"Aカルボキシル基含有量が酸当量で100~600であり、重量平均分子量が5000~500000であるバインダー用樹脂:10~90質量、B光重合性不飽和化合物:5~70質量、及びC光重合開始剤:0.01~20質量を含有する光重合性樹脂組成物であって、該Aバインダー用樹脂が、1種又は2種以上のポリマーで構成され、該Aバインダー用樹脂を合成するための全モノマー成分のうち、下記一般式I:式中、R1は水素原子又はメチル基を表し、そしてR2は水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、カルボキシル基、又は炭素数1~12のハロアルキル基を表す。で表される化合物の割合が30質量以上であり、かつ、該Aバインダー用樹脂を構成する少なくとも1種のポリマーが、下記一般式II:式中、R3は水素原子又はメチル基を表し、そしてR4は炭素数4~12のアルキル基を表す。で表される化合物を40質量以上の割合で含有するモノマー成分の重合生成物である、光重合性樹脂組成物。B光重合性不飽和化合物が、アクリル基を有する化合物を50質量以上含む、請求項1記載の光重合性樹脂組成物。酸当量が580以下である、請求項1又は2記載の光重合性樹脂組成物。B光重合性不飽和化合物が、下記一般式III:式中、R5は各々独立に下記一般式IV、V、VI又はVIIで表される構造を表し、但しR5の少なくとも1つは下記一般式IV又はVで表される構造を表す。式中、R6はエチレン基又はプロピレン基を表し、R7は水素原子又はメチル基を表し、そしてm及びnは各々独立に1~3の整数である。式中、R8はプロピレン基を表し、R9はエチレン基を表し、R10は水素原子又はメチル基を表し、pは1~3の整数であり、そしてqは0~3の整数である。式中、R11はエチレン基又はプロピレン基を表し、そしてr及びsは各々独立に1~3の整数である。式中、R12はエチレン基を表し、R13はプロピレン基を表し、tは0~3の整数であり、そしてuは0~3の整数であり、但しtとuとの合計は1以上6以下の整数である。で表される、イソシアヌル環構造及び少なくとも1つのエチレン性不飽和結合基を有する化合物を含む、請求項1~3のいずれか1項に記載の光重合性樹脂組成物。該一般式IIIにおいて、R5のうち少なくとも2つが各々独立に該一般式IV又はVで表される構造を表す、請求項4に記載の光重合性樹脂組成物。請求項1~5のいずれか1項に記載の光重合性樹脂組成物を支持体上に積層してなる、光重合性樹脂積層体。請求項1~5のいずれか1項に記載の光重合性樹脂組成物を基板上に積層する積層工程、該光重合性樹脂組成物を露光する露光工程、及び該光重合性樹脂組成物の未露光部を現像除去することによってレジストパターンを形成する現像工程を含む、レジストパターンの形成方法。請求項1~5のいずれか1項に記載の光重合性樹脂組成物を基板上に積層する工程、該光重合性樹脂組成物を露光する露光工程、該光重合性樹脂組成物の未露光部を現像除去することによってレジストパターンを形成する現像工程、該レジストパターンが形成された基板をエッチング又はめっきする配線パターン形成工程、及び該配線パターン形成工程後の基板からレジストパターンを剥離する剥離工程を含む、回路基板の製造方法。該配線パターン形成工程を、貴金属めっき浴を用いるめっきにより行う、請求項8に記載の回路基板の製造方法。該配線パターン形成工程を、電解又は無電解のニッケル/金めっき工程又はニッケル/パラジウム/金めっき工程により行う、請求項8に記載の回路基板の製造方法。該レジストパターンが形成された基板が、熱及び/又はUVによるキュア処理を介さずに該配線パターン形成工程に供される、請求項8~10のいずれか1項に記載の回路基板の製造方法。請求項1~5のいずれか1項に記載の光重合性樹脂組成物を、金属板である基板上に積層する工程、該光重合性樹脂組成物を露光する露光工程、該光重合性樹脂組成物の未露光部を現像除去することによってレジストパターンを形成する現像工程、該レジストパターンが形成された基板をエッチングする導体パターン形成工程、及び該導体パターン形成工程後の基板からレジストパターンを剥離する剥離工程を含む、リードフレームの製造方法。請求項1~5のいずれか1項に記載の光重合性樹脂組成物を、LSIとしての回路形成が終了したウェハである基板上に積層する工程、該光重合性樹脂組成物を露光する露光工程、該光重合性樹脂組成物の未露光部を現像除去することによってレジストパターンを形成する現像工程、該レジストパターンが形成された基板をめっきするめっき工程、及び該めっき工程後の基板からレジストパターンを剥離する剥離工程を含む、半導体パッケージの製造方法。めっき工程の簡略化及びコスト削減の観点から、現像後の熱及びUVによる後処理を省略することが望まれる。一般に、後処理を介さずに十分なめっき耐性を発現させるのは困難である一方、後処理を介することにより剥離性が困難になることから、多様な条件下でも十分なめっき耐性と剥離性とを有するレジストが切望されている。しかしこれらを十分に満たす光重合性樹脂組成物は未だ提供されていない。本発明は、現像後のレジストの解像性及び金属めっき耐性が良好であり、かつレジスト剥離性の良好なネガ型の光重合性樹脂組成物、及び該光重合性樹脂組成物からなる光重合性樹脂層を有する光重合性樹脂積層体、さらに、該光重合性樹脂組成物を用いたレジストパターンの形成方法、並びに回路基板、リードフレーム及び半導体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。本発明者は、上記課題を解決するため検討した結果、特定の光重合性樹脂組成物を用いることにより、現像後解像性及び金属めっき耐性が良好で、かつレジスト剥離性にも優れる良好な導体パターンを形成することが可能になることを見出し、本発明に至った。即ち、本発明は、以下の通りである。[1]Aカルボキシル基含有量が酸当量で100~600であり、重量平均分子量が5000~500000であるバインダー用樹脂:10~90質量、B光重合性不飽和化合物:5~70質量、及びC光重合開始剤:0.01~20質量を含有する光重合性樹脂組成物であって、該Aバインダー用樹脂が、1種又は2種以上のポリマーで構成され、該Aバインダー用樹脂を合成するための全モノマー成分のうち、下記一般式I:式中、R1は水素原子又はメチル基を表し、そしてR2は水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、カルボキシル基、又は炭素数1~12のハロアルキル基を表す。