"金属板とセラミックス基板とを積層状態にろう付する第1ろう付工程と、前記金属板とヒートシンクとをフラックスを用いたろう付法により接合する第2ろう付工程とを有するヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法であって、前記第2ろう付工程の前に、前記金属板の側面の少なくとも一部に前記フラックスと反応するフラックス反応部を形成し、前記第2ろう付工程において、前記金属板と前記ヒートシンクとの間からはみ出した前記フラックスと前記フラックス反応部とを反応させることを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法。前記金属板の前記フラックス反応部を、前記ヒートシンクと接合されている端部側を除く前記金属板の側面の少なくとも一部に設けておくことを特徴とする請求項1に記載のヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法。金属板とセラミックス基板とが積層状態でろう付されてなるパワーモジュール用基板であって、前記金属板の側面の少なくとも一部に、フラックスと反応するフラックス反応部が備えられていることを特徴とするパワーモジュール用基板。前記フラックス反応部は、前記セラミックス基板と接合されていない端部側を除く前記金属板の側面の少なくとも一部に設けられていることを特徴とする請求項3に記載のパワーモジュール用基板。パワーモジュール用基板の製造過程において、セラミックス基板と金属板とのろう付時に、接合に寄与しない余剰分のろう材が接合部から押し出され、金属板の側面に付着する場合がある。このような状態で金属板放熱層とヒートシンクとをノコロックろう付すると、フラックスの余剰分が放熱層の側面部を伝って、放熱層の側面部に付着したろう材と接触してしまう。ろう材と接触したフラックスは、セラミックス基板と放熱層との接合部界面に引き込まれ、セラミックス基板と放熱層との接合部を侵食してしまう。これにより接合部にクラックが生じ、セラミックス基板と放熱層との剥離が生じやすくなるおそれがある。本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、セラミックス基板と金属板との接合部に剥離を生じさせることなく、金属板とヒートシンクとをフラックスを用いてろう付し、接合信頼性の高いヒートシンク付パワーモジュール用基板を提供することを目的とする。本発明は、金属板とセラミックス基板とを積層状態にろう付する第1ろう付工程と、前記金属板とヒートシンクとをフラックスを用いたろう付法により接合する第2ろう付工程とを有するヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法であって、前記第2ろう付工程の前に、前記金属板の側面の少なくとも一部に前記フラックスと反応するフラックス反応部を形成し、前記第2ろう付工程において、前記金属板と前記ヒートシンクとの間からはみ出した前記フラックスと前記フラックス反応部とを反応させるヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法である。フラックス反応部は、フラックスと反応しやすい材料のTiO2粉末、MgO粉末、SiO2粉末、などをたとえばペースト化して塗布するなどの方法により形成される。この製造方法によれば、フラックスを用いる第2ろう付工程において、金属板とヒートシンクとの間から漏れたフラックスをフラックス反応部で反応させることにより流動性が低くなって不活性化し、金属板とセラミックス基板との間の接合部分でフラックスが到達して第1ろう付工程で生じた余剰ろう材などに含まれる酸化物と反応することを防止し、フラックスの侵食による接合部分の剥離を防止することができる。この製造方法において、前記金属板の前記フラックス反応部を、前記ヒートシンクと接合されている端部側を除く前記金属板の側面の少なくとも一部に設けておくことが好ましい。この場合、ヒートシンクを金属板にろう付する際に、ヒートシンクと金属板との接合部からフラックス反応部が離間するので、ここに第2ろう付でのろう材によるフィレットが形成されやすく、より確実にヒートシンクを金属板に接合できる。また、本発明のパワーモジュール用基板は、金属板とセラミックス基板とが積層状態でろう付されてなり、前記金属板の側面の少なくとも一部に、フラックスと反応するフラックス反応部が備えられている。このパワーモジュール用基板によれば、フラックスと反応しやすいフラックス反応部を金属板の側面の少なくとも一部に備えているので、フラックスを用いて金属板にヒートシンクをろう付する場合にも、フラックスがフラックス反応部での反応により不活性化され、フラックスの侵食による接合部における剥離を防止することができる。このパワーモジュール用基板において、前記フラックス反応部は、前記セラミックス基板と接合されていない端部側を除く前記金属板の側面の少なくとも一部に設けられていることが好ましい。この場合、ヒートシンクを金属板にろう付する際に、セラミックス基板と金属板との接合部からフラックス反応部が離間するので、ここに第2ろう付でのろう材によるフィレットが形成されやすく、より確実にセラミックス基板を金属板に接合できる。本発明のヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法によれば、ヒートシンクとのろう付にフラックスを含有するろう付法を適用してもセラミックス基板と金属板との接合部に剥離を生じさせず、接合信頼性の高いヒートシンク付パワーモジュール用基板を提供することができる。