"反応器内で、単量体、極性基を含まない重合開始剤、およびチオカルボニルチオ構造を有する連鎖移動剤を含む反応溶液を所定の温度で前記単量体を重合反応させた後、反応を停止させる工程を経て重合体を製造する方法であって、前記反応器内に、少なくとも前記単量体および前記連鎖移動剤が供給され、かつ該反応器内の液の温度が前記所定の温度に達した時点を開始時刻T0とし、前記重合反応を停止させる操作を開始した時点を終了時刻T1とするとき、T0から[T1-T0/2]の直前までの間に、前記反応器内に重合開始剤を供給する工程と、[T1-T0/2]からT1までの間に、前記反応器内に重合開始剤を供給する工程を有し、T0からT1までに、前記反応器内に供給される重合開始剤の合計質量をIA、[T1-T0/2]からT1までに供給される重合開始剤の合計質量をIBとするとき、前記IAは、反応器内に供給される重合開始剤の全量のうちの50~100質量であり、かつ下記式Iを満足する、リソグラフィー用重合体の製造方法。0.50<IB/IA<1.00I請求項1記載のリソグラフィー用重合体の製造方法によって得られる重合体であって、重合体の全末端基のうち、硫黄原子を有する末端基の割合が30モル以下であるリソグラフィー用重合体。請求項2記載のリソグラフィー用重合体と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を混合するレジスト組成物の製造方法。請求項3に記載のレジスト組成物の製造方法により得られるレジスト組成物を、基板の被加工面上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜に対して、露光する工程と、露光されたレジスト膜を現像液を用いて現像する工程とを含む、パターンが形成された基板の製造方法。しかしながら、上記特許文献1、2に記載されている方法では、リソグラフィー用重合体の溶解性、またはレジスト組成物の感度が不十分となる場合がある。すなわち、上記のようなリビングラジカル重合法により得られる重合体は末端成長末端にドーマント種としてのRAFT剤残基が残るため、このRAFT剤残基に起因して重合体の溶解性の低下またはレジスト組成物の感度低下が生じると考えられる。例えば感度については、構造中に不飽和結合を有するRAFT剤残基は紫外領域に強い吸収帯を有するため、これを使用した重合体は紫外線の透過を阻害し、結果的に該重合体をレジスト組成物に用いた際の感度が低下すると考えられる。さらに、末端のRAFT残基は経時劣化して酸などの不純物が生じやすく、重合体の保存安定性を低下させる。また、一般にRAFT法は通常のラジカル重合と比較して成長反応速度に乏しく、十分な重合率が得られない場合がある。本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、分子量のばらつきが改善した重合体を高重合率で得られ、溶媒への溶解性、およびレジスト組成物に用いたときのフォトリソグラフィー用露光光に対する透過率が向上して高感度化できる重合体の製造方法、該製造方法により得らリソグラフィー用重合体を用いたレジスト組成物、および該レジスト組成物を用いて、パターンが形成された基板を製造する方法を提供することを目的とする。前記課題を解決するために、本発明の重合体の製造方法は、反応器内で、単量体、極性基を含まない重合開始剤、およびチオカルボニルチオ構造を有する連鎖移動剤を含む反応溶液を所定の温度で前記単量体を重合反応させた後、反応を停止させる工程を経て重合体を製造する方法であって、前記反応器内に、少なくとも前記単量体および前記連鎖移動剤が供給され、かつ該反応器内の液の温度が前記所定の温度に達した時点を開始時刻T0とし、前記重合反応を停止させる操作を開始した時点を終了時刻T1とするとき、T0から[T1-T0/2]の直前までの間に、前記反応器内に重合開始剤を供給する工程と、[T1-T0/2]からT1までの間に、前記反応器内に重合開始剤を供給する工程を有し、T0からT1までに、前記反応器内に供給される重合開始剤の合計質量をIA、[T1-T0/2]からT1までに供給される重合開始剤の合計質量をIBとするとき、前記IAは、反応器内に供給される重合開始剤の全量のうちの50~100質量であり、かつ下記式Iを満足する、リソグラフィー用重合体の製造方法を提供する。0.50<IB/IA<1.00Iまた、前記リソグラフィー用重合体の製造方法によって得られる重合体であって、重合体の全末端基のうち、硫黄原子を有する末端基の割合が30モル以下であるリソグラフィー用重合体を提供する。本発明は、本発明のリソグラフィー用重合体、および活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するレジスト組成物を提供する。本発明は、本発明のレジスト組成物を、基板の被加工面上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜に対して、露光する工程と、露光されたレジスト膜を現像液を用いて現像する工程とを含む、パターンが形成された基板の製造方法を提供する。本発明のリソグラフィー用重合体の製造方法によれば、分子量のばらつきが改善した重合体を高重合率で得ることができるとともに、重合体末端に残存する連鎖移動剤残基を低減させることができる。本発明のリソグラフィー用重合体は重合体の溶媒への溶解性、およびレジスト組成物に用いたときのフォトリソグラフィー用照射光に対する透過率を向上して高感度化させることができる。本発明のレジスト組成物は、本発明により得られるリソグラフィー用重合体を用いた、レジスト組成物であり、レジスト溶媒への溶解性に優れ、高い透過率が得られるため感度に優れる。さらに化学増幅型レジスト組成物に用いた場合、極性基を含まない重合開始剤を用いることによって酸の拡散を阻害することなく、高い感度を得ることが出来る。本発明の基板の製造方法によれば、高精度の微細なレジストパターンを安定して形成できる。本明細書において、メタアクリル酸は、アクリル酸またはメタクリル酸を意味し、メタアクリロイルオキシは、アクリロイルオキシまたはメタクリロイルオキシを意味する。本発明における重合体の重量平均分子量Mwおよび分子量分布Mw/Mnは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより、ポリスチレン換算で求めた値である。<重合体>本発明における重合体は構成単位α’1~α’nただし、α’1~α’nは単量体α1~αnからそれぞれ導かれる構成単位を表す。nは2以上の整数を表す。からなる共重合体である。nの上限は、本発明による効果が得られやすい点で6以下が好ましい。特に重合体がレジスト用重合体である場合には、5以下がより好ましく、4以下がさらに好ましい。