"基板と、前記基板上に形成された素子と、前記基板上において前記素子を囲む側壁部材と、前記側壁部材上に配設され、前記側壁部材と共に、前記基板上において前記素子を囲む空間を画成する蓋部材と、前記側壁部材の外側に設けられ、前記側壁部材および蓋部材を前記基板の表面に接合し、前記空間を封止する封止部材と、を備えたことを特徴とする電子部品。前記基板は外周を側壁面で画成されており、前記封止部材は、前記基板の側壁面を延長した面に一致する側壁面により外周を画成されていることを特徴とする請求項1記載の電子部品。前記蓋部材と前記側壁部材とは一体の部材よりなり、前記側壁部材は前記基板の表面において前記素子を囲むシールリングに接合されていることを特徴とする請求項1記載の電子部品。前記蓋部材は平板状の部材であり、前記側壁部材上に接合されていることを特徴とする請求項1記載の電子部品。前記側壁部材は、前記基板上において前記素子を囲むシールリングの一部を構成することを特徴とする請求項4記載の電子部品。前記側壁部材は、前記蓋部材の外周を画成する側壁面から後退した位置にある側壁面により外周を画成され、前記蓋部材の側壁面と前記側壁部材の側壁面との間には段差部が形成され、前記段差部は前記封止部材により充填されていることを特徴とする請求項1記載の電子部品。前記蓋部材は平板状の部材であって前記側壁部材上に接合されており、前記蓋部材上には、前記基板の外周に一致する形状の外周を有するシールド部材が形成されており、前記蓋部材は、前記シールド部材の外周を画成する側壁面から後退した位置にある側壁面により外周を画成され、前記側壁部材の外周を画成する側壁面は、前記シールド部材の外周を画成する側壁面および前記蓋部材の外周を画成する側壁面のいずれに対しても後退した位置に形成されて段差部を形成し、前記段差部は前記封止部材により充填されていることを特徴とする請求項1記載の電子部品。前記蓋部材は平板状の部材であって前記側壁部材上に接合されており、前記蓋部材上には、前記基板の外周に一致する形状の外周を有するシールド部材が形成されており、前記側壁部材は、前記シールド部材の外周を画成する側壁面から後退した位置にある側壁面により外周を画成され、前記蓋部材の外周を画成する側壁面は、前記シールド部材の外周を画成する側壁面および前記側壁部材の外周を画成する側壁面のいずれに対しても後退した位置に形成されて段差部を形成し、前記段差部は前記封止部材により充填されていることを特徴とする請求項1記載の電子部品。前記蓋部材および前記側壁部材は前記封止部材と、チタン層を含む密着層を介して接することを特徴とする請求項1記載の電子部品。前記側壁部材は、前記基板上において前記素子を囲む金属よりなるシールリングと、前記密着層を介して接合することを特徴とする請求項9記載の電子部品。前記密着層は前記蓋部材のうち、前記空間において前記基板に対面する部分には形成されないことを特徴とする請求項9記載の電子部品。前記素子は、可動部材を構成する電極を備えた可変容量素子であることを特徴とする請求項11記載の電子部品。前記封止部材は、ハンダまたは樹脂であることを特徴とする請求項1記載の電子部品。ウェハ上に複数の素子を行列状に形成する工程と、前記複数の素子にそれぞれ対応した複数の蓋部材が行列状に形成され、それぞれの蓋部材が対応する素子を囲む側壁部を含み、また隣接する蓋部材どうしが溝部で相互に隔てられ、かつ隣接する蓋部材どうしが前記溝部を架橋する架橋部により相互に結合した状態で形成されたキャップ基板を作製する工程と、前記キャップ基板を前記ウェハ上に、それぞれの蓋部材において側壁部が対応する素子を囲むように載置する工程と、前記キャップ基板上に流動状態の封止層を担持したシールド基板を押圧し、前記溝部を介して、前記それぞれの素子を囲む側壁部の外側に圧入し、固化させることにより、前記シールド基板の下方において隣接する側壁部の間を封止部材で充填する工程と、前記シールド基板、前記キャップ基板および前記ウェハを前記溝部に沿って切断し、前記複数の素子を個々の電子部品に分離させる工程と、を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。前記ウェハ上に複数の素子を行列状に形成する工程は、前記ウェハの表面に、前記複数の素子を囲んで複数のシールリングを形成する工程を含み、前記キャップ基板を載置する工程は、前記側壁部が、対応する素子を囲むシールリングに係合するように実行されることを特徴とする請求項13記載の電子部品の製造方法。ウェハ上に複数の素子を行列状に形成する工程と、前記ウェハ上に、前記複数の素子をそれぞれ囲むように、前記ウェハの表面から屹立する複数の側壁部材をシールリングとして形成する工程と、前記複数の素子にそれぞれ対応した複数の蓋部材が行列状に形成され、隣接する蓋部材どうしが溝部で相互に隔てられ、かつ隣接する蓋部材どうしが前記溝部を架橋する架橋部により相互に結合した状態で形成されたキャップ基板を作製する工程と、前記キャップ基板を前記ウェハ上に、それぞれの蓋部材が対応する素子を覆い、また対応する側壁部材に係合するように載置する工程と、前記キャップ基板上に流動状態の封止層を担持したシールド基板を押圧し、前記溝部を介して、前記それぞれの素子を囲む側壁部材の外側に圧入し、固化させることにより、前記シールド基板の下方において隣接する側壁部材の間を封止部材で充填する工程と、前記シールド基板、前記キャップ基板および前記ウェハを前記溝部に沿って切断し、前記複数の素子を個々の電子部品に分離させる工程と、を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。