"一方の主面に制御素子を搭載する薄板部と一方の主面にパワー素子を搭載する厚板部とからなるリードフレームと、前記リードフレームの前記厚板部の一方の主面に対向する他方の主面に一方の主面を接合する放熱板と、前記リードフレームの端子部と前記放熱板の他方の主面を露出させ樹脂封止する樹脂封止体とを有する半導体装置において、前記リードフレームの一方の主面素子搭載面が前記端子部の一方の主面を含み平坦である平坦部と、前記厚板部は他方の主面に向かって幅が狭くなる傾斜部と、前記放熱板は一層の絶縁層で接続されている接続部を備えることを特徴とする半導体装置。前記放熱板は前記樹脂封止体の両端部に設けられたネジ止め部を除いた大きさの面積を有し、前記制御素子を搭載した前記リードフレームの前記薄板部の下部まで位置しており、前記薄板部と前記放熱板との間に前記樹脂封止体が介在していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記リードフレームはジルコニウム入り銅合金であることを特徴とする請求項1,2に記載の半導体装置。近年、高出力、大電流化に対し、パワー半導体チップであるスイッチング素子を複数搭載する要求があるので、半導体装置では、発熱量がさらに大きくなる。よって、さらに放熱効率を高める必要がある。しかしながら、従来技術は、フレームと金属箔が薄いので、さらなる放熱効率を高めるには限界があり、放熱不足が懸念されるという課題がある。また、ひとつの金属板に素子を搭載するので、複数のパワー素子を搭載する場合には対応できないという課題がある。従って、本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、放熱性を高めて、複数のパワー素子を搭載することができる半導体装置を提供することを目的とする。上述の課題を解決するために、本発明は、以下に掲げる構成とした。本発明の半導体装置は、一方の主面に制御素子を搭載する薄板部と一方の主面にパワー素子を搭載する厚板部とからなるリードフレームと、リードフレームの厚板部の一方の主面に対向する他方の主面に一方の主面を接合する放熱板と、リードフレームの端子部と放熱板の他方の主面を露出させ樹脂封止する樹脂封止体とを有する半導体装置において、リードフレームの一方の主面素子搭載面が端子部の一方の主面を含み平坦である平坦部と、厚板部は他方の主面に向かって幅が狭くなる傾斜部と、放熱板は一層の絶縁層で接続されている接続部を備えることを特徴とする。また、放熱板は樹脂封止体の両端部に設けられたネジ止め部を除いた大きさの面積を有し、制御素子を搭載したリードフレームの薄板部の下部まで位置しており、薄板部と放熱板との間に樹脂封止体が介在していることを特徴とする。また、リードフレームはジルコニウム入り銅合金であることを特徴とする。本発明は、リードフレームの放熱部と放熱板を備えているので、さらに放熱効率を向上させることが可能な半導体装置を提供することができる効果を奏する。また、分割された複数のダイパットを備えたリードフレームを備えているので、複数のパワー素子を搭載することが可能な半導体装置を提供することができる効果を奏する。以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものであり、寸法関係の比率等は現実のものとは異なる。したがって、具体的な寸法等は以下の説明を照らし合わせて判断するべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。以下、図面を参照して本発明の実施例1の係る半導体装置1の構成を説明する。図1は、半導体装置を示す内部平面図である。図2は、半導体装置を示す側面断面図である。図3は、半導体装置を示す平面図である。図4は、半導体装置を示す下面図である。尚、以下の説明において、各図に矢印X、矢印Yで方向を示す。図1乃至図3に示すように、実施例1に係る半導体装置1は、半導体素子2と、リードフレーム3と、放熱板4と、樹脂封止体5とを備えている。半導体素子2は、制御素子11とパワー素子12とが複数搭載されている。制御素子11にはコントロールICMICが使用され、パワー素子12には絶縁ゲート型バイポーラトランジスタIGBTとダイオードFRDが使用される。尚、パワー素子12は、IGBTに限定されるものではなく、パワートランジスタ具体的にはMOSFETmetaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor、MISFETmetalinsulatedsemiconductorfieldeffecttransistor等のスイッチング素子を使用してもよい。リードフレーム3は、インナーリード13、薄板部ダイパッド14と、厚板部ダイパッド15と、端子部16とで構成されている。例えば銅又は銅合金を使用した金属板にエッチング加工又は打ち抜き加工を行い形成されている。更に薄板部ダイパッド14の一方の主面と、厚板部ダイパッド15の一方の主面は同一平面で形成されている平坦部18が備わっている。また、半導体装置が複数形成できるように複数個のパターンが連結されている図示せず。