"電気光学効果を有する基板と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路を含む光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを備え、該変調電極は、該マッハツェンダー型光導波路の2つの分岐導波路に対して、別々の変調信号を印加する第1の信号電極と第2の信号電極とを有し、かつ、該第1の信号電極と該第2の信号電極とは、該基板の同じ側面側に変調信号入力部を有する進行波型光変調素子において、各信号電極の該変調信号入力部から、該変調信号が該分岐導波路に印加される作用部までの少なくとも一部の領域では、該第1の信号電極と該第2の信号電極との間に配置された接地電極が、該第1の信号電極に沿う第1の接地電極と該第2の信号電極に沿う第2の接地電極に分離されていることを特徴とする進行波型光変調素子。請求項1に記載の進行波型光変調素子において、該第1の信号電極と該第2の信号電極との間に配置された接地電極が、該作用部においても該第1の接地電極と該第2の接地電極に分離されていることを特徴とする進行波型光変調素子。電気光学効果を有する基板と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路を含む光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを備え、該変調電極は、該マッハツェンダー型光導波路の2つの分岐導波路に対して、別々の変調信号を印加する第1の信号電極と第2の信号電極とを有し、かつ、該第1の信号電極と該第2の信号電極とは、該基板の同じ側面側に変調信号入力部を有する進行波型光変調素子において、各信号電極の該変調信号入力部から、変調信号出力部までの領域で、該第1の信号電極と該第2の信号電極との間に配置された接地電極が、該第1の信号電極に沿う第1の接地電極と該第2の信号電極に沿う第2の接地電極に分離されていることを特徴とする進行波型光変調素子。請求項1乃至3のいずれかに記載の進行波型光変調素子において、該第1の接地電極の幅は、該第1の信号電極の幅の2倍以上10倍以下、又は、該第2の接地電極の幅は、該第2信号電極の幅の2倍以上10倍以下であることを特徴とする進行波型光変調素子。請求項1乃至4のいずれかに記載の進行波型光変調素子において、該第1の接地電極と該第2の接地電極との間には電気的抵抗体又は溝が配置されていることを特徴とする進行波型光変調素子。本発明が解決しようとする課題は、上述したような問題を解決し、基板の同じ側面側に2つの信号電極の入力部がある場合でも、電気のクロストークを抑制し、製造コストの増加も抑えた進行波型光変調素子を提供することである。上記課題を解決するため、請求項1に係る発明では、電気光学効果を有する基板と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路を含む光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを備え、該変調電極は、該マッハツェンダー型光導波路の2つの分岐導波路に対して、別々の変調信号を印加する第1の信号電極と第2の信号電極とを有し、かつ、該第1の信号電極と該第2の信号電極とは、該基板の同じ側面側に変調信号入力部を有する進行波型光変調素子において、各信号電極の該変調信号入力部から、該変調信号が該分岐導波路に印加される作用部までの少なくとも一部の領域では、該第1の信号電極と該第2の信号電極との間に配置された接地電極が、該第1の信号電極に沿う第1の接地電極と該第2の信号電極に沿う第2の接地電極に分離されていることを特徴とする。請求項2に係る発明では、請求項1に記載の進行波型光変調素子において、該第1の信号電極と該第2の信号電極との間に配置された接地電極が、該作用部においても該第1の接地電極と該第2の接地電極に分離されていることを特徴とする。請求項3に係る発明では、電気光学効果を有する基板と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路を含む光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを備え、該変調電極は、該マッハツェンダー型光導波路の2つの分岐導波路に対して、別々の変調信号を印加する第1の信号電極と第2の信号電極とを有し、かつ、該第1の信号電極と該第2の信号電極とは、該基板の同じ側面側に変調信号入力部を有する進行波型光変調素子において、各信号電極の該変調信号入力部から、変調信号出力部までの領域で、該第1の信号電極と該第2の信号電極との間に配置された接地電極が、該第1の信号電極に沿う第1の接地電極と該第2の信号電極に沿う第2の接地電極に分離されていることを特徴とする。