"光信号を案内するためのシングルモード光ファイバであって、該光ファイバが、長手方向の光軸と該光軸に垂直な断面とを有し、光信号波長λ1において実効屈折率ncを有したコア基本モードに、光信号を案内可能なコア領域と、該コア領域を包囲するクラッド領域であって、該クラッド領域が、内側クラッドの領域と外側クラッドの領域とを具備し、前記内側クラッドの領域が、屈折率nbを有したバックグラウンド材料と、該バックグラウンド材料に配置された内側クラッドの複数のフィーチャとを具備し、前記内側クラッドの複数のフィーチャのうちの少なくとも幾つかが、第1タイプフィーチャであり、該第1タイプフィーチャが、前記内側クラッドのバックグラウンド材料の屈折率よりも大きな屈折率nrを有した高屈折率材料からなる高屈折率領域に包囲された空孔を含み、第1タイプフィーチャが、光信号波長λ1におけるコア基本モードの実効屈折率nc以下の実効屈折率n1を有した光モードをサポートする、光ファイバ。前記光ファイバは、クラッドの励起またはコアの励起が可能であるとともに、光信号を増幅するように適合されており、前記コア領域は、少なくとも1つの活性元素を用いてドープされた材料を含有し、前記内側クラッドの領域は、励起波長λpの励起信号を案内可能である、請求項1に記載の光ファイバ。前記コア領域は、コア実効屈折率を有し、該コア実効屈折率は、前記内側クラッドのバックグラウンド材料の屈折率と実質的に等しい、請求項1または2に記載の光ファイバ。前記コア領域は、約20μm以上の最大断面寸法を有する例えば、約30μm以上、約40μm以上、約50μm以上、約75μm以上、約100μm以上、約125μm以上、約150μm以上、約175μm以上、約200μm以上、約300μm以上の最大断面寸法である、請求項1~3のいずれか一項に記載の光ファイバ。コア領域は、約20×λ1以上の最大断面寸法を有する例えば、約30×λ1以上、約40×λ1以上、約50×λ1以上、約60×λ1以上、約75×λ1以上、約100×λ1以上、約125×λ1以上、約150×λ1以上、約200×λ1以上、約300×λ1以上の最大断面寸法である、請求項1~4のいずれか一項に記載の光ファイバ。前記活性元素は、イッテルビウムYb、エルビウムEr、プラセオジムPr、ネオジムNeodyniumNd、ホルミウムHo、ツリウムTm、ジスプロシウムDyの群から選択される希土類元素、またはエルビウムErおよびイッテルビウムYbの組合せなどのそれら希土類元素の組合せを含む、請求項2~5のいずれか一項に記載の光ファイバ。前記活性元素を用いてドープされた材料は、前記コア領域の中央部を包囲する活性部分に実質的に配置されており、前記活性部分は、前記コア領域の中央部を包囲する断面環状領域によって前記活性部分が実質的に形成される、請求項2~6のいずれか一項に記載の光ファイバ。前記活性部分は、コア基本モードが前記活性部分と重複するモード域を有するように配置され、その重複モード域は、約50以下である例えば、約25以下、約20以下、約15以下、約10以下、約5以下、約1以下である、請求項7に記載の光ファイバ。前記コア領域は、フッ素F、ゲルマニウムGe、およびセリウムCeの群から選択される一又は複数の材料、またはこれらの組合せを用いてさらにドープされる、請求項1~8のいずれか一項に記載の光ファイバ。前記外側クラッドは、エアクラッドを含む、請求項1~9のいずれか一項に記載の光ファイバ。前記信号波長は、約900nm~約1200nmの範囲の前記活性材料の放射帯内にある例えば、約1500nm~約1600nm、約1800nm~約2400nmの範囲内である、請求項2~10のいずれか一項に記載の光ファイバ。前記励起波長は、前記活性材料の吸収帯内にある、請求項2~11のいずれか一項に記載の光ファイバ。前記内側クラッドのフィーチャは、六方格子などの実質的に周期的な格子周期性Λとなるように配置される、請求項1~12のいずれか一項に記載の光ファイバ。前記格子の周期性Λは、比率Λ/λ1が約5以上である例えば、約8以上、約10以上、約12以上、約15以上、約20以上、約30以上、約40以上、約50以上である、請求項13に記載の光ファイバ。