複数の整流素子を備えた整流器ブリッジ回路において、前記整流素子は、逆電圧ドリフトを有するトレンチMOSバリアショットキーダイオードTMBSである、ことを特徴とする、整流器ブリッジ回路。前記トレンチMOSバリアショットキーダイオードは、電圧降伏時に電流が流れる場合でも動作する、請求項1記載の整流器ブリッジ回路。前記トレンチMOSバリアショットキーダイオードは、逆方向電圧降伏時に電荷密度qz=2000As/cm2を有する負荷が掛かった場合に、8以下の電圧上昇ΔVZを有する、請求項1または2記載の整流器ブリッジ回路。前記トレンチMOSバリアショットキーダイオードは、逆方向電圧降伏時に電荷密度qz=2000As/cm2を有する負荷が掛かった場合に、10以下の電圧上昇ΔVZを有する、請求項1または2記載の整流器ブリッジ回路。前記トレンチMOSバリアショットキーダイオードは、逆方向電圧降伏時に電荷密度qz=2000As/cm2を有する負荷が掛かった場合に、20以下の電圧上昇ΔVZを有する、請求項1または2記載の整流器ブリッジ回路。前記トレンチMOSバリアショットキーダイオードは、ダイオードの圧入ケーシング内に取り付けられたダイオードチップである、請求項1から5のいずれか1項記載の整流器ブリッジ回路。請求項1から6のいずれか1項記載の整流器ブリッジ回路を備えた自動車発電機。本発明の課題は、ロードダンプ時の動作において、すなわち負荷の遮断が急に生じる場合であっても適切な整流器ブリッジ回路を提供することである。前記課題は、請求項1に従う回路によって解決される。請求項1に記載の特徴を有する整流器ブリッジ回路は、ロードダンプ時の動作にも適するという利点を有する。この利点は主に、整流素子が小さな逆電圧ドリフトを有するトレンチMOSバリアショットキーダイオードであることによって実現される。このようなダイオードは、有利にはツェナーダイオードの代わりに、交流電圧発電機のための整流器として使用され、保護素子を備えた付加的な回路を別に用いる必要はない。図3には、6つのTMBSダイオードS1~S6を備えた、3相発電機の場合の本発明による装置が示されている。もちろん、装置は相数の異なる発電機にも用いることができる。順方向の場合、本発明によるダイオードにおいては、同じチップ面積のPNダイオードの順電圧より低い順電圧が降下する。逆方向電圧降伏時の動作では、逆電圧が時間と共に上昇する。ただし逆電圧ドリフトはとりわけ、溝の深さDt、溝と溝との間の間隔Wm、溝の幅Wf及び酸化膜の厚さToのような技術的な構造パラメータによって、並びにエピタキシャル層2をドープすることによって制御することができる。これは、本発明による整流器ブリッジ回路において、TMBSダイオードを用いた場合の逆電圧ドリフトが小さくなるように行われる。逆電圧ドリフトΔVZを評価するために、電荷密度qz単位:Ascm2で測定されるが定義される。電荷密度qzは、降伏電流密度jzがダイオードの降伏状態にある時間tz全体に亘って積分される場合に生じる、チップ面積あたりの電荷を示している。qz=∫jztdtz1全ての降伏現象、例えば動作中の全てのロードダンプ現象を加えても、電圧上昇は所定の値を超過してはならない。さもなければ、電気系統電圧は最終的に許容できない高い値に、例えば34Vを超えて上昇してしまう。通常の14Vの電気系統に対する、本発明による小さなドリフトのTMBSダイオードの基準として、第1の実施形態では、2000As/cm2の電荷密度qzの場合に、逆電圧上昇ΔVZは8を超えないようにすることが提案される。この第1の実施形態は図4に示されており、蓄積された電荷密度qzに対して逆電圧ドリフトΔVZがプロットされている。通常の14Vの電気系統に対する、本発明による小さなドリフトのTMBSダイオードの基準として、第2の実施形態では、2000As/cm2の電荷密度qzの場合に、逆電圧上昇ΔVZは10を超えないようにすることが提案される。通常の14Vの電気系統に対する、本発明による小さなドリフトのTMBSダイオードの基準として、第3の実施形態では、2000As/cm2の電荷密度qzの場合に、逆電圧上昇ΔVZは20を超えないようにすることが提案される。