第1導電型のシリコン基板の一方の面に、高濃度第1導電型半導体領域、高濃度第2導電型半導体領域及び低濃度第2導電型半導体領域を形成する太陽電池の製造方法であって、前記高濃度第1導電型半導体領域となる領域及び前記低濃度第2導電型半導体領域となる領域に、第1導電型の不純物を拡散させる第1工程と、前記高濃度第2導電型半導体領域となる領域及び前記低濃度第2導電型半導体領域となる領域に、第2導電型の不純物を拡散させる第2工程を、この順に有し、前記低濃度第2導電型半導体領域は、前記第2導電型の不純物が前記第1導電型の不純物より優位であるように拡散されている、太陽電池の製造方法。前記太陽電池は、裏面電極型太陽電池である請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記第1工程の後に、前記シリコン基板に熱酸化法により酸化シリコン膜を形成する工程と、前記酸化シリコン膜をエッチングすることにより、前記酸化シリコン膜を前記高濃度第1導電型半導体領域上のみに残す工程とをさらに備えた請求項1または2に記載の太陽電池の製造方法。前記第1工程において、前記高濃度第1導電型半導体領域は、前記第1導電型の不純物を含むドーピングペーストを塗布して熱処理により形成する請求項1~3のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。前記低濃度第2導電型半導体領域となる領域は、前記ドーピングペーストからのアウトディフュージョンにより、前記ドーパントがドーピングされる請求項4に記載の太陽電池の製造方法。第1導電型のシリコン基板の裏面に形成された、第1導電型半導体領域、及び第2導電型半導体領域と、前記シリコン基板の裏面上に形成された裏面パッシベーション膜と、前記第1導電型半導体領域に接して形成された第1電極と、前記第2導電型半導体領域に接して形成された第2電極とを有し、前記第2導電型半導体領域は、高濃度第2導電型半導体領域と低濃度第2導電型半導体領域とを有し、前記低濃度第2導電型半導体領域は前記裏面パッシベーション膜に接し、前記第2電極は、前記高濃度第2導電型半導体領域に接している太陽電池。前記低濃度第2導電型半導体領域は、前記高濃度第2導電型半導体領域より面積が大きい請求項6に記載の太陽電池。前記第1導電型半導体領域は、前記第2導電型半導体領域と接している請求項6または7に記載の太陽電池。前記第1導電型半導体領域と接している前記第2導電型半導体領域は、前記高濃度第2導電型半導体領域である請求項8に記載の太陽電池。前記低濃度第2導電型半導体領域は、前記高濃度第2導電型半導体領域で囲まれている請求項9に記載の太陽電池。前記高濃度第2導電型半導体領域は、前記第2電極に接する領域と、前記第1導電型半導体領域に接する領域とに分離している請求項9に記載の太陽電池。しかしながら、特許文献1に記載の裏面接合型太陽電池の製造方法においては、p型拡散領域、p型拡散領域、およびn型拡散領域をそれぞれ個別の工程で形成し、さらに各拡散領域の形成工程ごとに拡散マスクを形成する必要があったため、工数が多くなり、裏面接合型太陽電池を効率的に製造することができないという問題があった。本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、工程数を低減して、効率的に製造することが可能な太陽電池の製造方法を提供することにある。本発明の太陽電池の製造方法は、第1導電型のシリコン基板の一方の面に、高濃度第1導電型半導体領域、高濃度第2導電型半導体領域及び低濃度第2導電型半導体領域を形成する太陽電池の製造方法であって、高濃度第1導電型半導体領域となる領域及び低濃度第2導電型半導体領域となる領域に、第1導電型の不純物を拡散させる第1工程と、高濃度第2導電型半導体領域となる領域及び低濃度第2導電型半導体領域となる領域に、第2導電型の不純物を拡散させる第2工程を、この順に有し、低濃度第2導電型半導体領域は、第2導電型の不純物が第1導電型の不純物より優位であるように拡散されている。ここで、本発明の太陽電池の製造方法は、太陽電池は、裏面電極型太陽電池であってもよい。