第1のエッジコネクタが形成され、前記第1のエッジコネクタとほぼ平行にコネクタソケットが実装された第1の回路基板と、前記コネクタソケットにより前記第1の回路基板に電気的に接続される光送受信モジュールと、を有し、前記光送受信モジュールは、電気/光変換素子、前記電気/光変換素子を駆動する駆動回路、光/電気変換素子、前記光/電気変換素子の出力電流を電圧信号に変換する電流/電圧変換回路が実装された第2の回路基板と、前記電気/光変換素子により生成される光信号を前記光送受信モジュールの出力端に導き、前記光送受信モジュールへ入力される光信号を前記光/電気変換素子へ導く光導波路と、を有し、前記第2の回路基板は、前記コネクタソケットに対応する第2のエッジコネクタを有し、前記電気/光変換素子、前記駆動回路、前記光/電気変換素子、前記電流/電圧変換回路は、前記第2の回路基板の中央近傍に配置され、前記駆動回路の信号線は、前記駆動回路から第1の方向に引き出されて前記第2のエッジコネクタの対応する端子まで形成され、前記電流/電圧変換回路の信号線は、前記電流/電圧変換回路から前記第1の方向に対して実質的に逆方向である第2の方向に引き出されて前記第2のエッジコネクタの対応する端子まで形成されることを特徴とする光モジュール。前記第2のエッジコネクタは、前記第2の回路基板の横方向に伸びる辺に形成され、前記第1および第2の方向は、実質的に前記第2の回路基板の横方向であることを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。前記電気/光変換素子および前記光/電気変換素子は、前記第2の回路基板の縦方向に並んで配置されていることを特徴とする請求項2に記載の光モジュール。前記駆動回路は、前記電気/光変換素子の右側に配置され、前記電流/電圧変換回路は、前記光/電気変換素子の左側に配置されていることを特徴とする請求項3に記載の光モジュール。前記駆動回路は、前記電気/光変換素子の左側に配置され、前記電流/電圧変換回路は、前記光/電気変換素子の右側に配置されていることを特徴とする請求項3に記載の光モジュール。前記光導波路は、前記第2の回路基板の横方向に光信号を伝搬するように前記第2の回路基板に固定されていることを特徴とする請求項2に記載の光モジュール。前記光導波路は、前記電気/光変換素子により生成される光信号を前記光送受信モジュールの出力端に導く送信光導波路チャネル、および前記光送受信モジュールへ入力される光信号を前記光/電気変換素子へ導く受信光導波路チャネルを含み、前記送信光導波路チャネルおよび前記受信光導波路チャネルは、互いに平行に、かつ前記電気/光変換素子および前記光/電気変換素子の近傍から同じ方向に向かって伸びるように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。送信信号が前記駆動回路を介して前記電気/光変換素子へ向かう方向と、受信信号が前記電流/電圧変換回路を介して前記電流/電圧変換回路の信号線へ向かう方向は、ほぼ同じであることを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。前記電気/光変換素子、前記駆動回路、前記光/電気変換素子、前記電流/電圧変換回路は、前記第2の回路基板の一方の面にフェイスダウン接続され、前記第2の回路基板の他方の面に前記光導波路が貼り付けられていることを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。前記第1の回路基板に形成されている前記第1のエッジコネクタは、垂直接続型エッジコネクタソケットに対応することを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。前記第2の回路基板は、フレキシブル回路基板であることを特徴とする請求項1~10のいずれか1つに記載の光モジュール。従来技術においては、光モジュール内に光送信機および光受信機を高密度に実装することは容易ではなかった。このため、光モジュール内に実装する光送信機および光受信機の個数を増やそうとすると、光モジュールのサイズが大きくなってしまう。換言すれば、規格などによって光モジュールのサイズが決められている場合には、光モジュール内に実装する光送信機および光受信機の個数を増やすことは難しい。また、光モジュールは、上述のように、光素子および電気素子を有する。ここで、電気回路が差動回路である場合、所定のファンアウトが必要である。また、光モジュールの基板上で、送信信号線E/Oに信号を伝送するための信号線および受信信号線O/Eの出力信号を伝送する信号線を、光素子に対して同じ方向に引き出すと、基板のサイズが大きくなってしまう。例えば、これらの信号線のピッチを小さくすると、チャネル間のクロストーク、および送信信号と受信信号との間のクロストークが大きくなってしまう。よって、これらのクロストークを抑制しようとすると、信号線のピッチを大きくしなければならず、光モジュールの基板が大きくなってしまう。ところで、上述のような光モジュールをブレードサーバのブレードに搭載する場合、ブレード上で光モジュールの占有面積が小さくなることが好ましい。