ポリイミドフィルムの表面に乾式めっき法により形成した1次金属層上に湿式めっき法で銅層を積層した銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法において、湿式めっき法を用いて銅層を積層する前に、前記ポリイミドフィルム或いは乾式めっき法により形成された1次金属層を有するポリイミドフィルムを、グリコール酸および硫酸を含有する水溶液中に浸漬する浸漬処理を施すことを特徴とする銅被覆ポリイミドフィルムの製造方法。前記グリコール酸および硫酸を含有する水溶液中への浸漬処理が、乾式法を用いて1次金属層を形成する前のポリイミドフィルムに対して行われ、且つ、浸漬後に洗浄した前記ポリイミドフィリムを、室温の真空雰囲気下で乾燥することを特徴とする請求項1に記載の銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法。前記グリコール酸および硫酸を含有する水溶液中への浸漬処理が、乾式法を用いて表面に1次金属層を形成したポリイミドフィルムに対して行われることを特徴とする請求項1に記載の銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法。前記グリコール酸および硫酸を含有する水溶液中への浸漬処理が、乾式法で1次金属層を形成する前のポリイミドフィルムと、前記1次金属層を表面に形成されたポリイミドフィルムに対しても行われ、且つ、前記乾式法で1次金属層を形成する前のポリイミドフィルムに対して行うグリコール酸および硫酸を含有する水溶液中への浸漬後に、洗浄したポリイミドフィリムを室温の真空雰囲気下で乾燥することを特徴とする請求項1に記載の銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法。前記グリコール酸及び硫酸を含有する水溶液のグリコール酸の含有量が、0.01~10mmol/L、硫酸含有量が、5~20重量部であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法。前記浸漬時のグリコール酸及び硫酸を含有する水溶液の液温が、35~60°Cの範囲にあることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法。前記浸漬時のグリコール酸及び硫酸を含有する水溶液中への浸漬時間が、1~10分であることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法。このような状況に鑑み、本発明は、金属層表面の微小な凹みの少ない銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法を提供することにある。上記課題を解決するために、銅被覆ポリイミドフィルム基板の金属層表面の微小な凹みが少ないフィルムの製造方法を鋭意研究した結果、ポリイミドフィルムをグリコール酸および硫酸を含有する水溶液に浸漬させて洗浄することが、銅被覆ポリイミドフィルム基板の金属層表面の凹みや配線パターニング時の欠陥を減少させることに効果があることを確認し、本発明に至った。すなわち、本発明の第一の発明は、ポリイミドフィルムの表面に乾式めっき法により形成した1次金属層上に湿式めっき法で銅層を積層した銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法において、湿式めっき法を用いて銅層を積層する前に、ポリイミドフィルム或いは乾式めっき法により形成された1次金属層を有するポリイミドフィルムを、グリコール酸および硫酸を含有する水溶液中に浸漬する浸漬処理を施すことを特徴とする銅被覆ポリイミドフィルムの製造方法である。本発明の第2の発明は、第1の発明におけるグリコール酸および硫酸を含有する水溶液中への浸漬処理が、乾式法を用いて1次金属層を形成する前のポリイミドフィルムに対して行われ、且つ、浸漬後洗浄した1次金属層を表面に有するポリイミドフィリムを室温の真空雰囲気下で乾燥することを特徴とする銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法である。本発明の第3の発明は、第1の発明におけるグリコール酸および硫酸を含有する水溶液中への浸漬処理が、乾式法を用いて表面に1次金属層を形成したポリイミドフィルムに対して行われることを特徴とする銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法である。