"基材層、水酸基含有ポリマーを含むプライマー層、及びガスバリア層がこの順に積層されてなる成形体であって、前記ガスバリア層が、少なくとも、酸素原子及びケイ素原子を含む材料から構成され、その表層部における、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、酸素原子の存在割合が60~75、窒素原子の存在割合が0~10、ケイ素原子の存在割合が25~35であり、かつ、該表層部における膜密度が、2.4~4.0g/cm3である成形体。前記ガスバリア層が、ポリシラザン化合物を含む層にイオンが注入されて得られるものである請求項1に記載の成形体。前記水酸基含有ポリマーが、水酸基を含む繰り返し単位を、全繰り返し単位に対して10mol以上含有するものである請求項1又は2に記載の成形体。前記イオンが、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン及びクリプトンからなる群から選ばれる少なくとも一種のガスがイオン化されたものである請求項2又は3に記載の成形体。前記ガスバリア層が、ポリシラザン化合物を含む層に、プラズマイオン注入によりイオンが注入されて得られる層である請求項2~4のいずれかに記載の成形体。前記ポリシラザン化合物が、ペルヒドロポリシラザンである請求項2~5のいずれかに記載の成形体。40°C、相対湿度90雰囲気下での水蒸気透過率が0.10g/m2/day未満である請求項1~6のいずれかに記載の成形体。JISK7361-1に準拠した全光線透過率が90以上である請求項1~7のいずれかに記載の成形体。水酸基含有ポリマーを含むプライマー層が表面に形成された基材の、前記プライマー層上にポリシラザン化合物を含む層を形成する工程と、前記ポリシラザン化合物を含む層の表面部に、イオンを注入する工程を有する請求項2に記載の成形体の製造方法。水酸基含有ポリマーを含むプライマー層が表面に形成された基材の、前記プライマー層上にポリシラザン化合物を含む層を形成する工程と、該ポリシラザン化合物を含む層の表面部に、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン及びクリプトンからなる群から選ばれる少なくとも一種のガスをイオン注入する工程を有する請求項9に記載の成形体の製造方法。水酸基含有ポリマーを含むプライマー層が表面に形成された基材の、前記プライマー層上にポリシラザン化合物を含む層を形成する工程と、該ポリシラザン化合物を含む層の表面部に、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン及びクリプトンからなる群から選ばれる少なくとも一種のガスを、プラズマイオン注入法によりイオン注入する工程を有する請求項9に記載の成形体の製造方法。請求項1~8のいずれかに記載の成形体からなる電子デバイス用部材。請求項12に記載の電子デバイス用部材を備える電子デバイス。本発明は、上記した従来技術に鑑みてなされたものであり、ガスバリア性及び透明性に優れる成形体、その製造方法、この成形体からなる電子デバイス用部材、並びに、この電子デバイス用部材を備える電子デバイスを提供することを課題とする。本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、基材層、水酸基含有ポリマーを含むプライマー層、及び、ガスバリア層がこの順に積層されてなる成形体であって、前記ガスバリア層が、少なくとも、酸素原子及びケイ素原子を含む材料から構成され、その表層部における、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在割合、並びに膜密度が特定の値のものである成形体は、ガスバリア性及び透明性に優れることを見出した。また、並びに、基材層上に水酸基含有ポリマーを含むプライマー層を形成し、さらにその上にガスバリア層として、ポリシラザン化合物を含む層を形成した後、該ポリシラザン化合物を含む層に、イオンを注入することにより、ガスバリア性及び透明性に優れる成形体を簡便かつ効率よく製造することができることを見出し、本発明を完成するに至った。かくして本発明の第1によれば、下記1~8の成形体が提供される。1基材層、水酸基含有ポリマーを含むプライマー層、及びガスバリア層がこの順に積層されてなる成形体であって、前記ガスバリア層が、少なくとも、酸素原子及びケイ素原子を含む材料から構成され、その表層部における、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、酸素原子の存在割合が60~75、窒素原子の存在割合が0~10、ケイ素原子の存在割合が25~35であり、かつ、該表層部における膜密度が、2.4~4.0g/cm3である成形体。2前記ガスバリア層が、ポリシラザン化合物を含む層にイオンが注入されて得られるものである1に記載の成形体。3前記水酸基含有ポリマーが、水酸基を含む繰り返し単位を、全繰り返し単位に対して10mol以上含有するものである1又は2に記載の成形体。4前記イオンが、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン及びクリプトンからなる群から選ばれる少なくとも一種のガスがイオン化されたものである2又は3に記載の成形体。5前記ガスバリア層が、ポリシラザン化合物を含む層に、プラズマイオン注入によりイオンが注入されて得られる層である2~4のいずれかに記載の成形体。6前記ポリシラザン化合物が、ペルヒドロポリシラザンである2~5のいずれかに記載の成形体。740°C、相対湿度90雰囲気下での水蒸気透過率が0.10g/m2/day未満である1~6のいずれかに記載の成形体。8JISK7361-1に準拠した全光線透過率が90以上である1~7のいずれかに記載の成形体。本発明の第2によれば、下記9~11の成形体の製造方法が提供される。9水酸基含有ポリマーを含むプライマー層が表面に形成された基材の、前記プライマー層上にポリシラザン化合物を含む層を形成する工程と、前記ポリシラザン化合物を含む層の表面部に、イオンを注入する工程を有する2に記載の成形体の製造方法。10水酸基含有ポリマーを含むプライマー層が表面に形成された基材の、前記プライマー層上にポリシラザン化合物を含む層を形成する工程と、該ポリシラザン化合物を含む層の表面部に、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン及びクリプトンからなる群から選ばれる少なくとも一種のガスをイオン注入する工程を有する9に記載の成形体の製造方法。