"配線基板と冷却部材との間に配置される半導体パッケージにおいて、パッケージ基板と、前記パッケージ基板上に実装される発熱体と、前記パッケージ基板上に実装され、前記発熱体の周辺に設けられるチップ部品と、前記発熱体と金属接合材を介して接合される本体部と、前記本体部から前記パッケージ基板まで延伸すると共に先端が前記パッケージ基板に接着される脚部とを有する伝熱体と、を備え、前記脚部は、前記パッケージ基板の隅部に配置される第1脚部と、前記パッケージ基板上における前記第1脚部の内側であって且つ前記発熱体と前記チップ部品との間に配置される第2脚部とを有することを特徴とする半導体パッケージ。前記半導体パッケージは、前記半導体パッケージの輪郭よりも外側に配置される締結部材によって、前記配線基板と前記冷却部材との間に挟まれており、前記第1脚部は、前記発熱体と前記締結部材との間の位置に配置されることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。前記第2脚部は、前記発熱体の輪郭に沿って形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体パッケージ。前記第2脚部は、環状に形成されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体パッケージ。前記パッケージ基板上に前記第1脚部が配置される領域に、前記パッケージ基板の外縁部が含まれることを特徴とする請求項1から4の何れか一項に記載の半導体パッケージ。第1プレートと、前記第1プレート上に配置された配線基板と、前記配線基板の表面に実装される半導体パッケージと、前記半導体パッケージ上に配置され、前記半導体パッケージより外側に広がる輪郭を有する第2プレートを有する冷却部材と、前記半導体パッケージの輪郭よりも外側に配置され、前記第1プレートと前記第2プレートとの間隔を狭めるように前記第1プレート及び前記第2プレートに圧力を加える締結部材と、を備え、前記半導体パッケージは、パッケージ基板と、前記パッケージ基板上に実装される発熱体と、前記パッケージ基板上に実装され、前記発熱体の周辺に設けられるチップ部品と、前記発熱体と金属接合材を介して接合される本体部と、前記本体部から前記パッケージ基板まで延伸すると共に先端が前記パッケージ基板に接着される脚部とを有する伝熱体と、を有し、前記脚部は、前記パッケージ基板の隅部に配置される第1脚部と、前記パッケージ基板上における前記第1脚部の内側であって且つ前記発熱体と前記チップ部品との間に配置される第2脚部とを有することを特徴とする配線基板ユニット。前記第1脚部は、前記発熱体と前記締結部材との間の位置に配置されることを特徴とする請求項6に記載の配線基板ユニット。前記第2脚部は、前記発熱体の輪郭に沿って形成されることを特徴とする請求項6又は7に記載の配線基板ユニット。前記第2脚部は、環状に形成されていることを特徴とする請求項8に記載の配線基板ユニット。前記パッケージ基板上に前記第1脚部が配置される領域に、前記パッケージ基板の外縁部が含まれることを特徴とする請求項6から9の何れか一項に記載の配線基板ユニット。請求項6から10の何れか一項に記載の配線基板ユニットを備える電子機器。上記のように、半導体チップとヒートスプレッダとを接合する接合材として、金属接合材を使用する場合、パッケージ基板上にヒートスプレッダを装着する工程で、加熱して金属接合材を一旦溶融させる必要がある。この加熱によって、パッケージ基板が変形する。そのため、硬化後の金属接合材に応力が生じてしまい、金属接合材が破損する虞がある。また、半導体パッケージが電子機器に組み込まれた後の稼働時にも同様の問題が生じる。例えば、電子機器の電源がオン、オフするたびに、温度上昇と温度下降とが繰り返し起こるため、その都度パッケージ基板が変形し、金属接合材に応力が作用する。本件は、上記のようなパッケージ基板において、半導体チップとヒートスプレッダとを接合する接合材に加わる応力を低減し、半導体チップとヒートスプレッダとの接合部の破損を抑制することを目的とする。また、上記のようなパッケージ基板が搭載された配線基板ユニット或いは電子機器において、半導体チップとヒートスプレッダとを接合する接合材に加わる応力を低減し、半導体チップとヒートスプレッタとの接合部の破損を抑制することを目的とする。本件の一観点による半導体パッケージは、配線基板と冷却部材との間に配置される半導体パッケージにおいて、パッケージ基板と、前記パッケージ基板上に実装される発熱体と、前記パッケージ基板上に実装され、前記発熱体の周辺に設けられるチップ部品と、前記発熱体と金属接合材を介して接合される本体部と、前記本体部から前記パッケージ基板まで延伸すると共に先端が前記パッケージ基板に接着される脚部とを有する伝熱体と、を備え、前記脚部は、前記パッケージ基板の隅部に配置される第1脚部と、前記パッケージ基板上における前記第1脚部の内側であって且つ前記発熱体と前記チップ部品との間に配置される第2脚部とを有する。