液晶表示パネル用基板の製造方法であって、該基板は、液晶配向制御突起物を備え、該液晶配向制御突起物は、主突起物、及び、副突起物を含み、該副突起物は、直線状であり、かつ、該主突起物よりも低く、該製造方法は、ポジ型の感光性樹脂膜を形成する工程と、フォトマスクを通して該感光性樹脂膜を露光する工程とを含み、該フォトマスクは、該副突起物を形成するための調光領域を有し、該調光領域は、スリット状の透光部を有することを特徴とする液晶表示パネル用基板の製造方法。前記フォトマスクは、透光領域と、前記主突起物を形成するための遮光領域とを更に有し、前記調光領域は、遮光部、及び、前記透光部を有するグレートーン領域であることを特徴とする請求項1記載の液晶表示パネル用基板の製造方法。前記基板は、着色層と、該着色層よりも高い遮光層とを更に備え、前記副突起物は、該着色層上に設けられた第一の副突起物であり、前記液晶配向制御突起物は、該遮光層上に設けられた第二の副突起物を更に含み、該第二の副突起物は、直線状であり、かつ、前記主突起物よりも低く、前記グレートーン領域は、該第一の副突起物を形成するための第一のグレートーン領域であり、前記遮光部、及び、前記透光部はそれぞれ、第一の遮光部、及び、第一の透光部であり、前記フォトマスクは、該第二の副突起物を形成するための第二のグレートーン領域を更に有し、該第二のグレートーン領域は、第二の遮光部と、スリット状の第二の透光部とを有し、該第二のグレートーン領域の透過率は、該第一のグレートーン領域の透過率よりも大きいことを特徴とする請求項2記載の液晶表示パネル用基板の製造方法。前記基板は、柱状スペーサを更に備え、前記フォトマスクは、透光領域と、該柱状スペーサを形成するための遮光領域と、前記主突起物を形成するためのハーフトーン領域とを更に有し、前記調光領域は、半透過部、及び、前記透光部を有するハーフトーングレートーン領域であることを特徴とする請求項1記載の液晶表示パネル用基板の製造方法。前記基板は、着色層と、該着色層よりも高い遮光層とを更に備え、前記副突起物は、該着色層上に設けられた第一の副突起物であり、前記液晶配向制御突起物は、該遮光層上に設けられた第二の副突起物を更に含み、該第二の副突起物は、直線状であり、かつ、前記主突起物よりも低く、前記ハーフトーングレートーン領域は、該第一の副突起物を形成するための第一のハーフトーングレートーン領域であり、前記半透過部、及び、前記透光部はそれぞれ、第一の半透過部、及び、第一の透光部であり、前記フォトマスクは、該第二の副突起物を形成するための第二のハーフトーングレートーン領域を更に有し、該第二のハーフトーングレートーン領域は、第二の半透過部と、スリット状の第二の透光部とを有し、該第二のハーフトーングレートーン領域の透過率は、該第一のハーフトーングレートーン領域の透過率よりも大きいことを特徴とする請求項4記載の液晶表示パネル用基板の製造方法。前記透光部は、第一の透光部であり、前記フォトマスクは、グレートーン領域を更に有し、該グレートーン領域は、遮光部と、スリット状の第二の透光部とを有することを特徴とする請求項4記載の液晶表示パネル用基板の製造方法。液晶表示パネル用基板の製造工程において使用されるフォトマスクであって、該基板は、液晶配向制御突起物を備え、該液晶配向制御突起物は、主突起物、及び、副突起物を含み、該副突起物は、直線状であり、かつ、該主突起物よりも低く、該フォトマスクは、該副突起物を形成するための調光領域を有し、該調光領域は、スリット状の透光部を有することを特徴とするフォトマスク。液晶分子の配向が互いに異なる領域は各々、ドメインと呼ばれる。液晶配向制御突起物及び電極スリットが境界に無い状態で、2つのドメインが隣接した場合、例えば、下記1、2に示すような不具合が生じる。12つのドメインの間において、白ぼけ領域又は暗線が発生する。22つのドメインの境界線の発生場所が安定せず、2つのドメインの面積比が一定にならない。このような不具合を解消することを目的として、本発明者らは、MVAモードの液晶表示パネルにつき、1つの画素内において、開口領域となる部分に、より高い液晶配向制御突起物以下、主突起物とも言う。を複数配置するとともに、より低い液晶配向制御突起物以下、副突起物とも言う。を補助的に設ける形態について研究を行っていた。単に一種類の液晶配向制御突起物を画素を分割するように設けるのみでなく、副次的に低い液晶配向制御突起物を設けることで、より精密に液晶分子を画素内の各領域に区分することができるので、液晶分子の向きの制御性を高めることができ、表示品位が大幅に向上する。なお、副突起物は、例えば、開口領域とならない部分例えば、遮光領域に設けられる。また、主突起物に比べて、副突起物の表面の傾斜はより小さく、副突起物の表面は、よりなだらかであることが重要である。更に、製造工程の簡略化の観点からは、主突起物、及び、副突起物は、同時に形成されることが好ましい。そこで、本発明者らは、以下のフォトマスクを用いる製造方法について検討していた。このフォトマスクは、主突起物に対応するパターンと、副突起物に対応するパターンとを有し、後者のパターンの幅は、前者のパターンの幅よりも小さい。この製造方法によれば、主突起物に比べ、副突起物をより低く、かつ、よりなだらかに形成できる場合がある。しかしながら、製造装置の精度、特に露光装置の解像度によっては、副突起物の形状を適切に制御できない場合があった。例えば、結像光学系を有し、高解像度が得られる露光装置を使用した場合、適切な形状の副突起物を形成することが困難であった。この場合、副突起物に対応するパターンを細くしても、副突起物をテーパ状に形成するのが困難であった。図26は、本発明者らが検討を行っているMVAモードの液晶表示パネルを構成する基板表面を写した消光位状態での光学顕微鏡写真である。図26に示した基板において、液晶配向制御突起物は、上述した、副突起物に対応するパターンが細いフォトマスクを用いて形成した。その結果、図26の○部分に示すように、副突起物に起因する液晶分子の配向と、主突起物に起因する液晶分子の配向とが衝突する部分にディスクリネーションラインが発生した。これは、副突起物、及び、主突起物の間で必要な高低差が得られず、主突起物の配向規制力に対する副突起物の相対的な配向規制力が必要以上に強いためであると考えられる。