"真空容器内に回転可能に設けられる回転テーブルの基板載置部に基板を載置するステップと、前記回転テーブルを回転することにより、当該回転テーブルに載置される前記基板を、チタン含有ガスと、該チタン含有ガスと反応するチッ素含有ガスとに交互に曝して、前記基板上に窒化チタンを成膜するステップと、前記窒化チタンが成膜された前記基板を、前記チッ素含有ガスに曝すステップとを含み、前記成膜するステップと前記曝すステップとが繰り返される成膜方法。前記成膜するステップにおいて、前記基板が、前記チタン含有ガスと前記チッ素含有ガスとに曝される間において、不活性ガスに曝される、請求項1に記載の成膜方法。前記チッ素含有ガスに曝すステップにおいて、前記基板が、前記チッ素含有ガス及び不活性ガスの順に曝される、請求項1又は2に記載の成膜方法。前記チタン含有ガスが第1の反応ガス供給部から前記回転テーブルに対して供給され、前記チッ素含有ガスが、前記回転テーブルの回転方向に沿って前記第1の反応ガス供給部から離間する第2の反応ガス供給部から前記回転テーブルに対して供給される、請求項1から3のいずれか一項に記載の成膜方法。前記チタン含有ガスが第1の反応ガス供給部から前記回転テーブルに対して供給され、前記チッ素含有ガスが、前記回転テーブルの回転方向に沿って前記第1の反応ガス供給部から離間する第2の反応ガス供給部から前記回転テーブルに対して供給され、前記不活性ガスが、前記回転テーブルの回転方向に沿って前記第1の反応ガス供給部と前記第2の反応ガス供給部との間において前記回転テーブルに対して形成される、前記第1及び前記第2の反応ガス供給部が配置される領域の天井面よりも低い天井面と、前記回転テーブルとの間の空間から前記回転テーブルに対して供給される、請求項2又は3に記載の成膜方法。前記チタン含有ガスが塩化チタンガスであり、前記チッ素含有ガスがアンモニアガスである、請求項1又は2に記載の成膜方法。ところで、TiN膜の成膜は、キャパシタのリーク電流の低減の観点から、400°C以下の成膜温度で行われる。しかしながら、例えば300°Cの成膜温度にてTiN膜を成膜すると、抵抗率が高くなるという問題がある。本発明は、上述の事情に鑑みてなされ、TiNの抵抗率の低減が可能な成膜方法を提供する。本発明の態様によれば、真空容器内に回転可能に設けられる回転テーブルの基板載置部に基板を載置するステップと、前記回転テーブルを回転することにより、当該回転テーブルに載置される前記基板を、チタン含有ガスと、該チタン含有ガスと反応するチッ素含有ガスとに交互に曝して、前記基板上に窒化チタンを成膜するステップと、前記窒化チタンが成膜された前記基板を、前記チッ素含有ガスに曝すステップとを含み、前記成膜するステップと前記曝すステップとが繰り返される成膜方法が提供される。本発明の実施形態によれば、TiNの抵抗率の低減が可能な成膜方法が提供される。以下、添付の図面を参照しながら、本発明の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面は、部材もしくは部品間の相対比を示すことを目的とせず、したがって、具体的な寸法は、以下の限定的でない実施形態に照らし、当業者により決定されるべきものである。成膜装置始めに、本発明の実施形態による成膜方法を実施するのに好適な成膜装置について説明する。図1から図3までを参照すると、この成膜装置は、ほぼ円形の平面形状を有する扁平な真空容器1と、この真空容器1内に設けられ、真空容器1の中心に回転中心を有する回転テーブル2と、を備えている。真空容器1は、有底の円筒形状を有する容器本体12と、容器本体12の上面に対して、例えばOリングなどのシール部材13図1を介して気密に着脱可能に配置される天板11とを有している。回転テーブル2は、中心部にて円筒形状のコア部21に固定され、このコア部21は、鉛直方向に伸びる回転軸22の上端に固定されている。