例えば、n=3である場合は、重合体は構成単位α’1、α’2、α’3からなる三元系重合体Pα’1/α’2/α’3であり、n=4の場合は、構成単位α’1、α’2、α’3、α’4からなる四元系重合体Pα’1/α’2/α’3/α’4である。本発明におけるリソグラフィー用重合体は、レジスト膜の形成に用いられるレジスト用重合体、レジスト膜の上層に形成される反射防止膜TARC、またはレジスト膜の下層に形成される反射防止膜BARCの形成に用いられる反射防止膜用重合体、ギャップフィル膜の形成に用いられるギャップフィル膜用重合体、トップコート膜の形成に用いられるトップコート膜用重合体が挙げられる。リソグラフィー用重合体の重量平均分子量Mwは1,000~200,000が好ましく、2,000~40,000がより好ましい。分子量分布Mw/Mnは1.0~2.0が好ましく、1.01~1.5がより好ましい。重合体の構成単位は、特に限定されず、用途および要求特性に応じて適宜選択される。レジスト用重合体は、酸脱離性基を有する構成単位および極性基を有する構成単位を有することが好ましく、この他に、必要に応じて公知の構成単位を有していてもよい。レジスト用重合体の重量平均分子量Mwは1,000~100,000が好ましく、3,000~30,000がより好ましい。分子量分布Mw/Mnは1.0~2.0が好ましく、1.01~1.5がより好ましい。反射防止膜用重合体は、例えば、吸光性基を有する構成単位を有するとともに、レジスト膜との混合を避けるため、硬化剤などと反応して硬化可能なアミノ基、アミド基、ヒドロキシル基、エポキシ基等の反応性官能基を有する構成単位を含むことが好ましい。吸光性基とは、レジスト組成物中の感光成分が感度を有する波長領域の光に対して、高い吸収性能を有する基であり、具体例としては、アントラセン環、ナフタレン環、ベンゼン環、キノリン環、キノキサリン環、チアゾール環等の環構造任意の置換基を有していてもよい。を有する基が挙げられる。特に、照射光として、KrFレーザ光が用いられる場合には、アントラセン環又は任意の置換基を有するアントラセン環が好ましく、ArFレーザ光が用いられる場合には、ベンゼン環又は任意の置換基を有するベンゼン環が好ましい。上記任意の置換基としては、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、カルボキシ基、カルボニル基、エステル基、アミノ基、又はアミド基等が挙げられる。特に、吸光性基として、保護された又は保護されていないフェノール性水酸基を有する反射防止膜用重合体が、良好な現像性高解像性の観点から好ましい。上記吸光性基を有する構成単位単量体として、例えば、ベンジルメタアクリレート、p-ヒドロキシフェニルメタアクリレート等が挙げられる。ギャップフィル膜用重合体は、例えば、狭いギャップに流れ込むための適度な粘度を有するとともに、レジスト膜や反射防止膜との混合を避けるため、硬化剤などと反応して硬化可能な反応性官能基を有する構成単位を含むことが好ましい。具体的にはヒドロキシスチレンと、スチレン、アルキルメタアクリレート、ヒドロキシアルキルメタアクリレート等の単量体との共重合体が挙げられる。液浸リソグラフィーに用いられるトップコート膜用重合体の例としては、カルボキシル基を有する構成単位を含む共重合体、水酸基が置換したフッ素含有基を有する構成単位を含む共重合体等が挙げられる。<構成単位単量体>重合体は、その構成単位α’1~α’nにそれぞれ対応する単量体α1~αnを重合させて得られる。単量体はビニル基を有する化合物が好ましく、ラジカル重合しやすいものが好ましい。特にメタアクリル酸エステルは波長250nm以下の露光光に対する透明性が高い。以下、重合体がレジスト用重合体である場合に、好適に用いられる構成単位およびそれに対応する単量体について説明する。[酸脱離性基を有する構成単位単量体]レジスト用重合体は、酸脱離性基を有することが好ましい。酸脱離性基とは、酸により開裂する結合を有する基であり、該結合の開裂により酸脱離性基の一部または全部が重合体の主鎖から脱離する基である。レジスト用組成物において、酸脱離性基を有する構成単位を有する重合体は、酸成分と反応してアルカリ性溶液に可溶となり、レジストパターン形成を可能とする作用を奏する。酸脱離性基を有する構成単位の割合は、感度および解像度の点から、重合体を構成する全構成単位100モルのうち、20モル以上が好ましく、25モル以上がより好ましい。また、基板等への密着性の点から、60モル以下が好ましく、55モル以下がより好ましく、50モル以下がさらに好ましい。酸脱離性基を有する単量体は、酸脱離性基および重合性多重結合を有する化合物であればよく、公知のものを使用できる。重合性多重結合とは重合反応時に開裂して共重合鎖を形成する多重結合であり、エチレン性二重結合が好ましい。酸脱離性基を有する単量体の具体例として、炭素数6~20の脂環式炭化水素基を有し、かつ酸脱離性基を有しているメタアクリル酸エステルが挙げられる。該脂環式炭化水素基は、メタアクリル酸エステルのエステル結合を構成する酸素原子と直接結合していてもよく、アルキレン基等の連結基を介して結合していてもよい。該メタアクリル酸エステルには、炭素数6~20の脂環式炭化水素基を有するとともに、メタアクリル酸エステルのエステル結合を構成する酸素原子との結合部位に第3級炭素原子を有するメタアクリル酸エステル、または、炭素数6~20の脂環式炭化水素基を有するとともに、該脂環式炭化水素基に-COOR基Rは置換基を有していてもよい第3級炭化水素基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、またはオキセパニル基を表す。が直接または連結基を介して結合しているメタアクリル酸エステルが含まれる。特に、波長250nm以下の光で露光するパターン形成方法に適用されるレジスト組成物を製造する場合には、酸脱離性基を有する単量体の好ましい例として、例えば、2-メチル-2-アダマンチルメタアクリレート、2-エチル-2-アダマンチルメタアクリレート、1-1’-アダマンチル-1-メチルエチルメタアクリレート、1-メチルシクロヘキシルメタアクリレート、1-エチルシクロヘキシルメタアクリレート、1-メチルシクロペンチルメタアクリレート、1-エチルシクロペンチルメタアクリレート、イソプロピルアダマンチルメタアクリレート、1-エチルシクロオクチルメタアクリレート等が挙げられる。これらの中でも、1-エチルシクロヘキシルメタクリレート、2-エチル-2-アダマンチルメタクリレート、1-エチルシクロペンチルメタクリレート、イソプロピルアダマンチルメタクリレートがより好ましい。酸脱離性基を有する単量体は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。