"透光性を有する第一基板と、前記第一基板の一面側に対向し、前記第一基板に接合される透光性の第二基板と、前記第二基板の前記第一基板が設けられる側とは反対側に対向して、前記第二基板に接合される透光性の第三基板と、前記第二基板に設けられ、前記第一基板に対向する可動面を有する可動部と、前記第二基板に設けられ、前記可動部を基板厚み方向に移動可能に保持する連結保持部と、前記可動部の前記可動面および前記第一基板の前記第二基板側の面に、所定のミラー間ギャップを介して対向配置される一対のミラーと、前記第一基板および前記第二基板の互いに対向する面に、それぞれ互いに対向する一対の変位用電極を有し、これらの変位用電極に所定の電圧が印加されることで、静電引力により前記可動部を前記基板厚み方向に変位させる静電アクチュエーターとを備え、前記第一基板と前記第二基板、前記第二基板と前記第三基板間は、それぞれ環状の接合層により接合され、前記第一基板と前記第二基板とにより挟まれた第一内部空間および前記第二基板と前記第三基板とに挟まれた第二内部空間を有し、前記第一内部空間と前記第二空間が外部に連通する貫通孔が形成され、前記貫通孔は、前記第一内部空間および前記第二内部空間を大気圧より減圧された状態に密閉する封止材で封止されていることを特徴とする波長可変干渉フィルター。請求項1に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、前記貫通孔は、前記第一基板に形成され、前記第一内部空間と基板外部とを連通する第一貫通孔と、前記第二基板に形成され、前記第一内部空間と前記第二内部空間とを連通する第二貫通孔とを備え、前記第一貫通孔が前記封止材で封止されていることを特徴とする波長可変干渉フィルター。請求項1に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、前記貫通孔は、前記第一基板に形成され、前記第一内部空間と基板外部とを連通する第一貫通孔と、前記第三基板に形成され、前記第二内部空間と基板外部とを連通する第三貫通孔とを備え、前記第一貫通孔および前記第三貫通孔が前記封止材で封止されていることを特徴とする波長可変干渉フィルター。請求項1から請求項3のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターにおいて、前記一対の変位用電極は、前記第一基板に設けられた第一変位用電極と、前記第二基板に設けられた第二変位用電極とを備え、前記第一基板には、前記第一基板を貫通し前記第一変位用電極に接続された第一貫通電極と、前記第一基板を貫通する第二貫通電極とが形成され、前記第一基板または前記第二基板の前記第一内部空間に臨む面には、前記第二貫通電極と前記第二変位用電極とを接続するバンプ電極が設けられていることを特徴とする波長可変干渉フィルター。請求項1から請求項4のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターにおいて、前記封止材は、接着剤、低融点ガラス、または低融点金属により構成されていることを特徴とする波長可変干渉フィルター。請求項1から請求項5のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターにおいて、前記第一基板には、前記一対の変位用電極に接続された貫通電極と、前記貫通電極の形成用に前記第一基板を貫通する電極形成孔が形成され、前記電極形成孔は、前記貫通孔を兼ね、前記貫通電極は、前記封止材を兼ねていることを特徴とする波長可変干渉フィルター。請求項1から請求項6のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターにおいて、前記第三基板には、特定範囲外の波長の光を反射または吸収する光学膜が形成されることを特徴とする波長可変干渉フィルター。請求項1から請求項7のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターを透過した検査対象光を受光する受光手段とを備えることを特徴とする光モジュール。請求項8に記載の光モジュールと、前記光モジュールの前記受光手段により受光された光に基づいて、光の光特性を分析する分析処理部とを備えることを特徴とする光分析装置。透光性を有する第一基板と、前記第一基板の一面側に対向し前記第一基板に接合される透光性の第二基板と、前記第二基板の前記第一基板が設けられる側とは反対側に対向して前記第二基板に接合される透光性の第三基板と、前記第一基板と前記第二基板とにより挟まれた第一内部空間および前記第二基板と前記第三基板とに挟まれた第二内部空間を有し、前記第一内部空間と前記第二空間が外部に連通する貫通孔が形成され、前記第一内部空間および前記第二内部空間を大気圧より減圧された状態に密閉する封止材を備えた波長可変干渉フィルターの製造方法であって、前記第一基板、前記第二基板および前記第三基板を互いに接合する工程と、前記貫通孔を介して前記第一内部空間および前記第二内部空間を大気圧より減圧する工程と、前記第一内部空間および前記第二内部空間を大気圧より減圧した状態で、前記貫通孔を前記封止材で封止する工程とを備えることを特徴とする波長可変干渉フィルターの製造方法。しかしながら、特許文献1に記載の波長可変干渉フィルターでは、可動部を収容する内部空間が大気圧雰囲気であり、駆動時に可動ミラーが空気抵抗を受けることになる。このため、空気抵抗により可動ミラーの応答性が十分に確保できないという問題がある。本発明の目的は、可動ミラーの応答性を向上できる波長可変干渉フィルター、光モジュール、光分析装置および波長可変干渉フィルターの製造方法を提供することにある。