水素化分解脱水素再結合法によって希土類合金粉末を製造するにあたり、希土類合金の原料合金に水素を吸蔵させる水素吸蔵工程と、水素を吸蔵させた原料合金を水素化して分解させ、分解生成物を得る水素化分解工程と、前記分解生成物の温度を750°C以上950°C以下の第1の脱水素再結合温度に保持した後、途中から550°C以上700°C以下の第2の脱水素再結合温度に低下させ、前記分解生成物から水素を放出させて希土類合金粉末を得る脱水素再結合工程と、を含むことを特徴とする希土類合金粉末の製造方法。前記脱水素再結合工程において水素を放出した前記分解生成物が希土類合金粉末となる再結合反応の終了点までに、前記分解生成物の温度を第1の脱水素再結合温度から第2の脱水素再結合温度とする請求項1に記載の希土類合金粉末の製造方法。前記終了点は、前記脱水素再結合工程での反応雰囲気の水素分圧が0.5kPa以上2.0kPa以下となる範囲内である請求項2に記載の希土類合金粉末の製造方法。前記終了点は、前記脱水素再結合工程での反応雰囲気の水素分圧が0.5kPa以上2.0kPa以下の範囲内において雰囲気温度がピークとなる時点である請求項2に記載の希土類合金粉末の製造方法。希土類合金の原料合金に水素を吸蔵させ、水素化分解した後、分解して得られる分解生成物から水素を放出して得られる希土類合金粉末であり、前記分解生成物から水素が放出される際の前記分解生成物の温度が750°C以上950°C以下の第1の脱水素再結合温度に保持された後、前記分解生成物から水素が放出されている途中から前記分解生成物の温度が550°C以上700°C以下の第2の脱水素再結合温度となることにより得られることを特徴とする希土類合金粉末。前記分解生成物は、前記分解生成物から水素を放出して再結合する反応の終了点までに、前記分解生成物の温度が第1の脱水素再結合温度から第2の脱水素再結合温度となることにより得られる請求項5に記載の希土類合金粉末。前記終了点は、前記分解生成物が水素を放出して再結合する際の反応雰囲気の水素分圧が0.5kPa以上2.0kPa以下となる範囲内である請求項6に記載の希土類合金粉末。前記終了点は、前記分解生成物が水素を放出して再結合する際の反応雰囲気の水素分圧が0.5kPa以上2.0kPa以下の範囲内において雰囲気温度がピークとなる時点である請求項7に記載の希土類合金粉末。請求項5から8の何れか一つに記載の希土類合金粉末を成形して得られることを特徴とする永久磁石。磁石の磁気特性を表す指標の一つとして保磁力HcJが用いられるが、今後更に高温でも安定して磁石を使用できるようにするため、高い保磁力HcJを有する磁石が望まれている。上記特許文献1のように、脱水素再結合の処理中、雰囲気を制御して段階的に脱水素処理しても、高温でも安定して使用できるほど十分に高い保磁力HcJを有する磁石を得ることは困難である、という問題があった。そのため、HDDR法を用いて更に高い保磁力HcJを有する希土類合金粉末を製造する方法を確立することが求められている。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、HDDR法を用いて高い保磁力HcJを有する希土類合金粉末の製造方法と希土類合金粉末と永久磁石とを提供することを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る希土類合金粉末の製造方法は、HDDR法によって希土類合金粉末を製造するにあたり、希土類合金の原料合金に水素を吸蔵させる水素吸蔵工程と、水素を吸蔵させた原料合金を水素化して分解させ、分解生成物を得るHD工程と、前記分解生成物の温度を750°C以上950°C以下の第1の脱水素再結合温度に保持した後、途中から550°C以上700°C以下の第2の脱水素再結合温度に低下させ、前記分解生成物から水素を放出させて希土類合金粉末を得るDR工程と、を含むことを特徴とする。本発明は、HDDR法のDR反応において、前記分解生成物を750°C以上950°C以下の第1のDR温度から550°C以上700°C以下の第2のDR温度に低下させている。DR反応は分解生成物から水素を放出する反応である。再結合反応が終了すると、希土類合金粉末内には結晶粒界が形成されているが、第1のDR温度では結晶粒界は液相となっている。DR反応が終了した後も、希土類合金粉末の温度を第1のDR温度のような高温にしたままにしておくと、結晶粒界中に存在するRRはNdを含む1種類以上の希土類元素を表す。が結晶粒同士の間に形成される三重点に集中してしまうため、得られる希土類合金粉末の結晶粒界の厚さが薄くなることが考えられる。永久磁石の保磁力HcJを高くするためには、結晶粒の粒径が単磁区状態となる臨界粒子径単磁区臨界粒子径よりも小さいことと、結晶粒同士が結晶粒界で分離できていることが必要である。このため、再結合反応が終了した後、希土類合金粉末の温度は極力早く下げて結晶粒界中に存在するRが三重点に集中するのを防ぎ、結晶粒界の厚さが薄くなるのを抑制する。本発明は、HDDR法のDR反応の途中で前記分解生成物を第1のDR温度から第2のDR温度に低下させているため、HDDR法を用いて高い保磁力HcJを有することが可能な希土類合金粉末を製造することができる。本発明では、前記DR工程において水素を放出した前記分解生成物が希土類合金粉末となる再結合反応の終了点までに、前記分解生成物の温度を第1のDR温度から第2のDR温度とすることが好ましい。上述のように、再結合反応が終了すると、希土類合金粉末内には結晶粒界が形成される。また、希土類合金粉末の温度は850°C程度であるため、結晶粒界は液相となっている。DR反応は脱水素反応と再結合反応とが起こっているが、DR反応の再結合反応の終了時点で分解生成物の温度を第1の脱水素再結合温度から第2の脱水素再結合温度に低下することで、結晶粒界中に存在するRが三重点に集中するのを抑制し、結晶粒界は更に安定して所定の厚さを維持して形成することができる。