"測定ガスが流れる流路の内部に基板上に形成された発熱体を配置し、前記測定ガスが前記発熱体から奪う熱量の大きさにより前記測定ガスの熱伝導度を検出する熱伝導度検出器において、前記発熱体は、中央部に所定角度の折り返し部が形成された梁部を備えることを特徴とする熱伝導度検出器。前記発熱体は、前記梁部上に形成され、前記基板表面に形成された一対の電極部に端部がそれぞれ接続する金属薄膜を備えることを特徴とする請求項1に記載の熱伝導度検出器。前記発熱体は、対向する内壁が前記発熱体に近接するように形成されたことを特徴とする請求項1または2に記載の熱伝導度検出器。前記流路は、前記基板とこの基板とは別の第2の基板とを貼り合わせて貼り合わせ基板を形成し、この貼り合わせ基板に形成された溝により構成されていることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の熱伝導度検出器。前記発熱体は、発熱時の変形方向が前記基板表面と水平な面内となるように前記梁部の厚みおよび幅の少なくとも一方が設定されたことを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の熱伝導度検出器。前記金属薄膜はタングステン、モリブデン、白金、ロジウム、ニッケル、コバルトの少なくともいずれかを材質とすることを特徴とする請求項2~5のいずれかに記載の熱伝導度検出器。前記発熱体は、前記金属薄膜と前記梁部との間に形成されたシリサイド化防止膜または絶縁膜の少なくともいずれかを備えることを特徴とする請求項2~6のいずれかに記載の熱伝導度検出器。前記発熱体は、前記金属薄膜上に形成された酸化防止膜または触媒反応防止膜の少なくともいずれかを備えることを特徴とする請求項2~7のいずれかに記載の熱伝導度検出器。前記基板はシリコン基板であることを特徴とする請求項1~8のいずれかに記載の熱伝導度検出器。前記第2の基板はほうけい酸ガラス基板であることを特徴とする請求項4~9のいずれかに記載の熱伝導度検出器。ガス成分の検出に請求項1~10の熱伝導度検出器を用いたことを特徴とするガスクロマトグラフ。熱伝導度検出器は、センサ部のフィラメントの表面から気体を伝導して放出される熱エネルギーの変化を気体の熱伝導率の変化として捉えるものである。したがって、フィラメントの全消費エネルギーのうち気体を伝導して放出される熱エネルギーの比が大きいほど望ましい。発熱体として図8のようにMEMS技術により微小化したフィラメントを用いた場合とMEMS技術によらないフィラメントコイルを用いた場合とを比較すると、フィラメントコイルが総線長数~数十cmであるのに対し、微小化したフィラメントではフィラメントの両端の付根を通して散逸する熱エネルギーの比率が増加し、感度が低下してしまう。微小化したフィラメント構造でも気体を介し放出する熱エネルギーを増加させるためには、気体より桁違いに熱伝導率の大きい内壁をできるだけフィラメントに近づけることが効果的である。内壁との間隔を数μm程度まで近づけると、フィラメントコイルを用いた従来の熱伝導度検出器と同等の熱特性が得られる。しかしながら、MEMS技術により微小化された従来のフィラメントは、加熱により座屈し、大きく変形してしまうことがある。フィラメントは、加熱されて温度が上昇すると、熱膨張により内部応力が増加し、ある温度以上で座屈変形を起こす。たとえば、フィラメントを図8に示すような形状に形成した場合には、フィラメントが加熱により図中下方向に座屈してしまい、座屈したフィラメントが中空部21の内壁に接触し、その結果熱伝導度検出器としての性能が失われてしまう。そのため、フィラメントの加熱可能温度が実質的に制限されてしまう。フィラメントが内壁に接触するまでいかなくとも、センサ部の感度を一定に保つためには、フィラメントと内壁との距離は大きく変動してはならない。