真空チャンバ内の真空を維持するための真空ポンプを含む真空チャンバと、プロセスガスを前記真空チャンバに供給するためのガス入口と、前記真空チャンバ内のスパッタターゲットと、基板ホルダと、前記真空チャンバに取り付けられ、前記スパッタターゲットから遠隔配置され、前記真空チャンバ内に延びる高密度プラズマビームを形成するように構成されたプラズマ源と、を含み、前記プラズマ源は、矩形断面のソースチャンバと、電磁石と、高周波コイルと、を含み、前記矩形断面のソースチャンバ及び前記高周波コイルは、前記高密度プラズマビームに細長い卵形断面を与えるように構成されることを特徴とするスパッタ堆積システム。前記高周波コイルは、前記矩形断面のソースチャンバの周りに螺旋状に巻かれていることを特徴とする、請求項1に記載のシステム。前記高周波コイルは、前記矩形断面のソースチャンバのより長い側上に渦巻き状に形成されることを特徴とする、請求項1に記載のシステム。前記基板ホルダは円形基板用に構成され、前記スパッタターゲットは円形であることを特徴とする、請求項1に記載のシステム。真空チャンバ内の真空を維持するための真空ポンプを含む真空チャンバと、プロセスガスを前記真空チャンバに供給するためのガス入口と、前記真空チャンバ内のスパッタターゲットと、基板ホルダと、前記真空チャンバに取り付けられ、前記スパッタターゲットから遠隔配置され、前記真空チャンバ内に延びる高密度プラズマビームを形成するように構成されたプラズマ源と、前記スパッタターゲットを完全且つ均一に覆うように前記高密度プラズマビームを再成形するためのプラズマ拡散システムと、を含むことを特徴とするスパッタ堆積システム。前記基板ホルダは円形基板用に構成され、前記スパッタターゲットは円形であることを特徴とする、請求項5に記載のシステム。前記スパッタターゲットは約13インチの直径を有することを特徴とする、請求項4又は請求項6に記載のシステム。前記スパッタターゲットは約17インチの直径を有することを特徴とする、請求項4又は請求項6に記載のシステム。前記プラズマ拡散システムは第1の複数の電磁石を含むことを特徴とする、請求項5に記載のシステム。前記プラズマ拡散システムは永久磁石と、第2の複数の電磁石とを含むことを特徴とする、請求項5に記載のシステム。前記プラズマ源は高周波アンテナと、電磁石とを含むことを特徴とする、請求項5に記載のシステム。前記スパッタターゲットの表面は、前記基板ホルダ上の前記基板の表面に均一なスパッタ堆積をもたらすように非平面状の形態に構成されることを特徴とする、請求項1又は請求項5に記載のシステム。前記スパッタターゲットの前記表面は凹形であることを特徴とする、請求項12に記載のシステム。前記スパッタターゲットの前記表面は、前記スパッタターゲット内に均一なプラズマエネルギー付与をもたらすように非平面状の形態に構成されることを特徴とする、請求項1又は請求項5に記載のシステム。前記スパッタターゲットはオルトリン酸リチウムを含むことを特徴とする、請求項1又は請求項5に記載のシステム。ここで本発明の実施形態が、当業者が本発明を実施するのを可能にするように本発明の説明に役立つ例として与えられる図面を参照して詳細に説明される。特に、以下の図及び例は、本発明の範囲を単一の実施形態に限定することを意味するものではなく、説明される又は示される要素の一部又は全ての交換によって他の実施形態が可能となる。さらに、既知の構成要素を用いて本発明の特定の要素を部分的に又は完全に実装できる場合、本発明を不明瞭にしないように、本発明の理解のために必要なそうした既知の構成要素の部分のみが説明され、そうした既知の構成要素の他の部分の詳しい説明は省略される。本明細書において、単一の構成要素を示す実施形態は、限定するものと考えるべきではなく、むしろ、本明細書で特に明示的に断りのない限り、複数の同じ構成要素を含む他の実施形態を含むことが意図されており、逆も又同様である。さらに、本出願人は、そのように命令的に述べられない限り、本明細書及び特許請求の範囲における何れの用語も、一般的でない意味又は特別な意味のものとみなすことを意図したものではない。