"基板上に直接にまたは絶縁体膜を介してバリア金属膜を形成する工程と、該バリア金属膜上にCVD法によって銅膜を形成する工程とを含む半導体デバイス製造方法において、該バリア金属膜を形成する工程と該銅膜を形成する工程との間に、加熱条件下アンモニア、水素、またはシランのうちの少なくともいずれか1つを含む第1の還元性ガスに暴露する工程と、該銅膜を形成する工程の後に、加熱条件下第2の還元性ガスに暴露する工程と、を有することを特徴とする半導体デバイス製造方法。前記第2の還元性ガスは、アンモニアまたは水素のうちの少なくともいずれか1つであることを特徴とする請求項1記載の半導体デバイス製造方法。前記バリア金属膜は窒化タングステンまたは窒化タンタルにより形成されることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体デバイス製造方法。前記第1の還元性ガスに暴露する工程は、250~500°Cの温度で行うことを特徴とする請求項1~3のいずれか1項記載の半導体デバイス製造方法。前記第2の還元性ガスに暴露する工程は、250~500°Cの温度で行うことを特徴とする請求項1~4のいずれか1項記載の半導体デバイス製造方法。本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、バリア金属膜とCVD法によって形成される金属導体膜である銅膜との間の密着性に優れた半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。本発明に係る半導体デバイス製造方法は、基板上に直接にまたは絶縁体膜を介してバリア金属膜を形成する工程と、該バリア金属膜上にCVD法によって銅膜を形成する工程とを含む半導体デバイス製造方法において、該バリア金属膜を形成する工程と該銅膜を形成する工程との間に、加熱条件下アンモニア、水素、またはシランのうちの少なくともいずれか1つを含む第1の還元性ガスに暴露する工程と、該銅膜を形成する工程の後に、加熱条件下第2の還元性ガスに暴露する工程と、を有することを特徴とする。ここで、基板は、Siウェハやガラスプレート等を用いることができ、特に限定しない。また、バリア金属膜は、加熱あるいは電気的なストレス過程において銅膜が絶縁体膜あるいは基板と反応して絶縁体膜あるいは基板の機能を劣化させることを防止するための金属薄膜である。また、銅膜は、配線パターンであってもよく、あるいは、コンタクト孔やビア孔に堆積されるビアやコンタクト等の導体層であってもよい。これらは、以下の各発明においても同様である。上記の発明の構成により、バリア金属膜とCVD法により形成される銅膜との密着性を向上することができる。この場合、前記第2の還元性ガスは、アンモニアまたは水素のうちの少なくともいずれか1つであり、また、前記第1の還元性ガスに暴露する工程および前記第2の還元性ガスに暴露する工程は、それぞれ250~500°Cの温度で行うと、より好適に本発明の効果を奏することができる。ここで、それぞれの温度は、処理を行うチャンバ内の雰囲気温度をいうが、この雰囲気温度は形成されたバリア金属膜や銅膜の温度と実質的に同一である。また、この場合、バリア金属膜は窒化タングステンWNまたは窒化タンタルTaNにより形成されると、本発明の効果を好適に奏することができる。本発明によれば、バリア金属膜とCVD法によって形成される金属導体膜である銅膜との間の密着性に優れた半導体デバイスの製造方法が提供される。本発明に係る半導体デバイス製造方法の好適な実施の形態について、ビア孔に金属導体膜を堆積してビアを形成する場合を例に取り、図を参照して、以下に説明する。本実施の形態の第1の例に係る半導体デバイス製造方法について、図1の処理フロー図および図2~図9の半導体デバイスの部分断面図を参照して以下説明する。まず、例えば、Siウェハからなる基板10上に複数の絶縁層絶縁体膜12a~12cを積層した後各図では便宜的に複数の層を一括して単一の模様で表示している。以下、単に絶縁層12という。、絶縁層12に段差状にビア孔14aおよび配線溝14bをエッチングにより形成するS1、図2。この場合、基板10の直上に形成される第1層の絶縁層12aには配線パターンとしての金属導体層16が形成されている。この金属導体層16は、例えば、Cuを用いてCVD法により形成される。なお、金属導体層16と、基板10および絶縁層12aとの間には、例えば、TaNを用いてPVD法により形成したバリア金属層18が設けられている。なお、図3以降において基板10は図示を省く。ついで、ウエットクリーニング等により、ビア孔14aおよび配線溝14b中に存在するエッチングの際に発生したポリマー等の不純物図2中、参照符号20で示すを除去クリーニングするS2、図3。