリコールn-プロピルエーテル、プロピレングリコールn-ブチルエーテル、ジプロピレングリコールn-ブチルエーテル、トリプロピレングリコールn-ブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、2,3-ジヒドロデカフルオロペンタン、エチルペルフルオロブチルエーテル、メチルペルフルオロブチルエーテルおよびそれらの組み合わせが含まれる。好ましくは、少なくとも1種の溶媒は、4-メチル-2-ペンタノール、TPGME、オクタノール、2-エチル-1-ヘキサノール、イソプロパノール、ならびに4-メチル-2-ペンタノールおよびTPGMEまたはIPAおよびTPGMEを含むそれらの任意の組み合わせを含む。添加剤組成物中の溶媒の濃度は、好ましくは、約10重量~約99.9重量の範囲、より好ましくは約50重量~約99.9重量の範囲、そして最も好ましくは約90重量~約99.9重量の範囲である。一実施形態において、添加剤組成物は少なくとも2種の溶媒を含む。もう1つの実施形態において、添加剤組成物は少なくとも2種の有機溶媒を含む。もう1つの実施形態において、少なくとも1種の溶媒は、超臨界二酸化炭素などの高密度流体を含む。もう1つの実施形態において、添加剤組成物は、少なくとも1種の溶媒に加えて、少なくとも1種の共界面活性剤、少なくとも1種の消泡剤および/または少なくとも1種の緩衝剤をさらに含む。考察される共界面活性剤には、EMULMIN240三洋化成工業株式会社などのエトキシル化ノニルフェノール、Brij30などのアルキルエトキシレート、ブタノールなどの中程度の長さのn-アルコールおよび高級アルコールジオール、トリオールなど、ポリエチレングリコール/ポリプロピレングリコールコポリマー、ポリエチレングリコールソルビタンモノオレエートTween80、およびソルビタンモノオレエートSpan80などの非イオン性界面活性剤、ならびにIONETMS400ポリエチレングリコールモノステアレート、IONETMS1000ポリエチレングリコールモノステアレート、IONETMO200ポリエチレングリコールモノオレエート、IONETMO400ポリエチレングリコールモノオレエート、IONETMO600ポリエチレングリコールモノオレエート、IONETDL200ポリエチレングリコールジステアレート、IONETDS300ポリエチレングリコールジステアレート、IONETDS400ポリエチレングリコールジステアレート、IONETDS4000ポリエチレングリコールジステアレート、IONETDO400ポリエチレングリコールジオレエート、IONETDO600ポリエチレングリコールジオレエート、およびIONETDO1000ポリエチレングリコールジオレエートなどのIONETシリーズ三洋化成工業株式会社などのエチルオキシル化脂肪酸が含まれる。存在する場合、共界面活性剤の量は、添加剤のHLB親水性親油性比値によって決定され、好ましくは約0.1重量~約5重量、好ましくは約0.5重量~約3重量の範囲である。考察される消泡剤には、エチレンオキシド/プロピレンオキシドブロックコポリマー、アルコールアルコキシレート、脂肪族アルコールアルコキシレート、DefoamerARDChemicalCompanyMountainViewCAなどの非シリコーン水溶性消泡剤、非イオン性乳化剤とのリン酸エステルブレンド、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される種が含まれる。存在する場合、消泡剤の量は、好ましくは、約0.001重量~約2重量、好ましくは約0.01重量~約1重量の範囲である。好ましくは、消泡剤はDefoamerAを含む。少なくとも1種の界面活性剤の溶解度を増加させるため、組成物の安定性を改善するため、添加剤組成物のリンス性を改善するため、および/またはより強固な疎水性コーティングを提供するために、安定剤を添加剤組成物に添加することができる。安定剤には、式R1C=OOH式中、R1は、C12~C24アルキルまたはC12~C24アルキレン鎖、好ましくはC16~C20アルキルまたはC16~C20アルキレン鎖から選択されるを有するカルボン酸が含まれ、ラウリン酸、パルミチン酸、オレイン酸、ビャクシン酸および12-ヒドロキシステアリン酸が挙げられる。あるいは、または加えて、安定剤としては、グアニジンHClトリフレート塩、例えば、テトラブチルアンモニウムトリフルオロメタンスルホネート、イソプロピルアルコールおよび/または水を挙げることができる。添加剤組成物は、少なくとも1種のフリーラジカル種、少なくとも1種のイオン交換樹脂、少なくとも1種の乾燥剤、または3種のあらゆる組み合わせをさらに含むことができることは認識されるべきである。フリーラジカル種は、ヒドロキノン、ブチル化ヒドロキシルトルエンBHT、ブチル化ヒドロアニソールBHA、ジフェニルアミン、およびそれらの組み合わせからなる群から選択することができる。少なくとも1種のイオン交換樹脂は、MSC1DowChemicalを含むことができる。少なくとも1種の乾燥剤は、無水リン酸を含むことができる。