さらに、本発明は、例証として本明細書で言及される既知の構成要素に対する現在及び将来の既知の等価物を含む。薄膜バッテリの電解質堆積のためにLi3PO4オルトリン酸リチウムスパッタリングターゲットが用いられる。より具体的には、窒素環境中でのオルトリン酸リチウムのスパッタ堆積によって、リチウムリン酸窒化物LiPON電解質材料が堆積される。ターゲットの不均一な加熱を緩和するために、遠隔プラズマ源を用いて、ターゲットにおいてアルゴンプラズマをレーストラックパターン状に閉じ込める従来のマグネトロンスパッタリング源の不均一な電力密度を回避する。遠隔プラズマ源は、Li3PO4ターゲットにわたってより均一なアルゴンイオン分布をもたらす。これにより、Li3PO4ターゲットのより均一な加熱がもたらされ、熱応力を減らす。従って、電力密度を高めて、より高いLiPON堆積速度をもたらすことができる。遠隔プラズマ源の一例は、英国PlasmaQuestLtd.によって提供され、特許文献1及び特許文献2、並びにwww.plasmaquest.com.uk最後の訪問は、2010年3月19日に記載されているプラズマ源である。遠隔プラズマ源を有するスパッタ堆積システムは、英国PlasmaQuestLtd.に譲渡された特許文献1に記載されている。図1-図5を参照して、このシステムの詳細を本明細書で提供する。図1は、プロセスチャンバ3、及び関連したコイル10を備えたソースチャンバ2を有するPlasmaQuestの従来技術システムの外観を示す。図2は、第1のPlasmaQuestの従来技術のシステムの概略図を示す。第1の断面のソースチャンバ2、大きい断面のプロセスチャンバ3、及びテーパ状断面の終端部4を有する実質的に円筒形の真空チャンバ1が内部に示されている。ソースチャンバは、イオン化可能プロセスガスを導入することができる入口5を有する。プロセスチャンバ3は、真空チャンバ1を排気し、本装置の使用中、そこを通るプロセスガスの流れを生じさせるための、7において真空ポンプに取り付けられた出口6を有する。終端部4は、螺旋状に配置された送水管8によって水冷される。終端部4の端部は、チャンバ内で生成されたプラズマPを観測するためのガラスのぞき窓9を含む。螺旋状に巻かれたコイルの環状アンテナ10は4巻きを有し、両端が互いに電気的に絶縁され、一端がRF電源11に接続され、他端が接地された状態で両端が互いに電気的に絶縁される真鍮の形態である。4巻きはそれぞれ、隣接する巻きから、約1又は2センチメートルだけ離間配置された。アンテナの全長は、6乃至8センチメートルのオーダーであった。RF電源は、13.56MHzの周波数であった。アンテナの外径よりも僅かに大きい内径を有し、そこから電気的に絶縁された環状ソレノイドの形態のソース磁石12が、アンテナの周り及びこれと同軸にある。ソレノイド磁石12の活性化は、電源図示せずへの接続による。ソース磁石12よりも大きい直径を有する別の環状ソレノイドの形態のチャンバ磁石13が、チャンバ1の終端部4の周りにある。図2の例示された装置は、石英製の内径150ミリメートルのソースチャンバ2と、より広いプロセスチャンバ3と、最初の直径はソースチャンバ2の直径と等しいが、プロセスチャンバ3から離れる方向にテーパ状である終端部4とを有する。7において真空ポンプをオンにした状態で装置を使用する際、ソースソレノイド12及びチャンバソレノイド13がどちらもオンにされ、両方のソレノイドの巻き線が、同じ方向のプロセスチャンバの軸に平行な磁場を生成し、チャンバ磁石13は、ソース磁石の磁場効果5×103テスラよりも大きい個々の磁場効果5×102テスラを生成するが、それぞれの磁場の磁束は連結されて、螺旋状に巻かれたコイルアンテナ10の主長手方向軸に対して全体的に見て非軸性磁場を生成する。このような非軸性磁場の典型的な磁束線が、図2とものと同じタイプの装置を示す図3に示される。しかしながら、一般的には、磁場に関して幾らかの不均一性が存在するので、均一な磁場の使用が必須ではないことに留意すべきである。