"半導体基板の内部において複数の画素のそれぞれに対応して複数が設けられており、入射光を受光面で受光する光電変換部と、前記半導体基板にて前記入射光が入射する入射面の側において、前記光電変換部の側部に設けられたトレンチ内に埋め込まれており、前記複数の画素の間を電気的に分離する画素分離部とを有し、前記画素分離部は、前記受光面に入射した前記入射光を吸収する絶縁材料によって形成されている、固体撮像装置。前記入射光が前記受光面へ透過するカラーフィルタを含み、前記カラーフィルタは、互いに異なる波長範囲の光について透過率が高い複数種のフィルタ層が、前記複数の画素のそれぞれに対応して互いに隣接して配置されており、前記画素分離部は、前記複数種のフィルタ層において異なる複数の波長範囲のうち、少なくとも一つの波長範囲の光を選択的に吸収するように形成されている、請求項1に記載の固体撮像装置。前記画素分離部は、前記複数種のフィルタ層において異なる複数の波長範囲のうち、最も短波長な波長範囲の光を少なくとも選択的に吸収するように形成されている、請求項2に記載の固体撮像装置。前記カラーフィルタは、前記複数の波長範囲のうち、最も短波長な第1の波長範囲の光について透過率が高い第1フィルタ層と、前記第1の波長範囲よりも長い第2の波長範囲の光について透過率が高い第2フィルタ層とが、前記複数種のフィルタ層として少なくとも設けられており、前記第1フィルタ層と前記第2フィルタ層とのそれぞれが、前記複数の画素のそれぞれに対応して互いに隣接して配置されており、前記画素分離部は、前記第1波長範囲の光を少なくとも選択的に吸収するように形成されている、請求項3に記載の固体撮像装置。前記画素分離部は、前記第1の波長範囲の光を選択的に吸収する第1光吸収部と、前記第2の波長範囲の光を選択的に吸収する第2光吸収部とを含み、前記第1光吸収部と前記第2光吸収部とが、前記トレンチにおいて積層するように設けられている、請求項4に記載の固体撮像装置。前記画素分離部においては、前記トレンチの底部側に前記第2光吸収部が形成され、前記トレンチの上部側において、前記第2光吸収部に積層するように前記第1光吸収部が形成されている、請求項5に記載の固体撮像装置。前記カラーフィルタは、前記第2の波長範囲よりも長い第3の波長範囲の光について透過率が高い第3フィルタ層が、前記複数種のフィルタ層として、さらに設けられており、前記第3フィルタ層が、前記第1フィルタ層と前記第2フィルタ層とのそれぞれと共に、前記複数の画素のそれぞれに対応して互いに隣接して配置されており、前記画素分離部は、前記第3の波長範囲の光を選択的に吸収する第3光吸収部を、さらに含み、前記第3光吸収部が、前記第1光吸収部と前記第2光吸収部と共に、前記トレンチにおいて積層するように設けられている、請求項5に記載の固体撮像装置。前記画素分離部においては、前記トレンチの底部側に前記第3光吸収部が形成され、前記第3光吸収部に積層するように前記第2光吸収部が形成され、前記第2光吸収部に積層するように前記第1光吸収部が形成されている、請求項7に記載の固体撮像装置。前記半導体基板において前記入射面とは反対側の面に設けられており、前記光電変換部で生成された信号電荷を電気信号として出力する画素トランジスタと、前記半導体基板において前記入射面とは反対側の面にて、前記画素トランジスタを被覆するように設けられている配線層とを有する、請求項1から8のいずれかに記載の固体撮像装置。前記画素分離部は、前記半導体基板と屈折率が異なる材料で形成されている、請求項1から8のいずれかに記載の固体撮像装置。前記半導体基板において前記トレンチ内の面を被覆するように成膜されたピニング層を有する、請求項1から8のいずれかに記載の固体撮像装置。前記半導体基板にて前記入射面の側に設けられており、前記入射光が前記受光面へ通過する開口が形成されている遮光膜を有する、請求項1から8のいずれかに記載の固体撮像装置。前記画素分離部は、ALDAtomicLayerDeposition法によって成膜されたシリコン窒化膜によって形成されている、請求項4に記載の固体撮像装置。前記画素分離部は、黒色色素を含む樹脂によって形成されている、請求項4に記載の固体撮像装置。入射光を受光面で受光する複数の光電変換部を、半導体基板において複数の画素に対応するように設ける工程と、前記半導体基板にて前記入射光が入射する入射面の側において、前記光電変換部の側部に設けられたトレンチ内に埋め込まれるように、前記複数の画素の間を電気的に分離する画素分離部を形成する工程とを有し、前記画素分離部の形成工程においては、前記受光面に入射した前記入射光を吸収する絶縁材料によって前記画素分離部を形成する、固体撮像装置の製造方法。半導体基板の内部において複数の画素のそれぞれに対応して複数が設けられており、入射光を受光面で受光する光電変換部と、前記半導体基板にて前記入射光が入射する入射面の側において、前記光電変換部の側部に設けられたトレンチ内に埋め込まれており、前記複数の画素の間を電気的に分離する画素分離部とを有し、前記画素分離部は、前記受光面に入射した前記入射光を吸収する絶縁材料によって形成されている、電子機器。図27は、裏面照射型のCMOSイメージセンサにおいて、画素Pの要部を示す断面図である。図27に示すように、裏面照射型のCMOSイメージセンサは、半導体基板101の内部において画素分離部101pbで区画された部分に、フォトダイオード21が設けられている。フォトダイオード21は、n型不純物領域101nが電荷蓄積領域として設けられている。フォトダイオード21は、HAD構造であり、n型不純物領域101nが、半導体基板101の深さ方向zにおいてp型半導体領域101pa,101pcで挟まれるように形成されている。図27では図示していないが、この半導体基板101の表面図27では、下面には、画素トランジスタが設けられており、図27に示すように、その画素トランジスタを被覆するように配線層111が設けられている。配線層111は、配線111hが絶縁層111zで覆われるように形成されている。そして、配線層111の表面下面には支持基板SSが設けられている。これに対して、半導体基板101の裏面図27では上面には、遮光膜60、カラーフィルタCF、マイクロレンズMLが設けられており、この各部を介して入射する入射光Hを、フォトダイオード21が受光するように構成されている。ここでは、遮光膜60は、図27に示すように、たとえば、シリコン酸化膜である絶縁膜SZを介して、半導体基板101の上面に形成されている。遮光膜60は、半導体基板101の内部に設けられた画素分離部101pbの上方に設けられており、受光面JSの上方は開口している。たとえば、遮光膜60は、金属などの遮光材料を用いて形成されている。そして、遮光膜60は、平坦化膜HTによって、上面が被覆されており、その平坦化膜HTの上面には、カラーフィルタCFと、マイクロレンズMLが設けられている。カラーフィルタCFは、たとえば、3原色の各フィルタ層がベイヤー配列で画素Pごとに配列されている。上記の固体撮像装置を製造する際には、まず、半導体基板101の表面側図27では下面側から不純物をイオン注入することで、フォトダイオード21,画素分離部101pbを形成する。そして、その半導体基板101の表面下面側に画素トランジスタ図示なし等の部材を形成後、その表面下面を被覆するように、配線層111を形成する。そして、配線層111の表面下面に支持基板SSを貼り合わせる。この後、半導体基板101の裏面上面側を研磨する薄膜化処理を実施する。そして、絶縁膜SZ,遮光膜60,平坦化膜HT,カラーフィルタCF,マイクロレンズMLなどの各部材を、順次、半導体基板101の裏面上面側に設ける。このようにすることで、上記の固体撮像装置を製造する。上記の固体撮像装置は、遮光膜60が半導体基板101の裏面上面に形成されているが、一の画素Pに入射した入射光Hが、その遮光膜60の下方を透過し、隣接する他の画素Pのフォトダイオード21に入射する場合がある。たとえば、入射光Hが大きく傾斜して入射した場合には、不純物のイオン注入によって形成された画素分離部101pbを、その入射光Hが通過して、隣接する他の画素Pのフォトダイオード21に入射する場合がある。また、乱反射した光が、同様に、他の画素Pのフォトダイオード21に入射する場合がある。このため、いわゆる混色が発生して、撮像したカラー画像において色再現性が低下し、画像品質が低下する場合がある。裏面照射型の固体撮像装置では、半導体基板101の裏面上面側から入射光Hがフォトダイオード21の受光面JSに入射する。このため、半導体基板101の裏面上面の近傍において、混色の発生が多い。上述したように、裏面照射型の固体撮像装置では、半導体基板101の表面側図27では下面側から不純物を高エネルギーでイオン注入しアニール処理することで画素分離部101pbを形成している。このため、入射光Hが入射する半導体基板101の裏面上面側では、表面下面側からイオン注入された不純物が横方向へ拡散するので、図27に示すように、画素分離部101pbの幅が裏面上面側で広がって形成される。よって、半導体基板101の裏面上面側では、横方向の電界が弱い特開2003-318122号を参照。したがって、これに起因して、半導体基板101の裏面上面の近傍での混色が、さらに発生する場合がある。特に、青色のように短波長の光を受光する画素で生成された電荷が、隣接する他の色の光を受光する画素へ移動して、混色の発生が顕在化する場合がある。これは、単結晶シリコン半導体からなる半導体基板101では、より短波長の光が、その入射した裏面上面の近傍で吸収されるからである。この他に、上記のように画素分離部101pbの幅が広くなるために、フォトダイオード21の占有面積を広げることが困難になる場合がある。