表面に形成された交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されるとともに裏面に金属層が形成されたウエーハを該分割予定ラインに沿って分割するウエーハの分割方法であって、ウエーハの該金属層側を露出させた状態でチャックテーブルでウエーハを保持する保持ステップと、該チャックテーブルの保持面に対して平行な軸で回転する切削バイトを有する切削手段で該チャックテーブルに保持されたウエーハの該分割予定ラインに対応した領域の該金属層を切削して除去する金属層除去ステップと、該金属層除去ステップを実施した後、該分割予定ラインに沿ってウエーハに加工を施し、ウエーハを個々のデバイスチップへと分割する分割ステップと、を具備したことを特徴とするウエーハの分割方法。前記分割ステップでは、切削ブレードでウエーハを前記分割予定ラインに沿って切削してウエーハを個々のデバイスチップへと分割する請求項1記載のウエーハの分割方法。前記分割ステップは、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点をウエーハ内部に位置付けるとともに、ウエーハの前記金属層側から前記分割予定ラインに沿って該レーザビームを照射して、ウエーハの内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層形成ステップを実施した後、ウエーハに外力を付与してウエーハを個々のデバイスチップに割断する割断ステップと、を含むことを特徴とする請求項1記載のウエーハの分割方法。しかし、裏面に金属層を有するウエーハを切削ブレードで切削しようとすると、加工送り速度が低速になる上、切削ブレードには目詰まりが生じて切削不良が発生し、ひいてはウエーハの破損を引き起こす恐れがある。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、裏面に金属層を有するウエーハでも切削ブレードに目詰まりを発生させずに且つウエーハを破損させることなく、個々のデバイスチップへと分割可能なウエーハの分割方法を提供することである。請求項1記載の発明によると、表面に形成された交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されるとともに裏面に金属層が形成されたウエーハを該分割予定ラインに沿って分割するウエーハの分割方法であって、ウエーハの該金属層側を露出させた状態でチャックテーブルでウエーハを保持する保持ステップと、該チャックテーブルの保持面に対して平行な軸で回転する切削バイトを有する切削手段で該チャックテーブルに保持されたウエーハの該分割予定ラインに対応した領域の該金属層を切削して除去する金属層除去ステップと、該金属層除去ステップを実施した後、該分割予定ラインに沿ってウエーハに加工を施し、ウエーハを個々のデバイスチップへと分割する分割ステップと、を具備したことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。請求項2記載の発明によると、前記分割ステップでは、切削ブレードでウエーハを前記分割予定ラインに沿って切削してウエーハを個々のデバイスチップへと分割する。請求項3記載の発明によると、前記分割ステップは、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点をウエーハ内部に位置付けるとともに、ウエーハの前記金属層側から前記分割予定ラインに沿って該レーザビームを照射して、ウエーハの内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層形成ステップを実施した後、ウエーハに外力を付与してウエーハを個々のデバイスチップに割断する割断ステップと、を含む。請求項1記載の発明によると、金属加工に適する切削バイトで分割予定ラインに対応する領域の金属層を除去した後、ウエーハの分割が遂行されるため、切削ブレードの目詰まりやウエーハを破損させることなく、ウエーハを個々のデバイスチップへと分割できる。請求項2記載の発明によると、分割予定ラインに対応する領域の金属層が除去されているので、切削ブレードでの切削時に送り速度を向上することが可能となる。請求項3記載の発明によると、分割予定ラインに対応する領域の金属層が除去されているので、裏面側からレーザビームを照射してウエーハの内部に改質層を形成し、次いでウエーハに外力を付与して改質層を分割起点として個々のデバイスチップへと割断することができる。また、レーザビームの照射によって加工を施すので、切削ブレードでの切削に比較して更なる送り速度の向上が可能となる。