"ポリチオフェンと、スルホン化合成ゴムとを含む錯体。前記スルホン化合成ゴムは、水素化されているかまたは水素化されていない、部分的にアルキル置換されていてもよいスチレン-ジエンコポリマーに基づくスルホン化合成ゴムである、請求項1に記載の錯体。前記スルホン化合成ゴムは、水素化された、部分的にアルキル置換されていてもよいスチレン-ジエンブロックコポリマーに基づくスルホン化合成ゴムである、請求項2に記載の錯体。前記スルホン化合成ゴムは、水素化された、部分的にアルキル置換されていてもよいスチレン-ブタジエンまたはスチレン-イソプレンブロックコポリマーに基づくスルホン化合成ゴムである、請求項3に記載の錯体。前記スルホン化合成ゴムは、水素化された、部分的にアルキル置換されていてもよいスチレン-イソプレンブロックコポリマーに基づくスルホン化合成ゴムである、請求項4に記載の錯体。前記スルホン化合成ゴムは、スルホン化スチレン-ブタジエンコポリマーであって、前記コポリマー中の前記スチレン単位の少なくとも一部分、または前記ブタジエン単位の少なくとも一部分、または前記スチレン単位の少なくとも一部分と前記ブタジエン単位の少なくとも一部分と、がスルホン化されているスルホン化スチレン-ブタジエンコポリマーである、請求項1に記載の錯体。前記官能基化されたスチレン-ブタジエンコポリマーは、スチレン-ブタジエンコポリマーのスルホン化によって得ることができる、請求項6に記載の錯体。前記スチレン-ブタジエンコポリマーはブロックコポリマーである、請求項7に記載の錯体。前記スルホン化合成ゴムのイオン交換能は0.01~5meq/gである、請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の錯体。前記スルホン化合成ゴムは、1000~10,000,000g/molの範囲の、ゲル透過クロマトグラフィによって決定される重量平均分子量Mwを有する、請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の錯体。前記ポリチオフェンはポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンである、請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の錯体。前記錯体は、チオフェンモノマーが前記スルホン化合成ゴムの存在下で酸化的に重合される製造方法によって得ることができる、請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の錯体。ポリチオフェンと、スルホン化合成ゴムとを含む錯体の製造方法であって、チオフェンモノマーが、前記スルホン化合成ゴムの存在下で酸化的に重合される、製造方法。前記スルホン化合成ゴムは、水素化されているかまたは水素化されていない、部分的にアルキル置換されていてもよいスチレン-ジオールコポリマーに基づくスルホン化合成ゴムである、請求項13に記載の製造方法。前記スルホン化合成ゴムは、水素化された、部分的にアルキル置換されていてもよいスチレン-ジエンブロックコポリマーに基づくスルホン化合成ゴムである、請求項14に記載の製造方法。前記スルホン化合成ゴムは、水素化された、部分的にアルキル置換されていてもよいスチレン-ブタジエンまたはスチレン-イソプレンブロックコポリマーに基づくスルホン化合成ゴムである、請求項15に記載の製造方法。前記スルホン化合成ゴムは、水素化された、部分的にアルキル置換されていてもよいスチレン-イソプレンブロックコポリマーに基づくスルホン化合成ゴムである、請求項16に記載の製造方法。前記スルホン化合成ゴムは、スルホン化スチレン-ブタジエンコポリマーであって、前記コポリマー中の前記スチレン単位の少なくとも一部分、または前記ブタジエン単位の少なくとも一部分、または前記スチレン単位の少なくとも一部分と前記ブタジエン単位の少なくとも一部分と、がスルホン化されているスルホン化スチレン-ブタジエンコポリマーである、請求項13に記載の製造方法。前記チオフェンモノマーの酸化重合は、水非混和性有機溶剤または水非混和性有機溶剤の混合物の中で行われる、請求項13から請求項18のいずれか1項に記載の製造方法。請求項13から請求項19のいずれか1項に記載の製造方法によって得ることができる錯体。水非混和性有機溶剤と、前記有機溶剤に溶解または分散している請求項1から請求項12または請求項20のいずれか1項に記載の錯体とを含む組成物。前記組成物は請求項19に記載の製造方法によって得ることができる、請求項21に記載の組成物。前記組成物は、前記組成物の総重量に対して1重量未満の水を含む、請求項21または請求項22に記載の組成物。基板2と前記基板の表面3の少なくとも一部に付与された導電層4とを含む層構造1であって、前記導電層4は、請求項1から請求項12または請求項20のいずれか1項に記載の錯体を含む、層構造1。層構造1の製造方法であって、I基板2を準備する工程と、II請求項21から請求項23のいずれか1項に記載の組成物を前記基板2の前記表面3の少なくとも一部に付与する工程と、III前記有機溶剤を少なくとも部分的に除去して、請求項1から請求項12または請求項20のいずれか1項に記載の錯体を含む導電層4を得る工程とを含む、製造方法。請求項25に記載の製造方法に従って得ることができる層構造。前記導電層4は、10,000Ωcm未満の比抵抗を有する、請求項24または請求項26に記載の層構造1。請求項24、請求項26または請求項27に記載の層構造1を含む電子部品。電子部品における導電層を製造するため、または帯電防止コーティングを製造するための、請求項21から請求項23のいずれか1項に記載の組成物の使用。本発明の目的は、ポリチオフェンおよびポリアニオンを含む錯体に関する先行技術の短所を克服することであった。特に、本発明の目的は、水非混和性有機溶剤系中で製造および使用することができるポリチオフェンおよびポリアニオンを含む錯体を提供することであった。水非混和性有機溶剤に基づくこれらの系は、特に有利である膜形成特性によって特に際立つべきであり、例えば、特に長い寿命によって際立つ、OLEDにおける正孔注入層の製造を可能にするべきである。このような系から製造される層は、できるだけ低い表面抵抗によって際立つべきである。加えて、錯体に含まれるポリアニオン、それゆえ錯体自体も、できるだけ簡便な合成工程によって、好ましくは工業的に容易に入手できる出発物質から製造することができるべきである。さらには、特に高い濃度の、特に、従来のPEDOT/PSS分散液の濃度を超える濃度のポリチオフェンを含む錯体を供給する組成物、特にコーティング組成物、が提供されるべきである。