"ショットキ接合と、pn接合を備える半導体装置であって、前記pn接合は整流領域とガードリング部に設けられており、前記整流領域のpn接合部の降伏電圧を、前記ショットキ接合及び前記ガードリング部のpn接合より低くすることを特徴とする半導体装置。請求項1に記載の半導体装置であって、前記整流領域のpn接合部は、pまたはnのいずれかの導電型を有する第1の拡散層と、該pまたはnのいずれかの導電型と逆の導電型の層とが接合されており、前記整流領域のpn接合部の接合面のうち、前記逆の導電型の層の側には、該逆の導電型の層と同じ導電型であって、かつ、該逆の導電型の層より高不純物濃度の第2の拡散層が備えてあることを特徴とする半導体装置。請求項1又は2に記載の半導体装置であって、前記整流領域のpn接合部は複数存在することを特徴とする半導体装置。請求項1ないし3のいずれか一つに記載の半導体装置であって、前記ショットキ接合を構成する接合面の半導体側に更にpn接合を設けたことを特徴とする半導体装置。請求項1ないし4のいずれか一つに記載の半導体装置であって、前記ガードリング部の外側にはチャネルストッパが配置されていることを特徴とする半導体装置。請求項1ないし5のいずれか一つに記載の半導体装置であって、前記ショットキ接合を構成する接合面の半導体側のシート抵抗は40kΩ/□以上であることを特徴とする半導体装置。請求項1ないし6のいずれか一つに記載の半導体装置であって、前記ショットキ接合を構成する電極がMoSi2であることを特徴とする半導体装置。請求項1ないし7のいずれか一つに記載の半導体装置と、該半導体装置の両端に設けられる電極とを備えるオルタネータダイオードであって、前記半導体装置と前記電極とを接続を半田接続し、前記半導体装置及び前記半田は樹脂封止されていることを特徴とするオルタネータダイオード。請求項8に記載のオルタネータダイオードは、更に前記半導体装置及び前記樹脂を支持する支持体を備えており、該支持体は前記樹脂を保持するための溝を備えていることを特徴とするオルタネータダイオード。回転子及び該回転子に所定の間隙を空けて対向配置される固定子とを備える回転電機と、前記固定子に設けられる固定子巻線に接続され、交流電流を直流電流に切り替える請求項1ないし7のいずれか一つに記載の半導体装置を有する整流用のダイオードを備えることを特徴とする回転電機系。請求項10に記載の回転電機系であって、前記固定子は回転子巻線を有しており、該回転子巻線は該回転子巻線に印加される電圧を制御するレギュレータを備え、該レギュレータは、前記ダイオードの直流側と電気的に接続されていることを特徴とする回転電機系。請求項10または11に記載の回転電機系と、該回転電機系と電気的に接続される負荷とを備えていることを特徴とする車両。しかし、特許文献1に記載された構造によれば、サージ電流はガードリング部に集中してしまう。ガードリング部は放熱性が低いため、サージ電流がガードリング部に印加されることで、素子の温度上昇につながる等により、信頼性の低下が懸念される。また、特許文献2の構造では整流領域内に均一にpn接合Z2が配置されているが、どれも降伏電圧が同等であるため、電界の不安定な部位のみが降伏する。従って、ガードリング部にサージ電流が流れてしまい、やはり信頼性の低下に対する懸念がある。そこで、本発明では信頼性を向上させることができる半導体装置及びそれを用いた装置を提供することを目的とする。上記の課題を解決するために、本発明に係る半導体装置では、ショットキ接合と、pn接合を備える半導体装置であって、前記pn接合は整流領域とガードリング部に設けられており、前記整流領域のpn接合部の降伏電圧を、前記ショットキ接合及び前記ガードリング部のpn接合より低くしたことを特徴とする。本発明によれば、信頼性を向上させることが可能となる。