"放射ビームの経路に装着されたビーム修正装置を備えるリソグラフィ装置であって、前記ビーム修正装置が、流体のフローを通過させるように構成され、使用時に前記放射ビームが導管と導管を流れる流体とを通過するように構成された導管と、前記放射ビームが前記導管を通過する場所の前記流体フローの方向に関して上流側に位置する前記導管の部分と熱連通する熱交換器とを備えるリソグラフィ装置。前記流体が、その温度の関数として変化する光学特性を有する、請求項1に記載のリソグラフィ装置。前記光学特性が屈折率である、請求項2に記載のリソグラフィ装置。前記ビームの断面の実質的に全体が前記導管を通過する、請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。前記熱交換器が、複数の導管部分と別々に熱を交換できるように前記熱交換器を制御するように構成された熱交換制御装置をさらに備え、前記導管部分の少なくとも1つが前記流体フローを横切る方向に残りの導管部分の1つから離間している、請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。前記導管部の少なくとも1つが、前記流体フローの方向にほぼ垂直な方向に残りの導管部の1つから離間している、請求項5に記載のリソグラフィ装置。前記流体フローの方向が、前記放射ビームの光軸に実質的に垂直である、請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。前記リソグラフィ装置がスキャンモードで動作可能で、前記流体フローの方向が前記リソグラフィ装置のスキャン方向にほぼ平行である、請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。前記リソグラフィ装置が、前記導管へ前記流体を提供するように構成された流体提供装置をさらに備え、前記流体提供装置及び導管が、前記導管を通過する流体が実質的に層状になるように構成される、請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。前記リソグラフィ装置が液浸リソグラフィ装置であり、前記導管が液浸フードによって少なくとも部分的に画定され、前記導管を通過できる前記流体が液浸流体である、請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。前記リソグラフィ装置の投影システムの瞳面に実質的に位置する放射ビーム操作器をさらに備え、前記放射ビーム操作器が、前記放射ビームの空間周波数分布を操作するように構成される、請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。光学領域を画定する放射ビームと相互作用する光学素子と、ビーム修正装置とを備えるリソグラフィ装置であって、前記ビーム修正装置が、加熱装置が前記光学領域の外側にある第1の位置と前記加熱装置が前記光学領域の内側にある第2の位置との間で移動可能な可動部材に装着された加熱装置を備え、前記可動部材が前記第2の位置にある時に、前記加熱装置が前記光学素子を加熱するように構成されるリソグラフィ装置。前記加熱装置が、前記可動部材が前記第2の位置にある時に前記光学素子の第1の範囲を加熱するように構成され、前記可動部材が、前記光学素子に対して前記加熱装置が前記光学素子の第2の範囲を加熱するように構成された第3の位置へ移動可能である、請求項12に記載のリソグラフィ装置。前記第2及び第3の位置の間を移動する際に、前記加熱装置が前記光学素子の上部を通過するように前記可動部材が構成される、請求項13に記載のリソグラフィ装置。前記リソグラフィ装置がスキャンモードで動作可能であり、前記可動部材がパターニングデバイス支持構造又は基板テーブルであり、前記第1の位置と前記第2の位置の間の相対運動が平行移動である、請求項12から14のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。0006例えば、局所照明モードを使用する時にリソグラフィ装置の素子の不均一な加熱効果を少なくとも低減又は軽減するリソグラフィ装置及び方法を提供することが望ましい。さらに、本明細書かそれ以外のいずれで明らかにするかを問わず、従来技術の問題の1つ以上を未然に防ぐか、又は軽減する別のリソグラフィ装置及び方法を提供することが望ましい。0007本発明の一態様によれば、放射ビームの経路に装着されたビーム修正装置を備えるリソグラフィ装置であって、ビーム修正装置が、流体のフローを通過させるように構成され、使用時に放射ビームが導管と導管を流れる流体とを通過するように配置された導管と、放射ビームが導管を通過する場所の流体フローの方向に関して上流側に位置する導管の部分と熱連通する熱交換器とを備えるリソグラフィ装置が提供される。0008流体は、その温度の関数として変化する光学特性を有してもよい。0009光学特性は屈折率であってもよい。0010ビームの断面の実質的に全体が導管を通過してもよい。0011リソグラフィ装置は、熱交換器が複数の導管部分と別々に熱を交換できるように熱交換器を制御するように構成された熱交換制御装置をさらに備え、導管部分の少なくとも1つは流体フローを横切る方向に残りの導管部分の1つから離間している。0012導管部の少なくとも1つは、流体フローの方向にほぼ垂直な方向に残りの導管部の1つから離間していてもよい。0013導管は一般的に細長い断面を有してもよい。0014流体フローの方向は放射ビームの光軸に実質的に垂直であってもよい。0015リソグラフィ装置はスキャンモードで動作可能であってもよく、流体フローの方向はリソグラフィ装置のスキャン方向にほぼ平行であってもよい。0016リソグラフィ装置は、導管へ流体を提供するように構成された流体提供装置をさらに備え、流体提供装置及び導管は、導管を通過する流体が実質的に層状になるように構成される。0017リソグラフィ装置は液浸リソグラフィ装置であり、導管は液浸フードによって少なくとも部分的に画定され、導管を通過できる流体は液浸流体である。0018リソグラフィ装置は、リソグラフィ装置の投影システムの瞳面に実質的に位置する放射ビーム操作器をさらに備え、放射ビーム操作器は、放射ビームの空間周波数分布を操作するように構成される。放射ビーム操作器は、追加的に又は代替的に、放射ビームの波面を操作することができる。0019本発明の別の実施形態によれば、リソグラフィ装置内の放射ビームを修正する方法であって、リソグラフィ装置がビーム修正装置を備え、ビーム修正装置が導管と、熱交換器と、熱交換器制御装置とを備え、上記方法が、放射ビームを提供するステップと、その温度の関数として変化する光学特性を有する流体が導管を通過するように流体を提供するステップと、放射ビームが導管と導管を通過する流体とを通過するように放射ビームの経路内にビーム修正装置を装着するステップと、流体フローの方向に関して放射ビームが導管を通過する場所の上流側に位置する導管の部分と熱連通するように熱交換器を配置するステップと、熱交換器制御装置を用いて流体と熱交換するように熱交換器を制御し、それによって、放射ビームが通過する流体の光学特性を変更することによって放射ビームを修正するステップとを含む方法が提供される。0020熱交換器制御装置を用いて放射ビームを修正してリソグラフィ装置の光学コンポーネントの加熱によって引き起こされる収差、又はリソグラフィ装置の少なくとも一部によって引き起こされる常温下の収差を補正することができる。0021流体の温度関数として変化する流体の光学特性は屈折率であってもよい。0022本発明の他の態様によれば、光学領域を画定する放射ビームと相互作用する光学素子と、ビーム修正装置とを備えるリソグラフィ装置であって、ビーム修正装置は、加熱装置が光学領域の外側にある第1の位置と加熱装置が光学領域の内側にある第2の位置との間で移動可能な可動部材に装着された加熱装置を備え、可動部材が第2の位置にある時に、加熱装置は光学素子を加熱するように構成されるリソグラフィ装置が提供される。0023加熱装置は、可動部材が第2の位置にある時に光学素子の第1の範囲を加熱するように構成され、可動部材は、光学素子に対して加熱装置が光学素子の第2の範囲を加熱するように構成された第3の位置へ移動可能である。