11水酸基含有ポリマーを含むプライマー層が表面に形成された基材の、前記プライマー層上にポリシラザン化合物を含む層を形成する工程と、該ポリシラザン化合物を含む層の表面部に、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン及びクリプトンからなる群から選ばれる少なくとも一種のガスを、プラズマイオン注入法によりイオン注入する工程を有する9に記載の成形体の製造方法。本発明の第3によれば、下記12の電子デバイス用部材が提供される。12前記1~8のいずれかに記載の成形体からなる電子デバイス用部材。本発明の第4によれば、下記13の電子デバイスが提供される。13前記12に記載の電子デバイス用部材を備える電子デバイス。本発明の成形体は、優れたガスバリア性能を有し、透明性が良好である。よって、本発明の成形体は、太陽電池、タッチパネル、電子ペーパー、ディスプレイ等の電子デバイス用部材として好適に用いることができる。本発明の製造方法によれば、優れたガスバリア性を有する本発明の成形体を安全に簡便に製造することができる。また、無機膜成膜に比して低コストにて容易に大面積化を図ることができる。本発明の電子デバイス用部材は、優れたガスバリア性と透明性を有するため、タッチパネル、電子ペーパー、有機無機ELのフレキシブルディスプレイ、太陽電池等の電子デバイス等に好適に用いることができる。以下、本発明を、1成形体、2成形体の製造法、並びに、3電子デバイス用部材及び電子デバイスに項分けして詳細に説明する。1成形体本発明の成形体は、基材層、水酸基含有ポリマーを含むプライマー層、及び、ガスバリア層がこの順に積層されてなる成形体であって、前記ガスバリア層が、少なくとも、酸素原子及びケイ素原子を含む材料から構成され、その表層部における、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、酸素原子の存在割合が60~75、窒素原子の存在割合が0~10、ケイ素原子の存在割合が25~35であり、かつ、該表層部における膜密度が、2.4~4.0g/cm3であることを特徴とする。基材層本発明の成形体は、基材層を有する。該基材層の素材としては、ポリシラザン化合物以外であって、成形体の目的に合致するものであれば特に制限されない。例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、アクリル系樹脂、シクロオレフィン系ポリマー、芳香族系重合体等が挙げられる。これらの中でも、透明性に優れ、汎用性があることから、ポリエステル、ポリアミド、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート又はシクロオレフィン系ポリマーが好ましく、ポリエステル又はシクロオレフィン系ポリマーがより好ましい。ポリエステルとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアリレート等が挙げられる。ポリアミドとしては、全芳香族ポリアミド、ナイロン6、ナイロン66、ナイロン共重合体等が挙げられる。シクロオレフィン系ポリマーとしては、ノルボルネン系重合体、単環の環状オレフィン系重合体、環状共役ジエン系重合体、ビニル脂環式炭化水素重合体、及びこれらの水素化物が挙げられる。その具体例としては、アペル三井化学社製のエチレン-シクロオレフィン共重合体、アートンJSR社製のノルボルネン系重合体、ゼオノア日本ゼオン社製のノルボルネン系重合体等が挙げられる。基材層の厚みとしては、特に限定されず、成形体の目的に合わせて決定すればよいが、通常0.5~500μm、好ましくは1~100μmである。水酸基含有ポリマーを含むプライマー層本発明の成形体は、水酸基含有ポリマーを含むプライマー層以下、単にプライマー層ということがある。を、前記基材層と後述するガスバリア層との間に有する。かかるプライマー層を形成することで、後述するように、基材層とガスバリア層との密着性を高め、かつ、ポリシラザン化合物を含む層にイオンを注入してガスバリア層を形成する場合において、イオンがポリシラザン化合物を含む層を通過し、基材層へイオンが注入されて基材層が着色するのを防止することができる。前記プライマー層は、水酸基含有ポリマーを、重量比で30以上含むのが好ましく、50以上含むのがより好ましい。水酸基含有ポリマーとしては、水酸基を含有するポリマーであれば特に制限されないが、水酸基を有する繰り返し単位を繰り返し単位全体に対して10mol以上含有するものであるのが好ましく、50mol以上含有するものがより好ましい。水酸基の含有量がこの範囲であれば、基材層とガスバリア層との層間密着性が向上させることができる。水酸基含有ポリマーの具体例としては、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール、エチレンビニルアルコール共重合体等のポリビニルアルコール系ポリマー;アクリルポリオール、ポリエステルポリオール、ポリエーテルポリオール等のポリオール系ポリマー;ポリ2-ヒドロキシエチルメタクリレート等の水酸基含有アクリル系ポリマー;セルロース等のセルロース系ポリマー;等が挙げられる。これらの中でも、成形体の透明性の低下をより効果的に防止する観点などから、ポリビニルアルコール系ポリマーが好ましく、ポリビニルアルコールがより好ましい。また、ポリビニルアルコールは、ポリ酢酸ビニルが部分的にケン化されてなるケン化物であってもよく、完全にケン化されてなるものでもよい。ポリビニルアルコールのケン化度は80以上であるのが好ましい。また、ポリビニルブチラールやポリビニルアセタールは、ポリビニルアルコールをアセタール化やケタール化したものであり、水酸基を上記の範囲の量が残存するように反応したものが好ましい。水酸基含有ポリマーの数平均分子量は、200~1,000,000であるのが好ましく、300~800,000であるのがより好ましく、1,000~20,000がさらに好ましい。水酸基含有ポリマーを含むプライマー層は、例えば、水酸基含有ポリマーを適当な溶剤に溶解又は分散してなるプライマー層形成用溶液を基材層上に塗付し、得られた塗膜を乾燥させ、所望により加熱することより形成することができる。プライマー層形成用溶液としては、市販品例えば、日本合成化学工業社製、ゴーセノールGL-03等をそのまま用いてもよい。プライマー層形成用溶液を基材層に塗付する方法としては、通常の湿式コーティング方法を用いることができる。例えばディッピング法、ロールコート、グラビアコート、ナイフコート、エアナイフコート、ロールナイフコート、ダイコート、スクリーン印刷法、スプレーコート、グラビアオフセット法等が挙げられる。プライマー層形成用溶液の塗膜を乾燥する方法としては、熱風乾燥、熱ロール乾燥、赤外線照射等、従来公知の乾燥方法が採用できる。