最初に掲げた目的の成就に向けた寄与は、ポリチオフェンと、スルホン化合成ゴム、好ましくはスチレンコポリマーに基づくスルホン化合成ゴム、特に好ましくは水素化されているかまたは水素化されていない、部分的にアルキル置換されていてもよいスチレン-ジエンコポリマーに基づくスルホン化合成ゴム、なおより好ましくは水素化されているかまたは水素化されていない、部分的にアルキル置換されていてもよいスチレン-ジエンブロックコポリマーに基づくスルホン化合成ゴム、なおより好ましくは水素化された、部分的にアルキル置換されていてもよいスチレン-ブタジエンまたはスチレン-イソプレンブロックコポリマーに基づくスルホン化合成ゴム、最も好ましくは水素化された、部分的にアルキル置換されていてもよいスチレン-イソプレンブロックコポリマーに基づくスルホン化合成ゴムとを含む錯体、によってなされる。本発明に係る錯体は、1つの成分としてスルホン化合成ゴムを含む。本発明によれば、本発明に関する用語スルホン化は、好ましくは、関与するスチレン単位および/またはジエン単位において、好ましくは水素化されていてもよいブタジエンまたはイソプレン単位において、これらの単位の少なくとも1つのC原子に硫黄原子を介して-SO3X基が結合されているXは、H、NH4、Na、KまたはLiからなる群から選択されることが好ましいことを意味すると理解される。-SO3X基が、ほぼすべて、スチレン単位に結合されており、従ってスルホン化スチレン単位が存在する場合が特に好ましい。好ましくは、用語水素化された、部分的にアルキル置換されていてもよいスチレン-ジエンコポリマー、水素化された、部分的にアルキル置換されていてもよいスチレン-ジエンブロックコポリマーまたは水素化された、部分的にアルキル置換されていてもよいスチレン-ブタジエンまたはスチレン-イソプレンブロックコポリマーは、本発明によれば、それぞれ、ジエン単位の二重結合は水素化されているが、スチレン単位の芳香環系は水素化されていないコポリマーまたはブロックコポリマーを意味すると理解される。さらに、用語スチレン-ジエンコポリマーまたはスチレン-ジエンブロックコポリマーは、少なくともスチレンおよびジエンモノマー単位を含むポリマーを意味すると理解され、従って、さらなるコモノマーの存在は排除されない。好ましくは、用語アルキル置換されたスチレン-ジエンコポリマーまたはアルキル置換されたスチレン-ジエンブロックコポリマーは、スチレン単位がアルキル置換されているコポリマーまたはブロックコポリマーを意味すると理解され、この場合、特にメチル基、エチル基、イソプロピル基またはtert-ブチル基がアルキル置換基として考慮される。本発明に関するスルホン化スチレン単位は、好ましくは、単位Iを意味すると理解され、他方、スルホン化ブタジエン単位は、好ましくは、例えば単位IIを意味すると理解される。単位IおよびIIに示される酸の代わりに、そのスルホネート基は、塩の形態で、例えばアンモニウム塩またはアルカリ塩の形態で、特にNa、KまたはLiの塩の形態で結合されていてもよい。好ましくは、本発明に係る錯体にスルホン化合成ゴムとして含まれる水素化されているかまたは水素化されていない、部分的にアルキル置換されていてもよいスチレン-ジエンコポリマーは、好ましくは、スチレン-ジエンコポリマーこれは、任意に、水素化されていてもよいをスルホン化することにより得ることができる。当該水素化されているかまたは水素化されていない、部分的にアルキル置換されていてもよいスチレン-ジエンコポリマーは、基本的に、ランダムスチレン-ジエンコポリマーまたはスチレン-ジエンブロックコポリマーであってもよい。本発明に関するブロックは、好ましくは、互いに連続する少なくとも2、好ましくは少なくとも4、さらにより好ましくは少なくとも6、さらにより好ましくは少なくとも8、最も好ましくは少なくとも10の同一のモノマー単位からなるポリマー単位であると理解される。従って、この水素化されているかまたは水素化されていないブロックコポリマーは、スチレン単位だけがブロック的に存在するコポリマー、ジエン単位もしくはジエン単位の水素化された形態だけがブロック的に存在するコポリマー、またはジエン単位もしくはジエン単位の水素化された形態およびスチレン単位の両方がブロック的に存在するコポリマーであってもよい。例えばモノマー状のスチレン単位およびジエン単位もしくはジエン単位の水素化された形態に加えてスチレンブロックが存在する水素化されているかもしくは水素化されていないブロックコポリマー、モノマー状のスチレン単位およびジエン単位もしくはジエン単位の水素化された形態に加えてジエンブロックもしくはジエン単位の水素化された形態のブロックが存在する水素化されているかもしくは水素化されていないブロックコポリマー、モノマー状のジエン単位もしくはジエン単位の水素化された形態に加えてスチレンブロックおよびジエンブロックもしくはジエン単位の水素化された形態のブロックが存在する水素化されているかもしくは水素化されていないブロックコポリマー、モノマー状のスチレン単位に加えてスチレンブロックおよびジエンブロックもしくはジエン単位の水素化された形態のブロックが存在する水素化されているかもしくは水素化されていないブロックコポリマー、またはモノマー状のジエン単位もしくはジエン単位の水素化された形態およびモノマー状のスチレン単位に加えてスチレンブロックおよびジエンブロックもしくはジエン単位の水素化された形態のブロックが存在する水素化されているかもしくは水素化されていないブロックコポリマーも想定される。本発明に係る錯体の特定の実施形態によれば、これらは、ブロックAがスルホン化ポリスチレンブロックに対応し、ブロックBが水素化されているかまたは水素化されていない、しかしながら好ましくは水素化されたポリイソプレンブロック完全水素化ポリイソプレンブロックは、化学的には、交互共重合したエチレン-プロピレン単位のブロックに対応するに対応する構造A-B-Aを持つ、水素化されているかまたは水素化されていない、好ましくは水素化されたスチレン-イソプレンブロックコポリマーを含む。ブロックAおよびBの長さは、好ましくは少なくとも5モノマー単位、特に好ましくは少なくとも10単位、最も好ましくは少なくとも20単位である。