0024第2及び第3の位置の間を移動する際に、加熱装置が光学素子の上部を通過するように可動部材が構成される。0025リソグラフィ装置は、スキャンモードで動作可能である。可動部材は、パターニングデバイス支持構造又は基板テーブルであり、第1の位置と第2の位置の間の相対運動が平行移動であってもよい。0026加熱装置は、第1及び第2の位置の間の運動方向に垂直な軸を横切って配置された複数の独立した熱源を備えてもよい。0027本発明のさらに別の態様によれば、リソグラフィ装置内の放射ビームを修正する方法であって、リソグラフィ装置が光学領域を画定する放射ビームと相互作用する光学素子と、ビーム修正装置とを備え、ビーム修正装置が可動部材上に装着された加熱装置を備え、上記方法が、加熱装置が光学領域外にある第1の位置と加熱装置が光学領域内にある第2の位置との間で光学素子に対して可動部材を移動させるステップと、可動部材が第2の位置にある時に加熱装置に給電して光学素子を加熱するステップとを含む方法が提供される。0028ビーム修正装置を用いて放射ビームを修正してリソグラフィ装置の光学コンポーネントの加熱によって引き起こされる収差、又はリソグラフィ装置の少なくとも一部によって引き起こされる常温下の収差を補正することができる。0029リソグラフィ装置は、基板が放射ビームに露出される投影状態と、可動部材が第1の位置と第2の位置との間で移動し、加熱装置が光学素子を加熱する時にリソグラフィ装置が休止状態にある休止状態を有してもよい。0030本発明のさらなる特徴及び利点、さらに本発明の様々な実施形態の構造及び動作を、添付の図面を参照しながら以下で詳細に説明する。本発明は本明細書で説明する特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。このような実施形態は、本明細書では例示的目的のためにのみ提示されている。本明細書に含まれる教示に基づいて、追加の実施形態が当業者には明白になる。0041本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ1つ又は複数の実施形態を開示する。開示される実施形態は本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示される実施形態に限定されない。本発明は、本明細書に添付される特許請求の範囲によって定義される。0042記載された実施形態、及び本明細書で一実施形態、ある実施形態、例示的実施形態などに言及した場合、それは記載された実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造、又は特性を含まないことがあることを示す。さらに、このようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。さらに、ある実施形態に関連して特定の特徴、構造、又は特性について記載している場合、明示的に記載されているか、記載されていないかにかかわらず、このような特徴、構造、又は特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識にあることが理解される。0043本発明の実施形態はハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア又はその任意の組合せで実施することができる。本発明の実施形態は、1つ又は複数のプロセッサで読み取り、実行することができる機械読み取り式媒体に記憶した命令として実施することもできる。機械読み取り式媒体は、機械例えば、計算デバイスで読み取り可能な形態で情報を記憶するか、伝送する任意の機構を含むことができる。例えば、機械読み取り式媒体は読み取り専用メモリROM、ランダムアクセスメモリRAM、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音響又は他の形態の伝搬信号例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号など、及びその他を含むことができる。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令を、本明細書では特定の行為を実行するものとして記述することができる。しかし、このような記述は便宜的なものにすぎず、このような行為は実際には計算デバイス、プロセッサ、コントローラ、又はファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行する他のデバイスの結果であることを認識されたい。0044しかし、このような実施形態についてさらに詳細に説明する前に、本発明の実施形態を実施できる例示的環境を提示することが有益である。0045本文ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書でウェーハ又はダイという用語を使用している場合、それぞれ、基板又はターゲット部分という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール、メトロロジーツール及び/又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ICを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。0046本明細書で使用する放射及びビームという用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線UV放射例えば、365nm、248nm、193nm、157nm若しくは126nm、又はこれら辺りの波長を有する及び極端紫外線EUV放射例えば、5nm~20nmの範囲の波長を有するを含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。0047本明細書において使用するパターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。0048パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルLCDパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例は、小型ミラーの行列構成を使用し、ミラーの各々は、入射する放射ビームを様々な方向に反射するように個別に傾けることができる。このようにして、反射ビームがパターニングされる。0049支持構造はパターニングデバイスを保持する。支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書においてレチクル又はマスクという用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語であるパターニングデバイスと同義と見なすことができる。0050本明細書において使用する投影システムという用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸流体の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システムを含む様々なタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において投影レンズという用語を使用した場合、これはさらに一般的な投影システムという用語と同義と見なすことができる。0051また、照明システムは、放射ビームを誘導し、整形し、又は制御する屈折、反射、及び反射屈折光学コンポーネントを含む、様々なタイプの光学コンポーネントを包含してよく、そのようなコンポーネントも以下においては集合的に又は単独でレンズとも呼ばれることがある。0052リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ又はそれ以上の基板テーブル及び/又は2つ以上の支持構造を有するタイプでよい。