半導体基板上にボロンを含む膜を形成する工程と、前記ボロンを含む膜上に酸化シリコンを含む膜を形成する工程と、前記酸化シリコンを含む膜をパターニングする工程と、前記パターニングされた前記酸化シリコンを含む膜をマスクとして、前記ボロンを含む膜を、塩素を含むガスを用いてエッチングする工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記ボロンを含む膜を形成する工程において、前記ボロンを含む膜を、ボロンを90原子以上含む膜とすることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。前記ボロンを含む膜を形成する工程において、前記ボロンを含む膜の厚さを、300nm以上とすることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。前記エッチングする工程において、前記塩素を含むガスを、塩素の単一ガスとすることを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。前記半導体基板上に、シリコンを含む導電膜と酸化シリコンを含む絶縁膜とを交互に積層した積層膜を形成する工程と、前記エッチングされた前記ボロンを含む膜をマスクとして、前記積層膜をエッチングする工程と、をさらに備え、前記ボロンを含む膜は、前記積層膜上に形成することを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。前記積層膜を形成する工程において、前記シリコンを含む導電膜を、ボロンが添加されたポリシリコン膜とし、前記酸化シリコンを含む絶縁膜を、TEOSを用いて形成された膜とすることを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。前記シリコンを含む導電膜と前記酸化シリコンを含む絶縁膜とを交互に5層以上積層することを特徴とする請求項5または6に記載の半導体装置の製造方法。前記積層膜をエッチングする工程において、四フッ化メタンを含むガスを用いることを特徴とする請求項5~7のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。前記積層膜をエッチングする工程において、前記四フッ化メタンを含むガスには、臭化水素が含まれることを特徴とする請求項8記載の半導体装置の製造方法。前記積層膜をエッチングする工程において、イオンのエネルギーを1000eV以下としてエッチングすることを特徴とする請求項5~9のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。本発明の実施形態は、低コスト化を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上にボロンを含む膜を形成する工程と、前記ボロンを含む膜上に酸化シリコンを含む膜を形成する工程と、前記酸化シリコンを含む膜をパターニングする工程と、前記パターニングされた前記酸化シリコンを含む膜をマスクとして、前記ボロンを含む膜を、塩素を含むガスを用いてエッチングする工程と、を備える。実施形態以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。図1~図4は、実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程断面図である。図5は、横軸にボロン膜中のボロン濃度をとり、縦軸にエッチング速度をとって、実施形態におけるボロン膜中に含まれるボロン濃度とエッチング速度の関係を例示するグラフ図であり、aはエッチングガスにC4F8ガスを用いた場合を示し、bはエッチングガスにCF4ガスを用いた場合を示し、cはエッチングガスにCHF3ガスを用いた場合を示す。図6は、横軸に反応性イオンエッチングのときのイオンエネルギーをとり、左の縦軸にエッチング速度をとり、右の縦軸にエッチング選択比をとって、実施形態におけるイオンエネルギーとエッチング速度及びエッチング選択比の関係を例示するグラフ図である。図1に示すように、先ず、半導体基板8、例えば、シリコン基板上に、絶縁膜7を形成する。その後、絶縁膜7上に導電膜6を形成する。