"一次光を出力する光源と、前記一次光の少なくとも一部を吸収して、前記一次光のピーク波長以上のピーク波長を有する二次光を発する蛍光体を有する波長変換部とを備え、前記波長変換部における前記蛍光体の量の分布は、前記光源の光軸に直交する平面方向における前記一次光の光強度分布に対応することを特徴とする照明装置。前記蛍光体の量の分布は、前記光源の光軸に直交する平面方向における前記一次光の光強度分布に略比例することを特徴とする請求項1に記載の照明装置。前記波長変換部は、各部位で前記蛍光体の濃度が均一とされており、前記一次光の前記平面方向における強度分布に基づいて、各部位の前記光軸の方向における長さが設定されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の照明装置。前記波長変換部は、互いに前記蛍光体の濃度が異なる複数のセルからなり、前記複数のセルは、前記蛍光体の濃度分布が前記一次光の前記平面方向における光強度分布に対応するように前記平面方向に並設されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の照明装置。前記二次光を前記光源側に反射するための反射板が、前記光源側から見て前記波長変換部の後方に配置されていることを特徴とする請求項1~4の何れか一項に記載の照明装置。前記二次光を前記波長変換部側に反射するための反射板が、前記波長変換部側から見て前記光源の後方に配置されていることを特徴とする請求項1~5の何れか一項に記載の照明装置。前記一次光を透過し且つ前記二次光を反射する光学膜が、前記光源と前記波長変換部との間に配置されていることを特徴とする請求項1~4の何れか一項に記載の照明装置。前記二次光を透過し且つ前記一次光を遮断する光学膜が、前記波長変換部における前記二次光の出射面上に又は前記出射面と空間を介して配置されていることを特徴とする請求項1~4の何れか一項に記載の照明装置。前記特許文献1~3に記載の照明装置を含めて、通常、波長変換部の蛍光体量の分布は、一次光の受光面方向において一定となるように構成されている。これに対して、励起光源110として一般的に用いられている半導体レーザーLDや発光ダイオードなどの化合物半導体素子は、出射光の光軸から離れるほど光の強度が小さくなる放射特性光強度分布を有している。図12は、励起光源が半導体レーザーの場合の放射特性を示し、図13は、励起光源が発光ダイオードの放射特性を示している。図12,図13において、横軸は、励起光源の配設位置と波長変換部の一次光入射面平面上における位置とを結ぶ線分と、励起光源の光軸とのなす角度を示し、縦軸は、光強度を示している。図12に示すように、半導体レーザーの放射特性を示すグラフは、波長変換部の一次光入射面のうち前記角度が0°となる励起光源の光軸と一次光入射面平面との交差位置で光強度が最大となり、前記角度の絶対値が一定値以上大きくなると前記交差位置から一定距離以上離れると光強度が比較的急激に小さくなっていく山形のグラフとなる。また、図13に示すように、発光ダイオードの放射特性を示すグラフは、前記交差位置で光強度が最大となる円弧状若しくは略円弧状のグラフとなる。このように、励起光源光源は、一次光の強度が前記交差位置及びその近傍で高くなり、前記角度の絶対値が大きくなるほど前記交差位置から離れるほど低くなる放射特性を有している。このため、波長変換部160の蛍光体量の分布が一次光131の受光面方向において一定である場合、波長変換部160の蛍光体量の分布と化合物半導体素子の放射特性とがマッチしておらず、一次光の光量が蛍光体の量に対して相対的に少ない部分があったり、一次光の光量が蛍光体の量に対して相対的に多い部分があったりする。換言すると、図11に示す波長変換部160は、一次光の受光面の方向における中心部で、一次光に対して蛍光体の量濃度が少ない一方、周辺部で、一次光に対して蛍光体の量濃度が多い。一次光の光量が蛍光体の量に対して相対的に少ない部分では、蛍光体の中に波長変換に寄与しない余分の蛍光体が発生し、この蛍光体によって二次光が遮光吸収されることがある。そのため、前記周辺部では、他の蛍光体141による波長変換によって生じた二次光152を遮ったり、吸収したりする蛍光体142が発生する。一方、一次光の光量が蛍光体の量に対して相対的に多い部分では、波長変換に必要な蛍光体が一次光の光量に対して相対的に不足し、波長変換の効率低下を招来する。そのため、前記中心部では、蛍光体を励起することなく波長変換部160を素通りする一次光132が発生する。