"反応基質として一般式化4で表されるオルトメタル化イリジウム錯体と一般式化5で表される2座有機配位子とを反応させて、一般式化6で表されるトリスオルトメタル化イリジウム錯体を製造する方法であって、反応溶媒を予備加熱する工程1と、該予備加熱した反応溶媒にオルトメタル化イリジウム錯体と2座有機配位子とを添加する工程2と、オルトメタル化イリジウム錯体と2座有機配位子とを反応させる工程3と、を順次有することを特徴とするトリスオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法。一般式化4中、Laは配位子を表す。A1は対アニオンを表す。m1は1又は2を表す。m2は0又は1を表す。Z1及びZ2は、それぞれ独立に、5員環又は6員環を形成するに必要な非金属原子群を表す。さらに、形成される環は更に別の環と縮合環を形成してもよい。L1は単結合又は2価の基を表す。Y1は窒素原子又は炭素原子を表す。Y1が窒素原子のときは、Q1は炭素原子とY1とが単結合で結合していることを表す。Y1が炭素原子のときは、Q1は炭素原子とY1とが2重結合で結合していることを表す。一般式化5中、Z1、Z2、Y1、Q1及びL1は各々一般式化4の場合と同義である。一般式化6中、Z1、Z2、Y1、Q1及びL1は各々一般式化4の場合と同義である。オルトメタル化イリジウム錯体が、一般式化7で表される化合物であることを特徴とする請求項1に記載のトリスオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法。一般式化7中、Xはハロゲン原子を表す。Z1、Z2、Y1、Q1及びL1は各々一般式化4の場合と同義である。前記Laが、モノアニオン性配位子であることを特徴とする請求項1に記載のトリスオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法。前記Laが、中性配位子であることを特徴とする請求項1に記載のトリスオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法。オルトメタル化イリジウム錯体が、一般式化8で表わされる化合物であることを特徴とする請求項1又は3に記載のトリスオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法。一般式化8中、R1~R3は水素原子、重水素原子又は置換基を表す。Z1、Z2、Y1、Q1及びL1は各々一般式化4の場合と同義である。オルトメタル化イリジウム錯体が、一般式化9で表わされる化合物であることを特徴とする請求項1又は4に記載のトリスオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法。一般式化9中、A1、Z1、Z2、Y1、Q1及びL1は各々一般式化4の場合と同義である。2座有機配位子が、一般式化10に示す7~17の中から選ばれる少なくとも1つであることを特徴とする請求項1~6のいずれか一つに記載のトリスオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法。一般式化10中、R4~R102は水素原子、重水素原子又は置換基を表す。前記工程3の反応温度が、100~300°Cの範囲であることを特徴とする請求項1~7のいずれか一つに記載のトリスオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法。前記工程1の予備加熱温度が、前記工程3の反応温度以下であり、かつ、100~300°Cの範囲であることを特徴とする請求項1~8のいずれか一つに記載のトリスオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法。前記工程3を、マイクロ波照射下で行うことを特徴とする請求項1~9のいずれか一つに記載のトリスオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法。請求項1~10のいずれか一つに記載の製造方法で製造したトリスオルトメタル化イリジウム錯体からなる発光材料。請求項11に記載の発光材料を用いた発光素子。特許文献1~3に記載の製造方法は、塩素架橋イリジウムダイマーなどのオルトメタル化イリジウム錯体と2‐フェニルピリジンなどの2座有機配位子とを混合した後、加熱反応させる方法である。しかし、これらの方法では、幾何異性体であるメリジオナル体が副生成物として生成するためフェイシャル体を高純度で得ることは容易ではない。一方、特許文献4に記載の製造方法は、予め反応溶媒であるグリセリンを加熱して放冷した後、イリジウム原料と2座有機配位子とを放冷したグリセリンに添加して加熱反応させる方法である。特許文献5に記載の製造方法は、予め2座有機配位子を含むグリセリンを加熱して放冷した後、イリジウム原料を放冷したグリセリンに添加して加熱反応させる方法である。特許文献4及び5に記載の製造方法は、本発明と類似しているが、予め行う反応溶媒であるグリセリンの加熱は、グリセリンに含まれる水を除くことを目的としており、本発明とは予備加熱の目的そのものが異なっている。また、使用可能なイリジウム原料がIracac3に限定され、一般性の高い製造方法とはいえず、その反応は、本発明に係る製造方法とは全く相違している。トリスオルトメタル化イリジウム錯体には、フェイシャル体及びメリジオナル体の2種類の幾何異性体が存在するが、フェイシャル体の方が発光効率及び安定性の点で優れていることが明らかになっている例えば、非特許文献1を参照。。しかし、フェイシャル体及びメリジオナル体の幾何異性体を簡便に分離するのは困難であり、フェイシャル体を得るためには、再結晶、カラムクロマトグラフィー、又は昇華精製など手間のかかる作業を組み合わせて繰り返す後処理を行う必要があった。前述した特許文献1~3に記載された製造方法は、幾何異性体であるメリジオナル体が副生成物として生成する問題を完全に解決したとはいえない。したがって、トリスオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法にあっては、有機電界発光素子材料としてあまり好ましくないメリジオナル体の生成を抑制し、フェイシャル体を選択的に製造する方法が渇望されている。本発明は、前記従来技術の事情に鑑みなされたものである。