"一対の電極間に、第1の有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層と、前記複合材料を含む層に接する第2の有機化合物を含む層と、発光物質を含む層と、を有し、前記第1の有機化合物は、芳香族炭化水素であり、前記第2の有機化合物は、芳香族炭化水素またはカルバゾール誘導体であることを特徴とする発光素子。請求項1において、前記第1の有機化合物は、アントラセン誘導体であることを特徴とする発光素子。請求項1または請求項2において、前記第2の有機化合物は、アントラセン誘導体であることを特徴とする発光素子。一対の電極間に、有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層と、前記複合材料を含む層に接する前記有機化合物を含む層と、発光物質を含む層と、を有し、前記有機化合物は、芳香族炭化水素であることを特徴とする発光素子。請求項4において、前記有機化合物は、アントラセン誘導体であることを特徴とする発光素子。請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、前記無機化合物は、前記有機化合物に対して電子受容性を示すことを特徴とする発光素子。請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、前記無機化合物は、遷移金属酸化物であることを特徴とする発光素子。請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、前記無機化合物は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムのいずれかであることを特徴とする発光素子。請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、前記無機化合物は、酸化モリブデンであることを特徴とする発光素子。請求項1乃至請求項9のいずれか一項の記載の発光素子を有する発光装置。請求項1乃至請求項9のいずれか一項の記載の発光素子を有する照明装置。請求項1乃至請求項9のいずれか一項の記載の発光素子を表示部に用いた電子機器。そこで本発明では、発光効率が高い発光素子を提供することを課題とする。また、低駆動電圧の発光素子を提供することを課題とする。さらに発光素子を用いて発光装置を作製することにより、消費電力の小さい発光装置を提供することを課題とする。また、発光装置を表示部として用いることにより、消費電力の小さい電子機器を提供することを課題とする。本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、有機化合物と無機化合物とを含む複合材料を適用することにより、課題を解決できることを見出した。すなわち、本発明の発光素子の一は、一対の電極間に、第1の有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層と、複合材料を含む層に接するように設けられた第2の有機化合物を含む層とを有し、第2の有機化合物は、無機化合物と複合したときに450nm~800nmの波長領域において吸収スペクトルのピークを有しない有機化合物であることを特徴とする。本発明の発光素子の一は、第1の電極と第2の電極との間に、第1の有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層と、複合材料を含む層に接するように設けられた第2の有機化合物を含む層と、発光物質を含む発光層とを有し、第2の有機化合物は、無機化合物と複合したときに450nm~800nmの波長領域において吸収スペクトルのピークを有しない有機化合物であり、第1の電極の電位の方が第2の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに発光物質が発光することを特徴とする。本発明の発光素子の一は、第1の電極と第2の電極との間に、第1の有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層と、複合材料を含む層に接するように設けられた第2の有機化合物を含む層と、発光物質を含む発光層とを有し、複合材料を含む層は第1の電極と接するように設けられ、第2の有機化合物は、前記無機化合物と複合したときに450nm~800nmの波長領域において吸収スペクトルのピークを有しない有機化合物であり、第1の電極の電位の方が第2の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに発光物質が発光することを特徴とする。本発明の発光素子の一は、一対の電極間に、第1の有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層と、複合材料を含む層に接するように設けられた第2の有機化合物を含む層とが積層された積層体を有し、積層体は450nm~800nmの波長領域において吸収スペクトルのピークを有しないことを特徴とする。本発明の発光素子の一は、一対の電極間に、第1の有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層と、複合材料を含む層に接するように設けられた第2の有機化合物を含む層とが積層された積層体を有し、450nm~800nmの波長領域において複合材料は、膜厚が100nmのときの透過率が80以上であり、第2の有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料は、膜厚100nmのときの透過率が80以上であることを特徴とする。本発明の発光素子の一は、一対の電極間に、第1の有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層と、複合材料を含む層に接するように設けられた第2の有機化合物を含む層とが積層された積層体を有し、450nm~800nmの波長領域において、複合材料の吸光度は式1で表される関係を満たし、第2の有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料の吸光度は式1で表される関係を満たすことを特徴とする。本発明の発光素子の一は、第1の電極と第2の電極との間に、第1の有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層と、複合材料を含む層に接するように設けられた第2の有機化合物を含む層と、発光物質を含む発光層とを有し、複合材料を含む層と第2の有機化合物を含む層とが積層された積層体は、450nm~800nmの波長領域において吸収スペクトルのピークを有さず、第1の電極の電位の方が第2の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに発光物質が発光することを特徴とする。本発明の発光素子の一は、第1の電極と第2の電極との間に、第1の有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層と、複合材料を含む層に接するように設けられた第2の有機化合物を含む層と、発光物質を含む発光層とを有し、450nm~800nmの波長領域において、複合材料は、膜厚が100nmのときの透過率が80以上であり、第2の有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料は、膜厚が100nmのときの透過率が80以上であり、第1の電極の電位の方が第2の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに発光物質が発光することを特徴とする。本発明の発光素子の一は、第1の電極と第2の電極との間に、第1の有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層と、複合材料を含む層に接するように設けられた第2の有機化合物を含む層と、発光物質を含む発光層とを有し、複合材料を含む層は第1の電極と接するように設けられ、複合材料を含む層と第2の有機化合物を含む層とが積層された積層体は、450nm~800nmの波長領域において吸収スペクトルのピークを有さず、第1の電極の電位の方が第2の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに発光物質が発光することを特徴とする。本発明の発光素子の一は、第1の電極と第2の電極との間に、第1の有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層と、複合材料を含む層に接するように設けられた第2の有機化合物を含む層と、発光物質を含む発光層とを有し、複合材料を含む層は第1の電極と接するように設けられ、450nm~800nmの波長領域において、複合材料は、膜厚100nmのときの透過率が80以上であり、第2の有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料は、膜厚100nmのときの透過率が80以上であり、第1の電極の電位の方が第2の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに発光物質が発光することを特徴とする。本発明の発光素子の一は、第1の電極と第2の電極との間に、第1の有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層と、複合材料を含む層に接するように設けられた第2の有機化合物を含む層と、発光物質を含む発光層とを有し、複合材料を含む層は第1の電極と接するように設けられ、450nm~800nmの波長領域において、第複合材料の吸光度は式1で表される関係を満たし、第2の有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料の吸光度は式1で表される関係を満たし、第1の電極の電位の方が第2の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに発光物質が発光することを特徴とする。上記構成において、第1の有機化合物は、芳香族炭化水素であることが好ましい。特に、アントラセン誘導体であることが好ましい。また、本発明の発光素子の一は、一対の電極間に、第1の有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層と前記複合材料を含む層に接するように設けられた第2の有機化合物を含む層とが積層された積層体を有し、第1の有機化合物は、芳香族炭化水素であることを特徴とする。また、本発明の発光素子の一は、一対の電極間に、第1の有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層と、複合材料を含む層に接するように設けられた第2の有機化合物を含む層とが積層された積層体を有し、第1の有機化合物は、アントラセン誘導体であることを特徴とする。上記構成において、第2の有機化合物のイオン化ポテンシャルは、第1の有機化合物のイオン化ポテンシャルよりも大きく、その差は0.5eV以下であることが好ましい。より好ましくは、0.3eV以下であることが好ましい。さらに好ましくは、0.1eV以下であることが好ましい。すなわち、第1の有機化合物のイオン化ポテンシャルをIp1とし、第2の有機化合物のイオン化ポテンシャルをIp2とすると、下記式で表される関係を満たすことが好ましい。より好ましくは、下記式で表される関係を満たすことが好ましい。さらに好ましくは、下記式で表される関係を満たすことが好ましい。また、上記構成において、第2の有機化合物は、芳香族炭化水素またはカルバゾール誘導体であることが好ましい。特に、アントラセン誘導体であることが好ましい。また、上記構成において、第2の有機化合物を含む層の膜厚は、1nm~20nmであることが好ましい。また、上記構成において、無機化合物は、第1の有機化合物に対して電子受容性を示すことが好ましい。また、無機化合物は、遷移金属酸化物であることが好ましい。特に、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物であることが好ましい。さらに好ましくは、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムのいずれかであることが好ましい。また、本発明の発光素子の一は、一対の電極間に、有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層と、複合材料を含む層に接するように設けられた有機化合物を含む層とを有し、複合材料は450nm~800nmの波長領域において吸収スペクトルのピークを有しないことを特徴とする。また、本発明の発光素子の一は、一対の電極間に、有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層と、複合材料を含む層に接するように設けられた有機化合物を含む層とを有し、450nm~800nmの波長領域において、複合材料の膜厚100nmのときの透過率が80以上であることを特徴とする。また、本発明の発光素子の一は、一対の電極間に、有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層と、複合材料を含む層に接するように設けられた前記有機化合物を含む層とを有し、450nm~800nmの波長領域において、複合材料の吸光度は式1で表される関係を満たすことを特徴とする。また、本発明の発光素子の一は、第1の電極と第2の電極との間に、有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層と、複合材料を含む層に接するように設けられた有機化合物を含む層と、発光物質を含む発光層とを有し、複合材料は450nm~800nmの波長領域において吸収スペクトルのピークを有さず、第1の電極の電位の方が第2の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに発光物質が発光することを特徴とする。また、本発明の発光素子の一は、第1の電極と第2の電極との間に、有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層と、複合材料を含む層に接するように設けられた有機化合物を含む層と、発光物質を含む発光層とを有し、450nm~800nmの波長領域において、複合材料の膜厚100nmのときの透過率が80以上であり、第1の電極の電位の方が第2の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに発光物質が発光することを特徴とする。また、本発明の発光素子の一は、第1の電極と第2の電極との間に、有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層と、複合材料を含む層に接するように設けられた有機化合物を含む層と、発光物質を含む発光層とを有し、複合材料を含む層は第1の電極と接するように設けられ、複合材料は450nm~800nmの波長領域において吸収スペクトルのピークを有さず、第1の電極の電位の方が第2の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに発光物質が発光することを特徴とする。また、本発明の発光素子の一は、第1の電極と第2の電極との間に、有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層と、複合材料を含む層に接するように設けられた有機化合物を含む層と、発光物質を含む発光層とを有し、複合材料を含む層は第1の電極と接するように設けられ、450nm~800nmの波長領域において、複合材料の膜厚100nmのときの透過率が80以上であり、第1の電極の電位の方が第2の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに発光物質が発光することを特徴とする。