ベース板とそのベース板の周囲に複数の貫通孔が形成されたベースウエハを使って、圧電振動片と前記ベース板とを有する圧電デバイスを製造する製造方法において、前記ベースウエハはガラス又は圧電材からなり、前記ベースウエハの第1面とその第1面の反対側の第2面とに耐蝕膜を形成する耐蝕膜形成工程と、前記耐蝕膜上にフォトレジストを形成し、前記貫通孔に対応する位置の前記第1面を露光する第1露光工程と、前記第1面の前記貫通孔に対応する前記耐蝕膜をエッチングする第1耐蝕膜エッチング工程と、前記第1耐蝕膜エッチング工程後に、前記第1面から途中までハーフエッチングする第1ウェットエッチング工程と、前記貫通孔に対応する位置の前記第2面を露光する第2露光工程と、前記第2面の前記貫通孔に対応する前記耐蝕膜をエッチングする第2耐蝕膜エッチング工程と、前記第2耐蝕膜エッチング工程後に、前記第1面及び前記第2面から前記ベースウエハが貫通しない範囲でエッチングする第2ウェットエッチング工程と、前記第1面側から研磨材を吹き付けて前記貫通孔に対応する位置に前記貫通孔を形成するサンドブラスト工程と、を備える圧電デバイスを製造する製造方法。前記サンドブラスト工程では、前記第2面側からも研磨剤を同時に吹き付ける請求項1に記載の圧電デバイスの製造方法。前記サンドブラスト工程前に前記耐蝕膜を除去する除去工程と、前記除去工程後に、前記第1面に実装用の外部電極と前記貫通孔に側面電極とを形成する電極形成工程と、を備える請求項1又は請求項2に記載の圧電デバイスの製造方法。前記サンドブラスト工程後に、前記貫通孔は前記第1面側の第1斜面と前記第2面側で且つ前記第1斜面の面積よりも小さい第2斜面と前記第1斜面と前記第2斜面とを結ぶ突起面と有し、前記電極形成工程で形成される前記外部電極及び前記側面電極は、下地金属層と下地金属層上に形成される表面金属層とからなり、前記電極形成工程は前記外部電極と前記側面電極とが形成された後、少なくとも前記第1斜面の前記表面金属層に追加金属層を形成する請求項3に記載の圧電デバイスの製造方法。前記サンドブラスト工程後に、前記貫通孔は前記第1面側の第1斜面と前記第2面側で且つ前記第1斜面の面積よりも小さい第2斜面と前記第1斜面と前記第2斜面とを結ぶ突起面と有し、前記電極形成工程で形成される前記外部電極及び前記側面電極は、下地金属層と下地金属層上に形成される表面金属層とからなり、前記電極形成工程は前記外部電極と前記側面電極とが形成された後、少なくとも前記第1斜面の前記表面金属層を除去する請求項3に記載の圧電デバイスの製造方法。前記ベース板は前記第2面側からみて4辺を有する矩形形状であり、前記貫通孔は隣り合う前記ベース板の角部に形成される十字開口孔である請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の圧電デバイスの製造方法。前記ベース板は前記第2面側からみて4辺を有する矩形形状であり、前記貫通孔は隣り合う前記ベース板の辺に沿った長孔である請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の圧電デバイスの製造方法。電圧の印加により振動する圧電振動片と、前記圧電振動片を収納するパッケージの一部であるベース板とを備える圧電デバイスであって、前記ベース板は第1面と前記第1面の反対側の第2面とを有し、前記第1面と前記第2面とを結ぶ側面の断面が前記第1面から断面中央側に形成された第1斜面と前記第2面から前記断面中央側に形成された第2斜面と前記第1斜面と前記第2斜面とを結ぶ突起面とからなり、前記第2斜面の面積は前記第1斜面の面積よりも小さい圧電デバイス。電圧の印加により振動する圧電振動片と、前記圧電振動片を収納するパッケージの一部であるベース板とを備える圧電デバイスであって、前記ベース板は第1面と前記第1面の反対側の第2面とを有し、前記第1面と前記第2面とを結ぶ側面の断面が前記第1面から断面中央側に形成された第1斜面と前記第2面から前記断面中央側に形成された第2斜面と前記第1斜面と前記第2斜面とを結ぶ突起面とからなり、前記第2斜面の断面長さは前記第1斜面の断面長さよりも短い圧電デバイス。前記ベース板の前記第2面に接合されて前記パッケージを形成するリッド板を備える請求項8又は請求項9に記載の圧電デバイス。前記圧電振動片及び前記圧電振動片を囲み前記ベース板の前記第2面に接合される圧電フレームと、前記圧電フレームに接合されて前記パッケージを形成するリッド板とを備える請求項8又は請求項9に記載の圧電デバイス。前記ベース板の前記第1面に形成される一対の外部電極と、前記第1斜面、前記第2斜面及び前記突起面に形成され前記外部電極に接続される一対の側面電極とを備える請求項8から請求項11のいずれか一項に記載の圧電デバイス。