"半導体基板に形成された第1導電型のドリフト領域と、ドリフト領域の表面側の半導体基板の表面に形成された第2導電型のボディ領域と、ボディ領域の表面の一部に形成された第1導電型の第1半導体領域と、第1半導体領域とボディ領域を貫通してドリフト領域と接する深さまで形成されたトレンチゲート型の絶縁ゲートと、を有し、絶縁ゲートのボディ領域よりドリフト領域側となる部分の深さは、絶縁ゲートの長手方向の両端部よりも中央部が深い、半導体装置。絶縁ゲートの長手方向の中央部に対向する半導体基板の表面の少なくとも一部には、第1半導体領域が形成されていないバイパス部が設けられている、請求項1に記載の半導体装置。半導体装置を平面視したときに、絶縁ゲートの中央部のトレンチ幅は、両端部のトレンチ幅よりも広い、請求項1または2に記載の半導体装置。半導体基板に形成された第1導電型のドリフト領域と、ドリフト領域の表面側の半導体基板の表面に形成された第2導電型のボディ領域と、ボディ領域の表面の一部に形成された第1導電型の第1半導体領域と、第1半導体領域とボディ領域を貫通してドリフト領域と接する深さまで形成されたトレンチゲート型の絶縁ゲートと、を有し、絶縁ゲートは、長手方向の一部に、その他の部分と比較して、絶縁ゲートのボディ領域よりもドリフト領域側となる部分が深くなっている深部を備えており、深部に対向する半導体基板の表面の少なくとも一部には、第1半導体領域が形成されていないバイパス部が設けられている、半導体装置。半導体装置を平面視したときに、絶縁ゲートの深部のトレンチ幅は、その他の部分のトレンチ幅よりも広い、請求項4に記載の半導体装置。従来技術の半導体装置は、複数の絶縁ゲートのトレンチの深さを相違させることによって電界集中を緩和するように設計されている。しかしながら、半導体装置の製造工程において絶縁ゲートを形成するに際して、トレンチ深さにばらつきが発生することがある。トレンチ深さのばらつきは、それぞれの絶縁ゲートごとに発生し、複数の絶縁ゲート間のばらつきの度合いは必ずしも一致しない。このため、電界集中を緩和することができなくなる場合がある。本明細書が開示する第1の半導体装置は、半導体基板に形成された第1導電型のドリフト領域と、ドリフト領域の表面側の半導体基板の表面に形成された第2導電型のボディ領域と、ボディ領域の表面の一部に形成された第1導電型の第1半導体領域と、第1半導体領域とボディ領域を貫通してドリフト領域と接する深さまで形成されたトレンチゲート型の絶縁ゲートとを有している。絶縁ゲートのボディ領域よりドリフト領域側となる部分の深さは、絶縁ゲートの長手方向の両端部よりも中央部が深い。上記の半導体装置では、絶縁ゲートのボディ領域よりドリフト領域側となる部分の深さは長手方向の両端部よりも中央部が深い。このため、絶縁ゲートの長手方向に沿って緩やかに電界を変化させて、電界集中を緩和することができる。半導体装置の製造工程において、1つの絶縁ゲートの長手方向ではトレンチ深さのばらつきが小さいから、電界集中を緩和する効果が損なわれることが抑制される。絶縁ゲートの長手方向の中央部に対向する半導体基板の表面の少なくとも一部には、第1半導体領域が形成されていないバイパス部が設けられていてもよい。半導体装置を平面視したときに、絶縁ゲートの中央部のトレンチ幅は、両端部のトレンチ幅よりも広くてもよい。本明細書が開示する第2の半導体装置は、半導体基板に形成された第1導電型のドリフト領域と、ドリフト領域の表面側の半導体基板の表面に形成された第2導電型のボディ領域と、ボディ領域の表面の一部に形成された第1導電型の第1半導体領域と、第1半導体領域とボディ領域を貫通してドリフト領域と接する深さまで形成されたトレンチゲート型の絶縁ゲートと、を有している。絶縁ゲートは、長手方向の一部に、その他の部分と比較して、絶縁ゲートのボディ領域よりドリフト領域側となる部分が深くなっている深部を備えており、深部に対向する半導体基板の表面の少なくとも一部には、第1半導体領域が形成されていないバイパス部が設けられている。上記の半導体装置によれば、深部に対向する半導体基板の表面の少なくとも一部に、第1半導体領域が形成されていないバイパス部が設けられているため、絶縁ゲートの深部に集中した電荷はバイパス部から半導体基板の表面側に移動する。このため、電界集中によってラッチアップが発生することが防止される。1つの絶縁ゲートの長手方向ではトレンチ深さは連続的に変化し、局所的な変化は小さいため、電界を緩やかに変化させることができ、ラッチアップを防止する効果が損なわれることが抑制される。半導体装置を平面視したときに、絶縁ゲートの深部のトレンチ幅は、その他の部分のトレンチ幅よりも広くてもよい。