画素内に配置された画素電極を有する第1基板と、前記画素電極に対向する対向電極を含む第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に配置された、負の誘電率異方性を有する液晶を含む液晶層と、前記第1基板と前記第2基板との間に配置されたスペーサと、を備え、前記画素電極は、第1の方向に延びる複数の第1枝部からなる第1部分と、第2の方向に延びる複数の第2枝部からなる第2部分と、第3の方向に延びる複数の第3枝部からなる第3部分と、第4の方向に延びる複数の第4枝部からなる第4部分とを有し、前記第1方向、前記第2方向、前記第3方向、及び前記第4方向は互いに異なる方向であり、前記第1基板の面に垂直な方向から見た場合、前記画素内で、前記スペーサが、前記画素電極の前記第1部分、前記第2部分、前記第3部分、及び前記第4部分に囲まれた位置に配置されている、液晶表示装置。前記画素電極と前記対向電極との間に電圧が印加された場合、前記複数の第1枝部、前記複数の第2枝部、前記複数の第3枝部、及び前記複数の第4枝部によって、液晶が、前記第1枝部に沿って配向する第1領域、前記第2枝部に沿って配向する第2領域、前記第3枝部に沿って配向する第3領域、及び第4枝部に沿って配向する第4領域が形成される、請求項1に記載の液晶表示装置。前記第1基板が前記画素内に配置されたTFTを有し、前記第1基板の面に垂直な方向から見た場合、前記スペーサが前記TFTと重なる位置に配置されている、請求項2に記載の液晶表示装置。前記第2基板が、前記第1基板の面に垂直な方向から見た場合、前記スペーサ及び前記TFTと重なる位置に配置された遮光膜を有している、請求項3に記載の液晶表示装置。前記第1基板には、前記画素電極に表示信号を提供するための信号線が配置されており、前記画素電極が、前記第1から第4の方向のいずれとも異なる第5の方向に延びる第1幹部を有し、前記第1幹部から前記複数の第1枝部、前記複数の第2枝部、前記複数の第3枝部、又は前記複数の第4枝部が延びており、前記第1基板の面に垂直な方向から見た場合、前記信号線が前記第1幹部と重なる位置に配置されている、請求項1から4のいずれかに記載の液晶表示装置。前記第1基板には、前記TFTにゲート信号を提供するための走査線が配置されており、前記画素電極が、前記第1から第4の方向のいずれとも異なる第6の方向に延びる第2幹部を有し、前記第2幹部から前記複数の第1枝部、前記複数の第2枝部、前記複数の第3枝部、又は前記複数の第4枝部が延びており、前記第1基板の面に垂直な方向から見た場合、前記走査線が前記第2幹部と重なる位置に配置されている、請求項1から5のいずれかに記載の液晶表示装置。前記第1基板の面に垂直な方向から見た場合、前記第1幹部と前記第2幹部とが交差する部分、または前記第1幹部の延長線と前記第2幹部の延長線とが交差する部分と重なる位置に前記スペーサが配置されている、請求項6に記載の液晶表示装置。前記第1基板が絶縁層を有し、前記画素電極と前記TFTのドレイン電極とが前記絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続されており、前記第1基板の面に垂直な方向から見た場合、前記コンタクトホールが前記遮光膜と重ならない位置に配置されている、請求項4に記載の液晶表示装置。前記第1基板の面に垂直な方向から見た場合、前記画素の形状が長方形であり、前記コンタクトホールが前記画素の短辺の中央に形成されている、請求項1から8のいずれかに記載の液晶表示装置。前記第1基板が、前記画素の周辺部に配置された補助容量線、及び前記TFTのドレイン電極に電気的に接続された補助容量対向電極を有し、前記第1基板の面に垂直な方向から見た場合、前記補助容量線と前記補助容量対向電極とが重なっている、請求項3または4に記載の液晶表示装置。前記画素電極が、前記TFTを覆うように配置された島状電極を含む、請求項4に記載の液晶表示装置。前記第1基板が絶縁層を有し、前記画素電極と前記TFTのドレイン電極とが前記絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続されており、前記第1基板の面に垂直な方向から見た場合、前記コンタクトホールが前記遮光膜と重なる位置に配置されている、請求項4または11に記載の液晶表示装置。前記島状電極が、前記コンタクトホールを覆うように配置されている、請求項12に記載の液晶表示装置。前記第1基板が前記画素の周辺部に配置された補助容量線を有し、第1基板の面に垂直な方向から見た場合、前記補助容量線の一部と前記画素電極の前記第1部分、前記第2部分、前記第3部分、及び前記第4部分の一部とが重なっている、請求項12または13に記載の液晶表示装置。