よって、フォトダイオード21の飽和電荷蓄積量Qsが低下して、ダイナミックレンジが悪化し、撮像画像の画像品質を向上させることが困難になる場合がある。上述した不具合の発生は、裏面照射型の場合に限らず、表面照射型の固体撮像装置の場合にも発生し得る。表面照射型の場合には、半導体基板において入射光が入射する表面側から不純物をイオン注入して画素分離部が形成されるので、その表面から深い部分において、画素分離部の幅が広がって形成される。また、単結晶シリコン半導体からなる半導体基板では、短波長の光は、その入射した表面の近傍で吸収されるが、長波長の光は、半導体基板の深い部分まで到達する。このため、特に、赤色のように長波長の光について受光する画素の飽和電荷蓄積量Qsを向上させることが困難であるので、撮像画像の画像品質を向上させることが容易でない。このように、固体撮像装置においては、撮像画像の画像品質を向上させることが困難な場合がある。したがって、本発明は、撮像画像の画像品質等を向上可能な、固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器を提供する。本発明の固体撮像装置は、半導体基板の内部において複数の画素のそれぞれに対応して複数が設けられており、入射光を受光面で受光する光電変換部と、前記半導体基板にて前記入射光が入射する入射面の側において、前記光電変換部の側部に設けられたトレンチ内に埋め込まれており、前記複数の画素の間を電気的に分離する画素分離部とを有し、前記画素分離部は、前記受光面に入射した前記入射光を吸収する絶縁材料によって形成されている。本発明の固体撮像装置の製造方法は、入射光を受光面で受光する複数の光電変換部を、半導体基板において複数の画素に対応するように設ける工程と、前記半導体基板にて前記入射光が入射する入射面の側において、前記光電変換部の側部に設けられたトレンチ内に埋め込まれるように、前記複数の画素の間を電気的に分離する画素分離部を形成する工程とを有し、前記画素分離部の形成工程においては、前記受光面に入射した前記入射光を吸収する絶縁材料によって前記画素分離部を形成する。本発明の電子機器は、半導体基板の内部において複数の画素のそれぞれに対応して複数が設けられており、入射光を受光面で受光する光電変換部と、前記半導体基板にて前記入射光が入射する入射面の側において、前記光電変換部の側部に設けられたトレンチ内に埋め込まれており、前記複数の画素の間を電気的に分離する画素分離部とを有し、前記画素分離部は、前記受光面に入射した前記入射光を吸収する絶縁材料によって形成されている。本発明によれば、撮像画像の画像品質等を向上可能な、固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器を提供することができる。本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、説明は、下記の順序で行う。1.実施形態1画素分離部が単一層である場合2.実施形態2画素分離部の周囲にピニング層を設ける場合3.実施形態3画素分離部が2つの異なる光吸収部で構成される場合4.実施形態4画素分離部が3つの異なる光吸収部で構成される場合5.実施形態5表面照射型の場合6.その他<1.実施形態1>A装置構成A-1カメラの要部構成図1は、本発明にかかる実施形態1において、カメラ40の構成を示す構成図である。図1に示すように、カメラ40は、固体撮像装置1と、光学系42と、制御部43と、信号処理部44とを有する。各部について、順次、説明する。固体撮像装置1は、光学系42を介して被写体像として入射する入射光Hを撮像面PSで受光し光電変換して信号電荷を生成する。ここでは、固体撮像装置1は、制御部43から出力される制御信号に基づいて駆動することで信号電荷を読み出し、電気信号を出力する。光学系42は、結像レンズや絞りなどの光学部材を含み、入射光Hを、固体撮像装置1の撮像面PSへ集光するように配置されている。制御部43は、各種の制御信号を固体撮像装置1と信号処理部44とに出力し、固体撮像装置1と信号処理部44とを制御して駆動させる。信号処理部44は、固体撮像装置1から出力された電気信号をローデータとして信号処理を実施することによって、被写体像についてデジタル画像を生成するように構成されている。A-2固体撮像装置の要部構成固体撮像装置1の全体構成について説明する。図2は、本発明にかかる実施形態1において、固体撮像装置1の全体構成を示す図である。本実施形態の固体撮像装置1は、CMOS型イメージセンサであり、図2に示すように、半導体基板101を含む。半導体基板101は、たとえば、単結晶シリコン半導体基板が薄膜化されたものであり、画素領域PAと、周辺領域SAとが面に設けられている。画素領域PAは、図2に示すように、矩形形状であり、複数の画素Pが水平方向xと垂直方向yとのそれぞれに配置されている。つまり、画素Pがマトリクス状に並んでいる。画素領域PAにおいて、画素Pは、入射光を受光して信号電荷を生成するように構成されている。そして、その生成した信号電荷が、画素トランジスタ図示なしによって読み出されて電気信号として出力される。画素Pの詳細な構成については、後述する。周辺領域SAは、図2に示すように、画素領域PAの周囲に位置している。そして、この周辺領域SAにおいては、周辺回路が設けられている。具体的には、図2に示すように、垂直駆動回路13と、カラム回路14と、水平駆動回路15と、外部出力回路17と、タイミングジェネレータTG18と、シャッター駆動回路19とが、周辺回路として設けられている。垂直駆動回路13は、図2に示すように、周辺領域SAにおいて、画素領域PAの側部に設けられており、画素領域PAの画素Pを行単位で選択して駆動させるように構成されている。カラム回路14は、図2に示すように、周辺領域SAにおいて、画素領域PAの下端部に設けられており、列単位で画素Pから出力される信号について信号処理を実施する。ここでは、カラム回路14は、CDSCorrelatedDoubleSampling;相関二重サンプリング回路図示なしを含み、固定パターンノイズを除去する信号処理を実施する。水平駆動回路15は、図2に示すように、カラム回路14に電気的に接続されている。水平駆動回路15は、たとえば、シフトレジスタを含み、カラム回路14において画素Pの列ごとに保持されている信号を、順次、外部出力回路17へ出力させる。外部出力回路17は、図2に示すように、カラム回路14に電気的に接続されており、カラム回路14から出力された信号について信号処理を実施後、外部へ出力する。外部出力回路17は、AGCAutomaticGainControl回路17aとADC回路17bとを含む。外部出力回路17においては、AGC回路17aが信号にゲインをかけた後に、ADC回路17bがアナログ信号からデジタル信号へ変換して、外部へ出力する。タイミングジェネレータ18は、図2に示すように、垂直駆動回路13、カラム回路14、水平駆動回路15,外部出力回路17,シャッター駆動回路19のそれぞれに電気的に接続されている。タイミングジェネレータ18は、各種のタイミング信号を生成し、垂直駆動回路13、カラム回路14、水平駆動回路15,外部出力回路17,シャッター駆動回路19に出力することで、各部について駆動制御を行う。シャッター駆動回路19は、画素Pを行単位で選択して、画素Pにおける露光時間を調整するように構成されている。A-3固体撮像装置の詳細構成本実施形態にかかる固体撮像装置の詳細内容について説明する。図3~図5は、本発明にかかる実施形態1において、固体撮像装置の要部を示す図である。図3は、画素Pの断面図である。そして、図4は、画素Pの上面図である。また、図5は、画素Pの回路構成を示している。なお、図3は、図4に示すX1-X2部分の断面を示している。また、図4では、説明の都合で、破線などの実線以外の線を用いて、各部材を示している部分がある。図3に示すように、固体撮像装置1は、半導体基板101の内部にフォトダイオード21と画素分離部301とが設けられている。たとえば、薄膜化された単結晶シリコンの半導体基板101に各部が設けられている。半導体基板101の裏面図3では上面には、遮光膜60、カラーフィルタCF、マイクロレンズMLなどの部材が設けられている。これに対して、半導体基板101の表面図3では、下面には、図3では図示していないが、図5に示す画素トランジスタTrが設けられている。そして、図3に示すように、その画素トランジスタTrを被覆するように配線層111が設けられており、配線層111において、半導体基板101の側に対して反対側の面には、支持基板SSが設けられている。つまり、本実施形態の固体撮像装置1は、裏面照射型CMOSイメージセンサであり、裏面上面側から入射する入射光Hを、フォトダイオード21が受光し、カラー画像を撮像によって生成するように構成されている。各部の詳細について順次説明する。aフォトダイオード21について固体撮像装置1において、フォトダイオード21は、図2に示した複数の画素Pに対応するように複数が画素領域PAに配置されている。つまり、撮像面xy面において、水平方向xと、この水平方向xに対して直交する垂直方向yとのそれぞれに並んで設けられている。フォトダイオード21は、入射光Hを受光し光電変換することによって信号電荷を生成して蓄積するように構成されている。ここでは、図3に示すように、半導体基板101の裏面図3では上面側から入射する入射光Hをフォトダイオード21が受光する。フォトダイオード21の上方には、図3に示すように、平坦化膜HT,カラーフィルタCF,マイクロレンズMLが設けられており、各部を順次介して入射した入射光Hを、受光面JSで受光して光電変換が行われる。