"コアとクラッドとを備え、入射光が入射される光導波路であって、前記コアは、第1の伝播部と、第2の伝播部と、第3の伝播部と、第1ないし第3の伝播部を結合する結合部とを有し、前記第1の伝播部は、前記入射光の一部が入射される第1の入射端面と、前記第1の入射端面に入射し第1の伝播部を伝播した光である第1の伝播光を出射する第1の出射部とを有し、前記第2の伝播部は、前記入射光の他の一部が入射される第2の入射端面と、前記第2の入射端面に入射し第2の伝播部を伝播した光である第2の伝播光を出射する第2の出射部とを有し、前記第1の伝播部と第2の伝播部は、間隔をあけて配置され、前記結合部は、前記第1の出射部より出射される前記第1の伝播光が入射される第1の入射部と、前記第2の出射部より出射される前記第2の伝播光が入射される第2の入射部と、第3の出射部とを有し、前記結合部内において、前記第1の入射部に入射した前記第1の伝播光に起因した第1の光波と、前記第2の入射部に入射した前記第2の伝播光に起因した第2の光波とが発生すると共に、前記第1および第2の光波が干渉することによって、前記第3の出射部より出射される光である第3の伝播光が発生し、前記第3の伝播部は、前記第3の出射部より出射される前記第3の伝播光が入射される第3の入射部を有し、前記第3の伝播光を伝播させることを特徴とする光導波路。前記第3の伝播部は、前記第3の伝播光をシングルモードで伝播させることを特徴とする請求項1記載の光導波路。前記第1の光波は、それぞれ前記第1の入射部に入射した前記第1の伝播光に起因すると共に前記結合部の外周における反射回数が互いに異なる複数の光波の干渉によって発生し、前記第2の光波は、それぞれ前記第2の入射部に入射した前記第2の伝播光に起因すると共に前記結合部の外周における反射回数が互いに異なる複数の光波の干渉によって発生することを請求項1記載の光導波路。前記第1の伝播部と第2伝播部は、同じ形状を有していることを特徴とする請求項1記載の光導波路。前記第1の伝播部は、前記第1の出射部に近づくに従って前記第1の伝播光の進行方向に直交する断面の面積が減少する第1のテーパー部分を含み、前記第2の伝播部は、前記第2の出射部に近づくに従って前記第2の伝播光の進行方向に直交する断面の面積が減少する第2のテーパー部分を含むことを特徴とする請求項1記載の光導波路。前記第1の伝播部は、更に、前記第1のテーパー部分と前記第1の出射部との間に位置し、前記第1の出射部からの距離に関わらずに前記第1の伝播光の進行方向に直交する断面の面積が一定である第1のストレート部分を含み、前記第2の伝播部は、更に、前記第2のテーパー部分と前記第2の出射部との間に位置し、前記第2の出射部からの距離に関わらずに前記第2の伝播光の進行方向に直交する断面の面積が一定である第2のストレート部分を含むことを特徴とする請求項5記載の光導波路。前記第1のストレート部分は、前記第1の伝播光をシングルモードで伝播させ、前記第2のストレート部分は、前記第2の伝播光をシングルモードで伝播させることを特徴とする請求項6記載の光導波路。請求項1記載の光導波路と、情報を磁気記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極とを備え、前記光導波路は、熱アシスト磁気記録に用いられる光を伝播させることを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。更に、前記光導波路を伝播する光に基づいて表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンに基づいて近接場光を発生するプラズモンジェネレータを備えていることを特徴とする請求項8記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。請求項8記載の熱アシスト磁気記録ヘッドと、前記熱アシスト磁気記録ヘッドを支持するサスペンションとを備えたヘッドジンバルアセンブリ。磁気記録媒体と、請求項8記載の熱アシスト磁気記録ヘッドと、前記熱アシスト磁気記録ヘッドを支持すると共に前記磁気記録媒体に対して位置決めする位置決め装置とを備えた磁気記録装置。入射光のスポットサイズよりも出射光のスポットサイズを小さくするスポットサイズコンバータとしては、非特許文献1に開示されているような、第1の入射端面と出射端面を有する第1の導波路部に、第2の入射端面を有するくさび形の第2の導波路部を積層した構造のものがある。以下、この構造のスポットサイズコンバータを積層型スポットサイズコンバータと呼ぶ。積層型スポットサイズコンバータでは、光は、第1および第2の入射端面に入射して、第1および第2の導波路部を伝播する。光の進行方向に直交する第2の導波路部の断面の面積は、第2の入射端面からの距離が大きくなるに従って小さくなるため、第2の導波路部を伝播する光は、第2の導波路部に存在することができなくなり、やがて第1の導波路部に移動する。積層型スポットサイズコンバータにおいて、第2の導波路部を伝播する光を第1の導波路部に効率よく移動させるためには、第2の導波路部の先端側第2の入射端面とは反対側を鋭く尖った形状にする必要がある。例えば、第2の導波路部の先端の曲率半径は0.1μm程度である。以下、積層型スポットサイズコンバータにおける問題点について説明する。第2の入射端面において、第2の導波路部の厚みと幅は、それぞれ、例えば数μmである。第2の導波路部の長さは、例えば数十ないし数百μmである。この場合、第2の導波路部の幅は、数十ないし数百μmの長さにわたって、数μmからほぼ0まで、徐々に小さくなる。従って、第2の導波路部の特に先端に近い部分では、幅に対する厚みの比率アスペクト比が非常に大きくなる。このような形状の第2の導波路部を形成することは、非常に難しい。例えば、第2の導波路部の形成方法としては、誘電体層の上にフォトリソグラフィを用いてフォトレジストよりなるエッチングマスクを形成し、このエッチングマスクを用いてエッチングによって誘電体層をパターニングする方法がある。この場合、エッチングマスクは、アスペクト比が非常に大きい部分を有するため、倒壊しやすい。また、第2の導波路部も、アスペクト比が非常に大きい部分を有するため、一部が欠けるおそれがある。また、積層型スポットサイズコンバータでは、第1および第2の入射端面は、合わさって1つの面からなる入射部を構成する。この場合、入射光のスポットサイズを、上記の入射部の大きさと同程度とすると、入射部に対する入射光の位置ずれの許容誤差は、あまり大きくならない。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第1の目的は、アスペクト比が非常に大きい部分を有する必要がなく、入射光に比べて伝播光の径を小さくすることができ、且つ入射部に対する入射光の位置ずれの許容誤差を大きくすることができるようにした光導波路を提供することにある。本発明の第2の目的は、上述のような光導波路を含む熱アシスト磁気記録ヘッド、ならびに、この熱アシスト磁気記録ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリおよび磁気記録装置を提供することにある。本発明の光導波路は、コアとクラッドとを備え、入射光が入射されるものである。コアは、第1の伝播部と、第2の伝播部と、第3の伝播部と、第1ないし第3の伝播部を結合する結合部とを有している。第1の伝播部は、入射光の一部が入射される第1の入射端面と、第1の入射端面に入射し第1の伝播部を伝播した光である第1の伝播光を出射する第1の出射部とを有している。第2の伝播部は、入射光の他の一部が入射される第2の入射端面と、第2の入射端面に入射し第2の伝播部を伝播した光である第2の伝播光を出射する第2の出射部とを有している。第1の伝播部と第2の伝播部は、間隔をあけて配置されている。結合部は、第1の出射部より出射される第1の伝播光が入射される第1の入射部と、第2の出射部より出射される第2の伝播光が入射される第2の入射部と、第3の出射部とを有している。結合部内において、第1の入射部に入射した第1の伝播光に起因した第1の光波と、第2の入射部に入射した第2の伝播光に起因した第2の光波とが発生すると共に、第1および第2の光波が干渉することによって、第3の出射部より出射される光である第3の伝播光が発生する。第3の伝播部は、第3の出射部より出射される第3の伝播光が入射される第3の入射部を有し、第3の伝播光を伝播させる。本発明の光導波路では、入射光の一部が第1の伝播部の第1の入射端面に入射し、入射光の他の一部が第2の伝播部の第2の入射端面に入射する。第1の伝播部を伝播した第1の伝播光は、第1の出射部より出射され、結合部の第1の入射部に入射する。第2の伝播部を伝播した第2の伝播光は、第2の出射部より出射され、結合部の第2の入射部に入射する。結合部内では、第1の入射部に入射した第1の伝播光に起因した第1の光波と、第2の入射部に入射した第2の伝播光に起因した第2の光波とが発生すると共に、第1および第2の光波が干渉することによって、第3の出射部より出射される光である第3の伝播光が発生する。そして、この第3の伝播光が、第3の伝播部の第3の入射部に入射し、第3の伝播部を伝播する。本発明の光導波路において、第3の伝播部は、第3の伝播光をシングルモードで伝播させるものであってもよい。また、本発明の光導波路において、第1の光波は、それぞれ第1の入射部に入射した第1の伝播光に起因すると共に結合部の外周における反射回数0回を含むが互いに異なる複数の光波の干渉によって発生してもよい。また、第2の光波は、それぞれ第2の入射部に入射した第2の伝播光に起因すると共に結合部の外周における反射回数0回を含むが互いに異なる複数の光波の干渉によって発生してもよい。また、本発明の光導波路において、第1の伝播部と第2伝播部は、同じ形状を有していてもよい。また、本発明の光導波路において、第1の伝播部は、第1の出射部に近づくに従って第1の伝播光の進行方向に直交する断面の面積が減少する第1のテーパー部分を含んでいてもよい。また、第2の伝播部は、第2の出射部に近づくに従って第2の伝播光の進行方向に直交する断面の面積が減少する第2のテーパー部分を含んでいてもよい。また、本発明の光導波路において、第1の伝播部は、更に、第1のテーパー部分と第1の出射部との間に位置し、第1の出射部からの距離に関わらずに第1の伝播光の進行方向に直交する断面の面積が一定である第1のストレート部分を含んでいてもよい。また、第2の伝播部は、更に、第2のテーパー部分と第2の出射部との間に位置し、第2の出射部からの距離に関わらずに第2の伝播光の進行方向に直交する断面の面積が一定である第2のストレート部分を含んでいてもよい。この場合、第1のストレート部分は、第1の伝播光をシングルモードで伝播させ、第2のストレート部分は、第2の伝播光をシングルモードで伝播させるものであってもよい。本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドは、本発明の光導波路と、情報を磁気記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極とを備え、光導波路は、熱アシスト磁気記録に用いられる光を伝播させるものである。