"複数の平面矩形状の透光性基板をそれぞれ主面の間に固定剤を介して積層した積層体を形成する積層体形成工程と、前記積層体の前記主面と交差する側面を研削する研削工程と、前記研削工程で研削された積層体の面取りをする第一面取工程と、前記積層体の側面をラップ仕上げするラップ工程と、前記ラップ仕上げされた積層体の面取りをする第二面取工程と、を備えたことを特徴とする光学素子の製造方法。請求項1に記載された光学素子の製造方法において、前記ラップ工程の後に、前記積層体の外周寸法が規定寸法内にあるか否かの検査を検査用ゲージで行う検査工程を備えたことを特徴とする光学素子の製造方法。請求項2に記載された光学素子の製造方法において、前記検査工程は、前記検査用ゲージに設けられた規定寸法の開口に前記積層体を挿通し、前記検査用ゲージと前記積層体とを前記透光性基板が積層される方向に相対移動させることを特徴とする光学素子の製造方法。請求項2又は請求項3に記載された光学素子の製造方法において、前記第一面取工程は前記積層体の角部の面取りであり、前記ラップ工程の後又は前記検査工程の後に前記第二面取工程を実施し、前記第二面取工程は前記積層体を構成する複数の透光性基板の稜線部をそれぞれ面取りすることを特徴とする光学素子の製造方法。請求項4に記載された光学素子の製造方法において、前記第二面取工程は、前記積層体の側面を研磨部材の主面に押し当てながら研磨するものであり、前記透光性基板の一方の主面が前記研磨部材の主面に対して鋭角となるように前記積層体を変形させて行う第一工程と、前記第一工程の後で、前記複数の透光性基板を積層したまま前記透光性基板の他方の主面が前記研磨部材の主面に対して鋭角となるように前記積層体を変形させて行う第二工程とを備えることを特徴とする光学素子の製造方法。複数の基板をそれぞれ主面の間に固定剤を介して積層した積層体の前記主面が規定寸法内にあるか否かを検査する検査治具であって、前記積層体の規定寸法に対応する大きさの開口部が設けられている検査用ゲージを備えていることを特徴とする検査治具。特許文献4、特許文献5及び特許文献6で示される従来例では、それぞれランバードから光学素子を製造する工程の一部が示されるに過ぎない。即ち、特許文献4の従来例では、ランバードから水晶板を切り出す工程が示されるに過ぎず、水晶板から精度の高い光学素子を製造する具体的な工程については何ら開示されるものではない。特許文献5の従来例では、整形された水晶原石からウエハーを形成し、ウエハーの主面を研削し、ウエハーをダイシングソーにより切断小割して短冊状の水晶片を形成する工程が示されるに過ぎず、水晶片から精度の高い光学素子を製造する工程についての開示はない。特許文献6では、密着固定された複数の水晶基板の側面にラップ研磨を行い、水晶基板のコーナーの面取り加工を施す直後に稜線部の面取り加工を施す工程が示されるに過ぎない。このように、それぞれ製造工程の極一部のみしか特許文献4、特許文献5及び特許文献6では開示されていないので、これらの特許文献を組み合わせたとしても、製品としての精度や品質の高い光学素子を効率的に低コストに製造する製造方法を見出すことができない。本発明の目的は、精度や品質の高い光学素子を効率的に製造できる光学素子の製造方法及び検査治具を提供することにある。[適用例1]本適用例に係る光学素子の製造方法は、複数の平面矩形状の透光性基板をそれぞれ主面の間に固定剤を介して積層した積層体を形成する積層体形成工程と、前記積層体の前記主面と交差する側面を研削する研削工程と、前記研削工程で研削された積層体の面取りをする第一面取工程と、前記積層体の側面をラップ仕上げするラップ工程と、前記ラップ仕上げされた積層体の面取りをする第二面取工程と、を備えたことを特徴とする。