表面に誘電体層が形成された複数個の陽極体に対して、各陽極体の誘電体層上に同時に半導体層を形成する工程を含む固体電解コンデンサ素子の製造方法であって、半導体層を形成する工程は、個々の陽極体に接触させた給電端子から通電して電解重合をする操作を複数回繰り返すことを含み、少なくとも1回の電解重合をする操作は、1つの給電端子あたり5~200μAの範囲で電流量を変えながら連続して通電を行うことを特徴とする固体電解コンデンサ素子の製造方法。電流量を変えながら行う通電が、電流量を、上限値から下限値へ減少させ、下限値から上限値へ戻すか、または下限値から上限値へ増加させ、上限値から下限値へ戻すことにより行われる請求項1に記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。上限-下限の間の電流量の増減を30秒~30分の時間内で行う請求項2に記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。電解重合による半導体層の形成前に、陽極体の誘電体層表面に、電解重合によらない半導体層を形成しておく請求項1に記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。複数個の陽極体の誘電体層上に半導体層を形成する電解重合が、i絶縁基板上に下限値及び上限値の間で連続的に通電量を変えられる複数の電源回路と、ii前記複数の電源回路の各出力に電気的に接続された前記陽極体用の給電端子とを有する電解重合用冶具の前記給電端子を、導電性支持基板に接合した複数個の陽極体に接触させて行われる請求項1に記載の固体コンデンサ素子の製造方法。陽極体は、空隙を含まない体積当たりのCV値が160万μFV/cm3以上の焼結体である請求項1に記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。陽極体は、空隙を含まない体積当たりのCV値が80万μFV/cm3以上であり、かつ体積20mm3以上の焼結体である請求項1に記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。複数個が300個以上である請求項1に記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。請求項1~8のいずれかに記載の方法で製造した、1つまたは複数のコンデンサ素子の陽極体を陽極端子に、半導体層を陰極端子に、それぞれ電気的に接続し、次いで樹脂外装する固体電解コンデンサの製造方法。300個以上の、請求項1~9のいずれかの方法で得られる半導体層が同時に形成された固体電解コンデンサ素子で構成された固体電解コンデンサ素子群であって、個々の前記コンデンサ素子の容量が、前記複数のコンデンサ素子の容量の平均値の90~110の範囲内にある固体電解コンデンサ素子群。請求項10のコンデンサ素子群の、1つまたは複数個のコンデンサ素子を含む固体電解コンデンサからなる固体電解コンデンサ群。陽極体の表面に形成された誘電体層上に半導体層を形成するための電解重合用冶具であって、i絶縁基板上に下限値及び上限値の間で連続的に通電量を変えられる複数の電源回路と、ii前記複数の電源回路の各出力に電気的に接続された、陽極体に接触させるための給電端子とを有することを特徴とする電解重合用冶具。給電端子が線状である請求項12に記載の電解重合用冶具。前記電源回路の出力電流の平均値が5~200μAのとき、個々の回路の出力電流が前記平均値に対して最大110、最小90の範囲内である請求項12に記載の電解重合用冶具。電源回路が、5~200μAの範囲で電流量を連続的に変えられる電源回路である請求項12に記載の電解重合用冶具。複数の電源回路が、10~330個の回路である請求項12に記載の電解重合用冶具。個々の電源回路が発熱部品を有し、絶縁基板の表裏両面に前記発熱部品が配置され、絶縁基板表側の発熱部品のある位置の裏側に、前記表側の発熱部品と同一種の発熱部品が配置されている請求項12に記載の電解重合用冶具。