"下記一般式1又は2で表される基を有する繰り返し単位a1とフッ素原子とを有する重合体Aを、重合体全量に対して0.1質量以上20質量未満含むことを特徴とする感放射線性樹脂組成物。[一般式1及び2において、は置換又は無置換の芳香族炭化水素基を示し、R2は水素原子、炭素数1~12の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基又は芳香族炭化水素基であり、R3は炭素数1~12の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基である。R2,R3はそれらの結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、その場合R2とR3とを合わせて炭素数5~12の2価の脂環式炭化水素基を表す。aは1又は2を示す。]前記繰り返し単位a1が、下記一般式3又は4で表される繰り返し単位である請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。[一般式3又は4において、は置換又は無置換の芳香族炭化水素基を示し、R2は水素原子、炭素数1~12の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基又は芳香族炭化水素基であり、R3は炭素数1~12の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基である。R2,R3はそれらの結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、その場合R2とR3とを合わせて炭素数5~12の2価の脂環式炭化水素基を表す。aは1又は2を示す。]前記重合体Aが、フッ素原子を有する繰り返し単位f但し前記繰り返し単位a1に該当するものを除く。を有する請求項1又は2に記載の感放射線性樹脂組成物。前記繰り返し単位fが、現像液と反応して極性基を形成する繰り返し単位である請求項3に記載の感放射線性樹脂組成物。前記極性基がカルボキシル基である請求項4に記載の感放射線性樹脂組成物。請求項1乃至5のいずれかに記載の感放射線性樹脂組成物により形成されたレジスト被膜。しかしながら、上記特許文献3~5などの従来の液浸露光用の樹脂組成物では、形成されたレジスト被膜において、露光部に存在するフッ素含有重合体の現像液溶解性が十分でなく、現像残渣が生じる場合がある。このような現像残渣は、パターン同士の一部が繋がるブリッジ欠陥などといったパターン欠陥の発生原因となるおそれがあり、その発生を極力抑制する必要がある。また、レジスト被膜上の欠陥は、線幅が50nm以下の微細なレジストパターンにおいて現れやすく、パターンの微細化が進む今日では欠陥の抑制が重要な課題と言える。また、欠陥だけでなく、解像性やパターン形状等といったリソグラフィ性能についても改善の余地がある。本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、液浸露光時において被膜表面の疎水性を高くしつつ、現像不良による欠陥の発生を抑制でき、しかもリソグラフィ性能に優れたレジスト被膜を形成することができる感放射線性樹脂組成物及び該組成物により形成されるレジスト被膜を提供することを主たる目的とする。本発明者らは、上記のような従来技術の課題を解決すべく鋭意検討した結果、ベース樹脂とは異なる重合体として、特定の構造の酸解離性基を有する繰り返し単位を有するフッ素含有重合体を感放射線性樹脂組成物に含有させることで、上記課題を解決可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。具体的には、本発明により、以下の酸解離性基を有するフッ素含有重合体を含む感放射線性樹脂組成物及び該組成物により形成されるレジスト被膜が提供される。本発明によれば、下記一般式1又は2で表される基を有する繰り返し単位a1とフッ素原子とを有する重合体[A]を、重合体全量に対して0.1質量以上20質量未満含むことを特徴とする感放射線性樹脂組成物が提供される。[一般式1及び2において、は置換又は無置換の芳香族炭化水素基を示し、R2は水素原子、炭素数1~12の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基又は芳香族炭化水素基であり、R3は炭素数1~12の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基である。R2,R3はそれらの結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、その場合R2とR3とを合わせて炭素数5~12の2価の脂環式炭化水素基を表す。aは1又は2を示す。]上記重合体[A]は、フッ素原子を有するため、感放射線性樹脂組成物の重合体成分の一部として含有される場合には、レジスト被膜の表層に局在化する傾向が高く、これにより、液浸露光時には被膜表面に疎水性を付与する。ここで、重合体[A]において、上記の一般式1又は2で表される基では、酸の作用により、R2に結合する炭素と、この炭素に結合する酸素原子との結合が切断されてカルボカチオンが脱離し、カルボン酸ユニットが生成される。この脱保護反応は、脱離したカルボカチオンが共鳴安定化することにより、芳香環を有さない基に比べて反応性が高い。つまり、上記式1又は2で表される基を有する重合体[A]は、酸の作用によってカルボン酸ユニットを生成しやすく、露光後の現像液溶解性に優れている。したがって、上記重合体[A]を含む本発明の感放射線性樹脂組成物によれば、液浸露光時にはレジスト被膜表面に疎水性を付与することができ、また、液浸露光後の現像時には、露光部の現像残りが生じにくく、その結果、ライン同士の繋がりブリッジ欠陥等といった欠陥を好適に抑制できる。また、当該感放射線性樹脂組成物により形成したレジスト被膜によれば、露光部と未露光部との溶解差を大きくすることができ、解像性を向上させることができる。加えて、レジストパターンの直線性や矩形性に優れ、パターン形状が良好であるとともに、露光量の変動に伴うパターンの寸法変動量も少なく、マスクに対する忠実性も良好である。このような欠陥の抑制や高解像性、パターン形状の好適化といった優れた効果は、重合体Aを重合体全量に対して0.1質量以上20質量未満含むことで好適に発揮することができる。また、本発明によれば、前記繰り返し単位a1が、下記一般式3又は4で表される繰り返し単位である感放射線性樹脂組成物が提供される。この場合、解像性の更なる向上を図ることが可能となる。[一般式3又は4において、は置換又は無置換の芳香族炭化水素基を示し、R2は水素原子、炭素数1~12の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基又は芳香族炭化水素基であり、R3は炭素数1~12の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基である。R2,R3はそれらの結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、その場合R2とR3とを合わせて炭素数5~12の2価の脂環式炭化水素基を表す。aは1又は2を示す。]本発明によれば、重合体[A]が、フッ素原子を有する繰り返し単位f但し前記繰り返し単位a1に該当するものを除く。を有する感放射線性樹脂組成物が提供される。このとき、繰り返し単位fとして、現像液と反応して極性基を形成する繰り返し単位を有していてもよく、その極性基としてカルボキシル基を有していてもよい。この場合、重合体[A]では、アルカリ現像液との反応時においてカルボン酸ユニットが生成されるため、重合体[A]の現像液溶解性を一層高めることができる。本発明によれば、上記のいずれかの感放射線性樹脂組成物により形成されたレジスト被膜が提供される。当該レジスト被膜は、既に説明した感放射線性樹脂組成物により形成されるため、レジストパターンを形成した場合の欠陥の発生を極力抑制でき、しかもリソグラフィ性能が良好である。本明細書において、単に炭化水素基という場合には、鎖状炭化水素基、脂環式炭化水素基、及び芳香族炭化水素基が含まれる。この炭化水素基は、飽和炭化水素基であってもよいし不飽和炭化水素基であってもよい。また、鎖状炭化水素基とは、主鎖に環状構造を含まず、鎖状構造のみで構成された炭化水素基を意味し、直鎖状炭化水素基及び分岐状炭化水素基の双方を含むものとする。脂環式炭化水素基とは、環構造としては脂環式炭化水素の構造のみを含み、芳香環構造を含まない炭化水素基を意味する。ただし、脂環式炭化水素の構造のみで構成されている必要はなく、その一部に鎖状構造を含んでいてもよい。芳香族炭化水素基とは、環構造として芳香環構造を含む炭化水素基を意味する。ただし、芳香環構造のみで構成されている必要はなく、その一部に鎖状構造や脂環式炭化水素の構造を含んでいてもよい。メタアクリルとは、アクリルとメタクリルの双方を含むことを意味する。本発明の感放射線性樹脂組成物は、重合体成分の一部として、フッ素原子を含有する重合体[A]を含有する。また、他の重合体成分として、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する重合体[B]を含有する。また、本組成物は、好適な任意成分として、酸発生剤[C]を含んでいてもよく、更に、その他の任意成分として、酸拡散抑制剤[D]、溶媒[E]及び添加剤[F]等を含んでいてもよい。以下、各構成成分について順に説明する。<重合体[A]>本発明における重合体[A]は、下記の一般式1又は2で表される基を有する繰り返し単位a1を含有している。式1及び2において、は置換又は無置換の芳香族炭化水素基を示し、R2は水素原子、炭素数1~12の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基又は芳香族炭化水素基であり、R3は炭素数1~12の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基である。R2,R3はそれらの結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、その場合R2とR3とを合わせて炭素数5~12の2価の脂環式炭化水素基を表す。aは1又は2を示す。式1及び式2のについて、芳香族炭化水素基の環骨格としては、炭素数6~15であるのが好ましく、具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環、フルオレン環等が挙げられる。このような芳香環を有することで、上記式1又は2で表される基から脱離したカルボカチオンが安定化され、これにより、その脱離反応の反応性を高めることができる。また、重合体[A]では、カルボカチオンの脱離に伴いカルボン酸ユニットが形成される。よって、露光部では、重合体[A]の現像液に対する親和性が高く、露光部の現像残りが生じにくい。また、芳香環の存在によって、重合体[A]の耐ドライエッチング性を向上させることができる。上記の芳香族炭化水素基は、芳香環構造のみで構成されていてもよいし、芳香環構造が直鎖状又は分岐状のアルキル基や脂環式炭化水素基を有する構造であってもよい。この場合、芳香環構造が有するアルキル基又は脂環式炭化水素基としては、炭素数1~10であるのが好ましく、炭素数1~3であるのがより好ましい。上記芳香族炭化水素基の具体例としては、下記式h1~h5に示す芳香環から、式1については水素原子を1つ除いた基、式2については水素原子を2つ除いた基を挙げることができる。なお、上記の芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子や水酸基、カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基等で置換されていてもよい。R2,R3がアルキル基の場合、直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基等が挙げられる。これらのうち、好ましくは炭素数1~6の基であり、より好ましくは炭素数1又は2の基である。分岐状のアルキル基としては、炭素数3~12であり、具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、イソヘキシル基、3-メチルペンチル基、2,2-ジメチルブチル基、2,3-ジメチルブチル基等が挙げられる。R2,R3の脂環式炭化水素基としては炭素数3~12であり、具体的には、例えば、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカンといったポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基が挙げられる。