"基板上に、下部電極と光電変換半導体層と透光性導電層との積層構造を有し、前記光電変換半導体層と前記透光性導電層との間に少なくとも1つのpn接合を有する光電変換素子の製造方法において、前記pn接合を湿式法により形成するpn接合形成工程と、前記基板の少なくともpn接合の形成された側の表面を洗浄する洗浄工程をn回n≧2有し、該洗浄工程が、所定時間前記表面を水で洗浄する水洗工程と、該水洗工程後の前記水の電気伝導度を測定する電気伝導度測定工程とを有し、前記n回の洗浄工程の各回の洗浄条件が略同一であり、n回目の前記電気伝導度がn-1回目の前記電気伝導度より減少しており、且つ、前記n回目の前記電気伝導度が1.0mS/m以下となるまで前記洗浄工程を実施することを特徴とする光電変換素子の製造方法。前記水洗工程が、洗浄槽中に蓄えられた前記基板の単位面積あたり2ml以上の容量の前記水の中に前記基板の少なくとも前記表面を5秒以上5分以下浸漬させて洗浄するバッチ洗浄工程であることを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子の製造方法。前記水洗工程が、オーバーフロー洗浄槽中に導入された前記水を用いて前記基板の少なくとも前記表面をオーバーフロー洗浄するオーバーフロー洗浄工程であることを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子の製造方法。前記水洗工程が、前記水を少なくとも前記表面に供給するシャワー部材と、該シャワー部材から供給された全ての前記水を貯留する洗浄水貯留槽とを備えたシャワー洗浄槽内で前記表面を洗浄するシャワー洗浄工程であり、前記電気伝導度測定工程において、前記洗浄水貯留槽に貯留された前記水の電気伝導度を測定することを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子の製造方法。洗浄前の前記水として純水を用いることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法。前記洗浄工程を、該洗浄工程後の前記水の電気伝導度が1.0mS/m以下であり、且つ、pH値が7.0以下となるまで実施することを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法。前記pn接合形成工程が、バッファ層析出工程であることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法。前記バッファ層析出工程が、アンモニアあるいはアンモニウム化合物を含有する反応液を用いて実施されるものであることを特徴とする請求項7に記載の光電変換素子の製造方法。前記透光性導電層が、真空中で実施される気相法で形成されることを特徴とする請求項1~8のいずれかにに記載の光電変換素子の製造方法。前記透光性導電層が、スパッタ法で形成されることを特徴とする請求項9に記載の光電変換素子の製造方法。前記透光性導電層が、ZnO系透光性導電層であることを特徴とする請求項1~10のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法。前記バッファ層形成工程後に、アニール工程が行われてから、前記透光性導電層が形成されることを特徴とする請求項1~11のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法。しかしながら、上記特許文献1~4においては、洗浄力を向上させるための工夫がなされているものの、生産性やコスト面を考慮した工程管理がなされていない。バッファ層表面の洗浄は、充分に行ってできるだけ表面状態を良好にしておくことが好ましいが、洗浄工程において、使用される洗浄液の量及びその工程時間は洗浄効果が充分に得られる範囲で少ない方が好ましい。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、生産性が良く、低コストに実施が可能なpn接合形成後の洗浄工程を備え、良質で安定したpn接合が形成された光電変換素子を製造可能な光電変換素子の製造方法を提供することを目的とするものである。本発明の光電変換素子の製造方法は、基板上に、下部電極と光電変換半導体層と透光性導電層との積層構造を有し、前記光電変換半導体層と前記透光性導電層との間に少なくとも1つのpn接合を有する光電変換素子の製造方法において、前記pn接合を湿式法により形成するpn接合形成工程と、前記基板の少なくともpn接合の形成された側の表面を洗浄する洗浄工程をn回n≧2有し、該洗浄工程が、所定時間前記表面を水で洗浄する水洗工程と、該水洗工程後の前記水の電気伝導度を測定する電気伝導度測定工程とを有し、前記n回の洗浄工程の各回の洗浄条件が略同一であり、n回目の前記電気伝導度がn-1回目の前記電気伝導度より減少しており、且つ、前記n回目の前記電気伝導度が1.0mS/m以下となるまで前記洗浄工程を実施することを特徴とするものである。本発明の光電変換素子の製造方法は、その洗浄形式によって下記第1~第3の好適な態様が挙げられる。すなわち、第1~第3の好適な態様において、pn接合形成工程後の洗浄工程の態様が異なっている。本発明の光電変換素子の製造方法の第1の好適な態様としては、前記水洗工程が、洗浄槽中に蓄えられた前記基板の単位面積あたり2ml以上の容量の前記水の中に前記基板の少なくとも前記表面を5秒以上5分以下浸漬させて洗浄するバッチ洗浄工程である態様が挙げられる。本発明の光電変換素子の製造方法の第2の好適な態様としては、前記水洗工程が、オーバーフロー洗浄槽中に導入された前記水を用いて前記基板の少なくとも前記表面をオーバーフロー洗浄するオーバーフロー洗浄工程である態様が挙げられる。また、本発明の光電変換素子の製造方法の第3の好適な態様としては、前記水洗工程が、前記水を少なくとも前記表面に供給するシャワー部材と、該シャワー部材から供給された全ての前記水を貯留する洗浄水貯留槽とを備えたシャワー洗浄槽内で前記表面を洗浄するシャワー洗浄工程であり、前記電気伝導度測定工程において、前記洗浄水貯留槽に貯留された前記水の電気伝導度を測定する態様が挙げられる。