本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、光導波路を伝播する光に基づいて表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンに基づいて近接場光を発生するプラズモンジェネレータを備えていてもよい。本発明のヘッドジンバルアセンブリは、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドと、熱アシスト磁気記録ヘッドを支持するサスペンションとを備えている。本発明の磁気記録装置は、磁気記録媒体と、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドと、熱アシスト磁気記録ヘッドを支持すると共に磁気記録媒体に対して位置決めする位置決め装置とを備えている。本発明の光導波路によれば、第1および第2の入射端面にまたがって入射する入射光を、1つの第3の伝播部を伝播する第3の伝播光に変換することができることから、入射光に比べて第3の伝播光の径を小さくすることが可能になる。また、本発明の光導波路では、第1の伝播部と第2の伝播部が間隔をあけて配置されていることから、第1の入射端面と第2の入射端面も間隔をあけて配置されている。これにより、本発明の光導波路によれば、1つの面からなる入射部を有するスポットサイズコンバータに比べて、第1および第2の入射端面を含む入射部に対する入射光の位置ずれの許容誤差を大きくすることができる。また、本発明の光導波路は、積層型スポットサイズコンバータと異なり、アスペクト比が非常に大きい部分を有する必要がない。以上のことから、本発明の光導波路によれば、アスペクト比が非常に大きい部分を有する必要がなく、入射光に比べて伝播光の径を小さくすることができ、且つ入射部に対する入射光の位置ずれの許容誤差を大きくすることが可能になるという効果を奏する。また、本発明の光導波路を含む熱アシスト磁気記録ヘッド、ならびに、この熱アシスト磁気記録ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリおよび磁気記録装置によっても、上記の効果を得ることができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図7を参照して、本発明の一実施の形態に係る磁気記録装置としての磁気ディスク装置について説明する。図7に示したように、磁気ディスク装置は、複数の磁気記録媒体としての複数の磁気ディスク201と、この複数の磁気ディスク201を回転させるスピンドルモータ202とを備えている。本実施の形態における磁気ディスク201は、垂直磁気記録用であり、ディスク基板上に、軟磁性裏打ち層、中間層および磁気記録層垂直磁化層が順次積層された構造を有している。磁気ディスク装置は、更に、複数の駆動アーム211を有するアセンブリキャリッジ装置210と、複数の駆動アーム211の先端部に取り付けられた複数のヘッドジンバルアセンブリ212とを備えている。ヘッドジンバルアセンブリ212は、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド1と、この熱アシスト磁気記録ヘッド1を支持するサスペンション220とを備えている。アセンブリキャリッジ装置210は、熱アシスト磁気記録ヘッド1を、磁気ディスク201の磁気記録層に形成され、記録ビットが並ぶトラック上に位置決めするための装置である。アセンブリキャリッジ装置210は、更に、ピボットベアリング軸213と、ボイスコイルモータ214とを有している。複数の駆動アーム211は、ピボットベアリング軸213に沿った方向にスタックされ、ボイスコイルモータ214によって駆動されて、軸213を中心として揺動可能になっている。なお、本発明の磁気記録装置の構造は、以上説明した構成の磁気ディスク装置に限定されるものではない。例えば、本発明の磁気記録装置は、それぞれ1つの磁気ディスク201、駆動アーム211、ヘッドジンバルアセンブリ212および熱アシスト磁気記録ヘッド1を備えたものであってもよい。磁気ディスク装置は、更に、熱アシスト磁気記録ヘッド1の記録動作および再生動作を制御すると共に、後述する熱アシスト磁気記録用のレーザ光を発生させる光源であるレーザダイオードの発光動作を制御する制御回路230を備えている。図8は、図7におけるヘッドジンバルアセンブリ212を示す斜視図である。前述のように、ヘッドジンバルアセンブリ212は、熱アシスト磁気記録ヘッド1とサスペンション220とを備えている。サスペンション220は、ロードビーム221と、このロードビーム221に固着され、弾性を有するフレクシャ222と、ロードビーム221の基部に設けられたベースプレート223と、ロードビーム221およびフレクシャ222の上に設けられた配線部材224とを有している。配線部材224は、複数のリードを含んでいる。熱アシスト磁気記録ヘッド1は、磁気ディスク201の表面に対して所定の間隔浮上量をもって対向するように、サスペンション220の先端部においてフレクシャ222に固着されている。配線部材224の一端部は、熱アシスト磁気記録ヘッド1の複数の端子に電気的に接続されている。配線部材224の他端部には、ロードビーム221の基部に配置された複数のパッド状端子が設けられている。アセンブリキャリッジ装置210およびサスペンション220は、本発明における位置決め装置に対応する。なお、本発明のヘッドジンバルアセンブリは、図8に示した構成のものに限定されるものではない。例えば、本発明のヘッドジンバルアセンブリは、サスペンション220の途中にヘッド駆動用ICチップが装着されたものであってもよい。次に、図9ないし図11を参照して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド1の構成について説明する。図9は、熱アシスト磁気記録ヘッド1を示す斜視図である。図10は、図9における10-10線断面図である。図11は、熱アシスト磁気記録ヘッドにおけるヘッド部の一部を示す平面図である。熱アシスト磁気記録ヘッド1は、スライダ10と光源ユニット50とを備えている。図10は、スライダ10と光源ユニット50を分離した状態を表している。スライダ10は、アルミニウムオキサイドチタニウムカーバイドAl2O3TiC等のセラミック材料よりなる直方体形状のスライダ基板11と、ヘッド部12とを備えている。スライダ基板11は、磁気ディスク201に対向する媒体対向面11aと、この媒体対向面11aとは反対側の背面11bと、媒体対向面11aと背面11bとを連結する4つの面とを有している。媒体対向面11aと背面11bとを連結する4つの面のうちの1つは素子形成面11cである。素子形成面11cは、媒体対向面11aに垂直である。ヘッド部12は、素子形成面11cの上に配置されている。媒体対向面11aは、磁気ディスク201に対するスライダ10の適切な浮上量が得られるように加工されている。ヘッド部12は、磁気ディスク201に対向する媒体対向面12aと、この媒体対向面12aとは反対側の背面12bとを有している。媒体対向面12aは、スライダ基板11の媒体対向面11aと平行である。ここで、ヘッド部12の構成要素に関して、基準の位置に対して、素子形成面11cに垂直で、且つ素子形成面11cから遠ざかる方向にある位置を上方と定義し、その反対方向にある位置を下方と定義する。また、ヘッド部12に含まれる任意の層に関して、素子形成面11cにより近い面を下面と定義し、素子形成面11cからより遠い面を上面と定義する。また、X方向、Y方向、Z方向、-X方向、-Y方向、-Z方向を以下のように定義する。X方向は、媒体対向面11aに垂直で、且つ媒体対向面11aから背面11bに向かう方向である。Y方向は、媒体対向面11aおよび素子形成面11cに平行な方向であって、図10における奥から手前に向かう方向である。Z方向は、素子形成面11cに垂直な方向であって、素子形成面11cから離れる方向である。-X方向、-Y方向、-Z方向は、それぞれ、X方向、Y方向、Z方向とは反対方向である。スライダ10から見た磁気ディスク201の進行方向はZ方向である。スライダ10における空気流入端リーディング端は、媒体対向面11aの-Z方向における端部である。スライダ10における空気流出端トレーリング端は、媒体対向面12aのZ方向における端部である。また、トラック幅方向TWは、Y方向に平行な方向である。光源ユニット50は、レーザ光を出射する光源としてのレーザダイオード60と、このレーザダイオード60を支持する直方体形状の支持部材51とを備えている。支持部材51は、例えば、アルミニウムオキサイドチタニウムカーバイドAl2O3TiC等のセラミック材料によって形成されている。支持部材51は、接着面51aと、この接着面51aとは反対側の背面51bと、接着面51aと背面51bとを連結する4つの面とを有している。接着面51aと背面51bとを連結する4つの面のうちの1つは光源設置面51cである。接着面51aは、スライダ基板11の背面11bに接着される面である。光源設置面51cは、接着面51aに垂直であり、素子形成面11cに平行である。レーザダイオード60は、光源設置面51cに搭載されている。支持部材51は、レーザダイオード60を支持する機能の他に、レーザダイオード60によって発生される熱を放散させるヒートシンクの機能を有していてもよい。図10に示したように、ヘッド部12は、素子形成面11cの上に配置された絶縁層13と、この絶縁層13の上に順に積層された再生ヘッド14、記録ヘッド16および保護層17を備えている。絶縁層13と保護層17は、Al2O3以下、アルミナとも記す。等の絶縁材料によって形成されている。再生ヘッド14は、絶縁層13の上に配置された下部シールド層21と、この下部シールド層21の上に配置されたMR素子22と、このMR素子22の上に配置された上部シールド層23と、MR素子22の周囲において下部シールド層21と上部シールド層23の間に配置された絶縁層24とを有している。下部シールド層21と上部シールド層23は、軟磁性材料によって形成されている。絶縁層24は、アルミナ等の絶縁材料によって形成されている。MR素子22の一端部は、媒体対向面12aに配置されている。MR素子としては、例えば、GMR巨大磁気抵抗効果素子またはTMRトンネル磁気抵抗効果素子を用いることができる。GMR素子としては、磁気的信号検出用のセンス電流を、GMR素子を構成する各層の面に対してほぼ平行な方向に流すCIPCurrentInPlaneタイプでもよいし、センス電流を、GMR素子を構成する各層の面に対してほぼ垂直な方向に流すCPPCurrentPerpendiculartoPlaneタイプでもよい。MR素子22がTMR素子またはCPPタイプのGMR素子の場合には、下部シールド層21と上部シールド層23は、センス電流をMR素子22に流すための電極を兼ねていてもよい。MR素子22がCIPタイプのGMR素子の場合には、MR素子22と下部シールド層21の間と、MR素子22と上部シールド層23の間に、それぞれ絶縁膜が設けられ、これらの絶縁膜の間に、センス電流をMR素子22に流すための2つのリードが設けられる。