光学装置であって、表面領域を有する取付部材と、前記表面領域の一部上に設けられた少なくとも1つのLEDデバイスと、少なくとも前記表面領域の一部の上に配置された波長変換材料と、波長選択表面であって、前記波長選択表面は、前記LEDデバイスの実質的直接放射を反射し、相互作用of前記波長変換材料と前記LEDデバイスの直接放射との間の相互作用に起因する、選択された波長の変換発光を透過させる、波長選択表面と、を含み、前記LEDデバイスからの直接放射のうち少なくとも30が前記波長選択表面から反射された後、前記波長変換材料と相互作用する、光学装置。前記波長材料の厚さは100μm未満である、請求項1に記載の光学装置。前記表面領域の反射率は、前記発光波長のうち1つ以上において50を越える、請求項1に記載の光学装置。前記波長変換材料は波長変換粒子を含み、前記波長変換粒子は、平均粒子間距離が前記波長変換材料全ての平均粒径のおよそ10倍未満である点において特徴付けられる、請求項1に記載の光学装置。前記波長選択表面はフィルタを含む、請求項1に記載の光学装置。前記波長選択表面はダイクロイック光学部材を含む、請求項1に記載の光学装置。前記波長変換材料は、第1の波長変換材料および第2の波長変換材料を含み、前記第1の波長変換材料および第2の波長変換材料は、ピクセル化パターンにおいて配置される、請求項1に記載の光学装置。前記波長変換材料は、第1の波長変換材料を含み、前記第1の波長変換材料は、第2の波長変換材料の上に積層される、請求項1に記載の装置。前記波長変換材料は、第1の波長変換材料を含み、前記第1の波長変換材料は、第2の波長変換材料と混合される、請求項1に記載の装置。前記波長変換材料は、第1の波長変換材料および第2の波長変換材料を含む、請求項1に記載の装置。前記波長変換材料は、複数の量子ドット、蛍光体材料および有機材料のうち1つを含む、請求項1に記載の光学装置。前記少なくとも1つのLEDデバイスは、ガリウムおよび窒素含有基板上に作製される、請求項1に記載の光学装置。前記ガリウムおよび窒素含有基板は、半極性配向または非極性配向によって特徴付けられる、請求項12に記載の光学装置。光学装置であって、表面領域を含む取付部材と、前記表面領域の一部上に配置された少なくとも1つのLEDデバイスであって、前記LEDデバイスは、上側LED表面積を有する、LEDデバイスと、前記表面領域の一部の上に配置された層状波長変換材料と、波長選択表面であって、前記波長選択表面は、前記LEDデバイスの実質的直接放射を反射するように構成され、かつ、少なくとも前記層状波長変換材料および前記LEDデバイスの直接放射との相互作用に起因して発生する、選択された波長の変換発光を透過させるように構成される、波長選択表面と、前記LED表面積と、前記LED表面積および前記波長選択表面を接続する第1の高さとによって形成される第1の体積と、前記層状波長変換材料の面積と、前記層状波長変換材料および波長選択表面を接続する第2高さとによって形成される第2の体積であって、前記第2の体積は前記第1の体積よりも大きく、前記第2の領域は実質的に透明であり、波長変換材料を実質的に含まない、第2の体積と、を含む、光学装置。前記LEDデバイスは表面領域を有し、基準領域からの第1の高さによって特徴付けられ、前記波長変換材料は、前記基準領域からの第2の高さにおいて上面を有し、前記第2高さは、前記第1の高さよりも低い、請求項14に記載の光学装置。前記波長変換材料は波長変換粒子を含み、前記波長変換粒子は、平均粒子間距離が前記波長変換材料の全ての平均粒径のおよそ10倍未満である点において特徴付けられる、請求項14に記載の光学装置。前記波長選択表面はフィルタを含む、請求項14に記載の光学装置。前記波長変換材料は、複数の量子ドット、蛍光体材料または有機材料を含む、請求項14に記載の光学装置。前記少なくとも1つのLEDデバイスは、ガリウムおよび窒素含有基板上に作製される、請求項14に記載の光学装置。前記ガリウムおよび窒素含有基板は、半極性配向または非極性配向によって特徴付けられる、請求項19に記載の光学装置。