"光硬化性モノマーA、光硬化性モノマー、及び光重合開始剤Cを含み、前記光硬化性モノマーAが下記式1で表されるカルバゾール化合物を少なくとも1種類と、前記光硬化性モノマーBが下記式2、式3及び式4で表される化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種類を含有し、且つ、光硬化性モノマーAと光硬化性モノマーBとの重量比率光硬化性モノマーAの重量/光硬化性モノマーBの重量が30/70~87/13であることを特徴とする光インプリント用樹脂組成物。式1中、R1は、CHCH2、CH2CH2OCHCH2、CH2CH2OCOCHCH2、CH2CH2OCOCCH2、CH2CCH2又はグリシジル基を示す。R2、R3は同一又は異なっていてもよく、水素又は炭素数1~4のアルキル基を示す。式2中、R4、R5は同一又は異なっていてもよく、OCHCH2、OCH2CH2OCHCH2、OCOCHCH2、OCOCCH2、OCH2CH2OCOCHCH2、OCH2CH2OCOCCH3CH2、又はグリシジルエーテル基を示す。R6、R7は同一又は異なっていてもよく、水素又は炭素数1~4のアルキル基を示す。式3中、Xは、OCHCH2、CH2OCHCH2、OCOCHCH2、OCOCCH2、CH2OCOCHCH2、CH2OCOCCH2、又はグリシジルエーテル基を示し、A1~A4は、各々独立して水素原子、メチル基、エチル基、フェニル基、OH、CH2OH、OCHCH2、CH2OCHCH2、OCOCHCH2、OCOCCH2、CH2OCOCHCH2、CH2OCOCCH2、又はグリシジルエーテル基を示す。但し、A1~A4の少なくとも1つは、OCHCH2、CH2OCHCH2、OCOCHCH2、OCOCCH2、CH2OCOCHCH2、CH2OCOCCH2、又はグリシジルエーテル基である。m、n、oは、0又は1を示す。式4中、R8、R9は同一又は異なっていてもよく、OCHCH2、OCH2CH2OCHCH2、OCOCHCH2、OCOCCH2、OCH2CH2OCOCHCH2、OCH2CH2OCOCCH2、又はグリシジルエーテル基を示す。pは0又は1以上の整数を示す。さらに、粘度調整剤Dを、光硬化性モノマーAと光硬化性モノマーBの総重量100重量部に対し、0.1~100重量部含有する請求項1に記載の光インプリント用樹脂組成物。前記粘度調整剤Dがカルバゾール骨格を含有するポリマーである請求項2に記載の光インプリント用樹脂組成物。さらに、溶剤Gを、光硬化性モノマーAと光硬化性モノマーBの総重量100重量部に対し、0.5~30000重量部含有する請求項1~3のいずれかに記載の光インプリント用樹脂組成物。請求項1~4のいずれかに記載の光インプリント用樹脂組成物から得られる、膜厚が10nm~40μmの硬化物からなる光インプリント用樹脂薄膜。請求項1~4のいずれかに記載の光インプリント用樹脂組成物を基材上に塗布して塗膜を形成する工程、前記樹脂組成物の塗膜表面に所望のパターンを有する型のパターン面を接触させて加圧し、パターン内に樹脂組成物を充填させる工程、該充填された樹脂組成物を光照射により硬化させる工程、及び硬化させた樹脂から型を剥離する工程を含むパターン形成方法。さらに、硬化させた樹脂をマスクとして前記基材をエッチングする工程を含む請求項6に記載のパターン形成方法。請求項1~4のいずれかに記載の光インプリント用樹脂組成物の樹脂表面に、所望のパターンを有する型のパターン面を接触させて加圧し、パターン内に樹脂組成物を充填させ、該充填された樹脂組成物を光照射により樹脂組成物を硬化させた後、硬化させた樹脂から型を剥離することで得られる微細構造体。請求項1~4のいずれかに記載の光インプリント用樹脂組成物の硬化物からなるエッチングマスク。上記した従来の光インプリントに用いられる光インプリント用硬化性組成物中の化合物が、シリコンSiウェハなどの基板に塗布後、インプリントし、硬化するまでの間に揮発してしまうおそれがあった。特に、硬化性組成物を薄膜塗布するときには、一定体積当たりの表面積比表面積が大きくなるため、気液界面が広くなり、蒸気圧が高く、揮発性が高いと、化合物の沸点よりも低い温度で製膜した場合であっても、製膜時の比表面積増加とともに多量に揮発してしまう可能性が高い。上記の場合に、製膜中に基板上の硬化性組成物の組成が変化したり、基板上の樹脂量が減少したりしてしまい、パターン形成性が悪化することとなる。さらに製膜時の揮発割合は、薄膜になればなるほど比表面積が増加するため顕著になることが、光インプリント用硬化性組成物を用いて、Siウェハなどの基板に塗布後、インプリントし、硬化させる場合の課題であった。また、酸素や湿度による硬化阻害を避けるために減圧状態でのパターン形成、あるいは減圧後、窒素置換してパターン形成する硬化性組成物の方法が知られている。このような減圧工程を含む製造方法で硬化性組成物をパターン形成に用いると、温度関数である蒸気圧が減圧後の全圧に対して相対的に増加することとなり、さらに揮発しやすくなる。したがって、パターン形成時に減圧工程を経る場合も上記と同様の問題が生じることが懸念される。また、特許文献3には、耐エッチング性に優れた室温光インプリント用樹脂組成物として、光硬化機能を有する高分子ケイ素化合物を含む樹脂組成物が開示されているが、樹脂自体がSi構造を有する場合、エッチング後に無機成分を含む硬質残渣を生じる可能性があり、基板の破損が懸念されるため、樹脂構造は有機物による構成が望まれる。特許文献4には、光硬化性、密着性、離型性、残膜性、パターン形状、塗布性、エッチング適性のいずれにも優れ、かつ揮発性の少なく、皮膚刺激性の小さい光硬化性組成物として、重合性化合物、光重合開始剤、フッ素系界面活性剤、及びシリコーン系界面活性剤を含み、25°Cにおける粘度が3~18mPasの範囲である光硬化性組成物が開示されている。前記重合性化合物として、ベンジルアクリレート、エトキシ化フェニルアクリレート、ビニルカプロラクタム、ビニルカルバゾール等が挙げられている。しかし、これらの化合物を用いて得られる上記組成物は粘度が低いため、塗布性は良いものの、塗布後の安定性が悪い。