基板上に形成された下部電極と、前記下部電極の一部の領域の上に配置され、前記下部電極とはエッチング特性が異なる導電材料で形成されたバッファ層と、前記バッファ層の上に配置され、アモルファスの強磁性材料で形成された第1磁化自由層と、前記第1磁化自由層の上に配置され、結晶化した強磁性材料で形成された第2磁化自由層と、前記第2磁化自由層の上に配置されたトンネルバリア層と、前記トンネルバリア層の上に配置され、磁化方向が固定された磁化固定層と前記磁化固定層の上に形成された上部電極とを有する磁気トンネル接合素子。前記第1磁化自由層は、Fe、B、及びTaを含み、前記第2磁化自由層は、Fe、及びBを含み、Taを含まない請求項1に記載の磁気トンネル接合素子。前記第1磁化自由層のTa含有量は、30原子よりも多く、かつ50原子よりも少ない請求項2に記載の磁気トンネル接合素子。前記バッファ層は、Ru、Pt、Crからなる群より選択された少なくとも1つの元素を含む請求項1乃至3のいずれか1項に記載の磁気トンネル接合素子。前記バッファ層の厚さは、3nm~15nmの範囲内であり、前記第1磁化自由層の厚さは、0.8nm~2.5nmの範囲内であり、前記第2磁化自由層の厚さは、0.4nm~1nmの範囲内である請求項1乃至4のいずれか1項に記載の磁気トンネル接合素子。基板上に下部電極層を形成する工程と、前記下部電極層の上に、前記下部電極とはエッチング特性が異なる導電材料で形成されたバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層の上に、アモルファスの強磁性材料からなる第1磁化自由層を形成する工程と、前記第1磁化自由層の上に、該第1磁化自由層とは異なるアモルファスの強磁性材料からなる第2磁化自由層を形成する工程と、前記第2磁化自由層の上に、トンネルバリア層を形成する工程と、前記トンネルバリア層の上に、磁化方向が固定された磁化固定層を形成する工程と、前記磁化固定層を形成した後、熱処理を行い、前記第2磁化自由層を結晶化するが、前記第1磁化自由層はアモルファスの状態を維持させる工程と、前記磁化固定層の上に、マスクパターンを形成する工程と、前記マスクパターンをエッチングマスクとして、前記磁化固定層から前記バッファ層まで反応性イオンエッチング法を用いてエッチングし、前記下部電極層の上面を露出させる工程とを有する磁気トンネル接合素子の製造方法。第1の方向に延在する複数のワード線と、前記ワード線を交差する方向に延在する複数のビット線と、前記ワード線と前記ビット線との交差箇所に対応して配置されたメモリセルとを有し、前記メモリセルは、一方の電流端子が接地され、ゲート電極が、対応するワード線に接続されたMOSトランジスタと、一方の電極が前記MOSトランジスタの他方の電流端子に接続され、他方の電極が、対応するビット線に接続されたMTJ素子とを含む、前記MTJ素子は、基板上に形成された下部電極と、前記下部電極の一部の領域の上に配置され、前記下部電極とはエッチング特性が異なる導電材料で形成されたバッファ層と、前記バッファ層の上に配置され、アモルファスの強磁性材料で形成された第1磁化自由層と、前記第1磁化自由層の上に配置され、結晶化した強磁性材料で形成された第2磁化自由層と、前記第2磁化自由層の上に配置されたトンネルバリア層と、前記トンネルバリア層の上に配置され、磁化方向が固定された磁化固定層と前記磁化固定層の上に形成された上部電極層とを含むMRAM。MTJ素子の積層構造をパターニングした後、積層構造の側方に導電性の付着物が生成されると、リーク電流が増加してしまう。この付着物をエッチングで除去することが困難な場合がある。積層構造の側方に生成された付着物の影響を受けにくい磁気トンネル接合素子及びその製造方法が求められている。