"荷電粒子発生源と、該荷電粒子発生源から放出された荷電粒子を試料上に収束させる照射レンズと、収束された前記荷電粒子を前記試料上で走査する偏向器と、前記偏向器の制御部と、前記試料を載せる試料ステージと、前記荷電粒子を検出する検出器と、前記偏向器の制御信号と前記検出器の出力信号から画像を形成する計算部と、前記計算機に接続された表示部と、を有する荷電粒子線顕微鏡であって、前記偏向器の制御部は前記荷電粒子の走査速度を変更することが可能であり、第1速度の走査画像と前記第1速度よりも低速の第2速度の走査画像を取得し、前記第1速度の走査画像を用いて前記第2速度の走査画像の像歪を測定して補正する解析部を有することを特徴とする荷電粒子線顕微鏡。請求項1に記載の荷電粒子線顕微鏡において、前記解析部は、前記第1速度の走査画像と前記第2速度の走査画像を小領域に分割し、前記第1速度の走査画像の小領域と前記第2速度の走査画像の小領域との間の視野ずれ量をパターンマッチングで測定し、前記視野ずれ量の分布から像歪を求めることを特徴とする荷電粒子線顕微鏡。請求項1に記載の荷電粒子線顕微鏡において、前記解析部は、前記第1速度の走査画像と前記第2速度の走査画像を小領域に分割し、前記第1速度の走査画像の小領域と前記第2速度の走査画像の小領域との間の視野ずれ量と相関値をパターンマッチングで測定し、前記相関値が閾値以下の前記視野ずれ量は除外し、前記視野ずれ量が除外された小領域の視野ずれ量をその周辺の小領域の視野ずれ量に基づいて補間することを特徴とする荷電粒子線顕微鏡。荷電粒子発生源と、該荷電粒子発生源から放出された荷電粒子を試料上に収束させる照射レンズと、収束された前記荷電粒子を前記試料上で走査する偏向器と、前記偏向器の制御部と、前記試料を載せる試料ステージと、前記荷電粒子を検出する検出器と、前記偏向器の制御信号と前記検出器の出力信号から画像を形成する計算部と、前記計算機に接続された表示部と、を有する荷電粒子線顕微鏡であって、前記偏向器の制御部は前記荷電粒子の走査速度を変更することが可能であり、第1速度の走査画像と前記第1速度よりも低速の第2速度の走査画像を取得し、前記第1速度の走査画像を用いて前記第2速度の走査画像の像歪を前記表示部に表示することを特徴とする荷電粒子線顕微鏡。請求項4に記載の荷電粒子線顕微鏡において、前記像歪に基づいて前記第2速度の走査画像の像歪を補正するか否かを選択することができることを特徴とする荷電粒子線顕微鏡。請求項4に記載の荷電粒子線顕微鏡において、前記像歪を測定して補正する解析部を有し、前記解析部は、前記第1速度の走査画像と前記第2速度の走査画像を小領域に分割し、前記第1速度の走査画像の小領域と前記第2速度の走査画像の小領域との間の視野ずれ量をパターンマッチングで測定し、前記視野ずれ量の分布から像歪を求めることを特徴とする荷電粒子線顕微鏡。請求項4に記載の荷電粒子線顕微鏡において、前記像歪を測定して補正する解析部を有し、前記解析部は、前記第1速度の走査画像と前記第2速度の走査画像を小領域に分割し、前記第1速度の走査画像の小領域と前記第2速度の走査画像の小領域との間の視野ずれ量と相関値をパターンマッチングで測定し、前記相関値が閾値以下の前記視野ずれ量は除外し、前記視野ずれ量が除外された小領域の視野ずれ量をその周辺の小領域の視野ずれ量に基づいて補間することを特徴とする荷電粒子線顕微鏡。試料上に荷電粒子線を走査し、試料から放出された二次信号に基づいて画像を形成する荷電粒子線顕微鏡像を用いた測定方法において、第1速度で走査して画像を形成する第1工程と、前記第1速度よりも低速で走査して画像を形成する第2工程と、前記第1速度の走査画像を用いて前記第2速度の走査画像の像歪を測定する第3工程と、測定された像歪に基づいて前記第2速度の走査画像を補正する第4工程と、を有することを特徴とする荷電粒子線顕微鏡像を用いた測定方法。