第1の態様の一実施形態において、添加剤組成物は、界面活性剤および少なくとも1種の溶媒を含むか、それらからなるか、またはそれらから本質的になる。第1の態様のもう1つの実施形態において、添加剤組成物は、界面活性剤、少なくとも1種の溶媒および少なくとも1種の共界面活性剤を含むか、それらからなるか、またはそれらから本質的になる。第1の態様のなおもう1つの実施形態において、添加剤組成物は、界面活性剤、少なくとも2種の溶媒および少なくとも1種の消泡剤を含むか、それらからなるか、またはそれらから本質的になる。第1の態様のもう1つの実施形態において、添加剤組成物は、界面活性剤および少なくとも2種の溶媒を含むか、それらからなるか、またはそれらから本質的になる。第1の態様のなおもう1つの実施形態において、添加剤組成物は、界面活性剤、少なくとも1種の溶媒および少なくとも1種の消泡剤を含むか、それらからなるか、またはそれらから本質的になる。第1の態様のもう1つの実施形態において、添加剤組成物は、界面活性剤、少なくとも2種の有機溶媒および少なくとも1種の消泡剤を含むか、それらからなるか、またはそれらから本質的になる。第1の態様のもう1つの実施形態において、添加剤組成物は、界面活性剤および少なくとも2種の有機溶媒を含むか、それらからなるか、またはそれらから本質的になる。好ましくは、第1の態様の添加剤組成物は、以下の特性を有する。表面との相互作用およびその上でのコーティングの形成の後に、表面は、リンス溶液に対して約85~約95度、好ましくは約90度の接触角を有する。添加剤組成物は、高アスペクト比構造表面を湿潤させる。接触角は、好ましくは、リンス溶液でリンスした後に保持される例えば、リンス時間t=xにおける変性された表面の接触角は、リンス時間t=0における変性された表面の接触角とは約/-10度以下異なる。ここでは、xは約60秒~約600秒以上の範囲にある。添加剤コーティングは、好ましくは、最小限の汚染例えば、界面活性剤の単分子層のみがリンス後に残存するをもたらす。種々の表面のPZCまたはIEP特性をベースとする所望の表面動電学的条件を達成するために均衡のとれたpH値。さらに添加剤組成物は、ステアリン酸、ミリスチン酸、およびシランカップリング剤、例えば、ヘキサメチルジシラザンおよびテトラメチルシリルジエチルアミンを実質的に含まず、そして本明細書に記載される第1の態様の方法を達成するために、表面におけるシランカップリング剤のエステル化は不要である。実質的に含まないとは、本明細書において、組成物の全体量に基づき2重量未満、好ましくは1重量未満、より好ましくは0.5の重量未満、最も好ましくは0.1重量部未満、最も好ましくは0の重量として定義される。本開示の目的のために、接触には、限定されないが、表面で添加剤組成物に噴霧すること、添加剤組成物の容積に浸漬すること、添加剤組成物で飽和させたもう1種の材料、例えば、パッドもしくは繊維吸着剤適用素子と表面を接触させること、添加剤循環組成物と表面を接触させること、または添加剤組成物が高アスペクト比フィーチャーの表面と接触する他のいずれかの適切な手段、方法もしくは技術が含まれる。一実施形態において、添加剤溶液は、あらかじめ混合されて、ウェットプロセスツールに送達される。もう1つの実施形態において、添加剤溶液は、ウェットプロセスツールでその場でブレンドされる。デバイスは、表面との添加剤組成物の接触の前にリンスされてよい。事前のリンスの条件には、約2分~約15分の範囲の時間で、約20度~約80度、好ましくは約20度~約30度の範囲の温度が含まれ、これは当業者に容易に決定される。変性された表面を製造するために表面を添加剤組成物と接触した後、変性された表面をリンス溶液でリンスし、表面と相互作用しなかったか、または表面をコーティングしなかったあらゆる添加剤を除去する。リンス溶液は、上記の溶媒の少なくとも1種または組み合わせを含むことができる。あるいは、リンス溶液は、少なくとも1種の溶媒、任意に少なくとも1種のフリーラジカル種、任意に少なくとも1種のイオン交換樹脂および任意に少なくとも1種の乾燥剤を含むことができるか、それらからなることができるか、またはそれらから本質的になることができる。少なくとも1種のフリーラジカル種は、ヒドロキノン、ブチル化ヒドロキシルトルエンBHT、ブチル化ヒドロアニソールBHA、ジフェニルアミン、およびそれらの組み合わせからなる群から選択することができる。少なくとも1種のイオン交換樹脂は、MSC1DowChemicalを含むことができる。少なくとも1種の乾燥剤は、無水リン酸を含むことができる。リンスの条件には、約1分~約20分以上、好ましくは約5分~約15分の範囲の時間で、約20度~約80度、好ましくは約20度~約30度の範囲の温度が含まれる。提案されるリンス溶液は、水、IPA、TPGME、DPGME、上記の共界面活性剤、水およびそれらの組み合わせを含む。あるいは、または加えて、表面と添加剤組成物との接触の後、表面を処理するために、表面を照射することができるか、または加熱することができる。なおもう1つの実施形態において、第1の態様の方法は、リンス後に変性された表面を乾燥する工程をさらに含むことができる。