で表される化合物の割合が30質量以上であり、かつ、該Aバインダー用樹脂を構成する少なくとも1種のポリマーが、下記一般式II:式中、R3は水素原子又はメチル基を表し、そしてR4は炭素数4~12のアルキル基を表す。で表される化合物を40質量以上の割合で含有するモノマー成分の重合生成物である、光重合性樹脂組成物。[2]B光重合性不飽和化合物が、アクリル基を有する化合物を50質量以上含む、上記[1]に記載の光重合性樹脂組成物。[3]酸当量が580以下である、上記[1]又は[2]に記載の光重合性樹脂組成物。[4]B光重合性不飽和化合物が、下記一般式III:式中、R5は各々独立に下記一般式IV、V、VI又はVIIで表される構造を表し、但しR5の少なくとも1つは下記一般式IV又はVで表される構造を表す。式中、R6はエチレン基又はプロピレン基を表し、R7は水素原子又はメチル基を表し、そしてm及びnは各々独立に1~3の整数である。式中、R8はプロピレン基を表し、R9はエチレン基を表し、R10は水素原子又はメチル基を表し、pは1~3の整数であり、そしてqは0~3の整数である。式中、R11はエチレン基又はプロピレン基を表し、そしてr及びsは各々独立に1~3の整数である。式中、R12はエチレン基を表し、R13はプロピレン基を表し、tは0~3の整数であり、そしてuは0~3の整数であり、但しtとuとの合計は1以上6以下の整数である。で表される、イソシアヌル環構造及び少なくとも1つのエチレン性不飽和結合基を有する化合物を含む、上記[1]~[3]のいずれかに記載の光重合性樹脂組成物。[5]該一般式IIIにおいて、R5のうち少なくとも2つが各々独立に該一般式IV又はVで表される構造を表す、上記[4]に記載の光重合性樹脂組成物。[6]上記[1]~[5]のいずれかに記載の光重合性樹脂組成物を支持体上に積層してなる、光重合性樹脂積層体。[7]上記[1]~[5]のいずれかに記載の光重合性樹脂組成物を基板上に積層する積層工程、該光重合性樹脂組成物を露光する露光工程、及び該光重合性樹脂組成物の未露光部を現像除去することによってレジストパターンを形成する現像工程を含む、レジストパターンの形成方法。[8]上記[1]~[5]のいずれかに記載の光重合性樹脂組成物を基板上に積層する工程、該光重合性樹脂組成物を露光する露光工程、該光重合性樹脂組成物の未露光部を現像除去することによってレジストパターンを形成する現像工程、該レジストパターンが形成された基板をエッチング又はめっきする配線パターン形成工程、及び該配線パターン形成工程後の基板からレジストパターンを剥離する剥離工程を含む、回路基板の製造方法。[9]該配線パターン形成工程を、貴金属めっき浴を用いるめっきにより行う、上記[8]に記載の回路基板の製造方法。[10]該配線パターン形成工程を、電解又は無電解のニッケル/金めっき工程又はニッケル/パラジウム/金めっき工程により行う、上記[8]に記載の回路基板の製造方法。[11]該レジストパターンが形成された基板が、熱及び/又はUVによるキュア処理を介さずに該配線パターン形成工程に供される、上記[8]~[10]のいずれかに記載の回路基板の製造方法。[12]上記[1]~[5]のいずれかに記載の光重合性樹脂組成物を、金属板である基板上に積層する工程、該光重合性樹脂組成物を露光する露光工程、該光重合性樹脂組成物の未露光部を現像除去することによってレジストパターンを形成する現像工程、該レジストパターンが形成された基板をエッチングする導体パターン形成工程、及び該導体パターン形成工程後の基板からレジストパターンを剥離する剥離工程を含む、リードフレームの製造方法。[13]上記[1]~[5]のいずれかに記載の光重合性樹脂組成物を、LSIとしての回路形成が終了したウェハである基板上に積層する工程、該光重合性樹脂組成物を露光する露光工程、該光重合性樹脂組成物の未露光部を現像除去することによってレジストパターンを形成する現像工程、該レジストパターンが形成された基板をめっきするめっき工程、及び該めっき工程後の基板からレジストパターンを剥離する剥離工程を含む、半導体パッケージの製造方法。本発明の光重合性樹脂組成物、及びそれを形成してなる光重合性樹脂積層体は、現像後のレジストの解像性、金属めっき耐性及びレジスト剥離性が良好である。特にめっき耐性に関して、現像後のレジストパターンが形成された基板の熱又はUVによるキュア工程を介さずとも良好なめっき耐性を有し、さらに剥離性に関しては、基板の熱又はUVによるキュア工程を介しても剥離性に優れる。本発明の光重合性樹脂組成物は、これらの特性を与えることにより、安定的な回路基板、リードフレーム及び半導体パッケージの製造を実現できる。以下、本発明を実施するための最良の形態以下、実施の形態と略記する。について詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。<光重合性樹脂組成物>本実施の形態は、Aカルボキシル基含有量が酸当量で100~600であり、重量平均分子量が5000~500000であるバインダー用樹脂:10~90質量、B光重合性不飽和化合物:5~70質量、及びC光重合開始剤:0.01~20質量を含有する光重合性樹脂組成物であって、該Aバインダー用樹脂が、1種又は2種以上のポリマーで構成され、該Aバインダー用樹脂を合成するための全モノマー成分のうち、下記一般式I:式中、R1は水素原子又はメチル基を表し、そしてR2は水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、カルボキシル基、又は炭素数1~12のハロアルキル基を表す。で表される化合物の割合が30質量以上であり、かつ、該Aバインダー用樹脂を構成する少なくとも1種のポリマーが、下記一般式II:式中、R3は水素原子又はメチル基を表し、そしてR4は炭素数4~12のアルキル基を表す。で表される化合物を40質量以上の割合で含有するモノマー成分の重合生成物である、光重合性樹脂組成物を提供する。[Aバインダー用樹脂]Aバインダー用樹脂は、カルボキシル基含有量が酸当量で100~600、好ましくは250~450であるものである。Aバインダー用樹脂が2種以上のポリマーで構成される場合、全ポリマーの平均で酸当量が上記範囲内であればよい。しかし好ましくは、Aバインダー用樹脂を構成する全てのポリマーについて、酸当量が上記範囲である。