"アノードと、陽極酸化によって形成されて該アノードの上に重なる誘電体コーティングと、該誘電体層の上に重なる導電性ポリマーとを収容し、第1のコンデンサ要素が特定の方向に第2のコンデンサ要素から離間した、第1の固体電解コンデンサ要素及び第2の固体電解コンデンサ要素と、前記第1のコンデンサ要素及び前記第2のコンデンサ要素が電気的に接続されたアノード端子と、前記第1のコンデンサ要素及び前記第2のコンデンサ要素が電気的に接続されたカソード端子と、前記第1のコンデンサ要素及び前記第2のコンデンサ要素の間に形成された空間を実質的に満たす樹脂材料と、を含むことを特徴とするコンデンサアセンブリ。前記第1のコンデンサ要素、前記第2のコンデンサ要素、又はその両方の前記導電性ポリマーは、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリ-p-フェニレン、ポリフェノレート、又はその組合せを含有することを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記ポリチオフェンは、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンであることを特徴とする請求項2に記載のコンデンサアセンブリ。前記第1のコンデンサ要素、前記第2のコンデンサ要素、又はその両方の前記導電性ポリマーは、予備重合された導電性ポリマー粒子の分散液から形成されることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記粒子は、約1から約500ナノメートルの平均直径を有することを特徴とする請求項4に記載のコンデンサアセンブリ。前記分散液は、ポリマーアニオンを含有することを特徴とする請求項4に記載のコンデンサアセンブリ。前記ポリマーアニオンは、ポリスチレンスルホン酸であることを特徴とする請求項6に記載のコンデンサアセンブリ。コンデンサアセンブリの降伏電圧が、約60ボルト又はそれよりも高いことを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。コンデンサアセンブリの降伏電圧が、約100ボルト又はそれよりも高いことを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記樹脂材料は、エポキシ樹脂を含むことを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記樹脂材料は、前記コンデンサ要素の周囲に拡がり、かつコンデンサアセンブリのためのシースを形成し、前記アノード端子の少なくとも一部分及び前記カソード端子の少なくとも一部分が、前記シースから露出されたままである、ことを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記第1のコンデンサ要素及び前記第2のコンデンサ要素の主要な表面が、垂直構成で設けられることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記コンデンサ要素が離間した前記方向に特定の寸法を定め、前記コンデンサ要素間の前記空間とコンデンサアセンブリの前記寸法の比率が、約0.01から約0.1である、ことを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記比率は、約0.01から約0.05であることを特徴とする請求項13に記載のコンデンサアセンブリ。前記コンデンサ要素は、約40マイクロメートルから約100マイクロメートルの距離で離間していることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記第1のコンデンサ要素は、第1のアノードリードを含み、前記第2のコンデンサ要素は、第2のアノードリードを含み、前記第1のアノードリード及び前記第2のアノードリードは、前記コンデンサ要素が離間した前記方向に対して実質的に直角の方向に延びる、ことを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記第1のアノードリード及び前記第2のアノードリードは、前記アノード端子に電気的に接続されることを特徴とする請求項16に記載のコンデンサアセンブリ。前記アノードは、タンタル、ニオブ、又はその導電性酸化物を含むことを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。コンデンサアセンブリを形成する方法であって、タンタル、ニオブ、又はその導電性酸化物を含むアノードと、陽極酸化によって形成されて該アノードの上に重なる誘電体コーティングと、該誘電体層の上に重なる導電性ポリマーとを収容し、かつ該アノードから延びるそれぞれの第1及び第2のアノードリードを収容する第1の固体電解コンデンサ要素及び第2の固体電解コンデンサ要素を準備する段階と、カソード端子とアノード端子とを形成するリードフレームを準備する段階と、前記第1のコンデンサ要素が前記第2のコンデンサ要素から特定の方向に離間するように該第1及び第2のコンデンサ要素を前記リードフレーム上に位置決めする段階と、前記第1のコンデンサ要素及び前記第2のコンデンサ要素を前記カソード端子に電気的に接続する段階と、前記第1のアノードリード及び前記第2のアノードリードを前記アノード端子に電気的に接続する段階と、前記第1及び第2のコンデンサ要素、前記アノード端子、及び前記カソード端子をケース内に位置決めする段階と、樹脂材料を該材料が前記第1のコンデンサ要素と前記第2のコンデンサ要素の間の空間を実質的に埋めるように前記ケースに付加する段階と、を含むことを特徴とする方法。前記樹脂材料を硬化する段階を更に含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。前記第1のコンデンサ要素、前記第2のコンデンサ要素、又はその両方の前記導電性ポリマーは、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリ-p-フェニレン、ポリフェノレート、又はその組合せを含有することを特徴とする請求項19に記載の方法。前記第1のコンデンサ要素、前記第2のコンデンサ要素、又はその両方の前記導電性ポリマーは、予備重合された導電性ポリマー粒子の分散液から形成されることを特徴とする請求項19に記載の方法。前記コンデンサアセンブリの降伏電圧が、約60ボルト又はそれよりも高いことを特徴とする請求項19に記載の方法。前記コンデンサアセンブリは、前記コンデンサ要素が離間した前記方向に特定の寸法を定め、前記コンデンサ要素間の前記空間と前記コンデンサアセンブリの前記寸法の比率が、約0.01から約0.1である、ことを特徴とする請求項19に記載の方法。比率が、約0.01から約0.05であることを特徴とする請求項19に記載の方法。従って、良好な機械的堅牢性及び電気的性能を保有する固体電解コンデンサアセンブリに対する必要性が残っている。本発明の一実施形態により、第1の固体電解コンデンサ要素及び第2の固体電解コンデンサ要素を含むコンデンサアセンブリが開示され、コンデンサ要素は、アノードと、陽極酸化によって形成されたアノードの上に重なる誘電体コーティングと、誘電体層の上に重なる導電性ポリマーとを収容する。コンデンサ要素は、第1のコンデンサ要素が特定の方向に第2のコンデンサ要素から離間するように並列に置かれる。アセンブリはまた、第1のコンデンサ要素及び第2のコンデンサ要素が電気的に接続されたアノード端子と、第1のコンデンサ要素及び第2のコンデンサ要素が電気的に接続されたカソード端子とを含む。