"下記一般式Iで表されるノルボルナン骨格含有ポリアミドであって、但し、式中R1は水素又はメチル基であり、X又はYは2価の有機基である。nは1~500の整数である。下記一般式IIで表される骨格を60モル以上含有することを特徴とするエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミド。但し、式中R1は水素又はメチル基であり、X又はYは2価の有機基である。nは1~500の整数である。下記一般式IIIで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸化合物が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸化合物のエキソ体/エンド体混合物と、下記一般式IVで表されるジイソシアネート化合物と、を極性溶媒中で反応させて得られることを特徴とする請求項1記載のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミド。但し、式中R1は水素又はメチル基である。但し、式中Xは2価の有機基である。下記一般式Vで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸誘導体が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸誘導体のエキソ体/エンド体混合物と、下記一般式VIで表されるジアミン化合物と、を極性溶媒中又は無溶媒で反応させて得られる請求項1記載のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミド。但し、式中R1は水素又はメチル基、R2、R3はそれぞれ独立して、炭素数1~5のアルキル基、ビニル基、ベンジル基を示す。なお、R2、R3は同じであっても違ってもよい。但し、式中Yは2価の有機基である前記一般式IIIで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸化合物のエキソ体/エンド体混合物但し、一般式IIIにおいて、R1が水素が、下記工程a~bを含む方法で得られることを特徴とする請求項1又は2に記載のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミド。工程a:下記式VIIで表されるノルボルナジエンと下記一般式VIIIで表されるギ酸エステルとを、但し、式中R2、R3は、炭素数1~5のアルキル基、ビニル基、ベンジル基を示す。なお、R2、R3は同じであっても違ってもよい。ルテニウム化合物と、コバルト化合物と、ハロゲン化物塩と、塩基性化合物と、を組み合わせた触媒系の存在下で反応させて、下記一般式Vで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸誘導体が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸誘導体のエキソ体/エンド体混合物とする。但し、式中R1は水素であり、R2、R3はそれぞれ独立して、炭素数1~5のアルキル基、ビニル基、ベンジル基を示す。なお、R2、R3は同じであっても違ってもよい。工程b:前記一般式Vで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸誘導体が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸誘導体のエキソ体/エンド体混合物のアルコキシカルボニル基を加水分解して、前記一般式IIIで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸化合物が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸化合物のエキソ体/エンド体混合物但し、一般式IIIにおいて、R1が水素を得る。前記一般式Vで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸誘導体が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸誘導体のエキソ体/エンド体混合物但し、一般式Vにおいて、R1が水素が、下記工程aを含む方法で得られることを特徴とする請求項1又は3に記載のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミド。工程a:下記式VIIで表されるノルボルナジエンと下記一般式VIIIで表されるギ酸エステルとを、但し、式中R2、R3は、炭素数1~5のアルキル基、ビニル基、ベンジル基を示す。なお、R2、R3は同じであっても違ってもよい。ルテニウム化合物と、コバルト化合物と、ハロゲン化物塩と、塩基性化合物と、を組み合わせた触媒系の存在下で反応させる。前記ルテニウム化合物が、分子内にカルボニル配位子とハロゲン配位子とを合わせ持つルテニウム錯体である請求項1~5のいずれかに記載のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミド。前記ハロゲン化物塩が、四級アンモニウム塩であることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミド。前記塩基性化合物が三級アミンであることを特徴とする請求項1~7のいずれかに記載のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミド。前記触媒系がさらにフェノール化合物を含む請求項1~8のいずれかに記載のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミド。前記触媒系がさらに有機ハロゲン化合物を含む請求項1~9のいずれかに記載のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミド。エンド位に極性官能基を持つノルボルナン誘導体を用いて得られるポリマーは、耐熱性等が低いことを本発明者等は見出した。これに対し、エキソ体比率が高いノルボルナン骨格含有ポリアミドは、結晶性が高い構造となるため、耐熱性、熱伝導性に優れるポリマーとなることが期待できる。このことより、本発明は、エキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドを提供することを目的とする。本発明者は、かかる目的を解決すべく鋭意研究した結果、エキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドが耐熱性等に優れることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は以下の通りである。1本発明は、下記一般式Iで表されるノルボルナン骨格含有ポリアミドであって、但し、式中R1は水素又はメチル基であり、X又はYは2価の有機基である。nは1~500の整数である。下記一般式IIで表される骨格を60モル以上含有することを特徴とするエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドに関する。但し、式中R1は水素又はメチル基であり、X又はYは2価の有機基である。nは1~500の整数である。2本発明は、下記一般式IIIで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸化合物が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸化合物のエキソ体/エンド体混合物と、下記一般式IVで表されるジイソシアネート化合物と、を極性溶媒中で反応させて得られることを特徴とする上記1に記載のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドに関する。但し、式中R1は水素又はメチル基である。但し、式中Xは2価の有機基である。3本発明は、下記一般式Vで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸誘導体が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸誘導体のエキソ体/エンド体混合物と、下記一般式VIで表されるジアミン化合物と、を極性溶媒中又は無溶媒で反応させて得られる上記1に記載のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドに関する。但し、式中R1は水素又はメチル基、R2、R3はそれぞれ独立して、炭素数1~5のアルキル基、ビニル基、ベンジル基を示す。なお、R2、R3は同じであっても違ってもよい。但し、式中Yは2価の有機基である。4本発明は、上記一般式IIIで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸化合物が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸化合物のエキソ体/エンド体混合物但し、上記式III中、R1は水素である。が、下記工程a~bを含む方法で得られることを特徴とする上記1又は2に記載のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドに関する。工程a:下記式VIIで表されるノルボルナジエンと下記一般式VIIIで表されるギ酸エステルとを、但し、式中R2、R3は、炭素数1~5のアルキル基、ビニル基、ベンジル基を示す。なお、R2、R3は同じであっても違ってもよい。ルテニウム化合物と、コバルト化合物と、ハロゲン化物塩と、塩基性化合物と、を組み合わせた触媒系の存在下で反応させて、下記一般式Vで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸誘導体が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸誘導体のエキソ体/エンド体混合物とする。但し、式中R1は水素であり、R2、R3はそれぞれ独立して、炭素数1~5のアルキル基、ビニル基、ベンジル基を示す。なお、R2、R3は同じであっても違ってもよい。工程b:上記一般式Vで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸誘導体が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸誘導体のエキソ体/エンド体混合物のアルコキシカルボニル基を加水分解して、上記一般式IIIで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸化合物が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸化合物のエキソ体/エンド体混合物を得る。