本明細書が開示する第1の半導体装置は、半導体基板に形成された第1導電型のドリフト領域と、ドリフト領域の表面側の半導体基板の表面に形成された第2導電型のボディ領域と、ボディ領域の表面の一部に形成された第1導電型の第1半導体領域と、第1半導体領域とボディ領域を貫通してドリフト領域と接する深さまで形成されたトレンチゲート型の絶縁ゲートとを有している。絶縁ゲートのボディ領域よりドリフト領域側となる部分の深さは、絶縁ゲートの長手方向の両端部よりも中央部が深い。第1の半導体装置によれば、絶縁ゲートの長手方向に沿って緩やかに電界を変化させて、電界集中を緩和することができる。第1の半導体装置では、絶縁ゲートの底部の形状や、深さの勾配については特に限定されない。絶縁ゲートの底部の形状は、階段状、曲面状、傾斜状等、またはこれらの組合せを含む。絶縁ゲートは、その両端側から中央部に向かって徐々に深くなっていることが好ましい。中央部は、トレンチゲートの長手方向の中央位置およびその近傍であることが好ましいが、トレンチゲートの中央部から、トレンチゲートの両端の一方までの距離が、他方までの距離と相違していてもよい。本明細書が開示する第2の半導体装置は、半導体基板に形成された第1導電型のドリフト領域と、ドリフト領域の表面側の半導体基板の表面に形成された第2導電型のボディ領域と、ボディ領域の表面の一部に形成された第1導電型の第1半導体領域と、第1半導体領域とボディ領域を貫通してドリフト領域と接する深さまで形成されたトレンチゲート型の絶縁ゲートと、を有している。絶縁ゲートは、長手方向の一部に、他の部分と比較して、絶縁ゲートのボディ領域よりドリフト領域側となる部分が深くなっている深部を備えており、深部に対向する半導体基板の表面の少なくとも一部には、第1半導体領域が形成されていないバイパス部が設けられている。第1半導体領域は、ボディ領域の表面に形成されているから、第1半導体領域が形成されていないバイパス部では、ボディ領域本願では、ボディ領域という用語は、ボディ領域と同一の導電型のボディコンタクト領域を含むが半導体基板の表面に露出している。第2の半導体装置によれば、絶縁ゲートの深部に集中した電荷はバイパス部から半導体基板の表面側に移動する。このため、電界集中によってラッチアップが発生することが防止される。第2の半導体装置では、絶縁ゲートの底部の形状や、深さの勾配については特に限定されない。絶縁ゲートの底部の形状は、階段状、曲面状、傾斜状等、またはこれらの組合せを含む。絶縁ゲートは、トレンチ深さが浅い部分浅部と深い部分深部を少なくともそれぞれ1つずつ有していればよい。絶縁ゲートは、複数の浅部と複数の深部を有していてもよい。絶縁ゲートの底部の形状が、曲面状、傾斜状等であり、絶縁ゲートの長手方向に沿って、トレンチ深さが徐々に変化する場合には、第1半導体領域は、深部の最も深い位置から、絶縁ゲートの長手方向に距離0.03D以上離れた位置に形成されていることが好ましい。ここで、距離Dは、絶縁ゲートの深部の最も深い位置の半導体基板表面からの深さを示している。複数の浅部と複数の浅部とを有している場合には、それぞれの深部の最も深い位置から、絶縁ゲートの長手方向に距離0.03D以上離れた位置に、第1半導体領域が形成されていることが好ましい。第1の半導体装置が、さらに第2の半導体装置の特徴を備えていてもよい。すなわち、第1の半導体装置において、絶縁ゲートの長手方向の中央部に対向する半導体基板の表面の少なくとも一部に、第1半導体領域が形成されていないバイパス領域が設けられていてもよい。言い換えると、第2の半導体装置において、絶縁ゲートのボディ領域よりドリフト領域側となる部分の深さは、絶縁ゲートの長手方向の両端部よりも中央部が深くなっていてもよい。絶縁ゲートの長手方向に沿って緩やかに電界を変化させるとともに、絶縁ゲートの深部である長手方向の中央部に対向する半導体基板の表面に形成されたバイパス部から電荷を半導体基板の表面側に移動させることができるため、電界集中が緩和され、ラッチアップが発生することが防止される。第2の半導体装置において、絶縁ゲートが、その両端側から中央部に向かって徐々に深くなる場合は、絶縁ゲートの底部の形状や、深さの勾配については特に限定されない。絶縁ゲートの底部の形状は、階段状、曲面状、傾斜状等、またはこれらの組合せを含む。第1の半導体装置、第2の半導体装置においては、絶縁ゲートのトレンチ深さが深いほど、トレンチ幅半導体装置を平面視したときの短手方向の長さが広くなるように半導体装置を設計してもよい。第1の半導体装置の場合には、絶縁ゲートの中央部のトレンチ幅は、両端部のトレンチ幅よりも広くてもよい。第2の半導体装置の場合には、絶縁ゲートの深部のトレンチ幅は、その他の部分のトレンチ幅よりも広くてもよい。