そのように形成された磁場は、使用中にアンテナ10から離れる方向に増大する磁場勾配3が存在し、生成されるRF電場が真空チャンバ内で磁束線と相互作用するはずであることを意味する。さらに、冷却水が螺旋状に配列された管8を通って送られ、アルゴンイオン化可能ガスが排気された真空チャンバ1内に存在し、好ましくは、チャンバ圧は7×105mbarから2×102mbarまでの間の範囲にすべきである。図2に示される装置の動作は、高密度プラズマビームPが低圧で形成されたことを示した。特定的には、5kWの電力及び8×104mbarの圧力において、アルゴンイオンの効率は、30パーセントを超えると計算された。図4は、図2に示される装置の追加としてステアリング磁石40の使用を示す。このステアリング磁石は、プロセスチャンバ3の一方の側図示されるように上部に配置された環状ソレノイドの形態である。使用中、ソレノイド磁石の極性により、プラズマPが、ステアリング磁石40に向かうように図のように偏向される若しくは導かれるか、又は代替的に磁石から離れるように偏向される若しくは導かれるかが決定される。プラズマビームを誘導させる能力は、基板、例えば、プロセスチャンバ3の上部又は下部内に配置された基板など、基板に対するプラズマの方向の制御が重要である特定のコーティング方法において、非常に有用であり得る。この点で、図5は、ターゲットの平面に対して平行であるが、これと同一直線上にはない長手方向中心軸を有するソースチャンバの使用を示す。ターゲットは、ソースチャンバからプロセスチャンバに入るプラズマがターゲットに向かって大幅に偏向される必要があるように配置されている。図5の装置は、プロセスチャンバ51と、螺旋状に巻かれたRFコイルアンテナ53が配備されたソースチャンバ52とを有する円筒形真空チャンバ1を含む。スパッタされる材料の表面を有するターゲット54、及び、ターゲット材料が堆積される基板55も、チャンバ1内にある。ソースチャンバ52の反対側のプロセスチャンバ51の上部図のように又はアンテナの右側の電磁波手段56、及び、プロセスチャンバ51の周りに配置されたさらに別の電磁波手段57が、装置の使用中に、磁場を生成するための磁気手段をもたらし、これが、装置の使用中にRFアンテナ53の電場プロファイルとの相互作用により、高密度プラズマ波を生成する。図5の装置の使用中に、チャンバ1が矢印Vの方向に作用する真空ポンプ図示せずによって排気されている間、例えばアルゴンなどのガスを矢印Gの方向にチャンバ内へ導入することにより、螺旋状に巻かれたコイルアンテナ53から伝搬された高密度プラズマ波によって非常に高強度のプラズマが生成され、かつ、電磁波手段56、57のために、ターゲット54と基板55の間の参照文字Pで示される点線の一般的領域内に存在することが可能になる。図5において、ソースチャンバ内に存在する、従ってチャンバのコーティング領域から遠く離れているアンテナ63から、ターゲット54と基板55の間に高強度プラズマPを生成する能力は、ソースチャンバ内のアンテナ53の近傍でチャンバの内壁のコーティングが実質的に行われないようにRF漏れを回避する又は少なくとも最小にする可能性を明らかに提供する。図5に示される90度よりも大きな角度、例えば135度にすることによって、ソースチャンバ52が、図5に示されるものとは異なる配向を有することが可能である。これにより、ソースチャンバ52の壁上のコーティングをさらに少なくするようにアンテナ53からのRF漏れを回避する可能性が大きくなる。遠隔プラズマ源を有するスパッタ堆積システムのさらなる詳細は、英国PlasmaQuestLtd.に譲渡された特許文献2に記載されている。このシステムのさらなる詳細が、図6-図7を参照して本明細書に提供される。図6は、PlasmaQuestの第4の従来技術のシステムを示す。