"下記一般式1で表される化合物。式中、A1は、1価の芳香族基を表し、A2は、2価の芳香族基を表し、環B1は、5~7員環を表し、nは0~2の整数を表す。上記一般式1中のA1又はA2の少なくとも一つがチオフェン環を有することを特徴とする請求項1に記載の化合物。A下記一般式1で表される化合物、Bp型有機半導体材料及びCn型有機半導体材料を含んでなる光電変換材料。式中、A1は、1価の芳香族基を表し、A2は、2価の芳香族基を表し、環B1は、5~7員環を表し、nは0~2の整数を表す。上記一般式1中のA1又はA2の少なくとも一つがチオフェン環を有することを特徴とする請求項3に記載の光電変換材料。上記Bp型有機半導体材料がポリ3-ヘキシルチオフェンであり、上記Cn型有機半導体材料がフラーレン誘導体である請求項3又は4に記載の光電変換材料。請求項3~5の何れか1項に記載の光電変換材料を製膜して得られる光電変換層。請求項6に記載の光電変換層を有してなる光電変換素子。請求項7に記載の光電変換素子を有してなる有機薄膜太陽電池。従って、本発明の目的は、p型及びn型有機半導体材料特にP3HT/PCBMの両方を有するバルクへテロ接合型の有機薄膜太陽電池用材料に、第3成分として、又はそれ以上の成分と共に添加しても、従来の特性を損なわずに光電変換効率を向上させ得る、光電変換材料に好適な新規化合物を提供することにある。また本発明の別の目的は、上記新規化合物を用いた光電変換材料、光電変換層、光電変換素子及び有機薄膜太陽電池を提供することにある。本発明者等は、鋭意検討を重ねた結果、特定の構造を有する化合物が、p型及びn型有機半導体材料特にP3HT/PCBMの両方を有するバルクへテロ接合型の有機薄膜太陽電池用材料に、第3成分として、又はそれ以上の成分と共に添加しても、従来の特性を損なわずに光電変換効率を向上させ得ることを知見すると共に、上記特定の構造を有する化合物を、p型有機半導体材料及びn型有機半導体材料に添加した光電変換材料を製膜してなる光電変換層が、高い変換効率を示すことを知見し、これを用いて光電変換素子、更に有機薄膜太陽電池を製造することにより、上記目的を解決し得ることを知見した。本発明は、上記知見に基づいてなされたもので、下記一般式1で表される新規化合物を提供するものである。式中、A1は、1価の芳香族基を表し、A2は、2価の芳香族基を表し、環B1は、5~7員環を表し、nは0~2の整数を表す。また、本発明は、A上記一般式1で表される化合物、Bp型有機半導体材料及びCn型有機半導体材料を含んでなる光電変換材料を提供するものである。また、本発明は、上記光電変換材料を製膜して得られる光電変換層を提供するものである。また、本発明は、上記光電変換層を有してなる光電変換素子を提供するものである。また、本発明は、上記光電変換素子を有してなる有機薄膜太陽電池を提供するものである。以上の構成を採ることによって、本発明の新規化合物は、p型及びn型有機半導体材料特にP3HT/PCBMの両方を有するバルクへテロ接合型の有機薄膜太陽電池用材料に、第3成分として、又はそれ以上の成分と共に添加しても、従来の特性を損なわず高い光電変換効率を実現できるため有用である。以下、本発明の新規化合物、光電変換材料、光電変換層、光電変換素子及び有機薄膜太陽電池について、好ましい実施形態に基づき詳細を説明する。<新規化合物>本発明の新規化合物は、上記一般式1で表わされる。上記一般式1におけるA1が表す1価の芳香族基としては、置換されてもよい炭素原子数6~20の芳香族炭化水素環基又は置換されてもよい炭素原子数3~20の芳香族ヘテロ環基が挙げられる。上記芳香族炭化水素環基としては、無置換芳香族炭化水素環基又は脂肪族炭化水素基で置換された芳香族炭化水素環基但し、脂肪族炭化水素基を含めた炭素原子数が6~20であるものが挙げられ、上記芳香族ヘテロ環基としては、無置換芳香族ヘテロ環基又は脂肪族炭化水素基で置換された芳香族ヘテロ環基但し、脂肪族炭化水素基を含めた炭素原子数が3~20であるものが挙げられる。上記無置換芳香族炭化水素環基としては、フェニル、ナフチル、ビフェニル、ターフェニル、フルオレイル、ピレニル等が挙げられる。上記の脂肪族炭化水素基で置換された芳香族炭化水素環基としては、例えば上記無置換芳香族炭化水素環基が炭素原子数1~5の脂肪族炭化水素基で1~3箇所置換されたものが挙げられ、該炭素原子数1~5の脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、s-ブチル、t-ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、t-アミル等の直鎖又は分岐のアルキル基が挙げられる。上記炭素原子数1~5の脂肪族炭化水素基は、-O-、-COO-、-OCO-、-CO-、-S-、-SO-、-SO2-、-NR-又は-C=C-で中断されていてもよく、Rは炭素原子数1~5の脂肪族炭化水素基を表し、その例としては、上記芳香族炭化水素環基を置換してもよい炭素原子数1~5の脂肪族炭化水素基の説明で例示した基が挙げられ、該炭素原子数1~5の脂肪族炭化水素基を中断する基に炭素原子を含む場合、中断される基を含めた炭素原子数が1~5である。