また、本発明の太陽電池の製造方法は、第1工程の後に、シリコン基板に熱酸化法により酸化シリコン膜を形成する工程と、酸化シリコン膜をエッチングすることにより、酸化シリコン膜を高濃度第1導電型半導体領域上のみに残す工程とをさらに備えてもよい。また、本発明の太陽電池の製造方法は、第1工程において、高濃度第1導電型半導体領域は、第1導電型の不純物を含むドーピングペーストを塗布して熱処理により形成してもよい。また、本発明の太陽電池の製造方法は、低濃度第2導電型半導体領域となる領域は、ドーピングペーストからのアウトディフュージョンにより、ドーパントがドーピングされてもよい。本発明の太陽電池は、第1導電型のシリコン基板の裏面に形成された、第1導電型半導体領域、及び第2導電型半導体領域と、シリコン基板の裏面上に形成された裏面パッシベーション膜と、第1導電型半導体領域に接して形成された第1電極と、第2導電型半導体領域に接して形成された第2電極とを有し、第2導電型半導体領域は、高濃度第2導電型半導体領域と低濃度第2導電型半導体領域とを有し、低濃度第2導電型半導体領域は裏面パッシベーション膜に接し、第2電極は、高濃度第2導電型半導体領域に接している。ここで、本発明の太陽電池は、低濃度第2導電型半導体領域は、高濃度第2導電型半導体領域より面積が大きくてもよい。また、本発明の太陽電池は、第1導電型半導体領域は、第2導電型半導体領域と接していてもよい。また、本発明の太陽電池は、第1導電型半導体領域と接している第2導電型半導体領域は、高濃度第2導電型半導体領域であってもよい。また、本発明の太陽電池は、低濃度第2導電型半導体領域は、高濃度第2導電型半導体領域で囲まれていてもよい。また、本発明の太陽電池は、高濃度第2導電型半導体領域は、第2電極に接する領域と、第1導電型半導体領域に接する領域とに分離していてもよい。本発明によれば、第1工程で、第1導電型の低濃度の不純物を拡散させ、第2工程で、第2導電型の不純物を拡散させることで、低濃度第2導電型半導体領域を形成することができるため、低濃度第2導電型半導体領域の形成工程をさらに設ける必要はなく、拡散マスクの形成工程も低減することができるので、工程数を削減して、効率的に製造することが可能な太陽電池の製造方法を提供することができる。図1、図2は、受光面と反対側の面である裏面にのみ電極を形成した本発明の一例の太陽電池を表す図である。図1は、太陽電池1の裏面側から見た図であり、太陽電池1の裏面には、第1導電型のn型半導体領域に接しているn型用電極2、及び第2導電型のp型半導体領域に接しているp型用電極3がそれぞれ帯状に交互に形成されている。図2aは、図1で示したA-A′の断面を表す図であり、図2bは、図2aに示す太陽電池1の受光面の一部の模式的な拡大断面図であり、図2cは、n型シリコン基板4の裏面の凹凸を図解する模式的な拡大断面図である。本実施例の太陽電池1では、p型半導体領域に、p領域10とp領域51を有する。以下に、本実施例の太陽電池1の構造を詳細に述べる。単結晶シリコン基板であるn型シリコン基板4の受光面にはテクスチャ構造である凹凸形状5が形成されている。この凹凸は数μm~数十μmである。受光面全面には受光面拡散層6であるn層がFSFFrontSurfaceField層として形成され、受光面拡散層6上には受光面パッシベーション膜13が形成されている。さらに、受光面パッシベーション膜13上には反射防止膜12が形成されている。ここで、受光面パッシベーション膜13は酸化シリコン膜で、その膜厚は5nm以上200nm以下が好ましく、より好ましくは5nm以上60nm以下である。また、反射防止膜12はチタン酸化物からなる膜で形成されている。膜厚は、たとえば、10nm以上400nm以下である。さらに、反射防止膜12にはリン酸化物が含まれており、リンの濃度はリン酸化物として15wt以上35wt以下含有することが好ましい。なお、リン酸化物として反射防止膜12の15wt以上35wt以下含まれるとは、反射防止膜12中のリン酸化物の含有量が反射防止膜12全体の15wt以上35wt以下であることを意味する。また、n型シリコン基板4の裏面には、n型シリコン基板4側から、第2裏面パッシベーション膜8、第1裏面パッシベーション膜11の2層からなる裏面パッシベーション膜14が形成されている。