"ArFエキシマレーザー露光光が適用される位相シフトマスクを作製するために用いられる位相シフトマスクブランクであって、透光性基板上に、光半透過膜を備え、前記光半透過膜は、遷移金属、ケイ素及び窒素を主成分とする不完全窒化物膜からなり、前記光半透過膜の遷移金属とケイ素との間における遷移金属の含有比率が9未満であることを特徴とする位相シフトマスクブランク。前記光半透過膜の遷移金属とケイ素との間における遷移金属の含有比率が2以上であることを特徴とする請求項1記載の位相シフトマスクブランク。前記不完全窒化膜は、Mo-N結合及びMo-Si結合を含み、Mo-Si結合がMo-N結合よりも相対的に多く含むことを特徴とする請求項1又は2記載の位相シフトマスクブランク。前記不完全窒化膜は、Si-N結合及びMo-Si結合を主として含むことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。前記光半透過膜の前記露光光の波長に対する透過率が4以上9未満であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。前記光半透過膜の窒素の含有量は、40原子以上47原子以下であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。前記遷移金属は、モリブデンであることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。前記光半透過膜の膜厚は、75nm以下であることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。ArFエキシマレーザー露光光が適用される位相シフトマスクを作製するために用いられる位相シフトマスクであって、透光性基板上に、光半透過膜パターンを備え、前記光半透過膜パターンは、遷移金属、ケイ素及び窒素を主成分とする不完全窒化物膜からなり、前記光半透過膜パターンにおける遷移金属とケイ素との間における遷移金属の含有比率が9未満であることを特徴とする位相シフトマスク。前記光半透過膜パターンにおける遷移金属とケイ素との間における遷移金属の含有比率が2以上であることを特徴とする請求項9記載の位相シフトマスク。前記不完全窒化膜は、Mo-N結合及びMo-Si結合を含み、Mo-Si結合がMo-N結合よりも相対的に多く含むことを特徴とする請求項9又は10記載の位相シフトマスク。前記不完全窒化膜は、Si-N結合及びMo-Si結合を主として含むことを特徴とする請求項9から11のいずれかに記載の位相シフトマスク。前記光半透過膜パターンにおける窒素の含有量は、40原子以上47原子以下であることを特徴とする請求項9から12のいずれかに記載の位相シフトマスク。前記遷移金属は、モリブデンであることを特徴とする請求項9から13のいずれかに記載の位相シフトマスク。前記光半透過膜パターンの膜厚は、75nm以下であることを特徴とする請求項9から14のいずれかに記載の位相シフトマスク。ArFエキシマレーザー露光光が適用される位相シフトマスクを作製するために用いられる位相シフトマスクブランクの製造方法であって、窒素ガスを含む雰囲気中でスパッタリングを行うことによって、透光性基板上に、遷移金属、ケイ素及び窒素を主成分とする光半透過膜を成膜する工程を備え、前記雰囲気中の窒素ガスの流量は、前記遷移金属及びケイ素を完全に窒化する流量よりも少ない流量であることを特徴とする位相シフトマスクブランクの製造方法。前記雰囲気中の窒素ガスの流量は、前記遷移金属及びケイ素を完全に窒化する流量に対して、70を超え95未満の流量であることを特徴とする請求項16記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。請求項1記載の位相シフトマスクブランクを用いて製造された転写用マスクを用い、半導体ウェハ上に回路パターンを形成することを特徴する半導体デバイスの製造方法。請求項9記載の位相シフトマスクを用い、半導体ウェハ上に回路パターンを形成することを特徴する半導体デバイスの製造方法。ところが、近年の露光光源波長の短波長化に伴い、転写用マスクの繰返し使用によるマスク劣化が顕著になってきた。特に位相シフトマスクの場合、露光光源のArFエキシマレーザー波長193nm照射により、透過率や位相差の変化が起こり、さらに線幅が変化する太るという現象も発生している。位相シフトマスクの場合、このような透過率、位相差の変化はマスク性能に影響を与える重要な問題である。透過率の変化が大きくなると転写精度が悪化すると共に、位相差の変化が大きくなると、パターン境界部における位相シフト効果が得られにくくなり、パターン境界部のコントラストが低下し、解像度が大きく低下してしまう。また、線幅変化も位相シフトマスクのCD精度、最終的には転写されるウェハのCD精度を悪化させることになる。本発明者の検討によれば、このような転写用マスクの繰返し使用によるマスク劣化の問題の背景は次のように推察される。