第1基板上にマトリクス状に配置された複数の画素と、複数の上記画素の各列に対応して配置された複数のソースバスラインと、複数の上記画素の各行に対応して配置された複数のゲートバスラインと、上記画素ごとに、上記第1基板上に形成された画素電極と、上記第1基板上に形成され、上記画素電極と重畳する共通電極と、複数の上記画素のいずれかに形成されたコンタクトホールを介して上記共通電極と接続された共通配線と、上記第1基板と、該第1基板と対向する第2基板との間に挟持された液晶層とを備え、一定の区画領域に含まれる複数の上記画素を繰り返し配列してなる液晶表示装置であって、上記区画領域に含まれる任意の1つの上記コンタクトホールは、他の上記コンタクトホールに最も近接する4つの上記コンタクトホールのいずれかであるか、他の上記コンタクトホールに最も近接する4つの上記コンタクトホールのいずれかであると共に、自身に最も近接する4つの上記コンタクトホールによって形成される四角形であって、上記四角形の2つの対角線と、上記ゲートバスラインとがなす2つの角度の差が30度未満である上記四角形に含まれる上記コンタクトホールであり、上記区画領域内において、各上記ソースバスラインには、1つの上記コンタクトホールが形成されていることを特徴とする液晶表示装置。上記区画領域は、上記列の方向の長さが40個分の上記画素の長さであり、上記行の方向の長さが40個分の上記画素の長さである矩形領域であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。上記区画領域は、上記列の方向の長さが80個分の上記画素の長さであり、上記行の方向の長さが80個分の上記画素の長さである矩形領域であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。上記画素は、複数の副画素から構成されており、上記コンタクトホールは、複数の上記副画素のいずれかに形成されていることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の液晶表示装置。上記共通電極は、透明導電体により形成されていることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の液晶表示装置。上記第2基板には、他の上記共通電極が形成されていることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の液晶表示装置。共通電極と共通配線とを接続するコンタクトホールをすべての画素に設けてしまうと、表示パネルの開口率が低下することによる輝度の低下等の表示不良が生じてしまう。これに対して、上述した特許文献1には、すべての画素にコンタクトホールを設けず、4つの画素に対して1つの割合でコンタクトホールを千鳥状に配置する構成が開示されている。しかしながら、コンタクトホールが設けられている画素の距離、ならびに、その位置関係の周期性によっては、コンタクトホールが設けられている画素部分がスジに見えてしまう場合がある。例えば、図7に示すような周期性を持ってコンタクトホール12を配置した場合、表示パネル15上では斜め方向図中の矢印N方向にスジが見えてしまい、見栄えが悪くなってしまう。これは、コンタクトホールの形成による開口率の低下の度合いが大きいほど、より顕著になる。そこで、本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、共通電極の配線抵抗を低減すると共に、表示品位の低減を防ぐことが可能な液晶表示装置を提供することにある。本発明の一態様に係る液晶表示装置は、上記課題を解決するために、第1基板上にマトリクス状に配置された複数の画素と、複数の上記画素の各列に対応して配置された複数のソースバスラインと、複数の上記画素の各行に対応して配置された複数のゲートバスラインと、上記画素ごとに、上記第1基板上に形成された画素電極と、上記第1基板上に形成され、上記画素電極と重畳する共通電極と、複数の上記画素のいずれかに形成されたコンタクトホールを介して上記共通電極と接続された共通配線と、上記第1基板と、該第1基板と対向する第2基板との間に挟持された液晶層とを備え、一定の区画領域に含まれる複数の上記画素を繰り返し配列してなる液晶表示装置であって、上記区画領域に含まれる任意の1つの上記コンタクトホールは、他の上記コンタクトホールに最も近接する4つの上記コンタクトホールのいずれかであるか、他の上記コンタクトホールに最も近接する4つの上記コンタクトホールのいずれかであると共に、自身に最も近接する4つの上記コンタクトホールによって形成される四角形であって、上記四角形の2つの対角線と、上記ゲートバスラインとがなす2つの角度の差が30度未満である上記四角形に含まれる上記コンタクトホールであり、上記区画領域内において、各上記ソースバスラインには、1つの上記コンタクトホールが形成されていることを特徴としている。