乾燥は、スピンドライ;イソプロパノールIPA、Novec7100流体3M、または当該技術において既知の他の不燃性溶媒混合物を使用する蒸気乾燥;または窒素銃を使用する乾燥を使用して達成されてもよい。その後、表面と相互作用するか、またはコーティングする添加剤を除去することができる例えば、熱的に。添加剤層、例えば界面活性剤層の除去の後、表面は、好ましくは、完全であり、クリーンであり、層例えば、誘電層の析出の準備ができている。したがって、第1の態様のもう1つの実施形態において、高アスペクト比フィーチャーの表面を変性する方法が記載され、上記方法は、表面を添加剤組成物と接触させ、変性された表面を製造する工程と、変性された表面をリンス溶液でリンスする工程と、変性された表面を乾燥する工程とを含み、変性された表面と接触するリンス溶液は、約70度~約110度、より好ましくは約85度~約105度、そして最も好ましくは約85度~約95度の範囲の接触角を有する。好ましくは、高アスペクト比フィーチャーの表面は、窒化ガリウム、窒化チタン、非晶質炭素、窒化タンタル、窒化タングステン、ケイ化コバルト、ケイ化ニッケル、ポリシリコン、窒化ケイ素、および/またはルテニウム、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、他のルテニウム含有化合物からなる群から選択されるルテニウム含有化合物、あるいはそれらの任意の組み合わせを含む。好ましくは、添加剤組成物は、ウェットプロセスツールでその場でブレンドされる。好ましくは、高アスペクト比フィーチャーの表面は、窒化チタンおよび/またはルテニウム例えば、ルテニウム、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、他のルテニウム含有化合物、あるいはそれらの任意の組み合わせを含む。第1の態様のなおもう1つの実施形態において、高アスペクト比フィーチャーの表面を変性する方法が記載され、上記方法は、表面をリンスする工程と、表面を添加剤組成物と接触させ、変性された表面を製造する工程と、変性された表面をリンス溶液でリンスする工程と、任意に変性された表面を乾燥する工程と、任意に変性された表面から添加剤を除去する工程とを含み、変性された表面と接触するリンス溶液は、約70度~約110度、より好ましくは約85度~約95度の範囲の接触角を有する。好ましくは、高アスペクト比フィーチャーの表面は、窒化ガリウム、窒化チタン、非晶質炭素、窒化タンタル、窒化タングステン、ケイ化コバルト、ケイ化ニッケル、ポリシリコン、窒化ケイ素、および/またはルテニウム、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、他のルテニウム含有化合物からなる群から選択されるルテニウム含有化合物、あるいはそれらのあらゆる組み合わせを含む。好ましくは、添加剤組成物は、ウェットプロセスツールでその場でブレンドされる。好ましくは、高アスペクト比フィーチャーの表面は、窒化チタンおよび/またはルテニウム例えば、ルテニウム、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、他のルテニウム含有化合物、あるいはそれらのあらゆる組み合わせを含む。第1の態様のもう1つの実施形態は、添加剤組成物および変性された表面を含む製造物品であって、添加剤組成物が、少なくとも1種の界面活性剤、少なくとも1種の有機溶媒、任意に少なくとも1種の共界面活性剤、任意に少なくとも1種の消泡剤、任意に緩衝剤および少なくとも1種の安定剤を含む製造物品に関する。なおもう1つの態様は、変性された高アスペクト比表面を含む製造物品であって、上記変性された表面が、吸着された界面活性剤化合物およびリンス溶液を含み、変性された表面と接触する上記組成物が、約70度~約110度の範囲の接触角を有し、そして変性された高アスペクト比表面が、窒化ガリウム、窒化チタン、非晶質炭素、窒化タンタル、窒化タングステン、ケイ化コバルト、ケイ化ニッケル、ポリシリコン、窒化ケイ素、および/またはルテニウム、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、他のルテニウム含有化合物からなる群から選択されるルテニウム含有化合物、あるいはそれらの任意の組み合わせを含む製造物品に関する。好ましくは、高アスペクト比フィーチャーの表面は、窒化チタンおよび/またはルテニウム例えば、ルテニウム、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、他のルテニウム含有化合物、あるいはそれらの任意の組み合わせを含む。なおもう1つの実施形態において、変性された表面は、熱処理、反応性イオンエッチングまたはプラズマエッチングプロセスを使用して初期状態に戻される。第2の態様本発明の第2の態様は、高アスペクト比フィーチャーの表面における接触角を保持する方法に相当し、上記方法は、表面を添加剤組成物と接触させて、変性された表面を製造する工程を含み、変性された表面と接触するリンス溶液は、約70度~約110度の範囲の接触角を有する。好ましくは、接触角は、約70度~約110度、より好ましくは約85度~約105度、そして最も好ましくは約85度~約95度の範囲にある。