"蓄えられる電荷が閾値以上に保持されるとき0を示し、電荷が閾値未満に保持されるとき1を示す複数のセルを備え、前記各セルが示す0及び1の組み合わせで表される情報が複数のブロックとして記憶されるフラッシュメモリ部と、前記各ブロックの使用状態を示すブロック管理値を前記各ブロックに付加し、最新値が認識される毎に、前記各ブロックの何れかに同最新値を書き込むメモリ制御部と、を備え、前記ブロック管理値は、各セルが示す0及び1の組み合わせで表される2進数を複数桁で区切り、これら区切り単位で進数変換することにより得られる複数桁のN進数N>2であって、前記メモリ制御部は、前記ブロック管理値に基づき各ブロックが使用状態及び未使用状態の何れであるかを判定し、未使用状態である特定のブロックに前記最新値を書き込んだとき、そのブロック管理値を未使用状態から使用状態とし、前記特定のブロックのデータ容量によって次の最新値の書き込みが不可と判断したとき、前記特定のブロックの最新値を次の未使用のブロックにコピーするとともに、前記次のブロックにおける前記ブロック管理値を未使用状態から使用状態とした後、前記書き込みが不可と判断された前のブロックのブロック管理値を使用状態から未使用状態とするとともに、前記前のブロックの情報を消去するフラッシュメモリ装置において、前記メモリ制御部は、前記未使用状態においては前記ブロック管理値に対応する全てのセルを1として、これらを前記区切り単位でN進数に変換することにより前記ブロック管理値の各桁を全て同一のN進数である初期記号とするとともに、前記使用状態においては前記ブロック管理値におけるN進数の複数桁の何れか1桁に対応する複数のセルのうち2つ以上を0としたうえで当該複数のセルの0及び1をN進数に変換することで前記複数桁の何れか1桁を特定記号とし、前記ブロック管理値におけるその他の桁を前記初期記号として、前記ブロック管理値を未使用状態から使用状態とする際には、同ブロック管理値を前記ブロック毎に前記特定記号の桁の位置を予め定められた順番でずらした前記ブロック管理値とし、前記使用状態である前記ブロックが複数存在する場合において、前記ブロック管理値の特定記号の位置に基づき直近に使用状態とされたと判断した前記ブロックにおける最新値を読み出し、前記ブロックの前記ブロック管理値における前記その他の桁が前記初期記号であっても、前記特定記号とされるべき1桁が特定記号以外であるとき、そのブロックからの前記最新値の読み出しを規制するフラッシュメモリ装置。請求項1に記載のフラッシュメモリ装置において、前記ブロック管理値は、その各桁が4つの前記セルの0及び1を通じて示される16進法の4桁の数字であって、16進法において前記初期記号はFであり、前記特定記号は0であるフラッシュメモリ装置。請求項1又は2に記載のフラッシュメモリ装置において、前記メモリ制御部は、前記最新値の書き込みが不可と判断された前のブロックから次のブロックに前記最新値をコピーしているときに、前記最新値が更新された場合には、この更新を反映させた最新値を次のブロックに書き込み、前記コピー中にリセットが発生した場合には、前記ブロック管理値の特定記号の位置に基づき前記次のブロックの最新値を読み出すとともに、同最新値においてコピーが完了していない領域においては前記前のブロックの最新値を読み出して前記領域を補完するフラッシュメモリ装置。ところで、第1のブロックから第2のブロックへの最新値のコピー中に、フラッシュメモリ装置の電源が一時的にオフとなることでリセットが発生するおそれがある。このとき、第1のブロックが未使用状態へ切り替えられていないため、再度電源がオンとなったときアクティブ状態となるブロックが2つ存在することになって最新値が不明となる。特に、コピー中に、最新値が更新された場合には、第1及び第2のブロック間で最新値が異なるデータとなる。このとき、真の最新値は、第2のブロックにおける最新値であるものの、それを判断することができない。よって、誤って第1のブロックにおける最新値が読み出されるおそれがある。これを解消するべく、アクティブ状態とするブロック管理値を連番化することが検討されている。具体的には、第1のブロックをアクティブ状態とするとき、そのブロック管理値を1111として、第2のブロックをアクティブ状態とするとき、そのブロック管理値を1112とする。