"球技装置に設けられた磁気検知部と、前記磁気検知部からの検知出力を演算する演算部とが設けられた磁界検知装置において、前記演算部では、前記検知出力が立ち上がる変化を示したときに、その検知出力の時間に対する変化量が分析されて、球技装置に装備されている磁気機構部が停止状態から動作状態に切り替わったときの磁界の変化を示す検知出力か、表示盤の前方に違法な磁界発生源が接近するときの磁界の変化を示す検知出力かが識別されることを特徴とする球技装置用の磁界検知装置。前記検知出力が立ち上がる変化を示したときに、検知出力の変化の周波数を分析し、その周波数が予め決められた基準よりも高いときに、球技装置に装備されている磁気機構部が停止状態から動作状態に切り替わったときの磁界の変化を示す検知出力であると識別され、前記周波数が予め決められた基準よりも低いときに、表示盤の前方に違法な磁界発生源が接近するときの磁界の変化を示す検知出力であると識別される請求項1記載の球技装置用の磁界検知装置。周波数分析は、高速フーリエ変換処理FFT処理によって行われる請求項2記載の球技装置用の磁界検知装置。前記検知出力が立ち上がる変化を示したときに、前記検知出力の時間に対する変化量の比が予め決められた基準より大きいときに、球技装置に装備されている磁気機構部が停止状態から動作状態に切り替わったときの磁界の変化を示す検知出力であると識別され、前記比が予め決められた基準より小さいときに、表示盤の前方に違法な磁界発生源が接近するときの磁界の変化を示す検知出力であると識別される請求項1記載の球技装置用の磁界検知装置。磁気検知部は、互いに直交する3方向の磁界成分を検知できるものであり、3方向の磁界成分の合成値が前記検知出力である請求項1ないし5のいずれかに記載の球技装置用の磁界検知装置。請求項1ないし5のいずれかに記載の磁界検知装置が搭載された球技装置。特許文献1に記載の磁気センサは、4個以上の多くの磁気センサを搭載しているため、磁気センサの数が多くなる。また、球技装置には入賞機構を動作させるソレノイドが備えられているために、それぞれの磁気センサが、ソレノイドからの磁界を検知する可能性がある。この場合に、違法行為による磁界であるかソレノイドからの磁界であるのかを識別できなくなる。本発明は、上記従来の課題を解決するものであり、共通の磁気検知部を使用して、違法行為による磁界か、球技装置に備えられているソレノイドなどの磁気機構部から発生した磁界であるかを識別できるようにした球技装置用の磁界検知装置を提供することを目的としている。また本発明は、前記磁界検知装置を使用して、違法な磁石の接近を高い精度で検知することができる球技装置を提供することを目的としている。本発明は、球技装置に設けられた磁気検知部と、前記磁気検知部からの検知出力を演算する演算部とが設けられた磁界検知装置において、前記演算部では、前記検知出力が立ち上がる変化を示したときに、その検知出力の時間に対する変化量が分析されて、球技装置に装備されている磁気機構部が停止状態から動作状態に切り替わったときの磁界の変化を示す検知出力か、表示盤の前方に違法な磁界発生源が接近するときの磁界の変化を示す検知出力かが識別されることを特徴とするものである。本発明は、前記検知出力が立ち上がる変化を示したときに、検知出力の変化の周波数を分析し、その周波数が予め決められた基準よりも高いときに、球技装置に装備されている磁気機構部が停止状態から動作状態に切り替わったときの磁界の変化を示す検知出力であると識別され、前記周波数が予め決められた基準よりも低いときに、表示盤の前方に違法な磁界発生源が接近するときの磁界の変化を示す検知出力であると識別される。本発明は、周波数分析は、高速フーリエ変換処理FFT処理によって行われる。