好ましくは、高アスペクト比フィーチャーの表面は、ドープまたは非ドープの単結晶Si、ドープまたは非ドープの多結晶Si、ポリシリコン、二酸化ケイ素、窒化ケイ素またはそれらの組み合わせを含む。一実施形態において、変性された表面はリンス溶液でリンスされ、リンス時間t=xにおける変性された表面の接触角は、リンス時間t=0における変性された表面の接触角とは約/-10度以下異なる。ここでは、xは約60秒~約600秒以上の範囲にある。第2の態様の一実施形態において、高アスペクト比フィーチャーの表面における接触角を保持する方法が記載され、上記方法は、シリコン含有表面を、添加剤組成物と接触させ、変性された表面を製造する工程と、変性された表面をリンス溶液でリンスする工程とを含み、変性された表面と接触するリンス溶液は、約70度~約110度、より好ましくは約85度~約105度、そして最も好ましくは約85度~約95度の範囲の接触角を有する。好ましくは、シリコン含有表面は、ドープまたは非ドープの単結晶Si、ドープまたは非ドープの多結晶Si、ポリシリコン、二酸化ケイ素、窒化ケイ素またはそれらの組み合わせを含む。第2の態様のもう1つの実施形態において、高アスペクト比フィーチャーの表面を変性する方法が記載され、上記方法は、表面を添加剤組成物と接触させ、変性された表面を製造する工程を含み、変性された表面と接触するリンス溶液は、約70度~約110度、より好ましくは約85度~約105度、そして最も好ましくは約85度~約95度の範囲の接触角を有する。好ましくは、高アスペクト比フィーチャーの表面は、シリコン含有材料、好ましくは、ドープまたは非ドープの単結晶Si、ドープまたは非ドープの多結晶Si、ポリシリコン、二酸化ケイ素、窒化ケイ素またはそれらの組み合わせを含む。第2の態様のなおもう1つの実施形態において、高アスペクト比フィーチャーの表面を変性する方法が記載され、上記方法は、表面を添加剤組成物と接触させ、変性された表面を製造する工程と、変性された表面をリンス溶液でリンスする工程とを含み、変性された表面と接触するリンス溶液は、約70度~約110度、より好ましくは約85度~約105度、そして最も好ましくは約85度~約95度の範囲の接触角を有する。好ましくは、高アスペクト比フィーチャーの表面は、シリコン含有材料、好ましくは、ドープまたは非ドープの単結晶Si、ドープまたは非ドープの多結晶Si、ポリシリコン、二酸化ケイ素、窒化ケイ素またはそれらの組み合わせを含む。第2の態様のなおもう1つの実施形態において、高アスペクト比フィーチャーの表面を変性する方法が記載され、上記方法は、高アスペクト比フィーチャーの表面を前処理して、表面から残留物および/または汚染物質を除去する工程と、表面を添加剤組成物と接触させ、変性された表面を製造する工程と、変性された表面をリンス溶液でリンスする工程とを含み、変性された表面と接触するリンス溶液は、約70度~約110度、より好ましくは約85度~約105度、そして最も好ましくは約85度~約95度の範囲の接触角を有する。好ましくは、高アスペクト比フィーチャーの表面は、シリコン含有材料、好ましくは、ドープまたは非ドープの単結晶Si、ドープまたは非ドープの多結晶Si、ポリシリコン、二酸化ケイ素、窒化ケイ素またはそれらの組み合わせを含む。前処理は、当該技術において既知の任意の残留物除去手段例えば含水処理を使用して達成することができる。理論に束縛されることを望まないが、前処理は、表面の疎水性/親水性を変性するため、表面の動電学的特性を調節するため、および/または表面を酸化もしくは還元させるために実行される。例えば、シリコン含有材料を含む高アスペクト比表面があらかじめエッチングされていた場合例えば、ウェットエッチング組成物またはドライエッチング手段例えば反応性イオンエッチングRIEを使用して、トレンチ、ライン、ビアなどを作成するため、表面は、エッチング後残留物を実質的に除去するために、当該技術において既知のエッチング後残留物除去組成物によって処理されてもよい。高アスペクト比表面があらかじめ灰化されていた場合例えば、フォトレジストを除去するため、表面は、灰化後残留物を実質的に除去するために、当該技術において既知の灰化後残留物除去組成物によって処理されてもよい。シリコン含有材料にエッチングするために表面のウェットエッチングが実行される場合、曝露されたシリコン含有材料を変更するために反応性イオンエッチングが考察される。プロセスが前処理工程を含む場合、表面を添加剤組成物と接触させるために、高アスペクト比フィーチャーの表面から残留物および/または汚染物質の除去の後にデバイスがリンスされてもよいことが認識されるべきである。前処理後のリンスの条件には、約2分~約15分以上の範囲の時間で、約20度~約80度、好ましくは約20度~約30度の範囲の温度を含み、これは当業者によって容易に決定される。リンス溶液は好ましくは水を含む。あるいは、または加えて、表面と添加剤組成物との接触の前に、表面を処理するために、表面を照射または加熱することができる。