圧縮応力を持たせた強化層を表面に有する強化ガラスをスクライブするガラス基板のスクライブ方法であって、強化ガラスの表面に、スクライブ予定ラインの終端部にスクライブ予定ラインと交差する方向に所定の幅を有する亀裂停止用の溝を形成する第1工程と、強化ガラスの表面にレーザ光を照射して加熱するとともに、加熱された領域を冷却し、スクライブ予定ラインに沿って亀裂を進展させてスクライブ溝を形成する第2工程と、を含むガラス基板のスクライブ方法。前記第1工程において、前記亀裂停止用溝は、スクライブ予定ラインに対して垂直な方向に延びるように形成される、請求項1に記載のガラス基板のスクライブ方法。前記第1工程において、前記亀裂停止用溝は前記第2工程で形成されるスクライブ溝の深さより浅く形成される、請求項1又は2に記載のガラス基板のスクライブ方法。前記第2工程の前工程として、強化ガラスの表面に、強化層の一部を除去して初期亀裂を形成する初期亀裂形成工程をさらに含む、請求項1から3のいずれかに記載のガラス基板のスクライブ方法。ところで、最近のFPDフラットパネルディスプレイ業界では、基板端面の強度が重要視されるために、ガラス基板として、表面に強化層が形成された化学強化ガラスが主に用いられている。この化学強化ガラスは、イオン交換処理によって表面に圧縮応力を持たせた層強化層を有し、内部には引張応力が存在している。このような化学強化ガラスは、最近では、特に端面強度が要求されるタッチパネル等のカバーガラスに用いられている。本件発明者は、このような強化ガラスのなかで、最近開発された、特に表面が高強度の強化ガラスにレーザスクライブ方法によってスクライブ溝を形成した場合、主にスクライブ溝の終端部からスクライブ溝に沿って深い亀裂が進展し、自然分断されることを実験により見出した。ここで、自然分断とは、スクライブ溝を形成した後に、分断工程を実施することなくスクライブ溝に沿ってガラス基板が分断される現象である。自然分断は、ガラス基板の周縁部においてスクライブ溝の亀裂が深くなることに起因していると考えられ、この深い亀裂がスクライブ溝に沿って進展し、生じると考えられる。そして、ガラス基板の周縁部においてスクライブ溝の亀裂が深くなるのは、以下の理由が考えられる。スクライブ溝が形成されたガラス基板の終端部では、端面が拘束されないので、スクライブ溝の両側が開きやすくなる。スクライブ溝が形成されたガラス基板の終端部では、そこから先に熱の逃げる場所がなく、終端部に熱がこもる。以上のような原因によって自然分断が生じると、後工程の処理が困難になる。そこで、スクライブ溝がガラス基板の周縁部に形成されないように、スクライブ予定ラインの終端部にアルミテープを貼ってレーザ光を遮蔽することが考えられる。しかし、この方法では、生産性の観点から実用的ではない。また、レーザ光の照射を制御することによって、ガラス基板の周縁部に加熱処理及び冷却処理が実施されないようにすることで、スクライブ溝がスクライブ予定ラインの終端まで達しないようにすることが考えられる。しかし、この方法では、所望の位置でスクライブ溝を止めることが困難であり、安定性がない。本発明の課題は、強化ガラスに対して、容易にかつ安定して所望のスクライブ溝を形成し、自然分断を防止することにある。第1発明に係るガラス基板のスクライブ方法は、圧縮応力を持たせた強化層を表面に有する強化ガラスをスクライブする方法であって、第1工程と第2工程とを含む。第1工程では、強化ガラスの表面に、スクライブ予定ラインの終端部にスクライブ予定ラインと交差する方向に所定の幅を有する亀裂停止用の溝を形成する。第2工程では、強化ガラスの表面にレーザ光を照射して加熱するとともに、加熱された領域を冷却し、スクライブ予定ラインに沿って亀裂を進展させてスクライブ溝を形成する。ここでは、スクライブ予定ラインの終端部に、スクライブ予定ラインと交差する方向に亀裂停止用の溝が形成される。その後、強化ガラス表面にレーザ光が照射されて加熱され、さらに加熱された領域が冷却される。この加熱及び冷却処理によって、スクライブ予定ラインに沿って亀裂が進展し、スクライブ溝が形成される。亀裂の進展は、先に形成された亀裂停止用の溝によって停止される。