"光入射に応じて電荷を発生し且つ平面形状が二つの長辺と二つの短辺とによって形作られる略矩形状をなし、前記長辺に交差する第1方向に並置された複数の光感応領域を有する光電変換部と、前記複数の光感応領域に対向して配置された導電性部材を有し、前記光感応領域の一方の前記短辺側から他方の前記短辺側に向かう第2方向に沿って高くされた電位勾配を形成する電位勾配形成部と、前記複数の光感応領域からそれぞれ転送された電荷を取得し、前記第1方向に転送して出力する電荷出力部と、を備え、前記導電性部材は、前記第2方向での両端部間を前記第2方向に伸び且つ第1電気抵抗率を有する第1領域と、前記両端部間を前記第2方向に伸び且つ前記第1電気抵抗率よりも小さい第2電気抵抗率を有する第2領域と、を含んでいることを特徴とする固体撮像装置。前記導電性部材は、不純物が添加されたポリシリコンからなり、前記第2領域は、前記不純物の濃度が前記第1領域に比して高いことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。前記導電性部材は、複数の前記第1領域及び複数の前記第2領域を含み、前記第1領域と前記第2領域とは、前記第1方向に沿って交互に配置されていることを特徴とする請求項1又は2記載の固体撮像装置。前記第2領域は、前記光感応領域毎に対応して配置されていることを特徴とする請求項3記載の固体撮像装置。前記電位勾配形成部は、前記第1方向にわたって前記両端部にそれぞれ接続された一対の電極を更に含んでいることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の固体撮像装置。導電性部材の電気抵抗値は、固体撮像装置の動作及び特性の安定性を考慮して設定される。例えば、導電性部材の電気抵抗値は、光感応領域で発生する電荷量に対し十分な読出し速度が得られると共に、導電性部材の発熱量を抑えて暗電流が増加しないように設定される。しかしながら、導電性部材に個体差が存在し、この個体差によって導電性部材の電気抵抗値が製品毎にばらついてしまうと、固体撮像装置の動作及び特性の安定性を確保することが困難となるという問題点が生じる懼れがある。そこで、本発明の課題は、電位勾配形成部の導電性部材の電気抵抗値にばらつきが生じ難く、動作及び特性の安定性を確保することが可能な固体撮像装置を提供することである。本発明者等が、導電性部材の個体差、特に、電気抵抗率電気抵抗値のばらつきに関して調査研究した結果、以下のような事象を知見するに至った。導電性部材の電気抵抗率のばらつきは、電気抵抗率の値に応じて変化する。例えば、導電性部材としてポリシリコンからなる導電性部材を用いた場合、電気抵抗率を低く設定した場合にはばらつきが生じ難く、電気抵抗率を高く設定した場合にはばらつきが生じ易いという傾向を示す。したがって、導電性部材の電気抵抗率をばらつきが生じ難い値に設定すれば、ばらつきは低減されるものの、その値は固体撮像装置の動作及び特性の安定性を確保する値では必ずしもないため、上述した問題点を解決することは困難である。かかる事象を踏まえ、本発明に係る固体撮像装置は、光入射に応じて電荷を発生し且つ平面形状が二つの長辺と二つの短辺とによって形作られる略矩形状をなし、長辺に交差する第1方向に並置された複数の光感応領域を有する光電変換部と、複数の光感応領域に対向して配置された導電性部材を有し、光感応領域の一方の短辺側から他方の短辺側に向かう第2方向に沿って高くされた電位勾配を形成する電位勾配形成部と、複数の光感応領域からそれぞれ転送された電荷を取得し、第1方向に転送して出力する電荷出力部と、を備え、導電性部材は、第2方向での両端部間を第2方向に伸び且つ第1電気抵抗率を有する第1領域と、両端部間を第2方向に伸び且つ第1電気抵抗率よりも小さい第2電気抵抗率を有する第2領域と、を含んでいることを特徴とする。本発明に係る固体撮像装置では、導電性部材は、第1電気抵抗率を有する第1領域と、第1電気抵抗率よりも小さい第2電気抵抗率を有する第2領域と、を含んでいる。このように、第1領域と第2領域とは電気抵抗率が異なることから、そのばらつきも異なることとなり、第1領域と第2領域とのいずれか一方は他方に比してばらつきが生じ難くなっている。