固定部と、前記固定部に一端部が固定された可動電極と、前記可動電極の周囲に配置された固定電極を含むセンサと、前記センサを取り囲むフレーム部と、を第1基板上に形成し、前記センサの前記固定部を介して前記可動電極と電気的に接続された第1端子と、前記センサの固定電極上に配置され前記固定電極と電気的に接続された第2端子と、前記フレーム部上に配置された第3端子及び第4端子と、を形成し、前記第2端子と前記第3端子とを電気的に接続する第1配線と、前記第1端子と前記4端子とを電気的に接続する第2配線とが、一方の面に形成された第2基板を準備し、前記第2基板の一方の面を前記センサ及び前記フレーム部に対向させ、前記第2基板と前記フレーム部とを接着剤により接合して前記センサを封止し、前記第2基板と前記フレーム部との接合の際、前記第2端子と前記第3端子とを前記第1配線を介して電気的に接続し、かつ前記第1端子と前記第4端子とを前記第2配線を介して電気的に接続するセンサパッケージの製造方法。前記第1端子及び/又は前記第4端子の前記第2配線との接続部において凸部を形成し、前記第2端子及び/又は前記第3端子の前記第1配線との接続部において凸部を形成することを特徴とする請求項1に記載のセンサパッケージの製造方法。前記第1配線及び/又は前記第2配線の少なくとも一端部を櫛歯形状に形成することを特徴とする請求項1又は2に記載のセンサパッケージの製造方法。第1基板と、前記第1基板上に配置された固定部と、前記固定部に一端部が固定されて、前記第1基板から離隔された可動電極と、前記可動電極の周囲に配置された固定電極と、前記固定部を介して前記可動電極と電気的に接続された第1端子と、前記固定電極上に配置されて、前記固定電極に電気的に接続された第2端子と、を含むセンサと、前記第1基板上に配置され、前記センサを取り囲むフレーム部と、前記フレーム部と接着剤によって接合されて、前記センサを封止する第2基板と、を有し、前記フレーム部上には、前記第2端子と電気的に接続される第3端子と、前記第1端子と電気的に接続される第4端子とが前記第2基板から露出するように配置され、前記第2基板の前記センサと対向する側には、第1配線及び第2配線が配置され、前記第2端子と前記第3端子は、前記第1配線を介して電気的に接続され、前記第1端子と前記第4端子は、前記第2配線を介して電気的に接続されているセンサパッケージ。前記第2端子及び/又は前記第3端子の前記第1配線との接続部において凸部が形成されていることを特徴とする請求項4に記載のセンサパッケージ。前記第1配線及び/又は前記第2配線の少なくとも一端部が櫛歯形状であることを特徴とする請求項4又は5に記載のセンサパッケージ。上述の特許文献1に記載された半導体装置の構成は、配線の構造が複雑であるという問題点があった。特許文献2に記載されたセンサでは、絶縁性基板に貫通孔を設ける必要があるために製造工程が煩雑になるとともに、センサのチップサイズが増大してしまうという問題点があった。本発明は、上述の問題点に鑑み、配線構造が簡便であり、チップサイズの増大を防止することができるセンサパッケージ及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明の一実施形態によるセンサパッケージの製造方法は、固定部と、固定部に一端部が固定された可動電極と、可動電極の周囲に配置された固定電極を含むセンサと、センサを取り囲むフレーム部と、を第1基板上に形成し、センサの固定部を介して可動電極と電気的に接続された第1端子と、センサの固定電極上に配置され固定電極と電気的に接続された第2端子と、フレーム部上に配置された第3端子及び第4端子と、を形成し、第2端子と第3端子とを電気的に接続する第1配線と、第1端子と4端子とを電気的に接続する第2配線とが、一方の面に形成された第2基板を準備し、第2基板の一方の面をセンサ及びフレーム部に対向させ、第2基板とフレーム部とを接着剤により接合してセンサを封止し、第2基板とフレーム部との接合の際、第2端子と第3端子とを第1配線を介して電気的に接続し、かつ第1端子と第4端子とを第2配線を介して電気的に接続することを特徴とする。本発明の一実施形態によるセンサパッケージは、第1基板と、第1基板上に配置された固定部と、固定部に一端部が固定されて、第1基板から離隔された可動電極と、可動電極の周囲に配置された固定電極と、固定部を介して可動電極と電気的に接続された第1端子と、固定電極上に配置されて、固定電極に電気的に接続された第2端子と、を含むセンサと、第1基板上に配置され、センサを取り囲むフレーム部と、フレーム部と接着剤によって接合されて、センサを封止する第2基板と、を有し、フレーム部上には、第2端子と電気的に接続される第3端子と、第1端子と電気的に接続される第4端子とが第2基板から露出するように配置され、第2基板のセンサと対向する側には、第1配線及び第2配線が配置され、第2端子と第3端子は、第1配線を介して電気的に接続され、第1端子と第4端子は、第2配線を介して電気的に接続されていることを特徴とする。