"第1基板と、第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板の間に挟まれ、高分子組成物と複合化してブルー相を発現する液晶材料と、前記第1基板に平行な横電界を前記液晶材料に加えるために、前記第1基板に形成された一対の透明電極と、を含み、前記高分子組成物は、前記第1基板と前記第2基板の間の方向に密度が異なるように形成され、少なくとも前記一対の透明電極と重なる領域で、前記高分子組成物の最も密度の高い部分が、前記第2基板よりも前記第1基板の近くに位置することを特徴とする液晶表示装置。請求項1に記載された液晶表示装置において、少なくとも前記一対の透明電極と重なる前記領域で、前記高分子組成物の前記第1基板に近い部分の密度が、前記第2基板に近い部分の密度よりも高いことを特徴とする液晶表示装置。請求項1又は2に記載された液晶表示装置において、前記第1基板に形成された金属電極をさらに有し、前記高分子組成物は、前記金属電極と重なる領域を避けて形成され、前記金属電極と重なる前記領域では、前記液晶材料に光硬化性樹脂が添加されていることを特徴とする液晶表示装置。請求項1又は2に記載された液晶表示装置において、前記第1基板に形成された金属電極と、前記金属電極と対向するように前記第2基板に形成された光反射膜と、をさらに有し、前記金属電極と重なる領域では、前記高分子組成物の前記第2基板に近い部分の密度が、前記第1基板に近い部分の密度よりも高いことを特徴とする液晶表示装置。請求項1又は2に記載された液晶表示装置において、前記第1基板に形成された金属電極と、前記金属電極と対向するように前記第2基板に形成された光反射膜と、をさらに有し、前記金属電極と重なる領域では、前記液晶材料の前記第1基板に近い部分には光硬化性樹脂が添加され、前記液晶材料の前記第2基板に近い部分は前記高分子組成物と複合化していることを特徴とする液晶表示装置。請求項4又は5に記載された液晶表示装置において、前記光反射膜は、紫外光を反射し、可視光を透過することを特徴とする液晶表示装置。第1基板及び第2基板の間に、光硬化性樹脂が添加された液晶材料を挟み込む工程と、前記第1基板を通して前記光硬化性樹脂に光を照射する工程と、を含み、前記第1基板に平行な横電界を前記液晶材料に加えるために、前記第1基板には一対の透明電極が形成され、前記光を照射する工程で、前記光からエネルギーを吸収して前記光硬化性樹脂から高分子組成物が生成され、前記光は、前記第1基板から前記第2基板の方向に前記エネルギーを減少させながら進行し、少なくとも前記一対の透明電極と重なる領域で、前記第2基板よりも前記第1基板の近くに、前記高分子組成物の最も密度の高い部分を生成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。請求項7に記載された液晶表示装置の製造方法において、少なくとも前記一対の透明電極と重なる前記領域で、前記高分子組成物の前記第1基板に近い部分の密度を、前記第2基板に近い部分の密度よりも高くすることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。請求項7又は8に記載された液晶表示装置の製造方法において、前記第1基板には金属電極が形成され、前記光を照射する工程で、前記金属電極は前記光を遮断し、前記高分子組成物を前記金属電極と重なる領域を避けて生成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。請求項7又は8に記載された液晶表示装置の製造方法において、前記第1基板に、前記光を遮断する金属電極が形成され、前記第2基板には、前記金属電極と対向するように光反射膜が形成され、前記光を照射する工程で、前記光を、前記光反射膜で反射させて、前記金属電極と重なる領域に入射させることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。請求項10に記載された液晶表示装置の製造方法において、前記光として紫外光を使用し、前記光反射膜は、紫外光を反射し、可視光を透過することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。