ポリイミド層を含む基板と、この基板に積層された金属製の反射層と、この反射層に共晶はんだを介して実装された発光素子と、を有する発光モジュール。上記反射層は銀を含む、請求項1の発光モジュール。上記発光素子は、上記反射層に上記共晶はんだを介してフリップチップ実装される、請求項1または請求項2の発光モジュール。請求項1乃至請求項3のうちいずれか1項の発光モジュールを備えた照明器具。上述した従来の発光モジュールでは、LEDチップから放出された青色光の一部が、反射層が設けられていない絶縁層の表面に入射する。そして、エポキシ樹脂の硬化剤が青色光によって分解されてガス化する。さらに、この有機ガスが、封止部材を透過して、反射層表面の銀と反応する。これにより、反射層の表面が経時的に黒くなり、光の反射率が経時的に低下してしまう。このような現象は、絶縁層からガスが放出されなくなるまで続く。よって、発光強度を長期間にわたって維持できる発光モジュール、およびこのような発光モジュールを組み込んだ照明器具の開発が望まれている。実施形態に係る発光モジュールは、ポリイミド層を含む基板に金属製の反射層を積層し、この反射層に共晶はんだを介して発光素子を実装して形成される。以下、図面を参照しながら実施形態について詳細に説明する。図1には、実施形態に係る発光モジュールを組み込んだ照明器具の一例として、LEDランプ100の外観図を示してある。また、図2には、図1のLEDランプ100を軸線に沿って切断した断面図を示してある。LEDランプ100は、本体102と、絶縁部材111と、口金115と、点灯装置121と、発光モジュール1と、照明カバー161と、を備えている。このLEDランプ100は、例えば、天井に取り付けた図示しないソケットに口金115を螺合して照明カバー161が下を向く姿勢で取り付けられる。つまり、図1、2では、取り付け状態とは天地を逆転した状態でLEDランプ100を図示してある。本体102は、比較的熱伝導率の高いアルミニウムにより形成されている。図2に示すように、本体102の図示上端には、発光モジュール1を取り付けるためのモジュール固定台103が設けられている。また、このモジュール固定台103の周りには、円環状のカバー装着凸部104が、本体上端から一体に突設されている。また、本体102の図示下端側には、図示上方に向けて凹んだ凹部105が設けられている。さらに、本体102の内部には、その軸方向に延びた通線孔106が形成されている。通線孔106の図示上端は本体102の上端面に開口し、通線孔106の図示下端は凹部105の底面に開口している。また、通線孔6の上端に連続して、モジュール固定台103の裏面に沿って、横向きに折れ曲がるように形成された溝部106aが設けられている。さらに、本体102は、その外周に、複数の放熱フィン107を一体に有する。これら複数の放熱フィン107は、図1に示すように、本体102の上端に向けて外側に広がるように湾曲して延設されている。これら複数の放熱フィン107は、発光モジュール1から発生される熱をLEDランプ100の外部に放熱するために設けられている。絶縁部材111は、図2に断面を示すように、有底円筒状に形成されている。また、絶縁部材111は、その高さ方向中間部でその外周面から突設された円環状の絶縁凸部112を一体に有する。そして、この絶縁部材111は、その底壁111aを凹部105の底面に接触させるとともに、絶縁凸部112を凹部105の開口の縁に係合させるように、凹部105内に収容配置される。つまり、凹部105の内面には、絶縁部材111の外面が密着して接触することになる。絶縁部材111の絶縁凸部112より図示下側部分は、本体102の図示下端より図示下側に突出している。言い換えると、絶縁部材111の絶縁凸部112より図示上方部分だけが、本体102の凹部105内に挿入されている。また、絶縁部材111の底壁111aには、上述した通線孔6の図示下端を絶縁部材111の内部に連通するための通孔114が設けられている。口金115は、図2に示すように、絶縁材により形成した略円板状のベース116に、口金本体117およびアイレット端子118を取り付けた構造を有する。本実施形態の口金115は、E26型の口金である。口金115は、ベース116で絶縁部材111の開口を塞ぐように、絶縁部材111の上述した下側部分に被せられて取り付けられている。口金本体117には、図示しない電源側のソケットに螺合される螺旋溝が形成されている。点灯装置121は、図2に示すように、絶縁部材111の内側に収容配置されている。点灯装置121は、回路基板122に、トランス、コンデンサ、トランジスタなどの回路部品123を実装して形成されている。この点灯装置121は、口金115に電気的に接続されている。