そして、光モジュールが搭載されるスペースを小さくするためには、例えば、ブレードに対して垂直に取り付けられた基板に1または複数の光モジュールを搭載する構成が考えられる。ところが、上述のように、光モジュールのサイズを小さくすることは困難であった。このため、ブレードに対して垂直に取り付けられた基板に光モジュールを搭載する構成においては、光モジュールの基板が大きくなると、ブレードの幅が厚くなってしまう。したがって、ブレードに対して垂直に取り付けられた基板に光モジュールを搭載する構成においては、特に、光モジュールの実装密度を高くして小型化特に、低背化を図ることが求められている。本発明の目的は、光送信機および光受信機を有する光モジュールの実装密度を高くすることである。本発明の1つの態様の光モジュールは、第1のエッジコネクタが形成され、前記第1のエッジコネクタとほぼ平行にコネクタソケットが実装された第1の回路基板と、前記コネクタソケットにより前記第1の回路基板に電気的に接続される光送受信モジュールと、を有する。前記光送受信モジュールは、電気/光変換素子、前記電気/光変換素子を駆動する駆動回路、光/電気変換素子、前記光/電気変換素子の出力電流を電圧信号に変換する電流/電圧変換回路が実装された第2の回路基板と、前記電気/光変換素子により生成される光信号を前記光送受信モジュールの出力端に導き、前記光送受信モジュールへ入力される光信号を前記光/電気変換素子へ導く光導波路と、を有する。前記第2の回路基板は、前記コネクタソケットに対応する第2のエッジコネクタを有する。前記電気/光変換素子、前記駆動回路、前記光/電気変換素子、前記電流/電圧変換回路は、前記第2の回路基板の中央近傍に配置される。前記駆動回路の信号線は、前記駆動回路から第1の方向に引き出されて前記第2のエッジコネクタの対応する端子まで形成される。前記電流/電圧変換回路の信号線は、前記電流/電圧変換回路から前記第1の方向に対して実質的に逆方向である第2の方向に引き出されて前記第2のエッジコネクタの対応する端子まで形成される。上述の態様によれば、光送信機および光受信機を有する光モジュールの実装密度を高くできる。以下、実施形態の光モジュールについて、図面を参照しながら説明する。実施形態の光モジュールは、特に限定されるものではないが、以下では、ブレードサーバにおいて使用される。すなわち、実施形態の光モジュールは、以下の例では、ブレードサーバのブレードに搭載される。図1は、実施形態の光モジュールを使用するブレードサーバ100について説明する図である。ブレードサーバ100は、図1aに示すように、筐体101および複数のブレード102102-1~102-nを有する。各ブレード102は、たとえば、図1bに示すように、薄い略直方体形状である。なお、図1bに示すブレード102は、図1aに示すブレードサーバ100の筐体101に挿入されている複数のブレードの中の1つに相当する。ブレードサーバ100は、ブレード102間で光信号を伝送するための光リンクを有する。光リンクは、例えば、光導波路および光ファイバにより実現される。なお、光リンク上には、光スイッチまたは光クロスコネクトを設けてもよい。そして、各ブレード102は、上記光リンクを利用して、1または複数の他のブレード102との間でデータを送信および受信することができる。各ブレード102は、図1cに示すブレードメインボード110を有する。ブレードメインボード110には、1または複数のCPU111が実装されている。また、ブレードメインボード110には、特に図示しないが、メモリICも実装されている。なお、メモリは、CPU111に内蔵されていてもよい。そして、各ブレード102は、1台のコンピュータとして動作することができる。各ブレード102は、光モジュールを有する。光モジュール1は、図1cに示すように、ブレードメインボード110に取り付けられる。この実施例では、ブレードメインボード110には、不図示の垂直接続型エッジコネクタソケットが実装されている。そして、光モジュール1は、その垂直接続型エッジコネクタソケットを利用して、ブレードメインボード110に取り付けられる。したがって、光モジュール1は、ブレードメインボード110の1つの面に対して垂直方向に突出するように、ブレードメインボード110に取り付けられる。光モジュール1は、光送信機および光受信機を有する。光送信機および光受信機の電気回路は、ブレードメインボード110に形成されている回路に電気的に接続されている。そして、光モジュール1は、ブレードメインボード110において生成される電気信号を光信号に変換して他のブレードへ送信することができる。また、光モジュール1は、他のブレードから受信する光信号を電気信号に変換してブレードメインボード110に導くことができる。ブレードサーバ100を効率的に動作させるためには、各ブレード102は、他の複数のブレードとの間でデータ送信および受信できることが好ましい。この場合、各光モジュール1は、複数の光送信機および複数の光受信機を有する。なお、図1に示す例では、ブレードサーバ100は、1つの筐体101に収容されている複数のブレード102によって実現されている。