このように、従来の照明装置においては一次光から二次光を生成する二次光生成効率の点で向上の余地があった。本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、高い二次光生成効率を有する照明装置を提供することを目的とする。上記の課題を解決するために、本発明に係る照明装置は、一次光を出力する光源と、前記一次光の少なくとも一部を吸収して、前記一次光のピーク波長以上のピーク波長を有する二次光を発する蛍光体を有する波長変換部とを備え、前記波長変換部における前記蛍光体の量の分布は、前記光源の光軸に直交する平面方向における前記一次光の光強度分布に対応することを特徴とするものである。前記構成によれば、前記波長変換部における前記蛍光体の量の分布は、前記光源の光軸に直交する平面方向における前記一次光の光強度分布に対応する、例えば、前記光源の光軸に直交する平面方向における前記一次光の光強度分布に略比例するので、一次光励起光の光量が蛍光体の量に対して相対的に少ない部分や、一次光の光量が蛍光体の量に対して相対的に多い部分が生じるのを回避することが可能となる。これにより、波長変換されない一次光が発生したり、波長変換に寄与しない余分の蛍光体によって二次光が遮光吸収されたりするのを回避することができ、高い二次光生成効率を有する照明装置を実現することが可能となる。また、前記照明装置は、前記波長変換部が、各部位で前記蛍光体の濃度が均一とされており、前記一次光の前記平面方向における強度分布に基づいて、各部位の前記光軸の方向における長さが設定された形態を採り得る。前記構成によれば、前記波長変換部における前記蛍光体の濃度を、前記波長変換部に入射する前記一次光の光強度分布に対応させる構成ではなく、前記波長変換部の前記光軸の方向における長さによって、前記蛍光体の量の分布を、前記光源の光軸に直交する平面方向における前記一次光の光強度分布に対応させる構成としたので、前者の構成を採用する場合に比して、蛍光体の量の分布を、前記光源の光軸に直交する平面方向における前記一次光の光強度分布に対応させる構成を簡単に作成することができる。また、前記照明装置は、前記波長変換部が、互いに前記蛍光体の濃度が異なる複数のセルからなり、前記複数のセルは、前記蛍光体の濃度分布が前記一次光の前記平面方向における光強度分布に対応するように前記平面方向に並設された形態を採り得る。また、前記照明装置は、前記二次光を前記光源側に反射するための反射板が、前記光源側から見て前記波長変換部の後方に配置された形態を採り得る。前記構成によれば、前記光源側から見て前記波長変換部の後方に前記反射板を配置したので、反射板による反射後の光反射光を、蛍光体によって波長変換され且つ反射板により反射されていない光直接光と同じ側光源側に二次光として導くことが可能となる。これにより、二次光をロスすることなく有効に利用することができる。また、前記照明装置は、前記二次光を前記波長変換部側に反射するための反射板が、前記波長変換部側から見て前記光源の後方に配置された形態を採り得る。前記構成によれば、前記波長変換部側から見て前記光源の後方に前記反射板を備えたので、波長変換部内の蛍光体によって波長変換された二次光の一部を反射板により反射して一次光と同じ側波長変換部側に導くことが可能となる。これにより、二次光をロスすることなく有効に利用することができる。また、前記照明装置は、前記一次光を透過し且つ前記二次光を反射する光学膜が、前記光源と前記波長変換部との間に配置された形態を採り得る。前記構成によれば、前記光源と前記波長変換部との間に、前記一次光を透過し且つ前記二次光を反射する光学膜を備えたので、二次光のうち波長変換部の出射面とは反対側にある光学膜の方向に放射された二次光が生じても、この二次光を前記光学膜により一次光と同じ側波長変換部側に導くことが可能となる。これにより、二次光をロスすることなく有効に利用することができる。また、前記照明装置は、前記二次光を透過し且つ前記一次光を遮断する光学膜が、前記波長変換部における前記二次光の出射面上に又は前記出射面と空間を介して配置された形態を採り得る。前記構成によれば、前記波長変換部における二次光の出射面上に又は前記出射面と空間を介して、前記二次光を透過し且つ前記一次光を遮断する光学膜を備えたので、光源から放射された一次光は、波長変換部内の蛍光体を励起して二次光に波長変換され、その二次光は、光学膜を通過して外部に放射される。一方、波長変換されなかった一次光を光学膜に遮断し外部に漏出するのを防止することができる。