本発明に係る錯体の別の特定の実施形態によれば、これらは、ブロックAがtert-ブチル基で少なくとも部分的に置換されているポリスチレンブロックに対応し、ブロックBが水素化されているかまたは水素化されていない、しかしながら好ましくは水素化されたポリイソプレンブロック完全水素化ポリイソプレンブロックは、化学的には、交互共重合したエチレン-プロピレン単位のブロックに対応するに対応し、ブロックCがスルホン化ポリスチレンブロックに対応する構造A-B-C-B-Aを持つ、水素化されているかまたは水素化されていない、好ましくは水素化されたスチレン-イソプレンブロックコポリマーを含む。ブロックA、BおよびCの長さは、好ましくは少なくとも5モノマー単位、特に好ましくは少なくとも10単位、最も好ましくは少なくとも20単位である。このようなコポリマーは、例えば、米国、ヒューストンのKratonPolymers社から、製品名NEXAR登録商標で入手することができる。スルホン化のために使用される水素化されているかもしくは水素化されていないスチレン-ジエンコポリマーまたは水素化されているかもしくは水素化されていないスチレン-ジエンブロックコポリマーにおける、ジエン単位に対するスチレン単位の重量比に関しては、基本的には限定はない。例えば、当該コポリマーまたはブロックコポリマーは、5~95重量、特に好ましくは15~80重量、最も好ましくは25~65重量の重合したスチレンおよび95~5重量、好ましくは80~15重量、最も好ましくは65~25重量の重合した、水素化されていてもよいジエンに基づくことができ、このとき、水素化されていてもよいジエンおよびスチレンの総量は、好ましくは100重量である。しかしながら、このスチレン単位および水素化されていてもよいジエン単位に加えてさらなるモノマー単位が当該コポリマーまたはブロックコポリマーの中に存在する場合には、この総量は、合計して100重量になる必要はない。当該スルホン化合成ゴムの、好ましくはスチレンコポリマーに基づくスルホン化合成ゴムの、特に好ましくは水素化されているかまたは水素化されていない、部分的にアルキル置換されていてもよいスチレン-ジエンコポリマーに基づくスルホン化合成ゴムの、なおより好ましくは水素化されているかまたは水素化されていない、部分的にアルキル置換されていてもよいスチレン-ジエンブロックコポリマーに基づくスルホン化合成ゴムの、なおより好ましくは水素化された、部分的にアルキル置換されていてもよいスチレン-ジエンブロックコポリマーに基づくスルホン化合成ゴムの、なおより好ましくは水素化された、部分的にアルキル置換されていてもよいスチレン-ブタジエンまたはスチレン-イソプレンブロックコポリマーに基づくスルホン化合成ゴムの、最も好ましくは水素化された、部分的にアルキル置換されていてもよいスチレン-イソプレンブロックコポリマーに基づくスルホン化合成ゴムのスルホン化度は、好ましくは、当量重量またはイオン交換能によって定められる。本発明の意味の範囲内で、当量重量は、1リットルの1N水酸化ナトリウム溶液を中和するのに必要なポリマーの量であると理解される。従って、この当量重量は、イオン交換性スルホン酸基の濃度の尺度である。当量重量はeq/g単位で与えられる。この当量重量の逆数はイオン交換能である。イオン交換能はeq/gまたはmeq/gの単位で与えられる。本発明によれば、当該スルホン化合成ゴムのイオン交換能は、好ましくは0.01~5meq/g、特に好ましくは0.05~4meq/g、さらにより好ましくは0.2~3.5meq/g、最も好ましくは1~2.5meq/gである。このスルホン化合成ゴムと併用して、このスルホン化合成ゴムは、1000~10,000,000g/molの範囲、特に好ましくは10,000~1,000,000g/molの範囲、最も好ましくは100,000~1,000,000g/molの範囲の重量平均分子量Mwを有することがさらに好ましい。この分子量は、明確な分子量を持つポリマーを使用して、特に水非混和性溶剤中の溶液の場合にはポリスチレンを使用して、または水混和性溶剤の場合にはポリスチレンスルホン酸を使用して、ゲル透過クロマトグラフィによって決定される。官能基化された合成ゴム、例えばスチレン-ブタジエンコポリマーの製造方法は、例えばIdibieら、JournalofAppliedPolymerScience、2010年、第116巻、第6号、3473-3479頁に、Picchioniら、PolymerInternational、2001年、第50巻、714-721頁に、H.Q.Xieら、J.Appl.Polym.Sci.、2005年、第96巻、第4号、1398-1404頁に、または欧州特許出願公開第0587360A号明細書に記載されている。官能基化されたスチレン-ブタジエンコポリマーの製造に関するこれらの刊行物の開示は、出典を明記することにより参考として援用され、本発明の開示の一部を形成する。水素化されたスルホン化合成ゴムの調製方法は、例えば、J.Kimら、J.MembraneSci.、2002年、第207巻、第1号、129-137頁、C.Wuら、Macromolecules、1996年、第29巻、第16号、5361-5367頁、S.ManiらMacromolecules、1999年、第32巻、第11号、3663-3670頁およびJ.M.Serpicoら、Macromolecules、2002年、第35巻、第15号、5916-5921頁に記載されている。KimらおよびWuらは、水素化されたスチレン-ブタジエンゴムのスルホン化を、Maniらは、水素化されたスチレン-イソプレンゴムのスルホン化を、Serpicoらはスチレン-エチレンコポリマーのスルホン化を記載する。ポリアニオンとして存在することが好ましい上述のスルホン化合成ゴムに加えて、本発明に係る錯体は、好ましくはポリカチオンとして、従って電気伝導性ポリマーとして存在するポリチオフェンを含む。当該ポリチオフェンは、好ましくは、一般式IIIの繰り返し単位式中、R4およびR5は、互いに独立に、各々、H、置換されていてもよいC1-C18アルキルラジカルまたは置換されていてもよいC1-C18アルコキシラジカルを表し、R4およびR5は一緒に、置換されていてもよいC1-C8アルキレンラジカルこの置換されていてもよいC1-C8アルキレンラジカルにおいて、1以上のC原子は、OもしくはSから選択される1以上の同一のもしくは異なるヘテロ原子によって置き換えられてもよく、好ましくはC1-C8ジオキシアルキレンラジカルである、置換されていてもよいC1-C8オキシチアアルキレンラジカル、または置換されていてもよいC1-C8ジチアアルキレンラジカル、または置換されていてもよいC1-C8アルキリデンラジカルこの置換されていてもよいC1-C8アルキリデンラジカルにおいて、少なくとも1つのC原子は、OもしくはSから選択されるヘテロ原子によって置き換えられてもよいを表すを含む。