また、MEMS技術により微小化された従来のフィラメントは、シリコンに添加物を投与し抵抗値を低く調整した材質で形成されているが、タングステン線などのMEMS技術によらない金属フィラメントと比較してノイズの影響が大きく、また、S/N比も悪い傾向にある。そこで、本発明は、微小化された発熱体においても高い検出性能を実現するとともに、発熱体の実質的な使用可能温度を拡張できる熱伝導度検出器およびそれを用いたガスクロマトグラフを提供することを目的とする。このような課題を解決するために、請求項1に記載の発明は、測定ガスが流れる流路の内部に基板上に形成された発熱体を配置し、前記測定ガスが前記発熱体から奪う熱量の大きさにより前記測定ガスの熱伝導度を検出する熱伝導度検出器において、前記発熱体は、中央部に所定角度の折り返し部が形成された梁部を備えることを特徴とする。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の熱伝導度検出器において、前記発熱体は、前記梁部上に形成され、前記基板表面に形成された一対の電極部に端部がそれぞれ接続する金属薄膜を備えることを特徴とする。請求項3に記載の発明は、請求項1または2に記載の熱伝導度検出器において、前記発熱体は、対向する内壁が前記発熱体に近接するように形成されたことを特徴とする。請求項4に記載の発明は、請求項1~3のいずれかに記載の熱伝導度検出器において、前記流路は、前記基板とこの基板とは別の第2の基板とを貼り合わせて貼り合わせ基板を形成し、この貼り合わせ基板に形成された溝により構成されていることを特徴とする。請求項5に記載の発明は、請求項1~4のいずれかに記載の熱伝導度検出器において、前記発熱体は、発熱時の変形方向が前記基板表面と水平な面内となるように前記梁部の厚みおよび幅の少なくとも一方が設定されたことを特徴とする。請求項6に記載の発明は、請求項2~5のいずれかに記載の熱伝導度検出器において、前記金属薄膜はタングステン、モリブデン、白金、ロジウム、ニッケル、コバルトの少なくともいずれかを材質とすることを特徴とする。請求項7に記載の発明は、請求項2~6のいずれかに記載の熱伝導度検出器において、前記発熱体は、前記金属薄膜と前記梁部との間に形成されたシリサイド化防止膜または絶縁膜の少なくともいずれかを備えることを特徴とする。請求項8に記載の発明は、請求項2~7のいずれかに記載の熱伝導度検出器において、前記発熱体は、前記金属薄膜上に形成された酸化防止膜または触媒反応防止膜の少なくともいずれかを備えることを特徴とする。請求項9に記載の発明は、請求項1~8のいずれかに記載の熱伝導度検出器において、前記基板はシリコン基板であることを特徴とする。請求項10に記載の発明は、請求項4~9のいずれかに記載の熱伝導度検出器において、前記第2の基板はほうけい酸ガラス基板であることを特徴とする。請求項11に記載の発明は、ガス成分の検出に請求項1~10の熱伝導度検出器を用いたことを特徴とするガスクロマトグラフである。本発明によれば、測定ガスが流れる流路の内部に基板上に形成された発熱体を配置し、前記測定ガスが前記発熱体から奪う熱量の大きさにより前記測定ガスの熱伝導度を検出する熱伝導度検出器において、前記発熱体は、中央部に所定角度の折り返し部が形成された梁部を備えることにより、微小化された発熱体においても高い検出性能を実現するとともに、発熱体の実質的な使用可能温度を拡張できる熱伝導度検出器およびそれを用いたガスクロマトグラフを提供できる。図1~図4を用いて本発明の実施例1を説明する。図1は実施例1の熱伝導度検出器のセンサ部を構成する基板を示す図である。図1において、aはシリコン基板30、bはパイレックスガラス基板40、cはシリコン基板30とパイレックスガラス基板40を重ね合わせた状態を示す図である。本実施例のセンサ部は、フィラメント部をシリコン基板に形成し、流路となる凹部をシリコン基板およびパイレックスガラス基板に形成し、これらの基板を接合し、接合基板の内部に流路とフィラメント部を位置させるようにしてセンサ部を構成するものである。