"内部に共振空洞が形成されているハウジング;前記共振空洞の内部に入射されたレーザにより表面で電子ビームが発生されるように前記ハウジングの一側開口部に設置されるカソード;及び、前記ハウジングの密閉のために前記カソードと前記ハウジングとの間に設置され、前記共振空洞の共振周波数を調節することができるように前記カソードと前記ハウジングとの間の結合力により圧縮される金属ガスケット;を含む電子ビーム発生装置。前記金属ガスケットは、無酸素銅Oxgen-Free-Copperで形成される請求項1に記載の電子ビーム発生装置。前記金属ガスケットは、金属板を輪形状に切断して製造されたり、鑄造または鍛造方法により輪形状に製造されるものである請求項1に記載の電子ビーム発生装置。前記共振空洞は、互いに連結されている第1の共振空洞と第2の共振空洞を含み、前記第1の共振空洞と前記第2の共振空洞は、前記カソードで発生された電子ビームが放出される方向に配列される請求項1に記載の電子ビーム発生装置。内部に共振空洞が形成されているハウジング、金属ガスケット、及びカソードを互いに結合するステップ;前記金属ガスケット及び前記カソードが結合されている前記ハウジングの共振空洞の共振周波数を測定するステップ;及び、測定された共振周波数が設定値と一致しない場合、前記金属ガスケットをさらに圧縮したり、或いは相違する厚さの他の金属ガスケットに交替するステップ;を含む電子ビーム発生装置の製造方法。カソードとハウジングを結合し、前記カソードと前記ハウジングとの間の金属ガスケットを圧縮するステップ;前記ハウジングの内部の共振空洞の共振周波数を測定するステップ;及び、測定された共振周波数が設定値より小さい場合には前記カソードと前記ハウジングの結合強度を増加させて前記金属ガスケットをさらに圧縮し、測定された共振周波数が設定値より大きい場合には前記金属ガスケットをさらに厚い他の金属ガスケットに交替するステップ;を含む電子ビーム発生装置の製造方法。内部に共振空洞が形成されているハウジングと、前記ハウジングの一側開口部に設置されるカソードと、前記ハウジングと前記カソードとの間に設置される金属ガスケットと、を含み、前記共振空洞は、互いに連結されている第1の共振空洞と第2の共振空洞を含む電子ビーム発生装置の製造方法において、前記第1の共振空洞と前記第2の共振空洞の共振周波数を測定するステップ;前記第1の共振空洞の共振周波数の調節のために前記ハウジングを圧縮したり、或いは引張することによって前記第1の共振空洞の体積を変化させるステップ;及び、前記第2の共振空洞の共振周波数の調節のために前記金属ガスケットをさらに圧縮したり、或いは相違する厚さの他の金属ガスケットに交替するステップ;を含むことを特徴とする電子ビーム発生装置の製造方法。前記金属ガスケットは、金属板を輪形状に切断して設けたり、鑄造または鍛造方法により輪形状に設けられるものである請求項5乃至請求項7のうちいずれか一項に記載の電子ビーム発生装置の製造方法。ハウジングの内部の共振空洞の共振周波数を測定するステップ;及び、測定された共振周波数が設定値と一致しない場合、前記ハウジングを軸方向に圧縮したり、或いは引張することによって変形させるステップ;を含む電子ビーム発生装置の製造方法。粒子加速器に使われる従来の電子銃は、カソードとハウジングの結合構造にいくつかの問題を有している。そのような問題のうち一つは、ハウジングの共振空洞で高真空を形成し難いという点である。また、従来の電子銃は、共振空洞で発生する暗電流darkcurrentの防止が相当難しいという問題を有している。また、従来の電子銃は、共振空洞の共振周波数を正確に調節し難いという問題を有している。本発明は、このような問題を解決することを課題にし、本発明の技術的課題は、以上で言及した技術的課題に制限されるものではなく、言及されない他の技術的課題は、以下の記載から当業者が明確に理解することができる。前記課題を解決するための本発明による電子ビーム発生装置は、内部に共振空洞が形成されているハウジング;前記ハウジングの共振空洞の内部に入射されたレーザにより表面で電子ビームが発生されるように前記ハウジングの一側開口部に設置されるカソード;及び、前記共振空洞を外部と遮断するように前記カソードとハウジングとの間に設置され、前記共振空洞の共振周波数を調節することができるように前記カソードと前記ハウジングとの間の結合力により圧縮される金属ガスケット;を含む。