試料に荷電粒子線を走査偏向して照射し、前記試料から放出された二次信号を検出して画像を生成する荷電粒子線装置において、前記試料を保持する試料ステージを内部に有する試料室と、前記荷電粒子線を発生する荷電粒子線源と、前記荷電粒子線を走査偏向する偏向器と、前記二次信号を検出する検出器と、を含むカラムと、前記偏向器に偏向信号を与える偏向制御回路と、前記検出器からの信号を取り込む信号取込回路と、前記偏向制御回路または前記信号取込回路を含む制御ユニットを移動させる移動機構とを備えることを特徴とする荷電粒子線装置。請求項1に記載の荷電粒子線装置において、前記移動機構は、前記試料室の上蓋を開けた状態で前記制御ユニットが前記カラムと干渉しない位置に前記制御ユニットを移動することが可能なことを特徴とする荷電粒子線装置。請求項1に記載の荷電粒子線装置において、前記制御ユニットは、前記試料の画像撮像のときには、前記試料室内の保守のときよりカラムの近くに移動可能であることを特徴とする荷電粒子線装置。請求項2に記載の荷電粒子線装置において、さらに、前記試料室の上蓋を開けた状態のときに前記制御ユニットを収納する収納部を備え、前記偏向制御回路と前記偏向器とをつなぐケーブルの長さ、または前記信号取込回路と前記検出器とをつなぐケーブルの長さは、前記収納部と前記カラムとの間隔より短いことを特徴とする荷電粒子線装置。請求項1に記載の荷電粒子線装置において、前記制御ユニットと前記カラムは、断熱材によって隔離されていることを特徴とする荷電粒子線装置。特許文献1に記載された発明では、増幅部アンプ部をカラムに固定することで偏向器までのケーブル長を短くして重畳するノイズを低減しようとしているが、走査信号発生回路から増幅部までのノイズ低減に配慮されていない。増幅部の出力電圧は、最大±200V程度であるが、走査信号発生回路から増幅部までの信号電圧は、最大±10V程度であり、耐ノイズの観点では、この部分のノイズ対策を強化する必要がある。偏向器等の制御回路から増幅部までのノイズ対策としては、制御回路自体を偏向器などの制御対象機器が含まれるカラムに近い位置に固定し、制御回路と増幅部および制御対象機器とをつなぐケーブル長を短くすればよい。しかしながら、ケーブル長を短くすると試料室内のメンテナンス等のときに制御回路がカラムや試料室の上蓋と干渉し、メンテナンス性が損なわれる。本発明の目的は、メンテナンス性を損なうことなく、ノイズの影響を低減した高画質の画像が得られる荷電粒子線装置を提供することにある。上記課題を解決するために、本願発明の荷電粒子線装置は、荷電粒子線を試料に照射するカラムと、前記カラムの内部の機器を制御する制御ユニットと、前記制御ユニットを移動させる移動機構とを備えることを特徴とする。本発明によれば、試料観察するときには制御ユニットをカラムの近くに配置し、メンテナンスのときには制御ユニットをカラム等と干渉しない位置まで移動させることができる。したがって、メンテナンス性も損なうことがなく、ノイズを低減した高画質の画像が得られる。荷電粒子線装置のひとつである走査型電子顕微鏡に本発明を適用した実施例を示す。図1は、第1の実施例を説明するための走査電子顕微鏡の概略構成図であり、電子線照射して試料を観察するときの装置の状態を示したものである。走査電子顕微鏡は、本体1と操作卓2によって構成されている。本体1は、電子線を照射するための光学系であるカラム10と、試料室20と、試料交換室24と、電源や後述する制御回路を収納する収納部3とを含む。観察対象のウェーハ22は、真空ポンプ25で真空に維持された試料交換室24を経由して、試料室20内の試料ステージ23上に保持する。カラム10は、試料室20の上部に設置し、カラム10と試料室20は真空ポンプ26とイオンポンプ27によって真空を保持する。カラム10には、電子線を生成する電子源11、電子線を偏向する偏向器13、試料からの信号を検出する検出器15、電子線を集束するレンズなどの荷電粒子線を照射、偏向、走査、集束、検出するための機器が設置されている。後述するカラム制御ユニット30は、偏向制御回路31、信号取込回路32を含む。カラム制御ユニット30は、カラム内の各機器とケーブルで接続され、ユーザの指示または予め定められた検査条件に基づいて、カラムに含まれる機器を制御する信号をカラム内の各機器に出力する。電子銃電源35に接続された電子源11は電子ビーム12を生成する。カラム10内の電子源11から放射された電子ビーム12は、偏向器13により偏向され、試料のウェーハ22上を走査する。偏向器13は電磁式でも静電式でもよいが、前述したように静電式のほうがノイズに対して弱いので、特に本発明が有効となる。したがって以下では静電式偏向器として説明する。試料に電子ビーム12を照射することで発生した二次電子14を検出器15によって電気信号に変換する。