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1に示す半導体ウエーハ11は、例えば厚さが100μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数の分割予定ラインストリート13が格子状に形成されているとともに、複数の分割予定ライン13によって区画された各領域にそれぞれIGBT絶縁ゲートバイポーラトランジスタ等のディスクリートデバイス15が形成されている。半導体ウエーハ11の裏面11bには図2に示されるように電極としての金属層17が形成されている。本発明のウエーハの分割方法を実施する予備ステップとして、図2に示すように、外周部が環状フレームFに貼着された粘着テープとしてのダイシングテープTに半導体ウエーハ11の表面11a側が貼着され、裏面に形成された金属層17が露出される。これにより、半導体ウエーハ11はダイシングテープTを介して環状フレームFで支持された状態となる。このように半導体ウエーハ11を環状フレームで支持した後、図3に示すように、保持面10aが透明部材から形成されたチャックテーブル10でウエーハ11をダイシングテープTを介して吸引保持し、クランプ12で環状フレームFをクランプして固定する。本実施形態のウエーハの分割方法では、ウエーハ11の裏面に形成された金属層17を切削バイトで切削して分割予定ライン13に対応する領域の金属層17を除去するため、チャックテーブル10の透明部材からなる保持面10aの下方に配置されたカメラ14でダイシングテープTを介してウエーハ11の表面11aを撮像し、図4に示す切削バイトホイール22と第1の方向に伸長する分割予定ライン13とを整列させるアライメントを実施する。更に、チャックテーブル10を90度回転してから、第1の方向に直交する第2の方向に伸長する分割予定ライン13をカメラ14で撮像して、切削バイトホイール22と第2の方向に伸長する分割予定ライン13とのアライメントを実施する。アライメント実施後、図4に概略構成を示すようなバイト切削装置16を使用して、チャックテーブル10に保持されたウエーハ11の分割予定ライン13に対応した領域の金属層17を切削して除去する金属層除去ステップを実施する。バイト切削装置16のスピンドルハウジング18内にはスピンドル20が回転可能に収容されており、スピンドル20の先端部には切削バイトホイール22が装着されている。切削バイトホイール22は円板状基台24と、円板状基台24の外周に180度離間して装着された2個の切削バイト26とから構成される。切削バイト26はダイアモンドから形成された切削刃を有している。スピンドル20の軸線20aはチャックテーブル10の保持面10aに対して平行に伸長している。よって、切削バイトホイール22はチャックテーブル10の保持面10aに対して平行な軸で回転する。本実施形態の切削バイトホイール22は、回転バランスを考慮して互いに180度離間した2個の切削バイト26を有しているが、切削バイトホイール22は円板状基台24の外周に1個の切削バイト26を有する構成でもよい。切削バイト装置16を使用した金属層除去ステップでは、切削バイトホイール22を10000rpm等の高速で回転しながらアライメントされた分割予定ライン13に対応するウエーハ裏面の金属層17に位置付けて金属層17に切り込ませ、チャックテーブル10を加工送りすることにより分割予定ライン13に対応する領域の金属層17に切削溝19を形成する。チャックテーブル10を割り出し送りしながら、第1の方向に伸長する全ての分割予定ライン13に対応する金属層17の領域に同様に切削溝19を形成する。次いで、チャックテーブル10を90度回転してから、第1の方向に直交する第2の方向に伸長する全ての分割予定ライン13に対応する金属層17の領域に同様な切削溝19を形成する。これにより、第1の方向及び第2の方向に伸長する全ての分割予定ライン13に対応する金属層17の領域に金属層17が除去された切削溝19が形成されたことになる。金属層除去ステップ実施後、本発明の第1実施形態では、図5に示すように、切削ブレード34でウエーハを分割予定ライン13切削溝19に沿って切削してウエーハ11を個々のデバイスチップ15へと分割する分割ステップを実施する。図5に示した切削装置28は二つのスピンドルを有する二軸タイプの切削装置であり、一方のスピンドル20にバイトホイール22を装着し、他方のスピンドル32に切削ブレード34を装着すると、1台の切削装置28で金属層除去ステップ及び分割ステップを実施することができる。切削装置28の切削ユニット30はスピンドル32の先端に切削ブレード34が装着されて構成されている。本実施形態の分割ステップでは、切削ブレード34を30000rpm等の高速で回転しつつ切削溝19を通してウエーハ11に切り込ませ、チャックテーブル10を加工送りすることでウエーハ11を第1の方向に伸長する分割予定ライン13に沿って切削する。チャックテーブル10を割り出し送りしながら第1の方向に伸長する全ての分割予定ライン13に沿ってウエーハ11を切削する。