放熱部を含む基板に第一加熱ステップを経て第一半田層により接合された半導体素子に第二半田層を介して放熱板を接合してなる半導体装置の製造方法であって、前記放熱板を前記第一加熱ステップに用いられる第一加熱手段とは異なる第二加熱手段により加熱する第二加熱ステップと、前記第二半田層に前記放熱板を載置する載置ステップを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記第二加熱ステップの後に、前記載置ステップを行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記第二加熱手段は、前記第一加熱手段に比べて、急速な加熱が可能であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記載置ステップで用いられる載置手段は、前記載置ステップの後において前記放熱板を押圧することを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体装置の製造方法。前記載置ステップの後に、前記第二加熱ステップを行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記第二加熱手段は、前記載置ステップにおいて用いられる載置手段の一部をなすことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。前記第二加熱手段は、前記放熱板に対して非接触にて加熱が可能であることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。前記載置ステップで用いられる載置手段は、前記第二加熱ステップにおいて前記放熱板を押圧することを特徴とする請求項6又は7に記載の半導体装置の製造方法。ところが、両面放熱タイプの半導体装置では、リードフレームに半田層により素子を組み付けた後のワークを上下方向に反転させて治具上のヒートシンクに載置して、さらに、ヒートシンクを半田付けするためにワークとヒートシンクを再度加熱する必要があるため、再加熱のための時間がかかり、製造に必要な時間が長くなり、半導体装置の効率的な製造が困難となるという問題が生じる。本発明は、上記問題に鑑み、両面放熱タイプの半導体装置をより効率的に製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。上記の課題を解決するため、本発明による半導体装置の製造方法は、放熱部を含む基板に第一加熱ステップを経て第一半田層により接合された半導体素子に第二半田層を介して放熱板を接合してなる半導体装置の製造方法であって、前記放熱板を前記第一加熱ステップに用いられる第一加熱手段とは異なる第二加熱手段により加熱する第二加熱ステップと、前記第二半田層に前記放熱板を載置する載置ステップを含むことを特徴とする。ここで、前記第二加熱ステップの後に、前記載置ステップを行うこととし、前記第二加熱手段は、前記第一加熱手段に比べて、急速な加熱が可能であることとし、前記載置ステップで用いられる載置手段は、前記載置ステップの後において前記放熱板を押圧することとしてもよい。あるいは、前記載置ステップの後に、前記第二加熱ステップを行うこととし、前記第二加熱手段は、前記載置ステップにおいて用いられる載置手段の一部をなすこととしてもよく、前記第二加熱手段は、前記放熱板に対して非接触にて加熱が可能であることとしてもよい。また、前記載置ステップで用いられる載置手段は、前記第二加熱ステップにおいて前記放熱板を押圧することとしてもよい。本発明によれば、第二加熱ステップにおいては、放熱板のみを加熱するものとし、半導体装置を加熱しないものとすることができるので、温度上昇の対象となる体積を減らすとともに、温度上昇の上限値の制限をなくして急速な加熱を行うことができるので、再加熱のための時間を減らすことができる。また、第二加熱ステップにおいて、放熱板のみの加熱によって第二半田層を溶融させるので、ワークの反転をなくして、製造時間を短くすることができる。さらに、第一半田層の再溶融に伴うはみ出しをも防止できる。従って、より効率的な製造工程を実現することができる。以下、本発明を実施するための形態について、添付図面を参照しながら説明する。本実施例1の半導体装置1の製造方法に供されるリードフレーム2は、銅やアルミニウム等を含む熱伝導性及び電気伝導性の高い平板状の母材を、例えばプレス加工により図1に示す形態に打ち抜いて構成される。リードフレーム2は、図1中手前側に横方向に並列されて縦方向に延在する複数条の外部信号端子と、外部信号端子を横方向に相互に連結するタイバーと、外部信号端子に対応してタイバーから図1中奧側にさらに内側に延在する複数条の内側信号端子とを含む。また、リードフレーム2は、図1中奧側に横方向に並列されて縦方向に延在する柵状のアウターパワーリードと、アウターパワーリードを横方向に相互に連結するタイバーと、アウターパワーリードに対応してタイバーから図1中手前側に延在する柵状のインナーパワーリードとを含む。