"GdとAlとOとを必須成分とし、Ceを発光成分とするシンチレータ用ガーネット型結晶であって、Ga、Sc、Y、Yb及びLuから選択される少なくとも1種をさらに含み、波長550nmの光に対する吸光係数が0.03mm-1以下である、シンチレータ用ガーネット型結晶。単結晶である、請求項1に記載のシンチレータ用ガーネット型結晶。波長550nmにおける光の透過率が70以上である、請求項1又は2に記載のシンチレータ用ガーネット型結晶。蛍光寿命が100ナノ秒以下の蛍光成分を有する、請求項1乃至3いずれか1項に記載のシンチレータ用ガーネット型結晶。前記蛍光成分の発光ピーク波長が460nm以上700nm以下である、請求項4に記載のシンチレータ用ガーネット型結晶。Ga又はScと、Y又はLuとを含む、請求項1乃至5いずれか1項に記載のシンチレータ用ガーネット結晶。該シンチレータ用ガーネット型結晶が下記一般式1:Gd3-x-yCexREyAl5-zMzO121式1中、0.0001≦x≦0.15、0≦y≦2.9、0≦z≦4.8であり、MはGa及びScから選択される少なくとも1種であり、REはY、Yb及びLuから選択される少なくとも1種であるで表される、請求項1乃至5いずれか1項に記載のシンチレータ用ガーネット型結晶。前記一般式1において、式中0.006≦x≦0.15、0≦y≦2.7、1.5≦z≦3.5であり、REがY、MがGaである、請求項7に記載のシンチレータ用ガーネット型結晶。前記一般式1において、式中0.006≦x≦0.15、0.3≦y≦2.7、1.5≦z≦3.5であり、REがLu、MがGaである、請求項7に記載のシンチレータ用ガーネット型結晶。前記一般式1において、式中0.006≦x≦0.15、0.3≦y≦2.9、0.5≦z≦3であり、REがY、MがScである、請求項7に記載のシンチレータ用ガーネット型結晶。前記一般式1において、式中0.006≦x≦0.15、0.3≦y≦2.9、0.5≦z≦2.5であり、REがLu、MがScである請求項7に記載のシンチレータ用ガーネット型結晶。前記一般式1において、式中0.001≦x≦0.15、0≦y≦0.1、2.0≦z≦3.5であり、REがY、Luである請求項7に記載のシンチレータ用ガーネット型結晶。発光量が20000photon/MeV以上である、請求項1乃至12いずれか1項に記載のシンチレータ用ガーネット型結晶。請求項1乃至13いずれか1項に記載のシンチレータ用ガーネット型単結晶から構成されるシンチレータと、前記シンチレータの発光を検出する受光器とを備える、放射線検出器。しかし、非特許文献1に記載の結晶は、5mm厚の結晶において波長560nmの透過率は、20程度と低く、十分な発光量が得られていない。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、放射線検出器の用途に適した発光ピーク波長を有し、かつ、高い発光量を有するシンチレータ用結晶を提供するものである。上記課題を解決する本発明によれば、GdとAlとOとを必須成分とし、Ceを発光成分とするシンチレータ用ガーネット型結晶であって、Ga、Sc、Y、Yb及びLuから選択される少なくとも1種をさらに含み、波長550nmの光に対する吸光係数が0.03mm-1以下である、シンチレータ用ガーネット型結晶が提供される。また、本発明によれば、上記のシンチレータ用ガーネット型結晶から構成されるシンチレータと、前記シンチレータの発光を検出する受光器とを備える、放射線検出器が提供される。本発明のシンチレータ用結晶は、Ceを発光成分、GaとAlとOとを必須成分とし、Ga、Sc、Y、Yb及びLuの少なくとも一種をさらに含み、波長550nmの光に対する吸光係数が0.03mm-1以下の結晶であるため、自己吸収が少なく、照射したエネルギー線を良好に透過させることができる。そのため、照射したエネルギー線を効率よくCeの発光エネルギーに変換させて、高い発光量を得ることができる。また、発光ピーク波長が光検出器の検出感度の波長域と一致する蛍光成分を発光することができる。したがって、放射線検出器の用途に適した高発光量のシンチレータ用結晶が実現可能になる。本発明によれば、放射線検出器の用途に適した発光ピーク波長を有し、かつ、高い発光量を有するシンチレータ用ガーネット型結晶が提供される。