このため、導電性部材全体で見ると電気抵抗率のばらつきが低く抑えられることとなる。本発明では、導電性部材の電気抵抗は、第1領域の電気抵抗と第2領域の電気抵抗とが並列接続された合成抵抗で表されることとなる。したがって、第1領域と第2領域とからなる合成抵抗の値が、固体撮像装置の動作及び特性の安定性を確保する値に設定されればよい。このため、導電性部材の電気抵抗値を固体撮像装置の動作及び特性の安定性を確保する値に容易に設定することができ、ばらつきの抑制に影響を与えることはない。導電性部材は、不純物が添加されたポリシリコンからなり、第2領域は、不純物の濃度が第1領域に比して高いことが好ましい。この場合、ポリシリコンからなる導電性部材が、電気抵抗率が異なる第1領域と第2領域とを含むこととなり、導電性部材の電気抵抗率のばらつきを低く抑えつつ、固体撮像装置の動作及び特性の安定性を確保することができる。導電性部材は、複数の第1領域及び複数の第2領域を含み、第1領域と第2領域とは、第1方向に沿って交互に配置されていることが好ましい。この場合、電荷の読出し速度や導電性部材での発熱量が第1方向にわたって略均一になり、固体撮像装置の動作及び特性がより安定する。第2領域は、光感応領域毎に対応して配置されていることが好ましい。この場合、電荷の読出し速度や導電性部材での発熱量が各光感応領域で略均一になり、固体撮像装置の動作及び特性がより安定する。電位勾配形成部は、第1方向にわたって両端部にそれぞれ接続された一対の電極を更に含んでいることが好ましい。この場合、導電性部材の両端部の電位が第1方向にわたって略均一になり、電位勾配が第1方向にわたって略均一に形成されるこことなる。この結果、固体撮像装置の動作及び特性がより安定する。本発明によれば、電位勾配形成部の導電性部材の電気抵抗値にばらつきが生じ難く、動作及び特性の安定性を確保することが可能な固体撮像装置を提供することができる。以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。図1は、本実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す平面図である。図2は、図1におけるII-II線に沿った断面構成を説明する図である。図3は、図1におけるIII-III線に沿った断面構成を説明する図である。本実施形態に係る固体撮像装置1は、光電変換部2と、電位勾配形成部3と、複数のバッファゲート部4と、複数の転送部5と、電荷出力部としてのシフトレジスタ6とを備えている。固体撮像装置1は、例えば分光器の光検出手段として用いることができる。光電変換部2は、光入射に応じて電荷を発生し且つ平面形状が二つの長辺と二つの短辺とによって形作られる略矩形状をなした複数の光感応領域7を有する。複数の光感応領域7は、上記長辺に交差する第1方向に並置ここでは上記短辺に沿う一次元方向にアレイ状に配置されている。隣り合う光感応領域7の間には、アイソレーション領域不図示がそれぞれ配置されており、光感応領域7の間を電気的に分離している。本実施形態では、第1方向は上記長辺と直交している。電位勾配形成部3は、複数の光感応領域7に対向するように配置された導電性部材8を有し、各光感応領域7の一方の短辺から他方の短辺へ向かう第2方向に沿って高くされた電位勾配を形成する。電位勾配形成部3は、一対の電極9a,9bを有している。電極9a,9bは、導電性部材8の第2方向での両端部にそれぞれ配置されている。電極9aは、上記一方の短辺側の端部に配置され、電極9bは、上記他方の短辺側の端部に配置されている。電極9a,9bは、導電性部材8の第2方向での端より内側にそれぞれ配置されている。電極9a,9bは、導電性部材8の第2方向での端にそれぞれ配置されていてもよい。導電性部材8は、複数の第1領域8aと複数の第2領域8bとを含んでいる。第1領域8aは、電極9a,9b間を第2方向に伸び且つ第1電気抵抗率を有する領域である。第2領域8bは、電極9a,9b間を第2方向に伸び且つ第1電気抵抗率よりも低い第2電気抵抗率を有する領域である。第1領域8aと第2領域8bは、上記第1方向に沿って交互に配置されている。複数の第2領域8bは、複数の光感応領域7と同じピッチで配置されている。