本発明の目的は、トリスオルトメタル化イリジウム錯体の中でも、とりわけ有機電界発光素子材料として好適に用いられるフェイシャル‐トリスオルトメタル化イリジウム錯体を、反応基質を混合した後で加熱して反応させる従来の製造方法と比較して、高選択的に得るための新たな製造方法を提供することである。本発明の第二の目的は、フェイシャル‐トリスオルトメタル化イリジウム錯体を高比率で含むトリスオルトメタル化イリジウム錯体を用いて、発光効率及び耐久性に優れた発光材料と、その発光材料を用いた発光素子とを提供することである。本発明者らは、前記課題を解決すべく、トリスオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法を鋭意検討してきた。その結果、前述した公知の製造方法におけるフェイシャル体とメリジオナル体との生成比率は、意外にもイリジウム原料であるオルトメタル化イリジウム錯体と2座有機配位子との添加方法に大きく依存することを見出した。すなわち、反応溶媒を予備加熱し、その予備加熱した反応溶媒に、イリジウム原料及び2座有機配位子の2種の反応基質を後添加して加熱反応させることで、従来の製造方法特許文献1~3に記載した製造方法のように2種の反応基質を混合した後で、加熱反応させる方法よりも、メリジオナル体の生成が抑制され、フェイシャル体の純度が大きく向上することを明らかにした。これまで、トリスオルトメタル化イリジウム錯体の幾何異性体であるフェイシャル体とメリジオナル体との生成比率について、イリジウム原料であるオルトメタル化イリジウム錯体と2座有機配位子との添加方法に依存することは開示されておらず、本実験事実は、発明者らの緻密な実験の積み重ねによって得られた重要、かつ、新たな知見である。このように、本発明者らは、有機電界発光素子材料として好適に用いられるフェイシャル‐トリスオルトメタル化イリジウム錯体を従来の製造方法よりも高純度に製造する方法を開発することに成功し、本発明を完成するに至った。フェイシャル体のトリスオルトメタル化イリジウム錯体は、その幾何異性体であるメリジオナル体よりも発光効率及び安定性で優れていることが明らかにされているので、本発明によって製造されたトリスオルトメタル化イリジウム錯体を発光材料として用いることで、高効率、かつ、高耐久性の発光素子を作製することができることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明に係るトリスオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法は、反応基質として一般式化4で表されるオルトメタル化イリジウム錯体と一般式化5で表される2座有機配位子とを反応させて、一般式化6で表されるトリスオルトメタル化イリジウム錯体を製造する方法であって、反応溶媒を予備加熱する工程1と、該予備加熱した反応溶媒にオルトメタル化イリジウム錯体と2座有機配位子とを添加する工程2と、オルトメタル化イリジウム錯体と2座有機配位子とを反応させる工程3と、を順次有することを特徴とする。一般式化4中、Laは配位子を表す。A1は対アニオンを表す。m1は1又は2を表す。m2は0又は1を表す。Z1及びZ2は、それぞれ独立に、5員環又は6員環を形成するに必要な非金属原子群を表す。さらに、形成される環は更に別の環と縮合環を形成してもよい。L1は単結合又は2価の基を表す。Y1は窒素原子又は炭素原子を表す。Y1が窒素原子のときは、Q1は炭素原子とY1とが単結合で結合していることを表す。Y1が炭素原子のときは、Q1は炭素原子とY1とが2重結合で結合していることを表す。一般式化5中、Z1、Z2、Y1、Q1及びL1は各々一般式化4の場合と同義である。一般式化6中、Z1、Z2、Y1、Q1及びL1は各々一般式化4の場合と同義である。本発明に係るトリスオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法では、オルトメタル化イリジウム錯体が、一般式化7で表される化合物である形態を包含する。一般式化7中、Xはハロゲン原子を表す。Z1、Z2、Y1、Q1及びL1は各々一般式化4の場合と同義である。本発明に係るトリスオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法では、前記Laが、モノアニオン性配位子である形態を包含する。本発明に係るトリスオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法では、前記Laが、中性配位子である形態を包含する。本発明に係るトリスオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法では、オルトメタル化イリジウム錯体が、一般式化8で表わされる化合物である形態を包含する。一般式化8中、R1~R3は水素原子、重水素原子又は置換基を表す。Z1、Z2、Y1、Q1及びL1は各々一般式化4の場合と同義である。本発明に係るトリスオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法では、オルトメタル化イリジウム錯体が、一般式化9で表わされる化合物である形態を包含する。一般式化9中、A1、Z1、Z2、Y1、Q1及びL1は各々一般式化4の場合と同義である。本発明に係るトリスオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法では、2座有機配位子が、一般式化10に示す7~17の中から選ばれる少なくとも1つである形態を包含する。一般式化10に示す7~17中、R4~R102は水素原子、重水素原子又は置換基を表す。本発明に係るトリスオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法では、前記工程3の反応温度が、100~300°Cの範囲であることが好ましい。フェイシャル体の生成比率をより高めることができる。本発明に係るトリスオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法では、前記工程1の予備加熱温度が、前記工程3の反応温度以下であり、かつ、100~300°Cの範囲であることが好ましい。フェイシャル体の生成比率をより高めることができる。本発明に係るトリスオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法では、前記工程3をマイクロ波照射下で行うことが好ましい。短時間で昇温することができるため、フェイシャル体の生成比率をより高めることができる。