"複数の交差する分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれ半導体デバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有する半導体ウエーハの加工方法であって、半導体ウエーハの該表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着ステップと、該保護テープ貼着ステップを実施した後、該デバイス領域に対応する半導体ウエーハの裏面を研削して円形凹部を形成するとともに該円形凹部を囲繞する環状凸部を形成する研削ステップと、該研削ステップを実施した後、該半導体ウエーハの該各半導体デバイスに対応させて半導体デバイスチップのデバイス面を該円形凹部の底面に配設するとともに、少なくとも該半導体デバイスチップの仕上げ厚みに至る深さまで該円形凹部内に充填材を充填してチップ積層ウエーハを形成するチップ積層ウエーハ形成ステップと、該チップ積層ウエーハ形成ステップを実施した後、該チップ積層ウエーハの裏面を研削して該半導体デバイスチップを所定の厚みへ薄化する薄化ステップと、該薄化ステップを実施した後、半導体ウエーハの該各半導体デバイスに貫通電極を形成する貫通電極形成ステップと、を具備したことを特徴とする半導体ウエーハの加工方法。前記貫通電極形成ステップを実施した後、前記チップ積層ウエーハを前記分割予定ラインに沿って分割する分割ステップを更に具備した請求項1記載の半導体ウエーハの加工方法。一般に、耐熱性接着剤は高価である上、接着剤を介して半導体デバイスウエーハをサブストレートに貼着すると、高温処理後、半導体デバイスウエーハのデバイス面に接着剤の糊残りが生じるという問題がある。また、このようなサブストレートは高い平坦度が求められるため非常に高価であり、サブストレートを使用しないプロセスが切望されている。更に、積層デバイスパッケージで積層される各半導体デバイスチップは例えば50μm以下と薄く形成されることが要求されるが、このように薄化された半導体デバイスチップはハンドリングが難しく、積層時に破損する恐れがあるという問題がある。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、サブストレートを使用することがない上、半導体デバイスチップを破損させることなく、半導体デバイス上に半導体デバイスチップが積層されたウエーハを形成する半導体ウエーハの加工方法を提供することである。本発明によると、複数の交差する分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれ半導体デバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有する半導体ウエーハの加工方法であって、半導体ウエーハの該表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着ステップと、該保護テープ貼着ステップを実施した後、該デバイス領域に対応する半導体ウエーハの裏面を研削して円形凹部を形成するとともに該円形凹部を囲繞する環状凸部を形成する研削ステップと、該研削ステップを実施した後、該半導体ウエーハの該各半導体デバイスに対応させて半導体デバイスチップのデバイス面を該円形凹部の底面に配設するとともに、少なくとも該半導体デバイスチップの仕上げ厚みに至る深さまで該円形凹部内に充填材を充填してチップ積層ウエーハを形成するチップ積層ウエーハ形成ステップと、該チップ積層ウエーハ形成ステップを実施した後、該チップ積層ウエーハの裏面を研削して該半導体デバイスチップを所定の厚みへ薄化する薄化ステップと、該薄化ステップを実施した後、半導体ウエーハの該各半導体デバイスに貫通電極を形成する貫通電極形成ステップと、を具備したことを特徴とする半導体ウエーハの加工方法が提供される。好ましくは、半導体ウエーハの加工方法は、貫通電極形成ステップを実施した後、チップ積層ウエーハを分割予定ラインに沿って分割する分割ステップを更に具備している。本発明によると、半導体ウエーハには研削ステップにより補強部としての環状凸部が外周部に形成される。従って、サブストレートを使用することなく、各半導体デバイス上に半導体デバイスチップが積層されたチップ積層ウエーハを形成することができる。半導体デバイスチップは研削前の状態厚い状態で半導体デバイス上に積層された後に裏面が研削されるので、積層の際のハンドリングが容易になり、破損のリスクを低減できる。以下、本発明実施形態の半導体ウエーハの加工方法を図面を参照して詳細に説明する。図1は所定の厚さに加工される前の半導体ウエーハ半導体デバイスウエーハの斜視図である。