そのための接続部材124を図2に例示する。この接続部材124は、アイレット端子118と回路基板122とを電気的に接続する。また、点灯装置121は、通線孔6溝部106aを通る図示しない絶縁被覆電線を介して、後述する発光モジュール1に電気的に接続されている。そして、点灯装置121は、口金115を介して、発光モジュール1に直流を給電する。照明カバー161は、図1に示すように、略半球形状に形成されている。照明カバー161は、透光性の合成樹脂により形成されている。図2に示すように、この照明カバー161は、発光モジュール1の発光側を覆うように、本体102の図示上端から突設されたカバー装着凸部104に嵌合して取り付けられている。つまり、発光モジュール1から発光された光は、この照明カバー161を介して照明光として使用に供される。本体102側のカバー装着凸部104は、その周方向に沿った複数箇所に図示しないL字状の取り付け溝を有する。一方、照明カバー161の嵌合部外周には、カバー装着凸部104の複数の取り付け溝に対応する位置に、それぞれ、図示しない複数の係止凸部が設けられている。つまり、照明カバー161は、その係止凸部をカバー装着凸部104の各取り付け溝に引掛けることによって、本体102に取り付けられる。なお、照明カバー161の縁部には、図1および図2に示すように、上述した取り付け溝と係止凸部を隠すための目隠しリング162が設けられている。以下、図3乃至図5を参照して、第1の実施形態に係る発光モジュール1について詳細に説明する。図3には発光モジュール1を光の取り出し側以下、表面側と称するから見た平面図を示してあり、図4にはこの発光モジュール1のモジュール基板3の平面図を示してあり、図5にはこの発光モジュール1を図3の線F5-F5で切断した断面図を示してある。この発光モジュール1は、COBchiponboard型の構造を有する。本実施形態の発光モジュール1は、金属製の反射層11、正極側の給電導体12、および負極側の給電導体13をその表面に有するモジュール基板5図4と、反射層11の表面に整列して配置された複数個本実施の形態では12個の発光素子21と、これら複数個の発光素子21を列毎に直列接続するためのボンディングワイヤー23と、各列の複数の発光素子21に給電するための端部ボンディングワイヤー24と、封止領域を囲む枠部材25と、この枠部材25の封止用孔25aに充填される封止部材28と、を有する。モジュール基板5は、例えば、図4に示すように、略四角形に形成されている。このモジュール基板5は、各発光素子21の放熱性を高めるため、例えば、金属ベース基板を有することが好ましい。本実施の形態のモジュール基板5は、図5に示すように、金属製のベース板6の表面にこのベース板6より薄い絶縁層7を積層した構造を有する。ベース板6は、例えば、アルミニウムまたはアルミニウム合金により形成される。絶縁層7は、電気絶縁性のポリイミドにより形成される。ポリイミド製の絶縁層7として、例えば、ユーピレックス-S商品名、カプトン商品名、またはアピカル商品名などを用いることができる。このポリイミド製の絶縁層7は、エポキシ樹脂の硬化剤に含まれるようなフェノール系樹脂やアミン系樹脂を含まないため、発光素子21からの光が入射しても光分解されてガス化する分解成分がほとんど無い。また、ポリイミド製の絶縁層7は、耐熱性500°C以上にも優れている。なお、この絶縁層7は、モジュール基板5の実装面をなしている。モジュール基板5として、この他に、例えば、ポリイミドの単層からなるポリイミド基板、アルミニウム以外の金属板にポリイミド層を積層した金属ベース基板などを用いることができる。いずれにしても、発光素子21の実装面をなすモジュール基板5の表層がポリイミドにより形成されていれば良い。このモジュール基板5は、図5に示すように、上述したモジュール固定台103の表面103aに密着されて固定される。このため、モジュール基板5は、モジュール固定台103に取り付けるための4つの切り欠き部5aを有する。つまり、モジュール基板5は、図示しない4本のネジを4つの切り欠き部5aに通してモジュール固定台103の図示しないネジ孔に螺合することで、本体102に密着して取り付けられる。モジュール固定台103は、金属製であり、上述したように本体102の上面に密着されて固定されている。このため、発光モジュール1の複数の発光素子21が点灯されて発光モジュール1が発熱すると、この熱がモジュール固定台103を介して本体102に伝えられるようになっている。反射層11、および給電導体12、13は、いずれもモジュール基板5の絶縁層7の表面にパターニングされる。