このように設計した半導体装置を製造する場合、半導体装置の製造工程において、半導体装置を平面視したときの形状に合わせてパターニングし、トレンチエッチングを行うと、トレンチ幅が広い部分ほど、トレンチ深さが深くなる。絶縁ゲートの長手方向に沿ってトレンチ深さを変化させるために、数段階のトレンチエッチングを行う必要がなく、少ない回数のトレンチエッチングによって長手方向のトレンチ深さを変化させることが可能となる。第1の半導体装置に係る構成は、半導体装置の少なくとも一部に含まれていればよい。同様に、第2の半導体装置に係る構成は、半導体装置の少なくとも一部に含まれていればよい。また、1つの半導体装置が第1の半導体装置に係る構成と、第2の半導体装置に係る構成をそれぞれ別個に備えていてもよい。例えば、1つの半導体装置が複数の第1および第2のセル領域を有しており、第1のセル領域は第1の半導体装置に係る絶縁ゲート等の構成を備えており、第2のセル領域は第2の半導体装置に係る絶縁ゲート及び第1半導体領域等の構成を備えていてもよい。本願に係る第1の半導体装置、第2の半導体装置は、トレンチゲート型の半導体装置であればよい。トレンチゲート型の半導体装置としては、IGBT、MOSFET等のMOS型の半導体装置が挙げられる。第1の半導体装置,第2の半導体装置がIGBTである場合には、第1半導体領域は、エミッタ領域であり、半導体基板の裏面側にコレクタ領域がさらに設けられている。第1の半導体装置,第2の半導体装置がMOSFETである場合には、第1半導体領域は、ソース領域であり、半導体基板の裏面側にドレイン領域がさらに設けられている。また、半導体装置を平面視したときの絶縁ゲートの形状や配置について特に限定されない。略直線状の複数の絶縁ゲートが平行に配置されていてもよいし、曲線状またはコイル状の絶縁ゲートであってもよい。絶縁ゲートが互いに交差していてもよい。なお、以下に説明する実施例および変形例では、半導体装置の一例としてIGBTを例示して説明するが、これに限定されず、MOSFET等のその他のトレンチゲート型の半導体装置にも同様に適用できる。例えば、IGBTのエミッタ層の設置位置についての説明は、MOSFETのソース層の設置位置についても適用できる。図1に示すように、実施例1に係る半導体装置10は、セル領域101a~101dと、非セル領域103とを含む半導体基板100を備えている。セル領域101a~101dは、半導体基板100の中央部に配置されており、その周囲を取り囲む周辺耐圧部105が非セル領域103に形成されている。図2に示すように、セル領域101aには、複数のトレンチゲート200が形成されている。複数のトレンチゲート200は、半導体装置10を平面視したときに線状であり、いずれも同じ大きさ、同じ形状である。複数のトレンチゲート200は、長手方向が平行になるように配置されている。図示していないが、セル領域101b~101dにも、セル領域101aと同様の複数のトレンチゲートが形成されている。図3~図5に示すように、半導体装置10のセル領域101a~101dには、トレンチゲート型のIGBTが形成されている。半導体基板100は、p型のコレクタ層11、n-型のドリフト層12、p型のボディ層13、n型のエミッタ層14を備えている。トレンチゲート200は、半導体基板100の表面側から、ボディ層13およびエミッタ層14を貫通してドリフト層12に達している。トレンチゲート200は、トレンチ201と、トレンチ201の内壁に形成された絶縁膜202と、絶縁膜202に覆われた状態でトレンチ201内に充填されているゲート電極203とを備えている。エミッタ層14は、トレンチゲート200の長手方向に沿って延びており、トレンチゲート200の絶縁膜202と接している。トレンチゲート200は、その長手方向に沿ってトレンチ深さが異なっている。ボディ層13は、半導体基板100の表面から、略一定の深さに形成されているから、トレンチゲート200のボディ層13よりドリフト層12側となる部分の深さは、トレンチゲート200の長手方向に沿って異なっている。トレンチゲート200のドリフト層12に接する部分は、長手方向の両端側で最も浅くなっており最浅部204、長手方向の中央部で最も深くなっている最深部205。トレンチゲート200のトレンチ深さは、最浅部204から最深部205まで略円弧状に徐々に深くなっている。最浅部204の半導体基板100の表面からの深さはD1であり、最深部205の半導体基板100の表面からの深さはD2である。D2とD1との差は、D2-D1≧0.03D2を満たしていることが好ましい。