以下、本発明の実施形態について説明する。本実施の形態に係るガーネット型結晶は、GdとAlとOとを必須成分とし、Ceを発光成分とするシンチレータ用結晶である。このガーネット型結晶は、Ga、Sc、Y、Yb及びLuから選択される少なくとも1種をさらに含み、波長550nmの光に対する吸光係数αが0.03mm-1以下である。本実施の形態に係るガーネット型結晶の吸光係数は、0.015mm-1以下が好ましく、より高い発光量が得られるという観点から、0.01mm-1以下がより好ましい。こうすることで、厚さ5mmの結晶において、波長550nmの光の透過率を70以上とすることができる。なお、本明細書において、吸光定数とは、厚み1mmの結晶と厚み5mmの結晶とを用意し、波長550nmの光を照射したときの透過率を測定し、下記式2により求められるものである。T=1-R2e-2αL/1-R2e-2αL2式2中、αが吸光係数mm-1であり、Tが波長550nmの光に対する透過率であり、Rが反射率であり、Lが試料の厚さmmである。波長550nmの光の透過率は、70以上が好ましく、75以上がより好ましく、80以上がさらに好ましい。なお、この透過率は、厚み5mmの結晶を波長550nmで測定したものである。また、本発明に係るガーネット型結晶は、Ga又はScと、Y又はLuとを含むことが好ましい。こうすることで、発光量をさらに増加させることができる。好ましくは、本実施の形態に係るガーネット型結晶は、以下の一般式1で表される。Gd3-x-yCexREyAl5-zMzO121上記一般式1中、0.0001≦x≦0.15、0≦y≦2.9、0≦z≦4.8であり、MはGa及びScから選択される少なくとも1種であり、REはY、Yb及びLuから選択される少なくとも1種である。また、上記一般式1においてREをLu,Yとし0≦z<1とした場合、yの下限を1.8≦yとすることが好ましく、さらにyの下限を2.2≦yとするとより好ましい。こうすることで、波長550nmの透過率を高めることができる。また、上記一般式1においてMをGaとし0≦y<0.1とした場合、zの下限を1≦zとすることが好ましく、さらにzの下限を2≦zとするとより好ましい。こうすることで、波長550nmの透過率を高めることができる。本実施の形態のガーネット型結晶において、Ceの濃度xは、0.0001≦x≦0.15であり、好ましくは、0.001≦x≦0.15であり、より好ましくは、0.006≦x≦0.15である。このように、上記一般式1において好適なCeの値をとることで、Gd3のエネルギー準位からCe3のエネルギー準位へのエネルギー遷移が促進され、結果として蛍光寿命が短くなり、長寿命発光成分が減少するとともに、発光量が高くなる。本実施の形態に係るガーネット型結晶は、γ線で励起させることができ、これにより、蛍光発光させることが可能になる。その発光ピーク波長は、440nm以上600nm以下とすることができ、好ましくは、440nm以上560nm以下とすることができる。そのため、シリコン半導体から構成されるPDやSi-PMの感度の高い波長と一致させることができる。本実施の形態に係るガーネット型結晶は、単結晶であってもよいし、透明セラミックスであってもよいが、単結晶であることがより好ましい。単結晶とすることにより、粒界が存在しないか、あるいは、非常に少なく、均一な結晶軸方位をとることができる。そのため、結晶内部における応力や歪みの発生を少なくでき、Ce本来の発光特性が引き出され、高い発光量を得ることができる。例えば、γ線励起による蛍光発光の発光量を20000photon/MeV以上とすることができ、好ましくは、40000photon/MeV以上とすることができ、より好ましくは、50000photon/MeV以上とすることができる。本明細書において、発光量とは、φ3mm×2mmサイズの結晶を25°Cで測定したものをいい、例えば、図1のような測定装置を用いて測定することができる。この測定装置では、暗箱10内に、Cs137γ線源11と、測定サンプルであるシンチレータ12と、光電子増倍管14とが備えられている。シンチレータ12は、光電子増倍管14に、テフロンテープ13を用いて物理的に固着されるとともに、光学接着剤等により光学接着されている。