なお、ここでは二次電子を検出する検出器を示したが、反射電子を検出する検出器であってもよい。二次電子や反射電子など試料の情報をもった信号を二次信号とよぶ。以下、検出器15は二次信号を検出する全ての検出器を含むものとする。検出器15から出力された信号は、信号取込回路32によってアナログ信号からデジタルデータに変換され、全体制御部36に設けられた画像処理手段はこの信号と電子ビーム12の走査位置とを対応付けることにより画像データを生成する。生成された画像データは全体制御部36の画像メモリ37に記憶される。画像データは、コンピュータ38に転送され、表示モニタ39上に表示される。偏向器への走査信号にノイズがのると電子線の偏向位置がずれるので、偏向制御回路31で制御された偏向位置と実際電子線が照射された位置が異なる。検出器15では実際電子線が照射された位置で発生した二次信号を検出するが、画像処理手段ではこれを偏向制御回路31で制御された偏向位置で発生した二次信号であるとして、誤った位置と対応付けて画像を生成することになる。また、検出器15から信号取込回路32に入力されるまでにノイズがのると、実際に検出した二次信号の量が誤って信号取込回路32に入力される。画像処理手段では二次信号の量に基づいて画素の明るさを決めるので、画素の明るさが本来の明るさと異なってしまう。図2は、カラム制御ユニット30の構成図の一例で、偏向制御回路31と信号取込回路32によって構成している。偏向制御回路31は、走査信号発生回路41、D/A変換器42~43、偏向アンプ44~47によって構成される。走査信号発生回路41は全体制御部36からの指令により、電子ビームの走査データを発生する。D/A変換器42~43はアナログの鋸歯状波形を発生させ、走査信号発生回路41で発生したデジタル走査信号をアナログ走査信号に変換し、偏向アンプ44~47に出力する。走査信号は偏向アンプ44~47で最大±200Vに増幅され、ケーブルで接続された偏向器13に出力される。偏向器13は、与えられた走査信号に従って電子ビーム12を走査偏向する。また、カラム制御ユニット30に含まれる信号取込回路32は、入力アンプ48、A/D変換器49、バッファ50で構成される。入力アンプ48は、検出器15の出力信号のレベルを調整し、検出器15からの出力信号を増幅する。A/D変換器49でアナログ信号からデジタルデータに変換する。デジタルデータは、バッファ50を経由して全体制御部36の画像メモリ37に転送され、走査信号との同期化によって、全体制御部36で画像データが生成される。前述したとおり、偏向アンプ44~47の出力電圧は、最大±200V程度であるのに対して、走査信号発生回路41から偏向アンプ44~47までの信号電圧は、最大±10V程度であり、耐ノイズの観点では、この部分のノイズ対策を強化する必要がある。そこで、走査信号発生回路41と偏向アンプ44~47との距離を近づけ、一つの基板で構成し偏向制御回路31としている。したがって、偏向制御回路31の偏向アンプ44~47から偏向器までの走査信号に対するノイズを考慮すると偏向制御回路31自体を偏向器13に近づける必要がある。信号取込回路32においても、検出器15で検出された信号から入力アンプ48に伝送されるまでの間は信号が微弱なためノイズに対して弱く、ノイズ低減のためには入力アンプ48を検出器15に近づける必要がある。しかしながら、カラム制御ユニットを偏向器や検出器が含まれるカラムの近傍に配置すると、メンテナンス時にカラム制御ユニットとカラムや、試料室の上蓋と物理的に干渉することがある。これについて以下、図3を用いて説明する。図3は、本走査電子顕微鏡の保守時の状態を示す図である。試料室内のクリーン度を保つために試料室内をクリーニングしたり、試料ステージ23に注油をしたりするために試料室上蓋21を上げるメンテナンス作業が、定期的に実施される。この状態において、カラム制御ユニット30が、カラム10に近い位置、例えば試料室の上蓋の上方にあると、カラム10や試料室上蓋21に干渉するので、カラム制御ユニット30が他の機器と衝突して故障したり、ユーザのメンテナンスのしやすさを損なったりすることになる。そこで本実施例では、カラム制御ユニット30を移動可能とする移動機構が設けられている。具体的には、カラム制御ユニット30は図1に示すようにスライドレール33上に実装されている。移動機構はカラム10とカラム制御ユニット30の距離を変えるようにカラム制御ユニット30を移動させることができる。試料に電子線を照射し画像を観察する通常の状態では、カラム制御ユニット30は、カラム10に近い位置で固定する。カラムに近い位置とは、カラム10と制御ユニット30との距離が後述するメンテナンスのときの距離より近い位置のことをいい、例えばカラム10と制御ユニット30との距離が収納部3とカラム10との間隔より短いことをいう。これにより、偏向制御回路31の偏向アンプ44~47から偏向器13までのケーブル長を短くできる。