回転軸22は真空容器1の底部14を貫通し、その下端が回転軸22図1を鉛直軸回りに回転させる駆動部23に取り付けられている。回転軸22及び駆動部23は、上面が開口した筒状のケース体20内に収納されている。このケース体20はその上面に設けられたフランジ部分が真空容器1の底部14の下面に気密に取り付けられており、ケース体20の内部雰囲気と外部雰囲気との気密状態が維持されている。回転テーブル2の表面部には、図2及び図3に示すように回転方向周方向に沿って複数図示の例では5枚の基板である半導体ウエハ以下ウエハというWを載置するための円形状の凹部24が設けられている。なお図3には便宜上1個の凹部24だけにウエハWを示す。この凹部24は、ウエハWの直径よりも僅かに例えば4mm大きい内径と、ウエハWの厚さにほぼ等しい深さとを有している。したがって、ウエハWが凹部24に収容されると、ウエハWの表面と回転テーブル2の表面ウエハWが載置されない領域とが同じ高さになる。凹部24の底面には、ウエハWの裏面を支えてウエハWを昇降させるための例えば3本の昇降ピンが貫通する貫通孔いずれも図示せずが形成されている。図2及び図3は、真空容器1内の構造を説明する図であり、説明の便宜上、天板11の図示を省略している。図2及び図3に示すように、回転テーブル2の上方には、各々例えば石英からなる反応ガスノズル31、反応ガスノズル32、及び分離ガスノズル41,42が真空容器1の周方向回転テーブル2の回転方向図3の矢印Aに互いに間隔をおいて配置されている。図示の例では、後述の搬送口15から時計回り回転テーブル2の回転方向に、分離ガスノズル41、反応ガスノズル31、分離ガスノズル42、及び反応ガスノズル32がこの順番で配列されている。これらのノズル31、32、41、42は、各ノズル31、32、41、42の基端部であるガス導入ポート31a、32a、41a、42a図3を容器本体12の外周壁に固定することにより、真空容器1の外周壁から真空容器1内に導入され、容器本体12の半径方向に沿って回転テーブル2に対して水平に伸びるように取り付けられている。本実施形態においては、反応ガスノズル31は、不図示の配管及び流量制御器などを介して、塩化チタンTiCl4ガスの供給源図示せずに接続されている。反応ガスノズル32は、不図示の配管及び流量制御器などを介して、アンモニアの供給源図示せずに接続されている。分離ガスノズル41、42は、いずれも不図示の配管及び流量制御バルブなどを介して、分離ガスの供給源図示せずに接続されている。分離ガスとしては、ヘリウムHeやアルゴンArなどの希ガスや窒素N2ガスなどの不活性ガスを用いることができる。本実施形態では、N2ガスを用いることとする。反応ガスノズル31、32には、回転テーブル2に向かって開口する複数のガス吐出孔33が、反応ガスノズル31、32の長さ方向に沿って、例えば10mmの間隔で配列されている。反応ガスノズル31の下方領域は、TiCl4ガスをウエハWに吸着させるための第1の処理領域P1となる。反応ガスノズル32の下方領域は、第1の処理領域P1においてウエハWに吸着されたTiCl4ガスを窒化させる第2の処理領域P2となる。図2及び図3を参照すると、真空容器1内には2つの凸状部4が設けられている。凸状部4は、分離ガスノズル41、42とともに分離領域Dを構成するため、後述のとおり、回転テーブル2に向かって突出するように天板11の裏面に取り付けられている。また、凸状部4は、頂部が円弧状に切断された扇型の平面形状を有し、本実施形態においては、内円弧が突出部5後述に連結し、外円弧が、真空容器1の容器本体12の内周面に沿うように配置されている。図4は、反応ガスノズル31から反応ガスノズル32まで回転テーブル2の同心円に沿った真空容器1の断面を示している。図示のとおり、天板11の裏面に凸状部4が取り付けられているため、真空容器1内には、凸状部4の下面である平坦な低い天井面44第1の天井面と、この天井面44の周方向両側に位置する、天井面44よりも高い天井面45第2の天井面とが存在する。