真空槽を有するラジカルクリーニング装置において、該真空槽内に被処理基板を載置する基板支持ステージが設置され、μ波印加手段又は高周波印加手段と、該μ波印加手段又は該高周波印加手段によりプラズマを発生させるプラズマ発生室と、該プラズマ発生室の下に設けた高周波電源が接続された第1のシャワープレートと、該第1のシャワープレートの下に設けた放電電極を兼ねる第2のシャワープレートとを備え、該第1のシャワープレートと第2のシャワープレートとで画成されたラジカル生成室を該第1のシャワープレートの下及び該第2のシャワープレートの上に有してなり、該被処理基板をエッチングし、そしてエッチング残留生成物を除去してラジカルクリーニングするように構成されていることを特徴とするラジカルクリーニング装置。請求項1に記載のラジカルクリーニング装置において、該μ波印加手段が、μ波導入手段、μ波遮蔽部材、及びμ波拡散用誘電体部材からなり、また、該高周波印加手段が、内部にガス導入用径路が設けられたガス導入用部材、及び該ガス導入用部材の下に設けた高周波電源が接続された天板からなることを特徴とするラジカルクリーニング装置。請求項1又は2に記載のラジカルクリーニング装置において、該第1のシャワープレートをアース電位にするために、該第1のシャワープレートに対する高周波電源の印加とアースとを切り替える手段を備えていることを特徴とするラジカルクリーニング装置。真空槽を有するラジカルクリーニング装置において、該真空槽内に被処理基板を載置する基板支持ステージが設置され、μ波印加手段又は高周波印加手段と、該μ波印加手段又は該高周波印加手段によりプラズマを発生させるプラズマ発生室と、該プラズマ発生室の下に設けた高周波電源が接続された第1のシャワープレートと、該第1のシャワープレートの下に設けたラジカル生成室とを備えてなり、該被処理基板をエッチングした後にラジカルクリーニングするように構成されていることを特徴とするラジカルクリーニング装置。請求項4に記載のラジカルクリーニング装置において、該μ波印加手段が、μ波導入手段、μ波遮蔽部材、及びμ波拡散用誘電体部材からなり、また、該高周波印加手段が、内部にガス導入用径路が設けられたガス導入用部材、及び該ガス導入用部材の下に設けた高周波電源が接続された天板からなることを特徴とするラジカルクリーニング装置。請求項4又は5に記載のラジカルクリーニング装置において、さらに、該第1のシャワープレートの下に設けた放電電極を兼ねる第2のシャワープレートを備え、該ラジカル生成室が該第1のシャワープレートと該第2のシャワープレートとで画成された空間であり、該被処理基板上の空間にプラズマを発生せしめ、該エッチングにより生成されたエッチング残留生成物を除去してラジカルクリーニングするように構成されていることを特徴とするラジカルクリーニング装置。請求項4~6のいずれか1項に記載のラジカルクリーニング装置において、該第1のシャワープレートをアース電位にするために、該第1のシャワープレートに対する高周波電源の印加とアースとを切り替える手段を備えていることを特徴とするラジカルクリーニング装置。請求項1~7のいずれか1項に記載のラジカルクリーニング装置において、該装置は、被処理基板を1枚ずつクリーニングする枚葉装置、又は多数枚同時処理するバッチ装置であることを特徴とするラジカルクリーニング装置。真空槽内においてラジカルクリーニングを実施する方法であって、プラズマ発生室内にN2ガスとHラジカル生成用ガスとを導入し、μ波又は高周波を印加してプラズマを発生させ、このプラズマにより該ガスを分解してHラジカルを生成させ、このHラジカルをアース電位の第1のシャワープレートを通過させてラジカル生成室内へ導入すると共に、このラジカル生成室内へNF3ガスを導入し、該HラジカルとNF3ガスとを反応させてNFxHyx=1~3、y=1~4ラジカルを生成させ、このNFxHyラジカルを該真空槽内に載置された被処理基板上に照射して被処理基板表面をエッチングし、次いで該μ波の印加又は高周波の印加を停止すると共に、該N2ガス、Hラジカル生成用ガス及びNF3ガスの導入を停止し、不活性ガスを該真空槽内に導入すると共に、該第1のシャワープレートに高周波を印加することにより放電電極を兼ねる第2のシャワープレートに高周波を印加して放電させ、該真空槽内に載置された被処理基板上にプラズマを発生させ、このプラズマのイオンとラジカルとを用いて、該エッチングにより発生したエッチング残留生成物を蒸発除去することを特徴とするラジカルクリーニング方法。請求項9に記載のラジカルクリーニング方法において、該不活性ガスが、該N2ガス及びHラジカル生成用ガスの導入口、若しくはNF3ガスの導入口を経て該真空槽内へ導入されるか、又は該真空槽内へ直接導入されることを特徴とするラジカルクリーニング方法。請求項9又は10に記載のラジカルクリーニング方法において、該不活性ガスは、H2、Ar、He、Ne、及びXeからなる群から選ばれた少なくとも1種類のガスであることを特徴とするラジカルクリーニング方法。真空槽内においてラジカルクリーニングを実施する方法であって、プラズマ発生室内にN2ガスとHラジカル生成用ガスとを導入し、μ波又は高周波を印加してプラズマを発生させ、このプラズマにより該ガスを分解してHラジカルを生成させ、このHラジカルをアース電位の第1のシャワープレートを通過させてラジカル生成室内へ導入すると共に、このラジカル生成室内へNF3ガスを導入し、該HラジカルとNF3ガスとを反応させてNFxHyx=1~3、y=1~4ラジカルを生成させ、このNFxHyラジカルを該真空槽内に載置された被処理基板上に照射して被処理基板表面をエッチングすることを特徴とするラジカルクリーニング方法。請求項12に記載の方法により該被処理基板表面をエッチングした後、該μ波又は高周波の印加を停止すると共に、該N2ガス、Hラジカル生成用ガス及びNF3ガスの導入を停止し、不活性ガスを該真空槽内に導入すると共に、該第1のシャワープレートに高周波を印加することにより放電電極を兼ねる第2のシャワープレートに高周波を印加して放電させ、該真空槽内に載置された被処理基板上にプラズマを発生させ、このプラズマのイオンとラジカルとを用いて、該エッチングにより発生したエッチング残留生成物を蒸発除去することを特徴とするラジカルクリーニング方法。請求項13に記載のラジカルクリーニング方法において、該不活性ガスが、該N2ガス及びHラジカル生成用ガスの導入口、若しくはNF3ガスの導入口を経て該真空槽内へ導入されるか、又は該真空槽内へ直接導入されることを特徴とするラジカルクリーニング方法。請求項13又は14に記載のラジカルクリーニング方法において、該不活性ガスは、H2、Ar、He、Ne、及びXeからなる群から選ばれた少なくとも1種類のガスであることを特徴とするラジカルクリーニング方法。請求項9~15のいずれか1項に記載のラジカルクリーニング方法において、該被処理基板として、その表面にSiO2膜が形成されている基板を用いることを特徴とするラジカルクリーニング方法。請求項9~16のいずれか1項に記載のラジカルクリーニング方法において、請求項1~8のいずれか1項に記載のラジカルクリーニング装置を用いてラジカルクリーニングを実施することを特徴とするラジカルクリーニング方法。本発明の課題は、上述の従来技術の問題点を解決することにあり、プラズマ発生室の内壁の消耗を減少せしめてプラズマ発生室の寿命を延ばし、低温での処理が可能な、μ波プラズマ及び高周波プラズマ、又は高周波プラズマを利用したラジカルクリーニング装置及び方法を提供することにある。本発明に係るラジカルクリーニング装置の第1の発明は、真空槽を有するラジカルクリーニング装置において、該真空槽内に被処理基板を載置する基板支持ステージが設置され、μ波印加手段又は高周波印加手段と、該μ波印加手段又は該高周波印加手段によりプラズマを発生させるプラズマ発生室と、該プラズマ発生室の下に設けた高周波電源が接続された第1のシャワープレートと、該第1のシャワープレートの下に設けた放電電極を兼ねる第2のシャワープレートとを備え、該第1のシャワープレートと第2のシャワープレートとで画成されたラジカル生成室を該第1のシャワープレートの下及び該第2のシャワープレートの上に有してなり、該被処理基板をエッチングし、そしてエッチング残留生成物を除去してラジカルクリーニングするように構成されていることを特徴とする。