本発明に係る発光材料は、本発明に係る製造方法で製造したトリスオルトメタル化イリジウム錯体からなる。本発明に係る発光素子は、本発明に係る発光材料を用いてなる。本発明は、トリスオルトメタル化イリジウム錯体の中でも、とりわけ有機電界発光素子材料として好適に用いられるフェイシャル‐トリスオルトメタル化イリジウム錯体を、反応基質を混合した後で加熱して反応させる従来の製造方法と比較して、高選択的に得るための新たな製造方法を提供することができる。また、本発明は、フェイシャル‐トリスオルトメタル化イリジウム錯体を高比率で含むトリスオルトメタル化イリジウム錯体を用いて、発光効率及び耐久性に優れた発光材料と、その発光材料を用いた発光素子とを提供することができる。次に、本発明について実施形態を示して詳細に説明するが、本発明はこれらの記載に限定して解釈されない。本発明の効果を奏する限り、実施形態は種々の変形をしてもよい。本明細書において、一般式化4~化9及び化10の7~17に記載した記号Z1,Z2,Y1,Q1,L1、La、m1、m2、A1、X、R1~R102について、次に詳しく説明する。Z1及びZ2はそれぞれ独立に、5員環又は6員環を形成するのに必要な非金属原子群を表す。形成される環は、置換基を有していてもよく、また更に別の環と縮合環を形成してもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、置換アルキル基、フェノキシ基、置換フェノキシ基、アリール基、置換アリール基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、ジアルキルアミノ基又は置換ジアルキルアミノ基である。好ましくは、ハロゲン原子、炭素数1~30のアルキル基、炭素数1~30の置換アルキル基、炭素数6~30のフェノキシ基、炭素数6~30の置換フェノキシ基、炭素数6~30のアリール基、炭素数6~30の置換アリール基、炭素数1~30のアルコキシ基、炭素数1~30の置換アルコキシ基、炭素数2~30のジアルキルアミノ基又は炭素数2~30の置換ジアルキルアミノ基である。より好ましくは、ハロゲン原子、炭素数1~10のアルキル基、炭素数1~10の置換アルキル基、炭素数6~10のアリール基、炭素数6~10の置換アリール基、炭素数1~10のアルコキシ基、炭素数1~10の置換アルコキシ基である。特に好ましくは、ハロゲン原子、炭素数1~4のアルキル基又は炭素数1~4の置換アルキル基である。Z1が形成する5員環又は6員環としては、芳香族環又は複素芳香族環が好ましく、芳香族環がより好ましい。Z1が形成する5員環又は6員環は、例えば、キノリン環、ベンゾキノリン環、キノキサリン環、イソキノリン環、フェナントリジン環、フェナジン環、アクリジン環、トリアゾール環、イミダゾフェナントリジン環、フタラジン環、キナゾリン環、ナフチリジン環、シンノリン環、ペリミジン環、フェナントロリン環、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環、ベンズチアゾール環、イミダゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、ピラゾール環、1,2,3‐トリアゾール環、1,2,4‐トリアゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、フラン環、チオフェン環、ナフタレン環、フルオレン環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、カルバゾール環又はベンゼン環が挙げられる。これらのうち、ピロール環、ピリジン環、ナフタレン環、フルオレン環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、カルバゾール環又はベンゼン環が好ましい。ナフタレン環、フルオレン環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、カルバゾール環又はベンゼン環がより好ましく、ベンゼン環が特に好ましい。Z2が形成する5員環又は6員環としては、複素芳香族環が好ましい。Z2が形成する5員環又は6員環は、例えば、イミダゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、ピラゾール環、1,2,3‐トリアゾール環、1,2,4‐トリアゾール環、セレナゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環又はピリダジン環が挙げられる。これらのうち、イミダゾール環、チアゾール環、1,2,3‐トリアゾール環、1,2,4‐トリアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、ピラゾール環、ピリジン環又はピリミジン環が好ましく、ピラゾール環又はピリジン環がさらに好ましい。L1は、単結合又は2価の基を表す。2価の基としては、例えば、-CRR’-,-NR-,-O-,-PR-又は-S-が挙げられる。ここで、R及びR’は水素原子又は置換基を表す。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基、シアノ基、ニトロ基である。L1は、好ましくは単結合、又は-CRR’-であって、R及びR’が水素原子、脂肪族基又は芳香族基の場合である。L1として特に好ましくは単結合である。Y1は、窒素原子又は炭素原子を表す。Y1が窒素原子の時は、Q1は炭素原子とY1との間の結合が単結合であることを示す。Y1が炭素原子の時は、Q1は炭素原子とY1との間が2重結合であることを示す。Q1は、原子間の結合を表す。Y1が窒素原子のときは、Q1は炭素原子とY1とが単結合で結合していることを表す。Y1が炭素原子のときは、Q1は炭素原子とY1とが2重結合で結合していることを表す。Laは配位子であれば、単座配位子又は2座配位子であることを問わない。Laに金属例えば、イリジウムが含まれても構わなく、いわゆる複核錯体を形成してもよい。また、Laは、アニオン性配位子又は中性配位子が好ましい。モノアニオン性配位子又は中性配位子が特に好ましい。次に、具体的に好ましいLaの構造を示す。単座のアニオン性配位子としては、例えば、ハロゲン配位子、ヒドロキシ配位子、アルコキシド配位子、フェノキシド配位子、チオシアネート配位子、シアネート配位子又はイソシアネート配位子である。