照度に対応する光電流を出力する光電変換素子と、照度に対応して抵抗を変化させる抵抗素子と、を有し、前記光電変換素子の一方の端子及び前記抵抗素子の一方の端子は、電気的に接続されることを特徴とする光電変換装置。請求項1において、前記光電変換素子又は前記抵抗素子の受光面側に光強度調整手段を有していることを特徴とする光電変換装置。請求項1乃至請求項2のいずれか一において、前記光電変換素子の他方の端子は、高電源電位を供給する配線に電気的に接続されていることを特徴とする光電変換装置。請求項1乃至請求項3のいずれか一において、前記抵抗素子の他方の端子は、低電源電位を供給する配線に電気的に接続されていることを特徴とする光電変換装置。請求項1乃至請求項4のいずれか一において、前記光電変換素子の前記一方の端子及び前記抵抗素子の前記一方の端子は、出力電圧端子に電気的に接続されていることを特徴とする光電変換装置。請求項1乃至請求項5のいずれか一において、前記抵抗素子は、非晶質シリコンで構成されていることを特徴とする光電変換装置。請求項1乃至請求項6のいずれか一において、前記光電変換素子は、フォトダイオードであることを特徴とする光電変換装置。請求項7において、前記フォトダイオードは、PIN型のフォトダイオードであることを特徴とする光電変換装置。請求項1乃至請求項6のいずれか一において、前記光電変換素子は、フォトトランジスタであることを特徴とする光電変換装置。しかしながら、照度の対数値に比例した出力電圧を得ることのできる光電変換装置は、複数のトランジスタ、負荷抵抗、及びオペアンプ等が組み合わされており、複雑な回路構成を必要とする。また、特許文献1に示した光電変換装置は、可変抵抗の抵抗値を制御するための制御回路を別途設けなければならないため、ダイオード素子及び可変抵抗をそれぞれ独立に制御する必要がある。上記問題を鑑み、本発明の一態様は、消費電力及び実装面積を低減させ歩留まりを向上させた光電変換装置を提供することを目的とする。また作製工程数を低減させ、製造コストを低減させた光電変換装置を提供することを目的とする。また照度を調整することで出力電圧を任意に制御でき、かつ検出精度の高い光電変換装置を提供することを目的とする。本発明の一態様は、照度に対応する光電流を出力する光電変換素子と照度に対応して抵抗を変化させる抵抗素子とを有し、光電変換素子の一方の端子及び抵抗素子の一方の端子は、電気的に接続され、光電変換素子と抵抗素子が直列に電気的に接続されることを特徴とする光電変換装置である。また本発明の一態様において、光電変換素子又は抵抗素子の受光面側に光強度調整手段を有していてもよい。また本発明の一態様において、光電変換素子の他方の端子は、高電源電位を供給する配線に電気的に接続されていてもよい。また本発明の一態様において、抵抗素子の他方の端子は、低電源電位を供給する配線に電気的に接続されていてもよい。また本発明の一態様において、光電変換素子の一方の端子及び抵抗素子の一方の端子は、出力電圧端子に電気的に接続されていてもよい。また本発明の一態様において、抵抗素子は、半導体膜で形成されたものが適用される。半導体膜としては多結晶半導体膜又は非晶質半導体膜が適用可能である。多結晶半導体膜又は非晶質半導体膜の半導体材料としてシリコンを用いることができる。また本発明の一態様において、光電変換素子は、フォトダイオードであってもよい。また本発明の一態様において、フォトダイオードは、PIN型のフォトダイオードであってもよい。PIN型のフォトダイオードとは、p型半導体層とn型半導体層の間にi型の半導体層を介在させた接合構造を有するフォトダイオードである。なお、i型半導体とは、フェルミ準位がバンドギャップの中央に位置するいわゆる真性半導体の他、半導体に含まれるp型若しくはn型を付与する不純物が1×1020cm-3以下の濃度であり、暗伝導度に対して光伝導度が100倍以上である実質的に真性である半導体を含むものとする。また本発明の一態様において、光電変換素子は、フォトトランジスタであってもよい。本発明の一態様により、消費電力及び実装面積を低減させ歩留まりを向上させた光電変換装置を得ることができる。また、作製工程数を低減させ、製造コストを低減させた光電変換装置を得ることができる。また、照度を調整することで出力電圧を任意に制御でき、かつ検出精度の高い光電変換装置を得ることができる。