図3に示すように、フォトダイオード21は、たとえば、単結晶シリコン半導体である半導体基板101内に設けられている。たとえば、フォトダイオード21は、n型半導体領域101nが、電荷電子を蓄積する電荷蓄積領域として形成されている。フォトダイオード21においては、n型半導体領域101nは、半導体基板101のp型半導体領域101pa,101pcの内部に設けられている。ここでは、n型半導体領域101nにおいて、半導体基板101の表面下面側には、裏面上面側よりも不純物濃度が高いp型半導体領域101pcが設けられている。つまり、フォトダイオード21は、HAD構造であり、n型半導体領域101nの上面側と下面側との各界面において、暗電流が発生することを抑制するように、p型半導体領域101pa,101pcが形成されている。半導体基板101の内部には、図3に示すように、複数の画素Pの間を電気的に分離する画素分離部301が設けられており、この画素分離部301で区画された領域に、フォトダイオード21が設けられている。たとえば、図4に示すように、画素分離部301が複数の画素Pの間に介在するように格子状に形成されており、フォトダイオード21は、この画素分離部101pbで区画された領域内に形成されている。そして、図5に示すように、各フォトダイオード21は、アノードが接地されており、蓄積した信号電荷ここでは、電子が、画素トランジスタTrによって読み出され、電気信号として垂直信号線27へ出力されるように構成されている。b遮光膜60について固体撮像装置1において、遮光膜60は、図3に示すように、半導体基板101の裏面図3では上面の側に設けられている。遮光膜60は、半導体基板101の上方から半導体基板101の裏面へ向かう入射光Hの一部を、遮光するように構成されている。図3に示すように、遮光膜60は、半導体基板101の内部に設けられた画素分離部301の上方に設けられている。ここでは、遮光膜60は、半導体基板101の裏面上面上において、シリコン酸化膜などの絶縁膜SZを介して、凸形状に突き出るように設けられている。これに対して、半導体基板101の内部に設けられたフォトダイオード21の上方においては、フォトダイオード21に入射光Hが入射するように、遮光膜60は、設けられておらず、開口している。つまり、図4に示すように、遮光膜60は、平面形状が格子状であって、入射光Hが受光面へ通過する開口が形成されている。遮光膜60は、光を遮光する遮光材料で形成されている。たとえば、チタンTi膜とタングステンW膜とを、順次、積層することで、遮光膜60が形成されている。この他に、窒化チタンTiN膜とタングステンW膜とを、順次、積層することで、遮光膜60を形成しても好適である。そして、遮光膜60は、図3に示すように、平坦化膜HTによって被覆されている。平坦化膜HTは、光を透過する絶縁材料を用いて形成されている。cカラーフィルタCFについて固体撮像装置1において、カラーフィルタCFは、図3に示すように、半導体基板101の裏面図3では上面の側において、平坦化膜HTの上面に設けられている。カラーフィルタCFは、図4に示すように、赤色フィルタ層CFRと、緑色フィルタ層CFGと、青色フィルタ層CFBとを含む。赤色フィルタ層CFRと、緑色フィルタ層CFGと、青色フィルタ層CFBとのそれぞれは、隣接して配置されており、いずれかが、複数の画素Pのそれぞれに対応して設けられている。ここでは、図4に示すように、赤色フィルタ層CFRと、緑色フィルタ層CFGと、青色フィルタ層CFBとのそれぞれが、ベイヤー配列で並ぶように配置されている。すなわち、複数の緑色フィルタ層CFGが市松状になるように、対角方向へ並んで配置されている。そして、赤色フィルタ層CFRと青色フィルタ層CFBとが、複数の緑色フィルタ層CFGにおいて、対角方向に並ぶように配置されている。具体的には、赤色フィルタ層CFRは、赤色に対応する波長帯域たとえば、625~740nmにおいて光透過率が高く、入射光Hが赤色に着色されて受光面JSへ透過するように形成されている。また、緑色フィルタ層CFGは、緑色に対応する波長帯域たとえば、500~565nmにおいて光透過率が高い。つまり、緑色フィルタ層CFGは、赤色フィルタ層CFRよりも短い波長範囲の光について光透過率が高く、入射光Hが緑色に着色されて受光面JSへ透過するように形成されている。また、青色フィルタ層CFBは、青色に対応する波長帯域たとえば、450~485nmにおいて光透過率が高い。つまり、青色フィルタ層CFBは、緑色フィルタ層CFGよりも短い波長範囲の光について光透過率が高く、入射光が青色に着色されて受光面JSへ透過するように形成されている。dマイクロレンズMLについて固体撮像装置1において、マイクロレンズMLは、図3に示すように、半導体基板101の裏面図3では上面の側において、カラーフィルタCFの上面に設けられている。マイクロレンズMLは、各画素Pに対応するように複数が配置されている。マイクロレンズMLは、半導体基板101の裏面側において凸状に突き出した凸レンズであり、各画素Pのフォトダイオード21へ入射光Hを集光するように構成されている。たとえば、マイクロレンズMLは、樹脂などの有機材料を用いて形成されている。e画素分離部301について固体撮像装置1において、画素分離部301は、図3,図4に示すように、複数の画素Pの間を区画するように絶縁材料で形成されており、複数の画素Pの間を電気的に分離している。図3に示すように、画素分離部301は、半導体基板101の裏面図3では上面の側において、半導体基板101の内部に埋め込まれて形成されている。具体的には、複数の画素Pの間にて、フォトダイオード21の電荷蓄積領域を構成するn型不純物領域101nの間には、p型不純物領域101pa,101pcが設けられている。そして、そのp型不純物領域101pa,101pc裏面上面側にトレンチTRが形成されており、そのトレンチTRの内部に、画素分離部301が設けられている。図4に示すように、画素分離部301は、平面形状が格子状であって、複数の画素Pの間に介在している。そして、その格子状の画素分離部101pbで区画された矩形の領域内に、フォトダイオード21が形成されている。ここでは、画素分離部301は、受光面JSに入射した光を吸収する絶縁材料によって形成されている。画素分離部301は、カラーフィルタCFを介して受光面JSへ入射する複数の異なる波長範囲の光のうち、少なくとも、いずれかの波長範囲の光を選択的に吸収するように形成されている。本実施形態においては、画素分離部301は、カラーフィルタCFを介して受光面JSへ入射する複数の異なる波長範囲の光のうち、最も短波長な波長範囲の光を少なくとも選択的に吸収するように形成されている。具体的には、赤色フィルタ層CFR、緑色フィルタ層CFG、青色フィルタ層CFBを透過する着色光のうち、最も短波長な波長範囲である青色の光が、画素分離部301へ入射したときに、その光を画素分離部301が選択的に吸収するように形成されている。すなわち、固体撮像装置1において、半導体基板101の裏面近傍で吸収され、混色の発生が顕著な短波長の光を、画素分離部301が選択的に吸収する。また、画素分離部301は、半導体基板101と屈折率が異なる材料で形成されている。たとえば、ALDAtomicLayerDeposition法によってシリコン窒化膜SiNを成膜することで画素分離部301を形成する。これにより、画素分離部301が青色の光を選択的に吸収することができる。また、画素分離部301は、半導体基板101と屈折率が異なっているので、入射光Hが、画素分離部301と半導体基板101との界面で反射される。そして、その界面で反射された光が、フォトダイオード21へ再度入射して、光電変換が行われる。また、図3に示すように、画素分離部301の上方においては、遮光膜60が絶縁膜SZを介して設けられている。ここでは、図4に示すように、画素分離部301と同様に、平面形状が格子状になるように遮光膜60が形成されている。f画素トランジスタTrについて固体撮像装置1において、画素トランジスタTrは、図2に示した複数の画素Pに対応するように複数が配置されている。画素トランジスタTrは、図5に示すように、転送トランジスタ22と増幅トランジスタ23と選択トランジスタ24とリセットトランジスタ25とを含み、フォトダイオード21から信号電荷を読み出して電気信号として出力するように構成されている。画素トランジスタTrを構成する各トランジスタ22~25は、図3では図示していないが、半導体基板101において配線層111が設けられる表面に設けられている。たとえば、各トランジスタ22~25は、NチャネルのMOSトランジスタであって、各ゲートが、たとえば、ポリシリコンを用いて形成されている。そして、各トランジスタ22~25は、配線層111で被覆されている。画素トランジスタTrにおいて、転送トランジスタ22は、図5に示すように、フォトダイオード21にて生成された信号電荷を、フローティングディフュージョンFDに転送するように構成されている。具体的には、転送トランジスタ22は、図5に示すように、フォトダイオード21のカソードと、フローティングディフュージョンFDとの間に設けられている。そして、転送トランジスタ22は、ゲートに転送線26が電気的に接続されている。転送トランジスタ22では、転送線26からゲートに送信される転送信号TGに基づいて、フォトダイオード21において蓄積された信号電荷を、フローティングディフュージョンFDに転送する。画素トランジスタTrにおいて、増幅トランジスタ23は、図5に示すように、フローティングディフュージョンFDにおいて、電荷から電圧へ変換された電気信号を増幅して出力するように構成されている。具体的には、増幅トランジスタ23は、図5に示すように、ゲートが、フローティングディフュージョンFDに電気的に接続されている。