"一般式I式中、Rは炭素原子数1~12のアルキル基を表し、環Aはフッ素置換されていてもよい1,4-フェニレン基を表し、環Bはフッ素置換された1,4-フェニレン基を表し、R’は炭素原子数1~5のアルキル基を表す。また、二重結合はシスあるいはトランスである。で表されるアルケニルビフェニル誘導体。一般式Iにおいて、環Bが2-フルオロ-1,4-フェニレン基又は3-フルオロ-1,4-フェニレン基を表すところの請求項2記載のアルケニルビフェニル誘導体。本発明が解決しようとする課題は、以上の目的に応じるため、TNIが高く、かつ粘性が3環化合物としては小さい液晶性化合物として新規アルケニルビフェニル誘導体を提供し、さらにこれを用いてより低粘性で液晶温度範囲が広い液晶組成物を提供することにある。本発明は、上記課題を解決するために、1.一般式I式中、Rは炭素原子数1~12のアルキル基を表し、環Aはフッ素置換されていてもよい1,4-フェニレン基またはトランス-1,4-シクロヘキシレン基を表し、環Bはフッ素置換されていてもよい1,4-フェニレン基を表し、R’は水素あるいは炭素原子数1~5のアルキル基を表す。また、R’がアルキル基である場合、二重結合はシスあるいはトランスである。で表されるアルケニルビフェニル誘導体。2.一般式Iにおいて、R’が水素原子を表すところの上記1記載のアルケニルビフェニル誘導体。3.一般式Iにおいて、環Aはトランス-1,4-シクロヘキシレン基を表し、環Bは1,4-フェニレン基を表すところの上記1または2記載のアルケニルビフェニル誘導体。4.上記1、2または3記載のアルケニルビフェニル誘導体を含有する液晶組成物。5.上記4記載の液晶組成物を用いた表示素子。を前記課題の解決手段として見出した。本発明により提供される、アルケニルビフェニル誘導体は、実施例にも示したように工業的にも容易に製造することができる。得られたアルケニルビフェニル誘導体は、従来用いられている同様あるいは類似骨格を有する3環性のビフェニル誘導体化合物と比較すると、ネマチック相上限温度が高く、その応答性の改善効果に優れるため、それ含有する液晶組成物は実用的液晶として特に温度範囲が広く高速応答を必要とする液晶表示用として極めて有用である。以下に本発明の一例について説明する。一般式Iにおいて、Rは炭素原子数1~12のアルキル基を表すが、炭素原子数1~7の直鎖状アルキル基が好ましい。環Aはフッ素置換されていてもよい1,4-フェニレン基またはトランス-1,4-シクロヘキシレン基を表すが、2-フルオロ-1,4-フェニレン基またはトランス-1,4-シクロヘキシレン基が好ましく、トランス-1,4-シクロヘキシレン基が特に好ましい。環Bはフッ素置換されていてもよい1,4-フェニレン基を表すが、1,4-フェニレン基、3-フルオロ-1,4-フェニレン基または2-フルオロ-1,4-フェニレン基が好ましく1,4-フェニレン基が特に好ましい。R’は水素あるいは炭素原子数1~5のアルキル基を表すが、側鎖があまり長くなると粘性が上昇するので水素あるいはメチル基が好ましく、水素原子が特に好ましい。また、R’がアルキル基である場合、二重結合の立体配置はシスあるいはトランスであるが、トランスが好ましい。従って、一般式Iで表される化合物の中で以下の一般式Ia~Idが好ましい。式中、R1は炭素原子数1~12のアルキル基を表す。これら一般式Ia~Idのなかでは、一般式Iaで表される化合物が特に好ましい。本発明の一般式Iの化合物は以下のようにして製造することができる。即ち、一般式IIIaで表される有機金属反応剤と一般式IVbで表される化合物とを触媒存在下に反応させることにより製造することができる。上式において、XはLi、MgBr、MgIまたはMgClを表すが、MgBrまたはMgIが好ましい。Yは臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子、p-トルエンスルホニル基、メタンスルホニル基あるいはトリフルオロメタンスルホニル基等の脱離基を表すが、臭素原子あるいはヨウ素原子が好ましい。また、R、環A、環B及びR’は一般式Iにおけると同じ意味を表す。触媒としてはパラジウム錯体、パラジウム錯体またはニッケル錯体が好ましく、特にパラジウム錯体が好ましい。あるいは一般式Iの化合物は、一般式IIIbの化合物と一般式IVaで表される有機金属反応剤とを同様に反応させることによっても製造することができる。