次いで、チャックテーブル10を90度回転してから、第1の方向に直交する第2の方向に伸長する全ての分割予定ライン13に沿ってウエーハ11を切削することにより、ウエーハ11を個々のデバイスチップ15へと分割する。次に、図6乃至図8を参照して、本発明第2実施形態の分割ステップについて説明する。本実施形態の分割ステップは、図6に示すように、レーザ加工装置36のチャックテーブル10Aで金属層除去ステップが実施されたウエーハ11をダイシングテープTを介して吸引保持し、ウエーハ11に対して透過性を有する波長のパルスレーザビームの集光点Pを集光器38でウエーハ内部に位置付けるとともに、分割予定ライン13に沿ってウエーハ11の金属層17側からレーザビームを照射し、チャックテーブル10Aを矢印X1方向に加工送りすることにより、ウエーハ11の内部に改質層21を形成する改質層形成ステップを含んでいる。この改質層形成ステップでは、第1の方向の全ての分割予定ライン13に沿ってウエーハ内部に改質層21を形成し、次いで、チャックテーブル10Aを90度回転してから、第1の方向に直交する第2の方向に伸長する全ての分割予定ライン13に沿ってウエーハ内部に改質層21を形成する。改質層形成ステップのレーザ加工条件例は例えば以下の通りである。光源:LD励起QスイッチNd:YVO4レーザ波長:1064nm平均出力:1Wパルス幅:40ns集光スポット径:φ1μm繰り返し周波数:100kHz加工送り速度:100mm/s改質層形成工程実施後、図7に示すエキスパンド装置分割装置40を使用してウエーハ11に外力を付与し、ウエーハ11を個々のデバイスチップ15へと割断する割断ステップを実施する。図7に示すエキスパンド装置40は、環状フレームFを保持するフレーム保持手段42と、フレーム保持手段42に保持された環状フレームFに装着されたダイシングテープTを拡張するテープ拡張手段44を具備している。フレーム保持手段42は、環状のフレーム保持部材46と、フレーム保持部材46の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ48から構成される。フレーム保持部材46の上面は環状フレームFを載置する載置面46aを形成しており、この載置面46a上に環状フレームFが載置される。そして、載置面46a上に載置された環状フレームFは、クランプ48によってフレーム保持手段46に固定される。このように構成されたフレーム保持手段42はテープ拡張手段44によって上下方向に移動可能に支持されている。テープ拡張手段44は、環状のフレーム保持部材46の内側に配設された拡張ドラム50を具備している。拡張ドラム50の上端は蓋52で閉鎖されている。この拡張ドラム50は、環状フレームFの内径より小さく、環状フレームFに装着されたダイシングテープTに貼着されるウエーハ11の外径より大きい内径を有している。拡張ドラム50はその下端に一体的に形成された支持フランジ54を有している。テープ拡張手段44は更に、環状のフレーム保持部材46を上下方向に移動する駆動手段56を具備している。この駆動手段56は支持フランジ54上に配設された複数のエアシリンダ58から構成されており、そのピストンロッド60はフレーム保持部材46の下面に連結されている。複数のエアシリンダ58から構成される駆動手段56は、環状のフレーム保持部材46を、その載置面46aが拡張ドラム50の上端である蓋52の表面と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム50の上端より所定量下方の拡張位置との間で上下方向に移動する。以上のように構成されたエキスパンド装置40を用いて実施するウエーハ11の分割工程について図8を参照して説明する。図8Aに示すように、ウエーハ11をダイシングテープTを介して支持した環状フレームFを、フレーム保持部材46の載置面46a上に載置し、クランプ48によってフレーム保持部材46に固定する。この時、フレーム保持部材46はその載置面46aが拡張ドラム50の上端と略同一高さとなる基準位置に位置付けられる。次いで、エアシリンダ58を駆動してフレーム保持部材46を図8Bに示す拡張位置に下降する。これにより、フレーム保持部材46の載置面46a上に固定されている環状フレームFを下降するため、環状フレームFに装着されたダイシングテープTは拡張ドラム50の上端縁に当接して主に半径方向に拡張される。その結果、ダイシングテープTに貼着されているウエーハ11には放射状に引張力が作用する。このようにウエーハ11に放射状に引張力が作用すると、ストリート13に沿って形成された改質層21が分割起点となってウエーハ11が改質層21に沿って割断され、個々の半導体デバイスチップ15に分割される。上述した実施形態では、本発明の分割方法の加工対象なるウエーハとしてディスクリートウエーハ11について説明したが、本発明の加工対象となるウエーハはこれに限定されるものではなく、裏面に金属層を有する他のウエーハにも同様に適用可能である。