光を放射する第1の主面と、前記第1の主面とは反対側の第2の主面と、を有し、前記第2の主面に設けられた第1のボンディングパッドと、前記第1のボンディングパッドから離間して前記第2の主面に設けられた第2のボンディングパッドと、を有する発光素子と、前記第1のボンディングパッドが接続された第1のランドパターンと、前記第2のボンディングパッドが接続された第2のランドパターンと、を有する基板と、を備え、前記第1のボンディングパッドと前記第2のボンディングパッドと、が並ぶ第1の方向における前記第1のボンディングパッドの幅は、前記第1のランドパターンの前記第1の方向における幅と同じであり、前記第2の主面内において前記第1の方向に直交する第2の方向における前記第1のボンディングパッドの幅は、前記第2の方向における第1のランドパターンの幅よりも狭く、前記第2のランドパターンの面積は、前記第2のボンディングパッドの面積よりも広く、前記第1のランドパターンの面積と同じか、前記第1のランドパターンの面積よりも狭いことを特徴とする発光装置。前記第1の方向における前記第1のボンディングパッドと前記第2のボンディングパッドとの間隔は、前記第1の方向における前記第1のランドパターンと前記第2のランドパターンとの間隔と同じであることを特徴とする請求項1記載の発光装置。前記第2の方向における前記第1のランドパターンの幅は、前記第2の方向における前記発光素子の幅と同じか、それよりも狭いことを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の発光装置。前記第2の方向における前記第2のランドパターンの幅は、前記第2の方向における前記発光素子の幅と同じか、それよりも狭いことを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の発光装置。前記第1のボンディングパッドと前記第1のランドパターンとの間、および、前記第2のボンディングパッドと前記第1のランドパターンとの間は、ハンダにより接続されることを特徴とする請求項請求項1~4のいずれか1つに記載の発光装置。実施形態によれば、半導体発光素子の高密度実装が可能で、製造歩留りを向上できる発光装置が提供される。実施形態に係る発光装置は、光を放射する第1の主面と、前記第1の主面とは反対側の第2の主面と、を有し、前記第2の主面に設けられた第1のボンディングパッドと、前記第1のボンディングパッドから離間して前記第2の主面に設けられた第2のボンディングパッドと、を有する発光素子と、前記第1のボンディングパッドが接続された第1のランドパターンと、前記第2のボンディングパッドが接続された第2のランドパターンと、を有する基板と、を備える。そして、前記第1のボンディングパッドと前記第2のボンディングパッドと、が並ぶ第1の方向における前記第1のボンディングパッドの幅は、前記第1のランドパターンの前記第1の方向における幅と同じであり、前記第2の主面内において前記第1の方向に直交する第2の方向における前記第1のボンディングパッドの幅は、前記第2の方向における第1のランドパターンの幅よりも狭い。前記第2のランドパターンの面積は、前記第2のボンディングパッドの面積よりも広く、前記第1のランドパターンの面積と同じか、前記第1のランドパターンの面積よりも狭い。以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について適宜説明する。図1は、実施形態に係る発光装置100を模式的に示す斜視組み立て図である。発光装置100は、半導体発光素子10と、それを実装した基板20と、を備える。半導体発光素子10は、例えば、樹脂封止されたLEDであり、第1の主面である発光面10aと、その反対側の第2の主面である裏面10bと、を有する。図1に示すように、半導体発光素子10は、発光面10aを上方に向け、裏面10bの側を基板20の表面に向けて実装される。基板20の表面には、第1のランドパターン21と、第2のランドパターン23と、が設けられている。ランドパターン21およびランドパターン23には、それぞれ配線パターン25および27が接続され、例えば、半導体発光素子10の駆動回路に接続される。ランドパターン21および23は、半導体発光素子10の裏面10bに設けられたボンディングパッドに、例えば、ハンダを介して接続される。図2は、実施形態に係る半導体発光素子10を示す模式図である。図2aは、発光面10aの側から見た平面図である。図2bは、発光面10aの短辺側の側面を示し、図2cは、長辺側の側面を示している。図2dは、発光面10aの反対側の裏面10bを示している。図2a~cに示すように、半導体発光素子10は、長さLD、幅WD、高さHDの直方体の形状に加工された透明樹脂の中に、例えば、LEDチップ7を含み、発光面10aの側から光を放射する。さらに、LEDチップ7のカソード側に電気的に接続された金属フレーム3と、アノード側に電気的に接続された金属フレーム5を含む。図2bおよびcに示す側面には、金属フレーム3および5につながる吊りピン9の端面13が露出する。