また、増幅トランジスタ23は、ドレインが電源供給線Vddに電気的に接続され、ソースが選択トランジスタ24に電気的に接続されている。増幅トランジスタ23は、選択トランジスタ24がオン状態になるように選択されたときには、定電流源Iから定電流が供給されて、ソースフォロアとして動作する。このため、増幅トランジスタ23では、選択トランジスタ24に選択信号が供給されることによって、フローティングディフュージョンFDにおいて、電荷から電圧へ変換された電気信号が増幅される。画素トランジスタTrにおいて、選択トランジスタ24は、図5に示すように、選択信号に基づいて、増幅トランジスタ23によって出力された電気信号を、垂直信号線27へ出力するように構成されている。具体的には、選択トランジスタ24は、図5に示すように、選択信号が供給されるアドレス線28にゲートが接続されている。そして、選択トランジスタ24は、選択信号が供給された際にはオン状態になり、上記のように増幅トランジスタ23によって増幅された出力信号を、垂直信号線27に出力する。画素トランジスタTrにおいて、リセットトランジスタ25は、図5に示すように、リセットトランジスタ25は、増幅トランジスタ23のゲート電位をリセットするように構成されている。具体的には、リセットトランジスタ25は、図5に示すように、リセット信号が供給されるリセット線29にゲートが電気的に接続されている。また、リセットトランジスタ25は、ドレインが電源供給線Vddに電気的に接続され、ソースがフローティングディフュージョンFDに電気的に接続されている。そして、リセットトランジスタ25は、リセット線29から送信されたリセット信号に基づいて、フローティングディフュージョンFDを介して、増幅トランジスタ23のゲート電位を、電源電圧にリセットする。図6は、本発明の実施形態1において、撮像を実施する際に、画素Pの画素トランジスタTrへ送信する制御信号を示すタイミングチャートである。図6において、aは、選択トランジスタ24のゲートへ入力する選択信号SELを示している。そして、bは、リセットトランジスタ25のゲートへ入力するリセット信号RSTを示している。そして、cは、転送トランジスタ22のゲートへ入力する転送信号TGを示している。図5参照。図6に示すように、撮像を実施する際には、第1の時点t1において、選択信号SELをハイレベルとして、選択トランジスタ24をオン状態にする。そして、第2の時点t2において、リセット信号RSTをハイレベルとして、リセットトランジスタ25をオン状態にする。これにより、増幅トランジスタ23のゲート電位をリセットする図5参照。そして、図6に示すように、第3の時点t3においては、リセット信号RSTをローレベルにして、リセットトランジスタ25をオフ状態にする。そして、この後、リセットレベルに対応した電圧を、出力信号として、カラム回路14へ読み出す図2,図5参照。そして、図6に示すように、第4の時点t4においては、転送信号TGをハイレベルにして、転送トランジスタ22をオン状態にする。これにより、フォトダイオード21で蓄積された信号電荷をフローティングディフュージョンFDへ転送する図5参照。そして、図6に示すように、第5の時点t5においては、転送信号TGをローレベルにして、転送トランジスタ22をオフ状態にする。この後、その蓄積された信号電荷の量に応じた信号レベルの電圧を、出力信号として、カラム回路4へ読み出す図2,図5参照。カラム回路14においては、先に読み出したリセットレベルの信号と、後に読み出した信号レベルの信号とを差分処理して信号を蓄積する図2,図5参照。これにより、画素Pごとに設けられた各トランジスタのVthのバラツキ等によって発生する固定的なパターンノイズが、キャンセルされる。上記のように画素Pを駆動する動作は、各トランジスタ22,24,25の各ゲートが、水平方向xに並ぶ複数の画素Pからなる行単位で接続されていることから、その行単位に並ぶ複数の画素Pについて同時に行われる。具体的には、上述した垂直駆動回路13によって供給される選択信号によって、水平ライン画素行単位で垂直な方向に順次選択される。そして、タイミングジェネレータ18から出力される各種タイミング信号によって各画素Pのトランジスタが制御される。これにより、各画素における信号が垂直信号線27を通して画素Pの列毎にカラム回路14に読み出される図2,図5参照。そして、カラム回路14で蓄積された信号が、水平駆動回路15によって選択されて、外部出力回路17へ順次出力される図2,図5参照。そして、この撮像で得た信号を信号処理部44がローデータとして信号処理を実施して、デジタル画像を生成する図1参照。g配線層111について固体撮像装置1において、配線層111は、図3に示すように、半導体基板101のうち、遮光膜60、カラーフィルタCF、マイクロレンズMLなどの各部が設けられた裏面上面とは反対側の表面下面に設けられている。配線層111は、配線111hと絶縁層111zとを含み、絶縁層111z内において、配線111hが各素子に電気的に接続するように形成されている。配線層111は、いわゆる多層配線であり、絶縁層111zを構成する層間絶縁膜と配線111hとが交互に複数回積層されて形成されている。ここでは、配線111hは、図5にて示した、転送線26,アドレス線28,垂直信号線27,リセット線29などの各配線として機能するように、複数が絶縁層111zを介して積層して形成されている。そして、配線層111において、半導体基板101が位置する側に対して反対側の面には、支持基板SSが設けられている。たとえば、厚みが数百μmのシリコン半導体からなる基板が、支持基板SSとして設けられている。B製造方法上記の固体撮像装置1を製造する製造方法の要部について説明する。図7~図13は、本発明にかかる実施形態1において、固体撮像装置の製造方法を示す図である。各図は、図3と同様に、断面を示しており、各図に示す工程a~gを順次経て、図3等に示した固体撮像装置1について製造をする。aフォトダイオード21等の形成まず、図7に示すように、フォトダイオード21等の形成を実施する。ここでは、単結晶シリコン半導体からなる半導体基板101の表面から不純物をイオン注入することで、フォトダイオード21を形成する。そして、その半導体基板101の表面に、画素トランジスタTr図7では図示なしを形成後、その画素トランジスタTrを被覆するように、配線層111を形成する。そして、配線層111の表面に支持基板SSを貼り合わせる。この後、半導体基板101を、たとえば、10~20μm程度の厚みになるように薄膜化する。たとえば、CMP法によって研磨することで薄膜化を実施する。なお、SOI基板図示無しの半導体層にフォトダイオード21,画素トランジスタTrを形成し、上記と同様に、配線層111,支持基板SSを設けた後に、薄膜化処理を実施しても良い。bトレンチTRの形成つぎに、図8に示すように、トレンチTRを形成する。ここでは、半導体基板101において、画素分離部301図3参照を形成する部分にトレンチTRを形成する。具体的には、図8に示すように、ハードマスクHMを半導体基板101の裏面上面上にパターン加工した後、そのハードマスクHMを用いて、半導体基板101についてパターン加工することで、トレンチTRを形成する。たとえば、枚葉のドライエッチング装置を用いて、半導体基板101にエッチング加工することで、深さが0.3~3.0μmになるように、トレンチTRを形成する。cハードマスクHMの除去つぎに、図9に示すように、ハードマスクHMを除去する。ここでは、たとえば、ハードマスクHMについてエッチング処理を実施することで、半導体基板101の裏面上面からハードマスクHMを除去する。これにより、半導体基板101の裏面上面が露出された状態になる。d光吸収絶縁膜401の形成つぎに、図10に示すように、光吸収絶縁膜401を形成する。ここでは、半導体基板101に形成されたトレンチTRの内部を埋め込むように、半導体基板101の裏面上面に、受光面JSに入射した光を吸収する絶縁材料を成膜することで、光吸収絶縁膜401を形成する。本実施形態においては、カラーフィルタCF図3,図4参照を介して受光面JSへ入射する複数の異なる波長範囲の光のうち、最も短波長な波長範囲の光を選択的に吸収する絶縁材料を成膜することで、光吸収絶縁膜401を形成する。つまり、赤色フィルタ層CFR、緑色フィルタ層CFG、青色フィルタ層CFBを透過する着色光のうち、最も短波長な青色の光を少なくとも選択的に吸収する絶縁材料を成膜することで、この光吸収絶縁膜401を形成する。具体的には、ALD法によってシリコン窒化膜SiNを成膜することで光吸収絶縁膜401を形成する。たとえば、下記の条件によって、シリコン窒化膜SiNを成膜して、光吸収絶縁膜401を形成する。SiH2Cl2流量:500~1500sccmNH3流量:2000~4000sccmN2流量:500~1000sccmRFPower:100~500W成膜温度:320~400°Ce画素分離部301の形成つぎに、図11に示すように、画素分離部301を形成する。ここでは、半導体基板101の裏面上面が露出するように、光吸収絶縁膜401の上面部分を除去することで、光吸収絶縁膜401から画素分離部301を形成する。たとえば、光吸収絶縁膜401の上面部分についてドライエッチング処理を実施することで、半導体基板101の裏面上面が露出させる。これにより、半導体基板101のトレンチTRに埋め込まれた画素分離部301が形成される。この他に、光吸収絶縁膜401の上面部分についてCMP処理を実施することで、画素分離部301を形成しても良い。f遮光膜60の形成つぎに、図12に示すように、遮光膜60を形成する。