オーバーバーデンを除去して、ある程度の厚さの最上層材料を下層の上に残して最上層を平坦化するための第1の化学機械研磨ステップにおいて半導体ウェハを平坦化することと、前記最上層をさらに除去して、下層の第2の材料及び第3の材料を露出させ、前記最上層材料対前記第2の材料対前記第3の材料の選択性が約1:1:1から約2:1:1までの間となるようにして平坦なトポグラフィを提供するための第2の化学機械研磨ステップにおいて前記最上層材料を平坦化することとを含む、平坦化方法。前記最上層材料、前記第2の材料及び前記第3の材料は、酸化物、窒化物及びポリシリコンを含む、請求項1に記載の方法。前記最上層は酸化物を含み、前記厚さは300乃至600Åである、請求項1に記載の方法。前記第1の化学機械研磨ステップにおいて半導体ウェハを平坦化することは、シリカ研磨剤、及び界面活性剤を伴うセリア研磨剤のうちの少なくとも1つを用いて前記ウェハを研磨することを含む、請求項1に記載の方法。前記第2の化学機械研磨ステップにおいて前記最上層材料を平坦化することは、水溶液中に分散させた0.5乃至30Wのシリカ研磨剤を含むスラリを用いて研磨することを含む、請求項1に記載の方法。前記スラリは、0.01乃至30g/Lの範囲の有機酸を含む、請求項5に記載の方法。前記スラリは、0.01乃至10g/Lの範囲の酸性pH調整剤を含む、請求項6に記載の方法。前記スラリは、0乃至15g/Lの範囲のアルカリ性pH調整剤を含む、請求項7に記載の方法。前記スラリは、1乃至11のpH範囲を含む、請求項8に記載の方法。前記第2の化学機械研磨ステップにおいて前記最上層材料を平坦化することは、5Wの水中分散コロイド状シリカ研磨材、0.5乃至50g/Lの、2つ又はそれ以上のカルボン酸基を有する有機酸、0.25乃至0.35g/Lの無機酸、0.1乃至1.0g/Lの無機塩基、及び2-5の範囲のpHを有するスラリを用いて研磨することを含む、請求項1に記載の方法。前記第2の化学機械研磨ステップにおいて前記最上層材料を平坦化することは、0.5乃至30のシリカ研磨剤スラリ、0.5乃至50g/Lの有機酸、及び0.01乃至5g/Lの酸性pH調整剤を有する第1の部分と、0.01乃至5g/Lのアルカリ性pH調整剤、及び0.01乃至50g/Lの酸性pH調整剤を有する第2の部分とを含む二部式スラリを用いて研磨することを含む、請求項1に記載の方法。前記第2の化学機械研磨ステップにおいて前記最上層材料を平坦化することは、スラリを二成分として研磨台に供給して前記研磨台上で混合することを含む、請求項1に記載の方法。研磨中にスラリ流量を調整して、前記研磨の異なる段階において異なる研磨速度を得ることをさらに含む、請求項12に記載の方法。前記第2の化学機械研磨ステップにおいて前記最上層材料を平坦化することは、0.5乃至30のシリカ研磨剤スラリ、0.5乃至50g/Lの有機酸、及び0.01乃至5g/Lの酸性pH調整剤を有する第1の部分と、0.5乃至30のシリカ研磨剤スラリ、0.01乃至5g/Lのアルカリ性pH調整剤、及び0.01乃至50g/Lの酸性pH調整剤を含む第2の部分とを含む二部式スラリを用いて研磨することを含む、請求項1に記載の方法。フィン型電界効果トランジスタフィンFET製造のための平坦化の方法であって、オーバーバーデンを除去して、300乃至600Åの厚さを下層の上に残すように酸化物最上層を平坦化するための第1の化学機械研磨ステップにおいてフィンFET構造体を平坦化することと、前記酸化物をさらに除去して、下層の窒化物及びポリシリコン領域を露出させ、前記酸化物:前記窒化物:前記ポリシリコンの選択性が約1:1:1から約2:1:1までの間となるようにして平坦なトポグラフィを提供するための第2の化学機械研磨ステップにおいて平坦化することとを含む方法。