上記無置換芳香族ヘテロ環基としては、フラニル、チオフェニル、クロメニル、ベンゾチオフェニル、ビフラニル、ターフラニル、ビチオフェニル、ターチオフェニル、セレノフェニル、ビセレノフェニル、ターセレノフェニル等が挙げられる。上記の脂肪族炭化水素基で置換された芳香族ヘテロ環基としては、例えば上記無置換芳香族ヘテロ環基が炭素原子数1~5の脂肪族炭化水素基で1~3箇所置換されたものが挙げられ、上記炭素原子数1~5の脂肪族炭化水素基は、上記芳香族炭化水素環基を置換してもよい炭素原子数1~5の脂肪族炭化水素基と同様の基である。以上に挙げた芳香族炭化水素環基又は芳香族ヘテロ環基は、更に置換されていてもよく、芳香族炭化水素環基及び芳香族ヘテロ環基を置換してもよい基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、シアノ基、ニトロ基、水酸基、チオール基、-NRR’基等が挙げられ、R及びR’は上記A1が表す1価の芳香族基又は上記芳香族炭化水素環基を置換してもよい炭素原子数1~5の脂肪族炭化水素基と同様の基を表す。上記例示したA1が表す1価の芳香族基の中でも、無置換の芳香族ヘテロ環基が好ましく、チオフェニル、ベンゾチオフェニル、ビチオフェニル若しくターチオフェニル等の1価のチオフェン環、又はセレノフェニル、ビセレノフェニル、又はターセレノフェニル等の1価のセレノフェン環であることが、光電変換素子等に用いた場合の特性に優れる点で更に好ましく、チオフェニル、ビチオフェニル、又はターチオフェニルである場合、原料の入手が容易であるため特に好ましい。上記一般式1におけるA2が表す2価の芳香族基としては、上記A1が示す1価の芳香族基から水素原子が1つ脱離した基が挙げられ、中でも上記A1と同様の理由で、無置換の芳香族ヘテロ環基が好ましく、更に好ましくは、2価のチオフェン、ベンゾチオフェン、ビチオフェン若しくはターチオフェン等の2価のチオフェン環、又はセレノフェン等の2価のセレノフェン環である事が更に好ましく、2価のチオフェン、ビチオフェン、又はターチオフェンである事が特に好ましい。上記一般式1における環B1が表す5~7員環としては、脂肪族炭化水素環、即ち、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロへプチルが挙げられ、これらの環は、炭素原子数1~5の脂肪族炭化水素基で1~4箇所置換されていてもよく、炭素原子数1~5の脂肪族炭化水素基は、上記芳香族炭化水素環基を置換してもよい炭素原子数1~5の脂肪族炭化水素基と同様の基であり、中でも、共平面性及び溶解性の点から、無置換のシクロペンチル又は炭素原子数1~5の脂肪族炭化水素基で1~2箇所置換されたシクロペンチルが好ましい。また、環B1が、炭素原子数1~5の脂肪族炭化水素基で置換される場合、溶解性及び共平面性の点から、下記一般式1-1で表わされるように、環中の炭素原子の一つX1が、2箇所、炭素原子数1~5の脂肪族炭化水素基R1及びR2で置換されていることが好ましく、特に、炭素原子数1~5の脂肪族炭化水素基が同一の基であることが特に好ましい。式中、A1、A2及びnは、上記一般式1と同様であり、環B1は、5~7員環を表し、X1は炭素原子を表し、R1及びR2は、それぞれ独立して炭素原子数1~5の脂肪族炭化水素基を表し、該炭素原子数1~5の脂肪族炭化水素基は、-O-、-COO-、-OCO-、-CO-、-S-、-SO-、-SO2-、-NR-又は-C=C-で中断されていてもよく、Rは炭素原子数1~5の脂肪族炭化水素基を表す。上記一般式1で表わされる新規化合物の中でも、光電変換素子等に用いた場合の特性に優れる点又は原料の入手が容易である点から、上記一般式1中のA1又はA2の少なくとも一つがチオフェン環を有する化合物、特に、A1及びA2の両方がチオフェン環を有する化合物が好ましい。上記一般式1で表される本発明の新規化合物の具体例としては、下記化合物No.1~No.24が挙げられるが、これらの化合物に限定されない。上記一般式1で表される化合物の製造方法は特に限定されないが、例えば下記反応式ア~ウに従って以下のように製造することができる。即ち、反応式アにおいて、ビスアルキン体11と2当量のハロゲン化アリール12との薗頭-萩原クロスカップリングにて、中間体2が得られる。また、ビスアルキン体11と当量のハロゲン化アリール12との同様の反応にて、中間体13にした後に、ジハロゲン化アリール14と2当量の中間体13を反応させることで、中間体3が得られる。また、中間体13と当量のジハロゲン化アリール14とを反応させ、中間体15にした後に、ビスアルキン体11と2当量の中間体15を反応させることで中間体4が得られる。以下、中間体2~4をまとめて、下記一般式5で表わす以下、中間体5ともいう。尚、中間体5は、n=0のとき、中間体2を表し、n=1のとき、中間体3を表し、n=2のとき、中間体4を表す。次に反応式イにおいて、Cp2ZrCl2を2当量のn-BuLiにより還元し、そこへ中間体5を反応させることにより、ジルコナシクロペンタジエン誘導体6を得ることが出来る。続いて反応式ウにおいて、ジルコナシクロペンタジエン誘導体6と塩化硫黄S2Cl2とを反応させることで、本発明の上記一般式1で表される新規化合物が得ることが出来る。