"一対の研削砥石と、そこに静水圧を有する一対の静水圧パッドとの間にウエハを保持する種類の両面研削盤を用いて半導体ウエハを処理する方法であって、研削盤が、研削盤によって引き込まれた電流を検出するパターン検出ソフトウェアを含むプロセッサを含んでおり、該方法が:ウエハをクランプする工程と、ウエハを研削しおよびウエハを研削砥石との接触から引き離す工程と、各々の工程を検出するソフトウェアを使用しおよび各々の工程における静水圧を変えて、ウエハに適用されるクランプ圧力を変え、従って、処理したウエハにおけるナノトポロジーを改善する工程と、という複数の工程を含む、方法。流れ制御弁を通過する流速を変えることによって、静水圧を変える、請求項1に記載の方法。パターン検出ソフトウェアが、各々の工程を検出するように、研削盤によって引き込まれた電流を測定する、請求項1に記載の方法。研削工程の間において、静水圧を低下することを更に含む、請求項1に記載の方法。研削工程の間において、静水圧を上昇することを更に含む、請求項1に記載の方法。研削操作の間に、一対の研削砥石と一対の静水圧パッドとの間にウエハを保持する種類の両面研削盤を用いて半導体ウエハを処理する方法であって、該方法が:研削操作の第1工程の間において、静水圧パッド内の第1静水圧を実現してウエハを初めにクランプし、研削操作の第2工程でウエハを研削する間において、第1圧力よりも低い第2静水圧まで静水圧を低下し、および研削操作の第3工程の間において、第3静水圧まで静水圧を上昇してウエハをクランプし、および従って、処理したウエハにおけるナノトポロジーを改善することを含む、方法。第3静水圧が、第1静水圧と実質的に等しい、請求項6に記載の方法。ウエハを研削する間において、研削砥石によってウエハを実質的にクランプする、請求項6に記載の方法。静水圧を、流れ制御弁の使用によって変える、請求項6に記載の方法。ウエハを、実質的に垂直な平面で保持する、請求項6に記載の方法。両面研削盤の研削砥石によって使用される電流量を測定することを更に含む、請求項6に記載の方法。両面研削盤の研削砥石によって使用される、測定された電流量に基づいて、研削操作の工程を決めることを更に含む、請求項11に記載の方法。測定された電流が残留状態から初期状態まで増加する場合に、研削操作の工程が第1工程であると決めることを更に含む、請求項12に記載の方法。測定された電流がそのピークレベルである場合に、研削操作の工程が第2工程であると決めることを更に含む、請求項12に記載の方法。測定された電流がそのピークレベルから減少する場合に、研削操作の工程が第3工程であると決めることを更に含む、請求項14に記載の方法。一対の研削砥石と、プロセッサと、一対の静水圧パッドとを含む両面研削盤であって、研削砥石と静水圧パッドとが、研削砥石同士の間に配置されているウエハ第1部分および静水圧パッド同士の間に配置されているウエハ第2部分と、ほぼ平坦なウエハとを同一平面で保持するように作動でき、静水圧パッドが、静水圧を維持するようにそこを通過して流れる水を含み、研削盤が、パッドを通過する水の流速を制御しおよび従って静水圧を制御するための流れ制御弁を更に含み、流れ制御弁が、プロセッサによって制御される、両面研削盤。プロセッサが、研削プロセスの様々な工程を検出するためのパターン検出ソフトウェアを含んでおり、該プロセッサが、パターン検出ソフトウェアによって検出される工程に応じて、流れ制御弁を通過する水の流速を制御するように作動できる、請求項16に記載の研削盤。プロセッサが、研削砥石によって使用される電流量を測定するように作動する、請求項17に記載の研削盤。研削砥石によって使用される、測定された電気量に基づいて、パターン検出ソフトウェアが、工程を検出する、請求項18に記載の研削盤。パターン検出ソフトウェアが研削プロセスの研削工程を検出した場合に、プロセッサが、弁を通過する水の流速を増加するように流れ制御弁を制御する、請求項19に記載の研削盤。同時両面研削は、同時にウエハの両面上で作動し、および高度に平坦化された表面を有するウエハをもたらす。従って、望ましい研削プロセスである。これを達成するように使用できる両面研削盤は、KoyoMachineIndustriesCo.,Ltdによって製造されている研削盤を含む。これらの研削盤は、研削中に半導体ウエハを保持するようにウエハ-クランプデバイスを用いる。クランプデバイスは、典型的には、一対の静水圧パッドと一対の研削砥石とを含む。パッドおよび砥石は、その間に垂直方向にウエハを保持するように、向かい合った関係で方向付けられている。研削中において、静水圧パッドは、強固なパッドがウエハと物理的に接触しない状態でウエハを保持するために、個々のパッドとウエハ表面の間に流体バリアを好都合的に形成する。これは、物理的にクランプすることにより生じ得るウエハに対する損傷を軽減し、およびより少ない摩擦を伴って、パッド表面に対して接線方向にウエハを移動回転することを可能にする。この研削プロセスは、研削したウエハ表面の平坦性および平行性を顕著に改善するが、それは、また、ウエハ表面のトポロジーおよびナノトポロジーNTを悪化または劣化、degradationさせる可能性がある。悪いナノトポロジーは、後の研磨CMP処理において、不均一な酸化層除去をもたらす。これは、IC製造者のようなウエハ使用者に対して実質的な収率の損失をもたらし得る。IC製造者は、ナノメートルのプロセス技術へと向かっていくので、ナノトポロジーに関する許容誤差は、更に厳しくなると予測されている。デバイスおよび半導体材料の製造者は、トポロジー悪化の課題を特定および対処するようにウエハ表面のナノトポロジーを考慮する。ナノトポロジーは、約0.2mm~約20mmの空間波長内におけるウエハ表面のずれまたは誤差、deviationとして規定されている。この空間波長は、処理された半導体ウエハのためのナノメートルスケールにおける表面特性に非常に密接に対応する。前記の規定は、SemiconductorEquipmentandMaterialsInternationalSEMI、半導体産業のための世界取引協会SEMIdocument3089によって提案されている。ナノトポロジーは、ウエハの1つの表面の高さのずれを測定し、および従来の平坦性の測定と同様に、ウエハの厚さ変化を考慮しない。複数の計測学の方法は、これらの種類の表面変化を検出および記録するように開発されている。例えば、入射光から反射した光の測定誤差は、非常に小さな表面変化を検出できる。これらの方法は、波長におけるピークバレーPV変化を測定するのに用いられる。両面研削は、仕上げたウエハについてのナノトポロジーNTを支配する1つのプロセスである。C-マーク一般に、中心から0mm~50mmの半径以内におけるPV値とB-リング一般に、中心の100mm~150mmの半径以内におけるPV値のようなNT欠陥は、研削プロセスの間において形を成し、および実質的な収率の損失をもたらし得る。これらは、NTに起因して実質的な収率の損失が生じる2つの欠陥である。NTに起因して損失が生じる第3の欠陥は、線鋸スライスの間においてウエハ上に形成される入口マークである。両面研削は、研削砥石がウエハに対して好都合的に方向付けられる場合に、入口マークを潜在的に減少できる。現在実行する上では、KobelcoSBW330のようなキャパシタンスツールを用いて、研削後に即座にウエハのゆがみおよびTTVを測定し、次いで、Wafercomのようなレーザーベースツールを用いて、ウエハをエッチングおよび測定する。この後に、ウエハは、縁の研磨、両面研磨および仕上研磨のような様々な仕上段階または最終段階、downstreamのプロセスを経て、およびナノマッパーによってNTを検査する前に、平坦性および縁の欠陥のための測定を行う。NTを制御する現在の方法は、研削盤を調整することによって課題を解決しようと試みるが、これらの解決策は、NT悪化の原因を満足のいくように対処しない。NT悪化の少なくとも1つの原因は、パッドの静水圧プロファイルと、入れたウエハとの間の相互作用により影響されるクランプ状態であると考えられる。ウエハを研削盤に入れた後に、ウエハの向かい合う面上のパッドにより生じる静水圧によってウエハをクランプする。ウエハは、入るウエハの形状と静水圧パッドの静水圧プロファイルとの間の相互作用に基づいて初めのクランプ状態で弾性的に変形し得る。砥石がウエハと接触し始めた後に、顕著な量の材料を取り除かずに砥石がウエハを掴もうと試みる時間帯がある。この時間帯において、ウエハは、砥石の傾きおよびシャフトと、初めのクランプ状態との間の相互作用に依存して更なる弾性変形を受ける。安定状態を達成すると、砥石はウエハを研削し始め、ウエハから材料を取り除く。安定状態で材料が取り除かれるので、ウエハのNTは、砥石と安定状態のウエハとの間の幾何学的な相互作用の関数であると考えられる。所定量の材料を取り除いた後に、砥石は格納しまたは引っ込み、retract、およびウエハの弾性変形は反転する。砥石が格納した後の弾性変形の反転は、さらにNTを悪化させる。NT悪化に対する2つの原因-砥石と安定状態のウエハとの間の幾何学的な相互作用と、弾性変形の反転-の組み合わせ影響を制御することは困難である。従来の取組みは、ウエハの弾性変形から生じるNT悪化を制御する際に不満足な結果をもたらす。従来技術の両面研削盤の典型的なウエハ-クランプデバイス1’は、図1および2に概略的に示される。研削砥石9’および静水圧パッド11’は、互いに独立してウエハWを保持する。それらは、クランプ平面71’および73’を別個に規定する。ウエハWに対する研削砥石9’のクランプ圧力は、砥石の回転軸67’に集中するまたは中心になる、centeredが、ウエハに対する静水圧パッド11’のクランプ圧力は、ウエハの中心WCの近くに集中する。研削中にクランプ平面71’および73’が同時に保持される限り図1、ウエハは、平面で維持されすなわち、曲がらない、および砥石9’によって均一に研削される。クランプ平面の調整を考慮する一般的な記述は、米国特許第6,652,358号に見出すことができる。しかしながら、2つの平面71’および73’が整列されていない場合に、研削砥石9’および静水圧パッド11’のクランプ圧力は、ウエハW内において曲げモーメント、または静水圧クランプモーメントをもたらし、曲げモーメント、または静水圧クランプモーメントは、ウエハを、研削砥石開口39’の周囲縁41’にほぼ隣接して鋭く曲げ得る図2。