"電気的制御可能な光及び/又はエネルギー特性を有する電気化学デバイス1であって、電気伝導性層を含む第1の電極被膜4と、電気伝導性層を含む第2の電極被膜12と、前記第1の電極被膜4と前記第2の電極被膜12との間の電気化学活性媒体6、10であって、前記第1の電極被膜4と前記第2の電極被膜12とに電力を供給することにより異なる光透過の第1の状態と第2の状態とを可逆的に切り替えることができる電気化学活性媒体6、10と、を含むタイプのものであり、前記第14及び第212の電極被膜のうちの少なくとも一方のものの少なくとも1つの電気伝導性層の材料は金属酸化物を基にしており、前記材料は60以上、好ましくは80以上の光透過率D65を有し、前記材料は、当該材料のプラズマ波長をλ、このプラズマ波長での吸収スペクトルの半値全幅をΔλとして、λ-Δλ/2≧1.8μmを満たす吸収スペクトルを有するような自由電荷キャリア濃度を有し、前記電気化学活性媒体は日射係数gのコントラストに対してこのプラズマ波長において活性である、電気的制御可能な光及び/又はエネルギー特性を有する電気化学デバイス1。前記材料が10×104Ωcm以下、好ましくは5×104Ωcm以下の抵抗率を有する、請求項1に記載のデバイス1。前記材料中の前記電荷キャリア移動度が50cm2V1s1以上、好ましくは100cm2V1s1以上である、請求項1又は2に記載のデバイス1。前記材料が5×105Ωcm以上の抵抗率を有する、請求項1~3のいずれか一項に記載のデバイス1。前記材料中の電荷キャリア濃度が5×1020cm3以下、例えば2×1020cm3以下、例えば1×1020cm3以下である、請求項1~4のいずれか一項に記載のデバイス1。前記材料からなる電気伝導性層が1000nm以下、好ましくは700nm以下の厚さを有する、請求項1~5のいずれか一項に記載のデバイス1。前記材料からなる電気伝導性層が30nm以上の厚さを有する、請求項1~6のいずれか一項に記載のデバイス1。前記材料が酸化亜鉛インジウムIZO化合物を基にしており、当該IZO化合物における亜鉛の重量パーセント含有量が好ましくは10と30の間の範囲にある、請求項1~7のいずれか一項に記載のデバイス1。前記材料がIZOである、請求項8に記載のデバイス1。前記材料がモリブデンをドープした酸化インジウムIMOを基にしており、当該IMO化合物におけるMoの重量パーセント含有量が好ましくは0.1と2.0の間、好ましくは0.3と1.0の間の範囲にある、請求項1~7のいずれか一項に記載のデバイス1。前記材料を含む電極被膜4、12のうちの少なくとも一方が単一の電気伝導性層を含む、請求項1~10のいずれか一項に記載のデバイス1。前記第1の電極被膜4及び前記電気化学活性媒体6、10が同じ基材2上に形成されており、前記電気化学活性媒体が前記第1の電極被膜4上に、例えば無機又はポリマー層上に、形成された層である、請求項1~11のいずれか一項に記載のデバイス1。さらなる電気化学活性媒体を含み、前記電気化学活性層6、10が前記2つの電極被膜4、12の間に配置され電解質8により隔てられている、請求項12に記載のデバイス1。当該デバイスがオールソリッドステートタイプのものであり、前記第1の電極被膜4が前記基材2上に形成され、前記第1の電気化学活性層6が前記第1の電極被膜4上に形成され、前記電解質8が前記第1の電気化学活性層6上に形成され、前記第2の電気化学活性層10が前記電解質8上に形成され、前記第2の電極被膜12が前記第2の電気化学活性層10上に形成されている、請求項13に記載のデバイス1。当該デバイスが対向基材16及び積層中間層14を含み、この積層中間層14を用いて、前記電気化学活性媒体6、10が前記基材と2前記対向基材16との間に位置するように前記対向基材16及び前記基材2が一緒に積層され、前記積層中間層14が好ましくは前記第2の電極被膜12を電気的に接続する手段をもたらしている、請求項14に記載のデバイス1。前記電気化学活性媒体がエレクトロクロミックである、請求項1~15のいずれか一項に記載のデバイス1。