半導体基板処理ステーションであって、シャワーヘッド電極を含むシャワーヘッドと、前記シャワーヘッドの下に配され、基板を支えるように構成されたメサ表面を備えたメサを含む基板ホルダであって、前記基板ホルダの内側領域に配された内側電極と、前記基板ホルダの外側領域に配された外側電極とを含む、基板ホルダと、前記シャワーヘッドと前記基板ホルダとの間に位置するプラズマ領域内にプラズマを発生させるように構成されたプラズマ発生器と、メモリに格納され、前記外側電極を前記内側電極及び前記シャワーヘッド電極のうちから1つ選択された第2の電極に結合することによって前記プラズマ領域の内側部分におけるよりも前記プラズマ領域の外側部分においてより大きいプラズマ密度を実現するために前記プラズマ発生器、前記内側電極、前記外側電極、及び前記シャワーヘッド電極を制御するようにプロセッサによって実行可能である命令を含むコントローラと、を備える半導体基板処理ステーション。請求項1に記載の処理ステーションであって、前記内側電極の幾何学的中心は、前記メサ表面の幾何学的中心と及び前記外側電極の幾何学的中心と同心である、処理ステーション。請求項1に記載の処理ステーションであって、前記プラズマ発生器によって供給される高周波数電力は、前記外側電極と前記第2の電極との間で分けられ、前記プラズマ発生器によって供給される低周波数電力は、前記外側電極及び前記第2の電極のうちの1つのみに供給される、処理ステーション。請求項1に記載の処理ステーションであって、前記コントローラは、前記外側電極と前記第2の電極との間における電力の釣り合いを実現するために、前記外側電極に電気的に接続された電力分枝のインピーダンスを変化させるように構成される、処理ステーション。請求項1に記載の処理ステーションであって、前記プラズマ発生器は、第1のプラズマ発生器であり、前記処理ステーションは、更に、前記外側電極及び前記第2の電極と電気的に通信している第2のプラズマ発生器を備え、前記コントローラは、前記第1のプラズマ発生器によって前記外側電極を制御するように及び前記第2のプラズマ発生器によって前記第2の電極を制御するように構成され、前記第1のプラズマ発生器及び前記第2のプラズマ発生器は、互い位相固定されている、処理ステーション。請求項5に記載の処理ステーションであって、更に、前記外側電極及び前記第2の電極との間における電力変動を弱めるために前記第1のプラズマ発生器及び前記第2のプラズマ発生器のそれぞれのインピーダンスを整合させるように構成された同期化整合網回路を備える処理ステーション。請求項1に記載の処理ステーションであって、更に、前記外側電極に電気的に接続された第1の電力分枝と、前記第2の電極に電気的に接続された第2の電力分枝との間で電力を分けるように構成された二重分枝分配回路を備える処理ステーション。半導体基板処理ステーションのための基板ホルダであって、誘電性材料を含み、基板を支えるように構成された上面を有するメサと、前記上面の下方の第1の面内に配された内側電極と、前記上面の下方の第2の面内に配された外側電極と、を備え、第1の誘電性材料層は、前記内側電極を前記外側電極から隔離し、第2の誘電性材料層は、前記内側電極及び前記外側電極の両方を前記上面から隔離する、基板ホルダ。請求項8に記載の基板ホルダであって、前記内側電極の幾何学的中心は、前記メサの幾何学的中心と及び前記外側電極の幾何学的中心と同心である、基板ホルダ。請求項9に記載の基板ホルダであって、前記外側電極は、実質的にリング状であり、前記内側電極は、実質的に円盤状であり、前記外側電極の内径は、前記内側電極の最大直径よりも大きい、基板ホルダ。請求項9に記載の基板ホルダであって、前記内側電極は、前記基板の最大寸法よりも小さい最大寸法を有する、基板ホルダ。請求項8に記載の基板ホルダであって、前記第2の面は、前記第1の面の下方に配され、前記外側電極は、導電性アームによって外側電極電力バスに電気的に接続され、前記導電性アームは、誘電性材料によって前記内側電極から隔離されている、基板ホルダ。請求項8に記載の基板ホルダであって、前記誘電性材料は、窒化アルミニウムを含み、前記外側電極及び前記内側電極は、それぞれアルミニウムを含む、基板ホルダ。請求項8に記載の基板ホルダであって、前記外側電極は、複数の外側電極のうちの1つであり、前記複数の外側電極のうちの1つ以上は、前記複数の外側電極のうちのその他から電気的に絶縁されている、基板ホルダ。請求項8に記載の基板ホルダであって、前記外側電極のうちの1つ以上及び前記内側電極は、金属網及びリソグラフィによってパターン化された金属膜のうちの1つ以上を含み、前記誘電性材料は、成形されたセラミックを含む、基板ホルダ。請求項8に記載の基板ホルダであって、更に、前記メサの裏側に接合された柱を備え、前記柱は、前記柱の内部が真空環境よりも高い圧力を維持することができるように前記真空環境内に前記基板ホルダを密閉式に保持するように構成されたフランジを含む、基板ホルダ。半導体基板処理ステーション内において可変密度プラズマを発生させることによって半導体基板を処理する方法であって、前記半導体基板処理ステーションは、前記可変密度プラズマにプラズマガスを分配するためのシャワーヘッドと、前記可変密度プラズマを発生させるためのプラズマ発生器と、基板を前記可変密度プラズマに暴露されるように前記シャワーヘッドに対して支えるための基板ホルダとを備え、前記方法は、前記半導体基板処理ステーションにプラズマガスを供給することと、前記可変密度プラズマを、前記外側電極を前記内側電極及び前記シャワーヘッド電極のうちから1つ選択された第2の電極に結合することと、前記プラズマ領域の外側部分のプラズマ密度が前記プラズマ領域の内側部分のプラズマ密度よりも大きくなるように、前記プラズマ発生器からの電力を前記外側電極及び前記第2の電極のうちの1つに供給する回路のインピーダンスを設定することと、によって発生させることと、前記基板を前記可変密度プラズマによって処理すること、を備える方法。請求項17に記載の方法であって、更に、前記基板を処理した後、前記プラズマ発生器に供給される電力を、前記可変密度プラズマが前記プラズマ領域の前記外側部分において消失される前に前記プラズマ領域の前記内側部分において消失されるように調整することによって、前記可変密度プラズマを消失させることを備える方法。請求項17に記載の方法であって、前記基板を前記可変密度プラズマによって処理することは、前記基板の処理中に前記半導体基板の基板内不均一性プロフィールの相殺が実現されるように前記可変密度プラズマの形状を設定するように、前記回路の静電容量を設定することを含み、前記基板内不均一性プロフィールは、前記半導体基板処理ツールにおける処理に先立って前記半導体基板によって示される、方法。請求項17に記載の方法であって、更に、前記基板にフォトレジストを施すことと、前記フォトレジストを光に暴露させることと、前記フォトレジストをパターン化し、前記パターンを前記フォトレジストから前記基板に転写することと、前記フォトレジストを前記基板から選択的に除去することと、を備える方法。プラズマ補助タイプの半導体基板処理ステーション例えば、プラズマエッチングツール及び/又はプラズマ増強式化学気相成長ツールのためのプラズマは、2枚の容量結合板を使用して無線周波RF場を低圧ガスに印加することによって発生させることができる。