"表面を有する絶縁膜上に形成されたヒューズ配線と、前記ヒューズ配線の上に形成された層間絶縁層と、前記層間絶縁層の内部に位置する、前記ヒューズ配線と平面視において重ならない領域に形成された電極部とを備えており、前記ヒューズ配線の真上のうち少なくとも一部の第1の領域において、前記層間絶縁層の厚みが、前記第1の領域以外の第2の領域における前記層間絶縁層の厚みより薄くなるようにトリミング開口部が形成され、前記トリミング開口部の内側において側壁および底面の少なくとも一部を覆うアルミニウム薄膜部を備え、前記アルミニウム薄膜部は、前記側壁の少なくとも一部から、前記底面より上側において前記表面に沿う方向に連なるように形成される、半導体装置。前記アルミニウム薄膜部は、前記トリミング開口部の前記側壁および前記底面を管状に覆うように形成される、請求項1に記載の半導体装置。表面を有する絶縁膜上にヒューズ配線を形成する工程と、前記ヒューズ配線を覆うように第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上のうち、前記ヒューズ配線と平面視において重ならない領域に配線部を形成する工程と、前記配線部を覆うように、前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記ヒューズ配線の真上のうち少なくとも一部の前記第2の絶縁膜と、前記配線部の真上のうち一部の前記第2の絶縁膜とを同時にエッチングすることにより除去し、凹部を形成する工程と、前記ヒューズ配線の真上の、トリミング開口部を構成する前記凹部を覆うアルミニウム薄膜を形成することにより、前記凹部の内側において側壁および底面の少なくとも一部を覆うアルミニウム薄膜部を形成する工程とを備え、前記アルミニウム薄膜部は、前記側壁の少なくとも一部から、前記底面より上側において前記表面に沿う方向に連なるように形成される、半導体装置の製造方法。前記第2の絶縁膜上のうち前記ヒューズ配線と平面視において重ならない領域に形成される電極部上から前記ヒューズ配線上に位置する領域にまで前記表面に沿って延在するように、前記第1の絶縁膜とのエッチング選択比の高い材質からなるパッシベーション膜を形成する工程と、前記トリミング開口部を構成する前記凹部の内部に形成される前記パッシベーション膜と、前記電極部上の前記パッシベーション膜とを同時にエッチングすることにより除去する工程とをさらに有している、請求項3に記載の半導体装置の製造方法。トリミングヒューズが形成された多層配線構造の半導体装置においては、トリミングヒューズの上の絶縁膜は、レーザトリミングするために適正な厚みとする必要があり、トリミングヒューズ上の絶縁膜の一部がエッチングされ開口部が形成される。特開2003-264230号公報、特開2001-135792号公報および特開2001-176976号公報のいずれに開示される半導体装置も、当該開口部の側面がほとんど露出した状態となっている。この場合、当該開口部からトリミングヒューズに水分が進入し、当該多層配線構造の耐湿性が劣化する可能性がある。また、当該開口部が薄膜で覆われずに露出していれば、開口部の側面が薄膜からの保護を受けないため、その形状が崩れるように変化するなど不安定になる可能性がある。開口部の形状が変化すれば、たとえばトリミングヒューズ上の絶縁膜の厚みが変化し、レーザ照射するために適正な厚みとの誤差が大きくなるなど、当該半導体装置の信頼性が劣化する可能性がある。本発明は、上記の問題に鑑みなされたものである。その目的は、トリミングヒューズの上の絶縁膜が、トリミングヒューズの機能を高めるために適正な状態を維持することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供することである。本発明の一実施例による半導体装置は以下の構成を備えている。上記半導体装置は、表面を有する絶縁膜上に形成されたヒューズ配線と、ヒューズ配線の上に形成された層間絶縁層と、層間絶縁層の内部に位置する、ヒューズ配線と平面視において重ならない領域に形成された電極部とを備えている。上記ヒューズ配線の真上のうち少なくとも一部の第1の領域において、層間絶縁層の厚みが、第1の領域以外の第2の領域における層間絶縁層の厚みより薄くなるようにトリミング開口部が形成される。上記トリミング開口部の内側において側壁および底面の少なくとも一部を覆うアルミニウム薄膜部を備える。