1つ以上の荷電粒子ビームレットの1つ以上の特性を決定するセンサを具備し、ターゲットの表面にパターンを転写する荷電粒子ビームレットリソグラフィーシステムにおいて、前記センサは、荷電粒子の受け取りに応じて、フォトンを発生させるコンバータ素子を備え、前記コンバータ素子は、1つ以上の荷電粒子ビームレットを受け取る表面を含み、前記表面には、1つ以上の個々のビームレットを評価するための1つ以上のセルが設けられており、各セルは、前記コンバータ素子の表面にわたっての予め定められたビームレットスキャン軌跡に沿って、ブロッキング領域と非ブロッキング領域の間の移行部における複数のナイフエッジを形成する、1つ以上の荷電粒子ブロッキング構造の予め定められたブロッキングパターンを含み、前記コンバータ素子の表面は、前記荷電粒子に対しては実質的に透過性であり、周辺光に対しては実質的に非透過性である被覆層で覆われており、導電性の層は、前記被覆層と前記ブロッキング構造の間に位置している、荷電粒子ビームレットリソグラフィーシステム。前記センサは、複数の荷電粒子ビームレットのそれぞれの受け取りに応じて、信号を同時に発生させることによって、ビームレットのそれぞれに対して並列的に、前記複数の荷電粒子ビームレットの1つ以上の特性を決定するように適合されている、請求項1記載のシステム。前記導電性の層は、前記コンバータ素子の表面に実質的に平行な平面における前記ブロッキング構造の寸法に、形状およびサイズにおいて実質的に類似している、請求項1または2のいずれか1項に記載のシステム。前記導電性の層は、クロミウムを含む、請求項1ないし3のいずれか1項に記載のシステム。前記ブロッキング構造は、タングステンを含む、請求項1ないし4のいずれか1項に記載のシステム。前記コンバータ素子は、シンチレートする材料を含む、請求項1ないし5のいずれか1項に記載のシステム。前記シンチレートする材料は、イットリウムアルミニウムガーネットを含む、請求項6に記載のシステム。前記被覆層は、チタニウムを含む、請求項1ないし7のいずれか1項に記載のシステム。前記荷電粒子ビームレットは、エレクトロンビームレットである、請求項1ないし8のいずれか1項に記載のシステム。前記センサは、前記コンバータ素子により発生されたフォトンを受け取るフォトンレセプタと、前記フォトンレセプタからの信号を受け取って、前記信号に基づいて、1つ以上のビームレットの1つ以上の特性を決定する制御ユニットとをさらに備える、請求項1ないし9のいずれか1項に記載のシステム。複数の荷電粒子ビームレットを発生させるビームレット発生器と、転写されることになるパターンにしたがって、前記荷電粒子ビームレットを変調させる変調システムと、前記ターゲットの表面上に、前記変調されたビームレットをフォーカスするエレクトロン光学システムと、前記ターゲットまたは前記センサのいずれかの表面上に、前記フォーカスされたビームレットを偏向させる偏向システムとをさらに備える、請求項1ないし10のいずれか1項に記載のシステム。荷電粒子ビームによる露光に応じて、信号を発生させるセンサにおいて、前記センサは、荷電粒子の受け取りに応じて、フォトンを発生させるコンバータ素子を備え、前記コンバータ素子は、1つ以上の荷電粒子ビームレットを受け取る表面を含み、前記表面には、1つ以上の個々のビームレットを評価するための1つ以上のセルが設けられており、各セルは、前記コンバータ素子の表面にわたっての予め定められたビームレットスキャン軌跡に沿って、ブロッキング領域と非ブロッキング領域の間の移行部における複数のナイフエッジを形成する、1つ以上の荷電粒子ブロッキング構造の予め定められたブロッキングパターンを含み、前記コンバータ表面は、前記荷電粒子に対しては実質的に透過性であり、周辺光に対しては実質的に非透過性である被覆層で覆われており、導電性の層は、前記被覆層と、前記ブロッキング構造との間に位置しており、前記センサは、前記コンバータ素子に関係するフォトンレセプタであって、前記コンバータ素子により発生されたフォトンに基づいて信号を発生させるフォトンレセプタをさらに備える、センサ。