2座のアニオン性配位子としては、例えば、β‐ジケトナート配位子、アセチルアセトナート配位子、酢酸配位子又はピコリン酸配位子である。単座の中性配位子としては、ニトリル配位子例えば、アセトニトリル配位子、プロピオニトリル配位子、スルホキシド配位子例えば、ジメチルスルホキシド配位子、アミド配位子例えば、ジメチルホルムアミド配位子、エーテル配位子例えば、テトラヒドロフラン配位子、水配位子、アンモニア配位子、アミン配位子、ピペリジン配位子、ピリジン配位子、ピラジン配位子である。2座の中性配位子としては、例えば、ビピリジン配位子、フェナントロリン配位子、ジピリジルアミン配位子、エチレンジアミン配位子である。m1は、1又は2を表す。Laが単座配位子のときはm1=2が好ましく、Laが2座配位子のときはm1=1が好ましい。m2は、0又は1を表す。Laが単座のモノアニオン性配位子のときはm2=1が好ましく、Laが2座のモノアニオン性配位子のときはm2=0が好ましく、Laが中性配位子のときはm2=1が好ましい。A1は、対アニオンを表す。対アニオンとしては、アニオン性であれば特に制限はないが、対モノアニオンが好ましい。対アニオンは、例えば、F-,Cl-,Br-,I-,BF4-,PF6-,ClO4-、CF3CF2CF2COO-、CF3SO3-、CF3CO2-,CH3CO2-,SCN-、CH3SO3-,ClO4-,SbF6-が挙げられる。この中でも好ましくは、Cl-,PF6-,BF4-,PF6-,CF3SO3-である。Xは、ハロゲン原子を表す。好ましくは塩素原子又は臭素原子であり、さらに好ましくは塩素原子である。R1~R102は、水素原子、重水素原子又は置換基を表す。置換基としては、例えば、アルキル基好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~10であり、例えば、メチル、エチル、iso‐プロピル、tert‐ブチル、n‐オクチル、n‐デシル、n‐ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルが挙げられる。、アルケニル基好ましくは炭素数2~30、より好ましくは炭素数2~20、特に好ましくは炭素数2~10であり、例えば、ビニル、アリル、2‐ブテニル、3‐ペンテニルが挙げられる。、アルキニル基好ましくは炭素数2~30、より好ましくは炭素数2~20、特に好ましくは炭素数2~10であり、例えば、プロパルギル、3‐ペンチニルが挙げられる。、アリール基好ましくは炭素数6~30、より好ましくは炭素数6~20、特に好ましくは炭素数6~12であり、例えば、フェニル、p‐メチルフェニル、ナフチル、アントラニルが挙げられる。、アミノ基好ましくは炭素数0~30、より好ましくは炭素数0~20、特に好ましくは炭素数0~10であり、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノが挙げられる。、アルコキシ基好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~10であり、例えば、メトキシ、エトキシ、ブトキシ、2‐エチルヘキシロキシが挙げられる。、アリールオキシ基好ましくは炭素数6~30、より好ましくは炭素数6~20、特に好ましくは炭素数6~12であり、例えば、フェニルオキシ、1‐ナフチルオキシ、2‐ナフチルオキシが挙げられる。、ヘテロ環オキシ基好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えば、ピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシが挙げられる。、アシル基好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えば、アセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルが挙げられる。、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~30、より好ましくは炭素数2~20、特に好ましくは炭素数2~12であり、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニルが挙げられる。、アリールオキシカルボニル基好ましくは炭素数7~30、より好ましくは炭素数7~20、特に好ましくは炭素数7~12であり、例えば、フェニルオキシカルボニルが挙げられる。、アシルオキシ基好ましくは炭素数2~30、より好ましくは炭素数2~20、特に好ましくは炭素数2~10であり、例えば、アセトキシ、ベンゾイルオキシが挙げられる。、アシルアミノ基好ましくは炭素数2~30、より好ましくは炭素数2~20、特に好ましくは炭素数2~10であり、例えば、アセチルアミノ、ベンゾイルアミノが挙げられる。、アルコキシカルボニルアミノ基好ましくは炭素数2~30、より好ましくは炭素数2~20、特に好ましくは炭素数2~12であり、例えば、メトキシカルボニルアミノが挙げられる。、アリールオキシカルボニルアミノ基好ましくは炭素数7~30、より好ましくは炭素数7~20、特に好ましくは炭素数7~12であり、例えば、フェニルオキシカルボニルアミノが挙げられる。、スルホニルアミノ基好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えば、メタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノが挙げられる。、スルファモイル基好ましくは炭素数0~30、より好ましくは炭素数0~20、特に好ましくは炭素数0~12であり、例えば、スルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルが挙げられる。、カルバモイル基好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えば、カルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルが挙げられる。、アルキルチオ基好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えば、メチルチオ、エチルチオが挙げられる。、アリールチオ基好ましくは炭素数6~30、より好ましくは炭素数6~20、特に好ましくは炭素数6~12であり、例えば、フェニルチオが挙げられる。