上記本発明の光電変換素子の製造方法において、洗浄前の前記水としては、純水が好ましい。また、前記洗浄工程を、該洗浄工程後の前記水の電気伝導度が1.0mS/m以下であり、且つ、pH値が7.0以下となるまで実施することが好ましい。上記本発明の光電変換素子の製造方法は、前記pn接合形成工程が、バッファ層析出工程である場合に好ましく適用することができる。バッファ層析出工程としては、アンモニアあるいはアンモニウム化合物を含有する反応液を用いて実施されるものが挙げられる。上記本発明の光電変換素子の製造方法は、前記透光性導電層が、真空中で実施される気相法で形成される場合に好ましく適用することができる。中でも、ZnO系材料を用いた透光性導電層をスパッタ法により成膜する場合に好適である。また、透光性導電層は、前記バッファ層形成工程後に、アニール工程が行われてから形成されることが好ましい。本発明の光電変換素子の製造方法は、pn接合を湿式法により形成する光電変換素子の製造方法において、良質で安定したpn接合を得るためのpn接合形成面の洗浄終了時の目安として、pn接合形成面の洗浄に用いた水の電気伝導度を用いる新たな手法を提供するものである。本発明によれば、生産性が良く、低コストに実施が可能なpn接合形成後の洗浄工程を備え、良質で安定したpn接合が形成された光電変換素子を製造することができる。以下、図面を参照して本発明の光電変換素子の製造方法について説明する。図1は、本発明の製造方法によって製造される光電変換素子の層構成を示す概略断面図である。本明細書の図面において、視認しやすくするため各部の縮尺は適宜変更して示してある。図1においては、光電変換素子の層構成を示すため、集積化太陽電池の1つ光電変換素子セルのみを示しているが、本発明の製造方法は多数の光電変換素子を備えた集積化太陽電池の製造にも好適である。光電変換素子1は、図1に示されるように、基板10上に、下部電極20と光吸収により正孔電子対を発生する光電変換半導体層30と、バッファ層40と、透光性導電層透明電極50と、上部電極グリッド電極60とが順次積層された素子である。本発明の光電変換素子の製造方法は、pn接合を湿式法により形成する光電変換素子の製造方法において、良質で安定したpn接合を得るためのpn接合形成面の洗浄終了時の目安として、pn接合形成面の洗浄に用いた水の電気伝導度を用いるものである。具体的には、基板10上に、下部電極20と光電変換半導体層30と透光性導電層50との積層構造を有し、光電変換半導体層30と透光性導電層50との間に少なくとも1つのpn接合を有する光電変換素子の製造方法において、pn接合を湿式法により形成するpn接合形成工程と、基板10の少なくともpn接合の形成された側の表面pn接合形成面を洗浄する洗浄工程をn回n≧2有し、該洗浄工程が、所定時間pn接合形成面を水で洗浄する水洗工程と、水洗工程後の水の電気伝導度を測定する電気伝導度測定工程とを有し、n回の洗浄工程の各回の洗浄条件が略同一であり、n回目の電気伝導度がn-1回目の電気伝導度より減少しており、且つ、n回目の電気伝導度が1.0mS/m以下となるまで洗浄工程を実施することを特徴としている。ここで、湿式法によるpn接合の形成工程とは、具体的には、図1に示されるようにバッファ層40を備える場合は、光電変換半導体層30上にバッファ層40を形成する工程であり、バッファ層40を成膜しない場合には、光電変換半導体層30と異なる導電性p型又はn型を有するドーパントをドープすることによりpn接合を形成する工程である。以下に本発明の光電変換素子の製造方法について、図1に示されるようなバッファ層40を備えた光電変換素子を例に説明する。本発明の光電変換素子の製造方法は、湿式工程によるバッファ層40の形成pn接合形成を行った場合に、良質で安定したpn接合を得るために必要なバッファ層40の形成後の洗浄工程を、生産性が良く、低コストに実施が可能としたものである。従って、以下の説明では、まず、洗浄工程について説明し、その他の層の説明については後述する。洗浄工程背景技術の項において述べたように、バッファ層40を湿式法により成膜する場合、バッファ層40の表面には、湿式法に用いた反応液の成分や反応液中において析出した粒子状固形物等が付着しており、これらが付着したままその上に積層する透光性導電層50や窓層を成膜すると、リークパスの形成や、接合性の低下を生じることから良質で安定したpn接合を形成することができない。特に、バッファ層40の形成をCBD法により行った場合は粒子状固形物が形成されやすい傾向にある。本発明者は、バッファ層表面40sを、水を用いて洗浄する際に、洗浄後の水の電気伝導度をモニタリングし、電気伝導度が1.0mS/m以下となるまで洗浄を実施することにより、生産性良く、低コストに、良質で安定したpn接合を得るに充分な洗浄効果を得られることを見いだした。本発明において、バッファ層40の表面40sの洗浄は、洗浄水水を用いて実施する。洗浄水Lとしては、純水が好ましいが、その他、イオン交換水、工業用水、あるいは水にコロイド除去効果のある添加剤を添加した溶液などを用いてもよい。洗浄終了を判断する際に用いる洗浄水Lの電気伝導度は1.0mS/m以下であることが必須であるが、初回の洗浄工程など、表面40sに付着物が多い状態での洗浄には、表面40sに供給する洗浄水Lは必ずしもフレッシュなものでなくても構わない。洗浄水Lの温度は20°C~40°Cが好ましい。以下に示す洗浄工程において、1回の洗浄工程によって、充分に洗浄できる可能性もあるが、洗浄不十分であるために電気伝導度が1.0mS/m以下となっている状態で洗浄が終了されることを防止するために、2回以上のn回n≧2洗浄工程を実施し、1回前の洗浄工程n-1回目の洗浄工程における電気伝導度測定値より、n回目の電気伝導度測定値が低いことを洗浄終了の判断項目の1つとすることにより、充分且つ生産性良好な洗浄を実施することができる。上記のように洗浄後の洗浄水Lの電気伝導度が1.0mS/m以下となるまで、バッファ層40の表面40sの洗浄を実施すれば、生産性良く、低コストに、良質で安定したpn接合を得るに充分な洗浄効果を得られるが、更に、洗浄後の洗浄水LのpHが7.0以下となるまで実施することがより好ましい。