そのため、光硬化までに時間がかかると塗布膜が流動し、基板表面が露出してしまったり、固体成分が不溶化し易く、不溶分が析出してきてしまい、その結果、パターン転写ができない部分が発生してしまうことが懸念される。特許文献5には、スピン塗布やスリット塗布に適していて、微細なパターン形成が可能であり、光硬化後の基板に対する密着性が高く、レジストの剥離が容易であるナノインプリント用硬化性組成物として、例えば、N-ビニルカプロラクタム、ビニルカルバゾール、ベンジルアクリレート等の1官能重合性化合物と光重合開始剤とを含むナノインプリント用硬化性組成物が開示されている。しかし、1官能重合性化合物を多く含むと、硬化樹脂の剥離性は良くなるものの、硬化樹脂の強度が弱く、微細パターン形状が崩れやすく、エッチング耐性も十分とは言えない。更に、非特許文献3PAK01の様な分子構造が直鎖状の分子を多く含む硬化性樹脂組成物を使用したエッチングマスクは、難加工材料の加工や高アスペクト加工を行うための耐エッチング性が十分とは言えない。本発明は、上記のような実状に鑑み、光インプリントに適用可能であり、樹脂組成物の硬化物薄膜パターン形成時にも基材上の成分の揮発が少なく、良好なパターンが形成でき、基板を高精度に加工するためのエッチングマスクとして、硬化物の耐エッチング性に優れた光インプリント用樹脂組成物、これを用いたパターン形成方法、及びエッチングマスクを提供することを目的とする。本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討した結果、光硬化性モノマーとして、カルバゾール骨格を有する環状炭化水素構造を有する特定の化合物を少なくとも1種類と、特定の環状炭化水素構造を有する化合物とを含む光インプリント用樹脂組成物を使用することによって、当該樹脂組成物中の揮発性が抑制され、更に、得られる硬化物は、耐エッチング性に優れ、基板を高精度に加工するエッチングマスクとして好適であることを見出した。本発明は、上記の知見に基づくものであり、下記の要旨を有するものである。1.光硬化性モノマーA、光硬化性モノマーB、及び光重合開始剤Cを含み、前記光硬化性モノマーAが下記式1で表されるカルバゾール化合物を少なくとも1種類と、前記光硬化性モノマーBが下記式2、式3及び式4で表される化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種類を含有し、且つ、光硬化性モノマーAと光硬化性モノマーBとの重量比率光硬化性モノマーAの重量/硬化性モノマーBの重量が30/70~87/13であることを特徴とする光インプリント用樹脂組成物。R1は、CHCH2、CH2CH2OCHCH2、CH2CH2OCOCHCH2、CH2CH2OCOCCH2、CH2CCH2、又はグリシジル基を示す。R2、R3は同一又は異なっていてもよく、水素又は炭素数1~4のアルキル基を示す。式2中、R4、R5は同一又は異なっていてもよく、OCHCH2、OCH2CH2OCHCH2、OCOCHCH2、OCOCCH2、OCH2CH2OCOCHCH2、OCH2CH2OCOCCH2、又はグリシジルエーテル基を示す。R6、R7は同一又は異なっていてもよく、水素又は炭素数1~4のアルキル基を示す。式3中、Xは、OCHCH2、CH2OCHCH2、OCOCHCH2、OCOCCH2、CH2OCOCHCH2、CH2OCOCCH2、又はグリシジルエーテル基を示し、A1~A4は、各々独立して水素原子、メチル基、エチル基、フェニル基、OH、CH2OH、OCHCH2、CH2OCHCH2、OCOCHCH2、OCOCCH2、CH2OCOCHCH2、CH2OCOCCH2、又はグリシジルエーテル基を示す。但し、A1~A4の少なくとも1つは、OCHCH2、CH2OCHCH2、OCOCHCH2、OCOCCH2、CH2OCOCHCH2、CH2OCOCCH2、又はグリシジルエーテル基である。m、n、oは、0又は1を示す。式4中、R8、R9は同一又は異なっていてもよく、OCHCH2、OCH2CH2OCHCH2、OCOCHCH2、OCOCCH2、OCH2CH2OCOCHCH2、OCH2CH2OCOCCH2、又はグリシジルエーテル基を示す。pは0又は1以上の整数を示す。2.さらに、粘度調整剤Dを、光硬化性モノマーAと光硬化性モノマーBの総重量100重量部に対し、0.1~100重量部含有する上記1に記載の光インプリント用樹脂組成物。3.前記粘度調整剤Dがカルバゾール骨格を含有するポリマーである上記2に記載の光インプリント用樹脂組成物。4.さらに、溶剤Gを、光硬化性モノマーAと光硬化性モノマーBの総重量100重量部に対し、0.5~30000重量部含有する上記1~3のいずれかに記載の光インプリント用樹脂組成物。5.上記1~4のいずれかに記載の光インプリント用樹脂組成物から得られる膜厚が10nm~40μmの硬化物からなる光インプリント用樹脂薄膜。6.上記1~4のいずれかに記載の光インプリント用樹脂組成物を基材上に塗布して塗膜を形成する工程、前記樹脂組成物の塗膜表面に所望のパターンを有する型のパターン面を接触させて加圧し、パターン内に樹脂組成物を充填させる工程、該充填された樹脂組成物を光照射により硬化させる工程、及び硬化させた樹脂から型を剥離する工程を含むパターン形成方法。7.さらに、硬化させた樹脂をマスクとして前記基材をエッチングする工程を含む上記6に記載のパターン形成方法。8.上記1~4のいずれかに記載の光インプリント用樹脂組成物の樹脂表面に、所望のパターンを有する型のパターン形を接触させて加圧し、パターン内に樹脂組成物を充填させ、該充填された樹脂組成物を光照射により樹脂組成物を硬化させた後、硬化させた樹脂から型を剥離することで得られる微細構造体。9.上記1~4のいずれかに記載の光インプリント用樹脂組成物の硬化物からなるエッチングマスク。本発明の光インプリント用樹脂組成物を用いることにより、基材への薄膜塗布後の揮発性が抑えられ、且つ得られた硬化物は耐エッチング性に優れ、基板を高精度に加工するエッチングマスクとして好適である。