"総量の0.5質量以上3質量以下で配合されたコロイダルシリカであって、その50質量以上90質量以下の粒子は3nm以上10nm以下の一次粒子径を有するコロイダルシリカと、総量の0.1質量以上1質量以下で配合された重量平均分子量500以上10,000以下のポリカルボン酸とを含有し、pHが2.5以上4.5以下の範囲内であることを特徴とするCMP用スラリー。酸化剤をさらに含有することを特徴とする請求項1に記載のCMP用スラリー。CMPストッパー膜を有する半導体基板に、前記CMPストッパー膜を介して凹部を形成する工程と、前記凹部の内部および前記CMPストッパー膜の上にシリコン酸化膜を形成する工程と、前記CMPストッパー膜上に堆積された前記シリコン酸化膜をCMPにより除去して、前記CMPストッパー膜を露出する工程とを具備し、前記シリコン酸化膜のCMPは、請求項1に記載のCMP用スラリーを用いて行なわれることを特徴とする半導体装置の製造方法。CMPストッパー膜を有する半導体基板に、前記CMPストッパー膜を介して凹部を形成する工程と、前記凹部の内部および前記CMPストッパー膜の上に金属膜を形成する工程と、前記CMPストッパー膜上に堆積された前記金属膜をCMPにより除去して、前記CMPストッパー膜を露出する工程とを具備し、前記金属膜のCMPは、請求項2に記載のCMP用スラリーを用いて行なわれることを特徴とする半導体装置の製造方法。前記CMPストッパー膜は、シリコン窒化膜またはポリシリコン膜であることを特徴とする請求項3または4に記載の半導体装置の製造方法。本発明が解決しようとする課題は、欠陥を発生させることなく、下層のCMPストッパー膜を実質的に研磨せずに、実用的な速度でシリコン酸化膜を研磨できる、セリア系スラリーに代わるCMP用スラリーを提供することにある。実施形態のCMP用スラリーは、総量の0.5質量以上3質量以下で配合されたコロイダルシリカと、総量の0.1質量以上1質量以下で配合された重量平均分子量500以上10,000以下のポリカルボン酸とを含有し、pHが2.5以上4.5以下である。コロイダルシリカ全体の50質量以上90質量以下の粒子は、3nm以上10nm以下の一次粒子径を有することを特徴とする。以下、実施形態を具体的に説明する。本実施形態のCMP用スラリーは、研磨粒子としてコロイダルシリカを含有し、その量は、スラリー総量の0.5質量以上3質量以下に規定される。コロイダルシリカの含有量が少なすぎる場合には、実用的な速度180nm/min以上でシリコン酸化膜を研磨することができない。一方、コロイダルシリカの含有量が多すぎるスラリーは、シリコン酸化膜を選択的に研磨することができず、その下層のCMPストッパー膜も研磨してしまう。シリコン酸化膜の下層のCMPストッパー膜は、通常、シリコン窒化膜またはポリシリコン膜から構成される。CMPストッパー膜がシリコン酸化膜とともに研磨された場合には、研磨後の表面の平坦性も低下する。したがって、本実施形態のCMP用スラリーにおいては、コロイダルシリカの量を、スラリー総量の0.5質量以上3質量以下に規定した。コロイダルシリカの量は、スラリー総量の1質量以上2質量以下が好ましい。コロイダルシリカ全体の50質量以上90質量以下の粒子は、一次粒子径が3nm以上10nm以下である。コロイダルシリカの一次粒子径は、次のような手法により求められる。まず、コロイダルシリカのTEM像倍率50~100万を得、画像中から200個の粒子をランダムに選択する。それぞれの粒子について、周辺長を円に近似し、その直径を一次粒子径とする。具体的には、一般的な画像解析ソフトによって周辺長を円に近似する。一次粒子径が3nm以上10nm以下の粒子が100個以上180個以下の場合には、本実施形態の範囲内となる。一次粒子径が3nm以上10nm以下の粒子が少なすぎる場合には、研磨後の表面の平坦性が低下する。しかも、CMPストッパー膜の研磨速度が高められて、所望の選択比を得ることができない。一次粒子径が3nm以上10nm以下の粒子が多すぎる場合には、CMPストッパー膜の研磨速度は、さらに大きくなって、選択比および平坦性が著しく低下する。シリカ総量の50質量以上の粒子の一次粒子径が3nm未満の場合には、実用的な速度でシリコン酸化膜を研磨することができない。