これは、ウエハW内において、高度に局所的な応力領域を形成する。両面研削操作の間において、クランプ平面71’および73’の不整列は一般的であり、および静水圧パッド11’に対する研削砥石9’の動作によって大抵もたらされる図2。不整列の起こり得るモードは、図2および3に概略的に示される。これらは、3つの別のモードの組み合わせを含む。第1モードでは、研削砥石の回転軸67’に沿った移動に際して、静水圧パッド11’に対する研削砥石9’の横方向の移動Sがある図2。第2モードは、別個の研削砥石の中心を通過する水平軸Xのまわりの砥石9’の垂直方向の傾きVTによって特徴付けられる図2および3。図2は、第1モードと第2モードの組み合わせを示す。第3モードでは、別個の研削砥石の中心を通過する垂直軸Yのまわりの砥石9’の水平方向の傾きHTがある。これらのモードは、概念を説明するように図面でかなり誇張されている;実際の不整列は、相対的に小さくてよい。加えて、左の砥石の水平方向の傾きHTが右の砥石のそれと異なってよいように、各々の砥石9’は、その他とは独立して移動することができ、および均等物は、2つの砥石の垂直方向の傾きVTに当てはまる。クランプ平面71’および73’の不整列によって生じる静水圧クランプモーメントの大きさは、静水圧パッド11’の設計に関係する。例えば、ウエハWの更に広い領域をクランプするパッド11’例えば、広い加工表面積を有するパッドによって、パッドによるクランプの中心が研削砥石の回転軸67’から離れるように相対的に大きい距離をあけて配置されているパッドによって、ウエハに対して高い静水圧パッドクランプ力を及ぼすすなわち、ウエハを非常に強固に保持するパッドによって、またはこれらの特徴の組み合わせを示すパッドによって、一般的に、更に高いモーメントが生じる。従来パッド11’を用いるクランプデバイス1’従来のパッドの1つの例は、図4に示されるにおいて、ウエハW内の曲げモーメントは、クランプ平面71’および73’が不整列になる場合に相対的に大きい。なぜなら、ウエハは、研削砥石開口39’の近くの周囲縁41’を含むパッド11’によって、非常にきつくおよび強固にクランプされるからである。ウエハは、研削砥石9’の動作を調整できず、およびウエハは、開口縁41’の近くで鋭く曲がる図2。ウエハWは、均一に研削されず、およびそれらは、次のプロセス例えば、研磨によって除去できない望ましくないナノトポロジー特徴を開発する。クランプ平面71’および73’の不整列は、また、研削砥石9’を不均一に磨耗する可能性があり、および更に、研削したウエハWにおける望ましくないナノトポロジー特徴の開発の一因となる可能性がある。図5Aおよび5Bは、クランプ平面71’および73’が不整列であり、およびウエハが研削操作の間に曲がる場合に、研削したウエハWの表面上に形成できる望ましくないナノトポロジー特徴を示す。特徴は、中心マークC-マーク77’およびB-リング79’を含む図5A。中心マークC-マーク77’は、一般に、横方向の移動Sと、研削砥石9’の垂直方向の傾きVTとの組み合わせによって、もたらされるが、B-リング79’は、一般に、横方向の移動Sと、砥石の水平方向の傾きHTとの組み合わせによってもたらされる。図5Bに示されるように、両方の特徴77’および79’は、それらに付随した相対的に大きいピークバレー変化を有する。従って、それらは、悪いウエハナノトポロジーを示すためであり、および小型回路をウエハ表面上にプリントする能力に顕著に影響を及ぼし得る。この部分は、本発明の様々な態様に関し得る技術の様々な態様を読み手に紹介することが意図されており、以下に記載および/または主張される。この記載は、本発明の様々な態様のより良い理解を促進するのに、背景情報を読み手に提供する際に有益であると考えられる。従って、これらの記述は、この認識で読まれるべきであり、および従来技術の承認admissionとしてではないと理解すべきである。1つの態様は、一対の研削砥石と、そこに静水圧を有する一対の静水圧パッドとの間にウエハを保持する種類の両面研削盤を用いて半導体ウエハを処理する方法であって、研削盤が、研削盤によって引き込まれた電流を検出するパターン検出ソフトウェアを含むプロセッサを含む。当該方法は、ウエハをクランプする工程と、ウエハを研削しおよびウエハを研削砥石との接触から引き離す工程と、各々の工程を検出するソフトウェアを使用しおよび各々の工程における静水圧を変えて、ウエハに適用されるクランプ圧力を変え、従って、処理したウエハにおけるナノトポロジーを改善する工程と、という複数の工程を含む。別の態様は、一対の研削砥石と一対の静水圧パッドとの間にウエハを保持する種類の両面研削盤を用いて半導体ウエハを処理する方法である。当該方法は、研削操作の第1工程の間に、静水圧パッド内の第1静水圧を実現してウエハを初めにクランプすることを含む。研削操作の第2工程において、ウエハ研削の間に第1圧力よりも低い第2静水圧まで静水圧を減少させる。研削操作の第3工程間において第3静水圧まで静水圧を増加させて、ウエハをクランプし、および従って処理されたウエハにおいてナノトポロジーを改善する。まだ別の態様は、一対の研削砥石と、プロセッサと、一対の静水圧パッドとを含む両面研削盤である。研削砥石と静水圧パッドは、研削砥石同士の間に配置されているウエハ第1部分および静水圧パッド同士の間に配置されているウエハ第2部分と、ほぼ平坦なウエハとを同一平面で保持するように作動できる。静水圧パッドは、静水圧を維持するようにそこを通過して流れる水を含む。研削盤は、パッドを通過する水の流速または流量、flowrateを制御しおよび従って静水圧を制御するための流れ制御弁を更に含む。流れ制御弁は、プロセッサによって制御される。様々な強化は、上述した態様に対して記載される特徴が存在する。更なる特徴は、同様に、上述した態様に組み込まれ得る。これらの強化および付加的な特徴は、個々にまたは任意の組み合わせが存在し得る。例えば、任意の示される実施形態に対して以下に示される様々な特徴は、任意の上述した態様に、単独でまたは任意の組み合わせで組み込まれ得る。図を再び参照すると、図6および7は、一般に参照符号1で表される本発明に係るウエハ-クランプデバイスを概略的に示す。クランプデバイスは、一般に図6の参照符号3で表される両面研削盤内で用いることがでる。ウエハ-クランプデバイス1を用いることができる両面研削盤の例は、KoyoMachineIndustriesCo.,Ltdによって製造されるモデルDXSG320およびモデルDXSG300Aを含む。ウエハ-クランプデバイス1は、ウエハの両表面を同時に均一に研削できるように、研削盤3内における垂直位置において、単一の半導体ウエハ一般に加工片を保持しており、該半導体ウエハは、一般に図面のWで表される。これは、研磨および回路プリント工程の前に、ウエハの表面の平坦性および平行性を改善する。研削盤は、本発明の技術的範囲から逸脱せずに、半導体ウエハ以外の加工片を保持するクランプデバイスを有してよいことを理解されたい。図6および7にも示されるように、ウエハ-クランプデバイス1は、一般に参照符号9a、9bによって別個に表される左右の研削砥石、および一般に参照符号11a、11bによって別個に表される左右の静水圧パッドを含む。左右の指定は、ただ記載を簡易にするためになされており、および砥石9a、9bとパッド11a、11bのいかなる特定の方向をも要求しない。文字aおよびbは、左の砥石9aと左のパッド11aとの部分を、右の砥石9bと右のパッド11bとのそれらと区別するのに用いる。研削砥石9a、9bと静水圧パッド11a、11bは、当業者に既知である手段によって研削盤3に取り付けられる。従来から知られているように、2つの研削砥石9a、9bは、実質的に同じであり、および各々の砥石は、ほぼ平坦である。図6および7に示すように、研削砥石9a、9bは、一般に、ウエハの下側中心に向かって、ウエハWとの係合部を研削するために置かれている。各々の砥石9a、9bの周囲は、ウエハの底において、ウエハWの周囲より下に延在しており、およびウエハの中心において、ウエハの中心軸WCより上に延在している。これは、各々のウエハWの表面積全体を操作中に研削することを確実にする。加えて、研削砥石9a、9bの少なくとも1つは、その対にされた研削砥石に対して移動できる。これは、研削盤3のクランプデバイス1内の研削砥石9a、9bの間の位置に半導体ウエハWを入れることを容易にする。説明されるクランプデバイス1においても、左の静水圧パッド11aは、半導体ウエハWをデバイス1内に入れることを更に容易にするように、対応する左の研削砥石9aに対して移動でき、および固定されて維持される右の静水圧パッド11bに対しても移動できる。両方のパッドが、対応する研削砥石に対して移動できるウエハ-クランプデバイス、またはウエハを入れる間に両方のパッドを固定するウエハ-クランプデバイス、またはウエハを入れる間に静水圧パッドおよび対応する研削砥石が一体に移動するウエハ-クランプデバイスは、本発明の技術的範囲から逸脱しない。図6および7に示されるウエハ-クランプデバイス1をまた参照すると、研削操作の間において、ウエハ-クランプデバイスの2つの研削砥石9a、9bおよび静水圧パッド11a、11bは、その間に半導体ウエハWを保持するために向かい合った関係で配置されている。研削砥石9a、9bおよび静水圧パッド11a、11bは、垂直なクランプ平面71、73を別個に規定し、およびその垂直な位置においてウエハを保持するのを支援する、ウエハWに対するクランプ圧力を生み出す。これは、以下に更に詳細に記載される。図6をとりわけ参照すると、静水圧パッド11a、11bは、操作の間に固定して維持されるが、一般に参照符号14によって表されるドライブリングは、パッドおよび研削砥石9a、9bに対して回転するようにウエハWを動かす。従来から知られているように、ドライブリング14の戻り止めdetentまたはクーポン15は、一般に、その中心軸WCのまわりに回転するようにウエハを移動するように、ウエハの周囲に形成されている切欠きN図6において破線によって示されるにおいてウエハWと係合する中心軸WCは、パッド11a、11bの水平軸44a、44bにほぼ対応する図8および12を参照されたい。同時に、研削砥石9a、9bは、ウエハWと係合し、および互いに反対の方向に回転する。