"下記式1又は2で表される化合物よりなる色素。[式中、Aは酸性基を有する基を表す。Arは芳香環を表す。Ra、Rbは水素原子、脂肪族基、芳香族基、又は炭素原子で結合する複素環基を表す。n、L、mは1~5の整数である。d及びaは、下記式3~6のいずれかで表される連結基である。][式中、RX及びRYは置換基を表す。RZは水素原子、脂肪族基、芳香族基又は炭素で結合する複素環基を表す。X6、X1は芳香環を表す。X2は複素環を表す。OX、OYは0~3の整数を表す。は結合部位を表す。]前記色素のd及びaが、Winmostar計算ソフトによる分子軌道計算でLUMOが-3.0~0eV、HOMOが-9.5~-6.0eVである請求項1記載の色素。前記式1及び2において、前記dとaのうち、Winmostar計算ソフトによる分子軌道計算でHOMOのエネルギー順位の高い基をd、他方をaとし、HOMOのエネルギー順位の差は0.01~1.0eVである請求項1又は2記載の色素。前記式1又は、2のRaRbN-Ar-が下記式7で表される請求項1~3のいずれか1項記載の色素。[式中、X3は含窒素複素環を形成する原子群を表す。は結合部位を表す。R1は水素原子、脂肪族基、芳香族基又は炭素で結合する複素環基を表す。]前記式1又は、2のRaRbN-Ar-が下記式8で表される請求項1~4のいずれか1項記載の色素。[式中、X4は含窒素複素環を形成する原子群を表す。は結合部位を表す。O1及びO2は、独立に0以上の整数を表す。Z11及びZ12は置換基を表す。R1は水素原子、脂肪族基、芳香族基又は炭素で結合する複素環基を表す。]前記式1又は、2のRaRbN-Ar-が下記式9で表され、前記d及びaが下記式10-1~10-6のいずれかで表される請求項1~5のいずれか1項記載の色素。[式中、X5は含窒素複素環を形成する原子群を表す。R1は水素原子、脂肪族基、芳香環基を表す。R12~R18は水素原子又は置換基を表す。は結合部位を表す。][式中、E0は複素5員環を構成する窒素原子、酸素原子又は硫黄原子を表す。E1~E3、E5~E10は複素5員環を構成する原子を表し、そのうち少なくとも1つは窒素原子、酸素原子又は硫黄原子を表し、そのほかはCRWを表す。RWは水素原子もしくは置換基を表す。E4は複素5員環を構成する原子を表し窒素原子、酸素原子又は硫黄原子を表す。RX、RY及びRZ、OX、OYは式6におけるものと同義である。R21~R32は水素原子又は置換基を表す。は結合部位を表す。]前記Aが下記式11-1~11-5のいずれかで表される請求項1~6のいずれか1項記載の色素。[式中、は結合部位を表す。Rは水素原子または置換基を表す。]前記式1又は、2のRaRbN-Ar-が下記式12-1~12-5のいずれかで表され、前記d及びaが下記式13-1~13-9のいずれかで表される請求項1~7のいずれか1項記載の色素。[式中、R1は水素原子、脂肪族基、芳香族基又は炭素で結合する複素環基を表す。R41~R50は水素原子又は置換基を表す。は結合部位を表す。k1は1~4の整数を表し、k2は1~3の整数を表す。][式中、R51~R64は水素原子又は置換基を表す。k3は1~3の整数を表す。は結合部位を表す。]導電性支持体、半導体微粒子と増感色素とを有する感光体層、電解質を有する電荷移動体層、及び対極をその順序で具備する光電変換素子であって、請求項1~8のいずれか1項記載の色素を前記感光体層中の増感色素として用いる光電変換素子。請求項9に記載の光電変換素子を備える光電気化学電池。前記電荷移動体層中の電解質がコバルト錯体である請求項9に記載の光電変換素子。前記コバルト錯体が式14で表される請求項11に記載の光電変換素子。CoLL2m2Xm3CI:式14[式14において、LL2は下記式LL2で表される2座又は3座の配位子を表す。Xは1座又は2座の配位子を表す。m2は0~3の整数を表す。m3は0~6の整数を表す。CIは電荷を中和させるのに対イオンが必要な場合の対イオンを表す。]式LL2において、Za、Zb及びZcは5又は6員環を形成しうる原子群を表す。cは0又は1を表す。Xがハロゲン原子であることを特徴とした請求項11又は12記載の光電気変換素子。一般式14中のLL2が下記一般式14-1~14-3で表される請求項11~13のいずれかに記載の光電変換素子。R’a~R’iは置換基を表す。na~nbは0~4の整数を表す。nc、neは0~3の整数を表す。ndは0~2の整数を表す。nf、njは0~4の整数を表す。非特許文献1には、初期の光電変換特性が従来のものに比べて高い値を実現する光増感色素が記載されている。しかし、長波長の光を吸収して光電変換効率を上げるという点については十分ではなく、光電変換素子を長期間にわたり光や熱を受ける環境下に置かれても問題なく使用できる耐久性については十分とはいえない。本発明の課題は、長波長の光を十分利用できるため初期の光電変換効率が高く、耐久性に優れた色素と、それを用いた光電変換素子及び光電気化学電池を提供することにある。本発明者等は、鋭意検討を重ねた結果、ドナー部位とアクセプター部位が特定の構造の連結基を介して結合された色素が、長波長の光を吸収できるため変換効率が高く、耐久性に優れた光電変換素子及び光電気化学電池を提供することができることを見出した。本発明はこの知見に基づきなされたものである。本発明の課題は、以下の手段によって達成された。1下記式1又は2で表される化合物よりなる色素。[式中、Aは酸性基を有する基を表す。Arは芳香環を表す。Ra、Rbは水素原子、脂肪族基、芳香族基、又は炭素原子で結合する複素環基を表す。n、L、mは1~5の整数である。d及びaは、下記式3~6のいずれかで表される連結基である。][式中、RX及びRYは置換基を表す。RZは水素原子、脂肪族基、芳香族基又は炭素で結合する複素環基を表す。X6、X1は芳香環を表す。X2は複素環を表す。OX、OYは0~3の整数を表す。は結合部位を表す。一般式3~5はヘテロ環上に置換基を有していてもよく、置換基が複数ある場合、それらが結合して縮環構造を形成してもよい。この縮環構造も置換基を有していてもよく、それらが結合してさらに縮環構造を形成してもよい。]2前記色素のd及びaが、Winmostar計算ソフトによる分子軌道計算でLUMOが-3.0~0eV、HOMOが-9.5~-6.0eVである1記載の色素。3前記式1及び2において、前記dとaのうち、Winmostar計算ソフトによる分子軌道計算でHOMOのエネルギー順位の高い基をd、他方をaとし、HOMOのエネルギー順位の差は0.01~1.0eVである1又は2記載の色素。4前記式1又は、2のRaRbN-Ar-が下記式7で表される1~3のいずれか1項記載の色素。[式中、X3は含窒素複素環を形成する原子群を表す。は結合部位を表す。R1は水素原子、脂肪族基、芳香族基又は炭素で結合する複素環基を表す。]5前記式1又は、2のRaRbN-Ar-が下記式8で表される1~4のいずれか1項記載の色素。[式中、X4は含窒素複素環を形成する原子群を表す。は結合部位を表す。O1及びO2は、独立に0以上の整数を表す。Z11及びZ12は置換基を表す。R1は水素原子、脂肪族基、芳香族基又は炭素で結合する複素環基を表す。]6前記式1又は、2のRaRbN-Ar-が下記式9で表され、前記d及びaが下記式10-1~10-6のいずれかで表される1~5のいずれか1項記載の色素。[式中、X5は含窒素複素環を形成する原子群を表す。R1は水素原子、脂肪族基、芳香環基を表す。R12~R18は水素原子又は置換基を表す。は結合部位を表す。][式中、E0は複素5員環を構成する窒素原子、酸素原子又は硫黄原子を表す。E1~E3、E5~E10は複素5員環を構成する原子を表し、そのうち少なくとも1つは窒素原子、酸素原子又は硫黄原子を表し、そのほかはCRWを表す。RWは水素原子もしくは置換基を表す。E4は複素5員環を構成する原子を表し窒素原子、酸素原子又は硫黄原子を表す。RX、RY及びRZ、OX、OYは式6におけるものと同義である。R21~R32は水素原子又は置換基を表す。は結合部位を表す。]7前記Aが下記式11-1~11-5のいずれかで表される1~6のいずれか1項記載の色素。[式中、は結合部位を表す。Rは水素原子または置換基を表す。]8前記式1又は、2のRaRbN-Ar-が下記式12-1~12-5のいずれかで表され、前記d及びaが下記式13-1~13-9のいずれかで表される1~7のいずれか1項記載の色素。[式中、R1は水素原子、脂肪族基、芳香族基又は炭素で結合する複素環基を表す。R41~R50は水素原子又は置換基を表す。