本件によれば、パッケージ基板において、発熱体と伝熱体とを接合する接合材に加わる応力を低減し、発熱体と伝熱体との接合部の破損を抑制することができる。<比較例>図1は、比較例の第1態様に係る配線基板ユニット20の断面図である。配線基板ユニット20は、プリント配線板であるメインボード21を備える。メインボード21には、例えば、樹脂基板が用いられている。メインボード21の表面には、LSI、CPU等といった半導体パッケージ22が、例えばBGABallGridArray実装方式によって実装されている。半導体パッケージ22は、例えば、樹脂基板を用いたパッケージ基板23と、パッケージ基板23上に実装された半導体チップ24と、ヒートスプレッダ25とを備える。ヒートスプレッダ25は、半導体チップ24を封止するリッドとしての役割と伝熱部材としての役割を有する。図2は、比較例の第1態様に係るヒートスプレッダ25を下方から眺めた外観斜視図である。ヒートスプレッダ25の上面には、放熱部材であるヒートシンク26が配置されている。ヒートシンク26は、ボルト27及びナット28等を含む締結部材29によって、半導体パッケージ22に係るヒートスプレッダ25の上面に押し付けられる態様で、メインボード21に固定されている。ヒートスプレッダ25は、半導体チップ24の上部に配置される本体部25Aと、本体部25Aからパッケージ基板23まで延伸する脚部25Bと、半導体チップ24を収容する収容凹部25Cと、を有する。脚部25Bの先端面は、例えば熱硬化性樹脂を介して、パッケージ基板23に接着されている。ヒートシンク26のベースプレート26Aは、ヒートスプレッダ25より外側に広がる輪郭を有している。ヒートスプレッダ25とベースプレート26Aとの間には、例えば、熱伝導シート等の熱伝導材料が挟まれている。ベースプレート26Aの四隅には、締結部材29のボルト27を挿通させる貫通孔が設けられている。ボルト27の一端側は、メインボード21の裏面側に配置されたボルスタープレート30に連結されている。ボルト27の他端側には、ナット28及びスプリング31が装着されており、ナット28を締め付けることでスプリング31が圧縮される。そして、スプリング31の復元力によって、ベースプレート26Aがヒートスプレッダ25に押し付けられることで、ヒートシンク26及び半導体パッケージ22のメインボード21に対する固定度が高められる。半導体チップ24とヒートスプレッダ25との接合は、半田等の金属接合材32を介して接合されている。また、パッケージ基板23の表面には、半導体チップ24の周囲にチップ部品33が実装されている。図3は、半導体パッケージ22の製造時に、金属接合材32による半導体チップ24とヒートスプレッダ25との接合、及び、熱硬化性樹脂25Dによるヒートスプレッダ25とパッケージ基板23との接合を行う接合工程を示す図である。接合工程では、例えば、金属接合材32の融点以上、且つ熱硬化性樹脂25Dが硬化する硬化温度以上の温度となるように、半導体パッケージ22を加熱しつつ、ヒートスプレッダ25とパッケージ基板23とを挟み込むようにプレスする。その結果、熱硬化性樹脂25Dが硬化することで、ヒートスプレッダ25における脚部25Bの先端面が、パッケージ基板23表面に接合接着される。また、溶融した金属接合材32が、除熱と共に冷えて凝固することによって、半導体チップ24及びヒートスプレッダ25が互いに接合される。樹脂基板であるパッケージ基板23は、接合工程による加熱過程において膨張し、その後の除熱過程で収縮する。半導体チップ24は、例えば、シリコンを原材料としており、樹脂基板に比べて相対的に熱膨張率が小さい。そのため、接合工程において半導体チップ24が膨張、収縮する度合いは、パッケージ基板23に比べて顕著に軽減される。つまり、パッケージ基板23のうち、上部に半導体チップ24が実装される領域Aと、当該領域A及び脚部に挟まれた領域Bとでは、パッケージ基板23の拘束条件が相違することになる。図4は、接合工程の除熱過程において、比較例の第1態様に係るパッケージ基板23に生じる変形を概念的に示す図である。接合工程の除熱過程では、温度の低下とともにパッケージ基板23が収縮する。その際、領域Aでは、パッケージ基板23の上面側が、熱膨張率の小さな半導体チップによって拘束されるため、下面側に比べて収縮変形量が小さくなる。その結果、パッケージ基板23の平面全体では、上面側に凸の反りが生じる。この状態で、金属接合材32が硬化凝固すると、パッケージ基板23に反りが生じた状態で、半導体チップ24の上面とヒートスプレッダ25が接合される。第1態様に係る配線基板ユニット20が電子機器に組み込まれた場合、電源をオン、オフする度に、半導体チップ24の発熱及びその停止が繰り返され、半導体チップ24に係る発熱量が変動する。