"発光ダイオードを製造する方法であって、基板の上にIII族窒化物の第1導電型を有する第1エピタキシャル領域を形成するステップと、前記第1エピタキシャル領域の上に、III族窒化物の第2導電型を有する第2エピタキシャル領域を形成して、前記第1及び第2エピタキシャル領域によりpn接合を形成するステップと、前記第2エピタキシャル領域の表面の周囲部分が露呈するように、前記第2エピタキシャル領域の中央部にオーミック金属スタックを形成するステップと、前記露呈された周囲部分を通じて前記第2エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入し、注入されたイオンが高濃度にドープされたイオン注入済の周囲部分を画定して、前記イオン注入済の周辺部分の内側に前記pn接合を隔離するステップと、発光ダイオードを実装面の上に前記オーミック金属スタックと前記実装面とが接するように配置し、前記第2エピタキシャル領域の高抵抗部分が前記pn接合を前記実装面から隔離するステップとを含んでおり、前記オーミック金属スタックはオーミックコンタクト層と接合層とを少なくとも含み、前記オーミック金属スタックは前記第2エピタキシャル領域とのオーミックコンタクトを形成することを特徴とする方法。請求項1記載の方法において、該方法は更に、前記オーミック金属スタックにフォトレジストを被着するステップと、前記フォトレジストをパターニングするステップと、前記第2エピタキシャル領域の周囲部分へのイオン注入の前に、前記フォトレジストによって露出された前記オーミック金属スタックの一部を選択的にエッチングして、前記第2エピタキシャル領域の表面の周囲部分を露呈させるステップとを含むことを特徴とする方法。請求項2記載の方法において、該方法は更に、前記第2エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入する前に、前記フォトレジストを除去するステップを含むことを特徴とする方法。請求項2記載の方法において、前記第2エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入するステップは、前記フォトレジストを除去する前に前記第2エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入するステップを含むことを特徴とする方法。請求項2記載の方法において、該方法は更に、二酸化シリコン、窒化シリコン、絶縁性ポリマ、及びそれらの組み合わせから選択されたパシベーション層を、前記第2エピタキシャル層の露出部分の上に形成するステップを含むことを特徴とする方法。請求項1記載の方法において、前記第2エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入するステップは、窒素、燐、アルミニウム、ヘリウム、水素、及びN2から成る群から選択されたイオンを注入するステップを含むことを特徴とする方法。請求項1記載の方法において、前記第2エピタキシャル領域は窒化ガリウムのp型エピタキシャル領域を含むことを特徴とする方法。請求項1記載の方法において、イオンを注入するステップの前に、第2エピタキシャル領域の表面にマスクを被着するステップを更に含むことを特徴とする方法。請求項8記載の方法において、前記マスクを被着するステップは、前記オーミック金属スタックを、パターニングされたオーミック金属スタックとして前記第2エピタキシャル領域の上に被着するステップを含むことを特徴とする方法。請求項1記載の方法において、前記イオンを注入するステップは、イオンエネルギ、イオン投与量、及びその組み合わせから選択された要因に従って相互に異なる少なくとも2つの注入ステップを含むことを特徴とする方法。請求項1記載の方法において、前記第2のエピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入するステップは、約1×1013cm-2から2×1013cm-2までの投与量及び約100keVから200keVまでのエネルギで、約1×1017cm-3のp型キャリア濃度を有する前記第2エピタキシャル領域にイオンを注入するステップを含むことを特徴とする方法。請求項1記載の方法において、前記第2エピタキシャル領域はp型のIII族窒化物のエピタキシャル領域を含み、該方法は、前記オーミック金属スタックの一部をマスキングするステップと、前記第2エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入する前に、残留している露出されたオーミック金属スタックを前記第2エピタキシャル領域から除去するステップと、前記オーミック金属スタックから前記マスクを除去するステップとを更に含むことを特徴とする方法。