半導体構造であって、非導電性の上面を有する半導体ボディ、及び前記非導電性の上面に接する強磁性コアであって、前記強磁性コアが、複数のメインセグメントと、単一の一体化された構造を形成するように前記複数のメインセグメントに接続される複数の端部セグメントとを有し、前記複数のメインセグメントが、互いから離間され且つ横方向に互いに近接して置かれる、前記強磁性コア、を含む、半導体構造。請求項1に記載の半導体構造であって、前記複数のメインセグメントが互いに実質的に平行に置かれる、半導体構造。請求項1に記載の半導体構造であって、各セグメントが、前記複数のメインセグメントの各々に実質的に垂直に置かれる、半導体構造。請求項1に記載の半導体構造であって、各メインセグメントが、前記非導電性の上面に接する複数の下方セクション、前記非導電性の上面の上に置かれ且つ前記非導電性の上面から離間される複数の上方セクション、及び前記複数の下方セクション及び前記複数の上方セクションに接続される複数の接続セクションを含む、半導体構造。請求項4に記載の半導体構造であって、前記複数の下方セクションの各々が第1の平面に置かれ、前記複数の上方セクションの各々が、前記第1の平面に実質的に平行な第2の平面に置かれる、半導体構造。請求項4に記載の半導体構造であって、各メインセグメントが、第1の平面に置かれる下方セクション、第2の平面に置かれる第1の上方セクションであって、前記第2の平面が前記第1の平面の上にあり、且つ前記第1の平面に実質的に平行である、前記第2の平面、前記第1の上方セクションから離間される第2の上方セクション、前記下方セクションと前記第1の上方セクションとの間に置かれ、且つそれらに接する第1の接続セクション、及び前記第1の接続セクションから離間され、前記下方セクションと前記第2の上方セクションとの間に置かれ且つそれらに接する第2の接続セクション、を含む、半導体構造。請求項4に記載の半導体構造であって、前記非導電性の上面及び前記強磁性コアに接する非導電性の領域、及び前記非導電性の領域に接する導電性ワイヤであって、前記非導電性の領域が、前記導電性ワイヤを囲み且つ前記導電性ワイヤを前記強磁性コアから隔離する、前記導電性ワイヤ、を更に含む、半導体構造。請求項7に記載の半導体構造であって、前記導電性ワイヤが、複数のメインセグメントと、単一の一体化された構造を形成するように前記導電性ワイヤの複数のメインセグメントに接続される複数の端部セグメントとを有し、前記導電性ワイヤの前記複数のメインセグメントが、互いから離間され且つ横方向に互いに近接して置かれる、半導体構造。請求項8に記載の半導体構造であって、前記導電性ワイヤの前記複数のセグメントが互いに実質的に平行に置かれる、半導体構造。請求項7に記載の半導体構造であって、前記導電性ワイヤが、各メインセグメントの上方セクションの各々の下であり且つ下方セクションの各々の上に置かれる、半導体構造。請求項7に記載の半導体構造であって、前記導電性ワイヤが、第1のメインセグメントの上方セクションの下を通る、半導体構造。請求項11に記載の半導体構造であって、前記導電性ワイヤが前記第1のメインセグメントの前記上方セクションの下を通った後、前記導電性ワイヤが次に、任意の他のメインセグメントの任意の他の下方セクションの上を通る前であり、且つ任意の他のメインセグメントの任意の他の上方セクションの下を通る前に、第2のメインセグメントの下方セクションの上を通る、半導体構造。請求項12に記載の半導体構造であって、前記導電性ワイヤが前記第2のメインセグメントの前記下方セクションの上を通った後、前記導電性ワイヤが次に、任意の他のメインセグメントの任意の他の下方セクションの上を通る前であり、且つ任意の他のメインセグメントの任意の他の上方セクションの下を通る前に、第3のメインセグメントの上方セクションの下を通る、半導体構造。請求項10に記載の半導体構造であって、前記導電性ワイヤが如何なる端部セグメントの上を通らず、如何なる端部セグメントの下を通らない、半導体構造。非導電性の上面を有する半導体ボディ上に半導体デバイスを形成する方法であって、前記方法が、前記非導電性の上面に接する強磁性コアを形成することを含み、前記強磁性コアが、複数のメインセグメントと、単一の一体化された構造を形成するように前記複数のメインセグメントに接続される複数の端部セグメントとを有し、前記複数のメインセグメントが互いから離間され且つ横方向に互いに近接して置かれる、方法。