前記第2の化学機械研磨ステップにおいて平坦化することは、5Wの水中分散コロイド状シリカ研磨材、0.5乃至50g/Lの、2つ又はそれ以上のカルボン酸基を有する有機酸、0.25乃至0.35g/Lの無機酸、0.1乃至1.0g/Lの無機塩基、及び2-5の範囲のpHを有するスラリを用いて研磨することを含む、請求項15に記載の方法。前記第2の化学機械研磨ステップにおいて平坦化することは、0.5乃至30のシリカ研磨剤スラリ、0.5乃至50g/Lの有機酸、及び0.01乃至5g/Lの酸性pH調整剤を有する第1の部分と、0.01乃至5g/Lのアルカリ性pH調整剤、及び0.01乃至50g/Lの酸性pH調整剤を有する第2の部分とを含む二部式スラリを用いて研磨することを含む、請求項15に記載の方法。前記第2の化学機械研磨ステップにおいて平坦化することは、スラリを二成分として研磨台に供給して前記研磨台上で混合することを含む、請求項15に記載の方法。研磨中にスラリ流量を調整して前記研磨の異なる段階において異なる研磨速度を得ることをさらに含む、請求項18に記載の方法。前記第2の化学機械研磨ステップにおいて平坦化することは、0.5乃至30のシリカ研磨剤スラリ、0.5乃至50g/Lの有機酸、及び0.01乃至5g/Lの酸性pH調整剤を有する第1の部分と、0.5乃至30のシリカ研磨剤スラリ、0.01乃至5g/Lのアルカリ性pH調整剤、及び0.01乃至50g/Lの酸性pH調整剤を含む第2の部分とを含む二部式スラリを用いて研磨することを含む、請求項15に記載の方法。マルチゲートフィンFETの製造は、化学機械研磨ステップを含み、このステップには、ディッシング、及び下層を露出させるための不均一な誘電体除去の問題がある。フィンFETの製造は、化学機械研磨ステップにおける変動に特に敏感である。平坦化方法は、オーバーバーデンoverburdenを除去して、ある程度の厚さの最上層材料を下層の上に残して最上層を平坦化するための第1の化学機械研磨ステップにおいて半導体ウェハを平坦化することを含む。最上層材料は、最上層をさらに除去して、下層の第2の材料及び第3の材料の層を露出させ、最上層材料対第2の材料対第3の材料の選択性が約1:1:1から約2:1:1までの間となるようにして平坦なトポグラフィを提供するための第2の化学機械研磨ステップにおいて平坦化される。フィン型電界効果トランジスタフィンFET製造のための平坦化方法は、オーバーバーデンを除去して、300乃至600Åの厚さを下層の上に残すように酸化物最上層を平坦化するための第1の化学機械研磨ステップにおいてフィンFET構造体を平坦化することと、酸化物をさらに除去して、下層の窒化物及びポリシリコン領域を露出させ、酸化物:窒化物:ポリシリコンの選択性が約1:1:1から約2:1:1までの間となるようにして平坦なトポグラフィを提供するための第2の化学機械研磨ステップにおいて平坦化することとを含む。これら及び他の特徴及び利点は、本発明の例証的な実施形態についての以下の詳細な説明から明らかとなり、この説明は添付の図面に関連して読まれるべきである。本開示は、以下の図面を参照する好ましい実施形態の以下の説明において詳細を提供する。フィン型電界効果トランジスタフィンFET構造体などの半導体構造体の平坦化の方法を提供する。本発明の原理は、ある特定の材料を他の材料に優先して研磨するのに適した選択性を有するスラリを用いて、高度に平坦な最終構造体を達成する。フィンFETデバイスの場合には、オーバーバーデン層の大部分は、オーバーバーデンに対して高い除去速度を有し、下層に対しては比較的低い除去速度を有するスラリを用いる第1の化学機械研磨/平坦化CMPによって除去される。これは初期トポグラフィを小さくし、オーバーバーデンが酸化物である場合には、下層例えば、窒化物の上に約300乃至600Åの酸化物を残しておく。フィンFETデバイスの場合には、第2のCMPステップを行ってオーバーバーデン例えば、酸化物を除去し、下層窒化物を切り開いて下層の下の導電性材料例えば、ドープポリシリコンを露出させる。