基板上に、複数の配線層を絶縁層を介して積層し、前記絶縁層に形成された開口部を介して前記複数の配線層を導通してなる多層配線基板の製造方法であって、第1の主表面と、該第1の主表面と対向して設けられた第2の主表面を有し、表層に圧縮応力層が形成可能なガラス基板を用い、前記第1の主表面と前記第2の主表面の表層に圧縮応力層を形成する圧縮応力層形成工程と、前記第1の主表面上に配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、前記配線パターン上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層に上下配線層を導通するための開口部を形成する開口部形成工程と、前記配線パターン形成工程、前記絶縁層形成工程、及び、前記開口部形成工程、を複数繰り返す工程を有し、前記第2の主表面の表層に形成された前記圧縮応力層を所定の厚さ除去する圧縮応力層除去工程を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。前記圧縮応力層除去工程は、フッ化水素酸、ケイフッ化水素酸、酸性フッ化アンモン、及びフッ化アンモニウムと無機酸の混酸から選ばれる少なくとも1つを含む酸性水溶液に接触させることにより行われることを特徴とする請求項1記載の多層配線基板の製造方法。前記圧縮応力層除去工程は、1層ずつ配線層又は絶縁層を形成した後に行う、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の多層配線基板の製造方法。前記圧縮応力層除去工程は、配線層又は絶縁層を、複数層あるいはすべての層を形成してから行う、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の多層配線基板の製造方法。基板上に、複数の配線層を絶縁層を介して積層し、前記絶縁層に形成された開口部を介して前記複数の配線層を導通してなる多層配線基板であって、第1の主表面と、該第1の主表面と対向して設けられた第2の主表面を有し、表層に圧縮応力層が形成可能なガラス基板における少なくとも配線層が形成される前記第1の主表面の表層に圧縮応力層を有し、前記配線層と前記絶縁層が積層された構造の多層配線層が引張応力を有し、前記第1の主表面の表層の圧縮応力層の圧縮応力と、多層配線層の引張応力が相殺されて、前記第2の主表面の反り量が、±300μm以内であることを特徴とする多層配線基板。前記第2の主表面の表層に、前記第1の主表面の表層に形成された圧縮応力層の圧縮応力よりも小さい圧縮応力を有する圧縮応力層を有することを特徴とする請求項5記載の多層配線基板。請求項1から4のいずれかに記載の製造方法により製造された多層配線基板又は請求項5又は6記載の多層配線基板と、前記多層配線基板の前記第1の主表面側に配置された被検査素子と直接接触するコンタクト部分を受け持つコンタクト部材とを有することを特徴とするウエハ一括コンタクトボード。ウエハ一括コンタクトボードを構成する一部品である多層配線基板において、ガラス基板主表面の片面に多層配線を形成してゆくと、金属配線及びポリイミド前駆体のような熱硬化型絶縁ポリマーを形成してゆくたびに、ガラス基板に引っ張り応力がかかり、ガラス基板の剛性が耐えられずに、だんだん膜面側に凹型に湾曲してくる。そのためフラットな主表面が必要なガラス基板に反りが発生する。測定チップ数の増加に伴い、動作させるために必要な電流が大きくなってくる。そのため、配線層の層数が増加する。上述のガラス基板の反りは、配線層の層数が3、4層である場合においては、ガラス基板の厚さが5mmと厚いので問題とならないが、現在試作されている5層あたりから問題となる場合が生じ、6、7層以上になるとよりガラス基板の反り量が大きくなるので問題となる。また、多層配線基板の信号ラインや、電源ライン、グランドラインが配線層の層数の増加に伴い長くなると、それらのラインの抵抗により電圧が低下する。そのため、配線層の幅や膜厚をできるだけ大きくして抵抗を少なくする必要がある。配線層におけるCu層の膜厚を厚くしたり、配線層の幅を大きくするに従い、よりガラス基板の反り量が大きくなるので問題となる。具体的には、配線層の層数が5層以上であると、直経300mmのウエハ対応の多層配線基板用ガラス基板縦横340mmの正八角型、厚さ5mmで実用上障害となる反りが生じる場合がある。詳しくは、多層配線基板を製造する際に、配線層及び絶縁層の層数の増加に伴い、ガラス基板の反り量が増加する。このように、一層毎にプロセスを追うごとに反り量が増大するので、各層の間の位置ずれの問題が生じる。