請求項15に記載の方法であって、前記複数のメインセグメントが、互いに実質的に平行に置かれる、方法。請求項15に記載の方法であって、各メインセグメントが、前記非導電性の上面に接する複数の下方セクション、前記非導電性の上面の上にあり且つそれから離間される複数の上方セクション、及び前記複数の下方セクション及び前記複数の上方セクションに接続される複数の接続セクション、を含む、方法。請求項17に記載の方法であって、前記非導電性の上面及び前記強磁性コアに接する非導電性の領域を形成すること、及び前記非導電性の領域に接する導電性ワイヤを形成することであって、前記非導電性の領域が、前記導電性ワイヤを囲み且つ前記導電性ワイヤを前記強磁性コアから隔離すること、を更に含む、方法。請求項18に記載の方法であって、前記導電性ワイヤが、複数のメインセグメントと、単一の一体化された構造を形成するように前記導電性ワイヤの前記複数のメインセグメントに接続される複数の端部セグメントとを有し、前記導電性ワイヤの前記複数のメインセグメントが、互いから離間され且つ横方向に互いに近接して置かれる、方法。請求項19に記載の方法であって、前記導電性ワイヤが、各メインセグメントの各上方セクションの下であり且つ各下方セクションの上にある、方法。図1A~図1Cは、本発明に従ったインダクタ100を示す図である。図1Aはインダクタ100の平面図であり、図1Bは、図1Aの線1B-1Bによる断面図を示し、図1Cは、図1Aの線1C-1Cによる断面図である。これ以降により詳細に説明するように、本発明は、蛇行形状を有する導電性ワイヤを用いることによりインダクタのインダクタンスを増大させる。導電性ワイヤは、蛇行形状に共に結合される多数のセグメントを有する強磁性コアを介してジグザグに進みweave、強磁性コアの各セグメントは、蛇行形状に共に結合される多数の部分を更に含む。図1A~図1Cに示すように、本発明のインダクタ100は、半導体ボディ110及び強磁性コア112を含む。半導体ボディ110は非導電性の上面114を有し、強磁性コア112は半導体ボディ110の非導電性の上面114に接する。図1A~図1Cに更に示すように、強磁性コア112は、多数のメインセグメント116と、単一の一体化された構造を形成するようにメインセグメント116に接続される多数の端部セグメント118とを有する。メインセグメント116は、互いから離間され且つ互いに横に近接して置かれる。この例において、メインセグメント116は互いに実質的に平行に置かれる。また、端部セグメント118は、メインセグメント116に実質的に垂直に置かれ、実質的に角が矩形の蛇行形状を形成するようにメインセグメント116に接続される。各メインセグメント116は、多数の下方セクション120、多数の上方セクション122、及び下方セクション120及び上方セクション122に接続される多数の接続セクション124を有する。この例において、下方セクション120の各々は実質的に第1の面126にあり、上方セクション122の各々は実質的に、第1の面126に実質的に平行な第2の平面128にある。更に、接続セクション124は、下方及び上方セクション120及び122に実質的に垂直に置かれ、実質的に角が矩形の蛇行形状を形成するように下方及び上方セクション120及び122に接続される。そのため、各メインセグメント116は、下方セクション120-L、上方セクション122-U1、上方セクション122-U1から離間される上方セクション122-U2、下方セクション120-Lと上方セクション122-U1との間に置かれそれらに接する接続セクション124-C1、及び接続セクション124-C1から離間され、且つ、下方セクション120-Lと上方セクション122-C2との間に置かれそれらに接する接続セクション124-C2を有する。その結果、各メインセグメント116の下方及び上方セクション120及び122は、半導体ボディ110の非導電性の上面114に接する下方セクション120と、半導体ボディ110の非導電性の上面114の上の或る距離にある上方セクション122との間を交互に行ったり来たりする。