"ドーパントを添加したことを特徴とする結晶性の高い導電性α‐Ga2O3薄膜。前記ドーパントが4価の錫であることを特徴とする請求項1の結晶性の高い導電性α‐Ga2O3薄膜。ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α‐Ga2O3薄膜が表面に成長してなることを特徴とする基板。前記ドーパントが4価の錫であることを特徴とする請求項3記載の基板。下記工程a~dを備えることを特徴とする結晶性の高い導電性α‐Ga2O3薄膜の生成方法。a水、塩酸及び過酸化水素を含む溶液と、ガリウム化合物と、錫II化合物とを混合して原料溶液を調製する工程b前記原料溶液をミスト化し、ミスト状原料を調製する工程c前記ミスト状原料を、キャリアガスによって基板の成膜面に供給する工程d前記基板を加熱することにより、前記ミスト状原料を熱分解させ、前記基板上に、4価の錫が添加された導電性α‐Ga2O3薄膜を形成する工程。本発明は、上述したような問題点を解決すべくなされたものであって、ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α‐Ga2O3薄膜およびその生成方法を提供するものである。請求項1に係る発明は、ドーパントを添加したことを特徴とする結晶性の高い導電性α‐Ga2O3薄膜に関する。請求項2に係る発明は、前記ドーパントが4価の錫であることを特徴とする請求項1の結晶性の高い導電性α‐Ga2O3薄膜に関する。請求項3に係る発明は、ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α‐Ga2O3薄膜が表面に成長してなることを特徴とする基板に関する。請求項4に係る発明は、前記ドーパントが4価の錫であることを特徴とする請求項3記載の基板に関する。請求項5に係る発明は、下記工程a~dを備えることを特徴とする結晶性の高い導電性α‐Ga2O3薄膜の生成方法に関する。a水、塩酸及び過酸化水素を含む溶液と、ガリウム化合物と、錫II化合物とを混合して原料溶液を調製する工程b前記原料溶液をミスト化し、ミスト状原料を調製する工程c前記ミスト状原料を、キャリアガスによって基板の成膜面に供給する工程d前記基板を加熱することにより、前記ミスト状原料を熱分解させ、前記基板上に、4価の錫が添加された導電性α‐Ga2O3薄膜を形成する工程請求項1に係る発明によれば、α‐Ga2O3薄膜にドーパントが添加されていることにより、薄膜に導電性を付加することができる。また、α型のGa2O3薄膜とすることで結晶性の高い薄膜とすることができる。これにより光電子デバイスへの利用可能性を高めることができる。請求項2に係る発明によれば、前記ドーパントが4価の錫であることを特徴とする請求項1の結晶性の高い導電性α‐Ga2O3薄膜であることにより、高い導電性を有するα‐Ga2O3薄膜とすることができる。これにより光電子デバイスへの利用可能性を高めることができる。請求項3に係る発明によれば、ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α‐Ga2O3薄膜が表面に成長してなることを特徴とする基板であることにより、結晶性の高い導電性α‐Ga2O3薄膜を備える基板を提供することができる。請求項4に係る発明によれば、前記ドーパントが4価の錫であることを特徴とする請求項3記載の基板であることにより、高い導電性を有するα‐Ga2O3薄膜を備える基板とすることができる。これにより光電子デバイスへの利用可能性を高めることができる。請求項5に係る発明によれば、α‐Ga2O3薄膜の生成方法が、a水、塩酸及び過酸化水素を含む溶液と、ガリウム化合物と、錫II化合物とを混合して原料溶液を調製する工程と、b前記原料溶液をミスト化し、ミスト状原料を調製する工程と、c前記ミスト状原料を、キャリアガスによって基板の成膜面に供給させる工程と、d前記基板を加熱することにより、前記ミスト状原料を熱分解させ、前記基板上に、4価の錫が添加された導電性α‐Ga2O3薄膜を形成する工程と、を備えることにより、結晶性が高く、確実に導電性が付加された、高い導電性を有するα‐Ga2O3薄膜を、安全に、環境への負荷が少なく、簡単な構成の設備で製造することができる。