具体的には、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のモノシクロアルキル基や、ノルボルニル基やイソボルニル基等のビシクロアルキル基、アダマンチル基やトリシクロデカニル基等のトリシクロアルキル基等を挙げることができる。R2,R3が互いに結合して形成される環としては、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ノルボルナン、アダマンタン等が挙げられる。また、これらの環には、メチル基等の1価の鎖状炭化水素基が結合されていてもよい。中でも、シクロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロオクタン、アダマンタンが好ましい。R2の芳香族炭化水素基としては炭素数6~12が好ましく、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基などのアリール基が挙げられる。上記式1又は2で表される基を有する繰り返し単位a1としては、上記式1又は2の構造を有するメタアクリル酸エステル誘導体、メタアクリルアミド誘導体、ビニルエーテル誘導体、オレフィン誘導体、スチレン誘導体等の繰り返し単位を挙げることができる。これらのうち、好ましくは、メタアクリル酸エステル誘導体の繰り返し単位である。すなわち、重合体[A]は、繰り返し単位a1として、下記式3又は4で表される繰り返し単位を備えているのが好ましい。[一般式3又は4において、,R2,R3及びaの定義は、上記式1及び2と同じである。R1は、水素原子、フッ素原子又はフッ素原子を有していてもよい1価の鎖状炭化水素基である。]R1としては、炭素数1~5の鎖状炭化水素基の水素原子のうち、例えば1~10個がフッ素原子で置換されたものを挙げることができる。好ましくは、R1は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。上記一般式1又は2で表される基の具体例としては、下記のものを挙げることができる。上記重合体[A]において、繰り返し単位a1の含有率は、重合体[A]を構成する全繰り返し単位に対する上記繰り返し単位a1の総量が、95モル以下が好ましく、5~95モルがより好ましい。このような含有率とすることにより、露光部の重合体[A]においてカルボン酸ユニットが十分に形成され、その結果、露光部の重合体[A]を現像液に対して十分に溶解させることができる。なお、重合体[A]は、繰り返し単位a1を、1種単独で又は2種以上を組み合わせて有してもよい。重合体[A]は、上記繰り返し単位a1を与える単量体の他、必要に応じて他の繰り返し単位を与える単量体とともにラジカル重合させることで得られる。上記繰り返し単位a1の上記一般式1を与える化合物としては、例えば下記式1-1で表されるものを挙げることができる。また、上記一般式2を与える化合物としては、例えば下記式2-1で表されるものを挙げることができる。式1-1及び2-1において、やR2、R3,aの定義は上記式1,2と同じである。<フッ素含有>重合体[A]は、フッ素原子を有している。これにより、重合体[A]は、被膜表層に偏った分布を示すとともに、液浸露光時において被膜表面に高い疎水性を付与することができる。したがって、本組成物によりレジスト被膜を形成した際には、形成したレジスト被膜上に液浸用保護膜を別途設ける必要がない。このような上層膜フリーのレジスト被膜によりレジストパターンを形成する場合、保護膜上層膜の製膜工程を省くことができ、スループットの向上の点で好ましい。重合体[A]は、上記繰り返し単位a1のR1や芳香族炭化水素基においてフッ素原子を有していてもよいが、繰り返し単位a1とは別に、フッ素原子を有する繰り返し単位fを有しているのが好ましい。<繰り返し単位f>繰り返し単位fの構成としては、フッ素原子を有するものであれば特に限定しないが、現像液に対する親和性が高いものが好ましい。この場合、露光された部分の重合体[A]の現像液溶解性が一層高くなり、露光部において重合体[A]の溶け残りを抑制する上で好適である。繰り返し単位fの好ましい構造としては、下記の繰り返し単位f1~f5を挙げることができる。以下、繰り返し単位f1~f5について説明する。<繰り返し単位f1>繰り返し単位fの好ましい構造の一つとして、下記式f-1で表される構造単位が挙げられる。式f-1中、Rmは、水素原子、フッ素原子、フッ素原子を有していてもよい1価の鎖状炭化水素基である。Rf1は、フッ素原子を有する1価の鎖状炭化水素基又はフッ素原子を有する1価の脂環式炭化水素基である。式f-1のRf1について、フッ素原子を有する1価の鎖状炭化水素基としては、炭素数1~30の鎖状炭化水素基の水素原子のうち、例えば1~10個がフッ素原子で置換されたものを挙げることができる。Rf1について、フッ素原子を有する1価の脂環式炭化水素基としては、炭素数3~30の脂環式炭化水素基の水素原子のうち、例えば1~10個がフッ素原子で置換されたものを挙げることができる。Rf1で表される基としては、これらの中でも、炭素数2~5のモノパーフルオロアルキルメチル基又は炭素数3~5のジパーフルオロアルキルメチル基が好ましい。これらによれば、レジスト被膜の表面疎水性を向上させることができ、レジスト被膜組成物の溶出や欠陥の発生といった液浸露光時における不都合を好適に抑制できる。Rmが、フッ素原子を有する1価の鎖状炭化水素基である場合、その具体例としては、上記Rf1と同様のもの、及び炭素数1~4のパーフルオロアルキル基を挙げることができる。繰り返し単位f1の具体例としては、特開2007-304537号公報[0214]~[0215]段落に記載のもの、及び下記式で表されるものを挙げることができる。式中、Rmは上記式f-1と同義である。<繰り返し単位f2>繰り返し単位fの他の好ましい構造として、下記式f-2で表される構造単位を挙げることができる。式f-2中、Rmは、上記式f-1のRmと同義である。Rk2は、q1価の連結基である。Xf2は、少なくとも1個のフッ素原子を有する2価の連結基である。Rj2は水素原子又は1価の有機基である。qは1~3の整数である。但し、qが2又は3の場合、Xf2及びRj2はそれぞれ独立して上記定義を有する。上記式f-2中、Rk2はq1価の連結基であればよく、例えば、炭素数1~20のq1価の炭化水素基が挙げられる。この場合、炭素数1~20のq1価の炭化水素基は、メチレン基が、酸素原子、硫黄原子、-NR’-但し、R’は水素原子又は1価の有機基である。、カルボニル基、-CO-O-又は-CO-NH-に置換されていてもよい。また、Rk2においてラクトン構造を有していてもよい。Rk2におけるq1価の炭化水素基は、鎖状炭化水素基、脂環式炭化水素基、及び芳香族炭化水素基のいずれであってもよく、それらの組み合わせであってもよい。また、飽和及び不飽和のいずれであってもよい。Xf2は、少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1~20の2価の鎖状炭化水素基であるのが好ましい。Xf2の好適な具体例としては、下記式X2-1~X2-6で表されるものを挙げることができる。Rj2の1価の有機基としては、酸解離性基、アルカリ解離性基又は置換基を有していてもよい炭素数1~30の炭化水素基を挙げることができる。ここで、酸解離性基とは、例えばヒドロキシル基やカルボキシル基等といった極性基の水素を置換する基であって、酸の作用により脱離する基をいう。また、アルカリ解離性基とは、例えばヒドロキシル基やカルボキシル基等といった極性基の水素を置換する基であって、塩基の作用により解離する基をいう。Rj2における酸解離性基としては、特に限定しないが、芳香環を有していない構造単位、例えば、上記繰り返し単位a1とは異なる構成単位であるのが好ましい。具体的には、t-ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、チオテトラヒドロピラニルスルファニルメチル基、チオテトラヒドロフラニルスルファニルメチル基や、アルコキシ置換メチル基、アルキルスルファニル置換メチル基等を挙げることができる。なお、アルコキシ置換メチル基におけるアルコキシル基置換基としては、例えば、炭素数1~4のアルコキシル基がある。また、アルキルスルファニル置換メチル基におけるアルキル基置換基としては、例えば、炭素数1~4のアルキル基がある。また、酸解離性基としては、下記式Y-1で表される基であるのが好ましい。式Y-1中、R6は炭素数1~4のアルキル基又は炭素数4~20の1価の脂肪族環状炭化水素基であり、R7及びR8はそれぞれ独立に炭素数1~4のアルキル基又は炭素数4~20の脂肪族環状炭化水素基である。または、R7及びR8は相互に結合してそれぞれが結合している炭素原子とともに炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基を形成する。上記式Y-1としては、合成が容易な点でt-ブチル基が好ましく、現像後のレジストパターンの形状をより改善させることができる点でシクロアルカン骨格を有する基が好ましい。上記式Y-1で表される基のうちシクロアルカン骨格を有する基の具体例としては、下記式Y1-1~Y1-4で表されるものを挙げることができる。式中、rは0~8の整数である。Rj2におけるアルカリ解離性基の具体例としては、下記式Z-1~Z-3で表されるものを挙げることができる。式Z-1中、は芳香族炭化水素基を示し、Aは単結合又は-CH2-である。式Z-1及びZ-2中、R41は置換基であり、複数存在する場合は同一でも異なっていてもよい。m1は0~5の整数であり、m2は0~4の整数である。式Z-3中、R42及びR43はそれぞれ独立に水素原子又はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~10のアルキル基を示し、R42及びR43が互いに結合して炭素数4~20の脂環式炭化水素構造を形成してもよい。上記式Z-1中のについて、芳香族炭化水素基の環骨格としては、炭素数6~10であるのが好ましく、具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環が挙げられる。式Z-1及びZ-2中、R41として表される置換基としては、例えば、-RP1、-RP2-O-RP1、-RP2-CO-RP1、-RP2-CO-ORP1、-RP2-O-CO-RP1、-RP2-OH、-RP2-CN、又は-RP2-COOHRP1は炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基、炭素数3~20の1価の脂環式飽和炭化水素基又は炭素数6~30の1価の芳香族炭化水素基であり、これらの基の有する水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい。RP2は、単結合、炭素数1~10の2価の鎖状飽和炭化水素基、炭素数3~20の2価の脂環式飽和炭化水素基、炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基、又はこれらの基の有する水素原子の一部もしくは全部がフッ素原子で置換された基である。や、フッ素原子等を挙げることができる。好ましくは、フッ素原子を有する1価の炭化水素基又はフッ素原子である。式Z-3として表されるものの具体例としてはメチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基が好ましい。なお、式f-2中、qは1~3の整数である。したがって、繰り返し単位f2には-Xf2-COO-Rj2が1~3個導入される。qが2又は3の場合、複数の-Xf2-COO-Rj2がRk2の同一の炭素原子に結合していてもよいし、異なる炭素原子に結合していてもよい。上記繰り返し単位f2の具体例としては、特開2009-019199号公報に記載のもの、特開2009-074085号公報に記載のもの、下記式5-1a及び5-1bで表される繰り返し単位等を挙げることができる。式5-1a中、R53は、炭素数1~20の2価の直鎖状、分岐状もしくは環状の飽和もしくは不飽和の炭化水素基である。Xf2、Rj2及びqの定義は上記式f-2と同じである。qが2又は3である場合、複数のXf2及びRj2はそれぞれ独立して上記定義を有する。上記繰り返し単位f2の具体例としては、下記式5p-1~5p-7で表される化合物を挙げることができる。式5p-1~5p-7中、Rmは上記式f-2と同義である。<繰り返し単位f3>繰り返し単位fの他の好ましい構造として、下記式f-3で表される構造単位を挙げることができる。式f-3中、Rm,Rf3の定義は、それぞれ上記式f-1のRm,Rf1と同じである。Rk3,rの定義は、それぞれ上記式f-2のRk2,qと同じである。但し、rが2又は3の場合、複数のRf3はそれぞれ独立して上記定義を有する。上記式f-3におけるRk3の具体例としては、上記式f-2中のRk2と同様のものを挙げることができる。また、Rf3の具体例としては、上記式f-1中のRf1と同様のものを挙げることができる。