第1導電型の半導体基板の主表面および側面に第1導電型とは異なる導電型の第2導電型の不純物を拡散して拡散層を形成する第1工程と、前記半導体基板の前記主表面の周辺部に保護領域を設ける第2工程と、前記保護領域の内側の前記半導体基板の前記主表面をエッチングしてテクスチャ構造を形成する第3工程と、第1工程乃至第3工程を経た前記半導体基板を前記主表面が同一方向を向くように複数積み重ね、その側面をエッチングして前記拡散層を除去する第4工程と、を備えることを特徴とする太陽電池の製造方法。第3工程において、前記保護領域には、前記テクスチャ構造よりも前記同一方向の高さが高い突起部が形成されることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。第4工程において、1つの前記半導体基板の前記突起部が別の前記半導体基板の裏面に接するように積み重ねられた状態でエッチングすることを特徴とする請求項2に記載の太陽電池の製造方法。第2工程の後、第3工程の前に、前記拡散層の上に形成されている保護膜にブラスト加工により穴をあける工程をさらに含むことを特徴とする請求項1、2または3に記載の太陽電池の製造方法。第2工程において、ブラストマスクで囲むことにより保護領域を設けることを特徴とする請求項4に記載の太陽電池の製造方法。第3工程のエッチングはアルカリ水溶液によるウェットエッチングであることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法。太陽電池基板に形成された拡散層は、基板の側面まで形成されている。側面の拡散層を除去せずに基板を作製すると短絡が起こり電流を取り出せない。そのため、拡散層を分離するため、プラズマによるエッチングを実施している。しかし、端面エッチング時にはプラズマによる拡散層と受光面に対する必要以上のエッチングが行われている。たとえば、特開2004-273829号公報に開示された技術などのように、表面に高さの異なる領域があると、スタックした側面に隙間ができて、隙間内にプラズマが侵入して、表面の一部が削れてしまうという問題があった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、必要以上のエッチングを減少させることで、プラズマが与えるウェハ受光の面損傷の抑制、拡散層の削り量の抑制が可能な太陽電池の製造方法を得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、第1導電型の半導体基板の主表面および側面に第1導電型とは異なる導電型の第2導電型の不純物を拡散して拡散層を形成する第1工程と、前記半導体基板の前記主表面の周辺部に保護領域を設ける第2工程と、前記保護領域の内側の前記半導体基板の前記主表面をエッチングしてテクスチャ構造を形成する第3工程と、第1工程乃至第3工程を経た前記半導体基板を前記主表面が同一方向を向くように複数積み重ね、その側面をエッチングして前記拡散層を除去する第4工程とを備えることを特徴とする。本発明によれば、端面エッチング時にプラズマが基盤部分に与える損傷を抑制することができ、短絡電流の減少が可能となる。それに伴い、ライフタイムが改善し、光電変換効率に優れた太陽電池素子を得ることができるという効果を奏する。以下に、本発明にかかる太陽電池及び、その製造方法の実施の形態について説明する。本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を脱しない範囲において、適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては理解の容易のため、各部材の縮尺が実施とは異なる場合がある。各図面内においても同様である。実施の形態1.図1-1は本発明の実施の形態にかかる太陽電池セル構成を説明するための受光面側から見た平面図である。図1-2は実施の形態1にかかる太陽電池セルの図1-1における線分A-Aにおける要部断面図である。本実施の形態における太陽電池セルにおいては、第1導電型の半導体基板1の受光面側に、第1導電型とは異なる導電型の第2導電型層2が形成されていると共に第2導電型層2の表面にシリコン窒化膜から形成される絶縁層4が形成されている。窒化膜はパッシベーション層として作用する。半導体基板1は、p型の単結晶もしくは多結晶のシリコン基板を用いることができる。この場合の第2導電型層2は、半導体基板1にリンが拡散された不純物拡散層である。また、半導体基板1はこれに限定されるものではく、n型のシリコン基板を用いてもよい。パッシベーション層4として、シリコン酸化膜を用いてもよい。また、太陽電池セルの半導体基板1の受光面側の表面にはテクスチャ構造として微小な凹凸が形成されている。微小面凹凸は受光面側において外部からの光を吸収する面積を増加させ、受光面側における反射率を抑制し、光を閉じ込める構造となっている。半導体基板1の受光面側のパッシベーション膜4上には例えばガラスを主成分とする突起部3が形成されている。第1電極5が設けられ、第1電極5と交差するように第2電極8が形成されている。第2電極8と第1電極5は、例えば銀、ガラスを含む電極材料により構成される。