[極性基を有する構成単位単量体]極性基とは、極性を持つ官能基または極性を持つ原子団を有する基であり、具体例としては、ヒドロキシ基、シアノ基、アルコキシ基、カルボキシ基、アミノ基、カルボニル基、フッ素原子を含む基、硫黄原子を含む基、ラクトン骨格を含む基、アセタール構造を含む基、エーテル結合を含む基などが挙げられる。これらのうちで、波長250nm以下の光で露光するパターン形成方法に適用されるレジスト用重合体は、極性基を有する構成単位として、ラクトン骨格を有する構成単位を有することが好ましく、さらに後述の親水性基を有する構成単位を有することが好ましい。ラクトン骨格を有する構成単位単量体ラクトン骨格としては、例えば、4~20員環程度のラクトン骨格が挙げられる。ラクトン骨格は、ラクトン環のみの単環であってもよく、ラクトン環に脂肪族または芳香族の炭素環または複素環が縮合していてもよい。共重合体がラクトン骨格を有する構成単位を含む場合、その含有量は、基板等への密着性の点から、全構成単位100モルのうち、20モル以上が好ましく、35モル以上がより好ましい。また、感度および解像度の点から、60モル以下が好ましく、55モル以下がより好ましく、50モル以下がさらに好ましい。ラクトン骨格を有する単量体としては、基板等への密着性に優れる点から、置換あるいは無置換のδ-バレロラクトン環を有するメタアクリル酸エステル、置換あるいは無置換のγ-ブチロラクトン環を有する単量体からなる群から選ばれる少なくとも1種が好ましく、無置換のγ-ブチロラクトン環を有する単量体が特に好ましい。ラクトン骨格を有する単量体の具体例としては、β-メタアクリロイルオキシ-β-メチル-δ-バレロラクトン、4,4-ジメチル-2-メチレン-γ-ブチロラクトン、β-メタアクリロイルオキシ-γ-ブチロラクトン、β-メタアクリロイルオキシ-β-メチル-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイルオキシ-γ-ブチロラクトン、2-1-メタアクリロイルオキシエチル-4-ブタノリド、メタアクリル酸パントイルラクトン、5-メタアクリロイルオキシ-2,6-ノルボルナンカルボラクトン、8-メタクリロキシ-4-オキサトリシクロ[5.2.1.026]デカン-3-オン、9-メタクリロキシ-4-オキサトリシクロ[5.2.1.026]デカン-3-オン等が挙げられる。また、類似構造を持つ単量体として、メタクリロイルオキシこはく酸無水物等も挙げられる。これらの中でも、α-メタクリロイルオキシ-γ-ブチロラクトン、α-アクリロイルオキシ-γ-ブチロラクトン、5-メタクリロイルオキシ-2,6-ノルボルナンカルボラクトン、8-メタクリロキシ-4-オキサトリシクロ[5.2.1.026]デカン-3-オンがより好ましい。ラクトン骨格を有する単量体は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。親水性基を有する構成単位単量体本明細書における親水性基とは、-CCF32-OH、ヒドロキシ基、シアノ基、メトキシ基、カルボキシ基およびアミノ基の少なくとも1種である。これらのうちで、波長250nm以下の光で露光するパターン形成方法に適用されるレジスト用重合体は、親水性基としてヒドロキシ基またはシアノ基を有することが好ましい。共重合体における親水性基を有する構成単位の含有量は、レジストパターン矩形性の点から、全構成単位100モルのうち、5~50モルが好ましく、10~25モルがより好ましい。親水性基を有する単量体としては、例えば、末端ヒドロキシ基を有するメタアクリ酸エステル;単量体の親水性基上にアルキル基、ヒドロキシ基、カルボキシ基等の置換基を有する誘導体;環式炭化水素基を有する単量体例えばメタアクリル酸シクロヘキシル、メタアクリル酸1-イソボルニル、メタアクリル酸アダマンチル、メタアクリル酸トリシクロデカニル、メタアクリル酸ジシクロペンチル、メタアクリル酸2-メチル-2-アダマンチル、メタアクリル酸2-エチル-2-アダマンチル等。が置換基としてヒドロキシ基、カルボキシ基等の親水性基を有するもの;が挙げられる。親水性基を有する単量体の具体例としては、メタアクリル酸、メタアクリル酸2-ヒドロキシエチル、メタアクリル酸3-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸2-ヒドロキシ-n-プロピル、メタアクリル酸4-ヒドロキシブチル、メタアクリル酸3-ヒドロキシアダマンチル、2-または3-シアノ-5-ノルボルニルメタアクリレート、2-シアノメチル-2-アダマンチルメタアクリレート等が挙げられる。基板等に対する密着性の点から、メタアクリル酸3-ヒドロキシアダマンチル、2-または3-シアノ-5-ノルボルニルメタアクリレート、2-シアノメチル-2-アダマンチルメタアクリレート等が好ましい。これらの中でも、メタクリル酸3-ヒドロキシアダマンチルがより好ましい。親水性基を有する単量体は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。<重合開始剤>本発明において、重合開始剤は極性基を含まない。極性基を含まない重合開始剤とは分子骨格中にヒドロキシ基、シアノ基、カルボキシ基、ニトロ基、アミノ基を含まない重合開始剤である。重合開始剤の断片は重合体末端構造を形成するが、極性基を含む開始剤を用いた重合体をレジスト組成物に用いた場合、重合体末端の極性基が酸の拡散を阻害することにより感度が低下すると考えられる。本発明において重合開始剤は極性基を含まないため、レジスト用途に用いた場合感度に優れる。極性基を含まない重合開始剤は熱により分解して効率的にラジカルを発生するものが好ましく、10時間半減期温度が重合温度以下であるものを用いることが好ましい。例えばリソグラフィー用重合体を製造する場合の、好ましい重合温度は50~150°Cであり、10時間半減期温度が20~70°Cの重合開始剤を用いることが好ましい。また重合開始剤が効率的に分解するためには、重合開始剤の10時間半減期温度と重合温度との差が10°C以上であることが好ましい。重合開始剤の例としては、ジメチル-2,2’-アゾビスイソブチレート、2,2’-アゾビス[2-2-イミダゾリン-2-イルプロパン]等のアゾ化合物;2,5-ジメチル-2,5-ビスtert-ブチルパーオキシヘキサン、ビス4-tert-ブチルシクロヘキシルパージカーボネート等の有機過酸化物;が挙げられる。アゾ化合物がより好ましい。これらは市販品から入手可能である。例えばジメチル-2,2’-アゾビスイソブチレート和光純薬工業社製、V601商品名、10時間半減期温度66°Cを好適に用いることができる。<チオカルボニルチオ構造を有する連鎖移動剤RAFT剤>単量体を重合反応させる際に、重合開始剤と合わせてチオカルボニルチオ構造-S-C=S-を有する連鎖移動剤RAFT剤を用いることで狭分散性の重合体を得ることができる。