以下、本発明に係る結晶性の高い導電性α‐Ga2O3薄膜およびその生成方法について図を参照しながら説明する。本発明の薄膜は、ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α‐Ga2O3薄膜である。ドーパントは、α‐Ga2O3薄膜に導電性を付加することができるものであれば特に限定されないが、I族、II族、IV族、V族、VII族などの元素を用いることができる。I族の元素としてはLi,Na,K、II族の元素としてはZn,Mg,Ti,Fe,Ca、IV族の元素としてはSi,Ge,Ti,Zr,Sn、V族の元素としてはN,P,As,Sb、VII族の元素としてはCl,F,Br,I等を用いることができ、その中でもSn錫やZn亜鉛であるのが好ましく、4価の錫であるのが特に好ましい。4価の錫がα‐Ga2O3薄膜に添加されることにより、高い導電性を備えるα‐Ga2O3薄膜とすることができる。本発明の結晶性の高い導電性α‐Ga2O3薄膜は、基板表面上に成長して形成され得る。基板の材料としては、α‐Ga2O3が成長するものであれば特に限定されないが、例えば、結晶基板、特にサファイアAl2O3基板が好適に用いられる。α‐Ga2O3薄膜は三方晶系のコランダム構造を有し、これはサファイアと同じ結晶構造であるので、サファイア基板上にα‐Ga2O3薄膜が成長しやすいため、サファイア基板が好適に用いられる。本発明の結晶性の高い導電性α‐Ga2O3薄膜は、ミストCVD法によって製造され、a水、塩酸及び過酸化水素を含む溶液と、ガリウム化合物と、錫II化合物とを混合して原料溶液を調製する工程と、b前記原料溶液をミスト化し、ミスト状原料を調製する工程と、c前記ミスト状原料を、キャリアガスによって基板の成膜面に供給する工程と、d前記基板を加熱することにより、前記ミスト状原料を熱分解させ、前記基板上に、4価の錫が添加された導電性α‐Ga2O3薄膜を形成する工程と、を備えている。図1は、本発明の結晶性の高い導電性α‐Ga2O3薄膜の生成方法を説明するための概略図である。原料供給ユニット11において原料溶液を調製する。まず、水、塩酸及び過酸化水素を含む溶液を調製する。この溶液の混合比は特に限定されるものではないが、例えば、水:塩酸:過酸化水素=100:1:0.5で調製される。塩酸及び過酸化水素は、後に混合される錫II化合物と反応して、錫II化合物を錫IV化合物に変換する役割をする。過酸化水素はまた、生成されるα‐Ga2O3薄膜の結晶を伸縮させ、ドーパントを入り込みやすくする役割をする。次いで、この溶液と、ガリウム化合物と、錫II化合物とを混合して原料溶液を調製する。ガリウム化合物としては、特に限定されるものではないが、ガリウムアセチルアセトナートGaAcac3及びガリウムクロライドが好適に用いられる。錫II化合物としては、塩化錫IIが好適に用いられる。次いで、得られた原料溶液をミスト化し、ミスト状原料1を調製する。ミスト化の手段は、特に限定されるものではないが例えば、加圧式、回転ディスク式、超音波式、オリフィス振動式、静電式等のスプレー式全般を用いることができ、特に超音波式が好適に用いられる。超音波によるミスト化には、超音波振動子5が好適に用いられる。原料溶液をいれた容器を超音波振動子5にかけることにより原料溶液がミスト化し、ミスト状原料1が調製される。このミスト状原料1を、キャリアガス2によって、成膜室21内に設置された基板4の成膜面に供給する。キャリアガス2の供給手段が原料溶液の上流側に備えられ、キャリアガス2を下流側成膜室21側へ送り出すことにより、ミスト状原料1も下流側へ送り出される。キャリアガス2としては、特に限定されるものではないが、空気や、アルゴン等の希ガスが好適に用いられる。キャリアガス2によって下流側へ送り出されたミスト状原料1は、原料供給管12を介して成膜室21に導入される。以下、成膜室21の構造について詳述するが、本発明の成膜室21の構造は以下のものに限定されるものではない。