さらに、導電膜6上に絶縁膜7を形成し、絶縁膜7上に導電膜6を形成する。以下同様に、絶縁膜7及び導電膜6を交互に形成する。このようにして、絶縁膜7と導電膜6とが交互に多層積層された積層膜9を形成する。導電膜6は、例えば、ボロンが添加されたポリシリコン膜である。ボロンが添加されたポリシリコンは、例えば、プラズマCVDchemicalvapordeposition:化学気相成長法により、50nmの厚さに形成する。絶縁膜7は、例えば、酸化シリコン膜である。酸化シリコン膜は、例えば、TEOStetraethylorthosilicate:オルトケイ酸テトラエチルを用いたプラズマCVD法により、35nmの厚さに形成する。積層膜9は、導電膜6と絶縁膜7を、交互に5層以上、例えば24層積層して形成する。次に、積層膜9上にボロン膜5を形成する。ボロン膜5は、LPCVDlowpressurechemicalvapordeposition:低圧化学気相成長法により300nm以上、例えば、700nmの厚さで形成する。ボロン膜5には、ボロンを90原子以上の濃度で含有させる。そして、ボロン膜5上に、酸化シリコン膜4を形成する。酸化シリコン膜4は、TEOSを用いたプラズマCVD法により、300nm以上、例えば、500nmの厚さで形成する。その後、酸化シリコン膜4上に、下層レジスト膜3を形成する。下層レジスト膜3は、酸化シリコン膜4上にレジスト材料をスピン塗布法により塗布して形成する。下層レジスト膜3は、300nmの厚さで形成する。下層レジスト膜3上に、SOGSpinonGlassスピンオングラス膜2を形成する。SOG膜2は、下層レジスト膜3上に溶剤に溶かした酸化シリコンをスピン塗布法により塗布し、熱処理して形成する。SOG膜2は、110nmの厚さに形成する。SOG膜2上に上層レジスト膜1を形成する。上層レジスト膜1は、レジスト材料をSOG膜2上にスピン塗布法により塗布して形成する。上層レジスト膜1、SOG膜2及び下層レジスト膜3により、SMAPStackedMaskProcess膜10が構成される。次に、リソグラフィー法により、上層レジスト膜1に複数のホール12を形成することにより、上層レジスト膜1にホールパターンを形成する。ホール12の直径は、例えば70nmとする。そして、ホールパターンが形成された上層レジスト膜1をマスクとして、SOG膜2をエッチングする。これにより、SOG膜2にホール12が形成されたホールパターンが転写される。次に、ホールパターンが形成されたSOG膜2をマスクとして、下層レジスト膜3をエッチングする。これにより、下層レジスト膜3にホール12が形成されたホールパターンが転写される。さらに、ホールパターンが形成された下層レジスト膜3をマスクとして、酸化シリコン膜4をエッチングする。これにより、酸化シリコン膜4にホール12が形成されたホールパターンが転写される。そして、アッシングを行い、下層レジスト膜3を剥離する。これにより、図2に示すように、ホール12を含むホールパターンが形成された酸化シリコン膜4のマスクが得られる。次に、酸化シリコン膜4をマスクとして、ボロン膜5をエッチングする。ボロン膜5をエッチングするときのエッチング条件について説明する。エッチングは、RIEreactiveionetching:反応性イオンエッチング法により行う。エッチングガスとして塩素Cl2ガスを含むガスを用いる。塩素の単一ガスをエッチングガスとして用いてもよい。エッチングは、チャンバー内に印加する電磁波の周波数が100MHzと13.56MHzの2周波重畳のRIE装置を用いて実施する。装置内の圧力を、例えば、30ミリトールmTとし、被エッチング物と装置との間に印加する100MHzの高周波のパワーを1300Wとする。印加する13.56MHzの高周波のパワーを1000W以上、好ましくは3000Wとする。このようにして、図3に示すように、ボロン膜5にホール12を含むホールパターンを形成する。形成されたホール12の直径は、70nmである。ホール12の直径に比べて、ホール12が形成されたボロン膜5の厚さが厚い。よって、ホール12の形状は、高アスペクトの形状となっている。なお、ボロン膜5のエッチング終了時に、マスクとして使用していた酸化シリコン膜4が、ボロン膜5上に残留していても、剥離を行う必要はない。