"La1-aRaFe1-x-yTyMx13Hz,水素飽和値zsatの90以上の水素含有量z,及び,キュリー温度Tcを決めるために選択されたa,xとyの値を含み,MはAlとSiからなる群からの一種又は二種以上の元素であり,TはCo,Ni,Mn,Cr,Cu,Ti及びVからなる群からの一種又は二種以上の元素であり,RはCe,Nd,YとPrからなる群からの一種又は二種以上の元素であり,Tcmaxは,水素含有量z=zsat,及び前記選択されたa,x,とyの値を含むLa1-aRaFe1-x-yTyMx13Hz相のキュリー温度であり,Tcmax-Tc≦20Kである,磁気熱量活性相を含む磁気熱交換のための作動コンポーネント。請求項1に記載の作動コンポーネントであって,前記水素含有量zは,前記水素飽和値zsatの95以上であり,Tcmax―Tc≦10Kである作動コンポーネント。請求項1又は請求項2に記載の作動コンポーネントであって,1.2≦z≦3,又は,1.4≦z≦3である作動コンポーネント。請求項1から3のいずれか1項に記載の作動コンポーネントであって,0.05≦x≦0.3,0.003≦y≦0.2,及び,任意選択で0.005≦a≦0.5である作動コンポーネント。請求項1から3のいずれか1項に記載の作動コンポーネントであって,0.005≦a≦0.5,及び,0.05≦x≦0.2,及び,0.003≦y≦0.2である作動コンポーネント。請求項1から5のいずれか1項に記載の作動コンポーネントであって,前記TはMnであり,前記作動コンポーネントの前記キュリー温度Tcが,関係式Tccalc°C=80.672-26.957×Mnmから導かれる前記キュリー温度Tccalcの値の±10K以内にあり,前記Mnmはマンガンの金属重量分率である作動コンポーネント。請求項6に記載の作動コンポーネントであって,前記Tcが,Tccalcの±5K以内にある作動コンポーネント。請求項1から7のいずれか1項に記載の作動コンポーネントであって,前記Mは前記Siであり,前記Siの金属重量分率Siactが,関係式Sim=3.85-0.0573×Com―0.045×Mnm20.2965×Mnmから導かれるシリコンの金属重量分率Simの値の±5の範囲内にあり,前記Comはコバルトの金属重量分率であり,前記Mnmはマンガンの金属重量分率である作動コンポーネント。請求項1から7のいずれか1項に記載の作動コンポーネントであって,前記Mは前記Siであり,前記Siの金属重量分率Siactが,関係式Sim=3.85-0.045×Mnm20.2965×Mnm0.198-0.066×Mnm×CeMMmから導かれるシリコンの金属重量分率Simの値の±5の範囲内にあり,前記Mnmはマンガンの金属重量分率であり,前記CeMMmはセリウムミッシュメタルの金属重量分率である作動コンポーネント。請求項8又は請求項9に記載の作動コンポーネントであって,前記Siactが,前記Simの±-2以内にある作動コンポーネント。請求項1から10のいずれか1項に記載の作動コンポーネントであって,前記作動コンポーネントが,粉末又は焼結ブロック又は反応焼結ブロック又は圧縮粉末を含む作動コンポーネント。請求項1から11のいずれか1項に記載の作動コンポーネントであって,前記作動コンポーネントが,温度に対する熱流のグラフにおいてピークを含み,前記ピークが幅と最大値を有し,前記最大値が前記キュリー温度に相当する作動コンポーネント。請求項12に記載の作動コンポーネントであって,前記作動コンポーネントのキュリー温度の±1°C以内の温度で,30日間,前記作動コンポーネントをエージングした後,前記ピーク幅が20未満増加する作動コンポーネント。請求項13に記載の作動コンポーネントであって,前記作動コンポーネントのキュリー温度の±1°C以内の温度で,40日間,前記作動コンポーネントをエージングした後,前記ピーク幅が20未満増加する作動コンポーネント。請求項12から14のいずれか1項に記載の作動コンポーネントであって,前記作動コンポーネントのキュリー温度で,30日間,前記作動コンポーネントをエージングした後,前記ピーク幅が20未満増加する作動コンポーネント。請求項1から15のいずれか1項に記載の作動コンポーネントであって,前記作動コンポーネントが,磁気熱量不活性相を更に含む作動コンポーネント。