従来は、例えばヘイズが発生するとヘイズを除去するための洗浄を行っていたが、洗浄による膜減り溶出は避けられず、いわば洗浄回数がマスク寿命を決定していた。しかし、近年のヘイズの改善によって洗浄回数が低減したため、マスクの繰返し使用期間が延び、その分露光時間も延びたため、特にArFエキシマレーザーなどの短波長光に対する耐光性の問題が新たに顕在化してきた。さらに、パターンの微細化に伴い、転写用マスクの製造コストが上昇してきていることから、転写用マスクの長寿命化のニーズが高まってきており、転写用マスクの耐薬性や耐温水性についても更なる向上が求められている。従来においても、位相シフト膜の露光光照射による透過率や位相差の変化を抑制するために、例えば、金属及びシリコンを主成分とする位相シフト膜を大気中又は酸素雰囲気中で250~350°C、90~150分加熱処理すること例えば上記特許文献1や、金属及びシリコンを主成分とする位相シフト膜上に金属及びシリコンを主成分とするキャップ層を形成すること例えば上記特許文献2は行われていたが、近年の露光光源の短波長化が進む中で、露光光に対する膜の耐光性の更なる向上が求められている。そこで本発明は、従来の課題を解決するべくなされたものであり、その目的とするところは、波長200nm以下の露光光に対する遷移金属、ケイ素及び窒素を主成分とする材料からなる光半透光膜の耐光性を向上させ、マスク寿命を改善できる位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに位相シフトマスクを提供することである。本発明者は、露光光源波長の短波長化に伴い、転写用マスクの繰返し使用による劣化が顕著になってきた要因を以下のように推測した。なお、本発明は、実施例で述べるように、本願発明者らの鋭意努力による実験の結果から、本発明の所定の構成を有することにより本発明の効果を奏することが明らかとなったものなので、以下に述べる推測に拘束されるものではない。本発明者は、繰返し使用によって透過率や位相差変化が生じたMoSi系材料からなるハーフトーン型位相シフトマスクのハーフトーン型位相シフト膜パターンを調べた結果、MoSi系膜の表層側にSiとO、若干のMoを含む変質層ができており、これが透過率や位相差の変化、線幅の変化太りの主な原因の一つであることが判明した。そして、このような変質層が生じる理由メカニズムは次のように考えられる。すなわち、従来のスパッタ成膜されたMoSi系膜位相シフト膜は構造的には隙間があり、成膜後にアニールしたとしてもMoSi膜の構造の変化が小さいため、位相シフトマスクの使用過程においてこの隙間に、例えば大気中の酸素O2や水H2O、酸素O2がArFエキシマレーザーと反応することによって発生するオゾンO3等が入り込んで、位相シフト膜を構成するSiやMoと反応する。つまり、このような環境で位相シフト膜を構成するSi及びMoは露光光特にArFなどの短波長光の照射を受けると励起され遷移状態となり、Siが酸化及び膨張するSiよりもSiO2の体積が大きいためと共に、Moも酸化して位相シフト膜の表層側に変質層が生成される。そして位相シフトマスクの繰返し使用により、露光光の照射を累積して受けると、Siの酸化及び膨張がさらに進行すると共に、酸化されたMoは変質層中を拡散し、表面に析出して、例えばMoO3となって昇華し、その結果、変質層の厚みが次第に大きくなるMoSi膜中での変質層の占める割合が大きくなるものと考えられる。このような変質層が発生し、さらに拡大していく現象は、位相シフト膜を構成するSiやMoの酸化反応のきっかけとなるこれらの構成原子が励起され遷移状態となるのに必要なエネルギーを有するArFエキシマレーザー等の短波長の露光光の場合に顕著に確認される。このような現象は、MoSi系材料に限られたものではなく、他の遷移金属とケイ素を含む材料からなる位相シフト膜でも同様のことがいえる。本発明者は、以上の解明事実、考察に基づき、さらに鋭意研究を続けた。その結果、遷移金属Mとケイ素との間における遷移金属Mが9未満の不完全窒化物膜とすることによって、遷移金属Mが9未満の完全窒化物膜の場合等に比べ、膜中に含まれるM-N結合を相対的に低減することができ、これによって、遷移金属が酸化して光半透過膜の表層に析出するのを抑制することが可能となること、具体的には、驚くべきことに、変質層の形成に基づく膜厚変化をゼロに抑えることが可能となり、耐光性を顕著に改善できること、を見出し、本発明を完成したものである。本発明は以下の構成を有する。構成1ArFエキシマレーザー露光光が適用される位相シフトマスクを作製するために用いられる位相シフトマスクブランクであって、透光性基板上に、光半透過膜を備え、前記光半透過膜は、遷移金属、ケイ素及び窒素を主成分とする不完全窒化物膜からなり、前記光半透過膜の遷移金属とケイ素との間における遷移金属の含有比率が9未満であることを特徴とする位相シフトマスクブランク。