また、前記金属ガスケットは、無酸素銅で形成される。また、前記金属ガスケットは、金属板を輪形状に切断して製造されたり、鑄造または鍛造方法により輪形状に製造される。また、前記共振空洞は、互いに連結されている第1の共振空洞と第2の共振空洞を含み、前記第1の共振空洞と前記第2の共振空洞は、前記カソードで発生された電子ビームが放出される方向に配列される。前記課題を解決するための本発明による電子ビーム発生装置の製造方法は、内部に共振空洞が形成されているハウジング、金属ガスケット、及びカソードを結合するステップ;前記金属ガスケット及び前記カソードが結合されている前記ハウジングの共振空洞の共振周波数を測定するステップ;及び、測定された共振周波数が設定値と一致しない場合、前記金属ガスケットをさらに圧縮したり、或いは相違する厚さの他の金属ガスケットに交替するステップ;を含む。前記課題を解決するための本発明による電子ビーム発生装置の製造方法は、カソードとハウジングを結合し、前記カソードと前記ハウジングとの間の金属ガスケットを圧縮するステップ;前記ハウジングの内部の共振空洞の共振周波数を測定するステップ;及び、測定された共振周波数が設定値より小さい場合には前記カソードと前記ハウジングの結合強度を増加させて前記金属ガスケットをさらに圧縮し、測定された共振周波数が設定値より大きい場合には前記金属ガスケットをさらに厚い他の金属ガスケットに交替するステップ;を含む。前記課題を解決するための本発明による電子ビーム発生装置の製造方法は、内部に共振空洞が形成されているハウジングと、前記ハウジングの一側開口部に設置されるカソードと、前記ハウジングとカソードとの間に設置される金属ガスケットと、を含み、前記共振空洞は、互いに連結されている第1の共振空洞と第2の共振空洞を含む電子ビーム発生装置の製造方法において、前記第1の共振空洞と前記第2の共振空洞の共振周波数を測定するステップ;前記第1の共振空洞の共振周波数の調節のために前記ハウジングを圧縮したり、或いは引張することによって前記第1の共振空洞の体積を変化させるステップ;及び、前記第2の共振空洞の共振周波数の調節のために前記金属ガスケットをさらに圧縮したり、或いは相違する厚さの他の金属ガスケットに交替するステップ;を含むことを特徴とする。また、前記金属ガスケットは、金属板を輪形状に切断して設けたり、鑄造または鍛造方法により輪形状に設けられる。前記課題を解決するための本発明による電子ビーム発生装置の製造方法は、ハウジングの内部の共振空洞の共振周波数を測定するステップ;及び、測定された共振周波数が設定値と一致しない場合、前記ハウジングを軸方向に圧縮したり、或いは引張することによって変形させるステップ;を含む。ガスケットの圧縮量を用いて微細に共振空洞の共振周波数を調節することができる効果がある。また、多様な厚さのガスケットを挿入することによって微細に共振空洞の共振周波数を調節することができる効果がある。また、このようなガスケットの構成により共振空洞の高真空状態を形成するのが相当容易になる効果がある。また、金属ガスケットを使用することによって高周波コンタクトRFcontactが良くなる効果がある。また、共振空洞の高周波崩壊rfbreakdownと暗電流darkcurrentの発生を防止する効果がある。本発明の技術的効果は、以上で言及した効果に制限されるものではなく、言及されない他の技術的効果は、以下の記載から当業者に明確に理解されることができる。以下、添付図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。然しながら、本実施例は、以下で開示される実施例に限定されるものではなく、互いに多様な形態に具現されることができ、本実施例は、単に本発明の開示が完全になるようにし、通常の知識を有する者に発明の範ちゅうを完全に知らせるために提供されるものである。図面における要素の形状などは、より明確な説明のために誇張されるように表現された部分があり、図面上で同一符号で表示された要素は同一要素を意味する。図1は、本発明の実施例に係る電子ビーム発生装置に対するシミュレーション装置の配置図である。