"情報記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、円環状のガラス基板を形成する工程と、前記ガラス基板の内周縁部にレーザー光を照射して異質相を形成することで前記内周縁部を強化するとともに、前記レーザー光が前記内周縁部の欠陥部分で散乱して生じた散乱光を検出することで欠陥検査を行なう工程とを備えた、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。前記レーザー光は、前記情報記録媒体用ガラス基板における記録面に相当する部分を避けた位置に照射される、請求項1に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。前記ガラス基板を回転させるとともに、前記レーザー光を照射するレーザーを前記ガラス基板の径方向に移動させることにより、前記内周縁部の強化および欠陥検査を行なう工程が実施される、請求項1または請求項2に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。前記レーザー光を照射するレーザーを前記ガラス基板の円周方向に回転させるとともに、前記レーザーを前記ガラス基板の径方向に移動させることにより、前記内周縁部の強化および欠陥検査を行なう工程が実施される、請求項1または請求項2に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。上述のとおり、ガラス基板のクランプ部分を強化すること、および、光ビームを照射してガラス基板の欠陥を検査することは、従来から、個別には開示されている。しかし、情報記録媒体用ガラス基板のクランプ部分の強化と、当該部分の欠陥検査とを同時に行なおうとする考え方は、従来なかったものである。本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、ガラス基板におけるクランプ部分の強化および検査を簡単な工程におこなうことにより、製造コストの増大を抑制しながら、欠陥品の流通を効果的に抑制することが可能な情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供することにある。本発明に係る情報記録媒体用ガラス基板の製造方法は、円環状のガラス基板を形成する工程と、ガラス基板の内周縁部にレーザー光を照射して異質相を形成することで内周縁部を強化するとともに、レーザー光が内周縁部の欠陥部分で散乱して生じた散乱光を検出することで欠陥検査を行なう工程とを備える。1つの実施態様では、上記情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、レーザー光は、情報記録媒体用ガラス基板における記録面に相当する部分を避けた位置に照射される。1つの実施態様では、上記情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、ガラス基板を回転させるとともに、レーザー光を照射するレーザーをガラス基板の径方向に移動させることにより、内周縁部の強化および欠陥検査を行なう工程が実施される。1つの実施態様では、上記情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、レーザー光を照射するレーザーをガラス基板の円周方向に回転させるとともに、レーザーをガラス基板の径方向に移動させることにより、内周縁部の強化および欠陥検査を行なう工程が実施される。本発明によれば、ガラス基板におけるクランプ部分の強化および検査を簡単な工程におこなうことにより、製造コストの増大を抑制しながら、欠陥品の流通を効果的に抑制することができる。以下に、本発明の実施の形態および実施例について説明する。なお、同一または相当する部分に同一の参照符号を付し、その説明を繰返さない場合がある。なお、以下に説明する実施の形態および実施例において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。また、以下の実施の形態において、各々の構成要素は、特に記載がある場合を除き、本発明にとって必ずしも必須のものではない。情報記録媒体1の構成図1および図2を参照して、情報記録媒体用ガラス基板1Gおよび情報記録媒体1の構成について説明する。図1は、情報記録媒体用ガラス基板1Gの斜視図、図2は、情報記録媒体の斜視図である。図1に示すように、情報記録媒体1に用いられる情報記録媒体用ガラス基板1G以下、ガラス基板1Gと称する。は、中心に孔11が形成された環状の円板形状を呈している。ガラス基板1Gは、外周端面12、内周端面13、表主表面14、および裏主表面15を有している。ガラス基板1Gとしては、アモルファスガラス等を用い、たとえば、外径約65mm、内径約20mm、厚さ約0.8mm、表面粗さは、約2.0Å以下である。ガラス基板1Gのインチサイズに特に限定はなく、0.8インチ、1.0インチ、1.8インチ、2.5インチ、3.5インチ各種ガラス基板1Gを、情報記録媒体用のディスクとして製造してもよい。落下衝撃によるガラス基板1Gの割れに対して有効であることから、ガラス基板1Gの厚みは0.30mm~2.2mmが好ましい。ここでいうガラス基板1Gの厚みとは基板上の点対象となる任意の何点かで測定した値の平均値を意味する。図2に示すように、情報記録媒体1は、上記したガラス基板1Gの表主表面14上に磁気薄膜層23が形成されている。