前記第1基板が、前記画素電極の前記液晶層とは反対側に形成された透明電極を備えている、請求項12に記載の液晶表示装置。前記透明電極が開口を有し、前記第1基板の面に垂直な方向から見た場合、前記コンタクトホールが前記開口の内側に形成されている、請求項15に記載の液晶表示装置。図19は、フィッシュボーン型の画素電極210を有する垂直配向型の液晶表示装置200の一例を表した平面図である。画素電極210の中には、図の左から右に向かう方向を方位角0°方向として、45°方向、135°方向、225°方向、及び315°方向に延びる複数のスリット220が形成されており、画素電極210は、幹電極214、及び幹電極214から45°方向、135°方向、225°方向、及び315°方向に延びる複数の枝電極212を有している。液晶表示装置200の各画素の2つの短辺それぞれの中央部には、液晶層を挟んで対向するTFT基板と対向基板との間隔またはセルギャップを一定に維持するように、柱状のスペーサ240が配置されている。液晶表示装置200の画素電極210と共通電極との間に電圧が印加された場合、それぞれのドメインにおいて、液晶230は、スリット220の延びる方向に平行、且つ液晶の上端部共通電極側の端部が画素の内側に向って倒れるように配向する。このとき、スペーサ240が存在することにより、スペーサ240の近傍の液晶230に、スペーサ240の側面に垂直な方向の配向規制力が働く。この配向規制力の方向が、スリット220による配向規制方向45°方向、135°方向、225°方向、及び315°方向とは異なることから、スペーサ240の存在に起因して液晶の配向が乱されるという問題が発生し得る。液晶配向の乱れが発生すると、4D構造の4つのドメインの形成に有効に寄与する液晶が減少し、透過率、コントラスト、または視野角特性が低下するという問題が生じる。また、ドメイン毎、或いは画素毎に透過率等が異なると、表示にザラツキ等の不具合が発生し得る。上記の特許文献では、フィッシュボーン型画素電極を有する液晶表示装置において発生し得るこのような問題の検討はなされておらず、その対策手段の提案もされていなかった。本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、透過率、コントラスト、または視野角特性の優れた垂直配向型の液晶表示装置を提供することにある。また、本発明は、フィシュボーン型画素電極を有する液晶表示装置に適した位置にスペーサを配置して、透過率、コントラスト、または視野角特性の優れた垂直配向型の液晶表示装置を提供することにある。本発明による液晶表示装置は、画素内に配置された画素電極を有する第1基板と、前記画素電極に対向する対向電極を含む第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に配置された、負の誘電率異方性を有する液晶を含む液晶層と、前記第1基板と前記第2基板との間に配置されたスペーサと、を備え、前記画素電極は、第1の方向に延びる複数の第1枝部からなる第1部分と、第2の方向に延びる複数の第2枝部からなる第2部分と、第3の方向に延びる複数の第3枝部からなる第3部分と、第4の方向に延びる複数の第4枝部からなる第4部分とを有し、前記第1方向、前記第2方向、前記第3方向、及び前記第4方向は互いに異なる方向であり、前記第1基板の面に垂直な方向から見た場合、前記画素内で、前記スペーサが、前記画素電極の前記第1部分、前記第2部分、前記第3部分、及び前記第4部分に囲まれた位置に配置されている。ある実施形態では、前記画素電極と前記対向電極との間に電圧が印加された場合、前記複数の第1枝部、前記複数の第2枝部、前記複数の第3枝部、及び前記複数の第4枝部によって、液晶が、前記第1枝部に沿って配向する第1領域、前記第2枝部に沿って配向する第2領域、前記第3枝部に沿って配向する第3領域、及び第4枝部に沿って配向する第4領域が形成される。ある実施形態では、前記第1基板が前記画素内に配置されたTFTを有し、前記第1基板の面に垂直な方向から見た場合、前記スペーサが前記TFTと重なる位置に配置されている。ある実施形態では、前記第2基板が、前記第1基板の面に垂直な方向から見た場合、前記スペーサ及び前記TFTと重なる位置に配置された遮光膜を有している。ある実施形態では、前記第1基板には、前記画素電極に表示信号を提供するための信号線が配置されており、前記画素電極が、前記第1から第4の方向のいずれとも異なる第5の方向に延びる第1幹部を有し、前記第1幹部から前記複数の第1枝部、前記複数の第2枝部、前記複数の第3枝部、又は前記複数の第4枝部が延びており、前記第1基板の面に垂直な方向から見た場合、前記信号線が前記第1幹部と重なる位置に配置されている。