"3つ以上の芳香環を有する2価の芳香族基Rを有する芳香族ジアミン類からなるジアミン成分及び酸成分を共沸溶剤の存在下で合成反応させて得られる樹脂成分Xと、2,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY1及び4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY2からなるジイソシアネート成分Yと、を合成反応させて得られる下記化学式1で表される繰り返し単位を有するポリアミドイミド樹脂を含有する絶縁塗料。式1中、Rは、前記の、3つ以上の芳香環を有する2価の芳香族基を示し、m、nは、1~99の整数を示す。前記ジイソシアネート成分を構成する、2,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY1と4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY2との配合割合は、モル百分率[{Y1/Y1Y2}×100]で、10~90である請求項1に記載の絶縁塗料。前記3つ以上の芳香環を有する2価の芳香族基Rを有する芳香族ジアミン類は、2,2-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]プロパンBAPP、ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]スルホン、ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]エーテル、9,9-ビス4-アミノフェニルフルオレン、4,4’-ビス4-アミノフェノキシビフェニル、1,4-ビス4-アミノフェノキシベンゼン、及びこれらの異性体からなる群から選択される少なくとも1つの化合物である請求項1又は2に記載の絶縁塗料。前記共沸溶剤は、キシレンである請求項1~3のいずれかに記載の絶縁塗料。3つ以上の芳香環を有する2価の芳香族基Rを有する芳香族ジアミン類からなるジアミン成分及び酸成分を共沸溶剤の存在下で合成反応させて樹脂成分Xを得る工程と、得られた前記樹脂成分Xと、2,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY1及び4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY2からなるジイソシアネート成分Yとを合成反応させて下記化学式1で表される繰り返し単位を有するポリアミドイミド樹脂を得る工程と、を含む絶縁塗料の製造方法。式1中、Rは、前記の、3つ以上の芳香環を有する2価の芳香族基を示し、m、nは、1~99の整数を示す。前記ジイソシアネート成分を構成する、2,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY1と4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY2との配合割合は、モル百分率[{Y1/Y1Y2}×100]で、10~90である請求項5に記載の絶縁塗料の製造方法。前記3つ以上の芳香環を有する2価の芳香族基Rを有する芳香族ジアミン類は、2,2-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]プロパンBAPP、ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]スルホン、ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]エーテル、9,9-ビス4-アミノフェニルフルオレン、4,4’-ビス4-アミノフェノキシビフェニル、1,4-ビス4-アミノフェノキシベンゼン、及びこれらの異性体からなる群から選択される少なくとも1つの化合物である請求項5又は6に記載の絶縁塗料の製造方法。前記共沸溶剤は、キシレンである請求項5~7のいずれかに記載の絶縁塗料の製造方法。請求項1~4のいずれかに記載の絶縁塗料を、導体又は他の絶縁被膜上に塗布、焼付けすることによって形成された絶縁被膜を有する絶縁電線。長方形状の断面を有する請求項9に記載の絶縁電線。請求項1~4のいずれかに記載の絶縁塗料を、円形形状の断面を有する導体上に塗布、焼付けすることによって絶縁被膜を形成する工程と、前記導体と前記絶縁被膜とを圧延加工して、長方形状の断面を有する絶縁電線とする工程とを含む絶縁電線の製造方法。本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、従来と同等の部分放電開始電圧を有するとともに圧延加工時やコイル成形時等に亀裂等が発生しない機械的強度を有する絶縁被膜を形成することが可能な絶縁塗料及びその製造方法並びにそれを用いた絶縁電線及びその製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明によれば、以下の絶縁塗料及びその製造方法並びにそれを用いた絶縁電線及びその製造方法が提供される。