"酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分A、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分Bを含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分Aは、下記一般式a0-1で表される構成単位a0-1と、下記一般式a0-2で表される構成単位a0-2とを有する樹脂成分A1を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。[式中、Rはそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であり、R1は-O-又は-NH-であり、R2は2価の連結基であり、R3は-SO2-含有環式基であり、vは0又は1である。R1’、R2’はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~5のアルキル基であり、nは0~3の整数であり、Yは脂肪族環式基である。]さらに、下記一般式c1で表される化合物C1、下記一般式c2で表される化合物C2、及び下記一般式c3で表される化合物C3からなる群から選ばれる1つ以上を含む塩基性化合物成分Cを含有する請求項1に記載のポジ型レジスト組成物。[式中、R4は置換基を有していてもよい炭化水素基であり、Z2cは置換基を有していてもよい炭素数1~30の炭化水素基ただし、Sに隣接する炭素にはフッ素原子は置換されていないものとするであり、R5は有機基であり、Y3は直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキレン基またはアリーレン基であり、Rfはフッ素原子を含む炭化水素基であり、Mはそれぞれ独立にスルホニウム又はヨードニウムカチオンである。]支持体上に、請求項1又は2記載のポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。今後、リソグラフィー技術のさらなる進歩、レジストパターンの微細化がますます進むなか、レジスト材料には、ラフネス等の種々のリソグラフィー特性の向上に加えて、パターン形状のさらなる向上が求められている。上記の様に下層に反射防止膜を設けた場合、反射光に起因する定在波が低減され、微細パターンのリソグラフィー特性は向上する傾向にある。しかしながらその一方で、反射光が低減されることにより、入射光が届きづらい基板界面において光が少ない状態となるという問題があった。その結果として、これらの反射防止膜を用いた場合には特に、得られるレジストパターンの形状やラフネスには改良の余地があった。加えて、上記特許文献3~4のような、反射防止効果が向上した最近の反射防止膜を下層に使用した場合には、さらにレジストパターンの形状やラフネスが劣化するおそれがあり、反射防止膜の有無に関わらず良好なリソグラフィー特性及びパターン形状を得ることができるレジスト組成物が求められていた。また、レジスト材料にはディフェクトの低減も求められている。ここでディフェクトとは、例えば、KLAテンコール社の表面欠陥観察装置商品名KLAにより、現像後のレジストパターンを真上から観察した際に検知される不具合全般のことである。この不具合とは、例えば、現像後のスカムレジスト残渣、泡、ゴミ等のレジストパターン表面への異物や析出物の付着による不具合や、ラインパターン間のブリッジ、コンタクトホールパターンのホールの穴埋まり等のパターン形状に関する不具合や、パターンの色むら等をいう。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、リソグラフィー特性及びパターン形状に優れ、ディフェクトの低減が可能なポジ型レジスト組成物、及び該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供することを課題とする。上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。すなわち、本発明の第一の態様は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分A、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分Bを含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分Aは、下記一般式a0-1で表される構成単位a0-1と、下記一般式a0-2で表される構成単位a0-2とを有する樹脂成分A1を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物である。[式中、Rはそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であり、R1は-O-又は-NH-であり、R2は2価の連結基であり、R3は-SO2-含有環式基であり、vは0又は1である。R1’、R2’はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~5のアルキル基であり、nは0~3の整数であり、Yは脂肪族環式基である。]本発明の第二の態様は、前記第一の態様のポジ型レジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法である。本明細書及び本特許請求の範囲において、脂肪族とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。アルキル基は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の1価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルキレン基は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の2価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。ハロゲン化アルキル基は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。フッ素化アルキル基又はフッ素化アルキレン基は、アルキル基又はアルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基をいう。構成単位とは、高分子化合物樹脂、重合体、共重合体を構成するモノマー単位単量体単位を意味する。アクリル酸エステルは、アクリル酸CH2=CH-COOHのカルボキシ基末端の水素原子が有機基で置換された化合物である。アクリル酸エステルから誘導される構成単位とは、アクリル酸エステルのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルにおける、置換基としてはハロゲン原子、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のハロゲン化アルキル基、ヒドロキシアルキル基等が挙げられる。なお、アクリル酸エステルから誘導される構成単位のα位α位の炭素原子とは、特に断りがない限り、カルボニル基が結合している炭素原子のことを意味する。α位の炭素原子に結合していてもよい置換基における、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。α位の炭素原子に結合していてもよい置換基における、炭素数1~5のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などの直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。また、該置換基における、炭素数1~5のハロゲン化アルキル基として具体的には、上記の置換基における、炭素数1~5のアルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。また、該置換基におけるヒドロキシアルキル基として具体的には、上記の置換基における、炭素数1~5のアルキル基の水素原子の一部又は全部がヒドロキシ基で置換された基が挙げられる。本発明において、かかるα位の炭素原子に結合しているのは、水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であることが好ましく、水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のフッ素化アルキル基であることがより好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子又はメチル基であることが最も好ましい。露光は、放射線の照射全般を含む概念とする。本発明によれば、ディフェクトを低減することが可能なポジ型レジスト組成物、及び該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供できる。≪ポジ型レジスト組成物≫本発明の第一の態様であるポジ型レジスト組成物以下、単にレジスト組成物ということがある。は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分A以下A成分という。、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分B以下B成分という。を含有する。かかるレジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜は、レジストパターン形成時に選択的露光を行うと、B成分から酸が発生し、該酸がA成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる。その結果、当該レジスト膜の露光部のアルカリ現像液に対する溶解性が増大する一方で、未露光部はアルカリ現像液に対する溶解性が変化しないため、現像することにより露光部が溶解除去されてレジストパターンが形成される。<A成分>[樹脂成分A1]A成分は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分である。本発明において、基材成分とは、膜形成能を有する有機化合物であり、好ましくは分子量が500以上の有機化合物が用いられる。該有機化合物の分子量が500以上であることにより、膜形成能が向上し、また、ナノレベルのレジストパターンを形成しやすい。前記基材成分として用いられる分子量が500以上の有機化合物は、非重合体と重合体とに大別される。非重合体としては、通常、分子量が500以上4000未満のものが用いられる。以下、分子量が500以上4000未満の非重合体を低分子化合物という。重合体としては、通常、分子量が1000以上のものが用いられる。以下、分子量が1000以上の重合体を高分子化合物という。高分子化合物の場合、分子量としてはGPCゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算の質量平均分子量を用いるものとする。以下、高分子化合物を単に樹脂ということがある。本発明においてA成分は、前記一般式a0-1で表される構成単位a0-1と、下記一般式a0-2で表される構成単位a0-2とを有する樹脂成分A1以下、A1成分という。を含有する。また、A1成分は、構成単位a0-1及びa0-2に加えて、さらに、ラクトン含有環式基を含み、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位a2を有することが好ましい。また、A1成分は、構成単位a0-1及びa0-2に加えて、又は構成単位a0-1、a0-2及びa2に加えて、さらに、極性基含有脂肪族炭化水素基を含み、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位a3を有することが好ましい。さらに、A1成分は、上記構成単位に加えて、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含み、上記構成単位a0-2に該当しない構成単位a1を有していてもよい。構成単位a0-1構成単位a0-1は、下記一般式a0-1で表される構成単位である。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であり、R1は-O-又は-NH-であり、R2は2価の連結基であり、R3は-SO2-含有環式基であり、vは0又は1である。]前記式a0-1中、Rは、水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。Rにおける炭素数1~5のアルキル基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。Rにおける炭素数1~5のハロゲン化アルキル基としては、前記Rにおける炭素数1~5のアルキル基の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。なかでも、Rは、水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のフッ素化アルキル基であることが好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子又はメチル基であることが特に好ましい。前記式a0-1中、R1は-O-又は-NH-であって、-O-であることが好ましい。前記式a0-1中、R2の2価の連結基としては、特に限定されないが、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基等が好適なものとして挙げられる。炭化水素基が置換基を有するとは、該炭化水素基における水素原子の一部または全部が置換基水素原子以外の基または原子で置換されていることを意味する。R2における該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。前記R2における2価の炭化水素基としての脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。該脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が1~10であることが好ましく、1~6がより好ましく、1~4がさらに好ましく、1~3が最も好ましい。直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基[-CH2-]、エチレン基[-CH22-]、トリメチレン基[-CH23-]、テトラメチレン基[-CH24-]、ペンタメチレン基[-CH25-]等が挙げられる。分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、-CHCH3-、-CHCH2CH3-、-CCH32-、-CCH3CH2CH3-、-CCH3CH2CH2CH3-、-CCH2CH32-等のアルキルメチレン基;-CHCH3CH2-、-CHCH3CHCH3-、-CCH32CH2-、-CHCH2CH3CH2-、-CCH2CH32-CH2-等のアルキルエチレン基;-CHCH3CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2-等のアルキルトリメチレン基;-CHCH3CH2CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2CH2-等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましい。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、酸素原子=O等が挙げられる。前記構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、脂環式炭化水素基脂肪族炭化水素環から水素原子を2個除いた基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては前記と同様のものが挙げられる。前記脂環式炭化水素基は、炭素数が3~20であることが好ましく、3~12であることがより好ましい。前記脂環式炭化水素基は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数3~6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数7~12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。前記脂環式炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、酸素原子=O等が挙げられる。芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。前記R2における2価の炭化水素基としての芳香族炭化水素基は、炭素数が3~30であることが好ましく、5~30であることがより好ましく、5~20がさらに好ましく、6~15が特に好ましく、6~10が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。芳香族炭化水素基が有する芳香環として具体的には、ベンゼン、ビフェニル、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環;等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。該芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環から水素原子を2つ除いた基アリーレン基;前記芳香族炭化水素環から水素原子を1つ除いた基アリール基の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基たとえば、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに1つ除いた基;等が挙げられる。前記アルキレン基アリールアルキル基中のアルキル鎖の炭素数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。前記芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香族炭化水素環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O等が挙げられる。前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。前記R2のヘテロ原子を含む2価の連結基におけるヘテロ原子とは、炭素原子および水素原子以外の原子であり、たとえば酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子等が挙げられる。ヘテロ原子を含む2価の連結基としては、-O-、-C=O-O-、-C=O-、-O-C=O-O-、-C=O-NH-、-NH-Hはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。