構成2前記光半透過膜の遷移金属とケイ素との間における遷移金属の含有比率が2以上であることを特徴とする構成1記載の位相シフトマスクブランク。構成3前記不完全窒化膜は、Mo-N結合及びMo-Si結合を含み、Mo-Si結合がMo-N結合よりも相対的に多く含むことを特徴とする構成1又は2記載の位相シフトマスクブランク。構成4前記不完全窒化膜は、Si-N結合及びMo-Si結合を主として含むことを特徴とする構成1から3のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。構成5前記光半透過膜の前記露光光の波長に対する透過率が4以上9未満であることを特徴とする構成1から3のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。構成6前記光半透過膜の窒素の含有量は、40原子以上47原子以下であることを特徴とする構成1から5のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。構成7前記遷移金属は、モリブデンであることを特徴とする構成1から6のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。構成8前記光半透過膜の膜厚は、75nm以下であることを特徴とする構成1から7のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。構成9ArFエキシマレーザー露光光が適用される位相シフトマスクを作製するために用いられる位相シフトマスクであって、透光性基板上に、光半透過膜パターンを備え、前記光半透過膜パターンは、遷移金属、ケイ素及び窒素を主成分とする不完全窒化物膜からなり、前記光半透過膜パターンにおける遷移金属とケイ素との間における遷移金属の含有比率が9未満であることを特徴とする位相シフトマスク。構成10前記光半透過膜パターンにおける遷移金属とケイ素との間における遷移金属の含有比率が2以上であることを特徴とする構成9記載の位相シフトマスク。構成11前記不完全窒化膜は、Mo-N結合及びMo-Si結合を含み、Mo-Si結合がMo-N結合よりも相対的に多く含むことを特徴とする構成9又は10記載の位相シフトマスク。構成12前記不完全窒化膜は、Si-N結合及びMo-Si結合を主として含むことを特徴とする構成9から11のいずれかに記載の位相シフトマスク。構成13前記光半透過膜パターンにおける窒素の含有量は、40原子以上47原子以下であることを特徴とする構成9から12のいずれかに記載の位相シフトマスク。構成14前記遷移金属は、モリブデンであることを特徴とする構成9から13のいずれかに記載の位相シフトマスク。構成15前記光半透過膜パターンの膜厚は、75nm以下であることを特徴とする構成9から14のいずれかに記載の位相シフトマスク。構成16ArFエキシマレーザー露光光が適用される位相シフトマスクを作製するために用いられる位相シフトマスクブランクの製造方法であって、窒素ガスを含む雰囲気中でスパッタリングを行うことによって、透光性基板上に、遷移金属、ケイ素及び窒素を主成分とする光半透過膜を成膜する工程を備え、前記雰囲気中の窒素ガスの流量は、前記遷移金属及びケイ素を完全に窒化する流量よりも少ない流量であることを特徴とする位相シフトマスクブランクの製造方法。構成17前記雰囲気中の窒素ガスの流量は、前記遷移金属及びケイ素を完全に窒化する流量に対して、70を超え95未満の流量であることを特徴とする構成16記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。構成18構成1記載の位相シフトマスクブランクを用いて製造された転写用マスクを用い、半導体ウェハ上に回路パターンを形成することを特徴する半導体デバイスの製造方法。構成19構成9記載の位相シフトマスクを用い、半導体ウェハ上に回路パターンを形成することを特徴する半導体デバイスの製造方法。以下、本発明について詳細に説明する。本発明は、構成1にあるように、ArFエキシマレーザー露光光が適用される位相シフトマスクを作製するために用いられる位相シフトマスクブランクであって、透光性基板上に、光半透過膜を備え、前記光半透過膜は、遷移金属、ケイ素及び窒素を主成分とする不完全窒化物膜からなり、前記光半透過膜の遷移金属とケイ素との間における遷移金属の含有比率が9未満であることを特徴とする位相シフトマスクブランクである。本発明において、不完全窒化物とは、遷移金属元素又はケイ素元素の取り得る価数に応じた化学量論組成に対して、窒素含有量が少ない化合物である。即ち、M-N結合及びSi-N結合が少ない状態である。本発明において、不完全窒化物は、完全窒化物に比べ、M-N結合及びSi-N結合が少ない状態にある化合物である、と言える。例えば、窒素を含む雰囲気中でスパッタリングを行うことによって、透光性基板上に、遷移金属、ケイ素及び窒素を主成分とする光半透過膜を成膜する際に、窒素ガスの流量を増やしていくと、膜中の窒素含有量が増加していく透過率が上昇していくが、窒素ガスの流量増加量に対する透過率の上昇量は次第に小さくなっていき、窒素ガスの流量を増やしても、膜中の窒素含有量が増加しない透過率が上昇しない状態に至る。