このため、スクライブ予定ラインの終端部にはスクライブ溝は形成されない。この方法によって、スクライブ予定ラインの終端部において深い亀裂が形成されるのを防止でき、自然分断を避けることができる。また、アルミテープを貼る等の煩雑な作業は不要であり、しかも安定してスクライブ溝の形成を所望の位置で止めることができる。第2発明に係るガラス基板のスクライブ方法は、第1発明のスクライブ方法において、第1工程において、亀裂停止用溝は、スクライブ予定ラインに対して垂直な方向に延びるように形成される。ここでは、亀裂停止用溝がスクライブ予定ラインに対して垂直な方向に形成されるので、亀裂の進展をより確実に止めることができる。第3発明に係るガラス基板のスクライブ方法は、第1又は第2発明のスクライブ方法において、第1工程において、亀裂停止用溝は第2工程で形成されるスクライブ溝の深さより浅く形成される。ここで、亀裂進展停止用溝を深くした場合、ガラス基板の内部の引張り応力により亀裂進展停止用溝を起点として自然に亀裂が進展し、この亀裂によって基板が分離してしまう場合がある。そこで、この第3発明では、亀裂進展停止用溝をスクライブ溝の深さよりも浅くし、基板の自然分断を避けるようにしている。第4発明に係るガラス基板のスクライブ方法は、第1から第3発明のいずれかのスクライブ方法において、第2工程の前工程として、強化ガラスの表面に、強化層の一部を除去して初期亀裂を形成する初期亀裂形成工程をさらに含む。ここでは、カッターホイール等によって、強化ガラスの強化層の一部が除去され、初期亀裂が形成される。その後、初期亀裂にレーザ光が照射されて加熱され、さらに加熱された領域が冷却される。これにより初期亀裂がスクライブ予定ラインに沿って進展する。このため、所望のスクライブ溝を安定して形成することができる。以上のように、本発明では、圧縮応力を持たせた強化層を表面に有する強化ガラスに対して、容易にかつ安定してスクライブ予定ラインの終端部手前で亀裂の進展を止めることができる。したがって、強化ガラスにスクライブ溝を形成した時点で強化ガラスが自然分断するのを防止できる。[装置構成]図1は、本発明の一実施形態による方法を実施するためのスクライブ装置の概略構成を示す図である。スクライブ装置1は、例えば、マザーガラス基板を、FPDフラットパネルディスプレイに使用される複数の単位基板に分断するための装置である。ここでのガラス基板は、表面に強化層が形成された化学強化ガラスが主に用いられている。前述のように、この化学強化ガラスは、イオン交換処理によって表面に圧縮応力を持たせた強化層を有している。<スクライブ装置>スクライブ装置1は、レーザビームをガラス基板Gに向けて照射する照射部2と、冷却部3と、図示しない移動部と、を備えている。冷却部3は、図示しない冷媒源から供給される冷媒を、ノズル4を介して噴射して冷却スポットCPを形成する。移動部は、照射部2及び冷却部3のノズル4を、ガラス基板Gに設定されたスクライブ予定ラインSLに沿って、ガラス基板Gとの間で相対移動させる。照射部2は、レーザビームLBを照射するレーザ発振器例えば、CO2レーザを有し、このレーザビームLBを、光学系を介してガラス基板G上にビームスポットLSとして照射する。なお、ここでは図示していないが、ガラス基板Gの端部にスクライブの起点となる初期亀裂を形成するための初期亀裂形成手段が設けられている。初期亀裂形成手段としては、カッターホイール等の機械的ツールが用いられるが、レーザビームの照射によって初期亀裂を形成することも可能である。[スクライブ方法]まず、図1に示すように、カッターホイール等の初期亀裂形成手段を用いてガラス基板Gの端部にスクライブの起点となる初期亀裂TRを形成する。このとき、初期亀裂の深さは、強化ガラスの表面に形成された圧縮応力を有する強化層が剥離される程度の深さにする。具体的には、初期亀裂の深さを、強化層の厚みの1.0倍以上2.0倍以下の深さにする。以上の初期亀裂の前工程あるいは後工程として、スクライブ予定ラインSLの終端部に、スクライブ予定ラインSLに沿って進展する亀裂を止めるための複数の亀裂進展停止用溝Sを形成する。複数の亀裂進展停止用溝Sのそれぞれは、スクライブ予定ラインSLと直交する方向に所定の幅で形成される。