"第1コンタクトと、前記第1コンタクトの隣に位置する第1ゲート電極とを有する半導体装置を準備する工程と、前記第1コンタクトと前記第1ゲート電極との間で生じる第1リーク電流を測定する工程と、トランジスタのソース又はドレインとなる不純物層に接続するコンタクトと、当該トランジスタのゲート電極との間の距離と、前記コンタクトと前記ゲート電極の間で生じるリーク電流の大きさの相関を示す変換用データを取得する工程と、前記第1リーク電流及び前記変換用データを用いて、前記第1コンタクトと前記第1ゲート電極との間の距離を算出する工程と、を備える半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体装置はトランジスタを有しており、前記距離を算出する工程の後に、前記第1コンタクトと前記第1ゲート電極との間の距離を用いて前記トランジスタが有するゲート電極とコンタクトとの間のTDDB寿命を算出する半導体装置の製造方法。第1コンタクトと、前記第1コンタクトの隣に位置する第1ゲート電極と、トランジスタと、を有するTEGを備える半導体装置を準備する工程と、前記第1コンタクトと前記第1ゲート電極との間で生じる第1リーク電流を測定する工程と、トランジスタのソース又はドレインとなる不純物層に接続するコンタクトと、当該トランジスタのゲート電極との間のTDDB寿命と、前記コンタクトと前記ゲート電極の間で生じるリーク電流の大きさの相関を示す変換用データを取得する工程と、前記第1リーク電流及び前記変換用データを用いて、前記トランジスタにおけるコンタクトとゲート電極との間のTDDB寿命を算出する工程と、を備える半導体装置の製造方法。請求項2又は3に記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体装置は、TEGとして前記第1ゲート電極及び前記第1コンタクトを有している半導体装置の製造方法。請求項4に記載の半導体装置において、前記半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の表面に部分的に形成された絶縁膜とを有しており、前記TEGは、前記絶縁膜上に形成されている半導体装置の製造方法。請求項4又は5に記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体装置は、前記第1ゲート電極と前記第1コンタクトの距離が互いに異なる複数の前記TEGを有しており、前記第1リーク電流を測定する工程において、前記複数のTEGそれぞれに対して前記第1リーク電流を測定する半導体装置の製造方法。請求項4~6のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体装置は、前記第1ゲート電極の延伸方向が互いに異なる複数の前記TEGを有しており、前記第1リーク電流を測定する工程において、前記複数のTEGそれぞれに対して前記第1リーク電流を測定する半導体装置の製造方法。請求項4~7のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、前記TEGは、前記第1ゲート電極に対する距離が互いに異なる複数の前記第1コンタクトを有する半導体装置の製造方法。請求項4~8のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、前記TEGは、前記第1ゲート電極に対する距離が同一の複数の前記第1コンタクトを有しており、前記複数の第1コンタクトは、同一の電極パッドに接続している半導体装置の製造方法。請求項4~9のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、前記TEGは、前記第1ゲート電極と並行に延伸しており、前記第1コンタクトを介して前記第1ゲート電極とは反対側に位置する第2ゲート電極を有する半導体装置の製造方法。請求項4~10のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、前記TEGは、前記第1ゲート電極を介して互いに逆側に位置している2つの前記第1コンタクトを有する半導体装置の製造方法。請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法において、複数の前記半導体装置が一つの基板内に形成されており、前記基板内には、TEGとして前記第1ゲート電極及び前記第1コンタクトが形成されており、前記基板は、少なくとも一つの前記半導体装置を挟んで互いに離間している複数の前記TEGを有しており、前記第1リーク電流を測定する工程において、前記複数のTEGそれぞれに対して前記第1リーク電流を測定し、前記距離を算出する工程において、前記複数のTEGそれぞれに対して前記距離を算出し、さらに前記複数のTEGそれぞれの位置と前記距離とを用いて、前記第1ゲート電極を形成するための露光工程と前記第1コンタクトを形成するための露光工程の間の重ね合わせ誤差の前記基板内分布を算出する半導体装置の製造方法。