プライマー層の厚みは、通常1~1000nm、好ましくは10~100nmである。ガスバリア層本発明の成形体は、前記基材層上に形成されたプライマー層の上にさらにガスバリア層を有する。該ガスバリア層は、下記のa~cを特徴とする。a少なくとも、酸素原子及びケイ素原子を含む材料から構成されてなる。b表層部における、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、酸素原子の存在割合が60~75、好ましくは、60~72、より好ましくは、63~70、窒素原子の存在割合が0~10、好ましくは、0.1~8、より好ましくは、0.1~6、ケイ素原子の存在割合が25~35、好ましくは27~35、より好ましくは、29~32である。c表層部における膜密度が、2.4~4.0g/cm3である。前記ガスバリア層の表層部とは、ガスバリア層の表面、及び該表面から深さ方向に5nmまでの領域をいう。また、ガスバリア層の表面とは他層との境界面の場合も含む意であり、前述するプライマー層とは逆の面である。表層部における、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在割合は、実施例において説明する方法で測定される。膜密度は、X線反射率法XRRを用いて算出することができる。X線は、基板上の薄膜に対して非常に浅い角度で入射させると全反射される。入射X線の角度が全反射臨界角以上になると、薄膜内部にX線が侵入し薄膜表面や界面で透過波と反射波に分かれ、反射波は干渉する。全反射臨界角を解析することで、膜の密度を求めることができる。なお、入射角度を変えながら測定を行い、光路差の変化に伴う反射波の干渉信号の解析から、薄膜の膜厚も求めることができる。膜密度は、以下の方法で測定することができる。一般に、X線に対する物質の屈折率n、及び屈折率nの実部部分のδは、以下の式1及び式2をみたすことが知られている。ここで、reは電子の古典半径2.818×10-15mを、N0はアボガドロ数を、λはX線の波長を、ρは密度g/cm3を、Zi、Mi、xiは、それぞれi番目の原子の原子番号、原子量及び原子数比モル比を、fi’はi番目の原子の原子散乱因子異常分散項を表す。また、全反射臨界角度θcは、吸収に関係するβを無視すると、式3で与えられる。従って、式2及び式3の関係から、密度ρは式4で求めることができる。ここで、θcはX線反射率より求めることのできる値であり、re、N0、λは定数であり、Zi、Mi、fi’はそれぞれ構成原子に固有の値となる。なお、xi:原子数比モル比に関しては、XPS測定から得られた結果を用いる。ガスバリア層の表層部における膜密度は、実施例において説明する方法で測定し、式4を用いて得られる。本発明において、ガスバリア層の厚みは、特に制限されないが、通常20nmから100μm、好ましくは30~500nm、より好ましくは40~200nmである。本発明においては、ガスバリア層がナノオーダーであっても、充分なガスバリア性能を有する成形体を得ることができる。また、本発明のガスバリア層は、ポリシラザン化合物を含む層以下、ポリシラザン層ということがある。に、イオンが注入されて得られる層以下、イオン注入層ということがある。であってもよい。前記イオン注入層は、上記a~cの要件を満たすものであることが好ましい。本発明に用いるポリシラザン化合物は、分子内に、-Si-N-結合を含む繰り返し単位を有する高分子である。具体的には、式1で表される繰り返し単位を有する化合物が挙げられる。式1中、nは任意の自然数を表す。Rx、Ry、Rzは、それぞれ独立して、水素原子、無置換若しくは置換基を有するアルキル基、無置換若しくは置換基を有するシクロアルキル基、無置換若しくは置換基を有するアルケニル基、無置換若しくは置換基を有するアリール基又はアルキルシリル基等の非加水分解性基を表す。前記無置換若しくは置換基を有するアルキル基のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、n-へキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基等の炭素数1~10のアルキル基が挙げられる。無置換若しくは置換基を有するシクロアルキル基のシクロアルキル基としては、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロへプチル基等の炭素数3~10のシクロアルキル基が挙げられる。無置換若しくは置換基を有するアルケニル基のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、1-ブテニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基等の炭素数2~10のアルケニル基が挙げられる。前記アルキル基、シクロアルキル基及びアルケニル基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子;ヒドロキシル基;チオール基;エポキシ基;グリシドキシ基;メタアクリロイルオキシ基;フェニル基、4-メチルフェニル基、4-クロロフェニル基等の無置換若しくは置換基を有するアリール基;等が挙げられる。無置換又は置換基を有するアリール基のアリール基としては、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基等の炭素数6~10のアリール基が挙げられる。前記アリール基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子;メチル基、エチル基等の炭素数1~6のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基等の炭素数1~6のアルコキシ基;ニトロ基;シアノ基;ヒドロキシル基;チオール基;エポキシ基;グリシドキシ基;メタアクリロイルオキシ基;フェニル基、4-メチルフェニル基、4-クロロフェニル基等の無置換若しくは置換基を有するアリール基;等が挙げられる。アルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリt-ブチルシリル基、t-ブチルジメチルシリル基、メチルジエチルシリル基、ジメチルシリル基、ジエチルシリル基、メチルシリル基、エチルシリル基等が挙げられる。これらの中でも、Rx、Ry、Rzとしては、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、又はフェニル基が好ましく、水素原子が特に好ましい。前記式1で表される繰り返し単位を有するポリシラザン化合物としては、Rx、Ry、Rzが全て水素原子である無機ポリシラザン、Rx、Ry、Rzの少なくとも1つが水素原子ではない有機ポリシラザンのいずれであってもよい。