請求項8に記載の荷電粒子線顕微鏡像を用いた測定方法において、前記第3工程は、前記第1速度の走査画像及び前記第2速度の走査画像を小領域に分割する工程と、前記第1速度の走査画像の小領域と前記第2速度の走査画像の小領域との間の視野ずれ量をパターンマッチングで測定する工程と、前記視野ずれ量の分布から像歪を求める工程と、を有することを特徴とする荷電粒子線顕微鏡像を用いた測定方法。請求項8記載の荷電粒子線顕微鏡像を用いた測定方法において、前記第3工程は、前記第1速度の走査画像と前記第2速度の走査画像を小領域に分割する工程と、前記第1速度の走査画像の小領域と前記第2速度の走査画像の小領域との間の視野ずれ量と相関値をパターンマッチングで測定する工程と、前記相関値が閾値以下の前記視野ずれ量は除外する工程と、前記視野ずれ量が除外された小領域の視野ずれ量をその周辺の小領域の視野ずれ量に基づいて補間する工程と、を有することを特徴とする荷電粒子線顕微鏡像を用いた測定方法。本発明の目的は、高分解能高SNな撮影においても試料ドリフトの影響の少ない、荷電粒子線装置及び顕微方法を提供することにある。例えば、画素サイズが02nm、画素数1280×960、撮影時間20秒で撮影する場合について考察した。試料ドリフトとしてはステージの部材オーリングなどの応力緩和や電子線照射による温度変化などに起因する平均15nm分の試料ドリフトを想定した。この場合、撮影中に05nmつまり25画素ドリフトすることになり、試料ドリフトの補正が必須である。前述した各特許文献に記載された発明では、試料ドリフト補正技術を高分解能高SNな撮影に適用しても、FastScan像における像ボケ、SlowScan像における像歪を十分補正できないことが分かった。本発明は、高分解能高SNな撮影においても試料ドリフトの影響の少ない荷電粒子線装置及びそれを用いた測定方法を提供することにある。FastScan像は試料ドリフトのためにボケているが像歪は極めて少なく、一方、SlowScan像は試料ドリフトのために画像が歪んでいるがボケは極めて少ないという点に着目した。同じ視野を低SN低分解能なFastScanと高SN高分解能なSlowScanで撮影し、FastScan像を参照画像としてSlowScan像の像歪を測定し、補正することで、高分解能高SNで試料ドリフトの影響のない、又は極めて影響の少ない荷電粒子線像を提供できることを見出した。具体的には本発明は、荷電粒子発生源と、該荷電粒子発生源から放出された荷電粒子を試料上に収束させる照射レンズと、収束された前記荷電粒子を前記試料上で走査する偏向器と、前記偏向器の制御部と、前記試料を載せる試料ステージと、前記荷電粒子を検出する検出器と、前記偏向器の制御信号と前記検出器の出力信号から画像を形成する計算部と、前記計算機に接続された表示部と、を有する荷電粒子線顕微鏡であって、前記偏向器の制御部は前記荷電粒子の走査速度を変更することが可能であり、第1速度の走査画像と前記第1速度よりも低速の第2速度の走査画像を取得し、前記第1速度の走査画像を用いて前記第2速度の走査画像の像歪を測定して補正する解析部を有することを特徴とする荷電粒子線顕微鏡である。さらに、前記解析部は、前記第1速度の走査画像と前記第2速度の走査画像を小領域に分割し、前記第1速度の走査画像の小領域と前記第2速度の走査画像の小領域との間の視野ずれ量をパターンマッチングで測定し、前記視野ずれ量の分布から像歪を求めることを特徴とする荷電粒子線顕微鏡である。さらに、前記解析部は、前記第1速度の走査画像と前記第2速度の走査画像を小領域に分割し、前記第1速度の走査画像の小領域と前記第2速度の走査画像の小領域との間の視野ずれ量と相関値をパターンマッチングで測定し、前記相関値が閾値以下の視野ずれ量は除外し、視野ずれ量が除外された小領域の視野ずれ量をその周辺の小領域の視野ずれ量に基づいて補間することを特徴とする荷電粒子線顕微鏡である。