、ヘテロ環チオ基好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えば、ピリジルチオ、2‐ベンズイミゾリルチオ、2‐ベンズオキサゾリルチオ、2‐ベンズチアゾリルチオが挙げられる。、スルホニル基好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えば、メシル、トシルが挙げられる。、スルフィニル基好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えば、メタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルが挙げられる。、ウレイド基好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えば、ウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドが挙げられる。、リン酸アミド基好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えば、ジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドが挙げられる。、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~12であり、ヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子であり、具体的には、イミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。、シリル基好ましくは炭素数3~40、より好ましくは炭素数3~30、特に好ましくは炭素数3~24であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルが挙げられる。、シリルオキシ基好ましくは炭素数3~40、より好ましくは炭素数3~30、特に好ましくは炭素数3~24であり、例えば、トリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシが挙げられる。が挙げられる。好ましい置換基は、シアノ基、トリフルオロメチル基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アミノ基、又はヘテロ環基である。R1及びR3としては、R1~R102として前記に例示した中でも炭素数1~10のアルキル基がより好ましく、炭素数1~5のアルキル基が特に好ましい。アルキル基は、例えば、メチル、エチル、iso‐プロピル、tert‐ブチルである。この中で、メチル、tert‐ブチルがより好ましく、メチルが最も好ましい。R2としては、R1~R102として前記に例示した中でも水素原子、重水素原子又は炭素数1~10のアルキル基がより好ましく、水素原子又は炭素数1~5のアルキル基が特に好ましく、水素原子が最も好ましい。R4~R102としては、R1~R102として前記に例示した中でも水素原子、重水素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フッ素原子、炭素数1~30のアルキル基、炭素数1~30のアルコキシ基、炭素数6~30のアリール基、炭素数0~30のアミノ基がより好ましく、水素原子、フッ素原子、炭素数1~20のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数0~20のアミノ基が特に好ましい。本実施形態に係るトリスオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法は、反応基質として一般式化4で表されるオルトメタル化イリジウム錯体と一般式化5で表される2座有機配位子とを反応させて、一般式化6で表されるトリスオルトメタル化イリジウム錯体を製造する方法であって、反応溶媒を予備加熱する工程1と、該予備加熱した反応溶媒にオルトメタル化イリジウム錯体と2座有機配位子とを添加する工程2と、オルトメタル化イリジウム錯体と2座有機配位子とを反応させる工程3と、を順次有する。一般式化4で表されるオルトメタル化イリジウム錯体は、一般式化7で表される化合物、一般式化8で表される化合物又は一般式化9で表わされる化合物であることが好ましい。一般式化7で表される化合物は、Laとしてハロゲン配位子が配位したイリジウム二核錯体である。ハロゲン配位子としては、例えば、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素である。この中で、塩素が配位した形態以降、塩素架橋イリジウムダイマーということもある。が特に好ましい。一般式化8で表される化合物は、Laとしてβ‐ジケトナート配位子が配位したオルトメタル化イリジウム錯体である。一般式化9で表される化合物は、Laとしてアセトニトリル配位子が配位したオルトメタル化イリジウム錯体である。一般式化5で表わされる2座有機配位子は、イリジウム‐窒素結合又はイリジウム‐炭素結合を形成し得る2座有機配位子であることを特徴としている。2座有機配位子は、一般式化10に示す7~17の中から選ばれる少なくとも1つであることが好ましい。一般式化10に示す7、8、9又は15で表わされる2座有機配位子がより好ましく、一般式化10に示す7、9又は15で表わされる2座有機配位子が特に好ましく、一般式化10に示す7又は15で表わされる2座有機配位子がとりわけ好ましい。その他、2座有機配位子として、国際公開第01/041512号、国際公開第02/15645号及び特開2001-247859号に記載の2座有機配位子を挙げることができる。本発明において、工程3において所定の反応温度に昇温するための加熱手段は、特に限定されず、オイルバス、マントルヒーター、ブロックヒーター又は熱媒循環式ジャケットなどの従来の外部加熱方式又はマイクロ波照射方式のいずれも適用することができる。ただし、より短時間で、より高いフェイシャル体選択率を得るにはマイクロ波照射方式を選択することが好ましい。マイクロ波の周波数については、特に制限はないが、300MHz~300GHzが好ましく、500MHz~10000MHzがより好ましく、2000MHz~3000MHzが特に好ましく、2400MHz~2500MHzがとりわけ好ましい。