例えば電子部品が可動部を有するものである場合、電子部品に対応してウェハ上に形成された素子を封止しようとすると、当該素子を覆う蓋部材をウェハ上に、前記蓋部材が前記ウェハ上において前記素子を囲む空間を画成するように封止するのが望ましい。例えば特許文献1においては素子がウェハ表面の凹部に形成され、蓋部材を前記ウェハの表面にロウ材を介して接合することにより、前記素子を封止する方法が開示されている。また特許文献2においては、蓋部材がウェハ上に素子を囲んで形成された外周壁部材の上面にロウ材層を介して接合され、これにより前記素子の封止がなされている。このように蓋部材をウェハ表面、あるいはウェハ表面上に形成された外周壁部材の上面にロウ材層を介して接合する場合には、ロウ材層を溶融させる必要があり、また溶融したロウ材層が基板表面や蓋部材表面の凹凸を吸収することで確実な封止が得られるように、蓋部材を軽く押圧するのが好ましい。しかし、溶融したロウ材層を圧迫すると、ロウ材が前記素子を囲む空間に流れ出す、あるいは押し出されてしまうおそれがある。流れ出したロウ材が素子に接触すると、電気的な不良を引き起こすのみならず、特に可動部を有する素子の場合、前記可動部の動作が妨げられてしまう。そこで、このような従来の構成では、前記空間の寸法を、このようなロウ材の流入を考慮して必要以上に大きく設定する必要があり、電子部品の寸法の増大を招いていた。特開平11-340350号公報特開2006-74291号公報一の側面によれば電子部品は、基板と、前記基板上に形成された素子と、前記基板上において前記素子を囲む側壁部材と、前記側壁部材上に配設され、前記側壁部材と共に、前記基板上において前記素子を囲む空間を画成する蓋部材と、前記側壁部材の外側に設けられ、前記側壁部材および蓋部材を前記基板の表面に接合し、前記空間を封止する封止部材と、を備える。他の側面によれば電子部品の製造方法は、ウェハ上に複数の素子を行列状に形成する工程と、前記複数の素子にそれぞれ対応した複数の蓋部材が行列状に形成され、それぞれの蓋部材が対応する素子を囲む側壁部を含み、また隣接する蓋部材どうしが溝部で相互に隔てられ、かつ隣接する蓋部材どうしが前記溝部を架橋する架橋部により相互に結合した状態で形成されたキャップ基板を作製する工程と、前記キャップ基板を前記ウェハ上に、それぞれの蓋部材において側壁部が対応する素子を囲むように載置する工程と、前記キャップ基板上に流動状態の封止層を担持したシールド基板を押圧し、前記溝部を介して、前記それぞれの素子を囲む側壁部の外側に圧入し、固化させることにより、前記シールド基板の下方において隣接する側壁部の間を封止部材で充填する工程と、前記シールド基板、前記キャップ基板および前記ウェハを前記溝部に沿って切断し、前記複数の素子を個々の電子部品に分離させる工程と、を含む。他の側面によれば電子部品の製造方法は、ウェハ上に複数の素子を行列状に形成する工程と、前記ウェハ上に、前記複数の素子をそれぞれ囲むように、前記ウェハの表面から屹立する複数の側壁部材をシールリングとして形成する工程と、前記複数の素子にそれぞれ対応した複数の蓋部材が行列状に形成され、隣接する蓋部材どうしが溝部で相互に隔てられ、かつ隣接する蓋部材どうしが前記溝部を架橋する架橋部により相互に結合した状態で形成されたキャップ基板を作製する工程と、前記キャップ基板を前記ウェハ上に、それぞれの蓋部材が対応する素子を覆い、また対応する側壁部材に係合するように載置する工程と、前記キャップ基板上に流動状態の封止層を担持したシールド基板を押圧し、前記溝部を介して、前記それぞれの素子を囲む側壁部材の外側に圧入し、固化させることにより、前記シールド基板の下方において隣接する側壁部材の間を封止部材で充填する工程と、前記シールド基板、前記キャップ基板および前記ウェハを前記溝部に沿って切断し、前記複数の素子を個々の電子部品に分離させる工程と、を含む。基板上の素子を蓋部材および側壁部材で囲み、側壁部材の外側において当該側壁部材および蓋部材を封止部材により基板表面に結合し素子を封止することにより、封止部材の素子が形成されている空間へのはみ出しを回避することが可能となる。第1の実施形態[第1の実施形態]図1は、第1の実施形態による電子部品20の例を示す断面図,図2は図1の電子部品20が切り出されるウェハ10を示す平面図である。まず図2の平面図を参照するに、前記ウェハ10は例えば正方形の平面形状を有しており、前記ウェハ10上には、前記電子部品20にそれぞれ対応する複数の電子部品要素10A,10B,10Cが、スクライブライン10Lにより隔てられて、行列状に形成されている。図1の電子部品20は、例えば前記ウェハ10上に形成された電子部品要素10A,10B,10Cのいずれかを、前記スクライブライン10Lに沿ってダイシングすることにより得られたものである。前記ウェハは例えば低温焼成セラミックLTCCなどより構成されるが、ガラスや樹脂、シリコン基板などより構成することも可能である。次に図1の断面図を参照するに、図示の例では電子部品20はMEMSmicroelectromechanicalsystemスイッチであり、低温焼成セラミックよりなり前記ウェハ10に対応する基板21上に形成されており、前記基板21の表面21S上には銅Cuなどよりなる支柱22Aを介して、先端部に接点23Aを担持するカンチレバー23が形成されている。また前記基板21の表面21S上には、前記接点23Aに対応する接点22Cが形成され、さらに前記カンチレバー23を静電気力で駆動するために駆動電極パタ―ン22Bが形成されている。