[1]3つ以上の芳香環を有する2価の芳香族基Rを有する芳香族ジアミン類からなるジアミン成分及び酸成分を共沸溶剤の存在下で合成反応させて得られる樹脂成分Xと、2,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY1及び4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY2からなるジイソシアネート成分Yと、を合成反応させて得られる下記化学式1で表される繰り返し単位を有するポリアミドイミド樹脂を含有する絶縁塗料。式1中、Rは、前記の、3つ以上の芳香環を有する2価の芳香族基を示し、m、nは、1~99の整数を示す。[2]前記ジイソシアネート成分Yを構成する、2,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY1と4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY2との配合割合は、モル百分率[{Y1/Y1Y2}×100]で、10~90である前記[1]に記載の絶縁塗料。[3]前記3つ以上の芳香環を有する2価の芳香族基Rを有する芳香族ジアミン類は、2,2-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]プロパンBAPP、ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]スルホン、ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]エーテル、9,9-ビス4-アミノフェニルフルオレン、4,4’-ビス4-アミノフェノキシビフェニル、1,4-ビス4-アミノフェノキシベンゼン、及びこれらの異性体からなる群から選択される少なくとも1つの化合物である前記[1]又は[2]に記載の絶縁塗料。[4]前記共沸溶剤は、キシレンである前記[1]~[3]のいずれかに記載の絶縁塗料。[5]3つ以上の芳香環を有する2価の芳香族基Rを有する芳香族ジアミン類からなるジアミン成分及び酸成分を共沸溶剤の存在下で合成反応させて樹脂成分Xを得る工程と、得られた前記樹脂成分Xと、2,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY1及び4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY2からなるジイソシアネート成分Yとを合成反応させて下記化学式1で表される繰り返し単位を有するポリアミドイミド樹脂を得る工程と、を含む絶縁塗料の製造方法。式1中、Rは、前記の、3つ以上の芳香環を有する2価の芳香族基を示し、m、nは、1~99の整数を示す。[6]前記ジイソシアネート成分Yを構成する、2,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY1と4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY2との配合割合は、モル百分率[{Y1/Y1Y2}×100]で、10~90である前記[5]に記載の絶縁塗料の製造方法。[7]前記3つ以上の芳香環を有する2価の芳香族基Rを有する芳香族ジアミン類は、2,2-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]プロパンBAPP、ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]スルホン、ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]エーテル、9,9-ビス4-アミノフェニルフルオレン、4,4’-ビス4-アミノフェノキシビフェニル、1,4-ビス4-アミノフェノキシベンゼン、及びこれらの異性体からなる群から選択される少なくとも1つの化合物である前記[5]又は[6]に記載の絶縁塗料の製造方法。[8]前記共沸溶剤は、キシレンである前記[5]~[7]に記載の絶縁塗料の製造方法。[9]前記[1]~[4]のいずれかに記載の絶縁塗料を、導体又は他の絶縁被膜上に塗布、焼付けすることによって形成された絶縁被膜を有する絶縁電線。[10]長方形状の断面を有する前記[9]に記載の絶縁電線。[11]前記[1]~[4]のいずれかに記載の絶縁塗料を、円形形状の断面を有する導体上に塗布、焼付けすることによって絶縁被膜を形成する工程と、前記導体と前記絶縁被膜とを圧延加工して、長方形状の断面を有する絶縁電線とする工程とを含む絶縁電線の製造方法。