本発明の第4の発明は、第1の発明におけるグリコール酸および硫酸を含有する水溶液中への浸漬処理が、乾式法で1次金属層を形成する前のポリイミドフィルムと、1次金属層を有するポリイミドフィルムの両者に対して行われ、且つ、乾式法で1次金属層を形成する前のポリイミドフィルムに対して行われるグリコール酸および硫酸を含有する水溶液中への浸漬後に、洗浄したポリイミドフィリムを室温の真空雰囲気で乾燥することを特徴とする銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法である。本発明の第5の発明は、第1から第4の発明におけるグリコール酸及び硫酸を含有する水溶液のグリコール酸の含有量が、0.01~10mmol/L、硫酸含有量が、5~20重量部であることを特徴とする銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法である。本発明の第6の発明は、第1から第5の発明おける浸漬時のグリコール酸及び硫酸を含有する水溶液の液温が、35~60°Cの範囲にあることを特徴とする銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法で、さらに第7の発明は、第1から第6の発明おける記浸漬時のグリコール酸及び硫酸を含有する水溶液中への浸漬時間が、1~10分であることを特徴とする銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法である。本発明の製造方法によれば、導電体をなす銅金属層表面の微小な凹みが少ない表面の平滑な銅被覆ポリイミドフィルム基板を得ることが可能となり、この銅被覆ポリイミドフィルム基板は、電子機器などに使用される配線板のファインピッチ化に対応できるもので、その工業的価値は極めて大きいものである。本発明の銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法を実施する形態について詳細に説明する。通常、銅被覆ポリイミドフィルム基板は、ポリイミドフィルム表面に蒸着法もしくはスパッタ法等の乾式めっき法で第1次金属層を形成し、その上に第2次金属層である銅層を電気めっき法、無電解めっき法もしくは両者を組み合わせた湿式めっき法で積層する。この金属層は、ポリイミドフィルムの片面のみに形成しても良いし、ポリイミドフィルムの両面に形成することもできる。ここで、銅被覆ポリイミドフィルム基板の表面に位置する金属層である銅層に発生する凹みの多くは、金属層形成前のポリイミドフィルム表面のパーティクル異物が、この第1次金属層、及び第2次金属層を積層する過程において欠陥めっき阻害を引き起こしたものであることを見出した。したがって、金属層を形成する前、望ましくは直前において、金属層を形成するポリイミドフィルム表面の異物を低減、取り除いてあることが、銅被覆ポリイミドフィルム基板の表面金属層である銅層表面の凹みを大幅に低減し、その健全性を高めるものである。そこで、ポリイミドフィルム表面の異物を低減、除去するには、まず素材であるポリイミドフィルムを清浄にしておくことが最も重要である。したがって、ポリイミドフィルムに乾式めっき法により1次金属層を形成する前に、ポリイミドフィルムをグリコール酸および硫酸を含有する水溶液以下、異物洗浄液と称す場合もある中に浸漬させる浸漬処理を施すのが最も有効である。この浸漬処理は、水溶液中への浸漬後の洗浄、乾燥の各処理を必要に応じて含むものである。このポリイミドフィルムをグリコール酸および硫酸を含有する水溶液異物洗浄液に浸漬するのは、湿式めっき法により銅層を積層する前であればよく、したがって1次金属層を形成する前に限らず、1次金属層を形成後でも良い。通常、1次金属層は薄いので1次金属層を形成した後でも、1次金属層を形成したポリイミドフィルムをグリコール酸および硫酸を含有する水溶液中に浸漬させることにより、表面に付着した異物を取り除くことが可能である。特にこの場合には、成膜装置内面から剥離落下して沈着した異物も取り除くことが可能である。さらに、1次金属層を形成する前及び1次金属層を形成した後の両方において浸漬させれば、より完全な異物除去ができる。このように、ポリイミドフィルムをグリコール酸および硫酸を含有する水溶液中に浸漬するタイミングは、2次金属層である銅層を積層するより前であればいつでも良く、例えば、乾式めっき法により下地層となる1次金属層を形成する前や、1次金属層を形成した後でも良い。あるいは、乾式めっき法により下地層となる1次金属層を形成する前及び後の2回行っても良い。なお、ポリイミドフィルムのグリコール酸および硫酸を含有する水溶液中への浸漬を、乾式法で1次金属層を形成する前に行う場合は、室温真空により乾燥を行うことが好ましい。加熱乾燥ではポリイミドフィルム表面に異物を生成させてしまい、浸漬の効果が得られない。