図6において、真空チャンバ101及びポンプシステム102により該チャンバを真空排気する制御可能な手段には、遠隔プラズマ生成システム103、円筒形ターゲットアセンブリ104、DC電源105、100乃至500ガウスの軸方向磁場を生成することができる円形電磁石106及び関連したDC電源107、基板キャリア108、シャッターアセンブリ109、並びに制御可能なプロセスガス供給システム110が取り付けられている。遠隔プラズマ生成システム103は、真空チャンバ101上に取り付けられた石英管112の外側にあるコイルアンテナ111と、真空チャンバ101とのその接続部又はその近傍で石英管112を囲む円形電磁石113と、13.56MHzのACRF生成器14及びコイルアンテナ111に接続されたインピーダンス整合回路網15と、円形電磁石113に電気的に接続され、それと結合して100乃至500ガウスの軸方向磁場を生成することができるDC電源16とを含む。円筒形ターゲットアセンブリ104は、水及び電気サービスを取り付けアセンブリ18に供給する真空チャンバフィードスルー17を含み、これによってこの取り付けアセンブリ18が水冷され、真空チャンバの外部にある電源から電圧を印加することが可能になる。さらに、ターゲット材料19が取り付けアセンブリ18の周りに固定され、当技術分野において周知の手段による良好な電気的接触及び熱的接触が保証される。さらに、フィードスルー17及び取り付けアセンブリ18のスパッタリングを防ぐために、電気的に接地されたシールド20が、これらのものの周りに設けられ、そこで、これらがチャンバに取り付けられる。基板キャリア108は、基本的に、真空チャンバ内で被覆される基板21を配置し、保持するための手段を与える。キャリアは、水冷することができ、又は基板温度を制御するためのヒータを含むことができ、堆積される膜の特性の制御を助けるために電圧を印加することができ、均一性を向上させるために基板を回転する又は傾斜させる手段を含むことができ、それ自体が、真空チャンバ内で移動及び/又は回転することができる。シャッターアセンブリ109が、閉位置において基板を被覆することなくターゲットスパッタリングを行うことができるように設けられる。プロセスガス供給システム110は、1又はそれ以上のプロセスガス又はプロセスガス混合物用の1つ又はそれ以上のガス入口を含み、それぞれのガス流は、例えば市販の質量流量コントローラを用いて制御可能であり、随意的に、ガス混合マニホルド及び/又は真空チャンバ内のガス分配システムを含む。単一のガス入口を真空チャンバに設けることができ、次いで、1又はそれ以上のプロセスガスが、通常の低圧拡散プロセス又は有向配管によって真空の全ての部分に分配される。図6のPlasmaQuestの従来技術システムにおいて、ターゲットアセンブリは、12mmの直径及び約275mmの露出長のステンレス鋼ターゲット材料表面を与えるように構築され、真空チャンバ内のプラズマ円筒の内部に配置される。この例ではガラス製である被覆される基板21は、ターゲットから110mmの距離にある基板キャリア108内に装着される。シャッターアセンブリ109は、閉鎖位置に設定される。次に、真空チャンバ1が、ポンプシステム102によって、例えば1×105トル未満など、プロセスに適した真空圧に排気される。次に、プロセスガス供給システム110を用いて、少なくとも1つのプロセスガス、例えばアルゴンを真空チャンバ内に流す。流量及び随意に真空排気速度を調節して、例えば3×103トルなどのスパッタプロセスに適した動作圧力を与える。次に、電磁石106及び113をそれらそれぞれの電源107及び16を用いて、真空チャンバの両端に強度約100乃至300ガウスの磁場を生成する。この磁場の正確な形状及び強度は、ある程度、システムの残り部分の正確な幾何学的形状及び要件によって決定される。この例においては、円形電磁石113がその中心に200ガウスの磁場強度を生じるように電力供給され、円形電磁石106はその中心に200ガウス乃至250ガウスの磁場強度を生じるように電力供給される。各々の磁気極性は同一であり即ち、それらは引き合う、チャンバの両端にほぼ円筒状の磁束をもたらす。整合回路網15を介して生成器14から、例えば2kWのRF電力をコイルアンテナ111に適用することにより、遠隔プラズマが生成される。