5本発明は、上記一般式Vで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸誘導体が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸誘導体のエキソ体/エンド体混合物但し、上記式V中、R1は水素である。が、下記工程aを含む方法で得られることを特徴とする上記1又は3に記載のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドに関する。工程a:下記式VIIで表されるノルボルナジエンと下記一般式VIIIで表されるギ酸エステルとを、但し、式中R2、R3は、炭素数1~5のアルキル基、ビニル基、ベンジル基を示す。なお、R2、R3は同じであっても違ってもよい。ルテニウム化合物と、コバルト化合物と、ハロゲン化物塩と、塩基性化合物と、を組み合わせた触媒系の存在下で反応させる。6また本発明は、ルテニウム化合物が、分子内にカルボニル配位子とハロゲン配位子とを合わせ持つルテニウム錯体である上記1~5のいずれかに記載のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドに関する。7本発明は、ハロゲン化物塩が、四級アンモニウム塩であることを特徴とする上記1~6のいずれかに記載のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドに関する。8本発明は、塩基性化合物が、三級アミンであることを特徴とする上記1~7のいずれかに記載のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドに関する。9本発明は、上記触媒がさらにフェノール化合物を含む、上記1~8のいずれかに記載のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドに関する。10また本発明は、上記触媒がさらに有機ハロゲン化合物を含む、上記1~9のいずれかに記載のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドに関する。本発明のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドは、耐熱性、絶縁性、耐光性や機械的特性に優れるため、半導体液晶に用いられる電子部品、光ファイバー、光学レンズ等に代表される光学材料、さらには、ディスプレイ関連材料、医療用材料として使用することができる。以下、本発明についてより詳細に説明する。<1>本発明のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミド本発明は、下記一般式Iで表されるノルボルナン骨格含有ポリアミドであって、但し、式中R1は水素又はメチル基であり、X又はYは2価の有機基である。nは1~500の整数である。下記一般式IIで表される骨格を60モル以上含有することを特徴とするエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドに関する。但し、式中R1は水素又はメチル基であり、X又はYは2価の有機基である。nは1~500の整数である。なお、上記式中のX及びYは、後述の一般式IVで表されるジイソシアネート化合物のX、又は、一般式VIで表されるジアミン化合物のYと同じである。また、上記式R1は、水素又はメチル基である。R1の導入については、後述の<2>本発明のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドの製造方法において説明する。また、上記式中のnは1~500である。本発明のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドは、数平均分子量を2,000~200,000とすることが好ましく、3,000~180,000とすることがより好ましい。数平均分子量が、2,000未満では、耐熱性等が低下する傾向があり、200,000を超えると、溶媒への溶解性が低下する傾向がある。エキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドの数平均分子量を上記範囲とするには、本明細書中に記載の製造方法を使用すればよい。なお、数平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー以降、GPCと略記するを用いて、下記条件で測定し、標準ポリスチレンによる検量線を用いて算出する。装置:株日立製作所製、L6000型カラム:昭和電工株製、ShodexKD-806M×1本溶離液:N-メチル-2-ピロリドン1.0ml/min検出器:UV280nm本発明のノルボルナン骨格含有ポリアミドを、上記一般式IIで表される骨格を60モル以上含有するエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドとするには、下記に示す製造方法で製造すればよい。具体的には、原料として、下記一般式IIIで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸化合物が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸化合物のエキソ体/エンド体混合物と上記一般式IVで表される持イソシアネート化合物とを用いて、又は、下記一般式Vで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸誘導体が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸誘導体のエキソ体/エンド体混合物と上記一般式VIで表されるジアミン化合物とを用いて、ノルボルナン骨格含有ポリアミドの合成を行えばよい。詳しくは、後述の項目<2>において説明する。なお、本発明のノルボルナン骨格含有ポリアミドが、上記一般式IIで表される骨格をどの程度含有するかを測定するには、GCガスクロマトグラフィーを用いる。具体的には、ノルボルナン骨格含有ポリアミドの合成に用いるノルボルナンジカルボン酸誘導体又はノルボルナンジカルボン酸化合物が、エキソ体をどの程度含有するかを測定し、その値を、得られるポリアミドのエキソ体/エンド体の含有率とする。しかし、ジカルボン酸化合物自体はGCでは分析できないため、カルボン酸ジエステルとし、それをGCで測定することで、エキソ体/エンド体の比率とする。<2>本発明のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドの製造方法本発明のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドは、下記一般式IIIで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸化合物が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸化合物のエキソ体/エンド体混合物とジイソシアネート化合物とを極性溶媒中で反応させるか、下記一般式Vで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸誘導体が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸誘導体のエキソ体/エンド体混合物とジアミン化合物とを極性溶媒中又は無溶媒で反応させることによって得ることができる。但し、式中R1は水素又はメチル基である。但し、式中R1は水素又はメチル基、R2、R3はそれぞれ独立して、炭素数1~5のアルキル基、ビニル基、ベンジル基を示す。なお、R2、R3は同じであっても違ってもよい。<2-1>上記一般式IIIで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸化合物が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸化合物のエキソ体/エンド体混合物とジイソシアネート化合物との反応に用いる各成分本発明のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドの製造方法において、上記一般式IIIで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸化合物が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸化合物のエキソ体/エンド体混合物とジイソシアネート化合物とを極性溶媒中で反応させる場合の各種原料成分を以下に説明する。ジイソシアネート化合物本発明のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドを得るために、上記一般式IIIで表されるノルボルナンジカルボン酸化合物と反応させるジイソシアネート化合物としては、下記一般式IVで表されるジイソシアネート化合物が挙げられる。但し、式中Xは2価の有機基である。一般式IVで表されるジイソシアネート化合物は、特に制限はなく、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、2,2,4-トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、リジンジイソシアネート等の脂肪族イソシアネート上記一般式IV中、Xが2価の脂肪族基;イソホロンジイソシアネート、4,4′-ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、シクロヘキシレンジイソシアネート、シクロヘキシルメチルイソシアネート等の脂環族イソシアネート上記一般式IV中、Xが2価の脂環族基;4,4′-ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、4,4′-ジフェニルエーテルジイソシアネート、4,4′-[2,2-ビス4-フェノキシフェニルプロパン]ジイソシアネート、ビフェニル-4,4′-ジイソシアネート、ビフェニル-3,3′-ジイソシアネート、ビフェニル-3,4′-ジイソシアネート、3,3′-ジメチルビフェニル-4,4′-ジイソシアネート、2,2′-ジメチルビフェニル-4,4′-ジイソシアネート、3,3′-ジエチルビフェニル-4,4′-ジイソシアネート、2,2′-ジエチルビフェニル-4,4′-ジイソシアネート、3,3′-ジメトキシビフェニル-4,4′-ジイソシアネート、2,2′-ジメトキシビフェニル-4,4′-ジイソシアネート、ナフタレン-1,5-ジイソシアネート、ナフタレン-2,6-ジイソシアネート、1,3-フェニレンジイソシアネート、4-クロロ-6-メチル-1,3-フェニレンジイソシアネート等の芳香族イソシアネート上記一般式IV中、Xが2価の芳香族基;等を使用することができ、これらは、単独又は2種以上を混合して使用することもできる。