バッキングプレート上に、複数のターゲット部材を低融点ハンダにより接合して形成される分割スパッタリングターゲットにおいて、接合されたターゲット部材間に形成された間隙に、セラミック材または有機材料が充填されていることを特徴とする分割スパッタリングターゲット。セラミック材が、ターゲット部材と同組成のセラミック粉である請求項1に記載の分割スパッタリングターゲット。有機材料は、高抵抗物質である請求項1に記載の分割スパッタリングターゲット。セラミック粉の充填厚さは、ターゲット部材間に形成された間隙深さの10~70である請求項2に記載の分割スパッタリングターゲット。セラミック粉の充填密度が40~70であり、セラミック粉の平均粒径D50が0.5μm~8.0μmである請求項2または請求項4に記載の分割スパッタリングターゲット。セラミック材が、セラミック繊維である請求項1に記載の分割スパッタリングターゲット。バッキングプレート上に、複数のターゲット部材を低融点ハンダにより接合して形成される分割スパッタリングターゲットの製造方法において、接合されたターゲット部材の間に形成された間隙に、該ターゲット部材と同組成のセラミック粉を含む流動体を充填して乾燥した後、充填部分にレーザーまたは赤外線を照射してセラミック粉を焼結することを特徴とする分割スパッタリングターゲットの製造方法。本発明は、以上のような事情を背景になされたものであり、大面積のスパッタリングターゲットであって、複数のターゲット部材を接合して得られた分割スパッタリングターゲットがスパッタリングされることにより、バッキングプレートの構成材料が、成膜する薄膜中に混入することを効果的に防止することができる、分割スパッタリングターゲットを提案することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明は、バッキングプレート上に、複数のターゲット部材を低融点ハンダにより接合して形成される分割スパッタリングターゲットにおいて、接合されたターゲット部材間に形成された間隙に、セラミック材または有機材料が充填されているものとした。本発明において、この間隙に充填されるセラミック材または有機材料は、間隙底部に固定されるものである。本発明において、分割スパッタリングターゲットは、板状、円筒状のものが対象となる。板状のスパッタリングターゲットは、板状バッキングプレート上に、方形面を有する板状のターゲット部材を複数平面配置して、接合したものが対象となる。また、円筒状のスパッタリングターゲットは、円筒状バッキングプレートに、円筒状ターゲット部材中空円柱を複数貫通させて、円筒状バッキングプレートの円柱軸方向に多段状に配置して接合したもの、或いは、中空円柱を円柱軸方向に縦割りした湾曲状ターゲット部材を、円筒状バッキングプレートの外側面へ、円周方向に複数並べて、接合したものが対象となる。この板状または円筒状分割スパッタリングターゲットは、大面積のスパッタリング装置に多用されている。尚、本発明は、板状、円筒状の形状を対象としているが、他の形状の分割スパッタリングターゲットへの適用を妨げるものではなく、ターゲット部材についてもその形状に制限はない。そして、ターゲット部材の組成についても、IGZOやZTOなどの酸化物半導体や透明電極ITOなどに適用でき、ターゲット部材の組成にも制限はない。本発明におけるセラミック材は、ターゲット部材と同組成のセラミック粉であることが好ましい。ターゲット部材と同組成のセラミック粉が間隙に充填されていると、バッキングプレートの構成材料がスパッタされることを効果的に防止でき、間隙でのスパッタ現象が生じても、成膜される薄膜への影響が少ないからである。本発明における有機材料は、高抵抗物質であることが好ましい。接合されたターゲット部材間に形成された間隙に、高抵抗物質である有機材料が充填されていると、スパッタリング時における間隙内部でのスパッタリング現象を抑制でき、成膜する薄膜への悪影響を防止することができるからである。例えば、ターゲット部材よりもその体積抵抗が大きな物質を、即ち高抵抗物質の有機材料を用いることが好ましい。このような高抵抗物質の有機材料は、高抵抗物質の体積抵抗率Ωcmがターゲット部材の体積抵抗率の10倍以上の値を有するものであることが好ましい。本発明において、接合されたターゲット部材間の間隙に有機材料を充填する方法としては、液体状或いはゲル状の有機材料を間隙中に注入して、その後、溶剤を気化させることなどにより間隙中で固化することで、間隙に有機材料を充填できる。尚、上記した有機材料の体積抵抗は、固化した状態の有機材料の体積抵抗である。また、本発明における有機材料としては、フェノール樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレンなどの合成樹脂材料や、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリスチレンなどの汎用プラスチック材料、ポリ酢酸ビニル、ABS樹脂、AS樹脂、アクリル樹脂などの準汎用プラスチック材料などが挙げられる。さらに、ポリアセタール、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテルPPE、ポリブチレンテレフタレートなどのエンジニアリングプラスチックやポリアリレート、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂などのスーパーエンジニアリングプラスチックも使用できる。