図3~図5に示すように、半導体装置10では、トレンチゲート200は、両端部の一方から他方にかけて、その長手方向の全体が、ボディ層13を貫いてドリフト層12に達している。トレンチゲート200の中央部である最深部205の深さD2は、トレンチゲート200の両端部である最浅部204の深さD1よりも深く、最深部205のボディ層13よりドリフト層12側となる部分の深さは、最浅部204のボディ層13よりドリフト層12側となる部分の深さよりも深い。このため、トレンチゲート200の長手方向に沿って連続的に緩やかに電界を変化させて、電界集中を緩和することができる。従来のように、トレンチ深さが相違する複数のトレンチゲートを、それぞれのトレンチゲートの長手方向が略平行となるように、トレンチゲートの短手方向に間隔を空けて配置した場合には、トレンチゲートの短手方向に電界を変化させることができる。しかしながら、トレンチゲートは間隔を空けて配置されるために、電界の変化を連続的に緩やかに変化させることができず、各トレンチの深さを調整して電界の変化の状態を調整することも難しい。本願に係るトレンチゲートによれば、長手方向に連続的に電界を変化させることができるため、従来のトレンチゲートの短手方向に電界を変化させる技術と比較して電界集中を緩和する効果が高く、電界の変化の状態を調整することがより容易になる。実施例1では、図3に示すように、トレンチゲート200のトレンチ深さは、最浅部204から最深部205まで略円弧状に徐々に深くなっているから、トレンチゲート200の長手方向に沿った電界の変化がより緩やかになり、より高い電界集中を緩和する効果を得ることができる。変形例図6~図9は、実施例1の変形例に係るトレンチゲートの形態を示しており、変形例に係る半導体装置を、図3と同様の断面で示している。図6~図9では、トレンチゲートのボディ層よりドリフト層側となる部分の深さは、長手方向の両端部よりも中央部が深くなっている。このため、図6~図9によっても、トレンチゲートの長手方向に沿って緩やかに電界を変化させて、電界集中を緩和する効果を得ることができる。なお、図6~図9に示す変形例では、トレンチゲートの形状が異なる以外は実施例1に係る半導体装置10と同様の構成を有するため、重複説明を省略する。例えば、図6,7に示すように、半導体装置10は、長手方向に階段状に深さが相違するトレンチゲート210または220を備えていてもよい。図6に示すように、トレンチゲート210の最浅部214と最深部215は、それぞれ略一定の深さを有する平坦状であり、平坦状の最浅部214と最深部215の組合せによって、トレンチゲート210の底部は階段状となっている。トレンチゲート210の中央側に最深部215が形成されており、その両端側に最浅部214が形成されている。図7に示すように、半導体装置10は、最深部225とその両端側の最浅部224との間にさらに中間部226が形成されているトレンチゲート220を備えていてもよい。中間部226のトレンチ深さは、最浅部224よりも深く、最深部225よりも浅い。図7では中間部226は1段であるが、2段以上形成されていてもよい。また、例えば図8に示すように、半導体装置10は、トレンチ底部に平坦状の部分と円弧状の部分とを有するトレンチゲート230を備えていてもよい。トレンチゲート230は、両端側に平坦状のトレンチ底部を有する最浅部234を有しており、中央側に、円弧状のトレンチ底部を有している。円弧状のトレンチ底部は、最浅部234から最深部235に向かって円弧状にトレンチ深さが深くなっている。また、例えば図9に示すように、半導体装置10は、ボディ層13の表面側ドリフト層12と逆側から一続きの円弧状のトレンチ底部を有するトレンチゲート240を備えていてもよい。トレンチゲート240のボディ層13を貫いてドリフト層12に達する部分の両端が最浅部244であり、最深部245は、トレンチゲート240の中央部に形成されている。実施例1では、全てのトレンチゲートが同様の形態を有している場合を例示して説明したが、異なる形態のトレンチゲートが1つの半導体装置に混在していてもよい。例えば、セル領域101aには図10に示すトレンチゲート250が形成されており、セル領域101b~101dには、図11に示すトレンチゲート260が形成されていてもよい。トレンチゲート250とトレンチゲート260とを比較すると、最浅部254と最浅部264のトレンチ深さは同じであるが、最深部265は、最深部255よりもトレンチ深さが深い。また、1つのセル領域内に、異なる形態のトレンチゲートが混在していてもよい。例えば、セル領域101aに、トレンチゲート250とトレンチゲート260が混在していてもよい。なお、図10,図11に示す変形例では、トレンチゲートの形状が異なる以外は実施例1に係る半導体装置10と同様の構成を有するため、重複説明を省略する。