このため、得られる希土類合金粉末の保磁力HcJを更に向上させることができる。本発明では、前記終了点は、前記DR工程での反応雰囲気の水素分圧が0.5kPa以上2.0kPa以下となる範囲内であることが好ましい。水素分圧は、より好ましくは1.7kPa以上1.3kPa以下であり、更に好ましくは1.5kPa前後である。DR反応中の炉内の水素分圧は、分解生成物からH2を放出させているため、徐々に低下する。このため、再結合反応の終了点を水素分圧の変化から特定することで、再結合反応の終了時点を容易に把握することができるので、DR工程における分解生成物の温度の制御を容易に行うことができる。本発明では、前記終了点は、前記DR工程での反応雰囲気の雰囲気温度がピークとなる時点であることが好ましい。HDDR法のDR反応で原料合金に含まれるRの水素化物RH2は、下記式1のようにDR反応が進行している。また、下記式1は、下記式2の吸熱反応と下記式3の発熱反応とが進行している。下記式1のDR反応は全体として吸熱反応であり、下記式1のQ1は、下記式2のQ2と下記式3のQ3との和で表される。RH26Fe1/2Fe2B→1/2R2Fe14BH2-Q11RH2→RH2-Q22R6Fe1/2Fe2B→1/2R2Fe14BQ33DR反応は、通常、分解生成物の温度を850°C前後として一定の状態として行なわれる。DR反応の再結合反応が終了すると、上記式3の発熱反応が進行しなくなり、上記式2の吸熱反応のみが進行する。このため、DR反応は全体として吸熱が大きくなるので、サンプル温度の低下を防ぐために炉のヒータ出力が増加し、炉内の雰囲気温度は上昇する。よって、炉内の水素分圧が0.5kPa以上2.0kPa以下の範囲内において雰囲気温度がピークとなる時点が、DR工程における再結合反応の終了点であると特定することができる。このため、再結合反応の終了点を炉内の水素分圧が0.5kPa以上2.0kPa以下の範囲内において雰囲気温度がピークとなる時点から特定することができるので、再結合反応の終了時点を確実に把握することができる。これにより、DR工程における分解生成物の温度の制御をさらに確実に行うことができる。本発明に係る希土類合金粉末は、希土類合金の原料合金に水素を吸蔵させ、水素化分解した後、分解して得られる分解生成物から水素を放出して得られる希土類合金粉末であり、前記分解生成物から水素が放出される際の前記分解生成物の温度が750°C以上950°C以下の第1のDR温度に保持された後、前記分解生成物から水素が放出されている途中から前記分解生成物の温度が550°C以上700°C以下の第2のDR温度となることにより得られることを特徴とする。上述のように、原料合金からHDDR法を用いて原料合金粉末を製造する際、再結合反応が終了した後、分解生成物の温度は極力早く下げて結晶粒界中に存在するRが三重点に集中するのを防ぎ、結晶粒界の厚さが薄くなるのを抑制する必要がある。本発明は、HDDR法のDR反応の途中で分解生成物の温度を第1のDR温度から第2のDR温度に低下させているため、HDDR法を用いて高い保磁力HcJを有する希土類合金粉末を製造することができる。本発明では、前記分解生成物は、前記分解生成物から水素を放出して再結合する反応の終了点までに、前記分解生成物の温度が第1のDR温度から第2のDR温度となることにより得られることが好ましい。上述のように、DR反応は脱水素反応と再結合反応とが起こっているが、DR反応の再結合反応の終了時点で分解生成物の温度を第1のDR温度から第2のDR温度に低下することで、結晶粒界中に存在するRが三重点に集中するのを抑制し、結晶粒界は更に安定して所定の厚さを維持して形成することができる。このため、得られる希土類合金粉末の保磁力HcJを更に向上させることができる。本発明では、前記終了点は、前記分解生成物が水素を放出して再結合する際の反応雰囲気の水素分圧が0.5kPa以上2.0kPa以下となる範囲内であることが好ましい。上述のように、DR反応後の炉内の水素分圧は分解生成物から水素H2を放出させているため徐々に低下する。よって、再結合反応の終了点を水素分圧の変化から特定することで、再結合反応の終了時点を容易に把握することができるので、DR工程における分解生成物の温度の制御を容易に行うことができる。本発明では、前記終了点は、前記分解生成物が水素を放出して再結合する際の反応雰囲気の水素分圧が0.5kPa以上2.0kPa以下の範囲内において雰囲気温度がピークとなる時点であることが好ましい。DR反応では、上記式2、3が進行しており、上記式3のDR反応の再結合反応が終了すると、上記式3の発熱反応が進行しなくなり、上記式2の吸熱反応のみが進行するため、DR反応は全体として吸熱が大きくなるので、サンプル温度の低下を防ぐために炉のヒータ出力が増加し、炉内の雰囲気温度は上昇する。DR反応は、通常、原料合金の温度を850°C前後として一定の状態として行なわれ、炉内の水素分圧が0.5kPa以上2.0kPa以下の範囲内において雰囲気温度がピークとなる時点が、DR工程における再結合反応の終了点であると特定することができる。これにより、再結合反応の終了時点を確実に把握することができるので、DR工程における反応温度の制御をさらに確実に行うことができる。本発明に係る永久磁石は、上記の希土類合金粉末を成形して得られることを特徴とする。本発明の永久磁石は、HDDR法を用いて高い保磁力HcJを有することが可能な希土類合金粉末を成形して得られるものであるため、高い保磁力HcJを有する。本発明によれば、HDDR法を用いて高い保磁力HcJを有する希土類合金粉末の製造方法を提供することができる。また、上記希土類合金粉末の製造方法を用いることで、高い保磁力HcJを有する希土類合金粉末を製造することができる。また、上記希土類合金粉末の製造方法を用いて製造された希土類合金粉末を成形することにより、高い保磁力HcJを有する永久磁石を提供することができる。