一方、シリカ総量の50質量以上の一次粒子径が10nmを超えた場合には、CMPストッパー膜の研磨速度が著しく増大して、選択比を確保することができない。CMPストッパー膜を実質的に研磨せず、シリコン酸化膜を選択的かつ実用的な速度で研磨するためには、シリカ総量の50質量以上90質量以下の一次粒子径は、3nm以上10nm以下に規定される。研磨速度が10nm/min未満であれば、実質的に研磨しないとすることができる。次のようなシリカであれば、一次粒子径が3nm以上10nm以下のシリカの量を、シリカ総量の50質量以上90質量以下に制御することができる。例えば、アルコキシシランの加水分解で生成したシリカや、ケイ酸ナトリウム水溶液からナトリウム除去し形成するシリカなどのコロイダルシリカである。一次粒子径が3nm以上10nm以下の粒子が、シリカ総量の50質量以上90質量以下を占めていれば、残部のシリカの一次粒子径は特に限定されない。50nmを超える一次粒子径を有するシリカが、シリカ総量の1質量程度含まれていても問題ない。シリカ総量の10質量程度までであれば、3nm未満の一次粒子径を有するシリカが含まれていてもよい。研磨粒子としてのコロイダルシリカに加えて、本実施形態にかかるCMP用スラリーには、重量平均分子量が500以上10000以下内のポリカルボン酸が所定の量で含有される。ポリカルボン酸は、シリカの凝集体の形成を助ける。ポリカルボン酸の重量平均分子量が小さすぎる場合には、研磨後の表面の平坦性が低下する。ポリカルボン酸の重量平均分子量が大きすぎる場合には、実用的な速度でシリコン酸化膜を研磨することができない。したがって、ポリカルボン酸の重量平均分子量は500以上10000以下に規定した。ポリカルボン酸の重量平均分子量は、1000以上6000以下が好ましい。ポリカルボン酸の重量平均分子量は、例えば、GPCゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって測定されたポリエチレングリコール換算の重量平均分子量Mwを適用できる。ポリカルボン酸の含有量が少なすぎる場合には、研磨後の表面の平坦性が低下し、ポリカルボン酸の含有量が多すぎる場合には、実用的な速度でシリコン酸化膜を研磨することができない。したがって、ポリカルボン酸の含有量は、スラリー総量の0.1質量以上1質量以下に規定される。ポリカルボン酸の含有量は、スラリー総量の0.3質量以上0.6質量以下が好ましい。ポリカルボン酸としては、例えば、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリマレイン酸、およびこれらの塩等が挙げられる。分子量の制御性に優れ、重量平均分子量500以上10000以下の際の親水疎水バランスも良好であることから、ポリアクリル酸が特に好ましい。シリカの凝集体を適切に生成して研磨布との相互作用が十分に高められ、高速研磨が可能となる。さらに、本実施形態のCMP用スラリーは、pHが2.5以上4.5以下の範囲内に規定される。pHが2.5未満の場合には、シリコン窒化膜等のCMPストッパー膜の研磨速度が大きくなって、選択比を確保することができない。一方、pHが4.5より大きい場合には、CMPストッパー膜の研磨速度が大きくなるのに加えて、実用的な速度でシリコン酸化膜を研磨することができない。このため、選択比が著しく低下するのに加えて、研磨後の平坦性も低下する。マレイン酸、クエン酸、リンゴ酸、シュウ酸、マロン酸などのpH調整剤を加えることによって、目的のpHに調整することができる。本実施形態のCMP用スラリーのpHは、3以上3.5以下の範囲であることがより好ましい。上述したような条件を全て備えることによって、シリコン窒化膜等のCMPストッパー膜を実質的に研磨せずに、シリコン酸化膜を高い速度で研磨可能なCMP用スラリーを得ることが可能となった。所定のコロイダルシリカとポリカルボン酸とを水に加えて、本実施形態にかかるCMP用スラリーが得られる。水としては例えば純水を用いることができる。必要に応じて、非イオン性界面活性剤としてポリビニルアルコール、ポリオキシエチレン、およびポリビニルピロリドン等の添加剤が本実施形態のCMP用スラリーに含有されてもよい。