特に、ポリイミド樹脂などは、耐熱性、絶縁性も高いため、本発明に適したものである。有機材料の充填厚みは、0.0001mm~1.0mmが好ましい。本発明におけるセラミック材として、ターゲット部材と同組成のセラミック粉を採用する場合、そのセラミック粉の充填厚さは、ターゲット部材間に形成された間隙深さの10~70であることが好ましい。間隙深さの10未満であると、バッキングプレートの構成材料のスパッタリングを抑制する効果が低下する傾向になり、70を超えると、充填したセラミック粉が脱落してスパッタリングの際にパーティクルの発生原因となる。この間隙深さは、ターゲット部材の端部の厚み、もしくは製造したスパッタリングターゲット全体における周辺部の端部厚みにより決定されるものであり、スパッタリングに使用する前の分割スパッタリングターゲットを製造した初期の間隙深さをいう。本発明におけるセラミック材として、ターゲット部材と同組成のセラミック粉を採用する場合、セラミック粉の充填密度が40~70であり、セラミック粉の平均粒径D50が0.5μm~8.0μmであることが好ましい。間隙に充填されるセラミック粉は、例えば、スラリー化して充填されることになるが、セラミック粉の平均粒径D50が0.5μmより小さくなると、スラリーを充填して乾燥させた際に、固化したセラミック粉にひび割れが生じ易くなり、間隙から脱落しやすくなる。一方、平均粒径D50が8.0μmより大きくなると、間隙にスラリーとして充填後、乾燥させると、セラミック粉の充填密度が40を下回りやすくなる傾向となり、間隙から脱落しやすくなる。従って、セラミック粉の平均粒径D50が0.5μm~8.0μmであると、間隙に充填したセラミック粉の脱落を抑制することができる。なお、このセラミック粉の充填密度は、分割スパッタリングターゲットを製造する際と同じ条件で、セラミック粉をスラリー化したものを、所定形状の容器、例えば、円筒形容器に流し込み、スラリーを完全に乾燥させて、その投入容量と重量とを測定して、特定することができる。そして、このセラミック粉の充填密度は、ターゲット部材の密度を100とするものである。本発明におけるセラミック材は、セラミック繊維であってもよい。近年、セラミック繊維としてアルミナやシリカ系のヤーンが供給されており、その繊維径も非常に細いものまで存在している。そのため、このようなセラミック繊維を間隙に充填することで、上記したセラミック粉と同様な効果を実現することができる。このセラミック繊維を間隙に充填する場合、間隙の幅に合った繊維径を有するセラミック繊維単線或いは複数の細線を撚った撚線を間隙に押し込むことで、バッキングプレートの表面を覆うようにすることができる。また、バッキングプレートとターゲット部材とを接合する際に用いるInなどの低融点ハンダを間隙に少量残存させておいて、この低融点ハンダを利用してセラミック繊維を間隙底部に固定することもできる。さらに、本発明におけるセラミック材は、樹脂にセラミックスフィラーを分散させたものでも適用できる。本発明におけるターゲット部材が酸化物半導体である場合、その酸化物半導体は、In、Zn、Gaのいずれか一種以上を含む酸化物からなることが好ましい。具体的には、IGZOIn-Ga-Zn-O、GZOGa-Zn-O、IZOIn-Zn-O、ZnOが挙げられる。また、本発明におけるターゲット部材が酸化物半導体である場合、その酸化物半導体は、Sn、Ti、Ba、Ca、Zn、Mg、Ge、Y、La、Al、Si、Gaのいずれか一種以上を含む酸化物からなることが好ましい。具体的には、Sn-Ba-O、Sn-Zn-O、Sn-Ti-O、Sn-Ca-O、Sn-Mg-O、Zn-Mg-O、Zn-Ge-O、Zn-Ca-O、Zn-Sn-Ge-O、または、これらの酸化物のGeをMg、Y、La、Al、Si、Gaに変更した酸化物が挙げられる。そして、本発明におけるターゲット部材が酸化物半導体である場合、その酸化物半導体は、Cu、Al、Ga、Inのいずれか一種以上を含む酸化物からなることが好ましい。具体的にはCu2O、CuAlO2、CuGaO2、CuInO2が挙げられる。本発明における分割スパッタリングターゲットは、接合されたターゲット部材の間に形成された間隙に、ターゲット部材と同組成のセラミック粉を含む流動体を充填して乾燥した後、充填部分にレーザーまたは赤外線を照射してセラミック粉を焼結することによって実現することができる。本発明におけるセラミック粉を含む流動体は、ターゲット部材と同組成のセラミック粉を、適当な溶媒を用いて所定量混合して作製することができる。例えば、ターゲット部材がIGZOの酸化物半導体から構成されている場合、In2O3、Ga2O3、ZnOの各粉体原料を5Lのポリポットに所定量投入し、水と分散剤カルボン酸アンモニウムを加え、φ10mmZrボールのメディアを所定量ポリポットに投入して、周速50rpm、10時間のボールミル撹拌混合を行うことで流動体を作製することができる。水と分散剤は、投入する粉体総量に対して、水:分散剤が16質量:0.25質量、或いは17質量:0.5質量にすることが望ましい。