"センサーMOSFETと、前記センサーMOSFETに直列接続され、前記センサーMOSFETを定電流駆動させるための定電流源を構成する電流源MOSFETを備え、前記センサーMOSFETと前記電流源MOSFETの間の端子がセンサー出力端子を構成し、前記センサーMOSFETは断熱構造体上に配置され、前記電流源MOSFETは前記断熱構造体の外部に配置されており、前記センサーMOSFET及び前記電流源MOSFETは同じ導電型のMOSFETからなり、かつサブスレッショルド領域で動作される赤外線センサー。前記センサーMOSFETは複数段直列に接続されている請求項1に記載の赤外線センサー。前記センサーMOSFETはゲートとドレインが短絡され、前記電流源MOSFETはゲートとソースが短絡されており、前記センサーMOSFETと前記電流源MOSFETでゲート-ソース間電圧が同一である場合に前記センサーMOSFETのサブスレッショルド領域電流が前記電流源MOSFETのサブスレッショルド領域電流よりも小さくなるように設定されている請求項1又は2に記載の赤外線センサー。前記電流源MOSFETと前記センサーMOSFETは同一構造のペアトランジスタである請求項3に記載の赤外線センサー。前記電流源MOSFETと前記センサーMOSFETはチャネル不純物濃度以外が同一構造のトランジスタである請求項3に記載の赤外線センサー。前記電流源MOSFETと前記センサーMOSFETはゲート不純物濃度以外が同一構造のトランジスタである請求項3に記載の赤外線センサー。前記センサーMOSFET及び前記電流源MOSFETはN型であり、前記定電流源は、前記断熱構造体の外部に配置され、サブスレッショルド領域で前記電流源MOSFETが流す電流以上の電流を流すことができるN型の第2電流源MOSFETをさらに備え、前記第2電流源MOSFETは、前記電流源MOSFETの電源側に直列に接続され、ゲートとソースが短絡され、かつバックゲートが前記センサー出力端子に接続されている請求項3から6のいずれか一項に記載の赤外線センサー。前記センサーMOSFET及び前記電流源MOSFETはP型であり、前記定電流源は前記断熱構造体の外部に配置され、サブスレッショルド領域で前記電流源MOSFETが流す電流以上の電流を流すことができるP型の第3電流源MOSFETをさらに備え、前記第3電流源MOSFETは、前記電流源MOSFETと前記センサーMOSFETの間に直列に接続され、ゲートとソースが短絡され、かつバックゲートが前記電流源MOSFETの電源側の端子に接続されている請求項3から6のいずれか一項に記載の赤外線センサー。請求項1から8のいずれか一項に記載の赤外線センサーがアレイ状に配置され、画素選択を行なうための複数のスイッチを有し、前記定電流源は、アレイ状に配置された前記センサー用MOSFETに対して、同じ行又は列に配列された複数の前記センサー用MOSFETごとに設けられていることを特徴とする赤外線アレイセンサー。本発明は、周囲温度が変化した場合でも、ペルチェ素子等の電気的な冷却素子を使用することなく、熱型赤外線センサーの出力電圧のDCレベル変化を小さくすることを目的とする。本発明にかかる赤外線センサーは、センサーMOSFETと、上記センサーMOSFETに直列接続され、上記センサーMOSFETを定電流駆動させるための定電流源を構成する電流源MOSFETを備え、上記センサーMOSFETと上記電流源MOSFETの間の端子がセンサー出力端子を構成している。上記センサーMOSFETは断熱構造体上に配置され、上記電流源MOSFETは上記断熱構造体の外部に配置されている。上記センサーMOSFET及び上記電流源MOSFETは同じ導電型のMOSFETからなり、かつサブスレッショルド領域で動作される。周囲温度が変化した場合、本発明の赤外線センサー全体の温度が変化する。センサーMOSFETと電流源MOSFET2は同じ導電型のMOSFETで形成されているので、温度変化に対して両MOSFETの特性がほぼ等しく変化する。