無機ポリシラザンとしては、下記式中、aは任意の自然数を表す。で表される繰り返し単位を有する直鎖状構造を有し、690~2000の分子量を持ち、一分子中に3~10個のSiH3基を有するペルヒドロポリシラザン特公昭63-16325号公報、式A式中、b、cは任意の自然数を表し、Y1は、水素原子又は式B式中、dは任意の自然数を表し、は結合位置を表し、Y2は水素原子、又は前記Bで表される基を表す。で表される基を表す。で表される繰り返し単位を有する、直鎖状構造と分岐構造を有するペルヒドロポリシラザン、式Cで表されるペルヒドロポリシラザン構造を有する、分子内に、直鎖状構造、分岐構造及び環状構造を有するペルヒドロポリシラザン等が挙げられる。有機ポリシラザンとしては、i-Rx’SiHNH-Rx’は、無置換若しくは置換基を有するアルキル基、無置換若しくは置換基を有するシクロアルキル基、無置換若しくは置換基を有するアルケニル基、無置換若しくは置換基を有するアリール基、又はアルキルシリル基を表す。以下のRx’も同様である。を繰り返し単位として、主として重合度が3~5の環状構造を有するもの、ii-Rx’SiHNRz’-Rz’は、無置換若しくは置換基を有するアルキル基、無置換若しくは置換基を有するシクロアルキル基、無置換若しくは置換基を有するアルケニル基、無置換若しくは置換基を有するアリール基、又はアルキルシリル基を表す。を繰り返し単位として、主として重合度が3~5の環状構造を有するもの、iii-Rx’Ry’SiNH-Ry’は、無置換若しくは置換基を有するアルキル基、無置換若しくは置換基を有するシクロアルキル基、無置換若しくは置換基を有するアルケニル基、無置換若しくは置換基を有するアリール基、又はアルキルシリル基を表す。を繰り返し単位として、主として重合度が3~5の環状構造を有するもの、iv下記式で表される構造を分子内に有するポリオルガノヒドロシラザン、v下記式Rx’、Ry’は前記と同じ意味を表し、e、fは任意の自然数を表し、Y3は、水素原子又は式E式中、gは任意の自然数を表し、は結合位置を表し、Y4は水素原子、又は前記Eで表される基を表す。で表される基を表す。で表される繰り返し構造を有するポリシラザン等が挙げられる。上記有機ポリシラザンは、従来公知の方法により製造することができる。例えば、下記式2で表される無置換若しくは置換基を有するハロゲノシラン化合物と2級アミンとの反応生成物に、アンモニア又は1級アミンを反応させることにより得ることができる。式2中、mは2又は3を表し、Xはハロゲン原子を表し、R1は、前述した、Rx、Ry、Rz、Rx’、Ry’、Rz’のいずれかの置換基を表す。用いる2級アミン、アンモニア及び1級アミンは、目的とするポリシラザン化合物の構造に応じて、適宜選択すればよい。また、本発明においては、ポリシラザン化合物として、ポリシラザン変性物を用いることもできる。ポリシラザン変性物としては、例えば、金属原子該金属原子は架橋をなしていてもよい。を含むポリメタロシラザン、繰り返し単位がSiH2gNHh及びSiH2iO式中、g、h、iはそれぞれ独立して、1、2又は3である。で表されるポリシロキサザン特開昭62-195024号公報、ポリシラザンにボロン化合物を反応させて製造するポリボロシラザン特開平2-84437号公報、ポリシラザンとメタルアルコキシドとを反応させて製造するポリメタロシラザン特開昭63-81122号公報等、無機シラザン高重合体や改質ポリシラザン特開平1-138108号公報等、ポリシラザンに有機成分を導入した共重合シラザン特開平2-175726号公報等、ポリシラザンにセラミックス化を促進するための触媒的化合物を付加又は添加した低温セラミックス化ポリシラザン特開平5-238827号公報等、ケイ素アルコキシド付加ポリシラザン特開平5-238827号公報、グリシドール付加ポリシラザン特開平6-122852号公報、アセチルアセトナト錯体付加ポリシラザン特開平6-306329号公報、金属カルボン酸塩付加ポリシラザン特開平6-299118号公報等、上記ポリシラザン又はその変性物に、アミン類及び/又は酸類を添加してなるポリシラザン組成物特開平9-31333号公報、ペルヒドロポリシラザンにメタノール等のアルコール或いはヘキサメチルジシラザンを末端N原子に付加して得られる変性ポリシラザン特開平5-345826号公報、特開平4-63833号公報等が挙げられる。これらの中でも、本発明において用いるポリシラザン化合物としては、Rx、Ry、Rzが全て水素原子である無機ポリシラザン、Rx、Ry、Rzの少なくとも1つが水素原子ではない有機ポリシラザンが好ましく、入手容易性及び優れたガスバリア性を有する注入層を形成できる観点から、無機ポリシラザンがより好ましい。用いるポリシラザン化合物の数平均分子量は、特に限定されないが、100~50,000であるのが好ましい。さらに、本発明においては、ポリシラザン化合物は、ガラスコーティング材等として市販されている市販品をそのまま使用することができる。ポリシラザン層は、ポリシラザン化合物の他に、本発明の目的を阻害しない範囲で他の成分を含んでいてもよい。他の成分としては、硬化剤、他の高分子、老化防止剤、光安定剤、難燃剤等が挙げられる。ポリシラザン層中の、ポリシラザン化合物の含有量は、優れたガスバリア性を有するイオン注入層を形成できる観点から、50重量以上であるのが好ましく、70重量以上であるのがより好ましい。ポリシラザン層を形成する方法としては、特に制約はなく、例えば、ポリシラザン化合物の少なくとも一種、所望により他の成分、及び溶剤等を含有する層形成用溶液を、前記プライマー層の上に塗布し、得られた塗膜を適度に乾燥して形成する方法が挙げられる。塗工装置としては、スピンコーター、ナイフコーター、グラビアコーター等の公知の装置を使用することができる。得られた塗膜の乾燥、成形体のガスバリア性向上のため、塗膜を加熱することが好ましい。加熱は80~150°Cで、数十秒から数十分行う。また、ポリシラザン層は、ジメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン、ヘキサメチルジシラザンなどの、プラズマ重合性シラザン化合物のガスを、プラスチック成形体と接触させて、プラズマ重合処理を施すことによって形成することもできる特開平9-143289号公報。本発明において、形成されるポリシラザン層の厚みは、特に制限されないが、通常20nmから100μm、好ましくは30~500nm、より好ましくは40~200nmである。本発明においては、ポリシラザン層がナノオーダーであっても、充分なガスバリア性能を有する成形体を得ることができる。