図示では、表主表面14上にのみ磁気薄膜層23が形成されているが、裏主表面15上に磁気薄膜層23を設けることも可能である。磁気薄膜層23の形成方法としては従来公知の方法を用いることができ、例えば磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂を基板上にスピンコートして形成する方法、スパッタリングにより形成する方法、無電解めっきにより形成する方法が挙げられる。スピンコート法での膜厚は約0.3~1.2μm程度、スパッタリング法での膜厚は0.04~0.08μm程度、無電解めっき法での膜厚は0.05~0.1μm程度であり、薄膜化および高密度化の観点からはスパッタリング法および無電解めっき法による膜形成がよい。磁気薄膜層23に用いる磁性材料としては、特に限定はなく従来公知のものが使用できるが、高い保持力を得るために結晶異方性の高いCoを基本とし、残留磁束密度を調整する目的でNi、Crを加えたCo系合金などが好適である。近年では、熱アシスト記録用に好適な磁性層材料として、FePt系の材料が用いられるようになってきている。磁気ヘッドの滑りをよくするために磁気薄膜層23の表面に潤滑剤を薄くコーティングしてもよい。潤滑剤としては、例えば液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテルPFPEをフレオン系などの溶媒で希釈したものが挙げられる。必要により下地層、保護層を設けてもよい。情報記録媒体1における下地層は磁性膜に応じて選択される。下地層の材料としては、例えば、Cr、Mo、Ta、Ti、W、V、B、Al、Niなどの非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられる。下地層は単層とは限らず、同一又は異種の層を積層した複数層構造としても構わない。例えば、Cr/Cr、Cr/CrMo、Cr/CrV、NiAl/Cr、NiAl/CrMo、NiAl/CrV等の多層下地層としてもよい。磁気薄膜層23の摩耗、腐食を防止する保護層としては、例えば、Cr層、Cr合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ジルコニア層、シリカ層などが挙げられる。保護層は、下地層、磁性膜など共にインライン型スパッタ装置で連続して形成できる。保護層は、単層としてもよく、あるいは、同一又は異種の層からなる多層構成としてもよい。上記保護層上に、あるいは上記保護層に替えて、他の保護層を形成してもよい。例えば、上記保護層に替えて、Cr層の上にテトラアルコキシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成して酸化ケイ素SiO2層を形成してもよい。ガラス基板1Gの製造工程次に、図3を参照して、本実施の形態に係るガラス基板1Gの製造方法を説明する。図3は、ガラス基板1Gの製造方法を示すフロー図である。まず、ステップ10以下、S10と略す。ステップ11以降も同様。のガラス溶融工程において、ガラス基板を構成するガラス素材を溶融する。S11のプレス成形工程において、溶融させたガラス素材を上型および下型を用いたプレスによりガラス基板を作製した。使用したガラス組成は、一般的なアルミノシリケートガラスを用いた。ガラス基板の作製方法としては成形に限らず、公知の手法である板ガラスからの切り出し等でも構わず、ガラス組成もこれに限らない。S12の第1ラップ工程において、ガラス基板の両主表面をラッピング加工した。この第1ラップ工程は、遊星歯車機構を利用した両面ラッピング装置を用いて行なった。具体的には、ガラス基板の両面に上下からラップ定盤を押圧させ、研削液をガラス基板の主表面上に供給し、これらを相対的に移動させてラッピング加工を行なった。このラッピング加工により、おおよそ平坦な主表面を有するガラス基板を得た。S13のコアリング工程において、円筒状のダイヤモンドドリルを用いて、ガラス基板の中心部に穴を形成し、円環状のガラス基板を作製した。ガラス基板の内周端面、および外周端面をダイヤモンド砥石によって研削し、所定の面取り加工を実施した。S14の第2ラップ工程において、ガラス基板の両主表面について、上記第1ラップ工程S12と同様に、ラッピング加工を行なった。この第2ラップ工程を行なうことにより、前工程のコアリングや端面加工において主表面に形成された微細な凹凸形状を予め除去しておくことができる。その結果、後工程での主表面の研磨時間を短縮することができる。S15の外周研磨工程において、ガラス基板の外周端面について、ブラシ研磨による鏡面研磨を行なった。このとき研磨砥粒としては、一般的な酸化セリウム砥粒を含むスラリーを用いた。S16の第1ポリッシュ工程において、主表面研磨を行なった。この第1ポリッシュ工程は、上述の第1および第2ラップ工程S12,S14において主表面に残留したキズや反りを矯正することを主目的とするものである。この第1ポリッシュ工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により主表面の研磨を行なった。研磨剤としては、一般的な酸化セリウム砥粒を用いた。S17の化学強化工程において、ガラス基板1Gの主表面に対して表面強化層を形成した。具体的には、300°Cに加熱された硝酸カリウム70と硝酸ナトリウム30の混合溶液中に、ガラス基板1Gを約30分間浸漬することによって化学強化を行なった。その結果、ガラス基板の内周端面および外周端面のリチウムイオンおよびナトリウムイオンが、化学強化溶液中のナトリウムイオンおよびカリウムイオンにそれぞれ置換され、圧縮応力層が形成されることでガラス基板の主表面及び端面が強化された。