図2dに示す半導体発光素子10の裏面10bには、樹脂面から露出した第1のボンディングパッド15と、第2のボンディングパッド17とが、離間して設けられる。ボンディングパッド15の面積は、ボンディングパッド17の面積よりも広い。以下、図2dに示すように、ボンディングパッド15とボンディングパッド17との間の間隔をDPとする。また、ボンディングパッド15およびボンディングパッド17の並び方向であるX方向におけるボンディングパッド15の幅をWNとし、ボンディングパッド17の幅をWPとする。さらに、裏面10b内においてX方向に垂直なY方向におけるボンディングパッド15およびボンディングパッド17の幅をWBとする。例えば、ボンディングパッド15は、LEDチップ7が搭載された金属フレーム3の裏面であり、LEDチップのカソードに電気的に接続される。一方、ボンディングパッド17は、LEDチップ7のアノード側に電気的に接続された金属フレーム5の裏面である。例えば、金属フレーム5の表面側と、LEDチップ7のアノード電極と、の間が金属ワイヤ11で接続される。そして、例えば、ボンディングパッド15とランドパターン21とを接続し、ボンディングパッド17とランドパターン23とを接続して、半導体発光素子10を基板20の上に実装する図1参照。これにより、ランドパターン21および23につながった配線パターン25および27を介して駆動電流を供給し、LEDチップ7を発光させることができる。図3は、発光装置100のランドパターン21および23を示す模式図である。図3aは、ランドパターン21および23の形状を示す。図3bは、ランドパターン21および23の上に、半導体発光素子10を重ねた状態を示しており、同図中に示す破線は、半導体発光素子10の外縁を示す。図3aに示すように、ランドパターン21およびランドパターン23は、それぞれ四角形に設けられる。以下の説明では、ランドパターン21とランドパターン23との間隔をDLとし、X方向におけるランドパターン21の幅をLN、ランドパターン23の幅をLPとする。また、ランドパターン21および23のY方向の幅は、共にWLである。図3bに示すように、面積が広い方のボンディングパッド15のX方向における幅WNと、それに接続されるランドパターン21の幅LNと、を同じサイズに設ける。そして、Y方向におけるボンディングパッド15の幅WBが、ランドパターン21の幅WLよりも狭くなるようにする。さらに、ランドパターン21の幅WLは、半導体発光素子10の幅WDと同じか、もしくは、WDよりも狭くする。ここで、同じサイズとは、厳密に同じ場合だけでなく、例えば、加工精度に起因した寸法差がある場合も含める。これに対し、面積が狭い方のボンディングパッド17に接続されるランドパターン23の場合、半導体発光素子10と基板20との間の接着強度を確保する観点から、少なくとも、ボンディングパッド17の面積よりも広くすることが好ましい。さらに、例えば、ハンダを用いて半導体発光素子10を基板20に実装する場合、ランドパターン21とランドパターン23との面積を同じとし、それぞれの上に載せるハンダ量をバランスさせることが好ましい。一方、複数の半導体発光素子10を基板20の上に並べて実装する場合、ランドパターン21および23の面積が狭い程、隣り合う半導体発光素子10の間隔を狭くすることができる。すなわち、複数の半導体発光素子10を高密度に実装するためには、ランドパターン21および23の面積を狭くすることが望ましい。図3bに示す例では、ランドパターン21は、半導体発光素子10の外縁の内側に収まるサイズに設けられる。これに対し、ランドパターン23では、半導体発光素子10の外縁をX方向にはみ出した部分23aがある。半導体発光素子10の実装密度を高くするためには、このはみ出し部23aを狭くすることが望ましい。したがって、はみ出し部23aが広くなり過ぎないように、ランドパターン23の面積は、ランドパターン21の面積に等しいか、それよりも狭く設けることが好ましい。例えば、ボンディングパッド17の面積が、ボンディングパッド15の面積と同じ場合には、ランドパターン21と23の面積を等しく設ける。そして、ボンディングパッド17の面積が、ボンディングパッド15の面積よりも狭い場合には、ランドパターン23の面積は、ボンディングパッド17の面積よりも広く、且つ、ランドパターン21の面積に等しいか、それよりも狭く設ける。これにより、半導体発光素子10の高密度実装が可能となる。さらに、ランドパターン23のY方向における幅を、半導体発光素子10のY方向における幅WDと同じ、もしくは、それよりも狭くする。これにより、複数の半導体発光素子10をY方向に並べる場合の間隔を、ランドパターン21および23のサイズに左右されない限界まで狭くすることが可能となる。このような実装の高密度化に関する効果は、複数の半導体発光素子10を並べる場合に限らず、半導体発光素子10と他のデバイスとを並べて実装する場合にも、同様に発揮される。次に、実施形態における半導体発光素子10を基板20に実装した場合の歩留りおよび密着強度について説明する。