ドープ元素としてボロンBとゲルマニウムGeとを有し、前記ボロンの濃度が2×1014atomscm3以上、3×1018atomscm3以下の範囲であり、同時に添加する前記ゲルマニウムの濃度が1×1015atomscm3以上3×1020atomscm3以下の範囲であることを特徴とするシリコン結晶。請求項1記載のシリコン結晶を、チョクラルスキー法により製造することを特徴とするシリコン結晶の製造方法。請求項1記載のシリコン結晶を、キャスト法により製造することを特徴とするシリコン多結晶インゴットの製造方法。本発明は、Si結晶インゴット中における抵抗率のばらつきが小さく、Si結晶中のボイド欠陥の密度が少なく、かつ、光照射下における結晶品質の劣化を防ぐことができる高品質なシリコン結晶、シリコン結晶の製造方法およびシリコン多結晶インゴットの製造方法を提供することを目的としている。本発明は、Si融液中にBとGeとをドーピングすることを特徴とし、その後にSi結晶を作製することにより、高品質なSi結晶インゴットを得る方法に関するものである。すなわち、本発明に係るシリコン結晶は、ドープ元素としてボロンBとゲルマニウムGeとを有し、前記ボロンの濃度が2×1014atomscm3以上、3×1018atomscm3以下の範囲であり、同時に添加する前記ゲルマニウムの濃度が1×1015atomscm3以上3×1020atomscm3以下の範囲であることを特徴とする。本発明に係るシリコン結晶では、Si結晶中のGe原子は酸素原子や空孔の移動を妨げる効果があるため、酸素原子と空孔とがクラスタリングしてボイド欠陥を形成することを抑制する効果がある。また、Si結晶中のGe原子はB原子と酸素原子との複合化を防ぐ効果もあるため、光照射によるSi結晶の劣化を抑制することができる。Geを0.1mol以上添加してSi結晶の品質を改善する方法も報告されているが、このような高濃度のGe添加は、SiとGeとの大きな格子定数の差約4が原因となり、結晶中に転位が導入されてしまうため、本発明の濃度範囲で制御しなければならない。また、B原子はp型半導体用のドーパントの役割を果たし、Gaの単独ドーピングもしくはGaとBとのドーピング、GaとGeとのドーピングで問題となっているSi結晶インゴットの部位による抵抗率のばらつきが生じない。これらは、チョクラルスキー法によるSi単結晶の作製だけでなく、キャスト法によるSi多結晶の作製にも適用でき、どちらのSi結晶においても従来よりも高品質な結晶が得られる。すなわち、本発明に係るシリコン結晶の製造方法は、本発明に係るシリコン結晶を、チョクラルスキー法により製造することを特徴とする。また、本発明に係るシリコン多結晶インゴットの製造方法は、本発明に係るシリコン結晶を、キャスト法により製造することを特徴とする。本発明により、BとGeとを一定量複合添加したSi結晶は、ボイド欠陥の形成を抑制でき、かつ、光照射の劣化がおこらないという効果が得られる。本発明によれば、Si結晶インゴット中における抵抗率のばらつきが小さく、Si結晶中のボイド欠陥の密度が少なく、かつ、光照射下における結晶品質の劣化を防ぐことができる高品質なシリコン結晶、シリコン結晶の製造方法およびシリコン多結晶インゴットの製造方法を提供することができる。本発明によるBとGeとの添加により、Si結晶中のボイド欠陥形成および光照射による結晶品質劣化が抑制されることを実証するために、チョクラルスキー法によりSi単結晶を作製し、結晶の評価を行った。チョクラルスキー成長法で、石英坩堝の中に1kgの原料Siを入れ、さらにBとGeとを添加して融解した。Si融液表面に上方から[100]Si種結晶を接触させ、結晶を引き上げた。結晶の引き上げ速度は0.7mm/minとした。作製した全ての結晶は、同じ成長条件により作製した。本方法で、直径~65mmφのSi単結晶を作製した。BとGeとの添加量を系統的に変化させて、同サイズのインゴットを作製した。また、比較のため、Bのみ添加した結晶も同じ成長条件で作製し、同様の結晶を得た。図1は、少数キャリアライフタイムとSi結晶中のGe濃度との関係を調べた結果である。全ての結晶においてB濃度は1×1016atoms/cm3に固定しており、Ge添加量を0から1×1021atoms/cm3の範囲で変化させた。図1からわかるように、Geを添加することで、少数キャリアライフタイムが大きくなることが明らかとなった。しかし、Ge濃度が1×1021atoms/cm3という高濃度になると、少数キャリアライフタイムは低下した。図2は、aBを単独で添加した結晶と、bBとGeとを添加した結晶とに対して、エッチングをおこない、FPDFlowPatternDefectの密度を比較した結果である。写真中でV字の模様がFPDであり、V字の先端にミクロサイズのボイド欠陥が存在することが知られている。両結晶を比較すると、GeとBとを添加することで、FPDの密度が低下していることがわかる。両結晶におけるB濃度は1×1016atoms/cm3と同じであるため、FPD密度の低下はGe添加の効果であることがわかる。つまり、図1で示したGe濃度の増加による少数キャリアライフタイムの増加は、Ge濃度の増加によりボイド欠陥の密度が低下したためであることが実証された。図3は、ハロゲンランプにより100mW/cm2の光照射を行い、少数キャリアライフタイムLifetimeの変化を調べた結果である。B単独添加および本発明によるGeとBとの同時添加について比較した。図3からわかるように、Bが添加されている結晶は、長時間の光照射により少数キャリアライフタイムが低下していくことがわかる。これは、既に知られているように、B原子と酸素原子との複合欠陥形成によるものである。BとGeとの添加結晶においては、光照射による少数キャリアライフタイムの低下が起こりにくくなり、耐照射特性が向上することがわかった。また、少数キャリアライフタイムの絶対値は、Geを添加したものの方が大きい。以上のように、本発明によるBとGeとを添加したSi結晶は、ボイド欠陥の形成を抑制でき、かつ、光照射の劣化がおこりにくいことが実証された。本発明により、ボイド欠陥の少ない高品質なSi結晶が得られるため、本発明に係るSi結晶は太陽電池用の基板だけでなく、他の半導体デバイス用の基板としても利用できる。