そして、Cs137γ線源11から、622keVのγ線をシンチレータ12に照射し、光電子増倍管14より出力される、パルス信号を前置増幅器15、波形整形増幅器16へと入力し、増幅波形整形し、さらにマルチチャンネルアナライザ17へと入力し、パーソナルコンピュータ18を用いてCs137γ線励起のエネルギースペクトルを取得する。得られたエネルギースペクトル中の光電吸収ピークの位置を既知のシンチレータであるCe:LYSO発光量:33000photon/MeVと比較し、光電子増倍管14の波長感度をそれぞれ考慮し、発光量を最終的に算出する。この測定方法では、シンチレーションカウンティング法による発光量を測定しており、放射線に対する光電変換効率を求めることができる。そのため、シンチレータが持つ固有の発光量を測定することができる。本実施の形態のガーネット型結晶では上記一般式1において好適なx、y、zの値をとることで液相からの単結晶育成を可能し、高品質の単結晶を育成することができる。また、一般式1において好適なGa及びScの値をとることで、Gd3のエネルギー準位からCe3のエネルギー準位へのエネルギー遷移が促進され、結果として蛍光寿命が短くなり、長寿命発光成分が減少するとともに、発光量が高くなる。さらに、上記一般式1において好適なCeの値をとることで、Gd3のエネルギー準位からCe3のエネルギー準位へのエネルギー遷移が促進され、結果として蛍光寿命が短くなり、長寿命発光成分が減少するとともに、発光量が高くなる。具体的には、上記一般式1で表されるガーネット型結晶において、例えば、式中0.006≦x≦0.15、0≦y≦2.7、1.5≦z≦3.5であり、REがY、MがGaとすることで、発光量が30000photon/MeV以上のガーネット型結晶とすることができる。また、さらに、吸光係数が0.015mm-1以下の結晶にすることで、発光量が40000photon/MeV以上のガーネット型結晶とすることができる。また、上記一般式1で表されるガーネット型結晶において、式中、例えば、0.006≦x≦0.15、0.3≦y≦2.7、1.5≦z≦3.5であり、REがLu、MがGaとすることで、発光量が25000photon/MeV以上のガーネット型結晶とすることができる。また、さらに、吸光係数が0.015mm-1以下の結晶にすることで、発光量を40000photon/MeV以上のガーネット型結晶とすることができる。また、上記一般式1で表されるガーネット型結晶において、式中、例えば、0.006≦x≦0.15、0.3≦y≦2.9、0.5≦z≦3であり、REがY、MがScであり、吸光係数が0.015mm-1以下の結晶にすることで、発光量が20000photon/MeV以上のガーネット型結晶とすることができる。また、上記一般式1で表されるガーネット型結晶において、式中、例えば、0.006≦x≦0.15、0.3≦y≦2.9、0.5≦z≦2.5であり、REがLu、MがScであり、吸光係数が0.015mm-1以下の結晶にすることで、発光量が30000photon/MeV以上のガーネット型結晶とすることができる。また、上記一般式1において、式中0.001≦x≦0.15、0≦y≦0.1、2.0≦z≦3.5であり、REがY、Luであり、吸光係数が0.015mm-1以下の結晶にすることで、発光量が40000photon/MeV以上のガーネット型結晶とすることができる。本実施の形態に係るガーネット型結晶の蛍光寿命蛍光減衰時間は、100ナノ秒以下とすることができ、より好ましくは、80ナノ秒以下、さらに好ましくは、70ナノ秒以下とすることができる。したがって、蛍光測定のためのサンプリング時間が短くて済み、高時間分解能、すなわちサンプリング間隔を低減することができる。なお、本発明において、γ線励起による蛍光発光の蛍光減衰時間は、例えば、上述の図1で示す測定装置を用いて測定することができる。具体的には、Cs137γ線源11からγ線をシンチレータ12に照射し、デジタルオシロスコープ19を用いて、光電子増倍管14より出力されるパルス信号を取得し、蛍光減衰成分を解析することで、各蛍光減衰成分の蛍光減衰時間、及び、蛍光寿命成分全体の強度に対する各蛍光減衰成分の強度の割合を算出することができる。このように、本実施の形態に係るガーネット型結晶は、エネルギー分解能にも優れることから、高精度な放射線検出が可能となる。