樹脂材料が、第1のコンデンサ要素と第2のコンデンサ要素の間に形成された空間を実質的に埋める。本発明の別の実施形態により、コンデンサアセンブリを形成する方法を開示する。本方法は、第1のコンデンサ要素が特定の方向に第2のコンデンサ要素から離間するように、第1及び第2のコンデンサ要素をリードフレーム上に位置決めする段階を含む。第1のコンデンサ要素及び第2のコンデンサ要素は、カソード端子に電気的に接続され、第1及び第2のコンデンサ要素のアノードリードは、アノード端子に電気的に接続される。コンデンサ要素及び端子は、ケース内に位置決めされ、樹脂材料が、第1のコンデンサ要素と第2のコンデンサ要素の間の空間をそれが埋めるようにケースに付加される。本発明の他の特徴及び態様を以下でより詳細に説明する。当業者に対する最良のモードを含む本発明の完全かつ権限付与する開示を添付図面への参照を含む本明細書の残り部分でより詳細に説明する。本明細書及び図面における参照文字の反復使用は、本発明の同じか又は類似の特徴又は要素を表すことを意図している。本説明は、単に例示的な実施形態の説明であり、本発明のより広範な態様の制限としては意図されないことは、当業者によって理解されるものとする。一般的に、本発明は、共通のアノード及びカソード端子に電気的に接続した少なくとも2つの固体電解コンデンサ要素を収容する集積コンデンサアセンブリに関する。コンデンサ要素は、アノードと、陽極酸化によって形成されてアノードの上に重なる誘電体コーティングと、誘電体層の上に重なる導電性ポリマー固体電解質とを含む。コンデンサ要素は、樹脂材料が要素の間の空間を満たすことができるように特定の距離で互いに離間する。このようにして、本発明者は、樹脂材料が、導電性ポリマー層の膨張をそれがコンデンサ要素から実質的に剥離しない程度まで抑制すると考えている。機械的安定性を有するのに加えて、このコンデンサアセンブリは、低いESR、高いキャパシタンス、及び高い誘電体降伏電圧のような良好な電気的特性の組合せも有する。ここで、本発明の様々な実施形態をより詳細に以下に説明する。I.固体電解コンデンサ要素A.アノード固体電解コンデンサ要素のアノードは、約5,000μFV/gから約300,000μFV/gの広範な範囲にある比電荷を有する。以下でより詳細に説明するように、本発明のコンデンサは、高電圧用途での使用に特に適切とすることができる。こうした高電圧部分は、アノード粒子の空間及び間隙の間に成長することができる比較的厚い誘電体層の形成を一般的に必要とする。このように誘電体を成長させる機能を最適化するために、アノードは、低い比電荷を有する粉末から形成することができる。すなわち、粉末は、約70,000マイクロファラッドボルト/グラムμFV/g未満、一部の実施形態では、約2,000μFV/gから約65,000μFV/g、かつ一部の実施形態では、約5,000から約65,000μFV/gの比電荷を有することができる。バルブ金属組成物は、タンタル、ニオブ、アルミニウム、ハフニウム、チタン、それらの合金、それらの酸化物、それらの窒化物などのようなバルブ金属すなわち、酸化することができる金属又はバルブ金属ベースの化合物を含有する。例えば、バルブ金属組成物は、1:1.0±1.0、一部の実施形態では、1:10±0.3、一部の実施形態では、1:10±0.1、かつ一部の実施形態では、1:1±0.05のニオブの酸素に対する原子比を有するニオブ酸化物のようなニオブの導電性酸化物を含有することができる。例えば、ニオブ酸化物は、NbO07、NbO10、NbO11、及びNbO2とすることができる。好ましい実施形態では、この組成物は、NbO10を含有し、これは、高温での焼結の後でも化学的に安定とすることができる導電性ニオブ酸化物である。そのようなバルブ金属酸化物の例は、Fifeに付与された米国特許第6,322,912号、Fife他に付与された第6,391,275号、Fife他に付与された第6,416,730号、Fifeに付与された第6,527,937号、Kimmel他に付与された第6,576,099号、Fife他に付与された第6,592,740号、及びKimmel他に付与された第6,639,787号、及びKimmel他に付与された第7,220,397号、並びにSchnitterに付与された米国特許出願公開第2005/0019581号、Schnitter他に付与された第2005/0103638号、Thomas他に付与された第2005/0013765号に説明されており、それらの全ては、全ての目的に対してそれへの引用により全体として本明細書に組み込まれている。従来型の製造手順をアノード本体を形成するために一般的に利用することができる。一実施形態では、特定の粒径を有するタンタル又はニオブ酸化物が最初に選択される。例えば、粒子は、薄片状、角張ったもの、結節性、及びそれらの混合又は変形とすることができる。粒子は、典型的に少なくとも約60メッシュ、一部の実施形態では、約60から約325メッシュ、かつ一部の実施形態では、約100から約200メッシュの篩サイズ分布も有する。更に、比表面積は、約0.1から約10.0m2/g、一部の実施形態では、約0.5から約5.0m2/g、かつ一部の実施形態では、約1.0から約2.0m2/gである。用語比表面積は、吸着気体として窒素を用いたBruanauer、Emmet、及びTellerの物理的気体吸着B.E.T.法、米国化学学会誌、第60巻、1938年、p.309によって測定された表面積を意味する。更に、バルク又はScott密度は、典型的に約0.1から約5.0グラム/立方センチg/cm3、一部の実施形態では、約0.2から約4.0g/cm3、かつ一部の実施形態では、約0.5から約3.0g/cm3である。アノード本体の構成を容易にするために、他の成分を導電性粒子に添加することができる。例えば、導電性粒子は、アノード本体を形成するためにプレスされる時に粒子が相互に適切に接着することを保証するように、結合剤及び/又は滑剤と任意的に混合させることができる。適切な結合剤としては、樟脳、ステアリン酸及び他の滑らかな態様の脂肪酸、カーボワックスUnionCarbide、グリプタルGeneralElectric、ナフタリン、植物性ワックス、及びマイクロワックス精製パラフィン、ポリマー結合剤例えば、ポリビニルアルコール、ポリエチル-2-オキサゾリンなど、その他を含むことができる。結合剤は、溶媒内に溶解又は分散させることができる。例示的な溶媒としては、水、アルコール、その他を含むことができる。利用される場合、結合剤及び/又は滑剤の比率は、全重量の約0.1重量から約8重量まで変えることができる。しかし、本発明においては、結合剤及び滑剤は要求されないことを理解すべきである。得られた粉末は、あらゆる従来型の粉末プレス成形を用いて圧密化することができる。例えば、プレス成形は、ダイと1つ又は複数のパンチとを用いる単一ステーション圧密プレス成形とすることができる。代替的に、アンビル型圧密プレス成形を使用することができ、これは、ダイと単一のより低いパンチのみを用いる。単一ステーション圧密プレス成形は、シングルアクション、ダブルアクション、フローティングダイ、可動プラテン、対向ラム、スクリュー、衝撃、ホットプレス、コイニング、又はサイジングのような様々な機能を有するカム式、トグル/ナックル式、及び偏心/クランク式プレスのようないくつかの基本タイプで利用することができる。必要に応じて、ペレットを特定の温度例えば、約150°Cから約500°Cで数分間真空の下で加熱するなどにより、あらゆる結合剤/滑剤を圧縮の後に除去することができる。