また、荷電粒子発生源と、該荷電粒子発生源から放出された荷電粒子を試料上に収束させる照射レンズと、収束された前記荷電粒子を前記試料上で走査する偏向器と、前記偏向器の制御部と、前記試料を載せる試料ステージと、前記荷電粒子を検出する検出器と、前記偏向器の制御信号と前記検出器の出力信号から画像を形成する計算部と、前記計算機に接続された表示部と、を有する荷電粒子線顕微鏡であって、前記偏向器の制御部は前記荷電粒子の走査速度を変更することが可能であり、第1速度の走査画像と前記第1速度よりも低速の第2速度の走査画像を取得し、前記第1速度の走査画像を用いて前記第2速度の走査画像の像歪を前記表示部に表示することを特徴とする荷電粒子線顕微鏡である。さらに、前記像歪に基づいて前記第2速度の走査画像の像歪を補正するか否かを選択することができることを特徴とする荷電粒子線顕微鏡である。さらに、前記像歪を測定して補正する解析部を有し、前記解析部は、前記第1速度の走査画像と前記第2速度の走査画像を小領域に分割し、前記第1速度の走査画像の小領域と前記第2速度の走査画像の小領域との間の視野ずれ量をパターンマッチングで測定し、前記視野ずれ量の分布から像歪を求めることを特徴とする荷電粒子線顕微鏡である。さらに前記像歪を測定して補正する解析部を有し、前記解析部は、前記第1速度の走査画像と前記第2速度の走査画像を小領域に分割し、前記第1速度の走査画像の小領域と前記第2速度の走査画像の小領域との間の視野ずれ量と相関値をパターンマッチングで測定し、前記相関値が閾値以下の測定結果は除外し、視野ずれ量が除外された小領域の視野ずれ量をその周辺の小領域の視野ずれ量に基づいて補間することを特徴とする荷電粒子線顕微鏡である。また、試料上に荷電粒子線を走査し、試料から放出された二次信号に基づいて画像を形成する荷電粒子線顕微鏡像を用いた測定方法において、第1速度で走査して画像を形成する第1工程と、前記第1速度よりも低速で走査して画像を形成する第2工程と、前記第1速度の走査画像を用いて前記第2速度の走査画像の像歪を測定する第3工程と、測定された像歪に基づいて前記第2速度の走査画像を補正する第4工程と、を有することを特徴とする荷電粒子線顕微鏡像を用いた測定方法である。さらに、前記第3工程は、前記第1速度の走査画像及び前記第2速度の走査画像を小領域に分割する工程と、前記第1速度の走査画像の小領域と前記第2速度の走査画像の小領域との間の視野ずれ量をパターンマッチングで測定する工程と、前記視野ずれ量の分布から像歪を求める工程と、を有することを特徴とする荷電粒子線顕微鏡像を用いた測定方法である。さらに、前記第3工程は、前記第1速度の走査画像と前記第2速度の走査画像を小領域に分割する工程と、前記第1速度の走査画像の小領域と前記第2速度の走査画像の小領域との間の視野ずれ量と相関値をパターンマッチングで測定する工程と、前記相関値が閾値以下の測定結果は除外する工程と、視野ずれ量が除外された小領域の視野ずれ量をその周辺の小領域の視野ずれ量に基づいて補間する工程と、を有することを特徴とする荷電粒子線顕微鏡像を用いた測定方法である。本発明によれば、高分解能高SNな撮影においても試料ドリフトの影響の少ない荷電粒子線装置及びそれを用いた測定方法を提供することができる。同じ視野を低SN低解像なFastScanと高SN高解像なSlowScanで撮影し、FastScan像を参照画像としてSlowScan像の像歪を測定し、補正する。これによって、高倍率高解像高SNな撮影であっても試料ドリフトの影響のない、又は極めて影響の少ない荷電粒子線像を提供する。すなわち、走査型電子顕微鏡やイオン顕微鏡等の荷電粒子線顕微鏡を提供する。