本発明の光インプリント用樹脂組成物は、光硬化性モノマーとして、上記の式で表されるカルバゾール化合物を少なくとも1種類含有する。その効果は炭素密度が高いため、耐エッチング性が高いこと、光硬化時の増感効果が期待できる。上記式で表されるカルバゾール化合物において、R1は、CHCH2、CH2CH2OCHCH2、CH2CH2OCOCHCH2、CH2CH2OCOCCH2、CH2CCH2又はグリシジル基を示す。R1はCHCH2、CH2CH2OCHCH2、CH2CH2OCOCHCH2、CH2CH2OCOCCH2、又はグリシジル基が好ましく、R1はCHCH2、CH2CH2OCHCH2、又はグリシジル基が特に好ましい。R2、R3は同一又は異なっていてもよく、水素又は炭素数1~4のアルキル基を示す。R2、R3は水素、メチル基、又はエチル基が好ましく、水素又はメチル基が特に好ましい。式で表されるカルバゾール化合物の好ましい例として、以下の化合物が挙げられる。上記のなかでも、式1-1、式1-2、式1-3、式1-4、式1-5、又は式1-6の化合物番号で表わされるものがより好ましい。さらに、上記のなかでも、式1-1、式1-2、式1-3、式1-4、又は式1-6の化合物番号で表わされるものが特に好ましい。上記式のカルバゾール化合物としては、上記の化合物を2種類以上使用してもよい。本発明の光インプリント用樹脂組成物は、光硬化性モノマーとして、上記の式2~4で表される化合物を少なくとも1種類を含有する。かかる式2~式4で表される光硬化性モノマーの効果は、式1で表される光硬化性モノマーAと混合し硬化した樹脂が、光硬化性モノマー単独を硬化した樹脂よりも高いエッチング耐性を発現できることにある。特に、式2で表される光硬化性モノマーBを含有させる効果は、芳香環を有するため炭素密度を高くできることと、式1で表される光硬化性モノマーAの芳香環と式2で表される光硬化性モノマーBの芳香環のπ電子の相互作用により、更に耐エッチング性が向上したものと推測される。他にも硬化後の構造が剛直であることから微細形状の破損が生じ難いこと、硬化収縮率が小さいことが期待できる。式3で表される光硬化性モノマーBを含有させる効果は、式3が架橋構造を有するため炭素密度を高くできることと、耐熱性の高い構造であるため、エッチング時の熱による影響を受け難く、更に耐エッチング性が向上したものと推測される。また、式4で表される光硬化性モノマーBを含有させる効果は、式4が柔軟な構造であり、更に光硬化性モノマーAが入る事で反応点が増え、モノマー同士の反応が起こり易く、架橋密度が向上するため、更に耐エッチング性が向上したものと推測される。上記式2で表される環状炭化水素構造を有するフルオレン系化合物において、R4、R5は同一又は異なっていてもよく、OCHCH2、OCH2CH2OCHCH2、OCOCHCH2、OCOCCH2、OCH2CH2OCOCHCH2、OCH2CH2OCOCCH2、又はグリシジルエーテル基を示す。R4、R5はOCH2CH2OCHCH2、OCOCHCH2、OCOCCH2、OCH2CH2OCOCHCH2、OCH2CH2OCOCCH2、又はグリシジルエーテル基が特に好ましい。R6、R7は同一又は異なっていてもよく、水素又は炭素数1~4のアルキル基を示す。R6、R7は水素、メチル基、又はエチル基が好ましく、水素又はメチル基が特に好ましい。式で表されるフルオレン系化合物の好ましい例として、以下の化合物が挙げられる。上記のなかでも、式2-1、式2-2、式2-3、式2-4、式2-5、式2-6、式2-7、式2-8、式2-9、式2-13、式2-14、式2-18、式2-19、式2-23、式2-24、式2-28、式2-29、式2-33、式2-34、式2-38、又は式2-39の化合物番号で表わされるものがより好ましい。さらに、上記のなかでも、式2-1、式2-2、式2-3、式2-4、式2-5、式2-6、式2-7、式2-9、式2-14、式2-19、式2-24、式2-29、式2-34、又は式2-39の化合物番号で表わされるものが特に好ましい。かかる式で表されるフルオレン系化合物としては、上記の化合物を2種類以上用いてもよい。上記の式で表される架橋構造を有する環状炭化水素化合物において、Xは、OCHCH2、CH2OCHCH2、OCOCHCH2、OCOCCH2、CH2OCOCHCH2、CH2OCOCCH2、又はグリシジルエーテル基を示し、A1~A4は、各々独立して水素原子、メチル基、エチル基、フェニル基、OH、CH2OH、OCHCH2、CH2OCHCH2、OCOCHCH2、OCOCCH2、CH2OCOCHCH2、CH2OCOCCH2、又はグリシジルエーテル基を示す。但し、A1~A4の少なくとも1つは、OCHCH2、CH2OCHCH2、OCOCHCH2、OCOCCH2、CH2OCOCHCH2、CH2OCOCCH2、又はグリシジルエーテル基である。m、n、oは、0又は1を示す。XはOCHCH2、CH2OCHCH2、OCOCHCH2、OCOCCH2、又はグリシジルエーテル基が特に好ましい。A1~A4は水素原子、メチル基、OCHCH2、CH2OCHCH2、OCOCHCH2、OCOCCH2、CH2OCOCHCH2、CH2OCOCCH2、又はグリシジルエーテル基が好ましく、水素原子、OCHCH2、CH2OCHCH2、OCOCHCH2、OCOCCH2、又はグリシジルエーテル基が特に好ましい。なかでも、以下の式で表される化合物がより好ましい。上記のなかでも、式3-1、式3-2、式3-3、式3-4、式3-5、式3-6、式3-7、式3-8、式3-11、式3-12、式3-13、式3-14、式3-15、式3-16、式3-17、式3-18、式3-21、式3-22、式3-23、式3-24、式3-25、式3-26、式3-27、式3-28、式3-31、式3-32、式3-33又は式3-34の化合物番号で示されるものがより好ましい。かかる式で表される架橋構造含有環状炭化水素化合物としては、上記の化合物を2種類以上用いてもよい。上記式で表される水素化ビスフェノールA系化合物において、R8、R9は同一又は異なっていてもよく、OCHCH2、OCH2CH2OCHCH2、OCOCHCH2、OCOCCH2、OCH2CH2OCOCHCH2、OCH2CH2OCOCCH2、又はグリシジルエーテル基を示す。