原版のパターンを基板上に露光する露光装置であって、スリット光を照射する照明光学系と、前記照明光学系から照射された前記スリット光の領域を拡大させて前記原版を照明する拡大光学系と、前記拡大光学系の前方に設けられ、前記スリット光を長手方向において遮光する第1遮光機構と、前記拡大光学系の後方に設けられ、前記スリット光を長手方向において遮光する第2遮光機構と、を備えることを特徴とする露光装置。前記原版のパターンを前記基板上に投影する投影光学系をさらに備え、前記第2遮光機構は、前記投影光学系の前方に設けられることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。前記原版のパターンを前記基板上に投影する投影光学系と、前記投影光学系の前方に設けられ、前記スリット光を長手方向に垂直な方向において遮光する第3遮光機構と、をさらに備え、前記第2遮光機構は、前記投影光学系の後方に設けられることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。前記遮光機構は、複数の遮光部材を備え、前記遮光部材は、ガイド機構により、前記長手方向に互いに同列で移動可能であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の露光装置。原版のパターンを基板上に露光する露光装置であって、ガイド機構と、前記ガイド機構に沿って移動する複数の遮光部材を、スリット光を長手方向において遮光する遮光機構と、を備え、前記スリット光の長手方向における片方の領域を遮光する際には、前記複数の遮光部材のうち少なくとも2つの遮光部材が重なり合うことを特徴とする露光装置。スリット光を照射する照明光学系と、前記照明光学系から照射された前記スリット光の領域を拡大させる拡大光学系と、を備え、前記遮光機構は、前記拡大光学系の後方に設けられることを特徴とする請求項5に記載の露光装置。請求項1~6のいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、露光された前記基板を現像する工程と、を有することを特徴とするデバイス製造方法。しかしながら、特許文献1に示す周辺露光装置では、基本的に2枚のブラインドを水平方向に駆動させて露光領域を限定するが、単にこの構成では、基板の大型化に伴いある程度の大型化は避けられない。また、この周辺露光装置では、ブラインドを駆動するために蛇腹や巻取りローラなどの可動機構を使用するが、長期間の可動に際し、耐久性に劣る。本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、耐久性に優れ、かつ、遮光機構の小型化に有利な露光装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明は、原版のパターンを基板上に露光する露光装置であって、スリット光を照射する照明光学系と、照明光学系から照射されたスリット光の領域を拡大させて原版を照明する拡大光学系と、拡大光学系の前方に設けられ、スリット光を長手方向において遮光する第1遮光機構と、拡大光学系の後方に設けられ、スリット光を長手方向において遮光する第2遮光機構と、を備えることを特徴とする。本発明によれば、耐久性に優れ、かつ、遮光機構の小型化に有利な露光装置を提供することができる。以下、本発明を実施するための形態について図面等を参照して説明する。第1実施形態まず、本発明の第1実施形態に係る露光装置について説明する。図1は、本実施形態に係る露光装置1の構成を示す概略図である。特に本実施形態では、露光装置1は、ステップアンドスキャン方式やステップアンドリピート方式でマスク原版に形成されたパターンを被処理基板であるガラスプレート基板に露光する投影型露光装置とする。露光装置1は、まず、照明光学系2と、拡大機構3と、位置決め用顕微鏡4と、所定のパターンが形成されたマスクMを保持するマスクステージ5と、投影光学系6と、感光剤が塗布されたガラスプレートPを保持する基板ステージ7と、制御部8とを備える。