第1導電型の第1の半導体層と、前記第1導電型とは異なる導電型の第2導電型の第2の半導体層と、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に設けられた発光層と、前記第2の半導体層の前記発光層とは反対側の表面に設けられた導電性酸化物を含む第1の層と、前記第1の層の一部に接触し、前記導電性酸化物を還元する材料を含んだ第1の電極と、前記第1の電極の表面を覆う第1の部分と、前記第1の層に接触する第2の部分と、を有する第2の電極と、前記第1の半導体層に電気的に接続された第3の電極と、を備え、前記第1の層は、前記第1の電極が接触した前記第1の層の表面から前記第2の半導体層の方向に延在した、前記第1の層の他の部分よりも高抵抗の領域を有し、前記第1の電極は、Al、NiおよびMgのうちの少なくとも1つを含んだ金属であることを特徴とする半導体発光装置。第1導電型の第1の半導体層と、前記第1導電型とは異なる導電型の第2導電型の第2の半導体層と、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に設けられた発光層と、前記第2の半導体層の前記発光層とは反対側の表面に設けられた導電性酸化物を含む第1の層と、前記第1の層の一部に接触し、前記導電性酸化物を還元する材料を含んだ第1の電極と、前記第1の電極の表面を覆う第1の部分と、前記第1の層に接触する第2の部分と、を有する第2の電極と、前記第1の半導体層に電気的に接続された第3の電極と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置。前記第1の層は、前記第1の電極が接触した前記第1の層の表面から前記第2の半導体層の方向に延在した、前記導電性酸化物層の他の部分よりも高抵抗の領域を有することを特徴とする請求項2記載の半導体発光装置。前記第1の電極は、Al、Ni、Mgのうちの少なくとも1つを含んだ金属であることを特徴とする請求項2または3のいずれかに記載の半導体発光装置。請求項1乃至4に記載の半導体発光装置の製造方法であって、前記導電性酸化物を含む層と、前記導電性酸化物を含む層に接した前記第1の電極と、を熱処理し、前記導電性酸化物を含む層の前記第1の電極が接触した表面から前記第2の半導体層の方向に延在した、前記第1の層の他の部分よりも高抵抗の領域を前記第1の層の中に形成することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。本発明の実施形態は、信頼性の高い電流ブロック構造を備える半導体発光装置およびその製造方法を提供する。実施形態に係る半導体発光装置は、第1導電型の第1の半導体層と、前記第1導電型とは異なる導電型の第2導電型の第2の半導体層と、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に設けられた発光層と、前記第2の半導体層の前記発光層とは反対側の表面に設けられた導電性酸化物を含む第1の層と、前記第1の層の一部に接触し、前記導電性酸化物を還元する材料を含んだ第1の電極と、前記第1の電極の表面を覆う第1の部分と、前記第1の層に接触する第2の部分と、を有する第2の電極と、前記第1の半導体層に電気的に接続された第3の電極と、を備える。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態では、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について適宜説明する。ここでは、第1導電型をn型とし、第2導電型をp型として説明するが、第1導電型をp型として、第2導電型をn型とすることも可能である。第1の実施形態図1は、本実施形態に係る半導体発光装置100の断面を例示する模式図である。半導体発光装置100は、窒化物半導体を材料とするLEDである。そして、例えば、第1の半導体層であるn型GaN3と、第2の半導体層であるp型GaN層7と、n型GaN層3およびp型GaN層7の間に設けられた発光層5とを備えている。発光層5は、例えば、GaN障壁層とInGaN井戸層とで構成される量子井戸を含む。そして、n型GaN層3、発光層5およびp型GaN層の順に、例えば、サファイア基板2の上に設けられる。さらに、p型GaN層7の発光層5とは反対側の表面に透明電極11が設けられる。透明電極11は、導電性酸化物を含む層第1の層である。導電性酸化物としては、例えば、ITOIndiumTinOxideを用いることができる。透明電極11の表面には、p電極15が設けられる。