請求項12記載の方法において、前記オーミック金属スタックの一部をマスキングするステップは、前記オーミック金属スタックの一部をフォトレジストを用いてマスキングするステップを含むことを特徴とする方法。請求項1記載の方法において、前記オーミック金属スタックはバリア層を更に含むことを特徴とする方法。請求項1記載の方法において、前記オーミック金属スタックは反射層を更に含むことを特徴とする方法。請求項1記載の方法において、前記第2エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入するステップは、前記オーミック金属スタックをイオン注入マスクとして用いて前記第2エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入するステップを含むことを特徴とする方法。請求項1記載の方法において、前記第2エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入した後に、前記第1及び第2エピタキシャル領域の露出された表面のパシベーションを行うステップを更に含むことを特徴とする方法。請求項1記載の方法において、前記接合層は接合パッドを含んでおり、前記オーミックコンタクト層のエッジは前記接合パッドのエッジを超えて延長していることを特徴とする方法。請求項1記載の方法において、前記第2エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入するステップは、前記オーミックコンタクト層を通過して前記第2エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入するステップを含むことを特徴とする方法。請求項2記載の方法において、前記第2エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入するときには、前記パターニングされたフォトレジストをイオン注入マスクとして用いるステップを更に含むことを特徴とする方法。請求項1記載の方法において、前記オーミック金属スタックのエッジは前記第2エピタキシャル領域の周囲部分を画定することを特徴とする方法。これより、本発明の好適な実施形態を示す添付図面を参照しながら、更に詳しく説明する。しかしながら、本発明は、多くの異なる形態で実現することもでき、ここに明記する実施形態に限定するように解釈してはならない。逆に、これらの実施形態は、本開示が綿密かつ完全であり、本発明の範囲を全て当業者に伝えるように提示するものである。図面において、層の厚さ及び領域は、明確さのために誇張されている。層、領域又は基板のような要素を、他の要素上にあると言う場合、それは直接他の要素の上にあるとすることができ、又は介在する要素も存在してもよいことは理解されよう。対照的に、ある要素が他の要素の直接上にあると言う場合、介在する要素は存在しないものとする。更に、第1要素又は層が第2要素又は層と電気的に接触すると記載する場合、第1及び第2要素又は層は、直接互いに物理的に接触している必要はなく、第1及び第2要素又は層間に電流の流れを可能にする導電性要素又は層を介在して接続されていてもよいことも理解されよう。図1は、全体的に20で示す発光ダイオードの断面模式図であり、発光ダイオードをある配位で実装したときに発生し得る潜在的な問題を示す。発光ダイオード20は、かなり簡略化して示されているが、素子20がここに図示するよりも精巧である即ち、もっと多くの要素を含むことは、当業者には理解されよう。しかしながら、現状況では、本発明は、基本的な図を用いれば、明確に理解することができる。20で示す形式のダイオードの一例、及びその変形の一部も、本願と同じ譲受人に譲渡され同時係属中の特許出願第US20020123164号に記載されている。その内容は、ここで引用したことにより本願にも全体が含まれるものとする。ダイオード20は、基板21を含む。基板21は、2H、4H、6H、15R、及び3Cポリタイプの炭化珪素から成る群から選択したポリタイプを有するn型炭化珪素である。素子20のダイオード部分は、それぞれのn型窒化ガリウム領域22及びp型窒化ガリウム領域23によって示され、これら双方でp-n接合部24を規定する。領域22及び領域23は、各々、単一層、又は異なる組成、厚さ、ドーパント濃度、又はその他の品質を有する1群の関連層で構成されるものであってもよい。