搭載部品を被搭載部材に近づけて、半田部材を加熱し、前記搭載部品の下面を支持部材の高さに半田部材の熱収縮高さを加えた所定の高さ位置に維持し、前記下面を前記所定の高さ位置に維持した状態で、前記半田部材の冷却を開始すると共に前記搭載部品を保持する保持力を前記半田部材の熱収縮力より小さくする、部品搭載方法。前記半田部材の融点より高い昇華点を有すると共に支持部材の高さに半田部材の熱収縮高さを加えた厚さに形成された位置決め部材を前記支持部材の上面に配置し、前記下面が前記位置決め部材と当接した時、前記下面が所定高さ位置に位置するとみなす、請求項1記載の部品搭載方法。第1の面と、前記第1の面から支持部材の高さに半田部材の熱収縮高さを加えた距離だけ離れた第2の面と、を備える位置決め部材を保持している場合、前記第1の面が前記支持部材の上面に当接するまで前記第2の面で前記半田部材を押圧しながら前記位置決め部材を前記被搭載部材に近づけ、前記搭載部品を保持している場合、前記下面が前記半田部材と当接した時、前記下面が所定高さ位置に位置するとみなす、請求項1記載の部品搭載方法。前記下面が前記半田部材と接しないように配置して前記搭載部品を前記被搭載部材に近づけ、前記下面が前記支持部材の上面に当接した時の位置に半田部材の熱収縮高さを加えて前記所定高さ位置として記憶し、前記下面を前記半田部材の上方に配置して前記搭載部品を前記被搭載部材に近づけ、前記下面を前記記憶した所定高さ位置で維持する、請求項1記載の部品搭載方法。搭載部品を被搭載部材に近づけて、前記搭載部品の下面を支持部材の高さに半田部材の熱収縮高さを加えた所定の高さ位置に維持する保持手段と、前記半田部材を加熱後に冷却する加熱冷却手段と、を備え、前記下面を前記所定の高さ位置に維持した状態で、前記加熱冷却手段が前記半田部材の冷却を開始すると共に前記保持手段が前記搭載部品を保持する保持力を前記半田部材の熱収縮力より小さくすることを特徴とする部品搭載装置。前記支持部材の上面に配置され、前記半田部材の融点より高い昇華点を有すると共に支持部材の高さに半田部材の熱収縮高さを加えた厚さに形成された位置決め部材をさらに備え、前記保持手段は、前記下面が前記位置決め部材と当接した時、前記下面が所定高さ位置に位置するとみなす、請求項5記載の部品搭載装置。第1の面と、前記第1の面から支持部材の高さに半田部材の熱収縮高さを加えた距離だけ離れた第2の面と、を備える位置決め部材をさらに備え、前記保持手段は、前記位置決め部材を保持している場合、前記第2の面で前記半田部材を押圧しながら前記第1の面が前記支持部材の上面と当接するまで前記位置決め部材を前記被搭載部材に近づけ、前記搭載部品を保持している場合、前記下面が前記半田部材と当接した時、前記下面が所定高さ位置に位置するとみなす、請求項5記載の部品搭載装置。前記所定高さ位置を記憶する位置決め手段をさらに備え、前記位置決め手段が前記所定高さ位置を記憶している場合、前記保持手段は、前記下面を前記半田部材の上方に配置して前記搭載部品を前記被搭載部材に近づけ、前記下面を前記記憶した所定高さ位置で維持し、前記位置決め手段が前記所定高さ位置を記憶していない場合、前記保持手段は、前記下面が前記半田部材と接しないように配置して前記搭載部品を前記被搭載部材に近づけ、前記下面を前記支持部材の上面を当接させ、前記位置決め手段は、該当接した時の位置に半田部材の熱収縮高さを加えて前記所定高さ位置として記憶する、請求項5記載の部品搭載装置。しかし、特許文献1において、光素子の活性層側を基板へ実装する場合、電気的結合と排熱経路とを同時に確保することができるものの、はんだバンプが固化して熱収縮するのに伴って、光素子の活性層へ応力が付加される場合がある。例えば、半導体レーザの活性層に応力が残留した場合、回折格子近傍の屈折率が変化し、発振条件が影響を受けて単一モード発振特性等の光学特性が劣化する。本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、搭載部品の下面活性層に応力が残留するのを抑制しつつ、搭載部品を被搭載部材上の所望高さに実装することができる部品搭載方法および部品搭載装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために本発明に係る部品搭載方法は、搭載部品を被搭載部材に近づけて、半田部材を加熱し、搭載部品の下面を支持部材の高さに半田部材の熱収縮高さを加えた所定の高さ位置に維持し、下面を所定の高さ位置に維持した状態で、半田部材の冷却を開始すると共に搭載部品を保持する保持力を半田部材の熱収縮力より小さくする。