は結合部位を表す。k1は1~4の整数を表し、k2は1~3の整数を表す。][式中、R51~R64は水素原子又は置換基を表す。k3は1~3の整数を表す。は結合部位を表す。]9導電性支持体、半導体微粒子と増感色素とを有する感光体層、電解質を有する電荷移動体層、及び対極をその順序で具備する光電変換素子であって、1~8のいずれか1項記載の色素を前記感光体層中の増感色素として用いる光電変換素子。109に記載の光電変換素子を備える光電気化学電池。11前記電荷移動体層中の電解質がコバルト錯体である9に記載の光電変換素子。12前記コバルト錯体が式14で表される11に記載の光電変換素子。CoLL2m2Xm3CI:式14[式14において、LL2は下記式LL2で表される2座又は3座の配位子を表す。Xは1座又は2座の配位子を表す。m2は0~3の整数を表す。m3は0~6の整数を表す。CIは電荷を中和させるのに対イオンが必要な場合の対イオンを表す。]式LL2において、Za、Zb及びZcは5又は6員環を形成しうる原子群を表す。cは0又は1を表す。13Xがハロゲン原子であることを特徴とした11又は12記載の光電気変換素子。14一般式14中のLL2が下記一般式14-1~14-3で表される11~13のいずれかに記載の光電変換素子。R’a~R’iは置換基を表す。na~nbは0~4の整数を表す。nc、neは0~3の整数を表す。ndは0~2の整数を表す。nf、njは0~4の整数を表す。本明細書において、芳香環とは、芳香族環及び複素環脂肪族複素環及び芳香族複素環を含む意味に用いる。炭素-炭素二重結合はE型又はZ型のいずれであってもよい。各部位の構造式及び連結においては、その式の構造と異なっても、共鳴構造式が矛盾なく成立するように解釈すればよい。複数の置換基や配位子を同時に択一的に規定するときには、それぞれの置換基ないし配位子は互いに同一でも異なっていてもよい。また、複数の置換基や配位子が近接するときにはそれらが互いに連結したり縮環したりして環を形成していてもよい。酸性基を有する基には酸性核が含まれる。本発明により、変換効率が高く、耐久性に優れた色素、光電変換素子及び光電気化学電池を提供することができる。本発明者等は、鋭意検討を重ねた結果、特定の構造の色素が長波長の光を吸収できることにより、光を有効に利用できることを見出し、変換効率が高く、耐久性に優れた光電変換素子及び光電気化学電池を提供することができることを見出した。本発明はこの知見に基づきなされたものである。本発明の光電変換素子の好ましい実施態様を、図1の模式的断面図を参照して説明する。図1に示すように、光電変換素子10は、導電性支持体1、導電性支持体1上にその順序で配された、感光体層2、電荷移動体層3、及び対極4からなる。上記導電性支持体1と感光体層2とにより受光電極5を構成している。その感光体層2は半導体微粒子22と増感色素以下、単に、色素ともいう。21とを有している。増感色素21はその少なくとも一部において半導体微粒子22に吸着している増感色素21は吸着平衡状態になっており、一部電荷移動体層3に存在していてもよい。。電荷移動体層3は、例えば正孔ホールを輸送する正孔輸送層として機能する。感光体層2が形成された導電性支持体1は、光電変換素子10において作用電極として機能する。この光電変換素子10を外部回路6で仕事をさせるようにして、光電気化学電池100として作動させることができる。上記受光電極5は、導電性支持体1及び導電性支持体1上に塗設される増感色素21の吸着した半導体微粒子22の感光体層2半導体膜よりなる電極である。感光体層2半導体膜に入射した光は色素を励起する。励起色素はエネルギーの高い電子を有している。そこでこの電子が増感色素21から半導体微粒子22の伝導帯に渡され、さらに拡散によって導電性支持体1に到達する。このとき増感色素21の分子は酸化体となっている。電極上の電子が外部回路6で仕事をしながら酸化体に戻ることにより、光電気化学電池100として作用する。この際、受光電極5はこの電池の負極として働く。上記感光体層2は、後述の色素が吸着された半導体微粒子22の層からなる多孔質半導体層で構成されている。この色素は一部電解質中に解離したもの等があってもよい。感光体層2は目的に応じて設計され、多層構造からなる。なお、光電変換素子の上下は特に定めなくてもよいが、本明細書において、図示したものに基づいて言えば、受光側となる対極4の側を上部天部の方向とし、支持体1の側を下部底部の方向とする。上述したように感光体層2には、特定の色素が吸着した半導体微粒子22を含むことから、受光感度が高く、光電気化学電池100として使用する場合に、高い光電変換効率を得ることができ、さらに高い耐久性を有する。[色素]本発明の色素は、下記式1又は2で表される化合物よりなる。[式中、Aは酸性基を有する基を表す。Arは芳香環を表す。Ra、Rbは水素原子、脂肪族基、芳香族基、又は炭素原子で結合する複素環基を表す。n、L、mは1~5の整数である。d及びaは、下記特定の連結基である。]すなわち、本発明の色素は、両端末にドナー性の基RaRbN-Ar以下この基を部位Dと称することがある。と、酸性基を少なくとも1つ有する基又は酸性核であるアクセプター性の部位Aとを有している。これらのドナー性の部位Dとアクセプター性の部位Aは、それぞれ連結基と結合され、式1又は2で表される化合物よりなる色素を構成している。この連結基は、ドナー性の連結基d及び/又はアクセプター性の連結基aである。式1及び2において、ドナー性の連結基d及びアクセプター性の連結基aは、下記式3~6のいずれかで表される。本発明の色素においては、連結基は、ドナー部位Dとアクセプター部位Aをつなぐだけでなく、ドナー性の連結基d及び/又はアクセプター性の連結基aを有しているため、光照射された際に電子移動を強くかつ迅速に行うことができ、長波長の光を吸収して、光電変換効率を向上させることができる。ドナー性の部位D本発明の色素は、式1及び2において、共役系の広がったドナー部位を導入して、色素の一電子酸化状態を安定化させるために、D部位を有している。D部位は、窒素原子にRa及びRbが結合し、さらにArを介して後述の連結基と結合している。この構造により、共役系が広がることで、電子酸化状態を安定化する効果と、吸収する波長が長波長化する効果を奏することができる。Ra、Rbは、水素原子、脂肪族基、芳香族基又は炭素原子で結合する複素環基である。Ra、Rbの脂肪族基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基などを挙げることができる。芳香族基としては、ベンジル基、ナフチル基、アントラセン基などを挙げることができる。複素環基としては、チオフェン基、ピロール基などを挙げることができる。このうち、ベンジル基、チオフェン基などが好ましい。D部位は、芳香環のArを介して後述の連結基と結合している。芳香族環としては、ベンジル基、ナフチル基、アントラセン基などが好ましく、さらに好ましくは、ベンジル基である。複素環としては、チオフェン基、ピロール基などが好ましく、さらに好ましくは、チオフェン基である。D部位が芳香環のArを介して後述の連結基と結合していることにより、後述の連結基の構造とあいまって、共役系が伸びるため長波長の光を吸収し、また、一電子酸化状態を安定化する効果を奏することができる。D部位は、下記式7で表されることが好ましい。[式中、X3は含窒素複素環を形成する原子群を表す。は結合部位を表す。R1は水素原子、脂肪族基、芳香族基又は炭素で結合する複素環基を表す。]連結するベンゼン環と含窒素複素環を形成するのに必要な原子群X3とは、炭素原子、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子からなる群から選ばれた少なくとも1種が結合した原子群が好ましい。X3は、窒素原子のほかに炭素原子とからなる4員環~8員環が好ましい。さらに好ましくは、5~7員環である。4員環~8員環としては、例えば、ピロリジン環、ピペリジン環、ヘキサメチレンイミン環、アザシクロオクタン環、モルホリン環、チオモルホリン環を挙げることができる。さらに好ましくは、ピロリジン環、ヘキサメチレンイミン環、チオモルホリン環である。式7において、R1は水素原子、脂肪族基、芳香族基、炭素原子で結合する複素環基を表す。