発光素子であって、基板と、前記基板に形成された発光構造と、を含み、前記発光構造は第一活性層及び第二活性層を含み、前記第一活性層と前記第二活性層は交互積み重ねて前記発光構造を形成し、前記発光素子は、第一種特定工程で製造された場合、第一温度係数TemperatureCoefficient、TC1を有し、第二種特定工程で製造された場合、第二温度係数TemperatureCoefficient、TC2を有し、前記第一温度係数TC1と前記第二温度係数TC2の両者の差の絶対値は0.12/Kより小さい、ことを特徴とする発光素子。前記基板の材料は、ヒ化ガリウム、サファイア、炭化ケイ素、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、ケイ素及びゲルマニウムから構成された群から選択された少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1記載の発光素子。前記第一活性層は第一発光波長を発する量子井戸構造であり、かつ前記第二活性層は第二発光波長を発する量子井戸構造であることを特徴とする請求項1記載の発光素子。更に、前記基板に位置する第一導電型半導体層と、前記発光構造に位置する第二導電型半導体層と、を含むことを特徴とする請求項1記載の発光素子。前記第一種特定工程と前記第二種特定工程は、異なるパラメータ及び露出、現像、エッチング、蒸着、研磨、切断の工程条件を含むことを特徴とする請求項1記載の発光素子。前記発光構造の材料は、アルミニウムガリウムインジウムリン系化合物、窒化アルミニウムガリウムインジウム系化合物又はこの二種の化合物の混合物が用いられることを特徴とする請求項1記載の発光素子。前記第一発光波長はλ1であり、前記第二発光波長はλ2であり、前記λ1は前記λ2より大きいことを特徴とする請求項3記載の発光素子。前記第一活性層と前記第二活性層の層数の総和は23nであり、かつnは0より大きい整数であることを特徴とする請求項3記載の発光素子。前記各第一活性層の間にd層の第二活性層を挿入し、かつ4n≦d≦10nnは0より大きい整数であることを特徴とする請求項8記載の発光素子。バックライトモジュール装置であって、請求項1乃至9のいずれか一つに記載された発光素子から構成された光源装置と、前記光源装置の光出射経路に配置された光学装置と、前記光源装置に必要な電源を供給する電源供給システムと、を含むことを特徴とするバックライトモジュール装置。照明装置であって、請求項1乃至9のいずれか一つに記載された発光素子から構成された光源装置と、前記光源装置に必要な電源を供給する電源供給システムと、前記光源装置に入力される前記電源を制御する制御素子と、を含むことを特徴とする照明装置。本発明は、発光素子を提供する。本発明の発光素子は、基板と、基板に形成された発光構造を含む。発光構造は、第一発光波長を有し、かつ量子井戸構造である第一活性層と、第二発光波長を有し、かつ量子井戸構造である第二活性層とを含み、第一活性層と第二活性層は交互積み重ねて発光構造を形成する。本発明の発光素子は、いずれの異なる工程で製造しても測定された温度係数TCの変化が大きくない発光構造を有する。本発明の発光素子は、第一種特定工程で製造する場合、第一温度係数TC1を有し、第二種特定工程で製造する場合、第二温度係数TC2を有し、両者の差の絶対値は0.12/Kより小さい。本発明は、LEDの発光強度が温度の上昇に従って輝度が低下する問題を解決するため、発光構造に波長が異なる二つの活性層を成長させる方法を提出した。エネルギー状態の理論によると、電子は低エネルギー準位即ち、長波長の活性層を占める確率が高く、温度が高くなると、電子エネルギーも比較的高くなり、電子が低エネルギー準位から高エネルギー準位に遷移する確率が高くなる。従って、高エネルギー準位即ち、短波長の活性層を提供して、電子の遷移に用いる。通常、発光素子の温度係数TemperatureCoefficient、TCでLED発光強度が温度の上昇に従って輝度が低下する程度を示す。温度T1における発光素子の光束密度をf1ルーメンとし、温度T2における発光素子の光束密度をf2ルーメンとし、T1の場合の光束密度を1に正規化normalizedし、T2の場合の光束密度をf2f1に正規化すると、発光素子の温度係数を数式1で示すことができ、その値は零より小さい。TCT2の場合の正規化光束密度1......数式1図1を参照するに、図1は本発明による発光素子1のエピタキシ構造100の発光構造12を示す図である。発光構造12は第一導電型半導体層11と第二導電型半導体層13の間に位置する。