ヘッド部12は、更に、上部シールド層23の上に配置された絶縁層25と、この絶縁層25の上に配置された中間シールド層26と、この中間シールド層26の上に配置された絶縁層27とを備えている。中間シールド層26は、記録ヘッド16で発生する磁界からMR素子22をシールドする機能を有している。絶縁層25,27は、アルミナ等の絶縁材料によって形成されている。中間シールド層26は、軟磁性材料によって形成されている。絶縁層25と中間シールド層26は、省略してもよい。本実施の形態における記録ヘッド16は、垂直磁気記録用である。記録ヘッド16は、絶縁層27の上に配置された下部ヨーク層28と、媒体対向面12aの近傍において、下部ヨーク層28の上に配置された下部シールド層29と、媒体対向面12aから離れた位置において下部ヨーク層28の上に配置された連結層30を備えている。下部ヨーク層28、下部シールド層29および連結層30は、軟磁性材料によって形成されている。記録ヘッド16は、更に、本実施の形態に係る光導波路を備えている。この光導波路は、熱アシスト磁気記録に用いられる光を伝播させるものである。光導波路は、コア32とクラッドとを備えている。クラッドは、クラッド層31とクラッド層33を有している。クラッド層31は、下部ヨーク層28、下部シールド層29および連結層30を覆っている。コア32は、クラッド層31の上に配置されている。クラッド層33は、クラッド層31とコア32を覆っている。コア32は、媒体対向面12aに垂直な方向X方向に延びている。コア32は、入射部32aと、その反対側の前端面とを有している。コア32は、レーザダイオード60より出射されて、入射部32aに入射されたレーザ光を伝播させる。コア32は、レーザ光を通過させる誘電体材料または半導体材料によって形成されている。クラッド層31,33は、誘電体材料によって形成され、且つコア32の屈折率よりも小さい屈折率を有している。コア32の屈折率は、例えば1.5~3.5の範囲内である。クラッド層31,33の屈折率は、例えば1.4~2.0の範囲内である。コア32の材料としては、例えば、酸化タンタル、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化窒化ケイ素SiON、酸化窒化アルミニウムAlON、ケイ素のいずれかを用いることができる。クラッド層31,33の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、酸化窒化アルミニウムのいずれかを用いることができる。記録ヘッド16は、更に、媒体対向面12aの近傍において、コア32の上方に配置されたプラズモンジェネレータ34と、コア32との間にプラズモンジェネレータ34を挟む位置に配置された磁極35とを備えている。プラズモンジェネレータ34は、金属等の導電材料によって形成されている。プラズモンジェネレータ34は、例えば、Au、Ag、Al、Pd、Pt、Mg、Cu、In、Rh、IrおよびRuのうちの1つによって、またはこれらのうちの2つ以上からなる合金によって形成されていてもよい。磁極35は、軟磁性材料、特に金属磁性材料によって形成されている。なお、コア32、プラズモンジェネレータ34および磁極35の形状および配置については、後で詳しく説明する。記録ヘッド16は、更に、媒体対向面12aから離れた位置において、クラッド層33に埋め込まれた連結層36と、この連結層36の上に配置された連結層37とを備えている。連結層36,37は、連結層30の上方の位置に配置されている。また、連結層36,37は、軟磁性材料によって形成されている。図11に示したように、記録ヘッド16は、更に、クラッド層31,33に埋め込まれた2つの連結部40A,40Bを備えている。連結部40A,40Bは、軟磁性材料によって形成されている。連結部40A,40Bは、コア32のトラック幅方向TWの両側において、コア32に対して間隔をあけて配置されている。連結部40A,40Bの下面は連結層30の上面に接し、連結部40A,40Bの上面は連結層36の下面に接している。記録ヘッド16は、更に、磁極35と連結層37の周囲に配置された絶縁層38と、この絶縁層38の上に配置された絶縁層39と、この絶縁層39の上に配置されたコイル41と、コイル41を覆う絶縁層42とを備えている。絶縁層38,39は、アルミナ等の絶縁材料によって形成されている。コイル41は、連結層37を中心として巻回された平面渦巻き形状を有している。コイル41は、磁気ディスク201に記録する情報に応じた磁界を発生する。コイル41は、銅等の導電材料によって形成されている。絶縁層42は、例えばフォトレジストによって形成されている。記録ヘッド16は、更に、上部ヨーク層43を備えている。上部ヨーク層43は、磁極35、絶縁層42および連結層37の上に配置され、媒体対向面12aの近傍において磁極35の上面に接し、媒体対向面12aから離れた位置で連結層37の上面に接している。上部ヨーク層43は、軟磁性材料によって形成されている。記録ヘッド16において、下部シールド層29、下部ヨーク層28、連結層30、連結部40A,40B、連結層36,37、上部ヨーク層43および磁極35は、コイル41によって発生された磁界に対応する磁束を通過させる磁路を構成している。磁極35は、媒体対向面12aに配置された端面を有し、コイル41によって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を磁気ディスク201に記録するための記録磁界を発生する。下部シールド層29は、磁極35の端面より発生されて磁気ディスク201の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束を取り込むことにより、この磁束が磁気ディスク201に達することを阻止する。図10に示したように、保護層17は、記録ヘッド16を覆うように配置されている。図9に示したように、ヘッド部12は、更に、保護層17の上面に配置され、MR素子22に電気的に接続された一対の端子18と、保護層17の上面に配置され、コイル41に電気的に接続された一対の端子19とを備えている。これらの端子18,19は、図8に示した配線部材224の複数のパッド状端子のうちの4つに電気的に接続されている。レーザダイオード60としては、InP系、GaAs系、GaN系等の、通信用、光学系ディスクストレージ用または材料分析用等として通常用いられているものが使用可能である。レーザダイオード60が出射するレーザ光の波長は、400~1000nmの範囲内であることが好ましく、600~850nmの範囲内であることがより好ましい。図10に示したように、レーザダイオード60は、下部電極61と活性層62と上部電極63とを含む多層構造を有している。この多層構造における2つの劈開面には、光を全反射して発振を励起するためのSiO2、Al2O3等からなる反射層64が設けられている。反射層64には、発光中心62aを含む活性層62の位置において、レーザ光を出射するための開口が設けられている。レーザダイオード60の厚みTLAは、例えば、60~200μm程度である。光源ユニット50は、更に、光源設置面51cに配置され、下部電極61に電気的に接続された端子52と、光源設置面51cに配置され、上部電極63に電気的に接続された端子53とを備えている。これらの端子52,53は、図9に示した配線部材224の複数のパッド状端子のうちの2つに電気的に接続されている。端子52,53を介してレーザダイオード60に所定の電圧を印加すると、レーザダイオード60の発光中心62aからレーザ光が出射される。レーザダイオード60より出射されるレーザ光は、電界の振動方向が活性層62の面に対して垂直なTMモードの偏光であることが好ましい。レーザダイオード60の駆動には、磁気ディスク装置内の電源を使用することが可能である。磁気ディスク装置は、通常、例えば2V程度の電圧を発生する電源を備えており、この電源の電圧はレーザダイオード60を駆動するのに十分である。また、レーザダイオード60の消費電力は、例えば数十mW程度であり、これは、磁気ディスク装置内の電源で十分に賄うことができる。図10に示したように、光源ユニット50は、支持部材51の接着面51aがスライダ基板11の背面11bに接着されることによって、スライダ10に対して固着される。レーザダイオード60とコア32は、レーザダイオード60から出射されたレーザ光がコア32の入射部32aに入射するように位置決めされている。次に、図1ないし図5を参照して、コア32について詳しく説明する。図1は、コア32を示す斜視図である。図2は、コア32を示す平面図である。図3は、コア32を示す側面図である。図4は、光導波路の一部を示す断面図である。図5は、コア32の結合部の近傍を示す断面図である。図1ないし図5には、図10に示したX,Y,Zの各方向も示している。コア32は、第1の伝播部321と、第2の伝播部322と、第3の伝播部323と、第1ないし第3の伝播部321,322,323を結合する結合部324とを有している。第1および第2の伝播部321,322は、それぞれ、背面12bから-X方向に、媒体対向面12aに達しない所定の位置まで延びている。第3の伝播部323は、上記の所定の位置よりも媒体対向面12aに近い位置から-X方向に延びている。第1の伝播部321と第2の伝播部322は、素子形成面11cに垂直な方向Z方向に間隔をあけて配置されている。図1ないし図5に示した例では、第1の伝播部321は、第2の伝播部322の上方に配置されている。ここで、図2および図4に示したように、入射光の中心を含み、素子形成面11cに垂直な仮想の平面を記号Pで表す。第1の伝播部321と第2の伝播部322は、いずれも仮想の平面Pに対称な形状であって、且つ同じ形状を有している。第1の伝播部321は、レーザダイオード60から出射され、コア32に入射されるレーザ光以下、入射光と言う。の一部が入射される第1の入射端面321aと、第1の入射端面321aに入射し第1の伝播部321を伝播した光である第1の伝播光を出射する第1の出射部321bと、2つの側面321c,321dと、上面と、下面とを有している。第1の入射端面321aは、コア32の入射部32aの一部を構成する。第1の入射端面321aおよび第1の出射部321bの形状は、いずれも、例えば矩形である。側面321c,321dは、素子形成面11cに対して垂直であってもよいし、素子形成面11cに垂直な方向に対して傾いていてもよい。第1の伝播部321では、第1の伝播光は、第1の伝播部321が延びる方向、すなわち-X方向に進行する。第1の伝播部321は、第1の導入部分3211と、第1のテーパー部分3212と、第1のストレート部分3213とを含んでいる。図1および図2では、これらの部分の境界を点線で示している。第1の導入部分3211、第1のテーパー部分3212および第1のストレート部分3213において、第1の伝播光の進行方向-X方向に直交する断面の形状は、いずれも、例えば矩形である。第1のテーパー部分3212では、第1の出射部321bに近づくに従って第1の伝播光の進行方向に直交する断面の面積が減少している。