これにより、前記波長変換部の前記出射面から出射される二次光に一次光が混合するのを回避することができる。以上のように、本発明に係る照明装置は、一次光を出力する光源と、前記一次光の少なくとも一部を吸収して、前記一次光のピーク波長以上のピーク波長を有する二次光を発する蛍光体を有する波長変換部とを備え、前記波長変換部における前記蛍光体の量の分布は、前記光源の光軸に直交する平面方向における前記一次光の光強度分布に対応するので、高い二次光生成効率を有するという効果を奏する。以下、本発明に係る照明装置の実施形態について説明する。<第1の実施形態>図1は、本発明に係る照明装置の第1の実施形態を示す図である。照明装置の全体構成図1に示す照明装置1は、一次光31を出力する励起光源光源10と、蛍光体40,41を有する波長変換部60とを備える。波長変換部60は、励起光源10から出力された一次光31が入射する入射面を有する。励起光源10として、半導体レーザーLDや発光ダイオードLEDなどの化合物半導体素子が採用され得る。波長変換部波長変換部60は、一次光31によって励起され且つ二次光51を発光する蛍光体40,41を有する。蛍光体40,41は、ポリカーボネイトやエポキシ等の透過性の高い樹脂に、窒化物、酸窒化物或いはサイアロンを母体結晶として構成されたものである。波長変換部60の一次光が入射する入射面Sは平面であり、励起光源10の光軸に直交する平面と平行な面である。照明装置の動作照明装置1においては、励起光源10から一次光31が放射され、その一次光31の少なくとも一部が蛍光体40,41に当たり、蛍光体41がその一次光31を吸収して励起し、一次光31のピーク波長以上のピーク波長を有する二次光51を放射する。なお、図1において、丸印のみで表された蛍光体40は、二次光を放射していない蛍光体を示し、丸印に放射状のマークが付されて表された蛍光体41は、二次光を放射した蛍光体を示している。本実施形態における特徴部分本実施形態においては、波長変換部60における蛍光体40,41の分布を従来の波長変換部160図11参照と異ならせており、本実施形態における波長変換部60においては、一次光31が入射する波長変換部60の入射面Sの面方向広がり方向において、波長変換部60における蛍光体量の分布が、励起光源10の光軸に直交する平面方向における一次光31の光強度分布に対応する。すなわち、図12及び図13を参照して説明したように、励起光源10から放射される一次光31の分布が、前記角度が0°となる励起光源の光軸と一次光入射面平面との交差位置及びその近傍において高く高密度であって、前記交差位置から離れるほど低い低密度である。ここで、波長変換部60における蛍光体量の分布は、例えば、入射面Sの面方向広がり方向において、励起光源10の光軸に直交する平面方向における一次光31の光強度分布に略比例しており、より好ましくは比例している。励起光源10から放射される一次光31の強度が比較的大きくなる中心部前記交差位置及びその近傍においては、蛍光体40,41の濃度を相対的に大きく蛍光体40,41が多くする。これにより、中心部では強度の大きい一次光31に必要十分な蛍光体40,41が配置されていることで、波長変換に必要な蛍光体40,41が一次光31の光量に対して相対的に不足し、蛍光体40,41を励起することなく波長変換部60を素通りする一次光31の発生量を低減することができる。一方、一次光31の強度が比較的小さくなる周辺部においては、蛍光体40,41の濃度が前記中心部に対して相対的に低く蛍光体40,41が少なくなるように蛍光体40,41を設けている。これにより、一次光31の強度が小さい周辺部では、波長変換に寄与しない余分な蛍光体40,41が無い若しくは少ないため、波長変換部60における他の蛍光体40,41による波長変換によって生じた二次光51を遮ったり吸収したりする蛍光体40,41が発生するのを回避することができる。その結果、一次光31から二次光51への変換ロスを低減することができる。その結果、従来の照明装置に比して高い二次光生成効率を有する照明装置を実現することができる。<第2の実施形態>図2aは、本発明に係る照明装置の第2の実施形態における波長変換部60aの平面図、図2bは、図2aに示す波長変換部60aのA-A’線矢視断面図である。図2の各微小点は、蛍光体を示している。図2a,bに示すように、本実施形態における波長変換部60aは、各部における蛍光体の濃度が均一とされている。一方、図2bに示すように、励起光源10の放射特性波長変換部60aに入射する一次光31の強度分布に対応させて、波長変換部60aの厚み励起光源10の光軸方向における長さを各部位で変えている。