また、乾燥が不十分であると、乾式法で形成した1次金属層が酸化してしまい、配線加工時に溶け残り絶縁性を保てないという不具合が発生するためである。以上の理由から、真空乾燥機を用いた室温真空雰囲気での乾燥を行うことが好ましい。さらに、浸漬に使用する異物洗浄液のグリコール酸含有量は、0.01~10mmol/Lのグリコール酸を含有していることが望ましい。この含有量が、0.01mmol/L未満の場合は異物低減の効果が少なく、10mmol/Lを超えて濃い場合は、排水の環境への負荷が大きくなるため好ましくない。また、硫酸の含有量は、異物洗浄液に5~20重量部の硫酸が含まれていることが望ましい。含有量が5重量部未満では、ポリイミドフィルム浸漬による銅被覆ポリイミドフィルム基板の金属層表面の凹みや、配線パターニング時に欠陥を減少させる効果が得られず、20重量部を超えては、1次金属層の溶解が多くなるため好ましくない。グリコール酸および硫酸含有水溶液異物洗浄液は、浸漬時の液温が35~60°Cであることが望ましい。この液温が35°C未満では、ポリイミドフィルム浸漬による銅被覆ポリイミドフィルム基板の金属層表面の凹みや、配線パターニング時に欠陥を減少させる効果が得られず、60°Cより高い液温では水の蒸発による消耗が多くなるので実用的ではない。また、ポリイミドフィルムの異物洗浄液への浸漬時間は1~10分間が望ましい。浸漬時間が1分未満では、ポリイミドフィルム浸漬による銅被覆ポリイミドフィルム基板の金属層表面の凹みや配線パターニング時に欠陥を減少させる効果が得られず、10分より長い時間では生産性が落ちるため実用的ではない。なお、ポリイミドフィルムのグリコール酸および硫酸含有水溶液異物洗浄液への浸漬方法は、生産性の点からリールtoリールで実施可能な搬送機を用いることが望ましい。浸漬後、水溶液中から取り出したポリイミドフィルムや1次金属層を有するポリイミドフィルムには、使用したグリコール酸および硫酸含有水溶液や異物などの残骸が残留しているために洗浄が施される。この洗浄方法としては、純水への浸漬や高圧純水などによる水洗処理を用いると良い。ついで、純水への浸漬や高圧純水等でグリコール酸及び硫酸を含有する水溶液異物洗浄液を、ポリイミドフィルム或いは1次金属層の表面から落とした後は、通常の方法でポリイミドフィルム上への銅被覆1次金属層形成、2次金属層形成が行われる。すなわち、ポリイミドフィルム上に蒸着法やスパッタ法等の乾式法を用いてNi、Cr、Cuなどの1次金属層を形成した後、電気めっき法もしくは無電解めっき法および両者を組み合わせた湿式法を用いて、2次金属層である銅層を厚く形成する。乾式法とは蒸着法やイオンプレーティング、スパッタ法等の物理的蒸着法PVD法や、化学反応による化学蒸着法CVD法を適宜用いることができるが、通常は蒸着法やスパッタ法が多く用いられる。湿式法とは電気めっき法や無電界めっき法もしくは両者を適宜組み合わせた方法を用いることができる。金属層の厚みは、銅被覆ポリイミドフィルム基板の用途により、適宜決定すればよいが、通常第1次金属層は、ポリイミドフィルムと銅導電層とを強固に接合させる役割を担うものであり、数オングストロームÅから数千オングストロームÅである。一方2次金属層は、電子回路の導電を担うものであり、所望の電流容量により、その厚みは、数μmから数百μmまでの厚みに形成する。また、2次金属層を形成する方法として、通常は電気銅めっき法が用いられる。以下に、実施例を用いて、本発明を詳細する。ポリイミドフィルムに、NiCr合金層及びCu層の積層からなる1次金属層を、それぞれスパッタ法を用いて形成し、その後電気めっき法を用いて銅層を積層する銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造における1次金属層を形成する前のポリイミドフィルムを、グリコール酸5mmol/L及び硫酸10重量部を含有する40°Cの水溶液異物洗浄液に5分間浸漬した。次いで、洗浄として高圧純水を用いて水洗処理し、真空乾燥機による室温の真空雰囲気での乾燥処理を経た後、ポリイミドフィルム上にスパッタ法を用いた乾式法で1次金属層としてNiCr合金を厚み500Å、Cuを厚み1000Åに形成した。続いて電気めっき法を用いて、第2次金属層である銅層を厚み8μmに形成した。作製した2次金属層の任意箇所の表面を観察して、20μm以上の凹みの100cm2あたりの個数を算出した。その結果は0.3個であった。実施例1のグリコール酸濃度を001mmol/Lに変更して同様の試験を行った。任意の2次金属層表面を観察し、100cm2あたりの発生している20μm以上の凹みの個数を算出したところ、0.5個であった。