本発明において使用するチオカルボニルチオ化合物としては特に限定されないが、入手性、重合性の点で以下の下記式1~9で表される化合物が好ましい。式1~9において、Arは芳香族又は置換芳香族を表し、該置換基はハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、-CORaで示されるカルボニル含有基Raは炭素原子数1~8のアルキル基、アリール基、炭素原子数1~8のアルコキシ基、またはアリーロキシ基、スルホニル基、またはトリフルオロメチル基を表す。Rは、炭素原子数1~8のアルキル基またはアリール基を表す。一分子中に、Arが2個存在するとき、互いに同じであってもよく、異なっていてもよい。<重合溶媒>単量体を重合反応させる際に、重合溶媒を用いてもよい。重合溶媒としては、例えば、下記のものが挙げられる。エーテル類:鎖状エーテル例えばジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等。、環状エーテル例えばテトラヒドロフラン以下、THFと記すこともある。、1,4-ジオキサン等。等。エステル類:酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート以下、PGMEAと記すこともある。、γ-ブチロラクトン等。ケトン類:アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等。アミド類:N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド等。スルホキシド類:ジメチルスルホキシド等。芳香族炭化水素:ベンゼン、トルエン、キシレン等。脂肪族炭化水素:ヘキサン等。脂環式炭化水素:シクロヘキサン等。重合溶媒は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。重合溶媒の使用量は特に限定されないが、例えば、重合反応終了時の反応器内の液重合反応溶液の固形分濃度が20~60質量程度となる量が好ましい。<重合体の製造方法>本発明の重合体の製造方法は、反応器内で、単量体、極性基を含まない重合開始剤、およびチオカルボニルチオ構造を有する連鎖移動剤RAFT剤を含む反応溶液を所定の温度で前記単量体を重合反応させた後、反応を停止させる工程を経て重合体を製造する方法である。重合方法としては、塊状重合法、溶液重合法、懸濁重合法、乳化重合法等の公知の重合方法が挙げられる。これらのうち、光線透過率を低下させないために、反応終了後に残存する単量体を除去する工程を容易に行える点、重合体の分子量を比較的低くできる点から、溶液重合法が好ましい。本発明では、反応器内に、少なくとも単量体および連鎖移動剤RAFT剤が供給され、かつ反応器内の液の温度が所定の温度に達した時点を開始時刻T0とし、反応を停止させる操作を開始した時点を終了時刻T1とする。本発明において、反応器内の液の温度が所定の温度に達した時点とは、反応器内の液を加熱して昇温させて、所定の温度で重合反応させるとき、当該所定の温度設定値に達した時点を意味する。例えば反応器内の温度を80°Cで重合反応させるという場合は、所定の温度設定値が80°Cであることを意味し、反応器内の液温が80°Cに達した時点を開始時刻T0とする。なお、本発明において、所定の温度設定値とは、所望の組成の重合体を得るための重合反応を行える温度であれば、ある程度幅があってもよいが、所望の分子量が得られ、複数回製造した際の分子量や組成などの品質のばらつきが少ない観点から、重合反応中の温度は、±5°C以内で保持することが好ましく、より好ましくは±3°C以内、さらに好ましくは±1°C以内で保持することが好ましい。反応を停止させる方法としては、反応器内の液を冷却する方法、反応器内に重合禁止剤を投入する方法、反応器内に酸素を含む気体を吹き込む方法、反応器内に重合体の貧溶媒を投入して重合体を析出させる方法等が挙げられる。これらのうち、反応器内に不純物が混入しにくく、簡便である点から反応器内を冷却する方法が好ましい。いずれの方法であっても、停止のための操作を開始した時点を終了時刻T1とする。具体的には、冷却により反応を停止させる場合、冷却を開始した時点を終了時刻T1とする。反応器内に重合禁止剤、酸素、貧溶媒等を投入または吹き込む方法で反応を停止させる場合、投入または吹き込みを開始した時点を終了時刻T1とする。開始時刻T0から終了時刻T1までの時間T1-T0は、単量体の重合率、および製造効率の観点から1~24時間が好ましく、2~18時間がより好ましい。反応器への単量体の供給方法は、所定の量を一括的に投入する方法でもよく、滴下する方法でもよく、これらの組み合わせでもよい。重合溶媒と混合して供給してもよい。開始時刻T0の時点で反応容器内に単量体は存在する。すなわち、開始時刻T0より前に、重合反応に用いる単量体の一部または全量を反応器内へ供給する。開始時刻T0の時点で反応容器内に存在する単量体は、重合反応に用いる単量体の全量を100質量とすると、そのうちの10質量以上であることが好ましく、25質量以上がより好ましい。上記範囲の下限値未満であると重合が効率的に進行せず、十分な重合率が得られない。反応器へのRAFT剤の供給方法は、所定の量を一括的に投入する方法でもよく、滴下する方法でもよく、これらの組み合わせでもよい。重合溶媒と混合して供給してもよい。RAFT剤の使用量は、単量体の量、および得ようとする重合体の分子量に応じて決められる。開始時刻T0の時点で反応容器内にRAFT剤は存在する。すなわち、開始時刻T0より前に、重合反応に用いるRAFT剤の一部または全量を反応器内へ供給する。開始時刻T0の時点で反応容器内に存在するRAFT剤は、重合反応に用いるRAFT剤の全量を100質量とすると、そのうちの50質量以上であることが好ましく、75質量以上がより好ましく、100質量が最も好ましい。上記範囲の下限値以上であると分子量の分散が狭く、分子量ばらつきの小さい重合体が得られやすい。すなわち、RAFT剤の全量を開始時刻T0直前までに反応器内に供給することが特に好ましい。本発明は、T0から[T1-T0/2]の直前までの間以下T1-T0の前半ということもある。に、反応器内に極性基を含まない重合開始剤を供給する工程と、[T1-T0/2]からT1までの間以下T1-T0の後半ということもある。に、反応器内に極性基を含まない重合開始剤を供給する工程を有する。[T1-T0/2]の時点はT1-T0の後半に含まれるものとする。[T1-T0/2]の直前までに、反応器内に供給される極性基を含まない重合開始剤は、主に単量体の重合反応に寄与し、T1-T0の後半に、反応器内に供給される極性基を含まない重合開始剤は、主に重合体の末端から連鎖移動剤残基RAFT剤残基を脱離させる反応に寄与する。