発熱部品がトランジスタまたは抵抗器である請求項17に記載の電解重合用冶具。電源回路が、ディスクリート回路で構成される請求項17に記載の電解重合用冶具。個々の電源回路がPNPトランジスタを有し、前記トランジスタのエミッタが抵抗器を介して電流の制限値を設定するための端子に電気的に接続され、前記トランジスタのベースが電圧の制限値を設定するための端子に電気的に接続され、前記トランジスタのコレクタを出力とする回路である請求項12に記載の電解重合用冶具。従って、本発明の課題は、細孔が細かい陽極体や、大きな陽極体であっても、複数の前記陽極体の誘電体層の上に電解重合により同時に半導体層を形成する場合に高い含浸率が得られ、耐湿性能が良好なコンデンサを作製することができる固体電解コンデンサ素子の製造方法を提供することにある。本発明者らは、前記課題を解決するために鋭意検討した結果、電流値を寸時に変更可能な半導体層形成用の電解重合用冶具を用いて、細孔中での電解重合時の通電量反応速度を連続的に短い時間間隔でコントロールすることによって、細孔が細かい複数個の陽極体や、大きな陽極体であっても、複数個の陽極体に同時に高い含浸率で半導体層を形成でき、容量分布が狭くESRの低いコンデンサ素子群が得られることを見出した。すなわち、電解重合による半導体層の形成は、通常、外部からの通電による誘電体層上での電解重合操作と他の操作例えば、誘電体層を修復する化成処理操作を交互に複数回繰り返して行われるが、1回の電解重合操作中に通電を止めずに連続して重合物半導体を生成させることにより高い含浸率で半導体層を形成できること、また1回の電解重合中に電流を一瞬でも止めてしまうと含侵率が低下してしまうことが確認された。この理由の詳細は必ずしも明らかではないが、陽極体の細孔内で重合がなされているとき、その反応活性点に電荷が供給されないと、その場所での重合が停止し、再度通電しても細孔内のその場所に反応活性点が再度形成されるとは限らないため、細孔外からその細孔内への新たな重合の進行含浸を待たなければならないためと考えられる。本発明は、以下のコンデンサ素子の製造方法、コンデンサ素子、及びコンデンサ素子の半導体形成用の電解重合用冶具を提供するものである。[1]表面に誘電体層が形成された複数個の陽極体に対して、各陽極体の誘電体層上に同時に半導体層を形成する工程を含む固体電解コンデンサ素子の製造方法であって、半導体層を形成する工程は、個々の陽極体に接触させた給電端子から通電して電解重合をする操作を複数回繰り返すことを含み、少なくとも1回の電解重合をする操作は、1つの給電端子あたり5~200μAの範囲で電流量を変えながら連続して通電を行うことを特徴とする固体電解コンデンサ素子の製造方法。[2]電流量を変えながら行う通電が、電流量を、上限値から下限値へ減少させ、下限値から上限値へ戻すか、または下限値から上限値へ増加させ、上限値から下限値へ戻すことにより行われる前項1に記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。[3]上限-下限の間の電流量の増減を30秒~30分の時間内で行う前項2に記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。[4]電解重合による半導体層の形成前に、陽極体の誘電体層表面に、電解重合によらない半導体層を形成しておく前項1~3のいずれかに記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。[5]複数個の陽極体の誘電体層上に半導体層を形成する電解重合が、i絶縁基板上に下限値及び上限値の間で連続的に通電量を変えられる複数の電源回路と、ii前記複数の電源回路の各出力に電気的に接続された前記陽極体用の給電端子とを有する電解重合用冶具の前記給電端子を、導電性支持基板に接合した複数個の陽極体に接触させて行われる前項1~4のいずれかに記載の固体コンデンサ素子の製造方法。