照明光学系2は、不図示の光源を有し、マスクステージ5に保持されたマスクMに対してスリット状の露光光スリット光を照射し、マスクMに形成されたパターン像を、投影光学系6を介してガラスプレートP上基板上へ投影させる。光源としては、例えばHgランプが採用されるが、i線、h線、g線等のHgランプの出力波長の一部を用いる場合もある。拡大機構拡大光学系3は、照明光学系2から照射された露光光の光束を拡大させる。位置決め用顕微鏡4は、マスクMとガラスプレートPとにそれぞれ形成された位置決め用のアライメントマークを観察する。この場合、照明光学系2がマスクMに対して露光光を照射するときに、露光光が位置決め用顕微鏡4により遮られることがないように、位置決め用顕微鏡4は、その一部または全体を駆動可能な構成を有し、適宜露光光束外に退避することが可能である。マスクステージ原版保持部5は、マスクMを保持し、かつXY平面内で移動可能とする。投影光学系6は、基板ステージ7上のガラスプレートPに対してパターン像を投影し、その内部に、平板型透過素子9と、反射ミラー10と、凹面ミラー11と、凸面ミラー12とを含む。平板型透過素子9は、投影光学系6の入射側および射出側に配置され、投影光学系6などの結像性能を補助的に改善するために設置する光学薄体である。平板型透過素子9の材質としては、露光光に対して内部吸収がほぼゼロとなる石英ガラスなどが採用可能である。反射ミラー10、凹面ミラー11および凸面ミラー12は、パターン像を反射する部材であり、その材質は、線膨張係数の小さいガラスである。ここで、投影光学系6の投影倍率を等倍とすると、露光装置1は、マスクMとガラスプレートPとをY軸方向に同期走査させて露光を行うことでマスクM上のパターンをガラスプレート上に転写することができる。基板ステージ基板保持部7は、ガラスプレートPを例えば真空吸着により保持し、かつXY平面内で移動可能とする。制御部8は、露光装置1の各構成要素の動作および調整などを制御し得る。制御部8は、例えばコンピュータなどで構成され、露光装置1の各構成要素に回線を介して接続されて、プログラムなどに従い各構成要素の制御を実行し得る。本実施形態では、制御部8は、少なくとも後述する遮光機構の動作を制御する。なお、制御部8は、露光装置1の他の部分と一体で構成してもよいし、露光装置1の他の部分とは別の場所に設置してもよい。さらに、露光装置1は、パターン像を転写する際に、ガラスプレートP上の所望のショットサイズなどによってX軸方向長手方向の露光領域を限定するための遮光機構露光領域可変機構を備える。図2は、本実施形態に係る遮光機構の構成を示す概略図である。図2aは、ガラスプレートPをZ軸方向の上面から見た平面図であり、ガラスプレートP上に照射するスリット状の露光光20に対して、その端部の両側を遮光領域21とする場合を示す。特に本実施形態では、遮光機構は、露光光の光路上において2箇所に設置され、それぞれ2つの遮光部材マスキングブレードをX軸方向に可動させることで露光領域を限定する。この2つの遮光機構のうち、第1遮光機構22は、露光倍率の最も小さい拡大機構3の前段部前方、好適には、照明光学系2に含まれる不図示のスリット面の上部に配置される。図2b、cは、第1遮光機構22の構成を示す概略図であり、特に、図2bは、Z軸方向の上面から見た平面図であり、図2cは、図2bに対応した側面図である。この第1遮光機構22は、上述のとおり2つの遮光部材23a、23bをY軸方向の両端に沿って設置されたガイド機構リニアガイド24によりX軸方向に移動可能とする。ここで、遮光部材23a、23bは、互いに同列に配置されており、そのX軸方向の幅は、例えば、それぞれ露光光20のX軸方向の幅と同等である。一方、第2遮光機構25は、拡大機構3の後段部後方、好適には、マスクステージ5と投影光学系6との間に配置される。図2d、eは、第2遮光機構25の構成を示す概略図であり、特に、図2dは、Z軸方向の上面から見た平面図であり、図2eは、図2dに対応した側面図である。第2遮光機構25も、2つの遮光部材26a、26bをY軸方向の両端に沿って設置されたガイド機構27によりX軸方向に移動可能とする。