上記アルミニウム薄膜部は、側壁の少なくとも一部から、底面より上側において表面に沿う方向に連なるように形成される。本発明の他の実施例による半導体装置の製造方法は以下の工程を備えている。まず表面を有する絶縁膜上にヒューズ配線が形成される。上記ヒューズ配線を覆うように第1の絶縁膜が形成される。上記第1の絶縁膜上のうち、ヒューズ配線と平面視において重ならない領域に配線部が形成される。上記配線部を覆うように、第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜が形成される。上記ヒューズ配線の真上のうち少なくとも一部の第2の絶縁膜と、配線部の真上のうち一部の第2の絶縁膜とを同時にエッチングすることにより除去し、凹部が形成される。上記ヒューズ配線の真上の、トリミング開口部を構成する凹部を覆うアルミニウム薄膜を形成することにより、凹部の内側において側壁および底面の少なくとも一部を覆うアルミニウム薄膜部が形成される。上記アルミニウム薄膜部は、側壁の少なくとも一部から、底面より上側において表面に沿う方向に連なるように形成される。本実施例によれば、トリミング開口部の側壁および底面の少なくとも一部がアルミニウム薄膜部で覆われ、かつアルミニウム薄膜部はトリミング開口部の最上部から、絶縁膜の表面に沿う方向に連なるように延びる。このためトリミング開口部の側壁等がアルミニウム薄膜部により保護され、ヒューズ配線に対する耐湿性が向上する。またトリミング開口部の形状を安定化することができる。本実施例の製造方法によれば、ヒューズ配線上の絶縁膜の厚みを高精度に制御しながら、トリミング開口部を構成する凹部を形成することができる。また、トリミング開口部の側壁および底面の少なくとも一部等を覆うアルミニウム薄膜部により、トリミング開口部の側壁等が保護され、ヒューズ配線に対する耐湿性が向上する。さらにトリミング開口部の形状を安定化することができる。以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。実施の形態1図1および図2を参照して、本実施の形態の多層配線構造を有する半導体装置は、たとえばシリコンの単結晶からなる半導体基板SUBの一方の主表面上に形成されている。半導体基板SUBの一方の主表面上には、素子分離絶縁層III絶縁膜が形成されている。素子分離絶縁層IIIは、隣接する素子領域同士を電気的に絶縁するように分離するために形成される絶縁膜であり、たとえばシリコン酸化膜からなる。図1および図2は、半導体基板SUBの主表面上のうち、素子分離絶縁層III上の領域について示している。素子分離絶縁層III上の領域は、ヒューズ領域と、配線領域と、パッド領域とを有しており、これらの領域は素子分離絶縁層IIIの表面に沿う方向に延在している。ヒューズ領域における素子分離絶縁層IIIの表面上には、トリミングヒューズF1ヒューズ配線が形成されている。トリミングヒューズF1はたとえば多結晶シリコン薄膜からなる配線であり、図1の上下方向、図2の紙面奥行き方向に延在する。トリミングヒューズF1は、上方からレーザ光を照射して切断することにより、不良部分を正常に機能する回路から切り離して電気的に非導通にすることにより、装置全体の機能や歩留まりを向上するために用いられる。トリミングヒューズF1の上面を覆うように、素子分離絶縁層III上には層間絶縁層が形成されている。層間絶縁層は、絶縁膜II1第1の絶縁膜と絶縁膜II2第2の絶縁膜と、パッシベーション膜PIとがこの順に積層された構成である。絶縁膜II1,II2はたとえばシリコン酸化膜からなり、パッシベーション膜PIは絶縁膜II1,II2とのエッチング選択比の高い材質の薄膜であるたとえばシリコン窒化膜からなることが好ましい。ここでパッシベーション膜PIと絶縁膜II1,II2とのエッチング選択比が高いとは、同一のエッチング材料を用いて同様にエッチングした場合に、パッシベーション膜PIと絶縁膜II1,II2とのエッチング速度が、両者を構成する材料の違いにより大きく異なることを意味する。具体的には、たとえばパッシベーション膜PIと絶縁膜II1,II2とのエッチング速度の比が2以上であることをいう。配線領域においては、絶縁膜II1上に配線部L1が形成されている。配線部L1は、たとえばアルミニウムの薄膜からなり、形成された素子同士を電気的に接続する配線である。