後で説明するように、前記接点22Cは実際には二つの接点22C1,22C2より構成されており、前記カンチレバー23が駆動電極パタ―ン22Bに吸引されて前記接点23Aが接点22C1,22C2にコンタクトした場合、例えば前記接点22C1に入来した高周波信号が、前記接点23Aを導通して接点22C2から出力される。以下における図1の断面図の説明では、前記接点22Cは前記接点22C1,22C2を包含するものとする。前記カンチレバー23は、例えばシリコン酸化膜などより形成され、その上に上部電極パタ―ン23Bを担持している。そこで、前記駆動電極パタ―ン22Bと上部電極パタ―ン23Bの間に駆動電圧を印加することにより、前記カンチレバー23は、前記駆動電極パタ―ン22Bと上部電極パタ―ン23Bの間に生じた電磁力による駆動され、その結果、前記接点23Aが前記接点22Cにコンタクトしたり離れたりする。また図1の断面には図示されないが、前記基板21の表面21S上には、前記カンチレバー23上の上部電極パターン23Bにボンディングワイヤを介して給電するための電極パタ―ン22Dが形成されている。図1のMEMSスイッチ20本体のより詳細な説明は、後で図3の斜視図を参照しながら行う。前記基板21中にはさらに、前記電極パタ―ン22B,22Cにそれぞれ対応して貫通ビアプラグ21B,21Cがそれぞれ形成されている。図1の断面には図示されないが、同様な貫通ビアプラグが、前記基板21中に、前記電極パタ―ン22Dに対応して形成されている。一例によれば、前記貫通ビアプラグ21B,21C、支柱22A、上部電極パタ―ン23Bは例えば銅Cuより構成され、前記駆動電極パターン22B,接点22C,23Aは例えば金Auなどの耐酸化性金属により構成される。さらに前記基板21の表面21S上には、前記支柱22Aおよび電極パタ―ン22B,22D、カンチレバー23および接点22Cを連続的に囲んで、例えば金Auよりなる、あるいは金/チタンAu/Ti積層構造、あるいは金/クロムAu/Cr積層構造を有するシールリング22Sが環状に形成されている。前記シールリング22S上には、例えばシリコンよりなり、側壁部材25Sと蓋部材25Cとを一体的に有する蓋部材25が、前記基板21の上面21S上に、前記支柱22A、電極パタ―ン22B~22Dおよびカンチレバー23、さらに前記接点22Cなどが収納される作動空間24を画成するように載置される。図示の実施形態では前記蓋部材25は、その上面、すなわち前記基板21とは反対の側の面を除いて全面に、例えば金/チタンあるいは金/クロム積層構造の密着層25aが形成されており、前記側壁部材25Sは、前記蓋部材25を前記基板21上に載置することにより、対応するシールリング22Sに、かかる密着層25aを介して接合されている。また前記蓋部材25には、その上面に、例えば鉄ニッケル合金などよりなるシールド層26が接合されている。さらに前記側壁部材25Sの外側には、前記基板21の上面21Sと前記シールド層26の下面26Sの間の空間を充填して、また前記側壁部材25Sの側壁面を覆う密着層25aに接して、例えばスズビスマス系のはんだよりなる封止部材27が形成されている。図示の例では、前記側壁部材25Sには、前記基板21の上面21Sに対面する面25sよりなる段差部がさらに形成され、前記封止部材27は前記蓋部材25の側壁部材25Sの側壁面のみならず、かかる段差部にも接合していることに注意すべきである。その結果、前記シールド層26および前記蓋部材25は前記封止部材27により、前記基板21の上面21Sにしっかりと接合される。また本実施形態では、後で詳細に説明するように、ウェハレベルパッケージングに引き続き実行されるダイシング工程が行われる結果、前記封止部材27は、前記基板21の側壁面21SWを延長した側壁面27SWにより画成されていることに注意すべきである。本実施形態によれば、前記封止部材27は、前記作動空間24から見て前記側壁部材25Sの外側に形成されるため、例えば蓋部材25および基板21に対する接合、あるいは前記シールド層26および基板21に対する接合を促進すべく、例えば前記封止部材27が溶融した状態で前記蓋部材25を基板21に対して押圧しても、溶融した封止部材27が前記作動空間24に流入することはなく、前記シールリング22Sと蓋部材25との間に直接に、また前記封止部材27を介しても、密接で強固な接合を実現でき、さらに前記作動空間24の大きさを必要以上に大きく設定する必要がないという、好ましい特徴を得ることが出来る。図3は、前記MEMSスイッチ20の本体部を、前記蓋部材25およびシールド層26,封止部材27を除去した状態でより詳細に示す斜視図である。図3を参照するに、前記基板21の上面21S上には前記支柱22Aの近傍に前記電極パタ―ン22Dが形成されており、前記電極パタ―ン22Dは前記カンチレバー23上の上部電極パターン23Bにボンディングワイヤ23Wにより接続されているのがわかる。また先に説明したように前記基板21中には、前記電極パターン22Dに対応して図示していない貫通電極が、前記貫通電極パターン21B,21Cと同様に形成されている。図3の構成では、前記接点22Cに対応して二つの接点22C1および22C2が形成されており、図4Aに示すように前記電極パターン22Bと23Bの間に駆動電圧が印加されていない状態では前記二つの接点22C1および22C2は電気的に非導通であるのに対し、前記電極パターン22Bと23Bの間に直流電源220から直流の駆動電圧が印加されている図4Bの状態では前記接点22C1および22C2とは前記接点23Aを介して導通し、例えば前記接点22C1の入力端子に入来した高周波信号が接点22C2へと出力される。