この構成の本適用例では、ランバード等から形成された透光性基板を複数用意し、複数の透光性基板を積層して積層体を形成し、この積層体の側面を所定寸法になるまで研削する。側面が研削された積層体は第一面取りが行われた後、その側面がタップ仕上げされ、その後、第二面取りが実施される。積層体は個々の基板に分離され、これらの基板がそれぞれ光学素子となる。そのため、複数の透光性基板から第二面取りをした基板を製造するという一連の工程によって、光学素子を効率的に製造することができる。しかも、第一面取工程と第二面取工程の間に積層体の側面をラップ仕上げする工程があるため、面取りが精度良く実施されることになり、その結果、最終的に製造される光学素子の外周縁の精度を向上させることができ、品質の高い光学素子を提供することができる。[適用例2]本適用例に係る光学素子の製造方法は、前記ラップ工程の後に、前記積層体の外周寸法が規定寸法内にあるか否かの検査を検査用ゲージで行う検査工程を備えたことを特徴とする。この構成の本適用例では、複数の透光性基板の外周寸法の検査を、積層体の状態でまとめて実施するので、積層体から分離して得られた光学素子を個々に検査するよりも、効率的に光学素子を製造することができる。[適用例3]本適用例に係る光学素子の製造方法では、前記検査工程は、前記検査用ゲージに設けられた規定寸法の開口に前記積層体を挿通し、前記検査用ゲージと前記積層体とを前記透光性基板が積層される方向に相対移動させることを特徴とする。この構成の本適用例では、積層体を検査用ゲージの開口に挿通した際に、途中で止まることがなければ、積層体を構成する個々の透光性基板の全てが規定寸法内ということになる。これに対して、規定寸法より大きい透光性基板が積層体に含まれている場合には、積層体を検査用ゲージの開口に挿通すると、当該透光性基板の外周縁部が検査用ゲージの開口縁部に当接して積層体と検査用ゲージとの相対移動が規制される。この相対移動を規制する透光性基板が規定寸法より大きな透光性基板であることがわかる。従って、本適用例では、光学素子の検査をより効率的に実施することができる。[適用例4]本適用例に係る光学素子の製造方法は、前記第一面取工程は前記積層体の角部の面取りであり、前記ラップ工程の後又は前記検査工程の後に前記第二面取工程を実施し、前記第二面取工程は前記積層体を構成する複数の透光性基板の稜線部をそれぞれ面取りすることを特徴とする。この構成の本適用例では、各透光性基板の稜線部の面取りをする前に、積層体の角部の面取り、側面のラップ、積層体の検査を実施する。そのため、稜線部の面取りをする前の積層体の側面が精度良く加工されていることになり、稜線部の面取りを正確に行うことができる。[適用例5]本適用例に係る光学素子の製造方法では、前記第二面取工程は、前記積層体の側面を研磨部材の主面に押し当てながら研磨するものであり、前記透光性基板の一方の主面が前記研磨部材の主面に対して鋭角となるように前記積層体を変形させて行う第一工程と、前記第一工程の後で、前記複数の透光性基板を積層したまま前記透光性基板の他方の主面が前記研磨部材の主面に対して鋭角となるように前記積層体を変形させて行う第二工程とを備えることを特徴とする。この構成の本適用例では、積層体の研磨部材の平面に対する向きを変えることで、透光性基板の互いに両主面の外周縁に形成される稜線部の面取りを効率的に行える。つまり、個々の透光性基板の稜線部の面取りのために、積層体から個々の透光性基板を分離し、外周寸法の検査をする必要がないので、検査作業が円滑に行える。なお、本適用例では、所定温度で積層体の向きを変えられるとともにその温度未満で主面が傾いた姿勢を維持するために、透光性基板同士を接着するための固定剤は所定温度での軟化性と姿勢を維持するための粘着性が必要とされる。この固定剤としては、例えば、パラフィン等の軟化剤とロジン等の粘着付与剤とが含まれる接着剤を例示できる。