pは0又は1以上の整数を示す。R8、R9はOCHCH2、OCH2CH2OCHCH2、OCOCHCH2、OCOCCH2、又はグリシジルエーテル基が特に好ましく、pは0又は1~3の整数が特に好ましい。上記のなかでも、以下の式で表される化合物がより好ましい。上記のなかでも、式4-1、式4-3、式4-4、式4-5、式4-8又は式4-9の化合物番号で示される化合物が特に好ましい。かかる式で表される水素化ビスフェノールA系化合物としては、上記の化合物を2種類以上用いてもよい。本発明において、式で表される光硬化性モノマーAと、式2、3又は4で表される光硬化性モノマーBとの含有比率は、光硬化性モノマーAと光硬化性モノマーBの重量比率光硬化性モノマーAの重量/光硬化性モノマーBの重量で30/70~87/13であり、好ましくは、35/65~85/15であり、更に好ましくは40/60~80/20である。式で表される光硬化性モノマーAの含有量が小さすぎる場合には、エッチング選択比の向上が不十分であり、好ましくない。一方、式で表される光硬化性モノマーAの含有量が多すぎる場合、又は光硬化性モノマーA単独の場合には、基板上に塗布後、光硬化性モノマーA成分が分離したり、薄膜が維持できず、樹脂溶液を弾いてしまったりして、均一な薄膜が得られず、パターン転写不良が起きるため、好ましくない。また、本発明を損なわない範囲で光硬化性モノマーA以外の光硬化性モノマーHを含んでいてもよい。光硬化性モノマーHとしては、種々のものが挙げられるが、例えば、ブタンジオールジビニルエーテル、オクタンジオールジビニルエーテル、エチレングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、ブタンジオールジアクリレート、オクタンジオールジアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ブタンジオールジメタクリレート、オクタンジオールジメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート等を含むことで柔軟性を付与することができ、シクロヘキシレンジメタノールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、シクロヘキシレンジメタノールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、シクロヘキシレンジメタノールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート等を含むことで、架橋密度が向上し表面硬度を向上させることができる。配合量は、硬化樹脂のエッチング耐性、基板密着性を損なわない範囲で好適に選択できる。本発明の光インプリント用樹脂組成物に用いられる光重合開始剤としては、光ラジカル重合開始剤や光カチオン重合開始剤が好ましいが、どちらも制限無く用いられる。光カチオン重合開始剤としては、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩等が挙げられ、既知のものが使用できる。光ラジカル重合開始剤としては、例えば市販されている開始剤を用いることができる。これらの例としては、BASFジャパン社から入手可能なIrgacure登録商標2959、Irgacure登録商標1841-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、Irgacure登録商標5001-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾフェノン、Irgacure登録商標6512,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン、Irgacure登録商標3692-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルフォリノフェニルブタノン-1、Irgacure登録商標9072-メチル-1[4-メチルチオフェニル]-2-モルフォリノプロパン-1-オン、Irgacure登録商標3792-ジメチルアミノ-2-4-メチル-ベンジル-1-4-モルフォリン-4-イル-フェニル-ブタン-1-オン、Irgacure登録商標819ビス2,4,6-トリメチルベンゾイル-フェニルフォスフィンオキサイド、Irgacure登録商標1800ビス2,6-ジメトキシベンゾイル-2,4,4-トリメチル-ペンチルフォスフィンオキサイド,1-ヒドロキシ-シクロヘキシル-フェニル-ケトン、Irgacure登録商標1800ビス2,6-ジメトキシベンゾイル-2,4,4-トリメチル-ペンチルフォスフィンオキサイド,2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニル-1-プロパン-1-オン、Irgacure登録商標OXE011,2-オクタンジオン,1-[4-フェニルチオフェニル]-2-O-ベンゾイルオキシム、Irgacure登録商標OXE02エタノン,1-[9-エチル-6-2-メチルベンゾイル-9H-カルバゾール-3-イル]-1-O-アセチルオキシム、Darocur登録商標11732-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニル-1-プロパン-1-オン、Darocur登録商標1116、1398、1174および1020、LucirinTPO2,4,6-トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、LucirinTPO-L2,4,6-トリメチルベンゾイルフェニルエトキシホスフィンオキサイド、DKSHジャパン社から入手可能なESACURE1001M1-[4-ベンゾイルフェニルスルファニル]フェニル-2-メチル-2-4-メチルフェニルスルホニルプロパン-1-オン、等が挙げられる。