以下、図1のMEMSスイッチ20の製造方法を説明する。最初に、前記MEMSスイッチ20の本体部の製造について、図5A~図5Iを参照しながら簡単に説明する。図5Aを参照するに、最初に図2のウェハ10の各々の素子領域10A,10B,10Cにおいて、前記ウェハ10に対応する基板21の表面21S上に、シールリング22Sおよび駆動電極パターン22B、さらに接点22C1,22C2が、例えば金膜の堆積およびパターニングにより、例えば1μmの厚さに形成される。ここで前記シールリング22Sは例えば各々1500μm×1000μmの寸法の素子領域を画成するスクライブライン10Lに沿って、例えば150μmの幅で形成されており、先にも述べたように当該素子領域に形成される支柱22Aや電極パターン22B,22D、接点22C1,22C2などの構造を連続して囲むように環状に形成される。例えば前記シールリング22Sおよび駆動電極パターン22B、さらに接点22C1,22C2は、図示は省略するが、前記基板21、すなわちウェハ10の表面に薄い金膜をシード層として形成し、その上にそれぞれの電極パターンに対応したレジスト開口部を有するレジスト膜を形成し、前記レジスト膜をマスクとした電解メッキ法などにより形成することができる。次に図5Bに示すように前記基板21上に、前記表面21S上の構造を覆って、レジスト膜31が形成され、さらに図5Cに示すように前記レジスト膜31中に、前記支柱22Aに対応して前記表面21Sを露出する開口部31Aが形成される。さらに前記開口部31Aにおいて銅層を例えば電解メッキ法により堆積することにより、前記支柱22Aが図5Dに示すように、例えば8μmの高さに形成される。ここで、前記支柱22A,22Cを電解メッキにより形成するにあたっては、先に図5Aの工程で前記ウェハ10の表面に形成してあった金膜を、メッキシード層として使うことができる。さらに前記レジスト膜31中には前記接点22C1,22C2に対応して図5Eに示すように前記接点23Aのための開口部31Bが所定の例えば2μmの深さに形成され、さらに図5Fに示すように前記開口部31Bを充填して金パタ―ンが、前記接点23Aとして、2μmの厚さに形成される。さらに図5Gに示すように前記レジスト膜31上に、前記支柱22Aから接点23Aまで延在するように、例えば厚さが5μmのシリコン酸化膜により、前記カンチレバー23が形成され、さらに前記カンチレバー23上に、図5Hに示すように例えば厚さが05μmの銅パタ―ンにより、前記上部電極パターン23Bを形成する。さらに図5Iに示すように前記レジスト膜31を溶媒などに溶解させることにより、あるいは酸素雰囲気中でのアッシングにより除去し、前記上部電極パターン23Bを図5Iの断面には示されていない電極パターン22Dに、ボンディングワイヤ22Wにより、先に図3で説明したように接続することにより、MEMSスイッチ20が形成される。また図5Iの工程では、先に図5Aの工程で前記ウェハ10の表面に形成されたまま残っている薄いメッキシード層が、ウェットエッチングなどにより除去される。メッキシード層は極めて薄いため、このようにウェットエッチングを行っても、前記素子領域に形成された構造は、実質的な影響を受けない。このようにして図5A~図5Iの工程により、前記図2のウェハ10上のすべての素子領域10A,10B,10Cにおいて、前記図3の斜視図に示すMEMSスイッチ20の本体部が形成される。なお前記基板21中には、図5Aの工程の段階で、前記貫通ビアプラグ21B,21Cなどはすでに形成されているものとする。次に、このようなウェハ10に対して行われる第1の実施形態によるウェハレベルパッケージングについて、まず概要を図6の分解斜視図を参照しながら説明する。図6を参照するに、前記ウェハ10上にはそれぞれの素子領域に前記図3の斜視図に示したMEMSスイッチ20が、スクライブライン10Lにより相互に隔てられて行列状に形成されており、前記ウェハ10上には、前記蓋部材25を、前記ウェハ10上の素子領域に対応して行列状に結合して形成したキャップ基板250が接合され、さらに前記キャップ基板250の上方から、下面に溶融はんだなどの封止剤層270を担持したシールド基板260が押圧される。前記キャップ基板250には、前記ウェハ10上のスクライブライン10Lに対応したスリット部250Lが、前記蓋部材25を囲むように縦横に形成されており、前記シールド基板260を前記キャップ基板250に上方から押圧すると前記封止剤層270は前記スリット部250Lから前記キャップ基板250の下に流入し、前記ウェハ10上に形成されている前記図1の断面構造を有する多数のMEMSスイッチ20の間の空間を充填する。図7は、図6の分解斜視図におけるウェハ10を示す平面図である。図7を参照するに、前記ウェハ10上には、前記図2の平面図に対応して素子領域10A,10B,10Cが、縦横に延在する幅が例えば110μmのスクライブライン10Lにより画成されており、前記複数の素子領域10A,10B,10Cにはシールリング22Sに囲まれて、前記図3の斜視図に示したMEMSスイッチ20の本体部が形成されている。図8Aは、前記図6の分解斜視図におけるキャップ基板250を上面、すなわち図6におけるシールド基板260の側から見た平面図、図8Bは前記キャップ基板250を下面、すなわち図6におけるウェハ10の側から見た平面図である。