また、横に近接するメインセグメント116の各対は、セクションが交互になるように互い違いになる。そのため、例えば、第1のメインセグメント116-1の第1のセクションFSが上方セクション122である場合、第1のメインセグメント116-1の横に近接して置かれる第2のメインセグメント116-2の対応する第1のセクションFSが下方セクション120であり、第2のメインセグメント116-2の横に近接して置かれる第3のメインセグメント116-3の対応する第1のセクションFSが上方セクション122であり、第3のメインセグメント116-3の横に近接して置かれる第4のメインセグメント116-4の対応する第1のセクションFSが下方セクション120である。図1A~図1Cに更に示すように、インダクタ100は、半導体ボディ110の非導電性の上面114及び強磁性コア112に接する非導電性の領域130と、非導電性の領域130に接する導電性ワイヤ132とを含む。非導電性の領域130は、導電性ワイヤ132を囲みそれを強磁性コア112から隔離する。導電性ワイヤ132は、多数のメインセグメント134と、単一の一体化された構造を形成するようにメインセグメント134に接続される多数の端部セグメント136とを有する。メインセグメント134は、互いから離間され且つ互いに横に近接して置かれる。この例において、メインセグメント134は互いに実質的に平行に置かれる。また、端部セグメント136は、メインセグメント134に実質的に垂直であり、実質的に角が矩形の蛇行形状を形成するようにメインセグメント134に接続される。そのため、インダクタコイルの形状は蛇行しており、端部セグメント136により一端で接続される一対の平行のメインセグメント134が、従来のスパイラル又はソレノイドインダクタの1巻に相当するものを形成する。また、導電性ワイヤ132は、導電性ワイヤ132が、各メインセグメント116の下方セクション120の各々の上であり上方セクション122の各々の下にあるように、強磁性コア112を介してジグザグに進む。図1A~図1Cに示すように、導電性ワイヤ132は、第1のメインセグメント116-1の第1の上方セクション122-1の下を通る。導電性ワイヤ132が第1のメインセグメント116-1の第1の上方セクション122-1の下を通った後、導電性ワイヤ132は次に、任意の他のメインセグメント116の任意の他の下方セクション120の上を通る前であり、且つ任意の他のメインセグメント116の任意の他の上方セクション122の下を通る前に、第2のメインセグメント116-2これは、如何なる他のセグメントも間に置かれないように第1のメインセグメント116-1の横に近接して置かれるの第1の下方セクション120-1の上を通る。導電性ワイヤ132が第2のメインセグメント116-2の第1の下方セクション120-1の上を通った後、導電性ワイヤ132が次に、任意の他のメインセグメント116の任意の他の下方セクション120の上を通る前であり、且つ任意の他のメインセグメント116の任意の他の上方セクション122の下を通る前に、第3のメインセグメント116-3これは、如何なる他のセグメントも間に置かれないように第2のメインセグメント116-2の横に近接して置かれるの第1の上方セクション122-1の下を通る。導電性ワイヤ132が第3のメインセグメント116-3の第1の上方セクション122-1の下を通った後、導電性ワイヤ132は次に、任意の他のメインセグメント116の任意の他の下方セクション120の上を通る前であり、且つ任意の他のメインセグメント116の任意の他の上方セクション122の下を通る前に、第4のメインセグメント116-4これは、如何なる他のセグメントも間に置かれないように、第3のメインセグメント116-3の横に近接して置かれるの第1の下方セクション120-1の上を通る。図1A~図1Cに示すように、導電性ワイヤ132が第1の下方セクション120の上を通過した又は最後のメインセグメント116の第1の上方セクション122の下を通過した後、導電性ワイヤ132その後、曲り、第2の下方セクション120の上を通る又は最後のメインセグメント116の第2の上方セクション122の下を通る。