複数のシンチレータ57を有するシンチレータアレイ56であって、少なくとも2個の隣り合ったシンチレータ57の間に介在して配設される二層反射体88をさらに含んでおり、該二層反射体88は形状適応性平滑化層87と鏡面層89とを含んでおり、該鏡面層はアルミニウムを含んでいる、シンチレータアレイ56。一対の二層反射体の間に配設される吸光性複合材をさらに含んでいる請求項1に記載のシンチレータアレイ。前記鏡面層はアルミニウム金属を含んでいる、請求項1に記載のシンチレータアレイ。前記アルミニウム金属は500nm~700nmの範囲において最低90の反射率を与える、請求項3に記載のシンチレータアレイ。複数のシンチレータ57を有するシンチレータアレイ56であって、少なくとも2個の隣り合ったシンチレータ57の間に介在して配設される二層反射体88をさらに含んでおり、該二層反射体88は形状適応性平滑化層87と鏡面層89とを含んでおり、前記二層反射体88は介在する還元剤又は接着材層を含まない、シンチレータアレイ56。前記鏡面層は銀、金、銅、ロジウム、マグネシウム、アルミニウム、又はこれらの組み合わせを含んでいる、請求項5に記載のシンチレータアレイ。複数の三次元シンチレータ57に二層反射体88を形成する方法であって、前記三次元シンチレータ57に形状適応性平滑化層87を施工するステップと、該形状適応性平滑化層87に鏡面層89を直接施工するステップとを備えた方法。前記鏡面層は気相金属化を用いて施工される、請求項7に記載の方法。複数のシンチレータ57を有するシンチレータアレイ56であって、少なくとも2個の隣り合ったシンチレータ57の間に介在して配設される二層反射体88をさらに含んでおり、該二層反射体88は形状適応性平滑化層87と鏡面層89とを含んでおり、該鏡面層89はアルミニウムを含んでいる、シンチレータアレイ56と、複数の検出器20とを備えた検出器アレイ18。複数のスイッチアレイをさらに含んでいる請求項9に記載の検出器アレイ。複数のシンチレータを有するシンチレータアレイであって、少なくとも2個の隣り合ったシンチレータの間に介在して配設される少なくとも二つの二層反射体を含むシンチレータアレイが提供される。二層反射体は形状適応性conformal平滑化層と鏡面層とを含んでおり、鏡面層はアルミニウムを含んでいる。もう一つの観点では、複数のシンチレータを有するシンチレータアレイであって、少なくとも2個の隣り合ったシンチレータの間に介在して配設される少なくとも二つの二層反射体を含むシンチレータアレイが提供される。二層反射体は形状適応性平滑化層と鏡面層とを含んでおり、二層反射体は介在する還元剤又は接着材層を含まない。もう一つの観点では、複数の3Dシンチレータに二層反射体を形成する方法が提供される。この方法は、3Dシンチレータに形状適応性平滑化層を施工するステップと、形状適応性平滑化層に反射層を直接施工するステップとを含んでいる。また、検出器アレイが提供される。この検出器アレイは、シンチレータアレイと複数の検出器とを含んでいる。シンチレータアレイは、複数のシンチレータを含んでおり、少なくとも2個の隣り合ったシンチレータの間に介在して配設される少なくとも二つの二層反射体を含んでいる。二層反射体は形状適応性平滑化層と鏡面層とを含んでおり、鏡面層はアルミニウムを含んでいる。以上の簡潔な記載は、以下の詳細な説明がさらに十分に理解され、技術分野に対する本発明の寄与が十分に認められ得ることを目的として本発明の様々な実施形態の特徴について述べている。言うまでもなく、以下に記載され特許請求の範囲の主題に沿った本発明の他の特徴も存在する。この観点で、本発明の幾つかの実施形態を詳細に説明する前に、本発明の様々な実施形態は適用において以下の記載に述べられ又は図面に図示される構成要素の構築及び構成の細部に限定されないことを理解されたい。本発明は他の実施形態が可能であり、様々な方法で実施され遂行されることが可能である。また、本書で用いられる言い回し及び用語は説明の目的のためのものであって、限定するものではないことを理解されたい。本書で用いられる第一、第二等の用語は、如何なる序列、量又は重要性を意味するものでもなく、一つの要素を他の要素から識別するために用いられている。また、本書で用いられる単数不定冠詞は、量の制限を意味するものではなく、参照されている項目が少なくとも一つ存在していることを意味する。