2~12massppmの硫黄と、2~30massppmの酸素と、4~55massppmのTiを含み残部が銅からなる銅合金材料を素材として連続鋳造圧延法で作製されたワイヤロッドを冷間伸線加工したものであって、前記ワイヤロッドを加工度90で冷間伸線したときの当該線材の導電率が98IACS以上であり、半軟化温度が130~148°Cであることを特徴とする希薄銅合金線。前記Tiの濃度が37massppm以下で、前記当該線材の導電率が100IACS以上である請求項1に記載の希薄銅合金線。前記Tiの濃度が25massppm以下であり、前記当該線材の導電率が102IACS以上である請求項1に記載の希薄銅合金線。請求項1~3のいずれかに記載の希薄銅合金線の表面にめっき層を形成したことを特徴とするめっき線。請求項1~4いずれかに記載の希薄銅合金線又はめっき線を複数本撚り合わせたことを特徴とする撚線。よって、生産性が高く、導電率、軟化温度、表面品質に優れた実用的希薄銅合金線とその組成の検討が望まれていた。また、製造方法について検討すると、上述したように連続鋳造による無酸素銅にTiを添加して軟銅化する方法は公知であるが、これはケークやビレットとして鋳造材を製造した後、熱間押出や熱間圧延を行いワイヤロッドを作製している。そのため、製造コストが高く工業的に使うには経済性に問題があった。また、上方引き上げ連続鋳造装置にて、無酸素銅にTiを添加する方法は公知であるが、これも生産速度が遅く経済性に問題があった。そこで、SCR連続鋳造圧延システムSouthwireContinuousRodSystemにて検討しようとした。SCR連続鋳造圧延法は、SCR連続鋳造圧延装置の溶解炉内で、ベース素材を溶解して溶湯とし、その溶湯に所望の金属を添加して溶解し、この溶湯を用いて荒引き線ワイヤロッド:例えばφ8mmを作製し、その荒引き線を、冷間伸線により例えばφ2.6mmに加工するものである。またφ2.6mm以下のサイズ或いは板材、異形材にも同様に加工することができる。また、丸型線材を角状に或いは異形条に圧延しても有効である。また、ワイヤロッドをコンフォーム押出成形し、異形材を製作することもできる。本発明者等が検討した結果、SCR連続鋳造圧延を用いる場合、ベース素材としてのタフピッチ銅では表面傷が発生しやすく、添加条件により軟化温度の変動、チタン酸化物の形成状況が不安定であることがわかった。また酸素量が00001質量以下の無酸素銅を用いて検討すると、軟化温度と導電率、表面品質を満足する条件は極めて狭い範囲であった。また軟化温度の低下に限界があり、より低い、高純度銅並みの軟化温度の低下が望まれた。そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、生産性が高く、導電率、軟化温度、表面品質に優れた希薄銅合金線を提供することにある。上記目的を達成するために請求項1の発明は、2~12massppmの硫黄と、2~30massppmの酸素と、4~55massppmのTiを含み残部が銅からなる銅合金材料を素材として連続鋳造圧延法で作製されたワイヤロッドを冷間伸線加工したものであって、前記ワイヤロッドを加工度90で冷間伸線したときの当該線材の導電率が98IACS以上であり、半軟化温度が130~148°Cであることを特徴とする希薄銅合金線である。請求項2の発明は、前記Tiの濃度が37massppm以下で、前記当該線材の導電率が100IACS以上である請求項1に記載の希薄銅合金線である。請求項3の発明は、前記Tiの濃度が25massppm以下であり、前記当該線材の導電率が102IACS以上である請求項1に記載の希薄銅合金線である。請求項4の発明は、請求項1~3のいずれかに記載の希薄銅合金線の表面にめっき層を形成したことを特徴とするめっき線である。請求項5の発明は、請求項1~4いずれかに記載の希薄銅合金線又はめっき線を複数本撚り合わせたことを特徴とする撚線である。本発明によれば、生産性が高く、導電率、軟化温度、表面品質に優れた実用的な希薄銅合金線を提供できるという優れた効果を発揮するものである。