以下、本発明を実施する上で好適な実施例について説明する。尚、下記はあくまでも実施の例に過ぎず、実施の態様を特定するものでないことは言うまでもない。実施例1について、図1ないし図4を用いて説明する。本実施例に係る半導体装置は、高濃度N型基板1表面上に、低濃度N型エピタキシャル層2が形成され、低濃度N型エピタキシャル層2の上側には下述する低濃度P型拡散層6とショットキ接合を形成する金属電極7が配置されている。金属電極7の材料として例えばMoSi2でショットキ接合を形成することで、接合部の障壁を低くでき、かつ安定性が向上する。金属電極7はショットキ接合が形成できる材料であればMoSi2に限定されない。金属電極7の外側端部は屈曲し持ち上がっており、屈曲し持ち上がっている金属電極7と低濃度N型エピタキシャル層2との間には絶縁膜33が配置されている。高濃度N型基板1表面の下側の面には、裏面電極層8が形成されている。電流は金属電極7と裏面電極層8との間で流れる。金属電極7と低濃度N型エピタキシャル層2の間には、接合面図中左右方向に沿って複数の高濃度P型拡散層5が、電流を均一に流して素子の耐量低下を防ぐべく、一定の間隔を持って配置されている。尚、高濃度P型拡散層5の最外側はガードリング部である。高濃度P型拡散層5同士の間には高濃度P型拡散層5より縦方向の厚さが薄い低濃度P型拡散層6が配置されており、高濃度P型拡散層5と低濃度P型拡散層6とにより、金属電極7と低濃度N型エピタキシャル層2が直接接触しない様にしている。高濃度P型拡散層5と低濃度P型拡散層6では、高濃度P型拡散層5とN型拡散層4がpn接合であるのに対し、低濃度P型拡散層6と金属電極7がSBDであることから、図4に示す様に順方向バイアス印加時にはSBDに電流が流れやすく、一方逆バイアス印加時は高濃度P型拡散層5の方がサージ電流が流れやすい。高濃度P型拡散層5の低濃度N型エピタキシャル層2側の先端中央部には、整流領域ガードリング部を含まないで、低濃度N型エピタキシャル層2より高不純物濃度を有し、低濃度N型エピタキシャル層2と比較して低抵抗層となるN型拡散層4が配置されている。金属電極7は低濃度P型拡散層6を介して低濃度N型エピタキシャル層2とショットキ接合図中Sと表記しており、金属電極7と高濃度P型拡散層5の間はオーミック接合図中Oと表記している。高濃度P型拡散層5と低濃度N型エピタキシャル層2の間図中接合面をZ2と表記、及び高濃度P型拡散層5とN型拡散層4との間図中接合面をZ1と表記はpn接合している。この様にショットキ接合Sとpn接合とが併存した構造となっている。そして、各接合間での降伏電圧については、高濃度P型拡散層5とN型拡散層4との間のpn接合は、ショットキ接合及び高濃度P型拡散層5と低濃度N型エピタキシャル層2の間のpn接合よりも低くなり、降伏電圧の値を階層化できる。本実施例に係る半導体装置の製造工程について図2a~hを用いて説明する。まず、図2aに示す様に、高濃度N型基板1の上に、エピタキシャル成長法を用いて低濃度N型エピタキシャル層2を堆積する。続いて図2bに示す様に、ガードリング部以外の整流領域内にpn接合Z1の形成場所に対応した所定面積の開口部を持つ絶縁膜シリコン酸化膜31を低濃度N型エピタキシャル層2の上に形成する。続いて図2cに示す様に、絶縁膜シリコン酸化膜31を介したイオン注入法等を用いて、低濃度N型エピタキシャル層2内にN型の不純物を注入し、N型拡散層4を形成する。絶縁膜シリコン酸化膜31を除去した後、図2dに示す様に、ガードリングの形成場所又はpn接合Z2形成場所、及びpn接合Z1の形成場所に対応した所定面積の開口部を持つ絶縁膜シリコン酸化膜32を低濃度N型エピタキシャル層2の上に形成する。