本発明の一観点によると、基板上に形成された下部電極と、前記下部電極の一部の領域の上に配置され、前記下部電極とはエッチング特性が異なる導電材料で形成されたバッファ層と、前記バッファ層の上に配置され、アモルファスの強磁性材料で形成された第1磁化自由層と、前記第1磁化自由層の上に配置され、結晶化した強磁性材料で形成された第2磁化自由層と、前記第2磁化自由層の上に配置されたトンネルバリア層と、前記トンネルバリア層の上に配置され、磁化方向が固定された磁化固定層と前記磁化固定層の上に形成された上部電極層とを有する磁気トンネル接合素子が提供される。本発明の他の観点によると、基板上に下部電極層を形成する工程と、前記下部電極層の上に、前記下部電極とはエッチング特性が異なる導電材料で形成されたバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層の上に、アモルファスの強磁性材料からなる第1磁化自由層を形成する工程と、前記第1磁化自由層の上に、該第1磁化自由層とは異なるアモルファスの強磁性材料からなる第2磁化自由層を形成する工程と、前記第2磁化自由層の上に、トンネルバリア層を形成する工程と、前記トンネルバリア層の上に、磁化方向が固定された磁化固定層を形成する工程と、前記磁化固定層を形成した後、熱処理を行い、前記第2磁化自由層を結晶化するが、前記第1磁化自由層はアモルファスの状態を維持させる工程と、前記磁化固定層の上に、マスクパターンを形成する工程と、前記マスクパターンをエッチングマスクとして、前記磁化固定層から前記バッファ層まで反応性イオンエッチング法を用いてエッチングし、前記下部電極層の上面を露出させる工程とを有する磁気トンネル接合素子の製造方法が提供される。バッファ層を配置することにより、下部電極からトンネルバリア層までの高さを高くすることができる。これにより、磁気トンネル接合素子の特性が、プロセス中に下部電極の上に堆積する付着物の影響を受け難くなる。磁化自由層を、第1磁化自由層と第2磁化自由層との2層構造にすることにより、磁化自由層とトンネルバリア層との界面の品質低下を抑制することができる。[実施例1]図1に、実施例1によるMTJ素子の断面図を示す。基板10の一部の領域の上に、下部電極11が形成されている。下部電極11には、例えばTaが用いられ、その厚さは、例えば5nm~50nmの範囲内である。下部電極11は結晶化しておらず、アモルファス状態である。下部電極11の一部の領域の上に、バッファ層12が形成されている。バッファ層12には、例えばRu、Pt、Cr等が用いられ、その厚さは、例えば3nm~15nmの範囲内である。バッファ層12は結晶化している。バッファ層12の上に、MTJ積層構造15が配置されている。MTJ積層構造15は、磁化自由層16、トンネルバリア層20、磁化固定層21、及び反強磁性層27がこの順番に堆積した積層構造を有する。磁化自由層16は、第1磁化自由層17と、その上に形成された第2磁化自由層18とを含む。第1磁化自由層17は、例えばアモルファス状態のCoFeBTaで形成され、その厚さは0.8nm~2.5nmの範囲内である。第2磁化自由層18は、例えば結晶化したCoFeBで形成され、その厚さは0.4nm~1.0nmの範囲内である。なお、第2磁化自由層18は、成膜直後はアモルファスであるが、その後の熱処理プロセスで結晶化する。磁化自由層16の磁化方向は、スピン偏極した電子の注入や、外部磁場の印加によって容易に変化する。トンネルバリア層20は、例えばMgOで形成され、その厚さは0.8nm~1.1nmの範囲内である。MgOは体心立方格子構造を有し、トンネルバリア層20を形成するMgOは、001配向している。磁化固定層21は、第1磁化固定層22、第2磁化固定層23、スペーサ層24、及び第3磁化固定層25がこの順番に堆積した積層構造を有する。第1磁化固定層22は、例えばCoFeBで形成され、その厚さは1.5nm~2.5nmの範囲内である。