Rf3として好ましくは、フッ素原子を有する炭素数1~6の鎖状炭化水素基又はフッ素原子を有する炭素数4~20の脂環式炭化水素基である。なお、上記式f-3中、rは1~3の整数である。したがって、繰り返し単位f3には-COO-Rf3が1~3個導入される。rが2又は3の場合、複数の-COO-Rf3がRk3の同一の炭素原子に結合していてもよいし、異なる炭素原子に結合していてもよい。上記繰り返し単位f3の具体例としては、特開2010-032994号公報特に、[0152]段落のc-1-3並びに[0155]及び[0159]~[0162]段落に記載のもの、特開2008-111103号公報[0063]~[0071]段落に記載のもの、下記式6-1a及び6-1bで表される繰り返し単位等を挙げることができる。式6-1a中、R63は、炭素数1~20の2価の直鎖状、分岐状もしくは環状の飽和もしくは不飽和の炭化水素基である。Rm、Rf3及びrの定義は上記式f-3と同じである。rが2又は3である場合、複数のRf3はそれぞれ独立して上記定義を有する。上記繰り返し単位f3の具体例としては、下記式6p-1~6p-7で表されるものを挙げることができる。式6P-1~6P-7中、Rmは上記式f-3と同義である。<繰り返し単位f4>重合体[A]は、繰り返し単位fとして下記式f-4で表される構造単位を有していてもよい。式f-4中、Rmの定義は上記式f-1と同じである。Rk4,Xf4,Rj4及びmの定義は、それぞれ上記式f-2のRk2,Xf2,Rj2及びqと同じである。但し、mが2又は3の場合、複数のRj4はそれぞれ独立して上記定義を有する。上記式f-4中、Rk4の具体例としては、上記式f-2中のRk2と同様のものを挙げることができる。また、Xf4の具体例としては、上記式f-2中のXf2と同様のものを挙げることができ、上記X2-1で表されるものが好ましい。Rj4の具体例としては、上記式f-2中のRj2と同様のものを挙げることができる。Rj4が酸解離性基の場合、上記式f-2のRj2として例示した基のうち、上記式Y-1で表される基以外のものを適用でき、中でもt-ブトキシカルボニル基又はアルコキシ置換メチル基が好ましい。Rj4がアルカリ解離性基の場合、下記式W-1で表されるものを挙げることができる。式W-1中、Rfの定義は上記式f-1のRf1と同じである。なお、上記式f-4中、mは1~3の整数である。したがって、繰り返し単位f4には-Xf4-O-Rj4が1~3個導入される。mが2又は3の場合、複数の-Xf4-O-Rj4がRk4の同一の炭素原子に結合していてもよいし、異なる炭素原子に結合していてもよい。上記繰り返し単位f4の具体例としては、特開2007-204385号公報特に、[0040],[0041],[0061]及び[0077]段落に記載の単量体由来の繰り返し単位に記載のものを挙げることができる。具体的には、以下の繰り返し単位を挙げることができる。式中、Rmは上記式f-4のRmと同義である。<繰り返し単位f5>重合体[A]は、繰り返し単位fとして下記式f-5で表される構造単位を有していてもよい。式f-5中、Rm及びRf5の定義は、それぞれ上記式f-1のRm及びRf1と同じであり、nの定義は上記式f-2のqと同じであり、Rk5は、n1価の連結基である。但し、nが2又は3の場合、複数のRf5はそれぞれ独立して上記定義を有する。上記式f-5中、Rk5の具体例としては、上記式f-2中のRk2と同様のものを挙げることができる。Rf5の具体例としては、上記式f-1中のRf1と同様のものを挙げることができる。その中でも、炭素数1~5のパーフルオロアルキル基、炭素数2~5のモノパーフルオロアルキルメチル基又は炭素数3~5のジパーフルオロアルキルメチル基が好ましく、トリフルオロメチル基又はパーフルオロプロピル基がより好ましい。なお、上記式f-5中、nは1~3の整数である。したがって、繰り返し単位f5には-O-CO-Rf5が1~3個導入される。nが2又は3の場合、複数の-O-CO-Rf5がRk5の同一の炭素原子に結合していてもよいし、異なる炭素原子に結合していてもよい。上記繰り返し単位f5の具体例としては、下記式f5-1~f5-7で表される繰り返し単位を挙げることができる。式f5-1~f5-7中、Rmの定義は上記式f-5と同じである。繰り返し単位fとしては、上記繰り返し単位f1~f5のうち、繰り返し単位f1,f2,f3及びf5が好ましく、繰り返し単位f2,f3及びf5がより好ましく、繰り返し単位f2及びf3が更に好ましい。繰り返し単位f2及びf3では、アルカリ現像液と反応してカルボキシル基を生じるため、極性基を生じない繰り返し単位f1,f4や、水酸基を生じる繰り返し単位f5に比べて現像液溶解性が高い。したがって、露光部の現像残りが一層生じにくくなり、ライン同士の繋がりブリッジ欠陥等といった欠陥を抑制する上で一層好適である。上記重合体[A]において、繰り返し単位fの含有率は、重合体[A]を構成する全繰り返し単位に対する上記繰り返し単位fの総量が、95モル以下が好ましく、5~95モルがより好ましい。5モル以上であると、レジスト被膜組成物の溶出や欠陥発生といった液浸露光時における不都合を抑制するのに十分に高い疎水性をレジスト被膜表面に対して付与できる。また、95モル以下であると、レジスト被膜表面の疎水性が高くなりすぎず、欠陥を抑制する上で好適である。なお、重合体[A]は、繰り返し単位fを、1種単独で又は2種以上を組み合わせて有してもよい。<その他の繰り返し単位>上記重合体[A]は、上記繰り返し単位a1及びf以外の現像液溶解ユニットとして、下記に示す繰り返し単位Ac,aL,Lc等を有していてもよい。<繰り返し単位Ac>上記重合体[A]は、下記式7で表される繰り返し単位Acを有していてもよい。つまり、重合体[A]は、酸解離性基として、上記式1又は2で表される基とは異なる基を有し、その基によってカルボキシル基の水素が置換されていてもよい。式7中、Rは、水素原子、フッ素原子又はフッ素原子を含んでいてもよい1価の鎖状炭化水素基である。Yは酸解離性基である。Yとしては、上記式Y-1で表される基を挙げることができ、上記繰り返し単位Acの具体例としては、下記式7-1~7-4で表されるものを挙げることができる。式中、Rの定義は上記式7と同じであり、R6,R7及びR8の定義は上記式Y-1と同じである。rは0~8の整数である。上記重合体[A]において、繰り返し単位Acの含有率は、重合体[A]を構成する全繰り返し単位に対する繰り返し単位Acの総量が、通常80モル以下であり、0~70モルが好ましく、0~60モルが更に好ましい。なお、重合体[A]は、繰り返し単位Acを、1種単独で又は2種以上を組み合わせて有してもよい。<繰り返し単位aL>上記重合体[A]は、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位aLを有していてもよい。上記繰り返し単位aLにおけるアルカリ可溶性基は、現像液に対する溶解性向上の観点から、酸解離定数pKaが4~11の水素原子を有する官能基であることが好ましい。このような官能基として、具体的には、下記式8s-1及び8s-2で表される官能基等を挙げることができる。式8s-1中、R9は、少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1~10の炭化水素基である。上記式8s-1中、R9として表される少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1~10の炭化水素基は、炭素数1~10の炭化水素基における一部又は全部の水素原子がフッ素原子に置換されたものであれば特に限定されない。例えば、トリフルオロメチル基等が好ましい。上記繰り返し単位aLの具体例としては、メタアクリル酸由来の構造単位、国際公開第2009/041270号パンフレット[0018]~[0022]段落に記載のもの、同[0034]段落に記載のもの、国際公開第2006/035790号パンフレット[0015]段落に記載のものを挙げることができる。上記重合体[A]において、繰り返し単位aLの含有率は、重合体[A]を構成する全繰り返し単位に対する繰り返し単位aLの総量が、通常50モル以下であり、0~30モルが好ましく、0~20モルが更に好ましい。なお、重合体[A]は、繰り返し単位aLを、1種単独で又は2種以上を組み合わせて有してもよい。<繰り返し単位Lc>上記重合体[A]は、下記式9で表される繰り返し単位Lcを有していてもよい。上記式9において、RL1は単結合又は2価の連結基を示す。RLcはラクトン構造を有する1価の有機基又は環状カーボネート構造を有する1価の有機基を示す。Rの定義は上記式7と同じである。上記式9における2価の連結基RL1の具体例としては、例えば、上記繰り返し単位f2における2価の連結基Rk2の例などが挙げられる。上記式9中、RLcとして表されるラクトン構造を有する1価の有機基としては下記式Lc-1~Lc-6で表されるものを挙げることができる。式Lc-1~Lc-6中、RLc1はそれぞれ独立に酸素原子又はメチレン基である。RLc2は水素原子又は炭素数1~4のアルキル基である。nLc1はそれぞれ独立に0又は1である。nLc2は0~3の整数である。は上記式9中のRL1に結合する結合手を示す。また、式Lc-1~Lc-6で表される基は置換基を有していてもよい。上記式Lc-1~Lc-6で表される基が有する置換基としては、例えば、上記式Z-1及びZ-2におけるR41が有する置換基の例を挙げることができる。繰り返し単位Lcの具体例としては、特開2007-304537号公報[0054]~[0057]段落に記載のもの、特開2008-088343号公報[0086]~[0088]段落に記載のもの、下記式9-1a~9-1jで表されるものを挙げることができる。式9-1a~9-1j中、Rは上記式7と同じである。なお、上記繰り返し単位Lcは1種単独で又は2種以上が組み合わされて含まれていてもよい。上記繰り返し単位Lcを与える好ましい単量体としては国際公開第2007/116664号パンフレット[0043]段落に記載のものを挙げることができる。上記繰り返し単位Lcのうち、環状カーボネート構造を有する繰り返し単位としては、例えば、下記式9-2aで表される構造単位が挙げられる。式9-2a中、Rは上記式7の定義と同じである。Dは、炭素数1~30の3価の鎖状炭化水素基、炭素数3~30の3価の脂環式炭化水素基、又は炭素数6~30の3価の芳香族炭化水素基である。Dは、その骨格中に酸素原子、カルボニル基、-NH-を有していてもよい。また、Dは置換基を有していてもよい。Dが有していてもよい置換基としては、例えば、上記式Z-1及びZ-2におけるR41が有する置換基の例を挙げることができる。上記式9-2aで表される繰り返し単位を与える単量体は、例えば、TetrahedronLetters,Vol.27,No.32p.37411986、OrganicLetters,Vol.4,No.15p.25612002等に記載された、従来公知の方法により合成することができる。上記式9-2aで表される繰り返し単位の特に好ましい例としては、特開2010-066503号公報[0020]段落に記載のもの挙げられ、より好ましくは下記式9-2a-1又は9-2a-2で表される構造単位が挙げられる。上記式9-2a-1及び9-2a-2中、Rは上記式7と同義である。上記重合体[A]において、繰り返し単位Lcの含有率は、重合体[A]を構成する全繰り返し単位に対する繰り返し単位Lcの総量が通常50モル以下であり、0~40モルが好ましく、0~20モルがさらに好ましい。なお、重合体[A]は、繰り返し単位Lcを、1種単独で又は2種以上を組み合わせて有してもよい。重合体[A]の含有量は、当該感放射線性樹脂組成物に含有される全重合体に対して、0.1質量以上20質量未満である。重合体[A]の含有量が0.1質量未満であると、レジスト被膜表面に対し、液浸露光時における不都合を抑制するのに十分な高い疎水性を付与できないおそれがある。また、重合体[A]の含有量が20質量以上であると、現像残りが発生したり、LWRLineWidthRoughnessやMEFMaskErrorFactorといったレジストのリソグラフィ性能を示す指標が良好でなかったりするおそれがある。より好ましくは1~17質量であり、更に好ましくは1~15.5質量であり、特に好ましくは1~15質量である。重合体[A]のゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量以下、Mwともいう。は、特に限定しないが、1,000~50,000であるのが好ましい。重合体[A]のMwが1,000以上であると、被膜表層に偏った分布を示しやすく、50,000以下であると、レジスト溶媒に溶解しやすくなる。より好ましくは、2,000~40,000であり、更に好ましくは、3,000~30,000である。また、上記重合体[A]のGPCによるポリスチレン換算数平均分子量以下、Mnともいう。に対するMwの比Mw/Mnは、1.0~5.0であるのが好ましく、1.0~4.0であるのがより好ましく、1.0~3.5であるのが更に好ましい。