ここで、上式において、X、Y、R、環A、環B及びR’は前述と同じ意味を表す。斯くして製造された本発明の化合物の一般式Iで表される化合物のうち代表的なものの相転移温度を第1表に掲げる。表中、Crは結晶相を、SBはスメクチックB相を、Nはネマチック相を、Iは等方性液体相をそれぞれ表し、相転移温度は°Cである。本発明の化合物を液晶組成物中に添加することにより得られる優れた効果は以下の通りである。一般式Iで表される化合物の中で第1表中に示され、環Aがトランス-1,4-シクロヘキシレン基、環Bが1,4-フェニレン基をあらわし、R’=Hである代表的な式I-1の化合物20重量及びホスト液晶組成物M80重量からなる液晶組成物M-1を調製した。ここでMの物性値は以下の通りである。TNI:116.7°C応答時間τr=τd:25.3m秒屈折率異方性Δn:0.090ここで、応答時間は20°Cにおいて立ち上がり時間τrと立ち下がり時間τdが等しくなる電圧印加時の測定値である。これに対してM-1の物性値は以下のようであった。TNI:128.6°C応答時間τr=τd:21.0m秒屈折率異方性Δn:0.108このようにそのTNIは約12°も上昇したにもかかわらず、応答時間は約20も短縮されていることがわかる。これに対して、一般式Iと同様にシクロヘキシルビフェニル骨格を有するが、両側鎖がともに直鎖状アルキル基である一般式IIaで表される式IIa-1の化合物20重量及びホスト液晶80重量からなる組成物Ma-1の物性値は以下のようであった。TNI:125.5°C応答時間τr=τd:22.5m秒屈折率異方性Δn:0.105従って、ホスト液晶Mに対しては応答時間及びネマチック相上限温度TNIともに、改善されているけれども、これをM-1の物性値と比較するとTNIが約3°低くなっているにもかかわらず、応答は約7遅くなってしまっていることがわかる。次に、同様の骨格を有し、アルケニル基がシクロヘキサン環に直結した構造を有する一般式IIbで表される式IIb-1及び式IIb-2を用いて組成物を調製した。式IIb-1の化合物20重量及びホスト液晶M80重量からなる組成物Mb-1、式IIb-2の化合物20重量及びホスト液晶M80重量からなる組成物Mb-2の物性値は以下のようであった。Mb-1TNI:122.5°C応答時間τr=τd:22.1m秒屈折率異方性Δn:0.109Mb-2TNI:128.5°C応答時間τr=τd:21.8m秒屈折率異方性Δn:0.110従って、ホスト液晶Mや前述のMa-1に対しては応答時間は改善されているけれども、これを本発明のM-1の物性値と比較すると応答は遅くなってしまっていることがわかる。従って、本発明のI-1の化合物は、低粘性で応答性に優れかつネマチック相温度範囲の広い液晶組成物を得る上において、IIa-1やIIb-1あるいはIIb-2の化合物より優れた効果を示すことが明らかである。従って、本発明の一般式Iの化合物は、他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で、TN型あるいはSTN型等の電界効果型表示セル用として、特に低粘性高速応答性の材料として好適に使用することができる。また、一般式Iの化合物は分子内に強い極性基を持たないので、大きい比抵抗と高い電圧保持率を得ることが容易であり、アクティブマトリックス駆動用液晶材料の構成成分として使用することも可能である。本発明はこのように一般式Iで表される化合物の少なくとも1種類をその構成成分として含有する液晶組成物をも提供するものである。この組成物中において、一般式Iの化合物と混合して使用することのできるネマチック液晶化合物の好ましい代表例としては、例えば、4-置換安息香酸4-置換フェニル、4-置換シクロヘキサンカルボン酸4-置換フェニル、4-置換シクロヘキサンカルボン酸4’-置換ビフェニリル、4-4-置換シクロヘキサンカルボニルオキシ安息香酸4-置換フェニル、4-4-置換シクロヘキシル安息香酸4-置換フェニル、4-4-置換シクロヘキシル安息香酸4-置換シクロヘキシル、4,4’-置換ビフェニル、1-4-置換シクロヘキシル-4-置換ベンゼン、4,4’-置換ビシクロヘキサン、1-[2-4-置換シクロヘキシルエチル]-4-置換ベンゼン、1-4-置換シクロヘキシル-2-4-置換シクロヘキシルエタン、4,4-置換ターフェニル、4-4-置換シクロヘキシル-4’-置