以下、本発明の好適な一実施の形態を詳述する。先ず、本発明は、SCR連続鋳造圧延設備を用い、表面傷が少なく、製造範囲が広く、安定生産が可能で、加工度90例えばφ8mm→φ2.6mmで冷間加工して得られた線材の半軟化温度が148°C以下で、導電率が98IACS万国標準軟銅InternationalAnneldCopperStandard抵抗率17241×108Ωmを100とした導電率以上、好ましくは102IACS以上を満足する軟質型銅材としての希薄銅合金線を得ることにある。この際、高純度Cu6N、純度999999に関しては、冷間加工度90での半軟化温度は130°Cである。したがって130°C以上で148°C以下の半軟化温度で軟質材の導電率が98IACS以上、好ましくは100IACS以上、更に好ましくは導電率が102IACS以上である軟質銅を安定して製造できる希薄銅合金材料としての素材とその製造条件を求めることが本発明の課題である。ここで、酸素濃度1~2massppmのCu4Nを用い、実験室にて小型連続鋳造機小型連鋳機を用いて、チタンを数massppm添加した溶湯から製造したφ8mmのワイヤロッドをφ2.6mm加工度90に加工して軟化温度を測ると160~168°Cであり、これ以上低い軟化温度にはならない。また、導電率は、101.7IACS程度である。よって、酸素濃度を低くして、Tiを添加しても、軟化温度を下げることができず、また高純度Cu6Nの導電率102.8IACSよりも悪くなることがわかった。この原因は、溶湯の製造中に不可避的不純物として、硫黄を数massppm以上含み、この硫黄とチタンとでTiS等の硫化物が十分形成されないために、軟化温度が下がらないものと推測される。そこで、本発明では、軟化温度を下げることと、導電率を向上させるために、2つの方策を検討し、2つの効果を合わせることで目標を達成した。a素材の酸素濃度を2massppm以上に増やしてチタンを添加する。これにより、先ず溶銅中ではTiSとチタン酸化物TiO2やTi-O-S粒子が形成されると考えられる図1、図3のSEM像と、図2、図4の分析結果参照。なお、図2、図4、図6において、PtおよびPdは観察のための蒸着元素である。b次に熱間圧延温度を、通常の銅の製造条件950~600°Cよりも低く設定880~550°Cすることで、銅中に転位を導入し、Sが析出し易いようにする。これによって転位上へのSの析出又はチタンの酸化物TiO2を核としてSを析出させ、その一例として溶銅と同様Ti-O-S粒子等を形成させる図5のSEM像と、図6の分析結果参照。aとbにより、銅中での硫黄の晶出と熱間圧延中の硫黄の析出を行い、冷間伸線加工後に軟化温度と導電率を満足する銅ワイヤロッドができる。次に、本発明では、SCR連続鋳造圧延設備での製造条件の制限として1~4を制限した。1組成の制限導電率が98IACS以上の軟質銅材を得る場合、不可避的不純物を含む純銅ベース素材が、3~12massppmの硫黄と、2~30massppmの酸素と、Tiを4~55massppm含む希薄銅合金材料でワイヤロッド荒引き線を製造するものである。ここで、導電率が100IACS以上の軟質銅材を得る場合には、不可避的不純物を含む純銅に2~12massppmの硫黄と、2~30massppmの酸素とTiを4~37massppm含む希薄銅合金材料でワイヤロッドとするのがよい。さらに、導電率が102IACS以上の軟質銅材を得る場合、不可避的不純物を含む純銅に3~12massppmの硫黄と、2~30massppmの酸素と、Tiを4~25massppm含む希薄銅合金材料でワイヤロッドとするのがよい。通常、純銅の工業的製造において、電気銅を製造する際に、硫黄が銅中に取り込まれてしまうため、硫黄を3massppm以下とするのは難しい。汎用電解銅の硫黄濃度の上限は12massppmである。制御する酸素は、上述したように、少ないと軟化温度が下がり難いので2massppm以上とする。