R1の好ましい具体例としては、炭素数1~20の置換もしくは無置換のアルキル基例えばメチル、エチル、n-ブチル、n-ヘキシル、イソブチル、sec-ブチル、t-ブチル、n-ドデシル、シクロヘキシル、ベンジル等、置換もしくは無置換のアリール基例えばフェニル、トリル、ナフチル等、置換もしくは無置換の複素環残基例えばピリジル、イミダゾリル、フリル、チエニル、オキサゾリル、チアゾリル、ベンズイミダゾリル、キノリル等などが挙げられ、より好ましくは炭素数1~20の置換もしくは無置換のアルキル基例えばメチル、エチル、n-ブチル、n-ヘキシル、イソブチル、sec-ブチル、t-ブチル、n-ドデシル、シクロヘキシル、ベンジル等が挙げられる。前記Dが下記式8で表されることが好ましい。[式8において、X4は含窒素複素環を形成するのに必要な原子群を表す。はdとの結合部位を表す。O1及びO2は、独立に0以上の整数を表す。Z11及びZ12は置換基を表す。R1は水素原子、脂肪族基、芳香族基又は炭素で結合する複素環基を表す。]前記式8において、連結するベンゼン環と含窒素複素環を形成するのに必要な原子群X4とは、炭素原子、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子からなる群から選ばれた少なくとも1種が結合した原子群が好ましい。X4は、窒素原子のほかに炭素原子とからなる4員環~8員環が好ましい。さらに好ましくは、5員環~7員環である。式8におけるR1は、前記式7におけるR1と同じものを挙げることができる。式8において、Z11及びZ12は置換基を表し、Z11及びZ12は同じでも異なっていてもよい。置換基としては、脂肪族基、芳香族基、複素環基等が挙げられる。置換基の具体的な例としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、ヘテロ環等を挙げることができる。好ましい例としては、アルキル基例えばメチル、エチル、n-ブチル、n-ヘキシル、イソブチル、sec-ブチル、t-ブチル、n-ドデシル、シクロヘキシル、ベンジル等、置換アリール基例えばフェニル、トリル、ナフチル等、アルコキシ基例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ブトキシ等を挙げることができる。置換基の数O1及びO2は、独立に0以上の整数を表す。置換基の数は好ましくは、0~3、さらに好ましくは、0~1である。前記Dが下記式9で表されることが好ましい。[式9において、X5は含窒素複素環を形成するのに必要な原子群を表す。R1は水素原子、脂肪族基、芳香族基又は炭素で結合する複素環基を表す。R12~R18は水素原子又は置換基を表す。は結合部位を表す。]式9において、連結する含窒素複素環を形成する原子群X5とは、炭素原子、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子からなる群から選ばれた少なくとも1種が結合した原子群が好ましい。X5は、窒素原子のほかに炭素原子とからなる4員環~8員環が好ましい。さらに好ましくは、5員環~7員環である。R1は前記式7と同じものを挙げることができる。R12~R18の好ましい置換基としては、式8のZ11、Z12の好ましいものが挙げられる。前記Dが下記式12-1~12-5のいずれかで表されることが好ましい。上記式において、R1は水素原子、脂肪族基、芳香族基又は炭素で結合する複素環基を表す。R41~R50は水素原子又は置換基を表す。R41~R50における置換基としては、式8におけるZ11、Z12と同様のものを挙げることができる。は結合部位を表す。k1は1~4の整数を表し、k2は1~3の整数を表す。bアクセプター性の部位Aアクセプター性の部位Aは、酸性基を少なくとも1つ有する基酸性核を含むである。酸性基を少なくとも1つ有する酸性核Aとしては、T.H.James著TheTheoryofthephotograficprocess.forthedition.Macmillanpublishing社,1977年刊の199ページに記載のものが挙げられる。酸性核として好ましくは、ロダニン核、ヒンダントイン、チオヒダントイン、バルビツール酸、ピラゾリジンジオン、ピラゾロン、インダンジオン等が挙げられる。これらは、カルボニル部分で脱水縮合した二つ以上の酸性核が連結したものを含んでも構わない。好ましくは、ロダニン、ヒンダントイン、チオヒダントイン、バルビツール酸、ピラゾリジンジオンが挙げられ、特に好ましくは、ロダニンが挙げられる。酸性基とは、pKaが13以下のプロトン解離性基を表す。酸性基の好ましい具体例としては、カルボン酸、スルホン酸、リン酸、リン酸エステル等が挙げられる。酸性基のさらに好ましい例は、カルボン酸が挙げられる。炭素-炭素二重結合は、E型、またはZ型のいずれであってもよい。酸性基は酸性基の塩であってもよい。酸性核に酸性基を少なくとも一つ有する場合、同時に電子吸引基を有していることが好ましく、電子吸引基としては後述の効果-I効果、-M効果を持つ置換基が挙げられる。酸性基と電子吸引基を同時に有する場合に、色素の励起状態の分子軌道と受光電極との重なりが大きくなるような効果を発揮するように、電子吸引基の種類や結合位置は適宜選択される。一般に、電子吸引基は分子の特定の位置について電子密度を減弱させる。電子求引性あるいは電子供与性は単に電気陰性度の差だけでは説明できない。すなわち、誘起効果やメソメリー効果などが複合的に作用するので、芳香性や共役系の存在やトポロジー的な位置関係によって現れ方が変わってくる。これらの効果を、パラ及びメタ置換安息香酸の酸解離定数をもとに定量的に評価、予測する経験則としてハメット則が知られている。誘起効果の場合、電子求引性のものを-I効果、電子供与性のものをI効果と表すが、炭素よりも電気陰性度の高い原子は-I効果を示す。また、アニオンはI効果を、カチオンは-I効果を示す。メソメリー効果の場合は、電子求引性のものを-M効果、電子供与性のものをM効果と表す。電子求引基の例を以下に示す。誘起効果-I効果-OR2>-NR3-NR3>-PR3>...-OR2>-SR2>...-NR3>-NO2>-SO2R>-SOR-SO2R>-SO3R-NR3>-NR2-OR2>-OR-SR2>-SR-F>-Cl>-Br>-I=O>=NR>=CR2=O>-OR≡N>≡CR≡N>=NR>-NR2-C≡CR>-CR=CR2>-CR2CR3メソメリー効果-M効果=NR2>=NR=O>=NR>=CR2=S>=O>≡N前記Aは下記式11-1~11-5のいずれかで表されることが好ましい。ここで式中、は、結合部位を表す。これらの基であることにより、酸化物半導体たとえば酸化チタンとの吸着力が高く、また、分子内の他の部位と共役することで、長波長の光を吸収し、電子を分子内から酸化物半導体へ伝えやすくなる効果を奏することができる。は結合部位を表す。Rは水素原子または置換基を表し、置換基が好ましい。置換基としては、後述の置換基Tが挙げられ、好ましい態様も置換基Tと同様である。c連結基連結基は、ドナー性を有する連結基dとアクセプター性を有する連結基aとの組合せが単数又は複数からなるもの式1でも、ドナー性を有する連結基d及び/又はアクセプター性を有する連結基aとがそれぞれ独立してなるもの式2でもよい。式1及び2において、n、L、mは1~5の整数である。上記式1及び2において、d及びaは、下記式3~6のいずれかで表される。[式中、RX及びRYは置換基を表す。RZは水素原子、脂肪族基、芳香族基又は炭素で結合する複素環基を表す。X6、X1は芳香環を表す。X2は複素環を表す。OX、OYは0~3の整数を表す。は結合部位を表す。]RX及びRYは置換基を表し、RX及びRYは同じでも異なっていてもよい。置換基としては、脂肪族基、芳香族基、複素環基等が挙げられる。置換基の具体的な例としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、ヘテロ環等を挙げることができる。好ましい例としては、アルキル基例えばメチル、エチル、n-ブチル、n-ヘキシル、イソブチル、sec-ブチル、t-ブチル、n-ドデシル、シクロヘキシル、ベンジル等、置換アリール基例えばフェニル、トリル、ナフチル等、アルコキシ基例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ブトキシ等を挙げることができる。RZとしては、水素原子、脂肪族基又は炭素で結合する複素環基を表す。好ましいRZとしては、前記式7におけるR1と同様のものを挙げることができる。X1、X6は、芳香族環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環などを挙げることができ、複素環としては、チオフェン環、ピロール環、チアゾール環、イミダゾール環などを挙げることができる。