表示機能及び撮像機能を備え、液晶層と、受光素子とを有し、前記液晶層は、受光素子よりも視認側に配置され、高分子分散型液晶材料を含み、前記受光素子は、赤外線の波長領域に受光感度を有し、前記受光素子が検出した赤外線を撮像する機能を備えることを特徴とする液晶表示装置。表示機能及び撮像機能を備え、対向電極と、画素電極と、液晶層と、受光素子とを有し、前記対向電極、前記画素電極および前記液晶層は、受光素子よりも視認側に配置され、前記対向電極は、前記画素電極および前記液晶層よりも視認側に配置され、可視光線を透過し、前記画素電極は、前記対向電極と対向して配置され、可視光線を反射し、前記液晶層は、前記対向電極と前記画素電極との間に狭持され、高分子分散型液晶材料を含み、前記受光素子が検出した赤外線を撮像する機能を備えることを特徴とする液晶表示装置。請求項2において、前記受光素子と重なる位置に前記画素電極が配置されていないことを特徴とする液晶表示装置。表示機能及び撮像機能を備え、対向電極と、画素電極と、液晶層と、黒色層と、受光素子とを有し、前記対向電極、前記画素電極、および前記液晶層は、前記黒色層および前記受光素子よりも視認側に配置され、前記対向電極は、前記画素電極および前記液晶層よりも視認側に配置され、可視光線を透過し、前記画素電極は、前記対向電極と対向して配置され、可視光線を透過し、前記液晶層は、前記対向電極と前記画素電極との間に狭持され、高分子分散型液晶材料を含み、前記受光素子は、赤外線の波長領域に受光感度を有し、前記受光素子が検出した赤外線を撮像する機能を備えることを特徴とする液晶表示装置。請求項4において、前記受光素子と重なる位置に前記黒色層が配置されていることを特徴とする液晶表示装置。請求項1乃至4のいずれか一において、前記液晶層に対して視認側とは反対側であって、前記受光素子と重なる位置に配置された赤外線透過フィルターを有することを特徴とする液晶表示装置。本発明の一態様によれば、表示機能及び撮像機能を備え、明るい表示が可能である液晶表示装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様によれば、表示機能及び撮像機能を備え、紙面に近い表示が可能である液晶表示装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の他の態様によれば、表示機能及び撮像機能を備え、高精度な撮像が可能である液晶表示装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の他の態様によれば、表示機能及び撮像機能を備え、明るい表示とともに、高精度な撮像が可能な液晶表示装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の他の態様によれば、表示機能及び撮像機能を備え、紙面に近い表示とともに、高精度な撮像が可能な液晶表示装置を提供することを課題の一とする。開示する発明は、表示機能及び撮像機能を備えた液晶表示装置である。液晶表示装置を構成する液晶層に、高分子分散型液晶PDLC:PolymerDispersedLiquidCrystal材料を用いる。高分子分散型液晶材料を用いることで、液晶材料による散乱光を利用して白表示明表示を行う。液晶層は、高分子ネットワークを形成する高分子材料中に、液晶材料が分散された構成となる。なお、高分子分散型液晶は、高分子分散液晶又はポリマー分散型液晶ともいう。また、高分子分散型液晶の代わりに、高分子ネットワーク型液晶PNLC:PolymerNetworkLiquidCrystalを用いることができる。高分子ネットワーク型液晶を用いる場合も、液晶材料による光の散乱光を利用して白表示明表示を行うことができる。また、開示する発明の液晶表示装置は、液晶層と受光素子を有し、液晶層は受光素子よりも視認側に配置され、受光素子は赤外線の波長領域に受光感度を有する。赤外線の波長領域に受光感度を有する受光素子は、入射光から赤外線を検出する。液晶表示装置は、受光素子が検出した赤外線を用いて撮像する機能を備える。本発明の一態様は、表示機能及び撮像機能を備え、液晶層と、受光素子とを有し、液晶層は、受光素子よりも視認側に配置され、高分子分散型液晶材料を含み、受光素子は、赤外線の波長領域に受光感度を有し、受光素子が検出した赤外線を撮像する機能を備えることを特徴とする液晶表示装置である。本発明の一態様は、表示機能及び撮像機能を備え、対向電極と、画素電極と、液晶層と、受光素子とを有し、対向電極、画素電極および液晶層は、受光素子よりも視認側に配置され、対向電極は、画素電極および液晶層よりも視認側に配置され、可視光線を透過し、画素電極は、対向電極と対向して配置され、可視光線を反射し、液晶層は、対向電極と画素電極との間に狭持され、高分子分散型液晶材料を含み、受光素子が検出した赤外線を撮像する機能を備えることを特徴とする液晶表示装置である。受光素子と重なる位置に画素電極が配置されていないことが好ましい。本発明の一態様は、表示機能及び撮像機能を備え、対向電極と、画素電極と、液晶層と、黒色層と、受光素子とを有し、前記対向電極、前記画素電極、および前記液晶層は、前記黒色層および前記受光素子よりも視認側に配置され、前記対向電極は、前記画素電極および前記液晶層よりも視認側に配置され、可視光線を透過し、前記画素電極は、前記対向電極と対向して配置され、可視光線を透過し、前記液晶層は、前記対向電極と前記画素電極との間に狭持され、高分子分散型液晶材料を含み、前記受光素子は、赤外線の波長領域に受光感度を有し、前記受光素子が検出した赤外線を撮像する機能を備えることを特徴とする液晶表示装置である。受光素子と重なる位置に、黒色層が配置された構成とすることができる。また、上記構成において、液晶層に対して視認側とは反対側であって、受光素子と重なる位置に配置された赤外線透過フィルターを有する液晶表示装置とすることができる。なお、本明細書において、ハイレベルのときの電位を単にH又はハイともいう。また、ローレベルのときの電位を単にL又はローともいう。また、本明細書等において電極や配線の用語は、これらの構成要素を機能的に限定するものではない。例えば、電極は配線の一部として用いられることがあり、その逆もまた同様である。さらに、電極や配線の用語は、複数の電極または複数の配線が一体となって形成されている場合なども含む。また、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには、ソースやドレインの機能は入れ替わることがある。このため、本明細書においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。なお、本明細書等において、電気的に接続には、何らかの電気的作用を有するものを介して接続されている場合が含まれる。ここで、何らかの電気的作用を有するものは、接続対象に対して電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない。例えば、何らかの電気的作用を有するものには、電極や配線をはじめ、トランジスタなどのスイッチング素子、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ、その他の各種機能を有する素子などが含まれる。本発明の一態様によれば、明るい表示を行うことができる、表示機能及び撮像機能を備えた液晶表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様によれば、紙面に近い表示が可能である、表示機能及び撮像機能を備えた液晶表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様によれば、高精度な撮像が可能である、表示機能及び撮像機能を備えた液晶表示装置を提供することができる。