また酸素が多すぎると、熱間圧延工程で、表面傷が出やすくなるので30massppm以下とする。2分散している物質の制限分散粒子のサイズは小さく沢山分布することが望ましい。その理由は、硫黄の析出サイトとして働くためサイズが小さく数が多いことが要求される。硫黄及びチタンは、TiO、TiO2、TiS、Ti-O-Sの形で化合物または、凝集物を形成し、残りのTiとSが固溶体の形で存在している。TiOのサイズが200nm以下、TiO2は1000nm以下、TiSは200nm以下、Ti-O-Sは300nm以下で結晶粒内に分布している希薄銅合金材料とする。但し、鋳造時の溶銅の保持時間や冷却状況により、形成される粒子サイズが変わるので鋳造条件の設定も必要である。3鋳造条件の制限SCR連続鋳造圧延によりワイヤロッドを造る。一例として、加工度99.3でφ8mmのワイヤロッドを造る方法を用いる。a溶解炉内での鋳造温度は、1100°C以上1320°C以下とする。溶銅の温度が高いとブローホールが多くなり、傷が発生するとともに粒子サイズが大きくなる傾向にあるので1320°C以下とする。1100°C以上としたのは、銅が固まりやすく製造が安定しないためであるが、鋳造温度は出来るだけ低い温度が望ましい。b熱間圧延温度は、最初の圧延ロールでの温度が880°C以下、最終圧延ロールでの温度が550°C以上とする。通常の純銅製造条件と異なり、溶銅中での硫黄の晶出と熱間圧延中の硫黄の析出が本発明の課題であるので、その駆動力である固溶限をより小さくするためには、鋳造温度と熱間圧延温度をa、bとするのがよい。通常の熱間圧延温度は、最初の圧延ロールでの温度が950°C以下、最終圧延ロールでの温度が600°C以上であるが、固溶限をより小さくするためには、最初の圧延ロールでの温度が880°C以下、最終圧延ロールでの温度が550°C以上に設定する。550°C以上にする理由は、この温度以下ではワイヤロッドの傷が多いので製品にならないためである。熱間圧延温度は、最初の圧延ロールでの温度が880°C以下、最終圧延ロールでの温度が550°C以上で、できるだけ低い方が望ましい。こうすることで、ワイヤロッドを冷間加工して得られた銅材例えばφ8~φ2.6に加工後の軟化温度が限りなく高純度Cu6N、軟化温度130°Cに近くなる。c直径φ8mmサイズのワイヤロッドの導電率が98IACS以上、好ましくは100IACS以上、更に好ましくは102IACS以上であり、冷間伸線後のφ2.6mmの線材の半軟化温度が130°C~148°Cである希薄銅合金線を得ることができる。工業的に使うためには、電解銅から製造した工業的に利用される純度の軟質銅線にて98IACS以上必要であり、軟化温度はその工業的価値から見て148°C以下である。Tiを添加しない場合は、160~165°Cである。高純度Cu6Nの軟化温度は127~130°Cであったので、得られたデータから限界値を130°Cとする。このわずかな違いは、高純度Cu6Nにない不可避的不純物にある。導電率は、無酸素銅のレベルで101.7IACS程度であり、高純度Cu6Nで102.8IACSであるため、出来るだけ高純度Cu6Nに近い導電率であることが望ましい。4鋳造条件の制限銅はシャフト炉で溶解の後、還元状態の樋になるように制御した、すなわち還元ガスCO雰囲気下で、希薄合金の構成元素の硫黄濃度、Ti濃度、酸素濃度を制御して鋳造し、圧延するワイヤロッドを安定して製造する方法がよい。銅酸化物の混入や粒子サイズが大きいので品質を低下させる。ここで、添加物としてTiを選択した理由は次の通りである。aTiは溶融銅の中で硫黄と結合し化合物を造りやすいためである。bZrなど他の添加金属に比べて加工でき扱いやすい。cNbなどに比べて安価である。d酸化物を核として析出しやすいからである。以上により、本発明の希薄銅合金材料は、溶融半田めっき材線、板、箔、エナメル線、軟質純銅、高導電率銅、やわらかい銅線として使用でき、生産性が高く、導電率、軟化温度、表面品質に優れた実用的な希薄銅合金材料を得ることが可能となる。