前記外部電極及び前記側面電極は、下地金属層及び下地金属層上に形成される表面金属層からなり、前記側面電極は少なくとも前記第1斜面の前記表面金属層上にさらに追加金属層が追加される請求項12に記載の圧電デバイス。前記外部電極は、下地金属層及び下地金属層上に形成される表面金属層からなり、前記側面電極は、少なくとも前記第1斜面において前記下地金属層のみからなる請求項12に記載の圧電デバイス。前記ベース板は前記第2面側からみて4辺を有する矩形形状であり、前記第1斜面、前記第2斜面及び前記突起面は、前記ベース板の四隅に形成される請求項8から請求項14のいずれか一項に記載の圧電デバイス。前記ベース板は前記第2面側からみて4辺を有する矩形形状であり、前記第1斜面、前記第2斜面及び前記突起面は、前記ベース板の対向した両辺に形成される請求項8から請求項14のいずれか一項に記載の圧電デバイス。しかしながら、特許文献1の圧電デバイスの製造方法により製造された圧電デバイスがプリント基板に実装されるとき、半田がキャスタレーション貫通孔を介して実装面からリッドとベースとの接合面まで這い上がることがある。これにより、半田がリッドとベースとの間に入り込み圧電デバイスの気密に影響を与えるおそれがある。そこで、本発明は、キャスタレーションからの半田の這い上がりを抑制できる圧電デバイスの製造方法を提供する。第1観点の圧電デバイスの製造方法は、ベース板とそのベース板の周囲に複数の貫通孔が形成されたベースウエハを使って、圧電振動片とベース板とを有する圧電デバイスを製造する。圧電デバイスの製造方法は、ベースウエハはガラス又は水晶などの圧電材からなりベースウエハの第1面とその第1面の反対側の第2面とに耐蝕膜を形成する耐蝕膜形成工程と、耐蝕膜上にフォトレジストを形成し貫通孔に対応する位置の第1面を露光する第1露光工程と、第1面の貫通孔に対応する位置の耐蝕膜をエッチングする第1耐蝕膜エッチング工程と、第1耐蝕膜エッチング工程後に第1面から途中までハーフエッチングする第1ウェットエッチング工程と、貫通孔に対応する位置の第2面を露光する第2露光工程と、第2面の貫通孔に対応する位置の耐蝕膜をエッチングする第2耐蝕膜エッチング工程と、第2耐蝕膜エッチング工程後に第1面及び第2面からベースウエハが貫通しない範囲でエッチングする第2ウェットエッチング工程と、第1面側から研磨材を吹き付けて貫通孔に対応する位置に貫通孔を形成するサンドブラスト工程と、を備える。第2観点の圧電デバイスの製造方法において、サンドブラスト工程では、第2面側からも研磨剤を同時に吹き付ける。第3観点の圧電デバイスの製造方法は、サンドブラスト工程前に耐蝕膜を除去する除去工程と、除去工程後に第1面に実装用の外部電極と貫通孔に側面電極とを形成する電極形成工程と、を備える。第4観点の圧電デバイスの製造方法において、サンドブラスト工程後に、貫通孔は第1面側の第1斜面と第2面側で且つ第1斜面の面積よりも小さい第2斜面と第1斜面と第2斜面とを結ぶ突起面と有し、電極形成工程で形成される外部電極及び側面電極は、下地金属層と下地金属層上に形成される表面金属層とからなり、電極形成工程は外部電極と側面電極とが形成された後、少なくとも第1斜面の表面金属層に追加金属層を形成する。第5観点の圧電デバイスの製造方法において、サンドブラスト工程後に、貫通孔は第1面側の第1斜面と第2面側で且つ第1斜面の面積よりも小さい第2斜面と第1斜面と第2斜面とを結ぶ突起面と有し、電極形成工程で形成される外部電極及び側面電極は、下地金属層と下地金属層上に形成される表面金属層とからなり、電極形成工程は外部電極と側面電極とが形成された後、少なくとも第1斜面の表面金属層を除去する。第6観点の圧電デバイスの製造方法において、ベース板は第2面側からみて4辺を有する矩形形状であり、貫通孔は隣り合うベース板の角部に形成される十字開口孔である。第7観点の圧電デバイスの製造方法において、ベース板は第2面側からみて4辺を有する矩形形状であり、貫通孔は隣り合うベース板の辺に沿った長孔である。第8観点の圧電デバイスは、電圧の印加により振動する圧電振動片と、圧電振動片を収納するパッケージの一部であるベース板とを備える。圧電デバイスは、ベース板は第1面と第1面の反対側の第2面とを有し、第1面と第2面とを結ぶ側面の断面が第1面から断面中央側に形成された第1斜面と第2面から断面中央側に形成された第2斜面と第1斜面と第2斜面とを結ぶ直線状の突起面とからなり、第2斜面の面積は第1斜面の面積よりも小さい。第9観点の圧電デバイスは、電圧の印加により振動する圧電振動片と、圧電振動片を収納するパッケージの一部であるベース板とを備える。