量に関連して用いられる約との用語は、所載の値を包含し、文脈によって規定される意味を有する例えば特定の量の測定に関連する誤差度を含む。また、本書で用いられる1又は複数との接尾辞は、修飾対象の用語の単数及び複数の両者を包含し、これにより当該用語の1又は複数を包含するものとする。本明細書の全体にわたる一実施形態又は実施形態に対する参照は、一つの実施形態に関連して記載される特定の特徴、構造、又は特性が少なくとも一つの実施形態に包含されることを意味する。このように、本明細書を通じて様々な箇所に一実施形態では又は実施形態ではとの文言が現われていても、必ずしも同じ実施形態を指すとは限らない。さらに、特定の特徴、構造又は特性を1又は複数の実施形態において任意の適当な態様で組み合わせてよい。図1Aには、一実施形態によるシンチレータアレイの一部の断面が示されている。シンチレータアレイ56は、複数の一様間隔で隔設されたシンチレータ57を含んでいる。隣り合ったシンチレータ57の間に、反射ユニット83が介在して隔設され又は配設されている。反射ユニット83は、各々のシンチレータ57について相対的に高い光出力を保ち、シンチレータ57同士の間の光及びX線のクロストークを防ぐように設計されている。各々の反射ユニット83は、少なくとも二つの二層反射体88を含んでいる。図1に示す実施形態のような幾つかの実施形態では、反射ユニットはさらに、一対の二層反射体88の間に介設された複合材層86を含んでいる。シンチレータ57は、当業者に周知の広範なシンチレータ物質から形成され得る。かかる材料としては、希土類酸化物又は酸硫化ガドリニウム、及び酸化セシウム、ゲルマニウム酸ビスマス又はケイ酸ルテチウムの単結晶で製造された医用撮像シンチレータが挙げられる。加えて、タングステン酸鉛及びヨウ化ナトリウムのように主に物理学研究に用いられるシンチレータも適用可能である。一つの市販のシンチレータは、GeneralElectricMedicalSystemsから販売されているHiLite登録商標である。代替的には、シンチレータ57に用いられる材料は、式G1xyAxReywDzO12を有する透明な希土類ガーネットセラミック材料でで形成されてよく、式中、GはTb及びLuから成る群から選択される金属であり、GがTbであるときにはAはY、La、Gd、Lu及びYbの群から選択される希土類金属であり、GがLuであるときにはAはY、La、Gd、Tb及びYbから成る群から選択される希土類金属であり、ReはCe、Pr、Nd、Sm、Eu、Dy、Ho、Er、及びTmから成る群から選択される少なくとも一つの希土類金属であり、DはAl、Ga、及びInから成る群から選択される金属であり、wは約2.8~約3.1の範囲であり、xは約0~約0.5の範囲であり、yは約0.0005から約0.2までの範囲であり、zは約4~約5.1の範囲である。シンチレータ57に用いるのに適したこの式によるセラミックガーネットの特定の二つの例として、テルビウムアルミニウムガーネットTAG、Tb2992Ce0012Al4996O12及びテルビウムルテニウムアルミニウムガーネットLuTAG、Tb2198Lu08Ce001Al4992O12が挙げられる。ヨウ化セシウムCsIのような単結晶シンチレータ物質の場合には、結晶はガラス基材パネル図示されていないの平面に垂直に配向されて短い光ファイバとして作用し、結晶において発生する光フォトンはCsI層の内部で伝播するのではなく、結晶の端部から出てアモルファスシリコンアレイ図示されていないに確実に入る。各々の反射ユニット83は少なくとも二つの二層反射体88を含んでいる。さらに具体的には、各々の二層反射体88が、シンチレータ57に隣接した平滑化層87と、平滑化層87に重なった鏡面層89とを含んでいる。平滑化層87は、間隙96の内部でシンチレータ57の表面の表面凹凸を例えば充填すること等により減少させる。凹凸の減少は、次に施工される鏡面層89に影響する。鏡面層89の平滑性を高めると、鏡面層89による反射度を高めることができる。平滑化層87は、光学的特性屈折率及び吸収及び物理的特性熱安定性に関して所望の性能特性を呈する任意の低粘度ポリマー材料、任意のポリマー無機材料又は材料の組み合わせを含み得る。望ましくは、平滑化層87は、シンチレータ57の放出波長において実質的に透明である。かかる材料の適当な実例としては、限定しないがシリコーンハードコート、スチレンアクリレートコーティング、紫外硬化性ハードコート、ポリ塩化ビニリデン、エポキシシランハードコート、又はこれらの組み合わせがある。