n型シリコン基板4の裏面において、n型半導体領域とp型半導体領域とが形成され、n型半導体領域にはn領域9が、p型半導体領域には、低濃度p型半導体領域であるp領域51、及び高濃度p型半導体領域であるp領域10が形成されており、n型半導体領域とp型半導体領域とは隣接している。p領域51は、p領域10で囲まれており、p領域51は、p領域10よりも面積が大きい。なお、低濃度p型半導体領域は、高濃度p型半導体領域よりもp型不純物濃度が低い。n領域9の表面は、n領域9以外の表面よりも凹状になっている。図2に示す凹状の深さdは数十nmである。そして、n領域9にはn型用電極2が形成され、p領域10にはp型用電極3が形成されている。ここで、n型シリコン基板4に対してエミッタ領域となるp型半導体領域において、低濃度p型半導体領域であるp領域51は、裏面パッシベーション膜14と接しているので、裏面パッシベーション膜14との界面でのキャリアの再結合を抑えパッシベーション効果を向上させることができ、p型用電極3は、p型半導体領域の高濃度p型半導体領域であるp領域10と接しているので、直列抵抗を低減することができるので、太陽電池の特性を向上させることができる。また、より高い短絡電流を得るために、n型シリコン基板に対して、エミッタ領域となるp型半導体領域の合計面積のほうが、n型半導体領域の合計面積よりも大きい。なお、n型不純物濃度は、n型シリコン基板、受光面拡散層であるn層、n領域の順に高くなり、p型不純物濃度は、p領域、p領域の順に高くなる。また、n型半導体領域とp型半導体領域とを隣接して形成、すなわち、n領域9とp領域10とを隣接して形成することより、太陽電池1に逆方向のバイアスがかかったとき、部分的に電圧がかかることがなく、局所的な逆方向電流による発熱をさけることができる。さらに、n領域に対し、p領域でなくp領域を隣接して形成しているため、太陽電池1に逆方向のバイアスがかかったとき、逆方向電流が流れやすくなる。また、n領域9上の裏面パッシベーション膜14と、p領域10上またはp領域51上との裏面パッシベーション膜14とに膜厚差があり、n領域9上の裏面パッシベーション膜14の方が厚くなっている。さらに、n型シリコン基板4の裏面の最も外側には、電極が形成されていない、すなわち、電極に接触していない半導体領域であるp領域71とp領域52とを形成している。図3は、太陽電池1からn型用電極2とp型用電極3とを除去し、さらに裏面パッシベーション膜14を除去して、n型シリコン基板4を裏面側から見た図である。また、図4は、図3の一部を拡大した模式図である。n型シリコン基板4の裏面の外周縁には、上記に示した電極に接触していない半導体領域であるp領域71とp領域52とを、それぞれ形成している外周縁に形成した、電極に接触していない半導体領域を、以下外周縁半導体領域という。。n領域9の周囲に、n領域9とは導電型の異なる上記の外周縁半導体領域を形成することで、太陽電池1のエッジ部等に半導体領域ができたとしても、その半導体領域と、n領域9、p領域10及びp領域51とは、電気的に分離できている。また、外周縁半導体領域があるので、太陽電池1に逆方向のバイアスがかかったとき、外周縁を通して発生する逆方向電流を抑えることができる。また、外周縁半導体領域において大きな面積を占めるp領域71のp型不純物濃度を、pとせずpとすることにより、裏面パッシベーション膜14との界面でのキャリアの再結合を抑えパッシベーション効果を向上させることができる。図3では、n領域9は全てつながって1つの半導体領域を形成している。さらにまた、太陽電池の各辺の最も外側の電極が同じ導電型なので、形成した電極を回転対称構造にすることが可能になり、太陽電池を複数並べる太陽電池モジュールを作製する際、例えば、図1に示す太陽電池の上下が反対になっても問題ない。以下に、本発明の太陽電池の製造方法の一例を示す。図5は、図1、および図2に示す本発明の太陽電池の製造方法の一例である。図5に示すように模式的断面図を参照して説明する。まず、図5aに示すように、100μm厚のn型シリコン基板4の受光面となる面以下n型シリコン基板の受光面という。の反対側の面である裏面以下n型シリコン基板の裏面という。