ある実施形態では、前記第1基板には、前記TFTにゲート信号を提供するための走査線が配置されており、前記画素電極が、前記第1から第5の方向のいずれとも異なる第6の方向に延びる第2幹部を有し、前記第2幹部から前記複数の第1枝部、前記複数の第2枝部、前記複数の第3枝部、又は前記複数の第4枝部が延びており、前記第1基板の面に垂直な方向から見た場合、前記走査線が前記第2幹部と重なる位置に配置されている。ある実施形態では、前記第1基板の面に垂直な方向から見た場合、前記第1幹部と前記第2幹部とが交差する部分、または前記第1幹部の延長線と前記第2幹部の延長線とが交差する部分と重なる位置に前記スペーサが配置されている。ある実施形態では、前記第1基板が絶縁層を有し、前記画素電極と前記TFTのドレイン電極とが前記絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続されており、前記第1基板の面に垂直な方向から見た場合、前記コンタクトホールが前記遮光膜と重ならない位置に配置されている。ある実施形態では、前記第1基板の面に垂直な方向から見た場合、前記画素の形状が長方形であり、前記コンタクトホールが前記画素の短辺の中央に形成されている。ある実施形態では、前記第1基板が、前記画素の周辺部に配置された補助容量線、及び前記TFTのドレイン電極に電気的に接続された補助容量対向電極を有し、前記第1基板の面に垂直な方向から見た場合、前記補助容量線と前記補助容量対向電極とが重なっている。ある実施形態では、前記画素電極が、前記TFTを覆うように配置された島状電極を含む。ある実施形態では、前記第1基板が絶縁層を有し、前記画素電極と前記TFTのドレイン電極とが前記絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続されており、前記第1基板の面に垂直な方向から見た場合、前記コンタクトホールが前記遮光膜と重なる位置に配置されている。ある実施形態では、前記島状電極が、前記コンタクトホールを覆うように配置されている。ある実施形態では、前記第1基板が前記画素の周辺部に配置された補助容量線を有し、前記第1基板の面に垂直な方向から見た場合、前記補助容量線の一部と前記画素電極の前記第1部分、前記第2部分、前記第3部分、及び前記第4部分の一部とが重なっている。ある実施形態では、前記第1基板が補助容量線を備えることなく、前記画素電極の前記液晶層とは反対側に形成された補助容量電極を備えている。ある実施形態では、前記補助容量電極が開口を有し、第1基板の面に垂直な方向から見た場合、前記コンタクトホールが前記開口の内側に形成されている。本発明によれば、透過率または視野角特性の優れた液晶表示装置を提供することができる。以下、図面を参照して、本発明の実施形態による垂直配向型の液晶表示装置100の構成を説明する。ただし、本発明は以下で説明する実施形態に限定されるものではない。図1は液晶表示装置100の構成を模式的に表した斜視図であり、図2は液晶表示装置100の複数の画素50の構成を模式的に表した平面図である。図1に示すように、液晶表示装置100は、液晶層21を挟んで互いに対向するTFT基板10及び対向基板CF基板20と、TFT基板第1基板10及び対向基板第2基板20のそれぞれの外側に配置された偏光板26及び27と、表示用の光を偏光板26に向けて出射するバックライトユニット28とを備えている。液晶表示装置100は、図2に示すように、X方向図の左右方向及びY方向図の上下方向に沿ってマトリクス状に配置された画素50によって、ノーマリブラックモードで表示を行う垂直配向型の液晶表示装置である。画素50は、赤R、緑G、青Bの3原色からなる表示の最小単位におけるR、G、Bのうちの1色の表示領域に対応している。なお、表示の最小単位を4つ以上の原色によって構成することも可能であり多原色表示、その場合、画素50は表示の最小単位を構成する複数の原色のうちの1つの表示領域に対応する。画素50のX方向の幅及びY方向の幅は、それぞれ例えば300μm及び100μmである。TFT基板10には、X方向に延びる複数の走査線ゲートバスライン14とY方向に延びる複数の信号線データバスライン16とが、互いに直交するように配置されている。複数の走査線14と複数の信号線16との交点それぞれの付近には、能動素子であるTFT12が画素50毎に形成されている。各画素50には、TFT12のドレイン電極に電気的に接続された、例えばITOIndiumTinOxideやIZOIndiumZincOxideからなる画素電極30が配置されている。