残留した酸化シリコン膜4は、積層膜9をエッチングするときもマスクとして使用できる。次に、ボロン膜5をマスクとして、積層膜9をエッチングする。積層膜9をエッチングするときのエッチング条件について説明する。エッチングはRIE法で行う。エッチングガスとして四フッ化メタンCF4ガスを用いる。なお、エッチングガスとして、四フッ化メタンガスの単一ガスを用いたが、四フッ化メタンガスに臭化水素HBrを添加してもよい。臭化水素の添加量は、四フッ化メタンガスに対して流量比で1/10以下が望ましい。エッチングは、電磁波の周波数が100MHzと13.56MHzの2周波重畳のRIE装置を用いる。装置内の圧力を30ミリトールmT、被エッチング物と装置との間に印加する100MHzの高周波のパワーを1000Wとする。印加する13.56MHzの高周波のパワーを200Wとする。このようにして、図4に示すように、積層膜9にホール12を含むホールパターンを形成する。ホール12の直径に比べて、ホール12が形成された積層膜9の厚さが厚い。よって、ホールの形状は、高アスペクトの形状となっている。積層膜9にホール12を形成した後、ボロン膜5を除去する。ボロン膜5は、例えば、ウェットエッチング又はCMPchemicalmechanicalpolishing:化学的機械研磨法により除去することができる。次に、積層膜9のホールの側面上に、酸化シリコン膜を形成する。その後、酸化シリコン膜上に、窒化シリコン膜を形成する。その後、窒化シリコン膜上に酸化シリコン膜を形成する。これにより、積層膜9の側面上にいわゆるONOoxidenitrideoxide膜図示せずを形成する。さらに、ONO膜上にシリコン膜を形成する。このようにして、シリコン膜からなるピラーと導電膜6との交点にメモリセルを形成する。次に、本実施形態の効果について説明する。本実施形態に係る半導体装置1の製造方法によれば、酸化シリコン膜4をマスクとしてボロン膜5をエッチングする際に、エッチングガスとして塩素ガスを含むガスを用いるので、エッチング時に堆積物の発生を抑制することができる。エッチングガスに含まれる塩素の割合は高いほど望ましく、塩素の単一ガスだと、なお望ましい。エッチングガスに塩素を含むことにより、ホール12の内部が堆積物で埋まりにくく、エッチングが途中で停止することがなくなる。また、ホール12の下部の側面に堆積物が付着しにくく、ホール12がテーパ形状になりにくくなる。よって、ボロン膜5に高アスペクトのホールパターンを歩留まりよく形成することができる。また、ボロン膜5をエッチングする際に、酸化シリコン膜4をマスクとして用いている。酸化シリコン膜4も、ボロン膜5と同様に、積層膜9をエッチングする際にマスクとして用いることができるため、積層膜9をエッチングする際に、酸化シリコン膜4がボロン膜5上に残留していても、わざわざ酸化シリコン膜4を剥離する必要がない。よって、製造工程を短縮することができる。これにより、生産コストを低下させることができる。さらに、積層膜9をエッチングする際に、エッチングガスとして四フッ化メタンガスを用いている。これにより、積層膜9を構成する導電膜6と絶縁膜7の両方の膜を一括してエッチングすることができる。また、積層膜9をエッチングする際に、エッチングマスクとして、ボロン膜5を用いている。これにより、積層膜9を構成する導電膜6と絶縁膜7の両方の膜に選択比を持って一括してエッチングすることができる。したがって、酸化膜をマスクとして用いる場合と比べ、マスクの膜厚を薄くすることができ、製造工程を短縮することができる。図5に示すように、積層膜9をエッチングする際に、エッチングガスとして、パーフルオロシクロブタンC4F8、四フッ化メタンガス及びトリフルオロメタンCHF3のいずれを用いても、ボロン膜5に含まれるボロン濃度が高いほど、ボロン膜5のエッチング速度は低くなる。これは、ボロン膜5に含まれるボロン濃度が高いほど、エッチングマスクの材料として優れていることを示している。従って、ボロン膜5中のボロン濃度は高いほど好ましく、特に90原子以上の場合に、マスクの材料として好ましいエッチング速度となる。なお、図中の菱形、四角及び三角は、エッチングガス中に含まれる酸素の流量を示している。