図1に示されているように、レーザが電子ビーム発生装置である高周波銃rfgun100の前方から内側へ流入されることができ、レーザが高周波銃の内側のカソードに衝突しながら電子ビームが発生される。発生された電子ビームは、高周波銃の外側に排出され、排出された電子ビームは、外側のソレノイドsolenoidにより集中され、加速コラムacceleratingcolumnを通過しながら加速される。空間荷電によるエミッタンス増加を除去するためにソレノイドとブースタリニアックboosterlinacが使われることができる。排出された電子ビームは、電子ビームの位置をモニタするための曲げ位置モニタBendingpositionmonitor及び四重極磁石Quadrupolemagnetを通過することができ、通過された電子ビームは、曲げ磁石Bendingmagnetを通過した後にファラデーカップFaradaycupに到達することができる。このようなシミュレーション条件でのエミッタンス増加量は、数学シミュレーションプログラムPARMELAにより計算することができる。光電陰極photocathode高周波銃rfgunの研究において、高い量子効率quantumefficiencyと低いエミッタンスemittanceが主な関心事である。量子効率の観点でカソードの材料として適当な物質に対する研究が長い間進行されている。従来には共振空洞の内部の真空形成と共振空洞の内部の高周波漏出遮断のためにヘリコフレックスシールhelicoflexsealが共振空洞のハウジングとカソードとの間に設置された。然しながら、このようなヘリコフレックスシールがカソードとハウジングとの間に微細な隙間を形成するということが見出された。また、これは共振空洞の高周波崩壊rfbreakdownと暗電流darkcurrentを引き起こすということも見出された。図2は、本発明の実施例に係る電子ビーム発生装置の分解斜視図である。図3は、本発明の実施例に係る電子ビーム発生装置の断面図である。図2及び図3に示されているように、本発明による電子ビーム発生装置は、ハウジング50、ガスケット30、及びカソード10を含む。ハウジング50は、内側に第1の共振空洞51フルセルfullcellと第2の共振空洞52ハフセルhalfcellが設けられることができる。ハウジング50は、銅材質で設けられることができ、特に、無酸素銅Oxgen-Free-Copperで設けられることもできる。他の実施例として、ハウジングの内側に一つの共振空洞が設けられることもでき、2以上の共振空洞が設けられることもできる。ハウジング50のz軸方向一側には電子ビーム排出ホール53が設けられることができる。電子ビーム排出ホール53は、カソード10で発生した電子ビームが外部に排出される通路である。電子ビーム排出ホール53の外周には電子ビーム排出管フランジflange54が設けられ、外部配管と連結されることができる。ポンピング空洞56は、第1の共振空洞51及び第2の共振空洞52の内側の真空度を維持するために、真空ポンプ図示せずと連結される部分である。ポンピングホール55は、第1の共振空洞51とポンピング空洞56を連通させるように設けられる。導波管waveguide安着部58は、導波管図示せずが設置される部分である。導波管を介して外部で生成された電磁気波を第1の共振空洞51に伝達することができる。ハウジングフランジ40は、ハウジング50の第2の共振空洞52側に接合されてハウジング50と一体をなすことができる。ハウジングフランジ40の材質は、銅より強度が大きいステンレス鋼で設けられることができる。カソード10は、共振空洞に入射されたレーザビームが衝突して電子ビームが発生される部分である。カソード10の材質は、銅で設けられることができ、特に、無酸素銅Oxgen-Free-Copperで設けられることもできる。カソードフランジ20は、ボルト42を介してカソード10と結合されることができる。または、カソードフランジとカソードは、互いにろう付けbrazingにより結合されることもできる。カソード10と結合されたカソードフランジ20は、ボルト41を介してハウジングフランジ40とボルト結合されることができる。