そして、p電極15と透明電極11との間には、第1の電極である還元電極13が設けられる。還元電極13は、透明電極11の一部に接触し、透明電極11に含まれる導電性酸化物を還元する材料を含む。そして、図1に示すように、第2の電極であるp電極15は、還元電極13の表面を覆う第1の部分であるパッド部15aと、透明電極11に接触する第2の部分であるコンタクト部15bと、を有する。さらに、還元電極13が透明電極11に接触する部分には、電流ブロック領域17が設けられる。つまり、透明電極11の一部に、電流ブロック領域17が形成されている。電流ブロック領域17は、透明電極11の表面からp型GaN層7の方向に延在している。電流ブロック領域17は、導電性酸化物が還元された領域であり、透明電極11の他の部分よりも高抵抗となる。一方、p型GaN層7および発光層5を選択的に除去して露出させたn型GaN層3の表面には、第3の電極であるn電極9が設けられる。n電極9は、n型GaN層3に電気的に接続される。半導体発光装置100は、p電極15のパッド部15aおよびn電極9にそれぞれボンディングされる金属ワイヤを介して、p電極15とn電極9との間に駆動電流を流すことにより機能する。p電極15は、コンタクト部15bにおいて透明電極11に電気的に接続される。そして、p電極15から、透明電極11、p型GaN層7、発光層5およびn型GaN層3を介してn電極9に駆動電流が流れる。これにより、p型GaN層7から正孔、n型GaN3層から電子が発光層5に注入され、発光層5は青色の発光光を放射する。例えば、ITOを導電性酸化物として含む透明電極11は可視光を透過する。したがって、発光層5から放射される発光光は、透明電極を介して外部に取り出すことができる。一方、p電極15には、例えば、ニッケルNiおよび金Auを積層した電極を用いる。したがって、p電極15は光を透過しないため、p電極15の直下において発光層5から放射された発光光を取り出すことはできない。そこで、半導体発光装置100では、高抵抗の電流ブロック領域17を設けることにより電極15の直下に流れる電流を低減し、p電極15の直下の発光層5における発光を抑制する。これにより、発光層7の上にp電極15が設けられていない領域における発光の割合が増加し、発光層5から放射される発光光の取り出し効率を向上させることができる。次に、図2および図3を参照して、半導体発光装置100の製造過程を説明する。図2および図3の各断面図は、それぞれの工程におけるウェーハの部分断面を模式的に示している。図2aは、サファイア基板2の上に、n型GaN層3、発光層5、p型GaN層7、および、透明電極11が順に設けられた状態を示している。n型GaN層3および発光層5、p型GaN層7は、例えば、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法を用いて形成することができる。透明電極11は、例えば、スパッタ法を用いて形成することができる。サファイア基板2に代えて、SiC基板、GaN基板、およびSi基板などを用いることができる。また、サファイア基板2と、n型GaN層3との間に、アンドープのGaNバッファ層を形成しても良い。透明電極11には、ITOの他にZnO、TiOなどの導電性酸化物を含む膜を用いることができる。次に、図2bに示すように、透明電極11の表面に、還元電極13を選択的に形成する。還元電極13には、アルミニウムAl、ニッケルNi、または、マグネシウムMgなど還元性の強い元素、所謂イオン化傾向の大きい元素を含む材料を用いることができる。さらに、還元電極13は、炭化物や水素化物を含んでも良い。例えば、上記の還元性元素を含んだ金属膜をスパッタ法で形成し、その後、フォトリソグラフィを用いて所定の形状にパターニングする。続いて、透明電極11と、それに接した還元電極13とを熱処理する。例えば、300°C~700°Cの温度範囲に設定された窒素雰囲気の熱処理炉を用いて、透明電極11および還元電極13が形成されたウェーハを処理する。これにより、透明電極11の還元電極13が接触した表面からp型GaN層7の方向に、電流ブロック領域17を形成することができる。すなわち、透明電極11に含まれる導電性酸化物は、還元電極13に含まれる還元性の強い元素に酸素を奪われて高抵抗化する。そして、透明電極11の他の部分よりも高抵抗の電流ブロック領域17を形成することができる。次に、図3aに示すように、還元電極13を覆うp電極15を形成する。p電極15は、前述したように、例えば、NiおよびAuを順に積層した多層膜を用いることができる。Ni/Auの多層膜は、例えば、真空蒸着法を用いて形成することができる。