このようなマルチステージ機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、1つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に1つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。0053また、リソグラフィ装置は、投影システムの最終要素と基板との間の空間を充填するように水などの比較的高い屈折率を有する液体内に基板が浸漬されるタイプであってもよい。投影システムの開口数を増加させる液浸技術は当技術分野で周知である。0054図1は、本発明の特定の実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームPB例えば、UV放射又はDUV放射を調節する照明システムイルミネータILと、パターニングデバイス例えば、マスクMAを支持し、部品PLに対してパターニングデバイスを正確に位置決めする第1の位置決めデバイスPMに接続された支持構造例えば、支持構造MTと、基板例えば、レジストコートウェーハWを保持し、部品PLに対して基板を正確に位置決めするように第2の位置決めデバイスPWに接続された基板テーブル例えば、ウェーハテーブルWTと、パターニングデバイスMAによって放射ビームPBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば、1つ又は複数のダイを含む上に結像するように構成された投影システム例えば、屈折型投影レンズPLとを備える。0055本明細書で示すように、本装置は透過タイプである例えば透過マスクを使用する。あるいは、装置は反射タイプでもよい例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する。0056イルミネータILは放射源SOから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び/又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムBDの助けにより、放射源SOからイルミネータILへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源SO及びイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDとともに放射システムと呼ぶことができる。0057イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタADを備えていてもよい。通常、イルミネータILの瞳面における強度分布の外側及び/又は内側半径範囲一般にそれぞれ、σouter及びσinnerと呼ばれるを調節することができる。また、イルミネータILは、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータILを用いて放射ビームPBを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。0058放射ビームPBは、支持構造MT上に保持されたパターニングデバイス例えば、マスクMAに入射する。パターニングデバイスMAを横断した放射ビームPBは、レンズPLを通過し、レンズPLは、放射ビームを基板Wのターゲット部分C上に合焦させる。第2の位置決めデバイスPW及び位置センサIF例えば干渉計デバイスの助けにより、基板テーブルWTを、例えば放射ビームPBの経路において様々なターゲット部分Cに位置決めするように正確に移動することができる。同様に、第1の位置決めデバイスPM及び別の位置センサ図1には明示されていないを使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームPBの経路に対してパターニングデバイスMAを正確に位置決めすることができる。一般的に、オブジェクトテーブルMTとWTの移動は、位置決めデバイスPMとPWの一部を形成するロングストロークモジュール粗動位置決め及びショートストロークモジュール微動位置決めの助けにより実現できる。しかしながら、ステッパの場合スキャナとは対照的に、支持構造MTをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。パターニングデバイスMA及び基板Wは、パターニングデバイスアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。0059図示のリソグラフィ装置は以下の好適なモードにて使用可能である。00601.ステップモードにおいては、支持構造MT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、ビームPBに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影されるすなわち単一静的露光。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Cのサイズが制限される。00612.スキャンモードにおいては、支持構造MT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、ビームPBに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影されるすなわち単一動的露光。支持構造MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの拡大縮小及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Cの非スキャン方向における幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Cのスキャン方向における高さが決まる。支持構造及び基板テーブルは、方向yに平行な方向に移動できる。00623.別のモードでは、支持構造MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、ビームPBに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。0063上述した使用モードの組合せ及び/又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。0064不均一なレンズ加熱の低減は、投影システムの素子の常温部分、すなわち、ビームの強力な部分が横断しない部分を加熱する赤外線などの追加の放射源の提供を含む。例えば、輪帯照明又は変形照明によって引き起こされる不均一な加熱に対処する、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする、日本国特許出願第JP-A-08-221261号を参照されたい。このような追加の放射源及び追加の熱放射を正確な場所へ導くガイドの提供によってシステムの複雑性が増し、投影システムでの増大した熱負荷は、より大容量の冷却システムの提供を必要とする。0065スリット形状の照明野によって引き起こされる不均一な加熱に対処する別の提案が、投影システム内のレンズ素子の照明が回転対称になるように放射を発散させるレチクル領域外のレチクルステージに提供される特別のレンズ照明マークを記載する、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする、米国特許第6,603,530号に開示されている。レンズ素子は、生産露光前に特別のマークを通過する照明によって熱的に飽和するため、スリット形状の照明システムによって引き起こされる非回転対称加熱は非回転対称収差を引き起こさない。0066局所照明モードによって引き起こされる不均一なレンズ加熱は、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとするWO2004/051716号で対処されている。この文書に記載された1つの提案では、ウェーハ交換中にダミー照射を実行して、生産露光における不均一な加熱に影響されるレンズ素子の常温部分を加熱する。