また、ダイオード20は、p型窒化ガリウムエピタキシャル領域23へのオーミックコンタクト25、及びこのオーミックコンタクトと電気的に接触しているダイ取付金属26とを含む。米国特許出願第10/200,244号に記載されているように、ダイ取付金属26は、金層又は銀層のような、接合パッド図示せずに物理的に接触してもよい。この特許出願の内容は、ここで引用することにより、あたかも全体がここに明記されているが如く、本願にも含まれるものとする。更に、ダイ取付金属26及びオーミックコンタクト25の間には、反射体、バリア、及びその他の金属層図示せずを形成してもよい。オーミックコンタクト15は、前述のように縦型素子を形成するために、基板21上に形成してもよく、ワイヤリード29を接点15に接続し、素子を外部回路に接続するようにしてもよい。更に、図1に示す素子では、窒化シリコン又は二酸化シリコンのような絶縁材料又はポリアミドのような絶縁ポリマから成るパシベーション層5がエピタキシャル領域22、23の露出面を被覆し保護する。ダイオード20は、通常、金属又はメタライズリードフレーム27上に実装され、リードフレーム27は、ダイオード20と外部回路との間に電気的接点を設ける。背景において明記したように、典型的な環境では、ダイ取付金属26は、比較的低い温度、例えば、オーミックコンタクト25よりも低く、他のパッケージ構成要素がダイ取付プロセス中に損傷を受けないように、十分に低い温度で溶融する金属で形成されている。したがって、ダイ取付金属26は、錫のようなはんだ、又は金/錫のような合金で構成するとよい。ダイ取付金属は、ダイオード20を、はんだ又は熱音波接合によって、素早くかつ簡単にリードフレームに実装することができる。これに関して、図1は、ダイ取付金属が不正確に形成されている場合素子の殆どは非常に規模及びサイズが小さいので、常に可能性がある、ダイ取付金属26の一部30が所望のオーミックコンタクト25との接触からはみ出す可能性があり、p型窒化ガリウム領域23又はn型窒化ガリウム領域22と接触する可能性がある。これらの状況では、ダイ取付金属の不正確な部分又は不要な部分30は、n型窒化ガリウム層22と接触する虞れがあり、n型層22と共に不要な寄生ショットキダイオードを形成する可能性があり、あるいはこれが十分遠くまで延びる場合、寄生ショットキダイオードをn型炭化珪素基板21と共に形成する可能性がある。図2は、発光ダイオードにおいて接合部を規定又は隔離する従来の様式を示す。図1の場合と同様、ダイオード全体的に32で示すは、その基礎的な面が示されており、付加的な要素を含むことができるが、明確化のために図2には示されていない。図1におけるダイオード20の場合と同様、ダイオード32は、n型炭化珪素基板33、基板33上にある窒化ガリウムのn型エピタキシャル層34、及びn型層上にある窒化ガリウムのp型層35を含み、p-n接合部36を規定する。接合部を規定し隔離するために、通常、エピタキシャル層34及び35をエッチングして、図2の右側部分に示すメサ構造を形成する。図2は、p型エピタキシャル層35へのオーミックコンタクト37も示す。多くの状況において、層34及び35をエッチングすることによって形成されたメサ内にある接合部36は、二酸化シリコン又はその他の何らかのしかるべき絶縁材料又は誘電体材料で被覆し、ダイ分離、パッケージング、又はその他の処理工程、あるいは動作中における接合部36の外部汚染及び/又は損傷からの保護を強化する。当業者には認められようが、層35及び36をメサ型に形成するためには、多数の追加工程を実行しなければならない。これらは、通常、エッチングのためのパターンを規定するマスキング工程を含む。一方、マスキング工程は、マスク通常、フォトレジストを被着し、フォトレジスト上に光学パターンを配置し、露出し、レジストを現像し、マスクの現像された部分又は、場合によっては現像されなかった部分を除去し、下地のエピタキシャル層をエッチングし、次いでフォトレジストを除去する工程を含む。これらの工程は、今日では半導体業界において知られており、高い正確度で実行することができるが、これらのために製造プロセス全体に余分な設計及びコスト要因が増加して行き、理由は十分理解されているであろうが、余分な製造工程の各々が最終素子における許容度や正確性を多少損ねる可能性がある。図3は、本発明の実施形態に係る接合部規定方法の全体的な模式図である。この方法は、模式的に矢印40で表したイオンを、全体的に42で示すダイオード内の、p-n接合部43に隣接するエピタキシャル層41内にインプラントする打ち込む、注入することから成る。エピタキシャル層41は、第1導電型図3ではp型として示すを有する。