本発明の波長可変干渉フィルターは、透光性を有する第一基板と、前記第一基板の一面側に対向し、前記第一基板に接合される透光性の第二基板と、前記第二基板の前記第一基板が設けられる側とは反対側に対向して、前記第二基板に接合される透光性の第三基板と、前記第二基板に設けられ、前記第一基板に対向する可動面を有する可動部と、前記第二基板に設けられ、前記可動部を基板厚み方向に移動可能に保持する連結保持部と、前記可動部の前記可動面および前記第一基板の前記第二基板側の面に、所定のミラー間ギャップを介して対向配置される一対のミラーと、前記第一基板および前記第二基板の互いに対向する面に、それぞれ互いに対向する一対の変位用電極を有し、これらの変位用電極に所定の電圧が印加されることで、静電引力により前記可動部を前記基板厚み方向に変位させる静電アクチュエーターとを備え、前記第一基板と前記第二基板、前記第二基板と前記第三基板間は、それぞれ環状の接合層により接合され、前記第一基板と前記第二基板とにより挟まれた第一内部空間および前記第二基板と前記第三基板とに挟まれた第二内部空間を有し、前記第一内部空間と前記第二内部空間が外部に連通する貫通孔が形成され、前記貫通孔は、前記第一内部空間および前記第二内部空間を大気圧より減圧された状態に密閉する封止材で封止されていることを特徴とする。この発明では、第一基板と第二基板とにより挟まれた第一内部空間および第二基板と第三基板とに挟まれた第二内部空間を、外部に連通する貫通孔が形成され、貫通孔を封止材で封止して各内部空間を減圧状態に密閉する。この場合、貫通孔を真空ポンプに接続して各内部空間の空気を吸引することなどにより、内部空間を大気圧より減圧状態とすることができるので、基板の接合後に各内部空間を減圧状態で封止することできる。このため、ミラーが設けられた可動部が減圧状態の内部空間内に配置されるため、駆動時に可動ミラーに空気抵抗が働くことを防ぐことができる。従って、可動ミラーの応答性を向上でき、可動ミラーの応答性を十分に確保することができる。また、基板の接合を大気圧雰囲気下で行うことができるので、プラズマ重合膜や金属膜などを用いた接合方法を採用でき、各基板間の接合品質を確保できる。本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記貫通孔は、前記第一基板に形成され、前記第一内部空間と基板外部とを連通する第一貫通孔と、前記第二基板に形成され、前記第一内部空間と前記第二内部空間とを連通する第二貫通孔とを備え、前記第一貫通孔が前記封止材で封止されていることが好ましい。この発明では、第一内部空間に連通する第一貫通孔が第一基板に形成され、第一内部空間と第二内部空間とを連通する第二貫通孔が第二基板に形成されているため、第一貫通孔からの空気吸引により、各内部空間を大気圧より減圧状態とすることができる。従って、第一貫通孔のみを封止することで、各内部空間を減圧状態で封止することができるので、封止材の数や量が少なくてすむ。本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記貫通孔は、前記第一基板に形成され、前記第一内部空間と基板外部とを連通する第一貫通孔と、前記第三基板に形成され、前記第二内部空間と基板外部とを連通する第三貫通孔とを備え、前記第一貫通孔および前記第三貫通孔が前記封止材で封止されていることが好ましい。この発明では、第一内部空間に連通する第一貫通孔が第一基板に形成され、第二内部空間に連通する第三貫通孔が第三基板に形成されているため、各内部空間内の空気をそれぞれ独立して吸引することができる。従って、各内部空間を減圧状態にする時間を短縮することができ、波長可変干渉フィルターの製造効率を向上できる。本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記一対の変位用電極は、前記第一基板に設けられた第一変位用電極と、前記第二基板に設けられた第二変位用電極とを備え、前記第一基板には、前記第一基板を貫通し前記第一変位用電極に接続された第一貫通電極と、前記第一基板を貫通する第二貫通電極とが形成され、前記第一基板または前記第二基板の前記第一内部空間に臨む面には、前記第二貫通電極と前記第二変位用電極とを接続するバンプ電極が設けられていることが好ましい。この発明では、第一貫通電極および第二貫通電極が第一基板に形成されている。そして、第一貫通電極が第一変位用電極に接続され、バンプ電極が第二貫通電極と第二変位用電極とを接続する。このため、波長可変干渉フィルターの外部からの第一および第二変位用電極への導通を確保することができる。また、これら電極を第一基板側に集中して形成するため、各電極を接続するための配線を簡略化でき、基板への各電極の実装を容易に行うことができる。本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記封止材は、接着剤、低融点ガラス、または低融点金属により構成されていることが好ましい。この発明では、内部空間の封止用の封止材が、接着剤、低融点ガラス、または低融点金属により構成される。このため、封止時に波長可変干渉フィルターに伝わる熱量を小さくすることができ、封止工程におけるミラー、静電アクチュエーター、接合層等の熱劣化を防ぐことができる。本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記第一基板には、前記一対の変位用電極に接続された貫通電極と、前記貫通電極の形成用に前記第一基板を貫通する電極形成孔が形成され、前記電極形成孔は、前記貫通孔を兼ね、前記貫通電極は、前記封止材を兼ねていることが好ましい。この発明では、変位用電極に接続された貫通電極の形成用の電極形成孔が、第一基板に形成された貫通孔を兼ね、貫通電極が封止材を兼ねる。