代替的に、Bishop他に付与された米国特許第6,197,252号に説明されているように、ペレットと水溶液の接触によって結合剤/滑剤を除去することができ、この特許は、全ての目的に対してそれへの引用により全体として本明細書に組み込まれている。プレスされたアノード本体の厚みは、約4ミリメートル又はそれ未満、一部の実施形態では、約0.05から約2ミリメートル、かつ一部の実施形態では、約0.1から約1ミリメートルのような比較的薄いものとすることができる。アノード本体の形状も、得られるコンデンサの電気的特性を改善するように選択することができる。例えば、アノード本体は、湾曲、正弦波、矩形、U字形、V字形などである形状を有することができる。アノード本体は、表面の容積に対する比率を高めてESRをできるだけ低下させ、かつキャパシタンスの周波数応答を拡大させるために、その中に1つ又はそれよりも多くの山、溝、凹部、又は欠刻を含む溝付き形状も有することができる。そのような溝付きアノードは、例えば、Webber他に付与された米国特許第6,191,936号、Maeda他に付与された第5,949,639号、及びBourqault他に付与された第3,345,545号、並びにHahn他に付与された米国特許出願公開第2005/0270725号に説明されており、それらの全ては、全ての目的に対してそれへの引用により全体として本明細書に組み込まれている。必要に応じて、アノード本体にアノードリードを取り付けることができる。アノードリードは、ワイヤ、シート、その他の形態とすることができ、かつタンタル、ニオブ、ニオブ酸化物、その他のようなバルブ金属化合物で形成することができる。リードの取付は、本体にリードを溶接するか又は形成中にアノード本体内にリードを埋め込むような公知の技術を用いて達成することができる。B.誘電体アノード本体は、陽極酸化することができ、それによって誘電体層がアノードを覆い及び/又はアノード内部に形成される。陽極酸化は、それによってアノードが酸化されて比較的高い誘電率を有する材料を形成する電気化学処理である。例えば、タンタルアノードは、五酸化タンタルTa2O5に陽極酸化することができる。一般的に、陽極酸化は、例えば、アノードを電解質内に浸漬するなどして、アノードに電解質を最初に付加することによって行われる。電解質は、溶液例えば、水性又は非水性、分散液、溶融物などのような一般的に液体の形態である。水例えば、脱イオン水、エーテル例えば、ジエチルエーテル及びテトラヒドロフラン、アルコール例えば、メタノール、エタノール、n-プロパノール、イソプロパノール、及びブタノール、トリグリセライド、ケトン例えば、アセトン、メチルエチルケトン、及びメチルイソブチルケトン、エステル例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジエチレングリコールエーテルアセテート、及び酢酸メトキシプロピル、アミド例えば、ジメチルホルマミド、ジメチルアセタミド、ジメチルカプリリック/カプリック脂肪酸アミド、及びN-アルキルピロリドン、ニトリル例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、及びベンゾニトリル、スルホキシド又はスルホン例えば、ジメチルスルホキシドDMSO及びスルホランなどのような溶媒が、電解質内に一般的に用いられる。溶媒は、電解質の約50重量から約99.9重量、一部の実施形態では、約75重量から約99重量、かつ一部の実施形態では、約80重量から約95重量を構成することができる。必ずしも要求されないが、水性溶媒例えば、水の使用が、望ましい酸化物を得ることを助けるために多くの場合に望ましい。実際上、水は、電解質内に使用される溶媒の約50重量又はそれよりも多く、一部の実施形態では、約70重量又はそれよりも多く、かつ一部の実施形態では、約90重量から100重量を構成することができる。電解質は、イオン導電性であり、約1ミリジーメンス/センチメートルmS/cm又はそれよりも大きく、一部の実施形態では、約30mS/cm又はそれよりも大きく、かつ一部の実施形態では、約40mS/cmから約100mS/cmの25°Cの温度で測定されたイオン導電率を有する。電解質のイオン導電率を高めるために、溶媒内で解離してイオンを形成することができる化合物を使用することができる。この目的のための適切なイオン化合物としては、例えば、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸、ホウ酸、ボロン酸などのような酸と、アクリル酸、メタクリル酸、マロン酸、コハク酸、サリチル酸、スルホサリチル酸、アジピン酸、マレイン酸、リンゴ酸、オレイン酸、没食子酸、酒石酸、クエン酸、ギ酸、酢酸、グリコール酸、シュウ酸、プロピオン酸、フタール酸、イソフタール酸、グルタール酸、グルコン酸、乳酸、アスパラギン酸、グルタミン酸、イタコン酸、トリフルオロ酢酸、バルビツール酸、桂皮酸、安息香酸、4-ヒドロキシ安息香酸、アミノ安息香酸などのようなカルボン酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、スチレンスルホン酸、ナフタレンジスルホン酸、ヒドロキシベンゼンスルホン酸、ドデシルスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸などのようなスルホン酸、ポリアクリル又はポリメタクリル酸及びそれらのコポリマー例えば、マレイン-アクリル、スルホン-アクリル、及びスチレン-アクリルコポリマー、カラギニン酸、カルボキシメチルセルロース、アルギン酸などのようなポリマー酸、その他を含む有機酸とを含むことができる。イオン化合物の濃度は、望ましいイオン導電率を達成するように選択される。例えば、酸例えば、リン酸は、電解質の約0.01重量から約5重量、一部の実施形態では、約0.05重量から約0.8重量、かつ一部の実施形態では、約0.1重量から約0.5重量を構成することができる。必要に応じて、イオン化合物の配合物も電解質に用いることができる。電解質を通過して電流が流され、誘電体が形成される。電圧の値は、誘電体の厚みを管理する。例えば、電力供給は、必要な電圧に到達するまでガルバノスタットモードに最初に設定することができる。その後、電力供給は、ポテンショスタットモードに切り換えることができ、望ましい誘電体厚みがアノードの表面を覆って形成されることが保証される。言うまでもなく、パルス又はステップポテンショスタット法のような他の公知の方法を使用することもできる。電圧は、典型的に約4から約200V、かつ一部の実施形態では、約9から約100Vの範囲である。陽極酸化中に、電解質は、約30°C又はそれよりも高く、一部の実施形態では、約40°Cから約200°C、かつ一部の実施形態では、約50°Cから約100°Cのような高い温度に維持することができる。陽極酸化は、室温で又はそれ未満で行うことができる。得られる誘電体層は、アノード表面上及びその空隙内に形成することができる。C.固体電解質固体電解質は、誘電体層の上に重なり、かつ1つ又はそれよりも多くの導電性ポリマー層から一般的に形成される。こうした層に使用することができる導電性ポリマーは、典型的にπ共役であり、例えば、酸化の後での少なくとも1μScm1の導電率のような酸化又還元の後での導電性を有する。そのようなπ共役導電性ポリマーの例としては、例えば、ポリヘテロ環例えば、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリンなど、ポリアセチレン、ポリ-p-フェニレン、ポリフェノレート、その他が挙げられる。