以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。本実施の形態では、光電変換装置の構成及びその動作について説明する。なお本実施の形態で説明する光電変換装置は、照度に対応する光電流を出力する光電変換素子と、照度に対応して抵抗を変化させる抵抗素子とを組み合わせることで、照度の対数値に比例した出力電圧を得ることができるものである。本実施の形態の光電変換装置の構成について、図1を用いて説明する。本実施の形態の光電変換装置100は、光電変換素子101と、抵抗素子102とを有する。光電変換装置100には、図1に示されるように高電圧源端子103に、高電源電位Vddが供給され、低電圧源端子104に、低電源電位Vssが、供給されている。また、出力電圧端子105から出力電圧Voutを得ることができる。光電変換素子101としては、PN型またはPIN型のフォトダイオード、フォトトランジスタ等を用いることができる。PIN型のフォトダイオードは、PN型のフォトダイオードに比べ、光の照射による空乏層の応答特性がよいため、好適である。なお、フォトトランジスタとは、光の照射により発生したフォトダイオードの光電流をトランジスタによって増幅させたものであり、一般に高感度、低応答速度と言われている。光電変換素子101を構成する材料としては、半導体材料としてSi、Ge、GaAs等を用いることができる。半導体材料は、検出する光の波長帯域を考慮して選択すれば良く、例えば可視光帯域の光を検出するには、可視光線領域で光電効果を奏する半導体材料を用いることが好ましく、代表的にはバンドギャップエネルギーが、0.8eV以上2.0eV以下を有する材料を用いることがより好ましい。抵抗素子102を構成する材料としては、Si、CdS、CdSe、CdSSe、PbS等を用いることができる。可視光線領域で光電効果を奏する半導体材料を用いることが好ましく、代表的にはバンドギャップエネルギーが、0.8eV以上2.0eV以下を有する材料を用いることがより好ましい。可視光線領域で光電効果を奏する半導体材料を、光電変換素子101だけでなく抵抗素子102にも用いることで、より人の視感度に近い分光感度特性を持った検出精度の高い光電変換装置100を得ることができる。次に図1で説明した光電変換装置100の具体的な回路構成について説明する。図1に示される光電変換装置100において、光電変換素子101における一方の端子及び抵抗素子102における一方の端子は、出力電圧端子105に電気的に接続されており、光電変換素子101における他方の端子は、高電圧源端子103に電気的に接続されており、抵抗素子102における他方の端子は、低電圧源端子104に電気的に接続されている。なお本明細書において、AとBとが電気的に接続されているとは、AとBとの間に何らかの電気的作用を有する対象物が存在する場合も含むものとする。次に、図1に示される光電変換装置100の動作について簡単に説明する。高電圧源端子103に、高電源電位Vddが供給され、低電圧源端子104に、低電源電位Vssが供給されている。光電変換素子101に入射光1が照射されることで光電流が発生する。発生した光電流は、抵抗素子102を流れる。抵抗素子102の抵抗値は、抵抗素子102に入射光2が照射されることで決定される。オームの法則に従って、抵抗素子102の両端に電圧が発生し、発生した電圧を、出力電圧端子105から出力電圧Voutとして得ることができる。従って、光電変換装置100は、図1に示される入射光1及び入射光2の照度を調整することによって検出できる照度範囲を広げ、該照度範囲に応じた出力電圧を任意に取り出すことが可能になる。ここで、光電変換素子101と抵抗素子102が直列に電気的に接続された光電変換装置100における、検出できる照度の範囲および精度と、抵抗素子102の抵抗値の関係について簡単に説明する。抵抗素子102の抵抗値が小さいほど、抵抗素子102に生じる電圧が小さくなるため、光電変換装置100で検出できる照度の範囲が広くなる。また抵抗素子102の抵抗値が大きいほど、光電流の微小な変化に対し、出力電圧Voutの変化がより敏感になるため、光電変換装置100で検出できる照度の精度が向上する。