また、半導体装置10は、ボディ層13よりドリフト層12側となる部分の深さが、長手方向の両端部よりも中央部が深くなっているという条件をみたさないトレンチゲートをその一部に含んでいてもよい。また、半導体装置10は、図12~図15に示すようなトレンチゲート300を備えていてもよい。トレンチゲート300は、トレンチ深さが深いほど、トレンチ幅半導体装置を平面視したときの短手方向の長さが広くなっている。半導体装置を平面視したときに、トレンチゲート300の中央部のトレンチ幅は、両端部のトレンチ幅よりも広い。トレンチゲート300の最浅部304から最深部305まで略円弧状に徐々にトレンチ幅が広くなっており、これに応じて、トレンチゲート300のトレンチ深さは、最浅部304から最深部305まで略円弧状に徐々に深くなっている。トレンチゲート300のトレンチ幅の広い中央部は、トレンチ幅の狭い両端部よりもトレンチ深さが深くなっている。半導体装置の製造工程において、図12等に示すように中央部のトレンチ幅が広いトレンチゲートを形成するようにパターニングし、トレンチエッチングを行うと、トレンチ幅が広いトレンチゲートの中央部ほど、トレンチ深さが深くなる。図12~図15に示すように、トレンチ深さを深くする部分ほどトレンチ幅を広くするようにトレンチゲートを設計すれば、少ない回数のトレンチエッチングによって長手方向のトレンチ深さを変化させることが可能となる。図12~図15では、トレンチ底部が略円弧状の場合を例示して説明したが、図16~図19に示すように、トレンチ底部が階段状の場合であっても、トレンチ深さを深くする部分ほどトレンチ幅を広くするようにトレンチゲートを設計すれば、少ない回数のトレンチエッチングによって長手方向のトレンチ深さを変化させることが可能となる。トレンチゲート320のトレンチ深さおよびトレンチ幅は、階段状に変化している。トレンチゲート320の最浅部324から最深部305まで階段状に徐々にトレンチ幅が広くなっており、トレンチゲート320の深さは、最浅部304から最深部305まで階段状に徐々に深くなっている。トレンチ底部が円弧状、階段状以外の形状であっても、同様に、トレンチ深さを深くする部分ほどトレンチ幅を広くするようにトレンチゲートを設計することによって、少ない回数のトレンチエッチングによって長手方向のトレンチ深さを変化させることが可能となる。なお、図12~図19に示す変形例では、トレンチゲートの形状が異なる以外は実施例1に係る半導体装置10と同様の構成を有するため、重複説明を省略する。図20に示すように、実施例2に係る半導体装置40は、セル領域401a~401dと、非セル領域403とを含む半導体基板400を備えている。セル領域401a~401dは、半導体基板400の中央部に配置されており、その周囲を取り囲む周辺耐圧部405が非セル領域403に形成されている。図21に示すように、セル領域401aには、複数のトレンチゲート500が形成されている。トレンチゲート500は、いずれも同じ大きさ、同じ形状のトレンチゲートであり、長手方向が平行になるように配置されている。図示していないが、セル領域401b~401dにも、セル領域401aと同様の複数のトレンチゲートが形成されている。図22~図24に示すように、半導体装置40のセル領域401a~401dには、トレンチゲート型のIGBTが形成されている。半導体基板400は、p型のコレクタ層11、n-型のドリフト層12、p型のボディ層13、n型のエミッタ層440を備えている。トレンチゲート500は、半導体基板400の表面側から、ボディ層13およびエミッタ層440を貫通してドリフト層12に達している。トレンチゲート500は、トレンチ501と、トレンチ501の内壁に形成された絶縁膜502と、絶縁膜502に覆われた状態でトレンチ501内に充填されているゲート電極503とを備えている。エミッタ層440は、トレンチゲート500の長手方向に沿って部分的に形成されている。エミッタ層440は、トレンチゲート500の絶縁膜502と接している。トレンチゲート500は、その長手方向に沿って深さが異なっている。トレンチゲート500のドリフト層12に達する部分は、長手方向に概ね周期的に曲線状に深さが変化しており、トレンチ深さが浅い浅部504とトレンチ深さが深い深部505とをそれぞれ複数有している。トレンチゲート500の長手方向に沿って、浅部504と深部505が交互に配置されている。図23,図24に示すように、浅部504に対向する半導体基板400の表面ボディ層13の表面側にはエミッタ層440が形成されている一方、深部505に対向する半導体基板400の表面は、エミッタ層440が形成されていないバイパス部460となっている。