以下に、実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。ただし、以下の実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付す場合があり、繰り返しの説明は省略する。実施の形態1図1に、表示機能及び撮像機能を備えた液晶表示装置の例を示す。図1Aに、本実施の形態に係る液晶表示装置を構成する画素の上面の模式図を示す。画素1000は、表示素子1100と、フォトセンサ1200と、を有している。また、図1Bに、図1A中における破線P-Q間の断面の模式図を示す。図1Bの二点鎖線から紙面の右側に表示素子1100の一部を示し、紙面の左側にフォトセンサ1200の一部を示すものとする。図1Bにおいて、液晶表示装置の画素1000は、液晶層1303と、受光素子1201を有し、液晶層1303は受光素子1201よりも視認側に配置されている。本実施の形態における液晶表示装置は、反射型液晶表示装置とする。図1Bに示す液晶表示装置は、受光素子1201などの素子が設けられる第1の基板1003と、対向基板となる第2の基板1013と、の間に液晶層1303が配置されており、第2の基板1013側から視認される。また、第2の基板1013側に位置する被検出物を撮像する。液晶層1303は、視認側に配置された対向電極1305と、対向電極1305と対向して配置された画素電極1301と、の間に挟持されている。液晶層1303は、高分子分散型液晶材料又は高分子ネットワーク型液晶材料を含み、高分子ネットワークを形成する高分子材料中に液晶材料が分散された構成となっている。液晶層1303において、画素電極1301と対向電極1305との間に電圧を印加しない場合オフ状態ともいう、高分子材料内に分散している液晶分子がランダムに配列する。このとき、高分子材料の屈折率と液晶分子の屈折率とが異なるため、液晶層1303に入射した光が液晶分子によって散乱される。これにより、液晶層1303は透光性を有さず、白濁して見える。よって、視認側第2の基板1013側から確認できる表示が白表示明表示となる。また、液晶層1303において、画素電極1301と対向電極1305との間に電圧を印加した場合オン状態ともいう、液晶層1303に電界が形成され、液晶分子は電界方向に配列する。このとき、高分子材料の屈折率と液晶分子短軸の屈折率とがほぼ一致するため、液晶層1303に入射した光は液晶分子で散乱されず、液晶層1303を透過する。これにより、液晶層1303は透光性を有する状態となる。その際、視認側から確認できる表示は、液晶層1303の前後上下に設けられる材料に依存する。その際、液晶層1303の視認側とは反対側に配置される画素電極1301を可視光線を反射する電極とすることで、視認側から確認できる表示を黒表示暗表示とすることができる、または、液晶層1303の視認側とは反対側に黒色層を配置することで、視認側から確認できる表示を黒表示とすることができる。なお、液晶層1303の厚さは、5μm以上30μm以下とすることが好ましい。このような範囲とすることで、消費電力を抑制することができる。対向電極1305は可視光線を透過する電極であり、液晶層1303の視認側とは反対側に配置される。画素電極1301は、液晶層1303の視認側とは反対側に配置される。図1Bでは、画素電極1301は可視光線を反射する電極とする。画素電極1301が可視光を反射することで、液晶層1303がオン状態の場合に黒表示として視認される。受光素子1201は、少なくとも赤外線の波長領域に受光感度を有する。液晶表示装置は、受光素子1201が検出した赤外線を用いて撮像することができる。ここで、受光素子1201には、第2の基板1013側から液晶表示装置に入射してきた光が入射する。本実施の形態に係る構成では、受光素子1201の視認側には液晶層1303が配置されている。液晶層1303に電界が形成されていない場合オフ状態の場合は、可視光線は高分子材料中に分散された液晶分子によって散乱されてしまい、受光素子1201に入射されにくい。一方で、赤外線は高分子分散型液晶材料を透過することができる。したがって、赤外線の波長領域に受光感度を有する受光素子1201を設けておくことで、液晶層1303の電界形成の有無に関わらず、受光素子1201が赤外線を検出することができる。そして、受光素子1201が検出した赤外線を用いて、撮像することができる。なお、本実施の形態に係る液晶表示装置は、液晶層1303側に位置する被検出物を検出し撮像することができる。液晶表示装置には、液晶層1303側から光が入射する。液晶表示装置に入射する光赤外線は、被検出物によって遮られると、受光素子1201へは到達しない。これにより、受光素子1201を用いて被検出物の影を認識することになり、被検出物を撮像することができる。本実施の形態のように、高分子分散型液晶材料を用いて液晶層を形成すると、偏光板及び配向膜が不要であるため、偏光板及び配向膜の光吸収による光損失がなくなり、明るい表示を行うことができる。そのため、明るい白表示が可能となり、表示装置による紙面に近い表示に結びつけることができる。なお、紙面に近い表示とは、色合い、輝度または反射率が実際の紙面と近いことをいう。そして、本実施の形態のように、撮像用の受光素子として赤外線の波長領域に受光感度を有する受光素子を設けることで、高分子分散型液晶材料を用いた液晶層を透過できる赤外線により、撮像することができる。赤外線の波長領域に受光感度を有する受光素子を用いることで、高分子分散型液晶材料特有の入射光の散乱による受光不良などを防ぐことができ、高精度に撮像することができる。また、高分子分散型液晶材料を用いるため、偏光板及び配向膜が不要であり、さらにラビング処理なども不要である。そのため、製造部材及び製造工程を削減でき、低コスト化及び生産性向上を図ることもできる。また、本実施の形態に係る液晶表示装置は反射型液晶表示装置であるため、バックライトが不要であり、この点でも、部材削減、低コスト化に結びつけることができる。また、上述のように部材を削減できるため、薄型化にも寄与できる。なお、図1A、Bには、1つの画素1000が、1つのフォトセンサ1200と1つの表示素子1100とを有する例を示しているが、本発明の一態様はこれに限定されず、複数の画素当たりに1つのフォトセンサを有する構成とすることができる。次に、図1Bに示す構成を具体的に説明する。第1の基板1003上に、絶縁層1005を介して、受光素子1201、トランジスタ1101が設けられている。第1の基板1003としては、後の製造プロセスに耐えうる基板を用いる。例えば、ガラス基板若しくは石英基板などの絶縁性基板、シリコン基板などの半導体基板、プラスチック基板などのフレキシブル基板、又はステンレス基板などの導電性基板が挙げられる。なお、第1の基板1003は、視認側第2の基板1013とは反対側に位置する基板となるため、可視光線を透過することは必須でない。受光素子1201は、トランジスタなどの素子とともに、図1Aのフォトセンサ1200を構成する。トランジスタ1101は、画素電極1301と対向電極1305との間に液晶層1303が挟持された構造液晶素子1300とするやその他の素子などとともに、図1Aの表示素子1100を構成する。受光素子1201としては、フォトダイオード、具体的には横方向のpinフォトダイオードを適用する例を図示している。ここでは、受光素子1201であるフォトダイオードを、p型の導電型を付与する不純物元素を含む領域1203p型半導体層ともいうと、真性半導体の特性を有する領域1205i型半導体層ともいうと、n型の導電型を付与する不純物元素を含む領域1207n型半導体層ともいうとを有する半導体層で構成する例を示している。