酸当量とは、その中に1当量のカルボキシル基を有する重合体の質量グラムを意味する。Aバインダー用樹脂中のカルボキシル基は、光重合性樹脂組成物がアルカリ水溶液に対する現像性及び剥離性を有するために必要である。酸当量は、現像耐性、解像性及び支持体等への密着性の観点から100以上であり、現像性及び剥離性の観点から600以下である。酸当量の測定は、自動滴定装置例えば平沼産業株製平沼自動滴定装置COM-555を使用し、0.1mol/Lの水酸化ナトリウム水溶液を用いて電位差滴定法により行われる。Aバインダー用樹脂の重量平均分子量は5000~500000である。Aバインダー用樹脂の重量平均分子量は、解像性の観点から500000以下であり、エッジフューズの観点から5000以上である。上記効果をさらに良好に発揮するためには、Aバインダー用樹脂の重量平均分子量は、5000~200000であることが好ましく、さらに好ましくは5000~100000である。ここで重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー例えば日本分光株製ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCポンプ:GullIver、PU-1580型、カラム:昭和電工株製Shodex登録商標KF-807、KF-806M、KF-806M、KF-802.54本直列、移動層溶媒:テトラヒドロフラン、ポリスチレン標準サンプル昭和電工株製ShodexSTANDARDSM-105Polystyreneによる検量線使用により重量平均分子量ポリスチレン換算として求められる。Aバインダー用樹脂の分子量の分散度分子量分布と呼ぶこともあるは典型的には例えば1~6であり、好ましくは1~4である。分散度は下記式に示す通り重量平均分子量と数平均分子量との比で表される。分散度=重量平均分子量/数平均分子量Aバインダー用樹脂が2種以上のポリマーで構成される場合、全ポリマーの平均で重量平均分子量及び分散度が上記範囲内であればよい。しかし好ましくは、Aバインダー用樹脂を構成する全てのポリマーについて、重量平均分子量及び分散度が上記範囲である。本実施の形態においては、Aバインダー用樹脂を合成するための全モノマー成分のうち、下記一般式I:式中、R1は水素原子又はメチル基を表し、そしてR2は水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、カルボキシル基、又は炭素数1~12のハロアルキル基を表す。で表される化合物の割合が30質量以上であり、かつ、該Aバインダー用樹脂を構成する少なくとも1種のポリマーが、下記一般式II:式中、R3は水素原子又はメチル基を表し、そしてR4は炭素数4~12のアルキル基を表す。で表される化合物を40質量以上の割合で含有するモノマー成分の重合生成物である。このようなバインダー用樹脂により、光重合性樹脂組成物は現像後の解像性、金属めっき耐性及びレジスト剥離性に優れる。現像後の解像性及び各種めっき工程における十分な耐性等を与えるという観点から、Aバインダー用樹脂を合成するための全モノマー成分のうち上記一般式Iで表される化合物の割合は30質量以上であり、好ましくは40質量以上である。また、現像性の観点から、Aバインダー用樹脂を合成するための全モノマー成分のうち上記一般式Iで表される化合物の割合は、好ましくは70質量以下、より好ましくは60質量以下である。Aバインダー用樹脂を構成する少なくとも1種のポリマーは、上記一般式IIで表される化合物の割合が40質量以上であるモノマー成分の重合生成物である。レジスト剥離工程において十分な剥離性等を有するという観点から、Aバインダー用樹脂を構成する少なくとも1種のポリマーは、上記一般式IIで表される化合物の割合が40質量以上であるモノマー成分の重合生成物である。好ましくは、少なくとも1種のポリマーが、上記一般式IIで表される化合物の割合が50質量以上であるモノマー成分の重合生成物である。一方、エッジフューズの観点から、Aバインダー用樹脂を構成する全てのポリマーは、上記一般式IIで表される化合物の割合が好ましくは80質量以下、より好ましくは70質量以下であるモノマー成分の重合生成物である。モノマー成分は、上記一般式Iで表される化合物及び上記一般式IIで表される化合物をそれぞれ1種又は2種以上含有し、他の化合物を含有してもよい。Aバインダー用樹脂の合成に際しては、例えば上記一般式Iで表される化合物と上記一般式IIで表される化合物との両者を含むモノマー成分を共重合させてもよいし、また、例えば上記一般式Iで表される化合物を含むモノマー成分と上記一般式IIで表される化合物を含むモノマー成分とをそれぞれ単独重合又は共重合させ、得られた重合生成物を混合してもよい。モノマー成分は、上記一般式I及びIIで表される化合物に加え、分子中に重合性不飽和基を1個有するカルボン酸又は酸無水物である第一のモノマーを少なくとも1種、共重合成分として含有することが好ましい。具体的には、上記一般式I中のR2がカルボキシル基以外である場合、Aバインダー用樹脂に所望の酸当量を与えるために、該第一のモノマーをモノマー成分中に含有させる。モノマー成分中の第一のモノマーの含有量は、Aバインダー用樹脂の所望の酸当量によって決められる。第一のモノマーとしては、例えば、メタアクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸半エステル等が挙げられる。またモノマー成分は、必要に応じて、非酸性で分子中に重合性不飽和基を1個有する化合物である第二のモノマーを、共重合成分としてさらに含有してもよい。該第二のモノマーは、光重合性樹脂組成物の現像性、エッチング及び/又はめっきの工程での耐性、光重合性樹脂組成物を硬化させてなる硬化膜の可撓性等の種々の特性を保持するように選ばれる。第二のモノマーとしては、例えば、メチルメタアクリレート、エチルメタアクリレート、ブチルメタアクリレート等のアルキルメタアクリレート、2-ヒドロキシエチルメタアクリレート、2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、メタアクリロニトリル、フルフリルメタアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタアクリレート、フェノキシエチルメタアクリレート、フェニルメタアクリレート、クレジルメタアクリレート、ナフチルメタアクリレート等のアリールメタアクリレート、フェニル基を有するビニル化合物例えば、スチレン、並びに、メトキシベンジルメタアクリレート、クロロベンジルメタアクリレート等のベンジルメタアクリレートの芳香環にアルコキシ基、ハロゲン原子、アルキル基等の置換構造を有する化合物等が挙げられる。