"複数の電磁石24を有し、負荷Ldが変動する駆動軸13に、該複数の電磁石24の合成電磁力Fを付与するステータ21と、前記負荷Ldとは逆方向の電磁力を発生する電磁石24のコイル23に流す第1コイル電流IUと、前記負荷Ldと同方向の電磁力を発生する電磁石24のコイル23に流す第2コイル電流ILとの電流差を制御して前記駆動軸13の位置制御を行うとともに、前記第2コイル電流ILの平均値が低下するように、前記第2コイル電流ILを調整する制御部30とを備えたことを特徴とする磁気軸受。請求項1の磁気軸受において、前記制御部30は、前記負荷Ldに応じて前記第1コイル電流IUが減少したときは前記電流差の変動幅を増大させ、前記第1コイル電流IUが増大したときは前記電流差の変動幅を減少させることを特徴とする磁気軸受。請求項1又は請求項2の磁気軸受において、前記制御部30は、各電磁石24に電磁力を発生させる制御電流Idと、前記制御電流Idの値及び前記合成電磁力Fの関係を線形にするために前記制御電流Idに加算するバイアス電流Ibとを制御する制御器3132と、前記バイアス電流Ibの値が前記制御電流Idの値に近づくように、前記バイアス電流Ibの値を調整するバイアス電流調整部34とを備えたことを特徴とする磁気軸受。請求項3の磁気軸受において、前記バイアス電流調整部34は、前記バイアス電流Ibの値と前記制御電流Idの値との相乗平均値に、前記バイアス電流Ibの値を調整することを特徴とする磁気軸受。請求項3の磁気軸受において、前記バイアス電流調整部34は、所定のステップ幅Istepで前記バイアス電流Ibの値を調整することを特徴とする磁気軸受。請求項1又は請求項2の磁気軸受において、前記制御部30は、前記第1コイル電流IUの平均値と前記第2コイル電流ILの平均値の和の絶対値の大きさが、所定の制限値以下とならないように、前記第2コイル電流ILを調整することを特徴とする磁気軸受。請求項3から請求項5の何れかの磁気軸受において、前記バイアス電流調整部34は、前記バイアス電流Ibの絶対値の大きさが、該磁気軸受で支持する機器の運転条件に応じて定めた閾値以下とならないように、前記バイアス電流Ibを調整することを特徴とする磁気軸受。請求項1又は請求項2の磁気軸受において、前記制御部30は、前記第1コイル電流IUの平均値、及び前記第2コイル電流ILの平均値の少なくとも一方を求めるとともに、求めた平均値の変動幅が該磁気軸受で支持する機器の運転条件に応じて定めた閾値以下となった場合に、前記第2コイル電流ILの調整を行うことを特徴とする磁気軸受。請求項3から請求項5の何れかの磁気軸受において、前記バイアス電流調整部34は、前記制御電流Idの平均値の変動幅が、該磁気軸受で支持する機器の運転条件に応じて定めた閾値以下となった場合に、前記バイアス電流Ibを調整することを特徴とする磁気軸受。請求項1又は請求項2の磁気軸受において、前記制御部30は、前記第1コイル電流IUの平均値、及び前記第2コイル電流ILの平均値の少なくとも一方を求めるとともに、求めた平均値の所定周波数以上の変動幅が、該磁気軸受で支持する機器の運転条件に応じて定めた閾値よりも小さくなった場合に前記第2コイル電流ILを調整することを特徴とする磁気軸受。請求項3から請求項5の何れかの磁気軸受において、前記バイアス電流調整部34は、前記制御電流Idの平均値の所定周波数以上の変動幅が、該磁気軸受で支持する機器の運転条件に応じて定めた閾値よりも小さくなった場合に前記バイアス電流Ibの調整を行うことを特徴とする磁気軸受。請求項1から請求項11の何れかの磁気軸受20と、前記磁気軸受20に駆動軸13が非接触支持される電動機10と、前記電動機10で駆動される圧縮機構とを備えたことを特徴とする圧縮機。しかしながら、前記の線形化手法を採用すると、各電磁石のコイルに電流が流れて各電磁石が引っ張り合うことになり、無駄な電力を消費する。本発明は上記の問題に着目してなされたものであり、磁気軸受において、制御電流と合成電磁力の線形性を保ちつつ、電磁石のコイルで消費する電力を低減できるようにすることを目的としている。上記の課題を解決するため、本発明の一態様は、複数の電磁石24を有し、負荷Ldが変動する駆動軸13に、該複数の電磁石24の合成電磁力Fを付与するステータ21と、前記負荷Ldとは逆方向の電磁力を発生する電磁石24のコイル23に流す第1コイル電流IUと、前記負荷Ldと同方向の電磁力を発生する電磁石24のコイル23に流す第2コイル電流ILとの電流差を制御して前記駆動軸13の位置制御を行うとともに、前記第2コイル電流ILの平均値が低下するように、前記第2コイル電流ILを調整する制御部30とを備えたことを特徴とする磁気軸受である。