上記ラジカルクリーニング装置の第1の発明において、該μ波印加手段が、μ波導入手段、μ波遮蔽部材、及びμ波拡散用誘電体部材からなり、また、該高周波印加手段が、内部にガス導入用径路が設けられたガス導入用部材、及び該ガス導入用部材の下に設けた高周波電源が接続された天板からなることを特徴とする。上記ラジカルクリーニング装置の第1の発明において、該第1のシャワープレートをアース電位にするために、該第1のシャワープレートに対する高周波電源の印加とアースとを切り替える手段を備えていることを特徴とする。本発明に係るラジカルクリーニング装置の第2の発明は、真空槽を有するラジカルクリーニング装置において、該真空槽内に被処理基板を載置する基板支持ステージが設置され、μ波印加手段又は高周波印加手段と、該μ波印加手段又は該高周波印加手段によりプラズマを発生させるプラズマ発生室と、該プラズマ発生室の下に設けた高周波電源が接続された第1のシャワープレートと、該第1のシャワープレートの下に設けたラジカル生成室とを備えてなり、該被処理基板をエッチングした後にラジカルクリーニングするように構成されていることを特徴とする。上記ラジカルクリーニング装置の第2の発明において、該μ波印加手段が、μ波導入手段、μ波遮蔽部材、及びμ波拡散用誘電体部材からなり、また、該高周波印加手段が、内部にガス導入用径路が設けられたガス導入用部材、及び該ガス導入用部材の下に設けた高周波電源が接続された天板からなることを特徴とする。上記ラジカルクリーニング装置の第2の発明において、さらに、該第1のシャワープレートの下に設けた放電電極を兼ねる第2のシャワープレートを備え、該ラジカル生成室が該第1のシャワープレートと該第2のシャワープレートとで画成された空間であり、該被処理基板上の空間にプラズマを発生せしめ、該エッチングにより生成されたエッチング残留生成物を除去してラジカルクリーニングするように構成されていることを特徴とする。上記ラジカルクリーニング装置の第2の発明において、該第1のシャワープレートをアース電位にするために、該第1のシャワープレートに対する高周波電源の印加とアースとを切り替える手段を備えていることを特徴とする。上記ラジカルクリーニング装置の第2の発明において、該装置は、被処理基板を1枚ずつクリーニングする枚葉装置、又は多数枚同時処理するバッチ装置であることを特徴とする。本発明に係るラジカルクリーニング方法の第1の発明は、真空槽内においてラジカルクリーニングを実施する方法であって、プラズマ発生室内にN2ガスとHラジカル生成用ガスとを導入し、μ波又は高周波を印加してプラズマを発生させ、このプラズマにより該ガスを分解してHラジカルを生成させ、このHラジカルをアース電位の第1のシャワープレートを通過させてラジカル生成室内へ導入すると共に、このラジカル生成室内へNF3ガスを導入し、該HラジカルとNF3ガスとを反応させてNFxHyx=1~3、y=1~4ラジカルを生成させ、このNFxHyラジカルを該真空槽内に載置された被処理基板上に照射して被処理基板表面をエッチングし、次いで該μ波の印加又は高周波の印加を停止すると共に、該N2ガス、Hラジカル生成用ガス及びNF3ガスの導入を停止し、不活性ガスを該真空槽内に導入すると共に、該第1のシャワープレートに高周波を印加することにより放電電極を兼ねる第2のシャワープレートに高周波を印加して放電させ、該真空槽内に載置された被処理基板上にプラズマを発生させ、このプラズマのイオンとラジカルとを用いて、該エッチングにより発生したエッチング残留生成物を蒸発除去することを特徴とする。本発明のラジカルクリーニング方法の第2の発明は、真空槽内においてラジカルクリーニングを実施する方法であって、プラズマ発生室内にN2ガスとHラジカル生成用ガスとを導入し、μ波又は高周波を印加してプラズマを発生させ、このプラズマにより該ガスを分解してHラジカルを生成させ、このHラジカルをアース電位の第1のシャワープレートを通過させてラジカル生成室内へ導入すると共に、このラジカル生成室内へNF3ガスを導入し、該HラジカルとNF3ガスとを反応させてNFxHyx=1~3、y=1~4ラジカルを生成させ、このNFxHyラジカルを該真空槽内に載置された被処理基板上に照射して被処理基板表面をエッチングすることを特徴とする。本発明に係るラジカルクリーニング方法の第2の発明において、該被処理基板表面をエッチングした後、該μ波又は高周波の印加を停止すると共に、該N2ガス、Hラジカル生成用ガス及びNF3ガスの導入を停止し、不活性ガスを該真空槽内に導入すると共に、該第1のシャワープレートに高周波を印加することにより放電電極を兼ねる第2のシャワープレートに高周波を印加して放電させ、該真空槽内に載置された被処理基板上にプラズマを発生させ、このプラズマのイオンとラジカルとを用いて、該エッチングにより発生したエッチング残留生成物を蒸発除去することを特徴とする。上記ラジカルクリーニング方法の第1及び2の発明において、該不活性ガスが、該N2ガス及びHラジカル生成用ガスの導入口、若しくはNF3ガスの導入口を経て該真空槽内へ導入されるか、又は該真空槽内へ直接導入されることを特徴とする。上記ラジカルクリーニング方法の第1及び2の発明において、該不活性ガスは、H2、Ar、He、Ne、及びXeからなる群から選ばれた少なくとも1種類のガスであることを特徴とする。上記ラジカルクリーニング方法の第1及び2の発明において、該被処理基板として、その表面にSiO2膜が形成されている基板を用いることを特徴とする。上記ラジカルクリーニング方法の第1及び2の発明において、上記第1及び2の発明のラジカルクリーニング装置のいずれかを用いてラジカルクリーニングを実施することを特徴とする。本発明によれば、Hラジカル生成のためのプラズマを発生させるために、好ましくは平行平板型のプラズマ放電室プラズマ発生室を設置して放電空間を広げ、μ波を好ましくは誘電体部材を用いて大面積に拡散させて放電空間に導入することで、又は高周波を大面積に拡散させて放電空間に導入することで、単位面積当たりのプラズマ密度を小さくすることができる。その結果、放電空間を覆っている壁へのダメージを低減させることにより、放電室の寿命が大幅に長くなるので、従来の石英チューブで行われていた頻繁な交換が不要になると共に、大幅な運転コストの低減につながるという効果を奏することができる。また、第1のシャワープレートを通過させたHラジカルと導入したNF3ガスとの反応を行う反応室ラジカル生成室を備え、さらに所定の孔径を有する第2のシャワープレートを介して生成したNFxHyx=1~3、y=1~4ラジカルのみを基板に供給することができるため、イオンの影響が無くなり、SiNとの選択比の高いラジカルクリーニングが可能になるという効果を奏することができる。本発明で用いる被処理基板には、表面にSiO2膜以外に、半導体デバイス実デバイスを構成する種々の膜が形成されている基板も含まれている。そのため、基板表面の一部が、例えばSiNとなっている場合もある。従って、SiNをエッチングしてしまうと、本来エッチングされてはいけない部分をけずってしまうことになるので、SiNとの選択比が高いクリーニングが必要となる。本発明は、そのような場合にも適している。さらに、エッチング後に、連続して被処理基板と対抗する第2のシャワープレートに高周波を印加すると共に、不活性ガスを導入して被処理基板上にプラズマを発生させるので、エッチング残留生成物を除去するための基板温度の低温化が計れると共に、エッチングプロセスと残留生成物除去プロセスとを一貫して一つの真空槽で行うことができるので、装置コストの低減にもつながるという効果を奏することができる。以下、本発明に係るラジカルクリーニング装置及び方法の実施の形態について、μ波プラズマ及び高周波プラズマを用いる場合と、高周波プラズマだけを用いる場合について、それぞれ、説明する。重複する箇所に関しては、一部省略してある。