また、例えば、多層配線基板の配線層の層数が5層以上になると、アライナーのステージ上にバキュウーム吸引によって多層配線基板ガラス基板を吸着できず、専用治具で押さえつける必要が生じる場合があり、煩雑で労力を要するとともに、ステージ上に多層配線基板を固定できない場合においては、各層間のアライメントを行うことができない。多層配線基板の配線層の層数が5層以上になると、配線層の断線の問題が生じることもある。また、実際に検査を行うためにウエハ一括コンタクトボードを組み上げる際に、多層配線基板とコンタクト部材バンプ部材との間で、多層配線基板の反りによって位置ずれが生じ、位置精度が悪くなる。このため、各部品の位置合わせがしづらくなる。また、多層配線基板とコンタクト部材バンプ部材は、これらの間の外周縁をシリコンゴム部材でシールし、これらの間を吸引により減圧して互いに貼り付けているが、この貼り付きが悪くなる。このため、ガラス多層配線基板、異方性導電ゴムシート、コンタクト部材バンプ部材を吸引減圧により組み上げたものが崩れ破損する事態が発生する。さらに、実際にウエハを検査測定する際、多層配線基板の反りに沿って、コンタクト部材バンプ部材にも反りが生じることによって、コンタクト部材バンプ部材の中心部分でバンプとウエハ上の電極とのコンタクトが弱くなったり、コンタクト部材バンプ部材のバンプがウエハ上の電極に接触しなくなってくるような事態が発生する。上記課題を解決するために発明者は鋭意検討した。その結果、以下のことがわかった。剛性の高いセラミック基板を使用する手法が考えられるが、コスト高になるガラス基板を使用する場合に比べて約10倍以上。ガラス基板の厚さを厚くする例えば、8mm、10mmことは反り対策として有効である。しかし、ガラス多層配線基板、異方性導電ゴムシート、メンブレンリングのアライメント及び組み上げセッティングは、その数が多いので、通常、全自動か半自動で行われるが、ガラス基板の厚みが厚くなることにより、アライメントのフォーカス合わせがしにくくなるので、手作業で行わなければならず非効率である。配線層が形成されていない側のガラス表面に、金属薄膜や樹脂薄膜ポリイミドを含むを形成して、配線層側との応力のバランスをとる手法が考えられるが、コスト高になる。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、多層配線の層数が5層以上であっても、ガラス基板の厚さを厚くすることなく多層配線基板の反り量を抑えた高平坦度の多層配線基板とその製造方法を提供することを目的とする。また、高平坦度の多層配線基板によりウエハ一括コンタクトボードを構成する各部材のアライメント精度が向上するとともに、ウエハ一括コンタクトボードの使用実際の検査において支障が生じないウエハ一括コンタクトボードを提供することを目的とする。本発明は以下の構成を有する。構成1基板上に、複数の配線層を絶縁層を介して積層し、前記絶縁層に形成された開口部を介して前記複数の配線層を導通してなる多層配線基板の製造方法であって、第1の主表面と、該第1の主表面と対向して設けられた第2の主表面を有する表層に圧縮応力層が形成可能なガラス基板を用い、前記第1の主表面と前記第2の主表面の表層に圧縮応力層を形成する圧縮応力層形成工程と、前記第1の主表面上に配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、前記配線パターン上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層に上下配線層を導通するための開口部を形成する開口部形成工程と、前記配線パターン形成工程、及び、前記絶縁層形成工程、及び、前記開口部形成工程、を複数繰り返す工程を有し、前記第2の主表面の表層に形成された前記圧縮応力層を所定の厚さ除去する圧縮応力層除去工程を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。構成2前記圧縮応力層除去工程は、フッ化水素酸、ケイフッ化水素酸、酸性フッ化アンモン、及びフッ化アンモニウムと無機酸の混酸から選ばれる少なくとも1つを含む酸性水溶液に接触させることにより行われることを特徴とする構成1記載の多層配線基板の製造方法。構成3前記圧縮応力層除去工程は、1層ずつ配線層又は絶縁層を形成した後に行う、ことを特徴とする構成1又は2に記載の多層配線基板の製造方法。構成4前記圧縮応力層除去工程は、配線層又は絶縁層を、複数層あるいはすべての層を形成してから行う、ことを特徴とする構成1又は2に記載の多層配線基板の製造方法。