図1中、リードフレーム2の中央よりに位置する平板はヒートシンク放熱部を構成しており、ヒートシンクにはIGBTである半導体素子3がここでは図示しない第一半田層を介して横方向に二列配置され、加熱により電気的熱的に接続される。半導体素子3の奥側にはダイオード4がこれも図示しない半田層を介して横方向に二列配置される。半導体装置1は、半導体素子3とダイオード4をともに覆う形態の左右一対のヒートシンク5放熱板を含む。半導体素子3の信号端子は内部信号端子の内側端にワイヤーボンディング6により電気的に接続され、半導体素子3の電源端子はインナーパワーリードにダイオード4を介して電気的に接続される。なお、添え字による図示は省略するが、図1中において、リードフレーム2の外枠部は、リードカットされる前の状態において、外部信号端子の手前側端部、タイバーの横方向端部、アウターパワーリードの奧側端部を適宜箇所にて相互に連結している。ここで図2に示すように、本実施例1の半導体装置1の製造方法は、四つのステップを含む。図2においては、図1中の半導体素子3を含む縦方向に垂直な断面を示している。ステップS1では、半田、半導体素子3、銅ブロック7の組付けが行われ、平板状の治具Aの載置面上に、リードフレーム2、素子下の第一半田層となる半田、半導体素子3、素子上用の半田、銅ブロック7、第二半田層となる半田が、この順番に載置される。図2中において斜線は半田を示している。なお、リードフレーム2が含む上下アーム2aは、三相交流の中立線の一部を構成する配線をなしており、ここにもヒートシンク5との接続用の半田が載置される。ステップS2では、水素/窒素中の還元雰囲気内において、半田S表面の酸化を還元して濡れ性を確保しながら、治具Aの下側に配置されたヒータH1により、上述したリードフレーム2、四つの半田S、半導体素子3、銅ブロック7全体が加熱され、半田Sは溶融されて、リードフレーム2、半導体素子3、銅ブロック7が相互に接合され、第一半田付けが行われる。ステップS3においては、図示しないボンダによって、リードフレーム2の内部信号端子と半導体素子3の信号端子を図1に示したワイヤーボンディング6により電気的に接続する。ステップS4においては、ステップS2が終了した後のワークW全体が、水素/窒素中の還元雰囲気中に置かれた治具Bの載置面に、反転されることなく移動されて載置されており、ヒートシンク5は、ヒータH1とは別個の高速加熱が可能な高周波加熱器H2により半導体素子3の加熱の上限値よりも高い温度を目標温度として急速加熱された後、組付けハンドHDにより前述したワークWの第二半田層の上に載置される。治具Bの両端には、一対のスペーサBSが設けられており、第二半田層の上に載置された加熱された後のヒートシンク5の両端は、スペーサBSにより下方向から支持され、かつ組付けハンドHDにより下方に押圧される。この状態で、還元雰囲気中で酸化を還元して酸化膜を除去し濡れ性を確保しながら、第二半田層はヒートシンク5の蓄積した熱量により加熱されて溶融され、ヒートシンク5は銅ブロック7ひいてはリードフレーム2との適切な間隔を保って、銅ブロック7に対して第二半田層を介して電気的、熱的に接続される。同様に、図2に示すように、ヒートシンク5は、上下アーム2aの先端とも半田を介して電気的に接続される。なお、本実施例1の前提となる製造方法においては、図3に示すように、ステップS51、ステップS52は、ステップS53は、図2に示したものと同様である。ステップS52の第一半田付けで一体とされたワークWをステップS54において図示しないスリットにより挟持して反転させて第二半田層を下方に向けて、治具Bの載置面上に載置されたヒートシンク5上に載置し、ワークWの上に錘を載せる。ステップS55に示すように、ワークWのリードフレーム2の端面をスペーサBSに当接させながら、錘により押圧して、ステップS55の第二半田付けにおいて治具Bの背面から再加熱を行って、リードフレーム2とヒートシンク5との間隔を保ちながら第二半田付けを行う。ステップS4について図4を用いてより詳細に説明する。ステップS41において、ヒートシンク5を高周波加熱器H2により温度上限なしで急速に加熱し、これと平行してステップS42において、半導体素子3とリードフレーム2からなるワークWを治具Bの載置面に載置しておき、ステップS43において、加熱後のヒートシンク5を組付けハンドHD載置手段で搬送して、ワークWと治具BのスペーサBS上に載置し、ステップS44において、組付けハンドHDによりヒートシンク5を下方に押圧することを継続する。本実施例1の製造方法によれば、以下のような作用効果を得ることができる。つまり、ステップS4の第二半田付け第二加熱ステップにおいてヒートシンク5のみを加熱すればよく、半導体素子3を含む第一半田付け終了後のワークWを加熱しないものとしているので、ステップS4の第二半田付けにおいて、高周波加熱器H2の加熱上昇の対象となる体積を減らすとともに、温度上昇の上限値の制限をなくして高周波加熱器H2による急速な加熱を行うことができる。