なかでも、Irgacure登録商標9072-メチル-1[4-メチルチオフェニル]-2-モルフォリノプロパン-1-オン、Irgacure登録商標3792-ジメチルアミノ-2-4-メチル-ベンジル-1-4-モルフォリン-4-イル-フェニル-ブタン-1-オンが好ましい。光カチオン重合開始剤としては、例えば、ビスアルキルフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ビスドデシルフェニルヨードニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、ビス[4-ジフェニルスルホニオフェニル]スルフィドビスヘキサフルオロホスフェート、ビス[4-ジフェニルスルホニオフェニル]スルフィドビスヘキサフルオロアンチモネート、ビス[4-ジフェニルスルホニオフェニル]スルフィドビステトラフルオロボレート、ビス[4-ジフェニルスルホニオフェニル]スルフィドテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、ジフェニル-4-フェニルチオフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニル-4-フェニルチオフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニル-4-フェニルチオフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、ジフェニル-4-フェニルチオフェニルスルホニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、ビス[4-ジ4-2-ヒドロキシエトキシフェニルスルホニオフェニル]スルフィドビスヘキサフルオロホスフェート、ビス[4-ジ4-2-ヒドロキシエトキシフェニルスルホニオフェニル]スルフィドビスヘキサフルオロアンチモネート、ビス[4-ジ4-2-ヒドロキシエトキシフェニルスルホニオフェニル]スルフィドビステトラフルオロボレート、ビス[4-ジ4-2-ヒドロキシエトキシフェニルスルホニオフェニル]スルフィドテトラキスペンタフルオロフェニルボレート等が挙げられる。なかでも、ビスアルキルフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート又はジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェートが好ましい。上記光重合開始剤は、単独、または2種以上のものを組み合わせて使用することができる。また、組成物との分散性を考慮して溶剤を含んでいてもよい。本発明の光インプリント用樹脂組成物における光重合開始剤の含有量は、光硬化性モノマーと光硬化性モノマーBの総重量100重量部に対し、0.01~30重量部が好ましく、0.1~20重量部がより好ましく、0.2~15重量部が特に好ましい。また、これらの光重合開始剤の効率を向上し光重合を促進させるため、既知の増感剤、又は色素剤を含んでいてもよい。特に増感剤は単一波長光源を用いた場合の効率を向上させるのに有効である。増感剤としては、例えば、アントラセン、チオキサントン、ベンゾフェノンチオキサントン、フェノチアゼン、ぺリレン等が挙げられる。更に、増感色素としては、チオピリリウム塩系色素、メロシアニン系色素、キノリン系色素、スチリルキノリン系色素、ケトクマリン系色素、チオキサンテン系色素、キサンテン系色素、オキソノール系色素、シアニン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム塩系色素等が例示される。なかでも、アントラセン系増感剤は、カチオン重合開始剤と併用することで、飛躍的に感度が向上する。アントラセンの化合物としては、ジブトキシアントラセン、ジプロポキシアントラセン川崎化成社製UVS1331、UVS1221等が有効である。本発明の光インプリント用樹脂組成物は、好ましくは粘度調整剤Dを含有する。粘度調整剤Dは、当該組成物から薄膜を形成する際の組成物の粘度を調整し、組成物の塗布性や得られる薄膜の厚みを調整するために使用される。粘度調整剤Dとしては、既知の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、又は液状樹脂の高分子量体が使用できる。なかでも、分子量Mw重量平均分子量が1,000~1,000,000の高分子量体の1種類以上を含むことが好ましく、分子量Mwが2,000~500,000がより好ましく、分子量Mwが3,000~300,000が更に好ましい。分子量Mwが小さすぎる場合には、粘度調整の効果が十分に得られず、塗布性が改善しなかったり、塗布厚みの変化が少なく、好ましくない。一方、分子量Mwが大きすぎる場合には、溶解性が良くなく、不溶分が残存したり、少量でも粘度の変化が大きいため、粘度のコントロールが難しく、好ましくない。上記粘度調整剤Dは場合により、数種類を合わせて使用することができる。前記粘度調整剤としては、特に制限は無いが、相溶性のよい芳香環を含む樹脂や、環状構造を含む樹脂がより好ましく、エチレン/メチルフェニルノルボルネン共重合体例えば、日本特開2005239975に記載、エチレン/ノルボルネン/メチルフェニルノルボルネン共重合体例えば、日本特開2005239975に記載、ポリスチレン、ポリビニルカルバゾール、ポリアセナフチレン、トリシクロデカンビニルエーテル重合体例えば、日本特開2005113049に記載、1アダマンチルビニルエーテル重合体、2アダマンチルビニルエーテル重合体、メチルフェニルノルボルナンビニルエーテル重合体、エチレン/ノルボルネン類の共重合体例えばTicona社製Topas、三井化学社製Apel等、環状オレフィン類開環重合体の水添体例えば日本ゼオン社製ZEONEXZEONOR、極性基含有環状オレフィン類開環重合体の水添体例えばJSR社製ARTON、カルバゾール骨格含有重合体、フルオレン骨格含有重合体等が挙げられる。