上記の構成によれば、上記の2つの角度の差を30度未満とすることによって、コンタクトホールをそれぞれ縦方向あるいは横方向に配列するよりも、斜め方向に配列した方が表示画面の視認性を妨げない。さらに、本発明の一態様に係る液晶表示装置においては、1つのソースバスラインにつき、1つのコンタクトホールが配置されている。これは、区画領域内において、すべてのソースバスラインにコンタクトホールを同じ数だけ配置しなかった場合、バスライン同士に負荷の差が発生し、液晶表示装置の表示品位を落とす可能性がある。そのため、区画領域内におけるすべてのソースバスラインに1つ同数のコンタクトホールを配置している。したがって、本発明の一態様に係る液晶表示装置においては、コンタクトホールは上記の2つの要件を満たすような位置に配置されている。これによって、コンタクトホール画素が適宜分散されることになるので、コンタクトホールが表示画面上にスジ等になって見えてしまうのを防ぐことができる。また、そもそもコンタクトホールは共通電極と共通配線とを接続するためのものであるので、共通電極の配線抵抗を低抵抗にすることが可能である。すなわち、本発明の一態様によれば、コンタクトホールに起因する表示品位の低下の抑制と、共通電極の配線抵抗の低減との双方を実現することができる。本発明の他の目的、特徴、および優れた点は、以下に示す記載によって十分分かるであろう。また、本発明の利点は、添付図面を参照した次の説明で明白になるであろう。本発明の一態様に係る液晶表示装置においては、区画領域内において、1つのコンタクトホールに最も近接する4つのコンタクトホールによって形成される四角形の2つ対角線と、ゲートバスラインとがなす2つの角度の差を30度未満とし、なおかつ、区画領域内におけるすべてのソースバスラインに1つのコンタクトホール画素を配置することによって、コンタクトホール画素が適宜分散されることになるので、コンタクトホールが表示画面上にスジ等になって見えてしまうのを防ぐことができる。また、そもそもコンタクトホールは共通電極と共通配線とを接続するためのものであるので、共通電極の配線抵抗を低抵抗にすることが可能である。すなわち、本発明の一態様によれば、コンタクトホールに起因する表示品位の低下の抑制と、共通電極の配線抵抗の低減との双方を実現することができる。以下では、本発明に係る液晶表示装置の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。液晶表示装置の構成まず、本実施形態に係る液晶表示装置における画素アレイを構成する画素について、図2および図3を参照して説明する。図2は、本実施形態に係る液晶表示装置の画素1の概略構成を示す図である。図3は、図2に示す画素1のA-A’矢視断面図である。画素アレイは、複数の画素をマトリクス状に配置して構成されており、複数の画素の各列に対応して複数のソースバスラインが配置されると共に、複数の画素の各行に対応して配置された複数のゲートバスラインが配置されている。より詳細には、図2に示すように、走査信号を供給するゲートバスライン7と、データ信号を供給するソースバスライン8とが直交して設けられており、補助容量Csを形成するための配線である共通配線9がゲートバスライン7と平行に設けられている。一方、共通電極4と画素電極6とは重畳して設けられており、本実施形態に係る液晶表示装置は横電界モードの液晶表示装置である。また、ゲートバスライン7およびソースバスライン8の交差部には、スイッチング素子アクティブ素子として薄膜トランジスタTFTが設けられている。TFTのゲート電極がゲートバスライン7に接続され、ドレイン電極が画素電極6に接続され、ソース電極がソースバスライン8に接続されている。図3に示すように、画素1においては、配向膜17およびTFTを備えた透明基板21からなるTFT基板32第1基板と、配向膜17を備えた透明基板31からなる対向基板33第2基板とが互いに対向して配置され、これら一対の基板間に液晶層40が配向膜17を介して挟持された構成を有している。これら一対の基板の外側両基板の対向面とは反対側の面には、図示しない位相差板および偏光板等が必要に応じて各々設けられている。TFT基板32は、透明基板上における対向基板33との対向面上に、TFTを備えている。