に、窒化シリコン膜等のテクスチャマスク21をCVD法、またはスパッタ法等で形成する。その後、図5bに示すように、n型シリコン基板4の受光面にテクスチャ構造である凹凸形状5をエッチングにより形成する。エッチングは、たとえば、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムなどのアルカリ水溶液にイソプロピルアルコールを添加し、70°C以上80°C以下に加熱した溶液により行われる。次に、図5cを用いて次工程を説明する。図5cは、n型シリコン基板4の裏面側が上となっている。図5cに示すように、n型シリコン基板4の裏面に形成したテクスチャマスク21を除去後、n型シリコン基板4の受光面に酸化シリコン膜等の拡散マスク22を形成する。その後、n型シリコン基板4の裏面において、p領域10及びp領域52を形成しようとする領域に、例えば、溶剤、増粘剤および酸化シリコン前駆体を少なくとも含むマスキングペーストをインクジェット、またはスクリーン印刷等で塗布し、熱処理により拡散マスク23を形成する。次に、例えば、溶剤、増粘剤、酸化シリコン前駆体およびn型不純物であるリンを少なくとも含むドーピングペースト31をインクジェット、またはスクリーン印刷等で塗布し形成する。そして、熱処理によって、n型シリコン基板4の裏面に、高濃度n型半導体領域であるn領域9を形成し、ドーピングペースト31からのアウトディフュージョンにより、n領域9よりもn型不純物濃度が低い低濃度n型半導体領域であるn領域32を形成する。次に、図5dに示すように、熱処理後のドーピングペースト31、n型シリコン基板4に形成した拡散マスク22、23、および拡散マスク22、23にリンが拡散して形成されたガラス層をフッ化水素酸処理により除去した後、酸素または水蒸気による熱酸化を行い、酸化シリコン膜24を形成する。この際、図5dに示すように、n型シリコン基板4の裏面のn領域9上の酸化シリコン膜24が厚くなる。本実施の形態では、900°Cで水蒸気による熱酸化を行い、n領域9上以外の酸化シリコン膜24の膜厚が70nm以上90nm以下、n領域9上の酸化シリコン膜24の膜厚は250nm以上350nm以下になった。ここで、熱酸化前のn領域9のリンの表面濃度は、5×1019/cm3以上であり、熱酸化の処理温度の範囲としては、たとえば、酸素による熱酸化で800°C以上1000°C以下、水蒸気による熱酸化で800°C以上950°C以下である。熱酸化時に、酸化シリコン膜の厚さが異なる理由は次の通りである。熱酸化による酸化シリコン膜の成長速度は、シリコン基板に拡散されている不純物の種類と濃度により異なる。特にn型不純物濃度が高い場合は、成長速度が速くなる。このため、n型シリコン基板4よりもn型不純物濃度が高いn領域9上の酸化シリコン膜24の膜厚の方がn型シリコン基板4上よりも厚くなる。酸化シリコン膜24は、熱酸化時にシリコンと酸素とが結びつくことで形成されるので、n領域9の表面は、n領域9が形成されていない領域の表面よりも凹状になる。次に、図5eに示すように、n型シリコン基板4の受光面の酸化シリコン膜24および裏面のn領域9上以外の酸化シリコン膜24をエッチングにより除去する。裏面では、上記に示したように、酸化シリコン膜24がn領域9上に厚く形成されており、さらにn領域9上の酸化シリコン膜24とn領域9上以外の酸化シリコン膜24とのエッチングレートの差により、n領域9上だけ酸化シリコン膜24が残るようにし、拡散マスクとして用いる。例えば、900°C30分の水蒸気による熱酸化で酸化シリコン膜24を形成し、n領域9上以外の酸化シリコン膜24を除去するためにフッ化水素酸処理をした場合、n領域9上の酸化シリコン膜24の膜厚は120nm程度となる。なお、酸化シリコン膜24を、p領域及びp領域形成時のn領域の拡散マスクとして使用するには、n領域9上とn領域9上以外との酸化シリコン膜24の膜厚差は、60nm以上必要となる。