図1のaにおいて、シリコン基板30にフィラメント部31~34が形成されている。シリコン基板30の表側面であってフィラメント部31の両端には、このフィラメント部31に接続する電極部31a,31bが形成されている。フィラメント部32~34もフィラメント部31と同様に両端に電極部が形成されている。フィラメント部31と32は、図中上下方向に対象に、図中左右方向に位置を揃えて形成されている。同様に、フィラメント部33と34も、図中上下方向に対象に、図中左右方向に位置を揃えて形成されている。フィラメント部31と32の間と、フィラメント部33と34の間には、シリコン基板30の表側面と裏側面との間で高い通気性を確保するための開口部37,38がそれぞれ形成されている。フィラメント部31と32、フィラメント部33と34は、それぞれ同じガスが流通する流路内に配置される一組のフィラメントであって、たとえばフィラメント部31と32は図6に示すフィラメント1aと2a測定ガスが流れる流路に配置されるフィラメントに相当し、フィラメント部33と34はフィラメント3aと4a参照ガスが流れる流路に配置されるフィラメントに相当する。フィラメント部31~34のそれぞれの電極を適切に接続することにより、図6に示すブリッジ回路が構成される。シリコン基板30の裏側面には溝部35,36が形成されている。溝部35はフィラメント部31,32と重なる位置に形成され、溝部36はフィラメント部33,34と重なる位置に位置するように形成されている。シリコン基板30とパイレックスガラス基板40とを接合させた際に、溝部35はフィラメント部31,32に測定ガスを流通させる流路として機能し、溝部36はフィラメント部33,34に参照ガスを流通させる流路として機能する。図2はフィラメント部とその電極部を拡大した断面斜視図である。代表してフィラメント部31とその電極部31a,31bについて説明する。フィラメント部31は梁部313とその上に形成された金属薄膜314を備えている。梁部313は第1梁部311と第2梁部312とからなる。梁部313は、電極部31a,31bとなる領域からそれぞれ初期角度θをなす方向に第1梁部311と第2梁部312とを形成するとともに、これら第1梁部311と第2梁部312の他端同士が接合した形状となっている。すなわち、梁部313は、図に示すように、第1梁部311と第2梁部312の接合部分が所定角度の折り返し部となったV字形状を中央部に備えた形状となる。第1梁部311と第2梁部312は、それぞれ長さL、幅d1、厚みwで形成され、また、第1梁部311と第2梁部312の周囲には溝部35まで幅gで貫通する空隙が設けられている。梁部313は、溝部35を基板裏側面から梁部313の厚みw分だけ残すように異方性エッチングで形成し、表側面から初期角度θで梁部313の形状をフォトリソグラフィーとドライエッチングで貫通加工して形成する。梁部313の表側面には、抵抗体として厚みtでタングステンを成膜した金属薄膜314を形成する。なお、梁部313の両端の電極部31a,31bとなる領域も同時にタングステンを成膜し、梁部313上の金属薄膜314と電気的に導通させる。すなわち、金属薄膜314は、梁部313上に形成され、基板上の一対の電極部31a,31bに端部がそれぞれ接続された状態となる。梁部313と梁部313上の金属薄膜314でフィラメント部31を構成する。梁部313によりフィラメント部31の熱的構造を担い、梁部313上の金属薄膜314によりフィラメント部31の電気的要素を担う。図1に戻り説明する。図1のbにおいて、パイレックスガラス基板40の裏側面には溝部41,42が形成されている。溝部41,42は、パイレックスガラス基板40をシリコン基板30に接合させた際に、フィラメント部31と32、フィラメント部33と34をそれぞれ所定の深さd2で覆うような形状に形成されている。パイレックスガラス基板40をシリコン基板30に接合させた際に、溝部41は測定ガスが流通する流路として機能し、溝部42は参照ガスが流通する流路として機能する。