この構成では、ステータ21に設けられた電磁石24の電流が制御されて駆動軸13の位置制御が行われる。また、負荷Ldと同方向の電磁力を発生する電磁石24のコイル23に流す第2コイル電流後述の下側コイル電流ILの平均値が低下するように該第2コイル電流ILが調整される。このとき、本発明では位置制御も行っているので、第1コイル電流IUと第2コイル電流ILとの差が位置制御を行う上で必要な値となるように、第2コイル電流ILの調整にあわせて第1コイル電流IUも調整されることになる。このように、第2コイル電流ILが調整されることで、第2コイル電流ILは低下する例えばゼロに近づくとともに、第1コイル電流IUの平均値も低下する。本発明によれば、負荷Ldの方向と同じ方向に電磁力を発生するコイル23の電流を低減できるので、磁気軸受20における消費電力を低減することが可能になる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態は、本質的に好ましい例示であって、本発明、その適用物、あるいはその用途の範囲を制限することを意図するものではない。《発明の実施形態1》本発明の実施形態1では、本発明に係る磁気軸受を用いる例としてターボ圧縮機1を説明する。本実施形態のターボ圧縮機1は、冷媒が循環して冷凍サイクル運転動作を行う冷媒回路図示省略に接続され、冷媒を圧縮する。全体構成図1は、実施形態1に係るターボ圧縮機1の構造を示す概略図である。ターボ圧縮機1は、図1に示すように、ケーシング2、羽根車9、及び電動機10を備えている。ケーシング2は、両端が閉塞された円筒状に形成され、円筒軸線が水平向きとなるように配置されている。ケーシング2内の空間は、図1におけるケーシング2の右側端部から所定の距離を置いて配置された壁部3によって区画されている。該壁部3よりも右側の空間が、羽根車9を収容するインペラ室4を形成し、該壁部3よりも左側の空間が、電動機10を収容する電動機空間5を形成している。また、インペラ室4の外周側には、該インペラ室4と連通する圧縮空間4aが形成されている。ケーシング2には、冷媒回路からの冷媒をインペラ室4内へ導くための吸入管6と、インペラ室4内で圧縮された高圧の冷媒を冷媒回路へ戻すための吐出管7とが接続されている。羽根車9は、複数の羽根によって外形が略円錐形状となるように形成されている。羽根車9は、電動機10の駆動軸13回転軸の一端に固定された状態で、インペラ室4内に収容されている。電動機10は、ケーシング2内に収容され、羽根車9を駆動する。この電動機10は、ステータ11、ロータ12、駆動軸13を備えている。ステータ11は、筒状の形態を有し、ケーシング2の内周壁に固定されている。ロータ12は、円筒状の形態を有し、ステータ11の内側に所定の隙間エアギャップを介して挿通されている。また、駆動軸13は、軸心が該ロータ12の軸心と同軸となるようにロータ12に挿通固定されている。ロータ12には、複数の永久磁石12aが埋設されている。ロータ12は、永久磁石12aがステータ11内で発生する回転磁界に引きつけられるように回転することにより、ステータ11内で回転する。駆動軸13は、水平方向に延びるように配置されている。電動機10は、軸受機構8を備えている。軸受機構8は、略筒状に形成された、2つのタッチダウン軸受1414と2つの磁気軸受2020とを備えている。なお、電動機10は、駆動軸13をスラスト方向に支持するタッチダウン軸受を備える場合もある。タッチダウン軸受14及び磁気軸受20は、駆動軸13をラジアル方向に支持するためのものである。タッチダウン軸受14及び磁気軸受20は、共にケーシング2内に固定されている。これらの磁気軸受2020は、駆動軸13の両端側を支持するように、それぞれ、駆動軸13の一端側と他端側とに配置されている。また、タッチダウン軸受1414は、駆動軸13の両端部を支持するように、それぞれ、磁気軸受2020よりも外側に配置されている。磁気軸受2020には、後に詳述するように、複数の電磁石24が設けられ、各電磁石24の合成電磁力Fを駆動軸13に付与し、駆動軸13を非接触状態で支持するように構成されている。磁気軸受2020が駆動軸13を非接触状態で支持しているときは、タッチダウン軸受1414も駆動軸13と非接触状態となるように内径が設定されている。また、タッチダウン軸受14は、磁気軸受20の非通電時に駆動軸13を支持するように構成されている。磁気軸受20が非通電となるのは、例えば、電動機10の停止時や、何らかの理由により磁気軸受20が制御不能となって非通電となっている場合等である。