配線部L1は、図1の上下方向、図2の紙面奥行き方向に延在する。配線部L1は、ヒューズ配線と平面視において重ならない領域に形成されればよく、配線部L1はパッド領域に形成されてもよい。トリミングヒューズF1と平面視において重ならないように、パッド領域においては、たとえば絶縁膜II2の一部の領域の上にパッド電極PD電極部が形成されている。パッド電極PDは、たとえばアルミニウムの薄膜からなり、パッシベーション膜PIを含む層間絶縁層の内部に位置する。しかしパッド電極PDの表面の少なくとも一部は、絶縁膜II2を覆うように形成されるパッシベーション膜PIの表面に形成されたパッド開口部PDCにより露出している。これはパッド電極PDは、図示されない素子と外部回路とを電気的に接続するためのワイヤボンディングに用いられるためである。すなわちパッド電極PDの表面上にはたとえばボンディングワイヤが接合される。トリミングヒューズF1の真上のうち少なくとも一部の領域第1の領域においては、絶縁膜II1が配置されるが、絶縁膜II2およびパッシベーション膜PIはレーザトリミング開口部LTCトリミング開口部から除去されている。したがってレーザトリミング開口部LTCが形成される領域第1の領域においては、レーザトリミング開口部LTCの深さ分だけ、他の領域第2の領域に比べて層間絶縁層全体の厚みが薄くなっている。トリミングヒューズF1の真上の層間絶縁層全体の厚みは、層間絶縁層の上方から層間絶縁層を透過させてトリミングヒューズF1にレーザ光を照射するために最適な厚みである。配線部L1上の一部の領域においては、配線部L1と、より上部の層の配線等とを、電気的に接続するための開口部としてのビアV1が形成されることがある。図2においては、左側の配線部L1上に、絶縁膜II2を貫通して配線部L1に達するようにビアV1が形成されている。ヒューズ領域における絶縁膜II2のうち、レーザトリミング開口部LTCと平面視において重なる領域には、開口部C1が形成されており、開口部C1はレーザトリミング開口部LTCの一部を構成する。なお窪み部V2は、ビアV1が形成される領域において絶縁膜II2が形成されない分だけ積層構造全体の厚みが薄くなるためにパッシベーション膜PIの最上面が低くなった領域である。図2において左側の配線部L1は、ビアV1を介在してその上側の導電性の薄膜と図示の位置では電気的に接続されていない。しかしたとえば紙面の奥行き方向に延在する他の領域において、配線部L1と他の導電膜とが電気的に接続されている。図2における右側の配線部L1も同様に、その上面が絶縁膜II2に覆われているが、たとえば紙面の奥行き方向に延在する他の領域において、配線部L2と他の導電膜とが電気的に接続されている。レーザトリミング開口部LTCの内側には側壁アルミニウム薄膜部SALアルミニウム薄膜部が形成されている。側壁アルミニウム薄膜部SALは、レーザトリミング開口部LTCの内側において、レーザトリミング開口部LTCの側壁および底面の少なくとも一部を覆うように形成されている、アルミニウムの薄膜である。図2においては側壁アルミニウム薄膜部SALは、レーザトリミング開口部LTCの底面半導体基板SUBに最も近い面である絶縁膜II1上の端部と、特に絶縁膜II2におけるレーザトリミング開口部LTCの側壁と、絶縁膜II2の上側の表面上の一部の領域とを覆うように形成されている。上記の各領域における当該側壁アルミニウム薄膜部SALが連なって一体となるように形成されている。すなわち側壁アルミニウム薄膜部SALは、たとえばレーザトリミング開口部LTCの側壁と底面とを管状に覆うように形成されることが好ましい。ここで管状とは、レーザトリミング開口部LTCの底面のうち端部以外の領域を空孔とし、レーザトリミング開口部LTCの側壁が図2の上下方向薄膜の厚み方向に延在する部分を管の延在する方向と考えた形状を意味する。言い換えれば側壁アルミニウム薄膜部SALは、矩形状のレーザトリミング開口部LTCの側壁および上面、底面の一部を、互いに連なって一体となるように覆う形状であるともいえる。ただし側壁アルミニウム薄膜部SALは、その一部の領域において不連続となるようにレーザトリミング開口部LTCの側壁および上面、底面の一部を覆わないように一部の領域のみにおいて形成されていてもよい。