また、本発明の発光素子の一は第1の電極と第2の電極との間に、有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層と、複合材料を含む層に接するように設けられた有機化合物を含む層と、発光物質を含む発光層とを有し、複合材料を含む層は第1の電極と接するように設けられ、450nm~800nmの波長領域において、複合材料の吸光度は式1で表される関係を満たし、第1の電極の電位の方が第2の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに発光物質が発光することを特徴とする発光素子。上記構成において、有機化合物は、芳香族炭化水素であることが好ましい。特に、アントラセン誘導体であることが好ましい。また、本発明の発光素子の一は、一対の電極間に、有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層と、複合材料を含む層に接するように設けられた前記有機化合物を含む層とを有し、有機化合物は、芳香族炭化水素であることを特徴とする。また、本発明の発光素子の一は、一対の電極間に、有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層と、複合材料を含む層に接するように設けられた有機化合物を含む層とを有し、有機化合物は、アントラセン誘導体であることを特徴とする。また、上記構成において、有機化合物を含む層の膜厚は、1nm~20nmであることが好ましい。また、上記構成において、無機化合物は、第1の有機化合物に対して電子受容性を示すことが好ましい。また、無機化合物は、遷移金属酸化物であることが好ましい。特に、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物であることが好ましい。さらに好ましくは、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムのいずれかであることが好ましい。また、本発明は、上述した発光素子を有する発光装置も範疇に含めるものである。本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源照明装置含むを含む。また、発光素子が形成されたパネルにコネクター、例えばFPCFlexiblePrintedCircuitもしくはTABTapeAutomatedBondingテープもしくはTCPTapeCarrierPackageが取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にCOGChipOnGlass方式によりIC集積回路が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。また、本発明の発光素子を表示部に用いた電子機器も本発明の範疇に含めるものとする。したがって、本発明の電子機器は、表示部を有し、表示部は、上述した発光素子と発光素子の発光を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。本発明を適用することにより、発光効率の高い発光素子を得ることができる。また、本発明を適用することにより、低電圧駆動の発光素子を得ることができる。また、本発明を適用することにより、消費電力の小さい発光装置を得ることができる。また、本発明を適用することにより、消費電力の小さい電子機器を得ることができる。以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1本実施の形態では、本発明の発光素子に用いる複合材料について説明する。なお、本明細書中において、複合とは、単に2つの材料を混合させるだけでなく、分子レベルで混合し、これによって材料間での電荷の授受が行われ得る状態になることを言う。本発明で用いる複合材料は、第1の有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料である。複合材料に用いる第1の有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等など、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる第1の有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる第1の有機化合物を具体的に列挙する。例えば、芳香族アミン化合物としては、N,N’-ジp-トリル-N,N’-ジフェニル-p-フェニレンジアミン略称:DTDPPA、4,4’-ビス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DPAB、4,4’-ビスN-{4-[N-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノ]フェニル}-N-フェニルアミノビフェニル略称:DNTPD、1,3,5-トリス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ベンゼン略称:DPA3B等を挙げることができる。複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、3-[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA1、3,6-ビス[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA2、3-[N-1-ナフチル-N-9-フェニルカルバゾール-3-イルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCN1等を挙げることができる。また、4,4’-ジN-カルバゾリルビフェニル略称:CBP、1,3,5-トリス[4-N-カルバゾリルフェニル]ベンゼン略称:TCPB、9-[4-N-カルバゾリル]フェニル-10-フェニルアントラセン略称:CzPA、2,3,5,6-トリフェニル-1,4-ビス[4-N-カルバゾリルフェニル]ベンゼン等を用いることができる。また、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、9,10-ジナフタレン-2-イル-2-tert-ブチルアントラセン略称:t-BuDNA、9,10-ジナフタレン-1-イル-2-tert-ブチルアントラセン、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、9,10-ジ4-フェニルフェニル-2-tert-ブチルアントラセン略称:t-BuDBA、9,10-ジナフタレン-2-イルアントラセン略称:DNA、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、2-tert-ブチルアントラセン略称:t-BuAnth、9,10-ジ4-メチルナフタレン-1-イルアントラセン略称:DMNA、2-tert-ブチル-9,10-ビス[2-ナフタレン-1-イルフェニル]アントラセン、9,10-ビス[2-ナフタレン-1-イルフェニル]アントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジナフタレン-1-イルアントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジナフタレン-2-イルアントラセン、9,9’-ビアントリル、10,10’-ジフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ジ2-フェニルフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス[2,3,4,5,6-ペンタフェニルフェニル]-9,9’-ビアントリル、アントラセン等のアントラセン誘導体、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11-テトラtert-ブチルペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、1×10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有し、炭素数14~42である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。なお、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、4,4’-ビス2,2-ジフェニルビニルビフェニル略称:DPVBi、9,10-ビス[4-2,2-ジフェニルビニルフェニル]アントラセン略称:DPVPA等が挙げられる。また、ポリN-ビニルカルバゾール略称:PVKやポリ4-ビニルトリフェニルアミン略称:PVTPA等の高分子化合物を用いることもできる。また、複合材料に用いる無機化合物としては、遷移金属酸化物が好ましい。また元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物であることが好ましい。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすく好ましい。なお、複合材料を含む層の製造方法は、湿式法、乾式法を問わず、どのような手法を用いても良い。例えば、複合材料を含む層は、上述した有機化合物と無機化合物との共蒸着で作製することができる。また、上述した有機化合物と金属アルコキシドを含む溶液を塗布し、焼成することによって得ることもできる。なお、酸化モリブデンは真空中で蒸発しやすく、作製プロセスの面からも好ましい。本発明で用いられる複合材料は、450nm~800nmの波長領域において吸収ピークを有さない材料である。また、450nm~800nmの波長領域において、膜厚100nmのときの透過率が80以上である複合材料である。よって、発光領域からの発光を効率良く、外部へ取り出すことができる。実施の形態2本実施の形態では、実施の形態1で示した第1の有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料に接するように設けられた第2の有機化合物を含む層について説明する。複合材料を含む層に接して設けられる第2の有機化合物を含む層に含まれる第2の有機化合物は、複合材料に含まれる無機化合物と複合した場合に、450nm~800nmの波長領域において吸収ピークを有さない有機化合物である。また、複合材料を含む層における第1の有機化合物と無機化合物との混合比と同じ割合で混合した第2の有機化合物と前記無機化合物を含む複合材料は、450nm~800nmの波長領域において、膜厚100nmのときの透過率が80以上である。第2の有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等など、種々の化合物を用いることができる。なお、第2の有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、第2の有機化合物を具体的に列挙する。例えば、芳香族アミン化合物としては、N,N’-ジp-トリル-N,N’-ジフェニル-p-フェニレンジアミン略称:DTDPPA、4,4’-ビス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DPAB、4,4’-ビスN-{4-[N-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノ]フェニル}-N-フェニルアミノビフェニル略称:DNTPD、1,3,5-トリス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ベンゼン略称:DPA3B等を挙げることができる。また、カルバゾール誘導体としては、具体的には、3-[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA1、3,6-ビス[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA2、3-[N-1-ナフチル-N-9-フェニルカルバゾール-3-イルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCN1等を挙げることができる。また、4,4’-ジN-カルバゾリルビフェニル略称:CBP、1,3,5-トリス[4-N-カルバゾリルフェニル]ベンゼン略称:TCPB、9-[4-N-カルバゾリル]フェニル-10-フェニルアントラセン略称:CzPA、2,3,5,6-トリフェニル-1,4-ビス[4-N-カルバゾリルフェニル]ベンゼン等を用いることができる。また、芳香族炭化水素としては、例えば、9,10-ジナフタレン-2-イル-2-tert-ブチルアントラセン略称:t-BuDNA、9,10-ジナフタレン-1-イル-2-tert-ブチルアントラセン、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、9,10-ジ4-フェニルフェニル-2-tert-ブチルアントラセン略称:t-BuDBA、9,10-ジナフタレン-2-イルアントラセン略称:DNA、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、2-tert-ブチルアントラセン略称:t-BuAnth、9,10-ジ4-メチルナフタレン-1-イルアントラセン略称:DMNA、2-tert-ブチル-9,10-ビス[2-ナフタレン-1-イルフェニル]アントラセン、9,10-ビス[2-ナフタレン-1-イルフェニル]アントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジナフタレン-1-イルアントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジナフタレン-2-イルアントラセン、9,9’-ビアントリル、10,10’-ジフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ジ2-フェニルフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス[2,3,4,5,6-ペンタフェニルフェニル]-9,9’-ビアントリル、アントラセン等のアントラセン誘導体、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11-テトラtert-ブチルペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、1×10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有し、炭素数14~42である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。なお、芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、4,4’-ビス2,2-ジフェニルビニルビフェニル略称:DPVBi、9,10-ビス[4-2,2-ジフェニルビニルフェニル]アントラセン略称:DPVPA等が挙げられる。また、ポリN-ビニルカルバゾール略称:PVKやポリ4-ビニルトリフェニルアミン略称:PVTPA等の高分子化合物を用いることもできる。