マイクロ波照射方式による加熱の場合の反応時間は、マイクロ波反応装置の出力、有機配位子、用いる溶媒の種類及び液量に依存するが、1分~180分が好ましく、3分~120分がより好ましく、5分~90分が特に好ましく、10分~60分がとりわけ好ましい。マイクロ波は、所望の反応温度に達しても、出力を変動低下させることなく、所定の一定出力で照射し続けることが好ましい。マイクロ波の出力は、1W~15kWであることが好ましい。より好ましくは、100W~10kWであり、特に好ましくは、500W~8kWであり、とりわけ好ましくは、1kW~6kWである。一方、オイルバス、マントルヒーターなどによる外部加熱の場合には、反応時間は、有機配位子、用いる溶媒の種類及び液量に依存するが、10分~96時間が好ましく、1時間~72時間がより好ましく、1時間~48時間が特に好ましく、1時間~24時間がとりわけ好ましい。本実施形態で用いられる反応溶媒としては、特に制限はないが、アルコール系溶媒、プロトン性溶媒、非プロトン性溶媒、炭化水素系溶媒、ニトリル系溶媒、イオン性溶媒などが好ましく用いられる。用いられる反応溶媒の沸点としては、100°C~300°Cが好ましく、150°C~285°Cがより好ましく、160°C~250°Cが特に好ましく、180°C~230°Cがとりわけ好ましい。このような反応溶媒としては、例えば、2‐エトキシエタノール、DMFN,N‐ジメチルホルムアミド、ジグライム、ドデカン、エチレングリコール、1,2‐プロパンジオール、1,3‐プロパンジオール、1,3‐ブタンジオール、グリセリンが挙げられる。その中でも2‐エトキシエタノール、DMF、ジグライム、ドデカン、エチレングリコール、1,2‐プロパンジオール、1,3‐プロパンジオール、1,3‐ブタンジオールが好ましく、エチレングリコール、1,2‐プロパンジオール、1,3‐プロパンジオール、1,3‐ブタンジオールなどのジオールが特に好ましい。これらの反応溶媒は、単独で又は2種以上を含む混合溶媒として用いることができる。本実施形態では、反応溶媒を予備加熱し、その中に、一般式化4で表わされるオルトメタル化イリジウム錯体と一般式化5で表わされる2座有機配位子の2種の反応基質とを後添加して反応させるが、この際、2種の反応基質については、予め溶媒に均一に溶解又は均一に分散してもよい。ただし、予備加熱した反応溶媒の温度の低下を最小限とするために、溶解又は分散させる溶媒の量は最小限とすることが好ましい。最も好ましくは、2種の反応基質の両方を、溶媒に溶解又は分散させずに添加することが好ましい。本実施形態では、前記2種の反応基質のうち、どちらを先に予備加熱した反応溶媒に添加しても構わない。オルトメタル化イリジウム錯体を添加した後、2座有機配位子を添加してもよいし、2座有機配位子を添加した後、オルトメタル化イリジウム錯体を添加してもよい。さらには、オルトメタル化イリジウム錯体と2座有機配位子とを同時に添加しても構わない。また、前記2種の反応基質を事前に混ぜた後、反応溶媒に添加してもよい。本実施形態に係る製造方法では、工程1~工程3を不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましく、窒素雰囲気下又はアルゴン雰囲気下で行うことが特に好ましい。本実施形態に係るトリスオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法では、前記工程3の反応温度が、100°C~300°Cの範囲であることが好ましい。反応温度は、145°C~300°Cの範囲であることがより好ましく、145°C~285°Cの範囲であることが特に好ましく、160°C~250°Cの範囲であることがより特に好ましく、180°C~230°Cの範囲であることがとりわけ好ましい。反応温度が100°C未満では、メリジオナル体の生成比率が高くなる傾向にある。反応温度が300°Cを超えると、分解反応が進行しやすくなり収率が低下するおそれがある。本実施形態に係るトリスオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法では、前記工程1の予備加熱温度が、前記工程3の反応温度以下であり、予備加熱温度と反応温度との間の温度差が小さいことが好ましい。予備加熱温度と前記反応温度との間の温度差が、100°C以下であることが好ましく、50°C以下であることがより好ましく、20°C以下であることが特に好ましく、10°C以下であることがとりわけ好ましい。温度差が100°Cを超えると、反応温度に達するまでの時間が長くなり、メリジオナル体の生成比率が高まり、フェイシャル体の生成比率が低くなるおそれがある。本実施形態に係るトリスオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法では、前記工程1の予備加熱温度が、前記工程3の反応温度以下であり、かつ、100~300°Cの範囲であることが好ましい。予備加熱温度は、145°C~300°Cの範囲であることがより好ましく、145°C~285°Cの範囲であることが特に好ましく、160°C~250°Cの範囲であることがより特に好ましく、180°C~230°Cの範囲であることがとりわけ好ましい。予備加熱温度が、100°C未満では、メリジオナル体の生成比率が高くなる傾向にある。予備加熱温度が300°Cを超えると、分解反応が進行しやすくなり収率が低下するおそれがある。本実施形態に係る製造方法では、予備加熱時間は、所望の温度に到達した後、60分未満であることが好ましく、30分未満であることがより好ましく、15分未満が特に好ましく、5分未満がより特に好ましい。本実施形態では、予備加熱の目的が、例えば反応溶媒中の水を除去することではなく、工程2への準備工程であるため、所望の温度に到達すれば、すぐに次の工程2へ進むことが好ましい。工程1において、予備加熱した後は、放冷工程を経ずに、続く工程2及び工程3を行うことが好ましい。ここで、放冷には、工程1と工程2との間にマイクロ波照射の中断したことによる温度低下、薬品を添加したことによる温度低下などの一時的な温度低下を含まない。すなわち、本明細書における放冷工程とは、所定の温度になるまで放置する又は冷却するなど意図して温度を低下させる工程をいう。したがって、温度低下は、例えば、30°C未満にとどめることが好ましく、より好ましくは、20°C未満、特に好ましくは、10°C未満である。本実施形態に係る製造方法は、フェイシャル体が生成する温度が、メリジオナル体が生成する反応温度よりも高いことを利用して、フェイシャル体の生成比率を高めるものである。