洗浄水Lによる洗浄後は、洗浄後の基板に付着している洗浄水を除去することが好ましい。洗浄水の除去方法は特に制限されないが、ドライエアーあるいは窒素を基板表裏面に吹き付ける方法等が挙げられる。なお、バッファ層がZnS、ZnS,O、ZnS,O,OHである場合には、上記CBD後洗浄液除去工程の後、150°C~250°Cの温度、好ましくは170°C~210°Cの温度で、5分~60分加熱を行う加熱処理工程アニール処理工程を設けることが好ましい。加熱雰囲気は大気中、真空中など特に限定しない。加熱手段は特に限定されないが、市販のオーブン、電気炉、真空オーブン等を利用した加熱が好ましい。以下に、本発明の光電変換素子の製造方法における洗浄工程の好適な態様について説明する。以下の説明において、被洗浄物は、基板10上に下部電極層20、光電変換半導体層30及びバッファ層40が形成された積層基板B以下、基板Bとするである図2。基板Bの製造方法は、バッファ層40を湿式法にて製造することを除いて特に制限されない。<第1実施形態-バッチ式洗浄->図3図3A,図3Bを参照して本発明の光電変換素子の第1実施形態について説明する。図3A及び図3Bは、それぞれ、第1実施形態の洗浄工程の実施形態を示す概略図である。第1実施形態は、洗浄工程をバッチ式にて実施する態様であり、図3Aは、被洗浄物である基板Bを投入する洗浄槽において、電気伝導度を測定する場合の洗浄槽の態様、図3Bは、洗浄後の洗浄水を洗浄槽から排水して別の測定槽にて電気伝導度の測定をする場合の洗浄槽洗浄装置の態様である。図3において、洗浄槽100に投入する基板Bの枚数が1枚である場合について図示してあるが、一度に投入する基板Bの枚数は複数枚でもよい。第1実施形態では、図3Aに示すように、基板保持手段110に、バッファ層40の表面40sが露出されるように固定された基板Bを、洗浄槽100内に蓄えられた洗浄水Lに浸漬させて洗浄し、洗浄後の洗浄水Lの電気伝導度を電気伝導度計201により測定する。本実施形態では、注水と排水を容易に行うことができるように、洗浄槽100に、洗浄水Lを供給する洗浄水供給手段101と、洗浄後の洗浄水を排水する排水手段102とが備えられているが、洗浄槽100の態様はこの限りではない。また、本実施形態では、電気伝導度計201と同様にpH測定計202も同時に備えられている。かかる態様とすることにより、洗浄後の洗浄水Lの電気伝導度201だけでなくpHも測定することができる。上記したように、洗浄終了時に、洗浄後の洗浄水LのpHは7.0以下であることが好ましい。第1実施形態は、所定時間基板Bの少なくとも表面40sを洗浄水Lで洗浄する水洗工程と、水洗工程後の洗浄水Lの電気伝導度を測定する電気伝導度測定工程とを有する洗浄工程をn回n≧2有するものであり、n回目の電気伝導度がn-1回目の電気伝導度より減少しており、且つ、n回目の電気伝導度が1.0mS/m以下となるまで洗浄工程を実施するものである。第1実施形態の水洗工程は、洗浄槽100中に基板Bの単位面積あたり2ml以上の容量の洗浄水L中に、少なくとも表面40sを5秒以上5分以下浸漬させて洗浄するバッチ洗浄工程である。ここで、n回の洗浄工程は、各回洗浄条件は略同一である。本実施形態のように、バッチ式による洗浄では、各回の洗浄槽100中に蓄えられた洗浄水Lの容量及び洗浄時間が略同一となる。まず、基板保持手段110に保持された基板Bを、所定時間洗浄水L中に浸漬させて基板Bの表面40sを所定時間水で洗浄する水洗工程。洗浄は、洗浄水L中に浸漬させておくだけ静置でも実施できるが、基板Bを振動させる、もしくは、洗浄水Lに水流を生じさせる、超音波を発生させる等により、単位時間あたりの洗浄効果を向上させて洗浄時間を短縮することができる。浸漬させている時間上記所定時間は、洗浄水Lの基板Bの単位面積あたりの量及びバッファ層40の表面40sの付着物の量に応じて設定することができる。1回の水洗時間が長すぎても、短かすぎても生産性が低下してしまう。生産性を考慮すると、1回の水洗時間は10~60秒が好ましい。洗浄水Lの量は、基板Bの表面積の単位面積あたり2ml以上の容量であれば特に制限されない。あまり少なすぎると、洗浄水Lが短時間に汚染されてしまい充分な洗浄効果を得るのに洗浄工程を多く設ける必要があるし、あまり多すぎても無駄に水を消費することになる。基板Bとしてバッファ層40の表面40sが約3cm角の大きさである場合は、50~150mlの洗浄水Lを用いることが好ましい。水洗工程後、基板Bを取り出した後、洗浄槽100中の洗浄水Lの電気伝導度を電気伝導度計201により測定する電気伝導度測定工程。電気伝導度計201は、洗浄槽100に固定されていてもよいし、固定されていないハンディ式のものであってもよい。図3Aの態様では、1回の洗浄工程が終了したら洗浄水Lを排水手段102より排水した後洗浄水供給手段101より洗浄水Lを供給して次回の洗浄工程を行ってもよいし、複数の洗浄槽100を用意しておき、1回の洗浄工程が終了したら、別の洗浄槽100にて洗浄を行ってもよい。図3Bに示す洗浄槽の態様であれば、電気伝導度測定工程を洗浄槽100と別の測定槽200にて実施することができるため、電気伝導度の測定時に基板Bを洗浄水Lから取り出すことなく電気伝導度を測定することができる。また、図3Bに示す洗浄槽の態様であれば、水洗工程後排水手段102を開通させて測定槽200に洗浄後の洗浄水を注入し、洗浄槽100から洗浄後の洗浄水Lの排水が完了した後に、フレッシュな洗浄水Lの注入口101からの注入と、測定槽200における電気伝導度の測定とを実施することができる。図3Bの態様では、測定槽200に、電気伝導度測定後の洗浄水Lを排水する排水手段203が設けられている。後記実施例に示されるように、上記洗浄方法によりバッファ層40の表面40sの洗浄を行って製造した光電変換素子1は、いずれもエネルギー変換効率10以上が得られている。上記実施形態の洗浄方法によれば、生産性が良く、低コストに実施が可能なpn接合形成後の洗浄工程を備え、良質で安定したpn接合が形成された光電変換素子1を製造することができる。