請求項16に記載の作動コンポーネントであって,前記磁気熱量不活性相が,前記磁気熱量活性相が埋め込まれるマトリックスを提供する作動コンポーネント。請求項1から17のいずれか1項に記載の2つ以上の作動コンポーネントを含む磁気熱交換のための構造体であって,前記2つ以上の作動コンポーネントは,a及び/又はx及び/又はyの異なる値,及び異なるキュリー温度を含む構造体。請求項18に記載の構造体であって,前記構造体が少なくとも3つの作動コンポーネントを含み,前記少なくとも3つの作動コンポーネントのキュリー温度が,前記構造体の1つの方向で増加するように配置される構造体。望ましいキュリー温度を選択する工程と,TはMn,Co,Ni,Cu,Ti,VとCrからなる群からの一種又は二種以上の元素であって,RはCe,Nd,YとPrからなる群からの一種又は二種以上の元素であって,MはSiとAlのいずれか一種の元素であり,前記T,前記R及び前記Mの一種又は二種以上の元素の量は,水素飽和値zsatの少なくとも90である水素含有量を有するLa1-aRaFe1-x-yTyMx13Hz相に含まれるとき,前記望ましいキュリー温度をもたらすように選択される,前記T,前記R及び前記Mの一種又は二種以上の元素の量を選択する工程と,選択された前記T,前記R及び前記Mの元素の量に,前駆体粉末混合物を作るために,前記望ましいキュリー温度を有するLa1-aRaFe1-x-yTyMx13Hz相を作るために適した量で,La及びFe又はそれらの前駆体を混合する工程と,z=0でのLa1-aRaFe1-x-yTyMx13Hz相を含む中間生成物を作るために,前記前駆体粉末混合物を熱処理する工程と,前記望ましいキュリー温度と前記水素飽和値zsatの少なくとも90の水素含有量zを含むLa1-aRaFe1-x-yTyMx13Hz相を含む作動コンポーネントを生産するために,前記中間生成物を水素化する工程とを含む,磁気冷却のための作動コンポーネントを生産する方法。請求項20に記載の方法であって,前記R,前記T及び前記Mの一種又は二種以上の元素の量が,0.05≦x≦0.2,0.003≦y≦0.2,及び任意選択で0.005≦a≦0.5の範囲内で選択される方法。請求項20又は請求項21に記載の方法であって,前記R,前記T及び前記Mの一種又は二種以上の元素の量が,0.005≦a≦0.5と0.05≦x≦0.2と0.003≦y≦0.2の範囲内で選択される方法。請求項20から22のいずれか1項に記載の方法であって,前記Tの元素はMnを含み,前記望ましいキュリー温度であるTcをもたらすために,マンガンの量Mnmは,Tc°C=80.672-26.957×Mnmにより選択され,前記Mnmはマンガンの金属重量分率である方法。請求項20から23のいずれか1項に記載の方法であって,前記Mは前記Siであり,前記Siの量がSim=3.85-0.0573×Com-0.045×Mnm20.2965×Mnmによって選択され,前記Simはシリコンの金属重量分率であり,前記Mnmはマンガンの金属重量分率であり,前記Comはコバルトの金属重量分率である方法。請求項20から23のいずれか1項に記載の方法であって,前記Mは前記Siであり,前記Siの量が,Sim=3.85-0.045×Mnm20.2965×Mnm0.198-0.066×Mnm×CeMMmによって選択され,前記Simはシリコンの金属重量分率であり,前記Mnmはマンガンの金属重量分率であり,前記CeMMmはセリウムミッシュメタルの金属重量分率である方法。請求項20から25のいずれか1項に記載の方法であって,前記前駆体粉末混合物が,一つ以上の未加工の粉体を形成するようにプレスされる方法。請求項20から26のいずれか1項に記載の方法であって,前記中間生成物が,1.2≦z≦3の水素含有量zを有する前記La1-aRaFe1-x-yTySix13Hz相を作るために水素化される方法。請求項20から27のいずれか1項に記載の方法であって,前記中間生成物を水素化する工程は,0.5~2バールのH2ガス分圧の下での熱処理をする工程を含む方法。請求項20から28のいずれか1項に記載の方法であって,前記中間生成物を水素化する工程は,前記H2ガス分圧が,水素化の間増加される工程である方法。請求項20から29のいずれか1項に記載の方法であって,前記中間生成物を水素化する工程は,0°Cから100°Cの範囲の温度で熱処理すること工程を含む方法。