この場合、あるブレード内に設けられている光モジュール1は、筐体101に収容されている他のブレードとの間で光信号を送信および受信する。ただし、ブレードサーバ100は、複数の筐体に収容されている複数のブレードで実現してもよい。この場合、あるブレード内に設けられている光モジュール1は、同じ筐体に収容されている他のブレードとの間で光信号を送信および受信すると共に、他の筐体に収容されているブレードとの間で光信号を送信および受信してもよい。また、あるブレード内に設けられている光モジュール1は、同じブレード内の他の光モジュールとの間で光信号を送信および受信してもよい。上記構成のブレードサーバ100において、筐体101により多くのブレード102を収容すれば、処理能力が向上する。ここで、図1bに示すブレード102の幅Wを薄くすれば、筐体101により多くのブレード102を収容することができる。よって、この場合、図1cに示す光モジュール1の高さHを低くすることが要求される。また、例えば、ブレード102の幅Wが規格などによって決められている場合において、光モジュール1により多くの光送信機および光受信機を実装するためには、光モジュール1の回路の高密度化を実現することが好ましい。図2は、光モジュール1に含まれる光送受信モジュールを上から見た図である。光送受信モジュール2は、フレキシブル基板3および光導波路4を有する。フレキシブル基板FPC:FlexiblePrintedCircuit2は、可撓性を有する薄いプリント基板である。フレキシブル基板3の厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、20~50μmである。また、フレキシブル基板3の材質は、特に限定されるものではないが、例えば、ポリイミド樹脂である。フレキシブル基板3の一方の面には、電気/光変換素子5、ドライバIC6、光/電気変換素子7、トランスインピーダンスアンプTIA8が、例えばフリップチップ等により、フェイスダウン実装されている。なお、フェイスダウン実装においては、デバイスのフェイスたとえば、E/O素子の発光面、O/E素子の受光面、回路素子のICパッドが形成されている面が下側すなわち、基板側を向いて搭載される。電気/光変換素子5、ドライバIC6、光/電気変換素子7、TIA8は、この実施例では、フレキシブル基板3の一方の面の中央近傍に配置されている。フレキシブル基板3の形状は、略矩形である。ここで、以下の説明では、図2に示すX方向を横方向と呼ぶことにする。また、図2に示すY方向を縦方向と呼ぶことにする。電気/光変換素子E/O:ElectricalOpticalConverter4は、ドライバIC6により駆動され、データ信号に対応する光信号を生成する。すなわち、E/O素子5は、入力電気信号を光信号に変換する。E/O素子5は、例えば、レーザダイオードにより実現される。レーザダイオードは、特に限定されるものではないが、例えば、面発光レーザVCSEL:VerticalCavitySurfaceEmittingLaserである。E/O素子5は、複数の電気信号をそれぞれ対応する光信号に変換するように構成してもよい。この場合、E/O素子5は、複数のレーザダイオードを有する。ドライバIC6は、データ信号に応じてE/O素子5を駆動する駆動回路である。すなわち、ドライバIC6は、データ信号に対応する電流でE/O素子5を駆動する。これにより、E/O素子5は、データ信号に対応する光信号を生成する。なお、データ信号は、図1cに示すブレードメインボード110において生成され、エッジコネクタ9の対応する端子およびフレキシブル基板3に形成されている回路を介してドライバIC6に導かれる。電気/光変換素子O/E:OpticalElectricalConverter7は、光導波路4を介して受信する光信号を電気信号に変換する。この電気信号は、光信号を表す電流信号である。O/E素子7により生成される電気信号は、TIA8に導かれる。O/E素子7は、例えば、フォトダイオードにより実現される。なお、O/E素子7は、複数の光信号をそれぞれ対応する電気信号に変換するように構成してもよい。この場合、O/E素子7は、複数のフォトダイオードを有する。TIA8は、O/E素子7によって生成される電流信号を電圧信号に変換する。すなわち、TIA8は、電流/電圧変換回路として動作する。このとき、TIA8は、差動電圧信号を出力してもよい。そして、TIA8の出力信号は、フレキシブル基板3に形成されている回路およびエッジコネクタ9の対応する端子を介して、図1cに示すブレードメインボード110導かれる。なお、光送受信モジュール2は、TIA8の代わりに、他の電流/電圧変換回路を使用してもよい。エッジコネクタ9は、フレキシブル基板3の1つの辺のエッジ領域に形成されている。図2に示す例では、エッジコネクタ9は、フレキシブル基板3の下辺のエッジ領域に形成されている。エッジコネクタ9の各端子は、後述する光モジュール回路基板に実装されているコネクタソケットの対応する端子に電気的に接続される。フレキシブル基板3の表面上面および下面には、回路が形成されている。