電気的制御可能な光及び/又はエネルギー特性を有する電気化学デバイス1の製造方法であって、第1の電極被膜4を形成するため、第1の電気伝導性層を基材2上に被着させる工程、第2の電極被膜12を形成するため、第2の電気伝導性層を例えば前記基材2上に又は対向基材16上に被着させる工程、前記第1の電極被膜4と前記第2の電極被膜12との間に位置させようとする電気化学活性媒体6、10を被着させる工程、を含み、前記電気化学活性媒体は、前記第1の電極被膜4と前記第2の電極被膜12とに電力を供給することにより異なる光透過の第1の状態と第2の状態間を可逆的に切り替えることができ、前記第14及び第212の電極被膜のうちの少なくとも一方のものの少なくとも1つの電気伝導性層の材料は金属酸化物を基にし、前記材料は60以上、好ましくは80以上の光透過率D65を有し、そして前記材料は、当該材料のプラズマ波長をλ、このプラズマ波長での吸収スペクトルの半値全幅をΔλとして、λ-Δλ/2≧1.8μmを満たす吸収スペクトルを有するような自由電荷キャリア濃度を有する、電気的制御可能な光及び/又はエネルギー特性を有する電気化学デバイス1の製造方法。本発明の1つの目的は、良好な光透過コントラストを有し日射係数gのコントラストが良好である、電気的制御可能な光及び/又はエネルギー透過特性を有する電気化学デバイスを提供することである。この目的のために、本発明が対象とするものの1つは、電気的制御可能な光及び/又はエネルギー特性を有する電気化学デバイスであって、電気伝導性層を含む第1の電極被膜と、電気伝導性層を含む第2の電極被膜と、前記第1の電極被膜と前記第2の電極被膜との間の電気化学活性媒体であって、前記第1の電極被膜と前記第2の電極被膜に電力を供給することにより異なる光透過の第1の状態と第2の状態との間を可逆的に切り替えることができる電気化学活性媒体と、を含むタイプのものであり、前記第1及び第2の電極被膜のうちの少なくとも一方のものの少なくとも1つの電気伝導性層の材料は、金属酸化物を基にしており、前記材料は60以上、好ましくは80以上の光透過率D65を有し、そして前記材料は、当該材料のプラズマ波長をλ、このプラズマ波長での吸収スペクトルの半値全幅をΔλとして、λ-Δλ/2≧1.8μmを満たす吸収スペクトルを有するような自由電荷キャリア濃度を有する、電気的制御可能な光及び/又はエネルギー特性を有する電気化学デバイスである。本発明によるデバイスは、電極を通り抜ける電磁放射線の良好なエネルギー透過によりデバイスの日射係数gのコントラストを上げることができ、さらに可視範囲における電極の高い透明性により良好な光透過コントラストを保つことができる一方で、電極のより低い伝導性及びその結果としてデバイスの状態のそれほど速くない変化を受け入れる。本発明の新規の態様の1つは、この目的が電極の賢明な選択により達成されるという事実から生じる。具体的には、一般的にこのタイプのデバイスの研究は、何よりもデバイスを介した光透過におけるコントラストを上げることを目的としている。本発明は良好な光透過コントラストを得る可能性を制約とみなすが、特にエネルギー透過日射係数gにおけるコントラストを上げること、すなわち太陽スペクトル全体、とりわけ可視及び近赤外範囲、についてコントラストを上げることを目的としている。さらにこの結果を得るために、本発明は、電極を透明に保つ制約を有する、すなわち可視光透過範囲において良好な光透過率を有する電極を介したエネルギー透過を上げることを目的としている。さらに、この結果を達成するために、本発明は電極を通り抜けるエネルギーの透過を高めることを目的とし、電極を透明に保つという制約があり、すなわち可視光透過範囲の良好な光透過率を有するという制約がある。従来技術では、一般に電極被膜は1つ以上の電気伝導性層を基材上に被着させることで得られる。これらは一般に、無機層、例えば金属がドープされた金属酸化物の層、及び/又は金属層である。一般にこれらの電極被膜の材料を選択するために考慮される制約は、特に伝導性、可視範囲における透明性、機械的及び電気化学的安定性、被着のしやすさ、コスト及び耐久性である。これら全ての基準を満たす材料を見つけることは難しい。本発明によるデバイスは、特に近赤外範囲0.8μmと2μmの間におけるより良好な光透過により、0.70以上の日射係数g値を有する電極を通して太陽電磁放射線の優れたエネルギー透過を得ることを可能にする。電極材料の伝導性は公知の、例えばITOからなる、電極の伝導性よりも低くてよく、この起こりうる欠点は容認される。