第2の態様の方法のための添加剤組成物は、少なくとも1種の界面活性剤、少なくとも1種の溶媒、任意に少なくとも1種の共界面活性剤および任意に少なくとも1種の消泡剤を含むか、それらからなるか、またはそれらから本質的になる。各成分に関して考察される種は、本発明の第1の態様において上記で列挙される。第2の態様の一実施形態において、添加剤組成物は、界面活性剤および少なくとも1種の溶媒を含むか、それらからなるか、またはそれらから本質的になる。第2の態様のもう1つの実施形態において、添加剤組成物は、少なくとも1種の溶媒および少なくとも1種の共界面活性剤を含むか、それらからなるか、またはそれらから本質的になる。第2の態様のなおもう1つの実施形態において、添加剤組成物は、少なくとも1種の溶媒、および残留物を除去するための当該技術において既知の成分例えば、エッチング後残留物除去組成物を含むか、それらからなるか、またはそれらから本質的になる。第2の態様のなおもう1つの実施形態において、添加剤組成物は、少なくとも1種の溶媒、少なくとも1種の共界面活性剤、および残留物を除去するための当該技術において既知の成分例えば、エッチング後残留物除去組成物を含むか、それらからなるか、またはそれらから本質的になる。言い換えると、表面の前処理および表面の添加剤処理を1工程に組み合わせることができる。残留物の特定の種類を除去するための当該化学技術において既知の全ての残留物除去組成物が本明細書において考察されることを当業者は認識するべきである。添加剤組成物が残留物を除去するための当該技術において既知の成分を含む場合、本明細書に記載される前処理工程はなお必要であっても、または任意の工程であってもよいことをさらに認識するべきである。好ましくは、添加剤組成物は、以下の特性を有する。表面との相互作用およびその上でのコーティングの形成の後に、表面は、リンス溶液に対して約85~約95度、好ましくは約90度の接触角を有する。添加剤組成物は、高アスペクト比構造表面を湿潤させる。接触角は、好ましくは、リンス溶液でリンスした後に保持される例えば、リンス時間t=xにおける変性された表面の接触角は、リンス時間t=0における変性された表面の接触角とは約/-10度以下異なる。ここでは、xは約60秒~約300秒以上の範囲にある。添加剤コーティングは、好ましくは、最小限の汚染例えば、界面活性剤の単分子層のみがリンス後に残存するをもたらす。種々の表面のPZCまたはIEP特性をベースとする所望の表面動電学的条件を達成するために均衡のとれたpH値。さらに添加剤組成物は、ステアリン酸、ミリスチン酸、シランカップリング剤、例えば、ヘキサメチルジシラザンおよびテトラメチルシリルジエチルアミンを実質的に含まない。開示の目的のために、接触には、限定されないが、表面で添加剤組成物に噴霧すること、添加剤組成物の容積に浸漬すること、添加剤組成物で飽和させたもう1種の材料、例えば、パッドもしくは繊維吸着剤適用素子と表面を接触させること、添加剤循環組成物と表面を接触させること、または添加剤組成物が高アスペクト比フィーチャーの表面と接触する他のいずれかの適切な手段、方法もしくは技術が含まれる。一実施形態において、添加剤溶液は、あらかじめ混合されて、ウェットプロセスツールに送達される。もう1つの実施形態において、添加剤溶液は、ウェットプロセスツールでその場でブレンドされる。変性された表面を製造するために表面を添加剤組成物と接触した後、変性された表面をリンス溶液でリンスし、表面と相互作用しなかったか、または表面をコーティングしなかったあらゆる添加剤を除去する。リンス溶液は、上記の溶媒の少なくとも1種または組み合わせを含むことができる。あるいは、リンス溶液は、少なくとも1種の溶媒、任意に少なくとも1種のフリーラジカル種、任意に少なくとも1種のイオン交換樹脂および任意に少なくとも1種の乾燥剤を含むことができるか、それらからなることができるか、またはそれらから本質的になることができる。少なくとも1種のフリーラジカル種は、ヒドロキノン、ブチル化ヒドロキシルトルエンBHT、ブチル化ヒドロアニソールBHA、ジフェニルアミン、およびそれらの組み合わせからなる群から選択することができる。少なくとも1種のイオン交換樹脂は、MSC1DowChemicalを含むことができる。少なくとも1種の乾燥剤は、無水リン酸を含むことができる。リンスの条件には、約1分~約20分以上、好ましくは約5分~約15分の範囲の時間で、約20度~約80度、好ましくは約20度~約30度の範囲の温度が含まれる。提案されるリンス溶液は、水、IPA、TPGME、上記の共界面活性剤、水およびそれらの組み合わせを含む。あるいは、または加えて、表面と添加剤組成物との接触の後、表面を処理するために、表面を照射することができるか、または加熱することができる。なおもう1つの実施形態において、第2の態様の方法は、リンス後に変性された表面を乾燥する工程をさらに含むことができる。乾燥は、スピンドライ;イソプロパノールIPA、Novec7100流体3M、または当該技術において既知の他の不燃性溶媒混合物を使用する蒸気乾燥;または窒素銃を使用する乾燥を使用して達成されてもよい。その後、表面と相互作用するか、またはコーティングする添加剤を除去することができる例えば、熱的に。