図6に示すように、反応性イオンエッチングにおける高周波のパワーをイオンエネルギーとして表した場合に、シリコン膜12のエッチング速度は、200~1800eVの範囲内においてはあまり変化しない。酸化シリコン膜4のエッチング速度は、イオンエネルギーの増加と共に増加するが、200~500eVの範囲における傾きは、600eV~1800eVの範囲における傾きより大きい。ボロン膜5のエッチング速度もイオンエネルギーの増加と共に増加する。これにより、ボロン膜5に対するシリコン膜12のエッチングの選択比13は、イオンエネルギーの増加と共に減少する。一方、ボロン膜5に対する酸化シリコン膜4のエッチングの選択比14は、イオンエネルギーが200eV~600eVの範囲の傾きは正であるが、600eV~1800eVの範囲の傾きは負である。これは、酸化シリコン膜4のエッチング速度が、600eV付近で変化するためである。しかしながら、200eV~1800eVの範囲において、選択比14は4以上を示している。したがって、ボロン膜5に対する積層膜9のエッチング選択比を高くするためには、ボロン膜5に対するシリコン膜12のエッチング選択比13を高くすればよい。したがって、イオンエネルギーは1000eV以下が望ましい。さらに500eV以下であると、シリコン膜12及び酸化シリコン膜4のいずれに対しても選択比2を確保することができる。さらにまた、200eVであると選択比4を確保することができる。積層膜9のエッチングの際に、イオンエネルギーが1000eV以下、特に500eV以下の場合、スパッタによりボロン膜5が削られる量が小さくなるため、ボロン膜5の上面とホール12の側面との接合部のいわゆる肩の部分のエッチング量を小さくすることができる。よって、ホール12の形状を精度良く形成することができる。エッチングガスとして、四フッ化メタンガスに臭化水素を添加することにより、デポが増加する。これにより、ホール12の径の拡大やボーイングを抑えることが可能となる。四フッ化メタンガスの流量に対して臭化水素の流量を1/10以下とするのが好ましい。1/10以上の流量で添加するとデポが増加し、ホール12が埋まってエッチングができなくなってしまう。なお、本実施形態において、ホール12を含むホールパターンの形状をしたエッチングマスクを用いたが、ホール12の代わりに溝を含むパターンの形状をしたエッチングマスクを用いてもよい。また、本実施形態においては、積層膜9を構成する導電膜6及び絶縁膜7として、ポリシリコン膜とシリコン酸化膜を用いた。しかし、これに限らない。例えば、導電膜6として金属膜、シリサイド膜金属酸化膜を用い、絶縁膜として、窒化シリコン膜、金属酸化物を用いてもよい。さらに、導電膜6及び絶縁膜7を積層膜を構成する層毎によって異なる材料を用いてもよい。比較例次に、実施形態の比較例について説明する。図7は、実施形態の比較例に係る半導体装置の製造方法を例示する工程断面図である。本比較例においては、ボロン膜5の代わりに、カーボン膜11を用いる。図7に示すように、カーボン膜11は、積層膜9上にCVD法で形成する。その後、前述の実施形態と同様に、パターニングされた酸化シリコン膜4をマスクとして、カーボン膜11をエッチングする。その後、パターニングされたカーボン膜11をマスクとして、積層膜9をエッチングする。比較例に係る半導体装置の製造方法によれば、カーボン膜11でも導電膜6及び絶縁膜7に対して、選択比を確保することができる。しかし、カーボン膜11をマスクとして用いると、積層膜9のエッチング時にカーボン膜11もエッチングされてプラズマ中にカーボンが供給される。このためカーボンを含むラジカルが生成されデポ物15がウエハ上にも堆積する。カーボンを含むラジカルは付着確率が高いためホール12の間口に堆積しホール12が閉塞してしまう。よって、半導体装置の製造において歩留まりが悪化する。これを防ぐために、エッチングガスに酸素を混入し、カーボンの微粒子を酸化して除去することが考えられるが、これは、カーボン膜のエッチング速度を増加させて、エッチングの選択比を確保できないこととなる。以上説明した実施形態によれば、低コスト化を図ることができる半導体装置の製造方法を提供することができる。以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明及びその等価物の範囲に含まれる。