また、高時間分解能が実現されることにより、単位時間でのサンプリング数を増加させることが可能になる。本実施の形態に係るシンチレータ用ガーネット型結晶の製造方法について、以下に説明する。いずれの組成の結晶の製造方法においても、出発原料としては、一般的な酸化物原料が使用可能であるが、シンチレータ用単結晶として使用する場合、99.99以上4N以上の高純度原料を用いることが特に好ましく、これらの出発原料を、融液形成時に目的の組成となるように秤量、混合したものを用いる。さらにこれらの原料中には、特に目的とする組成以外の不純物が極力少ない例えば、1ppm以下ものが特に好ましい。特に発光波長付近に発光を有する元素例えば、Tbなどを極力含まない原料を用いることが好ましい。結晶の育成は、不活性ガス例えば、Ar、N2、He等雰囲気下で行うことが好ましい。又は、不活性ガス例えば、Ar、N2、He等と酸素ガスとの混合ガスを使用してもよい。ただし、この混合ガスの雰囲気下で結晶の育成を行う場合、坩堝の酸化を防ぐ目的で、酸素の分圧は2以下であることが好ましい。なお、結晶成長後のアニールなどの後工程においては、酸素ガス、不活性ガス例えば、Ar、N2、He等、及び、不活性ガス例えば、Ar、N2、He等と酸素ガスとの混合ガスを用いることができる。混合ガスを用いる場合、酸素分圧は2以下という制限は受けず、酸素分圧0から100までいずれの混合比のものを使用してもよい。本実施の形態の酸化物のガーネット型結晶の製造方法としては、マイクロ引き下げ法に加え、チョコラルスキー法引き上げ法、ブリッジマン法、帯溶融法ゾーンメルト法、及び縁部限定薄膜供給結晶成長EFG法及び熱間静水圧プレス燒結法等が挙げられるが、これらに限定されない。また、使用できる坩堝及びアフターヒータの材料としては、白金、イリジウム、ロジウム、レニウム、又はこれらの合金が挙げられる。シンチレータ用結晶の製造においては、さらに高周波発振機、集光加熱器、及び抵抗加熱機を使用してもよい。以下に本実施形態の酸化物のシンチレータ用単結晶の製造方法について、マイクロ引き下げ法を用いた結晶製造法を以下に一例として示すが、これに限定されるものではない。マイクロ引き下げ法については、高周波誘導加熱による雰囲気制御型マイクロ引き下げ装置を用いて行うことができる。マイクロ引き下げ装置は、坩堝と、坩堝底部に設けた細孔から流出する融液に接触させる種を保持する種保持具と、種保持具を下方に移動させる移動機構と、移動機構の移動速度制御装置と、坩堝を加熱する誘導加熱手段とを具備した単結晶製造装置である。このような単結晶製造装置によれば、坩堝直下に固液界面を形成し、下方向に種結晶を移動させることで、単結晶を作製することができる。上記のマイクロ引き下げ法装置において、坩堝は、カーボン、白金、イリジウム、ロジウム、レニウム、又はこれらの合金製である。また、坩堝底部外周にカーボン、白金、イリジウム、ロジウム、レニウム、又はこれらの合金からなる発熱体であるアフターヒータが配置される。坩堝及びアフターヒータの誘導加熱手段の出力調整により、発熱量を調整することによって、坩堝底部に設けた細孔から引き出される融液の固液境界領域の温度及びその分布を制御することができる。上記の雰囲気制御型マイクロ引き下げ装置は、チャンバーの材質にはステンレス鋼SUS、窓材には石英を採用し、雰囲気制御を可能にするため、ローターリポンプを具備し、ガス置換前において、真空度が0.13Pa1×10-3Torr以下にすることを可能にした装置である。また、チャンバーへは付随するガスフローメータにより精密に調整された流量でAr、N2、H2、O2ガス等を導入できるものである。この装置を用いて、上述の方法にて準備した原料を坩堝に入れ、炉内を排気して高真空にした後、Arガス又はArガスとO2ガスとの混合ガスを炉内に導入することにより、炉内を不活性ガス雰囲気又は低酸素分圧雰囲気とし、高周波誘導加熱コイルに高周波電力を徐々に印加することにより坩堝を加熱して、坩堝内の原料を完全に融解する。続いて、種結晶を所定の速度で徐々に上昇させて、その先端を坩堝下端の細孔に接触させて充分になじませたら、融液温度を調整しつつ、引き下げ軸を下降させることで結晶を成長させる。種結晶としては、結晶成長対象物と同等ないしは、構造組成ともに近いものを使用することが好ましいが、これに限定されない。