上記目的を達成するために本発明に係る部品搭載装置は、搭載部品を被搭載部材に近づけて、搭載部品の下面を支持部材の高さに半田部材の熱収縮高さを加えた所定の高さ位置に維持する保持手段と、半田部材を加熱後に冷却する加熱冷却手段と、を備える。ここで、下面が所定の高さ位置に維持されている時に、加熱冷却手段が半田部材の冷却を開始すると共に保持手段が搭載部品を半田部材の熱収縮力より小さい保持力で保持する。本発明に係る部品搭載方法および部品搭載装置は、搭載部品の下面を支持部材の高さに半田部材の熱収縮高さを加えた所定の高さ位置に維持した状態で、半田部材の冷却を開始すると共に搭載部品を保持する力を半田部材の熱収縮力より小さくする。この場合、半田部材の熱収縮が搭載部品の下面と支持部材の上面との間に形成されている隙間によって吸収され、半田部材が室温に戻って熱収縮しきった時、搭載部品が被搭載部材に実装されると共に搭載部品の下面が支持部材の上面に当接する。従って、搭載部品の下面に応力が残留するのを抑制しつつ、搭載部品を被搭載部材上の所望高さに実装することができる。第1の実施形態第1の実施形態について説明する。本実施形態に係る部品搭載装置10の構成図の一例を図1に示す。図1おいて、本実施形態に係る部品搭載装置10は、保持手段11および加熱冷却手段12を備える。保持手段11は、搭載部品20を被搭載部材30に近づけ、搭載部品20の下面21を所定の高さ位置13に維持する。ここで、所定の高さ位置13とは、支持部材40の高さより高く、半田部材50の当初の高さよりも低い位置であり、具体的には、支持部材40の高さに半田部材50が冷却された時の熱収縮分を加えた高さ位置である。該高さ位置13は、例えば、支持部材40の高さ、半田部材50の体積、粘性および熱膨張係数等を用いてシミュレーションすることにより設計される。さらに、保持手段11は、半田部材50の冷却が開始された時、搭載部品20を保持する保持力を半田部材50の熱収縮力よりも小さくする。加熱冷却手段12は、搭載部品20または被搭載部材30と熱的に接続され、搭載部品20または被搭載部材30を加熱する。本実施形態において、所定の高さ位置13が半田部材50の当初の高さよりも低い位置であることから、保持手段11が搭載部品20の下面21を所定高さ位置13に維持することにより、半田部材50は搭載部品20および被搭載部材30によって挟持される。従って、搭載部品20または被搭載部材30を加熱することにより、半田部材50の温度が上がり、半田部材50が溶融する。さらに、加熱冷却手段12は、保持手段11が搭載部品20の下面21を所定高さ位置13に維持している時に搭載部品20または被搭載部材30の冷却を開始する。搭載部品20または被搭載部材30が冷却されることにより、半田部材50が冷却される。なお、本実施形態において、加熱冷却手段12が被搭載部材30を加熱することによって半田部材50が溶融し、加熱冷却手段12が被搭載部材30を冷却することによって半田部材50が固化する。ここで、該冷却には加熱停止も含まれ、加熱冷却手段12が加熱を停止した場合、結果的に半田部材50の温度が室温まで下がり、固化する。上記の部品搭載装置10を用いて搭載部品20を被搭載部材30上に搭載する場合、保持手段11により搭載部品20を被搭載部材30に近づけ、加熱冷却手段12により半田部材50を溶融する。そして、搭載部品20の下面21を支持部材40の高さに半田部材50の熱収縮高さを加えた所定の高さ位置13に維持し、この状態で、半田部材50の冷却を開始すると共に搭載部品20を保持する保持力を半田部材50の熱収縮力より小さくする。搭載部品20の下面21を所定の高さ位置13に維持することにより、搭載部品20の下面21と支持部材40の上面41との間には、半田部材50の熱収縮高さに相当する隙間が形成される。従って、半田部材50が室温に戻り、熱収縮しきった時に丁度、搭載部品20の下面21が支持部材40の上面41に当接する。