請求項1~12のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、前記変換用データは、前記半導体装置の構造に応じて複数あり、前記変換用データを取得する工程において、前記半導体装置の構造に応じた前記変換用データを取得する半導体装置の製造方法。基板と、前記基板の表面に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されたTEGと、を備え、前記TEGは、前記絶縁膜上に位置している第1ゲート電極と、前記絶縁膜上に位置しており、前記第1ゲート電極の隣に位置する第1コンタクトと、前記第1コンタクトに接続している第1電極パッドと、前記第1ゲート電極に接続している第2電極パッドと、を有する半導体装置。請求項14に記載の半導体装置において、前記絶縁膜は素子分離膜である半導体装置。請求項14又は15に記載の半導体装置において、前記第1電極パッドは、配線を介して前記第1コンタクトにのみ接続しており、前記第2電極パッドは、配線を介して前記第1ゲート電極にのみ接続している半導体装置。請求項14~16のいずれか一項に記載の半導体装置において、回路を構成するトランジスタ、及び前記トランジスタのソース又はドレインとなる不純物層に接続する第2コンタクトを有している半導体装置。請求項14~17のいずれか一項に記載の半導体装置において、前記第1ゲート電極と前記第1コンタクトの距離が互いに異なる複数の前記TEGを有している半導体装置。請求項14~18のいずれか一項に記載の半導体装置において、前記第1ゲート電極の延伸方向が互いに異なる複数の前記TEGを有している半導体装置。請求項14~19のいずれか一項に記載の半導体装置において、前記TEGは、前記第1ゲート電極に対する距離が互いに異なる複数の前記第1コンタクトを有する半導体装置。請求項14~20のいずれか一項に記載の半導体装置において、前記TEGは、前記第1ゲート電極に対する距離が同一の複数の前記第1コンタクトを有しており、前記複数の第1コンタクトは、同一の電極パッドに接続している半導体装置。請求項14~21のいずれか一項に記載の半導体装置において、前記TEGは、前記第1ゲート電極と並行に延伸しており、前記第1コンタクトを介して前記第1ゲート電極とは反対側に位置する第2ゲート電極を有する半導体装置。請求項14~22のいずれか一項に記載の半導体装置において、前記TEGは、前記第1ゲート電極を介して互いに逆側に位置している2つの前記第1コンタクトを有する半導体装置。近年は、半導体装置の微細化が進んでおり、トランジスタのソースドレインに対するコンタクトと、そのトランジスタのゲート電極との間隔が狭くなってきている。このため、このコンタクトとゲート電極との間に位置する絶縁膜のTDDB特性も評価する必要が出てきている。TDDB特性には、コンタクトとゲート電極との間隔が大きな影響を与える。しかし、今までは、コンタクトとゲート電極との間隔を効率よく測定することはできなかった。本発明によれば、第1コンタクトと、前記第1コンタクトの隣に位置する第1ゲート電極とを有する半導体装置を準備する工程と、前記第1コンタクトと前記第1ゲート電極との間で生じる第1リーク電流を測定する工程と、トランジスタのソース又はドレインとなる不純物層に接続するコンタクトと、当該トランジスタのゲート電極との間の距離と、前記コンタクトと前記ゲート電極の間で生じるリーク電流の大きさの相関を示す変換用データを取得する工程と、前記第1リーク電流及び前記変換用データを用いて、前記第1コンタクトと前記第1ゲート電極との間の距離を算出する工程と、を備える半導体装置の製造方法が提供される。本発明者は、コンタクトとゲート電極の間で生じるリーク電流の大きさが、コンタクトとゲート電極の距離と相関を有することに着目し、上記した発明を創出するに至った。すなわち本発明では、変換用データを用いることにより、第1リーク電流の測定結果を第1コンタクトと第1ゲート電極の間の距離に変換している。このため、第1コンタクトと第1ゲート電極の間の距離を実測する場合と比較して、測定効率を高くすることができる。本発明によれば、第1コンタクトと、前記第1コンタクトの隣に位置する第1ゲート電極と、トランジスタと、を有するTEGを備える半導体装置を準備する工程と、前記第1コンタクトと前記第1ゲート電極との間で生じる第1リーク電流を測定する工程と、トランジスタのソース又はドレインとなる不純物層に接続するコンタクトと、当該トランジスタのゲート電極との間のTDDB寿命と、前記コンタクトと前記ゲート電極の間で生じるリーク電流の大きさの相関を示す変換用データを取得する工程と、前記第1リーク電流及び前記変換用データを用いて、前記トランジスタにおけるコンタクトとゲート電極との間のTDDB寿命を算出する工程と、を備える半導体装置の製造方法が提供される。