特許文献1には、信頼性の高いブルー相液晶表示装置を提供するため、光照射手段を走査し選択的に高分子安定化処理を行い、重合度の小さい領域と大きい領域を造り分けることが開示されている。ただし、特許文献1に開示されるのは、シール材と接する領域で重合度を低くすることである。本発明の発明者は、ブルー相液晶について研究をしてきたところ、ブルー相液晶の形成される高分子構造によって表示特性が異なることが分かった。そこで、横電界方式の液晶パネルにブルー相液晶を使用したときに、同じ映像を長時間映し続けることで液晶分子の配列が固定されてしまう焼き付きとよばれる現象を防止する方法を見出した。本発明は、横電界方式の液晶パネルにブルー相液晶を使用したときに焼き付き現象を防止することを目的とする。1本発明に係る液晶表示装置は、第1基板と、第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板の間に挟まれ、高分子組成物と複合化してブルー相を発現する液晶材料と、前記第1基板に平行な横電界を前記液晶材料に加えるために、前記第1基板に形成された一対の透明電極と、を含み、前記高分子組成物は、前記第1基板と前記第2基板の間の方向に密度が異なるように形成され、少なくとも前記一対の透明電極と重なる領域で、前記高分子組成物の最も密度の高い部分が、前記第2基板よりも前記第1基板の近くに位置することを特徴とする。本発明によれば、電界強度が強くなる第1基板側において、高分子組成物の密度が高いので、液晶分子を安定に保持することができ、焼き付き現象を防止することができる。21に記載された液晶表示装置において、少なくとも前記一対の透明電極と重なる前記領域で、前記高分子組成物の前記第1基板に近い部分の密度が、前記第2基板に近い部分の密度よりも高いことを特徴としてもよい。31又は2に記載された液晶表示装置において、前記第1基板に形成された金属電極をさらに有し、前記高分子組成物は、前記金属電極と重なる領域を避けて形成され、前記金属電極と重なる前記領域では、前記液晶材料に光硬化性樹脂が添加されていることを特徴としてもよい。41又は2に記載された液晶表示装置において、前記第1基板に形成された金属電極と、前記金属電極と対向するように前記第2基板に形成された光反射膜と、をさらに有し、前記金属電極と重なる領域では、前記高分子組成物の前記第2基板に近い部分の密度が、前記第1基板に近い部分の密度よりも高いことを特徴としてもよい。51又は2に記載された液晶表示装置において、前記第1基板に形成された金属電極と、前記金属電極と対向するように前記第2基板に形成された光反射膜と、をさらに有し、前記金属電極と重なる領域では、前記液晶材料の前記第1基板に近い部分には光硬化性樹脂が添加され、前記液晶材料の前記第2基板に近い部分は前記高分子組成物と複合化していることを特徴としてもよい。64又は5に記載された液晶表示装置において、前記光反射膜は、紫外光を反射し、可視光を透過することを特徴としてもよい。7本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、第1基板及び第2基板の間に、光硬化性樹脂が添加された液晶材料を挟み込む工程と、前記第1基板を通して前記光硬化性樹脂に光を照射する工程と、を含み、前記第1基板に平行な横電界を前記液晶材料に加えるために、前記第1基板には一対の透明電極が形成され、前記光を照射する工程で、前記光からエネルギーを吸収して前記光硬化性樹脂から高分子組成物が生成され、前記光は、前記第1基板から前記第2基板の方向に前記エネルギーを減少させながら進行し、少なくとも前記一対の透明電極と重なる領域で、前記第2基板よりも前記第1基板の近くに、前記高分子組成物の最も密度の高い部分を生成することを特徴とする。本発明によれば、電界強度が強くなる第1基板側において、高分子組成物の密度を高くするので、液晶分子を安定に保持することができ、焼き付き現象を防止することができる。87に記載された液晶表示装置の製造方法において、少なくとも前記一対の透明電極と重なる前記領域で、前記高分子組成物の前記第1基板に近い部分の密度を、前記第2基板に近い部分の密度よりも高くすることを特徴としてもよい。