第2磁化固定層23は、例えばCoFeで形成され、その厚さは0.5nm以下である。スペーサ層24は、例えばRuで形成され、その厚さは0.75nm~1.5nmの範囲内である。第3磁化固定層25は、たとえばCoFeで形成され、その厚さは1.5nm~2.5nmの範囲内である。磁化固定層21は、スペーサ層24を介して、上下の磁化固定層が反強磁性交換結合する積層フェリ構造を有する。反強磁性層27は、例えばIrMnで形成され、その厚さは7nm~10nmの範囲内である。なお、反強磁性層27は、IrMn以外の反強磁性材料、例えばPtMn等で形成してもよい。反強磁性層27にPtMnを用いる場合には、その厚さを、10nm~20nmの範囲内とする。反強磁性層27は、第3磁化固定層25と交換結合し、第3磁化固定層25の磁化方向を固定する。MTJ積層構造15の上に、上部電極31及び接続層32が、この順番に積層されている。上部電極31は、例えばRuで形成され、その厚さは3nm~10nmである。接続層32は、例えばTaで形成され、その厚さは30nm~80nmである。バッファ層12の側方の下部電極11の上に、酸化物層40が形成されている。酸化物層40は、下部電極11の酸化物で形成される。酸化物層40の上面は、トンネルバリア層20の底面よりも低い。図2A~図2Fを参照して、実施例1によるMTJ素子の製造方法について説明する。図2Aに示すように、基板10の上に、下部電極11から接続層32までの各層を、スパッタリングにより形成する。成膜時に、第1磁化自由層17及び第2磁化自由層18は、アモルファス状態である。接続層32を形成した後、磁場中で熱処理を行うことにより、第2磁化自由層18を結晶化させる。この熱処理は、例えば下記の条件で行われる。圧力1×10-5Pa以下磁場の大きさ1T磁場の向き面内方向温度350°C熱処理時間2時間昇温及び降温時間1時間図2Bに示すように、この熱処理により、MgOからなるトンネルバリア層20と第2磁化自由層18との界面から、第2磁化自由層18内に向かって結晶化が進む。これにより、第2磁化自由層18が結晶化される。本明細書において、この熱処理を、結晶化熱処理ということとする。第1磁化自由層17のCoFeBTaは、CoFeBよりも結晶化しにくい。第1磁化自由層17の下のRuからなるバッファ層12は結晶化しているが、バッファ層12と第1磁化自由層17との界面から、第1磁化自由層17内に向かう結晶化は生じない。このため、第1磁化自由層17は、結晶化熱処理後もアモルファス状態のままである。第2磁化自由層18とバッファ層12との間に、アモルファス状態の第1磁化自由層17が挿入されているため、第2磁化自由層18が結晶化されるときに、バッファ層12の結晶構造の影響を受けることはない。図2Cに示すように、MTJ積層構造を配置すべき領域に接続層32を残すように、接続層32をパターニングする。接続層32のパターニングには、例えばエッチングマスクとして酸化シリコン膜を用い、エッチングガスとしてCl2ガスを用いる。接続層32をパターニングした後、エッチングマスクとして使用した酸化シリコン膜は除去する。パターニングされた接続層32の平面形状は、例えば長方形または楕円形である。図2Dに示すように、接続層32をエッチングマスクとして用い、上部電極31からバッファ層12までの各層をエッチングする。このエッチングには、COとNH3との混合ガスを用いた反応性イオンエッチングが適用される。COとNH3との流量比は、例えば1:10とし、エッチングチャンバ内の圧力は、例えば10Paとする。なお、エッチングガスとしてメタノールガスを用いることもできる。Taからなる下部電極11が露出すると、下部電極11の表面が酸化され、タンタル酸化物層40が形成される。タンタル酸化物層40がエッチングストッパとして作用するため、下部電極11はエッチングされない。