"半導体チップを吸着するコレットにおいて、硬質材のシャンクの先端に設けられた硬質材の円筒突起と、該円筒突起に外嵌して設けられたラバーチップと、を有し、前記円筒突起の先端が前記ラバーチップの先端から突出しないように構成された、ことを特徴とするコレット。前記シャンク又は前記円筒突起を形成する前記硬質材は、エンジニアリングプラスチック又は金属である、ことを特徴とする請求項1記載のコレット。前記円筒突起の先端が前記ラバーチップの先端から突出しない前記円筒突起の先端と前記ラバーチップの先端との段差は0.0mm~0.2mmである、ことを特徴とする請求項1記載のコレット。前記半導体チップの被吸着面が0.500mm×0.500mmの正方形であるとしたとき、前記円筒突起の外径をOD、内径をID、前記ラバーチップの先端の外径をOφ、内径をIφとして、OD=0.400mm、ID=0.200mm、Oφ=0.700mm、Iφ=0.360mmである、ことを特徴とする請求項1記載のコレット。ところで、特許文献1においては、持ち帰りの防止と搭載精度向上のため、コレットの接触面に半球状の複数の微小突起部を形成しているが、このコレットを0.500mm角以下の半導体チップに適用するには微小突起を10μm前後のサイズに形成する必要がある。しかし、10μm前後の小サイズの微小突起では耐久性が低く大量生産には使用できない。そればかりでなく、微小突起を有する吸着接触面の特殊な表面加工によりコレットそのもののコストが上昇する恐れがある。また、特許文献2においては、耐摩耗性を向上させるためコレット先端のみを樹脂材料で構成しているが、樹脂材料が柔軟なゴム性であれば耐摩耗性が低下するに応じて摩耗劣化した表面が粘着力を増加させ半導体チップが離脱し難くなって持ち帰りが発生する。また、樹脂材料が硬質性の樹脂であれば、良好な耐摩耗性を発揮できるが、半導体チップとコレット先端の吸着面との摩擦力が低下し、特にコレットが水平方向に高速移動する際の慣性力に影響されて搭載精度が悪化する恐れが高い。また、摩擦力が低いと、水平方向の高速移動で半導体チップを搭載前に落下させてしまうという問題も発生しやすい。更には、吸着面の硬質材によって、半導体チップに衝撃破損が発生するという問題も残されている。また、特許文献2のコレットは、コレット本体の内部構造が複雑で、その製作には高度な技術と高コストを要するという解決すべき課題がある。つまり、RFIDタグのような小型半導体チップの製造においては、半導体チップ持ち帰りの問題は、高速搭載動作を前提にし且つ搭載精度を悪化させることなく且つ低コストで解決しなければならない課題である。本発明は、上記従来の課題を解決するものであって、小型半導体チップを吸着して高速にプリント基板に搭載するコレットにおいて、従来同様の低コストで簡単な構成で半導体チップの搭載精度を悪化させることなく半導体チップの持ち帰り問題を解消し且つ高速搭載が可能で長寿命なコレットを提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明のコレットは、半導体チップを吸着するコレットにおいて、硬質材のシャンクの先端に設けられた硬質材の円筒突起と、該円筒突起に外嵌して設けられたラバーチップと、を有し、上記円筒突起の先端が上記ラバーチップの先端から突出しないように構成された、ことを特徴とする。このコレットにおいて、例えば、上記シャンク又は上記円筒突起を形成する上記硬質材は、エンジニアリングプラスチック又は金属である、ことを特徴とする。また、例えば、上記円筒突起の先端が上記ラバーチップの先端から突出しない上記円筒突起の先端と上記ラバーチップの先端との段差は0.0mm~0.2mmである、ことを特徴とする。また、例えば、上記半導体チップの被吸着面が0.500mm×0.500mmの正方形であるとしたとき、上記円筒突起の外径をOD、内径をID、上記ラバーチップの先端の外径をOφ、内径をIφとして、OD=0.400mm、ID=0.200mm、Oφ=0.700mm、Iφ=0.360mmである、ことを特徴とする。本発明は、従来同様の低コストな簡単な構成で半導体チップの搭載精度を悪化させることなく半導体チップの持ち帰り問題を解消し且つ高速搭載が可能で耐久性に優れて長寿命なコレットを提供することができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。