こうした添加剤は、例えば、平坦性を高めて、かつスクラッチを低減することが目的の場合には、スラリー総量の0.01~0.5質量程度の量で加えることができる。本実施形態にかかるCMP用スラリーは、STIの製造に適用することができる。ここで、図1を参照して、STIの製造方法について説明する。まず、図1aに示されるような、CMPストッパー膜21を表面に有しSTIパターンBが設けられた半導体基板20を準備する。CMPストッパー膜21としては、シリコン窒化膜またはポリシリコン膜を用いることができる。半導体基板20とCMPストッパー膜21との間には、例えばシリコン酸化膜等が設けられていてもよい。シリコン酸化膜等をエッチングマスクとして半導体基板20をCMPストッパー膜21とともに加工して、STIパターンBが形成される。このSTIパターンBの幅および間隔は、0.01~5μmの範囲で適宜決定することができ、STIパターンBの深さは、100~1000nmの範囲で適宜決定することができる。CMPストッパー膜21上には、図1bに示すように、シリコン酸化膜22を形成する。シリコン酸化膜22の形成には、例えば高密度プラズマCVD法HDP-CVD等を採用することができる。シリコン酸化膜22の膜厚は、150~1100nmの範囲で適宜決定することができ、全面にわたってSTIパターンB外にも形成される。シリコン酸化膜22は被研磨膜となるので、図1bに示される構成は、被研磨膜を有する半導体基板14と称することができる。次に、全面のCMPを行なって、図1cに示すようにSTIパターンB外のシリコン酸化膜22を除去する。STIパターンBの内部にシリコン酸化膜22が埋め込まれ、STIパターンBの外においてはCMPストッパー膜21の表面が露出される。シリコン酸化膜22の研磨に当たっては、図2に示すように、研磨布12が貼付されたターンテーブル11を、回転機構図示せずにより回転させつつ、被研磨膜を有する半導体基板14を保持した研磨ヘッド13を当接させる。被研磨膜を有する半導体基板14においては、図1bに示したように、被研磨膜としてのシリコン酸化膜が形成されている。研磨荷重は100~500hPaの範囲内で適宜選択することができ、ターンテーブルおよび研磨ヘッドの回転数は30~120rpmの範囲内で適宜選択することができる。研磨布12の中央領域に、スラリー15としてのサンプルを、スラリー供給ノズル16から供給し、所定時間、研磨を行なって図1cに示すように、STIパターンB内にシリコン酸化膜が残置されてSTIが得られる。上述したように本実施形態にかかるCMP用スラリーは、シリコン酸化膜の研磨速度が大きく、シリコン窒化膜、ポリシリコン膜といったCMPストッパー膜の研磨速度は小さい。こうしたCMPストッパー膜は、プラグを形成する際にW膜などの金属膜の下層にも設けられる。本実施形態のCMP用スラリーに酸化剤を加えた場合には、CMPストッパー膜に対して選択的に金属膜を研磨することができる。酸化剤としては、例えば、過酸化水素、および過硫酸二アンモニウム等が挙げられる。酸化剤の含有量は、スラリー総量の0.05~5質量程度とすることができる。酸化剤が含有された本実施形態のCMP用スラリーは、W、Ti、Mo、Ta、Cuおよび、これらを主成分とする窒化物、酸化物、炭化物および、これら混合物などの金属膜を実用的な研磨速度20nm/min以上で研磨することができる。しかも、シリコン窒化膜およびポリシリコン膜の研磨速度は、10nm/min未満程度である。したがって、例えばCMPストッパー膜としてのシリコン窒化膜の上に設けられた金属膜を、高い選択比で研磨することができる。ここで、図3を参照して微細プラグの形成について説明する。まず、図3aに示すように、半導体基板30上に順次形成された絶縁膜31およびCMPストッパー膜32にホールAを形成し、バリアメタル33および配線材料膜34を形成する。半導体基板30には、半導体素子図示せずが形成されている。絶縁膜31は、例えば膜厚500~5000nmのシリコン酸化膜とすることができ、その上のCMPストッパー膜32は、例えば膜厚10~50nmのシリコン窒化膜とすることができる。これらに設けられるホールAは、例えば、幅が30~100nm、被覆率0.0001~65の微細ホールとすることができる。