下部電極11が酸化されると、その体積が膨張するため、タンタル酸化物層40の上面が、初期の下部電極11の上面よりも高くなる。ただし、タンタル酸化物層40の上面が、トンネルバリア層20の底面までは達しないように、バッファ層12の膜厚が設定されている。ここまでの工程で、バッファ層12、磁化自由層16、トンネルバリア層20、磁化固定層21、反強磁性層27、上部電極31、及び接続層32を含む積層構造体41が形成される。図2Eに示すように、積層構造体41及び酸化物層40の上にフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜をパターニングすることにより、レジストパターン43を形成する。レジストパターン43は、積層構造体41、及びその周囲の酸化物層40を覆う。図2Fに示すように、レジストパターン43をエッチングマスクとして、酸化物層40及び下部電極11をエッチングする。このエッチングには、例えばエッチングガスとしてCl2を用いた反応性イオンエッチングが適用される。エッチング後、レジストパターン43を除去する。ここまでの工程で、図1に示したMTJ素子が形成される。以下、バッファ層12を配置することの効果について説明する。磁化自由層16を厚くすると、磁化を反転させるべき強磁性材料の体積が大きくなるため、書込みに必要な電流の閾値が大きくなってしまう。所望の書込み電流の閾値から、磁化自由層16の厚さの上限値が決定される。バッファ層12を配置しない場合には、下部電極11の上面からトンネルバリア層20の底面までの高さが、磁化自由層16の厚さの上限値により制限される。酸化物層40は、酸化前の下部電極11の上面を基準として、下方及び上方に成長する。酸化物層40の厚さは、図2Dに示した反応性イオンエッチングの条件に依存する。通常のエッチング条件では、酸化物層40の、上方に成長した部分の厚さを、磁化自由層16の厚さの上限値よりも薄くすることが困難である。このため、酸化物層40がトンネルバリア層20まで達してしまう。Taの酸化物は導電性を有するため、酸化物層40がトンネルバリア層20に接触すると、リーク電流が増加してしまう。実施例1では、下部電極11と磁化自由層16との間にバッファ層12を挿入しているため、トンネルバリア層20の底面を、酸化物層40の上面より高くすることができる。また、バッファ層12は強磁性材料ではないため、バッファ層12を厚くしても、書込みに必要な電流の閾値は上昇しない。次に、磁化自由層16を2層構造にすることの効果について説明する。図3に、種々のMTJ素子のMR比の測定結果を示す。作製したMTJ素子は、下部電極11、磁化自由層16、トンネルバリア層20、及び磁化固定層21を含む。磁化自由層16は、CoFeB層の1層のみとした。トンネルバリア層20には、MgOを用いた。磁化固定層21の構造は、図1に示した実施例1の磁化固定層21の構造と同一である。下部電極11の材料として、Ta、Ru、Cr、Pt、及びTiを用いた5種類の試料を作製した。図3の横軸は、磁化自由層16の膜厚を、単位nmで表し、縦軸はMR比を単位で表す。図4の曲線に付した元素記号は、下部電極11の材料を示す。下部電極11にTaを用いると、他の材料を用いた場合に比べて大きなMR比が得られている。図4A及び図4Bを参照して、下部電極11の材料によってMR比が変動する理由について説明する。図4A及び図4Bは、MTJ積層構造の概略断面図であり、結晶化熱処理時の結晶成長の方向を矢印で示す。図4Aに示すように、下部電極11にTaを用いた場合には、磁化自由層18内において、トンネルバリア層20から下方に結晶化が進む。下部電極11を形成しているTaはアモルファス状態であるため、下部電極11のTaは、結晶の成長核にならない。このため、下部電極11からは、ほとんど結晶化が進まない。図4Bに示すように、下部電極11にRuを用いた場合には、下部電極11が結晶化している。