幾つかの実施形態では、平滑化層87はエポキシシランハードコートを含む。平滑化層87は、薄膜を施工する任意の公知の工程を用いて施工されることができ、例えば溶液フローコーティング法又はスピンコーティング法のような湿式化学方法を用いて施工され得る。幾つかの実施形態では、平滑化層87は、厚みが約0.1ミクロン~約5ミクロンであり、又は約0.5ミクロン~約3ミクロンである。幾つかの実施形態では、鏡面層89は平滑化層87に直接施工され、すなわち介在性の還元剤又は接着材層を用いずに施工される。鏡面層89は望ましくは、シンチレータ57によって放出される光の波長において高反射率を有する材料を含んでいる。例えば、紫外光放出シンチレータ57は、アルミニウムのように紫外光を反射する材料を要求する。赤色光又は赤外光を放出するシンチレータ57については、これらのスペクトル領域において高反射率を呈することから金による金属層が望ましい。鏡面層89に用いられ得る他の材料としては、銀、銅、ロジウム及びマグネシウムが挙げられる。幾つかの実施形態では、鏡面層89はアルミニウムを含んでいる。幾つかの実施形態では、鏡面層はアルミニウム金属を含んでいる。かかる実施形態では、アルミニウム金属は望ましくは、約500nm~約700nmの範囲において最低90の反射率を与えることができる。さらに、アルミニウム金属は、鏡面層例えば銀に従来用いられている幾つかの材料が呈する老化時に見受けられる反射率の低下を抑え又は解消することができるので、アルミニウム金属の利用が有利であり得る。幾つかの実施形態では、所望又は必要に応じて例えばチタン、タングステン、クロム及び/又はジルコニウムを含む接着材層を用いることができる。鏡面層89は、当業者に周知の手法によって少なくとも約0.1ミクロン~約5ミクロン、又は約0.5ミクロン~約3ミクロンの厚みに施工される。選択される方法は、ある程度まで鏡面層の組成に依存し得る。望ましくは、鏡面層は、例えば液相金属化又は気相金属化からの化学的還元を介した化学的気相堆積、物理的気相堆積、スパッタリングのような非視線方向型工程nonlineofsightprocessを用いて施工される。幾つかの実施形態では、鏡面層89は気相金属化を用いて施工され得る。図1に示す実施形態のような幾つかの実施形態では、反射ユニットはさらに、一対の二層反射体88の間に介設された複合材層86を含んでいる。複合材層86は、1個のシンチレータから隣接するシンチレータに伝達される光を吸収し、これによりシンチレータの間の光学的クロストークを減少させ、場合によっては解消するように設計されている。複合材層は加えて、シンチレータの間を移動するX線フォトンを吸収するように構成され得る。複合材層86は、低粘度ポリマーを含み得る。ポリウレタンのような多数の市販の低粘度エポキシの任意のものを複合材層86に用いることができる。幾つかの実施形態では、低粘度ポリマーは、放射線に対する比較的高い耐久性を呈する。複合材層86は、厚みが約50ミクロン~約100ミクロンであり得る。対照的に、各々の二層反射体88は望ましくは、厚みが約15ミクロン~約50ミクロンであり得る。図1Bは、反射体88が不動態化層91を加えて含み得る本発明のもう一つの実施形態を示す。不動態化層91は、例えばUVハードコート、スチレンアクリレートコーティング、オリゴマーコーティング、アモルファステフロン商標コーティング、又はこれらの組み合わせを含み得る。すなわち、図1Bには1層の不動態化層が示されているが、所望に応じて多数の不動態化層91を用いることができる。不動態化層91は、任意の公知の適当な工程によって所望の任意の厚みに施工されることができるが、典型的には、約0.1ミクロン~約5ミクロンの厚みに施工される。図2に、一実施形態による方法の各段階を詳細に示す。製造手法の段階201は、シンチレータ基材94の形成から開始する。シンチレータ基材94は、X線又は他の放射線撮像エネルギを受け取ると発光して光を出力するように設計されている1又は複数の材料で構成されている。基材94は、多くの周知の半導体製造手法の一つに従って製造され得る。段階201はさらに、バルク基材材料を所望の厚みを有するウェーハにする研削、及び基材の寸法を画定する研削法又は他の工程を含んでいる。