また、本発明の希薄銅合金線の表面にめっき層を形成してもよい。めっき層としては、例えば、錫、ニッケル、銀を主成分とするものを適用可能であり、いわゆるPbフリーめっきを用いてもよい。また、本発明の希薄銅合金線を複数本撚り合わせた希薄銅合金撚線として使用することも可能である。また、本発明の希薄銅合金線又は希薄銅合金撚線の周りに、絶縁層を設けたケーブルとして使用することもできる。また、本発明の希薄銅合金線を複数本撚り合わせて中心導体とし、中心導体の外周に絶縁体被覆を形成し、絶縁体被覆の外周に銅又は銅合金からなる外部導体を配置し、その外周にジャケット層を設けた同軸ケーブルとして使用することもできる。また、この同軸ケーブルの複数本をシールド層内に配置し、前記シールド層の外周にシースを設けた複合ケーブルとして使用することもできる。また、上述の実施の形態では、SCR連続鋳造圧延によりワイヤロッドを作製し、熱間圧延にて軟質材を作製する例で説明したが、本発明は、双ロール式連続鋳造圧延及びプロペルチ式連続鋳造圧延法により製造するようにしても良い。表1は実験条件と結果に関するものである。先ず、実験材として、表1に示した酸素濃度、硫黄濃度、Ti濃度で、φ8mmの銅線ワイヤロッド:加工度99.3をそれぞれ作製し、その実験材を冷間伸線して、φ2.6mmのサイズにおける半軟化温度と導電率を測定し、またφ8mmの銅線における分散粒子サイズを評価した。酸素濃度、酸素分析器レコLeco;商標酸素分析器で測定した。硫黄、Tiの各濃度はICP発光分光分析器で分析した結果である。φ2.6mmのサイズにおける半軟化温度の測定は、400°C以下で各温度1時間の保持後、水中急冷し、引張試験を実施しその結果から求めた。室温での引張試験の結果と400°Cで1時間のオイルバス熱処理を施した軟質銅線の引張試験の結果を用いて求めた。引張強さの差の半分の値を示す強度に対応する温度を半軟化温度と定義し求めた。分散粒子のサイズは小さく沢山分布することが望ましい。その理由は、硫黄の析出サイトとして働くためサイズが小さく数が多いことが要求される。すなわち直径500μm以下の分散粒子が90以上である場合を合格○とした。表1において、比較材1は、実験室でAr雰囲気において直径φ8mmの銅線を試作した結果であり、Tiを、0~18massppm添加したものである。このTi添加で、Ti添加量ゼロの半軟化温度215°Cに対して、13massppmは160°Cまで低下して最小となり、15、18massppmの添加で高くなっており、要望の軟化温度148°C以下にはならなかった。しかし工業的に要望がある導電率は98IACS以上であり満足していたが、総合評価は×であった。そこで、次にSCR連続鋳造圧延法にて、酸素濃度を7~8massppmに調整してφ8mm銅線ワイヤロッドの試作を行った。比較材2は、SCR連続鋳造圧延法で試作した中でTi濃度の少ないもの02massppmであり、導電率は102IACS以上であるが、半軟化温度が164、157°Cであり、要求の148°C以下を満足しないので、総合評価で、×となった。実施材1については、酸素濃度と硫黄が、ほぼ一定7~8massppm、5massppm、Ti濃度の異なる4~55massppm試作材の結果である。このTi濃度4~55massppmの範囲では、軟化温度148°C以下であり、導電率も98IACS以上、102IACS以上であり、分散粒子サイズも500μm以下の粒子が90以上であり良好である。そしてワイヤロッドの表面もきれいであり、いずれも製品性能として満足している総合評価○。ここで、導電率100IACS以上を満たすものは、Ti濃度が4~37massppmのときであり、102IACS以上を満たすものは、Ti濃度が4~25massppmのときである。Ti濃度が13massppmのとき導電率が最大値である102.4IACSを示し、この濃度の周辺では、導電率は、僅かに低い値であった。これは、Tiが13massppmのときに、銅中の硫黄分を化合物として捕捉することで、高純度Cu6Nに近い導電率を示したためである。