半導体レーザと、前記半導体レーザから出射されるレーザ光をディスク上に収束させると共に、前記ディスクによって反射された前記レーザ光を光検出器へと導く光学系と、前記半導体レーザの外周部が嵌り込む孔を有するリング状の保持部材と、前記光学系を保持するハウジングと、を備え、前記保持部材はカシメにより変形可能に形成され、前記ハウジングの前記半導体レーザの取り付け位置に、前記保持部材が嵌り込む凹部が形成され、前記半導体レーザの外周部を前記孔に嵌め込んだ状態で、カシメにより、前記保持部材の内周部を内側に変形させることにより、前記半導体レーザが前記保持部材に固定され、前記保持部材を前記凹部に嵌め込んだ状態で、カシメにより、前記保持部材の外周部を外側に変形させることにより、前記保持部材が前記ハウジングに固定される、ことを特徴とする光ピックアップ装置。請求項1に記載の光ピックアップ装置において、前記半導体レーザは、レーザ素子が設置されたステムを有し、前記孔は前記ステムが嵌り込む形状を有し、前記半導体レーザと前記保持部材とを固定するとき、前記ステムが前記保持部材にカシメにより固定される、ことを特徴とする光ピックアップ装置。請求項1または2に記載の光ピックアップ装置において、前記保持部材は、中心を通る一つの直線に対して対称な形状を有し、前記保持部材を変形させる位置が、前記保持部材上において、前記直線に対して対称な位置に設定されている、ことを特徴とする光ピックアップ装置。請求項1ないし3の何れか一項に記載の光ピックアップ装置において、前記保持部材は、円形形状を有し、前記凹部は、円形形状を有する、ことを特徴とする光ピックアップ装置。請求項1ないし4の何れか一項に記載の光ピックアップ装置において、少なくとも前記保持部材と前記半導体レーザとの間に隙間が生じる位置に、前記保持部材と前記半導体レーザとを熱的に結合するための放熱ジェルが配置されている、ことを特徴とする光ピックアップ装置。請求項1ないし5の何れか一項に記載の光ピックアップ装置において、前記保持部材からの放熱を促進するための放熱手段をさらに備える、ことを特徴とする光ピックアップ装置。請求項1ないし6の何れか一項に記載の光ピックアップ装置において、前記保持部材を前記凹部に嵌め込み、さらに、前記半導体レーザの外周部を前記孔に嵌め込んだ状態で、カシメにより、前記保持部材の内周部と外周部をそれぞれ内側と外側に変形させることにより、前記半導体レーザと前記保持部材の固定と、前記保持部材と前記ハウジングの固定が、同時に行われる、ことを特徴とする光ピックアップ装置。半導体レーザを被設置位置に取り付けるためのレーザ取付構造において、前記半導体レーザの外周部が嵌り込む孔を有するリング状の保持部材、を備え、前記保持部材はカシメにより変形可能に形成され、前記被設置位置に、前記保持部材が嵌り込む凹部が形成され、前記半導体レーザの外周部を前記孔に嵌め込んだ状態で、カシメにより、前記保持部材の内周部を内側に変形させることにより、前記半導体レーザが前記保持部材に固定され、前記保持部材を前記凹部に嵌め込んだ状態で、カシメにより、前記保持部材の外周部を外側に変形させることにより、前記保持部材が前記被設置位置に固定される、ことを特徴とするレーザ取付構造。しかしながら、上記構成では、ホルダとハウジングの接着時に、ハウジングに対してホルダを押し付ける力と押し付ける方向、および、接着剤の厚みにバラつきが生じることにより、半導体レーザの取り付け位置に誤差が生じる惧れがある。本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、半導体レーザをハウジングに対して適正に取り付けることができる光ピックアップ装置およびレーザ取付構造を提供することを目的とする。本発明の第1の態様は、光ピックアップ装置に関する。この態様に係る光ピックアップ装置は、半導体レーザと、前記半導体レーザから出射されるレーザ光をディスク上に収束させると共に、前記ディスクによって反射された前記レーザ光を光検出器へと導く光学系と、前記半導体レーザの外周部が嵌り込む孔を有するリング状の保持部材と、前記光学系を保持するハウジングと、を備える。ここで、前記保持部材はカシメにより変形可能に形成され、前記ハウジングの前記半導体レーザの取り付け位置に、前記保持部材が嵌り込む凹部が形成される。前記半導体レーザの外周部を前記孔に嵌め込んだ状態で、カシメにより、前記保持部材の内周部を内側に変形させることにより、前記半導体レーザが前記保持部材に固定され、前記保持部材を前記凹部に嵌め込んだ状態で、カシメにより、前記保持部材の外周部を外側に変形させることにより、前記保持部材が前記ハウジングに固定される。本発明の第2の態様は、半導体レーザを被設置位置に取り付けるためのレーザ取付構造に関する。この態様に係るレーザ取付構造は、前記半導体レーザの外周部が嵌り込む孔を有するリング状の保持部材、を備える。ここで、前記保持部材はカシメにより変形可能に形成され、前記被設置位置に、前記保持部材が嵌り込む凹部が形成される。