RF場による板間のガスのイオン化は、プラズマを励起し、プラズマ放電領域内に自由電子を形成させる。これらの電子は、RF場によって加速され、気相反応物分子と衝突することができる。これらの電子と反応物分子との衝突は、基板処理に関与するラジカル種を形成することができる。一部の例では、プラズマ領域は、基板表面の真上に形成されると考えられる。非限定的な一例では、プラズマによって発生した反応物ラジカルが、基板上に膜層を蒸着させることができる。別の非限定的な一例では、プラズマによって発生したエッチャントラジカルが、基板表面をエッチングすることができる。プラズマ放電領域は、プラズマの境界に形成されるシースによって取り囲まれる。プラズマによって補助されるタイプの処理ツール上述された蒸着ツール及びエッチングツールを含むがそれらに限定はされないでは、シースの位置及びプラズマ密度の大きさが基板の縁近くにおける処理を不均一にし、基板内厚さの不均一性を招くことがある。例えば、基板は、プロセス条件次第で凸状の又は凹状の不均一性を有する恐れがある。厚さの不均一性を伴う膜のパターン化は、困難である恐れがある。例えば、リソグラフィツールが不均一膜に正確にパターンを転写することは、難しいと考えられる。プロセス不均一性を回避するためのこれまでのアプローチは、異なるプロセスには適合しない恐れがあるプロセス固有のハードウェアを使用していた。例えば、これまでのアプローチには、プラズマの一部分を抑制するために基板の縁に不活性のセラミック材料を提供する、不均一な穴分布を有するプラズマガス分配シャワーヘッドを使用する、及び基板全域にわたってRF結合を調整するために皿状の基板サポートを使用するなどがあった。したがって、エッチングと蒸着との間などのプロセスとプロセスとの間や、異なるプロセス化学剤とプロセス化学剤との間などにおけるツールの変更には、シャワーヘッドの交換及び/又は基板サポートの交換が伴うだろうことがわかる。これらの交換は、プロセスの変更に関係した休止時間の犠牲に加え、消耗パーツ費用の増加も招く恐れがある。したがって、基板表面全域にわたってプラズマ密度を調整するために半導体基板処理ステーション内において複数の電極を使用して可変密度プラズマを形成する、調整する、及び制御することに関する様々な実施形態が、本明細書で開示される。例えば、一実施形態では、可変密度プラズマは、基板の縁から遠く離れたプラズマ領域の内側部分におけるよりも基板の縁に近いプラズマ領域の外側部分においてより大きいプラズマ密度を実現するように調整及び制御することができる。したがって、本明細書で説明される実施形態には、半導体基板処理ステーションにおけるプロセス中の基板内不均一性を回避又は低減するために用いられるものもあれば、処理ステーションにおけるプロセス中に入ってくる基板内不均一性を軽減又は埋め合わせするために用いられるものもあることがわかる。更に、プラズマが励起されるのに伴って及び/又はプラズマが失火されるのに伴って浮遊粒子を基板表面から離れさせるように可変密度プラズマを調整する及び制御することに関する様々な実施形態が、本明細書で開示される。説明されたように、プラズマは、処理中に基板表面の上方に形成され、これは、より大きいプラズマ密度を提供し、基板処理速度を向上させることができる。しかしながら、プラズマ内には、各種の蒸着反応及びエッチング反応から小粒子が形成されると考えられる。これらの小粒子は、電気的に浮遊するので、基板表面上において、電子電流とイオン電流とが釣り合う。電子は、一般に、イオンよりも高い移動度を有するので、粒子は、負の電荷を帯びると考えられる。その結果、これらの粒子は、プラズマシース境界で捕えられ、そこでは、蒸着表面に向かう中性種及びイオン種からの分子抵抗力が、プラズマ放電領域に向かう静電力と釣り合う。プラズマの失火は、静電力を消失させ、これは、粒子を基板表面上に着地させると考えられる。基板表面を飾る粒子は、界面粗度欠陥又は界面形態欠陥として現れ、最終的に、デバイスの性能及び信頼性を失わせる恐れがある。プラズマによって発生する粒子によって形成される欠陥を軽減するための一部のアプローチとして、リアクタ環境のポンピングとパージングとを交互に行うことが挙げられる。しかしながら、これらのアプローチは、時間がかかり、ツールのスループットを低下させる恐れがある。したがって、このような問題を回避するには、浮遊粒子を基板表面から離れさせることが有用だと考えられる。図1は、処理中に基板186の周囲の低圧環境を維持するための真空チャンバ102を含む半導体基板処理ステーション100の一実施形態を概略的に示している。真空チャンバ102は、排気ライン134及び圧力制御バルブ130に流体接続されている。半導体基板処理ステーション100は、また、処理中に可変密度プラズマ領域118及び基板186にプロセスガスを分配するためのガス分配シャワーヘッド104と、処理中の基板186を支えるための基板ホルタ110とを含む。図1に示されるように、シャワーヘッド104は、複数の穴106を含み、1本以上のプロセスガス供給ライン108を通じて受け取られた各種のプロセスガスが、これらの穴106を通って真空チャンバ102内に分配可能である。シャワーヘッド104は、図1では単独のプレナムシャワーヘッドとして示されているが、一部の実施形態では、相容れない可能性があるプロセスガス同士をシャワーヘッド104内で相互に作用しないように分離するために、二重プレナム構成又は多重プレナム構成を提供することができる。更に、穴106は、図1では均一な半径方向分布を有するものとして示されているが、一部の実施形態では、本開示の範囲から逸脱することなく任意の適切な半径方向分布及び/又は方位角分布が利用可能であることがわかる。図1に描かれた実施形態では、シャワーヘッド104の一部分でシャワーヘッド電極105を形成している部分が、プラズマ発生器124に電気的に接続された状態で示されている。プラズマ発生器124は、プラズマ発生器コントローラ125によって制御される。プラズマ発生器コントローラ125は、プラズマ条件中、プラズマ発生器124によってシャワーヘッド電極105に供給される電力が、後述される基板ホルダ110内に提供された外側電極に結合し、基板186の表面の上方に、内側部分119と外側部分117とを含む可変密度プラズマ領域118を形成することができるように、一部の実施形態では、各種の整合回路実施形態によってはタップフェーズ回路を含むかもしれない、配電回路網、及び後述されるような容量性コントローラのうちの1つ以上を含むことができる。図1に示された代表的なシャワーヘッド電極105は、プラズマ発生器124に電気的に接続されているが、後述される一部の実施形態では、シャワーヘッド電極105は、電気的に接地されてよいことがわかる。更に、図1に示された代表的なシャワーヘッド電極105は、シャワーヘッド104の一部分を一体的に形成しているが、一部の実施形態では、シャワーヘッド電極105は、シャワーヘッド104とは別であってよいことがわかる。図に描かれた実施形態では、基板ホルダ110は、基板186が処理中に可変密度プラズマ領域118に直接的に暴露されるように、シャワーヘッド104の下に配されている。