<第2実施形態-オーバーフロー洗浄->図4を参照して本発明の光電変換素子の第2実施形態について説明する。図4は、第2実施形態の洗浄工程を示す概略図である。第2実施形態は、洗浄工程をオーバーフロー式にて実施する態様である。図4において、洗浄槽100に投入する基板Bの枚数が1枚である場合について図示してあるが、一度に投入する基板Bの枚数は複数枚でもよい。第2実施形態でも、第1実施形態と同様に、基板保持手段110に、バッファ層40の表面40sが露出されるように固定された基板Bを、洗浄槽100内に蓄えられた洗浄水Lに浸漬させて洗浄し、洗浄後の洗浄水Lの電気伝導度を電気伝導度計201により測定する。第2実施形態では、洗浄槽100に、少なくとも水洗工程中は、洗浄水Lが洗浄水供給手段101から連続的に供給され、排水手段排水路102からオーバーフローした洗浄後の洗浄水が測定槽200に注入される態様となっている。測定槽200には排水口が設けられており適宜排水されている。本実施形態において、電気伝導度測定工程は、測定槽200にて実施する。測定槽200には、図3Bと同様に、電気伝導度計201及びpH測定計202が備えられている。第2実施形態は、オーバーフロー洗浄により基板Bの表面40sを洗浄する。従って、水洗工程における洗浄時間とは、洗浄開始時基板Bの浸漬時から第1回目の電気伝導度測定時までの時間、及び、電気伝導度測定間隔の時間を意味する。第2実施形態は、オーバーフロー洗浄槽を用いている以外は第1実施形態と同様であるので、所定時間基板Bの少なくとも表面40sを洗浄水Lで洗浄する水洗工程と、水洗工程後の洗浄水Lの電気伝導度を測定する電気伝導度測定工程とを有する洗浄工程をn回n≧2有するものであり、n回目の電気伝導度がn-1回目の電気伝導度より減少しており、且つ、n回目の電気伝導度が1.0mS/m以下となるまで洗浄工程を実施する。第2実施形態においても、n回の洗浄工程は、各回洗浄条件は略同一である。オーバーフロー式による洗浄では、洗浄槽100への洗浄水Lの単位時間あたりの注入量及び電気伝導度測定間隔時間が略同一となる。オーバーフロー洗浄では、単位時間あたりの洗浄水Lの注入量が多いほど、基板Bの表面40sに接触する洗浄水Lの単位時間あたりの量が多くなることから、洗浄効果が高くなる。単位時間あたりの洗浄水Lの注入量は、洗浄槽100の容量や投入する基板の枚数等によって適宜設計することができる。オーバーフロー洗浄においても、基板Bは洗浄水L中に浸漬させておくだけ静置でもよいし、振動させてもよい。電気伝導度測定間隔は、上記第1実施形態における水洗時間にあたる。従って、好ましい時間等の条件は第1実施形態の水洗時間と同様である。図4には、オーバーフローした洗浄水を溜めて電気伝導度を測定する測定槽200を設けた態様について示してある。電気伝導度の測定は、電気伝導度測定間隔の時間にオーバーフローした洗浄水全てを測定槽200に貯留しておき、該洗浄水に対して実施してもよいし、貯留する時間を各回一定とする場合は、貯留時間を限定して該貯留時間内に測定槽200内に貯留された洗浄水に対して実施してもよい。また、測定槽200にオーバーフローした洗浄水を貯留せず、オーバーフローした洗浄水を、例えば排水手段の出口付近に電気伝導度計201を設けて測定してもよい。本実施形態の洗浄方法においても、第1実施形態と同様、生産性が良く、低コストに実施が可能なpn接合形成後の洗浄工程を備え、良質で安定したpn接合が形成された光電変換素子1を製造することができる。<第3実施形態-シャワー洗浄->図5を参照して本発明の光電変換素子の第3実施形態について説明する。図5は、第3実施形態の洗浄工程を示す概略図である。第3実施形態は、洗浄工程をシャワー洗浄にて実施する態様である。本実施形態では、図5に示される、複数個n個3個のシャワー洗浄槽A1~AnA3と水切り室B1を基板搬送方向に設けて洗浄する場合を例に説明するが、この態様に限られるものではない。シャワー洗浄槽AA1~A3Anには、シャワー状に洗浄水Lを基板Bの表面40sに供給するシャワー部材洗浄水供給手段101と、洗浄後の洗浄水を含む、シャワー部材101から供給されたすべての洗浄水Lを貯留する洗浄水貯留槽103と、貯留槽103に貯留された洗浄後の洗浄水Lを排水して測定槽200に注水する排水手段102が備えられている。シャワー洗浄槽Aにおいて、シャワー部材101と基板Bとの距離は特に制限されないが、10cm~30cmであることが好ましい。第3実施形態では、第1及び第2実施形態と異なり、基板保持手段110は、被洗浄物である基板Bを、洗浄面であるバッファ層40の表面40sを洗浄水供給手段101側に向けて保持しつつ搬送方向に搬送する搬送用ローラーである。第3実施形態では、水洗工程を上記シャワー洗浄槽A内で実施し、電気伝導度測定工程は、洗浄水貯留槽103に貯留された洗浄水の電気伝導度を測定することにより実施する。シャワー洗浄槽Aに搬送された基板Bの少なくとも表面40sには、シャワー部材101から洗浄水Lが供給されて表面40sに付着している物質を洗浄する。洗浄水Lが供給されている間、基板Bは連続的に搬送方向に搬送されていてもよいし、洗浄のために一定時間停止された後、搬送される態様であってもよい。洗浄後の洗浄水を含む、シャワー部材101から供給されたすべての洗浄水Lは、シャワー洗浄槽Aの底部に設けられた洗浄水貯留槽103に貯留される。第3実施形態では、電気伝導度測定工程を、この洗浄水貯留槽103に貯留された洗浄水に対して実施する。図5では、洗浄水貯留槽103に貯留された洗浄水を排水手段102により測定槽200に移した後に電気伝導度測定工程を実施する態様について示している。電気伝導度やpHの測定にはかかる態様の方が測定が容易であり好ましいが、測定槽200を設けずに洗浄水貯留槽103に直接電気伝導度計201やpH測定計202を設置して電気伝導度測定工程及びpHの測定を実施してもよい。また、洗浄水貯留槽103に接続されている排水手段102は、常に開栓された状態として、電気伝導度測定間隔毎に測定槽200に貯留された洗浄水の電気伝導度の測定を実施してもよいし、排水手段102を電気伝導度測定間隔毎に開栓して排水し、排水されて測定槽200に貯留された洗浄水に対して電気伝導度の測定を実施してもよい。