これらは、特に好ましくは、一般式III-aおよび/またはIII-bの繰り返し単位を含むポリチオフェン式中、Aは、置換されていてもよいC1-C5アルキレンラジカル、好ましくは置換されていてもよいC2-C3アルキレンラジカルを表し、YはOまたはSを表し、R6は、直鎖状もしくは分枝状の、置換されていてもよいC1-C18アルキルラジカル、好ましくは直鎖状もしくは分枝状の、置換されていてもよいC1-C14アルキルラジカル、置換されていてもよいC5-C12シクロアルキルラジカル、置換されていてもよいC6-C14アリールラジカル、置換されていてもよいC7-C18アラルキルラジカル、置換されていてもよいC7-C18アルカリールラジカル、置換されていてもよいC1-C4ヒドロキシアルキルラジカル、またはヒドロキシルラジカルを表し、yは、0~8の整数、好ましくは0、1または2、特に好ましくは0または1を表し、複数のラジカルR6がAに結合されている場合、それらは、同じであってもよいしまたは異なってもよいである。一般式III-aは、置換基R6が、y個、アルキレンラジカルAに結合されていてもよいというように理解されるべきである。本発明に係る錯体のさらなる最も特に好ましい実施形態では、一般式IIIの繰り返し単位を含むポリチオフェンは、一般式III-aaおよび/または一般式III-abの繰り返し単位を含むポリチオフェン式中、R6およびyは、これまでに与えられた意味を有するである。本発明に係る錯体のなおさらなる例示の好ましい実施形態では、一般式IIIの繰り返し単位を含むポリチオフェンは、一般式III-aaaおよび/または一般式III-abaのポリチオフェンを含むポリチオフェンである。本発明に関しては、接頭辞ポリは、複数の同一のまたは異なる繰り返し単位が当該ポリチオフェンの中に含まれるということを意味すると理解されたい。このポリチオフェンは、合計n個の、一般式IIIの繰り返し単位の繰り返し単位を含み、nは2~2,000、好ましくは2~100の整数であることができる。ポリチオフェン内の一般式IIIの繰り返し単位は、いずれも同一であってもよいしまたは異なってもよい。いずれも同一の一般式IIIの繰り返し単位を含むポリチオフェンが好ましい。当該ポリチオフェンは、末端基に、各々Hを有することが好ましい。特に好ましい実施形態では、一般式IIIの繰り返し単位を有するポリチオフェンは、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン、ポリ3,4-エチレンオキシチアチオフェンまたはポリチエノ[3,4-b]チオフェン、すなわち、Y=Sである式III-aaa、III-abaまたはIII-bの繰り返し単位を含むホモポリチオフェンであり、III-aaaの繰り返し単位を含むホモポリマーポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンが最も好ましい。当該置換されていてもよいポリチオフェンはカチオン性であり、カチオン性は、当該ポリチオフェン主鎖上に存在する電荷のみに関する。ラジカルR4およびR5の置換基に応じて、上記ポリチオフェンは、構造単位に正電荷および負電荷を有していてもよく、この場合この正電荷はポリチオフェン主鎖上に存在し、負電荷は、スルホネートまたはカルボキシレート基によって置換されたラジカルR上に存在してもよい。その場合、このポリチオフェン主鎖の正電荷は、ラジカルR上に存在してもよいアニオン性基によって一部または完全に飽和していてもよい。全体で見ると、これらの場合のポリチオフェンは、カチオン性であってもよく、電荷を帯びていなくてもよく、またはアニオン性でさえあってもよい。とはいうものの、本発明に関しては、それらはすべてカチオン性ポリチオフェンと考えられる。なぜなら、このポリチオフェン主鎖上の正電荷が重要だからである。正電荷は式には示されていない。なぜなら、その正電荷は共役して非局在化しているからである。正電荷の数は、しかしながら、少なくとも1でありかつ多くともnであるここでnはこのポリチオフェン内の同一のまたは異なるすべての繰り返し単位の総数である。本発明に係る錯体におけるポリチオフェンとスルホン化合成ゴムとの重量比ポリチオフェン:スルホン化合成ゴムは、好ましくは1:0.1~1:100の範囲、好ましくは1:0.2~1:20の範囲、特に好ましくは1:0.5~1:10の範囲にある。最初に掲げた目的の成就に向けた寄与は、ポリチオフェンと、スルホン化合成ゴム、好ましくはスチレンコポリマーに基づくスルホン化合成ゴム、特に好ましくは水素化されているかまたは水素化されていない、部分的にアルキル置換されていてもよいスチレン-ジエンコポリマーに基づくスルホン化合成ゴム、なおより好ましくは水素化されているかまたは水素化されていない、部分的にアルキル置換されていてもよいスチレン-ジエンブロックコポリマーに基づくスルホン化合成ゴム、なおより好ましくは水素化された、部分的にアルキル置換されていてもよいスチレン-ジエンブロックコポリマーに基づくスルホン化合成ゴム、なおより好ましくは水素化された、部分的にアルキル置換されていてもよいスチレン-ブタジエンまたはスチレン-イソプレンブロックコポリマーに基づくスルホン化合成ゴム、最も好ましくは水素化された、部分的にアルキル置換されていてもよいスチレン-イソプレンブロックコポリマーに基づくスルホン化合成ゴムと、を含む錯体の製造方法であって、このスルホン化合成ゴムの存在下でチオフェンモノマーが酸化的に重合される、製造方法によってもなされる。一般式IIIの繰り返し単位を含むポリチオフェンおよびその誘導体の製造のためのモノマー状の前駆体の製造方法は、当業者には公知であり、例えばL.Groenendaal、F.Jonas、D.Freitag、H.PielartzikJ.R.Reynolds、Adv.Mater.、2000年、第12巻、481-494頁およびその中で引用される文献に記載されている。異なる前駆体の混合物も使用することができる。本発明の意味の範囲内で、上記のチオフェンの誘導体は、例えばこれらのチオフェンの二量体または三量体であると理解される。このモノマー状の前駆体のより高分子量の誘導体、すなわち四量体、五量体なども、誘導体として可能である。この誘導体は、同じモノマー単位から構築されるか異なるモノマー単位から構築されるかのいずれでもよく、純粋な形態で使用されてもよいし、誘導体どうしの混合物および/または本願明細書中上記のチオフェンとの混合物として使用されてもよい。本発明の意味の範囲内で、これらのチオフェンおよびチオフェン誘導体の酸化された形態または還元された形態も、用語チオフェンおよびチオフェン誘導体に包含されるが、ただしこれはその重合が、上に記載したチオフェンおよびチオフェン誘導体を用いた場合と同じ導電性ポリマーを与える場合に限る。