図1ないし図3に示した例では、第1のテーパー部分3212のZ方向の厚みは、第1の出射部321bからの距離に関わらずに一定であり、第1のテーパー部分3212のY方向の幅は、第1の出射部321bに近づくに従って小さくなっている。第1の導入部分3211は、第1のテーパー部分3212と第1の入射端面321aとの間に位置している。第1の伝播光の進行方向に直交する第1の導入部分3211の断面の面積および形状は、第1の入射端面321aからの距離に関わらずに一定である。第1の伝播光の進行方向に直交する第1の導入部分3211と第1のテーパー部分3212の断面の形状は、第1の導入部分3211と第1のテーパー部分3212の境界において等しい。第1のストレート部分3213は、第1のテーパー部分3212と第1の出射部321bとの間に位置している。第1の伝播光の進行方向に直交する第1のストレート部分3213の断面の面積および形状は、第1の出射部321bからの距離に関わらずに一定である。第1の伝播光の進行方向に直交する第1のテーパー部分3212と第1のストレート部分3213の断面の形状は、第1のテーパー部分3212と第1のストレート部分3213の境界において等しい。第2の伝播部322は、入射光の他の一部が入射される第2の入射端面322aと、第2の入射端面322aに入射し第2の伝播部322を伝播した光である第2の伝播光を出射する第2の出射部322bと、第1および第2の側面と、上面と、下面とを有している。第2の入射端面322aは、コア32の入射部32aの他の一部を構成する。第2の入射端面322aおよび第2の出射部322bの形状は、いずれも、例えば矩形である。第1および第2の側面は、素子形成面11cに対して垂直であってもよいし、素子形成面11cに垂直な方向に対して傾いていてもよい。第2の伝播部322では、第2の伝播光は、第2の伝播部322が延びる方向、すなわち-X方向に進行する。第2の伝播部322は、第2の導入部分3221と、第2のテーパー部分3222と、第2のストレート部分3223とを含んでいる。図1では、これらの部分の境界を点線で示している。第2の導入部分3221、第2のテーパー部分3222および第2のストレート部分3223の形状は、それぞれ、第1の導入部分3211、第1のテーパー部分3212および第1のストレート部分3213と同じある。ここで、図2に示したように、第1および第2の導入部分3211,3221のY方向の幅を記号WWGAで表す。WWGAは、0.3~6μmの範囲内であることが好ましく、1~5μmの範囲内であることがより好ましい。また、図3に示したように、第1および第2の導入部分3211,3221のZ方向の厚みを記号TWGAで表す。TWGAは、0.25~0.95μmの範囲内であることが好ましく、0.35~0.8μmの範囲内であることがより好ましい。また、図2に示したように、第1および第2の導入部分3211,3221のX方向の長さを記号HWGAで表す。HWGAは、例えば0~200μmの範囲内である。HWGAが0の場合は、第1および第2の導入部分3211,3221がなく、第1および第2のテーパー部分3212,3222の各端面が背面12bに配置される。また、この場合、第1および第2の入射端面321a,322aは、それぞれ、第1および第2のテーパー部分3212,3222の各端面によって構成される。また、図3に示したように、第1および第2のテーパー部分3212,3222のZ方向の厚みを記号TWGBで表す。TWGBは、0.25~0.95μmの範囲内であることが好ましく、0.35~0.8μmの範囲内であることがより好ましい。また、図2に示したように、第1および第2のテーパー部分3212,3222のX方向の長さを記号HWGBで表す。HWGBは、例えば10~200μmの範囲内である。また、図2に示したように、第1および第2のストレート部分3213,3223のY方向の幅を記号WWGCで表す。また、図3に示したように、第1および第2のストレート部分3213,3223のZ方向の厚みを記号TWGCで表す。本実施の形態では、第1のストレート部分3213は、第1の伝播光をシングルモードで伝播させるものであり、第2のストレート部分3223は、第2の伝播光をシングルモードで伝播させるものである。これを実現するために、WWGCは、0.3~1μmの範囲内であることが好ましく、0.35~0.6μmの範囲内であることがより好ましい。また、TWGCは、0.25~0.95μmの範囲内であることが好ましく、0.35~0.8μmの範囲内であることがより好ましい。また、図2に示したように、第1および第2のストレート部分3213,3223のX方向の長さを記号HWGCで表す。HWGCは、例えば10~100μmの範囲内である。また、図3に示したように、第1の伝播部321と第2の伝播部322との間の間隔は、背面12bからの距離に関わらずに一定である。以下、この間隔を記号DWGで表す。コア32の入射部32aを構成する第1の入射端面321aと第2の入射端面322aとの間の間隔は、DWGと等しい。DWGは、第1の入射端面321aと第2の入射端面322aの両方に入射光が当たるような大きさであることが好ましい。具体的には、DWGは、1.7μm以下であることが好ましく、1.3μm以下であることがより好ましい。一方、DWGが小さくなると、第1の伝播部321を伝播する第1の伝播光と、第2の伝播部322を伝播する第2の伝播光との間で相互作用が生じる。具体的には、DWGが小さくなると、第1の伝播部321と第2の伝播部322との間で光のエネルギーが往来するようになる。この往来するエネルギーの量が多くなると、第1および第2の出射部321b,322bにおける第1および第2の伝播光のエネルギーのバランスが悪くなるおそれがある。そのため、上記の相互作用が大きくならないように、DWGはある程度大きいことが好ましい。ここで、第1および第2の伝播光の波長を記号λで表し、第1の伝播部321と第2の伝播部322との間に存在するクラッドクラッド層33の屈折率を記号nCLで表す。DWGは、λ/2nCL以上であることが好ましく、λ/nCL以上であることがより好ましい。なお、DWGは、上記のλ、nCLの他に、入射光のスポット径や、第1および第2の入射端面321a,322aの寸法および配置を考慮して決定される。これらのパラメータの関係については、後で詳しく説明する。結合部324は、例えば直方体形状をなしている。結合部324の外周は、第1および第2の伝播部321,322に向いた第1の部分324aと、第3の伝播部323に向いた第2の部分324bと、上面と、下面と、2つの側面とを含んでいる。結合部324の2つの側面は、素子形成面11cに対して垂直であってもよいし、素子形成面11cに垂直な方向に対して傾いている部分を含んでいてもよい。第1の部分324aには、第1の伝播部321の第1の出射部321bと第2の伝播部322の第2の出射部322bが連結されている。第1の出射部321bは、第1の部分324aの上下方向Z方向の中央よりも上の部分に連結されている。第2の出射部322bは、第1の部分324aの上下方向Z方向の中央よりも下の部分に連結されている。第2の部分324bには、第3の伝播部323が連結されている。図5に示したように、第1の部分324aは、第1の出射部321bから出射される第1の伝播光が入射される第1の入射部324a1と、第2の出射部322bから出射される第2の伝播光が入射される第2の入射部324a2とを含んでいる。第1の入射部324a1は、第1の部分324aのうち、第1の出射部321bが連結された部分によって構成されている。第2の入射部324a2は、第1の部分324aのうち、第2の出射部322bが連結された部分によって構成されている。後で詳しく説明するが、結合部324内では、第1の伝播光と第2の伝播光に基づいて、第3の伝播光が発生する。第2の部分324bは、第3の伝播光を出射する第3の出射部324b1を含んでいる。第3の出射部324b1は、第2の部分324bのうち、第3の伝播部323が連結された部分によって構成されている。ここで、図2に示したように、結合部324のY方向の幅を記号WWG4で表す。WWG4は、0.3~1μmの範囲内であることが好ましく、0.35~0.6μmの範囲内であることがより好ましい。また、図5に示したように、結合部324のZ方向の厚みを記号TWG4で表す。TWG4は、0.8~2.2μmの範囲内であることが好ましく、1.0~2.0μmの範囲内であることがより好ましい。また、図5に示したように、結合部324のX方向の長さを記号HWG4で表す。HWG4は、第3の伝播光を第3の伝播部323に入射させるためのパラメータである。HWG4については、後で詳しく説明する。第3の伝播部323は、第3の出射部324b1より出射される第3の伝播光が入射される第3の入射部323aと、その反対側の前端面323bと、上面であるエバネッセント光発生面323cと、下面323dと、2つの側面323e,323fとを有している。前端面323bは、コア32の前端面でもある。第3の入射部323aは、結合部324の第2の部分324bの上下方向Z方向の中央部分に連結されている。第3の入射部323aおよび前端面323bの形状は、いずれも、例えば矩形である。側面323e,323fは、素子形成面11cに対して垂直であってもよいし、素子形成面11cに垂直な方向に対して傾いていてもよい。第3の伝播部323では、第3の伝播光は、第3の伝播部323が延びる方向、すなわち-X方向に進行する。エバネッセント光発生面323cは、第3の伝播光に基づいてエバネッセント光を発生する。第3の伝播光の進行方向-X方向に直交する第3の伝播部323の断面の形状は、例えば矩形である。第3の伝播部323の上記断面の面積は、第1の入射端面321aと第2の入射端面322aの面積の合計よりも小さい。図1ないし図3に示した例では、第3の伝播部323の上記断面の面積および形状は、結合部324からの距離に関わらずに一定である。ここで、図2に示したように、第3の伝播部323のY方向の幅を記号WWG3で表す。また、図3に示したように、第3の伝播部323のZ方向の厚みを記号TWG3で表す。本実施の形態では、第3の伝播部323は、第3の伝播光をシングルモードで伝播させるものである。これを実現するために、WWG3は、0.25~1μmの範囲内であることが好ましく、0.35~0.6μmの範囲内であることがより好ましい。また、TWG3は、0.3~1μmの範囲内であることが好ましく、0.35~0.6μmの範囲内であることがより好ましい。なお、TWG3は、第1の伝播部321と第2の伝播部322との間の間隔DWGと等しくてもよいし、DWGよりも小さくてもよいし、大きくてもよい。ここで、入射部32aのZ方向の寸法を、第1の入射端面321aの上端から第2の入射端面322aの下端までの距離と定義する。TWG3は、入射部32aのZ方向の寸法よりも小さい。また、図2に示したように、第3の伝播部323のX方向の長さを記号HWG3で表す。HWG3は、例えば10~100μmの範囲内である。次に、図6を参照して、プラズモンジェネレータ34および磁極35の形状および配置の一例について説明する。