従って光電変換素子101と抵抗素子102が直列に電気的に接続された光電変換装置100における、入射光2の照度の調整に関しては、上記のどちらを優先するか検討し、最適な抵抗値を有する照度を決定することが重要である。以下に、光電変換素子101と抵抗素子102を組み合わせることで、照度の対数値に比例した出力電圧Voutを得ることができることを、図2乃至図4を用いて説明する。なお、図2乃至図4は、光電変換素子101及び抵抗素子102を構成する半導体材料として、非晶質シリコンを用いた場合を例示する。非晶質シリコンのように可視光線領域で光電効果を奏する半導体材料を、光電変換素子及び抵抗素子に用いることで、光電変換装置としての検出精度を可視光線領域においてより高めることができる。図2に光電変換素子101として、非晶質シリコンのフォトダイオードを用いた場合における、照度-光電流特性の実測値が示されている。測定で用いた光源は、壺坂電気社製のA光源である。図2から、照度が大きくなるほど、光電流の値が大きくなっていることが確認できる。つまり光電変換素子の光電流の値を照度で調整できることが確認できる。なおフォトダイオードの受光面積を変更することにより光電流の値を適宜調整することができる。図3に抵抗素子102として、非晶質シリコンの可変抵抗を用いた場合における、照度―負荷抵抗特性の実測値が示されている。測定で用いた光源は、ハロゲンランプである。図3から、照度が大きくなるほど、負荷抵抗の値が小さくなっていることが確認できる。つまり抵抗素子の抵抗値を照度で調整できることが確認できる。また、抵抗素子102の長さ、及び幅を変更することにより、抵抗値を適宜調節することができる。図4に、図1に示した光電変換装置100を、図2に用いられた光電変換素子101及び図3に用いられた抵抗素子102で構成した場合における、照度-出力電圧特性の計算結果が示されている。図4から、照度の対数値に比例した出力電圧Voutを得られていることが確認できる。従って照度に対して光電流の値が大きくなる光電変換素子101と、照度に対して抵抗値が小さくなる抵抗素子102とを組み合わせた2素子で、照度の対数値に比例した出力電圧を得られる光電変換装置を構成できる。また、光電変換素子101における光電流の値を入射光1で、また抵抗素子102における抵抗値を入射光2で、すなわち照度を調整することで、出力電圧を任意に制御することができる。2素子のパラメータを容易に制御できることで、要求スペックに応じた出力電圧を取り出しやすくなる。このように、照度の対数値に比例した出力電圧を得ることのできる光電変換装置を2素子で、構成することができるため、消費電力及び実装面積を低減させ歩留まりを向上させることができる。また光線変換装置を構成する光電変換素子及び抵抗素子を、同一基板上に同一材料で構成することができるため、作製工程数を低減させ、製造コストを低減させることができる。また光電変換装置において広い照度範囲に対して、出力電圧を任意に取り出す事ができ、特に可視光線領域でその検出精度を高めることができる。上述した構成を有する光電変換装置は、本発明の一態様であり、当該光電変換装置と異なる点を有する光電変換装置も本発明には含まれる。光電変換装置の別の構成について、図5A、図5Bを用いて説明する。光電変換装置200は、光電変換素子101と、抵抗素子102と、光強度調整手段106を有する。光電変換装置200には、図5に示されるように高電圧源端子103に、高電源電位Vddが供給され、低電圧源端子104に、低電源電位Vssが、供給されている。また、出力電圧端子105から出力電圧Voutを得ることができる。光強度調整手段106によって、光電変換素子101に光入射する照度又は抵抗素子102に光入射する照度を調整することができる。光強度調整手段106としては、減光フィルター、色ガラスフィルター及び干渉フィルターのような光学フィルターを用いることができる。また、光強度調整手段106として、光吸収体である半導体膜を用いることができる。光強度調整手段106は、図5Aに示されるように光電変換素子101の受光面側に設けられてもよいし、図5Bに示されるように抵抗素子102の受光面側に設けられてもよい。図5Aに示される光電変換装置200の動作について簡単に説明する。