また種結晶として方位の明確なものを使用することが好ましい。準備した材料が全て結晶化し、融液が無くなった時点で結晶成長は終了となる。一方、組成を均一に保つ目的及び長尺化の目的で、原料の連続チャージ用機器を取り入れてもよい。また、本実施の形態に係るシンチレータ用ガーネット型結晶の製造方法の他の一例として、熱間静水圧プレス燒結装置を用いた透明セラミックスを作製する方法が挙げられる。この方法では、はじめに、各粉末原料をアルミナ坩堝に入れ、アルミナの蓋をした後、1500°Cで2時間仮焼する。冷却後、純水で洗浄し乾燥したシンチレータ粉末は24時間ボールミル粉砕を行い、粒径1~2μmのシンチレータ粉砕粉を得る。ついで、この粉砕紛に、純水を5重量添加し、500kg/cm2の圧力で一軸プレス成形し、その後、加圧力3ton/cm2で冷間静水圧プレスを行って、理論密度に対し64程度の成形体を得る。その後、得られた成形体をこう鉢に入れ、フタをして、1750°C、3時間の一次燒結を行い、理論密度に対し、98.5以上の燒結体を得る。ここで、水素、窒素又はアルゴン雰囲気中で燒結する場合、こう鉢として、アルミナこう鉢を用いることが好ましいが、真空中で燒結する場合には、窒化ホウ素を用いることが好ましい。こうすることで、所望のシンチレータ用結晶を効率的に得ることができる。また、1350°C以上の昇温速度は、50°C/時とすることが好ましい。こうすることで、密度の高い均一な燒結体を得ることができる。そして、最後に、1550°C、3時間、1000atmの条件で熱間静水圧プレス燒結を行う。これにより、理論密度と同じ密度を有する燒結体を得ることができる。本実施の形態に係るガーネット構造を有するシンチレータ用結晶は、受光器とを組み合わせることで、放射線検出器としての使用が可能となる。さらに、これらの放射線検出器を備えたことを特徴とする放射線検査装置としても使用可能である。放射線検査装置としては、例えば、PET、単一光子放射断層撮影SPECT、及びCTが例示される。本発明のガーネット型結晶は、放射線により励起されると、460nm以上700nm以下の蛍光ピーク波長で発光することができる。したがって、シリコン半導体から構成されるPDやSi-PMの感度の高い波長と一致させることができる。また、このとき、20000photon/MeV以上の発光量で発光できるため、高い位置分解能かつ高いS/Nを持つ放射線検出器を実現することができる。また、本発明のガーネット型結晶は、蛍光寿命蛍光減衰時間が100ナノ秒以下の蛍光成分を発光し、蛍光寿命が100ナノ秒を超える長寿命成分の強度を、蛍光成分全体の強度に対して20以下にすることができる。したがって、本発明のガーネット型結晶を備えた放射線検出器は、蛍光測定のためのサンプリング時間が短くて済み、高時間分解能、すなわちサンプリング間隔を低減することができる。また、本発明のガーネット型結晶では、662keVでのエネルギー分解能を10以下とすることができる。したがって、本発明のガーネット型結晶を備えた放射線検出器では、高精度な放射線検出が可能となる。また、本発明のガーネット型結晶の密度は、6.5~7.1g/cm3の範囲とすることができる。したがって、感度の高い検出器を構成でき、装置の小型化も可能である。このように、本発明のシンチレータ用ガーネット型結晶は、高発光量、高いエネルギー分解能、高密度かつ短寿命の発光を有するため、本発明のシンチレータ用結晶を備えるこれら放射線検査装置では、高速応答の放射線検出が可能となる。以下、本発明の具体例について、図面を参照して詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるわけではない。なお、以下の実施例では、Ce濃度は、特定の結晶中における濃度か、融液仕込みにおける濃度かのいずれかの記載となっているが、各実施例において、結晶中の濃度1に対して仕込み時の濃度1~10程度となるような関係があった。また、実施例及び比較例においてマイクロ引下げ法は、坩堝をイリジウムとし、育成雰囲気は酸素1含有アルゴン、育成温度は、0.05mm/分とした。実施例1マイクロ引下げ法により、Gd2.37Y0.6Ce0.03Ga1Al4O12の組成で表されるガーネット型単結晶を作製した。