97又は8に記載された液晶表示装置の製造方法において、前記第1基板には金属電極が形成され、前記光を照射する工程で、前記金属電極は前記光を遮断し、前記高分子組成物を前記金属電極と重なる領域を避けて生成することを特徴としてもよい。107又は8に記載された液晶表示装置の製造方法において、前記第1基板に、前記光を遮断する金属電極が形成され、前記第2基板には、前記金属電極と対向するように光反射膜が形成され、前記光を照射する工程で、前記光を、前記光反射膜で反射させて、前記金属電極と重なる領域に入射させることを特徴としてもよい。1110に記載された液晶表示装置の製造方法において、前記光として紫外光を使用し、前記光反射膜は、紫外光を反射し、可視光を透過することを特徴としてもよい。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。[第1の実施形態]図1は、本発明の第1の実施形態に係る液晶表示装置を示す断面図である。液晶表示装置は、第1基板10を有する。第1基板10は、光透過性を有し、ガラスや樹脂などからなる。第1基板10の一方の面図1では下面には、第1偏光板12が貼り付けられている。第1偏光板12は、特定方向に偏光又は偏波した光を通過させる。第1基板10は、薄膜トランジスタ14が形成されているため、TFTThinFilmTransistor基板ともよばれる。詳しくは、第1基板10にゲート電極16が形成されている。ゲート電極16はアルミニウムなどの金属からなる。つまり、第1基板10には金属電極18が形成されている。金属電極18は光を遮断する。ゲート電極16金属電極18を覆うようにゲート絶縁膜20が形成されている。ゲート絶縁膜20は、SiNなどの無機材料からなり、光透過性を有する。ゲート電極16の上方であってゲート絶縁膜20の上には、半導体薄膜22例えばアモルファスシリコン薄膜が形成されている。半導体薄膜22は、下層24と、下層24よりも不純物の添加量が多い上層26と、を含む。一対の上層26が、間隔をあけて下層24の上に形成されている。ゲート絶縁膜20及び半導体薄膜22に載るように、一対の配線28が形成されている。一対の配線28は、光透過性を有し、例えばITOIndiumTinOxideなどの透明導電材料からなる。一対の配線28は、半導体薄膜22の下層24を避けて配置され、それぞれ一対の上層26に載っている。一対の配線28の一対の上層26に載る部分が、それぞれ、薄膜トランジスタ14のドレイン電極及びソース電極である。薄膜トランジスタ14は、1層又は複数層の絶縁膜30,32で覆われている。絶縁膜30,32もSiNなどの無機材料からなり、光透過性を有する。第1基板10には、一対の透明電極34が形成されている。一対の透明電極34は、絶縁膜30,32を介して配置されており、両者間に電圧を印加することで、第1基板10に平行な横電界が生じるようになっている。一対の透明電極34の一方は、上述した一対の配線28の一方の一部であり、ドレイン電極及びソース電極の一方と電気的に接続されて、画素ごとに電圧が制御される。これに対して、他方の透明電極34は、共通電極であり、複数の画素に対して共通の電圧が印加される。絶縁膜30,32の上に形成された他方の透明電極34は、パッシベーション膜36で覆われている。パッシベーション膜36も光透過性を有する。液晶表示装置は、第2基板38を有する。第2基板38は、光透過性を有し、ガラスや樹脂などからなる。第2基板38の一方の面図1では上面には、第2偏光板40が貼り付けられている。第2偏光板40は、第1偏光板12が通過させる光が偏光又は偏波する方向とは直交方向に偏光又は偏波した光を通過させる。第2基板38は、図示しないカラーフィルタが形成されるため、CFColorFilter基板ともよばれる。詳しくは、第2基板38には、第2偏光板40とは反対側の面に着色層42が形成されている。また、第2基板38にはブラックマトリクス44が形成されており、ブラックマトリクス44を着色層42が覆うようになっている。着色層42は、平坦化層46によって覆われている。液晶表示装置は、液晶材料48を有する。液晶材料48は、第1基板10及び第2基板38の間に挟まれている。液晶材料48は、高分子組成物と複合化してブルー相を発現する。液晶材料48には、一対の透明電極34に電圧が印加されることで横電界が加えられる。