"可動電極と、当該可動電極を揺動自在に支持するばね部と、前記可動電極に間隙を介して対向配置される固定電極と、を備えた静電容量式センサにおいて、前記可動電極と前記固定電極の対向壁部どうし、前記可動電極と前記ばね部の対向壁部どうし若しくは前記ばね部の対向壁部どうしのうち少なくとも何れか一つに、互いに相手側に向けて突出して前記可動電極が動作した際に当該可動電極の可動範囲を制限する一対のストッパ部を設けるとともに、前記一対のストッパ部を、線接触または面接触させるようにしたことを特徴とする静電容量式センサ。前記一対のストッパ部を、前記対向壁部の対向領域全域に亘って設けたことを特徴とする請求項1に記載の静電容量式センサ。前記可動電極の可動範囲を制限する第2のストッパ部を設けるとともに、前記第2のストッパ部は、前記対向壁部のうちの少なくとも一方から他方へ向けて突出する突出部と、前記突出部の根本側の略中心を開口させたスリットと、を備えることを特徴とする請求項1または2に記載の静電容量式センサ。前記スリットを、前記突出部の突出面に沿って形成したことを特徴とする請求項3に記載の静電容量式センサ。前記突出部の突出面と前記スリットとの間の部位を、前記突出部の断面方向に均一化させたことを特徴とする請求項3または4に記載の静電容量式センサ。しかしながら、上記従来の静電容量式センサのように、一方の対向壁部のみから突起状のストッパ部を突出させる構成では、接触面積を減少させてスティッキングを抑制することはできるのであるが、ストッパ部が破損してしまう恐れがあった。そこで、本発明は、スティッキングを抑制することができつつ、ストッパ部の破損を抑制することのできる静電容量式センサを得ることを目的とする。上記目的を達成するために、本発明にあっては、可動電極と、当該可動電極を揺動自在に支持するばね部と、前記可動電極に間隙を介して対向配置される固定電極と、を備えた静電容量式センサにおいて、前記可動電極と前記固定電極の対向壁部どうし、前記可動電極と前記ばね部の対向壁部どうし若しくは前記ばね部の対向壁部どうしのうち少なくとも何れか一つに、互いに相手側に向けて突出して前記可動電極が動作した際に当該可動電極の可動範囲を制限する一対のストッパ部を設けるとともに、前記一対のストッパ部を、線接触または面接触させるようにしたことを特徴とする。本発明の静電容量式センサによれば、対向配置される双方の対向壁部から、互いに相手側に向けて突出して可動電極が動作した際に当該可動電極の可動範囲を制限する一対のストッパ部を設けている。そのため、従来の片側一つのストッパ部で衝撃を受けとめる構成と比べて、ストッパ部が衝突した際の衝撃を一対のストッパ部のそれぞれに分散させて受けとめることができるようになるため、ストッパ部の破損を抑制することができる。また、このとき一対のストッパ部どうしを線接触または面接触させるようにしたので、接触面積を減少させてスティッキングを抑制することができる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。以下では、静電容量式センサとして、加速度センサを例示する。なお、以下の複数の実施形態には、同様の構成要素が含まれている。よって、以下では、それら同様の構成要素には共通の符号を付与するとともに、重複する説明を省略する。[第1実施形態]本実施形態の加速度センサ1は、図1~図3に示すように、半導体素子ディバイスを形成したシリコン基板4と、このシリコン基板4の上下両面4a、4bにそれぞれ接合される一対のガラス基板2,3と、を備えている。そして、本実施形態では、このシリコン基板4と第1のガラス基板2および第2のガラス基板3とを陽極接合により接合するようにしている。シリコン基板4には、公知の半導体プロセスにより間隙5が形成されている。これにより、シリコン基板4には、周縁部に形成される略矩形状の枠部41、固定電極42、可動電極となる錘部43および当該錘部43を揺動自在に支持するばね部44が形成されている。間隙5は、反応性イオンエッチングRIE:ReactiveIonEtchingなどにより形成されている。反応性イオンエッチングとしては、例えば、誘導結合型プラズマICP:InductivelyCoupledPlasmaを備えたエッチング装置によるICP加工を利用することができる。固定電極42は、シリコン基板4のセンターラインYを中心として左右2箇所に設けられており、複数の櫛歯状固定電極42bの外側部が幹部42aによって連結されている。すなわち、複数の櫛歯状固定電極42bは、幹部42aから所定間隔をもって平行に突設されている。