本発明に係るラジカルクリーニング装置の第1の実施の形態によれば、このラジカルクリーニング装置は、真空槽を有し、真空槽内に被処理基板を載置する基板支持ステージが設置され、真空槽の開口部を有する上蓋に、大気側から順に、μ波導入手段、μ波導入手段の周辺に設けたμ波遮蔽部材、μ波遮蔽部材の下に設けたμ波拡散用誘電体部材、及びμ波拡散用誘電体部材からなるμ波印加手段と、その下に平行に設けた、N2ガスとHラジカル生成用ガスとを導入するためのガス導入口を備えたHラジカル生成用プラズマ発生室と、このプラズマ発生室の下に平行に設けた、生成ラジカルを通過せしめるための、高周波電源が接続された第1のシャワープレートと、第1のシャワープレートの下に設けた放電電極を兼ねる第2のシャワープレートとを備え、第1のシャワープレートと第2のシャワープレートとで画成された空間であるラジカル生成室を第1のシャワープレートの下及び第2のシャワープレートの上に有してなり、このラジカル生成室空間は、第1のシャワープレートを通過してくるHラジカルと反応するガス例えば、NF3ガスを導入するためのガス導入口を有し、空間内で両者を反応させて、被処理基板をエッチングするためのラジカル例えば、NFxHyx=1~3、y=1~4ラジカルを生成せしめるように構成され、また、真空槽内へ不活性ガスを導入し、例えば、上記プラズマ発生室に設けられたガス導入口からプラズマ発生室及びラジカル生成室を経て若しくはラジカル生成室に設けられたガス導入口を経て、又は真空槽に設けられたガス導入口から直接に、真空槽内へ不活性ガスを導入し、第2のシャワープレートの下であって、真空槽内の上部の被処理基板上の空間にプラズマを発生せしめてエッチング残留生成物を除去するように構成されてなり、そして第1のシャワープレートをアース電位にするために、第1のシャワープレートに対する高周波電源の印加とアースとを切り替える手段を備えており、この装置は被処理基板を1枚ずつクリーニングする枚葉装置であっても、多数枚同時処理するバッチ装置であっても良い。上記プラズマ発生室は上記したように平行平板型であっても、また、ICPモードであってもよい。上記NFxHyx=1~3、y=1~4ラジカルとしては、例えば、NF2HやNFH2ラジカル等を挙げることができる。不活性ガスの真空槽内への導入は、上記したような径路を経て実施でき、真空槽内で放電が起き、プラズマが発生するが、真空槽に設けられたガス導入口から直接に真空槽内へ導入すると、プラズマ発生室内の圧力が真空槽内のプラズマ空間の圧力よりも低くなり、不都合な場合が生じる恐れがある。そのため、プラズマ発生室及び/又はラジカル生成室を経て真空槽へ導入する方がより好ましい。本発明に係るラジカルクリーニング装置の第2の実施の形態によれば、このラジカルクリーニング装置は、真空槽を有し、真空槽内に被処理基板を載置する基板支持ステージが設置され、真空槽の開口部を有する上蓋に、大気側から順に、μ波導入手段と、μ波導入手段の周辺に設けたμ波遮蔽部材と、μ波遮蔽部材の下に設けたμ波拡散用誘電体部材と、μ波拡散用誘電体部材の下に平行に設けた、N2ガスとHラジカル生成用ガスとを導入するためのガス導入口を備えたHラジカル生成用プラズマ発生室と、このプラズマ発生室の下に平行に設け、高周波電源が接続された生成ラジカルを通過せしめるための第1のシャワープレートと、第1のシャワープレートの下に設けたラジカル生成室とを備えてなり、このラジカル生成室は、第1のシャワープレートを通過してくるHラジカルと反応するガス例えば、NF3ガスを導入するためのガス導入口を有し、空間内で両者を反応させて、被処理基板をエッチングするためのラジカル例えば、NFxHyx=1~3、y=1~4ラジカルを生成せしめるように構成されており、また、第1のシャワープレートをアース電位にするために、第1のシャワープレートに対する高周波電源の印加とアースとを切り替える手段を備えており、この装置は被処理基板を1枚ずつクリーニングする枚葉装置であっても、多数枚同時処理するバッチ装置であっても良い。この場合、被処理基板のエッチング後、別の真空槽を用いて、被処理基板上のエッチング残留生成物を除去することができる。上記ラジカルクリーニング装置の第2の実施の形態において、さらに、第1のシャワープレートの下に平行に設けた放電電極を兼ねる第2のシャワープレートを備え、ラジカル生成室が第1のシャワープレートと第2のシャワープレートとで画成された空間であり、真空槽内の上部の被処理基板上の空間に第2のプラズマを発生せしめ、上記エッチングにより生成されたエッチング残留生成物を除去してラジカルクリーニングするように構成されている。本発明に係るラジカルクリーニング装置の第3の実施の形態によれば、このラジカルクリーニング装置は、真空槽を有するラジカルクリーニング装置において、真空槽内に被処理基板を載置する基板支持ステージが設置され、大気側から順に、真空槽の開口部を覆う高周波印加手段であって、内部に屈曲した形状を有するガス導入用径路が設けられたガス導入用部材及びこのガス導入用部材の下に設けた第1高周波電源が接続された高周波用天板からなる高周波印加手段と、この天板の下に天板と平行に設けた第1のプラズマ発生室と、このプラズマ発生室の下に平行に設けた、生成したラジカルを通過せしめるための、第2の高周波電源が接続された第1のシャワープレートと、第1のシャワープレートの下に設けた放電電極を兼ねる第2のシャワープレートとを備え、第1のシャワープレートと第2のシャワープレートとで画成された空間であるラジカル生成室を第1のシャワープレートの下及び第2のシャワープレートの上に有し、このラジカル生成室内に第1のシャワープレートを通過してくるHラジカルと反応するガスを導入してHラジカルと反応させてラジカルを生成せしめ、このラジカルで被処理基板をエッチングするように構成され、次いで真空槽内へ不活性ガスを導入し、例えば、上記ガス導入用部材に設けられたガス導入口からプラズマ発生室及びラジカル生成室を経て若しくはラジカル生成室に設けられたガス導入口を経て、又は真空槽に設けられたガス導入口から直接に、真空槽内へ不活性ガスを導入し、第2のシャワープレートの下であって、真空槽内の上部の被処理基板上の空間にプラズマを発生せしめてエッチング残留生成物を除去してラジカルクリーニングするように構成されてなり、また、第1のシャワープレートをアース電位にするために、第1のシャワープレートに対する第2の高周波電源の印加とアースとを切り替える手段を備えており、この装置は被処理基板を1枚ずつクリーニングする枚葉装置であっても、多数枚同時処理するバッチ装置であっても良い。上記ガス導入用径路は、直線状ではなく、ガス導入用部材内で一度屈曲して、プラズマ発生室内へ向かうように構成された形状を有しており、これによりプラズマ発生室内からプラズマ成分が逆流しないように構成されている。ガス導入用径路は、直線状であっても良く、この場合には、プラズマ逆流防止用のフィルターを径路の途中に設ける構造とすれば良い。また、このプラズマ発生室は上記したように平行平板型であっても、ICPモードであってもよい。なお、上記ガス導入用径路が設けられたガス導入用部材の代わりに、第1のプラズマ発生室の側壁にガス導入用径路を設けても良い。不活性ガスの真空槽内への導入は、上記したような径路を経て実施でき、真空槽内で放電が起き、プラズマが発生するが、真空槽に設けられたガス導入口から直接に真空槽内へ導入すると、プラズマ発生室内の圧力が真空槽内のプラズマ空間の圧力よりも低くなり、不都合な場合が生じる恐れがある。そのため、プラズマ発生室及び/又はラジカル生成室を経て真空槽へ導入する方がより好ましい。本発明に係るラジカルクリーニング装置の第4の実施の形態によれば、このラジカルクリーニング装置は、真空槽を有するラジカルクリーニング装置において、真空槽内に被処理基板を載置する基板支持ステージが設置され、大気側から順に、真空槽の開口部を覆う高周波印加手段であって、内部に屈曲した形状を有するガス導入用径路が設けられたガス導入用部材及びこのガス導入用部材の下に設けた第1高周波電源が接続された高周波用天板からなる高周波印加手段と、この天板の下に平行に設けた第1のプラズマ発生室と、プラズマ発生室の下に平行に設けた、生成したラジカルを通過せしめるための、第2の高周波電源に接続した第1のシャワープレートと、第1のシャワープレートの下に設けたラジカル生成室とを備えており、このラジカル生成室内に第1のシャワープレートを通過してくるHラジカルと反応するガスを導入してHラジカルと反応させ、ラジカルを生成せしめ、このラジカルで被処理基板をエッチングするように構成さており、また、第1のシャワープレートをアース電位にするために、第1のシャワープレートに対する第2の高周波電源の印加とアースとを切り替える手段を備えており、この装置は被処理基板を1枚ずつクリーニングする枚葉装置であっても、多数枚同時処理するバッチ装置であっても良い。