タッチダウン軸受14の構成タッチダウン軸受14は、玉軸受で構成されている。タッチダウン軸受14と駆動軸13のギャップは、磁気軸受20と駆動軸13のギャップよりも小さく形成されている。これにより、磁気軸受2020が作動していない時に、タッチダウン軸受14によって、駆動軸13が磁気軸受20に接触しないように、該駆動軸13を支持することができる。つまり、電動機10の停止時や、何らかの理由により磁気軸受20が制御不能となって非通電となっている場合等に、タッチダウン軸受14によって、磁気軸受20の破損を防止できる。なお、タッチダウン軸受14は、玉軸受には限定されず、例えば単なる円筒状の部材で構成してもよい。磁気軸受20の構成図2は、実施形態1に係る磁気軸受20の横断面図駆動軸に垂直な方向の断面図である。また、図3は、実施形態1に係る磁気軸受20の縦断面図駆動軸方向の断面図である。磁気軸受20は、図2に示すように、いわゆるヘテロポーラ型のラジアル軸受である。この例では、磁気軸受20は、ステータ21、ギャップセンサ26、制御部30、及び電源装置40を備えている。ギャップセンサ26は、ケーシング2に取り付けられ、磁気軸受20に対する駆動軸13のラジアル方向位置を検出するようになっている。ステータ21は、コア部22とコイル23とを備えている。このコア部22は、電磁鋼板を積層して構成され、バックヨーク部22aと複数のティース部22bとを備えている。バックヨーク部22aは、略筒状に形成されている。それぞれのティース部22bは、バックヨーク部22aと一体形成され、バックヨーク部22aの内周面から径方向内方へ向かって突出している。本実施形態のコア部22は、8個のティース部22bを有し、これらのティース部22bはバックヨーク部22aの内周に沿って等ピッチ45度ピッチで配置されている。各ティース部22bの内周側の面は、駆動軸13と所定のギャップを持って対向している。ステータ21では、1つのティース部22bごとにコイル23が巻回され、ティース部22b及びコイル23の両者で電磁石24を形成している。すなわち、本実施形態のステータ21では、8つの電磁石24が形成されている。図2では、各コイル23を識別するため、符号の後に枝番1~8を付してある例えば231,232...。このステータ21では、2つのコイル23が対となって互いに繋がっている。具体的には、コイル231とコイル232、コイル233とコイル234、コイル235とコイル236、コイル237とコイル238の各コイル対において、コイル23同士が繋がっている。それぞれのコイル対には、電源装置40が接続され、電力が供給されている。電源装置40電源装置40は、各コイル対に供給する電圧の大きさを別個に制御できるようになっている。本実施形態では、4つのコイル対があるので、電源装置40の出力は4つある。電源装置40が各コイル対に供給する電圧の大きさは、制御部30が制御する。この例では、電源装置40は、制御部30が出力した電圧指令値に応じて出力電圧を変化させる。これにより各コイル23に流れる電流が変化する。電源装置40には、一例として、いわゆるPWMPulseWidthModulationアンプを採用することができる。なお、電源装置40は、順逆両方に電流を流せるように構成してある。制御部30の構成次に制御部30の構成を説明する。なお、以下の説明において、上側コイルとは、駆動軸13に加わっているラジアル方向の負荷Ldの方向とは反対方向の吸引力電磁力FUを発生させる電磁石24のコイル23のことを意味し、下側コイルとは負荷Ldの方向と同じ方向の吸引力電磁力FLを発生させる電磁石24のコイル23を意味している。つまり、ここで言うコイルの上下の呼び名は、電磁力の方向と負荷Ldの方向との関係から定めたものであり、磁気軸受2020の設置状態における上下と一致する場合もあれば、一致しない場合もある。図2では、上側及び下側コイルを太線で囲んで例示してある。図2に示した負荷Ldに対しては、コイル231232の2つが下側コイルであり、コイル235236の2つが上側コイルである。制御部30は、マイクロコンピュータ図示は省略とそれを作動させるプログラムとを備え、上側コイルに流す電流上側コイル電流IUと、下側コイルに流す電流下側コイル電流ILとの電流差を制御して駆動軸13の位置制御を行う。具体的に、制御部30は、上側及び下側コイルに対し、制御電流Idとバイアス電流Ibの加算電流を流す。ここで、制御電流Idとは、各電磁石24のコイル23に電磁力を発生させるための電流であり、上側コイルの制御電流はId、下側コイルの制御電流は-Idである。