以下、本発明に係る希土類合金粉末の製造方法の実施の形態以下、実施形態という及び実施例を図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態及び実施例により本発明が限定されるものではない。また、下記の実施形態及び実施例で開示する構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、下記実施形態及び実施例で開示した構成要素は適宜組み合わせても良いし、適宜選択して用いてもよい。[実施形態]本発明の実施形態に係る希土類合金粉末の好適な製造方法について図面を用いて説明する。本実施形態に係る希土類合金粉末の製造方法は、HDDR法を行なうことによって希土類合金粉末を製造する方法である。HDDR法は、水素中で原料出発合金を加熱することにより、原料を水素化分解HD:HydrogenationDecompositionし、その後、脱水素再結合DR:DesorptionRecombinationさせることにより、結晶を微細化させ、希土類合金粉末を製造する方法である。図1は、本発明の第1の実施形態に係る希土類合金粉末の製造方法を示すフローチャートである。図1に示すように、本実施形態に係る希土類合金粉末の製造方法は、R2T14Bの希土類合金を鋳造して原料合金を得る合金準備工程ステップS11と、原料合金を融点近傍まで加熱して原料合金を均質化させる均質化熱処理工程ステップS12と、原料合金に水素を吸蔵させる水素吸蔵工程ステップS13と、水素を吸蔵させた原料合金を水素化分解させて分解生成物を得るHD工程ステップS14と、温度を上昇させる昇温工程ステップS15と、分解生成物から水素を放出させ、分解生成物の水素濃度を低減し、希土類合金粉末を得るDR工程ステップS16と、希土類合金粉末を室温にまで冷却する冷却工程ステップS17と、を含む。このとき、DR工程ステップS16では、分解生成物の温度を750°C以上950°C以下の第1のDR温度に保持した後、途中から550°C以上700°C以下の第2のDR温度に低下させている。原料合金としては、R2T14BなどのR-T-B系合金を用いることができる。優れた磁気特性を有する希土類合金粉末を得る観点から、R-T-B系合金の組成は、R:25質量以上40質量以下、T:58.0質量以上74.0質量以下、B:1質量以上2.0質量以下であることが好ましい。Rは、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Td、Dy、Ho、Er、Tm、Luなど少なくとも1種の希土類元素を示す。このうち、製造コスト及び磁気特性の観点から、RはNdを含む。Tは、Fe又はFe及びCoを含む1種以上の遷移金属元素を示す。TはFe単独であってもよくFeの一部をCoで置換してもよい。添加元素として、Ga、Al、Si、Cu、Zn、In、Sn、Zr、Nb、Ti、V、Cr、Mo、Hf、Ta、Wなどのうち、1種類以上を含んでもよい。<合金準備工程:ステップS11>合金準備工程ステップS11は、R2T14Bを鋳造して原料合金を得る工程である。R2T14Bの希土類合金を鋳造する鋳造方法は、例えばインゴット鋳造法やストリップキャスト法やブックモールド法や遠心鋳造法などである。原料合金は、原料金属又は原料化合物や製造工程に由来する不可避な不純物を含んでいてもよい。原料合金を準備した後、均質化熱処理工程ステップS12に移行する。<均質化熱処理工程:ステップS12>均質化熱処理工程ステップS12は、原料合金を融点近傍まで加熱して原料合金を均質化させる工程である。原料合金を真空又はArガスやN2ガスなどの不活性ガス雰囲気中、1000°C以上1200°C以下の温度で5時間から48時間保持する。これにより、原料合金は均質化される。本実施形態では、均質化熱処理工程ステップS12を含んでいるが本実施形態はこれに限定されるものではなく、原料合金の結晶粒の大きさ等に応じて、均質化熱処理工程ステップS12は省略してもよい。均質化させた原料合金は、スタンプミル又はジョークラッシャーなどの粉砕手段を用いて粉砕した後、篩分けすることが好ましい。これによって、原料合金は粒径が10mm以下の粉末状の原料合金に調製することができる。原料合金が均質化された後、水素吸蔵工程ステップS13に移行する。<水素吸蔵工程:ステップS13>水素吸蔵工程ステップS13は、原料合金に水素を吸蔵させる工程である。水素吸蔵工程ステップS13では、原料合金は水素分圧をP1とした水素雰囲気中に、温度T0で時間t1の間保持され、水素が原料合金に吸蔵される。水素分圧P1は、100kPa以上300kPa以下であることが好ましい。温度T0は、100°C以上200°C以下であることが好ましい。時間t1は、0.5時間から2時間であることが好ましい。水素分圧P1と温度T0と時間t1とを上記範囲内とすることで、原料合金はその結晶格子中に水素を吸蔵することができる。水素分圧P1が100kPa未満であると、原料合金の結晶格子中に水素は吸蔵され難くなるからであり、水素分圧P1が300kPaを越えると、防爆構造などの点で設備が大掛かりになるからである。温度T0が200°Cを超えると、原料合金の結晶格子中に水素は吸蔵され難くなるからであり、温度T0が100°C未満でも同様に原料合金の結晶格子中に水素は吸蔵され難くなるからである。時間t1が2時間より長いと原料合金に水素が吸蔵されすぎるからであり、時間t1が0.5時間より短いと原料合金に水素が十分吸蔵されないからである。水素吸蔵工程ステップS13では、原料合金が均質化熱処理された後、水素分圧P1の水素雰囲気中において温度T0で時間t1の間保持することによって、原料合金の結晶格子中に水素が吸蔵される。この水素吸蔵工程ステップS13の段階では、原料合金の結晶格子中に水素が吸蔵されているだけで、原料合金は水素を吸蔵したことによって分解していない。