また、亀裂進展停止用溝Sの深さは、後工程で形成されるスクライブ溝の深さより浅く形成するのが好ましい。その理由は、亀裂進展停止用溝Sが深すぎると、ガラス基板の内部の引張り応力により亀裂進展停止用溝Sを起点として自然に亀裂が進展し、この亀裂によって基板が分離してしまうからである。また、亀裂進展停止用溝Sの深さは、強化層の厚みより深くするのが望ましい。なお、亀裂進展用溝Sは、すべてのスクライブ予定ラインSLに直交する1本の溝でもよい。しかし、この溝形成時に発生する粉塵等の異物を少なくするためには、局所的に複数の溝を形成する方が好ましい。次に、ガラス基板Gに対して、照射部2からレーザビームLBが照射される。このレーザビームLBはビームスポットLSとしてガラス基板G上に照射される。そして、照射部2から出射されるレーザビームLBが、スクライブ予定ラインSLに沿ってガラス基板Gと相対的に移動させられる。ガラス基板GはビームスポットLSによってガラス基板Gの軟化点よりも低い温度に加熱される。また、冷却スポットCPをビームスポットLSの移動方向後方において追従させる。なお、ビームスポット及び冷却スポットの走査については、亀裂進展停止用の溝で停止することも考えられるが、レーザ照射の制御を容易にするために、ガラス基板Gの端部まで実行するのが望ましい。以上のようにして、レーザビームLBの照射によって加熱されたビームスポットLSの近傍には圧縮応力が生じるが、その直後に冷媒の噴射によって冷却スポットCPが形成されるので、垂直クラックの形成に有効な引張応力が生じる。この引張応力により、ガラス基板Gの端部に形成された初期亀裂TRを起点としてスクライブ予定ラインSLに沿った垂直クラックが形成され、所望のスクライブ溝が形成される。ここで、スクライブ予定ラインSLの終端部、すなわちガラス基板Gの周縁部には亀裂進展停止用の溝Sが形成されているので、スクライブ予定ラインSLに沿って進展する亀裂は、この溝Sによって停止する。このため、亀裂がガラス基板Gの全深さに進展することはなく、基板が自然に分断されるのを防止することができる。[ガラス基板の分断に関する検証]<従来例による実験例>図2に、従来の方法、すなわち亀裂進展停止用溝Sを形成することなく、スクライブ予定ラインの開始端から終了端までレーザ加熱及び冷却を行った場合の例を示している。基板は、全体厚みが07mmで、強化層の厚みが18μmの強化ガラスである。また、レーザビームの条件は、レーザ出力が200W、走査速度は200mmsecである。なお、図2では、ガラス基板の端部領域は表れていない。図2aはスクライブ直後の状態である。ここでは、スクライブ溝は、基板の全深さにわたって進展していない状態以下、この状態をハーフカットと記すであり、図では薄いラインで表れている。図2bはスクライブ処理から5秒後の状態である。ここでは、スクライブの開始点側図の右側から図の中央付近までスクライブラインがフルカット図では濃いラインで表れているされている。図2cはスクライブ処理から20秒後の状態である。ここでは、図で表れているすべての部分で、スクライブラインがフルカット図では濃いラインで表れているされている。このように、スクライブ予定ラインの開始端から終了端までのすべてにわたってレーザ加熱及び冷却を行ってスクライブ溝を形成した場合は、基板が自然に分断されるフルカットされる。<実施例>以上のような従来例に対して、亀裂進展停止用の溝Sを、スクライブ予定ラインSLの終端部、すなわち、ガラス基板Gの端面から10~20mmの間に形成することによって、基板のフルカットを避けることができた。なお、溝Sは、形成されるスクライブ溝の深さより浅く形成した。[初期亀裂に関する考察]本実施形態の方法では、初期亀裂の深さ等が製造品質に大きく影響する。そこで、初期亀裂の深さに関する実験例を以下に示す。<実験例1>図3に、全体厚みが0.55mmで、強化層の厚みが18μmの強化ガラスに対してスクライブ溝を形成した実験例1を示している。具体的には、図3は、初期亀裂形成時の工具のガラスに対する押圧荷重とそのときの溝深さとの関係を示すとともに、その後のレーザ加熱及び冷却処理によるスクライブ結果を示している。