適切なポリチオフェン類としては、例えば、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンPEDTのようなポリチオフェン及びその誘導体を含むことができる。1つの特定的な実施形態では、一般構造式I又はIIの反復単位、又は一般構造式I及びIIの反復単位を有するポリチオフェン誘導体が用いられる。ここで、Aは、任意的に置換されたC1からC5のアルキレン基例えば、メチレン、エチレン、n-プロピレン、n-ブチレン、n-ペンチレンなどであり、Rは、直鎖又は分岐の任意的に置換されたC1からC18のアルキル基例えば、メチル、エチル、n-又はiso-プロピル、n-,iso-,sec-又はtert-ブチル、n-ペンチル、1-メチルブチル、2-メチルブチル、3-メチルブチル、1-エチルプロピル、1,1-ジメチルプロピル、1,2-ジメチルプロピル、2,2-ジメチルプロピル、n-ヘキシル、n-ヘプチル、n-オクチル、2-エチルヘキシル、n-ノニル、n-デシル、n-ウンデシル、n-ドデシル、n-トリデシル、n-テトラデシル、n-ヘキサデシル、n-オクタデシルなど、任意的に置換されたC5からC12のシクロアルキル基例えば、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシルなど、任意的に置換されたC6からC14のアリール基例えば、フェニル、ナフチルなど、任意的に置換されたC7からC18のアラルキル基例えば、ベンジル、o-,m-,p-トリル,2,3-,2,4-,2,5-,2,6-,3,4-,3,5-キシリル、メシチルなど、任意的に置換されたC1からC4のヒドロキシアルキル基、又はヒドロキシル基であり;かつxは、0から8、一部の実施形態では、0から2の整数であり、かつ一部の実施形態では、xは0である。化学基A又はRのための置換基の例としては、例えば、アルキル、シクロアルキル、アリール、アラルキル、アルコキシ、ハロゲン、エーテル、チオエーテル、ジスルフィド、スルホキシド、スルホン、スルホネート、アミノ、アルデヒド、ケト、カルボン酸エステル、カルボン酸、カーボネート、カルボキシレート、シアノ、アルキルシラン及びアルコキシシラン基、カルボキシアミド基等々が挙げられる。一般構造式I又はII、又は一般構造式I及びIIの反復単位の総数は、典型的に2から2000、かつ一部の実施形態では、2から100である。特に適切なポリチオフェン誘導体は、Aが任意的に置換されたC2からC3のアルキレン基であり、かつxが0又は1であるものである。1つの特定的な実施形態では、ポリチオフェン誘導体は、PEDTであり、構造式IIの反復単位を有し、式中Aは、CH2-CH2であり、xが0である。こうしたポリチオフェン誘導体を生成する方法は、当業技術で公知であり、例えば、Merker他に付与された米国特許第6,987,663号に説明されており、これは、全ての目的に対してそれへの引用により全体として本明細書に組み込まれている。例えば、ポリチオフェン誘導体は、任意的に置換されたチオフェンのようなモノマー前駆体から生成することができる。特に適切なモノマー前駆体は、一般構造式III、IVを有する置換された3,4-アルキレンジオキシチオフェン、又は一般構造式III及びIVのチオフェンの混合物である。ここで、A、R、及びXは、上記で定めた通りである。こうしたモノマー前駆体の例としては、例えば、任意的に置換された3,4-エチレンジオキシチオフェンが挙げられる。これらのモノマー前駆体の誘導体を使用することもでき、それらは、上述のモノマー前駆体のダイマー又はトライマーである。より高分子の誘導体、すなわち、モノマー前駆体のテトラマー、ペンタマーなどは、本発明での使用に適切である。この誘導体は、同一の又は異なるモノマー単位から構成することができ、かつ純粋な形態の状態、並びに相互との及び/又はモノマー前駆体との混合物の状態で使用することができる。これらの前駆体の酸化又は還元形態も用いることができる。望ましい導電性ポリマーを形成するために、上述のようなモノマー前駆体は、典型的には、酸化剤の存在下で酸化重合を受ける。酸化剤は、鉄III、銅II、クロムVI、セリウムIV、マンガンIV、マンガンVII、又はルテニウムIIIカチオンを含有する無機又は有機酸の塩のような遷移金属塩とすることができる。特に適切な遷移金属塩としては、ハロゲン化鉄III例えば、FeCl3又はFeClO43又はFe2SO43のような他の無機酸の鉄III塩、並びに有機酸及び有機基を含む無機酸の鉄III塩のような鉄IIIカチオンが挙げられる。有機基を有する無機酸の鉄III塩の例としては、例えば、C1からC20のアルカノールの硫酸モノエステルの鉄III塩例えば、ラウリルサルフェートの鉄III塩が挙げられる。同様に、有機酸の鉄III塩としては、C1からC20のアルカンスルホン酸例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、又はドデカンスルホン酸の鉄III塩、脂肪族ペルフルオロスルホン酸例えば、トリフルオロメタンスルホン酸、ペルフルオロブタンスルホン酸、又はペルフルオロオクタンスルホン酸の鉄III塩、C1からC20の脂肪族カルボン酸例えば、2-エチルヘキシルカルボン酸の鉄III塩、脂肪族ペルフルオロカルボン酸例えば、トリフルオロ酢酸、又はペルフルオロオクタン酸の鉄III塩、C1からC20のアルキル基によって任意的に置換された芳香族スルホン酸例えば、ベンゼンスルホン酸、o-トルエンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸、又はドデシルベンゼンスルホン酸の鉄III塩、シクロアルカンスルホン酸例えば、カンファースルホン酸の鉄III塩、その他が挙げられる。これらの上述の鉄III塩の混合物を使用することもできる。鉄III-p-トルエンスルホネート、鉄III-o-トルエンスルホネート、及びそれらの混合物は、本発明での使用に特に適切である。固体電解質をアノード部分上に付加する様々な方法を利用することができる。一実施形態では、酸化剤とモノマー前駆体は、重合反応がこの部分上に原位置で生じるように順番に又は一緒に付加される。導電性ポリマーコーティングを形成するために使用することができる適切な付加的な技術としては、スクリーン印刷、浸漬、電着コーティング、及び噴霧が挙げられる。例示的に、モノマー前駆体例えば、3,4-エチレンジオキシ-チオフェンを最初に酸化剤と混合することができ、溶液が形成される。1つの適切な酸化剤は、H.C.Starckにより販売されている鉄IIIトルエンスルホネートであるCLEVIOS登録商標Cである。CLEVIOS登録商標Cは、これもH.C.Starckによって販売されているPEDTのモノマーの3,4-エチレンジオキシチオフェンであるCELVIOS登録商標Mのための市販の触媒である。混合物が形成された状態で、次に、アノード部分は、この溶液に浸漬することができ、それによってポリマーがアノード部分の表面上に形成される。代替的に、酸化剤と前駆体は、個別にアノード部分に付加することができる。一実施形態では、例えば、酸化剤は溶媒例えば、ブタノールに溶解され、次に、浸漬溶液としてアノード部分に付加される。アノード部分は、次に、乾燥させることができ、それから溶媒が除去される。その後、アノード部分は、適切なモノマーを含有する溶液内に浸漬することができる。モノマーが、触媒を含有するアノード部分の表面に接触すると、モノマーは、その上に化学的に重合する。重合は、使用される酸化剤及び望ましい反応時間に基づいて約-10°Cから約250°C、かつ一部の実施形態では、約0°Cから約200°Cの温度で行うことができる。上述したような適切な重合技術は、Bilerに付与された米国特許出願公開第2008/232037号により詳細に説明されている。