結晶化熱処理時に、磁化自由層18内において、下部電極11から上方に進む結晶化が支配的になる。結晶化したRuを成長核として結晶成長が進むと、CoFeBが110配向してしまう。また、トンネルバリア層20と磁化自由層18との界面の品質が低下する。このため、MR比が小さくなってしまうと考えられる。下部電極11にCr、Pt、Ti等を用いた場合にも、同様に、トンネルバリア層20と磁化自由層18との界面の品質が低下していると考えられる。実施例1の場合には、バッファ層12としてRuを用いているため、バッファ層12の上にCoFeBの第2磁化自由層18を直接堆積させると、図4Bの場合と同様に、第2磁化自由層18とトンネルバリア層20との界面の品質が低下してしまう。実施例1では、バッファ層12と第2磁化自由層18との間に、CoFeBTaの第1磁化自由層17が挿入されている。CoFeBTaは、CoFeBよりも結晶化し難い。このため、バッファ層12から上方に結晶化が進むことはなく、結晶化熱処理後も、第1磁化自由層17はアモルファス状態のままである。第1磁化自由層17が結晶化しないため、第2磁化自由層18内において、第1磁化自由層17から結晶化が進むことはない。従って、トンネルバリア層20から第2磁化自由層18内に結晶化が進む。これにより、第2磁化自由層18とトンネルバリア層20との界面の品質の低下を防止することができる。さらに、CoFeBTaは磁性を持ちながら、その飽和磁化量Msは、CoFeBの飽和磁化量よりも小さい。書込み電流の閾値は、磁化自由層16の飽和磁化量と体積との積に依存する。磁化自由層16を2層構造にすれば、磁化自由層16をCoFeBの単層構造とする場合に比べて、書込み電流の閾値を一定に維持したまま、磁化自由層16を厚くすることができる。逆に、磁化自由層の厚さが等しい場合には、磁化自由層16を2層構造にすることにより、書込み電流の閾値を低減させることができる。第1磁化自由層18を第2磁化自由層17より厚くすることにより、上述の効果が顕著に現れる。図5A及び図5Bに、実施例1によるMTJ素子の積層構造を持つ試料のMR比の測定結果を示す。第1磁化自由層17の強磁性材料として、Co0.42Fe0.42B0.160.66Ta0.34を用い、第2磁化自由層18の強磁性材料として、Co0.42Fe0.42B0.16を用いた。MR比の測定には、CIPTCurrent-In-Plane-Tunneling法を用いた。図5Aの横軸は、第2磁化自由層18の厚さを、単位nmで表し、縦軸はMR比を単位で表す。丸記号及び三角記号は、それぞれ第1磁化自由層17の厚さを1.0nm及び1.2nmにした試料の測定結果を示す。第2磁化自由層18の膜厚が0.5nm以上の試料では、110以上のMR比が得られているのに対し、膜厚が0.4nmの試料のMR比は、100以下である。100よりも大きなMR比を得るために、第2磁化自由層18の厚さを0.5nm以上にすることが好ましい。図5Bの横軸は、第1磁化自由層17の厚さを、単位nmで表し、縦軸はMR比を単位で表す。丸記号、三角記号、及び四角記号は、それぞれ第2磁化自由層18の厚さを0.7nm、0.6nm、0.5nmとした試料の測定結果を示す。第1磁化自由層17の膜厚の変化に対して、MR比の変化は緩やかであり、第1磁化自由層17の膜厚の好適な範囲が広いことがわかる。一例として、第1磁化自由層17の膜厚が0.6nm~1.4nmの範囲内で、100以上のMR比が得られることが確認された。なお、第1磁化自由層17のTaの含有量を44原子とした試料を作製し、MR比を測定したところ、100以上のMR比が得られることが確認された。上記実施例1では、第1磁化自由層17をCoFeBTaで形成し、第2磁化自由層18をCoFeBで形成した。その他に、第1磁化自由層17に、Fe、B、及びTaを含む強磁性材料を用いることが可能である。