極性溶媒上記一般式IIIで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸化合物が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸化合物のエキソ体/エンド体混合物と、上記一般式IVで表されるジイソシアネート化合物との反応には、極性溶媒を使用する。使用可能な極性溶媒は、原料として使用する化合物を溶解できればよく、特に限定されない。好適に使用できる極性溶媒の具体例として、N-メチルピロリドン、N,N’-ジメチルアセトアミド、N,N’-ジメチルホルムアミド、1,3-ジメチル-3,4,5,6-テトラヒドロ-21H-ピリミジノン等の含窒素系溶媒;ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル等のエーテル系溶媒,ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジメチルスルホン、スルホラン等の含硫黄系溶媒;γ-ブチロラクトン、酢酸セロソルブ等のエステル系溶媒,シクロヘキサノン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒;等を使用することができる。<2-2>上記一般式IIIで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸化合物が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸化合物のエキソ体/エンド体混合物とジイソシアネート化合物との反応条件本発明のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドの製造方法において、上記一般式IIIで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸化合物が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸化合物のエキソ体/エンド体混合物とジイソシアネート化合物とを極性溶媒中で反応させる場合の反応条件を以下に説明する。上記一般式IIIで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸化合物が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸化合物のエキソ体/エンド体混合物と、上記一般式IVで表されるジイソシアネート化合物との使用量は、ノルボルナンジカルボン酸化合物のカルボキシル基のモル数の合計に対するイソシアネート基のモル数を0.7~2.0とすることが好ましく、0.8~1.7とすることがより好ましく、0.9~1.5とすることがさらに好ましく、0.95~1.3とすることが特に好ましい。0.7未満又は2.0を超えると、得られるポリアミドの分子量を大きくすることが困難になり、機械特性、耐熱性等が低下する傾向がある。上記極性溶媒の使用量は、上記一般式IIIで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸化合物が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸化合物のエキソ体/エンド体混合物と、一般式IVで表されるジイソシアネート化合物との総量100質量部に対して、20~500質量部とすることが好ましく、30~300質量部にすることがより好ましく、50~200質量部にすることが特に好ましい。使用量が20質量部未満だと、原料が十分に溶解せず、反応速度が遅くなる傾向があり、500質量部を超えても、1バッチ当りのポリアミドの収量が低下するだけで、特に利点は無い。反応温度は、80~200°Cとすることが好ましく、90~190°Cとすることがより好ましく、100~180°Cとすることが特に好ましい。反応時間は、バッチの規模、採用される反応条件により適宜選択することができる。エキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドの数平均分子量を、前述の2,000~200,000とするには、上記製造方法により製造すればよい。<2-3>上記一般式Vで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸誘導体が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸誘導体のエキソ体/エンド体混合物とジアミン化合物との反応に用いる各成分本発明のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドの製造方法において、上記一般式Vで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸誘導体が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸誘導体のエキソ体/エンド体混合物とを極性溶媒中で反応させる場合に用いる各種原料成分を以下に説明する。ジアミン化合物本発明のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドを得るために、上記一般式Vで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸誘導体が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸誘導体のエキソ体/エンド体混合物と反応させるジアミン化合物としては、下記一般式VIで表されるジアミン化合物が挙げられる。但し、式中Yは2価の有機基である。一般式VIで表されるジアミン化合物は、特に制限はなく、例えば、12-ジアミノエタン、13-ジアミノプロパン、14-ジアミノブタン、15-ジアミノペンタン、16-ジアミノヘキサン、17-ジアミノヘプタン、18-ジアミノオクタン、19-ジアミノノナン、110-ジアミノデカン、111-ジアミノウンデカン、1,12-ジアミノドデカン、39-ビス3-アミノプロピル-24810-テトラオキサスピロ55ウンデカン、メチルペンタメチレンジアミン、トリメチルヘキサメチレンジアミン等の脂肪族ジアミン化合物上記一般式VI中、Yが2価の脂肪族基;12-ジアミノシクロヘキサン、メチレンジアミノシクロヘキサミン、ノルボルナンジアミン等の脂環族ジアミン化合物上記一般式VI中、Yが2価の脂環族基;22-ビス4-4-アミノフェノキシフェニルプロパン、22-ビス4-4-アミノフェノキシフェニルヘキサフルオロプロパン、22-ビス3-メチル-4-4-アミノフェノキシフェニルプロパン、22-ビス4-4-アミノフェノキシフェニルブタン、22-ビス3-メチル-4-4-アミノフェノキシフェニルブタン、22-ビス35-ジメチル-4-4-アミノフェノキシフェニルブタン、22-ビス35-ジブロモ-4-4-アミノフェノキシフェニルブタン、111333-ヘキサフルオロ-22-ビス4-4-アミノフェノキシフェニルプロパン、111333-ヘキサフルオロ-22-ビス3-メチル-4-4-アミノフェノキシフェニルプロパン、11-ビス4-4-アミノフェノキシフェニルシクロヘキサン、11-ビス4-4-アミノフェノキシフェニルシクロペンタン、ビス4-4-アミノフェノキシフェニルスルホン、ビス4-4-アミノフェノキシフェニルエーテル、44-カルボニルビスp-フェニレンオキシジアニリン、44-ビス4-アミノフェノキシビフェニル、p-フェニレンジアミン、m-フェニレンジアミン、p-キシリレンジアミン、m-キシリレンジアミン、m-ベンジルアミン、α-3-アミノフェニルメチルアミン、α-3-アミノフェニルエチルアミン、α-3-アミノフェニルプロピルアミン、4,4’-ジアミノジフェニルプロパン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、3,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,3’-ジアミノジフェニルスルホン等の芳香族ジアミン化合物上記一般式VI中、Yが2価の芳香族基;ジアミノシロキサン;主鎖がエチレンオキサイド、プロピレンオキサイド、又は、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドの共重合体であるジアミン化合物;主鎖がゴムであるジアミン化合物;下記一般式IXで表されるポリオキシアルキレンジアミン類;等が挙げられ、これらは、単独又は2種以上を混合して使用することもできる。但し、式中aは0~20、bは0~70、cは1~90であるポリオキシアルキレンジアミン類として具体的には特に制限は無いが、例えば、三井化学ファイン株製の商品名:ジェファーミンD-230a=0、b=0、c=2~3、D-400a=0、b=0、c=5~6、D-2000a=0,b=0,c=約33、D-4000等のジェファーミンDシリーズ;ジェファーミンED-600b=9.0、ac=3.6、ED-900b=12.0、ac=3.6、ED-2003b=38.7、ac=6.0等のジェファーミンEDシリーズ;等を使用することができ、これらは、単独又は2種以上を混合して使用することもできる。極性溶媒一般式Vで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸誘導体が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸誘導体のエキソ体/エンド体混合物と、上記一般式VIで表されるジアミン化合物との反応には、極性溶媒を使用する。