その場合、本実施の形態においては、特にたとえば絶縁膜II2とパッシベーション膜PIとの境界部など、異なる材料からなる2つの領域の境界部を覆うように側壁アルミニウム薄膜部SALが形成されることが好ましい。したがってトリミングヒューズF1の真上の少なくとも一部の領域においては、平面視においてたとえば絶縁膜II1が露出された露出部EPPを形成している。露出部EPPからレーザ光が、絶縁膜II1を透過してトリミングヒューズF1に達するように照射される。この露出部EPPは絶縁膜II1,II2などの厚みに応じてたとえば絶縁膜II1が非常に薄い場合は絶縁膜II1上の絶縁膜II2を露出するように形成されてもよい。側壁アルミニウム薄膜部SALは、たとえばレーザトリミング開口部LTCの内側の側壁のほぼ全体、および内側の底面露出部EPPを除くレーザトリミング開口部LTCの底面上を覆い、これらの各領域が連なって一体となるように形成されてもよい。すなわち側壁アルミニウム薄膜部SALは、絶縁膜II2およびパッシベーション膜PIにおけるレーザトリミング開口部LTCの側壁のほぼ全体を覆うように形成されてもよい。また側壁アルミニウム薄膜部SALは、絶縁膜II2およびパッシベーション膜PIにおけるレーザトリミング開口部LTCの側壁のほぼ全体に加えてさらにパッシベーション膜PIの上面上の一部の領域を覆い、これらの各領域が連なって一体となるように形成されてもよい。配線領域のビアV1の内側にも、レーザトリミング開口部LTCの内側と同様の態様を有する側壁アルミニウム薄膜部SALが形成されている。この側壁アルミニウム薄膜部SALは、絶縁膜II2におけるレーザトリミング開口部LTCの内側の側壁および底面のほぼ全体、および絶縁膜II2の上側の表面上の一部の領域を覆うように形成され、これらの各領域が連なって一体となるように形成されている。ここでビアV1の内側の底面においては、配線部L1の上面を覆うように側壁アルミニウム薄膜部SALが形成されてもよい。次に、図3~図10を参照しながら、図1および図2に示す本実施の形態の半導体装置の製造方法について説明する。図3を参照して、半導体基板SUBの一方上側の主表面に、一般公知の方法により素子分離絶縁層IIIを形成する。素子分離絶縁層IIIをヒューズ領域、配線領域およびパッド領域に分けたうちのヒューズ領域においては、素子分離絶縁層IIIの上にトリミングヒューズF1が形成される。次に、トリミングヒューズF1の上面上を覆うように、素子分離絶縁層III上に、層間絶縁層の一部をなす絶縁膜II1が形成される。絶縁膜II1は、特にトリミングヒューズF1の真上において、上方から照射されるレーザ光によりトリミングヒューズF1を容易に切断することができ、かつ絶縁膜II1を介して水分がトリミングヒューズF1に進入することを抑制することができる厚みを有することが好ましい。具体的には、たとえば当該厚みは500nm以上1000nm以下であることが好ましい。配線領域およびパッド領域における絶縁膜II1上の一部の領域には、アルミニウム配線としての配線部L1が形成される。次に、配線部L1の上面上を覆うように、絶縁膜II1上に、層間絶縁層の一部をなす絶縁膜II2が形成される。図4を参照して、通常の写真製版技術により、絶縁膜II2上にフォトレジストPHRのパターンが形成される。フォトレジストPHRは、トリミングヒューズF1の真上と配線部L1の真上との双方においてフォトレジスト開口部P1,P2が同時に形成されるようにパターニングされることが好ましい。図5を参照して、通常のエッチング技術により、フォトレジストPHRのパターンに従い、絶縁膜II2がエッチング除去される。ここではフォトレジスト開口部P1の真下の絶縁膜II2とフォトレジスト開口部P2の真下の絶縁膜II2とが同時にエッチングされる。このエッチングは、たとえばフォトレジスト開口部P2の真下の絶縁膜II2が、絶縁膜II1の最上面に達したところで終了するように、エッチング深さを調整しながら行なわれることが好ましい。ただしトリミングヒューズF1の真上に形成される絶縁膜II1および絶縁膜II2の厚みに応じてたとえば絶縁膜II1が非常に薄い場合はトリミングヒューズF1の真上の絶縁膜II1上の絶縁膜II2の一部が残るようにエッチングされてもよい。同様に、配線部L1上の絶縁膜II2についても、絶縁膜II2の厚みに応じて、エッチングされる深さが適宜変更されてもよい。