ここで被覆率とは、任意の領域におけるホールの密度をさす。バリアメタル33は、例えばCVD法などによって全面に形成することができる。このバリアメタル33は、例えば、Ti、TiN等を用いて3~50nmの膜厚で形成することができる。バリアメタル33上の配線材料膜34も同様に、CVD法などによって全面に形成される。配線材料膜34は、例えばW等を用いて100~600nmの膜厚で形成することができる。図3aに示されるように、配線材料膜34はホールA外にも形成される。次に、全面のCMPを行なって、図3bに示すようにホールA外の配線材料膜34を除去する1stポリッシュ。ここでのCMPに用いられるスラリーは、配線材料膜の材質に応じて適宜選択することができる。1stポリッシュによって、ホールA内に配線材料膜34が埋め込まれ、ホールA外においてはバリアメタル33の表面が露出される。バリアメタル33は被研磨膜となるので、図3bに示される構成は、被研磨膜を有する半導体基板14と称することができる。その後、タッチアップCMPを行なって、ホールA外のバリアメタル33を除去することにより、図3cに示されるようにCMPストッパー膜32の表面が露出される。このとき、CMPストッパー膜32の表面の一部も除去される。こうして、CMPストッパー膜32を表面に有する絶縁膜31のホールA内に、バリアメタル33を介して配線材料膜34が埋め込まれてプラグが形成される。以下に、CMP用スラリーおよび半導体装置の製造方法の具体例を示す。<実施例1>研磨粒子としてのコロイダルシリカとポリアクリル酸とを純水に加えて、サンプルNo.1のスラリーを調製した。コロイダルシリカの濃度は、スラリー総量の1.5質量であり、コロイダルシリカ全体の60質量の粒子の一次粒子径は、3m以上10nm以下であった。コロイダルシリカの一次粒子径は、上述したようにTEM像上の一つの独立した粒子の像から求められた。楕円形状であっても、その周辺長を円に変換し、求めた直径を一次粒子径と判断した。ポリアクリル酸の重量平均分子量は3,000であり、その濃度はスラリー総量の0.2質量とした。また、pH調整剤としてのマレイン酸を加えて、pHを3.5に調整した。さらに、コロイダルシリカ全体の60質量の粒子の一次粒子径を次のように変更する以外はNo.1のサンプルと同様にして、No.2,3のサンプルを調製した。No.2:3nm未満No.3:10nmより大きい各スラリーを用いてSTIShallowTrenchIsolationを製造し、研磨特性を調べた。CMPストッパー膜21として、半導体基板20上にシリコン窒化膜を形成し、図1aに示すようにSTIパターンBを形成した。STIパターンBの幅および間隔は、いずれも1μmであるライン/スペース:1μm/1μm。また、STIパターンBの深さは、200nmである。CMPストッパー膜21上には、図1bに示すように、膜厚280nmのシリコン酸化膜22を、高密度プラズマCVD法HDP-CVD等により形成した。次に、全面のCMPを行なって、図1cに示すようにSTIパターンB外のシリコン酸化膜22を除去した。シリコン酸化膜22の研磨に当たっては、図2に示すように、研磨布12が貼付されたターンテーブル11を、回転機構図示せずにより100rpmで回転させつつ、被研磨膜を有する半導体基板14を保持した研磨ヘッド13を200hPaの研磨荷重で当接させた。ここで用いた研磨布12はIC1000ニッタハース社製である。研磨ヘッド13は、図示しない回転機構により102rpmで回転させ、研磨布12の中央領域に、スラリー15としてのサンプルを、スラリー供給ノズル16から供給した。所定時間、研磨を行なうことによって、STIパターンBの内部にシリコン酸化膜22が埋め込まれ、STIパターンBの外においてはCMPストッパー膜21の表面が露出された。研磨速度SiO2およびSiN、SiO2/SiN選択比、平坦性、およびスクラッチ数を、以下の基準で評価した。研磨時間は、研磨テーブルを回転させるモータのトルク電流の変化により決定した。平坦性は、ライン/スペース1μm/1μmパターンを、原子間力顕微鏡AFMで測定して求め、スクラッチは、ライン/スペース1μm/1μmパターンを、ウエハ欠陥検査装置KLA2815ケーエルエーテンコール社製で測定して求めた。