請求項30に記載の方法であって,前記中間生成物を水素化する工程は,15°Cから35°Cの範囲の温度で熱処理する工程を含む方法。請求項20から31のいずれか1項に記載の方法であって,前記中間生成物を水素化する工程は,300°C≦Thyd≦700°Cにある温度Thydでの滞留する工程を含む方法。請求項32に記載の方法であって,前記中間生成物を水素化する工程は,300°C≦Thyd≦700°Cにある温度Thydでの滞留する工程であり,その後,100°C未満の温度にまで冷却する工程を含む方法。請求項30から33のいずれか1項に記載の方法であって,前記中間生成物を水素化する工程は,不活性雰囲気中で50°C未満から少なくとも300°Cの温度になるまで前記中間生成物を熱する工程と,少なくとも300°Cの温度に達するときのみ,水素ガスを導入する工程と,選択された時間の間,300°Cから700°Cの範囲の温度での水素含有雰囲気中で,前記中間生成物を保持する工程と,前記作動コンポーネントを提供するために50°C未満の温度にまで前記中間生成物を冷却する工程を含む方法。請求項34の方法であって,前記中間生成物は水素含有雰囲気中で50°C未満の温度にまで冷却される方法。請求項20から35のいずれか1項に記載の方法であって,前記水素ガスは,400°Cから600°Cの温度に達するときのみ,導入される方法。請求項20から35のいずれか1項に記載の方法であって,前記作動コンポーネントは,前記中間生成物を水素化する工程の後に,少なくとも0.18重量の水素を含む方法。請求項20から37のいずれか1項に記載の方法であって,前記前駆体粉末混合物が,1050°C≦Tsinter≦1200°Cにある温度Tsinterで熱処理される方法。請求項20から38のいずれか1項に記載の方法であって,前記前駆体粉末混合物を熱処理する工程は,多段階式の熱処理過程であり,前記前駆体粉末混合物を熱処理するのに用いられる工程である方法。請求項39に記載の方法であって,前記多段階式の熱処理過程は,真空中での時間t1とアルゴン中での時間t2の間,前記Tsinterでの第1の滞留工程と,引き続いてT1<Tsinterである温度T1にまで冷却される工程と,引き続いて時間t3の間,前記T1での第2の滞留工程と,引き続いて急速冷却される工程を含む方法。請求項40に記載の方法であって,1000°C≦T1≦1080°C,及び/又は0.5h≦t1≦10及び/又は0.5h≦t2≦10h,及び/又は1h≦t3≦20h,及び/又は5から200°C/minの速度で前記急速冷却がなされる方法。請求項24から41のいずれか1項に記載の方法であって,前記作動コンポーネントが,前記Simの±5以内にある,シリコンSiの含有量,Siactを含む方法。請求項42に記載の方法であって,前記Siactが,前記Simの2以内にある方法。請求項20から43のいずれか1項に記載の方法であって,前駆体を混合する工程は,鋼球と任意選択でイソプロパノールを使って実行される工程である方法。請求項20から44のいずれか1項に記載の方法であって,前記方法は,作動コンポーネント粉末をつくるために,前記作動コンポーネントを粉砕する工程をさらに含む方法。請求項45に記載の方法であって,前記方法は,5~60分間100°Cから200°Cの範囲の温度で,前記作動コンポーネント粉末を熱処理する工程をさらに含む方法。請求項46に記載の方法であって,前記作動コンポーネント粉末を熱処理する工程が,アルゴン中で実行される工程である方法。請求項20から47のいずれか1項に記載の方法であって,前記方法は,前記作動コンポーネントが,前記キュリー温度Tcより上,又は,前記キュリー温度Tcより下の温度で維持される間,前記作動コンポーネントの少なくとも一部分を取り除く工程をさらに含む方法。請求項48に記載の方法であって,前記作動コンポーネントが,前記作動コンポーネントの一部分を取り除く間,前記磁気熱量活性相が相転移を受けるのを防ぐために十分な温度で加熱される方法。請求項48又は請求項49に記載の方法であって,前記作動コンポーネントが,前記磁気熱量活性相の形成の後,前記作動コンポーネントの加工が完了されるまで,その磁気相転移温度Tcより上の温度に維持される方法。