実施例1において、発光素子1は少なくとも一つの成長基板図示せずを含み、この成長基板に第一導電型半導体層11、発光構造12及び第二導電型半導体層13を順に形成する。成長基板は、ヒ化ガリウム、サファイア、炭化ケイ素、窒化ガリウム、ケイ素及びゲルマニウムから構成された群から選択された少なくとも一つの材料を含む。発光構造12は第一活性層100aと第二活性層100bが相互積み重ねて構成され、第一活性層100aは量子井戸構造であり、第一発光波長λ1を発し、第二活性層100bは量子井戸構造であり、第二発光波長λ2を発し、λ1はλ2より大きい。発光構造はIIIV族半導体材料から構成され、このIIIV族半導体材料はアルミニウムガリウムインジウムリンAlGaInP系化合物、窒化アルミニウムガリウムインジウムAlGaInN系化合物又はこの二種の化合物の混合物が用いられる。数回の実験数値を帰納することで分かるように、発光構造12は第一活性層100aと第二活性層100bが交互重ねて構成され、第一活性層100aと第二活性層100bの総和は23nnは零より大きい整数層になり、かつ各第一活性層100aの間にd4n≦d≦10n層の第二活性層100bを挿入する時、この発光構造12を何れかの異なる工程で形成しても発光素子1の測量した温度係数TCの差の絶対値が0.12/Kより小さい。その理由としては、長波長の第一発光波長λ1を発する第一活性層100aの層数が多すぎる場合、電子が全てのエネルギー準位の位置を填充するとはいえず、電子分布が均一に成らない。第一活性層100aの層数が少なすぎる場合、電子に提供するエネルギー準位の位置が足りなくなる。本実施例において、第一活性層100aは610nm波長の光を発し、第二活性層100bは600nm波長の光を発し、第一活性層100aと第二活性層100bの総和は23層n1であり、各第一活性層100aの間にd4≦d≦10層の第二活性層100bを挿入する。即ち、発光構造12は1層の第一活性層100a、7層の第二活性層100b、1層の第一活性層100a、7層の第二活性層100b、1層の第一活性層100a、6層の第二活性層100bが順に交互積み重ねて形成される。このような発光構造12を有する発光素子1は、第一種の特定工程で完成された場合、25°Cで測定して光束密度は155.7ルーメンであり、100°Cで測定した光束密度は81.6ルーメンであり、数式1より計算して得られた第一温度係数TemperatureCoefficient、TC1は-0.65/Kである。発光素子1を第二種の特定工程で完成した場合、25°Cで測定して光束密度は1445ルーメンであり、100°Cで測定した光束密度は636ルーメンであり、数式1より計算して得られた第二温度係数TemperatureCoefficient、TC2は-0.75/Kである。第一温度係数TC1と第二温度係数TC2の両者の差の絶対値は0.1/Kである。なお、第一種特定工程と第二種特定工程は、異なるパラメータ及び露出、現像、エッチング、蒸着、研磨、切断などの工程条件を含む。この実施例から分かるように、発光波長が異なる二種の活性層が交互重ねて構成された発光構造を利用することで、温度係数が工程の影響をほぼ受けず、電子がこの発光素子の発光構造に均一に分布される。図2を参照するに、図2は本発明による発光素子1のエピタキシ構造200の発光構造12を示す図である。発光構造12は第一導電型半導体層11と第二導電型半導体層13の間に位置する。実施例2において、発光構造12は第一活性層100aと第二活性層100bが相互積み重ねて構成され、第一活性層100aは量子井戸構造であり、第一発光波長λ1を発し、第二活性層100bは量子井戸構造であり、第二発光波長λ2を発し、λ1はλ2より大きい。発光構造はIIIV族半導体材料から構成され、このIIIV族半導体材料はアルミニウムガリウムインジウムリンAlGaInP系化合物、窒化アルミニウムガリウムインジウムAlGaInN系化合物又はこの二種の化合物の混合物が用いられる。本実施例において、第一活性層100aは610nm波長の光を発し、第二活性層100bは600nm波長の光を発し、第一活性層100aと第二活性層100bの総和は23層n1であり、各第一活性層100aの間にd4≦d≦10層の第二活性層100bを挿入する。即ち、発光構造12は1層の第一活性層100a、10層の第二活性層100b、1層の第一活性層100a、10層の第二活性層100b、1層の第一活性層100aが順に交互積み重ねて形成される。