これにより、たとえ、上記リセットの発生によりアクティブ状態となるブロックが2つ存在することになっても、ブロック管理値が大きい方上記例では1112のブロックにおける真の最新値を読み出すことができる。本構成においても、最新値が第2のブロックにコピーされた後、上述のメンテナンスが実行される。すなわち、図9aに示すように、第1のブロック管理値がアクティブ状態から未使用状態、すなわち、0001からFFFFに書き換えられる。このとき、FFFFとするべく、全てのセル10の電荷は抜かれる。しかし、セル10から電荷が抜ける態様は一様ではなく、セル10が1となる順番はランダムである。例えば、図9bに示すように、16進法における11桁目に対応する4つのセル10のうち2桁目のセル10が最も早く1となったとする。この時点で、リセットが発生した場合には、上記4つのセルは0011となるため、16進法における上記1が3となる。このため、ブロック管理値が0003となってしまう。この場合、第1のブロックのブロック管理値0003が第2のブロックのブロック管理値0002より大きくなる。従って、メンテナンス中の第1のブロックから最新値が読み出されて、上記同様に、真の最新値を読み出すことができないおそれがある。この発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、メンテナンス中にリセットが発生した場合であっても、より確実に真の最新値を読み出すことができるフラッシュメモリ装置を提供することにある。以下、上記目的を達成するための手段及びその作用効果について説明する。請求項1に記載の発明は、蓄えられる電荷が閾値以上に保持されるとき0を示し、電荷が閾値未満に保持されるとき1を示す複数のセルを備え、前記各セルが示す0及び1の組み合わせで表される情報が複数のブロックとして記憶されるフラッシュメモリ部と、前記各ブロックの使用状態を示すブロック管理値を前記各ブロックに付加し、最新値が認識される毎に、前記各ブロックの何れかに同最新値を書き込むメモリ制御部と、を備え、前記ブロック管理値は、各セルが示す0及び1の組み合わせで表される2進数を複数桁で区切り、これら区切り単位で進数変換することにより得られる複数桁のN進数N>2であって、前記メモリ制御部は、前記ブロック管理値に基づき各ブロックが使用状態及び未使用状態の何れであるかを判定し、未使用状態である特定のブロックに前記最新値を書き込んだとき、そのブロック管理値を未使用状態から使用状態とし、前記特定のブロックのデータ容量によって次の最新値の書き込みが不可と判断したとき、前記特定のブロックの最新値を次の未使用のブロックにコピーするとともに、前記次のブロックにおける前記ブロック管理値を未使用状態から使用状態とした後、前記書き込みが不可と判断された前のブロックのブロック管理値を使用状態から未使用状態とするとともに、前記前のブロックの情報を消去するフラッシュメモリ装置において、前記メモリ制御部は、前記未使用状態においては前記ブロック管理値に対応する全てのセルを1として、これらを前記区切り単位でN進数に変換することにより前記ブロック管理値の各桁を全て同一のN進数である初期記号とするとともに、前記使用状態においては前記ブロック管理値におけるN進数の複数桁の何れか1桁に対応する複数のセルのうち2つ以上を0としたうえで当該複数のセルの0及び1をN進数に変換することで前記複数桁の何れか1桁を特定記号とし、前記ブロック管理値におけるその他の桁を前記初期記号として、前記ブロック管理値を未使用状態から使用状態とする際には、同ブロック管理値を前記ブロック毎に前記特定記号の桁の位置を予め定められた順番でずらした前記ブロック管理値とし、前記使用状態である前記ブロックが複数存在する場合において、前記ブロック管理値の特定記号の位置に基づき直近に使用状態とされたと判断した前記ブロックにおける最新値を読み出し、前記ブロックの前記ブロック管理値における前記その他の桁が前記初期記号であっても、前記特定記号とされるべき1桁が特定記号以外であるとき、そのブロックからの前記最新値の読み出しを規制することをその要旨としている。同構成によれば、ブロック管理値は、その何れか1桁が特定記号とされ、その他の桁が初期記号とされる。