"半導体ウェーハの裏面に酸化膜を形成した後、天井が水平なチャンバを備えた気相エッチング装置の前記チャンバ内へ前記半導体ウェーハを搬送し、前記チャンバ内に水平に設けられたステージ上に、前記酸化膜が形成されたウェーハ裏面を下にして水平に載置した後、前記半導体ウェーハにエッチングガスを供給し、前記半導体ウェーハの端面に形成された余分な酸化膜を気相エッチングにより除去する酸化膜の除去方法であって、前記ステージ上に載置されたウェーハ表面から前記チャンバの天井までの高さをhとするとき、前記半導体ウェーハの端面における、ウェーハ表面からh/2高さまでの間のエッチングガスの平均流速を制御して気相エッチングすることを特徴とする半導体ウェーハの酸化膜除去方法。前記エッチングガスの平均流速の制御を、前記半導体ウェーハの全端面のうち、前記平均流速が最も遅い箇所において少なくとも0.04m/sを満たすように行う請求項1記載の酸化膜の除去方法。前記エッチングガスが前記チャンバの天井に向けて供給され、前記エッチングガスが前記チャンバの底部から排出される請求項1又は2記載の酸化膜の除去方法。前記半導体ウェーハがシリコンウェーハであって、前記エッチングガスがHF含有ガスであり、前記エッチングガスのHF濃度が0.05~0.5質量である請求項1又は2記載の酸化膜の除去方法。しかしながら、目標とするエッチング量で均一な酸化膜除去を行うのに最適なガス流量は、装置が備えるチャンバの高さや容積、ウェーハの径や厚み、或いはその他の条件によっても変動する。そのため、装置やウェーハごとに最適なガス流量を設定するのは困難であり、必要以上の過剰なエッチングガスを無駄に流してしまうことで生産コストが上がったり、或いはエッチングガスの流量が十分でなく、目標とするエッチング量で均一な除去が行われないといった不具合が生じる。特に、過剰なガス供給の問題については、必要最低限以上にエッチングガスを流した場合であっても酸化膜の除去は均一に行われるため、処理後のウェーハからはその事実が認識できず、解消するのが非常に困難であった。本発明の目的は、ウェーハ端面に形成された余分な酸化膜を気相エッチングにより除去する際に、エッチングガスの使用量を最小限に抑え、かつ均一な酸化膜の除去を行うことができる半導体ウェーハの酸化膜除去方法を提供することにある。本発明の第1の観点は、半導体ウェーハの裏面に酸化膜を形成した後、天井が水平に形成されたチャンバを備える気相エッチング装置の上記チャンバ内へ半導体ウェーハを搬送し、チャンバ内に水平に設けられたステージ上に、酸化膜が形成されたウェーハ裏面を下にして水平に載置して半導体ウェーハにエッチングガスを供給し、半導体ウェーハの端面に形成された余分な酸化膜を気相エッチングにより除去する酸化膜の除去方法であって、ステージ上に載置されたウェーハ表面からチャンバの天井までの高さをhとするとき、半導体ウェーハ端面における、ウェーハ表面からh/2高さの間のエッチングガスの平均流速を制御して気相エッチングすることを特徴とする。本発明の第2の観点は、第1の観点に基づく発明であって、更に上記エッチングガスの平均流速の制御を、半導体ウェーハの全端面のうち、平均流速が最も遅い箇所において少なくとも0.04m/sを満たすように行うことを特徴とする。本発明の第3の観点は、第1又は第2の観点に基づく発明であって、更にエッチングガスがチャンバの天井に向けて供給され、エッチングガスがチャンバの底部から排出されることを特徴とする。本発明の第4の観点は、第1ないし第3の観点に基づく発明であって、更に半導体ウェーハがシリコンウェーハであって、エッチングガスがHF含有ガスであり、エッチングガスのHF濃度が0.05~0.5質量であることを特徴とする。本発明の第1の観点の酸化膜除去方法は、半導体ウェーハの裏面に酸化膜を形成した後、天井が水平に形成されたチャンバを備える気相エッチング装置の上記チャンバ内へ半導体ウェーハを搬送し、チャンバ内に水平に設けられたステージ上に、酸化膜が形成されたウェーハ裏面を下にして水平に載置して半導体ウェーハにエッチングガスを供給し、半導体ウェーハの端面に形成された余分な酸化膜を気相エッチングにより除去する酸化膜の除去方法であって、ステージ上に載置されたウェーハ表面からチャンバの天井までの高さをhとするとき、半導体ウェーハ端面における、ウェーハ表面からh/2高さまでの間のエッチングガスの平均流速を制御して気相エッチングする。