この場合、被処理基板のエッチング後、別の真空槽を用いて、被処理基板上のエッチング残留生成物を除去することができる。上記ラジカルクリーニング装置の第4の実施の形態において、さらに、第1のシャワープレートの下に平行に設けた放電電極を兼ねる第2のシャワープレートを備え、ラジカル生成室が第1のシャワープレートと第2のシャワープレートとで画成された空間であり、真空槽内の上部の被処理基板上の空間に第2のプラズマを発生せしめ、上記エッチングにより生成されたエッチング残留生成物を除去してラジカルクリーニングするように構成されている。上記ラジカルクリーニング装置の第4の実施の形態におけるガス導入用径路は、直線状ではなく、ガス導入用部材内で一度屈曲して、プラズマ発生室内へ向かうように構成された形状を有しており、これにより発生室内からプラズマ成分が逆流しないように構成されている。ガス導入用径路は、上記したように直線状であっても良く、この場合には、プラズマ逆流防止用のフィルターを径路の途中に設ける構造とすれば良い。また、上記第1のプラズマ発生室は上記したように平行平板型であっても、また、ICPモードであってもよい。なお、上記ガス導入用径路が設けられたガス導入用部材については、上記した通りである。本発明に係るラジカルクリーニング方法の第1の実施の形態によれば、このクリーニング方法は、真空槽内においてラジカルクリーニングを実施する方法であって、プラズマ発生室内にN2ガスとHラジカル生成用ガス例えば、H2ガス又はNH3ガス等とを導入し、この導入されたガスにμ波を印加してμ波プラズマを発生させ、このプラズマにより上記ガスを分解してHラジカルを生成させ、このHラジカルをアース電位の第1のシャワープレートを通過させてラジカル生成室内へ導入すると共に、このラジカル生成室内へNF3ガスを導入し、HラジカルとNF3ガスとを反応させてNFxHyx=1~3、y=1~4ラジカルを生成させ、このNFxHyラジカルを、放電電極を兼ねる第2のシャワープレートを通過させて、真空槽内に載置された被処理基板例えば、表面にSiO2膜が形成されている基板上に照射し、被処理基板表面例えば、表面に形成されているSiO2膜をエッチングし、次いで、所望により、エッチング後、μ波の印加を停止すると共に、N2ガス、Hラジカル生成用ガス及びNF3ガスの導入を停止し、真空槽内へ不活性ガス例えば、H2、Ar、He、Ne、及びXeからなる群から選ばれた少なくとも1種類の不活性ガスを導入し、例えば、上記プラズマ発生室に設けられたガス導入口からプラズマ発生室及びラジカル生成室を経て若しくはラジカル生成室に設けられたガス導入口からラジカル生成室を経て、又は真空槽に設けられたガス導入口から直接に、真空槽内へ不活性ガスを導入すると共に、第1のシャワープレートに高周波を印加することにより放電電極を兼ねる第2のシャワープレートに高周波を印加して放電させ、真空槽内に載置された被処理基板上にプラズマを発生させ、このプラズマのイオンとラジカルとを用いて、エッチングにより発生したエッチング残留生成物を蒸発除去することからなる。上記ラジカルクリーニング方法の第1の実施の形態において、不活性ガスの真空槽内への導入は、上記したような径路を経て実施でき、真空槽内で放電が起き、プラズマが発生する。この場合、真空槽に設けられたガス導入口から直接に真空槽内へ導入すると、上記したような不都合な場合が生じる恐れがある。そのため、プラズマ発生室及び/又はラジカル生成室を経て真空槽へ導入する方がより好ましい。上記ラジカルクリーニング方法の第1の実施の形態において、エッチングプロセス及びエッチング残留生成物除去プロセスは、ラジカルクリーニング装置の第1の実施の形態の装置を用いて実施することができ、また、上記エッチングプロセスだけをラジカルクリーニング装置の第2の実施形態の装置を用いて実施し、その後、不活性ガスを導入してエッチング残留生成物を処理することができる別の真空槽を用いて実施しても良いし、連続して第1の実施の形態の装置を用いて実施しても良い。本発明に係るラジカルクリーニング方法の第2の実施の形態によれば、このクリーニング方法は、真空槽内においてラジカルクリーニングを実施する方法であって、プラズマ発生室内にN2ガスとHラジカル発生用ガス例えば、H2ガス又はNH3ガス等とを導入し、第1の高周波電源から高周波を印加して高周波プラズマを発生させ、このプラズマにより上記ガスを分解してHラジカルを生成させ、このHラジカルをアース電位の第1のシャワープレートを通過させてラジカル生成室内へ導入すると共に、このラジカル生成室内へNF3ガスを導入し、HラジカルとNF3ガスとを反応させてNFxHyx=1~3、y=1~4ラジカルを生成させ、このNFxHyラジカルを第2のシャワープレートを通過させて、真空槽内に載置された被処理基板上に形成されているSiO2膜に照射させ、この膜をエッチングし、次いで、所望により、SiO2膜をエッチングした後、高周波用天板に接続した第1の高周波電源からの高周波の印加放電を停止すると共に、N2ガス、Hラジカル発生用ガス及びNF3ガスの導入を停止し、真空槽内へ不活性ガス例えば、H2、Ar、He、Ne、及びXeからなる群から選ばれた少なくとも1種類の不活性ガスを導入し、例えば、上記ガス導入用部材に設けられたガス導入口からプラズマ発生室及びラジカル生成室を経て若しくはラジカル生成室に設けられたガス導入口からラジカル生成室を経て、又は真空槽に設けられたガス導入口から直接に、真空槽内へ不活性ガスを導入すると共に、第1のシャワープレートに第2の高周波電源から高周波を印加することにより放電電極を兼ねる第2のシャワープレートに高周波を印加して放電させ、真空槽内に載置された被処理基板上にプラズマを発生させ、このプラズマのイオンとラジカルとを用いて、エッチングにより発生したエッチング残留生成物を蒸発除去することからなる。不活性ガスの真空槽内への導入は、上記したような径路を経て実施でき、真空槽内で放電が起き、プラズマが発生する。この場合、真空槽に設けられたガス導入口から直接に真空槽内へ導入すると、上記したような不都合な場合が生じる恐れがある。そのため、プラズマ発生室及び/又はラジカル生成室を経て真空槽へ導入する方がより好ましい。上記NFxHyx=1~3、y=1~4ラジカルとしては、上記したように、例えば、NF2HやNFH2ラジカル等を挙げることができる。上記ラジカルクリーニング方法の第2の実施の形態において、エッチングプロセス及びエッチング残留生成物除去プロセスは、第3の実施の形態のラジカルクリーニング装置を用いて実施することができ、また、上記エッチングプロセスだけを第4の実施形態のラジカルクリーニング装置を用いて実施し、その後、不活性ガスを導入してエッチング残留生成物を処理することができる別の真空槽を用いて実施しても良いし、連続して第3の実施の形態の装置を用いて実施しても良い。次に、本発明に係るラジカルクリーニング装置の第1及び2の実施の形態について、図2及び3を参照して、詳細に説明する。図2に模式的に示す本発明のラジカルクリーニング装置の一構成例によれば、このラジカルクリーニング装置は、図示していない真空排気系により内部を排気して真空状態にできる真空槽21を有し、真空槽21内の下部には、被処理基板Sを載置する基板支持ステージ22が配置されており、その上部には開口部を有する真空槽用上蓋21aが配置されている。この基板支持ステージ22は、被処理基板Sを加熱するためのホットプレート等の加熱手段23をその上部に備えており、また、被処理基板Sの搬送時に基板を上下に移動することができるリフトピン等の手段図示せずを備えている。真空槽21の壁面には、基板搬送口21b、真空槽内へ直接不活性ガスを導入する場合のガス導入口21c及び排気口21dが設けられている。不活性ガスの導入としては、以下説明するプラズマ発生室27に設けられたガス導入口27bからプラズマ発生室内へ導入する場合や、ラジカル生成室30に設けられたガス導入口29aからラジカル生成室へ導入する場合があり、その方が、直接真空槽21へ導入するよりも好ましい。上記真空槽21の上蓋21aの上方には、大気側から順に、導波管及び整合器からなるμ波導入手段24と、μ波遮蔽部材25と、μ波拡散用誘電体部材26と、Hラジカル生成用プラズマ発生室空間27と、第1のシャワープレート28と、第2のシャワープレート29とが設けられており、第1のシャワープレート28と第2のシャワープレート29とで画成された空間であるラジカル生成室30を第1のシャワープレート28の下及び第2のシャワープレート29の上に有している。第1のシャワープレート28の外周縁部と第2のシャワープレート29の外周縁部とは相互に接している。μ波遮蔽部材25は、μ波導入手段24の周辺に設けられ、μ波が大気中に漏れないように、かつμ波導入手段24から印加されるμ波が真空槽内へ導入できるように配置され、勿論、導波管に対向する部分には配置されていない。μ波拡散用誘電体部材26は、μ波導入手段24及びμ波遮蔽部材25の下に設けられ、μ波導入手段24から印加されるμ波を拡散して真空槽内へ導入できるように構成されている。Hラジカル生成用プラズマ発生室空間27は、μ波拡散用誘電体部材26の下に設けられ、側壁27aが絶縁物で構成されており、Oリング等の密閉シール部材を介してμ波拡散用誘電体部材26に対して平行に設けられており、図面上横長の形状をしており、N2ガスとHラジカル生成用ガスとを導入するためのガス導入口27bを備えている。第1のシャワープレート28は、プラズマ発生室27の下にOリング等の密閉シール部材28aを介して平行に設けられており、上記絶縁物で構成されたプラズマ発生室27で生成せしめるラジカルを通過させる所定の孔径を有し、かつ被処理基板Sの寸法と同じ又は被処理基板Sの寸法よりも大きな寸法を有しており、高周波電源28bが接続されている。第2のシャワープレート29は、第1のシャワープレート28の下にOリング等の密閉シール部材29bを介して平行に設けられており、被処理基板Sの寸法と同じ又は被処理基板Sの寸法よりも大きな寸法を有している。ラジカル生成室30は、上記したように、第1のシャワープレート28と第2のシャワープレート29とで画成された空間である。この空間は、第1のシャワープレート28を通過してくるHラジカルと反応するガスを導入するためのガス導入口29aを有し、空間内で両者を反応させてラジカルを生成せしめ、このラジカルで被処理基板をエッチングするように構成されている。また、次の工程で、例えばこの空間ラジカル生成室30内に不活性ガス例えば、H2、Ar、He、Ne、及びXeからなる群から選ばれた少なくとも1種類の不活性ガスを導入し、第2のシャワープレート29の下であって、真空槽21内の上部の被処理基板S上の空間にプラズマP2を発生せしめてエッチング残留生成物を除去してラジカルクリーニングするように構成されている。上記のように構成することにより、ラジカル生成室30内に第1のシャワープレート28を通過してくるHラジカルと反応するガス例えば、NF3ガスをガス導入口29aから導入してHラジカルと反応させ、ラジカルを生成せしめることができ、その結果、この第2のシャワープレート29から、これに対向して真空槽21内に載置される被処理基板Sの表面にラジカルを照射してエッチングできる。また、このラジカル生成室30内にガス導入口29a若しくは27b又は両方から不活性ガスを導入しても、結果的に真空槽内にプラズマを発生させることもできる。この場合には、ガス導入口27bから不活性ガスを導入することが好ましい。ガス導入口29aから導入すると空間27を通してガスが逆流し、パーティクル発生の原因となることが有るからである。その結果、第2のシャワープレート29と真空槽21内に載置される被処理基板Sの表面との間にプラズマP2を発生せしめてエッチング残留生成物を除去できる。この装置は被処理基板を1枚ずつクリーニングする枚葉装置であっても、多数枚同時処理するバッチ装置であっても良い。上記したエッチング後の残留生成物を除去する場合には、μ波導入手段24からの放電を停止し、ガス導入口27bからのガス例えば、N2ガス、H2ガス又はNH3ガス等の導入及びガス導入口29aからのガス例えば、NF3ガス等の導入を停止した後、第1のシャワープレート28に高周波電源28bから高周波を印加して第1のシャワープレート28と第2のシャワープレート29とを同電位に保つと共に、例えばラジカル生成室30内へガス導入口29a若しくは27b又は両方から不活性ガスを導入し、第2のシャワープレート29である放電電極を介して、第2のシャワープレート29と真空槽21内に載置された被処理基板Sとの間の上部空間に第2のプラズマP2を発生せしめ、被処理基板Sをこのプラズマに曝すことにより、被処理基板S上や真空槽21内壁に付着しているエッチング残留生成物を除去することができる。このため、本発明では、第1のシャワープレート28に対して第2の高周波電源28bの印加とアースとを切り替える手段を備えている。上記した図2に示すラジカルクリーニング装置は、例えば1~4枚程度の被処理基板を処理するのに適しており、以下図3を参照して説明するラジカルクリーニング装置は、それ以上の枚数の被処理基板をクリーニング処理するものである。図3に模式的に示すラジカルクリーニング装置の一構成例の場合、このラジカルクリーニング装置は、被処理基板を多数枚同時処理するための装置である。図3では50枚処理の例を示しているが、この枚数は特に制限されるものではなく、適宜、目的に合わせて設定することができる。この場合、真空槽31以外の構成は図2に示す通りであり、参照番号も同じ番号を付けてある。真空槽31内には所定の枚数の被処理基板Sが載置されてなる。図2の場合と同様に、真空槽31内へ導入されるラジカルで被処理基板Sをエッチングできるように、また、所望により、真空槽31内に発生せしめるプラズマにより、エッチング残留生成物を除去できるように構成されている。上記図2及び3では、同じ真空槽内で被処理基板のエッチング及びエッチング残留生成物除去を実施する場合について説明したが、エッチング処理だけを実施するラジカルエッチング装置を用いてエッチング処理した後、別の真空槽内でエッチング残留生成物除去を実施してもよい。また、図2及び3では、μ波拡散用誘電体部材26の下に設けた、図面上横長の形状をし、第1のプラズマP1を発生せしめるプラズマ発生室27として、平行平板型のプラズマ発生室放電室を画成し、放電空間を広げることで単位面積当たりのプラズマ密度を小さくすることにより放電空間を覆っている壁へのダメージを低減させている。これによりプラズマ発生室の寿命が大幅に長くなるので、従来の石英チューブを用いた場合に行われていた頻繁な交換が不要になると共に、大幅な運転コストの低減につながることになる。さらに、エッチング後に、不活性ガスを導入して、連続して被処理基板と対抗する第2のシャワープレート29に高周波を印加して被処理基板上にプラズマを発生させ、エッチング残留生成物を除去するため、基板温度の低温化が計れ、エッチングプロセスとエッチング残留生成物除去プロセスとを一貫して一つの真空槽で行うことができるので、装置コストの低減にもつながる。以下、図2に示すラジカルクリーニング装置を用いて実施する本発明のラジカルクリーニング方法について説明する。図3に示すラジカルクリーニング装置を用いて実施する本発明のラジカルクリーニング方法の場合も、これに準じる。ガス導入口27bを介してプラズマ発生室27内にN2ガスとH2ガス又はNH3ガス等のHラジカル発生ガスとを導入し、この際に、μ波導入手段24からμ波放電を実施し、プラズマ発生室27内にμ波プラズマP1を発生させ、導入されたガスをこのプラズマにより分解してHラジカルを生成させる。上記のようにして生成されるHラジカルを、所定の孔径を有する第1のシャワープレート28を通過させてラジカル生成室30内へ導入すると共に、このラジカル生成室内へガス導入口29aを介してNF3ガスを導入し、HラジカルとNF3ガスとを反応させて上記したNFxHyラジカルを生成させ、このNFxHyラジカルを第2のシャワープレート29を通過させて、真空槽21内に載置された被処理基板S上に照射し、表面に形成されているSiO2膜等の膜をエッチングする。次いで、μ波導入手段24からの放電を停止すると共に、N2ガス、Hラジカル発生用ガス及びNF3ガスの導入を停止し、例えばラジカル生成室30内へ、不活性ガスを導入し、第1のシャワープレート28に高周波電源28bから高周波を印加することにより第2のシャワープレート29である放電電極に高周波を印加して放電させ、真空槽21内に載置された被処理基板S上に第2のプラズマP2を発生させ、このプラズマのイオンとラジカルとを用い、エッチングにより発生したエッチング残留生成物を蒸発除去する。この第2のプラズマP2の径は被処理基板の寸法よりも大きくする。