前記ウェハ10を前記スクライブライン10Lに沿って切断することにより、図1における基板21が形成される。図8Aの平面図を参照するに、前記キャップ基板250を構成するシリコン基板中には、前記ウェハ10のスクライブライン10Lに対応してスリット250Lが縦横に延在し、個々の蓋部材25を画成しており、また個々の蓋部材25は隣接する蓋部材25に、リブ状の架橋部250A.250Bにより、機械的に結合されている。このうち架橋部250Aは一つの蓋部材25を、行方向あるいは列方向に隣接する蓋部材25に結合し、架橋部250Bは一つの蓋部材25を斜め方向に隣接する蓋部材25に結合する。また図8Bの平面図を参照するに、キャップ基板250を構成する前記シリコン基板の下面には、前記図1の作動空間24に対応する凹部を囲んで、各々の素子領域に側壁部材25Sが凸パタ―ンの形で環状に形成されているのがわかる。このようなキャップ基板250の製造方法については、後で図11A~図11Dを参照しながら説明する。次に、本実施形態によるウェハレベルパッケージングのより詳細な説明を、図9A~図9Dおよび図10A~図10Dの工程断面図を参照しながら行う。ただし図9A~図9Dは図8A中、線A-Aに沿った断面図であり、図10A~図10Dは図8A中、線B-Bに沿った断面図である。図9Aおよび図10Aを参照するに、前記キャップ基板250の下面には前記密着層25aが形成され、前記キャップ基板250は、前記ウェハ10上に、前記側壁部材25Sが前記密着層25aを介して前記シールリング22Sにコンタクトするように配設され、さらに例えば280°Cの温度に加熱しながら前記ウェハ10に対して前記キャップ基板250を例えば1MPaの圧力で押圧することにより、前記側壁部材25Sが前記シールリング22Sに、前記側壁部材25Sおよび前記シールリング22Sの表面に多少の凹凸があったとしても、前記密着層25aを介して確実に接合される。前記側壁部材25Sが各々の素子領域10A,10B,10Cにおいてそれぞれのシールリング22Sと接合する結果、前記各々の素子領域10A,10B,10Cには、前記側壁部材25Sにより囲まれて、前記作動空間24が画成されている。なお以下の説明では、当該素子領域に隣接する素子領域については、作動空間24のみを図示し、MEMSスイッチ20本体の図示は省略する。次に図9Bおよび図10Bに示すように、前記図9Aの構造上に、下面にハンダ層270を担持したシールド基板260を配設し、さらに図9Cおよび図10Cに示すように、前記ハンダ層270を、例えば窒素などの不活性雰囲気中において溶融させ、さらに前記シールド基板260を矢印の方向に押圧することにより、前記溶融ハンダ層270を前記スリット250Lから、前記スクライブライン10Lに対応して、一の素子領域と隣接する素子領域の間においてそれぞれの側壁部材25Sと25Sの間に形成される空間250Vに押し出す。前記空間250Vは図8Bの平面図からわかるように前記ウェハ10上において連結しており、前記空間250Vを充填していた窒素ガスや、余分の溶融ハンダは、前記空間250Vを通って前記ウェハ10の外部へと排出され、前記空間250Vは前記溶融ハンダ層270により充填される。図9Cおよび図10Cの状態では、前記側壁部材25Sがそれぞれの素子領域において、対応するシールリング22Sに接合されている結果、前記作動空間24は窒素ガスなどの不活性ガスが充填された状態で密閉されており、前記シールド基板260を押圧しても、前記溶融ハンダ層270が作動空間24に流入することはない。このため本実施形態では、前記作動空間24を、それぞれの素子領域におけるカンチレバー23などの寸法に対して、溶融はんだ層270の流入を勘案して過大に設定する必要がなく、MEMSスイッチ20を小型に形成することが可能となる。さらに前記溶融ハンダ層270を固化させた後、図9Dおよび図10Dに示すように前記ウェハ10をスクライブライン10Lに沿って、例えばダイシングブレード31を矢印で示すように作用させることにより、前記ウェハ10は個々の素子領域に分割され、先に図1で説明したMEMSスイッチ20が得られる。さらに図11A~図11Dは、前記キャップ基板250の製造方法を説明する工程断面図である。図11Aを参照するに、例えば前記ウェハ10に対応して正方形形状に形成されたシリコン基板250S上に、図8Bの平面図に示された側壁部材25Sに対応してレジストパターンR1が形成され、図11Bに示すように前記シリコン基板250Sを、前記レジストパターンR1をマスクに、前記作動空間24の高さに対応する所定の深さ、例えば50μmまで、エッチングする。かかるエッチングの結果、前記シリコン基板250Sには前記側壁部材25Sが形成され、また一の素子領域を画成する側壁部材25Sと隣接する素子領域を画成する側壁部材25Sとの間に前記空間250Vが形成される。さらに図11Cに示すように前記図11Bの状態のシリコン基板250Sを上下反転させ、さらに上面に、前記スリット250Lに対応したレジスト開口部R3Aを有するレジストパターンR3を形成し、さらに前記レジストパターンR3をマスクに前記シリコン基板250をエッチングすることにより、図11Dに示すように、前記空間250Vに連通して前記スリット250Lを形成する。なお基板250Sの上下反転無しで、空間250Vを形成した面からの加工も可能であるさらに図11Eに示すように前記図11Dの状態のシリコン基板250Sを上下反転させ、前記側壁部材25Sが形成されている側の面に前記密着層25aを、例えば0.5μmの膜厚で形成することにより、前記キャップ基板250が形成される。