真空槽と、第一面と、前記第一面とは反対側の位置の第二面とを有する放出板と、前記放出板をそれぞれ貫通する複数の反応ガス用導入孔と複数の原料ガス用導入孔と、前記真空槽内に位置する成膜対象物を加熱する加熱装置と、を有し、前記第一面は前記真空槽内に露出され、前記真空槽の外部に配置された原料ガス槽と反応ガス槽から、前記原料ガス用導入孔と前記反応ガス用導入孔に原料ガスと反応ガスが供給されると、前記真空槽の内部には、前記原料ガス用導入孔の前記第一面に位置する原料ガス用開口から前記原料ガスが放出され、前記反応ガス用導入孔の前記第一面に位置する反応ガス用開口から前記反応ガスが放出され、放出された前記原料ガスと前記反応ガスとによって、前記成膜対象物の表面に、前記真空槽の内部で薄膜を形成させる成膜装置であって、前記第二面に形成され、前記原料ガス用導入孔が底面に位置する複数本の溝と、前記第二面上に配置され、前記溝を塞ぐ天板と、前記天板に形成された原料ガス用貫通孔と、前記溝と前記天板とで囲まれて前記真空槽の内部空間から分離された溝内空間に接続され、前記溝内空間に液体の冷却媒体を供給する冷却媒体供給路と、前記溝内空間に接続され、前記溝内空間を流れた前記冷却媒体を排出させる冷却媒体排出路と、前記原料ガス用導入孔と前記原料ガス用貫通孔とを接続する第一の補助配管とを有し、前記原料ガスは、前記第一の補助配管内を流れて前記原料ガス用開口から放出される成膜装置。前記天板の前記溝と面する面とは反対側の面上に反応ガス室が配置され、前記反応ガス室は各前記反応ガス用導入孔に接続され、一端が前記原料ガス用貫通孔に接続された第二の補助配管が、前記反応ガス室を貫通して配置され、前記第二の補助配管を通った前記原料ガスが、前記原料ガス用開口から放出されるように構成された請求項1記載の成膜装置。前記第一、第二の補助配管の端部同士は接続され、一本の接続配管が構成された請求項2記載の成膜装置。前記反応ガス室の前記天板とは反対側の位置に原料ガス室が配置され、前記第二の補助配管の端部は、前記原料ガス室の内部に接続された請求項2又は請求項3のいずれか1項記載の成膜装置。前記天板の前記溝と面する面とは反対側の面上に原料ガス室が配置され、前記原料ガス室は各前記原料ガス用貫通孔に接続され、一端が前記反応ガス導入孔に接続された第三の補助配管が、前記原料ガス室を貫通して配置され、前記第三の補助配管を通った前記反応ガスが、前記反応ガス用開口から放出されるように構成された請求項1記載の成膜装置。前記原料ガス室の前記天板とは反対側の位置に反応ガス室が配置され、前記第三の補助配管の端部は、前記反応ガス室の内部に接続された請求項5記載の成膜装置。本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、原料ガスと反応ガスとを混合させずに従来より効果的に冷却して真空槽内に放出できる成膜装置を提供することにある。上記課題を解決するために本発明は、真空槽と、第一面と、前記第一面とは反対側の位置の第二面とを有する放出板と、前記放出板をそれぞれ貫通する複数の反応ガス用導入孔と複数の原料ガス用導入孔と、前記真空槽内に位置する成膜対象物を加熱する加熱装置と、を有し、前記第一面は前記真空槽内に露出され、前記真空槽の外部に配置された原料ガス槽と反応ガス槽から、前記原料ガス用導入孔と前記反応ガス用導入孔に原料ガスと反応ガスが供給されると、前記真空槽の内部には、前記原料ガス用導入孔の前記第一面に位置する原料ガス用開口から前記原料ガスが放出され、前記反応ガス用導入孔の前記第一面に位置する反応ガス用開口から前記反応ガスが放出され、放出された前記原料ガスと前記反応ガスとによって、前記成膜対象物の表面に、前記真空槽の内部で薄膜を形成させる成膜装置であって、前記第二面に形成され、前記原料ガス用導入孔が底面に位置する複数本の溝と、前記第二面上に配置され、前記溝を塞ぐ天板と、前記天板に形成された原料ガス用貫通孔と、前記溝と前記天板とで囲まれて前記真空槽の内部空間から分離された溝内空間に接続され、前記溝内空間に液体の冷却媒体を供給する冷却媒体供給路と、前記溝内空間に接続され、前記溝内空間を流れた前記冷却媒体を排出させる冷却媒体排出路と、前記原料ガス用導入孔と前記原料ガス用貫通孔とを接続する第一の補助配管とを有し、前記原料ガスは、前記第一の補助配管内を流れて前記原料ガス用開口から放出される成膜装置である。