、-S-、-S=O2-、-S=O2-O-、-NH-C=O-、=N-、一般式-Y25-O-Y26-、-[Y25-C=O-O]m’-Y26-または-Y25-O-C=O-Y26-で表される基[式中、Y25およびY26はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい2価の炭化水素基であり、Oは酸素原子であり、m’は0~3の整数である。]等が挙げられる。R2が-NH-の場合、そのHはアルキル基、アリール基芳香族基等の置換基で置換されていてもよい。式-Y25-O-Y26-、-[Y25-C=O-O]m’-Y26-または-Y25-O-C=O-Y26-中、Y25およびY26は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基である。該2価の炭化水素基としては、前記でR2における置換基を有していてもよい2価の炭化水素基として挙げたものと同様のものが挙げられる。Y25としては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数1~5の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基またはエチレン基が特に好ましい。Y26としては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基またはアルキルメチレン基がより好ましい。該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数1~3の直鎖状のアルキル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。式-[Y25-C=O-O]m’-Y26-で表される基において、m’は0~3の整数であり、0~2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、1が特に好ましい。つまり、式-[Y25-C=O-O]m’-Y26-で表される基としては、式-Y25-C=O-O-Y26-で表される基が特に好ましい。なかでも、式-CH2a’-C=O-O-CH2b’-で表される基が好ましい。該式中、a’は、1~10の整数であり、1~8の整数が好ましく、1~5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。b’は、1~10の整数であり、1~8の整数が好ましく、1~5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。ヘテロ原子を含む2価の連結基としては、ヘテロ原子として酸素原子を有する直鎖状の基、例えばエーテル結合またはエステル結合を含む基、が好ましく、前記式-Y25-O-Y26-、-[Y25-C=O-O]m’-Y26-または-Y25-O-C=O-Y26-で表される基がより好ましい。上記のなかでも、R2の2価の連結基としては、特に、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、2価の脂環式炭化水素基、又はヘテロ原子を含む2価の連結基が好ましい。これらの中でも、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、又はヘテロ原子を含む2価の連結基がより好ましく、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基がさらに好ましい。前記式a0-1中、R3は-SO2-含有環式基である。構成単位a0-1がR3に-SO2-含有環式基を有することにより、A1成分を含有するレジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜の基板への密着性が高まる。加えて、感度、解像性、露光余裕度ELマージン、LWRラインワイズラフネス、LERラインエッジラフネス、マスク再現性等のリソグラフィー特性が向上する。ここで-SO2-含有環式基とは、その環骨格中に-SO2-を含む環を含有する環式基を示し、具体的には、-SO2-における硫黄原子Sが環式基の環骨格の一部を形成する環式基である。-SO2-含有環式基においては、その環骨格中に-SO2-を含む環をひとつ目の環として数え、該環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。-SO2-含有環式基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。-SO2-含有環式基は、特に、その環骨格中に-O-SO2-を含む環式基、すなわち-O-SO2-中の-O-S-が環式基の環骨格の一部を形成するスルトンsultone環であることが好ましい。-SO2-含有環式基は、炭素数が3~30であることが好ましく、4~20であることが好ましく、4~15であることがより好ましく、4~12であることが特に好ましい。ただし、該炭素数は環骨格を構成する炭素原子の数であり、置換基における炭素数を含まないものとする。-SO2-含有環式基は、-SO2-含有脂肪族環式基であってもよく、-SO2-含有芳香族環式基であってもよい。好ましくは-SO2-含有脂肪族環式基である。-SO2-含有脂肪族環式基としては、その環骨格を構成する炭素原子の一部が-SO2-または-O-SO2-で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基が挙げられる。より具体的には、その環骨格を構成する-CH2-が-SO2-で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基、その環を構成する-CH2-CH2-が-O-SO2-で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基等が挙げられる。該脂環式炭化水素基は、炭素数が3~20であることが好ましく、3~12であることがより好ましい。該脂環式炭化水素基は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、炭素数3~6のモノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該モノシクロアルカンとしてはシクロペンタン、シクロヘキサン等が例示できる。多環式の脂環式炭化水素基としては、炭素数7~12のポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとして具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。-SO2-含有環式基は、置換基を有していてもよい。該置換基としては、たとえばアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O、-COOR、-OC=ORRは水素原子又はアルキル基である。、ヒドロキシアルキル基、シアノ基等が挙げられる。該置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~6のアルキル基が好ましい。該アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。該置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~6のアルコキシ基が好ましい。該アルコキシ基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、前記置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基に酸素原子-O-に結合した基が挙げられる。該置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。該置換基のハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン化アルキル基としてはフッ素化アルキル基が好ましく、特にパーフルオロアルキル基が好ましい。前記-COOR、-OC=ORにおけるRは、いずれも、水素原子または炭素数1~15の直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアルキル基であることが好ましい。Rが直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基の場合は、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~5であることがさらに好ましく、メチル基またはエチル基であることが特に好ましい。Rが環状のアルキル基の場合は、炭素数3~15であることが好ましく、炭素数4~12であることがさらに好ましく、炭素数5~10が最も好ましい。具体的には、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。該置換基としてのヒドロキシアルキル基としては、炭素数が1~6であるものが好ましく、具体的には、前記置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基の水素原子の少なくとも1つが水酸基で置換された基が挙げられる。-SO2-含有環式基として、より具体的には、下記一般式3-1~3-4で表される基が挙げられる。[式中、A’は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1~5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり、zは0~2の整数であり、R6はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、水酸基、-COOR、-OC=OR、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり、Rは水素原子またはアルキル基である。]前記一般式3-1~3-4中、A’は、酸素原子-O-もしくは硫黄原子-S-を含んでいてもよい炭素数1~5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子である。A’における炭素数1~5のアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、イソプロピレン基等が挙げられる。該アルキレン基が酸素原子または硫黄原子を含む場合、その具体例としては、前記アルキレン基の末端または炭素原子間に-O-または-S-が介在する基が挙げられ、たとえば-O-CH2-、-CH2-O-CH2-、-S-CH2-、-CH2-S-CH2-等が挙げられる。A’としては、炭素数1~5のアルキレン基または-O-が好ましく、炭素数1~5のアルキレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。zは0~2のいずれであってもよく、0が最も好ましい。zが2である場合、複数のR6はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。R6におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、-COOR、-OC=OR、ヒドロキシアルキル基としては、それぞれ、前述の-SO2-含有環式基が有していてもよい置換基として挙げたアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、-COOR、-OC=OR、ヒドロキシアルキル基と同様のものが挙げられる。以下に、前記一般式3-1~3-4で表される具体的な環式基を例示する。なお、式中のAcはアセチル基を示す。-SO2-含有環式基としては、上記の中でも、前記一般式3-1で表される基が好ましく、前記化学式3-1-1、3-1-18、3-3-1および3-4-1のいずれかで表される基からなる群から選択される少なくとも一種を用いることがより好ましく、前記化学式3-1-1で表される基が最も好ましい。前記式a0-1中、vは0又は1であり、1であることが好ましい。vが0の場合とは、式中の-R2-C=O-Ov-が単結合であることを意味する。構成単位a0-1としては、特に、下記一般式a0-1-11またはa0-1-12で表される構成単位が好ましく、ラフネス低減の効果がより高いことから、式a0-1-12で表される構成単位がより好ましい。[式中、R、A’、R1、R6およびzはそれぞれ前記のものと同じ意味である。R2aは前記一般式a0-1中のR2と同様である。]式a0-1-11中、A’はメチレン基、エチレン基、酸素原子-O-または硫黄原子-S-であることが好ましい。R2aとしては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、または酸素原子を含む2価の連結基が好ましい。R2aにおける直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、酸素原子を含む2価の連結基としては、それぞれ、前記一般式a0-1中のR2についての説明で挙げた直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、ヘテロ原子を含む2価の連結基ヘテロ原子が酸素原子であるものと同様のものが挙げられる。式a0-1-12で表される構成単位としては、特に、下記一般式a0-1-12a~a0-1-12dで表される構成単位が好ましい。[式中、RおよびA’はそれぞれ独立に前記のものと同じ意味であり、c、dはそれぞれ独立に1~3の整数であり、fはそれぞれ独立に1~5の整数好ましくは1~3の整数である。]以下に、上記一般式a0-1-11、a0-1-12で表される構成単位の具体例を示す。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。A1成分が含有する構成単位a0-1は、1種であってもよく2種以上であってもよい。A1成分中の構成単位a0-1の割合は、A1成分を構成する全構成単位に対し、1~80モルであることが好ましく、10~70モル以下であることがより好ましく、10~65モルであることがさらに好ましく、20~50モルであることが特に好ましい。構成単位a0-1の割合を上限値以下とすることにより、有機溶剤後述のS成分等への溶解性が高まる。一方、下限値以上とすることによって、レジスト組成物とした際に容易にパターンを得ることができ、解像性、LWR等のリソグラフィー特性、及びレジストパターン形状がより向上する。構成単位a0-2構成単位a0-2は下記式a0-2で表される構成単位である。構成単位a0-2は、露光によって発生する酸の作用によりアセタール型酸解離性基-CR1’R2’-O-CH2n-Yと、該アセタール型酸解離性基が結合した酸素原子との間で結合が切断されてカルボキシ基が形成されることにより、極性が増大する構成単位である。このため本発明のレジスト組成物は、該構成単位a0-2を有するA1成分を用いることにより、アルカリ現像プロセスにおいて良好な現像コントラストを得ることができる。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であり、R1’、R2’はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~5のアルキル基であり、nは0~3の整数であり、Yは脂肪族環式基である。]前記式a0-2中、Rは前記同様であり、水素原子又はメチル基であることが好ましい。前記式a0-2中、R1’、R2’はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~5のアルキル基である。R1’、R2’の炭素数1~5のアルキル基としては、前記Rの炭素数1~5のアルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基又はエチル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。本発明においてR1’、R2’としては、少なくとも1つが水素原子であることが好ましく、水素原子とメチル基との組み合わせ、又は水素原子同士の組み合わせであることが好ましい。前記式a0-2中、nは0~3の整数であって、0~2の整数であることが好ましく、0又は1がより好ましく、0が最も好ましい。前記式a0-2中、Yは脂肪族環式基である。本発明において、脂肪族環式基は、芳香族性を持たない単環式基又は多環式基であることを示す。該脂肪族環式基の置換基を除いた基本の環の構造は、炭素および水素からなる基炭化水素基であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、該炭化水素基は、飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。Yの脂肪族環式基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。Yの脂肪族環式基としては、炭素数が3~30であるものが好ましく、5~30であるものがより好ましく、5~20がさらに好ましく、6~15が特に好ましく、6~12が最も好ましい。単環式の脂肪族環式基としては、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数3~6のものが好ましく、具体的にはシクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂肪族環式基としては、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数7~12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。また、これらの脂肪族環式基の環を構成する炭素原子の一部がエーテル基-O-で置換されたものであってもよい。Yの脂肪族環式基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のアルコキシ基、ハロゲン原子、ヘテロ原子、炭素数1~5のハロゲン化アルキル基、酸素原子=O等が挙げられる。該置換基としての炭素数1~5のアルキル基は、前記Rの炭素数1~5のアルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基又はエチル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。該置換基としての炭素数1~5のアルコキシ基としては、直鎖状又は分岐鎖状のアルコキシ基が好ましい。具体的には、前記Rの炭素数1~5のアルキル基として挙げたアルキル基に酸素原子-O-に結合した基が挙げられ、メトキシ基又はエトキシ基が好ましい。該置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。該置換基としてのヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等が挙げられる。該置換基としての炭素数1~5のハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン化アルキル基としてはフッ素化アルキル基が好ましく、特にパーフルオロアルキル基が好ましい。構成単位a0-2としては、特に、下記一般式a0-2-0で表される構成単位が好ましい。[式中、R、R1’、n、Yは前記同様である。]以下に、上記一般式a0-2-0で表される構成単位の具体例を示す。