このうち、ベンゼン環、ナフタレン環、チオフェン環などが好ましい。X6の芳香環は、脂肪族環を介して連結されたり複数の環が縮環していたりしていてもよい。X2は、例えば、ピロリジン環、ピペリジン環、ヘキサメチレンイミン環、アザシクロオクタン環、モルホリン環、チオモルホリン環を挙げることができる。さらに好ましくは、ピロリジン環、ヘキサメチレンイミン環、チオモルホリン環である。前記式4の例として下記式4’で表される連結基が挙げられる。RX及びRYとしては、かさ高く疎水的なものが好ましく、例えば、アルキル基さらに好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~15のアルキル基、アルケニル基例えば、プロペニル、ヘプテニル、2-エチルヘキセニルなど、アルキニル基例えば、プロピニル、ヘプチニル、2-エチルヘキシニルなど、エーテル基例えば、メトキシ、ヘプトキシ、2-エチルヘキソキシなど、エステル基例えば、メトキシカルボニル、ヘプトキシカルボニル、2-エチルヘキソキシカルボニルなど、アミノ基例えば、メタンアミド、ヘプタンアミド、2-エチルヘキサアミドなどを挙げることができる。さらに好ましくは、アルキル基、アルケニル基、エーテル基などである。X6は先のX6と同義である。連結基がドナー性のものdであるか、アクセプター性のものaであるかは、両端末に結合したドナー部位D又はアクセプター部位Aと比較して、Winmostar計算ソフトWinmostar商品名、株式会社テンキューブ研究所製による分子軌道計算ハミルトニアン:AM1で計算したHOMOのエネルギー準位が高い方がドナー性dであり、低い方がアクセプター性aである。また連結基が2つ以上あるときは、連結基同士のドナー性であるか、アクセプター性であるかは、それぞれの連結基について、Winmostar計算ソフトWinmostar商品名、株式会社テンキューブ研究所製による分子軌道計算ハミルトニアン:AM1でHOMOのエネルギー準位を計算して、同様に判断する。例えば、後述の具体例A-1をもって説明すると、ドナー性の部位Dは9-エチルカルバゾールであり、アクセプター性の部位Aはシアノ酢酸であり、連結基aはチエノチオフェンであり、連結基dはベンゾジチオフェンである。このほかの色素も同様に、ドナー性の部位D、アクセプター性の部位A及び連結基を判断することができる。後述のその他の具体例である、A-2~A-17についても、同様に示すと、以下のとおり、各構造式の波線部分で、左から順に、各部位とドナー性及び/又はアクセプター性の連結基が結合している。A-1:A,a、d、DA-2:A、a、d、DA-3:A、a、d、DA-4:A、a、d、DA-5:A、a、d、DA-6:A、a、d、DA-7:A、a、d、d、d、DA-8:A、a、d、d、d、DA-9:A、a、a、d、d、d、DA-10:A、a、a、d、DA-11:A、a、d、a、d、DA-13:A、a、d、DA-14:A、a、d、DA-15:A、a、d、DA-16:A、a、d、DA-17:A、a、d、Dドナー性の連結基d及びアクセプター性の連結基aについては、Winmostar計算ソフトによる分子軌道計算で、HOMOのエネルギー順位の高い基をd、他方をaとするときに、以下の条件アを満たすことが好ましい。ここで、Winmostar計算ソフトとは、化合物の分子軌道計算を行うソフトであり、株式会社キューブ研究所社から、Winmostar商品名として提供されている。ア色素のd及びaのLUMOが-3.0~0eVで、かつHOMOが-9.5~-6.0eVである。色素のエネルギー準位が上記の条件アの範囲内であることにより、従来の色素よりも長波長の光を吸収する効果を奏することができる。また、dおよびaにエネルギー勾配を形成するという点から、以下の条件イを満たすことが好ましい。ドナー性の連結基d及びアクセプター性の連結基aについては、Winmostar計算ソフトによる分子軌道計算で、さらに以下の条件イを満たすことが好ましい。イdとaのHOMOのエネルギー順位の差は0.01~1.0eVである。d及びaのエネルギー準位が、上記の2つの条件ア及びイを同時に満たすことにより、色素分子内のdおよびaの箇所に適度なエネルギー勾配を形成することができ、長波長の光を吸収することができる。上記の2つの条件ア及びイを同時に満たすものとして、例えばdとして10-1~10-6、aとして13-1~13-9の組み合わせを挙げることができ、好ましくはdとして10-1、10-4、aとして13-1~13-3、13-9の組み合わせが挙げられる。d及びaのLUMOは-2.0~0.1eVが好ましく、さらに好ましくは、-1.5~0.1eVである。d及びaのHOMOは、-9.5~-6.0eVが好ましく、さらに好ましくは、-7.0~-9.0eVである。前記d及びaは、下記式10-1~10-6のいずれかで表されることが好ましい。[式中、E0は複素5員環を構成する窒素原子、酸素原子又は硫黄原子を表す。E1~E3、E5~E10は複素5員環を構成する原子を表し、そのうち少なくとも1つは窒素原子、酸素原子又は硫黄原子を表し、そのほかはCRWを表す。RWは水素原子もしくは置換基を表す。E4は複素5員環を構成する原子を表し窒素原子、酸素原子又は硫黄原子を表す。RX、RY及びRZ、OX、OYは式6におけるものと同義である。R21~R32は水素原子又は置換基を表す。は結合部位を表す。]式10-1~10-6において、EXを有する環が共役可能な複素環構造であることにより、各部位の共役系をつなぐ効果を奏することができ、式10で表されるd又はaは複素環の炭素原子で、前記D又はAと結合していることにより、共役系が伸び、長波長の光を吸収する効果を奏することができる。R21~R32が置換基のとき、その好ましいものとしては式8のZ11、Z12の例が挙げられる。RWの置換基の例としては、置換基Tが挙げられる。前記d及びaは、下記式13-1~13-9のいずれかで表されることがうより好ましい。式13-1~13-9において、d及びaは、複素環の結合可能な炭素原子で他の色素残基と結合している。R51~R64は、水素原子又は置換基を表す。R51~R22、R64における置換基としては、炭素数1~20の直鎖又は分岐のあるアルキル鎖たとえば、メチル、エチル、2-エチルへキシル、3,3,5-トリメチルヘキシルノニルなどを挙げることができる。は結合部位を表す。R56、R57における置換基としては、かさ高く疎水的なものが好ましく、例えば、アルキル基さらに好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~15のアルキル基、アルケニル基例えば、プロペニル、ヘプテニル、2-エチルヘキセニルなど、アルキニル基例えば、プロピニル、ヘプチニル、2-エチルヘキシニルなど、エーテル基例えば、メトキシ、ヘプトキシ、2-エチルヘキソキシなど、エステル基例えば、メトキシカルボニル、ヘプトキシカルボニル、2-エチルヘキソキシカルボニルなど、アミノ基例えば、メタンアミド、ヘプタンアミド、2-エチルヘキサアミドなどを挙げることができる。さらに好ましくは、アルキル基、アルケニル基、エーテルアルキルオキシ基などである。R58、R59、R61、R62における置換基としては、脂肪族基、芳香族基、複素環基等が挙げられる。置換基の具体的な例としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、ヘテロ環等を挙げることができる。好ましい例としては、アルキル基例えばメチル、エチル、n-ブチル、n-ヘキシル、イソブチル、sec-ブチル、t-ブチル、n-ドデシル、シクロヘキシル、ベンジル等、置換アリール基例えばフェニル、トリル、ナフチル等、アルコキシ基例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ブトキシ等を挙げることができる。置換基の数O1及びO2は、独立に0以上の整数を表す。置換基の数は好ましくは、0~3、さらに好ましくは、0~1である。R60、R63における置換基としては、炭素数1~20の置換もしくは無置換のアルキル基例えばメチル、エチル、n-ブチル、n-ヘキシル、イソブチル、sec-ブチル、t-ブチル、n-ドデシル、シクロヘキシル、ベンジル等、置換もしくは無置換のアリール基例えばフェニル、トリル、ナフチル等、置換もしくは無置換の複素環残基例えばピリジル、イミダゾリル、フリル、チエニル、オキサゾリル、チアゾリル、ベンズイミダゾリル、キノリル等などが挙げられ、より好ましくは炭素数1~20の置換もしくは無置換のアルキル基例えばメチル、エチル、n-ブチル、n-ヘキシル、イソブチル、sec-ブチル、t-ブチル、n-ドデシル、シクロヘキシル、ベンジル等が挙げられる。