入射光を透過させる入射スリットと、前記入射光を分光する回折格子と、前記回折格子により分光された分光光を検出する分光光検出器と、を有する分光器において、前記分光光の結像面に設置されるとともに前記分光光を透過させる複数のスリットを有するスリット部を備え、前記分光光検出器は、受光面の波長分散方向の大きさが、前記スリット部に設けられた全てのスリットを包含する大きさ以上の大きさを有し、前記スリット部の入射側前面に設置され特定波長の分光光のみ透過可能なスリットを設けたマスクを備えたことを特徴とする分光器。前記回折格子により反射されたゼロ次光を検出するゼロ次光検出器を備えたことを特徴とする請求項1記載の分光器。前記スリット部のスリットまたは前記マスクのスリットに減光フィルタを設置したことを特徴とする請求項1または2記載の分光器。モノクロメータには一般的にねじ送り機構を利用して回折格子を回転させて設定波長に合わせるサインバー方式が採用されており、手動で回折格子の回転角度を変えるダイヤルが備えられている。波長設定はダイヤルを手で回して指示値を設定波長に合わせる際、市販されている一般的なダイヤルの表示部のバックラッシュが大きい。さらに、ねじ送り部にもバックラッシュがあるため波長再現性が悪い。前記再現性を改善するために、参照光を入射し元の値に合わせるための再調整や、信号のピーク値を捉えるダイヤル再調整が必要となり余分な再調整時間を要する。また波長再現性を重視する場合には、多波長を同時に測定する必要がないにもかかわらず、波長再現精度に影響を与える可動部がなく安定しているという事情から、さらに多波長を同時に測定することにより、1度に取得できる複数波長の信号強度データによってプラズマの発光状態をモニタできるという理由から、図7に示す高感度な検出器を備えた高価なポリクロメータを採用する場合もある。このような状況から、面倒な調整の必要がなく、波長再現性の良い安価な分光器の提供が求められている。また、終点検出を行う波長の発光強度は波長ごとに異なるため、検出器感度を高感度に設定すると、ある波長では信号を得られても、他の波長では感度が高すぎて信号強度が飽和することがある。したがって、入力光量に応じて、検出器が光電子増倍管であれば負高圧、フォトダイオードであればIV電流‐電圧変換のゲインの調整をすることにより、検出器感度を変更させて、信号強度が飽和することを防ぐ必要がある。工程管理のためプラズマの発光状態が正常かどうかを確認することが望ましく、その確認のために、モノクロメータが使用されている場合は、例えば回折格子12で分光されたλ1のみの単一波長の信号強度からプラズマの発光状態を推定したり、別途検出器を設置し、プラズマの発光状態をモニタしなければならない。また、別途モニタ用検出器を設置する場合、エッチング終点検出窓とは別に加工チャンバ内の側壁に、プラズマの発光状態をモニタするための光を透過させる透過窓が必要となる。上記課題を解決するために、本発明は、入射光を透過させる入射スリットと、前記入射光を分光する回折格子と、前記回折格子により分光された分光光を検出する分光光検出器と、を有する分光器において、前記分光光の結像面に設置されるとともに前記分光光を透過させる複数のスリットを有するスリット部を備え、前記分光光検出器は、受光面の波長分散方向の大きさが、前記スリット部に設けられた全てのスリットを包含する大きさ以上の大きさを有し、前記スリット部の入射側前面に設置され特定波長の分光光のみ透過可能なスリットを設けたマスクを備えたものである。本発明は、前記回折格子により反射されたゼロ次光を検出するゼロ次光検出器を備えることが好適である。本発明は、前記スリット部のスリットまたは前記マスクのスリットに減光フィルタを設置することが望ましい。回折格子およびスリット部は可動部を有しない固定型であるため、入射光に対して一定の位置を保持することが可能であり、波長再現性および長期安定性が極めて高い。また設定波長の発光強度に合わせた減光フィルタの設置により、入射光量を減少させて検出器の飽和の発生を防ぐため、検出器感度の調整が不要となり、さらに、可変出力ではなく一定出力電圧の電源を使用できる。