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。構成単位a0-2としては、上記式a1-2-6で表される構成単位が好ましい。A1成分が含有する構成単位a0-2は、1種であってもよく2種以上であってもよい。A1成分中の構成単位a0-2の割合は、A1成分を構成する全構成単位に対し、1~70モルであることが好ましく、10~60モル以下であることがより好ましく、10~55モルであることがさらに好ましく、20~50モルであることが特に好ましい。構成単位a0-2の割合を下限値以上とすることによって、レジスト組成物とした際に容易にパターンを得ることができ、感度、解像性、LWR等のリソグラフィー特性も向上する。また、上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。また、本発明におけるA1成分は、構成単位a0-2と同様に酸分解性基を含み、構成単位a0-2に該当しない構成単位a1を有していてもよいが、構成単位a0-2と構成単位a1との合計に対し、構成単位a0-2の割合が50モル以上であることが好ましく、80モル以上であることがより好ましく、100モル構成単位a0-2のみを有し、構成単位a1を有しないであることが特に好ましい。A1成分が構成単位a0-2以外に酸分解性基を含む構成単位を有しないことにより、本発明の効果であるレジストパターン及びリソグラフィー形状の向上効果、並びにディフェクト効果をより効果的に得ることができる。構成単位a2構成単位a2は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、ラクトン含有環式基を含む構成単位である。構成単位a2は、ラクトン環式基を含むことにより、当該A1成分を含有するレジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜の基板への密着性を高めたり、水を含有するアルカリ現像液との親和性を高めたりすることにより、リソグラフィー特性の向上に寄与する。ここで、ラクトン含有環式基とは、その環骨格中に-O-CO-を含む環ラクトン環を含有する環式基を示す。ラクトン環をひとつ目の環として数え、ラクトン環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。ラクトン含有環式基は、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。構成単位a2におけるラクトン環式基としては特に限定されることなく任意のものが使用可能である。具体的には、ラクトン含有単環式基としては、4~6員環ラクトンから水素原子を1つ除いた基、たとえばβ-プロピオノラクトンから水素原子を1つ除いた基、γ-ブチロラクトンから水素原子1つを除いた基、δ-バレロラクトンから水素原子を1つ除いた基等が挙げられる。また、ラクトン含有多環式基としては、ラクトン環を有するビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンから水素原子一つを除いた基が挙げられる。構成単位a2Lの例としては、たとえば前記一般式a0-1中のR3をラクトン含有環式基で置換したものが挙げられ、より具体的には、下記一般式a2-1~a2-5で表される構成単位が挙げられる。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であり;R’はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のアルコキシ基または-COORであり、Rは水素原子またはアルキル基であり;R29は単結合または2価の連結基であり、sは0~2の整数であり;Aは酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1~5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり;mは0または1である。]一般式a2-1~a2-5におけるRは、前記同様である。R’の炭素数1~5のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基が挙げられる。R’の炭素数1~5のアルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が挙げられる。R’は、工業上入手が容易であること等を考慮すると、水素原子が好ましい。Rにおけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。Rが直鎖状または分岐鎖状のアルキル基の場合は、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~5であることがさらに好ましい。Rが環状のアルキル基の場合は、炭素数3~15であることが好ましく、炭素数4~12であることがさらに好ましく、炭素数5~10が最も好ましい。具体的には、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。Aとしては、前記一般式3-1中のA’と同様のものが挙げられる。Aは、炭素数1~5のアルキレン基、酸素原子-O-または硫黄原子-S-であることが好ましく、炭素数1~5のアルキレン基または-O-がより好ましい。炭素数1~5のアルキレン基としては、メチレン基またはジメチルメチレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。R29は、単結合又は2価の連結基であって、2価の連結基としては上記R2の2価の連結基と同様のものが挙げられる。それらの中でも、アルキレン基、またはエステル結合-C=O-O-を含むものが好ましい。該アルキレン基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。具体的には、前記R2における脂肪族炭化水素基として挙げた直鎖状のアルキレン基、分岐鎖状のアルキレン基と同様のものが挙げられる。R29としては、特に、単結合、または-R29’-C=O-O-[式中、R29’は直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基である。]が好ましい。式a2-1中、sは1~2であることが好ましい。以下に、前記一般式a2-1~a2-5で表される構成単位の具体例を例示する。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。構成単位a2としては、前記一般式a2-1~a2-5で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が好ましく、一般式a2-1~a2-3で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種がより好ましく、前記一般式a2-1またはa2-3で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が特に好ましい。なかでも、前記式a2-1-1、a2-1-2、a2-2-1、a2-2-7、a2-2-12、a2-2-14、a2-3-1、a2-3-5で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が好ましい。A1成分において、構成単位a2としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。A1成分が構成単位a2を含有する場合、A1成分中の構成単位a2の割合は、当該A1成分を構成する全構成単位の合計に対し、1~80モルであることが好ましく、10~70モルであることがより好ましく、10~65モルであることがさらに好ましく、10~60モルが特に好ましい。下限値以上とすることにより構成単位a2を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができ、DOF、CDU等の種々のリソグラフィー特性及びパターン形状が良好となる。構成単位a3構成単位a3は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、極性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位である。A1成分が構成単位a3を有することにより、A成分の親水性が高まり、解像性の向上に寄与する。極性基としては、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基等が挙げられ、特に水酸基が好ましい。脂肪族炭化水素基としては、炭素数1~10の直鎖状または分岐鎖状の炭化水素基好ましくはアルキレン基や、多環式の脂肪族炭化水素基多環式基が挙げられる。該多環式基としては、例えばArFエキシマレーザー用レジスト組成物用の樹脂において、多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。該多環式基の炭素数は7~30であることが好ましい。その中でも、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、またはアルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基を含有する脂肪族多環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位がより好ましい。該多環式基としては、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどから2個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。これらの多環式基の中でも、アダマンタンから2個以上の水素原子を除いた基、ノルボルナンから2個以上の水素原子を除いた基、テトラシクロドデカンから2個以上の水素原子を除いた基が工業上好ましい。構成単位a3としては、極性基含有脂肪族炭化水素基における炭化水素基が炭素数1~10の直鎖状または分岐鎖状の炭化水素基のときは、アクリル酸のヒドロキシエチルエステルから誘導される構成単位が好ましく、該炭化水素基が多環式基のときは、下記式a3-1で表される構成単位、下記式a3-2で表される構成単位、下記式a3-3で表される構成単位が好ましいものとして挙げられる。式中、Rは前記と同じであり、jは1~3の整数であり、kは1~3の整数であり、t’は1~3の整数であり、lは1~5の整数であり、sは1~3の整数である。式a3-1中、jは1または2であることが好ましく、1であることがさらに好ましい。jが2の場合は、水酸基がアダマンチル基の3位と5位に結合しているものが好ましい。jが1の場合は、水酸基がアダマンチル基の3位に結合しているものが好ましい。jは1であることが好ましく、水酸基がアダマンチル基の3位に結合しているものが特に好ましい。式a3-2中、kは1であることが好ましい。シアノ基は、ノルボルニル基の5位または6位に結合していることが好ましい。式a3-3中、t’は1であることが好ましい。lは1であることが好ましい。sは1であることが好ましい。これらは、アクリル酸のカルボキシ基の末端に、2-ノルボルニル基または3-ノルボルニル基が結合していることが好ましい。フッ素化アルキルアルコールは、ノルボルニル基の5または6位に結合していることが好ましい。構成単位a3は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。A1成分が構成単位a3を含有する場合、A1成分中の構成単位a3の割合は、当該A1成分を構成する全構成単位に対し、1~50モルであることが好ましく、3~45モルがより好ましく、5~40モルがさらに好ましい。下限値以上とすることにより構成単位a3を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。構成単位a1構成単位a1は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含み、前記構成単位a0-2に該当しない構成単位である。酸分解性基は、露光によりB成分から発生する酸の作用により、当該酸分解性基の構造中の少なくとも一部の結合が開裂し得る酸分解性を有する基である。酸の作用により極性が増大する酸分解性基としては、たとえば、酸の作用により分解して極性基を生じる基が挙げられる。極性基としては、たとえばカルボキシ基、水酸基、アミノ基、スルホ基-SO3H等が挙げられる。これらのなかでも、構造中に-OHを含有する極性基以下、OH含有極性基ということがある。が好ましく、カルボキシ基または水酸基がより好ましい。酸分解性基としてより具体的には、前記極性基を酸解離性基で保護した基たとえばOH含有極性基の水素原子を酸解離性基で保護した基が挙げられる。酸解離性基は、露光によりB成分から発生する酸の作用により、少なくとも、当該酸解離性基と該酸解離性基に隣接する原子との間の結合が開裂し得る酸解離性を有する基である。酸分解性基を構成する酸解離性基は、当該酸解離性基の解離により生成する極性基よりも極性の低い基であることが必要で、これにより、酸の作用により該酸解離性基が解離した際に、該酸解離性基よりも極性の高い極性基が生じて極性が増大する。結果、A1成分全体の極性が増大する。極性が増大することにより、相対的に、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する。構成単位a1における酸解離性基としては、これまで、化学増幅型レジスト用のベース樹脂の酸解離性基として提案されているものを使用することができる。一般的には、メタアクリル酸等におけるカルボキシ基と環状または鎖状の第3級アルキルエステルを形成する基;アルコキシアルキル基等のアセタール型酸解離性基などが広く知られている。ここで、第3級アルキルエステルとは、カルボキシ基の水素原子が、鎖状または環状のアルキル基で置換されることによりエステルを形成しており、そのカルボニルオキシ基-C=O-O-の末端の酸素原子に、前記鎖状または環状のアルキル基の第3級炭素原子が結合している構造を示す。この第3級アルキルエステルにおいては、酸が作用すると、酸素原子と第3級炭素原子との間で結合が切断され、カルボキシ基が形成されることによって、A1成分の極性が増大する。なお、前記鎖状または環状のアルキル基は置換基を有していてもよい。以下、カルボキシ基と第3級アルキルエステルを構成することにより、酸解離性となっている基を、便宜上、第3級アルキルエステル型酸解離性基という。第3級アルキルエステル型酸解離性基としては、脂肪族分岐鎖状酸解離性基、脂肪族環式基を含有する酸解離性基が挙げられる。ここで、本特許請求の範囲及び明細書における脂肪族分岐鎖状とは、芳香族性を持たない分岐鎖状の構造を有することを示す。脂肪族分岐鎖状酸解離性基の構造は、炭素および水素からなる基炭化水素基であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、炭化水素基は飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。脂肪族分岐鎖状酸解離性基としては、炭素数4~8の第3級アルキル基が好ましく、具体的にはtert-ブチル基、tert-ペンチル基、tert-ヘプチル基等が挙げられる。脂肪族環式基は、芳香族性を持たない単環式基または多環式基であることを示す。構成単位a1における脂肪族環式基としては、前記Yと同様のものが挙げられる。脂肪族環式基を含有する酸解離性基としては、例えば環状のアルキル基の環骨格上に第3級炭素原子を有する基を挙げることができ、具体的には、下記一般式1-1~1-9で示す基の様な、2-メチル-2-アダマンチル基や、2-エチル-2-アダマンチル基等が挙げられる。また、脂肪族分岐鎖状酸解離性基としては、下記一般式2-1~2-6で示す基の様に、アダマンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、ノルボルニル基、トリシクロデシル基、テトラシクロドデシル基等の脂肪族環式基と、これに結合する、第3級炭素原子を有する分岐鎖状アルキレン基とを有する基が挙げられる。[式中、R14はアルキル基であり、gは0~8の整数である。][式中、R15、R16はそれぞれ独立してアルキル基直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、好ましくは炭素数1~5であるを示す。]上記R14のアルキル基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましい。該直鎖状のアルキル基は、炭素数が1~5であることが好ましく、1~4がより好ましく、1または2がさらに好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基またはn-ブチル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。該分岐鎖状のアルキル基は、炭素数が3~10であることが好ましく、3~5がより好ましい。具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、tert-ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、イソプロピル基又はtert-ブチル基であることが最も好ましい。gは0~3の整数が好ましく、1~3の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましい。R15~R16のアルキル基としては、R14のアルキル基と同様のものが挙げられる。上記式1-1~1-9、2-1~2-6中、環を構成する炭素原子の一部がエーテル性酸素原子-O-で置換されていてもよい。また、式1-1~1-9、2-1~2-6中、環を構成する炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子、フッ素化アルキル基が挙げられる。アセタール型酸解離性基は、一般的に、カルボキシ基、水酸基等のOH含有極性基末端の水素原子と置換して酸素原子と結合している。そして、露光により酸が発生すると、この酸が作用して、アセタール型酸解離性基と、当該アセタール型酸解離性基が結合した酸素原子との間で結合が切断され、カルボキシ基、水酸基等のOH含有極性基が形成されることによってA1成分の極性が増大する。アセタール型酸解離性基としては、式a0-2中のアセタール型酸解離性基以外に、たとえば、下記一般式p1で表される基が挙げられる。[式中、R1’,R2’、nはそれぞれ前記同様であり、Y21は炭素数1~5のアルキル基または芳香族環式基を表す。]R1’,R2’、nはそれぞれ前記式a0-2中のR1’,R2’、nと同様である。本発明においては、R1’,R2’のうち少なくとも1つが水素原子であることが好ましい。すなわち、酸解離性基p1が、下記一般式p1-1で表される基であることが好ましい。[式中、R1’、n、Y21は上記と同様である。]Y21の炭素数1~5のアルキル基としては、上記Rの炭素数1~5のアルキル基と同様のものが挙げられる。Y21の芳香族環式基としては、上記R2で説明した芳香環を有する1価の基をいう。また、a0-2のアセタール型酸解離性基以外のアセタール型酸解離性基としては、下記一般式p2で示される基も挙げられる。