第2の有機化合物を含む層は、複合材料に含まれる無機化合物と複合したときに450nm~800nmの波長領域において吸収スペクトルのピークを有しない。また、複合材料を含む層における第1の有機化合物と無機化合物との混合比と同じ割合となるよう無機化合物と複合したときに450nm~800nmの波長領域において、100nmあたりの透過率が80以上である。そのため、複合材料を含む層と第2の有機化合物を含む層とが接していることにより、複合材料を含む層と第2の有機化合物を含む層との界面において、複合材料を含む層に含まれる無機化合物と第2の有機化合物とが接し、複合材料として存在した場合でも、発光物質からの発光を吸収することなく効率良く透過し、外部取り出し効率を向上させることができる。すなわち、発光効率の高い発光素子を得ることできる。実施の形態3本発明の発光素子は、一対の電極間に複数の層を有する。当該複数の層は、電極から離れたところに発光領域が形成されるように、つまり電極から離れた部位でキャリア担体の再結合が行われるように、キャリア注入性の高い物質やキャリア輸送性の高い物質からなる層を組み合わせて積層されたものである。本発明の発光素子の一態様について図1Aを用いて以下に説明する。本形態において、発光素子は、第1の電極102と、第1の電極102の上に順に積層した第1の層103、第2の層104、第3の層105、第4の層106と、さらにその上に設けられた第2の電極107とから構成されている。なお、本形態では第1の電極102は陽極として機能し、第2の電極107は陰極として機能するものとして以下説明をする。基板101上は発光素子の支持体として用いられる。基板101としては、例えばガラス、またはプラスチックなどを用いることができる。なお、発光素子を作製工程において支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。第1の電極102としては、さまざまな金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物を用いることができる。例えば、インジウム錫酸化物ITO:IndiumTinOxide、珪素を含有したインジウム錫酸化物、酸化インジウムに2~20wtの酸化亜鉛ZnOを混合したIZOIndiumZincOxideの他、金Au、白金Pt、ニッケルNi、タングステンW、クロムCr、モリブデンMo、鉄Fe、コバルトCo、チタンTi、銅Cu、パラジウムPd、アルミニウムAl、アルミニウム-シリコンAl-Si、アルミニウム-チタンAl-Ti、アルミニウム-シリコン-銅Al-Si-Cuまたは金属材料の窒化物TiN等、を用いることができるが、第1の電極を陽極として用いる場合には、その中でも、仕事関数の大きい仕事関数4.0eV以上などで形成されていることが好ましい。なお、本発明の発光素子において、第1の電極102は仕事関数の大きい材料に限定されず、仕事関数の小さい材料を用いることもできる。第1の層103は、実施の形態1で示した複合材料を含む層である。すなわち、第1の有機化合物と無機化合物とを複合した複合材料を含む層である。第1の層103に含まれる複合材料は、450nm~800nmの波長領域において吸収スペクトルのピークを有しない。また、第1の層103に含まれる複合材料は、450nm~800nmの全波長領域にわたって膜厚100nmのときの透過率が80以上である。よって、発光物質からの発光を効率良く透過し、外部取り出し効率を向上させることができる。すなわち、発光効率の高い発光素子を得ることできる。なお、複合材料を含む層の製造方法は、湿式法、乾式法を問わず、どのような手法を用いても良い。例えば、複合材料を含む層は、上述した有機化合物と無機化合物との共蒸着で作製することができる。また、上述した有機化合物と金属アルコキシドを含む溶液を塗布し、焼成することによって得ることもできる。なお、酸化モリブデンは真空中で蒸発しやすく、作製プロセスの面からも好ましい。第2の層104は、実施の形態2で示した第2の有機化合物を含む層である。すなわち、第1の層103に含まれる複合材料に含まれる無機化合物と複合したときに450nm~800nmの波長領域において吸収スペクトルのピークを有しない第2の有機化合物を含む層である。なお、第2の層104に含まれる第2の有機化合物のイオン化ポテンシャルは、第1の層103に含まれる第1の有機化合物のイオン化ポテンシャルよりも大きく、その差は0.5eV以下であることが好ましい。より好ましくは、0.3eV以下であることが好ましい。さらに好ましくは、0.1eV以下であることが好ましい。すなわち、第1の有機化合物のイオン化ポテンシャルをIp1とし、第2の有機化合物のイオン化ポテンシャルをIp2とすると、下記式で表される関係を満たすことが好ましい。より好ましくは、下記式で表される関係を満たすことが好ましい。さらに好ましくは、下記式で表される関係を満たすことが好ましい。第2の有機化合物のイオン化ポテンシャルと第1の有機化合物のイオン化ポテンシャルとが上記の式を満たす関係にあることにより、第1の層103から第2の層104へのキャリア注入障壁が小さくなるため、駆動電圧を低減することができる。よって、第1の層103に含まれる第1の有機化合物として芳香族炭化水素等のイオン化ポテンシャルの大きい有機化合物を用いた場合には、第2の層104に用いることのできる第2の有機化合物のイオン化ポテンシャルの範囲が広がり、第2の有機化合物の選択肢が広がる。例えば、第1の層103に含まれる第1の有機化合物として芳香族炭化水素を用い、第2の層104に含まれる第2の有機化合物として、芳香族炭化水素を用いることができる。このように、アミン化合物を含まない発光素子を作製することも可能となる。第1の有機化合物または第2の有機化合物として用いることのできる化合物の具体的なイオン化ポテンシャルの測定値を表1に示す。なお、本明細書中では、イオン化ポテンシャルの測定方法としては、大気中における光電子分光法を用いる。例えば、このような測定に用いられる装置としては、AC-2、理研計器株式会社製がある。測定対象としては、蒸着法によりガラス基板上に形成した薄膜を用いた。第1の層103に含まれる第1の有機化合物として芳香族炭化水素を用い、第2の層104に含まれる第2の有機化合物として、芳香族炭化水素を用いた場合、耐熱性の高い発光素子を作製することができる。一般に、酸素、窒素、硫黄などのヘテロ原子と炭素との結合が分子内に存在すると、分子骨格の柔軟性が向上するため、ガラス転移温度や融点などの熱物性は低下する。したがって、類似の分子構造であれば、芳香族炭化水素は、芳香族アミン化合物と比較すると、熱物性が高い。よって、類似の分子構造を有する芳香族アミン化合物を用いる場合に比べ、芳香族炭化水素を用いることにより、耐熱性の高い発光素子を得ることができる。また、高いガラス転移温度や高い融点をアミン化合物に付与する場合には、分子量を増大させる必要がある。このため、これまでに、スターバースト型のアミン化合物や、直鎖型のオリゴアミン化合物が合成されてきたが、これらの化合物は合成のステップ数が多く、目的の材料を得るために必要な時間が長く、コストも高い。よって、芳香族炭化水素を用いることにより、同様な耐熱性を有する発光素子を得るのに必要なコストを削減することができる。また、第1の層103と第2の層104とに含まれる有機化合物が同じ物質である場合、すなわち、第1の有機化合物と第2の有機化合物が同じ物質である場合、第1の層103と第2の層104とのキャリア注入障壁が小さくなるので好ましい。また、第1の層103と第2の層104を蒸着法により形成する場合、連続的に成膜することも可能となるため、工程を簡略化することが可能となり、より生産性を向上させることができる。なお、第2の層104の膜厚は、1nm~20nmであることが好ましい。なお、図3に示すように、第2の層104と第3の層105との間に、正孔輸送性の高い物質を含む層108を設ける構成としてもよい。正孔輸送性の高い物質としては、例えば4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:NPBまたはα―NPDやN,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:TPD、4,4’,4’’-トリスN,N-ジフェニルアミノトリフェニルアミン略称:TDATA、4,4’,4’’-トリス[N-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン略称:MTDATA、4,4’-ビス[N―フェニル-N-スピロフルオレン-2-イル]ビフェニル略称:BSPBなどの芳香族アミン化合物即ち、ベンゼン環-窒素の結合を有する化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。また、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。第3の層105は、発光性の高い物質を含む層である。例えば、N,N’-ジメチルキナクリドン略称:DMQd、N,N’-ジフェニルキナクリドン略称:DPQdや3-2-ベンゾチアゾイル-7-ジエチルアミノクマリン略称:クマリン6等の発光性の高い物質とトリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alqや9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA等のキャリア輸送性が高く膜質がよいつまり結晶化しにくい物質とを自由に組み合わせて構成される。但し、AlqやDNAは発光性も高い物質であるため、これらの物質を単独で用いた構成とし、第3の層105としても構わない。第4の層106は、電子輸送性の高い物質、例えばトリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq、トリス5-メチル-8-キノリノラトアルミニウム略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]-キノリナトベリリウム略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト-4-フェニルフェノラト-アルミニウム略称:BAlqなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等からなる層である。また、この他ビス[2-2-ヒドロキシフェニル-ベンゾオキサゾラト]亜鉛略称:ZnBOX2、ビス[2-2-ヒドロキシフェニル-ベンゾチアゾラト]亜鉛略称:ZnBTZ2などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBDや、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-tert-ブチルフェニル-4-フェニル-5-4-ビフェニリル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、3-4-tert-ブチルフェニル-4-4-エチルフェニル-5-4-ビフェニリル-1,2,4-トリアゾール略称:p-EtTAZ、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCPなども用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を第4の層106として用いても構わない。また、第4の層106は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。第2の電極107を形成する物質としては、仕事関数の小さい仕事関数3.8eV以下金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の1族または2族に属する元素、すなわちリチウムLiやセシウムCs等のアルカリ金属、およびマグネシウムMg、カルシウムCa、ストロンチウムSr等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金Mg:Ag、Al:Liが挙げられる。しかしながら、第2の電極107と第4の層106との間に、電子注入を促す機能を有する層を、当該第2の電極と積層して設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Al、Ag、ITO、珪素を含むITO等様々な導電性材料を第2の電極107として用いることができる。なお、電子注入を促す機能を有する層としては、フッ化リチウムLiF、フッ化セシウムCsF、フッ化カルシウムCaF2等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属の化合物を用いることができる。また、この他、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含有させたもの、例えばAlq中にマグネシウムMgを含有させたもの等を用いることができる。また、第1の層103、第2の層104、第3の層105、第4の層106の形成方法は、上記のような蒸着法以外の方法でもよい。例えばインクジェット法またはスピンコート法など用いても構わない。また各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。以上のような構成を有する本発明の発光素子は、第1の電極102と第2の電極107との間に生じた電位差により電流が流れ、発光性の高い物質を含む層である第3の層105において正孔と電子とが再結合し、発光するものである。つまり第3の層105に発光領域が形成されるような構成となっている。但し、第3の層105の全てが発光領域として機能する必要はなく、例えば、第3の層105のうち第2の層104側または第4の層106側にのみ発光領域が形成されるようなものであってもよい。発光は、第1の電極102または第2の電極107のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第1の電極102または第2の電極107のいずれか一方または両方は、透光性を有する物質で成る。第1の電極102のみが透光性を有する物質からなるものである場合、図1Aに示すように、発光は第1の電極102を通って基板側から取り出される。また、第2の電極107のみが透光性を有する物質からなるものである場合、図1Bに示すように、発光は第2の電極107を通って基板と逆側から取り出される。第1の電極102および第2の電極107がいずれも透光性を有する物質からなるものである場合、図1Cに示すように、発光は第1の電極102および第2の電極107を通って、基板側および基板と逆側の両方から取り出される。なお第1の電極102と第2の電極107との間に設けられる層の構成は、上記のものには限定されない。発光領域と金属とが近接することによって生じる消光が抑制されるように、第1の電極102および第2の電極107から離れた部位に正孔と電子とが再結合する領域を設けた構成であり、且つ、第1の有機化合物と無機化合物とを複合した複合材料を含む層と、複合材料に含まれる無機化合物と複合したとき450nm~800nmの波長領域に吸収スペクトルのピークを有しない第2の有機化合物を含む層とが接していれば、上記以外のものでもよい。つまり、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質または正孔輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性電子及び正孔の輸送性の高い物質の物質等から成る層を、第1の有機化合物と無機化合物とを複合した複合材料を含む層および複合材料に含まれる無機化合物と複合したとき450nm~800nmの波長領域に吸収スペクトルのピークを有しない第2の有機化合物を含む層と、自由に組み合わせて構成すればよい。