"オプトエレクトロニクス半導体本体のための電気端子支持体100を製造する方法であって、-支持体本体11と、前記支持体本体11の外面111に配置された中間層12と、前記支持体本体11とは反対側の前記中間層12の外面121に配置された有用層13とを有する支持装置1を設けるステップと、-横方向Lに互いに間隔を空けて配置された少なくとも2つの開口4を支持体本体11とは反対側の前記有用層13の外面131を介して前記有用層13の中に設けるステップであって、前記開口は垂直方向Vに前記有用層13を完全に貫いて延在する、前記ステップと、-前記開口4の側面41および前記支持体本体11とは反対側の前記有用層13の前記外面131を電気的に絶縁するステップと、-導電材料6を少なくとも所々開口4に配置するステップと、を少なくとも備え、-前記電気端子支持体100の完成後、前記導電材料6は、横方向Lに隣接する開口4の間で前記有用層13の前記外面131に沿った方向に少なくとも1つの途切れUを有する、方法。前記支持体本体11は、シリコンで形成され、前記中間層12は、シリコン酸化物および/またはシリコン窒化物で形成される、請求項1に記載の方法。前記有用層13は、少なくとも1つの材料で形成され、またはSi、N、GaN、Ge、GaAsのうち、少なくとも1つの材料を含む、請求項1または2に記載の方法。電気絶縁の前記プロセスは、少なくとも1つの熱酸化法5により実行される、請求項1から3のいずれかに記載の方法。前記導電材料6は、溶解した状態で前記開口4に導入され、次いで硬化し、-前記導電材料6は、Al、Zn、Cu、Ag、Si、Cd、Ga、In、Tl、Sn、Pb、Bi、Poのうち少なくとも1つの材料で形成され、またはこれらのうち少なくとも1つの材料を含みおよび/または前記導電材料6は、少なくとも1つの2成分系共融混合物を含む請求項1から4のいずれかに記載の方法。硬化後、前記導電材料6は、有用層13を越えて垂直方向Vに突出する、請求項1から5のいずれかに記載の方法。少なくとも1つの研磨停止層7は、前記支持体本体11の反対側の有用層13の外面131に少なくとも所々形成され、前記支持体本体11の反対側の前記導電材料6の外面61には研磨停止層7が少なくとも所々存在せず、前記研磨停止層7は、材料SiO2、Si3N4、SrO、HfO、HfO2、ZrO、ZrO2のうち少なくとも1つの材料で形成され、またはこれらの材料のうち少なくとも1つの材料を含む、請求項1から6のいずれかに記載の方法。少なくとも1つの研磨ステップを少なくとも前記導電材料6に適用した後、前記導電材料6は、前記研磨停止層7を越えて垂直方向V突出することはない、請求項1から7のいずれかに記載の方法。前記導電材料6を配置した後、前記支持体本体11は、前記中間層12から除去される、請求項1から8のいずれかに記載の方法。オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント200を製造する方法であって、-少なくとも1つの請求項1から9のいずれかに記載の方法により製造された、電気端子支持体100を備えるステップと、-少なくとも1つのオプトエレクトロニクス半導体本体8を有用層13の外面131に配置するステップと、を少なくとも含み、前記オプトエレクトロニクス半導体本体8は、電磁放射を発生するまたは検出するのに適した、少なくとも1つの活性ゾーン81を備え、前記導電材料6に導電的に接続される、請求項1から9のいずれかに記載の方法。さらなる導電材料60が前記オプトエレクトロニクス半導体本体8の前記活性ゾーン81を貫通して、前記オプトエレクトロニクス半導体本体8のドープされた領域が前記電気端子支持体100の前記導電材料6に導電的に接続している、請求項1から10のいずれかに記載の方法。少なくとも1つの保護ダイオード構造9が前記有用層13において形成され、前記半導体本体8と電気的に相互接続されている、請求項1から11のいずれかに記載の方法。電気端子支持体100であって、-外面131と前記外面131とは反対側に位置するコンタクト面132とを有する少なくとも1つの有用層13と、-横方向Lに互いに間隔をおいて有用層13に配置されている少なくとも2つの開口4であって、前記少なくとも2つの開口4が前記有用層13の外面131を介して前記有用層13の中に設けられる前記少なくとも2つの開口4と、-少なくとも所々前記開口4において配置された導電材料6と、を備え、-前記開口4は、前記外面131から前記コンタクト面132の方向へ進み前記有用層13を完全に貫いて延在しており,-前記開口4の側面41および前記有用層13の外面131は、電気絶縁された状態で具体化され、-前記導電材料6は、横方向Lに隣接する開口4の間で前記有用層13の前記外面131に沿った方向に少なくとも1つの途切れUを有する、電気端子支持体100。オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント200であって、-請求項13に記載の電気端子支持体100と、-前記有用層13の外面131に配置された少なくとも1つのオプトエレクトロニクス半導体本体8とを備え、前記オプトエレクトロニクス半導体本体8は、電磁放射を生成または検出するのに適した少なくとも1つの活性ゾーン81を備える、オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント200。オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント200であって、少なくとも1つの保護ダイオード構造9が前記有用層13において形成され、前記半導体本体8と相互に電気的に接続している、請求項14に記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント200。例示的な実施形態および図面において、同じ構成要素または同じ機能の構成要素には、それぞれ同じ参照数字を付してある。図面に示した要素と、それらの互いのサイズの関係は原則的に正しい縮尺ではないものとみなされたい。むしろ、深く理解できるようにする目的で、個々の要素を、誇張した寸法で示してある。図1Aは、概略側面図において支持装置1を示している。支持装置1は支持体本体11と、支持体本体11の外面111に配置された中間層12と、支持体本体11とは反対側の中間層12の外面121に配置された有用層13とを有する。特に、支持体本体11は、シリコンで形成することができ、中間層は、シリコン酸化物および/またはシリコン窒化物で形成することができる。有用層13はSi、N、GaN、Ge、GaAsのうち少なくとも1つの材料もしくはこれらの材料の少なくとも1つを含む成分で形成することができる。一例として、有用層13は、少なくとも30μmから多くとも250μmまでの厚さを有し、好ましくは少なくとも50μmから多くとも200μmまでの厚さを有する。この文脈において、厚さとは、垂直方向Vにおける有用層13の占める大きさをいう。さらに、図1Bの支持装置1の概略側面図で認識できるように、横方向Lに互いに間隔を空けて配置された開口4は、支持体本体11とは反対側の有用層13の外面131を介して有用層13に設けられ、開口4の側面41は、完全に有用層13により形成される。この場合、開口4は、例えば少なくとも1つの乾式化学エッチングプロセスおよび/または湿式化学エッチングプロセスにより有用層13に導入される。言い換えれば、エッチングは、エッチングの間、有用層13を貫いて垂直方向Vに実行され、エッチングプロセスは、中間層12で終了し、および/または中間層12の材料により止められる。すなわち、中間層12は、同じエッチング液を使用する有用層13と比較して、実質的にエッチングし易くはない。開口4の底面42は完全に中間層12により形成される。さらに、図1Bで示されるように、保護ダイオード構造9は、有用層13内に形成される。この場合、外面131および保護ダイオード構造9の外面91は、平坦な表面を形成する。さらに、図1Bは、熱酸化法5を示し、熱酸化法5により,少なくとも側面41と、支持体本体11とは反対側の有用層13の外面131とは電気的に絶縁されている。言い換えれば、外面131の酸化した場所と開口4の側面41との間で、直接、電流が流れたり導電的であることはない。図1Cは、概略側面図において、どのように次のステップにおいて、導電材料6が導入されるか、例えば開口4に満たされるかを示す。ここで開口4は、導電材料6で過剰に満たされる。すなわち、導電材料6完全に開口を満たし、有用層13を越えて垂直方向Vに突出する。このため、導電材料6は、例えば、溶解させた状態でまたは開口4への電気分解プロセスにより導入される。開口4に導入された後、導電材料6は、開口4内で硬化することができる。一例として、開口4の充填の不足は、硬化の後、硬化の間、開口4における導電材料6の冷却の後、開口4における導電材料6の冷却の間の少なくとも1つ以上における、導電材料6の量の食い違いが原因となり得る。もし充填の不足を有用層13を薄くすることにより取り除こうと試みるなら、有用層13の上部の端の電気絶縁が損傷を受け、有用層13の場合における動作上および/または安全上のリスクが半導体コンポーネントに組込まれてしまうことにつながり得る。過剰な充填やそれに続く除去は、例えば前記端を保護し、例えば有用層13の外面131に形成されたバリアおよび/または絶縁層21を保護する。このようなバリアおよび絶縁層21は、例えば、化学蒸着CVDおよび/または原子層蒸着ALDにより形成され得る。同様に、中間層12により、開口4の端部絶縁を損なわずに導電材料6を局所的に露出させることおよび/または開くことにより、開口および/または電気端子を導電材料6で形作る。例えば、導電材料6は、Al、Zn、Cu、Ag、Si、Cd、Ga、In、Tl、Sn、Pb、Bi、Poのうち少なくとも1つの材料から形成され、またはこれらの材料のうち少なくとも1つを含む。導電材料として上記に列挙した材料以外に、導電材料は、特に、例えば、AuSn、AuSi、AuGe、AuSb、AlGe、AlZn等の2成分系共融混合物を含んでいてもよい。さらに、導電材料6には有用層13の外面131に沿って横方向Lに途切れUが存在していることが図1Cから推測することができる。すなわち、開口4と開口4に配置された導電材料6との間に電気導電接続は設けられていない。言い換えれば開口4に配置された導電材料6は、互いに電気的に絶縁されている。