天井面44は、頂部が円弧状に切断された扇型の平面形状を有している。また、図示のとおり、凸状部4には周方向中央において、半径方向に伸びるように形成された溝部43が形成され、分離ガスノズル42が溝部43内に収容されている。もう一つの凸状部4にも同様に溝部43が形成され、ここに分離ガスノズル41が収容されている。また、高い天井面45の下方の空間に反応ガスノズル31、32がそれぞれ設けられている。これらの反応ガスノズル31、32は、天井面45から離間してウエハWの近傍に設けられている。なお、説明の便宜上、図4に示すように、反応ガスノズル31が設けられる、高い天井面45の下方の空間を参照符号481で表し、反応ガスノズル32が設けられる、高い天井面45の下方の空間を参照符号482で表す。また、凸状部4の溝部43に収容される分離ガスノズル41、42には、回転テーブル2に向かって開口する複数のガス吐出孔41h図4参照が、分離ガスノズル41、42の長さ方向に沿って、例えば10mmの間隔で配列されている。天井面44は、狭隘な空間である分離空間Hを回転テーブル2に対して形成している。分離ガスノズル42の吐出孔42hからN2ガスが供給されると、このN2ガスは、分離空間Hを通して空間481及び空間482へ向かって流れる。このとき、分離空間Hの容積は空間481及び482の容積よりも小さいため、N2ガスにより分離空間Hの圧力を空間481及び482の圧力に比べて高くすることができる。すなわち、空間481及び482の間に圧力の高い分離空間Hが形成される。また、分離空間Hから空間481及び482へ流れ出るN2ガスが、第1の領域P1からのTiCl4ガスと、第2の領域P2からのNH3ガスとに対するカウンターフローとして働く。したがって、第1の領域P1からのTiCl4ガスと、第2の領域P2からのNH3ガスとが分離空間Hにより分離される。よって、真空容器1内においてTiCl4ガスとNH3ガスとが混合し、反応することが抑制される。なお、回転テーブル2の上面に対する天井面44の高さh1は、成膜時の真空容器1内の圧力、回転テーブル2の回転速度、供給する分離ガスN2ガスの供給量などを考慮し、分離空間Hの圧力を空間481及び482の圧力に比べて高くするのに適した高さに設定することが好ましい。一方、天板11の下面には、回転テーブル2を固定するコア部21の外周を囲む突出部5図2及び図3が設けられている。この突出部5は、本実施形態においては、凸状部4における回転中心側の部位と連続しており、その下面が天井面44と同じ高さに形成されている。先に参照した図1は、図3のI-I線に沿った断面図であり、天井面45が設けられている領域を示している。一方、図5は、天井面44が設けられている領域を示す断面図である。図5に示すように、扇型の凸状部4の周縁部真空容器1の外縁側の部位には、回転テーブル2の外端面に対向するようにL字型に屈曲する屈曲部46が形成されている。この屈曲部46は、凸状部4と同様に、分離領域Dの両側から反応ガスが侵入することを抑制して、両反応ガスの混合を抑制する。扇型の凸状部4は天板11に設けられ、天板11が容器本体12から取り外せるようになっていることから、屈曲部46の外周面と容器本体12との間には僅かに隙間がある。屈曲部46の内周面と回転テーブル2の外端面との隙間、及び屈曲部46の外周面と容器本体12との隙間は、例えば回転テーブル2の上面に対する天井面44の高さと同様の寸法に設定されている。容器本体12の内周壁は、分離領域Dにおいては図4に示すように屈曲部46の外周面と接近して垂直面に形成されているが、分離領域D以外の部位においては、図1に示すように例えば回転テーブル2の外端面と対向する部位から底部14に亘って外方側に窪んでいる。以下、説明の便宜上、概ね矩形の断面形状を有する窪んだ部分を排気領域と記す。具体的には、第1の処理領域P1に連通する排気領域を第1の排気領域E1と記し、第2の処理領域P2に連通する領域を第2の排気領域E2と記す。