本発明によれば、基板と、前記基板の表面に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されたTEGと、を備え、前記TEGは、前記絶縁膜上に位置している第1ゲート電極と、前記絶縁膜上に位置しており、前記第1ゲート電極の隣に位置する第1コンタクトと、前記第1コンタクトに接続している第1電極パッドと、前記第1ゲート電極に接続している第2電極パッドと、を有する半導体装置が提供される。本発明によれば、コンタクトとゲート電極との間隔を効率よく測定することができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。図2は、図1に示した半導体装置の平面図である。図1は、図2の上下方向の断面に対応している。この半導体装置は、基板100、素子分離膜絶縁膜102、第1ゲート電極310、第1コンタクト320、第1電極パッド332図1では不図示、及び第2電極パッド334図1では不図示を有している。素子分離膜102は、基板100の表面に部分的に形成されている。第1ゲート電極310は、素子分離膜102上に位置している。第1コンタクト320は素子分離膜102上に位置しており、第1ゲート電極310の隣に位置している。第1電極パッド332は、配線、ビア、及びコンタクトを介して第1コンタクト320のみに接続しており、第2電極パッド334は、配線、ビア、及びコンタクトを介して第1ゲート電極310のみに接続している。本実施形態において、第1ゲート電極310及び第1コンタクト320はTEG300を構成している。TEG300は、第1ゲート電極310と第1コンタクト320の間の位置ずれマスクの重ね合わせずれを測定するためのTEGである。具体的には、第1ゲート電極310と第1コンタクト320の距離と、リーク電流量の大きさの相関を示す変換用データを予め準備しておく。そして、第1ゲート電極310と第1コンタクト320の間のリーク電流量を測定し、測定したリーク電流量を、上記した変換用データを用いて第1ゲート電極310と第1コンタクト320の距離に変換する。そして、第1ゲート電極310と第1コンタクト320の距離の測定値と、この距離の設計値との差から、第1ゲート電極310を形成するための露光処理と、第1コンタクト320を形成するための露光処理と、の間の重ねあわせ誤差を測定することができる。以下、詳細に説明する。まず、半導体装置の構成について説明する。この半導体装置において、TEG300はスクライブ領域20に配置される。スクライブ領域20は、半導体チップとなる複数のチップ領域10の相互間に位置しており、半導体チップを個片化するときにダイシングブレード50図7参照が通る領域である。本実施形態において、TEG300は、素子分離膜102上に位置している。これにより、第1ゲート電極310と第1コンタクト320の間を流れる電流を、そのまま第1ゲート電極310と第1コンタクト320の間で生じるリーク電流と見なすことができる。ただし、補正方法によっては、TEG300は素子分離膜102等の絶縁膜上に位置していなくてもよい場合もある。第1コンタクト320は、基板100上に形成された層間絶縁膜200に埋め込まれている。なお、TEG300の第1ゲート電極310と素子分離膜102の間には、ゲート絶縁膜312が形成されている。また第1ゲート電極310の側面にはサイドウォール330が形成されている。チップ領域10には、回路を構成するトランジスタ110図2では省略、及びトランジスタ110に接続する配線14及び電極パッド12図1では省略が位置している。トランジスタ110は、ゲート絶縁膜111、ゲート電極112、サイドウォール114、エクステンション領域116、及び不純物層118を有している。ゲート絶縁膜111は、酸化シリコンよりも誘電率が高い材料から形成された膜High-K膜で構成されており、例えば堆積法により形成されている。不純物層118は、第2コンタクト210に接続している。第2コンタクト210は、層間絶縁膜200に埋め込まれている。図2に示すように、第1ゲート電極310は、スクライブ領域20の延伸方向と平行に延伸するように配置されている。そして第1コンタクト320は、第1ゲート電極310から、スクライブ領域20の延伸方向に対して直角な方向に離間している。このようなTEG300を用いた場合、スクライブ領域20の延伸方向に対して垂直な方向の重ねあわせ誤差を測定することができる。ただし図3に示すように、第1ゲート電極310は、スクライブ領域20の延伸方向に対して直角な方向に延伸するように配置されてもよい。