バイアス電流Ibは、制御電流Idの値と合成電磁力Fとの関係を線形にするための電流である。したがって、上側コイル電流IUは、IbIdの大きさの電流である。また、下側コイル電流ILは、Ib-Idの大きさの電流である。上側コイル電流IUは、本発明の第1コイル電流に対応し、下側コイル電流ILは本発明の第2コイル電流に対応する。上側コイル電流IUと下側コイル電流ILの電流差を制御すれば、駆動軸13に加わる合成電磁力Fを制御でき、駆動軸13の位置制御が可能になる。なお、上側及び下側コイル電流IUILの大きさの制御は、電源装置40を介して行う。本線形化則をまとめると以下のようになる。関係式CIU=IbIdIL=Ib-Id制御部30は、下側コイル電流ILの平均値例えば積分平均が低減するように、下側コイル電流ILを逐次調整する。具体的には、本実施形態の制御部30では、電源装置40の制御において、バイアス電流Ibの値が制御電流Idの値に近づくように、所定の周期で、バイアス電流Ibの値を増加又は減少させて該バイアス電流Ibの値を更新する。図4は、制御部30の構成を説明するブロック図である。同図に示すように、制御部30は、位置制御器31、電流制御器32、ゲイン制御部33、及びバイアス電流調整部34を備えている。また、制御部30は、バイアス電流Ibの値を周期的に更新するためにタイマー図示は省略も備え、このタイマーは前記更新の周期で、割り込み信号を電流制御器32に出力する。-位置制御器31-位置制御器31は、駆動軸13のラジアル方向における位置を指示する位置指令と、ギャップセンサ26が検出した駆動軸13のラジアル方向の位置との偏差に応じ、制御電流Idの大きさを指示する電流指令値を出力する。より具体的には、位置制御器31は、駆動軸13が所望の位置となるように、上側コイル電流IUと下側コイル電流ILとの電流差を所定の幅で変動させ、制御電流Idを決定する。磁気軸受20では、8つの電磁石24で4組の電磁石対を構成しているので、位置制御器31は、各電磁石対用に4つの電流指令値を生成する。また、位置制御器31は、負荷Ldに応じて上側コイル電流IUが減少したときは前記電流差の変動幅を増大させ、上側コイル電流IUが増大したときは前記電流差の変動幅を減少させる。具体的には、位置制御器31は、所定の周期後述で、フィードバック制御のフィードバックゲインKcを調整することで前記変動幅の制御を実現している。-電流制御器32-電流制御器32は、電源装置40が出力すべき電圧を求め、その電圧を指示する電圧指令値を電源装置40に出力する。磁気軸受20には上側コイル電流IUの検出値と下側コイル電流ILを検出する電流検出器25が設けられている。電流制御器32は、バイアス電流Ibと、電流指令値から定まる制御電流Idとの加算電流が上側及び下側のコイルにそれぞれ流れるように、電流検出器25の検出値をフィードバックして前記電圧指令値を定める。-バイアス電流調整部34-バイアス電流調整部34は、バイアス電流Ibの値を周期的に更新するようになっている。具体的には、バイアス電流調整部34は、ある初期状態における上側及び下側コイル電流IU0IL0の値検出値から、次の関係式A1に基づいて初期状態の制御電流Id0、及び初期状態のバイアス電流Ib0を算出し、これらの相乗平均値関係式A2参照によって新たなバイアス電流Ibを導出する。関係式A1Ib0=IU0IL0/2Id0=IU0IL0/2関係式A2Ib=√Ib0×Id0このような相乗平均値を採用するのは、以下の考えに基づくものである。上側コイル電流IUと下側コイル電流ILを関係式Cの線形化則のようにすると、制御電流Idと合成電磁力Fは線形化されて、F=k×Ib×Id1となる。ここでkは比例定数である。例えば、初期状態において合成電磁力がF0で、バイアス電流がIb0、制御電流がId0であったとすると、F0=k×Ib0×Id02となる。合成電磁力はF0のまま制御電流をバイアス電流に一致させるとき、式1は、F0=k×Ib×Id=k×Ib^23となる。式2と式3から新しいバイアス電流Ibを導出すると、Ib=√Ib0×Id0となる。このとき、関係式Cより、上側コイル電流IUは、初期状態でIU0=Ib0Id0であったのが調整後にIU=2√Ib0×Id0となり、下側コイル電流ILは、初期状態でIL0=Ib0-Id0であったのが調整後にIL=0となる。すなわち上側コイル電流IUも下側コイル電流ILもその絶対値が低減する。すなわち、事前のバイアス電流値と制御電流値の相乗平均値が新しいバイアス電流Ibとなるように調整すれば、電磁石24のコイル23で消費する電力を低減できるのである。