図1に示す半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数のストリート13が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート13によって区画された各領域にIC,LSI等のデバイス15が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19を備えている。また、半導体ウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。半導体ウエーハ11の表面11aには、保護テープ貼着工程により保護テープ23が貼着される。従って、半導体ウエーハ11の表面11aは保護テープ23によって保護され、図2に示すように裏面11bが露出する形態となる。図3は表面11aに保護テープ23が貼着された状態の半導体ウエーハ11の断面図である。図4は本発明の半導体ウエーハの加工方法を実施するのに適した研削装置2の斜視図を示している。4は研削装置2のベースハウジングであり、ベース4の後方にはコラム6が立設されている。コラム6には、上下方向にのびる一対のガイドレール8が固定されている。この一対のガイドレール8に沿って研削ユニット研削手段10が上下方向に移動可能に装着されている。研削ユニット10は、ハウジング12と、ハウジング12を保持する支持部14を有しており、支持部14が一対のガイドレール8に沿って上下方向に移動される移動基台16に取り付けられている。研削ユニット10は、ハウジング12中に回転可能に収容されたスピンドル18と、スピンドル18の先端に固定されたマウンタ20と、マウンタ20にねじ締結され環状に配設された複数の研削砥石24を有する研削ホイール22と、スピンドル18を回転駆動するサーボモータ26を含んでいる。研削装置2は、研削ユニット10を一対の案内レール8に沿って上下方向に移動するボールねじ28とパルスモータ30とから構成される研削ユニット送り機構32を備えている。パルスモータ30を駆動すると、ボールねじ28が回転し、移動基台16が上下方向に移動される。ベース4の上面には凹部4aが形成されており、この凹部4aにチャックテーブル機構34が配設されている。チャックテーブル機構34はチャックテーブル36を有し、図示しない移動機構により図1に示されたウエーハ着脱位置Aと、研削ユニット10に対向する研削位置Bとの間でY軸方向に移動される。38,40は蛇腹である。ベース4の前方側には、研削装置2のオペレータが研削条件等を入力する操作パネル42が配設されている。このような研削装置2による本発明実施形態の研削ステップについて以下に説明する。ウエーハ着脱位置Aで半導体ウエーハ11の保護テープ23側を吸引保持したチャックテーブル36は、チャックテーブル移動機構によりY軸方向に移動されて研削ユニット10に対向する研削位置Bに位置付けられ研削ステップが実施される。この研削ステップの第1実施形態では、図5に示すように、チャックテーブル36を矢印37で示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削砥石24を矢印25で示す方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、研削ユニット送り機構32を作動して研削ホイール22の研削砥石24をウエーハ11の裏面11bに接触させる。そして、研削ホイール22を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。その結果、半導体ウエーハ11の裏面11bには、デバイス領域17に対応する領域が研削除去されて円形凹部44が形成されるとともに、外周余剰領域17に対応する領域が残存されて環状凸部46が形成される。この第1実施形態の研削方法により、円形凹部及び環状凸部を形成した状態の断面図が図7Aに示されている。ここで、第1実施形態の研削方法を実施するためのウエーハ11と研削ホイール22との関係について図6を参照して説明する。チャックテーブル36の回転中心P1と環状に配設された研削砥石24の回転中心P2は偏心しており、研削砥石24がウエーハ11の回転中心P1を通過し且つ研削ホイール22に配設された研削砥石24の外周縁がデバイス領域17と外周余剰領域19との境界線48を通過する外径に設定され、環状に配設された研削砥石24がチャックテーブル36の回転中心P1を通過するように設定される。上述した第1実施形態の研削方法では、チャックテーブル36のY軸方向の移動を停止して研削ユニット20を垂直方向に研削送りすることにより円形凹部44を形成している。