すなわち、波長変換部60aの厚みによって、前記蛍光体の量の分布を、励起光源10の光軸に直交する平面方向における一次光31の光強度分布に対応させる構成としている。具体的には、仮に波長変換部60aを入射面上で単位面積ごとに切断した場合に各切断体に含まれる蛍光体量は、励起光源10の光軸方向における長さ、すなわち前記厚みが大きいほど多くなる。このことから、波長変換部60aの入射面Sのうち一次光31が多く入射する光強度が相対的に大きい励起光源10の光軸上及びその近傍からなる中心部では、その周辺部に比して波長変換部60aの厚みを大きくすることで、周辺部に比して蛍光体の量を相対的に多くしている。これにより、中心部では強度の大きい一次光31に必要十分な量の蛍光体が配置されることになり、波長変換に必要な蛍光体が一次光31の光量に対して相対的に不足して蛍光体を励起することなく波長変換部60aを素通りする一次光を低減することができる。また、一次光31の強度が小さい周辺部では、波長変換に寄与しない余分な蛍光体が無い若しくは少ないため、波長変換部60aにおける他の蛍光体による波長変換によって生じた二次光を遮ったり吸収したりする蛍光体の発生量を低減することができる。その結果、二次光51のロスを低減することができる。なお、金型による成型や均質材料の切削加工により、上記のような波長変換部60aの製作が可能である。<第3の実施形態>図3aは、本発明に係る照明装置の第3の実施形態における波長変換部60bの平面図、図3bは、図3aに示す波長変換部60bのB-B’線矢視断面図である。図4aは、本発明に係る照明装置の第3の実施形態変形形態における波長変換部60cの平面図、図4bは、図4aに示す波長変換部60cのC-C’線矢視断面図である。図3a,b、図4a,bの各点は、蛍光体を示している。図3b,図4bに示すように、本実施形態における波長変換部60b,60cは、その厚みが各部位で一定とされている。また、図3に示す波長変換部60bは、複数のセル分割体H1~H5からなり、また、図4に示す波長変換部60cは、複数のセル分割体H11~H15からなる。複数のセルH1~H5のうち少なくとも2つのセル同士は、蛍光体の濃度が互いに異なる。複数のセルH11~H15のうち少なくとも2つのセル同士も、蛍光体の濃度が互いに異なる。図3に示す波長変換部60bは、中心に位置する柱形状の柱状セルH1と、柱状セルH1の軸芯に垂直な断面が柱状セルH1と同芯となる複数の円筒状セルH2~H5とからなる。複数の円筒状セルH2~H5は、互いに径が異なる。なお、図3に示す波長変換部60bにおいては、円筒状セルH2,H3,H4,H5は、この順に径が小さい。なお、柱状セルH1及び筒状セルH2~H5は、円柱状セル及び円筒状セルとされているが、これに限らず、角柱状セル及び角筒状セルとされていてもよい。また、円柱、円筒、角柱及び角筒の径や底面積を変えることで、蛍光体をより高濃度に含有させることも可能である。図4に示す波長変換部60cは、同一形状に形成された複数の柱状セルH11~H15が一次光の入射面の面方向広がり方向に配列されたものである。なお、図4に示す波長変換部60cにおいては、柱状セルH11は単数、柱状セルH12~H15は複数設けられている。なお、柱状セルH11~H15は、円柱状セルとされているが、これに限らず、角柱状セルとされていてもよい。各セルを六角柱状に形成すると、セル間の隙間が少ない波長変換部60cを構成することができる。なお、隣り合うセルとセルとの間における光の反射、及び、セルと大気との界面における光の反射を防止するために、セルとセルとの間の間隙には、樹脂接着剤等、光の屈折率が密着するセルと近似した材料で隙間なく充填されるのが望ましい。また、樹脂接着剤として、セルにおける蛍光体の濃度に合わせて設定された蛍光体濃度を有する樹脂接着剤を利用することも可能である。この場合、隣り合うセルとセルとの間における光の反射やセルと大気との界面における光の反射を防止することができることに加え、樹脂接着剤として、セルにおける蛍光体の濃度に合わせて設定されていない蛍光体濃度を有する樹脂接着剤を利用する場合に比して、よりロスの少ない効率的な波長変換を行うことができる。以上の構成に加えて、本実施形態では、前記蛍光体量の分布が一次光の光強度分布に対応例えば比例するように、複数のセルH1~H5,H11~H15が波長変換部60b,60cの入射面の面方向広がり方向に並べられている。すなわち、図3に示す波長変換部60bにおいては、柱状セルH1が最大の蛍光体濃度を有し、円筒状セルH2,H3,H4,H5がこの順に大きな蛍光体濃度を有する。