ここで、上面は、フレキシブル基板3の2つの面のうち、E/O素子5およびO/E素子7などが実装されている面を意味する。下面は、フレキシブル基板3の2つの面のうちの他方の面を意味する。この回路は、フレキシブル基板3にプリントされた導体により実現される。プリントされた導体は、例えば、銅である。また、この回路は、プリントされた導体の他に、抵抗、容量、コイル等の回路部品を含んでもよい。フレキシブル基板3の上面において、ドライバIC6とエッジコネクタ9との間には、データ信号を伝送するための信号線が形成されている。この例では、E/O素子5は、4個のレーザダイオードを有し、4つの独立した光信号を生成することができる。よって、フレキシブル基板3には、Tx信号線11a~11dが形成されている。Tx信号線11a~11dは、互いに異なるTxデータ信号を伝送する。Txデータ信号は、エッジコネクタ9の対応する端子から、Tx信号線11a~11dを介してドライバIC6へ導かれる。そして、Txデータ信号は、ドライバIC6により、E/O素子5を駆動するための駆動信号として使用される。なお、図2においては、図面を見やすくするために、各Tx信号線11a~11dはエッジコネクタ9に接続していないが、各Tx信号線11a~11dは、エッジコネクタ9の対応する端子に電気的に接続されるよう形成される。また、フレキシブル基板3の上面において、TIA8とエッジコネクタ9との間にも、データ信号を伝送するための信号線が形成されている。この例では、O/E素子7は、4個のフォトダイオードを有し、4つの入力光信号をそれぞれ電気信号すなわち、Rxデータ信号に変換することができる。よって、フレキシブル基板3には、Rx信号線12a~12dが形成されている。そして、Rx信号線12a~12dは、互いに異なるRxデータ信号を伝送する。Rxデータ信号は、TIA8から、Rx信号線12a~12dを介してエッジコネクタ9の対応する端子へ導かれる。なお、図2においては、図面を見やすくするために、各Rx信号線12a~12dはエッジコネクタ9に接続していないが、各Rx信号線12a~12dは、エッジコネクタ9の対応する端子に電気的に接続されるよう形成される。Txデータ信号は、この例では、差動信号である。よって、各Tx信号線11a~11dは、図2に示すように、それぞれ1組の導体線によって実現される。同様に、この例では、Rxデータ信号は、差動信号である。よって、各Rx信号線12a~12dも、図2に示すように、それぞれ1組の導体線によって実現される。E/O素子5およびO/E素子7は、フレキシブル基板3の上面の中央近傍において、縦方向に並んで配置されている。そして、ドライバIC6は、E/O素子5の右側に配置されている。ここで、E/O素子5およびドライバIC6は、互いに近接していることが好ましい。また、E/O素子5とドライバIC6との間には、ドライバIC6から各レーザダイオードに駆動電流を供給するための信号線が形成されている。一方、TIA8は、O/E素子7の左側に配置されている。ここで、O/E素子7およびTIA8は、互いに近接していることが好ましい。また、O/E素子7とTIA8との間には、各フォトダイオードにより生成される電流信号をTIA8へ導くための信号線が形成されている。Tx信号線11a~11dは、ドライバIC6から右方向に向かって引き出され、エッジコネクタ9の対応する端子まで形成される。Tx信号線11a~11dに対応するエッジコネクタ9の端子は、フレキシブル基板3の右下領域に形成されているものとする。ここで、Tx信号線11a~11dは、互いに独立した電気信号すなわち、Txデータ信号を伝搬させる。すなわち、Tx信号線11a~11dが互いに近接していると、Txデータ信号間で干渉が発生し得る。このため、Tx信号線11a~11dは、互いに近接しないように形成されていることが好ましい。したがって、Tx信号線11a~11dは、ドライバIC6に近い領域において、Tx信号線11a~11d間の間隔を大きくするために、テーパ状に或いは、扇状に広がるように形成される。Rx信号線12a~12dは、TIA8から左方向に向かって引き出され、エッジコネクタ9の対応する端子まで形成される。Rx信号線12a~12dに対応するエッジコネクタ9の端子は、フレキシブル基板3の左下領域に形成されているものとする。ここで、Rx信号線12a~12dは、互いに独立した電気信号すなわち、Rxデータ信号を伝搬させる。すなわち、Rx信号線12a~12dが互いに近接していると、Rxデータ信号間で干渉が発生し得る。このため、Rx信号線12a~12dも、互いに近接しないように形成されていることが好ましい。したがって、Rx信号線12a~12dは、TIA8に近い領域において、Rx信号線12a~12d間の間隔を大きくするために、テーパ状に或いは、扇状に広がるように形成される。なお、電気信号のためのコネクタの端子のピッチは、光素子または光導波路のピッチ比べて大きい。よって、このことによっても、ドライバIC6から引き出されるTx信号線11a~11dは、テーパ状に或いは、扇状に広がるように形成されることになる。