[T1-T0/2]の直前までに、反応器内に供給される極性基を含まない重合開始剤は1種でもよく、2種以上でもよい。T1-T0の後半に反応器内供給される極性基を含まない重合開始剤は1種でもよく、2種以上でもよい。[T1-T0/2]の直前までに、反応器内に供給される極性基を含まない重合開始剤と、T1-T0の後半に反応器内供給される極性基を含まない重合開始剤とは同じであってもよく、異なっていてもよい。開始時刻T0の時点で、反応器内に極性基を含まない重合開始剤の一部が既に供給されていてもよいが、反応容器内に極性基を含まない重合開始剤を供給してから反応器内の液を加熱すると、重合体の製造安定性が低下しやすい。かかる製造安定性の低下は、開始時刻T0より前に反応器内に供給された極性基を含まない重合開始剤が、反応器内の液を昇温させる際の熱履歴を受けることが原因の1つと考えられる。したがって、開始時刻T0より前に反応器内に供給される極性基を含まない重合開始剤の量は少ない方が好ましい。具体的には、反応器内に供給される極性基を含まない重合開始剤の全量を100質量とすると、そのうちT0からT1までに反応器内に供給される重合開始剤の合計質量後述のIAは50~100質量が好ましく、75~100質量がより好ましく、100質量が最も好ましい。すなわち、反応器内への極性基を含まない重合開始剤の供給は、開始時刻T0以降に開始することが特に好ましい。T1-T0の前半において、開始時刻T0から反応器内へ極性基を含まない重合開始剤を供給開始するまでの時間は反応器内の単量体及びRAFT剤を安定に用いる点で、60分以下が好ましく、30分以下がより好ましい。ゼロでもよい。T1-T0の後半において、反応器内へ極性基を含まない重合開始剤を供給開始してから終了時刻T1までの時間は、重合体の末端のRAFT剤残基を低減する効果が十分に得られやすい点で、30分以上が好ましく、45分以上がより好ましい。また製造工程期間の短縮や重合体の安定性の点で300分以下が好ましく、150分以下がより好ましい。本発明においてT0からT1までに、反応器内に供給される極性基を含まない重合開始剤の合計質量をIA、[T1-T0/2]からT1まで、すなわちT1-T0の後半に供給される極性基を含まない重合開始剤の合計質量をIBとするとき、下記式Iを満足する。0.50<IB/IA<1.00IIB/IAの値が上記の範囲内であると、重合体の末端に残存するRAFT剤残基が効果的に低減されるとともに、高い重合率が得られる。0.60≦IB/IA≦0.99を満たすことが好ましく、0.80≦IB/IA≦0.99を満たすことがより好ましい。該T1-T0の後半に、反応器内に供給される極性基を含まない重合開始剤の量IBはRAFT剤の全量に対して25~2000モルが好ましく、500~2000モルがより好ましい。T1-T0の後半に反応器へ極性基を含まない重合開始剤を供給する方法は、重合体末端のRAFT剤残基を脱離させる効果が良好に得られやすい点で、その全量を一括的に投入する方法、または複数回に分けて投入する方法が好ましい。重合溶媒と混合して供給してもよく、粉体で供給してもよい。[T1-T0/2]の直前までに、反応器内に供給される極性基を含まない重合開始剤の量極性基を含まない重合開始剤の全量-IBはRAFT剤の全量に対して10~100モルが好ましく、20~50質量がより好ましい。[T1-T0/2]の直前までに、反応器へ極性基を含まない重合開始剤を供給する方法は、その全量を一括的に投入する方法でもよく、複数回に分けて投入する方法でもよく、または滴下する方法でもよく、これらの組み合わせでもよい。重合を効率的に進行させる点で、一括的に投入する方法が好ましい。重合溶媒と混合して供給してもよく、粉体で供給してもよい。本発明の重合体の製造方法の好ましい実施形態として、以下の方法が挙げられる。予め反応器内に単量体の全量とRAFT剤の全量と、必要に応じて重合溶媒を投入し、好ましくは不活性ガス例えば窒素ガスを吹き込んで反応器内の気体を不活性ガスで置換ガスパージした後、反応器内の液を加熱して昇温させる。反応器内の液の温度が所定の温度に達した開始時刻T0後、T1-T0の前半に供給する極性基を含まない重合開始剤の全量を一括的に供給し、所定の温度で重合反応させる。[T1-T0/2]以降にT1-T0の後半に供給する極性基を含まない重合開始剤の全量を、一括的にまたは複数回に分けて供給する。所定の温度で反応させた後、反応を停止させる。反応を停止させて得られた重合反応溶液は、必要に応じて精製を行う。精製は公知の方法を用いて行うことができる。例えば、必要に応じて希釈溶媒で適当な溶液粘度に希釈した後、貧溶媒中に滴下し、重合体を析出させる再沈殿工程。析出物をろ別して湿粉を得、十分に乾燥することにより、乾燥粉末状の重合体を得ることができる。また、ろ別後の湿粉を再び貧溶媒に分散させて重合体分散液を得た後、重合体をろ別する操作を1回以上繰り返すこともできるリスラリ工程。本発明の製造方法によれば、重合体の末端に残存するRAFT剤残基を効果的に低減させることができる。具体的には、本発明の製造方法によれば、重合体の全末端基のうち、硫黄原子を有する末端基の割合が30モル以下、好ましくは15モル以下、より好ましくは10モル以下である重合体が得られる。該硫黄原子を有する末端基の割合が30モル以下であるということは、重合体の全末端基のうちの、RAFT剤残基チオカルボニルチオ構造を有する連鎖移動剤の残基の割合が、30モル以下であることを意味する。重合体の全末端基のうち、硫黄原子を有する末端基の割合が上記の範囲であると、重合体の溶媒への溶解性向上効果、およびレジスト組成物に用いたときのフォトリソグラフィー用照射光に対する透過率向上効果が十分に得られやすい。また、経時劣化により酸などの不純物を生じやすいRAFT残基が低減されることにより、重合体の保存安定性が向上する。本発明の製造方法で得られる重合体はリソグラフィー用重合体として好適である。<レジスト組成物>本発明のレジスト組成物は、本発明の製造方法で得られるリソグラフィー用重合体、およびレジスト溶媒を含む。レジスト溶媒としては、リソグラフィー用重合体を溶解させることが出来る溶媒であれば特に限定されないが、例えば上記重合溶媒と同様のものが挙げられる。本発明のレジスト組成物を化学増幅型レジスト組成物に用いる場合には活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物以下、光酸発生剤という。を含有する。光酸発生剤光酸発生剤は、化学増幅型レジスト組成物において公知の光酸発生剤の中から任意に選択できる。光酸発生剤は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。