半導体素子としてショットキーダイオードを含む複数のダイオード、殊に圧入式ダイオードを有する整流器装置において、前記複数のショットキーダイオードD1-D6は、ダイオード損失が温度の上昇に伴って増大する動作領域で動作させられる、ことを特徴とする整流器装置。請求項1に記載の整流器装置において、前記半導体素子の半導体の阻止層と周囲空気との間の熱抵抗は、発電機の高温点における動作時に、あらかじめ設定した値を上回らない、ことを特徴とする整流器装置。請求項2に記載の整流器装置において、前記半導体の阻止層と周囲空気との間の前記熱抵抗は、前記発電機の高温点における動作時に7KWよりも低い、ことを特徴とする整流器装置。請求項2に記載の整流器装置において、前記半導体の阻止層と周囲空気との間の前記熱抵抗は、前記発電機の高温点における動作時に5KWよりも低い、ことを特徴とする整流器装置。請求項2に記載の整流器装置において、前記半導体の阻止層と周囲空気との間の前記熱抵抗は、前記発電機の高温点における動作時に3KWよりも低い、ことを特徴とする整流器装置。請求項1から5までのいずれか1項に記載の整流器装置において、ダイオードの最大許容阻止層温度は、関係式によって求められる、ことを特徴とする整流器装置。請求項1から6までのいずれか1項に記載の整流器装置において、ショットキーダイオードとしてトレンチMOSバリアショットキーダイオードTMBSを使用する、ことを特徴とする整流器装置。請求項7に記載の整流器装置において、ショットキーダイオードとして、溝の深さが1-3μmであり、溝と溝との間の間隔が0.5-1μmであるトレンチMOSバリアショットキーダイオードTMBSを使用する、ことを特徴とする、整流器装置。請求項1から6までのいずれか1項に記載の整流器装置において、ショットキーダイオードとしてトレンチジャンクションバリアショットキーダイオードTJBSを使用する、ことを特徴とする整流器装置。請求項9に記載の整流器装置において、ショットキーダイオードとして、溝の深さが1-3μmであり、溝と溝との間の間隔が0.5-1μmであるトレンチジャンクションバリアショットキーダイオードTJBSを使用する、ことを特徴とする整流器装置。請求項1から10までのいずれか1項に記載の整流器装置において、前記ショットキーダイオードは、065eVないし075eVのショットキーバリアを有するダイオードである、ことを特徴とする整流器装置。