[適用例6]本適用例に係る検査治具は、複数の基板をそれぞれ主面の間に固定剤を介して積層した積層体の前記主面が規定寸法内にあるか否かを検査する検査治具であって、前記積層体の規定寸法に対応する大きさの開口部が設けられている検査用ゲージを備えていることを特徴とする。この構成の本適用例では、積層体の状態で主面の外周寸法の検査を行うので、積層体から分離して得られた光学素子を個々に検査するよりも、効率的に基板の外周寸法の検査を行うことができる。本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。図1には本実施形態で製造された光学素子が組み込まれた撮像装置が示されている。図1において、撮像装置100はビデオカメラや電子スチルカメラに用いられるものであり、互いに対向配置された撮像アッセンブリー101及び光学ローパスフィルター102を備えている。撮像アッセンブリー101は、セラミック製のパッケージ103と、このパッケージ103の中央部分に設けられた板状の撮像素子104と、この撮像素子104に対向して配置されパッケージ103に外縁部が接着固定されたリッド105とを備えている。撮像素子104はCCDやC-MOS等から構成されるものである。光学ローパスフィルター102は、複屈折板106、赤外線吸収ガラス107、1/4波長板108及び複屈折板106等から構成される。リッド105、複屈折板106及び1/4波長板108等は本実施形態の光学素子1である。図2には本実施形態で製造された光学素子1が示されている。図2Aは光学素子1の正面図、図2Bは光学素子1の側面図である。図2において、光学素子1は、光が透過する面である主面1Mと、この主面1Mの外縁に形成される所定幅の側面1Nとを有する平面矩形状の結晶性板材である。光学素子1の強度を向上させるため、主面1Mの4箇所の角部にはそれぞれ面取部1Bが形成され、主面1Mと交差する側面1Nの8箇所の稜線部にはそれぞれ面取部1Cが形成されている。光学素子1の厚さは、適用される製品によって異なるが、例えば、0.5mm~1.0mmである。主面1Mの大きさは、例えば、27.5mm~50.0mm×33.5mm~50.0mmである。角部の面取部1Bは、例えば、45°傾斜したものであり、面取り量は0.5mm~1.5mmである。これらの面取り量は4箇所同じにしてもよいが、一部の面取り量を他の面取り量より大きくしてもよい。これにより、光学素子1の向きを特定することができる。稜線部の面取部1Cは、例えば、45°傾斜したものであり、面取り量は0.2mmである。光学素子1は図3で示される結晶性基板1Aを加工して形成されており、この結晶性基板1Aは、水晶の透光性基板である。図3には結晶性基板1Aが示されている。図3Aは結晶性基板1Aの正面図、図3Bは結晶性基板1Aの側面図である。図4には角部にのみ面取りした結晶性基板1Aが示され、図4Aは結晶性基板1Aの正面図、図4Bは結晶性基板1Aの側面図である。図3で示される結晶性基板1Aは面取りがされておらず、主面1Mの4箇所の角部や稜線部が直角に形成されている。この結晶性基板1Aは、図4で示される通り、主面1Mの4角に面取部1Bが形成され、その後、図2で示される通り、8つの稜線に稜線部の面取部1Cが形成される。光学素子1の製造方法を図5から図12に基づいて説明する。図5Aには、ランバード10が示されている。ランバード10は水晶原石をランバード加工して成形される。ランバード加工は水晶原石の結晶軸の方向を明確にするための表面研削加工である。結晶軸は、電気軸を示すX軸、機械軸を示すY軸、光学軸を示すZ軸である。ランバード加工を行うために、例えば、ロータリー平面研削盤が用いられる。ロータリー平面研削盤の砥石の粒度は♯80である。図5Bには、ランバード10を切断して結晶性基板1Aを加工する工程が示されている。