請求項4に係る発明では、請求項1乃至3のいずれかに記載の進行波型光変調素子において、該第1の接地電極の幅は、該第1の信号電極の幅の2倍以上10倍以下、又は、該第2の接地電極の幅は、該第2信号電極の幅の2倍以上10倍以下であることを特徴とする。請求項5に係る発明では、請求項1乃至4のいずれかに記載の進行波型光変調素子において、該第1の接地電極と該第2の接地電極との間には電気的抵抗体又は溝が配置されていることを特徴とする。請求項1に係る発明により、電気光学効果を有する基板と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路を含む光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを備え、該変調電極は、該マッハツェンダー型光導波路の2つの分岐導波路に対して、別々の変調信号を印加する第1の信号電極と第2の信号電極とを有し、かつ、該第1の信号電極と該第2の信号電極とは、該基板の同じ側面側に変調信号入力部を有する進行波型光変調素子において、各信号電極の該変調信号入力部から、該変調信号が該分岐導波路に印加される作用部までの少なくとも一部の領域では、該第1の信号電極と該第2の信号電極との間に配置された接地電極が、該第1の信号電極に沿う第1の接地電極と該第2の信号電極に沿う第2の接地電極に分離されているため、第1の信号電極を伝搬する変調信号が第2の信号電極に乗り移る、又はその逆の現象のように、電気のクロストーク現象が発生することを抑制でき、進行波型光変調素子の特性劣化を防止することが可能となる。しかも、本発明は、接地電極の形状を工夫するだけで良いため、製造工程が複雑化及び高コスト化することも無い。請求項2に係る発明により、第1の信号電極と第2の信号電極との間に配置された接地電極が、作用部においても第1の接地電極と第2の接地電極に分離されているため、変調信号入力部から作用部に至るまでの領域だけでなく、作用部においても電気のストローク現象の発生を抑制することが可能となる。請求項3に係る発明により、電気光学効果を有する基板と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路を含む光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを備え、該変調電極は、該マッハツェンダー型光導波路の2つの分岐導波路に対して、別々の変調信号を印加する第1の信号電極と第2の信号電極とを有し、かつ、該第1の信号電極と該第2の信号電極とは、該基板の同じ側面側に変調信号入力部を有する進行波型光変調素子において、各信号電極の該変調信号入力部から、変調信号出力部までの領域で、該第1の信号電極と該第2の信号電極との間に配置された接地電極が、該第1の信号電極に沿う第1の接地電極と該第2の信号電極に沿う第2の接地電極に分離されているため、変調信号入力部から変調信号出力部の全ての領域に渡り、電気のクロストーク現象の発生を抑制することが可能となる。請求項4に係る発明により、第1の接地電極の幅は、第1の信号電極の幅の2倍以上10倍以下、又は、第2の接地電極の幅は、第2信号電極の幅の2倍以上10倍以下であるため、電気のクロストーク現象を抑制するだけでなく、接地電極としての機能を果たし、信号電極によよる変調信号の伝搬を安定化することが可能となる。請求項5に係る発明により、第1の接地電極と第2の接地電極との間には電気的抵抗体又は溝が配置されているため、仮に第1及び第2の接地電極間で変調信号が漏れ出した場合でも、電気的抵抗体により吸収又は溝で放出されるため、電気のクロストーク現象が発生することを、効果的に抑制することが可能となる。以下、本発明を好適例を用いて詳細に説明する。図1は、本発明の進行波型光変調素子の第1の実施例を示す。本発明は、電気光学効果を有する基板1と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路を含む光導波路2と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを備え、該変調電極は、該マッハツェンダー型光導波路の2つの分岐導波路21,22に対して、別々の変調信号を印加する第1の信号電極31と第2の信号電極32とを有し、かつ、該第1の信号電極と該第2の信号電極とは、該基板の同じ側面側に変調信号入力部T1,T2を有する進行波型光変調素子において、各信号電極の該変調信号入力部T1,T2から、該変調信号が該分岐導波路に印加される作用部Sまでの少なくとも一部の領域では、該第1の信号電極31と該第2の信号電極32との間に配置された接地電極が、該第1の信号電極に沿う第1の接地電極41と該第2の信号電極に沿う第2の接地電極42に分離されていることを特徴とする。