同様に、TIA8から引き出されるRx信号線12a~12dも、テーパ状に或いは、扇状に広がるように形成されることになる。このように、Tx信号線11a~11dは、ドライバIC6から右方向に向かって引き出される。一方、Rx信号線12a~12dは、TIA8から左方向に向かって引き出される。すなわち、ドライバIC6からTx信号線11a~11dが引き出される方向、およびTIA8からRx信号線12a~12dが引き出される方向は、いずれも、実質的に横方向である。ただし、ドライバIC6からTx信号線11a~11dが引き出される方向、およびTIA8からRx信号線12a~12dが引き出される方向は、互いに実質的に逆方向である。また、Txデータ信号は、Tx信号線11a~11dからドライバIC6を介してE/O素子5へ導かれる。すなわち、Txデータ信号は、図2において左方向に向かうように導かれる。一方、Rxデータ信号は、O/E素子7からTIA8を介してRx信号線12a~12dへ導かれる。すなわち、Rxデータ信号も、図2において左方向に向かうように導かれる。このように、Txデータ信号およびRxデータ信号は、E/O素子5、ドライバIC6、O/E素子7、TIA8が実装されている領域において、同じ方向に向かうように導かれる。複数の制御線13は、それぞれ、ドライバIC6とエッジコネクタ9の対応する端子とを電気的に接続する。なお、図2では、図面を見やすくするために、制御線13はエッジコネクタ9に接続していない。各制御線13は、それぞれドライバ制御信号を伝送する。ドライバ制御信号は、例えば、E/O素子5が好適な状態で動作するように、ドライバIC6を制御する信号を含む。また、ドライバ制御信号は、Txデータ信号が存在しないときにドライバIC6を停止する信号を含む。複数の制御線14は、それぞれ、TIA8とエッジコネクタ9の対応する端子とを電気的に接続する。なお、図2では、図面を見やすくするために、制御線14はエッジコネクタ9に接続していない。各制御線14は、それぞれTIA制御信号を伝送する。TIA制御信号は、例えば、光信号が入力されないときにTIA8を停止する信号を含む。フレキシブル基板3は、この実施例では、表面上面および下面にプリント回路を形成することができる2層基板である。Tx信号線11a~11d、Rx信号線12a~12d、制御線13、14は、フレキシブル基板3の上面に形成される。ここで、制御線13、14は、Tx信号線11a~11dとRx信号線12a~12dとの間の領域に形成される。また、フレキシブル基板3の上面には、E/O素子5、ドライバIC6、O/E素子7、TIA8などに電力を供給するための電源線を形成してもよい。さらに、フレキシブル基板3の下面には、接地電位を実現するための導体を形成してもよい。光導波路4は、この実施例では、光を伝搬するコアおよびコアを取り囲むクラッドが形成されたフィルムにより実現される。コアの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、40~60μmである。また、このフィルムは、特に限定されるものではないが、例えば、ポリマ材料により実現される。光導波路4は、複数の光導波路チャネルを有している。各光導波路チャネルは、それぞれ光信号を伝送する。また、複数の光導波路チャネルは、所定の間隔で形成されている。一例としては、特に限定されるものではないが、光導波路チャネルは025mm間隔で形成されている。光導波路4に形成される光導波路チャネルの数は、特に限定されるものではないが、この例では、12である。また、この例では、光導波路4は、4本の送信光導波路チャネル、および4本の受信光導波路チャネルを含む。各送信光導波路チャネルは、E/O素子5により生成される光信号を光送受信モジュール2の出力端に導く。また、各受信光導波路チャネルは、光送受信モジュール2へ入力される光信号をO/E素子7へ導く。残りの4本の光導波路チャネルは、未使用である。なお、光導波路4と光学的に結合するE/O素子5は、4個のレーザダイオードを有する。ここで、4個のレーザダイオードは、光導波路チャネルと同じ間隔で配置される。すなわち、4個のレーザダイオードは、025mm間隔で配置される。また、光導波路4と光学的に結合するO/E素子7は、4個のフォトダイオードを有する。ここで、4個のフォトダイオードは、光導波路チャネルと同じ間隔で配置される。すなわち、4個のフォトダイオードも、025mm間隔で配置される。光導波路4は、フレキシブル基板3の下面に貼り付けられている。ここで、光導波路4は、後で図3を参照しながら説明するが、フレキシブル基板3の左端から少なくともE/O素子5およびO/E素子7が実装されている位置まで到達している。すなわち、光導波路4は、フレキシブル基板3の横方向に光信号を伝搬するように、フレキシブル基板3に固定されている。光導波路4の端部には、光コネクタ10が光学的に結合されている。光コネクタ10は、例えば、PMTコネクタである。PMTコネクタは、高分子光導波路のための多芯光コネクタである。図3は、図2に示す光送受信モジュール2を側方から見た図である。