一方、赤外線が入射した場合には、断熱構造体部分のみに温度変化が生じるため、断熱構造体上に形成されたセンサーMOSFETのみの特性が変化し、赤外線を検知することが可能である。本発明にかかる赤外線センサーにおいて、上記センサーMOSFETは複数段直列に接続されているようにしてもよい。また、上記センサーMOSFETはゲートとドレインが短絡され、上記電流源MOSFETはゲートとソースが短絡されているようにしてもよい。この態様において、上記センサーMOSFETと上記電流源MOSFETでゲート-ソース間電圧が同一である場合に上記センサーMOSFETのサブスレッショルド領域電流が上記電流源MOSFETのサブスレッショルド領域電流よりも小さくなるように設定される。上記センサーMOSFETはゲートとドレインが短絡され、上記電流源MOSFETはゲートとソースが短絡されている態様において、上記電流源MOSFETと上記センサーMOSFETは、同一構造のペアトランジスタであるか、チャネル不純物濃度以外が同一構造のトランジスタであるか、ゲート不純物濃度以外が同一構造のトランジスタである例を挙げることができる。ただし、本発明において、電流源MOSFETとセンサーMOSFETの構造はこれらの例に限定されない。本発明の赤外線センサーにおいて、上記定電流源は、上記断熱構造体の外部に配置され、サブスレッショルド領域で上記電流源MOSFETが流す電流以上の電流を流すことができるN型の第2電流源MOSFET又はP型の第3電流源MOSFETをさらに備えているようにしてもよい。上記第2電流源MOSFETが配置される場合、上記センサーMOSFET及び上記電流源MOSFETはN型で構成され、上記第2電流源MOSFETは、上記電流源MOSFETの電源側に直列に接続され、ゲートとソースが短絡され、かつバックゲートが上記センサー出力端子に接続される。また、上記第3電流源MOSFETが配置される場合、上記センサーMOSFET及び上記電流源MOSFETはP型で構成され、上記第3電流源MOSFETは、上記電流源MOSFETと上記センサーMOSFETの間に直列に接続され、ゲートとソースが短絡され、かつバックゲートが上記電流源MOSFETの電源側の端子に接続される。本発明にかかる赤外線アレイセンサーは、本発明の赤外線センサーがアレイ状に配置され、画素選択を行なうための複数のスイッチを有し、上記定電流源は、アレイ状に配置された上記センサー用MOSFETに対して、同じ行又は列に配列された複数の上記センサー用MOSFETごとに設けられているものである。本発明の赤外線センサーは、センサーMOSFETと、センサーMOSFETに直列接続され、センサーMOSFETを定電流駆動させるための定電流源を構成する電流源MOSFETを備え、センサーMOSFETと電流源MOSFETの間の端子がセンサー出力端子を構成し、センサーMOSFETは断熱構造体上に配置され、電流源MOSFETは断熱構造体の外部に配置され、センサーMOSFET及び電流源MOSFETは同じ導電型のMOSFETからなり、かつサブスレッショルド領域で動作されるようにしたので、周囲温度変化に対して、センサーMOSFET及び電流源MOSFETの特性がほぼ等しく変化し、センサー出力電圧のDCレベル変化を小さくすることができる。さらに、参照センサーを用いる必要がないので、参照センサーを用いる場合に比べて、赤外線センサーの小型化及び回路構成の単純化を図ることができる。さらに、センサーMOSFET及び電流源MOSFETは一般的なCMOSプロセスを用いて作製できるので、増幅回路や制御回路と同一基板上に形成するのが容易である。また、従来の赤外線センサーにおいて、サーモパイルのようにセンサー素子を多段接続構成にして感度を増大する場合に、センサーMOSFET1個あたりの出力電圧を小さくしなければセンサー出力電圧が大きくなり、低電圧動作が難しくなるという問題があった。