[式中、R17、R18はそれぞれ独立して直鎖状または分岐鎖状のアルキル基または水素原子であり、R19は直鎖状、分岐鎖状のアルキル基である。または、R17およびR19がそれぞれ独立に直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基であって、R17の末端とR19の末端とが結合して環を形成していてもよい。]R17、R18において、アルキル基の炭素数は、好ましくは1~15であり、直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、エチル基、メチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。特に、R17、R18の一方が水素原子で、他方がメチル基であることが好ましい。R19は直鎖状、分岐鎖状のアルキル基であり、炭素数は、好ましくは1~15である。R19の直鎖状、分岐鎖状のアルキル基は炭素数が1~5であることがより好ましく、エチル基、メチル基がさらに好ましく、特にエチル基が最も好ましい。また、上記式においては、R17及びR19が、それぞれ独立に直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基好ましくは炭素数1~5のアルキレン基であってR19の末端とR17の末端とが結合していてもよい。この場合、R17とR19と、R19が結合した酸素原子と、該酸素原子およびR17が結合した炭素原子とにより環式基が形成されている。該環式基としては、4~7員環が好ましく、4~6員環がより好ましい。該環式基の具体例としては、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等が挙げられる。構成単位a1としては、下記一般式a1-0-1で表される構成単位および下記一般式a1-0-2で表される構成単位からなる群から選ばれる1種以上を用いることが好ましい。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基を示し、X1は酸解離性基を示す。][式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基を示し、X2は酸解離性基を示し、Y22は2価の連結基を示す。]一般式a1-0-1において、Rの炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基は、前記同様である。X1は、酸解離性基であれば特に限定されることはなく、例えば上述した第3級アルキルエステル型酸解離性基、式p1、p2のアセタール型酸解離性基などを挙げることができ、第3級アルキルエステル型酸解離性基が好ましい。一般式a1-0-2において、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。Rの炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基は、上記α位の炭素原子に結合していてもよい置換基の炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基と同様である。X2は、第3級アルキルエステル型酸解離性基、またはアセタール型酸解離性基である。Y22の2価の連結基としては、式a0-1中のR2の2価の連結基と同様のものが挙げられ、アルキレン基又はエステル結合-C=O-O-を含むものが好ましい。構成単位a1として、より具体的には、下記一般式a1-1~a1-3で表される構成単位が挙げられる。[式中、X’は第3級アルキルエステル型酸解離性基を表し、Y23は炭素数1~5のアルキル基、または環状の炭化水素基を表し;nは0~3の整数を表し;Y22は2価の連結基を表し;Rは前記と同じであり、R1’、R2’はそれぞれ独立して水素原子または炭素数1~5のアルキル基を表す。]前記式中、X’は前記第3級アルキルエステル型酸解離性基と同様のものが挙げられる。R1’、R2’、nとしては、それぞれ、上述のアセタール型酸解離性基の説明において挙げた一般式p1におけるR1’、R2’、nと同様のものが挙げられる。Y22としては、上述の一般式a1-0-2におけるY22と同様のものが挙げられる。Y23における環状の炭化水素基は、脂環式炭化水素基と芳香族炭化水素基が挙げられ、上述の脂環式炭化水素基で列挙したポリシクロアルカンを有する1価の基が好ましい。以下に、上記一般式a1-1~a1-3で表される構成単位の具体例を示す。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。構成単位a1は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。その中でも、一般式a1-3で表される構成単位が好ましく、具体的にはa1-3-3~a1-3-4、a1-3-7、a1-3-9~a1-3-12、およびa1-3-15からなる群から選択される少なくとも1種を用いることがより好ましい。A1成分において、構成単位a1としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。A1成分が構成単位a1を含有する場合、A1成分中の構成単位a1の割合は、A1成分を構成する全構成単位に対し、50モル以下が好ましく、30モル以下がより好ましく、0~20モルがさらに好ましい。その他の構成単位A1成分は、本発明の効果を損なわない範囲で、上記構成単位a0-1~a0-2、a1~a3以外の他の構成単位以下、構成単位a4という。を含んでいてもよい。構成単位a4は、上述の構成単位a0-1~a0-2、a1~a3に分類されない他の構成単位であれば特に限定されるものではなく、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用好ましくはArFエキシマレーザー用等のレジスト用樹脂に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。構成単位a4としては、例えば酸非解離性の脂肪族多環式基を含み、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位、スチレン単量体、ビニルナフタレン単量体から誘導される構成単位などが好ましい。該多環式基は、例えば、前記の構成単位a1の場合に例示したものと同様のものを例示することができ、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用好ましくはArFエキシマレーザー用等のレジスト組成物の樹脂成分に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。特にトリシクロデカニル基、アダマンチル基、テトラシクロドデカニル基、イソボルニル基、ノルボルニル基から選ばれる少なくとも1種であると、工業上入手し易いなどの点で好ましい。これらの多環式基は、炭素数1~5の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を置換基として有していてもよい。構成単位a4として、具体的には、下記一般式a4-1~a4-5の構造のものを例示することができる。[式中、Rは前記と同じである。]構成単位a4としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。構成単位a4をA1成分に含有させる場合、構成単位a4の割合は、A1成分を構成する全構成単位の合計に対して、1~20モルが好ましく、1~15モルがより好ましく、1~10モルがさらに好ましい。A1成分は、構成単位a0-1及びa0-2を有する共重合体であって、構成単位a2及び/又はa3を有することが好ましい。かかる共重合体としては、たとえば、構成単位a0-1及びa0-2からなる共重合体;構成単位a0-1、a0-2及びa2からなる共重合体;構成単位a0-1、a0-2及びa3からなる共重合体;構成単位a0-1、a0-2、a2及びa3からなる共重合体等が例示できる。本発明において、A1成分としては、特に下記一般式A1-1~A1-3に示す構成単位の組み合わせを含むものが好ましい。下記一般式中、R、R1、R2a、R6、z、A’、R1’、n、Y、R29、s、jはそれぞれ前記と同じであり、式中に複数あるRはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。また、式中のR11a、R11bは前記R11と同様であって、R11aとR11bとはそれぞれ異なる基を表す。A1成分の質量平均分子量Mwゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算基準は、特に限定されるものではなく、1000~50000が好ましく、1500~30000がより好ましく、2500~20000が最も好ましい。この範囲の上限値以下であると、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、この範囲の下限値以上であると、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。また、A1成分の分散度Mw/Mnは、特に限定されるものではなく、1.0~5.0が好ましく、1.0~3.0がより好ましく、1.2~2.5が最も好ましい。なお、Mnは数平均分子量を示す。A成分において、A1成分としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用しても良い。A成分中のA1成分の割合は、A成分の総質量に対し、25質量以上が好ましく、50質量がより好ましく、75質量がさらに好ましく、100質量であってもよい。該割合が25質量以上であると、リソグラフィー特性等の効果が向上する。[A2成分]本発明のレジスト組成物は、A成分として、前記A1成分に該当しない、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分以下A2成分という。を含有してもよい。A2成分としては、分子量が500以上2500未満であって、上述のA1成分の説明で例示したような酸解離性基と、親水性基とを有する低分子化合物が好ましい。具体的には、複数のフェノール骨格を有する化合物の水酸基の水素原子の一部が上記酸解離性基で置換されたものが挙げられる。A2成分は、たとえば、耐熱性向上剤として知られている低分子量フェノール化合物の水酸基の水素原子の一部を上記酸解離性基で置換したものが好ましく、そのようなものから任意に用いることができる。かかる低分子量フェノール化合物としては、たとえば、ビス4-ヒドロキシフェニルメタン、ビス2,3,4-トリヒドロキシフェニルメタン、2-4-ヒドロキシフェニル-2-4’-ヒドロキシフェニルプロパン、2-2,3,4-トリヒドロキシフェニル-2-2’,3’,4’-トリヒドロキシフェニルプロパン、トリス4-ヒドロキシフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシ-3,5-ジメチルフェニル-2-ヒドロキシフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシ-2,5-ジメチルフェニル-2-ヒドロキシフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシ-3,5-ジメチルフェニル-3,4-ジヒドロキシフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシ-2,5-ジメチルフェニル-3,4-ジヒドロキシフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシ-3-メチルフェニル-3,4-ジヒドロキシフェニルメタン、ビス3-シクロヘキシル-4-ヒドロキシ-6-メチルフェニル-4-ヒドロキシフェニルメタン、ビス3-シクロヘキシル-4-ヒドロキシ-6-メチルフェニル-3,4-ジヒドロキシフェニルメタン、1-[1-4-ヒドロキシフェニルイソプロピル]-4-[1,1-ビス4-ヒドロキシフェニルエチル]ベンゼン、フェノール、m-クレゾール、p-クレゾールまたはキシレノールなどのフェノール類のホルマリン縮合物の2~6核体などが挙げられる。勿論これらに限定されるものではない。特には、トリフェニルメタン骨格を2~6個有するフェノール化合物が、解像性、LWRに優れることから好ましい。酸解離性基も特に限定されず、上記したものが挙げられる。A2成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。本発明のレジスト組成物において、A成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。上記のなかでも、A成分としては、A1成分を含有することが好ましい。本発明のレジスト組成物中、A成分の含有量は、形成しようとするレジスト膜厚等に応じて調整すればよい。<B成分>B成分としては、特に限定されず、これまで化学増幅型レジスト用の酸発生剤として提案されているものを使用することができる。このような酸発生剤としては、これまで、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリビススルホニルジアゾメタン類などのジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など多種のものが知られている。オニウム塩系酸発生剤として、例えば下記一般式b-1またはb-2で表される化合物を用いることができる。[式中、R1~R3,R5~R6は、それぞれ独立に、アリール基またはアルキル基を表し;式b-1におけるR1~R3のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよく;R4は、置換基を有していても良いアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、またはアルケニル基を表し;R1~R3のうち少なくとも1つはアリール基を表し、R5~R6のうち少なくとも1つはアリール基を表す。]式b-1中、R1~R3はそれぞれ独立にアリール基またはアルキル基を表す。なお、式b-1におけるR1~R3のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。また、R1~R3のうち、少なくとも1つはアリール基を表す。R1~R3のうち、2以上がアリール基であることが好ましく、R1~R3のすべてがアリール基であることが最も好ましい。R1~R3のアリール基としては、特に制限はなく、例えば、炭素数6~20のアリール基であって、該アリール基は、その水素原子の一部または全部がアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基等で置換されていてもよく、されていなくてもよい。アリール基としては、安価に合成可能なことから、炭素数6~10のアリール基が好ましい。具体的には、たとえばフェニル基、ナフチル基が挙げられる。前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。R1~R3のアルキル基としては、特に制限はなく、例えば炭素数1~10の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。解像性に優れる点から、炭素数1~5であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、n-ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ノニル基、デシル基等が挙げられ、解像性に優れ、また安価に合成可能なことから好ましいものとして、メチル基を挙げることができる。式b-1におけるR1~R3のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成する場合、イオウ原子を含めて3~10員環を形成していることが好ましく、5~7員環を形成していることが特に好ましい。式b-1におけるR1~R3のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成する場合、残りの1つは、アリール基であることが好ましい。前記アリール基は、前記R1~R3のアリール基と同様のものが挙げられる。式b-1で表される化合物のカチオン部として、好ましいものとしては、下記式I-1-1~I-1-11で表されるカチオン部が挙げられる。これらの中でも、式I-1-1~I-1-9で表されるカチオン部等の、トリフェニルメタン骨格を有するものが好ましい。下記式I-1-10~I-1-11中、R9、R10は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基または炭素数1~5のアルキル基、アルコキシ基、水酸基である。uは1~3の整数であり、1または2が最も好ましい。R4は、置換基を有していても良いアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、またはアルケニル基を表す。R4におけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであっても良い。前記直鎖状または分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~8であることがさらに好ましく、炭素数1~4であることが最も好ましい。前記環状のアルキル基としては、炭素数4~15であることが好ましく、炭素数4~10であることがさらに好ましく、炭素数6~10であることが最も好ましい。R4におけるハロゲン化アルキル基としては、前記直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。ハロゲン化アルキル基においては、当該ハロゲン化アルキル基に含まれるハロゲン原子および水素原子の合計数に対するハロゲン原子の数の割合ハロゲン化率が、10~100であることが好ましく、50~100であることが好ましく、100が最も好ましい。該ハロゲン化率が高いほど、酸の強度が強くなるので好ましい。前記R4におけるアリール基は、炭素数6~20のアリール基であることが好ましい。前記R4におけるアルケニル基は、炭素数2~10のアルケニル基であることが好ましい。前記R4において、置換基を有していても良いとは、前記直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、またはアルケニル基における水素原子の一部または全部が置換基水素原子以外の他の原子または基で置換されていても良いことを意味する。R4における置換基の数は1つであってもよく、2つ以上であってもよい。前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヘテロ原子、アルキル基、式:X-Q1-[式中、Q1は酸素原子を含む2価の連結基であり、Xは置換基を有していてもよい炭素数3~30の炭化水素基である。]で表される基等が挙げられる。前記ハロゲン原子、アルキル基としては、R4において、ハロゲン化アルキル基におけるハロゲン原子、アルキル基として挙げたもの同様のものが挙げられる。前記ヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等が挙げられる。X-Q1-で表される基において、Q1は酸素原子を含む2価の連結基である。