ついで、ビア孔14aおよび配線溝14bの側壁およびビア孔14の底金属導体層16の上端面にバリア金属膜22を形成するバリア金属膜形成工程:S3、図4。このバリア金属膜22は、原料としてタンタルTaまたはWを用い、1~30Pa絶対圧程度の減圧下、室温~200°C程度の温度で真空蒸着等のPVD法によって成膜される。この場合、原料のTaやWは、アンモニアNH3あるいは窒素N2のガスにより窒化され、成膜後のバリア金属膜22ではTaNまたはWNに変化している。ついで、還元性ガス雰囲気下で加熱処理する第1の還元処理工程:S4、図5。すなわち、還元性ガス第1の還元性ガスとして、水素化ケイ素SinH2n2、好適にはモノシランSiH4、あるいは、アンモニアNH3、水素H2、窒素N2等を用い、これらいずれかの、還元性ガス雰囲気中において、例えば、40Pa程度の真空下で、250~500°Cの範囲内の、例えば、450°Cの温度で、例えば、3分程度処理する。このとき、例えば、NH3の場合で最大約200cm3標準状態/分min程度、SiH4の場合で最大約5cm3標準状態/分、H2の場合で最大約500cm3標準状態/分程度、それぞれの還元性ガスの1種類単独でまたは2種類以上を混合して流通させる。ついで、バリア金属膜22上にCVD法によって金属導体膜24を形成する金属導体膜形成工程:S5、図6。ここで、原料として、例えば、有機溶液中にCuの一価イオンを含有させた有機金属が用いられる。有機溶液は、ヘキサフルオロアセチルアセトネートに、Cu原子と結合するための配位子として、例えば、トリメチルビニルシラン、アリルトリメチルシラン、2-メチル-1-ヘキセン-3-エン、3-ヘキシン-2,5-ジメトキシ、ヘキサフルオロプロピン若しくはトリエトキシビニルシラン等のうちのいずれかを含むものを用いる。そして、10~104Pa程度、好適には27~133Pa程度の真空下で、140~240°C程度、好適には150~210°C程度の温度で、加熱により発生する原料ガスにキャリアガスとしてH2、He、N2、Ar等を同伴させて成膜する。このときのキャリアガスの流通量は、最大で500cm3標準状態/分程度である。ついで、電気メッキ法により金属導体膜24上にCuを堆積し、ビア孔14aおよび配線溝14bを完全に閉塞するとともに、さらに絶縁層12の上面を覆うようにして金属導体部26を形成するS6、図7。ついで、還元性ガス雰囲気下で加熱処理する第2の還元処理工程:S7、図8。すなわち、還元性ガス第2の還元性ガスとして、NH3、He、H2、N2、Arの何れかを用い、少なくとも10Pa以上、例えば、670Pa程度の真空下で、250~500°Cの範囲内の、例えば、350°Cの温度で、少なくとも0.5分以上程度、例えば、5分間、処理する。なお、処理時間は処理温度に依存する。このときの還元性ガスの流量は、例えば、H2の場合で400cm3標準状態/分程度である。ここで、上記の手順に代えて、ステップ6S6とステップ7S7とは順序を入れ替えて行ってもよい。最後に、CMPChemicalMechanicalPolish法により金属導体部26を研磨して平坦化処理するS8、図9。すなわち、シリカ粒子等を含む研磨液を注ぎながら定盤に貼付した研磨パッドによって金属導体部26を精密に研磨して、絶縁層12を露出させ、絶縁層12の上端面と金属導体部26の上端面が同一平面を構成するように平滑化して、ビア28および配線層29が形成される。上記した各工程に加えてさらに適宜他の工程を経ることにより、バリア金属膜形成工程と金属導体膜形成工程との間に、加熱条件下第1の還元性ガスに暴露する第1の還元処理工程と、金属導体膜形成工程の後に、加熱条件下第2の還元性ガスに暴露する第2の還元処理工程と、を経て本実施の形態の第1の例に係る製造方法による半導体デバイスが完成する。つぎに、本実施の形態の第2の例に係る半導体デバイス製造方法について、図10の処理フロー図および図11~図18の半導体デバイスの部分断面図を参照して以下説明する。なお、本実施の形態の第2の例に係る半導体デバイス製造方法において、上記本実施の形態の第1の例に係る半導体デバイス製造方法と同一の方法およびその方法によって形成される同一の構成要素については説明を省略するとともに、同一の構成要素には第1の例と同じ参照符号を付す。まず、第1の例と同様の方法により、絶縁層12に段差状のビア孔14aおよび配線溝14bを形成するS11、図11。ついで、第1の例と同様の方法により、ビア孔14aおよび配線溝14bをクリーニングするS12、図12。ついで、ビア孔14aおよび配線溝14bの側壁およびビア孔14の底金属導体層16の上端面にバリア金属膜30を形成するバリア金属膜形成工程:S13、図13。このバリア金属膜30は、原料としてWF6等を用い、NH3等を同伴させて、10~500Pa程度の減圧下、300~500°C程度の温度でCVD法によって成膜される。