カソードフランジ20の材質は、銅より強度が大きいステンレス鋼で設けられることができる。ハウジングフランジ40とカソードフランジ20との間にはガスケット30が設置される。ガスケット30は、共振空洞の内部を密閉させて真空を維持させるようにすることができる。ガスケット30の材質は、金属で設けられることができ、特に、無酸素銅Oxgen-Free-Copperで設けられることもできる。ガスケットの材質として銅を使用することによって高周波コンタクトRFcontactが良くなる効果がある。ガスケット30は、銅鋼板でガスケット形態を輪形状に切り出したり、鑄造または鍛造の方法により輪形状に製造することもできる。カソードフランジ20がハウジングフランジ40とボルト結合され、結合力により、ガスケット30は、微細に変形されながら圧縮されることができる。他の実施例として、カソードフランジとハウジングフランジがガスケットに接する面にはナイフエッジknifeedgeまたは突起が設けられ、カソードフランジとハウジングフランジとの間に結合力が作用する時、前記ナイフエッジknifeedgeが微細にガスケットに食い込みながら、カソードフランジとハウジングフランジとの間の離隔距離が減少されることができる。実験結果、ガスケット30が約50μm程度圧縮される程度に結合力が作用されると、共振空洞の真空を維持することができる程度にハウジングを外部に対して密閉させることができた。然しながら、ガスケット、ハウジング、カソードの大きさや実験条件によって圧縮程度は差がある。本実施例で使われたガスケットは、直径が約10cm程度であり、厚さは約1mm程度、共振空洞の真空度は10-10Torr程度、共振周波数は2.856GHzに設定した。前記のように、約50μm程度圧縮された後に結合力をさらに増加させると、約200μm程度さらに圧縮されることができた。然しながら、ガスケット、ハウジング、カソードの大きさや実験条件によって圧縮程度は差がある。このような圧縮により微細に共振空洞の体積を調節することができ、これによって共振空洞の共振周波数が調節されることができる。このようなガスケットの構成によって共振空洞の高真空状態を形成することが相当容易になる効果がある。また、ガスケットとハウジングとの間が完全に密閉されないことによって共振空洞の高周波または暗電流が外部に漏洩されたり、高真空状態に到達することができない現象が防止される。また、順次、粒子加速器の性能が向上されながら、高電圧と高真空に対する要求を満たすことができる。また、本構成によると、最初から正確に共振空洞の大きさを製作することができないとしても、共振空洞の内部の共振周波数を正確に調節することができる。図5は、本発明の実施例に係る電子ビーム発生装置の共振空洞の内部の電場分布に対するシミュレーション結果である。図5に示されているように、前記図表は、SUPERFISHを使用して共振空洞の内部の電場を測定した結果である。図表の水平軸は、カソード10の面からz軸方向への距離を示し、垂直軸はカソード10の面の中心から外側方向への距離を示す。前記共振空洞は、第1の共振空洞51フルセルfullcellと第2の共振空洞52ハフセルhalfcellを含む。第2の共振空洞52の長さは、第1の共振空洞51の長さの0.6倍である。本実験で電子ビーム発生装置は、π-modeの共振周波数fπ=2,856MHzで動作された。従来にはフルセルに形成されているホールに設置された二つのチューニングロッドtuningrodを使用してフルセルの共振周波数が調節された。また、ハフセルの共振周波数を調節するためにヘリコフレックスシールが使われた。然しながら、このような方法による場合には高周波崩壊rfbreakdownと電場非対称electricfieldasymmetryが発生した。図6は、本発明の実施例に係る第1の共振空洞と第2の共振空洞の共振周波数チューニング過程を示す側断面図である。図6に示されているように、本実施例では第1の共振空洞の共振周波数チューニングのためにz軸方向に第1の共振空洞を変形deformationさせることによって第1の共振空洞の共振周波数を変更することができる。即ち、ハウジングを軸方向に圧縮したり、或いは引張することによってハウジングの形態に変化を与え、これによってハウジングの固有な共振周波数が変更されることができる。