"鉛直方向に延びる略円筒形の直胴部と、湾曲した底部と、前記直胴部と前記底部をなめらかに接続するコーナー部とを有するシリカガラスルツボであって、前記ルツボの内表面は、微細凹凸構造を有する、シリカガラスルツボ。前記微細凹凸構造は、溝状の谷が尾根と尾根の間に挟まれた構造になっており、前記尾根と尾根の平均間隔は、5~100μmである、請求項1に記載のルツボ。前記溝は、実質的に、前記直胴部の円周方向に延びる、請求項2に記載のルツボ。前記微細凹凸構造は、中心線平均粗さRaが0.02~0.5μmである、請求項1~3の何れか1つに記載のルツボ。しかしながら、上記特許文献1においては、第2の成分のシリカ砂を均一に点在させたルツボを製造することが困難であるということと、そして製造工程が複雑でコスト高であるという問題があった。本発明は、このような事情に鑑み、容易な方法で製造が可能であり、且つ湯面振動が抑制可能なシリカガラスルツボを提供するものである。上記課題を解決するために、本発明は次のようなシリカガラスルツボを提供する。即ち、鉛直方向に延びる略円筒形の直胴部と、湾曲した底部と、上記直胴部と上記底部をなめらかに接続するコーナー部とを有するシリカガラスルツボであって、上記ルツボの内表面は、微細凹凸構造を有する、シリカガラスルツボ提供される。本発明者らは、ルツボ内表面の微細構造と湯面振動との関係を分析していた。直胴部の縁からコーナー部方向に、微細凹凸構造を有する波面が内面層の表面上に形成されたシリカガラスルツボは、シリコン単結晶の引き上げ時にシリコン融液の湯面振動を抑制することを見出し本発明は完成した。本発明の実施形態のシリカガラスルツボは、鉛直方向に延びる略円筒形の直胴部と、湾曲した底部と、上記直胴部と上記底部をなめらかに接続するコーナー部とを有するシリカガラスルツボであって、上記ルツボの内表面は、微細凹凸構造を有する。以下、各構成要素について詳細に説明する。1シリカガラスルツボシリカガラスルツボ12は、図2に示す通り、鉛直方向に延びる略円筒形の直胴部15と、湾曲した底部16と、上記直胴部と上記底部とをなめらかに接続するコーナー部17とを有する。シリカガラスルツボ12は、図2に示す通り、合成シリカ粉を原料とした内面層11と天然シリカ粉を原料とした外面層14とを有する。合成シリカ粉を原料とした内面層11は、シリコン融液と接触する内面層であり、化学合成されたシリカ二酸化シリコンを熔融させたものを固化させて形成させるガラス層である。化学合成されたシリカは、不純物濃度が非常に低いため、合成シリカ粉を原料とした内面層11を有するシリカガラスルツボは、シリコン融液への不純物の混入を低減することができる。シリカの化学合成の方法は、特に限定されないが、四塩化珪素SiCl4の気相酸化乾式合成法や、シリコンアルコキシドSiOR4の加水分解ゾルゲル法が挙げられる。天然シリカ粉を原料とした外面層14は、α―石英を主成分とする天然鉱物を粉砕して粉状にすることによって製造される天然シリカ粉を熔融して形成されるガラス層である。上記外面層には、最外面層側に気泡含有層を有してもよい。気泡含有層は、例えば、内部に含まれる気泡含有率が0.2以上1以下、かつ上記気泡の平均直径が20μm以上200μm以下であるという特性をもつ層である。一方、シリカガラスルツボの内表面から気泡含有層までは実質的に気泡を含まない透明層である。2シリカガラスルツボの内表面本実施形態におけるシリカガラスルツボは、合成シリカ粉を原料とした内面層11の表面に微細凹凸構造を有する波面を備える。上記微細凹凸構造の形状は、溝状の谷が尾根と尾根の間に挟まれた構造になっていることが好ましく、上記溝は、実質的に、上記直胴部の円周方向に延びていることが好ましい。上記尾根と尾根の平均間隔は、好ましくは5~100μmであり、さらに好ましくは20~60μmである。上記平均間隔は、具体的には例えば、5,10,20,30,40,50,60,70,80,90,100μmであり、ここで例示した数値の何れか2つの間の範囲内であってもよい。