式中、A1及びA2は、上記一般式1と同様の基であり、Z1は、置換基を有していてもよい炭素原子数3~30の直鎖脂肪族炭化水素基を表し、Xは、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。式中、A1、A2、環B1及びnは、上記一般式1と同様の基を表し、Z1は、上記一般式2~4と同様の基を表し、Cpはシクロペンタジエンを表す。式中、A1、A2、環B1及びnは、上記一般式1と同様の基を表し、Cpは上記一般式6と同様の基を表す。上記一般式1で表わされる、本発明の新規化合物は、以下に説明する光電変換材料として用いられる他、DVD-R等の光学記録層用色素;液晶表示装置LCD、プラズマディスプレイパネルPDP、陰極管表示装置CRT、蛍光表示管、又は電界放射型ディスプレイ等の画像表示装置に用いられる光学フィルタ用色素;カラートナー、インクジェット用インキ、塗料用色素等の着色剤;LED照明、エレクトロルミネッセンスデバイス;光反応用増感剤、電子写真感光体、カラーフィルタ材料、レーザー色素、非線形光学材料、医療検査薬用色素として用いてもよく、単独で光電変換材料としてもよい。<光電変換材料>本発明の光電変換材料は、A本発明の上記一般式1で表わされる化合物を、Bp型有機半導体材料及びCn型有機半導体材料に含有させたものである。Bp型有機半導体材料としては、例えば、フタロシアニン系顔料、インジゴ又はチオインジゴ系顔料、キナクリドン系顔料、トリアリールメタン誘導体、トリアリールアミン誘導体、オキサゾール誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体例えば、ポリ[2-メトキシ-5-2-エチルヘキシロキシ-1,4-フェニレンビニレン]:MEH-PPV、ポリ[2-メトキシ-5-3’7’-ジメチルオクチロキシ-1,4-フェニレンビニレン]、ポリチオフェン及びその誘導体[例えば、ポリ3-ドデシルチオフェン、ポリ3-ヘキシルチオフェン:P3HT、ポリ3-オクチルチオフェン]、ポリ-N-ビニルカルバゾール誘導体等が挙げられ、これらのBp型有機半導体材料の中でも、p型材料として高いキャリヤ移動度を有する点から、ポリチオフェン及びその誘導体が好ましく、中でも、ポリ3-ヘキシルチオフェン:P3HTが特に好ましい。尚、p型有機半導体材料として例に挙げた化合物は、単独で使用してもよく、或いは複数併用してもよい。Cn型有機半導体材料としては、ペリレン系顔料、ペリノン系顔料、多環キノン系顔料、アゾ系顔料、C60フラーレンやC70フラーレン及びその誘導体等を用いることができ、また、有機金属錯体例えば、トリス8-キノリノラートアルミニウム、ビス10-ベンゾ[h]キノリノラートベリリウム、5-ヒドロキシフラボンのベリリウム塩、5-ヒドロキシフラボンのアルミニウム塩、オキサジアゾール誘導体例えば、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン、トリアゾール誘導体例えば、3-4-tert-ブチルフェニル-4-フェニル-5-4-ビフェニル-1,2,4-トリアゾール、フェナントロリン誘導体例えば、29-ジメチル-47-ジフェニル-1,10-フェナントロリンバソクプロイン、BCP、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体等が挙げられ、これらのCn型有機半導体材料の中でも、n型材料として高いキャリヤ移動度を有し、及び/又は電荷分離効率が高い点から、C60フラーレン、C70フラーレン及びその誘導体が好ましい。尚、n型有機半導体材料として例に挙げた化合物は、単独で使用してもよく、或いは複数併用してもよい。上記のC60フラーレン、C70フラーレン及びその誘導体としては、以下のC1~C6の化合物が例に挙げられ、中でも、電子準位の整合性に優れ、入手が容易である点から、C1のPCBMフェニル-C61-ブチル酸メチルエステルが好ましく用いられる。p型有機半導体材料とn型有機半導体材料が混在する本発明の光電変換材料には電荷分離効率が高く、上記一般式1で現れる化合物との電子準位の整合性が良好であることから、P3HTp型とPCBMn型の組み合わせが特に好ましい。本発明の光電変換材料において、A上記一般式1で表される化合物の重量比率はBp型有機半導体材料及びCn型有機半導体材料の合計を100重量部としたとき、0.1~10重量部であり、好ましくは0.5~5重量部であり、更に好ましくは1~3重量部である。A上記一般式1で表される化合物の重量比率が0.1重量部より小さい場合、光電変換効率向上の効果が小さく、10重量部を超える場合、光電変換効率が低下するため好ましくない。また、Bp型有機半導体材料とCn型有機半導体材料の重量比率は、好ましくは30:70~70:30前者:後者であり、更に好ましくは40:60~60:40である。また、本発明の光電変換材料中の各A~C成分の含有量は、以下の通りである。