複数の第2領域8bは、光感応領域7毎に対応して配置されている。導電性部材8の電気抵抗は、第1領域8aの電気抵抗と第2領域8bの電気抵抗とが並列接続された合成抵抗で表されることとなる。各バッファゲート部4は、各光感応領域7にそれぞれ対応し、第2方向に隣接して配置されている。すなわち、複数のバッファゲート部4は、各光感応領域7の他方の短辺側において、上記第1方向に並置されている。隣り合うバッファゲート4の間には、アイソレーション領域不図示がそれぞれ配置されており、バッファゲート4の間を電気的に分離している。各バッファゲート部4は、各光感応領域7で発生し蓄積された電荷をそれぞれ取得し、各転送部5に向けて転送する。各転送部5は、各バッファゲート部4にそれぞれ対応し、第2方向に隣接して配置されている。すなわち、複数の転送部5は、各光感応領域7の上記他方の短辺側において、上記第1方向に並置されている。隣り合う転送部5の間には、アイソレーション領域不図示がそれぞれ配置されており、転送部5の間を電気的に分離している。各転送部5は、各バッファゲート部4からそれぞれ転送された電荷を取得し、シフトレジスタ6に向けて転送する。シフトレジスタ6は、各転送部5と第2方向に隣接して配置されている。すなわち、シフトレジスタ6は、光感応領域7の上記他方の短辺側に配置されている。シフトレジスタ6は、各転送部5からそれぞれ転送された電荷を取得し、上記第1方向に転送して、アンプ部10に順次出力する。シフトレジスタ6から出力された電荷は、アンプ部10によって電圧に変換され、各光感応領域7毎の電圧として固体撮像装置1の外部に出力される。光電変換部2、電位勾配形成部3、複数のバッファゲート部4、複数の転送部5、シフトレジスタ6は、図2に示されるように半導体基板20上に形成される。半導体基板20は、基体となるp型半導体層21と、p型半導体層21の一方面側に形成されたn型半導体層22,23,25,27,n-型半導体層24,26,及びp型半導体層28,29とを含んでいる。図3に示されるように、半導体基板20は、p型半導体層21の一方面側に形成されたp型半導体層30を含んでいる。本実施形態では、基板材料としてSiを用いており、高不純物濃度とは不純物濃度が例えば1×1017cm-3程度以上のことであって、を導電型に付けて示し、低不純物濃度とは不純物濃度が例えば1×1015cm-3程度以下のことであって、-を導電型に付けて示すものとする。n型不純物としては砒素やリンなどがあり、p型不純物としては硼素などがある。図2に示されるように、n型半導体層22は、p型半導体層21とpn接合を形成しており、n型半導体層22により光感応領域7が構成されている。光感応領域7は、n型半導体層22側からの光入射に応じて電荷を発生する。n型半導体層22は、平面視で二つの長辺と二つの短辺とによって形作られる略矩形状をなし、当該矩形状が光感応領域7の上記矩形状と対応している。n型半導体層22は、上記第1方向に並置されている。n型半導体層22の間には、p型半導体層30が配置され、このp型半導体層30により光感応領域7の間のアイソレーション領域が構成されている図3参照。n型半導体層22上には、導電性部材8が配置されている。導電性部材8は、光を透過する材料ここではポリシリコンからなり、絶縁層図示せずを介してn型半導体層22上に形成されている。導電性部材8の上記第2方向での両端部には、電極9a,9bがそれぞれ接続されている。電極9a,9bは、第1領域8a及び第2領域8bの第2方向での両端部にそれぞれ接続されている。導電性部材8及び電極9a,9bは、上記第1方向に伸び、各n型半導体層22にわたるように形成されている図1参照。導電性部材8は、いわゆる抵抗性ゲートを構成している。電極9a,9b間に電位差が与えられる電圧が印加されると、導電性部材8には、n型半導体層22の一方の短辺から他方の短辺に向って上記第2方向に沿って高くされた電位勾配が形成される。電極9aには、制御回路図示せずから信号MGLが与えられ、電極9bには、制御回路図示せずから信号MGHが与えられる。信号MGLと信号MGHとがLレベルであると、導電性部材8には電位勾配が形成されない。信号MGLのHレベルでの印加電圧と信号MGHのHレベルでの印加電圧とは、異なっている。