測定槽200には、測定後の洗浄水を排水する排水口が設けられていることが好ましい。本実施形態においても、シャワー洗浄槽を用いている以外は第1実施形態と同様であるので、所定時間基板Bの少なくとも表面40sを洗浄水Lで洗浄する水洗工程と、水洗工程後の洗浄水Lの電気伝導度を測定する電気伝導度測定工程とを有する洗浄工程をn回n≧2有するものであり、n回目の電気伝導度がn-1回目の電気伝導度より減少しており、且つ、n回目の電気伝導度が1.0mS/m以下となるまで洗浄工程を実施する。第3実施形態においても、n回の洗浄工程は、各回洗浄条件は略同一である。シャワー洗浄では、洗浄水供給手段101から供給される洗浄水の単位時間あたりの供給量及び電気伝導度測定間隔時間が略同一となる。シャワー洗浄では、洗浄水供給手段101から供給される洗浄水の単位時間あたりの供給量が多いほど、基板Bの表面40sに接触する洗浄水Lの単位時間あたりの量が多くなることから、洗浄効果が高くなる。単位時間あたりの洗浄水Lの供給量は、洗浄水貯留槽103の容量や搬送される基板の処理速度等によって適宜設計することができる。電気伝導度測定間隔は、上記第1実施形態における水洗時間にあたる。従って、好ましい時間等の条件は第1実施形態の水洗時間と同様である。本実施形態の洗浄方法においても、第1実施形態と同様、生産性が良く、低コストに実施が可能なpn接合形成後の洗浄工程を備え、良質で安定したpn接合が形成された光電変換素子1を製造することができる。図5には、シャワー洗浄槽AがA1~A3まで設けられた態様が示されている。シャワー洗浄槽Aの数は特に限定されない。例えば、シャワー洗浄槽Aを1つとした場合でも、洗浄水貯留槽103から洗浄後の洗浄水があふれないように一定時間毎に排水手段102より排水する態様とし、上記電気伝導度の条件を満足するまで基板Bの搬送を停止する態様とすれば、本実施形態の洗浄が可能である。複数のシャワー洗浄槽Aを設ける場合は、無駄な洗浄を省くために、洗浄工程終了の条件が満足された後のシャワー洗浄槽においては、洗浄水供給手段101からの洗浄水の供給はされないようにすることが好ましい。また、複数のシャワー洗浄槽Aを設ける場合は、洗浄水の消費を抑制するために、搬送方向の上流のシャワー洗浄槽図5ではA1の洗浄水Lとして、下流のシャワー洗浄槽図5ではA3の廃水を利用してもよい。図5に示される態様では、水切り室B1が設けられていることが好ましい。水切り室B1としては、シャワー洗浄により供給された洗浄水をできるだけ除去することができることが好ましく、エアーナイフなどにより構成されていることが好ましい。なお、本実施形態においても、第2実施形態と同様、洗浄水貯留槽103から排水された洗浄水を測定槽200に貯留せずに、排水手段102の出口付近に電気伝導度計201を設けて測定してもよい。光電変換素子のその他の態様上記洗浄工程を除く本発明の光電変換素子の製造方法において、バッファ層40の成膜を湿式法にて実施する以外は特に制限されない。以下に本発明の光電変換素子の製造方法を適用するに好適な光電変換素子の態様について説明する。製造方法については、バッファ層40以外は制限されないことから、バッファ層40についてのみ記載する。基板10としては、特に制限されず、ガラス基板、表面に絶縁膜が成膜されたステンレス等の金属基板、Alを主成分とするAl基材の少なくとも一方の面側にAl2O3を主成分とする陽極酸化膜が形成された陽極酸化基板、Feを主成分とするFe材の少なくとも一方の面側にAlを主成分とするAl材が複合された複合基材の少なくとも一方の面側にAl2O3を主成分とする陽極酸化膜が形成された陽極酸化基板、Feを主成分とするFe材の少なくとも一方の面側にAlを主成分とするAl膜が成膜された基材の少なくとも一方の面側にAl2O3を主成分とする陽極酸化膜が形成された陽極酸化基板、及びポリイミド等の樹脂基板等が挙げられる。連続的に成膜を行う方法として、長尺な可撓性基板をロール状に巻回してなる供給ロールと、成膜済の基板をロール状に巻回する巻取りロールとを用いるいわゆるロールトゥロールRolltoRollの成膜工程が知られているが、この方法による生産が可能であることから、表面に絶縁膜が成膜された金属基板、陽極酸化基板、及び樹脂基板等の可撓性基板が好ましい。熱膨張係数、耐熱性、及び基板の絶縁性等を考慮すれば、Alを主成分とするAl基材の少なくとも一方の面側にAl2O3を主成分とする陽極酸化膜が形成された陽極酸化基板、Feを主成分とするFe材の少なくとも一方の面側にAlを主成分とするAl材が複合された複合基材の少なくとも一方の面側にAl2O3を主成分とする陽極酸化膜が形成された陽極酸化基板、および、Feを主成分とするFe材の少なくとも一方の面側にAlを主成分とするAl膜が成膜された基材の少なくとも一方の面側にAl2O3を主成分とする陽極酸化膜が形成された陽極酸化基板のうちいずれか1つの陽極酸化基板であることが好ましい。下部電極層20としては、特に制限されず、Mo,Cr,W,及びこれらの組み合わせであることが好ましく、Moが特に好ましい。下部電極層20の膜厚は制限されず、200~1000nm程度が好ましい。光電変換半導体層30の主成分としては特に制限されず、高い変換効率が得られることから、少なくとも1種のカルコパイライト構造の化合物半導体であることが好ましく、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とからなる少なくとも1種の化合物半導体であることがより好ましい。光電変換半導体層30の主成分としては、CuおよびAgからなる群より選択された少なくとも1種のIb族元素と、Al,GaおよびInからなる群より選択された少なくとも1種のIIIb族元素と、S,Se,およびTeからなる群から選択された少なくとも1種のVIb族元素とからなる少なくとも1種の化合物半導体であることが好ましい。