本発明においては、この状態を、完全窒化物と称す。また、この完全窒化物の状態に至る手前の状態、即ち、上述した、窒素ガスの流量を増やしても、膜中の窒素含有量が増加する余地のある状態透過率が上昇する余地のある状態、を不完全窒化物と称す。不完全窒化物は、上述した、窒素ガスの流量増加に対する透過率の上昇が次第に小さくなっていく状態に含まれる。不完全窒化物は、上述した、窒素ガスの流量増加に対する透過率の上昇が次第に小さくなっていく状態よりも手前の状態は含まない。例えば、遷移金属がモリブデンの場合の窒素ガス流量に対する結合状態は、次のとおりである。すなわち、窒素流量がゼロ0sccmの場合MoSi膜の場合には、図5に示すように、膜中の主たる結合状態は、Si-Si結合、Mo-Si結合となる。Si-Si結合が多く含まれているので、Siの酸化による耐光性への影響が生じると考えられる。窒素流量が35sccm未満ArとN2の合計量に対するN2比率[N2/ArN2]が77未満で窒化が少ない場合には、膜中の主たる結合状態は、Si-Si結合、Si-N結合、Mo-Si結合となる図5、及び後述する図6参照。Si-Si結合が多く含まれているので、Siの酸化による耐光性への影響が生じると考えられる。窒素流量が35sccm以上50sccm以下[N2/ArN2]が77以上83以下の場合には、図6に示すように、膜中の主たる結合状態は、Si-N結合、Mo-Si結合となる。Si-Si結合及びMo-N結合がほとんどないため、Si及びMoが酸化されにくい。詳しくは、図6の左側の図に示すように、Mo-N結合よりもMo-Si結合が相対的に多く含まれているので150min、2100min参照、Mo-Si結合よりもMo-N結合が相対的に多く含まれている場合に比べ、Mo-N結合が相対的に少ないため、Moの酸化による影響即ち耐光性の低下が小さいと考えられる。より詳しくは、図6において、束縛エネルギー227.5eV付近のピークが束縛エネルギー228eV付近のピークよりも相対的に高くなっている。ここで、相対的に高いとは、膜厚方向に複数ポイント例えば、5点測定したときに総合的にみてピークが高いものを含む。窒素流量が50sccm[N2/ArN2]が83より多い完全窒化膜の場合には、図7に示すように、膜中の主たる結合状態は、Si-N結合、Mo-N結合となる。Mo-N結合が含まれているので、Moが酸化されてしまう。詳しくは、図7の左側の図に示すように、Mo-Si結合よりもMo-N結合が相対的に多く含まれているので900min、3300min参照、Mo-N結合よりもMo-Si結合が相対的に多く含まれている場合に比べ、Mo-N結合が相対的に多く含まれているため、Moの酸化による影響即ち耐光性の低下が大きいと考えられる。より詳しくは、図7において、束縛エネルギー227.5eV付近のピークが束縛エネルギー228eV付近のピークよりも相対的に低くなっている。ここで、相対的に低いとは、膜厚方向に複数ポイント例えば、6点測定したときに総合的にみてピークが低いものを含む。本発明において、前記光半透過膜の遷移金属Mとケイ素Siとの間における遷移金属Mの含有比率[M/MSi]が9未満であると、上述した作用効果が得られる。これに対し、遷移金属Mの含有比率[M/MSi]が多くなると、上述した作用効果特に図6と図7に示す関係がみられなくなる場合がある。本発明において、前記光半透過膜の遷移金属Mとケイ素Siとの間における遷移金属Mの含有比率[M/MSi]は、膜中のMo含有量をより少なくし、Mo-N結合をより少なくする観点耐光性をより向上させる観点から、7未満、5未満であることがより好ましい。本発明においては、パルス周波数300Hz、パルスエネルギー16mJ/cm2/pulseのArFエキシマレーザー波長193nmを積算照射量30kJ/cm2となるように連続照射した場合の膜厚変化量を4nm以下とすることができる。半導体デバイスの設計仕様でいうDRAMハーフピッチhp32nm世代ではウェハ上でCDバラツキを2.6nm以下とする必要があり、このためには、hp32nm世代で使用する位相シフトマスクに求められるCDバラツキは5nm以下に抑えることが好ましいが、本発明によれば、位相シフトマスクを作製したときに、薄膜パターンのCDバラツキを5nm以下とすることができる。本発明においては、前記光半透過膜は、透過率制御のため、20原子以下の酸素を入れることが可能である。本発明において、遷移金属Mとしては、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、クロム、ハフニウム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム等が適用可能である。