錘部43は、左右に配置された固定電極42の間に配置されており、センターラインYに沿って配置される幹部43aと、この幹部43aから櫛歯状固定電極42bの延在方向と平行に延設される複数の櫛歯状可動電極43cを備えている。そして、複数の櫛歯状可動電極43cは、幹部43aから隣り合う2つの櫛歯状固定電極42b間に挿入されるように所定間隔をもって平行に突設されている。すなわち、櫛歯状固定電極42bと櫛歯状可動電極43cとは、それぞれが交互に配置されることになる。幹部43aの両端部には、上述したばね部44がそれぞれ連結されており、このばね部44を介して錘部43を支持する枠部41が錘部43および固定電極42の周縁部に形成されている。各ばね部44は、連続する1本の細長い線状ばね44aを複数段のつづら折り状に折曲させた形状をしている。線状ばね44aの一端部44bは、幅方向に延びる線状ばね44aの略中央部に設けられており、枠部41の内壁部にそれぞれ連結されている。また、線状ばね44aの他端部44cは、線状ばね44aの略中央部に設けられ、錘部43の幹部43aにそれぞれ連結されている。このように、ばね部44を錘部43と枠部41に連結することで、ばね部44が枠部41に対して錘部43を弾性的に可動支持するバネ要素として機能する。これにより、本実施形態では、錘部43に対し、バネ要素としてのばね部44、ばね部44に接続された枠部41により支持される質量要素マスとしての機能を与え、これらバネ要素と質量要素とによってバネ-マス系を構成している。そして、質量要素としての錘部43の位置変位による錘部43、固定電極42間の静電容量値の変化を検出し、検出された静電容量値の変化に基づき加速度センサ1に加えられた加速度や角加速度物理量を検知するようになっている。具体的には、この静電容量値の変化は、錘部43、固定電極42にそれぞれ形成された複数の櫛歯状可動電極43c、櫛歯状固定電極42bからなる検出部49a,49bによって検出される。例えば、図1に示すセンターラインY方向に加速度が与えられると、櫛歯状可動電極43cがセンターラインY方向に変位する。そして、検出部49aの櫛歯状可動電極43c、櫛歯状固定電極42bで検出される静電容量値と、検出部49bの櫛歯状可動電極43c、櫛歯状固定電極42bで検出される静電容量値とによって、センターラインY方向の加速度を検出することができる。また、図2に示すように、錘部43には櫛歯状可動電極43cに電気的に接続される第1の導電層46aが設けられている。さらに、図2中46bは、左側の固定電極42の櫛歯状固定電極42bに電気的に接続される第2の導電層であり、46cは、右側の固定電極42の櫛歯状固定電極42bに電気的に接続される第3の導電層である。そして、第1のガラス基板2の第1~第3の導電層46a~46cに対応する部位には、サンドブラスト加工等によってスルーホール21が形成されている。そして、シリコン基板4上に設けられた第1~第3の導電層46a~46cを各スルーホール21の奥にそれぞれ露出させている。そして、第1のガラス基板2の表面2a上から各スルーホール21の内周面上にかけて電気的に接続された一連の導電性薄膜図示せずを成膜するようにして、各導電性薄膜から固定電極42および錘部43の電位を検出できるようにしている。なお、各導電性薄膜は、第1のガラス基板2の表面2a上に互いに接触しないように形成される。また、第1のガラス基板2の表面2a上は、樹脂層図示せずによって被覆モールド成形するのが好適である。また、図3に示す図1のA-A線断面図のように、シリコン基板4と第1のガラス基板2および第2のガラス基板3との接合面にはギャップ47および31がそれぞれ形成されている。すなわち、シリコン基板4の少なくとも錘部43とガラス基板2、3との間にギャップ47、31が形成されており、これにより、シリコン基板4各部の絶縁性や錘部43の動作性の確保が図られている。なお、本実施形態では、シリコン基板4の上面4aを、錘部43およびバネ部44の形成領域およびその周縁部を含めて凹設することで、錘部43の上方への変位を許容するギャップ47を形成している。また、第2のガラス基板3の上面3aを、錘部43の形成領域およびその周縁部を含めて凹設することで、錘部43の下方への変位を許容するギャップ31を形成している。そして、第1のガラス基板2とシリコン基板4とを陽極接合するとともに、シリコン基板4と第2のガラス基板3とを陽極接合することにより、三層構造の加速度センサ1が形成される。ところで、本実施形態の加速度センサ1にあっては、図1に示すように、錘部43側の櫛歯状可動電極43cと、固定電極42側の櫛歯状固定電極42bとが互いに近接して対向配置されている。