砥石9a、9bの1つは、ウエハWと同じ方向に回転し、およびその他は、ウエハとは反対の方向に回転する。以後、図8~13Bを参照すると、本発明の静水圧パッド11a、11bは、更に詳細に示される。図8~11は、左の静水圧パッド11aを示し、および図12~13Bは、向かい合った右の静水圧パッド11bを示す。図示されるように、2つのパッド11a、11bは、実質的に同じであり、および互いにほぼ鏡像である。従って、左のパッド11aは、右のパッド11bについての記述と同じであると理解されるそれにより示されるだけである。図8~9Bに示すように、左の静水圧パッド11aは、形状が大抵薄くおよび円形であり、ならびに処理されるウエハWに類似した寸法を有する。ウエハWは、この関係を示すように、図9Aおよび9Bに実線ではない線で示される。説明される静水圧パッド11aは、操作の間に、約36.5cm14.4inの直径と、約900cm2139.5in2のウエハWに面した加工表面積を有する。従って、それは、例えば、約300mmの直径を有する標準的なウエハを研削するのに用いることができる。とはいえ、静水圧パッドは、本発明の技術的範囲から逸脱せずに、異なる直径と表面積を有することを理解すべきである。例えば、パッドは、200mmのウエハを研削して用いるために縮小したスケールの寸法にできる。図8および9Aから最もよくわかるように、静水圧パッド11aの体17aは、研削操作の間においてウエハWに接触して向かい合ったウエハ側面19aを含む。ウエハ側面19aに形成されている6つの静水圧ポケット21a、23a、25a、27a、29a、31aは、それぞれ、パッド11aの研削砥石開口一般に参照符号39によって示されるのまわりにほぼ半径方向に配置されている。ウエハ側面19aに向かい合うパッド体17aの後面35aは、ほぼ平坦であり、および静水圧ポケットが無いが、本発明の技術的範囲から逸脱せずにポケットを含んでよい。加えて、6つより多いまたは少ない静水圧ポケット、例えば、4つのポケットを有する静水圧パッドは、本発明の技術的範囲から逸脱しない。6つの静水圧ポケット21a、23a、25a、27a、29a、31aは、それぞれ、アーチ形状であり、およびパッド11aのまわりにほぼ環状方向に延在している。それぞれのポケット21a、23a、25a、27a、29a、31aは、ウエハ側面19aの高くなった表面32aにおいて凹んでおり、およびそれぞれは、相対的に平坦な垂直側壁37aと、まわりの周囲の角を含む。ポケットは、パッド11aの面19a内に対して、浅いキャビティを切断または成型csstingすることによって形成されている。異なるプロセスによって形成されている静水圧ポケットは、本発明の技術的範囲から逸脱しない。図8および9Aをまた参照すると、各々の対のポケット21aと23a、25aと27a、および29aと31aは、実質的に同じ寸法および形状にされることがわかる。更に、説明されるパッド11aでは、ポケット21aおよび23aは、それぞれ、約14.38cm22.23in2の表面積を有し;ポケット25aおよび27aは、それぞれ、約27.22cm24.22in2の表面積を有する;およびポケット29aおよび31aは、それぞれ、約36.18cm25.61in2の表面積を有する。パッドの全ポケット表面積11aは、約155.56cm224.11in2であり、全ポケット表面積のパッド加工表面積に対する割合は、約0.17である。この割合は、0.17以外であってもよく、それでも、本発明の技術的範囲内にある。例えば、割合は、約0.26以下であってよい。従来のパッド11’図4と比較すると、ポケット21’、23’の各々の表面積は、約31.82cm24.93in2であり;ポケット25’、27’の各々の表面積は、約36.47cm25.65in2であり;およびポケット29’、31’の各々の表面積は、約47.89cm27.42in2である。従来のパッド11’の全ポケット表面積は、約232.36cm236.02in2であり、および全ポケット表面積に対するパッド加工表面積の割合は、約0.26であるパッド11’の加工表面積は、約900cm2139.5in2である。ポケット21aと23a、25aと27a、および29aと31aは、別個に、ウエハ側面19aの向かい合った半分で対称的に配置されているパッド11aの垂直軸43aによって分離するように。ポケット21a、23aは、パッド11aの水平軸44aよりもほぼ下にあるが、ポケット25a、27a、29a、31aは、軸44aよりもほぼ上にある。ポケット29a、31aは、ポケット25a、27aよりほぼ上にあり、および研削砥石開口39aに隣接して配置されていないが、その間に配置されているポケット25a、27aを有する開口から分離されている。このポケットの方向において、全ポケット表面積の約15は、水平軸44aより下に位置する。このパーセントは、本発明の技術的範囲から逸脱せずに23以下であり得る。従来のパッド11’と比較して、全ポケット表面積の少なくとも約24は、パッドの水平軸44’より下に位置する。軸44’より下における増加したポケット面積は、研削砥石開口39’の面に向かって、パッド11’によってウエハ上に適用されるクランプ力を増加させ、およびB-リング形成の一因となることを理解すべきである。図8および9Aは、円形の研削砥石開口39aを示し、該開口39aは、静水圧パッド11aの体17aの下側部分に形成されており、ならびにパッドを通過しおよびウエハWの下側中心と係合する研削砥石9aを収容する寸法および形状にされている研削砥石およびウエハは、図9Aにおいて実線ではない線で示される。開口39aの中心は、開口に収容される場合に、研削砥石9aおよび9bの回転軸67にほぼ対応する。説明されるパッド11aでは、研削砥石開口39aの半径R1は、約87mmであり、および研削砥石9aの周囲縁と、研削砥石開口の半径方向に向かい合う端41aとの間の距離は、相対的に均一であり、およびおおむね約5mm0.20inである。これらの距離は、本発明の技術的範囲から逸脱せずに異なってよい。図示するように、パッド11aの高くなった表面32aは、各々のポケット21a、23a、25a、27a、29a、31aの周辺を囲むように延在しており同一の広がりを有するcoextensive水平域34aを含む。参照符号36aによってそれぞれ表される排水チャンネルは、ポケット21a、23a、25a、27a、29a、31aの各々の水平域34aの間の高くなった表面32aに形成されている。おおよそ三日月形の自由領域60aは、研削砥石開口の周囲縁41aと、ポケット21a、23a、25a、27aの水平域34aの内側部分の縁38aとの間における高くなった表面上で凹んでいる。ウエハWに対するクランプ力は、自由領域60aにおいて効果的にゼロである。これらの特徴を以下に更に説明する。図10を参照すると、静水圧ポケット21a、23a、25a、27a、29a、31aは、それぞれ、流体をポケットに導入するための流体注入ポート61aを含む。パッド体17a内のチャンネル63a隠れた線によって示されるは、流体注入ポート61aと相互作用し、および流体を、外部流体源図示せずからポケットに供給する。研削中に流体パッド面19aではなくがウエハWと接触するように、操作中に、比較的一定の圧力下で、流体をポケット21a、23a、25a、27a、29a、31aに送り込む。この様式で、ポケット21a、23a、25a、27a、29a、31aの流体は、パッドクランプ平面73内で垂直方向にウエハWを保持し図6および7を参照されたい、更に、潤滑化したベアリング領域、または滑るバリアを提供して、研削中に、非常に低い摩擦抵抗を伴って、パッド11aおよび11bに対してウエハWを回転できる。パッド11aのクランプ力は、主に、ポケット21a、23a、25a、27a、29a、31aに加えられる。図11は、パッド11aのウエハ側面19aの左半分を更に詳細に参照し、ポケット21a、25a、29aの方向を示す。半径距離RD1、RD2およびRD3は、別個に、研削砥石の開口の中心からポケット21a、25aおよび29aの最も近い垂直側壁37aの周囲縁の場所を示し最も近い垂直側壁37aは、研削砥石開口39aの縁41aに最も近い垂直側壁のことを言う、研削砥石開口の中心は、研削砥石の回転軸67に理想的に対応する。図示するように、距離RD1は、ポケット21aの最も近い垂直側壁37aのまわりにおいて一定ではなく、ポケット21aの底末端は、頂末端よりも開口39aからもっと遠い。詳細には、距離RD1は、ポケットの底末端に向かって約104mm4.1in~頂末端に向かって約112mm4.4inの範囲であるこれらの値は、ポケット23aと同じである。半径距離RD2およびRD3は、別個に、ポケット25aおよび29aの最も近い垂直壁37aに対して相対的に一定であり、RD2が約113mm4.4inの値を有し、およびRD3が約165mm6.5inの値を有するこれらの値は、別個に、ポケット27a、31aと同じである。本発明の技術的範囲から逸脱せずに、半径距離RD1は一定であってよく、および半径距離RD2およびRD3は一定でなくてよい。図11は、また、研削砥石の回転軸67から、ポケット21a、25aの水平域34aの半径方向に最も内側の縁38aまで半径方向に測定した半径距離RD11を示す。縁38aは、ゼロ圧力無の領域60aの末端または境界を規定する。図示するように、半径距離RD11は、縁38aに対して一定ではなく、および説明されるパッド11aでは、垂直軸43の近くにおいて約108mm4.25in~ポケット21aの底末端の近くにおいて約87mm3.43inの範囲である縁38aは、研削砥石の開口縁41aと一体化している。研削砥石9aの周囲縁開口39aに収容される場合にから、縁38aの半径方向に向かい合った最も内側部分まで行われる場合のこれらの同じの測定は、垂直軸43aの近くにおいて約26mm1.02in~ポケット21aの底末端の近くにおいて約5mm0.20inの範囲であり、および約0.30~約0.057の範囲である、研削砥石開口39aの半径R1に対する割合を形成する。比較すると、従来の静水圧パッド11’図4において対応する距離は一定である。なぜなら、高くなった表面32’の最も内側の周囲縁38’は、研削砥石の開口縁41’と一致するからであるすなわち、従来のパッド11’内にゼロ圧力無の領域がない。このパッド11’では、半径距離RD11’は、約87mm3.43inであり、および研削砥石9’の周囲縁から縁38’までの同じ測定は、約5mm0.20inである。