ここで、遮光部材26a、26bは、遮光部材23a、23bと同様に、互いに同列に配置されている。ただし、遮光部材26a、26bのX軸方向の幅は、それぞれ第1遮光機構22の遮光部材23a23bのX軸方向の幅よりも短くてよい。図2b~eに示すように、第1遮光機構22および第2遮光機構25では、それぞれの遮光部材23a、23b、26a、26bが、露光光20の端部を遮光することで、図2aに示すように露光領域を限定することができる。図2f~jは、図2a~jにそれぞれ対応し、露光光20の中央部を含む左側の片方を遮光する場合の図である。図2fに示すように、露光光20の左側を遮光し、露光領域を右側の一定の領域とする場合には、第1遮光機構22では、まず、図中右側の遮光部材23bは、露光光20に重ならないように、ガイド機構24の右側奥に退避する。次に、図中左側の遮光部材23aは、ガイド機構24の中央部に向けて移動し、露光領域を右側の一定の領域とするように露光光20を遮光する。一方、第2遮光機構25では、図中右側の遮光部材26bは、露光光20に重ならないように、ガイド機構27の右側奥に退避する。次に、図中左側の遮光部材26aは、露光領域が右側の一定の領域となるように、ガイド機構27の中央部に向けて移動する。この場合、遮光部材26aの左側に相当する領域では、遮光するものが存在しないが、この領域は、第1遮光機構22により遮光されているため、露光領域は、所望の右側のみに限定される。これに対して、図2k~oは、図2a~jにそれぞれ対応し、露光光20の中央部を含む右側の片方を遮光する場合の図である。この場合、第1遮光機構22および第2遮光機構25における各遮光部材23a、23b、26a、26bの配置関係は、図2g~jに示す場合と反対となる。本実施形態では、第1遮光機構22を、露光光20が拡大機構3を通過する手前の倍率の一番小さい場所に配置するので、容易に小型化することができ、かつ遮光部材23a、23bの駆動範囲も小さくすることができる。しかしながら、この第1遮光機構22が配置される位置は、結像面ではないため、この位置のみで露光領域を限定してガラスプレートP上にパターン像を転写するとデフォーカス量ボケ量域が大きくなる。そこで、本実施形態では、第1遮光機構22を、粗遮光を実施する第1段目の機構と位置付け、結像面付近であるマスクステージ5と投影光学系6との間に配置した第2遮光機構25を、デフォーカス量を抑えるための微細遮光を実施する第2段目の機構と位置付ける。このように、露光光20の光路上において役割の異なる遮光機構を複数設置することで、デフォーカス量を抑えつつ、遮光部材23a、23bの小型化を実現させることができる。また、遮光部材23a、23bの小型化により、露光装置1の全体サイズの小型化も実現でき、さらに、各遮光部材23a、23b、26a、26bの駆動範囲も縮めることができるため、露光装置1による生産性を向上させることができる。さらに、第1遮光機構22および第2遮光機構25では、主な可動機構はガイド機構24、27のみであるので、従来の構成と比較して耐久性に勝る。以上のように、本実施形態によれば、耐久性に優れ、かつ、遮光機構の小型化に有利な露光装置を提供することができる。第2実施形態次に、本発明の第2実施形態に係る露光装置について説明する。本実施形態の露光装置の特徴は、上記第1遮光機構22および第2遮光機構25の構成を変更し、1つの遮光機構にて、2つの遮光部材を適宜オーバーラップさせることで、様々な露光領域の限定に対応させる点にある。図3は、本実施形態に係る遮光機構30の構成を示す概略図である。特に、図3a、d、gは、それぞれ図2a、f、kに対応し、ガラスプレートP上に照射するスリット状の露光光20に対する遮光領域21を各種変化させた場合を示す平面図である。一方、図3b、cは、遮光機構30の構成を示す概略図であり、この場合も、図2b、cにそれぞれ対応する。は、Z軸方向の上面から見た平面図であり、図2cは、図2bに対応した側面図である。以下、図3e、f、および図3h、iも、図3d、gの場合にそれぞれ対応した図である。