ここで、図3は、図2において矢印Aで表される視線により得られる光送受信モジュール2を示している。ただし、図3は、光送受信モジュール2の一部を示している。また、図3は、光送受信モジュール2の構造を説明するために、フレキシブル基板3および光導波路4を模式的に表している。フレキシブル基板3の上面および下面には、選択的に導体21が形成されている。導体21により実現される回路は、図2に示すTx信号線11a~11d、Rx信号線12a~12d、制御線13、14を含む。また、導体21により実現される回路は、E/O素子5、ドライバIC6、O/E素子7、TIA8に電力を供給するための電源線を含む。フレキシブル基板3の下面に形成される導体21は、接地電位を提供してもよい。フレキシブル基板3の上面には、E/O素子5、ドライバIC6、O/E素子7、TIA8が実装されている。この例では、E/O素子5、ドライバIC6、O/E素子7、TIA8は、フレキシブル基板3の上面に形成されている導体21に、フェイスダウン接続されている。一例として、E/O素子5、ドライバIC6、O/E素子7、TIA8は、フレキシブル基板3の上面にフリップチップ実装されている。この場合、E/O素子5、ドライバIC6、O/E素子7、TIA8は、それぞれ、バンプ22を利用して導体21に電気的に接続される。E/O素子5の発光面およびO/E素子7の受光面は、フレキシブル基板3に対向している。そして、フレキシブル基板3は、E/O素子5およびO/E素子7が実装される領域において、貫通孔23を有している。なお、フレキシブル基板3が光信号の光波長に対して透明であるときは、フレキシブル基板3に貫通孔13を形成する必要はない。光導波路4は、光を伝搬するコア4a、およびコア4aを取り囲むクラッド4bを有する。コア4aおよびクラッド4bの屈折率は、互いに異なっている。そして、光導波路4は、フレキシブル基板3の下面に接合される。この実施例では、光導波路4は、フレキシブル基板3の下面に接着剤で貼り付けられる。なお、光導波路4と光素子E/O素子5およびO/E素子7との間の光結合効率を向上させるために、フレキシブル基板3と光導波路4との間にレンズを設けてもよい。この場合、100μm程度の厚さのシート状のレンズを使用することができる。光導波路4は、光信号を反射するミラー24を有する。ミラー24は、光導波路4が光を伝搬する方向に対して45度の角度を有するように形成される。また、ミラー24は、E/O素子5およびO/E素子7の直下に位置するように配置される。すなわち、ミラー24がE/O素子5およびO/E素子7の直下に位置するように、光導波路4がフレキシブル基板3の下面に接合される。図3に示す矢印25は、光信号を表している。すなわち、E/O素子5により生成される光信号は、ミラー24により反射され、コア4aを介して光コネクタ10へ伝搬される。また、入力光信号は、コア4aを介して伝搬され、ミラー24によりO/E素子7に導かれる。図4は、実施形態の光モジュール1の構成を示す。光モジュール1は、光モジュール回路基板31および図2~図3を参照しながら説明した光送受信モジュール2を有する。なお、以下の説明では、図4に示すX方向を横方向と呼ぶことにする。また、図4に示すY方向を縦方向と呼ぶことにする。光モジュール回路基板31には、コネクタソケット32が実装されている。また、光モジュール回路基板31の1つの辺に沿って、エッジコネクタ33が形成されている。さらに、光モジュール回路基板31には、ドライバIC6およびTIA8を制御するためのCPUが実装されていてもよい。光モジュール回路基板31は、表面に回路を有する。また、光モジュール回路基板31は、多層基板であってもよい。この場合、光モジュール回路基板31は、その内部にも回路を有する。光モジュール回路基板31に形成される回路は、プリントされた導体により実現される。この回路は、少なくとも、フレキシブル基板3に形成されているTx信号線11a~11dおよびRx信号線12a~12dを、それぞれエッジコネクタ33の対応する端子に電気的に接続するための導体線を含む。なお、光モジュール回路基板31の材質は、特に限定されるものではなく、例えば、樹脂、セラミック、金属である。コネクタソケット32は、横方向に伸びるように配置される。すなわち、コネクタソケット32は、エッジコネクタ33とほぼ平行に光モジュール回路基板31に実装されている。コネクタソケット32の端子は、それぞれ光モジュール回路基板31に形成されている回路に電気的に接続されている。そして、コネクタソケット32は、図2~図3を参照しながら説明した光送受信モジュール2のフレキシブル基板3を収容する。このとき、フレキシブル基板3に形成されているエッジコネクタ9の各端子は、それぞれコネクタソケット32の対応する端子に電気的に接続される。したがって、光送受信モジュール2は、コネクタソケット32によって、光モジュール回路基板31に形成されている回路に電気的に接続される。エッジコネクタ33は、ブレードメインボード110に実装されているコネクタソケットの対応する端子に電気的に接続されるように形成されている。なお、光モジュール回路基板31およびエッジコネクタ33は、特に限定されるものではない。