以上のように、本実施形態に係る部品搭載装置10は、搭載部品20の下面21を支持部材40の高さに半田部材50が冷却された時の熱収縮高さを加えた高さ位置13に維持した状態で、半田部材50の冷却を開始すると共に保持力を半田部材50の熱収縮力より小さくすることにより、半田部材50の熱収縮を、搭載部品10の下面21と支持部材40の上面41との間に形成されている隙間で吸収することができる。従って、本実施形態に係る部品搭載装置10は、搭載部品20の下面21に応力が残留するのを抑制しつつ、搭載部品20を被搭載部材30上の所望高さに実装することができる。なお、本実施形態では、支持部材40を被搭載部材30の上に配置したがこれに限定されない。例えば、支持部材40および被搭載部材30を他の部材に固定し、配置被搭載部材30から支持部材40の上面41までの距離を所望の距離に設定することもできる。第2の実施形態第2の実施形態について説明する。本実施形態では、部材搭載装置として光モジュール製造装置を、搭載部品として光素子を、被搭載部材として基板を適用する。本実施形態に係る光モジュール製造装置を用いて光素子を基板に搭載する工程を図2乃至図6に示す。なお、図2乃至図6は、光モジュール製造装置100、光素子200および基板300を、光軸を通る垂直面で切断した時の断面図である。本実施形態において、光モジュール製造装置100は、ステージ110、光素子吸着ハンド120、ヒーター130およびスペーサ140を備える。また、基板300の上には台座400、はんだバンプ500および導波路600が配置されている。ここで、スペーサ140が請求項の位置決め部材に、台座400が支持部材に相当する。図2乃至図6において、ステージ110の上に基板300がセットされる。光素子吸着ハンド120は、光素子200の素子基板を所定の吸着力で吸着しながら、光素子200を基板300に近づける。そして、光素子200の活性層面とスペーサ140の上面とが当接した時、光素子200をその状態で維持する。そして、ヒーター130が加熱を停止した時、光素子200を吸着している吸着力をはんだバンプ500の熱収縮力よりも小さくする。以下、光素子200の素子基板および活性層面をそれぞれ、光素子200の上面および下面と記載する。ヒーター130は、基板300または光素子200を加熱することにより、はんだバンプ500を溶融させ、さらに、光素子200の下面がスペーサ140の上面と当接している時、スペーサ140を加熱して気化させる。ヒーター130は、スペーサ140が気化した後、加熱を停止する。スペーサ140は、はんだバンプ500の融点よりやや高い昇華点を有する材料によって、台座400の上に蒸着法、スパッタ法等の手段により所定の厚さに形成される。例えば、はんだバンプ500としてAuSnはんだを用いる場合、スペーサ140として、AuSnはんだの融点約280°Cに対してやや高い昇華点300°Cを有する、テレフタル酸C8H6O4を適用することができる。また、スペーサ140の厚さは、はんだバンプ500が熱収縮した時に光素子200の下面が降下する距離と一致するように設計される。該厚さは、例えば、台座400の高さ、はんだバンプ500の体積、粘性および熱膨張係数等を用いてシミュレーションすることにより決定することができ、台座400の高さが10μmである時、スペーサ140の厚さは0.5μm程度に設定される。スペーサ140が気化することにより、はんだバンプ500が熱収縮を開始する時に、光素子200の下面と台座400の上面との間に所定の隙間例えば、0.5μmが形成される。光素子200は、半導体レーザ等の光素子であり、本実施形態において、光軸210から光線が出射される。基板300は一般的な平面部材である。台座400は、上面にスペーサ140が配置されると共に上面が光素子200の下面と当接し、下面が基板300に固定される。また、台座400の高さは、光導波路600のコア層620と光素子200の光軸210との高さが一致するように設計されている。本実施形態では、2以上の台座400を用いて、光素子200を基板300上の所定高さに支持する。はんだバンプ500は、台座400よりも高い位置まで形成され、基板300の上面と光素子200の下面とを接合する。本実施形態では、図2に示すように、はんだバンプ500は、2以上の台座400の間で、台座400の上に配置されたスペーサ140よりもやや高い位置まで形成される。