Aバインダー用樹脂は、典型的には、上記一般式I及び/又はIIで表される化合物、並びに、必要に応じて、上記第一のモノマー及び/又は上記第二のモノマーを含むモノマー成分を、アセトン、メチルエチルケトン、又はイソプロパノール等の溶剤で希釈した溶液に、過酸化ベンゾイル、アゾイソブチロニトリル等のラジカル重合開始剤を適量添加し、加熱撹拌することにより、該モノマー成分を重合させることが好ましい。モノマー成分混合物の一部を反応液に滴下しながら重合を行ってもよい。重合反応終了後、さらに溶剤を加えて、溶液を所望の濃度に調整する場合もある。重合手段としては、上記のような溶液重合の他、塊状重合、懸濁重合、又は乳化重合を用いてもよい。Aバインダー用樹脂の、光重合性樹脂組成物の総量に対する含有割合は、10~90質量の範囲であり、好ましくは20~90質量、より好ましくは30~70質量である。露光及び現像によって形成されるレジストパターンが、レジストとしての特性、例えば、テンティング、エッチング及び各種めっき工程において十分な耐性等を有するという観点から、上記含有割合は10~90質量である。[B光重合性不飽和化合物]B光重合性不飽和化合物は、光重合性不飽和結合を有する化合物であればよく、典型的にはエチレン性不飽和結合を有する化合物である。B光重合性不飽和化合物は、めっき耐性及び剥離性の観点から、下記一般式III:式中、R5は各々独立に下記一般式IV、V、VI又はVIIで表される構造を表し、但しR5の少なくとも1つは下記一般式IV又はVで表される構造を表す。式中、R6はエチレン基又はプロピレン基を表し、R7は水素原子又はメチル基を表し、そしてm及びnは各々独立に1~3の整数である。式中、R8はプロピレン基を表し、R9はエチレン基を表し、R10は水素原子又はメチル基を表し、pは1~3の整数であり、そしてqは0~3の整数である。式中、R11はエチレン基又はプロピレン基を表し、そしてr及びsは各々独立に1~3の整数である。式中、R12はエチレン基を表し、R13はプロピレン基を表し、tは0~3の整数であり、そしてuは0~3の整数であり、但しtとuとの合計は1以上6以下の整数である。で表される、イソシアヌル環構造及び少なくとも1つのエチレン性不飽和結合基を有する化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種を含有することが好ましい。より好ましくは、B光重合性不飽和化合物は、上記一般式IIIで表される化合物であって式中のR5のうち少なくとも2つが各々独立に一般式IV又はVで表される構造を有する化合物を含有する。上記一般式IIIで表される化合物の含有割合は、B光重合性不飽和化合物100質量のうち、好ましくは5~80質量、より好ましくは10~80質量である。該含有割合は、めっき耐性及び剥離性の観点から5質量以上であることが好ましく、現像性の観点から80質量以下であることが好ましい。本実施の形態の光重合性樹脂組成物には、B光重合性不飽和化合物として、上記一般式IIIで表される光重合可能なモノマーに加え、又はこれに代えて、下記に示される化合物を用いることができる。すなわち、具体的には例えば、2,2-ビス{4-アクリロキシポリエチレンオキシフェニル}プロパン、2,2-ビス{4-メタクリロキシポリエチレンオキシフェニル}プロパン、2,2-ビス{4-アクリロキシポリプロピレンオキシフェニル}プロパン、2,2-ビス{4-メタクリロキシポリプロピレンオキシフェニル}プロパン、1,6-ヘキサンジオ-ルジメタアクリレート、1,4-シクロヘキサンジオ-ルジメタアクリレート、ポリプロピレングリコ-ルジメタアクリレート、ポリエチレングリコ-ルジメタアクリレート、2-ジp-ヒドロキシフェニルプロパンジメタアクリレート、グリセロ-ルトリメタアクリレート、トリメチロ-ルプロパントリメタアクリレート、ポリオキシプロピルトリメチロ-ルプロパントリメタアクリレート、ポリオキシエチルトリメチロ-ルプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタアクリレート、ジペンタエリスリト-ルペンタメタアクリレート、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルトリメタアクリレート、ビスフェノ-ルAジグリシジルエ-テルジメタアクリレート、β-ヒドロキシプロピル-β’-アクリロイロキシプロピルフタレート、フェノキシポリエチレングリコ-ルメタアクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコールメタアクリレート、ノニルフェノキシポリアルキレングリコールメタアクリレート、ポリプロピレングリコールモノメタアクリレート、2,2-ビス{4-メタアクリロキシポリエトキシシクロヘキシル}プロパン、プロピレンオキサイドを付加したポリプロピレングリコールにエチレンオキサイドをさらに両端付加したポリアルキレングリコールのジメタクリレート、ウレタン基を含有する多官能基メタアクリレート、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネートとペンタプロピレングリコールモノメタクリレートとのウレタン化合物等が挙げられる。剥離性の観点から、B光重合性不飽和化合物は、エチレン性不飽和結合基としてアクリル基を有する化合物を、好ましくは50質量以上、より好ましくは55質量以上含有する。また、めっき耐性の観点から、B光重合性不飽和化合物は、アクリル基を有する化合物を好ましくは90質量以下、より好ましくは85質量以下含有する。B光重合性不飽和化合物の、光重合性樹脂組成物の総量に対する含有割合は、5~70質量の範囲であり、好ましくは10~60質量である。この量は、感度、解像度及び密着性を向上させる観点から5質量以上であり、またコールドフロー、及び硬化レジストの剥離遅延を抑えるという観点から70質量以下である。[C光重合開始剤]C光重合開始剤としては、活性光線例えば紫外線等により活性化されて重合反応を開始させる化合物として一般に知られている光重合開始剤を使用できる。