前記半導体レーザの外周部を前記孔に嵌め込んだ状態で、カシメにより、前記保持部材の内周部を内側に変形させることにより、前記半導体レーザが前記保持部材に固定され、前記保持部材を前記凹部に嵌め込んだ状態で、カシメにより、前記保持部材の外周部を外側に変形させることにより、前記保持部材が前記被設置位置に固定される。本発明によれば、半導体レーザをハウジングに対して適正に取り付けることができる光ピックアップ装置およびレーザ取付構造を提供することができる。本発明の効果ないし意義は、以下に示す実施の形態の説明により更に明らかとなろう。ただし、以下の実施の形態は、あくまでも、本発明を実施する際の一つの例示であって、本発明は、以下の実施の形態によって何ら制限されるものではない。以下、本発明の実施の形態につき図面を参照して説明する。本実施の形態は、BDBlurayDisc、CDCompactDiscおよびDVDDigitalVersatileDiscに対して記録再生を行う光ピックアップ装置に本発明を適用したものである。図1a、bは、実施の形態に係る光ピックアップ装置の光学系を模式的に示す図である。図1aは、光学系を光ピックアップ装置の裏側からZ軸正方向に見た場合の平面図であり、図1bは、対物レンズアクチュエータ周辺部分を光ピックアップ装置の側面側からX軸正方向に見た場合の一部透視図である。この光学系は、BD用の光学系とCD/DVD用の光学系に区分される。BD用の光学系は、半導体レーザ101と、1/2波長板102と、偏光ビームスプリッタ103と、コリメータレンズ104と、立ち上げミラー105と、1/4波長板106と、BD対物レンズ107と、アナモレンズ108と、光検出器109と、フロントモニタ110から構成されている。半導体レーザ101は、ステム101aと、CAN101bと、端子101cを備えている。ステム101aには、波長400nm程度の青色レーザ光以下、BD光というを出力するレーザ素子図示せずが設置されている。かかるレーザ素子は、ステム101aよりも径の小さいCAN101bに覆われている。端子101cは、CAN101bと反対側のステム101aの面に設置されており、端子101cを介して、半導体レーザ101への給電が行われる。BD光は、CAN101bの天面に配された投射窓図示せずを通って外部に出射される。1/2波長板102は、半導体レーザ101から出射されたBD光の偏光方向を調整する。偏光ビームスプリッタ103は、1/2波長板102側から入射されたレーザ光の大部分を反射し、一部を透過させる。偏光ビームスプリッタ103を透過したBD光は、フロントモニタ110に照射される。フロントモニタ110は、受光光量に応じた信号を出力する。フロントモニタ110からの信号は、半導体レーザ101の出射パワー制御に用いられる。コリメータレンズ104は、偏光ビームスプリッタ103によって反射されたレーザ光を平行光に変換する。レンズ保持部材111は、コリメータレンズ104を保持し、支持機構図示せずにより、レーザ光の光軸方向X軸方向に移動可能に支持されている。また、レンズ保持部材111にはギア図示せずが配され、このギアが、ギア113に噛み合っている。ギア113は、モータ112の駆動軸に連結されている。モータ112が駆動されることにより、レンズ保持部材111に保持されたコリメータレンズ104がX軸方向に移動する。これにより、コリメータレンズ104が制御信号に応じて光軸方向に移動され、レーザ光に生じる収差が補正される。立ち上げミラー105は、コリメータレンズ104を介して入射されたレーザ光をBD対物レンズ107に向かう方向に反射する。1/4波長板106は、立ち上げミラー105によって反射されたレーザ光を円偏光に変換するとともに、ディスクからの反射光を、ディスクへ入射される際の偏光方向に直交する直線偏光に変換する。これにより、ディスクによって反射されたレーザ光は偏光ビームスプリッタ103を透過して光検出器109へと導かれる。BD対物レンズ107は、BD光を、BDの信号面上に適正に収束できるよう設計されている。すなわち、BD対物レンズ107は、0.1mm厚の基板を介して信号面上にBD光を適正に収束できるよう設計されている。アナモレンズ108は、ディスクによって反射されたレーザ光に非点収差を導入して光検出器109へと導く。光検出器109は、受光したレーザ光の強度分布から再生RF信号、フォーカスエラー信号、およびトラッキングエラー信号を生成するためのセンサパターンを有している。CD/DVD用の光学系は、半導体レーザ201と、回折格子202と、偏光ビームスプリッタ203と、コリメータレンズ204と、立ち上げミラー205と、1/4波長板206と、CD/DVD対物レンズ207と、アナモレンズ208と、光検出器209と、フロントモニタ210から構成されている。半導体レーザ201は、ステム201aと、CAN201bと、端子201cを備えている。ステム201aには、波長780nm程度の赤外レーザ光以下、CD光というを出力するレーザ素子図示せずと、波長650nm程度の赤色レーザ光以下、DVD光というを出力するレーザ素子図示せずが設置されている。