固定型の回折格子で反射された複数の波長の混入したゼロ次光の信号強度を検出することにより、プラズマの発光状態をモニタすることができる。図1に本発明の実施形態を示す。図1は、エッチング装置の加工チャンバ内で放出された光を検出する分光器の概略的な構成図である。図1に示すとおり、加工チャンバ内で放出された光が入射光として入射スリット41を経由して回折格子30に入射する。その入射光の一部は、回折格子30で反射された複数の波長の混入したゼロ次光となり、ゼロ次光の光路上に設置されたゼロ次光検出器37に入射して検出され、他は回折格子30で分光されて分光光となる。例として、図示するλ1からλ5までの5つの波長に分光された光は、スリット部3に結像する。スリット部3には、前記λ1からλ5に対応した位置に複数のスリットが設けられており、スリット部3の入射側手前にλ3用マスク4が設置される。λ3用マスク4にはスリット4bが設けられており、スリット4bに合致したλ3の光のみがスリット3bを透過し、検出器35により光強度が検出される。他の波長の光は検出器35に到達しない。検出器35の受光面は、λ1からλ5におけるいかなる波長が透過しても検出可能な波長分散方向の大きさを有する。すなわち、検出器35の受光面の波長分散方向の大きさは、スリット部3に設けられた全てのスリットを包含する大きさ以上の大きさを有する。ただし、波長分散方向に対して直角方向の検出器35の受光面の大きさは特に限定されない。なお、本分光器は回折格子30で反射されるゼロ次光を検出するゼロ次光検出器37を備えている。ゼロ次光は回折格子30によって鏡面のように単に反射された光であり、波長毎に分光されてはいない。このゼロ次光の強度は加工チャンバ内のプラズマが正常に形成されているかどうかの目安となる。図4にプラズマエッチングプロセス中の信号出力の状態を示す。プラズマ発光正常時の信号出力の状態をaに、プラズマ発光異常時の信号出力の状態をbに示す。ここで一例として、ゼロ次光検出器としてフォトダイオード、分光光検出器として光電子増倍管を用いた場合を示す。プラズマ発光正常時のゼロ次光検出器のゼロ次光出力S1および分光光検出器の光電子増倍管出力S2は、それぞれプラズマ発光異常時のゼロ次光出力S4および光電子増倍管出力S5より大きい。また、エッチングが最大時の光電子増倍管出力は、それぞれS3およびS6であり、単位時間当たりのエッチング量に対応する出力は、それぞれS2-S3およびS5-S6となり、プラズマ発光正常時のS2-S3が大きい。さらに、エッチング時間はそれぞれt1-t2およびt3-t4となり、プラズマ発光正常時のエッチング時間t1-t2が短い。したがって、プラズマ発光異常時には、エッチングの時間が長くなる。さらにプラズマ発光状態が悪化すると、エッチングが継続できないこともあり、エッチングができたとしてもエッチング終点時に放出される光の変化が微弱であるため、エッチング終点検出が困難になるなどの事態が発生する場合もある。なお、図4でエッチング中の光電子増倍管出力が立下りを示しているのは、後述の表1に示すように膜種およびエッチングガスの種類によって発光種の検出状態が異なることによる。エッチングにより発光種が消費されるか新たに生成されるかにより検出状態が立ち下がりまたは立ち上がりを示す。例えば、基板の膜種Alの場合、発光種の検出状態は立ち下がりを示す。ゼロ次光の信号出力が、プラズマの発光状態と対応しているという性質を利用して、取得したゼロ次光の信号出力によって、プラズマの発光状態をモニタし、このような異常事態を防止することができる。図1においてはゼロ次光検出器37としてフォトダイオードを用いた場合を示す。図2に本発明の他の変形実施形態を示す。図2は、λ3用マスク28にλ3用減光フィルタ26を設置した分光器を示している。終点検出を行う波長の発光強度は波長ごとに異なるため、単一の検出器35で検出しようとするとある波長では信号が得られても、他の波長によっては感度が高すぎて信号強度が飽和することがある。