以下、本発明に係るパワーモジュール用基板およびヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法について説明する。図1は、ヒートシンク付パワーモジュール用基板101から製造されたパワーモジュール100の断面図である。パワーモジュール100は、パワーモジュール用基板10にヒートシンク14が接合されてなるヒートシンク付パワーモジュール用基板101と、ヒートシンク付パワーモジュール用基板101に形成された回路層21に搭載された半導体チップ等の電子部品20とから構成される。パワーモジュール用基板10は、図2に示すように、セラミックス基板11と、セラミックス基板11の両面に積層された金属板12,13とを備える。セラミックス基板11は、たとえばAlN窒化アルミニウム、Si3N4窒化珪素等の窒化物系セラミックス、もしくはAl2O3アルミナ等の酸化物系セラミックスにより形成されている。このセラミックス基板11は、たとえば厚さ0.625mm、一辺30mmの矩形状である。金属板12は、純度99.9質量以上JIS規格で1N90純度99.9質量以上:いわゆる3Nアルミニウムまたは1N99純度99.99質量以上:いわゆる4Nアルミニウムのアルミニウムにより形成されている。金属板12は、たとえば厚さ0.6mm、一辺30mmの矩形状であり、所定の形状にエッチングされて回路層21となる図1参照。一方、放熱層となる金属板13は、金属板12と同じアルミニウム材からなり、たとえば厚さ1.5mm、一辺28mmの矩形状である。このパワーモジュール用基板10において、図3に示すように、セラミックス基板11の表面11a,11bおよび金属板12,13の各側面12a,13aすなわちセラミックス基板11と金属板12,13との接合部近傍に、フラックスと反応するフラックス反応部17が備えられている。金属板13の側面13aにおいて、フラックス反応部17は、フラックスによる酸化物除去を妨げないために、放熱層となる金属板13の側面13aの下端部に形成されていない。つまり、フラックス反応部17は、セラミックス基板11に接合されていないすなわちヒートシンク14が接合される表面13bから間隔を空けて設けられている。したがって、このフラックス反応部17は、パワーモジュール用基板10にヒートシンク14が接合された状態でヒートシンク14から離間するように配置される。このため、ヒートシンク14と金属板13との接合部近傍には、ろう付のフィレットが形成される。フラックス反応部17は、たとえばTiO2,CaO,MgO,SiO2等を含み、フッ素系のフラックスKAlF4,K2AlF5,AlF3を少なくとも2つ以上含む混合粉末と反応することにより流動性が低く粘性が高くなり、フラックスを不活性化し、セラミックス基板11と金属板13との接合部における金属酸化物とフラックスとの反応を抑制する。ヒートシンク付パワーモジュール用基板101は、このパワーモジュール用基板10にヒートシンク14が接合されてなる。すなわち、金属板12,13とセラミックス基板11とを積層状態にろう付してパワーモジュール用基板10を作製する第1ろう付工程と、パワーモジュール用基板10の金属板13とヒートシンク14とをフラックス16を用いたろう付法により接合する第2ろう付工程とを行うことにより、ヒートシンク付パワーモジュール用基板が製造される。本実施形態では、第2ろう付としてノコロックろう付法を用いた。ヒートシンク14は、アルミニウム合金の押し出し成形によって形成され、その長さ方向に沿って冷却水を流通させるための多数の流路14aが形成されている。そして、この製造方法では、第2ろう付工程において、金属板13とヒートシンク14との間からはみ出したフラックスと金属板13のフラックス反応部17とを反応させることにより、余剰分のフラックスをフラックス反応部17で反応させ、不活性化させることができる。なお、各金属板12,13とセラミックス基板11とを接合するろう材20は、たとえば厚さ20μmのろう箔である。より具体的には、まず第1ろう付工程において、Al-Si系のアルミニウム合金ろう材を用いて、セラミックス基板11と金属板12,13とをろう付する。この工程は真空、約610°Cの雰囲気中で行われる。セラミックス基板11と金属板12,13との間を確実に接合するために、十分な量のろう材を供給することが好ましい。このため、接合に寄与しない余剰ろう材15が生じてセラミックス基板11と金属板12,13との間から押し出され、金属板13の側面13aやセラミックス基板11の表面に付着する場合がある。すなわち、この第1ろう付工程において、セラミックス基板11と金属板12,13との間で、ろう材は金属板12,13中に拡散する。しかしながら、接合に寄与しない余剰分ろう材15は、金属板12,13中に拡散せずにセラミックス基板11との間からはみ出して付着する。このため、この余剰ろう材15は、ろう材に含まれるSi成分を含有する共晶組織となっている。第1ろう付工程によりパワーモジュール用基板10を作製した後、セラミックス基板11の表面11a,11bおよび金属板12,13の各側面12a,13aに、フラックスと反応するフラックス反応部17を形成する。フラックス反応部17は、たとえばMgO粉末岩谷化学工業株式会社製、MJ-30平均粒径0.35μmをアルコールでペースト化したものを必要箇所に塗布することにより形成する。この場合、図2に示すように、パワーモジュール用基板10のセラミックス基板11の側面、金属板12bの表面、金属板13の側面13aの一部および表面13bにマスキング19を施した状態でペーストを塗布することにより、必要な部分にのみフラックス反応部17を形成することができる。