本発明によれば、配線構造が簡便であり、チップサイズの増大を防止することができるセンサパッケージ及びその製造方法を提供することができる。本発明の一実施形態に係るセンサパッケージの基本的な構造について、図1A及び図1Bを参照して説明する。図1Aは、本発明の一実施形態に係るセンサパッケージ100を上から見た透過図である。図1Bは、図1Aに示したセンサパッケージ100をA-A ́線から見た断面図である。センサパッケージ100は、第1基板101と、第1基板101上に配置されたフレーム部102と、フレーム部102の内側に配置されたセンサ105と、フレーム部102上に固定されて、センサ105を封止する第2基板116と、を含む。フレーム部102は、センサ105を取り囲むように配置される。第1基板101は、少なくともセンサ105が配置される側が絶縁性である基板であることが好ましい。第1基板101は、例えば、ガラス基板、絶縁性樹脂基板などであってもよく、表面に熱酸化膜が形成されたSi基板であってもよい。第2基板116は、少なくともセンサ105と対向する側が絶縁性である基板であることが好ましい。例えば、ガラス基板、絶縁性樹脂基板などであってもよく、表面に熱酸化膜が形成されたSi基板であってもよい。フレーム部102及びセンサ105は、Siから構成されてもよい。センサ105は、フレーム部102の内側に配置されて、フレーム部102から所定距離離隔され、各々電気的に独立した固定電極106a~106dと、固定電極106a~106dの内側に配置され第1基板101上に固定された固定部103と、固定部103に固定されて電気的に接続され、固定電極106a~106dと所定間隔離隔した可動電極104と、を含む。固定電極106a~106dは、可動電極104の周囲に配置される。固定部103、可動電極104及び固定電極106a~106dは、不純物が注入されて導電性が付与されたSiから構成されてもよい。センサ105に外力が与えられると、可動電極104がX方向及び/又はY方向に動いて、固定電極106a~106dの何れかと可動電極104とが接触もしくは近接することにより電気信号が生じ、この電気信号を検出することで力学量を検出する。第1基板101及び第2基板116において、可動電極104の可動領域と対向する部分には、可動電極104のX方向及びY方向への変位を規制しないように凹部が形成されていてもよい。凹部の深さは、可動電極104がZ方向に動くことによって、第1基板101及び第2基板116にぶつかり、可動電極104が破損することを防止可能な値に設定されることが好ましい。ここで、センサ105の固定部103、固定電極106a~106d及び可動電極104の構造は、図1A及び図1Bに示す形状に限定されない。センサ105は、例えば、互いに所定間隔離隔されて、櫛歯状にかみ合う可動電極と固定電極とを有し、加えられた加速度による可動電極-固定電極間の距離の変化に応じて可動電極-固定電極間の静電容量の変化を検知することによって印加された外力の大きさを検出する静電容量型の力学量センサであってもよい。また、可撓性を有し、所定の抵抗率ρΩcmを有する可動電極が印加された外力によって固定電極に接触又は近接し、その際に変化する可動電極の抵抗値を検知することによって印加された外力の大きさを検出する接触型の加速度センサであってもよい。また、可撓性を有する可動電極が印加された固定電極に接触することにより、可動電極-固定電極間の導通を検知する接触型の力学量センサであってもよい。印加された外力による静電容量の変化又は抵抗値の変化などを検出するために、可動電極104には固定部103を介して第1端子107eが接続され、固定電極106a~106dには各々第2端子107a~107dが接続される。これらの第1端子107e及び第2端子107a~107dは、センサ105が実装される電子機器内に配置される検出信号を処理する回路に接続される。第1端子107eは、第2配線109eと電気的に接続されている。第2配線109eは、第2基板116のセンサ105と対向する側に配置されている。センサ105からの信号を外部に送るための第4端子110eは、第2基板116に配置された第2配線109eに電気的に接続され、フレーム部102上に配置された絶縁膜114a上に配置されている。第1端子107eは、第2配線109eを介して第4端子110eに接続されている。