そうすると、半導体チップ24の温度も変動し、例えば、半導体パッケージ22の製造時に生じたパッケージ基板23の反りを元に戻す方向、或いは、逆に反りを助長する方向への変形が、繰り返し起こる。その結果、金属接合材32に応力が作用して、金属接合材32が破損する場合がある。尚、金属接合材32の破損とは、金属接合材32が、半導体チップ24表面、或いはヒートスプレッダ25表面から剥離する現象等も含まれる。接合工程の除熱過程では、半導体チップ24とヒートスプレッダ25との間に介在する金属接合材32が硬化した後も、パッケージ基板23の収縮変形が継続される場合がある。第1態様に係るヒートスプレッダ25は、脚部25Bがパッケージ基板23の外周部近傍に接合されている。そのため、脚部25B同士のスパンが大きく確保されることによって、パッケージ基板23における領域Bの存在領域が広くなる。パッケージ基板23の領域Bは、半導体チップ24による拘束を受けないため、接合工程の収縮変形量が大きくなり易い。その結果、硬化した金属接合材32への応力集中が起こり、金属接合材32が破損する場合がある。図5は、比較例の第2態様に係る配線基板ユニット20 ́の断面図である。図6は、比較例の第2態様に係るヒートスプレッダ25 ́を下方から眺めた外観斜視図である。第2態様に係るヒートスプレッダ25 ́は、第1態様に係るヒートスプレッダ25に比べて、脚部25B同士のスパンが小さい。これによれば、パッケージ基板23における領域Bが、第1態様のパッケージ基板23図3を参照に比べて小さくなる。よって、接合工程の除熱過程における、金属接合材32への応力集中の緩和が期待できる。しかしながら、第2態様に係るヒートスプレッダ25 ́は、本体部25Aが脚部25Bの外側に向かって大きく張り出している。このような、いわゆる片持ち梁形式のヒートスプレッダ25 ́では、以下の理由により、締結部材29の締め付けに起因する金属接合材32への応力集中が起こり易くなる。即ち、ヒートシンク26におけるベースプレート26Aの四隅に形成されるボルト27の貫通孔は、半導体パッケージ22の輪郭よりも外側に位置する。そのため、締結部材29のナット28を締め付けることにより、ベースプレート26Aが撓む。これにより、ヒートスプレッダ25 ́のうち、本体部25Aの張り出し部がベースプレート26Aに押圧され、下方に向かって撓む。その結果、ヒートスプレッダ25 ́は、全体として上側に凸となるように、本体部25Aが変形することになる。第2態様に係るヒートスプレッダ25 ́は、第1態様に係るヒートスプレッダ25に比べて、脚部25B同士のスパンが小さいため、本体部25Aが撓む際の曲率半径が小さくきつくなる。その結果、第2態様に係るヒートスプレッダ25 ́は、締結部材29の締め付けに因る金属接合材32への応力集中が起こり易くなる。このようにして、金属接合材32に応力が集中した状態の半導体パッケージ22が電子機器に組み込まれると、電源のオン、オフの切り替えによって半導体チップ24の温度が変動する。その結果、金属接合部32に更なる応力が作用し、金属接合部32が破損する虞がある。上記課題を解決するための実施形態に係る半導体パッケージ、配線基板ユニット、及び配線基板ユニットを備える電子機器を、図面を参照して、以下に説明する。以下の実施例の構成は例示であり、実施形態に係る半導体パッケージ、配線基板ユニット、及び電子機器は実施例の構成に限定されない。<第1実施例>図7は、第1実施例に係る電子機器1の外観斜視図である。図8は、第1実施例に係る配線基板ユニットの上面図である。図9は、図8におけるA-A矢視断面図である。図10は、第1実施例に係る配線基板ユニットの外観斜視図である。図7に示す符号1は、例えば、サーバー,メインフレーム等の電子機器1である。電子機器1は、筐体11を備え、この筐体11の内部には図8及び図9等に示す配線基板ユニット2が収容される。配線基板ユニット2は、メインボード3、半導体パッケージ4、ボルスタープレート5、締結部材6、ヒートシンク7等を備える。メインボード3には、例えば、樹脂基板が用いられている。メインボード3の表面には、半導体パッケージ4が実装されている。半導体パッケージ4は、パッケージ基板41、半導体チップ42、チップ部品43、ヒートスプレッダ8等を備える。半導体パッケージ4とメインボード3との間の接続構造は、例えばBGABallGridArray実装方式が採用されている。パッケージ基板41は、概ね矩形状の輪郭を有しており、例えば、ガラスエポキシ多層基板によって形成されている。パッケージ基板41の下面裏面には、複数の端子バンプ44、すなわちボールグリッドアレイが配置されている。半導体パッケージ4は、この端子バンプ44を介して、メインボード3の表面上面に電気的に接合される。端子バンプ44としては、例えば、半田ボールを用いることができる。