図6は、コア32第3の伝播部323、プラズモンジェネレータ34および磁極35を示す断面図である。図6に示した例では、プラズモンジェネレータ34は、媒体対向面12aに配置された近接場光発生エッジ34gを有している。また、プラズモンジェネレータ34は、以下のような外面を有する三角柱形状を有している。プラズモンジェネレータ34の外面は、エバネッセント光発生面323cに対して所定の間隔をもって対向して媒体対向面12aに垂直な方向に延びる伝播エッジ34aと、上面34bと、第1および第2の斜面図示せずとを含んでいる。後で説明するように、伝播エッジ34aはプラズモンを伝播させる。近接場光発生エッジ34gは、伝播エッジ34aの端に位置している。図示しないが、第1および第2の斜面は、それぞれ伝播エッジ34aに連結され伝播エッジ34aから離れるに従って互いの距離が大きくなっている。上面34bは、第1の斜面と第2の斜面の上端同士を接続している。第1の斜面と第2の斜面がなす角度は、例えば30度から120度の範囲内である。プラズモンジェネレータ34の外面は、更に、媒体対向面12aに配置された前端面34cと、その反対側の後端面34dとを含んでいる。前端面34cと後端面34dは、それぞれ、第1の斜面、第2の斜面および上面34bを接続している。前端面34cの形状は、三角形である。前端面34cの頂点の1つは、伝播エッジ34aの端に位置する。この頂点は、近接場光発生エッジ34gを形成する。図6に示した例では、伝播エッジ34aと上面34bとの間の距離は、媒体対向面12aからの距離によらずに一定またはほぼ一定である。また、Y方向についての上面34bの幅は、媒体対向面12aからの距離によらずに一定またはほぼ一定である。図6に示したように、クラッド層33のうち、エバネッセント光発生面323cと伝播エッジ34aとの間に配置された部分は、コア32の屈折率よりも小さい屈折率を有する緩衝部33Aを構成している。図6に示した例では、磁極35は、第3の伝播部323との間にプラズモンジェネレータ34を挟む位置に配置されている。磁極35は、媒体対向面12aに配置された端面35aを有している。端面35aの形状は、例えば矩形である。また、磁極35の下面は、プラズモンジェネレータ34の上面34bに接している。媒体対向面12aにおけるプラズモンジェネレータ34のトラック幅方向TWY方向の寸法と、媒体対向面12aにおけるプラズモンジェネレータ34のZ方向の寸法は、いずれも、コア32を伝播するレーザ光の波長よりも十分に小さい。これらの寸法は、いずれも、例えば10~100nmの範囲内である。また、図6に示したように、プラズモンジェネレータ34のX方向の長さを記号HPGで表す。HPGは、例えば0.6~4.0μmの範囲内である。また、図6に示したように、プラズモンジェネレータ34の伝播エッジ34aのうちエバネッセント光発生面323cと対向する部分のX方向の長さを記号HBFで表す。また、図6に示したように、伝播エッジ34aとエバネッセント光発生面323cとの間隔を記号TBFで表す。HBFとTBFは、いずれも、表面プラズモンの適切な励起、伝播を実現するための重要なパラメータである。HBFは、0.6~4.0μmの範囲内であることが好ましく、コア32を伝播するレーザ光の波長よりも大きいことが好ましい。なお、図6に示した例では、第3の伝播部323の前端面323bが媒体対向面12aに露出しているため、HBFは、HPGと等しくなっている。TBFは、10~100nmの範囲内であることが好ましい。プラズモンジェネレータ34の近接場光発生エッジ34gと第3の伝播部323の前端面323bとの間の距離は、TBFと等しい。なお、プラズモンジェネレータ34および磁極35の形状および配置は、図6を参照して説明した上記の例に限られない。次に、図3、図5および図10を参照して、コア32を伝播する光について説明する。コア32の入射部32aに入射する入射光44は、レーザダイオード60の発光中心62aから出射される。入射光44は、発散する光である。入射光44の中心44Cは、素子形成面11cに平行である。前述の仮想の平面P図2および図4参照は、中心44Cを含んでいる。通常用いられる定義と同様に、入射光44のビームの形状を、放射強度が中心44Cにおける放射強度の1/e2となる面の形状とする。入射光44のビームの形状は、発光中心62aからの距離が大きくなるに従って、発光中心62aの近傍における、中心44Cを含む仮想の直線上の点を頂点とする円錐または楕円錐に漸近していく。ここで、上記円錐または楕円錐の側面と中心44Cとがなす角度を発散角と呼ぶ。中心44Cを含み素子形成面11cに平行な仮想の平面における発散角以下、水平発散角という。と、中心44Cを含み素子形成面11cに垂直な仮想の平面Pにおける発散角以下、垂直発散角という。は、等しくてもよいし、異なっていてもよい。本実施の形態では、レーザダイオード60は、Z方向に積層された多層構造を有している図10参照。この場合、レーザダイオード60の出射光の、X方向に垂直な断面の形状は、出射直後はY方向に長い形状であるが、その後、急激にZ方向に広がる。そのため、入射光44の垂直発散角は水平発散角よりも大きくなりやすく、入射部32aに入射する際の入射光44のスポットの形状は、Z方向に長い形状になりやすい。水平発散角は例えば6度から20度の範囲内であり、垂直発散角は例えば20度から60の範囲内である。入射部32aは、第1の伝播部321の第1の入射端面321aと第2の伝播部322の第2の入射端面322aによって構成されている。入射光44は、第1の入射端面321aと第2の入射端面322aにまたがって入射する。入射部32aに入射する際の入射光44のスポット径放射強度がスポット中心における放射強度の1/e2となる放射強度等高線の径は、少なくとも、第1の入射端面321aと第2の入射端面322aの両方に入射光44が当たるような大きさである必要がある。一方、入射光44のスポット径が必要以上に大きくなると、入射部32a第1および第2の入射端面321a,322a以外の部分に当たる入射光44の割合が大きくなり、コア32に入射する入射光44の光量が少なくなる。これらのことから、入射光44のスポット径には、好ましい範囲が存在する。この範囲は、入射部32aの寸法、より具体的には、第1および第2の入射端面321a,322aの寸法および配置によって決まる。なお、第1および第2の入射端面321a,322aのY方向の寸法は、図2に示したWWGAと等しい。また、第1および第2の入射端面321a,322aのZ方向の寸法は、図3に示したTWGAと等しい。また、第1の入射端面321aと第2の入射端面322aとの間の間隔は、図3および図4に示したDWGと等しい。以下、第1および第2の入射端面321a,322aの寸法および配置について、WWGA,TWGA,DWGを用いて説明する。まず、入射部32aに入射する際の入射光44のスポットのY方向の径直径を、入射光44のY方向のスポット径と定義し、入射部32aに入射する際の入射光44のスポットのZ方向の径直径を、入射光44のZ方向のスポット径と定義する。入射部32aのY方向の寸法は、第1および第2の入射端面321a,322aのY方向の寸法WWGAと等しい。入射光44のY方向のスポット径に対する入射部32aのY方向の寸法WWGAの割合は、0.4~1.6の範囲内であることが好ましく、0.6~1.4の範囲内であることがより好ましい。先に定義した入射部32aのZ方向の寸法は、2TWGADWGで表される。入射光44のZ方向のスポット径に対する入射部32aのZ方向の寸法2TWGADWGの割合は、0.55~1.6の範囲内であることが好ましく、0.6~1.4の範囲内であることがより好ましい。次に、本実施の形態に係る光導波路の作用について説明する。入射光44の一部は、第1の伝播部321の第1の入射端面321aに入射し、第1の伝播光451として第1の伝播部321を伝播する。入射光44の他の一部は、第2の伝播部322の第2の入射端面322aに入射し、第2の伝播光452として第2の伝播部322を伝播する。第1の伝播光451の径は、第1のテーパー部分3212中を伝播するに従って小さくなる。同様に、第2の伝播光452の径は、第2のテーパー部分3222中を伝播するに従って小さくなる。第1の伝播部321を伝播した第1の伝播光451は、第1の出射部321bより出射され、結合部324の第1の入射部324a1に入射する。第2の伝播部322を伝播した第2の伝播光452は、第2の出射部322bより出射され、結合部324の第2の入射部324a2に入射する。第1の伝播部321と第2の伝播部322の形状が同じであることと、第1および第2のストレート部分3213,3223がそれぞれ伝播光をシングルモードで伝播させることから、第1の入射部324a1における第1の伝播光451の位相と、第2の入射部324a2における第2の伝播光452の位相は等しいか、ほぼ等しい。結合部324内では、第1の入射部324a1に入射した第1の伝播光451に起因した第1の光波453と、第2の入射部324a2に入射した第2の伝播光452に起因した第2の光波454とが発生する。第1の光波453は、例えば、それぞれ第1の入射部324a1に入射した第1の伝播光451に起因すると共に結合部324の外周第1および第2の入射部324a1,324a2と第3の出射部324b1を除くにおける反射回数0回を含むが互いに異なる複数の光波の干渉によって発生する。ここで、図5を参照して、第1の光波453の態様の一例について詳しく説明する。図5において、符号453aは第1の伝播光451に起因すると共に反射回数が0回の光波を示し、符号453bは第1の伝播光451に起因すると共に反射回数が2回の光波を示している。また、符号453a1を付した破線は光波453aの経路を示し、符号453b1を付した破線は光波453bの経路を示している。図5に示したように、光波453aは、結合部324の外周で反射されずに、直接、第3の出射部324b1に向かって進行する。また、光波453bは、第2の部分324b第3の出射部324b1を除くと第1の部分324a第1および第2の入射部324a1,324a2を除くとで2回反射されて、第3の出射部324b1に向かって進行する。光波453aと、第1の部分324aで反射された後の光波453bは、互いに干渉する。第1の光波453は、例えば、光波453aと光波453bが干渉することによって発生した光波を含む。図5に示した結合部324内の実線の直線は、上記の光波453a,453bのような複数の光波が干渉して、強め合った部分明線を示している。第1の光波453と同様に、第2の光波454は、例えば、それぞれ第2の入射部324a2に入射した第2の伝播光452に起因すると共に結合部324の外周第1および第2の入射部324a1,324a2と第3の出射部324b1を除くにおける反射回数0回を含むが互いに異なる複数の光波の干渉によって発生する。第2の光波454の発生の原理は、第1の光波453と同じである。図5において、符号454aは第2の伝播光452に起因すると共に反射回数が0回の光波を示し、符号454bは第2の伝播光452に起因すると共に反射回数が2回の光波を示している。