[6]陽極体は、空隙を含まない体積当たりのCV値が160万μFV/cm3以上の焼結体である前項1~5のいずれかに記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。[7]陽極体は、空隙を含まない体積当たりのCV値が80万μFV/cm3以上であり、かつ体積20mm3以上の焼結体である前項1~5のいずれかに記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。[8]複数個が300個以上である前項1~7のいずれかに記載の固体電解コンデンサ素子の製造方法。[9]前項1~8のいずれかに記載の方法で製造した、1つまたは複数のコンデンサ素子の陽極体を陽極端子に、半導体層を陰極端子に、それぞれ電気的に接続し、次いで樹脂外装する固体電解コンデンサの製造方法。[10]300個以上の、前項1~9のいずれかの方法で得られる半導体層が同時に形成された固体電解コンデンサ素子で構成された固体電解コンデンサ素子群であって、個々の前記コンデンサ素子の容量が、前記複数のコンデンサ素子の容量の平均値の90~110の範囲内にある固体電解コンデンサ素子群。[11]前項10のコンデンサ素子群の、1つまたは複数個のコンデンサ素子を含む固体電解コンデンサからなる固体電解コンデンサ群。[12]陽極体の表面に形成された誘電体層上に半導体層を形成するための電解重合用冶具であって、i絶縁基板上に下限値及び上限値の間で連続的に通電量を変えられる複数の電源回路と、ii前記複数の電源回路の各出力に電気的に接続された、陽極体に接触させるための給電端子とを有することを特徴とする電解重合用冶具。[13]給電端子が線状である前項12に記載の電解重合用冶具。[14]前記電源回路の出力電流の平均値が5~200μAのとき、個々の回路の出力電流が前記平均値に対して最大110、最小90の範囲内である前項12または13に記載の電解重合用冶具。[15]電源回路が、5~200μAの範囲で電流量を連続的に変えられる電源回路である前項12~14のいずれかに記載の電解重合用冶具。[16]複数の電源回路が、10~330個の回路である前項12~15のいずれかに記載の電解重合用冶具。[17]個々の電源回路が発熱部品を有し、絶縁基板の表裏両面に前記発熱部品が配置され、絶縁基板表側の発熱部品のある位置の裏側に、前記表側の発熱部品と同一種の発熱部品が配置されている前項12~16のいずれかに記載の電解重合用冶具。[18]発熱部品がトランジスタまたは抵抗器である前項17に記載の電解重合用冶具。[19]電源回路が、ディスクリート回路で構成される前項17または18に記載の電解重合用冶具。[20]個々の電源回路がPNPトランジスタを有し、前記トランジスタのエミッタが抵抗器を介して電流の制限値を設定するための端子に電気的に接続され、前記トランジスタのベースが電圧の制限値を設定するための端子に電気的に接続され、前記トランジスタのコレクタを出力とする回路である前項12~19のいずれかに記載の電解重合用冶具。本発明によれば、電解重合用冶具の電流値を連続的に任意の値に変更して導電体層に通電することが可能で、重合の進行に合わせて最適な電解重合ができるため、細孔が細かい陽極体や、体積が大きく、外表面からの距離がある部位ができてしまう陽極体であっても、高い含浸率が得られ、さらに耐湿性能が良好な特に容量変化率が小さいコンデンサ素子群を得ることができる。複数個の陽極体の誘電体層上に同時に半導体層を形成する本発明のコンデンサ素子の製造方法及びコンデンサ素子製造用冶具について以下に詳しく説明する。[陽極体]本発明に使用される陽極体の例としては、金属、無機半導体、有機半導体、カーボン、これらの少なくとも1種の混合物、それらの表層に導電体を積層した積層体が挙げられる。これらの中でも陽極体自身を化成処理することにより誘電体層が形成できることから弁作用金属または弁作用金属の導電性酸化物が好ましく、さらに表面積の大きい誘電体層が得られることから細孔を有する陽極体が好ましい。