以上のエッチングにより、フォトレジスト開口部P1の真下には絶縁膜II2の開口部としてのビアV1が、フォトレジスト開口部P2の真下には絶縁膜II2の開口部C1が、同時にそれぞれ形成される。その後フォトレジストPHRを除去することにより、2つの凹部としてのビアV1および開口部C1が、絶縁膜II1の表面に同時に形成される。図6を参照して、図5の工程でエッチングされた絶縁膜II2の上面の全体を覆うように、アルミニウム薄膜ALが形成される。このアルミニウム薄膜ALは、ビアV1および開口部C1の内側の表面側壁および底面を覆うように形成される。図7を参照して、通常の写真製版技術により、アルミニウム薄膜ALをパターニングするためのフォトレジストPHRのパターンが形成される。図8を参照して、通常のエッチング技術により、アルミニウム薄膜ALがパターニングされる。その結果、配線領域のビアV1においては、その側壁および底面のほぼ全体、および絶縁膜II2の表面上の一部に側壁アルミニウム薄膜部SALが、上記各領域において連なるように一体として形成される。またヒューズ領域の開口部C1においては、図8に示すようにたとえば管状額縁状となるように、側壁アルミニウム薄膜部SALが形成される。また図7のフォトレジストPHRのパターンによれば、パッド領域の一部において、アルミニウム薄膜ALのパターニングにより、絶縁膜II2上にパッド電極PDが形成される。図8の工程においては、ビアV1および開口部C1の側壁アルミニウム薄膜部SAL、ならびにパッド電極PDが、いずれもアルミニウム薄膜ALのパターニングにより、同時に形成される。図9を参照して、図8の工程で形成される上面ヒューズ領域、配線領域およびパッド領域のほぼ全体を覆い、ビアV1および開口部C1の内部を充填するように、層間絶縁層の一部をなすパッシベーション膜PIが形成される。図10を参照して、通常の写真製版技術により、パッシベーション膜PIをパターニングするためのフォトレジストPHRのパターンが形成される。フォトレジストPHRは、トリミングヒューズF1の真上とパッド電極PDの真上との双方においてフォトレジスト開口部P3,P4が同時に形成されるようにパターニングされることが好ましい。その後、通常のエッチング技術により、パッシベーション膜PIがパターニングされる。ここで、フォトレジスト開口部P3の真下のパッシベーション膜PIと、フォトレジスト開口部P4の真下のパッシベーション膜PIとは同時にエッチングされる。その結果、フォトレジスト開口部P3の真下のヒューズ領域の開口部C1においては、図2に示すように開口部C1の内部に充填されるパッシベーション膜PIが除去される。パッシベーション膜PIとその下の絶縁膜II1とのエッチング選択比が高いため、フォトレジスト開口部P3の真下の開口部C1内のパッシベーション膜PIがすべて除去されたところでエッチングは終了する。すなわちパッシベーション膜PIの下面に接するたとえば絶縁膜II1がエッチングのストッパ膜として機能する。またパッシベーション膜PIは、トリミングヒューズF1の真上に形成される側壁アルミニウム薄膜部SALが、パッシベーション膜PIのエッチングによりエッチングされない条件でエッチングされることが好ましい。以上により、トリミングヒューズF1上にはレーザトリミング開口部LTCが形成される。一方、フォトレジスト開口部P4の真下においては、パッシベーション膜PIが、パッド電極PDの最上面に達するようにエッチングされる。ここでもパッド電極PD上のパッシベーション膜PIの厚みに応じて、エッチングされる深さが適宜変更されてもよい。以上のエッチング処理により、ヒューズ領域にはレーザトリミング開口部LTCが、パッド領域にはパッド開口部PDCが、同時に形成される。次に、比較例の半導体装置の製造方法を示す図11~図12を参照しながら、本実施の形態の作用効果について説明する。図11を参照して、比較例においては、先にパッド電極PDの真上のパッシベーション膜PIが除去され、パッド開口部PDCが形成された状態で、トリミングヒューズF1の真上のパッシベーション膜PIなどをエッチングするためのフォトレジストPHRのパターンが形成される。図12を参照して、図11の工程で形成されたフォトレジスト開口部P5を用いて、通常のエッチング技術により、トリミングヒューズF1の真上のうち少なくとも一部の領域におけるパッシベーション膜PIおよび絶縁膜II2が同時に除去され、本実施の形態と同様にレーザトリミング開口部LTCが形成される。