成膜室21は、原料供給管12から搬送されたミスト状原料1が導入及び整流される整流空間22と、整流空間22で整流されたミスト状原料1が搬送され基板4上に成膜するための熱分解反応が行われる反応空間23と、反応空間23及び反応空間23に設置される基板4を加熱するためのヒータ6と、を備えている。原料供給管12から搬送されたミスト状原料1は、広い空間を有する整流空間22に導入される。導入されたミスト状原料1はここで整流され、反応空間23に搬送される。反応空間23は、整流空間22から流路が狭まるように扁平形状を有するファインチャネル構造。その高さは0.5~3.0mmが好ましい。反応空間23の下面には基板4が設置される。反応空間23の下方には基板4及び反応空間23を加熱するためのヒータ6が備えられる。反応空間23に導入されたミスト状原料1は、ヒータ6によって加熱され、熱分解を起こし、基板4上にα‐Ga2O3薄膜を生成する。反応空間23に導入されたミスト状原料1は、急激に狭まった流路を通ることで、流体の圧力降下によってその運動エネルギーが減少し、速度を失ったミスト状原料1は重力方向へ沈降する。このため、原料の基板4への押し付け効果により、確実に基板4上に成膜することができる。また、反応空間23は非常に狭いため、導入されたミスト状原料1はヒータ6によって効率よく加熱され反応温度に達する。よって高い反応効率を達成できる。さらに、表面粗度が中心から端部に至るまで低く均一な薄膜を基板表面に生成することができる。また、大型基板の成膜にも適用することができる。錫II化合物は、溶液中で過酸化水素及び塩酸と反応し、塩化錫IVに変換されている。変換された錫IV化合物の4価の錫SnIVがドーパントとして、α‐Ga2O3薄膜に添加される。2価の錫II化合物をドーパントの出発原料とし、4価の錫IVを添加するのが本発明のα‐Ga2O3薄膜の生成方法の特徴である。これは以下の反応式1に基づいている錫II化合物が塩化錫IIの場合。式1SnCl2H2O22HCl→SnCl42H2O本出願の発明者は、これまで幾度も錫添加を試みた結果、SnCl2を用いてα‐Ga2O3薄膜中に錫の添加を行っても薄膜に高い導電性を付加することができないが、SnCl4を用いてα‐Ga2O3薄膜中に錫の添加を行うと薄膜に導電性を付加することができることがわかった。しかしながら、SnCl4は常温で液体であり、空気中の水分と反応して塩化水素の白煙を生じる。また、多量の水を加えると激しく加水分解して発熱し煙霧を生じるため、本発明の薄膜生成方法においては非常に危険である。一方、SnCl2は常温では固体であり、安定である。そこで、上記式1の安全な反応を利用し、SnCl2等の錫II化合物からSnCl4等の錫IV化合物に変換し、SnIVをα‐Ga2O3薄膜に添加することにより、安全且つ確実にα‐Ga2O3薄膜に導電性を付加することができる。以下の実施例においては、成膜室21内及び基板4の温度は350~500°Cが好ましい。350°C未満であると反応に必要なエネルギーが不足し導電性α‐Ga2O3薄膜を生成することができないので好ましくない。500°Cを超えると、基板への負荷が増大するため好ましくない。しかしながら、成膜装置、先駆材料溶質及び溶媒等の条件や、電界やプラズマ等の外部エネルギーを加える手法等の工夫によっても、温度条件も変わるので、成膜室21内及び基板4の温度は上記温度に限定されるものではない。以下の実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明に係る結晶性の高い導電性α‐Ga2O3薄膜およびその生成方法は、これらに限定されるものではない。実施例1<原料溶液の調製>水、塩酸及び過酸化水素を100:1:0.5の重量比で混合し、溶液を得た。この溶液に、ガリウムアセチルアセトナートGaAcac3シグマアルドリッチ社製を0.020mol/Lになるように添加し、ドーパントとして塩化錫IIを0、2、4、6、8、10の割合で添加し、原料溶液を容器中に調製した。夫々、比較例1、実施例1、2、3、4、5とする。塩酸、過酸化水素及び塩化錫IIを加えないものを比較例2~5とした。<ミスト状原料の調製>上記工程で得た原料溶液を、超音波振動子HM-2412本多電子株式会社製に、2.4MHz,24V0.625A,3周波数、電力、個数の条件で供し、原料溶液をミスト化し、容器内の空間中にミスト状原料を調製した。