TFTは、半導体層22、ゲート絶縁膜23、ゲート電極26、第1層間絶縁膜24、第2層間絶縁膜25、画素電極6、ドレイン電極27、および、ソース電極28を有している。TFT基板32におけるTFTのゲート電極26は、ゲートバスライン7の一部からなっており、TFTのソース電極28は、ソースバスライン8の一部からなっている。また、半導体層22は、不純物が注入されていない真性半導体からなるチャネル領域22aと、不純物が注入された外因性半導体P形半導体あるいはN形半導体からなる不純物注入領域22bとを備えている。不純物注入領域22bには、ドレイン領域29およびソース領域30が形成されている。半導体層22におけるドレイン領域29には、半導体層22を覆うゲート絶縁膜23および第1層間絶縁膜24に形成されたコンタクトホール11を介して、ドレイン電極27が接続されている。同様に、ソース領域30には、ゲート絶縁膜23および第1層間絶縁膜24に形成されたコンタクトホール12を介して、ソース電極28が接続されている。また、ドレイン電極27は、ゲートバスライン7およびソースバスライン8を覆う第2層間絶縁膜25に設けられたスルーホール10を介して画素電極6に電気的に接続されている。この際、TFT基板32上において、画素電極6は共通電極4と重畳されて配置されているが、両電極間には絶縁膜14が設けられている。ここで、共通電極4を透明導電体によって形成すると、画素電極6と重畳する共通電極4が光を透過することから、透過開口率が拡大し、全体的な透過率の向上に寄与することができる。なお、対向基板33側にも、他の共通電極4が形成されている構成にしてもよい。このように対向基板33側に他の共通電極4を形成した場合、画素電極6との間に垂直方向の電界を形成することができるため、液晶モードに垂直配向モードを適用することができる。ここで、本実施形態に係る画素1においては、共通電極4と共通配線9とを第2層間絶縁膜25に形成されたスルーホール10’を介して接続するためのコンタクトホール2が、第1層間絶縁膜24に形成されている。このコンタクトホール2は必ずしもすべての画素1に形成されているわけではなく、一部の画素1に形成されており、ある程度間引いて形成されている。コンタクトホール2の詳しい形成位置については、以下に説明する。コンタクトホール2の配置画素1の共通電極4に酸化インジウムスズITO電極等の透明電極を用いる場合、ゲート電極26等の他の電極と比較して配線抵抗値が高くなり、クロストーク等の表示品位の低下を引き起こす可能性がある。ここで、共通配線9は、ゲート電極メタル等のゲート電極レイヤで形成しているため、共通電極4と比較して低抵抗である。そこで、本実施形態では、コンタクトホール2を介して共通電極4と共通配線9とを接続している。これによって、共通電極4の配線抵抗を下げることによって、表示品位の低下を軽減させることが可能である。しかし、この場合、コンタクトホール2を形成することによる画素開口率の低下、および、コンタクトホール2に起因する歩留まりの低下等が懸念される。さらには、コンタクトホール2の配置位置によっては、コンタクトホール2が形成されている画素1がスジ等になって見えてしまう虞がある。そのため、コンタクトホール2は適当に分散させ、間引いて形成することが好ましい。そこで、本発明者らは、コンタクトホール2の配置位置に応じた表示品位について種々調査したところ、以下の形態が最も表示品位を損ねず、共通電極4の配線抵抗を低抵抗化することができることを見出した。その形態について、図1を参照して説明する。図1は、本実施形態におけるコンタクトホール2の配置位置を概略的に示す図である。図1に示すように、本実施形態に係る画素アレイ5は、一定の矩形の区画領域20に含まれる複数の画素1を繰り返し配列してなる。したがって、区画領域20が画素アレイ5の構成単位である。ここで、図に示す13は、コンタクトホール2が形成された画素1以下、コンタクトホール画素と称すであり、これに対して図に示す3は、コンタクトホール2が形成されていない画素1である。本実施形態では、図4に示すように、1つの画素1は3つの副画素R画素、G画素、B画素から構成されており、コンタクトホール画素13においてはコンタクトホール2を副画素のいずれか1つに形成している本図の場合は、B画素。このように、コンタクトホール2は、コンタクトホール画素13全体に渡って形成する必要はなく、画素1を構成する副画素のいずれか1つに形成すればよい。また、副画素は、R画素、G画素、および、B画素に限らず、4つ以上の副画素であってもよく、特に限定はない。本実施形態に係る画素アレイ5におけるコンタクトホール画素13の配置位置の要件は2つある。