本実施形態の色素は下記式A1~A3のいずれかで表されるものであることが好ましい。X2、Rx、Ryは式6と同義である。d、a、m、Lは式2と同義である。式1又は2で表される色素は、溶液中における極大吸収波長が、550~750nmの範囲であり、より好ましくは、600~700nmの範囲である。本発明で用いる式1又は2で表される構造を有する色素の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、下記具体例における色素がプロトン解離性基を有する配位子を含む場合、該配位子は必要に応じて解離しプロトンを放出してもよい。なお、本明細書において化合物錯体、色素を含むの表示については、当該化合物そのもののほか、その塩、そのイオンを含む意味に用いる。また、所望の効果を奏する範囲で、所定の形態で修飾された誘導体を含む意味である。また、本明細書において置換無置換を明記していない置換基連結基を含むについては、その基に任意の置換基を有していてもよい意味である。これは置換無置換を明記していない化合物についても同義である。好ましい置換基としては、下記置換基Tが挙げられる。置換基Tとしては、下記のものが挙げられる。アルキル基好ましくは炭素原子数1~20のアルキル基、例えばメチル、エチル、イソプロピル、t-ブチル、ペンチル、ヘプチル、1-エチルペンチル、ベンジル、2-エトキシエチル、1-カルボキシメチル等、アルケニル基好ましくは炭素原子数2~20のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、オレイル等、アルキニル基好ましくは炭素原子数2~20のアルキニル基、例えば、エチニル、ブタジイニル、フェニルエチニル等、シクロアルキル基好ましくは炭素原子数3~20のシクロアルキル基、例えば、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、4-メチルシクロヘキシル等、アリール基好ましくは炭素原子数6~26のアリール基、例えば、フェニル、1-ナフチル、4-メトキシフェニル、2-クロロフェニル、3-メチルフェニル等、ヘテロ環基好ましくは炭素原子数2~20のヘテロ環基、例えば、2-ピリジル、4-ピリジル、2-イミダゾリル、2-ベンゾイミダゾリル、2-チアゾリル、2-オキサゾリル等、アルコキシ基好ましくは炭素原子数1~20のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロピルオキシ、ベンジルオキシ等、アリールオキシ基好ましくは炭素原子数6~26のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、1-ナフチルオキシ、3-メチルフェノキシ、4-メトキシフェノキシ等、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素原子数2~20のアルコキシカルボニル基、例えば、エトキシカルボニル、2-エチルヘキシルオキシカルボニル等、アミノ基好ましくは炭素原子数0~20のアミノ基、例えば、アミノ、N,N-ジメチルアミノ、N,N-ジエチルアミノ、N-エチルアミノ、アニリノ等、スルホンアミド基好ましくは炭素原子数0~20のスルホンアミド基、例えば、N,N-ジメチルスルホンアミド、N-フェニルスルホンアミド等、アシルオキシ基好ましくは炭素原子数1~20のアシルオキシ基、例えば、アセチルオキシ、ベンゾイルオキシ等、カルバモイル基好ましくは炭素原子数1~20のカルバモイル基、例えば、N,N-ジメチルカルバモイル、N-フェニルカルバモイル等、アシルアミノ基好ましくは炭素原子数1~20のアシルアミノ基、例えば、アセチルアミノ、ベンゾイルアミノ等、シアノ基、又はハロゲン原子例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等であり、より好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アミノ基、アシルアミノ基、シアノ基又はハロゲン原子であり、特に好ましくはアルキル基、アルケニル基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アミノ基、アシルアミノ基又はシアノ基が挙げられる。以下に式1又は2で表される化合物の例を挙げるが、本発明がこれにより限定して解釈されるものではない。図中の波線は、Dd、aAの構造単位を示すために補助的に記載したものである。R1O2C-はアルキルオキシカルボニル基R1-O-C=O-の意味である。[電荷移動体]本発明の光電変換素子10に用いられる電解質組成物には、酸化還元対として、例えばヨウ素とヨウ化物例えばヨウ化リチウム、ヨウ化テトラブチルアンモニウム、ヨウ化テトラプロピルアンモニウム等との組み合わせ、アルキルビオローゲン例えばメチルビオローゲンクロリド、ヘキシルビオローゲンブロミド、ベンジルビオローゲンテトラフルオロボレートとその還元体との組み合わせ、ポリヒドロキシベンゼン類例えばハイドロキノン、ナフトハイドロキノン等とその酸化体との組み合わせ、2価と3価の鉄錯体例えば赤血塩と黄血塩2価と3価のコバルト錯体の組み合わせ等が挙げられる。これらのうちヨウ素とヨウ化物との組み合わせ、2価と3価のコバルト錯体の組み合わせが好ましい。前記コバルト錯体はなかでも式14で表されるものであることが好ましい。CoLL2m2Xm3CI:式14式14において、LL2は下記式LL2で表される2座又は3座の配位子を表す。Xは1座又は2座の配位子を表す。m2は0~3の整数を表す。m3は0~6の整数を表す。CIは電荷を中和させるのに対イオンが必要な場合の対イオンを表す。式LL2において、Za、Zb及びZcは5又は6員環を形成しうる原子群を表す。Za、Zb、Zcは置換基を有していてもよく、置換基を介して隣接する環と閉環していてもよい。cは0又は1を表す。Xはハロゲン原子であることが好ましい。一般式14中のLL2は下記式14-1~14-3で表されることがより好ましい。R’a~R’iは置換基を表す。na~nbは0~4の整数を表す。nc、neは0~3の整数を表す。ndは0~2の整数を表す。nf、njは0~4の整数を表す。式14-1~14-3において、R’a~R’iの置換基としては例えば、脂肪族基、芳香族基、複素環基等が挙げられる。置換基の具体的な例としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、ヘテロ環等を挙げることができる。好ましい例としては、アルキル基例えばメチル、エチル、n-ブチル、n-ヘキシル、イソブチル、sec-ブチル、t-ブチル、n-ドデシル、シクロヘキシル、ベンジル等、置換アリール基例えばフェニル、トリル、ナフチル等、アルコキシ基例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ブトキシ等を挙げることができる。置換基の数O1及びO2は、独立に0以上の整数を表す。置換基の数は好ましくは、0~3、さらに好ましくは、0~1である。式14-1~14-3の具体的な例としては例えば以下が挙げられる。ヨウ素塩のカチオンは5員環又は6員環の含窒素芳香族カチオンであるのが好ましい。特に、式1により表される化合物がヨウ素塩でない場合は、再公表WO95/18456号公報、特開平8-259543号公報、電気化学,第65巻,11号,923頁1997年等に記載されているピリジニウム塩、イミダゾリウム塩、トリアゾリウム塩等のヨウ素塩を併用するのが好ましい。本発明の光電変換素子10に使用される電解質組成物中には、ヘテロ環4級塩化合物と共にヨウ素を含有するのが好ましい。ヨウ素の含有量は電解質組成物全体に対して0.1~20質量であるのが好ましく、0.5~5質量であるのがより好ましい。本発明の光電変換素子10に用いられる電解質組成物は溶媒を含んでいてもよい。電解質組成物中の溶媒含有量は組成物全体の50質量以下であるのが好ましく、30質量以下であるのがより好ましく、10質量以下であるのが特に好ましい。溶媒としては低粘度でイオン移動度が高いか、高誘電率で有効キャリアー濃度を高めることができるか、又はその両方であるために優れたイオン伝導性を発現できるものが好ましい。