これらレーザ素子は、ステム201aよりも径の小さいCAN201bに覆われている。その他、半導体レーザ201は、半導体レーザ101と同様に構成されている。CD光とDVD光は、互いに、偏光方向が平行となるように、半導体レーザ201から同じ方向に出射される。CD光とDVD光は、CAN201bの天面に配された投射窓図示せずを通って外部に出射される。回折格子202は、半導体レーザ201から出射されたCD光およびDVD光をメインビームと2つのサブビームに分割する。偏光ビームスプリッタ203は、回折格子202側から入射されたレーザ光の大部分を反射し、一部を透過させる。半導体レーザ201は、CD光とDVD光の偏光方向が偏光ビームスプリッタ203に対してS偏光となる方向から僅かにずれるように設置されている。偏光ビームスプリッタ203を透過したレーザ光は、フロントモニタ210に照射される。フロントモニタ210は、受光光量に応じた信号を出力する。フロントモニタ210からの信号は、半導体レーザ201の出射パワー制御に用いられる。コリメータレンズ204は、偏光ビームスプリッタ203によって反射されたレーザ光を平行光に変換する。立ち上げミラー205は、偏光ビームスプリッタ203を介して入射されたレーザ光をCD/DVD対物レンズ207に向かう方向に反射する。1/4波長板206は、立ち上げミラー205によって反射されたレーザ光を円偏光に変換するとともに、ディスクからの反射光を、ディスクへ入射される際の偏光方向に直交する直線偏光に変換する。これにより、ディスクによって反射されたレーザ光は偏光ビームスプリッタ203を透過して光検出器209へと導かれる。CD/DVD対物レンズ207は、CD光とDVD光をそれぞれ、CDとDVDの信号面上に適正に収束できるように設計されている。すなわち、CD/DVD対物レンズ207は、1.2mm厚の基板を介して信号面上にCD光を適正に収束でき、且つ、0.6mm厚の基板を介して信号面上にDVD光を適正に収束できるよう設計されている。アナモレンズ208は、ディスクによって反射されたレーザ光に非点収差を導入して光検出器209に導く。光検出器209は、受光したレーザ光の強度分布から再生RF信号、フォーカスエラー信号、およびトラッキングエラー信号を生成するためのセンサパターンを有している。BD対物レンズ107と、CD/DVD対物レンズ207と、1/4波長板106、206は、共通のホルダ301に装着されている。ホルダ301は、対物レンズアクチュエータ図示せずによって、フォーカス方向およびトラッキング方向に駆動される。これにより、BD対物レンズ107と、CD/DVD対物レンズ207と、1/4波長板106、206は、ホルダ301の駆動に伴って一体的に駆動される。図2は、図1aに示す光学系を有する光ピックアップ装置の外観を示す平面図である。図2は、光ピックアップ装置を裏側から見た図である。ハウジング400は、樹脂からなっており、カバー401は、熱伝導性の高い材料たとえば、アルミニウムからなっている。光ピックアップ装置を組み立てる場合、まず、図1aに示す光ピックアップ装置の光学系が、ハウジング400に装着される。本実施の形態では、半導体レーザ101、201は、ハウジング400の側面に対して、それぞれ、矢印A1、A2の方向から取り付けられる。半導体レーザ101のハウジング400への取り付けについては、追って図3ないし図5を参照して説明する。光ピックアップ装置の光学系の装着が完了すると、ハウジング400にカバー401が取り付けられる。図2には、図1aに示した光ピックアップ装置の光学系のうち、カバー401によって覆われている部分が、透視された状態で示されている。こうして、光ピックアップ装置の組み立てが完了する。ここで、半導体レーザ101、201が、ハウジング400に対して取り付けられる際には、予め設計された位置に正確に取り付けられる必要がある。半導体レーザ101、201の取り付けは略同じであるため、以下、半導体レーザ101の取り付けについてのみ説明する。図3a~cは、比較例における半導体レーザ101のハウジング400への取り付けを説明する図である。図3a、cには、半導体レーザ101が装着されるハウジング400の側面部分が示されている。図3a、cにおいて、ハウジング400の側面部分は、便宜上、直方形状の領域のみが切り出された状態で示されているが、ハウジング400の側面は、この部分からx-y平面方向にさらに広がっている。なお、図3a~cにおいて、かかる側面に垂直な方向がz軸方向図2のA1方向として図示されている。図3aを参照して、比較例では、半導体レーザ101をハウジング400に取り付ける際、ホルダ410が用いられる。ホルダ410は、柔軟性を有する金属たとえば、亜鉛、アルミニウム等からなる。ホルダ410には、上面z軸正方向側の面と下面z軸負方向側の面を貫通する孔410aが形成されている。孔410aには、x-y平面に平行な面を有する支持部410bが形成されている。一方、ハウジング400には、ホルダ410を嵌め込むための開口Cが形成されている。