構成5基板上に、複数の配線層を絶縁層を介して積層し、前記絶縁層に形成された開口部を介して前記複数の配線層を導通してなる多層配線基板であって、第1の主表面と、該第1の主表面と対向して設けられた第2の主表面を有する表層に圧縮応力層が形成可能なガラス基板における少なくとも配線層が形成される前記第1の主表面の表層に圧縮応力層を有し、前記配線層と前記絶縁層が積層された構造の多層配線層が引張応力を有し、前記第1の主表面の表層の圧縮応力層の圧縮応力と、多層配線層の引張応力が相殺されて、前記第1の主表面の反り量が、±300μm以内であることを特徴とする多層配線基板。構成6前記第2の主表面の表層に、前記第1の主表面の表層に形成された圧縮応力層の圧縮応力よりも小さい圧縮応力を有する圧縮応力層を有することを特徴とする構成5記載の多層配線基板。構成7前記構成1から4のいずれかに記載の製造方法により製造された多層配線基板又は構成5又は6記載の多層配線基板と、前記多層配線基板の前記第1の主表面側に配置された被検査素子と直接接触するコンタクト部分を受け持つコンタクト部材とを有することを特徴とするウエハ一括コンタクトボード。本発明によれば、上記のような片面ガラス配線基板に特有の上記のような問題を解決することができる。本発明によれば、多層配線の層数が5層以上であっても、ガラス基板の厚さを厚くすることなく多層配線基板の反り量を抑えた高平坦度の多層配線基板とその製造方法を提供できる。また、高平坦度の多層配線基板によりウエハ一括コンタクトボードを構成する各部材のアライメント精度が向上するとともに、ウエハ一括コンタクトボードの使用実際の検査において支障が生じないウエハ一括コンタクトボードを提供できる。実施例1本発明の一実施例による多層配線基板について図1を参照しながら説明する。図1は、本実施例による多層配線基板の製造工程を示す断面図である。圧縮応力層を有するガラス基板の作製まず、図21に示すように、表面を平らに研磨した厚さ5mm、縦横340mmの正八角型のガラス基板51340mm角の正方形基板の角を削って正八角形とした基板であって、直経300mmのウエハ対応のガラス基板を準備した。このガラス基板は、化学強化が可能なガラス基板であって、具体的には、ショット社製テンパックス登録商標ガラスを使用した。純度100の化学強化塩試薬特級の硝酸カリウムKNO3を使用し、これを加熱により溶融熔融して溶融塩とし、420°Cの溶融塩に10時間、上記ガラス基板を浸漬して化学強化を行った図22。ガラス基板の両面の各表層に形成された圧縮応力層40A、40Bの厚さは、それぞれ約60~100μmであった。配線層及び配線パターンの形成図23に示すように、上記のガラス基板の片面に、スパッタ法にて、Crを約300オングストローム、Cuを約6μmの膜厚にてそれぞれ成膜する。次いで、Cu表面上に、電解めっきによりNi膜を約0.3μmの膜厚にて形成し、Ni/Cu/Cr配線層521層目を形成する。なお、Ni膜はスパッタにて形成することも可能である。次に、図24に示すように、所定のフォトリソグラフィー法レジストコート、露光、現像、エッチングにより、Ni/Cu/Cr多層配線層52をパターニングして、第1配線層52a第1配線パターンを形成する。詳しくは、塩化第2鉄水溶液等のエッチング液を使用して、Ni/Cu/Cr多層膜をエッチングすることによりパターニングを行い、レジスト剥離液を用いてレジストを剥離し、水洗後、乾燥させる。絶縁層及び開口パターンの形成i次に、第1配線パターン52a上に感光性ポリイミド前駆体53例えば、旭化成社製パイメルポリイミド前駆体などを塗布し、フォトリソグラフィーにて図25に示すようにコンタクトホール54を形成する。その後、350°Cで4時間、加熱してキュアして、前記ポリイミド前駆体を完全にポリイミド化することにより、厚さ8μmのポリイミド絶縁層531層目の下半分を形成する。この時、ポリイミド化の加熱工程において、コンタクトホールに露出している配線層の最上層であるNiが酸化されてNiOとなる。同時に、ポリイミド層は徐々に収縮するため、コンタクトホール内部のポリイミド付近ではNiが露出する。従って、コンタクトホールにはNiとNiOの両方が露出することになる。ii次に、積層体の表面に酸素プラズマ処理を行う。これによって、ポリイミド絶縁層の表面に凹凸が形成され、表面が約0.1μm程度の粗さになる。このように、表面積を広げることにより、アンカー効果にて、次工程にて形成される第2配線層との密着力を高めることができるまた、ポリイミド絶縁層は3μmエッチングされ、5μmの厚さとなる。ガラス基板裏面の圧縮応力層のエッチングiii次に、この積層体を、0.95重量百分率の酸性フッ化アンモン水溶液に20秒浸漬する。これにより、ガラス基板裏面の圧縮応力層40Bをエッチングして所定の厚さ20秒浸漬で6μm除去し、圧縮応力層40B’とする図25参照。次に、図26に示すように、上記i、ii及びiiiの工程をもう一度繰り返し、開口パターン56を有するポリイミド絶縁層551層目の上半分を形成し、合計で厚さ10μmの絶縁層571層目を形成する。