GaN自立基板を製造する方法であって、サファイア基板上にZnO膜を形成する工程と、850°C以下の温度で前記ZnO膜上にGaN膜を剥離しないように形成する低温成長工程と、その後、昇温して950°C以上の温度で、GaN膜を追加形成するとともに該GaN膜を基板から剥離させて、GaN自立基板を得る高温成長工程とを含むことを特徴とするGaN自立基板の製造方法。前記低温成長工程において、750~850°Cの温度で前記ZnO膜上にGaN膜を剥離しないように形成することを特徴とする請求項1に記載のGaN自立基板の製造方法。前記高温成長工程において、1000°C以上の温度で、前記GaN膜を追加形成するとともに該GaN膜を基板から剥離させることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のGaN自立基板の製造方法。前記ZnO膜を形成する工程において、スパッタリング法により前記サファイア基板上に前記ZnO膜を形成することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載のGaN自立基板の製造方法。前記低温成長工程及び前記高温成長工程において、HVPE法により前記GaN膜を形成することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載のGaN自立基板の製造方法。前記低温成長工程において、前記GaN膜を80μm以上の厚さまで形成することを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載のGaN自立基板の製造方法。例えば、サファイア基板上に酸化亜鉛の層を形成したものZnO/SapphireをGaNの成長基板として用いて、GaN膜の成長中にZnOがエッチングされ、基板からGaN膜が剥離リフトオフしてGaN自立基板を得ることができる方法がある特許文献1参照。しかしながら、ZnOはGaNを成長できるような高温でNH3やH2などの還元雰囲気に曝されると、厚いGaN膜が得られる前にほぼ全てがエッチングされる。この場合、成長中の薄いGaN膜が割れる等の問題が生じる。これを回避するためにZnO層を他の材料で完全に被覆し、GaN膜を成長させ、その後にウェットエッチングで剥離する方法や、GaN膜の成長中にHClの過剰供給によってZnOをエッチングする方法もある。しかしながら、ウェットエッチングによる剥離では工程が増えてしまうので、プロセス増加による歩留まりの低下が懸念される。また、GaN膜の成長中にHClの過剰供給によりZnOをガスエッチングする方法は、HClがGaNもエッチングしてしまうので、成長中のGaN膜にもダメージが及ぶ可能性がある。工程数を増やすことなく、かつGaN膜にダメージを与えることもなくGaN膜をサファイア基板から剥離することが必要である。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、厚いGaN膜を成長中に剥離させて、高品質のGaN自立基板を歩留まり良く製造することができる方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明は、GaN自立基板を製造する方法であって、サファイア基板上にZnO膜を形成する工程と、850°C以下の温度で前記ZnO膜上にGaN膜を剥離しないように形成する低温成長工程と、その後、昇温して950°C以上の温度で、GaN膜を追加形成するとともに該GaN膜を基板から剥離させて、GaN自立基板を得る高温成長工程とを含むことを特徴とするGaN自立基板の製造方法を提供する。このように、まず850°C以下の温度でGaN膜を形成することで、ZnO膜はほとんどエッチングされず、GaN膜が剥離することなく自立可能な厚さまで成長させることができる。その後、昇温して950°C以上の温度でGaN膜を追加形成すれば、十分な成長速度で、結晶性が良く、厚いGaN膜を効率的に形成することができる。そして、この高温成長工程中にZnOはエッチングされ、前段で厚くなっているGaN膜を割れが生じることなく剥離させることができるため、効率的である。以上より、割れが無く、結晶性の良い高品質のGaN自立基板を歩留まり良く製造することができる。このとき、前記低温成長工程において、750~850°Cの温度で前記ZnO膜上にGaN膜を剥離しないように形成することが好ましい。