この例においては、酸化物、窒化物及びポリシリコンに対する約1:1:1の研磨速度選択性比を有するスラリが、最終平坦化のために用いられる。種々の研磨ステップに用いられるスラリの組成物を開示する。図中の流れ図及びブロック図は、幾つかの代替的な実施においては、図中に示した順序とは異なる順序で行うことができる。例えば、連続的に示した2つのブロックは、実際には、実質的に同時に実行することもでき、又は、ブロックは、場合によっては、関与する機能に応じて、逆順で実行することもできる。本発明は、所与の例証的なアーキテクチャに関して説明するが、他のアーキテクチャ、構造、基板材料、並びにプロセスの機能及びステップを、本発明の範囲内で変更することができることを理解されたい。本開示を通して、酸化物、窒化物及びポリシリコン材料について説明する。しかし、これらの材料は例証的なものであり、他の材料もまた企図され、本発明の範囲内である。さらに、本開示を通して、厚さ寸法が説明される。これらの厚さ寸法は例証的なものであり、他の寸法も本発明の原理により用いることができる。本明細書で説明する回路及びデバイスは、集積回路チップ設計の一部分とすることができる。チップ設計は、図形処理コンピュータプログラミング言語で作成し、コンピュータ記憶媒体例えば、ディスク、テープ、物理ハードドライブ、又は仮想ハードドライブ、例えば記憶アクセスネットワーク内など内にストアすることができる。設計者がチップ又はチップ製造用のフォトリソグラフィックマスクを製造しない場合には、製造者は、結果として得られた設計を、物理的手段により例えば、設計をストアした記憶媒体のコピーを提供することにより又は電子的に例えば、インターネットを通じてそのような企業体に直接又は間接に送ることができる。次に、ストアされた設計は、フォトリソグラフィマスクの製造に適した形式例えば、GDSIIに変換され、これは、典型的には、ウェハ上に形成される当該チップ設計の多重のコピーを含む。フォトリソグラフィマスクを利用して、エッチング又はそれ以外の処理を施されるウェハ及び/又はその上の層の領域が画定される。本明細書で説明する方法は、集積回路チップの製造に用いることができる。結果として得られる集積回路チップは、製造者によって、未処理のウェハの形態即ち、複数の未パッケージ化チップを有する単一のウェハ、裸のダイ、又はパッケージ化された形態で配布することができる。後者の場合、チップは、単一チップパッケージ例えば、マザーボード又は他の高レベルキャリアに付けられるリードを有するプラスチックキャリアなど又はマルチチップパッケージ例えば、表面相互接続又は埋込み相互接続のいずれか又は両方を有するセラミックキャリアなど内に取付けられる。いずれの場合にも、チップは次に、aマザーボードなどの中間製品又はb最終製品の一部分として、他のチップ、別個の回路要素、及び/又は他の信号処理デバイスと集積化される。最終製品は、玩具又は他の低価格用途から、ディスプレイ、キーボード又は他の入力デバイス、及び中央処理装置を有する高性能のコンピュータ製品にまでわたる、集積回路チップを含む任意の製品とすることができる。次に、同様の数字が同じ又は類似の要素を表す図面を参照すると、図1はフィン型電界効果トランジスタフィンFETのための例証的な構造体10の断面図である。本発明の原理を実証する例として、製造プロセスを示す。構造体10は、半導体ウェハの基板12上に形成することができる。基板12は、バルク基板、シリコンオンインシュレータSOIのような絶縁体上半導体基板、又はその他の任意の適切な基板を含むことができる。本発明の原理により、任意の数の基板材料を用いることができる。半導体フィン構造体14は、例えば、SOI構造体の一部分であり得る単結晶例えば、シリコン表面層11の上に、例えばフィンマスクなどを用いてパターン付けされている。