感度、解像性及び密着性の観点から、C光重合開始剤が2,4,5-トリアリールイミダゾール二量体を含有することが好ましく、2,4,5-トリアリールイミダゾール二量体とp-アミノフェニルケトンとの併用系がより好ましい。2,4,5-トリアリールイミダゾール二量体としては、例えば、2-o-クロロフェニル-4,5-ジフェニルイミダゾ-ル二量体、2-o-クロロフェニル-4,5-ビス-m-メトキシフェニルイミダゾ-ル二量体、2-p-メトシキフェニル-4,5-ジフェニルイミダゾ-ル二量体等が挙げられるが、特に、2-o-クロロフェニル-4,5-ジフェニルイミダゾ-ル二量体が好ましい。p-アミノフェニルケトンとしては、例えば、p-アミノベンゾフェノン、p-ブチルアミノアセトフェノン、p-ジメチルアミノアセトフェノン、p-ジメチルアミノベンゾフェノン、p,p’-ビスエチルアミノベンゾフェノン、p,p’-ビスジメチルアミノベンゾフェノン[ミヒラーズケトン]、p,p’-ビスジエチルアミノベンゾフェノン、p,p’-ビスジブチルアミノベンゾフェノン等が挙げられる。また、2,4,5-トリアリールイミダゾール二量体及び/又はp-アミノフェニルケトンと、1-フェニル-3-4-tert-ブチル-スチリル-5-4-tert-ブチル-フェニル-ピラゾリン等のピラゾリン化合物との併用も好ましい。更に、使用できる光重合開始剤としては、例えば、2-エチルアントラキノン、2-tert-ブチルアントラキノン等のキノン類、ベンゾフェノン等の芳香族ケトン類、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル等のベンゾインエーテル類、9-フェニルアクリジン等のアクリジン化合物、ベンジルジメチルケタ-ル、ベンジルジエチルケタ-ル等のケタール類もまた挙げられる。また、例えば、チオキサントン、2,4-ジエチルチオキサントン、2-クロロチオキサントン等のチオキサントン類と、ジメチルアミノ安息香酸アルキルエステル化合物等の三級アミン化合物との組み合わせも挙げられる。更に、1-フェニル-1,2-プロパンジオン-2-O-ベンゾイルオキシム、1-フェニル-1,2-プロパンジオン-2-O-エトキシカルボニルオキシム等のオキシムエステル類等もまた挙げられる。また、N-アリール-α-アミノ酸化合物も使用可能であり、これらの中ではN-フェニルグリシンが特に好ましい。C光重合開始剤の、光重合性樹脂組成物の総量に対する含有割合は、0.01~20質量の範囲であり、好ましい範囲は0.05~10質量である。上記含有割合は、十分な感度を得るという観点から0.01質量以上であり、また、光重合性樹脂組成物からなるレジストの底面にまで活性光線を充分に透過させ、良好な解像性を得るという観点から20質量以下である。[添加剤]光重合性樹脂組成物には、上記の各成分に加え、着色物質、発色系染料、安定剤、可塑剤等の各種添加剤を含有させることができる。着色物質としては、染料、顔料等を使用でき、例えば、フクシン、フタロシアニングリーン、オーラミン塩基、カルコキシドグリーンS,パラマジエンタ、クリスタルバイオレット、メチルオレンジ、ナイルブルー2B、ビクトリアブルー、マラカイトグリーン保土ヶ谷化学株製アイゼン登録商標MALACHITEGREEN、ベイシックブル-20、ダイアモンドグリーン保土ヶ谷化学株製アイゼン登録商標DIAMONDGREENGH等が挙げられる。光重合性樹脂組成物には、光照射により発色する発色系染料を含有させることもできる。用いられる発色系染料としては、例えば、ロイコ染料又はフルオラン染料と、ハロゲン化合物との組み合わせが挙げられる。ロイコ染料としては、例えば、トリス4-ジメチルアミノ-2-メチルフェニルメタン[ロイコクリスタルバイオレット]、トリス4-ジメチルアミノ-2-メチルフェニルメタン[ロイコマラカイトグリ-ン]等が挙げられる。ハロゲン化合物としては、臭化アミル、臭化イソアミル、臭化イソブチレン、臭化エチレン、臭化ジフェニルメチル、臭化ベンザル、臭化メチレン、トリブロモメチルフェニルスルフォン、四臭化炭素、トリス2,3-ジブロモプロピルホスフェ-ト、トリクロロアセトアミド、ヨウ化アミル、ヨウ化イソブチル、1,1,1-トリクロロ-2,2-ビスp-クロロフェニルエタン、ヘキサクロロエタン、トリアジン化合物等が挙げられる。該トリアジン化合物としては、2,4,6-トリストリクロロメチル-s-トリアジン、2-4-メトキシフェニル-4,6-ビストリクロロメチル-s-トリアジン等が挙げられる。このような発色系染料の中でも、トリブロモメチルフェニルスルフォンとロイコ染料との組み合わせ、及びトリアジン化合物とロイコ染料との組み合わせが有用である。着色物質及び/又は発色系染料使用する場合の含有量は、光重合性樹脂組成物100質量のうち、夫々0.01~10質量であることが好ましい。該含有量は、充分な着色性着色物質の場合及び発色性発色系染料の場合が認識できる点から0.01質量以上が好ましく、露光部と未露光部とのコントラストを有する点と、保存安定性維持の観点とから10質量以下が好ましい。光重合性樹脂組成物の熱安定性、及び保存安定性を向上させるために添加できる安定剤としては、例えば、p-メトキシフェノール、ハイドロキノン、ピロガロール、ナフチルアミン、tert-ブチルカテコール、塩化第一銅、2,6-ジ-tert-ブチル-p-クレゾール、2,2’-メチレンビス4-エチル-6-tert-ブチルフェノール、2,2’-メチレンビス4-メチル-6-tert-ブチルフェノール、ジフェニルニトロソアミン等が挙げられる。また安定剤として、ビスフェノールAの両側にそれぞれ平均1モルのプロピレンオキサイドを付加したポリプロピレングリコールの両側にさらにプロピレンオキシドを付加した化合物、ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、1-2-ジアルキルアミノカルボキシベンゾトリアゾール、ペンタエリスリトール3,5-ジt-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロピオン酸テトラエステル等が挙げられる。安定剤使用する場合の含有量は、光重合性樹脂組成物100質量のうち、好ましくは0.01~3質量であり、より好ましくは0.05~1質量である。該合計含有量は、光重合性樹脂組成物に良好な保存安定性を付与するという観点から0.01質量以上が好ましく、また、感度を良好に維持するという観点から3質量以下がより好ましい。