得られた単結晶は、透明であった。実施例2マイクロ引下げ法により、Gd2.37Y0.6Ce0.03Ga2Al3O12の組成で表されるガーネット型単結晶を作製した。得られた単結晶は、透明であった。実施例3マイクロ引下げ法により、Gd2.37Y0.6Ce0.03Ga3Al2O12の組成で表されるガーネット型単結晶を作製した。得られた単結晶は、透明であった。実施例4マイクロ引下げ法により、Gd2.37Y0.6Ce0.03Ga4Al1O12の組成で表されるガーネット型単結晶を作製した。得られた単結晶は、透明であった。実施例5マイクロ引下げ法により、Gd0.57Y2.4Ce0.03Al5O12の組成で表されるガーネット型単結晶を作製した。得られた単結晶は、透明であった。実施例6マイクロ引下げ法により、Gd0.57Y2.4Ce0.03Ga1Al4O12の組成で表されるガーネット型単結晶を作製した。得られた単結晶は、透明であった。実施例7マイクロ引下げ法により、Gd0.57Y2.4Ce0.03Ga2Al3O12の組成で表されるガーネット型単結晶を作製した。得られた単結晶は、透明であった。実施例8マイクロ引下げ法により、Gd0.57Y2.4Ce0.03Ga3Al2O12の組成で表されるガーネット型単結晶を作製した。得られた単結晶は、透明であった。実施例9マイクロ引下げ法により、Gd1.97Lu1Ce0.03Al5O12の組成で表されるガーネット型単結晶を作製した。得られた単結晶は、透明であった。実施例10マイクロ引下げ法により、Gd1.97Lu1Ce0.03Ga1Al4O12の組成で表されるガーネット型単結晶を作製した。得られた単結晶は、透明であった。実施例11マイクロ引下げ法により、Gd1.97Lu1Ce0.03Ga2Al3O12の組成で表されるガーネット型単結晶を作製した。得られた単結晶は、透明であった。実施例12マイクロ引下げ法により、Gd1.97Lu1Ce0.03Ga3Al2O12の組成で表されるガーネット型単結晶を作製した。得られた単結晶は、透明であった。実施例13マイクロ引下げ法により、Gd0.27Lu2.7Ce0.03Al5O12の組成で表されるガーネット型単結晶を作製した。得られた単結晶は、透明であった。実施例14マイクロ引下げ法により、Gd0.27Lu2.7Ce0.03Ga1Al4O12の組成で表されるガーネット型単結晶を作製した。得られた単結晶は、透明であった。実施例15マイクロ引下げ法により、Gd0.27Lu2.7Ce0.03Ga2Al3O12の組成で表されるガーネット型単結晶を作製した。得られた単結晶は、透明であった。実施例16マイクロ引下げ法により、Gd0.27Lu2.7Ce0.03Ga3Al2O12の組成で表されるガーネット型単結晶を作製した。得られた単結晶は、透明であった。実施例17マイクロ引下げ法により、Gd2.37Y0.6Ce0.03Sc2Al3O12の組成で表されるガーネット型単結晶を作製した。得られた単結晶は、透明であった。実施例18マイクロ引下げ法により、Gd0.27Lu2.7Ce0.03Sc0.5Al4.5O12の組成で表されるガーネット型単結晶を作製した。得られた単結晶は、透明であった。実施例19マイクロ引下げ法により、Gd0.27Lu2.7Ce0.03Sc2Al3O12の組成で表されるガーネット型単結晶を作製した。得られた単結晶は、透明であった。実施例20マイクロ引下げ法により、Gd0.297Lu2.7Ce0.003Ga2Al3O12の組成で表されるガーネット型単結晶を作製した。得られた単結晶は、透明であった。実施例21マイクロ引下げ法により、Gd0.297Lu2.55Ce0.15Ga2Al3O12の組成で表されるガーネット型単結晶を作製した。得られた単結晶は、透明であった。実施例22マイクロ引下げ法により、Gd2.97Ce0.03Ga2Al3O12の組成で表されるガーネット型単結晶を作製した。得られた単結晶は、透明であった。実施例23マイクロ引下げ法により、Gd2.995Ce0.005Ga3Al2O12の組成で表されるガーネット型単結晶を作製した。得られた単結晶は、透明であった。実施例24マイクロ引下げ法により、Gd2.97Ce0.03Ga3Al2O12の組成で表されるガーネット型単結晶を作製した。得られた単結晶は、透明であった。