これに対し、本発明の赤外線センサーでは、センサーMOSFETと電流源MOSFETはともにサブスレッショルド領域で動作されるので、センサー出力電圧DCレベルを小さくすることができ、センサーMOSFETを多段接続構成として、感度を増大させることが容易となり、かつ低電圧動作が可能となる。また、センサーMOSFETはゲートとドレインが短絡され、電流源MOSFETはゲートとソースが短絡されているようにし、センサーMOSFETと電流源MOSFETでゲート-ソース間電圧が同一である場合にセンサーMOSFETのサブスレッショルド領域電流が電流源MOSFETのサブスレッショルド領域電流よりも小さくなるように設定すれば、センサーMOSFETのゲート及び電流源MOSFETのゲートに電圧を別途供給しなくても、センサーMOSFET及び電流源MOSFETを動作させることができる。この態様において、電流源MOSFETとセンサーMOSFETは同一構造のペアトランジスタであるようにすれば、電流源MOSFETとセンサーMOSFETは同じ温度特性をもつようになるので、周囲温度の変化によるセンサー出力電圧のDCレベル変化をより効果的に小さくすることができる。また、電流源MOSFETとセンサーMOSFETは、チャネル不純物濃度以外が同一構造のトランジスタであるか、ゲート不純物濃度以外が同一構造のトランジスタであるようにすれば、センサーMOSFETと電流源MOSFETのしきい値電圧差ΔVth、すなわちセンサー出力電圧のDCレベルを所望の値に制御することができる。例えば、より小さなしきい値電圧差ΔVthを得ることにより、センサーMOSFETをより多段にして高感度の赤外線センサーを形成することができる。また、センサーMOSFETのしきい値を温度感度が高くなる値へ調整することによって高感度の赤外線センサーを形成することができる。本発明の赤外線センサーにおいて、センサーMOSFET及び電流源MOSFETはN型であり、定電流源は、断熱構造体の外部に配置され、サブスレッショルド領域で電流源MOSFETが流す電流以上の電流を流すことができるN型の第2電流源MOSFETをさらに備え、第2電流源MOSFETは、電流源MOSFETの電源側に直列に接続され、ゲートとソースが短絡され、かつバックゲートがセンサー出力端子に接続されているようにすれば、電源電圧の変化が変化しても、センサー出力電圧の変化として第2電流源MOSFETのバックゲートへとフィードバックが掛かり、定電流源の電流の変化が抑制される。また、センサーMOSFET及び電流源MOSFETはP型であり、定電流源は断熱構造体の外部に配置され、サブスレッショルド領域で電流源MOSFETが流す電流以上の電流を流すことができるP型の第3電流源MOSFETをさらに備え、第3電流源MOSFETは、電流源MOSFETとセンサーMOSFETの間に直列に接続され、ゲートとソースが短絡され、かつバックゲートが電流源MOSFETの電源側の端子に接続されているようにすれば、電源電圧が変化しても、第3電流源MOSFETのバックゲートへとフィードバックが掛かり、定電流源の電流の変化が抑制される。本発明の赤外線アレイセンサーは、本発明の赤外線センサーがアレイ状に配置され、画素選択を行なうための複数のスイッチを有し、定電流源は、アレイ状に配置されたセンサー用MOSFETに対して、同じ行又は列に配列された複数のセンサー用MOSFETごとに設けられているようにしたので、ペルチェ素子等の電気的な冷却素子が不要となり、低電圧動作も可能となることから、大幅なシステムの小型化、簡易化、低コスト化、低消費電力化を図ることができる。図1は、一実施例を説明するための回路図である。本実施例の赤外線センサーは、断熱構造体1図12参照。上に形成されたセンサーMOSFET3と、断熱構造体1の外部に形成された電流源MOSFET5から構成される。センサーMOSFET3及び電流源MOSFET5は、サブスレッショルド領域で動作している同じ導電型のMOSFETであり、例えばN型のMOSFETで構成されている。センサーMOSFET3はゲートとドレインが短絡されたダイオード接続となっている。