このような陽極体としては、例えばタンタル、ニオブ、一酸化ニオブ、チタンなどの焼結体が挙げられる。また、陽極体は、陽極体にその一部が埋設されたリード線を有するものが好ましい。本発明が特に有効な陽極体は、空隙を含まない体積当たりのCV値が、160万μFV/cm3以上の焼結体タンタル焼結体では単位質量あたりのCV値約10万μFV/g以上に相当、ニオブ焼結体では単位質量あたりのCV値約19.4万μFV/g以上に相当、または、空隙を含まない体積当たりのCV値が80万μFV/cm3以上タンタル焼結体では単位質量あたりのCV値約5万μFV/g以上に相当、ニオブ焼結体では単位質量あたりのCV値約9.7万μFV/g以上に相当の体積20mm3以上の焼結体である。なお、特に断りのない限り、焼結体の体積は、その焼結体の外形寸法から得られる体積であり、焼結体内部の空隙の体積を含む。また、一般にCV値の上限は、焼結体の材質や化成電圧に依存するが、本発明はその上限まで十分に適用できる。ここで焼結体の単位質量あたりのCV値μFV/gは、空隙率61の焼結体例えば、タンタルの場合、密度約6.5g/cm3の焼結体に相当。ニオブの場合、密度約3.3g/cm3の焼結体に相当。を0.5質量燐酸水溶液中、65°C、10V、3時間化成し、水洗乾燥後、30質量硫酸水溶液中、室温、周波数120Hzで測定した容量例えば、アジレント社製LCRメーターで測定と化成電圧10Vとの積を焼結体質量で除した数値として定義される。[誘電体層の形成]本発明では、表面に誘電体層が形成された陽極体を用いる。工業的な取り扱いのし易さから、電解重合による半導体層の形成前に、化成処理により陽極体表面に誘電体層を形成することが好ましい。例えば、誘電体層の形成は、図1に示すように前記複数個の陽極体10を等間隔に垂下してリード線部で熔接により接合した長尺の導電性材料金属板等からなる支持基板11以下、陽極体支持基板12ということがある。を、複数枚並列に方向を揃えて金属フレームに配置し、別途用意した化成槽に陽極体またはそのリード線の一部と陽極体を化成液に漬け、金属フレームを陽極に、化成槽中の陰極板との間に電圧を所定時間印加し、引き上げ、洗浄、乾燥することによって行われる。[半導体層の形成]固体電解コンデンサの他方の電極である半導体層は、一般に二酸化マンガンなどの無機半導体やドーパントをドープした導電性高分子などの有機半導体により構成できるが、本発明では、特に低いESR等価直列抵抗を得るために、誘電体層を有する陽極体上で重合を行い導電性高分子層を形成して半導体層とする。前記重合は、化学重合法、外部から電極給電端子を陽極体に接触させて行う電解重合法、またはそれらの組み合わせにより行うことができる。これらの内、電解重合法は、誘電体層を形成した個々の給電端子ごとに通電電流を制限して電解重合の反応速度を制御することにより再現性良く安定した導電性高分子層を形成することができる。特に、電解重合を行う際には、電解重合初期では小さな電流で重合し、その後は電流量を増加して重合をすることが好ましい。電流量の増加は、段階的に行っても良く、連続的に行ってもよい。なお、電解重合に先だって、陽極体の誘電体層表面に、電解重合によらない半導体層を形成してもよい。例えば、半導体となる原料モノマー含有溶液へ浸漬し、次にドーパントアリールスルホン酸塩など含有溶液へ浸漬し、さらに80~150°Cに加熱する操作を繰り返して誘電体層上に化学重合物半導体層を形成しておくと上記電解重合時の初期の電流量を特に小さくする必要がなくなるので好ましい。前記電解重合時の電流量は、半導体層として用いる材料により異なるが、通常は、1つの給電端子あたり5~200μAの範囲内である。電流量を設定する際の目安としては、例えば、下限の電流量は、一定の電流量で通電した場合、陽極体中の細孔の表面に半導体層が形成されないまま細孔が閉塞してしまうことのない程度の電流量、すなわち容量出現率が低下しない範囲の電流量とすればよい。