隣り合う2つの画素電極30の間には、補助容量線補助容量バスライン、Csラインとも呼ぶ18がX方向に延びている。画素電極30の厚さは例えば0.1μmである。複数の走査線14及び複数の信号線16は、それぞれ図1に示した走査線駆動回路22及び信号線駆動回路23に接続されており、走査線駆動回路22及び信号線駆動回路23は制御回路24に接続されている。制御回路24による制御に応じて、走査線駆動回路22から走査線14に、TFT12のオン-オフを切り替える走査信号が供給される。また、制御回路24による制御に応じて、信号線駆動回路23から複数の信号線16に表示信号画素電極30への印加電圧が供給される。対向基板20は、後に図4に示すように、カラーフィルタ13、共通電極対向電極25、及びブラックマトリクスBM54を備えている。カラーフィルタ13は、3原色表示の場合、それぞれが画素に対応して配置されたR赤フィルタ、G緑フィルタ、及びB青フィルタを含む。共通電極25は、複数の画素電極30を覆うように形成されており、共通電極25と各画素電極30との間に与えられる電位差に応じて両電極の間の液晶分子が画素毎に配向し、表示がなされる。実施形態1図3は本発明の実施形態1による液晶表示装置100の画素50の構成を表した平面図であり、図4は画素50の図3におけるA-D断面の構成を表した断面図である。また、図5は画素50におけるTFT基板10の画素電極30の下の配線構成を表した平面図であり、図6は画素電極30の形状を模式的に表した平面図、図7は画素電極30の形状と液晶52の配向を模式的に表した平面図である。なお、図6及び図7には、画素電極30だけでなくスペーサ40及びブラックマトリクス54の配置位置も示している。図3~5に示すように、TFT基板10には、透明基板上に形成された走査線14、補助容量線18、TFT12、信号線16、補助容量対向電極19、及びフィッシュボーン型の画素電極30が形成されている。走査線14及び補助容量線18の上にはゲート絶縁膜15が形成されており、ゲート絶縁膜15を挟んで、走査線14の上部にTFT12が、また補助容量線18の上部に補助容量対向電極19が形成されている。走査線14、補助容量線18、信号線16、及び補助容量対向電極19は、Alアルミニウム、Tiチタン、TiN窒化チタン、Moモリブデン等の単体構造、またはこれらの金属の合金による層、あるいはこれらの金属を複数積層した積層構造からなる。走査線14と補助容量線18は、同じ材料によって同一の層に形成され、信号線16と補助容量対向電極19は、同じ材料によって同一の層に形成され得る。ゲート絶縁膜15は、窒化シリコンSiNx等によって0.4μm程度の厚さに形成される。TFT12は、ゲート絶縁膜15の上に形成された半導体層17を含み、TFTのソース電極45は信号線16に、ドレイン電極46は、図3及び5に示すように、補助容量対向電極19に、それぞれ電気的に接続されている。ゲート絶縁膜15を挟んで対向する補助容量線18の一部と補助容量対向電極19とによって補助容量が形成される。TFT12、信号線16、及び補助容量対向電極19は、図4に示すように、保護絶縁膜43に覆われており、保護絶縁膜43の上には層間絶縁膜44が形成されている。保護絶縁膜43及び層間絶縁膜44の一方または両方を絶縁層と呼ぶこともある。補助容量対向電極19の上の保護絶縁膜43及び層間絶縁膜44にはコンタクトホール42が形成されており、TFT12のドレイン電極46と画素電極30とはコンタクトホール42を介して電気的に接続されている。つまり、コンタクトホール42の内側の面に形成された画素電極30の一部が、コンタクトホール42の底部において、補助容量対向電極19または補助容量対向電極19から延びる電極に接続されて、画素電極30とドレイン電極46とが電気的に接続されている。対向基板20は、図4に示すように、共通電極25と、カラーフィルタ13と、ブラックマトリクス54を有している。TFT基板10と対向基板20との間には、負の誘電率異方性Δε<0を有するネマティック液晶を含む液晶層21が配置されている。液晶層21の厚さは3.1μmである。この厚さは2.0μm以上5μm以下であることが好ましい。液晶層21はカイラル材を含み得る。なお、図示してはいないが、TFT基板10の層間絶縁膜44及び画素電極30の上液晶層21の側、及び共通電極の上液晶層21の側には、配向膜垂直配向膜が形成されている。配向膜の作用により、電圧無印加時に液晶層21の液晶は、TFT基板10または対向基板20の基板面に対して垂直に配向する。TFT基板10及び対向基板20それぞれの配向膜の上に、電圧無印加時の液晶にプレチルトを与える配向維持層を形成してもよい。