例えば、本発明は、前記検知出力が立ち上がる変化を示したときに、前記検知出力の時間に対する変化量の比が予め決められた基準より大きいときに、球技装置に装備されている磁気機構部が停止状態から動作状態に切り替わったときの磁界の変化を示す検知出力であると識別され、前記比が予め決められた基準より小さいときに、表示盤の前方に違法な磁界発生源が接近するときの磁界の変化を示す検知出力であると識別される。本発明は、磁気検知部は、互いに直交する3方向の磁界成分を検知できるものであり、3方向の磁界成分の合成値が前記検知出力であることが好ましい。本発明の球技装置は、前記いずれかの磁界検知装置が搭載されているものである。本発明は、球技装置に入賞機構などを動作させる磁気機構部が備えられている場合に、前記磁気機構部から発せられた磁界の検知出力であるのか、違法な磁界発生源からの磁界であるのかを、検知出力の変化を分析することで識別できるようにしている。そのため、少ない数の磁気検知部で、違法な磁界発生源から磁界が与えられているか否かを、高い精度で検知できる。図4ABに示す球技装置20は、鉄の玉を打ち出して、複数の入賞穴に入れるゲームである。球技装置20はケース21に表示盤22が設けられ、表示盤22の前方に離れた位置にガラス板などの透明板23が設置されている。表示盤22と透明板23とで挟まれた領域が玉の移動空間24である。移動空間24の下部には、玉を打ち出す射出機構が設けられており、球技装置20の前方の下部に設けられた操作体25を操作することで、玉の打ち出し速度の制御操作が行われる。移動空間24の内部では、表示盤22の前面22aに、打ち出された玉を案内する案内部材25が設けられている。また表示盤22の前面22aに複数の釘が打たれており、前面22aに複数の入賞穴が設けられている。表示盤22の背面22bの後方に、入賞穴に設けられた機構を動作させるソレノイドなどを備えた磁気機構部26が設けられている。磁気機構部26は複数設けられているが、図4では1つのみが示されている。表示盤22のほぼ中央部の背面22bに、磁界検知装置1が取り付けられている。図4に示すように、表示盤22の前方の透明板23に違法な磁界発生源である磁石27が設置されたときに、磁気検知装置1により磁石27から発せられる磁界が検知される。磁気検知装置1は、磁石27からの磁界と、磁気機構部26から発せられる磁界を識別する機能を有している。磁界検知装置1で検知する磁界の方向を規定するために、表示盤22と平行な平面に沿う横方向をX方向とし、右側をX方向、左側を-X方向とする。前記平面に沿う縦方向をY方向とし、下側をY方向、上側を-Y方向とする。表示盤22と垂直な方向をZ方向とし、前方をZ方向、後方を-Z方向とする。図1に示すように、磁界検知装置1は、磁気検知部2を有している。磁界検知装置1のうちの少なくとも磁気検知部2が、球技装置20の表示盤22の背面22bに取り付けられる。図2に示すように、磁気検知部2には、X軸に沿って固定されたX軸センサ3と、Y軸に沿って固定されたY軸センサ4と、Z軸に沿って固定されたZ軸センサ5を有している。X軸センサ3とY軸センサ4およびZ軸センサ5は、いずれも巨大磁気抵抗効果素子GMR素子で構成されている。GMR素子は、Ni-Co合金やNi-Fe合金などの軟磁性材料で形成された固定磁性層および自由磁性層と、固定磁性層と自由磁性層との間に挟まれた銅などの非磁性導電層とを有している。固定磁性層の下に反強磁性層が積層され、反強磁性層と固定磁性層との交換結合により、固定磁性層の磁化が固定されている。X軸センサ3は、磁気のX方向に向く成分を検知するものであり、固定磁性層の磁化の向きがX軸に沿うPX方向に固定されている。自由磁性層の磁化の向きは外部から与えられる磁界の向きに反応する。自由磁性層の磁化の向きがPX方向と平行になるとX軸センサ3の抵抗値が極小になり、自由磁性層の磁化の向きがPX方向と逆向きになるとX軸センサ3の抵抗値が極大になる。また、自由磁性層の磁化の向きがPX方向と直交すると、抵抗値が前記極大値と極小値との平均値となる。