本発明は成膜装置であって、前記天板の前記溝と面する面とは反対側の面上に反応ガス室が配置され、前記反応ガス室は各前記反応ガス用導入孔に接続され、一端が前記原料ガス用貫通孔に接続された第二の補助配管が、前記反応ガス室を貫通して配置され、前記第二の補助配管を通った前記原料ガスが、前記原料ガス用開口から放出されるように構成された成膜装置である。本発明は成膜装置であって、前記第一、第二の補助配管の端部同士は接続され、一本の接続配管が構成された成膜装置である。本発明は成膜装置であって、前記反応ガス室の前記天板とは反対側の位置に原料ガス室が配置され、前記第二の補助配管の端部は、前記原料ガス室の内部に接続された成膜装置である。本発明は成膜装置であって、前記天板の前記溝と面する面とは反対側の面上に原料ガス室が配置され、前記原料ガス室は各前記原料ガス用貫通孔に接続され、一端が前記反応ガス導入孔に接続された第三の補助配管が、前記原料ガス室を貫通して配置され、前記第三の補助配管を通った前記反応ガスが、前記反応ガス用開口から放出されるように構成された成膜装置である。本発明は成膜装置であって、前記原料ガス室の前記天板とは反対側の位置に反応ガス室が配置され、前記第三の補助配管の端部は、前記反応ガス室の内部に接続された成膜装置である。冷却媒体を複数の溝内通路にそれぞれ個別に流すので、冷却媒体の流れが部分的に滞ることを防止でき、原料ガスや反応ガスの冷却効率を向上できる。溝内通路毎に個別に冷却媒体の温度や流量を制御できるので、温度の高い部分を通る第一の溝と低い部分を通る第二の溝がある場合に、第一の溝内の温度を第二の溝内の温度と等しい温度に下げることができる。本発明の成膜装置の構造を説明する。図1は成膜装置10の内部構成図を示している。成膜装置10は、真空槽11と、第一面20aと、第一面20aとは反対側の位置の第二面20bとを有する放出板21と、放出板21をそれぞれ貫通する複数の原料ガス用導入孔27aと複数の反応ガス用導入孔27bと、真空槽11内に位置する成膜対象物40を加熱する加熱装置43とを有している。真空槽11の壁面には回転軸46が、壁面を気密に貫通して設けられている。回転軸46の真空槽11内に位置する端部には基板保持台41が、回転軸46に対して垂直に固定されている。基板保持台41は、回転軸46が固定された面とは反対側の面である保持面に成膜対象物40を保持できるように構成されている。加熱装置43はここでは電熱抵抗42と電源装置44とを有している。電熱抵抗42は基板保持台41の内部に取り付けられ、電源装置44は電熱抵抗42に電気的に接続されている。電源装置44から電熱抵抗42に直流電流を流すと、電熱抵抗42は発熱して、基板保持台41に保持された成膜対象物40を加熱できるようになっている。本発明の加熱装置43は、成膜対象物40を加熱できるならば、電熱抵抗42と電源装置44とを有する構成に限定されず、赤外線ランプやレーザー等の他の公知技術で構成したものも本発明に含まれる。放出板21は基板保持台41の保持面と対面する位置に配置され、放出板21の第一面20aは基板保持台41の保持面と対面するように向けられて、真空槽11内に露出されている。放出板21の原料ガス用導入孔27aと反応ガス用導入孔27bに、原料ガスと、原料ガスと混ざると反応する反応ガスとがそれぞれ供給されると、真空槽11の内部には、原料ガス用導入孔27aの第一面20aに位置する原料ガス用開口28aから原料ガスが放出され、反応ガス用導入孔27bの第一面20aに位置する反応ガス用開口28bから反応ガスが放出される。原料ガス槽51と反応ガス槽52から供給された原料ガスと反応ガスは、後述するように、原料ガス用開口28aと反応ガス用開口28bから放出されるまで混ざらないようにされている。