第2端子107a~107dは、それぞれ第1配線109a~109dに電気的に接続されている。第1配線109a~109dは、第2基板116のセンサ105と対向する側に配置されている。センサ105からの信号を外部に送るための第3端子110a~110dは、第2基板116に配置された第1配線109a~109dに電気的に接続されており、フレーム部102上に配置された絶縁膜114a上に配置されている。第2端子107a~107dは、第1配線109a~109dを介して第3端子110a~110dにそれぞれ接続されている。第1端子107e、第2端子107a~107d、第3端子110a~110d、第4端子110d、第1配線109a~109d、及び第2配線109eは、それぞれ金属材料から構成されており、例えば、Alから構成されてもよい。フレーム部102と第2基板116とは、センサ105を囲む様に配置された接着剤112によって互いに接合されており、第2基板116は、センサ105を封止して、外気の浸入を防ぐ。接着剤112は、熱硬化型樹脂であってもよく、例えば、ポリイミド系樹脂であってもよい。尚、フレーム部102上に形成された第3端子110a~110d及び第4端子110eの上からも封止される。第2基板116上に配置された第1配線109a~109d及び第2配線109eは、第2端子107a~107dと第3端子110a~110d、及び第1端子107eと第4端子110eをそれぞれ電気的に接続するだけではなく、センサ105を第2基板116によって封止する際に、熱圧着によって第2基板116上に配置された接着剤112がフレーム部102の内側方向に向かってつぶされることを制限するストッパとしての機能も備える。センサパッケージ100では、固定部103を介してセンサ105の可動電極104からの信号を伝送する第2配線109e及びセンサ105の固定電極106a~106dからの信号を伝送する第1配線109a~109dが第2基板116上に配置されており、第1配線109a~109d及び第2配線109eはジャンプ配線となっている。本発明のセンサパッケージ100では、ジャンプ配線構造を採用することにより、センサ105からの信号を取り出すために、第2基板に貫通孔を設けて配線を形成する必要がないため、センサパッケージ100内の配線構造が簡便となり、センサパッケージ100のチップサイズの増大を防止することができる。次に、本発明の一実施形態に係るセンサパッケージ200の構造について、図2A及び図2Bを参照して説明する。図2Aは、本発明の一実施形態に係るセンサパッケージ200を上から見た透過図である。図2Bは、図2Aに示したセンサパッケージ200をA-A ́線から見た断面図である。センサパッケージ200は、第1基板201と、第1基板201上に配置されたフレーム部202と、フレーム部202の内部に配置されたセンサ205と、フレーム部202上に固定されて、センサ205を封止する第2基板216と、を含む。フレーム部202は、センサ205を取り囲むように配置される。第1基板201は、少なくともセンサ205が配置される側が絶縁性である基板であることが好ましい。例えば、ガラス基板、絶縁性樹脂基板などであってもよい。第2基板216は、少なくともセンサ205と対向する側が絶縁性である基板であることが好ましい。例えば、ガラス基板、絶縁性樹脂基板などであってもよく、表面に熱酸化膜が形成されたSi基板であってもよい。フレーム部202及びセンサ205は、Siから構成されてもよい。センサ205は、フレーム部202の内側に配置されて、フレーム部202から所定距離離隔され、各々電気的に独立した固定電極206a~206dと、固定電極206a~206dの内側に配置され第1基板201上に固定された固定部203と、固定部203に接続され固定電極206a~206dと所定間隔離隔した可動電極204と、を含む。固定電極206a~206dは、可動電極204の周囲に配置される。固定部203、可動電極204及び固定電極206a~206dは不純物が注入されて導電性が付与されたSiから構成されてもよい。センサ205に外力が与えられると、可動電極204がX方向又はY方向に動いて、固定電極206a~206dの何れかと可動電極204とが接触して導通することにより電気信号が生じ、この電気信号を検出することで力学量を検出する。第1基板201及び第2基板216において、可動電極204の可動領域と対向する部分には、可動電極104のX方向及びY方向への変位を規制しないように凹部が形成されていてもよい。凹部の深さは、可動電極204がZ方向に動くことによって、第1基板201及び第2基板216にぶつかり、可動電極204が破損することを防止可能な値に設定されることが好ましい。