ディスクリネーションラインは、通常表示状態では暗線として視認される。また、ディスクリネーションラインが発生する場所には、偏りがある。そのため、ディスクリネーションラインが発生すると、輝度が低下し、また、表示ムラが発生してしまう。なお、図26で示された写真は、消光位状態での写真であるため、ディスクリネーションラインは、図26では輝線として観察される。本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、液晶配向制御突起物に起因する液晶分子の配向の乱れを抑制できる液晶表示パネル用基板の製造方法、及び、フォトマスクを提供することを目的とするものである。本発明者らは、液晶配向制御突起物に起因する液晶分子の配向の乱れを抑制できる液晶表示パネル用基板の製造方法について種々検討を行っていたところ、フォトマスクのパターンに着目した。そして、フォトマスク内に、副突起物を形成するためのグレートーン領域を形成し、グレートーン領域内に、スリット状の透光部を形成することにより、適切な形状の副突起物を形成できることを見いだし、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。すなわち、本発明の一側面は、液晶表示パネル用基板の製造方法以下、本発明に係る製造方法とも言う。であって、上記基板は、液晶配向制御突起物を備え、上記液晶配向制御突起物は、主突起物、及び、副突起物を含み、上記副突起物は、直線状であり、かつ、上記主突起物よりも低く、上記製造方法は、ポジ型の感光性樹脂膜を形成する工程と、フォトマスクを通して上記感光性樹脂膜を露光する工程とを含み、上記フォトマスクは、上記副突起物を形成するための調光領域を有し、上記調光領域は、スリット状の透光部を有する液晶表示パネル用基板の製造方法である。本発明に係る製造方法は、このような工程を必須として含むものである限り、その他の工程により特に限定されるものではない。本発明に係る製造方法における好ましい形態について以下に詳しく説明する。本発明に係る製造方法における好ましい形態としては、上記フォトマスクは、透光領域と、上記主突起物を形成するための遮光領域とを更に有し、上記調光領域は、遮光部、及び、上記透光部を有するグレートーン領域である形態以下、第1形態とも言う。が挙げられる。上記第1形態によれば、適切な形状の副突起物と、主突起物とを同時に形成することができる。上記第1形態における好ましい形態としては、上記基板は、着色層と、上記着色層よりも高い遮光層とを更に備え、上記副突起物は、上記着色層上に設けられた第一の副突起物であり、上記液晶配向制御突起物は、上記遮光層上に設けられた第二の副突起物を更に含み、上記第二の副突起物は、直線状であり、かつ、上記主突起物よりも低く、上記グレートーン領域は、上記第一の副突起物を形成するための第一のグレートーン領域であり、上記遮光部、及び、上記透光部はそれぞれ、第一の遮光部、及び、第一の透光部であり、上記フォトマスクは、上記第二の副突起物を形成するための第二のグレートーン領域を更に有し、上記第二のグレートーン領域は、第二の遮光部と、スリット状の第二の透光部とを有し、上記第二のグレートーン領域の透過率は、上記第一のグレートーン領域の透過率よりも大きい形態以下、第2形態とも言う。が挙げられる。上記第2形態によれば、遮光層で区切られた区画に着色層を形成しようとする際、遮光層と着色層との間に段差を設けて遮光層の高さを着色層よりも高く形成することができる。したがって、着色層の的確なパターニングが可能となる。また、上記第2形態によれば、第二の副突起物を第一の副突起物よりも低くすることができる。すなわち、基板面からの第一の副突起物までの高さと、基板面からの第二の副突起物までの高さとの差を小さくすることができる。したがって、液晶分子の配向の乱れをより抑制することができる。本発明に係る製造方法における他の好ましい形態としては、上記基板は、柱状スペーサを更に備え、上記フォトマスクは、透光領域と、上記柱状スペーサを形成するための遮光領域と、上記主突起物を形成するためのハーフトーン領域とを更に有し、上記調光領域は、半透過部、及び、上記透光部を有するハーフトーングレートーン領域である形態以下、第3形態とも言う。が挙げられる。上記第3形態によれば、適切な形状の副突起物と、主突起物と、柱状スペーサとを同時に形成することができる。上記第3形態における好ましい形態としては、上記基板は、着色層と、上記着色層よりも高い遮光層とを更に備え、上記副突起物は、上記着色層上に設けられた第一の副突起物であり、上記液晶配向制御突起物は、上記遮光層上に設けられた第二の副突起物を更に含み、上記第二の副突起物は、直線状であり、かつ、上記主突起物よりも低く、上記ハーフトーングレートーン領域は、上記第一の副突起物を形成するための第一のハーフトーングレートーン領域であり、上記半透過部、及び、上記透光部はそれぞれ、第一の半透過部、及び、第一の透光部であり、上記フォトマスクは、上記第二の副突起物を形成するための第二のハーフトーングレートーン領域を更に有し、上記第二のハーフトーングレートーン領域は、第二の半透過部と、スリット状の第二の透光部とを有し、上記第二のハーフトーングレートーン領域の透過率は、上記第一のハーフトーングレートーン領域の透過率よりも大きい形態以下、第4形態とも言う。が挙げられる。上記第4形態によれば、上記第2形態と同じ効果を奏することができる。上記第3形態における他の好ましい形態としては、上記透光部は、第一の透光部であり、上記フォトマスクは、グレートーン領域を更に有し、上記グレートーン領域は、遮光部と、スリット状の第二の透光部とを有する形態以下、第5形態とも言う。が挙げられる。上記第5形態によれば、互いに高さの異なる4種類のパターンを形成することができる。本発明の他の側面は、液晶表示パネル用基板の製造工程において使用されるフォトマスク以下、本発明に係るフォトマスクとも言う。であって、上記基板は、液晶配向制御突起物を備え、上記液晶配向制御突起物は、主突起物、及び、副突起物を含み、上記副突起物は、直線状であり、かつ、上記主突起物よりも低く、上記フォトマスクは、上記副突起物を形成するための調光領域を有し、上記調光領域は、スリット状の透光部を有するフォトマスクでもある。