そして、還元電極13を覆うパッド部15aと、透明電極11に接触するコンタクト部15bと、を有する形状にパターニングする。p電極15にNi/Auを用いた場合、コンタクト部15bにおいて、透明電極11とNi膜とが接触するが、所定温度以上の熱処理を施さなければ、透明電極11に含まれる導電性酸化物を還元することはない。したがって、透明電極11とp電極15との間にオーミックコンタクトを形成することができる。次に、図3bに示すように、透明電極11の表面からn型GaN層3に至る選択エッチングを施し、n型GaN層3の表面を露出させる。例えば、レジスト膜をエッチングマスクとし、RIEReactiveIonEtching法を用いて、透明電極11およびp型GaN層7、発光層5を除去する。続いて、n型GaN層3の表面に、n電極9を形成する。例えば、スパッタ法を用いて、チタンTiおよびAlを順に積層した多層膜を形成し、所定の形状にパターニングする。次に、電流ブロック領域17について説明する。図4は、ITO膜の形成過程における反応ガス中の酸素ガスの含有率と、ITO膜のシート抵抗の関係を示すグラフである。横軸に酸素ガスの含有率を示し、縦軸にITOのシート抵抗を示している。ITO膜はスパッタ法を用いて形成することができる。例えば、ITOターゲットをArイオンでスパッタすることにより、被処理ウェーハの表面にITO膜を形成する。この際、スパッタガスであるアルゴンガスArに酸素ガスO2を混合することにより、ITO膜のシート抵抗を制御することができる。図4に示すように、酸素ガスを混合しない場合、ITO膜のシート抵抗は、500Ω/□である。そして、ITO膜は、酸素ガスの含有率が増えるにしたがって低抵抗化し、0.6~0.7で極小のシート抵抗となる。このように、ITO膜の抵抗は、その中に含まれる酸素の量に敏感である。すなわち、図4に示すグラフは、透明電極11に含まれるITOを還元し酸素を奪い取ることにより高抵抗化できることを示している。したがって、本実施形態に示すように、p電極15のパッド部15aの下に還元電極13を形成し熱処理を施すことにより、電流ブロック領域17を形成することができる。そして、前述したように、電流ブロック領域17は、p電極15の直下に流れる電流を低減し、発光層5から放射される発光光の取り出し効率を向上させる。さらに、本実施形態に係る半導体発光装置100では、p電極15の下に形成される電流ブロック構造の信頼度を向上させる。例えば、図7に、比較例に係る半導体発光装置400の部分断面を示す。図7aは、p電極15の構造を示す模式断面図である。図7bおよびcは、電子顕微鏡写真である。図7aに示すように、半導体発光装置400では、p型GaN層7の表面に選択的に電流ブロック層31が設けられる。電流ブロック層31は、例えば、シリコン酸化膜SiO2である。そして、電流ブロック層31を覆って、透明電極11が設けられる。さらに、電流ブロック層31の上に、透明電極11を介してp電極15が設けられる。図7bは、半導体発光装置400の製造過程における電流ブロック層31の端部の断面を写した電子顕微鏡写真である。p型GaN層7の上に電流ブロック層31が設けられ、さらに透明電極11であるITO膜が形成された状態を示している。図7cは、図7bに示す工程よりも後の工程における電流ブロック層31の端部の断面を示す電子顕微鏡写真である。ここでは、電流ブロック層31の端部が後退し、p型GaN層7と透明電極11との間に空洞ができている。このような空洞は、ITO膜を通して侵入したエッチング液が、電流ブロック層31をエッチングして生じたものと考えられる。例えば、電流ブロック層31の端の段差上に形成されたITO膜には、クラックが生じ易い。図7bに示すように、電流ブロック層31の端部は傾斜しており、その段差が緩和されているにもかかわらず、ITO膜にクラックが生じる場合がある。そして、ITO膜を形成した後の工程において、そのクラックを通してエッチング液が侵入したものと考えられる。図7cに表れた空洞は、透明電極11の密着度を低下させ、例えば、ワイヤボンディング時にp電極15の剥離を生じさせる場合がある。すなわち、比較例に係る半導体発光装置400では、電流ブロック構造の信頼度に問題がある。これに対し、本実施形態に係る半導体発光装置100では、透明電極11は、p型GaN層7の平坦な表面に形成される。したがって、透明電極11に含まれる導電性酸化物におけるクラック等の欠陥の発生を抑制することができる。その結果、透明電極11の密着度の低下を防ぐことが可能であり、電流ブロック構造の信頼度を向上させることができる。第2の実施形態図5は、本実施形態に係る半導体発光装置200の断面を示す模式図である。