基板と、前記基板の表面に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された吸収層を具備する反射型マスクブランクにおいて、遮光枠と前記遮光枠に囲まれた回路パターン形成領域とを有し、前記遮光枠の前記吸収層が前記回路パターン形成領域の吸収層より厚いことを特徴とする、反射型マスクブランク。前記遮光枠の吸収層は、前記回路パターン領域の吸収層に比べて150nm以上厚いことを特徴とする、請求項1に記載の反射型マスクブランク。前記遮光枠は、EUV光に対し反射率が0.25以下であることを特徴とする、請求項1に記載の反射型マスクブランク。請求項1乃至3に記載した反射型マスクブランクの製造方法であって、電子線リソグラフィ、もしくはフォトリソグラフィとドライエッチングにより前記吸収層を部分的に除去し、前記遮光枠を形成することを特徴とする、反射型マスクブランクの製造方法。請求項1乃至3のいずれかに記載の反射型マスクブランクまたは請求項4に記載の反射型マスクブランクの製造方法により作製された反射型マスクブランクの前記回路パターン形成領域に回路パターン領域を形成して作製されたことを特徴とする、反射型マスク。前記遮光枠は、前記回路パターン領域から外側に200nm以上離れていることを特徴とする、請求項5に記載の反射型マスク。しかしながら、前記特許文献1に記載された反射型マスクでは、回路パターン領域を形成した後の多層反射層の掘り込みにおいては、材質の異なるSiとMoの合計80層を加工する必要があり、ドライエッチング処理を実現させるには非常に複雑な条件が必須となる。また、この反射型マスクでは、遮光枠を設けるために多層反射層を除去することから、多層反射層が数層残ってしまった場合は、逆に反射率を高くしてしまう懸念がある。さらに、多層反射層を除去することから、多層反射層の加工面からのパーティクル発生は避けられず、欠陥面でのマスク品質の低下を招いてしまう。そこで、本発明は、上述の問題を解決するためになされたものであり、パーティクル発生を抑制したパターン転写精度の高い反射型マスクブランク、その製造方法、反射型マスクを提供することを目的とする。この目的を達成するため、請求項1に記載の発明は、反射型マスクブランクにおいて、基板と、前記基板の表面に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された吸収層を具備する反射型マスクブランクにおいて、遮光枠と前記遮光枠に囲まれた回路パターン形成領域とを有し、前記遮光枠の前記吸収層が前記回路パターン形成領域の吸収層より厚いことを特徴とする。また、請求項2に記載の発明は、前記遮光枠の吸収層は、前記回路パターン領域の吸収層に比べて150nm以上厚いことを特徴とする。また、請求項3に記載の発明は、前記遮光枠は、EUV光に対し反射率が0.25以下であることを特徴とする。また、請求項4に記載の発明は、前記反射型マスクブランクの製造方法において、電子線リソグラフィ、もしくはフォトリソグラフィとドライエッチングにより前記吸収層を部分的に除去し、前記遮光枠を形成することを特徴とする。また、請求項5に記載の発明は、反射型マスクにおいて、前記反射型マスクブランクまたは前記反射型マスクブランクの製造方法により作製された反射型マスクブランクの前記回路パターン形成領域に回路パターン領域を形成して作製されたことを特徴とする。また、請求項6に記載の発明は、前記遮光枠は、前記回路パターン領域から外側に200nm以上離れていることを特徴とする。本発明は、回路パターン領域形成の前段階で遮光枠を形成すること、また遮光枠を形成するために多層反射層を除去しないことから、回路パターン領域へのパーティクル付着を抑制できる。つまり、マスク欠陥品質の低下を抑えることが可能である。また、遮光枠を形成するために多層反射層を除去しないから、多層反射層が数層残ってしまう懸念が無く、多層反射層から発生する反射光の強度を抑制し、遮光性の高い遮光枠を形成することができる。これらのことから、本発明の反射型マスクを用いることで、高い精度で転写パターンを形成できるという効果がある。以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照しながら説明する。まず、本発明に係る実施形態の反射型マスクブランクの構成について説明する。図1a~dは、本発明に係る実施形態の反射型マスクブランク100、200、300、400の断面を示している。即ち、本発明に係る実施形態の反射マスクの構成は、反射型マスクブランク100、200、300、400のいずれを用いてもよい。図2aは、図1a~dの本発明の反射型マスクブランク100、200、300、400を表面から見た図であり、図2bは反射型マスクブランク200、400を裏面から見た図であり、図2cは反射型マスクブランク100、300を裏面から見た図である。図1aに示す反射型マスクブランク100は、基板11の表面に、多層反射層21、吸収層51が順次形成されている。図1bに示す反射型マスクブランク200は基板11の表面に、多層反射層21、吸収層51が順次形成されていると共に、基板11の裏面に裏面導電膜71が形成された構造となっている。