ここでは、絶縁膜SZを介して半導体基板101の裏面上面の全体を被覆するように、遮光膜60を形成する。具体的には、半導体基板101の裏面上面の全体に絶縁材料を成膜することで、絶縁膜SZを形成する。たとえば、厚みが100~500nmになるように、シリコン酸化膜を成膜して、絶縁膜SZを形成する。そして、その絶縁膜SZの上面全体に遮光材料を成膜することで、遮光膜60を形成する。たとえば、スパッタリング法によって、厚みが10~50nmのチタンTi膜と、厚みが100~300nmのタングステンW膜とを、順次、成膜することで、遮光膜60を形成する。g遮光膜60のパターン加工つぎに、図13に示すように、遮光膜60をパターン加工する。ここでは、画素分離部301の上方を被覆し、フォトダイオード21の受光面JSの部分が開口したパターンになるように、遮光膜60をパターン加工する。つまり、図4で示したように、平面形状が格子状のパターンになるように、遮光膜60を加工する。具体的には、ドライエッチング処理を実施することで、遮光膜60を加工する。h平坦化膜HT,カラーフィルタCF,マイクロレンズMLの形成つぎに、図3に示したように、平坦化膜HT,カラーフィルタCF,マイクロレンズMLの各部材を形成する。ここでは、遮光膜60がパターン加工された半導体基板101の裏面上面を平坦に被覆するように、平坦化膜HTを形成する。たとえば、アクリル系の熱硬化性樹脂をスピンコート法によって塗布後、熱硬化処理を実施することで、平坦化膜HTを形成する。そして、図3で示したように、平坦化膜HTの上面にカラーフィルタCFを形成する。たとえば、顔料や染料などの色素と感光性樹脂とを含む塗布液を、スピンコート法などのコーティング方法によって塗布して塗膜を形成後、リソグラフィ技術によって、その塗膜をパターン加工することで、カラーフィルタCFを形成する。この後、図3で示したように、カラーフィルタCFの上面に、マイクロレンズMLを設ける。たとえば、感光性樹脂膜をフォトリソグラフィ技術でパターン加工した後に、リフロー処理でレンズ形状に変形させることで、マイクロレンズMLを形成する。この他に、レンズ材膜上にレンズ形状のレジストパターンを形成後、そのレジストパターンをマスクとしてエッチバック処理を実施することで、マイクロレンズMLを形成しても良い。このようにすることで、裏面照射型のCMOS型イメージセンサを完成させる。Cまとめ以上のように、本実施形態では、入射光Hを受光面JSで受光する複数のフォトダイオード21が、半導体基板101の内部において複数の画素Pのそれぞれに対応して設けられている。そして、複数の画素Pの間を電気的に分離する画素分離部301が、半導体基板101にて入射光Hが入射する裏面上面の側において、フォトダイオード21の側部に設けられたトレンチTRの内部に埋め込まれている図3参照。半導体基板101において入射光Hが入射する裏面上面とは反対側の表面下面には、フォトダイオード21で生成された信号電荷を電気信号として出力する画素トランジスタTrが設けられている。そして、その半導体基板101の表面において画素トランジスタTrを被覆するように、配線層111が設けられている図3参照。半導体基板101の裏面上面の側には、入射光Hが受光面JSへ透過するカラーフィルタCFを含む。カラーフィルタCFは、赤色フィルタ層CFR、緑色フィルタ層CFG、青色フィルタ層CFBのように、互いに異なる波長範囲の光について透過率が高い複数種のフィルタ層が、複数の画素Pのそれぞれに対応して互いに隣接して配置されている図4参照。この裏面照射型の場合において、半導体基板101の表面下面側から不純物をイオン注入して画素分離部101pbを形成した場合図27参照には、半導体基板101の裏面上面の近傍での混色の発生が多い。特に、青色のように短波長の光について、混色の発生が多い。これと共に、フォトダイオード21の飽和電荷蓄積量Qsが低下して、ダイナミックレンジが悪化する場合がある。しかしながら、本実施形態では、半導体基板101において裏面上面側に形成されたトレンチTR内に、画素分離部301を設けている。ここでは、受光面JSに入射した光を吸収する絶縁材料によって、画素分離部301を形成している。このため、画素Pの間の分離を裏面から深い領域で狭い幅で実現可能であって、裏面付近の電界を強くすることができる。また、カラーフィルタCFを構成する複数種のフィルタ層CFR,CFG,CFBのそれぞれを介して受光面JSへ入射する複数の異なる波長範囲の光のうち、いずれかの波長範囲の光を選択的に吸収するように、画素分離部301を形成している。ここでは、画素分離部301は、その複数種のフィルタ層CFR,CFG,CFBにおいて異なる複数の波長範囲のうち、最も短波長な波長範囲の光を少なくとも選択的に吸収するように形成されている。すなわち、赤色フィルタ層CFR、緑色フィルタ層CFG、青色フィルタ層CFBを透過する着色光のうち、最も短波長な青色の光を少なくとも選択的に吸収するように形成されている。よって、本実施形態は、裏面照射型において、半導体基板101の裏面近傍で吸収され、混色の発生が顕著な短波長の光を、画素分離部301が選択的に吸収するので、好適に、混色の発生を防止できる。さらに、飽和電荷容量飽和信号量Qsを増大可能であるので、ダイナミックレンジを改善可能である。特に、青色を受光する部分において、好適に、この効果を奏することができる。また、本実施形態では、画素分離部301は、半導体基板101と屈折率が異なる材料で形成されている。このため、本実施形態は、感度を向上させることができる。特に、本実施形態では、ALD法によって成膜されたシリコン窒化膜で、画素分離部301を形成しているので、上記の効果を好適に奏することができる。上記の効果について具体的に説明する。図14は、単結晶Siの屈折率を示す図である。図15は、SiN膜の屈折率,消衰係数を示す図である。図14,図15において、横軸は、波長を示しており、縦軸は、屈折率または消衰係数を示している。図16は、SiN膜のFTIRフーリエ変換赤外線吸収スペクトルを示す図である。図16では、横軸が波数を示し、縦軸が吸収度を示している。図14に示すように、可視光領域360~830nmにおいては、半導体基板101図3参照を構成している単結晶Siの屈折率は、約4である。これに対して、画素分離部301図3参照を構成しているSiNは、図15に示すように、屈折率が、約2である。このように、半導体基板101と画素分離部301との間は屈折率差が大きいので、フォトダイオード21に入射した入射光Hは、半導体基板101と画素分離部301との間の界面で全反射する。そして、その界面で反射された光が、フォトダイオード21へ再度入射して、光電変換が行われる。よって、本実施形態においては、感度を向上させることができる。また、図15に示すように、SiNの消衰係数は、波長が400nm以下の領域において増加している。また、図16に示すように、Si-H結合によって、波長が450nmの光について吸収が生ずる。このため、SiNで構成される画素分離部301においては、界面で反射されなかった、青色のような短波長の光を選択的に吸収することができる。よって、本実施形態においては、混色が発生することを防止し、撮像したカラー画像において色再現性を向上可能である。したがって、本実施形態は、画像品質を向上させることができる。D変形例上記においては、画素分離部301図3参照をシリコン窒化物SiNで形成する場合について説明したが、これに限定されない。SiO2,SiCN,SiOCなどの無機系の光吸収材料を用いて、画素分離部301を形成し、短波長側の光を吸収するように構成してもよい。また、下記に示すように、有機系の光吸収材料で画素分離部301を形成してもよいD-1変形例1-1画素分離部301については、カーボンブラックなどの黒色色素を含有した感光性樹脂ブラックレジストを、絶縁体の光吸収材料として用いて形成してもよい。図17は、黒色色素を含有した感光性樹脂の透過率を示す図である。図17では、横軸が波長を示し、縦軸が透過率を示している。図17では、下記条件の光吸収材料の場合について示している。黒色色素の材料名:カーボン系色素、あるいは、銅フタロシアニン系とピリドンアゾ系色素の混合系色素感光性樹脂の材料名:アクリル系材料黒色色素の含有量:10~50感光性樹脂の含有量:10~70厚み:0.3~3μmまた、図17では、11は、銅フタロシアニン系とピリドンアゾ系色素の混合系色素を用いた場合の結果を示している。12は、カーボン系色素を用いた場合の結果を示している。図17で示す結果から分かるように、黒色色素を含有した感光性樹脂ブラックレジストを光吸収材料として用いることで、可視光領域の全体に渡って低い透過率の画素分離部301を形成可能である。よって、一の画素から他の画素のフォトダイオード21へ向かう光を、画素分離部301が吸収して遮光するので、混色が発生することを好適に防止し、撮像したカラー画像において色再現性を向上可能である。したがって、画像品質を向上させることができる。この他に、本変形例では、黒色色素を含有した感光性樹脂ブラックレジストを光吸収材料として用いているので、トレンチ埋め込み性が良好である。D-2変形例1-2画素分離部301については、上述した3原色のカラーフィルタCFと同様に、赤色、緑色、青色の原色系色素を含有したカラーフィルタ材料を、絶縁体の光吸収材料として用いて形成してもよい。また、イエロー,マゼンダ,シアンの補色系色素を含んだカラーフィルタ材料を、絶縁体の光吸収材料として用いて形成してもよい。つまり、レッドレジスト,グリーンレジスト,ブルーレジスト,イエローレジスト,マゼンダレジスト,シアンレジストなどのカラーレジストを用いて、画素分離部301を形成しても良い。図18は、原色系色素を含有した感光性樹脂の透過率を示す図である。