インプラントするイオンの型及び量によって、インプラント領域44の固有抵抗が増大し、インプラント領域44を高抵抗性及び/又は半絶縁性にすることができる。これに関連して、高抵抗性とは、物質が十分に抵抗性となり、ウェハ上の隣接するダイのアノードに電圧バイアスを印加したときに、無視し得る電流しか流れないようになることを意味する。即ち、インプラント領域44における物質は、実質的に電気的に隣接するダイを隔離する場合、本発明の目的上、高抵抗性であると見なされる。実施形態の中には、インプラント領域44の固有抵抗が少なくとも2000Ω-cmである場合もある。物質の固有抵抗が十分に高い場合、この物質は、p型又はn型半導体材料ではなく、半絶縁又はi型材料と見なすことができる。一般に、常温において1×105Ω-cmを超える固有抵抗を有する材料は、本発明の主旨から、半絶縁性と見なすことができる。イオン40は、パターン状にインプラントされ、図3Aに更に明確に示すような、インプラントされた周囲44を規定することができる。該周囲44には、高抵抗性となるようにインプラントされたイオン40が十分にドープされており、これによってインプラントされた周囲44によって接合部43をアイソレート即ち隔離規定することができる。また、図3は、n型層45、基板46、及び金属接点47も示す。また、エピタキシャル層41における斜線は、図3の構造における周囲の位置を示している。実施形態の中には、基板46が、2H、4H、6H、8H、15R、及び3Cポリタイプの炭化珪素から成る群から選択したポリタイプを有するn型炭化珪素で構成したものもある。しかしながら、当業者には認められようが、基板46は、サファイア、窒化ガリウムのようなその他の材料、あるいはMgO、スピネル、又はZnOのようなその他の適した材料で構成することも可能である。更に、基板46を導電性にすれば、縦型素子の形成が可能となり、あるいは基板46を絶縁性又は半絶縁性にすることもできる。本発明の実施形態の中には、イオン40を素子内にインプラントする際の打ち込みマスクとして、金属接点47を使用することができるものもある。例えば、金属接点47が、イオン40が層41に達するのを防止する程十分な厚さを有する金属スタックで構成される場合、別個のインプラントマスクを堆積することを回避できる場合もある。図3において模式的に示すように、一実施形態では、本方法は、窒素又は燐のようなイオンをp型窒化ガリウム層にインプラントすることを含む。水素、ヘリウム、アルミニウム、及びN2を含む他のイオンを用いると、インプラントによって領域の固有抵抗を高めることができる。本方法の他の面については、図5に関して示すことにする。インプラントは、従来通りに常温にて行うことができる。現在最良に理解されているところではそして、特定の理論によって限定されないとする、イオンをインプラントすることによってGaN内に損傷が発生し、バンドギャップ内に深いレベルが生ずる。一方、これらは、GaN内の自由キャリアを捕獲し、これによって材料を高抵抗性にする。GaNのようなIII群窒化物の発光ダイオードは、n型基板及びp型最上層の使用に限定される訳ではない。しかしながら、何故一般にSiC基板の方が多く用いられているかについては、多数の理由が有り、当技術分野ではよく理解されている。つまり、本発明もn型層にインプラントを行い、その固有抵抗を高めることができる。しかしながら、n型基板の使用の方が一般的であるので、本明細書における説明の殆どは、そのような構造に言及している。2層n型及びp型の窒化ガリウム層を組み込んだ発光ダイオードを示すが、ダイオード42は、1つ以上の量子ウエル、又は超格子構造、あるいはその双方を含むことができること、そして1つ又は複数の活性層は窒化ガリウムのみの場合よりも広い範囲のIII群窒化化合物を含むことができることは、当業者には認められよう。しかしながら、これらの変形は、本発明を明確に理解するためには、詳しく述べる必要はなく、したがって、ここではこれらについては詳しく論じない。よって、更に精巧な素子の関連部分も、活性層、ダイオード部分、ダイオード領域、又はダイオード構造と呼んでもよく、本発明の範囲から逸脱することはない。図4は、図1と同様の模式断面図であるが、本発明の打ち込み周囲領域54を組み込み、全体的に50で示すダイオードを示す。ダイオード50は、基板51を含み、多くの実施形態では、これはn型炭化珪素である。基板51上にn型窒化ガリウムエピタキシャル層があり、図4に示すフリップチップ配位で基板51直下に見られる。p型層53がn型層52に隣接し、これら2つの層が、それらの間にp-n接合部58を規定する。このダイオードは、オーミックコンタクト55、及びダイ取付金属部56も含む。