また、上限の電流量としては、半導体層が陽極体外表面での異常成長をしない程度に、すなわち許容される外表面の寸法精度を満たす電流量まで増加させることができる。上記範囲で上限及び下限の電流量を設定し、その間の電流量の増減を短時間で繰り返して電解重合を行うことにより、高い容量出現率で低ESRのコンデンサ素子を得ることができる。このような効果をより得やすくするには、上限-下限の間の電流量の増減は、好ましくは30秒~30分、より好ましくは40秒~5分、さらに好ましくは1分~3分で行うのがよい。また、この間、連続的に、またはステップ状に一定の割合で電流量が増減するように設定することが好ましい。なお、容量出現率含浸率ともいうは、誘電体層形成済みで半導体層形成前の陽極体の30質量硫酸水溶液中、室温、周波数120Hzで測定した容量を分母とし、その陽極体に半導体層を形成し、半導体層上にカーボン層、銀ペースト層を順次積層乾燥硬化した固体電解コンデンサ素子の室温、周波数120Hzで測定した容量を分子とした百分率である。[電解重合用冶具及び陽極体支持基板]本発明のコンデンサ製造用冶具電解重合用冶具は、絶縁基板上に電圧の制限値及び電流の制限値をそれぞれ設定可能な電源回路を複数給電端子に対応する数有する。前記複数の電源回路の各出力に、陽極体に接触させる給電端子以下、陽極体給電端子と言うことがある。が電気的に接続されており、前記複数の電源回路に対し、電圧の制限値を設定するための端子以下、電圧制限端子と言うことがある。及び電流の制限値を設定するための端子以下、電流設定端子と言うことがある。を有するものである。給電端子は、電解重合時に前記陽極体支持基板に垂下した陽極体に接触して給電できればよい。例えば、線状の端子などが用いられ、特に陽極体に傷をつけないように先端部に丸みのある端子が好ましい。以下、本発明の電解重合用冶具の例を図2及び図3を参照して説明するが、本発明はこの例に限定されるものではない。図2は電解重合用冶具例の表面図A及び裏面図Bである。この電解重合用冶具1では、横長の絶縁基板の両面に、トランジスタ2と抵抗器3から構成された64組表裏各32組の電源回路が配置されている。また、両端に、端子を有し、一方が電流制限端子4、他方が電圧制限端子5となっている。表裏の電流制限端子4及び電圧制限端子5はそれぞれスルーホール6を介して電気的に接続されている。図2中、7は、電解重合時に図1の陽極体支持基板に垂下して接続した複数個の陽極体に接触させる給電端子部である。図3にその拡大側面図を示す通り、線状の導電部材7が前記電源回路と電気的に接続された基板1の端に半田等で固定されて、垂直下方に伸びており、その先端部陽極体用給電端子部は基板面に対して約90°鉛直方向に曲げられている。電解重合時には電解重合用冶具を陽極支持体基板に接近させ、線状導電部材7の接続端子部を陽極体に接触させて通電する。陽極体用給電端子の形状は陽極体の形状に合わせ適宜変更することができる。図2のコンデンサ製造用冶具に用いる個々の電源回路の例を図4に示す。図4Aは、PNPトランジスタ20を有し、前記トランジスタのエミッタEが抵抗器3を介して電流制限端子4に、前記トランジスタのベースBが電圧制限端子5にそれぞれ電気的に接続され、前記トランジスタのコレクタCを出力とする回路である。図4Aの電源回路と図2のコンデンサ製造用冶具とは、図5に示すように接続される。電圧制限端子5と電解重合槽8の陰極板9との間に印加する電圧により給電端子7に印加される最大電圧の制限値を設定できる。電圧制限端子5と重合槽8の陰極板9との間に印加する電圧がほぼ給電端子7に印加される最大電圧になる。なお、図5では、1つの陽極体に1つの給電端子を配しているが、物理的に配置が可能であれば、1つの陽極体に2つまたはそれ以上の給電端子を配置してもよい。この方が、早く重合を完了させることができる。なお、1つの陽極体に接触する複数の給電端子は、異なるコンデンサ製造用冶具からの給電端子であってもよい。また、電流制限端子4と電圧制限端子5との間に印加する電圧により給電端子7に流すことができる最大電流の制限値を設定できる。