図25は、浅部504および深部505と、エミッタ層440とのトレンチゲート500の長手方向に沿った位置関係を説明するための図であり、図22に示す半導体装置40の断面に、エミッタ層440の長手方向に沿った位置を投影して示す図である。図25に示すように、エミッタ層440は、深部505の最も深い位置から、トレンチゲート500の長手方向に距離L1以上離れた位置に形成されている。浅部504の最も浅い位置の半導体基板400の表面からの深さはD3であり、深部505の最も深い位置の半導体基板400の表面からの深さはD4である。距離L1は、深部505のうち最も深い位置の深さD4に対して、L1≧0.03D4を満たしていることが好ましい。また、D4とD3との差は、D4-D3≧0.03D4を満たしていることが好ましい。図22~図25に示すように、半導体装置40では、トレンチゲート500は、両端部の一方から他方にかけて、その長手方向の全体が、ボディ層13を貫いてドリフト層12に達している。トレンチゲート500は、浅部504と深部505を備えており、深部505に対向する半導体基板の表面の少なくとも一部には、エミッタ層440が形成されていないバイパス部460が設けられている。このため、深部505のトレンチ底部に電界が集中し易くなり、浅部504のトレンチ底部には電界集中が起こり難くなる。深部505に対向する半導体基板の表面には、ボディ層13が形成されており、エミッタ層440が形成されていないバイパス部460であるから、深部505に集中した電荷は、バイパス部460から半導体基板の表面側に移動することができる。その結果、電界集中によってラッチアップが発生することが防止される。一方、エミッタ層440は、浅部504に対向する半導体基板の表面に形成されているから、半導体装置40の素子としての機能を確保することができる。トレンチゲート500のドリフト層12に達する部分は、長手方向に概ね周期的に曲線状に深さが変化しており、これに応じてエミッタ層440とバイパス部460は交互に配置されている。このため、トレンチゲート500の長手方向の一部に局所的に電界が集中することを抑制することができる。変形例図26~図29は、実施例2の変形例に係るトレンチゲートの形態を示しており、変形例に係る半導体装置を、図22と同様の断面で示している。図25と同様に、エミッタ層の長手方向に沿った位置が投影して図示されている。図26~図29では、トレンチゲートは、長手方向の一部に、トレンチゲートのボディ領域よりドリフト領域側となる部分が深くなっている深部を備えており、深部に対向する半導体基板の表面の少なくとも一部に、エミッタ層が形成されていないバイパス部が設けられている。このため、図26~図29によっても、トレンチゲートの深部に集中する電荷をバイパス部から半導体基板の表面に移動させて、電界集中によってラッチアップが発生することを防止する効果を得ることができる。なお、図26~図29に示す変形例では、トレンチゲートの形状と、これに対応するエミッタ層およびバイパス部の配置が実施例2と異なっている。それ以外の構成は実施例2に係る半導体装置40と同様であるため、重複説明を省略する。図26に示すように、半導体装置40には、階段状に深さが相違する浅部514と深部515とを有するトレンチゲート510が形成されていてもよい。階段状にトレンチ深さが相違しており、深部515が一様な深さで形成されている場合には、エミッタ層441は、深部515と浅部514との境界まで形成されていてもよい。また、深部515に対向する半導体基板の表面全域にバイパス部461が形成されていてもよい。また、図27に示すように、階段状に深さが相違する平坦状の浅部524と深部525が、トレンチゲート520の長手方向に沿って交互に形成されており、それぞれの浅部524に対向する半導体基板の表面にエミッタ層442a~442cが形成されており、それぞれの深部525に対向する半導体基板の表面にバイパス部462a~462cが形成されていてもよい。また、図28に示すように、トレンチゲート530の長手方向の大部分が浅部534であり、一部が深部535となっていてもよい。エミッタ層443a~443cは、浅部534に対向する半導体基板の表面ボディ層13の表面に形成されていればよい。エミッタ層443aのように、浅部534と深部535との境界位置まで延びていてもよいし、エミッタ層443b,443cのように、浅部534に対向する半導体基板の表面の一部に形成されていてもよい。また、深部535に対向する半導体基板の表面に形成されているバイパス部463aに加えて、浅部534のみに対向する半導体基板の表面に形成されているバイパス部463bがあってもよい。