このように、750°C以上の温度であれば、GaN膜の成長速度が比較的速く、効率良く成長させることができる。このとき、前記高温成長工程において、1000°C以上の温度で、前記GaN膜を追加形成するとともに該GaN膜を基板から剥離させることが好ましい。このように、1000°C以上の温度であれば、GaN膜の成長速度が十分に速く効率良く成長でき、さらに、ZnO膜のエッチング速度も速くなり、GaN膜を確実に剥離させることができる。このとき、前記ZnO膜を形成する工程において、スパッタリング法により前記サファイア基板上に前記ZnO膜を形成することが好ましい。このように、スパッタリング法を用いれば、ZnO膜を容易に形成できるため、生産性を向上できる。このとき、前記低温成長工程及び前記高温成長工程において、HVPE法により前記GaN膜を形成することが好ましい。このように、HVPE法であればGaN膜の成長速度が速いため、GaN自立基板を生産性良く製造することができる。このとき、前記低温成長工程において、前記GaN膜を80μm以上の厚さまで形成することが好ましい。前段でGaN膜をこのような厚さまで形成することで十分な強度となるため、後段の高温成長の際に剥離させても割れの発生をより確実に防止できる。以上のように、本発明によれば、厚いGaN膜を割れないように成長中に剥離させ、結晶性の良い高品質のGaN自立基板を歩留まり良く製造することができる。従来のGaN自立基板を製造する方法として、ZnO層上に約900°CでGaN膜を成長させながら、ZnOをエッチングしてGaN膜をリフトオフ剥離し、その後、高温でGaN膜を厚く形成する方法がある。図4は従来のGaN自立基板の製造方法のフロー図である。本発明者らは、上記のような従来の製造方法を検討した結果、以下のことを見出した。図4aのようなサファイア基板上にZnO膜を形成したものを成長基板として、HVPE法によりH2とNH3の雰囲気下、900°CでGaN膜1stGaNを形成すると図4b、GaN膜が十分な膜厚まで成長する前にZnOが大きくエッチングされてしまうため、GaN膜にひびが入り図4c、最後は割れてしまう図4dことを本発明者らは見出した。成長温度900°Cでは、成長速度が100μm/hと速くても、1時間程度でZnO膜は完全にエッチングされて無くなってしまい、GaN膜が薄い段階で割れてしまう。このため、本発明者らは、一段目の低温成長時ではなく、一段目で自立可能な程度まで厚くした後の二段目の高温成長時にGaN膜の剥離を行うことを想到した。これにより、割れを防止し、かつ、GaN膜成長工程で剥離を行うことができる。そして、さらに検討した結果、一段目の低温成長時の温度を850°C以下とすることで、GaN成長時のZnOのエッチングはほとんど生じないことを見出し、また950°C以上の高温で二段目の成長を行うことで、効率的にGaN膜を厚くしながら、確実に剥離させることができることを見出して、本発明を完成させた。以下、本発明について、実施態様の一例として、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。図1は本発明のGaN自立基板の製造方法のフロー図である。本発明では、まずサファイア基板10を準備し図1a、例えばスパッタリング法によりサファイア基板10上にZnO膜11を形成する図1b。このようなZnO膜を形成する方法として、例えばMBE法を用いることも可能であるが、MBE法の装置は超高真空を必要とするものであるため、スパッタリング法の方がMBE法よりも生産性が高く、容易に成長させることができる。次に、図1cに示すように、例えばHVPE法により、金属Ga存在下、H2を1~10l/min、NH3を0.3~5l/min、HClを10~200ml/minの流量、850°C以下の温度で、ZnO膜11上にGaN膜12を剥離しないように形成する。このようなGaN膜の成長方法として、HVPE法であれば、成長速度が速いため、特に厚い膜を形成する際にも生産性を向上できるため好ましいが、他に、MOVPE法やMBE法等を用いることもできる。図2に、ZnOのエッチング速度と温度の関係を示す。なお、図2に示すZnOのエッチング速度は、基板の直径方向縮径方向の単位時間当たりの変化量である。