図2に示す発光素子は、陰極として機能する第1の電極302の上に電子輸送性の高い物質からなる第1の層303、発光性の高い物質を含む第2の層304、第4の層306の複合材料に含まれる無機化合物と複合したとき450nm~800nmの波長領域に吸収スペクトルのピークを有しない第2の有機化合物を含む層である第3の層305、第1の有機化合物と無機化合物とを複合した複合材料を含む層である第4の層306、陽極として機能する第2の電極307とが順に積層された構成となっている。なお、301は基板である。本実施の形態においては、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に発光素子を作製している。一基板上にこのような発光素子を複数作製することで、パッシブ型の発光装置を作製することができる。また、ガラス、プラスチックなどからなる基板以外に、例えば薄膜トランジスタTFTアレイ基板上に発光素子を作製してもよい。これにより、TFTによって発光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の発光装置を作製できる。なお、TFTの構造は、特に限定されない。スタガ型のTFTでもよいし逆スタガ型のTFTでもよい。また、TFTアレイ基板に形成される駆動用回路についても、N型およびP型のTFTからなるものでもよいし、若しくはN型またはP型のいずれか一方からのみなるものであってもよい。また、TFTに用いられる半導体膜の結晶性についても特に限定されない。非晶質半導体膜を用いてもよいし、結晶性半導体膜を用いてもよい。本発明の発光素子は、第1の有機化合物と無機化合物とを複合した複合材料を含む層および複合材料に含まれる無機化合物と複合したとき450nm~800nmの波長領域に吸収スペクトルのピークを有しない第2の有機化合物を含む層を有する。複合材料を含む層は、450nm~800nmの波長領域において吸収スペクトルのピークを有しない。よって、発光物質からの発光を効率良く透過し、外部取り出し効率を向上させることができる。すなわち、発光効率の高い発光素子を得ることできる。第2の有機化合物を含む層は、複合材料に含まれる無機化合物と複合したときに450nm~800nmの波長領域において吸収スペクトルのピークを有しない。よって、第1の層103と第2の層104とが接していることにより、複合材料を含む層と第2の有機化合物を含む層との界面において、複合材料を含む層に含まれる無機化合物と第2の有機化合物とが接し、複合材料として存在した場合でも、発光物質からの発光を吸収することなく効率良く透過し、外部取り出し効率を向上させることができる。すなわち、発光効率の高い発光素子を得ることできる。また、第1の有機化合物と無機化合物とを複合した複合材料を含む層は、導電性が高い。よって、発光素子の低電圧駆動を実現することができる。また、有機化合物と無機化合物とを複合した複合材料を含む層は導電性が高いため、複合材料を含む層を厚膜化した場合でも、駆動電圧の上昇を抑制することができる。よって、駆動電圧の上昇を抑制しつつ、外部への光の取り出し効率が高くなるように複合材料を含む層の膜厚を最適化することが可能となる。また、駆動電圧を上昇させることなく、光学設計による色純度の向上を実現することができる。また、複合材料を含む層を厚膜化することにより、電極上の凹凸や衝撃等による短絡を防止することができるため、信頼性の高い発光素子を得ることができる。例えば、通常の発光素子の電極間の膜厚が100nm~150nmであるのに対し、複合材料を含む層を用いた発光素子の電極間の膜厚は、100~500nm、好ましくは、200~500nmとすることができる。また、本発明の発光素子に用いる複合材料を含む層は、電極とオーム接触することが可能であり、電極との接触抵抗が小さい。そのため、仕事関数等を考慮することなく、電極材料を選ぶことができる。つまり、電極材料の選択肢が広がる。実施の形態4本実施の形態では、本発明の発光素子を有する発光装置について説明する。本実施の形態では、画素部に本発明の発光素子を有する発光装置について図33を用いて説明する。なお、図33Aは、発光装置を示す上面図、図33Bは図33AをA-A’およびB-B’で切断した断面図である。点線で示された601は駆動回路部ソース側駆動回路、602は画素部、603は駆動回路部ゲート側駆動回路である。また、604は封止基板、605はシール材であり、シール材605で囲まれた内側は、空間607になっている。なお、引き回し配線608はソース側駆動回路601及びゲート側駆動回路603に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPCフレキシブルプリントサーキット609からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント配線基盤PWBが取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものとする。次に、断面構造について図33Bを用いて説明する。素子基板610上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路601と、画素部602中の一つの画素が示されている。なお、ソース側駆動回路601はnチャネル型TFT623とpチャネル型TFT624とを組み合わせたCMOS回路が形成される。また、駆動回路を形成するTFTは、種々のCMOS回路、PMOS回路もしくはNMOS回路で形成しても良い。また、本実施例では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。また、画素部602はスイッチング用TFT611と、電流制御用TFT612とそのドレインに電気的に接続された第1の電極613とを含む複数の画素により形成される。なお、第1の電極613の端部を覆って絶縁物614が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。また、被覆性を良好なものとするため、絶縁物614の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物614の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物614の上端部のみに曲率半径0.2μm~3μmを有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物614として、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。第1の電極613上には、発光物質を含む層616、および第2の電極617がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第1の電極613に用いる材料としては、さまざまな金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物を用いることができる。第1の電極を陽極として用いる場合には、その中でも、仕事関数の大きい仕事関数4.0eV以上などで形成されていることが好ましい。例えば、珪素を含有したインジウム錫酸化物、酸化インジウムに2~20wtの酸化亜鉛ZnOを混合したIZOIndiumZincOxide、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Zn膜、Pt膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との3層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。また、発光物質を含む層616は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート法等の種々の方法によって形成される。発光物質を含む層616は、実施の形態1で示した複合材料を含む層および実施の形態2で示した第2の有機化合物を含む層を有している。また、発光物質を含む層616を構成する他の材料としては、低分子系材料、中分子材料オリゴマー、デンドリマーを含む、または高分子系材料であっても良い。また、発光物質を含む層に用いる材料としては、通常、有機化合物を単層もしくは積層で用いる場合が多いが、本発明においては、有機化合物からなる膜の一部に無機化合物を用いる構成も含めることとする。さらに、発光物質を含む層616上に形成され、陰極として機能する第2の電極617に用いる材料としては、仕事関数の小さい仕事関数3.8eV以下金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウムLiやセシウムCs等のアルカリ金属、およびマグネシウムMg、カルシウムCa、ストロンチウムSr等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金Mg:Ag、Al:Liが挙げられる。なお、発光物質を含む層616で生じた光が第2の電極617を透過させる場合には、第2の電極617として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜ITO、2~20wtの酸化亜鉛を含む酸化インジウム、珪素を含有したインジウム錫酸化物、酸化亜鉛ZnO等との積層を用いるのが良い。さらにシール材605で封止基板604を素子基板610と貼り合わせることにより、素子基板610、封止基板604、およびシール材605で囲まれた空間607に発光素子618が備えられた構造になっている。なお、空間607には、充填材が充填されており、不活性気体窒素やアルゴン等が充填される場合の他、シール材605で充填される場合もある。なお、シール材605にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板604に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRPFiberglass-ReinforcedPlastics、PVFポリビニルフロライド、マイラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。以上のようにして、本発明の発光素子を有する発光装置を得ることができる。本発明の発光装置は、実施の形態1で示した複合材料を含む層および複合材料を含む層に接するように設けられた実施の形態2で示した第2の有機化合物を含む層を有している。そのため、発光領域からの発光を効率良く外部に取り出すことができ、発光効率が高い。また、駆動電圧を低減することができ、消費電力を低減することが可能となる。また、本発明の発光装置は、複合材料を含む層を厚くしても駆動電圧の上昇を抑制することができる。よって、複合材料を含む層を厚くして、発光素子の短絡を防止することができる。また、光学設計により発光の外部取り出し効率の向上を実現することができる。よって、消費電力が少なく、信頼性の高い発光装置を得ることができる。以上のように、本実施の形態では、トランジスタによって発光素子の駆動を制御するアクティブ型の発光装置について説明したが、この他、トランジスタ等の駆動用の素子を特に設けずに発光素子を駆動させるパッシブ型の発光装置であってもよい。図34には本発明を適用して作製したパッシブ型の発光装置の斜視図を示す。図34において、基板951上には、電極952と電極956との間には発光物質を含む層955が設けられている。電極952の端部は絶縁層953で覆われている。そして、絶縁層953上には隔壁層954が設けられている。隔壁層954の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層954の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接する辺の方が上辺絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接しない辺よりも短い。このように、隔壁層954を設けることで、静電気等に起因した発光素子の不良を防ぐことが出来る。また、パッシブ型の発光装置においても、発光効率が高く、低駆動電圧で動作する本発明の発光素子を含むことによって、低消費電力で駆動させることができる。実施の形態5本実施の形態では、実施の形態4に示す発光装置をその一部に含む本発明の電子機器について説明する。本発明の電子機器は、実施の形態1に示した複合材料を含む層および複合材料を含む層に接するように設けられた実施の形態2に示した第2の有機化合物を含む層を有し、低消費電力の表示部を有する。また、実施の形態1で示した複合材料を含む層を厚膜化することにより、微小な異物や、外部からの衝撃等による短絡が抑制された信頼性の高い表示部を有する電子機器を提供することも可能である。本発明の発光装置を用いて作製された電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置カーオーディオ、オーディオコンポ等、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等、記録媒体を備えた画像再生装置具体的にはDigitalVersatileDiscDVD等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図35に示す。図35Aは本発明に係るテレビ装置であり、筐体9101、支持台9102、表示部9103、スピーカー部9104、ビデオ入力端子9105等を含む。このテレビ装置において、表示部9103は、実施の形態2~6で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高く、駆動電圧が低いという特徴を有している。また、微小な異物や、外部からの衝撃等による短絡を防止することも可能である。その発光素子で構成される表示部9103も同様の特徴を有するため、このテレビ装置は画質の劣化がなく、低消費電力化が図られている。このような特徴により、テレビ装置において、劣化補償機能の回路や電源回路を大幅に減らす、若しくは劣化補償機能の回路や電源回路のサイズを小さくすることができるので、筐体9101や支持台9102の小型軽量化を図ることが可能である。本発明に係るテレビ装置は、低消費電力、高画質及び小型軽量化が図られているので、それにより住環境に適合した製品を提供することができる。図35Bは本発明に係るコンピュータであり、本体9201、筐体9202、表示部9203、キーボード9204、外部接続ポート9205、ポインティングマウス9206等を含む。このコンピュータにおいて、表示部9203は、実施の形態2~6で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高く、駆動電圧が低いという特徴を有している。また、微小な異物や、外部からの衝撃等による短絡を防止することも可能である。その発光素子で構成される表示部9203も同様の特徴を有するため、このコンピュータは画質の劣化がなく、低消費電力化が図られている。このような特徴により、コンピュータにおいて、劣化補償機能の回路や電源回路を大幅に減らす、若しくは劣化補償機能の回路や電源回路のサイズを小さくすることができるので、本体9201や筐体9202の小型軽量化を図ることが可能である。本発明に係るコンピュータは、低消費電力、高画質及び小型軽量化が図られているので、環境に適合した製品を提供することができる。また、持ち運ぶことも可能となり、持ち運ぶときの外部からの衝撃にも強い表示部を有しているコンピュータを提供することができる。