光酸発生剤としては、例えば、オニウム塩化合物、スルホンイミド化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、キノンジアジド化合物、ジアゾメタン化合物等が挙げられる。レジスト組成物における光酸発生剤の含有量は、重合体100質量部に対して、0.1~20質量部が好ましく、0.5~10質量部がより好ましい。含窒素化合物レジスト組成物は、含窒素化合物を含んでいてもよい。含窒素化合物を含むことにより、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等がさらに向上する。すなわち、レジストパターンの断面形状が矩形により近くなる。また半導体素子の量産ライン等では、レジスト膜に光を照射し、次いでベークPEBした後、次の現像処理までの間に数時間放置されることがあるが、そのような放置経時によるレジストパターンの断面形状の劣化の発生がより抑制される。含窒素化合物としては、アミンが好ましく、第2級低級脂肪族アミン、第3級低級脂肪族アミンがより好ましい。レジスト組成物における含窒素化合物の含有量は、重合体100質量部に対して、0.01~2質量部が好ましい。有機カルボン酸、リンのオキソ酸またはその誘導体レジスト組成物は、有機カルボン酸、リンのオキソ酸またはその誘導体以下、これらをまとめて酸化合物と記す。を含んでいてもよい。酸化合物を含むことにより、含窒素化合物の配合による感度劣化を抑えることができ、また、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等がさらに向上する。有機カルボン酸としては、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸等が挙げられる。リンのオキソ酸またはその誘導体としては、リン酸またはその誘導体、ホスホン酸またはその誘導体、ホスフィン酸またはその誘導体等が挙げられる。レジスト組成物における酸化合物の含有量は、重合体100質量部に対して、0.01~5質量部が好ましい。添加剤本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、界面活性剤、その他のクエンチャー、増感剤、ハレーション防止剤、保存安定剤、消泡剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。該添加剤は、当該分野で公知のものであればいずれも使用可能である。また、これら添加剤の量は、特に限定されず、適宜決めればよい。<パターンが形成された基板の製造方法>本発明の、パターンが形成された基板の製造方法は、本発明のレジスト組成物を、基板の被加工面上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜に対して、露光する工程と、露光されたレジスト膜を現像液を用いて現像する工程とを含む。各工程は、公知の方法で行うことができる。本発明の、パターンが形成された基板の製造方法の一実施形態について説明する。まず、所望の微細パターンを形成しようとするシリコンウエハー等の基板の被加工面上に、本発明のレジスト組成物をスピンコート等により塗布する。そして、該レジスト組成物が塗布された基板を、ベーキング処理プリベーク等で乾燥することにより、基板上にレジスト膜を形成する。ついで、レジスト膜に対して、フォトマスクを介して露光を行い潜像を形成する。露光光としては、250nm以下の波長の光が好ましい。例えばKrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、EUV光が好ましく、ArFエキシマレーザーが特に好ましい。また、フォトマスクを介さずに電子線を照射してもよい。また、該レジスト膜と露光装置の最終レンズとの間に、純水、パーフルオロ-2-ブチルテトラヒドロフラン、パーフルオロトリアルキルアミン等の高屈折率液体を介在させた状態で光を照射する液浸露光を行ってもよい。露光後、適宜熱処理露光後ベーク、PEBし、レジスト膜に現像液を接触させ、露光部分を現像液に溶解させ、除去する現像。現像液としては、公知のものを用いることが出来、例えばアルカリ水溶液、公知の溶媒を挙げることが出来る。現像後、基板を純水等で適宜リンス処理する。このようにして基板上にレジストパターンが形成される。レジストパターンが形成された基板は、適宜熱処理ポストベークしてレジストを強化し、レジストのない部分を選択的にエッチングする。エッチング後、レジストを剥離剤によって除去することによって、微細パターンが形成された基板が得られる。本発明の製造方法により得られるリソグラフィー用重合体は、溶媒への溶解性に優れるとともに、レジスト組成物に用いたときのフォトリソグラフィー用照射光に対する高い透過率が得られる。照射光に対する透過率が向上すると、感度が向上する。また溶媒への溶解性が良好であると、レジスト組成物を調製する際のレジスト溶媒への重合体の溶解を容易にかつ良好に行うことができる。またレジスト組成物はアルカリ現像液に対する優れた溶解性が得られ、感度の向上に寄与する。またレジスト組成物中の不溶分が少ないため、パターン形成において、該不溶分に起因する欠陥が生じにくい。したがって本発明の基板の製造方法によれば、本発明のレジスト組成物を用いることによって、基板上に欠陥の少ない、高精度の微細なレジストパターンを安定して形成できる。また、高感度および高解像度のレジスト組成物の使用が要求される、波長250nm以下の露光光を用いるフォトリソグラフィーまたは電子線リソグラフィー、例えばArFエキシマレーザー193nmやEUV13.5nmを使用するリソグラフィーによる、パターン形成にも好適に用いることができる。以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。また、各実施例、比較例中部とあるのは、特に断りのない限り質量部を示す。測定方法および評価方法は以下の方法を用いた。<分子量の測定>重合体の重量平均分子量Mw、数平均分子量Mnおよび分子量分布Mw/Mnは、下記の条件GPC条件でゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより、ポリスチレン換算で求めた。[GPC条件]装置:東ソー社製、東ソー高速GPC装置HLC-8220GPC商品名、分離カラム:昭和電工社製、ShodexGPCK-805L商品名を3本直列に連結したもの、測定温度:40°C、溶離液:テトラヒドロフランTHF、試料重合体の場合:重合体の約20mgを5mLのTHFに溶解し、0.5μmメンブレンフィルターで濾過した溶液、試料重合反応溶液の場合:サンプリングした重合反応溶液の約30mgを5mLのTHFに溶解し、0.5μmメンブレンフィルターで濾過した溶液、流量:1mL/分、注入量:0.1mL、検出器:示差屈折計。