基板ホルダ110は、基板186をメサ140の上に保持するように構成され、メサ140は、誘電性材料を含み、図1に示された例では柱142によって支えられている。一部の実施形態では、基板ホルダ110は、処理中に基板186に熱を提供するために、ヒータ116に熱的に結合することができる。基板ホルダ110は、シャワーヘッド104に対する基板ホルダ110の回転調整及び/又は高さ調整をそれぞれ提供するために、回転ユニット及び/又は昇降ユニット不図示に機械的に又は流体的に結合することもできる。図1に示されるように、図1の断面図に描かれたメサ140は、メサ140の外側領域122に配された少なくとも1つの外側電極114と、メサ140の内側領域120に配された少なくとも1つの内側電極112とを含む。更に詳しく後述されるように、プラズマコントローラ125は、可変密度プラズマ118の内側部分119におけるよりも可変密度プラズマ118の外側部分117においてより大きいプラズマ密度を実現するために、プラズマ発生器124、シャワーヘッド電極105、内側電極112、及び外側電極114を制御することができる。例えば、一部の実施形態では、プラズマコントローラ125は、シャワーヘッド電極105及び/又は内側電極112及び/又は外側電極114を通電して可変密度プラズマ118を発生させるために、プラズマ発生器124を制御することができる。メサ140の外側領域122及び内側領域120は、可変密度プラズマ118の外側部分117及び内側部分119と位置を揃えた状態では描かれていないが、一部の実施形態では、内側領域120と内側部分119とを実質的に揃えること及び外側領域122と外側部分117とを実質的に揃えることが可能であることがわかる。図1に描かれた実施形態では、外側電極114の左側部分と右側部分とが、導電性アーム113によって電気的に接続されている。図1に示されるように、外側電極114は、プラズマ発生器124に電気的に接続された単一電極である。しかしながら、複数の外側電極114を含む一部の実施形態では、1つ以上の第1の外側電極114セットと1つ以上の第2の外側電極114セットとが電気的に独立した外側電極ゾーンとして制御され、そのうちの1つ以上がプラズマ発生器124からの電力を受け取れるように、第1の外側電極114セットのうちの1つ以上の電極を、第2の外側電極114セットのうちの1つ以上の電極から電気的に絶縁することが可能である。内側電極112は、メサ140内に配され、メサ140を形成した誘電性材料の層によって又はその他の任意の適切なやり方によって外側電極114から分離される。図1に示された例では、内側電極112は、電気的に接地されている不図示。しかしながら、後述される一部の実施形態では、内側電極112は、プラズマ発生器124に電気的に接続することができる。図1に示されるように、内側電極112は、基板186の下に配された単一電極である。しかしながら、その他の実施形態では、メサ140は、複数の内側電極112を含むことができ、第1の内側電極セットと第2の内側電極セットとが電気的に独立した内側電極ソーンとして制御されるように、第1の内側電極セットを、第2の内側電極セットから電気的に絶縁することが可能である。図2及び図3は、基板ホルダ110の切り取り上面斜視図及び基板ホルダ110の底面斜視図をそれぞれ概略的に示している。図4は、図2に示された切り取り面に沿った基板ホルダ110の切り取り側面図を示している。図2に示されるように、メサ140は、基板186を支えるように構成された上面202を含む。メサ140は、上面202から突き出して、基板ホルダ110上に基板が載っているときに基板186の裏側に接触する複数の隆起した接触点212と、基板移送工程中に上面202と基板186の裏側との間をエンドエフェクタ又はパドルが通過可能であるように基板186を昇降させるために、図3に示されたリフトピン211をそこから出現させることができる複数のリフトピン穴210とを含む。メサ140は、任意の適切なサイズを有することができる。300mmシリコンウエハを支えるために使用される一例では、メサ140は、おおよそ12.75インチ約32.39センチの直径を有する。随意として、図2に示された例のような一部の実施形態では、メサ140は、メサ140の周囲の全部又は一部に、隆起した縁204を含むことができ、したがって、隆起した縁204の内側のへりと、上面202とは、ウエハポケット207を画定することができる。ウエハポケット207を含む一例では、基板186の縁と、へり206との間の許容差は、おおよそ1.5mmであってよく、隆起した縁204の高さは、隆起した縁204の上面から上面202までを測ったときにおおよそ1.27mmであってよく、ウエハポケット207の直径は、おおよそ11.9インチ約30.2センチであってよい。加えて又は或いは、ウエハポケット207を含む一部の実施形態では、隆起した縁204に、1本以上の隔たり不図示を含めることができる。一例では、隆起した縁204周りに、対称的に間隔を空けられた2インチ約6.08センチの4つの隔たりを配することができる。表面202は、基板186と、メサ140に含められた電極との間の直接的な電気的接続を阻むために、適切な誘電性材料で形成される。一部の例では、メサ140及び上面202を、窒化アルミニウムなどのセラミック材料で形成し、製造時に成形及び焼結することが可能である。或いは、一部の実施形態では、上面202及びメサ140の部分を、異なる誘電性材料例えば、同様な熱膨張率を有する材料で形成し、適切に組み立てる又は接合することが可能である。メサ140は、柱142によって支えられる。図2及び図3に示された例では、メサ140及び柱142は、一体的な台座であるが、一部の実施形態では、メサ140及び柱142は、別々のピースを適切に組み合わせて適切に台座アセンブリに仕上げることが可能であることがわかる。柱142は、貫通スプール218及びカラー216と嵌り合うように構成されたフランジ221を含む。ガスケット222は、カラー216からの押しを受けて、フランジ221を貫通スプール218の相補的合わせ面に密着させ、したがって、ひとたび密着がなされると、柱142の内部は、真空チャンバ102の真空環境よりも比較的高い圧力例えば周囲圧力に維持される。貫通スプール218をカラー216に固定するために、複数のボルト223が提供されているが、フランジ221を貫通スプール218の相補的合わせ面に密着させるには、本開示の範囲から逸脱することなく任意の適切なコネクタが利用可能であることがわかる。貫通スプール218は、外側の電源と、柱142内に含まれる内側電極バス230、外側電極バス232、及びヒータバス240との間に電気的接続を提供するように構成される。図2及び図4は、内側電極112が内側電極接続点231において内側電極バス230に電気的に接続されることを示している。図3は、外側電極114を外側電極接続点233において外側電極バス232に電気的に接続するように構成された複数の導電性アーム113を示しているが、一部の実施形態では、1本の導電性アーム113が外側電極接続点233を外側電極114に接続可能であることがわかる。