更に、基板密着性を向上させるために粘度調整剤Dとしては、水酸基を含む樹脂、又は、該水酸基を保護した樹脂も好適に使用することができる。例えば、ポリヒドロキシスチレン、スチレン/ヒドロキシスチレン共重合体、スチレン/ヒドロキシスチレン共重合体のアセタール保護ポリマー、ヒドロキシスチレン/トリシクロデカンビニルエーテル共重合体、ヒドロキシスチレン/トリシクロデカンビニルエーテル共重合体のアセタール保護体、ヒドロキシスチレン/エチルビニルエーテルのブロック共重合体、ランダム共重合体などが挙げられる。上記粘度調整剤Dを好適に使用できるが、特に、エチレン/メチルフェニルノルボルネン共重合体、ポリビニルカルバゾール、ポリアセナフチレン、トリシクロデカンビニルエーテル重合体、1アダマンチルビニルエーテル重合体、2アダマンチルビニルエーテル重合体、メチルフェニルノルボルナンビニルエーテル重合体、ポリヒドロキシスチレン、スチレン/ヒドロキシスチレン共重合体及びそのアセタール保護体、カルバゾール骨格含有重合体、又はフルオレン骨格含有重合体が好ましい。これら粘度調整剤は、単独で使用することも2種類以上組み合わせて使用することもできる。樹脂組成物中における粘度調整剤の含有量は、上記光硬化性モノマーによる粘度調整や溶剤Gによる希釈等の使用による樹脂組成物の粘度により任意に調整が可能である。光インプリントに好適な製膜性、面内均一性を発揮できる硬化前の膜厚としては10nm~40μmが好ましく、更には、15nm~30μmが好ましい。薄膜を形成する際の樹脂組成物を塗布する支持基材としては、少なくともその表面が、シリコン、アルミニウム、銅、サファイア、SiO2酸化ケイ素、SiC炭化珪素、GaN窒化ガリウム、InGaNインジウム窒化ガリウム、GaAs、AlGaAsアルミニウムガリウム砒素、AlGaPアルミニウムガリウムリン、ITO酸化インジウムスズ、ガラス、樹脂フィルム等であるものが任意に使用することができる。光インプリント可能な樹脂薄膜を形成する場合、薄膜中の残存揮発成分は少ない方が好ましい。残存揮発分が多く存在すると、光インプリント時に樹脂薄膜上に発泡現象等が認められ、パターン転写精度が低下する。本発明の光インプリント用樹脂組成物から樹脂薄膜を形成するにあたり、上記のように、好ましくは溶剤Gが使用される。溶剤Gは、当該組成物を溶解するものであれば任意に使用することができ、好ましくは有機溶剤が使用される。例えば、ケトン系溶剤としては、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等が挙げられ、エステル系溶剤としては、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルモノアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルモノアセテート、トリエチレングリコールモノエチルエーテルモノアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルモノアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ブチレングリコールモノメチルエーテルアセテート等が挙げられ、芳香族炭化水素系溶剤としては、トルエン、キシレン、メシチレン、クロロベンゼン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン等が挙げられる。なかでも、キシレン、シクロヘキサノン、又はプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが好ましい。これらの溶剤Gは単独で使用してもよいが、2種類以上の溶剤Gを組み合わせて使用することも可能である。樹脂組成物に溶剤Gを添加する場合、樹脂を溶解するために適宜加温して溶解しても構わない。溶剤Gは、形成する薄膜の厚みにより任意に調製することができる。光インプリントに好適な製膜性、面内均一性を発揮できる溶剤Gは、光硬化性モノマーである。各組成物の調製及び粘度測定は、波長500nm以下の紫外線をカットした蛍光灯下のイエロールーム内にて、以下手順で行った。1.所定のガラス容器に光硬化モノマーA、光硬化性モノマーB、光硬化性モノマーH、光重合開始剤C、必要に応じて、粘度調整剤D、増感剤E、レベリング剤F、及び溶剤Gを表1、表2に記載の割合で秤量し、攪拌混合した。2.045μmのナイロン製フィルター住友スリーエム社製ライフアシュアにてろ過して光インプリント用樹脂組成物を調製した。比較例19は表2に示すように、光硬化性モノマーA1:Nビニルカルバゾールの重合体である粘度調整剤D3:Poly100重量部に対し、溶剤G1:シクロヘキサノンを表2に記載の割合で秤量し、攪拌混合した。その後、045μmのナイロン製フィルター住友スリーエム社製ライフアシュアにてろ過して、Poly溶液を調製した。表1、表2に記載される各成分について以下に示す。表3に、各成分の分類、略号、及び名称を示す。光硬化性モノマーAA1:Nビニルカルバゾール丸善石油化学社製光硬化性モノマーBB1:ビスアリールフルオレン系化合物大阪ガスケミカル社製、製品名オグソールEA0200B2:99ビス4フェニルフルオレン新中村化学工業社製、製品名ABPEFB3:トリシクロデカンジメタノールジビニルエーテル丸善石油化学社製B4:ペンタシクロペンタデカンジメタノールジビニルエーテル丸善石油化学社製B5:トリシクロデカンジメタノールジアクリレート新中村化学工業社製、製品名ADCPB6:水素化ビスフェノールAジビニルエーテル丸善石油化学社製B7:エポキシ樹脂ジェイイーアール、グレードYX8000三菱化学社製B8:エポキシ樹脂ジェイイーアール、グレードYX8034三菱化学社製B9:99ビス4フェニルフルオレン丸善石油化学社製光重合開始剤CC1:2-メチル-1-[4-メチルチオフェニル]-2-モルフォリノプロパン-1-オンBASFジャパン社製Irgacure907C2:2-ジメチルアミノ-2-4-メチル-ベンジル-1-4-モルフォリン-4-イル-フェニル-ブタン-1-オンBASFジャパン社製Irgacure379C3:ビスアルキルフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート50重量炭酸プロピレン溶液和光純薬工業社製WPI113C4:2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オンBASFジャパン社製Irgacure651粘度調整剤D粘度調整剤Dに使用した樹脂D1の重量平均分子量Mwはゲルパーミエイションクロマトグラフィー法GPCにより、Waters社製GPC装置を使用し、カラム:Shodex社製K805L/K806L、カラム温度:40°C、溶媒:クロロホルム、通液量:08mL/minの条件で測定した。