添加剤層、例えば界面活性剤層の除去の後、表面は、好ましくは、完全であり、クリーンであり、層例えば、誘電層の析出の準備ができている。したがって、第2の態様の別の実施形態において、高アスペクト比フィーチャーの表面を変性する方法が記載され、上記方法は、高アスペクト比フィーチャーの表面を前処理して、表面から残留物および/または汚染物質を除去する工程と、表面を添加剤組成物と接触させ、変性された表面を製造する工程と、変性された表面をリンス溶液でリンスする工程と、変性された表面を乾燥する工程とを含み、変性された表面と接触するリンス溶液は、約70度~約110度、より好ましくは約85度~約105度の範囲の接触角を有する。好ましくは、高アスペクト比フィーチャーの表面は、ドープまたは非ドープの単結晶Si、ドープまたは非ドープの多結晶Si、ポリシリコン、二酸化ケイ素、窒化ケイ素またはそれらの組み合わせを含む。前処理は、当該技術において既知の任意の残留物除去手段例えば含水処理を使用して達成することができる。したがって、なおもう1つの実施形態において、高アスペクト比フィーチャーの表面を変性する方法が記載され、前記方法は、高アスペクト比フィーチャーの表面を前処理して、表面から残留物および/または汚染物質を除去する工程と、前処理後に表面をリンスする工程と、表面を添加剤組成物と接触させ、変性された表面を製造する工程と、変性された表面をリンス溶液でリンスする工程と、変性された表面を乾燥する工程とを含み、変性された表面と接触するリンス溶液は、約70度~約110度、より好ましくは約85度~約105度、最も好ましくは約85度~約95度の範囲の接触角を有する。好ましくは、高アスペクト比フィーチャーの表面は、ドープまたは非ドープの単結晶Si、ドープまたは非ドープの多結晶Si、ポリシリコン、二酸化ケイ素、窒化ケイ素またはそれらの組み合わせを含む。前処理は、当該技術において既知のあらゆる残留物除去手段例えば含水処理を使用して達成することができる。なおもう1つの態様は、変性された高アスペクト比表面を含む製造物品であって、前記変性された表面が、吸着された界面活性剤化合物およびリンス溶液を含み、変性された表面と接触する上記組成物が、約70度~約110度の範囲の接触角を有し、そして変性された高アスペクト比表面が、ドープまたは非ドープの単結晶Si、ドープまたは非ドープの多結晶Si、ポリシリコン、二酸化ケイ素、窒化ケイ素またはそれらの組み合わせを含む製造物品に関する。なおもう1つの実施形態において、変性された表面は、熱処理、反応性イオンエッチングまたはプラズマエッチングプロセスを使用して初期状態に戻される。第3の態様第3の態様において、添加剤組成物が記載され、前記組成物は、少なくとも1種の界面活性剤、少なくとも1種の溶媒、任意に少なくとも1種の共界面活性剤、任意に少なくとも1種の消泡剤、任意選択的に少なくとも1種の緩衝剤および少なくとも1種の安定剤を含むか、それらからなるか、またはそれらから本質的になり、添加剤組成物は、変性された表面と接触するリンス溶液が約70度~約110度の範囲の接触角を有するように、高アスペクト比フィーチャーの表面を変性する。本発明の組成物は、本明細書に記載される成分を使用して、広範囲の種々の特定の調合物で具体化されてよい。本発明の組成物は、以下により完全に記載されるように、広範囲の種々の特定の調合物で具体化されてよい。組成物の特定の成分がゼロ下限を含む重量範囲に関連して検討される全てのそのような組成物において、そのような成分は、組成物の様々な特定の実施形態において存在しても、または存在しなくてもよいこと、そして、例えば、そのような成分が存在する場合、それらは、そのような成分が使用される組成物の全重量に基づき、0.001重量程度の低濃度で存在してもよいことは理解されるであろう。本明細書に記載される組成物は、それぞれの成分の単純な添加および均一条件への混合によって、容易に調製される。さらに、組成物は、シングルパッケージ調合物、または使用時に混合されるマルチパート調合物として容易に調製され得、好ましくはマルチパート調合物である。マルチパート調合物の個々の部分を、ツールの上流で、ツールで、または貯蔵タンクで混合してもよい。それぞれの成分の濃度は、組成物の特定の倍数で多種多様であってもよく、すなわち、より希釈されても、またはより濃縮されてもよく、そして本明細書に記載される組成物は、様々にそして代わりに、本明細書に開示に一致する成分のあらゆる組み合わせを含むか、それらからなるか、またはそれらから本質的になることが理解される。一実施形態において、添加剤組成物は、ドデシルホスホン酸を含む。もう1つの実施形態において、添加剤組成物は、テトラデシルホスホン酸を含む。なおもう1つの実施形態において、添加剤組成物は、ヘキサデシルホスホン酸を含む。もう1つの実施形態において、添加剤組成物は、少なくとも1種のグリコールエーテル溶媒、ならびにドデシルホスホン酸、テトラデシルホスホン酸およびヘキサデシルホスホン酸からなる群から選択される界面活性剤を含む。なおもう1つの実施形態において、添加剤組成物は、少なくとも1種のグリコールエーテル溶媒、少なくとも1種の消泡剤、ならびにドデシルホスホン酸、テトラデシルホスホン酸およびヘキサデシルホスホン酸からなる群から選択される界面活性剤を含む。