換ビフェニル、4-[2-4-置換シクロヘキシルエチル]-4’-置換ビフェニル、4-4-置換フェニル-4’-置換ビシクロヘキサン、4-[2-4-置換シクロヘキシルエチル]-4’-置換ビフェニル、4-[2-4-置換シクロヘキシルエチル]シクロヘキシル-4’-置換ベンゼン、4-[2-4-置換フェニルエチル]-4’-置換ビシクロヘキサン、1-4-置換フェニルエチニル-4-置換ベンゼン、1-4-置換フェニルエチニル-4-4-置換シクロヘキシルベンゼン、2-4-置換フェニル-5-置換ピリミジン、2-4’-置換ビフェニリル-5-置換ピリミジン及び上記各化合物においてベンゼン環が側方置換基を有する化合物等を挙げることができる。このうちアクティブマトリックス駆動用としては4,4’-置換ビフェニル、1-4-置換シクロヘキシル-4-置換ベンゼン、4,4’-置換ビシクロヘキサン、1-[2-4-置換シクロヘキシルエチル]-4-置換ベンゼン、1-4-置換シクロヘキシル-2-4-置換シクロヘキシルエタン、4,4-置換ターフェニル、4-4-置換シクロヘキシル-4’-置換ビフェニル、4-[2-4-置換シクロヘキシルエチル]-4’-置換ビフェニル、4-4-置換フェニル-4’-置換ビシクロヘキサン、4-[2-4-置換シクロヘキシルエチル]-4’-置換ビフェニル、4-[2-4-置換シクロヘキシルエチル]シクロヘキシル-4’-置換ベンゼン、4-[2-4-置換フェニルエチル]-4’-置換ビシクロヘキサン、1-4-置換フェニルエチニル-4-置換ベンゼン、1-4-置換フェニルエチニル-4-4-置換シクロヘキシルベンゼン及び上記においてベンゼン環がフッ素置換されている化合物が適している。以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。化合物の構造は、核磁気共鳴スペクトルNMR、質量スペクトルMS及び赤外吸収スペクトルIRにより確認した。また、組成物のは重量を表す。参考例14-トランス-4-プロピルシクロヘキシル-4’-3-ブテニルビフェニル第1表中のNo.I-1の化合物の合成4-ブロモ-1-3-ブテニルベンゼン72gのテトラヒドロフランTHF30mL溶液をマグネシウム083g中に溶媒の還流が穏やかに持続する速度で滴下した。滴下終了後、さらに1時間加熱還流させ、室温まで冷却した。得られたグリニヤール反応剤を40°C以下で1-トランス-4-プロピルシクロヘキシル-4-ヨードベンゼン93g及びテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム330mgのTHF40mL溶液に1時間で滴下し、さらに室温で1時間攪拌した。水及び10塩酸を加え、水層を分離後、トルエンで抽出し、有機層をあわせ、10塩酸、水次いで飽和食塩水で洗滌した。無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥させた後、溶媒を溜去して4-トランス-4-プロピルシクロヘキシル-4’-3-ブテニルビフェニルの粗結晶126gを得た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーヘキサンを用いて精製し、さらにエタノールから再結晶させて精製物80gを得た。この化合物は室温では結晶相を示し、その融点は147°Cであり、149.5°CまでスメクチックBSB相を、214°CまでネマチックN相を示した。同様にして以下の化合物を得た。4-トランス-4-メチルシクロヘキシル-4’-3-ブテニルビフェニル4-トランス-4-エチルシクロヘキシル-4’-3-ブテニルビフェニル4-トランス-4-ブチルシクロヘキシル-4’-3-ブテニルビフェニル4-トランス-4-ペンチルシクロヘキシル-4’-3-ブテニルビフェニル4-トランス-4-ヘプチルシクロヘキシル-4’-3-ブテニルビフェニル3-フルオロ-4-トランス-4-メチルシクロヘキシル-4’-3-ブテニルビフェニル3-フルオロ-4-トランス-4-エチルシクロヘキシル-4’-3-ブテニルビフェニル3-フルオロ-4-トランス-4-プロピルシクロヘキシル-4’-3-ブテニルビフェニル3-フルオロ-4-トランス-4-ブチルシクロヘキシル-4’-3-ブテニルビフェニル3-フルオロ-4-トランス-4-ペンチルシクロヘキシル-4’-3-ブテニルビフェニル3-フルオロ-4-トランス-4-ヘプチルシクロヘキシル-4’-3-ブテニルビフェニル実施例12-フルオロ-4-プロピル-4-3-ブテニルテルフェニルの合成参考例1において、1-トランス-4-プロピルシクロヘキシル-4-ヨードベンゼンに換えて、2-フルオロ-4-プロピル-4’-ヨードビフェニルを用いた他は同様にして、表記化合物を得た。