図18においては、aが赤色フィルタ材料レッドレジストの場合であり、bが緑色フィルタ材料グリーンレジストの場合であり、cが青色フィルタ材料ブルーレジストの場合を示している。図19は、補色系色素を含有した感光性樹脂の透過率を示す図である。図19では、aが、イエローフィルタ材料イエローレジストの場合であり、bが、マゼンダフィルタ材料マゼンダレジストの場合であり、cが、シアンフィルタ材料シアンレジストの場合を示している。図18,図19では、横軸が波長を示し、縦軸が透過率を示している。図18,図19では、たとえば、下記条件の光吸収材料の場合について示している。各色素の材料名:ブルー:トリフェニルメタン系色素グリーン:アゾクロム錯塩系、トリフェニルメタン系色素レッド:アゾクロム錯塩系色素シアン:、銅フタロシアニン系色素マゼンダ:キサンテン系色素イエロー:ピリドンアゾ系色素感光性樹脂の材料名:ノボラック系樹脂各色素の含有量:10~50感光性樹脂の含有量:10~70図18,図19で示す結果から分かるように、各色素を含有した感光性樹脂を光吸収材料として用いることで、可視光領域の一部において低い透過率の画素分離部301を形成可能である。たとえば、青色のように、可視光線において短波長な光を画素分離部301で吸収させる場合には、緑色フィルタ,赤色フィルタ,イエローフィルタで用いる材料で、画素分離部301を形成する。これらの材料は、可視光線のうち、短波長な光について透過率が低いので、その波長の光を好適に吸収し遮光することができる。緑色のように、可視光線において中間の波長の光を画素分離部301で吸収させる場合には、青色フィルタ,赤色フィルタ,マゼンダフィルタで用いる材料で、画素分離部301を形成する。これらの材料は、可視光線のうち、中間の波長の光について透過率が低いので、その波長の光を好適に吸収し遮光することができる。赤色のように、可視光線において長波長な光を画素分離部301で吸収させる場合には、青色フィルタ,緑色フィルタで用いる材料で、画素分離部301を形成する。これらの材料は、可視光線のうち、長波長な光について透過率が低いので、その波長の光を好適に吸収し遮光することができる。これにより、一の画素から他の画素のフォトダイオード21へ向かう光を、画素分離部301が吸収して遮光するので、混色が発生することを好適に防止し、撮像したカラー画像において色再現性を向上可能である。したがって、画像品質を向上させることができる。また、本変形例のように、カラーレジストを用いた場合の方が、ブラックレジストを用いた場合よりも、フォトリソグラフィ特性が好適である。ブラックレジストは、光吸収される為、深い領域のフォトリソグラフィが困難な場合がある。<2.実施形態2>A装置構成など図20は、本発明にかかる実施形態2において、固体撮像装置の要部を示す図である。図20は、図3と同様に、画素Pの断面を示している。図20に示すように、本実施形態においては、ピニング層501が設けられている。この点、および、これに関連する点を除き、本実施形態は、実施形態1と同様である。このため、重複する部分については、適宜、記載を省略する。ピニング層501は、図20に示すように、半導体基板101の裏面上面の側において、複数の画素Pの間を区画している画素分離部301の周りを覆うように形成されている。具体的には、ピニング層501は、半導体基板101において裏面上面側に形成されたトレンチの内側の面を一定の厚みで被覆するように設けられている。そして、そのピニング層501で被覆されたトレンチの内部を埋め込むように、画素分離部301が設けられている。ここでは、ピニング層501は、半導体基板101との界面部分において正電荷ホール蓄積領域が形成されて暗電流の発生が抑制されるように、負の固定電荷を有する高誘電体を用いて形成されている。ピニング層501が負の固定電荷を有するように形成することで、その負の固定電荷によって、半導体基板101との界面に電界が加わるので、正電荷ホール蓄積領域が形成される。B製造方法上記の固体撮像装置を製造する製造方法の要部について説明する。図21~図23は、本発明にかかる実施形態2において、固体撮像装置の製造方法を示す図である。図21~図23は、図20と同様に、断面を示しており、図21~図23に示す各工程を順次経て、図20に示した固体撮像装置について製造をする。図21~図23に示す各工程の実施に先立って、実施形態1の場合と同様に、図7~図9に示すように、フォトダイオード21等の形成、トレンチTRの形成、ハードマスクHMの除去を実施する。aピニング層501の形成つぎに、図21に示すように、ピニング層501を形成する。ここでは、半導体基板101の裏面上面において、フォトダイオード21が形成された面上、および、トレンチTRの内側の面を被覆するように、ピニング層501を形成する。たとえば、ALD法によって、200~300°Cの成膜温度の条件下で、1~20nmの膜厚になるようにハフニウム酸化膜HfO2膜を成膜することで、ピニング層501を設ける。ピニング層501については、上記のハフニウム酸化膜HfO2膜の他に、種々の材料を用いて形成可能である。たとえば、ハフニウム、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、チタン、マグネシウム、イットリウム、ランタノイド元素等の酸化物の少なくとも1つを含むように、ピニング層501を形成する。ここでは、シリコン酸化膜SiO2膜よりもフラットバンド電圧が大きい材料を用いて、ピニング層501を形成することが好適である。たとえば、下記の高誘電体High-k材料を用いて、ピニング層501を形成することが好適である。なお、下記において、ΔVfbは、High-k材料のフラットバンド電圧VfbHigh-kからSiO2のフラットバンド電圧VfbSiO2を差分した値を示しているつまり、ΔVfb=VfbHigh-k-VfbSiO2。Al2O3ΔVfb=4~6VHfO2ΔVfb=2~3VZrO2ΔVfb=2~3VTiO2ΔVfb=3~4VTa2O5ΔVfb=3~4VMgO2ΔVfb=1.5~2.5Vb光吸収絶縁膜401の形成つぎに、図22に示すように、光吸収絶縁膜401を形成する。ここでは、ピニング層501で被覆されたトレンチTRの内部を埋め込むように、半導体基板101の裏面上面に、光を吸収する絶縁材料を成膜する。これにより、光吸収絶縁膜401を形成する。たとえば、実施形態1の場合と同様に、ALD法によってシリコン窒化膜SiNを成膜することで光吸収絶縁膜401を形成する。c画素分離部301の形成つぎに、図23に示すように、画素分離部301を形成する。ここでは、光吸収絶縁膜401において半導体基板101のトレンチTRの内部に埋め込まれた部分を残し、半導体基板101の裏面上面上の部分を除去する。同様に、ピニング層501において、半導体基板101のトレンチTRの内部に埋め込まれた部分を残し、半導体基板101の裏面上面上の部分を除去する。このようにすることで、半導体基板101の裏面上面が露出され、光吸収絶縁膜401から画素分離部301が形成される。たとえば、ドライエッチング処理を実施することで、半導体基板101の裏面上面を露出させる。この他に、CMP処理を実施することで、画素分離部301を形成しても良い。d遮光膜60等の形成つぎに、図12に示したように、遮光膜60等の各部材を形成する。ここでは、実施形態1の場合と同様に、遮光膜60をパターン加工して形成する。そして、平坦化膜HT,カラーフィルタCF,マイクロレンズMLの各部材を形成する。このようにすることで、裏面照射型のCMOS型イメージセンサを完成させる。Cまとめ以上のように、本実施形態では、実施形態1の場合と同様に、半導体基板101において裏面上面側に形成されたトレンチTR内に、画素分離部301を設けている。ここでは、受光面JSに入射した光を吸収する絶縁材料によって、画素分離部301を形成している。よって、本実施形態では、実施形態1と同様に、画像品質を向上可能である。また、本実施形態においては、半導体基板101においてトレンチTRの内部の面を被覆するように、ピニング層501が成膜されている。このため、このピニング層501によって、半導体基板101との界面に、正孔ホールが誘起されるので、暗電流の発生、白点の発生を抑制することができる。したがって、本実施形態は、さらに画像品質を向上させることができる。なお、本実施形態においても、実施形態1において示した変形例と同様に、種々の光吸収材料を用いて、画素分離部301を形成してもよい。<3.実施形態3>A装置構成など図24は、本発明にかかる実施形態3において、固体撮像装置の要部を示す図である。図24は、図3と同様に、画素Pの断面を示している。図24に示すように、本実施形態においては、画素分離部301cの構成が、実施形態1の場合と異なっている。この点、および、これに関連する点を除き、本実施形態は、実施形態1と同様である。このため、重複する部分については、適宜、記載を省略する。画素分離部301cは、実施形態1の場合と同様に、図24に示すように、半導体基板101の裏面上面の側において、半導体基板101の内部に埋め込まれている。つまり、画素分離部301cは、半導体基板101において裏面上面側に形成されたトレンチTR内に設けられている。また、画素分離部301cは、受光面JSに入射した光を吸収する絶縁材料によって形成されている。本実施形態においては、画素分離部301cは、図24に示すように、実施形態1の場合と異なり、第1光吸収部311と、第2光吸収部312とを含む。画素分離部301cにおいては、半導体基板101に設けられたトレンチTRにおいて、半導体基板101の裏面上面側から、第1光吸収部311と第2光吸収部312とが設けられている。