もう1つの実施形態において、添加剤組成物は、アルコール、ならびにドデシルホスホン酸、テトラデシルホスホン酸およびヘキサデシルホスホン酸からなる群から選択される界面活性剤を含む。もう1つの実施形態において、添加剤組成物は、アルコール、少なくとも1種の消泡剤、ならびにドデシルホスホン酸、テトラデシルホスホン酸およびヘキサデシルホスホン酸からなる群から選択される界面活性剤を含む。なおもう1つの実施形態において、添加剤組成物は、トリプロピレングリコールメチルエーテル、ならびにドデシルホスホン酸、テトラデシルホスホン酸およびヘキサデシルホスホン酸からなる群から選択される界面活性剤を含む。なおもう1つの実施形態において、添加剤組成物は、トリプロピレングリコールメチルエーテル、少なくとも1種の消泡剤、ならびにドデシルホスホン酸、テトラデシルホスホン酸およびヘキサデシルホスホン酸からなる群から選択される界面活性剤を含む。もう1つの実施形態において、添加剤組成物は、トリプロピレングリコールメチルエーテル、ポリエチレングリコール/ポリプロピレングリコールコポリマー、ならびにドデシルホスホン酸、テトラデシルホスホン酸およびヘキサデシルホスホン酸からなる群から選択される界面活性剤を含む。なおもう1つの実施形態において、添加剤組成物は、4-メチル-2-ペンタノール、トリプロピレングリコールメチルエーテル、少なくとも1種の消泡剤、ならびにドデシルホスホン酸、テトラデシルホスホン酸およびヘキサデシルホスホン酸からなる群から選択される界面活性剤を含む。もう1つの実施形態において、添加剤組成物は、イソプロパノール、トリプロピレングリコールメチルエーテル、少なくとも1種の消泡剤、ならびにドデシルホスホン酸、テトラデシルホスホン酸およびヘキサデシルホスホン酸からなる群から選択される界面活性剤を含む。なおもう1つの実施形態において、添加剤組成物は、オクタノール、少なくとも1種の消泡剤、ならびにドデシルホスホン酸、テトラデシルホスホン酸およびヘキサデシルホスホン酸からなる群から選択される界面活性剤を含む。もう1つの実施形態において、添加剤組成物は、ジメチルジオクタデシルアンモニウムクロリドを含む。もう1つの実施形態において、添加剤組成物は、ジメチルジオクタデシルアンモニウムクロリドおよび少なくとも1種のグリコールエーテル溶媒を含む。なおもう1つの実施形態において、添加剤組成物は、ジメチルジオクタデシルアンモニウムクロリドおよびジプロピレングリコールメチルエーテルを含む。なおもう1つの実施形態において、添加剤組成物は、ジメチルジオクタデシルアンモニウムクロリド、ジプロピレングリコールメチルエーテルおよび少なくとも1種の消泡剤を含む。もう1つの実施形態において、添加剤組成物は、ジメチルジオクタデシルアンモニウムクロリド、ジプロピレングリコールメチルエーテルおよびポリエチレングリコール/ポリプロピレングリコールコポリマーを含む。あるいは添加剤組成物は、ジ水素化タロージメチルアンモニウムクロリドを含む。もう1つの実施形態において、添加剤組成物は、ジ水素化タロージメチルアンモニウムクロリドおよび少なくとも1種のグリコールエーテルを含む。もう1つの実施形態において、添加剤組成物は、ジ水素化タロージメチルアンモニウムクロリドおよびトリプロピレングリコールメチルエーテルを含む。もう1つの実施形態において、添加剤組成物は、ジ水素化タロージメチルアンモニウムクロリド、トリプロピレングリコールメチルエーテルおよび少なくとも1種の消泡剤を含む。なおもう1つの実施形態において、添加剤組成物は、ジ水素化タロージメチルアンモニウムクロリド、トリプロピレングリコールメチルエーテルおよびポリエチレングリコール/ポリプロピレングリコールコポリマーを含む。実施例1ブランケットTiNxALD基板上の調合物を評価する一般的なプロセスフロー:I.表面前処理:a.60秒間のアセトンリンスb.5秒間のIPAリンスc.DIリンス、浸漬1秒、DI流60秒d.60秒間のSCIリンス1部のNH4OH:1部のH2O2:5部のDIe.DIリンス、浸漬1秒、DI流60秒f.60秒間の希釈BOEリンス6部のDI:1部のBOEg.DIリンス、浸漬1秒、DI流60秒II.表面変性a.300秒間、室温でのビーカー中での2×2cmTiNxクーポンALDまたは下記の調合物を含むF20プレートの全浸漬b.DIリンス、浸漬1秒、DI流60秒III.乾燥および接触角の測定a.Laurelツールでの回転および乾燥、またはN2下での乾燥b.変性された表面におけるDI水の接触角の測定以下の調合物を調製した。