なお、本実施の形態では、受光素子1201が横方向のpinフォトダイオードpin接合である場合を例示しているが、受光素子1201はpnフォトダイオードpn接合であってもよい。また、受光素子1201は、横方向のフォトダイオードに代えて、縦方向のフォトダイオードを適用することができる。この場合、p型半導体層、i型半導体層及びn型半導体層を積層してpinフォトダイオードとする、又はp型半導体層及びn型半導体層を順に積層してpnフォトダイオードとすることができる。受光素子1201を構成する材料は、赤外線を吸収する材料であれば、特に限定されない。例えば、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコン、又は非晶質シリコンなどが挙げられる。その他、InGaAs、PbS、又はPbSeなどを用いることができる。トランジスタ1101は、画素電極1301と電気的に接続され、液晶素子1300を駆動する駆動トランジスタとして機能する。トランジスタ1101は、求める性能に応じて、構造、構成材料など、適宜選択することができる。例えば、非晶質シリコン、微結晶シリコン、又は多結晶シリコンなどを用いて半導体層を形成したトランジスタを適用することができる。また、酸化物半導体を用いて半導体層を形成したトランジスタを適用することができる。また、半導体層上にゲート電極が配置されるトップゲート型、半導体層下にゲート電極が配置されるボトムゲート型のいずれの構造を適用してもよい。さらに、半導体層上にソース電極及びドレイン電極が形成されるトップコンタクト型、半導体層下にソース電極及びドレイン電極が形成されるボトムコンタクト型のいずれの構造を適用してもよい。図1Bでは、トップゲート型のトランジスタ1101を設ける例を示している。ここでは、トランジスタ1101は、一対の不純物領域1105の間にチャネル形成領域1103を含む半導体層と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層1007を間に介して半導体層上に設けられたゲート電極1107と、で構成されている。一対の不純物領域1105は、ソース領域又はドレイン領域として機能する。また、トランジスタ1101の不純物領域1105には、絶縁層1009及び絶縁層1007が有するコンタクトホールに設けられた一対の導電層1109が電気的に接続されている。一対の導電層1109は、ソース電極又はドレイン電極として機能する。そして、一対の導電層1109の一方は、絶縁層1011が有するコンタクトホールを介して、画素電極1301と電気的に接続されている。これにより、画素電極1301と、トランジスタ1101と、が、電気的に接続されている。トランジスタ1101の島状の半導体層及び受光素子1201の島状の半導体層は、第1の基板1003上に絶縁層1005を間に介して半導体層を成膜し、該半導体層をエッチングなどにより所望の形状に加工パターニングすることで、同一工程で形成することができる。そのため、通常のパネル作製プロセスに加え、別途フォトダイオード作製プロセスを追加する必要がなく、作製コストを低減できる。なお、受光素子1201及びトランジスタ1101上には、パッシベーション層や層間絶縁層として機能する絶縁層を適宜形成する。図1Bでは、絶縁層1009、絶縁層1011を形成する例を示している。なお、画素電極1301の下層には、液晶層1303のセルギャップを均一に保つため、平坦化層として機能する絶縁層を形成しておくことが好ましい。ここでは、絶縁層1011を平坦化層として形成する。絶縁層1011上に、画素電極1301、液晶層1303、及び対向電極1305が順に設けられている。また、対向電極1305上に、第1の基板1003と対向して配置される第2の基板1013対向基板ともいうが設けられている。画素電極1301は、可視光線を反射する電極を設ける。具体的には、銅、モリブデン、チタン、クロム、タングステン、アルミニウム若しくは銀などの導電材料、又はこれらの合金を用いて形成する。好ましくは、反射率が低いものを用いる。なお、上述のような可視光線を反射する電極は赤外線まで反射してしまう恐れがある。そのため、画素電極1301は、上面から見て、受光素子1201と重なる位置には設けないことが好ましい。対向電極1305は、可視光線を透過する電極を設ける。具体的には、透光性を有する導電性材料、例えばインジウム錫酸化物、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、有機インジウム、有機スズ、酸化亜鉛、酸化亜鉛を含むインジウム亜鉛酸化物IZO;IndiumZincOxide、ガリウムを含む酸化亜鉛、酸化スズ、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、又は酸化チタンを含むインジウム錫酸化物などを用いて形成する。液晶層1303は、第1の基板1003上全面に設ける。そのため、画素電極1301が設けられていない絶縁層1011の上にも設けられる。液晶層1303は、上述した高分子分散型液晶材料を用いて、液晶滴下方式又は液晶注入方式を用いて形成することができる。液晶滴下方式の場合は、画素電極1301が設けられた第1の基板1003、又は対向電極1305が設けられた第2の基板1013に液晶材料を滴下した後、第1の基板1003と第2の基板1013とを貼り合わせればよい。液晶注入方式の場合は、画素電極1301が設けられた第1の基板1003と、対向電極1305が設けられた第2の基板1013と、を貼り合わせた後、画素電極1301と対向電極1305との間に液晶材料を注入すればよい。液晶層1303は、高分子分散型液晶材料又は高分子ネットワーク型液晶材料を含み、高分子ネットワークを形成する高分子ポリマー中に液晶材料が分散された構成となっている。液晶材料としては、ネマティック液晶を用いることができる。また、高分子材料としては、光硬化樹脂を用いることができる。光硬化樹脂としては、アクリレート若しくはメタクリレートなどの単官能モノマー、ジアクリレート、トリアクリレート、ジメタクリレート、若しくはトリメタクリレートなどの多官能モノマー、又はこれらモノマーを混合させたものを用いることができる。また、高分子材料としては、液晶性高分子、非液晶性高分子、又は液晶性高分子と非液晶性高分子を混合させたものを用いることができる。また、高分子材料として光硬化樹脂を用いる場合、光重合開始剤を用いる。そして、光重合開始剤が反応する波長の光で硬化する樹脂を光硬化樹脂として選択すればよい。例えば、光硬化樹脂として、紫外線硬化樹脂を用いることができる。なお、光重合開始剤としては、光照射によってラジカルを発生させるラジカル重合開始剤、酸を発生させる酸発生剤、又は塩基を発生させる塩基発生剤を用いることができる。液晶層1303は、例えば、ネマティック液晶と、光硬化樹脂であるモノマーやオリゴマーと、光重合開始剤と、を含む液晶材料に、光硬化樹脂と光重合開始剤とが反応する波長の光を照射することで形成することができる。なお、液晶層1303のセルギャップ画素電極1301と対向電極1305との間の距離は、スペーサーを設けて制御することが好ましい。スペーサーの形状は、例えば柱状、球状などが挙げられる。スペーサーを設ける位置、スペーサーの個数及び密度などは、実施者が任意に決定できる。また、スペーサーは、対向電極に設けてもよく、画素電極に設けてもよい。スペーサーが球状の場合は、液晶層1303に分散させればよい。第2の基板1013は、視認側に配置されるため、可視光線を透過する基板を用いる。また、赤外線を受光素子1201に検出させるため、赤外線を透過する基板を用いる。例えば、ガラス基板若しくは石英基板などの絶縁性基板、又はプラスチック基板などのフレキシブル基板が挙げられる。なお、本実施の形態では、第1の基板1003上に薄膜の半導体層を形成し、半導体層を用いて受光素子1201、トランジスタ1101などを形成する例を挙げているが、特に限定されない。