ポリシラザン層がプライマー層上に形成されると、図1aに示すように、ポリシラザン層30とプライマー層20との境界部において、ポリシラザン化合物と、水酸基含有ポリマーが有する水酸基とが反応してできた反応生成物の層40が形成されると考えられる。図1bに示すように、この層40は、ポリシラザン層30にイオンを注入して、図1cに示すような、イオンが注入される領域60を有するイオン注入層ガスバリア層50aが形成された成形体100aを得る場合において、イオンがポリシラザン層30を通過して、基材層10の表面に注入されることを阻止する役割を果たす。すなわち、ポリシラザン層30とプライマー層20の境界部において、ポリシラザン層30のポリシラザン化合物と、プライマー層20中の水酸基含有ポリマーの水酸基が反応し、前記反応生成物の層40として、SiO2等のごとく分子内に-Si-O-結合を有する化合物の層が形成されると考えられる。この形成された分子内に-Si-O-結合を有する化合物の層の存在により、ポリサラザン層30にイオンを注入する工程において、基材層10へのイオン注入が阻止され、基材層10が炭化されることがない。よって、基材層10の着色を防ぐことができ、結果として、成形体の透明性が低下しない。反応生成物の層40は、実施例において説明する方法を用いて、ポリシラザン層30とプライマー層20の境界部における、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在割合を測定することで確認することができる。本発明の成形体において、イオン注入層は、ポリシラザン化合物の少なくとも一種を含む層であって、該層中にイオンが注入されてなるものであれば特に制約はない。イオンの注入量は、形成する成形体の使用目的必要なガスバリア性、透明性等等に合わせて適宜決定すればよい。注入されるイオンとしては、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノンなどの希ガス、フルオロカーボン、水素、窒素、酸素、二酸化炭素、塩素、フッ素、硫黄等のイオン;金、銀、銅、白金、ニッケル、パラジウム、クロム、チタン、モリブデン、ニオブ、タンタル、タングステン、アルミニウム等の金属のイオン;等が挙げられる。なかでも、より簡便に注入することができ、特に優れたガスバリア性と透明性を有するイオン注入層が得られることから、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン及びクリプトンからなる群から選ばれる少なくとも一種のイオンが好ましい。イオンの注入量は、形成する成形体の使用目的必要なガスバリア性、透明性等等に合わせて適宜決定すればよい。イオンを注入する方法は特に限定されず、例えば、ポリシラザン層を形成した後、該ポリシラザン層にイオンを注入する方法が挙げられる。イオンを注入する方法としては、電界により加速されたイオンイオンビームを照射する方法、プラズマ中のイオンを注入する方法等が挙げられる。なかでも、本発明においては、簡便にガスバリア性の成形体が得られることから、後者のプラズマイオンを注入する方法が好ましい。プラズマイオン注入は、例えば、希ガス等のプラズマ生成ガスを含む雰囲気下でプラズマを発生させ、ポリシラザン層に負の高電圧パルスを印加することにより、該プラズマ中のイオン陽イオンを、ポリシラザン層の表面部に注入して行うことができる。イオン注入により、イオンが注入される領域の厚みは、イオンの種類や印加電圧、処理時間等の注入条件により制御することができ、ポリシラザン層の厚み、成形体の使用目的等に応じて決定すればよいが、通常、10~1000nmである。イオンが注入されたことは、X線光電子分光分析XPSを用いて表面から10nm付近の元素分析測定を行うことによって確認することができる。成形体本発明の成形体100bの層構成断面図を図2に示す。図2中、10は基材層、20はプライマー層、50bはガスバリア層である。本発明の成形体100bは、水酸基を含有するポリマーを含むプライマー層20が基材層10とガスバリア層50bとの間に形成されているので、基材層10とガスバリア層50bとの密着性に優れ、かつ、ガスバリア性及び透明性にも優れる成形体となっている。本発明の成形体は、図2に示す層構成を有するものに限定されず、さらに他の層が配置されたものであってもよい。他の層は、1種又は同種又は異種の2層以上であってもよい。他の層としては、無機化合物層、衝撃吸収層、導電体層等が挙げられる。無機化合物層は、無機化合物の一種又は二種以上からなる層である。無機化合物層を設けることで、ガスバリア性をさらに向上させることができる。無機化合物としては、一般的に真空成膜可能で、ガスバリア性を有するもの、例えば無機酸化物、無機窒化物、無機炭化物、無機硫化物、これらの複合体である無機酸化窒化物、無機酸化炭化物、無機窒化炭化物、無機酸化窒化炭化物等が挙げられる。無機化合物層の厚みは、通常10~1000nm、好ましくは20~500nm、より好ましくは20~100nmの範囲である。衝撃吸収層は、ガスバリア層に衝撃が加わった時に、ガスバリア層を保護するためのものである。衝撃吸収層を形成する素材は、特に限定されないが、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコーン系樹脂、オレフィン系樹脂、ゴム系材料等が挙げられる。また、粘着剤、コート剤、封止剤等として市販されているものを使用することもでき、特に、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ゴム系粘着剤等の粘着剤が好ましい。衝撃吸収層の形成方法としては特に制限はなく、例えば、前記ポリシラザン化合物を含む層の形成方法と同様に、前記衝撃吸収層を形成する素材粘着剤等、及び、所望により、溶剤等の他の成分を含む衝撃吸収層形成溶液を、積層すべき層上に塗布し、得られた塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱等して形成する方法が挙げられる。また、別途、剥離基材上に衝撃吸収層を成膜し、得られた膜を、積層すべき層上に転写して積層してもよい。衝撃吸収層の厚みは、通常1~100μm、好ましくは5~50μmである。導電体層は、本発明の成形体が電極等として使用される場合や、帯電防止性能を付与する場合に、導電性を持たせるためのものである。導電体層を構成する材料としては、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物等が挙げられる。