また、ガラス基板裏面の圧縮応力層40B’をエッチングして所定の厚さ20秒浸漬で6μm除去し、圧縮応力層40B’’とする図26参照。上記配線層及び配線パターンの形成及び上記絶縁層及び開口パターンの形成を4回繰り返して、5層構造の多層配線基板を作製した図示せず。なお、5層目の配線パターンにおけるコンタクト端子部分にだけ、酸化を防止する目的及び異方性導電膜との電気的コンタクト性を良くする等の目的で、1μm厚のNi膜上に0.3μm厚のAu膜を無電解メッキ法で形成した図示せず。また、5層目の絶縁膜としてのポリイミドを塗布し図示せず、コンタクト端子部分のポリイミドを除去して保護用絶縁膜を形成した。Cu層は6μm×5層で合計膜厚30μm、ポリイミド絶縁層は10μm×5層で合計膜厚50μm、エッチングは各20秒で回数は10回、である。比較例1いずれの面にも圧縮応力層が形成されていないガラス基板を使用したこと以外は、実施例1と同様とした。尚、使用したガラスは、実施例1と同様ものを使用した。具体的には、表面を平らに研磨した厚さ5mm、縦横340mmの正八角型のガラス基板21直経300mmのウエハ対応のガラス基板を使用した。このガラス基板は、Siと膨張率が同じか又はSiと膨張率が近いガラス基板であって、いずれの面にも、圧縮応力層は形成されていない。評価実施例1の多層配線基板における多層配線層が形成されている側の反り量は、150μmと良好であった。一方、比較例1の多層配線基板における多層配線層が形成されている側の反り量は、350μmであった。次に、本発明のウエハ一括コンタクトボードの一実施形態について説明する。図3にそのウエハ一括コンタクトボードの概略構成図を示す。本実施形態によるウエハ一括コンタクトボードは、図3に示すように、コンタクト部材バンプ部材20と、上記実施例のように作製された多層配線基板50と、コンタクト部材バンプ部材20と多層配線基板50とを電気的に接続する異方性導電ゴム30を有するものである。コンタクト部材バンプ部材20は、リング23と、リングに張り渡された絶縁性薄膜22の一方の面に設けられた金属バンプ26と、このバンプと電気的に接続して他方の面に設けられた金属パッド21aとを備える。コンタクト部材バンプ部材においては、半導体ウエハ71上の各半導体チップの周縁又はセンターライン上に形成されたパッド72約600~1000ピン程度に対応して、この数にチップ数を乗じた数の金属バンプ26が絶縁性薄膜22上に形成されている。多層配線基板50は、コンタクト部材バンプ部材20上に孤立する各金属バンプ26にパッド21a孤立パッドを介して、電源電圧および所定のバーンイン試験信号を付与するための配線層を積層構造として有する。異方性導電部材30は、主面と垂直な方向にのみ導電性を有する弾性体31aと、これを保持するフレーム31を有する。弾性体31aは、例えばシリコン樹脂からなり、金属粒子が導通方向に沿って埋め込まれている。異方性導電部材30は、多層配線基板上の端子とコンタクト部材バンプ部材の金属パッド21aとを電気的に接続する。異方性導電部材30は、コンタクト部材バンプ部材20上の金属パッド21aに導電性を有する弾性体31aを押し当てることで、半導体ウエハ表面の凹凸及びバンプ26の高さのバラツキを吸収し、半導体ウエハ71上のパッド72とコンタクト部材バンプ部材上の金属バンプ26とを確実に接続する。多層配線基板の配線層に接続された電源および信号源から印加される電源電圧およびバーンイン試験信号が、異方性導電ゴム部材30を介してコンタクト部材バンプ部材の金属パッド21aに送られ、金属パッド21aに導通する金属バンプ26から半導体ウエハ71上の金属パッド72に送られて、バーンイン試験が行われる。コンタクト接続の評価実施例1で作製した多層配線基板を用いて作製されたウエハ一括コンタクトボードは、ガラス基板の厚さが5mmであるが、5層構造の多層配線基板の反り量は150μmと小さく、ウエハ一括コンタクトボードの組み立てにおいても後述の比較例と比べてアライメント精度が3~5μm改善することができ、多層配線基板の製造に支障を生じることはなかった。また、多層配線基板と異方性導電ゴムシート、バンプ付きメンブレンリングとの密着性が向上し、さらに、ウエハとのコンタクトが確実になり、ウエハ一括コンタクトボードの使用実際の検査において各部品が崩れ破損する事態は発生せず、支障を生じることがなかった。比較例1で作製した多層配線基板を用いて作製されたウエハ一括コンタクトボードは、5層構造の多層配線基板の反り量が350μmと大きく、多層配線基板の製造に支障を生じ、また、ウエハ一括コンタクトボードの使用実際の検査において支障を生じた。