また、半田ボールには、例えば、錫、銀、銅などの合金を用いた無鉛半田を好適に適用することができる。半導体チップ42は、発熱体の一例として挙げられる。パッケージ基板41の表面上面には、半導体チップ42の他、例えば、チップキャパシタやチップ抵抗等といったチップ部品43が実装されている。尚、半導体チップ42やチップ部品43は、例えば、フリップチップ接続等によって、パッケージ基板41の端子と電気的に接続することができる。半導体パッケージ4のヒートスプレッダ8は、半導体チップ42を封止するリッドキャップとしての役割と、稼働により発熱する半導体チップ42の熱をヒートシンク7に伝熱する役割と、を有する部材である。ヒートスプレッダ8は、半導体チップ42の上部に配置される本体部81と、本体部81の下面裏面からパッケージ基板41まで延伸垂下する脚部82と、半導体チップ42を収容する収容凹部83と、を有する。脚部82の先端面は、熱硬化性樹脂9を介してパッケージ基板41と一体に接着接合されている。但し、ヒートスプレッダ8の脚部82とパッケージ基板41の表面とを接着する接着材剤は、熱硬化性樹脂に限られない。収容凹部83は、ヒートスプレッダ8に係る本体部81の下面、脚部82の内面、及び、パッケージ基板41の上面表面によって存在領域が画定されており、本実施例では、箱型形状として形成されている。但し、収容凹部83の形状は箱型形状に限られず、その他の形状を採用してもよい。ヒートスプレッダ8は、例えば、銅やアルミニウムといった、熱伝導性伝熱性の優れた金属材料を用いることができる。ヒートスプレッダ8は、伝熱体の一例である。ヒートスプレッダ8の本体部81は、主として、半導体チップ42の熱を、ヒートシンク7側に伝熱させるために機能する部位である。本体部81は、半導体チップ42の上面よりも大きな輪郭を有しており、半導体チップ42から伝えられた熱を、本体部81の平面方向に分散させつつヒートシンク7に伝熱する。近年では、電子機器1におけるCPU等の高機能化、高速化に伴い、発熱体としての半導体チップ42の発熱量が増加傾向にある。半導体パッケージ4では、半導体チップ42の上面と、ヒートスプレッダ8の本体部81の下面裏面とを、熱抵抗の少ない金属接合材45を介して熱的に接合する。これにより、半導体チップ42からヒートスプレッダ8への伝熱性の向上を図っている。本実施例において、金属接合材45の一例として半田を使用しているが、これには限定されない。ヒートスプレッダ8の脚部82の形状、機能等については、後述する。なお、金属接合材45による半導体チップ42とヒートスプレッダ8との接合、及び、熱硬化性樹脂9によるヒートスプレッダ8とパッケージ基板41との接合を行う接合工程は、上記比較例において述べたものと同様である。接合工程では、例えば、金属接合材45の融点以上、且つ熱硬化性樹脂9が硬化する硬化温度以上の温度となるように、半導体パッケージ4を加熱しつつ、ヒートスプレッダ8とパッケージ基板41とを挟み込むようにプレスする熱プレス処理が行われる。熱プレス処理に際しては、例えば、ヒートスプレッダ8における本体部81下面と半導体チップ42上面との間に金属接合材45である半田を配置する。また、ヒートスプレッダ8における脚部82下面先端面とパッケージ基板41上面との間に熱硬化性樹脂9を配置した状態で仮固定する。この状態の半導体パッケージ4に対して、例えば真空式熱プレス装置によって、所定の加熱条件、加圧条件下において熱プレスを行う。図8及び図9に示すように、ヒートシンク7は、ベースプレート71及び複数枚の放熱フィン72を有している。ベースプレート71は、ヒートスプレッダ8の上部に載置される、メインボード3の平面方向に広がる板状部材である。ベースプレート71は、ヒートスプレッダ8の本体部81よりも外側に広がる輪郭を有する。ヒートスプレッダ8の本体部81とベースプレート71との間には、熱伝導シート等の熱伝導材料が挟まれることで、双方が熱的に接触している。放熱フィン72は、ベースプレート71に固着された薄板状の放熱板である。各放熱フィン72は、ベースプレート71の上面から、垂直方向に立ちあがるように立設されている。また、個々の放熱フィン72は、相互に平行に配列されており、隣接する放熱フィン72同士の間には、同一方向に伸びる通気路が区画形成される。ベースプレート71、及び放熱フィン72等は、例えば、アルミニウムや銅といった金属材料を用いることができる。以上のように、半導体パッケージ4は、メインボード3とヒートシンク7との間に配置され、半導体チップ42及びヒートスプレッダ8と、ヒートスプレッダ8及びヒートシンク7とは、相互に熱接触して設けられる。半導体チップ42の熱は、金属接合材45、ヒートスプレッダ8を介して、ヒートシンク7に伝達される。ヒートシンク7のベースプレート71に伝達された熱は、複数の放熱フィン72から大気中に放射される。ヒートシンク7におけるベースプレート71の四隅には締結部材6が配置されている。