本発明の静水圧パッド11aおよび11bは、従来の静水圧パッド11’と比較して少なくとも以下の好都合な特徴を有する。全静水圧ポケット表面積を減少する。これは、ウエハWにおけるパッドにより適用される全体のクランプ力を効果的に減少する。なぜなら、操作中に静水圧ポケット21a、23a、25a、27a、29a、31a、21b、23b、25b、27b、29b、31bに収容される流体量が減少するからである。加えて、水平軸44aより低いポケット表面積は減少する。これは、研削砥石の開口の左および右の面39a、39bにおいてクランプ力をとりわけ低くする。更に、内側ポケット21a、23a、25a、27a、21b、23b、25b、27bは、その間に形成されているゼロ圧力の自由領域60a、60bを有する研削砥石開口縁41a、41bから離れる。これは、研削砥石開口39a、39bの縁41a、41bのまわりのクランプ力をとりわけ低くする。それらが、研削砥石9a、9bの動作を移動および/または傾かせるように、更に容易に一致できるように、ウエハWを、研削操作の間において静水圧パッド11a、11bによってより少なく強固に保持する。これは、研削砥石9a、9bが移動する場合に形成される静水圧クランプモーメントの大きさを減少するすなわち、ウエハの曲げ領域においてより小さい応力を形成する。加えて、ウエハWを、研削砥石開口縁41aに隣接してきつく保持しない。砥石は、移動するが従来の研削デバイスのように鋭くない場合に、ウエハWは、研削砥石開口縁41aに隣接して曲がる可能性がある。従って、静水圧パッド11aおよび11bは、ウエハWの表面に亘る更に均一な研削を促進し、および研削したウエハの、B-リングおよび中心-マークC-マークの形成のようなナノトポロジー悪化を減少または除去する。これは、図5Aと14を比較することによってわかる。図5Aは、従来の静水圧パッド11’を用いて研削されたウエハWを示すが、図14は、本発明のパッド11aおよび11bを用いて研削されたウエハWを示す。図14に示されるウエハは、B-リングおよび中心-マークC-マークが実質的にない。図15A~19は、本発明のパッド11aおよび11bによって、および従来のパッド11’によって保持されているウエハW内の応力を示す。図15Aおよび15Bは、研削砥石および静水圧パッドのクランプ平面を調整する場合に、これらの応力を図示する。両方のウエハWにおいて、応力は、研削砥石開口39および39’内において無視してよいパッドは、これらの領域においてウエハをクランプしない。図15Aは、パッド11aおよび11bによって保持される場合にウエハWに形成される更に低い応力を示す。それは、研削砥石開口縁41a、41bに隣接したウエハWの全体表面に亘って更に低い応力98および99において示される光-色領域をとりわけ示す。それは、また、ウエハに亘る更に均一に分布される応力を示す。一方で、および図15に示されるように、パッド11’によって保持されているウエハW内の最大の応力97は、開口39’の周囲縁に近接しているすなわち、ゼロ圧力自由領域がない。図15Aおよび15Bを比較することによってわかるように、大きな応力の集中領域97は、パッド11’図15Bを用いる場合のそれらほど、パッド11aおよび11bを用いて研削する間に広がらない。利点は、例えば、研削砥石開口縁41aに隣接した曲げ領域におけるウエハWのより小さい局所的な変形と、研削砥石9a、9bのより均一な磨耗の両方である。均一な砥石磨耗は、砥石が、研削中に形状を変化させないことを確実にするすなわち、違いのない研削磨耗。これは、研削盤が、更に長い時間に亘って更に低いナノトポロジー設定値を維持できることを保証する。また、砥石が移動または傾く場合に、中心-マークC-マークおよびB-リングをあまり目立って形成せずに、動作によって生じる応力を、ウエハWに亘って効果的に広げる。これは、望ましくは、研削されたナノトポロジーを、研削砥石の移動および傾きに対してより影響を受けにくくする。図16~19は、静水圧パッド11a、11bを用いた研削操作の間において、研削砥石9a、9bが移動するおよび/または傾く場合のウエハW内の更に低い応力を図示する。説明される応力は、研削砥石開口縁41a、41bに隣接したウエハW内に生じるそれらであり、および約7時の位置で始まり0mmのアーク長さおよび周囲縁を時計回りに移動する縁41a、41bのまわりの位置で約400mmのアーク長さまで測定される。従来の静水圧パッド11’によって保持されるウエハW内の応力は、一般に参照符号91によって表され、およびパッド11a、11bによって保持されるウエハ内の応力は、一般に参照符号93によって表される。図16は、研削砥石が移動する場合の応力91、93を示す。図示するように、応力93は、応力91より顕著に小さく、および応力91よりも研削砥石開口39a、39bの周囲全体のまわりに更にほとんど一定であり、ウエハWの中心WCにおいて含む約200mmのアーク長さに対応する。従って、本発明において、研削砥石9a、9bが移動する場合に、ウエハWは、従来のデバイスで研削されるウエハと比較してそれらの中心の近くではほとんど曲がらない。図17は、研削砥石が移動しおよび水平に傾く場合にウエハWにおける応力91、93を示す。再び、パッド11a、11bに付随した応力93は、研削砥石開口縁39a、39bの周囲全体に沿ってほぼ一定である。加えて、ウエハ中心WCに対応する位置におけるパッド11a、11bによって保持されるウエハWにおける応力93の増加はほとんどない。従って、研削砥石9a、9bが移動するおよび垂直に傾く場合に、ウエハWは、研削砥石の開口39a、39bの周囲に隣接して鋭く曲がらず、および中心-マークC-マークの形成は減少する。図18は、砥石が移動するおよび垂直に傾く場合にウエハWにおける応力91、93を示す。図示するように、ウエハWの左側における応力93は、応力91がかかるように鋭くは増加しない。従って、パッド11a、11bによって保持されているウエハWは、砥石9a、9bが移動するおよび垂直に傾く場合にそれらの周囲において鋭く曲がらず、およびB-リングおよび/またはC-マークの形成は減少する。研削砥石の移動、垂直方向の傾き、および水平方向の傾きの組み合わせ効果によってウエハW内の応力91、93が生じる場合において類似した結果を図19に示す。図20は、従来の静水圧パッド11’および本発明の静水圧パッド11a、11bを用いて研削されたウエハのために、上限が0.05パーセンテイルのナノトポロジー値を図表にする。パッド11’を用いて研削されたウエハのためのナノトポロジー値は、一般に参照符号72によって表され、およびパッド11a、11bを用いて研削されたウエハのための値は、一般に参照符号74によって表される。本発明のパッド11a、11bを用いて研削されたウエハは、従来の値72よりも一貫して低いナノトポロジー値74を有する。本発明の静水圧パッド11a、11bは、単一の操作手順において、一連のウエハにおける多数のウエハを研削するのに用いることができる。一連のウエハは、例えば、少なくとも400のウエハを含んでよい。それは、本発明の技術的範囲から逸脱せずに、400よりも多いウエハを含んでよい。単一の操作手順は、研削砥石9a、9bの相互調整の間において、一般に考慮される連続的な操作である。一連の研削されたウエハWの各々は、一般に、改善されたナノトポロジーを有する例えば、減少または除去された中心-マークC-マークおよびB-リングの形成。とりわけ、それらは、それぞれ、約12mm未満の平均ピークバレー変化を有する。例えば、ウエハの平均ピークバレー変化は、約8nmであってよい。平均ピークバレー変化は、各々のウエハWの平均半径スキャン全体における変化を表す。平均ピークバレー変化は、多数のウエハ半径におけるウエハWの周囲において求められ、およびそれらの値の平均は、平均的な変化を求めるように計られる。図21は、本発明の第2の実施形態に従って左の静水圧パッドを概略的に示す。パッドは、一般に参照符号111aによって表され、および第1の実施形態のパッド11aの部分に対応するこのパッドの部分は、同じ参照符号に100足すことによって表される。この静水圧パッド111aは、これまで記載した静水圧パッド11aと実質的に同じであるが、パッド11aにおける、対応するポケット21a、23a、25a、27a、29a、31aとは異なる形状および方向にされている静水圧ポケット121a、123a、125a、127a、129a、131aを有する。パッド11aに類似して、ポケット121a、123a、125a、127a、129a、131aは、パッド111aの研削砥石開口139aのまわりに半径方向に配置されており、ポケット121aおよび123a、ポケット125aおよび127a、ポケット129aおよび131aは類似しており、およびウエハ側面119aの向かい合う半分において対称的に配置されている。加えて、ポケット121a、123aは、パッド111aのまわりに環状方向に延在している。しかしながら、このパッド111aでは、ポケット125a、127a、129a、131aは、研削砥石開口139aからに離れて半径方向に延在している。これらのパッド111a、111bは、全ての他の態様におけるパッド11a、11bと同じである。静水圧パッドのクランプの中心が、静水圧パッドのポケットに適用される水の圧力を制御することにより影響を受け得ることを追加的に考慮されたい。これは、クランプの中心を下げ、ウエハ-クランプデバイスの研削砥石回転軸の更に近くにクランプの中心を動かす。更にとりわけ、各々のポケットにおける流体圧力またはポケットのいくつかのサブセットは、他のポケットに独立して研削および/または制御される過程の間に、変化できる。複数のポケットの間の圧力を変化させる1つの方法は、オリフィス開口の寸法をポケットの差にすることに基づく。更に、各々のポケットに付随した領域の剛性stiffnessは、ポケット深さの差をつくることによって、ポケットの間で変化できる。更に深いポケットは、更に深いポケットの領域において、更に浅いポケットよりもウエハWをより適合して保持し、更に浅いポケットの領域におけるウエハを強固に保持する。本明細書に示されるおよび記載される静水圧パッド11a、11b、111a、111bは、約300mmの直径を有するウエハWとともに用いるために記載される。