外側電極バス232及び内側電極バス230は、電極バス接続250において終結し、該接続250は、バスを貫通スプール218から電気的に絶縁するために、適切な誘電性材料252を含むことができる。同様に、ヒータバス240も、適切な誘電性材料不図示によって貫通スプール218から電気的に絶縁することが可能である。図2及び図3に示されるように、貫通スプール218は、貫通スプール218を真空チャンバ102の相補的部分と揃えるように構成された1本以上の位置決めピン224を含む。図2及び図3には示されないが、一部の実施形態では、貫通スプール218は、真空チャンバ102内に取り付けられたときに真空チャンバ102に密着するように構成されてよいことがわかる。図5は、図4に示された部分5の拡大断面図を概略的に示している。図5に示されるように、内側電極112は、誘電性材料の層が内外両電極を上面から隔離するように、上面202の面の僅かに下方の面内に配される。一例では、内側電極112は、上面202のおおよそ0.05インチ約0.13センチ下方に位置付けることができる。図5は、誘電性材料の層が内側電極を外側電極から隔離するように、外側電極114がメサ140の外側領域内に且つ内側電極112の面の僅かに下方の面内に配されることを示している。一例では、外側電極114は、上面202のおおよそ0.10インチ0.25センチ下方に位置付けることができる。更に、図4及び図5に示されるように、外側電極114の内径は、内側電極112の最大直径よりも大きく、したがって、外側電極114と内側電極112との間には、上述された垂直方向の隔たりはもちろん、水平方向の隔たりもある。一例では、外側電極114の内径は、内側電極112の最大直径をおおよそ5mm上回ることができる。上述された水平方向及び垂直方向の隔たりは、内側電極112と外側電極114との間に所定の量の結合を許容しつつ、両電極間の電気的短絡を回避するために、内側電極112を外側電極114から隔離することができる。これらの隔たりは、その他の検討事項のなかでも特に、各電極の所定の出力範囲と、及び誘電性材料の絶縁破壊値とに基づいて設定することができる。垂直方向の隔たりは、また、内側電極112と導電性アーム113との適切な隔離も提供することができる。ただし、導電性アーム113の部分は、外側電極114よりも、内側電極112からかなり深くに位置付け可能であることがわかる。内側電極112、外側電極114、及び導電性アーム113は、任意の適切な1つ又は2つ以上の導電性材料で作成することができる。導電性材料の非限定的な一例は、アルミニウムである。更に、内側電極112、外側電極114、及び導電性アーム113は、任意の適切なやり方で作成することができる。一例では、これらは、作成時にメサ140に挿入される金属網で作成することができる。別の例では、これらは、メサ140の作成時に金属膜をリソグラフィによってパターン化することによって作成することができる。図2~5に示されるように、図に描かれた内側電極112の実施形態は、単一の、実質的に円盤状の電極を含み、外側電極114は、単一の、実質的にリング状の電極である。より具体的には、図2~5に示された例は、内側電極の幾何学的中心が、メサ表面の幾何学的中心と及び外側電極の幾何学的中心と同心であることを示している。しかしながら、本開示の範囲から逸脱することなく任意の適切な相補形状の電極セットが任意の適切な配置で利用可能であるよいことがわかる。したがって、一部の実施形態では、内側電極及び外側電極が、可変密度プラズマ領域118内のプラズマ密度の半径方向制御及び方位角制御を提供するように構成されてよいことがわかる。例えば、図6~9は、それぞれ、内側電極112及び外側電極114の、各種相補形状の電極セット600、700、800、及び900を概略的に示している。図6に示された電極セット600は、図2~5に示されたものと同様な構成の内側電極112及び外側電極114を示しており、これは、可変密度プラズマ領域の半径方向制御を提供する。半径方向のプラズマ密度の制御は、プラズマ処理パラメータを半径方向に調整するやり方を提供することができる。例えば、プラズマ密度の半径方向制御は、凹形状プラズマ及びトロイダル形状プラズマの制御を提供することができ、これは、凹形状プラズマ及びトロイダル形状プラズマを発生させるアプローチを提供することができる。したがって、一例では、上流ツールからの基板の、概ね凸状のウエハ基板内厚さ不均一性は、半導体基板処理ステーション100の一実施形態において処理中に凹状プラズマを発生させることによって、部分的に又は完全に相殺することができる。別の例では、半導体基板処理ステーション100の一実施形態において処理を経ている基板を、下流ツールの既知の不均一性パターン特性を前もって想定して相殺するように処理することが可能である。図7の電極セット700もやはり、相補的な星形状の電極セットに対応したプラズマ密度の半径方向制御を提供することができる。図8の電極セット800は、外側電極114を複数含み、図9の電極セット900は、内側電極112及び外側電極114の両方を複数含み、いずれも、可変密度プラズマ領域118の半径方向制御及び方位角制御の両方を提供することができる。プラズマ密度の半径方向制御はもちろん方位角制御も提供することによって、楔形状のプラズマが発生されると考えられ、したがって、これは、上流ツール及び/又は下流ツールに関係した厚さ不均一性を相殺するために使用することができる楔形状のプラズマを処理中に発生させるアプローチを提供できる可能性がある。上述されたハードウェアは、基板全域にわたって可変密度プラズマを発生させるために使用可能であることが理解される。図10は、半導体基板処理ステーション内において可変密度プラズマを発生させることによって半導体基板を処理する方法1000の一実施形態を示したフローチャートを示している。しかしながら、一部の実施形態では、本開示の範囲から逸脱することなく方法1000の一部が異なる順序に並べられる、省略される、又は補充されることが可能であることがわかる。1002において、方法1000は、基板を基板ホルダの上に置くことを含む。1004において、方法1000は、半導体基板処理ステーションにプラズマガスを供給することを含む。1006において、方法1000は、1008において、外側電極を内側電極及びシャワーヘッド電極のうちの1つに結合することによって可変密度プラズマを発生させることを含む。一部の実施形態では、第2の電極への外側電極の結合は、外側電極、内側電極、及びシャワーヘッド電極のなかから選択された2つの電極に、第3の電極が電気的に接地された状態で1つ以上のプラズマ発生器から電力を分配することによって実現することができる。図11は、外側電極114を内側電極112に結合された基板ホルダ110を含む処理ステーション1100の一実施形態を概略的に示している。図11に示された代表的な処理ステーション1100は、高周波数プラズマ発生器1102と、低周波数プラズマ発生器1104と、シャワーヘッド電極105とを含む。一部の実施形態では、高周波数プラズマ発生器1102は、30ワットから5000ワットの間の電力レベルにおいて2MHzから60MHzの間の周波数を生じることができる。