図35Cは本発明に係る携帯電話であり、本体9401、筐体9402、表示部9403、音声入力部9404、音声出力部9405、操作キー9406、外部接続ポート9407、アンテナ9408等を含む。この携帯電話において、表示部9403は、実施の形態2~6で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高く、駆動電圧が低いという特徴を有している。また、微小な異物や、外部からの衝撃等による短絡を防止することも可能である。その発光素子で構成される表示部9403も同様の特徴を有するため、この携帯電話は画質の劣化がなく、低消費電力化が図られている。このような特徴により、携帯電話において、劣化補償機能の回路や電源回路を大幅に減らす、若しくは劣化補償機能の回路や電源回路のサイズを小さくすることができるので、本体9401や筐体9402の小型軽量化を図ることが可能である。本発明に係る携帯電話は、低消費電力、高画質及び小型軽量化が図られているので、携帯に適した製品を提供することができる。また、携帯したときの衝撃にも強い表示部を有している製品を提供することができる。図35Dは本発明の係るカメラであり、本体9501、表示部9502、筐体9503、外部接続ポート9504、リモコン受信部9505、受像部9506、バッテリー9507、音声入力部9508、操作キー9509、接眼部9510等を含む。このカメラにおいて、表示部9502は、実施の形態2~6で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高く、駆動電圧が低く、微小な異物や、外部からの衝撃等による短絡を防止することができるという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部9502も同様の特徴を有するため、このカメラは画質の劣化がなく、低消費電力化が図られている。このような特徴により、カメラにおいて、劣化補償機能の回路や電源回路を大幅に減らす、若しくは劣化補償機能の回路や電源回路のサイズを小さくすることができるので、本体9501の小型軽量化を図ることが可能である。本発明に係るカメラは、低消費電力、高画質及び小型軽量化が図られているので、携帯に適した製品を提供することができる。また、携帯したときの衝撃にも強い表示部を有している製品を提供することができる。以上の様に、本発明の発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。本発明の発光装置を用いることにより、低消費電力で、信頼性の高い表示部を有する電子機器を提供することが可能となる。また、本発明の発光装置は、発光効率の高い発光素子を有しており、照明装置として用いることもできる。本発明の発光素子を照明装置として用いる一態様を図36を用いて説明する。図36は、本発明の発光装置をバックライトとして用いた液晶表示装置の一例である。図36に示した液晶表示装置は、筐体901、液晶層902、バックライト903、筐体904を有し、液晶層902は、ドライバIC905と接続されている。また、バックライト903は、本発明の発光装置が用いられおり、端子906により、電流が供給されている。本発明の発光装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることにより、消費電力の低減されたバックライトが得られる。また、本発明の発光装置は、面発光の照明装置であり大面積化も可能であるため、バックライトの大面積化が可能であり、液晶表示装置の大面積化も可能になる。さらに、発光装置は薄型で低消費電力であるため、表示装置の薄型化、低消費電力化も可能となる。本実施例では、本発明の発光素子に用いる有機化合物および無機化合物、および複合層の作製方法並びに光学特性について説明する。サンプル1まず、石英基板を真空蒸着装置内の基板ホルダーに固定する。そして、DNTPDと酸化モリブデンVIとをそれぞれ別の抵抗加熱式の蒸発源に入れ、その後真空装置内を排気し、10-4Pa程度まで減圧した後、共蒸着法によりDNTPDと酸化モリブデンとを含む層を形成した。この時、DNTPDと酸化モリブデンの比率が重量比で2:1となるように共蒸着した。なお、膜厚は100nmとした。このようにして成膜したDNTPD-酸化モリブデン複合層サンプル1の450nm~800nmの波長領域における吸収スペクトルを測定した結果を図37に示す。また、透過率を図4に示す。比較例1比較サンプル2石英基板を真空蒸着装置内の基板ホルダーに固定する。そして、NPBと酸化モリブデンVIとをそれぞれ別の抵抗加熱式の蒸発源に入れ、その後真空装置内を排気し、10-4Pa程度まで減圧した後、共蒸着法によりNPBと酸化モリブデンとを含む層を形成した。この時、NPBと酸化モリブデンの比率が重量比で2:0.75となるように共蒸着した。なお、膜厚は100nmとした。このようにして成膜したNPB-酸化モリブデン複合層比較サンプル2の450nm~800nmの波長領域における吸収スペクトルを測定した結果を図37に示す。また、透過率を図4に示す。図4および図37からわかるように、DNTPD-酸化モリブデン複合層は450nm~800nmの波長領域において吸収ピークを示さず、80以上の透過率を有しているのに対し、比較例であるNPB-酸化モリブデン混合膜は500nm付近に吸収ピークを有しており、透過率が80に満たない波長領域がある。したがって、本発明の複合材料および複合材料と接して設けられる有機化合物の層は、450nm~800nmの波長領域において吸収ピークを持たず、高い透過率を有していることがわかる。本実施例では、本発明の発光素子に用いる有機化合物および無機化合物、および複合材料を含む層の作製方法並びに光学特性について説明する。サンプル3まず、石英基板を真空蒸着装置内の基板ホルダーに固定する。そして、t-BuDNAと酸化モリブデンVIとをそれぞれ別の抵抗加熱式の蒸発源に入れ、その後真空装置内を排気し、10-4Pa程度まで減圧した後、共蒸着法によりt-BuDNAと酸化モリブデンとを含む層を形成した。この時、t-BuDNAと酸化モリブデンの比率が重量比で2:1となるように共蒸着した。なお、膜厚は100nmとした。サンプル4サンプル3と同様に、石英基板を真空蒸着装置内の基板ホルダーに固定する。そして、DPPAと酸化モリブデンVIとをそれぞれ別の抵抗加熱式の蒸発源に入れ、その後真空装置内を排気し、10-4Pa程度まで減圧した後、共蒸着法によりDPPAと酸化モリブデンとを含む層を形成した。この時、DPPAと酸化モリブデンの比率が重量比で2:1となるように共蒸着した。なお、膜厚は100nmとした。サンプル5サンプル3と同様に、石英基板を真空蒸着装置内の基板ホルダーに固定する。そして、DNAと酸化モリブデンVIとをそれぞれ別の抵抗加熱式の蒸発源に入れ、その後真空装置内を排気し、10-4Pa程度まで減圧した後、共蒸着法によりDNAと酸化モリブデンとを含む層を形成した。この時、DNAと酸化モリブデンの比率が重量比で2:1となるように共蒸着した。なお、膜厚は100nmとした。サンプル6サンプル3と同様に、石英基板を真空蒸着装置内の基板ホルダーに固定する。そして、DPAnthと酸化モリブデンVIとをそれぞれ別の抵抗加熱式の蒸発源に入れ、その後真空装置内を排気し、10-4Pa程度まで減圧した後、共蒸着法によりDPAnthと酸化モリブデンとを含む層を形成した。この時、DPAnthと酸化モリブデンの比率が重量比で2:1となるように共蒸着した。なお、膜厚は100nmとした。このようにして成膜した、t-BuDNA-酸化モリブデン複合層サンプル3、DPPA-酸化モリブデン複合層サンプル4、DNA-酸化モリブデン複合層サンプル5、DPAnth-酸化モリブデン複合層サンプル6の450nm~800nmの波長領域における吸収スペクトルを測定した結果を図38に示す。また、透過率を図5に示す。図5および図38からわかるように、t-BuDNA-酸化モリブデン複合層サンプル3、DPPA-酸化モリブデン複合層サンプル4、DNA-酸化モリブデン複合層サンプル5、DPAnth-酸化モリブデン複合層サンプル6はいずれも450nm~800nmの波長領域において吸収ピークを示さず、80以上の透過率を有している。したがって、本発明の複合材料および複合材料と接して設けられる有機化合物の層は、450nm~800nmの波長領域において吸収ピークを持たず、高い透過率を有していることがわかる。また、有機化合物の層は、複合材料を含む層よりも透過率が高い。よって、複合材料を含む層と複合材料に接して設けられる有機化合物の層の積層体は、80より大きい透過率を有することがわかる。また、ランバートベールの法則により、吸光度と膜厚の関係は式11で表される。また、透過率は式12で表される。よって、式12を式11に代入することにより、吸光度は式13で表される。例えば、膜厚L=100nmのとき、透過率T=80の場合、単位膜厚当たりの吸光係数は、式14で表される。本発明の発光素子に用いる複合材料は、450nm~800nmの波長領域において透過率が80以上であることが好ましい。つまり、式15の関係を満たすことが好ましい。なお、反射材料など、透過光が0の場合には、ランバートベールの法則が成立しないため、式15には該当しない。本実施例では、本発明の発光素子についてより具体的に説明する。まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。次に、第1の電極が形成された面が下方となるように、第1の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定した。その後真空装置内を排気し、10-4Pa程度まで減圧した後、第1の電極上に、t-BuDNAと酸化モリブデンVIとを共蒸着することにより、複合材料を含む層を形成した。その膜厚は50nmとし、t-BuDNAと酸化モリブデンVIとの比率は、体積比で酸化モリブデンが10vol含まれるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。次に、複合材料を含む層に接するように、抵抗加熱を用いた蒸着法により、t-BuDNAを10nmの膜厚となるように成膜した。なお、t-BuDNAのイオン化ポテンシャルの値は、5.55eVであった。さらに、AlqとDPQdとを共蒸着することにより、t-BuDNA上に40nmの膜厚の発光層を形成した。ここで、AlqとDPQdとの重量比は、1:0.005=Alq:DPQdとなるように調節した。これによって、DPQdはAlqから成る層中に分散した状態となる。その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層上にAlqを30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層を形成した。さらに、電子輸送層上に、抵抗加熱による蒸着法によりフッ化リチウムを1nmの膜厚となるように成膜し、電子注入層を形成した。最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極を形成することで、発光素子1を作製した。比較例2まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。次に、第1の電極が形成された面が下方となるように、第1の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定した。その後真空装置内を排気し、10-4Pa程度まで減圧した後、第1の電極上に、t-BuDNAと酸化モリブデンVIとを共蒸着することにより、複合材料を含む層を形成した。その膜厚は50nmとし、t-BuDNAと酸化モリブデンVIとの比率は、体積比で酸化モリブデンが10vol含まれるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、NPBを10nmの膜厚となるように成膜した。さらに、AlqとDPQdとを共蒸着することにより、NPB上に40nmの膜厚の発光層を形成した。ここで、AlqとDPQdとの重量比は、1:0.005=Alq:DPQdとなるように調節した。これによって、DPQdはAlqから成る層中に分散した状態となる。その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層上にAlqを30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層を形成した。さらに、電子輸送層上に、抵抗加熱による蒸着法によりフッ化リチウムを1nmの膜厚となるように成膜し、電子注入層を形成した。最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極を形成することで、比較発光素子1を作製した。実施例3で作製した発光素子1および比較例2で作製した比較発光素子1の電流―電圧特性を図6に示す。また、輝度―電圧特性を図7に示す。また、電流効率―輝度特性を図8に示す。発光素子1において、1226cd/m2の輝度を得るために必要な電圧は5.6Vであり、その時流れた電流は0.35mA電流密度は8.63mA/cm2であった。また、この時の電流効率は14.2cd/Aであった。一方、比較発光素子1においては、1096cd/m2の輝度を得るために必要な電圧は5.8Vであり、その時流れた電流は0.34mA電流密度は8.57mA/cm2であった。また、この時の電流効率は12.8cd/Aであった。発光素子1は、比較発光素子1と比べ、電流―電圧特性はほぼ変わらない。しかし、電流効率―輝度特性が向上していることにより、輝度―電圧特性も向上していることがわかる。つまり、一定輝度を得るのに必要な電圧が低減されたことがわかる。以上の結果から、本発明を適用することにより、発光効率が向上することがわかった。本実施例では、本発明の発光素子についてより具体的に説明する。まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。次に、第1の電極が形成された面が下方となるように、第1の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定した。その後真空装置内を排気し、10-4Pa程度まで減圧した後、第1の電極上に、t-BuDNAと酸化モリブデンVIとを共蒸着することにより、複合材料を含む層を形成した。その膜厚は50nmとし、t-BuDNAと酸化モリブデンVIとの比率は、体積比で酸化モリブデンが10vol含まれるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。次に、複合材料を含む層に接するように、抵抗加熱を用いた蒸着法により、t-BuDNAを10nmの膜厚となるように成膜した。なお、t-BuDNAのイオン化ポテンシャルの値は、5.55eVであった。さらに、AlqとDPQdとを共蒸着することにより、t-BuDNA上に40nmの膜厚の発光層を形成した。ここで、AlqとDPQdとの重量比は、1:0.005=Alq:DPQdとなるように調節した。これによって、DPQdはAlqから成る層中に分散した状態となる。その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層上にBPhenを30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層を形成した。さらに、電子輸送層上に、抵抗加熱による蒸着法によりフッ化リチウムを1nmの膜厚となるように成膜し、電子注入層を形成した。最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極を形成することで、発光素子2を作製した。