本発明に係るフォトマスクの構成としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、その他の構成要素により特に限定されるものではない。本発明に係るフォトマスクにおける好ましい形態について以下に詳しく説明する。本発明に係るフォトマスクにおける好ましい形態としては、上記フォトマスクは、透光領域と、上記主突起物を形成するための遮光領域とを更に有し、上記調光領域は、遮光部、及び、上記透光部を有するグレートーン領域である形態以下、第6形態とも言う。が挙げられる。上記第6形態によれば、上記第1形態と同じ効果を奏することができる。上記第6形態における好ましい形態としては、上記基板は、着色層と、上記着色層よりも高い遮光層とを更に備え、上記副突起物は、上記着色層上に設けられた第一の副突起物であり、上記液晶配向制御突起物は、上記遮光層上に設けられた第二の副突起物を更に含み、上記第二の副突起物は、直線状であり、かつ、上記主突起物よりも低く、上記グレートーン領域は、上記第一の副突起物を形成するための第一のグレートーン領域であり、上記遮光部、及び、上記透光部はそれぞれ、第一の遮光部、及び、第一の透光部であり、上記フォトマスクは、上記第二の副突起物を形成するための第二のグレートーン領域を更に有し、上記第二のグレートーン領域は、第二の遮光部と、スリット状の第二の透光部とを有し、上記第二のグレートーン領域の透過率は、上記第一のグレートーン領域の透過率よりも大きい形態以下、第7形態とも言う。が挙げられる。上記第7形態によれば、上記第2形態と同じ効果を奏することができる。本発明に係るフォトマスクにおける他の好ましい形態としては、上記基板は、柱状スペーサを更に備え、上記フォトマスクは、透光領域と、上記柱状スペーサを形成するための遮光領域と、上記主突起物を形成するためのハーフトーン領域とを更に有し、上記調光領域は、半透過部、及び、上記透光部を有するハーフトーングレートーン領域である形態以下、第8形態とも言う。が挙げられる。上記第8形態によれば、上記第3形態と同じ効果を奏することができる。上記第8形態における好ましい形態としては、上記基板は、着色層と、上記着色層よりも高い遮光層とを更に備え、上記副突起物は、上記着色層上に設けられた第一の副突起物であり、上記液晶配向制御突起物は、上記遮光層上に設けられた第二の副突起物を更に含み、上記第二の副突起物は、直線状であり、かつ、上記主突起物よりも低く、上記ハーフトーングレートーン領域は、上記第一の副突起物を形成するための第一のハーフトーングレートーン領域であり、上記半透過部、及び、上記透光部はそれぞれ、第一の半透過部、及び、第一の透光部であり、上記フォトマスクは、上記第二の副突起物を形成するための第二のハーフトーングレートーン領域を更に有し、上記第二のハーフトーングレートーン領域は、第二の半透過部と、スリット状の第二の透光部とを有し、上記第二のハーフトーングレートーン領域の透過率は、上記第一のハーフトーングレートーン領域の透過率よりも大きい形態以下、第9形態とも言う。が挙げられる。上記第9形態によれば、上記第2形態と同じ効果を奏することができる。上記第8形態における他の好ましい形態としては、上記透光部は、第一の透光部であり、上記フォトマスクは、グレートーン領域を更に有し、上記グレートーン領域は、遮光部と、スリット状の第二の透光部とを有する形態以下、第10形態とも言う。が挙げられる。上記第10形態によれば、上記第5形態と同じ効果を奏することができる。本発明によれば、液晶配向制御突起物に起因する液晶分子の配向の乱れを抑制できる液晶表示パネル用基板の製造方法、及び、フォトマスクを実現することができる。以下に実施形態を掲げ、本発明について図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。なお、以下の実施形態の説明では、比較形態についても言及する。実施形態1実施形態1の液晶表示パネルは、一対の基板と、上記一対の基板に挟持された液晶層とを有する。実施形態1の液晶表示パネルは、MVAモードであり、一対の基板は各々、液晶層側の表面に垂直配向膜を有し、液晶層は、誘電率異方性が負のネマチック液晶を含む。実施形態1の液晶表示パネルは、一方の基板以下、アレイ基板ともいう。に、行方向に延伸されたゲートバスライン、及び、列方向に延伸されたソースバスラインを有し、これらに囲まれた領域が一つのサブ画素を構成する。アレイ基板は、複数の画素電極を有し、一つのサブ画素に対して一つの画素電極が配置される。すなわち、上記複数の画素電極は行方向及び列方向に並べられてマトリクス形状を構成する。各画素電極は、画素電極同士の間隙に配置されたゲートバスライン、ソースバスライン等の各種配線、及び、ゲートバスラインとソースバスラインの交点に隣接して設けられた薄膜トランジスタTFT:ThinFilmTransistor等のスイッチング素子により、個別に駆動制御される。図1は、実施形態1の液晶表示パネルの他方の基板の平面模式図である。図2は、図1のA1-A2線における断面模式図である。図1及び図2に示すように、一つのサブ画素に対応する領域に一つのカラーフィルタ31が、他方の基板以下、対向基板ともいう。に設けられる。カラーフィルタ31は、画素電極と重畳する位置に配置される。なお、カラーフィルタ31は、対向基板ではなくアレイ基板に設けられてもよい。複数色のカラーフィルタ31によって1つの画素に対応する特定の色が表現されるため、カラーフィルタ31に対応した複数個のサブ画素によって1つの画素は構成される。1つの画素を構成するカラーフィルタ31の色の組み合わせとしては、例えば、赤R、緑G及び青Bの3原色の組み合わせが挙げられ、他の色例えば、黄Y、白Wを更に有していてもよい。画素電極の間隙の任意の場所には、液晶表示パネルを構成する一対の基板を一定間隔で保つ柱状スペーサ14が設けられる。スペーサ14は、台座部下層部分14aと、台座部14a上に形成された高さ調整部上層部分14bとを有する。