圧電デバイスは、ベース板は第1面と第1面の反対側の第2面とを有し、第1面と第2面とを結ぶ側面の断面が第1面から断面中央側に形成された第1斜面と第2面から断面中央側に形成された第2斜面と第1斜面と第2斜面とを結ぶ直線状の突起面とからなり、第2斜面の断面長さは第1斜面の断面長さよりも短い。第10観点の圧電デバイスは、ベース板の第2面に接合されてパッケージを形成するリッド板を備える。第11観点の圧電デバイスは、圧電振動片及び圧電振動片を囲みベース板の第2面に接合される圧電フレームと、圧電フレームに接合されてパッケージを形成するリッド板とを備える。第12観点の圧電デバイスは、ベース板の第1面に形成される一対の外部電極と、第1斜面、第2斜面及び突起面に形成され外部電極に接続される一対の側面電極とを備える。第13観点の圧電デバイスにおいて、外部電極及び側面電極は下地金属層及び下地金属層上に形成される表面金属層からなり、側面電極は少なくとも第1斜面の表面金属層上にさらに追加金属層が追加される。第14観点の圧電デバイスにおいて、外部電極は下地金属層及び下地金属層上に形成される表面金属層からなり、側面電極は少なくとも第1斜面において下地金属層のみからなる。第15観点の圧電デバイスにおいて、ベース板は第2面側からみて4辺を有する矩形形状であり、第1斜面、第2斜面及び突起面はベース板の四隅に形成される。第16観点の圧電デバイスにおいて、ベース板は第2面側からみて4辺を有する矩形形状であり、第1斜面、第2斜面及び突起面はベース板の対向した両辺に形成される。本発明の製造方法によれば、キャスタレーションからの半田の這い上がりが抑制される圧電デバイスを製造することができる。第1実施形態~第4実施形態では、圧電振動片としてATカットの水晶振動片が使われている。つまり、ATカットの水晶振動片は、主面YZ面が結晶軸XYZのY軸に対して、X軸を中心としてZ軸からY軸方向に35度15分傾斜されている。このため、ATカットの水晶振動片の軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をY’軸及びZ’軸として用いる。すなわち、第1実施形態~第4実施形態において水晶振動子の長手方向をX軸方向、水晶振動子の高さ方向をY’軸方向、X軸方向及びY’軸方向に垂直な方向をZ’軸方向として説明する。第1実施形態<第1水晶振動子100の全体構成>第1水晶振動子100の全体構成について、図1~図3を参照しながら説明する。図1は第1水晶振動子100の分解斜視図で、図2は図1のA-A断面図で、図3は図2の破線Bで囲まれている部分の拡大図である。なお、図1では接続電極124a、124b全体が見えるように、封止材である低融点ガラスLGが透明に描かれている。図1及び図2に示されたように、第1水晶振動子100はリッド凹部111を有するリッド板11と、ベース凹部121を有するベース板12と、ベース板12に載置される平板状の水晶振動片10とを備える。水晶振動片10は、ATカットされた水晶片101により構成され、その水晶片101の中央付近の両主面に一対の励振電極102a、102bが対向して配置されている。また、励振電極102aには水晶片101の底面-Y’側の-X側まで伸びた引出電極103aが接続され、励振電極102bには水晶片101の底面-Y’側のX側まで伸びた引出電極103bが接続されている。水晶振動片10はメサ型又は逆メサ型であってもよい。水晶振動片10の励振電極102a、102bの周囲に図12に示されるような一対のL字型の貫通開口部が形成されていてもよい。ここで、励振電極102a、102b及び引出電極103a、103bは例えば下地金属層としてのクロムCr、ニッケルNi、タングステンWもしくは鉛Pb等が用いられ、下地金属層の上面に表面金属層といて金Auが用いられる図3を参照。また、下地金属層の厚さは例えば0.05μm~0.1μmで、表面金属層の厚さは例えば0.2μm~2μmである。また、励振電極102a、102b及び引出電極103a、103bは上記の2層構造以外に3層構造でもよい。例えば下地金属層としてCr、Ni、WもしくはPb、中間層にNiとWとの合金、表面金属層にAu又はAgを用いてもよい。ベース板12はガラスから形成され、その表面Y’側の面にベース凹部121の周囲に形成された第2端面M2を有している。また、ベース板12はX軸方向の両側にベース貫通孔BH1図9を参照を形成した際のZ’軸方向に伸びたベースキャスタレーション122a、122bが形成されている。ベースキャスタレーション122a、122bは中央位置からY’軸側にX軸方向に突起した平面状の突起面126a、126bがそれぞれ形成されている。