まず、1つ目について説明する。図1に示すように、区画領域20内の1つのコンタクトホール画素13である画素Pに最も近接する4つのコンタクトホール画素13である画素Q1~Q4を特定する。それら4つの画素Q1~Q4によって形成される四角形に上記の画素Pが含まれている。本実施形態に係る区画領域20に含まれる任意の1つのコンタクトホール画素13は、画素Pに最も近接する4つの画素Q1~Q4のいずれかであるか、画素Q1~Q4のいずれかであると共に他の画素Pである。すなわち、区画領域20に含まれる任意の1つのコンタクトホール画素13は、他のコンタクトホール画素13に最も近接する4つのコンタクトホール画素13のいずれかであるか、他のコンタクトホール画素13に最も近接する4つのコンタクトホール画素13のいずれかであると共に、自身に最も近接する4つのコンタクトホール画素13によって形成される四角形に含まれるコンタクトホール画素13である。さらに、本実施形態においては、上記の4つの画素Q1~Q4によって形成される四角形の2つの対角線と、ゲートバスライン線分ABとがなす2つの角度の差が30度未満である。すなわち、abs∠ABQ1=∠ABQ4-∠BAQ2=∠BAQ3<30度を満たすように、画素Q1~Q4は画素Pの周囲に配置されている。このように、∠ABQ1および∠BAQ2の差が30度未満であれば、コンタクトホール画素13は画素アレイ5上を斜め方向に配置されることになる。これは、コンタクトホール画素13をそれぞれ縦方向あるいは横方向に配列するよりも、斜め方向に配列した方が表示画面の視認性を妨げないためである。以上が、コンタクトホール画素13の配置位置の1つ目の要件である。続いて、2つ目の要件について説明する。図1に示すように、区画領域20内の任意の1つのコンタクトホール画素13は、区画領域20内において、いずれかのソースバスライン8に個別に配置されている。これについて、図5を参照して分かりやすく説明する。図5は、画素アレイ5を概略的に示す図である。本図では、コンタクトホール画素13の配置位置を分かりやすくするために画素間隔を縮めて図示しているのであって、画素間隔は特にこれに限定されるわけではない。図5に示すように、区画領域20内においては、ソースバスラインS1にはゲートバスラインG9上にコンタクトホール画素13が配置されており、該ソースバスラインS1には1つのコンタクトホール画素13が配置されているのみである。また、ソースバスラインS2にはゲートバスラインG3上にコンタクトホール画素13が配置されており、該ソースバスラインS2には1つのコンタクトホール画素13が配置されているのみである。ソースバスラインS3~S9においても同様にして、いずれか1つのゲートバスライン上にコンタクトホール画素13が配置されているのみである。このように、区画領域20内においては、1つのソースバスライン8につき、1つのコンタクトホール画素13が配置されている。これは、区画領域20内において、すべてのソースバスライン8にコンタクトホール画素13を同じ数だけ配置しなかった場合、バスライン同士に負荷の差が発生し、液晶表示装置の表示品位を落とす可能性がある。そのため、区画領域20内におけるすべてのソースバスライン8に1つのコンタクトホール画素13を配置することが好ましい。以上が、コンタクトホール画素13の配置位置の2つ目の要件である。したがって、本実施形態に係る画素アレイ5においては、コンタクトホール画素13は上記の2つの要件を満たすような位置に配置されている。これによって、コンタクトホール画素13が画素アレイ5上に適宜分散されることになるので、コンタクトホール画素13が表示画面上にスジ等になって見えてしまうのを防ぐことができる。また、そもそもコンタクトホール2は共通電極4と共通配線9とを接続するためのものであるので、共通電極4の配線抵抗を低抵抗にすることが可能である。すなわち、本実施形態によれば、コンタクトホール2に起因する表示品位の低下の抑制と、共通電極4の配線抵抗の低減との双方を実現することができる。ところで、行方向に隣接するコンタクトホール画素13同士の間隔図1に示した間隔Dは、共通電極4の配線抵抗の下げ幅、および、コンタクトホール画素13を配置することによる開口率の低下の許容量、ならびに、表示品位をそれぞれ鑑みて決定される。これは、1つのコンタクトホール画素13と、それに最も近接する4つのコンタクトホール画素13との距離についても同様である。本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。