前記格子の周期性Λは、約5μm以上である例えば、約8μm以上、約10μm以上、約12μm以上、約15μm以上、約17μm以上、約20μm以上、約23μm以上、約26μm以上、約30μm以上、約40μm以上、約50μm以上、約75μm以上、約100μm以上である、請求項13または14に記載の光ファイバ。前記高屈折率領域の平均厚さtavgと前記格子の周期性とは、tavg/Λが約0.01以上である例えば、約0.05以上、約0.08以上、約0.10以上、約0.15以上、約0.18以上、約0.20以上、約0.25以上、約0.3以上、約0.35以上、約0.4以上、約0.45以上、約0.5以上、約0.55以上、約0.6以上、約0.65以上である、請求項13~15のいずれか一項に記載の光ファイバ。第1タイプフィーチャの空孔の直径d1は、d1/Λの比率が約0.5以下である例えば、約0.4以下、約0.35以下、約0.3以下、約0.25以下、約0.2以下、約0.15以下、約0.1以下、約0.05以下である、請求項13~16のいずれか一項に記載の光ファイバ。前記内側クラッドの複数のフィーチャは、低屈折率領域を含む第2タイプフィーチャをさらに備える、請求項1~17のいずれか一項に記載の光ファイバ。前記低屈折率領域は、空孔であるかまたは空孔を含む、請求項18に記載の光ファイバ。前記低屈折率領域は、ダウンドープされた領域であるかまたはダウンドープされた領域を含む、請求項18または19に記載の光ファイバ。第2タイプフィーチャは、少なくとも前記空孔を包囲する材料の組成に関して第1タイプフィーチャとは異なっている、請求項18~20のいずれか一項に記載の光ファイバ。第2タイプフィーチャの高屈折率領域は、第1タイプフィーチャの高屈折率領域の面積よりも小さい断面積に亘って広がっている、請求項18~21のいずれか一項に記載の光ファイバ。第2タイプフィーチャの高屈折率領域の断面積は、第1タイプフィーチャの高屈折率領域の面積よりも約10分の1以下の面積である例えば、約20分の1以下、約30分の1以下、約40分の1以下、約49分の1以下か、第2タイプフィーチャが高屈折率を有した材料を実質的に含有しない、請求項22に記載の光ファイバ。第2タイプフィーチャは、前記空孔および内側クラッドのバックグラウンド材料からなる、請求項19~23のいずれか一項に記載の光ファイバ。第1タイプフィーチャの高屈折率領域は、ゲルマニウムでドープされたシリカを含有している、請求項1~24のいずれか一項に記載の光ファイバ。内側クラッドの第1タイプフィーチャは、第2領域をさらに含む、請求項1~25のいずれか一項に記載の光ファイバ。第2領域は、前記高屈折率領域よりも低い屈折率を有した材料を含有している、請求項24に記載の光ファイバ。第2領域は、前記内側クラッドのバックグラウンド材料よりも高い屈折率を有した材料を含有している、請求項24または25に記載の光ファイバ。第2領域は、前記高屈折率領域を包囲するように配置される、請求項24~26のいずれか一項に記載の光ファイバ。前記高屈折率領域は、第2領域を包囲するように配置される、請求項24~26のいずれか一項に記載の光ファイバ。前記高屈折率材料と前記内側クラッドのバックグラウンド材料との間の屈折率差は、少なくとも約1×10-5である例えば、少なくとも約5×10-5、少なくとも1×10-4、少なくとも約5×10-4、少なくとも約7×10-4、少なくとも1×10-3、少なくとも約1.5×10-3、少なくとも約2×10-3、少なくとも約2.5×10-3、少なくとも約3×10-3、少なくとも約4×10-3であり、前記屈折率差が随意に約1×10-2以下である、請求項1~29のいずれか一項に記載の光ファイバ。第1タイプフィーチャの高屈折率領域は、約5μm2以上の断面積を有する例えば、10μm2以上、約20μm2以上、約30μm2以上、約40μm2以上、約50μm2以上、約60μm2以上、約70μm2以上、約75μm2以上、約80μm2以上、約100μm2以上、約125μm2以上、約150μm2以上、約200μm2以上、約300μm2以上、約400μm2以上、約500μm2以上である、請求項1~30のいずれか一項に記載の光ファイバ。前記内側クラッドの領域は、内側クラッドの第1タイプフィーチャにサポートされた前記光モードの実効屈折率よりも高い屈折率を有した材料を含んでいる、請求項1~31のいずれか一項に記載の光ファイバ。