すなわち、信号MGHのHレベルでの印加電圧は、信号MGLのHレベルでの印加電圧よりも高い。このため、信号MGLと信号MGHとがHレベルであると、第2方向に沿って高くされた電位勾配が導電性部材8に形成される。n型半導体層23は、n型半導体層22と第2方向に隣接して配置されている。n型半導体層23によりバッファゲート部4が構成されている。n型半導体層23は、各n型半導体層22にそれぞれ対応し、上記第1方向に並置されている。n型半導体層23の間には、n型半導体層22の場合と同様にp型半導体層30が配置され、バッファゲート部4の間のアイソレーション領域が構成されている。n型半導体層23上には、電極41が配置されている。電極41は、絶縁層図示せずを介してn型半導体層23上に形成されている。電極41は、上記第1方向に伸び、各n型半導体層23にわたるように形成されている。電極41は、各n型半導体層23毎に形成されていてもよい。電極41には、信号BGが与えられ、バッファゲート部4が駆動される。n-型半導体層24は、n型半導体層23と上記第2方向に隣接して配置されている。n型半導体層25は、n-型半導体層24と第2方向に隣接して配置されている。n-型半導体層24及びn型半導体層25により転送部5が構成されている。n-型半導体層24及びn型半導体層25は、各n型半導体層23にそれぞれ対応し、上記第1方向に並置されている。n-型半導体層24同士の間及びn型半導体層25同士の間には、n型半導体層22の場合と同様にp型半導体層30が配置され、転送部5の間のアイソレーション領域が構成されている。n-型半導体層24,n型半導体層25上には、電極42,43がそれぞれ配置されている。電極42,43は、絶縁層図示せずを介してn-型半導体層24,n型半導体層25上にそれぞれ形成されている。電極42,43は、上記第1方向に伸び、各n-型半導体層24,各n型半導体層25にわたるように形成されている。電極42,43は、n-型半導体層24毎、n型半導体層25毎に形成されていてもよい。電極42及び電極43には、信号TGが与えられ転送部5が駆動される。n-型半導体層26は、n型半導体層25と上記第2方向に隣接して配置されている。n型半導体層27は、n-型半導体層26と第2方向に隣接して配置されている。n-型半導体層26及びn型半導体層27は、各n型半導体層25にそれぞれ対応し、上記第1方向に隣接して並置されている。第1方向に隣接したn-型半導体層26及びn型半導体層27によりシフトレジスタ6が構成されている。n-型半導体層26,n型半導体層27上には、電極44,45がそれぞれ配置されている。電極44,45は、絶縁層図示せずを介してn-型半導体層26,n型半導体層27上にそれぞれ形成されている。電極44,45は、n-型半導体層26毎、n型半導体層27毎に形成されている。電極44及び電極45には、信号PGが与えられシフトレジスタ6が駆動される。p型半導体層28は、n型半導体層22に対し、上記第2方向と逆の方向に隣接して配置されている。p型半導体層29は、n型半導体層27と第2方向に隣接して配置されている。p型半導体層28,29は、n型半導体層22,23,25,27及びn-型半導体層24,26を半導体基板20の他の部分から電気的に分離している。上述した各絶縁層は、光を透過する材料、例えば、シリコン酸化膜からなる。n型半導体層22を除く、n型半導体層23,25,27,及びn-型半導体層24,26は、不要な電荷が生じるのを防ぐために遮光部材を配置するなどして遮光されていることが好ましい。続いて、図4及び図5に基づいて、固体撮像装置1における動作を説明する。図4は、本実施形態に係る固体撮像装置において、入力される各信号のタイミングチャートである。図5a~cは、図4における各時刻での電荷の移動の蓄積及び排出動作を説明するためのポテンシャル図である。ところで、n型の半導体では正にイオン化したドナーが存在し、p型の半導体では負にイオン化したアクセプターが存在する。pn接合におけるポテンシャルは、p型よりもn型の方が高くなる。換言すれば、エネルギーバンド図におけるポテンシャルは、下向きが正方向となるため、n型の半導体におけるポテンシャルは、エネルギーバンド図においてp型の半導体のポテンシャルよりも深くなる高くなる。