締結部材6は、半導体パッケージ4の上面、即ち、ヒートスプレッダ8にヒートシンク7を押し付けつつ、ヒートシンク7をメインボード3に対して固定する部材である。締結部材6は、ボルト61、スプリング62、及びナット63を有する。締結部材6は、半導体パッケージ4における配置領域の外側領域に配置されている。ヒートシンク7のベースプレート71における四隅には、ボルト61を挿通させる貫通孔71Aが設けられている。メインボード3の下面裏面側には、締結部材6を固定するためのボルスタープレート5が配置されている図9を参照。ボルスタープレート5には、例えば、打ち込みネジ等の固定具5Aを介して、ボルト61の基端側が一体的に固定されている。メインボード3には、ベースプレート71と同様に、ボルト61を挿通させる貫通孔3Aが設けられている。メインボード3には、ベースプレート71に設けられている各貫通孔71Aに対応する位置に、合わせて4個の貫通孔3Aが設けられている。ボルト61は、例えば、メインボード3の裏側から、上下方向に整合して設けられた貫通孔3A、貫通孔71Aに順次、挿通させられる。図9に示すように、貫通孔3A及び貫通孔71Aに挿通された、ボルト61の先端側は、ベースプレート71の上面から突出しており、スプリング62及びナット63が装着されている。ナット63を締め付けることによって、スプリング62が圧縮される。その結果、圧縮されたスプリング62の復元力によって、ベースプレート71とボルスタープレート5との間隔を狭める方向に、スプリング62からベースプレート71とボルスタープレート5とに押圧力が作用する。これにより、ヒートシンク7のベースプレート71が、ヒートスプレッダ8の上面に押し付けられ、ヒートシンク7及び半導体パッケージ4が、メインボード3に固定される。ボルスタープレート5は、第1プレートの一例である。また、ベースプレート71は、第2プレートの一例である。ヒートシンク7は、冷却部材の一例である。なお、本実施例では、半導体パッケージ4を冷却する冷却部材の一例として、空冷式のヒートシンク7を採用しているが、他の機構を適用してもよい。例えば、ベースプレート71に冷却液を循環させる流路が形成された、いわゆる液冷式の冷却機構を適用してもよい。次に、ヒートスプレッダ8の詳細構造について、説明する。図11は、第1実施例に係る配線基板ユニット2の水平断面図である。図11は、半導体パッケージ4において、ヒートスプレッダ8の脚部82、半導体チップ42、及びチップ部品43等を通る高さで切断した断面を示す。また、図11には、メインボード3の輪郭位置を破線で示している。図12は、第1実施例に係るヒートスプレッダ8を下方即ち、収容凹部83側から眺めた外観斜視図である。また、図13は、図11におけるB-B矢視断面図である。図14は、第1実施例に係る半導体パッケージ4の側面図である。図14においては、半導体パッケージ4以外の構成の図示を割愛している。また、図14は、図11中に示す矢印C方向から半導体パッケージ4を眺めた場合の側面図である。以下、図11~図14を参照して、本実施例に係るヒートスプレッダ8の詳細について説明する。ヒートスプレッダ8の脚部82は、パッケージ基板41の隅部ここでは、四隅に配置される第1脚部82Aと、第1脚部82Aよりも内側、即ち、半導体チップ42に近い部位に設けられる第2脚部82Bと、を有する。第1脚部82Aは、半導体チップ42と、締結部材6との間に設けられる。例えば、図11に示すように、第1脚部82Aは、半導体チップ42の隅部角部と締結部材6とを結ぶ仮想線上の何れかの位置に配置されている。即ち、第1脚部82Aは、半導体チップ42と締結部材6とによって挟まれる、パッケージ基板41上の平面位置に配置される。ここで、チップ部品43は、矩形状を有する半導体チップ42の周辺に設けられている。より具体的には、半導体チップ42の各辺側面に沿うようにして、複数のチップ部品43が並べて設けられている。ヒートスプレッダ8の第2脚部82Bは、第1脚部82Aよりもパッケージ基板41における内側であって、且つ、半導体チップ42の周辺に設けられるチップ部品43と半導体チップ42との間に設けられている。更に、第2脚部82Bは、半導体チップ42の各辺に沿った4つの線状の壁体が相互に連結することによって、環状に形成されている。但し、後述する変形例に示すように、上記した第1脚部82A及び第2脚部82Bの形状、配置態様については、種々の変更を加えることができる。本実施例に係るヒートスプレッダ8によれば、パッケージ基板41上において、第2脚部82Bを、チップ部品43と半導体チップ42との間に配置することにより、半導体チップ42の近くに配置するようにした。そのため、図3に示した比較例の第1態様に係る配線基板ユニット20と比較して、領域Bが形成される範囲を狭めることができる図13を参照。