上述のように生成された磁場とともに、これは、チャンバの両端に生成され、ターゲットアセンブリ104を囲む高密度プラズマをもたらす。この例において、プラズマ条件は、アルゴンガス流が18.5sccm、真空システム圧力が4×103トル、コイルアンテナに印加されるRF電力が0.75kW、コイル電磁石113の軸方向磁場が約200ガウス、コイル電磁石106の軸方向磁場が約250ガウスとなるように設定される。これにより、約1×1013cm3のプラズマ密度の存在を示す特徴的なライトブルーの色合いの、強いアルゴンプラズマが生成される。この例における遠隔プラズマ生成システムは、約80mmの直径の円筒状プラズマを生成し、このプラズマを真空チャンバ内に案内し、円形電磁石106及び113によってほぼ同じ円筒形の形状及び直径に拘束することができる。遠隔プラズマ生成源から生じるプラズマを、円形電磁石6及び13を用いて案内し成形して、プラズマ密度の均一性を失わずに、即ち、ターゲット材料の存在がプラズマを遮らずに又は悪影響を及ぼさずに、ターゲット材料表面全体を完全に覆うようにすることができる。図6のPlasmaQuestの従来技術システムのさらに別の利点は、ターゲットアセンブリが、高密度プラズマ中に置かれているにもかかわらず、水冷が存在しない場合でも実質的に熱くならないことである。遠隔プラズマシステムにより生成され、磁場に拘束されるプラズマは、ターゲットの存在によって乱されない。これは、プラズマが全体として円筒状であっても、プラズマ生成領域は管状であり、その直径は石英管112の直径に類似しており、従って、より小さい直径のターゲットによって遮られないためである。プラズマ生成領域はまた、遠隔プラズマ生成システムのエネルギーの大部分が向けられる領域であるので、この領域を遮る物だけが実質的に加熱される。次に、DC電源105を用いて、負の極性電圧を円筒形ターゲットアセンブリ104に印加する。これにより、ターゲット近傍のプラズマからのイオンがターゲットに引き付けられ、電圧がターゲット材料のスパッタ閾値を上回る典型的には、65ボルトを超える場合、ターゲット材料のスパッタリングが発生することになる。この例示的なシステムのスパッタ速度は、この閾値を超える電圧にほぼ比例するので、600ボルト又はそれより上の電圧が、通常、印加され、非常に高速の用途については、例えば1200ボルトなど、より高い電圧を用いることができる。この例において、500Vの負極性DC電圧が、DC電源105を用いて1分間、ターゲットアセンブリ従って、ターゲット材料に印加される。この電流を生成するのに必要とされるプラズマ密度は1.76×1013cm3のオーダーである。ターゲット表面を清浄にし、安定化させるのを可能にするための随意的な時間遅延、例えば5分の後、シャッターアセンブリ109が開放位置に設定され、円筒形ターゲットアセンブリに面する基板21の表面をスパッタ材料に曝し、それにより基板表面がターゲット材料19の膜で被覆される。必要とされる膜厚及び基板表面における堆積速度によって決定される時間の後、シャッターアセンブリ109が閉鎖位置に設定されて基板の上への堆積が終了する。次に、必要に応じて種々の電源及びガス流をオフにし、例えば窒素又は空気などの適切なガスを用いて、真空システムを大気圧にし、被覆された基板の回収及びその後の使用を可能にすることができる。図6に示されるような従来技術のPlasmaQuestシステムを用い、かつ、ターゲット材料としてステンレス鋼を用いて、1.17nms1の堆積速度に対応する、厚さ70nmのステンレス鋼の膜で基板を被覆することができ、堆積面積は、ターゲットアセンブリを囲む円筒を定め、堆積は、約150mmの長手方向長さに対して均一である。従って、均一なコーティングのために基板を配置することができる面積は、約1×105mm2である。