配向維持層は、液晶材料に予め混合しておいた光重合性モノマーを、液晶セルを形成した後、液晶層に電圧を印加した状態で光重合することによって形成されたポリマー層である。配向維持層により、電圧を印加しない状態でも液晶に、基板面に垂直な方向から若干例えば2~3°程度傾いた方向のプレチルト、及び配向方位プレチルト方位を維持記憶させることができる。この技術はポリマー配向支持PSA:PolymerSustainedAlignment技術と呼ばれ、これを用いることにより、電圧印加時における液晶配向の応答速度を向上させることができる。TFT基板10と対向基板20との間には、液晶層21の厚さを所定の値あるいは所定の範囲内に維持するための、柱状のスペーサ40が配置されている。本実施形態においては、スペーサは、ほぼ長方形の外周形状を有する画素50の中心に配置されている。次に図6を参照して、画素電極30及びスペーサ40をより詳細に説明する。なお、本発明の実施形態の説明においては、走査線14の延びる方向図の左右方向をX方向、信号線16の延びる方向図の上下方向をY方向、液晶表示装置100の基板面に垂直な方向をZ方向とする。また、正のX方向図の左から右へ向かう方向を方位角0°の方向とし、反時計回りに方位角を設定する。正のY方向図の下から上へ向かう方向は方位角90°の方向である。画素電極30は、複数の枝電極34と、幹電極33A第2幹部及び幹電極33B第1幹部と、島状電極32を有している。複数の枝電極34は、幹電極33Aまたは33Bから45°方向第1の方向に延びる複数の第1枝部34A、135°方向第2の方向に延びる複数の第2枝部34B、225°方向第3の方向に延びる複数の第3枝部34C、及び315°方向第4の方向に延びる複数の第4枝部34Dからなる。幹電極33AはX方向第5の方向に延び、幹電極33BはY方向第6の方向に延びている。島状電極32は、幹電極33Aの左側の一端に接続されている。複数の第1枝部34A、複数の第2枝部34B、複数の第3枝部34C、及び複数の第4枝部34Dからなる領域を、それぞれ画素電極30の第1部分、第2部分、第3部分、及び第4部分と呼ぶ。Z方向から見た場合、スペーサ40は、幹電極33Aと幹電極33Bとが交差する位置または前記第1幹部の延長線と前記第2幹部の延長線とが交差する部分と重なる位置、すなわち、第1部分、第2部分、第3部分、及び第4部分に囲まれた位置に配置されている。また、走査線14は、その直線部分が第1幹部33Aと重なるように、信号線16は、その直線部分が第2幹部33Bと重なるように、それぞれ配置されている。複数の枝電極34の幹電極33A及び33Bとは反対側の端部は、他の画素電極部分とは接続されておらず、開放端となっている。複数の枝電極34は何れも同じ幅を有し、それぞれが均一な幅で延びている。各枝部34の幅は3.5μmである。この幅は1.0μm以上5.0μmの範囲内であることが望ましい。幹電極33A及び33Bの上部は、電圧印加時に配向分割の境界となり、この部分における配向規制力は弱いため、幹電極33A及び33Bの幅が太い6μm以上と輝度の低下、表示におけるザラツキの発生などの不具合が発生し得る。そのため、幹電極33A及び33Bの幅は1.0μm以上5.0μmの範囲内例えば3.5μmとしている。第1~第4枝部34A~34Dのそれぞれにおいて、隣り合う2つの枝部の間に枝状のスリット電極部材の存在しない部分が形成されている。スリットは隣接する第1枝部34A、第2枝部34B、第3枝部34C、又は第4枝部34Dに沿って延びている。スリットの幅は3μmである。この幅は1.0μm以上5.0μmの範囲内であることが望ましい。画素電極30及び共通電極25によって液晶層21に電圧が印加された場合、図7に示すように、第1枝部34A、第2枝部34B、第3枝部34C、及び第4枝部34Dによって、4つの液晶配向のドメイン配向ドメイン、または単に領域とも呼ぶ35A、35B、35C、及び35Dが形成される。液晶層21の液晶52は、ドメイン35Aにおいては第1枝部34Aに沿って配向し、ドメイン35Bにおいては第2枝部34Bに沿って配向し、ドメイン35Cにおいては第3枝部34Cに沿って配向し、ドメイン35Dにおいては第4枝部34Dに沿って配向する。ただし、ドメイン35A、35B、35C、及び35Dにおいて電圧印加時に液晶の倒れる方向は、それぞれ前記した第1方向、第2方向、第3方向、及び第4方向とは逆であり、液晶52はその上部対向基板20側の端部が画素電極30の中心あるいはスペーサ40に向かうように倒れる。図6に示すように、偏光板26及び27の吸収軸48及び49は、X方向及びY方向に延びている。吸収軸48及び49の方向は、第1~4方向のいずれとも45°異なっている。したがって、各ドメインにおける液晶の配向方向も、吸収軸48及び49の方向とは45°異なる。