これまでに示されるように、静水圧パッドは、本発明の技術範囲から逸脱せずに、200mmのウエハを研削するのに用いるための縮小したスケールの寸法にできる。これは、本明細書に記載される各々の静水圧パッド寸法に適用する。本発明の静水圧パッド11a、11bは、研削操作の間においてウエハWを支持でき、および繰り返しの研削の使用に耐えることができる、金属のような適切な強固な材料から作られている。他の類似の強固材料から作られている静水圧パッドは、本発明の技術的範囲から逸脱しない。本発明の別の態様によれば、ナノトポロジーを評価するためのシステムは、ウエハナノトポロジーにおけるフィードバックを提供し始めるが、ウエハは、両面研削盤内にある。ナノトポロジー評価システムは、加工片の位置および/または変形についての情報を収集するのに配置されている少なくとも1つのセンサを含むが、加工片は、両面研削盤内に保持される。センサは、ウエハの有限要素構造分析に用いるための1以上の境界条件を規定するのに用いる1以上の測定を行うのに作動できる。システムは、本発明の技術的範囲から逸脱せずに、単一の境界条件を規定するのに用いる単一の測定を行う単一のセンサのみを有してよいことを理解されたいセンサを用いずに規定または仮定できるいかなる境界条件を含む、有限要素分析を行うのに充分な境界条件である限り。しかしながら、いくつかの実施形態において、ウエハの有限要素構造分析のための付加的な境界条件を規定するように、1以上のセンサは、多数の境界条件を規定するのに用いる複数の測定を行い、それはしばしば望ましいまたは必要であると認識される。例えば、一般に301で表される本発明のナノトポロジー評価システムの1つの実施形態は、図22、23に概略的に示される。この実施形態は、特定の静水圧パッド配置を有する両面研削盤と組み合わせて記載されるけれども以下に記載される図25A、25Bにおいて明らかであるように、ナノトポロジー評価システムは、本発明の技術的範囲から逸脱せずに異なる加工片クランプシステム他の両面研削盤とともに用いるのに適していることを理解されたい。更に、本発明は、ナノトポロジーシステム自体に限定されず、本発明のナノトポロジー評価システムを備えた両面研削装置も含む。1以上のセンサ303例えば、複数のセンサは、静水圧パッド305の内側表面に配置されている。図に示される特定の実施形態において、例えば、複数のセンサ303例えば、4つは、静水圧パッド305の各々の内側加工表面に沿って配置されている図23。ウエハの有限要素構造分析のための境界条件を規定するのに使用できる情報を収集できる任意の種類のセンサを使用できる。例えば、1つの実施形態において、センサ303は、ウエハに対して制限するノズルから出る加圧された空気の流れによって受けた抵抗を測定することによって、静水圧パッドとウエハWとの間の距離を測定する動的な空気圧力センサを含む例えば、MARPOSSModelE4Nによって製造される。加圧された空気を大気に排出する。このようなノズルは、静水圧パッド305に強固に取り付けることができ、または別の方法では、静水圧パッドに対して固定することができる。当業者が認識するように、このような動的な圧力センサ303からの測定は、静水圧パッド305と、ウエハWの表面との間の空間を示す。従って、動的な空気圧力センサによる圧力の測定は、センサ303と、ウエハWの表面との間の距離に対応する。各々の静水圧パッド305に付随したナノトポロジー評価システムのセンサ303は、ウエハWをx、y平面において保持するように規定されたx、y、zの直交座標系図22および23のx方向とy方向の少なくとも1つにおいて、その静水圧パッドに付随した他のセンサから空間をあけて離される。この様式でセンサ303を離して空間をあけることは、ウエハWの表面上の1つの位置に対応する測定を行うように1つのセンサの使用を容易にするが、別のセンサはウエハの表面上の異なる位置に対応する測定を行う。更に、図面に示される実施形態の各々の静水圧パッド305は、同じ数のセンサ303を有し、およびパッドの1つにおけるセンサの分配は、実質的に、他のパッドにおけるセンサの分配の鏡像である。結果として、両方の静水圧パッド305は、x、y、z座標系のx方向とy方向の少なくとも1つにおいて分離されるセンサ303を有する。更に、図23に示すように、静水圧パッド305を互いに向かい合って配置する場合に例えば、研削盤が使用中である場合に、1つの静水圧パッドにおける各々のセンサを、他の静水圧パッドにおけるセンサと対にすることにより、センサ303を、対として配置する。所定のセンサ対におけるセンサ303は、xおよびy方向において互いにほぼ整列されており、実質的にx、y、z座標系のz方向のみにおいて互いから分離されている。所定のセンサ対におけるセンサ303は、静水圧パッド305によって保持されるウエハWの向かい合う面に配置されており、同じ場所においてウエハの向かい合う面における同時の測定を行うことを容易にする。これは、ウエハWの両面上における表面の位置を、その場所において同時に求めることを可能にする。センサ303の数と配置は変わってよい。一般に、当業者は、さらに多い数のセンサ303を有することに対する利点があり得ると認識する。なぜなら、それらは、更なる測定を得るおよびさらに多い数の境界条件を規定するのに用いることができ、従って、境界条件の間の領域において、ウエハの変形に対する有限要素分析の結果における不確実性を低減することができるからである。しかしながら、センサ303の数に対して実施上の制限もある。例えば、センサ303は、静水圧パッド305のクランプ機能に対して最小の影響を有することおよび逆の場合も同じは望ましい。図に示されるナノトポロジー評価システム301において、例えば、センサ303は、静水圧ポケット313ではなく静水圧パッド305の水平域311に配置されている水平域311および静水圧ポケット313に対応する位置は、図25Aに示されており、図25Aは、ウエハのクランプ条件から得られる境界条件のマップである。これは、センサ303と、静水圧ポケット313によってクランプされるウエハWの領域との間のいくつかの分離を提供し、このために、クランプ条件の情報から境界条件を得ることが可能である。センサ303とポケット313との間の分離は、センサ測定に対する静水圧ポケットの局所的な影響の衝撃を低減できる。上述したように、センサ303は、ウエハWの異なる部分における測定を行うように配置されている。例えば、いくつかのセンサ303は、ウエハWの中心部分と相関し得る測定を行うように配置されているが、他のセンサは、B-リングおよび/またはC-マークの欠陥に弱いウエハの部分における測定を行うように配置されている。図22および23に示される特定のセンサ配置を参照すると、センサ303は、ウエハWの中心から複数の異なる距離における測定を行うように配置されている。少なくとも1つのセンサ例えば、Cで表されたセンサ対における複数のセンサは、研削中に、ウエハWの中心近くに配置されており、それは、ウエハの中心部分の変形に関した測定を行うことができる。少なくとも1つの他のセンサ例えば、RとLで表されたセンサ対における複数のセンサは、研削中に、ウエハWの周囲部分の近くに配置されているすなわち、ウエハの中心から相対的に離れて。更なる別のセンサ例えば、Uで表されたセンサ対における複数のセンサは、ウエハの周囲の近くに配置されている少なくとも1つのセンサと、ウエハの中心近くに配置されている少なくとも1つのセンサとに対して、ウエハWの中心から中間距離をおいて例えば、B-リングおよび/またはC-マークの欠陥に弱いウエハの部分の近くに配置されている。ウエハWは、それが研削盤内で回転する際に曲げモーメントに応じて曲がってよい。結果として、ウエハ上の所定位置におけるウエハWの変形は、ウエハが研削盤内で回転する際に変わり得る。センサ303は、ウエハWの中心から異なる距離において測定を行うように配置されているだけでなく、それらは、ウエハの中心から延在している異なる半径線323、325、327上に配置されている。例えば、センサ対RおよびLは、ウエハの中心から概ね同じ距離に配置されているが、それらは異なる半径線上にある。センサ対Rにおけるセンサは、概して、1つの半径線323上にあり、およびセンサ対Lにおけるセンサは、概して、異なる方向においてウエハWの中心から延在している別の半径線325上にある。さらに、センサ対CおよびUにおけるセンサは、概して、更なる別の方向におけるウエハWの中心から延在している第3の半径線327上に配置されている。図に示される実施形態において、半径線323、325、327は、互いから実質的に等距離である。従って、半径線323、325、327は、互いに約120度の角度を形成する。しかしながら、互いに関して半径線の空間と、センサがそれに沿って配置されている異なる半径線の数とは、本発明の技術的範囲から逸脱せずに変わってよい。さらに、センサ303は、研削装置の要素に関して異なる位置に配置されている。例えば、センサ対Lにおけるセンサは、研削砥石9について、センサ対Rにおけるセンサとは向かい合う面上にある。これは、センサ対Rにおける1つのセンサとセンサ対Lにおける1つのセンサとを含みおよび座標系上記に規定されたシステムのx、y平面と垂直な仮想平面331図22を参照されたいが、研削砥石9と交差する点で明らかである。センサ対RおよびLにおけるセンサは、それらがウエハWの中心から概ね同じ距離であるように配置されているので、1つのセンサ対によって測定が行われるウエハの部分は、後に、他のセンサ対によって測定を行うことができるウエハの回転が、ウエハのその部分を他のセンサ対に移動させた後に。しかしながら、ウエハWは、それが研削盤内で回転する際に曲がり得るので、センサ対Rにおけるセンサによる測定は、センサ対Lにおけるセンサによる対応した測定とは異なってよい。さらに、少なくとも1つのセンサ例えば、センサ対RおよびLにおける複数のセンサは、ウエハの水平な中央線341より実質的に下に配置されている図22が、少なくとも1つの他のセンサ例えば、センサ対Uにおける複数のセンサをウエハの水平な中央線より実質的に上に配置されている。別のセンサ例えば、センサ対Cにおける複数のセンサを、ウエハWの水平な中央線341に対して相対的に近くに配置できる。例えば、図に示される実施形態において、センサ対Cにおけるセンサは、ウエハWの水平な中央線341よりわずかに上にある。