使用可能な極性溶媒は、原料として使用する化合物を溶解できればよく、特に限定されないが、上記一般式IIIで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸化合物が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸化合物のエキソ体/エンド体混合物と上記一般式IVで表されるジイソシアネート化合物との反応で用いられる極性溶媒と同様のものが使用可能である。極性溶媒の使用量も、上記一般式IIIで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸化合物が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸化合物のエキソ体/エンド体混合物と上記一般式IVで表されるジイソシアネート化合物との反応における場合と同様でよい。<2-4>上記一般式Vで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸誘導体が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸誘導体のエキソ体/エンド体混合物とジアミン化合物との反応条件本発明のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドの製造方法において、上記一般式Vで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸誘導体が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸誘導体のエキソ体/エンド体混合物とを極性溶媒中で反応させる場合の反応条件を以下に説明する。上記一般式Vで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸誘導体が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸誘導体のエキソ体/エンド体混合物と、上記一般式で表されるジアミン化合物との反応は、一般式Vで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸誘導体が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸誘導体のエキソ体/エンド体混合物のカルボキシ基のモル数に対する、一般式で表されるジアミン化合物のアミノ基のモル数を0.7~2.0とすることが好ましく、0.8~1.7とすることがより好ましく、0.9~1.5とすることがさらに好ましく、0.95~1.3とすることが特に好ましい。0.7未満又は2.0を超えると、得られるポリアミドの分子量を大きくすることが困難になり、機械特性、耐熱性等が低下する可能性がある。本発明のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドを得るための、上記一般式Vで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸誘導体が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸誘導体のエキソ体/エンド体混合物と上記一般式VIで表されるジアミン類との反応条件には、特に制限が無く、特許第3091784号公報等で紹介されている方法を使用することができる。例えば、融点以上の温度で加熱溶融させ、液相均一系で重縮合反応を行う溶解重縮合法、室温ないし100°C以下の温度で重縮合反応を行う低温重縮合法、モノマー及びポリマーの融点の20~30°C付近の温度で結晶状態のまま固相で加熱して重縮合反応を行う固相重縮合法、上記極性溶媒中、窒素気流下100~300°Cの温度で重縮合させる溶液重縮合法等の方法を使用できる。エキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドの数平均分子量を、前述の2,000~200,000とするには、上記製造方法により製造すればよい。<2-5>一般式IIIで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸化合物が50モル以上であるノルボルナン骨格含有ジカルボン酸化合物のエキソ体/エンド体混合物の合成本発明のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドを得るための、一般式IIIで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸化合物が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸化合物のエキソ体/エンド体混合物は、下記工程a~bを含む方法で得られる。但し、下記の合成法においては、上記式III中、R1は水素である。工程a:下記式VIIで表されるノルボルナジエンと下記一般式VIIIで表されるギ酸エステルとを、但し、式中R2、R3は、炭素数1~5のアルキル基、ビニル基、ベンジル基を示す。なお、R2、R3は同じであっても違ってもよい。ルテニウム化合物と、コバルト化合物と、ハロゲン化物塩と、塩基性化合物と、を組み合わせた触媒系の存在下で反応させて、下記一般式Vで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸誘導体が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸誘導体のエキソ体/エンド体混合物とする。但し、式中R1は水素であり、R2、R3はそれぞれ独立して、炭素数1~5のアルキル基、ビニル基、ベンジル基を示す。なお、R2、R3は同じであっても違ってもよい。工程b:前記一般式Vで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸誘導体が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸誘導体のエキソ体/エンド体混合物のアルコキシカルボニル基を加水分解して、前記一般式IIIで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸化合物が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸化合物のエキソ体/エンド体混合物を得る。なお、上記方法上記工程a及び工程bを経る方法で得られる、一般式IIIで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸化合物が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸化合物のエキソ体/エンド体混合物は、式III中のR1が水素のものである。以下、各工程について説明する。<工程a:一般式Vで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸誘導体が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸誘導体のエキソ体/エンド体混合物を得るヒドロエステル化反応ともいう工程>上記式VIIで表されるノルボルナジエンと反応させる上記一般式VIIIで表されるギ酸エステルとしては、特に制限は無く、下記のものが挙げられる。ギ酸エステルヒドロエステル化反応工程に使用可能なギ酸エステルは、例えば、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸イソプロピル、ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸アミル、ギ酸イソアミル、ギ酸ビニル、ギ酸ベンジル等から適宜選択して使用することができる。コスト及び反応性の観点から、ギ酸メチル、ギ酸エチル等の直鎖状のアルキルギ酸エステルが好ましく、ギ酸メチルがより好適である。なお、ギ酸エステルのエステル部分R2、R3は、上記一般式V中のR2、R3に対応する。なお、R2、R3は同じであっても違ってもよい。上記方法上記工程aを経る方法で得られる、一般式Vで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸誘導体が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸誘導体のエキソ体/エンド体混合物は、式V中のR1が水素のものである。本願のポリアミドは、上記工程a及び必要によりさらに工程bを経て得られる、エキソ体比率の高いノルボルナンジカルボン酸誘導体又はエキソ体比率の高いノルボルナンジカルボン酸化合物を原料として用いることが好ましい。その場合、上記一般式I~II中のR1は、本願における工程a及び必要によりさらに工程bを経て得られる、エキソ体比率の高いノルボルナンジカルボン酸誘導体又はエキソ体比率の高いノルボルナンジカルボン酸化合物のみに由来する。すなわち、上記一般式I~II中のR1は水素となる。しかし、ポリアミドの原料として、下記の方法で合成したエンド体比率の高いノルボルナンジカルボン酸誘導体又はエンド体比率の高いノルボルナンジカルボン酸化合物を、上記工程a及び必要によりさらに工程bを経て得られる、エキソ体比率の高いノルボルナンジカルボン酸誘導体又はエキソ体比率の高いノルボルナンジカルボン酸化合物と混合して用いてもよい。その場合、上記一般式I~II中のR1は、エンド体比率の高いノルボルナンジカルボン酸誘導体又はエンド体比率の高いノルボルナンジカルボン酸化合物にも由来することとなり、具体的には、上記一般式I~II中のR1はメチル基と水素のものが混在することとなる。エンド体比率の高いノルボルナンジカルボン酸誘導体又はエンド体比率の高いノルボルナンジカルボン酸化合物は、下記の方法で合成する。ジシクロペンタジエン又はシクロペンタジエンと、アクリル酸エステルエステル部の置換基:R3又はメタクリル酸エステルエステル部の置換基:R3と、をディールスアルダー反応させてノルボルネンモノカルボン酸誘導体を得る。そして、得られたノルボルネンモノカルボン酸誘導体と、ギ酸エステルHCOOR2とを、ルテニウム化合物と、コバルト化合物と、ハロゲン化物塩と、を含む触媒系の存在下で反応させて、ノルボルナンジカルボン酸誘導体を得る。さらに必要により、この方法により得られたノルボルナンジカルボン酸誘導体のアルコキシカルボニル基を加水分解して、エンド体比率が高いノルボルナンジカルボン酸化合物を得る。なお、上記で用いられるルテニウム化合物と、コバルト化合物と、ハロゲン化物塩は、後述の工程aで用いるものと同じものが使用可能である。