本発明によれば、従来と同等の部分放電開始電圧を有するとともに圧延加工時やコイル成形時等に亀裂等が発生しない機械的強度を有する絶縁被膜を形成することが可能な絶縁塗料及びその製造方法並びにそれを用いた絶縁電線及びその製造方法を提供することができる。また、本発明の絶縁電線の製造方法によれば、占積率の向上等のために、長方形状の断面を有する絶縁電線を形成する場合、平角導体上に絶縁塗料を直接塗布する場合よりも、均一な被膜を容易に形成することができる。すなわち、長方形状の断面を有する平角導体上にポリアミドイミド絶縁塗料を直接塗布すると、塗料の表面張力等が原因となり均一に形成することが困難であったが、本発明のように、塗料の表面張力の影響の少ない円形形状の断面を有する円形導体上に塗布焼付けした後に、圧延加工して平角導体とすることによって、均一な被膜を容易に形成することが可能となったものである。以下、本発明の絶縁塗料及びその製造方法並びにそれを用いた絶縁電線及びその製造方法の実施の形態を説明する。[I:絶縁塗料及びその製造方法]本実施の形態に係る絶縁塗料は、3つ以上の芳香環を有する2価の芳香族基Rを有する芳香族ジアミン類からなるジアミン成分及び酸成分を共沸溶剤の存在下で合成反応一段目合成反応させて得られる樹脂成分Xと、2,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY1及び4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY2からなるジイソシアネート成分Yと、を合成反応二段目合成反応させて得られる前記化学式1で表される繰り返し単位を有するポリアミドイミド樹脂を含有して構成される。また、本実施の形態に係る絶縁塗料の製造方法は、3つ以上の芳香環を有する2価の芳香族基Rを有する芳香族ジアミン類からなるジアミン成分及び酸成分を共沸溶剤の存在下で合成反応させて樹脂成分Xを得る工程と、得られた前記樹脂成分Xと、2,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY1及び4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY2からなるジイソシアネート成分Yとを合成反応させて前記化学式1で表される繰り返し単位を有するポリアミドイミド樹脂を得る工程と、を含んで構成される。すなわち、本実施の形態に係る絶縁塗料は、樹脂成分Xと、ジイソシアネート成分Yとを合成反応させて得られるポリアミドイミド樹脂を含有して構成される。ここで、樹脂成分Xとジイソシアネート成Y分との配合割合は、効率よくポリアミドイミド樹脂を得られるものであれば特に制限はない。以下、樹脂成分X及びジイソシアネート成分Yについて具体的に説明する。[I-1:樹脂成分Xの合成]樹脂成分Xは、ジアミン成分と酸成分とを共沸溶剤の存在下で合成反応一段目合成反応させて得られる。ジアミン成分樹脂成分Xを得るための一の合成反応成分であるジアミン成分は、3つ以上の芳香環を有する2価の芳香族基Rを有する芳香族ジアミン類である。このような3つ以上の芳香環を有する2価の芳香族基Rを有する芳香族ジアミン類としては、例えば、2,2-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]プロパンBAPP、ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]スルホン、ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]エーテル、9,9-ビス4-アミノフェニルフルオレン、4,4’-ビス4-アミノフェノキシビフェニル、1,4-ビス4-アミノフェノキシベンゼン、及びこれらの異性体からなる群から選択される少なくとも1つの化合物を挙げることができる。なお、3つ以上の芳香環を有する2価の芳香族基Rは、上述の芳香族ジアミン類から2つのアミノ基を取り除いた残基2価の芳香族基が、それに相当する。また、ジアミン成分として3つ以上の芳香環を有する2価の芳香族基Rを有する芳香族ジアミン類を用いるのは、このような構成のものを用いることによって、最終的に得られるポリアミドイミド樹脂中におけるアミド基及びイミド基の存在比率を低下させることができ、これによって、ポリアミドイミド樹脂の誘電率を低下させて、部分放電電圧を高くすることができるからである。酸成分樹脂成分Xを得るための他の合成反応成分である酸成分としては、上述のジアミン成分と共沸溶剤の存在下で合成反応して樹脂成分Xを合成するものであれば、特に制限はないが、例えば、芳香族トリカルボン酸無水物、芳香族テトラカルボン酸二無水物を挙げることができる。具体的には、トリメリット酸無水物TMA、ベンゾフェノントリカルボン酸無水物等を挙げることができる。中でも、コストの面から、トリメリット酸無水物TMAが好ましい。なお、ジアミン成分と酸成分との配合割合は、効率よく樹脂成分Xを得ることができるものであれば特に制限はない。