さらに、少なくとも1つのセンサ例えば、センサ対R、CおよびLにおける複数のセンサは、研削砥石9を収容するために、静水圧パッド305内の開口345の1つの近くに配置されており、および従って、操作中に、研削砥石に隣接して配置されている。同様に、少なくとも1つのセンサ例えば、センサ対R、CおよびLにおける複数のセンサは、いずれの静水圧ポケット313よりも研削砥石9の近くに配置されている。上述したように、いくつかの研削盤における研削盤の不整列は、研削砥石9によるクランプと、静水圧パッド305によるクランプとの間の移行時に、相対的にさらに高い応力をウエハWに加える可能性があり、この場合において、操作中に、いずれの静水圧ポケットよりも研削砥石の近くに配置されているおよび/または研削砥石に隣接して配置されている任意のセンサは、研削盤の不整列に際して、相対的にさらに高い応力が加えられたウエハの一部からの測定を行うように配置するように考慮され得る。この意味で、静水圧パッド305を用いることに対するいくつかの付加的な利点があってよく、静水圧パッド305における静水圧ポケット313は、研削砥石から離れるようにクランプ力の中心を移動する上述したようにように、研削砥石9から離れて移動する。なぜなら、静水圧ポケットのこの配置は、ナノトポロジー評価システム301のセンサ303のための更なる室を静水圧ポケットと研削砥石の間に配置できるからである例えば、実質的にゼロのクランプ圧力の自由領域において。少なくとも1つの他のセンサ例えば、センサ対Uにおける複数のセンサは、静水圧パッド305における開口345からさらに遠くに配置されており、および従って、操作する際に研削砥石9からさらに遠くなるように配置されている。その少なくとも1つのセンサ例えば、センサ対Uにおける複数のセンサは、また、少なくともいくつかの静水圧ポケット313よりも研削砥石9からさらに遠い。さらに、その少なくとも1つのセンサ例えば、センサ対Uにおける複数のセンサは、研削盤の不整列に際して、それらの研削盤において相対的にさらに低い応力が加えられたウエハWの一部から測定を行うように配置されるように考慮でき、該研削盤は、不整列がある場合に、研削砥石によるクランプと、静水圧パッドによるクランプとの間の移行時に、相対的にさらに高い応力をウエハに加える。既に記載したように、センサ303は、センサからウエハW表面までの距離についての情報を検出するように作動できる。センサ303は、プロセッサ351と信号連結しており図22、センサからセンサデータ出力を収容するように作動できる。プロセッサ351は、研削装置から隔離できるが、これは必要ではない。図22は、プロセッサ351をセンサに接続するハードワイヤリング353を示すけれども、プロセッサおよびセンサは、本発明の技術的範囲から逸脱せずにワイヤレス連結してよいことを理解されたい。コンピューターワークステーションのCPUは、プロセッサ351として用いることができる。さらに、センサ303からのデータおよび/またはそこから得られる情報355の処理は、多重処理ユニット間で共有でき、その場合に、用語プロセッサprocessorは、全てのこのような処理ユニットを含む。本発明の1つの実施形態において、プロセッサ351は、研削操作の間に、センサ303からのセンサデータ出力を監視する。センサ303からの出力は、情報収集目的のためにおよび/または研削装置の操作を検証するように記録される。必要に応じて、センサ303からの出力は、研削操作の間および/または後に、図24に示すように図示される。本発明の1つの実施形態において、プロセッサ351は、ウエハWの有限要素構造分析を行うのに、センサ303から監視したセンサデータを用いるように作動できる。プロセッサ351は、図24に示すように、好ましくは、主要な研削工程の終了近くにおいて例えば、研削の仕上工程が始まる前に、研削操作中の時間357に、センサデータを収集する。主要な研削サイクルは、図24に示す第2工程に対応する。図24に示される完全な研削サイクルは、5工程:工程361=速い切込;工程363=主要な研削サイクル;工程365=低速の研削サイクル;工程367=スパークアウトサイクル;および工程369=砥石格納サイクルから成る。プロセッサ351は、センサデータから1以上の境界条件を求めおよびセンサデータから得られる1以上の境界条件を用いて、ウエハWの有限要素分析を行うように作動できる。センサデータから得られる境界条件は、静水圧パッドによってもたらされるクランプ条件の情報から得られる付加的な境界条件を追加する。研削サイクルおよび、プロセッサ351が有限要素構造分析のためのデータを収集する時間は、本発明の技術的範囲から逸脱せずに変わってよい。図25Aは、境界条件がクランプ条件の情報から得られる一組の位置の一例を示す。図25Aにおいて、境界条件は、静水圧パッド305の周囲および静水圧ポケット313の周囲において規定されている。図25Bは、ウエハWの有限要素構造分析を行うために適したメッシュを示す。図25Aおよび25Bに示される例に用いる静水圧パッド305は、上記に示される静水圧パッド11a、11bとはわずかに異なる静水圧ポケットの配置を有することに留意されたい。しかしながら、当業者は、境界条件を規定する方法および、どのような研削装置にも用いる特定の静水圧パッドに適したメッシュを開発する方法を知っている。センサデータから得られる境界条件を用いて、クランプ条件から得られる境界条件とウエハWの特性例えば、シリコンの材料特性を組み合わせると、プロセッサ351は、ウエハのナノトポロジーの予測を含むウエハ形状を予測するように、ウエハの有限要素分析を行う。有限要素分析において、プロセッサ351によって予測されるウエハWの形状は、未加工ウエハのプロファイルである。研削プロセスは、典型的には、半径方向の対称性を示すナノトポロジーの特徴をもたらすので、未加工ウエハのプロファイルは、ウエハの中心から距離の関数として変形に関して表され得る。センサデータを用いた有限要素分析によって予測される未加工ウエハのプロファイルの1つの例は図に示される。1つの実施形態において、変形したウエハ形状は、有限要素分析を用いて以下のように計算される。所定のメッシュは、シェル要素を用いて、この分析のために特定される。1つのメッシュの詳細は、図25Aに示される。ウエハの変形は、ウエハのクランプ角度、砥石の傾きおよび移動に依存して、RまたはLのB-リングセンサにおいて、より可能性があるということを念頭に置くべきである。さらに大きい変形は、NT悪化とのさらに強い相互関係を有する傾向がある。従って、この効果を得るように、2つの測定値readingRおよびLのより高い方を両方の場所に適用する。静水圧パッドによるウエハクランプは、基本的な剛性fundamentalstiffnessの境界条件を用いて、もたらされる。研磨後のNTは、通常、10秒未満で計算される。研削砥石の周囲に沿ったウエハの変位displacementが考慮される図25BにおけるアークABC。ウエハの中心から延在している全ての半径rについて、円弧に沿った2つの位置がある。これらの2つの位置における変位は、有限要素分析の結果に基づいて求めることができるおよびその半径における平均の変位を得るように平均化できる。平均の変位は、未加工プロファイル曲線としてプロットできる図26A。従って、未加工プロファイル曲線からの測定値は、フィルタ処理されたプロファイル曲線をもたらすように、空間フィルタを通過する図26。当業者に当然のことながら、研削後に、通常、付加的なウエハ処理工程がある。例えば、ウエハを、一般的に、研削後に研磨する。さらに、ナノトポロジー生成量は、研削した後ではないが仕上段階の処理工程典型的には、ウエハのナノトポロジーを変化させるが完了した後のナノトポロジーによって求められる。従って、本発明の1つの実施形態において、プロセッサ351は、有限要素分析から得られる未加工ウエハのプロファイルを用いて、1以上の仕上段階の処理工程後にウエハナノトポロジーがどうなり得るか予測するのに作動できる。1以上の仕上段階の処理工程例えば、研磨後のウエハプロファイルを予測するように、例えば、空間フィルタは、未加工ウエハのプロファイルに適用できる。当業者は、この種の空間フィルタ処理を行うのに適用できる様々なウエハの欠陥/収率の管理ソフトウェアツールを知っている。いくつかの例は、SiGlazofSantaClaraからIntelligentDefectAnalysisSoftware;ZenpireofPaloAlto、CAからiFABsoftwareGalaxySemiconductorInc.-USAofWaltham、MAからExaminatorsoftwareおよびKnightsTechnologyofSunnyvale、CA.からYieldmanagersoftwareを含む。フィルタ処理されたウエハプロファイルは、ナノトポロジーが更に処理された後にどうなり得るかの代表例である。フィルタ処理されたウエハプロファイルの1つの例は、図26bに示される。有限要素分析から得られる未加工ウエハのプロファイルを、多くのウエハのための仕上段階の処理後例えば、研磨後の実際のナノトポロジー測定例えば、ナノマッパー登録商標と比較することにより、有限要素分析に用いるパラメータ例えば、静水圧クランプに関した境界条件は、より良い相互関係のために微調整できる。さらに、プロセッサ351は、センサからセンサデータを受信しおよびセンサデータから加工片のナノトポロジーを評価するように作動できる。1つの実施形態において、プロセッサは、悪いナノトポロジー評価に応じて改善作業を実施するように、必要に応じて、情報355例えば、予測された加工片のNTを提供するように作動できる例えば、1以上のウエハプロファイルが、仕様または他の所定基準に適合しない場合にプロセッサによって求められるように。その最も簡単な形態において、改善作業を対象とした情報355は、調整がなされるべきであるおよび/または研削プロセスが注意を必要とする1以上の人間操作者例えば、プロセスエンジニアを対象とした信号を出力することを含んでよい。プロセッサ351からの信号に応じて、人間操作者は、研削盤の性能を改善するように、研削盤の位置合わせ例えば、研削砥石の水平方向の傾きに対応する少なくとも1つの角度、研削砥石の垂直方向の傾きに対応する角度、研削砥石同士の間のシャフトおよび/または静水圧パッドのポケットに供給される流体の圧力を調整できる。