近年、STEMSEMを、定性的な形態観察ではなく、定量的な解析に用いる場合が増えている。回転シリーズSTEM像を用いた3次元再構成、多数のSTEMSEM像を用いた半導体デバイスの断面寸法管理、不良箇所の検索のように、STEMSEM像を画像処理で解析する場合、数画素の像歪でも解析結果に大きく影響する。本発明はこれらの解析精度を大きく向上させるものでもある。また本発明は、試料ステージ停止直後の非線形な試料ドリフトも高い精度で補正することができるので、試料ドリフト速度がほぼ一定になるまでの待ち時間を設ける必要が無くなる。3次元再構成用の回転シリーズSTEM像撮影や、半導体デバイスの寸法管理や不良箇所検索用のSTEMSEM像撮影のような、ステージ移動と撮影を繰り返す場合の作業効率が大幅に向上する。以下、いくつかの実施例について説明する。実施例1では、試料ドリフトによる像歪を自動補正するシステムをSTEMに適用した事例を示す。実施例1で用いたSTEM/SEMの基本構成図を図7に示す。鏡体の光軸とほぼ平行な方向をZ方向、光軸とほぼ直交する面をXY平面とする。荷電粒子発生源となる1次電子線31を発生する電子銃11及びその制御回路11’、電子銃から放出された1次電子線31を収束する照射レンズ121、122及びそれらの制御回路12’、1次電子線31の拡がり角を制御する絞り13及びその制御回路13’、試料30に対する入射角度を制御する軸ずれ補正用偏向器14及びその制御回路14’、試料30に入射する1次電子線31のビーム形状を補正するスティグメータ15及びその制御回路15’、試料30に入射する1次電子線31の照射領域を調整するイメージシフト用偏向器16及びその制御回路16’、試料30に入射する1次電子線31をラスター走査する走査用偏向器17及びその制御回路17’、1次電子線31の試料30に対する焦点位置の調整する対物レンズ18及びその制御回路18’、試料30の一次電子線31に対する位置及び回転角度を設定する試料ステージ19及びその制御回路19’、試料30から発生する電子線32を検出する電子検出器22及びその制御回路、電子線32を電子線検出器22に投影する投影レンズ20及びその制御回路20’、電子線32を偏向する偏向器21及びその制御回路21’、電子線32の拡がり角を制御する絞り23及びその制御回路23’、電子線検出器の出力信号とラスター走査信号からSTEM/SEM像を形成する画像形成回路28、制御ソフト及び画像処理ソフトを搭載した計算機29から構成される。計算機29には複数の画像を記録する記録部291と、画像間の像歪を測定する計算部292と、測定された像歪に基づいて入力画像から補正画像を作成する補正部293と、画像、計算結果及び補正結果を表示する表示部294が搭載されている。各制御回路、画像形成回路は計算機29によってコマンド制御される。本装置には複数の電子線検出器22が搭載されており、試料30前方に出射した電子線のうち、低角散乱電子を検出する明視野検出器221、高角散乱電子を検出する暗視野検出器222、試料30後方に出射した反射電子及び2次電子を検出する検出器223が搭載されている。試料30前方に出射した電子で形成された画像をSTEM像、試料30後方に出射した電子で形成された画像をSEM像と呼ぶ。また、透過電子線をエネルギー損失電子分光器41及びその制御回路41’にて弾性散乱透過電子線324と非弾性散乱透過電子線325に分光して測定することができる。試料から発生するX線をエネルギー分散型X線分光器40及びその制御回路40’にて測定することができる。エネルギー分散型X線分光器40やエネルギー損失電子分光器41を用いることにより、試料の組成や化学結合状態を解析することができる。本実施例ではドリフト補正システムをSTEM像に適用した場合のみについて説明するが、他の信号画像への適用も可能である。