図11~図12に示す構成は、図2~図10に示す実施の形態1の構成と比較して、以上の点において異なっており、他の点においては図2~図10に示す実施の形態1の構成と同様であるため、同一の要素については同一の符号を付しその説明を繰り返さない。比較例においては、パッド開口部PDCの形成とレーザトリミング開口部LTCの形成とが別工程であるため、両者の形成用のフォトマスクが別々に必要となる。また両者を別工程として処理するため処理時間を費やし、コスト高になる可能性がある。また比較例においては、パッド電極PDよりも上部の層間絶縁層全体の厚みと、トリミングヒューズF1よりも上部の層間絶縁層全体の厚みとが異なる。このためトリミングヒューズF1上の層間絶縁層を、レーザトリミング開口部LTCを形成するためにエッチングする深さの制御が困難である。しかし本実施の形態においては、パッド開口部PDCを形成するためのパッシベーション膜PIのエッチングと、レーザトリミング開口部LTCを形成するためのパッシベーション膜PIのエッチングとが同一工程としてなされる。このため単一のフォトマスクを用いて上記双方のエッチング処理を同時に行なうことができる。このため、上記処理時間を削減し、かつフォトマスクの製造費に起因するコストを削減することができる。さらに本実施の形態においては、ビアV1を形成するための絶縁膜II2のエッチングと、開口部C1を形成するための絶縁膜II2のエッチングとが同一工程としてなされる。このため単一のフォトマスクを用いて上記双方のエッチング処理を同時に行なうことができる。このため、上記処理時間を削減し、かつフォトマスクの製造費に起因するコストを削減することができる。また本実施の形態においては、たとえば図10において、トリミングヒューズF1の真上に形成されるパッシベーション膜PIと、パッド電極PDの真上に形成されるパッシベーション膜PIとの厚みがほぼ等しい。このため、たとえばトリミングヒューズF1の真上において、絶縁膜II1の最上面で終わるようにパッシベーション膜PIをエッチングする場合、パッド電極PDの真上のパッシベーション膜PIのエッチングがパッド電極PDの最上面に達することを目安に、エッチングの深さを高精度に制御することができる。さらに、パッシベーション膜PIと絶縁膜II1,II2とのエッチング選択比を高く設計することにより、絶縁膜II1上のパッシベーション膜PIをエッチングする際に、絶縁膜II1をストッパ膜として機能させる効果をいっそう高めることができる。このことは図4~図5に示す、絶縁膜II2のビアV1と開口部C1とを同時に形成するエッチング処理についても同様である。配線部L1の上に形成される絶縁膜II2と、トリミングヒューズF1の上に形成される絶縁膜II2との厚みがほぼ等しい。このため、たとえばトリミングヒューズF1の真上において、絶縁膜II1の最上面で終わるように絶縁膜II2をエッチングする場合、パッド電極PDの真上の絶縁膜II2のエッチングがパッド電極PDの最上面に達することを目安に、エッチングの深さをより高精度に制御することができる。上記手法によりエッチング後にトリミングヒューズF1の上に残存する層間絶縁層絶縁膜II1などの厚みの総和を高精度に制御できれば、形成される半導体装置のトリミングヒューズF1への水分の進入を抑制することができ、かつ開口部LTCを介したトリミングヒューズF1へのレーザ光の照射をより容易に行なうことができる。したがって当該半導体装置の信頼性を向上することができる。また本実施の形態においては、図6の工程において形成されるアルミニウム薄膜ALを用いて、ビアV1と開口部C1との双方の側壁アルミニウム薄膜部SALが、単一の工程により同時に形成される。このことからも、処理時間を削減し、かつフォトマスクの製造費に起因するコストを削減することができる。さらに上記の製造方法においては、ビアV1と開口部C1との側壁アルミニウム薄膜部SALとパッド電極PDとが単一の工程により同時に形成されるため、処理時間およびコストをいっそう削減することができる。さらに、本実施の形態においては、レーザトリミング開口部LTCの内側において側壁等の少なくとも一部が側壁アルミニウム薄膜部SALにより保護される。このため側壁アルミニウム薄膜部SALが、絶縁膜II1の下部のトリミングヒューズF1に対する耐湿性を向上させる。