これにより、視野角依存性の少ない表示が可能となる。Z方向から見た場合、スペーサ40はTFT12と重なる位置に配置されている。対向基板20は、Z方向から見た場合、スペーサ40及びTFT12と重なる位置に配置されたブラックマトリクスBM、遮光膜54を有している。コンタクトホール42は、画素50の左側の短辺の中央であって島状電極32の下に配置、すなわちブラックマトリクス54とは重ならない位置に配置されている。スペーサ40は、配置位置によっては透過率及びコントラストを低下させる原因となるが、本実施形態ではスペーサ40が表示に寄与しないあるいは寄与の小さい領域である、幹電極33Aと幹電極33Bとの交差位置、すなわち4つのドメイン35A~35Dに囲まれた位置あるいは4つのドメイン35A~35Dの全てに接する位置に形成されているため、透過率及びコントラストの低下が防止される。また、通常TFT12の上部にはブラックマトリクス等の遮光膜が形成され、この部分は表示寄与しない部分となるが、本実施形態では、TFT12及びその上のブラックマトリクス54と重なる位置にスペーサ40が形成されるので、余分なブラックマトリクス54を形成する必要がなく、より透過率の高い表示が可能となる。また、走査線14、信号線16、補助容量線18、及び補助容量対向電極19は光を遮光し得るが、本実施形態では、走査線14及び信号線16の上には幹電極33A及び33Bが延び、補助容量線18上は画素50の境界となっているため、金属配線に起因する輝度の低下の少ない、良好な表示が得られる。走査線14は、TFT12の周囲部以外においては、ドメイン35A~35Dの下を通ることなく、幹電極33Aの下を通るため、透過率の低下が防止される。また、走査線14によって発生する電界がシールドされるため、液晶表示装置100を長期に使用した場合であっても、ゲート電位によって不純物イオンがトラップされることが少なくなる。よって、フリッカ等の表示異常が防止される。また、上述した配向維持層を形成する場合にも、ゲート電位による液晶配向の乱れが少ないため、所望のプレチルトを安定的に得ることができ、表示の応答速度を高めることが可能となる。また、信号線16は、TFT12の周囲部以外においては、ドメイン35A~35Dの下を通ることなく、幹電極33Bの下を通るため、これによっても透過率の低下が防止される。さらに、信号線16によって発生する電界がシールドされるため、その電界に起因する配向乱れが防止される。配向維持層を形成する場合にも、ソース電位による液晶配向の乱れが少ないため、所望のプレチルトを安定的に得ることができる。補助容量線18は、隣り合う2つの画素電極の間の電極のない部分に形成され、補助容量対向電極19は、隣接する画素50の画素電極30とは重ならないように形成される。よって、補助容量線18及び補助容量対向電極19に起因する透過率の低下が防止される。コンタクトホール42は島状電極32の下に形成され、コンタクトホール42の周囲は電極のスリットで取り囲まれる。よってコンタクトホール42の存在に起因する配向乱れがドメイン35A~35Dに拡大することが防止される。スペーサ40は画素50の中央部に配置されており、Z方向から見た場合、各ドメイン35A~35Dのそれぞれに対して垂直またはそれに近い4つの辺を有する4角形、8角形等の形状を有している。この形状を円形としてもよい。スペーサ40の側面にも垂直配向膜が形成されるため、スペーサ40自体によっても液晶52に対する配向規制力が働く。その配向規制の方向液晶52を倒そうとする方向はスペーサ40の側面に垂直な方向である。図7に示すように、スペーサ40の周囲のドメイン35A~35Dの液晶52はスペーサ40に向って配向しようとするが、スペーサ40の側面がその配向方向に垂直な面を有しているため、スペーサ40による配向規制の方向とドメイン35A~35Dによる配向規制の方向とが一致するあるいは両者が極めて近い方向となる。よって、配向の乱れが生じにくく、透過率、コントラスト、または視野角特性の良好な表示が得られる。また、ドメイン毎に透過率が異なるという不具合も減少し、ザラツキ等発生が防止された高品質の表示を提供することができる。また、配向維持層を用いる場合には、電圧印加により配向維持層に液晶の初期配向を維持記憶させる場合に配向乱れが生じにくいので、より適切な方向のプレチルトを実現させることができる。よって、上記の利点に加えて、応答速度の向上という利点も得られる。実施形態2次に、図8~図10を参照して、本発明の実施形態2による液晶表示装置101を説明する。