上記方法により得られたノルボルナンジカルボン酸誘導体又はノルボルナンジカルボン酸化合物はエンド体比率が高い。しかし、ジシクロペンタジエン又はシクロペンタジエンと反応させる原料としてメタクリル酸エステルを用いて得られノルボルナンジカルボン酸誘導体又はノルボルナンジカルボン酸化合物を、ポリアミドの合成の原料として一部用いると、上記一般式I、IIにおいて、R1がメチル基となるものを含有することが出来、これによりポリアミドが透明性に優れる特性を有することができる。ただし、本願発明において、ポリアミドの合成に用いるノルボルナンジカルボン酸誘導体又はノルボルナンジカルボン酸化合物は、エキソ体比率が50モル以上となることが重要である。そのため、工程a及び必要によりさらに工程bを経て得られる、本願における一般式Vで表されるエキソ体比率が高いノルボルナンジカルボン酸誘導体のエキソ体/エンド体混合物式Vにおいて、R1が水素、あるいは、本願における一般式IIIで表されるエキソ体比率が高いノルボルナンジカルボン酸化合物のエキソ体/エンド体混合物式IIIにおいて、R1が水素と混合する場合、どちらの場合も混合物のエキソ体比率が50モル以上となるように混合することが重要である。触媒系ヒドロエステル化反応には、ルテニウム化合物と、コバルト化合物と、ハロゲン化物塩と、塩基性化合物との4成分を必須とする触媒系を使用する。なお、ここで触媒系とは、触媒そのものだけでなく、触媒の作用を助ける添加剤、増感剤等も含むものである。後述する実施例によって明らかにされるように、本発明では、ルテニウム化合物と、コバルト化合物と、ハロゲン化物塩と、塩基性化合物との組み合わせによって、所期の目的エキソ体比率の高いノルボルナンジカルボン酸エステルが効率よく得られることが達成可能となる。理論によって拘束するものではないが、本発明による不飽和有機化合物のヒドロエステル化反応は、ルテニウム化合物がギ酸エステルのC-H結合を開裂し、ノルボルナジエンの不飽和基に付加したコバルト化合物と反応することによって進行し、このような反応をハロゲン化物塩と塩基性化合物が促進するものと考えられる。以下、触媒系の各種化合物について具体的に説明する。1ルテニウム化合物ヒドロエステル化反応で使用可能なルテニウム化合物は、ルテニウムを含む化合物であればよく、特に制限はない。例えば、ルテニウム原子を中心として、周囲に配位子が結合した構造を有するルテニウム錯体化合物が挙げられる。本発明の一実施形態では、分子内にカルボニル配位子とハロゲン配位子とを合わせ持つ、ルテニウム錯体化合物が好ましい。そのようなルテニウム錯体化合物の具体例として、[RuCl2CO3]2、[RuCl2CO2]n、並びに[RuCO3Cl3]-、[Ru3CO11Cl]-及び[Ru4CO13Cl]-等をカウンタアニオンとして有する各種化合物が挙げられる。上記カウンタアニオンを有する各種化合物は、カウンタカチオンとして、例えば、アルカリ金属やアルカリ土類金属等の金属イオンを有するものであってよい。例示した化合物の中でも、反応率向上の観点から、[RuCO3Cl2]2、及び[RuCO2Cl2]nがより好ましい。ヒドロエステル化反応で使用するルテニウム化合物は、当技術分野において周知の方法に従って製造することもできるが、市販品として入手することもできる。また、[RuCO2Cl2]nは、M.J.Cleare,W.P.Griffith,J.Chem.Soc.A,1969,372.に記載された方法に従って製造することができる。ヒドロエステル化反応で使用するルテニウム化合物は、例えば、RuCl3、Ru3CO12、RuCl2C8H12、RuCO3C8H8、RuCO3C8H12、及びRuC8H10C8H12を前駆体化合物として使用し、本発明におけるヒドロエステル化の反応前又は反応中に、上記ルテニウム化合物を調製して、反応系に導入してもよい。上記ルテニウム化合物の使用量は、製造コストを考えると、可能な限り少量にすることが好ましい。しかし、上記ルテニウムの使用量が1/10000当量未満となると、エステル化反応の速度が遅くなる傾向にある。そのため、上記ルテニウム化合物の使用量は、原料として使用するノルボルナジエンに対して、1/10000~1当量の範囲が好ましく、1/1000~1/10当量の範囲がより好ましい。ルテニウム化合物を単独で用いても、複数組み合わせて用いてもよい。2コバルト化合物ヒドロエステル化反応で使用可能なコバルト化合物は、コバルトを含む化合物であればよく、特に制限はない。好適な化合物の具体例として、Co2CO8、HCoCO4、Co4CO12等のカルボニル配位子を持つコバルト錯体化合物、酢酸コバルト、プロピオン酸コバルト、安息香酸コバルト、クエン酸コバルト等のカルボン酸化合物を配位子に持つコバルト錯体化合物、及びリン酸コバルトが挙げられる。なかでも、反応率向上の観点から、カルボニル配位子を持つコバルト錯体化合物が好ましい。上記コバルト化合物の使用量は、上記ルテニウム化合物に対して、1/100~10当量、好ましくは1/10~5当量である。上記ルテニウム化合物に対する上記コバルト化合物の比率が1/100当量より低くても、又は10当量より高くても、上記一般式IIIで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸化合物が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸化合物のエキソ体/エンド体混合物の生成量は低下する、または生成しない傾向にある。コバルト化合物を単独で用いても、複数組み合わせて用いてもよい。3ハロゲン化物塩ヒドロエステル化反応で使用可能なハロゲン化物塩は、塩化物イオン、臭化物イオン及びヨウ化物イオン等のハロゲンイオンと、カチオンとから構成される化合物であればよく、特に限定されない。上記カチオンは、無機物イオン及び有機物イオンのいずれであってもよい。また、上記ハロゲン化物塩は、分子内に1以上のハロゲンイオンを含んでもよい。ハロゲン化物塩を構成する無機物イオンは、アルカリ金属及びアルカリ土類金属から選択される1種の金属イオンであってよい。具体例として、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、カルシウム、ストロンチウム等のイオンが挙げられる。また、有機物イオンは、有機化合物から誘導される1価以上の有機基であってよい。一例として、アンモニウム、ホスホニウム、ピロリジニウム、ピリジウム、イミダゾリウム及びイミニウム等のイオンが挙げられ、これらイオンの水素原子はアルキル及びアリール等の炭化水素基によって置換されていてもよい。特に限定するものではないが、好適な有機物イオンの具体例として、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、テトラペンチルアンモニウム、テトラヘキシルアンモニウム、テトラヘプチルアンモニウム、テトラオクチルアンモニウム、トリオクチルメチルアンモニウム、ベンジルトリメチルアンモニウム、ベンジルトリエチルアンモニウム、ベンジルトリブチルアンモニウム、テトラメチルホスホニウム、テトラエチルホスホニウム、テトラフェニルホスホニウム、ベンジルトリフェニルホスホニウム、ビストリフェニルホスフィンイミニウム等のイオンが挙げられる。なかでも、反応率向上の観点から、ブチルメチルピロリジニウムクロリド、ビストリフェニルホスフィンイミニウムアイオダイド、トリオクチルメチルアンモニウムクロリド、テトラエチルアンモニウムクロリド等の第四級アンモニウム塩がより好ましい。ヒドロエステル化反応で使用するハロゲン化物塩は、固体の塩である必要はなく、室温付近又は100°C以下の温度領域で液体となる、ハロゲン化物イオンを含むイオン性液体を用いてもよい。このようなイオン性液体に用いられるカチオンの具体例として、1-エチル3-メチルイミダゾリウム、1-プロピル-3-メチルイミダゾリウム、1-ブチル-3-メチルイミダゾリウム、1-ペンチル-3-メチルイミダゾリウム、1-ヘキシル-3-メチルイミダゾリウム、1-ヘプチル-3-メチルイミダゾリウム、1-オクチル-3-メチルイミダゾリウム、1-デシル-3-メチルイミダゾリウム、1-ドデシル-3-メチルイミダゾリウム、1-テトラデシル-3-メチルイミダゾリウム、1-ヘキサデシル-3-メチルイミダゾリウム、1-オクタデシル-3-メチルイミダゾリウム、1-エチル-2,3-ジメチルイミダゾリウム、1-ブチル-2,3-ジメチルイミダゾリウム、1-ヘキシル-2,3-ジメチルイミダゾリウム、1-エチルピリジニウム、1-ブチルピジリニウム、1-ヘキシルピリジニウム、8-メチル-1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン、8-エチル-1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン、8-プロピル-1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン、8-ブチル-1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン、8-ペンチル-1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン、8-ヘキシル-1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン、8-ヘプチル-1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン、8-オクチル-1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン等の有機物イオンが挙げられる。上述のハロゲン化物塩のうち、好適なハロゲン化物塩は、塩化物塩、臭化物塩、ヨウ化物塩であり、カチオンが有機物イオンである化合物である。特に限定するものではないが、本発明において好適なハロゲン化物塩の具体例として、ブチルメチルピロリジニウムクロリド、ビストリフェニルホスフィンイミニウムアイオダイド、トリオクチルメチルアンモニウムクロリドが挙げられる。ハロゲン化物塩の添加量は、例えば、ルテニウム化合物に対して1~1000当量、好ましくは2~50当量である。添加量を1当量以上とすることによって、反応速度を効果的に高めることができる。一方、添加量が1000当量を超えると、添加量をさらに増加したとしても、反応促進のさらなる向上効果は得られない傾向がある。本発明では、ハロゲン化物塩を単独で用いても、複数組み合わせて用いてもよい。4塩基性化合物ヒドロエステル化反応において、使用可能な塩基性化合物は、無機化合物であっても、有機化合物であってもよい。