粘度調整剤Dに使用した樹脂D2の重量平均分子量Mwは、東ソー社製GPC装置を使用し、カラム:東ソー社製TSKG2000H×2本/TSKG3000H/TSKG4000H、カラム温度:40°C、溶媒:THF、通液量:10mL/minの条件で測定した。D1:エチレン/5メチル5フェニルビシクロ221ヘプト2エン共重合体Mw:50000、日本特開2005239975記載のエチレン/メチルフェニルノルボルネン共重合体D2:ポリヒドロキシスチレン丸善石油化学社製マルカリンカーMS2Mw4000~6000D3:Polyアルドリッチ社試薬、数平均分子量Mn25,000~50,000、MwMn約2増感剤EE1:910ジプロポキシアントラセン川崎化成社製UVS1221レベリング剤FF1:シリコーン系レベリング剤楠本化成社製ディスパロン1761溶剤GG1:シクロヘキサノン和光純薬工業社製光硬化性モノマーHH1:トリシクロデカンビニルエーテル丸善石油化学社製H2:1-アダマンチルビニルエーテル丸善石油化学社製H3:トリプロピレングリコールジアクリレート新中村化学工業社製、製品名APG200H4:トリメチロールプロパントリアクリレート新中村化学工業社製、製品名ATMPTH5:N-ビニル-2-ピロリドン和光純薬工業社製上記方法で調製した実施例3、4、9、19、20及び比較例7、9に記載の光インプリント用樹脂組成物から減圧乾燥機を用いて溶媒を除去し、溶媒が無い状態の粘度をブルックフィールド社製のプログラマブルデジタル粘度計型式:DVIIを用いて計測した。計測時の液温と粘度測定結果を表1、表2に記載した。B:樹脂薄膜の作製実施例及び比較例の樹脂組成物及び樹脂溶液は以下のスピンコート法で塗布した。基板は相対湿度25以下の乾燥庫に24時間以上保管した2インチSiウェハーEM社製面方位100を使用した。実施例1~23、及び比較例1~19は2インチSiウェハーをスピンコーターイーエッチシー社製SC308Hに乗せ、真空吸着させて基板を固定した。その後、光インプリント用樹脂組成物または樹脂溶液0.4mlを基板中央付近に乗せ、表1、表2に記載のスピンコート条件でスピンコートを行い、塗布し、光インプリント用樹脂薄膜またはPoly薄膜を作製した。C:樹脂薄膜の硬化方法上記のように作製した樹脂薄膜のうち、実施例1~11、14、及び比較例1~5、8、13、14、16、18は窒素雰囲気中にてUV照射を行い、実施例12、13、15~23、及び比較例6、7、9~12、15、17は相対湿度2.0以下の乾燥空気中にてUV照射を行った。UV光源として実施例1、3、21~23、及び比較例2、4、8、16、18は高圧水銀ランプ表1、表2中、Hgと記載を用いて、実施例2、4~20、及び比較例3、5~7、9~12、14は波長365nmのLEDランプHOYA社製EXECUREH1VC、表1、表2中、LEDと記載を用いて、照度50mW/cm2にて表1、表2に示したUV照射量になるように紫外線を照射し、樹脂を硬化した。比較例1、13、15、17は下記の膜安定性が悪く、均一な薄膜が得られなかったため、硬化は行わなかった。比較例3、5については、膜安定性は良好だったが、表2に記載の硬化条件では硬化が十分ではなく、タックがあるため下記の膜厚測定及びSiエッチング選択比評価を行わなかった。また、比較例19はPoly薄膜であるため、UV硬化は行わず、薄膜塗布後、真空オーブンにて、150°C、真空下、30分乾燥し、均一な樹脂薄膜を得た。D.樹脂薄膜の評価光インプリント用樹脂組成物により作製した樹脂薄膜について、光硬化前の膜安定性及び揮発性、均一な硬化膜を得られた場合には膜厚を測定した。また、Si基板上に形成した硬化膜についてはSiエッチング条件によるエッチングレートよりSiエッチング選択比を評価した。結果を表1、表2に示す。光硬化前の膜安定性及び揮発性硬化性組成物をSi基板上にスピンコートで塗布した後の表面の状態を観察し、均一な塗膜形成の有無を観察し、下記の基準により評価した。○:2インチSi基板上にスピンコートにより、薄膜塗布した後、5分経過後、膜のハジキ及び固形分の析出が生じず、光硬化性モノマーの揮発による膜厚の減少が5以下であり、均一な塗膜が得られた。×:2インチSi基板上にスピンコートにより、薄膜塗布した後、5分経過後、膜のハジキ及び固形分析出の析出が生じた、あるいは光硬化性モノマーの揮発により膜厚の大幅な減少5以上が観察された。膜厚塗布性評価で○のサンプルについて、UV硬化後、硬化膜の膜厚、及び比較例19の真空乾燥後のPoly薄膜を測定した。実施例1~23、及び比較例2、4、6~12、14、16、18、19の薄膜の膜厚は、反射膜厚計大塚電子社製FE3000にて測定した。Siエッチング選択比実施例1~23、及び比較例2、4、6~12、14、16、18、19のSi基板上に形成した薄膜について、以下の方法にて評価した。作製した樹脂硬化膜表面の一部をポリイミド粘着テープによりマスキングしたサンプルを作製した。次に、本サンプルをドライエッチャを使用して、フッ素系ガスを用いた通常のSiエッチング条件でエッチング処理した。マスキングテープを剥がし、処理面と非処理面の段差を測定することでエッチングレートを測定した。更に同条件でエッチングしたSi基板のエッチングレートより、Siエッチング選択比=Siエッチングレート/樹脂エッチングレートを評価した。