比較例3まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。次に、第1の電極が形成された面が下方となるように、第1の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定した。その後真空装置内を排気し、10-4Pa程度まで減圧した後、第1の電極上に、t-BuDNAと酸化モリブデンVIとを共蒸着することにより、複合材料を含む層を形成した。その膜厚は50nmとし、t-BuDNAと酸化モリブデンVIとの比率は、体積比で酸化モリブデンが10vol含まれるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、NPBを10nmの膜厚となるように成膜した。さらに、AlqとDPQdとを共蒸着することにより、NPB上に40nmの膜厚の発光層を形成した。ここで、AlqとDPQdとの重量比は、1:0.005=Alq:DPQdとなるように調節した。これによって、DPQdはAlqから成る層中に分散した状態となる。その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層上にBPhenを30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層を形成した。さらに、電子輸送層上に、抵抗加熱による蒸着法によりフッ化リチウムを1nmの膜厚となるように成膜し、電子注入層を形成した。最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極を形成することで、比較発光素子2を作製した。実施例4で作製した発光素子2および比較例3で作製した比較発光素子2の電流―電圧特性を図9に示す。また、輝度―電圧特性を図10に示す。また、電流効率―輝度特性を図11に示す。発光素子2において、1233cd/m2の輝度を得るために必要な電圧は4.6Vであり、その時流れた電流は0.36mA電流密度は8.90mA/cm2であった。また、この時の電流効率は13.9cd/Aであった。一方、比較発光素子2においては、1179cd/m2の輝度を得るために必要な電圧は4.8Vであり、その時流れた電流は0.38mA電流密度は9.59mA/cm2であった。また、この時の電流効率は12.3cd/Aであった。発光素子2は、比較発光素子2と比べ、電流―電圧特性はほぼ変わらない。しかし、電流効率―輝度特性が向上していることにより、輝度―電圧特性も向上していることがわかる。つまり、一定輝度を得るのに必要な電圧が低減されたことがわかる。以上の結果から、本発明を適用することにより、発光効率が向上することがわかった。本実施例では、本発明の発光素子についてより具体的に説明する。まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。次に、第1の電極が形成された面が下方となるように、第1の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定した。その後真空装置内を排気し、10-4Pa程度まで減圧した後、第1の電極上に、t-BuDNAと酸化モリブデンVIとを共蒸着することにより、複合材料を含む層を形成した。その膜厚は50nmとし、t-BuDNAと酸化モリブデンVIとの比率は、体積比で酸化モリブデンが10vol含まれるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。次に、複合材料を含む層に接するように、抵抗加熱を用いた蒸着法により、t-BuDBAを10nmの膜厚となるように成膜した。さらに、AlqとDPQdとを共蒸着することにより、t-BuDBA上に40nmの膜厚の発光層を形成した。ここで、AlqとDPQdとの重量比は、1:0.005=Alq:DPQdとなるように調節した。これによって、DPQdはAlqから成る層中に分散した状態となる。その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層上にAlqを30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層を形成した。さらに、電子輸送層上に、抵抗加熱による蒸着法によりフッ化リチウムを1nmの膜厚となるように成膜し、電子注入層を形成した。最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極を形成することで、発光素子3を作製した。比較例4まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。次に、第1の電極が形成された面が下方となるように、第1の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定した。その後真空装置内を排気し、10-4Pa程度まで減圧した後、第1の電極上に、t-BuDNAと酸化モリブデンVIとを共蒸着することにより、複合材料を含む層を形成した。その膜厚は50nmとし、t-BuDNAと酸化モリブデンVIとの比率は、体積比で酸化モリブデンが10vol含まれるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、NPBを10nmの膜厚となるように成膜した。さらに、AlqとDPQdとを共蒸着することにより、NPB上に40nmの膜厚の発光層を形成した。ここで、AlqとDPQdとの重量比は、1:0.005=Alq:DPQdとなるように調節した。これによって、DPQdはAlqから成る層中に分散した状態となる。その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層上にAlqを30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層を形成した。さらに、電子輸送層上に、抵抗加熱による蒸着法によりフッ化リチウムを1nmの膜厚となるように成膜し、電子注入層を形成した。最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極を形成することで、比較発光素子3を作製した。実施例5で作製した発光素子3および比較例4で作製した比較発光素子3の電流―電圧特性を図12に示す。また、輝度―電圧特性を図13に示す。また、電流効率―輝度特性を図14に示す。発光素子3において、1063cd/m2の輝度を得るために必要な電圧は5.6Vであり、その時流れた電流は0.31mA電流密度は7.65mA/cm2であった。また、この時の電流効率は13.9cd/Aであった。一方、比較発光素子3においては、1027cd/m2の輝度を得るために必要な電圧は5.8Vであり、その時流れた電流は0.32mA電流密度は8.11mA/cm2であった。また、この時の電流効率は12.7cd/Aであった。発光素子3は、比較発光素子3と比べ、電流―電圧特性はほぼ変わらない。しかし、電流効率―輝度特性が向上していることにより、輝度―電圧特性も向上していることがわかる。つまり、一定輝度を得るのに必要な電圧が低減されたことがわかる。以上の結果から、本発明を適用することにより、発光効率が向上することがわかった。本実施例では、本発明の発光素子についてより具体的に説明する。まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。次に、第1の電極が形成された面が下方となるように、第1の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定した。その後真空装置内を排気し、10-4Pa程度まで減圧した後、第1の電極上に、t-BuDBAと酸化モリブデンVIとを共蒸着することにより、複合材料を含む層を形成した。その膜厚は50nmとし、t-BuDBAと酸化モリブデンVIとの比率は、体積比で酸化モリブデンが10vol含まれるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。次に、複合材料を含む層に接するように、抵抗加熱を用いた蒸着法により、t-BuDBAを10nmの膜厚となるように成膜した。さらに、AlqとDPQdとを共蒸着することにより、t-BuDBA上に40nmの膜厚の発光層を形成した。ここで、AlqとDPQdとの重量比は、1:0.005=Alq:DPQdとなるように調節した。これによって、DPQdはAlqから成る層中に分散した状態となる。その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層上にAlqを30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層を形成した。さらに、電子輸送層上に、抵抗加熱による蒸着法によりフッ化リチウムを1nmの膜厚となるように成膜し、電子注入層を形成した。最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極を形成することで、発光素子4を作製した。比較例5まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。次に、第1の電極が形成された面が下方となるように、第1の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定した。その後真空装置内を排気し、10-4Pa程度まで減圧した後、第1の電極上に、t-BuDBAと酸化モリブデンVIとを共蒸着することにより、複合材料を含む層を形成した。その膜厚は50nmとし、t-BuDBAと酸化モリブデンVIとの比率は、体積比で酸化モリブデンが10vol含まれるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、NPBを10nmの膜厚となるように成膜した。さらに、AlqとDPQdとを共蒸着することにより、NPB上に40nmの膜厚の発光層を形成した。ここで、AlqとDPQdとの重量比は、1:0.005=Alq:DPQdとなるように調節した。これによって、DPQdはAlqから成る層中に分散した状態となる。その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層上にAlqを30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層を形成した。さらに、電子輸送層上に、抵抗加熱による蒸着法によりフッ化リチウムを1nmの膜厚となるように成膜し、電子注入層を形成した。最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極を形成することで、比較発光素子4を作製した。実施例6で作製した発光素子4および比較例5で作製した比較発光素子4の電流―電圧特性を図15に示す。また、輝度―電圧特性を図16に示す。また、電流効率―輝度特性を図17に示す。発光素子4において、1105cd/m2の輝度を得るために必要な電圧は5.6Vであり、その時流れた電流は0.31mA電流密度は7.86mA/cm2であった。また、この時の電流効率は14.1cd/Aであった。一方、比較発光素子4においては、1010cd/m2の輝度を得るために必要な電圧は5.8Vであり、その時流れた電流は0.31mA電流密度は7.87mA/cm2であった。また、この時の電流効率は12.8cd/Aであった。発光素子4は、比較発光素子4と比べ、電流―電圧特性はほぼ変わらない。しかし、電流効率―輝度特性が向上していることにより、輝度―電圧特性も向上していることがわかる。つまり、一定輝度を得るのに必要な電圧が低減されたことがわかる。以上の結果から、本発明を適用することにより、発光効率が向上することがわかった。本実施例では、本発明の発光素子についてより具体的に説明する。まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。次に、第1の電極が形成された面が下方となるように、第1の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定した。その後真空装置内を排気し、10-4Pa程度まで減圧した後、第1の電極上に、t-BuDNAと酸化モリブデンVIとを共蒸着することにより、複合材料を含む層を形成した。その膜厚は50nmとし、t-BuDNAと酸化モリブデンVIとの比率は、重量比で4:1=t-BuDNA:酸化モリブデンとなるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。次に、複合材料を含む層に接するように、抵抗加熱を用いた蒸着法により、t-BuDNAを10nmの膜厚となるように成膜した。なお、t-BuDNAのイオン化ポテンシャルの値は、5.55eVであった。さらに、Alqとクマリン6とを共蒸着することにより、t-BuDNA上に40nmの膜厚の発光層を形成した。ここで、Alqとクマリン6との重量比は、4:0.04=Alq:クマリン6となるように調節した。これによって、クマリン6はAlqから成る層中に分散した状態となる。その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層上にAlqを30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層を形成した。さらに、電子輸送層上に、抵抗加熱による蒸着法によりフッ化リチウムを1nmの膜厚となるように成膜し、電子注入層を形成した。最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極を形成することで、発光素子5を作製した。本実施例では、本発明の発光素子についてより具体的に説明する。まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。次に、第1の電極が形成された面が下方となるように、第1の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定した。その後真空装置内を排気し、10-4Pa程度まで減圧した後、第1の電極上に、t-BuDNAと酸化モリブデンVIとを共蒸着することにより、複合材料を含む層を形成した。その膜厚は50nmとし、t-BuDNAと酸化モリブデンVIとの比率は、重量比で4:1=t-BuDNA:酸化モリブデンとなるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。なお、t-BuDNAのイオン化ポテンシャルの値は、5.55eVであった。次に、複合材料を含む層に接するように、抵抗加熱を用いた蒸着法により、DPPAを10nmの膜厚となるように成膜した。なお、DPPAのイオン化ポテンシャルの値は、5.83eVであった。さらに、Alqとクマリン6とを共蒸着することにより、DPPA上に40nmの膜厚の発光層を形成した。ここで、Alqとクマリン6との重量比は、4:0.04=Alq:クマリン6となるように調節した。これによって、クマリン6はAlqから成る層中に分散した状態となる。その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層上にAlqを30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層を形成した。さらに、電子輸送層上に、抵抗加熱による蒸着法によりフッ化リチウムを1nmの膜厚となるように成膜し、電子注入層を形成した。最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極を形成することで、発光素子6を作製した。