同様にして以下の化合物を得た。2-フルオロ-4-メチル-4-3-ブテニルテルフェニル2-フルオロ-4-エチル-4-3-ブテニルテルフェニル2-フルオロ-4-ブチル-4-3-ブテニルテルフェニル2-フルオロ-4-ペンチル-4-3-ブテニルテルフェニル2-フルオロ-4-ヘプチル-4’’-3-ブテニルテルフェニル2’-フルオロ-4-メチル-4’’-3-ブテニルテルフェニル2’-フルオロ-4-エチル-4’’-3-ブテニルテルフェニル2’-フルオロ-4-プロピル-4’’-3-ブテニルテルフェニル2’-フルオロ-4-ブチル-4’’-3-ブテニルテルフェニル2’-フルオロ-4-ペンチル-4’’-3-ブテニルテルフェニル2’-フルオロ-4-ヘプチル-4’’-3-ブテニルテルフェニル参考例2液晶組成物の調製1汎用のホスト液晶Mを調製した。このホスト液晶Mは116.7°C以下でネマチック相を示す。この組成物の応答時間及び屈折率異方性Δnは以下の通りであった。応答時間τr=τd:25.3m秒屈折率異方性Δn:0.090ここで、応答時間は20°Cにおいて立ち上がり時間τrと立ち下がり時間τdが等しくなる電圧印加時の測定値である。これに、一般式Iで表される化合物の中で実施例1で得られた代表的な式I-1の化合物20重量及びホスト液晶M80重量からなる液晶組成物M-1を調製した。このM-1の物性値は以下のようであった。TNI:128.6°C応答時間τr=τd:21.0m秒屈折率異方性Δn:0.108このようにそのTNIは約12°も上昇したにもかかわらず、応答時間は約20も短縮されていることがわかる。比較例1一般式Iと同様にシクロヘキシルビフェニル骨格を有するが、両側鎖がともに直鎖状アルキル基である一般式IIaで表される式IIa-1の化合物20重量及びホスト液晶M80重量からなる組成物Ma-1の物性値は以下のようであった。Ma-1TNI:125.5°C応答時間τr=τd:22.5m秒屈折率異方性Δn:0.105従って、ホスト液晶Mに対しては応答時間及びネマチック相上限温度TNIともに、改善されているけれども、これをM-1の物性値と比較するとTNIが約3°低くなっているにもかかわらず、応答は約7遅くなってしまっていることがわかる。比較例2一般式Iと同様にシクロヘキシルビフェニル骨格を有するが、アルケニル基がシクロヘキサン環に直結した構造を有する一般式IIbで表される式IIb-1及び式IIb-2を用いて組成物を調製した。式IIb-1の化合物20重量及びホスト液晶M80重量からなる組成物Mb-1、式IIb-2の化合物20重量及びホスト液晶M80重量からなる組成物Mb-2の物性値は以下のようであった。Mb-1TNI:122.5°C応答時間τr=τd:22.1m秒屈折率異方性Δn:0.109Mb-2TNI:128.5°C応答時間τr=τd:21.8m秒屈折率異方性Δn:0.110従って、ホスト液晶Mや前述のMa-1に対しては応答時間は改善されているけれども、これをM-1の物性値と比較すると応答は遅くなってしまっていることがわかる。従って、本発明のI-1の化合物は、低粘性で応答性に優れかつネマチック相温度範囲の広い液晶組成物を得る上において、IIa-1やIIb-1あるいはIIb-2の化合物より優れた効果を示すことが明らかである。参考例3液晶組成物の調製2STN表示用として汎用のホスト液晶Hを調製した。このホスト液晶Hは54.5°C以下でネマチック相を示す。この組成物の応答時間及び屈折率異方性Δnは以下の通りであった。応答時間τr=τd:39.2m秒屈折率異方性Δn:0.092このホスト液晶H80及び前述の式I-1の化合物20からなるネマチック液晶組成物H-1を調製した。このH-1の特性値は以下のようであった。TNI:78.9°C応答時間τr=τd:41.9m秒屈折率異方性Δn:0.115このようにそのTNIは約25°も上昇しているにもかかわらず、応答時間は約7増加したにすぎない。従って、I-1の化合物は温度範囲が高温域まで広く、かつ粘性の小さいネマチック液晶組成物を得るために極めて有効であることがわかる。"