これにより、装置、その他の条件に依存することなく、ガス流量を必要最低限の流量に設定でき、エッチングガスの使用量を最小限に抑え、かつ均一な酸化膜の除去を行うことができる。本発明の第2の観点の酸化膜除去方法は、上記エッチングガスの平均流速の制御を、半導体ウェーハの全端面のうち、上記平均流速が最も遅い箇所において少なくとも0.04m/sを満たすように行うものである。このように、ウェーハ端面において、平均流速が最も遅い箇所で0.04m/sになるように制御して酸化膜の除去を行えば、確実にウェーハ端面の全箇所において所望のエッチング量とすることができ、しかもエッチングガスの使用量を最小限に抑えることができる。次に本発明を実施するための形態を図面に基づいて説明する。本発明の酸化膜除去方法に使用される気相エッチング装置の一例を、図1及び図2を用いて説明する。この気相エッチング装置10は、図1に示すように、その内部に半導体ウェーハ31を収容してエッチングガス14が供給されるチャンバ11を備える。チャンバ11は、上蓋12によって密閉され、内部の温度及び圧力を一定に保ち、供給されたエッチングガス14を内部に滞留させることができるようになっている。また、チャンバ11内には、気相エッチング中、チャンバ11内において半導体ウェーハ31を水平に保持するための2つのステージ13が設けられている。また、エッチングガス14をチャンバ11内に供給するガス供給管16が設けられ、チャンバ11外に設けられたガス供給源によって発生させたエッチングガス14は、ガス供給管16を経て、ガス供給口16aからチャンバ11内へ供給される。更に、図2に示すように、チャンバ11内には、エッチングガス14をチャンバ11内の底部から排気するガス排気管17が、上面から見て2つのステージ13の間に対向して設けられる。ガス供給管16は、図1に示すようにガス供給口16aを天井に向けて設置されており、ガス供給口16aから導入されたエッチングガス14が、一旦天井に衝突してチャンバ11全体に広がるようになっている。また、チャンバ11の外部には、フッ化水素酸水溶液等の水溶液18を貯留する容器19がガス供給源として設けられており、容器19内の水溶液18中にN2等のキャリアガス20吹き込み、バブリングすることでエッチングガス14を発生させる。発生したエッチングガス14は、容器19とチャンバ11に連通するガス供給管16を経て、ガス供給口16aからチャンバ11内に導入される。また、ガス供給管16には、チャンバ11内へ導入されるエッチングガス14の流量を計測するマスフローメータ21が設けられる。続いて、上述した図1及び図2に示す気相エッチング装置10を用いて半導体ウェーハ31の端面における酸化膜32を除去する方法について説明する。なお、本発明の酸化膜除去方法は、この装置を用いた方法に限定されるものではない。また、ウェーハ端面とは、ウェーハ表裏面の面取り面の傾斜部及び端部を指す。先ず、CVD法によってウェーハ裏面に酸化膜32を形成する処理を施した半導体ウェーハ31を用意する。半導体ウェーハ31としては、チョクラルスキー法以下、CZ法という。等によって育成されたシリコン単結晶インゴットから切出し、スライスして得られたウェーハに、面取り、機械研磨ラッピング、エッチング、鏡面研磨ポリッシング等の一般的な加工処理を施し、洗浄工程を経て得られたシリコンウェーハ等が挙げられる。ここで、例えば、抵抗率が0.01Ωcm~0.1Ωcm程度のp型シリコンウェーハを得るには、CZ法によってシリコン単結晶を引上げる際に、引上げ装置内においてシリコン原料として高純度シリコン多結晶が充填されたルツボ内に、抵抗率が上記範囲になる量のボロン等をドーパントとして添加しておく。p型シリコンウェーハでは、抵抗率が10mΩcm~20mΩcm程度、p型シリコンウェーハでは、抵抗率が1mΩcm~10mΩcm程度となる量のボロンが添加される。CVD法による酸化膜の形成は、気相エッチング装置を用いて成膜することにより行われ、ウェーハの直径が300mmであれば、2000~9000オングストローム程度の膜厚に形成される。