実施例25熱間静水圧プレス燒結法により、Gd297Ce0.03Ga3Al2O12の組成で表されるガーネット型透明セラミックスを作製した。実施例26熱間静水圧プレス燒結法により、Gd297Y0.6Ce0.03Ga3Al2O12の組成で表されるガーネット型透明セラミックスを作製した。実施例27熱間静水圧プレス燒結法により、Gd297Lu1Ce0.03Ga3Al2O12の組成で表されるガーネット型透明セラミックスを作製した。比較例1マイクロ引下げ法により、Gd2.97Ce0.03Al5O12結晶の組成で表されるガーネット型結晶を作製した。得られた結晶は、不透明な多結晶であった。比較例2マイクロ引下げ法により、Gd2.67Y0.3Ce0.03Al5O12結晶の組成で表されるガーネット型結晶を作製した。得られた結晶は、不透明な多結晶であった。比較例3マイクロ引下げ法により、Gd2.67Lu0.3Ce0.03Al5O12結晶の組成で表されるガーネット型結晶を作製した。得られた結晶は不透明な多結晶であった。比較例4マイクロ引下げ法により、Gd2.67Y0.3Ce0.03Sc1Al4O12結晶の組成で表されるガーネット型結晶を作製した。得られた結晶は、不透明な多結晶であった。比較例5マイクロ引下げ法により、Lu2.67Gd0.3Ce0.03Sc3Al2O12結晶の組成で表されるガーネット型結晶を作製した。得られた結晶は、不透明な多結晶であった。各々の光学特性評価及びシンチレータ特性を評価した。なお、特に明示しない限り、実施例1~27、比較例1~5で得られた結晶をφ3mm×2mmサイズに加工し、φ3mm面を両面光学研磨して評価した。1.透過率T実施例1~27、比較例1~5で得られた結晶をφ3mm×5mmサイズに加工し、φ3mm面を両面光学研磨し、分光光度計U4000、株日立ハイテクノロジーズ社製を用いて550nmにおける透過率を測定した。2.吸光係数α実施例1~27、比較例1~5で得られた結晶について、φ3×1mmサイズ及びφ3mm×15mmサイズに加工研磨したものも用意し、発光ピーク波長における透過率をそれぞれ測定し、上記式2を用いて、吸光係数αcm-1を求めた。3.励起発光スペクトル測定分光蛍光光度計F-7000、株日立ハイテクノロジーズ社製を用いて、フォトルミネセンス法X線励起:CuKαにより励起発光スペクトルを測定した。4.γ線励起発光量、エネルギー分解能図1に示す装置を用いて、φ3×2mmサイズに加工研磨した結晶を137Csからのγ線を照射し発光量を測定した。光電子倍増管として、浜松ホトニクス社製のPMT-R7600Uを用いた。得られたエネルギースペクトル中の光電吸収ピークの位置を既知のシンチレータであるCe:LYSO発光量:33000photon/MeVと比較し、光電子増倍管の波長感度をそれぞれ考慮し、発光量を算出した。測定温度は25°Cとした。エネルギー分解能ΔE/Eは、662keVEを基準とした反値幅FWHM、ΔEから算出した。5.紫外線蛍光寿命測定250nm紫外線励起X線励起:CuKαして生じた発光波長530nmの蛍光成分の蛍光減衰時間を測定した。6.γ線蛍光寿命測定図1に示す装置を用いて、137Csからのγ線を照射し蛍光減衰時間を測定した。光電子倍増管として、浜松ホトニクス社製のPMT-R7600Uを用いた。測定温度は25°Cとした。図2は、実施例1~5の結晶を示す図である。図2aが実施例1の結晶を示し、図2bが実施例2の結晶を示し、図2cが実施例3の結晶を示し、図2dが実施例4の結晶を示す。図2eが実施例5の結晶を示す。図3は、実施例22、23、26の結晶を示す図であり、図3aが実施例22の結晶を示し、図3bが実施例23の結晶を示し、図3cが実施例26の結晶を示す。いずれも黄色又は橙色透明な結晶であった。密度、結晶の状態、発光ピーク波長、550nmにおける透過率T、及び、吸光係数αmm-1の結果を表1表1-1、1-2、2に示す。また、実施例3の透過スペクトルを図4に示す。表1で示すように、実施例におけるセリウム付活ガーネット型結晶は、発光量460~550nm付近に発光ピーク波長を有することから、シリコン半導体から構成されるPDやSi-PM等の480~700nmに感度の高い波長を有する受光器との組み合わせに適していることがわかる。実施例1~27で得られた結晶に関する諸特性を表3表3-1、3-2にまとめる。