第1電極5と第2電極8とが受光面側電極9を形成する。なお、突起部3はガラスが主成分でなくともスペーサーのようなもので、電極と同じかそれ以上の高さがあれば良い。第2電極8と第1電極5は同一材料から構成されることを限定するものではない。突起部3は図1-1のように基板表面の周縁付近に形成されている。突起部3は全周を囲むように形成されていることが望ましい。第2電極8はグリッド電極とも呼ばれ、受光面の面内方向において長尺細長の電極として複数並べて設けられ、このグリッド電極と導通するようにバス電極と呼ばれる第1電極5が設けられている。該グリッド電極は低面部において第2導電型層2に電気的に接続されている。なお、該グリッド電極の低面部と第2導電型層2の間にはパッシベーション層が形成されていてもよい。たとえば、太陽電池製造工程における熱処理により、グリッド電極のファイアースルーによって第2導電型層との間が導通されていればよい。ファイアースルー焼成貫通とはAgなどを含むペースト電極が焼成された際にパッシベーション層を貫通して、その下の第2導電型層2に接続する技術として一般に知られている。次に、本実施の形態にかかる太陽電池セルの製造方法について図2-1~図2-8を参照して説明する。図2-1~図2-8は、本実施の形態にかかる太陽電池の製造方法の各工程を示す断面図である。なお、図2-1~図2-8は、図1-2と同様、図1-1の線分A-Aの位置の断面図である。まず、図2-1に示すように、半導体基板1として、p型シリコン基板を用意し、p型シリコン基板をウェットエッチングによりスライス時に形成されたダメージ層を除去する。次に、ダメージが除去された半導体基板1に対して、たとえばリンなどを熱拡散させてn型の第2導電型層2を形成する。ここで第2導電型層2の形成後にはガラスを主成分とする膜が形成されるため、フッ素酸等を用いて除去する。その後、図2-2に示すように、第2導電型層2の半導体基板1の主表面側にシリコン窒化膜から形成される絶縁層4を形成する。次に、図2-3に示すように、例えば高温下で水蒸気などを充ててやることで、第2導電型層2を形成した半導体基板1の周り全体に保護膜10を形成する。後述のように保護膜10はテクスチャエッチング時にマスクとなる膜である。次に、図2-4に示すように保護膜10を形成した半導体基板1に対して、レジスト15をスクリーン印刷法により電極の形に印刷をし、乾燥する。またその時同時に、電極の形だけではなく半導体基板1の受光面側の周辺部を囲うように5μm以上15μm以下の厚さでレジスト13をスクリーン印刷する。なお、レジスト印刷は主成分が樹脂ではない材料からなっていても良い。レジスト13とレジスト15は同時に形成されても、別々の印刷マスクで形成されても良い。次に、図2-5に示すようにレジスト13およびレジスト15が印刷された半導体基板1に対して、たとえばアルミナの砥粒を用いて高圧で射出し、保護膜10にランダムに分散する微小な穴を開ける。次に、図2-6に示すように、保護膜10に穴を開けた半導体基板1に対して、アルカリ水溶液でエッチングを行うことで半導体基板1の受光面側の表面にテクスチャ構造として微小凹凸を形成する。その後、レジスト13およびレジスト15を除去し、フッ酸につけることで、パッシベーション膜4を除去する。なお、レジスト13およびレジスト15はアルカリ水溶液のエッチング前に除去してもよいし、工程を簡略化するためアルカリ水溶液によってテクスチャ構造の形成と同時に除去しても良い。このような構造を半導体基板1の受光面側に形成することで、太陽電池セルの表面で光の多重反射を生じさせて、実行的に反射率を低減し変換効率を向上させることができる。テクスチャ構造が形成された領域は第2導電形層2が一部、またはほぼ全部除去される。一方、レジスト13およびレジスト15が形成されていた領域や、保護膜10が付着して穴が形成されなかった領域は第2導電型層2が残る。またこれらの領域の頂面は、ダメージ層の除去の工程で多少の凹凸はあるものの、テクスチャ構造が形成された領域に比べてはるかに平坦な面となっている。テクスチャエッチングされない基板の裏面側も同様に平坦である。次に、図2-7に示すように、たとえば、リンなどを熱拡散させてもう一度第2導電型の層を形成する。この時、リンの濃度は図2-1で第2導電型層2を形成した時より低濃度にして形成する。これにより、テクスチャ構造が形成された領域に不純物濃度が低い第2導電型層7ができる。一方、最初に高濃度の不純物を拡散した第2導電型層2は、もともと不純物濃度が高いため、高濃度不純物領域低抵抗領域となる。次に、半導体基板1の端面に残存している第2導電型層2をプラズマ等でエッチング除去する。ここで、表側のn型の拡散部が裏面側に接続しないように、上記工程を経た半導体基板1を、図2-8に示すように複数個をつみ重ねて側面をプラズマでエッチングする。このとき、周囲を囲むような突起部3があると、積み重ねた際の太陽電池セルの隙間が突起部3により閉じられることになるので、太陽電池セルを重ねた隙間の内部までプラズマが届かなくなることにより、必要以上のエッチングを防ぐことができる。