対向基板において、カラーフィルタ31同士の間隙には遮光部材以下、ブラックマトリクスBMともいう。32が設けられており、カラーフィルタ31同士の間隙からの光漏れ、及び、混色を防ぐことができる。カラーフィルタ31上、及び、BM32上の全体には共通電極33が設けられており、共通電極33と、アレイ基板が有する画素電極とによって液晶層内に電界を形成することができる。なお、ゲートバスラインは、図1の点線で囲まれた領域に対向し、ソースバスラインは、図1の二点差点で囲まれた領域に対向している。そして、実施形態1の液晶表示パネルにおいては、パネル面基板面を平面視したときに線状である液晶配向制御突起物以下、リブともいう。21が、対向基板の共通電極33上に設けられる。リブ21は、一部で折れ曲がった形状を有しており、画素の区分に関わらず、表示画面を大きく見たときに全体としてジグザグ形状を有している。また、リブ21の延伸方位は、画素電極の短辺及び長辺に対して、すなわち、行方向及び列方向に対して角度をもつ例えば、30~60°ように形成されているので、1つのリブ21であっても、1つのサブ画素を複数の領域に区分することができる。リブ21の材料は、ノボラック樹脂等の誘電体絶縁体であり、電圧を印加しない状態においても、隣接する液晶分子をリブ21に向かって配向させる傾かせることができる。したがって、リブ21で区分された領域ごとに各液晶分子は異なる方向に配向することになるので、広視野角を得ることができる。図1に示すように、リブ21は、メインリブ主突起物22、及び、サブリブ副突起物23を有している。メインリブ22としては、V字状のメインリブ22a、22bと、直線状のメインリブ22cとが挙げられる。サブリブ23は、直線状であり、サブリブ23の延伸方位は、メインリブ22の延伸方位に対して角度をもつ。V字状のメインリブ22a、22bを配置することで、1つのサブ画素を均等に分割しやすくなり、広視野角が得られやすくなる。また、サブリブ23を補助的に設けることで、より精密に液晶分子の配向性を調節することができるため、表示品位を向上させることができる。サブリブ23としては、メインリブ22aの折れ曲がっている部分屈曲部から延伸されたサブリブ23aと、メインリブ22aの末端から延伸されたサブリブ23bと、メインリブ22bの折れ曲がっている部分屈曲部から延伸されたサブリブ23cと、メインリブ22bの末端から延伸されたサブリブ23dと、メインリブ22cの末端から延伸されたサブリブ23e、23fとが挙げられる。これらのサブリブ23は、メインリブ22ほどの配向規制力は必要でないため、メインリブ22よりも低く形成されており、メインリブ22と同等又はそれ以下の幅をもつ。具体的には、メインリブ22の高さは、1.0~2.0μm好適には1.0~1.5μmであり、サブリブ23の高さは、メインリブの高さよりも小さく、0.5~0.9μmであることが好ましい。また、サブリブ23は、メインリブ22よりも狭い幅をもつことが好ましい。サブリブ23の幅をメインリブ22の幅よりも狭くすることで、開口率を向上させることができる。サブリブ23の幅を狭くすることで配向規制力はやや落ちるが、あくまで補助的な突起物であるため、表示品位への悪影響はほとんどない。具体的には、メインリブ22の幅は、10~15μm好適には10.5~12μmであり、サブリブ23の幅は、メインリブの幅よりも小さく、3~8μmであることが好ましい。メインリブ22の延伸方位は、サブ画素の外縁に対して角度をもつように形成されているが、サブリブ23の延伸方位は、行方向又は列方向となるように形成されている。メインリブ22a~22c、サブリブ23a、23fがカラーフィルタ31上開口領域内に設けられ、サブリブ23b、23eがBM32上開口領域外に設けられ、サブリブ23c、23dがカラーフィルタ31及びBM32上に設けられている。図3は、実施形態1の対向基板が有する液晶配向制御突起物を斜視的に表した模式図である。図3に示すように、リブ21は、対向基板を一方の基板としたときの他方の基板、すなわち、アレイ基板側に向かって突出した壁状の仕切り部材を構成する。また、リブ21は、対向基板表面近くの液晶分子をそれぞれ仕切られた複数の領域に区分する。カラーフィルタ着色層31とBM遮光層32との間には段差が設けられており、BM32がカラーフィルタ31よりも高く形成されている。そのため、同一のリブ内でもカラーフィルタ31上のもの例えばサブリブ23aとBM32上のもの例えばサブリブ23bとの間で段差が形成されることになる。これは、カラーフィルタ31とBM32の製造プロセスの中で形成されてしまう段差である。以下、実施形態1の対向基板の製造方法について説明する。まず、フォトリソグラフィ法を用いて、透明な基板34上に、格子状のBM32を形成する。基板34の材料としては、ガラスが挙げられる。次に、インクジェット法を用いて、カラーフィルタ31を形成する。具体的には、BM32によって仕切られたスペースにインクジェット法によってカラーフィルタ材料を滴下した後、脱溶媒処理を行う。これにより、容易にかつ高精度にカラーフィルタ31を形成することができる。なお、より的確に対象となるスペースにカラーフィルタ材料を留めるためには、カラーフィルタが形成される面基板34の表面に親液処理を行い、BM32の表面に撥液処理を行う。そうした場合、形成されるカラーフィルタ31とBM32とは、それぞれ異なる高さをもつことになる。このようなBM32とカラーフィルタ31との間の段差は、それぞれの面上に形成されるリブ間の段差形成の原因になる。なお、カラーフィルタ31とBM32との間の高さの違いは、一般的な製造プロセスによれば、0.4~0.6μmであり、通常のサブリブの高さメインリブの15~90と同程度である。なお、カラーフィルタ31は、フォトリソグラフィ法を用いて形成されてもよい。次に、BM32及びカラーフィルタ31上に、スパッタ法を用いて共通電極33を形成する。共通電極33の材料としては、ITO等の透明導電材料が挙げられる。なお、共通電極33を形成する前に、BM32及びカラーフィルタ31を覆うように、オーバーコート層平坦化層を形成してもよい。次に、フォトリソグラフィ法を用いて、リブ21と、スペーサ14の台座部14aとを同時にパターニングする。