請求項48に記載の方法であって,前記作動コンポーネントが,前記作動コンポーネントの一部分を取り除く間,前記磁気熱量活性相が相転移を受けるのを防ぐのに十分な温度で冷却される方法。請求項48から51のいずれか1項に記載の方法であって,前記磁気熱量活性相が,長さ又は容積での温度依存的な遷移を示し,前記作動コンポーネントの少なくとも一部分が,長さ又は容積での前記遷移より上の,又は,前記遷移より下の温度で取り除かれる方法。請求項52に記載の方法であって,前記遷移が,L10-L90x100/LT>0.35であることを特徴とする方法。請求項40から47のいずれか1項に記載の方法であって,前記方法は,少なくとも1つの永久磁気相を含む中間生成物を形成するために,T2<Tsinterの温度T2で前記作動コンポーネントを熱処理する工程をさらに含む,請求項40から47のいずれか1項に記載の方法。請求項54に記載の方法であって,前記作動コンポーネントが,NaZn13型結晶構造を有する前記La1-aRaFe1-x-yTyMx13Hz相を分解して,前記中間構造体中で少なくとも一つのα-Fe型の相を形成するように選択される条件下で熱処理される方法。請求項54又は請求項55に記載の方法であって,前記作動コンポーネントが,前記中間構造体の50容量を超えるα-Fe含有量をつくるように選択された条件下で熱処理される方法。請求項54から56のいずれか1項に記載の方法であって,前記方法は,前記中間構造体の少なくとも一部分を取り除くことによって,前記中間構造体を加工する工程と,その後,少なくとも1つの磁気熱量活性La1-aRaFe1-x-yTyMx13Hz相を含む第2の作動コンポーネント生成物を作るために前記中間構造体を熱処理する工程と,をさらに含む方法。請求項57に記載の方法であって,前記中間構造体が,前記第2の作動コンポーネント生成物の5容量未満のα-Fe含有量をつくるために熱処理される方法。請求項57又は請求項58に記載の方法であって,前記中間構造体が,前記第2の作動コンポーネント生成物をつくるためにT3>T2である温度T3で熱処理される方法。請求項59に記載の方法であって,T3<Tsinterである方法。請求項54から60のいずれか1項に記載の方法であって,前記作動コンポーネントの組成が,前記T2で前記NaZn13型結晶構造を有する相の可逆分解をもたし,前記T3で前記NaZn13型結晶構造の再形成するように選択される方法。請求項48から61のいずれか1項に記載の方法であって,前記作動コンポーネントの少なくとも一部分が,機械加工,機械粉砕,機械研磨,化学的機械的研磨,電気火花切断,ワイヤー腐食切断,レーザー切断とレーザー穿孔又は水ビーム切断の一つ以上によって取り除かれる方法。請求項48から62のいずれか1項に記載の方法であって,前記作動コンポーネントの少なくとも一部分が,少なくとも2つの別々の部分を作るように取り除かれる方法。請求項48から63のいずれか1項に記載の方法であって,前記作動コンポーネントの少なくとも一部分が,表面又は少なくとも一つの貫通孔で形成される少なくとも1つのチャンネルをつくるように,取り除かれるとことを特徴とする方法。図1は,5つの作動コンポーネント2,3,4,5,6を含む磁気熱交換のための,構造体1を示す。作動コンポーネント2,3,4,5,6の各々は,La1-aRaFe1-x-yTyMx13Hzから成る磁気熱量活性相を含む。MはAlとSiからなる群からの一種又は二種以上の元素であってよく,TはCo,Ni,Mn,Cr,Cu,TiとVからなる群からの一種又は二種以上の元素であってよく,そして,RはCe,Nd,YとPrからなる群からの一種又は二種以上の元素であってよい。作動コンポーネントの各々の水素含有量zは,水素飽和値zsatの90以上である。a,xとyの値は,各々の作動コンポーネント2,3,4,5,6に異なるキュリー温度Tcを与えるよう選択される。異なるキュリー温度は,作動コンポーネントを部分的に脱水素することによって,実質的な程度にまで達成されるわけではなく,適切な量の元素R,TとMを選択することによって達成される。Tcmaxは,水素含有量z=zsatと各々の作動コンポーネント2,3,4,5,6についての選択されたa,xとyの値を含む各々の作動コンポーネントLa1-aRaFe1-x-yTyMx13Hz相のキュリー温度である。