また、ベースキャスタレーション122a、122bは突起面126a、126bから実装面M3までの第1斜面127Aと、突起面126a、126bから第2端面M2までの第2斜面127Bとを含んでいる。図3に示されたように、第1斜面127AはX軸方向の長さがd1でY’軸方向の高さがh1である。また、第2斜面127BはX軸方向の長さがd2でY’軸方向の高さがh2である。ここで、長さd1が長さd2より大きく形成され、高さh1が高さh2より大きく形成されている。すなわち、第1斜面127AのXY’平面の断面長さは第2斜面127BのXY’平面の断面長さより大きく形成され、第1斜面127Aの面積は第2斜面127Bの面積より大きく形成されている。つまり、第1斜面127Aが第2斜面127Bより大きく形成されることで、第1水晶振動子100を半田でプリント基板図示しないに実装する際にベースキャスタレーション122a、122b図2を参照からの半田の這い上がりが抑制される。図2に戻り、ベースキャスタレーション122a、122bにはベース側面電極123a、123bがそれぞれ形成されている。また、ベース側面電極123aと電気的に接続された接続電極124aがベース板12の第2端面M2の-X側に形成されている。同様に、ベース側面電極123bと電気的に接続された接続電極124bがベース板12の第2端面M2のX側に形成されている。さらに、ベース板12は実装面M3にベース側面電極123a、123bとそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極125a、125bを有している。なお、ベース側面電極、接続電極及び外部電極は水晶振動片10の励振電極及び引出電極と同じ構成である図3を参照。第1水晶振動子100において、水晶振動片10のX軸方向の長さがベース凹部121のX軸方向の長さより大きい。このため、水晶振動片10を導電性接着剤13でベース板12に載置すると、図2に示されたように水晶振動片10のX軸方向の両端がベース板12の第2端面M2に載置される。このとき、水晶振動片10の引出電極103a、103bがベース板12の接続電極124a、124bにそれぞれ電気的に接続される。これにより、外部電極125a、125bがベース側面電極123a、123b、接続電極124a、124b、導電性接着剤13及び引出電極103a、103bを介して励振電極102a、102bにそれぞれ電気的に接続される。つまり、外部電極125a、125bに交番電圧正負を交番する電位を印加したときに、水晶振動片10は厚みすべり振動する。リッド板11はガラスから形成され、ベース板12のベース凹部121よりXZ’平面で面積が大きいリッド凹部111と、その周囲に形成された第1端面M1とを有している。なお、リッド板11の第1端面M1とベース板12の第2端面M2とが接合されてリッド凹部111及びベース凹部121により水晶振動片10を収納するキャビティCTが形成される。また、キャビティCTは不活性ガスで満たされたり又は真空状態に気密されたりする。ここで、リッド板11の第1端面M1とベース板12の第2端面M2とは例えば封止材非導電性接着剤である低融点ガラスLGによって接合される。低融点ガラスLGは、350°C~400°Cで溶融する鉛フリーのバナジウム系ガラスを含む。バナジウム系ガラスはバインダーと溶剤とが加えられペースト状であり、溶融された後固化されることで他の部材と接着する。また、このバナジウム系ガラスは接着時の気密性と耐水性耐湿性などの信頼性が高い。さらに、バナジウム系ガラスはガラス構造を制御することにより熱膨張係数も柔軟に制御できる。リッド板11において、リッド凹部111のX軸方向の長さが水晶振動片10のX軸方向の長さ及びベース凹部121のX軸方向の長さより大きい。また、低融点ガラスLGは図1及び図2に示されたように、ベース板12の第2端面M2の外側幅は300μm程度でリッド板11とベース板12とを接合する。また、第1実施形態では水晶振動片10がベース板12の第2断面M2に載置されているが、ベース凹部121の内部に収納されてもよい。このとき、接続電極がベースキャスタレーション122a、122bから第2端面M2を介してベース凹部121の底面まで伸びて形成される必要がある。また、この場合にリッド板はリッド凹部が形成されていない平板状となってもよい。さらに、第1実施形態では接続電極と電気的に接続される引出電極が水晶振動片10の底面-Y’側の面のX軸方向の両側に形成されているが、X軸方向において同側に形成されてもよい。このとき、一方例えばX側の接続電極が第2端面M2又はベース凹部121を介して他方例えば-X側まで伸びて形成される必要がある。<第1水晶振動子100の製造方法>図4は、第1水晶振動子100の製造を示したフローチャートである。