さらに、n型シリコン基板4の受光面に酸化シリコン膜等の拡散マスク25を形成し、その後、n型シリコン基板4の裏面に、有機性高分子にホウ素化合物を反応させたポリマーをアルコール系溶媒に溶解させた溶液を塗布し、乾燥後、熱処理により、p型不純物であるボロンが拡散して、n型シリコン基板4の裏面の酸化シリコン膜24で覆われていない領域に、高濃度p型半導体領域であるp領域10、p領域52、低濃度p型半導体領域であるp領域51、及び、外周縁半導体領域であるp領域71を形成する。この時、p領域51、及び、p領域71は、先に拡散させたn型不純物であるリンよりもp型不純物であるボロンが優位となり、p型領域となる。n領域32では、n型不純物濃度がn型シリコン基板4より高いので、低濃度p型半導体領域であるp領域が形成される。よって、p領域とp領域の形成は、n領域32の有無によって1工程で行うことが可能となることから、工程数を低減することが可能になる。次に、図5fを用いて次工程を説明する。図5fは、n型シリコン基板4の受光面側が上となっている。図5fに示すように、n型シリコン基板4に形成した酸化シリコン膜24、拡散マスク25、および酸化シリコン膜24、拡散マスク25にボロンが拡散して形成されたガラス層をフッ化水素酸処理により除去する。その後、n型シリコン基板4の裏面にたとえば厚さ50nm以上100nm以下の酸化シリコン膜等の拡散マスクを兼ねた第1裏面パッシベーション膜11を、CVD法により形成、またはSOGスピンオングラスを塗布し焼成することにより形成する。その後、n型シリコン基板4の受光面に受光面拡散層6であるn層および反射防止膜12を形成するため、n型シリコン基板4の受光面にリン化合物、チタンアルコキシドおよびアルコールを少なくとも含む混合液27の塗布を行い、乾燥する。ここで、混合液27のリン化合物としては五酸化リン、チタンアルコキシドとしてはテトライソプロピルチタネート、およびアルコールとしてはイソプロピルアルコールを用いる。次に、図5gに示すように、熱処理によりn型不純物であるリンが拡散して受光面側全面に受光面拡散層6であるn層および反射防止膜12が形成される。この熱処理は、窒素雰囲気で行い、処理温度は、たとえば850°C以上1000°C以下である。n型シリコン基板4の裏面に酸化シリコン膜による第2裏面パッシベーション膜8を形成するため、酸素による熱酸化を行う。この際、n型シリコン基板4の裏面に第2裏面パッシベーション膜8である酸化シリコン膜が形成されながら、図5jに示すように、n型シリコン基板4の受光面全面にも、酸化シリコン膜が形成される。この受光面全面に形成された酸化シリコン膜は、受光面拡散層6と反射防止膜12との間に形成され、受光面パッシベーション膜13となる。受光面拡散層6と反射防止膜12との間に受光面パッシベーション膜13が形成される理由としては、受光面の凹凸形状5の凹部における反射防止膜12の膜厚が厚くなって反射防止膜12にクラックが生じ、そのクラックが生じている箇所から酸素が入り込んで受光面パッシベーション膜13である酸化シリコン膜が成長すると考えられる。また、受光面の凹凸形状5の凸部では反射防止膜12の膜厚が薄いため、酸素が透過し、受光面パッシベーション膜である酸化シリコン膜が成長すると考えられる。さらに、n型シリコン基板4の裏面と第1裏面パッシベーション膜11との間に第2裏面パッシベーション膜8が形成される理由としては、n型シリコン基板4の裏面の第1裏面パッシベーション膜11はCVD法等で形成した膜であるため、第1裏面パッシベーション膜11の内部に酸素が透過し、これにより、第2裏面パッシベーション膜8である酸化シリコン膜が成長すると考えられる。なお、受光面パッシベーション膜13の厚さは、たとえば100nm以上200nm以下であり、第2裏面パッシベーション膜8の厚さは、たとえばn領域9上においては30nm以上100nm以下であり、p領域上においては10nm以上40nm以下である。また、第2裏面パッシベーション膜8と受光面パッシベーション膜13との形成は、受光面拡散層6および反射防止膜12を形成する熱処理に引き続き、ガスを切り替えて酸素による熱酸化を行うことによっても可能である。すなわち、受光面拡散層6であるn層および反射防止膜12を形成する熱処理と、受光面パッシベーション膜13を形成する熱処理とを、一連の熱処理によって形成することにより、工程数を減らすことができる。