したがって、入射光量に応じて、例えばλ1用マスク23にはλ1用減光フィルタ25を、またλ3用マスク28にはλ3用減光フィルタ26を設置し、検出器35の信号強度が飽和することを避けるべく入射光量をあらかじめ調整しておくことができる。他の波長の光を検出するためには、所望する波長が透過すべくスリットを設けたマスクに取り替えるだけでよい。例えば波長λ1を選択する場合は、λ1用減光フィルタ25を設置したλ1用マスク23に取替え、スリット23aおよびスリット部31のスリット31aより波長λ1の光を透過させる。波長λ3を選択する場合は、λ3用減光フィルタ26を設置したλ3用マスク28に取替え、スリット28bおよびスリット部31のスリット31bより波長λ3の光を透過させる。また、他の波長を選択する場合は、同様にその波長専用の減光フィルタを設置したマスクに取り替えればよい。マスクには減光フィルタを設置せずに光をそのまま検出器35に入射させる場合もある。さらに、図3に本発明の別の変形実施形態を示す。図3は、スリット部33にλ3用減光フィルタ46を設置した分光器を示している。終点検出を行う波長の発光強度は波長ごとに異なるため、単一の検出器35で検出しようとするとある波長では信号が得られても、他の波長によっては感度が高すぎて信号強度が飽和することがある。したがって、入射光量に応じて、例えばスリット部33のλ1用スリット33aにはλ1用減光フィルタ45を、またλ3用スリット33bにはλ3用減光フィルタ46を設置し、検出器35の信号強度が飽和することを避けるべく入射光量をあらかじめ調整しておくことができる。他の波長の光を検出するためには、所望する波長が透過すべく開口されたマスクに取り替えるだけでよい。例えば波長λ1を選択する場合は、λ1用マスク43に取替え、スリット43aおよびスリット33aより波長λ1の光を透過させる。波長λ3を選択する場合は、λ3用マスク34に取替え、スリット34b、スリット33bおよびλ3用減光フィルタ46より波長λ3の光を透過させる。他の波長を選択する場合は、同様にその波長専用のマスクに取り替えればよい。スリット部33には減光フィルタを設置せずに光をそのまま検出器35に入射させる場合もある。次に、エッチング終点検出方法を説明する。図1において回折格子30で分光された分光光を検出する検出器35として光電子増倍管やフォトダイオードが用いられるが、本実施形態においては、図2に示す検出器35に光電子増倍管を用いる。分光されて光電子増倍管に入射した光は電気的信号に変換され、その出力信号強度の変化を判断することによって、基板上の膜のエッチング終点が検出される。具体的には、ベース膜および前記ベース膜上に所定の膜が形成されており、その所定の膜のエッチングが、ベース膜に達した時点でエッチングを停止しなければならないと仮定する。この場合、ベース膜はその上にある所定の膜が完全にエッチングされた後に、エッチングされることになる。このためベース膜のエッチングが始まると、エッチング時に放出される光の波長はベース膜上に形成されている膜がエッチングされたときと異なる。その結果、光電子増倍管の出力信号強度の変化が生じるので、この出力信号強度の変化によりエッチング終点が検出される。次に一例として、半導体のプラズマエッチングプロセス中の終点検出に用いられる主な検出波長と発光種を表1に示す。プラズマエッチングは基板上に形成された膜の所定部位を除去し、膜を所望するパターンに加工するものである。表1に示すとおり膜種は複数あり、加工対象の基板の膜種の検出波長に合わせて、その検出波長用のマスクを選定し、所定の位置に設置することにより所定の検出波長のみ検出器に入射可能となる。例えば、上表の膜種Alの基板をエッチングする場合は、検出波長396nmのマスクを選定し所定の位置に設置する。種々の基板を加工するプラズマエッチング装置において、種々の膜種の発光種への対応が、各検出波長用マスクの選定および設置によって容易に行うことができる。なお、図1、図2および図3において、同符号で示されたものは同じものを表し、同じ機能を有するものである。