図1に示す磁場データ検知部6では、X軸センサ3と固定抵抗とが直列に接続され、X軸センサ3と固定抵抗との直列回路に電圧が与えられており、X軸センサ3と固定抵抗との間の電位がX軸の検知出力として取り出される。X軸センサ3にX方向に向く磁界が与えられていないとき、またはPXに対して直交する磁界が与えられているときに、X軸の検知出力が中点電位となる。外部から与えられる磁界の磁気ベクトルVが、X軸センサ3の固定磁性層の磁化の固定方向PXに向けられると、X軸の検知出力が、前記中点電位に対してプラス側の極大値となる。逆に、磁気ベクトルVがX軸センサ3の固定磁性層の磁化の固定方向PXと反対に向けられると、X軸センサ3に与えられる逆向きの磁界成分が極大値となる。このときのX軸の検知出力は、前記中点電位に対してマイナス側の極大値となる。磁場データ検知部6において、Y軸センサ4とZ軸センサ5も、それぞれが固定抵抗と直列に接続され、Y軸センサ4またはZ軸センサ5と固定抵抗との直列回路に電圧が与えられており、各センサと固定抵抗との間の電位がY軸またはZ軸の検知出力として取り出される。磁気ベクトルVがY軸センサ4の固定磁性層の磁化の固定方向PYに向けられると、Y軸の検知出力が、中点電位に対してプラス側の極大値になる。磁気ベクトルVがY軸センサ4の固定磁性層の磁化の固定方向PYと反対に向けられると、Y軸の検知出力が、中点電位に対してマイナス側の極大値となる。同様に、磁気ベクトルVがZ軸センサ5の固定磁性層の磁化の固定方向PZと同じ方向に向けられると、Z軸の検知出力が、中点電位に対してプラス側の極大値になる。磁気ベクトルVがZ軸センサ5の固定磁性層の磁化の固定方向PZと逆向きになると、Z軸の検知出力が、中点電位に対してマイナス側の極大値となる。磁気ベクトルVの大きさが一定であれば、X軸センサ3とY軸センサ4およびZ軸センサ5からの検知出力は、いずれもプラス側の極大値の絶対値と、マイナス側の極大値の絶対値とが同じである。X軸センサ3としては、磁気ベクトルの向きによってプラス側の検知出力とマイナス側の検知出力が得られ、プラス側の検知出力の極大値とマイナス側の検知出力の極大値とで絶対値が同じになれば、GMR素子以外の磁気センサで構成することもできる。例えば、X軸に沿ってプラス側の磁界強度のみを検知できるホール素子または磁気抵抗効果素子MR素子と、マイナス側の磁界強度のみを検知できるホール素子またはMR素子を組み合わせて、X軸センサ3として使用してもよい。これは、Y軸センサ4とZ軸センサ5においても同じである。図1に示すように、磁場データ検知部6で検知されたX軸とY軸およびZ軸の検知出力は、演算部10に与えられる。演算部10は、A/D変換部とCPUおよびクロック回路などから構成されている。演算部10のクロック回路の計測時間に応じて、磁場データ検知部6で検知されたX軸とY軸およびZ軸の検知出力が、短いサイクルで間欠的にサンプリングされて演算部10に読み出される。それぞれの検知出力は、演算部10内に設けられた前記A/D変換部によってディジタル値に変換され、バッファメモリに順に格納される。演算部10を構成するCPUにはメモリ7が接続されている。メモリ7には、演算処理のためのソフトウエアがプログラミングされて格納されている。演算部10の演算処理は前記ソフトウエアによって実行される。図3は、X軸センサ3とY軸センサ4およびZ軸センサ5で検知されたX軸とY軸およびZ軸の検知出力を説明するための三次元座標図である。図3に示すように、磁気検知部2に磁気ベクトルVが与えられると、X軸の検知出力xとY軸の検知出力yおよびZ軸の検知出力zが得られる。X軸方向とY軸方向およびZ軸方向の感度係数が同じときは、3軸の検知出力の合成値は、{√x2y2z2}で得られる。この合成値は、磁気ベクトルVの絶対値である。