図5Bにおいて、ワイヤーソー11が示されており、このワイヤーソー11は、3本のローラー11A,11B,11Cに複数本のワイヤー11Wが架け渡された構造である。ローラー11A,11B,11Cが回転することで、複数のワイヤー11Wで基台11Dの上に配置されたランバード10を結晶軸に対して所定角度で切断する。例えば、リッド105等の光線の分離機能のない光学素子1では光学軸であるZ軸に対して平行に切断し図9A参照、光学ローパスフィルター102を構成する複屈折板106等の光線の分離機能のある光学素子1では、Z軸にたいして45°の角度で切断する図10A参照。隣合うワイヤー11Wの間隔は図3で示される結晶性基板1Aの厚さと同じである。なお、本実施形態では、ランバード10を直接切断するものでもよいが、ランバード10をブロック状に予め切断したものを切断するものでもよい。ランバード10はワイヤーソー11で切断されて複数の結晶性基板1Aに分けられる。図5Cには、結晶性基板1Aの主面をラップする工程が示されている。図5Cにおいて、主面ラップ装置12は、内周面に歯車が形成されたリング部が一体形成された円板部12Aと、この円板部12Aの中心に回転自在に設けられ外周に歯車が形成された回転軸12Bと、この回転軸12Bの歯車と円板部12Aの歯車とにそれぞれ噛合する外周歯車部を有する円板状の回転体12Cと、この回転体12Cに対向配置される図示しない円板部とを備えている。回転体12Cは複数の結晶性基板1Aが収納されており、これらの結晶性基板1Aの両方の主面は円板部12Aに設けられた研磨用パッド12Dと図示しない円板部の研磨用パッドとに当接する。回転軸12Bの回転に伴って回転体12Cが回転すると、回転体12Cに収納された結晶性基板1Aの両方の主面はラップされる。なお、研磨用パッド12Dの粒度は♯1000~♯3000である。主面がラップされた結晶性基板1Aをそれぞれ主面の間に仮止め用固定剤2Aを介して積層した積層体2を形成する。図9にはリッド105等の光線の分離機能を有しない光学素子1を製造するための積層体を成形する手順が示されている。図9Aに示される通り、複数のワイヤー11Wでランバード10を光学軸であるZ軸に対して平行に切断し、図9Bに示される通り、結晶性基板1Aを得る。この結晶性基板1Aは、その切断面の角部が直角とされている。そして、図9Cに示される通り、結晶性基板1Aをそれぞれ主面の間に仮止め用固定剤2Aを介して複数枚積層して積層体2を得る。図10には光線の分離機能がある光学素子1を製造するための積層体を形成する手順が示されている。図10Aに示される通り、複数のワイヤー11Wでランバード10を光学軸であるZに対して45°の角度となるように切断し、図10Bに示される通り、結晶性基板1Aを得る。この結晶性基板1Aは、その切断面の互いに対向する一対の角部が鋭角とされ他の一対の角部が鈍角とされる。そして、図10Cに示される通り、結晶性基板1Aをそれぞれ主面の間に仮止め用固定剤2Aを介して複数枚積層して積層体2を得る。仮止め用固定剤2Aは、透明で主成分が樹脂のガラス転移温度が-50°C~-130°Cの範囲にあるポリアクリル酸ブチル、ポリアクリル酸2-エチルへキシルを使用したアクリル酸エステル系、ポリイソブチレン系、SBR系、天然ゴム系、ウレタンーアクリル系、エポキシーアクリレート系、シリコーンゴム系、塩化ビニール系又は酢酸ビニール含有量が15~40のエチレン-酢酸ビニール系が好ましい。更に、粘着付与剤としては、ロジン、ロジンエステル及びその誘導体、テルペン樹脂、炭化水素樹脂などが使用され、更に軟化剤として脂肪酸エステル、動植物油脂、ワックス、石油重質留分が用いられ透明で主成分樹脂との相溶性より適宜選択される。