センサ205の可動部204は、図2Aに示す平面視において、固定部203から周囲に向かって渦巻き状に複数巻回して薄板状に形成される。可動電極204は可撓性を有し、印加される外力に応じて図中に示すX方向、Y方向及びZ方向に変形する。可動電極204の構造は、図2A及び図2Bに示す形状に限定されるものではなく、例えば、内周側と外周側で巻回する間隔を変更し、あるいは、内周側と外周側で幅を変更するようにしてもよい。可動電極204は、所定の抵抗率ρΩcmを有する導電体であり、固定部203に接続された一端部から最外周の他端部までの長さLに応じた抵抗値Rを有する。なお、可動電極204の抵抗率ρは、可動電極204が半導体材料から形成されている場合、例えば含まれる不純物濃度により制御されてもよく、四探針測定器により測定した値として、0.02Ωcm以下であってもよい。また、可動電極204の最外周の側壁上に、メタル成膜により、下層の密着層として、例えばTiまたはCr等を30nm~100nm程度成膜し、その上層に導電層として、例えばAu等を100nm~300nm程度成膜し、可動電極204のコンタクト性能を向上させてもよい。固定電極206a~206dは、可動電極204の周囲に位置し、力学量の検出方向に配置される。図2A及び図2Bでは、X方向とY方向の4箇所に固定電極206a~206dを配置した例を示すが、固定電極の数や配置位置は、センサ205の仕様に応じて適宜変更される。可動電極204は、印加された外力の大きさに応じて渦巻き状の構造が変形し、外力が印加された方向に配置された固定電極206a~206dに可動電極204の渦巻き状の構造の一部が接触する。可動電極204と固定電極206a~206dとは、接触することにより導通する。可動電極204-固定電極206a~206d間において、導通の有無を検出することで、加速度の方向を検出する。センサ205は、可動電極204と固定電極206a~206dの導通の有無を検出することにより外力の方向を検出する。可動電極204は、図2Aに示したように、渦巻き状の構造の最外周の末端部に開口部を有するが、この開口部は、可動電極204の末端部が、最外周より一つ内側の内周から、例えば、渦巻きの間隔と等しい間隔だけ離隔されることにより構成されてもよい。なお、可動電204は開口部を有さない形状であってもよく、末端部が内周に接合された形状であってもよい。本発明の一実施形態において、可動電極204は、幅が15μm、Z方向の高さが50μmの薄板状に形成されてもよい。可動電極204は、一周以上の渦巻き状の構造を有しており、隣り合うk周目とk-1週目但し、k>1との間隔は、50μmであってもよい。なお、可動電極204の幅、厚み、及び渦巻きの間隔は、固定部203から最外周の末端部まで一定でなくともよい。固定部203は、半径が75μm、Z方向の高さが50μmの円柱形状を有してもよい。固定電極206a~206dは、縦が1190μm、横が100μm、厚みZ方向の高さが50μmの薄板状に形成されてもよく、可動電極204の周囲に配置されてもよい。固定電極206a~206dから固定部203までの距離は、70μmであってもよく、一定としてもよい。なお、本発明の実施形態においては、仕様に応じて各部の寸法は適宜変更される。可動電極204には固定部203を介して第1端子207eが接続され、固定電極206a~206dには各々第2端子207a~207dが接続される。これらの第1端子207eと第2端子207a~207dとは、センサ205が実装される電子機器内の力学量検出信号を処理する回路に接続される。第1端子207eは、第2配線209eに電気的に接続されている。第2配線209eは、第2基板216のセンサ205と対向する側に配置されている。センサ205からの信号を外部に送るための第4端子210eは、第2基板216に配置された第2配線209eに電気的に接続され、フレーム部202上に配置された絶縁膜214a上に配置されている。第1端子207eは、第2配線209eを介して第4端子210eに接続されている。第2端子207a~207dは、それぞれ第1配線209a~209dに電気的に接続されている。第1配線209a~209dは、第2基板216のセンサ205と対向する側に配置されている。センサ205からの信号を外部に送るための第3端子210a~210dは、第2基板216に配置された第1配線209a~209dに電気的に接続されており、フレーム部202上に配置された絶縁膜214a上に配置されている。第2端子207a~207dは、第1配線209a~209dを介して第3端子210a~210dにそれぞれ接続されている。