例えば、半導体基板単結晶半導体基板、又はSOI基板などを用いることができ、半導体基板の一部やSOI基板の一部を用いて受光素子やトランジスタの活性層を形成してもよい。本実施の形態で示した構成は、本明細書の他の実施の形態及び実施例の構成と適宜組み合わせることができる。実施の形態2本実施の形態では、上記実施の形態と異なる液晶表示装置の例について説明する。図2は、図1A中における破線P-Q間における図1Bと異なる構成を有する液晶表示装置の断面の模式図である。図2の二点鎖線から紙面の右側に表示素子1100の一部を示し、紙面の左側にフォトセンサ1200の一部を示す。図2において、液晶表示装置は、液晶層2303と、受光素子2201を有し、液晶層2303は受光素子2201よりも視認側に配置される。本実施の形態は、実施の形態1と同じく、反射型液晶表示装置とし、第2の基板2015側から視認される。また、第2の基板2015側にある被検出物を撮像する。液晶層2303は、視認側に配置された対向電極2305と、対向電極2305と対向して配置された画素電極2301と、の間に挟持されている。液晶素子2300は、液晶層2303、対向電極2305、画素電極2301を有する。液晶層2303は、上記実施の形態1の液晶層1303に相当し、高分子分散型液晶材料を含み、高分子ネットワークを形成する高分子材料中に液晶材料が分散された構成となっている。ここで、図2に示す構成と図1Bに示す構成との相違は、可視光線を反射する画素電極1301の代わりに、可視光線を透過する画素電極2301を有する点にある。そして、画素電極2301の視認側とは反対側に黒色層2403が配置される点にある。黒色層2403は、例えば、黒色の有機樹脂材料を用いて形成する。具体的には、感光性又は非感光性のポリイミドなどの樹脂材料に、顔料系の黒色樹脂、カーボンブラック、又はチタンブラックなどを混合させて形成することができる。また、可視光線を吸収する遮光性の金属材料、例えばクロムを用いて形成することができる。ただし、遮光性の金属材料の場合は、赤外線も吸収してしまう恐れがあるため、受光素子2201上には配置しないものとする。液晶層2303において、オフ状態の場合は、上記実施の形態1の液晶層1303と同じく、入射光が高分子材料中の液晶分子によって散乱し、白表示が視認される。一方、液晶層2303のオン状態の場合は、入射光が透過し、黒色層2403で吸収され、黒表示が視認される。液晶層2303の厚さは、5μm以上30μm以下とすることが好ましい。このような範囲とすることで、消費電力を抑制することができる。なお、黒色層2403は、液晶層2303の視認側とは反対側に配置されていればよい。例えば、画素電極2301側の基板第1の基板2003に黒色層が設けられる構成、具体的には第1の基板2003の視認側とは反対側の面に黒色層が設けられた構成としてもよい。図2のように、受光素子2201上に黒色層2403が配置されている場合、黒色層2403は、赤外線以外の領域の波長可視光線等を吸収する、すなわち赤外線を選択的に透過する赤外線透過フィルターの役割を果たす。これにより、受光素子2201の検出精度を向上させることができる。また、黒色層2403とは別に、赤外線透過フィルターを受光素子2201上に設ける構成としてもよい。また、図1Bに示す構成においても、受光素子1201上に赤外線透過フィルターを設ける構成としてもよい。赤外線透過フィルターにより、図1Bに示す構成においても、受光素子1201の検出精度を向上させることができる。なお、黒色層2403を黒色の有機樹脂等で形成すると、黒色層2403からの不純物汚染が懸念される。そのため、図2では、黒色層2403を間に挟持して、絶縁層2401及び絶縁層2405を設ける例を示している。受光素子2201は上記実施の形態1の受光素子1201に相当する。ただし、図2では、図1Bに示した横方向のpinフォトダイオードに代えて、縦方向のpinフォトダイオードを適用する例を示している。図2の構成は、黒表示を視認させるための構成が、上記実施の形態1の図1Bと異なる。しかし、本実施の形態に係る液晶表示装置においても、偏光板及び配向膜が不要であるため、偏光板及び配向膜の光吸収による光損失がなくなり、明るい表示を行うことができる。そのため、明るい白表示が可能となり、表示装置による紙面に近い表示に結びつけることができる。また、低コスト化及び生産性向上も図ることができる。そして、撮像用の受光素子として赤外線の波長領域に受光感度を有する受光素子を設けるため、高分子分散型液晶材料を用いても、高精度に撮像することが可能となる。また、黒表示のための黒色層を、受光素子のための赤外線透過フィルターとして機能させることができる。これにより、さらに高精度な撮像に結びつけることができる。図2では、フォトセンサ1200内に、受光素子2201の他に、トランジスタ2221a及びトランジスタ2221bが配置された例を示している。また、表示素子1100内に、トランジスタ2101の他に、保持容量2121が配置された例を示している。また、図2では、図1Bと異なるトランジスタの構造を適用する例を示している。図2では、半導体層上方にゲート電極が設けられたトップゲート型であって、ソース又はドレインとして機能する導電層が半導体層上に設けられたトップコンタクト型のトランジスタ構造の例を示している。もちろん、半導体層下方にゲート電極が設けられたボトムゲート型の構造を適用してもよく、ソース又はドレインとして機能する導電層が半導体層下に設けられたボトムコンタクト型の構造を適用してもよい。また、図2では、1つのフォトセンサ1200と1つの表示素子1100とを有する例を示している。フォトセンサ1200は、各画素に設けられる構成としてもよいし、複数の画素当たりに1つ設けられる構成としてもよい。次に、図2に示す構成を具体的に説明する。なお、図1Bと同じ構成は、説明を省略する。第1の基板2003上に、絶縁層2005を介して、受光素子2201、トランジスタ2221a、トランジスタ2221b、トランジスタ2101、及び保持容量2121が設けられている。第1の基板2003及び絶縁層2005は、上記実施の形態1の第1の基板1003及び絶縁層1005に相当する。受光素子2201は、n型半導体層2203、i型半導体層2204、及びp型半導体層2205が順に積層されている。また、受光素子2201と電気的に接続する配線2211と、配線2213と、が設けられている。配線2211は、走査線側の信号配線として機能する。配線2213は、受光素子2201及びトランジスタ2221aを電気的に接続している。トランジスタ2221aは、半導体層2223aと、半導体層2223a上に離間して設けられた一対の導電層2224aと、半導体層2223a上に絶縁層2007を介して設けられたゲート電極2225aと、で構成される。一対の導電層2224aは、ソース又はドレインとして機能する。トランジスタ2221bは、半導体層2223bと、半導体層2223b上に離間して設けられた一対の導電層2224bと、半導体層2223b上に絶縁層2007を介して設けられたゲート電極2225bと、で構成される。一対の導電層2224bは、ソース又はドレインとして機能する。なお、ここでは、トランジスタ2221aの一対の導電層2224aの他方と、トランジスタ2221bの一対の導電層2224bの一方は共通する導電層で設けることで、電気的に接続させた構成としている。トランジスタ2101は、半導体層2103と、半導体層2103上に離間して設けられた一対の導電層2104と、半導体層2103上に絶縁層2007を介して設けられたゲート電極2105と、で構成される。一対の導電層2104は、ソース又はドレインとして機能する。