このように本実施形態では前記キャップ基板250をシリコン基板250Sより形成しており、これに伴い蓋部材25もシリコンより構成されるが、本実施形態はかかる特定の材料に限定されるものではなく、前記キャップ基板250および蓋部材25は、シリコン以外にガラスや金属、セラミックなどより構成することも可能である。図12は、本実施形態の一変形例によるMEMSスイッチ20Aの構成を示す断面図である。ただし図12中、先の実施形態に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。図12を参照するに、本実施形態では前記シールリング22Sの代わりに、前記作動空間24の高さに対応する高さを有するシールリング32Sを、例えば銅の電解メッキなどにより形成し、その上に、平板状の蓋部材35を接合することにより、前記作動空間24を画成している。前記平板状の蓋部材35は例えばシリコンよりなり、シリコンよりなる前記蓋部材35と同様の構成を有しているが、前記側壁部25Sを欠いており、平坦な下面を有している。前記蓋部材35の下面および側壁面には前記密着層25aが形成されており、前記蓋部材35は、側壁部材を構成するシールリング32Sの外側において、ハンダなどの封止部材27を介して前記基板21の表面21Sに強固に接合される。図12の例では前記シールド層26が前記基板21の外形に対応した外形を有しており、前記蓋部材35の外周を画成する側壁面は前記シールド層26の外周を画成する側壁面から後退して形成されており、また前記シールリング32Sの外周を画成する側壁面は、前記蓋部材の側壁面からさらに後退した位置に形成されているため、図12の構成では、図中に囲んでしめしたように二つの段差部が形成される。図12の実施形態では、上記二つの段差部は、いずれも前記封止部27を構成するハンダにより充填されており、その結果、前記蓋部材35は前記基板21の表面に強固に結合される。図12の構成は、先に図6で説明したウェハレベルパッケージングの際に、前記キャップ基板250として、図8Bの平面図において前記側壁部材25Sを形成していない、下面が平坦な基板を使って、前記図9A~図9Dおよび図10A~図10Dのプロセスを実行することにより、同様に形成することができる。図13は、本実施形態の他の変形例によるMEMSスイッチ20Bの構成を示す断面図である。ただし図13中、先の実施形態に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。図13の変形例では、前記蓋部材35の外周を画成する側壁面が、前記基板21の外周と一致するシールド層26の外周を画成する側壁面およびシールリングを兼用する前記側壁部材32Sの外周を画成する側壁面のいずれよりも後退した位置に形成されていることに注意すべきである。かかる構成の結果、図13の変形例では、図中に囲んで示したように封止部材27により充填された段差部が形成され、前記シールド層26が前記基板21に前記封止部材27により強固に結合される。その結果、図13の変形例においても、前記蓋部材35は前記基板11に強固に結合される。また図13の構成では、前記蓋部材35の寸法が縮小され、MEMSスイッチ20Bをさらに小型化することが可能である。[第2の実施形態]図14は、第2の実施形態による可変容量素子40の構成を示す断面図、図15は前記図14の可変容量素子40の本体部の構成を示す斜視図である。図14の断面図は、図15の斜視図中、線C-Cに沿った断面を示している。図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。図14の断面図を参照するに、本実施形態では前記ウェハ10の一つの素子領域に対応する基板21上に、前記支柱22Aおよび電極パタ―ン22Cの代わりに金よりなる接地電極パタ―ン42A,42Cがそれぞれ形成され、前記接地電極パタ―ン42A,42C上に銅よりなる支柱41A,41Cがそれぞれ、例えば2μmの高さに形成されている。また前記支柱41Aおよび41Cの間には、金膜よりなるエアブリッジ構造の上部電極パタ―ン42が、例えば1μmの膜厚で形成されており、さらに前記基板21上、前記接地電極パターン42Aと42Cの間には、前記上部電極42に対向して下部電極パタ―ン42Bが形成されている。図14の構成では、前記上部電極パターン42は対向する下部電極パターン42Bに対して変位可能に設けられており、前記上部電極パタ―ン42と下部電極パターン42Bとは可変容量素子を構成する。その際、前記上部電極パターン42と下部電極パターン42Bとが短絡することがないように、前記下部電極パターン42B上にはシリコン酸化膜などよりなるキャパシタ誘電体膜43が形成されている。図15の斜視図を参照するに、前記シールリング22Sが先の実施形態と同様に基板21上の素子領域を画成しており、前記下部電極パターン42Bが前記基板21の表面21S上を、高周波信号入力側RFinから高周波信号出力側RFoutまで、前記上部電極パターン42の下を延在しているのがわかる。また前記基板21中には、図14の断面図中に示したビアプラグ21B1および21B2が、それぞれ前記入力側におよび出力側に対応して形成されている。また前記シールリング22Sおよび電極パターン42A,42Cは、それぞれ前記基板21中に形成された貫通ビアプラグ21Aおよび21Cを介して接地されているGND。