作動コンポーネント2,3,4,5,6は,各々の作動コンポーネントのキュリー温度TcがTcmaxの20ケルビン以内にあるように,少なくとも90は完全に水素化される。すなわちTcmax―Tc≦20Kである。この特定の実施形態において,作動コンポーネント2,3,4,5,6の各々について,元素MはSiであり,そして,元素TはMnであり,そして,元素Rは省略される。作動コンポーネント2,3,4,5,6のキュリー温度Tcは,関係式Tccalc°C=80.672-26.957×Mnmから導かれるキュリー温度Tccalcの値の±10K以内にある。ここでの,Mnmはマンガンの金属重量分率である。作動コンポーネント2,3,4,5,6におけるマンガンの量を調節することによって,作動コンポーネントのキュリー温度は,80°Cから-90°Cの範囲の中におさまるよう選択され得る。xとyの値は,作動コンポーネントの各々について,以下の関係を満たす。即ち,Siの金属重量分率Siactが,関係式Sim=3.85-0.0573×Com―0.045×Mnm20.2965×Mnmから導かれる,シリコンの金属重量分率Simの値の5以内にある。金属RとTの置換量に関係してシリコン含有量を調節することによって,NaZn13型構造は,安定化され得る。この実施形態において作動コンポーネント2,3,4,5,6の各々は,反応焼結ブロックの形で作動コンポーネントを形成するために,元素又はその前駆体を反応焼結させることによって,作られる。他の実施形態において,作動コンポーネントは,粉末,焼結ブロック又は圧縮粉末を含む。作動コンポーネント2,3,4,5,6は,磁気熱量活性相が埋め込まれている銅のような磁気熱量不活性相を更に含んでいる複合物として,提供されてもよい。作動コンポーネント2,3,4,5,6は,作動コンポーネントのTcが構造体1の長軸方向で連続的に増加するように,構造体1において配置される。この配置は,構造体1が磁気熱交換器で使われるとき,より良い冷却性能を生みだす。作動コンポーネント2,3,4,5,6は,以下の実施形態の1つを用いて製造されてよい。一実施形態において,La,FeとSiの前駆体合金は,1.67重量又は10重量のマンガン粉末と混ぜ合わされ,各々,およそ6μmの粒径を有する2つの細粉を形成するために,保護雰囲気下でジェットミルで粉砕された。2つの粉末は,異なるマンガン含有量の4つの異なる粉末を生産するために適切な量で互いに混ぜ合わされた。サンプルの各々は,18重量のLa,4.2重量のSi,及び1.67重量,2.0重量,2.5重量及び3.0重量のMnの割合の1つと残余のFeを含んでいた。粉末は,未加工の粉体を形成するために均衡プレスされ,4時間1100°Cで焼結され,その後,72時間で1050°Cに冷却された。1050°Cで6時間の滞留の後,サンプルは,1分あたりおよそ50°Cで,300°C未満の温度にまで冷却された。そのサンプルは,その後,アルゴン下で500°Cに熱され,アルゴンは,この温度で1.9バールの水素に交換された。それから,そのサンプルは,水素含有雰囲気中で,6時間で室温にまで冷却された。この熱処理は,結果としておよそ10ミリメートルの寸法を有する塊を含む物質をもたらした。これらの部分は,機械的に粉砕されて,250μm未満の粒子サイズを与えるよう選別された。それから,これらの粉末は,15分間150°Cで熱された。図2は,4つの組成についての温度°Cの関数として16kOeの磁場変化の印加でのエントロピー変化-△Smのグラフを示し,マンガン含有量の増加が測定されたピーク温度の組織的減少をもたらすことを示している。測定されたピーク温度は,キュリー温度に対応する。以下の関係式は,完全に又は実質的に完全に水素化されたサンプル対して望ましいTcを提供するように適切なMn含有量を提供するのに,用いられ得る。Tc°C=80.672-26.957×Mnmここでの,Mnmはマンガンの金属重量分率である。図3は,調製されたままの状態とキュリー温度で45日間保管の後での,2.5重量のマンガン含有量を有するサンプルについての示差走査熱量測定値を示す。ピークの位置とカーブの形は,保管の後,あまり変化しなかった。図4は,調製されたままの状態及びキュリー温度で45日間保管の後での,2.0重量のマンガン含有量を有するサンプルについての示差走査熱量測定値を示す。