前記のようにして新たなバイアス電流Ibが求まると、バイアス電流調整部34はバイアス電流Ibの値を更新する。そして、電流制御器32は、関係式Cで求まる上側及び下側コイル電流IUILが流れるように、上下の各コイル用の電圧指令値を電源装置40に出力する。この電圧指令値を求める際に用いる制御電流Idの値は、電流指令値に対応して定まる電流値である。なお、関係式Aの演算を行うために、バイアス電流調整部34には、電流検出器25の検出値が入力されている図4を参照。上側コイル電流IU及び下側コイル電流ILは変動成分を有しているが、電流制御器32は、これらの電流の直流成分をそれぞれ算出し、関係式Aの演算に使用する。また、この例では、電流制御器32は、前記タイマーの割り込み信号に同期して、上側及び下側コイル電流IUILの算出に用いるバイアス電流Ibの値を、バイアス電流調整部34が導出した値に更新するようになっている。この更新の周期タイマーの周期は、位置制御器31における位置制御の周期よりも十分長い周期に設定するのがよい。本実施形態では、バイアス電流Ib更新の周期を、位置制御の周期の100倍~1000倍の周期に設定してある。-ゲイン制御部33-ゲイン制御部33は、バイアス電流Ibの更新に同期して、フィードバックゲインKcの調整を行うための指令値を位置制御器31に出力するようになっている。この例では、ゲイン制御部33は、次の関係式Bに基づいてフィードバックゲインKc調整用の指令値を位置制御器31に出力する。関係式BKc=Kc0×Ib0/Ibただし、関係式Bにおいて、Ib0は、ある初期状態でのバイアス電流値である。また、Kc0は、バイアス電流値がIb0のもとで調整された位置制御のフィードバックゲインKcである。制御部30の動作図5は、実施形態1に係るバイアス電流調整を説明するフローチャートである。制御部30は、図5に示したステップS01~ステップS05の処理を行う。ステップS01では、バイアス電流調整部34は、バイアス電流Ibの更新周期が来るまで、すなわちタイマーの割り込み信号を受信するまでは、更新の作業については待ち状態となる。電流制御器32は、この待ち状態の場合には、現在のバイアス電流Ibの値を用いて上側及び下側コイル電流IUILを決定し、その上側及び下側コイル電流IUILに対応した電圧指令値を電源装置40に出力する。待ち状態が前記タイマーの割り込みにより解除されると、バイアス電流調整部34の動作は次のステップS02に進む。ステップS02では、バイアス電流調整部34は、電流検出器25が検出した上側コイル電流IU及び下側コイル電流ILの検出値から、上側コイル電流IU及び下側コイル電流ILの直流成分をそれぞれ求める。上側コイル電流IU、下側コイル電流ILの直流成分は、例えばローパスフィルタを用いることで求めることが可能である。ステップS03では、バイアス電流調整部34は、ステップS02で求めた上側及び下側コイル電流IUILの直流成分を用い、関係式A1からバイアス電流Ib及び制御電流Idを算出する。すなわち、ステップS03では、バイアス電流調整部34は、バイアス電流Ibと制御電流Idの直流成分を求めているのである。ステップS04では、バイアス電流調整部34は、ステップS03で求めたバイアス電流Ibの値と制御電流Idの値を用い、関係式A2から新たなバイアス電流Ibを算出する。そして、電流制御器32は、関係式Cで求まる上側及び下側コイル電流IUILが流れるように、上下の各コイル用の電圧指令値を電源装置40に出力する。ここでの上側及び下側コイル電流IUILの算出に使用するIdは、位置制御器31が出力した電流指令値に応じて定まる制御電流Id値である。ステップS05では、関係式Bに基づいてゲイン制御部33が生成した指令値に応じ、位置制御器31は位置制御におけるフィードバックゲインKcを更新する。図6は、上側及び下側コイル電流IUILの変化を例示するタイミングチャートである。図6のタイミングチャートの縦軸は電流値である。図6の例では、時刻t1,t2,t3のそれぞれのタイミングで、バイアス電流Ibが更新されている。例えば、時刻t1において、バイアス電流IbはIbt1に更新され、時刻t1から時刻t2までの期間はバイアス電流Ibは、一定値のIbt1である。時刻t2では、ステップS04の処理が行われてバイアス電流IbがIbt2に更新されている。つまり、この磁気軸受20では、バイアス電流Ibは半固定である。このIbt2は、時刻t2よりも前のバイアス電流Ibの直流成分=Ibt1と制御電流Idの直流成分との相乗平均である。このようにバイアス電流Ibを算出することで、該バイアス電流Ibの値は、制御電流Idの値に近づくように更新されることになる。