また、符号454a1を付した破線は光波454aの経路を示し、符号454b1を付した破線は光波454bの経路を示している。結合部324内では、第1の光波453と第2の光波454が干渉することによって、第3の伝播光46が発生する。第3の伝播光46は、特に、第1の光波453と第2の光波454が干渉して強め合った光であることが好ましい。第3の伝播光46は、第3の出射部324b1より出射され、第3の伝播部323の第3の入射部323aに入射し、第3の伝播部323を伝播する。結合部324のX方向の長さHWG4は、第3の出射部324b1より出射される第3の伝播光46の強度が大きくなるように設定される。具体的には、例えば、第1の光波453における明線と第2の光波454における明線とが交差する位置またはその近傍に、第3の出射部324b1が位置するように、長さHWG4が設定される。なお、長さHWG4が変わると、光波453,454における明線の位置も変わる。長さHWG4は、シミュレーションや実験に基づいて設定してもよい。長さHWG4は、例えば、第3の伝播光46の強度が極大値をとるときの値を中心とし、第3の伝播光46の強度の極大値からの低下量が許容範囲内となるような値の範囲内に設定される。ここで、HWG4の具体例を挙げる。ここでは、入射光44第1および第2の伝播光451,452の波長が800nmであり、コア32結合部324の屈折率が2.08であり、クラッドクラッド層31,33の屈折率が1.67であるとする。この場合、第3の伝播光46の強度が極大値をとるときのHWG4は、例えば2.4μm、7.2μmまたは12.0μmである。次に、図6を参照して、本実施の形態における近接場光発生の原理と、近接場光を用いた熱アシスト磁気記録の原理について説明する。第3の伝播光46は、第3の伝播部323を伝播して、緩衝部33Aの近傍に達する。ここで、第3の伝播部323と緩衝部33Aとの界面において、第3の伝播光46が全反射することによって、緩衝部33A内にしみ出すエバネッセント光47が発生する。次に、このエバネッセント光47と、プラズモンジェネレータ34の外面のうちの少なくとも伝播エッジ34aにおける電荷のゆらぎとが結合する形で表面プラズモンポラリトンモードが誘起される。このようにして、少なくとも伝播エッジ34aにおいて、エバネッセント光発生面323cより発生するエバネッセント光47と結合することによって表面プラズモン48が励起される。ここで、第3の伝播光46がTMモードの偏光であると、第3の伝播光46における電界の振動方向が、伝播エッジ34aに対向するエバネッセント光発生面323cに対して垂直になり、プラズモンジェネレータ34において大きな強度の表面プラズモンを発生させることが可能になる。プラズモンジェネレータ34の外面のうちの少なくとも伝播エッジ34aに励起された表面プラズモン48は、エッジプラズモンの形態となって、伝播エッジ34aに沿って近接場光発生エッジ34gに伝播される。その結果、近接場光発生エッジ34gにおいてエッジプラズモンが集中し、このエッジプラズモンに基づいて、近接場光発生エッジ34gから近接場光49が発生する。この近接場光49は、磁気ディスク201に向けて照射され、磁気ディスク201の表面に達し、磁気ディスク201の磁気記録層の一部を加熱する。これにより、その磁気記録層の一部の保磁力が低下する。熱アシスト磁気記録では、このようにして保磁力が低下した磁気記録層の一部に対して、磁極35より発生される記録磁界を印加することによってデータの記録が行われる。次に、図12を参照して、図7における制御回路230の回路構成と、熱アシスト磁気記録ヘッド1の動作について説明する。制御回路230は、制御LSI大規模集積回路100と、制御LSI100に接続されたROMリードオンリメモリ101と、制御LSI100に接続されたライトゲート111と、ライトゲート111とコイル41とに接続されたライト回路112とを備えている。制御回路230は、更に、MR素子22と制御LSI100とに接続された定電流回路121と、MR素子22に接続された増幅器122と、この増幅器122の出力端と制御LSI100とに接続された復調回路123とを備えている。制御回路230は、更に、レーザダイオード60と制御LSI100とに接続されたレーザ制御回路131と、制御LSI100に接続された温度検出器132とを備えている。制御LSI100は、ライトゲート111に、記録データを供給すると共に記録制御信号を与える。また、制御LSI100は、定電流回路121と復調回路123に再生制御信号を与えると共に、復調回路123から出力される再生データを受け取る。また、制御LSI100は、レーザ制御回路131に、レーザON/OFF信号と動作電流制御信号とを与える。温度検出器132は、磁気ディスク201の磁気記録層の温度を検出し、この温度の情報は制御LSI100に与えられる。ROM101は、レーザダイオード60に供給する動作電流の値を制御するため制御テーブル等を格納している。記録動作時には、制御LSI100は、ライトゲート111に記録データを供給する。ライトゲート111は、記録制御信号が記録動作を指示するときのみ、記録データをライト回路112へ供給する。ライト回路112は、この記録データに従ってコイル41に記録電流を流す。これにより、磁極35より記録磁界が発生され、この記録磁界によって、磁気ディスク201の磁気記録層にデータが記録される。再生動作時には、定電流回路121は、再生制御信号が再生動作を指示するときのみ、MR素子22に一定のセンス電流を供給する。MR素子22の出力電圧は、増幅器122によって増幅され、復調回路123に入力される。再生制御信号が再生動作を指示するとき、復調回路123は、増幅器122の出力を復調して再生データを生成し、制御LSI100に与える。レーザ制御回路131は、レーザON/OFF信号に基づいてレーザダイオード60に対する動作電流の供給を制御すると共に、動作電流制御信号に基づいてレーザダイオード60に供給される動作電流の値を制御する。レーザON/OFF信号がオン動作を指示する場合、レーザ制御回路131の制御により、発振しきい値以上の動作電流がレーザダイオード60に供給される。これにより、レーザダイオード60よりレーザ光が出射され、このレーザ光がコア32を伝播する。そして、前述の近接場光発生の原理により、プラズモンジェネレータ34の近接場光発生エッジ34gから近接場光49が発生し、この近接場光49によって、磁気ディスク201の磁気記録層の一部が加熱されて、その一部の保磁力が低下する。記録時には、この保磁力が低下した磁気記録層の一部に対して、磁極35より発生される記録磁界を印加することによってデータの記録が行われる。制御LSI100は、温度検出器132によって測定された磁気ディスク201の磁気記録層の温度等に基づいて、ROM101内に格納された制御テーブルを参照して、レーザダイオード60の動作電流の値を決定し、その値の動作電流がレーザダイオード60に供給されるように動作電流制御信号によってレーザ制御回路131を制御する。制御テーブルは、例えば、レーザダイオード60の発振しきい値および光出力-動作電流特性の温度依存性を表すデータを含んでいる。制御テーブルは、更に、動作電流値と、近接場光49によって加熱された磁気記録層の温度上昇分との関係を表すデータや、磁気記録層の保磁力の温度依存性を表すデータも含んでいてもよい。図12に示したように、制御回路230が、記録/再生動作の制御信号系とは独立して、レーザダイオード60を制御するための信号系すなわちレーザON/OFF信号および動作電流制御信号の信号系を有することによって、単純に記録動作に連動したレーザダイオード60への通電のみならず、より多様なレーザダイオード60への通電のモードを実現することができる。なお、制御回路230の回路構成は、図12に示したものに限定されるものではない。次に、本実施の形態におけるスライダ10の製造方法について簡単に説明する。スライダ10の製造方法は、複数のスライダ10のスライダ基板11となる部分を含む基板上に、複数のスライダ10におけるスライダ基板11以外の構成要素を形成して、それぞれ後にスライダ10となるスライダ予定部が複数列に配列された基礎構造物を作製する工程と、この基礎構造物を切断することによって複数のスライダ予定部を互いに分離して、複数のスライダ10を形成する工程とを備えている。複数のスライダ10を形成する工程では、切断によって形成された面を研磨して媒体対向面11a,12aを形成する。次に、図13ないし図21を参照して、本実施の形態に係る光導波路の製造方法について詳しく説明する。図13ないし図21は、光導波路の製造過程における積層体の一部を示す斜視図である。本実施の形態に係る光導波路の製造方法は、コア32を形成する工程と、クラッドを形成する工程とを備えている。クラッドを形成する工程は、クラッド層31を形成する工程と、クラッド層33を形成する工程とを含んでいる。本実施の形態に係る光導波路の製造方法では、まず、図13に示したように、クラッド層31と同じ誘電体材料よりなるクラッド材料層311を形成する。図14は、次の工程を示す。この工程では、クラッド材料層311の上に、誘電体材料よりなり、後にコア32の一部となるコア材料層71を形成する。図15は、次の工程を示す。この工程では、コア材料層71の上に、第2の伝播部322および結合部324の平面形状上方から見た形状に対応した平面形状を有するフォトレジストマスク76を形成する。フォトレジストマスク76は、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして形成する。図16は、次の工程を示す。この工程では、まず、イオンミリング等のエッチングによって、コア材料層71のうち、フォトレジストマスク76によって覆われていない部分を除去する。これにより、コア材料層71は、コア32の一部である第1の部分320Aとなる。第1の部分320Aは、第2の伝播部322と、結合部324の一部とを含んでいる。次に、フォトレジストマスク76を除去する。次に、積層体の上面全体の上に、クラッド層31と同じ誘電体材料よりなるクラッド材料層312を形成する。次に、例えば化学機械研磨以下、CMPと記す。によって、第1の部分320Aの上面が露出するまで、クラッド材料層312を研磨して、第1の部分320Aおよびクラッド材料層312の上面を平坦化する。クラッド層31は、クラッド材料層311,312によって構成される。図17は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、誘電体材料よりなり、後にコア32の他の一部となるコア材料層72を形成する。次に、コア材料層72の上に、第3の伝播部323および結合部324の平面形状に対応した平面形状を有するフォトレジストマスク77を形成する。フォトレジストマスク77は、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして形成する。図18は、次の工程を示す。この工程では、まず、イオンミリング等のエッチングによって、コア材料層72のうち、フォトレジストマスク77によって覆われていない部分を除去する。これにより、コア材料層72は、コア32の他の一部である第2の部分320Bとなる。