各電極9,41~45に正電位を印加すると、電極直下の半導体領域のポテンシャルが深くなる正方向に大きくなる。各電極に印加される正電位の大きさを小さくすると、対応する電極直下の半導体のポテンシャルが浅くなる正方向に小さくなる。図4に示される時刻t1のように、各信号MGL,MGH,TG,PGがLレベルであり、信号BGがHレベルであると、n型半導体層22のポテンシャルφ22は、p型半導体層28およびn-型半導体層24よりも深くなり、n型半導体層23のポテンシャルφ23はポテンシャルφ22よりもさらに深くなる。これにより、ポテンシャルφ22,φ23の井戸が形成される図5a参照。この状態でn型半導体層22に光が入射して電荷が発生すると、発生した電荷は、ポテンシャルφ22,φ23の井戸内に蓄積される。時刻t2において、信号MGLと信号MGHとがHレベルであると、導電性部材8に上記第2方向に沿って高くされた電位勾配が形成される。この電位勾配に応じてポテンシャルφ22はn型半導体層23に向かって深くなるように傾斜し、ポテンシャルφ22の井戸に蓄積された電荷がポテンシャルφ23の井戸に移動する。すなわち、光感応領域7で発生し蓄積された電荷がバッファゲート部4に取得される。同じく、時刻t2において、信号TGがHレベルであると、n-型半導体層24のポテンシャルφ24はポテンシャルφ23よりも深くなり、n型半導体層25のポテンシャルφ25はポテンシャルφ24よりもさらに深くなる。これにより、ポテンシャルφ24,φ25の井戸が形成される。ポテンシャルφ23の井戸内に蓄積されていた電荷は、ポテンシャルφ25の井戸に移動する。すなわち、バッファゲート部4から転送された電荷が、転送部5に取得される図5b参照。時刻t3において、各信号MGL,MGH,TGがLレベル、PGがHレベルであると、n-型半導体層26のポテンシャルφ26はポテンシャルφ25よりも深くなり、n型半導体層27のポテンシャルφ27はポテンシャルφ26よりもさらに深くなる。これにより、ポテンシャルφ26,φ27の井戸が形成される。ポテンシャルφ25の井戸内に蓄積されていた電荷は、ポテンシャルφ27の井戸に移動する。すなわち、転送部5から転送された電荷が、シフトレジスタ6に取得される図5c参照。この後、シフトレジスタ6に取得された電荷は、電荷転送期間TPにおいて、上記第1方向に順次転送され、アンプ部10に出力されることとなる。図4での図示は省略するが、シフトレジスタ6における第1方向の電荷転送は、信号PG等を用いて行われる。続いて、図6に基づいて、導電性部材8の電気抵抗について説明する。図6は、ポリシリコンにおける不純物濃度と電気抵抗率との関係を示す線図であり、横軸は不純物濃度、縦軸は電気抵抗率である。導電性部材8は不純物が添加されたポリシリコンからなる。図6の曲線P1は、ポリシリコンに添加された不純物の濃度に対する電気抵抗率の変化特性を示している。曲線P1は、不純物濃度が高くなるのに応じ、電気抵抗率が小さくなると共に、傾斜が緩やかになる傾向を示している。曲線P1の傾斜が緩やかであることは、不純物濃度がばらついても電気抵抗率のばらつきが生じ難いことを意味している。曲線P1は、傾斜が一定となる直線部P1a,P1bを有している。直線部P1a及び直線部P1bでは、電気抵抗率と不純物濃度の関係は一定であり、電気抵抗率のばらつき易さも一定である。直線部P1bは、直線部P1aよりも不純物濃度の高い領域に位置している。直線部P1bの傾きは直線部P1aに比して緩やかになっており、直線部P1b上の電気抵抗率は、直線部P1a上の電気抵抗率に比してばらつきが生じ難くなっている。導電性部材8の電気抵抗、すなわち第1領域8aと第2領域8bとの合成抵抗の値は、固体撮像装置1の動作及び特性の安定性を確保する値に設定されている。導電性部材8の電気抵抗の値は、光感応領域7で発生する電荷量に対し十分な読出し速度が得られると共に、導電性部材8の発熱量を抑えて暗電流が増加しないように設定されている。導電性部材8の電気抵抗の設定値に対応する導電性部材8全体の平均電気抵抗率は、直線部P1a上の所定値となっている。上記第2電気抵抗率は、上記所定値よりも小さく且つ直線部P1b上の値に設定されている。