図2に示すように、H2とNH3の雰囲気下でのZnOのエッチング速度は、850°Cを超えると急激に速くなり、ZnO膜が大きくエッチングされてしまうことが分かる。従って、850°C以下の温度でGaNを成長させることで、ZnO膜はほとんどエッチングされず、GaN膜を確実に剥離しないように形成することができる。上記本発明の温度範囲以外の温度、例えば900°CでGaN膜を剥離しないように成長させるには、ガス流量等の成長条件を非常にタイトに設定する必要があり、剥離の再現性や歩留まりに問題が生じる。従って、本発明のように、ZnOエッチング速度を温度によって制御する方法が剥離の再現性が良く、簡易である。また、このときの成長温度は750°C以上の温度が好ましい。図3に、HVPE法によるGaN成長時の成長温度と成長速度の関係を示す。図3に示すように、750°C以上の温度であれば、比較的速い10μm/h以上の成長速度とすることができる。このため、750~850°Cの温度範囲であれば、剥離を防止しながら、生産性良くGaN膜を成長させることができる。また、このような温度範囲であれば、例えば100μm以上の厚さのGaN膜を成長させた場合でも、ZnO膜はほとんどエッチングされず、剥離は生じない。このとき、ZnO膜11上に例えばバッファ層等の他の層を形成して、その上にGaN膜12を形成することもできるが、HVPE法によりZnO膜11上に直接GaN膜12を形成することが好ましい。本発明であれば、ZnO膜を他の層で被覆しなくともZnO膜のエッチングを抑制できるため、ZnO膜上に直接GaN膜を形成しても一段目の成長での剥離は生じず、このため工程を少なくでき、生産性が良くなる。一段目の低温成長において形成するGaN膜12の厚さとしては、二段目の高温での追加形成の剥離時に割れが生じない程度の厚さであればよく、80μm以上、特には100μm以上が好ましい。このような厚さであれば、後工程の剥離時にGaN膜に割れが確実に生じない。また、生産性の観点からは、200μm以下の厚さが好ましい。次に、図1d、図1eに示すように、昇温して950°C以上、特には1000°C以上の温度で、例えばHVPE法によりGaN膜12を追加形成するとともにGaN膜12を基板から剥離させ、GaN自立基板13を得る。このような950°C以上の高温であれば、GaN成長速度が速く効率的であり、さらに、ZnO膜のエッチングも露出した端面から進行してGaN膜を確実に剥離させることができる。このため、剥離のための工程を別途行う必要がなく、生産性が良い。さらに、一段目で形成したGaN膜上に追加形成により自立基板の厚さとするため、十分な厚さの基板が得られるとともにGaN膜を結晶性良く成長させることができる。また、1000°C以上の温度であれば、より効率的にGaN成長、剥離を行うことができる。以上のような本発明の製造方法であれば、結晶性の良いGaN自立基板を生産性良く製造することができる。以下、本発明を実施例、比較例を用いてさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されない。実施例直径100mmのサファイア基板上に厚さ200nmのZnO膜を有する成長基板を準備して、HVPE装置でZnO膜上にGaN膜を形成した。このGaN膜成長の工程では、まず、850°Cで80μmの厚さのGaN膜を成長させ、その後、昇温して950°Cで全体の厚さが800μmになるまでGaN膜を成長させた。この際、高温成長時にZnOがエッチングされてGaN膜が剥離して、GaN自立基板を得た。実施例では、一段目の低温成長時には剥離が生じず、高温成長時にGaN膜の剥離が生じ、得られたGaN自立基板は結晶性が良く、割れは生じていなかった。比較例直径100mmのサファイア基板上に厚さ200nmのZnO膜を有する成長基板を準備して、HVPE装置でZnO膜上にGaN膜を形成した。このGaN膜成長の工程では、まず、900°Cで80μmの厚さのGaN膜を成長させ、その後、昇温して950°Cで全体の厚さが800μmになるまでGaN膜を成長させた。この際、一段目の成長時にGaN膜の剥離が生じていた。比較例では、一段目の成長時に剥離が生じたため、GaN膜が一部割れてしまい、得られたGaN自立基板は、当該割れた部分での結晶性が著しく悪かった。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。