"構造:式中、X1およびX2は独立して、S、Se、SiR1R2、O、CR3R4、C2R5R6、N、NR7であり、R1からR7は、水素、直鎖、分枝もしくは環式アルキル、アルケニルもしくはアルキニル基、アルコキシ、アリール、シリルまたはアミノを独立して含み;Ar1からAr4はそれぞれ任意であり、存在する場合、アリールまたはヘテロアリール基を独立して含み;およびY1からY4は、水素、反応性基、置換されていてもよい直鎖、分枝もしくは環式アルキル、アルコキシ、アルケニル、アルキニル、アミドまたはアミノ基、置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリールを独立して含み、Y1からY4の少なくとも1つが水素を含まない。を含む半導体化合物。構造:式中、nは2から10,000の間の整数であり;式中、X1およびX2は独立して、S、Se、SiR1R2、O、CR3R4、C2R5R6、N、NR7であり、R1からR7は、水素、直鎖、分枝もしくは環式アルキル、アルケニルもしくはアルキニル基、アルコキシ、アリール、シリルまたはアミノを独立して含み;Ar1からAr4はそれぞれ任意であり、存在する場合、アリールまたはヘテロアリール基を独立して含み;およびY1からY4は、水素、反応性基、置換されていてもよい直鎖、分枝もしくは環式アルキル、アルコキシ、アルケニル、アルキニル、アミドまたはアミノ基、置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリールを独立して含み、Y1からY4の少なくとも1つが水素を含まない。を含む半導体化合物。該化合物がポリマーまたはコポリマーである、請求項2に記載の半導体化合物。nが2から10の間の整数である、請求項2に記載の半導体化合物。Ar1からAr4が基:S、O、Si、N、Seより選択されるヘテロ原子を有する複素環式基を独立して含む、請求項1から4のいずれかに記載の半導体化合物。Y1からY4の少なくとも1つが可溶化基を含む、請求項1から5のいずれかに記載の半導体化合物。Y1からY4の可溶化基が、置換されていてもよい直鎖、分枝もしくは環式アルキル、アルコキシ、アルケニル、アルキニル、アミドまたはアミノ基を独立して含む、請求項6に記載の半導体化合物。該半導体化合物が2個以上の反応性基または重合性基を含む、請求項1から7のいずれかに記載の半導体化合物。Y1およびY3またはY2およびY4は反応性基または重合性基を含む、請求項8に記載の半導体化合物。該反応性基または重合性基がハロゲン、ボロン酸、ジボロン酸、ボロン酸およびジボロン酸のエステル、アルキレン基またはスタンニル基を独立して含む、請求項8または9に記載の半導体化合物。該化合物が基:より選択される構造を含み、式中、F8が構造:を含む、請求項1から10のいずれかに記載の半導体化合物。請求項1から11のいずれかに記載の化合物を含む半導体部分を含む電子デバイス。該基板上に半導体部分を形成するために基板表面に塗布する溶液であって、該溶液が請求項1から12のいずれかに記載の化合物を含む溶液。請求項13に記載の溶液を基板に塗布することを含む電子デバイスを製造する方法。本発明は、高い移動度、良好な溶解性および良好な大気安定性を有する有機半導体を提供しようしている。第1の態様において、本発明は、構造:を含む半導体化合物を提供し、式中、X1およびX2は独立して、S、Se、SiR1R2、O、CR3R4、C2R5R6、N、NR7であり、R1からR7は、水素、好ましくは1から20個の炭素原子を有する直鎖、分枝もしくは環式アルキル、アルケニルもしくはアルキニル基、アルコキシ、アリール、シリルまたはアミノを独立して含み;Ar1からAr4はそれぞれ任意であり、存在する場合、アリールまたはヘテロアリール基を独立して含み;およびY1からY4は、水素、反応性基、好ましくは1から20個の炭素原子を有する、置換されていてもよい直鎖、分枝もしくは環式アルキル、アルコキシ、アルケニル、アルキニル、アミドまたはアミノ基、置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリールを独立して含み、Y1からY4の少なくとも1つは水素を含まない。