これに対し、上記第1電気抵抗率は、導電性部材8全体の平均電気抵抗率を上記所定値とするために、上記所定値よりも大きい値に設定されている。第1電気抵抗率の設定値は、直線部P1a上の値となっている。第2電気抵抗率の値は、直線部P1b上にあるため、直線部P1a上にある上記所定値に比してばらつきが生じ難くなっている。上記所定値及び第1電気抵抗率の値は、いずれも直線部P1a上にあるため、上記所定値と第1電気抵抗率の値とでばらつきの生じやすさは同じである。このため、導電性部材8全体の電気抵抗率を一様に上記所定値とする場合に比べ、導電性部材8の電気抵抗のばらつきが低く抑えられている。以上のように、本実施形態では、導電性部材8は、第1電気抵抗率を有する第1領域8aと、第1電気抵抗率よりも小さい第2電気抵抗率を有する第2領域8bとを含んでいる。第1領域8aと第2領域8bとは電気抵抗率が異なることから、そのばらつきも異なることとなる。本実施形態の導電性部材8は、不純物が添加されたポリシリコンからなり、ポリシリコンの性質によって第2領域8bのばらつきが生じ難くなっている。このため、導電性部材8全体で見ると電気抵抗率のばらつきが低く抑えられている。導電性部材8の電気抵抗は、第1領域8aの電気抵抗と第2領域8bの電気抵抗とが並列接続された合成抵抗で表されることとなる。したがって、第1領域8aと第2領域8bとからなる合成抵抗の値が、固体撮像装置1の動作及び特性の安定性を確保する所定の値に設定されればよい。本実施形態では、第2電気抵抗率をばらつきの生じにくい値に設定しつつ、第1電気抵抗率を調整することで、導電性部材8の電気抵抗を固体撮像装置1の動作及び特性の安定性を確保する値に容易に調整している。このため、導電性部材8の電気抵抗値に関する制約条件が、第2領域8bによるばらつきの抑制に影響を与えていない。本実施形態では、導電性部材8は、複数の第1領域8a及び複数の第2領域8bを含み、第1領域8aと第2領域8bとは、上記第1方向に沿って交互に配置されている。これにより、電荷の読出しスピードや導電性部材8での発熱量が第1方向にわたって略均一になり、固体撮像装置1の動作及び特性がより安定する。第2領域8bは、光感応領域7毎に対応して配置されている。これにより、電荷の読出しスピードや導電性部材での発熱量が各光感応領域7で略均一になり、固体撮像装置1の動作及び特性がより安定する。電位勾配形成部3は、上記第1方向にわたって導電性部材8の両端部にそれぞれ接続された一対の電極9a,9b備えており、電極9a,9bは、各光感応領域7にわたるように形成されている。これにより、導電性部材8の両端部の電位が第1方向にわたって略均一になり、電位勾配が第1方向にわたって略均一になるため、固体撮像装置1の動作及び特性がより安定する。以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。本実施形態では、第2領域8bは光感応領域7毎に対応して配置されているが、これに限られない。例えば、図7に示されるように、第2領域8bは複数の光感応領域7毎に配置されていてもよい。図7に示された固体撮像装置1では、動作及び特性の安定性を確保するように設定される導電性部材8の電気抵抗は、図1に示された固体撮像装置1と同等に設定される。この場合、第1領域8aの面積の総和及び第2領域8bの面積の総和は、図1に示された固体撮像装置1における各総和と同等に設定される。このため、図7に示された固体撮像装置1では、第1領域8a及び第2領域8bの個々の面積を大きく設定でき、導電性部材8を容易に形成することができる。光感応領域7毎に複数の第2領域8bを配置してもよい。この場合、電荷の読出しスピードや導電性部材8での発熱量が第1方向にわたって一層均一になる。導電性部材8及び電極9a,9bは、上記第1方向に伸び、各光感応領域7にわたるように形成されているが、複数に分割して形成されていてもよい。光感応領域7は、短辺に沿う1次元方向にアレイ状に配置されているが、長辺に沿う方向にも配置され、短辺方向と長辺方向に沿う2次元方向にアレイ状に配置されていてもよい。固体撮像装置1は、n型半導体層22側から光が入射する表面入射型とされているが、これに限られない。固体撮像装置1は、p型半導体層21側から光が入射する裏面入射型とされていてもよい。"