絶縁基板または表面に絶縁層が形成された基板と、前記絶縁層または前記絶縁基板の上に互いに対向して貴金属でパターン形成された一対の電極層と、少なくとも前記一対の電極層上と前記一対の電極層間の前記絶縁基板または前記絶縁層上とに形成された剥離防止用絶縁膜と、前記剥離防止用絶縁膜上にパターン形成されたサーミスタ薄膜とを備え、前記剥離防止用絶縁膜が、前記一対の電極層上で前記一対の電極層の互いに対向する部分の一部をサーミスタ電極領域として除いてパターン形成され、前記サーミスタ薄膜が、前記サーミスタ電極領域内まで埋込形成されていることを特徴とする薄膜サーミスタセンサ。請求項1に記載の薄膜サーミスタセンサにおいて、前記基板が、Al2O3で形成されており、少なくとも前記サーミスタ薄膜の直下かつ前記基板上に前記絶縁層としてSiO2下地膜が形成されていることを特徴とする薄膜サーミスタセンサ。請求項1または2に記載の薄膜サーミスタセンサにおいて、前記電極層が、Ptで形成され、前記剥離防止用絶縁層が、SiO2で形成されていることを特徴とする薄膜サーミスタセンサ。請求項1から3のいずれか一項に記載の薄膜サーミスタセンサを作製する方法であって、絶縁基板または表面に絶縁層が形成された基板の上面に互いに対向した一対の電極を貴金属でパターン形成する電極形成工程と、少なくとも前記一対の電極層上と前記一対の電極層間の前記絶縁基板または前記絶縁層上とに剥離防止用絶縁膜を形成する剥離防止用絶縁膜形成工程と、前記剥離防止用絶縁膜上にサーミスタ薄膜をパターン形成するサーミスタ成膜工程とを有し、前記剥離防止用絶縁膜形成工程において、前記剥離防止用絶縁膜を、前記一対の電極層上で前記一対の電極層の互いに対向する部分の一部をサーミスタ電極領域として除いてパターン形成し、前記サーミスタ成膜工程において、前記サーミスタ薄膜を、前記サーミスタ電極領域内まで埋込形成することを特徴とする薄膜サーミスタセンサの製造方法。請求項4に記載の薄膜サーミスタセンサの製造方法において、前記基板が、Al2O3で形成されており、前記電極形成工程前に、少なくとも前記サーミスタ薄膜の直下かつ前記基板上に前記絶縁層としてSiO2下地膜を形成する下地膜形成工程を有していることを特徴とする薄膜サーミスタセンサの製造方法。上記従来の技術には、以下の課題が残されている。すなわち、薄膜サーミスタセンサを作製する場合、感熱膜であるサーミスタ薄膜を成膜後にアニール処理すると、サーミスタ薄膜に密着層中の物質が拡散し、サーミスタ薄膜の電気特性が変化してしまう問題があった。特に、スピネル系のサーミスタ薄膜の場合、薄膜中に密着層のTiが拡散すると、構成元素のイオン半径がTiのイオン半径に近いとサイト置換が行われ、高抵抗側または高B定数側に変化して電気特性を制御し難くなってしまう不都合があった。一方、密着層を介さずにPtの下部電極形成を行うと、その上からサーミスタ薄膜を形成した場合に、Ptの電極層と基板との密着性が低いと共にPtの電極層とサーミスタ薄膜との接合力の方が強いことから、Ptの電極層に対して引っ張り応力が働いて電極の端部分から剥離が生じてしまう場合があった。本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、Pt等の電極層の剥離を防止することができる薄膜サーミスタセンサおよびその製造方法を提供することを目的とする。本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明の薄膜サーミスタセンサは、絶縁基板または表面に絶縁層が形成された基板と、前記絶縁層または前記絶縁基板の上に互いに対向して貴金属でパターン形成された一対の電極層と、少なくとも前記一対の電極層上と前記一対の電極層間の前記絶縁基板または前記絶縁層上とに形成された剥離防止用絶縁膜と、前記剥離防止用絶縁膜上にパターン形成されたサーミスタ薄膜とを備え、前記剥離防止用絶縁膜が、前記一対の電極層上で前記一対の電極層の互いに対向する部分の一部をサーミスタ電極領域として除いてパターン形成され、前記サーミスタ薄膜が、前記サーミスタ電極領域内まで埋込形成されていることを特徴とする。