"第1電極と、第2電極と、少なくともこれらの電極間に設けられた有機半導体材料層とを有し、前記有機半導体材料層を介して前記第1電極と前記第2電極との間で電荷を移動させるように構成された半導体装置において、前記第1電極及び前記第2電極が、導電性高分子材料と導電型制御用のドーパントとの混合物からなる、半導体装置。前記有機半導体材料層の導電型と、前記ドーパントの導電型とが同じである、請求項1に記載の半導体装置。前記導電性高分子材料が、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリフェニレン、ポリフラン、ポリセレノフェン、ポリイソチアナフテン、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンビニレン、ポリチェニレンビニレン、ポリナフタレン、ポリアントラセン、ポリピレン、ポリアズレン、フタロシアニン、ペンタセン、メロシアニン及びポリエチレンジオキシチオフェンからなる群より選択された少なくとも一種の有機高分子材料と、ヨウ素、過塩素酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、4フッ化硼酸、5フッ化ヒ素、6フッ化リン酸、アルキルスルホン酸、パーフルオロアルキルスルホン酸、ポリアクリル酸、ポリスチレンスルホン酸及びドデシルベンゼンスルホン酸からなる群より選ばれた少なくとも一種との混合物からなる、請求項1に記載の半導体装置。前記ドーパントが、テトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン及びテトラシアノテトラフルオロキノジメタンからなる群より選ばれた少なくとも一種からなるアクセプタ分子であるか、或いは、テトラチアフルバレン、ペリレン及びメチレンジチオテトラセレナフルバレンからなる群より選ばれた少なくとも一種からなるドナー分子である、請求項1に記載の半導体装置。前記有機半導体材料が、銅フタロシアニン、ポリ3ヘキシルチオフェン及びペンタセンからなる群より選ばれた少なくとも一種からなるp型半導体材料であるか、或いは、ペリレン誘導体、C60及びカーボンナノチューブからなる群より選ばれた少なくとも一種からなるn型半導体材料である、請求項1に記載の半導体装置。前記第1電極及び前記第2電極の内、これら両電極間の少なくとも前記有機半導体材料層側が、前記混合物によって形成されている、請求項1に記載の半導体装置。前記ドーパントが表面に付着した金属粒子が前記導電性高分子材料に混合されている、請求項1に記載の半導体装置。ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ソース電極としての前記第1電極と、ドレイン電極としての前記第2電極と、チャンネル領域としての前記有機半導体材料層とからなる有機電界効果トランジスタとして構成された、請求項1に記載の半導体装置。第1電極と、第2電極と、少なくともこれらの電極間に設けられた有機半導体材料層とを有し、前記有機半導体材料層を介して前記第1電極と前記第2電極との間で電荷を移動させるように構成された半導体装置において、前記第1電極及び前記第2電極が、導電層と、この導電層のうち前記両電極間の少なくとも前記有機半導体材料層側を被覆する導電性被覆層とによって形成され、この導電性被覆層が導電性高分子材料と電荷移動錯体との混合物からなる、半導体装置。前記有機半導体材料層の導電型と、前記電荷移動錯体の導電型とが同じである、請求項9に記載の半導体装置。前記導電性高分子材料が、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリフェニレン、ポリフラン、ポリセレノフェン、ポリイソチアナフテン、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンビニレン、ポリチェニレンビニレン、ポリナフタレン、ポリアントラセン、ポリピレン、ポリアズレン、フタロシアニン、ペンタセン、メロシアニン及びポリエチレンジオキシチオフェンからなる群より選択された少なくとも一種の有機高分子材料と、ヨウ素、過塩素酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、4フッ化硼酸、5フッ化ヒ素、6フッ化リン酸、アルキルスルホン酸、パーフルオロアルキルスルホン酸、ポリアクリル酸、ポリスチレンスルホン酸及びドデシルベンゼンスルホン酸からなる群より選ばれた少なくとも一種との混合物からなる、請求項9に記載の半導体装置。