本発明に利用される電気光学効果を有する基板としては、例えば、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、PLZTジルコン酸チタン酸鉛ランタン、及び石英系の材料、並びにこれらの材料を組み合わせた基板が利用可能である。特に、電気光学効果の高いニオブ酸リチウムLN結晶が好適に利用される。基板に光導波路を形成する方法としては、Tiなどを熱拡散法やプロトン交換法などで基板表面に拡散させることにより形成することができる。また、光導波路以外の基板をエッチングしたり、光導波路の両側に溝を形成するなど、基板に光導波路に対応する部分を凸状としたリッジ形状の導波路を利用することも可能である。本発明の進行波型光変調素子における光導波路の形状は、少なくとも一つのマッハツェンダー型光導波路を有している。複数のマッハツェンダー型光導波路を並列又は直列に配置したり、一つのメインマッハツェンダー型光導波路の各分岐導波路に、2つのサブマッハツェンダー型光導波路を組み込んだ入れ子型の光導波路であってもよい。進行波型光変調素子では、基板上に信号電極や接地電極などの変調電極が形成される。このような電極は、TiAuの電極パターンの形成及び金メッキ方法などにより形成することが可能である。さらに、必要に応じて光導波路形成後の基板表面に誘電体SiO2等のバッファ層を設け、バッファ層の上に変調電極を形成することも可能である。本発明の進行波型光変調素子の特徴は、図1に示すように、変調信号入力部T1,T2から作用部S図1では、第1の信号電極31における作用部を符号Sで図示している。までの範囲において、2つの信号電極31,32の間に配置される接地電極が、分離されている。これにより、第1の信号電極31を伝搬する変調信号が第2の信号電極32に乗り移るような、電気のクロストーク現象が発生することを抑制することができる。図1では、作用部においても接地電極41,42が分離されているが、本発明では、変調信号入力部から作用部までの少なくとも一部の領域で分離されていれば良い。特に、第1及び第2の信号電極が近接した場所や、図1のように、コの字状の遅延線路33を形成し、他の信号電極に向かって変調信号であるマイクロ波が放出され易い場所において、接地電極を分離することが好ましい。また、図1に示すように、作用部Sにおいても、接地電極41,42を分離することで、作用部における電気のクロストーク現象も抑制することが可能となる。特に、変調信号入力部T1,T2から作用部全体にかけて接地電極を分離することで、接地電極を介したクロストーク現象を効果的に抑制でき、光変調素子の変調特性の劣化を防止することができる。図2は、本発明の進行波型光変調素子に係る第2の実施例を示す図である。作用部Sでの信号電極間の間隔が狭い状況では、図2に示すように、作用部Sにおいて、第1の接地電極41と第2の接地電極42とを一体化している。また、信号電極については、第2の信号電極の一部に遅延線路部を設けている。図2の一点鎖線A-Aにおける断面図を図3に示す。本発明の進行波型光変調素子では、第1の接地電極と第2の接地電極に分離するため、第1又は第2の接地電極の幅が狭くなることが危惧される。接地電極の幅が狭くなると、信号電極を伝搬する変調信号に対して、接地電極の電位が安定せず、変調信号を安定して伝搬することが困難となる。このため、本発明では、第1の接地電極41の幅w2は、第1の信号電極31の幅w1の2倍以上10倍以下、又は、第2の接地電極42の幅w3は、第2信号電極32の幅w4の2倍以上10倍以下としている。信号電極の幅に対して2倍以上の幅を有することで、接地電極の電位を安定化することが可能であり、10倍を超えると、接地電極の幅が大きくなりすぎるため、配線に係る設計の自由度が制限されることとなる。また、本発明では、図4に示すように、第1の接地電極41と第2の接地電極42との間に、電気的抵抗体5を配置することが好ましい。仮に、第1及び第2の接地電極41,42間で変調信号が漏れ出した場合でも、電気的抵抗体5により吸収されるため、電気のクロストーク現象が発生することを抑制することが可能となる。電気的抵抗体としては、フェライト等のマイクロ波を吸収できる素材であれば、特に限定されない。さらに、図5に示すように、第1の接地電極41と第2の接地電極42との間、基板1に溝6を形成することも可能である。この溝6により、各接地電極を超えて伝搬する変調信号を基板外に放出することが可能となり、クロストーク現象の抑制が可能となる。図6に示すように、信号電極間に配置される接地電極41,42を分離する領域は、変調信号入力部T1,T2から変調信号出力部T3,T4までの全領域に渡っても良い。これにより、信号電極間の電気のクロストーク現象を効果的に抑制することが可能となる。符号L1は光変調素子に入射する入射光であり、L2は出射光を示している。"