図4に示すように、反射層11は、絶縁層7の中央部を占めて四角形に設けられ、給電導体12、13は、反射層11の近傍に、例えば、反射層11を挟むように反射層11の長手方向両側に夫々配設される。言い換えると、反射層11とその両側の給電導体12、13との間には、それぞれ、絶縁層7の表面が露出した細長いギャップが形成されている。このように、給電導体12、13は、反射層11が単一の場合、それを挟むようにその両側に設けられる。また、反射層11が複数の場合これら反射層群を挟むようにその両側に設けられる。つまり、反射層11は、発光素子21毎に分割されて設けられても良い。これらの反射層11や給電導体12、13は、絶縁層7よりも高い反射率を有した金属製の表層部位を有することが好ましい。これにより、給電導体12、13を反射層11と同時に形成できるとともに、この給電導体12、13でも反射層11と同様に光を反射できるので、封止部材28の封止面積に対する金属製の反射部位つまり、反射層11及び給電導体12、13の占有面積がより大きく確保されて、光束維持率をより高めることができる。また、絶縁層7の表面には、2つの給電端子14、15もパターニングされる。一方の給電端子14は、正極側の給電導体12に図示しない導電部材を介して接続され、他方の給電端子15は、負極側の給電導体13に図示しない導電部材を介して接続される。そして、給電端子14、15は、図示しない絶縁被覆電線を介して、点灯装置121の回路基板122に接続される。つまり、発光モジュール1と点灯装置121を接続した図示しない絶縁被覆電線は、発光モジュール1の給電端子14、15から延びて、溝部106aを介して通線孔106を通り、点灯装置121の回路基板122に接続される。なお、これら反射層11、給電導体12、13、および給電端子14、15は、同時に形成される。絶縁層7の表面に設けられた反射層11、給電導体12、13、及び給電端子14、15は、いずれも、ベース層A、中間層B、表層Cの三層構造に形成されている。ベース層Aは、Cu銅をモジュール基板5の絶縁層7の全面に貼り合わせて接合した後、エッチングにより不要部分を取り除くことにより設けられている。また、中間層Bは、Niニッケルをベース層Aの表面上にめっきすることにより設けられている。さらに、表層Cは、Ag銀を中間層Bの表面上に無電解めっきすることにより設けられている。このように、表層Cを無電解めっきにより形成することで、発光モジュール1の製造工程を簡略化でき、製造コストを低減できる。これに対し、表層Cを電解めっきにより形成する場合、反射層11の表層C、給電導体12、13の表層C、及び給電端子14、15の表層Cにそれぞれめっきリードを設ける必要がある。このため、めっきパターンが複雑になるとともに、めっき後にリードを除去する工程が必要となり、工程が複雑化する。無電解めっきでは、このようなめっきリードが不要となる。このように、表層CがAgによって形成されているため、反射層11および給電導体12、13の光反射率は、絶縁層7の光反射率より高くされている。銀により形成した表層Cの全光線反射率は、例えば、90.0である。絶縁層7より光反射率が高い表層Cの材料として、Ag以外に、金、ニッケル、アルミニウムなどがある。なお、反射層11は、上述した3層構造に限らず、絶縁層7より光反射率の高い金属の単層により形成しても良い。また、反射層11、給電導体12、13、及び給電端子14、15のうち、少なくとも反射層11の表面の線粗さRaは、0.2以下とすることが好ましい。このように、反射層11の表面の線粗さRaを小さくすることで、表面の凸凹を少なくでき、後述する有機ガスに晒される反射層11の表面積を小さくできる。これにより、反射層11の表面が黒くなる現象を抑制でき、反射率の低下を抑制できる。複数の発光素子21は、反射層11の表面に整列配置されている。本実施の形態の発光素子21は、LED発光ダイオードのベアチップである。このベアチップは、例えば、サファイア等の半導体基板上に窒化物系化合物半導体例えば窒化ガリウム系化合物半導体を形成した半導体ウエハーを、ダイシングカッターでカットして略直方体に形成したものである。また、このベアチップは、その上面に図3に示すように2つの素子電極21aを有した片面電極型のチップである。このように形成された発光素子21の各素子電極21aの大きさは、縦0.5mm、横0.25mmである。各発光素子21には、例えば白色系の光を発光部で発光させるため、青色の光を発するLEDからなる発光素子21が用いられている。この発光素子21は、半導体のp-n接合部分に順方向の電流を流すことで発光する。つまり、この発光素子21は、電気エネルギーを直接光に変換する。よって、通電によりフィラメントを高温に白熱させて、その熱放射によって可視光を放射する白熱電球と比較して、この発光素子21は、省エネルギー効果を有する。