そして、ブロック管理値を使用状態とする際に、その値がブロック毎に異なるように、予め設定された順番で特定記号の桁の位置がずらされたブロック管理値が付される。このため、たとえ、使用状態であるブロックが複数存在する場合であっても、ブロック管理値に基づき直近にアクティブ状態とされたブロックから真の最新値を読み出すことができる。ここで、前のブロックから次のブロックへの最新値のコピーが完了した後に、前のブロックにおけるブロック管理値を使用状態から未使用状態とするとともに、前のブロックのデータを消去するメンテナンスが実行される。この前のブロックのデータを消去するときには、ブロック管理値は全ての桁が初期記号とされる。より具体的には、全てセルの電荷が抜かれて、セルが1とされる。各セルの電荷が抜ける態様は一様ではなく、セルが1となる順番はランダムである。よって、メンテナンス中に電源が一時的にオフ状態となることでリセットが発生した場合には、特定記号を示す複数のセルにおいて、0であった2以上のセルのうち何れかが先に1となる。この場合には、ブロック管理値は、1桁だけ特定記号及び初期記号以外の数字となって、その他の桁については初期記号となる。このようにブロック管理値が構成されるときには、そのブロックからの最新値の読み出しが規制される。よって、上記メンテナンス中にリセットが発生した場合であっても、メンテナンス中のブロックからの最新値が誤って読み出されることが抑制される。これにより、より確実に真の最新値を読み出すことが可能となる。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のフラッシュメモリ装置において、前記ブロック管理値は、その各桁が4つの前記セルの0及び1を通じて示される16進法の4桁の数字であって、16進法において前記初期記号はFであり、前記特定記号は0であることをその要旨としている。同構成によれば、各ブロックに、使用状態のブロック管理値としてFFF0、FF0F、F0FF及び0FFFの何れかが付される。そして、上記メンテナンス中にリセットが発生すると、特定記号としての0の桁が、16進法における1~Eとなる。これは、0がFに達する前にリセットが発生するからである。この場合には、メンテナンス中のブロックからの最新値の読み出しが規制される。よって、より確実に真の最新値が読み出される。請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載のフラッシュメモリ装置において、前記メモリ制御部は、前記最新値の書き込みが不可と判断された前のブロックから次のブロックに前記最新値をコピーしているときに、前記最新値が更新された場合には、この更新を反映させた最新値を次のブロックに書き込み、前記コピー中にリセットが発生した場合には、前記ブロック管理値の特定記号の位置に基づき前記次のブロックの最新値を読み出すとともに、同最新値においてコピーが完了していない領域においては前記前のブロックの最新値を読み出して前記領域を補完することをその要旨としている。同構成によれば、最新値を次のブロックにコピーしているときに、最新値が更新された場合には、更新された最新値が次のブロックに書き込まれる。例えば、コピー中にリセットが発生した場合には、ブロック管理値の特定記号の位置に基づき次のブロックの最新値が読み出されるとともに、同最新値においてコピーが完了していない領域においては前のブロックの最新値が読み出されることで補完される。これにより、最新値において更新された領域のコピーが完了した後にリセットが発生した場合であっても、更新された真の最新値を読み出すことができる。本発明によれば、フラッシュメモリ装置において、メンテナンス中にリセットが発生した場合であっても、より確実に真の最新値を読み出すことができる。以下、本発明にかかるフラッシュメモリ装置を具体化した一実施形態について図1~図5を参照して説明する。図1に示すように、フラッシュメモリ装置は、メモリ制御部11と、フラッシュメモリ部15とを備える。フラッシュメモリ部15は不揮発性メモリであって、複数のセル10で構成される。フラッシュメモリ部15は、上記背景技術において説明したように、複数のセル10の0及び1を通じてデータを記憶する。メモリ制御部11は、フラッシュメモリ部15を利用して最新値を管理する。