置換されていてもよい一般式IIIの繰り返し単位を含むポリチオフェンの製造のための特に好適なチオフェンモノマーは、置換されていてもよい3,4-アルキレンジオキシチオフェンであり、これは、例として、一般式IV式中、A、R6およびyは式III-aに関連して記載した意味を有し、複数のラジカルRがAに結合されている場合、それらは、同じであってもよいしまたは異なってもよい.によって表すことができる。最も特に好ましいチオフェンモノマーは置換されていてもよい3,4-エチレンジオキシチオフェンであり、チオフェンモノマーとしての非置換3,4-エチレンジオキシチオフェンの使用が最も特に好ましい。本発明に係る製造方法では、当該チオフェンモノマーが、スルホン化合成ゴムの存在下で、好ましくは水素化されているかもしくは水素化されていないスルホン化スチレン-ジエンコポリマーまたはスチレン-ジエンブロックコポリマーの存在下で酸化的に重合され、スルホン化合成ゴムとしては、特に水素化されているかもしくは水素化されていないスルホン化スチレン-ジエンコポリマーまたはスチレン-ジエンブロックコポリマーとしては、本発明に係る錯体に関連して好ましいスルホン化合成ゴムとしてすでに挙げられた合成ゴム、コポリマーおよびブロックコポリマーが特に好ましい。ピロールの酸化重合に好適な酸化剤を酸化剤として使用することができる。実務面の理由から、安価で取扱いが容易な酸化剤が好ましく、例としては、例えばFeCl3、FeClO43などの鉄III塩、ならびに有機酸の鉄III塩および有機ラジカルを含む無機酸の鉄III塩が挙げられる。C1-C20アルカノールの硫酸ヘミエステルの鉄III塩、例えばラウリル硫酸のFeIII塩が、有機ラジカルを含む無機酸の鉄III塩の例として挙げられる。以下のものが、有機酸の鉄III塩の例として挙げられる:C1-C20アルキルスルホン酸、例えばメタンスルホン酸およびドデカンスルホン酸、のFeIII塩;脂肪族C1-C20カルボン酸、例えば2-エチルヘキシルカルボン酸、のFeIII塩;脂肪族ペルフルオロカルボン酸、例えばトリフルオロ酢酸およびペルフルオロオクタン酸、のFeIII塩;脂肪族ジカルボン酸、例えばシュウ酸、のFeIII塩、ならびにとりわけ、C1-C20アルキル基で置換されていてもよい芳香族スルホン酸、例えばベンゼンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸およびドデシルベンゼンスルホン酸、のFeIII塩。有機酸の鉄III塩は、それらが有機溶剤に、特に水非混和性有機溶剤に部分的にまたは完全に可溶であるという応用面での大きな長所を有する。例えばtert-ブチルペルオキシド、ジイソブチリルペルオキシド、ジ-n-プロピルペルオキシジカーボネート、ジデカノイルペルオキシド、ジベンゾイルペルオキシド、過安息香酸tert-ブチル、ジ-tert-アミルペルオキシドなどの有機過酸化物も、酸化剤として使用することができる。例えば2,2’-アゾジイソブチロニトリルなどの有機アゾ化合物も使用することができる。本発明に係る製造方法では、チオフェンモノマーの酸化重合が、水非混和性有機溶剤または水非混和性有機溶剤の混合物の中で、当該スルホン化合成ゴムの存在下で行われることがさらに好ましい。例えばペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、石油エーテル、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンもしくはシクロヘプタンなどの直鎖状、分枝状もしくは環状の脂肪族炭化水素、例えばベンゼン、トルエンもしくはキシレンなどの芳香族炭化水素、例えばジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチルtert-ブチルエーテルなどのエーテル、例えばジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロメタン、トリクロロエタンおよびトリクロロエテンなどのハロゲン化炭化水素、例えばクロロベンゼンなどのハロゲン化芳香族炭化水素、例えばアセトニトリルなどの脂肪族ニトリル、例えばジメチルスルホキシドもしくはスルホランなどの脂肪族スルホキシドおよびスルホン、例えばメチルアセトアミド、ジメチルアセトアミドもしくはジメチルホルムアミドなどの脂肪族カルボン酸アミド、例えばアセトン、メチルエチルケトンもしくはメチルt-ブチルケトンなどのケトン、例えば酢酸メチル、酢酸エチルもしくは酢酸ブチルなどのエステル、またはこれらの水非混和性有機溶剤の混合物が、好適な水非混和性有機溶剤の例として挙げられる。この水非混和性有機溶剤中または水非混和性有機溶剤の混合物の中のチオフェンモノマーおよびスルホン化合成ゴムの濃度は、スルホン化合成ゴムの存在下でのチオフェンモノマーの酸化重合後に、0.1~30重量の範囲、好ましくは0.5~20重量の範囲、さらにより好ましくは1~10重量の範囲の濃度のポリチオフェンおよびスルホン化合成ゴムを含む錯体を含む分散液が得られるように選ばれることが好ましい。本発明に係る製造方法のさらなる特定の実施形態によれば、スルホン化合成ゴムの存在下でのチオフェンモノマーの酸化重合が、いずれの場合も反応混合物の総重量に対して5重量未満の、さらにより好ましくは1重量未満の、最も好ましくは0.5重量未満の水の存在下で行われることが好ましい。最初に掲げた目的の成就に向けた寄与は、上記の製造方法によって得ることができる錯体によってもなされる。最初に掲げた目的の成就に向けた寄与は、水非混和性有機溶剤もしくは水非混和性有機溶剤の混合物を含む組成物によっても、この有機溶剤もしくはこの有機溶剤の混合物に溶解もしくは分散した本発明に係る錯体によっても、または本発明に係る製造方法によって得ることができる錯体によってもなされる。本発明に係る錯体の製造方法に関連して好ましい水非混和性有機溶剤として上ですでに挙げられた溶剤は、水非混和性有機溶剤として好ましい。上記チオフェンモノマーの酸化重合が、対応する水非混和性有機溶剤または対応する水非混和性有機溶剤の混合物の中で、スルホン化合成ゴムの存在下で実施されるならば、このような組成物は、好ましくは、本発明に係る錯体の製造方法によって得ることができる。当該組成物は、好ましくは、ポリチオフェンと、スルホン化合成ゴム、好ましくは水素化されているかもしくは水素化されていないスルホン化スチレン-ジエンコポリマーまたはスチレン-ジエンブロックコポリマーとを含む錯体を、0.1~40重量の範囲、さらにより好ましくは1~30重量の範囲、なおより好ましくは1~10重量の範囲の濃度で含む。