共沸溶剤樹脂成分Xの合成反応一段目合成反応は、通常の溶媒、例えば、N-メチル-2-ピロリドン等に加えて、共沸溶剤の存在下で行う。これは、合成反応に伴う水を除去し易くして、イミド化率等の合成反応の効率を上昇させるためである。これによって、最終的に得られるポリアミドイミド樹脂を含有する絶縁塗料として絶縁電線等における被膜の形成に用いられる場合、30伸長後の可とう性に優れた部分放電開始電圧の高い被膜を得ることができる。共沸溶剤としては、例えば、キシレン、トルエン、ベンゼン、エチルベンゼン等を挙げることができるが、中でも、危険有害性の観点、及び本発明の特性をより効果的に発揮させる観点から、キシレンが好ましい。[I-2:ジイソシアネート成分Yの構成]本実施の形態の絶縁塗料に含有されるポリアミドイミド樹脂を最終的に得るために、上述の樹脂成分Xと合成反応二段目合成反応させるジイソシアネート成分Yは、2,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY1及び4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY2からなるものである。Y1とY2との配合割合ジイソシアネート成分Yを構成する、2,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY1と4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY2との配合割合は、モル百分率[{Y1/Y1Y2}×100]で、10~90であることが好ましく、25~90であることがさらに好ましく、40~80であることが最も好ましい。10~90の配合割合とすることによって、最終的に得られるポリアミドイミド樹脂を含有する絶縁塗料として絶縁電線等における被膜の形成に用いられる場合、高い部分放電開始電圧や優れた機械的強度30伸長後の可とう性を効果的に得ることができる。特に、25~90モルの配合割合とすることによって、これらの特性に加え、導体との密着性ピール試験や捻回試験に優れた絶縁被膜を形成することができる。[I-3:樹脂成分Xとジイソシアネート成分Yとの合成反応二段目合成反応]一段目合成反応で得られた樹脂成分Xと、ジイソシアネート成分Yとの二段目合成反応の方法については、最終的にポリアミドイミド樹脂が効率よく得られるものであれば特に制限はない。例えば、ジイソシアネート成分Yを樹脂成分Xに添加する場合、2,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY1と4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY2とを予め混合して混合物としてから樹脂成分Xに添加してもよく、混合することなく単体のまま別々に樹脂成分Xに添加してもよい。ただし、後者の場合は反応性を考慮する必要がある。また、ポリアミドイミド樹脂を得るための二段目合成反応時においては、塗料の安定性を阻害しないものであれば、アミン類、イミダゾール類、イミダゾリン類等の反応触媒を用いてもよい。また、二段目合成反応停止時にはアルコール等の停止剤を用いてもよい。このようにして、最終的に上記化学式1で表される繰り返し単位を有するポリアミドイミド樹脂を得ることができる。[I-4:絶縁塗料の調製]上述の二段目合成反応によって得られたポリアミドイミド樹脂を最終的な絶縁塗料に調製する方法としては、汎用の方法を用いることができる。[II:絶縁電線及びその製造方法]図1及び図2に示すように、本実施の形態に係る絶縁電線10は、上述の絶縁塗料を、導体1又は他の絶縁被膜図示せず上に塗布、焼付けすることによって形成された絶縁被膜2を有して構成される。なお、図1においては、円形形状の断面を有する絶縁電線10を、また図2においては、長方形状の断面を有する絶縁電線10をそれぞれ示す。また、本実施の形態に係る絶縁電線の製造方法は、上述の絶縁塗料を、円形形状の断面を有する導体上に塗布、焼付けすることによって絶縁被膜を形成する工程と、前記導体と前記絶縁被膜とを圧延加工して、長方形状の断面を有する絶縁電線とする工程とを含んで構成される。絶縁塗料を、導体又は他の絶縁被膜上に塗布、焼付けする方法については特に制限はない。例えば、導体としては、通常、銅が用いられるが、銅の周囲にニッケル等の金属めっきを施したものであっても、他の絶縁被膜を形成したものであってもよい。また、絶縁電線に滑性を付与したい場合は、最外層に、潤滑油を塗布するか、潤滑性樹脂塗料を塗布、焼付けするか、又はベースエナメル線用塗料の中に潤滑剤、例えば、固形パラフィン、低分子ポリエチレン、脂環式エステル系ワックス、シリコン樹脂の1種以上、を混合したものを導体上に塗布、焼付けすることが好ましい。なお、上述のように、本実施の形態に係る絶縁電線の製造方法は、占積率の向上等のために、長方形状の断面を有する絶縁電線を形成する場合に、特に有用である。