最大電流の制限値は、ほぼ、電流制限端子4と電圧制限端子5との間に印加する電圧、トランジスタのベース-エミッタ間電圧Vbe及び抵抗器の抵抗値により下記式で示される。Vbeトランジスタのベース-エミッタ間電圧は、一般には0.5~0.8V前後である。本発明のコンデンサ製造用冶具に用いる回路は、図4Aに示すものに限られず、例えば同様の機能を有する、最大電流の制限値が電流制限端子と電圧制限端子との間に印加する電圧に比例する図4Bに示す回路を用いることができる。上記のように電圧制限端子または電流制限端子に印加する電圧を変えることにより、半導体層の形成中であっても電圧または電流の制限値を変えることができる。また、電圧制限端子または電流制限端子に印加する電圧を連続的に変えれば、電圧または電流の制限値を連続的に変えることができる。本発明の電解重合用冶具を用いて、容量及びESRの偏差の少ない均質な半導体層を得るためには、より小電流の領域で電流偏差を少なくすることが好ましい。すなわち、すべての電源回路が出力電流を制限している状態で、前記電源回路の出力電流の平均値が5~200μAのとき、個々の回路の出力電流が前記平均値に対して好ましくは最大110、最小90の範囲内となるように、より好ましくは最大105、最小95の範囲内となるように設定する。図4A及びBの回路の場合、例えば、誤差の少ない抵抗器例えば、誤差0.1を使用することにより上記電流量の偏差を抑えることができる。このようにして製造する場合には、同時に製造される300個以上のコンデンサ素子で構成されるコンデンサ素子群中の個々の前記コンデンサ素子の容量を、前記300個以上のコンデンサ素子の容量の平均値の90~110の範囲内に収めることが可能となる。また、前記コンデンサ素子群の1つまたは複数個のコンデンサ素子で構成した電解コンデンサからなる電解コンデンサ群でも前記同様の容量ばらつきのない精度のよいコンデンサが得られる。本発明の電解重合用冶具では、絶縁基板の幅図2の電解重合用冶具1の長手方向の長さが長い程従って、これに対応する図1に示す陽極体支持基板12の長手方向の長さが長い程、1枚の冶具で多くの素子を処理できる。一方、冶具の高い寸法精度を維持するためには絶縁基板の幅及び陽極体支持基板の幅は短い方がよい。特に、反り図2で紙面の手前-奥方向の歪が少なければ、一定の大きさの重合槽に複数枚の冶具及び陽極体支持基板を並べて設置する際、冶具及び陽極体支持基板間の間隔を詰めて設置しても、それぞれの給電端子と陽極体との位置を一定に維持でき、歩留まりが向上する。冶具の材質として入手しやすいガラスエポキシ基板などを用いる場合は、幅は10~50cmが好ましく、20~40cmがより好ましい。また、隣接する陽極体給電端子間の距離は、陽極支持体に接続される陽極体の間隔ピッチに合わせればよい。陽極体の間隔は、隣り合う陽極体間の隙間が、陽極体を処理液から引き上げた時に液橋ができない程度に広くなるようにした方が、液橋を除く工程が省略できるので好ましい。通常、陽極体の幅は1mm程度から10mm程度であるので、陽極体の間隔を1.25~12mmとすることが好ましい。隣接する陽極体給電端子間の距離もこの間隔と同じになる。上記の冶具幅及び陽極体給電端子間の距離を考慮すると、本発明の電解重合用冶具1枚あたりの電源回路数を10~330個とすることが好ましい。電源回路数が多い場合や、大きな電流を給電する場合には、電源回路に使用される部品により発熱が生じやすい。この発熱により絶縁基板が不均一に加熱されると、部分的な熱膨張の差により絶縁基板に歪を生じることがある。特に、基板の表裏の温度差により反りが生じやすい。そこで、この絶縁基板の反りを防ぎ、高い寸法精度を得たい場合は、基板の表裏の温度差を少なくするように発熱部品を配置することが好ましい。このためには、例えば絶縁基板の表裏両面に発熱部品を配置し、絶縁基板表側の発熱部品のある位置の裏側に、前記表側の発熱部品と同一種の発熱部品を配置すればよい。通常、発熱部品は、電源回路で消費される電力の大半50以上を消費する可能性のある部品である。