また、これらの特性を満たし、活性媒体及び電極の端子に与えられた電位により引き起こされやすい電気化学的腐食に対する優れた耐性を有する材料を選択することも可能である。これは電気化学デバイスが特に腐食性であるためである。本発明の特定の実施形態によると、デバイスは、単独で又は技術的に可能ないずれかの組み合わせにより、以下の特徴の1つ以上を含む。前記材料は、10×104Ωcm以下、好ましくは5×104Ωcm以下の抵抗率を有する。前記材料中の電荷キャリア移動度は50cm2V1s1以上、好ましくは100cm2V1s1以上である。前記材料は、5×105Ωcm以上の抵抗率を有する。前記材料中の電荷キャリア濃度は5×1020cm3以下、例えば2×1020cm3以下、例えば1×1020cm3以下である。前記材料からなる電気伝導性層は1000nm以下、好ましくは700nm以下の厚さを有する。前記材料からなる電気伝導性層は30nm以上の厚さを有する。前記材料は酸化亜鉛インジウムIZO化合物を基にし、このIZO化合物における亜鉛の重量パーセント含有量は好ましくは10と30の間である。前記材料はIZOである。前記材料はモリブデンをドープした酸化インジウムIMOを基にし、このIMO化合物におけるMoの重量パーセント含有量は好ましくは0.1と2.0の間、好ましくは0.3と1.0の間である。前記材料を含む電極被膜の少なくとも一方は単一の電気伝導性層を含む。前記第1の電極被膜及び前記電気化学活性媒体は同じ基材上に形成され、電気化学活性媒体は第1の電極被膜、例えば無機又はポリマー層、の上に形成される層である。前記デバイスはさらなる電気化学活性媒体を含み、この電気化学活性層は前記2つの電極被膜の間に配置され電解質により隔てられる。前記デバイスはオールソリッドステートタイプであり、第1の電極被膜が基材上に形成され、第1の電気化学活性層が第1の電極被膜上に形成され、電解質が第1の電気化学活性層上に形成され、第2の電気化学活性層が電解質上に形成され、第2の電極被膜が第2の電気化学活性層上に形成される。前記デバイスは対向基材及び積層中間層を含み、この積層中間層を用いて、前記電気化学活性媒体が前記基材と前記対向基材との間に位置するように前記対向基材及び前記基材が一緒に積層され、前記積層中間層が好ましくは前記第2の電極被膜を電気的に接続する手段をもたらす。前記電気化学活性媒体はエレクトロクロミックである。本発明のもう一つの対象とするものは、上記のデバイスを含む窓ガラスglazing、例えば建築用窓ガラス又は自動車用窓ガラス、である。本発明のさらにもう一つの対象とするものは、電気的制御可能な光及び/又はエネルギー特性を有する電気化学デバイスの製造方法であって、第1の電極被膜を形成するため、第1の電気伝導性層を基材上に被着させる工程、第2の電極被膜を形成するため、第2の電気伝導性層を例えば前記基材又は対向基材上に被着させる工程、前記第1の電極被膜と前記第2の電極被膜の間に位置するように電気化学活性媒体を被着させる工程、を含み、前記電気化学活性媒体は、前記第1の電極被膜と前記第2の電極被膜に電力を供給することにより異なる光透過の第1の状態と第2の状態とを可逆的に切り替えることができ、前記第1及び第2の電極被膜のうちの少なくとも一方のものの少なくとも1つの電気伝導性層の材料は金属酸化物を基にし、前記材料は60以上、好ましくは80以上の光透過率D65を有し、そして前記材料は、当該材料のプラズマ波長をλ、このプラズマ波長での吸収スペクトルの半値全幅をΔλとして、λ-Δλ/2≧1.8μmを満たす吸収スペクトルを有するような自由電荷キャリア濃度を有する、電気的制御可能な光及び/又はエネルギー特性を有する電気化学デバイスの製造方法である。本発明の特定の実施形態によると、前記方法は、単独で又は技術的に可能ないずれかの組み合わせにより、以下の特徴の1つ以上を含む。前記材料は、10×104Ωcm以下、好ましくは5×104Ωcm以下の抵抗率を有する。前記材料中の前記電荷キャリア移動度は50cm2V1s1以上、好ましくは100cm2V1s1以上である。前記材料は、5×105Ωcm以上の抵抗率を有する。前記材料中の電荷キャリア濃度は5×1020cm3以下、例えば2×1020cm3以下、例えば1×1020cm3以下である。前記材料からなる電気伝導性層は1000nm以下、好ましくは700nm以下の厚さを有する。