電流源MOSFET5はゲートとソースが短絡されている。電流源MOSFET5は、ゲートとソースが短絡されていることで、特別なバイアス電圧を必要とせずに、安定した定電流源を作ることが可能である。上記のように結線されたセンサーMOSFET3と電流源MOSFET5は、電源VddとグランドGNDの間に直列に接続されている。センサーMOSFET3と電流源MOSFET5の接続ノードの電圧がセンサー出力電圧Voutとして用いられる。図2は、MOSFETのVgs-Id特性を示す図であり、波形Aはしきい値電圧がVthaのMOSFETをダイオード接続した場合のVgs-Id特性を示し、波形Bはしきい値電圧がVthbのMOSFETの一定Vdsソース-ドレイン間電圧時のVgs-Id特性を示す。また、図2中の一点鎖線の左側の領域がおおよそのサブスレッショルド領域である。例えば、図1のセンサーMOSFET3を図2の波形Aの特性とし、図1の電流源MOSFET5を図2の波形Bの特性とすれば、波形BのVgs=0の点が電流源電流Idとなり、電流源電流Idと波形Aの特性から決まる電圧がセンサー出力電圧Voutとなる。このとき、センサー出力電圧VoutはMOSFET3,5のしきい値電圧差ΔVthとほぼ等しくなる。また、後述する多段接続構成においては、低電圧動作を可能とするために図1のセンサー出力電圧Vout、つまりしきい値電圧差ΔVthを小さくする必要がある。例えば、センサー出力電圧Vout≒しきい値電圧差ΔVth=50mVを出力させる場合、図1のMOSFET3,5を飽和領域で動作させると、センサーMOSFET3と電流源MOSFET5で互いにVdsが異なるため、このVds差によってセンサー出力電圧Vout>しきい値電圧差ΔVthとなり、目的とする微小なしきい値電圧差ΔVthを出力することができない。本発明においては、図1のセンサーMOSFET3と電流源MOSFET5を共にサブスレッショルド領域で動作させることにより、微小なセンサー出力電圧Vout≒しきい値電圧差ΔVthを出力することが可能である。これは、サブスレッショルド領域でMOSFETに流れる電流は、ソース-ドレイン間電圧Vdsにほとんど依存しないためである。また、本発明のセンサーにおいては、同一ゲートバイアス同一Vgs時のセンサーMOSFET3のサブスレッショルド領域電流が電流源MOSFET5のサブスレッショルド領域電流以下となるように設計されなければならない。このように設計することにより、図1に示した構成のセンサーにおいて、微小なセンサー出力電圧Vout≒しきい値電圧差ΔVthを出力することが可能である。図3は、他の実施例を説明するための回路図である。この実施例では、センサーMOSFET3がN段直列に接続されている。図1で示した1段構成の場合と同様に、N段のセンサーMOSFET3は全て断熱構造体1上に形成されている。この実施例のように、センサーMOSFET3をN段に接続することによって、赤外線センサーの感度をN倍にすることが可能である。また、このとき、センサー出力電圧VoutのDCレベルも1段の場合と比較してN倍となるため、センサーMOSFET31段あたりのVgsを小さくする必要がある。前述のように、センサーMOSFET3及び電流源MOSFET5をサブスレッショルド領域で動作させ、センサーMOSFET3のしきい値電圧と電流源MOSFET5のしきい値電圧の差ΔVthを小さくすることにより、MOSFET31段あたりのVgs図1におけるVoutを小さくすることが可能となる。例えば、MOSFET31段あたりのVgsが50mV、直列の段数が50段の場合、図3のVoutは25Vとなり、電源電圧3Vで駆動が可能である。このとき、感度はMOSFET31段の場合と比較して、50倍となる。図4は、センサーMOSFETのId-Vgs特性の一例を示す図である。図11に示した従来の赤外線センサーにおいて、電流源103が温度依存性を持たないように設計されている場合、電流Idは周囲温度に依存せずに一定となる。