第1導電型のシリコン基板と、前記シリコン基板の受光面に形成された第2導電型の半導体層と、前記シリコン基板の受光面及び前記シリコン基板の裏面にそれぞれ形成された凹凸形状と、前記シリコン基板の受光面の一部に形成された受光面電極と、前記シリコン基板の裏面の一部に形成された裏面電極とを有し、前記シリコン基板の平面積をS、前記シリコン基板の裏面の凹凸形状の表面積をXとして、表面積比Y=X/Sとしたとき、表面積比Yが1.05以上1.15以下である太陽電池。前記シリコン基板の裏面の凹凸形状は、前記シリコン基板の受光面の凹凸形状よりも小さい請求項1に記載の太陽電池。前記裏面電極は、アルミニウムで形成された請求項1または2に記載の太陽電池。第1導電型のシリコン基板にテクスチャ構造を形成する第1工程と、前記シリコン基板に第2導電型のドーパントを熱拡散させることで第2導電型半導体層を形成する第2工程と、前記シリコン基板の裏面をエッチングする第3工程とを備え、前記第3工程において、前記シリコン基板の裏面の凹凸形状を、前記テクスチャ構造の凹凸形状より小さくする太陽電池の製造方法。前記エッチングに用いるエッチング液は、フッ酸:硝酸=1:5である請求項4に記載の太陽電池の製造方法。p型シリコン半導体基板の受光面に、異方性エッチングにより形成した凹凸であるテクスチャ構造を形成する場合、製造ラインでは、一般的に、ウエットエッチングによる方法が多く用いられているが、この場合には、p型シリコン半導体基板の全面に凹凸が形成されることになる。しかしながら、p型シリコン半導体基板の裏面に、異方性エッチングにより形成した凹凸が残った状態では、凹凸がない状態に比べてp型シリコン半導体基板の裏面の表面積は大きいので、裏面表面のダングリングボンド数が多くなり、キャリアの再結合が増加するため、太陽電池特性に悪影響を及ぼしてしまうことになる。一方、p型シリコン半導体基板の裏面の、上記凹凸がない状態では、p型シリコン半導体基板の裏面表面のダングリングボンドが減少し、パッシベーション性は良好となるが、p型シリコン半導体基板と裏面電極との密着性に問題が生じ、太陽電池特性に影響を及ぼしていた。本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、p型シリコン半導体基板の受光面および裏面に凹凸を有する太陽電池において、裏面の凹凸の大きさを検討することで、太陽電池特性を向上させることが可能な太陽電池を提供することにある。本発明の太陽電池は、第1導電型のシリコン基板と、シリコン基板の受光面に形成された第2導電型の半導体層と、シリコン基板の受光面及びシリコン基板の裏面にそれぞれ形成された凹凸形状と、シリコン基板の受光面の一部に形成された受光面電極と、シリコン基板の裏面の一部に形成された裏面電極とを有し、シリコン基板の平面積をS、シリコン基板の裏面の凹凸形状の表面積をXとして、表面積比Y=X/Sとしたとき、表面積比Yが1.05以上1.15以下である。ここで、本発明の太陽電池は、シリコン基板の裏面の凹凸形状は、前記シリコン基板の受光面の凹凸形状よりも小さくてもよい。また、本発明の太陽電池は、裏面電極は、アルミニウムで形成されてもよい。本発明の太陽電池の製造方法は、第1導電型のシリコン基板にテクスチャ構造を形成する第1工程と、シリコン基板に第2導電型のドーパントを熱拡散させることで第2導電型半導体層を形成する第2工程と、シリコン基板の裏面をエッチングする第3工程とを備え、第3工程において、シリコン基板の裏面の凹凸形状を、テクスチャ構造の凹凸形状より小さくする。ここで、本発明の太陽電池の製造方法は、エッチングに用いるエッチング液は、フッ酸:硝酸=1:5であってもよい。本発明によれば、p型シリコン基板の裏面の凹凸形状の大きさを、p型シリコン基板の受光面の凹凸形状の大きさよりも小さくして適正化することで、太陽電池の特性を向上させることが可能な太陽電池を提供することができる。図1は、本発明の太陽電池の一例を示す模式的な断面図である。