テクスチャ構造が形成された部分の低濃度の第2導電型層7は特に厚みが薄く、少しでもエッチングされると抵抗が大幅に上昇するが、図2-8に示すようにしてプラズマでエッチングすれば、突起部3の上の高濃度の第2導電形層2を含め、それより内側の第2導電型層7のエッチングを防止できる。その後、基板の表面や裏面に第2導電型層7の形成後にガラスを主成分とする膜が付着しているので、フッ素酸等を用いて除去する。次に、図1-2に示すように光電変換効率改善のために、受光面側に、パッシベーション層4として例えばシリコン窒化膜などの膜を形成する。パッシベーション層4であるシリコン窒化膜は反射防止膜の効果も具備しており、形成には、例えばプラズマCVD法を使用し、シランとアンモニアの混合ガスを用いて形成する。パッシベーション膜4の形成後、受光面とは逆側の面に裏面側電極6との電極材料であって例えばアルミニウム、ガラス等を含む裏面側電極材料ペーストをスクリーン印刷法により塗布し、乾燥する。つぎに、パッシベーション層4上に第1電極5の電極材料であって例えば銀、ガラス等を含むペーストを、スクリーン印刷法により塗布し、乾燥する。その後、大気中において、例えば750°C~900°Cの温度で焼成を行う。これにより銀がパッシベーション層4を貫通する。さらに、裏面側電極6が形成される。また、裏面側電極6にアルミニウムを用いた場合、アルミニウムがシリコン中に拡散して高濃度のp型の導電層13ができる図1-2。最後に、第1電極5および第2電極8の構成部位を例えば銀、ガラス等を含む電極材料ペーストをスクリーン印刷法により塗布し、乾燥する。第1電極5および第2電極8の構成部位はそれぞれ別の材料からなっていても良い。その後、必要があれば第1電極5および第2電極8の構成部位の電極材料に応じ焼成を行い、第1電極5および第2電極8とを形成する図1-2。以上により、図1-1および図1-2に示す太陽電池セルが完成する。突起部3の上に電極を形成してもよいが、図のように突起部3の上に電極を形成していない構成とすると、突起部3の部分もパッシベーション膜4が形成された受光領域として発電に寄与するので、変換効率を向上することができる。突起部3の上に部分的に電極を形成し、残りの領域に電極を形成せず、受光領域としても良い。以上のように、基板の周辺に突起部3を形成し、その後に端面の不純物拡散層をプラズマエッチングで除去する方法を用いたので、突起部3から内側がエッチングされることを防いで、高性能な太陽電池を製造することができる。本実施の形態においては、太陽電池セルの作製時、太陽電池セルの周辺部にスクリーン印刷を使って電極よりも高い突起部3を形成し端面のプラズマエッチングを行うことを特徴とする。この作製法により、端面のプラズマエッチング時に必要以上の拡散層の削れを防ぐことができ、キャリア寿命を延ばすことができる。また、光電変換効率に優れた太陽電池セルを作成できる。実施の形態2.実施の形態2では、スクリーン印刷法以外での突起部3の作製法について説明する。実施の形態2にかかる太陽電池の製造方法は、実施の形態1にかかる太陽電池の製造方法と突起部3の作製方法以外を除いては同様であるので、その部分に関しては実施の形態1の説明を参照することとして詳細な説明は省略する。図3は実施の形態2にかかるアルミナ砥粒を射出する時の太陽電池セルを受光面側から見た平面図である。上述した実施の形態1にかかる太陽電池の製造方法においては、スクリーン印刷を行う時に突起部3を形成する方法で行った。実施の形態2ではアルミナの砥粒を用いて高圧で射出し、保護層10に穴を開ける工程の時、実施の形態1のようにスクリーン印刷によるレジスト13は用いない。実施の形態2では、図3に示すように半導体基板1の周辺部にアルミナ砥粒の射出では貫通できないよう太陽電池セルを押さえるブラストマスク11、たとえば、樹脂等でできた形成物を乗せてから砥粒を射出する。このように太陽電池セルを作製することにより、実施の形態1と同じような突起部3を形成することができ、端面のプラズマエッチング時における、必要以上の第2導電型層2のエッチングを抑えることができ、より光電変換効率に優れた太陽電池セルが実現される。実施の形態1では、突起部3を印刷によるマスクを利用して形成したので、基板のエッジまで突起部3を形成することが難しかったが、この方法では、基板のエッジまで突起部3を形成することできるので、エッジ付近までエッチングを抑えることができ、より光電変換効率に優れた太陽電池セルが実現される。以上説明したように、本実施の形態においては、太陽電池セルの作成時において、パッシベーション膜に穴を開ける工程で、太陽電池セルの周辺部に穴が開かないように、保護枠を置くことによって、太陽電池セル周辺部に電極よりも高い突起部を形成することを特徴とする。この作製法により、端面のプラズマエッチング時に必要以上の拡散層の削れを防ぐことができ、キャリア寿命を延ばすことができる。また、光電変換効率に優れた太陽電池セルを作成することができる。更に、本願発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出されうる。例えば、上記実施の形態1または2それぞれに示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出されうる。更に、上記実施の形態1または2にわたる構成要件を適宜組み合わせてもよい。