方法の段階202では、基材94は多数のピクセル形成工程の一つを経て、基材94に多数のシンチレータ57を画定する。例えば、基材94をワイヤソーダイサ又は他のダイス加工機構を用いてダイス加工することができる。加えて、個々のシンチレータ57は、イオンビームミリング、化学的エッチング、気相堆積、又は他の周知の基材切削手法の任意のものを用いて画定され得る。好ましくは、個々のシンチレータ57は、隣り合ったシンチレータの間に間隙96が形成されるように画定される。加えて、シンチレータ57は好ましくは、シンチレータ基材94を三次元的に横断して画定される。好ましくは、間隙96は個々のシンチレータ57の間でx方向及びz方向の両方に延在し、効率要件に依存して約100ミクロン~200ミクロンの幅を有する。間隙96の深さは、所望の阻止能に依存し、シンチレータ基材組成に従って変わる。個々のシンチレータ57の形成又は画定に続いて、段階203において、二層反射体88をシンチレータ57の上に及び間隙96の内部にキャストcastする。さらに具体的には、平滑化層87が先ず、溶液フローコーティング法又はスピンコーティング法のような湿式化学方法を介して間隙96に施工され得る。幾つかの実施形態では、平滑化層87は厚みが約0.5ミクロン~5ミクロンである。次いで、所望の鏡面層89が、例えば液相金属化又は気相金属化からの化学的還元を介した化学的気相堆積、物理的気相堆積、スパッタリングのような非視線方向型工程を用いて施工される。幾つかの実施形態では、鏡面層89は気相金属化を用いて施工され得る。段階203の完了時に、間隙96は残存している。平滑化層87及び/又は鏡面層89は、所望又は必要に応じて、隣接する層の施工又は次の処理ステップの前に硬化され得る。任意のかかる所望の硬化の後に、シンチレータアレイの上面又は上部を切削して所望の厚み例えば約100ミクロン~200ミクロンを有する上面反射層90を残す。段階204では、吸光性複合材層86を各々の間隙96に堆積させることができる。好ましくは、吸光性複合材層86は、高いX線阻止能について選択される金属を含んでいる。好ましくは、この金属は粒度が約0.5ミクロン~約5ミクロンの粉末の形態にある。吸光性複合材層86はさらに、金属粉末用の結着剤として作用するエポキシ、ポリウレタンのような低粘度ポリマーを含み得る。低粘度ポリマーの利用が望まれる実施形態では、約40容積~約60容積の所望の金属粉末が液体低粘度ポリマーと混合され得る。次いで、吸光性複合組成物は間隙96にキャストされる。キャストした後に、吸光性複合材層86を硬化させることができる。当業者は、他の方法を用いて二層反射体88の間に吸光性複合材層86を堆積させ得ることを認められよう。例えば、金属粒子を熱可塑性ポリマーコーティングのような接着性結着剤でコーティングすることができる。次いで、コーティングされた金属粒子を少量のアルコールのような溶剤と共に間隙96にキャストする。次いで、溶剤を蒸発させて、得られる乾燥した材料を加熱して熱可塑性コーティングを溶融させ、これにより金属粒子を互いに結着させる。もう一つの方法は、金属粒子をタングステン又は低温はんだフィルムによってコーティングすることを含んでいる。次いで、組成物が間隙にキャストされた後にはんだフィルムを溶融させる。吸光性複合材が所望の方法によって堆積された後に、シンチレータアレイの上面を研削又はミリングして、あらゆる余分な吸光性複合材及び二層反射体材料を除去する。一旦、二層反射体88の間に介在して配設された吸光性複合材層86が硬化したら、段階205においてシンチレータアレイ56を切削して最終的な所望の寸法にする。加えて、シンチレータ基材の底部99を切削し又は研削して、余分なシンチレータを除去して、最終的な所望の厚みを達成する。例えば、製造されているシンチレータの形式に依存して、最終的な厚みは約1.5mm~約3mmにわたる。次いで、切削された表面を、周知のCT検出器製造組立に従ってフォトダイオードに光学的に結合することができる。また、このシンチレータアレイを含む検出器アレイが提供される。図3及び図4に示すように、検出器アレイ18は、シンチレータアレイ56を形成する複数のシンチレータ57を含んでいる。コリメータ図示されていないがシンチレータアレイ56の上に配置されて、X線ビーム16がシンチレータアレイ56に入射する前にかかるビーム16をコリメートする。図3は、一実施形態に従ってシンチレータアレイを組み入れた検出器アレイを示す。