特に有用な実施形態において、フィン構造体14は、窒化シリコン内に埋込まれた多結晶Siフィンを含む。導電性材料16が、フィン構造体14の側面及び上面の上に形成される。導電性材料16は、ドープポリシリコンを含むことができる。導電性材料16は、その後の処理中にゲート導電体に形成されることになる。ゲート導電体は、二重又は三重ゲート構造体を含むことができる。例えば、二重ゲートは、実際にはフィン構造体14の両側に存在する単一のゲート電極であり、三重ゲートは、フィン構造体14の3つの側面上面及び側面を覆うように折り曲げられた単一ゲートである。導電性材料16は、ゲートマスク18を用いてパターン付けされる。ゲートマスク18は、窒化物又は他の適切な誘電体材料を含むことができる。分離堆積物20は、ゲートマスク18を覆って形成され、導電性材料16の側壁を絶縁するため、及び/又はウェハの他の領域を充填するために用いられる。本発明の原理は、少なくとも3つの異なる材料間で異なる選択性を有するスラリを用いる2ステップCMPプロセスによって、化学機械研磨/平坦化CMP後の高度に平坦な表面を達成する。例証のために、3つの材料を酸化物、窒化物及びポリシリコンとして説明する。図2を参照すると、第1のステップにおいて、層20の過剰なオーバーバーデンが除去される。層20のオーバーバーデンは酸化物を含むことができ、下層ゲートマスク18は窒化物を含むことができる。一実施形態において、この研磨/平坦化ステップの後、およそ300Åの酸化物が下層18の上に残る。このステップのために、例えば、4:1の酸化物対窒化物の選択性を有する酸化物研磨スラリ又はセリア/界面活性剤ベースのスラリを用いて、表面22を形成することができる。図3を参照すると、第2のステップにおいて、およそ1:1:1酸化物:窒化物:ポリシリコンの研磨速度選択性を有するスラリが用いられる。導電性材料16は、ポリシリコンを含み、この例ではゲートマスク18窒化物の下にある。酸化物は、例えば、高密度プラズマHDPプロセスによって形成することができる。窒化物は、例えば、低圧化学気相堆積LPCVD又は急熱化学気相堆積RTCVDによって形成することができる。ポリシリコンは、例えば、LPCVD又はRTCVDによって形成することができる。他のプロセスを用いることもできる。第2の平坦化により、構造体の種々の部分において酸化物、窒化物及びポリシリコンに対する等しいか又はほぼ等しい研磨速度が達成され、これら3つの材料の研磨速度の差異によるディッシング及び浸食が回避される。CMPプロセス用のスラリ組成物は、フィンFETデバイスの形成において特に有用であるが、他の構造体及びプロセスにおいても同様に有益であり、使用することができる。本発明の原理は、酸化物、窒化物及びポリシリコンのような3つの材料を同時に平坦化する必要がある構造体において特に有用である。図2における表面22を形成するための第1のCMPに関して、大部分の酸化物オーバーバーデンを除去すると同時に大きな初期トポグラフィが減らされ、これによりダイ上のあらゆる場所例えば、表面22と層18との間におよそ300Åの平坦な酸化物層が残される。研磨の初期段階中には、高い酸化物除去速度が所望され、窒化物表面は事実上露出しないので、スラリの選択性はこのステップにおいてはあまり重要な因子ではない。これは、例えば、酸化物対窒化物の選択性がおよそ4:1の酸化物研磨スラリによって達成することができる。この酸化物スラリは、水酸化カリウム又は水酸化アンモニウムのようなアルカリ性溶液と、ヒュームドシリカ及びコロイド状シリカから選択されるシリカ研磨剤とを含むことができる。しかし、平坦性を向上させ、種々のパターン密度にわたって一様な酸化物厚を達成するためには、酸化物スラリに添加剤を配合する必要がある場合がある。