上記μ波が放電されている際には、第1のシャワープレート28第2のシャワープレート29はアース電位にあり、ラジカル生成室30は、単にガス導入口29aから導入されたNF3ガスと第1のシャワープレート28から照射されたHラジカルとの反応を起こさせるための空間として提供される。ラジカル生成室30内での反応により生成したNFxHyラジカルは、第2のシャワープレート29を経て被処理基板S上に照射され、基板表面のSiO2等の膜に対するエッチングが行われる。エッチング終了後は、μ波導入手段24からの放電を停止し、N2ガスとH2ガス又はNH3ガス等のHラジカル発生用ガスとの導入を停止し、ラジカル生成室30内にガス導入口29a若しくは27b又は両方から不活性ガスを導入し、第1のシャワープレート28に高周波電源28bから高周波を印加し、第1のシャワープレート28と第2のシャワープレート29とを同電位に保ち、被処理基板S上に不活性ガスのプラズマP2を発生させ、エッチングにより基板上等に形成されたNH42SiF6等のエッチング残留生成物を除去する。上記NFxHyラジカルによるプロセスは、通常、0~50°Cで実施され、50°Cを超えると急激にエッチング速度が低下する傾向がある。また、プラズマP2によるプロセスは、通常、0~300°Cで実施される。上記したプロセスにおいて、被処理基板の温度は、特に制限されないが、例えば25~300°Cの範囲で行うことができる。25~50°Cのような低温でも、エッチング残留生成物の除去が可能である。また、本発明で使用できる高周波に関し、その周波数の下限は、安価に入手可能な13.56MHzであり、上限は、100MHz未満である。例えば、27MHz、40MHz等を挙げることができる。13.56MHzよりも低い周波数でも放電は可能であるが、安価に入手可能な13.56MHzを下限とすることが好ましい。上記したエッチングプロセスにおける一般反応式は以下の通りである。SiO2NFxHy→NH42SiF6H2Oこの式は、より正確に記載すれば、下記の3つの反応があると推測される。SiO26NFH212H2→NH42SiF62H2O4NH3SiO2NFH5HFNH3→NH42SiF62H2O2H2HSiO22NH42HF22HF→NH42SiF62H2O上記エッチングプロセスにおいて、被処理基板表面にSiO2膜の替わりにリン酸化合物を含む層が存在する場合には、エッチング残留生成物としては、H3PO4、NH43PO4、NH42HPO4、NH4H2PO4等が生成されるものと予想され、これらの化合物も不活性ガスプラズマ水素プラズマにより除去できる。層間絶縁膜としてのSiO2膜の替わりにBPSG膜PリンとBボロンとを含むSiO2膜やPSG膜Pを含むSiO2膜が使用される場合も、上記と同様のエッチングプロセス及びエッチング残留生成物除去プロセスを用いて実施可能である。次に、本発明に係るラジカルクリーニング装置の第3及び4の実施の形態について、図4及び5を参照して、詳細に説明する。図4に模式的に示す本発明のラジカルクリーニング装置の一構成例によれば、このラジカルクリーニング装置は、図示していない真空排気系により内部を排気して真空状態にできる真空槽41を有し、真空槽41内の下部には、被処理基板Sを載置する基板支持ステージ42が配置されており、その上部には開口部を有する真空槽用上蓋41aが配置されている。この基板支持ステージ42は、被処理基板Sを加熱するためのホットプレート等の加熱手段43をその上部に備えており、また、被処理基板Sの搬送時に基板を上下に移動することができるリフトピン等の手段図示せずを備えている。真空槽41の壁面には、基板搬送口41b、真空槽内へ直接不活性ガスを導入する場合のガス導入口41c及び排気口41dが設けられている。不活性ガスの導入としては、以下説明するガス導入用部材44に設けられたガス導入口44aからプラズマ発生室内へ導入する場合や、ラジカル生成室49に設けられたガス導入口48bからラジカル生成室へ導入する場合があり、その方が、直接真空槽へ導入するよりも好ましい。上記ラジカルクリーニング装置によれば、真空槽41の上蓋41aに対して、大気側から順に、直線状ではなく、一度屈曲してプラズマ発生室内へ向かうように構成された形状を内部に有しているガス導入用径路ガス導入口44aが設けられたガス導入用部材44と、第1の高周波電源45aが接続された高周波用天板であって、ガス導入用部材44の下にOリング等の密閉シール部材45bを介して設けた高周波用天板45と、この天板45の下に、側壁46aが絶縁物で構成されており、Oリング等の密閉シール部材45cを介して平行に設けた、図面上横長の形状をした第1のプラズマを発生せしめるプラズマ発生室空間46と、プラズマ発生室46の下にOリング等の密閉シール部材47aを介して平行に設けた、上記絶縁物で構成されたプラズマ発生室46で生成せしめたラジカルを通過させる所定の孔径を有し、かつ被処理基板Sの寸法と同じ又は被処理基板Sの寸法よりも大きな寸法を有する第1のシャワープレートであって、第2の高周波電源47bが接続された第1のシャワープレート47と、第1のシャワープレート47の下にOリング等の密閉シール部材48aを介して平行に設けた、被処理基板Sの寸法と同じ又は被処理基板Sの寸法よりも大きな寸法を有する放電電極を兼ねる第2のシャワープレート48とを備えており、第1のシャワープレート47と第2のシャワープレート48とで画成された空間であるラジカル生成室49を第1のシャワープレート47の下及び第2のシャワープレート48の上に有している。上記のように構成することにより、ラジカル生成室49内に第1のシャワープレート47を通過してくるラジカルと反応するガス例えば、NF3ガスをガス導入口48bから導入してラジカルと反応させ、ラジカルを生成せしめることができ、また、このラジカル生成室49内に不活性ガスをガス導入口48b若しくは44a又は両方から導入して真空槽内にプラズマを発生させることができる。ガス導入口44aから不活性ガスを導入することがより好ましい。ガス導入口48bから導入すると空間46を通してガスが逆流し、パーティクル発生の原因となることが有るからである。その結果、この第2のシャワープレート48から、これに対向して真空槽41内に載置される被処理基板Sの表面にラジカルを照射してエッチングでき、また、第2のシャワープレート48と真空槽41内に載置される被処理基板Sの表面との間にプラズマP2を発生せしめてエッチング残留生成物を除去できる。この装置は被処理基板を1枚ずつクリーニングする枚葉装置であっても、多数枚同時処理するバッチ装置であっても良い。上記したエッチング後の残留生成物を除去する場合には、天板に接続している第1の高周波電源45aからの放電を停止し、ガス導入口44aからのガス例えば、N2ガス、H2ガス又はNH3ガス等の導入及びガス導入口48bからのガス例えば、NF3ガス等の導入を停止した後、第1のシャワープレート47に第2の高周波電源47bから高周波を印加して第1のシャワープレート47と第2のシャワープレート48とを同電位に保つと共に、例えばラジカル生成室49内へガス導入口48b若しくは44a又は両方から不活性ガス例えば、H2、Ar、He、Ne、及びXeからなる群から選ばれた少なくとも1種類の不活性ガスを導入し、第2のシャワープレート48である放電電極を介して、第2のシャワープレート48と真空槽41内に載置された被処理基板Sとの間の上部空間に第2のプラズマP2を発生せしめ、被処理基板Sをこのプラズマに曝すことにより、被処理基板S上や真空槽41内壁に付着しているエッチング残留生成物を除去することができる。このため、本発明では、第1のシャワープレート47に対して第2の高周波電源47bの印加とアースとを切り替える手段を備えている。上記した図4に示すラジカルクリーニング装置は、例えば1~4枚程度の被処理基板を処理するのに適しており、以下図5を参照して説明するラジカルクリーニング装置は、それ以上の枚数の被処理基板をクリーニング処理するものである。図5に模式的に示すラジカルクリーニング装置の一構成例の場合、このラジカルクリーニング装置は、被処理基板を多数枚同時処理するための装置である。図5では50枚処理の例を示しているが、この枚数は特に制限されるものではなく、適宜、目的に合わせて設定することができる。この場合、真空槽50以外の構成は図4に示す通りであり、参照番号も同じ番号を付けてある。