この場合、NH3等の窒素を含むガスにより窒化され、成膜後のバリア金属膜30はWNに変化している。ついで、還元性ガスのプラズマにより加熱条件下暴露処理するプラズマ処理工程:S14、図14。すなわち、還元性ガスとして、H2を用い、このH2を、例えば、100~450°Cの温度で、水素流量1~500cm3標準状態/分程度、1~500Pa程度の圧力条件下で、400KHz~13.65MHzの高周波を印加してプラズマ化して使用する。ついで、第1の例と同様の方法により、バリア金属膜30上にCVD法によって金属導体膜32を形成する金属導体膜形成:S15、図15。ついで、ビア孔14aおよび配線溝14bを完全に閉塞して金属導体部を形成する前に、還元性ガス雰囲気下で加熱処理する熱処理工程:S16、図16。すなわち、還元性ガスとして、H2、またはN2を用い、少なくとも10Pa以上、例えば、670Pa程度の真空下で、300~350°Cの温度で、例えば、5分間熱処理する。なお、処理時間は処理温度に依存する。このときの還元性ガスの流量は、例えば、400cm3標準状態/分程度とされる。ついで、第1の例と同様の方法により、金属導体膜32上にCuを堆積し、ビア孔14aおよび配線溝14bを完全に閉塞するとともに、さらに絶縁層12の上面を覆うようにして金属導体部34を形成するS17、図17。最後に、第1の例と同様の方法により、CMP法により金属導体部34を研磨して平坦化処理し、ビア36および配線層37が形成されるS18、図18。上記した各工程に加えてさらに適宜他の工程を経ることにより、バリア金属膜形成工程と金属導体膜形成工程との間に、加熱条件下還元性ガスのプラズマに暴露するプラズマ処理工程と、金属導体膜形成工程の後に、さらに、加熱条件下還元性ガスに暴露する熱処理工程とを経て本実施の形態の第2の例に係る製造方法による半導体デバイスが完成する。以上説明した本実施の形態の第1および第2の例に係る半導体デバイスの製造方法により得られた半導体デバイスの密着性評価結果を表1に示す。ここで、バリア金属膜等を形成するベースとなる基板10はいずれもSiウェハであり、金属導体膜は特に断らない限りすべてCVD法により形成したCu膜である。実施例1~4は前記本実施の形態の第1の例に対応するものであり、表1中記載のない条件は前記本実施の形態の第1の例の説明で示したとおりである。実施例5は前記本実施の形態の第2の例に対応するものであり、表1中記載のない条件は前記本実施の形態の第2の例の説明で示したとおりである。また、実施例1~4に対する比較例として、第1の還元処理と第2の還元処理のうちの少なくとも1つの工程を省略した例を、比較例1~5に示した。また、バリア金属膜としてPVD法によりTaN膜を形成し、そのTaN膜上に中間膜としてPVD法によりCu膜を形成した後、そのPVD法によるCu膜上に金属導体膜としてCVD法によりCu膜を形成し、かつ、本発明の第1の還元処理等を行わないものを、参考例として示した。これらの比較例および参考例の記載のない処理条件は本実施の形態の第1または第2の例の条件に準じている。密着性の評価は、テープテストおよび強度テストにより行った。テープテストは、所定のテープを基板上の金属導体膜の表面に付着させ、テープを急速に上方に引き上げたときに金属導体膜が基板から剥離するか否かを目視で評価し、強度テストは、セバスチャン測定器を使用した引張り試験法により行った。評価結果は、テープテストについては、金属導体膜が剥離せず密着性の良好なものについて○、金属導体膜が剥離して密着性の良好でないものについて×で示した。強度テストについては、金属導体膜とバリア金属膜との接着箇所が剥離するときの垂直方向の引張り強度で評価した。表1の結果をまとめると、実施例1~5は、参考例と同様に、いずれも密着性が良好である。これに対して、本発明の還元処理等の処理を省いた比較例1~5は、いずれも密着性が良くない。なお、参考例のものは、実施例と同様に密着性が確保されているものの、中間のCu層をPVD法によって形成しているために配線の細密化を図る点において十分でないという不具合がある。また、バリア金属膜としてPVD法によって形成したTaN膜を用いた実施例1~3のうち、強度テストの測定値は第1の還元処理工程の還元性ガスとしてSiH4を用いた実施例2のものが74MPaで最も大きく、したがって、密着性が最も良好であることがわかった。また、特に説明しなかったが、本実施の形態の第2の例に対応する実施例5は、バリア金属膜形成後プラズマ処理に移る前に、一旦、大気中に24h以上暴露したものであるが、このような条件下であっても良好な密着性が得られている。これに対して、プラズマ処理に代えてH2等の還元性ガス雰囲気下のみで熱処理したものについては密着性が好ましくないことがわかっている。