これらの第1の排気領域E1及び第2の排気領域E2の底部には、図1から図3に示すように、それぞれ、第1の排気口610及び第2の排気口620が形成されている。第1の排気口610及び第2の排気口620は、図1に示すように各々排気管630を介して真空排気手段である例えば真空ポンプ640に接続されている。なお図1中、参照符号650は圧力制御器である。回転テーブル2と真空容器1の底部14との間の空間には、図1及び図4に示すように加熱手段であるヒータユニット7が設けられ、回転テーブル2を介して回転テーブル2上のウエハWが、プロセスレシピで決められた温度例えば400°Cに加熱される。回転テーブル2の周縁付近の下方側には、回転テーブル2の上方空間から排気領域E1、E2に至るまでの雰囲気とヒータユニット7が置かれている雰囲気とを区画して回転テーブル2の下方領域へのガスの侵入を抑えるために、リング状のカバー部材71が設けられている図5。このカバー部材71は、回転テーブル2の外縁部及び外縁部よりも外周側を下方側から臨むように設けられた内側部材71aと、この内側部材71aと真空容器1の内壁面との間に設けられた外側部材71bと、を備えている。外側部材71bは、分離領域Dにおいて凸状部4の外縁部に形成された屈曲部46の下方にて、屈曲部46と近接して設けられ、内側部材71aは、回転テーブル2の外縁部下方及び外縁部よりも僅かに外側の部分の下方において、ヒータユニット7を全周に亘って取り囲んでいる。ヒータユニット7が配置されている空間よりも回転中心寄りの部位における底部14は、回転テーブル2の下面の中心部付近におけるコア部21に接近するように上方側に突出して突出部12aをなしている。この突出部12aとコア部21との間は狭い空間になっており、また底部14を貫通する回転軸22の貫通穴の内周面と回転軸22との隙間が狭くなっていて、これら狭い空間はケース体20に連通している。そしてケース体20にはパージガスであるN2ガスを狭い空間内に供給してパージするためのパージガス供給管72が設けられている。また真空容器1の底部14には、ヒータユニット7の下方において周方向に所定の角度間隔で、ヒータユニット7の配置空間をパージするための複数のパージガス供給管73が設けられている図5には一つのパージガス供給管73を示す。また、ヒータユニット7と回転テーブル2との間には、ヒータユニット7が設けられた領域へのガスの侵入を抑えるために、外側部材71bの内周壁内側部材71aの上面から突出部12aの上端部との間を周方向に亘って覆う蓋部材7aが設けられている。蓋部材7aは例えば石英で作製することができる。また、真空容器1の天板11の中心部には分離ガス供給管51が接続されていて、天板11とコア部21との間の空間52に分離ガスであるN2ガスを供給するように構成されている。この空間52に供給された分離ガスは、突出部5と回転テーブル2との狭い隙間50を介して回転テーブル2のウエハ載置領域側の表面に沿って周縁に向けて吐出される。空間50は分離ガスにより空間481及び空間482よりも高い圧力に維持され得る。したがって、空間50により、第1の処理領域P1に供給されるTiCl4ガスと第2の処理領域P2に供給されるNH3ガスとが、中心領域Cを通って混合することが抑制される。すなわち、空間50又は中心領域Cは分離空間H又は分離領域Dと同様に機能することができる。さらに、真空容器1の側壁には、図2、図3に示すように、外部の搬送アーム10と回転テーブル2との間で基板であるウエハWの受け渡しを行うための搬送口15が形成されている。この搬送口15は図示しないゲートバルブにより開閉される。また回転テーブル2におけるウエハ載置領域である凹部24はこの搬送口15に臨む位置にて搬送アーム10との間でウエハWの受け渡しが行われることから、回転テーブル2の下方側において受け渡し位置に対応する部位に、凹部24を貫通してウエハWを裏面から持ち上げるための受け渡し用の昇降ピン及びその昇降機構いずれも図示せずが設けられている。