所望の平坦性及び均一性を達成するために、セリア/界面活性剤系をこのステップにおいて使用することもできる。図3における表面24を形成するための第2のCMPに関して、残りの~300Åの酸化物層が除去されて下層の表面が露出し、研磨のひっかき傷、くぼみ及びその他の汚点などの欠陥がない高度に平坦な最終表面24が達成される。高い平坦性を達成するためには、酸化物、窒化物及びポリシリコンで覆われた表面に対してほぼ同じ研磨速度を有することが必要である。酸化物、窒化物及びポリシリコンの研磨速度は非常に高くすべきではないが、その理由は、研磨速度を非常に高くすると必然的に可制御性が低下するからである。従って、それら3つの材料に対して約300乃至約600Å/分の範囲の研磨速度を有するスラリを有することが非常に望ましいことになる。これは、良好な可制御性を伴う適切な研磨時間を提供し、研磨するのが難しい構造体を平坦化するための過剰研磨マージンを許容することになる。化学機械平坦化に関して、種々異なる材料の研磨速度は、実際の回路レイアウト内の線幅、パターン密度及び構造部サイズによって変化する。パターン付き構造体における種々異なる材料の局所的な研磨速度は、ブランケットウェハにおける同じ材料の研磨速度の非常に複雑な関数である。従って、パターン付きウェハを研磨して平坦度を経験的に計測することによってスラリ選択性を最適化して、確実に所望の目標が達成されるようにすることが望ましい。ダイのレイアウトは技術ノード間で異なり、さらには同じ技術ノードの異なる製品間でも異なるので、スラリ内の成分の濃度を変えることにより研磨速度選択性を変更することができることが非常に望ましい。従って、あるスラリ系が広範囲の製品及び技術ノードにわたって使用可能となるように、研磨速度選択性は、ある範囲内で調整可能である。研磨速度選択性を調整する能力は、本発明の原理を用いて高度に平坦な最終表面を達成する際の第2の研磨ステップ図3における因子である。特に有用な実施形態によるスラリは、以下の成分、即ち、a研磨剤、bpH調整剤、c有機酸を含む。a研磨剤:研磨剤は、無機及び/又は有機材料から選択される少なくとも1つの種類の研磨粒子とすることができる。無機研磨粒子の例としては、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、セリアなどを挙げることができる。シリカの例としては、ヒュームドシリカ、ゾルゲル法で合成されたシリカ、及びコロイド状シリカを挙げることができる。ヒュームドシリカは、気相中で四塩化ケイ素を酸素及び水と反応させることにより得ることができる。ゾルゲル法で合成されるシリカは、アルコキシケイ素化合物の加水分解及び/又は縮合によって得ることができる。コロイド状シリカは、溶液相内での精製ケイ素化合物の加水分解によって得ることができる。有機粒子の例としては、ポリ塩化ビニル、スチレンコポリマー、ポリアセタール、ポリエステル、ポリアミド、ポリカーボネート、オレフィンコポリマー、フェノキシ樹脂、及びアクリルコポリマーを挙げることができる。オレフィンコポリマーの例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ-1-ブテン、及びポリ-4-メチル-1-ペンテンを挙げることができる。アクリルコポリマーの例としては、ポリメチルメタクリレートなどを挙げることができる。研磨剤の平均粒径は、5乃至500nm、より好ましくは20乃至150nmの範囲とすることができる。適切な研磨速度は、この範囲内の平均粒径を有する研磨粒子を用いて達成することができる。コロイド状シリカは、例えば35nmの一次粒径を有する市販品を例えば、日本の扶桑化学工業株式会社から入手することができる。このコロイド状シリカ研磨剤は、市販のシリカ研磨剤の一例であり、本明細書で言及する全ての実施例において、その容量で使用することができる。