この最新値は、図示しない外部装置からの情報に応じてメモリ制御部11によって認識される。図2に示すように、メモリ制御部11は、フラッシュメモリ部15のデータ領域を複数のブロックB1~Bnに分割して使用する。各ブロックB1~Bnは、ブロック管理値と、第1~第nのデータエリアA1~Anとで構成される。ブロック管理値は、16進法による4桁の数字から構成される。具体的には、図2に示すように、アクティブ状態においてはFFF0、FF0F、F0FF及び0FFFの何れかが順番に割り当てられる。すなわち、本例では、アクティブ状態のブロック管理値はブロック毎に異なる。また、未使用状態においては、全てのブロックに対してFFFFが割り当てられる。本例では、Fは初期記号に相当し、0は特定記号に相当する。また、最新値も、ブロック管理値と同様に、16進法による複数桁の数字から構成される。16進法の数字は、上記背景技術において説明したように、複数のセル10の0及び1を通じて表される。全てのブロックB1~Bnに何もデータが記憶されていない状態においては、各ブロック管理値が未使用状態FFFFとなっている。この状態において、メモリ制御部11は、最新値を認識すると、その最新値を第1のブロックB1における第1のデータエリアA1に書き込むとともに、第1のブロックB1におけるブロック管理値を未使用状態FFFFからアクティブ状態FFF0とする。以下、同様に、メモリ制御部11は、順番に最新値を第1のブロックB1の第2~第nのデータエリアA2~Anに書き込んでいく。このとき、古い最新値が消去されない。また、ブロック管理値はFFF0に維持される。図2の下側に示すように、メモリ制御部11は、第1のブロックB1における第nのデータエリアAnに最新値を書き込むと、第2のブロックB2のブロック管理値を未使用状態FFFFからアクティブ状態FF0Fに書き換える。このとき、第2のブロックB2におけるアクティブ状態を示すブロック管理値FF0Fは、第1のブロックB1におけるアクティブ状態を示すブロック管理値FFF0に対して0の位置を左に1桁ずらしたものである。そして、メモリ制御部11は、第1のブロックB1の最新値を、第2のブロックB2における第1のデータエリアA1にコピーする。その後に、メモリ制御部11は、第1のブロックB1に記憶されるデータを消去するとともに、ブロック管理値をアクティブ状態FFF0から未使用状態FFFFに書き換えるメンテナンスを行う。また、第1のブロックと同様にして、第2のブロックB2における第nのデータエリアAnに最新値が書き込まれると、第3のブロックB3におけるブロック管理値がアクティブ状態F0FFに書き換えられた後に、第3のブロックB3の第1のデータエリアA1に最新値がコピーされる。そして、第2のブロックB2について上記メンテナンスが実行される。以下同様に、第4のブロックB4がアクティブ状態とされるときには0FFFがブロック管理値として書き込まれて、第3のブロックB3について上記メンテナンスが実行される。そして、第5のブロックB5がアクティブ状態とされるときには再びFFF0がブロック管理値として書き込まれて、第4のブロックB4について上記メンテナンスが実行される。このように、図3に示すように、0が1桁ずつ左にずらされる態様で、同図の矢印の順にブロック管理値が付与される。また、メモリ制御部11は、第1のブロックB1の第n-1のデータエリアAn-1まで最新値を書き込んで、次の最新値が容量の観点から第nのデータエリアAnに入りきらない場合、次の最新値を第2のブロックB2に書き込む。この場合、第2のブロックB2の第1及び第2のデータエリアA1,A2に次の最新値が書き込まれる。上記構成によれば、特定のブロックの最新値がコピーされた後に、そのブロックはアクティブ状態から未使用状態に書き換えられるため、基本的にはアクティブ状態となっているブロックは1つである。このため、メモリ制御部11は、アクティブ状態におけるブロックから最新値を読み出すことができる。ここで、コピー中に、フラッシュメモリ装置の電源が一時的にオフとなることでリセットが発生するおそれがある。この場合、図2の下側の例では、第2のブロックB2におけるブロック管理値の書き換えは完了しているものの第1のブロックB1におけるブロック管理値の書き換えは完了していないため、アクティブ状態となるブロックが2つ存在するおそれがある。