尚、本発明のコレットは、例えばICチップ実装機で小型ICチップ特に0.5mm×0.5mm以下のサイズを高速で搭載特に0.5秒/個以下する際に使用するコレットを想定している。図1は、本発明の実施例1に係るコレットの構成を示す図である。尚、図1では、便宜上コレットを上向きにして示している。図1に示すように、本例のコレット10は、シャンク11と、このシャンク11の先端に取り付けられたラバーチップ12とで構成されている。図1は、コレット10の分解図である。図1に示すように、シャンク11は従来型のシャンク13の先端に本例特注の硬質材の円筒突起14が取り付けられている。ラバーチップ12は、寸法の制約があることを除けば従来と同様のラバーチップである。シャンク11の形状は、全て切削加工によって形成することもできる。本例の場合は、図1に示すように、従来型シャンク13に、円筒突起14となる円筒を、矢印aで示すように、圧入又は接着剤等により固定している。このように、本例のコレットでは、ラバーチップ12の先端吸着部の内径側をエンジニアリングプラスチックや金属等の硬質材でシャンク先端を補強しているのでラバーチップの劣化を防止することができる。この場合、円筒突起14の硬質材としての金属は一般的にはSUSでよい。ただし、より耐久性を考慮するのであれば、上記のタングステンカーバイドやセラミックを用いることもできる。図2はコレット10の先端部の断面拡大図であり、同図は円筒突起14の先端とラバーチップ12の先端の突出関係を示す図である。図2に示すように、本例のシャンク11の円筒突起14は、下端部を従来型シャンク13の先端開口孔従来の半導体チップ吸着孔に圧入されて固定されている。その上から覆うようにラバーチップ12が外嵌してゴム性の締め付け力により固定されている。このように、コレット先端の吸着面の外周部をゴム材とすることで、高速移動の慣性力に耐えうる摩擦力を維持しており、且つ搭載精度が悪化することはない。更に従来のラバーチップをそのまま利用することもできる。図2では、円筒突起14の先端吸着面14aとラバーチップ12の先端吸着面12aは同一平面を形成している。この形状は、円筒突起14の先端吸着面14aとラバーチップ12の先端吸着面12aとが協働して半導体チップを吸着し、且つプリント基板等に搭載するための最も理想的な形状である。図2では、円筒突起14の先端吸着面14aが、ラバーチップ12の先端吸着面12aよりも引っ込んでいる。換言すれば、円筒突起14の先端吸着面14aが、ラバーチップ12の先端吸着面12aから突出しない形状になっている。この形状でも半導体チップに対する吸着機能は正常に働くが、ラバーチップ12の先端吸着面12aの突出度が大きいと搭載精度に悪影響がでる。円筒突起14の先端吸着面14aとラバーチップ12の先端吸着面12aとの段差hは0.2mm以下であることが好ましい。段差hが0.2mm以下であると、ラバーチップ12の先端吸着面12aが半導体チップの被吸着面に当接したとき先端吸着面12aが押し潰されても、潰された部分が中心の軸線に対し輻射方向に外側に膨張するので円筒突起14の搭載機能に悪影響は与えない。しかし、段差hが0.2mmを超えると、ラバーチップ12の先端吸着面12aが半導体チップの被吸着面に当接して潰れたとき、中心の軸線に対し輻射方向に外側だけでなく内側にも膨張するので、円筒突起14の先端吸着面14aの縁に乗り上げて円筒突起14の搭載機能を損なう。これらを総括すると、円筒突起14の先端吸着面14aとラバーチップ12の先端吸着面12aとの段差hは、図2に示す0.0mmから、図2で説明した0.2mm以下、すなわち段差h=0.0mm~0.2mmであることが望ましいといえる。また、図2では、円筒突起14の先端吸着面14aが、ラバーチップ12の先端吸着面12aよりも突出した形状になっている。これは従来の硬質材のみの一体型のコレットの吸着面と同一であり、ラバーチップ12を用いた意味が失われ、高速水平移動中では半導体チップの吸着を維持できない恐れが多分にある。本例のコレット10は、上記の図1及び図2のように、従来のラバーチップ先端の吸着部の内径を、金属又はエンジニアリングプラスチック等の硬質材の円筒で補強するので、ラバーチップの劣化を大きく遅らせることができる。