図5に示すように、各発光素子21は、共晶はんだ22を用いて、その半導体基板の裏面が反射層11の表層C上に接着固定される。共晶はんだ22は、代表的にはAu基はんだであるが、例えば、Au金-Sn錫系の共晶はんだを用いることもできる。このAu-Sn系共晶はんだ22の共晶温度は約320°Cである。これらの発光素子21は、図3に示すように、縦横に整列してモジュール基板5上に実装されている。つまり、反射層11の長手方向に延びるように並べられた複数の発光素子21によって第1~第3の発光素子列が形成されている。個々の発光素子列において、その列が延びる方向に互いに隣接された2つの発光素子21の異極の素子電極同士、つまり、一方の発光素子21の正極側の素子電極21aと、他方の発光素子21の負極側の素子電極21aが、Au製の細線からなるボンディングワイヤー23で接続されている。これにより、個々の発光素子列が有した複数4つの発光素子21は電気的に直列に接続される。このため、これら1列の発光素子21は、通電状態で一斉に発光されるようになっている。各列の両端の発光素子21を給電導体12、13に接続するための端部ボンディングワイヤー24も、Au製の金属細線であるため、熱が伝わり難い。このため、各列の両端の発光素子21の熱が端部ボンディングワイヤー24を伝って給電導体12、13へ移動し逃げ難くなる。これにより、反射層11の各部での温度分布を均一にでき、反射層11に搭載された複数の発光素子21の温度差を抑制できる。また、上述したように各列の発光素子21は、それぞれ、端部ボンディングワイヤー24を介して、給電導体12、13に対して並列に接続されている。このため、第1~第3の発光素子列のうち、いずれか一列の発光素子21がボンディング不良などを原因として発光できなくなることがあっても、発光モジュール1全体として発光ができなくなることはない。枠部材25は、例えば合成樹脂を矩形枠状に形成したものであり、モジュール基板5の表面に接着されて固定されている。この枠部材25は、全ての発光素子21を囲む大きさの矩形の封止用孔25aを有する。この封止用孔25aは、反射層11の全体、及び給電導体12、13の一部を囲んでいる。つまり、この封止用孔25aは、後述する封止部材28を充填する封止領域の大きさを規定する。より詳細には、図3に示すように、封止用孔25aは、全ての発光素子21、全てのボンディングワイヤー23、および全ての端部ボンディングワイヤー24を囲む大きさを有し、図5に示すように、枠部材25の厚さ、すなわち封止用孔25aの深さは、これら全ての構成要素21、23、24を封止部材28によって埋設可能な値に設定されている。なお、封止部材28を充填する封止領域の大きさは、封止用孔25aの開口面積以下、この面積を封止面積と称するに相当する。図3に示すように、反射層11を図中上下に挟む位置には、それぞれ、モジュール基板5の表面を覆うレジスト層26、26が設けられている。これらレジスト層26は、それぞれ、例えば上述した給電端子14、15などを外部に露出するための孔を有する。封止部材28は、封止用孔25aに充填されて、反射層11、給電導体12、13、複数の発光素子21、複数本のボンディングワイヤー23、および複数本の端部ボンディングワイヤー24を埋める。この封止部材28は、ガス透過性を有する透光性合成樹脂、例えば透明シリコーン樹脂で作られている。なお、封止部材28は、未硬化の状態で封止用孔25aに所定量注入され、その後、加熱硬化される。封止部材28には、図示しない蛍光体が適量混ぜられている。この蛍光体は、発光素子21が発する光で励起されて、発光素子21が発する光の色とは異なる色の光を放射する。本実施形態では、発光素子21が青色光を発するLEDチップであるため、発光モジュール1として白色光を出射できるように、蛍光体には青色の光とは補色の関係にある黄色系の光を放射する黄色蛍光体が使用されている。このように蛍光体が混ぜられた封止部材28は、その蛍光体が発光するため、封止用孔25aを埋めた封止部材28全体が、発光モジュール1の発光部として機能する。上記構造の発光モジュール1がLEDランプ100に組み込まれて点灯装置121を介して通電されると、封止部材28で覆われた複数の発光素子21が一斉に青色発光し、封止部材28に混入された黄色蛍光体が励起されて黄色発光する。つまり、封止部材28は、青色光と黄色光が混ざった白色の光を出射する面状光源として機能する。このとき、反射層11は、複数の発光素子21が発した熱を拡散するヒートスプレッダとして機能するとともに、各発光素子21が放射した光のうちモジュール基板5に向かう光を反射する反射鏡として機能する。