前記材料は、前記内側クラッドのフィーチャが配置される前記内側クラッドの一部を包囲する領域に配置される、請求項31に記載の光ファイバ。第1タイプフィーチャおよび第2タイプフィーチャは、第1タイプフィーチャの大部分に対して、クラッドの最隣接フィーチャが前記内側クラッドの第2タイプフィーチャとなるように配置される、請求項24~32のいずれか一項に記載の光ファイバ。前記内側クラッドの複数のフィーチャは、実質的に六方格子として配置され、第1タイプフィーチャを包囲する6つの最隣接フィーチャは、第2タイプである、請求項33に記載の光ファイバ。第1タイプフィーチャの少なくとも一部の高屈折率領域は、実質的に均一角度屈折率プロファイルを有している、請求項1~35のいずれか一項に記載の光ファイバ。前記高屈折率領域は、角度変化を伴った屈折率プロファイルを有している、請求項1~34のいずれか一項に記載の光ファイバ。前記角度変化は、前記領域の屈折率プロファイルが実質的にn回回転対称を有し、nは、2,3,4,5,6,8,10、または10以上である、請求項36に記載の光ファイバ。前記内側クラッドの第1タイプフィーチャは、光モードをサポート可能であり、該光モードは、前記光信号波長λ1において前記コア基本モードの実効屈折率よりも小さい実効屈折率を有し、且つ前記光信号波長λ1よりも短い波長範囲で、前記コア基本モードの実効屈折率以上の実効屈折率を有している、請求項1~38のいずれか一項に記載の光ファイバ。前記内側クラッドの第1タイプフィーチャは、少なくとも1つのモードをサポート可能であり、該モードは、前記光信号波長λ1において前記コア領域の第1高次モードの実効屈折率以上であり、且つ前記光信号波長λ1の前記コア基本モードの実効屈折率よりも小さい実効屈折率を有している、請求項1~39のいずれか一項に記載の光ファイバ。前記ファイバは、ロッドファイバである、請求項1~40のいずれか一項に記載の光ファイバ。前記内側クラッドの複数のフィーチャは、実質的に六方格子として配置され、前記コア領域は、7個または19個の内側クラッドのフィーチャを、ゲルマニウムおよびフッ素の一方または両方でドープされたシリカ材料などのシリカ材料の中実ロッドに置き換える領域に対応している、請求項1~41のいずれか一項に記載の光ファイバ。光信号を増幅するクラッド励起光ファイバであって、該光ファイバが、長手方向の光軸と該光軸に垂直な断面を有し、前記光ファイバは、少なくとも1つの活性元素を用いてドープされた材料を含有するコア領域であって、該コア領域が、光信号波長λ1において実効屈折率ncを有したコア基本モードに、光信号を案内可能であることと、前記コア領域を包囲するクラッド領域であって、該クラッド領域が、内側クラッドの領域および外側クラッドの領域を含み、前記内側クラッドの領域が、励起波長λpにおいて励起信号を案内可能であり、前記内側クラッドの領域が、屈折率nbを有したバックグラウンド材料と該バックグラウンド材料に配置された内側クラッドの複数のフィーチャとを有し、前記内側クラッドの複数のフィーチャのうちの少なくとも幾つかが、第1タイプフィーチャであり、第1タイプフィーチャが、前記内側クラッドのバックグラウンド材料の屈折率よりも大きな屈折率nrを有した高屈折率材料からなる高屈折率領域に包囲された空孔を含み、前記内側クラッドの複数の第1タイプフィーチャが、高次コアモードを抑制する少なくとも1つのクラッドモードを提供するように配置される、光ファイバ。請求項1~42のいずれか一項に記載の光ファイバを製作する方法であって、該方法は、i.少なくとも1つのコアのプレフォーム要素と内側クラッドの複数のプレフォーム要素とを提供するステップと、ii.前記コアのプレフォーム要素と前記内側クラッドのプレフォーム要素とを、前記内側クラッドのプレフォーム要素が前記コアのプレフォーム要素を包囲するように配置し、随意に、前記コアのプレフォーム要素および前記内側クラッドのプレフォーム要素を包囲するように、外側クラッドの複数のプレフォーム要素および外側クラッドのプレフォーム管の一方または両方を配置して1つのプレフォームとするステップと、iii.