開口Cには、x-y平面に平行な面を有する支持部C1と、半導体レーザ101の出射光を、1/2波長板102へと導くための孔C2が形成されている。孔C2の大きさは、CAN101bの直径よりも十分大きいよう構成される。比較例では、半導体レーザ101をハウジング400に取り付ける際、まず、半導体レーザ101が、ホルダ410に対してz軸負方向に嵌め込まれる。これにより、ステム101aの周辺部分の下面が、支持部410bに当接し、ステム101aが支持部410bによってz軸方向に支持される。このとき、ステム101aの側面と孔410aの内壁との間には、僅かな隙間が存在している。続いて、ステム101aが、孔410aの内壁に対して、図3bに示す点線矢印の方向x軸負方向に押し付けられる。この状態で、ホルダ410の上面の×印の位置が、ポンチ等により打ちつけられる。これにより、×印近傍のホルダ410が延ばされて、×印近傍におけるステム101aの側面と孔410aの内壁との隙間が埋められる。こうして、半導体レーザ101が、カシメによって、ホルダ410に対して、x、y、z軸の方向に固定される。次に、開口Cの内壁と支持部C1に接着剤が塗布された状態で、一体となった半導体レーザ101とホルダ410が、ハウジング400の開口Cに対してz軸負方向に嵌め込まれる。これにより、ホルダ410の下面が、支持部C1に当接し、ホルダ410が支持部C1によってz軸方向に支持され、図3cに示す状態となる。このとき、ホルダ410の側面と開口Cの内壁との間には、僅かな隙間が存在している。続いて、ホルダ410が、開口Cの内壁に対して、図3cに示す点線矢印の方向x軸負方向とy軸負方向とz軸負方向に押し付けられる。これにより、ホルダ410のx軸負方向側の側面と、y軸負方向側の側面と、下面z軸負方向側の面が、開口Cに塗布された接着剤により、ハウジング400に接着される。こうして、ホルダ410が、接着によって、ハウジング400に対して、x、y、z軸の方向に固定される。このように、比較例では、半導体レーザ101がホルダ410に対して固定され、ホルダ410がハウジング400に対して固定されることにより、半導体レーザ101がハウジング400に対して取り付けられる。しかしながら、比較例のように半導体レーザ101が取り付けられる場合、ハウジング400に対して半導体レーザ101を予め決められた位置に取り付けることが困難となる。この理由として、開口Cに接着剤が塗布された状態でホルダ410を開口Cの内壁に対して押し付ける際に、ホルダ410の押し付け力と押し付け方向にバラつきが生じることや、開口Cの内壁に塗布された接着剤の厚みにバラつきが生じることが挙げられる。このため、ハウジング400に対してホルダ410を予め決められた位置に取り付けることが困難となり、その結果、半導体レーザ101を予め決められた位置に取り付けることも困難となる。図4a~cは、本実施の形態における半導体レーザ101のハウジング400への取り付けを説明する図である。図4aには、半導体レーザ101が装着されるハウジング400の側面部分が示されている。図4aにおいて、ハウジング400の側面部分は、便宜上、直方形状の領域のみが切り出された状態で示されているが、ハウジング400の側面は、この部分からx-y平面方向にさらに広がっている。なお、図4a~cにおいて、かかる側面に垂直な方向がz軸方向として図示されている。図4aを参照して、本実施の形態では、半導体レーザ101をハウジング400に取り付ける際、円形リング状のカシメリング420が用いられる。カシメリング420は、熱伝導性が高く柔軟性を有する金属たとえば、亜鉛、アルミニウム等からなる。カシメリング420には、中央部分に上面z軸正方向側の面と下面z軸負方向側の面を貫通する孔420aが形成されている。孔420aの内径は、半導体レーザ101のステム101aの外径よりもやや大きく設定されている。一方、ハウジング400には、カシメリング420を嵌め込むための円形の凹部Dが形成されている。凹部Dの内径は、カシメリング420の外径よりもやや大きく設定されている。凹部Dには、x-y平面に平行な面を有する支持部D1と、半導体レーザ101の出射光を、1/2波長板102へと導くための孔D2が形成されている。孔D2の直径は、CAN101bの直径よりも十分大きいよう設定されている。なお、以下、ステム101aの左端の側面を壁部w1、孔420aの左端の内壁を壁部w2、カシメリング420の右端の側面を壁部w3、凹部Dの右端の内壁を壁部w4と称する。本実施の形態では、半導体レーザ101をハウジング400に取り付ける際、カシメリング420が、凹部Dに対してz軸負方向に嵌め込まれ、半導体レーザ101が、カシメリング420の孔420aと凹部Dに対してz軸方向に嵌め込まれる。図4b、cは、半導体レーザ101とカシメリング420が、凹部Dに嵌め込まれた状態を示す図である。図4bは、z軸負方向に見た場合の平面図であり、図4cは、S1-S2の断面をy軸負方向に見た場合の側面図である。なお、図4cにおいて、半導体レーザ101の端子101cの図示は、便宜上省略されている。