そのため、所定値以上の過大な加速度が加速度センサ1に入力された際に、櫛歯状可動電極43cと櫛歯状固定電極42bとが衝突して、検出部49a,49bの検出性能が低下してしまう恐れがある。そこで、本実施形態では、錘部可動電極43と固定電極42の対向壁部どうしに、互いに相手側に向けて突出して錘部43が動作した際に当該錘部43の可動範囲を制限する一対のストッパ部50,50を設けている。具体的には、図4に示す説明図のように、本実施形態では、錘部43の固定電極42と対向する対向壁部43eと、固定電極42の錘部43と対向する対向壁部42eとの対向領域の全域に亘ってそれぞれストッパ部50,50を設けるようにしている。さらにまた、本実施形態では、錘部43とばね部44の対向壁部43f、44fどうし、そして、ばね部44の対向壁部44g、44gどうしにも、対向領域の全域に亘って同様のストッパ部50,50を設けるようにしている。一対のストッパ部50,50は、図5に示す断面図のように、本実施形態では一方の対向壁部43e43f、44gと他方の対向壁部42e44f、44gの上下方向略中央部から互いに相手側に向けて略くの字状に突出した形となっている。このとき、一方のストッパ部50の頂点tと他方のストッパ部50の頂点tとを上下方向で一致させて線接触させるようにしてもよいが、一方のストッパ部の頂点tと他方のストッパ部50の頂点tとを上下方向で若干オフセットさせるようにするとより好ましい。こうすれば、図6a、bに示すように、加速度センサ1に過大な加速度が入力された際に、一方のストッパ部50の傾斜面50aと他方のストッパ部50の傾斜面50bとを面接触させることができるようになる。よって、衝撃を一対のストッパ部50,50の面どうしで受けとめることができるようになり、ストッパ部50の破損をより効果的に抑制できるようになる。なお、この一方の対向壁部43e43f、44gと他方の対向壁部42e44f、44gとにストッパ部50,50が設けられる間隙5にあっては、上述したエッチング装置によるICP加工で形成することができる。以上の構成により、本実施形態の加速度センサ1によれば、錘部可動電極43と固定電極42の対向壁部43e、42eどうしに、互いに相手側に向けて突出して錘部43が動作した際に当該錘部43の可動範囲を制限する一対のストッパ部50を設けている。そのため、従来の片側一つのストッパ部で衝撃を受けとめる構成と比べて、ストッパ部50が衝突した際の衝撃を一対のストッパ部50,50のそれぞれに分散させて受けとめることができるようになるため、ストッパ部50の破損を抑制することができる。また、このとき一対のストッパ部50,50どうしを線接触または面接触させるようにしたので、接触面積を減少させてスティッキングを抑制することができる。また、本実施形態では、一対のストッパ部50,50を、前記対向壁部43e、42eの対向領域全域に亘って設けている。そのため、ストッパ部50が衝突した際の衝撃をそのストッパ部50,50の延在方向に沿って分散させることができるので、ストッパ部50の破損をより抑制することができるようになる。また、本実施形態では、一対のストッパ部50,50を、上記一方の対向壁部43e43f、44gと他方の対向壁部42e44f、44gの対向領域のすべてに設けている。そのため、平面方向の何れの方向に過大な加速度が入力されたとしても、錘部43の可動範囲を制限することができるという利点がある。なお、本実施形態では、錘部43と固定電極42の対向壁部43e、42eどうし、錘部43とばね部44の対向壁部43f、44fどうし、ばね部44の対向壁部44g、44gどうしのすべてに一対のストッパ部50,50を設けるようにしている。しかしながら、本発明はこれに限定されず、一方の対向壁部43e43f、44gと他方の対向壁部42e44f、44gのうち、少なくとも何れか一つ一対に一対のストッパ部50を設けることで検出部49a、49bの衝突を防げる構成であればよい。また、本実施形態では、一対のストッパ部50,50を、互いに相手側に向けて略くの字状に突出した形としたが、例えば図7に示す変形例のように、互いに相手側に向けて略コの字状に突出したストッパ部50A,50Aとしてもよい。こうすれば、加速度センサ1に過大な加速度が入力された際に、一方のストッパ部50Aの平坦面50cと他方のストッパ部50Aの平坦面50dとを面接触させることができる。よって、一対のストッパ部50A,50Aどうしのスティッキングを抑制することができつつ、ストッパ部50Aの破損を抑制することができる。