具体的には、KLA2815で総欠陥数をカウントし、その欠陥をランダムに50個SEM観察を行なって欠陥を分類した。下記数式よってスクラッチ数を求めた。スクラッチ数=SEMで観測されたスクラッチ数/50×総欠陥数SiO2研磨速度A:180nm/min以上B:150nm/min以上180nm/min未満C:150nm/min未満SiN研磨速度A:10nm/min未満B:10nm/min以上20nm/min未満C:20nm/min以上SiO2/SiN選択比A:15以上B:10以上15未満C:10未満平坦性A:20nm未満B:20nm以上30nm未満C:30nm以上スクラッチA:10未満B:10以上30未満C:30以上いずれの評価も、Cは、NGである。SiO2/SiN選択比がBであっても、平坦性およびスクラッチの加工精度の評価がAであればOKと判断する。サンプルNo.1~3のスラリーを用いた結果を、下記表1にまとめる。上記表1に示されるように、シリカ全体の60質量の粒子の一次粒子径が3nm未満の場合No.2には、実用的な速度でシリコン酸化膜を研磨することができない。しかも研磨後の表面の平坦性は劣化し、スクラッチ数も増加する。一方、シリカ全体の60質量の粒子の一次粒子径が10nmを超える場合No.3には、シリコン窒化膜で研磨を停止することができず、選択比が得られない。平坦性はさらに低下し、スクラッチ数も増加する。一次粒子径が3nm以上10nm以下の粒子がシリカ全体の60質量を占める場合には、研磨速度SiO2およびSiN、選択比、平坦性、およびスクラッチ数の全ての条件を満たすことができる。次に、以下の点を変更する以外はNo.1のサンプルと同様の処方で、No.4~28のサンプルを調製した。一次粒子径が3nm以上10nm以下のシリカの濃度を、シリカ全体の40質量、50質量、75質量、90質量、100質量に変更して、No.4,5,6,7、および8のサンプルを得た。サンプル4~8を用いた以外は前述と同様の条件でSTIを製造し、その結果を調べた。研磨速度SiO2およびSiN、SiO2/SiN選択比、平坦性、およびスクラッチ数を前述と同様に評価し、下記表2にまとめる。上記表2に示されるように、一次粒子径が3nm以上10nm以下のシリカが、シリカ全体の40質量の場合No.4には、シリコン窒化膜の研磨速度が大きくなってSiO2/SiN選択比が低下する。さらに、平坦性の低下が大きく、スクラッチ数も増加している。全シリカの一次粒子径が3nm以上10nm以下の場合No.8には、シリコン窒化膜の研磨速度は、よりいっそう大きくなり、選択比の低下も大きい。平坦性は劣り、スクラッチ数も増加している。一次粒子径が3nm以上10nm以下のシリカが、シリカ全体の50質量以上90質量以下を占めていれば、研磨速度SiO2およびSiN、SiO2/SiN選択比、平坦性、およびスクラッチ数の全ての条件を満たすことができる。スラリー総量に対するシリカ濃度を、0.3質量、0.5質量、1質量、3質量、および5質量にそれぞれ変更して、No.9,10,11,12および13のサンプルを得た。サンプル9~13を用いた以外は前述と同様の条件でSTIを製造し、その結果を調べた。研磨速度SiO2およびSiN、SiO2/SiN選択比、平坦性、およびスクラッチ数を前述と同様に評価し、下記表3にまとめる。上記表3に示されるように、シリカの濃度がスラリー総量の0.3質量の場合No.9には、実用的な速度でシリコン酸化膜を研磨することができない。一方、シリカの濃度がスラリー総量の5質量の場合No.13には、シリコン窒化膜で研磨を停止することができず、選択比、平坦性が低下する。スラリー総量の0.5質量以上3質量以下のシリカが含有されている場合には、研磨速度SiO2およびSiN、SiO2/SiN選択比、平坦性、およびスクラッチ数の全ての条件を満たすことができる。ポリアクリル酸の重量平均分子量を、100、500、10000、および20000にそれぞれ変更して、No.14,15,16、および17のサンプルを得た。サンプル14~17を用いた以外は前述と同様の条件でSTIを製造し、その結果を調べた。