つまり、図1bの反射型マスク200は、図1aの反射型マスク100の基板11の裏面に裏面導電膜71が形成されている。図1cの反射型マスクブランク300は、基板11の表面に多層反射層21、緩衝層41、吸収層51が順次形成されている。図1dの反射型マスクブランク400は、図1cの反射型マスク300の基板11の裏面に裏面導電膜71が形成された構造となっている。図1a~dの多層反射層21上の吸収層51の周辺部、つまり遮光枠25となる部分は他領域に比べ厚く形成されている。なお、遮光枠25の吸収層51は遮光枠25に囲まれた回路パターン形成領域80の吸収層51に比べて150nm以上厚いことが好ましい。150nm以上厚いと、遮光枠25のEUVに対する反射率を0.25以下にすることができる。反射率を0.25以下にすることで、多重露光により遮光枠25がウェハ上に転写される問題がなくなる。図1c、dの場合は、緩衝層41が多層反射層21と吸収層51との間にある構造となっている。図1a~dの本発明の反射型マスクブランク100、200、300、400を表面から見ると、図2aのように、回路パターン形成領域80と遮光枠25が形成されている。また、反射型マスクブランク200と反射型マスクブランク400は裏面から見ると図2bのように、裏面導電膜71が露呈しており、反射型マスクブランク100と反射型マスクブランク300は裏面から見ると図2cのように基板11が露呈している。図1a~dの反射型マスクブランク100、200、300、400の多層反射層21は、13.5nm近傍のEUV光に対して60程度の反射率を達成できるように設計されており、モリブデンMoとシリコンSiとを交互に40~50ペア積層した積層膜で、さらに最上層はルテニウムRuで構成されている。Ru層の下に隣接する層はSi層である。MoとSiが使われている理由は、EUV光に対する吸収消衰係数が小さく、且つMoとSiのEUV光での屈折率差が大きいために、SiとMoの界面での反射率を高く出来るためである。多層反射層21の最上層のRuは、吸収層51の加工におけるストッパーやマスク洗浄時の薬液に対する保護層としての役割を果たしている。図1c、dの反射型マスクブランク300、400の緩衝層41は、吸収層51のエッチングやパターン修正時に、緩衝層41の下に隣接する多層反射層21の最上層であるSi層を保護するために設けられており、クロムCrの窒素化合物CrNで構成されている。図1a~dの反射型マスクブランク100、200、300、400の吸収層51は、13.5nm近傍のEUVに対して吸収率の高いタンタルTaの窒素化合物TaNで構成されている。他の材料として、タンタルホウ素窒化物TaBN、タンタルシリコンTaSi、タンタルTaや、それらの酸化物TaBON、TaSiO、TaOでも良い。図1a~dの反射型マスクブランク100、200、300、400の吸収層51は、上層に波長190~260nmの紫外光に対して反射防止機能を有する低反射層を設けた2層構造から成る吸収層であっても良い。低反射層は、マスクの欠陥検査機の検査波長に対して、コントラストを高くし、検査性を向上させるためのものである。図1b、dの反射型マスクブランク200、400の裏面導電膜71は、一般にはCrNで構成されているが、導電性があれば良いので、金属材料からなる材料であれば良い。本発明の反射型マスクの構成を説明する。前記図1aの反射型マスクブランク100から作製した反射型マスク101を図3aに示す。前記図1bの反射型マスクブランク200から作製した反射型マスク201を図3bに示す。前記図1cの反射型マスクブランク300から作製した反射型マスク301を図3cに示す。前記図1dの反射型マスクブランク400から作製した反射型マスク401を図3dに示す。反射型マスク101、201、301、401は、回路パターン形成領域80の多層反射層21の上部の吸収層51及び緩衝層41がある場合は緩衝層41を掘り込むことによって形成された回路パターン領域85を有する。なお、遮光枠25は回路パターン領域85から外側に200nm以上離れていることが好ましい。200nm以上離れていることで、遮光枠25のシャドーイングの影響を防止することができる。また、図4aは図3a~dの本発明の反射型マスク101、201、301、401を表面からみた図である。反射型マスク101、201、301、401は遮光枠25と回路パターン領域85から構成されている。図4bは図3b、dの本発明の反射型マスク201、401を裏面からみた図であり、裏面導電膜71が露呈している。図4cは図3a、cの本発明の反射型マスク101、301を裏面からみた図であり、基板11が露呈している。次に、本発明の反射型マスクブランクの遮光枠を形成する方法について説明する。図5a、bに示す吸収層51上に電子線レジスト61を塗布した反射型マスクブランクを用意し、電子線リソグラフィにより遮光枠25のレジストパターンを形成後、フルオロカーボンプラズマもしくは塩素プラズマ、必要な場合はその両方のプラズマにより吸収層51をエッチングし、レジスト剥膜洗浄することで、遮光枠25が形成された、図1a、bに示す反射型マスクブランク100もしくは200を得る。