また、粉体原料は、BET値で3m2/g~20m2/g程度の粉体に調整することが好ましい。なお、粉体原料はそのまま使用することもできるが、700°C~1300°Cの仮焼処理を行ったものを用いることもできる。仮焼処理を行った粉体原料を用いる場合には、水と分散剤とは、水が10質量~15質量で、分散剤が0.25質量~0.5質量で混合することが好ましい。本発明において、セラミック粉を含む流動体を充填して乾燥した後、充填部分にレーザーを照射する場合、例えば、波長308nm、周波数100Hz、パルス幅30ns、エネルギー密度100mJ/cm2~1000mJ/cm2でレーザー照射すると、間隙に充填されたセラミック粉の最表面側が焼結された状態になる。また、赤外線を間隙部分に収束させて、充填させたセラミック粉を加熱処理することも可能である。本発明によれば、複数のターゲット部材を接合して得られた分割スパッタリングターゲットにおいて、スパッタリングされることにより、バッキングプレートの構成材料が、成膜する薄膜中に混入することを効果的に防止することができる。以下、本発明における実施形態について説明する。本実施形態では、図1に示すような板状の分割スパッタリンターゲットを製造した場合を例に説明する。図1に示すように、本実施形態における分割スパッタリングターゲットは、無酸素銅製のバッキングプレート10厚み10mm、縦630mm、横710mmと、6枚のIGZO製ターゲット部材20厚み6mm、縦210mm、横355mmとを接合して製造した。接合用の低融点ハンダはInを用いた。尚、ターゲット部材間の間隙30は0.5mmとした。IGZO製ターゲット部材は、In2O3、Ga2O3、ZnOの各原料粉末を1mol:1mol:2molの比率で秤量し、20時間のボールミルによる混合処理をした。そして、バインダーとして4質量に希釈したポリビニルアルコール水溶液を、粉総量に対して8質量添加して混合した後、500kgf/cm2の圧力で成型した。その後、大気中1450°C、8時間の焼成処理をして板状の焼結体を得た。そして、この焼結体を平面研削機により両面を研磨して、厚み6mm、縦210mm、横355mmのIGZO製ターゲット部材を製造した。このようして作製した6枚のターゲット部材はInの低融点ハンダを用いて、図1に示すように配置して接合した。この接合は、バッキングプレートとターゲット部材とをともに200°Cまで加熱して、バッキングプレート表面に、溶融した低融点ハンダInを塗布し、ターゲット部材をその低融点ハンダ上に配置し、室温まで冷却することにより行った。この接合においては、ターゲット部材間に形成される間隙に相当する位置に耐熱性材料のスペーサーを介在させ、間隙部分への低融点ハンダの侵入を防止するようにして行った。次に、IGZOのセラミック粉の流動体を準備した。In2O3138.8g、Ga2O393.7g、ZnO81.4gの各粉体原料を5Lのポリポットに投入し、水と分散剤カルボン酸アンモニウムを加え、φ10mmZrボールのメディアを所定量ポリポットに投入して、10時間のボールミル撹拌混合を行うことで流動体を作製した。水と分散剤は、投入する粉体総量に対して、水:分散剤が16:0.25とした。そして、図2に示すように、準備したセラミック粉の流動体100を、ターゲット部材間の間隙30に、シリンジを用いて注入した。このときの注入量は、ターゲット部材厚みの50となるように行った。その後、大気中、70°C~120°Cで乾燥処理を行い、注入した流動体を乾燥した。その後、図3に示すよう、ターゲット部材間の間隙30にある乾燥した流動体100に、レーザー照射を行った。レーザーの照射条件は、波長308nm、周波数100Hz、パルス幅30ns、エネルギー密度500mJ/cm2とし、間隙に充填されたセラミック粉の最表面側が焼結された状態にした。このレーザー処理後において、分割スパッタリングターゲットから充填したセラミック粉の脱落は確認されなかった。また、このセラミック粉の充填密度は、上記したセラミック粉の流動体を、φ20mmの円筒形容器に流し込み、流動体を完全に乾燥させて、その投入容量と重量とを測定して算出したところ、60であった。また、セラミック粉の平均粒径は0.6μmであった。このように、ターゲット部材間の間隙にセラミック粉が充填された分割スパッタリングターゲットについて、スパッタ評価試験を行った。このスパッタ評価試験は、スパッタリング装置SMD-450B、アルバック社製を用い、無アルカリガラス基板370mm×470mm×0.7mm厚:日本電気硝子社製に厚み14μmのIGZO薄膜を成膜した。スパッタリング条件は、Ar100cc、O210cc、スパッタ圧力0.7Pa、電力4.3kWとした。そして、この成膜した基板について、分割スパッタリングターゲットの間隙部分に相当する直上部の基板及び、間隙部分以外の基板を切り出した。切り出した基板について、原子吸光分析によりIGZO薄膜中のCuの混入量を測定してスパッタ評価を行った。尚、比較として、間隙部分にセラミック粉を充填していない分割スパッタリングターゲットについても同様にスパッタ評価試験を行った。その結果、セラミック粉を充填したものでは、IGZO薄膜へのCuの混入量は2ppm未満原子吸光分析の検出限界以下であった。これに対して、セラミック粉を充填していないものでは、IGZO薄膜へのCuの混入量は19ppmであった。