特定の実施形態では、この組成物は、高固形分含量によって際立つ。0.1~60重量、特に好ましくは1~50、最も特に好ましくは2~40重量、さらにより好ましくは5~30、最も好ましくは7.5~20重量の固形分含量が好ましい。本発明に係る組成物の特に好ましい実施形態によれば、本発明に係る組成物が、いずれの場合も当該組成物の総重量に対して5重量未満、特に好ましくは1重量未満、最も好ましくは0.5重量未満の、本願明細書に記載される試験方法によって求められた水分含量を有することがさらに好ましい。最初に掲げた目的の成就に向けた寄与は、基板と、その基板表面の少なくとも一部に対して付与された導電層とを含む層構造であって、この導電層は、本発明に係る錯体または本発明に係る製造方法によって得ることができる錯体を含む、層構造によってもなされる。特にプラスチックフィルムは、本発明に関する基板として好ましく、最も特に好ましくは、従来どおり、5~5000μmの範囲、特に好ましくは10~2500μmの範囲、最も好ましくは100~1000μmの範囲の厚さを有する透明なプラスチックフィルムである。このようなプラスチックフィルムは、例えば、ポリカーボネート、例えばPETおよびPENポリエチレンテレフタレートおよびポリエチレンナフタレンジカルボキシレートなどのポリエステル、コポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホンPES、ポリイミド、ポリアミド、ポリエチレン、ポリプロピレンまたは環状ポリオレフィンまたは環状オレフィンコポリマーCOC、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、水素化されたスチレンポリマーまたは水素化されたスチレンコポリマーなどのポリマーに基づくことができる。プラスチック材料に加えて、特に金属または金属酸化物に基づく基板も基板として好適であり、例としては、例えばITO層酸化インジウムスズ層などが挙げられる。ガラスも基板として使用することができる。最初に掲げた目的の成就に向けた寄与は、層構造の製造方法であって、I基板を準備する工程と、II本発明に係る組成物を付与する工程と、IIIこの有機溶剤を少なくとも部分的に除去して、本発明に係る錯体または本発明に係る製造方法によって得ることができる錯体を含む導電層を得る工程とを含む製造方法によってもなされる。この方法の工程Iでは、まず基板が準備され、この際には、本発明に係る層構造に関連して好ましい基板として上ですでに挙げられた基板が基板として好ましい。表面の極性、従ってぬれ性および化学親和性を改良するために、この基板の表面は、導電層を付与する前に、例えばコロナ処理、火炎処理、フッ素化またはプラズマ処理によって、前処理されてもよい。工程IIで、層を形成する目的で、本発明に係る組成物が基板表面に付与される前に、例えば電気伝導率を上昇させるさらなる添加剤も、この組成物に加えられてもよく、その例としては、例えばテトラヒドロフランなどのエーテル基を含む化合物、ブチロラクトン、バレロラクトンなどのラクトン基を含む化合物、カプロラクタム、N-メチルカプロラクタム、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミドDMF、N-メチルホルムアミド、N-メチルホルムアニリド、N-メチルピロリドンNMP、N-オクチルピロリドン、ピロリドンなどのアミド基もしくはラクタム基を含む化合物、例えばスルホランテトラメチレンスルホン、ジメチルスルホキシドDMSOなどのスルホンおよびスルホキシド、例えばスクロース、グルコース、フルクトース、ラクトースなどの糖または糖誘導体、例えばソルビトール、マンニトールなどの糖アルコール、例えば2-フランカルボン酸、3-フランカルボン酸などのフラン誘導体、ならびに/または例えばエチレングリコール、グリセロールもしくはジエチレングリコールもしくはトリエチレングリコールなどのジアルコールもしくはポリアルコールが挙げられる。テトラヒドロフラン、N-メチルホルムアミド、N-メチルピロリドン、エチレングリコール、ジメチルスルホキシドまたはソルビトールが、電気伝導率を上昇させる添加剤として使用されることが特に好ましい。特に有機溶剤に可溶である1以上の有機バインダ、例えばポリ酢酸ビニル、ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリル酸アミド、ポリメタクリル酸エステル、ポリメタクリル酸アミド、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニル、ポリビニルピロリドン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリエーテル、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホン、シリコーン、エポキシ樹脂、スチレン-アクリレート、酢酸ビニル/アクリレートおよびエチレン/酢酸ビニルコポリマー、ポリビニルアルコールまたはセルロース誘導体も、当該組成物に加えられてもよい。使用される場合の、この高分子バインダの割合は、従来どおり、コーティング組成物の総重量に対して0.1~95重量の範囲にある。pHを調整するために、例えば、酸または塩基をこのコーティング組成物に加えることができる。分散液の膜形成に悪影響を与えない添加剤が好ましく、例えば塩基2-ジメチルアミノ-エタノール、2,2’-イミノジエタノールまたは2,2’,2-ニトリロトリエタノールが挙げられる。層構造を製造するための本発明に係る製造方法の特に好ましい実施形態によれば、基板表面上への付与後の当該組成物の架橋を可能にする架橋剤も、基板表面への付与の前に、当該組成物に添加されてもよい。有機溶剤に対する当該コーティングの溶解性も、このようにして低下させることができる。メラミン化合物、ブロック化イソシアネート、官能性シラン、例えばテトラエトキシシラン,アルコキシシラン加水分解生成物、例えばテトラエトキシシランに基づく加水分解生成物、または3-グリシドオキシプロピルトリアルコキシシランなどのエポキシシランが、好適な架橋剤の例として挙げられる。これらの架橋剤は、いずれの場合も組成物の総重量に対して0.01~10重量の範囲の量、特に好ましくは0.05~5重量の範囲の量、最も好ましくは0.1~1重量の範囲の量で、当該組成物に加えられてもよい。