検量線I:標準ポリスチレンの約20mgを5mLのTHFに溶解し、0.5μmメンブレンフィルターで濾過した溶液を用いて、上記の条件で分離カラムに注入し、溶出時間と分子量の関係を求めた。標準ポリスチレンは、下記の東ソー社製の標準ポリスチレンいずれも商品名を用いた。F-80Mw=706,000、F-20Mw=190,000、F-4Mw=37,900、F-1Mw=10,200、A-2500Mw=2,630、A-500Mw=682、578、474、370、260の混合物。<重合率の定量>重合反応溶液中に残存する単量体量は次の方法で求めた。反応器内の重合反応溶液を0.5g採取し、これをアセトニトリルで希釈し、メスフラスコを用いて全量を50mLとした。この希釈液を0.2μmのメンブレンフィルターで濾過し、東ソー社製、高速液体クロマトグラフHPLC-8020製品名を用いて、該希釈液中の未反応単量体量残存単量体量を、単量体ごとに求めた。反応器に供給した単量体量と残存単量体量とを差し引いて重合反応した単量体量を算出し、供給した単量体の合計質量に対する、重合反応した単量体の合計質量の割合を重合率単位:質量として求めた。この測定において、分離カラムはジーエルサイエンス社製、InertsilODS-2商品名を1本使用し、移動相は水/アセトニトリルのグラジエント系、流量0.8mL/min、検出器は東ソー社製、紫外可視吸光光度計UV-8020商品名、検出波長220nm、測定温度40°C、注入量4μLで測定した。なお、分離カラムであるInertsilODS-2商品名は、シリカゲル粒径5μm、カラム内径4.6mm×カラム長さ450mmのものを使用した。また、移動相のグラジエント条件は、A液を水、B液をアセトニトリルとし、下記の通りとした。また、未反応単量体量を定量するために、濃度の異なる3種類の各単量体溶液を標準液として用いた。測定時間0~3分:A液/B液=90体積/10体積。測定時間3~24分:A液/B液=90体積/10体積から、50体積/50体積まで。測定時間24~36.5分:A液/B液=50体積/50体積から、0体積/100体積まで。測定時間36.5~44分:A液/B液=0体積/100体積。<硫黄原子を含む末端基の定量>重合体の約5部を重ジメチルスルホキシドの約95部に溶解して試料溶液を調製した。この試料溶液をNMRチューブに入れ、1H-NMRJEOL社製、共鳴周波数:270MHzを用いて分析した。重合体末端に存在するチオカルボニル構造RAFT剤残基に由来するシグナルの積分強度比から、重合体の全末端基のうちの、硫黄原子を有する末端基の割合を算出した。以下の例において、重合体末端は重合開始剤残基硫黄原子を含まないまたはRAFT剤残基硫黄原子を含むのいずれか一方からなる。両者の合計が全末端基であり、そのうちの硫黄原子を有する末端基の割合が低いほど、重合体の末端に残存するRAFT剤残基が少ないことを表す。<重合体の溶解性の評価>重合体の10部とPGMEAの90部とを混合し、25°Cに保ちながら撹拌を行い、目視で完全溶解を判断し、撹拌開始から完全溶解するまでの時間を計測した。該完全溶解までの時間が短いほど溶解性に優れることを表す。<レジスト組成物の評価>感度、現像コントラスト測定レジスト組成物を、6インチシリコンウエハー上に回転塗布し、ホットプレート上で120°C、60秒間プリベークPABして、厚さ300nmの薄膜を形成した。ArFエキシマレーザー露光装置リソテックジャパン製VUVES-4500を用い、露光量を変えて10mm×10mm2の18ショットを露光した。次いで110°C、60秒間ポストベークPEBした後、レジスト現像アナライザーリソテックジャパン製RDA-800を用い、23°Cにて2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で65秒間現像し、各露光量における現像中のレジスト膜厚の経時変化を測定した。<解析>得られたデータを基に、露光量mJ/cm2の対数と、初期膜厚に対する60秒間現像した時点での残存膜厚率以下、残膜率というをプロットした曲線以下、露光量-残膜率曲線というを作成し、Eth感度残膜率0とするための必要露光量であり、感度を表す。を以下の通り求めた。Eth感度:露光量-残膜率曲線が残膜率0と交わる露光量mJ/cm2以下の例で用いた単量体m-1、m-2、m-3、RAFT剤R-1、重合開始剤I-1、I-2は以下の通りである。単量体m-1:下記式m-1で表される化合物。単量体m-2:下記式m-2で表される化合物。単量体m-3:下記式m-3で表される化合物。RAFT剤R-1:下記式R-1で表される化合物。極性基を含まない重合開始剤I-1:ジメチル-2,2’-アゾビスイソブチレート和光純薬工業社製、V601商品名。極性基を含む重合開始剤I-2:2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル和光純薬工業社製、V65商品名。<実施例1>25mLのシュレンクフラスコ中に、PGMEAを8.4部、単量体m-1を2.72部、単量体m-2を3.07部、単量体m-3を1.89部、RAFT剤R-1を0.18部0.8mmol入れた後、フラスコ内の溶液中に200mL/分で1分間窒素を吹き込んだ。次にこのフラスコを80°Cの湯浴上に置き、フラスコ内温を80°Cまで昇温した。80°Cに達してから10分後、PGMEA1.0部と重合開始剤I-10.050部0.2mmolからなる溶液を一気にフラスコ内に供給した後、温度を保持しながら5時間撹拌した。次いで、PGMEA1.0部と重合開始剤I-11.84部8mmolからなる溶液を一気にフラスコ内に供給し、温度を保持しながら2時間攪拌し、反応溶液を室温まで冷却して反応を停止した。このときの反応溶液中の残存単量体量を定量し、重合率を求めた。結果を表1に示す。本例において、T0~T1までの間に供給された重合開始剤の質量IAは、0.05部1.84部である。T1-T0/2~T1の間に供給された重合開始剤の質量IBは、1.84部である。したがってIB/IA=0.974である。[重合体の精製]フラスコ内の重合反応溶液を、約10倍量のヘプタンに撹拌しながら滴下し、白色の析出物重合体A-1の沈殿を得た。沈殿を濾別し、再度、前記と同じ量のメタノールへ投入し、撹拌しながら沈殿の洗浄を行った。そして、洗浄後の沈殿を濾別し、重合体湿粉を得た。この重合体湿粉を減圧下40°Cで約40時間乾燥した。得られた重合体A-1について、Mw、Mw/Mn、重合末端の硫黄原子含有率を測定し、重合体の溶解性の評価を行った。結果を表1に示す。[レジスト組成物の製造]得られた重合体A-1の100部と、光酸発生剤であるトリフェニルスルホニウムトリフレートの2部と、溶媒であるPGMEAとを、重合体濃度が10.0質量になるように混合して均一溶液とした後、孔径0.1μmのメンブレンフィルターで濾過し、レジスト組成物を得た。