ダミー照射中に、ダミー照射の加熱効果が生産露光の加熱効果の逆になり、正味加熱がさらに均一になるように、回折光学素子又は調節可能な絞りを使用して、照明モードが、生産露光に使用される照明モードとは逆になるように設定される。この文書の別の提案は、追加の赤外線放射を使用して、選択されたレンズ素子を局所的に加熱することである。0067図2は、図1の装置の基本的な光学的構成を示す。これは、ケーラー照明を使用し、ここで照明システムILの瞳面PPiは、パターニングデバイスMAが配置されたオブジェクト面のフーリエ変換面であり、投影システムPLの瞳面PPPと共役である。従来と同様に、この装置の照明モードは、照明システムの瞳面PPiにおけるビームBの放射の強度分布に関して記述できる。投影システムPLの瞳面PPPにおける強度分布は、照明システムの瞳面PPiにおける強度分布と同じであり、パターニングデバイスMA内に存在するパターンの回折効果を受けることが分かる。回折光学素子又は他の光学素子10が提供されて照明モードが形成される。0068基本的に一方向の線からなるパターンの場合、投影システムの瞳面PPP内で、照明システム内の2つの極の各々から得られる1次回折ビームの一方が、他方の極から得られる0次ビームと一致するようにそれぞれの極が配置された双極照明を使用することで、良好な結像及び大きいプロセスウィンドウを入手できる。他方の1次ビーム及びそれより高い次元のビームは、投影システムによって捕捉されない。双極照明は照明モードの一例である。リソグラフィ装置は、放射ビームの空間周波数分布すなわち、瞳面内の強度分布及び/又は強度分布すなわち、視野面内のを操作して様々な照明モードを作成できる放射ビーム操作器を有してもよい。基板上に投影するパターンの構造に応じて様々な照明モードを使用できる。下記の本発明は、任意の適当な照明モードすなわち、双極照明モードに限らずと併用できることが理解されるであろう。0069二重極の一般的に使用される形態を図3に示す。極21は、例えば30°の角度に対する環の弓形という形態をとる。この強度分布は、良好な結像を提供し、回折光学素子及びズームアキシコンを用いて容易に生成できるため便利である。しかし、このような強度分布は、周知の調節可能な光学素子例えばレンズALEで補正できない投影システムPL内の光学素子例えばレンズLEの不均一な加熱によって引き起こされる収差を生むことがある。これらの光学素子LEはリソグラフィ装置の視野面付近又は瞳面付近に位置してもよいが、光学素子LEはリソグラフィ装置の放射ビームのビーム経路内の任意の適当な位置にあってもよい。この場合も環状であるが、例えば90°図3参照などのより大きい角度に対する二重極22を含む強度分布によって引き起こされる加熱効果は、許容可能であるか、又は周知の調節可能な光学素子ALEによって補正可能である。しかし他の点では、このような強度分布は結像性能が劣る。これは、1次の回折次数は瞳面の外側になる部分が大きく、像のコントラストが低下するからである。0070図4~図6は、本発明のリソグラフィ装置の一部を形成するビーム修正装置20を示す。ビーム修正装置20は、リソグラフィ装置内のビーム経路に沿った任意の適当な位置にあってもよい。例えば、ビーム修正装置20は、リソグラフィ装置の瞳面ではない平面内にあってもよい。例えば、ビーム修正装置20はリソグラフィ装置の視野面付近の平面内にあってもよい。このような平面を近視野面と呼ぶことができる。ビーム修正装置が位置できる近視野面の一例を図2に概略で示し、NPPで示す。この例では、ビーム修正装置は、リソグラフィ装置の投影システムPL内の、リソグラフィ装置の瞳面PPPの上流側の場所にある放射ビームの移動方向に関して近視野面NPPにある。0071図4~図6に示すビーム修正装置20は、放射ビームの光軸の実質的に垂直になるようにリソグラフィ装置内に装着されている。この例では、放射ビームの光軸は図4の平面に実質的に垂直な方向Zにある。0072ビーム修正装置20は、第1及び第2の壁部材22、24を備える。この実施形態の第1及び第2の壁部材22、24は一般に平面状であり、それらが互いに平行になりそれらの間に導管26を画定するような相互位置関係に装着される。第1及び第2の壁部材22、24はリソグラフィ装置の放射ビームの少なくとも一部が通過できるような材料から形成される。0073導管26は、第1及び第2の壁部材22、24だけでなく側壁部材28、30によっても画定される。ビーム修正装置20は、流体提供装置が導管26に流体を提供するように流体提供装置図示せずに接続されている。この実施形態では、流体提供装置及び導管26は、導管を通過する流体のフローが実質的に層状になるように構成されている。導管26を通過する流体フローが層状であるという事実は、流体が導管26内を実質的に平行な層をなして流れるということを意味する。この例では、流体は実質的に方向yに移動し方向xに互いに離間した平行な層をなして流れる。0074流体提供装置は、流体が図4の最上部に示す導管の部分から図4の最下部に示す導管の部分へ導管26内を通過する矢印で示す方向にように導管26に流体を提供する。導管26は、導管を通過する流体フローの方向に垂直な一般に細長い断面を有する。図示の実施形態では、導管26を通過する流体フローの方向に垂直な導管の断面の長手軸はx方向に平行である。0075熱交換器32は、導管26の一部と熱連通するように配置されている。この例では、熱交換器32は少なくとも一部が導管26内に含まれている。熱交換器は、導管26内の流体の温度を上げるヒータであってもよい。熱交換器は、導管26を流れる流体の温度を下げる冷却器であってもよい。幾つかの実施形態では、熱交換器はヒータと冷却器との組合せであってもよい。熱交換器32は、熱交換器32が流体フローの方向方向Yを横断する方向に導管26を横切って延在するように、方向Xに実質的に平行で流体フローの方向方向Yに実質的に垂直な軸HAに沿って配置される。0076ビーム修正装置20は、使用時に、放射ビームが導管26と導管26を流れる流体とを通過するように、リソグラフィ装置の放射ビームの経路内に装着される。特に、放射ビームはまず第1の壁部材22を通過し、次に導管26を通過する流体、さらに第2の壁部材24を通過する。図4を参照すると、ビームは円形の区域OAで示されるビーム修正装置20の領域を通過する。リソグラフィ装置の放射ビームが通過するビーム修正装置20の区域をビームの光学領域と呼んでもよい。図示のビーム修正装置20及びビーム修正装置がその一部を形成するリソグラフィ装置は、ビームの光学領域又は断面の実質的に全体が導管26を通過するように構成されている。上記の放射ビームの光学領域は一般に形状が円形であることが理解されるであろう。光学領域は任意の形状で、放射ビームの構成とリソグラフィ装置の一部としてのビーム修正装置の位置と向きとに依存してもよい。0077熱交換器32は、熱交換器32が、放射ビームがそれを介してビーム修正装置20したがって、導管26を通過する区域OAの上流側流体フローの方向方向Yに対してに位置する導管26の部分と熱連通するように配置される。0078図示の実施形態では、熱交換器32はヒータである。ヒータ32放射ビームが通過する導管の部分の上流側のに通電することで、ヒータによって加熱された流体が放射ビームが通過する導管の部分の下流側で導管を通過する。0079導管26内を移動する間に流体が維持する熱の量を最大限にするためにすなわち、熱損失、すなわち、流体がヒータ32の下流側で導管内を流れる際の流体の温度低下を最小限にするために、幾つかの実施形態では、導管26を画定する第1及び第2の部材22、24は、熱伝導率が低い材料から形成されることが望ましい。このようにして、加熱された流体から導管を画定する壁例えば、第1の壁部材22と第2の壁部材24へ移送される熱の量は最小限にされる。0080導管26を通過する流体は、任意の適当な液体又はガスであってもよい。流体は、その温度の関数として変化する光学特性を有する。幾つかの実施形態では、流体の温度の関数として変化する光学特性は流体の屈折率である。ヒータ32を用いて導管26を通過してビーム修正装置20を通過する放射ビームの経路内へ流れる流体の温度を変化させることができる。