[III:本実施の形態の効果]本実施の形態で得られた絶縁塗料を用いて絶縁電線の絶縁被膜を形成することにより、絶縁電線の30伸長後の可とう性が1d最小巻き付け倍径dとなり、圧延加工時やコイル成形時等に絶縁被膜に亀裂発生が発生することがない、すなわち、圧延加工時やコイル成形時等に絶縁被膜に亀裂等が発生することのない優れた機械的強度を有するとともに、従来と同じように高い部分放電開始電圧970Vp以上の部分放電開始電圧を有する絶縁電線を得ることができる。以下に、本発明の絶縁塗料及びその製造方法並びに絶縁電線及びその製造方法を、実施例を用いてさらに具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実施例によって、いかなる制限を受けるものではない。実施例1ポリアミドイミド樹脂Aの合成攪拌機、還流冷却管、窒素流入管、及び温度計を備えたフラスコに、2,2-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]プロパンBAPP446.5g、トリメリット酸無水物TMA449.2gを配合し、溶媒として、N-メチル-2-ピロリドン2515.9g、共沸溶剤として、キシレン252gを添加した後、攪拌回転数180rpm、窒素流量1L/min、系内温度180°Cで、6時間反応させた。脱水反応中に生成された水及びキシレンを随時系外に排出しながら反応させて、樹脂成分Xを得た。90°Cまで冷却した後、ジイソシアネート成分Yとして、2,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY1と4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY2が50/50Y1のモル百分率が50になるように混合したジイソシアネート成分313.4g配合し、攪拌回転数150rpm、窒素流量0.1L/min、系内温度140°Cで、4時間反応させた。その後、ベンジルアルコール88.4g、N,N-ジメチルホルムアミドを628.9g配合して停止反応を行い、E型粘度計で測定した粘度が約2000~3000mPasのポリアミドイミド樹脂Aを得た。次いで、導体径0.82mmの銅線の外周にポリアミドイミド樹脂Aを塗布焼付けし、45μmの絶縁被膜層からなる絶縁電線を作製した。実施例2ポリアミドイミド樹脂Bの合成攪拌機、還流冷却管、窒素流入管、及び温度計を備えたフラスコに、2,2-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]プロパンBAPP446.5g、トリメリット酸無水物TMA449.2gを配合し、溶媒として、N-メチル-2-ピロリドン2515.9g、共沸溶剤として、キシレン252gを添加した後、攪拌回転数180rpm、窒素流量1L/min、系内温度180°Cで、6時間反応させた。脱水反応中に生成された水及びキシレンを随時系外に排出しながら反応させて、樹脂成分Xを得た。90°Cまで冷却した後、ジイソシアネート成分Yとして、2,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY1と4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY2が40/60Y1のモル百分率が40になるように混合したジイソシアネート成分316.4g配合し、攪拌回転数150rpm、窒素流量0.1L/min、系内温度140°Cで、4時間反応させた。その後、ベンジルアルコール88.4g、N,N-ジメチルホルムアミドを628.9g配合して停止反応を行い、E型粘度計で測定した粘度が約2000~3000mPasのポリアミドイミド樹脂Bを得た。次いで、導体径0.82mmの銅線の外周にポリアミドイミド樹脂Bを塗布焼付けし、45μmの絶縁被膜層からなる絶縁電線を作製した。実施例3ポリアミドイミド樹脂Cの合成攪拌機、還流冷却管、窒素流入管、及び温度計を備えたフラスコに、2,2-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]プロパンBAPP446.5g、トリメリット酸無水物TMA449.2gを配合し、溶媒として、N-メチル-2-ピロリドン2515.9g、共沸溶剤として、キシレン252gを添加した後、攪拌回転数180rpm、窒素流量1L/min、系内温度180°Cで、6時間反応させた。脱水反応中に生成された水及びキシレンを随時系外に排出しながら反応させて、樹脂成分Xを得た。90°Cまで冷却した後、ジイソシアネート成分Yとして、2,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY1と4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY2が25/75Y1のモル百分率が25になるように混合したジイソシアネート316.4g配合し、攪拌回転数150rpm、窒素流量0.1L/min、系内温度140°Cで、4時間反応させた。