したがって、予備加熱した反応溶媒に2種の反応基質を後添加した時を開始時とする反応の初期状態において、混合物の温度をより高い温度とすることが好ましい。具体的には、工程2において、反応基質を混合した時の反応溶液反応溶媒及び反応基質を含む液の温度が105°C以上であることが好ましい。より好ましくは、155°C以上であり、特に好ましくは、180°C以上である。本実施形態に係る製造方法は、通常、常圧で行われるが、必要に応じ加圧下又は減圧下で行っても構わない。本実施形態に係る製造方法では、前記反応基質の他に、反応を促進させるために、アルカリ金属を含む無機塩基例えば、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、炭酸水素カリウム、又は有機アミン例えば、ジエチルアミン、トリエチルアミン、トリイソブチルアミン、トリエタノールアミンなどの塩基を添加して行ってもよい。本実施形態に係る製造方法では、前記反応基質の他に、反応を促進させるために、AgCF3SO3、AgCF3COO、AgClO4、AgBF4、AgBPh4又はAgPF6などの銀化合物を添加して行ってもよい。本実施形態に係る製造方法において、一般式化5で表わされる2座有機配位子の使用量は、一般式化4で表わされるオルトメタル化イリジウム錯体に対して、化学量論比以上であれば特に制限ないが、1~100当量が好ましい。一般式化4で表わされるオルトメタル化イリジウム錯体が一般式化7である場合は、2~100当量がより好ましく、5~80当量が特に好ましく、10~70当量がとりわけ好ましい。一般式化4で表わされるオルトメタル化イリジウム錯体が一般式化8である場合は、1~30当量がより好ましく、1~10当量が特に好ましく、1~5当量がとりわけ好ましい。一般式化4で表わされるオルトメタル化イリジウム錯体が一般式化9である場合は、1~30当量がより好ましく、1~10当量が特に好ましく、1~5当量がとりわけ好ましい。工程1の予備加熱の方法は、特に限定されず、例えば、オイルバス、マントルヒーター、ブロックヒーター又は熱媒循環式ジャケットなど従来の外部加熱方式又はマイクロ波照射方式である。この中で、より短時間で昇温できる点で、マイクロ波照射方式が好ましい。マイクロ波の出力は、反応溶液1リットル当たり0.2kW~100kWの範囲が好ましく、反応溶液1リットル当たり0.5kW~50kWの範囲がより好ましく、反応溶液1リットル当たり2kW~20kWの範囲が特に好ましい。反応溶液の攪拌については、特に限定されないが、例えば、不活性ガスを通気することによって攪拌する方法、マグネチックスターラー、攪拌羽根などを用いる方法が好ましく用いられる。本実施形態に係る製造方法によって得られるトリスオルトメタル化イリジウム錯体については、フェイシャル体とメリジオナル体との幾何異性体が存在するが、その生成比率についてはプロトン核磁気共鳴プロトンNMR:NuclearMagneticResonance、高速液体クロマトグラフィーHPLC:Highperformanceliquidchromatographyなどを用いて分析することができる。マイクロ波照射の方法として、シングルモード又はマルチモードが存在する。本実施形態に係る製造方法では、そのどちらとも利用できるが、マルチモードの方がより望ましい。本実施形態に係る製造方法で用いられるイリジウム原料及び生成物であるトリスオルトメタル化イリジウム錯体のイリジウムの価数については、3価であることが好ましい。本実施形態に係る製造方法で用いられるマイクロ波照射装置については、市販品又は従来公知のものが全て使用できる。また、マイクロ波照射装置の上部に冷却管を取り付けて反応を行うことが好ましい。本実施形態に係る製造方法で用いられる反応容器の材質については、特に限定されず、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、ポリテトラフルオロエチレン例えば、テフロン登録商標などが挙げられる。一般式化4及び化7~化9で表わされるオルトメタル化イリジウム錯体については、公知の方法で製造することができる。公知の方法は、例えば、特開2002-105055号、特表2008-505076号又はWO2009/073246号に記載の方法が挙げられる。本実施形態に係る製造方法によって、トリスオルトメタル化イリジウム錯体の中でも特に発光効率の高いフェイシャル体が、従来製造方法を用いた場合と比較して、純度良く得られる理由は明確ではないが、一般式化4で表わされるオルトメタル化イリジウム錯体及び一般式化5で表わされる2座有機配位子の反応を、予備加熱した反応溶媒に、前記2種の反応基質を後添加して行うことによって、熱平衡的に有利なフェイシャル体の生成確率が向上したためではないかと本発明者らは推測している。一方、従来の製造方法イリジウム原料と2座有機配位子と反応溶媒とを室温で混合し、加熱反応させる方法を用いると、速度論的に有利なメリジオナル体が生成し易いものと考えられる。本実施形態に係る製造方法は、加熱手段としてマイクロ波照射法を採用したときに実用的な価値が高い。加熱手段としてマイクロ波照射法を用いてスケールアップする場合、そのままのマイクロ波出力では、反応溶液の昇温速度が遅くなり、所望の反応温度に到達するまでに、スケールアップ前と比較して長い時間がかかってしまう。トリスオルトメタル化イリジウム錯体の製造の場合、メリジオナル体はフェイシャル体より低い反応温度で生成しやすく、スケールアップを行うとメリジオナル体がより生成しやすくなる可能性がある。そこで、スケールアップ前と同じ昇温速度を保つためには、マイクロ波の照射エネルギーを反応液量に対応して大きくすることが必要であるが、マイクロ波発振器の出力を無制限に大きくすることはできないし、また製造コストの点でも不利となる。本発明の製造方法では、予備加熱した反応溶媒中へ2種の反応基質を後添加して反応させるので、所望の反応温度まで迅速に昇温させることができ、フェイシャル体選択性を高めることが可能となる。本実施形態に係る製造方法によって製造される一般式化6で表わされるトリスオルトメタル化イリジウム錯体の例を化学式化11のT‐1~T‐16に示すが、本発明はこれに限定されるものではない。本実施形態に係る発光材料は、本実施形態に係る製造方法で製造したトリスオルトメタル化イリジウム錯体からなる。発光材料は、例えば、有機電界発光素子の発光層の材料として好適である。