水素雰囲気下で原料合金に水素を吸蔵させた後、HD工程ステップS14に移行する。<水素化分解HD工程:ステップS14>HD工程ステップS14は、水素を吸蔵させた原料合金を水素化分解させて分解生成物を得る工程である。HD工程ステップS14では、水素を吸蔵させた原料合金は、水素分圧をP2とした水素雰囲気中、温度T0よりも高い温度T1で時間t2の間保持される。これにより、原料合金は水素を吸蔵しているため、原料合金は、自身の異なる相間における水素吸蔵量の相違により自己崩壊して水素化分解され、分解生成物が生成される。水素分圧P2は10kPa以上100kPa以下であることが好ましい。温度T1は700°C以上850°C以下であることが好ましい。炉内で水素分圧P2、温度T1を上記条件として水素化分解を行うことによって、希土類合金粉末を得ることができる。水素分圧P2が10kPa未満であると、原料合金の水素化分解が十分に進行しない虞があり、水素分圧P2が100kPaを超えると、水素化分解の速度が速すぎて希土類合金粉末の異方性が低下するからである。温度T1が700°C未満であると、原料合金の水素化分解が十分に進行しない虞があり、温度T1が850°Cを超えると、分解生成物水素化物が得られ難くなるからである。時間t2は0.5時間以上600時間以下であることが好ましい。時間t2が0.5時間未満であると、原料合金の水素化分解が十分に進行しない虞があり、時間t2が600時間を超えるとHDが進行しすぎて希土類合金粉末の異方性が低下するからである。原料合金がHD反応で分解して得られる分解生成物は、RHxなどの水素化物、α-Fe及びFe2Bなどの鉄化合物を含んでいる。分解生成物は、数百nmの微細なマトリックスを形成している。原料合金を水素化分解し、分解生成物を得た後、昇温工程ステップS15に移行する。<昇温工程:ステップS15>昇温工程ステップS15は、HD工程ステップS14における分解生成物の温度を温度T1から温度T1よりも高い温度T2に昇温する工程である。昇温工程ステップS15では、分解生成物の温度を温度T1から温度T2に時間t3の間、昇温している。温度T2は、温度T1よりも高く、750°C以上950°C以下であることが好ましい。また、昇温速度は特に制限されるものではない。昇温工程ステップS15の時間t3は、例えば1秒以上100秒以下である。分解生成物の温度を温度T1からT2に昇温した後、DR工程ステップS16に移行する。<脱水素再結合DR工程:ステップS16>DR工程ステップS16は、得られた分解生成物から水素を放出させ、分解生成物の水素濃度を低減し、希土類合金粉末を得る工程である。本実施形態では、DR工程ステップS16は、第1のDR工程ステップS16-1と第2のDR工程ステップS16-2とを含む。本実施形態では、DR工程ステップS16は、第1のDR工程ステップS16-1と第2のDR工程ステップS16-2との2つの工程からなるが、本発明はこれに限定されるものではなく、DR工程ステップS16は1段階のみでもよく、3段階以上行なうようにしてもよい。第1の脱水素再結合DR工程:ステップS16-1第1のDR工程ステップS16-1は、温度T1よりも高い温度T2で、時間t4の間、水素分圧を減圧してP3とし、分解生成物から水素を放出させ、分解生成物の水素濃度を低減させる工程である。本実施形態では、温度T2を第1の脱水素再結合DR温度T21という。この工程によって、HD工程ステップS14で得られた分解生成物のマトリックス中に希土類合金の核が生成すると考えられる。分解生成物からの水素の放出速度は、水素を放出させる前の分解生成物全体の質量を基準として、0.4質量/分以上13質量/分以下であることが好ましく、より好ましくは1.3質量/分程度とする。水素の放出速度が0.4質量/分未満であると、水素の放出に時間がかかりすぎて得られる希土類合金粉末の保磁力HcJが低下してしまうからである。水素の放出速度が13質量/分を超えると、分解生成物からの水素の放出速度が大きいため分解生成物の水素濃度を制御することが困難となるからである。水素の放出速度を上記範囲とすることで、希土類合金の核はより均一になる。分解生成物からの水素の放出速度は、雰囲気中の水素分圧の降下速度を制御することによって調整することができる。即ち、水素分圧の降下速度を大きくすることで、分解生成物からの水素の放出速度を大きくすることができる。水素分圧P3の降下速度は、例えばArガスなど不活性ガスを導入したり、バルブの開閉具合を制御しながら真空ポンプで減圧したりすることによって調整することができる。第1のDR工程ステップS16-1における水素分圧の降下速度は、2kPa/分以上10kPa/分以下とすることが好ましく、4kPa/分程度が最も好ましい。第1のDR工程ステップS16-1における雰囲気の水素分圧P3は、分解生成物から水素を安定して放出し、原料合金の核をより均一に生成するため、6kPa程度であることが好ましい。第1のDR工程ステップS16-1における分解生成物の第1のDR温度T21は、温度T1よりも高く、750°C以上950°C以下であることが好ましく、800°C以上900°C以下であることがより好ましく、850°C前後が更に好ましい。分解生成物の温度を、温度T1よりも高い第1のDR温度T21とすることによって、分解生成物から水素が抜けやすくなり、希土類合金の核をより均一に生成させることができる。第1のDR温度T21が750°C未満であると、分解生成物からの水素の放出速度を十分に大きくすることができず、水素が残存してしまうからである。一方、第1のDR温度T21が950°Cを超えると、希土類合金粉末の異常粒成長が起こり易くなるからである。第1のDR工程ステップS16-1の時間t4は、例えば0.1時間から0.5時間が好ましいが、時間t4は分解生成物からの水素の放出速度に応じて適宜調整する。分解生成物の温度を第1のDR温度T21として時間t4の間、脱水素再結合させた後、第2のDR工程ステップS16-2に移行する。