その後、ベンジルアルコール88.4g、N,N-ジメチルホルムアミドを628.9g配合して停止反応を行い、E型粘度計で測定した粘度が約2000~3000mPasのポリアミドイミド樹脂Cを得た。次いで、導体径0.82mmの銅線の外周にポリアミドイミド樹脂Cを塗布焼付けし、45μmの絶縁被膜層からなる絶縁電線を作製した。実施例4ポリアミドイミド樹脂Dの合成攪拌機、還流冷却管、窒素流入管、及び温度計を備えたフラスコに、2,2-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]プロパンBAPP446.5g、トリメリット酸無水物TMA449.2gを配合し、溶媒として、N-メチル-2-ピロリドン2515.9g、共沸溶剤として、キシレン252gを添加した後、攪拌回転数180rpm、窒素流量1L/min、系内温度180°Cで、6時間反応させた。脱水反応中に生成された水及びキシレンを随時系外に排出しながら反応させて、樹脂成分Xを得た。90°Cまで冷却した後、ジイソシアネート成分Yとして、2,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY1と4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY2が80/20Y1のモル百分率が80になるように混合したジイソシアネート316.4g配合し、攪拌回転数150rpm、窒素流量0.1L/min、系内温度140°Cで、4時間反応させた。その後、ベンジルアルコール88.4g、N,N-ジメチルホルムアミドを628.9g配合して停止反応を行い、E型粘度計で測定した粘度が約2000~3000mPasのポリアミドイミド樹脂Dを得た。次いで、導体径0.82mmの銅線の外周にポリアミドイミド樹脂Dを塗布焼付けし、45μmの絶縁被膜層からなる絶縁電線を作製した。実施例5ポリアミドイミド樹脂Eの合成攪拌機、還流冷却管、窒素流入管、及び温度計を備えたフラスコに、2,2-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]プロパンBAPP446.5g、トリメリット酸無水物TMA449.2gを配合し、溶媒として、N-メチル-2-ピロリドン2515.9g、共沸溶剤として、キシレン252gを添加した後、攪拌回転数180rpm、窒素流量1L/min、系内温度180°Cで、6時間反応させた。脱水反応中に生成された水及びキシレンを随時系外に排出しながら反応させて、樹脂成分Xを得た。90°Cまで冷却した後、ジイソシアネート成分Yとして、2,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY1と4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY2が90/10Y1のモル百分率が90になるように混合したジイソシアネート316.4g配合し、攪拌回転数150rpm、窒素流量0.1L/min、系内温度140°Cで、4時間反応させた。その後、ベンジルアルコール88.4g、N,N-ジメチルホルムアミドを628.9g配合して停止反応を行い、E型粘度計で測定した粘度が約2000~3000mPasのポリアミドイミド樹脂Eを得た。次いで、導体径0.82mmの銅線の外周にポリアミドイミド樹脂Eを塗布焼付けし、45μmの絶縁被膜層からなる絶縁電線を作製した。実施例6ポリアミドイミド樹脂Fの合成攪拌機、還流冷却管、窒素流入管、及び温度計を備えたフラスコに、2,2-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]プロパンBAPP446.5g、トリメリット酸無水物TMA449.2gを配合し、溶媒として、N-メチル-2-ピロリドン2515.9g、共沸溶剤として、キシレン252gを添加した後、攪拌回転数180rpm、窒素流量1L/min、系内温度180°Cで、6時間反応させた。脱水反応中に生成された水及びキシレンを随時系外に排出しながら反応させて、樹脂成分Xを得た。90°Cまで冷却した後、ジイソシアネート成分Yとして、2,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY1と4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY2が10/90Y1のモル百分率が10になるように混合したジイソシアネート316.4g配合し、攪拌回転数150rpm、窒素流量0.1L/min、系内温度140°Cで、4時間反応させた。