上記化合物半導体としては、CuAlS2,CuGaS2,CuInS2,CuAlSe2,CuGaSe2,AgAlS2,AgGaS2,AgInS2,AgAlSe2,AgGaSe2,AgInSe2,AgAlTe2,AgGaTe2,AgInTe2,CuIn,AlSe2,CuIn,GaS,Se2,Cu1zIn1xGaxSe2ySy式中、0≦x≦1,0≦y≦2,0≦z≦1CIGS,AgIn,GaSe2,およびAgIn,GaS,Se2等が挙げられる。また、Cu2ZnSnS4,Cu2ZnSnSe4,Cu2ZnSnS,Se4であってもよい。光電変換半導体層30の膜厚は特に制限されず、1.0μm~4.0μmが好ましく、1.5μm~3.5μmが特に好ましい。光電変換半導体層30の成膜後の表面には、不純物、例えばCIGS系の光電変換半導体層の場合にはセレン化銅や硫化銅等の不純物が残存している可能性が高いため、不純物除去等の目的で表面処理を行うことが好ましい。かかる表面処理に用いる表面処理液としては、例えば、アンモニア含有水溶液、シアノ基あるいはアミノ基を有する化合物含有水溶液を用いることができる。表面処理液に含まれるシアノ基を有する化合物としてはシアン化カリウムKCNが好ましい。一方、KCNは致死性の化合物であり安全上問題があるため、アミノ基を有する化合物を用いることがより好ましい。表面処理液に含まれるアミノ基を有する化合物は、一分子中に少なくとも二つのアミノ基を有する化合物以下、単にアミノ基含有化合物ともいうであることが好ましく、具体的には、エチレンジアミンEDA、ジエチレントリアミンDETA、トリエチレンテトラミンTETA、テトラエチレンペンタミンTEPA、ペンタエチレンヘキサミンPEHAの中から選ばれる少なくとも1つであることが好ましく、これらは単独で用いても、2種類以上を適宜混合して用いてもよい。これらのアミノ基含有化合物は表面処理液中に1質量~30質量、好ましくは5質量~25質量、さらには10質量~20質量含まれることが好ましい。過酸化水素は表面処理液中に0.01質量~10質量、好ましくは0.05質量~8質量、さらには0.1質量~5質量含まれることが好ましい。表面処理液は上記アミノ基含有化合物と過酸化水素を水に溶解することにより調製することができる。光電変換半導体層と表面処理液を接触させる時間は表面処理液の濃度にもよるが、概ね数秒~十数分程度とすることが好ましい。上記のような表面処理不純物除去を行うことによって、光電変換素子の光電変換効率の面内のばらつきを小さくして変換効率を高めることができる。表面処理工程を行った場合は、基板を水により水洗することが好ましい。水の温度は20°C以上が好ましい。ここでは、水洗方法は、水槽中に浸漬させて水洗するものであっても、シャワー洗浄であってもよい。水洗水としては、純水、イオン交換水、工業用水などを使用することができる。水洗後は、基板に水が付着したまま湿式法によるバッファ層40pn接合形成工程の反応液に基板を浸漬させると、反応液の濃度が薄まるため、バッファ層形成工程前に反応液の濃度を薄めない程度に水を除去することが好ましい。具体的には、基板に付着している水を、ドライエアーあるいは窒素を基板表裏面に吹き付けることにより除去する。なお、このとき、温風を吹き付けるようにしてもよい。なお、この表面処理後、60分以内に、好ましくは10分以内にバッファ層4041,42の成膜を行うことが好ましいことを本発明者は見いだしている。従って、次工程のバッファ層形成工程は、この表面処理後、60分以内に、好ましくは10分以内に実施することが好ましい。ここで表面処理後、60分以内とは、表面処理終了直後からの時間を意味し、表面処理後の水洗工程や乾燥工程を含んで60分以内を意味する。バッファ層40としては、光電変換半導体層30と透光性導電層50とのバッファ層としての機能を有するものであれば特に制限されないが、上記光電変換半導体層30に対しては、CdS、ZnS、ZnS,O、ZnS,O,OH等を主成分とするものが好ましい。既に述べたように、本発明の光電変換素子の製造方法において、バッファ層40は湿式法により形成する。バッファ層40の形成方法は、湿式法であれば特に制限されないが、CBD法が好ましい。CBD法は、一般式MLim⇔MniL式中、MはCd、Zn、In、Sn等の金属元素、Lは配位子、m,n,i:正数を各々示す。で表されるような平衡によって過飽和条件となる濃度とpHを有する金属イオン溶液を反応液として用い、金属イオンMの錯体を形成させることで、安定した環境で適当な速度で基板上に金属化合物薄膜を析出させる方法である。CBD反応液としては、例えばCdまたはZnのような金属M源と硫黄源を含むものを挙げることができる。これによって、CdS、ZnS、ZnS,O、ZnS,O,OHのバッファ層を形成することができる。硫黄源としては硫黄を含有する化合物、例えばチオ尿素CSNH22、チオアセトアミドC2H5NSの他、チオセミカルバジド、チオウレタン、ジエチルアミン、トリエタノールアミン等を用いることができる。CdSバッファ層の場合には、上記硫黄源と、Cd化合物例えば硫酸カドミウム、酢酸カドミウム、硝酸カドミウム、塩化カドミウムおよびこれらの水和物等と、アンモニア水あるいはアンモニウム塩例えばCH3COONH4、NH4Cl、NH4IおよびNH42SO4等との混合溶液を反応液として用いることができる。かかる方法では、反応温度は、70°C~95°Cとすることが好ましい。反応時間は5~60分程度とすればよい。CdSは、バッファ層として好適な材料であるが、Cdは毒性が強く環境負荷の点では好ましくない。従ってバッファ層40としては、Cd不含有の金属化合物、例えば、ZnS,O及び/又はZnS,O,OHを主成分とするZn化合物層がより好ましい。バッファ層40がZnS,O及び/又はZnS,O,OHを主成分とするZn化合物層である場合は、少なくとも1種の亜鉛源である成分Z、少なくとも1種の硫黄源である成分S、少なくとも1種のクエン酸化合物である成分C、アンモニア及びアンモニウム塩からなる群より選ばれた少なくとも1種である成分N、及び水を含有し、かつ、成分Cの濃度が0.001~0.25Mであり、成分Nの濃度が0.001~0.40Mであり、反応開始前のpHが9.0~12.0である反応液を用いるのが好ましい。