具体的には、まず、基板34上にノボラック樹脂等のポジ型の感光性樹脂材料をスリットコータ又はスピンコータを用いて塗布した後、脱溶媒処理を行う。これにより、図4に示すように、感光性樹脂膜フォトレジスト膜35を形成する。次に、図4に示すように、フォトマスク60を所定の位置に配置した後、フォトマスク60を介して感光性樹脂膜35に露光を行う。このときの露光は、例えば、250mJ/cm2の条件で行う。なお、フォトマスク60の詳細については後述する。本実施形態において使用可能な露光装置の種類は特に限定されず、例えば、ステッパ、ミラープロジェクション露光装置、プロキシミティ露光装置等が挙げられる。そして、露光後の感光性樹脂膜35を水酸化カリウムを用いて1分間現像処理し、その後、200°Cで20分間の焼成工程を行う。このようにして、リブ21と、スペーサ14の台座部14aとが形成される。次に、フォトリソグラフィ法を用いて、スペーサ14の高さ調整部14bを形成する。高さ調整部14bの高さは、所望のセルギャップに合わせて設定される。最後に、垂直配向膜の形成工程を経て、実施形態1の対向基板が完成する。なお、本実施形態の液晶表示パネルは、従来公知の方法によって作製することができる。ここで、フォトマスク60について詳細に説明する。図5は、フォトマスク60の平面模式図である。図5に示すように、実施形態1のフォトマスク60は、透光領域61と、調光領域であるグレートーン領域GT領域62と、遮光領域63、64とを有している。遮光領域63はV字状又は直線状であり、GT領域62は直線状である。遮光領域63は、GT領域62と連結されており、遮光領域63の延伸方位は、GT領域62の延伸方位に対して角度をもつ。すなわち、GT領域62と遮光領域63とを合わせた形状は、屈曲部を有するV字状を含む。また、遮光領域63は、樹脂膜35のメインリブ22が形成される部分に対応して形成され、GT領域62は、樹脂膜35のサブリブ23が形成される部分に対応して形成され、遮光領域64は、樹脂膜35の台座部14aが形成される部分に対応して形成されている。また、遮光領域63の平面パターンと、メインリブ22の平面パターンとは、相似し、GT領域62の平面パターンと、サブリブ23の平面パターンとは、相似し、遮光領域64の平面パターンと、台座部14aの平面パターンとは、相似する。このように、遮光領域63は、メインリブ22を形成するための領域パターンであり、GT領域62は、サブリブ23を形成するための領域パターンであり、遮光領域64は、台座部14aを形成するための領域パターンである。図6は、図5のB1-B2線における断面模式図である。図6に示すように、フォトマスク60は、透明な基板支持体65と、基板65上にパターニングされた遮光層66とを有する。基板65は、照射された光を実質的に全て透過する。具体的には、波長360~440nmにおける基板65の透過率は、例えば80以上であり、好適には90~92である。基板65の材料としては、ソーダ石灰ガラス、合成石英ガラス等のガラスが挙げられる。遮光層66は、遮光性の薄膜をパターニングすることによって形成される。遮光層66は、照射された光を実質的に完全に遮断する。具体的には、波長360~440nmにおける遮光層66の透過率は、実質的に0である。したがって、感光性樹脂膜35の遮光層66に対応する部分は、反応しない。遮光層66の材料としては、クロム等の金属が挙げられる。遮光層66は、遮光領域63、64の全領域内と、GT領域62の一部の領域内とに形成され、透光領域61内には形成されていない。したがって、透光領域61内には、基板65のみが存在するので、透光領域61は、照射された光をほとんど透過する。また、遮光領域63、64は、照射された光を実質的に完全に遮断する。GT領域62は、遮光部67と、遮光部67の間に形成された透光部68とを有している。透光部68は、遮光層66を含まず、基板65のみを含む。したがって、透光部68は、照射された光をほとんど透過する。一方、遮光部67は、遮光層66を含むので、照射された光を実質的に完全に遮断する。すなわち、GT領域62は、照射された光の一部を透過する。波長360~440nmにおけるGT領域62の透過率は、例えば、10好適には15以上、40好適には25以下である。透光領域61の透過率は、基板65の透過率と同じであり、遮光領域63、64の透過率は、遮光層66の透過率と同じである。したがって、フォトマスク60の透過率は、遮光領域63、GT領域62、及び、透光領域61の順で大きくなる。このようなフォトマスク60によれば、樹脂膜35の透光領域61に対応する部分は、ほとんど除去され、樹脂膜35のGT領域62に対応する部分は、部分的に除去される。また、樹脂膜35の遮光領域63、64に対応する部分は、ほとんど残存する。したがって、GT領域62に対応する部分にサブリブ23を形成でき、遮光領域63に対応する部分にメインリブ22を形成でき、遮光領域64に対応する部分に台座部14aを形成することができる。また、メインリブ22及びサブリブ23を含むリブ21全体を同時にパターニングすることができる。図7は、フォトマスク60のGT領域62を拡大した平面模式図である。図7に示すように、GT領域62において、透光部68は、スリット状直線状に形成されている。そして、透光部68、及び、遮光部67は、ストライプパターンを形成している。以下、透光部68をスリットとも言う。スリット68は、サブリブ23が形成される部分と略平行に配置されている。このように、スリット68の延伸方位は、サブリブ23の延伸方位に対応する。スリット68は、略一定の幅を有する。スリット68の幅は、露光装置の解像限界よりも小さく設定される。すなわち、スリット68は、露光装置の解像度よりも小さい。具体的には、例えば、スリット68の幅は、3μm好適には0.5~1.5μm程度である。これは、結像光学系を使用した露光装置ステッパ、ミラープロジェクション露光装置等の場合、0.1~数μmが解像限界となり、プロキシミティ露光装置の場合、数μmが解像限界となり、特に大型TV用の露光装置は3~4μm程度の解像限界メーカー仕様となっているためである。