保持容量2121は、第1の電極2124と、第1の電極2124上に絶縁層2007を介して設けられた第2の電極2125と、で構成される。絶縁層2007は、トランジスタ2221a、トランジスタ2221b及びトランジスタ2101のゲート絶縁層として機能し、保持容量2121の誘電体層として機能する。本実施の形態におけるトランジスタは、上記実施の形態1と同様、トランジスタの構造、構成材料などは、実施者が適宜選択することができる。例えば、図2に示すトランジスタ2221aの半導体層2223a、トランジスタ2221bの半導体層2223b、及びトランジスタ2101の半導体層2103として、酸化物半導体層を適用することができる。例えば、酸化物半導体層は、四元系金属酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn-O系や、三元系金属酸化物であるIn-Ga-Zn-O系、In-Sn-Zn-O系、In-Al-Zn-O系、Sn-Ga-Zn-O系、Al-Ga-Zn-O系、Sn-Al-Zn-O系や、二元系金属酸化物であるIn-Zn-O系、Sn-Zn-O系、Al-Zn-O系、Zn-Mg-O系、Sn-Mg-O系、In-Mg-O系、In-Ga-O系や、In-O系、Sn-O系、Zn-O系などの酸化物半導体を用いて形成する。ここで、例えば、In-Ga-Zn-O系酸化物半導体とは、少なくともInとGaとZnとを含む酸化物であり、その組成比に特に制限はない。また、InとGaとZn以外の元素を含んでもよい。また、上記酸化物半導体はSiO2を含んでもよい。また、酸化物半導体層は、化学式InMO3ZnOmm>0で表記される酸化物半導体を用いて形成することができる。ここで、Mは、Ga、Al、Mn若しくはCoから選ばれた一の金属元素、又は複数の金属元素を示す。例えばMとして、Ga、Ga及びAl、Ga及びMn、またはGa及びCoなどがある。なお、酸化物半導体層は、スパッタリング法によって形成することが好ましい。例えば、上述した系の酸化物ターゲットを用いて、スパッタリング法により形成する。また、酸化物半導体層として、n型不純物である水素を酸化物半導体から除去し、酸化物半導体の主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化することにより、i型真性の酸化物半導体層、又はi型真性に限りなく近い酸化物半導体層を適用することができる。すなわち、不純物を添加してI型化するのでなく、水素や水等の不純物を極力除去したことにより、高純度化されたi型真性又はそれに近づけた酸化物半導体層を適用することができる。なお、高純度化された酸化物半導体層中は、キャリアが極めて少なくゼロに近い、キャリア濃度は1×1014/cm3未満、好ましくは1×1012/cm3未満、さらに好ましくは1×1011/cm3未満である。酸化物半導体層中にキャリアが極めて少ないため、トランジスタのオフ特性すなわち、nチャネル型トランジスタの場合、ソース電位がゲート電位以上である状態の特性では、オフ電流を少なくすることができる。具体的には、上述の高純度化された酸化物半導体層を有するトランジスタは、オフ状態における電流値オフ電流値を10aA/μm1×10-17A/μm以下、さらには1aA/μm1×10-18A/μm以下、さらには10zA/μm1×10-20A/μm以下レベルにまで低くすることができる。このような高純度化された酸化物半導体を具備するトランジスタを適用することで、オフ電流を極めて小さくすることができる。そのため、フォトセンサ内のリークを抑えることができ、撮像精度の向上に結びつけることができる。なお、酸化物半導体層を用いたトランジスタを適用する場合は、絶縁層などに、極力、水素や水を含ませないことが好ましい。受光素子2201、トランジスタ2221a、トランジスタ2221b、トランジスタ2101、及び保持容量2121上に絶縁層2009及び絶縁層2011が設けられている。絶縁層2009及び絶縁層2011を貫通するコンタクトホールを介して、受光素子2201とトランジスタ2221aとを電気的に接続する配線2213が設けられている。図2では、配線2213及び受光素子2201のp型半導体層2205が電気的に接続され、配線2213及びトランジスタ2221aのゲート電極2225aが電気的に接続される例を示している。また、絶縁層2007、絶縁層2009及び絶縁層2011を貫通するコンタクトホールを介して、トランジスタ2101と電気的に接続される配線2111が設けられている。配線2111は、画素電極2301及びトランジスタ2101を電気的に接続する接続配線として機能する。配線2213、配線2111、及び絶縁層2011の上に、絶縁層2013が設けられている。そして、絶縁層2013上に絶縁層2401を介して黒色層2403が設けられ、絶縁層2405を介して画素電極2301が設けられる。画素電極2301は、絶縁層2405、黒色層2403、絶縁層2401、及び絶縁層2013を貫通するコンタクトホールを介して、配線2111と電気的に接続される。絶縁層2005、絶縁層2007、絶縁層2009、絶縁層2011、及び絶縁層2013は、不純物を拡散するブロッキング層、ゲート絶縁層、パッシベーション層、層間絶縁層、又は平坦化層として、適宜材料等を選択して形成する。なお、トランジスタに酸化物半導体層を用いる場合は、極力、水素や水を含ませないことが好ましい。画素電極2301は、可視光線を透過する電極を設ける。具体的には、透光性を有する導電性材料、例えばインジウム錫酸化物、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、有機インジウム、有機スズ、酸化亜鉛、酸化亜鉛を含むインジウム亜鉛酸化物IZO;IndiumZincOxide、ガリウムを含む酸化亜鉛、酸化スズ、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、又は酸化チタンを含むインジウム錫酸化物などを用いて形成する。液晶層2303、対向電極2305、及び第2の基板2015は、上記実施の形態1の液晶層1303、対向電極1305、及び第2の基板1013に相当する。なお、本実施の形態では、第1の基板2003上に薄膜の半導体層を形成し、半導体層を用いてトランジスタを形成する例を挙げているが、特に限定されず、半導体基板やSOI基板を用いてトランジスタを形成してもよい。また、図2に図1Bに示す構成のトランジスタを適用することもできるし、図1Bに図2に示す構成のトランジスタを適用してもよい。本実施の形態で示した構成は、本明細書の他の実施の形態及び実施例の構成と適宜組み合わせることができる。実施の形態3液晶表示装置の構成について、図3の上面の模式図を用いて説明する。液晶表示装置301は、画素アレイ311、第1の制御回路部331、及び第2の制御回路部341を有する。画素アレイ311は、行方向及び列方向にマトリクス状に配置された複数の画素321を有する。画素321は、表示素子323、及びフォトセンサ325を有する。フォトセンサ325を用いて、液晶表示装置301、具体的には画素アレイ311に接触又は接近した被検出物を検出し、撮像する。図3では、各々の画素321が1つの表示素子323と1つのフォトセンサ325とを有する例を示しているが、全ての画素がフォトセンサ325を有している必要はなく、撮像するために必要な個数、配置を実施者が適宜選択できる。例えば、複数の画素当たりに1つのフォトセンサを有する構成とすることができ、一例として4画素当たりに1つのフォトセンサを有する構成とすることができる。液晶表示装置301は、フォトセンサ325が検出した赤外線を用いて、撮像することができる。具体的には、液晶表示装置301は、フォトセンサ325が検出した赤外線により、外光が被検出物で遮蔽されて画素アレイ311に影ができているのか、又は外光が画素アレイ311に入射されているか、を判別し、被検出物を検出し撮像することができる。