導管26を通過してリソグラフィ装置の放射ビームの経路内へ流れる流体の温度を変化させることで、放射ビームが通過する流体の屈折率を変化させることができる。放射ビームが通過する流体の屈折率を変化させることで、ビーム修正装置20を通過する放射ビームの少なくとも一部の経路の長さ及び/又は位相を変更することができる。0081ビーム修正装置20を通過する放射ビームの長さ及び/又は位相を変化させることで視野面付近の平面内に配置されるようにビーム修正装置20がリソグラフィ装置内に装着されるある実施形態では、ビーム修正装置20を用いて視野効果すなわち、基板がリソグラフィ装置内で位置する平面などの視野面内の放射ビームの特性に影響する効果を補正することができる。視野効果は、レンズ加熱効果上記の及び/又は常温下のレンズ収差の効果を含んでもよい。常温下のレンズ収差は、リソグラフィ装置自体の固有の欠陥によるレンズの加熱ではなくリソグラフィ装置の視野面に形成された像内の収差である。ビーム修正装置を用いてリソグラフィ装置の放射ビームの波面を調整してリソグラフィ装置によって視野面すなわち、基板が位置する平面に形成される像を拡大することができる。0082ビーム修正装置20を通過する放射ビームの長さ及び/又は位相を変化させることで瞳面付近の平面内に配置されるようにビーム修正装置20がリソグラフィ装置内に装着されるある実施形態では、ビーム修正装置20を用いて瞳効果すなわち、瞳面、したがって、対応する視野面基板がリソグラフィ装置内で位置する平面などの内の放射ビームの特性に影響する効果を補正することができる。瞳効果は、レンズ加熱効果上記の及び/又は常温下のレンズ収差の効果を含んでもよい。この例の常温下のレンズ収差は、リソグラフィ装置自体の固有の欠陥によるレンズの加熱ではなくリソグラフィ装置の瞳面の放射ビームの強度分布の収差である。0083導管内を流れる流体は、温度の関数として変化する光学特性この実施形態では光学特性は屈折率であるを有し、またリソグラフィ装置の放射ビームの少なくとも一部を通過させる限り、任意の適当な流体であってもよい。その温度の関数としてその屈折率を変化させる好適な流体の例としては、水、空気好ましくは、清浄化され乾燥された、窒素及びヘリウムが挙げられる。0084図4~図6に示す実施形態では、熱交換器32この例では、ヒータは、各々が導管26の異なる部分と別々に熱交換できる複数のヒータ素子34を有する。特に、ヒータ32のヒータ素子34は、導管を通過する流体のフローの方向Y方向に垂直な軸HAに沿って配置されているので、それぞれのヒータ素子24によって加熱される導管部分の各々も結果として軸HAに沿って配置される。したがって、対応するヒータ素子34によって加熱される導管部分の各々は、軸HAに沿って他の導管部分から離間している。軸HAは、導管26を通過する流体のフローの方向Y方向に実質的に垂直である。軸HAは、流体フローの方向を横切って延在できる。上記のように、導管を通過する流体のフローは実質的に層状である。このために、また、ヒータ32のヒータ素子34が流体フローの方向を横切る方向に互いに離間しているため、各ヒータ素子は、層状の流体の別々の平行な層を加熱することができる。0085導管26を通過する流体フローが実質的に層状であるという事実によって、ヒータ素子34の1つを用いて導管26の一部を加熱することで、そのヒータ素子34を通過する導管26を通過する流体の部分が加熱されすなわち、温度が上がり、流体の加熱された部分は導管を通して流体フローの方向に下流側へ移動する。上述したように、導管26を通過する流体は層状のため、導管26を通過する流体は実質的に互いに相互作用しない幾つかの流れる部分と考えられる。その結果、導管を通過する流体がヒータ素子によって加熱されると、流体は導管を通して流体フローの方向に下流側へ流れ、導管26の他の部分を通過する流体と実質的に相互作用しない。0086図4及び図6は、熱交換制御装置図示せずによって制御される熱交換器この例ではヒータを示す。熱交換制御装置は、ヒータ素子34の各々が個別に通電でき、それぞれのヒータ素子34と熱交換する導管部分の各々が個別に加熱できるように熱交換器を制御するように構成されている。図4を参照すると、Eで示されるヒータ素子34が通電されている。ヒータ素子Eに通電することで、導管26を通過する流体の36で示す部分が加熱される。流体36の加熱された部分は、図を見やすくするために黒で表示している。しかし、この実施形態の場合、流体の色の変化又は流体の温度の関数としての流体の放射吸収特性の低減は実質的に存在しないことが理解されるであろう。流体の加熱された部分が放射が通過するビーム修正装置20の導管26の区域OAを通過することが分かる。流体の屈折率が流体の温度の関数として変化するという事実のために、導管26を通過する流体の部分36の屈折率がヒータ32のヒータ素子34によって加熱されなかった導管を通過する流体の屈折率と異なることが理解されるであろう。0087通電されたヒータ素子Eによって加熱された導管26内の流体の部分に隣接する流体の部分を破線で示し符号38を付けている。導管26を通過する流体の特性特に流体の熱伝導率に応じて、これらの隣接する区域38は、流体のそれぞれの加熱された部分36から隣接する部分38への熱伝導によって加熱できる。この例では、導管26を通過する流体の隣接する部分38は、流体の加熱された部分36と流体の残りの部分すなわち、加熱された部分36と中間部分38以外の流体の部分との中間の温度である。流体の隣接する部分の中間温度の結果として、隣接する部分38は、流体の加熱された部分36と導管を通過する流体の残りの部分の中間の屈折率を有する。0088熱交換制御装置を用いてヒータ32のヒータ素子34の各々を制御することで、導管26を通過する流体の別々の部分の温度を別々に制御できる。導管を通過する流体のこれらの別々の部分は、流体フロー方向を横切って離間する。ヒータ32のヒータ素子34に異なる程度に通電してそれらが導管を通過する流体を異なる程度に加熱し、導管を通過する流体の別々の部分を異なる温度にすることができる。導管を通過する流体の別々の部分が異なる温度である場合、それらは、異なる屈折率を有する。各ヒータ素子34が通電される少しでもある場合程度を制御し、隣接する加熱した区域38の存在を考慮することで、導管26を横切ってすなわち、流体フローの方向に垂直な方向に流体の温度プロファイルを制御することができる。導管26を横切って流体の温度プロファイルを制御することで、導管26を横切って流体の屈折率プロファイルを制御できる。温度に依存する流体の光学特性が屈折率以外の光学特性である実施形態では、ビーム修正装置20のヒータ32のヒータ素子34によって制御されるのはこの光学特性のプロファイルであることが理解されるであろう。導管を横切って流体の光学特性のプロファイルを制御することで、放射ビームの個々の部分が通過する流体の個々の部分流体フローの方向を横切って離間しているの光学特性を制御することができる。したがって、上述したように、ヒータ素子の各々を制御することでビーム修正装置を通過する放射ビームの特性を制御することができる。0089図4~図6に示す実施形態は、複数の導管部分と別々に熱を交換できる熱交換器32を有する。これは、この例では、熱交換器32が別々に制御可能なヒータ素子34を備えたヒータであることによる。これらのヒータ素子34は、導管26を横切って延在し導管26を通過する流体のフローの方向方向Yに実質的に垂直な軸HAに沿って配置されている。他の実施形態の熱交換器は異なっていてもよいことが理解されるであろう。例えば、熱交換器は、流体フローの方向に実質的に垂直な軸上に全てが並んではいない複数の導管部分と別々に熱を交換できる。熱交換器は、一般に導管を通過する流体の大量の流体フローの方向に対して互いに上流側又は下流側に位置する導管部分と別々に熱を交換できる。熱交換器では、熱交換器が別々に熱を交換できる導管部分が流体フローの方向を横切る方向に互いに離間していることが好ましい。すなわち、複数の導管部分は、各々導管を通過する層状流体の別々の層を移送する。0090本発明の幾つかの実施形態では、熱交換器は、時間依存の形で複数の導管部分流体フローの方向を横切る方向に互いに離間していると別々に熱を交換できるように構成された熱交換制御装置によって制御可能である。