また、本発明の薄膜サーミスタセンサの製造方法は、上記発明の薄膜サーミスタセンサを製造する方法であって、絶縁基板または表面に絶縁層が形成された基板の上面に互いに対向した一対の電極を貴金属でパターン形成する電極形成工程と、少なくとも前記一対の電極層上と前記一対の電極層間の前記絶縁基板または前記絶縁層上とに剥離防止用絶縁膜を形成する剥離防止用絶縁膜形成工程と、前記剥離防止用絶縁膜上にサーミスタ薄膜をパターン形成するサーミスタ成膜工程とを有し、前記剥離防止用絶縁膜形成工程において、前記剥離防止用絶縁膜を、前記一対の電極層上で前記一対の電極層の互いに対向する部分の一部をサーミスタ電極領域として除いてパターン形成し、前記サーミスタ成膜工程において、前記サーミスタ薄膜を、前記サーミスタ電極領域内まで埋込形成することを特徴とする。これらの薄膜サーミスタセンサおよびその製造方法では、剥離防止用絶縁膜が、一対の電極層上で一対の電極層の互いに対向する部分の一部をサーミスタ電極領域として除いてパターン形成され、サーミスタ薄膜が、サーミスタ電極領域内まで埋込形成されるので、Pt等の電極層と絶縁層または絶縁基板との密着性が低くても剥離防止用絶縁層が電極層を上から覆って剥離を防止することができる。すなわち、剥離の起点となる電極層の端部分が剥離防止用絶縁層で押さえられていると共に、電極層の接合面積も大きくできることから、Pt等の電極層の剥離が防止される。また、サーミスタ薄膜と電極層との導通は、剥離防止用絶縁層に開けられたサーミスタ電極領域を介して行われる。これにより、電極層の側面とサーミスタ薄膜とが接触しておらず、サーミスタ電極領域内に露出した電極層上面でのみ導通されるため、電極層の側面分の抵抗値寄与が無くなり、電極層の層厚ばらつきによらず、抵抗値調整が容易になる。また、酸素を通しやすいPtの電極層の場合、この電極層とサーミスタ薄膜との接触面積を少なくすることが可能になる。さらに、Pt等の電極層のパターニングの構造が単純になり、従来の櫛歯状のような複雑な形状が不要になってパターニングの容易になる。また、本発明の薄膜サーミスタセンサは、前記基板が、Al2O3で形成されており、少なくとも前記サーミスタ薄膜の直下かつ前記基板上に前記絶縁層としてSiO2下地膜が形成されていることを特徴とする。また、本発明の薄膜サーミスタセンサの製造方法は、前記基板が、Al2O3で形成されており、前記電極形成工程前に、少なくとも前記サーミスタ薄膜の直下かつ前記基板上に前記絶縁層としてSiO2下地膜を形成する下地膜形成工程を有していることを特徴とする。すなわち、これらの薄膜サーミスタセンサおよびその製造方法では、少なくともサーミスタ薄膜の直下かつAl2O3の基板上に絶縁層としてSiO2下地膜が形成されるので、基板中のAlが拡散して電極層を透過し、サーミスタ薄膜まで達して電気特性に影響を与えることをSiO2下地膜で抑制することができる。さらに、本発明の薄膜サーミスタセンサは、前記電極層が、Ptで形成され、前記剥離防止用絶縁層が、SiO2で形成されていることを特徴とする。すなわち、この薄膜サーミスタセンサは、剥離防止用絶縁層が、SiO2で形成されているので、SiO2層のパターンニングが短時間にできるため、製造時間を大幅に短縮することができる。本発明によれば、以下の効果を奏する。すなわち、本発明に係る薄膜サーミスタセンサおよびその製造方法によれば、剥離防止用絶縁膜が、一対の電極層上で一対の電極層の互いに対向する部分の一部をサーミスタ電極領域として除いてパターン形成され、サーミスタ薄膜が、サーミスタ電極領域内まで埋込形成されるので、剥離防止用絶縁層が電極層を上から覆って剥離を防止することができると共に電極層上面のみでサーミスタ薄膜に導通することで抵抗値調整が容易になる。