bpH調整剤:一実施形態によるスラリのpHは、1乃至11、好ましくは2乃至6の範囲である。適切な研磨速度は、スラリのpHをこの範囲内に調整することによって達成することができる。pH調整剤の例としては、有機塩基、無機塩基、及び無機酸を挙げることができる。有機塩基の例としては、水酸化テトラメチルアンモニウム、トリエチルアミンなどを挙げることができる。無機塩基の例としては、水酸化アンモニウム、水酸化カリウム、及び水酸化ナトリウムを挙げることができる。無機酸の例としては、硝酸、硫酸、リン酸、及び塩酸を挙げることができる。c有機酸:有機酸は、窒化物研磨の促進剤として使用される。一塩基酸例えば、モノカルボン酸、二塩基酸例えば、ジカルボン酸、多塩基酸例えば、ポリカルボン酸、及び置換基ヒドロキシル、アミンを有するカルボン酸などの、種々の有機酸を使用することができる。そのような有機酸の例としては、飽和酸、不飽和酸、芳香族散、脂肪酸が挙げられる。飽和酸の例としては、ギ酸、酢酸、酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、及びアジピン酸を挙げることができる。ヒドロキシル基を含む酸の例としては、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、及びクエン酸を挙げることができる。不飽和酸の例としては、マレイン酸及びフマル酸を挙げることができる。芳香族酸の例としては、安息香酸及びフタル酸を挙げることができる。高い窒化物研磨速度を得るためには、2つ又はそれ以上のカルボン酸基を有する有機酸を用いることが好ましい。これらの有機酸のカリウム塩又はアンモニウム塩を用いることもできる。他の成分:本発明の原理は、例えば、酸化物対窒化物対ポリシリコンの選択性を調整するために、他の成分をスラリに添加することを許容する。これらの実施形態によるスラリは、必要であれば界面活性剤を含むことができる。界面活性剤の例としては、陰イオン性、非イオン性、及び陽イオン性の界面活性剤を挙げることができる。陰イオン界面活性剤の例としては、カルボキシル基-COOX、スルホン酸基-SO3X、及びリン酸基-HPO4Xここで、Xは、水素、アンモニウム又は金属を表すから選択された少なくとも1つの官能基を有する界面活性剤を挙げることができる。陰イオン界面活性剤の例としては、脂肪族及び芳香族の硫酸塩及びスルホン酸塩、並びにリン酸塩を挙げることができる。例えば、ドデシルベンゼンスルホン酸カリウム、ドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウム、アルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム、スルホコハク酸アルキルエステル、アルケニルコハク酸カリウムなどのような化合物を使用することができる。オレイン酸カリウムのような飽和脂肪酸塩を使用することができる。これらの陰イオン界面活性剤は、独立して用いることもでき、又は他の界面活性剤と組み合せて用いることもできる。非イオン性界面活性剤の例としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、エチレンオキシド-プロピレンオキシドブロック共重合体、アセチレングリコール、アセチレングリコールのエチレンオキシド付加生成物、アセチレンアルコールなどを挙げることができる。例えば、ポリビニルアルコール、シクロデキストリン、ポリビニルメチルエーテル、又はヒドロキシエチルセルロースなどの非イオン性ポリマーを用いることもできることに留意されたい。陽イオン界面活性剤の例としては、脂肪族アミン塩及び脂肪族アンモニウム塩を挙げることができる。さらに、ポリアクリル酸、及びそれらのナトリウム塩、カリウム塩及びアンモニウム塩などの塩のような高分子電解質を研磨中に添加して、選択性を制御することができる。