より詳しくは、半導体パッケージ4の製造時特に、接合工程における除熱過程に収縮変形が大きくなり易い、半導体チップ42による拘束を受けない領域Bが形成される範囲を、狭くすることができる。即ち、半導体パッケージ4の製造時において、パッケージ基板41に反り生じる度合いが軽減される。その結果、硬化後における金属接合材45への応力集中が起こり難くなり、金属接合材45の破損を抑制できる。従って、半導体パッケージ4の製造時における信頼性が低下することを抑制することができる。また、半導体パッケージ4が電子機器1に組み込まれた後の稼動時には、上述したように、電源をオン、オフする度に、半導体チップ42の温度が上下変動する。これに対して、本実施例に係る半導体パッケージ4は、ヒートスプレッダ8の第2脚部82Bが半導体チップ42の近傍に配置されている。これによれば、第2脚部82Bが、本体部81とパッケージ基板41との距離を保持する機能を発揮する。従って、半導体パッケージ4の稼動時に、半導体チップ42とヒートスプレッダ8との間に熱膨張差が生じたとしても、その影響を軽減することが可能となる。半導体チップ42の近傍に配置される第2脚部82Bが、本体部81とパッケージ基板41との間の垂直距離を保持するため、金属接合材45に大きな応力が掛かることを抑制できる。一方、ヒートスプレッダ8における脚部82同士のスパンを小さくするだけでは、比較例の第2態様で述べたように、その背反として、締結部材6の締め付けに起因する金属接合材45への応力集中が起こり易くなる。これに対して、本実施例では、締結部材6の締め付け力が作用するパッケージ基板41の隅部において、半導体チップ42と締結部材6との間に第1脚部82Aを配置することで、上記不具合を解消するようにした。ここで、締結部材6はメインボード3の平面内において、パッケージ基板41の輪郭よりも外側の領域、且つ、パッケージ基板41の対角同士を結ぶ延長上に配置されている。従って、締結部材6の締め付け力は、ヒートシンク7におけるベースプレート71を介して、本体部81の隅部に伝達される。本実施例では、締結部材6の締め付け力が作用する本体部81の隅部に対応させて、パッケージ基板41の隅部に第1脚部82Aを配置するようにした。これにより、パッケージ基板41の隅部同士を結ぶ対角方向において、脚部82同士のスパンを大きく確保することができる。その結果、締結部材6の締め付け力によってヒートスプレッダ8の本体部81が撓む際の、曲率半径を大きく緩やかにすることができる。従って、締結部材6の締め付けに起因する、硬化後における金属接合材45への応力集中を緩和することができる。更に、ヒートスプレッダ8は、パッケージ基板41の隅部において、本体部81が脚部82の外側に張り出すことを抑える構造としたので、本体部81がベースプレート71に押圧された際に、本体部81を撓み難くすることができる。これにより、ヒートスプレッダ8と半導体チップ42とを接合する金属接合材45への応力集中を緩和することができる。従って、電子機器1の電源のオン、オフを切り替える度に半導体チップ42の温度が変動し、半導体チップ42とヒートスプレッダ8との間に熱膨張差が生じたとしても、半導体チップ42とヒートスプレッダ8との接合部の破損を抑制できる。よって、半導体パッケージ4の稼動時における信頼性が低下することを抑制できる。以上のように、本実施例に係るヒートスプレッダ8は、第2脚部82Bを、第1脚部82Aの内側であって且つチップ部品43と半導体チップ42との間に配置したので、半導体パッケージ4の製造時における金属接合材45の破損を抑制できる。更に、第1脚部82Aを、パッケージ基板41の隅部に配置したので、第2脚部82Bのスパンを小さくしたことに起因する不都合が生じることを抑制できる。即ち、締結部材6の締め付け力に起因して本体部81が撓む際の曲率半径を緩やかにすることができ、且つ、パッケージ基板41の隅部において本体部81の側方への張り出しを無くすことにより、本体部81を撓み難くすることができる。これにより、半導体パッケージ4の稼働時においても、金属接合材45に大きな応力が掛かることを抑制し、金属接合材45の破損を防ぐことができる。よって、本実施例に係る半導体パッケージ4によれば、製造時及び稼動時の双方において、半導体パッケージ4に係る品質の信頼性を担保することができる。また、本実施例に係るヒートスプレッダ8では、半導体チップ42と締結部材6との間に挟まれた位置に第1脚部82Aを配置した。そのため、締結部材6の締め付けによる影響が顕著となる箇所において、第1脚部82A同士のスパンを充分に確保できる。これにより、金属接合材45に作用する応力を低減させる効果が、より一層顕著なものとなる。したがって、半導体チップ42とヒートスプレッダ8との接合部の破損を、より一層良好に抑制することができる。また、本実施例に係る半導体パッケージ4において、第1脚部82Aをパッケージ基板41の隅部に配置させたことは、以下の点でも有利である。