"同一パッケージ内に並列接続されたMOSFETチップとIGBTチップとを搭載するパワーモジュールであって、前記MOSFETチップおよび前記IGBTチップの動作を制御するゲートドライバを備え、前記MOSFETチップは、当該MOSFETチップを流れる電流を検知する電流センサを有し、前記ゲートドライバは、前記電流センサが検知した電流値に基づいて前記パワーモジュールの負荷が短絡していると判断すると、先に前記IGBTチップ、次いで前記MOSFETチップをオフし、前記MOSFETチップのアバランシェ電圧は、前記IGBTチップの耐圧より低いことを特徴とする、パワーモジュール。前記MOSFETチップおよび前記IGBTチップは、1チップ上に形成されることを特徴とする、請求項1に記載のパワーモジュール。前記IGBTチップは、SiC素子であることを特徴とする、請求項1または2に記載のパワーモジュール。前記MOSFETチップは当該MOSFETチップの接合温度を検知する温度センサをさらに備え、前記ゲートドライバは、前記電流センサが検知した電流値と前記温度センサが検知した接合温度とに基づいて、前記MOSFETチップのみを動作させる、あるいは、前記MOSFETチップおよび前記IGBTチップの両方を動作させることを特徴とする、請求項1ないし3のいずれかに記載のパワーモジュール。前記MOSFETチップのゲートの閾値電圧は前記IGBTチップのゲートの閾値電圧よりも低く、前記MOSFETチップのゲートと前記IGBTチップのゲートとは共通のゲート端子に接続されていることを特徴とする、請求項4に記載のパワーモジュール。特許文献1,2では、MOSFETチップおよびIGBTチップを搭載したパワーモジュールが接続された負荷回路が短絡した場合の対策について講じられておらず、仮に周知の保護回路をモジュール内に搭載したとすると、モジュールの大型化や部品点数が増加するという問題があった。本発明は、これらの問題を解決するためになされたものであり、別に保護回路を設けることなく負荷の短絡時にMOSFETチップおよびIGBTチップを保護することが可能なパワーモジュールを提供することを目的とする。上記の課題を解決するために、本発明によるパワーモジュールは、同一パッケージ内に並列接続されたMOSFETチップとIGBTチップとを搭載するパワーモジュールであって、MOSFETチップおよびIGBTチップの動作を制御するゲートドライバを備え、MOSFETチップは、当該MOSFETチップを流れる電流を検知する電流センサを有し、ゲートドライバは、電流センサが検知した電流値に基づいてパワーモジュールの負荷が短絡していると判断すると、先にIGBTチップ、次いでMOSFETチップをオフし、MOSFETチップのアバランシェ電圧は、IGBTチップの耐圧より低いことを特徴とする。本発明によると、同一パッケージ内に並列接続されたMOSFETチップとIGBTチップとを搭載するパワーモジュールであって、MOSFETチップおよびIGBTチップの動作を制御するゲートドライバを備え、MOSFETチップは、当該MOSFETチップを流れる電流を検知する電流センサを有し、ゲートドライバは、電流センサが検知した電流値に基づいてパワーモジュールの負荷が短絡していると判断すると、先にIGBTチップ、次いでMOSFETチップをオフし、MOSFETチップのアバランシェ電圧は、IGBTチップの耐圧より低いことを特徴とするため、別に保護回路を設けることなくパワーモジュールの負荷の短絡時にMOSFETチップおよびIGBTチップを保護することが可能となる。本発明の実施形態について、図面に基づいて以下に説明する。図1は、本実施形態によるパワーモジュールの構成の一例を示す図である。図1に示すように、本実施形態によるパワーモジュール22には、MOSFETチップ11とIGBTチップ12とが同一パッケージ内に並列接続して搭載されている。また、パワーモジュール22は、コレクタ端子15、エミッタ端子16、IGBTゲート端子17、MOSFETゲート端子18、制御エミッタ端子19、電流センス端子20、および温度センス端子21を備えており、MOSFETゲート端子18、制御エミッタ端子19、電流センス端子20、および温度センス端子21はゲートドライバ13に接続されている。また、MOSFETチップ11は、電流センサおよび温度センサを備えている。なお、フライホイールダイオード14については、当該フライホイールダイオード14に代えて、MOSFETチップ11の寄生ダイオード部あるいは他のダイオードチップを搭載する場合もある。電流センサは、MOSFETチップ11を流れる電流を検知し、検知した電流検知信号を電流センス端子20を介してゲートドライバ13に伝達する。また、温度センサは、MOSFETチップ11の接合温度を検知し、検知した温度検知信号を温度センス端子21を介してゲートドライバ13に伝達している。