なお、X軸センサ3とY軸センサ4およびZ軸センサ5を含む磁場データ検知部6において、X軸、Y軸、Z軸の検知出力の感度が互いに相違することがある。この場合に、X軸の検知出力の感度係数をA、Y軸の検知出力の感度係数をB、Z軸の検知出力の感度係数をCとすると、3軸の検知出力の合成値は、Vの絶対値=√x/A2y/B2z/C2となる。図4に示す球技装置20は、磁気機構部26が、磁界検知装置1よりも下側に位置している。図5は、磁気機構部26が停止から始動に切り替わったとき例えば、ソレノイドのコイルへの非通電から通電に切り替わったときに、磁気機構部26から発生した磁界が磁気検知部2で検知されたときの、X軸の検知出力xとY軸の検知出力yおよびZ軸の検知出力zの変化を示している。図5は、磁気検知部2に磁気機構部26からの磁界のみが与えられたときの検知出力を示している。図4は、手で保持された違法な磁石27が、磁界検知装置1よりも左側の位置で、表示盤22に接近して透明板23の表面に設置された状態を示している。図6は、このときのX軸の検知出力xとY軸の検知出力yおよびZ軸の検知出力zの変化を示している。図6は、磁気検知部2に磁石27の磁界のみが与えられているときの検知出力を示している。図7には、図5に示している磁気機構部26に起因するX,Y,Zの3軸の検知出力の合成値の変化を線図αで示し、図6に示している磁石27に起因するX,Y,Zの3軸の検知出力の合成値の変化を線図βで示している。磁界検知装置1は、磁場データ検知部6から得られるX軸の検知出力xとY軸の検知出力yおよびZ軸の検知出力zが、一定のサンプリング周期でサンプリングされてディジタル値に変換され、バッファメモリに順番に格納されていく。図5と図6は、サンプリングされてバッファメモリに順番に格納されるX,Y,Zの各出力の時間的な変化を示している。図7に示す線図αとβに現れるデータは、サンプリングされてディジタル値に変換されたX軸,Y軸,Z軸の検知出力から演算された3軸の合成値であり、この合成値もバッファメモリに順番に格納される。図7は、バッファメモリに順番に格納される合成値の時間的な変化を示している。演算部10では、図5、図6および図7に示す出力変化の特性を分析することで、磁気機構部26から発せられた磁界の検知出力であるか、違法な磁石27からの磁界であるかを識別する。その分析方法は以下の通りである。分析方法1図7に示す3軸の検知出力の合成値では、線図αで示すように、磁気機構部26が停止から動作状態に切り替わったとき、磁界の検知出力が急激に変化する。これはソレノイドのコイルなどにスイッチングにより電流が流されたときに発生する磁界が急激に大きくなるからである。線図βで示すように、磁石27が表示盤22に設置されるときの検知出力の変化は、線図αと比較して緩やかである。これは、人の手で磁石27を保持して表示盤22に接近させるときに磁気検知部2で検知される磁界が徐々に大きくなり、磁石27が透明板23の前面に設置されたときに検知される時間が最大となるように変化するからである。そこで、演算部10では、図7に示す3軸の合成値の検知出力の変化の周波数を分析し、その周波数によって、磁気機構部26が動作したときに発生した磁界の検知出力であるか、磁石27からの磁界の検知出力であるかを識別する。なお、図5と図6に示すように、X軸,Y軸,Z軸の個別の検知出力では、磁界検知装置1を基準とする磁気機構部26の配置方位および磁石27が設置される方位によって、どの軸の検知出力が大きく変化するか、またプラス側に変化するかマイナス側に変化するかが相違する。これに対し、図7に示す3軸の合成値を使用すると、磁気機構部26と磁石27の配置方位に影響を受けることなく、磁気機構部26から発せられる磁界の強度の変化と、磁石27から発せられる磁界の強度の変化とを、同じ基準に基づいて比較することが可能になる。