フォトセンサ325は、赤外線の波長領域に受光感度を有する受光素子を少なくとも有する。受光素子の他、トランジスタなどを有する。表示素子323は、トランジスタ、保持容量、及び液晶素子などを有する。液晶素子は、液晶層を有する。表示素子323におけるトランジスタは、保持容量への電荷の注入又は保持容量からの電荷の排出を制御する機能を有する。保持容量は、液晶層に印加する電圧に相当する電荷を保持する機能を有する。本実施の形態に係る液晶表示装置301は、液晶層に高分子分散型液晶材料を用いる。そのため、本実施の形態に係る液晶表示装置301は、液晶材料による散乱光を利用して白表示明表示を行い、液晶材料を透過する光を利用して黒表示暗表示を行うことで、画像を表示する。第1の制御回路部331は、フォトセンサ325を制御するための回路であり、信号線側の読み出し回路333と、走査線側のフォトセンサ駆動回路335を有する。走査線側のフォトセンサ駆動回路335は、特定の行に配置された画素321が有するフォトセンサ325に対して、後述するリセット動作と選択動作とを行う機能を有する。また、信号線側の読み出し回路333は、選択された行の画素321が有するフォトセンサ325の出力信号を取り出す機能を有する。なお、信号線側の読み出し回路333は、アナログ信号であるフォトセンサの出力を、OPアンプを用いてアナログ信号のまま液晶表示装置外部に取り出す構成や、A/D変換回路を用いてデジタル信号に変換してから液晶表示装置外部に取り出す構成が考え得る。第2の制御回路部341は、表示素子323を制御するための回路である。第2の制御回路部341は、ビデオデータ信号線などの信号線ソース信号線ともいうを介して表示素子323に信号を入力する表示素子駆動回路345と、走査線ゲート信号線ともいう。を介して表示素子323に信号を入力する表示素子駆動回路343を有する。例えば、表示素子駆動回路343は、特定の行に配置された画素が有する表示素子を選択する機能を有する。また、表示素子駆動回路345は、選択された行の画素が有する表示素子に任意の電位を与える機能を有する。なお、表示素子駆動回路343により高電位ハイレベルの電位を印加された表示素子では、トランジスタが導通状態となり、表示素子駆動回路345により与えられる電荷が供給される。次に、画素アレイ311における画素321の回路図について、図4を用いて説明する。画素321は、トランジスタ421、保持容量423及び液晶素子425を有する表示素子323と、受光素子であるフォトダイオード437、トランジスタ431及びトランジスタ433を有するフォトセンサ325とを有する。また、各画素321は、走査線側の表示素子駆動回路343に電気的に接続された第1の配線401と、走査線側のフォトセンサ駆動回路335に電気的に接続された第2の配線403及び第3の配線405と、信号線側の表示素子駆動回路345に電気的に接続された第4の配線411と、信号線側の読み出し回路333に電気的に接続された第5の配線413及び第6の配線415と、を有する。トランジスタ421は、ゲートが第1の配線401に、ソース又はドレインの一方が第4の配線411に、ソース又はドレインの他方が保持容量423の一方の電極及び液晶素子425の一方の電極に電気的に接続されている。保持容量423の他方の電極は一定の電位に保たれている。液晶素子425の他方の電極は一定の電位に保たれている。液晶素子425は、一対の電極の間に挟まれた高分子分散型液晶材料を含む液晶層を有する素子である。トランジスタ421は、第1の配線401にHが印加されると、第4の配線411の電位を保持容量423と液晶素子425に印加する。保持容量423は、印加された電位を保持する。液晶素子425は、印加された電位により、光を透過するオン状態となる。フォトダイオード437は、一方の電極が第2の配線403に、他方の電極がトランジスタ431のゲートに電気的に接続されている。ここでは、フォトダイオード437とトランジスタ431のゲートとを電気的に接続する配線を第7の配線435としている。トランジスタ431は、ソース又はドレインの一方が第5の配線413に、ソース又はドレインの他方がトランジスタ433のソース又はドレインの一方に電気的に接続されている。トランジスタ433は、ゲートが第3の配線405に、ソース又はドレインの他方が第6の配線415に電気的に接続されている。次に、読み出し回路333の構成について、図5を用いて説明する。読み出し回路333は、例えば列毎に設けられる。図5において、画素1列分の読み出し回路333は、p型トランジスタ453、及び保持容量455を有する。また、当該画素列における第6の配線415と、第8の配線461と、第9の配線463と、を有する。p型トランジスタ453は、ゲートが第8の配線461に、ソース又はドレインの一方が第6の配線415及び保持容量455の一方の電極に、ソース又はドレインの他方が第9の配線463に電気的に接続されている。保持容量455は、他方の電極が接地されている。第8の配線461は、フォトセンサ325の読み出し動作に先立って、第6の配線415のプリチャージを行うための配線である。読み出し回路333では、画素321内におけるフォトセンサ325の読み出し動作に先立ち、第6の配線415の電位を基準電位に設定する。図5では、第8の配線461の電位をLとすることで、第6の配線415を基準電位である高電位に設定することができる。保持容量455は、第6の配線415の寄生容量が大きい場合には設けなくてもよい。なお、基準電位は、低電位とする構成も可能である。この場合、p型トランジスタ453の代わりにn型トランジスタを用い、第8の配線461の電位をHとすることで、第6の配線415を基準電位である低電位に設定することができる。次に、画素アレイ311におけるフォトセンサ325の読み出し動作について、図6のタイミングチャートを用いて説明する。図6のタイミングチャートには、第2の配線403の電位に相当する信号と、第3の配線405の電位に相当する信号と、第7の配線435の電位に相当する信号と、第6の配線415の電位に相当する信号と、第8の配線461に相当する信号と、を示す。時点Aに先立って、第8の配線461の電位をLとすると、第6の配線415の電位はHにプリチャージされるプリチャージ動作。期間ABにおいて、第2の配線403の電位をHとすると、フォトダイオード437が導通し、トランジスタ431のゲートが電気的に接続された第7の配線435の電位がHとなるリセット動作。期間BCにおいて、第2の配線403の電位をLにすると、フォトダイオード437のオフ電流により、トランジスタ431のゲートが接続された第7の配線435の電位が低下し始める。フォトダイオード437は、光が照射されるとオフ電流が増大するので、照射される光の量に応じてトランジスタ431のゲートが接続された第7の配線435の電位は変化する。すなわち、トランジスタ431のソースとドレイン間の電流が変化する累積動作。期間CDにおいて、第3の配線405の電位をHにすると、トランジスタ433が導通し、第5の配線413と第6の配線415とが、トランジスタ431とトランジスタ433とを介して導通する。すると、第6の配線415の電位は、低下していく。なお、時点C以前に、第8の配線461の電位の電位はHとし、第6の配線415のプリチャージを終了しておく。ここで、第6の配線415の電位が低下する速さは、トランジスタ431のソースとドレイン間の電流に依存する。すなわち、フォトダイオード437に照射されている光の量に応じて変化する選択動作。時点Dにおいて、第3の配線405の電位をLにすると、トランジスタ433が遮断され、第6の配線415の電位は、時点D以後、一定値となる。ここで、一定値となる値は、フォトダイオード437に照射されている光の量に応じて決定される。