本組成物は、重合体成分が有する全繰り返し単位に対して、上記繰り返し単位a1を0.1~15モル有し、かつ上記繰り返し単位f但し上記繰り返し単位a1に該当するものを除く。を0.1~15モル有することが好ましい。上記範囲とすることにより、液浸露光時において、レジスト被膜表面に対し適度な疎水性を付与することができ、かつ良好なパターニング性能を得ることができる。<重合体[A]の製造方法>重合体[A]は、ラジカル重合等の常法に従って合成することができる。例えば、1単量体及びラジカル開始剤を含有する溶液を、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法;2単量体を含有する溶液とラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法;3各々の単量体を含有する、複数種の溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法;等の方法で合成することが好ましい。これらの方法における反応温度は開始剤種によって適宜決定すればよい。通常、30~150°Cであり、40~150°Cが好ましく、50~140°Cが更に好ましい。滴下時間は、反応温度、開始剤の種類、反応させる単量体等の条件によって異なるが、30分~8時間が好ましく、1~6時間がより好ましい。また、滴下時間を含む全反応時間も、滴下時間と同様に条件により異なるが、通常、30分~12時間であり、45分~12時間が好ましく、1~10時間が更に好ましい。上記重合に使用されるラジカル開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリルAIBN、2,2’-アゾビス4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス2-シクロプロピルプロピオニトリル、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネート等のアゾ系ラジカル開始剤;ベンゾイルパーオキサイド、t-ブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド等の過酸化物系ラジカル開始剤等を挙げることができる。また、これらのラジカル開始剤は単独で又は2種以上を混合して使用することができる。好ましくは、AIBNである。重合溶媒としては、重合を阻害する溶媒重合禁止効果を有するニトロベンゼン、連鎖移動効果を有するメルカプト化合物等以外の溶媒であって、その単量体を溶解可能な溶媒であれば使用することができる。例えば、アルコール類、エーテル類、ケトン類、アミド類、エステルラクトン類、ニトリル類及びその混合溶媒等を挙げることができる。これらの溶媒は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。重合反応により得られた重合体は、再沈殿法により回収することが好ましい。すなわち重合反応終了後、重合液を再沈溶媒に投入することにより、目的の重合体を粉体として回収する。再沈溶媒としては、アルコール類やアルカン類等を単独で又は2種以上を混合して使用することができる。また、再沈殿法の他に、分液操作やカラム操作、限外ろ過操作等により、単量体、オリゴマー等の低分子成分を除去して、重合体を回収することもできる。<重合体[B]>当該感放射線性樹脂組成物は、重合体[A]とは別に、酸解離性基を有する重合体[B]を含有する。このような酸解離性基を有する重合体[B]は、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する。すなわち、重合体[B]は、酸の作用前はアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性で、酸発生剤[C]等から発生する酸の作用により酸解離性基が脱離することでアルカリ可溶性となる。なお、重合体[B]がアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性であるとは、当該感放射線性樹脂組成物を用いて形成したレジスト被膜からレジストパターンを形成する際に採用されるアルカリ条件下で、上記レジスト被膜に代えてこのような重合体[B]のみを用いた膜厚100nmの被膜を現像した場合に、被膜の初期膜厚の50以上が現像後に残存する性質をいう。本発明の感放射線性樹脂組成物において、重合体[B]は、フッ素原子を有していないか、又は上記重合体[A]よりもフッ素原子が少ないことが好ましい。こうすることにより、当該感放射線性樹脂組成物によって形成されたレジスト被膜において、重合体[A]がその表層に偏在化しやすく、重合体[A]の有する疎水性が被膜表面においてより効果的に発現される。重合体[B]は、上述のような性質を有する重合体である限り、その具体的な構造は特に限定されるものではない。重合体[B]の有する繰り返し単位として具体的には、重合体[A]において繰り返し単位f2として例示したもののうち、Rj2が酸解離性基である繰り返し単位や、繰り返し単位f4として例示したもののうち、Rj2が酸解離性基である繰り返し単位、あるいは、上記式7で表される繰り返し単位Acを挙げることができる。なお、重合体[B]は、上記の繰り返し単位を、1種単独で又は2種以上を組み合わせて有していてもよい。これらの中でも、レジストパターンの形状をより良好にできる点で、シクロアルカン骨格を有する繰り返し単位、例えば上記式7-1~7-4で表される繰り返し単位を有していることが好ましい。重合体[B]は、上記式9で表される繰り返し単位Lcを有することが好ましい。重合体[B]中における繰り返し単位Lcの含有率としては、重合体[B]を構成する全繰り返し単位に対して、繰り返し単位Lcの総量が、5~75モルが好ましく、15~65モルがさらに好ましく、15~55モルが特に好ましい。含有率が5モル以上であることにより、レジストとして基板との密着性を十分にすることができ、それに伴って現像時にパターンが剥がれてしまうおそれが低下する。一方、含有率が75モル以下であると、溶解した後のコントラストが損なわれにくくなり、パターン形状を良好にできる。重合体[B]は、上記に例示した繰り返し単位とは異なる他の繰り返し単位を有するものであってもよい。他の繰り返し単位を構成する重合性不飽和単量体としては、国際公開第2007/116664A号[0065]~[0085]段落に開示されている単量体を挙げることができる。他の構造単位としては、メタアクリル酸2-ヒドロキシエチル、メタアクリル酸2-ヒドロキシプロピル、又はメタアクリル酸3-ヒドロキシプロピルに由来する構成単位;上記繰り返し単位f4で表される構造単位が好ましい。重合体[B]のMwは、通常、3,000~300,000であり、好ましくは3,000~200,000であり、より好ましくは3,000~100,000である。Mwが3,000未満であると、レジストとしての耐熱性が低下するおそれがある。一方、Mwが300,000を超えると、レジストとしての現像性が低下するおそれがある。<酸発生剤[C]>本発明の感放射線性樹脂組成物を構成する酸発生剤[C]としては、スルホニウム塩やヨードニウム塩等のオニウム塩化合物、有機ハロゲン化合物、ジスルホン類やジアゾメタンスルホン類等のスルホン化合物を挙げることができる。酸発生剤[C]の当該感放射線性樹脂組成物における含有形態としては、後述するような化合物である酸発生剤の形態でも、重合体[A]や重合体[B]等の他の重合体の一部として組み込まれた酸発生基の形態でも、これらの両方の形態でもよい。このような酸発生剤[C]の好適な具体例としては、例えば、特開2009-134088号公報の段落[0080]~[0113]に記載されている化合物などを挙げることができる。酸発生剤[C]としては、具体的には、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、シクロヘキシル2-オキソシクロヘキシルメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジシクロヘキシル2-オキソシクロヘキシルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、2-オキソシクロヘキシルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-ヒドロキシ-1-ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-ヒドロキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-ヒドロキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-ヒドロキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-1-ナフチルアセトメチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-1-ナフチルアセトメチルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-1-ナフチルアセトメチルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、トリフルオロメタンスルホニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、パーフルオロ-n-オクタンスルホニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、N-ヒドロキシスクシイミドトリフルオロメタンスルホネート、N-ヒドロキシスクシイミドノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、N-ヒドロキシスクシイミドパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1,8-ナフタレンジカルボン酸イミドトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム1,1-ジフルオロ-2-アダマンチルエタンスルホネートが好ましい。酸発生剤[C]は、単独で又は2種以上を混合して使用できる。酸発生剤[C]の配合量は、レジストとしての感度及び現像性を確保する観点から、当該感放射線性樹脂組成物に含まれる重合体の総量100質量部に対して、0.1~30質量部であることが好ましく、0.1~20質量部であることがさらに好ましい。この場合、酸発生剤の配合量が0.1質量部未満では、感度及び現像性が低下する傾向があり、一方、30質量部を超えると、放射線に対する透明性が低下して、矩形のレジストパターンが得られ難くなる傾向がある。<酸拡散制御剤[D]>本発明の感放射線性樹脂組成物は、必要に応じて、[D]成分として、酸拡散制御剤を含有することができる。酸拡散制御剤[D]としては、例えば、下記式11で表される化合物以下、含窒素化合物Iという。、同一分子内に窒素原子を2個有する化合物以下、含窒素化合物IIという。、窒素原子を3個以上有する化合物以下、含窒素化合物IIIという。、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等を挙げることができる。酸拡散制御剤を含有すると、レジストとしてのパターン形状や寸法忠実度を向上させることができる。酸拡散制御剤[D]の当該感放射線性樹脂組成物における含有形態としては、後述するような化合物である酸拡散制御剤の形態でも、重合体[A]や重合体[C]等他の重合体の一部として組み込まれた酸拡散制御基の形態でも、これらの両方の形態でもよい。式11中、R12~R14は、それぞれ独立に、水素原子、置換されていてもよい直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。含窒素化合物Iとしては、例えばn-ヘキシルアミン等のモノアルキルアミン類;ジ-n-ブチルアミン等のジアルキルアミン類;トリエチルアミン等のトリアルキルアミン類;アニリン等の芳香族アミン類等を挙げることができる。含窒素化合物IIとしては、例えば、エチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン等を挙げることができる。含窒素化合物IIIとしては、例えば、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、ジメチルアミノエチルアクリルアミドの重合体等を挙げることができる。アミド基含有化合物としては、例えば、ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N-メチルピロリドン等を挙げることができる。