他の従来技術のシステムにおいて、図6に関して上述したのと同じプラズマ源が同じ条件で動作し、磁気により90度曲げられ500V負極性にバイアスをかけられて100mmの直径の平面状のターゲット上に誘導されると、約8×103mm2の均一な堆積面積の上への0.3nms1未満の堆積速度をもたらされる。図6の従来技術のPlasmaQuestシステムにおいて、適切なサイズにされた実質的に円筒形のターゲットが、遠隔プラズマ源から生じた円筒状プラズマの内部に配置され、これが堆積速度及び堆積面積の劇的な改善をもたらす。円筒状プラズマがその内部にターゲットを配置することによって消失しないのは、プラズマ生成管がターゲットの外部及び周りにあるためである。この構成は、ターゲット表面が、真空チャンバにわたって伝搬するプラズマ生成管全体の近傍にあるので、プラズマの使用効率を最大にする。図6のPlasmaQuestシステムの第1の従来技術の代替的実施形態において、ターゲット材料19及び取り付けアセンブリ18は、例えば六角形などの非円形の外部断面を有する。これは、例えば、構築を容易にするため、又は基板への堆積の均一性を向上させるために、オリジナルの実施形態の実質的に円形の断面よりも好ましい。図7に示される、図6のPlasmaQuestシステムの第2の従来技術の代替的実施形態において、単一のターゲット材料19が、取り付けアセンブリ18の六角形断面上の、例えば、3つのターゲット材料22、23及び24といった、2つ又はそれより多い異なるターゲット材料に置き換えられ、真空チャンバの異なる領域に異なる材料のコーティングを誘導する。図6のターゲットアセンブリ4は、随意的に、これをその長手方向軸の周りに回転させるための手段を含むことができる。このことは、例えば、材料を基板の異なる所望の位置に向け直すことを可能にし、従って、基板の上への異なる薄膜材料の連続した堆積の基盤を与える。代替的に、回転を連続的且つ十分に速く、例えば100rpmにして、基板がターゲット材料の混合物である薄膜コーティングを効率的に受け取るようにすることができる。これらの両方の機能は、薄膜コーティング産業において広い用途を有する。図6のPlasmaQuestシステムの第3の従来技術の代替的実施形態において、ターゲットシールド20が、ターゲット材料の全長及び取り付けアセンブリの全長を覆うように延び、開口を含み、それにより、プラズマがその位置においてのみターゲットと相互作用し、これをスパッタすることを可能にし、これによりスパッタされるターゲットの領域及びスパッタリングが起こる真空チャンバの領域が制限及び限定される。この代替的実施形態は、幾つかのターゲット材料を含むターゲット及び前述した回転の手段と組み合せられた場合に、基板における材料の二次汚染を減らすことができるので、特に有用である。PlasmaQuestシステムのさらに別の代替的な従来技術の実施形態が構想された。例えば、遠隔プラズマ生成源は、その真空チャンバへの出口に管状の生成領域を設けることだけを必要とし、従って、例えば、ヘリコンアンテナ源を設けることができる。代替的な、例えば40MHzなどの高周波を用いて遠隔プラズマ源アンテナに電力供給することができる。2つより多くの電磁石又は永久磁石を用いて、プラズマを導き閉じ込めることができ、例えば、図6に示される電磁石の間に配置された付加的な電磁石を用いて、磁気閉じ込めを向上させることができ、それにより、より長いターゲット長を用いることが可能になり、これに応じて基板を配置することができる堆積面積が増加する図6の従来技術のPlasmaQuestシステムはまた、反応性スパッタプロセス、即ち、反応性ガス又は蒸気がガス供給システム110を介して導入され、スパッタされるターゲット材料と反応し、それにより基板上に化合物薄膜を堆積させるプロセスにも用い得ることが認識されている。例えば、酸素ガスを、図6及び代替的実施形態に関連して上述したスパッタプロセスに導入して、酸化物薄膜を堆積させることができ、例えば、酸素ガス存在下でアルミニウムターゲットをスパッタすることによりアルミナを堆積させることができ、又は酸素ガス存在下でシリコンターゲットをスパッタすることによりシリカを堆積させることができる。