そして、柱状セルH1が中心部に配置され、且つ、筒状セルH2,H3,H4,H5は蛍光体濃度が大きなもの筒状セルH2ほど柱状セルH1に近くなるように配列されている。また、図4に示す波長変換部60cにおいては、柱状セルH1が最大の蛍光体濃度を有し、筒状セルH2,H3,H4,H5がこの順に大きな蛍光体濃度を有する。そして、柱状セルH11が中心部に配置され、且つ、筒状セルH12,H13,H14,H15は蛍光体濃度が大きなもの筒状セルH12ほど柱状セルH11に近くなるように配列されている。このような形態を採用することにより、波長変換部60b,60cを製作する際に、金型を用いてセルH1~H5,H11~H15を製作して組み立てるだけであるため、蛍光体濃度を各部位で調整しながら波長変換部60b,60cの製作を行う場合に比して、波長変換部60b,60cの製作が容易となる。なお、ここでは、波長変換部60b,60cの厚み方向励起光源の光軸方向に相当する各セルの長さ以下、単に長さというは、セル同士で同一とした波長変換部60b,60cは、その厚みを各部で一定としたが、これに限らず、波長変換部60b,60cの厚みについては、励起光源の放射特性波長変換部60b,60cに入射する一次光の強度分布に対応させて波長変換部60b,60cの厚みを各部で変えるという第2の実施形態に係る技術に準じて、各セルの長さを決定してもよい。すなわち、波長変換部60b,60cの一表面において中心部に近づくにつれ蛍光体材料が厚くなるよう直径の異なる蛍光体薄板を重ねて多層貼り付けしたり、多層塗布したりするなど波長変換部60b,60cの中心部の蛍光体濃度が濃くなるような形態でも採用可能である。図5は、化合物半導体素子として発光ダイオードを採用した照明装置1aの構成を示す図である。図5に示す照明装置1aは、発光ダイオードが採用された励起光源10が、波長変換部60dを構成する封止樹脂に埋設された構成を有する。なお、本実施形態以降、蛍光体41の図示は省略する。ここで、図5に示す照明装置1aは、波長変換部60dの全体形状として、波長変換部60dの一次光入射面と励起光源10の光軸上及びその近傍を含む中心部がその周辺部より厚くなるように構成されており、波長変換部60dの蛍光体を中心部に多く付与したものである。なお、図5に示す照明装置1aにおいて、前記のように波長変換部60dの厚みを変える技術や、本実施形態第3の実施形態のように蛍光体40,41の濃度が互いに異なる複数のセルによって波長変換部60dを構成する技術を採用することも可能である。<第4の実施形態>図6は、本発明に係る照明装置の第4の実施形態を示す図である。図6に示す照明装置1bは、前記第1~第3の実施形態に係る照明装置の何れかにおいて、光を反射する反射板としての光学ミラー71が追加されているものである。光学ミラー71は、励起光源10側から見て波長変換部60eの後方に、光を反射するものである。本実施形態に係る照明装置1bにおいては、励起光源10から放射された一次光31が波長変換部60eに入射し、その入射光が波長変換部60e内の蛍光体41に当たると、蛍光体41によって二次光に波長変換される。その二次光の一部の光は光学ミラー71に向かって進み、光学ミラー71により反射される。光学ミラー71による反射後の光を反射光53といい、蛍光体41によって波長変換され且つ光学ミラー71により反射されていない光を直接光51というものとすると、前記一部の光反射光53を直接光51と同じ側励起光源10側に二次光として導くことが可能となる。このように、本実施形態においては、波長変換部60eの一次光入射面と出射面とは同一面とされている。そして、直接光51と反射光53とが混合された二次光の強度分布が均一になるように、光学ミラー71の反射面が放物線形状に設計されている。これにより、照射対象を均一な照度で照明することができる。<第5の実施形態>図7は、本発明に係る照明装置の第5の実施形態を示す図である。図7に示す照明装置1cにおいては、第4の実施形態と同様、前記第1~第3の実施形態に係る照明装置の何れかにおいて、光を反射する反射板としての光学ミラー72が追加されているものである。第4の実施形態と異なる点は、光学ミラー72の配設位置であり、本実施形態では、光学ミラー72は、波長変換部60eから見て励起光源10の後方に備えられている。本実施形態に係る照明装置1においては、励起光源10から放射された一次光31が波長変換部60eに入射し、その入射光が波長変換部60e内の蛍光体41に当たると、蛍光体41によって二次光に波長変換される。