第2の部分320Bは、第3の伝播部323と、結合部324の他の一部とを含んでいる。次に、フォトレジストマスク77を除去する。次に、積層体の上面全体の上に、クラッド層33と同じ誘電体材料よりなるクラッド材料層331を形成する。次に、例えばCMPによって、第2の部分320Bの上面が露出するまで、クラッド材料層331を研磨して、第2の部分320Bおよびクラッド材料層331の上面を平坦化する。図19は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、誘電体材料よりなり、後にコア32の更に他の一部となるコア材料層73を形成する。次に、コア材料層73の上に、第1の伝播部321および結合部324の平面形状に対応した平面形状を有するフォトレジストマスク78を形成する。フォトレジストマスク78の形状は、フォトレジストマスク76の形状と同じである。フォトレジストマスク78は、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして形成する。図20は、次の工程を示す。この工程では、まず、イオンミリング等のエッチングによって、コア材料層73のうち、フォトレジストマスク78によって覆われていない部分を除去する。これにより、コア材料層73は、コア32の更に他の一部である第3の部分320Cとなる。第3の部分320Cは、第1の伝播部321と、結合部324の更に他の一部とを含んでいる。コア32は、第1ないし第3の部分320A,320B,320Cによって構成される。次に、フォトレジストマスク78を除去する。次に、積層体の上面全体の上に、クラッド層33と同じ誘電体材料よりなるクラッド材料層332を形成する。次に、例えばCMPによって、第3の部分320Cの上面が露出するまで、クラッド材料層332を研磨して、第3の部分320Cおよびクラッド材料層332の上面を平坦化する。図21は、次の工程を示す。この工程では、積層体の上面全体の上に、クラッド層33と同じ誘電体材料よりなるクラッド材料層333を形成する。クラッド層33は、クラッド材料層331,332,333によって構成される。以下、本実施の形態に係る光導波路および熱アシスト磁気記録ヘッド1の効果について説明する。本実施の形態に係る光導波路によれば、第1および第2の入射端面321a,322aにまたがって入射する入射光44を、1つの第3の伝播部323を伝播する第3の伝播光46に変換することができる。そのため、本実施の形態によれば、入射光44に比べて第3の伝播光46の径を小さくすることが可能になる。本実施の形態では、特に、第3の伝播光46の進行方向-X方向に直交する第3の伝播部323の断面の面積は、第1の入射端面321aと第2の入射端面322aの面積の合計よりも小さい。また、第3の伝播部323のZ方向の厚みTWG3は、入射部32aのZ方向の寸法2TWGADWGよりも小さい。これらのことから、本実施の形態によれば、入射光44に比べて第3の伝播光46の径は、確実に小さくなる。このように、本実施の形態に係る光導波路は、入射光に比べて第3の伝播光46の径を小さくするスポットサイズコンバータとしての機能を有している。また、第1のテーパー部分3212では、第1の出射部321bに近づくに従って第1の伝播光451の進行方向-X方向に直交する断面の面積が減少している。そのため、第1の伝播光451の径は、第1のテーパー部分3212中を伝播するに従って小さくなる。同様に、第2のテーパー部分3222では、第2の出射部322bに近づくに従って第2の伝播光452の進行方向-X方向に直交する断面の面積が減少している。そのため、第2の伝播光452の径は、第2のテーパー部分3222中を伝播するに従って小さくなる。これらのことから、本実施の形態によれば、第1および第2の伝播光451,452に比べて第3の伝播光46の径を、より一層縮小することができる。ここで、本実施の形態におけるコア32の代りに、第1の伝播部321、第2の伝播部322および結合部324を有さず、第3の伝播部323のみによって構成された仮想のコアを用いた場合について考える。この仮想のコアでは、第3の伝播部323の第3の入射部323aが入射端面になる。この入射端面の面積は、伝播光の進行方向-X方向に直交する第3の伝播部323の断面の面積と等しい。第3の伝播部323の上記断面の面積は、伝播光がシングルモードになるように、ある程度小さくする必要がある。その結果、入射端面の面積は、入射光のスポット径に比べて小さくなる。そのため、この場合には、入射端面に対する入射光の位置ずれの許容誤差は小さくなる。また、この場合には、入射端面以外の部分に当たる入射光の割合が大きくなり、コアを伝播する光の光量が少なくなる。上記の仮想のコアにおいて、入射端面に対する入射光の位置ずれの許容誤差を大きくし、且つコアを伝播する光の光量を多くするために、伝播光の進行方向-X方向に直交する第3の伝播部323の断面の面積を大きくすることが考えられる。しかし、そうすると、第3の伝播部323を伝播する光は、マルチモードになりやすくなる。熱アシスト磁気記録ヘッド1では、第3の伝播部323を伝播する光がマルチモードになると、プラズモンジェネレータ34の伝播エッジ34aにおける表面プラズモンの励起に寄与するモードが少なくなって、プラズモンジェネレータ34に表面プラズモンを効率よく励起させることができなくなってしまう。これに対し、本実施の形態におけるコア32では、第1の伝播部321と第2の伝播部322がZ方向に間隔をあけて配置されていることから、第1の入射端面321aと第2の入射端面322aもZ方向に間隔をあけて配置されている。そのため、本実施の形態では、第3の伝播光46の進行方向に直交する第3の伝播部323の断面の面積を大きくすることなく、コア32の入射部32aの寸法Z方向の寸法を大きくすることができる。これにより、本実施の形態によれば、上記の仮想のコアを用いた場合に比べて、入射部32aに対する入射光44の位置ずれの許容誤差を大きくすることができ、且つコア32を伝播する光の光量を多くすることが可能になる。ところで、本実施の形態では、前述のように、レーザダイオード60がZ方向に積層された多層構造を有することから、入射光44の垂直発散角は水平発散角よりも大きくなりやすい。ここで、入射光44の垂直発散角が水平発散角よりも大きい場合において、前述の仮想のコアを用いた場合について考える。この場合、入射端面に対する入射光44の位置ずれの大きさがZ方向とY方向とで同じと仮定すると、入射光44の位置ずれに伴って生じる入射端面に対する入射光44の入射角度の変化量は、Y方向の位置ずれの場合よりもZ方向の位置ずれの場合の方が大きくなる。その結果、入射光44の位置ずれに伴って生じるコアと入射光44との結合効率の変化量は、Y方向の位置ずれの場合よりもZ方向の位置ずれの場合の方が大きくなる。従って、この場合には、入射端面に対する入射光44のZ方向の位置ずれの許容誤差は、Y方向の位置ずれの許容誤差に比べて小さくなる。また、Z方向についてのレーザダイオード60の発光中心62aとコアの入射部との位置合わせは、Y方向についてのレーザダイオード60の発光中心62aとコアの入射部との位置合わせに比べて難しい。それは、Z方向についての位置合わせでは、レーザダイオード60、コアならびにそれらを支持する部分に含まれる複数の層の位置の誤差が積み重なるためである。これらのことから、レーザダイオード60がZ方向に積層された多層構造を有する場合、特に、コアの入射部に対する入射光44のZ方向の位置ずれの許容誤差を大きくすることが望まれる。本実施の形態に係る光導波路では、コア32が、レーザダイオード60の積層方向Z方向に間隔をあけて並ぶ2つの入射端面321a,322aを有することにより、入射部32aに対する入射光44のZ方向の位置ずれの許容誤差を大きくすることができる。これについては、後で、シミュレーションの結果を参照して、更に詳しく説明する。また、本実施の形態では、第1のテーパー部分3212のZ方向の厚みは、第1の出射部321bからの距離に関わらずに一定であり、第1のテーパー部分3212のY方向の幅は、第1の出射部321bに近づくに従って小さくなっている。また、第2のテーパー部分3222のZ方向の厚みは、第2の出射部322bからの距離に関わらずに一定であり、第2のテーパー部分3222のY方向の幅は、第2の出射部322bに近づくに従って小さくなっている。これらのことから、本実施の形態によれば、第1および第2の入射端面321a,322aのY方向の寸法WWGA、すなわちコア32の入射部32aのY方向の寸法を大きくすることができる。その結果、本実施の形態によれば、入射部32aに対する入射光44のY方向の位置ずれの許容誤差を大きくすることができる。また、本実施の形態では、第1のストレート部分3213は、第1の伝播光451をシングルモードで伝播させるものであり、第2のストレート部分3223は、第2の伝播光452をシングルモードで伝播させるものである。これにより、本実施の形態によれば、第1の入射部324a1における第1の伝播光451の位相と、第2の入射部324a2における第2の伝播光452の位相を合わせることが容易になる。また、これにより、結合部324の設計が容易になる。次に、比較例の光導波路と比較しながら、本実施の形態の効果について更に詳しく説明する。比較例の光導波路は、積層型スポットサイズコンバータである。始めに、図22を参照して、比較例の光導波路の構成について説明する。図22は、比較例の光導波路のコアを示す斜視図である。なお、図22には、図1ないし図5に示したX,Y,Zの各方向も示している。比較例の光導波路は、図22に示したコア82と、図示しないクラッドとを備えている。コア82は、入射部82aと、その反対側の前端面82bとを有している。また、コア82は、第1の伝播部821と、第1の伝播部821の上に積層された第2の伝播部822とを有している。第1および第2の伝播部821,822は、それぞれ、図22における-X方向に延びている。第1の伝播部821は、入射光の一部が入射される第1の入射端面821aと、その反対側の前端面821bとを有している。前端面821bは、コア82の前端面82bでもある。第1の伝播部821の形状は、基本的には、図1ないし図3に示した本実施の形態における第1の伝播部321と同じである。第2の伝播部822は、入射光の他の一部が入射される第2の入射端面822aと、その反対側の先端822bとを有し、先端822bが-X方向に向いたくさび形をなしている。第2の入射端面822aの形状は矩形である。第1および第2の入射端面821a,822aは、合わさって1つの面からなる入射部82aを構成する。第1および第2の入射端面821a,822aに入射した光は、第1および第2の伝播部821,822が延びる方向、すなわち-X方向に進行する。光の進行方向-X方向に直交する第2の伝播部822の断面の形状は矩形である。この断面の面積は、第2の入射端面822aから離れるに従って減少している。第2の伝播部822のZ方向の厚みは、第2の入射端面822aからの距離に関わらずに一定であり、第2の伝播部822のY方向の幅は、第2の入射端面822aから離れるに従って小さくなっている。