この場合、第1コンタクト320は、第1ゲート電極310から、スクライブ領域20の延伸方向に沿って離間している。このようなTEG300を用いた場合、スクライブ領域20の延伸方向に対して平行な方向の重ねあわせ誤差を測定することができる。図4は、第1ゲート電極310と第1コンタクト320の間の距離と、第1ゲート電極310と第1コンタクト320の間で生じるリーク電流の大きさの関係の一例を示している。本図からわかるように、第1ゲート電極310と第1コンタクト320の間に電圧を印加した場合、第1ゲート電極310と第1コンタクト320の間には微量のリーク電流が生じる。第1ゲート電極310、第1コンタクト320、及びこれらの間に位置する絶縁膜の構造が同一であり、かつ第1ゲート電極310と第1コンタクト320の間に印加する電圧が一定の場合、第1ゲート電極310と第1コンタクト320の間で生じるリーク電流量は、第1ゲート電極310と第1コンタクト320の距離が大きくなるにつれて減少する。このため、予め図4に示したデータを測定し、測定結果を変換用データとして保持しておくことにより、第1ゲート電極310と第1コンタクト320の間を流れる電流量の測定値から、第1ゲート電極310と第1コンタクト320の距離を測定することができる。なお、第1ゲート電極310と第1コンタクト320の間の距離と、第1ゲート電極310と第1コンタクト320の間で生じるリーク電流の大きさの関係は、第1ゲート電極310の材料、第1コンタクト320の材料、第1ゲート電極310の形状、第1コンタクト320の形状、サイドウォール330の構造、及び層間絶縁膜200の材料など、半導体装置の構成によって変化する。このため、実際には、各半導体装置について図4に示した変換用データを実測により算出して検査装置に記憶させておき、検査時に、検査装置が、検査対象の半導体装置に対応した変換用データを読み出すようにすれば良い。また、第1ゲート電極310と第1コンタクト320の間で生じるリーク電流の大きさには、以下のShottkyemission又はPoolFrenkel電流を表す式1が適用できる。図5は、トランジスタのゲート電極と、このトランジスタのソースドレインに接続するコンタクトとの間で生じる電界強度と、このゲート電極とコンタクトの間におけるTDDB寿命と、の関係を示すグラフである。ゲート電極とコンタクトの電界強度が強くなると、それにあわせてゲート電極とコンタクトの間におけるTDDB寿命が短くなっている。ゲート電極とコンタクトの電界強度は、そのゲート電極とコンタクトに加わる電位の差、及びゲート電極とコンタクトの間隔で算出することができる。前者は半導体装置の設計段階で分かっている。従って、図4を用いて説明した方法によりゲート電極とコンタクトの間隔を算出すると、ゲート電極とコンタクトの間におけるTDDB寿命の推定値を算出することができる。なお、図5に示した現象は、以下の理論により説明できる。コンタクトとゲート電極の間のTDDBに起因した絶縁破壊による故障において、絶縁破壊時の寿命tは、累積故障確率Fが次式2で与えられるWeibull分布に従う。ここで、βはWeibull分布の形状パラメータ、ηはWeibull分布の尺度パラメータ特性寿命である。そして重ね合わせ誤差により、コンタクトとゲート電極の間の距離が変動し、印加される電界強度Eが変動した場合、累積故障確率は尺度パラメータη=ηEの電界加速性を通じて変動する。ここで、式2によって、実使用条件の累積故障率の見積もりがなされる。酸化シリコン膜のTDDBやlow-k膜のTDDBについては、電界加速モデルとして、式3で与えられるpower-lawモデルや式4で与えられる√Eモデルが提唱されている。[先行文献1]E.Wu,etal.,IEEETran.ElectronDevices,vol.49,p.22442002,[先行文献2]F.Chen,etal.,IRPS2006,p.46ここで、Vは印加電圧、sは、コンタクト-ゲート間距離の距離である。また、nはpowerlawモデルにおける電界加速項の指数、γは√Eモデルの電界加速係数である。こうしたモデルを適用すると、重ね合わせ誤差によって距離sが変動したときの寿命分布変動を見積もることができる。次に、図6のフローチャートを用いて、この半導体装置の製造方法の第1例を説明する。まず、半導体装置の各構成要素を形成するステップS10。具体的には、まず基板100に素子分離膜102を形成する。次いでゲート絶縁膜111及びゲート絶縁膜312を形成し、さらにゲート電極112及び第1ゲート電極310を形成する。このとき、ゲート絶縁膜111とゲート絶縁膜312は同一工程で形成され、ゲート電極112と第1ゲート電極310は同一工程で形成される。