ステップS4の再加熱のための時間を減らすことができる。また、ヒートシンク5のみを加熱して、ヒートシンク5から伝達される熱によって第二半田層を溶融させるので、図3に示したようなワークWの反転をなくして、製造時間を短くすることができる。さらに、ステップS4の第二半田付けにおいては、ヒートシンク5側からの片面加熱として、ワークWすなわちリードフレーム2側からの加熱は行わないため、第一半田付けにて一度溶融された半導体素子3とリードフレーム2との間の第一半田層を再溶融してしまい、半田のはみ出しが発生してしまうことをも防止することができる。これらのことにより、効率的な製造工程を実現することができる。なお、銅ブロック7とヒートシンク5との間の第二半田層を溶融させるにあたりよりきめの細かい温度調節が必要である場合には、例えば、図4のステップS42とステップS43の間、又は、それ以降において、ステップS2で用いたヒータH1により、治具Bの背面から、ワークWを適宜加熱するあるいは予熱するものとしてもよい。また、ステップS41の第二加熱ステップ以降の、ステップS43における組付けハンドHDによるヒートシンク5の搬送中以降において、ヒートシンク5の温度低下を防ぐ必要が生じる場合には、例えば、図5に示すように、組付けハンドHDにハンドヒータH3を内蔵させる構成とし、搬送中及び押圧中にヒートシンク5を適宜加熱するものとしてもよい。さらに、載置手段である組付けハンドHDが図3に示した従来技術における錘の役割をも果たすので、錘の載置の工程を省略することができる。また、それぞれの半田の表面の酸化を還元するにあたっては、上述したように還元雰囲気中にて、ステップS4の第二半田付けを行うことに換えて、図6に示すように、組付けハンドHDによるヒートシンク5の載置前に、それぞれの半田の表面に還元剤Rを塗布するものとしてもよい。上述した実施例1においては、第二加熱ステップの後に載置ステップを行うこととしているが、載置ステップの後に第二加熱ステップを行うこととしてもよい。以下それについての実施例2について述べる。本実施例2の半導体装置の製造方法に供せられる半導体装置1については、実施例1に示したものと同様であり、ステップS1~3までは同等であって、ステップS4が相違するので、相違点を主に説明する。図7は、本実施例2におけるステップS4の詳細を示す模式図である。ステップS42に示すように、ステップS2にて一体とされた半導体素子3及びリードフレーム2を含むワークWを治具Bの載置面に載置する。つづいてステップS43において、ヒートシンク5を組付けハンドHD載置手段によって搬送して、ワークWの第二半田層及び治具BのスペーサBS上に載置する。さらに、ステップS45に示すように、組付けハンドHDによりヒートシンク5を下方に押圧しながら、組付けハンドHDが有するヒータH1よりも急速加熱が可能なハンドヒータH3または、別個の図示しない非接触による加熱が可能なレーザ加熱器により温度上限を設けないでヒートシンク5を加熱して、第二半田層を再加熱して溶融して、第二半田付けを行う。本実施例2の製造方法によっても、以下のような作用効果を得ることができる。つまり、ステップS4の第二半田付け第二加熱ステップにおいてヒートシンク5のみを加熱しており、半導体素子3を含む第一半田付け終了後のワークWを加熱しないので、ステップS4の第二半田付けにおいて、加熱対象となる体積を減らすとともに、温度上昇の上限値の制限をなくしてハンドヒータH3又はレーザ加熱器により、急速な加熱を行うことができる。つまり、ステップS4の再加熱のための時間を減らすことができる。また、ヒートシンク5のみを加熱して、ヒートシンク5から伝達される熱によって第二半田層を溶融させるので、従来技術の図3に示したようなワークWの反転をなくして、製造時間を短くすることができ、組付けハンドHDが錘の役目を果たすので錘を載置する工程を省くことができる。これらのことにより、より効率的な製造工程を実現することができる。本実施例2においても、第二半田層を溶融させるにあたりよりきめの細かい温度調節が必要である場合には、図7のステップS42とステップS43の間、又は、それ以降において、ステップS2で用いたヒータH1により、治具Bの背面から、ワークWを適宜加熱する又は予熱するものとしてもよい。以上本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明は上述した実施例に制限されることなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形および置換を加えることができる。例えば上述した実施例においては、リードフレームが複数の放熱部としてのヒートシンクを一体的に含む形態を示したが、放熱部が半導体素子3に対して個別に存在していてもよい。この場合放熱部は基板そのものとなる。また、第一半田付けにおいて用いられるヒータ1はオーブンや加熱炉であってもよい。