塩基性の無機化合物の具体例として、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の各種金属の炭酸塩、炭酸水素塩、水酸化物塩、アルコキシドが挙げられる。塩基性の有機化合物の具体例として、一級アミン化合物、二級アミン化合物、三級アミン化合物、ピリジン化合物、イミダゾール化合物、キノリン化合物が挙げられる。上述の塩基性化合物のなかでも、反応促進効果の観点から、三級アミン化合物が好適である。本発明において好適な三級アミン化合物の具体例として、トリアルキルアミン、N-アルキルピロリジン、N-アルキルピペリジン、キヌクリジン、及びトリエチレンジアミンが挙げられる。塩基性化合物の添加量は、特に限定されるものではないが、例えば、ルテニウム化合物に対して1~1000当量、好ましくは2~200当量である。添加量を1当量以上とすることによって、促進効果の発現がより顕著になる傾向がある。また、添加量が1000当量を超えると、添加量をさらに増加したとしても、反応促進のさらなる向上効果は得られない傾向がある。5触媒系のその他の成分ヒドロエステル化反応では、ルテニウム化合物とコバルト化合物とハロゲン化物塩と塩基性化合物とを含む特定の触媒系に、必要に応じて、フェノール化合物、又は有機ハロゲン化合物を追加することによって、上記触媒系による反応促進の効果をより高めることが可能である。以下、各種化合物について説明する。5-1フェノール化合物ヒドロエステル化反応において好適なフェノール化合物の具体例として、フェノール、クレゾール、アルキルフェノール、メトキシフェノール、フェノキシフェノール、クロルフェノール、トリフルオロメチルフェノール、ヒドロキノン及びカテコールが挙げられる。フェノール化合物の添加量は、例えば、ルテニウム化合物に対して1~1000当量、好ましくは2~50当量である。添加量を1当量以上とすることによって、促進効果の発現がより顕著になる傾向がある。また、添加量が1000当量を超えると、添加量をさらに増加したとしても、反応促進のさらなる向上効果は得られない傾向がある。5-2有機ハロゲン化合物ヒドロエステル化反応において好適な有機ハロゲン化合物としては、ハロゲン化メチル、ジハロゲンメタン、ジハロゲンエタン、トリハロゲンメタン、テトラハロゲン炭素、ハロゲン化ベンゼン等が挙げられる。有機ハロゲン化合物の添加量は、例えば、ルテニウム化合物に対して1~1000当量、好ましくは2~50当量である。添加量を1当量以上とすることによって、促進効果の発現が顕著になる傾向がある。また、添加量が1000当量を超えると、添加量をさらに増加したとしても、反応促進のさらなる向上効果は得られない傾向がある。溶媒ヒドロエステル化反応において、上記式VIIで表されるノルボルナジエンと上記一般式VIIIで表されるギ酸エステルとの反応は、特に溶媒を用いることなく進行させることができる。しかし、必要に応じて、溶媒を使用してもよい。本発明において使用可能な溶媒は、原料として使用する化合物を溶解できればよく、特に限定はされない。本発明において好適に使用できる溶媒の具体例として、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-ヘプタン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、o-キシレン、p-キシレン、m-キシレン、エチルベンゼン、クメン、テトラヒドロフラン、N-メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルイミダゾリジノン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、アセトニトリル等が挙げられる。各原料の割合反応に用いる上記式VIIで表されるノルボルナジエンと上記一般式VIIIで表されるギ酸エステルとの割合は、仕込み量で、上記式VIIで表されるノルボルナジエン1モルに対し、上記一般式VIIIで表されるギ酸エステルを2~100モルが好ましく、4~50がより好ましい。2モル未満であると、副反応が増えて数率が低下する傾向があり、100モルを超えても、生産性が低下するだけで、特に効果は無い。反応温度ヒドロエステル化反応において、上記式VIIで表されるノルボルナジエンと上記一般式VIIIで表されるギ酸エステルとの反応は、80°C~200°Cの温度範囲で実施することが好ましい。上記反応は、100°C~160°Cの温度範囲で実施することがより好ましい。80°C以上の温度で反応を実施することによって、反応速度が速まり、効率良く反応を進めることができる。その一方で、反応温度を200°C以下に制御することによって、原料として使用するギ酸エステルの分解を抑制することができる。ギ酸エステルが分解すると、ノルボルナジエンに対するエステル基の付加が達成されなくなる。さらに、反応温度が高すぎると、原料であるノルボルナジエンの開環重合が起こり、収率が低下する可能性があるので、高すぎる反応温度は望ましくない。反応温度が、原料として使用するノルボルナジエン又はギ酸エステルのいずれかの沸点を超える場合には、耐圧容器内で反応を行う必要がある。反応の終結は、ガスクロマトグラフ、NMR等の周知の分析技術を用いて確認することができる。上記に示すような工程aで得られた一般式Vで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸誘導体が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸誘導体のエキソ体/エンド体混合物式Vにおいて、R1が水素は、必要により蒸留等で単離して、下記工程bの加水分解工程の原料とするか、上記一般式IVで表されるジイソシアネート化合物と反応させるためのポリアミドの原料とすることができる。<工程b:上記一般式Vで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸誘導体が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸誘導体のエキソ体/エンド体混合物の加水分解工程>本発明のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドを得るための、一般式IIIで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸化合物が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸化合物のエキソ体/エンド体混合物は、上記工程aで得られた一般式Vで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸誘導体が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸誘導体のエキソ体/エンド体混合物のアルコキシカルボニル基を加水分解して得られる。但し、式IIIにおいて、R1は水素である。上記一般式Vで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸誘導体が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸誘導体のエキソ体/エンド体混合物を加水分解して一般式IIIで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸化合物が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸化合物のエキソ体/エンド体混合物とする方法には、特に制限は無く、例えば、特許第2591492号、又は特開2008-31406号公報等に記載されている酸加水分解、アルカリ加水分解等を使用することができる。又は、酸成分、あるいはアルカリ成分を加えること無しに、耐熱容器内で水分存在下、140°C以上の高温で加熱することによっても加水分解することができる。以下、本発明を実施例によってより詳細に説明する。しかし、本発明の範囲は以下の実施例によって限定されるものではない。<一般式Vで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸誘導体が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸誘導体のエキソ体/エンド体混合物の合成>一般式V中、R2、R3=メチル基合成例1[ノルボルナンジカルボン酸ジメチルの合成]室温下、内容積50mlのステンレス製加圧反応装置内に、ルテニウム化合物として[RuCO3Cl2]2を0.05mmol、コバルト化合物としてCo2CO8を0.05mmol、ハロゲン化物塩としてブチルメチルピロリジニウムクロリドを0.25mmol、塩基性化合物としてトリエチルアミンを1.0mmol加え、混合して触媒系を得た。この触媒系に、ノルボルナジエンを2.5mmol、ギ酸メチルを5.0mL加え、次いで窒素ガス0.5MPaで反応装置内をパージし、120°Cで15時間保持した。その後、反応装置を室温まで冷却し、放圧し、残存有機相の一部を抜き取り、ガスクロマトグラフを用いて、反応混合物の成分を分析した。分析結果によれば、反応によって生成したノルボルナンジカルボン酸メチルは1.63mmolノルボルナンジカルボン酸メチル基準で収率65.2であり、エキソ体/エンド体の組成比モル比は75/25であった。また、この際、エキソ体、エンド体ともガスクロマトグラフのピークが2本ずつ存在したので、2,5-体と2,6-体であると推察した。なお、ガスクロマトグラフ分析は、ジーエルサイエンス株製GC-353B型GCを使用して下記条件で行った。検出器:水素炎イオン検出器カラム:ジーエルサイエンス株製TC-1長さ:60mキャリアガス:ヘリウム300kPa温度注入口:200°C検出器:200°Cカラム:40°C~240°C昇温速度:5°C/minまた、上記エキソ体/エンド体ガスクロマトグラフのピークが2本を減圧蒸留で分離して、エキソ体とエンド体とをそれぞれ得た。減圧蒸留で得られたエキソ体ノルボルナンジカルボン酸メチルの13C-NMRスペクトルを図1及び図2に示す。図1及び図2に示した13C-NMRスペクトルの測定条件及び同定データは以下のとおりである。条件:溶媒DMSO-d6、BRUKER社製の装置AV400Mカーボン基本周波数:100.62MHz。13C-NMR分析の結果、170~180ppm付近にカルボニルのカーボン、51~52ppm付近にメチルエステルのカーボン、39~45ppm付近にメチレンのカーボン、32~36ppm付近にメチンのカーボンが観測され、それぞれのカーボン数は、カルボニル/メチルエステル/メチレン/メチン=2/2/4/5であった。