また、同様に検出器15から信号取込回路32の入力アンプ48までのケーブル長を短くできる。具体的には、ケーブル長は収納部3とカラム10との間隔より短くすることができる。したがって、電子ビーム12の偏向走査精度の悪化や検出信号のノイズ成分を低減することでき、生成する画像の画質向上が図れる。一方、メンテナンス時には、偏向アンプ44~47から偏向器13までのケーブルと検出器15から信号取込回路32の入力アンプ48までのケーブルを外して、カラム制御ユニット30をカラム10から遠ざけた位置、例えば収納部3に移動する。なお、カラム10から遠ざけた位置とは、少なくとも電子線を照射しているときのカラム制御ユニット30とカラム10との距離よりカラム10から遠い位置のことを指す。カラム制御ユニット30が収納部3に収まれば本体1内の他の機器と相互に干渉することはないので安全が確保されるが、移動先は収納部3に限られずカラムや試料室の上蓋と干渉しない位置であればよい。メンテナンス時には最短の長さで製作しているケーブルを外しているためカラム制御ユニット30はカラム10との距離に制限がかかることなく、スライドレール上を移動できる。なお、メンテナンス時にはケーブルを外してカラム制御ユニット30を移動することとしているが、カラム制御ユニット30と全体制御部36をつなぐケーブルはノイズに強いデジタル信号を伝達するため長さに余裕を持たせることができ接続されたままである。移動機構を設けることで、カラム制御ユニット30と全体制御部36をつなぐケーブルを外すことなく、かつ安全にカラム制御ユニット30を移動させることができる。これにより、カラム制御ユニット30がカラム10や試料室上蓋21と干渉することがなく、ユーザは容易に試料室内部のメンテナンスすることができる。以上説明したように、荷電粒子線の偏向制御回路や信号取込回路を格納したカラム制御ユニットを移動可能にすることで、電子線照射時にはカラムの近傍に配置し試料室内のクリーニングなどの保守時にはカラムから離れるように配置することができる。これによって、メンテナンス性を損なうことなく、カラムから制御回路への伝送過程で生じるノイズを低減することができる。また、先に示した特許文献1では増幅部をカラムに固定しており、回路からの発熱に配慮されていない。増幅部は高速走査に対応して発熱するが、カラムに固定していると熱がカラムに伝わる。カラムに不均一な熱膨張が発生すると荷電粒子線の軸調整がずれるため画質の低下が発生する。これに対して本実施例では、カラム制御ユニット30をカラム10に直接固定せず、ケーブルで接続する構成としているので、カラムに対して直接熱を伝えてしまうことがない。また、断熱材34は他の制御装置や電源が収納された収納部3の周りにも設置されており、これらで発生した熱もカラムに伝わらないようにしている。本実施例のカラム制御ユニット30は電子線の照射時に収納部3から突出した構造となるため、さらに図1に示すようにカラム制御ユニット30自体を断熱材で覆っている。これによって、カラム制御ユニット30とカラム10は、断熱材34によって温度的に分離されるので、カラム制御ユニット30で発生した熱が、カラム10により伝わりにくくなり、電子ビームの軸がずれることがない。次に図4、図5を用いて第2の実施例について説明する。なお、第1の実施例と同様の部分については説明を省略する。図4は、第2の実施例を説明するための走査電子顕微鏡の概略構成図であり、電子線照射をするときの装置の状態を上から見た図である。第1の実施例との違いは、カラム制御ユニット30の移動機構をスライドレール33から蝶番53にしている点である。本実施例においても、カラム制御ユニット30は収納部3から突出して設けられており、これによってカラム制御ユニット30からカラムへの伝送ケーブルは収納部3とカラム10との距離よりも短くてすむ。図5は試料室内部のメンテナンス時の装置の状態を上から見た図である。図5に示すようにカラム制御ユニット30は、蝶番53を中心とする回転動作によって、収納部3の内部へ移動させる。メンテナンス時にはケーブルを外しているので、カラムとの距離を気にすることなく、他の機器と干渉しない位置までカラム制御ユニット30を移動させることができる。本実施例では蝶番53を用いることでスライドレール33に比べ移動機構の費用を低減することができる。以上、走査電子顕微鏡における実施例を説明したが、本発明は走査電子顕微鏡に限られるものではなく、試料に荷電粒子線を照射して加工する集束イオンビーム装置、半導体パターンの測長をするパターン測定装置CD-SEM、試料上の欠陥を検査する欠陥検査装置、およびこれらの複合装置等の、各種荷電粒子線装置に適用される。これによって荷電粒子線装置に対する高分解能化、高倍率化の要求に応えることができ、微細構造の半導体デバイスの開発などに貢献できる。