このような構成によれば、貫通電極を形成することで各内部空間を封止できるので、変位用電極と導通する貫通電極の形成と内部空間の減圧状態での封止とを、同時に行うことができる。このため、波長可変干渉フィルターの製造プロセスを簡略化でき、波長可変干渉フィルターの製造効率を向上できる。本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記第三基板には、特定範囲外の波長の光を反射または吸収する光学膜が形成されることが好ましい。この発明では、特定範囲外の波長の光を反射または吸収する光学膜が第三基板に形成されるため、第三基板への光の入射時に、特定範囲外の波長の光を除去することができる。つまり、光学膜をバンドパスフィルターとして機能させることができる。このため、バンドパスフィルターを別途設ける必要がなく、波長可変干渉フィルターの部品点数を削減することができる。従って、波長可変干渉フィルターの小型化や低コスト化を図ることができる。本発明の光モジュールは、上述した波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターを透過した検査対象光を受光する受光手段とを備えることを特徴とする。この発明では、上述した発明と同様に、波長可変干渉フィルターの可動ミラーの応答性を向上することができるので、検査対象光を速やかに受光することができる。また、基板の接合を大気圧雰囲気下で行うことができるので、プラズマ重合膜や金属膜などを用いた接合方法を採用でき、波長可変干渉フィルターの基板間の接合品質を確保できる。本発明の光分析装置は、上述した光モジュールと、前記光モジュールの前記受光手段により受光された光に基づいて、光の光特性を分析する分析処理部とを備えることを特徴とすることを特徴とする。この発明では、上述した発明と同様に、波長可変干渉フィルターの可動ミラーの応答性を向上することができるので、検査対象光の各色成分の強度を速やかに分析することができる。また、基板の接合を大気圧雰囲気下で行うことができるので、波長可変干渉フィルターの基板間の接合品質を確保できる。本発明の波長可変干渉フィルターの製造方法は、透光性を有する第一基板と、前記第一基板の一面側に対向し前記第一基板に接合される透光性の第二基板と、前記第二基板の前記第一基板が設けられる側とは反対側に対向して前記第二基板に接合される透光性の第三基板と、前記第一基板と前記第二基板とにより挟まれた第一内部空間および前記第二基板と前記第三基板とに挟まれた第二内部空間を有し、前記第一内部空間と前記第二空間が外部に連通する貫通孔が形成され、前記第一内部空間および前記第二内部空間を大気圧より減圧された状態に密閉する封止材を備えた波長可変干渉フィルターの製造方法であって、前記第一基板、前記第二基板および前記第三基板を互いに接合する工程と、前記貫通孔を介して前記第一内部空間および前記第二内部空間を大気圧より減圧状態にする工程と、前記第一内部空間および前記第二内部空間を大気圧より減圧状態にした状態で、前記貫通孔を前記封止材で封止する工程とを備えることを特徴とする。この発明では、基板の接合後に、第一内部空間および第二内部空間を大気圧より減圧状態にして各内部空間を封止するため、基板の接合を大気圧雰囲気下で行うことができる。このため、プラズマ重合膜や金属膜などを用いた接合方法を採用でき、各基板間の接合品質を向上できる。また、ミラーが設けられた可動部が減圧状態の内部空間内に配置されるため、可動ミラーに空気抵抗が働くことを防ぐことができ、可動ミラーの応答性を十分に確保することができる。第一実施形態以下、本発明に係る第一実施形態の光分析装置としての測色装置について、図面を参照して説明する。1.測色装置の全体構成図1は、本発明に係る第一実施形態の測色装置の概略構成を示す図である。この測色装置1は、図1に示すように、検査対象Aに光を射出する光源装置2と、本発明の光モジュールとしての測色センサー3と、測色装置1の全体動作を制御する制御装置4とを備えている。そして、この測色装置1は、光源装置2から射出される光を検査対象Aにて反射させ、反射された検査対象光を測色センサーにて受光し、測色センサー3から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度、すなわち検査対象Aの色を分析して測定する装置である。2.光源装置の構成光源装置2は、光源21、複数のレンズ22図1には1つのみ記載を備え、検査対象Aに対して白色光を射出する。また、複数のレンズ22には、コリメーターレンズが含まれており、光源装置2は、光源21から射出された白色光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから検査対象Aに向かって射出する。3.測色センサーの構成測色センサー3は、図1に示すように、本発明の波長可変干渉フィルターを構成するエタロン5と、エタロン5を透過する光を受光する受光手段としての受光素子31と、エタロン5で透過させる光の波長を可変する電圧制御手段6とを備えている。また、測色センサー3は、エタロン5に対向する位置に、検査対象Aで反射された反射光検査対象光を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。そして、この測色センサー3は、エタロン5により、入射光学レンズから入射した検査対象光のうち、所定波長の光を分光し、分光した光を受光素子31にて受光する。受光素子31は、複数の光電交換素子により構成されており、受光量に応じた電気信号を生成する。そして、受光素子31は、制御装置4に接続されており、生成した電気信号を受光信号として制御装置4に出力する。3-1.エタロンの構成図2は、本発明の波長可変干渉フィルターを構成するエタロン5の概略構成を示す平面図であり、図3は、エタロン5の断面図である。