このような溶媒としてカーボネート化合物エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等、複素環化合物3-メチル-2-オキサゾリジノン等、エーテル化合物ジオキサン、ジエチルエーテル等、鎖状エーテル類エチレングリコールジアルキルエーテル、プロピレングリコールジアルキルエーテル、ポリエチレングリコールジアルキルエーテル、ポリプロピレングリコールジアルキルエーテル等、アルコール類メタノール、エタノール、エチレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、ポリエチレングリコールモノアルキルエーテル、ポリプロピレングリコールモノアルキルエーテル等、多価アルコール類エチレングリコール、プロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、グリセリン等、ニトリル化合物アセトニトリル、グルタロジニトリル、メトキシアセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル、ビスシアノエチルエーテル等、エステル類カルボン酸エステル、リン酸エステル、ホスホン酸エステル等、非プロトン性極性溶媒ジメチルスルホキシドDMSO、スルフォラン等、水、特開2002-110262記載の含水電解液、特開2000-36332号公報、特開2000-243134号公報、及び再公表WO/00-54361号公報記載の電解質溶媒などが挙げられる。これらの溶媒は二種以上を混合して用いてもよい。また、電解質溶媒として、室温において液体状態であり、及び室温よりも低い融点を有する電気化学的に不活性な塩を用いても良い。例えば、1-エチルー3-メチルイミダゾリウムトリフルオロメタンスルホネート、1-ブチルー3-メチルイミダゾリウムトリフルオロメタンスルホネート等にイミダゾリウム塩、ピリジニウム塩などの含窒素ヘテロ環四級塩化合物、又はテトラアルキルアンモニウム塩などが挙げられる。本発明の光電変換素子に用いられる電解質組成物には、ポリマーやオイルゲル化剤を添加したり、多官能モノマー類の重合やポリマーの架橋反応等の手法によりゲル化固体化してもよい。ポリマーを添加することにより電解質組成物をゲル化させる場合、PolymerElectrolyteReviews-1及び2J.R.MacCallumとC.A.Vincentの共編、ELSEVIERAPPLIEDSCIENCEに記載された化合物等を添加することができる。この場合、ポリアクリロニトリル又はポリフッ化ビニリデンを用いるのが好ましい。オイルゲル化剤を添加することにより電解質組成物をゲル化させる場合は、オイルゲル化剤としてJ.Chem.Soc.Japan,Ind.Chem.Soc.,467791943、J.Am.Chem.Soc.,111,55421989、J.Chem.Soc.,Chem.Commun.,3901993、Angew.Chem.Int.Ed.Engl.,35,19491996、Chem.Lett.,885,1996、J.Chem.Soc.,Chem.Commun.,545,1997等に記載された化合物を使用することができ、アミド構造を有する化合物を用いるのが好ましい。多官能モノマー類の重合によって電解質組成物をゲル化する場合は、多官能モノマー類、重合開始剤、電解質及び溶媒から溶液を調製し、キャスト法、塗布法、浸漬法、含浸法等の方法により色素を担持した電極上にゾル状の電解質層を形成し、その後多官能モノマーのラジカル重合によってゲル化させる方法が好ましい。多官能モノマー類はエチレン性不飽和基を2個以上有する化合物であることが好ましく、ジビニルベンゼン、エチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート等が好ましい。ゲル電解質は上記多官能モノマー類の他に単官能モノマーを含む混合物の重合によって形成してもよい。単官能モノマーとしては、アクリル酸又はα-アルキルアクリル酸アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸等或いはそれらのエステル又はアミドやビニルエステル類酢酸ビニル等、マレイン酸又はフマル酸又はそれらから誘導されるエステル類マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジブチル、フマル酸ジエチル等、p-スチレンスルホン酸のナトリウム塩、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、ジエン類ブタジエン、シクロペンタジエン、イソプレン等、芳香族ビニル化合物スチレン、p-クロロスチレン、t-ブチルスチレン、α-メチルスチレン、スチレンスルホン酸ナトリウム等、N-ビニルホルムアミド、N-ビニル-N-メチルホルムアミド、N-ビニルアセトアミド、N-ビニル-N-メチルアセトアミド、ビニルスルホン酸、ビニルスルホン酸ナトリウム、アリルスルホン酸ナトリウム、メタクリルスルホン酸ナトリウム、ビニリデンフルオライド、ビニリデンクロライド、ビニルアルキルエーテル類メチルビニルエーテル等、エチレン、プロピレン、ブテン、イソブテン、N-フェニルマレイミド等が使用可能である。多官能モノマーの配合量は、モノマー全体に対して0.5~70質量とすることが好ましく、1.0~50質量であるのがより好ましい。上述のモノマーは、大津隆行木下雅悦共著高分子合成の実験法化学同人や大津隆行講座重合反応論1ラジカル重合I化学同人に記載された一般的な高分子合成法であるラジカル重合によって重合することができる。本発明で使用するゲル電解質用モノマーは加熱、光又は電子線によって、或いは電気化学的にラジカル重合させることができるが、特に加熱によってラジカル重合させるのが好ましい。この場合、好ましく使用できる重合開始剤は2,2’-アゾビスイソブチロニトリル、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネート、ジメチル2,2’-アゾビスイソブチレート等のアゾ系開始剤、ラウリルパーオキシド、ベンゾイルパーオキシド、t-ブチルパーオクトエート等の過酸化物系開始剤等である。重合開始剤の好ましい添加量はモノマー総量に対し0.01~20質量であり、より好ましくは0.1~10質量である。ゲル電解質に占めるモノマーの重量組成範囲は0.5~70質量であるのが好ましい。より好ましくは1.0~50質量である。ポリマーの架橋反応により電解質組成物をゲル化させる場合は、組成物に架橋可能な反応性基を有するポリマー及び架橋剤を添加するのが好ましい。好ましい反応性基はピリジン環、イミダゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、トリアゾール環、モルホリン環、ピペリジン環、ピペラジン環等の含窒素複素環であり、好ましい架橋剤は窒素原子が求核攻撃できる官能基を2つ以上有する化合物求電子剤であり、例えば2官能以上のハロゲン化アルキル、ハロゲン化アラルキル、スルホン酸エステル、酸無水物、酸クロライド、イソシアネート等である。[導電性支持体]図1に示すように、本発明の光電変換素子には、導電性支持体1上には多孔質の半導体微粒子22に増感色素21が吸着された感光体層2が形成されている。後述する通り、例えば、半導体微粒子の分散液を導電性支持体に塗布乾燥後、本発明の色素溶液に浸漬することにより、感光体層2を製造することができる。導電性支持体1としては、金属のように支持体そのものに導電性があるものか、又は表面に導電膜層を有するガラスや高分子材料を使用することができる。導電性支持体1は実質的に透明であることが好ましい。実質的に透明であるとは光の透過率が10以上であることを意味し、50以上であることが好ましく、80以上が特に好ましい。導電性支持体1としては、ガラスや高分子材料に導電性の金属酸化物を塗設したものを使用することができる。このときの導電性の金属酸化物の塗布量は、ガラスや高分子材料の支持体1m2当たり、0.1~100gが好ましい。透明導電性支持体を用いる場合、光は支持体側から入射させることが好ましい。好ましく使用される高分子材料の一例として、テトラアセチルセルロースTAC、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、シンジオタクチックポリスチレンSPS、ポリフェニレンスルフィドPPS、ポリカーボネートPC、ポリアリレートPAR、ポリスルフォンPSF、ポリエステルスルフォンPES、ポリエーテルイミドPEI、環状ポリオレフィン、ブロム化フェノキシ等を挙げることができる。