真空槽50内には所定の枚数の被処理基板Sが載置されてなる。図4の場合と同様に、真空槽50内へ導入されるラジカルで被処理基板Sをエッチングできるように、また、所望により、真空槽50内に発生せしめるプラズマにより、エッチング残留生成物を除去できるように構成されている。上記図4及び5では、同じ真空槽内で被処理基板のエッチング及びエッチング残留生成物除去を実施する場合について説明したが、エッチング処理だけを実施するラジカルエッチング装置を用いてエッチング処理した後、別の真空槽内でエッチング残留生成物除去を実施してもよい。また、図4及び5では、高周波用天板45の下に設けた、図面上横長の形状をし、第1のプラズマを発生せしめる第1のプラズマ発生室46として、平行平板型のプラズマ発生室放電室を画成し、放電空間を広げることで単位面積当たりのプラズマ密度を小さくすることにより放電空間を覆っている壁へのダメージを低減させている。これによりプラズマ発生室の寿命が大幅に長くなるので、従来の石英チューブを用いた場合に行われていた頻繁な交換が不要になると共に、大幅な運転コストの低減につながることになる。さらに、エッチング後に、連続して被処理基板と対抗するシャワープレートに高周波を印加して被処理基板上にプラズマを発生させ、エッチング残留生成物を除去するため、基板温度の低温化が計れ、エッチングプロセスとエッチング残留生成物除去プロセスとを一貫して一つの真空槽で行うことができるので、装置コストの低減にもつながる。以下、図4に示すラジカルクリーニング装置を用いて実施する本発明のラジカルクリーニング方法について説明する。図5に示すラジカルクリーニング装置を用いて実施する本発明のラジカルクリーニング方法の場合も、これに準じる。ガス導入口44aを介して第1のプラズマ発生室46内にN2ガスとH2ガス又はNH3ガス等のHラジカ発生ガスとを導入し、この際に、高周波用天板45に第1の高周波電源45aから高周波を印加してプラズマ発生室46内に高周波プラズマP1を発生させ、導入されたガスをこのプラズマにより分解してHラジカルを生成させる。上記のようにして生成されるHラジカルを、所定の孔径を有する第1のシャワープレート47を通過させてラジカル生成室49内へ導入すると共に、このラジカル生成室49内へガス導入口48bを介してNF3ガスを導入し、HラジカルとNF3ガスとを反応させて上記したNFxHyラジカルを生成させ、このNFxHyラジカルを第2のシャワープレート48を通過させて、真空槽41内に載置された被処理基板S上に形成されているSiO2膜に照射させ、この膜をエッチングする。次いで、第1の高周波電源45aからの放電を停止すると共に、N2ガス、Hラジカル発生用ガス及びNF3ガスの導入を停止し、例えばラジカル生成室49内へ、不活性ガス例えば、H2、Ar、He、Ne、及びXeからなる群から選ばれた少なくとも1種類の不活性ガスを導入し、第1のシャワープレート47に第2の高周波電源47bから高周波を印加することにより第2のシャワープレート48である放電電極に高周波を印加して放電させ、真空槽41内に載置された被処理基板S上に第2のプラズマP2を発生させ、このプラズマのイオンとラジカルとを用いて、エッチングにより発生したエッチング残留生成物を蒸発除去する。この第2のプラズマの径は被処理基板の寸法よりも大きくする。上記高周波用天板45に高周波が印加されている際には、第2のシャワープレート48はアース電位にあり、ラジカル生成室49は、単にガス導入口48bから導入されたNF3ガスと第1のシャワープレート47から照射されたHラジカルとの反応を起こさせるための空間として提供される。ラジカル生成室49内での反応により生成したNFHラジカルは、第2のシャワープレート48を経て被処理基板S上に照射され、基板表面のSiO2のエッチングが行われる。エッチング終了後は、第1の高周波電源45aからの印加を停止し、N2ガスとH2ガス又はNH3ガス等のHラジカル発生用ガスとの導入を停止し、ラジカル生成室49内にガス導入口48b若しくは44a又は両方から不活性ガスH2ガス等を導入し、第1のシャワープレート47に第2の高周波電源47bから高周波を印加し、第1のシャワープレート47と第2のシャワープレート48とを同電位に保ち、被処理基板S上に不活性ガスのプラズマP2を発生させ、エッチングにより基板上等に形成されたNH42SiF6等のエッチング残留生成物を除去する。上記したプロセスにおいて、被処理基板の温度は、特に制限されないが、例えば25~300°Cの範囲で行うことができる。25~50°Cのような低温でも、エッチング残留生成物の除去が可能である。上記したエッチングプロセスにおける一般反応式は上記した通りである。上記エッチングプロセスにおいて、被処理基板表面にSiO2膜の替わりにリン酸化合物を含む層が存在する場合には、エッチング残留生成物としては、H3PO4、NH43PO4、NH42HPO4、NH4H2PO4等が生成されるものと予想され、これらの化合物も水素プラズマにより除去できる。層間絶縁膜としてのSiO2膜の替わりにBPSG膜PリンとBボロンとを含むSiO2膜やPSG膜Pを含むSiO2膜が使用される場合も、上記と同様にエッチング及びエッチング残留生成物を除去可能である。本発明に係るラジカルクリーニング装置の上記第2~4の実施の形態において、第1の実施の形態と同じ構成については一部省略し、また、本発明に係るラジカルクリーニング方法の上記第2の実施の形態において、第1の実施の形態と同じプロセスについては一部省略してある。本実施例では、図2に示すラジカルクリーニング装置を用い、Hラジカルを生成するためにN2ガスとH2ガスとを用い、NFxHyラジカルを生成するためにNF3ガスを用い、また、被処理基板として表面にSiO2膜が形成されている基板を用いて、エッチングプロセス及びエッチング残留生成物除去プロセスを行った。その一連のプロセスフローは以下の通りである。また、μ波拡散用誘電体部材26と15mm離れたところに第1のシャワープレート28を設置した装置を用いた。1プラズマ発生室27内にガス導入口27bからN2及びH2ガスを導入した。2μ波導入手段24からμ波を印加し、プラズマ発生室27内にプラズマP1を発生させ、このプラズマにより導入したガスを分解し、Hラジカルを生成せしめた。3かくして得られたHラジカルを第1のシャワープレート28を経てラジカル生成室30へ導入すると共に、このラジカル生成室内にNF3ガスを導入し、両者を反応させてNFxHyラジカルを生成せしめ、このラジカルを第2のシャワープレート29を経て真空槽21内に導入し、被処理基板上に照射し、所定の時間、被処理基板上のSiO2膜をエッチングした。μ波が印加されて放電が立っている際は、第1のシャワープレート28はアース電位にあり、ラジカル生成室30は、上記したように、NF3とHラジカルとの反応を起こさせるための空間を提供するのみである。4μ波導入手段24からのμ波放電を停止した。5N2ガス、H2ガス及びNF3ガスの導入を停止した。6ガス導入口29a又は27bからラジカル生成室30内に不活性ガスとしてH2ガスを導入した。7第1のシャワープレート28に高周波RF電源28bからRF印加し、第1のシャワープレート28と第2のシャワープレート29とを同電位に保って、第2のシャワープレート29を経て真空槽21内の被処理基板S上にH2放電を発生させた。8真空槽21内に載置された被処理基板Sに対して、所定の時間、H2プラズマ照射を行い、基板上にあるNH42SiF6等の残留生成物を除去した。9H2ガスの導入を停止し、RF電源28bの印加を停止した。上記した一連のプロセスは、1~5のエッチングプロセスと6~9のエッチング残留生成物除去プロセスとに分けられる。上記各プロセスの最適化について以下説明する。図6に、μ波導入手段24からμ波拡散用誘電体部材26を介してμ波:2000Wを印加した際のμ波照射時間秒と光学式膜厚計で測ったSiO2のエッチング量エッチング厚さnmとの関係を示す。この場合、被処理基板Sとして、熱シリコン酸化膜1000nmを付けたSiウェハを使用した。エッチング条件は、被処理基板温度:25°C、N2ガス流量:500sccm、H2ガス流量:500sccm、NF3ガス流量:1000sccm、H2プラズマ発生用RF13.56MHz:1000W、300秒印加であった。