具体的には、アンチモンをドープした酸化スズATO;フッ素をドープした酸化スズFTO;酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズITO、酸化亜鉛インジウムIZO等の半導電性金属酸化物;金、銀、クロム、ニッケル等の金属;これら金属と導電性金属酸化物との混合物;ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質;ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の有機導電性材料;等が挙げられる。導電体層の形成方法としては特に制限はない。例えば、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、熱CVD法、プラズマCVD法等が挙げられる。導電体層の厚さはその用途等に応じて適宜選択すればよい。通常10nmから50μm、好ましくは20nmから20μmである。本発明の成形体が他の層を含む場合、プライマー層とガスバリア層が隣接している限り、他の層の配置位置は特に限定されない。本発明の成形体の形状としては、フィルム状またはシート状が好ましい。本発明の成形体の形状がフィルム状またはシート状の場合、厚みは、目的とする電子デバイスの用途によって適宜決定することができる。本発明の成形体は、優れたガスバリア性と透明性を有する。本発明の成形体が優れたガスバリア性を有していることは、本発明の成形体の水蒸気等のガスの透過率が、非常に小さいことから確認することができる。例えば、水蒸気透過率は、40°C、相対湿度90雰囲気下で、0.10g/m2/day未満が好ましく、0.05g/m2/day以下がより好ましい。なお、成形体の水蒸気等の透過率は、公知のガス透過率測定装置を使用して測定することができる。本発明の成形体が優れた透明性を有していることは、本発明の成形体の全光線透過率や可視光線透過率が高いことから確認することができる。例えば、JISK7361-1に準拠した全光線透過率は90以上であることが好ましい。可視光線透過率は波長550nmにおける透過率であり、90以上が好ましい。成形体の全光線透過率及び可視光線透過率は、公知の測定装置を使用して測定することができる。2成形体の製造方法本発明の成形体の製造方法は、水酸基含有ポリマーを含むプライマー層が表面に形成された基材の、前記プライマー層上にポリシラザン化合物を含む層を形成する工程と、前記ポリシラザン化合物を含む層の表面部に、イオンを注入する工程を有することを特徴とする。水酸基含有ポリマーを含むプライマー層が表面に形成された基材の、前記プライマー層上にポリシラザン層を形成する方法としては、特に制約されないが、前述の、基材層上にプライマー層を形成する方法によりプライマー層を形成した後、得られたプライマー層上に、前述の、ポリシラザン層を形成する方法によりポリシラザン層を形成する方法が好ましく例示される。本発明の成形体の製造方法においては、基材層上に水酸基含有ポリマーを含むプライマー層が形成され、さらにその上にポリシラザン層が形成された長尺状の成形物を、一定方向に搬送しながら、前記ポリシラザン層の表面部に、イオンを注入して成形体を製造するのが好ましい。この製造方法によれば、例えば、長尺状の成形物を巻き出しロールから巻き出し、それを一定方向に搬送しながらイオンを注入し、巻き取りロールで巻き取ることができるので、イオンが注入されて得られる成形体を連続的に製造することができる。長尺状の成形物は、ポリシラザン層が表面部に形成され、かつ、プライマー層とポリシラザン層が隣接していれば、他の層を含むものであってもよい。他の層としては、上述したものと同様のものが挙げられる。成形物の厚さは、巻き出し、巻き取り及び搬送の操作性の観点から、1μm~500μmが好ましく、5μm~300μmがより好ましい。ポリシラザン層に、イオンを注入する方法は、特に限定されない。なかでも、プラズマイオン注入法により前記層の表面部にイオン注入層を形成する方法が特に好ましい。プラズマイオン注入法は、プラズマ中に曝した、ポリシラザン層を表面に有する成形物に、負の高電圧パルスを印加することにより、プラズマ中のイオンを前記層の表面部に注入してイオン注入層を形成する方法である。プラズマイオン注入法としては、A外部電界を用いて発生させたプラズマ中に存在するイオンを、前記層の表面部に注入する方法、又はB外部電界を用いることなく、前記層に印加する負の高電圧パルスによる電界のみで発生させたプラズマ中に存在するイオンを、前記層の表面部に注入する方法が好ましい。前記Aの方法においては、イオン注入する際の圧力プラズマイオン注入時の圧力を0.01~1Paとすることが好ましい。プラズマイオン注入時の圧力がこのような範囲にあるときに、簡便にかつ効率よく均一なイオン注入層を形成することができ、透明性、ガスバリア性を兼ね備えたイオン注入層を効率よく形成することができる。前記Bの方法は、減圧度を高くする必要がなく、処理操作が簡便であり、処理時間も大幅に短縮することができる。また、前記層全体にわたって均一に処理することができ、負の高電圧パルス印加時にプラズマ中のイオンを高エネルギーで層の表面部に連続的に注入することができる。さらに、radiofrequency高周波、以下、RFと略す。や、マイクロ波等の高周波電力源等の特別の他の手段を要することなく、層に負の高電圧パルスを印加するだけで、層の表面部に良質のイオン注入層を均一に形成することができる。前記A及びBのいずれの方法においても、負の高電圧パルスを印加するとき、すなわちイオン注入するときのパルス幅は、1~15μsecであるのが好ましい。パルス幅がこのような範囲にあるときに、透明で均一なイオン注入層をより簡便にかつ効率よく形成することができる。また、プラズマを発生させるときの印加電圧は、好ましくは-1kV~-50kV、より好ましくは-1kV~-30kV、特に好ましくは-5kV~-20kVである。印加電圧が-1kVより大きい値でイオン注入を行うと、イオン注入量ドーズ量が不十分となり、所望の性能が得られない。一方、-50kVより小さい値でイオン注入を行うと、イオン注入時に成形体が帯電し、また成形体への着色等の不具合が生じ、好ましくない。プラズマイオン注入するイオン種は、上述した通りである。より簡便にイオン注入することができ、透明で優れたガスバリア性を有する成形体を効率良く製造することができることから、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトンが好ましく、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウムがより好ましい。ポリシラザン層の表面部にプラズマ中のイオンを注入する際には、プラズマイオン注入装置を用いる。プラズマイオン注入装置としては、具体的には、αポリシラザン層以下、イオン注入する層ということがある。