第2の脱水素再結合DR工程:ステップS16-2第2のDR工程ステップS16-2は、第1のDR温度T21で、時間t5の間、水素分圧を更に減圧してP4とし、第1のDR工程ステップS16-1よりも分解生成物からの水素の放出速度を小さくして分解生成物から水素を放出させ、分解生成物の水素濃度を更に低減し、希土類合金粉末を得る工程である。第2のDR工程ステップS16-2の温度は、第1のDR工程ステップS16-1における第1のDR温度T21と同じにすることが好ましい。これによって、分解生成物からの水素の放出を円滑に進行させることができる。第2のDR工程ステップS16-2の時間t5は、例えば0.3時間から5時間とするのが好ましいが、時間t5は分解生成物からの水素の放出速度に応じて適宜調整する。また、第2のDR工程ステップS16-2における水素分圧P4の降下速度は、0.01kPa/分以上0.2kPa/分以下とすることが好ましく、0.1kPa/分程度とすることが最も好ましい。第2のDR工程ステップS16-2の水素分圧P4の降下速度は第1のDR工程ステップS16-1における水素分圧P3の降下速度よりも小さくすることで、第2のDR工程ステップS16-2における分解生成物からの水素放出速度は第1のDR工程ステップS16-1における分解生成物からの水素放出速度よりも小さくすることができる。これにより、希土類合金の結晶粒はより均一に成長されると考えられる。第2のDR工程ステップS16-2終了時における雰囲気の水素分圧P4は1Pa程度とする。これにより、分解生成物の水素量が希土類合金粉末の磁気特性に影響ない程度にまで放出される。第2のDR工程ステップS16-2における分解生成物の温度を第1のDR温度T21に保持した後、途中から分解生成物の温度を第2のDR温度T22に低下させる。第2のDR温度T22は550°C以上700°C以下の範囲であり、より好ましくは600°C以上650°C以下の範囲内であり、更に好ましくは600°C以上650°C以下の範囲内である。本実施形態では、第2のDR工程ステップS16-2における再結合反応の終了点で、分解生成物の温度を第1のDR温度T21から第2のDR温度T22に低下させている。再結合反応の終了点は、炉内の水素分圧が0.5kPa以上2.0kPa以下の範囲内においてピークとなる時点で特定することができる。DR工程ステップS16が終了すると、希土類合金粉末内には結晶粒界が形成されている。分解生成物の温度は850°C程度であるため、結晶粒界は液相となっている。DR反応は脱水素反応と再結合反応とが起こっているが、DR反応の再結合反応の終了時点で分解生成物の温度を第1のDR温度T21から第2のDR温度T22に低下する。これにより、結晶粒界中に存在するRが三重点に集中するのを抑制し、結晶粒界は更に安定して所定の厚さを維持して形成することができる。この結果、得られる希土類合金粉末の保磁力HcJを更に向上させることができる。本実施形態は、再結合反応の終了点を以下のようにして特定することができる。図2は、HDDR反応に用いる反応炉の構成の一例を示す図である。図2に示すように、反応炉10は、炉本体11と処理容器12とヒータ13と断熱材14と温度計15、16と温度測定器17とを有する。反応炉10は壁面にガス導入口21及びガス排気口22を有する。反応炉10はガス導入口21から不活性ガスやH2ガスが炉本体11内に供給される。不活性ガスは、例えばArガスやN2ガスなどがある。また、反応炉10はガス排気口22から炉本体11内のガスを抜き出し、真空状態を保つようにしている。また、炉本体11はその内部に炉床23を有し、処理容器12は炉床23の上に設けられている。炉本体11はその外周にヒータ13を設けている。このヒータ13はその外周が断熱材14で覆われている。温度計15は、処理容器12に供給される分解生成物S内に挿入して設けられる。温度計16は、炉本体11の内部の空間内に設けられる。温度計15、16は、各々温度測定器17に接続されている。温度測定器17は、温度計15により分解生成物Sの温度を測定し、温度計16により炉本体11の内部の空間内の温度を測定する。温度計15により測定される分解生成物Sの温度をサンプル温度T1とし、温度計16により測定される炉本体11の炉内の雰囲気温度を雰囲気温度T2とする。図3は、サンプル温度T1と雰囲気温度T2との関係を示す図である。図3に示すように、サンプル温度T1は、DR反応終了するまで850°C前後で一定の状態が維持されている。雰囲気温度T2は、255分前後で800°C以上820°C以下の温度の範囲内でピークとなる時点図3中、A部分、以下、ピーク点Aという。が確認される。このピーク点Aは、DR反応の再結合反応が終了したことによる炉のヒータ出力増加に起因して生じる雰囲気温度T2の温度変化であるといえる。DR反応は、上述のように第1のDR温度T21として行なわれるため、通常、分解生成物の温度を850°C前後として一定の状態として行なわれる。HDDR法のDR反応では、原料合金に含まれるRの水素化物RH2は、下記式1のようにDR反応が進行している。また、下記式1は下記式2の吸熱反応と下記式3の発熱反応とが進行している。下記式1のDR反応は全体として吸熱反応であり、下記式1のQ1は、下記式2のQ2と下記式3のQ3との和で表される。RH26Fe1/2Fe2B→1/2R2Fe14BH2-Q11RH2→RH2-Q22R6Fe1/2Fe2B→1/2R2Fe14BQ33DR反応の再結合反応が終了すると、上記式3の発熱反応が進行しなくなり、上記式2の吸熱反応のみが進行する。このため、DR反応は全体として吸熱が大きくなるので、サンプル温度の低下を防ぐために炉のヒータ出力が増加し、炉内の雰囲気温度T2は上昇する。よって、炉内の水素分圧が0.5kPa以上2.0kPa以下の範囲内において雰囲気温度がピークとなる時点が、DR工程における再結合反応の終了点であると特定することができる。