図3に示すように、検出器アレイ18は57個の検出器20を含んでおり、各々の検出器20が16×16のアレイ寸法を有する。結果として、アレイ18は16列の横列及び912列の縦列16×57個の検出器を有し、これにより検出器アレイ18の各々の回転によって16枚の同時データスライスを収集することが可能である。図4は、1個の検出器20を示す。図4の切断詳細図に示すように、フォトダイオード60が実質的に平坦なアレイとして、典型的には単一のシリコンウェーハから形成される。シンチレータアレイ56が光学的に透明な接着剤図示されていないによってフォトダイオード60に配置されて接着され、シンチレータ57のコーティングされていない面がフォトダイオード60の整合アレイに直接対面して整列させられる。この態様で、シンチレータ57の各々の内部で発生される光が、対応するフォトダイオード60に伝達される。尚、各々の検出器20は直角プリズムの近似的な幾何学的構成を有し、すなわち平行な直交する平坦面の対を有することを特記しておく。図3は、検出器アレイ18を示す。検出器アレイの彎曲した幾何学的構成を形成するために、複数の検出器20は各々、検出器フレーム77によって画定される円弧の隣り合う弦として検出器フレーム77に固定される。図3に示すように、検出器20は、大きい曲率半径を有する検出器フレームの面すなわち、図3に示すようなフレームの裏面に装着される。図4に示すスイッチアレイ80及び82は、シンチレータアレイ56と、シンチレータアレイ56に対して配設されて動作するデータ取得システム図示されていないとの間に結合される多次元半導体アレイである。スイッチアレイ80及び82は、多次元アレイとして構成された複数の電界効果トランジスタFET図示されていないを含んでいる。FETアレイは、それぞれのフォトダイオード60の各々に接続される多数の電気導線と、可撓性電気インタフェイス84を介してデータ取得システムに電気的に接続される多数の出力導線とを含んでいる。さらに具体的には、フォトダイオード出力の約半数がスイッチアレイ80に電気的に接続され、フォトダイオード出力の残り半数がスイッチアレイ82に電気的に接続される。加えて、二層反射体層図3及び図4には示されていないが、隣接するシンチレータから散乱する光を減少させるように各々のシンチレータ57の間に介設されている。各々の検出器20は、装着ブラケット79によって図3の検出器フレーム77に固定される。スイッチアレイ80及び82はさらに、スライスの所望の数及び各々のスライスのスライス分解能に従ってフォトダイオード出力をイネーブルにしたり、ディスエーブルにしたり、結合したりするデコーダ図示されていないを含んでいる。幾つかの実施形態では、デコーダは、当技術分野で公知のデコーダチップ又はFETコントローラであってよい。デコーダはまた、スイッチアレイ80及び82、並びにデータ取得システムに結合された複数の出力線及び制御線を含んでいる。16スライスモードとして画定される一実施形態では、デコーダはスイッチアレイ80及び82をイネーブルにしてフォトダイオードアレイ52の全ての横列を作動させ、16枚の同時データスライスを生じてデータ取得システムによって処理する。言うまでもなく、他の多くのスライスの組み合わせが可能である。例えば、デコーダは、1スライスモード、2スライスモード及び4スライスモードを含めた他のスライスモードから選択され得る。当業者は、本開示が基礎としている概念を、本発明の幾つかの目的を果たす他の構造、方法、及び/又はシステムを設計する基礎として容易に用い得ることを認められよう。従って、特許請求の範囲は、本発明の主旨及び範囲から逸脱しない限りにおいてかかる均等構成を包含するものと看做されることが重要である。本書に記載される主題の開示される実施形態を図面に示し、また幾つかの実施形態の例と関連する特徴及び詳細によって上で十分に説明したが、当業者には、本書に記載される新規の教示、原理及び概念、並びに特許請求の範囲に記載される主題の利点から実質的に逸脱することなく、多くの改変、変形、及び省略が可能であることが明らかであろう。故に、開示される新規技術の固有の範囲は、全てのかかる改変、変形、及び省略を包含するように特許請求の範囲の最も広い解釈によってのみ決定されるものとする。加えて、あらゆる工程又は方法ステップの序列又は順序は様々であってよく、代替的な実施形態に従って並べ替えられてよい。