前記材料からなる電気伝導性層は30nm以上の厚さを有する。前記材料は酸化亜鉛インジウムIZO化合物を基にし、このIZO化合物における亜鉛の重量パーセント含有量は好ましくは10と30の間である。前記材料はIZOである。前記材料はモリブデンをドープした酸化インジウムIMOを基にし、このIMO化合物におけるMoの重量パーセント含有量は好ましくは0.1と2.0の間、好ましくは0.3と1.0の間である。前記材料を含む電極被膜の少なくとも一方は単一の電気伝導性層を含む。前記第1の電極被膜及び前記電気化学活性媒体は同じ基材上に被着され、電気化学活性媒体は第1の電極被膜、例えば無機又はポリマー層、の上に被着される層である。前記デバイスはさらなる電気化学活性媒体を含み、電気化学活性層は前記2つの電極被膜の間に配置され電解質により隔てられる。前記デバイスはオールソリッドステートタイプであり、第1の電極被膜を基材上に被着させ、第1の電気化学活性層を第1の電極被膜上に被着させ、電解質を第1の電気化学活性層上に被着させ、第2の電気化学活性層を電解質上に被着せれ、第2の電極被膜を第2の電気化学活性層上に被着させる。前記デバイスは対向基材及び積層中間層を含み、当該方法は、当該積層中間層を用いて当該対向基材を前記基材とともに積層する工程であって、積層中間層を前記第2の電極被膜上へ被着させることと前記対向基材を積層中間層上へ被着させることとを含む工程と、それに続くデバイスを約100°Cの温度に加熱する工程を含む。前記電気化学活性媒体はエレクトロクロミックである。本発明は、添付の図面を参照し、単に実例として提示する以下の説明を読むことによってよりよく理解される。添付図面の図1は本発明による電気化学デバイスの概略断面図である。本書全体を通して、層B上に形成された又は被着された層Aという表現は、層B上に直接、したがって層Bに接触して形成された層A、あるいは層Aと層Bとの間に1つ以上の層を介在させて層B上に形成された層Aを意味すると理解される。図1は限定されない実例としてエレクトロクロミックタイプの電気化学デバイス1、すなわち少なくとも1つの電気化学活性媒体を含むデバイスを例示し、その光透過は、活性媒体が酸化還元反応を受けている状態で電力を電極被膜の端子に供給することにより、電気的に可逆的に制御可能である。例えば基材と他の層の厚さの違いが大きく、それらは例えば約500倍異なるため、図面の縮尺は説明を明確にするため正確なものではない。ここに記載された電気化学デバイスはオールソリッドステートタイプであり、すなわちその機能的システムは全て同一の基材上に被着されそれに付着する十分な機械的強度を有する層電極活性媒体から構成される。このために、機能的システムの層は例えば、無機であるか、あるいはPEDOTのような十分な機械的強度を有する特定の有機材料からなる。しかしながら、一般に、本発明はまず第一にエレクトロクロミックデバイスのような可視範囲で作動するデバイスに限らない。別の実施形態として、それらは例えば、必ずしも可視範囲0.4μmと0.8μmの間ではなく、赤外範囲0.8μmと1000μmの間で作動するデバイスであってもよい。次に、電気化学デバイスは、任意の適切なタイプのものであり必ずしもオールソリッドステートタイプではない。例えば、有機電気化学デバイス、すなわち電気化学媒体が有機ゲル又は溶液を基にしたものでもよい。また、ハイブリッド電気化学デバイス、すなわち電気化学媒体が固体状態の層無機であるか又はポリマー材料製であり電気化学層を分離する電解質が有機ゲル又は溶液を基にしたものでもよい。例えば、米国特許第5239406号明細書及びヨーロッパ特許出願公開第0612826号明細書には、有機エレクトロクロミックデバイスが記載されている。ヨーロッパ特許出願公開第0253713号明細書、ヨーロッパ特許出願公開第0670346号明細書、ヨーロッパ特許出願公開第0382623号明細書、ヨーロッパ特許出願公開第0518754号明細書及びヨーロッパ特許出願公開第0532408号明細書には、ハイブリッドエレクトロクロミックデバイスが記載されている。ヨーロッパ特許出願公開第0831360号明細書及び国際公開第00/03290号パンフレットには、オールソリッドステートエレクトロクロミックデバイスが記載されている。オールソリッドステートデバイスは、特に基材の数を最小限に抑えることができるという利点を有する。