成分Zとしては特に制限されず、硫酸亜鉛、酢酸亜鉛、硝酸亜鉛、塩化亜鉛、炭酸亜鉛、及びこれらの水和物からなる群より選ばれた少なくとも1種を含むことが好ましい。成分Zの濃度は特に制限されず、0.001~0.5Mが好ましい。成分Sとしては特に制限されず、チオ尿素を含むことが好ましい。成分Sの濃度は特に制限されず、0.01~1.0Mが好ましい。成分Cは錯形成剤等として機能する成分であり、成分Cの種類と濃度を好適化することで、錯体が形成されやすくなる。少なくとも1種のクエン酸化合物である成分Cを用いることで、クエン酸化合物を用いない反応液よりも錯体が形成されやすく、CBD反応による結晶成長が良好に制御され、下地を良好に被覆する膜を安定的に成膜することができる。成分Cとしては特に制限されず、クエン酸ナトリウム及び/又はその水和物を含むことが好ましい。成分Cの濃度は0.001~0.25Mとする。成分Cの濃度がこの範囲内であれば錯体が良好に形成され、下地を良好に被覆する膜を安定的に成膜することができる。成分Cの濃度が0.25M超では、錯体が良好に形成された安定な水溶液となるが、その反面、基板上への析出反応の進行が遅くなったり、反応が全く進行しなくなる場合がある。成分Cの濃度は好ましくは0.001~0.1Mである。成分NはpH調整剤等として機能する成分であるが、錯形成剤等として機能する成分でもある。成分Nとして用いて好適なアンモニウム塩としては特に制限されず、NH4OH等が挙げられる。成分Nの濃度は0.001~0.40Mとする。成分NによってpHを調整して、金属イオンの溶解度や過飽和度を調整することができる。成分Nの濃度が0.001~0.40Mの範囲内であれば反応速度が速く、成膜工程の前に微粒子層形成工程を設けなくても実用的な生産速度で成膜を実施することができる。成分Nの濃度が0.40M超では反応速度が遅くなり、成膜工程の前に微粒子層を付けるなどの工夫が必要となる。成分Nの濃度は好ましくは0.01~0.30Mである。反応開始前の反応液のpHは9.0~12.0とする。反応液の反応開始前のpHが9.0未満では、チオ尿素等の成分Sの分解反応が進行しないか、進行しても極めてゆっくりであるため、析出反応が進行しない。チオ尿素の分解反応は下記の通りである。チオ尿素の分解反応については、JournaloftheElectrochemicalSociety141205210及びJournalofCrystalGrowth299136141等に記載されている。SCNH22OH-⇔SH-CH2N2H2O、SH-OH-⇔S2-H2O。反応液の反応開始前のpHが12.0超では、錯形成剤等としても機能する成分Nが安定な溶液を作る効果が大きくなり、析出反応が進行しないか、あるいは進行しても極めて遅い進行となってしまう。反応液の反応開始前のpHは好ましくは9.5~11.5である。成分Nの濃度が0.001~0.40Mであれば、成分N以外のpH調整剤を用いるなどの特段のpH調整をしなくても、通常反応開始前の反応液のpHは9.0~12.0の範囲内となる。反応液の反応終了後のpHは特に制限されない。反応液の反応終了後のpHは7.5~11.0であることが好ましい。反応液の反応終了後のpHが7.5未満では、反応が進行しない期間を含んでいたことになり、効率的な製造を考えると無意味である。また、緩衝作用のあるアンモニアが入っていた系でこれだけのpH低下があった場合には、アンモニアが加熱工程で過剰に揮発している可能性が高く、製造上の改善が必要であると考えられる。反応液の反応終了後のpHが11.0超では、チオ尿素の分解は促進されるが、亜鉛イオンの多くがアンモニウム錯体として安定になるため、析出反応の進行が著しく遅くなる場合がある。反応液の反応終了後のpHはより好ましくは9.5~10.5である。上記反応液では、成分N以外のpH調整剤を用いるなどの特段のpH調整をしなくても、通常反応開始後の反応液のpHは7.5~11.0の範囲内となる。反応温度は70~95°Cとする。反応温度が70°C未満では反応速度が遅くなり、薄膜が成長しない、あるいは薄膜成長しても実用的な反応速度で所望の厚み例えば50nm以上を得るのが難しくなる。反応温度が95°C超では、反応液中で気泡等の発生が多くなり、それが膜表面に付着したりして平坦で均一な膜が成長しにくくなる。さらに、反応が開放系で実施される場合には、溶媒の蒸発等による濃度変化などが生じ、安定した薄膜析出条件を維持することが難しくなる。反応温度は好ましくは80~90°Cである。反応時間は特に制限されない。反応時間は反応温度にもよるが、例えば10~60分間で、下地を良好に被覆し、バッファ層として充分な厚みの層を成膜することができる。また、上記反応液は水系である。反応液のpHは強酸条件ではない。反応液のpHは11.0~12.0でもよいが、11.0未満の穏やかなpH条件でも反応を実施することができる。反応温度もそれ程高温を必須としない。したがって、環境負荷が少なく、基板へのダメージも小さく抑えられる。透光性導電層50は、光を取り込むと共に、下部電極20と対になって、光電変換半導体層30で生成された電荷が流れる電極として機能する層である。透光性導電層50の組成としては特に制限されず、ZnO:Al、ZnO:Ga、ZnO:B等のn-ZnO等が好ましい。透光性導電層50の膜厚は特に制限されず、50nm~2μmが好ましい。本発明の光電変換素子の製造方法では、透光性導電層50の成膜前に、バッファ層40の表面40sの付着物が良好に除去される。既に述べたように、バッファ層40の表面40sに付着物が存在する場合、その上に成膜する層をスパッタ法等の気相成膜により成膜する場合に、光電変換素子特性への悪影響が大きくなるが、本発明では、かかる悪影響が抑制される。従って、透光性導電層50の成膜方法は特に制限されず、好適な成膜方法であるスパッタ法やMOCVD法を適用することができる。なお、バッファ層40を形成後、必要に応じて窓層保護層を設けてもよい。窓層は、光を取り込む中間層であり、バンドギャップを考慮して設けられるが、この場合、窓層の成膜にも気相法を適用することができる。