また、本実施形態による成膜装置には、図1に示すように、装置全体の動作のコントロールを行うためのコンピュータからなる制御部100が設けられており、この制御部100のメモリ内には、後述する成膜方法を制御部100の制御の下に成膜装置に実施させるプログラムが格納されている。このプログラムは後述の成膜方法を実行するようにステップ群が組まれており、ハードディスク、コンパクトディスク、光磁気ディスク、メモリカード、フレキシブルディスクなどの媒体102に記憶され、所定の読み取り装置により記憶部101へ読み込まれ、制御部100内にインストールされる。成膜方法次に、本発明の実施形態による成膜方法について図6を参照しながら説明する。以下の説明では、上述の成膜装置を用いる場合を例にとる。先ず、ステップS61図6においてウエハWが回転テーブル2に載置される。具体的には、図示しないゲートバルブを開き、外部から搬送アーム10図3により搬送口15図2及び図3を介してウエハWを回転テーブル2の凹部24内に受け渡す。この受け渡しは、凹部24が搬送口15に臨む位置に停止したときに凹部24の底面の貫通孔を介して真空容器1の底部側から不図示の昇降ピンが昇降することにより行われる。このようなウエハWの受け渡しを、回転テーブル2を間欠的に回転させて行い、回転テーブル2の5つの凹部24内に夫々ウエハWを載置する。続いてゲートバルブを閉じ、真空ポンプ640により到達可能真空度にまで真空容器1内を排気した後、ステップS62にて、分離ガスノズル41、42からN2ガスを所定の流量で供給し、分離ガス供給管51及びパージガス供給管72、72からもN2ガスを所定の流量で供給する。これに伴い、圧力制御手段650図1により真空容器1内を予め設定した処理圧力に制御する。次いで、回転テーブル2を時計回りに例えば20rpmの回転速度で回転させながらヒータユニット7によりウエハWを例えば400°Cに加熱する。この後、ステップS63において、反応ガスノズル31図2及び図3からTiCl4ガスを供給し、反応ガスノズル32からNH3ガスを供給する。回転テーブル2の回転により、ウエハWは、第1の処理領域P1、分離領域D分離空間H、第2の処理領域P2、及び分離領域D分離空間Hをこの順に通過していく図3参照。まず、第1の処理領域P1において、反応ガスノズル31からのTiCl4ガスがウエハWに吸着する。次に、ウエハWが、N2ガス雰囲気となっている分離空間H分離領域Dを通って第2の処理領域P2に至ると、ウエハWに吸着したTiCl4ガスが、反応ガスノズル32からのNH3ガスと反応し、ウエハWにTiN膜が成膜される。また、副生成物としてNH4Clが生成され、これが気相中に放出されて、分離ガスなどとともに排気される。そして、ウエハWは、分離領域DN2ガス雰囲気の分離空間Hへ至る。この間、反応ガスノズル31からのTiCl4ガスと、反応ガスノズル32からのNH3ガスとの供給が、所定の時間行われたか否かが判定されるステップS64。所定の時間は、後述するような実験及びその結果に基づいて決定することができる。所定の時間が経過していない場合ステップS64:Noには、TiN膜の成膜ステップS63が継続され、経過した場合ステップS64:Yesには、次のステップS65へ進む。ステップS65では、回転テーブル2の回転と反応ガスノズル32からのNH3ガスの供給は継続され、反応ガスノズル31からのTiCl4ガスの供給が停止される。これにより、ウエハWは、N2ガス分離ガスとNH3ガスとに順番に曝されることとなる。成膜されたTiN膜中には、未反応のTiCl4や、TiCl4の分解により生じた塩素Clが残存している可能性がある。未反応のTiCl4がNH3ガスと反応してTiNが生成され、また、残存しているClがNH3ガスによりNH4Clとなって膜中から脱離する。