本発明においては、前記光半透過膜の遷移金属とケイ素との間における遷移金属の含有比率が2以上であることが好ましい構成2。このような構成により、欠陥検査機の検査光の波長例えば、257nmに対する透過率を60以下とすることが可能となる。また、光半透過膜の薄膜化が可能となる。本発明において、前記光半透過膜の遷移金属Mとケイ素Siとの間における遷移金属Mの含有比率[M/MSi]は、より好ましくは3以上である。本発明において、前記光半透過膜の前記露光光の波長に対する透過率が4以上9未満であることが好ましい構成5。前記透過率が9より大きいと、不完全窒化の状態が得られ難くなり、上述した作用効果が得られ難くなる。詳しくは、前記透過率が9より大きいと、窒素ガス流量をゼロ付近に小さくしても完全窒化の状態になってしまうしたがって不完全窒化の状態が得られない。前記透過率のより好ましい範囲は8以下である。前記透過率が4より低いと膜厚が厚くなる。ここでの透過率は、アニール等を行わない成膜後のものをいう。したがって、応力低減等でアニールする場合には、アニールによる透過率変動を見越して成膜することが必要である。本発明において、不完全窒化膜は、Mo-N結合及びMo-Si結合を含み、Mo-Si結合がMo-N結合よりも相対的に多く含むことが好ましい構成3。図6に示すように、膜中の結合状態において、Mo-Si結合がMo-N結合よりも相対的に多いため、Si及びMoが酸化されにくく、耐光性が高くなるので好ましいためである。本発明において、前記不完全窒化膜は、Si-N結合及びMo-Si結合を主として含むことが好ましい構成4。図6に示すように、膜中の主たる結合状態がSi-N結合、Mo-Si結合となる場合においては、Si-Si結合及びMo-N結合がほとんどないため、Si及びMoが酸化されにくく、耐光性が高くなるので好ましいためである。なお、上記膜中の主たる結合状態は、アニール等で酸化層等が形成される表層部分は除く部分に関するものである。本発明において、前記光半透過膜の窒素の含有量は、40原子以上47原子以下であることが好ましい構成6。膜中のMo含有量や透過率等との関係で一概に言えないが、前記光半透過膜の窒素の含有量が47原子を超えると、不完全窒化の状態が得られ難くなる。前記光半透過膜の窒素の含有量が40原子より少ないとSi-Si結合が多くなり耐光性が悪くなる傾向にある。本発明において、完全窒化物の光半透過膜における窒素含有量に対して、2以上20以下窒素の含有量が少ないことが好ましい。光半透過膜の窒素の含有量が完全窒化物の光半透過膜における窒素含有量に対して2未満の場合には、不完全窒化の状態が得られ難くなる。また、完全窒化物の光半透過膜における窒素含有量に対して、20を超えて少ないと、Si-Si結合が多くなり耐光性が悪くなる傾向にある。本発明において、前記遷移金属は、モリブデンであることが好ましい構成7。前記遷移金属がモリブデンである場合に、本願課題が特に顕著になるからである。本発明において、前記光半透過膜の膜厚は、75nm以下であることが好ましい構成8。前記光半透過膜の膜厚は、70nm以下であることがさらに好ましい。本発明において、構成9から構成15に記載の位相シフトマスクは、上記構成1から構成8に記載の位相シフトマスクブランクに対応するものであり、上記構成1から構成8で説明した事項が同様に適用されるため、説明を省略する。本発明は、構成16にあるように、ArFエキシマレーザー露光光が適用される位相シフトマスクを作製するために用いられる位相シフトマスクブランクの製造方法であって、窒素ガスを含む雰囲気中でスパッタリングを行うことによって、透光性基板上に、遷移金属、ケイ素及び窒素を主成分とする光半透過膜を成膜する工程を備え、前記雰囲気中の窒素ガスの流量は、前記遷移金属及びケイ素を完全に窒化する流量よりも少ない流量であることを特徴とする。このような構成によれば、不完全窒化の状態にある遷移金属、ケイ素及び窒素を主成分とする光半透過膜を成膜可能となる。本発明において、前記雰囲気中の窒素ガスの流量は、前記遷移金属及びケイ素を完全に窒化する流量に対して、70を超え95未満の流量であることが好ましい構成17。このような構成によれば、安定的に確実に再現性よく不完全窒化の状態にある遷移金属、ケイ素及び窒素を主成分とする光半透過膜を成膜できる。それにより、後述する条件におけるArFエキシマレーザー照射前後の膜厚変化量Δdが4nm以下であって、完全窒化の状態にある光半透過膜に比べ、耐光性に優れた光半透過膜を成膜できる。本発明において、前記光半透過膜を形成する方法としては、例えばスパッタ成膜法が好ましく挙げられるが、本発明はスパッタ成膜法に限定されるわけではない。スパッタ装置としてDCマグネトロンスパッタ装置が好ましく挙げられるが、本発明はこの成膜装置に限定されるわけではない。RFマグネトロンスパッタ装置等、他の方式のスパッタ装置を使用してもよい。本発明において、透光性基板は、使用する露光波長に対して透明性を有するものであれば特に制限されない。