したがって、Tiを含む密着層を介在させなくても電極部の剥離を防止でき、高い信頼性が得られると共に、設計値に対してばらつきの少ない電気特性を有した薄膜サーミスタセンサが得られる。以下、本発明に係る薄膜サーミスタセンサおよびその製造方法の一実施形態を、図1および図2を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部又は構成を認識可能な大きさとするために、各部の縮尺を適宜変更している。本実施形態の薄膜サーミスタセンサ1は、図1および図2に示すように、表面に絶縁層2aがパターン形成された絶縁基板基板2と、絶縁層2aおよび絶縁基板2の上に互いに対向して貴金属でパターン形成された一対の電極層3と、少なくとも一対の電極層3上と一対の電極層3間の絶縁層2a上とに形成された剥離防止用絶縁膜4と、剥離防止用絶縁膜4上にパターン形成されたサーミスタ薄膜5と、該サーミスタ薄膜5を覆うようにパターン形成されたSiO2保護膜6とを備えている。上記剥離防止用絶縁膜4は、一対の電極層3上で一対の電極層3の互いに対向する部分の一部をサーミスタ電極領域3aとして除いてパターン形成されている。また、上記サーミスタ薄膜5は、サーミスタ電極領域3a内まで埋込形成されている。なお、本実施形態の剥離防止用絶縁膜4は、互いに対向した矩形状の3対のサーミスタ電極領域3aが露出するようにパターン形成されている。上記絶縁基板2は、Al2O3で形成されたアルミナ基板であり、少なくともサーミスタ薄膜5の直下かつ絶縁基板2上に絶縁層2aとしてSiO2下地膜が形成されている。なお、このSiO2下地膜の絶縁層2aは、矩形状にパターン形成されている。上記サーミスタ薄膜5は、例えばMn-Co系複合金属酸化物例えば、Mn3O4-Co3O4系複合金属酸化物又は、Mn-Co系複合金属酸化物に、Ni、Fe、Cuのうち少なくとも一種類の元素を含む複合金属酸化物例えば、Mn3O4-Co3O4-Fe2O3系複合金属酸化物からなるスピネル系の複合金属酸化物膜である。このサーミスタ薄膜5は、半導体の性状を呈し、温度が上昇すると抵抗が低くなる負特性、いわゆるNTCサーミスタNegativeTemperatureCoefficientThermistorの性質を有している。なお、このサーミスタ薄膜5は、スパッタリング法により平面視略正方形状に成膜されたものである。上記一対の電極層3は、図2のeに示すように、一対の矩形状にパターン形成され、リードフレーム等が接続される一対の電極パッド部3bと、サーミスタ薄膜5と接合する3対のサーミスタ電極領域3aとを有している。また、一対の電極層3は、Ptで形成され、剥離防止用絶縁層4は、SiO2で形成されている。なお、絶縁基板2の厚さは、例えば0.2mmであり、絶縁層2aの厚さは、例えば100nmである。また、電極層3の厚さは、例えば100nmであり、剥離防止用絶縁層4の厚さは、例えば100nmである。さらに、サーミスタ薄膜5の厚さは、例えば500nmであり、SiO2保護膜6の厚さは、例えば600nmである。次に、このように構成された薄膜サーミスタセンサ1の製造方法について、図2を参照して説明する。本実施形態の薄膜サーミスタセンサ1の製造方法は、図2のa~eに示すように、表面に絶縁層2aが形成された絶縁基板2の上面に互いに対向した一対の電極層3をPt等の貴金属でパターン形成する電極形成工程と、少なくとも一対の電極層3と一対の電極層3間の絶縁層2a上とに剥離防止用絶縁膜4を形成する剥離防止用絶縁膜形成工程と、剥離防止用絶縁膜4上にサーミスタ薄膜5をパターン形成するサーミスタ成膜工程とを有している。そして、上記剥離防止用絶縁膜形成工程では、剥離防止用絶縁膜4を、一対の電極層3上で一対の電極層3の互いに対向する部分の一部をサーミスタ電極領域3aとして除いてパターン形成する。また、上記サーミスタ成膜工程では、サーミスタ薄膜5を、サーミスタ電極領域3a内まで埋込形成する。