このため、成膜されたTiN膜中の不純物が低減され、TiN膜の膜質が向上し、よって抵抗率を低下させることができる。ステップS65の開始後、反応ガスノズル32からのNH3ガスの供給が所定の時間行われたか否かが判定されるステップS66。ここでの所定の時間もまた、後述するような実験及びその結果に基づいて決定することができる。所定の時間が経過していない場合ステップS66:Noには、ステップS65が継続され、経過した場合ステップS66:Yesには、次のステップS67へ進む。ステップS67においては、ステップS63の時間とステップS65の時間の総計時間が所定の時間に達したかが判定される。所定の時間に達していない場合にはステップS67:No、ステップS63に戻り、TiNが更に成膜される。所定の時間に達した場合にはステップS67:Yes、TiCl4ガス及びNH3ガスの供給を停止し、成膜を終了する。実験及びその結果次に、上述の成膜方法の効果を確認するために行った実験及びその結果について説明する。以下の説明において、説明の便宜上、回転テーブル2を回転しつつTiCl4ガスとNH3ガスを供給するステップS63を成膜ステップといい、回転テーブル2を回転しつつNH3ガスを供給するステップS65をNH3処理ステップという。また、成膜ステップとNH3処理ステップにおけるウエハWの温度は同一である。実験1始めに、TiN膜のシート抵抗の回転テーブル2の回転速度に対する依存性と、サイクル数に対する依存性について調べた。ここで、サイクル数は、成膜ステップとNH3処理ステップとを1サイクルとしたときのサイクル繰り返し回数である。例えば、サイクル数が4の場合には、成膜ステップとNH3処理ステップが交互に4回繰り返され、サイクル数が10の場合には、成膜ステップとNH3処理ステップが交互に10回繰り返されることとなる。また、この実験におけるTiN膜の目標膜厚を10nmとしたため、サイクル数10の場合における成膜ステップの時間は、サイクル数4の場合における成膜ステップの時間よりも短くなっている。すなわち、サイクル数が多いほど、1回当たりの成膜ステップの時間が短くなる。この実験における主な条件は以下のとおりである。回転テーブル2の温度成膜温度:300°C回転テーブル2の回転速度:30回/分rpm、240rpmTiCl4ガス供給量:150sccmNH3ガス供給量:15000sccm分離ガスノズル41、42からの合計分離ガス供給量:10000sccmTiN膜の目標膜厚:10nmなお、成膜したTiN膜は、そのシート抵抗を測定することにより評価した以下の実験において同じ。また、比較例として、目標膜厚である10nmまでTiN膜をウエハW上に成膜した後に、そのTiN膜をNH3ガスに曝すことにより用意した試料についてもシート抵抗を測定した。この場合においては、300°Cだけでなく、350°C、400°C、及び500°Cの成膜温度でTiN膜を成膜したNH3ガスにTiN膜を曝すときのウエハWの温度は成膜温度と等しい。図7は、実験1の実験結果を示すグラフである。このグラフには、比較例の結果も示してある。比較例においては、成膜温度を低くするに従って比抵抗が大きくなっていき、成膜温度が300°Cの場合においては、約1900μΩcmといった高い比抵抗が得られた。一方、本発明の実施例によれば、成膜温度300°Cの場合、実験を行った範囲の全ての試料において、比較例のTiN膜の比抵抗より小さい比抵抗が得られている。また、サイクル数が4の場合と10の場合とを比較すると、サイクル数10の場合の方が、シート抵抗が低くなっている。この結果については、次の実験2において更に検討する。また、図7から、回転テーブル2の回転速度が30rpmの場合には、240rpmの場合よりも、TiN膜の比抵抗が小さくなることが分かる。これは、TiN膜がNH3ガスに曝される時間が、回転速度の低下に伴い、実質的に長くなり、NH3ガスによるTiN膜の高品位化が進んだためと考えられる。