Q1は、酸素原子以外の原子を含有してもよい。酸素原子以外の原子としては、たとえば炭素原子、水素原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。酸素原子を含む2価の連結基としては、たとえば、酸素原子エーテル結合;-O-、エステル結合-C=O-O-、アミド結合-C=O-NH-、カルボニル基-C=O-、カーボネート結合-O-C=O-O-等の非炭化水素系の酸素原子含有連結基;該非炭化水素系の酸素原子含有連結基とアルキレン基との組み合わせ等が挙げられる。該組み合わせとしては、たとえば、-R91-O-、-R92-O-C=O-、-C=O-O-R93-O-C=O-式中、R91~R93はそれぞれ独立にアルキレン基である。等が挙げられる。R91~R93におけるアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、該アルキレン基の炭素数は、1~12が好ましく、1~5がより好ましく、1~3が特に好ましい。該アルキレン基として、具体的には、たとえばメチレン基[-CH2-];-CHCH3-、-CHCH2CH3-、-CCH32-、-CCH3CH2CH3-、-CCH3CH2CH2CH3-、-CCH2CH32-等のアルキルメチレン基;エチレン基[-CH2CH2-];-CHCH3CH2-、-CHCH3CHCH3-、-CCH32CH2-、-CHCH2CH3CH2-等のアルキルエチレン基;トリメチレン基n-プロピレン基[-CH2CH2CH2-];-CHCH3CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2-等のアルキルトリメチレン基;テトラメチレン基[-CH2CH2CH2CH2-];-CHCH3CH2CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2CH2-等のアルキルテトラメチレン基;ペンタメチレン基[-CH2CH2CH2CH2CH2-]等が挙げられる。Q1としては、エステル結合またはエーテル結合を含む2価の連結基が好ましく、なかでも、-R91-O-、-R92-O-C=O-または-C=O-O-R93-O-C=O-が好ましい。X-Q1-で表される基において、Xの炭化水素基は、芳香族炭化水素基であってもよく、脂肪族炭化水素基であってもよい。芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。該芳香族炭化水素基の炭素数は3~30であることが好ましく、5~30であることがより好ましく、5~20がさらに好ましく、6~15が特に好ましく、6~12が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。芳香族炭化水素基として、具体的には、フェニル基、ビフェニルbiphenyl基、フルオレニルfluorenyl基、ナフチル基、アントリルanthryl基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素環から水素原子を1つ除いたアリール基、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基等が挙げられる。前記アリールアルキル基中のアルキル鎖の炭素数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。該芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、当該芳香族炭化水素基が有する芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。前者の例としては、前記アリール基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基、前記アリールアルキル基中の芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部が前記ヘテロ原子で置換されたヘテロアリールアルキル基等が挙げられる。後者の例における芳香族炭化水素基の置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O等が挙げられる。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。Xにおける脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基であってもよく、不飽和脂肪族炭化水素基であってもよい。また、脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。Xにおいて、脂肪族炭化水素基は、当該脂肪族炭化水素基を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよく、当該脂肪族炭化水素基を構成する水素原子の一部または全部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよい。Xにおけるヘテロ原子としては、炭素原子および水素原子以外の原子であれば特に限定されず、たとえばハロゲン原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子等が挙げられる。ヘテロ原子を含む置換基は、前記ヘテロ原子のみからなるものであってもよく、前記ヘテロ原子以外の基または原子を含む基であってもよい。炭素原子の一部を置換する置換基として、具体的には、たとえば-O-、-C=O-O-、-C=O-、-O-C=O-O-、-C=O-NH-、-NH-Hがアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい、-S-、-S=O2-、-S=O2-O-等が挙げられる。脂肪族炭化水素基が環状である場合、これらの置換基を環構造中に含んでいてもよい。水素原子の一部または全部を置換する置換基として、具体的には、たとえばアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O、シアノ基等が挙げられる。前記アルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記ハロゲン化アルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基等のアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状の飽和炭化水素基、直鎖状もしくは分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基、または環状の脂肪族炭化水素基脂肪族環式基が好ましい。直鎖状の飽和炭化水素基アルキル基としては、炭素数が1~20であることが好ましく、1~15であることがより好ましく、1~10が最も好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。分岐鎖状の飽和炭化水素基アルキル基としては、炭素数が3~20であることが好ましく、3~15であることがより好ましく、3~10が最も好ましい。具体的には、例えば、1-メチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、1-エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基などが挙げられる。不飽和炭化水素基としては、炭素数が2~10であることが好ましく、2~5が好ましく、2~4が好ましく、3が特に好ましい。直鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基アリル基、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、1-メチルプロペニル基、2-メチルプロペニル基などが挙げられる。不飽和炭化水素基としては、上記の中でも、特にプロペニル基が好ましい。脂肪族環式基としては、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。その炭素数は3~30であることが好ましく、5~30であることがより好ましく、5~20がさらに好ましく、6~15が特に好ましく、6~12が最も好ましい。具体的には、たとえば、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。脂肪族環式基が、その環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含まない場合は、脂肪族環式基としては、多環式基が好ましく、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、アダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が最も好ましい。脂肪族環式基が、その環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含むものである場合、該ヘテロ原子を含む置換基としては、-O-、-C=O-O-、-S-、-S=O2-、-S=O2-O-が好ましい。かかる脂肪族環式基の具体例としては、たとえば下記式L1~L6、S1~S4等が挙げられる。[式中、Qは炭素数1~5のアルキレン基、-O-、-S-、-O-R94-または-S-R95-であり、R94およびR95はそれぞれ独立に炭素数1~5のアルキレン基であり、mは0または1の整数である。]式中、Q、R94およびR95におけるアルキレン基としては、それぞれ、前記R91~R93におけるアルキレン基と同様のものが挙げられる。これらの脂肪族環式基は、その環構造を構成する炭素原子に結合した水素原子の一部が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえばアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O等が挙げられる。前記アルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが特に好ましい。前記アルコキシ基、ハロゲン原子はそれぞれ前記水素原子の一部または全部を置換する置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。本発明において、Xは、置換基を有していてもよい環式基であることが好ましい。該環式基は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基であってもよく、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であってもよく、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であることが好ましい。前記芳香族炭化水素基としては、置換基を有していてもよいナフチル基、または置換基を有していてもよいフェニル基が好ましい。置換基を有していてもよい脂肪族環式基としては、置換基を有していてもよい多環式の脂肪族環式基が好ましい。該多環式の脂肪族環式基としては、前記ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基、前記L2~L6、S3~S4等が好ましい。本発明において、R4は、置換基としてX-Q1-を有することが好ましい。この場合、R4としては、X-Q1-Y1-[式中、Q1およびXは前記と同じであり、Y1は置換基を有していてもよい炭素数1~4のアルキレン基または置換基を有していてもよい炭素数1~4のフッ素化アルキレン基である。]で表される基が好ましい。X-Q1-Y1-で表される基において、Y1のアルキレン基としては、前記Q1で挙げたアルキレン基のうち炭素数1~4のものと同様のものが挙げられる。フッ素化アルキレン基としては、該アルキレン基の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。Y1として、具体的には、-CF2-、-CF2CF2-、-CF2CF2CF2-、-CFCF3CF2-、-CFCF2CF3-、-CCF32-、-CF2CF2CF2CF2-、-CFCF3CF2CF2-、-CF2CFCF3CF2-、-CFCF3CFCF3-、-CCF32CF2-、-CFCF2CF3CF2-、-CFCF2CF2CF3-、-CCF3CF2CF3-;-CHF-、-CH2CF2-、-CH2CH2CF2-、-CH2CF2CF2-、-CHCF3CH2-、-CHCF2CF3-、-CCH3CF3-、-CH2CH2CH2CF2-、-CH2CH2CF2CF2-、-CHCF3CH2CH2-、-CH2CHCF3CH2-、-CHCF3CHCF3-、-CCF32CH2-;-CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-、-CHCH3CH2-、-CHCH2CH3-、-CCH32-、-CH2CH2CH2CH2-、-CHCH3CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2-、-CHCH3CHCH3-、-CCH32CH2-、-CHCH2CH3CH2-、-CHCH2CH2CH3-、-CCH3CH2CH3-等が挙げられる。Y1としては、フッ素化アルキレン基が好ましく、特に、隣接する硫黄原子に結合する炭素原子がフッ素化されているフッ素化アルキレン基が好ましい。このようなフッ素化アルキレン基としては、-CF2-、-CF2CF2-、-CF2CF2CF2-、-CFCF3CF2-、-CF2CF2CF2CF2-、-CFCF3CF2CF2-、-CF2CFCF3CF2-、-CFCF3CFCF3-、-CCF32CF2-、-CFCF2CF3CF2-;-CH2CF2-、-CH2CH2CF2-、-CH2CF2CF2-;-CH2CH2CH2CF2-、-CH2CH2CF2CF2-、-CH2CF2CF2CF2-等を挙げることができる。これらの中でも、-CF2-、-CF2CF2-、-CF2CF2CF2-、又はCH2CF2CF2-が好ましく、-CF2-、-CF2CF2-又は-CF2CF2CF2-がより好ましく、-CF2-が特に好ましい。前記アルキレン基またはフッ素化アルキレン基は、置換基を有していてもよい。アルキレン基またはフッ素化アルキレン基が置換基を有するとは、当該アルキレン基またはフッ素化アルキレン基における水素原子またはフッ素原子の一部または全部が、水素原子およびフッ素原子以外の原子または基で置換されていることを意味する。アルキレン基またはフッ素化アルキレン基が有していてもよい置換基としては、炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基、水酸基等が挙げられる。式b-2中、R5~R6は、それぞれ独立にアリール基またはアルキル基を表す。R5~R6のうち、少なくとも1つはアリール基を表す。R5~R6のすべてが、アリール基であることが好ましい。R5~R6のアリール基としては、R1~R3のアリール基と同様のものが挙げられる。R5~R6のアルキル基としては、R1~R3のアルキル基と同様のものが挙げられる。これらの中で、R5~R6は、すべてフェニル基であることが最も好ましい。式b-2中のR4としては、上記式b-1のR4と同様のものが挙げられる。式b-1、b-2で表されるオニウム塩系酸発生剤の具体例としては、ジフェニルヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、トリ4-メチルフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジメチル4-ヒドロキシナフチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、モノフェニルジメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;ジフェニルモノメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、4-メチルフェニルジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、4-メトキシフェニルジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、トリ4-tert-ブチルフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジフェニル1-4-メトキシナフチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジ1-ナフチルフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-フェニルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-4-メチルフェニルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-4-メトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-4-エトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-フェニルテトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-4-メチルフェニルテトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート等が挙げられる。また、これらのオニウム塩のアニオン部を下記式b1~b8のいずれかで表されるアニオン部に置き換えたオニウム塩も用いることができる。[式中、pは1~3の整数であり、q1~q2はそれぞれ独立に1~5の整数であり、q3は1~12の整数であり、t3は1~3の整数であり、r1~r2はそれぞれ独立に0~3の整数であり、gは1~20の整数であり、R7は置換基であり、n1~n5はそれぞれ独立に0または1であり、v0~v5はそれぞれ独立に0~3の整数であり、w1~w5はそれぞれ独立に0~3の整数であり、Qは前記と同じである。]R7の置換基としては、前記Xにおいて、脂肪族炭化水素基が有していてもよい置換基、芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。R7に付された符号r1~r2、w1~w5が2以上の整数である場合、当該化合物中の複数のR7はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。また、オニウム塩系酸発生剤としては、前記一般式b-1又はb-2において、アニオン部を下記一般式b-3又はb-4で表されるアニオン部に置き換えたオニウム塩系酸発生剤も用いることができるカチオン部はb-1又はb-2と同様。[式中、Xは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数2~6のアルキレン基を表し;Y、Zは、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~10のアルキル基を表す。]