また、図29に示すように、トレンチゲート540の長手方向の大部分が深部545であって、一部が浅部544となっているものであってもよい。この場合、エミッタ層444は、浅部544に対向する半導体基板の表面に形成されていればよく、バイパス部464a,464bは、深部545に対向する半導体基板の表面に形成されていればよい。なお、実施例2では、全てのトレンチゲートが同様の形態を有している場合を例示して説明したが、異なる形態のトレンチゲートが1つの半導体装置に混在していてもよい。また、半導体装置40は、長手方向の少なくとも一部に、トレンチゲートのボディ層よりドリフト層側となる部分が深くなっている深部を備えているという条件をみたさないトレンチゲートをその一部に含んでいてもよい。また、半導体装置40は、図30~図33に示すようなトレンチゲート550を備えていてもよい。トレンチゲート550は、トレンチ深さが深いほど、トレンチ幅半導体装置を平面視したときの短手方向の長さが広くなっている。図30に示すように、トレンチゲート550は、長手方向に交互にトレンチ幅の広い部分とトレンチ幅の狭い部分とを有している。図31~図33に示すように、トレンチ幅が広い部分は、トレンチ深さが深い深部555であり、トレンチ幅が狭い部分は、トレンチ深さが浅い浅部554である。浅部554と深部555は、トレンチゲート550の長手方向に沿って交互に配置されている。エミッタ層445a,445bは、トレンチ幅が狭く、トレンチ深さが浅い浅部554に対向する半導体基板の表面に形成されている。バイパス部465a~465cは、トレンチ深さが深い深部555に対向する半導体基板の表面に形成されている。図30~図33に示すように、トレンチ深さが深いほど、トレンチ幅が広くなるようにトレンチゲートを設計すれば、少ない回数のトレンチエッチングによって長手方向のトレンチ深さを変化させることが可能となる。図30~図33では、トレンチ底部が階段状の場合を例示して説明したが、トレンチ底部がその他の形状であっても同様である。実施例1係る半導体装置10においても、実施例2と同様にエミッタ層を配置することができる。図34に示す半導体装置70のトレンチゲート800は、図1~5に示す半導体装置10のトレンチゲート200と同様に、最浅部804から最深部805まで略円弧状に徐々に深くなっている。半導体装置70のエミッタ層74a,74bは、トレンチ深さが最も深い最深部805に対向する半導体基板の表面から、トレンチゲート800の長手方向に距離L1以上離れた位置に形成されている。最深部805に対向する半導体基板の表面には、ボディ層13が形成されており、エミッタ層が形成されていないバイパス部76となっている。なお、図34には、エミッタ層74a,74bの長手方向に沿った位置が投影して図示されている。この場合も、距離L1は、トレンチゲート800の最深部805の深さD2に対して、L1≧0.03D2を満たしていることが好ましい。図34に係る半導体装置70によれば、トレンチゲート800の長手方向に沿って緩やかに電界を変化させるとともに、トレンチゲート800の最深部805長手方向の中央部に対向する半導体基板の表面に形成されたバイパス部76から電荷を半導体基板の表面側に移動させることができるため、電界集中が緩和され、ラッチアップが発生することが防止される。なお、図34に示す変形例では、エミッタ層およびバイパス部以外の構成は半導体装置10と同様であるから、重複説明を省略する。また、図35,図36に示すように、半導体装置を平面視したときに、互いに交差する複数のトレンチゲート810,820を有してもよい。この場合、トレンチゲート810とトレンチゲート820が交差する交差部分828はトレンチ深さが深い深部825となる。エミッタ層741a,741bは、トレンチ深さが浅い浅部814に対向する半導体基板の表面に形成されている。深部825に対向する半導体基板の表面側は、ボディ層13であり、エミッタ層が形成されていないバイパス部761である。なお、図示していないが、トレンチ820の浅部に対向する半導体基板の表面側にもエミッタ層を形成することができる。なお、図35,36では、複数のトレンチゲートが複数箇所で交差している場合を図示したが、トレンチゲートの本数および交差する箇所の個数については特に限定されない。図37~図40に示すように、トレンチ幅が広い部分と狭い部分とを有するトレンチゲート同士が互いに交差していてもよい。この場合、交差部分と広い部分のトレンチ底部の深さを比較し、トレンチ深さがより深い部分に対向する半導体基板の表面に、バイパス部を設けることが好ましい。