ピークの位置とカーブの形は,保管の後あまり変化しなかった。図5は,1.143の重量であると見積もられる,より低い水素含有量を含む比較サンプルを示す。そのサンプルの組成は,La1.04Fe0.88Si0.1213であり,より低い水素含有量が,22の水素と78のヘリウムの混合物に4時間241°Cでサンプルを水素化することによって達成された。示差走査熱量測定カーブは,このサンプルについて,35日間35°Cでの保管の前後で,およそ36°C±0.5°Cのキュリー温度で得られている。保管の前のサンプルは,比較的狭い単一ピークによって特徴づけられる。35日間の保管の後,2つのピークが,サンプルが不安定で,異なるキュリー温度を含む各々二相に分解するように見えることを示しているのが見られ得る。不安定なキュリー温度を有する不安定物質は,実際的な磁気熱交換器での使用において好ましくない。19.6kOeの磁場での断熱温度変化ΔTADの温度依存性は,Gdに比較して以下の3つのサンプルに対して測定され,図6のグラフに示されている。サンプル1012は,2.2重量のMn及び0.187重量の水素含有量の組成を有し,実質的に完全に水素化されている。サンプル1015は,17.8重量のLa,3.81重量のSi,残余のFeの組成を有し,ほとんど完全に水素で飽和されている。サンプル1014は,17.8重量のLa,3.81重量のSi,残余のFeの組成を有し,部分的に脱水素化されている。測定は,増加しつつある温度で,最初に,0と19.6kOeの間で磁場を変えることによって,実行された。各々のサンプルの温度変化は,熱電対で測定された。最高温度に達した後,断熱温度変化が,減少する温度に対して再び測定された。マンガンの無いサンプル1015は,磁気熱交換器での適用のために望ましくない,明確なヒステリシス効果を有することが,わかった。マンガンを含むサンプル1012は,マンガンの無いサンプル1014と1015よりかなり小さなヒステリシスを含む。完全に水素化されたサンプル1015についての温度変化は,部分的に脱水素化されたサンプル1014の温度変化より大きい。それ故に,適切なマンガン含有量によって決定されたキュリー温度を有する完全に水素化されたサンプル1012は,最高45日のキュリー温度で保存されるとき,安定であり,低ヒステリシスと大きな温度変化を有する。この特徴の組合せは,実際的な磁気熱交換器の作動コンポーネントにとって望ましい。更なる一実施形態において,完全に水素化されたLaFe,Si13相によって提供される値からのキュリー温度の減少は,Ce,Nd及びPrの置換の使用を通して,さらに,マンガンMnとの組み合わせにおいても成し遂げられた。サンプルの組成は,表1にまとめられている。表1において,希土類元素REは更なる希土類元素Pr,CeMMとNdの量を示し,La含有量を除外している。組成は,以下の通りである。17.8重量のLa,3.8重量のSi,残余Fe。5.2重量のPr,12.7重量のLa,3.8重量のSi,残余のFe。7.0重量のCeMM,10.6重量のLa,3.9重量のSi,残余のFe。6.0重量のNd,11.9重量のLa,4.4重量のSi,残余のFe。2.9重量のPr,15.4重量のLa,2,2重量のMn,4.2重量のSi,残余のFe。そして,6.1重量のCeMM,11.9重量のLa,1.9重量のMn,4.6重量のSi,残余のFe。図7は,異なる金属置換物を含む実質的に完全に水素化されたサンプルについての温度の関数としての16kOeの磁場変化に対するエントロピー変化-△Smのグラフを示している。サンプルは,以前の実施形態で同様に作られた適切な出発粉末を適切な量で混合することによって,そして1090°Cから1160°Cの範囲のいろいろな温度でその後焼結された未加工の粉体を形成し,それらを均衡にプレスすることによって,作られた。各々の組成についての焼結温度が表1に提示されている。焼結の後,サンプルは6時間1050°Cで均質化され,室温にまで急速冷却された。サンプルを水素化するために,サンプルはアルゴン中で500°Cの温度にまで加熱され,そして,アルゴンは1.9バールの水素で置換され,室温にまでゆっくり冷却された。サンプルの組成は,表1にまとめられている。LaFe,Si13相は,85°Cのキュリー温度を有する。