本発明では、石英基板、その他各種のガラス基板例えば、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス等を用いることができるが、この中でも石英基板は、ArFエキシマレーザーの波長領域で透明性が高いので、本発明には特に好適である。本発明において、位相シフトマスクには、ハーフトーン型位相シフトマスクが含まれる。本発明において、位相シフトマスクブランクには、ハーフトーン型位相シフトマスク用のマスクブランクが含まれる。本発明においては、前記光半透過膜及びそのパターンの他に、他の薄膜及びそのパターンを形成できる。例えば、前記光半透過膜の上又は下に遮光膜を有する形態の場合には、前記光半透過膜の材料が遷移金属シリサイドを含むので、遮光膜の材料は、前記光半透過膜に対してエッチング選択性を有するエッチング耐性を有するクロムや、クロムに酸素、窒素、炭素などの元素を添加したクロム化合物で構成することができる。これにより、光半透過膜パターンの上又は下に遮光膜パターンを形成できる。本発明において、クロムを含有する材料としては、クロム単体Crの他、クロムCrに窒素N、酸素O、炭素C、水素H、ヘリウムHeなどの元素を一以上含有する材料が含まれる。例えば、Cr、CrN、CrO、CrNO、CrNC、CrCONなどや、これらに加え水素H、ヘリウムHeをそれぞれ含有する材料が含まれる。本発明によれば、遷移金属Mが9未満の不完全窒化物膜とすることによって、遷移金属Mが9原子未満の完全窒化物膜の場合等に比べ、M-N結合を相対的に低減することができ、これによって、遷移金属が酸化して光半透過膜の表層に析出するのを抑制することが可能となり、具体的には、驚くべきことに、変質層の形成に基づく膜厚変化をゼロに抑えることが可能となり、耐光性を顕著に改善できる。以下、実施例に基づき、本発明をさらに具体的に説明する。実施例1図8に示すように、透光性基板1としてサイズ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英ガラス基板を用い、透光性基板1上に、窒化されたモリブデン及びシリコンからなる光半透過膜2を成膜した。具体的には、モリブデンMoとシリコンSiとの混合ターゲットMo:Si=4mol:96molを用い、アルゴンArと窒素N2とヘリウムHeとの混合ガス雰囲気ガス流量Ar:10.5sccm、N2:48sccm、He:100sccm、ガス圧0.3Pa、DC電源の電力を3.0kWとして、反応性スパッタリングDCスパッタリングにより、モリブデン、シリコン及び窒素からなるMoSiN膜を67nmの膜厚で形成した。このMoSiN膜は、ArFエキシマレーザーの波長193nmにおいて、透過率は6.2、位相差が180.0度となっていた。以上のようにして、本実施例の位相シフトマスクブランク10を作製した。このMoSiN膜について、XPSX線光電子分光法分析した結果を図3に示す。図3から、このMoSiN膜の組成は、Mo:1.8原子,Si:53.1原子,N:45.1原子であった。次に、実施例1で作製した光半透過膜MoSiN膜について、ArFエキシマレーザー照射耐性を調べた。具体的には、実施例1で作製した光半透過膜について、パルス周波数300Hz、パルスエネルギー16mJ/cm2/pulseのArFエキシマレーザー波長193nmを積算照射量30kJ/cm2となるように連続照射した。ここで、照射量30kJ/cm2というのは、転写用マスクを用いて、ウェハ112,500枚のレジスト膜に対して、転写パターンを露光転写したときに受ける照射量に相当する。そして、ArF照射前後における膜厚変化量Δdnmを測定により求めたところ、驚くべきことに、膜厚変化量Δdは0nmであり、極めて高いArF照射耐性が得られることがわかった。また、ArF照射後における光半透過膜MoSiN膜は、ArFエキシマレーザーの波長193nmにおいて、透過率は6.7、位相差が174.9度となっており、ArF照射前後で変化は小さかった。比較例1実施例1において、窒素N2の流量を0sccmとし、膜厚を54nmとしたこと、を除き実施例1と同様とした。具体的には、モリブデンMoとシリコンSiとの混合ターゲットMo:Si=4mol:96molを用い、アルゴンArとヘリウムHeとの混合ガス雰囲気ガス流量Ar:10.5sccm、He:100sccm、ガス圧0.3Pa、DC電源の電力を3.0kWとして、スパッタリングDCスパッタリングにより、モリブデン及びシリコンからなるMoSi膜を54nmの膜厚で透光性基板上に形成した。このMoSi膜は、ArFエキシマレーザーの波長193nmにおいて、透過率は0、位相差は透過率が小さく測定不可能であった。このMoSi膜について、XPS分析した結果を図2に示す。図2から、このMoSi膜の組成は、Mo:6.4原子,Si:93.6原子であった。次に、比較例1で作製した光半透過膜MoSi膜について、実施例1と同様にしてArF照射耐性を調べた。その結果、ArF照射前後における膜厚変化量Δdは、11.3nmであり、合格ラインの4nmをはるかに超えていた。