第1導電型であるp型シリコン基板2の入射光側の面である受光面以下p型シリコン基板の受光面という。に、リン等の第2導電型であるn型のドーパントを用いた熱拡散法により、n型半導体層3を厚さ0.3μm程度に形成して、p型シリコン基板2とn型半導体層3との界面にpn接合を形成する。p型シリコン基板2の受光面には櫛状の金属電極である受光面電極4、p型シリコン基板2の受光面の反対の面である裏面以下p型シリコン基板の裏面という。には裏面電極5が形成されている。また、p型シリコン基板2の受光面はテクスチャ構造となる受光面凹凸形状6が形成され、受光面凹凸形状6の上には反射防止膜7として窒化シリコン膜が形成されている。受光面電極4は、反射防止膜7をパターニングまたはファイヤースルーしてn型半導体層3と接している。さらに、p型シリコン基板2の裏面にはパターニングされた裏面電界層8BSFBackSurfaceField層が形成され、p型シリコン基板2の裏面にはパッシベーション膜9として窒化シリコン膜が形成されている。パッシベーション膜9をパターニングすることで裏面電極5は裏面電界層8と接している。また、p型シリコン基板2の裏面には裏面凹凸形状10が形成されている。裏面凹凸形状10は、受光面凹凸形状6よりも小さな凹凸となっている。なお、図1では、受光面凹凸形状6、及び裏面凹凸形状10を模式的に表現しているが、実際はランダムな凹凸形状である。図2は、図1の太陽電池を製造する方法の一例である製造フロー図である。図2に示す製造フロー図を参照して説明する。まず、テクスチャリング工程S1。Sはステップを表す。以下同様。では、p型シリコン基板2の全面、すなわち受光面となる面、裏面となる面以下、それぞれ受光面、裏面という。、及び端面に、ウエットエッチング法である、酸、またはアルカリ溶液を用いてテクスチャ構造を形成する。受光面のテクスチャ構造を受光面凹凸形状6とする。次に、pn接合形成工程S2において、拡散材料としてPOCl3を用いチューブ炉にて800°C以上の温度で、p型シリコン基板2を熱処理してp型シリコン基板2の露出表面の全面にリンを気相拡散して、n型半導体層3を形成する。尚、気相拡散の場合には裏面、端面にもn型半導体層が形成されるが、後述する裏面エッチング工程でエッチング除去される。その後、n型半導体層形成時にn型半導体層上に形成されたガラス層であるPSGPhosphosilicateGlassを希フッ酸で除去する。ここで、n型半導体層3の形成は、気相拡散ではなくn型不純物のリンを含む塗布液PSG液等をp型シリコン基板2の受光面となる面に塗布して熱処理を行う塗布拡散法を用いても構わない。次に、反射防止膜形成工程S3において、n型半導体層3上にプラズマCVD法により、ガス種としてシラン及びアンモニアを用いて、膜厚70nm程度の窒化シリコン膜を反射防止膜7として形成する。次に、裏面エッチング工程S4において、p型シリコン基板2の受光面にエッチング防止のための耐酸性を有する保護テープを貼り、p型シリコン基板2の裏面をフッ酸と硝酸の混合液を使用してウエットエッチングすることで、p型シリコン基板2の裏面に形成されたn型半導体層を除去するとともに、裏面に形成されたテクスチャ構造を裏面凹凸形状10にする。混合液の組成はフッ酸HF:硝酸HNO3=1:5である。この際、端面に形成されたn型半導体層も除去される。なお、このウエットエッチングで、エッチングレートが速すぎると、裏面凹凸形状10を残すことができなくなり、また、エッチングレートが遅すぎると、スループットの問題となる。裏面凹凸形状10は、裏面に形成されたテクスチャ構造を、上記ウエットエッチングにより、なだらかにすることで形成する。したがって、裏面凹凸形状10を形成した場合は、裏面にテクスチャ構造が形成された場合に比べ、p型シリコン基板2の裏面の表面積は減るので、裏面表面のダングリングボンド数は減少する。次に、パッシベーション膜形成工程S5において、希フッ酸などを用いて裏面に残ったシリコン酸化物を除去した後、プラズマCVD法によって窒化シリコン膜をパッシベーション膜9として、裏面凹凸形状10上に形成する。