図6から明らかなように、エッチング量は、μ波照射時間μ波印加時間と共に増加し、80秒、29nmエッチング厚さで飽和している。これは、ここでセルフストップがかかっているものと判断される。H2放電が不足していればNH42SiF6が堆積して見かけ上エッチング量が減少していくように見えるはずであるが、その傾向は観察されなかった。従って、この結果から、平面μ波プラズマで十分にNFxHyラジカルが発生している事が解る。図7aに、μ波印加時間をセルフストップがかかる80秒に固定し、RF照射時間秒と光学式膜厚計で測った残留生成物のエッチング量エッチング厚さnmとの関係を示す。この場合、被処理基板Sとして、上記したようなSiウェハを使用し、被処理基板温度、N2ガス流量、H2ガス流量、NF3ガス流量、H2プラズマ発生用RFを上記と同様の条件に設定してエッチングを行った。Siウェハ上に存在するSiO2膜をエッチングし、エッチング残留生成物NH42SiF6を除去する一連のプロセスを模式的に図7b~dに示す。すなわち、Siウェハ上に存在するSiO2膜をNHFラジカル処理してSiO2膜をエッチングすると、残留生成物NH42SiF6が生成され図7b、次いで堆積した残留生成物が除去され図7aの領域A;図7c、除去プロセスを続けると、最終的に残留生成物が除去される図7aの領域B;図7d。この領域BはエッチングされたSiO2膜の厚さを示す。なお、便宜上、SiO2がNH42SiF6になっても厚さが変わらないという仮定の下でエッチング量を測定したので、領域A、Bのエッチング量は相対値に近似する。図7から明らかなように、エッチング量は、第2のシャワープレート29へのRF照射時間RF印加時間と共に増加し、110秒で飽和した。すなわち、基板温度25°Cにおいてもエッチング残留生成物の除去が出来ており、H2プラズマを併用することで除去プロセスの低温化が出来る事が解る。上記した一連のプロセス、すなわち図6~7にその結果を示す上記1~9のエッチングプロセス及びエッチング残留生成物除去プロセスを行った後に、図2に示すラジカルクリーニング装置のプラズマ発生室27内の状態を観察したところ、その内壁には何らダメージの跡が観察されず、消耗されておらず、また、エッチング残留生成物を除去する際の基板温度の低温化も達成できた。本実施例では、図4に示すラジカルクリーニング装置を用い、Hラジカルを生成するためにN2ガスとH2ガスとを用い、また、NFxHyラジカルを生成するためにNF3ガスを用いて、エッチングプロセス及びエッチング残留生成物除去プロセスを行った。その一連のプロセスフローは以下の通りである。1第1のプラズマ発生室46内にガス導入口44aからN2及びH2ガスを導入した。2高周波RF用天板45に第1の高周波RF電源45aからRF印加しこの際、第1のシャワープレート47はアース電位とした、第1のプラズマ発生室46内にプラズマを発生させ、このプラズマにより導入したガスを分解し、Hラジカルを生成せしめた。3かくして得られたHラジカルを第1のシャワープレート47を経てラジカル生成室49へ導入すると共に、このラジカル生成室49内にNF3ガスを導入し、両者を反応させてNFxHyラジカルを生成せしめ、このラジカルを第2のシャワープレート48を経て真空槽41内に導入し、所定の時間、被処理基板上のSiO2膜をエッチングした。4第1のRF電源45aからの高周波の印加を停止した。5N2ガス、H2ガス及びNF3ガスの導入を停止した。6ガス導入口44aから第2ラジカル生成室49内に不活性ガスとしてH2ガスを導入した。7第1のシャワープレート47に第2のRF電源47bからRF印加し、また、第1のシャワープレート47と第2のシャワープレート48とを同電位に保って、第2のシャワープレート48を経て真空槽41内の被処理基板S上にH2放電を発生させた。8真空槽41内に載置された被処理基板Sに対して、所定の時間、H2プラズマ照射を行った。9H2ガスの導入を停止し、第2のRF電源47bの印加を停止した。上記した一連のプロセスは、1~5のエッチングプロセスと6~9のエッチング残留生成物除去プロセスとに分けられる。上記各プロセスの最適化について以下説明する。図8に、RF用天板45にRF13.56MHz:1000Wを印加した際のRF照射時間秒と光学式膜厚計で測ったSiO2膜のエッチング量エッチング厚さnmとの関係を示す。この場合、被処理基板Sとして、熱シリコン酸化膜1000nmを付けたSiウェハを使用した。被処理基板の温度:25°C、N2ガス:500sccm、H2ガス:500sccm、NF3ガス:1000sccm、H2プラズマ発生用RF13.56MHzを1000W、300秒印加した。図8から明らかなように、エッチング量は、RF照射時間RF印加時間と共に増加し、60秒、35nmエッチングで飽和している。これは、ここでセルフストップがかかっているものと判断される。H2放電が不足していればNH42SiF6が堆積して見かけ上エッチング量が減少していくように見えるはずであるが、その傾向は観察されなかった。従って、この結果から、RF放電のプラズマで十分にNFxHyラジカルが発生している事が解る。図9aに、RF用天板45のRF13.56MHz印加時間をセルフストップがかかる60秒に固定して、第2のシャワープレート48にRFを印加するRF照射時間秒と光学式膜厚計で測ったエッチング量エッチング厚さnmとの関係を示す。この場合、被処理基板Sとして、上記したようなSiウェハを使用し、被処理基板の温度、N2ガスの流量、H2ガスの流量、NF3ガスの流量、H2プラズマ発生用RFを上記と同様にして行った。Siウェハ上に存在するSiO2膜をエッチングし、エッチング残留生成物NH42SiF6を除去する一連のプロセスを模式的に図9b~dに示す。すなわち、Siウェハ上に存在するSiO2膜をNHF処理してSiO2膜をエッチングすると、残留生成物NH42SiF6が生成され図9b、次いで堆積した残留生成物を除去し図9aの領域A;図9c、除去プロセスを続けると、最終的に残留生成物が除去される図9aの領域B;図9d。この領域BはエッチングされたSiO2膜の厚さを示す。なお、便宜上、SiO2がNH42SiF6になっても厚さが変わらないという仮定の下でエッチング量を測定したので、領域A、Bのエッチング量は相対値に近似する。図9から明らかなように、エッチング量は、第2のシャワープレート48へのRF照射時間RF印加時間と共に増加し、120秒で飽和した。すなわち、基板温度25°Cにおいてもエッチング残留生成物の除去が出来ており、H2プラズマを併用することで除去プロセスの低温化が出来る事が解る。図10に、第1の高周波電源45aの周波数を変化させた場合13.56MHz、40MHz及び80MHzのRF照射時間秒と光学式膜厚計で測ったSiO2膜のエッチング量エッチング厚さnmとの関係を示す。この場合、被処理基板Sとして、上記したようなSiウェハを使用し、被処理基板の温度、N2ガスの流量、H2ガスの流量、NF3ガスの流量、H2プラズマ発生用RFを上記と同様にして行った。図10から明らかなように、13.56MHzの場合に対して、40MHzの場合の方が、エッチング速度エッチング厚さが速くなっている事が解る。これは、周波数の増加に従ってプラズマ密度が増加してNFxHyラジカルが増加したためと推測される。一般に、プラズマは周波数の2乗に比例して増加すると言われているからである。一方で、80MHzでは極端にエッチング速度の低下がみられる。これは、80MHzでは装置全体のインピーダンスが高くなり、投入電力がプラズマに入る前にほとんど消費されてしまったためである。80MHzでは放電を起こす事が出来たが、放電限界は95MHzにあり、100MHzでは放電出来なかった。以上より、本発明で使用できる周波数の下限は、安価に入手可能な13.56MHzであり、上限は、100MHz未満である。例えば、27MHz、40MHz等を挙げることができる。13.56MHzよりも低い周波数でも放電は可能であるが、安価に入手可能な13.56MHzを下限とすることが好ましい。上記した一連のプロセス、すなわち図8~10にその結果を示す上記1~9のエッチングプロセス及びエッチング残留生成物除去プロセスを行った後に、図4に示すラジカルクリーニング装置のプラズマ発生室46内の状態を観察したところ、その内壁には何らダメージの跡が観察されず、消耗されておらず、また、エッチング残留生成物を除去する際の基板温度の低温化も達成できた。