比較例2実施例1において、窒素N2の流量を55sccmとしたこと、を除き実施例1と同様とした。具体的には、モリブデンMoとシリコンSiとの混合ターゲットMo:Si=4mol:96molを用い、アルゴンArと窒素N2とヘリウムHeとの混合ガス雰囲気ガス流量Ar:10.5sccm、N2:55sccm、He:100sccm、ガス圧0.3Pa、DC電源の電力を3.0kWとして、反応性スパッタリングDCスパッタリングにより、モリブデン、シリコン及び窒素からなるMoSiN膜を67nmの膜厚で透光性基板上に形成した。このMoSiN膜は、ArFエキシマレーザーの波長193nmにおいて、透過率は9.6、位相差が1782度となっていた。このMoSiN膜について、XPS分析した結果を図4に示す。図4から、このMoSiN膜の組成は、Mo:1.3原子,Si:50.2原子,N:48.5原子であった。次に、比較例2で作製した光半透過膜について、実施例1と同様にしてArF照射耐性を調べた。その結果、ArF照射前後における膜厚変化量Δdは、4.7nmであり、合格ラインの4nmを超えていた。また、ArF照射後における光半透過膜MoSiN膜は、ArFエキシマレーザーの波長193nmにおいて、透過率は11.0、位相差が169.4度となっており、ArF照射前後で変化がかなりあった。実施例1と比較例2を対比すると、MoSiN膜の組成は近似しており、差異は小さい。しかし、驚くべきことに、ArF照射前後における膜厚変化量ΔdやArF照射前後における透過率、位相差の変化量は、大きく相違する。これは、MoSiN膜が、完全窒化膜であるか、不完全窒化膜であるかの違いによるものと考えられる。また、詳しくは、以下のように考えられる。実施例1及び比較例2では、基本的に、共に、SiとNの含有量が近似しており、したがって、膜中の主たる結合状態は、Si-N結合の占める割合が高いものと考えられる。また、実施例1と比較例2を対比すると、実施例1及び比較例2では、基本的に、共に、Moの含有量が小さく、したがって、Mo-Si結合、Mo-N結合の含有量も小さい。以上の基本的な状態の下で、図7に示す完全窒化膜の状態から図6に示す不完全窒化膜の状態になると、図7の左側の図に示すように、Mo-Si結合よりもMo-N結合が相対的に多く含まれている900min、3300min参照状態から、図6の左側の図に示すように、Mo-N結合よりもMo-Si結合が相対的に多く含まれている150min、2100min参照状態へと変化する。これらのことと、上述したように基本的にMoの含有量が小さいこと、が相まって、ArF照射耐性に大きな違いが生ずるのではないかと考えられる。例えば、図7の左側の図に示すMo-Si結合よりもMo-N結合が相対的に多く含まれている場合に比べ、図6の左側の図では、Mo-Si結合が相対的に多くMo-N結合が相対的に少ないため、MoNの酸化による影響即ち耐光性の低下が小さくなるのではないかと考えられる。また、上述した基本的な状態の下で、図4に示す完全窒化膜の状態から図3に示す不完全窒化膜の状態になると、膜中の窒素の含有量が約3原子減り、膜中のSiの含有量が約3原子増える。これに伴い、膜中のSiの含有量に対する膜中の窒素の含有量の割合膜中の窒素の含有量/膜中のSiの含有量は、約97から約85へと低下する。これらのことや、これらのことに起因して例えば結合の状態例えば結合の強さや膜質などに違いが生じること、によってArF照射耐性に大きな違いが生ずるのではないかと考えられる。図1は、実施例1、比較例1、比較例2で作製した光半透過膜について、N2ガス流量sccmとArF照射前後の膜厚変化量Δdnmとの関係を調べた結果を示す図である。図1から、窒素を含む雰囲気中でスパッタリングを行う際に、雰囲気中の窒素の流量は、遷移金属及びケイ素を完全に窒化する流量よりも少ない流量とすることによって、不完全窒化膜を得ることができ、この結果、ArF照射前後における膜厚変化量Δdは0nmであり、完全窒化膜の場合に比べ、極めて高いArF照射耐性が得られることがわかる。実施例2実施例1において、モリブデンとシリコンのターゲット比率及びガス流量を変え、膜厚を67nmとした。具体的には、モリブデンMoとシリコンSiとの混合ターゲットMo:Si=6mol:94molを用い、アルゴンArと窒素N2とヘリウムHeとの混合ガス雰囲気ガス流量Ar:12.5sccm、N2:50sccm、He:100sccm、ガス圧0.3Pa、DC電源の電力を3.0kWとして、反応性スパッタリングDCスパッタリングにより、モリブデン、シリコン及び窒素からなるMoSiN膜を67nmの膜厚で形成した。このMoSiN膜は、ArFエキシマレーザーの波長193nmにおいて、透過率は4.8、位相差が173.9度となっていた。次に、上記基板を大気中で500°Cで30分間加熱処理アニール処理した。このMoSiN膜は、ArFエキシマレーザーの波長193nmにおいて、透過率は6.1、位相差が177.3度となっていた。