すなわち、ゲート絶縁膜111とゲート絶縁膜312は同一の材料により同一の厚さに形成され、ゲート電極112と第1ゲート電極310は同一の材料により同一の厚さで形成される。次いで、素子分離膜102をマスクとして基板100に不純物を注入する。これにより、トランジスタ110のエクステンション領域116が形成される。次いで、サイドウォール114及びサイドウォール330を形成する。サイドウォール114及びサイドウォール330も、同一工程で形成される。次いで、素子分離膜102及びサイドウォール114をマスクとして、基板100に不純物を注入する。これにより、不純物層118が形成される。このようにして、トランジスタ110、及びTEG300の第1ゲート電極310が形成される。次いで、トランジスタ110及び第1ゲート電極310上に、層間絶縁膜200を形成し、層間絶縁膜200に第2コンタクト210及び第1コンタクト320を埋め込む。第2コンタクト210及び第1コンタクト320は、同一の工程で形成され、少なくとも上端は互いに同一の形状を有している。その後、層間絶縁膜200、第2コンタクト210、及び第1コンタクト320上に、必要な層数の配線層を形成する。このとき、最上層の配線層には、電極パッド12,332,334が形成される。次いで、多層配線層上に、保護絶縁膜を形成する。この保護絶縁膜は、各電極パッドを露出するための開口を有している。このようにして、個片化前の半導体装置が形成される。次いで、半導体装置の検査を行うステップS20~S60。詳細には、まず、検査装置は、検査対象の半導体装置に対応した変換用データを読み出し、設定するステップS20。次いで検査装置は、第1電極パッド332及び第2電極パッド334にプローブ針を接触させ、これらの間に予め定められた電圧を印加し、第1電極パッド332と第2電極パッド334の間で流れる電流リーク電流を測定するステップS30。次いで検査装置は、ステップS20で読み出した変換用データと、ステップS30で測定したリーク電流を用いて、第1ゲート電極310と第1コンタクト320の間の距離を算出する。次いで、検査装置は、算出した距離に基づいて、第1ゲート電極310と第1コンタクト320の重ねあわせ誤差を算出する。次いで、この重ねあわせ誤差を用いて、トランジスタ110のゲート電極112と第2コンタクト210の距離を算出するステップS40。なお、第1ゲート電極310と第1コンタクト320の間隔の設計値が、ゲート電極112と第2コンタクト210の間隔の設計値に等しい場合、第1ゲート電極310と第1コンタクト320の間の距離を、そのままゲート電極112と第2コンタクト210の距離と見なすことができる。次いで検査装置は、ゲート電極112と第2コンタクト210の距離と、ゲート電極112と第2コンタクト210の間に加わる電圧の設計値を用いて、ゲート電極112と第2コンタクト210の間の電界強度を算出するステップS50。次いで検査装置は、ゲート電極112と第2コンタクト210の間の電界強度と、図5に示したデータを用いて、半導体装置のTDDB寿命を算出するステップS60。そして、算出したTDDB寿命が基準を満たさなかった場合、その半導体装置は不良であると判断するステップS70。その後、半導体装置をダイシングして個片化する。図7は、半導体装置をダイシングしている状態を説明する平面図である。本図に示すように、ダイシングブレード50がスクライブ領域20を通ることにより、チップ領域10が互いに分断される。このとき、TEG300の少なくとも一部が、個片化された半導体装置に残る。図8は、図1及び図2に示した半導体装置の製造方法の第2例を説明するフローチャートである。図6に示した例では、ステップS30で測定したリーク電流量を、ゲート電極とコンタクトの距離に変換し、この距離をTDDB寿命に変換していた。ただし、ステップS30で測定したリーク電流量は、TDDB寿命と相関を持つ。このため、リーク電流量からTDDB寿命を直接算出することができる。また、予めTDDB寿命の閾値に対応するリーク電流量を閾値電流量として定めておき、ステップS30で算出したリーク電流量がこの閾値電流量を超えたか否かを判断することにより、半導体装置の良品/不良品を判断することもできるステップS70。次に、本実施形態の作用及び効果について説明する。本実施形態によれば、第1ゲート電極310と第1コンタクト320の間のリーク電流量を測定する。そして変換用データを用いて、このリーク電流量を第1ゲート電極310と第1コンタクト320の間の距離に変換している。従って、第1ゲート電極310と第1コンタクト320の間の距離の測定効率を高くすることができる。これにより、半導体装置のゲート電極112と第2コンタクト210の間のTDDB寿命を効率よく算出することができる。従って、半導体装置の不良品を効率よく見つけることができる。