溝部41,42の周辺部であってシリコン基板30上の各電極部と重なる位置に、計8つのスルーホール43が形成されている。溝部41,42およびスルーホール43は、ウェットエッチング、ドライエッチング、サンドブラスト等により加工して形成する。シリコン基板30とパイレックスガラス基板40は、あらかじめ上記のように形成された後に、シリコン基板30の表側面とパイレックスガラス基板40の裏側面とが陽極接合により接合される。なお、この基板素材の組み合わせは、陽極接合を用いることができるため、機密性の高い強固な接合が容易に得られる。図1のcはシリコン基板30とパイレックスガラス基板40を重ね合わせた状態を示す図である。パイレックスガラス基板40の溝部41,42はシリコン基板30上のフィラメント部31と32、フィラメント部33と34にそれぞれ重なる。また、パイレックスガラス基板40のスルーホール43はシリコン基板30上の各電極部に重なる。このように構成された接合基板は、シリコン基板30の裏側面の溝部35に測定ガスを導入する測定ガス導入口50と、溝部35から測定ガスを導出する測定ガス導出口51と、溝部36に参照ガスを導入する参照ガス導入口52と、溝部36から参照ガスを導出する参照ガス導出口53とが設けられた別部材の上に設置され、熱伝導度検出器のセンサ部として動作する。図3は、接合基板の断面図の一例として、図1のc中のA-A’断面図を示したものである。なお、他のフィラメント部32~34についても同様の構成となっている。シリコン基板30とパイレックスガラス基板40を接合した状態では、フィラメント部31が、溝部35と溝部41とで形成されるガス流路の空間内に配置された状態になる。スルーホール43には金属を施し、電極部の電位を外部に取り出せるようにする。なお、梁部313の周囲に形成される空隙の幅gを小さな値に設定することにより、シリコン基板30のフィラメント部31に対向する内壁がフィラメント部31に近接する。これによりフィラメント部31が本実施例のように微小化されたものであっても気体を介し十分な熱エネルギーを放出させることができる。フィラメント部31は、加熱により変形する。図4はフィラメント部31の最大変形量Δと初期角度θとの関係を示す図であり、シリコンの線膨張係数を用いトラス構造を仮定し計算したものである。なお、最大変形量Δはトラス構造の頂点方向の変位であり、図2においては、梁部313が構成するV字の頂点方向かつシリコン基板の水平面内の変位が相当する。フィラメント部31の温度上昇が大きいほど、最大変形量Δは大きくなる。また、初期角度θが大きいと最大変形量Δは小さいが、初期角度θが小さくなるおよそ15deg以下と最大変形量Δは急激に大きくなり、初期角度θ≒0ではフィラメント部31に座屈が起きる。したがって、フィラメント部31を構成する梁部313を、あらかじめ所定の初期角度θを設けた第1梁部311と第2梁部312とで構成するすなわち、梁部313をあらかじめある角度で折り返した形状とすることで、フィラメント部31の加熱時の最大変形量Δを所望の感度が得られる範囲内に抑制する。言い換えると、梁部313に初期角度θを与えることによって、フィラメント部31が座屈変形を起こさずに利用できる温度を高めることができ、フィラメント部31の実質的な使用温度範囲を拡張できる。なお、図8に示す、MEMS技術を用いた従来のフィラメントは、図4における初期角度θ=0degに相当する。具体的な初期角度θの値は、フィラメント部31の使用予定温度から逆算した温度上昇の大きさと、フィラメント部31の許容可能な最大変形量とから求める。なお、フィラメント部31に生じうる変形方向は、シリコン基板30の水平面内だけとは限らず、梁部313の厚みwと幅d1のバランスに影響される。フィラメント部31がシリコン基板30の垂直方向に変形すると、幅gで対向する面積が変動するため、感度を一定に保つことができない。