また、本例のコレットでは、吸着孔の外周部をゴム材で構成している。したがって半導体チップに対して、コレットが上下左右に高速に移動する際の慣性力に耐えうる摩擦力を維持できる。これにより高速移動後も半導体チップの搭載精度が悪化することはない。更に、シャンクは、従来型シャンクに硬質材の円筒を取付加工するだけであり、また、ラバーチップは、従来のラバーチップをそのまま利用できる。また、ラバーチップの吸着孔の内径が円筒で補強されているので、ラバーチップへの負荷が低減され、ラバーチップの寿命が従来よりも長期化する。したがって、本例のコレットは、シャンク製作の初期コストは発生するが、従来のコレットに要したランニングコスト以下のランニングコストで使用することができる。また、形状が複雑でなく簡単な形状であるため、シャンクの製作も容易である。図3は、本例のコレット10で吸着すべき半導体チップの被吸着面が正方形であり、その正方形の一辺LがL=0.500mmであるとしたときの、円筒突起14の先端吸着面14aと、ラバーチップ12の先端吸着面12aとの寸法関係を示す図である。上記の寸法関係は、図3に示すように、円筒突起14の先端吸着面14aの外径をOD、内径をIDとして、OD=0.400mm、ID=0.200mmである。また、図3に示すように、ラバーチップ12の先端吸着面12aの外径をOφ、内径をIφとして、Oφ=0.700mm、Iφ=0.360mmである。また、図3に示すように、円筒突起14ラバーチップが嵌合する部分の高さを3.60mmとすると、ラバーチップ12そのものの高さは3.70±0.10mmである。この寸法関係は、次の理由による。まず、ゴム性の伸縮によりラバーチップ12をシャンク11に固定する観点から、ラバーチップ12の先端吸着面12a以下、単にラバーチップ12というの内径Iφはシャンク11の先端吸着面14a以下、単にシャンク11というの外径ODよりも0.040mm程度小さい方が望ましい。また、円筒突起14の周辺ゴム材によって搭載精度の悪化を防止するという本発明の主旨により、ゴム性のラバーチップ12の先端吸着面12aが半導体チップの被吸着面に接触することが必要である。つまり、硬質材で構成されたシャンク11の突端のみで半導体チップに接触して保持するのは本発明の主旨にもとる。このことから、ラバーチップ12の先端吸着面12aの内側に配置されるシャンク11の外径ODは、正方形の半導体チップの一辺Lよりも小さいことが要求される。次にラバーチップ12の外径Oφと、シャンク11の内径IDは、コレット10による半導体チップ保持位置のバラツキを考慮しなければならない。このバラツキの発生は、本例のコレット10は、ウエハから半導体チップを正確に取り出す取出側コレットから半導体チップの保持を引き継ぐ搭載側コレットであるからである。したがって、必ずしも半導体チップの中心とコレット10の中心が一致するとは限らない。あるバラツキの条件下で中心差が生じる。このバラツキは標準偏差σの正規分布に従うと考えるのが一般的である。ここで、一次元方向xの確率密度関数は平均値をゼロとすると次式で与えられる。本例の場合は半導体チップの被吸着面、すなわち二次元平面なので、x、yそれぞれの確率密度関数の積をとった次式を用いる。この式2において、x2y2が一定になるようにして、同じ確率密度を結んだ線は円の軌跡となることが判る。この式2に、±5σの範囲で確率密度をプロットすると図4に示すような立体グラフになる。この立体グラフでみると、確率密度は約±3σまで裾野が広がっている。つまりx2y212≦3σの範囲に中心差の生じる可能性がある。この範囲内でICチップとコレットの接触面積が小さくならないようにしなければならない。接触面積が小さい場合は高速動作によってICチップの落下や、搭載精度の悪化を招くことになるためである。ここで図4に示すモデルを用いて、中心差にバラツキが生じた際のICチップとコレットの接触面積の変化をシミュレーションする。ICチップを1辺Lの正方形、コレット内径をシャンク内径ID、コレット外径をラバーチップ外径Oφとすると、斜線で図示している部分が接触面積である。中心差x,yを±5σの範囲で変化させ、その接触面積をプロットする。