研磨速度SiO2およびSiN、SiO2/SiN選択比、平坦性、およびスクラッチ数を前述と同様に評価し、下記表4にまとめる。上記表4に示されるように、ポリアクリル酸の重量平均分子量が100の場合No.14には、所望の平坦性が得られず、20000の場合No.17には実用的な速度でSiO2膜を研磨することができない。また、平坦性およびスクラッチの評価も下がる。所定の量で含有されるポリアクリル酸の重量平均分子量が500以上10,000以下の場合には、研磨速度SiO2およびSiN、SiO2/SiN選択比、平坦性、およびスクラッチ数の全ての条件を満たすことができる。スラリー総量に対するポリアクリル酸の濃度を、0.05質量、0.1質量、0.5質量、1質量、および2質量にそれぞれ変更して、No.18,19,20,21および22のサンプルを得た。サンプル18~22を用いた以外は前述と同様の条件でSTIを製造し、その結果を調べた。研磨速度SiO2およびSiN、SiO2/SiN選択比、平坦性、およびスクラッチ数を前述と同様に評価し、下記表5にまとめる。上記表5に示されるように、ポリアクリル酸の濃度がスラリー総量の0.05質量の場合No.18には、所望の平坦性が得られず、スクラッチ数も増加する。ポリアクリル酸の濃度がスラリー総量の2質量の場合No.22には、実用的な速度でシリコン酸化膜を研磨することができない。スラリー総量の0.1質量以上1質量以下で、所定の重量平均分子量を有するポリアクリル酸が含有された場合には、研磨速度SiO2およびSiN、SiO2/SiN選択比、平坦性、およびスクラッチ数の全ての条件を満たすことができる。pHを2,2.5,3,4,4.5、および5にそれぞれ変更して、No.23,24,25,26,27および28のサンプルを得た。こうして得られたサンプル23~28を用いた以外は前述と同様の条件でSTIを製造し、その結果を調べた。研磨速度SiO2およびSiN、SiO2/SiN選択比、平坦性、およびスクラッチ数を、前述と同様に評価し、下記表6にまとめる。上記表6に示されるように、スラリーのpHが2の場合No.23には、シリコン窒化膜で研磨を停止することができない。一方、スラリーのpHが5No.28の場合には、所望の速度でシリコン酸化膜を研磨できないのに加えて、シリコン窒化膜で研磨を停止することができない。このため、選択比が得られず、平坦性も劣っている。スラリーのpHが2.5以上4.5以下の場合には、研磨速度SiO2およびSiN、SiO2/SiN選択比、平坦性、およびスクラッチ数の全ての条件を満たすことができる。<実施例2>CMPストッパー膜として、膜厚30nmのポリシリコン膜を用いた以外は、実施例1と同様の手法でSTIを製造した。シリコン酸化膜の研磨には、No.29~31のスラリーを用いた。No.29:前述のサンプルNo.1No.30:DLS2日立化成社製No.31:SS25キャボット社製なお、DLS2日立化成社製は、一般的な酸化セリウムスラリーであり、SS25は一般的なシリカスラリーである。実施例1と同様の条件でシリコン酸化膜を研磨し、研磨速度SiO2およびPolySi、SiO2/PolySi選択比、平坦性、およびスクラッチ数を、以下の基準で評価した。SiO2研磨速度A:180nm/min以上B:150nm/min以上180nm/min未満C:150nm/min未満PolySi研磨速度A:10nm/min未満B:10nm/min以上20nm/min未満C:20nm/min以上SiO2/PolySi選択比A:15以上B:10以上15未満C:10未満平坦性A:20nm未満B:20nm以上30nm未満C:30nm以上スクラッチA:10未満B:10以上30未満C:30以上いずれの評価も、CはNGである。SiO2/PolySi選択比がBであっても、平坦性およびスクラッチの加工精度の評価がAであればOKと判断する。サンプルNo.29~31のスラリーを用いた結果を、下記表7にまとめる。上記表7に示されるように、一般的なシリカスラリーNo.31の場合には、ポリシリコン膜で研磨を停止することができない。一方、一般的なセリアスラリーNo.30の場合には、研磨速度SiO2およびPolySi、SiO2/PolySi選択比、平坦性の評価は高いが、スクラッチを抑制することができない。