実施例2で作製した光半透過膜MoSiN膜について、実施例1と同様にしてArF照射耐性を調べた。その結果、ArF照射前後における膜厚変化量Δdは、2nmであり、極めて高いArF照射耐性が得られることがわかった。また、ArF照射後における光半透過膜MoSiN膜は、ArFエキシマレーザーの波長193nmにおいて、透過率は6.8、位相差が172.1度となっており、ArF照射前後で変化は小さかった。比較例3実施例1において、モリブデンとシリコンのターゲット比率及びガス流量を変え、膜厚を69nmとした。具体的には、モリブデンMoとシリコンSiとの混合ターゲットMo:Si=10mol:90molを用い、アルゴンArと窒素N2とヘリウムHeとの混合ガス雰囲気ガス流量Ar:8sccm、N2:72sccm、He:100sccm、ガス圧0.3Pa、DC電源の電力を3.0kWとして、反応性スパッタリングDCスパッタリングにより、モリブデン、シリコン及び窒素からなるMoSiN膜を69nmの膜厚で形成した。このMoSiN膜は、ArFエキシマレーザーの波長193nmにおいて、透過率は4.9、位相差が177.6度となっていた。次に、上記基板を大気中で280°Cで10分間加熱処理アニール処理した。このMoSiN膜は、ArFエキシマレーザーの波長193nmにおいて、透過率は6.1、位相差が179.2度となっていた。比較例3で作製した光半透過膜MoSiN膜について、実施例1と同様にしてArF照射耐性を調べた。その結果、ArF照射前後における膜厚変化量Δdは、10nmであり、合格ラインの4nmをはるかに超えていた。また、ArF照射後における光半透過膜MoSiN膜は、ArFエキシマレーザーの波長193nmにおいて、透過率は7.0、位相差が170.4度となっており、ArF照射前後で変化がかなりあった。実施例3上記実施例1と同様の位相シフトマスクブランクを用いてハーフトーン型位相シフトマスクを作製した。図9は、位相シフトマスクブランクを用いて位相シフトマスクを製造する工程を示す断面図である。まず、マスクブランク10上に、レジスト膜3として、電子線描画用化学増幅型ポジレジスト膜富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製PRL009を形成した同図a参照。レジスト膜3の形成は、スピンナー回転塗布装置を用いて、回転塗布した。次に上記マスクブランク10上に形成されたレジスト膜3に対し、電子線描画装置を用いて所望のパターン描画を行った後、所定の現像液で現像してレジストパターン3aを形成した同図b、c参照。次に、上記レジストパターン3aをマスクとして、光半透過膜2MoSiN膜のエッチングを行って光半透過膜パターン2aを形成した同図d参照。ドライエッチングガスとして、SF6とHeの混合ガスを用いた。次に、残存するレジストパターンを剥離して、位相シフトマスク20を得た同図e参照。なお、光半透過膜の組成、透過率、位相差はマスクブランク製造時と殆ど変化はなかった。実施例1と同様に、作製された位相シフトマスクの光半透過膜MoSiN膜パターンについて、ArFエキシマレーザー照射耐性を調べたところ、膜厚変化量Δdは0nmであり、極めて高いArFエキシマレーザー照射耐性が得られることがわかった。また、ArF照射後における光半透過膜MoSiN膜は、ArFエキシマレーザーの波長193nmにおいて、実施例1と同様に、透過率及び位相差は、ArF照射前後で変化は小さかった。実施例4実施例1と同様の手順で作製された光半透過膜上に、Cr系遮光膜を成膜し、該Cr系遮光膜及び光半透過膜を各々パターニングすることにより、遮光帯を有するハーフトーン型位相シフトマスクを作製した。このハーフトーン型位相シフトマスクに対し、ArFエキシマレーザー波長193nmの照射を実施例1と同じ条件で行った。この準備したハーフトーン型位相シフトマスクを用いて、転写対象物である半導体ウェハ上のレジスト膜に対して、転写パターンを露光転写する工程を行った。露光装置には、ArFエキシマレーザーを光源とする輪帯照明AnnularIlluminationが用いられた液浸方式のものが用いられた。具体的には、露光装置のマスクステージに、ハーフトーン型位相シフトマスクをセットし、半導体ウェハ上のArF液浸露光用のレジスト膜に対して、露光転写を行った。露光後のレジスト膜に対して、所定の現像処理を行い、レジストパターンを形成した。さらに、レジストパターンを用いて、半導体ウェハ上に、DRAMハーフピッチhp32nmのラインスペースLSパターンを含む回路パターンを形成した。得られた半導体ウェハ上の回路パターンを電子顕微鏡TEMで確認したところ、DRAMハーフピッチhp32nmのLSパターンの仕様を十分に満たしていた。すなわち、このハーフトーン型位相シフトマスクは、半導体ウェハ上にDRAMハーフピッチhp32nmのLSパターンを含む回路パターンを転写することが十分に可能であることが確認できた。"