また、はんだバンプ500として、光モジュールの実装において一般的な接合材として頻繁に利用されるAuSnはんだを適用する。なお、光素子200の接合において必要な接合強度、長期信頼性を満たせば、そのほかの材料を用いることもできる。導波路600は、下部クラッド層610、コア層620および上部クラッド層630が順次積層された積層体であり、コア層620を光線が伝搬する。次に、本実施形態に係る光モジュール製造装置100を用いて光素子200を基板300に搭載する手順について説明する。先ず、スペーサ140を台座400の上に形成する工程について説明する。基板300の上に下部クラッド層610、コア層620および上部クラッド層630を順次積層して光導波路600を形成した後、光導波路600の一端側をエッチング等により除去する。そして、基板300上の光導波路600を除去した領域に、2以上の台座400を形成し、該台座400間にはんだバンプ500を加熱圧着する。さらに、台座400の上にそれぞれ、蒸着法、スパッタ法等の手段を用いてスペーサ140を形成する。次に、スペーサ140を形成した基板300に光素子200を搭載する工程について説明する。該基板300をステージ110の上に固定し、図2に示すように、光素子200を光素子吸着ハンド120で真空吸着して搭載位置の上方に配置する。その後、光素子吸着ハンド120を操作して光素子200を降下させると、図3に示すように、光素子200の下面とはんだバンプ500の上面とが接触する。この状態でヒーター130を用いて基板300加熱することにより、AuSnの融点に到達してはんだバンプ500が溶融する。はんだバンプ500が溶融し、図4に示すように、光素子200の下面とスペーサ140の上面とが当接した時、光素子吸着ハンド120によってこの時の高さを維持する。そして、この状態でヒーター130がさらに基板300を加熱することにより、スペーサ140の温度が上昇する。そして、テレフタル酸の昇華点まで温度が上昇した時、図5に示すように、スペーサ140が気化し、光素子200と台座400の間に所定の隙間が形成される。なお、本実施形態において、ステージ110および光素子吸着ハンド120は断熱素材で構成されており、ほとんど熱膨張しない。従って、加熱時の基板300-光素子200間の距離は、ステージ110および光素子吸着ハンド120の熱膨張に影響されることはない。図5において、スペーサ140が気化した後、ヒーター130による加熱を停止すると共に光素子吸着ハンド120の吸着力をはんだバンプ500の熱収縮力より小さくする。ヒーター130による加熱を停止することにより、はんだバンプ500の温度が下がり、はんだバンプ500は熱収縮しながら固化する。この時、光素子吸着ハンド120の吸着力ははんだバンプ500の熱収縮力より小さいことから、はんだバンプ500が熱収縮するのに伴って光素子200が基板300側へ下降する。そして、基板300が室温に戻った時、図6に示すように、光素子200の下面が台座400の上面に丁度当接し、光素子200が基板300上の所望高さに搭載される。以上のように、本実施形態に係る光モジュール製造装置100は、台座400の上に所定厚さに形成されたスペーサ140を配置し、はんだバンプ500の熱収縮開始時に、該スペーサ140を気化させて光素子200と台座400の間に予め設計された所定の隙間を形成すると共に光素子吸着ハンド120の吸着力をはんだバンプ500の熱収縮力より小さくする。この場合、はんだバンプ500の熱収縮が該隙間によって吸収され、室温に到達した時に丁度、光素子200の下面と台座400の上面とが当接する。従って、光素子200の下面、すなわち、活性層面に応力が残留することなく、光導波路600のコア層620の高さと光素子200の光軸210の高さとが一致した状態で、光素子200を基板300へ搭載することができる。なお、スペーサ140は、蒸着法、スパッタ法等を用いて基板300形成時に同時に形成することができるため、光素子200の搭載時には工程を増やす必要がない。ここで、本実施形態では、光素子吸着ハンド120を用いて光素子200を基板300側へ降下させたが、光素子吸着ハンド120を用いて光素子200を保持しつつ、基板300を上方に移動させることもできる。