また、第2磁化自由層18に、Fe及びBを含み、Taを含まない強磁性材料を用いてもよい。第1磁化自由層17及び第2磁化自由層18に、さらにCoまたはNiを含有させてもよい。Feの含有量は、10原子以上にすることが好ましい。Bの含有量は、15原子~22原子の範囲内にすることが好ましい。第1磁化自由層17の結晶化を防止し、アモルファス状態を維持するために、Taの含有量を30原子以上にすることが好ましい。Taの含有量が多くなり過ぎると、第2磁化自由層18と第1磁化自由層17とを、同一のエッチングガス、すなわちCOとNH3との混合ガスを用いて、連続的にエッチングすることが困難になる。第1磁化自由層17を、第2磁化自由層18のエッチングガスと同一のエッチングガスでエッチングするために、Taの含有量を50原子以下にすることが好ましい。なお、第1磁化自由層17に含有されるTaに代えて、Wを用いてもよい。Wを含有させても、第1磁化自由層17が第2磁化自由層18よりも結晶化し難くなる。また、上記実施例1では、トンネルバリア層20に、体心立方格子bcc構造で001配向したMgOを用いた。MgO以外に、トンネルバリア層20として、結晶化熱処理時に、第2磁化自由層18内の結晶化の成長核になり得る他の絶縁材料を用いてもよい。例えば、bcc構造を有し、001配向したMgZnOを用いてもよいし、スピネル型結晶構造を有するMgAlOを用いてもよい。また、上記実施例1では、下部電極11にTaを用いたが、その他の導電材料、例えばHf、TiN等を用いてもよい。下部電極11は、バッファ層12のエッチング条件において、エッチングストッパとして作用する。[実施例2]図6に、実施例2によるスピントルク注入型MRAMSTT-MRAMの等価回路図を示す。複数のワード線53が、図6の縦方向に延在し、複数のビット線65が図6の横方向に延在する。ワード線53とビット線65との交差箇所に対応して、メモリセルが配置される。メモリセルは、MOSトランジスタ52とMTJ素子60とを含む。MOSトランジスタ52のゲート電極が、対応するワード線53に接続される。MOSトランジスタ52の一方の電流端子が接地され、他方の電流端子が、MTJ素子60を介して、対応するビット線65に接続される。図7A~図7Cを参照して、実施例2によるスピントルク注入型MRAMSTT-MRAMの製造方法について説明する。図7A~図7Cにおいては、1つのメモリセルに対応する部分の断面図を示している。図7Aに示すように、シリコン等の半導体基板50の表層部に素子分離絶縁膜51を形成し、活性領域を画定する。この活性領域に、MOSトランジスタ52を形成する。MOSトランジスタ52のゲート電極がワード線53図6を兼ねる。半導体基板50及びMOSトランジスタ52の上に、酸化シリコン等からなる層間絶縁膜55を、例えば化学気相成長CVDにより堆積させる。堆積後、化学機械研磨CMPにより、層間絶縁膜55の表面を平坦化する。層間絶縁膜55にビアホールを形成し、このビアホール内をタングステン等の導電プラグ56で埋め込む。なお、バリアメタルとして、例えばTiNが用いられる。導電プラグ56は、MOSトランジスタ52の一方の不純物拡散領域に接続される。層間絶縁膜55の上に、導電プラグ56に接続されたグランド配線57を形成する。層間絶縁膜55及びグランド配線57の上に、酸化シリコン等からなる層間絶縁膜58を、例えばCVDにより堆積させる。堆積後、CMPにより、層間絶縁膜58の表面を平坦化する。図7Bに示すように、層間絶縁膜55、58にビアホールを形成し、このビアホール内を、タングステン等の導電プラグ59で埋め込む。なお、バリアメタルとして、例えばTiNが用いられる。導電プラグ59は、MOSトランジスタ52の他方の不純物拡散領域に接続される。層間絶縁膜58の上に、MTJ素子60を形成する。MTJ素子60は、図1に示した実施例1の下部電極11から接続層32までの積層構造と同一の積層構造を有する。