符号D1は、ハウジングをz軸方向に引張させることによってハウジングが変形された形態を示し、符号D2は、ハウジングをz軸方向の反対方向に圧縮させることによってハウジングが変形された形態を示す。一方、第2の共振空洞の共振周波数チューニングのためには互いに異なる厚さのガスケット30を使用することができる。図7は、本発明の実施例に係る実験データとシミュレーション結果を示すグラフである。図7のaに示されているように、点は実験データを示し、実線はシミュレーション結果を示す。フルセルの共振周波数ffullは、フルセルを圧縮することによって目標値に近接するように調節されることができる。フルセルの共振周波数ffullは、最終的に2854.7MHzに設定された。フルセルのチューニング過程で、フルセルの壁は、内部に約10マイクロメートル変形された。次に、ハフセルのチューニングは、互いに異なるサイズのメタルガスケットを使用して実行されることができる。図7のbは、フルセルとハフセルとの間の加速電場acceleratingelectricfieldの最大値の比が1の時、π-modeの周波数と0-modeの周波数との差Δfが3.4MHzであることを示す。即ち、π-modeの周波数であるfπは、Δfが3.4MHzの時、2,856.98MHzである。フルセルとハフセルのチューニングは摂氏23.0度で実行された。次に、共振周波数は、温度チューニングtemperaturetuningにより最終調節される。摂氏23.0度から一般的な動作温度operatingtemperatureである摂氏40.9度に温度を増加させることによって、Δfが3.4MHzの時、fπは2,856.0MHzに達した。測定値は、実線で表示されたシミュレーション結果とよく一致した。図4は、本発明の実施例に係る共振周波数チューニング方法を示すフローチャートである。まず、ガスケットをハウジングフランジとカソードフランジとの間に位置させ、ハウジングフランジとカソードフランジをボルト結合またはこれと類似の結合方式により所定の結合強度に結合する図4のS10。さらに、ポンピング空洞を介して真空排気して共振空洞の内部を真空状態で形成する。以後に共振空洞の内部の共振周波数を測定するようになる図4のS20。測定された共振周波数が目標周波数より小さい場合にはハウジングフランジとカソードフランジとの間の結合力を増加させ、ガスケットがさらに圧縮されるようにする。共振空洞の内部の共振周波数と共振空洞の大きさは、反比例関係にあるためである。他の実施例として、測定された共振周波数が目標周波数と比較して顕著に大きい場合にはさらに厚いガスケットに交替したり、或いは測定された共振周波数が目標周波数と比較して顕著に小さい場合にはより薄いガスケットに交替するステップが実施されることができる。以後、再び共振周波数を測定して目標周波数に達しない場合には、再びハウジングフランジとカソードフランジとの間の結合力を増加させ、ガスケットをさらに圧縮するステップを繰り返すことができる図4のS30。このようなステップにより容易に共振周波数の調節が可能になる効果がある。図8は、本発明の他の実施例に係る共振周波数チューニング過程を示すフローチャートである。まず、第1の共振空洞と第2の共振空洞の共振周波数を測定するステップS110が実行されることができる。次に、第1の共振空洞の共振周波数の調節のためにハウジングを圧縮したり、或いは引張することによって、第1の共振空洞の体積を変化させるステップS120が実行されることができる。次に、第2の共振空洞の共振周波数の調節のために金属ガスケットをさらに圧縮したり、或いは相違する厚さの他の金属ガスケットに交替するステップS130が実行されることができる。S130とS120は、互いに順序を変えて実行されることもできる。前述され、図面に示す本発明の一実施例は、本発明の技術的思想を限定すると解釈されてはならない。本発明の保護範囲は、請求範囲に記載された事項によってのみ制限され、本発明の技術分野において通常の知識を有する者は、本発明の技術的思想を多様な形態に改良変更することが可能である。従って、このような改良及び変更は、通常の知識を有する者に自明である限り、本発明の保護範囲に属するようになる。"