時刻t2から時刻t3の期間は、電流制御器32は上側及び下側コイル電流IUILの算出にIbt2を使用する。すなわち、電流制御器32は、上側コイルには、上側コイル電流IU=Ibt2Idが流れ、下側コイルには、下側コイル電流IL=Ibt2-Idが流れるように、上下の各コイル用の電圧指令値を電源装置40に出力する。関係式Cから分かるように、IbをIdに近づけるIb→Idと、ILの値が0に近づく。すなわち、バイアス電流Ibの値が制御電流Idの値に近づくように該バイアス電流Ibの値を更新すると、下側コイル電流ILの平均値が低減して0に近づく理想的には0になる。図6の例でも、時刻t2において、及び下側コイル電流ILの平均値が減少している。また、上側コイル電流IUも、電流制御器32によって、上側コイル電流IUと下側コイル電流ILとの差が位置制御を行う上で必要な値となるように制御される。その結果、上側コイル電流IUの平均値例えば積分平均も減少する。なお、下側コイル電流ILの平均値がゼロに近づくと、下側コイル電流ILは負の値に制御される場合もある。そのため、既述の通り、電源装置40は、順逆両方に下側コイル電流ILを流せるように構成してある。また、図6の例では、時刻t2αにおいて、負荷Ldが変動している。負荷Ldが変動すれば、電流指令値なども変動する。この例では、上側コイル電流IUが低下するとともに下側コイル電流ILが増加し、その結果、上側コイル電流IUと下側コイル電流ILの差が小さくなっている。このときの上側及び下側コイル電流IUILの算出に使用するバイアス電流Ibの値は、Ibt2である。しかしながら、時刻t3になると、ステップS04の処理が行われてバイアス電流IbがIbt3に更新されている。ここでもIbt3が低下して、下側コイル電流ILの平均値が減少している。また、上側コイル電流IUの平均値も減少している。すなわち、本実施形態では、所定の周期でバイアス電流Ibを更新しているので、負荷Ldの変動にも追従して、下側コイル電流ILを低減できるのである。また、図7は、フィードバックゲインKcが調整された場合の上側及び下側コイル電流IUILの変化を例示するタイミングチャートである。図7は、負荷Ldが減少し、且つ負荷Ld減少の前後で駆動軸13の振幅の大きさに変化がない場合の状態を例示してある。この場合は、図7に示すように、上側コイル電流IUと下側コイル電流ILの電流差の変動幅が大きくなっている。本実施形態の効果以上のように本実施形態では、バイアス電流Ibの値が制御電流Idの値に近づくようにバイアス電流Ibの値を逐次更新することで、上側及び下側コイル電流IUILを低減できる。そのため、本実施形態では、磁気軸受2020における消費電力を低減することが可能になる。また、バイアス電流Ibの更新に同期して、関係式Bに基づくフィードバックゲインKcの調整を行うことで、バイアス電流Ibの変更による、位置制御ループ周波数特性の変化をキャンセルすることが可能になる。なお、前記の例では平均値が低下するとは平均値がゼロに近づくことであったが、例えば、下側コイル電流ILがゼロ以外の値に漸近するように制御部30を構成してもよい。《実施形態1の変形例》バイアス電流Ibの値の更新は、実施形態1の方法には限定されない。図8は、実施形態1の変形例に係るバイアス電流の調整を説明するフローチャートである。この例では、バイアス電流調整部34は、所定のステップ幅Istepでバイアス電流Ibの値を更新するようになっている。具体的には、バイアス電流調整部34は、図8に示したステップS11~ステップS18の動作を行う。ステップS11からステップS13までの処理は、実施形態1で説明したステップS01からステップS03までの処理と同じである。ステップS14では、バイアス電流調整部34は、バイアス電流Ibの値と制御電流Idの値とを比較する。比較の結果、バイアス電流Ibの値の方が制御電流Idの値よりも大きい場合には、ステップS15の処理に進み、そうでない場合にはステップS16の処理に進む。ステップS15に進んだ場合には、バイアス電流調整部34は、バイアス電流Ibを所定のステップ幅Istepだけ減らす。すなわち、バイアス電流調整部34は、Ib-Istepを新たなバイアス電流Ibとして算出する。ステップS16では、バイアス電流調整部34は、バイアス電流Ibの値と制御電流Idの値とを比較する。比較の結果、バイアス電流Ibの値の方が制御電流Idの値よりも小さい場合には、ステップS17の処理に進み、そうでない場合にはステップS18の処理に進む。ステップS17では、バイアス電流調整部34は、バイアス電流Ibを所定のステップ幅Istepだけ増やす。