本発明の原理は、実施例として以下でさらに説明するスラリの成分の機能を含む。これらの実施例は限定するものと解釈されるべきではないことに留意されたい実施例1において、ステップ2のCMP図2から図3まで研磨に適したスラリは、以下のものを含むことができる。0.5乃至30重量の範囲、好ましくは5乃至10重量の範囲のシリカ研磨剤、0.5乃至50g/Lの範囲、好ましくは3乃至25g/Lの範囲の有機酸、0.01乃至5g/Lの範囲、好ましくは0.1乃至2.0g/Lの範囲の酸性pH調整剤、0乃至5g/Lの範囲、好ましくは0乃至2g/Lの範囲のアルカリ性pH調整剤、及び、1乃至11の範囲、好ましくは2乃至6の範囲のスラリのpH。実施例2において、実施例1の配合は以下のものを含むことができる。5Wの水中分散コロイド状シリカ研磨剤、5g/Lのクエン酸、0.25乃至0.35g/Lのリン酸、0.1乃至0.5g/Lの水酸化アンモニウム、2-5の範囲、好ましくは約4のpH。実施例3において、実施例1の配合は、以下のものを含むことができる。10Wの水中分散コロイド状シリカ研磨剤、10g/Lのクエン酸、1乃至2g/Lのリン酸、0.1乃至2.0g/Lの水酸化アンモニウム、2乃至5の範囲のpH。別の実施形態において、スラリは、2つの部分、即ち、部分1:シリカ研磨剤スラリ、有機酸及び酸性pH調整剤と、部分2:アルカリ性pH調整剤及び酸性pH調整剤とを含む。スラリを二成分として研磨台上に供給し、研磨台上で混合させて所望の最終組成を有するスラリが作成されるようにすることができる。同じ又は異なるスラリ流量を用いることによってスラリ組成を研磨中に変更して、異なる研磨段階における酸化物、窒化物及びポリシリコンに対する所望の研磨速度を得ることができる。別の実施例において、当初は部分1及び部分2を用い、特定の時間後に部分2のスイッチを切って当初の配合とは異なる選択性を有するスラリを作り出す。同様の効果は、一方の成分の流量を一定に保ち、研磨が進展するにつれて他方の成分の流量を変化させることによって達成することができる。別の実施形態において、スラリは、2つの部分、即ち、部分1:シリカ研磨剤スラリ、有機酸、及び酸pH調整剤と、部分2:シリカ研磨剤スラリ、アルカリ性pH調整剤及び酸性pH調整剤とを含む。スラリを二成分として研磨台上に供給し、研磨台上で混合させて所望の最終組成を有するスラリが作成されるようにすることができる。同じ又は異なるスラリ流量を用いることによってスラリの組成を研磨中に変更して、異なる研磨段階における酸化物、窒化物及びポリシリコンに対する所望の研磨速度を得ることができる。当初は部分1を用い、特定の時間後に部分1のスイッチを切って部分2のスイッチを入れて、当初の配合とは異なる酸化物対窒化物対ポリシリコンの選択性を有するスラリを作り出す。本発明の原理により、従来の1ステップCMPプロセスでセリア研磨剤スラリを用いて研磨したフィンFET構造体の走査電子顕微鏡SEMによる顕微鏡写真を、本発明の原理に従って説明したスラリを用いた2ステップCMPプロセスで研磨したフィンFET構造体のSEM顕微鏡写真と比較した。従来のプロセスは、多くの場合、導電性材料16を露出させるようにゲートマスク層18の全部を取り除くことに失敗した例えば、図1参照。本発明の原理によるプロセスは、全ての観測したフィン構造体に対して、導電性材料16から全てのゲートマスク材料18を取り除いた。さらに、SEM顕微鏡写真は、ポリシリコン導電性材料と隣接する層20の酸化物領域との間に顕著なディッシングが存在しない、2ステップCMPプロセスの後のフィンFET構造体の平坦性を示す。従来のプロセスは、顕著なディッシングを有していた。図4を参照すると、フィンFET構造体などを2ステップで研磨する、酸化物層を平坦化して下層の窒化物及びポリシリコンで覆われた領域を露出及び研磨するための方法が例証的に示されている。