図4において、水晶振動片10の製造ステップS10と、リッド板11の製造ステップS11と、ベース板12の製造ステップS12とは並行して製造することができる。また、図5は水晶ウエハ10Wの平面図で、図6はリッドウエハ11Wの平面図である。図7及び図8はベース板12の製造ステップS12を示した説明図で、図9はベースウエハ12Wの平面図である。図7及び図8において、右側は左側のフローチャートの各ステップに対応する図1のA-A断面におけるベースウエハ12Wの部分断面図である。ステップS10では、水晶振動片10が製造される。ステップS10はステップS101~S103を含んでいる。ステップS101において、図5に示されたように、均一の水晶ウエハ10Wにエッチングにより複数の水晶振動片10の外形が形成される。ここで、各水晶振動片10は連結部104により水晶ウエハ10Wに連接されている。ステップS102において、まずスパッタリングまたは真空蒸着によって水晶ウエハ10Wの両面及び側面にクロム層及び金層が順に形成される。そして、金属層の全面にフォトレジストが均一に塗布される。その後、露光装置図示しないを用いて、フォトマスクに描かれた励振電極、引出電極のパターンが水晶ウエハ10Wに露光される。次に、フォトレジストから露出した金属層がエッチングされる。これにより、図5に示されたように水晶ウエハ10W両面及び側面には励振電極102a、102b及び引出電極103a、103bが形成される図1を参照。ステップS103において、水晶振動片10が個々に切断される。切断工程では、レーザーを用いたダイシング装置、または切断用ブレードを用いたダイシング装置などを用いて図6に示された一点鎖線のカットラインCLに沿って切断する。ステップS10では、1枚の水晶ウエハ10Wに複数の水晶振動片10が同時に形成されているが、個々の水晶片に対して研磨、エッチング及び電極形成が行われてもよい。ステップS11では、リッド板11が製造される。ステップS11はステップS111及びS112を含んでいる。ステップS111において、図6に示されたように、均一厚さの水晶平板のリッドウエハ11Wにリッド凹部111が数百から数千個形成される。リッドウエハ11Wには、エッチング又は機械加工によりリッド凹部111が形成され、リッド凹部111の周囲には第1端面M1が形成される。ステップS112において、スクリーン印刷でリッドウエハ11Wの第1端面M1に低融点ガラスLGが印刷される。その後、低融点ガラスLGを仮硬化することで、低融点ガラスLG膜がリッドウエハ11Wの第1端面M1に形成される。本実施形態では、低融点ガラスLGがリッド板11に形成されているが、ベース板12に形成されてもよい。ステップS12では、ベース板12が製造される。図7及び図8に示されたように、ステップS12はステップS121~S128を含んでいる。ステップS121において、図7aに示されたように均一厚さの水晶平板のベースウエハ12Wの両面に耐蝕膜TMとフォトレジストPRとを順に形成する。スパッタリングもしくは蒸着などの手法により耐蝕膜TMとしての金属膜を形成する。例えば単結晶のベースウエハ12Wに、下地としてニッケルNi、クロムCr、チタンTi又はニッケルタングステンNiW等を使用し、下地の上に金Auや銀Ag等を成膜する。第1実施形態では、耐蝕膜TMとしてクロム層の上に金層を重ねた金属膜を使用する。たとえば、クロム層の厚みは100オングストローム、金層の厚みも1000オングストローム程度とする。次に、耐蝕膜TMの上にフォトレジストPRをスピンコートなどの手法で均一に塗布する。ステップS122において、図7bに示されたように、まず露光装置図示しないを用いて、-Y’軸側の面で幅W1の領域EA1に対応するフォトレジストPRを露光する。そして、露光されたフォトレジストPRは、現像することで除去される。次に、フォトレジストPRから露出した耐蝕膜TMの金層を、たとえばヨウ素とヨウ化カリウムの水溶液を用いてエッチングする。ステップS123において、図7cに示されたように、耐蝕膜TM及びフォトレジストPRが除去されて露出したベースウエハ12Wの領域EA1をフッ化水素酸などの水溶液でベース板の途中までハーフエッチングする。これにより、領域EA1にX軸方向の幅がW1より大きい窪みHLが形成される。ステップS124において、図7dに示されたように、露光装置図示しないを用いて、ベースウエハ12WのY’軸側の面における領域EA1と対応する箇所のフォトレジストPRを露光する。そして、露光されたフォトレジストPRは、現像することで除去される。次に、フォトレジストPRから露出した耐蝕膜TMの金層を、たとえばヨウ素とヨウ化カリウムの水溶液を用いてエッチングする。