なお、図1では、エタロン5に検査対象光が図中下側から入射しているが、図3では、検査対象光が図中上側から入射するものとする。エタロン5は、図2に示すように、平面正方形状の板状の光学部材であり、一辺が例えば10mmに形成されている。このエタロン5は、図3に示すように、第一基板51、第二基板52、および第三基板53を備えている。これらの3枚の基板51,52,53は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などにより形成されている。これらの中でも、各基板51,52,53の構成材料としては、例えばナトリウムNaやカリウムKなどのアルカリ金属を含有したガラスが好ましく、このようなガラスにより基板51,52,53を形成することで、後述するミラー55,56や各電極の密着性、基板同士の接合強度を向上させることが可能となる。そして、これらの3つの基板51,52,53は、外周部近傍に形成される接合面513,524,525,532が接合層571,572により接合されることで、一体的に構成されている。そして、第一基板51と、第二基板52との間には、本発明の一対のミラーを構成する固定ミラー55および可動ミラー56が設けられる。ここで、固定ミラー55は、第一基板51の第二基板52に対向する面に固定され、可動ミラー56は、第二基板52の第一基板51に対向する面に固定されている。また、これらの固定ミラー55および可動ミラー56は、ミラー間ギャップGを介して対向配置されている。さらに、第一基板51と第二基板52との間には、固定ミラー55および可動ミラー56の間のミラー間ギャップGの寸法を調整するための静電アクチュエーター54が設けられている。3-1-1.第一基板の構成図4は、第一基板51を第二基板52側から見た平面図である。第一基板51は、厚みが例えば1mmに形成されるガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。具体的には、図3および図4に示すように、第一基板51には、エッチングによりミラー固定部511および電極形成溝512が形成される。ミラー固定部511は、第一基板51の基板厚み方向から第一基板51を見た平面視において、平面中心点を中心とした円形に形成されている。電極形成溝512は、前記平面視において、電極形成溝512と同心円で電極形成溝512よりも径寸法が大きい円形に形成されている。ミラー固定部511は、第一基板51の表面からの深さが、例えば500nmに形成されている。ミラー固定部511の深さ寸法は、ミラー固定部511の表面ミラー固定面511Aに固定される固定ミラー55、および第二基板52に形成される可動ミラー56の間のミラー間ギャップGの寸法、固定ミラー55や可動ミラー56の厚み寸法により適宜設定される。また、ミラー固定部511は、エタロン5を透過させる波長域をも考慮して、深さが設計されることが好ましい。そして、ミラー固定面511Aには、円形状に形成される固定ミラー55が固定されている。この固定ミラー55は、高反射率が得られるAg合金やAl合金等の金属合金膜であり、スパッタリングなどの手法によりミラー固定部511に形成される。なお、本実施形態では、固定ミラー55としてはAg合金やAl合金等の金属合金膜を用いるが、これに限定されず、例えば、SiO2-TiO2系膜誘電体多層膜や、AgC単層の固定ミラーを用いる構成としてもよい。電極形成溝512は、第一基板51の表面からの深さが、例えば1μmに形成されている。電極形成溝512には、ミラー固定部511の外周縁から電極形成溝512の内周壁面まで間に、リング状の電極固定底面512Aが形成され、この電極固定底面512Aに第一変位用電極541が形成される。また、第一基板51には、溝深さがそれぞれ電極固定底面512Aと同一深さ寸法である第一電極導入溝512Bおよびバンプ電極形成溝512Cが形成されている。第一電極導入溝512Bおよびバンプ電極形成溝512Cは、電極形成溝512の外周縁から第一基板51の平面中心点に対して互いに反対方向に延出して形成される。第一電極導入溝512Bには、第一変位用電極541の外周縁の一部から延出する第一変位用電極引出部542が形成される。第一変位用電極541および第一変位用電極引出部542は、Au/Cr膜クロム膜を下地とし、その上に金膜を形成した膜を用いて形成され、スパッタリングなどの手法により、例えば100nmの厚さに形成される。なお、本実施形態では、第一変位用電極541および第一変位用電極引出部542してはAu/Cr膜を用いるが、これに限定されず、他の金属やITOIndiumTinOxide:インジウム錫酸化物を用いてもよい。また、第一電極導入溝512Bの第一変位用電極引出部542が設けられた位置には、第一基板51を貫通する第一貫通電極514Aが形成されている。第一貫通電極514Aは、第一変位用電極引出部542と、第一基板51の第一変位用電極引出部542とは反対側の面に設けられた第一外部端子515Aとを接続している。バンプ電極形成溝512Cには、ポリイミド等の樹脂をコアとして、コアのまわりを金等でメッキしたバンプ電極516が形成されている。バンプ電極形成溝512Cにおいて、後述の第二変位用電極544と対向する位置には、第一基板51を貫通する第二貫通電極514Bが形成されている。第二貫通電極514Bは、バンプ電極516と、第一基板51のバンプ電極516とは反対側の面に設けられた第二外部端子515Bとを接続している。なお、各貫通電極514A,514Bは、第一変位用電極541、第一変位用電極引出部542、およびバンプ電極516の形成後に、ダイヤモンドドリルやサンドブラスト等によって貫通孔を形成し、貫通孔を金等のメッキで封止することにより形成される。さらに、第一基板51には、エタロン5の外部と、第一基板51および第二基板52の間の射出側空間本発明の第一内部空間581とを連通する第一貫通孔517が形成されている。