半導体発光装置200は、所謂ThinFilmLEDと呼ばれる発光装置であり、n型GaN層3および発光層5、p型GaN層7を含む積層体を、サファイア基板2から別の支持基板21に移載した構造を有する。図5に示すように、支持基板21の上に、接合金属23を介して、p電極15、透明電極11、p型GaN層7、発光層5およびn型GaN層3が設けられている。そして、n型GaN層3の表面に、n電極9が選択的に設けられている。支持基板21には、例えば、p型シリコン基板を用いることができる。p電極15と透明電極11との間には、還元電極13が選択的に設けられ、電流ブロック領域17が形成されている。p電極15は、還元電極13を覆う第1の部分15aと、透明電極11の接する第2の部分であるコンタクト部15bを有している。半導体発光装置200では、p電極15は、発光層5から放射された発光を反射する反射電極として機能する。そして、発光層5から放射される発光のうちのp電極15の側に伝播する光は、p電極15によりn型GaN層3の方向に反射される。すなわち、発光層5から放射される発光は、サファイア基板2が除去されたn型GaN層3の側から放射される。これにより、発光の取り出し効率を向上させることができる。そして、n電極9と対向して設けられた電流ブロック領域17により、n電極9の直下における発光層5の発光が抑制されるため、取り出し効率をさらに高めることができる。本実施形態に係る半導体発光装置200でも、透明電極11は、p型GaN層7の平坦な表面に形成されるため、その密着度を向上させることが可能である。これにより、電流ブロック構造の信頼度を向上させることができる。上記の第1および第2の実施形態では、n型GaN層3およびp型GaN層7を備えるLEDを例に説明したが、組成式InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1で表されるGaN系窒化物半導体を、適宜組み合わせて構成することもできる。さらに、例えば、p型GaN層7と発光層5との間に電子のオーバーフローを防止するブロック層を挿入し、n型GaN層3と発光層5との間に超格子層を設けても良い。さらに、上記の第1および第2の実施形態は、窒化物半導体に限られず、例えば、InGaAlPもしくはGaAlAsなど、他の材料を用いる半導体発光装置に適用することができる。第3の実施形態図6は、InGaAlPを材料とする半導体発光装置300の断面構造を示す模式図である。例えば、InGaAlPを材料とするLEDでは、図1におけるサファイア基板2に代えてn型GaAs基板32を用いる。そして、n型GaAs基板32の上に、n型InGaAlP層33、発光層35およびp型InGaAlP層37が設けられる。発光層35は、例えば、InGaP井戸層およびInGaAlP障壁層で構成される量子井戸を含む。さらに、図1に示す半導体発光装置100と同じように、p型InGaAlP層37の上に、透明電極11および還元電極13、p電極15が設けられる。そして、熱処理を施すことにより、透明電極11の中に電流ブロック領域17が形成される。一方、サファイア基板2と異なり、n型GaAs基板32は導電性を有する。したがって、n電極9は、n型GaAs基板32の裏面に形成することができる。本実施形態に係る半導体発光装置300でも、透明電極11は、平坦な表面を有するp型InGaAlP層37の表面に形成されるため、その密着性が改善され電流ブロック構造の信頼性を向上させることができる。さらに、図5に示す半導体発光装置200と同様のThinFilm構造も形成することができる。すなわち、透明電極11および還元電極13、p電極15、電流ブロック領域17を形成した後、n型InGaAlP層33および発光層35、p型InGaAlP層37を、n型GaAs基板32からp型シリコン基板に移載する。これにより、ThinFilmLEDを構成することができる。なお、本願明細書において、窒化物半導体とは、BxInyAlzGa1-x-y-zN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、0≦xyz≦1のIII-V族化合物半導体を含み、さらに、V族元素としては、N窒素に加えてリンPや砒素Asなどを含有する混晶も含むものとする。またさらに、導電型などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、窒化物半導体に含まれるものとする。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。