こうした導電性ポリマーコーティングを付加する更に他の方法は、Sakata他に付与された米国特許第5,457,862号、Sakata他に付与された第5,473,503号、Sakata他に付与された第5,729,428号、及びKudoh他に付与された第5,812,367号に説明されており、それらは、全ての目的に対してそれへの引用により全体として本明細書に組み込まれている。原位置付加に加えて、固体電解質は、固体導電性ポリマー粒子の分散液の形態でこの部分に付加することができる。それらのサイズは、変えることができるが、アノード部分に付加することができる表面積を高める小さい直径を有することが典型的に望ましい。例えば、この粒子は、約1から約500ナノメートル、一部の実施形態では、約5から約400ナノメートル、かつ一部の実施形態では、約10から約300ナノメートルの平均直径を有することができる。粒子のD90値このD90値に等しいか又はそれ未満の直径を有する粒子が、全ての固体粒子の合計容積の90を構成するは、約15マイクロメートル又はそれ未満、一部の実施形態では、約10マイクロメートル又はそれ未満、かつ一部の実施形態では、約1ナノメートルから約8マイクロメートルとすることができる。粒径は、超遠心法、レーザ回折などによるなどの公知の技術を使用して測定することができる。粒子形態への導電性ポリマーの形成は、帯電した導電性ポリマー例えば、ポリチオフェンと逆作用する個別のカウンタイオンの使用によって容易にされる。すなわち、典型的に固体電解質に使用される導電性ポリマー例えば、ポリチオフェン又はそれらの誘導体は、中性又は陽性カチオン性である電荷を主ポリマー鎖の上に典型的に有する。例えば、ポリチオフェン誘導体は、主ポリマー鎖内に陽電荷を典型的に有する。場合によっては、ポリマーは、構造単位内に陽及び陰電荷を有し、陽電荷は主鎖上に位置し、陰電荷は任意的にスルホネート基又はカルボキシレート基のような化学基Rの置換基上に位置する。主鎖の陽電荷は、化学基R上に任意的に存在するアニオン基で部分的又は全体的に飽和することができる。全体的にみると、このポリチオフェンは、これらの場合においてカチオン性、中性、又は更にはアニオン性とすることができる。それにも関わらず、それらは、全てカチオン性ポリチオフェンと見なされ、これは、ポリチオフェン主鎖が陽電荷を有するからである。カウンタイオンは、モノマーアニオン又はポリマーアニオンとすることができる。ポリマーアニオンは、例えば、ポリマーカルボン酸例えば、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリマーレイン酸など、ポリマースルホン酸例えば、ポリスチレンスルホン酸PSS、ポリビニルスルホン酸など、その他とすることができる。この酸は、ビニルカルボン酸及びビニルスルホン酸と、アクリル酸エステル及びスチレンのような他の重合可能モノマーとのコポリマーのようなコポリマーであるとすることもできる。更に、適切なモノマーアニオンとしては、例えば、C1からC20のアルカンスルホン酸例えば、ドデカンスルホン酸、脂肪族ペルフルオロスルホン酸例えば、トリフルオロメタンスルホン酸、ペルフルオロブタンスルホン酸、又はペルフルオロオクタンスルホン酸、C1からC20の脂肪族カルボン酸例えば、2-エチルヘキシルカルボン酸、脂肪族ペルフルオロカルボン酸例えば、トリフルオロ酢酸、又はペルフルオロオクタン酸、C1からC20のアルキル基によって任意的に置換された芳香族スルホン酸例えば、ベンゼンスルホン酸、o-トルエンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸、又はドデシルベンゼンスルホン酸、シクロアルカンスルホン酸例えば、カンファースルホン酸又はテトラフルオロボレート、ヘキサフルオロホスフェート、パークロレート、ヘキサフルオロアンチモネート、ヘキサフルオロアルセネート又はヘキサクロロアンチモネート、その他のアニオンが挙げられる。特に適切なカウンタイオンは、ポリマーカルボン酸又はポリマースルホン酸例えば、ポリスチレンスルホン酸PSSのようなポリマーアニオンである。こうしたポリマーアニオンの分子量は、一般的に、約1,000から約2,000,000、かつ一部の実施形態では、約2,000から約500,000の範囲にある。用いられる時に、固体電解質の所定の層内のこうしたカウンタイオンの導電性ポリマーに対する重量比率は、典型的に約0.5:1から約50:1、一部の実施形態では、約1:1から約30:1、かつ一部の実施形態では、約2:1から約20:1である。上述の重量比率に引用される導電性ポリマーの重量は、重合中に完全な変換が起こると仮定して、使用されるモノマーの計量された部分に対応する。導電性ポリマー及び任意的なカウンタイオンに加えて、分散液は、1つ又はそれよりも多くの結合剤を含有することができ、ポリマー層の接着特性が更に改善され、分散液内の粒子の安定性も高められる。結合剤は、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリ酪酸ビニル、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリル酸アミド、ポリメタクリル酸エステル、ポリメタクリル酸アミド、ポリアクリロニトリル、スチレン/アクリル酸エステル、酢酸ビニル/アクリル酸エステル及びエチレン/酢酸ビニルコポリマー、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリスチレン、ポリエーテル、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホン、メラミンホルムアミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、又はセルロースのような本質的に有機性のものとすることができる。結合剤の接着機能を高めるために、架橋剤も用いることができる。こうした架橋剤としては、例えば、メラミン化合物、マスクドイソシアネート又は3-グリシドキシプロピルトリアルコキシシラン、テトラエトキシシラン及びテトラエトキシシランハイドロライゼートのような官能性シラン、又はポリウレタン、ポリアクリレート、又はポリオレフィンのような架橋可能ポリマーが挙げられ、並びにその後の架橋が含まれる。固体電解質の形成とそれをアノード部分に付加する機能とを容易にするために、分散剤も用いることができる。適切な分散剤としては、脂肪族アルコール例えば、メタノール、エタノール、i-プロパノール及びブタノール、脂肪族ケトン例えば、アセトン及びメチルエチルケトン、脂肪族カルボン酸エステル例えば、酢酸エチル及び酢酸ブチル、芳香族炭化水素例えば、トルエン及びキシレン、脂肪族炭化水素例えば、ヘキサン、ヘプタン及びシクロヘキサン、塩素化炭化水素例えば、ジクロロメタン及びジクロロエタン、脂肪族ニトリル例えば、アセトニトリル、脂肪族スルホキシド及びスルホン例えば、ジメチルスルホキシド及びスルホラン、脂肪族カルボン酸アミド例えば、メチルアセトアミド、ジメチルアセトアミド及びジメチルホルムアミド、脂肪族及びアラリファチックエーテル例えば、ジメチルエーテル及びアニソール、水、及び上記溶媒のあらゆる混合物が挙げられる。特に適切な分散剤は、水である。上述したものに加えて、更に他の成分も分散液内に使用することができる。例えば、約10ナノメートルから約100マイクロメートル、一部の実施形態では、約50ナノメートルから約50マイクロメートル、かつ一部の実施形態では、約100ナノメートルから約30マイクロメートルのサイズを有する従来型の充填剤を使用することができる。