次いで、工程IIにおいて、このコーティング組成物は、公知の方法によって、例えば、スピンコーティング、ディッピング浸漬、注ぎ込み、滴下、注入、噴霧、ドクターブレード塗布、塗装または印刷、例えば、インクジェット印刷、スクリーン印刷、凹版印刷、オフセット印刷またはパッド印刷によって、0.1μm~250μmの乾燥前膜厚、好ましくは0.5μm~50μmの乾燥前膜厚で基板に付与され、その後、20°C~200°Cの温度で乾燥されてもよい。本発明に係る層構造において基板表面を少なくとも部分的に覆う層は、好ましくは0.01~50μmの範囲、特に好ましくは0.02~25μmの範囲、最も好ましくは0.02~10μmの範囲の膜厚を有する。次いで工程IIIでは、有機溶剤が少なくとも部分的に除去されて、本発明に係る錯体または本発明に係る製造方法によって得ることができる錯体を含む導電層が得られ、この除去は、簡便な蒸発によって実施されることが好ましい。最初に掲げた目的は、上記の製造方法によって得ることができる層構造によっても成し遂げられる。本発明に係る層構造または本発明に係る製造方法によって得ることができる層構造に関連して、本願明細書に記載される試験方法によって決定される導電層の比抵抗が、好ましくは10,000Ωcm未満であることがさらに好ましい。比抵抗は、任意に、当該組成物への、さらなるポリアニオンの選択的な添加によって、特にさらなるスルホン化合成ゴムの選択的な添加によって、特にさらなる水素化されているかもしくは水素化されていないスルホン化スチレン-ジエンコポリマーまたはスチレン-ジエンブロックコポリマーの選択的な添加によって、個々の応用例についての最適値へと調整されてもよい。最初に掲げた目的の成就に向けた寄与は、本発明に係る層構造を含む電子部品によってもなされる。好ましい電子部品は、特に有機発光ダイオード、有機太陽電池または有機コンデンサであり、コンデンサにおける使用、特に誘電体としての酸化アルミニウムを伴うコンデンサにおける固体電解質としての使用が特に好ましい。最初に掲げた目的の成就に向けた寄与は、電子部品における、特に有機発光ダイオード、有機太陽電池もしくはコンデンサにおける導電層を製造するため、または帯電防止コーティングを製造するための本発明に係る組成物の使用によってもなされる。このあと、本発明は、図表、試験方法および非限定的な実施例を参照してより詳細に説明される。試験方法比抵抗の決定洗浄したガラス基板をスピンコーター上に置き、この基板上にPEDOTを含む分散液10mLを広げた。次いで、上澄み溶液を、プレートを回転させることにより振り落とした。このあと、このようにコーティングした基板を、ホットプレートの上で、200°Cで15分間乾燥した。表面形状測定装置Tencor、Alphastep500を用いて層の厚さを測定した。長さ2.5cmのAg電極を、シャドーマスクを介して蒸着することによって、電気伝導率を求めた。電位計Keithly614を用いて求めた表面抵抗に膜厚を掛け合わせ、比抵抗を得た。水分含量の決定水分含量は、カールフィッシャー滴定によって求められる。この目的のために、703滴定台を具えるMetrohm787KFTitrinoが使用される。約1cmの白金電極が沈むように、滴定容器が分析等級メタノールで満たされる。次いで、およそ5mLのHydranalバッファー酸がピペットで添加される。KFTプログラムを開始することにより、滴定セルは自動的に乾燥される。KFTconditionedKFTの準備が整いましたというメッセージが現れると、用意は完了している。次いで分析対象の分散液のおよそ5mLが、シリンジを使用して滴定容器の中へと導入され、このシリンジを逆秤量することにより使用される分散液の正確な質量が求められる。次いで滴定が開始される。測定された値は、3回の個々の測定値の平均として求められる。OLEDの製造1.ITOコーティングした基板の調製ITOでコーティングしたガラスを50mm×50mmの小片基板へと切断し、4本の平行線-各々幅2mmおよび長さ5cm-を作製するためのフォトレジストを用いてパターン形成する。その後この基板を、0.3Mucasol溶液中、超音波浴の中で洗浄し、この基板を蒸留水でリンスし、遠心機の中で遠心乾燥する。コーティングの直前に、上記ITOでコーティングした面をUV/オゾン反応器PR-100、UVPInc.、英国、ケンブリッジの中で10分間洗浄した。2.正孔注入層の付与洗浄したITO基板をスピンコーター上に置き、本発明に係る分散液をフィルターMilliporeHV、0.45μmに通して、この基板のITOコーティングした面に広げる。次いで、上澄み溶液を、プレートを1300rpmで30秒間回転させることにより振り落とす。次いで、このようにしてコーティングした基板を、ホットプレートの上で、200°Cで5分間乾燥する。表面形状測定装置Tencor、Alphastep500を用いて膜厚を求める。3.正孔輸送層およびエミッタ層の付与本発明に係る分散液でコーティングしたITO基板を蒸着ユニットUnivex350、Leyboldに移す。10-3Paの圧力下で、NPBN,N’-ビスナフタレン-1-イル-N,N’-ビスフェニルベンジジンからなる60nmの正孔輸送層、次いでAlQ3トリス-8-ヒドロキシキノリンアルミニウムからなる50nmのエミッタ層を1Å/秒の堆積速度で堆積する。4.金属カソードの付与次にこの層系を、N2雰囲気および統合された真空コーティングユニットを具えるグローブボックスEdwardsに移し、金属電極で金属被覆する。この目的のために、当該層系を下に向けて基板をシャドーマスク上に置く。このシャドーマスクは、ITOの細片を直角に横切る2mm幅の矩形の細い穴を具える。p=10-3Paの圧力下で、0.5nm厚のLiF層、次いで200nm厚のAl層が、2つの蒸発皿から連続的に堆積される。堆積速度は、LiFについては1Å/秒であり、Alについては10Å/秒である。個々のOLEDの表面積は4.0mm2である。5.OLEDの特性解析上記LEDの2つの電極を、導線を介して電力供給装置につなぐ接触させる。正極をITO電極につなぎ、負極を金属電極につなぐ。OLED電流およびエレクトロルミネセンス強度を電圧に対してプロットする。エレクトロルミネセンスは、輝度計MinoltaLS-100を用いて絶対輝度に較正したフォトダイオードEGGC30809Eを用いて検出される。次いで、I=1.92mAの一定電流を上記構成物に印加し、電圧および光度を時間の関数としてモニターすることにより、寿命を求める。