さらに、無機層は一般に良好な耐久性10年を超えるを有し、これは建物への応用における疑問の余地のない利点である。例示されたエレクトロクロミックデバイス1は、以下のものを以下の順に含む。基材2次のものを含む、すなわち、基材2上に形成された第1の電極被膜4、第1の電極被膜4上に形成された第1のエレクトロクロミック層6、第1のエレクトロクロミック層6上に形成された電解質8、電解質8上に形成された第2のエレクトロクロミック層10、及び、第2のエレクトロクロミック層10上に形成された第2の電極被膜12、を含む機能的システム3機能的システム3上に配置された積層中間層14機能的システム3を覆い積層中間層14によって基材に積層された対向基材16上記デバイスはオールソリッドステートタイプの積層エレクトロクロミックデバイスである。別の実施形態として、オールソリッドステートエレクトロクロミックデバイスは積層されていない。例えば、対向基材がガス、例えばアルゴン、の層により、基材から及び機能的システムから隔てられる。電極被膜間に第1の電位を印加すると、H又はLiのようなイオンが第1のエレクトロクロミック層6に注入され、そのイオンが第2のエレクトロクロミック層10から抽出されることになり、それにより機能的システム3が着色することになる。反対符号の電位を印加すると、同じイオンが第1のエレクトロクロミック層6から抽出され、第2のエレクトロクロミック層10に注入されることになり、その結果システム3が消色することになる。一般に、デバイスは2つの電極被膜と、これら2つの電極被膜の間の少なくとも1つの電気化学活性媒体を含む。電極被膜の端子に電位を印加することが、電気化学活性媒体の酸化還元反応を保証する。なお、本書全体を通して、電極被膜という表現は少なくとも1つの電子導電層を含んでなる電流供給被膜、すなわち電気伝導性が電子の移動性によりもたらされ、イオンの移動性による電気伝導性とは区別されるもの、を意味すると理解されることに注目すべきである。電極被膜は特定の材料からなる。その材料は金属酸化物を基にし、60以上、又はさらに80以上の光透過率D65を有する。なお、本書全体を通して、材料の光透過率D65という表現は、光源D65の光のうちの材料を透過するすなわち材料により吸収されずその2つの界面で反射されない部分を意味すると理解される。光透過率D65の測定はよく知られており、特に1997年のprEN410規格により規定されている。光源D65の光分布はこの規格で述べられているものである。さらに、材料は、当該材料のプラズマ波長をλ、このプラズマ波長での吸収スペクトルの半値全幅をΔλとして、材料がλ-Δλ/2≧1.8μmを満たす吸収スペクトルを有するような自由電荷キャリア濃度を有する。透明導電性酸化物の場合、プラズマ波長λは、700nmを超える範囲における、材料を通過した太陽放射線Sλの最大吸収に対応する波長である1997年のprEN410規格参照。本書全体を通して用いられるのはプラズマ波長のこの定義である。半値全幅Δλ又はFWHMは、定義により、従属変数がその最大値の半分に等しい独立変数の2つの極値間の差、すなわち、プラズマ波長に最も近く吸収がプラズマ波長での吸収の50に等しい、プラズマ波長の両側の吸収スペクトルの横座標における2点間の距離である。λ-Δλ/2≧1.8μmのような吸収スペクトルを有することで、材料は中及び遠赤外、より具体的には2μmと100μmの間、における波長を有する電磁波の伝搬を大きく制限する。一方、材料は可視範囲0.4μmと0.8μmの間及び近赤外0.8μmと2μmの間の波長を有する電磁波の伝搬を可能にする。これらの特性は、材料中の適切な自由電荷キャリア濃度により得られる。材料中の電荷キャリアの濃度は、例えば5×1020cm3以下、さらには例えば2×1020cm3以下、そしてさらには例えば1×1020cm3以下である。しかしながら自由電荷キャリア濃度は、それぞれの材料に対し適切に選ばれなければならない。材料中の自由電荷キャリアは、材料が10×104Ωcm以下、好ましくは5×104Ωcm以下の抵抗率を有するように、十分な移動度を有する。材料中の電荷キャリア移動度は50cm2V1s1以上が好ましく、好ましくは100cm2V1s1以上である。これは、たとえより低い伝導度の材料を選ぶ必要があっても、望ましいプラズマ波長を得るために比較的低い自由電荷キャリア濃度を有する材料が優先されるためである。