その後、ベンジルアルコール88.4g、N,N-ジメチルホルムアミドを628.9g配合して停止反応を行い、E型粘度計で測定した粘度が約2000~3000mPasのポリアミドイミド樹脂Fを得た。次いで、導体径0.82mmの銅線の外周にポリアミドイミド樹脂Fを塗布焼付けし、45μmの絶縁被膜層からなる絶縁電線を作製した。[特性試験]部分放電開始電圧PDIV実施例1~6で得られた各絶縁電線の部分放電開始電圧PDIVの測定を行なった。ツイストペアのエナメル線試料を10個作製し、アビソフィックス装置で端部から10mm被覆樹脂を削った。その後、被覆樹脂乾燥のため、恒温槽にて125°Cで30分間熱処理し、デシケータ中で室温になるまで18時間放置した。測定は、部分放電自動試験システム総研電気株社製DAC-PD-3を用いて、23°C、湿度50の雰囲気で、50Hzの電圧を10~30V/sの割合で昇圧させ、エナメル線試料に100pCの放電が50回/秒で発生したときの電圧を部分放電開始電圧として測定した。その結果を表1に示す。可とう性実施例1~6で得られた各絶縁電線を30伸長した後に、表面が滑らかで、導体径の1~10倍の丸棒巻き付け棒に5巻分を1コイルとして、5コイル分巻き付けた。この巻き付け時に、絶縁被膜に亀裂発生が見られない最小巻き付け倍径dを可とう性とした。その結果を表1に示す。捻回試験実施例1~6で得られた各絶縁電線の捻回試験を行なった。直線状試料電線を同軸上の250mm離れた2つのクランプに固定し、一方のクランプを回転させ、被膜が浮いた時点の回転角回数;360°を1回とするを測定した。その結果を表1に示す。ピール試験実施例1~6で得られた各絶縁電線のピール試験を行なった。直線状試料電線を同軸上の250mm離れた2つのクランプに固定し、サンプルの長さ方向に平行な2辺の被膜を導体に達するまで取り除いた。その後、一方のクランプを回転させ、被膜が浮いた時点の回転角回数;360°を1回とするを測定した。その結果を表1に示す。比較例1汎用ポリアミドイミド樹脂Gの合成攪拌棒、N2ライン、及びジムロート冷却管を取り付けた5Lの3つ口フラスコに、4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネート375.5g、トリメリット酸無水物TMA634.5gを配合し、溶媒として、N-メチル-2-ピロリドンNMP2375gを添加した後、150rpm、N21L/min、系中温度120°Cで、30min攪拌した後に、155°Cまで昇温し、3時間攪拌し、一段目合成反応の反応中間体を得た。その後、60°Cまで冷却した後、4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY2375.5gを添加し150rpm、N2ライン、系中温度120°Cで約1時間反応させた。その後、メタノール、N-メチル-2-ピロリドンNMPを配合して停止反応を行い、E型粘度計で測定した粘度が約2000~3000mPasのポリアミドイミド樹脂Gを得た。次いで、導体径0.82mmの銅線の外周にポリアミドイミド樹脂Gを塗布焼付けし、45μmの絶縁被膜層からなる絶縁電線を作製した。比較例2従来法による従来ポリアミドイミド樹脂Hの合成攪拌機、窒素流入管、及び温度計を備えたフラスコに、2,2-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]プロパンBAPP446.5g、トリメリット酸無水物TMA449.3gを配合し、溶媒として、N-メチル-2-ピロリドン2542.1g、を添加した後、180rpm、N21L/min、系中温度160°Cで4時間反応させ、一段目合成反応の反応中間体を合成した。その後、90°Cまで冷却した後、4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY2319.7gを配合し、150rpm、N20.1L/min、系中温度120°Cで1時間反応させた。その後、ベンジルアルコール89.3g、N,N-ジメチルホルムアミド635.4gを配合して停止反応を行い、E型粘度計で測定した粘度が約2000~3000mPasのポリアミドイミド樹脂Hを得た。次いで、導体径0.82mmの銅線の外周にポリアミドイミド樹脂Hを塗布焼付けし、45μmの絶縁被膜層からなる絶縁電線を作製した。比較例3ポリアミドイミド樹脂Iの合成攪拌機、還流冷却管、窒素流入管、及び温度計を備えたフラスコに、2,2-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]プロパンBAPP446.5g、トリメリット酸無水物TMA449.3gを配合し、溶媒として、N-メチル-2-ピロリドン2515.9gを添加した後、攪拌回転数180rpm、窒素流量1L/min、系内温度180°Cで、6時間反応させて、一段目合成反応の反応中間体を得た。