図3に関して説明したような様式でインプラントが行われたので、ダイオードは、図4において点線に隣接して示す、高抵抗周囲部分54を含む。理想的に配置されていないダイ取付金属60の部分54も、リードフレーム57上に示す。このように図示すると、本発明の様々な進展が見られる。第1に、金属部分60に利用可能な幾何学的空間面積は、ここでは一層制限されている。何故なら、ダイオード50のインプラントされた領域54は、メサを形成するために必要な多数の工程を必要としないからである。このため、p型層及びその絶縁部分54が、過剰金属の幾何学的空間阻止を強化する。加えて、インプラントされた部分54は非常に抵抗が高いので、過剰金属60とインプラントされた周囲部分54との間には、電気的相互作用が殆ど又は全くない。最後に、n型エピタキシャル層52に達するためには必要となる、望ましくない過剰金属60の量は遥かに多い。別の言い方をすると、本発明は、標準的な又は規定された量のダイ取付金属56、60を用いる場合、誤差に対する許容範囲を拡大することができる。先に図1に関して注記したように、動作及び実施上では、ダイオード50は、リードフレームに対してアノード及びカソードの双方が接続するが、本発明の例示を明確化するために、これらの接続の詳細は除外してある。更に本発明の更なる詳細の一部について、基板51は、導電性炭化珪素で形成したものとして図4に示したが、半絶縁炭化珪素又は絶縁体であるサファイアで構成することもできる。これは、本発明の利点が、エピタキシャル層において得られる利点に基づくからである。このため、絶縁又は半絶縁基板は、パッケージングのためには、導電性SiC基板とは多少異なる外形寸法を必要とするが、本発明及びエピタキシャル層に関する原理は同一のままである。更に、発光ダイオードでは、基板51は、電位差を素子に印加したときに接合部58が放出する光に対して、実質的に透過性であることが好ましい。炭化珪素は可視スペクトルのエネルギが高い方の部分において発光するので、基板は、約390~550ナノメートルの間の波長を有する光に対して実質的に透過性であることが好ましく、更に好ましくは、約485~550ナノメートルの間である。米国特許第5,718,7609号並びにその関連特許第6,025,289号及び第6,200,917号は、無色のSiCを生産する技術について記載している。これらの特許は、本発明と同じ譲受人に譲渡されており、ここで引用したことにより、その全体が本願にも含まれるものとする。前述のように、半絶縁境界部分54は、境界54がn型である場合にはショットキー挙動を生ずる金属と境界54が接触しているときも、ショットキー挙動を排除するのに十分な固有抵抗を有する。図7に示すように、本発明及び図3又は図4に示した種類の発光ダイオード78は、パッケージ内に実装することができる。パッケージは、ヘッダ73、電気リード72、及び封止材74エポキシ等を備えており、封止材74はレンズ75の形状に成形することができる。LED78は、従来の基板下方配位、又はエピタキシャル層がヘッダ73に隣接するフリップチップ配位で実装することができる。その結果、LEDランプ79は、ディスプレイの一部として組み込むことができ、指示光、バックライト、又はその他の用途として用いることができる。p型層へのオーミックコンタクトは、通常、プラチナ、ニッケル、金、チタン、アルミニウム、銀、及びこれらの組み合わせから成る群から選択され、炭化珪素基板に対してオーミックコンタクトを構成する場合、大抵の場合、ニッケル、プラチナ、パラディウム、アルミニウム、チタン、及びその組み合わせから成る群から選択される。基板に対するオーミックコンタクト図4には示されていないは、光が放出することが望ましい方向に、見えるように配置するので、そして接点が大きい程電流拡散の利点があるので、オーミックコンタクトとして、できるだけ透明に近いものを選択し形成することが好ましく、通常、該当する回路への電流の流れを増大させるために、更に小さい追加パッドを付加する。同様に、オーミックコンタクト55及びダイ取付金属56は、ミラー又は反射体として作用し、ダイオード50がパッケージ化され使用されるときに、ダイオード50の最終的な出力を高めるように選択することができる。あるいは、この目的のために、追加の金属層又は複数の層を含ませることができる。更に、汚染物の拡散を防止するためのバリア層や、外部接点を素子に接合するための接合層のように、他の目的のために他の金属層を金属スタックに含めてもよい。素子の基本的な図に関して、そして前述の方法に関して先に注記したように、本発明の構造は、図4の模式図に限定される訳ではない。