前記電荷移動錯体が、テトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン及びテトラシアノテトラフルオロキノジメタンからなる群より選ばれた少なくとも一種からなるアクセプタ分子であるか、或いは、テトラチアフルバレン、ペリレン及びメチレンジチオテトラセレナフルバレンからなる群より選ばれた少なくとも一種からなるドナー分子である、請求項9に記載の半導体装置。前記導電層が、金、銅、銀、アルミニウム、白金及びパラジウムからなる群より選択された少なくとも一種によって形成されている、請求項9に記載の半導体装置。前記有機半導体材料が、銅フタロシアニン、ポリ3ヘキシルチオフェン及びペンタセンからなる群より選ばれた少なくとも一種からなるp型半導体材料であるか、或いは、ペリレン誘導体、C60及びカーボンナノチューブからなる群より選ばれた少なくとも一種からなるn型半導体材料である、請求項9に記載の半導体装置。前記電荷移動錯体が表面に付着した金属粒子が前記導電性高分子材料に混合されている、請求項9に記載の半導体装置。ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ソース電極としての前記第1電極と、ドレイン電極としての前記第2電極と、チャンネル領域としての前記有機半導体材料層とからなる有機電界効果トランジスタとして構成された、請求項9に記載の半導体装置。請求項1~請求項16の何れか1項に記載の半導体装置を駆動素子として具備する光学装置。電界発光装置、液晶表示装置又は太陽電池である、請求項17に記載の光学装置。請求項1~請求項16の何れか1項に記載の半導体装置によって構成されたセンサ装置。これらの問題点としては、例えば、チオール基を用いた界面の改質には、Au等の、チオール基と相互作用のある特定のソース電極及びドレイン電極が必要である。また、テトラシアノキノジメタン等の電荷移動錯体を用いた界面の改質には、無機電極にしっかりとドーパント分子を成膜する必要があるため、真空蒸着法が必要である。また、これらの場合、ソース電極及びドレイン電極と半導体材料層との間に、必然的にドーパント分子層が必要になるため、これらの分子層を介した伝導になり、必ずしも接触抵抗を軽減させるための好適な構造とは言えない。また、従来の電界効果型トランジスタを構成する無機電極は、真空蒸着法やスパッタ法等の物理的成膜法によって形成しているので、プロセスの簡便化には適していない。本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、その目的は、電極と有機半導体材料層との間の接触抵抗を低下させることができ、これを簡便な製造プロセスで実現できる、半導体装置、光学装置及びセンサ装置を提供することにある。即ち、本発明は、第1電極と、第2電極と、少なくともこれらの電極間に設けられた有機半導体材料層とを有し、前記有機半導体材料層を介して前記第1電極と前記第2電極との間で電荷を移動させるように構成された半導体装置において、前記第1電極及び前記第2電極が、導電性高分子材料と導電型制御用のドーパントとの混合物からなる、半導体装置に係わるものである。本発明は又、第1電極と、第2電極と、少なくともこれらの電極間に設けられた有機半導体材料層とを有し、前記有機半導体材料層を介して前記第1電極と前記第2電極との間で電荷を移動させるように構成された半導体装置において、前記第1電極及び前記第2電極が、導電層と、この導電層のうち前記両電極間の少なくとも前記有機半導体材料層側を被覆する導電性被覆層とによって形成され、この導電性被覆層が導電性高分子材料と電荷移動錯体との混合物からなる、半導体装置に係わるものである。