該1つになったプレフォームを光ファイバとして引き出すステップとを含み、前記内側クラッドの複数のプレフォーム要素は、高屈折率領域に包囲された空孔を含む複数の第1タイププレフォーム要素を備える方法。前記空孔の半径と高屈折率材料の領域の厚さとの間の比率は、約1よりも小さい、請求項43に記載の方法。前記コアのプレフォーム要素は、少なくとも1つの活性元素を用いてドープされた材料を含有している、請求項43または44のいずれか一項に記載の方法。第1タイププレフォーム要素は、高屈折率領域を包囲するように配置された内側クラッドのバックグラウンド材料の領域をさらに含む、請求項43~45のいずれか一項に記載の方法。前記内側クラッドのプレフォーム要素は、さらに、空孔を含む第2タイププレフォーム要素を複数含む、請求項43~46のいずれか一項に記載の方法。前記内側クラッドのプレフォーム要素を前記六方格子などの格子内に積層するステップを含む、請求項43~47のいずれか一項に記載の方法。第2タイププレフォーム要素は、前記光ファイバ内に前記コア領域を提供するように配置された7個または19個のコアのプレフォーム要素を含む、請求項48に記載の方法。第2タイププレフォーム要素の空孔は、内側クラッドのバックグラウンド材料の領域に包囲される、請求項47~49のいずれか一項に記載の方法。前記内側クラッドの第1タイプフィーチャおよび第2タイプフィーチャは、第1タイププレフォーム要素の大部分に対して、内側クラッドの最隣接プレフォーム要素が、第2タイププレフォーム要素となるように配置される、請求項47~50のいずれか一項に記載の方法。高屈折率材料からなる複数のロッドに包囲された内管と、バックグラウンド材料を含有した外管とを備えた構造を互いに融合させることによって第1タイププレフォーム要素を提供するステップを含み、前記内管の空孔は、融合中に維持される、請求項43~51のいずれか一項に記載の方法。前記プレフォームを光ファイバとして引き出すステップは、前記プレフォームをケーンとして引き出すステップを含み、続いて前記光ファイバとして引き出すステップを含んでいる、請求項43~52のいずれか一項に記載の方法。前記ケーンには、前記ケーンを光ファイバに引き出す前にオーバクラッドが提供される、請求項53に記載の方法。前記外側クラッドのプレフォーム要素の少なくとも一部が空孔を含むとともに、前記内側クラッドのプレフォーム要素を包囲する列に配置されており、エアクラッドが前記光ファイバに提供される、請求項43~54のいずれか一項に記載の方法。光信号波長λ1における光信号を増幅する光増幅システムであって、該システムは、i.請求項2~42のいずれか一項に記載のシングルモードクラッド励起式光ファイバと、ii.励起波長λpにおいて励起光を供給可能な励起光源であって、該励起光源が、前記クラッド励起式光ファイバに光学的に結合されている、前記励起光源と、iii.前記クラッド励起式光ファイバのコアに光信号を放射するように配置されたシード光源とを備えるシステム。前記励起光源は、前記活性元素の吸収スペクトルの波長で光を放射可能なレーザを含む、請求項56に記載のシステム。前記シード光源は、シード光レーザ源を含む、請求項56または57記載のシステム。前記励起光は、ファイバテーパ、励起反射ミラー、レンズ系、または励起送達ファイバへのスプライシングの群から選択された光学素子を使用して、光ファイバのクラッド領域に結合される、請求項56~58のいずれか一項に記載のシステム。光信号波長λ1で光信号を放射する光学レーザシステムであって、該システムは、i.請求項2~43のいずれか一項に記載のクラッド励起光ファイバと、ii.励起波長λpにおいて励起光を供給可能な励起光源であって、該励起光源が、クラッド励起光ファイバに光学的に結合されていることとを備えるシステム。前記励起光源は、前記活性元素の吸収スペクトルの波長で光を放射可能なレーザを備える、請求項60に記載のシステム。Qスイッチ用の要素をさらに備える、請求項61に記載のシステム。図1は、光ファイバ1の設計を示しており、内側クラッドの領域3に配置された内側クラッドのフィーチャはすべて、第1タイプフィーチャ4である。内側クラッドのフィーチャは、六方格子として配置され、コア領域2は、格子内の19個のセルに対応している。