また、ヒーター130を用いて基板300を加熱することによってはんだバンプ500を溶融させたが、光素子200を加熱することによってはんだバンプ500を溶融させることもできる。さらに、基板300または光素子200を冷却する手段を設け、はんだバンプ500を速やかに固化させることもできる。ここで、本実施形態に係る光モジュール製造装置100の活用例として、レーザ素子を始めとした光導波路を持つ製品の実装や、微小薄型素子のような低応力と高精度の両方が求められる製品の実装が挙げられる。第3の実施形態第3の実施形態について説明する。本実施形態においても、部材搭載装置として光モジュール製造装置を、搭載部品として光素子を、被搭載部材として基板を適用する。本実施形態に係る光モジュール製造装置を用いて光素子を基板に搭載する工程を図7乃至図11に示す。なお、図7乃至図11は、光モジュール製造装置100B、光素子200Bおよび基板300Bを、光軸を通る垂直面で切断した時の断面図である。本実施形態において、光モジュール製造装置100Bは、ステージ110B、光素子吸着ハンド120B、ヒーター130Bおよび成形ツール150Bを備える。また、基板300Bの上には台座400B、はんだバンプ500Bおよび導波路600Bが配置されている。なお、本実施形態に係る成形ツール150B以外は、第2の実施形態で説明したそれらと同様なため、詳細な説明を省略する。成形ツール150Bは、金属やシリコン等を用いて凹型に成形された部材である。図7において、成形ツール150Bは、はんだ成形面151Bおよび台座当接部152Bを備える。はんだ成形面151Bは、はんだバンプ500Bの上面を覆う面積を有する平面であり、はんだ成形面151Bがはんだバンプ500Bを押圧することによって、はんだバンプ500Bの上面が低背に成形される。台座当接部152Bは、はんだ成形面151B上の台座400Bと対応する位置に配置され、台座400Bの上面と当接する開放面を有する。台座当接部152Bの高さは、はんだバンプ500Bが熱収縮した時に光素子200Bの下面が降下する距離と一致するように設計される。該高さは、台座400Bの高さ、はんだバンプ500Bの体積、粘性および熱膨張係数等を用いてシミュレーションすることにより決定でき、例えば、台座400Bの高さが10μmである時、台座当接部152Bの高さは0.5μm程度に設定される。なお、本実施形態では、台座当接部152Bをはんだ成形面151B上に配置し、成形ツール150Bを凹型に形成したが、台座当接部152Bの開放面とはんだ成形面151Bとの距離を所定の値に設定できれば、その他の構成を適用することもできる。次に、本実施形態に係る光モジュール製造装置100Bを用いて光素子200Bを基板300Bに搭載する手順について説明する。第2の実施形態と同様に、基板300B上の光導波路600Bを除去した領域に、2以上の台座400Bを形成すると共に、台座400B間にはんだバンプ500Bを加熱圧着する。なお、本実施形態では台座400Bの上面には何も形成する必要がない。そして、図7に示すように、ステージ110Bの上に基板300Bを固定し、光素子吸着ハンド120Bで成形ツール150Bを真空吸着した後、光素子吸着ハンド120Bを操作して、台座当接部152Bと台座400Bとがそれぞれ対向するように成形ツール150Bを基板300Bの上方に配置する。光素子吸着ハンド120Bを操作して成形ツール150Bを降下させることにより、先ず、成形ツール150Bのはんだ成形面151Bがはんだバンプ500Bに当接する。その状態でさらに成形ツール150Bを降下させると、はんだバンプ500Bの上面がはんだ成形面151Bに押圧されて低背に成形される。そして、図8に示すように、台座当接部152Bの開放面が台座400Bの上面に当接した時、成形ツール150Bの降下を停止して、成形ツール150Bを上昇させる。その後、光素子吸着ハンド120Bから成形ツール150Bが取り外され、図9に示すように、光素子吸着ハンド120Bへ光素子200Bが真空吸着される。光モジュール製造装置100Bは、光素子200Bが真空吸着された時、光素子吸着ハンド120Bを操作して光素子200Bの降下を開始する。そして、図10に示すように、光素子200Bの下面がはんだバンプ500Bの上面に当接した時、降下を停止して光素子200Bをその高さに維持する。