なお、フォトマスク60は、半導体素子用の一般的なグレートーンマスクとは異なり、干渉波の解消が必要でないことから、スリット68の幅が、露光する光の波長のn倍に調節される必要はない。図8及び図9は、GT領域62のパターンの変形例を拡大した平面模式図である。図7には、1本のスリット68を図示しているが、一つのGT領域62内におけるスリット68の本数は特に限定されない。例えば、スリット68の本数は、図8に示すように2本でもよいし、図9に示すように3本でもよいし、4本以上でもよい。スリット68の本数は、サブリブ23の幅及び高さ、露光装置の解像限界等の条件を考慮して適宜設定することができる。なお、スリット68が2本以上の場合は、各スリット68の幅は、略同じである。また、スリット68が一本の場合は、スリット68の中心線は、GT領域62の中心線と略一致する。また、スリット68が2本以上の場合、スリット68は、等間隔で配置される。いずれの場合も、各遮光部67は、略一定の幅を有し、遮光部67の幅は、互いに実質的に同じである。そして、スリット68の本数と幅を調節することによって、GT領域62の透過率を調節することができ、その結果、サブリブ23の幅と高さを調節することができる。図10に、種々の透過率を有するGT領域62を利用して複数のサブリブ23を形成し、それらの高さを測定し、GT領域62の透過率と、サブリブ23の高さとの関係をプロットした結果を示す。図10に示すように、GT領域62の透過率が減少するほど、サブリブ23の高さも減少する。なお、図10においては、GT領域62の透過率を0としたとき、すなわち、GT領域62を遮光領域としたときのサブリブの高さを100とした。表1に、種々のGT領域62を利用してサブリブ23を形成し、それらの幅及び高さを調べた結果を示す。また、表1には、比較形態1の製造方法を用いて形成したサブリブの結果も示す。比較形態1では、図11に示すように、スリットがない、幅5μmの遮光パターンを用いてサブリブを形成した。なお、表1中、各幅及び高さの単位は、μmである。表1に示すように、比較形態1におけるサブリブに比べて、GT領域62を利用して形成されたサブリブ23は、より低く、かつ、より太いよりなだらかである。そして、そのようなサブリブ23によれば、メインリブ22の折れ曲がり部分、及び、末端部分付近での液晶分子の配向の乱れを防止することができる。なお、表1中の減膜率とは、比較形態1のサブリブの高さに対する、比較形態1のサブリブの高さと各サブリブ23の高さとの差の割合である。また、本実施形態において、GT領域62は、透過率がより小さい第一のGT領域62aと、透過率がより大きい第二のGT領域62bとを含む。GT領域62aのパターンの一例を図12に、GT領域62bのパターンの一例を図13に示す。図12及び図13に示すように、GT領域62aのスリット第一の透光部68は、GT領域62bのスリット第二の透光部68よりも細い。また、GT領域62aの遮光部第一の遮光部67は、GT領域62bの遮光部第二の遮光部67よりも太い。GT領域62aは、カラーフィルタ31上のサブリブ23a、23c、23d、23f第一の副突起物を形成するために用いられ、GT領域62bは、BM32上のサブリブ23b、23e第二の副突起物を形成するために用いられる。このように、GT領域62aは、サブリブ23a、23c、23d、23fに対応して形成され、GT領域62bは、サブリブ23b、23eに対応して形成される。その結果、サブリブ23b、23eをより低く、サブリブ23a、23c、23d、23fをより高く形成することができる。上述のように、カラーフィルタ31とBM32とは、それぞれ異なる高さをもち、BM32がカラーフィルタ31よりも高い。しかしながら、BM32上のサブリブ23b、23eは、カラーフィルタ31上のサブリブ23a、23c、23d、23fよりも低い。したがって、全てのサブリブ23の高さが同じである場合に比べて、基板34からサブリブ23b、23eまでの高さと、基板34からサブリブ23a、23c、23d、23fまでの高さとの差はより小さい。すなわち、そのような場合よりも、より液晶配向の乱れの少ない液晶表示パネルを得ることができる。なお、GT領域62aとGT領域62bの透過率を異ならせる方法としては、スリット68の幅を異ならせることの他に、スリット68の本数を異ならせる方法が挙げられる。実施形態1の製造方法によって作製される各リブの形状について、以下、詳述する。リブ21は、より高く、より広い幅をもつメインリブ22と、より低く、より狭い幅をもつサブリブ23とに分けられる。図14は、実施形態1におけるリブの一部を抜き出して表した平面模式図である。ここでは、メインリブ22a、サブリブ23a、23bを例に説明する。図14に示すように、メインリブ22aの形状はV字状であり、サブリブ23a、23bの形状は直線状である。サブリブ23aは、メインリブ22aの屈曲部から延伸され、サブリブ23bは、メインリブ22aの先端から延伸されている。液晶分子はリブ21に一方の先端を向けて配向するため、メインリブ22aの先端にサブリブ23bがないと、メインリブ22aの先端付近の領域に位置する液晶分子の配向に乱れが生じる。また、メインリブ22aの折れ曲がり部分付近の領域においても同様に、メインリブ22aの折れ曲がり部分付近の領域に位置する液晶分子の配向に乱れが生じる。実施形態1では、サブリブ23a、23bが液晶分子の乱れを抑制する障壁となるため、液晶分子をより確実に区分し、サブ画素上のドメインを規則的に分割することができる。このようなサブリブ23a、23bを有する構成を設けた場合、リブ21によって配向分割される領域ドメインは、図14の点線で示すように、メインリブ22aによって主として配向制御される主制御領域Sと、サブリブ23a、23bによって補助的に配向制御される副制御領域Wとに分けられる。メインリブ22aは、サブリブ23a、23bよりも高いため、配向規制力はサブリブ23a、23bよりもメインリブ22aの方が強い。したがって、主制御領域S内の液晶分子はより強い規制力で規則的に配向制御され、副制御領域W内の液晶分子はより弱い規制力で配向制御される。