に負の高電圧パルスを印加するフィードスルーに高周波電力を重畳してイオン注入する層の周囲を均等にプラズマで囲み、プラズマ中のイオンを誘引、注入、衝突、堆積させる装置特開2001-26887号公報、βチャンバー内にアンテナを設け、高周波電力を与えてプラズマを発生させてイオン注入する層周囲にプラズマが到達後、イオン注入する層に正と負のパルスを交互に印加することで、正のパルスでプラズマ中の電子を誘引衝突させてイオン注入する層を加熱し、パルス定数を制御して温度制御を行いつつ、負のパルスを印加してプラズマ中のイオンを誘引、注入させる装置特開2001-156013号公報、γマイクロ波等の高周波電力源等の外部電界を用いてプラズマを発生させ、高電圧パルスを印加してプラズマ中のイオンを誘引、注入させるプラズマイオン注入装置、δ外部電界を用いることなく高電圧パルスの印加により発生する電界のみで発生するプラズマ中のイオンを注入するプラズマイオン注入装置等が挙げられる。これらの中でも、処理操作が簡便であり、処理時間も大幅に短縮でき、連続使用に適していることから、γ又はδのプラズマイオン注入装置を用いるのが好ましい。以下、前記γ及びδのプラズマイオン注入装置を用いる方法については、国際公開WO2010/021326号公報に記載のものが挙げられる。前記γ及びδのプラズマイオン注入装置では、プラズマを発生させるプラズマ発生手段を高電圧パルス電源によって兼用しているため、RFやマイクロ波等の高周波電力源等の特別の他の手段を要することなく、負の高電圧パルスを印加するだけで、プラズマを発生させ、ポリシラザン層の表面部にプラズマ中のイオンを注入し、イオン注入層を連続的に形成し、イオン注入層が形成された成形体を量産することができる。3電子デバイス用部材及び電子デバイス本発明の電子デバイス用部材は、本発明の成形体からなることを特徴とする。従って、本発明の電子デバイス用部材は、優れたガスバリア性を有しているので、水蒸気等のガスによる素子の劣化を防ぐことができる。また、光の透過性が高いので、電子ペーパー、タッチパネル、ディスプレイ、太陽電池等の電子デバイス用部材等として好適である。本発明の電子デバイスは、本発明の電子デバイス用部材を備える。具体例としては、タッチパネル、液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ、無機ELディスプレイ、電子ペーパー、太陽電池等が挙げられる。本発明の電子デバイスは、本発明の成形体からなる電子デバイス用部材を備えているので、優れたガスバリア性と透明性を有する。以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。但し、本発明は、以下の実施例になんら限定されるものではない。用いたX線光電子分光測定装置、X線反射率法による膜密度測定方法、プラズマイオン注入装置、水蒸気透過率測定装置と測定条件、酸素透過率測定装置と測定条件、全光線透過率測定装置、可視光線透過率測定装置は以下の通りである。なお、用いたプラズマイオン注入装置は外部電界を用いてイオン注入する装置である。X線光電子分光測定装置下記に示す測定条件にて、ガスバリア層の表層部における酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在割合の測定を行った。測定装置:PHIQuanteraSXMアルバックファイ社製X線源:AlKαX線ビーム径:100μm電力値:25W電圧:15kV取り出し角度:45°真空度:5.0×10-8Paスパッタリング条件スパッタリングガス:アルゴン引加電圧:-4kVX線反射率法による膜密度の測定方法ガスバリア層の表層部における膜密度は、下記に示す測定条件にてX線の反射率を測定して全反射臨界角度θcを求め、その値から算出した。測定装置と測定条件は以下の通りである。測定装置:薄膜評価用試料水平型X線回折装置SmartLab、リガク社製測定条件:X線源;Cu-Kα1波長:1.54059Å光学系;並行ビーム光学系入射側スリット系;Ge2202結晶、高さ制限スリット5mm、入射スリット0.05mm受光側スリット系;受光スリット0.10mm、ソーラースリット5°検出器;シンチレーションカウンター管電圧管電流;45kV-200mA走査軸;2θ/θ走査モード;連続スキャン走査範囲;0.1-3.0deg.走査速度;1deg./min.サンプリング間隔;0.002°/stepなお、原子数比xiは、X線光電子分光測定により得られたガスバリア層の表層部における酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在割合を用いた。プラズマイオン注入装置RF電源:日本電子社製、型番号RF56000高電圧パルス電源:栗田製作所社製、PV-3-HSHV-0835水蒸気透過率の測定水蒸気透過率測定装置:mocon社製、PERMATRAN-W3/33測定条件:相対湿度90、40°C酸素透過率の測定酸素透過率測定装置:mocon社製、OX-TRAN2/21測定条件:相対湿度60、23°C全光線透過率の測定全光線透過率測定装置:日本電色工業社製、NDH2000を用いて、JISK7361-1に準拠して全光線透過率を測定した。可視光線透過率の測定紫外可視近赤外分光透過率計:島津製作所社製、UV3600を用いて、可視光線透過率を測定した。測定条件:波長550nmプライマー層の形成に、次のものを用いた。樹脂A:ポリビニルアルコールを主成分とするゴーセノールGL-03日本合成化学工業社製、水酸基を含む繰り返し単位:86.5-89.0mol樹脂B:ポリビニルアルコールを主成分とするゴーセノールLW-300日本合成化学工業社製、水酸基を含む繰り返し単位:53.0~60.0mol樹脂C:エチレン/ビニルアルコール27/73mol共重合体エバールL-104Bクラレ社製、水酸基を含む繰り返し単位:73mol樹脂D:水酸基を含む繰り返し単位を含まないものとして、ポリウレタンアクリラート系UV硬化型樹脂化合物を主成分とする樹脂東洋紡社製、商品名バイロンUR1350をメチルエチルケトン溶媒に溶解した溶液固形分重量比8樹脂E:ポリビニルアセタール樹脂エスレックKS-10積水化学工業社製、水酸基を含む繰り返し単位:25molポリシラザン層形成用組成物としては、次のものを用いた。ペルヒドロポリシラザンを主成分とするコーティング剤アクアミカNL110-20クラリアントジャパン社製実施例1基材層としてのポリエチレンテレフタレートフィルム東レ社製、商品名PET25T-61M、厚さ25μm、以下、PETフィルムという。に、プライマー層として、樹脂Aの水溶液をプライマー層形成用溶液として、乾燥後の厚みが45nmとなるようにスピンコートで塗布し、得られた塗膜を120°Cで2分間加熱し、プライマー層を形成した。