表1、表2に示した結果より、本発明の光インプリント組成物から得られる薄膜は、評価項目の硬化前の膜安定性が良く、更には、本発明の光インプリント組成物から得られる硬化物のSiエッチング選択比の数値は、光硬化性モノマーA単独、又は光硬化性モノマーB単独の組成から得られる硬化物又は重合物比較例2~12、19のSiエッチング選択比の数値よりも高いことから、耐エッチング性に優れていることが分かった。一方、表2に示されるように、光硬化性モノマーA単独、あるいは、光硬化性モノマーAと光硬化性モノマーBの化合物の割合が本発明以外の組成物、あるいは光硬化性モノマーBを2種類用いた組成物比較例1、13~16は、膜安定性が悪く、基板上に薄膜が良好に形成されないか、又はSiエッチング選択比が低かった。また、従来の組成物を使用する比較例17、18では、膜安定性が悪く、膜厚が大幅に減少するか、又はSiエッチング選択比が低かった。E:光インプリントによる微細構造体の作製以下、実施例24~27に光インプリントによる微細構造体の作製例を示す。微細構造体作製には透明樹脂モールドを使用した。具体的には、オプティス社製の商品名ZF-14フィルムに各種パターンのモールドを用いて、熱ナノインプリントにより微細パターンを転写した樹脂フィルムに表面処理を施したものを透明樹脂モールドとして使用した。まず、樹脂フィルム上に、微細パターンが形成された面が上記樹脂フィルムに接触するように各種金型を配置した。その後、SCIVAX社製の熱ナノインプリント装置VX-2000のプレスステージにセットした。その後、プレス板温度170°C、プレスステージ温度170°C、圧力1.5MPa、圧力保持時間60秒、冷却温度100°Cの条件で、上記樹脂フィルム熱可塑性樹脂1ZF-14に上記金型を押し付けて、インプリントを行った。その後脱圧して、プレスステージから取り出し、上記樹脂フィルムを上記金型から離型した。このようにして、上記金型の微細形状の反転形状が転写されたフィルムを得た。微細パターンが形成された樹脂フィルムに親水化処理を行った。親水化処理はUVオゾン処理を用いた。UVオゾン処理は、アイグラフィックス社製のUVオゾン洗浄装置OC-2506オゾン分解装置OCA-150L-D付きを使用し、低圧水銀灯を用い、オゾン存在下、照射距離10mm、UVオゾン処理時間300秒の条件で樹脂型にUV照射を行った。なお、UVオゾン洗浄装置内の排気時間は2分間とした。親水化処理後、樹脂型の表面である微細形状面UV照射面にダイキン社製の離型剤オプツールDSXを滴下してその全面に塗布した。その後、風乾させ、100°Cのホットプレート上で15分間ベークした。ベーク後、フッ素系溶剤デムナムソルベントダイキン社製で余分な離型剤を洗浄して除去することにより透明樹脂モールドを得た。実施例24に用いた透明樹脂モールドには高さ188nm、直径237nmの円形ピラーパターンが形成されている。実施例25、27に用いた透明樹脂モールドには深さ375nm、直径210nmの円形ホールパターンが形成されている。実施例26に用いた透明樹脂モールドには深さ1.0μm、直径5.0μmの六角形ホールパターンが形成されている。このパターンの直径は六角形の角の対角線の長さを表している。<実施例24>表4に記載の光インプリント用樹脂組成物を用い、以下の方法でSi基板上に微細構造体を形成した。樹脂組成物を表4に記載の条件で2インチSi基板上にスピンコートし、膜厚157nmの樹脂薄膜を得た。高さ188nm、直径237nmの円形ピラーパターンが形成されている透明樹脂モールドを微細パターンが形成された面が樹脂薄膜に接するように透明樹脂モールドを乗せた後、熱プレス機AH-1Tアズワン社製のプレスステージに乗せた。次に、プレス板温度常温、プレスステージ温度常温、2.2MPaの圧力で透明樹脂モールドを樹脂薄膜表面に押し付け10秒間保持し、パターンに樹脂を充填した。その後脱圧して、これらをプレスステージから取り出した。その後、透明樹脂モールド越しに波長365nmLEDランプにて照度20mW/cm2にて、43秒間、紫外線を照射照射量860mJ/cm2し、樹脂を硬化した。透明樹脂モールドを硬化樹脂表面より離型し、Si基板上に微細構造体を形成した。得られたSi基板上の微細構造体について、日本電子社製の電界放射型走査型電子顕微鏡FE-SEM型式JSM-6700Fを使用して、微細パターン形状を観察した。得られた微細構造体のSEM画像を図1に示す。<実施例25、27>表4に記載の光インプリント用樹脂組成物を用い、深さ375nm、直径210nmの円形ホールパターンが形成されている透明樹脂モールドを用いた以外は実施例24と同様の方法でSi基板上に微細構造体を形成した。得られた微細構造体のSEM画像を図2及び図4に示す。<実施例26>表4に記載の光インプリント用樹脂組成物を用い、深さ1.0μm、直径5.0μmの六角形ホールパターンが形成されている透明樹脂モールドを用いた以外は実施例24と同様の方法でSi基板上に微細構造体を形成した。得られた微細構造体のSEM画像を図3に示す。<比較例20>表4に記載の樹脂薄膜を用い、深さ375nm、直径210nmの円形ホールパターンが形成されている透明樹脂モールドを用いた以外は実施例24と同様の方法でSi基板上に微細構造体形成テストを実施した。F:微細構造体のパターン転写性評価実施例24~27、及び比較例20で得られたSi基板上の微細構造体について、UVインプリントにて透明樹脂モールドの微細パターンから離型できず、微細パターンがSi基板上から剥離、あるいは微細パターンが破損した面積の割合が5以下ものを転写性〇、微細パターンが破損し、モールドから樹脂が離型できず、5以上破損してしまったもの、又は微細形状が転写できず、微細構造が形成できなかったものを転写性×として評価し、表4に記載した。実施例24~27では、図1~図4SEM写真に示すように微細パターンが転写され、微細パターンの破損もほとんど無い事が分かり、転写性も良好であった。比較例20では微細パターンが全く転写できず、Poly薄膜にはUVNILによる微細パターン転写ができないことがわかった。"