第2の実施形態図9は、第2の実施形態に係る半導体装置で用いられるTEG300の構成を示す平面図である。本実施形態に係る半導体装置は、少なくとも2種類のTEG300を有している。そして第1のTEG300と第2のTEG300は、第1ゲート電極310が同一の方向に延伸しているが、第1ゲート電極310に対する第1コンタクト320の位置が、互いに逆となっている。本実施形態の半導体装置では、第1のTEG300を用いて図6又は図8に示した処理を行うとともに、第2のTEG300を用いて図6又は図8に示した処理を行う。これにより、第1ゲート電極310の延伸方向に対して直角な方向で見た場合に、第1ゲート電極310と第1コンタクト320がどちらの方向に重ねあわせ誤差が発生していても、その大きさ及びTDDB寿命の低下を検出することができる。第3の実施形態図10は、第3の実施形態に係る半導体装置で用いられるTEG300の構成を示す平面図である。本実施形態に係るTEG300は、第1ゲート電極310の両側に第1コンタクト320を有している点を除いて、第1の実施形態にかかるTEG300と同様の構成である。すなわち第2の第1コンタクト320は、第1ゲート電極310を介して第1の第1コンタクト320とは逆側に位置している。そして第1の第1コンタクト320と第2の第1コンタクト320は、互いに異なる第1電極パッド332に接続している。本実施形態の半導体装置では、第1の第1コンタクト320を用いて図6又は図8に示した処理を行うとともに、第2の第1コンタクト320を用いて図6又は図8に示した処理を行う。これにより、第1ゲート電極310の延伸方向に対して直角な方向で見た場合に、第1ゲート電極310と第1コンタクト320がどちらの方向に重ねあわせ誤差が発生していても、その大きさ及びTDDB寿命の低下を検出することができる。第4の実施形態図11は、第4の実施形態に係る半導体装置で用いられるTEG300の構成を示す平面図である。本実施形態に係るTEG300は、第1コンタクト320の両側に、互いに平行に延伸している2つの第1ゲート電極310を有している点を除いて、第1の実施形態にかかるTEG300と同様の構成である。2つの第1ゲート電極310は、互いに異なる第2電極パッド334に接続している。本実施形態の半導体装置では、第1の第1ゲート電極310を用いて図6又は図8に示した処理を行うとともに、第2の第1ゲート電極310を用いて図6又は図8に示した処理を行う。これにより、第1ゲート電極310の延伸方向に対して直角な方向で見た場合に第1ゲート電極310と第1コンタクト320がどちらの方向に重ねあわせ誤差が発生していても、その大きさ及びTDDB寿命の低下を検出することができる。第5の実施形態図12は、第5の実施形態に係る半導体装置で用いられるTEG300の構成を示す平面図である。本実施形態に係る半導体装置は、2種類のTEG300を有している。第1のTEG300と、第2のTEG300は、第1ゲート電極310の延伸方向が互いに異なる。具体的には、第2のTEG300の第1ゲート電極310は、第1のTEG300の第1ゲート電極310に対して直角な方向に延伸している。本実施形態の半導体装置では、第1のTEG300を用いて図6又は図8に示した処理を行うとともに、第2のTEG300を用いて図6又は図8に示した処理を行う。これにより、第1ゲート電極310と第1コンタクト320が図中X方向とY方向のどちらで重ねあわせ誤差が発生していても、その大きさ及びTDDB寿命の低下を検出することができる。第6の実施形態図13は、第6の実施形態に係る半導体装置で用いられるTEG300の構成を示す平面図である。本実施形態に係るTEG300は、図9に示した2つのTEG300からなるTEG群303を2つ有している。各TEG群303は、第1ゲート電極310の延伸方向が互いに異なる。具体的には、第2のTEG群303の第1ゲート電極310は、第1のTEG群303の第1ゲート電極310に対して直角な方向に延伸している。本実施形態では、各TEG300を用いて図6または図8に示した処理を行う。本実施形態によっても、図中X方向とY方向のどちらで重ねあわせ誤差を起こしても、その重ね合わせ誤差の大きさ及びTDDB寿命の低下を検出することができる。また、図中X方向においてどちらの方向に重ねあわせ誤差を起こしても、その重ね合わせ誤差の大きさ及びTDDB寿命の低下を検出することができる。さらに、図中Y方向においてどちらの方向に重ねあわせ誤差が発生していても、その大きさ及びTDDB寿命の低下を検出することができる。また、TEG群303が設けられている点における重ねあわせ誤差dx、dyを算出できるが、この重ねあわせ誤差を、重ねあわせ誤差の位置依存性を示す線形補正モデル式に適用することにより、重ねあわせ誤差の面内分布例えばチップ領域10内における分布を算出することができる。