加熱装置43により、基板保持台41に保持された成膜対象物40が加熱されると、放出された原料ガスと反応ガスとの化学反応によって、成膜対象物40の表面に、真空槽11の内部で薄膜が形成されるようになっている。図2は放出板21の第二面20b側から見た平面図を示している。放出板21の第二面20bは、中央部の放出孔領域39aと、放出孔領域39aの外周外側である環状のシール領域39bとを有している。放出板21の第二面20bの放出孔領域39aには、原料ガス用導入孔27aが底面に位置する複数本の溝221~223が形成されている。各溝221~223の経路や長さは、成膜対象物40を加熱したときに各溝221~223がおかれる温度に基づいて決められている。原料ガス用導入孔27aの直径は溝221~223の幅よりも短く形成され、各原料ガス用導入孔27aは溝221~223の延びる方向に沿って並んで配置されている。ここでは原料ガス用導入孔27aと反応ガス用導入孔27bは、放出孔領域39aの内側で、第一の方向61と、第一の方向61と直角な第二の方向62にそれぞれ沿って等間隔に交互に並んで配列され、隣り合う原料ガス用導入孔27aと反応ガス用導入孔27bとは互いに離間されている。図3は成膜装置10のうち図1の符号30で示した領域の部分拡大図を示している。各溝221~223の構造は同じであり、符号221の溝で代表して説明する。成膜装置10は、第二面20b上に配置され、溝221を塞ぐ天板23と、天板23に形成された原料ガス用貫通孔29と、原料ガス用導入孔27aと原料ガス用貫通孔29とを接続する第一の補助配管32aとを有している。第一の補助配管32aの外周の直径は溝221の幅より短く形成され、第一の補助配管32aの外周側面は溝221の側面と離間されている。ここでは天板23の溝221と面する表面とは反対側の裏面上に中空の筐体である反応ガス室26が配置され、反応ガス室26は放出板21の各反応ガス用導入孔27bに接続されている。ここでは天板23は反応ガス室26の壁の一部を構成しており、反応ガス用導入孔27bと接続する穴が開いている。図1を参照し、反応ガス室26には、真空槽11の外部に配置された反応ガス槽52が接続されている。反応ガス槽52から反応ガス室26内に反応ガスが供給されると、供給された反応ガスは各反応ガス用導入孔27b内を通って、反応ガス用開口28bから真空槽11の内部に放出されるようになっている。図3を参照し、ここでは放出板21の反応ガス用導入孔27bには反応ガス用配管33が挿入され、反応ガス用配管33の端部は天板23の穴を貫通して反応ガス室26内に接続されている。反応ガス用配管33の端部の外周側面と天板23の穴の内周との隙間はロウ付加工で気密に塞がれて固定され、反応ガス室26内の反応ガスが反応ガス用配管33の外周側面と天板23の穴の内周との隙間から外側に漏れ出さないようになっている。反応ガス室26には、一端が天板23の原料ガス用貫通孔29に接続された第二の補助配管32bが、反応ガス室26を貫通して配置されている。第二の補助配管32bの端部の外周側面と天板23の原料ガス用貫通孔29の内周との隙間はロウ付加工で気密に塞がれて固定され、反応ガス室26内の反応ガスが第二の補助配管32bの外周側面と原料ガス用貫通孔29の内周との隙間から外側に漏れ出さないようになっている。ここでは第一、第二の補助配管32a、32bの端部同士は接続され、一本の接続配管32が構成されているが、本発明は第一、第二の補助配管32a、32bが別個の配管で構成されている場合も含まれる。反応ガス室26の天板23とは反対側の位置に中空の筐体である原料ガス室34が配置され、第二の補助配管32bの天板23側とは逆側の端部は、原料ガス室34の内部に接続されている。ここでは反応ガス室26と原料ガス室34は共通の隔壁36を有しており、隔壁36には第二の補助配管32bの端部と接続する穴が開いている。図1を参照し、原料ガス室34には、真空槽11の外部に配置された原料ガス槽51が接続されている。原料ガス槽51から原料ガス室34内に原料ガスが供給されると、供給された原料ガスは、図3を参照し、各第二の補助配管32b内を通り、第一の補助配管32a内を流れて、原料ガス用開口28aから真空槽11内に放出されるように構成されている。