比較例6まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。次に、第1の電極が形成された面が下方となるように、第1の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定した。その後真空装置内を排気し、10-4Pa程度まで減圧した後、第1の電極上に、t-BuDNAと酸化モリブデンVIとを共蒸着することにより、複合材料を含む層を形成した。その膜厚は50nmとし、t-BuDNAと酸化モリブデンVIとの比率は、重量比で4:1=t-BuDNA:酸化モリブデンとなるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、NPBを10nmの膜厚となるように成膜した。さらに、Alqとクマリン6とを共蒸着することにより、NPB上に40nmの膜厚の発光層を形成した。ここで、Alqとクマリン6との重量比は、4:0.04=Alq:クマリン6となるように調節した。これによって、クマリン6はAlqから成る層中に分散した状態となる。その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層上にAlqを30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層を形成した。さらに、電子輸送層上に、抵抗加熱による蒸着法によりフッ化リチウムを1nmの膜厚となるように成膜し、電子注入層を形成した。最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極を形成することで、比較発光素子5を作製した。比較例7まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。次に、第1の電極が形成された面が下方となるように、第1の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定した。その後真空装置内を排気し、10-4Pa程度まで減圧した後、第1の電極上に、t-BuDNAと酸化モリブデンVIとを共蒸着することにより、複合材料を含む層を形成した。その膜厚は50nmとし、t-BuDNAと酸化モリブデンVIとの比率は、重量比で4:1=t-BuDNA:酸化モリブデンとなるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、4,4’-ビス[N―フェニル-N-スピロフルオレン-2-イル]ビフェニル略称:BSPBを10nmの膜厚となるように成膜した。さらに、Alqとクマリン6とを共蒸着することにより、BSPB上に40nmの膜厚の発光層を形成した。ここで、Alqとクマリン6との重量比は、4:0.04=Alq:クマリン6となるように調節した。これによって、クマリン6はAlqから成る層中に分散した状態となる。その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層上にAlqを30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層を形成した。さらに、電子輸送層上に、抵抗加熱による蒸着法によりフッ化リチウムを1nmの膜厚となるように成膜し、電子注入層を形成した。最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極を形成することで、比較発光素子6を作製した。実施例7で作製した発光素子5、実施例8で作製した発光素子6、比較例6で作製した比較発光素子5、比較例7で作製した比較発光素子6の電流―電圧特性を図18に示す。また、輝度―電圧特性を図19に示す。また、電流効率―輝度特性を図20に示す。発光素子5において、1202cd/m2の輝度を得るために必要な電圧は5.8Vであり、その時流れた電流は0.36mA電流密度は9.00mA/cm2であった。また、この時の電流効率は13.4cd/Aであった。発光素子6において、1057cd/m2の輝度を得るために必要な電圧は6.0Vであり、その時流れた電流は0.35mA電流密度は8.72mA/cm2であった。また、この時の電流効率は12.1cd/Aであった。一方、比較発光素子5においては、1103cd/m2の輝度を得るために必要な電圧は6.0Vであり、その時流れた電流は0.46mA電流密度は11.54mA/cm2であった。また、この時の電流効率は9.6cd/Aであった。比較発光素子6においては、1159cd/m2の輝度を得るために必要な電圧は5.8Vであり、その時流れた電流は0.473mA電流密度は11.74mA/cm2であった。また、この時の電流効率は9.9cd/Aであった。発光素子5および発光素子6は、比較発光素子5および比較発光素子6と比べ、電流―電圧特性はほぼ変わらない。しかし、発光素子5および発光素子6は、比較発光素子5および比較発光素子6と比べ、電流効率―輝度特性が向上していることにより、輝度―電圧特性も向上していることがわかる。つまり、一定輝度を得るのに必要な電圧が低減されたことがわかる。以上の結果から、本発明を適用することにより、発光素子の駆動電圧を低減できることがわかった。また、発光効率が向上することがわかった。本実施例では、本発明の発光素子についてより具体的に説明する。まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。次に、第1の電極が形成された面が下方となるように、第1の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定した。その後真空装置内を排気し、10-4Pa程度まで減圧した後、第1の電極上に、DNTPDと酸化モリブデンVIとを共蒸着することにより、複合材料を含む層を形成した。その膜厚は120nmとし、DNTPDと酸化モリブデンVIとの比率は、重量比で1:0.67=DNTPD:酸化モリブデンとなるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。次に、複合材料を含む層に接するように、抵抗加熱を用いた蒸着法により、DNTPDを5nmの膜厚となるように成膜した。さらに、抵抗加熱を用いた蒸着法により、DNTPD上にNPBを5nmの膜厚となるように成膜した。次に、Alqとクマリン6とを共蒸着することにより、NPB上に40nmの膜厚の発光層を形成した。ここで、Alqとクマリン6との重量比は、1:0.005=Alq:クマリン6となるように調節した。これによって、クマリン6はAlqから成る層中に分散した状態となる。その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層上にAlqを30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層を形成した。さらに、電子輸送層上に、抵抗加熱による蒸着法によりフッ化リチウムを1nmの膜厚となるように成膜し、電子注入層を形成した。最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極を形成することで、発光素子7を作製した。比較例8まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。次に、第1の電極が形成された面が下方となるように、第1の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定した。その後真空装置内を排気し、10-4Pa程度まで減圧した後、第1の電極上に、DNTPDと酸化モリブデンVIとを共蒸着することにより、複合材料を含む層を形成した。その膜厚は120nmとし、DNTPDと酸化モリブデンVIとの比率は、重量比で1:0.67=DNTPD:酸化モリブデンとなるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、NPBを10nmの膜厚となるように成膜した。次に、Alqとクマリン6とを共蒸着することにより、NPB上に40nmの膜厚の発光層を形成した。ここで、Alqとクマリン6との重量比は、1:0.005=Alq:クマリン6となるように調節した。これによって、クマリン6はAlqから成る層中に分散した状態となる。その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層上にAlqを30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層を形成した。さらに、電子輸送層上に、抵抗加熱による蒸着法によりフッ化リチウムを1nmの膜厚となるように成膜し、電子注入層を形成した。最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極を形成することで、比較発光素子7を作製した。実施例9で作製した発光素子7および比較例8で作製した比較発光素子7の電流―電圧特性を図21に示す。また、輝度―電圧特性を図22に示す。また、電流効率―輝度特性を図23に示す。発光素子7において、1287cd/m2の輝度を得るために必要な電圧は5.6Vであり、その時流れた電流は0.46mA電流密度は11.59mA/cm2であった。また、この時の電流効率は11.1cd/Aであった。一方、比較発光素子7においては、1094cd/m2の輝度を得るために必要な電圧は5.8Vであり、その時流れた電流は0.47mA電流密度は11.74mA/cm2であった。また、この時の電流効率は9.3cd/Aであった。発光素子7は、比較発光素子7と比べ、電流―電圧特性はほぼ変わらない。しかし、電流効率―輝度特性が向上していることにより、輝度―電圧特性も向上していることがわかる。つまり、一定輝度を得るのに必要な電圧が低減されたことがわかる。以上の結果から、本発明を適用することにより、発光効率が向上することがわかった。本実施例では、本発明の発光素子についてより具体的に説明する。まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。次に、第1の電極が形成された面が下方となるように、第1の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定した。その後真空装置内を排気し、10-4Pa程度まで減圧した後、第1の電極上に、t-BuDNAと酸化モリブデンVIとを共蒸着することにより、複合材料を含む層を形成した。その膜厚は20nmとし、t-BuDNAと酸化モリブデンVIとの比率は、体積比で酸化モリブデンが10vol含まれるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。次に、複合材料を含む層に接するように、抵抗加熱を用いた蒸着法により、t-BuDNAを10nmの膜厚となるように成膜した。さらに、AlqとDPQdとを共蒸着することにより、t-BuDNA上に40nmの膜厚の発光層を形成した。ここで、AlqとDPQdとの重量比は、1:0.005=Alq:DPQdとなるように調節した。これによって、DPQdはAlqから成る層中に分散した状態となる。その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層上にAlqを30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層を形成した。さらに、電子輸送層上に、抵抗加熱による蒸着法によりフッ化リチウムを1nmの膜厚となるように成膜し、電子注入層を形成した。最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極を形成することで、発光素子8を作製した。比較例9まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。次に、第1の電極が形成された面が下方となるように、第1の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定した。その後真空装置内を排気し、10-4Pa程度まで減圧した後、第1の電極上に、NPBと酸化モリブデンVIとを共蒸着することにより、複合材料を含む層を形成した。その膜厚は20nmとし、NPBと酸化モリブデンVIとの比率は、体積比で酸化モリブデンが10vol含まれるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、t-BuDNAを10nmの膜厚となるように成膜した。さらに、AlqとDPQdとを共蒸着することにより、t-BuDNA上に40nmの膜厚の発光層を形成した。ここで、AlqとDPQdとの重量比は、1:0.005=Alq:DPQdとなるように調節した。これによって、DPQdはAlqから成る層中に分散した状態となる。その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層上にAlqを30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層を形成した。さらに、電子輸送層上に、抵抗加熱による蒸着法によりフッ化リチウムを1nmの膜厚となるように成膜し、電子注入層を形成した。最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極を形成することで、比較発光素子8を作製した。実施例10で作製した発光素子8および比較例9で作製した比較発光素子8の電流―電圧特性を図24に示す。また、輝度―電圧特性を図25に示す。また、電流効率―輝度特性を図26に示す。発光素子8において、1130cd/m2の輝度を得るために必要な電圧は5.4Vであり、その時流れた電流は0.27mA電流密度は6.76mA/cm2であった。また、この時の電流効率は16.7cd/Aであった。一方、比較発光素子8においては、1180cd/m2の輝度を得るために必要な電圧は7.4Vであり、その時流れた電流は0.37mA電流密度は9.16mA/cm2であった。また、この時の電流効率は12.9cd/Aであった。発光素子8は、比較発光素子8と比べ、電流―電圧特性が向上している。つまり、電流が流れやすくなっていることがわかる。また、発光素子8は、比較発光素子8と比べ、電流効率―輝度特性が向上している。また、輝度―電圧特性も向上していることがわかる。つまり、一定輝度を得るのに必要な電圧が低減されたことがわかる。比較発光素子8は、複合材料を含む層に含まれる有機化合物としてNPBを用いており、複合材料を含む層に接するように設けられた有機化合物を含む層として、イオン化ポテンシャルの大きい芳香族炭化水素であるt-BuDNAを用いている。比較発光素子8では、複合材料を含む層から複合材料を含む層に接するように設けられた有機化合物を含む層へのキャリア注入障壁が大きいため、駆動電圧が高くなっている。また、比較発光素子8の複合材料を含む層は、450nm~800nmの波長領域において吸収ピークを有するため、発光領域からの発光が一部吸収されてしまう。一方、発光素子8は、複合材料に含まれる第1の有機化合物として、イオン化ポテンシャルの大きい芳香族炭化水素であるt-BuDNAを用いている。そのため、複合材料を含む層に接するように設けられた第2の有機化合物を含む層として、イオン化ポテンシャルの大きい芳香族炭化水素であるt-BuDNAを用いることが可能となる。また、複合材料を含む層と、複合材料を含む層に接するように設けられた層に同じ有機化合物を用いているため、キャリアの注入障壁が小さい。そのため、発光素子の駆動電圧を低減することができる。また、発光素子8の複合材料を含む層は、450nm~800nmの波長領域において吸収ピークを有さないため、発光領域からの発光を効率良く外部へ取り出すことができる。よって、発光効率を向上させることができる。