即ち、パッケージ基板41における外周部のうち、各辺における中央部の表面を、チップ部品43を実装するためのスペースとして利用することができる。これにより、チップ部品43を、半導体チップ42の各辺各側面に沿って、対向して配置することが可能となる。ここで、パッケージ基板41に実装される半導体チップ42とチップ部品43とは、例えば、パッケージ基板41に形成される配線層を介して電気的に接続されている。本実施例では、パッケージ基板41の表面において、チップ部品43を半導体チップ42の各辺に沿って対向配置することができるので、上記配線層が複雑な形状となることを回避できる。つまり、パッケージ基板41の配線層の配線距離を短くすることができ、且つ、配線層を形成する導体パターンの形状も単純な形状にすることができる。その結果、半導体パッケージ4の製造コストの低減、及び製品の信頼性の向上を図ることができる。検証第1実施例に係る配線基板ユニット2半導体パッケージ4について、金属接合材45に作用する応力の低減効果の検証を行った。検証を行った半導体パッケージ4の詳細について、図15に示す。図15は、検証に用いた第1実施例に係る半導体パッケージ4を説明する説明図である。図15における左図は、第1実施例に係る半導体パッケージ4の平面形状及び各寸法を示す図である。図15における右図は、第1実施例に係るヒートスプレッダ8の立面形状及び各寸法を示す図である。本検証に用いた第1実施例に係る半導体パッケージ4は、半導体チップ42のサイズを縦16.5mm×横11.0mmとし、パッケージ基板41のサイズを縦40.0mm×横40.0mmとした。ヒートスプレッダ8の脚部82の各寸法については、第1脚部82Aのサイズを縦8.25mm×横11.0mmとした。また、第2脚部82Bについては、幅L23.0mmとし、ロの字型に環状配置した。また、半導体チップ42の各辺各側面と第2脚部82Bとの離れ寸法L1を3.0mmとした。ヒートスプレッダ8の周囲には、パッケージ基板41の外形に対して幅0.5mmの余白領域を設けた。また、ヒートスプレッダ8の全高を3.125mmとした。また、本体部81のうち、第2脚部82Bよりも外側の張り出し部の厚さを2.0mmとし、第2脚部の内側領域における厚さを2.5mmとした。本検証において、第1実施例に係る半導体パッケージ4と対比する対象として、比較例の第1態様に係る半導体パッケージ22図1、2等を参照と、比較例の第2態様に係る半導体パッケージ22図5、6等を参照を用いた。以下、第1態様に係る半導体パッケージ22を比較例1と称し、第2態様に係る半導体パッケージ22を比較例2と称する。比較例1及び比較例2に係る半導体チップ及びパッケージ基板の形状、各寸法は、第1実施例と同様である。比較例1に係るヒートスプレッダは、幅3.0mmの脚部を外周部にロの字型に配置した。比較例2に係るヒートスプレッダは、本体部の短辺方向縦方向における幅が11.0mm、本体部の長辺方向横方向における幅が8.25mmとなる張り出し部が本体部の外周部に形成されるように、幅3.0mmの脚部をロの字型に配置した。以上の条件下において上記検証を行ったところ、第1実施例では、半導体チップ及びヒートスプレッダを接合する金属接合材に作用する応力が、比較例1に比べて21.5低減され、比較例2に比べて11.9低減されるという結果を得た。<変形例>次に、本実施形態に係る変形例について説明する。図16は、第1変形例に係る半導体パッケージ4Aを説明する説明図である。第1実施例と同一の構成要素については、第1実施例と同一の符号を付し、その説明を省略する。第1実施例においては、ヒートスプレッダ8の第1脚部82Aと第2脚部82Bとが一体に連結されている構造を例に説明したが、これに限られない。第1変形例に係るヒートスプレッダ8は、第1脚部82Aと第2脚部82Bとが、独立して設けられている。より詳しくは、第1変形例においては、第2脚部82Bは、第1脚部82Aとは独立した、概略ロの字型の環状壁体として形成されている。そして、矩形状の第1脚部82Aが、パッケージ基板41の四隅の各々に、第2脚部82Bとは独立した状態で第2脚部82Bの外側に配置されている。このように、第1脚部82A及び第2脚部82Bが互いに離反していても、第1実施例において述べたものと同様な機能を発揮し、半導体チップ42とヒートスプレッダ8とを接合する金属接合材の破損を抑制できる。なお、第1脚部82A及び第2脚部82Bは本体部81を介して連結されており、全体としては一個のヒートスプレッダ8として形成されている。更に、第1変形例に係る半導体パッケージ4Aは、ヒートスプレッダ8における第1脚部82Aが配置される領域に、パッケージ基板41の外縁部46が含まれている。即ち、パッケージ基板41の隅部のうち、パッケージ基板41の輪郭を形成する外縁部46の上部に、ヒートスプレッダ8の第1脚部82Aが配置されている。