しかしながら、低い自由電荷キャリア濃度を有する材料の中では、比較的高い自由電荷キャリア移動度を有する材料が優先される。以下に記載される材料は特定の吸収スペクトル特性を得ることができる。以下に記載される材料は4×104Ωcmの抵抗率で得られた。300nmの厚さを有する層は、デバイスの良好な操作にとって十分に低いシート抵抗を得るのを可能にする。より薄い厚さも可能であるが、電極被膜が単一の電気伝導性層のみを含むと仮定するとその場合はデバイスの状態変化の速度が大きく悪化してしまう。さらに、光透過率は吸収率及び反射率に依存するため、層の厚さを厚くしても層の光透過率は直線的に低下しない。吸収率は層の厚さに依存し、一方で反射率は相対的に層の厚さと無関係である。したがって、300nm以上であって、しかし400nmを超えない厚さが望ましい。ふさわしい材料がいくつかある。材料は、例えばIZOを基礎材料とし、例として100IZOからなる。好ましくは、IZOは酸化インジウムに対して10と30の間の重量パーセント含有量の亜鉛を有する。そのような材料は望ましい自由電荷キャリア濃度を得るのを可能にする。自由電荷キャリア移動度は、例えば50cm2V1s1より大きく、例えば100cm2V1s1以上である。他の可能な材料はIn2O3:Mo、すなわちモリブデンをドープした酸化インジウム、を基にしたものである。より正確に言えば、Moドーピングのレベルは好ましくは0.1と2.0の間、好ましくは0.3と1.0の間であり、こうして材料は100cm2V1s1以上の自由電荷キャリア移動度を有する。選ばれた例において、第2の電極被膜12は第1の電極被膜4と同じ性質を持つ。しかしながら、電極被膜4及び12の材料は独立して選んでもよく、そのうちの1つが例えば、ITO及びSnO2:Fのような通常利用される材料から選ぶことができることは言うまでもない。例示された例におけるオールソリッドステートの多層に関し、第2の電極被膜12は第2のエレクトロクロミック層10上に被着される。本発明の実例としてデバイス1の他の構成要素を以下で説明する。第1のエレクトロクロミック層6の材料は、第2のエレクトロクロミック層10からのイオンの抽出中にイオンを注入し、第2のエレクトロクロミック層10へのイオンの注入中にイオンを抽出する。イオンの注入/抽出中に材料を同時に着色および消色できるように、第1のエレクトロクロミック層6は例えばアノードタイプである一方、第2のエレクトロクロミック層10はカソードタイプである。第1のエレクトロクロミック層6の材料は、例えばHxIrOy又はHxNiOy、すなわち水和酸化イリジウム又は水和酸化ニッケルから選ばれる。エレクトロクロミック層6は、オールソリッドステート又はハイブリッドエレクトロクロミックデバイスでは常にそうであるが、ここでは電極被膜4上に被着される。第2のエレクトロクロミック層10の材料は、これがカソード着色エレクトロクロミック材料である場合、例えばHxWO3、すなわち水和酸化タングステンである。オールソリッドステートデバイスの場合、第2のエレクトロクロミック層はここでは電解質8上に被着される。しかしながら別の実施形態として、デバイスはハイブリッドタイプであり、第2のエレクトロクロミック層10は第2の電極被膜12とともに対向基材16上に形成される。上記の例において挙げられる層6及び10は、吸収率を変化させることにより作動する。別の実施形態として、エレクトロクロミック層6及び/又はエレクトロクロミック層10は、反射率を変化させることにより作動するエレクトロクロミック材料からなる。この場合、層のうちの少なくとも1つは希土類イットリウム又はランタンを基にしており、あるいはマグネシウムMgと遷移金属との合金、又は半金属場合により例えばコバルトCo、マンガンMn等がドープされた、アンチモンSbなどを基にしており、その一方で、他の層は上述のように吸収率を変化させることにより作動するエレクトロクロミック層例えばWO3でもよく、又は単なる非エレクトロクロミックイオン貯蔵層であってもよい。さらに、2つのエレクトロクロミック層6及び10のうち一方は必ずしもエレクトロクロミックでなく、すなわち必ずしも有意の光学変動効果を提供しない。