A上記一般式1で表される化合物:好ましくは0.5~5重量、更に好ましくは1~3重量Bp型有機半導体材料:好ましくは25~70重量、更に好ましくは35~60重量Cn型有機半導体材料::好ましくは25~70重量、更に好ましくは35~60重量本発明の光電変換材料は、A上記一般式1で表される化合物、Bp型有機半導体材料及びCn型有機半導体材料を少なくとも一種ずつ含有していればよい。また、必要に応じて一種又は二種以上の溶媒等を含有してもよい。上記溶媒としては、A~Cの各成分を溶解又は分散可能なものであれば特に制限されないが、例えば、水、アルコール系溶剤、ジオール系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、エーテル系溶剤、脂肪族又は脂環族炭化水素系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、シアノ基を有する炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素系溶剤、その他の溶剤等が挙げられる。溶媒を用いた光電変換材料は、塗布液として用いることができる。上記アルコール系溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、1-ブタノール、イソブタノール、2-ブタノール、第3ブタノール、ペンタノール、イソペンタノール、2-ペンタノール、ネオペンタノール、第3ペンタノール、ヘキサノール、2-ヘキサノール、ヘプタノール、2-ヘプタノール、オクタノール、2―エチルヘキサノール、2-オクタノール、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、シクロヘプタノール、メチルシクロペンタノール、メチルシクロヘキサノール、メチルシクロヘプタノール、ベンジルアルコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングルコールモノエチルエーテル、ジエチレングルコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、2-N,N-ジメチルアミノエタノール、3N,N-ジメチルアミノプロパノール等が挙げられる。上記ジオール系溶剤としては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、1,2-ブタンジオール、1,3-ブタンジオール、1,4-ブタンジオール、1,5-ペンタンジオール、ネオペンチルグリコール、イソプレングリコール3-メチル-1,3-ブタンジオール、1,2-ヘキサンジオール、1,6-ヘキサンジオール、3-メチル-1,5-ペンタンジオール、1,2-オクタンジオール、オクタンジオール2-エチル-1,3-ヘキサンジオール、2-ブチル-2-エチル-1,3-プロパンジオール、2,5-ジメチル-2,5-ヘキサンジオール、1,2-シクロヘキサンジオール、1,4-シクロヘキサンジオール、1,4-シクロヘキサンジメタノール等が挙げられる。上記ケトン系溶剤としては、例えば、アセトン、エチルメチルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、メチルヘキシルケトン、エチルブチルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、ジイソブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等が挙げられる。上記エステル系溶剤としては、例えば、ギ酸メチル、ギ酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸第2ブチル、酢酸第3ブチル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、酢酸第3アミル、酢酸フェニル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸イソプロピル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソブチル、プロピオン酸第2ブチル、プロピオン酸第3ブチル、プロピオン酸アミル、プロピオン酸イソアミル、プロピオン酸第3アミル、プロピオン酸フェニル、2-エチルヘキサン酸メチル、2-エチルヘキサン酸エチル、2-エチルヘキサン酸プロピル、2-エチルヘキサン酸イソプロピル、2-エチルヘキサン酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸メチル、メトキシプロピオン酸エチル、エトキシプロピオン酸エチル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノイソプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ第2ブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノイソブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ第3ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノイソプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ第2ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノイソブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ第3ブチルエーテルアセテート、ブチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ブチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ブチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ブチレングリコールモノイソプロピルエーテルアセテート、ブチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ブチレングリコールモノ第2ブチルエーテルアセテート、ブチレングリコールモノイソブチルエーテルアセテート、ブチレングリコールモノ第3ブチルエーテルアセテート、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、オキソブタン酸メチル、オキソブタン酸エチル、γ-ラクトン、マロン酸ジメチル、コハク酸ジメチル、プロピレングリコールジアセテート、δ-ラクトン等が挙げられる。上記エーテル系溶剤としては、例えば、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、モルホリン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジブチルエーテル、ジエチルエーテル、ジオキサン等が挙げられる。上記脂肪族又は脂環族炭化水素系溶剤としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカリン、ソルベントナフサ、テレピン油、D-リモネン、ピネン、ミネラルスピリット、スワゾール310コスモ松山石油株、ソルベッソ100エクソン化学株等が挙げられる。上記芳香族炭化水素系溶剤としては、例えば、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、メシチレン、ジエチルベンゼン、クメン、イソブチルベンゼン、シメン、テトラリン等が挙げられる。上記シアノ基を有する炭化水素溶剤としては、例えば、アセトニトリル、1-シアノプロパン、1-シアノブタン、1-シアノヘキサン、シアノシクロヘキサン、シアノベンゼン、1,3-ジシアノプロパン、1,4-ジシアノブタン、1,6-ジシアノヘキサン、1,4-ジシアノシクロヘキサン、1,4-ジシアノベンゼン等が挙げられる。上記ハロゲン化炭化水素系溶媒としては、例えば、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、トリクロロエチレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等が挙げられる。上記その他の有機溶剤としては、例えば、N-メチル-2-ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、アニリン、トリエチルアミン、ピリジン、二硫化炭素等が挙げられる。これらの中でも、好ましい溶媒としては、クロロホルム、ジクロロメタン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等が挙げられる。本発明の光電変換材料に上記溶媒を含有させる場合、その含有量は、該光電変換材料を用いた光電変換層の形成に支障が生じない限り特に制限されるものではないが、例えば、溶媒を100重量部としたときにA上記一般式1で表される化合物、Bp型有機半導体材料及びCn型有機半導体材料の総量が0.1~20重量部となる範囲から適宜選択することが好ましく、更に好ましくは1~10重量部であり、特に好ましくは3~7重量部の範囲から選択することが望ましい。<光電変換層>次に、本発明の光電変換層について説明する。本発明の光電変換層は、本発明の光電変換材料を製膜して得られる。製膜方法に関しては特に限定するものではないが、例えば、蒸着法、物理気相成長法PVD、化学気相成長法CVD、原子層堆積法ALD、原子層エピタキシー法ALE、分子線エピタキシー法MBE、気相エピタキシー法VPE、スパッタ法、プラズマ重合法等のドライプロセス;ディップコート法、キャスト法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、スピンコート法、LB法、オフセット印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、ディスペンサ印刷法、インクジェット法、エクストルージョンコート法等のウェットプロセスによって支持体上に塗膜形成する方法が挙げられる。上記光電変換層の膜厚は、特に限定するものではないが、一般に、5nm~5μm程度に設定することが好ましく、アニーリング等の加熱処理をしてもよい。