一方で、センサーMOSFET101は周囲温度が25°Cと60°Cの場合で、図4のように特性が変化する。周囲温度25°Cの場合、センサー出力電圧Vout25は約0096Vであるのに対し、周囲温度が60°Cの場合にはセンサー出力電圧Vout60は約0044Vとなり、約0052Vの変化が生じている。これは、図11で示したような1段構成の場合はわずかな変化量であるが、図3で示したような多段構成の場合は影響が大きくなる。例えば、多段構成でN=50段とすると、周囲温度が25°Cの場合、センサー出力電圧Voutは約48Vとなり、60°Cの場合、センサー出力電圧Voutは約22Vまで低下する。また、周囲温度が低くなれば、反対にセンサー出力電圧Voutは48Vより高くなる方向へとシフトする。また、赤外線センサーの使用温度範囲を0~80°Cとすればセンサー出力電圧Voutの変化幅は5V近くになる。また、赤外線センサーの感度向上のために、センサーMOSFET3の温度係数を高く設計すれば、周囲温度の変化によるセンサー出力電圧Voutの変化量はさらに大きくなる。上述のように、従来技術は、このような周囲温度の変化によるVoutの変化を抑制するために、ペルチェ素子等の冷却素子を用いてセンサーMOSFETの温度を常に一定になるように制御していた。図5は、図1に示した赤外線センサーを構成するセンサーMOSFET3と電流源MOSFET5のId-Vgs特性の一例を示す図である。周囲温度25°Cの場合、電流源MOSFET5が流す電流Id25とセンサーMOSFET3の特性との関係から出力電圧Vout25は約0080Vである。周囲温度60°Cの場合、電流源MOSFET5が流す電流Id60とセンサーMOSFET3の特性との関係から出力電圧Vout2は約0082Vである。このように、周囲温度が25~60°Cの場合に、センサー出力電圧Voutの変化量は約0002Vとなり、図11及び図4を参照して説明した従来のセンサーと比較すると、センサー出力電圧Voutの変化量は約1/26に抑制されている。また、図3に示した多段構成でN=50段の場合を考えると、周囲温度が25°Cのときはセンサー出力電圧Voutは約40V、周囲温度60°Cのときはセンサー出力電圧Voutは約41Vとなり、周囲温度変化に対してセンサー出力電圧VoutのDCレベル変化が小さく多段構成の赤外線センサーを実現できる。本発明の特徴は、センサーMOSFET3と電流源MOSFET5を同じ導電型のMOSFETで構成し、ともにサブスレッショルド領域で動作させることにより、センサーMOSFET3と電流源MOSFET5がほとんど同じ温度特性を持つようにしたことである。これにより、周囲温度が変化した場合においても、ペルチェ素子等の冷却素子を使用することなく、センサー出力電圧Voutをほぼ一定に保つことが可能となる。また、センサー出力電圧Voutの変化が抑制されることにより、電源電圧を低く設定することができ、低電圧動作、低消費電力動作が可能となる。ところで、周囲温度の変化によるセンサー出力電圧Voutの変化をさらに精度良く抑制するためには、よりセンサーMOSFET3と電流源MOSFET5の温度特性を合わせることが好ましい。このためには、センサーMOSFET3と電流源MOSFET5を同じ導電型のMOSFETで構成することに加えて、構造も同じにする方法がある。つまり、センサーMOSFET3と電流源MOSFET5のサイズゲート長、ゲート幅を同じにすることにより、センサーMOSFET3と電流源MOSFET5の温度特性がより近くなり、周囲温度の変化によるセンサー出力電圧Voutの変化をさらに精度良く抑制することが可能となる。また、周囲温度の変化によるセンサー出力電圧Voutの変化をさらに精度良く抑制するためには、センサーMOSFET3と電流源MOSFET5のチャネル不純物濃度とプロファイルを同じにする方法がある。つまり、センサーMOSFET3と電流源MOSFET5は、導電型、構造、しきい値電圧が等しい、全く同じ構造のMOSFETで構成されるこのような条件の二つのトランジスタをペアトランジスタと呼ぶ。