接続配管32の端部の外周側面と隔壁36の穴の内周との隙間はロウ付加工で気密に塞がれて固定され、反応ガス室26内の反応ガスはその隙間から原料ガス室32内に漏れ出さないようになっており、原料ガス室34内の原料ガスはその隙間から反応ガス室26内に漏れ出さないようになっている。すなわち、原料ガス槽51と反応ガス槽52から原料ガス室34と反応ガス室26にそれぞれ供給された原料ガスと反応ガスは、原料ガス用開口28aと反応ガス用開口28bから放出されるまで互いに混ざらないようになっている。図1、図2を参照し、成膜装置10は、溝221~223の側面と底面と天板23の表面とで囲まれて真空槽11の内部空間から分離された溝内空間311~313に接続され、溝内空間311~313に液体の冷却媒体を供給する冷却媒体供給路241~243と、溝内空間311~313に接続され、溝内空間311~313を流れた冷却媒体を排出する冷却媒体排出路251~253とを有している。図2を参照し、冷却媒体供給路241~243と冷却媒体排出路251~253はシール領域39bに配置されている。各溝221~223の底面には原料ガス導入孔27aが溝221~223の延びる方向に沿って並んで配置され、各溝221~223のうち原料ガス導入孔27aの列の一端より外側の部分と他端より外側の部分がそれぞれシール領域39bに引き出されて、冷却媒体供給路241~243と冷却媒体排出路251~253に接続されている。図1を参照し、放出板21の第二面20b上には、反応ガス室26と原料ガス室34を覆うように、蓋形状一端が閉塞された筒形状の蓋部38が配置され、蓋部38の縁は放出板21のシール領域39bに環状に密着して気密に固定されている。冷却媒体供給路241~243と冷却媒体排出路251~253は蓋部38の側壁の内部を貫通して真空槽11の外側に延ばされている。すなわち、冷却媒体供給路241~243と溝内空間311~313と冷却媒体排出路251~253とで構成された各冷却媒体流路は、真空槽11の外側の大気と連通され、真空槽11の内部空間とは分離され、連通されていない。冷却媒体供給路241~243の端部には温度管理された冷却媒体を供給する冷却媒体供給部55が接続されている。冷却媒体供給部55はここでは各冷却媒体供給路241~243に供給する冷却媒体の流量や温度を個別に制御できるように構成されている。そのため、放出板21のうち温度の高い部分を通る第一の溝と低い部分を通る第二の溝がある場合に、第一の溝の溝内空間に流す冷却媒体の温度を第二の溝の溝内空間に流す冷却媒体の温度より低くしたり、第一の溝の溝内空間に流す冷却媒体の流速を第二の溝の溝内空間に流す冷却媒体の流速より速くすることで、第一の溝の溝内空間に位置する第一の補助配管32aの冷却効果を上げ、第一の溝の溝内空間に位置する第一の補助配管32aの温度を、第二の溝の溝内空間に位置する第一の補助配管32aの温度と等しい温度に下げることができる。冷却媒体排出路251~253の端部には冷却媒体を外部に排出する冷却媒体排出部56が接続されている。ここでは冷却媒体排出部56は冷却媒体供給部55に接続され、冷却媒体を循環できるように構成されている。図3を参照し、冷却媒体供給部55から各溝内空間311に冷却媒体を供給すると、溝内空間311に供給された冷却媒体は各第一の補助配管32aの外周側面と溝221の側面との間を通って流れるようになっている。溝内空間311を流れる冷却媒体は第一の補助配管32aの外周側面に接触し、第一の補助配管32a内を流れる原料ガスは第一の補助配管32aの壁を介して冷却媒体との伝熱により冷却される。反応ガス用配管33を流れる反応ガスは溝221の側面と反応ガス用導入孔27bの側面との間の壁を介して冷却媒体との伝熱により冷却されるようになっている。ここでは反応ガス用配管33の端部の外周側面と反応ガス用開口28bの内周との間の隙間はロウ付加工で気密に塞がれて固定され、接続配管32の端部の外周側面と原料ガス用開口28aの内周との間の隙間もロウ付加工で気密に塞がれて固定されている。