多数の理由により、バッファ層は、構造の一部として、炭化珪素基板と第1窒化ガリウム又はその他のIII群窒化物層との間に含まれることが多い。多くの場合、バッファ層は、窒化アルミニウム、又は炭化珪素基板付近におけるより高いアルミニウム濃度から、窒化ガリウムエピタキシャル層との界面におけるより高い窒化ガリウム濃度まで遷移する窒化アルミニウムガリウムAlGaNの漸変層で構成することができる。この種のダイオードに組み込むことができ、本発明が特に適している他の構造的部分は、素子の結晶全体の安定性を高めるための超格子構造、光の出力を高めるか又はそれを特定の周波数に同調させるための量子ウエル、あるいは活性層の層数を追加しそれらの間の関係を定めることによって素子の明るさを高めるための多数の量子井ウエルを含む。加えて、環境保護のために、素子50のエピタキシャル層52、53の露出面を不動態化すなわちパッシベートすることが望ましいこともある。前述のように、このような不動態化は、PECVD、スパッタリング、又はその他の適した不動態化技術によって堆積する二酸化シリコン又は窒化シリコンで構成することができる。図5は、本発明の方法の態様の一部を示す。広義な意味では、本方法は、ダイオードにおいて、最も好ましくはIII群窒化物又は窒化ガリウム系ダイオードにおいて、ダイオードを使用のために実装するときの望ましくない電気的接触及び経路を最小限に止めるか又は回避するため、及び/又はダイ分離中におけるp-n接合部への損傷を防止するために、p-n接合部を電気的に規定又は隔離する。この態様では、本方法は、p-n接合部の一部である窒化ガリウムのp型エピタキシャル層の中央部分上にオーミック金属コンタクト層を形成し、この金属層上にエッチングマスクを配することによって該金属層のパターニングを行い、エッチングマスク及び金属層の一部を除去し、次いでエッチングマスクによって被覆されていないp型エピタキシャル層の周囲部分にイオンを打ち込むことから成る。更に態様を多少詳しく述べると、本方法は、オーミック金属層及び潜在的にオーミックコンタクト上の接合パッドの一部にマスキングを施し、残りの露出したオーミック金属コンタクト層をエピタキシャル層から除去し、露出部分の固有抵抗を高めるのに十分な原子をエピタキシャル層の露出部分にインプラントしそして潜在的に露出部分を半絶縁性にし、オーミックコンタクト及び接合パッドからマスクを除去することによって、p型層の高固有抵抗部分を形成する。この態様では、本方法は、マスキング工程の前にオーミックコンタクト及び接合パッドを形成し、オーミックコンタクト金属にフォトレジストでマスキングを施すことを含むことができる。図5に戻って更に詳細に説明すると、全体的に60で示すデバイス先駆体が示されている。ダイオード先駆体60は、基板61ある実施形態では、n型SiCで構成する、基板61上にあるn型窒化ガリウムエピタキシャル層62、n型層62上にあるp型窒化ガリウムエピタキシャル層63、p型層63上にあるオーミックコンタクト層65、及びオーミックコンタクト層65上にある金属接合パッド66を含む。基板及びエピタキシャル層を形成し、オーミックコンタクト及び接合パッドを形成する種々の工程は、一般に当技術分野では周知であり、ここでは詳細に説明しない。代表的な記載は、本願と同じ譲受人に譲渡された、発行済みの米国特許第6,297,522号、第6,217,662号、第6,063,186号、第5,679,153号、第5,393,993号、及び第5,119,540号に含まれるが、これらに限定されるのではない。図5のBは、フォトレジストを堆積し、マスキングし、パターニングして、図5のBに示すように、フォトレジスト部分67を接合パッド全て、そしてオーミックコンタクト65の一部であるが全てではないエリアの上に形成した後のダイオード先駆体60を示す。次に、図5のBの先駆体をエッチングして、フォトレジスト67によって被覆されていないオーミックコンタクト層65の部分を除去する。このエッチングは、しかるべき様式であれば任意のもので行うこともできるが、塩素系プラズマを用いた反応性イオンエッチングRIEが1つの可能な方法である。このエッチングによって、図5のCに示す構造が得られ、オーミックコンタクトのサイズが、65aで表される面積に縮小されている。また、図5のCは、オーミックコンタクト層65の一部を除去したため、p型エピタキシャル窒化ガリウム層の一部が露出していることも示す。次に、図5のDは、接合部64を規定し隔離するp型窒化ガリウム層63における高抵抗領域71を形成するためのイオン70のインプラントを模式的に示す。実施形態の中には、高抵抗のインプラントされた領域71が半絶縁性となるものもある。