以上の結果から、本発明を適用することにより、発光素子の低電圧駆動が可能となった。また、発光効率が向上させることが可能となった。本実施例では、本発明の発光素子についてより具体的に説明する。まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。次に、第1の電極が形成された面が下方となるように、第1の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定した。その後真空装置内を排気し、10-4Pa程度まで減圧した後、第1の電極上に、t-BuDNAと酸化モリブデンVIとを共蒸着することにより、複合材料を含む層を形成した。その膜厚は50nmとし、t-BuDNAと酸化モリブデンVIとの比率は、体積比で酸化モリブデンが10vol含まれるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。次に、複合材料を含む層に接するように、抵抗加熱を用いた蒸着法により、t-BuDNAを10nmの膜厚となるように成膜した。さらに、AlqとDPQdとを共蒸着することにより、t-BuDNA上に40nmの膜厚の発光層を形成した。ここで、AlqとDPQdとの重量比は、1:0.005=Alq:DPQdとなるように調節した。これによって、DPQdはAlqから成る層中に分散した状態となる。その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層上にAlqを30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層を形成した。さらに、電子輸送層上に、抵抗加熱による蒸着法によりフッ化リチウムを1nmの膜厚となるように成膜し、電子注入層を形成した。最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極を形成することで、発光素子9を作製した。比較例10まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。次に、第1の電極が形成された面が下方となるように、第1の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定した。その後真空装置内を排気し、10-4Pa程度まで減圧した後、第1の電極上に、NPBと酸化モリブデンVIとを共蒸着することにより、複合材料を含む層を形成した。その膜厚は50nmとし、NPBと酸化モリブデンVIとの比率は、体積比で酸化モリブデンが10vol含まれるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、t-BuDNAを10nmの膜厚となるように成膜した。さらに、AlqとDPQdとを共蒸着することにより、t-BuDNA上に40nmの膜厚の発光層を形成した。ここで、AlqとDPQdとの重量比は、1:0.005=Alq:DPQdとなるように調節した。これによって、DPQdはAlqから成る層中に分散した状態となる。その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層上にAlqを30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層を形成した。さらに、電子輸送層上に、抵抗加熱による蒸着法によりフッ化リチウムを1nmの膜厚となるように成膜し、電子注入層を形成した。最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極を形成することで、比較発光素子9を作製した。実施例11で作製した発光素子9および比較例10で作製した比較発光素子9の電流―電圧特性を図27に示す。また、輝度―電圧特性を図28に示す。また、電流効率―輝度特性を図29に示す。発光素子9において、1009cd/m2の輝度を得るために必要な電圧は5.6Vであり、その時流れた電流は0.30mA電流密度は7.46mA/cm2であった。また、この時の電流効率は13.5cd/Aであった。一方、比較発光素子9においては、1295cd/m2の輝度を得るために必要な電圧は7.8Vであり、その時流れた電流は0.50mA電流密度は12.62mA/cm2であった。また、この時の電流効率は10.3cd/Aであった。発光素子9は、比較発光素子9と比べ、電流―電圧特性が向上している。つまり、電流が流れやすくなっていることがわかる。また、発光素子9は、比較発光素子9と比べ、電流効率―輝度特性が向上している。また、輝度―電圧特性も向上していることがわかる。つまり、一定輝度を得るのに必要な電圧が低減されたことがわかる。比較発光素子9は、複合材料を含む層に含まれる有機化合物としてNPBを用いており、複合材料を含む層に接するように設けられた有機化合物を含む層として、イオン化ポテンシャルの大きい芳香族炭化水素であるt-BuDNAを用いている。比較発光素子9では、複合材料を含む層から複合材料を含む層に接するように設けられた有機化合物を含む層へのキャリア注入障壁が大きいため、駆動電圧が高くなっている。また、比較発光素子9の複合材料を含む層は、450nm~800nmの波長領域において吸収ピークを有するため、発光領域からの発光が一部吸収されてしまう。一方、発光素子9は、複合材料に含まれる第1の有機化合物として、イオン化ポテンシャルの大きい芳香族炭化水素であるt-BuDNAを用いている。そのため、複合材料を含む層に接するように設けられた第2の有機化合物を含む層として、イオン化ポテンシャルの大きい芳香族炭化水素であるt-BuDNAを用いることが可能となる。また、複合材料を含む層と、複合材料を含む層に接するように設けられた層に同じ有機化合物を用いているため、キャリアの注入障壁が小さい。そのため、発光素子の駆動電圧を低減することができる。また、発光素子9の複合材料を含む層は、450nm~800nmの波長領域において吸収ピークを有さないため、発光領域からの発光を効率良く外部へ取り出すことができる。よって、発光効率を向上させることができる。以上の結果から、本発明を適用することにより、発光素子の低電圧駆動が可能となった。また、発光効率が向上させることが可能となった。本実施例では、本発明の発光素子についてより具体的に説明する。まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。次に、第1の電極が形成された面が下方となるように、第1の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定した。その後真空装置内を排気し、10-4Pa程度まで減圧した後、第1の電極上に、t-BuDNAと酸化モリブデンVIとを共蒸着することにより、複合材料を含む層を形成した。その膜厚は150nmとし、t-BuDNAと酸化モリブデンVIとの比率は、体積比で酸化モリブデンが10vol含まれるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。次に、複合材料を含む層に接するように、抵抗加熱を用いた蒸着法により、t-BuDNAを10nmの膜厚となるように成膜した。さらに、AlqとDPQdとを共蒸着することにより、t-BuDNA上に40nmの膜厚の発光層を形成した。ここで、AlqとDPQdとの重量比は、1:0.005=Alq:DPQdとなるように調節した。これによって、DPQdはAlqから成る層中に分散した状態となる。その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層上にAlqを30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層を形成した。さらに、電子輸送層上に、抵抗加熱による蒸着法によりフッ化リチウムを1nmの膜厚となるように成膜し、電子注入層を形成した。最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極を形成することで、発光素子10を作製した。比較例11まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。次に、第1の電極が形成された面が下方となるように、第1の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定した。その後真空装置内を排気し、10-4Pa程度まで減圧した後、第1の電極上に、NPBと酸化モリブデンVIとを共蒸着することにより、複合材料を含む層を形成した。その膜厚は150nmとし、NPBと酸化モリブデンVIとの比率は、体積比で酸化モリブデンが10vol含まれるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、t-BuDNAを10nmの膜厚となるように成膜した。さらに、AlqとDPQdとを共蒸着することにより、t-BuDNA上に40nmの膜厚の発光層を形成した。ここで、AlqとDPQdとの重量比は、1:0.005=Alq:DPQdとなるように調節した。これによって、DPQdはAlqから成る層中に分散した状態となる。その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層上にAlqを30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層を形成した。さらに、電子輸送層上に、抵抗加熱による蒸着法によりフッ化リチウムを1nmの膜厚となるように成膜し、電子注入層を形成した。最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極を形成することで、比較発光素子10を作製した。実施例12で作製した発光素子10および比較例11で作製した比較発光素子10の電流―電圧特性を図30に示す。また、輝度―電圧特性を図31に示す。また、電流効率―輝度特性を図32に示す。発光素子10において、1087cd/m2の輝度を得るために必要な電圧は5.4Vであり、その時流れた電流は0.30mA電流密度は7.51mA/cm2であった。また、この時の電流効率は14.5cd/Aであった。一方、比較発光素子1においては、1272cd/m2の輝度を得るために必要な電圧は7.6Vであり、その時流れた電流は0.45mA電流密度は11.17mA/cm2であった。また、この時の電流効率は11.4cd/Aであった。発光素子10は、比較発光素子10と比べ、電流―電圧特性が向上している。つまり、電流が流れやすくなっていることがわかる。また、発光素子10は、比較発光素子10と比べ、電流効率―輝度特性が向上している。また、輝度―電圧特性も向上していることがわかる。つまり、一定輝度を得るのに必要な電圧が低減されたことがわかる。比較発光素子10は、複合材料を含む層に含まれる有機化合物としてNPBを用いており、複合材料を含む層に接するように設けられた有機化合物を含む層として、イオン化ポテンシャルの大きい芳香族炭化水素であるt-BuDNAを用いている。比較発光素子10では、複合材料を含む層から複合材料を含む層に接するように設けられた有機化合物を含む層へのキャリア注入障壁が大きいため、駆動電圧が高くなっている。また、比較発光素子10の複合材料を含む層は、450nm~800nmの波長領域において吸収ピークを有するため、発光領域からの発光が一部吸収されてしまう。一方、発光素子10は、複合材料に含まれる第1の有機化合物として、イオン化ポテンシャルの大きい芳香族炭化水素であるt-BuDNAを用いている。そのため、複合材料を含む層に接するように設けられた第2の有機化合物を含む層として、イオン化ポテンシャルの大きい芳香族炭化水素であるt-BuDNAを用いることが可能となる。また、複合材料を含む層と、複合材料を含む層に接するように設けられた層に同じ有機化合物を用いているため、キャリアの注入障壁が小さい。そのため、発光素子の駆動電圧を低減することができる。また、発光素子10の複合材料を含む層は、450nm~800nmの波長領域において吸収ピークを有さないため、発光領域からの発光を効率良く外部へ取り出すことができる。よって、発光効率を向上させることができる。以上の結果から、本発明を適用することにより、発光素子の低電圧駆動が可能となった。また、発光効率が向上させることが可能となった。本実施例では、本発明の発光素子についてより具体的に説明する。まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。次に、第1の電極が形成された面が下方となるように、第1の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定した。その後真空装置内を排気し、10-4Pa程度まで減圧した後、第1の電極上に、t-BuDNAと酸化モリブデンVIとを共蒸着することにより、複合材料を含む層を形成した。その膜厚は50nmとし、t-BuDNAと酸化モリブデンVIとの比率は、重量比で4:1=t-BuDNA:酸化モリブデンとなるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。次に、複合材料を含む層に接するように、抵抗加熱を用いた蒸着法により、t-BuDNAを10nmの膜厚となるように成膜した。さらに、9-[4-N-カルバゾリル]フェニル-10-フェニルアントラセン略称:CzPAと9-4-{N-[4-9-カルバゾリルフェニル]-N-フェニルアミノ}フェニル-10-フェニルアントラセン略称:YGAPAとを共蒸着することにより、t-BuDNA上に30nmの膜厚の発光層を形成した。ここで、CzPAとYGAPAとの重量比は、4:0.16=CzPA:YGAPAとなるように調節した。その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層上にBPhenを5nm、Alqを30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層を形成した。さらに、電子輸送層上に、抵抗加熱による蒸着法によりフッ化リチウムを1nmの膜厚となるように成膜し、電子注入層を形成した。最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極を形成することで、発光素子11を作製した。実施例13で作製した発光素子11の電流―電圧特性を図39に示す。また、輝度―電圧特性を図40に示す。また、電流効率―輝度特性を図41に示す。発光素子11において、1023cd/m2の輝度を得るために必要な電圧は10.6Vであり、その時流れた電流は2.46mA電流密度は61.5mA/cm2であった。また、この時の電流効率は1.66cd/Aであり、CIE色度座標はx,y=0.16,0.13であり、青色の発光が得られた。発光素子11は、複合材料に含まれる第1の有機化合物として、イオン化ポテンシャルの大きい芳香族炭化水素であるt-BuDNAを用いている。そのため、複合材料を含む層に接するように設けられた第2の有機化合物を含む層として、イオン化ポテンシャルの大きい芳香族炭化水素であるt-BuDNAを用いることが可能となる。また、複合材料を含む層と、複合材料を含む層に接するように設けられた層に同じ有機化合物を用いているため、キャリアの注入障壁が小さい。そのため、発光素子の駆動電圧を低減することができる。また、発光素子11の複合材料を含む層は、450nm~800nmの波長領域において吸収ピークを有さないため、発光領域からの発光を効率良く外部へ取り出すことができる。よって、発光効率を向上させることができる。以上の結果から、本発明を適用することにより、発光素子の低電圧駆動が可能となった。また、発光効率が向上させることが可能となった。"