更に、一部の実施形態では、低周波数プラズマ発生器1104は、30ワットから5000ワットの間の電力レベルにおいて1KHzから2MHzの間の周波数を生じることができる。図11は、高周波数プラズマ発生器及び低周波数プラズマ発生器の両方を描いているが、一部の実施形態では、本開示の範囲から逸脱することなく一種のプラズマ発生器のみ例えば、高周波数プラズマ発生器1102のみ又は低周波数プラズマ発生器1104のみが用いられてよいことがわかる。図11に描かれた例では、高周波数プラズマ発生器1102は、内側電極及び外側電極に対して供給を行う電力分枝に電力を分配するように構成された分配回路1110に高周波数プラズマ発生器1102のインピーダンスを整合させるように構成された整合回路1106に電気的に接続されている。図11に示された例では、分配回路1110は、LC回路を含む。低周波数プラズマ発生器1104は、整合インピーダンス一部の実施形態ではおおよそ50オームを提供するように構成され分配回路1110に電気的に接続された低周波数整合回路1108に電気的に接続されている。分配回路及び/又は整合回路をそれぞれの電極に接続するために、随意としてケーブル1114例えば、一部の実施形態では同軸ケーブルが含められる。分枝点1116において、分配回路1110からの電力は、内側電極112に電力を供給する内側電極電力分枝1118と、外側電極114に電力を供給する外側電極電力分枝1120との間で分けられる。引き続き図10において、方法1000は、1010において、可変密度プラズマの外側部分のプラズマ密度が可変密度プラズマの内側部分のプラズマ密度よりも大きくなるように、外側電極及び第2の電極のうちの1つに電力を供給する回路のインピーダンスを設定することを含む。図11に示された実施形態では、プラズマ発生器は、内側電極112及び外側電極114に電気的に接続され、シャワーヘッド電極は、電気的に接地されているので、内側電極112及び外側電極114に電力が印加されたときに、各々の電場は、他方に結合する。結合の程度に対する制御は、外側電極114に電力を供給する分枝に電気的に接続された容量性コントローラ1112によって提供される。図11に示されるように、容量性コントローラ1112は、容量性の制御と、外側電極114に供給される電力の調整とを提供する。非限定的な一例では、容量性コントローラ1112は、静電容量をおおよそ40pFからおおよそ600pFの範囲内で調整することができる。ただし、電極インピーダンス及び電源能力に応じ、その他の範囲が適切であってもよいことがわかる。更に、図11に示された例では、外側電極電力分枝1120のインピーダンスを容量性コントローラ1120において変化させることが、外側電極電力分枝1120における高周波数プラズマ電力の量を低周波数プラズマ電力の量を超える量に変化させることができる。しかしながら、一部の実施形態では、容量性コントローラ1112は、外側電極電力分枝1120に供給される高周波数プラズマ電力及び/又は低周波数プラズマ電力を任意の適切な形で変化させるように構成されてよいことがわかる。図12は、外側電極及び第2の電極のうちの1つに電力を供給する容量性制御回路の調整と、外側電極に分配される電力の量曲線1204及び内側電極に分配される電力の量曲線1202との間の関係性を示したグラフ1200を示している。図12に示された例では、容量性コントローラは、電極間における電力の分配を明らかにするために、適宜に行き来するように調整された。この例では、単一のプラズマ発生器が使用されたので、図12は、外側電極に供給される電力の増大が、内側電極に供給される電力を相応して減少させることを示している。しかしながら、一部の実施形態では、一方の電極に供給される電力に対する調整が他方の電極に供給される電力に影響しないように、複数の電極に2つ以上のプラズマ発生器が接続可能であることがわかる更に詳しく後述される。局所プラズマ密度は、プラズマから引き出されるイオン電流の量を所定の電圧でサンプリング抽出するプラズマプローブによって測定することができる。一部のプラズマでは、高いイオン電流ほど高いプラズマ密度に相関する一方で、低いイオン電流ほど低いプラズマ密度に相関すると考えられる。図13及び図14は、プローブイオン電流密度間の代表的な関係性を基板半径の関数として示したグラフ1300及び1400をそれぞれ示している。図13及び図14に示された実施形態では、基板の中心として0mmが定義され、150mmは、300mm基板の縁である。図13及び図14に示されるように、プローブイオン電流密度は、外側電極に供給される電力が、図13に示されるようなおおよそ0Wから図14に示されるようなおおよそ35~41Wに増加され、内側電極に供給される電力が、おおよそ160~170Wからおおよそ111~115Wに減少されるのに伴って変化する。説明されたように、プローブイオン電流イオン密度は、プラズマ密度を近似するために使用可能であることがわかっており、したがって、図13及び図14は、外側電極への電力の増加が、可変密度プラズマの外側部分におけるプラズマ密度を増加させることを示している。引き続き図10において、一部の実施形態では、方法1000は、1012において、可変密度プラズマの外側部分のプラズマ密度が可変密度プラズマの内側部分のプラズマ密度よりも大きくなるように、処理ステーション圧力を設定することを含むことができる。一部の実施形態では、プラズマ密度分布は、処理ステーション圧力の関数として変化するだろう。図13及び図14は、処理ステーション内における圧力をおおよそ1トール曲線1302及び1402からおおよそ2トール曲線1304及び1404へ、そしておおよそ4トール曲線1306及び1406へ増加させることが半径方向電流分布に及ぼす効果も示している。したがって、一部の実施形態では、処理ステーション圧力を調整すること、並びに外側電極及び第2の電極のうちの1つに供給される電力を変化させることが、可変密度プラズマの外側部分における可変密度プラズマの密度を更に調整可能であることがわかる。一部の実施形態では、可変密度プラズマ内におけるプラズマ密度分布を調整又は維持するために、その他の処理ステーションパラメータが調整又は制御されてもよいことがわかる。このような処理ステーションパラメータの非限定的な例には、プロセスガス組成すなわち、各種の希釈剤、プラズマ、及び反応性ガスを含む、処理ステーションに供給されるガス混合の組成、プロセスガスの総流量、処理ステーション温度例えば、処理ステーション内におけるプラズマ放電領域近くの様々な表面の温度がある。引き続き図10において、方法1000は、1014において、可変密度プラズマによって基板を処理することを含む。例えば、一部の実施形態では、基板の処理は、プラズマ増強式の化学気相成長PECVD技術を使用して基板の上に膜を蒸着させることを含むことができる。別の例として、一部の実施形態では、基板の処理は、プラズマ活性式のドライエッチング技術を使用して基板の上の膜をエッチングすることを含むことができる。説明されたように、可変密度プラズマの提供は、処理ステーションに固有なものや、上流及び下流の処理ツールに固有なものなどを含む、プロセス特有の不均一性パターンを軽減するアプローチを提供することができる。