上記光電変換層は、p型とn型の有機半導体材料を混在させる素子に用いられ、好ましい実施形態である有機バルクヘテロ接合素子の他、超階層ナノ構造接合素子、ハイブリッドヘテロ接合型、p-i-n接合型素子におけるi層等に用いられる。<光電変換素子及び有機薄膜太陽電池>本発明の光電変換素子は、本発明の光電変換層を少なくとも一つ有する以外は、従来公知の光電変換素子と同様に構成される。例えば、図1aを例にとって示すと、支持体1、電極2、電荷移動層3、光電変換層4、及び電極5が順次積層された構造を有する。また、図1bに示すように電荷移動層3を除いた構造であってもよく、図1cに示すように電荷移動層6を更に有する構造であってもよい。本発明の光電変換素子においては、支持体1から光電変換層4へ光が到達する必要がある。支持体1、電極2及び電荷移動層3から光電変換層4へ照射光を到達させるためには、支持体1、電極2及び電荷移動層3を光透過性の材料で形成し、光透過率が70以上となるように設定することが好ましい。支持体1は電極2を表面に安定して保持することが可能であれば、材質や厚みには制限されないが透明性を有する必要が有る。そのため、支持体の形状は板状でもフィルム状でもよい。透明性とは、光電変換素子において使用される所定波長領域、例えば可視光領域の光を高率で透過する性質をいう。支持体1には、例えば、ガラス、透明ポリマーフィルムポリエチレンテレフタレートPET、テトラアセチルセルロースTAC、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンスルフィド、ポリエステルスルフォン、シンジオタクチックポリスチレン等が使用できる。尚、本発明の光電変換素子は、支持体1の表面に形成されることが好ましいが、電極2自体にある程度の硬度があり、自立性を有する場合は、電極2が支持体1を兼ねる構造としてもよく、この場合、支持体1は省略されてもよい。本発明において、対向配置される一対の電極電極2及び電極5の仕事関数は、相互に相対的に大小関係を有する即ち互いに仕事関数の異なるものとすればよい。従って、電極2の仕事関数が電極5よりも相対的に大きければよい。この場合、両電極間の仕事関数の差は0.5V以上であることが好ましい。尚、各電極と半導体層の間にバッファー層を設置し、電極上のバッファー層の化合物と電極とが化学結合している場合は、これらの制約が緩和されることがある。電極2及び電極5としては、例えば、金、白金、銀等の貴金属類、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫NESA、錫ドープ酸化インジウムITO、フッ素ドープ酸化錫FTO等の金属酸化物、リチウム、リチウム-インジウム合金、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、カルシウム、マグネシウム、マグネシウム-銀合金、マグネシウム-インジウム合金、インジウム、ルテニウム、チタニウム、マンガン、イットリウム、アルミニウム、アルミニウム-リチウム合金、アルミニウム-カルシウム合金、アルミニウム-マグネシウム合金、クロミウム、グラファイト薄膜の他PEDOT-PSS等の有機導電性化合物等を適宜用いることができる。これらの電極物質は、単独で使用してもよく、或いは複数併用してもよい。但し、電極2は、透明性を有する必要が有るため、上記の電極物質の中でも、特に酸化亜鉛、NESA、ITO、FTO及びPEDOT-PSS等の透明性を有する材料が用いられる。電極2及び電極5は、これらの電極物質を用いて、上記光電変換層4同様にドライプロセス又はウェットプロセスの方法により形成することができる。また、ゾルゲル法等により焼成して形成してもよい。また、電極の厚みは、使用する電極物質の材料にもよるが、電極2及び電極5とも、一般的に5~1000nm程度、更に好ましくは10~500nm程度に設定する。電荷移動層3及び6は、電極材料が光電変換層へ侵入反応するのを防止したり、光電変換層で分離された電荷の再結合を防止し効率的に電極2及び5へ電荷を移動させる等の役割がある。材料としては、PEDOT:PSS、PEO、V2O5、酸化亜鉛、フッ化リチウム、TiOx、ナフタレンテトラカルボン酸無水物等の電荷移動物質が挙げられる。電荷移動層3は、透明性を有する必要が有る。光電変換層4がP3HT:PCBMのバルクヘテロ型である場合、電荷移動層3はPEDOT:PSSがよく用いられ、電荷移動層6はLiFがよく用いられる。電荷移動層3及び6は、これらの電荷移動物質を用いて、上記光電変換層4同様にドライプロセス又はウェットプロセスの方法により形成することができる。また、電荷移動層3及び6の厚みは、一般的に0.01~100nm、更に好ましくは0.1~50nm程度に設定する。本発明の光電変換素子は、本発明の有機薄膜太陽電池の他、フォトダイオード、光検出器等に用いることができる。以下、合成例、実施例及び比較例をもって本発明を更に詳細に説明する。しかしながら、本発明は以下の実施例によって何ら制限を受けるものではない。合成例1及び2は上記一般式1で表される、本発明の新規化合物の合成例である。実施例1及び2では、合成例で得られた新規化合物を用いて本発明の光電変換材料を調製し、該光電変換材料を用いて光電変換層及び光電変換素子を作製し、該光電変換素子の評価を行った。