演算部10は、3軸の合成値の出力変化の周波数が予め決められた基準よりも高いときに、磁気機構部26が動作したときに発生した磁界の検知出力であると識別し、前記周波数が予め決められた基準よりも低いときに、違法な磁石27からの磁界の検知出力であると識別する。例えば、3軸の合成値の出力変化の周波数の大小は、メモリに予め基準となる周波数の波形を記憶しておき、バッファメモリに格納されている複数の3軸の合成値と基準と成る周波数の波形との距離を演算することで求めることができる。あるいは、バッファメモリに格納されている複数の3軸の合成値を高速フーリエ変換処理FFT処理することによって、出力変化の周波数を分析することができる。磁気機構部26が始動して磁界を発生する時間と、違法な磁石27が設置された時間とが重複すると、3軸の合成値は、図7に示す線図αと線図βとが合成された値として検出される。FFT処理を行うと、合成された出力から異なる周波数成分を区分して取り出すことができる。よって、磁気機構部26が始動して磁界を発生する時間と、違法な磁石27が設置された時間とが重複しても、違法な磁石27が設置されたことによる周波数成分が含まれているか否かを分析することで、違法行為が行われているか否かを検知することができる。違法な磁石27が検知されると、球技装置20の動作を停止させたり、ホストコンピュータに警報を発するなどの処理がとられる。分析方法2図7に示すように、線図αは3軸の合成値の変化が急激であり、線図βは3軸の合成値の変化が緩やかである。そこで、演算部10では、3軸の合成値の時間に対する変化量時間に対する変化量の比が予め決められた基準よりも急なとき、磁気機構部26が動作したときに発生した磁界の検知出力であると識別し、3軸の合成値の時間に対する変化が予め決められた基準よりも緩やかなとき、違法な磁石27からの磁界の検知出力であると識別する。分析方法3図7に示すように、線図αの合成出力は、所定の値以上大きくなってピークに達した後に出力が安定し、線図βの合成出力は、所定の値以上大きくなってピークに達した後に不安定であり変動する。これは、磁気機構部26はスイッチングにより通電された後の電流量が一定となり発生する磁界が安定するのに対し、手で磁石27保持しているときは、磁気検知部2に届く磁界が変化しやすいからである。そこで、演算部10では、3軸の合成値が所定値まで立ち上がった後あるいは所定幅立ち上がった後のの合成値の変動量が予め決められた基準よりも小さいとき、磁気機構部26が動作したときに発生した磁界の検知出力であると識別し、前記変動量が予め決められた基準よりも大きいとき、違法な磁石27からの磁界の検知出力であると識別する。分析方法4図5と図6に示すように、X軸の検知出力xとY軸の検知出力yおよびZ軸の検知出力zは、磁気検知部2が検知する磁気ベクトルVの表示盤22と平行な面内での方位に応じて変化する。よって、X軸の出力xに対するY軸の出力yの比を求めることで、検知された磁気ベクトルVの方位を知ることができる。X軸とY軸とで感度係数が相違するときは、x/Aに対するy/Bの比を求めることで、検知された磁気ベクトルVの方位を知ることができる。磁気検知部2に対する磁気機構部26の方位は予め決められているため、X軸の検知出力とY軸の検知出力の比を求めることで、磁気機構部26が設けられている方位からの磁界であるか、それ以外の方位からの磁界であるかを分析できる。磁気機構部26の方位以外からの磁界を検知したときに、違法な磁石27が接近したと判断することができる。なお、前記分析方法1,2,3,4は、全て個別に行われてもよいし、複数の分析方法を併用し、複数の分析方法の全てにおいて違法行為が行われていると判断されたときに警告などを発してもよい。特に分析方法4を、分析方法1,2,3に対する補助的な手段として使用し、例えば分析方法4で、磁気機構部26の方位以外の向きの磁界を検知したときに、さらに分析方法1,2,3で違法な磁界が検知されたら、違法行為が行われていると判断してもよい。"