図37,図38に示すように、トレンチゲート830は、広い部分831と狭い部分832を有しており、トレンチゲート840は、広い部分841と狭い部分842を有している。トレンチゲート830の狭い部分832とトレンチゲート840の狭い部分842は交差している。交差部分848のトレンチ底部845のトレンチ深さは、狭い部分832,842のトレンチ底部844狭い部分831のトレンチ底部は図示されていないよりも深く、広い部分831,841のトレンチ底部835広い部分841のトレンチ底部は図示されていないよりも浅くなっている。エミッタ層742a~742dは、狭い部分832の長手方向側面トレンチゲート830の長手方向に平行な側面および狭い部分842の長手方向側面トレンチゲート840の長手方向に平行な側面に接する位置に形成されており、広い部分831,841の長手方向側面に接する位置には形成されていない。半導体基板の表面には、広い部分831,841の長手方向側面に沿って、バイパス部762が設けられている。一方、図39,図40に示すように、交差部分のトレンチ底部がより深い場合には、エミッタ層を形成する位置が変更される。トレンチゲート850は、広い部分851と狭い部分852を有しており、トレンチゲート860は、広い部分861と狭い部分862を有している。トレンチゲート850の狭い部分852とトレンチゲート860の狭い部分862は交差している。交差部分868のトレンチ底部865のトレンチ深さは、狭い部分のトレンチ底部864狭い部分851のトレンチ底部は図示されていないおよび広い部分851,861のトレンチ底部855広い部分861のトレンチ底部は図示されていないよりも深くなっている。この場合は、エミッタ層743a,743bは、広い部分851,861の長手方向側面に接する位置には形成してもよい。交差部分868のトレンチ底部865に対向する位置には、トレンチゲート850,860に接するエミッタ層を形成しないようにして、電荷のバイパス部763を設ける。なお、図37~40では、2本のトレンチゲートが1箇所で交差している場合を図示したが、トレンチゲートの本数および交差する箇所の個数については特に限定されない。例えば、図35,36に示すように、複数のトレンチゲートが複数箇所で交差していてもよい。上記においては、IGBTを例示して説明したが、本願に係るトレンチゲート等の構成は、MOSFET等のその他のトレンチゲート型の半導体装置にも適用できる。例えば、図1~5に示すIGBTに係るトレンチゲート等の構成は、図41~44に示すように、MOSFETにも利用できる。図41~44に示すように、セル領域901aには、複数のトレンチゲート920が形成されている。半導体装置90のセル領域901aには、トレンチゲート型のMOSFETが形成されている。半導体基板900は、n型のドレイン層91、n-型のドリフト層92、p型のボディ層93、n型のソース層94を備えている。トレンチゲート920は、半導体基板900の表面側から、ボディ層93およびソース層94を貫通してドリフト層92に達している。トレンチゲート920は、トレンチ921と、トレンチ921の内壁に形成された絶縁膜922と、絶縁膜922に覆われた状態でトレンチ921内に充填されているゲート電極923とを備えている。ソース層94は、トレンチゲート920の長手方向に沿って延びており、トレンチゲート920の絶縁膜922と接している。実施例1と同様に、トレンチゲート920のドリフト層92に接する部分は、長手方向の両端側で最も浅くなっており最浅部904、長手方向の中央部で最も深くなっている最深部905。トレンチゲート920のトレンチ深さは、最浅部904から最深部905まで略円弧状に徐々に深くなっている。最浅部904の半導体基板900の表面からの深さはD91であり、最深部905の半導体基板900の表面からの深さはD92である。実施例1と同様に、D92とD91との差は、D92-D91≧0.03D92を満たしていることが好ましい。また、例えば、実施例2と同様に、MOSFETは、その長手方向に沿って深さが異なっているトレンチゲートを備えていてもよい。図45に示すように、MOSFETのトレンチゲート950のドリフト層92に達する部分は、長手方向に概ね周期的に曲線状に深さが変化しており、トレンチ深さが浅い浅部954とトレンチ深さが深い深部955とをそれぞれ複数有していてもよい。このように、MOSFETの場合にも、IGBTを例示して説明した実施例および変形例に係るトレンチゲート等の構造を適用することができ、IGBTに適用した場合と同様に、本願発明に係る作用効果を得ることができる。以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。"