図4Aの回路における発熱部品は、トランジスタ及び抵抗器である。また、発熱部品は、電解重合用冶具の一部分のみが高温とならないようにできるだけ基板上に分散して配置することが好ましい。発熱部品を分散して配置するためには、電源回路としてディスクリート回路を用いることが好ましい。[コンデンサ素子及びコンデンサ]上記方法により、陽極体上に誘電体層、半導体層を順次形成したものをそのままコンデンサ素子としても良いが、好ましくは半導体層の上にコンデンサの外部引き出しリード例えば、リードフレームとの電気的接触をよくするために導電体層を形成しコンデンサ素子とする。例えば、導電体層としてカーボン層及び銀層を前記半導体層上に順次積層しコンデンサ素子を得る。このコンデンサ素子の1つまたは複数の陽極を陽極端子に、導電体層を陰極端子にそれぞれ電気的に接続し、次いで樹脂外装することにより電解コンデンサが得られる。以下、本発明を実施例及び比較例を挙げてさらに具体例に説明するが、以下の例により本発明は限定されるものではない。実施例1~3及び比較例1~4:ニオブインゴットを水素吸蔵後粉砕、脱水素、窒化後造粒して、CV15万μFV/g、窒素8600ppm含有するニオブ粉を得た。このニオブ粉を、0.29mmφのニオブ製リード線と共に成形し、1280°Cで30分間真空焼結して、大きさ1.5×3.0×4.5mm体積20.25mm3、密度3.3g/cm3のニオブ焼結体を640個得、これらを陽極体とした。なお、ニオブのリード線は焼結体内部に3.7mm埋め込まれ、外表面に4.3mm出るように、1.5×3.0mm面の中央に植設されている。別途用意したテトラフルオロエチレンポリマー製の外径2mm、内径0.26mm、厚さ0.2mmのワッシャーをリード線の焼結体面から0.2mm離れた位置まで挿入した。次いで、長さ214mm、幅20mm、厚さ2mmのステンレスSUS304製の長尺金属板11に3mmピッチ15で64個の焼結体10のリード線の先端を図1のように溶接した。なお、焼結体の長尺金属板面に対して焼結体の1.5×4.5mm面が平行になるように配置した。このような焼結体が配列した長尺金属板を10枚用意し、合計640個の焼結体について以下の処理を行った。[誘電体層の形成]0.5質量燐酸水溶液が入った容器に、焼結体のリード線に設けたワッシャー部分がちょうど液面になるように焼結体を浸漬し、65°Cで10V、3時間化成処理した後、水洗し、乾燥した。引き続き、長尺金属板に接続した状態の焼結体を250°Cの炉に入れ、45分間放置した。室温に戻した後、再度、前記と同じ条件で化成処理を行った。これら操作で焼結体表面に誘電体層を形成した。[半導体層の形成]続いて、長尺金属板に接続した状態の誘電体層を形成した焼結体を2質量エチレンジオキシチオフェンのエタノール溶液に浸漬し、次に1質量キシレンスルホン酸鉄水溶液に浸漬した後、115°Cの炉に入れて反応させた。この2質量エチレンジオキシチオフェンのエタノール溶液への浸漬から反応までの工程をさらに5回合計6回繰り返して、焼結体の誘電体層上に化学重合物を析出させた。1電解重合用冶具図2に示した電解重合用冶具1を10本用意した。大きさは194.0×33.0mm、厚さ1.6mmの銅張ガラスエポキシ基板であり、長手方向左右に8×10mmの切り欠け部があり、切り欠け部上側8×23mmに電極となる2つの端子部片方を電流制限端子4、他方を電圧制限端子5とした。が設けられている。左右2箇所の前記端子部は、端子部にあるスルーホール6により同面積の裏面の端子部と電気的に接続している。前記基板には、表裏32組ずつ合計64組の20kΩの抵抗器誤差0.1以内3とトランジスタ2SA2154GR2、及び片面表面に64本の太さ0.45mmφの銅線が半田で固定されている。この、銅線は、基板端から垂直下方に伸び、5mm下がった位置で、基板面に鉛直方向に90度曲げられ、さらに5mm伸び図3、銅線の先端は半球状に加工されている。また、これら銅線の先端3mmには、ニッケル下地に金のフラッシュメッキが施されていている。