図5は、実施例13で得られた結晶の励起発光スペクトルを示す図であり、図6は、実施例15で得られた結晶の励起発光スペクトルを示す図であり、図5、6において、横軸は発光波長nm、縦軸は励起波長nmを表す。また、図7は、実施例3で得られたγ線励起エネルギースペクトルを示す。図8は、実施例5~7で得られた紫外線励起蛍光寿命のスペクトルを示す。図9は、実施例15、20で得られたγ励起蛍光寿命のスペクトルを示す。図10は、実施例3の結晶を光電子増倍管に接着し,252Cf中性子線を照射して得られたエネルギースペクトルである。表3で示すように、本実施例におけるセリウム付活ガーネットシンチレータ結晶は非常に優れていることが分かる。さらに好適なCe濃度、Ga濃度をとることで、高発光量かつエネルギー分解能も高くなることが分かる。さらに、蛍光寿命の単寿命化及び長寿命成分も低減することができることが分かった。らに蛍光寿命は、30~95ナノ秒程度であり、シンチレータ材料として非常に優れていることが分かった。特に、実施例15、20,21で得られた結晶について137Csからのγ線を照射し蛍光減衰時間及び発光量を測定した結果、Ce濃度が増加するに従い、蛍光寿命は短くなった。また、実施例20において確認された385nsの長寿命成分は、Ce濃度が増加すると減少した。当該長寿命成分はGd3のエネルギー準位からCe3のエネルギー準位へのエネルギー遷移の結果生じるものと考えられ、Ce濃度が増加すると、エネルギー遷移の確立が増加し、長寿命成分が減少すると考えられる。同時に発光量も向上し、実施例15で最大となった。この測定結果からもGd3のエネルギー準位からCe3のエネルギー準位へのエネルギー遷移現象の存在が確認できる。図5において、実施例13の結晶は発光波長510nm付近にCe3の4f5d発光由来の発光ピークが確認され、発光波長312nm付近にGd3の4f4f発光由来の発光ピークが確認された。Gd3の4f4f発光由来の発光の励起波長は260nm付近であったが、260nm励起においてCe3の4f5d発光由来の発光も生じることが分かる。このことから、Gd3のエネルギー準位からCe3のエネルギー準位へのエネルギー遷移現象の存在が確認できる。一方、図6の実施例15で得られた結晶では、Ce3の4f5d発光由来の発光ピークは確認されなかった。また、図7で示すエネルギースペクトルから、実施例3のエネルギー分解能は3.6であった。また、図8で示すように、Gd0.57Y2.4Ce0.03Al5O12結晶実施例5の紫外線励起では、520nmの蛍光成分は、82nsの蛍光寿命と112nsの長寿命成分を示した。また、Gd0.57Y2.4Ce0.03Ga2Al3O12結晶実施例7では、長寿命成分が無くなり13ns14、45ns86の蛍光寿命を示した。このように、Ga濃度の増加に伴い、蛍光寿命が短寿命化するのが示された。なお、γ線励起蛍光寿命が紫外線励起に比べて長寿命なのは、γ線励起の場合、Gd3の各エネルギー準位を経由してCe34f5d発光に至るためと考えられる。図10のエネルギースペクトルでは、実施例3の結晶中に含まれるGdと中性子とのn,γ反応により放出されるγ線がGd2.37Y0.6Ce0.03Ga3Al2O12に吸収されることで生じるフォトピークを確認した。さらに、実施例13~16及び18、19で得られた結晶の蛍光減衰曲線を、フォトルミネッセンスにて観測し、発光波長530nmのCe3の4f5d発光及び発光波長312nmのGd3の4f4f発光についてそれぞれ蛍光寿命蛍光減衰時間を測定した。結果を、表4に示す。発光波長530nmのCe3の4f5d発光を励起波長450nmで直接励起した場合には、32~51nsの蛍光寿命を示し、Ga及びSc濃度の増加とともに、蛍光寿命が短くなった。また、発光波長530nmのCe3の4f5d発光をGd3の4f4f発光の励起波長である励起波長250nmで励起した場合には、92~102nsの長寿命成分が確認された。さらに、発光波長312nmのGd3の4f4f発光を250nmで励起した場合には、数μs~127nsの蛍光寿命が得られ、Ga及びSc濃度の増加とともに、蛍光寿命が短くなった。以上の測定結果からもGd3のエネルギー準位からCe3のエネルギー準位へのエネルギー遷移現象の存在が確認できる。"