本実施形態に係る液晶表示装置の駆動方式は、例えばInPlaneSwitching方式である。高分子組成物は、第1基板10と第2基板38の間の方向に密度が異なるように形成されている。少なくとも一対の透明電極34と重なる領域で、高分子組成物の最も密度の高い部分50が、第2基板38よりも第1基板10の近くに位置する。つまり、高分子組成物の第1基板10に近い部分50の密度が、第2基板38に近い部分52の密度よりも高い。高分子組成物は、金属電極18と重なる領域を避けて形成されている。金属電極18と重なる領域では、液晶材料48には光硬化性樹脂56が添加されている。本実施形態によれば、平行な横電界を発生させるための一対の透明電極34が第1基板10に形成されているので、第1基板10側において電界強度が強くなるが、第1基板10側において高分子組成物の密度が高い。したがって、液晶分子を安定に保持することができ、焼き付き現象を防止することができる。図2は、本発明の第1の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図である。本実施形態では、第1基板10及び第2基板38の間に、光硬化性樹脂56が添加された液晶材料48を挟み込む。光硬化性樹脂56として、紫外線硬化型樹脂を使用する。そして、第1基板10を通して光硬化性樹脂56に光を照射する。光として紫外光を使用する。光からエネルギーを吸収して光硬化性樹脂56から高分子組成物が生成される。光は、第1基板10から第2基板38の方向にエネルギーを減少させながら進行する。したがって、第2基板38よりも第1基板10の近くに、高分子組成物の最も密度の高い部分50図1参照が生成される。つまり、高分子組成物の第1基板10に近い部分50の密度を、第2基板38に近い部分52図1参照の密度よりも高くすることができる。本実施形態によれば、電界強度が強くなる第1基板10側において、高分子組成物の密度を高くするので、液晶分子を安定に保持することができ、焼き付き現象を防止することができる。なお、光は、金属電極18によって遮断されるので、金属電極18と重複する領域には光が進行しない。したがって、高分子組成物は、金属電極18と重なる領域を避けて生成される。[第2の実施形態]図3は、本発明の第2の実施形態に係る液晶表示装置を示す断面図である。本実施形態では、金属電極18と対向するように、第2基板38に光反射膜54が形成されている。例えば、ブラックマトリクス44の液晶材料48側を向く面に光反射膜54が形成されている。光反射膜54は、紫外光を反射し、可視光を透過する。光反射膜54は、酸化アルミニウム又は酸化ゲルマニウムから形成してもよいし、グリセリンを配合した低密度のポリオレフィン系合成樹脂フィルムや、酸化チタン、酸化亜鉛又は酸化セリウムなどの金属をケイ素やフッ素でコーティングした膜などを使用してもよいがこれらに限定されるものではない。その他の構成は、第1の実施形態で説明した内容が該当する。図4は、本発明の第2の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図である。本実施形態では、光を照射する工程で、光を、光反射膜54で反射させて、金属電極18と重なる領域に入射させる。光として紫外光を使用する。こうすることで、図3に示すように、金属電極18と重なる領域でも高分子組成物を形成することができる。なお、金属電極18と重なる領域では、高分子組成物の第2基板38に近い部分152の密度が、第1基板10に近い部分150の密度よりも高い。図5は、本発明の第2の実施形態の変形例に係る液晶表示装置を示す断面図である。この例では、金属電極18と重なる領域で、液晶材料48の第1基板10に近い部分250は、光硬化性樹脂が添加された状態になっている。つまり、この部分250には、高分子組成物は形成されていない。ただし、金属電極18と重なる領域で、液晶材料48の第2基板38に近い部分252は高分子組成物と複合化している。光の進行によって、このような構成になることもある。本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施の形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。"