本発明者らは驚くべきことに、本発明によって提供される2次元共役フレームワークが半導体材料の一部として利用されるときに、優れた安定性を与え、移動度を向上させて、低いバンドギャップを提供することを見出した。好ましくは、Ar1からAr4は存在する場合、基:S、O、Si、N、Seより選択されるヘテロ原子を有する複素環式基を独立して含む。好ましくは、Y1からY4の少なくとも1つ、たとえば2つ、3つまたはすべては、可溶化基、たとえば好ましくは1から20個の炭素原子を有する、置換されていてもよい直鎖、分枝もしくは環式アルキル、アルコキシ、アルケニル、アルキニル、アミドまたはアミノ基を含む。本発明者らは驚くべきことに、可溶化基のこの好ましい位置決めにより優れた可溶化効果が与えられることを見出した。したがってより短いおよび/またはより小型の可溶化基は、好ましい位置にて使用され得る。これらのより短いおよび/またはより小型の可溶化基は、Π-Πスタッキングをあまり妨害することができず、これにより溶液処理性の向上に加えて、移動度の向上も潜在的に提供される。さらに、可溶化基の位置決めによって与えられた溶解性の向上により、半導体種の平面共役構造はさらに拡張され、種は溶解性を維持する。いくつかの実施形態において、半導体化合物は、2個以上、たとえば1対の反応性基または重合性基を含み、たとえばY1およびY3またはY2およびY4は反応性基を含み得る。反応性基ポリマー基は、好ましくはハロゲン、ボロン酸、ジボロン酸、ボロン酸およびジボロン酸のエステル、アルキレン基またはスタンニル基などの基部分を独立して含む。別の態様において、本発明は、構造:を有する半導体オリゴマーまたはポリマーを含み、式中、nは2から10,000の間の整数であり;X1およびX2は独立して、S、Se、SiR1R2、O、CR3R4、C2R5R6、N、NR7であり、R1からR7は、水素、好ましくは1から20個の炭素を有する直鎖、分枝もしくは環式アルキル、アルケニルもしくはアルキニル基、アルコキシ、アリール、シリルまたはアミノを独立して含み;Ar1からAr4はそれぞれ任意であり、存在する場合、アリールまたはヘテロアリール基を独立して含み;およびY1からY4は、水素、反応性基、好ましくは1から20個の炭素原子を有する、置換されていてもよい直鎖、分枝もしくは環式アルキル、アルコキシ、アルケニル、アルキニル、アミドまたはアミノ基を、置換されていてもよいoptionallysubstitutedアリールまたはヘテロアリールを独立して含み、Y1からY4の少なくとも1つは水素を含まない。化合物は、たとえばモノマー、オリゴマー、ポリマーまたはコポリマーであり得る。好ましくは、nは2から10の間の、たとえば2から5の間の整数である。好ましくは、化合物は、基:より選択される構造を含み、式中、F8は、構造:を含む。別の態様において、本発明は本明細書に記載する化合物を含む半導体部分を含む電子デバイスを提供する。別の態様において、本発明は、基板上に半導体部分を形成するために基板表面に塗布する溶液を提供し、該溶液は本明細書に記載する化合物を含む。さらなる態様において、本発明は、本明細書に記載する溶液を基板上に塗布することを含む、電子デバイスを製造する方法を提供する。本発明の実施形態はここで、以下の図面を参照して説明される。以下の記載全体にわたって、同じ参照番号は同じ部品を明示するために使用するものとする。本発明による有機半導体は、図1に示すように示された合成によって製造され得る。生じた化合物は、本発明の態様による電子デバイスを提供するために容易に溶解され、このためインクジェット印刷により基板上に塗布され得て、図2に示す薄膜トランジスタにおける半導体層15を提供する。