また、比較例1では、上記新規化合物を用いない以外は実施例1と同様にして、比較の光電変換材料を調製し、該光電変換材料を用いて比較の光電変換層及び比較の光電変換素子を作製し、該光電変換素子の評価を行った。合成例1化合物No.1<ステップ1>1,7-ビス2,2’-ビチオフェン-4,4-ビスブトキシメチル-1,6-ヘプタジイン下記化9に示される中間体1の製造4,4-ビスブトキシメチル-1,6-ヘプタジイン3.36g、12.7mmol、2-ブロモ-5-2’-チエニルチオフェン7.47g、30.5mmol、PdPPh34352mg、0.305mmol、CuI116mg、0.61mmol及びトリエチルアミン10mlを、テトラヒドロフラン30ml中で混合し、45°Cにて攪拌させながら12時間反応させた。得られた反応溶液を、シリカゲルカラムクロマトグラフ法ヘキサン:酢酸エチル=25:1の移動相溶媒で精製することにより、無色透明液体6.3g、単離収率83を得た。目的物であることは、1H-NMR、13C-NMR、及び高分解能質量分析スペクトルHRMSにて確認した。1H-NMR400MHz、CDCl3:δ=7.21dd、J=1.2,5.5Hz、2H、7.15dd、J=0.8,3.6Hz、2H、6.99-7.03m、6H、3.45-3.49m、8H、2.65s、4H、1.52-1.62m、4H、1.35-1.46m、4H、0.94t、J=7.5Hz、6H13C-NMR100MHz、CDCl3:δ=137.6、136.9、131.9、127.8、124.7、123.9、123.2、122.8、92.3、75.6、71.8、71.3、43.1、31.7、23.7、19.4、13.9HRMSEI:592.1598計算値;592.1589測定値<ステップ2>化合物No.1の製造Cp2ZrCl2729mg、2.5mmolのテトラヒドロフラン溶液を-78°Cに冷却し、n-BuLi1.62M/ヘキサン溶液、5.0mmolを滴下し、同温のまま1時間反応させた。次に、ステップ1で得られた中間体11.25mg、2.1mmolのテトラヒドロフラン溶液を混合し、30~35°Cにて5時間反応させた。その後、塩化硫黄338mg、2.5mmolを加え反応させた。得られた反応溶液を、シリカゲルカラムクロマトグラフ法ヘキサン:クロロホルム=1:1の移動相溶媒で精製することにより橙色粉体948mg、単離収率72を得た。目的物であることは、1H-NMR、13C-NMR、及び高分解能質量分析スペクトルHRMSにて確認した。1H-NMR400MHz、CDCl3:δ=7.22dd、J=0.8,5.1Hz、2H、7.17dd、J=1.2,3.6Hz、2H、7.09d、J=4.0Hz、2H、7.02dd、J=3.6,5.1Hz、2H、6.99d、J=3.6Hz、2H、3.42-3.49m、8H、2.78s、4H、1.52-1.59m、4H、1.33-1.43m、4H、0.92t、J=7.1Hz、6H13C-NMR100MHz、CDCl3:δ=144.1、137.2、136.1、136.0、127.9、125.0、124.3、124.2、123.9、123.5、73.9、71.2、55.4、34.5、31.6、19.3、13.9HRMSEI:624.1318計算値;624.1301測定値合成例2化合物No.4の製造<ステップ1>1-2,2’-ビチオフェン-4,4-ビスブトキシメチル-1,6-ヘプタジイン下記化10に示される中間体2の製造4,4-ビスブトキシメチル-1,6-ヘプタジイン3.36g、12.7mmol、2-ブロモ-5-2’-チエニルチオフェン3.11g、12.7mmol、PdPPh34147mg、0.127mmol、CuI48mg、0.254mmol及びトリエチルアミン5mlを、テトラヒドロフラン40ml中で混合し、室温にて攪拌させながら12時間反応させた。得られた反応溶液を、シリカゲルカラムクロマトグラフ法ヘキサン:酢酸エチル=25:1の移動相溶媒で精製することにより、無色透明液体3.7g、単離収率68を得た。目的物であることは、1H-NMR、13C-NMR、及び高分解能質量分析スペクトルHRMSにて確認した。1H-NMR400MHz、CDCl3:δ=7.21dd、J=0.8,5.1Hz、1H、7.15dd、J=0.8,3.9Hz、1H、6.99-7.03m、3H、3.42-3.47m、8H、2.62s、2H、2.42d、J=2.8Hz、1H、2.00t、J=2.8Hz、1H、1.52-1.58m、4H、1.36-1.43m、4H、0.93t、J=7.5Hz、6H13C-NMR100MHz、CDCl3:δ=137.5、136.9、131.8、127.8、124.7、123.9、123.2、122.8、92.3、81.1、77.2、75.5、71.5、71.2、70.3、42.4、31.7、23.3、22.2、19.3HRMSEI:428.1843計算値;428.1843測定値<ステップ2>1-2,2’-ビチオフェン-4,4-ビスブトキシメチル-1,6-ヘプタジイン下記化11に示される中間体3の製造ステップ1で得られた中間体21.89g、4.4mmol、5,5’-ジブロモ-2,2’-ビチオフェン583mg、1.8mmol、PdPPh3442mg、0.036mmol、CuI14mg、0.072mmol及びトリエチルアミン1.7mlをテトラヒドロフラン10ml中で混合し、45°Cにて攪拌させながら12時間反応させた。