実験2次に、回転テーブル2を回転しつつTiCl4ガスとNH3ガスを供給する時間、及び回転テーブル2を回転しつつNH3ガスを供給する時間が、成膜されたTiN膜のシート抵抗に与える影響について調べた。この実験における主な条件は以下のとおりである。回転テーブル2の温度成膜温度:400°C回転テーブル2の回転速度:240rpmTiCl4ガス供給量:150sccmNH3ガス供給量:15000sccm分離ガスノズル41、42からの合計分離ガス供給量:10000sccmTiN膜の目標膜厚:10nm図8は、実験2の実験結果を示すグラフである。図8において、縦軸はシート抵抗を示し、横軸はサイクル数を示す。また、図8には、NH3処理ステップの時間を5秒、30秒、60秒、120秒、300秒と変えた場合についての結果も示している。図8を参照すると、サイクル数が多くなるほど、シート抵抗が低下していくことが分かる。上述のとおり、サイクル数が多いほど、成膜ステップの時間が短くなり、したがって、1サイクル中の成膜ステップにおいて成膜されるTiN膜の膜厚は薄くなる。すなわち、サイクル数が多くなるほど、NH3処理ステップにおいて、より薄いTiN膜がNH3ガスに曝されることとなる。このため、NH3ガスによりTiN膜の品質が改善されやすく、シート抵抗がより低下したと考えることができる。また、図8から、NH3処理ステップの時間が長くなるほど、シート抵抗が低下することも分かる。これは、TiN膜がNH3に長い時間曝されるため、TiN膜の品質がより改善されたためである。特にNH3処理ステップの時間が120秒の場合には、サイクル回数が4程度であっても、シート抵抗が250Ω/□となっており、実用上、十分に低いシート抵抗抵抗率が得られている。実験3次に、回転テーブル2の回転速度を更に変えて、TiN膜のシート抵抗のサイクル数依存性を調べた。図9aは、成膜温度が400°Cの場合であって、回転テーブル2の回転速度が120rpmと240rpmのときのTiN膜の比抵抗のサイクル数依存性を示すグラフである。この場合においても、サイクル数を1から10へ増加すると、比抵抗が低下する傾向が認められる。また、回転テーブル2の回転速度を240rpmから120rpmと低下させることにより、比抵抗が大きく低下することが分かる。図9bは、成膜温度が300°Cの場合であって、回転テーブル2の回転速度が30rpm、120rpm、及び240rpmのときのTiN膜のシート抵抗のサイクル数依存性を示すグラフである。成膜温度400°Cの場合に比べ、成膜温度300°Cの場合には、サイクル数を増やしたときに、比抵抗は大きく低下することが分かる。また、成膜温度300°Cの場合においても、回転テーブル2の回転速度を低下させると、TiN膜の比抵抗も低下していくことが分かる。以上説明したように、本実施形態による成膜方法においては、ウエハWが載置される回転テーブル2を回転しながらTiCl4ガスとNH3ガスを供給することによりウエハW上にTiN膜を成膜する成膜ステップと、回転テーブル2を回転しながらNH3ガスを供給することにより、ウエハW上のTiN膜をNH3ガスに曝すNH3処理ステップとが繰り返し行われる。TiN膜がNH3ガスに曝されると、TiN膜中に残存している未反応のTiCl4がNH3ガスと反応したり、TiCl4の分解により生じTiN膜に残存したClがNH3によりNH4Clとなって脱離したりするため、TiN膜が高品位化される。このため、TiN膜のシート抵抗を低減することができる。特に、成膜ステップとNH3処理ステップのサイクル数を増やすと、比較的薄いTiN膜をNH3ガスに曝すことができるため、より効率的にTiN膜を高品位化することも可能である。なお、例えばバッチ式のCVD装置や、枚葉式のCVD装置において、TiN膜の成膜の後に、NH3ガスのみを供給してNH3処理を行う場合には、チャンバ内のNH3ガスを十分にパージしなければならない。