よって、接続配管32の端部の外周側面と原料ガス用開口28aの内周との隙間から冷却媒体が真空槽11内に漏れ出さないようになっている。また、溝221の側面と反応ガス用導入孔27bの側面との間の壁の上端すなわち放出板21の第二面20bと、天板23との間の隙間に流入する冷却媒体も、反応ガス用配管33の端部の外周側面と反応ガス用開口28bの内周との隙間から真空槽11内に漏れ出さないようになっている。本発明の放出板21は、図3に示すように有底の溝221が形成された一枚の板である場合に限定されず、図4に示すように前記一枚の板より薄い底板21aと、貫通孔である無底の溝221’が形成された中間板21bとが重ね合わされて構成されている場合も本発明に含まれる。本発明の反応ガス室26は、天板23が壁の一部を構成している場合に限定されず、天板23とは別個の壁を有している場合も含まれる。この場合には、反応ガス室26を天板23と離間して配置することができ、反応ガス室26を成膜対象物40から遠ざけたり、反応ガス室26と天板23との間に断熱材を配置することで、成膜対象物40の熱により反応ガス室26が加熱されることを防止できる。本発明の反応ガス室26と原料ガス室34は、隔壁36を共有している場合に限定されず、互いに別個の壁で隔てられている場合も含まれる。この場合には、原料ガス室34を反応ガス室26と離間して配置することができ、原料ガス室34を成膜対象物40から遠ざけたり、原料ガス室34と反応ガス室26との間に断熱材を配置することで、成膜対象物40の熱により原料ガス室34が加熱されることを防止できる。本発明の成膜装置10は、原料ガスが流れる第一の補助配管32aが溝内空間311~313を貫通して配置されているならば、図1に示すように、天板23の溝221~223と面する表面とは反対側の裏面上に反応ガス室26が配置され、反応ガス室26の天板23とは反対側の位置に原料ガス室34が配置されている構造に限定されず、図5に示すように、天板23の溝221~223と面する表面とは反対側の裏面上に原料ガス室34が配置され、原料ガス室34の天板23とは反対側の位置に反応ガス室26が配置されている構造も本発明に含まれる。図5に示す成膜装置に符号10’を付して説明する。符号10’の成膜装置の構成のうち、図1に示す符号10の成膜装置の構成と同じ部分には同じ符号を付して示している。図6は成膜装置10’のうち図5の符号30’で示した領域の部分拡大図を示している。各溝221~223の構造は同じであり、符号221の溝で代表して説明する。原料ガス室34内は各原料ガス用貫通孔29に接続されている。原料ガス槽51から原料ガス室34内に原料ガスが供給されると、供給された原料ガスは各第一の補助配管32aを通って原料ガス用開口28aから真空槽11内に放出されるようになっている。原料ガス室34内には第三の補助配管32cが、原料ガス室34を貫通して配置されている。第三の補助配管32cの一端は反応ガス用導入孔27bに接続され、他端は反応ガス室26の内部に接続されている。反応ガス槽52から反応ガス室26内に反応ガスが供給されると、供給された反応ガスは各第三の補助配管32c内を通り、反応ガス用導入孔27b内を通って、反応ガス用開口28bから真空槽11内に放出されるようになっている。符号10’の成膜装置では、符号10の成膜装置に比べて原料ガス室34が成膜対象物40に近づくことになるが、原料ガス室34内は天板23を介して溝内空間311~313を流れる冷却媒体で冷却されるので、原料ガス室34内の原料ガスは熱分解されない。ここでは反応ガス用導入孔27bには反応ガス用配管33が挿入され、第三の補助配管32cの端部と反応ガス用配管33の端部同士は接続され、一本の配管が構成されているが、本発明は第三の補助配管32cと反応ガス用配管33とが別個の配管で構成されている場合も含まれる。本発明の成膜装置10、10’を用いた成膜方法を、成膜対象物40の表面に窒化ガリウムGaNの薄膜を成膜する場合を例に説明する。