これにより、ベースウエハ12WのY’軸側の面にフォトレジストPR及び耐蝕膜TMが無くなった領域EA2が形成される。また、ベースウエハ12WのY’軸側でベース凹部121図2を参照に対応する箇所に対しても同じ作業が行われる。ステップS125において、図8aに示されたように、耐蝕膜TM及びフォトレジストPRが除去されて露出したベースウエハ12Wをフッ化水素酸などの水溶液でウェットエッチングする。これにより、ベースウエハ12WのY’軸側にベース凹部121及び窪みHL2が形成され、ベースウエハ12Wの‐Y’軸側に窪みHL1が形成される。ここで、ベースウエハ12Wの‐Y’軸側がステップS123図7cを参照で予めエッチングされているので、‐Y’軸側の窪みHL1の面積がY’軸側の窪みHL2の面積より大きく形成される。また、窪みHL1及びHL2はその間に底部UMが完全に残っているか、又は底部UMの一部に小さな穴ができる程度まで、すなわちベースウエハ12Wが完全に貫通する直前まで貫通しない範囲で、ウェットエッチングされる。ステップS126において、図8bに示されたように、残っているフォトレジストPR及び耐蝕膜TMが除去される。ステップS127において、図8cに示されたように、フォトレジストPR及び耐蝕膜TMを剥離した状態で実装面M3全面に研磨材を吹き付けるサンドブラスト工程が行われる。これにより、窪みHL1及びHL2の底部UMがサンドブラストされベースウエハ12Wの第2端面M2から実装面M3まで貫通されたベース貫通孔BH1図9を参照が形成される。ウェットエッチングした後にサンドブラストをすることで、ベース貫通孔BH1が適正な大きさで且つ加工時間を短縮することもできる。ベース貫通孔BH1が半分割されると1つのベースキャスタレーション122a、122b図1及び図2を参照になる。また、ベースウエハ12Wの厚さ方向の中央位置のY軸側にはベース貫通孔BH1の内側に向かって突起した突起面126a、126bが形成される。さらに、突起面126a、126bのY’軸方向の両側には第1斜面127A及び第2斜面127Bが形成される。さらに、フォトレジストPR及び耐蝕膜TMを剥離した状態で実装面M3全面がサンドブラストされると、ベースウエハ12Wの表面に微小な凸凹が生じ、ベースウエハ12Wの実装面M3が粗面となる。これにより、後述の外部電極の形成工程で電極とペースウエハ12との接着強度が高くなる。また、ステップS127では実装面M3のみからサンドブラスト工程が行っているが、第2端面M2及び実装面M3で同時にサンドブラスト工程が行われてもよい。このとき、ベースウエハ12Wの両面に微小な凸凹が生じ、ベースウエハ12Wの両面が粗面となる。ステップS128において、図8dに示されたように、ステップS102で説明されたスパッタ及びエッチング方法によってベース板12の実装面M3のX軸方向の両側に外部電極125a、125bが形成される。ここで、ベースウエハ12Wの表面が微小な凸凹の粗面となっているので、外部電極125a、125bを形成する際、ベースウエハ12Wに対するクロムの密着性を向上することができる。同時に、ベース貫通孔BH1にはベース側面電極123a、123bが形成され、第2端面M2には接続電極124a、124bが形成される図1、図2及び図9を参照。ステップS13では、ステップS10で製造された水晶振動片10が導電性接着剤13でベース板12の第2端面M2に載置される。このとき、水晶振動片10の引出電極103a、103bとベース板12の第2端面M2に形成された接続電極124a、124bとの位置が合うように水晶振動片10がベース板12の第2端面M2に載置される図2を参照。ステップS14では、低融点ガラスLGが加熱され、リッドウエハ11Wとベースウエハ12Wとが加圧される。これによりリッドウエハ11Wとベースウエハ12Wとが低融点ガラスLGにより接合される。ステップS15では、接合されたリッドウエハ11Wとベースウエハ12Wとが個々に切断される。切断工程では、レーザーを用いたダイシング装置、または切断用ブレードを用いたダイシング装置などを用いて図5及び図7に示された一点鎖線のスクライブラインSLに沿って第1水晶振動子100を単位として個片化される。これにより、数百から数千の第1水晶振動子100が製造される。第2実施形態<第2水晶振動子200の全体構成>第2水晶振動子200の全体構成について、図10を参照しながら説明する。図10は、第2実施形態の第2水晶振動子200の部分拡大図で、図2の破線Bで囲まれている部分に対応される。図10に示されたように、第2水晶振動子200は第1水晶振動子100に比べると、ベース板22のベース側面電極223aの構成のみが異なっている。