すなわち、画素分離部301cは、半導体基板101に設けられたトレンチTRの底部側に第2光吸収部312が形成され、トレンチTRの上部側において、第2光吸収部312に積層するように、第1光吸収部311が形成されている。第1光吸収部311と第2光吸収部312とのそれぞれは、互いに異なる光吸収材料で形成されており、光を吸収する波長範囲が異なっている。具体的には、画素分離部301cにおいて、第1光吸収部311は、カラーフィルタCFを介して受光面JSへ入射する複数の異なる波長範囲の光のうち、最も短波長な波長範囲の光を吸収するように形成されている。たとえば、第1光吸収部311は、ALD法によって成膜されるシリコン窒化膜SiNを、絶縁体の光吸収材料として用いて形成されている。つまり、第1光吸収部311は、短波長な青色光について透過率が低く、その短波長な光を選択的に吸収するように形成されている図15などを参照。これに対して、第2光吸収部312は、カラーフィルタCFを介して受光面JSへ入射する複数の異なる波長範囲の光のうち、第1光吸収部311が吸収する光の波長範囲よりも長波長な波長範囲の光を吸収するように形成されている。たとえば、第2光吸収部312は、赤色の原色系色素を含有したカラーフィルタ材料レッドレジストを、絶縁体の光吸収材料として用いて形成されている。つまり、第2光吸収部312は、長波長な赤色の光の透過率が高く、それよりも短い波長の緑色および青色の光の透過率が低くなるように形成されている図18aを参照。上記の画素分離部301cについては、半導体基板101に設けられたトレンチTRの底部に、第2光吸収部312を形成する。その後、その第2光吸収部312に積層するように、第1光吸収部311を形成する。これにより、画素分離部301cが形成される。たとえば、第1光吸収部311と第2光吸収部312とについては、下記の条件で形成されている。第1光吸収部311の厚み:0.3~1μm第2光吸収部312の厚み:1~2μmBまとめ以上のように、本実施形態では、実施形態1の場合と同様に、半導体基板101において裏面上面側に形成されたトレンチTR内に、画素分離部301cを設けている。ここでは、受光面JSに入射した光を吸収する絶縁材料によって、画素分離部301cを形成している。よって、本実施形態では、実施形態1と同様に、画像品質を向上可能である。また、本実施形態においては、画素分離部301cは、第1光吸収部311と第2光吸収部312とを含む。第1光吸収部311と第2光吸収部312とのそれぞれは、光を吸収する波長範囲が異なっている。このため、本実施形態では、広い波長範囲の光について画素分離部301cが吸収可能であるので、混色の発生を好適に防止可能である。また、本実施形態においては、画素分離部301cは、半導体基板101に設けられたトレンチTRにおいて裏面上面側から、第1光吸収部311と第2光吸収部312とが設けられている。ここでは、第1光吸収部311が吸収する光の波長範囲よりも長波長な波長範囲の光を吸収するように、第2光吸収部312が形成されている。すなわち、画素分離部301cは、半導体基板101において入射光Hが入射する裏面上面側の部分において短波長な光の透過率が低く、その裏面上面側部分より深い部分において、より長波長な光の透過率が低くなるように形成されている。このため、本実施形態では、半導体基板101の裏面近傍には到達するが、深い部分までは到達しない短波長な光たとえば、青色光を、第1光吸収部311が好適に吸収できる図15などを参照。さらに、半導体基板101の深い部分まで到達する長波長の光たとえば、緑色光については、第2光吸収部312が好適に吸収できる図18aを参照。このため、本実施形態では、効果的に、混色の発生を防止可能である。C変形例上記においては、画素分離部301cの第1光吸収部311について、シリコン窒化物SiNで形成し、第2光吸収部312について、レッドレジストを用いて形成する場合について説明したが、これに限定されない。SiO2,SiCN,SiOCなどの無機系の光吸収材料を用いて、各部を形成しても良い。また、有機系の光吸収材料で第1光吸収部311と第2光吸収部312との両者を形成しても良い。C-1変形例3-1第1光吸収部311については、たとえば、レッドレジストで形成し、第2光吸収部312については、ブルーレジストを用いて形成する。これより、半導体基板101の裏面近傍には到達するが、深い部分までは到達しない短波長な光たとえば、青色光を、第1光吸収部311が好適に吸収できる図18aを参照。さらに、半導体基板101の深い部分まで到達する長波長の光たとえば、緑色光,赤色光については、第2光吸収部312が好適に吸収できる図18cを参照。その他、実施形態1において示した変形例と同様に、種々の光吸収材料を用いて、第1光吸収部311と第2光吸収部312とのそれぞれを形成してもよい。C-2変形例3-2また、隣接する画素Pの間のそれぞれにおいては、その隣接する画素Pのそれぞれが受光する光の波長範囲の組合わせに応じて、第1光吸収部311と第2光吸収部312とを形成する材料を変えてもよい。さらに、隣接する画素Pの間のそれぞれにおいては、その隣接する画素Pのそれぞれが受光する光の波長範囲の組合わせに応じて、第1光吸収部311と第2光吸収部312とを形成する厚み深さを変えてもよい。たとえば、図4に示したように、赤色の光を受光する画素Pと、緑色の光を受光する画素Pとの間においては、第1光吸収部311について、ブルーレジストを用いて形成する。これにより、赤色よりも短波長な緑色の光を、上方の第1光吸収部311で吸収する。そして、第2光吸収部312をグリーンレジストで形成する。これにより、緑色よりも長波長な赤色の光を、下方の第2光吸収部312で吸収する。この場合には、上方の第1光吸収部311と下方の第2光吸収部312とを下記の条件で形成することが好適である。第1光吸収部311ブルーレジストの厚み:0.3~1μm第2光吸収部312グリーンレジストの厚み:1~2μmそして、図4に示したように、青色の光を受光する画素Pと、緑色の光を受光する画素Pとの間においては、第1光吸収部311について、レッドレジストを用いて形成する。これにより、緑色よりも短波長な青色の光を、上方の第1光吸収部311で吸収する。そして、第2光吸収部312をブルーレジストで形成する。これにより、青色よりも長波長な緑色の光を、下方の第2光吸収部312で吸収する。この場合には、上方の第1光吸収部311と下方の第2光吸収部312とを下記の条件で形成することが好適である。第1光吸収部311レッドレジストの厚み:0.3~1μm第2光吸収部312ブルーレジストの厚み:1~2μm上記のように、上方の第1光吸収部311については、短波長の光を吸収する光吸収材料を用い、下方の第2光吸収部312については、長波長の光を吸収する光吸収材料を用いることが好適である。つまり、第1光吸収部311が吸収する光の波長範囲よりも長波長な波長範囲の光を吸収するように、第2光吸収部312を形成することが好適である。半導体基板101の上方では短波長な光の入射が可能であり、下方では長波長な光の入射が可能であるからである。<4.実施形態4>A装置構成など図25は、本発明にかかる実施形態4において、固体撮像装置の要部を示す図である。図25は、図24と同様に、画素Pの断面を示している。図25に示すように、本実施形態においては、画素分離部301dの構成が、実施形態3の場合と異なっている。この点、および、これに関連する点を除き、本実施形態は、実施形態3と同様である。このため、重複する部分については、適宜、記載を省略する。画素分離部301dは、実施形態3の場合と同様に、図25に示すように、半導体基板101の裏面上面の側において、半導体基板101の内部に埋め込まれるように形成されている。つまり、画素分離部301dは、半導体基板101において裏面上面側に形成されたトレンチTR内に設けられている。また、画素分離部301dは、受光面JSに入射した光を吸収する絶縁材料によって形成されている。本実施形態においては、画素分離部301dは、図25に示すように、実施形態3の場合と異なり、第1光吸収部311と、第2光吸収部312との他に、第3光吸収部313を含む。画素分離部301dにおいては、半導体基板101に設けられたトレンチTRにおいて、半導体基板101の裏面上面側から、第1光吸収部311と第2光吸収部312と第3光吸収部313とが設けられている。すなわち、画素分離部301dは、半導体基板101に設けられたトレンチTRの底部側に第3光吸収部313が形成されている。そして、トレンチTRの内部において、第3光吸収部313に積層するように、第2光吸収部312が形成されている。そして、トレンチTRの上部側において、第2光吸収部312に積層するように、第1光吸収部311が形成されている。第1光吸収部311と第2光吸収部312と第3光吸収部313のそれぞれは、互いに異なる光吸収材料で形成されており、光を吸収する波長範囲が異なっている。第1光吸収部311は、たとえば、緑色の原色系色素を含有したカラーフィルタ材料グリーンレジストを、絶縁体の光吸収材料として用いて形成されている。つまり、第1光吸収部311は、中間の波長である緑色の光の透過率が高く、それよりも短い波長および長い波長の光の透過率が低くなるように形成されている図18bを参照。第2光吸収部312は、たとえば、青色の原色系色素を含有したカラーフィルタ材料ブルーレジストを、絶縁体の光吸収材料として用いて形成されている。つまり、第2光吸収部312は、短波長である青色の光の透過率が高く、それよりも長い波長の光の透過率が低くなるように形成されている図18cを参照。第3光吸収部313は、たとえば、赤色の原色系色素を含有したカラーフィルタ材料レッドレジストを、絶縁体の光吸収材料として用いて形成されている。