各カーボンが下記に示すように帰属された。下記の文中の各カーボンの符号は、上記化学式のカーボンの位置を示す丸数字に対応する。カーボン:39.89ppmのピークメチンカーボン:44.59ppmのピークメチンカーボン:33.03ppmのピークメチレンカーボン:39.89ppmのピークメチンカーボン:44.59ppmのピークメチンカーボン:33.02ppmのピークメチレンカーボン:34.35ppmのピークメチレンカーボン:51.44ppmのピークメチルエステルカーボン:175.22ppmのピークカルボニルカーボン:35.15ppmのピークメチンカーボン:44.77ppmのピークメチンカーボン:32.68ppmのピークメチレンカーボン:43.86ppmのピークメチンカーボン:32.68ppmのピークメチレンカーボン:44.77ppmのピークメチンカーボン:34.47ppmのピークメチレンカーボン:51.51ppmのピークメチルエステルカーボン:174.85ppmのピークカルボニル得られたエキソ体ノルボルナンジカルボン酸メチルの1H-NMRスペクトルを図3に示す。図3に示した1H-NMRスペクトルの測定条件及び同定データは以下のとおりである。条件:溶媒DMSO-d6、BRUKER社製の装置AV400Mプロトン基本周波数:400.13MHz。1H-NMR分析の結果、各プロトンが下記に示すように帰属された。下記の文中の各カーボンの符号は、上記化学式のカーボンの位置を示す丸数字に対応する。プロトン:2.47ppm付近のピークメチンプロトン:2.4ppm付近のピークメチンプロトン:1.5ppm~1.8ppm付近のピークメチレンプロトン:2.47ppm付近のピークメチンプロトン:2.4ppm付近のピークメチンプロトン:1.5ppm~1.8ppm付近のピークメチレンプロトン:1.3ppm付近のピークメチレンプロトン:3.6ppm付近のピークメチルプロトン:2.3ppm付近のピークメチンプロトン:2.5ppm付近のピークメチンプロトン:1.5ppm~1.8ppm付近のピークメチレンプロトン:2.7ppm付近のピークメチンプロトン:1.5ppm~1.8ppm付近のピークメチレンプロトン:2.5ppm付近のピークメチンプロトン:1.2ppm付近のピークメチレンプロトン:3.6ppm付近のピークメチルまた、積分強度比から、メチル基が4つ、メチレン基が6つ、メチン基が8つ存在することが分かった。得られたエキソ体ノルボルナンジカルボン酸メチルの1H-13CHSQCスペクトルを図4に示す。図4に示した1H-13CHSQCスペクトルから、それぞれ同じピーク番号を持つカーボンとプロトンが相関し、図1、図2及び図3の帰属結果が正しいことが分かった。得られたエキソ体ノルボルナンジカルボン酸メチルの1H-1HCOSYスペクトルを図5に示す。図5から、プロトンとプロトン、プロトンとプロトン、プロトンとプロトン、プロトンとプロトン、プロトンとプロトンプロトンとプロトンの相関が観測され、それぞれ、プロトン~及び~でノルボルナン環が構成されていることを確認した。得られたエキソ体ノルボルナンジカルボン酸メチルの1H-13HHMBCスペクトルを図6に示す。1H-13HHMBCスペクトルによって、2種類の化合物の構造同定を行った。1プロトン~でノルボルナン環が構成されている化合物図6から、カルボニルカーボンとメチンプロトン及びメチンプロトンに相関が認められることから、ノルボルナン-2,5-ジカルボン酸メチルであることを確認した。2プロトン~でノルボルナン環が構成されている化合物図6から、カルボニルカーボンとメチンプロトン及びメチンプロトンに相関が認められることから、ノルボルナン-2,6-ジカルボン酸メチルであることを確認した。得られたエキソ体ノルボルナンジカルボン酸メチルの1H-1HNOESYスペクトルを図7に示す。1H-1HNOESYスペクトルから、ノルボルナン-2,5-ジカルボン酸メチル及びノルボルナン-2,6-ジカルボン酸メチルの立体構造同定を行った。1ノルボルナン-2,5-ジカルボン酸メチル図7から、プロトンとプロトンとの相関はあるが、プロトンとの相関が認められないことから、プロトンはエンド位に結合していることが分かる。よって、この化合物が、ノルボルナン-2エキソ-5エキソ-ジカルボン酸メチルであることを確認した。2ノルボルナン-2,6-ジカルボン酸メチル図7から、プロトンはプロトンとの相関はあるが、プロトンとの相関が認められないことから、プロトンはエンド位に結合していることが分かる。よって、この化合物が、ノルボルナン-2エキソ-6エキソ-ジカルボン酸メチルであることを確認した。合成例2[ノルボルナンジカルボン酸ジメチルの合成]シクロペンタジエンの生成撹拌機、温度計及び塔頂に分溜塔、温度計及び冷却管を備えたスニーダー型分溜管7段を備えた1リットルフラスコに、ジシクロペンタジエンを700g仕込み、オイルバスで加熱した。フラスコ内の温度が158°Cに達したところで、分溜塔頂からシクロペンタジエンが留出してきたので、受器を氷冷しながら約6時間かけて回収した。この際の留出温度は41~48°Cで、回収量は609gだった回収率:87。得られたシクロペンタジエンをガスクロマトグラフィーで分析したところ、純度は100であった。ノルボルネンカルボン酸メチルの合成撹拌機、温度計、滴下ロート及び冷却管を備えた1リットルフラスコに、アクリル酸メチル344g4.0モルを仕込んだ後、フラスコを水冷して撹拌しながら、上記シクロペンタジエンの生成で得られたシクロペンタジエン265g4.0モルを、フラスコ内の温度が30~40°Cに保持されるように注意しながら滴下した。滴下終了後、反応温度を維持しながら6時間反応させ、ガスクロマトグラフィーで分析したところ、原料であるアクリル酸メチルとシクロペンタジエンは完全に消失し、ノルボルネンカルボン酸メチルの選択率が99.6の反応液を得たジシクロペンタジエンが0.4生成。また、このノルボルネンカルボン酸メチルの組成比モル比は、エキソ体/エンド体=25/75であった。ノルボルナンジカルボン酸メチルの合成室温下、内容積500mlのステンレス製加圧反応装置内で、ルテニウム化合物として[RuCO3Cl2]2を0.25mmol、コバルト化合物としてCo2CO8を0.25mmol、ハロゲン化物塩としてトリオクチルメチルアンモニウムクロリド5mmol、塩基性化合物としてトリエチルアミンを20mmol混合した触媒系に、上記ノルボルネンカルボン酸メチルの合成で得られたノルボルネンカルボン酸メチル未精製を100mmol、ギ酸メチルを50mL加えたのち、窒素ガス0.5MPaで反応容器をパージし、120°Cで8時間保持した。その後反応装置を室温まで冷却し、放圧し、残存有機層の一部を抜き取り、ガスクロマトグラフを用いて分析した。分析結果によれば、反応によって生成したノルボルナンジカルボン酸メチルは94.3mmolノルボルナンジカルボン酸メチル基準で収率94.3であり、エキソ体/エンド体の組成比モル比は43/57であった。得られたノルボルナンジカルボン酸メチルを減圧蒸留で単離した。<一般式IIIで表されるエキソ体ノルボルナンジカルボン酸化合物が50モル以上であるノルボルナンジカルボン酸化合物のエキソ体/エンド体混合物の合成>合成例3[ノルボルネンジカルボン酸の合成]冷却管を取り付けた1リットルナス型フラスコに、合成例1で得られたノルボルナンジカルボン酸ジメチルエキソ体/エンド体の組成比モル比:75/2530g及びメタノール200gを投入して均一溶液とした後、10水酸化ナトリウム溶液200gを加え、100°Cのオイルバスに入れ、6時間加熱還流した。その後、反応液量が140gになるまでメタノールを留去し、これに36塩酸48mlを加え、PHを1としたところ、白色粉末が沈殿した。この白色粉末をろ過、水洗、乾燥し、ノルボルナンジカルボン酸25gを得たNBDA-1。得られたノルボルナンジカルボン酸を、1H-NMRで分析した結果、ノルボルナン環のメチレン及びメチン基のピークが1.1~3.0ppm付近に、カルボン酸に起因する水酸基のピークが12.4ppm付近に確認でき、その積分強度比が10.00/1.98理論値:10/2であった。1H-NMRの結果を図8に示す。なお、加水分解後のノルボルナンジカルボン酸のエキソ体/エンド体の組成比モル比は、加水分解前のノルボルナンジカルボン酸誘導体のエキソ体/エンド体の組成比モル比と同じである。合成例4[ノルボルナンジカルボン酸の合成]合成例3において、合成例2で得られたノルボルナンジカルボン酸ジメチルエキソ/エンド体の組成比モル比:43/57にした以外は、合成例3と全く同様の操作を実施し、ノルボルナンジカルボン酸NBDA-224gを得た。合成例5[ノルボルナンジカルボン酸ジメチルの合成]室温下、内容積50mlのステンレス製加圧反応装置内に、ルテニウム化合物として[RuCO3Cl2]2を0.05mmol、コバルト化合物としてCo2CO8を0.05mmol、ハロゲン化物塩としてブチルメチルピロリジニウムクロリドを0.25mmol、加え、混合して触媒系を得た。この触媒系に、ノルボルナジエンを2.5mmol、ギ酸メチルを5.0mL加え、次いで窒素ガス0.5MPaで反応装置内をパージし、120°Cで15時間保持した。その後、反応装置を室温まで冷却し、放圧し、残存有機相の一部を抜き取り、ガスクロマトグラフを用いて、反応混合物の成分を分析した。分析結果によれば、反応によって生成したノルボルナンジカルボン酸メチルは痕跡量であった。合成例1の減圧蒸留で得られたエンド体ノルボルナンジカルボン酸メチルについて合成例1において、減圧蒸留で分離したエンド体ノルボルナンジカルボン酸メチルの1H-NMRを図9に示す。なお、エンド体ノルボルナンジカルボン酸メチルはガスクロマトグラフによる分析の結果、ピークが2本存在するものの、その比率は95/5組成比なので、1種類として分析した。1H-NMR分析の結果、1.3~1.7ppm付近にノルボルナン環のメチレン、2.3~2.8ppm付近にノルボルナン環のメチン、3.6ppm付近にメチルエステルが観測され、ノルボルナンジカルボン酸メチルであることが確認された。得られたエンド体ノルボルナンジカルボン酸メチルの13C-NMRスペクトルを図10に示す。13C-NMR分析の結果、各カーボンが下記に示すように帰属された。下記の各カーボンの符号は、上記化学式のカーボンの位置を示す丸数字に対応する。