これにより、再結合反応の終了時点を確実に把握することができる。この結果、DR工程における分解生成物の温度の制御をさらに確実に行うことができる。終了点は、炉内の雰囲気温度がピークとなる時点で特定する場合に限定されるものではなく、例えば、炉内の水素分圧が0.5kPa以上2.0kPa以下の範囲にあるときを再結合反応の終了点と特定してもよい。炉内の水素分圧は、好ましくは1.3kPa以上1.7kPa以下にあるときが好ましく、1.5kPa前後にあるときがもっとも好ましい。図3に示すように、DR反応後の炉内の水素分圧Pは、分解生成物からH2を放出させているため、徐々に低下する。炉内の水素分圧Pが0.5kPa以上2.0kPa以下の範囲にあるとき、炉内の雰囲気温度がピークとなる時点が含まれるため、終了点を特定することができる。よって、再結合反応の終了点を水素分圧の変化から特定することで、DR反応の終了時点を容易に把握することができるので、DR工程における分解生成物の温度の制御を容易に行うことができる。温度を温度T2にして時間t5の間、分解生成物は脱水素再結合された後、冷却工程ステップS17に移行する。<冷却工程:ステップS17>冷却工程ステップS17は、冷却用の不活性ガスによりHDDR反応で得られた希土類合金粉末を室温にまで冷却する工程である。不活性ガスとしては、例えば、Arガス、N2ガスなどが用いられる。不活性ガスによりHDDR反応で得られた希土類合金粉末を室温まで冷却した後、前記不活性ガスの供給を停止し、希土類合金粉末を得る。以上の工程により製造される希土類合金粉末は高い保磁力HcJを有する。得られた希土類合金粉末は、更に粉砕し、50μmから300μm以下の粉末状の希土類合金粉末に調製することができる。希土類合金粉末は、スタンプミル又はジョークラッシャーなどの粉砕手段を用いて粉砕した後、篩分けすることが好ましい。希土類合金粉末を粉砕して得られる原料粉末を成形した後、その成形体に着磁することにより永久磁石となる。このように、本実施形態に係る希土類合金粉末の製造方法によれば、DR反応の終了後、結晶粒界の厚さが薄くなるのを抑制し、結晶粒同士が結晶粒界で分離できているため、HDDR法を用いて高い保磁力HcJを有する希土類合金粉末を製造することができる。この希土類合金粉末は、希土類焼結磁石用や希土類ボンド磁石用の合金粉末として好適に用いることができる。この希土類合金粉末を用いて永久磁石を作製すれば、高い保磁力HcJを有する永久磁石を製造することが可能となる。また、希土類合金粉末は磁気的異方性を有することで更に高い磁気特性を有し、かつ異方性を有する永久磁石の磁石粉末としても好適に用いることができる。また、本実施形態の希土類合金粉末の製造方法に得られる希土類合金粉末は保磁力HcJが向上するため、高温でも使用することができる。このため、希土類合金粉末は自動車のエンジンルームなど高温環境において使用される磁石用の希土類合金粉末として好適に用いることができる。<永久磁石>永久磁石の好適な実施形態について説明する。永久磁石としては、例えば、希土類ボンド磁石や希土類焼結磁石が挙げられる。希土類ボンド磁石は樹脂を含む樹脂バインダーと磁石粉末とを混練して得られる希土類ボンド磁石用コンパウンド組成物を所定の形状に成形して得られる磁石である。希土類焼結磁石は希土類合金粉末を所定の形状に成形した後に焼結して得られる磁石である。希土類ボンド磁石や希土類焼結磁石は、各々、成形する際、等方性、異方性とすることができる。等方性希土類ボンド磁石や等方性希土類焼結磁石は各々成形する際、磁場を印加しないで希土類合金粉末を成形することにより得られる。異方性希土類ボンド磁石や異方性希土類焼結磁石は成形する際、磁場を印加して希土類合金粉末を一定方向に配向させながら成形することにより得られる。希土類ボンド磁石希土類ボンド磁石の製造方法の一例について説明する。樹脂を含む樹脂バインダーと希土類合金粉末とを例えば加圧ニーダー等の加圧混練機で混練して樹脂バインダーと本実施形態に係る希土類合金を用いて製造される希土類合金粉末とを含む希土類ボンド磁石用コンパウンド組成物を調製する。樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂や、スチレン系、オレフィン系、ウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系のエラストマー、アイオノマー、エチレンプロピレン共重合体EPM、エチレン-エチルアクリレート共重合体等の熱可塑性樹脂がある。なかでも、圧縮成形をする場合に用いる樹脂は、熱硬化性樹脂が好ましく、エポキシ樹脂又はフェノール樹脂がより好ましい。また、射出成形をする場合に用いる樹脂は熱可塑性樹脂が好ましい。また、希土類ボンド磁石用コンパウンドには、必要に応じて、カップリング剤やその他の添加材を加えてもよい。また、希土類ボンド磁石における希土類合金粉末と樹脂との含有比率は、希土類合金粉末100質量に対して、樹脂を例えば0.5質量以上20質量以下含むことが好ましい。希土類合金粉末100質量に対して、樹脂の含有量が0.5質量未満であると、保形性が損なわれる傾向があり、樹脂が20質量と超えると、十分に優れた磁気特性が得られ難くなる傾向がある。上述の希土類ボンド磁石用コンパウンドを調製した後、この希土類ボンド磁石用コンパウンドを射出成形することにより、希土類合金粉末と樹脂とを含む希土類ボンド磁石を得ることができる。射出成形により希土類ボンド磁石を作製する場合、希土類ボンド磁石用コンパウンドを、必要に応じてバインダー熱可塑性樹脂の溶融温度まで加熱し、流動状態とした後、この希土類ボンド磁石用コンパウンドを所定の形状を有する金型内に射出して成形を行う。その後、冷却し、金型から所定形状を有する成形品希土類ボンド磁石を取り出す。このようにして希土類ボンド磁石が得られる。