前記STEMを用いた試料ドリフト歪補正システムの基本フローを図3に示す。試料ドリフト歪補正システムは、第1の走査速度であるFastScanで参照画像を保存するステップ1、第1の走査速度よりも速度の遅い第2の走査速度であるSlowScanで入力画像を保存するステップ2、参照画像を用いて入力画像の像歪を測定するステップ3、入力画像の像歪を補正するステップ4から構成される。撮影条件の一例として、以下を想定した。試料ドリフトとしてはステージの部材オーリングなどの応力緩和や電子線照射による温度変化などに起因する平均15nm分の試料ドリフトを想定し、画素サイズが02nm、画素数1280×960、撮影時間20秒で保存画像を撮影する。以下、各ステップの詳細を述べる。ステップ1ではFastScanで参照画像を撮影する。FastScanの1フレームは004秒で形成される。1フレーム形成中の試料ドリフト量は1pm程度つまり0005画素程度であり、歪の無い画像とみなすことができる。しかし、試料ドリフトによって各フレームの視野がずれてしまうため、FastScanのフレーム積算はボケた画像になる。つまり、FastScan像はボケてはいるが歪の少ない画像とみなすことができる。なお、フレーム積算数が少なすぎると低SNのために、多すぎると試料ドリフトによる像ボケのために、画像処理の精度が劣化する。積算枚数は8もしくは16フレーム程度が適している。16フレーム積算128秒中のドリフト量は0032nm016画素程度と見積もられる。ステップ2ではSlowScanで入力画像と撮影する。SlowScanでは画像を積算させないので試料ドリフトによる像ボケはないが、電子線入射位置が徐々にずれてしまうために歪んだ画像が撮影される。保存画像の撮影条件は画素サイズが02nm、画素数1280×960、撮影時間20秒であり、撮影中に視野は05nm程度つまり25画素程度ドリフトしており、画像が歪んでいる。試料ドリフトによる像歪を測定するために、参照画像の視野と入力画像の視野はほぼ同じにしておく必要がある。なお、同じ視野であれば参照画像と入力画像の解像度が異なっていても良い。画像処理で解像度を調整できるからである。FastScan像を低解像度、例えば、画素サイズは04nm画素数は640×480に設定することにより、画像保存や画像処理の高速化が図られる。また、ステップ1とステップ2の順番を入れ替えても像歪の測定は可能である。ステップ3ではFastScan像に対するSlowScan像の像歪を測定する。測定のフローを図4に示す。まずFastScan像とSlowScan像の視野および画素サイズを合わせるS31。ここでは640×480に統一した。そして画像全体の位置合わせを行う。その後、参照画像と入力画像の各々を小領域に分割しS32、各小領域間の視野ずれ量ΔxΔyと相関値をパターンマッチングで求めS33、像歪測定結果として記録する。パターンマッチングには規格化相互相関法や位相限定相関法を用いる。視野ずれ量は矢印で表示すると分かりやすい。但し、視野ずれ量ΔxΔyは数画素程度なので、そのままのスケールで表示してもユーザは認識できない。矢印の長さを10倍程度にすると見やすい表示になる。なお、視野によっては小領域内に画像処理に必要は特徴点が存在せず、パターンマッチング不能となる場合がある。パターンマッチングの可否は画像間の相関値で判断する。相関値が閾値よりも小さい場合はパターンマッチング不能とみなし、歪補正値の計算から除外するS34。また、相関値が閾値以上であっても、視野ずれ量を誤検出する場合がある。視野ずれ量が他の測定結果に比べて極端に大きいものも除外する。除外された視野ずれ量は周辺の視野ずれ量に基づいて補間して歪補正値を作成するS35。ステップ4では像歪を補正する。歪補正値を用いて入力画像から補正画像を作成する方法を、図6を用いて説明する。