Xは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基であり、該アルキレン基の炭素数は2~6であり、好ましくは炭素数3~5、最も好ましくは炭素数3である。Y、Zは、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐鎖状のアルキル基であり、該アルキル基の炭素数は1~10であり、好ましくは炭素数1~7、より好ましくは炭素数1~3である。Xのアルキレン基の炭素数またはY、Zのアルキル基の炭素数は、上記炭素数の範囲内において、レジスト溶媒への溶解性も良好である等の理由により、小さいほど好ましい。また、Xのアルキレン基またはY、Zのアルキル基において、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなり、また200nm以下の高エネルギー光や電子線に対する透明性が向上するので好ましい。該アルキレン基またはアルキル基中のフッ素原子の割合、すなわちフッ素化率は、好ましくは70~100、さらに好ましくは90~100であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキレン基またはパーフルオロアルキル基である。また、下記一般式b-5またはb-6で表されるカチオン部を有するスルホニウム塩をオニウム塩系酸発生剤として用いることもできる。[式中、R41~R46はそれぞれ独立してアルキル基、アセチル基、アルコキシ基、カルボキシ基、水酸基またはヒドロキシアルキル基であり;n1~n5はそれぞれ独立して0~3の整数であり、n6は0~2の整数である。]R41~R46において、アルキル基は、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、なかでも直鎖または分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、又はtert-ブチル基であることが特に好ましい。アルコキシ基は、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、なかでも直鎖または分岐鎖状のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が特に好ましい。ヒドロキシアルキル基は、上記アルキル基中の一個又は複数個の水素原子がヒドロキシ基に置換した基が好ましく、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基等が挙げられる。R41~R46に付された符号n1~n6が2以上の整数である場合、複数のR41~R46はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。n1は、好ましくは0~2であり、より好ましくは0又は1であり、さらに好ましくは0である。n2およびn3は、好ましくはそれぞれ独立して0又は1であり、より好ましくは0である。n4は、好ましくは0~2であり、より好ましくは0又は1である。n5は、好ましくは0又は1であり、より好ましくは0である。n6は、好ましくは0又は1であり、より好ましくは1である。式b-5またはb-6で表されるカチオン部を有するスルホニウム塩のアニオン部は、特に限定されず、これまで提案されているオニウム塩系酸発生剤のアニオン部と同様のものであってよい。かかるアニオン部としては、たとえば上記一般式b-1またはb-2で表されるオニウム塩系酸発生剤のアニオン部R4SO3-等のフッ素化アルキルスルホン酸イオン;上記一般式b-3又はb-4で表されるアニオン部等が挙げられる。本明細書において、オキシムスルホネート系酸発生剤とは、下記一般式B-1で表される基を少なくとも1つ有する化合物であって、放射線の照射によって酸を発生する特性を有するものである。この様なオキシムスルホネート系酸発生剤は、化学増幅型レジスト組成物用として多用されているので、任意に選択して用いることができる。[式B-1中、R31、R32はそれぞれ独立に有機基を表す。]R31、R32の有機基は、炭素原子を含む基であり、炭素原子以外の原子たとえば水素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子等等を有していてもよい。R31の有機基としては、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基またはアリール基が好ましい。これらのアルキル基、アリール基は置換基を有していても良い。該置換基としては、特に制限はなく、たとえばフッ素原子、炭素数1~6の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。ここで、置換基を有するとは、アルキル基またはアリール基の水素原子の一部または全部が置換基で置換されていることを意味する。アルキル基としては、炭素数1~20が好ましく、炭素数1~10がより好ましく、炭素数1~8がさらに好ましく、炭素数1~6が特に好ましく、炭素数1~4が最も好ましい。アルキル基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアルキル基以下、ハロゲン化アルキル基ということがあるが好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味し、完全にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味する。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。すなわち、ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。アリール基は、炭素数4~20が好ましく、炭素数4~10がより好ましく、炭素数6~10が最も好ましい。アリール基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアリール基が好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味し、完全にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味する。R31としては、特に、置換基を有さない炭素数1~4のアルキル基、または炭素数1~4のフッ素化アルキル基が好ましい。R32の有機基としては、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基、アリール基またはシアノ基が好ましい。R32のアルキル基、アリール基としては、前記R31で挙げたアルキル基、アリール基と同様のものが挙げられる。R32としては、特に、シアノ基、置換基を有さない炭素数1~8のアルキル基、または炭素数1~8のフッ素化アルキル基が好ましい。オキシムスルホネート系酸発生剤として、さらに好ましいものとしては、下記一般式B-2またはB-3で表される化合物が挙げられる。[式B-2中、R33は、シアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。R34はアリール基である。R35は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。][式B-3中、R36はシアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。R37は2または3価の芳香族炭化水素基である。R38は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。pは2または3である。]前記一般式B-2において、R33の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1~10であることが好ましく、炭素数1~8がより好ましく、炭素数1~6が最も好ましい。R33としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。R33におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が50以上フッ素化されていることが好ましく、70以上フッ素化されていることがより好ましく、90以上フッ素化されていることが特に好ましい。R34のアリール基としては、フェニル基、ビフェニルbiphenyl基、フルオレニルfluorenyl基、ナフチル基、アントリルanthryl基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素の環から水素原子を1つ除いた基、およびこれらの基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基等が挙げられる。これらのなかでも、フルオレニル基が好ましい。R34のアリール基は、炭素数1~10のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基等の置換基を有していても良い。該置換基におけるアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1~8であることが好ましく、炭素数1~4がさらに好ましい。また、該ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。R35の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1~10であることが好ましく、炭素数1~8がより好ましく、炭素数1~6が最も好ましい。R35としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。R35におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が50以上フッ素化されていることが好ましく、70以上フッ素化されていることがより好ましく、90以上フッ素化されていることが、発生する酸の強度が高まるため特に好ましい。最も好ましくは、水素原子が100フッ素置換された完全フッ素化アルキル基である。前記一般式B-3において、R36の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記R33の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。R37の2または3価の芳香族炭化水素基としては、上記R34のアリール基からさらに1または2個の水素原子を除いた基が挙げられる。R38の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記R35の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。pは、好ましくは2である。オキシムスルホネート系酸発生剤の具体例としては、α-p-トルエンスルホニルオキシイミノ-ベンジルシアニド、α-p-クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ-ベンジルシアニド、α-4-ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ-ベンジルシアニド、α-4-ニトロ-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシイミノ-ベンジルシアニド、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-クロロベンジルシアニド、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-2,4-ジクロロベンジルシアニド、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-2,6-ジクロロベンジルシアニド、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシベンジルシアニド、α-2-クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシベンジルシアニド、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-チエン-2-イルアセトニトリル、α-4-ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ-ベンジルシアニド、α-[p-トルエンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニル]アセトニトリル、α-[ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニル]アセトニトリル、α-トシルオキシイミノ-4-チエニルシアニド、α-メチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘプテニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロオクテニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-シクロヘキシルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-エチルアセトニトリル、α-プロピルスルホニルオキシイミノ-プロピルアセトニトリル、α-シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ-シクロペンチルアセトニトリル、α-シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ-シクロヘキシルアセトニトリル、α-シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-イソプロピルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-n-ブチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-イソプロピルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-n-ブチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-p-メトキシフェニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-p-メトキシフェニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-p-メトキシフェニルアセトニトリル、α-プロピルスルホニルオキシイミノ-p-メチルフェニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-p-ブロモフェニルアセトニトリルなどが挙げられる。また、特開平9-208554号公報段落[0012]~[0014]の[化18]~[化19]に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤、国際公開第04/074242号パンフレット65~86頁目のExample1~40に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤も好適に用いることができる。また、好適なものとして以下のものを例示することができる。ジアゾメタン系酸発生剤のうち、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類の具体例としては、ビスイソプロピルスルホニルジアゾメタン、ビスp-トルエンスルホニルジアゾメタン、ビス1,1-ジメチルエチルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビス2,4-ジメチルフェニルスルホニルジアゾメタン等が挙げられる。また、特開平11-035551号公報、特開平11-035552号公報、特開平11-035573号公報に開示されているジアゾメタン系酸発生剤も好適に用いることができる。また、ポリビススルホニルジアゾメタン類としては、例えば、特開平11-322707号公報に開示されている、1,3-ビスフェニルスルホニルジアゾメチルスルホニルプロパン、1,4-ビスフェニルスルホニルジアゾメチルスルホニルブタン、1,6-ビスフェニルスルホニルジアゾメチルスルホニルヘキサン、1,10-ビスフェニルスルホニルジアゾメチルスルホニルデカン、1,2-ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニルエタン、1,3-ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニルプロパン、1,6-ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニルヘキサン、1,10-ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニルデカンなどを挙げることができる。B成分としては、これらの酸発生剤を1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。本発明においては、B成分として、フッ素化アルキルスルホン酸イオンをアニオンとするオニウム塩系酸発生剤を用いることが好ましい。本発明のポジ型レジスト組成物におけるB成分の含有量は、A成分100質量部に対し、0.5~50質量部が好ましく、1~40質量部がより好ましい。上記範囲とすることでパターン形成が充分に行われる。また、均一な溶液が得られ、保存安定性が良好となるため好ましい。<任意成分C成分>本発明のレジスト組成物は、任意の成分として、塩基性化合物成分C以下、C成分という。を含有していてもよい。本発明において、C成分は、酸拡散制御剤、すなわち露光により前記B成分等から発生する酸をトラップするクエンチャーとして作用するものである。なお、本発明において塩基性化合物とは、B成分に対して相対的に塩基性となる化合物をいう。本発明において、C成分は、下記一般式c1で表される化合物C1以下、C1成分という。、下記一般式c2で表される化合物C2以下、C2成分という。、及び下記一般式c3で表される化合物C3以下、C3成分という。からなる群から選ばれる1つ以上を含有することが好ましい。[式中、R4は置換基を有していてもよい炭化水素基であり、Z2cは置換基を有していてもよい炭素数1~30の炭化水素基ただし、Sに隣接する炭素にはフッ素原子は置換されていないものとするであり、R5は有機基であり、Y3は直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキレン基またはアリーレン基であり、Rfはフッ素原子を含む炭化水素基であり、Mはそれぞれ独立にスルホニウム又はヨードニウムカチオンである。][C1成分]アニオン部式c1中、R4は置換基を有していてもよい炭化水素基である。R4の置換基を有していてもよい炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよく、B成分中のXの脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基と同様のものが挙げられる。