第1導電型半導体基板の第1主面に、第2導電型ベース領域と、該第2導電型ベース領域の表面層に設けられる第1導電型エミッタ領域と、前記第1導電型半導体基板からなる第1導電型ドリフト層の表面と前記第1導電型エミッタ領域表面とに挟まれる第2導電型ベース領域表面上にゲート酸化膜を介して設けられるゲート電極と、前記第1導電型エミッタ領域表面および前記第2導電型ベース領域表面に共通に接触するエミッタ電極と、第2主面に設けられる第2導電型コレクタ層とを有するIGBTと、該IGBTに対して離間して前記第1導電型半導体基板の第1主面に形成される第1導電型ウェル領域内の表面層にそれぞれ離間して形成される第1導電型カソード領域と第2導電型アノード領域からなる温度センサダイオードを備える半導体装置において、前記第1導電型ウェル領域が第2導電型ウェル領域の表面層に形成され、前記温度センサダイオードのホールおよび電子のライフタイムが1μs以下に設定されていることを特徴とする半導体装置。前記IGBTの活性領域のライフタイムが前記温度センサダイオードのライフタイムの10倍以上であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記IGBTがトレンチゲート型IGBTであることを特徴とする請求項1または2記載半導体装置。しかしながら、特許文献1では動作条件の定格温度の全温度範囲例えば-50°C~150°Cでの検出については触れられていない。全温度範囲で高精度の温度検出を行うためにはダイオードの順電圧VFの温度依存性について1次関数近似を良くする必要があり、IGBT100のオン/オフで順電圧VFが変動せず、高精度の温度検出を常時行えるようにしなければならない。ところが、特許文献1ではIGBT100と温度センサダイオード200とが同一半導体基板上に形成され、電気的には充分に素子分離されていないため、IGBT100のオン/オフで内蔵する寄生pnpトランジスタもオン/オフして低温側でのダイオードの順電圧VFが変動し、高精度の温度検出を常時行うのは不可能となる。本発明は、以上説明した点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、半導体装置の定格温度の全温度範囲-50°C~150°Cにおいて高精度の温度検出を行うことのできる、温度センサダイオードとIGBTとを同一半導体基板に一体化した半導体装置を提供することである。本発明は、前記発明の目的を達成するために、第1導電型半導体基板1の第1主面に、第2導電型ベース領域3と、該第2導電型ベース領域3の表面層に設けられる第1導電型エミッタ領域4と、前記第1導電型半導体基板1からなる第1導電型ドリフト層1の表面と前記第1導電型エミッタ領域4表面とに挟まれる第2導電型ベース領域表3面上にゲート酸化膜7を介して設けられるゲート電極8と、前記第1導電型エミッタ領域4表面および前記第2導電型ベース領域3表面に共通に接触するエミッタ電極6と、第2主面に設けられる第2導電型コレクタ層2とを有するIGBTと、該IGBTに対して離間して前記第1導電型半導体基板1の第1主面に形成される第1導電型ウェル領域15内の表面層にそれぞれ離間して形成される第1導電型カソード領域11と第2導電型アノード領域12からなる温度センサダイオードを備える半導体装置において、前記第1導電型ウェル領域15が第2導電型ウェル領域16の表面層に形成され、前記温度センサダイオードのホールおよび電子のライフタイムが1μs以下に設定されている半導体装置とする。前記IGBTの活性領域のライフタイムが前記温度センサダイオードのライフタイムの10倍以上であることが好ましい。また、前記IGBTをトレンチゲート型IGBTとすることもできる。本発明によれば、半導体装置の定格温度の全温度範囲-50°C~150°Cにおいて高精度の温度検出を行うことのできる、温度センサダイオードとIGBTとを同一半導体基板に一体化した半導体装置を提供することができる。以下、本発明にかかる半導体装置にかかる実施例について、図面を参照して詳細に説明する。本発明はその要旨を超えない限り、以下に説明する実施例の記載に限定されるものではない。図1は、本発明の半導体装置にかかる実施例1の要部断面図を表す。本発明の半導体装置はIGBT10と温度センサダイオード20とを同一半導体基板1に一体形成したものである。まず、IGBT10はプレーナーゲート型であり、n型半導体基板1をnドリフト層1とし、一方の主面裏面とする側にpコレクタ層2を、他方の主面表面とする側にpベース領域3を有する。このpベース領域3の表面にnエミッタ領域4を形成し、このnエミッタ領域4およびpベース領域3の表面に共通にエミッタ電極6がオーミック接触し電気的に接続され、裏面側のpコレクタ層2にはコレクタ電極5が電気的に接続されている。nドリフト層1の表面とnエミッタ領域4表面とに挟まれるpベース領域3の表面上にはゲート絶縁膜7を介してゲート電極8が設けられる。前記ゲート電極8とこのゲート電極8の上を覆うエミッタ電極6とを絶縁するために層間絶縁膜9が間に挿入されている。温度センサダイオード20はnウェル領域15内の表面層にnカソード領域11とpアノード領域12とが離れて形成されている。