そのため、梁部313の厚みwと幅d1のバランスは、フィラメント部31の加熱による変形方向が垂直方向とならないようなものとする。実施例1は以上のように構成され、フィラメント部31が中央部に所定角度の折り返し部が形成された梁部313を備えることにより、フィラメント部31が微小化されたものであっても高い検出性能を実現するとともに、フィラメント部31の実質的な使用可能温度を拡張できる熱伝導度検出器を提供できる。フィラメント部31が熱構造を形成する梁部313と電気的特性を担う別部材の抵抗体で構成されるため、設計の自由度を増すことができる。また、梁部313には熱構造体として有利なシリコン素材を、抵抗体には電気的ノイズが少ない金属を組み合わせることができるため、理想的なフィラメント部31を形成できる。また、フィラメント部31と内壁が近接しているため、フィラメント部31が微小化されたものであっても気体を介し十分な熱エネルギーを放出させることができる。また、フィラメント部31は、発熱時の変形方向がシリコン基板30表面と水平な面内となるように梁部313の厚みwおよび幅d1の少なくとも一方が設定されるため、フィラメント部31がシリコン基板30の垂直方向へ変形するのが抑えられ、センサ部の感度低下を防止できる。本実施例の熱伝導度検出器のセンサ部は半導体製造工程により作製されるため、フィラメント部31~34の形状や、フィラメントと流路壁面との距離など、設計どおり実現でき、再現性よく作製できる。また熱による変形を抑制し動作温度範囲を広げることができる。なお、本実施例では、シリコン素材である梁部313に直接金属薄膜314を成膜したが、必要に応じて梁部313と金属薄膜314の間にシリサイド化を防止する薄膜を設けてもよい。また、梁部313と金属薄膜314の間に絶縁膜を設けてもよい。また、金属薄膜314の上に酸化防止の薄膜を設けてもよい。また、金属薄膜314の上に触媒反応防止の薄膜を設けてもよい。図5に、梁部313と金属薄膜314の間にシリサイド化防止薄膜あるいは絶縁膜315を、金属薄膜314の上に酸化防止膜あるいは触媒反応防止膜316を設けた例を示す。また、本実施例では、シリコン基板にフィラメントを形成してパイレックスガラス基板と接合したが、基板の素材はこれに限らず、気密性の高い強固な接合が可能であれば他の素材の組み合わせであってもよい。また、ガス成分の検出に本実施例に記載されているような熱伝導度検出器を用いてガスクロマトグラフを構成すれば、ガスの検出精度を向上させることができる。また、ガスクロマトグラフと同様に、熱伝導度を検出することにより真空度を測定するピラニ真空計にも適用可能である。本実施例におけるシリコン基板30は特許請求の範囲における基板に相当し、フィラメント部は発熱体に相当し、パイレックスガラス基板40は第2の基板に相当する。なお、本実施例では、金属薄膜314としてタングステンを材質としたものを記載したが、金属薄膜314はモリブデン、白金、ロジウム、ニッケル、コバルトを材質としたものでもよい。金属薄膜314としてタングステン薄膜を形成した場合には、従来の熱伝導度検出器ではタングステンワイヤのコイルフィラメントを主に用いており、薄膜においても同様の性能が得られる可能性が高いという利点がある。金属薄膜314としてモリブデン薄膜を形成した場合には、タングステンより融点や再結晶温度が低いことから薄膜化した際の抵抗温度係数低下を改善する熱処理がより低温で効果があるという利点がある。金属薄膜314として白金薄膜を形成した場合には、耐熱耐ガスなどの耐久性能に優れているという利点がある。金属薄膜314としてロジウム薄膜を形成した場合には、白金と同様に耐久性に優れ更に抵抗温度係数が高いという利点がある。金属薄膜314としてニッケル薄膜を形成した場合には、キュリー点約350度以下においては抵抗温度係数が大きいという利点がある。金属薄膜314としてコバルト薄膜を形成した場合には、ニッケルよりもキュリー点が約1100度と高く、抵抗温度係数が大きい範囲が広いという利点がある。"