第1端子207e、第2端子207a~207d、第3端子210a~210d、第4端子210e、第1配線209a~209d及び第2配線209eは、それぞれ金属材料から構成されており、例えば、Alから構成されてもよい。フレーム部202と第2基板216とは、センサ205を囲む様に配置された接着剤212によって互いに接合されており、第2基板216は、センサ205を封止して、外気の浸入を防ぐ。接着剤212は、熱硬化型樹脂であってもよく、例えば、ポリイミド系樹脂であってもよい。尚、フレーム部202上に形成された第3端子210a~210d及び第4端子210eの上からも封止される。第2基板216上に配置された第1配線209a~209d及び第2配線209eは、第2端子配線207a~207dと第3端子210a~210d、及び第1端子207eと第4端子210eをそれぞれ電気的に接続するだけではなく、センサ205を第2基板216によって封止する際に、熱圧着によって第2基板216上に配置された接着剤212がフレーム部202の内側方向に向かってつぶされることを制限するストッパとしての機能も備える。センサパッケージ200では、固定部203を介してセンサ205の可動電極204からの信号を伝送する第2配線209e、及びセンサ205の固定電極206a~206dからの信号を伝送する第1配線209a~209dが第2基板216上に配置されており、第1配線209a~209d及び第2配線209eがジャンプ配線となっている。本発明のセンサパッケージ200では、ジャンプ配線構造を採用することにより、センサ205からの信号を取り出すために、第2基板に貫通孔を設けて配線を形成する必要がないため、センサパッケージ200内の配線構造が簡便となり、センサパッケージ200のチップサイズの増大を防止することができる。センサパッケージ200のセンサ205は、上述したように、可動電極204-固定電極206a~206d間の導通を検知することによって印加された外力の方向を検出する加速度センサであるが、可撓性を有する可動電極が固定電極に接触又は近接することによって変動する可動電極の抵抗値の変化を検知することによって、可動電極に印加された外力の方向及び外力の大きさを検出する加速度センサであっても、センサ205と略同じ構造を有する。可動電極が固定電極に接触又は近接することによって変動する可動電極の抵抗値の変化を検知するセンサの詳細な機能については、特許第4707763号を参照されたい。次に、図2A及び図2Bに示したセンサパッケージ200の製造方法について、図3a、bを参照して説明する。図3は、センサパッケージ200の概略構造を示した製造工程を説明するための図であり、図3aは、封止する前のセンサ205、フレーム部202及び第2基板216を示す断面図であり、図3bは、フレーム部202と第2基板216とを接合した状態のセンサパッケージ200を示す断面図である。尚、図3bは、図2Bと同様に、図2Aに示したセンサパッケージ200をA-A ́線から見た断面図である。1第1基板201及びセンサ205の準備図3a参照第1基板201として、例えばガラス基板を準備し、後に製造するセンサ205の可動電極204の可動領域に対応させて凹部を形成する。凹部は、ドライエッチング、ウェットエッチング、サンドブラストなどの周知の加工方法により形成してもよい。凹部を形成した第1基板201上にSi基板を陽極接合する。Si基板の表面を熱酸化し、Si基板上に絶縁膜シリコン酸化膜SiO2を形成する。この絶縁膜をフォトリソグラフィ及びウェットエッチングなどによりエッチングし、絶縁膜214a、214bを形成し、後に固定電極206a~206dとなるSi基板の一部を露出する。次に、Si基板上及び絶縁膜214a、214bにスパッタリング、CVD、金属蒸着などによりAl層を1μm程度の高さになるよう形成し、形成したAl層をフォトリソグラフィ又はウェットエッチングなどによりパターニングし、第1端子207e、第2端子207a~207d、第3端子210a~210d、及び第4端子210eを形成する。次に、絶縁膜214a、214b、及びSi基板をエッチングして、フレーム部202、センサ205の固定部203、可動電極205及び固定電極206a~206dを形成する。2第2基板216の準備図3a参照第2基板216を準備し、センサ205の可動電極204の可動領域と、フレーム部上202上の第3端子210a~210dが存在する領域それぞれに対応する部分に凹部を形成する。凹部は、ドライエッチング、ウェットエッチング、サンドブラストなどの周知の加工方法により形成してもよい。