上述のように、アクティブ状態ではブロック毎に異なるブロック管理値が付与される。これを利用して、メモリ制御部11は、最新値を読み出す際に、アクティブ状態のブロックが複数あれば、ブロック管理値の0の位置に基づき最新値を読み出す。例えば、メモリ制御部11は、ブロック管理値がFFF0である第1のブロックB1と、ブロック管理値がFF0Fである第2のブロックB2とがある場合には、図3に示すブロック管理値の付与順序に基づき、FF0FがFFF0より新しい旨判断し、FF0Fに対応した第2のブロックB2における最新値を読み出す。すなわち、メモリ制御部11に内蔵される図示しないメモリにブロック管理値の付与順序が予め記憶されている。図4aに示すように、第1のブロックB1の最新値を、第2のブロックB2にコピーしている最中に、最新値が更新される場合がある。ここでは、更新後の最新値を真の最新値と呼ぶ。メモリ制御部11は、最新値のコピー中に最新値が更新されると、真の最新値を第2のブロックB2に書き込む。本例では、左の桁から順に最新値がコピーされるとする。図4aの例では、メモリ制御部11は、右から4桁目の5をコピーしているとき、3桁目がAから3に更新された旨認識した場合には、3桁目に更新後の3を書き込む。これにより、第2のブロックB2には真の最新値5391を書き込むことができる。さらに、上記状況に加えて、図4bに示すように、右から2桁目9の書き込み中にリセットが発生したとする。この場合、4桁目及び3桁目5及び3のコピーが完了し、残りの2桁はコピーが完了していないため初期状態のFとなる。この状態において、メモリ制御部11は、最新値を読み出す場合、まず、上記同様にブロック管理値に基づき、第2のブロックB2における最新値を読み出す。そして、その最新値にFが存在する場合、コピー中にリセットが発生したとして、Fの桁を、第1のブロックB1における最新値9及び1で補完する。これにより、アクティブ状態となるブロックが2つある場合であっても、正しい順番で最新値が読み出される。上記例では、第1のブロックB1の最新値が最初に読み出されること、すなわち、真の最新値と異なる最新値が読み出されることが防止される。よって、真の最新値をより確実に読み出すことができる。また、メモリ制御部11は、ブロック管理値においてアクティブ状態における0が1~Eとなっている場合には、そのブロック管理値を有するブロックからの最新値の読み出しを規制する。例えば、上記メンテナンスにおいては、アクティブ状態FFF0から未使用状態FFFFにブロック管理値を書き換える。この場合には、図5の丸数字1に示すように、ブロック管理値における1桁目である0を、その桁に対応した4つのセル10を2進法の0000から1111とすることでFとする。ここで、各セル10の電荷が抜ける態様は一様ではなく、セルが1となる順番はランダムである。よって、ブロック管理値を未使用状態に書き換えている途中にリセットが発生した場合には、上記2進法の0000の0が所定の組み合わせで1となって、ブロック管理値がFFF1~FFFEとなることがある。具体的には、図5の丸数字2に示すように、2進法の0000において1桁目が1となった時点でリセットが発生することでブロック管理値がFFF1となる。図5の丸数字3に示すように、2進法の0000において2桁目が1となった時点でリセットが発生することでブロック管理値がFFF2となる。その他の組み合わせで上記2進法の4桁が構成されることでブロック管理値はFFF3~FFFEとなりうる。メモリ制御部11は、例えば第1のブロックB1のブロック管理値がFFF1~FFFEとなっている場合には、その値を有するブロックからの最新値の読み出しを規制し、第2のブロックB2から最新値を読み出す。ここで、最新値の読み出しが規制されたブロックは、メンテナンス中であると予想されるところ、最新値を読み出す対象としては不適当である。従って、メンテナンス中にリセットが発生した第1のブロックB1から最新値が誤って読み出されることが抑制される。これにより、より確実に真の最新値を読み出すことが可能となる。そして、再び電源がオン状態とされると、メモリ制御部11は、第1のブロックB1のブロック管理値をFFFFとするべく、再び各セル10から電荷を抜いていく。