この時、開口部はN型拡散層4を形成した前記開口を覆い、且つその開口部の面積は前記開口より大きいのが好ましい。次に、図2eに示す様に、絶縁膜シリコン酸化膜32を介してイオン注入法等により、低濃度N型エピタキシャル層2内にP型の不純物を注入し、高濃度P型拡散層5を形成する。すなわち、この工程によって、ガードリング部を除く整流領域内にN型拡散層4と高濃度P型拡散層5の間にpn接合Z1が形成され、ガードリング部には低濃度N型エピタキシャル層2と高濃度P拡散層5の間にpn接合Z2が形成される。この時、pn接合Z1の降伏電圧VZ1とpn接合Z2の降伏電圧VZ2の関係はVZ1<VZ2の関係にあり、降伏電圧が階層化できる。次に、図2fに示す様に、絶縁膜シリコン酸化膜32を除去後、低濃度N型エピタキシャル層2の表面にガードリング部の一部と接する絶縁膜シリコン酸化膜33を形成する。絶縁膜33形成後に、図2gに示す様に、絶縁膜シリコン酸化膜33を介したイオン注入法等を用いて、低濃度N型エピタキシャル層2内にP型の不純物を注入し、低濃度P型拡散層6を形成する。次に、図2hに示す様に、モリブデン,ニッケル、又はチタン等からなる金属電極7を低濃度N型エピタキシャル層2の表面上に設ける。この時、低濃度N型エピタキシャル層2と金属電極7とでショットキ接合Sが形成され、高濃度P型拡散層5と金属電極7とでオーミック接続Oが形成される。最後に、高濃度N型基板1上の低濃度N型エピタキシャル層2と相対する側に、オーミック接合されたアルミニウム,金、又は銀等からなる裏面電極層8を形成する。なお、上記したN型拡散層4及び高濃度P型拡散層5を形成する手法についてイオン注入法を用いることについて説明したが、イオン注入法以外にも、固層拡散法,蒸着法,スパッタリング法、又はガス拡散法等シリコン中に不純物をドープできる手法であれば良い。本実施例に係る半導体装置についてサージ電圧印加時の様子を図3を用いて説明する。素子に対して高いサージ電圧が印加されると、素子中で降伏電圧が低い個所から導通するが、本実施例では、整流領域の高濃度P型拡散層5の低濃度N型エピタキシャル層2側の先端には周囲の低濃度N型エピタキシャル層2よりも高不純物濃度を有するN型拡散層4を配置しており、該N型拡散層4は周囲の低濃度N型エピタキシャル層2と比較してpn接合の濃度勾配が大きい。故に降伏電圧については、高濃度P型拡散層5とN型拡散層4との間のpn接合は、ショットキ接合pn接合がショットキ接合より降伏電圧が低いことは図4参照。及び高濃度P型拡散層5と低濃度N型エピタキシャル層2の間のpn接合よりも低くなり、高いサージ電圧が印加された場合、最も降伏電圧が低い高濃度P型拡散層5とN型拡散層4との間のpn接合から降伏し、サージ電流が流れることになる。図3ではサージ電圧印加時の様子を模式的に表している。該図に示す様に、サージ電流はN型拡散層4を経由して高濃度P型拡散層5に流れる。従って、ショットキ接合S及びガードリング部のpn接合Z2にはサージ電流は流れない。本実施例によれば、ショットキ接合と、ガードリング部及び整流領域に設けられるpn接合とを併せて備えていることから、pn接合よりも降伏電圧が高いショットキ接合にはサージ電圧印加時にサージ電流は流れないようになり、pn接合に流れる様になる。よって、ショットキ接合にサージ電流は流れず、整流特性は劣化しなくなる。更に本実施例では、ガードリング部及び整流領域に設けられるpn接合について、ガードリング部に設けられるpn接合Z2には、N型拡散層4を設けず、整流領域に設けられるpn接合Z1にN型拡散層4を設けpn接合の濃度勾配を大きくさせることで、pn接合の中でも、整流領域のpn接合の降伏電圧を低下させている。