代替的にまたは追加的に、操作者は、研削盤の初期設定例えば、設定のための親指の法則を調整することによって、位置合わせを調整できる。プロセッサ351は、可変の研削プロセスを調整することを含むいくつかの改善作業を実施するように、他の情報355も提供できる。例えば、プロセッサ351は、センサデータに応じて研削砥石および/または静水圧パッドのうちの少なくとも1つの位置または適用についての調整、および/またはポケット313に供給される流体の圧力を調整することによるウエハに対するクランプ力の中心についての調整を示す情報355を提供するように作動できる。同様に、プロセッサ351は、研削盤を再整列するように、研削砥石9および静水圧パッド305の少なくとも1つの位置を調整するのに用いる一組のアクチュエータ図示せずを制御するように操作者の入力に応答できる。本発明に従って半導体ウエハを処理する方法の1つの実施形態において、上述したナノトポロジー評価システム301を有する両面研削盤内に半導体ウエハWを入れる。ウエハWの実際の研削は、本明細書での記載を除き、従来の様式で進行する。1以上のセンサ303は、研削プロセスの間において、ウエハWの変形を示しおよびウエハの有限要素構造分析のための1以上の境界条件を得るのに使用可能なデータを収集する。例えば、上述したナノトポロジー評価システム301のセンサ303は、ウエハWの表面とセンサとの間の複数の距離測定を収集する。さらに、評価システム301のセンサ303は、上述したように、ウエハの異なる部分から、および研削盤要素に関する様々な位置において、同時にデータを収集する。1つの実施形態において、センサは、B-リング欠陥に付随した加工片の一部における距離に関して、加工片の2つの表面のずれを測定し、およびプロセッサ351は、センサからこのような距離データを受信し、および受信したセンサデータから、加工片ナノトポロジーにおけるB-リング欠陥を評価するように作動できる。別の実施形態において、センサは、C-マーク欠陥に付随した加工片の一部分における距離に関して、加工片の2つの表面のずれを測定し、およびプロセッサ351は、センサから、このような距離データを受信し、および受信したセンサデータから加工片ナノトポロジーにおけるC-マーク欠陥を評価するように作動できる。センサ303は、センサデータをプロセッサ351に伝送し、該プロセッサ351は、センサデータを受信および処理する。センサ303からの出力は、図24に示すように、必要に応じて記録および/または図示される研削の間および/または後。センサデータを、ウエハWのナノトポロジーを評価するのに用いる。方法の1つの実施形態において、プロセッサ351は、ウエハWのナノトポロジーを評価するように、研削プロセスにおける時間からセンサデータを記録する。例えば、図24は、両面研削プロセスサイクルの工程361、363、365、367、369と同時にプロットされる各々のセンサの時間変化出力を示す。プロセッサ351は、各々のセンサから一組の同時データを得るように、プロセスサイクルにおける所定時間例えば、図24における矢印357により示される時間において、センサ303からの出力を記録する。プロセッサ351は、ウエハWの有限要素構造分析を行うための境界条件を得るように、その組のデータを用いる。プロセッサ351は、センサから得られる境界条件、および任意の他の境界条件例えば、クランプ条件の情報から得られる境界条件を用いて、ウエハの有限要素分析を行う図25A。有限要素分析を、未加工ナノトポロジーウエハプロファイルを生じるように用いる図26B。上述した空間フィルタを、必要に応じて、仕上段階の処理工程後例えば、研磨後にウエハWの生じ得るナノトポロジーを予測するように、未加工ウエハのプロファイルに適用する。プロセッサ351は、ナノトポロジー要求について、研削盤の性能を評価するように、未加工ウエハのプロファイルおよび/またはフィルタ処理されたウエハプロファイルを再検討する。この評価は、研削盤ナノトポロジー性能が所定の基準を満たすかどうかを求めるように、バッチにおける他のウエハのために未加工ウエハのプロファイルおよび/またはフィルタ処理されたウエハププロファイルを考慮できる。プロセッサ351が、研削盤がナノトポロジー基準を満たさないということを求めた場合に、プロセッサは、改善作業を始める。1つの実施形態において、改善作業は、研削装置が注意を必要とする1以上の人間操作者に信号を送ることを含む。従って、人間の操作者は、上述したように、研削盤装置の位置合わせを調整するおよび/またはクランプの中心を調整する。別の実施形態において、プロセッサ351は、悪いナノトポロジー評価および操作者入力に応じて、改善作業を実施する。例えば、プロセッサ351は、プロセッサの制御下において操作者入力に応じて1以上のアクチュエータを用いて、クランプの中心を調整するおよび/または研削盤の位置合わせを調整するように、ウエハWの1以上の部分に適用される静水圧量を調整できる。別の実施形態において、改善作業は、次の加工片の研削を調整することを含む。例えば、研削盤は、第1加工片を研削しおよび次いで第1加工片を研削した後に第2加工片を研削するように作動できる。プロセッサ351は、センサからデータを受信しおよびセンサデータから第1加工片のナノトポロジーを評価するのに作動できる。従って、プロセッサ351は、第2加工片のような次の加工片を研削する場合に用いるためのセンサデータに応じて、研削砥石および/または静水圧パッドの少なくとも1つの位置に対する調整を示す情報355を提供するように作動できる。加工片が複数のウエハのカセットである状況において、有限要素分析を、カセットにおける各々のウエハに対して行うことができ、およびウエハのカセット全体を研削するまで待つ必要がない。従って、設定値が適切でない場合およびNT欠陥を1以上のウエハ内において検出する場合に、カセットにおける他のウエハが、いくらかの形態の介入なしに、さらに大きな収率損失をもたらす類似または同じ欠陥を有することはあり得る。本発明の1つの実施形態に従って、操作者は、カセットにおける全てのウエハからフィードバックを得るように待つ必要がなく、顕著な量の収率損失を避ける。従って、研磨中における研磨後のNT欠陥の信頼性のある予測が提供される。このような予測は、次のウエハおよびカセットのための研削盤設定値を最適化して、次のウエハの研磨後のナノトポロジー欠陥を最小化するように操作者を支援する。図27は、ナノマッパーによって求められるように、特定のウエハのための本発明の1つの実施形態に従って予測されるプロファイルを示し、および研磨後に、その同じウエハのための平均的な半径の変位を示すグラフである。実線は、本発明の1つの実施形態に従って、有限要素分析に基づいてウエハの予測されるプロファイルの1つの例を示す。破線は、ウエハを分析したナノマッパーからのデータに基づいてプロファイルを示す。図28は、多くのウエハの水平軸にプロットされている予測B-リング値と、垂直軸にプロットされている実際のB-リング値との間の相互関係を示すグラフであり、相関係数は、R=0.9である。本発明の方法は、研削盤のナノトポロジー性能に対する素早いフィードバックを提供する。例えば、ウエハナノトポロジーの評価は、ウエハの研削サイクルが完了する前に始めることができる。さらに、ナノトポロジーフィードバックは、研磨前に得られる。対照的に、多くの従来のナノトポロジーフィードバックシステムは、ウエハナノトポロジーを測定するように、レーザー検査を用いる。これらのシステムは、典型的には、反射的な表面を欠く非研磨ウエハを有する使用に適合しない。本発明の方法を通じて得られる多くの他の利点は、この開示の観点から当業者によって認識される。上述した方法において、センサ303は、研削盤操作の間において実質的に連続してデータを収集する。しかしながら、研削が完了した後、ウエハがまだ研削盤内にある間に、データをセンサから収集できることを理解されたい。さらに、センサ303は、本発明の技術的範囲から逸脱せずに、時間内において断続的または一点において測定を行ってよい。同様に、本発明の技術的範囲から逸脱せずに、研削操作が完了した後および/またはウエハが研削盤から取り出された後に、センサデータの処理が始まるまたは続くことができる。また、上述したナノトポロジーシステムの実施形態は、ウエハを両面研削盤に垂直に保持する間に、ウエハのナノトポロジーを評価するように示されるが、本発明の技術的範囲から逸脱せずに、異なる方向例えば、水平方向で保持されるウエハのナノトポロジーを評価するように、ナノトポロジー評価システムを用いることができることを理解されたい。本明細書に記載されるナノトポロジー評価システムの実施形態は、そのナノトポロジーを評価するように、各々のウエハのための有限要素分析を行うけれども、当業者は、実際に有限要素構造分析を行わずに、プロセッサがナノトポロジーを評価できる基準を開発するように、多くのこのような有限要素分析からの全体データを用いることができることを認識する。例えば、研削盤内のウエハのためのセンサデータは、有限要素分析を行った別のウエハのためのセンサデータに充分に類似する場合に、研削盤内にあるウエハの有限要素分析を実際に行わずに、研削盤内のウエハのナノトポロジーを評価するのに、これまでの有限要素分析結果を用いることができる。データベースおよび学習ルーティーンは、このプロセスを増加するのに用いることができ、従って、プロセッサが有限要素分析を行う例を減少または除去できる。ナノトポロジー評価システムの経験した人間操作者は、本発明の技術的範囲から逸脱せずに、センサ出力の図または他のディスプレイを見ることによってナノトポロジー欠陥を示す記号を認識するおよび改善作業を手動で実施する能力を開発できるということも検討される。さらに、各々のウエハに対してナノトポロジー評価を行うことは本質的ではない。必要に応じて、ナノトポロジーは、本発明の技術的範囲から逸脱せずに、研削盤内で研削されたウエハのサブセット例えば、質の制御のためのサンプルのために、本明細書に記載されるように評価できる。略図29を参照すると、ウエハ研削盤の別の実施形態が示され、および一般に500で表される。ウエハ研削盤は、一般に、第1静水圧パッド506と、第1静水圧パッドとは反対に位置する第2静水圧パッド508を含む。ウエハ501一般に、加工片は、静水圧パッド506、508の間に配置されている。