つまり、第2水晶振動子200の第1斜面127Aにおいてベース側面電極223aが3層構造となっている。すなわち、下地金属層としてCrが用いられ、その下地金属層の表面に表面金属層としてAuが形成され、表面金属層の上に追加金属層228としてさらにCr、Ni、WもしくはPd又はそれらの合金が形成されている。これは、Auに比べるとCr等が半田の這い上がりの抑制により優れるからである。励振電極及び引出電極等が、下地金属層と表面金属層との2層構造でなく、下地金属層、中間層及び表面金属層の3層構造であれば、ベース側面電極223aは4層構造となる。<第2水晶振動子200の製造方法>第2水晶振動子200の製造方法は、第1実施形態の図4で説明された製造方法とほぼ同じである。ただし、図8dに示されたステップS128で第1斜面127Aに3層構造のベース側面電極223aが形成されればよい。例えば第1傾斜面127Aの箇所に開口が空いたマスクを使ったスパッタリング、又は全面に金属膜を3層形成した後、フォトレジストを塗布し露光して第1傾斜面127A以外の追加金属層228を除去してもよい。第3実施形態<第3水晶振動子300の全体構成>第3水晶振動子300の全体構成について、図11を参照しながら説明する。図11は、第3実施形態の第3水晶振動子300の部分拡大図で、図2の破線Bで囲まれている部分に対応される。図11に示されたように、第3水晶振動子300は第1水晶振動子100に比べると、ベース板32のベース側面電極323aの構成のみが異なっている。つまり、第3水晶振動子300の第1斜面127Aにおいてベース側面電極323aが単層構造となっている。すなわち、下地金属層としてのCrのみが用いられている。これは、Auに比べるとCrが半田の這い上がりの抑制により優れるからである。励振電極及び引出電極等が、下地金属層と表面金属層との2層構造でなく、下地金属層、中間層及び表面金属層の3層構造であれば、表面金属層のAuを無くした下地金属層及び中間層の2層構造にすればよい。また表面金属層のAu及び中間層のNiとWとの合金を無くして、下地金属層のみにしてもよい。<第3水晶振動子300の製造方法>第3水晶振動子300の製造方法は、第1実施形態の図4で説明された製造方法とほぼ同じである。ただし、図8dに示されたステップS128で第1斜面127Aに単層構造のベース側面電極323aが形成されればよい。例えば単層のベース側面電極323aは、第1斜面127AにマスクをしてからAuをスパッタリングしたり、Cr及びAuをスパッタリングした後フォトレジストを塗布し露光して第1傾斜面127AのAuを除去したりして形成すればよい。第4実施形態<第4水晶振動子400の全体構成>第4水晶振動子400の全体構成について、図12を参照しながら説明する。図12は、第4実施形態の第4水晶振動子400の分解斜視図である。図10では、リッド板41と水晶フレーム40との間、及び水晶フレーム40とベース板42との間に形成された低融点ガラスが省略されて描かれている。図12に示されたように、第4水晶振動子400はリッド凹部411を有するリッド板41と、ベース凹部421を有するベース板42と、リッド板41とベース板42とに挟まれる水晶フレーム40とを備える。ベース板42はガラスで形成され、その表面Y’側の面にベース凹部421の周囲に形成された第2端面M2を有している。ベース板42の四隅には、ベース貫通孔BH2図15を参照を形成した際のXZ’平面で窪んだベースキャスタレーション422a~422dが形成されている。ベースキャスタレーション422a~422dはY’軸側に外側に突起した突起面426がそれぞれ形成される。つまり、ベースキャスタレーション422a~422dは突起面426から実装面M3までの第1斜面427Aと、突起面426から第2端面M2までの第2斜面427Bとをそれぞれ含んでいる。ここで、第1斜面427AのXY’平面の断面長さは第2斜面427BのXY’平面の断面長さより大きく形成され、第1斜面427Aの面積は第2斜面427Bの面積より大きく形成されている。第1斜面427Aの面積と第2斜面427Bの面積との関係は、図3で示された第1斜面127Aの面積と第2斜面127Bの面積との関係と同等である。つまり、第1斜面427Aが第2斜面427Bより大きく形成されることで、第4水晶振動子400を半田でプリント基板図示しないに実装する際にベースキャスタレーション422a~422dからの半田の這い上がりを抑制することができる。ベース板42において、ベースキャスタレーション422a~422dにはベース側面電極423a~423dがそれぞれ形成されている。実装面のX軸方向の両側には一対の外部電極425a、425bがそれぞれ形成されている。