この第一貫通孔517は、射出側空間581と第二基板52および第三基板53の間の入射側空間本発明の第二内部空間582とが減圧状態とされた状態で、封止材518により封止される。封止材518としては、接着剤、低融点ガラス、低融点金属等が用いられる。3-1-2.第二基板の構成第二基板52は、厚みが例えば600μmに形成されるガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。具体的には、図2および図3に示すように、第二基板52には、エッチングにより変位部521が形成される。この変位部521は、第二基板52の基板厚み方向から第二基板52を見た平面視において、平面中心点を中心とした円形の可動部522と、可動部522と同軸であり可動部522を保持する連結保持部523とを備えている。可動部522は、連結保持部523よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、第二基板52の厚み寸法と同一寸法である600μmに形成されている。また、可動部522は、ミラー固定部511の径寸法と略同一径寸法の円柱状に形成されている。また、可動部522は、ミラー固定部511に平行な可動面522Aを備え、この可動面522Aに可動ミラー56が固定されている。ここで、この可動ミラー56と、上記した固定ミラー55とにより、本発明の一対のミラーが構成される。可動ミラー56は、固定ミラー55と同様に円形状に形成されている。また、可動ミラー56は、固定ミラー55と同一の薄膜が用いられ、本実施形態では、Ag合金やAl合金等の金属合金膜が用いられる。連結保持部523は、可動部522の周囲を囲うダイヤフラムであり、例えば厚み寸法が30μmに形成されている。そして、連結保持部523の第一基板51に対向する面には、第一変位用電極541と電磁ギャップを介して対向するリング状の第二変位用電極544が形成されている。ここで、電磁ギャップは、第一基板51の電極形成溝512の深さ寸法、各変位用電極541,544の厚み、および接合層571の厚みにより決定される。また、第二変位用電極544および前述した第一変位用電極541は、本発明の一対の変位用電極であり、本発明の静電アクチュエーター54を構成する。また、第二変位用電極544の外周縁の一部からは、第二変位用電極引出部545が、平面正方形状の第二基板52の1つの頂点に向かって、より具体的には、図2に示す平面視において右上の頂点に向かって延出して形成されている。なお、本実施形態では、第二変位用電極544および第二変位用電極引出部545は、第一変位用電極541および第一変位用電極引出部542と同様に、Au/Cr膜を用いて形成されるが、これに限定されず、他の金属やITOを用いてもよい。さらに、第二基板52の連結保持部523には、第一基板51および第二基板52の間の射出側空間581と、第二基板52および第三基板53の間の入射側空間582とを連通する第二貫通孔526が形成されている。この第二貫通孔526は、レーザー加工等により予め形成される。このような第二基板52と第一基板51との接合時には、第一基板51に形成されたバンプ電極516に第二変位用電極引出部545が当接し、この当接状態が維持される。つまり、第二変位用電極引出部545は、バンプ電極516および第二貫通電極514Bを介して、第二外部端子515Bに接続される。これにより、第二変位用電極引出部545から第二外部端子515Bへの導通が確保される。第二外部端子515Bおよび前述の第一外部端子515Aは、例えば測色センサー3の電圧制御手段6に接続され、電圧制御手段6により第一変位用電極541および第二変位用電極544間に所定の電圧が印加される。これにより、静電引力により、これらの第一変位用電極541および第二変位用電極544が引っ張られ、連結保持部523が撓んで、可動部522が第一基板51側に変位する。この第一変位用電極541および第二変位用電極544間に印加する電圧を制御することで、可動部522の可動ミラー56と、第一基板51の固定ミラー55との間のミラー間ギャップGが調整され、ミラー間ギャップGに応じた波長の光が分光可能となる。3-1-3.第三基板の構成第三基板53は、上記第一基板51および第二基板52と同様に、厚みが例えば1mmに形成されるガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。具体的には、第三基板53には、第二基板52の変位部521に対向して、この変位部521と同一径寸法のギャップ形成溝531が形成されている。また、第三基板53の両面には、特定範囲外の波長の光を反射または吸収する光学膜533が、固定ミラー55および可動ミラー56と同心円状に形成されている。測色センサー3の入射光学レンズから入射した検査対象光は、この光学膜533を通って第二基板52の可動部522に入射する。上述したような第一基板51、第二基板52、および第三基板53は、図3に示すように、変位部521の外周側に形成される接合面513,524,525,532を接合することで、一体構成として形成される。3-2.電圧制御手段の構成電圧制御手段6は、上記エタロン5とともに、本発明の波長可変干渉フィルターを構成する。この電圧制御手段6は、制御装置4からの入力される制御信号に基づいて、静電アクチュエーター54の第一変位用電極541および第二変位用電極544に印加する電圧を制御する。4.制御装置の構成制御装置4は、測色装置1の全体動作を制御する。この制御装置4としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。そして、制御装置4は、図1に示すように、光源制御部41、測色センサー制御部42、および分析処理部としての測色処理部43などを備えて構成されている。