以下に、薄膜サーミスタセンサ1の製造方法について具体的に説明する。まず、図2のaに示すように、アルミナ基板の絶縁基板2の表面にSiO2下地膜をスパッタにより成膜し、RIE反応性イオンエッチングにより所定の矩形状にパターニングして絶縁層2aを形成する。次に、図2のbに示すように、絶縁層2aがパターン形成された絶縁基板2上にPt膜をスパッタにより成膜し、RIEにより一対の矩形状にパターニングして一対の電極層3を形成する。さらに、図2のcに示すように、絶縁層2aおよび電極層3が形成された絶縁基板2上にSiO2膜の剥離防止用絶縁層4をスパッタにより成膜し、図2のdに示すように、RIEによりパターニングして、一対の矩形状の電極パッド部3bと、3対の矩形状のサーミスタ電極領域3aとを露出させる。次に、図2のdに示すように、剥離防止用絶縁層4上にサーミスタ薄膜5をスパッタにより成膜し、ウエットエッチングにより所定の矩形状にパターニングする。このとき、各サーミスタ電極領域3a内にもサーミスタ薄膜5が埋め込まれて電極層3と接合される。この後、耐熱性向上のために所定温度及び所定時間でサーミスタ薄膜5のアニール処理を行う。例えば、アニール処理の温度は、700~800°Cとする。最後に、サーミスタ薄膜5上にSiO2保護膜6をスパッタにより成膜し、パターニングすることで、本実施形態の薄膜サーミスタセンサ1が作製される。なお、さらにSiO2保護膜6上に保護ガラス印刷膜を印刷により積層しても構わない。このように本実施形態の薄膜サーミスタセンサ1では、剥離防止用絶縁膜4が、一対の電極層3上で一対の電極層3の互いに対向する部分の一部をサーミスタ電極領域3aとして除いてパターン形成され、サーミスタ薄膜5が、サーミスタ電極領域3a内まで埋込形成されるので、Ptの電極層3と絶縁層2aまたは絶縁基板2との密着性が低くても剥離防止用絶縁層4が電極層3を上から覆って剥離を防止することができる。すなわち、剥離の起点となる電極層3の端部分が剥離防止用絶縁層4で押さえられていると共に、電極層3の接合面積も大きくできることから、Ptの電極層3の剥離が防止される。また、サーミスタ薄膜5と電極層3との導通は、剥離防止用絶縁層4に開けられた窓部内のサーミスタ電極領域3aを介して行われる。これにより、電極層3の側面とサーミスタ薄膜5とが接触しておらず、サーミスタ電極領域3a内に露出した電極層3上面でのみ導通されるため、電極層3の側面分の抵抗値寄与が無くなり、電極層3の層厚ばらつきによらず、抵抗値調整が容易になる。また、酸素を通しやすいPtの電極層3とサーミスタ薄膜5との接触面積を少なくすることが可能になる。さらに、Ptの電極層3のパターニングの構造が単純になり、従来の櫛歯状のような複雑な形状が不要になってパターニングが容易になる。さらに、サーミスタ薄膜5の直下かつAl2O3の絶縁基板2上に絶縁層2aとしてSiO2下地膜が形成されるので、絶縁基板2中のAlが拡散して電極層3を透過し、サーミスタ薄膜5まで達して電気特性に影響を与えることをSiO2下地膜の電極層3で抑制することができる。また、剥離防止用絶縁層4が、SiO2で形成されているので、SiO2層のパターンニングが短時間にできるため、製造時間を大幅に短縮することができる。なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、上述したように、サーミスタ薄膜5の直下においてアルミナ基板の絶縁基板2上にSiO2下地膜の電極層3を形成することが好ましいが、図3に示す他の例のように、サーミスタ薄膜5の直下においてアルミナ基板の絶縁基板2上にPtの電極層3を直接パターン形成しても構わない。この場合、絶縁基板2からのAlの拡散によりサーミスタ薄膜5の電気特性が影響されるおそれもあるが、SiO2下地膜の電極層3のパターン形成工程が省略されるため、工程数および製造コストの削減を図ることができる。