このような発光構造12を有する発光素子1は、第一種の特定工程で完成された場合、25°Cで測定して光束密度は139.1ルーメンであり、100°Cで測定した光束密度は72.4ルーメンであり、数式1より計算して得られた第一温度係数TemperatureCoefficient、TC1は-0.66/Kである。発光素子1を第二種の特定工程で完成した場合、25°Cで測定して光束密度は1477.4ルーメンであり、100°Cで測定した光束密度は624.8ルーメンであり、数式1より計算して得られた第二温度係数TemperatureCoefficient、TC2は-0.77/Kである。第一温度係数TC1と第二温度係数TC2の両者の差の絶対値は0.11/Kである。なお、第一種特定工程と第二種特定工程は、異なるパラメータ及び露出、現像、エッチング、蒸着、研磨、切断などの工程条件を含む。この実施例から分かるように、発光波長が異なる二種の活性層が交互重ねて構成された発光構造を利用することで、重ね層数が変化しても、温度係数は工程の影響をほぼ受けず、電子がこの発光素子の発光構造に均一に分布される。図3を参照するに、図3は本発明による発光素子1のエピタキシ構造300の発光構造12を示す図である。発光構造12は第一導電型半導体層11と第二導電型半導体層13の間に位置する。実施例3において、発光構造12は第一活性層100aと第二活性層100bが相互積み重ねて構成され、第一活性層100aは量子井戸構造であり、第一発光波長λ1を発し、第二活性層100bは量子井戸構造であり、第二発光波長λ2を発し、λ1はλ2より大きい。発光構造はIIIV族半導体材料から構成され、このIIIV族半導体材料はアルミニウムガリウムインジウムリンAlGaInP系化合物、窒化アルミニウムガリウムインジウムAlGaInN系化合物又はこの二種の化合物の混合物が用いられる。本実施例において、第一活性層100aは610nm波長の光を発し、第二活性層100bは600nm波長の光を発し、第一活性層100aと第二活性層100bの総和は23層n1であり、各第一活性層100aの間にd4≦d≦10層の第二活性層100bを挿入する。即ち、発光構造12は1層の第一活性層100a、5層の第二活性層100b、1層の第一活性層100a、5層の第二活性層100b、1層の第一活性層100a、5層の第二活性層100b、1層の第一活性層100a、4層の第二活性層100bが順に交互積み重ねて形成される。このような発光構造12を有する発光素子1は、第一種の特定工程で完成された場合、25°Cで測定して光束密度は134.1ルーメンであり、100°Cで測定した光束密度は67.3ルーメンであり、数式1より計算して得られた第一温度係数TemperatureCoefficient、TC1は-0.68/Kである。発光素子1を第二種の特定工程で完成した場合、25°Cで測定して光束密度は1343.5ルーメンであり、100°Cで測定した光束密度は646.4ルーメンであり、数式1より計算して得られた第二温度係数TemperatureCoefficient、TC2は-0.69/Kである。第一温度係数TC1と第二温度係数TC2の両者の差の絶対値は0.01/Kである。なお、第一種特定工程と第二種特定工程は、異なるパラメータ及び露出、現像、エッチング、蒸着、研磨、切断などの工程条件を含む。この実施例から分かるように、発光波長が異なる二種の活性層が交互重ねて構成された発光構造を利用することで、重ね層数が変化しても、温度係数は工程の影響をほぼ受けず、電子がこの発光素子の発光構造に均一に分布される。図4を参照するに、図4は本発明の実施例によるバックライトモジュール構造を示す。バックライトモジュール装置400は、上述の実施例の発光素子1から構成された光源装置410と、光源装置410の光出射経路に配置され、光束に対し適切な処理を行ってから出射させる光学装置420と、上述の光源装置410に必要な電源を提供する電源供給システム430とを含む。図5を参照するに、図5は本発明の実施例による照明装置の構造を示す図である。上述の照明装置500は、車両ライト、街路灯、懐中電灯、街灯、指示灯などである。照明装置500は、本発明の上述の実施例の発光素子1から構成された光源装置510と、光源装置510に必要な電源を供給する電源供給システム520と、光源装置510に入力する電源を制御する制御素子530とを含む。本発明の実施例は本発明を説明するために挙げたもので、本発明の範囲を制限するものではない。いずれの人が本発明に対して行ったいずれか明らかな修飾又は変更は、依然として本発明の思想と範囲に属する。