その結果、一部の実施形態では、入ってくる基板の基板内不均一性プロフィールを、処理後に比較的平坦にすることができる。これは、後に続くリソグラフィ工程に、比較的平坦な基板表面を提供することができる。したがって、一部の実施形態では、方法1000は、1016において、基板内不均一性を相殺するように可変密度プラズマの形状を設定することを含むことができる。加えて又は或いは、一部の実施形態では、方法1000は、1018において、可変密度プラズマの形状を、凸形状、トロイダル形状、及び楔形状のうちの1つを有するように設定することを含むことができる。例えば、上流の処理ツールが、基板上に凸状の厚さプロフィールを生成した場合は、その後に続く可変密度プラズマによるPECVD処理は、凸状のプロフィールを相殺するために、基板の縁近くに追加の膜を蒸着させることができる。これは、リソグラフィトラックツールにおいて基板上にスピン塗布されるフォトレジストの被覆率及び成長を比較的より均等にするとともに、ステッパ工程における暴露をより均一にすることができる。1020において、方法1000は、可変密度プラズマを消失させることを含む。説明されたように、一部のプラズマプロセスでは、プラズマ内に小粒子が電気的に浮遊する。プラズマの失火は、このような粒子の表面上の静電力を消失させ、これは、粒子を基板表面上に着地させるだろう。したがって、一部の実施形態では、方法1000は、1022において、可変密度プラズマを、可変密度プラズマの外側部分において消失される前に可変密度プラズマの内側部分において消失されるように消失させることを含む。これは、プラズマシースがプラズマの内側部分から撤退するのに伴って、小粒子を運び去らせ、プラズマ消沈の際の基板表面における欠陥誘発装飾を回避できる可能性がある。ひとたびプラズマが消失されたら、方法1000は、1024において基板を基板ホルダから取り除くことを含むことができる。方法1000は、上述された構成や、更に詳しく後述されるその他の様々な実施形態を含む、任意の適切な電源及び電極の構成とともに使用可能であることがわかる。例えば、一部の実施形態では、外側電極に電気的に接続された電力分枝の静電容量及び/又はインピーダンスを調整し、外側電極のインピーダンスを第2の電極すなわち、内側電極又はシャワーヘッド電極のインピーダンスと釣り合わせることができる。これは、それぞれの電力分枝間における電流の釣り合い及び/又は電力の釣り合いを提供し、これは、図11に示された例と比べてより安定したプラズマを提供することができる。図15は、図11の処理ステーション1100と同様な電極構成を有する代表的な処理ステーション1500を概略的に示している。しかしながら、図11に示された例と異なり、処理ステーション1500は、二重分枝分配回路1510を含み、その各分枝は、分枝点1116から電力を受け取って、その電力を内側電極電力分枝1118と外側電極電力分枝1120とに分配するように構成される。更に、図15に示された例では、容量性コントローラ1112は、外側電極電力分枝1120に供給される高周波数プラズマ電力の量及び低周波数プラズマ電力の量の両方を変化させるように構成される。しかしながら、一部の実施形態では、容量性コントローラ1112は、外側電極電力分枝1120に供給される高周波数プラズマ電力及び/又は低周波数プラズマ電力を任意の適切な形で変化させるように構成されてよいことがわかる。図16は、図15の処理ステーション1500と同様な処理ステーション構成の一実施形態をおおよそ2トールの圧力で使用した、3つの異なる電力分配方式図16の表1610に示された曲線1602、1604、及び1606を参照せよの場合について、半径方向におけるプラズマプローブ電流密度分布を示したグラフ1600を示している。図16に示されるように、外側電極に供給される電力が多いほど、半径方向プロフィールの外縁における電流密度が高くなる。一部の実施形態では、可変密度プラズマの内側部分におけるよりも可変密度プラズマの外側部分においてより大きいプラズマ密度を有する可変密度プラズマは、外側電極が内側電極及びシャワーヘッド電極のうちから1つ選択された第2の電極に結合される限り、シャワーヘッド電極が通電され且つ内側電極及び外側電極のうちの1つが電気的に接地された構成を使用して発生させることができる。一例として、図17は、処理ステーション1700を概略的に示している。図17に示された例では、シャワーヘッド電極105及び外側電極114が高周波数プラズマ発生器1102及び低周波数プラズマ発生器1104に電気的に接続されている一方で、内側電極112は電気的に接地されている。図17に示されるように、外側電極114とシャワーヘッド電極105との間の結合を調整するために、容量性コントローラ1112が提供される。別の例として、図18は、高周波数プラズマ発生器1102及び低周波数プラズマ発生器1104がシャワーヘッド電極105及び内側電極112に電気的に接続されている一方で外側電極114は電気的に接地されている処理ステーション1800を、概略的に示している。図18に示された例では、内側電極112を外側電極114が内側電極112に結合されるように調整するために、容量性コントローラ1112が提供される。図19は、処理ステーション1700によって示された構成を通じて発生した可変密度プラズマについての半径方向電流密度プロフィール曲線1902及び処理ステーション1800によって示された構成を通じて発生した可変密度プラズマについての半径方向電流密度プロフィール曲線1904を示したグラフ1900を示している。いずれの構成も、プラズマの内側部分におけるよりもプラズマの外側部分においてより大きいプラズマ密度を有する可変密度プラズマを提供するように調整可能である一方で、図19に提示されたデータからは、図17に示された例のように外側電極を直接的に通電するほうが、図18に示されたように外側電極を間接的に通電するよりも、半径方向プロフィールの縁において比較的高い電流密度を提供できることがわかる。上述された代表的な結合構成は、高周波数プラズマ電力及び低周波数プラズマ電力の両方を2つ以上の電極間で分けることを対象としているが、一部の実施形態では、高周波数プラズマ電力及び低周波数プラズマ電力のうちの1つのみが分けられてよいことがわかる。例えば、プラズマを発生させるために2つの無線周波数源が同時に使用される一部の実施形態では、高周波数電力のみを外側電極と第2の電極との間で分け、低周波数電力を外側電極及び第2の電極のうちの1つのみに供給することができる。これは、可変密度プラズマの既定の領域内においてプラズマエネルギ及び/又はプラズマ密度を調節する能力を提供することができる。例えば、一部のプラズマ条件下では、イオンエネルギを制御するために低周波数RF源を使用する一方で、プラズマ密度を制御するために高周波数RF源を使用することができる。したがって、1つの筋書きでは、低周波数プラズマ電力をもっぱら内側電極に供給する一方で、高周波数プラズマ電力を内側電極及び外側電極の両方に供給することができる。これは、プラズマの内側領域に更なるイオン衝突を発生させる一方で、プラズマの外側領域では更なるプラズマ密度を提供することができる。上述された代表的なアプローチは、非限定的であることがわかる。