これは、TiN膜の品質が、成膜時のTiCl4ガスとNH3ガスの供給比に影響を受けるためである。すなわち、NH3処理に用いたNH3ガスがチャンバ内に残留していると、所望の供給比を実現できない。そこでNH3ガスをパージするステップが必要となり、プロセスに要する時間が長くなると言う問題がある。しかも、成膜時間を短くすると、パージステップの回数も多くなり、より長い時間がかかるという問題もある。これに対して、本実施形態による成膜方法によれば、TiCl4ガスを供給する反応ガスノズル31に対して、回転テーブル2の回転方向に離間した反応ガスノズル32からNH3ガスが供給されるため、ウエハWは、NH3ガスが無い雰囲気でTiCl4ガスに曝される。しかも、上述した、本実施形態による成膜方法を実施するに好適な成膜装置においては、反応ガスノズル31と反応ガスノズル32との間には、回転テーブル2に対して低い天井面44を提供する凸状部4が設けられ、さらに、回転テーブル2と天井面44との間の空間に分離ガスが流れているため、TiCl4ガスとNH3ガスとを十分に分離することができる。したがって、NH3処理ステップS65の後に、NH3ガスをパージすることなく成膜ステップS63を行うことができる。すなわち、NH3ガスパージステップは不要となり、プロセスの長時間化を回避できる。また、バッチ式のALD装置においてもNH3ガスパージステップが必要となる。さらに、仮にバッチ式のALD装置において本実施形態による成膜方法を実施する場合には、成膜ステップを短くしようとすると、成膜時のTiCl4ガスのパージや、NH3ガスのパージの回数も増大するため、プロセスの長時間化が問題となる。以上のとおり、本実施形態による成膜方法によれば、約300°Cという低い成膜温度においてもTiN膜のシート抵抗を低下させることができ、プロセスの長時間化を回避できるといった利点が提供される。なお、本実施形態による成膜方法においては、ウエハWは、図10に示すように、各ガスに曝されることとなる。すなわち、ウエハWは、成膜ステップではTiCl4ガスとNH3ガスとに交互に曝され、NH3処理ステップでは周期的にNH3ガスに曝される。TiCl4ガス及びNH3ガスのいずれかに曝されている期間を除いた期間では、ウエハWは、分離ガスN2ガスに曝されている。以上、実施形態を参照しながら本発明を説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されることなく、添付の特許請求の範囲に照らし、種々に変形又は変更が可能である。例えば、図2及び図3に示すように、NH3ガスを供給する反応ガスノズル32に対して回転テーブル2の回転方向下流側に、反応ガスノズル32と同一の構成を有する反応ガスノズル92を設け、ここからNH3ガスを供給するステップを設けても良い。これにより、ウエハWをより高い濃度でNH3ガスに曝すことが可能となり、成膜されたTiN膜の品質の向上抵抗率の低下が図れる。なお、反応ガスノズル92からのNH3ガスの供給は、反応ガスノズル31からTiCl4ガスを供給していないときのみ行っても良いし、TiCl4ガスを供給しているときに行っても良い。また、反応ガスノズル32からのNH3ガスの流量と、反応ガスノズル92からのNH3ガスの流量とは、同じであっても良いし、反応ガスノズル92からのNH3ガスの流量を反応ガスノズル32からのNH3ガスの流量よりも大きくしても良い。なお、図2及び図3に示す反応ガスノズル92は、反応ガスノズル31、32と同様に、導入ポート92aを容器本体12の側壁に固定することにより、真空容器1内において、回転テーブル2とほぼ平行に延びている。また、反応ガスノズル31から供給されるガスチタン含有ガスとしては、TiCl4ガスに限らず、例えばチタンを含む有機ソースなどを用いてもよい。また、反応ガスノズル32から供給されるガスチッ素含有ガスとしては、アンモニアガスに限らず、例えばモノメチルヒドラジンなどを用いてもよい。"