あるいは、図5c、bに示す吸収層51上に電子線レジスト61を塗布した反射型マスクブランクを用意し、電子線リソグラフィにより遮光枠25のレジストパターンを形成後、フルオロカーボンプラズマもしくは塩素プラズマ、必要な場合はその両方のプラズマにより吸収層51をエッチングし、レジスト剥膜洗浄することで、遮光枠25が形成された、図1c、dに示す反射型マスクブランク300もしくは400を得る。次に、反射型マスク及び反射型マスクの製造方法について説明する。図1a、bに示す遮光枠25が形成された反射型マスクブランク100もしくは200を用意し、電子線リソグラフィにより回路パターン領域85のレジストパターンを形成後、フルオロカーボンプラズマもしくは塩素プラズマ、必要な場合はその両方のプラズマより回路パターン形成領域80の吸収層51をエッチングし、レジスト剥離洗浄することで、吸収層51に回路パターンが形成された回路パターン領域85を有する、図3a、bに示す反射型マスク101もしくは201を得る。あるいは、図1c、bに示す遮光枠25を形成された反射型マスクブランク300もしくは400を用意し、電子線リソグラフィにより回路パターン領域85のレジストパターンを形成後、フルオロカーボンプラズマもしくは塩素プラズマ、必要な場合はその両方のプラズマより回路パターン形成領域80の吸収層51をエッチングし、次いで塩素プラズマにより緩衝層41をエッチングし、レジスト剥離洗浄することで、吸収層51および緩衝層41に回路パターンが形成された回路パターン領域85を有する、図3c、bに示す反射型マスク301もしくは401を得る。本発明においては、回路パターン領域85を形成する前段階で遮光枠25を形成しており、また遮光枠25の吸収層51は回路パターン形成領域80の吸収層51に比べて厚くなっており、遮光枠25を形成するために多層反射層21を除去しないことから、回路パターン領域85へのパーティクル付着を抑制できる。つまり、マスク欠陥品質の低下を抑えることが可能である。また、遮光枠25を形成するために多層反射層21を除去しないから、多層反射層21が数層残ってしまう懸念が無く、反射層から発生する反射光の強度を抑制し、遮光性の高い遮光枠25を形成することができる。これらのことから、本発明の反射型マスクを用いることで、高い精度で転写パターンを形成できるという効果がある。以下、本発明の反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法の実施例を説明する。図6aに本実施例で用意した低熱膨張ガラス基板111を示す。その後裏面に静電チャッキング用の裏面導電膜171をスパッタリング装置により図6bのように形成した。ガラス基板111上に波長13.5nmのEUV光に対して反射率が64程度となるように設計されたMoとSiの40ペア反射層121を図6cのように積層した。続いてTaNからなる吸収層151をスパッタリング装置により形成した図6d。このときの吸収層151の膜厚は200nmとした。こうして、反射型マスクブランク202が完成した。次に、図7aに示す吸収層151上に電子線レジスト161を塗布した反射型マスクブランク203を用意し、反射型マスクブランク203に電子線リソグラフィとドライエッチング、レジスト剥離洗浄を行い、遮光枠125が形成された反射型マスクブランク204を作製した図7b。電子線リソグラフィには、化学増幅型ポジレジストFEP171富士フイルムエレクトニクスマテリアルズ製を用いて、描画機JBX9000日本電子製によってドーズ15μC/cm描画した後に、TMAH水酸化テトラメチルアンモニウム2.38現像液によりレジストパターンを形成した。吸収層151のエッチングにはCl2の誘導結合型プラズマを適用した。続いて、反射型マスクブランク204に電子線リソグラフィとドライエッチング、レジスト剥膜洗浄を行い、回路パターン領域185を形成し、本発明の遮光枠を有する反射型マスク205を作製した図7c。電子線リソグラフィには、化学増幅型ポジレジストFEP171富士フイルムエレクトニクスマテリアルズ製を用いて、描画機JBX3040日本電子製によってドーズ18μC/cm描画した後に、TMAH2.38現像液によりレジストパターンを形成した。吸収層151のエッチングにはCl2の誘導結合型プラズマを適用した。図7cの反射型マスク205の吸収層側のEUV光波長13.5nmの反射率を測定した。遮光枠125以外の領域での反射率が1.24であるのに対し、遮光枠125の反射率が0.00となった。また、OoBの影響を調べる為、真空紫外線から近赤外領域の波長における反射率を測定したところ、それぞれ0.00となった。図7cの反射型マスク205を用いて13.5nmのEUVを光源とした露光を行い、半導体基板上に隣接した4つのチップを転写した。隣接したチップにおいて、作製した反射型マスク上の遮光枠に相当する領域の一部は重なっていたにもかかわらず、半導体基板上の当該領域におけるレジストの感光は確認されなかった。