実施例1のグリコール酸濃度を10mmol/Lに変更して同様の試験を行った。任意の2次金属層表面を観察し、2次金属層表面100cm2あたりの発生している20μm以上の凹みの個数を算出したところ、0.3個であった。実施例1のグリコール酸および硫酸含有水溶液の温度を35°Cに変更して同様の試験を行った。任意の2次金属層表面を観察し、2次金属層表面100cm2あたりの発生している20μm以上の凹みの個数を算出したところ、0.4個であった。実施例1のグリコール酸および硫酸含有水溶液へのポリイミド浸漬時間を1分間に変更して同様の試験を行った。任意の2次金属層表面を観察し、2次金属層表面100cm2あたりの発生している20μm以上の凹みの個数を算出したところ、0.5個であった。実施例1のグリコール酸および硫酸含有水溶液へのポリイミド浸漬時間を10分間に変更して同様の試験を行った。任意の2次金属層表面を観察し、2次金属層表面100cm2あたりの発生している20μm以上の凹みの個数を算出したところ、0.3個であった。実施例1の硫酸濃度を5重量部に変更して同様の試験を行った。任意の2次金属層表面を観察し、2次金属層表面100cm2あたりの発生している20μm以上の凹みの個数を算出したところ、0.3個であった。実施例1の硫酸濃度を20重量部に変更して同様の試験を行った。任意の2次金属層表面を観察し、2次金属層表面100cm2あたりの発生している20μm以上の凹みの個数を算出したところ、0.3個であった。実施例1のポリイミドをグリコール酸および硫酸含有水溶液へ浸漬させるタイミングを1次金属層形成後に変更して同様の試験を行った。浸漬後は乾燥を実施せず高圧純水で水洗した後に2次金属層を形成した。任意の2次金属層表面を観察し、2次金属層表面100cm2あたりの発生している20μm以上の凹みの個数を算出したところ、0.4個であった。実施例1のポリイミドをグリコール酸および硫酸含有水溶液へ浸漬させるタイミングを1次金属層形成前、及びスパッタ法による1次金属層形成後の2回実施するように変更して同様の試験を行った。1次金属層形成前の浸漬後は、高圧純水で水洗した後に真空乾燥機による室温真空雰囲気で乾燥した。1次金属層形成後の浸漬後は乾燥を実施せず高圧純水で水洗した後に第2次金属層を形成した。任意の2次金属層表面を観察し、2次金属層表面100cm2あたりの発生している20μm以上の凹みの個数を算出したところ、0.3個であった。[比較例1]実施例1のグリコール酸および硫酸含有水溶液へのポリイミド浸漬を行わず同様の試験を行った。任意の2次金属層表面を観察し2次金属層表面100cm2あたりの発生している20μm以上の凹みの個数を算出したところ、1.0個であった。[比較例2]実施例1のグリコール酸濃度を0.005mmol/Lに変更して同様の試験を行った。任意の2次金属層表面を観察し、2次金属層表面100cm2あたりの発生している20μm以上の凹みの個数を算出したところ、0.9個であった。[比較例3]実施例1の硫酸濃度を1重量部に変更して同様の試験を行った。任意の2次金属層表面を観察し、2次金属層表面100cm2あたりの発生している20μm以上の凹みの個数を算出したところ、0.9個であった。[比較例4]実施例1のグリコール酸および硫酸含有水溶液の温度を25°Cに変更して同様の試験を行った。任意の2次金属層表面を観察し、2次金属層表面100cm2あたりの発生している20μm以上の凹みの個数を算出したところ、0.8個であった。[比較例5]実施例1のグリコール酸および硫酸含有水溶液へのポリイミド浸漬時間を0.5分に変更して同様の試験を行った。任意の2次金属層表面を観察し、2次金属層表面100cm2あたりの発生している20μm以上の凹みの個数を算出したところ、0.9個であった。[比較例6]実施例1の乾燥条件を、大気150°C雰囲気に変更して同様の試験を行った。任意の2次金属層表面を観察し、2次金属層表面100cm2あたりの発生している20μm以上の凹みの個数を算出したところ、0.9個であった。[比較例7]実施例9の硫酸濃度を30重量部に変更して同様の試験を行った。一次金属層が溶解してしまい、第2次金属層を形成できなかった。これら各実施例および比較例の浸漬条件を表1に示し、2次金属層表面100cm2当たりの発生している20μm以下の凹みの個数を表2に示す。表1~2の結果から、本発明の製造方法に従って得られた実施例では、外観が平滑で凹みが少ない良好な銅被覆ポリイミドフィルム基板が得られていることがわかる。これに対して比較例では、金属層表面の凹み数が、実施例に比べて増加し、またグリコール酸および硫酸を含有する水溶液への浸漬処理を施していない比較例1と比べて差のない結果を示しており、効果が見られなかった。