例えば、別の一実施形態では、低周波数電力を外側電極と内側電極との間で分け、高周波数プラズマ電力を外側電極に提供することができる。上述された代表的な電源構成は、単一のプラズマ発生器から2つの電極にプラズマ電力を供給することを対象としているが、一部の実施形態では、複数のプラズマ発生器が提供されてよいことがわかる。説明されたように、複数のプラズマ発生器は、各種の電極の、実質的に独立した制御を提供することができる。例えば、一部の実施形態では、処理ステーションは、それぞれ異なる電極に接続された2つ以上のプラズマ発生器を含むことができる。図20は、2つの高周波数プラズマ発生器1102と、2つの低周波数プラズマ発生器1104とを有する処理ステーション2000を概略的に示している。図20に示されるように、高周波数プラズマ発生器1102は、位相固定フェーズドロックされており、低周波数プラズマ発生器1104もまた、同様である。更に、高速同期化時間非限定的な一例では50ミリ秒よりも速いを提供するために、及びプラズマ源間における電力変動を弱めるために、同期化整合網回路2020が提供される。加えて又は或いは、一部の実施形態では、同期化整合網回路2020は、第1のペアの発生器例えば、高周波数プラズマ発生器1102Aと低周波数プラズマ発生器1104Aを第2のペアの発生器例えば、高周波数プラズマ発生器1102Bと低周波数プラズマ発生器1104Bの固定インピーダンスに整合させるように構成された周波数同調回路を含むことができる。上記のハードウェア記述は、単一の処理ステーションを対象としているが、一部の実施形態では、1つの処理ツールに2つ以上の処理ステーションを含めることが可能であることがわかる。このような一部の実施形態では、その処理ツールに含められた複数の処理ステーションに、共有の源から各種のプロセス入力例えば、プロセスガス、プラズマ電力、ヒータ電力などの制御及び/又は供給を分配することができる。例えば、一部の実施形態では、共有のプラズマ発生器が、2つ以上の処理ステーションにプラズマ電力を供給することができる。別の一例では、共有のガス分配マニホールドが、2つ以上の処理ステーションにプロセスガスを供給することができる。図21は、内向きロードロック2102と外向きロードロック2104とを伴う複数ステーション処理ツール2100の一実施形態の概略図を示している。大気圧にあるロボット2106は、ポッド2108を通して装填されたカセットから大気圧ポート2110を通じて内向きロードロック2102内へ基板を移動させるように構成される。内向きロードロック2102は、大気圧ポート2110が閉じられたときに内向きロードロック2102が排気可能であるように、真空源不図示に結合されている。内向きロードロック2102は、また、処理チャンバ2114と境界を接しているチャンバ搬送ポート2116も含む。したがって、チャンバ搬送ポート2116が開かれたときは、別のロボット不図示が、処理のために基板を内向きロードロック2102から第1の処理ステーションの台座へ移動させることができる。一部の実施形態では、内向きロードロック2102は、ロードロックにプラズマを供給するように構成された遠隔プラズマ源不図示に接続することができる。これは、内向きロードロック2102内に配置された基板に対して遠隔プラズマ処理を提供することができる。加えて又は或いは、一部の実施形態では、内向きロードロック2102は、基板を加熱するように構成されたヒータ不図示を含むことができる。これは、内向きロードロック2102内に配置された基板上に吸着される湿気及びガスを除去することができる。図21に描かれた実施形態は、ロードロックを含んでいるが、一部の実施形態では、処理ステーションへの基板の直接的投入が提供されてもよいことがわかる。図に描かれた処理チャンバ2114は、図21に示された実施形態において1から4の番号を振られた4つの処理ステーションを含む。一部の実施形態では、処理ステーション2114は、基板が真空破壊及び/又は空気暴露を受けることなく処理ステーション間で移送可能であるように、低圧環境を維持するように構成することができる。図21に描かれた各処理ステーションは、処理ステーション基板ホルダステーション1の場合は110として示されていると、プロセスガス供給ライン及び入口とを含む。一部の実施形態では、1つ以上の処理ステーション基板ホルダ110を加熱することが可能である。一部の実施形態では、各処理ステーションが、異なるすなわち複数の目的を有することができる。例えば、或る処理ステーションが、PECVDモードとCVDモードとの間で、又は様々なエッチングモードの間で、又は蒸着モードとエッチングモードとの間で切り替え可能であることができる。加えて又は或いは、一部の実施形態では、同じ処理チャンバ内において膜の蒸着及びエッチングが可能であるように、処理チャンバ2114は、蒸着処理ステーションとエッチング処理ステーションとの1つ以上のペアを含むことができる。別の一例では、同じ処理チャンバ内において異なる膜タイプの積層が蒸着可能であるように、処理ステーションは、2つ以上の膜タイプに対応した複数の蒸着プロセス間で切り替え可能であることができる。描かれた処理チャンバ2114は、4つのステーションを含んでいるが、本開示にしたがった処理チャンバは、任意の適切な数のステーションを有していてよいことが理解される。例えば、一部の実施形態では、1つの処理チャンバが、5つ以上のステーションを有する一方で、その他の実施形態では、1つの処理チャンバが、3つ以下のステーションを有することが可能である。図21は、また、処理チャンバ2114内において基板を移送するための基板取り扱いシステム2190の一実施形態も描いている。一部の実施形態では、基板取り扱いシステム2190は、様々な処理ステーション間で及び/又は処理ステーションとロードロックとの間で基板を移送するように構成することができる。任意の適切な基板取り扱いシステムが用いられてよいことがわかり、非限定的な例に、基板回転棚及び基板取り扱いロボットがある。図21は、また、処理ツール2100のプロセス条件及びハードウェア状態を制御するために用いられるシステムコントローラ2150の一実施形態も描いている。例えば、一部の実施形態では、システムコントローラ2150は、上述された方法の実施形態を実施するために上述されたハードウェアの実施形態例えば、中空陰極マグネトロンや平板マグネトロン、プラズマコントローラ、電力分配回路、基板ホルダヒータコントローラ、大流量コントローラ、圧力制御デバイスなどを制御するための命令を含むことができる。システムコントローラ2150は、1つ以上のメモリデバイス2156と、1つ以上の大容量ストレージデバイス2154と、1つ以上のプロセッサ2152とを含むことができる。プロセッサ2152は、CPU又はコンピュータ、アナログ及び/又はデジタルの入力/出力接続、ステッピングモータコントローラボードなどを含むことができる。一部の実施形態では、システムコントローラ2150は、処理ツール2100の全ての活動を制御する。一部の実施形態では、システムコントローラ2150は、大容量ストレージデバイス2154又はその他の適切なマシン可読媒体に記憶されメモリデバイス2156に読み込まれプロセッサ2152上で実行されるマシン可読システム制御ソフトウェア2158を実行する。