整流領域のpn接合の降伏電圧をガードリング部のpn接合より低くすることにより、上記のショットキ接合にサージ電流が流れなくなったことに加えて、更にガードリング部にもサージ電流が流れない様にしている。尚、pn接合の濃度勾配を大きくさせる手段は拡散層を先端に設けることに限られず、他の代替手段を用いることも可能である。ガードリング部における高濃度P型拡散層5は、金属製である金属電極7に一部しか接触しておらず、全体が接触する整流領域と比較して、熱伝導率が高い金属製電極内を熱が図3中左右方向に伝導させる程度が低く、放熱の程度が小さい。よって、放熱性が低いガードリング領域にサージ電流が流れると、素子に熱が溜まり素子の温度上昇につながってしまい、性能の低下や寿命の減少といった信頼性の低下等の問題が生ずることになる。しかし、本実施例によれば、整流領域のpn接合の降伏電圧をガードリング部のpn接合より下げており、ガードリング領域のpn接合にサージ電圧印加時のサージ電流は流れない。よって、素子の温度上昇を回避でき、信頼性を向上させること等ができる。また、ガードリング領域は整流領域と比較して電界集中部位となり易い。係る部分の降伏電圧が整流領域と比較して低い又は同等程度だと、降伏した上で集中的にサージ電流が流れ温度が高くなってしまう。放熱性の低いガードリング領域で温度が上がる状態は半導体装置にとって、信頼性低下の観点からは著しく好ましくない結果を生じることになる。従って、ガードリング部では降伏させないことが重要となる。本実施例では、上記の様にガードリング部にサージ電流を流れない様にすることが可能である。よって、信頼性を向上させることが可能となる。また、降伏電圧を低くした整流領域のpn接合部を複数設けることで、サージ電流がガードリング部やショットキ接合に流れる確率をより低減できると共に、サージ電流の集中を防ぎ、素子自体の破壊に至りにくくしている。また、本実施例ではショットキ接合部分に低濃度P型拡散層6を設けている。低濃度P型拡散層6を設けたショットキ接合部分のバンド構造は、図5のような構造となる。低濃度P型拡散層6により、ショットキ接合面におけるキャリア移動に対する障壁の高さ自体を調整することができ、障壁のピーク位置をシリコン内部低濃度P型拡散層6内部に形成することができる。障壁のピーク位置をシリコン内部に形成することでバンドの厚み図5中の領域Aを増すことができトンネル電流等による漏れ電流の増加を防ぎ、更に半導体表面の汚染等の影響を受けにくくすることができるため、特性が安定する。また、シート抵抗を40kΩ/□以上とすることで理想係数n値を1に近付けることができ、理想的なI-V特性を示すショットキ接合とすることができる。よって、再結合電流も少なくなり、高効率となる。実施例2について図6を用いて説明する。本実施例では、実施例1で説明した内容に、更にガードリングの外側にチャネルストッパ41を設けている。それ以外の構成については実施例1と同様であり、ここでの詳細説明は省略する。高濃度P型拡散層5と逆極性のN型拡散層であるチャネルストッパ41を設けることで、高濃度P型拡散層5から伸びてきた空乏層を抑えることができるため、シリコン側面9に空乏層が到達するのを防止し、シリコン側面9を保護できる。また、N型拡散層であるチャネルストッパ41は、実施例1内で説明した製造工程のうちでN型拡散層4と同様に絶縁膜シリコン酸化膜31を介して形成できるため、新たに工程が増えることはなく、製造負担の増加につながらない。実施例3について図7を用いて説明する。本実施例では、上記各実施例で説明した半導体装置をオルタネータダイオードに搭載している。上記各実施例で説明した半導体装置に相当する半導体チップ120の一端側では、Pb-Sn系または、鉛を使用しない接合材料121により支持電極体130中央部の台座131で、半導体チップ120と支持電極体130が電気的に接合されている。