その後、得られたプライマー層上に、樹脂Eのコーティング液をスピンコート法により乾燥後の厚みが45nmとなるように塗布し、得られた塗膜を120°Cで2分間加熱して、PETフィルム上にプライマー層厚さ45nmと、ポリシラザン層厚さ45nmを形成し、プラズマイオン注入装置を用いてポリシラザン層の表面に、アルゴンArをプラズマイオン注入してガスバリア層を形成し、成形体1を作製した。プラズマイオン注入の条件を以下に示す。ガス流量:100sccmDuty比:0.5繰り返し周波数:1000Hz印加電圧:-10kVRF電源:周波数13.56MHz、印加電力1000Wチャンバー内圧:0.2Paパルス幅:5μsec処理時間イオン注入時間:5分間搬送速度:0.2m/分実施例2実施例1において、樹脂Aの代わりに樹脂Bを用いた以外は、実施例1と同様にして成形体2を得た。実施例3実施例1において、樹脂Aの水溶液の代わりに、樹脂Cをメチルスルホキシドに溶解させた溶液を用いた以外は、実施例1と同様にして成形体3を得た。実施例4実施例1において、樹脂Aの水溶液の代わりに、樹脂Eをトルエン/酢酸エチル=:容積比混合液に溶解させた溶液を用いた以外は、実施例1と同様にして成形体4を得た。比較例1イオン注入を行わない以外は、実施例1と同様にして成形体を作製した。すなわち、PETフィルム上にプライマー層、さらにポリシラザン層を形成し、成形体1rとした。比較例2プライマー層上にポリシラザン層を形成しない以外は、実施例1と同様にして成形体を作製した。すなわち、PETフィルム上に形成したプライマー層の表面にアルゴンをプラズマイオン注入して成形体2rとした。比較例3PETフィルム上にプライマー層を形成しない以外は、実施例1と同様にして成形体を作製した。すなわち、PETフィルム上にポリシラザン層を形成し、該ポリシラザン層の表面にアルゴンをプラズマイオン注入してガスバリア層を形成し、成形体3rとした。比較例4実施例1において、樹脂Aの水溶液の代わりに、樹脂Dをメチルエチルケトン/シクロヘキサン=1:1容積比混合液に溶解させた溶液を用いて、乾燥後の厚みが45nmとなるようにスピンコートで塗布し、120°Cで2分間加熱し、UV光照射ラインを用いて、UV光照射高圧水銀灯、ライン速度:20m/分、積算光量100mJ/cm2、ピーク強度1.466W、パス回数2回を行ない、プライマー層を形成した以外は、実施例1と同様にして成形体4rを得た。比較例5PETフィルムそのものを成形体5rとした。実施例1~3及び比較例2~4において、X線光電子分光測定装置を用いて、X線光電子分光分析XPSにより、表面から10nm付近の元素分析測定を行うことにより、イオンが注入されたことを確認した。下記第1表に、各実施例、比較例において用いたプライマー層等形成用樹脂の種類、形成されたプライマー層等の厚み、ポリシラザン層形成用組成物の種類、形成されたポリシラザン層の厚み、イオン注入の有無をまとめて記載する。実施例1、及び比較例4で得られた成形体1、4rの、XPSによる元素分析測定による、ガスバリア層の表面から深さ方向に50nm程度の領域における酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在割合の分析結果を図3、4にそれぞれ示す。図3、4において、縦軸は、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在量の合計を100とした場合の原子の存在割合を表し、横軸はスパッタリングの積算時間SputterTime、分を表す。スパッタリングの条件は一定であるので、スパッタリングの積算時間SputterTimeは、ガスバリア層の表面からの深さに対応する。また、実施例1、及び比較例4で得られた成形体1、4rの、XPSによる元素分析測定による、酸素原子、窒素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在割合の分析結果を図5、6にそれぞれ示す。図5、6において、縦軸は、酸素原子、窒素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在量の合計を100とした場合の原子の存在割合を表し、横軸はスパッタリングの積算時間SputterTime、分を表す。スパッタリングの条件は一定であるので、スパッタリングの積算時間SputterTimeは、ガスバリア層の表面からの深さに対応する。図5と図6あるいは図3と図4の比較から、ガスバリア層表面からある一定の深さ50nm程度までスパッタリングするのに要するスパッタリングの積算時間は、比較例4図4、図6よりも、実施例1図3、図5の方が長いことが分かる。スパッタリングの積算時間が長いほど、スパッタリングがし難い、つまり層が硬いということを示す。実施例1図3、図5で得られた成形体においては、ガスバリア層表面からある一定の深さ50nm程度の領域において、ケイ素原子と酸素原子からなる、スパッタリングがし難い領域硬い層が存在するということが分かる。これは、プライマー層として水酸基含有ポリマーを含む実施例1の成形体1は、ガスバリア層とプライマー層との境界部において、ポリシラザン化合物と、水酸基含有ポリマーが有する水酸基とが反応してできた反応生成物の層が存在し、この層が存在することにより、成形体1のスパッタリングの積算時間が長くなったと考えられる。また、実施例1~4、及び比較例1、3、4で得られた成形体1~4、1r、3r、4rにつき、ガスバリア層の表層部の酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在割合、膜密度を測定した。また、実施例1~4、及び比較例1~5で得られた成形体1~4、1r~5rにつき、全光線透過率、可視光線透過率、酸素透過率、並びに水蒸気透過率を測定した。測定結果を下記第2表に示す。第2表から、水酸基含有ポリマーを含むプライマー層と、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、酸素原子の存在割合が60~75、窒素原子の存在割合が0~10、ケイ素原子の存在割合が25~35であり、かつ、膜密度が、2.4~4.0g/cm3のガスバリア層を有する実施例の成形体1~4は、プライマー層を有しない比較例3の成形体3r、及びプライマー層として水酸基含有ポリマーを含まない比較例4の成形体4rに比して、全光線透過率及び可視光線透過率が高く、基材層が着色もしておらず、透明性に優れていることがわかる。また、実施例の成形体1~4は、比較例の成形体1r~5rに比して、酸素透過率、水蒸気透過率が小さく、高いガスバリア性を有することがわかる。"