しかしながら、仮にメインリブ22aの配向規制力に対するサブリブ23a、23bの相対的な配向規制力が必要以上に強くなった場合は、副制御領域W内の液晶分子がサブリブ23a、23bによる配向規制力の影響を必要以上に受け、副制御領域W内の液晶分子の配向に乱れが生じることが懸念される。これに対し、実施形態1の製造方法によって形成されるリブ21の構造によれば、このような液晶分子の配向の乱れが発生するのを抑制することができる。図15に、実施形態1及び比較形態2の製造方法によって形成されたサブリブの断面形状のプロファイルを測定した結果を示す。なお、ここでの断面形状とは、メインリブの幅方向における断面形状である。また、図16に、実施形態1及び比較形態2の製造方法によって形成されたサブリブの表面の傾斜角度の分布を示す。なお、図15及び図16のデータは、計測機器としてAFM原子間力顕微鏡を用いて取得した。AFMでは、絶対座標のゼロ点を設定することができないので、図15の縦軸の値は、相対値である。比較形態2では、図11に示したように、スリットがない遮光パターンを用いてサブリブを形成した。図15に示すように、実施形態1におけるサブリブ23は、比較形態2におけるサブリブに比べて、より低く、かつ、より太いよりなだらかである。また、図16に示すように、サブリブ23の表面の傾斜角度の分布は、小さい角度に集中する。したがって、サブリブ23の配向規制力は、比較形態2におけるサブリブの配向規制力よりも小さくなる。その結果、実施形態1によれば、液晶分子の配向に乱れが生じにくい液晶表示パネルが得られることになり、液晶分子の配向の乱れによる表示品位の劣化を抑制することができる。図17は、比較形態3の液晶表示パネルを構成する基板表面の通常表示状態での光学顕微鏡写真であり、図18及び図19は、実施形態1の液晶表示パネルを構成する基板表面の光学顕微鏡写真であり、図18は、通常表示状態での写真であり、図19は、消光位状態での写真である。比較形態3では、図11に示したように、スリットがない遮光パターンを用いてサブリブを形成した。図17の白丸部分と図18の白丸部分とを比較すると、図17においては暗線が発生しているのに対し、図18においては暗線が発生していない。また、図19の○部分に示すように、図19においては、サブリブに起因する液晶分子の配向と、メインリブに起因する液晶分子の配向との間に、ディスクリネーションラインが発生していない。したがって、実施形態1の構成によれば比較形態3に比べて、高品位な表示を得ることができる。以上、説明したように、実施形態1によれば、メインリブ22と、適切な形状のサブリブ23とを同時にパターニングすることができる。したがって、液晶分子の配向の乱れが抑制された液晶表示パネルを容易かつ効率的に作製することができる。また、GT領域62は、比較的単純なパターンを有するので、比較的低い加工精度の描画装置、例えば大型フォトマスク用の描画装置を用いてフォトマスク60を作製することができる。実施形態2実施形態2の液晶表示パネルは、以下の点を除いて、実施形態1の液晶表示パネルと同じである。図20及び図21に示すように、実施形態2の対向基板は、スペーサ14の代わりに、スペーサ214を備える。スペーサ214は、台座部14aを含まず、単層構造を有する。以下、実施形態2の対向基板の製造方法について説明する。実施形態2に係る製造方法は、以下の点を除いて、実施形態1に係る製造方法と同じである。本実施形態では、フォトマスク60の代わりに、フォトマスク260を用いる。図22に、フォトマスク260の平面模式図を、図23に、図22のD1-D2線における断面模式図を示す。図22及び図23に示すように、フォトマスク260は、遮光領域64の代わりに、遮光領域264を有している。遮光領域264は、樹脂膜35のスペーサ214が形成される部分に対応して形成されていることを除いて、遮光領域64と同じである。すなわち、遮光領域264の平面パターンと、スペーサ214の平面パターンとは、相似する。フォトマスク260は、遮光領域63の代わりに、ハーフトーン領域HT領域269を有している。HT領域269は、以下の点を除いて、遮光領域63と同じである。すなわち、HT領域269の全領域内には、遮光層66の代わりに、半透過層270が形成されている。半透過層270は、半透過性の薄膜をパターニングすることによって形成される。半透過層270は、照射された光の一部を透過する。具体的には、波長360~440nmにおける半透過層270の透過率は、例えば60以下であり、好適には25~35である。半透過層270の材料としては、クロム、モリブデンシリサイド、タンタル、アルミニウム、ケイ素等の元素を含む酸化物、窒化物、炭化物、酸窒化物、炭窒化物等が挙げられる。また、フォトマスク260は、GT領域62の代わりに、調光領域であるハーフトーングレートーン領域HTGT領域271を有している。HTGT領域271は、遮光部67の代わりに、半透過部272を有している。半透過部272は、半透過層270を含むので、照射された光の一部を透過する。すなわち、HTGT領域271は、照射された光の一部を透過する。波長360~440nmにおけるHTGT領域271の透過率は、波長360~440nmにおけるGT領域62の透過率よりも大きく、例えば76以下であり、好適には45~60である。HT領域269の透過率は、半透過層270の透過率と同じである。したがって、フォトマスク260の透過率は、遮光領域264、HT領域269、HTGT領域271、及び、透光領域61の順で大きくなる。このようなフォトマスク260によれば、樹脂膜35の透光領域61に対応する部分は、ほとんど除去され、樹脂膜35の、HTGT領域271、及び、HT領域269に対応する部分は各々、部分的に除去される。また、樹脂膜35の遮光領域264に対応する部分は、ほとんど残存する。ただし、HTGT領域271の透過率は、HT領域269の透過率よりも大きい。したがって、HTGT領域271に対応する部分において、より低い残膜が生成され、HT領域269に対応する部分において、より高い残膜が生成される。その結果、HTGT領域271に対応する部分にサブリブ23を形成でき、HT領域269に対応する部分にメインリブ22を形成でき、遮光領域64に対応する部分にスペーサ214を形成することができる。