台座131の周囲には、溝132が形成されており、該溝円環状に形成された溝132の外周側は外周側壁136となっており、外周側壁136は外周側の放熱板138の丸孔に圧入されている。即ち、オルタネータダイオードは放熱板138に圧入された状態で固定されており、放熱板138に圧入されることで放熱特性を高めることが可能となる。台座131は、支持電極体130の外周側壁136よりも下述するリード電極135側で半導体チップ120の搭載を可能にしている。半導体チップ120の他端側には、Pb-Sn系または、鉛を使用しない接合材料122を介してリード電極135が半導体チップ120の中央部分で電気的に接合されている。鉛を使用しない半田を使用することで、環境への負荷を軽減できる。上記の様に半導体チップ120の上下両端面側に電極体を配置し、電極体間が接合材料121と半導体チップ120を介して通電される様になっている。そして、半導体チップ120と半田部分を覆う様に、支持電極体130の台座131,溝132及び外周側壁136の一部、リード電極135の半導体チップ120との接合部であるリード電極の基体133とを、樹脂137によって封止している。溝132を設けることで、成形した樹脂の固定を強固にでき、樹脂の脱落を防止できる。樹脂封止することで、支持電極体130を放熱板138へ圧入する際の応力集中が緩和でき、機械的ストレス及び熱的ストレスに対するオルタネータダイオードの信頼性が高まる。本実施例の様に、上記各実施例で説明した半導体装置を用いることで、使用時の温度上昇に対する信頼性を高めることができる。特に、本実施例の様に、オルタネータダイオードに半導体装置を用いる場合、使用時に高温になるため、耐熱特性の向上は大きな課題となる。故に、温度上昇を回避でき、信頼性を向上できる半導体装置を用いることは有益である。また、オルタネータダイオード自体についても、熱ストレス対策が大きな課題となるが、図6に示す実施例を採用することにより、使用温度範囲の拡大、熱ストレスに対する疲労寿命の向上に繋がる。また、溝132を形成することにより、支持電極体130を放熱板138へ圧入する際の半導体チップに集中する応力を低減でき、更に溝132を図6に示す様に、台座内部に向かうに連れて内周側に入る様に形成することで、樹脂の脱落を防止することができる。実施例4について図8を用いて説明する。本実施例に係る回転電機系は、回転子に設けられる回転子巻線48及び回転子と所定の間隙をもって対抗する固定子に設けられ、発生した3相の交流電流を取り出す固定子巻線49と、該各相の固定子巻線49に接続されるダイオード42~47として働く上記実施例で説明した半導体装置と、該半導体装置の直流側と接続されるレギュレータ50と、同じく半導体装置の直流側と接続される負荷51と、レギュレータ50及び負荷51と接続されるバッテリ52から構成される。レギュレータ50はバッテリ52の電圧値に基づき、回転子巻線48に供給する電流を制御する。本明細書において回転電機系とは、回転子巻線固定子巻線を有する回転電機と、固定子巻線に接続されるダイオードとを少なくとも具備するものを指す。当然、これ以上の構成が付加されることを排除するものではない。また、上記では回転電機は発電機を意図して記載しているが、他の電源が存在し、上記の回転電機をモータとして負荷駆動用に用いることも可能である。また負荷51の種類としては、種々のものが考えられ、自動車に搭載する場合にはカーエアコンカーステレオ車内照明オーディオ等があり、特にハイブリッドや電気自動車については駆動モータが接続されることも想定され得るものである。自動車に関わらず、車輌一般にも好適である。本実施例に示す様に、上記した半導体装置は回転電機系や更に該回転電機系を搭載する車輌等にも適用可能である。"