図1Dは、概略側面図であり、次のステップにおいて、どのように研磨停止層7が外面131に形成されるかを示しており、支持体本体11とは反対側の導電材料6の外面61には、研磨停止層7が所々存在しない。この場合、図1Dには、研磨ステップが導電材料6に対してすでに実施されており、したがって、支持体本体11とは反対側の研磨停止層7の外面71と導電材料6の外面61は、平面状の表面を形成している。研磨停止層は、材料SiO2、Si3N4、SrO、HfO、HfO2、ZrO、ZrO2のう少なくとも1つから形成されており、またはこれらの材料のうち少なくとも1つを含む。図1Eにおける概略側面図は、次のステップにおいて、どのようにして半導体本体8が研磨停止層7の外面71と導電材料6の外面61に形成されるかを示しており、半導体本体8は、電磁放射を発生するのに適した少なくとも1つの活性ゾーン81を備えている。一例として、半導体本体8は、III族窒化物半導体材料に基づいている。半導体本体8は、導電材料6に導電的に接続されている。このため、半導体本体8は、導電材料6の外面61を圧迫するコンタクト位置を有していてもよく、例えばコンタクト位置と直接接触していてもよい。特に、保護ダイオード構造9は半導体本体8と電気的に相互接続することができ、その結果、半導体本体8は静電放電に対して保護される。図1Fにおける概略側面図は、支持体本体11と中間層12の両方が有用層13から除去され、支持体本体11と中間層12とを除去した後、電気端子支持体100を備えるオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント200ができあがることを示している。一例として、中間層12への高エネルギーレーザー光の照射によりこの除去が実行され、、中間層12は、このレーザー光により少なくとも部分的に破壊される。一例として、依然として残っている中間層12の残留物は、少なくとも1つの化学的ステップおよび/または機械的研磨ステップにより有用層13から除去することができる。オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント200は、外面131の反対側に位置するコンタクト面132を有する。このケースでは、コンタクト面132は、導電材料6の外面によって所々に形成されている。開口4は、外面131から始まり有用層13を完全に貫いてコンタクト面132の方向へ延在している。図2Aの概略側面図は、ここに記載されるオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント200の準備段階を示している。支持装置1は、とりわけ、横方向に互いに間隔をおいた状態で配置される開口4を有しており、前記開口は中間層12の中へ部分的に突出しており、開口4は、導電材料6により満たされている。オプトエレクトロニクス半導体本体8は、支持体本体11とは反対側の有用層131の外側面に配置されており、オプトエレクトロニクス半導体本体8の活性ゾーン81は、導電材料6により貫通されており、導電材料6は、オプトエレクトロニクス半導体本体8のドープされた領域に接続されている。図2Bと図2Cの概略側面図は、支持体本体11の全体と、中間層12の少なくとも一部が有用層13から除去されることを示しており、この場合、導電材料6は、依然として一部存在する中間層12との界面を形成する。よって中間層12と導電材料6とから構成される界面は、端子エリア133を形成し、端子エリア133は、コンポーネント支持体への接続の役割を有することができる。端子エリア133は、導電材料で形成されており、例えばはんだで形成される。図3Aおよび図3Bの概略平面図は、それぞれ端子エリア133図2C参照に形成されるコンタクト層134の例示的な実施形態を示している。端子エリア133は界面であり、この界面は導電材料6と中間層122とから形成される。2つの例示的な実施形態から分かるように、コンタクト層134は、六角形または長方形の形状で具体化することができ丁度コンポ-ネントと同様に、コンタクト層134は、対称的におよび/または非対称的に具体化することができる。この場合、コンタクト層134は、開口4の領域において導電材料6で満たされており、特に絶縁ギャップ10によって互いに分離されている。絶縁ギャップ10は絶縁材料から成ることができ、コンタクト層134が、互いに対して電気的に絶縁する領域および/またはエリアを有するように、絶縁ギャップ10はコンタクト層134を分離する。図4の概略側面図は、例示的な実施形態において、追加的な金属層20を有する絶縁層21のコーティングを示している。金属層20によるコーティングは、開口4による領域において実行され、特に側面41および開口42の底面および開口の端領域において支持体本体11とは反対側の有用層131の外面で実行され、金属層は、平面図において輪状に具体化される。ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。本特許出願は、独国特許出願第102010056056.1号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本出願に組み込まれている。"