この構成の仮止め用固定剤2Aを転写印刷、ナイフコーター、ロールコーター、グラビアコーター等の塗布方法により、結晶性基板1Aの主面に塗布し、赤外線、熱風,蒸気等により加熱乾燥する。仮止め用固定剤2Aを塗布する厚さは5μm~100μmの範囲である。図6Dには積層体2の側面2Bを研削する研削工程が示されている。図6Dにおいて、研削装置13は、それぞれ砥石が設けられた一対の研削盤13A図6Dでは一方の研削盤のみ示すが積層体2を挟んで対向配置されており、これらの研削盤13Aに積層体2の主面1Mを結晶軸に対して所定の角度、つまり、光学軸であるZ軸と平行、あるいは、45°となるように側面2Bを所定の位置Lまで研削する。研削盤13Aの砥石の粒度は♯80~♯1000である。図6Eには、研削工程で研削された積層体2の面取りをする第一面取工程が示されている。第一面取工程は積層体2の主面1Mの4箇所の角部に面取りをする工程である。図6Eにおいて、角部面取装置14は、積層体2の角部を研磨する研磨盤14Aと、1つの角部が研磨盤14Aに当接するように積層体2を保持する保持部材14Bとを備え、回転する研磨盤14Aに積層体2の角部を押し当てて面取りするものである。研磨盤14Aには研磨用パッドが設けられ、この研磨用パッドの粒度は♯3000程度である。4箇所の角部のうち1つの角部の面取りが終了したなら、異なる角部が研磨盤14Aに当接するように積層体2を保持部材14Bにセットし直し、角部の面取り作業を行う。なお、積層体2を研磨盤14Aに押し付ける押圧部材や錘を必要に応じて設けてもよい。図6Fには第一面取工程で面取りされた積層体2の側面をラップ仕上げするラップ工程が示されている。図6Fにおいて、ラップ装置15は、一対の研磨盤15A,15Bは角部の面取りがされた積層体2を挟んで対向配置されており、これらの研磨盤15Aにはそれぞれ研磨用パッドが設けられている。この研磨用パッドの粒度は♯1000~♯3000である。積層体2の側面のうち互いに反対側に位置する面がラップ装置15でラッピングされる。図7には積層体の前記主面の外周寸法が規定寸法内にあるか否かを検査する検査工程が示されている。検査工程では、図11に示される検査治具を用いる。図11には、検査治具が示されている。図11Aは検査治具の正面図、図11Bは検査治具の側面図である。図11において、検査治具は、積層体2の規定寸法に対応する大きさの開口16Aが形成された平面矩形状の検査用ゲージ16であり、この検査用ゲージ16の材料は、合成樹脂や金属等からなる板材である。開口16Aは、その縦横寸法が光学素子1の主面1Mの最大許容外周寸法とされた平面矩形状に形成されている。検査用ゲージ16を用いて積層体2を検査するには、まず、図7Gに示される通り、検査用ゲージ16の開口16Aに主面1Mを臨ませるように積層体2を配置し、その後、図7Hに示される通り、検査用ゲージ16と積層体2とを結晶性基板1Aが積層される方向Pに相対移動させる。積層体2を構成する複数の結晶性基板1Aの一部に主面1Mの外周寸法が規定寸法より大きいものがある場合には、図7Hの想像線の符号16で示される通り、検査用ゲージ16と積層体2との相対移動が規制される。なお、検査用ゲージ16と積層体2とを相対移動させる装置としては、種々のものがあるが、例えば、装置本体に積層体2を載置し、この積層体2に対して検査用ゲージ16を昇降させる昇降装置を装置本体に設けるものでもよく、逆に、装置本体に検査用ゲージ16を固定し、この検査用ゲージ16に対して積層体2を昇降させる昇降装置を装置本体に設けるものでもよい。図8Iには、外周寸法が検査された積層体2の角部を面取りする角部面取工程が示されている。角部面取工程は第一面取工程と同じ装置を用いて同じ方法で実施される。図8Jには、検査工程の後に実施される第二面取工程が示されている。第二面取工程は、積層体2を構成する複数の結晶性基板1Aの稜線部をそれぞれ面取りするものである。