これら及び他の材料の異なる組合せを用いることもできることを理解されたい。ブロック102において、本方法は、オーバーバーデンを除去して、ある程度の厚さの酸化物、例えば約300乃至約600Åの酸化物を残しておくように酸化物層を平坦化するための、第1のステップの化学機械研磨を含む。この研磨は、例えば、シリカ研磨剤を含む酸化物スラリ、又はセリア研磨剤及び界面活性剤を含むスラリによって行われる。ブロック104において、第2の化学機械研磨は、高度に平坦なトポグラフィを達成するための、およそ1:1:1から2:1:1までの酸化物:窒化物:ポリシリコンの選択性による、連続した、酸化物層の除去並びに下層の窒化物及びポリシリコンで覆われた表面の露出を含む。ブロック106において、第2の平坦化ステップによる平坦化のためにスラリが供給される。ブロック104のためのスラリは、水溶液中に分散されたシリカ研磨剤を、例えば0.5乃至30W含むことが好ましい。さらに、ブロック104のためのスラリは、有機酸を0.01乃至30g/Lの範囲で含むことができる。ブロック104のためのスラリは、酸性pH調整剤を0.01乃至10g/Lの範囲で含むことができる。さらに、ブロック104のためのスラリは、アルカリ性pH調整剤を0乃至15g/Lの範囲で含むことができる。ブロック104のためのスラリのpH範囲は、1乃至11とすることができる。ブロック104のスラリの好ましい組成物は、5Wの水中分散コロイド状シリカ研磨剤、0.5乃至50g/Lの、2つ又はそれ以上のカルボン酸基を有する有機酸、0.25乃至0.35g/Lの無機酸、0.1乃至1.0g/Lの無機塩基を含み、pHは2-5の範囲であり、好ましいpHは約4である。一実施形態において、ブロック108で、スラリを二部式スラリとして供給することができる。二部式スラリの一例は、部分1:0.5乃至30のシリカ研磨剤スラリ、0.5乃至50g/Lの有機酸及び0.01乃至5g/Lの酸性pH調整剤と、部分2:0.01乃至5g/Lのアルカリ性pH調整剤及び0.01乃至50g/Lの酸性pH調整剤とを含む。スラリを二成分として研磨台上に供給し、研磨台上で混合させて所望の最終組成を有するスラリが作成されるようにすることができる。同じ又は異なるスラリ流量を用いることによってスラリ組成を研磨中に変更して、異なる研磨段階における酸化物、窒化物及びポリシリコンに対する所望の研磨速度を得ることができる。別の実施形態において、スラリは、以下の組成を有する二部式スラリ、即ち、部分1:0.5乃至30のシリカ研磨剤スラリ、0.5乃至50g/Lの有機酸、及び0.01乃至5g/Lの酸性pH調整剤と、部分2:0.5乃至30のシリカ研磨剤スラリ、0.01乃至5g/Lのアルカリ性pH調整剤、及び0.01乃至50g/Lの酸性pH調整剤として用いることができるブロック108。スラリを二成分として研磨台上に供給し、研磨台上で混合させて所望の最終組成を有するスラリが作成されるようにすることができる。ブロック110において、同じ又は異なるスラリ流量を用いることによってスラリ組成を研磨中に変更して、異なる研磨段階における酸化物、窒化物及びポリシリコンに対する所望の研磨速度を得ることができる。フィンFETデバイスこれは例証のためであり、限定を意図したものではないの製造のための化学機械平坦化プロセスに関する好ましい実施形態を説明したが、当業者であれば上記の教示に鑑みて修正及び変更を施すことができることに留意されたい。従って、開示した特定の実施形態において、添付の特許請求で概説される本発明の範囲内の変更を行うことができることを理解されたい。このように、特許法によって要求される細部及び詳細性をもって本発明の態様を説明したが、特許請求され、特許によって保護されることが所望される事項は、添付の特許請求の範囲において述べられる。