次に、コア82を伝播する光について説明する。入射光の一部は、第1の入射端面821aに入射し、第1の伝播光として第1の伝播部821を伝播する。入射光の他の一部は、第2の入射端面822aに入射し、第2の伝播光として第2の伝播部822を伝播する。第2の伝播光の進行方向-X方向に直交する第2の伝播部822の断面の面積は、第2の入射端面822aから離れるに従って減少するため、第2の伝播光は、第2の伝播部822に存在することができなくなり、やがて第1の伝播部821に移動する。第1および第2の伝播光の径は、第1および第2の伝播部821,822中を伝播するに従って小さくなる。比較例の光導波路において、第2の伝播光を第1の伝播部821に効率よく移動させるためには、第2の伝播部822の先端822b側を鋭く尖った形状にする必要がある。例えば、XY平面に平行な断面における先端822bの曲率半径は0.1μm程度である。次に、比較例の光導波路と比較しながら、本実施の形態の効果について説明する。比較例の光導波路では、第2の入射端面822aにおいて、第2の伝播部822のZ方向の厚みとY方向の幅は、それぞれ、例えば数μmである。第2の伝播部822のX方向の長さは、例えば数十ないし数百μmである。この場合、第2の伝播部822のY方向の幅は、数十ないし数百μmの長さにわたって、数μmからほぼ0まで、徐々に小さくなる。従って、第2の伝播部822の特に先端822bに近い部分では、Y方向の幅に対するZ方向の厚みの比率アスペクト比が非常に大きくなる。このような形状の第2の伝播部822を形成することは、非常に難しい。例えば、第2の伝播部822の形成方法としては、誘電体層の上にフォトリソグラフィを用いてフォトレジストよりなるエッチングマスクを形成し、このエッチングマスクを用いてエッチングによって誘電体層をパターニングする方法がある。この場合、エッチングマスクは、アスペクト比が非常に大きい部分を有するため、倒壊しやすい。また、第2の伝播部822も、アスペクト比が非常に大きい部分を有するため、一部が欠けるおそれがある。これに対し、本実施の形態に係る光導波路のコア32は、比較例の光導波路のコア82と異なり、アスペクト比が非常に大きい部分を有する必要がない。従って、本実施の形態によれば、比較例の光導波路のコア82を作製する上での上述の問題が発生せず、比較例の光導波路に比べて、光導波路コア32を容易に形成することができる。また、比較例の光導波路では、第1の入射端面821aと第2の入射端面822aは、合わさって1つの面からなる入射部82aを構成する。入射部82aのZ方向の寸法は、第1の入射端面821aと第2の入射端面822aのZ方向の寸法の合計と等しくなる。比較例の光導波路では、第1および第2の伝播光がマルチモードになることを防止する必要があることから、第1の伝播部821と第2の伝播部822のZ方向の厚みを、あまり大きくすることができない。そのため、比較例の光導波路では、第1の入射端面821aと第2の入射端面822aのZ方向の寸法をあまり大きくすることができず、入射部82aのZ方向の寸法もあまり大きくすることができない。その結果、比較例の光導波路では、入射部82aに対する入射光の位置ずれの許容誤差を大きくすることが難しい。これに対し、本実施の形態では、コア32の入射部32aを構成する第1の入射端面321aと第2の入射端面322aは、Z方向に間隔をあけて配置されている。これにより、本実施の形態によれば、後でシミュレーションの結果を参照して詳しく説明するように、比較例の光導波路に比べて、入射部32aに対する入射光44の位置ずれの許容誤差を大きくすることができる。以下、本実施の形態によれば、比較例の光導波路に比べて、入射部32aに対する入射光44の位置ずれの許容誤差を大きくすることができることについて詳しく説明する。入射光44の位置が所望の位置からずれると、コア32を伝播する光の光量が少なくなる。伝播光の光量は、光利用効率OpticalPowerEfficiencyで表される。光利用効率とは、コアと入射光との結合効率CouplingEfficiencyと、伝播光の導波効率PropagativeEfficiencyとの積である。前述のように、レーザダイオード60がZ方向に積層された多層構造を有する場合、特に、コアの入射部に対する入射光44のZ方向の位置ずれの許容誤差を大きくすることが望まれる。そこで、以下の説明では、Z方向の位置ずれについて説明する。まず、図23を参照して、結合効率について説明する。図23は、本実施の形態に係る光導波路のコア32と入射光44との結合効率、および比較例の光導波路のコア82と入射光との結合効率を説明するための概念図である。図23は、入射光の入射位置と結合効率との関係を模式的に示している。図23において、符号91は、コア32と入射光44との結合効率以下、コア32の結合効率と言う。を示している。また、符号92は、第1の伝播部321と入射光44のとの結合効率以下、第1の伝播部321の結合効率と言う。を示している。また、符号93は、第2の伝播部322と入射光44との結合効率以下、第2の伝播部322の結合効率と言う。を示している。また、符号94は、コア82とコア82に入射する入射光との結合効率以下、コア82の結合効率と言う。を示している。なお、図23では、各結合効率の最大値がほぼ等しくなるように、結合効率の大きさを調整している。図23に示したように、コア82の結合効率符号94は、単峰性分布になる。一方、コア32の結合効率符号91は、第1の伝播部321の結合効率符号92と、第2の伝播部322の結合効率符号93とを合わせた分布になる。この分布の形状は、第1および第2の入射端面321a,322aの形状および配置によって変化するが、コア82の結合効率符号94に比べて、結合効率がある程度大きい部分がZ方向に広がった形状になる。特に、第1および第2の入射端面321a,322aがある程度離れている場合には、コア32の結合効率符号91は、図23に示したような二峰性分布になる。次に、シミュレーションの結果を参照しながら、コア32とコア82のそれぞれの光利用効率について説明する。まず、コア32とコア82のそれぞれの光利用効率を求めたシミュレーションについて説明する。シミュレーションでは、以下で説明する実施例のモデルと比較例のモデルを用いた。また、シミュレーションでは、コア32,82に入射される入射光の波長を800nmとした。実施例のモデルは、本実施の形態に係る光導波路を含んでいる。実施例のモデルでは、コア32として屈折率が2.08の酸化タンタルを用い、クラッドクラッド層31,33として屈折率が1.67の酸化アルミニウムを用いた。また、図2に示したWWGAを4μmとした。また、図2に示したWWGC,WWG4,WWG3を、いずれも0.5μmとした。また、図2に示したHWGA,HWGB,HWGC,HWG3を、それぞれ、50μm、100μm、10μm、17.6μmとした。また、図3に示したTWGA,TWGB,TWGC,TWG3,DWGを、いずれも0.4μmとした。また、図5に示したHWG4,TWG4を、それぞれ、2.4μm、1.2μmとした。比較例のモデルは、比較例の光導波路を含んでいる。比較例のモデルでは、コア82として屈折率が2.08の酸化タンタルを用い、クラッドとして屈折率が1.67の酸化アルミニウムを用いた。また、第1の伝播部821の寸法を、実施例のモデルにおける第1の伝播部321の寸法と同じにした。また、第2の伝播部822のZ方向の厚み、X方向の長さを、それぞれ、0.8μm、150μmとした。また、第2の入射端面822aにおける第2の伝播部822のY方向の幅を4μmとした。また、XY平面に平行な断面における第2の伝播部822の先端822bの曲率半径を0.1μmとした。図24は、実施例のモデルと比較例のモデルの光利用効率を示す特性図である。図25は、実施例のモデルと比較例のモデルの規格化光利用効率を示す特性図である。なお、規格化光利用効率とは、入射光の入射位置毎の光利用効率を、光利用効率の最大値で割った値である。図24において、横軸は入射光のZ方向の入射位置を示し、縦軸は光利用効率を示している。また、図25において、横軸は入射光のZ方向の入射位置を示し、縦軸は規格化光利用効率を示している。図24および図25において、位置が0というのは、入射光の中心が、入射部32a,82aのZ方向の中心に一致していることを表す。図24に示したように、実施例のモデルにおける光利用効率の最大値は、比較例のモデルよりも小さくなる。また、図24および図25に示したように、実施例のモデルにおける光利用効率の分布の形状および規格化光利用効率の分布の形状は、比較例のモデルに比べて、光利用効率または規格化光利用効率がある程度大きい部分が横軸方向Z方向に広がった形状になる。これは、図23を参照して説明したように、コア32の結合効率の分布の形状が、コア82の結合効率に比べて、結合効率がある程度大きい部分がZ方向に広がった形状になるためである。なお、実施例のモデルの場合には、図24および図25に示したように、光利用効率および規格化光利用効率は単峰性分布になっている。しかし、第1および第2の入射端面321a,322aの形状および配置によっては、光利用効率および規格化光利用効率は二峰性分布にもなり得る。ところで、入射部32aに対する入射光44の位置ずれの許容誤差は、例えば、規格化光利用効率における許容できる下限値によって規定することができる。この場合、規格化光利用効率の分布における下限値の2点間の距離は、位置ずれの許容誤差を示す。図25に示したように、実施例のモデルにおける位置ずれの許容誤差は、比較例のモデルよりも大きくなる。上記のシミュレーションの結果から理解されるように、本実施の形態によれば、比較例の光導波路に比べて、入射部32aに対する入射光44の位置ずれの許容誤差を大きくすることができる。なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、コア32は、更に、第3の伝播部323に連続するように媒体対向面12aに向かって延びる他の伝播部を有していてもよい。また、第1の伝播部321において、第1の導入部分3211および第1のテーパー部分3212の厚みは、第1のストレート部分3213の厚みよりも大きくてもよい。同様に、第2の伝播部322において、第2の導入部分3221および第2のテーパー部分3222の厚みは、第2のストレート部分3223の厚みよりも大きくてもよい。また、実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドでは、レーザダイオード60を含む光源ユニット50が、光導波路を含むスライダ10と一体化され、レーザダイオード60の出射光を直接、コア32に入射させる構成になっている。しかし、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドは、上記の構成に限らず、スライダ10から離れた位置に配置された光源からの光を、光ファイバ等の光学素子を介してコア32に入射させる構成であってもよい。また、本発明の光導波路は、熱アシスト磁気記録ヘッドに限らず、光伝送部品に用いられる光集積回路等に適用することができる。"