得られたレジスト組成物について上記の方法で評価した。結果を表1に示す。<比較例1>シュレンクフラスコ中に、PGMEA、単量体m-1、m-2、m-3、RAFT剤R-1入れ、窒素を吹き込み、フラスコ内温を80°Cに昇温する工程までは実施例1と同様に行った。80°Cに達してから10分後、PGMEA1.0部と重合開始剤I-10.050部0.2mmolからなる溶液を一気にフラスコ内に供給した後、温度を保持しながら5時間撹拌した。次いで、PGMEA0.5部と重合開始剤I-20.992部4mmolからなる溶液を一気にフラスコ内に供給し、温度を保持しながら1時間攪拌した後、さらにPGMEA0.5部と重合開始剤I-20.992部4mmolからなる溶液を一気にフラスコ内に供給し、温度を保持しながら1時間攪拌し、反応溶液を室温まで冷却して反応を停止した。このときの反応溶液中の残存単量体量を定量し、重合率を求めた。結果を表1に示す。本例において、フラスコ内温が80°Cに達した時点がT0、フラスコ内の反応溶液の冷却を開始した時点がT1である。T0~T1までの間に供給された重合開始剤の質量IAは、0.05部0.992部0.992部である。T1-T0/2~T1の間に供給された重合開始剤の質量IBは、0.992部0.992部である。したがってIB/IA=0.975である。実施例1と同様にして精製し、重合体B-1を得た。実施例1と同様に測定または評価を行った。結果を表1に示す。<比較例2>シュレンクフラスコ中に、PGMEA、単量体m-1、m-2、m-3、RAFT剤R-1入れ、窒素を吹き込み、フラスコ内温を80°Cに昇温する工程までは実施例1と同様に行った。80°Cに達してから10分後、PGMEA1.0部と重合開始剤I-20.050部0.2mmolからなる溶液を一気にフラスコ内に供給した後、温度を保持しながら4時間撹拌した。次いで、PGMEA1.0部と重合開始剤I-20.055部0.22mmolからなる溶液を一気にフラスコ内に供給し、温度を保持しながら3時間攪拌し、反応溶液を室温まで冷却して反応を停止した。このときの反応溶液中の残存単量体量を定量し、重合率を求めた。結果を表1に示す。本例において、T0~T1までの間に供給された重合開始剤の質量IAは、0.05部0.055部である。T1-T0/2~T1の間に供給された重合開始剤の質量IBは、0.055部である。したがってIB/IA=0.524である。実施例1と同様にして精製し、重合体B-2を得た。実施例1と同様に測定または評価を行った。結果を表1に示す。<比較例3>シュレンクフラスコ中に、PGMEA、単量体m-1、m-2、m-3、RAFT剤R-1入れ、窒素を吹き込み、フラスコ内温を80°Cに昇温する工程までは実施例1と同様に行った。80°Cに達してから10分後、PGMEA1.0部と重合開始剤I-10.050部0.2mmolからなる溶液を一気にフラスコ内に供給した後、温度を保持しながら7時間撹拌し、反応溶液を室温まで冷却して反応を停止した。このときの反応溶液中の残存単量体量を定量し、重合率を求めた。結果を表1に示す。本例において、T0~T1までの間に供給された重合開始剤の質量IAは、0.05部であり、T1-T0/2~T1の間に供給された重合開始剤の質量IBはゼロである。したがってIB/IA=0である。実施例1と同様にして精製し、重合体B-3を得た。実施例1と同様に測定または評価を行った。結果を表1に示す。<比較例4>シュレンクフラスコ中に、PGMEA、単量体m-1、m-2、m-3、RAFT剤R-1入れ、窒素を吹き込み、フラスコ内温を80°Cに昇温する工程までは実施例1と同様に行った。80°Cに達してから10分後、PGMEA1.0部と重合開始剤I-20.050部0.2mmolからなる溶液を一気にフラスコ内に供給した後、温度を保持しながら7時間撹拌し、反応溶液を室温まで冷却して反応を停止した。このときの反応溶液中の残存単量体量を定量し、重合率を求めた。結果を表1に示す。本例において、T0~T1までの間に供給された重合開始剤の質量IAは、0.05部であり、T1-T0/2~T1の間に供給された重合開始剤の質量IBはゼロである。したがってIB/IA=0である。実施例1と同様にして精製し、重合体B-4を得た。実施例1と同様に測定または評価を行った。結果を表1に示す。<比較例5>25mLのシュレンクフラスコ中に、PGMEAを8.4部、単量体m-1を2.72部、単量体m-2を3.07部、単量体m-3を1.89部、RAFT剤R-1を0.18部0.8mmol、重合開始剤I-20.050部0.2mmol入れた後、フラスコ内の溶液中に200mL/分で1分間窒素を吹き込んだ。次にこのフラスコを80°Cの湯浴上に置き、フラスコ内温を80°Cまで昇温した。フラスコ内温が80°Cに到達するのに要した時間は1時間であった。80°Cに達してから温度を保持しながら5時間撹拌した。次いで、PGMEA0.5部と重合開始剤I-20.050部0.2mmolからなる溶液を一気にフラスコ内に供給し、温度を保持しながら2時間攪拌した後、反応溶液を室温まで冷却して反応を停止した。このときの反応溶液中の残存単量体量を定量し、重合率を求めた。結果を表1に示す。本例において、フラスコ内温が80°Cに達した時点がT0、フラスコ内の反応溶液の冷却を開始した時点がT1である。T0~T1までの間に供給された重合開始剤の質量IAは、0.050部であり、T1-T0/2~T1の間に供給された重合開始剤の質量IBは0.050部である。したがってIB/IA=1である。実施例1と同様にして精製し、重合体B-5を得た。実施例1と同様に測定または評価を行った。結果を表1に示す。表1の結果に示されるように、重合反応の後半で重合開始剤を追加供給しなかったすなわちIB/IA=0である比較例3、4に比べて、実施例1は高重合率で重合が進行し、得られた重合体A-1は、分子量分布が小さくて分子量のばらつきが小さい。また、重合体末端の硫黄原子含有率が小さく、重合体末端に残存するRAFT剤残基が少なく、重合体の溶解性に優れることがわかる。また、極性基を含まない重合開始剤を用いた実施例1は極性基を含む重合開始剤を用いた比較例1,2,4,5、及び、極性基を含まない重合開始剤を用いたものの重合体末端に残存するRAFT剤残基が多い比較例3に比べてEth感度の値が小さく感度に優れる。また、比較例5は、重合反応の前半で重合開始剤を供給せず、液の温度が前記所定の温度に達するより前に重合開始剤を供給して重合反応を進行させ、重合反応の後半で重合開始剤を追加供給したすなわちIB/IA=1である例である。この比較例5に比べて、実施例1で得られた重合体A-1は、分子量分布が小さくて分子量のばらつきが小さい。"