導電性支持体1上には、表面に光マネージメント機能を施してもよく、例えば、特開2003-123859記載の高屈折膜及び低屈性率の酸化物膜を交互に積層した反射防止膜、特開2002-260746記載のライトガイド機能が上げられる。この他にも、金属支持体も好ましく使用することができる。その一例としては、チタン、アルミニウム、銅、ニッケル、鉄、ステンレス、銅を挙げることができる。これらの金属は合金であってもよい。さらに好ましくは、チタン、アルミニウム、銅が好ましく、特に好ましくは、チタンやアルミニウムである。導電性支持体1上には、紫外光を遮断する機能を持たせることが好ましい。例えば、紫外光を可視光に変えることが出来る蛍光材料を透明支持体中又は、透明支持体表面に存在させる方法や紫外線吸収剤を用いる方法も挙げられる。導電性支持体1上には、さらに特開平11-250944号公報等に記載の機能を付与してもよい。好ましい導電膜としては金属例えば白金、金、銀、銅、アルミニウム、ロジウム、インジウム等、炭素、もしくは導電性の金属酸化物インジウム-スズ複合酸化物、酸化スズにフッ素をドープしたもの等が挙げられる。導電膜の厚さは0.01~30μmであることが好ましく、0.03~25μmであることが更に好ましく、特に好ましくは0.05~20μmである。導電性支持体1は表面抵抗が低い程よい。好ましい表面抵抗の範囲としては50Ω/cm2以下であり、さらに好ましくは10Ω/cm2以下である。この下限に特に制限はないが、通常0.1Ω/cm2程度である。導電膜の抵抗値はセル面積が大きくなると大きくなる為、集電電極を配置してもよい。導電性支持体1と透明導電膜の間にガスバリア膜及びイオン拡散防止膜のどちらか一方又は両方を配置しても良い。ガスバリア層としては、樹脂膜や無機膜を使用することができる。また、透明電極と多孔質半導体電極光触媒含有層を設けてもよい。透明導電膜は積層構造でも良く、好ましい方法としてたとえば、ITO上にFTOを積層することができる。[半導体微粒子]図1に示すように、本発明の光電変換素子10には、導電性支持体1上には多孔質の半導体微粒子22に増感色素21が吸着された感光体層2が形成されている。後述する通り、例えば、半導体微粒子22の分散液を前記導電性支持体1に塗布乾燥後、上述の色素溶液に浸漬することにより、感光体層2を製造することができる。半導体微粒子22としては、好ましくは金属のカルコゲニド例えば酸化物、硫化物、セレン化物等又はペロブスカイトの微粒子が用いられる。金属のカルコゲニドとしては、好ましくはチタン、スズ、亜鉛、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストロンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、もしくはタンタルの酸化物、硫化カドミウム、セレン化カドミウム等が挙げられる。ペロブスカイトとしては、好ましくはチタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム等が挙げられる。これらのうち酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化タングステンが特に好ましい。半導体には伝導に関わるキャリアーが電子であるn型とキャリアーが正孔であるp型が存在するが、本発明の素子ではn型を用いることが変換効率の点で好ましい。n型半導体には、不純物準位をもたず伝導帯電子と価電子帯正孔によるキャリアーの濃度が等しい固有半導体例えば真性半導体の他に、不純物に由来する構造欠陥により電子キャリアー濃度の高いn型半導体が存在する。本発明で好ましく用いられるn型の無機半導体は、TiO2、TiSrO3、ZnO、Nb2O3、SnO2、WO3、Si、CdS、CdSe、V2O5、ZnS、ZnSe、SnSe、KTaO3、FeS2、PbS、InP、GaAs、CuInS2、CuInSe2などである。これらのうち最も好ましいn型半導体はTiO2、ZnO、SnO2、WO3、ならびにNb2O3である。また、これらの半導体の複数を複合させた半導体材料も好ましく用いられる。半導体微粒子22の作製法としては、作花済夫のゾルゲル法の科学アグネ承風社1998年等に記載のゲルゾル法が好ましい。またDegussa社が開発した塩化物を酸水素塩中で高温加水分解により酸化物を作製する方法も好ましい。半導体微粒子22が酸化チタンの場合、上記ゾルゲル法、ゲルゾル法、塩化物の酸水素塩中での高温加水分解法はいずれも好ましいが、さらに清野学の酸化チタン物性と応用技術技報堂出版1997年に記載の硫酸法及び塩素法を用いることもできる。さらにゾルゲル法として、バルべ等のジャーナルオブアメリカンセラミックソサエティー,第80巻,第12号,3157~3171頁1997年に記載の方法や、バーンサイドらのケミストリーオブマテリアルズ,第10巻,第9号,2419~2425頁に記載の方法も好ましい。[半導体微粒子分散液]本発明においては、半導体微粒子以外の固形分の含量が、半導体微粒子分散液全体の10質量以下よりなる半導体微粒子分散液を前記導電性支持体1に塗布し、適度に加熱することにより、多孔質半導体微粒子塗布層を得ることができる。半導体微粒子分散液を作製する方法としては、前述のゾルゲル法の他に、半導体を合成する際に溶媒中で微粒子として析出させそのまま使用する方法、微粒子に超音波などを照射して超微粒子に粉砕する方法、又はミルや乳鉢などを使って機械的に粉砕しすり潰す方法、等が挙げられる。分散溶媒としては、水及び各種の有機溶媒のうちの一つ以上を用いることができる。有機溶媒としては、メタノール,エタノール,イソプロピルアルコール,シトロネロール,ターピネオールなどのアルコール類、アセトンなどのケトン類、酢酸エチルなどのエステル類、ジクロロメタン、アセトニトリル等が挙げられる。分散の際、必要に応じて例えばポリエチレングリコール、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロースのようなポリマー、界面活性剤、酸、又はキレート剤等を分散助剤として少量用いてもよい。しかし、これらの分散助剤は、導電性支持体上へ製膜する工程の前に、ろ過法や分離膜を用いる方法、あるいは遠心分離法などによって大部分を除去しておくことが好ましい。半導体微粒子分散液は、半導体微粒子以外の固形分の含量が分散液全体の10質量以下とすることができる。この濃度は好ましくは5以下であり、さらに好ましくは3以下であり、特に好ましくは1以下である。さらに好ましくは0.5以下であり、特に好ましくは0.2である。すなわち、半導体微粒子分散液中に、溶媒と半導体微粒子以外の固形分を半導体微分散液全体の10質量以下とすることができる。実質的に半導体微粒子と分散溶媒のみからなることが好ましい。半導体微粒子分散液の粘度が高すぎると分散液が凝集してしまい製膜することができず、逆に半導体微粒子分散液の粘度が低すぎると液が流れてしまい製膜することができないことがある。したがって分散液の粘度は、25°Cで10~300Ns/m2が好ましい。さらに好ましくは、25°Cで50~200Ns/m2である。半導体微粒子分散液の塗布方法としては、アプリケーション系の方法としてローラ法、ディップ法等を使用することができる。またメータリング系の方法としてエアーナイフ法、ブレード法等を使用することができる。またアプリケーション系の方法とメータリング系の方法を同一部分にできるものとして、特公昭58-4589号に開示されているワイヤーバー法、米国特許2681294号明細書等に記載のスライドホッパー法、エクストルージョン法、カーテン法等が好ましい。また汎用機を使用してスピン法やスプレー法で塗布するのも好ましい。湿式印刷方法としては、凸版、オフセット及びグラビアの3大印刷法をはじめ、凹版、ゴム版、スクリーン印刷等が好ましい。これらの中から、液粘度やウェット厚さに応じて、好ましい製膜方法を選択する。また本発明の半導体微粒子分散液は粘度が高く、粘稠性を有するため、凝集力が強いことがあり、塗布時に支持体とうまく馴染まない場合がある。このような場合に、UVオゾン処理で表面のクリーニングと親水化を行うことにより、塗布した半導体微粒子分散液と導電性支持体1表面の結着力が増し、半導体微粒子分散液の塗布が行い易くなる。