図13は、そのような設計を有して具現化された光ファイバ1の画像を示している。第1タイプフィーチャ4は、リング状に形成された断面を有する円筒状構造として実質的に形成された高屈折率領域明るい部分に包囲された空孔暗い部分を備える。六方格子のピッチは、14.5μmであり、空孔の直径は、3.5μmであり、高屈折率領域の厚さは、約3μmである。図15は、光ファイバ1の設計を示しており、図1に示されるファイバに対応している。従って、2つの実施形態の間の相違のみがここで説明される。この実施形態におけるコア領域2は、六方格子中の7個のセルに対応している。図1の実施形態と比較して、この実施形態は、格子の周期性に比べてより少ない内側クラッドのフィーチャ4を有している。ファイバ1は、ここでは内側クラッドのフィーチャの2つのリングのみで図示されているが、当業者は、本発明を逸脱することなく、ファイバが3個、4個、または5個以上などの別の個数のリングを有することが可能であると気付くであろう。図2は、光ファイバ1の設計を示しており、内側クラッドの領域3に配置された内側クラッドのフィーチャの一の部分は、第1タイプフィーチャ4であり、一の部分は、第2タイプフィーチャ5である。内側クラッドのフィーチャは、六方格子として配置され、すべての第1タイプフィーチャ4のうちの最隣接フィーチャは、空孔を含んだ内側クラッドの第2タイプフィーチャ5である。コア領域2は、六方格子中の19個のセルに対応している。第1タイプフィーチャの配置は、ハニカム状またはカゴメ状の格子を規定している。図14は、そのような設計を有した具現化された光ファイバ1の画像を示している。第1タイプフィーチャ4は、リング状に形成された断面を有した円筒状構造として実質的に形成された高屈折率領域明るい部分に包囲された空孔暗い部分を備えている。第2タイプフィーチャ5は、内側クラッド材料に包囲された空孔で作られている。六方格子のピッチは、14.5μmであり、高屈折率領域の厚さは、約4μmであり、第1タイプフィーチャおよび第2タイプフィーチャの空孔の直径は、約2μmである。図16は、光ファイバ1の設計を示しており、図2に示される設計に対応している。従って、2つの実施形態の間の相違のみがここで説明され、同様の参照符号は、同様のまたは対応する特徴を参照する。この実施形態では、内側クラッドの第2タイプフィーチャ5aは、ダウンドープした領域例えば、フッ素でドープしたシリカを含有する。当業者は、図2および図16の実施形態の組合せが、空孔を含んだ一又は内側クラッドの複数の第2タイプフィーチャと、ダウンドープした領域を備えた一又は内側クラッドの複数の第2タイプフィーチャとを備えることが想定されることがあると気付くであろう。このように、内側クラッドの領域の実効屈折率プロファイルの高い適合性を達成可能である。図17は、光ファイバ1の設計を示しており、図2および図16に示される設計に対応している。従って、2つの実施形態の間の相違のみがここで説明される。この実施形態では、内側クラッドの第2タイプフィーチャ5は、コア領域2を直に包囲するように備えられ、第2タイプフィーチャ5は、ファイバ構造の他の箇所では省略されている。図18および図19は、図15および図17の実施形態にそれぞれ対応する光ファイバ1の実施形態を示している。本実施形態では、図15および図17のファイバと比較した場合、内側クラッドの第1タイプフィーチャ4の空孔は、格子周期性に関して直径を増大されている。図3、図4、および図20は、本発明にかかる活性ファイバ設計の例を示しており、コア中の活性材料の濃度が区画化されている。図3では、コア6の活性部分は、コア領域の中心7を包囲するコヒーレントリングとして形成されている。図4では、活性部分8は、コア基本モードがその最大強度を有するコアの中心であって、且つ、励起により引き起こされる高次モードが生じることがある活性材料の濃度がより小さいコア領域の周囲に配置される。図20では、活性部分8は、コア領域全体を実質的に備える。図5および図6示される設計は、外側クラッドの領域が、ハニカム状またはカゴメ状の格子として配置された内側クラッドの第1タイプフィーチャ4を備えた内側クラッドの領域3を包囲するエアクラッド9およびポリマークラッド10を備え、第1タイプフィーチャはそれぞれ、第2タイプフィーチャ5に包囲されている。