さらに光重合性樹脂組成物には、必要に応じて可塑剤を含有させてもよい。可塑剤としては、例えばジエチルフタレート等のフタル酸エステル類、o-トルエンスルホン酸アミド、p-トルエンスルホン酸アミド、クエン酸トリブチル、クエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリ-n-プロピル、アセチルクエン酸トリ-n-ブチル、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリエチレングリコールアルキルエーテル、ポリプロピレングリコールアルキルエーテル等が挙げられる。可塑剤使用する場合の含有量は、光重合性樹脂組成物100質量のうち、好ましくは5~50質量、より好ましくは、5~30質量である。該含有量は、現像時間の遅延を抑えるという観点、及び硬化膜に柔軟性を付与するという観点から5質量以上が好ましく、また、硬化不足及びコールドフローを抑えるという観点から50質量以下が好ましい。光重合性樹脂組成物は、剥離性の観点から、酸当量580以下を有することが好ましい。該酸当量は、570以下であることがより好ましい。一方、めっき耐性の観点から、該酸当量は450以上であることが好ましく、470以上であることがより好ましい。なお、光重合性樹脂組成物を各種用途に使用する際には、例えば、後述するような溶剤を光重合性樹脂組成物と混ぜ合わせて得られる光重合性樹脂組成物溶液を好ましく使用できる。<光重合性樹脂積層体>本実施の形態の別の態様は、上述した光重合性樹脂組成物を支持体上に積層してなる、光重合性樹脂積層体を提供する。光重合性樹脂積層体は、典型的には、光重合性樹脂組成物からなる光重合性樹脂層とその層を支持する支持体とからなるが、必要により、光重合性樹脂層の支持体と反対側の表面に保護層を有していても良い。ここで用いられる支持体としては、露光光源から放射される活性光線を透過する透明なものが望ましい。このような支持体としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、塩化ビニリデン共重合フィルム、ポリメタクリル酸メチル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリアクリロニトリルフィルム、スチレン共重合体フィルム、ポリアミドフィルム、セルロース誘導体フィルム等が挙げられる。これらのフィルムとしては、必要に応じ延伸されたものも使用可能である。支持体特にフィルムのヘーズは5以下であることが好ましい。支持体特にフィルムの厚みは、薄い方が画像形成性及び経済性の面で有利であるが、強度を維持する必要等から、10~30μmが好ましい。また、光重合性樹脂積層体において用いられる保護層の重要な特性は、光重合性樹脂層との密着力について、支持体よりも保護層の方が充分小さく、保護層を光重合性樹脂層から容易に剥離できることである。例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム等が保護層として好ましく使用できる。また、例えば特開昭59-202457号公報に示された剥離性の優れたフィルムを用いることができる。保護層の膜厚は10~100μmが好ましく、10~50μmがより好ましい。光重合性樹脂積層体における光重合性樹脂層の厚みは、用途において異なるが、好ましくは、3~100μm、より好ましくは、3~50μmであり、薄いほど解像度は向上し、また、厚いほど膜強度が向上する。支持体、光重合性樹脂層、及び必要により保護層を順次積層して、光重合性樹脂積層体を作製する方法としては、従来知られている方法を採用することができる。例えば、光重合性樹脂層を形成するために用いる光重合性樹脂組成物を、これを溶解する溶剤と混ぜ合わせ均一な溶液にしておき、まず支持体上にバーコーター又はロールコーターを用いて塗布して乾燥し、支持体上に光重合性樹脂組成物からなる光重合性樹脂層を積層する。次いで、必要により、光重合性樹脂層上に保護層をラミネートする。以上により光重合性樹脂積層体を作製することができる。上記溶剤としては、メチルエチルケトンMEKに代表されるケトン類、並びにメタノール、エタノール及びイソプロパノールに代表されるアルコール類が挙げられる。溶剤は、支持体上に塗布する光重合性樹脂組成物の溶液の粘度が、25°Cで500~4000mPaとなるように光重合性樹脂組成物に添加することが好ましい。以下、上述した光重合性樹脂組成物をネガ型感光性樹脂組成物として用いる種々の態様例について更に説明する。<レジストパターン形成方法>本実施の形態の別の態様は、上述した光重合性樹脂組成物を基板上に積層する積層工程、該光重合性樹脂組成物を露光する露光工程、及び該光重合性樹脂組成物の未露光部を現像除去することによってレジストパターンを形成する現像工程を含む、レジストパターンの形成方法を提供する。レジストパターンの具体的な形成方法の一例を示す。[積層工程]まず、積層工程においては、例えばラミネーターを用いて光重合性樹脂組成物を基板上に積層する。光重合性樹脂組成物は、典型的には、支持体及び任意に保護層と組合された前述の光重合性樹脂積層体の形態で、光重合性樹脂層として基板上に形成できる。具体的には、例えば、光重合性樹脂積層体が保護層を有する場合には保護層を剥離した後、ラミネーターで光重合性樹脂層を基板表面に加熱圧着し積層する。この場合、光重合性樹脂層は基板表面の片面だけに積層しても良いし、両面に積層しても良い。この時の加熱温度は一般的に40~160°Cである。また、該加熱圧着は2回以上行うことにより密着性及び耐薬品性が向上する。この時、圧着には二連のロールを備えた二段式ラミネーターを使用しても良いし、基板と光重合性樹脂積層体とを重ねて何回か繰り返してロールに通し両者を圧着しても良い。[露光工程]次に、露光工程では、露光機を用いて光重合性樹脂組成物を露光する。必要ならば支持体を剥離しフォトマスクを通して活性光線により露光する。露光量は、光源照度及び露光時間より決定され、光量計を用いて測定しても良い。露光工程において、マスクレス露光方法を用いてもよい。マスクレス露光ではフォトマスクを使用せず基板上に直接描画して露光する。光源としては波長350~410nmの半導体レーザー又は超高圧水銀灯等が用いられる。描画パターンはコンピューターによって制御され、この場合の露光量は、光源照度及び基板の移動速度によって決定される。