そして、図4に示すように、上記CVD法によってウェーハ裏面に酸化膜32が形成された後の半導体ウェーハ31について、その端面に形成された余分な酸化膜32を所定のエッチング量wで気相エッチングにより除去する。このとき、所望のエッチング量wは、ウェーハの抵抗率に応じて設定される。p型シリコンウェーハのような抵抗率が非常に低いシリコンウェーハでは、ボロン等のドーパントが多量に添加されていることから、エピタキシャル成長等の高温プロセスにおいてドーパントの外部拡散量が多くなるため、エッチング量wは比較的少なめに設定される。気相エッチングによる酸化膜の除去は、先ず、図1に示すように、上述した気相エッチング装置10のチャンバ11内に、上記CVD法等によって酸化膜32が形成された半導体ウェーハ31を搬送する。チャンバ11内に搬送された半導体ウェーハ31は、チャンバ11内に水平に設けられたステージ13上に、酸化膜32が形成されたウェーハ裏面を下に、即ちステージ13表面と酸化膜32が接するように水平に載置する。半導体ウェーハ31を搬送したチャンバ11内は上蓋12で封止することにより密閉し、好ましくは温度を25°C、気圧を1atmの状態に設定する。そして、チャンバ11外部に設けられたガス供給源にてエッチングガス14を生成させる。半導体ウェーハ31がシリコンウェーハの場合、酸化膜32はSiO2膜であり、エッチングガス14としては、好ましくはHF含有ガスが用いられる。このHF含有ガスは、例えばフッ化水素酸水溶液等の水溶液18を容器19に貯留し、容器19内の水溶液18中にN2等のキャリアガス20を吹き込んで、飽和状態になるまで十分にバブリングすることで発生させることができる。エッチングガス14中のHF濃度は0.05質量以上が好ましく、0.05~0.5質量の範囲が特に好ましい。下限値未満では、エッチングが十分に行われにくくなるため好ましくない。また、HF濃度が高すぎるとエッチングむらが生じる場合があるため好ましくない。発生させたエッチングガス14は、容器19とチャンバ11を連通するガス供給管16を経て、ガス供給口16aからチャンバ11内に導入される。ウェーハ端面の酸化膜32は、チャンバ11内に導入されたエッチングガス14と接触することにより除去される。そして、本発明の酸化膜除去方法では、上記気相エッチングの際に、チャンバ11内における所定箇所のエッチングガス14の流速を制御して行うことを特徴とする。本発明者らが鋭意研究を重ねた結果、半導体ウェーハ31の端面における表面近傍のエッチングガス14の流速が、特にウェーハ端面における均一な酸化膜除去を行う重要な因子の一つであることが確認されている。本発明の酸化膜除去方法は、この研究結果に基づいて成されたものであり、具体的には、ステージ13上に載置された半導体ウェーハ31の表面からチャンバ11の天井、即ち上蓋12の内壁までの高さをhとするとき、半導体ウェーハ31の端面における、ウェーハ表面からh/2高さまでの間のエッチングガス14の平均流速を制御して気相エッチングを行う。エッチングガスの平均流速の制御を、ウェーハ端面における、ウェーハ表面からh/2高さまでの間としたのは、ウェーハ端面近傍でのエッチングガスのガス流れがエッチング速度に影響を与えるものと推察されるからである。エッチングガスの流量等も均一な酸化膜の除去を行うための条件の一つとなり得るが、ガス流量は、使用する気相エッチング装置によってチャンバの容積やガス供給口の径等が変動した場合には、最適なガス流量も変動する。例えば、ガス供給口の径等が変動した場合、同じガス流量であっても、チャンバ内のエッチングガスの流速が変動する。このように、最適なガス流量は装置の違い等の他の条件に依存しやすいパラメータであることから、所望なエッチング条件として画一的に設定しておくのは困難である。そこで、本発明は、半導体ウェーハの端面における、ウェーハ表面からh/2高さまでの間のエッチングガスの平均流速を制御することによって、装置の違い等の他の条件に依存することなく、均一な酸化膜の除去を行うのに必要最低限のガス流量に設定できるようにしたものである。