なかでもR4の置換基を有していてもよい炭化水素基としては、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、又は、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であることが好ましく、置換基を有していてもよいフェニル基やナフチル基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基であることがより好ましい。また、R4の置換基を有していてもよい炭化水素基としては、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、又は、フッ素化アルキル基であることも好ましい。R4の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基の炭素数は、1~10であることが好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等の直鎖状のアルキル基、1-メチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、1-エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基等の分岐鎖状のアルキル基等が挙げられる。R4のフッ素化アルキル基は、鎖状であっても環状であってもよいが、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましい。フッ素化アルキル基の炭素数は、1~11が好ましく、1~8がより好ましく、1~4がさらに好ましい。具体的には例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等の直鎖状のアルキル基を構成する一部又は全部の水素原子がフッ素原子により置換された基や、1-メチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基等の分岐鎖状のアルキル基を構成する一部又は全部の水素原子がフッ素原子により置換された基が挙げられる。また、R4のフッ素化アルキル基は、フッ素原子以外の原子を含有してもよい。フッ素原子以外の原子としては、たとえば酸素原子、炭素原子、水素原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。なかでも、R4のフッ素化アルキル基としては、直鎖状のアルキル基を構成する一部又は全部の水素原子がフッ素原子により置換された基であることが好ましく、直鎖状のアルキル基を構成する水素原子の全てがフッ素原子で置換された基パーフルオロアルキル基であることが好ましい。以下にC1成分のアニオン部の好ましい具体例を示す。カチオン部式c1中、Mは、有機カチオンである。Mの有機カチオンとしては特に限定されるものではないが、例えば、前記式b-1又はb-2で表される化合物のカチオン部と同様のものが挙げられる。C1成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。[C2成分]アニオン部式c2中、Z2cは置換基を有していてもよい炭素数1~30の炭化水素基である。Z2cの置換基を有していてもよい炭素数1~30の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよく、B成分中のR4の置換基として説明した前記Xの脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基と同様のものが挙げられる。なかでもZ2cの置換基を有していてもよい炭化水素基としては、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であることが好ましく、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン、カンファー等から1個以上の水素原子を除いた基置換基を有していてもよいであることがより好ましい。Z2cの炭化水素基は置換基を有していてもよく、置換基としては、B成分中のXと同様のものが挙げられる。ただし、Z2cにおいて、SO3-におけるS原子に隣接する炭素は、フッ素置換されていないものとする。SO3-とフッ素原子とが隣接しないことにより、当該C2成分のアニオンが適度な弱酸アニオンとなり、C成分のクエンチング能が向上する。以下にC2成分のアニオン部の好ましい具体例を示す。カチオン部式c2中、Mは、前記式c1中のMと同様である。C2成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。[C3成分]アニオン部式c3中、R5は有機基である。R5の有機基は特に限定されるものではないが、アルキル基、アルコキシ基、-O-C=O-CRC2=CH2RC2は水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である、または-O-C=O-RC3RC3は炭化水素基であるである。R5のアルキル基は、炭素数1~5の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。R2のアルキル基の水素原子の一部が水酸基、シアノ基等で置換されていてもよい。R5のアルコキシ基は、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、炭素数1~5のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が挙げられる。なかでも、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。R5が-O-C=O-CRC2=CH2である場合、RC2は水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。RC2における炭素数1~5のアルキル基は、炭素数1~5の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。RC2におけるハロゲン化アルキル基は、前記炭素数1~5のアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基である。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。RC2としては、水素原子、炭素数1~3のアルキル基又は炭素数1~3のフッ素化アルキル基が好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子又はメチル基が最も好ましい。R5が-O-C=O-RC3である場合、RC3は炭化水素基である。RC3の炭化水素基は、芳香族炭化水素基であっても、脂肪族炭化水素基であってもよい。RC3の炭化水素基として具体的には、B成分中のXの炭化水素基と同様のものが挙げられる。なかでも、RC3の炭化水素基としては、シクロペンタン、シクロヘキサン、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた脂環式基、又は、フェニル基、ナフチル基等の芳香族基が好ましい。RC3が脂環式基である場合、レジスト組成物が有機溶剤に良好に溶解することによりリソグラフィー特性が良好となる。また、RC3が芳香族基である場合、EUV等を露光光源とするリソグラフィーにおいて、該レジスト組成物が光吸収効率に優れ、感度やリソグラフィー特性が良好となる。なかでも、R5としては、-O-C=O-CRC2’=CH2RC2’は水素原子又はメチル基である。、又は、-O-C=O-RC3’RC3’は脂肪族環式基である。であることが好ましい。式c3中、Y3は直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキレン基又はアリーレン基である。Y3の直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキレン基又はアリーレン基としては、上記式a0-1中のR2の2価の連結基のうち、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、環状の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基と同様のものが挙げられる。なかでも、Y3としては、アルキレン基であることが好ましく、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基であることがより好ましく、メチレン基又はエチレン基であることがさらに好ましい。式c3中、Rfはフッ素原子を含む炭化水素基である。Rfのフッ素原子を含む炭化水素基は、フッ素化アルキル基であることが好ましく、R4のフッ素化アルキル基と同様のものがより好ましい。以下にC3成分のアニオン部の好ましい具体例を示す。カチオン部式c3中、Mは、前記式c1中のMと同様である。C3成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。C成分は、上記C1~C3成分のいずれか1種のみを含有していてもよく、2種以上を組み合わせて含有していてもよい。なかでも、C2成分又はC3成分を含有することが好ましく、C3成分を含有することが特に好ましい。C1~C3成分の合計の含有量は、A成分100質量部に対して、0.5~10.0質量部であることが好ましく、0.5~8.0質量部であることがより好ましく、1.0~8.0質量部であることがさらに好ましく、2.5~5.5質量部であることが特に好ましい。上記範囲の下限値以上であると、特に良好なリソグラフィー特性及びレジストパターン形状が得られる。前記範囲の上限値以下であると、感度を良好に維持でき、スループットにも優れる。C1~C3成分の製造方法本発明におけるC1成分、C2成分の製造方法は特に限定されるものではなく、公知の方法により製造することができる。また、C3成分の製造方法は特に限定されるものではないが、例えば、前記式c3中のR5が、Y3と結合する末端に酸素原子を有する基である場合、下記一般式i-1で表される化合物i-1と、下記一般式i-2で表される化合物i-2とを反応させることにより、下記一般式i-3で表される化合物i-3を得、化合物i-3と、所望のカチオンMを有するZ-Mi-4とを反応させることにより、一般式c3で表される化合物C3が製造される。[式中、R5、Y3、Rf、Mは、それぞれ、前記一般式c3中のR5、Y3、Rf、Mと同じである。R5aはR5から末端の酸素原子を除いた基であり、Z-は対アニオンである。]まず、化合物i-1と化合物i-2とを反応させ、化合物i-3を得る。式i-1中、R5aは前記R5から末端の酸素原子を除いた基である。式i-2中、Y3、Rfは前記同様である。化合物i-1、化合物i-2としては、それぞれ、市販のものを用いてもよく、合成してもよい。化合物i-1と化合物i-2とを反応させ、化合物i-3を得る方法としては、特に限定されないが、たとえば、適当な酸触媒の存在下で、化合物i-2と化合物i-1とを有機溶媒中で反応させた後に、反応混合物を洗浄、回収することにより、実施できる。上記反応における酸触媒は、特に限定されるものではなく、例えばトルエンスルホン酸等が挙げられ、その使用量は化合物i-21モルに対して0.05~5モル程度が好ましい。上記反応における有機溶媒としては、原料である化合物i-1及び化合物i-2を溶解できるものであればよく、具体的には、トルエン等が挙げられ、その使用量は、化合物i-1に対して、0.5~100質量部であることが好ましく、0.5~20質量部であることがより好ましい。溶媒は、1種を単独で用いても良く、2種以上を併用してもよい。上記反応における化合物i-2の使用量は、通常、化合物i-11モルに対して0.5~5モル程度が好ましく、0.8~4モル程度がより好ましい。上記反応における反応時間は、化合物i-1と化合物i-2との反応性や、反応温度等によっても異なるが、通常、1~80時間が好ましく、3~60時間がより好ましい。上記反応における反応温度は、20°C~200°Cが好ましく、20°C~150°C程度がより好ましい。次いで、得られた化合物i-3と、化合物i-4とを反応させ、化合物C3を得る。式i-4中、Mは前記同様であり、Z-は対アニオンである。化合物i-3と化合物i-4とを反応させ、化合物C3を得る方法としては、特に限定されないが、たとえば、適当なアルカリ金属水酸化物の存在下で、化合物i-3を適当な有機溶媒及び水に溶解し、化合物i-4を添加して攪拌により反応させることにより実施できる。上記反応におけるアルカリ金属水酸化物は、特に限定されるものではなく、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられ、その使用量は化合物i-31モルに対して0.3~3モル程度が好ましい。上記反応における有機溶媒としては、ジクロロメタン、クロロホルム、酢酸エチル等の溶媒が挙げられ、その使用量は、化合物i-3に対して、0.5~100質量部であることが好ましく、0.5~20質量部であることがより好ましい。溶媒は、1種を単独で用いても良く、2種以上を併用してもよい。上記反応における化合物i-4の使用量は、通常、化合物i-31モルに対して0.5~5モル程度が好ましく、0.8~4モル程度がより好ましい。上記反応における反応時間は、化合物i-3と化合物i-4との反応性や、反応温度等によっても異なるが、通常、1~80時間が好ましく、3~60時間がより好ましい。上記反応における反応温度は、20°C~200°Cが好ましく、20°C~150°C程度がより好ましい。反応終了後、反応液中の化合物C3を単離、精製してもよい。単離、精製には、従来公知の方法が利用でき、たとえば濃縮、溶媒抽出、蒸留、結晶化、再結晶、クロマトグラフィー等をいずれか単独で、またはこれらの2種以上を組み合わせて用いることができる。上記のようにして得られる化合物C3の構造は、1H-核磁気共鳴NMRスペクトル法、13C-NMRスペクトル法、19F-NMRスペクトル法、赤外線吸収IRスペクトル法、質量分析MS法、元素分析法、X線結晶回折法等の一般的な有機分析法により確認できる。本発明におけるC成分は、上記C1~C3成分以外に、該C1~C3成分に該当しない塩基性化合物C4以下C4成分という。を有していてもよい。C4成分としては、B成分に対して相対的に塩基性となる化合物であり、酸拡散制御剤として作用するものであり、且つC1~C3成分に該当しないものであれば特に限定されず、公知のものから任意に用いればよい。なかでも、脂肪族アミン、特に第2級脂肪族アミンや第3級脂肪族アミンが好ましい。脂肪族アミンとは、1つ以上の脂肪族基を有するアミンであり、該脂肪族基は炭素数が1~12であることが好ましい。脂肪族アミンとしては、アンモニアNH3の水素原子の少なくとも1つを、炭素数12以下のアルキル基またはヒドロキシアルキル基で置換したアミンアルキルアミンまたはアルキルアルコールアミン又は環式アミンが挙げられる。アルキルアミンおよびアルキルアルコールアミンの具体例としては、n-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン等のモノアルキルアミン;ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、ジ-n-ヘプチルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン;トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-ノニルアミン、トリ-n-デシルアミン、トリ-n-ドデシルアミン等のトリアルキルアミン;ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ-n-オクタノールアミン、トリ-n-オクタノールアミン等のアルキルアルコールアミンが挙げられる。これらの中でも、炭素数5~10のトリアルキルアミンがさらに好ましく、トリ-n-ペンチルアミン又はトリ-n-オクチルアミンが特に好ましい。環式アミンとしては、たとえば、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環化合物が挙げられる。該複素環化合物としては、単環式のもの脂肪族単環式アミンであっても多環式のもの脂肪族多環式アミンであってもよい。脂肪族単環式アミンとして、具体的には、ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。脂肪族多環式アミンとしては、炭素数が6~10のものが好ましく、具体的には、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネン、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。その他の脂肪族アミンとしては、トリス2-メトキシメトキシエチルアミン、トリス{2-2-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-2-メトキシエトキシメトキシエチル}アミン、トリス{2-1-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-エトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-エトキシプロポキシエチル}アミン、トリス[2-{2-2-ヒドロキシエトキシエトキシ}エチル]アミン、トリエタノールアミントリアセテート等が挙げられ、トリエタノールアミントリアセテートが好ましい。また、C4成分としては、芳香族アミンを用いてもよい。芳香族アミンとしては、アニリン、ピリジン、4-ジメチルアミノピリジン、ピロール、インドール、ピラゾール、イミダゾールまたはこれらの誘導体、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミン、2,6-ジイソプロピルアニリン、N-tert-ブトキシカルボニルピロリジン等が挙げられる。C4成分は、単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。C4成分は、A成分100質量部に対して、通常0.01~5.0質量部の範囲で用いられる。上記範囲とすることにより、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等が向上する。C4成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。本発明のレジスト組成物がC4成分を含有する場合、C4成分は、A成分100質量部に対して、0.05~15質量部であることが好ましく、0.1~15質量部であることがより好ましく、0.1~12質量部であることがさらに好ましい。上記範囲の下限値以上であると、ポジ型レジスト組成物とした際、ラフネス等のリソグラフィー特性がより向上する。また、より良好なレジストパターン形状が得られる。前記範囲の上限値以下であると、感度を良好に維持でき、スループットにも優れる。<E成分>レジスト組成物には、感度劣化の防止や、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等の向上の目的で、有機カルボン酸、並びにリンのオキソ酸及びその誘導体からなる群から選択される少なくとも1種の化合物E以下E成分という。