[現像工程]次に、現像工程では、現像装置を用いて、光重合性樹脂組成物の未露光部を現像除去する。上記露光後、光重合性樹脂層上に支持体がある場合には、必要に応じてこれを除き、続いてアルカリ水溶液の現像液を用いて未露光部を現像除去し、レジストパターンを得る。アルカリ水溶液としては、Na2CO3、K2CO3等の水溶液を使用できる。これらは光重合性樹脂層の特性に合わせて選択されるが、0.2~2質量の濃度、20~40°CのNa2CO3水溶液が一般的である。該アルカリ水溶液中には、表面活性剤、消泡剤、現像を促進させるための少量の有機溶剤等を混入させてもよい。上述の工程によってレジストパターンが得られるが、場合によっては、さらに60~300°Cの加熱工程及び/又はUVキュア工程を行うこともできる。この加熱工程及び/又はUVキュア工程を実施することにより、レジストパターンの更なる耐薬品性向上が可能となる。加熱には、熱風、赤外線、遠赤外線等の方式の加熱炉を用いることができ、UVキュアには、超高圧水銀灯、メタルハライドランプ、等の光照射装置を用いることができる。<回路基板の製造方法>本実施の形態の別の態様は、上述した光重合性樹脂組成物を基板上に積層する工程、該光重合性樹脂組成物を露光する露光工程、該光重合性樹脂組成物の未露光部を現像除去することによってレジストパターンを形成する現像工程、該レジストパターンが形成された基板をエッチング又はめっきする配線パターン形成工程、及び該配線パターン形成工程後の基板からレジストパターンを剥離する剥離工程を含む、回路基板の製造方法を提供する。すなわち、回路基板具体的にはプリント配線板の製造方法は、基板として例えば銅張積層板又はフレキシブル基板を用い、上述のレジストパターンの形成方法に続いて、以下の工程を経ることで実施できる。[配線パターン形成工程]現像によりレジストパターンが形成されて露出した基板の表面例えば銅面に対してエッチング又は既知のめっき法によるめっきを施して配線パターンを形成する。めっき法として特に制限はないが、銅、半田、錫、ニッケル、パラジウム、金、銀、等を用いるめっき法が挙げられる。めっき方法は電解めっきでも良いし、無電解めっきでも良い。また、これらめっき法は複数種を組み合わせても良く、例えば銅面に対する、ニッケル/金めっき、ニッケル/パラジウム/金めっき、パラジウム/金めっきであってもよい。無電解めっきとしては例えば無電解ニッケルめっきが挙げられる。無電解ニッケルめっき上にも、金、銀、パラジウム、白金、ロジウム、銅、錫等の金属めっきを行ってもよい。実装基板の接続信頼性の観点からは、貴金属めっき浴を用いためっきにより配線パターン形成を行うことが好ましい。ここで、貴金属めっき浴に用いる貴金属とは、典型的には金、銀、白金、パラジウム等である。本実施の形態においては、配線パターン形成工程の前に熱及び/又はUVによるキュア処理を介さずに、該配線パターン形成工程を行うことができる。すなわち、光重合性樹脂組成物は良好なめっき耐性を有するため、熱及び/又はUVによるキュア処理を介さなくても上記めっきを良好に行うことができる。[剥離工程]配線パターン形成工程の後、レジストパターンを、例えば現像液よりも強いアルカリ性を有する水溶液により基板から剥離して所望の回路基板プリント配線板を得る。剥離用のアルカリ水溶液以下、剥離液ともいう。について特に制限はないが、2~5質量の濃度、40~70°CのNaOH、KOH、又は有機アミン化合物の水溶液が一般的に用いられる。剥離液に少量の水溶性溶媒を加えることが可能である。<リードフレームの製造方法>本実施の形態の別の態様は、上述した光重合性樹脂組成物を、金属板である基板上に積層する工程、該光重合性樹脂組成物を露光する露光工程、該光重合性樹脂組成物の未露光部を現像除去することによってレジストパターンを形成する現像工程、該レジストパターンが形成された基板をエッチングする導体パターン形成工程、及び該導体パターン形成工程後の基板からレジストパターンを剥離する剥離工程を含む、リードフレームの製造方法を提供する。すなわち、リードフレームの製造方法は、基板として例えば銅、銅合金、鉄系合金等の金属板を用い、上述のレジストパターンの形成方法に続いて、以下の工程を経ることで実施できる。まず、導体パターン形成工程において、現像によりレジストパターンが形成されて露出した基板を、上述の配線パターン工程におけるエッチングと同様の方法でエッチングして導体パターンを形成する。その後、剥離工程においてレジストパターンを上述の回路基板の製造方法と同様の方法で剥離して、所望のリードフレームを得る。<半導体パッケージの製造方法>本実施の形態の別の態様は、上述した光重合性樹脂組成物を、LSIとしての回路形成が終了したウェハである基板上に積層する工程、該光重合性樹脂組成物を露光する露光工程、該光重合性樹脂組成物の未露光部を現像除去することによってレジストパターンを形成する現像工程、該レジストパターンが形成された基板をめっきするめっき工程、及び該めっき工程後の基板からレジストパターンを剥離する剥離工程を含む、半導体パッケージの製造方法を提供する。すなわち、半導体パッケージの製造方法は、基板としてLSIとしての回路形成が終了したウェハを用い、上述のレジストパターンの形成方法に続いて、以下の工程を経ることで実施できる。現像によりレジストパターンが形成されて露出した基板の開口部に銅、はんだ等の柱状のめっきを施して、導体パターンを形成する。その後、レジストパターンを上述の回路基板プリント配線板の製造方法と同様の方法で剥離し、更に、典型的には柱状めっき以外の部分の薄い金属層をエッチングにより除去することにより、所望の半導体パッケージを得る。<凹凸パターンを有する基材>光重合性樹脂組成物を典型的には光重合性樹脂積層体の形態でドライフィルムレジストとして用い、サンドブラスト工法により基材に加工を施すことにより、凹凸パターンを有する基材を形成することもできる。この場合には、基材上に、上記したレジストパターンの形成方法と同様な方法で、光重合性樹脂積層体をラミネートし、露光、現像を施す。更に形成されたレジストパターン上からブラスト材を吹き付け目的の深さに切削するサンドブラスト処理工程、及び基材上に残存した樹脂部分をアルカリ剥離液等で基材から除去する剥離工程を経て、基材上に微細なパターンを加工することができる。上記サンドブラスト処理工程に用いるブラスト材としては公知のものが用いられ、例えばSiC,SiO2、Al2O3、CaCO3、ZrO、ガラス、ステンレス等の粒径2~100μm程度の微粒子が用いられる。