例えば、熱交換制御装置は、熱交換器が異なる時間に、又は異なる期間に導管部分の各々と別々に熱を交できるように構成してもよい。例えば、熱交換制御装置は、熱交換器がパルス方式で導管部分の各々と別々に熱を交換できるように構成してもよい。さらに、熱交換装置は、熱交換器が導管部分の各々と異なる量の熱を別々に交換できるように構成してもよい。0091上記の実施形態では、熱交換器が熱連通する導管部分すなわち、ヒータ素子を含む導管部分と放射ビームが通過する導管部分は、共に第1及び第2の壁部材によって画定される。これは、幾つかの実施形態では不利である。何故なら、熱交換器は、第1及び第2の壁部材が熱交換器との熱の交換によって引き起こされる温度変化によって機械的変形を受けるまで第1及び第2の壁部材と熱を交換できるからである。この状況では、放射ビームが導管を通過する位置での第1及び第2の壁部材の変形が発生することがある。その結果、リソグラフィ装置の結像性能に悪影響を与える光学システム内の収差がさらに発生することがある。この理由から、幾つかの実施形態では、熱交換器と熱連通する導管部分と放射ビームが通過する導管部分とを分離することが望ましい。例えば、導管のこれらの部分を別々の壁部材で形成し、及び/又は異なる熱特性を有する異なる材料から形成してもよい。0092上述したように、幾つかの周知のリソグラフィ装置は、基板が水などの比較的高い屈折率を有する流体例えば、液体内に浸漬されて投影システムの最終要素と基板との間の空間を充填するタイプであってもよい。投影システムの開口数を増やす液浸技術は当技術分野で周知である。0093局所流体供給システムを備えた液浸リソグラフィ構成の一例を図7に示す。この構成は、投影システムPLの最終要素と基板テーブル又は基板Wとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する封止部材又はいわゆる液浸フードを有する流体供給システムを提供する。封止部材はXY平面内で投影システムPLに対して実質的に静止しているが、Z方向光軸の方向に相対運動があってもよい。封止部材70と基板Wの表面との間に封止が形成される。0094封止部材70は投影システムPLの像視野の周囲に基板Wとの無接触封止を形成するため、流体例えば液浸液は閉じ込められて基板表面と投影システムPLの最終要素との間の貯留槽又は液浸空間71を充填する。貯留槽71は、投影システムPLの最終要素の下に位置しそれを取り囲む封止部材70によって形成されている。液浸流体は、投影システムの下の空間、さらに封止部材70の内部に導入される。封止部材70は投影システムPLの最終要素のやや上に延在し、液体は最終要素より上まで上昇するため、液体の緩衝域が提供される。封止部材70は上端で、ある実施形態で、投影システム又はその最終要素の形状に正確に一致する、例えば丸い内周を有する。底部で、内周は像視野の形状、例えば矩形に正確に一致するが、これはそうでなくてもよい。0095液浸流体は、封止部材70の底面と基板Wの表面との間のガスシール76によって貯留槽内に閉じ込められる。ガスシールは、例えば空気又は合成空気によって形成されるが、ある実施形態では、入口75を介して封止部材70と基板との間のギャップへ不足圧力下で提供され第1の出口74を介して抽出されるN2その他の不活性ガスで形成される。ガス入口75上の過剰圧力、第1の出口74上の真空レベル及びギャップの幾何学構成は、液体を閉じ込める高速ガスフローが生まれるように配置されている。このようなシステムは、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする米国出願公開第2004-0207824号に開示されている。0096その他の液浸リソグラフィ構成も可能であり、本発明の1つ又は複数の実施形態はそれらに適用可能である。例えば、ガスシール76の代わりに液体だけを抽出する単相抽出器を有することができる。このような単相抽出器の半径方向外側にガスフローを生成して液体を空間内に封じ込める1つ又は複数の特徴を配置してもよい。そのようなタイプの1つの特徴は、ガスの薄い噴流が基板W上に下方に誘導されるいわゆるガスナイフであってもよい。投影システムと液体供給システムの下の基板のスキャン運動の間、基板に向けて下方に液体に圧力をかける静水学的及び動水学的な力を生成することができる。0097局所領域液体供給システムを用いて、基板Wは、投影システムPLと液体供給システムの下を移動する。テーブルの相対運動は基板Wの縁部を結像させるためであってもよく、又は基板テーブル上のセンサを感知目的で、又は基板交換のために結像するためであってもよい。基板交換は、異なる基板の露光の間の基板テーブルからの基板の除去と交換である。基板交換中、液浸液を流体閉じ込めシステム70内に保持することが望ましい。これは、基板テーブルに対して流体閉じ込めシステム70を移動させることで、又はその逆の手順で達成される。したがって、流体閉じ込めシステムは、基板Wから離れて基板テーブルの表面に配置される。このような表面はシャッター部材であってもよい。液浸液は、ガスシール76を操作して、又はシャッター部材を流体閉じ込めシステム70の下面に固締することで保持できる。固締は、流体閉じ込めシステム70の下面に提供される流体のフロー及び/又は圧力を制御することで達成できる。例えば、入口75から供給されるガスの圧力及び/又は第1の出口74から作用する不足圧力を制御できる。0098流体閉じ込めシステム70がその上方に配置された基板テーブルの表面は基板テーブル72の一体化部分であってもよく、又は基板テーブル72の着脱式及び/又は交換式コンポーネントであってもよい。そのような着脱式コンポーネントを閉鎖ディスク又はダミー基板と呼んでもよい。着脱式又は、分離可能なコンポーネントは別のステージであってもよい。デュアルステージ又はマルチステージ構成では、基板テーブル72全体が基板交換中に交換される。そのような構成では、基板テーブルの間で着脱式コンポーネントを移送できる。シャッター部材は、基板交換前に基板テーブル付近まで移動可能な中間テーブルであってもよい。次に、基板交換中に液体閉じ込めシステムを中間テーブル上に移動させるか、又はその逆の手順を実行することができる。シャッター部材は、基板交換中にステージの間に配置できる引き込み式ブリッジなどの基板テーブルの可動コンポーネントであってもよい。基板交換中にシャッター部材の表面を液体閉じ込め構造の下で移動させ、又はその逆の手順を実行できる。0099基板交換中に、基板Wの縁部は液浸空間71の下を通過し、流体が基板Wと基板テーブル72との間のギャップ内に漏出することがある。この液体は、静水学的又は動水学的圧力又はガスナイフあるいはその他のガスフロー生成デバイスの力で押し込むことができる。ギャップ内などの基板Wの縁部の周囲に排水溝を提供してもよい。排水溝は、基板テーブルの別のオブジェクトの周囲にあってもよい。そのようなオブジェクトは、例えば、基板交換中に流体供給システムの底部に取り付けることで流体を流体供給システム内に保持するための1つ又は複数のセンサ及び/又はシャッター部材を含むが、これらに限定されない。したがって、基板Wへの言及は、センサ又は閉鎖板などのシャッター部材を含む任意のそのような他のオブジェクトと同義であると考えられる。0100図4~図6に示す実施形態は、投影システムPL内のリソグラフィ装置の瞳面の上流側に位置する放射ビームの方向に関してビーム修正装置を有していたが、本発明の一部を形成するビーム修正装置は、リソグラフィ装置内の任意の位置に配置してもよいことが理解されるであろう。例えば、図7は、リソグラフィ装置の一部を示す。上記のビーム修正装置と同様のビーム修正装置はここで以下のように配置できる。0101図4~図6に示すビーム修正装置で、その温度に依存する光学特性を有する流体が流れる導管26が第1及び第2の壁部材22、24と側面部材28、30との間に画定されている。図7では、投影システムPLの最終要素とウェーハW又は基板との間に、封止部材70液浸フードとも呼ばれるによって導管が画定されている。導管は液浸空間71とも呼ばれる。導管又は液浸空間71は、その温度に応じて光学特性を変化させる流体で充填できる。例えば、導管71内の流体は、その温度に応じて屈折率を変化させることができる。