得られた反応溶液を、シリカゲルカラムクロマトグラフ法ヘキサン:酢酸エチル=15:1の移動相溶媒で精製することにより淡黄色液体1.56g、単離収率85を得た。目的物であることは、1H-NMR、13C-NMR、及び高分解能質量分析スペクトルHRMSにて確認した。1H-NMR400MHz、CDCl3:δ=7.22dd、J=0.8,4.8Hz、2H、7.16dd、J=0.8,3.6Hz、2H、7.00-7.05m、8H、6.97-6.99dd、J=0.8,3.6Hz、2H、3.46-3.51m、16H、2.68s、8H、1.55-1.62m、8H、1.39-1.47m、8H、0.96dt、J=7.2,7.6Hz、12H13C-NMR100MHz、CDCl3:δ=137.6、136.9、136.8、131.9、131.8、127.8、124.6、123.9、123.4、123.2、123.1、122.7、92.7、92.3、75.63、75.56、71.8、71.3、43.0、31.7、23.7、19.4、13.9HRMSEI:1018.3285計算値;1018.3280測定値<ステップ3>化合物No.4の製造Cp2ZrCl2371mg、1.27mmolのテトラヒドロフラン溶液を-78°Cに冷却し、n-BuLi1.62M/ヘキサン溶液、2.54mmolを滴下し、同温のまま1時間反応させた。次に、ステップ2で得られた中間体3507mg、0.49mmolのテトラヒドロフラン溶液を混合し、30~35°Cにて5時間反応させた。その後、塩化硫黄199mg、1.47mmolを加え反応させた。得られた反応溶液を、シリカゲルカラムクロマトグラフ法ヘキサン:クロロホルム=1:2の移動相溶媒で精製することにより赤色粉体248mg、単離収率46を得た。目的物であることは、1H-NMR、13C-NMR、及び高分解能質量分析スペクトルHRMSにて確認した。1H-NMR400MHz、CDCl3:δ=7.22dd、J=0.8,5.1Hz、2H、7.17dd、J=1.2,3.6Hz、2H、7.08d、J=4.0Hz、4H、7.02dd、J=3.6,5.1Hz、2H、7.00d、J=4.0Hz、4H、3.42-3.49m、16H、2.78s、8H、1.52-1.59m、8H、1.33-1.43m、8H、0.92t、J=7.1Hz、12H13C-NMR100MHz、CDCl3:δ=144.2、144.1、137.2、136.1、136.05、136.03、135.9、127.9、125.09、125.06、124.3、124.2、124.0、124.0、123.98、123.91、123.5、73.9、71.2、55.4、34.5、31.6、19.3、13.9HRMSEI:1082.2726計算値;1082.2738測定値実施例1図1cに示す層構成を有する光電変換素子を、以下の手順で作製した。電極2としてITOが150nm成膜してあるガラス基板支持体1をIPA煮沸洗浄及びUV-オゾン洗浄した後、電極2上に、PEDOT:PSS3,4-エチレンジオキシチオフェン:ポリスチレンスルホン酸を20nmスピンコート法により成膜し、100°C、10分の条件で減圧乾燥して、電荷移動層3とした。これとは別に、1,2-ジクロロベンゼン2mLにA上記一般式1で表される化合物として化合物No.1を5mg、Bp型有機半導体としてP3HTを50mg、及びCn型有機半導体としてPCBMを50mg溶解させて、実施例1の光電変換材料を調製した。電荷移動層3上に、調製した光電変換材料を、スピンコート法により成膜し、100°C、30分の条件で減圧乾燥して光電変換層4とした。こうして得られた有機薄膜層である光電変換層4上に、メタルマスクを用いてLiF0.5nm電荷移動層6、及びアルミニウム100nm電極5を逐次真空蒸着成膜して、実施例1の光電変換素子を作製した。こうして得られた光電変換素子に対し、エアマス1.5G、100mW/cm2の擬似太陽光をITO電極側から照射して光電変換特性効率を測定した。結果を表1に示す。実施例2上記実施例1の光電変換素子の作製において、A~C成分及び組成比を表1に示すように変更する以外は、実施例1と同様にして、実施例2の光電変換素子を作製した。また、実施例1と同様の操作で、実施例2の光電変換素子の光電変換特性効率を測定した。結果を[表1]に示す。比較例1上記実施例1の光電変換素子の作製において、A成分を用いない以外は実施例1と同様の操作で、比較例1の光電変換素子を作製し、実施例1と同様の操作で、比較例1の光電変換素子の光電変換特性効率を測定した。結果を表1に示す。上記結果より、A成分として上記一般式1で表わされる、本発明の化合物を、Bp型有機半導体材料及びCn型有機半導体材料に添加すると、光電変換効率が向上することが確認できた。従って、上記一般式1で表わされる、本発明の新規化合物を添加した光電変換材料は、光電変換素子に有用である。"