かかる構成により、前記可変容量素子40は、図16Cに示すように、前記下部電極パターン42Bよりなる高周波伝送路に、前記上部電極パターン42と下部電極パターン42Bの間に形成されるキャパシタンスCcapが接続された構成の素子を形成する。図16Aおよび図16Bは、前記可変容量素子40の動作を説明する図である。図16Aを参照するに、前記下部電極パターン42Bに外部の直流電圧源から直流電圧が印加されていない場合には、両者の間に静電気力が生じることはなく、前記上部電極パターン42と下部電極パターン42Bは離間しており、前記キャパシタンスCcapは第1の値C1をとる。これに対し図16Bに示すように前記上部電極パターン42と下部電極パタ―ン42Bの間に直流電圧を、直流電圧源420からシャントキャパシタなどを含む高周波遮断回路41を介して印加した場合、前記上部電極パターン42は前記下部電極パターン42Bに静電気力により吸引され、最も極端な場合、前記下部電極パターン42Bに、前記キャパシタンス誘電体膜43を介してコンタクトする。このような状態では、前記キャパシタンスCcapは、前記第1の値C1よりも大きな第2の値C2を有する。このように本実施形態における可変容量素子40では、前記上部電極42と下部電極42Bの間に直流電圧を印加することにより、図16Cの等価回路図に示されるように、前記下部電極パターン42Bが構成する高周波信号の伝送路に接続されたキャパシタの容量を変化させることができる。本実施形態では、図14の断面図に示すように、Au/Ti積層構造を有する密着層25aが前記蓋部材25のうち、前記作動空間24中において前記基板21に対向する部分から除去されていることに注意すべきである。かかる構成によれば、前記基板21上において高周波信号が供給される電極パターンと前記蓋部材25との間に寄生容量が発生することがなく、可変容量素子40の動作に対する寄生容量の影響を抑制することができる。以下、図14の可変容量素子40の製造方法を説明する。最初に、前記可変容量素子40の本体部の製造について、図17A~図17Iを参照しながら簡単に説明する。図17Aを参照するに、最初に図2のウェハ10の各々の素子領域10A,10B,10Cにおいて、前記ウェハ10に対応する基板21の表面21S上に、シールリング22Sおよび接地電極パタ―ン42A,42C、および下部電極パターン42Bが、例えば金膜の堆積およびパターニングにより、例えば1μmの厚さに形成される。ここで前記シールリング22Sは先の実施形態の場合と同様に、例えば各々1500μm×1000μmの寸法の素子領域を画成するスクライブライン10Lに沿って、例えば150μmの幅で形成されており、先にも述べたように当該素子領域に形成される電極パターン42A~42Cなどの構造を連続して囲むように環状に形成される。本実施形態においても、前記基板21の表面21S、従ってウェハ10の表面には、図示はしないがメッキシード層となる薄い金膜が形成されており、前記シールリング22Sや電極パターン42A~42Cは、前記メッキシード層上に形成され、前記電極パターン42A~42Cにそれぞれ対応したレジスト開口部を有するレジストパターンをマスクとした電解メッキ法により形成される。次に図17Bの工程において前記基板21上に、シリコン酸化膜などの誘電体膜が形成され、さらにこれを図示しないレジストプロセスによりパターニングすることにより、図17Bに示すように前記下部電極パターン42B上に、例えばシリコン酸化膜よりなるキャパシタ絶縁膜43が形成される。さらに図17Cの工程において前記基板21上に、前記シールリング22Sおよび電極パターン42A~42Cを覆うようにレジスト膜45が形成され、さらに図17Dに示すように前記レジスト膜45中に、前記接地電極パターン42A,42Cにそれぞれ対応して、開口部45A,45Cが、前記接地電極パターン42A,42Cを露出するように形成される。さらに図17Eの工程において前記レジスト膜45をマスクに、前記接地電極パターン42A,42C上に銅膜が前記レジスト開口部45A,45Cを充填するように形成され、これにより前記接地電極パターン42A上に銅よりなる支柱41Aが、また前記接地電極パターン42C上に銅よりなる支柱41Cが、それぞれ電解メッキ法により形成される。なお前記支柱41A,41Cを電解メッキにより形成するにあたっては、先に図17Aの工程で前記ウェハ10の表面に形成してあった金膜を、メッキシード層として使うことができる。さらに図17Fの工程において前記レジスト膜45上に金膜が、例えばスパッタ法などの低温プロセスにより形成され、さらにこれをパターニングすることにより、前記支柱41Aと41Cを架橋する上部電極パターン42が形成される。さらに図17Fに示すように前記レジスト膜45を溶媒などに溶解させることにより、あるいは酸素雰囲気中でのアッシングにより除去することにより、図14の可変容量素子40が形成される。さらに先に図17Aの工程で前記シールリング22S,電極パターン22B,22Cなどを電解メッキ法で形成していた場合には、前記ウェハ10の表面に形成されたまま残っているメッキシード層を、前記レジスト膜45を除去した後、ウェットエッチングなどにより除去する。このようにして図17A~図17Gの工程により、前記図2のウェハ10上のすべての素子領域10A,10B,10Cにおいて、前記図15の斜視図に示す可変容量素子40の本体部が形成される。なお前記基板21中には、図17Aの工程の段階で、前記貫通ビアプラグ21A~21Cがすでに形成されているものとする。