図4~図7は、比較例に係るランドパターンの形状を示す模式図である。図4は、第1の比較例に係るランドパターン31および33を示す模式図である。図4aに示すように、ランドパターン31および33は、共に四角形であり、その間隔DL1は、ランドパターン21および23の間隔DLと同じである。図4bに示すように、ランドパターン31のX方向の幅LN1は、ボンディングパッド15のX方向の幅WNよりも広く設けられている。ランドパターン31のY方向の幅WL1は、半導体発光素子10のY方向の幅WDと同じである。一方、ランドパターン33のX方向の幅LP1も、ボンディングパッド17のX方向の幅WNよりも広く設けられる。Y方向の幅WL1は、半導体発光素子10のY方向の幅WDと同じである。第1の比較例では、ボンディングパッド15に接続されるランドパターン31のX方向の幅がボンディングパッド15の幅よりも広い点で、実施形態と相違する。図5は、第2の比較例に係るランドパターン41および43を示す模式図である。図5aに示すように、ランドパターン41および43では、双方が向き合う辺の両端に、それぞれX方向の幅がΔLNおよびΔLPである切り欠きが設けられている点で、第1の比較例と相違する。ランドパターン41および43の間の間隔DL2は、ランドパターン21および23の間隔DLと同じである。図5bに示すように、切り欠きが設けられた辺の長さWL5は、Y方向におけるボンディングパッド15の幅WBよりも広く、半導体発光素子10の幅WDよりも狭い。すなわち、第2の比較例も、ボンディングパッド15に接続されるランドパターン41のX方向の幅がボンディングパッド15の幅よりも広い点で、実施形態と相違する。図6は、第3の比較例に係るランドパターン51および53を示す模式図である。図6aに示すランドパターン51および53の間隔DL3は、ランドパターン21および23の間隔DLと同じである。図6bに示すように、ランドパターン51のX方向の幅LN3は、ボンディングパッド15のX方向の幅WNと同じであり、Y方向の幅WL3も、ボンディングパッド15のY方向の幅WBと同じである。一方、ランドパターン53のX方向の幅LP3は、ボンディングパッド17のX方向の幅WNよりも広く設けられる。Y方向の幅WL3は、ボンディングパッド15のY方向の幅WBと同じである。第3の比較例では、ボンディングパッド15に接続されるランドパターン51のサイズがボンディングパッド15と同じであり、ランドパターン53のY方向の幅WL3がボンディングパッド17のY方向の幅WBと同じである点で、実施形態と相違する。図7は、第4の比較例に係るランドパターン61および63を示す模式図である。図7aに示すランドパターン61および63の間隔DL4は、ランドパターン21および23の間隔DLと同じである。図7bに示すように、ランドパターン61のX方向の幅LN4は、ボンディングパッド15のX方向の幅WNよりも広く、Y方向の幅WL4は、ボンディングパッド15のY方向の幅WBと同じである。一方、ランドパターン63のX方向の幅LP4は、ボンディングパッド17のX方向の幅WNよりも広く設けられる。Y方向の幅WL4は、ボンディングパッド15のY方向の幅WBと同じである。第4の比較例では、ボンディングパッド15に接続されるランドパターン61のX方向の幅LN4がボンディングパッド15の幅WNよりも広く設けられ、ランドパターン53のY方向の幅がボンディングパッド17と同じである点で、実施形態と相違する。表1は、第1~第4の比較例および実施形態に係るランドパターンを有する基板に半導体発光素子10を実装した場合の不良率を示している。A~Dは、順に第1~第4の比較例に係るランドパターンを有する基板の実験結果であり、Eは、本実施形態に係る基板20を用いた実験結果である。実験に用いた半導体発光素子10およびランドパターンのサイズは以下の通りである。LD=1.6mm、WD=WL=WL1=WL2=0.8mm、WN=LN=LN3=08mm、WP=03mm、DP=DL=DL1~DL4=03mm、WB=WL3=WL4=0.6mm表1に示すメタルマスク厚は、クリームハンダをランドパターン上にスクリーン印刷する際に用いるマスクの厚さであり、クレームハンダの厚さを意味する。また、メタルマスクの開口率は、ランドパターンの全面積に対するハンダ塗布領域の割合を示す。すなわち、メタルマスクが厚く、開口率が高いほど、ランドパターン上に載せられるハンダ量が多くなる。表1に示すように、第1~第4の比較例に係るランドパターンが設けられた基板では、メタルマスクの厚さが150μm、開口率100の場合に不良が発生する。すなわち、ランドパターンに載せるハンダ量が多くなると実装不良が発生する。図8は、実装不良となった半導体発光素子10の例示する写真である。不良モードとしては、図8aに示すように、ランドパターンの並び方向X方向に対してズレ角θを持って実装されたものがある。また、図8bに示すように、ズレ角θは0であるが、半導体発光素子10の長辺側にボール状のハンダが突出したものがある。