2電解重合10質量エチレンジオキシチオフェンエタノール溶液に、長尺金属板に接続した状態の前記誘電体層を形成した焼結体を浸漬以下、モノマー含浸と呼称するして、引き上げ風乾してエタノール分のみ除去した後に、1質量エチレンジオキシチオフェン、2質量アントラキノンスルホン酸、30質量エチレングリコール、67質量蒸留水からなる電解重合液に焼結体のワッシャーが液面位置になるように配置した。さらに、これら焼結体を接続した10枚の長尺金属板に平行に揃えて前記電解重合用冶具10本を配置し、この電解重合用冶具を水平に長尺金属板側に移動させ銅線の金メッキ先端部が焼結体表面にわずかに接触するようにした。この状態で、銅線に電流を供給した電解重合。このとき供給した電流及び時間を表1に示した。また、このときの銅線に印加される最大電圧を5Vに設定した。さらにモノマー含浸から電解重合後の操作を表1に示す回数繰り返した。次に、電圧を6Vにした以外、前記と同条件で化成処理を行い、化成した焼結体を水洗乾燥し、焼結体のリード線植設面を除く面にカーボン層と銀ペースト層を順次積層してコンデンサ素子を作製した。得られたコンデンサ素子640個のうち異常なものショートするなど数点を除いた約630個について容量を計測し、含浸率を求めた。その結果を表1に示す。次に、リードフレームにコンデンサ素子を載置し、リードフレームの陽極端子にコンデンサ素子の陽極リードを、リードフレームの陰極端子にコンデンサ素子の導電体層をそれぞれ接続し、トランスファー封止、エージングを行い、大きさ3.5×2.8×1.8mm、定格2.5V、容量330μFのニオブ固体電解コンデンサを640個作製した。表5に600個のコンデンサの平均容量と容量の上下限値の範囲を示す。実施例4~5及び比較例5~6:実施例1と同様の方法で、粉砕時間及び窒化処理時間を調整することによりCV値22万μFV/g、窒素含有量15000ppmとしたニオブ粉を作成し、焼結体を得た。このニオブ焼結体1.0×2.4mm面にリード線が植設された1.0×2.4×3.4mm体積8.16mm3の焼結体について、電界重合の条件を表2に示した数値にしたこと以外は実施例1と同様にしてコンデンサ素子を作製し、得られたコンデンサ素子の容量を計測して含浸率を求めた。結果を表2に示す。また、実施例1と同様に作製したコンデンサの平均容量と容量の上下限値の範囲を表5に示す。実施例6~7及び比較例7~8:実施例1でニオブ粉の代わりに市販のタンタル粉CV7万μFV/gを使用した。このタンタル粉を、1400°C、30分間、真空焼結焼結し、密度6.5g/cm3、大きさ2.5×3.8×7.2mm体積68.4mm3の焼結体を得た。なお、焼結体には直径0.40mmφタンタルリード線が焼結体の2.5×3.8mm面に植設されている。電界重合の条件を表3で示した数値にした以外は実施例1と同様にしてコンデンサ素子を作製し、得られたコンデンサ素子の容量を計測して含浸率を求めた。結果を表3に示す。また、実施例1と同様に作製したコンデンサの平均容量と容量の上下限値の範囲を表5に示す。実施例8~9及び比較例9~10:実施例6で、タンタル粉の代わりに市販のCV15万μFV/gのタンタル粉を使用し、密度6.5g/cm3、大きさ1.1×3.0×4.0mm体積13.2mm3の焼結体を1320°C、30分の真空焼結で作製した。その後、電界重合条件を表4で示した数値にしたこと以外は実施例1と同様にしてコンデンサ素子を作製し、得られたコンデンサ素子の容量を計測して含浸率を求めた。結果を表4に示す。また、実施例1と同様に作製したコンデンサの平均容量と容量の上下限値の範囲を表5に示す。試験例:耐湿試験上記各例のコンデンサ素子を公知の方法に従って、フレーム付け、封止、エージング、電気特性検査を行って得たチップ状コンデンサを60個選択し、耐湿試験を行った。条件は、60°C90RH500時間、無負荷である。実施例はすべて500時間後の容量変化率は、7以下であったが、比較例はすべて21を超えていた。