"半導体基板上に半導体層を形成する工程と、前記半導体層の一部をエッチングして、凸部と凹部が交互に配列された回折格子を形成する工程と、前記回折格子の少なくとも一部を露出させる開口を有する成長阻止マスクを前記半導体層上に形成する工程と、前記成長阻止マスクの前記開口から露出した前記回折格子を埋め込む埋込み層をMOVPE法により形成する工程と備えることを特徴とする半導体レーザの製造方法。前記成長阻止マスクは、前記回折格子の前記凹部が延びる方向と直交するストライプ形状であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザの製造方法。前記成長阻止マスクの幅は300um以下であり、前記成長阻止マスクの前記開口の幅は10um以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体レーザの製造方法。前記回折格子の前記凸部の上面及び前記凹部の底面は100面であり、前記回折格子の前記凸部の側面は100面に対して傾斜しており、前記埋込み層は100面より011面又は111面の成長速度が速いことを特徴とする請求項1~3の何れか1項に記載の半導体レーザの製造方法。半導体基板上に半導体層を形成する工程と、前記半導体層の一部をエッチングして、凸部と凹部が交互に配列された回折格子を形成する工程と、前記回折格子を埋め込む埋込み層を形成する工程と備え、前記回折格子の前記凸部の上面及び前記凹部の底面は100面であり、前記回折格子の前記凸部の側面は100面に対して傾斜しており、前記埋込み層は100面より011面又は111面の成長速度が速いことを特徴とする半導体レーザの製造方法。前記回折格子の前記凸部の側面の100面に対する傾斜角は50~60°であることを特徴とする請求項4又は5に記載の半導体レーザの製造方法。特許文献1の方法では、熱変形防止層がGaAsになるため、InP基板/GaAs熱変形防止層/InGaAsP光ガイド層という構成になる。従って、格子不整合により欠陥が導入され、レーザ特性が劣化する。また、GaAsは屈折率が高いため、光結合効率等の設計が困難である。特許文献2の方法では、InP層が熱変形する際に回折格子の上部角部が露出して形状が崩れないようにInP層を厚くしなければならず、回折格子の幅の加工精度が悪い。また、InP層の熱変形を促進するため、アニール温度を上げるとガイド層も一緒に崩れる。このため、所望の光結合係数が得られず、半導体レーザの発振波長や伝送特性がばらつく。また、MOVPE法MetalOrganicVaporPhaseEpitaxyではV族原料とIII族原料のガス流量比が高い10~ため、成長速度はIII族原料のガス流量でほぼ決まる。従って、従来の埋め込み成長速度を上げる方法では、III族原料のガス流量を増加させていた。しかし、III族の有機金属原料をキャリアガスへ飽和蒸気圧分取込ませるが、蒸気圧の限界や安定性を考慮するとあまり大きくできない。また、有機金属原料が基板付近で分解してV族原料と反応して結晶成長するが、原料ガスの未分解成分が一定量あるため、流量増加だけでは、成長速度の上昇に限界がある。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は回折格子の熱変形を防止することができる半導体レーザの製造方法を得るものである。本発明に係る半導体レーザの製造方法は、半導体基板上に半導体層を形成する工程と、前記半導体層の一部をエッチングして、凸部と凹部が交互に配列された回折格子を形成する工程と、前記回折格子の少なくとも一部を露出させる開口を有する成長阻止マスクを前記半導体層上に形成する工程と、前記成長阻止マスクの前記開口から露出した前記回折格子を埋め込む埋込み層をMOVPE法により形成する工程と備えることを特徴とする。本発明により、回折格子の熱変形を防止することができる。本発明の実施の形態に係る半導体レーザの製造方法について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。なお、図面では本発明が理解できる程度に各構成の大きさ、形状、及び配置を概略的に示しており、本発明は図面に示した例のみに限定されるものではない。実施の形態1.図1,3,5,8は、本発明の実施の形態1に係る半導体レーザの製造方法を示す上面図である。図2は図1のA-A ́に沿った断面図、図4は図3のB-B ́に沿った断面図、図6は図5のC-C ́に沿った断面図、図7は図5のD-D ́に沿った断面図、図9は図8のB-B ́に沿った断面図、図10は図8のC-C ́に沿った断面図、図11は図8のD-D ́に沿った断面図である。まず、図1,2に示すように、p-InP基板1上にp-InPバッファ層2、ノンドープInGaAsP活性層3、n-InPバリア層4、n-InGaAsP光ガイド層5、n-InPキャップ層6を順に形成する。n-InGaAsP光ガイド層5の膜厚は50nm、n-InPキャップ層6の膜厚は50nmである。n-InGaAsP光ガイド層5及びn-InPキャップ層6の形成は、MOVPE法などによって600°C程度の基板温度で行う。