領域34には、フレキシブル基板3に形成されているTx信号線11a~11dをエッジコネクタ33の対応する端子に電気的に接続するための信号線が形成される。また、領域35には、フレキシブル基板3に形成されているRx信号線12a~12dをエッジコネクタ33の対応する端子に電気的に接続するための信号線が形成される。なお、領域34、35において、これらの信号線は、光モジュール回路基板31の表面に形成されてもよいし、光モジュール回路基板31の内層に形成されてもよい。上記構成により、実施形態の光モジュール1は、縦方向の長さすなわち、高さHが低くなる。以下、比較例の構成を参照しながら、実施形態の光モジュール1の高さHが低くなることを説明する。図5は、比較例の光モジュールの構成を示す。図5に示す光モジュールは、光モジュール回路基板51、フレキシブル基板52、光導波路4を有する。光モジュール回路基板51には、コネクタソケット32が実装されている。また、光モジュール回路基板51の1つの辺に沿って、エッジコネクタ33が形成されている。ただし、コネクタソケット32は、光モジュール回路基板51の縦方向に伸びるように配置されている。すなわち、コネクタソケット32は、エッジコネクタ33に対してほぼ直交するように実装されている。フレキシブル基板52には、E/O素子5、ドライバIC6、O/E素子7、TIA8が実装されている。ドライバIC6およびTIA8は、E/O素子5およびO/E素子7に対して同じ側に配置されている。すなわち、ドライバIC6およびTIA8は、E/O素子5およびO/E素子7に対して右側に配置されている。Tx信号線61a~61dは、ドライバIC6から右方向に向かって引き出され、コネクタソケットの対応する端子に電気的に接続するように形成される。ここで、Tx信号線61a~61dは、ドライバIC6に近い領域において、Tx信号線61a~61d間の間隔を大きくするために、テーパ状に或いは、扇状に広がるように形成される。Rx信号線62a~62dは、TIA8から右方向に向かって引き出され、コネクタソケットの対応する端子に電気的に接続するように形成される。ここで、Rx信号線62a~62dは、TIA8に近い領域において、Rx信号線62a~62d間の間隔を大きくするために、テーパ状に或いは、扇状に広がるように形成される。なお、フレキシブル基板52において、領域63にはドライバIC6を制御するための制御線が形成される。また、領域64には、TIA8を制御するための制御線が形成される。光モジュール回路基板51において、領域65には、Tx信号線61a~61dとエッジコネクタ33の対応する端子とを電気的に接続する信号線が形成される。また、領域66には、Rx信号線62a~62dとエッジコネクタ33の対応する端子とを電気的に接続する信号線が形成される。図5に示す構成では、光モジュールの高さHを低くすることは困難である。この理由は以下の通りである。フレキシブル基板52において、Tx信号線61a~61dおよびRx信号線62a~62dは、上述したように、互いに近接しないように形成することが求められる。ところが、ドライバIC6およびTIA8は、E/O素子5およびO/E素子7に対して同じ側に配置されている。そして、Tx信号線61a~61dおよびRx信号線62a~62dは、ドライバIC6およびTIA8に対して同じ方向すなわち、光モジュール回路基板51の右側に向かう方向に引き出されている。このため、Tx信号線61a~61dをテーパ状に広がるように形成し、且つ、Rx信号線62a~62dをテーパ状に広がるように形成すると、フレキシブル基板52の縦方向の長さを長くする必要がある。したがって、光モジュール回路基板51にフレキシブル基板52を搭載して光モジュールを実現すると、必然的に、その光モジュールの高さHは高くなってしまう。これに対して、図4に示す実施形態の光モジュール1においては、ドライバIC6およびTIA8は、E/O素子5およびO/E素子7に対して異なる側に配置されている。図4に示す例では、E/O素子5の右側にドライバIC6が配置され、O/E素子7の左側にTIA8が配置されている。そして、Tx信号線11a~11dはドライバIC6に対して右方向に引き出され、Rx信号線12a~12dはTIA8に対して左方向に引き出されている。すなわち、Tx信号線11a~11dおよびRx信号線12a~12dは、E/O素子5およびO/E素子7に対して、互いに実質的に逆方向に引き出されている。このように、Tx信号線11a~11dおよびRx信号線12a~12dは、横方向において異なる領域に形成される。このため、縦方向において同じ位置にTx信号線11a~11dおよびRx信号線12a~12dを形成しても、Tx信号線11a~11dとRx信号線12a~12dとがオーバラップすることはない。ここで、図4に示すように、Tx信号線11a~11dがテーパ状に形成されている領域の高さh、Rx信号線12a~12dがテーパ状に形成されている領域の高さhとする。また、Tx信号線11a~11dおよびRx信号線12a~12dが形成されている領域信号線が縦方向に伸びる領域を除くの高さをhとする。