第1および第2の比較例に係るランドパターンでは、図8aに示す角度ズレの不良が多い。一方、第3および第4の比較例に係るランドパターンでは、図8bに示すハンダの突出部Pによる不良が多い。面積が広い方のボンディングパッド15が接続されるランドパターンに着目すると、第3の比較例に係るランドパターン51は、ボンディングパッド15と同じサイズであり、第4の比較例に係るランドパターン61では、Y方向における幅WL4がボンディングパッド15の幅WBと同じである。このため、例えば、クリームハンダが溶融し液状となった場合に、ボンディングパッド15とランドパターン51との間では、X方向およびY方向に沿った双方の辺を一致させるように表面張力が働く。また、ボンディングパッド15とランドパターン61との間では、X方向に沿った双方の辺を一致させるように表面張力が働く。これにより、半導体発光素子10の角度ズレが抑制される。これに対し、第1および第2の比較例に係るランドパターン31および41では、X方向、Y方向のいずれにおいても、ボンディングパッド15の幅と、ランドパターン31および41の幅と、が異なるため、それぞれの辺の方向を一致させようとする表面張力が弱い。結果として、図8aに示す半導体発光素子10の角度ズレによる実装不良が発生し易くなるものと考えられる。一方、第3および第4の比較例に係るランドパターン51および61では、角度ズレによる実装不良は抑制されるが、図8bに示すハンダの突出部Pが発生し易いという問題がある。すなわち、ランドパターン51および61の幅が、ボンディングパッド15のサイズに狭められることからハンダの逃げ場が無くなり、ボール状の突出部Pが生じ易くなる。このように、第1~第4の比較例に係るランドパターンでは、ハンダ量が増えると実装不良が発生する。これに対し、表1のEに示す実施形態に係るランドパターンでは、実装不良の発生は見られない。すなわち、実施形態に係るランドパターン21では、X方向の幅をボンディングパッド15と同じサイズとして角度ズレを抑制する。そして、Y方向の幅をボンディングパッド15よりも広くすることにより、ハンダの逃げ場を設け突出部Pの発生を抑えることができる。第4の比較例に係るランドパターン61においても、Y方向の幅WL4をボンディングパッド15の幅WBと同じに設け、X方向の幅LN4をボンディングパッド15よりも広げている。したがって、実施形態と同様に実装不良が抑制されても良いように思われる。しかしながら、第4の比較例に係るランドパターン61では、X方向においてランドパターン63と向き合う辺がボンディングパッド15の辺と一致する。このため、ランドパターン63に向かう方向へのハンダの拡がりが表面張力により抑制される。したがって、ハンダの逃げ場は、ランドパターン63とは反対側の方向のみとなり、Y方向におけるハンダの突出部Pが発生し易くなるものと考えられる。さらに、表1に示す実験結果では、このようなハンダ量の増加に伴う実装不良の他に、ハンダ量が少ない場合にも実装不良が発生することがわかる。すなわち、第4の比較例において、メタルマスクの厚さを120μmとし、開口率を50とした場合に不良が発生している。これは、次に示す半導体発光素子10の接着強度に起因するものと考えられる。図9は、半導体発光素子の接着強度剥離強度を示すグラフである。横軸にメタルマスクの開口率、縦軸に半導体発光素子10の剥離強度を示している。図9のA~Eに示すそれぞれのグラフは、順に第1~第4の比較例、および、本実施形態のそれぞれに係るランドパターンの実験結果を示している。図9では、第3の比較例Cおよび第4の比較例Dに係るランドパターンおいて、他のランドパターンよりも剥離強度が低いことがわかる。また、A~Eの全体に共通して、開口率が高くなると剥離強度が低下する傾向が見られる。ハンダの逃げ場の少ない第3および第4の比較例に係るランドパターンの剥離強度が低いこと、および、ハンダ量が増えると剥離強度が低下する傾向があることを考え合わせると、第3および第4の比較例に係るランドパターンでは、ボンディングパッドとハンダの馴染みが悪く剥離強度度が低くなるものと考えられる。これに対し、図9のグラフEに示すように、実施形態に係るランドパターンでは、第1の比較例Aおよび第2の比較例Bに係るランドパターンと同じ程度の剥離強度が維持されている。すなわち、本実施形態に係るランドパターン21では、X方向の幅LNを、ボンディングパッド15の幅WNと同じサイズに狭めて形成するが、Y方向の幅WLがボンディングパッドの幅WBよりも広く、両側にハンダの逃げ場がある。このため、ボンディングパッド15とハンダの馴染みが良くなり、剥離強度が向上するものと考えられる。上記の通り、実施形態に係る発光装置では、半導体発光素子の実装時における角度ズレを抑制し剥離強度を向上させることにより、実装不良を低減し製造歩留まりを向上させることができる。そして、半導体発光素子の高密度実装を実現することも可能である。いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。