ベース側面電極423a、423dの一端は外部電極425aに接続され、ベース側面電極423b、423cの一端は外部電極425bに接続される。また、ベース側面電極423a~423dの他端はベース板42の第2端面M2にまで伸びて接続パッド423Mが形成されることが好ましい。接続パッド423Mは、後述する水晶フレーム40の引出電極403a、403bにそれぞれ確実に電気的に接続される。水晶フレーム40はATカットされた水晶材料で形成され、ベース板42の第2端面M2に接合され、Y’側の表面Meと-Y’側の裏面Miとを有している。水晶フレーム40は水晶振動片401と水晶振動片401を囲む枠体408とで構成されている。また、水晶振動片401と枠体408との間には、表面Meから裏面Miまで貫通した一対のL字型の貫通開口部407が形成される。貫通開口部407が形成されていない部分が水晶振動片401と枠体408との連結部409a、409bとなっている。水晶振動片401の表面Me及び裏面Miには励振電極402a、402bがそれぞれ形成され、連結部409a、409b及び枠体408の両面には励振電極402a、402bとそれぞれ導電された引出電極403a、403bが形成されている。ここで、水晶振動片401の表面Meに形成される励振電極402aに接続された引出電極403aは貫通開口部407を介して枠体408の裏面Miまで伸びて形成される。第4水晶振動子400は、水晶フレーム40の表面Meに接合されるガラスからなるリッド板41をさらに備えている。リッド板41はリッド凹部411の周囲に形成された第1端面M1を有している。リッド板41、水晶フレーム40の枠体408及びベース板42により水晶振動片401を収納するキャビティCTが形成される図2を参照。キャビティCTは窒素ガスで満たされたり又は真空状態にされたりする。また、図示しないが、リッド板41と、水晶フレーム40と、ベース板42とは例えば低融点ガラスLGなどの封止材により接合される。第4実施形態において、水晶フレーム40は、ベース板42と同様にその四隅にキャスタレーションが形成され、引出電極がそのキャスタレーションを介して表面Meから裏面Miまで伸びで形成される構成であってもよい。<第4水晶振動子400の製造方法>図13は、第4水晶振動子400の製造を示したフローチャートである。図13において、水晶フレーム40の製造ステップS40と、リッド板41の製造ステップS41と、ベース板42の製造ステップS42とは並行して製造することができる。また、図14は水晶ウエハ40Wの平面図で、図15はベースウエハ42Wの平面図である。ステップS40では、水晶フレーム40が製造される。ステップS40はステップS401及びS402を含んでいる。ステップS401において、図14に示されたように、均一の水晶ウエハ40Wにエッチングにより複数の水晶フレーム40の外形が形成される。すなわち、貫通開口部407がそれぞれに形成される。ステップS402において、図14に示されたように、水晶ウエハ40W両面に励振電極402a、402b及び引出電極403a、403bが形成される図12を参照。ステップS41では、リッド板41が製造される。ステップS41はステップS411及びS412を含んでいる。ステップS411において、均一厚さの水晶平板のリッドウエハにリッド凹部411が数百から数千個形成される図6及び図12を参照。これにより、第1端面M1が形成される。ステップS412において、スクリーン印刷でリッドウエハの第1端面M1に低融点ガラスが印刷される。その後、低融点ガラスLGを仮硬化することで、低融点ガラスLG膜がリッドウエハの第1端面M1に形成される。ステップS42では、ベース板42が製造される。ステップS42はステップS421及びS422を含んでいる。ステップS421において、図4のステップS12と同じ方法で、ベース板42が形成される。但し、ベース貫通孔BH2の形状が図15に示されたように、十字型となっている。ステップS422において、スクリーン印刷でベースウエハ42Wの第2端面M2に低融点ガラスが印刷される。その後、低融点ガラスLGを仮硬化することで、低融点ガラスLG膜がベースウエハ42Wの第2端面M2に形成される。ステップS43では、低融点ガラスによりリッドウエハ図6を参照と水晶ウエハ40Wとベースウエハ42Wとが接合される。ステップS44では、接合されたリッドウエハ図6を参照と水晶ウエハ40Wとベースウエハ42Wとが個々に切断される。切断工程では、レーザーを用いたダイシング装置、または切断用ブレードを用いたダイシング装置などを用いて図14及び図15に示された一点鎖線のスクライブラインSLに沿って第4水晶振動子400を単位として個片化される。これにより、数百から数千の第4水晶振動子400が製造される。