"電子素子100において、該電子素子は、-第1電極104と、-該第1電極104上のまたは当該第1電極104を覆う有機機能層構造体106と、-該有機機能層構造体106上のまたは当該有機機能層構造体106を覆う第2電極112と、-当該第2電極112上のまたは当該第2電極112を覆う誘電体層114と、-当該誘電体層114上のまたは当該誘電体層114を覆う反射層構造体116とを有しており、前記有機機能層構造体106は、前記第1電極104と前記第2電極112との間で第1マイクロキャビティを構成し、前記誘電体層114は、前記第2電極112と前記反射構造体116との間で第2マイクロキャビティを構成する、ことを特徴とする電子素子100。請求項1に記載の電子素子100において、前記第1マイクロキャビティが前記第2電極112を介して前記第2マイクロキャビティに光結合されるように前記第2電極112が構成されている、ことを特徴とする電子素子100。請求項2に記載の電子素子100において、前記第2電極112は、前記有機機能層構造体106から放射されるビームに対して半透明である、ことを特徴とする電子素子100。請求項1から3までのいずれか1項に記載の電子素子100において、前記誘電体層114は、380nmから780nmの波長領域の少なくとも1つの部分領域におけるビームに対して透明である、ことを特徴とする電子素子100。請求項1から4までのいずれか1項に記載の電子素子100において、前記誘電体層114は、つぎの方法のうちの1つによって被着されている、すなわち、-化学気相デポジット法-物理気相デポジット法-スピンコーティング法-印刷法-スキージ法-スプレー法-ディップコーティング法のいずれかによって被着されている、ことを特徴とする電子素子100。請求項1から5までのいずれか1項に記載の電子素子100において、前記誘電体層114は、原子層エピタキシ層である、ことを特徴とする電子素子100。請求項1から6までのいずれか1項に記載の電子素子100において、前記誘電体層114は、約50nmから約2μmの範囲の、有利には約70nmから約200nmの範囲の層厚を有する、ことを特徴とする電子素子100。請求項1から7までのいずれか1項に記載の電子素子100において、前記誘電体層114は、SiO2,Si3N4,SiON,Al2O3,ZrO2,TiO2,Ta2O5,SiO2,ZnOおよびHfO2からなるグループから選択される材料または当該材料の混合物または当該材料の層の積層体を有するかまたは当該材料の組み合わせを有する、ことを特徴とする電子素子100。電子素子100を作製する方法200において、当該方法は、-第1電極104を形成するステップ202と、-当該第1電極104上にまたは当該第1電極104を覆って有機機能層構造体106を形成するステップ204と、-当該有機機能層構造体106上にまたは当該有機機能層構造体106を覆って第2電極112を形成するステップ206と、-当該第2電極112上にまたは当該第2電極112を覆って誘電体層114を形成するステップ208と、-前記有機機能層構造体106が前記第1電極104と前記第2電極112との間で第1マイクロキャビティを構成するように、かつ、前記誘電体層114が、前記第2電極112と前記反射層構造体116との間で第2マイクロキャビテを構成するように、前記誘電体層114上にまたは当該誘電体層114を覆って反射層構造体116を形成するステップとを有する、ことを特徴とする、電子素子100を作製する方法。請求項9に記載の方法において、前記第1マイクロキャビティと前記第2マイクロキャビティとが光結合されるように前記第2電極112を構成する、ことを特徴とする方法。請求項10に記載の方法において、前記有機機能層構造体106から放射されるビームに対して半透明に前記第2電極112を構成する、ことを特徴とする方法。請求項9から11までのいずれか1項に記載の方法において、380nmから780nmの波長領域の少なくとも1つの部分領域におけるビームに対して透明である層として前記誘電体層114を形成する、ことを特徴とする方法。請求項9から12までのいずれか1項に記載の方法において、前記誘電体層114をつぎの方法のうちの1つによって被着する、すなわち、-化学気相デポジット法-物理気相デポジット法-スピンコーティング法-印刷法-スキージ法-スプレー法-ディップコーティング法のいずれか1つの方法によって被着する、ことを特徴とする方法。請求項9から13までのいずれか1項に記載の方法において、前記誘電体層114を原子層エピタキシ法によって被着する、ことを特徴とする方法。請求項9から14までのいずれか1項に記載の方法において、約50nmから約2μmの範囲の、有利には約70nmから約200nmの範囲の層厚で前記誘電体層114を形成する、ことを特徴とする方法。請求項9から15までのいずれか1項に記載の方法において、前記誘電体層114を、SiO2,Si3N4,SiON,Al2O3,ZrO2,TiO2,Ta2O5,SiO2,ZnOおよびHfO2からなるグループから選択される材料または当該材料の混合物または当該材料の層の積層体から形成するか、または当該材料の組み合わせとする、ことを特徴とする方法。"