英国のPlasmaQuestLtd.は、以下の材料:すなわち、金属-Ag、Al、Au、Bi、Co、Cr、Cu、Fe、Hf、In、Mg、Mn、Mo、Nb、Ni、Pb、Pt、Sn、Ta、Ti、W、Y、Zn及びZr;誘電体-AlN、Al2O3、PbO、SiO2、Ta2O5、NbO5、TiO2、TixO2x1、TiN、HfO2、CuO、In2O3、MgO、並びに酸窒化物及び亜酸化物;透明導電性酸化物-Sn:InOITO、In:ZnOIZO、Al:ZnOAZO及びZnO;磁性材料-Co、CoFe、Fe及びNiFe、をスパッタ堆積させるためのPlasmaQuestの従来技術システムの使用/潜在的使用を開示している。www.plasmaquest.com.uk2010年、3月19日に最後の訪問を参照されたい。しかしながら、LiPONのスパッタ堆積及び/又はLi3PO4ターゲット材料の使用については開示されていない。英国のPlasmaQuestLtd.はまた、以下の応用領域:即ち、フレキシブルエレクトロニックス、透明導電性酸化物、磁気媒体、高移動度TFT、フォトニクス及び精密光学部品、光学フィルタ、導波管材料、フォトルミネッセンスデバイス、エレクトロルミネッセンスデバイス、障壁層、保護及び耐摩耗性コーティング、及びウェットコーティングに対する代替物、におけるPlasmaQuestの従来技術システムの使用/潜在的使用も開示している。www.plasmaquest.com.uk2010年、3月19日に最後の訪問を参照されたい。しかしながら、薄膜バッテリの応用領域は開示されていない。本発明は、上述のシステムに対する改良を含み、200mm及び300mmの基板のような大きい基板上へのスパッタ堆積のための遠隔プラズマ源の効率的な使用を可能にする。遠隔プラズマ源の改良従来技術において用いられた円筒形遠隔プラズマ源は、比較的限定されたプラズマ領域だけを生成することができる。これは、スパッタすることができるターゲットのサイズを直径数インチまでに、又は幅が数インチ及び長さが40インチ未満の矩形ターゲットに制限し得る。プラズマ生成領域の断面を細長い形状に変えることにより、プラズマ源は、IC加工についてのより典型的なターゲットサイズ200mmについては13インチ未満及び300mmについては17インチ未満をカバーできるはずである。プラズマ断面を伸長するための遠隔プラズマチャンバ構成の例を示す図8及び図9を参照されたい。図8は、矩形の断面のソースチャンバ802及び第1のRFコイル810を有する遠隔プラズマ源の概略図を示す。プラズマ880は、細長い卵形の断面を有することが分かる。図9は、矩形断面のソースチャンバ902及び第2のRFコイル910を有する遠隔プラズマ源の概略図を示す。プラズマ980は、細長い卵形の断面を有することが分かる。RFコイル810及び910は、高密度プラズマビームを形成するために電磁石と共に用いられる、PlasmaQuestによって説明されたRFアンテナと同等であることに留意されたい。図8及び図9の矩形断面ソースチャンバの期待寸法の幾つかの例は、幅が、200mm広がりビームについて200-250mmであり、300mm広がりビームについて300-350mmである。これらのソースチャンバの高さ及び深さは、それぞれ約50mm及び200-300mmである。ターゲットの改良スパッタリングチャンバにおいて、堆積された膜の膜厚均一性は、チャンバの幾何学的形状ターゲット及び基板のサイズ、並びにターゲットと基板の間の間隔、ターゲット表面の侵食パターン、並びにプロセス及び材料係数によって決定される。均一なターゲット侵食は、ターゲット材料の利用度を高め、最終的に堆積された膜の欠陥をもたらし得る、スパッタされたターゲット材料の再堆積の可能性を大幅に減らすので望ましい。しかしながら、こうした構成の膜厚均一性は、ターゲットが基板よりも実質的に大きくなければ損なわれ、このことは全体的な材料利用度を減少させる。さらに、プラズマエネルギーをターゲットの表面にわたって均一に付着させてターゲット内の熱応力を減らし、ターゲットのクラック及び粒子の生成の可能性を減らすことが望ましい。