インナーリード13は、一部の一方の端部が薄板部ダイパッド14と厚板部ダイパッド15に接続されており、それ以外の一方の端部は内部接合するボンディングバッド部位となっている。例えば、ワイヤボンディング装置によりワイヤを素子と電気的に接続している。また、他方の端部は端子部16と連結されている。薄板部ダイパッド14は、平面形状において矩形状の制御素子11が搭載できるように、制御素子11よりやや大きい面積で、ほぼ正方形形状に近い形状を有している。更に、図2に示すように、薄板部ダイパッド14の厚さt2はインナーリード13の厚さt2と同等の厚さにより構成されている。更に、薄板部ダイパッド14の端部にはインナーリード13が一体に構成されている。例えば、素子はマウント装置により、半田等でダイパッドに機械的電気的に接合される。また、絶縁性を有する樹脂接着剤で機械的のみに接合することも可能である。ここでは薄板部ダイパッド14は3箇所設けられている。厚板部ダイパッド15は、平面形状において方向Xに長さL1、方向Yに幅W1を有する細長い長方形により構成されている。更に、図2に示すように、厚板部ダイパッド15の厚さt1はインナーリード13の厚さt2に比べて厚く構成されている。厚板部ダイパッド15の厚さt1が厚く構成されているので、パワー素子12IGBT、FRDの動作により発生する熱を厚板部ダイパッド15のそれらを搭載した表面から裏面までの熱伝達経路における熱抵抗を減少することができ、放熱板4に伝熱させ、樹脂封止体5の裏面からの放熱効果を向上することができる。更に、厚板部ダイパッド15の端部にはインナーリード13が一体に構成されているので、ダイパッドからリードを通して上述の熱を樹脂封止体10の側面から放熱することができ、放熱効果を向上することができる。ここでは、厚板部ダイパッド15は6箇所設けられている。例えば、パワー素子12はマウント装置により、熱伝導の良い半田等でダイパッドに機械的電気的に接合される。また、厚板部ダイパッド15は、図2に示すように、断面形状において傾斜部17を有しており、厚板部ダイパッド15の一方の主面素子搭載面から他方の主面にかけて、幅が狭くなるように形成されている。例えば、リードフレーム3の素材には圧延異形条素材を使い、傾斜部17をつくることができる。また、傾斜部17は機械的に切削加工でつくることも可能である。この数値に必ずしも限定されるものではないが、厚板部ダイパッド15の長さL1は例えば6.0mm-8.0mmに設定され、幅W1は例えば4.0mm-6.0mmに設定されている。厚板部ダイパッド15の厚さt1は上述のように放熱効果を高めるために例えば1.5mm-2.5mmに設定されている。インナーリード13の厚さt2は、電気伝導性を高めつつ、加工を容易にするために、例えば0.4mm-0.6mmに設定されている。また、厚板部ダイパッド15から導出される端子部16の幅を1.6mm-2.4mmW1の40とするとよい。t1はt2の2倍以上を有しているので、過渡的な熱吸収が可能である。端子部16は、制御素子11側と、パワー素子12側のそれぞれのインナーリード13の厚さt2と同等の厚さにより連結し構成されている。また、端子部16の一方の主面は平坦であり、インナーリード13と薄板部ダイパッド14と厚板部ダイパッド15と一方の主面と共通である。端子部16は樹脂封止体5から導出され、外部の電気的入出力端子、すなわち外部リードとなる。放熱板4は、平面形状は矩形形状をした金属板の放熱フィンである。例えば、銅又は銅合金が使用でき、プレス金型装置により打ち抜き加工でつくることができる。放熱板4の寸法は、例えば、幅9.0mm-11.0mm、長さ39.0mm-41.0mm、厚さ0.3mm-0.5mmに設定されている。また、放熱板4は、接続部6によって、厚板部ダイパッド15の他方の面に接合されている。接続部6には高放熱絶縁材には例えばエポキシ系樹脂を使用することができる。例えば、厚さは0.1mmとすることができる。また、放熱板4の大きさは、厚板部ダイパッド15の接合部より大きく、薄板部ダイパッド14制御素子搭載部の下部まで広がっており、薄板部ダイパッド14と放熱板4の間には、樹脂封止体5が存在している。樹脂封止体5は、長方形の矩形形状をしており、半導体装置を基板等への実装時にネジ止めが可能なネジ止め部7を短辺側図中方向Xに有している。半導体素子2と、リードフレーム3の端子部16を除き、半導体素子2、インナーリード13、薄板部ダイパッド14、厚板部ダイパッド15と、他方の面を除いた放熱板4を樹脂で覆っている。樹脂封止体5には例えばエポキシ樹脂が使用され、この樹脂封止体5は例えばトランスファーモールド法により成形されている。樹脂封止体5の寸法は、例えば、幅19.0mm-21.0mm、長さ49.0mm-51.0mm、厚さ4.9mm-5.1mmに設定されている。次に、本発明の実施例1の係る半導体装置1の製造方法を説明する。まず、図2に示すように、半導体素子2とリードフレーム3を準備する。次に、制御素子11を薄板部ダイパッド14にマウント装置より半田等で搭載する。パワー素子12を厚板部ダイパッド15にマウント装置より半田等で搭載する。マウント工程次に、制御素子11及びパワー素子12とリードフレーム3のインナーリード13の一方の端部にワイヤボンディング装置により、ワイヤ9を電気的に接続させる。