またレーザトリミング開口部LTCの形状が経時的に変化し、そのことに起因してレーザトリミング開口部LTCの真下のトリミングヒューズF1上の絶縁膜II1の厚みが変化し、当該半導体装置の電気的特性が劣化するなどの不具合を抑制することができる。この効果は、たとえば側壁アルミニウム薄膜部SALが管状額縁状の形状を有するなど、全体に連続しており一体となった形状を有する場合により高まる。実施の形態2本実施の形態は、実施の形態1と比較して、層間絶縁層を構成する絶縁膜が1層増加している点において異なっている。以下、本実施の形態について図に基づいて説明する。図13を参照して、本実施の形態の多層配線構造を有する半導体装置は、層間絶縁層として、絶縁膜II1,II2、パッシベーション膜PIに加えて絶縁膜II3を有している。絶縁膜II3は絶縁膜II1,II2と同様に、たとえばシリコン酸化膜からなることが好ましい。絶縁膜II2の上には、配線部L1と平面視においてほぼ重なるように、配線部L2が形成されている。また絶縁膜II3の上には、たとえば配線部L1,L2と平面視においてほぼ重なるように、配線部L3が形成されてもよい。ヒューズ領域においては、レーザトリミング開口部LTCが、トリミングヒューズF1上のパッシベーション膜PI、絶縁膜II3,II2を除去するように形成される。レーザトリミング開口部LTCの側壁アルミニウム薄膜部SALは、レーザトリミング開口部LTCの底面である絶縁膜II1上の端部と、特に絶縁膜II2,II3におけるレーザトリミング開口部LTCの側壁と、絶縁膜II3の上側の表面上の一部の領域とを覆うように形成されている。上記の各領域における当該側壁アルミニウム薄膜部SALが連なって一体となるように形成されている。図13の配線領域においては、配線部L1と配線部L2とが、プラグPLにより電気的に接続されている。プラグPLは金属層MTLの側面および底面がバリアメタルBRLで覆われた構成を有している。金属層MTLはたとえばタングステンなどの金属材料により形成されることが好ましい。パッド開口部PDCは、絶縁膜II3およびパッシベーション膜PIの開口部として形成されている。パッド領域の配線部L2上およびパッド電極PD上の側壁アルミニウム薄膜部SALは、いずれも、絶縁膜II3における開口部の内側の側壁および底面のほぼ全体、および絶縁膜II3の上側の表面上の一部の領域を覆うように形成され、これらの各領域が連なって一体となるように形成されている。ここで当該開口部の内側の底面においては、配線部L2の上面を覆うように側壁アルミニウム薄膜部SALが形成されてもよい。図13に示す本実施の形態の構成は、図2に示す実施の形態1の構成と比較して、以上の点において異なっており、他の点においては図2に示す実施の形態1の構成と同様であるため、同一の要素については同一の符号を付しその説明を繰り返さない。次に、図14~図21を参照しながら、図13に示す本実施の形態の半導体装置の製造方法について説明する。図14を参照して、実施の形態1の図3の工程と同様の処理がなされた後、配線領域およびパッド領域における絶縁膜II2上の一部の領域には、アルミニウム配線としての配線部L2およびパッド電極PDが形成される。次に、配線部L2およびパッド電極PDの上面上を覆うように、絶縁膜II2上に、層間絶縁層の一部をなす絶縁膜II3が形成される。また、配線部L1と配線部L2とを電気的に接続するプラグPLが形成されてもよい。図15を参照して、通常の写真製版技術により、絶縁膜II2上にフォトレジストPHRのパターンが形成される。フォトレジストPHRは、トリミングヒューズF1の真上と配線部L1の真上との双方においてフォトレジスト開口部P6,P7,P8が同時に形成されるようにパターニングされることが好ましい。図16を参照して、通常のエッチング技術により、フォトレジストPHRのパターンに従い、絶縁膜II3がエッチング除去される。ここではフォトレジスト開口部P6の真下の絶縁膜II3とフォトレジスト開口部P7,P8の真下の絶縁膜II3とが同時にエッチングされる。ここでフォトレジスト開口部P6の真下の絶縁膜II3に続いて、その真下の絶縁膜II2がエッチングされ、たとえば絶縁膜II1の最上面に達したところで終了するように、エッチング深さを調整しながら行なわれることが好ましい。その他のエッチングの条件は、図5の工程と同様に設定されることが好ましい。