以下、実施例及び比較例を挙げて本実施の形態の例をさらに詳しく説明する。以下に、実施例及び比較例の評価用サンプルの作製方法並びに得られたサンプルについての評価方法及び評価結果について示す。1.評価用サンプルの作製実施例及び比較例における光重合性樹脂積層体は次の様にして作製した。<光重合性樹脂組成物の調製>表1に示す化合物を用意し、表2に示す組成割合で光重合性樹脂組成物を調製した。なお表1中の重合比とは質量比であり、とは質量である。なお、表2におけるP-1~P-5の質量部は、メチルエチルケトンを含まない樹脂成分のみの値である。<光重合性樹脂積層体の作製>上記の光重合性樹脂組成物をよく攪拌、混合し、支持体としての16μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルムの表面にバーコーターを用いて均一に塗布し、95°Cの乾燥機中で4分間乾燥して光重合性樹脂層を形成した。光重合性樹脂層の厚みは48μmであった。次いで、光重合性樹脂層のポリエチレンテレフタレートフィルムを積層していない方の表面上に、保護層として20μm厚のポリエチレンフィルムを張り合わせて、光重合性樹脂積層体を得た。<基板>下記1の評価用基板としては、35μm厚の圧延銅箔を積層した0.4mm厚の両面銅張積層板を用いた。下記2及び3の評価用基板としては、次の手順によって形成した回路形成済み基板を用いた。まず、18μm厚の圧延銅箔を積層した1.2mm厚の両面銅張積層板を用い、片面にエッチングレジストを用いて金属端子パッドの回路を形成した後、エッチングとそれに続くレジスト剥離により回路形成済み基板を得た。また、裏面については全面をエッチングすることによりガラスエポキシ表面を露出させた。次に、得られた回路形成基板の回路形成面にフォトレジスト太陽インキ株製、PSR-4000-BL01を用いて、製面塗布乾燥硬化現像キュアを行うことで回路形成面上のパッド部以外に20μm厚のソルダーレジストを形成した。<基板整面>下記1~3の評価用基板としては、表面をスプレー圧0.20MPaでジェットスクラブ研磨日本カーリット株製、サクランダムR登録商標220を使用したものを使用した。<ラミネート>光重合性樹脂積層体のポリエチレンフィルムを剥がしながら、整面して60°Cに予熱した銅張積層板に、ホットロールラミネーター旭化成株社製、AL-700によりロール温度105°Cでラミネートした。エアー圧力は0.35MPaとし、ラミネート速度は1.5m/minとした。<露光>評価に必要なマスクフィルムを支持体であるポリエチレンテレフタレートフィルム上におき、超高圧水銀ランプ株オーク製作所製、HMW-801により、ストーファー製21段ステップタブレットが8段となる露光量で、光重合性樹脂層を露光した。<現像>ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した後、アルカリ現像機フジ機工製、ドライフィルム用現像機を用いて30°Cの1質量Na2CO3水溶液を所定時間スプレーし、光重合性樹脂層の未露光部分を最小限像時間の2倍の時間で溶解除去した。この際、未露光部分の光重合性樹脂層が完全に溶解するのに要する最も少ない時間を最小現像時間とした。<無電解ニッケル/金めっき>現像後の評価基板を用いて、以下の処理を連続して行った。a脱脂ICPクリーンS-135K奥野製薬工業株製、製品名溶液で、40°Cにて、5分間浸漬処理を行った。b水洗室温にて、1分間洗浄を行った。cソフトエッチ過硫酸ナトリウム/硫酸/硫酸銅5水和物浴で、室温にて、1分間浸漬処理を行った。d水洗室温にて、1分間洗浄を行った。eデスマット10質量硫酸溶液で、室温にて、1分間浸漬処理を行った。f水洗室温にて、1分間洗浄を行った。gプリディップ3.5質量塩酸溶液で、室温にて、1分間浸漬処理を行った。h活性化ICPアクセラ奥野製薬工業株製、製品名溶液で、室温にて、1分間浸漬処理を行った。i水洗室温にて、1分間洗浄を行った。j無電解ニッケルめっきICPニコロンGM-SE奥野製薬工業株製、製品名溶液で、80°Cにて、30分間浸漬処理を行った。k水洗室温にて、1分間洗浄を行った。l純水水洗室温にて、1分間洗浄を行った。m置換金めっきフラッシュゴールド330奥野製薬工業株製、製品名溶液で、80°Cにて、10分間浸漬処理を行った。n水洗室温にて、1分間洗浄を行った。o純水水洗室温にて、1分間洗浄を行った。p乾燥85°Cにて、15分間乾燥を行った。<レジスト剥離>めっき後の評価基板に、50°Cに加温した3質量の水酸化ナトリウム水溶液をスプレーして、硬化したレジストを剥離した。2.評価方法1解像性評価ラミネート後15分経過した解像度評価用基板を、露光部と未露光部との幅が1:1の比率のラインパターンで露光した。最小現像時間の2倍の現像時間で現像し、硬化レジストラインが正常に形成されている最小マスク幅を解像度の値とし、解像性を下記のようにランク分けした。◎:解像度の値が30μm以下。○:解像度の値が30μmを超え、35μm以下。△:解像度の値が35μmを超え、40μm以下。×:解像度の値が40μmを超える。2めっき耐性評価ソルダーレジスト付きの評価基板の回路形成面にドライフィルムレジストをラミネートし、全面を露光した後、現像してレジストパターンを形成した。続いて熱及び/又はUVによるキュア工程を介さずに無電解ニッケル/金めっきを行った。めっき後評価基板のレジストの膨れ観察、及びめっきに続くレジスト剥離を行った後の評価基板のめっき潜り観察を行い、めっき耐性を下記のようにランク分けした。◎:レジストの膨れやめっき潜りが全く発生しない。○:一部レジストの膨れが見られるが、めっき潜りは全く発生しない。△:レジストの膨れが見られ、めっき潜りも一部発生する。×:全面にレジストの膨れとめっき潜りが発生する。3レジスト剥離性評価ソルダーレジスト付きの評価基板の回路形成面にドライフィルムレジストをラミネートし、全面を露光した後、現像してレジストパターンを形成し、メタルハライドランプアイグラフィックス株製により1JのUVキュアを行った。得られた評価基板を、50°Cに加温した6質量の水酸化ナトリウム水溶液に6分間浸漬し、剥離残の有無を観察した。◎:剥離残が全く発生しない。○:剥離残が目視では確認されないが、顕微鏡では僅かに確認できる。△:剥離残が目視で僅かに確認できる。×:剥離残が目視で大量に確認できる。"