光素子200Bの降下を停止した時にヒーター130Bが基板300Bの加熱を開始することにより、はんだバンプ500Bの温度が上昇してはんだバンプ500Bが溶融する。そして、所定時間経過後、ヒーター130Bによる加熱を停止すると共に光素子吸着ハンド120Bの吸着力をはんだバンプ500Bの熱収縮力より小さくする。はんだバンプ500Bの温度が下がって熱収縮するのに伴い、光素子200Bは基板300B側へ下降する。そして、はんだバンプ500Bが室温に到達した時、図11に示すように、はんだバンプ500Bが固化して光素子200Bが基板300Bへ搭載されると共に光素子200Bの下面が台座400Bの上面に丁度当接する。すなわち、光導波路600Bのコア層620Bの高さと光素子200Bの光軸210Bの高さとが一致した状態で光素子200Bが基板300Bへ搭載される。本実施形態において、成形ツール150Bを用いて、はんだバンプ500Bの上面と台座400Bの上面との距離が所定の値になるようにはんだバンプ500Bを予め成形しておくことにより、はんだバンプ500Bの熱収縮開始時に光素子200Bの下面と台座400Bの上面との間に所定の隙間が形成される。従って、光素子200Bの下面に応力が残留することなく、室温に到達した時、光素子200Bの下面と台座400Bの上面とが当接し、光素子200Bが基板300B上の所望高さに搭載される。なお、本実施形態に係る部材搭載方法は、光素子200Bの搭載工程においてはんだバンプ500Bを成形する工程が増えるものの、第2の実施例と比較してテレフタル酸等の製造用の材料を準備する必要が無い。従って、生産数が少ない場合等に適用することが望ましい。第4の実施形態第4の実施形態について図12を用いて説明する。図12において、光モジュール製造装置100Cは、ステージ110C、光素子吸着ハンド120C、ヒーター130Cおよびメモリ160Cを備える。図12において、本実施形態に係るヒーター130Cは光素子200Cの上面と熱的に接続され、光素子200Cを加熱することにより、はんだバンプ500Cが溶融する。また、メモリ手段150Cに所定高さ位置が記憶される。なお、メモリ160Cが請求項の位置決め手段に相当する。光モジュール製造装置100Cは、メモリ160Cに所定高さ位置が記憶されていない場合、光素子吸着ハンド120Cに光素子200Cを真空吸着した状態で、光素子200Cの下面がはんだバンプ500Cと接しない位置で光素子200Cを降下させ、図12に示すように、光素子200Cの下面の活性層付近以外の部分と台座400Cの上面とを当接させる。光モジュール製造装置100Cは、光素子200Cの下面が台座400Cの上面に当接した時の高さに所定の値を加え、所定高さ位置としてメモリ160Cに記憶する。光モジュール製造装置100Cは、メモリ160Cに所定高さ位置を記憶した後、光素子吸着ハンド120Cを用いて光素子200Cをはんだバンプ500Cの上方に移動させ、ヒーター130Cを用いて光素子200Cの加熱を開始する。さらに、光素子吸着ハンド120Cを用いてメモリ160Cに記憶した高さ位置まで光素子200Cを下降させる。光素子200Cがメモリ160Cに記憶した高さ位置まで降下することにより、光素子200Cとはんだバンプ500Cとが接触し、はんだバンプ500Cが溶融する。光モジュール製造装置100Cは、光素子200Cの下面を所定高さ位置に維持した状態ではんだバンプ500Cを溶融し、所定時間経過した後、ヒーター130Cによる加熱を停止すると共に光素子吸着ハンド120Cの吸着力をはんだバンプ500Cの熱収縮力より小さくする。これにより、はんだバンプ500Cが室温に到達した時、はんだバンプ500Cが固化して光素子200Cが基板300Cへ搭載されると共に光素子200Cの下面が台座400Cの上面に当接する。従って、光素子200Cの下面に応力が残留することなく、光導波路600Cのコア層620Cの高さと光素子200Cの光軸210Cの高さとが一致した状態で、光素子200Cが基板300Cへ搭載される。本実施形態に係る部材搭載方法は、第3の実施形態と同様に、光素子200Cの搭載工程において所定の高さ位置を記憶するための工程が増えるものの、第2の実施例と比較してテレフタル酸等の製造用の材料を準備する必要が無い。従って、生産数が少ない場合等に適用することが望ましい。