パッケージ基板41の平面方向において、ヒートスプレッダ8における第1脚部82Aを、パッケージ基板41の外縁部46に至るまで形成させることで、締結部材6の締め付けに因るヒートスプレッダ8の撓みに対する抵抗力がより一層大きくなる。これは、ヒートスプレッダ8における第1脚部82A同士のスパンを増大させると、締結部材6の締め付けによってヒートスプレッダ8の本体部81が撓む際の曲率半径を緩やかにできるからである。本変形例に係る半導体パッケージ4Aでは、ヒートスプレッダ8における第1脚部82Aを配置する領域に、パッケージ基板41の外縁部46を含ませることによって、金属接合材45の破損がより一層起こり難くなる。図17は、第2変形例に係る半導体パッケージ4Bを説明する説明図である。第1実施例と同一の構成要素については、第1実施例と同一の符号を付し、その説明を省略する。図17に示すように、第2変形例に係る半導体パッケージ4Bは、ヒートスプレッダ8の第2脚部82Bの形状が、第1実施例と相違する。第2変形例に係る第2脚部82Bは、図17に示すように、複数の柱状体を有する。図示のように、ヒートスプレッダ8の第2脚部82Bは、環状に設けられていなくてもよい。つまり、パッケージ基板41は、半導体チップ42側とチップ部品43側の各領域が第2脚部82Bによって区画されていなくてもよい。ヒートスプレッダ8の第2脚部82Bは、第1脚部82Aの内側であって、チップ部品43と半導体チップ42との間に配置されていれば、半導体パッケージ4Bの製造時及び稼動時において、金属接合材45への応力集中を緩和することができる。また、第2脚部82Bをパッケージ基板41の内側に設けることに起因する、締結部材6を締め付けた際にヒートスプレッダ8が撓み易くなるという不都合は、第1実施例と同様に、第1脚部82Aの働きによって解消することができる。また、本変形例において、第2脚部82Bを形成する柱状体の設置数は、図17に示す例に限定されるものではなく、適宜変更することができる。図18は、第3変形例に係る半導体パッケージ4Cを説明する説明図である。上述までの構成例と同一の構成要素については、同一の符号を付し、その説明を省略する。図18に示すように、第3変形例に係る半導体パッケージ4Cは、半導体チップ42の輪郭に沿って形成される壁体を有する。より具体的には、半導体チップ42の各辺各面に沿って対向するように、4つの壁体が配置されている。そして、ヒートスプレッダ8の第2脚部82Bを形成する各壁体は、半導体チップ42の側面に対向して設けられるチップ部品43と半導体チップ42との間を遮蔽するように設けられている。ところで、接合工程において半導体パッケージ4Cが加熱されると、金属接合材45を形成する半田が溶融した際に、チップ部品43側に流れ込む虞がある。これに対して、本変形例に係る半導体パッケージ4Cでは、チップ部品43と半導体チップ42との間を遮蔽するように、ヒートスプレッダ8の第2脚部82Bを設けるようにした。そのため、金属接合材45を形成する溶融状態の半田が、チップ部品43側に向かって流れ込もうとしても、第2脚部82Bによって遮蔽されているため、半田がチップ部品43まで到達することがない。従って、溶融した半田によってチップ部品43の端子がショートする等といった不具合を防ぐことができる。なお、チップ部品43に関するショート不良の抑制効果は、ヒートスプレッダ8の第2脚部82Bを環状に形成した、第1実施例に係る半導体パッケージ4においても得ることができる。更に、ヒートスプレッダ8の第2脚部82Bを環状に配置することで、半導体チップ42とチップ部品43との間に隙間が生じないので、チップ部品43のショート不良を、より確実に防ぐことができる。従って、電子機器1に関する性能及び品質の信頼性を高めることができる。また、第1実施例に係る配線基板ユニット2においては、締結部材6の設置数を4個とする例を説明したが、これに限られず、他の設置数であってもよい。例えば、締結部材6を3個以下とする場合、メインボード3の何れかの隅部に締結部材6が設置されない場合がある。このような場合、パッケージ基板41の隅部のうち、締結部材6が設置されないメインボード3の隅部と対応する箇所には、ヒートスプレッダ8の第1脚部82Aを配置しなくてもよい。もっとも、締結部材6の有無に関わらず、パッケージ基板41の隅部に、ヒートスプレッダ8の第1脚部82Aを配置してもよい。また、第1実施例では、半導体パッケージ4とメインボード3との間の接続構造を、BGA実装方式としたが、これに代えて、LGA実装方式、或いはPGA実装方式等を採用してもよい。また、実施形態においては、電子機器の一例としてパーソナルコンピュータを挙げて説明したが、これに限定されるものではない。実施形態に係る半導体パッケージ、配線基板ユニットは、例えば、サーバコンピュータ等といった他の電子機器に広く適用できる。また、以上の各実施形態は、可能な限りこれらを組み合わせて実施することができる。"