すなわち、バイアス電流調整部34は、IbIstepを新たなバイアス電流Ibとして算出する。そして、電流制御器32は、実施形態1と同様に、関係式Cで求まる上側及び下側コイル電流IUILが流れるように、上下の各コイル用の電圧指令値を電源装置40に出力する。このように本変形例では、バイアス電流Ibの値が制御電流Idの値に近づくように、バイアス電流調整部34がバイアス電流Ibの値を所定のステップ幅Istepで増加又は減少させているのである。なお、ステップS18では、実施形態1のステップS05と同様にして、関係式Bに基づいてゲイン制御部33が生成した指令値に応じ、位置制御器31は位置制御におけるフィードバックゲインKcを更新する。本変形例の効果本実施形態でもバイアス電流調整部34の前記動作により、バイアス電流Ibの値が制御電流Idの値に近づくことになる。したがって、本実施形態においてもやはり、上側及び下側コイル電流IUILを低減でき、磁気軸受2020における消費電力を低減することが可能になる。また、本変形例でも、バイアス電流Ibの更新に同期して、関係式Bに基づくフィードバックゲインKcの調整を行うので、バイアス電流Ibの変更による、位置制御ループ周波数特性の変化をキャンセルすることが可能になる。《発明の実施形態2》図9は、実施形態2に係る磁気軸受20の横断面図である。また、図10は、実施形態2に係る磁気軸受20の縦断面図である。本実施形態の磁気軸受20は、図9に示すように、いわゆるホモポーラ型のラジアル軸受である。本実施形態の磁気軸受20も実施形態1と同様に、ステータ21は、コア部22とコイル23とを備えている。コア部22は、バックヨーク部22aと複数のティース部22bとを備えている。バックヨーク部22aは、略筒状に形成されている。それぞれのティース部22bは、バックヨーク部22aと一体形成され、該バックヨーク部22aの内周面から径方向内方へ向かって突出している。本実施形態では、ティース部22bは、8つ設けられている。詳しくは、図10に示すように、ティース部22bは、駆動軸13の軸心方向に2段に並んで配置され、図9に示すように、それぞれの段の4つのティース部22bは、バックヨーク部22aの内周に沿って等ピッチ90度ピッチで配置されている。各ティース部22bにはコイル23が巻回され、ステータ21には8つの電磁石24が構成されている。この例では、2段に並んだコイル23同士は対をなしている。すなわち、この例では4つのコイル対がある。この例でも対をなすコイル23同士は互いに繋がっている。各電磁石24のコイル23の巻回方向や電流の向きは、図10に矢印で示した方向の磁束が発生するように設定されている。本実施形態でも、各電磁石24の合成電磁力Fを駆動軸13に付与し、駆動軸13を非接触状態で支持する。図9でも、上側及び下側コイルを太線で囲んで例示してある。図9に示した負荷Ldに対しては、コイル231が下側コイルであり、コイル233が上側コイルである。このような構成の磁気軸受20においても、実施形態1やその変形例で示したように、バイアス電流Ibの値が制御電流Idの値に近づくように制御することで、上側及び下側コイル電流IUILを低減でき、磁気軸受2020における消費電力を低減することが可能になる。《発明の実施形態3》図11は、実施形態3に係る磁気軸受20の横断面図である。また、図12は、実施形態3に係る磁気軸受20の縦断面図である。本実施形態の磁気軸受20は、いわゆるスラスト軸受である。図12に示すように、電動機10の駆動軸13には、円盤状のスラストディスク13aが固定され、磁気軸受20は、スラストディスク13aの軸方向の位置、すなわち駆動軸13の軸方向位置を制御する。磁気軸受20の構成磁気軸受20は、ステータ21、電源装置40、ギャップセンサ26、及び制御部30を備えている。ギャップセンサ26は、スラストディスク13aの近傍に取り付けられ、スラストディスク13aの軸方向の位置を検出するようになっている。ステータ21は、コア部22とコイル23を備えている。本実施形態では、ステータ21にはコア部22が2つ設けられている。それぞれのコア部22はリング状の形態を有し、スラストディスク13aの軸方向両側に、所定のエアギャップをもって配置されている。各コア部22は、図12に示すように、スラストディスク13aと対向する側に円周溝22cが形成され、円周溝22c内にはコイル23が収容されている。すなわち、本実施形態では、ひとつのコア部22において、ひとつの電磁石24が形成される。各コイル23の電流の向きは、図12に矢印で示した方向の磁束が発生するように設定されている。