90°Cまで冷却した後、ジイソシアネート成分Yとして、2,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY1と4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY2が5/95Y1のモル百分率が5になるように混合したジイソシアネート成分313.4g配合し、攪拌回転数150rpm、窒素流量0.1L/min、系内温度140°Cで、4時間反応させた。その後、ベンジルアルコール88.4g、N,N-ジメチルホルムアミドを628.9g配合して停止反応を行い、E型粘度計で測定した粘度が約2000~3000mPasのポリアミドイミド樹脂Iを得た。次いで、導体径0.82mmの銅線の外周にポリアミドイミド樹脂Iを塗布焼付けし、45μmの絶縁被膜層からなる絶縁電線を作製した。比較例4ポリアミドイミド樹脂Jの合成攪拌機、還流冷却管、窒素流入管、及び温度計を備えたフラスコに、2,2-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]プロパンBAPP446.5g、トリメリット酸無水物TMA449.3gを配合し、溶媒として、N-メチル-2-ピロリドン2515.9gを添加した後、攪拌回転数180rpm、窒素流量1L/min、系内温度180°Cで、6時間反応させて、一段目合成反応の反応中間体を得た。90°Cまで冷却した後、ジイソシアネート成分Yとして、2,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY1と4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY2が95/5Y1のモル百分率が95になるように混合したジイソシアネート成分313.4g配合し、攪拌回転数150rpm、窒素流量0.1L/min、系内温度140°Cで、4時間反応させた。その後、ベンジルアルコール88.4g、N,N-ジメチルホルムアミドを628.9g配合して停止反応を行い、E型粘度計で測定した粘度が約1000mPasのポリアミドイミド樹脂Jを得た。しかし、粘度が低かったため、絶縁電線を作製するには至らなかった。[特性試験]部分放電開始電圧PDIV比較例1~4で得られた各絶縁電線に関して、実施例における場合と同様にして部分放電開始電圧PDIVの測定を行なった。結果を表2に示す。可とう性比較例1~4で得られた各絶縁電線に関して、実施例に示す方法と同様にして可とう性を評価した。捻回試験比較例1~4で得られた各絶縁電線に関して、実施例に示す方法と同様にして捻回試験を行なった。ピール試験比較例1~4で得られた各絶縁電線に関して、実施例に示す方法と同様にしてピール試験を行なった。表1及び表2より、実施例1~6の場合、すなわち、2,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY1の配合割合が10~90モルの場合は、可とう性、捻回試験、ピール試験及びPDIVのいずれにおいても優れていた。例えば、可とう性については、いずれの場合も、機械的強度の指標である可とう性の目標とした30伸長1d自己径巻き付けに合格した。比較例1~4の場合比較例4の場合は、絶縁電線を作製するには至らなかった、すなわち、2,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY1の配合割合が0及び5モルの場合、後述するように、実施例1~6の場合よりも特性的に劣っていた。例えば、可とう性については、30伸長1d自己径巻き付けに合格せず、4d及び2dであった。他の特性については、比較例1汎用されているポリアミドイミド樹脂のエナメル線を示すものの場合、捻回試験及びピール試験は良好であるものの、折り返し単位あたりの極性が大きく樹脂中のイミド基及びアミド基の存在比率が他に比べて高く、PDIVが低かった。比較例2~3の場合は、捻回試験、ピール試験及びPDIVのいずれにおいても、実施例の場合と遜色のないレベルであったが、柔軟な成分が少ないため可とう性を満足することができなかったものと考えられる。比較例42,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートY1の配合割合を95モルとしたものの場合、合成の際、粘度、すなわち分子量が増大せず、エナメル線を形成して評価するには至らなかった。なお、実施例1~6においては、共沸法を用いたが、比較例1~4の場合は用いていない。共沸法を用いることによって、酸成分TMAやイソシアネート成分と反応してしまう水を、系内から除去留去することができ、反応性の低下を防止することができたため、PDIV値を低下させることなく、可そう性を効果的に向上させることができたと考えられる。また、最終的に得られた各絶縁電線の外観を目視によって観察したところ、粒や泡の発生もなく良好であり、いずれの実施例及び比較例においても良好であった。"