以下の説明において、特に説明するもの以外、実施形態1による液晶表示装置100の構成要素と同じ構成要素、又は同じ機能を有する構成要素には同じ参照番号を振り、その説明及びそれによって得られる効果の説明を省略する。また、別途違いを図示または説明するものを除き、液晶表示装置101は液晶表示装置100と同じ構成要素を含むものとする。図8は液晶表示装置101の画素50Aの構成を表した平面図であり、図9は画素50Aにおける画素電極30Aの下の配線構成を表した平面図であり、図10は画素電極30Aの形状を模式的に表した平面図である。なお、図10には、画素電極30Aだけでなくスペーサ40及びブラックマトリクス54Aの配置位置も示している。図8~10に示すように、実施形態2の液晶表示装置101では、TFT12及びスペーサ40の配置位置は実施形態1と同じであるが、画素電極30AはTFT12を覆うように配置された島状電極32Aを有する。コンタクトホール42はTFT12の近傍の島状電極32Aの下に配置されており、ブラックマトリクス54Aは島状電極32A、TFT12、スペーサ40、及びコンタクトホール42を覆うように形成されている。すなわち、Z方向から見た場合、島状電極32AはTFT12、スペーサ40、及びコンタクトホール42と重なるように配置されており、ブラックマトリクス54Aは、TFT12、スペーサ40、コンタクトホール42、及び島状電極32Aと重なるように配置されている。このように実施形態2では、コンタクトホール42を覆う遮光層とTFT12を覆う遮光層が一つのブラックマトリクス54Aとして形成され、実施形態1においてコンタクトホール42が形成されていた領域には枝電極34が形成される。これにより、必要とされる遮光層の面積を減らすことができ、画素50周辺において枝電極34が形成される領域を拡げることができるので、透過率及びコントラストの向上が見込まれる。スペーサ40とコンタクトホール42は5μm離して配置される。スペーサ40がコンタクトホール42に落ち込まないようにするため、スペーサ40とコンタクトホール42は3μm以上離して配置することが好ましい。また、表示領域を広くするために、両者の距離は7μm以下であることが好ましい。補助容量線18は、画素50の周辺領域に、信号線16と同じ材料且つ同一層に形成されている。より詳しくは、補助容量線18はX方向及びY方向に隣り合う画素の境界上に、信号線16が形成される領域以外の部分に、走査線14及び信号線16と平行に延びるように形成されている。Z方向から見た場合、補助容量線18の周辺部は画素電極30Aの第1~第4枝部34A~34Dの端部と重なっている。実施形態2では、画素電極30Aの複数の枝電極34の端部が補助容量対向電極の役割を果たし、枝電極34の端部と補助容量線18との間に補助容量が形成される。実施形態2では、層間絶縁膜44は形成されなくてもよい。透過率を低下させることなく、より大きな補助容量を得るためには、保護絶縁膜43のみを窒化シリコンによって0.2μmの厚さに形成してもよい。ある画素の補助容量対向電極とその画素に隣接する画素の画素電極が重なるか近接している場合、大きな寄生容量が発生し得る。例えば、画素電極に印加する電圧の極性を3本の走査線のそれぞれを反転させる駆動方式を採用する場合、この寄生容量が大きいと、3本の走査線のうちの外側の2つの走査線によって駆動される画素の液晶印加電圧と、真中の走査線によって駆動される画素の液晶印加電圧との間に比較的大きな差が生じるという不具合が発生する。特に、3原色のカラーフィルタが縦方向に並ぶ形態を有する液晶表示装置の場合、画素毎に保持される印加電圧に差が生じると、グレー階調が特定の色に色付いて見えるという不具合が発生し得る。実施形態2の液晶表示装置101では、各画素50において寄生容量の発生が抑制されるので、そのような不具合を低減することができる。特に、層間絶縁膜44を形成せず、保護絶縁膜43のみを薄膜例えば0.2μm程度の窒化シリコンで形成した場合、隣接する画素電極30A間の寄生容量の発生が抑制されるので、不具合をより低減できる。実施形態3次に、図11~図15を参照して、本発明の実施形態3による液晶表示装置102を説明する。以下の説明において、特に説明するもの以外、実施形態1及び実施形態2の構成要素と同じ構成要素、又は同じ機能を有する構成要素には同じ参照番号を振り、その説明及びそれによって得られる効果の説明を省略する。また、別途違いを図示または説明するものを除き、液晶表示装置102は実施形態1または実施形態2と同じ構成要素を含むものとする。図11は液晶表示装置102の画素50Bの構成を表した平面図であり、図12は画素50Bにおける画素電極30A実施形態2の画素電極30Aと同一の形状を有するの下の配線構成を表した平面図、図13は画素電極30Aの形状を模式的に表した平面図、図14はTFT12近傍の構成を拡大して表した平面図、図15はTFT12近傍のTFT基板10の構成を表した断面図である。