光源制御部41は、光源装置2に接続されている。そして、光源制御部41は、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置2に所定の制御信号を出力し、光源装置2から所定の明るさの白色光を射出させる。測色センサー制御部42は、測色センサー3に接続されている。そして、測色センサー制御部42は、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー3にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー3に出力する。これにより、測色センサー3の電圧制御手段6は、制御信号に基づいて、利用者が所望する光の波長を透過させるよう、静電アクチュエーター54への印加電圧を設定する。測色処理部43は、検査対象光を構成する各波長成分の受光量を、例えばディスプレイなどの表示装置やプリンターなどの印刷装置に出力し、検査対象光を構成する各色成分値を表示させる制御をする。5.エタロンの製造方法先ず、上述した各基板51,52,53を形成する。この際、第一基板51に第一貫通孔517を、第二基板52に第二貫通孔526を、それぞれレーザー加工等により予め形成しておく。なお、第一基板51および第三基板53は、射出側空間581および入射側空間582を減圧状態とした際に、撓まない程度の剛性が確保できる厚さに形成する。次に、各基板51,52,53同士を接合する。ここで、接合面513,524,525,532同士を接合する接合層571,572には、例えばプラズマ重合膜が用いられる。具体的には、各基板51,52,53は、各基板51,52,53の接合面513,524,525,532にプラズマ重合法などによりプラズマ重合膜を形成し、プラズマ重合膜に紫外線の照射、またはプラズマ処理をした後に、各基板51,52,53を重ね合わせることで接合される。プラズマ重合膜は、ポリオルガノシロキサンを主材料として用いるのが好ましく、その平均厚みは、約10nmから約100nmである。このようには、シロキサンによるプラズマ重合膜を用いた活性化接合を実施することで、温度によらず、紫外線照射またはプラズマ処理により、容易にプラズマ重合膜を接合させることができる。また、シロキサンによるプラズマ重合膜を用いれば、各基板51,52,53として、いかなる素材の基板を用いた場合でも、良好な密着性を示し、強い接合強度を得ることができる。なお、各基板51,52,53の接合では、上記接合方法以外にも、例えば、粘着性薄膜接着剤による接合方法や、金属膜による接合方法などを利用することもできる。各基板51,52,53同士を接合した後は、第一貫通孔517から射出側空間581および入射側空間582内の空気を真空ポンプ等の吸引装置で吸引し、射出側空間581および入射側空間582を大気圧より減圧状態とする。そして、射出側空間581および入射側空間582が減圧された状態で、第一貫通孔517を封止材518により封止する。6.第一実施形態の作用効果上述したように、上記第一実施形態のエタロン5では、第一基板51と第二基板52とにより挟まれた射出側空間581を外部に連通する第一貫通孔517が、第一基板51に形成されている。また、第二基板52および第三基板53に挟まれた入射側空間582と射出側空間581とを連通する第二貫通孔526が、第二基板52に形成されている。このため、第一貫通孔517を介して射出側空間581および入射側空間582を大気圧より減圧状態とすることができるので、各基板51,52,53の接合後に射出側空間581および入射側空間582を減圧した状態で封止することできる。従って、基板51,52,53の接合を大気圧雰囲気下で行うことができるので、プラズマ重合膜や金属膜などを用いた接合方法を採用でき、各基板51,52,53間の接合品質を確保できる。特に、接合層571,572の一例であるプラズマ重合膜は、基板51,52,53表面の凹凸などを吸収できるため、基板51,52,53同士を密閉接合でき、接合品質が良好である。このため、プラズマ重合膜を用いて基板を接合できる本発明の利点は大きい。また、第一貫通孔517のみを封止することで、射出側空間581および入射側空間582を減圧状態で封止することができるので、封止材518の数や量が少なくてすむ。さらに、可動ミラー56の設けられた可動部522が、それぞれ減圧状態の射出側空間581および入射側空間582の間に配置されるため、駆動時に可動ミラー56に空気抵抗が働くことを防ぐことができる。従って、可動ミラー56の応答性を向上でき、可動ミラー56の応答性を十分に確保することができる。また、このようなエタロン5を用いた測色センサー3および測色装置1では、エタロン5の可動ミラー56の応答性を向上することができるので、検査対象光を速やかに受光したり、検査対象光の各色成分の強度を速やかに分析することができる。第二実施形態次に、本発明に係る第二実施形態の波長可変干渉フィルターについて説明する。図5は、第二実施形態のエタロンの概略構成を示す断面図である。なお、第二実施形態以降の説明にあたり、第一実施形態と同様の構成については、同符号を付し、その説明を省略または簡略する。第二実施形態の測色装置は、第一実施形態と略同様の構成を有し、光源装置2と、測色センサー3と、制御装置4とを備えて構成されており、第一実施形態とは、測色センサー3に設けられるエタロン5Aの構成が異なる。すなわち、第一実施形態のエタロン5では、第二基板52に第二貫通孔526が設けられる例を示したが、第二実施形態のエタロン5Aでは、第二基板52Aには第二貫通孔526が形成されず、第三基板53Aに第三貫通孔534が形成される。