図4bを参照して、ステム101aの直径は、5.6-Δ1mmであり、孔420aの直径は、5.6Δ2mmであり、カシメリング420の直径は、13.6-Δ3mmであり、凹部Dの直径は、13.6Δ4mmである。すなわち、図4cに示すように、ステム101aの側面と孔420aの内壁との間には、僅かな隙間がΔ1Δ2mm存在しており、カシメリング420の側面と凹部Dの内壁との間には、僅かな隙間がΔ3Δ4mm存在している。Δ1Δ2とΔ3Δ4の値は、後述するカシメ作業が適正に行われる範囲に設定される。図4cを参照して、凹部Dの深さとカシメリング420の厚みは、ステム101aの厚み1.2mmと同じに設定される。半導体レーザ101とカシメリング420が凹部Dに嵌め込まれると、ステム101aの周辺部分の下面が、支持部D1に当接し、ステム101aが支持部D1によってz軸方向に支持される。図5a~dは、半導体レーザ101が、カシメリング420を介して、ハウジング400に取り付けられる手順を示す図である。まず、半導体レーザ101とカシメリング420が、図4b、cに示すように、ハウジング400の凹部Dに嵌め込まれる。このとき、図5aに示すように、壁部w1、w2は互いに向かい合っており、壁部w3、w4は互いに向かい合っている。続いて、図5bに示すように、壁部w1が壁部w2に当接するよう、ステム101aが、カシメリング420の内壁に対して、点線矢印の方向左方向に押し付けられる。この状態で、カシメリング420の上面の×印で示すカシメ位置P1、P2が、ポンチ等により打ちつけられる。これにより、カシメ位置P1、P2近傍のカシメリング420が延ばされて、カシメ位置P1、P2近傍におけるステム101aの側面と孔420aの内壁との隙間が埋められる。こうして、半導体レーザ101が、カシメによって、カシメリング420に対して、x、y、z軸の方向に固定される。なお、カシメ位置P1、P2は、孔420aの中心から3.8mmの距離にあり、カシメ位置P1、P2の左右方向の位置は同じである。続いて、図5cに示すように、壁部w3が壁部w4に当接するよう、カシメリング420が、凹部Dの内壁に対して、点線矢印の方向右方向に押し付けられる。この状態で、カシメリング420の上面の×印で示すカシメ位置P3、P4が、ポンチ等により打ちつけられる。これにより、カシメ位置P3、P4近傍のカシメリング420が延ばされて、カシメ位置P3、P4近傍におけるカシメリング420の側面と凹部Dの内壁との隙間が埋められる。こうして、カシメリング420が、カシメによって、ハウジング400に対して、x、y、z軸の方向に固定される。なお、カシメ位置P3、P4は、凹部Dの中心から5.8mmの距離にあり、カシメ位置P3、P4の左右方向の位置は同じである。また、ハウジング400は、カシメ位置P3、P4に対するカシメ作業により変形しない程度の固さを有する樹脂で構成される。こうして、図5dに示すように、半導体レーザ101がハウジング400に対して取り付けられる。なお、図1a、bの光学系における半導体レーザ101の設計上の位置は、上記のようにして半導体レーザ101がハウジング400に取り付けられた場合の位置に基づいて決められている。以上、本実施の形態によれば、図5bに示すカシメ作業により、半導体レーザ101とカシメリング420とが固定され、図5cに示すカシメ作業により、カシメリング420とハウジング400とが固定される。これにより、ハウジング400に対する半導体レーザ101の取り付け位置に、バラつきが生じ難くなる。よって、半導体レーザ101の取り付け位置の精度を高めることができる。また、本実施の形態によれば、比較例のように、接着剤を用いることなく、カシメ作業のみにより、半導体レーザ101をハウジング400に対して取り付けることができる。これにより、接着剤を塗布する作業が不要になり、また、接着剤の硬化を待つ必要がなくなる。さらに、カシメ位置P1~P4に対するカシメ作業を同時に行うことが可能となる。カシメ作業を同時に行う場合、たとえば、図5bに示すように壁部w1、w2を当接させ、図5cに示すように壁部w3、w4を当接させた状態で、カシメ位置P1~P4にポンチ等を打ちつける。また、カシメ作業を同時に行う場合、自動機により行うことも可能となる。また、本実施の形態によれば、図4cに示すように、孔D2の直径は、CAN101bの直径よりも十分大きい。これにより、半導体レーザ101をハウジング400に取り付ける際に、CAN101bが孔D2の内壁に当接することがなく、孔D2の内壁によって締め付けられることもないため、CAN101bの変形が回避され得る。よって、CAN101bのレーザ光の出射位置にガラス出射窓が設置されている場合でも、このガラスが破損することによりCAN101bの中に埃等が入らないため、レーザ素子の破損が回避され得る。以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に何ら制限されるものではなく、また、本発明の実施の形態も上記以外に種々の変更が可能である。たとえば、上記実施の形態では、ハウジング400は樹脂により構成されたが、金属たとえば、マグネシウム合金により構成されても良い。