MTJ素子60は、実施例1と同じ方法で作製される。下部電極11は、導電プラグ59に接続される。図7Cに示すように、MTJ素子60及び層間絶縁膜59の上に、酸化シリコン等からなる層間絶縁膜63を、例えばCVDにより堆積させる。その後、CMPにより、層間絶縁膜63の表面を平坦化する。MTJ素子60と重なる位置にビアホールを形成し、このビアホール内を、導電プラグ64で埋め込む。導電プラグ64には、例えばアルミニウムAlが用いられる。層間絶縁膜63の上に、ビット線65を形成する。ビット線65は、例えば、厚さ10nmのTi層、厚さ30nmのNiFe層、及び厚さ600nmのAl層がこの順番に堆積した3層構造を有する。ビット線65は、導電プラグ64に接続される。ビット線65及び層間絶縁膜63の上に、必要に応じて上層の配線層及び電極パッドを形成する。MTJ素子60を構成するバッファ層12から接続層32図1までの平面形状を、80nm×170nmの長方形としたSTT-MRAMを製造し、書込み電流の閾値、及びリテンションを測定した。第1磁化自由層17及び第2磁化自由層18の厚さは、それぞれ1nm及び0.6nmとした。比較のために、磁化自由層16を、CoFeBからなる厚さ1.3nmの単層で構成した比較例による試料を作製した。書込み電流の閾値は、パルス幅100nsの電流パルスを用いて測定した。リテンションは、100msの電流パルスで300回繰り返し測定し、書き込み電流のばらつきからフィッティングする方法で見積もった。実施例1の構造を持つ試料の書込み電流の閾値は0.5mAであった。これに対し、比較例の試料の書込み電流の閾値は0.9mAであった。実施例1の構造を採用することにより、書込み電流の閾値を低減させることができる。また、実施例1の構造を持つ試料のリテンションは44であった。これに対し、比較例による試料のリテンションは36であった。実施例1の構造を採用することにより、リテンションが改善されていることがわかる。[実施例3]図8に、実施例3によるMRAMの断面図を示す。以下の説明では、図7Cに示した実施例2のMRAMとの相違点について説明し、同一の構成については説明を省略する。実施例2のMRAMは、STT-MTJ素子を用いている。これに対し、実施例3のMRAMは、配線書込み型のMTJ素子を用いている。MTJ素子60の下方に、書込みワード線67が配置されている。書込みワード線67は、ビット線65と交差する方向に延在する。書込みワード線67を流れる電流と、ビット線65を流れる電流とによって発生する合成磁場により、磁化自由層16の磁化方向が制御される。MTJ素子60には、実施例1によるMTJ素子と同一の積層構造を有するものが用いられる。このため、高いMR比を得ることができる。[実施例4]図9Aに、実施例4による磁気ヘッドの浮上面媒体に対向する面の正面図を示す。浮上面をxy面とし、トレーリング方向をx軸、トラック幅方向をy軸、浮上面に垂直な方向をz軸とするxyz直交座標系を定義する。図9Bに、磁気ヘッドのzx面に平行な断面図を示す。アルミニウムチタンカーバイド等からなる基板100の上に、読取素子部105及び記録素子部115がこの順番に積層されている。読取素子部105は、下部磁気シールド層101、読取素子102、上部磁気シールド層103を含む。記録素子部115は、主磁極110、主磁極補助層111、補助磁極112、接続部114を含む。主磁極110、主磁極補助層111、補助磁極112、及び接続部114が、磁気記録時に発生する磁場の磁路の一部を構成する。この磁路と鎖交するように、記録用コイル113が配置されている。読取素子102には、実施例1によるMTJ素子が用いられる。これにより、高いMR比を得ることができる。以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。