半導体微粒子層全体の好ましい厚さは0.1μm~100μmである。半導体微粒子層の厚さはさらに1μm~30μmが好ましく、2μm~25μmがより好ましい。半導体微粒子の支持体1m2当りの担持量は0.5g~400gが好ましく、5g~100gがより好ましい。支持体として高分子材料を用いる場合、250°C以下で製膜後に加熱することが好ましい。その場合の製膜方法としては、1湿式法、2乾式法、3電気泳動法電析法を含むの何れでも良く、好ましくは、1湿式法、又は2乾式であり、更に好ましくは、1湿式法である。なお、半導体微粒子22の支持体1m2当たりの塗布量は0.5g~500g、さらには5g~100gが好ましい。対極4は、光電気化学電池の正極として働くものである。対極4は、通常前述の導電性支持体1と同義であるが、強度が十分に保たれるような構成では対極の支持体は必ずしも必要でない。ただし、支持体を有する方が密閉性の点で有利である。対極4の材料としては、白金、カーボン、導電性ポリマー、などがあげられる。好ましい例としては、白金、カーボン、導電性ポリマーが挙げられる。対極4の構造としては、集電効果が高い構造が好ましい。好ましい例としては、特開平10-505192号公報などが挙げられる。受光電極5は酸化チタンと酸化スズTiO2/SnO2などの複合電極を用いても良く、チタニアの混合電極として例えば、特開2000-113913号公報等が挙げられる。チタニア以外の混合電極として例えば、特開2001-185243号公報、特開2003-282164号公報等が挙げられる。また、光電変換素子の構成としては、第1電極層、第1光電変換層、導電層、第2光電変換層、第2電極層を順次積層した構造を有していても良い。この場合、第1光電変換層と第2光電変換層に用いる色素は同一又は異なっていてもよく、異なっている場合には、吸収スペクトルが異なっていることが好ましいい。受光電極5は、入射光の利用率を高めるなどのためにタンデム型にしても良い。好ましいタンデム型の構成例としては、特開2000-90989、特開2002-90989号公報等に記載の例が挙げられる。受光電極5の層内部で光散乱、反射を効率的に行う光マネージメント機能を設けてもよい。好ましくは、特開2002-93476号公報に記載のものが挙げられる。導電性支持体1と多孔質半導体微粒子層の間には、電解液と電極が直接接触することによる逆電流を防止する為、短絡防止層を形成することが好ましい。好ましい例としては、特開平06-507999号公報等が挙げられる。受光電極5と対極4の接触を防ぐ為に、スペーサーやセパレータを用いることが好ましい。好ましい例としては、特開2001-283941号公報が挙げられる。セル、モジュールの封止法としては、ポリイソブチレン系熱硬化樹脂、ノボラック樹脂、光硬化性メタアクリレート樹脂、エポキシ樹脂、アイオノマー樹脂、ガラスフリット、アルミナにアルミニウムアルコキシドを用いる方法、低融点ガラスペーストをレーザー溶融する方法などが好ましい。ガラスフリットを用いる場合、粉末ガラスをバインダーとなるアクリル樹脂に混合したものでもよい。以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例1比較例1[色素の調製]本発明の色素である、A-1を以下に示す方法で調製した。その他の色素も同様の方法で調製した。[色素の極大吸収波長と長波長端Abs/Absmax=0.1の評価]色素の極大吸収波長と、長波長端Abs/Absmax=0.1を測定した。長波長端とは、溶液吸収スペクトルのλmaxのAbsAbsmaxに対するAbsが10Abs/Absmax=0.1となるときの波長を表す。その結果を表1に示す。測定は、分光光度計U-4100商品名、日立ハイテク社製によって行い、溶液はTHF:エタノール=1:1を用い、濃度が2μMになるように調整した。[色素のWinmostar計算ソフトによる分子軌道計算]上記の方法で及び同様の方法で調製した表1記載の色素について、d部分とa部分のHOMOとLUMOのエネルギー順位を計算するとともに、d部分とa部分のHOMOのエネルギー順位の差を、Winmostar計算ソフトWinmostar商品名、株式会社テンキューブ研究所製で計算した。その結果を表1に示す。[光電変換素子の作製及び光電変換効率の評価]ガラス基板上にFTO膜を形成することにより、透明導電膜を作製した。その後透明導電膜上に半導体微粒子層を形成することにより、透明電極板を得た。そしてその透明電極板を使用して光電気化学電池を作製し、変換効率を測定した。その方法は以下の1~3の通りである。1FTOフッ素ドープ酸化スズ膜用原料化合物溶液の調製塩化スズIV五水和物0.701gをエタノール10mLに溶解し、これにフッ化アンモニウム0.592gの飽和水溶液を加え、この混合物を超音波洗浄機に約20分間かけ、完全に溶解して、FTO膜用原料化合物溶液とした。2FTO透明導電膜の作製厚さ2mmの耐熱ガラス板の表面を化学洗浄し、乾燥した後、このガラス板を反応器内に置き、ヒータで加熱した。ヒータの加熱温度が450°Cになったところで、1で得られたFTO膜用原料化合物溶液を、口径0.3mmのノズルから圧力0.06MPaで、ガラス板までの距離を400mmとして、25分間噴霧した。これにより、耐熱ガラス板上に厚さ170nmのFTO膜が形成された透明電極板が得られた。その後、透明電極板を加熱炉にて、450°Cで2時間加熱した。3光電気化学電池の作製次に、透明電極板を用いて、特許第4260494号公報の図2に示した構造の光電気化学電池を作製した。酸化物半導体多孔質膜の形成は、平均粒径約7nmの酸化チタン微粒子をアセトニトリルに分散してペーストとし、これを透明電極11上にバーコート法により塗布し、乾燥後450°Cで1時間焼成して行った。その後、さらに平均粒径約400nmの酸化チタン微粒子のアセトニトリルペースト液を塗布し、これを透明電極11上にバーコート法により塗布し、乾燥後450°Cで1時間焼成して行い、厚さ15μmの厚さの半導体微粒子層を形成した。次に表1記載の色素を無水エタノールに濃度3×10-4モル/リットルで溶解させ吸着用色素溶液を作製した。なお、ここで色素の番号は、具体例として段落0052~0055に示したものである。この吸着用色素溶液中に、上記の通り、得られた酸化チタン膜と透明導電膜を具備した透明基板を容器にそれぞれ入れ、約4時間浸透させることにより色素を吸着させて、受光電極を得た。その後、無水エタノールで数回洗浄し約60°Cで約20分間乾燥させた。次に、PCを溶媒として濃度0.5モル/リットルのヨウ化リチウムと濃度0.05モル/リットルのヨウ素を溶解させて電解液を作製した。この溶液中に上記の受光電極を約2時間浸すことにより、酸化還元性電解液を染み込ませた。その後、白金膜を具備した導電性基板を設置し、エポキシ系の封止剤にて周囲を封止し、酸化還元電解液をそのまま対極との間に注入して封止して光電変換素子を作製した。この素子を用いて、ソーラーシミュレーターで1000W/m2の強度の光を照射し、変換効率を測定した。その結果を表1に示す。変換効率は、80以上のものを合格とした。また、500時間光照射後の光電変換効率を測定し、耐久性を評価した。500時間光照射後の変換効率が初期値の80以上のものをA、80未満で60以上のものをB、60未満で40以上のものをC、40未満で20以上のものをD、20未満のものをEとし、評価Aを耐久性合格とした。比較例としては、以下の色素を用いた。なお、上記比較色素B-1について、前述のとおり、各構造式の波線部分で切断して、各部分のエネルギー準位と、d部分とa部分のHOMOのエネルギー準位の差を求めた。B-2、B-3についても同様に、これらの値を計算した。表1からわかるように、比較色素はいずれも、極大吸収波長が低く、初期の変換効率と耐久性に劣るものであった。これに対し、本発明の色素は、極大吸収波長が高く、光電変換効率の初期値と耐久性に優れるものであった。実施例2比較例2下記試験201~204、C21~C24は、色素として表中のものを用い、電解質をヨウ素から表中記載のものに変更した以外は試験101~110と同様にして行ったものである。比較色素では電解質をCo錯体にすることでVocが向上するが、変換効率は低い。それに対し本発明の色素はVoc向上効果と共に変換効率が向上している。これは、本発明の色素のエネルギー準位がCo錯体の酸化還元電位に対し適したエネルギーを持っていることで電荷の移動がスムーズに行われる結果、変換効率が向上することを示唆している。"