システム制御ソフトウェア2158は、タイミング、ガスの混合、チャンバ及び/又はステーション圧力、チャンバ及び/又はステーション温度、基板温度、目標電力レベル、RF電力レベル、基板台座、チャック及び/又はサセプタ位置、並びに処理ツール2100によって実施される特定のプロセスのその他のパラメータを制御するための命令を含むことができる。システム制御ソフトウェア2158は、任意の適切な方式で構成することができる。例えば、様々な処理ツールコンポーネントの動作を制御して様々な処理ツールプロセスを実行に移すために、それら様々な処理ツールコンポーネントのサブルーチン又は制御オブジェクトを書き込むことが可能である。システム制御ソフトウェア2158は、任意の適切なコンピュータ可読プログラミング言語にコード化することができる。一部の実施形態では、システム制御ソフトウェア2158は、上述された様々なパラメータを制御するための入力/出力制御IOCシークエンシング命令を含むことができる。例えば、可変密度プラズマプロセスの各段階は、システムコントローラ2150によって実行されるための1つ以上の命令を含むことができる。可変密度プラズマプロセス段階のためのプロセス条件を設定するための命令は、対応する可変密度プラズマレシピに含めることができる。一部の実施形態では、可変密度プラズマPECVDレシピ段階は、或る可変密度プラズマプロセス段階のための全ての命令がそのプロセス段階と同時に実行されるように、順番に並べることができる。一部の実施形態では、システムコントローラ2150に関連付けられた大容量ストレージデバイス2154及び/又はメモリデバイス2156に記憶されるその他のコンピュータソフトウェア及び/又はプログラムを用いることができる。これを目的としたプログラム又はプログラム部分の例には、基板位置決めプログラム、プロセスガス制御プログラム、圧力制御プログラム、ヒータ制御プログラム、及びプラズマ制御プログラムがある。基板位置決めプログラムは、基板を処理ステーション基板ホルダ110の上に載せるために及び基板と処理ツール2100のその他のパーツとの間の間隔を制御するために使用される処理ツールコンポーネントのためのプログラムコードを含むことができる。プロセスガス制御プログラムは、ガス組成及び流量を制御するための、並びに随意として処理ステーション内の圧力を安定化させるために蒸着に先立って1つ以上の処理ステーションにガスを流し入れるための、コードを含むことができる。圧力制御プログラムは、例えば処理ステーションの排気システム内のスロットルバルブや処理ステーションに入るガス流などを規制することによって処理ステーション内の圧力を制御するためのコードを含むことができる。ヒータ制御プログラムは、基板を加熱するために使用される加熱ユニットへの電流を制御するためのコードを含むことができる。或いは、ヒータ制御プログラムは、基板への熱伝達ガスヘリウムなどの供給を制御することができる。プラズマ制御プログラムは、1つ以上の処理ステーション内においてプロセス電極に印加されるRF電力レベルを設定するためのコードを含むことができる。一部の実施形態では、システムコントローラ2150にユーザインターフェースを関連付けることができる。ユーザインターフェースには、ディスプレイ画面、装置及び/又はプロセス条件のグラフィックソフトウェアディスプレイ、並びにポインティングデバイス、キーボード、タッチ画面、マイクロフォンなどのユーザ入力装置などがある。一部の実施形態では、システムコントローラ2150によって調整されるパラメータが、プロセス条件に関するものであることができる。非限定的な例には、プロセスガス組成及び流量、温度、圧力、プラズマ条件RFバイアス電力レベルなど、圧力、温度などがある。これらのパラメータは、ユーザインターフェースを用いて入力可能なレシピの形態でユーザに提供することができる。プロセスを監視するための信号は、システムコントローラ2150のアナログ及び/又はデジタル入力接続によって、様々な処理ツールセンサから提供することができる。プロセスを制御するための信号は、処理ツール2100のアナログ及びデジタル出力接続に載せて出力することができる。監視可能な処理ツールセンサの非限定的な例には、質量流量コントローラ、圧力センサマノメータなど、熱電対などがある。適切にプログラムされたフィードバック及び制御アルゴリズムは、プロセス条件を維持するために、これらのセンサからのデータとともに使用することができる。システムコントローラ2150は、上述された蒸着プロセスを実行するためのプログラム命令を提供することができる。プログラム命令は、DC電力レベル、RFバイアス電力レベル、圧力、温度などの、多岐にわたる様々なプロセスパラメータを制御することができる。命令は、これらのパラメータを制御し、本明細書で説明される様々な実施形態にしたがって積層膜のin-situ蒸着を動作させることができる。上述された様々なハードウェア及び方法の実施形態は、半導体デバイス、ディスプレイ、LED、光起電力パネルなどの生産又は製造のための、リソグラフィパターニングツール又はプロセスと併せて使用することができる。必ずしもそうとは限らないが、このようなツール/プロセスは、一般的な生産施設において併せて使用又は実行されるのが通例である。リソグラフィによる膜のパターニングは、通常、考えられる幾つかのツールによってそれぞれ可能にされる以下の工程:1スピンオンツール又は噴き付けツールを使用して、被加工物すなわち基板の上にフォトレジストを塗布すること、2加熱板又は高温炉又はその他の適切な硬化ツールを使用して、フォトレジストを硬化させること、3ウエハステッパなどのツールによって、可視光又はUV光又はx線光にフォトレジストを暴露すること、4レジストを選択的に除去し、そうしてそれをパターニングするために、ウェットベンチ又は噴き付け現像器などのツールを使用して、レジストを現像すること、5ドライ式またはプラズマ増強式のエッチングツールを使用して、レジストパターンを下の膜又は被加工物に転写すること、並びに6RF又はマイクロ波プラズマ除去ストリッパなどのツールを使用して、レジストを除去することのうちの、一部又は全部を含む。一部の実施形態では、フォトレジストの適用に先立って、アッシング可能なハードマスク層非晶質炭素層など及び別の適切なハードマスク反射防止層などを蒸着させることができる。本明細書で説明される構成及び/又はアプローチは例示的な性質のものであること、及び数々のヴァリエーションが可能であるゆえにこれらの具体的な実施形態又は例は限定的な意味だと見なされるべきでないことが、理解される。本明細書で説明される具体的な一連の動作、すなわち方法は、任意の数の処理戦略のうちの1つ以上を表すことができる。このように、例示された様々な行為は、例示された順序で、又はその他の順序で、又は並行して、又は場合によっては省略されて実施することが可能である。同様に、上述されたプロセスの順番は、変更することが可能である。本開示の内容は、本明細書で開示される様々なプロセス、システム、及び構成、並びにその他の特徴、機能、行為、及び/又は特性の、新規で且つ非自明なあらゆる組み合わせ及び部分組み合わせと、それらのあらゆる均等物とを含む。