本発明によれば、前記第1電極及び前記第2電極が、導電性高分子材料と導電型制御用のドーパントとの混合物からなるため、前記第1電極及び第2電極内のみならず、前記有機半導体材料層とのオーミックコンタクト接触抵抗の低減により前記第1電極と前記第2電極との間で前記有機半導体材料層を介しての電荷の移動が容易になり、前記混合物を用いて前記第1電極及び前記第2電極を形成する際に、真空蒸着法やスパッタ法以外のリフトオフ、塗布等の簡便な方法によってこれらの電極を容易に作製することも可能となる。また、前記第1電極及び前記第2電極が、導電層と、この導電層のうち前記両電極間の少なくとも前記有機半導体材料層側を被覆する導電性被覆層とによって形成され、この導電性被覆層が導電性高分子材料と電荷移動錯体との混合物からなるために、前記有機半導体材料層に対する前記第1電極及び前記第2電極のオーミックコンタクト接触抵抗の低減により両電極間での電荷の移動が容易になり、またこの接触をリフトオフ、塗布等の簡便な方法によって実現することができる。本発明においては、前記第1及び第2電極と前記有機半導体材料層との間の電荷の移動を容易にするために、前記有機半導体材料層の導電型と、前記ドーパント又は前記電荷移動錯体の導電型とが同じであるのが望ましい。なお、前記第1電極とは、例えばソース電極であり、前記第2電極とは、例えばドレイン電極である。また、前記第1及び第2電極内の導電性を高めるために、前記第1及び第2電極を形成する前記導電性高分子材料が、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリフェニレン、ポリフラン、ポリセレノフェン、ポリイソチアナフテン、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンビニレン、ポリチェニレンビニレン、ポリナフタレン、ポリアントラセン、ポリピレン、ポリアズレン、フタロシアニン、ペンタセン、メロシアニン及びポリエチレンジオキシチオフェンからなる群より選択された少なくとも一種の有機高分子材料と、ヨウ素、過塩素酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、4フッ化硼酸、5フッ化ヒ素、6フッ化リン酸、アルキルスルホン酸、パーフルオロアルキルスルホン酸、ポリアクリル酸、ポリスチレンスルホン酸及びドデシルベンゼンスルホン酸からなる群より選ばれた少なくとも一種との混合物からなるのが望ましい。また、半導体に対して電荷移動を生じる材料である前記ドーパント又は前記電荷移動錯体が、テトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン及びテトラシアノテトラフルオロキノジメタンからなる群より選ばれた少なくとも一種からなるアクセプタ分子であるか、或いは、テトラチアフルバレン、ペリレン及びメチレンジチオテトラセレナフルバレンからなる群より選ばれた少なくとも一種からなるドナー分子であるのが望ましい。また、前記第1及び第2電極を構成するドーパント又は電荷移動錯体と同じ導電型の前記有機半導体材料は、銅フタロシアニン、ポリ3ヘキシルチオフェン及びペンタセンからなる群より選ばれた少なくとも一種からなるp型半導体材料であるか、或いは、ペリレン誘導体、C60及びカーボンナノチューブからなる群より選ばれた少なくとも一種からなるn型半導体材料であるのが望ましい。また、前記第1電極及び前記第2電極と前記有機半導体材料層との間において電荷が移動し易くするために、前記第1電極及び前記第2電極の内、これら両電極間の少なくとも前記有機半導体材料層側が、前記混合物によって形成されているのが望ましい。また、前記ドーパント又は前記電荷移動錯体が表面に付着したAu等の金属粒子が前記導電性高分子材料に混合されていてもよい。また、前記半導体装置が、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ソース電極としての前記第1電極と、ドレイン電極としての前記第2電極と、チャンネル領域としての前記有機半導体材料層とからなる有機電界効果トランジスタとして構成されていてよい。