前記フォトンは、前記コンバータ素子により発生されたフォトンに基づいて、受け取り情報を形成するように構成されており、前記センサは、前記フォトンレセプタからの前記受け取り情報を受け取って、前記受け取り情報に基づいて、複数の荷電粒子ビームの特性を決定する制御ユニットをさらに備える、請求項12に記載のセンサ。複数の荷電粒子ビームレットの特性を感知するセンサ中で使用するコンバータ素子であって、荷電粒子の受け取りに応じて、フォトンを発生させるコンバータ素子において、前記コンバータ素子は、1つ以上の荷電粒子ビームレットを受け取る表面を含み、前記表面は、1つ以上の個々のビームレットを評価する1つ以上のセルが設けられており、各セルは、前記コンバータ素子の表面にわたっての予め定められたビームレットスキャン軌跡に沿って、ブロッキング領域と非ブロッキング領域の間の移行部における複数のナイフエッジを形成する、1つ以上の荷電粒子ブロッキング構造の予め定められたブロッキングパターンを含み、前記コンバータ素子の表面は、前記荷電粒子に対しては実質的に透過性であり、周辺光に対しては実質的に非透過性である被覆層で覆われており、導電性の層は、前記被覆層と、前記ブロッキング構造との間に位置している、コンバータ素子。当たっている荷電粒子をフォトンに選択的に変換するように構成されているコンバータ素子を製造する方法において、前記方法は、荷電粒子をフォトンに変換する変換材料を含む基板を設けることと、導電性の材料を含む第1の層と、エッチングストップ材料を含む第2の層と、第3の材料を含む第3の層とにより、基板を実質的に覆うことと、前記第3の層の上部にレジスト層を設けることと、第1の予め定められたパターンを形成するように、前記レジスト層をパターン形成し、デベロップして、前記第3の層が露出されるまで、前記デベロップされたレジスト層をエッチングすることと、前記露出された第3の層を、さらなるエッチングストップ材料を含む第4の層で覆うことと、前記第3の層が、第2の予め定められたパターンにしたがって露出されるように、前記デベロップされたレジストをリフトすることと、前記第2の層が露出されるまで、前記第2の予め定められたパターンにしたがって、前記第3の層をエッチングすることと、前記第1の層が露出されるまで、前記第2の予め定められたパターンにしたがって、前記第2の層とともに、前記第4の層をエッチングすることとを含み、前記第2の予め定められたパターンは、第1の予め定められたパターンの反転である、方法。前記第1の層は、周辺光に対しては実質的に非透過性であり、荷電粒子ビームレットに対しては実質的に透過性である、請求項15に記載の方法。前記第2の層のエッチングストップ材料と、前記第4の層のさらなるエッチングストップ材料とは、同一である、請求項15または16に記載の方法。前記エッチングストップ材料と前記さらなるエッチングストップ材料とのうちの少なくとも1つは、クロームを含む、請求項15ないし17のいずれか1項に記載の方法。前記第1の層の導電性の材料は、チタニウムおよびアルミニウムのうちの少なくとも1つを含む、請求項15ないし18のいずれか1項に記載の方法。前記第3の層の材料は、ウェットエッチングおよびドライエッチングの両方に対して、高い選択性を有する、請求項15ないし19のいずれか1項に記載の方法。前記第3の材料は、タングステンを含む、請求項15ないし20のいずれか1項に記載の方法。前記基板の変換材料は、シンチレートする材料を含む、請求項15ないし21のいずれか1項に記載の方法。前記シンチレートする材料は、イットリウムアルミニウムガーネットを含む、請求項22に記載の方法。