高電圧源端子103に、高電源電位Vddが供給され、低電圧源端子104に、低電源電位Vssが供給されている。図5Aにおいて、光電変換素子101に光入射する照度は、光強度調整手段106によって調整された照度と同等となり、抵抗素子102に光入射する照度は、光電変換装置200に光入射する照度と同等となる。光電変換装置200に入射光3が照射されると、光強度調整手段106によって調整された照度に対応して、光電変換素子101に光電流が発生する。発生した光電流は、抵抗素子102を流れる。抵抗素子102の抵抗値は、光電変換装置200に光入射する照度に対応して決定される。オームの法則に従って、抵抗素子102の両端に電圧が発生し、発生した電圧を、出力電圧端子105から出力電圧Voutとして得ることができる。図5Bに示される光電変換装置200の動作について簡単に説明する。高電圧源端子103に、高電源電位Vddが供給され、低電圧源端子104に、低電源電位Vssが供給されている。図5Bにおいて、光電変換素子101に光入射する照度は、光電変換装置200に光入射する照度と同等となり、抵抗素子102に光入射する照度は、光強度調整手段106によって調整された照度と同等となる。光電変換装置200に入射光3が照射されると、光電変換素子101に光電流が発生する。発生した光電流は、抵抗素子102を流れる。抵抗素子102の抵抗値は、光強度調整手段106によって調整された照度に対応して決定される。オームの法則に従って、抵抗素子102の両端に電圧が発生し、発生した電圧を、出力電圧端子105から出力電圧Voutとして得ることができる。光電変換装置100では、光電変換素子101と抵抗素子102のそれぞれに光入射する照度を変化させたい場合、入射光1と入射光2の照度をそれぞれ調整することで、検出できる照度範囲を広げ、該照度範囲内の出力電圧を任意に取り出すことができる。光電変換装置200では、光電変換素子101と抵抗素子102のそれぞれに光入射する照度を変化させたい場合、入射光3の照度の調整に加えて、図5に示される光強度調整手段106を用いることによって、検出できる照度範囲を広げ、該照度範囲内の出力電圧を任意に取り出すことができる。従って、照度を調整する事で出力電圧を任意に制御でき、かつ検出精度の高い光電変換装置を得ることができる。上述した光電変換装置100の一構成例を図6に示す。図6は図1に示される光電変換装置100における、光電変換素子101として非晶質シリコンを用いたフォトダイオード301を、抵抗素子102として非晶質シリコンを用いた可変抵抗302を用いた場合における構成例である。図6Aは、上面図であり、図6Bは、図6Aの鎖線A-Bにおける断面図である。フォトダイオード301及び可変抵抗302は、同一基板300上に形成されている。光電変換装置100は、基板300上に、第1の電極層202、第2の電極層208、第3の電極層210、光電変換層204、半導体層206、絶縁層209を含む。光電変換層204は、p型半導体層204p、n型半導体層204n、及びp型半導体層204pとn型半導体層204nの間に挟まれた真性i型半導体層204iを有する。なお、光電変換層204は、この構成に限らず少なくともp型半導体層とn型半導体層の積層構造であれば良い。半導体層206は、p型半導体層206p、n型半導体層206n、及びp型半導体層206pとn型半導体層206nの間に挟まれた真性i型半導体層206iを有する。なお、半導体層206は、この構成に限らず少なくともp型半導体層とn型半導体層の積層構造であれば良い。第1の電極層202は、基板300上に形成され光電変換層204と接して電気的に接続されている。光電変換層204は、第1の電極層202を覆い、一部が基板300に接して形成されている。可視光線領域で光電効果を奏する半導体層206は、基板300に接して形成されている。絶縁層209は、光電変換層204の一方の端部を覆い、且つ光電変換層204の他方の端部及び半導体層206の一方の端部を覆い、且つ半導体層206の他方の端部及び半導体層206の一部を覆い形成されている。光電変換層204と半導体層206の間に、絶縁層209を形成することで、第2の電極層208によりp型半導体層204p、真性i型半導体層204i、p型半導体層206p、及び真性i型半導体層206iのショートが発生する不良などを防ぐことができる。