具体的には、図5に示すように、第二実施形態のエタロン5Aでは、第三基板53Aのギャップ形成溝531に、第三貫通孔534が形成される。第三貫通孔534は、エタロン5の外部と、第二基板52Aおよび第三基板53Aの間の入射側空間582とを連通する。また、第三貫通孔534は、入射側空間582が大気圧より減圧された状態で、封止材535により封止される。このようなエタロン5Aは、以下の製造方法により形成することができる。すなわち、各基板51,52,53同士を接合した後に、各貫通孔517,534を介して、射出側空間581および入射側空間582内の空気を真空ポンプ等の吸引装置で吸引し、射出側空間581および入射側空間582を減圧状態とする。この状態で、各貫通孔517,534を封止材518,535で封止することにより、射出側空間581および入射側空間582が減圧状態で封止されて、エタロン5Aが形成される。第二実施形態の作用効果第二実施形態のエタロン5Aでは、次のような作用効果を奏することができる。すなわち、射出側空間581に連通する第一貫通孔517が第一基板51に形成され、入射側空間582に連通する第三貫通孔534が第三基板53Aに形成されている。このため、射出側空間581および入射側空間582内の空気をそれぞれ独立して吸引することができる。従って、射出側空間581および入射側空間582内の空気を同時に吸引することができるので、各空間581,582を減圧状態にする時間を短縮することができ、エタロン5Aの製造効率を向上できる。特に、前記第一実施形態で示した連結保持部523への第二貫通孔526の形成が、剛性等の理由により難しい場合には、本実施形態のエタロン5Aように、第三基板53Aに第三貫通孔534を形成することで、入射側空間582を減圧状態にすることができる。第三実施形態次に、本発明に係る第三実施形態の波長可変干渉フィルターについて説明する。図6は、第三実施形態のエタロンの概略構成を示す断面図であり、図7は、第三実施形態のエタロンの内部空間の封止工程を説明するための概略図である。前記第一実施形態では、射出側空間581と外部とを連通する各貫通孔517,526が各貫通電極514A,514B形成用の孔とは別に設けられ、入射側空間582および射出側空間581を減圧した状態で、第一貫通孔517を封止していた。また、バンプ電極516が形成され、各貫通電極514A,514Bおよびバンプ電極516を介して、各変位用電極541,544が各外部端子515A,515Bと接続されていた。これに対して、第三実施形態では、各貫通電極514C,514Dの形成用に第一基板51Aを貫通する第一電極形成孔517Aおよび第二電極形成孔517Bが形成され、この電極形成孔517A,517Bに貫通電極514C,514Dを形成することで、入射側空間582および射出側空間581の減圧状態での封止と各貫通電極514C,514Dの形成とを行う。具体的には、図6に示すように、第一基板51Aには、第一変位用電極541、第一変位用電極引出部542、第一外部端子515C、第一電極形成孔517A、および第一貫通電極514Cが形成されている。第一変位用電極引出部542および第一外部端子515Cは、それぞれ第一電極形成孔517Aと略同じ径寸法の電極形成孔を有している。第一電極形成孔517Aは、第一基板51Aの第一変位用電極541が設けられた位置に、第一変位用電極541および第一外部端子515Cのそれぞれの電極形成孔と一直線状に並んで形成されている。第一貫通電極514Cは、これら電極形成孔を貫通し、第一変位用電極引出部542および後述する第二基板52のダミー電極527と接続されている。また、第一基板51Aには、ダミー電極519、第二外部端子515D、第二電極形成孔517B、および第二貫通電極514Dが形成されている。ダミー電極519および第二外部端子515Dは、それぞれ第二電極形成孔517Bと略同じ径寸法の電極形成孔を有している。第二電極形成孔517Bは、第二変位用電極544と対向する位置に、ダミー電極519および第二外部端子515Dのそれぞれの電極形成孔と一直線状に並んで形成されている。第二貫通電極514Dは、これらの電極形成孔を貫通し、第二基板52の第二変位用電極引出部545と接続されている。以下、本実施形態のエタロン5Bにおける入射側空間582および射出側空間581の封止方法、並びに各外部端子515C,515Dと各変位用電極引出部542,545との接続方法について説明する。先ず、第一基板51Aに、第一変位用電極541、第一変位用電極引出部542、各外部端子515C,515D、およびダミー電極519を形成する。また、第二基板52に、第二変位用電極544、第二変位用電極引出部545、およびダミー電極527を形成する。なお、ダミー電極519,527は、駆動には関与せず、各貫通電極514C,514Dと第一基板51Aとの密着性や、射出側空間581の密閉性を確保するために設ける。そして、ダイヤモンドドリルやサンドブラスト等により、各外部端子515C,515D、第一基板51A、第一変位用電極引出部542、およびダミー電極519に、電極形成孔517A,517Bを含む各電極形成孔を形成する。次に、各基板51A,52,53を、接合層571,572を介して接合する。その後、図7に示すように、電極形成孔517A,517Bを含む各電極形成孔に所定長さの低融点金属ワイヤー591,592を挿通して、低融点金属ワイヤー591,592の先端をダミー電極527または第二変位用電極引出部545に当接させる。そして、図示しない真空チャンバーにエタロン5Bを入れ、真空チャンバー内を減圧する。この際、電極形成孔517A,517Bは、射出側空間581および入射側空間582を減圧状態にするための第一貫通孔517A,517Bとして機能する。この状態で、真空チャンバー内を低融点金属ワイヤー591,592が溶融する温度に加熱する。