このような有機薄膜トランジスタOTFTの利用は、光学デバイス、好ましくは有機光学デバイスにおいて画素を駆動させるものであり得る。このような光学デバイスの例としては、光応答デバイス、特に光検出器、および発光デバイス、特に有機発光デバイスが挙げられる。OTFTは、アクティブマトリクス有機発光デバイスによる使用に、たとえばディスプレイ用途での使用に特に適している。図3は、共通基板104上に製造された有機薄膜トランジスタ100および隣接する有機発光デバイスOLED102を含む画素を示す。OTFT100は、ゲート電極106、誘電層108、それぞれソース電極およびドレイン電極110および112、ならびにOSC層114を含む。OLED102は、アノード116、カソード118およびアノード116とカソード118との間に設けたエレクトロルミネッセンス層120を含む。電荷輸送層、電荷注入層または電荷遮断層などのさらなる層は、アノード116とカソード118との間に位置し得る。図3の実施形態において、カソード材料118の層はOTFT100およびOLED102の両方にわたって延在し、絶縁層122はカソード層118をOSC層122から電気的に絶縁するために設けられている。OTFT100およびOLED102の活性区域は、フォトレジスト124の層を基板104上に堆積し、これをパターン形成して基板上にOTFT100およびOLED102区域を画成することによって形成された共通バンク材料によって画成されている。図3において、ドレイン電極112は、有機発光デバイス102を発光状態および非発光状態とで切り替えるために、有機発光デバイス102のアノード116に直接接続されている。図4に示す代わりの配置では、有機薄膜トランジスタ200は有機発光デバイス202に対して積層関係で製造され得る。このような実施形態において、有機薄膜トランジスタ202は、トップゲートまたはボトムゲート構造のどちらかで上記のように組み立てられる。図3の実施形態と同様に、OTFT200およびOLED202の活性区域はフォトレジスト124のパターン形成層によって画定されているが、この積層配置では、一方はOLED202用、他方はOTFT200用の2つの分離されたバンク層124がある。平坦化層204不活性化層としても公知であるは、OTFT200を覆って堆積している。例示的な不活性化層204としては、BCBおよびパリレンが挙げられる。有機発光デバイス202は不活性化層204を覆って製造され、有機発光デバイス202のアノード116は、不活性化層204およびバンク層124を通過する導電性ビア206を介してOTFT200のドレイン電極112に電気的に接続されている。中間体1窒素下の1,5-ジクロロアントラキノン6.8g、24.6mmolの無水トルエン100ml懸濁液に、4-オクチルフェニルマグネシウムブロミド溶液[無水THF60ml中の4-オクチルベンゼン20.9g、74.3mmolおよび削り状マグネシウム2.14g、89.2mmolより調製]を滴加した。添加完了後に、THFを蒸発除去して、暗赤色溶液を還流下で16時間撹拌した。混合物をAcOH:H2O[150:700ml]で希釈し、トルエンを減圧下で除去して、残渣をエーテル中に抽出し、NaOH7.3gおよびNa2SO460g、H2O400ml中の水溶液で洗浄した。次に混合物をMgSO4で脱水して、真空中で濃縮した。残渣のAcOH70ml溶液にHI10mlを添加して、混合物を100°Cにて30分間撹拌した。生じた固体を濾過により単離して、水500mlで洗浄し、真空下で50°Cにて乾燥させた。これを次にヘキサン中還流下で加熱し、冷却して、濾過し、アセトニトリルでスラリー化させて、所望の生成物は黄色固体として得られ[7.7g、17m/z623M,588M-Cl,553M-2xCl]、構造:を有していた。実施例中間体17.5g、12.0mmol、KOH16.1g、288mmolおよびキノリン216mlの懸濁物を230°Cにて3時間加熱した。