ただし、結線は図1又は図3に示した状態にする。図6は図1に示した赤外線センサーを構成するセンサーMOSFET3と電流源MOSFET5をペアトランジスタで構成した場合のセンサーMOSFET3と電流源MOSFET5のId-Vgs特性の一例を示す図である。図6に示すように、センサーMOSFET3と電流源MOSFET5を全く同じ構造のペアトランジスタで構成した場合、結線の違いによってセンサー出力電圧Vout25は約25mVという非常に小さな電圧が出力される。このことから、図3に示した多段構成にすることが非常に容易となる。また、センサーMOSFET3と電流源MOSFET5は全く同じ構造のMOSFETであるため、プロセスばらつきの少ない非常に安定したセンサー出力電圧Voutを作り出すことが可能である。前記のように、センサーMOSFET3と電流源MOSFET5を全く同じ構造のペアトランジスタで構成すれば容易に安定したセンサー出力電圧Voutを作り出すことができるが、センサーMOSFET3と電流源MOSFET5がペアトランジスタでない構成においても本発明のセンサーを実現可能である。例えば、センサーMOSFET3と電流源MOSFET5はチャネル不純物濃度以外は同一構造のトランジスタであってもよい。また、センサーMOSFET3と電流源MOSFET5はゲート不純物濃度以外は同一構造のトランジスタであるようにしてもよい。ただし、センサーMOSFET3と電流源MOSFET5でゲート-ソース間電圧が同一である場合にセンサーMOSFET3のサブスレッショルド領域電流が電流源MOSFET5のサブスレッショルド領域電流以下になるように設定される。チャネル不純物濃度やゲート不純物濃度が互いに異なる2つのMOSFETは、しきい値電圧も互いに異なる。すなわち、センサーMOSFET3と電流源MOSFET5で、チャネル不純物濃度やゲート不純物濃度を互いに異ならせることにより、センサーMOSFET3と電流源MOSFET5のしきい値電圧差ΔVthを所望の値に制御することができ、より小さなしきい値電圧差ΔVthを得ることができる。これにより、センサーMOSFET3をさらに多段にして高感度の赤外線センサーを形成することができる。また、センサーMOSFETのしきい値電圧によってセンサーMOSFETの温度感度が異なるので、センサーMOSFETのしきい値電圧を温度感度が高くなる値へ調整することによって高感度の赤外線センサーを形成することができる。ここまで、センサーMOSFET3と電流源MOSFET5はN型のMOSFETの構成で説明してきたが、センサーMOSFETと電流源MOSFETをP型のMOSFETで構成してもよい。図7は、さらに他の実施例を説明するための回路図である。この実施例は断熱構造体1上に形成されたN段のセンサーMOSFET7と、断熱構造体1の外部に形成された電流源MOSFET9から構成される。センサーMOSFET7及び電流源MOSFET9は、サブスレッショルド領域で動作しているP型のMOSFETで構成されている。各センサーMOSFET7はゲートとドレインが短絡されたダイオード接続となっている。電流源MOSFET9はゲートとソースが短絡されている。センサーMOSFET7と電流源MOSFET9の接続ノードの電圧がセンサー出力電圧Voutとして用いられる。この実施例でも、図3に示したN型のセンサーMOSFET3及び電流源MOSFET5を備えたセンサーと同様の作用及び効果を得ることができる。この実施例はN段のセンサーMOSFET7を備えているが、センサーMOSFET7は1段であってもよい。図8は、さらに他の実施例を説明するための回路図である。この実施例では、定電流源が電流源MOSFET5と第2電流源MOSFET11の二つのMOSFETで構成されている。第2電流源MOSFET11は電源電圧Vddの変化による電流Idの変化を抑制するためのものである。第2電流源MOSFET11は、電源Vddと電流源MOSFET5の間に直列に接続され、ゲートとソースが短絡され、バックゲートはセンサー出力電圧Voutに接続されている。