そのため、導電性ワイヤ132が第4のメインセグメント116-4の第2の上方セクション122-2の下を通過すると、導電性ワイヤ132は次に、任意の他のメインセグメント116の任意の他の下方セクション120の上を通る前であり、且つ任意の他のメインセグメント116の任意の他の上方セクション122の下を通る前に、第3のメインセグメント116-3の第2の下方セクション120-2の上を通る。導電性ワイヤ132が第3のメインセグメント116-3の第2の下方セクション120-2の上を通過した後、導電性ワイヤ132は次に、任意の他のメインセグメント116の任意の他の下方セクション120の上を通る前であり、且つ任意の他のメインセグメント116の任意の他の上方セクション122の下を通る前に、第2のメインセグメント116-2の第2の上方セクション122-2の下を通る。導電性ワイヤ132が第2のメインセグメント116-2の第2の上方セクション122-2の下を通過すると、導電性ワイヤ132は次に、任意の他のメインセグメント116の任意の他の下方セクション120の上を通る前であり、且つ任意の他のメインセグメント116の任意の他の上方セクション122の下を通る前に、第1のメインセグメント116-1の第2の下方セクション120-2の上を通る。導電性ワイヤ132は、同様の方式で、メインセグメント116の第3の下方及び上方セクション120及び122、メインセグメント116の第4の下方及び上方セクション120及び122、メインセグメント116の第5の下方及び上方セクション120及び122を介して、以下同様に、ジグザグに進み続け、メインセグメント116の最後の下方及び上方セクション120及び122を介してジグザグに進んだ後、強磁性コア112を出る。そのため、第1のメインセグメント116-1の第1の上方セクション122-1の下を通過した後、導電性ワイヤ132は、導電性ワイヤ132が、第1のメインセグメント116-1の第2の下方セクション120-2の上を通過することができる前に、第2のメインセグメント116-2の第1の下方セクション120-1の上及び第2のメインセグメント116-2の第2の上方セクション122-2下を通過する必要がある。更に、図1A~図1Cに示すように、導電性ワイヤ132は、如何なる端部セグメント118の上を通らず、如何なる端部セグメント188の下を通らない。図2A~図2Dから図12A~図12Dは、本発明に従ってインダクタ200を形成する方法の一例を図示する一連の図である。図2A~図12Aは、一連の平面図である。図2B~図12Bは、それぞれ、図2A~図12Aにおける線2B~20Bによる一連の断面図を示す。図2C~図12Cは、それぞれ、図2A~図12Aにおける線2C~12Cによる一連の断面図を示す。図2D~図12Dは、それぞれ、図2A~図12Aにおける線2D~12Dによる一連の断面図を示す。図2A~図2Dに示すように、インダクタ200を形成する方法は、従来のように形成された半導体ボディ210を用いる。ボディ210は、シリコンなどの導電性材料、及び、酸化物など、上にある非導電性の層で実装され得る。また、ボディ210は、上にある非導電性の層に接する一対のパッドP1及びP2を含み得、これらは、金属相互接続構造を介してトランジスタ、レジスタ、キャパシタ、及び回路により要求される他の要素、に電気的に接続される。代替として、ボディ210は、クオーツ又はG10-FR4などの非導電性材料で実装され得る。図2A~図2Dに更に示すように、この方法は、半導体ボディ210上にシード層212を形成することにより開始する。例えば、シード層212は、300Åのチタン、3000Åの銅、及び300Åのチタンを堆積することによって形成され得る。シード層212は更に、必要とされる場合、銅エレクトロマイグレーションを防止するため障壁層を含み得る。シード層212が形成されると、シード層212の上面上にめっきモールド214が形成される。めっきモールド214は、シード層212の一部を露出させる多数の開口216を有する。図3A~図3Dに示すように、めっきモールド214の形成に続いて、頂部チタン層が剥がされ、パーマロイのような、ニッケルと鉄の合金などの磁性材料が、多数の底部218を形成するように電気めっきにより堆積される。図4A~図4Dに示すように、電気めっきの後、めっきモールド214、及びシード層212のその下にある領域が取り除かれる。