図1、図5を参照し、真空槽11の壁面に真空排気装置13を接続して、真空槽11内を真空排気する。以後、真空排気装置13による真空排気を継続して、真空槽11内の真空雰囲気を維持する。真空槽11内の真空雰囲気を維持しながら、真空槽11内に成膜対象物40を搬入し、基板保持台41の保持面に保持させる。電源装置44から電熱抵抗42に直流電流を流して成膜対象物40をここでは1100°C付近に加熱しておく。回転軸46の真空槽11の外側に位置する端部には回転装置47が接続されている。回転装置47はここではモーターを有し、回転軸46を中心軸線を中心に回転できるように構成されている。回転装置47によって回転軸46を回転させ、基板保持台41に保持された成膜対象物40を放出板21の第一面20aに平行に回転させておく。以後、成膜対象物40の回転を継続する。冷却媒体供給部55から各冷却媒体供給路241~243に冷却媒体を供給し、冷却媒体排出部56から排出して、図2を参照し、各溝内空間311~313に温度管理された冷却媒体を循環させておく。以後、各溝内空間311~313の冷却媒体の循環を継続する。図1、図5を参照し、原料ガス槽51と反応ガス槽52からそれぞれ原料ガス室34内と反応ガス室26内に原料ガスと反応ガスを供給する。ここでは原料ガスにトリメチルガリウムTMGaの有機金属ガスを用い、反応ガスにアンモニアNH3ガスを用いる。図3、図6を参照し、原料ガス室34内に供給された原料ガスは、第一の補助配管32a内を通って原料ガス用開口28aから放出され、反応ガス室26内に供給された反応ガスは、反応ガス用配管33内を通って反応ガス用開口28bから放出される。第一の補助配管32aと反応ガス用配管33は各溝内空間311を流れる冷却媒体との伝熱により冷却され、第一の補助配管32aと反応ガス用配管33の内部で原料ガスと反応ガスが成膜対象物40の熱により分解されることが防止されている。図2を参照し、各溝内空間311~313に個別に冷却媒体を流しているので、冷却媒体の流れが部分的に滞ることを防止でき、原料ガスや反応ガスの冷却効率を従来技術より向上できる。また図3、図6を参照し、各第一の補助配管32aに冷却媒体を一定の流量で接触させることができ、第一の補助配管32a内での原料ガスの熱分解を確実に防止できる。反応ガス用配管33は第一の補助配管32aより冷却されにくいが、反応ガスであるアンモニアガスは500°Cまで熱分解しないので、反応ガス用配管33内では反応ガスの熱分解は生じない。図1、図5を参照し、原料ガス用開口28aと反応ガス用開口28bから放出された原料ガスと反応ガスは、成膜対象物40の熱により化学反応を起こし、成膜対象物40の表面にGaNの薄膜が形成される。成膜対象物40を回転させているので、形成される薄膜の膜質及び膜厚は均一になる。GaNと一緒に生成される副生成物は真空排気装置13により真空排気される。例えば成膜対象物40の中央部が外縁部より加熱されやすい場合には、図2を参照し、放出板21の中央部を通る溝222に流す冷却媒体の温度を他の溝221、223に流す冷却媒体の温度よりも低温にしたり、放出板21の中央部を通る溝222に流す冷却媒体の流速を他の溝221、223に流す冷却媒体の流速より速くすることで、放出板21の中央部に位置する第一の補助配管32aの冷却効果を高めることができ、当該第一の補助配管32a内での原料ガスの熱分解を防止できる。また冷却媒体との伝熱により、成膜対象物40の中央部の温度を下げることができるので、成膜対象物40の中央部と外縁部とで温度を均一にでき、形成される薄膜の膜質の均一性を向上できる。所定の膜厚の薄膜を形成した後、原料ガス槽51と反応ガス槽52からの原料ガスと反応ガスの供給を停止する。電源装置44から電熱抵抗42への電流供給を停止して、成膜対象物40の加熱を止める。回転装置47による成膜対象物40の回転を停止する。真空槽11内の真空雰囲気を維持しながら成膜済みの成膜対象物40を真空槽11の外側に搬出する。次いで、別の未成膜の成膜対象物40を真空槽11内の真空雰囲気を維持しながら搬入し、上述の成膜方法による薄膜の形成を繰り返す。