その二次光のうち一部の光は光学ミラー72に向かって進み光学ミラー72により反射される。光学ミラー72による反射後の光を反射光54といい、蛍光体41によって波長変換され且つ光学ミラー71により反射されることなく波長変換部60eの射出面から射出された光を直接光55というものとすると、前記一部の光反射光54を二次光として一次光31と同じ側光学ミラー72及び励起光源10と反対側に導くことが可能となる。このように、本実施形態においては、波長変換部60の出射面は一次光入射面と反対側の面とされている。そして、直接光55と反射光54とが混合された二次光の強度分布が均一になるように、光学ミラー72の反射面が放物線形状に設計されている。これにより、照射対象を均一な照度で照明することができる。なお、図8に示す照明装置1dのように、第4の実施形態に係る技術光学ミラー71を励起光源10側から見て波長変換部60eの後方に配設する技術と、第5の実施形態に係る技術光学ミラー72を波長変換部60eから見て励起光源10の後方に配設する技術とを組み合わせてもよい。ただし、光学ミラー71の反射面と光学ミラー72の反射面とは大きさを異ならせる必要がある。どちらの反射面を大きくするかは、当該照明装置1dの照射方向に応じて異なる。図8では、波長変換部60eに対して励起光源10と反対側を照射する方向としているため、光学ミラー72の反射面の方を大きくしている。波長変換部60eに対して励起光源10側を照射する方向とする場合は、光学ミラー71の反射面の方を大きくすればよい。これによれば、蛍光体41によって二次光に波長変換され且つ光学ミラー71により反射された反射光56を、蛍光体41によって二次光に波長変換され且つ光学ミラー71により反射されない直接光51と同じ側励起光源10側に二次光として導くことができる。更に、反射光56、直接光51、及び、蛍光体41によって二次光に波長変換され且つ光学ミラー71により反射されずに光学ミラー72側に向かった光を、波長変換部60eに対して励起光源10と反対側に二次光57として導くことができる。<第6の実施形態>図9は、本発明に係る照明装置の第6の実施形態を示す図である。図9に示す照明装置1eは、前記第1~第3の実施形態に係る照明装置の何れかにおいて、前記一次光を透過し且つ前記二次光を反射する光学膜80が追加されているものである。光学膜80は、励起光源10と波長変換部60との間に配設されている。本実施形態に係る照明装置1eにおいては、励起光源10から放射された一次光31が光学膜80を通過して波長変換部60eに入射する。この入射した光は、波長変換部60e内の蛍光体41によって二次光に波長変換される。この二次光のうち光学膜80の方向に放射された二次光58は、光学膜80によって波長変換部60eの出射面側に反射される。これにより、波長変換部60eの出射面とは反対である光学膜80の方向に放射された二次光58が生じても、この二次光58をロスすることなく照明光として有効に利用することができる。<第7の実施形態>図10は、本発明に係る照明装置の第7の実施形態を示す図である。図10に示す照明装置1fは、前記第1~第3の実施形態に係る照明装置の何れかにおいて、前記二次光を透過し且つ前記一次光を遮断する光学膜81が追加されているものである。また、光学膜81は、波長変換部60における二次光の出射面と空間Xを介して配設されている。本実施形態に係る照明装置1fにおいては、励起光源10から放射された一次光31は、波長変換部60e内の蛍光体41を励起して二次光51に波長変換される。その後、二次光51は、光学膜81を通過して外部に放射される。一方、波長変換されなかった一次光31は光学膜80に遮断され外部に漏出するのが規制される。ここでは、光学膜81を波長変換部60eにおける二次光の出射面と空間Xを介して配設したが、光学膜81を前記出射面上に配設しても同様の効果が得られる。<実施形態の総括>上述した各実施形態では、波長変換部における蛍光体量の分布は、入射面の面方向広がり方向において、励起光源の光軸に直交する平面方向における一次光の光強度分布に略比例していたが、これに限定されない。波長変換部における蛍光体量の分布は、必ずしも上記面方向の全域において、上記光強度分布に略比例している必要はなく、蛍光体量の分布が均一である従来構成に比べて二次光生成効率が高くなるように、上記光強度分布に対応していればよい。本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。"