底部218が形成された後、図5A~図5Dに示すように、非導電性の層220が底部218及び半導体ボディ210上に堆積される。非導電性の層220が堆積された後、多数の開口222が非導電性の層220に形成される。この例において、非導電性の層220は、実質的に自己平坦化する、SU-8などの光描写可能なphotoimageableエポキシ又はポリマーの層で形成される。光描写可能なエポキシ又はポリマーが堆積されると、開口222が、光に曝された非導電性の層220の領域を軟化させる非導電性の層220上にパターニングされる画像を形成するようにマスクを介して光を投射すること、及びその後、非導電性の層220の軟化された領域を取り除くことによって形成される。図6A~図6Dに示すように、開口222が形成された後、非導電性の層220上にシード層224が形成される。例えば、シード層224は、300Åのチタン、3000Åの銅、及び300Åのチタンを堆積することによって形成され得る。シード層224は必要とされる場合、銅エレクトロマイグレーションを防止するため障壁層を更に含み得る。シード層224が形成されると、シード層224の上面上にめっきモールド226が形成される。めっきモールド226は、シード層224の一部を露出させる開口228を有する。図7A~図7Dに示すように、めっきモールド226の形成に続いて、頂部チタン層が剥がされ、導電性ワイヤ230を形成するように電気めっきにより銅が堆積される。図8A~図8Dに示すように、電気めっきの後、めっきモールド226、及びシード層224のその下にある領域が取り除かれる。導電性ワイヤ230が形成された後、図9A~図9Dに示すように、非導電性の層240が導電性ワイヤ230及び非導電性の層220上に堆積される。非導電性の層240が堆積された後、非導電性の層240に多数の開口242が形成される。この例において、非導電性の層240は、実質的に自己平坦化する、SU-8などの光描写可能なエポキシ又はポリマーの層で形成される。光描写可能なエポキシ又はポリマーが堆積されると、開口242が、光に曝された非導電性の層240の領域を軟化させる非導電性の層240上にパターニングされた画像を形成するようにマスクを介して光を投射すること、及びその後、非導電性の層240の軟化された領域を取り除くことによって形成される。開口242は、開口222を露出させ、底部218を露出させる。図10A~図10Dに示すように、開口242が形成された後、シード層244が、開口242を裏打ちし且つ底部218に接するように非導電性の層240上に形成される。例えば、シード層244は、300Åのチタン、3000Åの銅、及び300Åのチタンを堆積することによって形成され得る。シード層244は更に、必要とされる場合、銅エレクトロマイグレーションを防止するため障壁層を含むこともできる。シード層244が形成されると、シード層244の上面上にめっきモールド246が形成される。めっきモールド246は、シード層244の一部を露出させる多数の開口248を有する。図11A~図11Dに示すように、めっきモールド246の形成に続いて、頂部チタン層が剥がされ、底部218に接する多数の上方セクション250を形成するように、パーマロイのような、ニッケルと鉄の合金などの磁性材料が、電気めっきにより堆積される。図12A~図12Dに示すように、電気めっきの後、インダクタ200を形成するように、めっきモールド246、及びシード層244のその下にある領域が取り除かれる。インダクタ100を形成するために図2A~図2Dから図12A~図12Dに示す方法を用いることができる。このように、インダクタ及びインダクタを形成する方法が説明された。本発明のインダクタは幾つかの利点を有する。利点の一つは、強磁性コアの蛇行形状が、強磁性コア内の低磁気抵抗フラックス経路を確保する点である。また、低電流インダクタンス値を調節するため磁性ギャップが容易に導入され得る。別の利点は、磁性材料が薄膜状にされ薄く、それが、渦電流を低減し、周波数特性を著しく改善する点である。上述の説明は、本発明の例であること、及び本発明を実施するために本発明の本明細書に記載の種々の代替例を用い得ることを理解されたい。そのため、後に続く特許請求の範囲が本発明の範囲を定義し、これらの請求項及びそれらの等価物の範囲内の構造及び方法がここに含有されることを意図している。