以上のエッチングにより、フォトレジスト開口部P7,P8の真下には絶縁膜II3の開口部としてのビアV3およびパッド開口部PD1が、フォトレジスト開口部P6の真下には絶縁膜II2,II3の開口部C2が、同時にそれぞれ形成される。その後フォトレジストPHRを除去することにより、3つの凹部としての開口部C2、ビアV3およびパッド開口部PD1が、絶縁膜II2の表面に形成される。すなわちここでは、ヒューズ配線の真上の凹部開口部C2と配線部L2の真上の凹部ビアV3に加えて、パッド電極PDの真上の凹部パッド開口部PD1をすべて同時にエッチング形成する。図17を参照して、図6の工程と同様に、アルミニウム薄膜ALが形成される。このアルミニウム薄膜ALは、開口部C2、ビアV3およびパッド開口部PD1の内側の表面側壁および底面を覆うように形成される。図18を参照して、図7の工程と同様に、フォトレジストPHRのパターンが形成される。図19を参照して、図8の工程と同様にアルミニウム薄膜ALがパターニングされる。その結果、開口部C2、ビアV3およびパッド開口部PD1のそれぞれにおいて、側壁アルミニウム薄膜部SALが形成される。開口部C2における側壁アルミニウム薄膜部SALは、開口部C2の底面の端部を覆うように管状額縁状となるように形成されることが好ましい。これに対してビアV3およびパッド開口部PD1における側壁アルミニウム薄膜部SALは配線部L2およびパッド電極PDの表面のほぼ全体を覆うようにビアV3およびパッド開口部PD1の底面のほぼ全体を覆うように形成されてもよい。図20を参照して、図19の工程で形成される上面ヒューズ領域、配線領域およびパッド領域のほぼ全体を覆い、開口部C2、ビアV3およびパッド開口部PD1の内部を充填するように、層間絶縁層の一部をなすパッシベーション膜PIが形成される。図21を参照して、図10の工程と同様に、フォトレジストPHRのパターンが形成される。このときトリミングヒューズF1の真上とパッド電極PDの真上との双方においてフォトレジスト開口部P9,P10が同時に形成されるようにパターニングされることが好ましい。その後、実施の形態1における図10の工程の後に行なわれる工程と同様の条件により、パッシベーション膜PIがパターニングされる。ここで、フォトレジスト開口部P9の真下のパッシベーション膜PIと、フォトレジスト開口部P10の真下のパッシベーション膜PIとは同時にエッチングされる。その結果、図13に示すようにパッシベーション膜PIの一部が除去され、ヒューズ領域にはレーザトリミング開口部LTCが、パッド領域にはパッド開口部PDCが、同時に形成される。次に、本実施の形態の作用効果について説明する。本実施の形態においては、基本的に実施の形態1と同様の作用効果を有する。ただし本実施の形態においては、実施の形態1と比較して層間絶縁層を構成する絶縁膜II3が追加される。この場合、図16の工程においてトリミングヒューズF1の真上の開口部C2を形成するための層間絶縁層のエッチング深さと、ビアV3などを形成するための当該エッチング深さとが異なる。しかしこの場合においても、トリミングヒューズF1の真上において開口部C2を形成するためのエッチングを終了するタイミングを精密に制御すれば、トリミングヒューズF1上の絶縁膜II1の厚みが精密に制御された、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。開口部C2を形成するためにエッチングされる絶縁膜と、トリミングヒューズF1の真上に残す絶縁膜II1などとのエッチング選択比が高い場合、上記厚みがより容易に制御される。またビアV3,パッド開口部PD1を形成するためにエッチングされる絶縁膜II3と、配線部L2,パッド電極PDを構成するアルミニウムとのエッチング選択比をより高くすることが好ましい。このようにすれば、開口部C2と同時にエッチングによりビアV3,パッド開口部PD1が形成される際の配線部L2,パッド電極PDのエッチングを抑制できる。本発明の実施の形態2は、以上に述べた各点についてのみ、本発明の実施の形態1と異なる。すなわち、本発明の実施の形態2について、上述しなかった構成や条件、手順や効果などは、全て本発明の実施の形態1に準ずる。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"