希土類ボンド磁石の製造方法は、上述の射出成形による方法に限定されるものではなく、例えば希土類ボンド磁石用コンパウンドを圧縮成形することにより希土類合金粉末と樹脂とを含む希土類ボンド磁石を得るようにしてもよい。圧縮成形により希土類ボンド磁石を作製する場合、上述の希土類ボンド磁石用コンパウンドを調製した後、この希土類ボンド磁石用コンパウンドを所定の形状を有する金型内に充填し、圧力を加えて、金型から所定形状を有する成形品希土類ボンド磁石を取り出す。金型から希土類ボンド磁石用コンパウンドを取り出す際には、機械プレスや油圧プレス等の圧縮成形機を用いて行なわれる。その後、加熱炉や真空乾燥炉などの炉に入れて熱をかけることにより硬化させることで、希土類ボンド磁石が得られる。成形して得られる希土類ボンド磁石の形状は特に限定されるものではなく、用いる金型の形状に応じて、例えば平板状、柱状、リング状等、希土類ボンド磁石の形状に応じて変更することができる。また、得られた希土類ボンド磁石は、その表面上に酸化層や樹脂層等の劣化を防止するためにめっきや塗装を施すようにしてもよい。本実施形態の希土類合金を用いて製造される希土類合金粉末は、結晶粒界の厚さが薄くなるのを抑制し、結晶粒同士が結晶粒界で分離できているため、高い保磁力HcJを有する。このため、この希土類合金粉末を用いて得られた希土類ボンド磁石は、高い保磁力HcJを有することができる。希土類ボンド磁石用コンパウンドは目的とする所定の形状に成形する際、磁場を印加して成形して得られる成形体を一定方向に配向させるようにしてもよい。これにより、希土類ボンド磁石が特定方向に配向するので、より磁力の強い異方性希土類ボンド磁石が得られる。希土類焼結磁石希土類焼結磁石の製造方法の一例について説明する。上述のようにして得られた希土類合金粉末を、例えばプレス成形などにより目的とする所定形状に成形する。希土類合金粉末を成形して得られる成形体の形状は特に限定されるものではなく、用いる金型の形状に応じて、例えば平板状、柱状、断面形状がリング状等、希土類焼結磁石の形状に応じて変更することができる。次いで、成形体を、例えば、真空中又は不活性ガスの存在下、1000°Cから1200°Cの温度で、1時間から10時間加熱処理して焼成する。これにより、焼結体希土類焼結磁石が得られる。焼成後、得られた希土類焼結磁石を焼成時よりも低い温度で保持することなどによって、希土類焼結磁石に時効処理を施す。時効処理は、例えば、700°Cから900°Cの温度で1時間から3時間、更に500°Cから700°Cの温度で1時間から3時間加熱する2段階加熱や、600°C付近の温度で1時間から3時間加熱する1段階加熱等、時効処理を施す回数に応じて適宜処理条件を調整する。このような時効処理によって、希土類焼結磁石の磁気特性を向上させることができる。得られた希土類焼結磁石は、所望のサイズに切断したり、表面を平滑化することで、所定形状の希土類焼結磁石としてもよい。また、得られた希土類焼結磁石は、その表面上に酸化層や樹脂層等の劣化を防止するためめっきや塗装を施すようにしてもよい。上述したように、本実施形態の希土類合金を用いて製造される希土類合金粉末は、結晶粒界の厚さが薄くなるのを抑制し、結晶粒同士が結晶粒界で分離できているため、高い保磁力HcJを有する。このため、この希土類合金粉末を用いて得られた希土類焼結磁石は、高い保磁力HcJを有することができる。また、希土類合金粉末を目的とする所定の形状に成形する際、磁場を印加して成形して得られる成形体を一定方向に配向させるようにしてもよい。これにより、希土類焼結磁石が特定方向に配向するので、より磁性の強い異方性希土類焼結磁石が得られる。以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はこれに制限されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形、種々の組み合わせが可能であり、永久磁石以外について同様に適用することができる。本発明の内容を実施例及び比較例を用いて以下に詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。<実施例1>以下の組成を有するNd2Fe、Co14B原料合金粒径30.0mm程度、以下、原料合金という。をストリップキャストSC法を用いて調製した図1中、合金準備工程ステップS11。本実施例は図1に示すフローチャートに従って行なったものである。Nd:29.8質量Fe:63.1質量Co:5.0質量B:1.18質量Ga:0.36質量Nb:0.30質量この原料合金は上述の元素の他に微量の不可避不純物原料合金全体の0.2~0.3質量を含んでいた。原料合金を、真空中、1000°Cから1200°Cの温度範囲で24時間保持した図1中、均質化熱処理工程ステップS12。均質化熱処理後の原料合金をスタンプミルを用いて粉砕し、篩分けを行って粉末状粒径1mmから2mmの原料合金を得た。この原料合金をモリブテン製の容器に充填し、赤外線加熱方式を有する管状熱処理炉に装填した。その後、管状熱処理炉内に水素ガスを導入し、水素雰囲気下、水素分圧100kPa程度とし、100°C程度で2時間放置し、原料合金に水素を吸蔵した図1中、水素吸蔵工程ステップS13。その後原料合金は以下に示す条件でHDDR法による処理HDDR処理を施した。HDDR処理のフローチャートは図1に示すHD工程ステップS14からDR工程ステップS16に示す通りである。原料合金に水素を吸蔵させた後、HDDR処理を行った。炉内の水素分圧を下げるとともに炉内温度を10°C/分で昇温し、水素ガスを吸蔵した原料合金を、水素分圧40kPa、温度800°Cの条件で8時間保持した図1中、HD工程ステップS14。これによって、原料合金を水素化分解させて分解生成物を得た。その後、炉内温度を10°C/分で850°Cまで昇温した図1中、昇温工程ステップS15。