生じた赤色溶液を室温まで冷却して、トルエン300mlで希釈し、水2x150ml、2MHCl2×150ml、塩水2×150mlで洗浄し、MgSO4で脱水して、真空中で濃縮した。赤色固体をソックスレーシンブル33×100mmに移して、アセトニトリル600mlで抽出した。昇華による生成物の精製260°Cおよび圧力2×10-6mbarによって、所望の生成物が暗赤色固体として得られ0.75g、11、HPLC99.3,m/z552M2xH,550M,451,352]、構造:を有していた。実施例1の化合物を活性層として使用する有機電界効果トランジスタデバイスを、トップゲート-ボトムコンタクト型デバイスで製造した。金ソースドレイン接点をガラス基板上でのリフトオフによって画成した。チャネル長10-200μmおよび幅2mmを画成した。デバイスは、清浄な基板上へ実施例1の化合物を1.5w/vメシチレン溶液から1000rpmにて30秒間スピンコーティングすることによって製造した。続いて膜を80°Cのホットプレート上で10分間乾燥させて、金属ブロック上で1分間冷却した。フッ化誘電性材料をフッ素系溶剤から半導体層上にスピンコーティングして、80°Cのホットプレート上で10分間乾燥させて、金属ブロック上で1分間冷却した。ゲート電極としての80nm厚アルミニウム層を熱蒸発させた。観測された最高飽和移動度は、20μmチャネル長にて0.025cm2/Vsであった;20Vから-40Vのゲートバイアスで測定されたように4.5×104のオン/オフ比が得られた。97kOhm-cmの接触抵抗は、外挿法により-40VVgまたは-16V/100nm誘電体のゲート-ソースフィールドにて計算した。OTFTおよび光学活性区域たとえば発光または光検知区域を含む画素回路がさらなる要素を含み得ることが認識される。特に、図5および6のOLED画素回路は通例、図示した駆動トランジスタに加えて、少なくとも1個のさらなるトランジスタおよび少なくとも1個のコンデンサを含む。本明細書に記載する有機発光デバイスは、トップまたはボトム発光デバイスであり得ることが認識される。すなわちデバイスは、デバイスのアノードまたはカソード側のどちらかを通じて発光し得る。透明デバイスでは、アノードおよびカソードのどちらも透明である。透明カソードデバイスはもちろん完全透明デバイスが所望される場合を除いて透明アノードを有する必要はないので、ボトム発光デバイスに使用される透明アノードはアルミニウム層などの反射性材料の層で置換または補完され得ることが認識される。透明カソードがアクティブマトリクスデバイスにとって特に好都合なのは、このようなデバイスの透明アノードを通る発光が、図4に示す実施形態からわかるように、発光画素の下に位置するOTFT駆動回路によって少なくとも部分的に遮断され得るためである。ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極の厚さは5-200nmの範囲にあり得るが、たとえば原子間力顕微鏡AFMによって測定されるように通例50nmである。デバイス構成には他の層が含まれ得る。たとえば自己組織化単分子層SAMをゲート電極、ソース電極またはドレイン電極の上に設けることに加えて、SAMは基板、絶縁層および有機半導体材料の上に設けられて、必要な場合に結晶性を促進し、接触抵抗を低下させ、表面特性を修復し、接着性を促進し得る。特に、たとえば有機半導体の形態特にポリマーの配列および結晶性を改善することと、特にk値が高い誘電性表面で電荷トラップを覆うことによって、チャネル領域の誘電性表面に結合領域および有機領域を含む単分子層が設けられて、デバイス性能が改善し得る。このような単分子層の例示的な材料としては、アルキル長鎖を有するクロロまたはアルコキシシラン、たとえばオクタデシルトリクロロシランが挙げられる。疑いなく当業者には他に多くの有効な代替案が想起される。本発明は記載した実施形態に限定されず、本明細書に添付された請求項の精神および範囲内に存在する当業者に明らかな変更を包含することが理解される。"