あるいは、図5のDに示す打ち込み工程は、オーミックコンタクト層65が十分に薄く、打ち込み工程を実質的に妨害しないのであれば、オーミックコンタクト層65をエッチングする工程の前に実施してもよい。フォトレジスト67を除去すると、図5のEに示す先駆体構造が得られる。次いで、先駆体構造を個々のダイに分離することができる。フォトレジスト67は2工程オーミックコンタクト層65をエッチングし、イオン70をインプラントするのマスクとして機能するので、本発明の方法は、製作サイクル時間、ウェハ処理及び薬品消費を削減し、同様に、他の場合にはマスキング及びエッチング手順に伴う歩留まりの損失を低減する。本発明の別の実施形態を図6のA~図6のDに示す。この実施形態では、基板81と、エピタキシャル領域82及び83を備えたウェハ80を用意する。図6のAに示すように、エピタキシャル領域83上に金属スタック86を形成する。先に論じたように、エピタキシャル領域83は第1導電型を有し、エピタキシャル領域82は第1導電型とは逆の第2導電型を有する。エピタキシャル領域82及び83の各々は、同じ導電型の1つ以上の層で構成することができる。金属スタック86は、多数の金属層で構成することができ、その各々は特定の機能を有する。例えば、金属スタック86は、エピタキシャル領域83とオーミックコンタクトを形成する金属層を備えることができる。また、金属スタック86は、反射体、バリア、接着層、接合層、及び/又はその他の層も備えることができる。図6のBに示すように、金属スタック86上にエッチングマスク85を形成し、フォトリソグラフィによってパターニングして開口を形成し、金属スタック86の表面部分86Aを選択的に露呈させる。あるいは、金属スタック86は、フォトリソグラフィ、デポジット、及びリフトオフ技術によって形成することができる。これらは当技術分野では周知である。即ち、金属スタック86は、ブランケットフォトレジストをエピタキシャル領域83の表面に配し、これを露光し現像することによってフォトレジストをパターニングし、金属をブランケット層として堆積し、不要な金属を剥離することによって、形成することができる。これより図6のCに移ると、金属スタック86を選択的にエッチングし、エピタキシャル領域83の表面部分83Aを露呈させる。次いで、従来の方法でエッチングマスク85を除去する。次に、エピタキシャル領域83の露出部分にイオン87をインプラントし、前述のように、インプラント領域84を高抵抗性とし、構造内にp-n接合領域88を規定する。この実施形態では、パターニングした金属層86がインプラントマスクとして機能する。最後に、図6のDに示すように、エッチング/インプラントマスク85を除去し、規定したp-n接合領域88がダイの側壁90から離間し、これによって物理的及び電気的に隔離するように、従来の技法を用いて個々のダイ89に分離する。実験結果本発明を評価するに当たり、以下のインプラント手順を実行した。以下の評価の各々において、n型炭化珪素基板、n型エピタキシャル領域、及びp型エピタキシャル領域を備えたLED先駆体を用意した。p型エピタキシャル領域は、キャリア濃度が約1~5×1017cm-3のMgをドープしたGaN/AlGaNから成り、厚さの合計は約210nmであった。第1の評価において、1平方センチメートル当たり1013の投与量cm-2の一価窒素N1を20keVで、1.4×1013cm-2の投与量のN1を125keVで、そして2×1013cm-2の投与量の二価窒素N2を125keVで、連続投与を実行した。第2の評価において、1013cm-2の投与量のN1窒素を20keVで打ち込み、続いて、1.4×1013cm-2において一価窒素を125keVで投与した。第3の評価において、1013cm-2の投与量でN1を用いて、最初の投与を20keVで実行し、続いて1.4×1013cm-2の投与量及び125keVで投与し、その後に1.7×1013cm-2のN1を190keVで投与した。以上3つの条件では、全てで接合部の隔離及び規定が得られた。接合部の隔離を検証する際、隣接する金属スタックを探針で調べ、連続性の測定を行った。p-n接合部の破壊以前には、測定可能な電流は観察されなかった。インプラントしたヘリウム及び窒素は抵抗性条件も生じさせ、常温において殆ど任意のイオンをp型窒化ガリウムにインプラントしても、物質は劇的に抵抗性が高くなるという、予想されていた結論に至った。しかしながら、本発明者はいずれの特定的な理論にも縛られることを望んでいない。したがって、予想されていた結論についてここで論じたのは、限定ではなく例示のために行ったのである。これらのインプラント工程により、接合部の端縁は、絶縁性で不活性要望によりとなる。