図8Jには、稜線面取装置が示されている。稜線面取装置17は積層体2の側面2Bが当接される円板状の研磨部材17Aと、積層体2を研磨部材17A側に付勢する図示しない錘17Bとを備え、研磨部材17Aが回転することで、積層体2の1つの側面2Bが研磨される。研磨部材17Aの粒度は♯3000程度である。第二面取り工程の手順が図12に示されている。図12Aに示される積層体2は、主面1Mに対して側面2Bが直交している。この状態の積層体2を図示しない加熱装置の載置台に配置し、所定温度、例えば、80°C以上まで加熱する。この状態では、仮止め用固定剤2Aが弾性変形するため、複数の結晶性基板1Aを積層したまま結晶性基板1Aの一方の主面1Mが載置台に対して鋭角となるように積層体2を変形させる図12B参照。積層体2が変形したら、温度を室温まで下げる。すると、積層体2は、変形した状態で姿勢が保たれる。そして、図12Bに示される通り、この積層体2を結晶性基板1Aの一方の主面1Mが研磨部材17Aの平面に鋭角となるように配置し、当該平面と対向する側面2Bを研磨する第一工程を実施する。これにより、積層体2を構成する複数の結晶性基板1Aの両面のうち一方の稜線部がそれぞれ面取りされる。その後、積層体2を研磨部材17Aから加熱装置に戻し、積層体2を再度、80°C以上まで加熱し、複数の結晶性基板1Aを積層したまま結晶性基板1Aの他方の主面1Mが載置台に対して鋭角となるように積層体2を変形させる。そして、温度を室温まで下げた後、図12Cに示される通り、積層体2を結晶性基板1Aの他方の主面が研磨部材17Aに対して鋭角となるように配置し、当該平面と対向する側面2Bを研磨する第二工程を実施する。これにより、積層体2を構成する複数の結晶性基板1Aの両面のうち他方の稜線部がそれぞれ面取りされる。この工程を4つの側面に対して行う。稜線面取りが終了したら、80°Cを超える温度で積層体2を加熱し、あるいは、溶媒等で仮止め接着剤2Aを溶かして積層体2から個々の面取りがされた結晶性基板1Aに分離する。面取りされた結晶性基板1Aは、その主面1Mをポリッシュする。図8Kには結晶性基板1Aの主面をポリッシュする工程が示されている。図8Kにおいて、主面ポリッシュ装置18は、主面ラップ装置12と同様に、円板部18Aと、この円板部18Aの中心に回転自在に設けられた回転軸18Bと、この回転軸18Bの歯車と円板部18Aの歯車とにそれぞれ噛合する回転体18Cと、この回転体18Cに対向配置される図示しない円板部とを備えた構造である。回転体18Cは複数の結晶性基板1Aが収納されており、これらの結晶性基板1Aの両方の主面は円板部18Aに設けられた研磨用パッド18Dと図示しない円板部の研磨用パッドとに当接する。研磨用パッド18Dの粒度は♯7000~♯10000である。主面1Mがポリッシュ仕上げされた結晶性基板1Aは必要に応じて、洗浄処理や、反射防止膜やフィルター膜等の光学多層膜積層された光学薄膜や、フッ素含有化合物からなる異物付着防止膜を設ける等の表面処理を実施し、これにより、光学素子1が完成する。従って、本実施形態では、次の作用効果を奏することができる。1複数の平面矩形状の結晶性基板1Aをそれぞれ主面1Mの間に仮止め用固定剤2Aを介して積層した積層体2を形成する積層体形成工程と、積層体2の主面1Mを結晶軸に対して所定の角度となるように主面1Mと交差する方向に延びる側面2Bを研削する研削工程と、研削工程で研削された積層体2の面取りをする第一面取工程と、第一面取工程で面取りされた積層体2の側面をラップ仕上げするラップ工程と、ラップ工程でラップ仕上げされた積層体2の面取りをする第二面取工程とを実施して光学素子1を製造するので、これらの一連の工程によって、光学素子1を効率的に製造することができる他、第一面取工程と第二面取工程の間に積層体2の側面2Bをラップ仕上げする工程があるため、面取りが精度良く実施されることになり、その結果、最終的に製造される光学素子1の外周縁の精度を向上させることができる。