よって、酸素濃度を高くし、Tiを添加することで、半軟化温度と導電率の双方を満足させることができる。比較材3は、Ti濃度を60massppmと高くした試作材である。この比較材3は、導電率は要望を満足しているが、半軟化温度は148°C以上であり、製品性能を満足していない。さらにワイヤロッドの表面傷も多い結果であり、製品にすることは難しかった。よって、Tiの添加量は60massppm未満がよい。次に実施材2については、硫黄濃度を5massppmとし、Ti濃度を13~10massppmとし、酸素濃度を変えて、酸素濃度の影響を検討した試作材である。酸素濃度に関しては、2以下から30massppmまで、大きく濃度が異なる試作材とした。但し、酸素が2massppm未満は、生産が難しく安定した製造できないため、総合評価は△とした。また酸素濃度を30massppmと高くしても半軟化温度と導電率の双方を満足することがわかった。また比較材4に示すように、酸素が40massppmの場合には、ワイヤロッド表面の傷が多く、製品にならない状況であった。よって、酸素濃度が2~30massppmの範囲とすることで、半軟化温度、導電率102IACS以上、分散粒子サイズいずれの特性も満足させることができ、またワイヤロッドの表面もきれいであり、いずれも製品性能を満足させることができる。次に実施材3は、それぞれ酸素濃度とTi濃度とを比較的近い濃度とし、硫黄濃度を4~20massppmと変えた試作材の例である。この実施材3においては、硫黄が2massppmより少ない試作材は、その原料面から実現できなかったが、Tiと硫黄の濃度を制御することで、半軟化温度と導電率の双方を満足させることができる。比較材5の硫黄濃度が18massppmで、Ti濃度が13massppmの場合には、半軟化温度が162°Cで高く、必要特性を満足できなかった。また、特にワイヤロッドの表面品質が悪いので、製品化は難しかった。以上より、硫黄濃度が2~12massppmの場合には、半軟化温度、導電率102IACS以上、分散粒子サイズいずれの特性も満足しており、ワイヤロッドの表面もきれいですべての製品性能を満足することがわかった。また比較材6として高純度Cu6Nを用いた検討結果を示したが、半軟化温度127~130°Cであり、導電率も102.8IACSであり、分散粒子サイズも、500μm以下の粒子はまったく認められなかった。表2は、製造条件としての、溶融銅の温度と圧延温度を示したものである。比較材7は、溶銅温度が高めの1330~1350°Cで且つ圧延温度が950~600°Cでφ8mmのワイヤロッドを試作した結果を示したものである。この比較材7は、半軟化温度と導電率は満足するものの、分散粒子のサイズに関しては、1000μm程度のものもあり500μm以上の粒子も10を超えていた。よってこれは不適とした。実施材4は、溶銅温度が1200~1320°Cで且つ圧延温度が低めの880~550°Cでφ8mmのワイヤロッドを試作した結果を示したものである。この実施材4については、ワイヤ表面品質、分散粒子サイズも良好で、総合評価は○であった。比較材8は、溶銅温度が1100°Cで且つ圧延温度が低めの880~550°Cでφ8mmのワイヤロッドを試作した結果を示したものである。この比較材8は、溶銅温度が低いため、ワイヤロッドの表面傷が多く製品には適さなかった。これは、溶銅温度が低いため、圧延時に傷が発生しやすいためである。比較材9は、溶銅温度が1300°Cで且つ圧延温度が高めの950~600°Cでφ8mmのワイヤロッドを試作した結果を示したものである。この比較材9は、熱間圧延温度が高いため、ワイヤロッドの表面品質が良いが、分散粒子サイズも大きなものがあり、総合評価は×となった。比較材10は、溶銅温度が1350°Cで且つ圧延温度が低めの880~550°Cでφ8mmのワイヤロッドを試作した結果を示したものである。この比較材10は、溶銅温度が高いため、分散粒子サイズが大きなものがあり、総合評価は×となった。