本実施例のスラリーNo.29は、スクラッチを発生させることなく、ポリシリコン膜上に形成されたシリコン酸化膜を、実用的な速度で選択的に研磨できることが確認された。実施例3>サンプルNo,1に1質量の過酸化水素を添加して、No.32のサンプルを調製し、サンプルNo.1に1質量の過硫酸アンモニウムを添加して、No.33のサンプルを調製した。また、W7203pH2.5、キャボット社製に1質量の過酸化水素を添加して、No.34のサンプルとし、W7573ApH2.5、キャボット社製に1質量の過酸化水素を添加して、No.35のサンプルとした。W7203およびW7573Aは、タッチアップCMPに用いられる一般的なスラリーである。各スラリーを用いて、プラグ形成におけるタッチアップCMPを行なって、研磨特性を調べた。半導体基板30上に、絶縁膜31として膜厚300nmのシリコン酸化膜を形成し、さらに、その上にCMPストッパー膜32として膜厚20nmのシリコン窒化膜を形成した。図3aに示されるように、CMPストッパー膜32および絶縁膜31にホールAを形成した。ホールAは、幅50nm、被覆率50の微細ホールとした。膜厚5nmのTiN膜をCVD法により全面に堆積して、バリアメタル33を形成し、このバリアメタル33上には、CVD法により膜厚300nmのW膜を堆積して配線材料膜34を形成した。硝酸第二鉄5wtとフュームドアルミナ1wtとの混合液をスラリーとして用いて、全面のCMPを行なって、図3bに示すようにホールA外の配線材料膜34を除去した1stポリッシュ。1stポリッシュによって、ホールA内に配線材料膜34が埋め込まれ、ホールA外においてはバリアメタル33の表面が露出された。次に、タッチアップCMPを行なって、ホールA外のバリアメタル33を除去することにより、図3cに示されるようにCMPストッパー膜32の表面が露出された。このとき、CMPストッパー膜32の表面の一部も除去された。こうして、CMPストッパー膜32を表面に有する絶縁膜31のホールA内に、TiN膜からなるバリアメタル33を介してW膜からなる配線材料膜34が埋め込まれてプラグが形成された。タッチアップCMPは、実施例1と同様の条件で行なった。面内均一性を配慮して研磨時間を設定し、バリアメタル膜33が完全に除去された時間の1.3倍の時間とした。研磨速度W、TiN、およびSiN、W/SiN選択比、平坦性、およびスクラッチ数を、以下の基準で評価した。平坦性は、ホール幅/スペース50nm50nmの領域2mmをAFMで測定して求めた。スクラッチは、ホール幅/スペース50nm50nmの領域2mmをKLAで測定して求めた。W研磨速度A:40nm/min以上B:20nm/min以上40nm/min未満C:20nm/min未満TiN研磨速度A:40nm/min以上B:20nm/min以上40nm/min未満C:20nm/min未満SiN研磨速度A:10nm/min未満B:10nm/min以上20nm/min未満C:20nm/min以上W/SiN選択比A:4以上B:2以上4未満C:2未満平坦性A:20nm未満B:20nm以上30nm未満C:30nm以上スクラッチA:10未満B:10以上30未満C:30以上いずれの評価も、CはNGである。W/SiN選択比がBであっても、平坦性およびスクラッチの加工精度の評価がAであればOKと判断する。サンプルNo.32~35のスラリーを用いた結果を、下記表8にまとめる。上記表8に示されるように、いずれのサンプルが用いられた場合も、W膜およびTiN膜といった金属膜の研磨速度は大きい。酸化剤が加えられた市販品No.34、35の場合には、W膜のみならずSiN膜の研磨速度も大きいことから、SiN膜で研磨を停止することができない。その結果、選択比および平坦性が低下し、しかも、スクラッチも多数発生する。これに対して、本実施形態にかかるスラリーサンプルが用いられた場合No.32,33には、研磨速度に加えて、W/SiN選択比、平坦性、およびスクラッチ数の全ての条件を満たすことができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行なうことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"