このようなモデル式としては、例えば以下に示す式5W.H.Arnold,SPIE1988がある。ここで、θsは回転方向誤差の係数、MXは水平方向の倍率誤差の係数、MYは垂直方向の倍率誤差の係数、θskewは直交度誤差の係数を表す。また、εX、εYの項はそれぞれ水平方向と垂直方向の線形モデルでは表しきれない残留非線形誤差の効果を表す。なお、本実施形態において、各TEG群303の代わりに、図10又は図11に示したTEG300を用いてもよい。この場合においても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。第7の実施形態図14は、第7の実施形態に係る半導体装置で用いられるTEG300の構成を示す平面図である。本実施形態に係る半導体装置は、複数のTEG300を備えている。各TEG300は、第1ゲート電極310の延伸方向は互いに同一であるが、第1ゲート電極310から第1コンタクト320までの距離が互いに異なる。そして本実施形態では、各TEG300に対して図6または図8に示した処理を行う。本実施形態によっても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、図4を用いて説明した方法は、第1ゲート電極310から第1コンタクト320までの距離によってその精度が異なってくる。これに対して本実施形態では、第1ゲート電極310から第1コンタクト320までの距離が互いに異なるTEG300を複数有している。従って、各TEG300を用いて図6または図8に示した処理を行うことにより、重ね合わせ誤差の大きさやTDDB寿命の算出精度を高くすることができる。第8の実施形態図15は、第8の実施形態に係る半導体装置で用いられるTEG300の構成を示す平面図である。本実施形態に係るTEG300は、一つの第1ゲート電極310に対して複数の第1コンタクト320を有している点を除いて、第2の実施形態に係るTEG300と同様の構成である。詳細には、一つのTEG300が有する複数の第1コンタクト320は、第1ゲート電極310を基準としてみた場合に同一の側に位置しており、かつ、第1ゲート電極310からの距離が互いに同一である。また、一つのTEG300が有する複数の第1コンタクト320は、同一の第1電極パッド332に接続している。本実施形態によっても、第2の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第1電極パッド332と第2電極パッド334の間には、複数の第1コンタクト320と第1ゲート電極310の間で流れるリーク電流の総和が流れる。このため、一つの第1コンタクト320あたりのリーク電流量が微弱な場合でも、高い精度で重ね合わせ誤差の大きさやTDDB寿命を算出することができる。第9の実施形態図16は、第9の実施形態に係る半導体装置で用いられるTEG300の構成を示す平面図である。実施形態に係るTEG300は、一つの第1ゲート電極310に対して複数組の第1コンタクト320及び第1電極パッド332を有している点を除いて、第2の実施形態に係るTEG300と同様の構成である。詳細には、一つのTEG300が有する複数の第1コンタクト320は、第1ゲート電極310を基準としてみた場合に同一の側に位置しており、かつ、第1ゲート電極310からの距離が互い異なる。また、一つのTEG300が有する複数の第1コンタクト320は、互いに異なる第1電極パッド332に接続している。本実施形態によっても、第2の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、上記したように、図4を用いて説明した方法は、第1ゲート電極310から第1コンタクト320までの距離によってその精度が異なってくる。これに対して本実施形態においては、各TEG300の各第1コンタクト320に対して、図6又は図8に示した処理を行う。このため、重ね合わせ誤差の大きさやTDDB寿命の算出精度を高くすることができる。第10の実施形態図17は、第10の実施形態に係る半導体装置の構成を示す平面図である。本実施形態に示す例において、複数のチップ領域10がマトリクス状に互いに繋がっている。すなわち一つの基板100ウェハの状態を含む内に複数のチップ領域10が形成されている。そして、基板100には、3つ以上のTEG群301が設けられている。各TEG群301は、例えば図13に示す複数のTEG300によって構成されており、図13に示したように、その位置における重ね合わせ誤差dx、dyを算出できる。そして、各点で算出した重ね合わせ誤差dx、dyを、上記した式5に適用することにより、重ねあわせ誤差の基板100内における面内分布を算出することができる。以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。"