このように第2電流源MOSFET11を接続することにより、電源電圧Vddの変化により電流Idが変化しても、センサー出力電圧Voutの変化として第2電流源MOSFET11のバックゲートへとフィードバックが掛かり、電流Idの変化が抑制される。第2電流源MOSFET11は、電流源MOSFET5と全く同じ構成のMOSFETとするか、第2電流源MOSFET11で電流Idが制限されてしまわないように電流源MOSFET5よりも電流が多く流れるように設計されている。図9は、さらに他の実施例を説明するための回路図である。この実施例は、P型MOSFETで構成された図7のセンサーに対して、P型の第3電流源MOSFET13をさらに備えている。第3電流源MOSFET13は、センサーMOSFET7と電流源MOSFET9の間に直列に接続され、ゲートとソースが短絡され、バックゲートは電源Vddに接続されている。このように第3電流源MOSFET13を接続することにより、電源電圧Vddが変化しても、Voutと第3電流源MOSFET13のバックゲート間電圧へとフィードバックが掛かり、電流Idの変化が抑制される。第3電流源MOSFET13は、電流源MOSFET9と全く同じ構成のMOSFETとするか、電流源MOSFET11で電流Idが制限されてしまわないように電流源MOSFET5よりも電流が多く流れるように設計されている。図10は、さらに他の実施例を説明するための回路図であり、本発明を適用した赤外線アレイセンサーの一例を示した図である。アレイセンサーはL×M個の画素S11~Slm、定電流源D1~Dm、列選択スイッチSWa1~SWam、行選択スイッチSWb1~SWblから構成されており、出力センサー出力電圧Vout0~センサー出力電圧VoutM-1が出力される。なお、L=1のラインセンサーの場合には、行選択スイッチ、列選択スイッチは不要である。各画素S11~Slmは、上記の実施例で説明したように、断熱構造体とセンサーMOSFETから構成されている。図10では、各画素S11~SlmでセンサーMOSFETが1段の構成を示しているが、各画素S11~SlmにおいてセンサーMOSFETは多段であってもよい。例えば、断熱構造体上に形成できる数又は電源電圧で決まる数だけセンサーMOSFETを多段に接続した構成であってもよい。定電流源は列の数、あるいは行の数だけ形成し、行選択スイッチ、列選択スイッチによって選択された画素に、定電流を供給する。各定電流源D1~Dmは、電流源MOSFET一つからなる構成を示しているが、図8及び図9を参照して説明したように、電流源MOSFET2つからなる構成としてもよい。各画素から得られたセンサー出力電圧Vout0~VoutM-1は順次アンプ等の後段回路に送られる。このような赤外線アレイセンサーでは、特に小型化や低消費電力化が望まれているため、本発明を適用すれば、ペルチェ素子等の電気的な冷却素子が不要となり、低電圧動作も可能となることから、大幅なシステムの小型化、簡易化、低コスト化、低消費電力化が可能となる。以上、本発明の実施例を説明したが、上記実施例における回路構成等は一例であり、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内で種々の変更が可能である。例えば、上記実施例では、電流源MOSFET5,9,11,13はゲートとソースが短絡されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、電流源MOSFETのゲートに所定の電圧を印加して電流源MOSFETを動作させてもよい。また、上記実施例では、センサーMOSFETを構成するMOSFET3,7はゲートとドレインが短絡されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、センサーMOSFETを構成するMOSFETのゲートに所定の電圧を印加してセンサーMOSFETを動作させてもよい。"