また、前記第1及び第2電極を構成する前記導電層は、金、銅、銀、アルミニウム、白金及びパラジウムからなる群より選択された少なくとも一種によって形成されているのが望ましい。また、本発明は、本発明の半導体装置を駆動素子として具備する光学装置、例えば電界発光装置、液晶表示装置又は太陽電池を提供するものであり、また、この半導体装置によって構成されたセンサ装置も提供するものである。次に、本発明の好ましい実施の形態を図面参照下に詳細に説明する。第1の実施の形態図1~図7は、本発明の第1の実施の形態を示すものである。図1は、本実施の形態によるボトムコンタクト型ボトムゲート構造の有機電界効果トランジスタ1aを示すものである。即ち、基板2上にゲート電極4が形成され、このゲート電極4上のゲート絶縁膜3上に、導電性高分子材料と電荷移動錯体導電型制御用のドーパントとの混合物からなるソース電極5第1電極及びドレイン電極6第2電極が形成され、更に、ソース電極5、ドレイン電極6を含む表面を覆うように有機半導体材料層7チャンネル領域8が形成されている。また、有機半導体材料層7の導電型と、電荷移動錯体ドーパントの導電型とは同じである。ここで、重要なことは、ソース電極5及びドレイン電極6が、ポリチオフェン等の導電性高分子材料と、導電型制御用のドーパントとしてのテトラシアノキノジメタン等の電荷移動錯体との混合物からなることである。従って、電荷移動錯体を特定の溶剤例えば、導電性高分子材料の溶剤と同じか、又は、可溶な溶剤に溶解若しくは分散させた溶液を調製し、これを導電性高分子材料の溶液又は分散液に添加することで、導電性高分子材料に電荷移動錯体を添加した溶液又は分散液を作製し、これを用いて後述の簡便な方法で各電極5及び6を所定パターンに形成することができる。この場合、予め、電荷移動錯体を付着させた金属粒子等を導電性高分子材料の溶液又は分散液に混合して用いてもよい。例えば、金のナノ粒子に4-ベンゼンチオール等を付着させたものを混合してよい。ここで、導電性高分子材料と電荷移動錯体との混合比は、導電性や成膜性を考慮して決めるのがよい。図2について、有機電界効果トランジスタ1aの作製工程を説明する。図2aに示す例えばガラスからなる基板2上に、図2bに示すように、例えばリソグラフィー法とリフトオフ法とにより、導電性高分子材料からなるゲート電極4を所定パターンに形成する。ここで、基板2としては、ガラス基板に留まらず、サファイア基板やプラスチックフィルム等の不導材料を使用できる。ゲート電極4のパターニングは、リソグラフィー法やリフトオフ法をはじめ、エッチング法やスタンプ法及び印刷法等のプリンティング法で行うことが可能である。また、ゲート電極4は、例えばPEDOT/PSS、即ち、ポリ3,4-チオフェンpoly34thiophene/ポリスチレンスルホン酸polyや、ポリアニリン等の導電性高分子材料で形成するが、金属で形成してもよい。次に、図2cに示すように、例えばポリビニルフェノールPVPからなるゲート絶縁膜3をスピンコート法により形成する。この絶縁材料としては、PVPに留まらず、ポリビニルアルコールやポリメチルメタクリレート等の絶縁性有機材料、SiO2やSiN及びAl2O3等の絶縁性無機材料であれば、適用できる。ゲート絶縁膜3の形成は、スピンコート法をはじめ、スタンプ法や印刷法等のプリンティング法、真空蒸着法、スパッタ法及びCVD化学的気相成長法等で行ってもよい。次に、図2dに示すように、例えば、導電性高分子材料であるPEDOT/PSSの溶液に、エチレングリコールに溶解させたテトラシアノキノジメタンTCNQを導電型制御用のドーパント電荷移動錯体として混合し、この導電性高分子液を用いて、例えばリソグラフィー法やリフトオフ法等により、ソース電極5及びドレイン電極6を所定パターンに形成する。このパターニングは、エッチング法やスタンプ法、印刷法等のプリンティング法によっても可能である。なお、導電性高分子材料は、PEDOT/PSSに留まらず、上述の導電性高分子材料とドーパントとの混合により調製されたものであれば、ポリアニリンや、ポリピロール等でもよい。