ハウジング400がマグネシウム合金のように非常に固い物質からなる場合でも、上記カシメ作業のみにより、半導体レーザ101をハウジング400に取り付けることが可能となる。また、上記実施の形態では、半導体レーザ201についても、半導体レーザ101と同様にしてハウジング400に対して取り付けられたが、これに限らず、半導体レーザ201は比較例に示すようにしてハウジング400に対して取り付けられても良い。半導体レーザ101については、短い波長のレーザ光が用いられるため、上記実施の形態のカシメリング420を用いることにより、取り付け誤差が小さく抑えられることが望ましい。また、上記実施の形態では、カシメ位置P1、P2は、図5bに示す位置に設定されたが、これに限らず、壁部w1、w2が当接した状態で半導体レーザ101とカシメリング420が固定される位置であれば良い。この場合、カシメ位置P1、P2は、カシメリング420の中心を通り左右に延びる直線に対称な位置であることが望ましい。こうすると、壁部w1を壁部w2に押し付ける力が、上下方向に不均等になりにくいため、半導体レーザ101の取り付け誤差を抑制することができる。また、カシメ位置P3、P4は、図5cに示す位置に設定されたが、これに限らず、壁部w3、w4が当接した状態でカシメリング420とハウジング400が固定される位置であれば良い。この場合、カシメ位置P3、P4は、凹部Dの中心を通り左右に延びる直線に対称な位置であることが望ましい。こうすると、壁部w3を壁部w4に押し付ける力が、上下方向に不均等になりにくいため、カシメリング420の取り付け誤差を抑制でき、その結果、半導体レーザ101の取り付け誤差を抑制することができる。また、上記実施の形態では、半導体レーザ101とカシメリング420とを固定する場合、および、カシメリング420とハウジング400とを固定する場合に、それぞれ、2つのカシメ位置が設定された。しかしながら、これに限らず、図5b、cのように2つの部材同士が固定されれば、それぞれ、カシメ位置は2つ以外に設定されても良い。また、上記実施の形態では、半導体レーザ101とカシメリング420が、図4b、cに示すようにハウジング400の凹部Dに嵌め込まれた状態で、図5a~dに示すように半導体レーザ101がハウジング400に取り付けられた。しかしながら、これに限らず、別途、半導体レーザ101とカシメリング420がカシメにより固定され、一体化された後、一体となった半導体レーザ101とカシメリング420が、図5bのようにハウジング400の凹部Dに嵌め込まれ、その後、図5cに示すようにカシメリング420とハウジング400がカシメにより固定されても良い。また、先に、カシメリング420とハウジング400がカシメにより固定され、一体化された後、一体となったカシメリング420とハウジング400に、半導体レーザ101が嵌め込まれ、その後、図5bに示すように半導体レーザ101とカシメリング420がカシメにより固定されても良い。また、上記実施の形態では、半導体レーザ101は、周辺部が円形状となっているカシメリング420を介してハウジング400に取り付けられたが、これに限らず、周辺部が円以外の形状となっているカシメリングを介して、ハウジング400に取り付けられるようにしても良い。この場合、ハウジング400の凹部Dは、カシメリングの形状に合わせて変更される。たとえば、図6a、bに示すように、カシメリング420と凹部Dの形状を楕円形とすることもできる。また、図6c、dに示すように、カシメリング420と凹部Dが、それぞれ、直線部420b、420cと直線部D3、D4を持っていても良い。このように、カシメリング420と凹部Dの形状が変更される場合にも、カシメリング420と凹部Dは、それぞれ、カシメリング420の中心を通り左右に延びる直線に対称な形状であるのが望ましく、また、カシメ位置P3、P4は、カシメリング420の中心を通り左右に延びる直線に対称な位置であることが望ましい。また、壁部w3、w4は曲面であるのが望ましい。また、上記実施の形態のカシメリング420に放熱効果を持たせるようにしても良い。図7a、bは、カシメリング420に放熱効果を持たせたカシメリング421を示す図である。図7aは、半導体レーザ101とカシメリング421が凹部Dに嵌め込まれた状態を、z軸負方向に見た場合の平面図であり、図7bは、図7aをy軸負方向に見た場合の側面図である。カシメリング421は、上記実施の形態のカシメリング420の周辺部に、z軸正方向に延びたフィン421bを有する形状となっている。カシメリング421は、カシメリング420の周辺部に放射状に延びたフィンを有する平板に対して、周辺部のフィンがz軸正方向に折り曲げられることにより形成されても良く、または、予め折り曲がった形状のフィンが鋳造により形成されても良い。カシメリング421が用いられる場合も、上記実施の形態と同様、カシメリング421を用いて、半導体レーザ101が孔421aに保持され、カシメリング421が凹部Dに保持される。これにより、半導体レーザ101がハウジング400に取り付けられる。