ウレア化合物としては、例えば尿素、メチルウレア、1,1-ジメチルウレア、1,3-ジメチルウレア、1,1,3,3-テトラメチルウレア、1,3-ジフェニルウレア、トリブチルチオウレア等を挙げることができる。含窒素複素環化合物としては、例えば、ピリジン、2-メチルピリジン等のピリジン類の他、ピラジン、ピラゾール等を挙げることができる。また上記含窒素有機化合物として、酸解離性基を有する化合物を用いることもできる。このような酸解離性基を有する含窒素有機化合物としては、例えば、N―t-ブトキシカルボニルピペリジン、N―t-ブトキシカルボニルイミダゾール、N―t-ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N―t-ブトキシカルボニル-2-フェニルベンズイミダゾール、N―t-ブトキシカルボニルジ-n-オクチルアミン、N―t-ブトキシカルボニルジエタノールアミン、N―t-ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、N―t-ブトキシカルボニルジフェニルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン、N-t-アミロキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン等を挙げることができる。また、酸拡散制御剤としては、下記式12で表される化合物を用いることもできる。XZ-12上記式12中、Xは、下記式12-1-1又は12-1-2で表されるカチオンである。Z-は、OH-、RD1-COO-で表されるアニオン、RD1-SO3-で表されるアニオン、又はRD1-N--SO2-RD2で表されるアニオンである但しこれらの式中、RD1は、置換されていてもよいアルキル基、1価の脂肪族環状炭化水素基又はアリール基である。RD2は一部又は全部の水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基もしくは1価の脂肪族環状炭化水素基である。式12-1-1中、RD3~RD5は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシル基、水酸基、又はハロゲン原子である。上記式12-1-2中、RD6及びRD7は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、水酸基、又はハロゲン原子である。上記化合物は、露光により分解して酸拡散制御性を失う酸拡散制御剤以下、光分解性酸拡散制御剤ともいう。として用いられるものである。この化合物を含有することによって、露光部では酸が拡散し、未露光部では酸の拡散が制御されることにより露光部と未露光部のコントラストが優れる即ち、露光部と未露光部の境界部分が明確になるため、本発明の感放射線性樹脂組成物のLWRやMEFの改善に有効である。上記式12中のXは、上述したように一般式12-1-1又は12-1-2で表されるカチオンである。そして、上記式12-1-1中のRD3~RD5は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、水酸基、又はハロゲン原子であり、これらの中でも、上記化合物の、現像液に対する溶解性を低下させる効果があるため、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子であることが好ましい。また、上記式12-1-2中のRD6及びRD7は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、水酸基、又はハロゲン原子であり、これらの中でも水素原子、アルキル基、ハロゲン原子であることが好ましい。上記式12中のZ-は、OH-、RD1-COO-で表されるアニオン、RD1-SO3-で表されるアニオン、又は式RD1-N--SO2-RD2で表されるアニオンである。但し、これらの式中のRD1は、置換されていてもよいアルキル基、脂肪族環状炭化水素基又はアリール基であり、これらの中でも、上記化合物の、現像液に対する溶解性を低下させる効果があるため、脂肪族環状炭化水素基又はアリール基であることが好ましい。上記式12における置換されていてもよいアルキル基としては、例えば、ヒドロキシメチル基等の炭素数1~4のヒドロキシアルキル基;メトキシ基等の炭素数1~4のアルコキシル基;シアノ基;シアノメチル基等の炭素数2~5のシアノアルキル基等のように、置換基を1種以上有する基等を挙げることができる。これらの中でも、ヒドロキシメチル基、シアノ基、シアノメチル基が好ましい。上記式12における置換されていてもよい脂肪族環状炭化水素基としては、例えば、ヒドロキシシクロペンタン、ヒドロキシシクロヘキサン、シクロヘキサノン等のシクロアルカン骨格;1,7,7-トリメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-オンカンファー等の有橋脂肪族環状炭化水素骨格等の脂肪族環状炭化水素由来の1価の基等を挙げることができる。これらの中でも、1,7,7-トリメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-オン由来の基が好ましい。上記式12における置換されていてもよいアリール基としては、例えばフェニル基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、フェニルシクロヘキシル基等を挙げることができ、これらの化合物を、ヒドロキシル基、シアノ基等で置換したもの等を挙げることができる。これらの中でも、フェニル基、ベンジル基、フェニルシクロヘキシル基が好ましい。上記式12中のZ-は、下記式12-2-1で表されるアニオンすなわち、RD1がフェニル基であるRD1-COO-で表されるアニオン、下記式12-2-2で表されるアニオンすなわち、RD1が1,7,7-トリメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-オン由来の基であるRD1-SO3-で表されるアニオン又は下記式12-2-3で表されるアニオンすなわち、RD1がブチル基であり、RD2がトリフルオロメチル基であるRD1-N--SO2-RD2で表されるアニオンであることが好ましい。上記光分解性酸拡散制御剤は、一般式12で表されるものであり、具体的には、上記条件を満たすスルホニウム塩化合物又はヨードニウム塩化合物である。上記スルホニウム塩化合物としては、例えば、トリフェニルスルホニウムハイドロオキサイド、トリフェニルスルホニウムサリチラート、トリフェニルスルホニウム4-トリフルオロメチルサリチラート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムサリチラート、トリフェニルスルホニウム10-カンファースルホナート、4-t-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム10-カンファースルホナート等を挙げることができる。なお、これらのスルホニウム塩化合物は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。また、上記ヨードニウム塩化合物としては、例えば、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムハイドロオキサイド、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムサリチラート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム4-トリフルオロメチルサリチラート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム10-カンファースルホナート等を挙げることができる。なお、これらのヨードニウム塩化合物は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。なお、酸拡散制御剤[D]は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。酸拡散制御剤[D]の含有量は当該感放射線性樹脂組成物に含まれる重合体の総量100質量部に対して、10質量部以下が好ましく、5質量部以下がさらに好ましい。酸拡散制御剤[D]が過剰に含有されると、形成したレジスト被膜の感度が著しく低下するおそれがある。<溶媒[E]>本発明の感放射線性樹脂組成物は通常、溶媒を含有する。用いられる溶媒は、少なくとも重合体[A]や重合体[B]、酸発生剤[C]等を溶解可能な溶媒であれば、特に限定されるものではない。このような溶媒[E]として、例えば、直鎖状又は分岐状のケトン類;環状のケトン類;プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセタート類;2-ヒドロキシプロピオン酸アルキル類;3-アルコキシプロピオン酸アルキル類等を使用することができる。これらの中でも、直鎖状又は分岐状のケトン類、環状のケトン類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセタート類、2-ヒドロキシプロピオン酸アルキル類、3-アルコキシプロピオン酸アルキル類等が好ましく、その中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート、シクロヘキサノンがさらに好ましい。これらの溶媒は、1種単独で又は2種以上を混合して使用することができる。<添加剤[F]>本発明の感放射線性樹脂組成物には、上記の他、必要に応じ添加剤[F]として、偏在化促進剤、界面活性剤、脂環族化合物、増感剤、架橋剤等を配合することができる。偏在化促進剤偏在化促進剤は、重合体[A]を、より効率的にレジスト膜表面に偏析させる効果を有するものである。当該感放射線性樹脂組成物にこの偏在化促進剤を含有させることで、重合体[A]の添加量を従来よりも少なくすることができる。従って、LWR、現像欠陥、パターン倒れ耐性等のレジスト基本特性を損なうことなく、レジスト膜から液浸液への成分の溶出をさらに抑制したり、高速スキャンにより液浸露光をより高速に行ったりすることが可能になる。また、ウォーターマーク欠陥等の液浸由来欠陥を抑制することができる。このような偏在化促進剤として用いることができるものとしては、比誘電率が30以上200以下で、1気圧における沸点が100°C以上の低分子化合物を挙げることができる。このような化合物としては、具体的には、ラクトン化合物、カーボネート化合物、ニトリル化合物、多価アルコール等が挙げられる。上記ラクトン化合物の具体例としては、例えばγ-ブチロラクトン、バレロラクトン、メバロニックラクトン、ノルボルナンラクトン等を挙げることができる。上記カーボネート化合物の具体例としては、例えばプロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、ブチレンカーボネート、ビニレンカーボネート等を挙げることができる。上記ニトリル化合物の具体例としては、例えばスクシノニトリル等を挙げることができる。上記多価アルコールの具体例としては、例えばグリセリン等を挙げることができる。本発明の感放射線性樹脂組成物において、上記偏在化促進剤の含有量は、重合体の総量を100質量部とした場合に、10~500質量部であることが好ましい。上記偏在化促進剤としては、1種類のみ含有されていてもよいし、2種以上含有されていてもよい。界面活性剤界面活性剤は、塗布性、現像性等を改良する作用を示す成分である。界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンn-オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンn-ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤の他、以下商品名で、KP341信越化学工業社製、ポリフローNo.75、同No.95共栄社化学社製、エフトップEF301、同EF303、同EF352トーケムプロダクツ社製、メガファックF171、同F173大日本インキ化学工業社製、フロラードFC430、同FC431住友スリーエム社製、アサヒガードAG710、サーフロンS-382、同SC-101、同SC-102、同SC-103、同SC-104、同SC-105、同SC-106旭硝子社製等を挙げることができる。これらの界面活性剤は、1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができる。界面活性剤の含有量は、当該感放射線性樹脂組成物に含まれる重合体の総量100質量部に対して、通常、2質量部以下である。脂環式骨格化合物脂環式骨格含有化合物は、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接着性等をさらに改善する作用を示す成分である。