入力画像は離散画像であり、各画素の強度Ixn,ynが割り振られている。xn,ynは整数である。各画素の歪補正値Δx,Δyは実数であるので、Ixn,ynをΔx,Δy近傍の各画素に割る振ることで補正画像を作成する。必須ではないが、参照画像に対する補正画像の像歪量を測定することで、目的通りの補正が実行されているかを確認するという工程を付加することは有効である。本発明には参照画像に対する補正画像の像歪量の閾値を設定し、像歪量が閾値以上であった場合はエラーメッセージを表示し、ユーザに画像処理条件の変更を促す機能も付加されている。最後に、上記システムの制御及び結果表示の画面を図1に示す。フロー制御のウィンドウには撮影毎に像歪を測定して補正するか、必要な画像を撮影した後に像歪の測定と補正を実行するか、補正画像の歪測定を実行するか、を選択できるチェックボックスが設定されている。撮影毎に補正実行のチェックボックスと撮影後の補正のチェックボックスはどちらか1つしか選択することができない。どちらも選択しない場合は歪補正を実行しない。撮影毎に補正を実行する場合、補正画像が保存されれば参照画像、入力画像、歪測定結果の保存は必要ないというユーザもいる。このようなユーザのために、データ保存条件を入力するウィンドウが設けられている。参照画像、入力画像及び歪測定結果のチェックボックスをoffにしておけば、これらのデータは保存されない。なお、撮影後に補正のチェックボックスをオンに設定されていると、データ保存条件の参照画像と入力画像のチェックボックスがonに固定され、撮影時には参照画像と入力画像の保存のみが実行される。保存されるファイルの名称はメインのファイル名とデータの種類を示すサブのファイル名から構成される。ファイル名の自動更新機能も付いており、incrementに適当な数値を入力しておけば、撮影毎に数字が1つずつ増加され、これがファイル名に付加される。例えば、メインのファイル名をImage、Incrementを1000とすると、参照画像にはImage1000R、入力画像にはImage1000I、歪測定結果にはImage1000D、補正画像にはImage1000Cという名前が付けられる。incrementが空欄の場合は撮影ごとにファイル名称入力を要求するウィンドウ図示せずが表示される。撮影後に補正を実行する場合、必要な画像を撮影した後、補正チェックボックスの右にある実行ボタンをクリックすると、ファイル名の入力を要求するウィンドウ図示せずが表示される。補正を実行したいファイルのメイン名を指定するとそのメイン名のファイルのみ処理をする。フォルダ名を指定するとそのフォルダの中にある画像を順次処理するようになっている。画像の表示領域としては、参照画像、入力画像、像歪測定結果、補正画像を表示する領域が設けられている。像歪測定結果を表示する領域の背景には入力画像が表示されていると、ブロックマッチング不能領域の確認などに便利である。補正画像の歪測定のチェックボックスをオンにしておくと、参照画像に対する補正画像の歪が測定され、この測定結果と補正画像が重ねあわせ表示される。像歪測定結果は小領域の中心位置を基点としたΔxΔyの矢印で示される。ΔxΔyの多くは1画素前後であり、そのままのスケールで表示してもユーザは認識できないので、矢印の倍率を設定できるようになっている。歪測定条件としては小領域のサイズ、小領域の間隔、相関値の閾値が設定できるようになっている。歪測定結果を確認し、必要に応じて条件を変更する。なお、ユーザを一般ユーザと管理者に分けて登録する場合、歪条件設定は管理者用画面のみとし、一般ユーザ用画面では非表示にしておいた方が良い。初心者が不適切なパラメータ設定をしてドリフト補正を誤動作させることを防ぐためである。また、管理者がレシピを作成し、一般ユーザは指定されたレシピを読み出すようにしておいても良い。