また、ドーパントとして用いるテトラシアノキノジメタンは、アクセプタ型の分子であり、p型の有機半導体材料層7との接触抵抗を減少させることができる。即ち、有機半導体材料層7としてp型を用いる場合にはアクセプタ型のドーパントを、n型を用いる場合にはドナー型のドーパントを用いる。次に、図1に示したように、ソース電極5上、ドレイン電極6上及びゲート絶縁膜3上に、スピンコート法や、スタンプ法、印刷法等のプリンティング法、真空蒸着法、スパッタ法及びCVD法等で有機半導体材料層7を形成する。例えば、ポリ3ヘキシルチオフェンP3HTをスピンコート法により成膜する。この有機半導体材料は、P3HT等の高分子材料に留まらず、ペンタセン、アントラセン及びフタロシアニン等の低分子材料でもよい。これらの工程を経て、ボトムコンタクト型ボトムゲート構造の有機電界効果トランジスタ1aの作製工程を終了する。図3について、上記のソース電極5及びドレイン電極6を形成する方法を詳細に説明する。この方法としては、例えばリフトオフ法、リソグラフィー法及びエッチング法がある。図3aには、リフトオフ法を示すが、ソース電極5及びドレイン電極6を形成する位置以外のゲート絶縁膜3上に常法によって以下、同様フォトレジスト9を所定パターンに形成し、このフォトレジスト9上及びゲート絶縁膜3上に電極材10上記した導電性高分子液を塗布する。この後、フォトレジスト9を溶解して、フォトレジスト9上の電極材10をゲート絶縁膜3上から除去リフトオフすることにより、ソース電極5及びドレイン電極6を所定パターンに形成することができる。図3bに示すリソグラフィー法では、ゲート絶縁膜3上に電極材10を塗布し、ソース電極5及びドレイン電極6を形成する位置以外の電極材10上にフォトレジスト9を所定パターンに形成する。この後、例えば、露出している電極材10に光を照射してから、フォトレジスト9及びフォトレジスト9下の電極材10を溶解除去することにより、ソース電極5及びドレイン電極6を所定パターンに形成することができる。図3cに示すエッチング法では、ゲート絶縁膜3上の全面に電極材10を塗布し、ソース電極5及びドレイン電極6を形成する位置の電極材10上にフォトレジスト9を所定パターンに形成し、これをマスクにして、露出している電極材10を溶解除去することにより、ソース電極5及びドレイン電極6を所定パターンに形成することができる。図4には、別の有機電界効果トランジスタ1bの構造を示すが、これは、図1に示したボトムコンタクト型ボトムゲート構造の有機電界効果トランジスタ1aの変形例である。この構造においては、ソース電極5及びドレイン電極6が、上記の導電性高分子液を用いて上記と同様に形成した混合物層12と、Au等の金属層11とが接合されてなり、それぞれの導電性高分子混合物層12が、ゲート電極4上のチャンネル領域8側に配置される以外は、図1に示した有機電界効果トランジスタ1aと同様の構造である。図5には、トップコンタクト型ボトムゲート構造の有機電界効果トランジスタ1cの構造を示す。これは、図1に示したボトムコンタクト型ボトムゲート構造の有機電界効果トランジスタ1aと比べて、ゲート絶縁膜3上に有機半導体材料層7が形成され、有機半導体材料層7上にソース電極5及びドレイン電極6が形成されていることが異なる。図6には、ボトムコンタクト型トップゲート構造の有機電界効果トランジスタ1dの構造を示す。これは、図1に示したボトムコンタクト型ボトムゲート構造の有機電界効果トランジスタ1aと比べて、基板2上にソース電極5及びドレイン電極6が形成され、ソース電極5上及びドレイン電極6上に有機半導体材料層7が形成され、有機半導体材料層7上にゲート絶縁膜3が形成され、ゲート絶縁膜3上にゲート電極4が形成されていることが異なる。図7には、トップコンタクト型トップゲート構造の有機電界効果トランジスタ1eの構造を示す。これは、図1に示したボトムコンタクト型ボトムゲート構造の有機電界効果トランジスタ1aと比べて、基板2上に有機半導体材料層7が形成され、有機半導体材料層7上にソース電極5及びドレイン電極6が形成され、有機半導体材料層7上、ソース電極5上及びドレイン電極6上にゲート絶縁膜3が形成され、ゲート絶縁膜3上にゲート電極4が形成されていることが異なる。