カシメリング421が用いられると、半導体レーザ101から生じる熱が、ステム101aからカシメリング421に伝導し、フィン421bによって放熱される。これにより、半導体レーザ101の温度上昇が抑制され、半導体レーザ101の熱による破損を回避することができる。図7c、dは、図7a、bに示すカシメリング421の周辺部の形状を矩形にした場合のカシメリング422を示す図である。図7cは、半導体レーザ101とカシメリング422が凹部Dに嵌め込まれた状態を、z軸負方向に見た場合の平面図であり、図7dは、図7cをy軸負方向に見た場合の側面図である。この変更例では、カシメリング422の外形が、平面視において、長方形となっている。カシメリング422は、中心に孔422aを有する平板の周辺部に、z軸正方向に延びたフィン422bを有する形状となっている。カシメリング422は、中心に孔422aを有すると共に周辺部に放射状に延びたフィンを有する平板に対して、周辺部のフィンがz軸正方向に折り曲げられることにより形成されても良く、または、予め折り曲がった形状のフィンが鋳造により形成されても良い。カシメリング422が用いられる場合も、上記実施の形態と同様、カシメリング422を用いて、半導体レーザ101が孔422aに保持され、カシメリング422が凹部Dに保持される。これにより、半導体レーザ101がハウジング400に取り付けられる。この場合も、半導体レーザ101の温度上昇が抑制され、半導体レーザ101の熱による破損を回避することができる。なお、図7c、dの変更例では、長方形のカシメリング422の4つの辺のうち、たとえば、2つの辺に、カシメ位置が設定される。たとえば、図7cの状態において、カシメリング422の右上の頂角部分が凹部Dの右上の頂角部分に押し付けられることにより、カシメリング422が位置決めおよび固定される場合、カシメ位置は、カシメリング422の左辺と下辺の近傍に設定される。この場合、左辺に設定されるカシメ位置P5は、たとえば、左辺の中央位置に設定され、下辺に設定されるカシメ位置P6、P7は、下辺に形成された3つのフィン422bのうち、中央のフィン422bと左側のフィンの中間位置および中央のフィンと右側のフィンの中間位置に設定される。また、上記実施の形態のカシメリング420の上に放熱効果を持つ部材が設置されるようにしても良い。図8a、bは、カシメリング420の上z軸正方向側に設置された放熱部材431を示す図である。図8aは、図5dの状態から、放熱部材431がカシメリング420の上に設置された状態を、z軸負方向に見た場合の平面図であり、図8bは、図8aをy軸負方向に見た場合の側面図である。放熱部材431は、中心部にz軸方向に貫通し、カシメリング420の径よりも小さい径を有する孔431aが形成されている。放熱部材431は、周辺部にz軸正方向に延びたフィン431bを有する。この場合も、半導体レーザ101から生じる熱が、ステム101aから放熱部材431に伝導し、フィン431bによって放熱される。また、この場合、放熱部材431とカシメリング420との間に放熱ジェルを介在させることで、さらに、放熱効果を高めることができる。ハウジング400が熱伝導性の高い金属からなる場合は、さらにハウジング400と放熱部材431との間にも放熱ジェルを介在させることで、より一層、放熱効果を高めることができる。なお、上記実施の形態では、たとえば、図5dに示すように、ステム101aとカシメリング420との間に隙間が生じるため、少なくともかかる隙間が生じる位置において、ステム101aとカシメリング420とを熱的に結合するために、ステム101aとカシメリング420との間に放熱ジェルを介在させるのが望ましい。図8c、dは、カシメリング420の上z軸正方向側に設置された放熱ジェル432を示す図である。図8cは、図5dの状態から、放熱ジェル432がカシメリング420の上に設置された状態を、z軸負方向に見た場合の平面図であり、図8dは、図8cをy軸負方向に見た場合の側面図である。便宜上、図8dには、ステム101aとカシメリング420が透視された状態で示されている。放熱ジェル432は、カシメリング420の内周部を覆うように設置されている。この場合、半導体レーザ101から生じる熱が、ステム101aから、放熱ジェル432を介してカシメリング420に伝導し、放熱ジェル432とカシメリング420によって放熱される。これにより、半導体レーザ101に対する放熱効果を高めることができる。図6a~d、図7a~dおよび図8a、bの場合も、図8c、dの場合と同様、ステム101aとカシメリングとの間に放熱ジェルを介在させるのが望ましい。なお、ハウジング400が金属からなる場合、放熱ジェル432の設置範囲は、図8cに示す場合よりも、さらにハウジング400の上面を大きく含むようにしても良い。こうすると、より効果的に放熱が行われ得る。また、上記実施の形態において、手作業により半導体レーザ101をハウジング400の取り付ける場合、カシメリング420の適正な位置と、カシメ位置P1~P4の位置がわかるように印を付けるようにしても良い。