実施形態の総括以上のように、本発明の一態様に係る液晶表示装置においては、上記区画領域は、上記列の方向の長さが40個分の上記画素の長さであり、上記行の方向の長さが40個分の上記画素の長さである矩形領域であることが好ましい。また、本発明の一態様に係る液晶表示装置においては、上記区画領域は、上記列の方向の長さが80個分の上記画素の長さであり、上記行の方向の長さが80個分の上記画素の長さである矩形領域であることが好ましい。上記の構成によれば、コンタクトホールが適宜分散されている一定の区画領域を繰り返し配列することによって、上記のコンタクトホールが適宜分散された液晶表示装置が得られる。また、本発明の一態様に係る液晶表示装置においては、上記画素は、複数の副画素から構成されており、上記コンタクトホールは、複数の上記副画素のいずれかに形成されていることを特徴としている。上記の構成によれば、画素を構成する複数の副画素のいずれかにコンタクトホールを形成することで十分にコンタクトホールに起因する表示品位の低下の抑制と、共通電極の配線抵抗の低減との双方を実現することができる。また、本発明の一態様に係る液晶表示装置においては、上記共通電極は、透明導電体により形成されていることを特徴としている。上記の構成によれば、画素電極と重畳する共通電極は光が透過する透明導電体であるため、透過開口率が拡大し、全体的な透過率の向上に寄与することができる。また、本発明の一態様に係る液晶表示装置においては、上記第2基板には、他の上記共通電極が形成されていることを特徴としている。上記の構成によれば、第2基板側に共通電極を形成した場合、画素電極との間に垂直方向の電界を形成することができるため、液晶モードに垂直配向モードを適用することができる。発明の詳細な説明の項においてなされた具体的な実施形態または実施例は、あくまでも、本発明の技術内容を明らかにするものであって、そのような具体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきものではなく、本発明の精神と次に記載する請求の範囲内で、いろいろと変更して実施することができるものである。以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、これら実施例に限定されるものではない。上述のコンタクトホール画素コンタクトホールが形成されている画素の配置位置の2つの要件を遵守して2つの液晶表示装置を作製した。まず、1つ目の液晶表示装置においては、40画素×40画素の区画領域を繰り返し配列してなる液晶表示装置を作製した。区画領域内においては、1つのコンタクトホール画素に最も近接する4つのコンタクトホール画素によって形成される四角形の2つ対角線と、ゲートバスラインとがなす2つの角度が、それぞれ45度となるようにコンタクトホール画素を配置した。また、隣り合う2つのゲートバスラインに配置されているコンタクトホール画素同士の間隔を9画素とした。作製した液晶表示装置の開口率を15低下させたところ、表示画面上にスジ等は認められず、良好な表示品位が得られた。さらに、作製した液晶表示装置の開口率を30低下させたところ、表示画面上のスジ等はほとんど認められず、良好な表示品位が得られた。続いて、2つ目の液晶表示装置においては、80画素×80画素の区画領域を繰り返し配列してなる液晶表示装置を作製した。区画領域内においては、1つのコンタクトホール画素に最も近接する4つのコンタクトホール画素によって形成される四角形の2つの対角線と、ゲートバスラインとがなす2つの角度が、それぞれ45度と66.8度となるようにコンタクトホール画素を配置した。また、隣り合う2つのゲートバスラインに配置されているコンタクトホール画素同士の間隔を11画素とした。作製した液晶表示装置の開口率を15低下させたところ、表示画面上のスジ等はほとんど目立たず、良好な表示品位が得られた。さらに、作製した液晶表示装置の開口率を30低下させたところ、表示画面上のスジ等はほとんど目立たず、良好な表示品位が得られた。以上のように、区画領域内において、1つのコンタクトホール画素に最も近接する4つのコンタクトホール画素によって形成される四角形の2つ対角線と、ゲートバスラインとがなす2つの角度の差を30度未満とし、なおかつ、区画領域内におけるすべてのソースバスラインに1つのコンタクトホール画素を配置することによって、表示画面上のスジ等は目立たず、良好な表示品位を持つ液晶表示装置が得られる。特に、前者の液晶表示装置の方が表示画面上にスジ等がほとんど認められず、より良好な表示品位が得られたことから、上記の2つの角度をそれぞれ45度、あるいは、45度に近い角度とすることが好ましいことが分かった。