本実施の形態によれば、ソース電極5及びドレイン電極6が上記の導電性高分子材料と電荷移動錯体ドーパントとの混合液の塗布、パターニングによって形成されているので、ソース電極5及びドレイン電極6と有機半導体材料層7との接触抵抗を低減させ、両電極間の電荷の移動量電流を大きくすることができ、かつ、各電極の導電性も良好となる。また、これらのオーミック電極を導電性高分子混合物10の塗布、パターニングで形成するため、真空蒸着法やスパッタ法等の真空プロセスが省け、簡便なプロセスでオーミック電極を形成することができる。第2の実施の形態図8~図12は、本発明の第2の実施の形態を示すものである。図8は、本実施の形態によるボトムコンタクト型ボトムゲート構造の有機電界効果トランジスタ1fを示すものである。即ち、ソース電極5及びドレイン電極6がAu等の金属層5a及び6aを主電極とし、これらの主電極が、上記した導電性高分子材料と電荷移動錯体との混合物からなる導電性高分子混合物層12導電性被覆層によって被覆され、表面が改質されていること以外は、上述の第1の実施の形態と同様である。また、ソース電極5及びドレイン電極6を構成する金属層5a、6aは、金、銅、銀、アルミニウム、白金及びパラジウムからなる群より選択された少なくとも一種によって形成される。図9について、有機電界効果トランジスタ1fの作製工程を説明する。先ず、図2a~図2cに示した工程と同様にして、基板2上に導電性高分子ゲート電極4を形成し、更にその上にゲート絶縁膜3を形成する。次に、図9aに示すように、ゲート絶縁膜3上に、リソグラフィー法とリフトオフ法により、例えば金Auのソース電極5及びドレイン電極6を所定パターンに形成する。このパターニングは、リソグラフィー技術に留まらず、エッチング法やスタンプ法及び印刷法で行ってもよい。また、金属層5a、6aは、金に留まらず、アルミニウムAlやクロムCr等の金属で構成してよいが、これに代えて、PEDOT/PSSやポリアニリン等の導電性高分子材料で形成してもよい。次に、図9bに示すように、金属層5a及び6aの底面以外が露出するようにフォトレジスト9を所定パターンに形成する。なお、リフトオフ法ではなく、スタンプ法や印刷法等のように、レジストを必要としないパターニング方法により、ドーパントを含む導電性高分子混合物層12を形成する場合には、このプロセスを省くことができる。次に、図9cに示すように、例えば、PEDOT/PSSに、エチレングリコールに溶解させたテトラシアノキノジメタンTCNQからなる導電型制御用のドーパントを混合させた導電性高分子液を全面に塗布する。次に、図9dに示すように、ゲート絶縁膜3上からフォトレジスト9を溶解除去リフトオフすることにより、金属層5a、6aの底面以外の露出面等が導電性高分子混合物層12によって覆われたソース電極5及びドレイン電極6を形成する。次に、図8に示したように、ゲート絶縁膜3上及び導電性高分子混合物層12上に有機半導体材料層7を形成して、有機電界効果トランジスタ1fの作製工程を終了する。図10、図11、図12はそれぞれ別の有機電界効果トランジスタ1g、1h、1iの構造を示すが、これらは図5~図7に示した構造からなっていることが、図8に示した有機電界効果トランジスタ1cと異なる。本実施の形態によれば、ソース電極5及びドレイン電極6の主電極として金属層5a、6aを設け、これらをドーパント混合の導電性高分子混合物層12でコーティングすることにより、ソース電極5及びドレイン電極6と有機半導体材料層7との接触抵抗を低下させることができる。そして、従来のように電極表面を電荷移動錯体のみで改質する構造と異なり、電荷移動錯体を含む導電性高分子層を電極の材質に制約されることなしにリフトオフ法で容易にコーティングすることができる。その他、本実施の形態においては、上述した第1の実施の形態で述べたのと同様の作用及び効果が得られる。第3の実施の形態図13~図14は、本発明の第3の実施の形態を示すものである。図13は、本実施の形態によるボトムコンタクト型ボトムゲート構造の有機電界効果トランジスタ1jを示す。