ゲートドライバ13では、伝達された電流検知信号および温度検知信号に基づいて、MOSFETチップ11およびIGBTチップ12の動作を制御する。ゲートドライバ13は、温度検知信号により損失を推定し、電流検知信号による電流値と合わせてパワーモジュール22のスイッチング周波数を概略推定する。そして、これらの推定結果に基づいて、MOSFETチップ11のみを動作させるのか、あるいは、MOSFETチップ11とIGBTチップ12との両方を動作させるのか、いずれの方がパワーモジュール22の損失を小さく抑えられるのかを判断し、最適な損失が小さい方を選択して制御を行う。図2は、本実施形態によるパワーモジュール23の構成の他の一例を示す図である。図2では、図1に示すパワーモジュール22の構成と比べて、ゲートドライバ13の具体的な構成例を示しており、また、パワーモジュール23において、MOSFETチップ11のゲート端子とIGBT12のゲート端子とが共通のゲート端子18に接続されている。その他の構成は図1と同様であるため、ここでは説明を省略する。図2に示すように、ゲートドライバ13では、直列接続されたツェナーダイオード133およびコンデンサ134が、正のゲート電源131に並列接続されている。また、正のゲート電源131の正側およびツェナーダイオード133のカソード側と、ゲート端子18との間にオンゲート用スイッチ135が設けられている。また、ツェナーダイオード133を挟んでオンゲート用スイッチ135と並列してオンゲート用スイッチ136が設けられている。また、コンデンサ134の一端はツェナーダイオード133のアノード側に接続され、他端と正のゲート電源131の負側とは制御エミッタ端子19に接続されている。また、負のゲート電源132の正側は制御エミッタ端子19に接続され、負側はオフゲート用スイッチ137を介してゲート端子18に接続されている。図2に示すゲートドライバ13において、ツェナーダイオード133の電圧を適切に選ぶことによって、コンデンサ134に印加される電圧が、MOSFETチップ11のVGSthゲートの閾値電圧より高く、かつ、IGBTチップ12のVGEthゲートの閾値電圧より低くなるようにする。そして、オンゲート用スイッチ135,136をそれぞれ切り替えることによって2段階2種類の正の電圧を生成し、ゲート端子18を介してMOSFETチップ11およびIGBTチップ12のゲートに印加することができる。このように、ゲートドライバ13は、パワーモジュール23に対して、2段階の正の電圧を生成することにより、MOSFET11のみをオン動作させる場合と、MOSFETチップ11およびIGBTチップ12の両方をオン動作させる場合との2つの動作を制御することができる。図3は、本実施形態によるパワーモジュールの静特性を示す図である。図3では、横軸はオン電圧、縦軸はオン電流であり、MOSFETチップ11、IGBTチップ12、およびパワーモジュールのそれぞれの静特性を示している。また、領域Aは小電流領域を、領域Bは大電流領域を示している。図3に示すように、領域Aにおいて、MOSFETチップ11およびIGBTチップ12の電流値が同一の場合は、MOSFETチップ11の方がIGBTチップ12よりもオン電圧が小さいため、領域A小電流領域ではMOSFETチップ11をオンさせることによって損失を低減することができる。また、領域Bにおいて、MOSFETチップ11およびIGBTチップ12の電流値が同一の場合は、IGBTチップ12の方がMOSFETチップ11よりもオン電圧が小さいため、領域B大電流領域ではIGBTチップ12をオンさせることによって損失を低減することができる。パワーモジュールは、上記のMOSFETチップ11およびIGBTチップ12のそれぞれの特性を併せた特性を有し、小電流から大電流まで広い条件範囲において損失を低減させることができる。なお、図3では静特性を示しているが、スイッチング損失については、一般的にユニポーラタイプであるMOSFETの方が、バイポーラタイプであるIGBTよりも損失が小さい。また、高周波数の場合は、MOSFETのみを動作させた方が損失が小さくなると考えられる。以上のことから、ゲートドライバは、電流センサが検知した電流値と温度センサが検知した接合温度とに基づいて、MOSFETチップ11のみを動作させる、あるいは、MOSFETチップ11およびIGBTチップ12の両方を動作させることができる。図4は、本実施形態によるパワーモジュールの適用回路の一例を示す図であり、トーテムポール接続されたパワーモジュール24,25よりなるインバータ回路の1アーム分を示している。なお、三相モータを制御する場合は、3アーム分が必要となる。図4に示すように、パワーモジュール24,25は、図1に示すパワーモジュール22と同一の構成となっている。また、パワーモジュール24のコレクタ端子15と、パワーモジュール25のエミッタ端子16とには、主電源用コンデンサが接続されている。