Ce,Nd又はPrだけで置換することによって,キュリー温度の減少が,三成分のLaFe,Si13組成と比較して成し遂げられた。26.2重量のLa,16重量のNd,5.2重量のPr,残余のCeの組成を有するセリウムミッシュメタルCeMMの形式でのセリウムが,使われた。PrとMnとCeとMnの組合せは,Pr,Nd又はCeの単独での利用よりキュリー温度において,結果としてより大きな減少をもたらす。Pr,Nd及びCeだけを含むサンプルについてのエントロピー変化は,Mnだけによって成し遂げられたものより,あまり低くはならず,そのことは図2に示されている。CeとMnの組合せは,家庭向け冷却についての技術的に関連する全ての温度範囲にわたってピーク温度を調節するように,用いられ得る。図8は,異なるMnとSi含有量を有するサンプルについての最大エントロピー変化-ΔSm,maxのグラフを示す。図8は,3.8重量のCeMMを有するLa,CeFe,Mn,Si13組成についてのエントロピー変化の減少が,シリコン含有量の適切な増加によって少なくとも部分的に補償され得ることを示している。以下の関係式が,適切なシリコン含有量を計算するために役立つことが見つけられた。Sim=3.85-0.045×Mnm20.2965×Mnmここでの,Simはシリコンの金属重量分率であり,そして,Mnmはマンガンの金属重量分率である。コバルトがマンガンとの組み合わせに含められるならば,その時,以下の関係式が役立つことが見つけられた。Sim=3.85-0.0573×Com-0.045×Mnm20.2965×Mnmここでの,Simはシリコンの金属重量分率であり,Mnmはマンガンの金属重量分率であり,そして,Comはコバルトの金属重量分率である。もしCeMMが含められるならば,シリコン含有量は以下の関係式によって選択される。Sim=3.85-0.045×Mnm20.2965×Mnm0.198-0.006×Mnm×CeMMmここでの,CeMMmはセリウムミッシュメタルの金属重量分率である。以下の実施形態において,5つの作動コンポーネントは,それぞれに,8.5°C,11.6°C,14.9°C,18.2°C及び21.3°Cのキュリー温度を有することが望まれる。上式は,完全に水素化されるそれぞれの金属成分を有する相において,それぞれに,3.5°Cと26.3°Cのキュリー温度をもたらすのに必要とされるLa,Si及びMn含有量の組成を決定するのに用いられた。その組成は表2にまとめられており,16.7重量のLa,4.33重量のSi,2.86重量のMn,残余のFe,及び16.7重量のLa,4.26重量のSi及び2.02重量のMnと残余のFeである。以前の実施形態と同様に作られた前駆体粉末は,およそ2500gの全バッチ重量を提供するために,圧延機上で4時間,6mm,10mm及び15mmの直径を有する1250gの鋼球とスチール缶中で混合された。これら2つの粉末は,望ましい5つのキュリー温度8.45°C,11.55°C,14.85°C,18.15°C及び21.25°Cを達成するために,表3で示されたような適切な量で,混ぜられた。これら粉末混合物は,1.5のイソプロパノールと混ぜ合わせられ,均衡にプレスされて,真空中で3時間1095°Cの温度にまで加熱し,引き続いて,アルゴン中で1時間,そして,1050°Cの温度にまで1時間で冷却されることによって焼結された。この温度は,サンプルを室温にまで急速冷却する前に,6時間保たれた。5つのサンプルは,鉄箔で個々に包装され,以下のように水素化された。サンプルは真空下で500°Cにまで加熱され,1.9バールの水素が炉に入れられ,そしてサンプルは100°C未満の温度にまで冷却された。サンプル3と4は,室温にまでより速く冷却された。しかし,サンプル4は1.9バールの水素雰囲気中で,一晩中置かれた。サンプルの磁気熱量特性が測定された。それらは表4と図9にまとめられている。表と図において,サンプル1,2,3,4及び5は,VZ1003-MCE-1XX,VZ1003-MCE-2XX等と表示されている。2つのサンプル3と4は,より速く冷却され,図9で最も大きなエントロピー変化-△Smが起こる温度に相当するキュリー温度を有したが,それは目標として図9に示される望ましいキュリー温度よりわずかに低かった。サンプル1,2と5の各々は,望ましい値に類似するキュリー温度を有する。