2研削工程において、積層体2の主面1Mを光学軸のZ軸に対して平行に研削し、あるいは、Z軸に対して45°に沿って研削することで、リッド105等の光線の分離機能を有しない光学素子1と複屈折板106等の光線の分離機能を有する光学素子1とを製造することができる。3ラップ工程の後に、積層体2の主面1Mの外周寸法が規定寸法内にあるか否かの検査を検査用ゲージ16で行う検査工程を実施するので、積層体2から分離して得られた光学素子1を個々に検査するよりも、効率的に短時間で光学素子1を製造することができる。4検査工程は、検査用ゲージ16に形成された規定寸法の開口16Aに積層体2を挿通し、検査用ゲージ16と積層体2とを結晶性基板1Aが積層される方向に相対移動させるので、積層体2を検査用ゲージ16の開口16Aに挿通した際に、途中で止まることになれば、規定寸法より大きい結晶性基板1Aが積層体2に含まれていることが検出できるので、光学素子の検査を効率的に実施することができる。5第一面取工程が積層体2の角部の面取りであり、検査工程の後に第二面取工程を実施し、第二面取工程が積層体2を構成する複数の結晶性基板1Aの稜線部をそれぞれ面取りする構成としたので、稜線部の面取りをする前の積層体2の側面2Bが精度良く加工されていることになり、稜線部の面取りを正確に行うことができる。6第二面取工程は、積層体2の側面2Bを研磨部材の平面に押し当てながら研磨する稜線面取工程であり、この稜線面取工程は、結晶性基板1Aの一方の主面が研磨部材17Aの平面に対して鋭角となるように積層体2を変形させて行う第一工程と、この第一工程の後で複数の結晶性基板1Aを積層したまま結晶性基板1Aの他方の主面が研磨部材17Aの平面に対して鋭角となるように積層体2を変形させて行う第二工程とを備えるから、積層体2の研磨部材17Aの平面に対する向きを変えることで、結晶性基板1Aの外周縁にそれぞれ形成される稜線部の面取りを効率的に行える。つまり、向きを変える際に、積層体2から個々の結晶性基板1Aに分ける必要がないから、稜線面取り作業を効率的に行うことができる。7ランバード10を切断する工程の後に結晶性基板1Aの主面1Mをラップする工程を設け、第二面取工程の後に、主面1Mをポリッシュする工程を設けたから、光学素子1の主面1Mの精度を向上させることができる。特に、一眼レフデジタルカメラに搭載される撮像装置に用いられる光学素子リッドでは、主面1Mの光学領域の精度や品質がきわめて重要であるため、主面1Mをラップしたり、ポリッシュしたりすることで、精度や品質の高い撮像装置用の光学素子1を提供することができる。なお、本発明は本実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。例えば、前記実施形態では、検査用ゲージとして、複数の結晶性基板1Aをそれぞれ主面1Mの間に仮止め用固定剤2Aを介して積層した積層体2の主面1Mが規定寸法内にあるか否かを検査するためのものとしたが、本発明では、積層体2は結晶性でないガラス等の基板を仮止め用ではない接着剤を用いて形成されたものでもよい。前記実施形態では、光学素子1として、撮像装置について用いられるリッド105等を例示したが、本発明では、液晶プロジェクターに用いられる放熱用の水晶板についても製造することができる。また、本発明では、必ずしも検査工程を設けることを要せず、結晶性基板1Aの主面1Mをラップする工程や、主面1Mをポリッシュする工程も設けることを要しない。さらに、結晶性基板1Aは水晶に限定されるものではなく、サファイヤ等の結晶性材料から形成されるものや、ガラス等の透光性を有する基板でもよい。"