この研削方法によると、環状凸部46の内周壁は垂直となる。ここで、研削ホイール22を研削送り機構32により研削送りするのに加えて、第2実施形態の研削方法では、チャックテーブル36をY軸方向に僅かばかり移動しながら半導体ウエーハ11の裏面11bの研削を実施する。第2実施形態の研削方法によると、図7Bに示すように、環状凸部46に傾斜内周壁50を形成することができる。このように環状凸部46に傾斜内周壁50を形成するように研削ステップを実施すると、後工程で円形凹部44内に液状接着剤をスピンコートした場合、残余の接着剤を円形凹部44内から排出し易くなるので好ましい。傾斜内周壁50の角度θは接着剤の粘度、スピンコート条件、円形凹部の厚み、接着剤の厚み、搭載する半導体チップのサイズ等に応じて適宜選択するが、10度~60度程度が好ましい。研削ステップを実施後、チップ積層ウエーハ形成ステップを実施する。このチップ積層ウエーハ形成ステップの第1段階では、まず円形凹部44内に接着剤52を配設する。接着剤52の配設方法としては、液状接着剤のスピンコート法が好ましい。このスピンコート法によると、余分な接着剤を環状凸部46の傾斜内周壁50を介して容易に排出することができる。液状の接着剤に替えて、シート状接着剤を使用するようにしてもよい。次いで、図8に示すように、半導体ウエーハ11の各半導体デバイス15に対応させて半導体デバイスチップ54のデバイス53の形成された側を接着する。接着剤52を円形凹部44の底面に配設せずに、半導体デバイスチップ54のデバイス53側に接着剤を塗布して、半導体デバイスチップ54を半導体ウエーハ11の各半導体デバイス15上に搭載するようにしてもよい。チップ積層ウエーハ形成ステップの第2段階では、図9Aに示すように、半導体デバイスチップ54を埋め込むように半導体デバイス11の円形凹部44内にエポキシ樹脂等の充填材56を充填してチップ積層ウエーハ55を形成する。ここで、充填材56で半導体デバイスチップ54を完全に埋め込む必要がなく、図9Bに示すように、裏面研削される半導体デバイスチップ54の仕上げ厚みt1に至るまで円形凹部44内に充填材56を充填すればよい。チップ積層ウエーハ形成ステップを実施後、チップ積層ウエーハ55の裏面を研削して薄化する薄化ステップを実施する。この薄化ステップは研削装置で実施するのが好ましいが、図4に示した研削装置2の研削ホイール20より大径の研削ホイールを用いて実施するのが好ましい。薄化ステップ実施後のチップ積層ウエーハ55の断面図が図10に示されている。この薄化ステップにより、半導体デバイスチップ54はチップの仕上げ厚みまで薄化される。次いで、図11に示すように、チップ積層ウエーハ55の表面から保護テープ23を剥離した後、貫通電極形成ステップを実施する。この貫通電極形成ステップでは、まず半導体ウエーハ11の表面11a上にスピンコート法等によりレジストを塗布する。レジスト塗布後、レジストをパターンに従って残して貫通電極形成用マスクを形成する。この貫通電極形成用マスクを介してドライエッチングを施すと、図12Aに示すように、各半導体デバイス15を貫通する複数のスルーホール貫通孔58が形成される。ドライエッチングに代え、レーザビームの照射により各半導体デバイス15を貫通するスルーホール58を形成するようにしてもよい。次いで、各スルーホール58内に図示しない絶縁膜とバリアメタルを形成する。次いで、レジストを除去してから、各スルーホール58内に銅を充填する。次いで、化学的機械研磨CMPで銅を研磨して平坦化すると、図12Bに示すように、半導体デバイスチップ54の半導体デバイス53と半導体ウエーハ11の半導体デバイス15とを接続する貫通電極60が形成される。更に、フォトリソグラフィプロセスにより再配線層62を形成した後、図12Cに示すように、再配線層62のパッド上にバンプ64を形成する。貫通電極形成ステップ実施後、図13に示すように、チップ積層ウエーハ55を外周部が環状フレームFに貼着されたダイシングテープTに貼着し、切削装置の切削ブレード66により分割予定ライン13を切削してチップ積層ウエーハ15を個々の積層デバイスチップ68に分割する。切削ブレード66によるダイシングに替えて、レーザビームの照射により積層デバイスチップ68に分割するようにしてもよい。上述した実施形態では、二つのチップを積層して積層デバイスチップ68を形成しているが、三つ以上のチップを積層して積層デバイスチップを形成してもよい。その場合には、図12Bに示す貫通電極60と再配線層62を形成した状態のチップ積層ウエーハ55を分割予定ライン13に沿って分割した積層デバイスチップを、図8に示す半導体ウエーハ11の各半導体デバイス15上に積層してチップ積層ウエーハを形成するようにすればよい。"