また、封止領域内にある給電導体12、13も、反射層11と同様に、ヒートスプレッダとして機能するとともに反射鏡としても機能する。つまり、各発光素子21からの熱は、反射層11、モジュール基板5、モジュール固定台103、本体102の上面、および放熱フィン107を介して、LEDランプ100の外部へ放熱される。また、反射層11で反射された光、および封止部材28で拡散されて給電導体12、13で反射された光は、封止部材28から直接放出される主な光とともに、照明カバー161を介して、照明光として使用に供される。反射層11、および給電導体12、13は、図3に示すように、封止領域25a封止面積の略全面を覆う面積で設けられている。このように、光を反射する金属層11、12、13が占める割合を大きくすることで、光の反射率を高めることができ、発光モジュール1の発光効率を高めることができる。反面、反射層11、および給電導体12、13が設けられていない絶縁層7の表面が露出した部位は、これら金属層11、12、13と比較して、光の反射率が低い。言い換えると、この絶縁層7が露出した部位には、発光素子21から放射された光の一部が入射する。本実施形態の発光素子21は、青色光を発光するLEDチップであるため、絶縁層7が露出した部位には、主にこの青色光が入射することになる。モジュール基板5の絶縁層7を従来のようにエポキシ樹脂により形成した場合、硬化剤に含まれるフェノール系樹脂が青色光によって分解されてガス化する。しかし、本実施形態の絶縁層7は、ポリイミドにより形成されているため、青色光が入射しても、光分解によって発生する有機ガスはほとんど無い。このため、本実施形態によると、絶縁層7から発生する有機ガスが封止部材28を透過して反射層11や給電導体12、13の表層Cの銀と反応することがほとんど無く、これら金属層11、12、13の表面が経時的に黒くなる心配も無い。よって、本実施形態によると、長期間にわたって十分な発光強度を維持することができる発光モジュール1を提供することができる。また、ポリイミド製の絶縁層7は、耐熱性に優れた有機材料であるため、複数個の発光素子21を反射層11上に共晶はんだ22を用いて接続することができる。ポリイミド製の絶縁層7は、上述したように500°Cを超える耐熱温度を有する。また、共晶はんだ22の共晶温度は、320°C程度である。このため、共晶はんだ22を用いて発光素子21をモジュール基板5に実装しても、絶縁層7の特性が変化することはない。このように、共晶はんだ22を用いて複数個の発光素子21を実装すると、発光素子21から発生した熱をモジュール基板5に良好に伝達することができ、発光素子21の放熱性を高めることができる。これにより、発光モジュール1の光出力を増加させることができ、高出力の発光モジュール1を提供できる。図6には、第2の実施形態に係る発光モジュール30の要部の構造を部分的に拡大した断面図を示してある。この発光モジュール30は、LEDチップ32発光素子の素子電極34を配線層11’上にフリップチップ実装したものである。配線層11’は、反射層11をパターニングしたものであり、LEDチップ32に給電するための配線として機能する。なお、この場合、LEDチップ32の半導体発光層36は、モジュール基板5絶縁層7側に位置することになり、半導体発光層36から出た光が、上面ここでは、素子電極34が形成されている面と反対側の面をいうのみならず、側面からも放出されることになる。第2の実施形態の発光モジュール30は、これ以外、上述した第1の実施形態の発光モジュール1と略同じ構造を有する。よって、ここでは、第1の実施形態の発光モジュール1と同様に機能する構成要素には同一符号を付してその詳細な説明を省略する。この発光モジュール30の製造過程において、複数個のLEDチップ32が共晶はんだ22を用いてモジュール基板5に実装される。この際、共晶はんだ22を塗布してチップを載せたモジュール基板5が図示しない炉内に配置されて、共晶温度まで加熱される。これにより、共晶はんだ22が溶融されて素子電極34が配線層11’に接着される。以上のように、本実施形態によると、上述した第1の実施形態と同様の効果を奏することができることに加え、ポリイミド層7を表面に有するモジュール基板5を用いたことで、共晶はんだ22によるLEDチップ32のフリップチップ実装が可能となり、LEDチップ32のモジュール基板5に対する熱伝導性をより高めることができ、実装の信頼性を高めることができる。上述した実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。この実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。