実施例1本発明に係るトシル酸鉄IIIを酸化剤として用いるPEDOT分散液の製造800mLのビーカーの中で、スルホン化合成ゴムのシクロヘキサン溶液11.2、FumionFCLHC510、イオン交換能1.9meq/g、ポリマーの分子量100,000g/mol超、Fumatech、ドイツ90gに45gのトルエンを加える。9.0gのエチレンジオキシチオフェンClevios登録商標MV2、H.C.StarckCleviosGmbH、ドイツ、またはHeraeusPreciousMetalsGmbH、ドイツを加える。次いで、トシル酸鉄IIIのエタノール溶液55、CleviosCE55、H.C.StarckCleviosGmbH、ドイツ47.7gを加える。この混合物を室温で1時間撹拌する。次いで、450gのシクロヘキサンを加える。この混合物を2分間撹拌し、1リットルのプラスチック瓶に移す。1時間後、上澄み分散液を沈殿物から傾瀉する。14日後に再度上澄み分散液を傾瀉する。この混合物の固形分含量は4.0であった。本願明細書に記載される試験方法によって求めた比抵抗は5Ωcmであった。本願明細書に記載される試験方法によって求めた水分含量は0.2であった。実施例2本発明に係るトシル酸鉄IIIおよびベンゾイルペルオキシドを酸化剤として用いるPEDOT分散液の製造250mLの丸底フラスコの中で、スルホン化合成ゴムのシクロヘキサン溶液11.2、FumionFCLHC510、イオン交換能1.9meq/g、ポリマーの分子量100,000g/mol超、Fumatech、ドイツ23.5gに95gのトルエンを加える。1.08gのエチレンジオキシチオフェンClevios登録商標MV2、H.C.StarckCleviosGmbH、ドイツを加える。次いで、トシル酸鉄IIIのエタノール溶液55、Clevios登録商標CE55、H.C.StarckCleviosGmbH、ドイツ0.27gおよびフタル酸ジブチル中のベンゾイルペルオキシドの40混合物SigmaAldrich、米国5.24gを加える。この混合物を室温で一晩撹拌する。本願明細書に記載される試験方法によって求めた比抵抗は1300Ωcmであった。実施例3本発明に係る200~300Ωcmの比抵抗を持つ分散液の製造100mLのビーカーの中で、スルホン化合成ゴムのシクロヘキサン溶液11.2、FumionFCLHC510、イオン交換能1.9meq/g、ポリマーの分子量100,000g/mol超、Fumatech、ドイツ17.8gおよびトルエン67gを、実施例1から得た本発明に係る分散液50gに加える。この混合物を5分間撹拌し、次いで0.45μmのシリンジフィルターに通して濾過する。この混合物の固形分含量は2.9であった。本願明細書に記載される試験方法によって求めた比抵抗は233Ωcmであった。実施例4本発明に係るOLEDの製造実施例3から得た本発明に係る分散液を使用して、有機発光ダイオードOLEDを構築した。OLEDを製造するための手順は以下のとおりであった。本発明に係る層の膜厚は50nmであった。これらのOLEDについての特性データは、実施例7でまとめる。実施例5本発明に係る架橋性分散液の製造およびOLEDにおける正孔注入層としての使用実施例4から得た本発明に係る分散液を追加的に架橋剤と混合したことを除き、手順は実施例4におけるのと同じである。液体架橋剤SilquestA187、Momentiveを、0.1重量の濃度で、実施例4から得た本発明に係る分散液に加えた。次いで、この溶液を濾過しMilliporeHV、0.45μm、ITO基板上に広げ、1300rpmで30秒間のスピンコーティングによって塗布した。次いでこの層を、ホットプレート上で、200°Cで5分間乾燥した。膜厚は50nmであった。このようにして製造した層の架橋が首尾よく進行したことは、乾燥した層にトルエンを乗せることにより実証された;膜が目に見えて剥離することはなかった。これらのOLEDについての特性データは、実施例7でまとめる。実施例6本発明によらないOLEDの製造第2工程において、OLED構築における標準品と考えられるClevios登録商標PVPAI4083H.C.StarckCleviosGmbHを、実施例4から得た本発明に係る分散液の代わりに中間層として使用したことを除き、手順は実施例4におけるのと同じである。AI4083を濾過し、600rpmで30秒間のスピンコーティングによって塗布し、次いでホットプレート上で、200°Cで5分間乾燥した。膜厚は50nmであり、比抵抗は1290Ωcmであった。これらのOLEDについての特性データは、実施例7でまとめる。実施例7実施例4、5および6から得たOLEDの比較実施例4、5および6から得たOLEDについての、電流およびエレクトロルミネセンスを電圧に対してプロットするグラフ、ならびに寿命測定を比較した。寿命測定では、時間t=0における電圧U0および輝度L0、比L0/Iとしての電流効率、輝度がL0の50まで低下するための時間、tL0/2、および時間tL0/2における電圧を分析する。これより、実施例4から得た本発明に係る分散液は、高分子架橋剤の添加があろうとなかろうとOLEDにおける中間層として好適であるということが実証される。測定された電流効率は、標準的な材料であるClevios登録商標PVPAI4083を用いて同等のやり方で構築したOLEDの電流効率に相当する。本発明に係る分散液を用いて測定された寿命値は、Clevios登録商標PVPAI4083を用いて得られた値を超える。本発明に係る分散液の架橋により、層は、例えばトルエンなどの有機溶剤に不溶性となる。これは、HIL層の後の層、例えばエミッタ層、が同様に溶剤から堆積されるOLEDにおいてもこれらの層が使用できるということを意味する。これは、例えば高分子エミッタの場合に該当する。実施例8実施例1で製造した分散液100gをロータリーエバポレーターで濃縮した。次いで、この分散液の固形分含量を、重量測定によって15.5と求めた。この分散液の粘度は89mPasであった。実施例9本発明ベンゾイルペルオキシドを使用するEDTの重合2000mLの丸底フラスコの中で、スルホン化合成ゴムのシクロヘキサン溶液11.2FumionFCLHC510、イオン交換能1.9meq/g、ポリマーの分子量100,000g/mol超、Fumatec、ドイツ223gに900gのトルエンを加える。10.2gのエチレンジオキシチオフェンClevios商標MV2、Heraeus、ドイツを加える。次いで45.8gのジベンゾイルペルオキシドのフタル酸ジブチル溶液40、SigmaAldrich、米国を、窒素雰囲気下で加える。この混合物を、窒素下、50°Cで1時間および60°Cで6時間撹拌する。本願明細書に記載される試験方法に従って求めた比抵抗は、2.03Ωcmであった。"