したがって、第6の配線415の電位を取得することで、フォトダイオード437に照射されている光の量を知ることができる。上記のように、各画素321のフォトセンサ325の読み出し動作は、リセット動作、累積動作、及び選択動作を繰り返すことで実現される。液晶表示装置において、各画素におけるフォトセンサのリセット動作、累積動作、及び選択動作を実行することで、画素アレイ311に接触又は接近した被検出物を撮像することができる。本実施の形態のように、高分子分散型液晶材料を用いた液晶素子を具備することで、明るい表示を行うことができ、紙面に近い表示に結びつけることができる。そして、フォトセンサの受光素子として、赤外線の波長領域に受光感度を有する受光素子を具備することで、高分子分散型液晶材料特有の電界が掛かっていない状態における入射光の散乱による受光不良を防ぐことができ、高精度に撮像することができる。本実施の形態で示した構成は、本明細書の他の実施の形態及び実施例の構成と適宜組み合わせることができる。実施の形態4本実施の形態では、フォトセンサに適用できる回路図の例について、図7~図9を用いて説明する。本実施の形態に示すフォトセンサは、図4に示すフォトセンサ325に代えて、適用することができる。図7Aは、図4に示すフォトセンサ325に加えて、トランジスタ231、及び第10の配線232を有する構成としたものである。トランジスタ231は、ゲートが第10の配線232に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方がフォトダイオード437の他方の電極に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方がトランジスタ431のゲートに電気的に接続される。トランジスタ231は、トランジスタ431のゲートに蓄積された電荷を保持する機能を有している。図7Bは、図4に示すフォトセンサ325に加えて、保持容量233、第11の配線234を有し、トランジスタ433及び第3の配線405を有さない構成としたものである。保持容量233は、一方の電極がフォトダイオード437の他方の電極に電気的に接続され、他方の電極が第11の配線234に電気的に接続される。また、トランジスタ431のソース又はドレインの一方が第6の配線415に電気的に接続される。図8Aは、図7Aに示すフォトセンサに加えて、トランジスタ241及び第12の配線242を有する構成としたものである。トランジスタ241は、ゲートが第12の配線242に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方がトランジスタ231のソース又はドレインの他方及びトランジスタ431のゲートに電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が第5の配線413及びトランジスタ431のソース又はドレインの一方に電気的に接続される。トランジスタ241は、トランジスタ431のゲートにリセット信号を供給する機能を有している。図8Bは、図8Aに示すフォトセンサにおいて、トランジスタ431とトランジスタ433との接続関係が異なる構成を有している。トランジスタ431は、ゲートがトランジスタ231のソース又はドレインの他方及びトランジスタ241のソース又はドレインの一方に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方がトランジスタ433のソース又はドレインの一方に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が第6の配線415に電気的に接続される。トランジスタ433のソース又はドレインの他方は、第5の配線413及びトランジスタ241のソース又はドレインの他方に電気的に接続される。図9Aは、図8Aに示すフォトセンサにおいて、トランジスタ433及び第3の配線405を有さない構成としたものである。トランジスタ431は、ソース又はドレインの他方が第6の配線415に電気的に接続される。図9Bは、図9Aに示すフォトセンサにおいて、トランジスタ241とトランジスタ431との接続関係が異なる構成を有している。トランジスタ241は、ソース又はドレインの他方が第13の配線244に電気的に接続される。トランジスタ431は、ソース又はドレインの一方が第5の配線413に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が第6の配線415に電気的に接続される。図9Cは、図9Aに示すフォトセンサにおいて、トランジスタ241とトランジスタ431との接続関係が異なる構成を有している。トランジスタ241は、ソース又はドレインの他方がトランジスタ231のソース又はドレインの他方及びトランジスタ431のゲートに電気的に接続され、ソース又はドレインの一方がトランジスタ431のソース又はドレインの他方及び第6の配線415に電気的に接続される。以上のように、フォトセンサとしては、様々な回路構成を適用することができる。もちろん、フォトセンサを構成する受光素子としては、赤外線の波長領域に受光感度を有する素子を適用する。このようなフォトセンサを備えた液晶表示装置によって、高精度に撮像することができる。本実施の形態で示した構成は、本明細書の他の実施の形態及び実施例の構成と適宜組み合わせることができる。実施の形態5本実施の形態では、上記実施の形態に示した液晶表示装置の応用例について説明する。図10に、上記実施の形態に示した液晶表示装置を組み込んだライティングボード黒板、ホワイトボードとも言われるの一例を示す。例えば、ライティングボード9600のパネル部9696に、上記実施の形態に示した液晶表示装置を組み込むことができる。パネル部9696の表面には、マーカー等を用いて自由に書き込みを行うことができる。パネル部9696表面には、ガラス基板や透明な合成樹脂シートを用いることができる。パネル部9696に組み込まれた液晶表示装置は、画素に赤外線の波長領域に受光感度を有する受光素子を含んでおり、撮像することができる。そのため、ライティングボード9600をプリンター等と接続しておくことで、パネル部9696に書き込まれた文字や図などを読み取って印刷することが可能である。もちろん、ライティングボード9600本体にプリンターを備えさせた構成としてもよい。また、パネル部9696に、上記実施の形態に係る表示機能及び撮像機能を備えた液晶表示装置を組み込んでおり、画像を表示し、さらにパネル部9696表面にマーカー等で書き込みを行った文字や図を撮像して読み取ることができる。また、パネル部9696に、画像を表示させた状態で文字や図を書き込み、撮像して読み取ったマーカーの軌跡と画像とを合成して映し出すことも可能である。パネル部9696の表示画像や書き込んだ文字などは、プリンター等により印刷することが可能である。上記実施の形態で示した液晶表示装置を適用することで、ホワイトボードであれば、紙面に近い表示、特に白表示を見やすくすることができる。また、赤外線を利用して撮像する構成とすることで、高分子分散型液晶材料を適用した液晶表示装置であっても、高精度に撮像することが可能である。次に、図11に、上記実施の形態に示した液晶表示装置を組み込んだ携帯情報端末の例を示す。図11では、電子書籍用端末として用いることができる携帯情報端末の例を図示する。図11Aに示す携帯情報端末4700は、第1の筐体4701及び第2の筐体4703の2つの筐体で構成されている。また、第1の筐体4701に、電源4721、スピーカー4725などを具備させている。第1の筐体4701及び第2の筐体4703は、軸部4711により一体とされており、軸部4711を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、紙面に印刷された書籍のように扱うことが可能となる。