つまり、第3光吸収部313は、長波長な赤色の光の透過率が高く、それよりも短い波長の光の透過率が低くなるように形成されている図18aを参照。上記の画素分離部301dについては、半導体基板101に設けられたトレンチTRの底部に、第3光吸収部313を形成する。そして、その第3光吸収部313に積層するように、第2光吸収部312を形成する。その後、その第2光吸収部312に積層するように、第1光吸収部311を形成する。これにより、画素分離部301dが形成される。たとえば、第1光吸収部311と第2光吸収部312と第3光吸収部313とについては、下記の条件で形成されている。第1光吸収部311の厚み:0.3~1μm第2光吸収部312の厚み:1~2μm第3光吸収部313の厚み:1~2μmBまとめ以上のように、本実施形態では、実施形態1の場合と同様に、半導体基板101において裏面上面側に形成されたトレンチTR内に、画素分離部301dを設けている。ここでは、受光面JSに入射した光を吸収する絶縁材料によって、画素分離部301dを形成している。よって、本実施形態では、実施形態1と同様に、画像品質を向上可能である。また、本実施形態の画素分離部301dは、第1光吸収部311と第2光吸収部312と第3光吸収部313とのそれぞれについて、光を吸収する波長範囲が異なるように形成されている。また、画素分離部301dは、半導体基板101に設けられたトレンチTRにおいて裏面上面側から、第1光吸収部311と第2光吸収部312と第3光吸収部313とが設けられている。このため、本実施形態では、広い波長範囲の光について画素分離部301dが吸収可能であるので、混色の発生を好適に防止可能である。C変形例上記においては、画素分離部301dについて、有機系の光吸収材料で、第1光吸収部311と第2光吸収部312と第3光吸収部313とのそれぞれを形成する場合について説明したが、これに限定されない。他の実施形態と同様に、SiN,SiO2,SiCN,SiOCなどの無機系の光吸収材料を用いて、各部を形成しても良い。また、上記においては、第1光吸収部311をグリーンレジストGで形成し、第2光吸収部312をブルーレジストBで形成し、第3光吸収部313をレッドレジストRで形成しているが、これに限定されない。たとえば、第1光吸収部311をレッドレジストRで形成し、第2光吸収部312をグリーンレジストGで形成し、第3光吸収部313をブルーレジストBで形成してもよい。つまり、第1光吸収部311が吸収する光の波長範囲よりも長波長な波長範囲の光を吸収するように、第2光吸収部312を形成し、第2光吸収部312が吸収する光の波長範囲よりも長波長な波長範囲の光を吸収するように、第3光吸収部313を形成しても良い。この場合には、実施形態3の場合と同様に、半導体基板101において入射光Hが入射する裏面上面側の部分において短波長な光の透過率が低く、深い部分において、より長波長な光の透過率が低くなるように、画素分離部301dが形成される。このため、実施形態3と同様に、効果的に、混色の発生を防止可能である。なお、上記では、画素分離部を、合計で3つの光吸収部で構成する場合について説明したが、これに限定されない。3つを超える光吸収部で画素分離部を構成してもよい。<5.実施形態5>A装置構成など図26は、本発明にかかる実施形態5において、固体撮像装置の要部を示す図である。図26は、図3と同様に、画素Pの断面を示している。図26に示すように、本実施形態の固体撮像装置は、表面照射型である。つまり、半導体基板101の表面図26では上面側に配線層111が設けられており、その表面側から入射する入射光Hを受光面JSで受光するように構成されている。また、支持基板SS図3参照が設けられていない。この点、および、これに関連する点を除き、本実施形態は、実施形態1と同様である。このため、重複する部分については、適宜、記載を省略する。本実施形態では、図26に示すように、固体撮像装置は、半導体基板101の内部にフォトダイオード21と画素分離部301とが設けられている。フォトダイオード21は、図26に示すように、半導体基板101の表面上面側において、n型半導体領域101nがp型半導体領域101pa,101pcの内部に位置するように設けられている。画素分離部301は、図26に示すように、半導体基板101の表面上面の側において、半導体基板101の内部に埋め込まれている。つまり、画素分離部301は、半導体基板101において表面上面側に形成されたトレンチTR内に設けられている。画素分離部301は、実施形態1と同様に、受光面JSに入射した光を吸収する絶縁材料によって形成されている。半導体基板101の表面上面には、遮光膜60が実施形態1と同様に設けられており、その遮光膜60を被覆するように、配線層111が設けられている。配線層111は、配線111hが絶縁層111z中において、受光面JSの上方以外の部分に設けられている。そして、その配線層111の上面に、カラーフィルタCF、マイクロレンズMLが、実施形態1と同様に設けられている。図26では図示していないが、半導体基板101の表面上面には、図5に示した画素トランジスタTrが設けられている。配線層111は、その画素トランジスタTrを被覆するように設けられている。Bまとめ以上のように、本実施形態では、実施形態1の場合と同様に、半導体基板101において裏面上面側に形成されたトレンチTR内に、画素分離部301を設けている。ここでは、受光面JSに入射した光を吸収する絶縁材料によって、画素分離部301を形成している。よって、本実施形態では、実施形態1と同様に、画像品質を向上可能である。本実施形態の固体撮像装置は、上記のように、表面照射型である。既に述べたように、表面照射型の場合には、半導体基板において入射光が入射する表面側から不純物をイオン注入して画素分離部が形成されていたので、赤色のように長波長の光について受光する画素の飽和電荷蓄積量Qsを向上させることが困難であった。しかし、本実施形態においては、画素分離部は301、半導体基板101において、フォトダイオード21の側部に設けられたトレンチTRの内部に埋め込まれている。このため、受光面JSに対して深い領域で画素Pを分離できるので、特に、赤色の光を受光するフォトダイオード21について、飽和電荷蓄積量Qsを大きくすることが可能であり、ダイナミックレンジを改善可能である。なお、本実施形態では、画素分離部301を実施形態1の場合と同様に形成する場合について説明したが、これに限定されない。他の実施形態および変形例の場合と同様に形成しても良い。<6.その他>本発明の実施に際しては、上記した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形例を採用することができる。上記の実施形態においては、カメラに本発明を適用する場合について説明したが、これに限定されない。スキャナーやコピー機などのように、固体撮像装置を備える他の電子機器に、本発明を適用しても良い。上記の実施形態では、転送トランジスタと増幅トランジスタと選択トランジスタとリセットトランジスタとの4種を、画素トランジスタとして設ける場合について説明したが、これに限定されない。たとえば、転送トランジスタと増幅トランジスタとリセットトランジスタとの3種を、画素トランジスタとして設ける場合に適用しても良い。上記の実施形態では、1つのフォトダイオードに対して、転送トランジスタと増幅トランジスタと選択トランジスタとリセットトランジスタとのそれぞれを1つずつ設ける場合について説明したが、これに限定されない。たとえば、複数のフォトダイオードに対して、増幅トランジスタと選択トランジスタとリセットトランジスタのそれぞれを1つずつ設ける場合に適用しても良い。また、CMOS型イメージセンサの他に、CCD型イメージセンサに適用しても良い。その他、上記の各実施形態を、適宜、組み合わせても良い。なお、上記の実施形態において、固体撮像装置1は、本発明の固体撮像装置に相当する。また、上記の実施形態において、フォトダイオード21は、本発明の光電変換部に相当する。また、上記の実施形態において、カメラ40は、本発明の電子機器に相当する。また、上記の実施形態において、遮光膜60は、本発明の遮光膜に相当する。また、上記の実施形態において、半導体基板101は、本発明の半導体基板に相当する。また、上記の実施形態において、配線層111は、本発明の配線層に相当する。また、上記の実施形態において、画素分離部301,301c,301dは、本発明の画素分離部に相当する。また、上記の実施形態において、第1光吸収部311は、本発明の第1光吸収部に相当する。また、上記の実施形態において、第2光吸収部312は、本発明の第2光吸収部に相当する。また、上記の実施形態において、第3光吸収部313は、本発明の第3光吸収部に相当する。また、上記の実施形態において、ピニング層501は、本発明のピニング層に相当する。また、上記の実施形態において、カラーフィルタCFは、本発明のカラーフィルタに相当する。また、上記の実施形態において、青色フィルタ層CFBは、本発明のフィルタ層、第1フィルタ層に相当する。また、上記の実施形態において、緑色フィルタ層CFGは、本発明のフィルタ層、第2フィルタ層に相当する。また、上記の実施形態において、赤色フィルタ層CFRは、本発明のフィルタ層、第3フィルタ層に相当する。また、上記の実施形態において、受光面JSは、本発明の受光面に相当する。また、上記の実施形態において、画素Pは、本発明の画素に相当する。また、上記の実施形態において、トレンチTRは、本発明のトレンチに相当する。また、上記の実施形態において、画素トランジスタTrは、本発明の画素トランジスタに相当する。"