図7は、第1タイプフィーチャの空孔に関して異なる高屈折率材料の配置を示している。第1タイプフィーチャの中心にある白い領域は、空孔であり、最も暗い部分は、内側クラッドのバックグラウンド材料である。図7のaでは、高屈折率材料は、リングとして配置され、図7のbでは、高屈折率材料の配置は、内側クラッドのバックグラウンド材料の高屈折率内管と外管との間に高屈折率ロッドを配置することによって提供され、空孔を開放したままこの構造を融合させる。図7のcでは、交互する屈折率のロッドが、空孔を包囲する列に配置される。図7のdでは、異なる屈折率の2つの同心配置されたリングが、空孔を包囲している。これらのリングのうちの少なくとも1つの屈折率は、内側クラッドのバックグラウンド材料よりも高い。随意に、両方のリングは、内側クラッドのバックグラウンド材料よりも高い屈折率を有している。図7のeでは、内側クラッドのバックグラウンド材料のリングは、高屈折率領域の内部に配置されている。図7のfでは、高屈折率ロッドの組合せを備えた高屈折率領域と、高屈折率リングとが示されている。図7のgは、多数の副領域sub-regionsとして構成された高屈折率領域を示している。増幅器構成11およびレーザ構成21における本発明にかかる活性光ファイバ1の用途が図8に図示されている。増幅器構成では、光信号は、光源12から放射され、光ファイバ1に結合される前に、アイソレータ13を通過する。励起信号16は、レンズ17,14および励起リフレクタ15を使用して内側クラッドに結合される。光ファイバの内部では、光信号が増幅され、矢符18によって示されるように光源の反対の端部から本システムを出る。レーザシステム21では、リフレクタ要素20は、レーザキャビティの一部を形成し、リフレクタ要素の反対に配置された端面は、キャビティの別のリフレクタを構成することがある。図9は、0.1~0.24の正規化した孔径に対する、不活性ハニカム構造図2の測定されたシングルモード領域を示している。2つのシングルモードの帯域が、コアの外部で高次モードを結合する複数の第1タイプフィーチャのうちの2つの異なるクラッドのモードに対応して示されている。水平線は、信号波長の一例として1030nmに印を付けてあり、垂直線は、ファイバが信号波長のシングルモードである孔径間隔を示している。図10は、1064nmの波長でのハニカム構造図2に図示されるようなの基本モード破線と高次モード破線の曲線小さい傾斜とのシミュレートされたモード屈折率を示している。ファイバ構造は、14.5μmのピッチΛを有し、シリカよりも高い2.5×10-3のリング屈折率を有している。大きい孔径では、ファイバはマルチモードであるが、孔径dは縮小され、正規化されたリング厚さは増大し、クラッドのモードの実効屈折率を増加させ、d/Λ=0.17~0.19のコアの外側で高次モードを結合する傾斜が大きい破線。d/Λ<0.17では、コア基本モードは案内されない。さらに、正規化されたリング厚さが孔径の関数として示されている高屈折率材料の質量保存を想定する。図11および図12は、基本モードと高次コアモードとの間のビーティングbeatingからのオーバレイドビートスペクトルoverlaidbeatspectrumを有した不活性のハニカム状またはカゴメ状の構造の透過スペクトル31を示している。約1050nm~1070nmでは振動は観察されず、それはファイバがこの波長域32でシングルモードであることを示している。コアモードは、波長970nm~1050nmでは案内されないかまたは弱く案内されるだけであり、それはクラッドのモードがコア基本モードと交差し、この波長域35ではコアの外部でそのコア基本モードを結合させることを示している。この阻止帯域は、短い波長の増幅自然放出を抑制することができる。図12では、1070nmよりも大きな波長で振動が観察され、それはマルチモード挙動の開始を示している。コアモードは、1050nmよりも低い波長では案内されないかまたは弱く案内されるだけであり、それはクラッドモードがコア基本モードと交差し、コアの外部でそのコア基本モードを結合させることを示している。"