第1の筐体4701には第1のパネル部4705が組み込まれている。第2の筐体4703には第2のパネル部4707が組み込まれている。第1のパネル部4705及び第2のパネル部4707は、続き画像を表示する構成としてもよいし、異なる画像を表示する構成としてもよい。異なる画像を表示する構成とすることで、例えば紙面に対して右側のパネル部図11Aでは第1のパネル部4705に文章を表示し、紙面に対して左側のパネル部図11Bでは第2のパネル部4707に挿絵を表示することができる。第1のパネル部4705及び/又は第2のパネル部4707に、上記実施の形態に係る表示機能及び撮像機能を備えた液晶表示装置を組み込んでいる。パネル部に、画像とともに操作キーを表示させる。そして、使用者が操作キーに触れたことを検出撮像し、頁を送らせる構成とすることができる。また、第1のパネル部4705及び/又は第2のパネル部4707に画像を表示させた状態で指やペン先等で文字や図を書き込み、撮像して読み取った軌跡と画像とを合成して表示させることも可能である。なお、筐体のパネル部と同一面にキーボードやポインティングディバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子イヤホン端子、USB端子、またはACアダプタ及びUSBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。さらに、携帯情報端末4700は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。また、携帯情報端末4700は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。次に、図11Aと異なる構成の携帯情報端末の例を図11B、Cに示す。図11B、Cに示す携帯情報端末4300は、可撓性を有する端末の例である。図11Bは携帯情報端末4300を開いた状態を示し、図11Cは携帯情報端末4300を閉じた状態を示している。携帯情報端末4300は、第1の筐体4305、第2の筐体4306、及び第3の筐体4313の3つの筐体で構成されている。第1の筐体4305、第2の筐体4306、及び第3の筐体4313は、軸部4308により一体とされている。第3の筐体4313は、第1の筐体4305と第2の筐体4306との間に挿入されている。第1の筐体4305、第2の筐体4306、及び第3の筐体4313は、軸部4308を軸として開閉動作及び頁めくり動作を行うことができる。このような構成により、あたかも実際の書籍を閲読するような感覚で、利用することが可能となる。第1の筐体4305には第1のパネル部4301が組み込まれている。第2の筐体4306には第2のパネル部4307が組み込まれている。第3の筐体4313の一方の面には第3のパネル部4302が組み込まれ、他方の面には第4のパネル部4310が組み込まれている。第3の筐体4313は、両面表示ができるように第3のパネル部4302及び第4のパネル部4310が組み込まれている。図11Bに示す携帯情報端末4300を左綴じとして利用する場合は、第1のパネル部4301、第3のパネル部4302、第4のパネル部4310、及び第2のパネル部4307の頁順となり、右綴じの場合は頁が逆順となる。第1のパネル部4301が組み込まれた第1の筐体4305、第2のパネル部4307が組み込まれた第2の筐体4306、並びに第3のパネル部4302及び第4のパネル部4310が組み込まれた第3の筐体4313は可撓性を有しており、フレキシビリティが高い。また、第1の筐体4305及び第2の筐体4306にプラスチック基板を用い、第3の筐体4313に薄いフィルムを用いると、薄型で、且つ、書籍に近い感覚で利用できる携帯情報端末4300とすることができる。なお、第3の筐体4313を省略して見開き型の端末としてもよいし、さらに第3の筐体を追加して頁数を増やしてもよい。第1のパネル部4301、第2のパネル部4307、第3のパネル部4302、及び/又は第4のパネル部4310に、上記実施の形態に係る表示機能及び撮像機能を備えた液晶表示装置を組み込んでいる。パネル部に、画像とともに操作キー図11Bでは第1のパネル部4301に操作キー4304を表示させているを表示させる。そして、使用者が操作キーに触れたことを検出撮像し、頁を送らせる構成とすることができる。また、第1のパネル部4301、第2のパネル部4307、第3のパネル部4302、及び/又は第4のパネル部4310に、画像を表示させた状態で指やペン先等で文字や図を書き込み、撮像して読み取った軌跡と画像とを合成して表示させることも可能である。図11に示す携帯情報端末に、上記実施の形態で示した液晶表示装置を適用することで、新聞や文庫などの書籍を閲読する際に、紙面に近い表示を行うことができ、特に白表示を見やすくすることができる。また、赤外線を利用して撮像する構成とすることで、高分子分散型液晶材料を適用した液晶表示装置であっても、高精度に撮像することが可能である。本実施の形態では、ライティングボードや携帯情報端末に、本明細書に開示する液晶表示装置を適用する例を示したが、その他のさまざまな電子機器にも適用することが可能である。例えば、ディスプレイなどの表示装置、ノート型パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置代表的にはDVD:DigitalVersatileDisc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置が挙げられる。その他、携帯電話機、携帯型ゲーム機、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、ゴーグル型ディスプレイヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等、複写機、ファクシミリ、プリンター、プリンター複合機、現金自動預け入れ払い機ATM、自動販売機などが挙げられる。さらに、電車などの乗り物の車内広告、ポスター用に利用することもできる。本実施の形態で示した構成は、本明細書の他の実施の形態及び実施例の構成と適宜組み合わせることができる。本実施例では、高分子分散型液晶材料における透過率の波長分散特性を測定した結果について説明する。測定試料としては、画素面積23mm×24mmとなる液晶セルを作製した。液晶セルは、石英基板と石英基板との間に液晶層のみを挟持させた構成とした。セルギャップは、10μm狙いで作製した。液晶層は、下記表1のような、A液晶材料メルク社製、商品名MLC-2062、B第1モノマー材料共栄化学製、商品名DCP-A水添ジシクロペンタジエニルジアクリレート、C第2モノマー材料新中村化学社製、商品名NKエステルS-1800Aイソステアリルアクリレート、D重合開始剤チバジャパン製、商品名イルガキュア651ベンジルジメチルケタールを調合して作製した。具体的には、A液晶材料:376.63mg、B第1モノマー材料:75.77mg、C第2モノマー材料:54.32mg、D重合開始剤:2.71mgを調合し、それぞれA73.93wt、B14.87wt、C10.66wt、D0.53wt含有された液晶層を形成した。図12に、分光光度計日立ハイテク社製日立分光光度計U-4100で測定した結果を示す。図12から、本実施例の測定試料は、500nmより長波長側に向かって透過率が上昇し、赤外線の波長領域では良好な透過率を有していることが確認できた。なお、波長2600nm~2900nm付近に表れているのは測定ノイズである。本実施例は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。