図9a、bは、それぞれ、図5aと図6cに示すカシメリング420とハウジング400に印が付けられた状態を示す図である。図示のように、カシメリング420には、中心を通る同一直線上に並ぶ2つの直線L1、L2がマーキングされ、ハウジング400にも、凹部Dの中心を通る同一直線上に並ぶ2つの直線L3、L4がマーキングされている。また、カシメリング420には、カシメ位置P1~P4に、ドットがマーキングされている。これらのマーキングは、プリント等によって描いても良く、あるいは、刻印されても良い。壁部w3と壁部w4を当接させる場合、図9a、bに示すように、カシメリング420に付された直線L1、L2が、それぞれ、ハウジング400に付された直線L3、L4と一直線となるよう、カシメリング420が凹部Dに嵌め込まれ、この状態で、カシメリング420がハウジング400に対して押し付けられる。これにより、図5cと図6dに示すようにカシメリング420をハウジング400に取り付ける場合に、カシメリング420の取り付け精度を高めることができる。また、カシメ位置P1~P4の位置が予めカシメリング420上に示されているので、ポンチ等を打ちつける位置のバラつきが抑制される。これにより、半導体レーザ101をカシメリング420に取り付ける場合、および、カシメリング420をハウジング400に取り付ける場合に、カシメ作業の精度を高めることができる。なお、半導体レーザ101は、たとえば、図3a、図4aのステム101aの右側x軸正方向側の切り欠きが図9a、bの直線L1に合うように、カシメリング420に嵌め込まれ、位置決めされる。この他、半導体レーザ101のステム101a上にも、同様に、半導体レーザ101のカシメリング420に対する適正な位置がわかるよう直線状の印が付けられるようにしても良い。また、図3a、図4aのステム101aの右側x軸正方向側の切欠きに係合する突部をカシメリング420の内側面に設け、ステム101aの切欠きが、カシメリング420に設けた突部に嵌合するときに、半導体レーザ101がカシメリング420に対して適正な位置となるようにしても良い。なお、図9bの構成では、カシメリング420と凹部Dの形状が真円でないため、カシメリング420を凹部Dに嵌め込むと、カシメリング420と凹部Dとの位置関係が略一意に決まる。よって、図9bの構成では、目印となる直線L1~L4を設けなくても、カシメリング420と凹部Dハウジング400の位置関係を適正に規定することができる。また、上記実施の形態では、半導体レーザ101とカシメリング420とを固定するためのカシメ位置と、カシメリング420とハウジング400とを固定するためのカシメ位置が、互いに異なる位置に設定されたが、これらが同じ位置に設定されても良い。図10aは、この場合のカシメリング420と凹部Dを示す平面図である。この場合、カシメリング420の外径は、上記実施の形態に比べて小さく設定され、カシメリング420の孔420aの内径は、上記実施の形態と同様に設定される。したがって、カシメリング420の径方向の幅は、上記実施の形態よりも狭くなっている。また、凹部Dの内径は、カシメリング420の外径よりやや大きく設定される。したがって、凹部Dの内径は、上記実施の形態よりも小さくなっている。なお、以下、カシメリング420の左端の側面を壁部w5、凹部Dの左端の内壁を壁部w6と称する。半導体レーザ101をハウジング400に取り付ける際、図10aに示すように、カシメリング420が凹部Dに嵌め込まれ、さらに、カシメリング420の孔420aに半導体レーザ101が嵌め込まれる。このとき、壁部w1、w2は互いに向かい合っており、壁部w5、w6は互いに向かい合っている。続いて、図10bに示すように、壁部w1が壁部w2に当接するよう、ステム101aが、カシメリング420の内壁に対して、点線矢印の方向左方向に押し付けられる。また、同時に、壁部w5が壁部w6に当接するよう、カシメリング420が、凹部Dの内壁に対して、点線矢印の方向左方向に押し付けられる。この状態で、カシメリング420の上面の×印で示すカシメ位置P1、P2が、ポンチ等により打ちつけられる。これにより、カシメ位置P1、P2近傍のカシメリング420が内側と外側に延ばされて、カシメ位置P1、P2近傍におけるステム101aの側面と孔420aの内壁との隙間と、カシメリング420の側面と凹部Dの内壁との隙間が、同時に埋められる。こうして、半導体レーザ101が、カシメによって、カシメリング420に対して、x、y、z軸の方向に固定され、カシメリング420が、カシメによって、ハウジング400に対して、x、y、z軸の方向に固定される。なお、カシメリング420の径方向の幅は、1度のカシメによって、内側と外側の両方の隙間が埋められる程度に小さく設定される。このように、カシメリング420が構成されると、上記実施の形態のカシメ回数4回に比べて、少ないカシメ回数2回にて、半導体レーザ101をハウジング400に取り付けることができる。この他、本発明の実施の形態は、特許請求の範囲に示された技術的思想の範囲内において、適宜、種々の変更が可能である。