なお、図13には、画素電極30Aだけでなくスペーサ40及びブラックマトリクス54Aの配置位置も示している。図11~15に示すように、実施形態3の液晶表示装置102は、補助容量線18を備えていない点、及び図12及び図15に示す補助容量電極透明電極55を有する点を除き、実施形態2の液晶表示装置101と同じ構成を有している。補助容量電極55は、ITO、IZO等の透明電極材料によって、コンタクトホール42の近傍を除き、画素50のほぼ全域に広がるように形成されている。補助容量電極55の厚さは、0.1μm程度である。補助容量電極55と基板11及びドレイン電極46との間には保護膜絶縁膜57が成膜され、補助容量電極55と画素電極30Aとの間には保護膜絶縁膜58が成膜されている。保護膜57及び58は、いずれもSiNx等によって0.2μm程度の厚さに形成される。補助容量をより大きく形成するためには、保護膜58は0.2μm程度の薄膜が好ましいが、TFT12の充電能力を考慮して、その大きさが大きくなりすぎて、開口率が低下することが無いように、保護膜58の膜厚を選択することが可能である。なお、本実施例では、保護膜57をSiNx等の単層としているが、実施例1や実施例2のように、膜厚が1~4μm程度で、比誘電率が2.0~5.0程度の有機膜で形成した層間絶縁膜を、保護膜57の上下いずれかに形成してもよい。本実施例においては、補助容量電極55が、走査線14や信号線16上にも形成されるため、そのような層間絶縁膜を、補助容量電極55と、走査線14や信号線16の間に配置することで、走査線14や信号線16の負荷を低減することができる。コンタクトホール42の位置及びその近傍には、図15に示すように、補助容量電極55の開口56が形成されており、コンタクトホール42は、開口56の内側に保護膜57及び58を貫通するようにフォトリソグラフ法によって形成されている。フォトリソグラフ工程において、フォトマスクの位置合わせにずれが生じた場合、あるいはエッチング位置にずれが生じた場合にも画素電極30Aと補助容量電極55とが接触しないように、コンタクトホール42と開口56は、両者の縁を1μm以上離して形成することが好ましい。補助容量電極55は表示領域の外側で共通電極25に接続されていてもよく、また共通電極25とは接続されずそれ以外の部分から補助容量電極55に電位を与えてもよい。補助容量は、画素電極30Aと補助容量電極55との間に形成される。実施形態3によれば、補助容量線を含まないため、補助容量線による透過率の低下が防止される。また、補助容量電極55によって走査線14及び信号線16からの電界をシールドすることができるので、透過率またはコントラストを向上させることができる。実施形態3の構成に実施形態2の補助容量線18を加えてもよい。この場合、補助容量線18の幅を実施形態2よりも細くしても十分に大きな補助容量を得ることができ、且つ透過率の減少も防ぐことができる。実施形態3に適用される補助容量線18の幅は例えば7μmであり、実施形態2の補助容量線の幅は例えば12μmである。補助容量線18を形成した場合には、実施形態2と同様、画素境界部における配向不良からの光漏れを防止することができるので、視野角特性を向上させることができる。実施形態4次に、図16~図18を参照して、本発明の実施形態4による液晶表示装置103を説明する。以下の説明において、特に説明するもの以外、実施形態1~3の構成要素と同じ構成要素、又は同じ機能を有する構成要素には同じ参照番号を振り、その説明及びそれによって得られる効果の説明を省略する。また、別途違いを図示または説明するものを除き、液晶表示装置103は実施形態1~3と同じ構成要素を含むものとする。図16は液晶表示装置103の画素50Cの構成を表した平面図であり、図17は画素50Cにおける画素電極30Bの下の配線構成を表した平面図、図18は画素電極30Bの形状を模式的に表した平面図である。なお、図18には、画素電極30Bだけでなくスペーサ40の配置位置も示している。図16~18に示すように、実施形態4の液晶表示装置103は、実施形態3における画素50Bの構成及び画素電極30Aの形状を縦長に変更したものであり、画素50Cにおける走査線14及び信号線16の長さは異なるものの、TFT12、スペーサ40、コンタクトホール42、島状電極、ブラックマトリクス54Aの構成は実施形態3と同様である。画素50CのX方向の幅及びY方向の幅は、それぞれ例えば100μm及び300μmである。実施形態4によっても、実施形態3によって得られるものと同様の効果を得ることができる。