脂環式骨格含有化合物としては、例えば、1-アダマンタンカルボン酸、2-アダマンタノン、1-アダマンタンカルボン酸t-ブチル等のアダマンタン誘導体類;デオキシコール酸t-ブチル、デオキシコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸2-エトキシエチル等のデオキシコール酸エステル類;リトコール酸t-ブチル、リトコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸2-エトキシエチル等のリトコール酸エステル類;3-2-ヒドロキシ-2,2-ビストリフルオロメチルエチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、2-ヒドロキシ-9-メトキシカルボニル-5-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン等を挙げることができる。これらの脂環式骨格含有化合物は、1種単独で又は2種以上を混合して使用することができる。脂環式骨格化合物の配合量は、当該感放射線性樹脂組成物に含まれる重合体の総量100質量部に対して、通常、50質量部以下であり、好ましくは30質量部以下である。増感剤増感剤は、酸発生剤[C]に吸収される放射線のエネルギー以外のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを例えばラジカルのような形で酸発生剤[C]に伝達し、それにより酸の生成量を増加する作用を示すものであり、当該感放射線性樹脂組成物のみかけの感度を向上させる効果を有する。増感剤としては、例えばカルバゾール類、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、フェノール類、ビアセチル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセン類、フェノチアジン類等を挙げることができる。これらの増感剤は、1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができる。架橋剤本発明の感放射線性樹脂組成物をネガ型感放射性樹脂組成物として用いる場合においては、アルカリ現像液に可溶な重合体を、酸の存在下で架橋しうる化合物以下、架橋剤という。を配合しても良い。架橋剤としては、例えば、アルカリ現像液に可溶な重合体との架橋反応性を有する官能基以下、架橋性官能基という。を1種以上有する化合物を挙げることができる。上記架橋性官能基としては、例えば、グリシジルエーテル基、グリシジルエステル基、グリシジルアミノ基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、アセトキシメチル基、ベンゾイルオキシメチル基、ホルミル基、アセチル基、ビニル基、イソプロペニル基、ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノメチル基、ジメチロールアミノメチル基、ジエチロールアミノメチル基、モルホリノメチル基等を挙げることができる。架橋剤としては、例えば、国際公開第2009/51088号の[0169]~[0172]段落に記載のものを挙げることができる。上記架橋剤としては、特に、メトキシメチル基含有化合物、より具体的には、ジメトキシメチルウレア、テトラメトキシメチルグリコールウリル等が好ましい。上記ネガ型感放射線性樹脂組成物において、架橋剤は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。架橋剤の使用量は、アルカリ現像液に可溶な重合体100質量部に対して、好ましくは5~95質量部、さらに好ましくは15~85質量部、特に好ましくは20~75質量部である。この場合、架橋剤の使用量が5質量部未満では、残膜率の低下、パターンの蛇行や膨潤等を来しやすくなる傾向があり、一方95質量部を超えると、アルカリ現像性が低下する傾向がある。添加剤[F]としては、上記のもの以外に、染料、顔料、接着助剤等を用いることもできる。例えば、染料或いは顔料を用いることによって、露光部の潜像を可視化させて、露光時のハレーションの影響を緩和できる。また、接着助剤を配合することによって、基板との接着性を改善することができる。他の添加剤としてはアルカリ可溶性樹脂、酸解離性の保護基を有する低分子のアルカリ溶解性制御剤、ハレーション防止剤、保存安定化剤、消泡剤等を挙げることができる。なお、添加剤[F]は、以上説明した各種添加剤1種を単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。<感放射線性樹脂組成物溶液の調製>本発明の感放射線性樹脂組成物は、通常、その使用に際して、全固形分濃度が1~50質量、好ましくは1~25質量となるように溶媒に溶解した後、例えば孔径0.02μm程度のフィルターでろ過することによって組成物溶液として調製される。なお、当該感放射線性樹脂組成物は、ハロゲンイオン、金属等の不純物の含有量が少ないほど好ましい。このような不純物の含有量が少ないと、レジスト被膜の感度、解像度、プロセス安定性、パターン形状等をさらに向上させることができる。そのため、当該感放射線性樹脂組成物に含有させる上記重合体[A]や重合体[B]は、例えば、水洗、液々抽出、脱メタルフィルター通液等の化学的精製法や、これらの化学的精製法と限外ろ過、遠心分離等の物理的精製法との組み合わせ等によって精製することが好ましい。<フォトレジストパターンの形成方法>本発明のレジストパターンの形成方法は、1感放射線性樹脂組成物を用いて基板上にフォトレジスト被膜を形成する工程以下、工程1ともいう。と、2上記フォトレジスト被膜上に液浸露光用液体を配置し、上記液浸露光用液体を介して上記フォトレジスト被膜を液浸露光する工程以下、工程2ともいう。と、3液浸露光された上記フォトレジスト被膜を現像してレジストパターンを形成する工程以下、工程3ともいう。と、を備える方法である。このような形成方法によれば、良好なパターン形状のレジストパターンを形成することができる。上記工程1では、本発明の感放射線性樹脂組成物の溶液を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段によって、例えば、シリコンウェハ、アルミニウムで被覆されたウェハ等の基板上に塗布することにより、フォトレジスト被膜が形成される。具体的には、得られるレジスト被膜が所定の膜厚となるように感放射線性樹脂組成物溶液を塗布したのち、プレベークPBすることにより塗膜中の溶剤を揮発させ、レジスト被膜が形成される。上記レジスト被膜の厚みは特に限定されないが、10~5000nmであることが好ましく、10~2000nmであることがさらに好ましい。また、プレベークの加熱条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成によって変わるが、30~200°C程度であることが好ましく、より好ましくは50~150°Cである。上記工程2では、工程1で形成されたフォトレジスト被膜上に液浸露光用液体を配置し、液浸露光用液体を介して、放射線を照射し、フォトレジスト被膜を液浸露光する。上記液浸露光用液体としては、例えば、純水、長鎖又は環状の脂肪族化合物等を用いることができる。上記放射線としては、使用される酸発生剤[C]の種類に応じて、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等から適宜選定されて使用されるが、ArFエキシマレーザー波長193nm或いはKrFエキシマレーザー波長248nmで代表される遠紫外線が好ましく、特にArFエキシマレーザー波長193nmが好ましい。また、露光量等の露光条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成や添加剤の種類等に応じて適宜選定することができる。本発明においては、通常、露光後に加熱処理PEBを行う。このPEBにより、樹脂成分中の酸解離性基の脱保護反応を円滑に進行させることができる。PEBの加熱条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成によって適宜調整されるが、通常、30~200°C、好ましくは50~150°Cである。本発明においては、感放射線性樹脂組成物の潜在能力を最大限に引き出すために、例えば特公平6-12452号公報特開昭59-93448号公報等に開示されているように、使用される基板上に有機系又は無機系の反射防止膜を形成しておくこともできる。また、環境雰囲気中に含まれる塩基性不純物等の影響を防止するため、例えば、特開平5-188598号公報等に開示されているように、フォトレジスト被膜上に保護膜を設けることもできる。これらの技術は併用することができる。上記工程3では、露光されたレジスト被膜を現像することにより、所望のレジストパターンが形成される。この現像工程に使用される現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、けい酸ナトリウム、メタけい酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8-ジアザビシクロ-[5.4.0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ-[4.3.0]-5-ノネン等のアルカリ性化合物の少なくとも1種を溶解したアルカリ性水溶液が好ましい。上記アルカリ性水溶液の濃度は、10質量以下であることが好ましい。アルカリ性水溶液の濃度が10質量を超える場合、非露光部も現像液に溶解するおそれがある。また、上記アルカリ性水溶液からなる現像液には、有機溶媒を添加することもできる。上記有機溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルi-ブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、3-メチルシクロペンタノン、2,6-ジメチルシクロヘキサノン等のケトン類;メチルアルコール、エチルアルコール、n-プロピルアルコール、i-プロピルアルコール、n-ブチルアルコール、t-ブチルアルコール、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、1,4-ヘキサンジオール、1,4-ヘキサンジメチロール等のアルコール類;テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸i-アミル等のエステル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類や、フェノール、アセトニルアセトン、ジメチルホルムアミド等を挙げることができる。これらの有機溶媒は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。有機溶媒の使用量は、アルカリ性水溶液100体積部に対して、100体積部以下であることが好ましい。有機溶媒の使用量が100体積部を超える場合、現像性が低下して、露光部の現像残りが多くなるおそれがある。また、上記アルカリ性水溶液からなる現像液には、界面活性剤等を適量添加することもできる。なお、アルカリ性水溶液からなる現像液で現像したのちは、一般に、水で洗浄して乾燥する。<レジスト被膜>本発明のレジスト被膜は、本発明の感放射線性樹脂組成物を用いて形成される。当該感放射線性樹脂組成物は、既に説明したような繰り返し単位a1を有するフッ素含有の重合体[A]を含んでいる。かかる重合体[A]は、重合体[B]よりもフッ素原子を有する繰り返し単位を多く含むことにより、基板上に形成されたレジスト被膜において表面に偏在化しやすくなる。これにより、本発明のレジスト被膜では、被膜表面と水滴との接触角が良好な値を示す。具体的には、例えば、レジスト被膜を傾斜させた際のレジスト被膜と水滴との接触角動的接触角の一つである後退接触角が70°以上である。この後退接触角は、水滴の移動方向後方の端点におけるレジスト被膜との接触角であり、被膜表面の疎水性が高いほど大きな値となる。特に、本発明のレジスト被膜を用いてパターン形成を行った場合には、そのパターン形成により生じる欠陥数が少なく、また、LWRやMEFが良好な値をとる。したがって、本発明の感放射線性樹脂組成物は、レジスト被膜の形成用に好適に用いることができる。なお、形成されたレジスト被膜においては、フッ素原子を含む重合体の存在分布が高い表層と、基材部分ベース部分とで、酸発生剤[C]や酸拡散制御剤[D]の濃度に偏りが生じる場合がある。例えば、露光部において、表層側では、酸解離性基を脱離させるのに必要な酸の濃度が低くなることがある。その点、上記重合体[A]は、上記式1又は2で表される繰り返し単位a1を有しており、酸による脱離反応の反応性が高い。これにより、本感放射線性樹脂組成物により形成されたレジスト被膜では、表層側についても、露光部において現像液に対する溶解性が高く、欠陥の抑制や、解像度やLWR,MEFといったレジストのリソグラフィ性能を示す指標の好適化を図ることができると考えられる。