次に、図3.4に示すように、電子線ElectronBeam描画法などを用いてn-InPキャップ層6及びn-InGaAsP光ガイド層5の一部をエッチングして、n-InGaAsP光ガイド層5に、凸部7と凹部8が交互に配列された回折格子9を形成する。また、回折格子9をチップ全面に形成すると描画時間がかかるため、ここでは導波路付近のみに幅10umの回折格子9を形成する。DFBレーザの発振波長λpは、数式1に示すように、回折格子9の周期Λと導波路の実効屈折率neffによって決まる。λp=2neffΛ数式1次に、図5-7に示すように、SiO2からなる成長阻止マスク10をn-InGaAsP光ガイド層5及びn-InPキャップ層6上に形成する。成長阻止マスク10は、回折格子9の少なくとも一部を露出させる開口11を有する。成長阻止マスク10は、回折格子9の凹部8が延びる方向と直交する、即ち共振器方向と平行に延びるストライプ形状である。左右の成長阻止マスク10の幅を各々140um、膜厚を0.2umとし、開口11の幅を20umとする。なお、回折格子9を狭い領域に形成する場合には、回折格子9の外側に成長阻止マスク10を形成する。一方、回折格子9をチップ全面又は広範囲に形成する場合には、回折格子9の一部上にも成長阻止マスク10を形成する図示せず。次に、図8-11に示すように、成長阻止マスク10の開口11から露出した回折格子9を埋め込むn-InP埋込み層12をMOVPE法により形成する。この際にIII族原料は成長阻止マスク10上でマイグレーションするため、n-InP埋込み層12の成長速度が大きくなる。従って、回折格子9を埋め込む時間が短くなるため、回折格子9の熱変形を防止することができる。ここで、成長阻止マスク10の面積が大きいほど、マイグレーションする原子の数が多くなり、成長速度が大きくなる。マスク面積に対する成長速度の依存性は、基板へのIII族原料の供給レート、供給された原料の結晶化レート、及びIII族原料の拡散係数を導入した拡散方程式によって記述される参考:JJAP,47,7788-77922008。ただし、成長阻止マスク10上でのIII族原料のマイグレーション長や気相拡散長を超える幅の成長阻止マスク10を形成しても、成長速度はあまり増加しない。また、成長阻止マスク10が大きいと、成長阻止マスク10上での核形成によりポリ結晶が形成される。従って、成長阻止マスク10の幅を300μm以下にするのが好ましい。また、開口11内では、成長阻止マスク10近傍においてIII族原料の表面マイグレーション長で特徴づけられる幅でn-InP埋込み層12の盛り上がりが生じる。一方、成長阻止マスク10から表面マイグレーション長以上に遠ざかった領域では、気相拡散長で特徴づけられる比較的平坦なn-InP埋込み層12が得られる。そして、本実施の形態の成長条件において、開口11内での表面マイグレーション長はたかだか数μm程度である。従って、成長阻止マスク10の開口11の幅を10μm以上とすることが好ましい。実施の形態2.図12,13は、本発明の実施の形態2に係る半導体レーザの製造方法を示す断面図である。まず、実施の形態1と同様に、p-InP基板1上にp-InPバッファ層2、ノンドープInGaAsP活性層3、n-InPバリア層4、n-InGaAsP光ガイド層5、n-InPキャップ層6を順に形成する。次に、図12に示すように、電子線描画法などを用いてn-InPキャップ層6及びn-InGaAsP光ガイド層5の一部をRIEReactiveIonEtchingによりエッチングして、n-InGaAsP光ガイド層5に、凸部7と凹部8が交互に配列された回折格子9を形成する。回折格子9の凸部7の上面及び凹部8の底面は100面である。この際に、RIEにおいて加工側壁に保護膜を形成するエッチング条件にすることで、回折格子9の凸部7の側面を100面に対して傾斜させる。または、レジストのエッジ形状が裾引きした形状にすることでも傾斜させることができる。具体的には、回折格子9の凸部7の側面の100面に対する傾斜角を50~60°にする。これにより、回折格子9の凸部7の側面は111A面に近くなる。次に、図13に示すように、回折格子9を埋め込むn-InP埋込み層12をMOVPE法により形成する。この際に成長温度550°C、原料モル比V/III=60とする。この条件では、n-InP埋込み層12は100面より011面又は111面の成長速度が速くなる。ただし、成長温度500~600°C、原料モル比V/III=30~100の範囲であれば同様の効果を得ることができる。これにより、図中の破線で示すように、回折格子9の側面に優先的にn-InP埋込み層12が形成されて回折格子9が保護されるため、回折格子9の熱変形を防止することができる。なお、実施の形態1の製造方法において、回折格子9の凸部7の側面を100面に対して傾斜させ、n-InP埋込み層12が100面より011面又は111面の成長速度が速くなるように成長条件を設定することにより、更に確実に回折格子9の熱変形を防止することができる。また、一般的に、p型よりn型の方が光吸収ロスが小さいため、回折格子はn側に形成される。実施の形態1,2では、p-InP基板を用いて活性層の上に回折格子を形成している。しかし、これに限らず、n-InP基板を用いて活性層の下に回折格子を形成してもよい。"