上記微細凹凸構造は、中心線平均粗さRaが0.02~0.5μmであることが好ましく、0.05~0.2μmであることがさらに好ましい。この中心線平均粗さRaは、具体的には例えば0.02,0.05,0.1,0.15,0.2,0.25,0.3,0.35,0.4,0.45,0.5μmであり、ここで例示した数値の何れか2つの間の範囲内であってもよい。ルツボの内表面に微細な凹凸構造が設けられている場合、シリコン融液が突沸するのを防いで湯面振動を抑制するのみならず、シリコン融液とルツボ内表面の接触面積が大きくなることによって両者間の摩擦抵抗が増すことによっても湯面振動が抑制される。さらに、この微細凹凸構造が溝状の谷が尾根と尾根の間に挟まれた構造になっていて、この溝が円周方向に延びている場合には、シリコン融液とルツボ内表面の間の接触抵抗が特に大きくなって、湯面振動が特に効果的に抑制される。また、ルツボ内表面とシリコン融液との反応によってルツボ内表面を熔融することによってシリコン融液中に酸素が供給され、この酸素がシリコン単結晶に混入してゲッタリングサイトの形成に利用されるが、本実施形態のルツボではシリコン融液とルツボ内表面の接触面積が大きくなるため、ルツボ内表面とシリコン融液との反応が生じやすくなり、シリコン融液中に効率的に酸素を供給することができ、酸素不足に起因する問題を防ぐことができる。微細凹凸構造は、湯面振動防止の観点からは、ルツボの直胴部に設けられていることが好ましい。また、酸素供給の観点からは、ルツボの全体に特にシリコン単結晶引き上げ時に初期液面よりも低い位置に設けられていることが好ましい。上記微細凹凸構造は、内表面に照射した光の反射光を受ける受光装置を備える光学的検出手段を用いて非接触的に測定することが可能である。この光学的検出手段における照射光の発光手段は、内蔵されたものでもよく、また外部の発光手段を利用するものでもよい。また、光学的検出手段は、シリカガラスルツボの内表面に沿って回動操作できるものを用いることが好ましい。照射光としては、可視光、紫外線及び赤外線のほか、X線もしくはレーザー光などを利用でき、内表面の微細凹凸構造を検出できるものであればいずれを採用してもよい。受光装置は、照射光の種類に応じて選択されるが、例えば受光レンズ及び映像部を含む光学カメラを用いることができる。内表面の微細凹凸構造を検出するためには、集光点で生じる光のみを受光することが好ましい。集光点で生じる光のみを受光するためには、受光装置に含まれる光検出器の手前にピンホールを備えることが好ましい。測定方法としては、図1に示す通り、光学的検出手段の対物レンズ10をルツボ12の内面層11に非接触的に配置し、走査方向13に向かって走査することで、微細凹凸構造が測定される。他の走査方式としては、サンプル走査方式とレーザー走査方式とがある。サンプル走査方式は、サンプルを載せたステージをXY方向に駆動させて二次元像を取得する方式である。レーザー走査方式は、レーザーをXY方向に当てることで、サンプル上を二次元走査する方式である。いずれの走査方式を採用してもよい。集光点を走査して二次元像を取得し、肉厚方向にも走査することで立体的な微細凹凸構造の画像を取得することが可能になる。取得された画像からは、波面の方向性を確認することができる。内面層を走査する方向としては、直胴部の鉛直方向18又は水平方向19に走査してもよい。また、ルツボの内面層の一部だけを走査してしてもよい。例えば、種結晶が着液する湯面位置周辺を重点的に走査してもよい。また、集光点を二次元的に走査して、反射の強度から波面を測定し、そのピッチを数値化することも可能である。走査時間を短縮することができる点で好ましい。3シリカガラスルツボの製造方法本実施形態のシリカガラスルツボ12は、1シリカガラスルツボの外形を規定する碗状の内表面を有するモールドを回転させながら、その内部の底部及び側面上に天然シリカ粉を所定の厚さに堆積させ、その後、合成シリカ粉を所定厚さに堆積させることによってシリカ粉層を形成し、2このシリカ粉層をアーク放電によって熔融させた後に冷却することによって、製造することができる。