この場合の加熱処理のためのレーザ出力は200W、加工速度は230mmsecである。また、冷却条件は、ビーム後端に冷却ノズルを配置し、冷却水及びエアをビームスポットで加熱された部分に吐出している。この実験例1から、初期亀裂の溝深さが19~30μm強化層の厚みの105~167倍であれば、スクライブ予定ラインに沿って所望のスクライブ溝が形成されることがわかる。そして、溝深さが19μm未満では亀裂が確実に進展せず不安定である、また30μmを越えると割れが発生してスクライブ予定ライン以外に亀裂が形成されることがわかる。なお、初期亀裂の溝深さの例を図4に示している。この図4に示すように、所定の面積が確保されている最も深い部分までの深さを溝深さとしており、一部先鋭的に深部まで到達している亀裂については無視している。[実験例2]図5に、全体厚みが07mmで、強化層の厚みが21μmの強化ガラスに対してスクライブ溝を形成した実験例2を示している。図の横軸と縦軸の関係は図3と同様である。また、この場合の加熱処理のためのレーザ出力は200W、加工速度は170mmsecである。また、冷却条件は実験例1と同様である。この実験例2から、初期亀裂の溝深さが約24~50μm強化層の厚みの114~238倍であれば、スクライブ予定ラインに沿って所望のスクライブ溝が形成されることがわかる。そして、溝深さが24μm未満では亀裂が確実に進展せず不安定である、また50μmを越えると割れが発生してスクライブ予定ライン以外に亀裂が形成されることがわかる。なお、押付荷重が約6~24Nであれば、溝深さが50μmを越えても所望のスクライブ溝が形成されるが、溝深さのみに着目すると、初期亀裂の溝深さは約24~50μmが妥当である。[実験例3]図6に、全体厚みが11mmで、強化層の厚みが34μmの強化ガラスに対してスクライブ溝を形成した実験例3を示している。図の横軸と縦軸の関係は図3と同様である。また、この場合の加熱処理のためのレーザ出力は200W、加工速度は170mmsecである。また、冷却条件は実験例1と同様である。この実験例3から、初期亀裂の溝深さが約24~60μm強化層の厚みの071~176倍であれば、スクライブ予定ラインに沿って所望のスクライブ溝が形成されることがわかる。そして、溝深さ浅すぎる場合は亀裂が進展せず、また60μmを越えると亀裂進展が不安定であることがわかる。なお、実験例2と同様に、押付荷重が約6N~24Nであれば、溝深さが60μmを越えても所望のスクライブ溝が形成されるが、溝深さのみに着目すると、初期亀裂の溝深さは約24~60μmが妥当である[まとめ]以上から、スクライブ予定ラインに沿って所望のスクライブ溝を形成するためには、初期亀裂の深さは強化ガラスの強化層の厚みの10倍以上2.0倍以下であることが望ましいことがわかる。また、初期亀裂の深さは、ガラス板厚が0.55mmでは30μm55以下であること、ガラス板厚が07mmでは50μm71以下であること、ガラス板厚が11mmでは60μm54以下であることが望ましいことがわかる。このことは、初期亀裂の深さは、最大でもガラスの板厚の7以下であることが望ましいことを示している。[特徴]1スクライブ予定ラインSLの終端部、すなわち走査終了側の端部領域に、スクライブ予定ラインSLに対して直交する亀裂進展停止用の溝Sを形成しているので、基板のハーフカットが実現でき、基板の自然分断を避けることができる。したがって、クロススクライブ等の後の加工工程が容易になる。2スクライブ予定ラインの終端部における亀裂進展を停止させるための手段として、溝を形成しているので、簡単な方法で基板の自然分断を避けることができる。3亀裂進展停止用の溝は局所的に形成されているので、粉塵等の発生を極力抑えることができ、ガラス基板の品質の低下を避けることができる。[他の実施形態]本発明は以上のような実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変形又は修正が可能である。亀裂進展停止用の溝は、スクライブ予定ラインに対して直交するように形成するのが好ましいが、スクライブ予定ラインに交差するように形成されていれば直交していなくてもよい。