次に、パッシベーション膜パターニング工程S6において、フォトリソグラフィ法により、パッシベーション膜9を所定の裏面電界層パターンにエッチングし、パッシベーション膜9を貫通するコンタクト孔を形成する。次に、裏面電界層形成工程S7において、パターニングされたパッシベーション膜9上に、スクリーン印刷法によって、アルミニウム粉末、ガラスフリット、樹脂、有機溶媒等からなるアルミニウムペーストを印刷、乾燥し、700°C以上にて焼成することにより、コンタクト孔に対応した箇所のp型シリコン基板2の裏面にアルミニウムを拡散させて拡散層である裏面電界層8を形成する。その後、p型シリコン基板2の裏面に残ったアルミニウムを含む膜を塩酸にて除去する。次に、裏面電極形成工程S8において、パターニングされたパッシベーション膜9上に、真空蒸着法等によりアルミニウムを蒸着し裏面電極5を形成する。コンタクト孔内にも蒸着されたアルミニウムが充填される。次に、受光面電極形成工程S9において、スクリーン印刷法を用いて、銀粉末、ガラスフリット、樹脂、有機溶媒等からなる銀ペーストを印刷、乾燥し、500°C以上で焼成して銀からなる受光面電極4を形成する。尚、受光面電極4は、焼成時に反射防止膜7を突き破り、すなわち、ファイヤースルーして形成するため、n型半導体層3と電気的に接続する。100mm角、厚さ100~200μmのp型シリコン基板2を用いて太陽電池1を作製した。この際、裏面エッチング工程S4において、エッチング時間を変化させることで裏面凹凸形状10の大きさを変えて太陽電池1の特性を見た。ここで、p型シリコン基板2にテクスチャ構造が形成されていない状態の、p型シリコン基板2の裏面の表面積を平面積Sとして、平面積Sに対する、裏面凹凸形状10の表面積Xの面積比を表面積比Yと定義する。表面積比Y=X/S1なお、裏面凹凸形状10の表面積の測定は、レーザ顕微鏡波長:408nmを用い、測定器として、OLYMPUS社製のLEXTOLS3000を用いた。また、p型シリコン基板2の裏面において、n型半導体層のみを除去し、S1工程で形成したテクスチャ構造が残った条件を比較例1とした。比較例1の場合の表面積比Yは、1.41である。さらに、p型シリコン基板2の裏面において、テクスチャ構造が形成されていない状態を比較例2とした。比較例2の場合の表面積比Yは、1.00である。図3は、表面積比Yを変化させた場合の太陽電池特性の測定結果である。図3aは、曲線因子であるFFの測定結果、図3bは、光電変換効率であるEffの測定結果である。なお、図3では、比較例1の各特性値を1.000とした。また、丸は実施例、ひし形は比較例である。本検討では、p型シリコン基板の裏面のパッシベーション性は、比較例2で最も良好となるので、比較例2のEff値に対して、裏面凹凸形状の適切な範囲を検討した。図3から、FFは、表面積比Yが1.05より小さくなると、減少する傾向となった。これは、表面積比Yが1.00の場合、すなわち、テクスチャ構造を形成しない場合は、蒸着の際のアルミニウムの密着性に影響がでるため、FFが小さくなると考えられる。また、図3から、Effは、表面積比Yが1.09までは表面積比Yの減少に伴って増加し、表面積比Yが1.09を下回ると減少した。これから、Effは、表面積比Yが1.00で最大値になるのではなく、ピーク値を持つことがわかる。そして、図3より、表面積比Yが1.05~1.15で、Effを比較例2よりも大きくすることができ、Effを比較例1より1向上させることができる。また、表面積比Yが1.20では、比較例2のEff値よりも値が低かった。よって、p型シリコン基板の受光面及びp型シリコン基板の裏面にそれぞれ凹凸形状を有し、p型シリコン基板の裏面の裏面凹凸形状10を、p型シリコン基板の受光面の受光面凹凸形状6よりも小さくして、p型シリコン基板の表面積比Yを1.05~1.15にすれば、太陽電池の光電変換特性を向上させることができた。今回、p型シリコン基板について記載したが、n型シリコン基板でも同様の結果が得られた。