このトランジスタによれば、ソース電極5及びドレイン電極6と有機半導体材料層7とのチャンネル領域側において、ソース電極5及びドレイン電極6の側面及び上面の一部にかけて、導電性高分子混合物層12導電性被覆層が被覆されていること以外は、上述の第2の実施の形態と同様である。図14について、この有機電界効果トランジスタ1jの作製工程を説明する。先ず、図2a~図2cに示した作製工程と同様にして、基板2上に導電性高分子ゲート電極4を形成し、更にその上にゲート絶縁膜3を形成する。次に、図14aに示すように、ゲート絶縁膜3上に、ソース電極及びドレイン電極の主電極5a、6aを形成する。次に、図14bに示すように、主電極5a及び6aのうちチャンネル領域側の側面及び上面の一部が露出するように、フォトレジスト9を所定パターンに形成する。次に、図14cに示すように、全面に導電性高分子混合物12aを塗布する。次に、図14dに示すように、ゲート絶縁膜3上からフォトレジスト9を溶解除去リフトオフすることにより、チャンネル領域側の側面及び上面の一部にかけて導電性高分子混合物層12によって覆われたソース電極5及びドレイン電極6を形成する。次に、図13に示したように、ゲート絶縁膜3上、ソース電極5上、ドレイン電極6上及び導電性高分子混合物層12上に有機半導体材料層7を形成して、有機電界効果トランジスタ1jの作製工程を終了する。本実施の形態によれば、導電性高分子混合物層12の形成領域をチャンネル領域側に局在化させても、ソース電極5及びドレイン電極6と有機半導体材料層7との接触抵抗を低下させることができる。その他、本実施の形態においては、上述した第1及び第2の実施の形態で述べたのと同様の作用及び効果が得られる。第4の実施の形態図15は、本発明の第4の実施の形態を示すものである。本実施の形態は、図1に示したボトムコンタクト型ボトムゲート構造の有機電界効果トランジスタ1aを駆動素子として組み込んだ液晶表示装置25に係るものである。即ち、共通の基板2上に作製したトランジスタ1aのドレイン電極6にアノード透明電極を接続して画素部へ延設し、このアノード電極24上に、正孔輸送層23、発光層22、電子輸送層21及びカソード電極20を順次積層し、全体を絶縁膜16で覆うことにより、液晶表示装置25を構成している。この液晶表示装置25の駆動時には、トランジスタ1aから供給されるアノード電圧により、正孔輸送層23からの正孔と電子輸送層21からの電子とが発光層22で再結合し、アノード電極24側に向って光が放射され、基板2側から取り出される。この場合に、基板2側から発光光を透過させるために、正孔輸送層23、アノード電極24、ゲート絶縁膜3及び基板2が透明の材質からなるが、カソード電極20を薄く形成してカソード側から光を導出することもできる。第5の実施の形態図16は、本発明の第5の実施の形態を示すものである。本実施の形態は、センサ、例えば光センサ15に本発明を適用したものであるが、このセンサ15においては、上述したゲート絶縁膜3及びゲート電極4は省略してよく、ゲート絶縁膜3の替わりに絶縁膜16が設けられていること以外は、上述の第1の実施の形態と同様である。このセンサ15の駆動時には、外部から有機半導体材料層7に作用する作用物質30例えば光によって、電極5と6との間の有機半導体材料層7の電気抵抗が変化するため、端子T1及びT2を介して取り出される電極5-6間の電流値の変動移動する電荷の量を検出することにより、入射光30の光量や波長を判別することができる。以上に述べた本発明の実施の形態は、本発明の主旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能であることは言うまでもない。例えば、上述の各実施の形態における構造を組み合わせてよいし、図15や図16の例において、電極構造を上述の第1~第3の実施の形態で示した構造のうちから選択することができる。なお、本発明は、例えば色素増感型の太陽電池に適用してもよいが、この場合は、太陽電池で生じた電流を外部回路へ取り出すために上述の有機電界効果トランジスタが動作する。"