すなわち、互いに高さの異なる、サブリブ23、メインリブ22、及び、スペーサ214を同時にパターニングすることができる。図24に、AFMを用いて、実施形態1と実施形態2とにおけるメインリブ22の断面形状のプロファイルを測定した結果を示す。なお、ここでの断面形状とは、メインリブの幅方向における断面形状である。図24に示すように、遮光領域63を用いた場合と、HT領域269を用いた場合とで、プロファイルに若干の差異が認められる。しかしながら、この程度の差異は、表示性能に影響せず、問題はない。また、本実施形態においても、実施形態1のGT領域62a及びGT領域62bと同様に、図27及び28に示すように、第一のHTGT領域271a及び第二のHTGT領域271bを設けることが好ましい。HTGT領域271aの透過率は、HTGT領域271bの透過率よりも小さい。HTGT領域271aのスリット第一の透光部68は、HTGT領域271bのスリット第二の透光部68よりも細い。また、HTGT領域271aの半透過部第一の半透過部272は、HTGT領域271bの半透過部第二の半透過部272よりも太い。HTGT領域271aは、カラーフィルタ31上のサブリブ23a、23c、23d、23fを形成するために用いられ、HTGT領域271bは、BM32上のサブリブ23b、23eを形成するために用いられる。また、本実施形態のフォトマスク260は、比較的、低コストで作製可能である。それに対して、互いに透過率が異なるx種類のハーフトーン領域を有する1枚のフォトマスクを作製する場合、1種類のハーフトーン領域を有するx枚のフォトマスクを作製するのと同じくらいのコストがかかってしまう。なお、ここでxは、2以上の整数を示す。また一般的に、遮光性の薄膜に比べ、半透過性の薄膜のエッチングシフト量はより大きい。したがって、半透過性の薄膜を精度よく加工するのは一般的には困難である。しかしながら、本実施形態において、HTGT領域271は、比較的単純なパターンを有する。したがって、HTGT領域271を有するフォトマスク260を精度よく作製することができる。実施形態3実施形態3は、以下の点を除いて、実施形態2と同じである。本実施形態では、フォトマスク260の代わりに、フォトマスク360が用いられる。図25に、フォトマスク360の断面模式図を示す。図25に示すように、フォトマスク360は、遮光領域264、HT領域269及びHTGT領域271に加えて、GT領域362を有している。GT領域362は、実施形態1のGT領域62と同じ思想に基づいて形成されている。すなわち、GT領域362は、遮光層66を含む遮光部367と、スリット状直線状の透光部スリット368とを有する。スリット368、及び、遮光部367は、ストライプパターンを形成している。スリット368の延伸方位は、GT領域362によって形成されるパターンの延伸方位に対応する。スリット368は、略一定の幅を有する。スリット368の幅は、露光装置の解像限界よりも小さく設定される。なお、一つのGT領域362内におけるスリット368の本数は特に限定されない。スリット368が2本以上の場合は、各スリット368の幅は、略同じである。また、スリット368が一本の場合は、スリット368の中心線は、GT領域362の中心線と略一致する。また、スリット368が2本以上の場合、スリット368は、等間隔で配置される。いずれの場合も、各遮光部367は、略一定の幅を有し、遮光部367の幅は、互いに実質的に同じである。HT領域269、HTGT領域271、及び、GT領域362の透過率は各々、容易に調整可能である。例えば、HT領域269、及び、HTGT領域271の透過率は、半透過層270の透過率を変更することによって調整できる。また、HTGT領域271、及び、GT領域362の透過率は各々、スリットの本数及び/又は幅を変更することによって調整できる。したがって、遮光領域264、HT領域269、HTGT領域271、及び、GT領域362の透過率を互いに異ならせることができる。その結果、遮光領域264、HT領域269、HTGT領域271、及び、GT領域362に対応する残膜の高さを互いに異ならせることができる。すなわち、本実施形態によれば、互いに高さの異なる4種類のパターンを形成することができる。例えば、図25に示すように、遮光領域264、GT領域362、HT領域269、及び、HTGT領域271に対応する残膜の高さをこの順に低くすることができる。また、互いに高さの異なる4種類のパターンとしては、柱状スペーサ214、メインリブ22、及び、サブリブ23に加えて、例えば、サブ柱状スペーサ、保護パターン等が挙げられる。サブ柱状スペーサは、スペーサ214と比べて低く、両者の高さ差は、1μm程度である。好ましくは、サブ柱状スペーサは、スペーサ214と比べて0.6~1.5μm程度低い。セルギャップの制御は、スペーサ214にて行われるが、パネルに外圧が加わった場合、スペーサ214が破壊される可能性がある。そこで、一定圧以上の外圧が加わった場合に機能する補助的なスペーサとして、サブ柱状スペーサが配置される。また、一般的な液晶表示パネルでは、2~5μmという狭い間隔でアレイ基板と対向基板が対向している。したがって、パネルに外圧が加わった場合、アレイ基板上の2つの配線が対向基板の共通電極と接触し、リーク又は素子の破壊が発生する可能性がある。これを防止するために、パッシベーション膜として、絶縁物である保護パターンが配置される。保護パターンの具体的な平面形状は特に限定されず、例えば、ストライプ状、ドット状、切れ目のない形状等が挙げられる。また、保護パターンは、上記観点から、アレイ基板上の配線に対向して配置される。保護パターンの高さの明確な基準はないが、絶縁性が確保でき、かつ、構造体として邪魔にならない高さに設定される。この設定条件を満たせば、保護パターンの高さは、小さければ小さいほど好ましいと考えられる。本願は、2010年10月5日に出願された日本国特許出願2010-225964号を基礎として、パリ条約ないし移行する国における法規に基づく優先権を主張するものである。該出願の内容は、その全体が本願中に参照として組み込まれている。