一般に、エレクトロクロミックシステムの場合、エレクトロクロミック層と注入イオンを貯蔵するためのイオン貯蔵層とがあり、イオン貯蔵層をエレクトロクロミックとするのは任意である。非エレクトロクロミックイオン貯蔵材料の例としてCeO2酸化セリウムが挙げられる。電解質層8は、電子的に絶縁性であるままで、注入イオンの移動性を確実にするための任意の適切なタイプの材料からなる。これは例えば、1nmと1μmの間、例えば100nmと400nmの間、の厚さを有するTa2O5の層でよい。別の実施形態として、電解質8は、アノードエレクトロクロミック層側に複数の層、例えば酸化タンタルを基にする層及び酸化タングステンを基にする層、を含む。注入イオンは、前述のエレクトロクロミック層の場合、例えばHである。別の実施形態として、エレクトロクロミックシステムの場合には、これらはLi又はNa又はKイオン、あるいは他のアルカリ金属イオンでよい。やはり別の実施形態として、電気化学デバイス2はオールオーガニックタイプである。この場合、基材及び対向基材には電極被膜4及び12のみが設けられる。活性媒体は2つの電極被膜の間に位置し、2つの電極被膜と接触している。活性媒体は、例えばエレクトロクロミック溶液又はゲルである。電気化学活性媒体が何であろうと、オールソリッドステートであろうと有機であろうと、基材2は、特に窓ガラスの場合、ガラス機能を有するシートである。このシートは平らでも湾曲していてもよく、どのような寸法でもよく、特に少なくとも1つの寸法は1メートルより大きくてよい。有利には、これはガラスシートである。ガラスは好ましくはソーダ-石灰-シリカタイプであるが、ホウケイ酸ガラスのような他のタイプのガラスも使用してよい。ガラスは透明又は超透明でよく、さもなければ色付きのもの、例えば青、緑、琥珀、青銅又は灰色に着色したものであってもよい。ガラスシートの厚さは概して0.5mmと19mmの間であり、特に2mmと12mmの間、例えば4mmと8mmの間である。ガラスはまた、50μm以上の厚さを有するガラス膜であってもよいこの場合、EC多層及びTCO/TCC電極被膜は例えばロールツーロール法により被着される。別の実施形態として、基材2は可撓性の透明材料製、例えばプラスチック製である。層4~12を被着させた後、ワイヤのような電気的に接続する手段が設けられた積層中間層14を、基材2に貼り付ける。積層中間層14は、例えばPUポリウレタン製である。これは、積層ガラスを得るように基材2と対向基材16とを接着する。積層中間層14はエレクトロクロミック層を保護するために必須ではなく、なくてもよいことは言うまでもない。その場合には、対向基材16は機能的システム3から離間しているのが有利であり、基材4と対向基材16との間の空間を層間ガスで満たす。特に窓ガラスの場合、対向基材16はガラス機能を有するシートである。シートは平らであっても湾曲していてもよく、どのような寸法でもよく、特に少なくとも1つの寸法が1メートルより大きくてよい。有利には、これはガラスシートである。ガラスは好ましくはソーダ-石灰-シリカタイプであるが、ホウケイ酸ガラスのような他のタイプのガラスを使用してもよい。ガラスは透明又は極透明でよく、さもなければ色付きのもの、例えば青、緑、琥珀、青銅又は灰色に着色したものであってもよい。ガラスシートの厚さは概して0.5mmと19mmの間であり、特に2mmと12mmの間、例えば4mmと8mmの間である。ガラスはまた、50μm以上の厚さを有するガラス膜であってもよいこの場合、EC多層及びTCO/TCC電極被膜は例えばロールツーロール法により被着される。別の実施形態として、対向基材16は可撓性の透明材料製、例えばプラスチック製である。本発明の対象とするものは、上述のデバイス1だけでなく、デバイス1を含む窓ガラスもそうである。これは例えば、例として積層窓ガラスを含めた建築用の複合窓ガラスでよく、あるいは自動車用の単一積層窓ガラスでよい。なお、複合ガラスという表現は、ガス中間層により間隔をあけて隔てられた複数の窓ガラス部材を含む集成品を意味すると理解される。実際に、層の材料の選択により、デバイス1は積層窓ガラスに、さらには湾曲窓ガラスに組み込まれるのに十分高い耐層間剥離性を有するという利点を持つ。本発明が対象とするものはまた、デバイス1の製造方法でもある。