そして、受光面パッシベーション膜13である酸化シリコン膜形成温度を850°Cより高く、より好ましくは900°C以上にすることで、太陽電池1の受光面側の再結合電流を低減することができ、太陽電池特性を向上させることができる。加えて、上記工程で形成された受光面拡散層でのシート抵抗値が、100Ω/□以上250Ω/□未満であれば、太陽電池1の受光面側の再結合電流を低減することができ、太陽電池特性を向上させる傾向にある。上記シート抵抗値の範囲における太陽電池の反射防止膜に含有するリン酸化物の濃度は、15wt以上であった。なお、リン酸化物濃度が35wtを超えると、反射防止膜は白く変色することがある。次に、図5hに示すように、n型シリコン基板4の裏面側に形成されたn領域9、p領域10に電極を形成するため、n型シリコン基板の裏面に形成された裏面パッシベーション膜14にパターニングを行う。パターニングは、エッチングペーストをスクリーン印刷法などで塗布し加熱処理により行われる。その後、パターニング処理を行ったエッチングペーストは超音波洗浄し酸処理により除去する。ここで、エッチングペーストとしては、例えば、エッチング成分としてリン酸、フッ化水素、フッ化アンモニウムおよびフッ化水素アンモニウムからなる群から選択された少なくとも1種を含み、水、有機溶媒および増粘剤を含むものである。次に、図5iに示すように、n型シリコン基板4の裏面の所定の位置に銀ペーストをスクリーン印刷法により塗布し、乾燥する。その後、焼成により、n領域9にはn型用電極2が形成され、p領域10にはp型用電極3が形成され、太陽電池1を作製した。図6は、本発明の他の一例の太陽電池の断面を表す図である。太陽電池81の裏面側から見た図は、図1と同様である。図6aは、図2aと同様に、図1のA-A′の断面に対応する図であり、図6bは、図6aに示す太陽電池81の受光面の一部の模式的な拡大断面図であり、図6cは、n型シリコン基板41の裏面の凹凸を図解する模式的な拡大断面図である。図7は、太陽電池81からn型用電極2とp型用電極3とを除去し、さらに裏面パッシベーション膜14を除去した場合に、n型シリコン基板41を裏面側から見た図である。また、図8は、図7の一部を拡大した模式図である。実施例1との違いは、高濃度p型半導体領域が、p領域10とp領域53に分離している点である。太陽電池81のp型半導体領域には、低濃度p型半導体領域であるp領域51、及び高濃度p型半導体領域であるp領域10、p領域53が形成されており、p領域51は、p領域10とp領域53で挟まれ、p領域53は、p型用電極3とは接続していない。また、図8に示すように、p領域51とn領域9とが接する箇所がある。それ以外は、太陽電池1の構造と同様である。また、太陽電池1と同様に、太陽電池81も、n型半導体領域とp型半導体領域とを隣接して形成することより、太陽電池81に逆方向のバイアスがかかったとき、部分的に電圧がかかることがなく、局所的な逆方向電流による発熱をさけることができる。太陽電池81の製造方法については、実施例1と同様に、低濃度p型半導体領域は、先に拡散させたn型不純物よりもp型不純物が優位となり、p型領域となる。よって、低濃度p型半導体領域と高濃度p型半導体領域の形成を1工程で行うことが可能となることから、工程数を低減することが可能になる。そして、図8におけるp領域51の短辺とn領域9との接する箇所に、図5cに示す拡散マスク23を形成しない以外は、図5に示す製造方法と同様である。上記では、n型シリコン基板について記載したが、p型シリコン基板を用いることも可能である。その際、受光面拡散層が存在する場合はp型不純物を用いたp層となり、反射防止膜はp型不純物が含まれた膜となり、p型シリコン基板に対してエミッタ領域となるn型半導体領域においては、n領域とn領域とが形成され、p型半導体領域にはp領域が形成される。また、外周縁半導体領域には、n領域とn領域とがそれぞれ形成される。他の構造はn型シリコン基板について記載した上記構造と同様である。また、この場合、先に拡散させたp型不純物であるボロンよりもn型不純物であるリンが優位となり、n型領域となった領域が形成される。加えて、p型シリコン基板を用いる場合は、より高い短絡電流を得るために、n型半導体領域のほうが、p型半導体領域よりも大きい。