こうした充填剤の例としては、炭酸カルシウム、ケイ酸塩、シリカ、硫酸カルシウム又はバリウム、水酸化アルミニウム、ガラス繊維又はガラス球、木粉、セルロース粉末カーボンブラック、導電性ポリマーなどが挙げられる。充填剤は、粉末の形態で分散液内に導入することができるが、繊維のような別の形態で存在することもできる。イオン性又は非イオン性界面活性剤のような界面活物質も分散液内に用いることができる。更に、有機官能性シラン又はそれらのハイドロライゼート、例えば、3-グリシドキシプロピルトリアルコキシシラン、3-アミノプロピル-トリエトキシシラン、3-メルカプトプロピル-トリメトキシシラン、3-メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン又はオクチルトリエトキシシランのような接着剤も用いることができる。分散液はまた、エーテル基含有化合物例えば、テトラヒドロフラン、ラクトン基含有化合物例えば、γ-ブチロラクトン又はγ-バレロラクトン、アミド又はラクタム基含有化合物例えば、カプロラクタム、N-メチルカプロラクタム、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミドDMF、N-メチルホルムアミド、N-メチルホルムアニリド、N-メチルピロリドンNMP、N-オクチルピロリドン、又はピロリドン、スルホン及びスルホキシド例えば、スルホランテトラメチレンスルホン又はジメチルスルホキシドDMSO、糖又は糖誘導体例えば、ショ糖、ブドウ糖、果糖、又は乳糖、糖アルコールソルビット又はマンニット、フラン誘導体例えば、2-フランカルボン酸又は3-フランカルボン酸、アルコール例えば、エチレングリコール、グリセリン、ジ-又はトリエチレングリコールのような導電性を高める添加剤を含有することができる。ポリマー分散液は、スピンコーティング、含浸、注加、滴下式付加、注入、噴霧、ドクターブレーディング、刷毛塗り、印刷例えば、インクジェット、スクリーン、又はパッド印刷のような様々な公知の技術を使用することによって部分に付加することができる。用いられる付加技術に基づいて変えることができるが、分散液の粘性は、典型的に約0.1から約100,000mPas100s1の剪断速度で測定して、一部の実施形態では、約1から約10,000mPas、一部の実施形態では、約10から約1,500mPas、かつ一部の実施形態では、約100から約1000mPasである。付加された状態で、層は、乾燥させて洗浄することができる。こうした分散液を用いる1つの恩典は、分散液が、コンデンサ本体のエッジ領域内に浸透することができることが可能であり、内側層との良好な電気的接触を達成してコンデンサ本体との接着性を高めることである。これは、より機械的に堅牢な部分をもたらし、等価直列抵抗及び漏れ電流を低減することができる。こうした分散液は、原位置重合中に生成されるイオン種例えば、Fe2又はFe3の存在を最小にすることができ、これらは、イオン移動に起因する高電界での絶縁破壊を引き起こす可能性があるものである。従って、原位置重合によるのではなく分散液として導電性ポリマーを付加することによって得られるコンデンサは、比較的高い降伏電圧コンデンサが破損する電圧を示すことができ、漏れ電流が1mAに達するまで3ボルトの増分で印加電圧を高めることによって測定された時に、例えば、約60ボルト又はそれよりも高く、一部の実施形態では、約80ボルト又はそれよりも高く、一部の実施形態では、約100ボルト又はそれよりも高く、かつ一部の実施形態では、約120ボルトから約200ボルトのような降伏電圧が示される。上述のように、固体電解質は、1つ又は複数の層から形成することができる。複数の層が用いられる時に、それらは、原位置で形成され、及び/又はポリマー分散液から形成される導電性ポリマーから形成することができる。各層は、1つ又はそれよりも多くのコーティング段階を使用して形成することができる。使用される層の数に関わらず、得られる固体電解質は、約1マイクロメートルμmから約200μm、一部の実施形態では、約2μmから約50μm、かつ一部の実施形態では、約5μmから約30μmの全厚を典型的に有する。アノード部分への付加時に、固体電解質の層は、ヒーリング処理することができる。複数の層が用いられる時に、ヒーリング処理は、固体電解質層の各々の付加後又は全体のコーティングの付加後に行うことができる。一部の実施形態では、例えば、固体電解質は、酸の溶液のような電解質溶液内にペレットを浸漬し、その後、電流が予め設定したレベルに低下するまで一定電圧を印加することにより、ヒーリング処理することができる。必要に応じて、こうしたヒーリング処理は、複数の段階で達成することができる。上述した一部又は全ての層の付加後に、得られた部分は、必要に応じて次に洗浄することができ、様々な副産物、過剰の酸化剤、その他が除去される。更に、一部の場合には、上述の浸漬作業のうちの一部又は全ての後に、乾燥を利用することができる。例えば、部分の空隙を開放し、それによって次の浸漬段階の時にそれが液体を受け取ることができるように、触媒の付加後及び/又はペレットの洗浄の後に乾燥が望ましい場合がある。E.外部コーティング固体電解コンデンサ要素は、固体電解質の上に重なる外部コーティングも含む。外部コーティングは、少なくとも1つの炭素質層と、炭素質層の上に重なる少なくとも1つの金属層とを含む。金属層は、コンデンサのための半田付け可能導体、接触層、及び/又は電荷集電体として機能を果たすことができ、銅、ニッケル、銀、ニッケル、亜鉛、錫、パラジウム、鉛、銅、アルミニウム、モリブデン、チタン、鉄、ジルコニウム、マグネシウム、及びそれらの合金のような導電性金属から形成することができる。この層での使用ためには、銀は、特に適切な導電性金属である。炭素質層は、金属層と固体電解質層の間の接触を制限することができ、そうでなければこの接触は、コンデンサの抵抗を増大させると考えられる。炭素質層は、グラファイト、活性炭、カーボンブラックなどのような様々な公知の炭素質材料から形成することができる。炭素質層の厚みは、典型的に約1μmから約50μm、一部の実施形態では、約2μmから約30μm、かつ一部の実施形態では、約5μmから約10μmの範囲である。同様に、金属層の厚みは、典型的に約1μmから100μm、一部の実施形態では、約5μmから約50μm、かつ一部の実施形態では、約10μmから約25μmの範囲である。II.樹脂材料樹脂材料が、2つ又はそれよりも多くの並列コンデンサ要素の間の空間を満たすために本発明において用いられる。当業技術で公知のように、同じか又は異なる材料が、要素を同様に封入又は覆うことができ、コンデンサアセンブリのための保護ケースが形成される。あらゆる樹脂材料を使用することができるが、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂などのような熱硬化性樹脂を用いることが一般的に好ましい。エポキシ樹脂は、本発明で用いるのに特に適切である。適切なエポキシ樹脂の例としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂及びビフェニル樹脂のようなグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、環式脂肪族エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、シクロペンタジエン型エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂などが挙げられる。硬化剤、光開始剤、粘度調整剤、懸濁補助剤、色素、応力減少剤、カプリング剤例えば、シランカプリング剤、非導電性充填剤例えば、粘土、シリカ、アルミナなど、安定剤などのような更に他の添加剤も樹脂材料内に使用することができる。III.コンデンサ要素のアセンブリあらゆる数の上述の固体電解コンデンサ要素を本発明に使用することができる。例えば、コンデンサアセンブリは、2から8のコンデンサ要素例えば、2,3,又は4、一部の実施形態では、2から4のコンデンサ要素、かつ1つの特定的な実施形態では、2つのコンデンサ要素を収容することができる。図1-図3を参照すると、2つのコンデンサ要素を収容するコンデンサアセンブリ64の1つの特定的な実施形態が示されており、これをここでより詳しく以下に説明する。より詳細には、コンデンサアセンブリ64は、第2の固体電解コンデンサ要素24と電気的に通信する第1の固体電解コンデンサ要素22を含む。この実施形態では、コンデンサ要素は、ほぼ矩形の角柱の形状を有し、それらの主表面すなわち、最も大きい面積を有するが互いに並列の状態にあるようにして整列する。換言すれば、固体電解コンデンサ要素22のその幅-x方向及び長さ-y方向によって定められる表面90は、固体電解コンデンサ要素24の対応する主表面80と向かい合う。コンデンサ要素22及び24は、表面80及び表面90が-z方向と実質的に平行な平面内に与えられる垂直構成に位置決めすることができ、並びに表面80及び表面90が-z方向と実質的に直角な平面内に与えられる水平構成に位置決めすることができる。図示の実施形態では、コンデンサ要素22及び24は、-z方向と平行な平面内に垂直に位置決めされている。コンデンサ要素22及び24は、同じ方向に延びなくてもよいことを理解すべきである。例えば、コンデンサ要素22の表面90は、-x方向と実質的に直角な平面内に設けることができ、一方でコンデンサ24の表面80は、-y方向と実質的に直角な平面に設けられる。しかし、両方のコンデンサ要素22及び24は、好ましくは同じ方向に延びている。それらの特定の幾何学的構成に関係なく、コンデンサ要素は、互いに特定の方向に離間させ、それによって樹脂材料をそれらの間に配置することができる。コンデンサ要素が離間する距離は、一般的に導電性ポリマー層に対する望ましい安定化効果を提供するのに十分に大きいが、容積効率での有意な低下を回避するほど十分に小さい。例えば、2つの並列コンデンサ間の距離とコンデンサアセンブリの全体寸法要素が離間している方向のとの比率は、典型的に約0.01から約0.1、一部の実施形態では、約0.01から約0.05、かつ一部の実施形態では、約0.015から約0.02である。図1-図3に示すように、例えば、コンデンサ要素22及び24は、互いから-x方向に距離Dで離間する。この実施形態では、上述の比率は、距離Dを-x方向でのコンデンサアセンブリ64の幅によって除すことによって定められる。当然ながら、要素が離間する実際の距離は、コンデンサアセンブリのケースサイズに依存して一般的に変化することになる。単なる例として、2つのコンデンサ要素は、約40マイクロメートルから約100マイクロメートル、一部の実施形態では、約50マイクロメートルから約90マイクロメートル、かつ一部の実施形態では、約60から約70マイクロメートルの距離で離間することができる。固体電解コンデンサ要素それら自体に加えて、コンデンサアセンブリは、それぞれのコンデンサ要素のアノードリードが電気的に接続されるアノード端子も収容する。一般的に、アノードリードは、互いに実質的に平行であり、かつ同じ側を向く。このようにして、アノードリードは、並列関係に置かれ、これは、リードがアノード端子に接続することができる効率を改善することができる。アノードリードはまた、実質的に水平のアラインメントすなわち、-y方向に位置決めすることができ、これは、コンデンサアセンブリの寸法安定性を改善する。これは、例えば、1つのアノードリードをアノード端子の上側領域に、別のアノードリードをアノード端子の下側領域に接続することによって達成することができる。コンデンサアセンブリは、固体電解コンデンサ要素が電気的に接続されるカソード端子も含む。導電性金属例えば、銅、ニッケル、銀、ニッケル、亜鉛、錫、パラジウム、鉛、銅、アルミニウム、モリブデン、チタン、鉄、ジルコニウム、マグネシウム、及びそれらの合金のようなあらゆる導電材料を端子を形成するために用いることができる。特に適切な導電性金属としては、例えば、銅、銅合金例えば、銅-ジルコニウム、銅-マグネシウム、銅-亜鉛、又は銅-鉄、ニッケル、及びニッケル合金例えば、ニッケル-鉄が挙げられる。端子の厚みは、コンデンサの厚みをできるだけ小さくするように一般的に選択される。例えば、端子の厚みは、約0.05から約1ミリメートル、一部の実施形態では、約0.05から約0.5ミリメートル、かつ約0.07から約0.2ミリメートルの範囲とすることができる。端子は、溶接、接着結合などのような当業技術で公知のいずれかの技術を使用して接続することができる。例えば、一実施形態では、導電性接着剤をアノード端子及び/又はカソード端子の表面上に最初に付加することができる。導電性接着剤は、例えば、樹脂組成物に含有された導電性金属粒子を含むことができる。金属粒子は、銀、銅、金、白金、ニッケル、亜鉛、ビスマス、その他とすることができる。樹脂組成物は、熱硬化性樹脂例えば、エポキシ樹脂、硬化剤例えば、酸無水物、及びカプリング剤例えば、シランカプリング剤を含むことができる。適切な導電性接着剤は、Osako他に付与された米国特許出願公開第2006/0038304号に説明されており、この出願は、全ての目的に対して本明細書においてその全内容が引用により組み込まれている。例えば、図1-図3を再び参照すると、固体電解コンデンサ要素22及び24が、共通の電気端子72及び62に接続され、コンデンサアセンブリ64を形成することが示されている。より詳細には、コンデンサアセンブリ64は、コンデンサ要素22及び24のカソードに電気的に接続されたカソード端子72を含む。この特定的な実施形態では、カソード端子72は、コンデンサ要素の底面にほぼ平行な平面の状態で最初に設けられる。しかし、以下でより詳細に説明するように、カソード端子72は、封入の後の装着のための露出部分を形成するために、その後に曲げることができる。従って、カソード端子72の一部分は、底面にほぼ平行のままであるが、露出部分は、それが曲げられる方式に基づいて完成コンデンサアセンブリ64内であらゆる様々な角度例えば、直角に位置決めすることができる。コンデンサアセンブリ64は、第1の部分65及び第2の部分67から形成されるアノード端子62も含む。図1に示すように、第1の部分65は、第2の部分67と一体化している。しかし、代替的に、これらの部分65及び67は、直接か又は付加的な導電性要素例えば、金属を通じてのいずれかで互いに接続される個別の部分とすることができることを理解すべきである。図示の実施形態では、第1の部分65は、コンデンサ要素の底面に実質的に平行な平面に最初に設けられる。しかし、上述のように、第1の部分65は、取付端子を形成するように引き続き曲げることができる。アノード端子62の第2の部分67は、コンデンサ要素の底面と実質的に直角な平面に設けられる。第2の部分67は、アノードリード6aに電気的に接続される上側領域51とアノードリード6bに電気的に接続される下側領域53とを有する。図示のように、第2の部分67は、アノード6a及び6bを実質的に水平なアラインメントすなわち、-x方向に保持し、コンデンサアセンブリ64の寸法安定性を更に高める。領域51及び53は、リード6a及び6bの表面接触及び機械的安定性を更に改善するためにU字形状を有することができる。