を含有させることができる。有機カルボン酸としては、たとえば、酢酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。リンのオキソ酸としては、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸等が挙げられ、これらの中でもホスホン酸が特に好ましい。リンのオキソ酸の誘導体としては、たとえば、上記オキソ酸の水素原子を炭化水素基で置換したエステル等が挙げられ、前記炭化水素基としては、炭素数1~5のアルキル基、炭素数6~15のアリール基等が挙げられる。リン酸の誘導体としては、リン酸ジ-n-ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸エステルなどが挙げられる。ホスホン酸の誘導体としては、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸-ジ-n-ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等のホスホン酸エステルなどが挙げられる。ホスフィン酸の誘導体としては、フェニルホスフィン酸等のホスフィン酸エステルなどが挙げられる。E成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。E成分としては、有機カルボン酸が好ましく、サリチル酸が特に好ましい。E成分は、A成分100質量部当り0.01~5.0質量部の割合で用いられる。<S成分>レジスト組成物は、レジスト組成物に配合される成分を有機溶剤以下S成分という。に溶解させて製造することができる。S成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを1種または2種以上適宜選択して用いることができる。S成分は、たとえば、γ-ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル-n-ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2-ヘプタノンなどのケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体[これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGMEが好ましい];ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチルEL、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤などを挙げることができる。S成分は、単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。なかでも、γ-ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、乳酸エチルELが好ましい。また、PGMEAと極性溶剤とを混合した混合溶媒も好ましい。その配合比質量比は、PGMEAと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよく、1:9~9:1の範囲内とすることが好ましく、2:8~8:2の範囲内とすることがより好ましい。より具体的には、極性溶剤としてELを配合する場合は、PGMEA:ELの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2である。また、極性溶剤としてPGMEを配合する場合は、PGMEA:PGMEの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2、さらに好ましくは3:7~7:3である。また、S成分として、その他には、PGMEA及びELの中から選ばれる少なくとも1種とγ-ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者との質量比が好ましくは70:30~95:5とされる。さらに、S成分として、その他には、PGMEAとシクロヘキサノンとの混合溶剤、又はPGMEAとPGMEとシクロヘキサノンとの混合溶剤も好ましい。この場合、前者の混合割合としては、質量比が好ましくはPGMEA:シクロヘキサノン=95~5:10~90とされ、後者の混合割合としては、質量比が好ましくはPGMEA:PGME:シクロヘキサノン=35~55:20~40:15~35とされる。本発明によれば、リソグラフィー特性及びパターン形状に優れ、ディフェクトの低減能に優れたレジスト組成物を得ることができる。上記効果が得られる理由は明らかではないが、以下のような理由が考えられる。本発明のレジスト組成物は、構成単位a0-1において、極性基である-SO2-を含む環式基を有することにより、形成されるレジスト膜の基板密着性が高まる。さらに、該構成単位a0-1はレジスト組成物中に含まれるB成分との相互作用が大きいため、酸発生剤成分のレジスト膜内分布が均一化されやすく、上記効果が得られると考えられる。また、本発明のレジスト組成物は、酸により解離する特定の基を有する構成単位a0-2を有する。構成単位a0-2中の酸により解離する基は、第3級アルキルエステル型酸解離性基等の他の酸解離性基とは解離の際の反応機構が異なり、光の多寡に関わらず良好に解離してA成分の極性を増大させる。このことにより、本発明のレジスト組成物によれば、たとえ反射防止膜を有するような基板上にレジスト膜を形成した場合であっても、上記の様に良好なパターン形状及びリソグラフィー特性が得られると考えられる。さらに、本発明のレジスト組成物によれば、上記の様に構成単位a0-2において酸による解離が良好に進行するため、アルカリ現像液への溶解性が効果的に高まり、ディフェクト低減効果が得られると推察される。≪レジストパターン形成方法≫上記のようなレジスト組成物を用いて、例えば、以下のようなレジストパターン形成方法により、レジストパターンを形成することができる。まず支持体上に、前記レジスト組成物をスピンナーなどで塗布し、80~150°Cの温度条件下、プレベークポストアプライベークPABを40~120秒間、好ましくは60~90秒間施し、これに例えば電子線描画機などにより、電子線EBを所望のマスクパターンを介して選択的に露光した後、80~150°Cの温度条件下、PEB露光後加熱を40~120秒間、好ましくは60~90秒間施す。次いで、これをアルカリ現像液、例えば0.1~10質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液を用いてアルカリ現像処理を行う。アルカリ現像処理後、好ましくはリンス処理を行う。純水を用いた水リンスが好ましい。その後は乾燥を行う。また、場合によっては、上記現像処理後にベーク処理ポストベークを行ってもよい。このようにして、マスクパターンに忠実なレジストパターンを得ることができる。支持体としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等を例示することができる。より具体的には、シリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が使用可能である。また、支持体としては、上述のような基板上に、無機系および/または有機系の膜が設けられたものであってもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜無機BARCが挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜有機BARCが挙げられる。これらの膜は1層のみ設けられていてもよく、2層以上設けられていてもよい。露光に用いる波長は、特に限定されず、ArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、EUV極紫外線、VUV真空紫外線、EB電子線、X線、軟X線等の放射線を用いて行うことができる。本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EB又はEUVに対してより有効であり、ArFエキシマレーザーに対して特に有効である。レジスト膜の露光は、空気や窒素等の不活性ガス中で行う通常の露光ドライ露光であってもよく、液浸露光であってもよい。液浸露光では、露光時に、従来は空気や窒素等の不活性ガスで満たされているレンズとウェーハ上のレジスト膜との間の部分を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒液浸媒体で満たした状態で露光を行う。より具体的には、液浸露光は、上記のようにして得られたレジスト膜と露光装置の最下位置のレンズ間を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒液浸媒体で満たし、その状態で、所望のマスクパターンを介して露光浸漬露光することによって実施できる。液浸媒体としては、空気の屈折率よりも大きく、かつ当該浸漬露光によって露光されるレジスト膜の有する屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒が好ましい。かかる溶媒の屈折率としては、前記範囲内であれば特に制限されない。空気の屈折率よりも大きく、かつレジスト膜の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒としては、例えば、水、フッ素系不活性液体、シリコン系溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。フッ素系不活性液体の具体例としては、C3HCl2F5、C4F9OCH3、C4F9OC2H5、C5H3F7等のフッ素系化合物を主成分とする液体等が挙げられ、沸点が70~180°Cのものが好ましく、80~160°Cのものがより好ましい。フッ素系不活性液体が上記範囲の沸点を有するものであると、露光終了後に、液浸に用いた媒体の除去を、簡便な方法で行えることから好ましい。フッ素系不活性液体としては、特に、アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されたパーフロオロアルキル化合物が好ましい。パーフロオロアルキル化合物としては、具体的には、パーフルオロアルキルエーテル化合物やパーフルオロアルキルアミン化合物を挙げることができる。さらに、具体的には、前記パーフルオロアルキルエーテル化合物としては、パーフルオロ2-ブチル-テトラヒドロフラン沸点102°Cを挙げることができ、前記パーフルオロアルキルアミン化合物としては、パーフルオロトリブチルアミン沸点174°Cを挙げることができる。液浸媒体としては、コスト、安全性、環境問題、汎用性等の観点から、水が好ましく用いられる。次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。[実施例1~15、比較例1~9]表1~2に示す各成分を混合して溶解し、ポジ型のレジスト組成物を調製した。表1~2中の各略号は以下の意味を有する。また、[]内の数値は配合量質量部である。A-1:下記式A-0において、Mw=6800、Mw/Mn=1.91、l/m/n/o=37.0/20.1/30.0/12.9モル比の高分子化合物。A-2:下記式A-0において、Mw=7800、Mw/Mn=1.97、l/m/n/o=21.2/35.4/29.9/12.9モル比の高分子化合物。A-3:下記式A-0において、Mw=6700、Mw/Mn=1.93、l/m/n/o=47.9/10.0/29.0/13.1モル比の高分子化合物。A-4:下記式A-00において、Mw=6200、Mw/Mn=1.94、l/m/n=56.7/30.4/12.9モル比の高分子化合物。A-5:下記式A-00において、Mw=7100、Mw/Mn=1.98、l/m/n=43.5/44.0/12.5モル比の高分子化合物。A-6:下記式A-6において、Mw=7200、Mw/Mn=1.90、l/m/n=39.6/35.7/24.7モル比の高分子化合物。A-10:下記式A-10で表される高分子化合物[Mw=7100、Mw/Mn=1.55、l/m=51.9/48.1モル比]。A-11:下記式A-11で表される高分子化合物[Mw=7400、Mw/Mn=2.13、l/m=50.4/49.6モル比]。A-12:下記式A-12で表される高分子化合物[Mw=6800、Mw/Mn=1.56、l/m/n=56.5/30.5/13.0モル比]。A-13:下記式A-13で表される高分子化合物[Mw=6600、Mw/Mn=1.73、l/m/n=49.5/50.5/12.9モル比]。A-14:下記式A-14で表される高分子化合物[Mw=7100、Mw/Mn=1.88、l/m/n=49.7/40.1/12.9モル比]。A-15:下記式A-15で表される高分子化合物[Mw=7100、Mw/Mn=1.88、l/m/n/o=37.0/20.1/30.0/12.9モル比]。A-16:下記式A-16で表される高分子化合物[Mw=7000、Mw/Mn=1.60、l/m/n/o/p=35.0/10.0/25.0/20.0/10.0モル比]。A-17:下記式A-17で表される高分子化合物[Mw=7000、Mw/Mn=1.60、l/n/o/p=35.0/40.0/15.0/10.0モル比]。A-18:下記式A-18で表される高分子化合物[Mw=7000、Mw/Mn=1.60、l/m/n=40.0/40.0/20.0モル比]。B-1~B-6:下記化合物B-1~B-6。C-1~C-2:下記化合物C-1~C-2。E-1:サリチル酸。S-1:PGMEA/PGME/シクロヘキサノン=45/30/25質量比の混合溶剤。得られたポジ型のレジスト組成物を用いて、以下の手順に従ってレジストパターンを形成し、以下に示す評価をそれぞれ行った。[レジストパターンの形成1]12インチのシリコンウェーハ上に、有機系反射防止膜組成物をスピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で205°C、60秒間焼成して乾燥させた後、さらに有機シラン系反射防止膜組成物を同様に塗布、焼成及び乾燥することにより、下層膜厚26nm、上層膜厚100nmの有機系反射防止膜を形成した。そして、該有機系反射防止膜上に、各例のポジ型レジスト組成物をそれぞれ、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で表3に示す温度にて60秒間の条件でプレベークPAB処理を行い、乾燥することにより、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。次に、前記レジスト膜上に、保護膜形成用塗布液TILC-323商品名、東京応化工業株式会社製を、スピンナーを用いて塗布し、90°Cで60秒間加熱することにより、膜厚35nmのトップコートを形成した。次に、ArF液浸露光装置NSR-S609Bニコン社製;NA開口数=1.07,Crosspole0.78-0.97withPOLANOにより、マスクを介して、ArFエキシマレーザー193nmを選択的に照射した。そして、表3に示す温度にて60秒間のPEB処理を行い、さらに23°Cにて2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液NMD-3商品名、東京応化工業社製で40秒間アルカリ現像し、純水を用いて15秒間水リンスし、振り切り乾燥を行った。その結果、いずれの例においても、ライン幅55nm、ピッチ110nmの1:1ラインアンドスペースLSパターンが形成された。該LSパターンが形成される最適露光量EopmJ/cm2;感度を求めた。結果を表3に記載する[ディフェクト評価]上記のようにして得られたライン幅55nmの1:1LSパターンについて、測長SEM日立ハイテクノロジーズ社製,製品名:S-9380の上空SEM写真よりパターン表面パターンを、目視にて観察した。以下の基準で評価した結果を表3に示す。○:目視にてスカムが認められない。△:目視にてスカムが少し白く認められる。×:目視にてスカムが白くはっきり認められる。[パターン形状評価]上記最適露光量Eopにおいて形成された1:1LSパターンの断面形状を、走査型電子顕微鏡商品名:SU-8000、日立ハイテクノロジー社製を用いて観察し、その形状を以下の基準で評価した。結果を表3に示す。○:矩形性が非常に高く、特に良好である。△:パターンがテーパー状であり、矩形性が低い。×:パターンが裾引き形状であり、矩形性が低い。[LWRラインワイズラフネス評価]上記最適露光量Eopにおいて形成したライン幅55nm、ピッチ110nmの1:1LSパターンにおいて、測長SEM走査型電子顕微鏡、加速電圧300V、商品名:S-9380、日立ハイテクノロジーズ社製により、スペース幅を、スペースの長手方向に400箇所測定し、その結果から標準偏差sの3倍値3sを求め、400箇所の3sについて平均化した値を、LWRを示す尺度として算出した。その結果を表3に示す。この3sの値が小さいほど、その線幅のラフネスが小さく、より均一幅のLSパターンが得られたことを意味する。また、以下の基準で3sの値を評価した結果を表3中に併記する。◎:5.0未満○:5.0~5.5△:5.5超~6.0×:6.0超[レジストパターンの形成2]12インチのシリコンウェーハ上に、有機系反射防止膜組成物をスピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で205°C、60秒間焼成して乾燥させた後、さらにシリコン系反射防止膜組成物を同様に塗布、焼成及び乾燥することにより、下層膜厚100nm、上層膜厚26nmの反射防止膜層を形成した。そして、該シリコン系反射防止膜上に、各例のポジ型レジスト組成物をそれぞれ、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で表3に示す温度にて60秒間の条件でプレベークPAB処理を行い、乾燥することにより、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。次に、前記レジスト膜上に、保護膜形成用塗布液TILC-323商品名、東京応化工業株式会社製を、スピンナーを用いて塗布し、90°Cで60秒間加熱することにより、膜厚35nmのトップコートを形成した。次に、ArF液浸露光装置NSR-S609Bニコン社製;NA開口数=1.07,Crosspole0.78-0.97withPOLANOにより、マスクを介して、ArFエキシマレーザー193nmを選択的に照射した。そして、90°Cにて60秒間のPEB処理を行い、さらに23°Cにて2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液NMD-3商品名、東京応化工業社製で40秒間アルカリ現像し、純水を用いて15秒間水リンスし、振り切り乾燥を行った。その結果、いずれの例においても、ライン幅55nm、ピッチ110nmの1:1ラインアンドスペースLSパターンが形成された。得られたパターンについて、上記と同様にして[ディフェクト評価]及び[パターン形状評価]を行った。結果を表3にシリコン系下層膜上として併記する。上記の結果から、本発明に係る実施例1~15のレジスト組成物は、比較例1~9のレジスト組成物に比べて、LWR等のリソグラフィー特性及びパターン形状が良好であり、且つ、ディフェクトを低減できることが確認できた。"