調合物A:0.5重量のDDPA、0.05重量のdefoamerA、99.45重量のTPGME調合物B:0.5重量のDDPA、0.05重量の、DPGME中0.1重量のdefoamerA、99.45重量のDPGME調合物C:0.5重量のDDPA、0.05重量の、PGME中0.1重量のdefoamerA、99.45重量のPGME調合物D:0.5重量のDDPA、0.05重量の、4-メチル-2-ペンタノール中0.1重量のdefoamerA、99.45重量の4-メチル-2-ペンタノール調合物E:0.5重量のDDPA、0.05重量の、IPA中0.1重量のdefoamerA、99.45重量のIPA調合物F:0.5重量のDDPA、0.05重量の、TPGME中0.25重量のdefoamerA、10重量のDPGME、89.45重量のTPGME調合物G:0.5重量のDDPA、0.05重量の、TPGME中0.25重量のdefoamerA、30重量のDPGME、69.45重量のTPGME調合物H:0.5重量のDDPA、0.05重量の、TPGME中0.25重量のdefoamerA、50重量のDPGME、49.45重量のTPGME調合物I:0.5重量のDDPA、0.05重量の、TPGME中0.25重量のdefoamerA、70重量のDPGME、29.45重量のTPGME調合物J:0.5重量のDDPA、0.05重量の、TPGME中0.25重量のdefoamerA、10重量のPGME、89.45重量のTPGME調合物K:0.5重量のDDPA、0.05重量の、TPGME中0.25重量のdefoamerA、30重量のPGME、69.45重量のTPGME調合物L:0.5重量のDDPA、0.05重量の、TPGME中0.25重量のdefoamerA、50重量のPGME、49.45重量のTPGME調合物M:0.5重量のDDPA、0.05重量の、TPGME中0.25重量のdefoamerA、70重量のPGME、29.45重量のTPGME調合物N:0.5重量のDDPA、0.05重量の、TPGME中0.25重量のdefoamerA、10重量の4-メチル-2-ペンタノール、89.45重量のTPGME調合物O:0.5重量のDDPA、0.05重量の、TPGME中0.25重量のdefoamerA、30重量の4-メチル-2-ペンタノール、69.45重量のTPGME調合物P:0.5重量のDDPA、0.05重量の、TPGME中0.25重量のdefoamerA、50重量の4-メチル-2-ペンタノール、49.45重量のTPGME調合物Q:0.5重量のDDPA、0.05重量の、TPGME中0.25重量のdefoamerA、70重量の4-メチル-2-ペンタノール、29.45重量のTPGME調合物R:0.5重量のDDPA、0.05重量の、TPGME中0.25重量のdefoamerA、10重量のIPA、89.45重量のTPGME調合物S:0.5重量のDDPA、0.05重量の、TPGME中0.25重量のdefoamerA、30重量のIPA、69.45重量のTPGME調合物T:0.5重量のDDPA、0.05重量の、TPGME中0.25重量のdefoamerA、50重量のIPA、49.45重量のTPGME調合物U:0.5重量のDDPA、0.05重量の、TPGME中0.25重量のdefoamerA、70重量のIPA、29.45重量のTPGME調合物V:0.5重量のDDPA、0.05重量の、TPGME中0.25重量のdefoamerA、10重量の水、89.45重量のTPGME調合物W:0.5重量のDDPA、0.05重量の、TPGME中0.25重量のdefoamerA、30重量の水、69.45重量のTPGME調合物X:0.5重量のDDPA、0.05重量のTPGME中0.25重量のdefoamerA、50重量の水、49.45重量のTPGME変性されたTiNx表面上におけるDI水の接触角を、標準偏差バーとともに図2aおよび2bに示される。標的接触角は、80度~100度である。実施例2ブランケットRuALD基板上における調合物を評価するための一般的なプロセスフローを図3に示す。追加的な調合物を調製した。調合物AA:0.5重量のODPA、0.05重量のdefoamerARD28、99.45重量のTPGME。調合物BB:1.0重量のジメチルジオクタデシルアンモニウムクロリド、0.1重量のdefoamerARD28、98.9重量のDPGME。調合物CC:1.0重量のビス水素化タローアルキルジメチルクロリド、0.1重量のdefoamerARD28、98.9重量のTPGME。各Ruウエハの接触角を、4回の異なる時間:a未処理、b前処理工程I、IIおよびIIIの後、c前処理I、IIおよびIII、それぞれの調合物での浸漬および10分のDIリンス後、ならびにd前処理I、IIおよびIII、それぞれの調合物での浸漬、10分のDIリンス、および36時間の室温老化後に測定した。結果を図4に示す。実施例3F20実験を使用するブランケットポリシリコン基板上における調合物を評価するための一般的なプロセスフローを図5に示す。各ポリシリコンウエハの接触角を、前処理I、IIおよびIII、それぞれの調合物での5分間の浸漬および10分のDIリンス後に測定した。結果を図6aおよび6bに示す。本発明は、例示的な実施形態および特徴と関連して、本明細書中に様々に開示されたが、上記される実施形態および特徴は、本発明を限定するように意図されず、当業者によって、本明細書に開示に基づき、他の変形、修正および他の実施形態が提案されるであろうことは認識されるであろう。したがって、本発明は、以下に明示される請求項の精神および範囲内での全てのそのような変形、修正および代替の実施形態を包括するように、広義に解釈される。"