以上、説明した実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。1第1のブロックB1から第2のブロックB2への最新値のコピーが完了した後に、第1のブロックB1におけるブロック管理値をアクティブ状態から未使用状態とするとともに、第1のブロックB1のデータを消去するメンテナンスが実行される。このように、メンテナンス実行時には、第1のブロックB1のブロック管理値は、FFF0からFFFFとされる。より具体的には、ブロック管理値における0に対応する4つのセル10の電荷が抜かれて、4つのセル10が1とされる。ここで、各セル10の電荷が抜ける態様は一様ではなく、セル10が1となる順番はランダムである。よって、メンテナンス中に電源がオフ状態となるリセットが発生した場合には、ブロック管理値における0の桁が、16進法における1~Eとなる可能性がある。このように、ブロック管理値が1桁の1~Eと、3桁のFとで構成される場合には、その値を有するブロックからの最新値の読み出しが規制される。よって、上記メンテナンス中にリセットが発生した場合であっても、メンテナンス中のブロックから最新値が誤って読み出されることが抑制される。これにより、より確実に真の最新値を読み出すことができる。2最新値を第2のブロックB2にコピーしているときに、最新値が更新された場合には、更新された最新値が第2のブロックB2に書き込まれる。例えば、コピー中にリセットが発生した場合には、ブロック管理値の0の位置に基づき第2のブロックB2の最新値が読み出されるとともに、同最新値においてコピーが完了していない領域においては第1のブロックB1の最新値が読み出されることで補完される。これにより、最新値において更新された領域のコピーが完了した後にリセットが発生した場合であっても、更新された真の最新値を読み出すことができる。3第1のブロックB1の第n-1のデータエリアAn-1まで最新値を書き込んで、次の最新値が容量の観点から第nのデータエリアAnに入りきらない場合、つぎの最新値が第2のブロックB2に書き込まれる。この状況において、コピーの完了時にリセットが発生した場合には、両ブロックB1,B2間で最新値が異なる。この場合であっても、ブロック管理値の0の位置に基づき、正しく第2のブロックB2の最新値が読み出される。4たとえ両ブロック間の最新値が同じ場合であっても、上記実施形態のようにブロック管理値の0の位置に基づく優先順位があれば、従来のアクティブ状態のブロック管理値が同一の場合と異なって、毎回同一の処理を実行できる。なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の形態にて実施することができる。上記実施形態においては、ブロック管理値は、16進法による4桁の数字から構成されていた。しかし、ブロック管理値は16進法に限らず、例えば8進法、10進法又は32進法であってもよい。例えば32進法の場合、ブロック管理値は5桁の数字から構成されて、ブロック管理値に対応する全てのセルが0となる初期記号はVとなる。よって、VVVV0、VVV0V...といった順番でブロック毎に異なるアクティブ状態のブロック管理値が付与される。上記実施形態においては、図3に示すように、アクティブ状態となったブロックに対してFFF0、FF0F、F0FF及び0FFFの順でブロック管理値が付与されていた。しかし、予め決められていれば、この順番は上記例に限らない。上記実施形態においては、アクティブ状態となったブロックに対して0の位置を左に1桁ずつずらしたブロック管理値が順に付与されていた。しかし、このずらす対象は、4桁の2進法の数字において2以上の0が存在する16進法の数字であれば0でなくてもよい。具体的には、7、B、D、E及びF以外の数字であればよい。例えば、上記0に代えて3をずらしてもよい。この3は2進法で0011で表される。この場合、メンテナンス中にリセットが発生すると、2進法で0111又は2進法で1011となるおそれがある。ここで、2進法で0111は16進法で7であって、2進法で1011は16進法でBである。よって、本構成においては、アクティブ状態のブロック管理値が例えば3337又は333Bであれば、そのブロックからの最新値の読み出しは規制される。"