例えば、CT用の回転シリーズ像撮影とSTEMによるデバイス測長はどちらも高倍率で多数枚の画像を撮影するが、使用する試料フォルダの種類や試料ステージの移動手順も違う。各々の条件に合わせて試料ドリフト補正システムのパラメータを調整してレシピとして保存し、使用時に読み出せるようにしておく。実施例2では実施例1と同じく図7の装置を用い、撮影前に試料ドリフトを測定し、イメージシフト16で試料ドリフトを補正しながら撮影し、撮影後に実施例1で示した画像処理による歪補正を実行する。なお、実施例1に記載され、本実施例に未記載の事項は実施例1と同様である。図8に実施例2で用いた試料ドリフト補正のフローを示す。図3の基本フローに、撮影中にイメージシフトで試料ドリフトを補正するステップS5が付加されている。まず、FastScan像を用いて試料ドリフトを測定しS51、撮影中の試料ドリフトの近似関数を求める。本実施例では、撮影枚数は3枚以上にし、複数の視野ずれ測定結果から試料ドリフトの近似関数を求めることにした。撮影中のドリフト量は数画素程度であるのに対し、視野ずれ測定の誤差は01から05画素程度である。10以上もの誤差は無視できない。この誤差を低減するために、試料ドリフトは滑らかな移動であるという仮定を導入した。試料ドリフトの軌跡に含まれる高周波成分は視野ずれ測定誤差とみなし、試料ドリフトの軌跡を1次式もしくは2次式などの低次の関数にフィッティングさせることでランダムな誤差を低減させた。で求めた近似関数に基づいて試料ドリフトを相殺するようにイメージシフトを制御しながらS5-3、FastScanで参照画像を撮影しS1、SlowScanで入力画像を撮影するS2。撮影後、ドリフト測定用画像を撮影しS54、試料ドリフトの近似関数が実際の軌跡と大きくずれていた場合、撮影をやり直すこともできるS55。撮影終了と判断された場合は、参照画像に対する入力画像の像歪を測定しS3、像歪を補正するS4。なお、試料ステージもしくは試料ホルダにピエゾ機構が付加されている場合、撮影中の試料ドリフト補正をピエゾ機構で実行してもよい。最後に、実施例2のシステムの制御及び結果表示の画面を図9に示す。図1の画面のフロー選択ウィンドウに撮影中に補正のチェックボックスが追加される。このチェックボックスがオンにすると、図10に示すウィンドウが表示される。このウィンドウで、イメージシフトによる撮影中の試料ドリフト補正の、制御及び結果表示をおこなう。FastScan像を用いて試料ドリフトを測定するステップS5-1では、始めに撮影した画像を参照画像とし、その後に撮影された画像を入力画像として参照画像に対する視野ずれ量を求め、イメージシフトで補正する。イメージシフトによって視野が試料ドリフトに追従してくので、イメージシフトによる補正の軌跡を試料ドリフトの軌跡とみなすことができる。この軌跡から撮影中の試料ドリフトの近似関数を求めるS52。図10のウィンドウにて近似関数の設定、撮影前のドリフト測定、撮影中のドリフト補正の条件を設定する。撮影終了条件設定では、まず、再撮影の要不要を自動で判断するか手動で判断するかを選択する。自動を選択した場合、視野ずれ許容範囲と繰り返し上限を入力する。この条件に基づいて、撮影後の視野ずれ量から再撮影の要否を判定するS55。実施例1にイメージシフトによる歪補正を併用することで、ドリフト補正に要する時間が5秒から10秒程度増加するが、歪補正精度は向上する。なぜなら、参照画像のボケが小さくなり、参照画像の小領域と入力画像の小領域の間の視野ずれ量が小さくなるからである。試料ステージ停止直後のように試料ドリフト量が大きい場合は併用の効果が大きい。実施例3では本発明を多種類の荷電粒子線を得られる装置に適用した場合の例を示す。なお、実施例1及び実施例2に記載され、本実施例に未記載の事項は実施例1及び実施例2と同様である。