半導体ウェーハの端面における、ウェーハ表面からh/2高さまでの間のエッチングガスの平均流速は、少なくとも0.04m/sに制御するのが好ましい。即ち、半導体ウェーハの全端面のうち、上記平均流速が最も遅い箇所における当該平均流速の値を0.04m/s以上に制御して行うのが好ましい。下限値未満では、他の条件によっては、ウェーハ端面において所望のエッチング量でエッチングされない箇所が一部に生じる場合がある。半導体ウェーハの全端面のうち、上記平均流速が最も遅い箇所において少なくとも0.04m/sを満たすように制御すれば、確実にウェーハ端面の全箇所において所望のエッチング量とすることができ、しかもエッチングガスの使用量を最小限に抑えることができる。このうち、上記エッチングガスの平均流速は、少なくとも0.05m/sに制御するのが特に好ましい。また、hは10~100mmの範囲であることが好ましい。本発明において、上記平均流速の制御はどのような手段であっても良く、ガス流量の調整のみであっても良いし、その他、ガス供給口やガス排気管の排気口の径を調整する手段によっても平均流速の制御を行うことができる。これらを併用すれば、所望の平均流速に制御するために必要なガス流量を更に低減させることができ、コストの低減が更に図れる。以上、本発明の酸化膜の除去方法により、ガス流量を必要最低限の流量に設定でき、エッチングガスの使用量を最小限に抑え、かつ均一な酸化膜の除去を行うことができる。次に本発明の実施例について詳しく説明する。<実施例1>先ず、直径300mm、厚さ0.775mm、抵抗率15Ωcmのp型シリコンウェーハを用意し、このシリコンウェーハの裏面に膜厚5000オングストロームの酸化膜をCVD法により成膜した。次に、シリコンウェーハ裏面に酸化膜を成膜する際に形成されたウェーハ端面の余分な酸化膜を気相エッチングにより除去するため、気相エッチング装置を用いて気相エッチングを行った。具体的には、先ず、図1に示すように、上記酸化膜32が形成されたシリコンウェーハを気相エッチング装置10のチャンバ11内に搬送し、チャンバ11内に水平に設けられたステージ13上に、酸化膜32が形成されたウェーハ裏面を下にして水平に載置した。このとき、ステージ13上に載置したウェーハ表面から天井上蓋12の内壁までの高さhは50mmであった。次いで、チャンバ11内を上蓋12で密閉して、温度25°C、気圧を1atmに設定した。次いで、フッ化水素酸水溶液を貯留する容器19にキャリアガスとしてN2を吹き込み、フッ化水素酸水溶液をバブリングすることでHFガスを発生させた。このHF含有のエッチングガス14を、ガス供給管16のガス供給口16aからチャンバ11内へ導入し、チャンバ11内でエッチングガス14とシリコンウェーハを接触させ、ウェーハ端面の余分な酸化膜32を気相エッチングにより除去した。上記気相エッチングの際のエッチングガス14のHF濃度は0.14質量とし、処理時間は60秒とした。また、マスフローメータ21により計測されるエッチングガス14の流量を0°C、1atmの状態で45L/分に相当する流量に調整することにより、ウェーハ端面における、ウェーハ表面からh/2高さまでの間の平均流速を少なくとも0.07m/sとした。具体的には、図2に示すシリコンウェーハのa点~h点の8箇所について、ウェーハ端面図3に示す、面取り面の傾斜開始点における、ウェーハ表面からh/2高さまでの間の平均流速をシミュレーションモデルによる数値解析にて計測し、a点~h点のうち、平均流速が最も遅い箇所で0.07m/sとした。<実施例2>実施例1で用意したものと同じ寸法と品質のシリコンウェーハを用意し、このシリコンウェーハの裏面に同じ膜厚の酸化膜をCVD法により形成した。この酸化膜形成後のシリコンウェーハについて、エッチングガスの流量を28L/分に調整することにより、ウェーハ端面における、ウェーハ表面からh/2高さまでの間の平均流速を少なくとも0.04m/sとしたこと以外は、実施例1と同様に気相エッチングを行い、ウェーハ端面の余分な酸化膜の除去を行った。<実施例3>実施例1で用意したものと同じ寸法と品質のシリコンウェーハを用意し、このシリコンウェーハの裏面に同じ膜厚の酸化膜をCVD法により形成した。