サンプル3と4は,150°Cにまで加熱され,その後すぐ,雰囲気は1.9バールの水素に取り替えられ,そして,その後,一晩かけて,ゆっくり冷却されることによって,再水素化された。表4と図10は,この熱処理後,表4のによって,及び,図10で示される目標温度に対するピーク温度の位置によって示されるように,サンプル3と4のキュリー温度が,望ましいTcに近づくことを示している。作動コンポーネントは粉砕されて,250μm~400μmの範囲の平均の粒子サイズを有する粉末を作るためにふるいにかけられた。表4で提示される結果と比較して,サンプル1と3について表5で提示される結果によって示されるように,この付加的粉砕は磁気熱量特性に大きな影響を及ぼすよことはない。更なる熱処理は,およそ30分間アルゴン中でおよそ140°Cにまで最終サンプルを加熱することによって実行され,そして,その後,アルゴン流中で室温に冷却された。この安定化熱処理の効果は,安定性の欄によって示される,表4中の2組のデータによって示されている。表6でまとめられ,図11及び12に示されるように,最も大きなエントロピー変化が起こった温度に相当し,そしてキュリー温度に相当する,ピーク温度Tpeak°Cは,マンガン含有量の増加に対して減少する。図12に示されているように,異なるマンガン含有量の5つのサンプルの水素含有量は,通常類似している。異なるキュリー温度は,マンガン含有量を増加することによって達成される。完全に水素化されたサンプルの改善されたエージング挙動についての可能な説明は,以下の通りである。室温においてでさえ,La1-aRaFe1-x-yTyMx13Hz相のNaZn13型構造において格子間に配置される水素原子は,比較的高い移動性を有すると推定され得る。この根拠は,およそ150°Cより上の温度での構造からの水素の損失の観測結果である。さらにまた,これら合金における強磁性状態から常磁性状態への磁気相転移は,およそ1.5の容積での増加に関係している。もし,利用可能な格子間位置の全てが水素原子で満たされていない,部分的に水素化された合金が,キュリー温度の近くの温度に保存されるならば,水素原子は,濃度勾配に逆らって動き,より低い水素含有量の領域からより高い水素含有量の領域の方向へ広まり得る。水素原子は,より低い水素含有量だが小さい体積を有する常磁性領域から,より高い水素含有量だがより大きな格子定数及びより大きな体積も有する強磁性領域に,広まるかもしれない。この動きは,この領域で二相間の体積の違いが推進力であると考えられ得るので,キュリー温度の範囲での温度で起こり得る。このことは,格子間位置が完全に占められているという点で,キュリー温度で保存されても完全に水素化されたLa1-aRaFe1-x-yTyMx13Hz相が安定であることに関する説明を提供する。それ故に,水素原子は,占有された格子間位置と占有されていない格子間位置の間でサンプルを通して拡散することができず,低濃度領域と高濃度領域をつくることができない。しかし,完全に水素化されたLa1-aRaFe1-x-yTyMx13Hz相がおよそ80°Cより上のキュリー温度を有するので,冷却適用のために適した80°C未満の望ましい温度は,LaとFeを適切な金属イオンに置換することによってつくられてよい。Laは,小さな原子半径を有するY,NdとPrのような希土類元素によって,置換されてよい。これは,結果として格子パラメーターの減少とキュリー温度の減少をもたらすに違いない。あるいは,又は,加えて,より低い配位数を有し,それ故に磁気に影響を及ぼす3dバンドにおいてより少ない数の電子を有する3d元素で,Feは置換されてよい。Feの代わりにMn,Cr,VとTiへの置換は,キュリー温度で減少をもたらし得る。80°C以上の温度が望まれるならば,これらは,Co及び/又はNiでFeを置換することによって達成され得る。80°Cに近いキュリー温度が望まれるならば,MnとCoのような元素は,両方ともLaFe,Si13Hz相において置換され得る。この場合,キュリー温度での各々の置換金属元素の効果は,他を相殺する。しかし,この組成の合金は,同じキュリー温度を有するが2つの異なる置換元素を有しないLaFe,Si13Hz合金と比較して,より小さなヒステリシスを示す。しかし,すべての金属元素組成について,水素含有量は,安定したキュリー温度を提供するために,できるだけ高く保たれる。"