導管71内の流体は、具体的な実施形態に応じて液浸液すなわち、リソグラフィ装置の投影システムPLの開口数を変化させる流体であってもよく、そうでなくてもよい。0102導管71は、流体提供装置図示せずによって流体が導管71に提供されるように構成してもよい。流体提供装置及び導管71は、流体が実質的に層状に導管71を通過するように構成できる。流体提供装置及び導管71は、導管71内の流体が図の平面に垂直な方向に流れるように構成できる。導管71を通過する流体の層流は、流体内の層の存在を示す導管71内の平行な線によって図内に概略が示されている。0103上述した実施形態では、熱交換器をリソグラフィ装置の放射ビームが導管71を通過してウェーハW又は基板に入射する場所の上流側にある流体フローの方向に関して導管の一部と熱連通するように提供できる。0104上述したように、複数の導管部分と別々に熱を交換できるという点で、この実施形態で使用する熱交換器は、上述した実施形態の熱交換器と同様であってもよい。したがって、導管内の流体の別々の部分の光学特性は別々に制御でき、したがって、ビーム修正装置を通過する放射ビームの特性は上述したように制御可能である。0105図7に示すビーム修正装置を図4~図6に示すビーム修正装置の代わりに使用できる。しかし、幾つかのリソグラフィ装置では、図4~図6に示すビーム修正装置と図7に示すビーム修正装置の両方を互いに連携して使用できる。0106上記の実施形態の両方に共通に、本発明の一部を形成するビーム修正装置は、導管を通過する流体の方向がビーム修正装置を通過する放射ビームの光軸に実質的に垂直にあるように配置できる。これは、幾つかの実施形態では必須ではない。ビーム修正装置は、放射の光軸及び/又はリソグラフィ装置のその他の特徴に対して任意の適当な向き例えば、スキャン方向に装着できる。したがって、ビーム修正装置の導管を通過する流体の方向も放射の光軸及び/又はリソグラフィ装置のその他の特徴に対して任意の適当な向き例えば、スキャン方向であってもよい。0107ビーム修正装置は、導管を通過する流体フローの方向がリソグラフィ装置のスキャン方向にほぼ平行であるようにスキャンモードで動作可能なリソグラフィ装置内に装着できる。この理由は以下の通りである。スキャンモードで動作するリソグラフィ装置は、一般にスリット状の放射ビームを有する傾向がある。次に、スリット状の放射ビームは、パターニングデバイスと基板の両方にわたってスキャンされる。スリット状の放射ビームは本来、ある方向の寸法が第2の垂直方向の寸法よりもはるかに大きい。そのようなリソグラフィ装置の放射ビームは、スリット状の放射ビームのより大きい部分がリソグラフィ装置のスキャン方向に実質的に垂直に延びるような向きであってもよい。これは、放射ビームがリソグラフィ装置のスキャンのためにリソグラフィ装置のスキャン方向の所与の長さであると考えられるために、リソグラフィ装置の放射ビームがリソグラフィ装置のスキャン方向に平行な実質的な長さを必要としないからである。スキャンモードにおいて動作可能なリソグラフィ装置の放射ビームのスリット状の性質のために、そのより小さい寸法に沿って放射ビームの特性を変化させる能力はそのより大きい寸法に沿って放射ビームの特性を変化させる能力と比べて有用でない。さらに、熱交換器によってビーム修正装置の流体導管の個別部分が対処可能な解像度によっては、スリット状の放射ビームのより小さい寸法に沿って離間した導管の異なる部分を扱おうとすることは現実的でない。0108本発明の一部を形成する上記のビーム修正装置は、流体が第1の方向に流れる単一の導管を有しているが、その他の実施形態は複数の導管を備えてもよい。例えば、ビーム修正装置は、互いに実質的に平行に延在する複数の導管を有してもよい。代替実施形態では、ビーム修正装置は、各々が異なった方向に流れる流体を有する少なくとも階層状の2つの導管を有してもよい。階層状の導管は、放射ビームがすべての導管したがって、導管の各々を通過するそれぞれの流体を通過するようにリソグラフィ装置内に配置できる。一例では、ビーム修正装置は、各々の導管を通過する流体フローの方向が他方のそれに対して垂直である階層状の2つの導管を有してもよい。導管の各々は、流体フローの方向を横切る方向例えば、流体フローの方向に垂直な方向に互いに離間した複数の導管部分と別々に熱交換を行うことができる熱交換器を有する。このようにして、2つの導管は擬似ピクセルのアレイを形成でき、その少なくとも幾つかの光学特性を個別に制御できる。擬似ピクセルのアレイを作成することで、上記方法は、ビーム修正装置の光学特性に関してより大きい自由度とより大きい度合いの制御を提供できる。すなわち、上記方法は、ビーム修正装置の光学特性の2次元制御を提供できる上述した実施形態におけるビーム修正装置の光学特性の1次元制御と対比して。0109幾つかの実施形態では、ビーム修正装置は、既存のリソグラフィ装置にレトロフィットできるサイズと形状であってもよい。例えば、ビーム修正装置は、リソグラフィ装置の一部をすでに形成する光学素子と置き換え可能なサイズと形状であってもよい。0110図8~図11は、本発明の別のビーム修正装置を示す。図8~図11は、本発明のリソグラフィ装置の一部を示す。リソグラフィ装置は、支持構造MT上に保持されるパターニングデバイスMAに入射する放射ビームPBその光学領域がOAでマークされた破線によって示されているを生成する。放射ビームPBは、パターニングデバイスMAを通過し、次に投影システムPLのレンズ素子LEを通過する。0111リソグラフィ装置は、支持構造MTしたがって、パターニングデバイスMAが方向Yに実質的に平行な方向に投影システムPLのレンズ素子に対して平行移動するスキャンモードで動作できる。0112ビーム修正装置は、支持構造MTこの例では、レンズ素子光学素子に対して移動可能な可動部材を構成するに装着された加熱装置80を有する。支持構造MTは、加熱装置80が放射ビームPBの光学領域OAの外側にある第1の位置図8に示すと加熱装置80が放射ビームPBの光学領域OAの内側にある第2の位置図9に示すとの間で移動可能である。0113加熱装置80は、第2の位置にある時に投影システムPLのレンズ素子LEを加熱できるように構成されている。投影システムPLのレンズ素子LEを加熱するために任意の適当な加熱装置を使用できる。幾つかの実施形態では、加熱装置は赤外線放射源を有してもよい。例えば、幾つかの実施形態の加熱装置は、約0.1μm~約500μmの波長を有する放射を発することができる。そのような実施形態では、入射する加熱装置の赤外線放射のためにレンズ素子LEの加熱が最大限になるためにレンズ素子LEは、好ましくは赤外線放射の吸収度が高い。例えば、レンズ素子LEが石英ガラスから形成されている場合、2.8μm前後と約4.5μmを超える波長がレンズ素子LEによって吸収される度合いが高い。しかし、石英ガラスによって引き起こされる赤外線放射の反射が約8μmを超える赤外線放射の波長の増大を示していることに留意されたい。反射した赤外線放射はレンズ素子LEによって吸収されず、したがって、レンズ素子LEの加熱に貢献しない。この理由から、約2.8μmと約4.5μm~約8μmの波長を有する赤外線放射が石英シリカから形成されるレンズ素子を加熱するのに最も好適である。0114赤外線放射源は、赤外線レーザ装置であってもよい。0115投影システムPLのレンズ素子LEは、リソグラフィ装置の投影システムPLの一部を形成する第1のレンズ素子であってもよい。投影レンズの第1のレンズ素子は、一般にパターニングデバイスMAに最も近い投影レンズのレンズ素子として定義される。投影レンズの第1のレンズ素子は、リソグラフィ装置の視野面付近のリソグラフィ装置の光学平面内に位置する。したがって、第1のレンズ素子の光学特性を変化させることでリソグラフィ装置の視野面すなわち、基板が位置する平面でのリソグラフィ装置の放射ビームの放射強度分布を変化させることが可能である。0116加熱装置80を用いてレンズ素子LEを加熱することでレンズ素子の特性を変化させることができる。例えば、レンズ素子の光学特性を変化させることができる。レンズ素子LEは、温度の関数としての屈折率を変化させる材料から形成できる。