シリカ粉の熔融は、回転モールドの内表面での最高到達温度が2000~2600°Cになるように行うことが好ましい。最高到達温度が2000°Cよりも低いとシリカガラスの構造中あるいはシリカガラス中に気泡として残存するガスが抜け切れず、シリコン単結晶中の引き上げ中に、ルツボが激しく膨張する。また、最高到達温度が2600°Cよりも高いとシリカガラスの粘度が低下して形状崩れが発生するからである。アーク熔融は、例えば、交流3相R相、S相、T相のアーク放電によって実施される。従って、交流3相の場合は、3本の炭素電極を使用してアーク放電を発生させることでシリカ粉層が熔融する。アーク熔融は、上記炭素電極の先端がモールド開口部よりも上方に位置する地点でアーク放電を開始する。これにより、モールド開口部近傍におけるシリカ粉層が優先して熔融される。その後、炭素電極を降下させモールド直胴部、コーナー部及び底部のシリカ粉層を熔融させる。炭素電極を降下させる際に、段階的に降下させることで内面層の表面に波面を形成させることが可能になる。また、炭素電極を振動させることでも波面を形成させることが可能である。4シリコンインゴットの製造方法シリコンインゴットは、1本実施形態のシリカガラスルツボ12内でポリシリコンを熔融させてシリコン融液を生成し、2シリコン種結晶の端部を上記シリコン融液中に浸けた状態で上記種結晶を回転させながら引き上げることによって製造することができる。シリコン単結晶の形状は、上側から円柱状のシリコン種結晶、その下に円錐状のシリコン単結晶、上部円錐底面と同じ径を持つ円柱状のシリコン単結晶、頂点が下向きである円錐状のシリコン単結晶からなる。シリコンインゴットの引き上げは、通常、1450~1500°C程度で行われる。引き上げ初期は、特に湯面振動が発生し易い。本実施形態におけるシリカガラスルツボ12は、内面層11の表面に微細凹凸構造を有する波面が形成されているため、湯面振動の発生を抑制することができる。1シリカガラスルツボの製造実施例及び比較例においては、回転モールド法に基づいて、シリカガラスルツボを製造した。モールド口径は、32インチ、モールド内表面に堆積したシリカ粉層の平均厚さは15mm、3相交流電流3本電極によりアーク放電を行った。アーク熔融工程の通電時間は90分、出力2500kVA、通電開始から10分間はシリカ粉層の真空引きを行った。実施例1のシリカガラスルツボは、アーク熔融中に炭素電極を段階的に降下させることで製造した。一方、比較例1のシリカガラスルツボは、アーク熔融中に炭素電極を連続的に降下させることで製造した。2表面構造実施例1及び比較例1のシリカガラスルツボにおいて、内面層を共焦点レーザー顕微鏡を用いて観察した。走査方向は、シリカガラスルツボの縁から鉛直方向に走査した。走査面は、3cm×3cmの使用前シリカガラスルツボである。図3は、比較例1の内面層における共焦点レーザー顕微鏡による表面写真である。図3の通り、従来のシリカガラスルツボの内表面には、波面は観察されず不均一な歪み構造が観察された。図4は、実施例1の内面層における共焦点レーザー顕微鏡による表面写真である。図4の通り、実施例1のシリカガラスルツボの内表面には、波面が形成されていた。更に詳細な解析を行うために、実施例1の内表面の3次元画像を共焦点レーザー顕微鏡を用いて取得した。図5は、取得した3次元画像である。図5中の地点A及びB付近を拡大した3次元画像が図6である。図6の通り、地点AとBに直交する様に波面が形成されていた。図7は、地点AからBまでの内面層の高さを測定した。基準点Z=0は、内面層の高さがZ=0から2μm以内に収まるように設定した。その結果、複数の微細凹凸構造が検出された。図8は、実施例1の内表面を二次元的に走査して、反射の強度から波面を測定し、そのピッチを測定した。微細凹凸構造のピッチ、約35μmであることが明らかとなった。3湯面振動実施例1と比較例1のシリカガラスルツボを用いて湯面振動の有無を測定した。比較例1のシリカガラスルツボにおいては、湯面振動の発生が確認された。一方、実施例1のシリカガラスルツボにおいては湯面振動の抑制が確認された。"