取り付けられた状態で、コンデンサ要素、アノード端子、及びカソード端子は、ケース内に置くことができ、このケースは、Dケース7.3mm×4.3mm×2.9mm、Eケース7.3mm×4.3mm×4.1mm、Vケース7.3mm×6.1mm×3.5mm、又はYケース7.3mm×4.3mm×2.0mmのような望ましいあらゆるサイズを有することができる。このケースは、樹脂材料がコンデンサ要素の間及び周囲に流れるようにして樹脂材料で満たすことができる。樹脂材料は、次に、当業技術で公知のように硬化することができ、硬質保護シースが形成される。例えば、再び図1-図3を参照すると、コンデンサアセンブリ64は、樹脂材料58によって形成された保護シース59を収容し、樹脂材料は、コンデンサ要素22及び24の間及び周囲に位置決めされる。封入の後、それぞれのアノード及びカソード端子62及び72の露出部分図示せずは、切り取られてシース59の外側に沿って曲げられる例えば、90°の角度で。このようにして、この部分は、完成コンデンサアセンブリ64のためのJ字形状のリードを形成することができるが、あらゆる他の公知の構成も本発明によって形成することができる。本発明の結果として、優れた電気的性能を示すコンデンサアセンブリを形成することができる。コンデンサアセンブリの等価直列抵抗は、2.2ボルトDCバイアス及び100kHzの周波数で高調波のない0.5ボルトピークトゥピーク正弦波信号を用いて測定された時に、約100ミリオーム又はそれ未満、一部の実施形態では、約50ミリオーム又はそれ未満、かつ一部の実施形態では、約0.1から約35ミリオームである。コンデンサアセンブリの散逸率DFも、比較的低レベルに維持されると考えられている。散逸率DFは、コンデンサアセンブリ内に生じる損失を一般的に意味し、理想性能の百分率として典型的に表現される。例えば、本発明のコンデンサアセンブリの散逸率は、120Hzの周波数で測定して典型的に10又はそれ未満、かつ一部の実施形態では、約0.1から約5である。更に、1つの導体から誘電体を通過して隣接する導体に流れる電流を一般的に意味する漏れ電流は、比較的低レベルに維持することができる。例えば、漏れ電流は、約2μA又はそれ未満、一部の実施形態では、約1μA又はそれ未満、かつ一部の実施形態では、約0.01から約0.5μAとすることができる。同様に、このアセンブリのキャパシタンスは、120Hzの周波数で測定して約1から約100μF、一部の実施形態では、約150から約1,500μF、かつ一部の実施形態では、約200から約800μFに及ぶ場合がある。本発明は、以下の実施例の参照によって更に良好に理解することができる。試験手順等価直列抵抗ESR等価直列抵抗は、2.2ボルトDCのバイアス及び0.5ボルトピークトゥピーク正弦波信号を用いて、ケルビンリードを有するKeithley3330PrecisionLCZメーターを使用して測定することができる。作動周波数は、100kHzであり、温度は、23°C±2°Cであった。キャパシタンスキャパシタンスは、2.2ボルトDCのバイアス及び0.5ボルトピークトゥピーク正弦波信号を用いて、ケルビンリードを有するKeithley3330PrecisionLCZメーターを使用して測定された。作動周波数は、120Hzであり、温度は、23°C±2°Cであった。漏れ電流漏れ電流DCLは、25°Cの温度かつ定格電圧で最低限60秒後での漏れ電流を測定する漏れ試験セットを用いて測定された。4.3mm×3.1mm×2.7mmのサイズを有するタンタルアノードが、液体電解質内で140Vで22μFまで陽極酸化された。次に、このアノードをトルエンスルホン酸鉄IIIの溶液Clevios登録商標C、H.C.Starck内に5分間浸漬し、引き続き3,4-エチレンジオキシチオフェンClevios登録商標M,H.C.Starck内に1分間浸漬することにより、導電性ポリマーコーティングが形成された。重合の45分後に、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンの薄膜が誘電体の表面に形成された。各部分は、メタノール内で洗浄されて反応副産物が除去され、液体電解質内で陽極酸化され、再びメタノール内で洗浄された。重合サイクルは、12回反復された。次に、各部分は、グラファイト及び銀によって被覆され、かつアノードをリードフレームポケット内に接着し、アノードワイヤを切断してリードフレーム垂直部内にレーザ溶接し、コンデンサを成形することによって組み立てられた。4.3mm×3.1mm×2.7mmのサイズを有するタンタルアノードが、液体電解質内で140Vで22μFまで陽極酸化された。次に、このアノードを1.1Clevios登録商標K,H.C.Starckの固形含量を有する分散されたポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン内に浸漬することにより、導電性ポリマーコーティングが形成された。被覆時に、この部分は、次に120°Cで20分間乾燥させた。この処理は、6回反復された。その後、この部分は、2の固形含量を有する分散されたポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン内に浸漬され、125°Cで20分間乾燥させた。再度、この処理が6回反復された。次に、各部分は、グラファイト及び銀によって被覆され、実施例1に上述のものと同じ方法で組み立てられた。4.1mm×3.1mm×1.0mmのサイズを有するタンタルアノードが、液体電解質内で140Vで7μFまで陽極酸化された。次に、このアノードを1.1Clevios登録商標K,H.C.Starckの固形含量を有する分散されたポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン内に浸漬することにより、導電性ポリマーコーティングが形成された。被覆時に、この部分は、次に120°Cで20分間乾燥させた。この処理は、6回反復された。その後、この部分は、2の固形含量を有する分散されたポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン内に浸漬され、125°Cで20分間乾燥させた。再度、この処理が6回反復された。次に、各部分は、グラファイト及び銀によって被覆された。その後、これらの部分の2つは、図1-図3に示すようにリードフレームパドル上に垂直に真空ピックアンドプレースされた。コンデンサ要素の接着を保証するために、銀接着剤がリードフレームパドル負極端子上に分注された。リードフレームの正極端子は、リードワイヤを収容するように設計された複数のスロットを有し、リードワイヤがそれにレーザ溶接された。その後、コンデンサは、成形樹脂が要素の周囲にかつそれらの間に流されるように封入された。実施例1-実施例3の完成コンデンサは、次に、電気的性能すなわち、漏れ電流、ESR、及びキャパシタンスに関して試験された。また、エージング後の電気的性能の安定性を測定するために、2000時間の保存温度85°C及び印加電圧35Vの後に、漏れ電流の測定が反復された。結果は、表1で以下に示されている。表1本発明のこれら及び他の修正及び変形は、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく当業者によって実施することができる。更に、様々な実施形態の態様は、全部又は一部の両方で入れ替えることができることを理解すべきである。更に、当業者は、以上の説明が単に例示的であり、添付の特許請求の範囲で更に説明するような本発明を制限する意図ではないことを認めるであろう。"