本実施形態に係る発光素子は、本実施形態に係る発光材料を用いてなる。有機電界発光素子は、通常、ガラス板、プラスチック板などからなる基板上に陽極と、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、陰極とを、順次積層した構造を有する。発光層の形成方法は、特に限定されず、蒸着成膜法、湿式成膜法など公知の方法で形成することができる。本実施形態に係る製造方法で製造したトリスオルトメタル化イリジウム錯体を発光素子の発光層に含有することで、従来よりも発光効率及び耐久性に優れた発光素子とすることができる。したがって、本実施形態に係る発光素子は、例えば、OAコンピュータ、壁掛けテレビなどのフラットパネルディスプレイ、車載表示素子、携帯電話表示、複写機、液晶ディスプレイ、計器類のバックライト光源などの面発光体としての特徴を生かした光源、表示板、標識灯へ応用することができる。次に、実施例を示しながら本発明についてさらに詳細に説明するが、本発明は実施例に限定して解釈されない。<実施例1>トリスオルトメタル化イリジウム錯体T-9の製造特級エチレングリコール240mLを500mLの二口フラスコに入れ、マイクロ波反応装置マイルストーンゼネラル社製、Microsynthにセットした。これにアルゴンガスを25分間吹き込んだ後、反応溶媒を磁気攪拌しながら1kWのマイクロ波2450MHzを照射し、沸騰状態198°C~200°C付近まで約3分間で昇温させて予備加熱した。ここで、一旦マイクロ波照射を中断し、反応溶液にベンゾ[h]キノリン13.7gと塩素架橋イリジウムダイマーD-92.97gとを粉末状態で順に添加し、更にアルゴン雰囲気下で1kWのマイクロ波を20分間照射して、198°C~200°C付近で反応させた。反応溶液を室温まで冷却後、反応溶液を濾過し黄色固体を得た。この黄色固体をメタノール、純水、更にメタノールで洗浄後、真空乾燥し、化学式化11に記載のT-9を得た収量3.51g、収率95。生成物をプロトンNMRJEOL社製、JNM-ECX400:400MHz、DMSO‐d6中で分析した結果、フェイシャル体とメリジオナル体とが90:10モル比の混合物であった。反応スキームを反応式化12に示す。<比較例1>トリスオルトメタル化イリジウム錯体T-9の製造ベンゾ[h]キノリン14.3gと塩素架橋イリジウムダイマーD-92.99gと特級エチレングリコール240mLとを500mLの二口フラスコに入れ、マイクロ波反応装置マイルストーンゼネラル社製、Microsynthにセットした。この反応溶液にアルゴンガスを25分間吹き込んだ後、反応溶液を磁気攪拌しながら1kWのマイクロ波2450MHzを照射し、室温から沸騰状態198°C~200°C付近まで約3分間で昇温させ、更にアルゴン雰囲気下で1kWのマイクロ波を20分間照射して、198°C~200°C付近で反応させた。反応溶液を室温まで冷却後、反応溶液を濾過し黄色固体を得た。この黄色固体をメタノール、純水、更にメタノールで洗浄後、真空乾燥し、化学式化11に記載のトリスオルトメタル化イリジウム錯体T-9を得た収量3.48g、収率94。生成物をプロトンNMRJEOL社製、JNM-ECX400:400MHz、DMSO‐d6中で分析した結果、フェイシャル体とメリジオナル体とが66:34モル比の混合物であった。<実施例2>トリスオルトメタル化イリジウム錯体T-1の製造特級エチレングリコール150mLを500mLの2口フラスコに入れ、マイクロ波反応装置マイルストーンゼネラル社製、Microsynthにセットした。この反応溶液にアルゴンガスを20分間吹き込んだ後、反応溶液を磁気攪拌しながら300Wのマイクロ波2450MHzを照射し、室温から沸騰状態198°C~200°C付近まで約7分間で昇温させ予備加熱した。ここで、一旦マイクロ波照射を中断して、反応溶液に2‐フェニルピリジン15.0gと塩素架橋イリジウムダイマーD-11.50gとを粉末状態で添加し、更にアルゴン雰囲気下で300Wのマイクロ波を45分照射して、198°C~200°C付近で反応させた。反応溶液を室温まで冷却後、反応溶液を濾過し黄色固体を得た。この黄色固体をメタノール、純水、更にメタノールで洗浄後、真空乾燥することで、化学式化11に記載のトリスオルトメタル化イリジウム錯体T-1を得た収量1.783g、収率97。生成物をHPLC島津製作所社製、Prominence、検出波長:300nmで分析した結果、フェイシャル体とメリジオナル体とが99.6:0.4モル比の混合物であった。反応スキームを反応式化13に示す。<比較例2>トリスオルトメタル化イリジウム錯体T-1の製造2‐フェニルピリジン15.0gと塩素架橋イリジウムダイマーD-11.50gと特級エチレングリコール150mLとを500mLの2口フラスコに入れ、マイクロ波反応装置マイルストーンゼネラル社製、Microsynthにセットした。この反応溶液にアルゴンガスを20分間吹き込んだ後、反応溶液を磁気攪拌しながら300Wのマイクロ波2450MHzを照射し、室温から沸騰状態198°C~200°C付近まで約7分間で昇温させ、更にアルゴン雰囲気下で300Wのマイクロ波を45分間照射して、198°C~200°C付近で反応させた。反応溶液を室温まで冷却後、反応溶液を濾過し黄色固体を得た。この黄色固体をメタノール、純水、更にメタノールで洗浄後、真空乾燥することで、化学式化11に記載のトリスオルトメタル化イリジウム錯体T-1を得た収量1.780g、収率97。生成物をHPLC島津製作所社製Prominence、検出波長:300nmで分析した結果、フェイシャル体とメリジオナル体とが99.1:0.9モル比の混合物であった。以上の実施例より、本発明に係る製造方法実施例1~2は、従来の製造方法比較例1~2と比較して、メリジオナル体の生成は抑制され、フェイシャル体の純度が向上することが明らかになった。フェイシャル体のトリスオルトメタル化イリジウム錯体は、その幾何異性体であるメリジオナル体よりも発光効率及び安定性で優れていることが明らかにされているので、本発明に係る製造方法で製造されたトリスオルトメタル化イリジウム錯体を発光素子材料として用いることで、高効率、かつ、高耐久性の発光素子を作製することができる。また、発光素子材料として好ましくないメリジオナル体を、種々の精製手法再結晶、カラムクロマトグラフィー、昇華精製などで低減することは、非常に手間と時間を要することであることから、本発明の製造方法は、製造コスト低減にも大きく寄与でき、実用的利点は大である。"