このことは、以下で説明されるように、ターゲットを成形すること、同じくプラズマを広げることによって達成することができる。ターゲットを成形することにより、膜厚均一性は、2つの要因:即ち、ターゲットと基板の間の間隔を増大させることで堆積速度が減少され、ターゲット表面の部分をプラズマ領域から遠ざかるように動かすことで侵食速度が減少されること、によって最適化することができる。非平面状のターゲット構成は、結果として生じるマグネトロンの複雑な形状のために、従来のスパッタリング源の場合は設計及び製造が非常に難しい。遠隔プラズマ源を用いる場合にはマグネトロンが必要とされないので、唯一の障害は、鍛造、鋳造又はタイル張りすることができるターゲットの製造可能性である。図10及び図11は、膜厚均一性を向上させる成形ターゲットの一例を示す。図10は、プラズマ1065によってターゲット1070から基板1060上にスパッタ堆積された不均一な厚さを有する膜1075の図を示す。図11は、プラズマ1067によって成形ターゲット1080から基板1060上にスパッタ堆積された、図10の膜1075に比べると、改善された膜厚均一性を有する膜1085を示す。成形ターゲット1080は、凹面を有した状態で示される。全ターゲット領域を覆うためのプラズマの拡散半導体ウェハのような円形基板の場合、最高の材料利用度は、円形のスパッタリングターゲットによってもたらされる。しかしながら、遠隔プラズマ源によって生成されるプラズマビームは、一般に、ターゲットの全領域の一部分のみを覆う。全ターゲット領域を覆うためには、電磁石によって生成され、堆積チャンバに作用する電磁場を、プラズマを広げるように変更する必要がある。このことは、付加的な電磁石を用いることによって、又は場合によっては、それぞれ図12及び図13に示されるような永久磁石又は磁性材料によって達成することができる。図12は、RFコイル1210を有するソースチャンバ内で生成されたプラズマ1281が、電磁石1291及び1293に加えて電磁石1295を用いて広げられ、堆積チャンバ内にプラズマ1283を形成することを示す。磁力線1285が、堆積チャンバ内に示される。図13は、RFコイル1210を有するソースチャンバ内で生成されたプラズマ1281が、電磁石1291及び1293に加えて永久磁石又は磁性材料1397を用いて広げられ、堆積チャンバ内にプラズマ1383を形成することを示す。磁力線1385が、堆積チャンバ内に示される。図12及び図13のページ平面は、ターゲットと基板ホルダ上に配置された基板との間にプラズマを通過する。ページ平面は、基板の表面に平行であり、平面状表面を有するターゲットに対してはターゲットの表面に平行である。付加的な磁石の磁力線は、電磁石1283及び1291によって生成される磁力線と平行である必要がある。磁石1397については、磁性材料鋼又は永久磁石の部分を用いて電磁石1291及び1293によって生成される磁場を変形させ得ることに留意されたい。さらに、異なる磁石及び電磁石を、真空チャンバの内部の外側に配置することができ、又は、適切にカプセル封入し、真空チャンバ内、プロセスキットの外側に配置することができる。本発明をLiPONに関連して本明細書で説明したが、本発明は、半導体産業において用いられるような広範囲の誘電体ターゲットに適用可能である。本明細書で説明したプラズマ源に対する改良及び堆積チャンバに対する改良により、半導体集積回路の製造において一般的に用いられる大きなサイズの誘電体ターゲット、即ち、200mm基板については13インチのターゲット及び300mm基板については17インチのターゲット、のスパッタリングのために遠隔プラズマ源を使用することが可能になる。本発明が、その特定の実施形態に関連して具体的に説明されたが、当業者には、本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、形態及び細部の変更及び修正を成し得ることが容易に明らかとなるはずである。