さらに、レンズ素子LEの形状は、レンズ素子が形成される材料の温度に依存する膨張又は収縮によって変化させることができる。レンズ素子LEの形状を変化させるとレンズ素子LEの形状も変化する。上述したように、図9は、加熱装置80が放射ビームPBの光学領域内にある第2の位置の支持構造MTを示す。第2の位置で加熱装置80はレンズ素子LEを加熱でき、特に加熱装置80はレンズ素子LEの第1の範囲を加熱できる。図9内で、レンズ素子LEの第1の範囲は、レンズ素子の左側の部分図の向きに対してである。図10は、加熱装置80が光学素子の第2の範囲を加熱するように構成された第3の位置にある可動部材支持構造MTを示す。図10内で、レンズ素子LEの第2の範囲は、レンズ素子LEの右側の部分図の向きに対してである。可動支持構造MTは、第2の位置と第3の位置の間を移動するが、加熱装置80は、レンズ素子LEの実質的にどの部分も加熱装置80によって加熱されるようにレンズ素子LEの上部を通過する。レンズ素子上部の異なる位置にある時に加熱装置に通電することでレンズ素子の特定の部分を選択的に加熱するしたがって、その光学特性を変化させることができる。0117この実施形態の投影システムPLの光学素子は光学レンズ素子であるが、ビーム修正装置の加熱装置80によって任意の適当な光学素子を加熱することができる。例えば、光学素子はミラーであってもよい。投影システム及び/又は投影システムがその一部を形成するリソグラフィ装置は、ほぼ反射型のシステム例えば、リソグラフィ装置の放射が極端紫外線EUV放射の場合、ほぼ透過型のシステム上記又は反射屈折型システムであってもよい。0118上記のビーム修正装置は可動パターニングデバイス支持構造に装着された加熱装置80を有するが、加熱装置が投影システムPL内の基板テーブル付近の位置にある光学素子を加熱できるように加熱装置を基板テーブルに装着してもよいことを理解されたい。0119可動部材実施形態に応じてパターニングデバイス支持構造、基板テーブル又はその他の任意の可動部材は第1及び第2の位置の間と、第2及び第3の位置の間を任意の適当な時間に移動できる。例えば、可動部材は、第1及び第2の位置の間並びに/又は第2及び第3の位置の間を基板の露光の間に移動できる。リソグラフィ装置は、基板がパターン付放射ビームに曝露される時間に投影状態にあり、基板がパターン付放射ビームに曝露されない時間に休止状態にあってもよい。0120図11は、図8~図10に示す支持構造MTを示す図である。図11は、放射ビームの光軸に平行な方向の図である。この図は、投影システムPLに最も近い支持構造MTの側面図である。この実施形態では、加熱装置80は2つの離散的な加熱素子82を備える。加熱素子は、加熱制御装置によって別々に通電可能な独立した熱源を構成する。加熱装置は任意の数の独立した熱源を有してもよく、熱源は任意の相対位置を有してもよいことを理解されたい。好ましくは、独立した熱源は、第2及び第3の位置の間並びに/又は第1及び第2の位置の間の移動方向である方向に互いに離間するように配置される。すなわち、独立した熱源は、可動部材が第2及び第3の位置の間並びに/又は第1及び第2の位置の間を移動する際に、第2及び第3の位置の間並びに/又は第1及び第2の位置の間の移動方向に実質的に垂直な方向に互いに離間した光学素子の様々な部分に対処できるように配置される。0121熱源82は支持構造MT内の窓84に隣接した位置にあるため、放射ビームはそこを通過できる。他の実施形態では、熱源は、支持構造MTの任意の適当な部分に装着できることを理解されたい。加熱装置80の熱源82は、リソグラフィ装置のスキャン方向図に示すY方向に実質的に垂直な軸に沿って配置されている。リソグラフィ装置のスキャン方向Y方向は、可動部材支持構造MTの第1及び第2の位置の間と第3及び第3の位置の間の移動方向である。加熱装置80の熱源82に別々に通電することで、X方向X方向はY方向及びZ方向に実質的に直交し、Z方向は放射ビームの光軸に実質的に平行であるに離間したレンズ素子LEの各部分を選択的に加熱できる。したがって、レンズ素子LE上方のY方向の所望の位置にある加熱装置80の熱源82に別々に通電することで、X及びY方向の両方に離散的なレンズ素子の部分を選択的に加熱することができる。したがって、ビーム修正装置の加熱装置80を用いてX及びY方向の両方に離散的なレンズ素子LEの各部分の光学特性を変化させることができる。0122幾つかの実施形態では、加熱装置によって加熱される光学素子は、冷却流体又はその他の好適な装置によって冷却も可能である。したがって、光学素子との間で交換される熱に関して力の平衡が生まれ、光学素子内に安定した温度プロファイルが作成される。0123上記最初の2つの実施形態と共通して、この実施形態のビーム修正装置を用いて放射ビームを修正して放射ビームによるリソグラフィ装置内の別の光学コンポーネントの加熱に起因するリソグラフィ装置の基板で形成される像内の収差を補正することができる。代替的に又は追加的にビーム修正装置を用いて放射ビームを修正してリソグラフィ装置の光学システム内の固有の欠陥に起因するリソグラフィ装置によって基板に生成される像の収差を補正することができる。このような収差を常温下の収差と呼んでもよい。0124上記の実施形態の全てにおいて、ビーム修正装置は、放射ビームのビーム経路に沿った位置で放射ビームが通過する材料の少なくとも1つの光学特性を修正又は制御することができる。放射ビームのビーム経路に沿った位置は、リソグラフィ装置の瞳面でなくてもよい。リソグラフィ装置の瞳面以外の場所で放射ビームの特性を変化させるそれが通過する材料の光学特性を変化させることでによって視野効果上記を補正することができる。別々の瞳効果修正装置を用いて瞳面内の瞳効果を別々に補正することができる。上記実施形態によって、リソグラフィ装置の視野面内に例えば、基板が位置する場所に結像されるオブジェクトを放射ビームの経路内に配置することなく、リソグラフィ装置の瞳面以外の場所で放射ビームの特性を修正又は制御することができる。パターニングデバイスによって作成された像以外の像を視野面に作成するとリソグラフィ装置の結像性能すなわち、パターニングデバイスによって作成された像を基板上に結像する能力に悪影響が出ることがあり、したがって、望ましくない。0125幾つかの実施形態では、ビーム修正装置は、実質的にリソグラフィ装置の瞳面にある放射ビームのビーム経路に沿った位置にあってもよい。0126以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることを理解されたい。上記説明は本発明を限定するものではない。0127特許請求の範囲を解釈するには、発明の概要及び要約書の項目ではなく、発明を実施するための形態の項目を使用するよう意図されていることを理解されたい。発明の概要及び要約書の項目は、本発明者が想定するような本発明の1つ又は複数の例示的実施形態について述べることができるが、全部の例示的実施形態を述べることはできず、したがって本発明及び添付の特許請求の範囲をいかなる意味でも限定しないものとする。0128以上では、特定の機能の実施態様を例示する機能的構成要素及びその関係の助けにより、本発明について説明してきた。これらの機能的構成要素の境界は、本明細書では説明の便宜を図って任意に画定されている。特定の機能及びその関係が適切に実行される限り、代替的な境界を画定することができる。0129特定の実施形態に関する以上の説明は、本発明の全体的性質を十分に明らかにしているので、当技術分野の知識を適用することにより、過度の実験をせず、本発明の全体的概念から逸脱することなく、このような特定の実施形態を容易に修正する、及び/又はこれを様々な用途に適応させることができる。したがって、このような適応及び修正は、本明細書に提示された教示及び案内に基づき、開示された実施形態の同等物の意味及び範囲に入るものとする。本明細書の言葉遣い又は用語は説明のためのもので、限定するものではなく、したがって本明細書の用語又は言葉遣いは、当業者には教示及び案内の観点から解釈されるべきことを理解されたい。0130本発明の幅及び範囲は、上述した例示的実施形態のいずれによっても限定されず、特許請求の範囲及びその同等物によってのみ規定されるものである。"