ワイヤ9は制御素子11には金細線が使用され、パワー素子12にはアルミ太線が使用される。ワイヤ接続工程次に、放熱板4を準備し、一方の主面に絶縁性樹脂を塗布し、パワー素子12が搭載されワイヤ9が接続されたリードフレーム3の厚板部ダイパッド15の他方の主面を接合させ、接続部6を備えたリードフレームの組立体が完成する。絶縁性樹脂の塗布は、ダイパッド側へ塗布してもよい。組立工程次に、リードフレーム組立体を樹脂封止金型の上下金型に挟持させ、樹脂封止金型のパッケージ形状をした空間であるキャビティ部に樹脂を充填して樹脂封止体5を成形する。この時、放熱板4と厚板部ダイパッド15を載置する下金型のキャビティ部の深さは放熱板4と厚板部ダイパッド15を接合した寸法より浅くさせ、上下金型で挟持した時に放熱板4の他方の面をキャビティ底面に押しつけるようにする。例えば、組立体寸法より0.005mmから0.05mm浅くするとよい。これにより、樹脂封止金型での挟持を強固におこなうことができる。樹脂封止工程次に、複数の樹脂封止体が成形されたリードフレームの枠体図示せず等の不要部を切断する。図3及び図4に示す個片の半導体装置1に分割される。分割工程最後に樹脂封止体5から導出された端子部16を所望の形状に形成し、半導体装置が完成する。リードフォーミング工程次に、本発明の実施例1の係る半導体装置1の効果を説明する。上述したように、リードフレームのパワー素子搭載部を厚板形状に形成した放熱部として、さらにパワー素子搭載部と反対側に絶縁層である接続部を介して放熱板を備えているので、パワー素子の動作により発生する熱を断面積が大きく熱抵抗が小さいリードフレーム厚板部ダイパッドを熱伝達し、放熱板を通して放熱板の露出面である樹脂封止体の裏面から効率よく樹脂封止体の外部に放出することができる。また、リードフレームを用いるので、ダイパッドを所望の数に分割することができ、複数のダイパットを備えるので、複数のパワー素子を搭載することができる。また、リードフレームは屈曲部を持たず、平坦部を備えているので、樹脂成形時に強固に成型金型に挟持することができ、キャビティ寸法も浅く設定しているので、放熱板を強固に下金型のキャビティ部底面に押さえ付けるようにして樹脂成形することができる。これにより、樹脂封止体から露出する放熱板の他方の主面に樹脂フラッシュが漏れ出ることを防ぐ。これにより、放熱の阻害になる樹脂が存在しなく、効率のよい放熱ができる。また、接続部は1箇所、1層であるので、組立精度に影響が少なくでき、樹脂成形時の押さえ付けと熱伝達に有利である。さらに、接続部の位置は厚板部ダイパッドと放熱板の組立体において、素子搭載部の下方30以下としたことにより、過渡的は熱吸収効果がある。また、厚板部ダイパッドは、傾斜部を有しているので、端子部からの押し圧を効率よく放熱板に力伝達して、接合を強固にしている。さらに、放熱板に樹脂封止体等の引っ張り応力が生じても、素子搭載面より接続部面積が狭いので、素子に影響を及ぼすことがない。また、制御素子下部と放熱板との間に樹脂封止体を備えるので、パワー素子から発生する熱が放熱板へは伝わるが、樹脂が存在するために、放熱板に伝達した熱が制御素子まで伝わらず断熱性を有する、制御素子の誤動作や損傷を防止することができ、半導体装置の品質を向上することができる。ここでは、樹脂の挿入間隔がリードフレームの厚さt2の2倍以上をとることができる。また、図4に示すように、樹脂封止体の投影面積の40以上の大きい面積の放熱板を有し、絶縁層の接続部を介した放熱板を有するので、絶縁性と継続的放熱効果を両立することができる。以下、本発明の実施例2の係る半導体装置1の構成を説明する。リードフレーム3において、素材にジルコニウム入り銅合金を用いる。例えば、銅にジルコニウムを0.02入れたものを使用することができる。次に、実施例2による半導体装置1の製造方法は実施例1と同じであるので、省略し、効果を説明する。ジルコニウム入り銅合金により、リードフレーム3の機械強度を強固にすることができる。純銅の強度を上回り、熱伝導性や耐熱性に優れているので、製造工程で加わる加熱によって、弾性力が低下することが無く、製造中や製造完成後も初期と同様の機械強度を保つことができる。以上の実施例1、実施例2により、本発明に係る半導体装置は、リードフレームの放熱部と放熱板を備えているので、熱伝達を効率よく、さらに放熱効率を向上させることが可能である。また、分割された複数のダイパットを備えているので、パワーモジュール構造に対応でき、複数のパワー素子を搭載することが可能である。上述のように、本発明の実施の形態を記載したが、この開示の一部をなす記述及び図面はこの発明を限定するものであると理解するべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかになるはずである。例えば、上述の実施例において、半導体装置1の最終的な端子部形状を説明していないが、ピン挿入型、面実装型の形状のいずれであっても構わない。また、半導体素子の搭載数は任意の数量であっても構わない。また、樹脂封止体の形状を長方形としたが、任意の形状であっても構わない。"