真空チャンバー内を冷却し、大気圧に戻した後、エタロン5Bをチャンバーから取り出すと、図6に示すように、低融点金属ワイヤー591,592が溶融して、入射側空間582および射出側空間581が減圧状態で封止される。また、電極形成孔517A,517B内に貫通電極514C,514Dが形成され、この貫通電極514C,514Dにより、各変位用電極引出部542,545と各外部端子515C,515Dとが接続される。第三実施形態の作用効果第三実施形態のエタロン5Bでは、第一基板51Aを貫通する第一電極形成孔517Aに挿通されて第一変位用電極541に当接した低融点金属ワイヤー591と、第一基板51Aを貫通する第二電極形成孔517Bに挿通されて第二変位用電極引出部545に当接した低融点金属ワイヤー592とが、それぞれ溶融して各電極形成孔517A,517Bが封止される。このような構成によれば、各貫通電極514C,514Dの形成用の電極形成孔517A,517Bが、射出側空間581および入射側空間582を減圧状態にするための第一貫通孔517A,517Bを兼ね、各貫通電極514C,514Dが封止材518を兼ねる。このため、各変位用電極541,544と導通する貫通電極514C,514Dの形成と、射出側空間581および入射側空間582の減圧状態での封止とを、同時に行うことができる。従って、エタロン5Bの製造プロセスを簡略化でき、エタロン5Bの製造効率を向上できる。また、各変位用電極541,544や、各変位用電極541,544と導通する貫通電極514C,514Dが第一基板51A側に集中して形成されているため、各電極を接続するための配線を簡略化でき、基板への各電極の実装を容易に行うことができる。他の実施の形態なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。例えば、前記第一実施形態では、第一貫通孔517が第一基板51に形成されていたが、第一基板51に第一貫通孔517を設けずに、第三基板53に第三貫通孔534を形成してもよい。第二基板52には、射出側空間581と入射側空間582とを連通する第二貫通孔526が形成されているため、この場合でも、射出側空間581および入射側空間582内の空気を第一貫通孔から吸引でき、射出側空間581および入射側空間582を減圧状態とすることができる。また、前記第一および前記第二実施形態では、バンプ電極516が第一基板51に形成されていたが、バンプ電極516を第二基板52,52Aに形成してもよい。バンプ電極516が、第一基板51または第二基板52,52Aの射出側空間581に臨む面に設けられていれば、バンプ電極516により第二変位用電極544と第二貫通電極514Bとを接続することができるからである。前記第三実施形態では、第一基板51Aに各外部端子515C,515Dおよび各電極形成孔517A,517Bが形成されていたが、これに限られない。例えば、第三基板53の第二基板52とは反対側の面に各外部端子515C,515Dを設け、各外部端子515C,515D、第三基板53、第二基板52、ダミー電極527、および第二変位用電極引出部545を貫通するように電極形成孔を形成してもよい。この場合、電極形成孔に低融点金属ワイヤー591,592を挿通し、先端が第一変位用電極引出部542またはダミー電極519に当接した状態で低融点金属ワイヤー591,592を溶融させる。これにより、射出側空間581および入射側空間582を減圧状態で封止できる。また、各変位用電極引出部542,545と各外部端子515C,515Dとを接続する貫通電極が形成される。また、前記第三実施形態では、第二基板52に第二貫通孔526が形成されていたが、前記第二実施形態と同様に、第二基板52に第二貫通孔526を形成せず、第三基板53に第三貫通孔534を形成してもよい。さらに、前記第三実施形態では、ダミー電極519,527が設けられていたが、ダミー電極519,527は必須ではなく、ダミー電極519,527を設けずに各貫通電極514C,514Dを形成してもよい。また、前記各実施形態において第二基板52,52Aに形成される変位部521は、ダイヤフラム状の連結保持部523を備える構成としたが、これに限定されない。例えば、基板厚み方向からエタロン5,5A,5Bをみる平面視において、可動部522の外周部に均等間隔に連結保持部523が設けられる構成などとしてもよく、可動部522の中心点に対し、点対称となる位置に一対の薄板状の連結保持部523が、可動部522を挟んで形成される構成などとしてもよい。また、変位用電極も同様であり、例えば、変位用電極が可動部522を均等に変位させる位置に設けられていればよい。例えば、第一基板51の固定ミラー55を挟んで点対称となる位置に一対の第一変位用電極541が形成され、この第一変位用電極541に対向して、第二基板52の連結保持部523に一対の第二変位用電極544が形成され、これらの電極により静電アクチュエーター54が構成されてもよい。さらに、前記各実施形態において、測色装置1は、光源装置2を備え、光源装置2から射出される白色光を検査対象で反射させ、この反射光を検査対象光として測色センサーにて受光する構成としたが、例えば、液晶ディスプレイなど、自ら発光する検査対象の色度を測定する測色装置では、光源装置2が設けられない構成としてもよい。また、上記測色センサー3内に単一のエタロン5,5A,5Bが組み込まれる構成に限らず、複数のエタロン5,5A,5Bが組み込まれる構成としてもよい。この場合、それぞれ分光可能な波長域の異なるエタロン5,5A,5Bを組み込むことで、より広い範囲をカバーすることができる。その他、本発明の実施の際の具体的な構造および手順は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などに適宜変更できる。"