以下、本発明につき、具体例を挙げて説明するが、本発明は以下に例示する具体例に限定されるものではない。なお、実施例、合成例及び比較例中の部及びは、特に断らない限りモル基準である。各種物性値の測定方法を以下に示す。[ポリスチレン換算重量平均分子量Mw]東ソー社製GPCカラムG2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本を用い、流量1.0ミリリットル/分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度40°Cの分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCにより測定した。[ポリスチレン換算数平均分子量Mn]東ソー社製GPCカラムG2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本を用い、流量1.0ミリリットル/分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度40°Cの分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCにより測定した。[1H-NMR分析、13C-NMR分析]NMR分析は、核磁気共鳴装置商品名:JNM-ECX400、日本電子社製を使用し、測定した。[後退接触角の測定]まず、感放射線性樹脂組成物によって基板ウエハ上に被膜を形成し、その形成した被膜について、室温23°C、湿度45、常圧の環境下で、KRUS社製のDSA-10を用いて以下の手順で後退接触角を測定した。このとき、基板としては8インチシリコンウエハを用いた。被膜は膜厚75nmとし、被膜形成後、120°Cで60秒間ソフトベークSBを行った後に後退接触角を測定した。まず、ウエハステージ位置を調整し、ウエハをステージにセットした。続いて、DSA-10の針に水を注入し、針の位置を微調整した。位置の微調整の後、針から水を排出してウエハ上に25μLの水滴を形成し、その後、水滴から針を一旦引き抜いた。続いて、針を、上記微調整した位置に再び引き下げ、針によって水滴を10μL/分の速度で90秒間吸引するとともに、接触角を毎秒計90回測定した。接触角が安定した時点から計20点の接触角について平均値を算出して後退接触角°とした。[欠陥数の測定]欠陥数の測定用試料を以下のようにして作製した。まず、下層反射防止膜ARC66、日産化学社製を形成した12インチシリコンウエハ上に、感放射線性樹脂組成物によって膜厚75nmの被膜を形成し、120°Cで60秒間ソフトベークSBを行った。次に、この被膜を、ArFエキシマレーザー液浸露光装置NSRS610C、NIKON社製を用い、NA=1.3、iNA=1.27、ratio=0.750、Dipoleの条件により、マスクラインアンドスペースパターン1L/1S、ターゲットサイズ:幅45nmを介して露光した。露光後、85°Cで60秒間ポストベークPEBを行った。その後、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により現像し、水洗し、乾燥して、ポジ型のレジストパターンを形成した。このとき、幅45nmのラインアンドスペースを形成する露光量を最適露光量とした。この最適露光量にてウエハ全面に線幅45nmのラインアンドスペースを形成し、欠陥検査用ウエハとした。なお、測長には走査型電子顕微鏡CC-4000、日立ハイテクノロジーズ社製を用いた。上記欠陥検査用ウエハを用い、ウエハ上の欠陥数を、KLA-Tencor社製のKLA2810を用いて測定した。更に、KLA2810にて測定された欠陥数から、マスク由来と判断される各ショット中の同じ位置に検出される欠陥リピーター欠陥の数を差し引いた。この差し引いた値を欠陥数個とした。[LWRラインウィズスラフネスの測定]上記の欠陥検査用ウエハについて、走査型電子顕微鏡CC-4000、日立ハイテクノロジーズ社製を用い、最適露光量にて解像した45nmのラインアンドスペースのパターンをパターン上部から観察し、任意の10点ポイントで線幅を測定した。線幅の測定値の3シグマ値ばらつきをLWRnmとした。[MEFマスクエラーファクターの測定]MEFの測定用試料を、上記欠陥検査用ウエハと同様の方法で作製した。ここでは、ライン幅のターゲットサイズを40nmとするマスクの他に、42nm,44nm,46nm,48nm,50nmとするマスクラインアンドスペースパターン、ピッチのターゲットサイズはいずれも90nmをそれぞれ用い、ピッチ90nmのレジストパターンを形成した。このとき、ライン幅のターゲットサイズnmを横軸に、各マスクパターンを用いてレジスト膜に形成されたライン幅nmを縦軸にプロットしたときの直線の傾きをMEFとして算出した。MEF直線の傾きは、その値が1に近いほどマスク再現性が良好であることを示す。[単量体の合成]<単量体M-1の合成>1-p-トルイルシクロヘキサノール17.2g、メタクリル酸クロライド12.2g、及び1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン13.12gを塩化メチレン200gに溶解させた後、塩化メチレン還流下、6時間反応させた。反応終了後、反応母液に酢酸エチルを加え、有機層を水で洗浄した。その後、展開溶媒に酢酸エチル/n-ヘキサン=1/1体積比の混合溶媒を用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーを行うことにより、目的とする化合物を得た収率62。得られた化合物の構造を1H-NMRにより確認した。その結果を以下に示す。1H-NMR溶媒DMSO-d6、内部標準TMS:δppm=1.16~1.828.0H、1.82~1.953.0H、2.31~2.313.0H、2.19~2.452.0H、5.58~6.152.0H、7.01~7.304H.1H-NMRの結果より、得られた化合物の構造は、下記式で表されるものであることが分かった。以下、この化合物を単量体M-1とする。<単量体M-2の合成>1-p-トルイルシクロペンタノール15.9g、メタクリル酸クロライド12.2g、及び1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン13.12gを塩化メチレン200gに溶解させた後、塩化メチレン還流下、6時間反応させた。反応終了後、反応母液に酢酸エチルを加え、有機層を水で洗浄した。その後、展開溶媒に酢酸エチル/n-ヘキサン=1/1体積比の混合溶媒を用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーを行うことにより、目的とする化合物を得た収率54。得られた化合物の構造を1H-NMRで確認した。その結果を以下に示す。1H-NMR溶媒DMSO-d6、内部標準TMS:δppm=1.52~1.907.0H、1.90~2.102.0H、2.15~2.263.0H、2.26~2.402.0H、5.50~6.102.0H、7.00~7.3140H.1H-NMRの結果より、得られた化合物の構造は、下記式で表されるものであることが分かった。以下、この化合物を単量体M-2とする。<単量体M-3の合成>1-フェニルシクロヘキサノール15.9g、メタクリル酸クロライド12.2g、及び1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン13.12gを塩化メチレン200gに溶解させた後、塩化メチレン還流下、6時間反応させた。反応終了後、反応母液に酢酸エチルを加え、有機層を水で洗浄した。その後、展開溶媒に酢酸エチル/n-ヘキサン=1/1体積比の混合溶媒を用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーを行うことにより、目的とする化合物を得た収率60。得られた化合物の構造を1H-NMRで確認した。その結果を以下に示す。1H-NMR溶媒DMSO-d6、内部標準TMS:δppm=1.11~1.828.0H、1.85~1.903.0H、2.30~2.452.0H、5.58~6.102.0H、7.15~7.231H、7.23~7.354.0H.1H-NMRの結果より、得られた化合物の構造は、下記式で表されるものであることが分かった。以下、この化合物を化合物M-3とする。[重合体[A]の合成]重合体A-1~A-9は、各合成例において、上記の単量体M-1、M-2、M-3及び下記の単量体M-4~M-12を用いて合成した。M-4:1-エチルシクロペンチルメタクリレートM-5:1-エチルアダマンチルメタクリレートM-6:4-オキサ-5-オキソトリシクロ[4,2,1,03,7]ノナン-2-イルメタクリレートM-7:2-ヒドロキシエチルメタクリレートM-8:2-1,1,1-トリフルオロエチルメタクリレートM-9:2-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロピルメタクリレートM-10:1-エトキシカルボニル-1,1-ジフルオロ-2-ブチルメタクリレートM-11:1-メトキシカルボニル-1,1-ジフルオロ-2-ブチルメタクリレートM-12:1-フェノキシカルボニル-1,1-ジフルオロ-2-ブチルメタクリレート<実施例1:重合体A-1>単量体M-139.10g70モル、単量体M-810.90g30モルを2-ブタノン50gに溶解し、更に開始剤としてジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネート3.98g単量体全量に対して8モルを添加、溶解した単量体溶液を準備した。次に、温度計及び滴下漏斗を備えた500mlの三つ口フラスコに50gの2-ブタノンを添加し、30分窒素パージした。窒素パージの後、フラスコ内をマグネティックスターラーで攪拌しながら80°Cになるように加熱した。滴下漏斗を用い、予め準備しておいた単量体溶液を3時間かけて滴下した。滴下開始時を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合溶液は水冷により30°C以下に冷却した。冷却後、分液漏斗へ反応溶液、150gのヘキサン、600gのメタノール、30gの水を注ぎ激しく攪拌した後、静置した。混合溶液は2層に分離し、3時間静置した後に下層樹脂溶液を分取した。エバポレーターを用いて分取した樹脂溶液をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液へと溶剤置換した。共重合体のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液145.3gを得た。ホットプレートを用いて固形分濃度を求めた結果、共重合体濃度は21.0、収率は61であった。この共重合体を重合体A-1とした。重合体A-1は、Mwが7,200であり、Mw/Mnが1.2であった。13C-NMR分析の結果、化合物M-1由来の繰り返し単位:化合物M-8由来の繰り返し単位の含有比率が71.5:28.5モルの共重合体であった。<実施例2:重合体A-2>単量体M-238.61g70モル、単量体M-811.39g30モルを2-ブタノン50gに溶解し、更に開始剤としてジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネート4.16g単量体全量に対して8モルを添加し溶解した単量体溶液を準備した。次に、上記単量体溶液を用い、上記実施例1と同様の方法により、共重合体のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液150.1gを得た。ホットプレートを用いて固形分濃度を求めた結果、共重合体濃度は20.7、収率は62であった。この共重合体を重合体A-2とした。この共重合体は、Mwが7,300であり、Mw/Mnが1.2であった。13C-NMR分析の結果、化合物M-2由来の繰り返し単位:化合物M-8由来の繰り返し単位の含有比率が71.8:28.2モルの共重合体であった。<実施例3:重合体A-3>単量体M-242.72g85モル、単量体M-97.28g15モルを2-ブタノン50gに溶解し、更に開始剤としてジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネート3.79g単量体全量に対して8モルを添加し溶解した単量体溶液を準備した。次に、上記単量体溶液を用い、上記実施例1と同様の方法により、共重合体のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液155.0gを得た。ホットプレートを用いて固形分濃度を求めた結果、共重合体濃度は19.4、収率は60であった。この共重合体を重合体A-3とした。この共重合体は、Mwが7,500であり、Mw/Mnが1.2であった。