上部電極70の主成分としては特に制限されず、Al等が挙げられる。上部電極70の膜厚は特に制限されず、0.1~3μmが好ましい。なお、多数の光電変換素子セルが集積化されてなる集積化太陽電池においては、上部電極は直列接続されたセルのうち、電力取出し端となるセルに設けられている。なお、上述の光電変換素子の製造工程には、勿論、上記説明した工程以外の他の工程を含むことができる。例えば、下部電極のスクライブ処理、光電変換層形成後のスクライブ処理、バッファ層および透明導電層形成後のスクライブ処理等の集積化のためのパターニング工程、長尺な基板を用いた場合には1モジュールに切断する切断処理工程などを加えることにより、集積化光電変換装置集積化太陽電池を製造することができる。また必要に応じてカバーガラス、保護フィルム等を取りつけてもよい。設計変更上記実施形態において、光電変換素子にバッファ層を備えた態様について説明したが、バッファ層を備えない態様においても、同様に適用することができる。また、上記した第1~第3実施形態における洗浄工程を実施する前に、湿式法によるpn接合の形成された側の基板の表面を簡易な洗浄方法による洗浄を行ってもよい。本発明に係る実施例及び比較例について説明する。以下に示す基板及び各工程を組み合わせて、実施例1~4及び比較例1~3として光電変換素子を作製した。各例において共通でない各工程の有無、条件の組み合わせ、および評価結果を表1に示す。基板基板は全実施例、比較例に共通して下記構成のものを用いた。30mm角のソーダライムガラス基板SLG基板上に、Mo下部電極0.8μm厚、光電変換半導体層としてCuSe2層CIGS層1.8μm厚が形成された基板。Mo電極層はスパッタ法により成膜し、CIGS層は多元蒸着法の一種である3段階法により成膜した。表面処理CIGS層の表面処理にはシアン化カリウムKCN10水溶液を表面処理液として用いた。表面処理液の入った反応槽を用意し、CIGS層の表面を室温にて3分間、KCN水溶液に浸漬させてCIGS層表面の不純物除去を行った。表面処理後水洗工程表面処理工程後、純水による十分な水洗を行った。水洗は、基板1枚に対して最初に50mlの純水で洗浄した一次洗浄。一次洗浄水を除去した後、新たに100mlの純水を用いて洗浄し二次洗浄、更に二次洗浄水を除去した後同様に新しい100mlの純水を用いて洗浄した三次洗浄。三次洗浄後の洗浄水のpHは6.4であった。水洗後ドライエアー吹き付けによる水除去を行った。CBD工程<CBD反応液の調製><<反応液1>>成分Zの水溶液Iとして硫酸亜鉛水溶液0.18[M]、成分Sの水溶液IIとしてチオ尿素水溶液チオ尿素0.30[M]、成分Cの水溶液IIIとしてクエン酸三ナトリウム水溶液0.18[M]、及び成分Nの水溶液IVとしてアンモニア水0.30[M]をそれぞれ調製した。次に、これらの水溶液のうち、I,II,IIIを同体積ずつ混合して、硫酸亜鉛0.06[M],チオ尿素0.10[M],クエン酸三ナトリウム0.06[M]となる混合溶液を完成させ、この混合溶液と,0.30[M]のアンモニア水を同体積ずつ混合した。最後に、この混合溶液を、孔サイズ0.22μmの濾過フィルターを用いて濾過してCBD反応液1を得た。水溶液I~IVを混合する際には、水溶液IVを最後に添加するようにした。透明な反応液とするには、水溶液IVを最後に添加することが重要である。得られたCBD反応液のpHは10.3であった。<<反応液2>>CdSO4水溶液、チオ尿素水溶液、アンモニア水溶液を所定量混合して、CdSO40.0015M、チオ尿素0.05M、アンモニア1.5MであるCBD反応液2を得た。得られたCBD反応液のpHは12.0であった。<CBD条件1>基板を90°Cに調温したCBD反応液1中に浸漬させ、60分間析出を行った。<CBD条件2>基板を80°Cに調温したCBD反応液2中に浸漬させ、6分間析出を行った。バッファ層析出後の洗浄工程CBD工程によるバッファ層析出後、洗浄液として純水を用いて、表1に記載の条件で十分な洗浄を行った。洗浄時の電気伝導度の測定は、東亜DKK社製電気伝導度計CM-31Pを用いて実施し、pHの測定は東亜DKK社製pH計HM-31Pを用いて実施した。洗浄後ドライエアー吹き付けによる洗浄液の除去を行った。アニール処理空気中で200°Cにて60分間のアニール処理を行った。実施例および比較例の素子形成バッファ層上にAlドープ導電性酸化亜鉛薄膜をスパッタ法により成膜した後、上部電極としてAl電極を蒸着法により形成し、その後、スクライブ処理を行って切り出した30mm×30mmの基板上に、光電変換素子単セルの太陽電池、受光面積が0.516cm2を8個作製した。表1に示す各実施例、比較例毎に8個のセルを作製した。評価方法各実施例および比較例について、バッファ層膜厚、剥離発生の有無、剥離発生の程度、光電変換効率の測定を行い評価した。剥離についての評価は、透光性導電層の形成をバッファ層形成の翌日に実施した場合と、バッファ層形成の2週間後に実施した場合の双方について行った。<バッファ層の膜厚測定>実施例1~4、比較例1~3の方法で作製したサンプルについて、それぞれCIGS層上にバッファ層を形成した段階で、あるいは光電変換素子を作製した段階で、バッファ層の膜厚を評価するために、サンプル表面に保護膜を形成した後に収束イオンビームFIB加工を行ってバッファ層の断面出しを行い、その断面についてSEM観察を実施した。この断面SEM像から合計35箇所について膜厚計測を行った。表1には、膜厚測定値の平均値を示している。<光電変換効率の測定>各実施例および比較例につき各8個のセルそれぞれについて光電変換効率を測定した。表1には各実施例、比較例について行った8個のセルについての光電変換効率の平均値を示している。作製した各セルについて、ソーラーシュミレーターを用いて、AirMassAM=1.5、100mW/cm2の擬似太陽光の条件下でエネルギー変換効率を測定した。なお、本測定は光照射を30分行った後に実施した。表1において、エネルギー変換効率が10以上のものを○、10未満のものを×として示した。表1に示されるように、本発明の有効性が確認された。"