また、インプラント工程は、p型窒化ガリウムが表明した低ホール濃度約1×1017cm-3のために、p型窒化ガリウムにも適している。本発明の打ち込みによって生じた不活性特性は、900°C付近の温度まで安定であると思われる。したがって、この技法による接合部の隔離は、p型層を組み込んだいずれの窒化物素子にも適していると思われる。この理由のため、サファイア上ならびに炭化珪素及びその他の基板上の窒化物系発光ダイオードは、接合部の隔離用の打ち込みの使用により、等しく効果が得られると思われる。CreeIncから市販されているダイに対して、以下の評価を行った。標準的なインプラント条件は、以下の1の通りであった。他の条件2~5も試験した。2の条件は、インプラントしたイオン当たりの排除したキャリア数を評価することを意図した。条件3及び5は、素子のp側のみに打ち込みを行う効果を評価することを意図した。条件4は、1及び2の比較と同様、キャリアを捕獲する効率を評価した。インプラントを行う際、Cree社の緑色LEDには、Cree社の青色LEDに比較して、高いエネルギがインプラントに必要であることが判明した。青色に対して考察した打ち込み条件連続投与を示す11e1320keV、1.4e13125keV、1.7e13190keV標準的な三重投与条件21e1220keV、1.4e12125keV、1.7e12190keV1/10投与における標準的な条件31.4e13125keV1の標準的条件の内1回の投与41.4e12125keV4の1/10の投与51e1330keV、1.4e13100keVCree社の青色発光ダイオードについて、そしてTRIMシミュレーションに基づくと、条件1及び2の190keVでの打ち込みは、p-n接合部よりも遥か深くまで達し、190keVで打ち込んだ窒素の殆どがn側に行ってしまう。条件3及び4の125keVでの1回の投与、及び条件5の二重投与について検討した。100及び125keVのエネルギでは、窒素濃度のピークがp-n接合部又はその周囲に位置し、これは表面から1500~1800A下方である。100及び125ekVでの打ち込みについてシミュレートしたピークは、それぞれ、1600及び2000Aである。GaN材料は、低抵抗性から高抵抗性に変換される。P型GaNの厚さは約1000~1500Aであり、自由ホール濃度は約2~5E17/cm3である。P型AlGaNの厚さは約300Aであり、ホール濃度は約5~20E16/cm3である。条件1は、青色LEDに対しては常に有効である即ち、所望の隔離及び静電放電ESD発生量。条件2では、素子の隔離は首尾良く行われるものの、ESD発生量が乏しい。条件3では、素子が隔離され、ESD発生量も多い。条件4では、素子は完全には隔離されず、ESD発生量も多くない。条件5では、素子が隔離され、ESD発生量も多い。Cree社の緑色発光ダイオードでは、条件1~5の各々において、高抵抗p型材料が得られ、隣接する素子は隔離されたが、生じたESD発生量は多くなかった。しかしながら、2E13/cm2の投与量で更に230keVの窒素打ち込みを追加したところ、隔離及びESD発生量共に非常に有効であった。生産再生プロセス:他のデバイスには、製作後に不動態化を行った。この場合、デバイスには厚さ約1600Aの窒化シリコンを被覆した。青色に対する最良の条件は、前述の条件1に変わりないが、パシベーション層を貫通するために30keVの割り増しエネルギを要する。緑色LEDについても、2E13/cm2における追加の230keVでのインプラントにさらに割り増しの30keVを加えることによって、同様の結果が得られた。固有抵抗の推定:固有抵抗は、2×103オーム-cmよりも大きいと推定した。これは、2ボルトの電圧を印加して2つの隣接するパッド間に流れる電流を評価することによって行った。得られた電流は測定不能であった<50nA。これは、40×106オームよりも大きい抵抗に対応する。パッド間の距離は、70ミクロンであり、幅は230ミクロンである。したがって、平方数は、これらの間で約0.3である。フリンジング効果を無視して、固有抵抗について最悪の場合の下限推定値を求めた。これによって、面抵抗に平方当たり133×106オームの下限が得られた。厚さを0.15×10-4cmの厚さにとると、2000オーム-cmよりも大きな固有抵抗が得られる。本発明の実施形態を図面及び明細書に明記した。特定的な用語を用いたが、これらは包括的及び記述的な意味で用いたに過ぎず、限定を目的としたのではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲において規定されるものとする。"