次いで、図3に示すように、第2ろう付工程において、フラックス16を用いて金属板13とヒートシンク14とをろう付する。より具体的には、たとえば、フッ素系のフラックス16KAlF4,K2AlF5,AlF3を少なくとも2つ以上含む混合粉末をろう材20の表面に塗布してろう材16表面の酸化物を除去し、非酸化性雰囲気中で加熱して接合するノコロックろう付法。このとき、余剰分のフラックス16が金属板13とヒートシンク14との間から流れ出し、金属板13の側面13aなどに付着する。この第2ろう付工程において、図3に示すように余剰ろう材15が側面13aなどに付着していた場合、余剰ろう材15が再溶融すると、金属板13とヒートシンク14との間からはみ出したフラックス16が余剰ろう材15とともに、セラミックス基板11と金属板13との間のSiや酸化物と反応して金属板13とセラミックス基板11との接合界面に侵入し、この接合部に剥離を生じさせるおそれがある。しかしながら、この製造方法においては、金属板13の側面13aなどにフラックス反応部17が設けられているので、金属板13とヒートシンク14との間からはみ出したフラックス16はまずこのフラックス反応部17で酸化物等と反応して不活性化されてしまい、余剰ろう材15にまで到達して反応することが防止される。したがって、フラックスが接合界面を侵食するのを防止でき、すでにろう付されたセラミックス基板11と金属板13とを剥離させることなく、金属板13とヒートシンク14とをろう付することができる。また、この実施形態においては、フラックス反応部17が放熱層となる金属板13の下端部を除いた部分に形成されており、具体的にはヒートシンク14から間隔を空けるように設けられている。フラックス反応部17がヒートシンク14から離間していることにより、図4に示すように、ヒートシンク14と金属板13とが接合された隅部分フィレット形成部にフィレット21が形成されやすくなる可能性があり、ヒートシンク14と金属板13とをより確実に接合できる。以上説明したように、本発明に係るヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法によれば、接合面にフラックスを引き込む原因となる余剰ろう材15とフラックス16とが反応しないように、フラックス16と反応するフラックス反応部17を設けておいてフラックスろう付を行うので、セラミックス基板11と金属板13との接合部に剥離を生じさせることなく、金属板13とヒートシンク14とを低コストで安定してろう付して、接合信頼性の高いヒートシンク付パワーモジュール用基板101を提供することができる。これらの構造での効果を以下の実験で検証した。32mm×32mmのセラミックス基板の上面に30mm×30mm、厚さ0.6mmのアルミニウム材1N99、下面に28mm×28mm、厚さ1.5mmのアルミニウム材1N99を、厚さ15μmのAl-7.5wtSiろう材を用いて真空中で640°C、0.49MPaで加圧しながら接合して、パワーモジュール用基板を準備した。このパワーモジュール用基板に対して、表1に示す粉末をエタノールに混合して、ペースト状にしてセラミックス基板と放熱層とのAlN/Al接合部を覆ってフラックス反応部を設け、ノコロックフラックス森田化学製FL-7とAl-Siろう材を用いて窒素雰囲気中でノコロックろう付法により50mm×50mm、厚さ5mmの放熱板に接合し、サンプル1~4とした。これに対して、比較例では、回路層および放熱層の側面にフラックス反応部を設けずに上記パワーモジュール用基板を放熱板に接合した。これらのサンプル1~4および比較例について、冷熱サイクル試験-40°C~125°C×3000サイクルを行い、セラミックス基板と放熱層とのAlN/Al界面の欠陥率を評価した。なお、欠陥率は、超音波探傷装置を用いて接合部を評価し、以下の式から算出した。ここで、初期接合面積とは、接合前における接合すべき面積、すなわち放熱層の金属板面積とした。また、超音波探傷像において、剥離は接合部内の白色部で示されることから、この白色部の面積を剥離面積とした。欠陥率=剥離面積/初期接合面積なお、本発明は前記実施形態の構成のものに限定されるものではなく、細部構成においては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。たとえば、図5は、金属板13の側面13aに設けられた溝部13cの内部にTiO2,CaO,MgO,SiO2などの粉末を含むペーストが埋め込まれることにより、フラックス反応部17が形成されているパワーモジュール用基板10の例である。図6は、金属板13の側面13aにTiO2,CaO,MgO,SiO2などからなるメッシュが固着されることにより、フラックス反応部17が形成されているパワーモジュール用基板10の例である。この場合、メッシュによって凹凸形状が形成されるので、側面13aにおけるフラックス反応部17の表面積が大きくなり、はみ出たフラックスをフラックス反応部17で十分に反応させることができる。図7は、金属板13の側面13aに凹凸形状が形成され、その表面にTi,Mg等の粉末を含むペーストが塗布されることによりフラックス反応部17が形成されているパワーモジュール用基板10の例である。凹凸形状は、フラックス16をフラックス反応部17と十分に反応させるために、金属板13の側面13aにおけるフラックス反応部17の表面積を大きくする形状が好ましく、たとえば図7に示すような綾目ローレット、平目ローレット、多条溝などにより形成することができる。"