nカソード領域11の表面にはカソード電極13が、pアノード領域12の表面にはアノード電極14がそれぞれオーミック接触で接続されている。なお、前述の図1では、IGBT10と温度センサダイオード20の外周を取り巻く終端耐圧構造部は図示されていない。また、温度センサダイオード20のnウェル領域15とIGBT10のnドリフト層1とは、その聞に設けられるpウェル領域16により電気的に分離されている。このような構成にすることでIGBT10のオン/オフによらず温度センサダイオード20の順電圧VF変動を大幅に抑えることができる。ここで、前記温度センサダイオード20のnウェル内の電子とホールのライフタイム以下、ライフタイムが1μs以下にされていることが実施例1にかかる本発明の半導体装置の特徴である。このような構成の半導体装置にすることで期待される効果を図2のシミュレーション結果とともに説明する。図2~図4は、ライフタイムが10μs程度の場合以下、通常条件とすると、1μs以下通常条件の1/10程度および0.1μs以下通常条件の1/100程度にそれぞれ落とした場合の順電圧VFの温度依存性を示す関係図である。図2~図4では順方向電流密度JFが2nA/μm2~2μA/μm2の範囲の温度依存性を示している。これら順電圧VFは一般に温度で1次関数近似できる。逆にこの1次関数近似を用いて順電圧VF計測値から温度を算出し、実際の温度との差分計測誤差を温度の関数としてとったものが図5~図7となる。図5に示すように、通常条件では計測誤差が±3°Cと順電圧VFの温度依存性の1次関数近似順電圧VFの線形性が悪くなるが、図6、図7では、ライフタイムを低くするほど順電圧VFの線形性が改善されることを示している。ダイオードの順方向電流は、良く知られているように拡散電流と再結合電流とからなるが、ライフタイムが10μs程度の場合通常条件では拡散電流が支配的と考えられる。図5に示すように拡散電流が支配的な場合、計測誤差の温度依存性は下に凸の波形となり、温度計測誤差が大きい。これに対して、図6、図7ではライフタイムを落とすことにより再結合電流の寄与が増えて計測誤差の温度依存性の波形を上に凸にする方向に働くため、拡散電流による計測誤差を相殺して順電圧VFの線形性が改善すると考えられる。図8はライフタイムを振ったときの温度計測誤差の±ε1変動と電流密度との関係を表す図である。図8はライフタイムを1μs以下にすることで、順方向電流密度JFの高いところでも温度計測誤差を抑えることができることを示している。以上述べたように、実施例1では、ライフタイムキラーを半導体装置に導入することにより、少なくともダイオード20のnウェル内の電子とホールのライフタイムを1μs程度ライフタイムの通常条件の1/10以下とすることにより、順電圧VFの温度依存性の1次関数近似が良くなるので、温度計測誤差を±1°C以内にすることができる。なお、実施例1の半導体装置では、コレクタ層2は高不純物濃度であっても低不純物濃度であってもかまわない。コレクタ層2の不純物濃度を変えても温度センサダイオード20の順電圧VFの線形性に全く影響を及ぼさないので、温度センサダイオード20の順電圧VFの線形性改善効果はコレクタ層2の不純物濃度に依存しないからである。なお、コレクタ層2の不純物濃度制御によりキャリアの注入効率をコントロールすることができる。図9は本発明の実施例2にかかる半導体装置の要部断面図を表す。図1に示す実施例1の半導体装置との違いは、図9では温度センサダイオード20部分のみにライフタイムキラーを導入することにより、温度センサダイオード20部分のライフタイムを、ライフタイムキラーを導入しない領域例えばIGBTより1/10以下にしている点である。逆に言えば、IGBT10の活性領域主電流の流れる領域のライフタイムが温度センサダイオード20部分のライフタイムの10倍以上にされていることになる。すなわち、温度センサダイオード20にはライフタイムキラーを導入することにより、ライフタイムを1μs以下にし、IGBTにはライフタイムキラーを導入しない構成にする。ノンライフタイムキラーのIGBTのライフタイムは通常10μs程度である。よって、実施例2ではIGBT10のライフタイムは10μsと長いので、実施例1に比べ、オン電圧Vonは低くできる効果を得られる。前述の実施例1および実施例2では、半導体基板1上に温度センサダイオード20と一体化するIGBT10をプレーナーゲート型としていたが、例えば図10や図12に示すようにIGBT10がトレンチゲート型であってもかまわない。前述の実施例1および実施例2で、IGBT10をトレンチゲート型に置き換えた場合の効果はそれぞれ実施例1および実施例2と同様である。なお、実施例3においてコレクタ層2とnドリフト層1との聞に、例えば図11や図13に示すようにnフィールドストップ層21を設けてもかまわない。nフィールドストップ層21の有無によらず温度センサダイオード20の順電圧VFの線形性は変わらないので、温度センサダイオード20の順電圧VFの線形性改善効果はnフィールドストップ層の有無によらず変わらない。なお、nフィールドストップ層21を設けることでIGBT10のオン電圧とターンオフ損失とのトレードオフが改善できる。