本発明の作用効果については以下のことが考えられる。まず、本実施の形態の第1の例について、例えば、実施例2のバリア金属膜をXPS測定した結果、TaN表層近傍にSiが数レイヤー成長していることがわかっている。このSiは第1の還元処理工程におけるSiH4処理の結果生じたものと考えられる。このSiが存在することからみて、SiとTaNとが反応してTaSiNを表層に形成し、このTaSiNの存在が金属導体膜とバリア金属膜との密着性向上に寄与したものと考えられる。また、このような還元処理工程によって界面のC、F等の不純物が減少することがあるが、他の還元性ガスを用いた実施例1、3についても、これと同様にあるいはFの減少と界面での接着層の形成作用が想定される。つぎに、本実施の形態の第2の例については、バリア金属膜の表面に存在する炭素、酸素あるいは弗素をプラズマ処理により除去したことが、金属導体膜とバリア金属膜との密着性向上に寄与したものと考えられる。以上説明した本発明に係る半導体デバイス製造方法に用いる半導体デバイス製造装置について、装置クラスターツールの配置例を図19~図24に示す。図19では、例えば搬送アーム41を配置した中央のスペース搬送室40を挟んで三方に前処理室第1処理室42、金属導体膜形成室第2処理室44および後処理室第3処理室46が配置されている。なお、参照符号43は、ロードロック室を示す。ここで、前処理室とは、本実施の第1または第2の形態例のバリア金属膜形成処理を行うバリア金属膜形成手段を備えるとともに本実施の第1の形態例の第1の還元処理を行う第1の還元処理手段または本実施の第2の形態例のプラズマ処理を行うプラズマ処理手段を備えた室であり、後処理室とは、本実施の第1の形態例の第2の還元処理を行う第2の還元処理手段または本実施の第2の形態例の熱処理を行う熱処理手段を備えた室であり、ロードロック室43とは、各処理室を大気中に開放しないでウエハの取り入れ、取り出しを行うための真空室である。これらスペース40、前処理室42、金属導体膜形成室44および後処理室46は、図19のように、全て一括して機密状態下に設けてもよく、また、スペース40のみ大気下に開放されうる状態におき、前処理室42、金属導体膜形成室44および後処理室46はそれぞれ機密室とし、扉を介して半導体デバイスをスペース40との間で搬入、搬出する構造としてもよい。この場合、さらに多数の室を並列的に設ける必要があるときには、スペース40を中心にして各室をサークル状に配置してもよい。図20では、後処理室46が独立して他の室42、44およびスペース40と離間して配置されている点が図19と異なる。図21では、図19のものから室を1つ減らして、前処理と後処理とが1つの室48で行われるように配置されている。図22では、図19のものから室を1つ減らして、前処理と金属導体膜形成とが1つの室50で行われるように配置され、また、後処理室46が独立して室50およびスペース40と離間して配置されている。図23では、図21あるいは図22の変形例として、前処理室42と後処理と金属導体膜形成とを行う室52とがスペース40を挟んで対向して配置されている。図24では、前処理、金属導体膜形成および後処理をすべて行うための1つのみの室54がスペース40に接して配置されている。上記したそれぞれの装置配置は、以下の点に特徴がある。まず、各処理室と中央のスペースとを一体的に接続して設けたものは、処理が進行する過程で大気に暴露することなく一貫処理を行うことができる図14、図21、図23、図24。これに対して、各処理室および中央のスペースと独立に離間して室を設けたものは、種々の理由により、一貫処理するよりも後処理を事後的に行うことが好ましい場合に好適である図20、図22。例えば、後処理の前に電気メッキ処理を行う場合が該当する。また、各工程のスループットが異なるときにスループットの大きい工程の原材料中間製品を予め準備しておいてその工程の処理量の低下を避ける等の生産量調整を行うことができるという観点からも好適である。さらにまた、複数の工程において処理条件が異なることにより、特定の工程において過酷な条件で処理を行うことによりその処理を行う室が早期に損傷しやすいことがあるが、この場合、複数の室が独立して設けられることにより、その損傷した特定の室についてのみ補修、取り替えを行えばよく、好適である。また、複数の処理を1つの室で行うものは、室を設けるための費用面からみて好ましい。一方、この場合、異なる処理を1つの室で行うためには、温度等の処理条件を変更するために所定の時間を要しスループットの低下を招き、また、このために精密な温度調整を行なうことは必ずしも容易ではないことに配慮する必要がある。上記したそれぞれの装置配置の特性を総合的に勘案すると、図20、図19および図21に示された装置配置が、この順で、より好ましいと考えられる。"