<基板の成膜面への供給>次いで、容器内にキャリアガスとして圧縮空気を流速2.0L/minで供給し、空間中のミスト状原料を原料供給管へ搬送した。さらに、原料供給管へ希釈ガスとして圧縮空気を流速4.5L/minで供給し、ミスト状原料を希釈しながら高さ1mmの反応空間のファインチャネル構造を有する成膜室へ搬送した。<成膜>成膜室にc面サファイアc-Al2O3基板を反応空間に設置した。基板温度は、原料に塩酸、過酸化水素及び塩化錫IIを夫々0、2、4、6、8、10含む実施例1~5及び比較例1を400°Cになるようにヒータで加熱し、塩酸、過酸化水素及び塩化錫IIを含まない原料の基板温度は、350、400、450、500°Cにヒータで加熱し、夫々比較例2~5とした。成長時間10分で基板上に薄膜を生成させた。上記した方法により、α‐Ga2O3薄膜を得た。実施例1~5、比較例1~5の原料、基板温度、錫のドーピング濃度を表1に示す。得られたα‐Ga2O3薄膜に対して、以下の評価を行った。<X線回折測定>α‐Ga2O3薄膜に対してX線回折測定器リガク社製、ATX-G、CuKα1線1.540561Åを用いてX線回折測定を行い、結晶性を評価した。比較例2~5のα‐Ga2O3薄膜のX線回折測定結果を図2、実施例2、5及び比較例1のα‐Ga2O3薄膜のX線回折測定結果を図3a、そのX線ロッキングカーブを図3bに示す。図2より、α‐Ga2O3結晶の0006面の回折線であるピークA、及び基板のα‐Al2O3の0006面の回折線であるピークBが観測された。350~450°Cという温度領域においてα‐Al2O3薄膜が形成されていることがわかる。図3より、α‐Ga2O3結晶の0006面の回折線であるピークC、及び基板のα‐Al2O3の0006面の回折線であるピークDが観測された。錫のドーピング濃度0、4、10すべてにおいて、α‐Al2O3薄膜が形成されていることがわかる。10という高い錫のドーピング濃度においても、ピークがはっきりしており、高い結晶性を達成できていることがわかる。尚、α‐Ga2O3結晶の0006面の回折線を示すピークが、実施例1~5及び比較例1と、比較例2~5とを比較するとずれているが、これは過酸化水素によって結晶が伸縮して、ドーパント錫が入り込みやすくなっていると推測される。<α‐Ga2O3薄膜の特性>実施例1~5及び比較例1のα‐Ga2O3薄膜の夫々の厚みnm、半値全幅ωFWHMs-1、抵抗率Ωcm、キャリア濃度cm-3、移動度cm2/Vsを測定した。測定には、ホール測定装置HL5500PCアクセント社製を用いた。結果を図4に示す。抵抗率は、薄膜の抵抗値を膜厚で除した単位厚み当たりの抵抗値である。錫のドーピング濃度0のα‐Ga2O3薄膜の抵抗は大きすぎて測定限度を超えたため測定することができなかった。錫のドーピング濃度0のα‐Ga2O3薄膜のキャリア濃度と移動度も同様に測定限度を超え、測定できなかった。錫のドーピング濃度2~10においては、抵抗は102Ωcm以下であり、錫のドーピング濃度4において、最も小さい抵抗率2Ωcmであった。本発明の薄膜生成方法により、α‐Ga2O3薄膜に導電性が付加されていることが証明された。厚みは、X線回折の2θ/ωプロットに現れるラウエ干渉縞から計算されたものである。錫が添加されたα‐Ga2O3薄膜の厚みは220~240nmである。錫が添加されたα‐Ga2O3薄膜の半値全幅ωFWHMは、60~70s-1であった。β‐Ga2O3薄膜は約200s-1であるので、非常に結晶性が高いことがわかる。錫が添加されたα‐Ga2O3薄膜のキャリア濃度は、8×1017~1×1019cm-3であり、最も高かったのは錫のドーピング濃度4のα‐Ga2O3薄膜であった。錫のドーピング濃度2,4のα‐Ga2O3薄膜は、n型の導電性を示している。一方、錫のドーピング濃度6,8,10のα‐Ga2O3薄膜は、n型かp型かを決定する特徴を示さなかった。以上の結果から、本発明の薄膜生成方法により、ドーパントをα‐Ga2O3薄膜に添加することができ、これにより導電性のα‐Ga2O3薄膜を生成することができたことがわかる。また、ドーパントを添加しても、高い結晶性を維持できることがわかる。"