炉内温度を850°Cまで昇温した後、真空ポンプを用いて水素ガスを排気し、炉内の圧力水素分圧を4kPa/分の速度で下げて6kPaとし、約10分間、分解生成物に含まれる水素の放出を開始した図1中、第1のDR工程ステップS16-1。分解生成物から、水素を放出させる前の分解生成物全体の質量を基準として、1.33質量/分の水素放出速度で水素を放出させて、分解生成物中の水素濃度を低減した。その後、炉内からの水素ガスの排気速度を変更して、炉内圧力水素分圧の降下速度を0.1kPa/分とした。これによって、分解生成物からの水素放出速度を、水素を放出させる前の分解生成物全体の質量を基準として0.35質量/分に調整した。分解生成物の温度を850°Cに保持していた状態で炉内の水素分圧が0.5kPa以上2.0kPa以下の範囲内において雰囲気温度がピークとなったら、その時点を再結合反応の終了点と認定し、途中から分解生成物の温度を850°Cから650°Cに低下させた。その後、炉内の圧力=水素分圧が1Pa未満になるまで、水素の放出を40分から50分間継続して行うことにより、分解生成物から水素をほぼ完全に除去した図1中、第2のDR工程ステップS16-2。炉内の圧力水素分圧が1Paとなった時点で、水素の放出を停止した。その後、炉内を室温約20°C程度まで冷却し、HDDR処理がされた希土類合金粉末を得た。この希土類合金粉末を磁石成形用の磁石粉末として用いた。<実施例2>実施例2は、第2のDR工程ステップS16-2において降下させる温度を650°Cから620°Cに変えたこと以外は、実施例1と同様にして行なって、HDDR処理がされた希土類合金粉末を得た。この希土類合金粉末を磁石成形用の磁石粉末として用いた。<実施例3>実施例3は、第2のDR工程ステップS16-2において降下させる温度を650°Cから600°Cに変えたこと以外は、実施例1と同様にして行なって、HDDR処理がされた希土類合金粉末を得た。この希土類合金粉末を磁石成形用の磁石粉末として用いた。<実施例4>実施例4は、第2のDR工程ステップS16-2において降下させる温度を650°Cから580°Cに変えたこと以外は、実施例1と同様にして行なって、HDDR処理がされた希土類合金粉末を得た。この希土類合金粉末を磁石成形用の磁石粉末として用いた。<比較例1>比較例1は、第2のDR工程ステップS16-2において降下させる温度を650°Cから850°Cに維持したこと以外は、実施例1と同様にして行なって、HDDR処理がされた希土類合金粉末を得た。この希土類合金粉末を磁石成形用の磁石粉末として用いた。<比較例2>比較例2は、第2のDR工程ステップS16-2において降下させる温度を650°Cから700°Cに変えたこと以外は、実施例1と同様にして行なって、HDDR処理がされた希土類合金粉末を得た。この希土類合金粉末を磁石成形用の磁石粉末として用いた。<比較例3>比較例3は、第2のDR工程ステップS16-2において降下させる温度を650°Cから550°Cに変えたこと以外は、実施例1と同様にして行なって、HDDR処理がされた希土類合金粉末を得た。この希土類合金粉末を磁石成形用の磁石粉末として用いた。<磁気特性の評価>実施例1~4、比較例1~3の各々において得られた磁石粉末希土類合金粉末を、不活性雰囲気中で乳鉢を用いて粉砕し、篩い分けを行って、53μmから212μmに篩い分けた。その後、磁石粉末とパラフィンとをケースに詰め、パラフィンを融解させた状態で磁場を1Tesla印加して磁石粉末を配向させて希土類ボンド磁石を成形した。その磁石粉末の配向方向と平行な方向に6Teslaのパルス磁場を印加し、振動試料型磁力計VSMを用いて磁化-磁場曲線を測定して磁気特性を測定した。磁気特性として4πImax、残留磁束密度Br、保磁力HcJ、最大磁気エネルギーBHmax及び減磁曲線の角型性Hk/HcJを測定した。測定した磁気特性の測定結果を表1に示す。尚、4πImaxは、4πI磁化の強さ-H磁場の強さ曲線における磁化の強さの最大値である。また、減磁曲線の角型性とは、減磁曲線で磁化が残留磁化の値から10低下したときの磁場の絶対値をHkとしたとき、磁化が0になる磁場の絶対値である保磁力HcJでHkを除した値Hk/HcJをいう。表1に示すように、HDDR法を用いて第2のDR工程ステップS16-2において降下させる温度を650°C、620°C、600°C、580°C実施例1~4として作製した原料粉末を成形した希土類ボンド磁石は、HDDR法を用いて第2のDR工程ステップS16-2において降下させる温度を850°C比較例1として作製した原料粉末を成形した希土類ボンド磁石と比べると、4πImaxと残留磁束密度Brと最大磁気エネルギーBHmaxと減磁曲線の角型性Hk/HcJとはほとんど変わりなかったが、保磁力HcJを高くすることができることが確認された。また、HDDR法を用いて第2のDR工程ステップS16-2において降下させる温度を700°C比較例2として作製した原料粉末を成形した希土類ボンド磁石は、実施例1~4で作製した原料粉末を成形した希土類ボンド磁石と比べると、減磁曲線の角型性Hk/HcJはほとんど変わりなかったが、4πImaxと残留磁束密度Brと保磁力HcJと最大磁気エネルギーBHmaxとは低かったことが確認された。また、HDDR法を用いて第2のDR工程ステップS16-2において降下させる温度を550°C比較例3として作製した原料粉末を成形した希土類ボンド磁石は、実施例1~4で作製した原料粉末を成形した希土類ボンド磁石と比べると、4πImaxと残留磁束密度Brは高くなったが、最大磁気エネルギーBHmaxと減磁曲線の角型性Hk/HcJとはほとんど変わらず、保磁力HcJは低かったことが確認された。よって、希土類合金粉末の製造用に用いる原料合金を用いて原料粉末を作製する際、第2のDR工程ステップS16-2において降下させる温度を適正な温度範囲とすることで、得られる永久磁石は保磁力HcJを高くすることができるので、永久磁石として好適に用いることができることが判明した。