カーボン1:39.61ppmのピークメチンカーボン2:44.01ppmのピークメチンカーボン3:31.36ppmのピークメチレンカーボン4:40.63ppmのピークメチンカーボン5:45.07ppmのピークメチンカーボン6:28.94ppmのピークメチレンカーボン7:37.50ppmのピークメチレンカーボン8:51.37及び51.48ppmのピークメチルエステルカーボン9:174.22及び175.03ppmのピークカルボニル得られたエンド体ノルボルナンジカルボン酸ジメチルの1H-13CHSQCスペクトルを図11に示す。図11から、それぞれのカーボンとプロトンの相関が確認され、エンド体ノルボルナンジカルボン酸メチルを構成する全てのプロトンが帰属でき、得られたエンド体ノルボルナンジカルボン酸ジメチルは、2,5-体であることが分かった。得られたエンド体ノルボルナンジカルボン酸ジメチルの1H-1HCOSYスペクトルを図12に示す。図12から、プロトン1~7において隣接する全てのメチン基及びメチレン基プロトン同士の相関が観測され、プロトン1~7でノルボルナン環が構成されていることが確認できた。得られたエンド体ノルボルナンジカルボン酸ジメチルの1H-1HNOESYスペクトルを図13に示す。図13から、メチンプロトン2及び5とメチレンプロトン7に相関が認められることから、2位及び5位に結合しているカルボン酸メチル基は、いずれもエンド体であると確認した。<ノルボルナン骨格含有ポリアミドの合成>実施例1[エキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドPA-1の合成]攪拌機、温度計、窒素導入管及び冷却管を備えた500mlフラスコに、合成例3で得られたノルボルナンジカルボン酸74.20g0.350モル、ヘキサメチレンジイソシアネート59.98g0.357モルジカルボン酸/ジイソシアネートモル比=1.00/1.02及びN-メチルピロリドン202.84gを仕込み、160°Cまで昇温した後、3時間反応させて、数平均分子量が85,000のノルボルナン骨格を持つポリアミドPA-1を得た。なお、得られたポリアミドのエキソ体比率は、原料で用いたノルボルナンジカルボン酸の比率と同じである。得られたノルボルナン骨格を有するポリアミドPA-1をテフロン登録商標基板上に塗布し、250°Cで加熱して、有機溶媒を乾燥させて、膜厚30μmの塗膜を形成した。この塗膜のガラス転移温度Tg及び熱分解開始温度5質量減少温度、Td5を下記条件で測定した。結果を表1に示す。1ガラス転移温度Tg熱機械分析装置セイコー電子株製、5200型TMAで測定した。測定モード:エクステンション測定スパン:10mm荷重:10g昇温速度:5°C/min雰囲気:空気2熱分解開始温度5質量減少温度、Td5示差熱天秤セイコー電子株製、5200型TG-DTAで測定した。昇温速度:5°C/min雰囲気:空気3光線透過率また、得られたノルボルナン骨格を有するポリアミドPA-1の各波長における光線透過率を、日本分光株製、V-570型UV/VISスペクトロフォトメーターで測定した。評価結果をまとめて表1に示す。実施例2[エキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドPA-2の合成]攪拌機、温度計、窒素導入管及び冷却管を備えた500mlフラスコに、合成例3で得られたノルボルナンジカルボン酸53.00g0.250モル、4,4’-シクロヘキシルメタンジイソシアネート66.81g0.255モルジカルボン酸/ジイソシアネートモル比=1.00/1.02及びN-メチルピロリドン179.72gを仕込み、160°Cまで昇温した後、3時間反応させて、数平均分子量が90,000のノルボルナン骨格を有するポリアミドPA-2を得た。得られたノルボルナン骨格を有するポリアミドPA-2の特性を実施例1と同様に評価した。結果をまとめて表1に示す。実施例3[エキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドPA-3の合成]攪拌機、温度計、窒素導入管及び冷却管を備えた500mlフラスコに、合成例3で得られたノルボルナンジカルボン酸57.24g0.270モル、イソホロンジイソシアネート61.140.275モルジカルボン酸/ジイソシアネートモル比=1.00/1.02及びN-メチルピロリドン177.57gを仕込み、160°Cまで昇温した後、3時間反応させて、数平均分子量が85,000のノルボルナン骨格を持つポリアミドPA-3を得た。得られたノルボルナン骨格を有するポリアミドPA-3の特性を実施例1と同様に評価した。結果をまとめて表1に示す。実施例4[エキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドPA-4の合成]攪拌機、温度計、窒素導入管及び冷却管を備えた500mlフラスコに、合成例3で得られたノルボルナンジカルボン酸55.12g0.260モル、4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネート66.30g0.265モルジカルボン酸/ジイソシアネートモル比=1.00/1.02及びN-メチルピロリドン182.91gを仕込み、160°Cまで昇温した後、3時間反応させて、数平均分子量が80,000のノルボルナン骨格を持つポリアミドPA-4を得た。得られたノルボルナン骨格を有するポリアミドPA-4の特性を実施例1と同様に評価した。結果をまとめて表1に示す。比較例1[ノルボルナン骨格含有ポリアミドPA-5の合成]攪拌機、温度計、窒素導入管及び冷却管を備えた500mlフラスコに、合成例4で得られたノルボルナンジカルボン酸74.20g0.350モル、ヘキサメチレンジイソシアネート59.98g0.357モルジカルボン酸/ジイソシアネートモル比=1.00/1.02及びN-メチルピロリドン202.84gを仕込み、160°Cまで昇温した後、3時間反応させて、数平均分子量が45,000のノルボルナン骨格を持つポリアミドPA-5を得た。得られたノルボルナン骨格を有するポリアミドPA-5の特性を実施例1と同様に評価した。結果をまとめて表1に示す。なお、得られたポリアミドのエキソ体比率は、原料で用いたノルボルナンジカルボン酸の比率と同じである。比較例2[ノルボルナン骨格含有ポリアミドPA-6の合成]攪拌機、温度計、窒素導入管及び冷却管を備えた500mlフラスコに、合成例4で得られたノルボルナンジカルボン酸53.00g0.250モル、4,4’-シクロヘキシルメタンジイソシアネート66.81g0.255モルジカルボン酸/ジイソシアネートモル比=1.00/1.02及びN-メチルピロリドン179.72gを仕込み、160°Cまで昇温した後、3時間反応させて、数平均分子量が55,000のノルボルナン骨格を有するポリアミドPA-6を得た。得られたノルボルナン骨格を有するポリアミドPA-6の特性を実施例1と同様に評価した。結果をまとめて表1に示す。比較例3[ノルボルナン骨格含有ポリアミドPA-7の合成]攪拌機、温度計、窒素導入管及び冷却管を備えた500mlフラスコに、合成例4で得られたノルボルナンジカルボン酸57.24g0.270モル、イソホロンジイソシアネート61.140.275モルジカルボン酸/ジイソシアネートモル比=1.00/1.02及びN-メチルピロリドン177.57gを仕込み、160°Cまで昇温した後、3時間反応させて、数平均分子量が42,000のノルボルナン骨格を持つポリアミドPA-7を得た。得られたノルボルナン骨格を有するポリアミドPA-7の特性を実施例1と同様に評価した。結果をまとめて表1に示す。比較例4[ノルボルナン骨格含有ポリアミドPA-8の合成]攪拌機、温度計、窒素導入管及び冷却管を備えた500mlフラスコに、合成例4で得られたノルボルナンジカルボン酸55.12g0.260モル、4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネート66.30g0.265モルジカルボン酸/ジイソシアネートモル比=1.00/1.02及びN-メチルピロリドン182.91gを仕込み、160°Cまで昇温した後、3時間反応させて、数平均分子量が42,000のノルボルナン骨格を持つポリアミドPA-8を得た。得られたノルボルナン骨格を有するポリアミドPA-8の特性を実施例1と同様に評価した。結果をまとめて表1に示す。実施例5[エキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドPA-9の合成]攪拌機、温度計、窒素導入管及び油水分離器付冷却管を備えた500mlフラスコに、合成例1で得られたノルボルナンジカルボン酸メチル159.00g0.75モル、4,4’-ジアミノジシクロヘキシルメタン157.50g0.75モルジカルボン酸メチル/ジアミンモル比=1.00/1.00を仕込み、160°Cで2時間、190°Cで3時間、240°Cで5時間反応させ、数平均分子量が49,500のエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドPA-9を得た。得られたエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミドPA-9の特性を実施例1と同様に評価した。結果をまとめて表2に示す。なお、得られたポリアミドのエキソ体比率は、原料で用いたノルボルナンジカルボン酸メチルの比率と同じである。比較例5[ノルボルナン骨格含有ポリアミドPA-10の合成]攪拌機、温度計、窒素導入管及び油水分離器付冷却管を備えた500mlフラスコに、合成例2で得られたノルボルナンジカルボン酸メチル159.00g0.75モル、4,4’-ジアミノジシクロヘキシルメタン157.50g0.75モルジカルボン酸メチル/ジアミンモル比=1.00/1.00を仕込み、160°Cで2時間、190°Cで3時間、240°Cで5時間反応させ、数平均分子量が8,300のノルボルナン骨格を持つポリアミドPA-10を得た。得られたノルボルナン骨格を有するポリアミドPA-10の特性を実施例1と同様に評価した。結果をまとめて表2に示す。なお、得られたポリアミドのエキソ体比率は、原料で用いたノルボルナンジカルボン酸メチルの比率と同じである。比較例6[芳香族ポリアミドPA-11の合成]攪拌機、温度計、窒素導入管及び油水分離器付冷却管を備えた500mlフラスコに、イソフタル酸ジメチル155.20g0.80モル、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル160.00g0.80モルジカルボン酸メチル/ジアミンモル比=1.00/1.00を仕込み、160°Cで2時間、190°Cで3時間、240°Cで5時間反応させ、数平均分子量が9,800の芳香族ポリアミドPA-11を得た。得られた芳香族ポリアミドPA-11の特性を実施例1と同様に評価した。結果をまとめて表2に示す。"