この方法は、オールソリッドステートデバイスの場合、第1の電極被膜4を基材2上に被着させる工程、第1のエレクトロクロミック層6を第1の電極被膜4上に被着させる工程、電解質8を第1のエレクトロクロミック層6上に被着させる工程、第2のエレクトロクロミック層10を電解質8上に被着させる工程、第2の電極被膜12を第2のエレクトロクロミック層10上に被着させる工程、を含む。別の実施形態として、エレクトロクロミック層の1つは着色せず、ただ単にイオン貯蔵の役割を果たすだけである。ハイブリッドデバイスの場合、第1の電極被膜4及び第1のエレクトロクロミック層6は基材2上に被着される一方、第2の電極被膜12及び第2のエレクトロクロミック層10は対向基材16上に被着される。この場合、電解質8は基材4と対向基材16の間に配置される。オールオーガニックエレクトロクロミックデバイスの場合、エレクトロクロミック層及び電解質は、電極に供給される電力の影響下で着色する活性種を含有する溶液又はゲルに置き換えられる。さらに、より一般的には、前述のように、本発明はエレクトロクロミックデバイスに限定されず、酸化還元反応によって異なる光透過の2つの状態を可逆的に切り替えることができる電気化学活性媒体を含むあらゆる電気化学デバイスにまで及ぶ。したがって、本発明は、エレクトロクロミックデバイスのような可視範囲において作動するデバイスに限定されず、赤外範囲においてのみ可変の光学特性を有するデバイスにも及ぶ。よって、一般的に、その方法は、電極被膜4、12を基材2上に被着させる工程、異なる光透過の2つの状態を可逆的に切り替えることができる少なくとも1つの電気化学活性媒体を電極被膜4,12に接して配置する工程、を含む。電極被膜4、12の材料は、好ましくはマグネトロンスパッタリングにより被着させる。必ずではないが、製造手段を最適化するため、好ましくは全ての固体層はマグネトロンスパッタリングにより被着させる。下記の多層を、2.1mmの厚さを有する透明なソーダ-石灰-シリカガラス基材2上に作製することができる。温度300°C、圧力0.4Paの酸素富化雰囲気においてマグネトロンスパッタリングにより被着された、5wtのMoをドープした300nmの厚さのInMoO層、同じ被着条件にてマグネトロンスパッタリングにより得られた、90nmの厚さのIrOx層、同じ被着条件にてマグネトロンスパッタリングにより得られた、250nmの厚さのTa2O5層、同じ被着条件にてマグネトロンスパッタリングにより得られた、300nmの厚さの水和WO3層、及び、温度300°C、圧力0.4Paの酸素富化雰囲気においてマグネトロンスパッタリングにより被着された、1wtのMoをドープした300nmの厚さのInMoO層。その後、積層中間層14、例えば電気的に接続する手段を備える0.76mmの厚さのPU中間層を、2.1mmの厚さの透明なソーダ-石灰-シリカガラスの対向基材16とともに貼り付けることができ、これらを積層化させるため100°Cまで加熱する。ITO/IMO比較以下の表1は、300nmのITOから形成された第1の電気伝導性層と300nmのIMOから形成された第1の電気伝導性層の性能を比較するものである。IMO層は1.0wtのMoをドープした300nmの厚さのIn2O3:Mo層であり、酸素富化雰囲気においてマグネトロンスパッタリングにより被着される。ITO層は10原子パーセントのSnをドープした300nmの厚さのIn2O3層であり、酸素富化雰囲気においてマグネトロンスパッタリングにより被着される。これらの結果は上述の利点を説明しており、つまりITOよりもIMO導電層の日射係数gの方が良好であるが、抵抗率は高い。実際に、自由電荷キャリア濃度はITOの場合よりもはるかに低くなっている。この低い濃度は、電荷キャリアのより大きな移動度により部分的に補われる。なお、本書全体を通して、材料の日射係数gという表現は、太陽放射線Sλのうちの材料を透過した部分、及び太陽放射線Sλのうちの材料に吸収され内部太陽放射線が入射する側の反対側に向かって再放射される部分を意味すると理解され、ここで太陽放射線Sλはデバイスの太陽光に面して配置される側に入射する。日射係数gの測定はよく知られており、特に1997年のprEN410規格により規定されている。光源Sλのスペクトル分布はその規格に記載されている。電極はまた、良好な透明性、良好な機械的安定性耐層間剥離性、及び良好な電気化学的安定性耐食性を示す。"