一対の研削砥石図示せずは、ウエハ研削盤内に含まれる。ウエハ研削盤は、上述したこれらの実施形態に類似してよい。しかしながら、図29のウエハ研削盤は、ウエハ研削盤によって処理されるウエハのNT悪化の軽減を支援するように、付加的な要素を含む。第1流れ制御弁504は、第1静水圧パッド506に対して水の流れを制御し、および第2流れ制御弁502は、第2静水圧パッド508に対して水の流れを制御する。この実施形態において、パッドにおける静水圧は、他のモードが検討されるけれども、水の流れによって制御される。流れ制御弁502、504は、水の流れまたは圧力を制御できる任意の適切な弁である。例えば、流れ制御弁502、504は、グローブバルブ、ボールバルブ、ゲートバルブ、ダイアフラムバルブ、ニードルバルブまたはそれらの任意の組み合わせであってよい。流れ制御弁502、504を、任意の適切なアクチュエータ図示せずによって制御でき、およびそれらを別々に制御できる。制御システム600は、ウエハ研削盤および流れ制御弁502、504の操作を制御する。制御システム600は、プロセッサと、1以上の形態のコンピューター読み込みメディアと、入力/出力デバイスとを有するコンピューターデバイス602を含む。いくらかの実施形態において、コンピューターデバイス602のプロセッサは、流れ制御弁502、504を制御するように作動できる。制御システム600は、研削砥石によって用いる電流量を測定するように作動できる。制御システム600は、研削砥石によって用いる電流を直接測定でき、またはそれは、研削砥石によって用いる電流を測定する分離監視デバイス図示せずから、信号または他の通信を受信できる。研削砥石によって用いる電流量は、研削操作の本工程を示す。例えば、図30に示すように、研削砥石が、まず、ウエハ501に接触する場合に、研削砥石によって引き込まれた電流は、540で表される残留状態と比較して、550で表される初期状態においてわずかに増加する。図30は、研削操作の間において各々の研削砥石によって引き込まれる電流を示す。電流引き込みは、560で表される部分に沿って示されるように、研削砥石がウエハ501を掴もうと試みる際に増加し続ける。この工程の間に、ウエハ501から相対的に少し除去される材料がある。電流引き込みが、570で表される部分においてそのピークに達する際に、ウエハ501から除去される材料量は増加する。ほとんどの材料が研削砥石によってウエハ501から除去される間に、電流引き込みは、このピークレベルにとどまる。580で表されるスパークアウト工程の間に研削砥石が格納し始めるときに、電流引き込みは、迅速に悪化する。研削砥石が充分に格納した後に、電流引き込みは、590で表される残留レベルまで戻るように悪化する。コンピューターデバイス602は、研削操作の本工程を予測すなわち、検出または決定するように、研削砥石の監視されたまたは感知された電流引き込みを用いる。コンピューターデバイス602は、パターン検出ソフトウェアプログラムの支援を伴って、この予測をなす。パターン検出ソフトウェアプログラムは、コンピューターデバイス602に対して、1以上の形態のコンピューター読み込みメディアに蓄積されたコンピューター実行指示を含む。コンピューター実行指示は、コンピューターデバイス602のプロセッサによって実行される。制御システム600は、パターン検出ソフトウェアによって決められる研削工程に基づいて、流れ制御弁502、504を用いて、静水圧パッド506、508内の圧力を制御するように作動できる。NT悪化を最小限にするように、制御システム600は、研削プロセスの始まりおよび終わりにおいて、研削工程の間に、静水圧パッド内の圧力を増加する。これらの研削工程において、研削砥石の電流引き込みは、その最低時である。従って、弁が、静水圧パッド506、508に対する水入力の流速を増加させおよび従って静水圧パッド内の圧力を増加させるように、制御システム600は、流れ制御弁502、504を制御する。ウエハ501からほとんどの材料を除去する1または複数の研削工程の間に、制御システム600は、静水圧パッド506、508に対する水流入の流速を減少し、および従って静水圧パッド内の圧力を減少するように、流れ制御弁502、504を制御する。この研削工程中において、研削砥石は、ウエハ501を支持し、および研削砥石同士の間にウエハを掴む。この研削工程の間において、静水圧パッド506、508内の圧力を減少することによって、ウエハに加える弾性変形量を劇的に減少または除去する。ウエハ501における弾性変形のこの減少または除去は、ウエハの表面における悪化したNTをもたらす。従って、操作中、制御システム600は、ブロック610において、パターン検出ソフトウェアを用いて、研削工程を検出する例えば、決める方法を行う。ブロック620において、パターン検出ソフトウェアによってブロック610において検出される研削工程に従って、流速に対する変化を計算する。従って、制御システム600は、ブロック630における流れ制御弁502、504を制御することによってこれらの変化を適用する。従って、制御システム600は、静水圧を調節するように作動できる。ウエハ501をパッド間に初めにクランプするのに、制御システム600は、静水圧パッド506、508において第1静水圧を実現する別の方法を行うように作動できる。この方法において、ウエハ501を、実質的に垂直な平面で保持する。次いで、ウエハ501の研削の間に、流れ制御弁502、504により、静水圧パッド506、508における静水圧を第1圧力よりも低い第2静水圧まで減少する。ウエハ501の研削の間に、ウエハ501を、研削砥石によって実質的にクランプできる。次いで、ウエハをクランプしおよび従ってウエハ501におけるナノトポロジーを改善するように、静水圧を、第3静水圧まで増加する。第3静水圧は、第1静水圧と実質的に同じであってよい。別の方法に従って、制御システム600は、ウエハをクランプする工程と、ウエハを研削する工程と、ウエハが研削砥石と接触することから引き離す工程とを含む方法を行う。ウエハを、実質的に垂直な平面で保持する。研削操作の各々の工程を検出して各々の工程における静水圧を変化して、ウエハに適用するクランプ圧力を変化し、および従って、処理されるウエハにおけるナノトポロジーを改善するように、パターン検出ソフトウェアを用いる。この実施形態の静水圧は、圧力を変化する他の方法が検討されるけれども、流れ制御弁502、504を通過する流速を変化することによって変化する。例示的な実施形態において、圧力を研削工程の際に減少する。他の実施形態において、圧力を研削工程の間に増加する。第1組のウエハと第2組のウエハの表面を測定することによって、2つのデータセットを得た。試験されるウエハは、入口および出口のマークまたは他の類似した欠陥がなかった。第1組のウエハを従来の方法すなわち、記録またはPORのプロセスに従って研削し、静水圧を研削工程の間に変えなかった。第2組のウエハを、図29の実施形態に従って研削し、静水圧を研削工程の間に増加した。試験したウエハの表面を、表面の部分例えば、10mm×10mmの部分のためにしきい値の高さ平均すなわち、THA1010測定標準に従って測定した。THAIOIO測定標準に従って行われた測定は、ウエハの表面の部分内において、最大ピークバレー垂直距離を表す。多数のこのような測定を、異なる部分におけるウエハの表面を横切って行う部分は重なり得るけれども。THA1010測定標準は、ウエハ表面のナノトポロジーを評価するのに用いる既知の測定標準である。標準を用いると、数が少ないほど、ウエハ表面のナノトポロジーは良好であった。図31は、両方のデータセットのためのTHA1010測定の規格化された分布を示すグラフである。第1データセットは、NormalizedTHA1010PORのことを言い、および第2データセットは、NormalizedTHA1010LowPrのことを言う。各々のデータセットに対する測定を規格化したすなわち、公約数で割った。グラフにおけるデータポイントの各々の1つのy軸は、別個のデータポイントのx軸と等しいまたはそれより少ない測定値のパーセントを表す。さらに、実線は、第1データセットのために95の信頼区間の境界を表す。破線は、第2データセットのために95の信頼区間の境界を表す。図32は、試験したウエハの表面における規格化されたしきい値の高さ領域の測定を示すボックスプロット表である。表は、図31の2つのデータセットのボックスプロットを示し、および各々のデータセットのために、表は、別個に、最小、第1四分位数、中間、第3四分位数および最大を示す。図31および32は、図29の実施形態に従って研削されたウエハの表面が、PORに従って研削されたそれらよりも顕著に低いピークバレー値を有することを示す。従って、図29の実施形態に従って研削したウエハの表面は、PORに従って研削したウエハの表面と比較して、改善したナノトポロジーを有する。例えば、図29のプロセスに従って研削したウエハは、0.6346の規格化した平均THA1010を有するが、PORに従って研削したそれらは、0.6738の規格化した平均THA1010を有する。同様に、標準誤差は、POR標準誤差=0.09956に従って研削したそれらと比較して、図29に従って標準誤差=0.09826研削したウエハについて減少するさらに、図32のボックスプロット表は、図29に従って研削したウエハの規格化されたピークバレー測定値が、PORのそれらと比較してより狭い範囲において分布することを示す。明確に示されるように、第2データセットの第1および第3の四分位数すなわち、LowPrは、第1データセットのそれらすなわち、PORPrよりも更に狭い間隔である。さらに、第2データセットの最大および最小は、第1データセットの最大および最小よりも更に低い値を有する。本発明またはその好ましい実施形態の要素を導入する際に、冠詞a、an、theおよびsaidは、1以上の要素であることを意味することが意図される。用語comprising、includingおよびhavingは、包含的であり、および示された要素以外の追加的な要素であってよいことを意味することが意図される。様々な変化は、本発明の技術的範囲から逸脱せずに、上記においてなされる際に、上述した記載に含まれおよび添付図面に示される全ての事象は、説明するものとして、および制限する意味ではないものと解釈されることが意図される。"