また、パワーモジュール24,25にて生成された電流は、交流側の負荷例えば三相モータに伝送される。なお、図4では、パワーモジュール24,25は、図1に示すパワーモジュール22と同一の構成となっているが、図2に示すパワーモジュール23と同一の構成としてもよい。また、パワーモジュール24は交流電流のP側を生成し、パワーモジュール25は交流電流のN側を生成している。また、パワーモジュール24,25にはゲートドライバ図示せずが接続されている。図4に示すように、アーム短絡時負荷短絡時において、主電源用コンデンサ、ある相におけるオン状態のパワーモジュール24のコレクタ端子エミッタ端子、ある相におけるオン状態のパワーモジュール25のコレクタ端子エミッタ端子の経路で短絡電流Isが流れる。図4では、MOSFETチップ11に流れる電流をIs1、IGBTチップ12に流れる電流をIs2とし、Is=Is1Is2となっている。また、図4に示す回路には、配線によるインダクタンス成分が存在し、電流をオフさせる場合は、インダクタンスL×電流の傾きdi/dt=Ldi/dtの電圧サージ電圧が発生する。図5は、本実施形態によるパワーモジュールの短絡保護時における電圧電流波形を示す図である。図5に示す縦軸について、電流は短絡電流、電圧はパワーモジュール24のコレクタ端子とパワーモジュール25のエミッタ端子との間の電圧以下、コレクタエミッタ間電圧、あるいは、Vceとも称するを示している図4参照。回路における短絡発生の有無は、MOSFETチップ11の電流センサによる電流検知信号、およびコレクタエミッタ間電圧に基づき判断することができる。例えば、コレクタエミッタ間電圧が電源電圧図4の主電源用コンデンサの電圧Vccに等しく、かつ、回路を流れる電流値が所定値以上であれば短絡していると判断することができる。なお、上記短絡の判断は、ゲートドライバが行う。回路が短絡していると判断されると、まずゲートドライバはIGBTチップ12をオフする。IGBTチップ12をオフするときに発生するサージ電圧Vavは、上記のインダクタンスLと電流の傾きdi/dtが大きい場合には、パワーモジュール今の場合はIGBTチップ12の耐圧を超える場合がある。その対策として、MOSFETチップ11のアバランシェ電圧VacをIGBTチップ12の耐圧Vcesより低くなるように予め設定しておくVac<Vces。Vac<Vcesとすることによって、サージ電圧がVac以上にならないように、MOSFETチップ11をスナバとして使用することができる。このとき、MOSFETチップ11の許容アバランシェエネルギEavは、IGBTチップ12の短絡電流によるエネルギ1/2LIs22よりも十分大きいことが必要であるEav>1/2LIs22。ゲートドライバは、IGBTチップ12をオフした後に、MOSFET11をオフし、回路の短絡保護を完了させる。このように、ゲートドライバは、電流センサが検知した電流値に基づいてパワーモジュールの負荷が短絡していると判断すると、先にIGBTチップ、次いでMOSFETチップをオフする。以上のことから、別に保護回路を設けることなく短絡時にMOSFETチップ11およびIGBTチップ12を保護することが可能であり、短絡を検知すると先にIGBTチップ12をターンオフさせるすなわち、IGBTチップ12に対する短絡時間を抑えることによって、IGBTチップ12は短絡耐量が低くてもよく、損失の低い特性を重視したIGBTチップ12を用いることができる。図6は、本実施形態によるパワーモジュールの構造の一例を示す図である。図1,2では、MOSFETチップ11とIGBTチップ12とは別個に形成されてパワーモジュール22,23に搭載されている。図6では、1つのチップ上にMOSFET部とIGBT部とを形成1チップ化している。1チップ化によって、上述と同様の動作および効果が得られるだけでなく、MOSFETとIGBTとを接続する配線抵抗がなくなるため電圧降下を抑えることができる。また、1チップ化によって、モジュールへの組み立ても容易になるとともに、モジュール全体を小型化することができる。また、チップにSiCSiC素子を用いた場合は、チップにSiを用いた場合と比べてIGBT部の立ち上がり電圧閾値電圧、Vthが高くなるため、MOSFET部を設けることによってオン電圧を下げて損失を低減することができる図3参照。また、チップ全体の面積に対してMOSFET部の面積を最適にすることで、チップ全体としての特性をより向上させることができる。なお、SiCは、IGBT部のみに用いてもよく、MOSFET部およびIGBT部の両方に用いてもよい。なお、本発明の他の実施例としては、ゲートドライブ部を1モジュール内に含めたIPMIntelligentpowermoduleとなるパワーモジュールや、1つのモジュール内に複数のMOSFETチップとIGBTチップとのペアを備えるパワーモジュールなどが考えられる。"