中心差が発生する可能性のあるx2y212≦3σの範囲で接触面積はICチップの面積=L2の60以上あることが望ましい。図5は、上記のシミュレーションにおいて、ICチップの1辺Lを、L=0.500mmとした場合に得られる結果を示す図である。同図は上から下へ条件1、条件2、条件3と3段に分けて条件が異なる場合のシミュレーション結果を示している。条件1、2、3の右方の欄には、条件1、2、3の内容としてICチップの1辺L=0.500mmを不変とし、他の条件のID、Oφ、σをそれぞれ変更した場合を示している。それら条件内容の右方の欄には、それらの条件内容でシミュレーションした結果の立体グラフを示している。立体グラフの右方の欄には、縦軸にL2=1としたときの接触面積を示し、横軸にY=Xの-5σ~5σの範囲のバラツキを示す座標の中に、立体グラフのy=xの断面を実線で示し、x2y212≦3σの範囲を破線で示している。同図に示す条件1ではx2y212≦3σの範囲で接触面積が60を超えており望ましい状態であると言える。一方、条件23では接触面積が60を下回るため搭載精度の悪化やICチップの落下などの不具合が発生する懸念がある。このように、ラバーチップの外径Oφや、シャンクの内径IDは、ICチップのサイズや、バラツキσのバランスにより決定しなければならない。y=x、且つx2y212=3σの条件下、即ちx2y212≦3σの範囲で接触面積が最小となる条件下で一般化すると、L2に対する接触面積Sは次式で近似できる。尚、Sは、それぞれIDの効果、Oφの効果、σの効果に分別することができ、それぞれ2次関数、シグモイド関数、一次関数でより良く近似できるため、上記の近似式を用いている。ここで、式3を用い、L及びσに応じてSが0.6以上になるようにID及びOφを決定すれば良い。例えば図5に示す条件1、2、3においてSを算出すると、条件1のときのみ、Sが0.6以上となる。例えば、式3において、係数の条件を、ID/L=0.1~0.7、Oφ/L=0.2~2.2、σ/L=0.01~0.25として、演算すれば、図5の条件1ではS≒0.71,条件2ではS≒0.29,条件3ではS≒0.45、となる。本例のコレットの、図3に示したシャンクとラバーチップの寸法は、上記の観点から決定されたものである。尚、ICチップはかならずしも正方形と限るものではない、長方形のもの、円形のもの、楕円形のものと種々考えられる。図6~は、ICチップの形状と寸法Lの指示箇所を示す図である。同図は正方形の場合、同図は長方形の場合、同図は円形の場合、同図は楕円形の場合を示している。いずれもLは、形状の中心を通る直線が外周と交わる交点間の寸法が最小となる直線である。図6~のように、ICチップが正方形でない場合でも、前述した式3を用いて、実施例1の場合と同様に適正なコレットの寸法を算出することができきる。なお、その場合の寸法条件は、ODシャンク突起の外径≦L、Iφラバーチップ内径=OD-0.040mm、IDシャンク突起の内径=※1を満たす条件、Oφラバーチップ外形=※1を満たす条件、但し、※1は、コレットとICチップの中心差が標準偏差σで与えられる場合、式3で、S≧0.6となるID及びOφとなる値である。さらに、ID/L=0.1~0.7、Oφ/L=0.2~2.2、σ/L=0.01~0.25、の条件を満たすことが必要である。図7は、従来のコレットと、式3に上記の条件を満たす適正な係数を代入した数式により得られたS=0.6以上にとなる条件で作成された円筒突起とラバーチップとの関係を備えたコレットによる搭載実験値を示す図表である。この実験では、被吸着面が一辺0.450mmの正方形をなす半導体チップを、1個当たり0.5秒の速度で搭載基板に搭載した。従来のコレットでは図7の図表に示すように、20万個の半導体チップを搭載して、0.2の持ち帰り不良が発生した。これに対して、本発明のコレットでは、50万個の半導体チップを搭載しても、持ち帰り不良は0.02しか発生していない。つまり従来比において、2.5倍の使用条件下においても、持ち帰り不良率を1/10に低減できる。もちろん従来のコレットに比較して搭載精度の悪化も発生していない。上記の結果から、本発明のコレットは、半導体チップの寸法や搭載条件にも依存することでもあるが、小型半導体チップの高速搭載に対し十分有効に機能すると考えられる。"