そうすると、hh>hが得られる。よって、Tx信号線11a~11dをテーパ状に広がるように形成し、且つ、Rx信号線12a~12dをテーパ状に広がるように形成しても、フレキシブル基板3の縦方向の長さを短くすることができる。したがって、光モジュール回路基板31にフレキシブル基板3を搭載して光モジュール1を実現すると、図5に示す構成と比較して、光モジュール1の高さHを低くすることができる。実施形態の光モジュール1は、この例では、図1cに示すブレードメインボード110に対して垂直に搭載される。したがって、光モジュール1の高さHを低くすれば、ブレード102の幅Wを狭くすることができる。図6は、光モジュール1をブレードメインボード110に搭載する実施例を示す。図6に示す実施例では、ブレードメインボード110に複数の光モジュール1が搭載されている。図6に示す例では、CPU111-1、111-2および垂直接続型エッジコネクタソケット112-1~112-4が、ブレードメインボード110に実装されている。そして、光モジュール1-1~1-4は、対応する垂直接続型エッジコネクタソケット112-1~112-4により、ブレードメインボード110に形成されている回路に電気的に接続されている。光モジュール1-1~1-4は、それぞれ図4に示す実施形態の光モジュール1に相当する。上記構成において、CPU111-1、111-2は、光モジュール1-1~1-4を介して他のブレードへデータを送信できる。また、CPU111-1、111-2は、光モジュール1-1~1-4を介して他のブレードからデータを受信できる。さらに、実施形態の光モジュールによれば、Txデータ信号とRxデータ信号との間のクロストークが低減される。すなわち、図5に示す構成においては、Tx信号線61a~61dおよびRx信号線62a~62dは、実質的に同じ方向に形成される。この結果、Txデータ信号とRxデータ信号との間のクロストークが大きくなるおそれがある。これに対して、実施形態の光モジュール1においては、Tx信号線11a~11dおよびRx信号線12a~12dは、実質的に逆方向に形成される。この結果、Txデータ信号とRxデータ信号との間のクロストークが抑制される。図7は、送信信号と受信信号との間のクロストークについてのシミュレーション結果を示す。ここでは、図7aに示す2つのモデルについて比較する。モデルAは、実施形態の光モジュール1に相当し、Tx信号線およびRx信号線が互いに逆方向に形成されている。モデルBは、Tx信号線およびRx信号線が互いに同じ方向に形成されている。モデルAおよびモデルBにおいて、Tx信号線とRx信号線との間の間隔は、最悪条件を想定し、光デバイスのピッチ同じである。すなわち、Tx信号線とRx信号線との間の間隔は、250μmである。上記モデにおいて、ポートP1からポートP4へのクロストークのシミュレーションを行った。上記シミュレーションによれば、モデルAは、モデルBと比較すると、20dB以上の改善が得られる。すなわち、実施形態の光モジュール1においては、送信信号と受信信号との間のクロストークが抑制される。なお、図5に示す構成において、フレキシブル基板52の縦方向の長さが大きくなる理由の1つは、フレキシブル基板52の1つの面にTx信号線61a~61dおよびRx信号線62a~62dが形成されていることに起因する。よって、フレキシブル基板52の代わりに多層回路基板を採用し、同じ領域にTx信号線61a~61dおよびRx信号線62a~62dの一部が互いにオーバラップするように形成すれば、その回路基板のサイズを小さくすることができる。しかしながら、多層回路基板の厚さは、フレキシブル基板よりも厚い。そして、回路基板が厚くなると、E/O素子5と光導波路4のコア4aとの間、およびコア4aとO/E素子7との間の光損失を大きくなる。このため、この光損失を小さくするためには、E/O素子5、ドライバIC6、O/E素子7、TIA8を実装するための回路基板として、フレキシブル基板を採用する構成が好適である。実施形態の構成によれば、光損失の小さいフレキシブル基板を採用する場合であっても、光モジュールの高さを低くすることができる。すなわち、実施形態の構成によれば、回路基板の1つの面にTx信号線11a~11dおよびRx信号線12a~12dを形成しながら、光モジュールの高さを低くすることができる。ただし、本発明は、フレキシブル基板以外の回路基板に、E/O素子5、ドライバIC6、O/E素子7、TIA8を実装する構成を排除するものではない。また、上述の実施例では、E/O素子5の右側にドライバIC6が配置され、O/E素子7の左側にTIA8が配置されているが、本発明は、この構成に限定されるものではない。すなわち、E/O素子5の左側にドライバIC6を配置し、O/E素子7の右側にTIA8を配置してもよい。さらに、光モジュール1は、一例として、ブレードサーバ100のブレード間でデータを送信および受信するために使用されるが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、実施形態の光モジュール1は、任意の装置間で光信号を送信および受信するために使用可能である。