[第2実施形態]次に、本発明の第2実施形態について図面を参照して説明する。図8は、本実施形態にかかる加速度センサ1Aを示した説明図である。本実施形態の加速度センサ1Aが上記第1実施形態の加速度センサ1と主に異なる点は、錘部可動電極43の可動範囲を制限する第2のストッパ部60を設けたことにある。第2のストッパ部60は、図8に示すように、対向配置される一方の対向壁部43e43f、44gと他方の対向壁部42e44f、44gのうちの少なくとも一方から他方へ向けて突出する突出部60aを備えている。そして、この突出部60aの根本側には、当該根本部分の略中心を開口させたスリット60bが形成されており、これにより第2のストッパ部60が衝突した際に、突出部60aの先端側を撓ませて当該ストッパ部60の破損を抑制できるようにしたものである。本実施形態では、第2のストッパ部60は、対向配置される上記一方の対向壁部43e43f、44gと他方の対向壁部42e44f、44gとのうち、櫛歯状可動電極43cと櫛歯状固定電極42bとが対向する部分にのみ設けられている。その一方で、、錘部43とばね部44の対向壁部43f、44fどうしおよびばね部44の対向壁部44g、44gどうしには、上記第1実施形態と同様に、対向領域の全域に亘って一対のストッパ部50,50が設けられている。第2のストッパ部60の突出部60aは、本実施形態では円弧状に突出している。このとき、スリット60bは、突出部60aの突出面60cに沿った形状として突出面60cとスリット60bとの間の厚みが周方向に均一となるように形成するのが好ましい。こうすれば、厚みの異なる部分に応力が集中してしまうのを防止でき、第2のストッパ部60の強度を保つことができる。また、応力の集中を抑制するために、突出面60cとスリット60bとの間の部位を、突出部60aの断面方向に均一化周方向に沿ってさせるのも有効である。なお、第2のストッパ部60のスリット60bにあっては、上述したエッチング装置によるICP加工で形成することができる。以上の構成により、本実施形態の加速度センサ1Aによれば、錘部可動電極43の可動範囲を制限する第2のストッパ部60を設けている。そして、この第2のストッパ部60は、対向壁部のうちの少なくとも一方から他方へ向けて突出する突出部60aと、突出部60aの根本側の略中心を開口させたスリット60bとを備えている。そのため、第2のストッパ部60が衝突した際に、突出部60aの先端側を撓ませることができるので、当該ストッパ部60の破損を抑制することができる。また、本実施形態では、第2のストッパ部60のスリット60bを突出部60aの突出面60cに沿って形成したので、第2のストッパ部60の一部に応力が集中してしまうのを防止でき、第2のストッパ部60の強度を保つことができる。さらにまた、本実施形態では、突出部60aの突出面60cとスリット60bとの間の部位を、突出部60aの断面方向に均一化させている。そのため、このことによっても第2のストッパ部60の一部に応力が集中してしまうのを防止でき、第2のストッパ部60の強度を保つことができる。なお、本実施形態では、第2のストッパ部60を、対向配置される上記一方の対向壁部43e43f、44gと他方の対向壁部42e44f、44gとのうち、櫛歯状可動電極43cと櫛歯状固定電極42bとが対向する部分にのみ設けている。しかしながら、本発明はこれに限定されることなく、櫛歯状可動電極43cと固定電極42の幹部42aとが対向する部分に設けてもよい。また、錘部43とばね部44とが対向する部分に設けてもよいし、ばね部44の対向壁部44g、44gどうしが対向する部分に設けてもよい。また、本実施形態では、第2のストッパ部60を対向壁部の一方42eに設けるようにしたが、対向壁部の双方42e、43eに設けて対向配置させるようにしてもよい。以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態には限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態の加速度センサは、錘部の水平変位によって加速度を検出するタイプのものであったが、錘部の上下変位によって加速度を検出するタイプの加速度センサにあっても本発明を適用することができる。また、上記実施形態では、静電容量式センサとして加速度センサを例示したが、これに限ることなく、その他の静電容量式センサ、例えば角速度センサや振動センサ等にあっても本発明を適用することができる。また、錘部、その他細部のスペック形状、大きさ、レイアウト等も適宜に変更可能である。"