次に、第2基板216のセンサ205及びフレーム部202と対向する側に感光性熱硬化型のポリイミド系樹脂などの接着剤212パターンをフォトリソグラフィ又はスクリーン印刷などで凹部を囲むように形成する。接着剤212は、後述する第1及び第2配線209a~209eの高さよりも高ければよく、幅は100μm以下、高さは、1.5μm程度であってもよい。次に、第2基板216のセンサ205及びフレーム部202と対向する側に第1及び第2配線209a~209eを形成する。第1及び第2配線209a~209eは、スパッタリング、CVD、金属蒸着などによりAl層図示せずを1μm程度の高さになるよう形成し、形成したAl層をパターニングすることにより形成される。3フレーム部202と第2基板216との接合図3b参照次に、300°C~350°Cで熱圧着することにより、フレーム部202、第3端子210a~210d及び第4端子210と第2基板216とを接着剤212を介して接合する。これによって、センサ205は、フレーム部202と第2基板216とにより封止される。ここで、フレーム部202、第3端子210a~210d及び第4端子210eと第2基板216とが接合されるだけでなく、第2端子配線207a~207と第3端子210a~210dとがそれぞれ第2配線209a~209dを介して互いに電気的に接続される。また、第1配線209eを介して第1端子207eと第4端子210eとが互いに電気的に接続される。熱圧着することにより、接着剤212及び第1及び第2配線209a~209e、第3端子210a~210d及び第4端子210eがフレーム部202の内側方向及び外側方向につぶれて、接着剤212の高さは、1μm程度となる。接着剤212のフレーム部202の内側方向に向かう変形は、第1及び第2配線209a~209eによって制限される。最後に、第2基板216の第3端子210a~210dに対応する部分の一部図3bの破線部分をダイシングして、外部に信号を伝送するための第3端子210a~210d及び第4端子210eをそれぞれ露出する。以上の工程により、本発明の一実施形態に係るセンサパッケージ200が製造される。本発明の第1端子207eに接続する第2配線209e、第2端子207a~207dにそれぞれ接続する第1配線209a~209dの形状は、図2A及び図2Bに図示した形状に限定されない。以下、本発明の配線の形状について説明する。図4aは、第2端子207b及び第1配線209bの一部を示す平面図であり、図4bは、図4aに示した第2端子207b及び第1配線209bのB-Bに沿った断面図である。図4bに示すように、第2端子207bの第1配線209bとの接続部には、凸部401が形成されていてもよい。フレーム部202と第2基板216とを熱圧着により接合する際、第2端子207bの凸部401にめり込むように第1配線209bが変形して接着される。これにより、第2端子207bと第1配線209bとの電気的な接続がより確実にとれるようにすることが可能となる。ここでは、第2端子207bに凸部401が形成された例を説明したが、第1配線209bの第2端子207bとの接続部に凸部を形成してもよい。図4a、bに示した第2端子207bと第1配線209bの形状は一例であり、限定されるわけではない。第2端子207bと第1配線209bとは、図5a~cに示すような形状であってもよい。図5a~cの各々は、第2端子207b及び第1配線209bの一部を示す別の例の平面図である。図5a、bにおいては、第1配線209bの第2端子207bとの接合部分は櫛歯形状に形成されている。これにより、第1配線209bの第2端子207bとの接合部分の面積が広くなり、第2端子207bと第1配線209bとの電気的な接続がより確実にとれるようにすることが可能となる。また、図5cにおいては、第1配線209bの第2端子207bとの接合部分を他の部分よりも広く形成されている。これにより、第1配線209bの第2端子207bとの接合部分の面積が広くなり、第2端子207bと第1配線209bとの電気的な接続がより確実にとれるようにすることが可能となる。以上、図4a、b及び図5a~cを参照して、第2端子207b及び第1配線209bの形状を説明したが、これらは一例であり、第2端子207bと第1配線209bとの電気的な接続がより確実にとれるように様々な変形が可能である。また、第1配線209b以外の第1配線209a、209c、209d、及び第2配線209eの形状にも図4a、b及び図5a~cを参照して説明した形状が適用されてもよい。また、第1及び第2配線209a~209eと第1端子207e、第2端子207a、207c~207d、第3端子210a~210d及び第4端子210eとの接続部の形状にも図4a、b及び図5a~cを参照して説明した形状が適用されてもよい。