13C-NMR分析の結果、化合物M-2由来の繰り返し単位:化合物M-9由来の繰り返し単位の含有比率が85.5:14.5モルの共重合体であった。<実施例4:重合体A-4>単量体M-219.71g40モル、単量体M-1030.29g60モルを2-ブタノン50gに溶解し、更に開始剤としてAIBN2.32g単量体全量に対して7モルを添加し溶解した単量体溶液を準備した。次に、温度計及び滴下漏斗を備えた500mlの三つ口フラスコに50gの2-ブタノンを添加し、30分窒素パージした。窒素パージの後、フラスコ内をマグネティックスターラーで攪拌しながら80°Cになるように加熱した。滴下漏斗を用い、予め準備しておいた単量体溶液を3時間かけて滴下した。滴下終了後、AIBN1.16gを10gの2-ブタノンに溶解した開始剤溶液を15分かけて滴下した。開始剤溶液の滴下が終了してから1時間45分後、AIBN1.16gを10gの2-ブタノンに溶解した開始剤溶液を15分かけて滴下した。さらに重合反応を1時間45分続けた。重合終了後、重合溶液は水冷により30°C以下に冷却した。冷却後、重合溶液をエバポレーターを用いて80gまで濃縮し、ここに20gの水、380gのメタノールの混合溶液を注ぎ激しく攪拌した後、静置した。1時間静置した後に上澄みをデカンテーションにより除去し、白色固体を得た。ここに20gの水、380gのメタノールの混合溶液を注ぎ激しく攪拌した後、静置した。1時間静置した後に上澄みをデカンテーションにより除去し、白色固体を得た。エバポレーターを用いて得られた白色固体をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液へと溶剤置換した。共重合体のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液121.4gを得た。ホットプレートを用いて固形分濃度を求めた結果、共重合体濃度は18.7、収率は46であった。この共重合体を重合体A-4とした。重合体A-4は、Mwが4,100であり、Mw/Mnが1.4であった。13C-NMR分析の結果、化合物M-2由来の繰り返し単位:化合物M-10由来の繰り返し単位の含有比率が40.1:59.9モルの共重合体であった。<実施例5:重合体A-5>単量体M-220.41g40モル、単量体M-1129.59g60モルを2-ブタノン50gに溶解し、更に開始剤としてAIBN2.20g単量体全量に対して7モルを添加し溶解した単量体溶液を準備した。次に、上記単量体溶液を用い、AIBNを1.10gに変更した以外は上記実施例4と同様にして、共重合体のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液123.4gを得た。ホットプレートを用いて固形分濃度を求めた結果、共重合体濃度は19.4、収率は48であった。この共重合体を重合体A-5とした。この共重合体は、Mwが4,200であり、Mw/Mnが1.4であった。13C-NMR分析の結果、化合物M-2由来の繰り返し単位:化合物M-11由来の繰り返し単位の含有比率が40.3:59.7モルの共重合体であった。<実施例6:重合体A-6>単量体M-217.66g40モル、単量体M-1232.34g60モルを2-ブタノン50gに溶解し、更に開始剤としてAIBN2.08g単量体全量に対して7モルを添加し溶解した単量体溶液を準備した。次に、AIBNを1.04gに変更した以外は上記実施例4と同様にして、共重合体のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液135.1gを得た。ホットプレートを用いて固形分濃度を求めた結果、共重合体濃度は15.9、収率は48であった。この共重合体を重合体A-6とした。この共重合体は、Mwが4,500であり、Mw/Mnが1.3であった。13C-NMR分析の結果、化合物M-2由来の繰り返し単位:化合物M-12由来の繰り返し単位の含有比率が41.6:58.4モルの共重合体であった。<実施例7:重合体A-7>単量体M-338.61g70モル、単量体M-811.39g30モルを2-ブタノン50gに溶解し、更に開始剤としてジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネート4.16g単量体全量に対して8モルを添加し溶解した単量体溶液を準備した。次に、上記単量体溶液を用い、上記実施例1と同様の方法により、共重合体のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液155.3gを得た。ホットプレートを用いて固形分濃度を求めた結果、共重合体濃度は20.0、収率は62であった。この共重合体を重合体A-7とした。この共重合体は、Mwが7,100であり、Mw/Mnが1.2であった。13C-NMR分析の結果、化合物M-3由来の繰り返し単位:化合物M-8由来の繰り返し単位の含有比率が70.7:29.3モルの共重合体であった。<実施例8:重合体A-8>単量体M-25.15g10モル、単量体M-1144.85g90モルを2-ブタノン50gに溶解し、更に開始剤としてAIBN2.42g単量体全量に対して7モルを添加し溶解した単量体溶液を準備した。次に、AIBNを1.10gに変更した以外は上記実施例4と同様にして、共重合体のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液126.4gを得た。ホットプレートを用いて固形分濃度を求めた結果、共重合体濃度は15.8、収率は40であった。この共重合体を重合体A-8とした。この共重合体は、Mwが4,300であり、Mw/Mnが1.4であった。13C-NMR分析の結果、化合物M-2由来の繰り返し単位:化合物M-11由来の繰り返し単位の含有比率が10.2:89.8モルの共重合体であった。<実施例9:重合体A-9>単量体M-245.15g90モル、単量体M-114.85g10モルを2-ブタノン50gに溶解し、更に開始剤としてAIBN2.36g単量体全量に対して7モルを添加し溶解した単量体溶液を準備した。次に、AIBNを1.10gに変更した以外は上記実施例4と同様にして、共重合体のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液131.2gを得た。ホットプレートを用いて固形分濃度を求めた結果、共重合体濃度は21.3、収率は56であった。この共重合体を重合体A-9とした。この共重合体は、Mwが5,200であり、Mw/Mnが1.4であった。13C-NMR分析の結果、化合物M-2由来の繰り返し単位:化合物M-11由来の繰り返し単位の含有比率が90.6:9.4モルの共重合体であった。<合成例1:重合体A-10>単量体M-435.83g70モル、単量体M-814.17g30モルを2-ブタノン50gに溶解し、更に開始剤としてジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネート5.17g単量体全量に対して8モルを投入、溶解した単量体溶液を準備した。次に、上記単量体溶液を用い、上記実施例1と同様の方法により、共重合体のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液159.2gを得た。ホットプレートを用いて固形分濃度を求めた結果、共重合体濃度は20.1、収率は64であった。この共重合体を重合体A-10とした。この共重合体は、Mwが6,900であり、Mw/Mnが1.3であった。13C-NMR分析の結果、化合物M-4由来の繰り返し単位:化合物M-8由来の繰り返し単位の含有比率が70.5:29.5モルの共重合体であった。[重合体[B]の合成]<合成例2:重合体B-1>単量体M-413.42g30モル、単量体M-627.28g50モル、単量体M-73.20g10モルを2-ブタノン100gに溶解し、更に開始剤としてAIBN4.03g単量体全量に対して10モルを添加し溶解した単量体溶液を準備した。次に、温度計及び滴下漏斗を備えた500mlの三つ口フラスコに50gの2-ブタノン、単量体M-56.10g10モルを添加、溶解し、30分窒素パージした。窒素パージの後、フラスコ内をマグネティックスターラーで攪拌しながら80°Cになるように加熱した。滴下漏斗を用い、予め準備しておいた単量体溶液を3時間かけて滴下した。滴下開始時を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合溶液は水冷により30°C以下に冷却した。冷却後、800gのメタノール及び200gの水の混合用液へ添加し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別された白色粉末を200gのメタノールにてスラリー状で2回洗浄した。その後、ろ別し、60°Cにて17時間乾燥し、白色粉末の重合体を得た34.2g、収率68。この共重合体を重合体B-1とした。重合体B-1は、Mwが4,300であり、Mw/Mnが1.3であった。13C-NMR分析の結果、化合物M-4由来の繰り返し単位:化合物M-5由来の繰り返し単位:化合物M-6由来の繰り返し単位:化合物M-7由来の繰り返し単位の含有比率が29.0:8.0:52.9:10.1モルの共重合体であった。重合体A-1~A-10及び重合体B-1における単量体の種類及び配合量、物性値等をまとめたものを下記表1に示す。[感放射線性樹脂組成物の調製]上記実施例及び合成例にて合成した重合体A-1~A-10及び重合体B-1以外の感放射線性レジスト組成物を構成する各成分酸発生剤C、酸拡散制御剤D、溶剤Eについて以下に示す。<酸発生剤C>C-1:下記式で示される化合物<酸拡散制御剤D>D-1:トリフェニルスルホニウムサリチル酸塩<溶剤E>E-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートE-2:シクロヘキサノンE-3:γ-ブチロラクトン<実施例10>合成例2で得られた重合体B-1100質量部、実施例1で得られた重合体A-15質量部、酸発生剤としてC-112質量部、酸拡散制御剤としてD-16.2質量部を混合し、この混合物に、溶剤Eとして、E-1プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート:2900質量部、E-2シクロヘキサノン:1250質量部及びE-3γ-ブチロラクトン:100質量部をそれぞれが組成物に含まれる量となるように添加し、上記混合物を溶解させて混合溶液を得た。得られた混合溶液を孔径0.20μmのフィルターでろ過して感放射線性樹脂組成物を調製した。この感放射線性樹脂組成物を組成物J-1とした。このとき、重合体全量に対して、単量体M-1由来の繰り返し単位は3.4モル、単量体M-8由来の繰り返し単位は1.4モルであった。<実施例11~20及び比較例1~3>重合体Aの種類及び配合量を変更した以外は、実施例10と同様にして組成物J-2~J-11及びH-1~H-3を調製した。組成物J-1~J-10及びH-1~H-3の組成をまとめたものを下記表2に示す。なお、表中、全重合中の含有率molは、組成物中の重合体成分が有する全繰り返し単位に対する繰り返し単位a1及び繰り返し単位fのそれぞれの含有率を示す。[リソグラフィ性能の評価]得られた実施例10~20及び比較例1~3の組成物J-1~J-11及びH-1~H-3について、後退接触角の測定、感度、欠陥、LWR及びMEFについて評価を行った。評価結果を下記表3に示す。まず、後退接触角については、表3に示すように、実施例10~20及び比較例1~3のいずれにおいても77~80°と高い値を示した。このことから、実施例10~20のレジスト被膜は、液浸露光時において十分に高い疎水性を示すことが分かった。また、感度についても、実施例10~20において良好な値を示した。次に、欠陥数について比較すると、比較例1では、欠陥検査用ウエハ上に24500個程度の欠陥が確認され、比較例2,3では、測定上限値を超える欠陥数が確認された。また、比較例1及び比較例2では、2本のラインが一部繋がる欠陥が数多く見られ、比較例3では、ラインパターンのトップが非常に丸くなっており、スペースパターンに残渣が見られ解像不良であった。これに対し、実施例10~20では、いずれも、比較例1~3より欠陥数が少なく、比較例1~3の中で最も欠陥数が少なかった比較例1と対比しても、比較例1の欠陥数の10分の1以下であった。中でも、実施例13~15では、比較例1と比較すると、欠陥数において2オーダーの差があり、特に優れていた。また、実施例10~20のいずれにおいても、矩形状のラインアンドスペースパターンが確認された。LWRについて、比較例1~3では、6.1~8.6nmであったのに対し、実施例10~20では、いずれも、比較例1~3よりも小さかった。これにより、実施例10~20はレジストパターンのライン幅のバラつきが少なく、直線性に優れていることが分かった。また、実施例10~20では、MEFが3.0と十分に小さく、感度良好であることが分かった。"