また、第2の電極層208は、絶縁層209を覆い、且つ光電変換層204及び半導体層206の一方の端部と接して形成され、第3の電極層210は、絶縁層209を覆い、且つ半導体層206の他方の端部と接して形成され、それぞれ電気的に接続されている。光電変換層204と半導体層206は同じ成膜工程で作製される。第2の電極層208と第3の電極層210は同じ成膜工程で作製される。第1の電極層202、第2の電極層208、第3の電極層210を構成する材料として透光性を有する導電性材料を用いることができる。透光性を有する導電性材料とは可視光線の透過率が75以上100以下である導電性材料を指すものとする。また、第1の電極層202、第2の電極層208、第3の電極層210を構成する材料として、Mo、Ti、Ta、W、Al、Cu、Nd、等の金属材料を用いることができる。また、絶縁層209を構成する材料として、SiO2、SiON、SiN、SiNO、等の酸化膜材料や窒化膜材料を用いることができる。なお、絶縁層209は積層構造であってもよい。なお、照度を正確に検出するために第1の電極層202に金属材料を用いた場合は、第2の電極層208及び第3の電極層210に透光性を有する導電性材料を用いる方が好ましい。第2の電極層208及び第3の電極層210に金属材料を用いた場合は、第1の電極層202に透光性を有する導電性材料を用いる方が好ましい。第1の電極層202、第2の電極層208、第3の電極層210に金属を用いた場合、電極層面積を小さくするほど、光電変換層204及び半導体層206により多くの光が入射する。上述した光電変換装置100の一構成例を図7に示す。図7は図1に示される光電変換装置100における、光電変換素子101として非晶質シリコンを用いたフォトトランジスタ303を、抵抗素子102として非晶質シリコンを用いた可変抵抗302を用いた場合における構成例である。図7Aは、上面図であり、図7Bは、図7Aの鎖線A-Bにおける断面図である。フォトトランジスタ303及び可変抵抗302は、同一基板300上に形成されている。光電変換装置100は、基板300上に、第1の電極層202、第2の電極層208、第3の電極層210、光電変換層204、半導体層206、ゲート電極層205、ゲート絶縁層212、絶縁層209を含む。基板300上にゲート電極層205が形成され、ゲート電極層205を覆うように、ゲート絶縁層212が形成されている。ゲート絶縁層212を介してゲート電極層205と重畳するように光電変換層204が形成されている。また可視光線領域で光電効果を奏する半導体層206は、ゲート絶縁層212に接して形成されている。絶縁層209は、光電変換層204の一方の端部及び光電変換層204の一部を覆い、且つ光電変換層204の他方の端部及び半導体層206の一方の端部を覆い、且つ半導体層206の他方の端部及び半導体層206の一部を覆い形成されている。光電変換層204と半導体層206の間に、絶縁層209を形成することで、第2の電極層208によりp型半導体層204p、真性i型半導体層204i、p型半導体層206p、及び真性i型半導体層206iのショートが発生する不良などを防ぐことができる。第2の電極層208は、絶縁層209を覆い、且つ光電変換層204の一方の端部及び半導体層206の一方の端部と接して形成されそれぞれ電気的に接続されている。また第1の電極層202は、第2の電極層208との間にチャネル領域が形成されるように、絶縁層209を覆い、且つ光電変換層204の他方の端部と接して形成されそれぞれ電気的に接続されている。第3の電極層210は、絶縁層209を覆い、且つ半導体層206の他方の端部と接して形成されそれぞれ電気的に接続されている。なお第1の電極層202をソース電極層及びドレイン電極層のうちの一方とし、第2の電極層208をソース電極層及びドレイン電極層のうちの他方とする。光電変換層204と半導体層206は同じ成膜工程で作製される。図6乃至図7に示されるように、光電変換装置を構成する光電変換素子及び抵抗素子を同一基板上に、同一材料でかつ同一工程で構成することができる。従って、光電変換装置において実装面積を低減させ歩留まりを向上させることができる。更に光電変換装置において作製工程数を低減させ、製造コストを低減させることができる。