この場合、遮光機構30は、2つの遮光部材31a、31bを、Y軸方向の両端に沿って段違いに設置された2つのガイド機構32、34により、それぞれ個別にX軸方向に移動可能とする。ここで、各遮光部材31a、31bのX軸方向の幅は、例えば、それぞれ露光光20のX軸方向の幅の1/2程度である。この遮光機構30は、本実施形態では、マスクステージ5と投影光学系6との間に配置される。例えば、図3eに示すように、露光光20の右側の一定の領域のみを露光領域とする場合には、2つの遮光部材31a、31bは、平面の一部が重なるように、それぞれ左側に寄って露光光20の左側を遮光する。このように、2つの遮光部材31a、31bをオーバーラップして駆動させて、左右どちらの遮光部材31a、31bで遮光してもデフォーカス量を同等とすることで、遮光部材の小型化を実現することができる。第3実施形態次に、本発明の第3実施形態に係る露光装置について説明する。本実施形態の露光装置の特徴は、上記遮光機構30の構成を変更し、4つの遮光部材を適宜オーバーラップさせることで、様々な露光領域の限定に対応させる点にある。図4は、本実施形態に係る遮光機構40の構成を示す概略図である。なお、図4a~iの各図は、それぞれ図3a~iの各図に対応している。この場合、遮光機構40は、まず、2つの遮光部材41a、41bを、Y軸方向の両端に沿って設置されたガイド機構42の上部にて同列でX軸方向に移動自在とする。また、他の2つの遮光部材41c、41dを、Y軸方向の両端に沿って設置されたガイド機構42の下部にて同列でX軸方向に移動可能とする。ここで、各遮光部材41a~41dのX軸方向の幅は、例えば、それぞれ露光光20のX軸方向の幅の1/4程度である。この遮光機構40は、本実施形態では、マスクステージ5と投影光学系6との間に配置される。例えば、図4eに示すように、露光光20の右側の一定の領域のみを露光領域とする場合には、4つの遮光部材41a~41dは、それぞれ平面の一部が重なるように、それぞれ左側に寄って露光光20の左側を遮光する。このように、4つの遮光部材41a~41dをオーバーラップして駆動させて、左右2つずつのどちらの遮光部材41a~41dで遮光してもデフォーカス量を同等とすることで、遮光部材のさらなる小型化を実現することができる。なお、上記実施形態では、スリット状の露光光20のX軸方向に対する露光領域の限定について述べた。ただし、露光装置の種類条件によっては、露光光20のY軸方向長手方向に対する垂直方向に対する露光領域を限定する場合もあり得る。この場合、さらに別途、垂直方向用遮光機構第3遮光機構を露光装置内に設置する。例えば、第1実施形態の例で言えば、第2遮光機構25をマスクステージ5と投影光学系6との間ではなく、投影光学系6と基板ステージ7との間に設置する。そして、マスクステージ5と投影光学系6との間には、第2遮光機構25に換えて、新たに垂直方向用遮光機構を設置すればよい。また、第2および第3実施形態では、各遮光機構を、マスクステージ5と投影光学系6との間に配置するものとしているが、上記のように、別途垂直方向用遮光機構を設置する場合には、投影光学系6と基板ステージ7との間に設置する構成もあり得る。さらに、第2および第3実施形態では、遮光部材の枚数をそれぞれ2つまたは4つとして説明したが、本発明は、これに限定するものではない。遮光部材の枚数は、複数であればよく、また、それに伴う遮光部材のX軸方向の幅は、ガラスプレート上のショットサイズなどに基づいて適宜変更設定してもよい。デバイスの製造方法次に、本発明の一実施形態のデバイス半導体デバイス、液晶表示デバイス等の製造方法について説明する。半導体デバイスは、ウエハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、ウエハを現像する工程を含む。後工程は、アッセンブリ工程ダイシング、ボンディングと、パッケージング工程封入を含む。液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、ガラス基板を現像する工程を含む。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。