実施例3でも、実施例2では実施例1と同じく図7の装置を用いる。図7の装置には複数の検出器が備えられている。試料30後方に出射した2次電子を検出する検出器223、試料30前方に出射した電子線のうち、低角散乱電子を検出する明視野検出器221、高角散乱電子を検出する暗視野検出器222が搭載されている。また、透過電子線をエネルギー損失電子分光器41及びその制御回路41’にて弾性散乱透過電子線325と非弾性散乱透過電子線326に分光して測定することができる。試料から発生するX線をエネルギー分散型X線分光器40及びその制御回路40’にて測定することができる。エネルギー分散型X線分光器40やエネルギー損失電子分光器41を用いることにより、試料の組成や化学結合状態を解析することができる。入射ビームの走査信号と上記の検出器の出力信号を同期させることにより、様々な画像を同時に得ることができる。用いる検出器によって像のSNやコントラスト、空間分解能も異なる。高SN,高コントラスト、高分解能な画像を用いた方が像歪の測定精度は向上する。そこで、高SN,高コントラスト、高分解能な高画質画像と低SN,低コントラスト、低分解能な低画質画像を同時に測定し、高画質な参照画像と入力画像で像歪を測定し、その測定結果に基づいて低画質の入力画像から補正画像を作成すると、低画質画像でも高精度な像歪補正が実行できる。具体的には高画質画像に弾性散乱透過電子線像、低画質画像に非弾性散乱透過電子線像を用いると良い。透過電子のほとんどは非弾性散乱透過電子線であるので弾性散乱透過電子線像は高SNであり、エネルギー損失電子分光器41で分光された後、特定のエネルギー幅の電子線をスリットで抽出することによって得られる非弾性散乱透過電子線像は低SNである。また、高画質画像に低角散乱電子像を用い、低画質画像に高角散乱電子像を用いるのも有効である。低角散乱電子像では回折コントラストが強調され、高角散乱電子像は回折コントラストが抑制されるので、低角散乱電子像の方が画像処理に必要な特徴点を多く含む画像が撮影される。実施例2で用いた試料ドリフト補正のフロー図8のうち、撮影中にイメージシフトで試料ドリフトを補正するステップS5、FastScanで参照画像を撮影するステップS1、SlowScanで入力画像を撮影するステップS2、参照画像に対する入力画像の像歪を測定するステップS3はすべて高画質像で実施する。実施例2との違いは、ステップ2で高画質像と同時に低画質像のSlowScan像を入力画像として撮影する点と、ステップ4の像歪補正において、高画質な入力画像で測定した結果に基づいて低画質な入力画像を補正する点である。高画質像で像歪を測定することにより、低画質像における像歪補正精度が大幅に向上する。実施例4では本発明を図11の装置に適用した例を示す。なお、実施例1、実施例2及び実施例3に記載され、本実施例に未記載の事項は実施例1、実施例2及び実施例3と同様である。図11の装置の特徴は電位コントラストといわれるチャージアップを利用した画像形成方式を用いる点である。チャージアップを利用しているため、帯電起因の試料ドリフトが発生する確率が高い。そこで、高速走査にてチャージアップの発生しにくい条件で参照画像を撮影した後、低速走査にてチャージアップの発生しやすい条件で入力画像を撮影する。高速走査像の電位コントラストは低く、不良箇所は観察しにくくなるが、チャージアップを利用しなくても観察可能な、不良箇所とは関係ない回路パターンも撮影されている。この回路パターンを利用して、高速走査像に対する低速走査像の像歪を測定し、補正する。像歪補正を実行することにより、良品と不良品の差画像から不良箇所を抽出する工程における誤検出が低減される。また、不良箇所の検出を高速走査像と歪補正後の低速走査像の差画像を用いて実施しても良い。"