なお、この実施形態においては、上側コイルは、駆動軸13に加えられるスラスト方向軸方向の負荷Ldの方向とは反対方向の吸引力電磁力FUを発生させる電磁石24のコイル23が相当し、下側コイルは、負荷Ldの方向と同じ方向の吸引力電磁力FLを発生させる電磁石24のコイル23が相当する。つまり、この例でも、コイルの上下の呼び名は、電磁力の方向と負荷Ldの方向との関係から定めたものであり、磁気軸受20の設置状態における上下と一致する場合もあれば、一致しない場合もある。本実施形態では、スラストディスク13aがステータ21と非接触状態で所定の位置に維持されるように各電磁石24の合成電磁力Fをスラストディスク13aに付与し、駆動軸13を軸方向に支持する。このとき、実施形態1やその変形例で示したように、バイアス電流Ibの値が制御電流Idの値に近づくように制御することで、上側及び下側コイル電流IUILを低減でき、磁気軸受20における消費電力を低減することが可能になる。《その他の実施形態》1磁気軸受20では、何らの原因で実際の負荷Ldの方向が、想定した方向を向かない可能性がある。例えば想定した負荷Ldの方向と直交する方向へ実際の負荷Ldが掛かる可能性がある。その場合、上側コイル第1コイルと想定していたコイル23に係る電磁石24と、下側コイル第2コイルと想定していたコイル23に係る電磁石24のそれぞれにおける平均的な負荷はゼロとなる。そうすると、上側及び下側コイルと想定していた両コイルに流れる電流IUILは、正負が逆で大きさが同じ電流となる。その結果、上側及び下側コイルと想定していたコイルに係る電磁石24同士は同じ力で引っ張りあい、位置制御が不安定となる可能性がある。さらに、制御ゲインKcの調整も同時に行う場合は、上側コイル電流IUが小さくなりすぎると、制御ゲインKcが大きくなりすぎて、制御器の内部変数や指令電圧が飽和して位置制御が不安定になる可能性がある。そこで、安定的な位置制御を維持するためには、制御部30では、上側コイル電流IUの平均値と、下側コイル電流ILの平均値の和の大きさがある制限値以下とならないように下側コイル電流ILを調整するのが好ましい。2また、バイアス電流調整部34において、バイアス電流Ibの絶対値の大きさが、磁気軸受20の運転条件に応じて定めた閾値以下とならないように、バイアス電流Ibを調整するようにしても同様に、安定的な位置制御の維持が可能になる。3また、下側コイル電流ILは、負荷Ldが安定してから調整するのが好ましい。例えば、大幅な下側コイル電流IL調整が頻繁に行われると、異音等の原因となる懸念がある。負荷Ldが安定しているか否かの判断は種々の方法で行うことができる。例えば、制御部30において前記更新のタイミングで、上側コイル電流IUの平均値、及び下側コイル電流IL平均値の少なくとも一方を複数回検知し、その変動幅が所定の閾値以下なら負荷が安定したと判断することが考えられる。そして、制御部30では、負荷が安定した場合にバイアス電流Ibすなわち下側コイル電流ILを調整すればよい。ここで所定の閾値には、予め定めた固定値でもよいし、例えば該磁気軸受で支持する機器の運転条件に応じて変更するようにしてもよい。4また、バイアス電流調整部34において、制御電流Idの平均値をもとめ、その平均値の変動幅が所定の閾値以下となった場合に負荷が安定したと判断し、バイアス電流Ibを調整するようにしてもよい。ここで、所定の閾値は、予め定めた固定値でもよいし、例えば該磁気軸受20で支持する機器の運転条件に応じて変更するようにしてもよい。5また、負荷が安定したか否かは、上側コイル電流IUの平均値下側コイル電流ILの平均値の少なくとも一方を検知し、検知した平均値の、ある周波数以上の変動幅が、所定の閾値以下なら負荷が安定したと判断することも考えられる。この判断は、例えば制御部30で行えばよい。ここでも所定の閾値は、予め定めた固定値でもよいし、例えば該磁気軸受20で支持する機器の運転条件に応じて変更するようにしてもよい。6また、制御電流Idの平均値の所定周波数以上の変動幅が、所定の閾値よりも小さくなった場合に、負荷が安定したと判断することも考えられる。この判断は、例えばバイアス電流調整部34で行えばよい。ここでも所定の閾値は、予め定めた固定値でもよいし、例えば該磁気軸受20で支持する機器の運転条件に応じて変更するようにしてもよい。7また、磁気軸受20の用途はターボ圧縮機1には限定されない。例えば、ターボ分子ポンプ等、回転軸を有する種々の機器に応用できる。8また、バイアス電流Ibの調整は周期的である必要はなく、調整のタイミングは任意である。"