さらに、このような可変容量素子40がそれぞれの素子領域10A,10B,10Cに形成されたウェハ10に対し、先に図6,図7,図8A~図8B,図9A~図9D,図10A~図10Dで説明したウェハレベルパッケージプロセスを実行することにより、図14に記載の可変容量素子40が完成する。その際、先にも説明したように、本実施形態による可変容量素子40では、寄生容量を低減するため、シリコンよりなる前記蓋部材25の下面からは密着層25aを除去していることに注意すべきである。このため本実施形態では、前記キャップ基板250を先に図11A~図11Eで説明したプロセスにより作製する際に、さらに図11Eの工程に引き続いて、図18Aおよび図18Bの工程を行い、前記キャップ基板250のうち、蓋部材25が前記基板21上に実装された場合に基板21の表面21Sに対面する部分から、前記密着層25aを除去する。すなわち図18Aの工程において、前記キャップ基板250を構成するシリコン基板250S上に、前記スリット部250Lおよび側壁部材25Sを覆ってレジストパターンR4が形成され、さらに前記レジストパターンR4をマスクに、前記シリコン基板250S上において露出されている密着層25aが、例えばスパッタエッチングやウェットエッチングにより除去される。そこで図18Bに示すようにレジストパターンR4を除去することにより、個々の蓋部材25において前記基板21に対面する面から前記密着層25aが除去された構造が、キャップ基板250として得られる。そこでかかるキャップ基板250を使うことにより、先に図14で説明した構造の可変容量素子40を得ることができる。本実施形態においては、前記蓋部材25、従ってキャップ基板250は、シリコンに限定されるものではなく、ガラスやセラミックなどの絶縁材料により形成することも可能である。また前記蓋部材25、従ってキャップ基板250をシリコンにより形成する場合には、比抵抗が1000Ωcm以上の、絶縁性のシリコン基板を使うのが好ましい。前記蓋部材25としてこのように絶縁性の部材を使うことにより、図14の構成の可変容量素子40では、蓋部材25による寄生容量の効果を低減することができる。図19は、本実施形態の一変形例による可変容量素子40Aの構成を示す断面図である。ただし図19中、先の実施形態に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。図19を参照するに、本実施形態では前記シールリング22Sの代わりに、前記作動空間24の高さに対応する高さを有するシールリング32Sを、前記図12の実施形態に対応して例えば銅の電解メッキなどにより形成し、その上に、平板状の蓋部材35を接合することにより、前記作動空間24を画成している。前記平板状の蓋部材35は例えばシリコンよりなり、シリコンよりなる前記蓋部材35と同様の構成を有しているが、前記側壁部25Sを欠いており、平坦な下面を有している。前記蓋部材35の下面および側壁面には前記密着層25aが形成されており、前記蓋部材35は、側壁部材を構成するシールリング32Sの外側において、ハンダなどの封止部材27を介して前記基板21の表面21Sに強固に接合される。図19の例でも前記シールド層26が前記基板21の外形に対応した外形を有しており、前記蓋部材35の外周を画成する側壁面は前記シールド層26の外周を画成する側壁面から後退して形成されており、また前記シールリング32Sの外周を画成する側壁面は、前記蓋部材の側壁面からさらに後退した位置に形成されているため、図19の構成では、図中に囲んでしめしたように二つの段差部が形成される。図19の実施形態では、上記二つの段差部は、いずれも前記封止部27を構成するハンダにより充填されており、その結果、前記蓋部材35は前記基板21の表面に強固に結合される。図19の構成は、先に図6で説明したウェハレベルパッケージングの際に、前記キャップ基板250として、図8Bの平面図において前記側壁部材25Sを形成していない、下面が平坦な基板を使って、前記図9A~図9Dおよび図10A~図10Dのプロセスを実行することにより、同様に形成することができる。図20は、本実施形態の他の変形例による可変容量素子40Bの構成を示す断面図である。ただし図20中、先の実施形態に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。図20の変形例では、前記蓋部材35の外周を画成する側壁面が、前記基板21の外周と一致するシールド層26の外周を画成する側壁面およびシールリングを兼用する前記側壁部材32Sの外周を画成する側壁面のいずれよりも後退した位置に形成されていることに注意すべきである。かかる構成の結果、図20の変形例では、図中に囲んで示したように封止部材27により充填された段差部が形成され、前記シールド層26が前記基板21に前記封止部材27により強固に結合される。その結果、図13の変形例においても、前記蓋部材35は前記基板11に強固に結合される。また図20の構成では、前記蓋部材35の寸法が縮小され、可変容量素子40Bをさらに小型化することが可能である。なお以上に説明した各実施形態において、前記封止部材27はハンダに限定されるものではなく、例えば樹脂を使うことも可能である。前記封止部材27として樹脂を使うことにより、電子部品を軽量化することができる。さらに以上の各実施形態において、前記作動空間24に形成される素子はMEMSスイッチや可変容量素子に限定されるものではなく、例えば水晶振動子などを形成することも可能である。以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形変更が可能である。"