この酸化膜形成後のシリコンウェーハについて、エッチングガスの流量を21L/分に調整することにより、ウェーハ端面における、ウェーハ表面からh/2高さまでの間の平均流速を少なくとも0.02m/sとしたこと以外は、実施例1と同様に気相エッチングを行い、ウェーハ端面の余分な酸化膜の除去を行った。<実施例4>実施例1で用意したものと同じ寸法と品質のシリコンウェーハを用意し、このシリコンウェーハの裏面に同じ膜厚の酸化膜をCVD法により形成した。この酸化膜形成後のシリコンウェーハについて、エッチングガスの流量を17L/分に調整することにより、ウェーハ端面における、ウェーハ表面からh/2高さまでの間の平均流速を少なくとも0.01m/sとしたこと以外は、実施例1と同様に気相エッチングを行い、ウェーハ端面の余分な酸化膜の除去を行った。<実施例5>実施例1で用意したものと同じ寸法と品質のシリコンウェーハを用意し、このシリコンウェーハの裏面に同じ膜厚の酸化膜をCVD法により形成した。この酸化膜形成後のシリコンウェーハについて、ステージ上に載置したウェーハ表面から天井までの高さhが70mmの装置を用いたこと、及びエッチングガスの流量を45L/分に調整することにより、ウェーハ端面における、ウェーハ表面からh/2高さまでの間の平均流速を少なくとも0.09m/sとしたこと以外は、実施例1と同様に気相エッチングを行い、ウェーハ端面の余分な酸化膜の除去を行った。<実施例6>実施例1で用意したものと同じ寸法と品質のシリコンウェーハを用意し、このシリコンウェーハの裏面に同じ膜厚の酸化膜をCVD法により形成した。この酸化膜形成後のシリコンウェーハについて、ステージ上に載置したウェーハ表面から天井までの高さhが70mmの装置を用いたこと、及びエッチングガスの流量を28L/分に調整することにより、ウェーハ端面における、ウェーハ表面からh/2高さまでの間の平均流速を少なくとも0.05m/sとしたこと以外は、実施例1と同様に気相エッチングを行い、ウェーハ端面の余分な酸化膜の除去を行った。<実施例7>実施例1で用意したものと同じ寸法と品質のシリコンウェーハを用意し、このシリコンウェーハの裏面に同じ膜厚の酸化膜をCVD法により形成した。この酸化膜形成後のシリコンウェーハについて、ステージ上に載置したウェーハ表面から天井までの高さhが70mmの装置を用いたこと、及びエッチングガスの流量を21L/分に調整することにより、ウェーハ端面における、ウェーハ表面からh/2高さまでの間の平均流速を少なくとも0.03m/sとしたこと以外は、実施例1と同様に気相エッチングを行い、ウェーハ端面の余分な酸化膜の除去を行った。<実施例8>実施例1で用意したものと同じ寸法と品質のシリコンウェーハを用意し、このシリコンウェーハの裏面に同じ膜厚の酸化膜をCVD法により形成した。この酸化膜形成後のシリコンウェーハについて、ステージ上に載置したウェーハ表面から天井までの高さhが70mmの装置を用いたこと、及びエッチングガスの流量を45L/分に調整することにより、ウェーハ端面における、ウェーハ表面からh/2高さまでの間の平均流速を少なくとも0.02m/sとしたこと以外は、実施例1と同様に気相エッチングを行い、ウェーハ端面の余分な酸化膜の除去を行った。<評価>図5及び図6から明らかなように、実施例1~8を比較すると、ウェーハ端面に形成された酸化膜のエッチング量は、ウェーハ端面における、ウェーハ表面からh/2高さまでの間のエッチングガスの平均流速に影響して変動することが確認された。このことから、ウェーハ端面における、ウェーハ表面からh/2高さまでの間のエッチングガスの平均流速を制御することによって、酸化膜のエッチング量を調整できることが判る。特に、ウェーハ端面a点~h点の8箇所のうち、上記平均流速が最も遅い箇所の当該平均流速を0.04m/s未満に制御した実施例3,4,7,8では、所望のエッチング量で酸化膜が除去されていない箇所が数カ所確認された。これに対し、ウェーハ端面におけるa点~h点の8箇所のうち、上記平均流速が最も遅い箇所において少なくとも0.04m/sとし、8箇所すべてにおける上記平均流速を0.04m/s以上に制御した実施例1,2,5,6では、a点~h点の8箇所すべてにおいてエッチング量が所望の範囲となり、均一なエッチング量にて酸化膜を除去することができた。"