S18の第2ポリッシュ工程において、主表面研磨工程を施した。この第2ポリッシュ工程は上述までの工程で発生、残存している主表面上の微小欠陥等を解消して鏡面状に仕上げること、反りを解消し所望の平坦度に仕上げることを目的とする。この第2ポリッシュ工程は、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により研磨を行なった。研磨剤としては、平滑面を得る為に平均粒径が約20nmのコロイダルシリカを用いた。S19の最終洗浄工程FinalCleaningにおいて、ガラス基板の主表面、端面の最終洗浄を実施する。これによりガラス基板上に残存する付着物を除去する。S20の記録面検査工程において、情報を記録する部分である記録面の欠陥検査を行なう。記録面の欠陥検査は、ガラス基板のクランプ部分をクランプした状態で行なわれる。S21のクランプ部強化および検査工程において、レーザー光を用いて、クランプ部の強化および検査が同時に行なわれる。クランプ部強化および検査工程S21の実施形態以下、上述したクランプ部強化および検査工程S21の具体的な実施形態について説明する。クランプ部強化および検査工程S21は、図5に示すように、ガラス基板1Gの内周縁部に位置するクランプ部分1G0図4参照にレーザー光LBを照射して、母材と物性の異なる異質相を形成することでクランプ部分1G0を強化する強化工程と同時に、レーザー光LBがクランプ部分の欠陥部分Dで散乱して生じた散乱光SCを検出することで欠陥検査を行なう検査工程というものである。本実施の形態では、レーザー光LBは、記録面1G1図4参照に相当する部分を避けた位置に照射される。このように、レーザー照射領域を、クランプ部周辺に限定することで、データ記録面には影響を及ぼさないでガラス基板の強化および欠陥検査を行なうことが可能となる。また、本実施の形態において、ガラス基板の強化および検査に使用するレーザーは、超短パルスフェムト秒レーザーである。超短パルスレーザーを用いることにより、極めて短い時間にエネルギーが集中するため、光エネルギーが熱エネルギーに変換されにくく、検出すべき極微小な欠陥のさらなる損傷を押さえることができる。さらに、超短パルスレーザーを用いることにより、高照射エネルギーとすることができるので、欠陥信号のSN比信号雑音比が高くなるため、極微小な欠陥が検出できる。具体的なレーザーの波長としては特に制限はないが、400nm~1200nm程度の波長を有するレーザーを好ましく用いることができる。特に、ガラスの強化及び検査精度の両立の観点では、500nm~900nm程度の波長を有するレーザーを特に好ましく用いることができる。なお、本実施の形態に係るクランプ部強化および検査工程S21は、図3に示すように、一連の製造工程の中に組み込まれてもよいし、そうでなくともよい。たとえば、一度クランプ部強化および検査工程S21を経たガラス基板に対して、部分的かつ追加的に強化ないし検査を行なってもよい。<実施例>以下、上述したクランプ部強化および検査工程S21の具体的な態様を、実施例1~3として説明する。図6は、実施例1に係るクランプ部強化および検査工程S21を実施するための装置を示す図である。図6に示すように、光学系100は、ガラス基板1Gに向けてレーザー光LBを照射するレーザー200と、ガラス基板1Gに照射されたレーザー光LBの散乱光SCを検出するセンサー300とを含む。センサー300としては、光電子増倍管PMTまたはアバランシェフォトダイオードAPDが用いられる。ガラス基板1Gは、スピンドル400エアスピンドル上に保持される。スピンドル400によってガラス基板1Gは回転させられる。また、光学系100は、図6中の矢印DR1方向ガラス基板1Gの径方向に移動可能である。ガラス基板1Gの回転および光学系100の移動により、ガラス基板1Gのクランプ部分全域にレーザー光LBを照射することが可能となる。図6に示すスピンドル400は、ガラス基板1Gの中央の孔から1mm以下の部分を保持している。この部分は、実際にクランプされない部分であるため、本実施例では、実際にクランプする部分に触れずにガラス基板1Gの強化および検査を行なうことが可能である。図7は、実施例2に係るクランプ部強化および検査工程S21を実施するための装置を示す図である。図7に示すように、実施例2に係る装置は、実施例1の変形例であって、スピンドル400として、上方が狭まるテーパー型の固定スピンドルを用いる。光学系100は、図7中の矢印DR1方向ガラス基板1Gの径方向に移動可能であるとともに、図7中の矢印DR2方向ガラス基板1Gの円周方向に回転可能である。光学系100の移動および回転により、ガラス基板1Gのクランプ部分全域にレーザー光LBを照射することが可能となる。実施例2のその他の部分については、実施例1と同様であるので、詳細な説明は繰り返さない。図8は、実施例3に係るクランプ部強化および検査工程S21を実施するための装置を示す図であり、aが側面図、bが上面図である。図8に示すように、実施例3に係る装置は、実施例1の変形例であって、ローラー500によってガラス基板1Gの外周部分を3点保持している。ローラー500が図8中の矢印DR3方向に回転することにより、ガラス基板1Gが回転する。また、光学系100は、図8中の矢印DR1方向ガラス基板1Gの径方向に移動可能である。ガラス基板1Gの回転および光学系100の移動により、ガラス基板1Gのクランプ部分全域にレーザー光LBを照射することが可能となる。実施例3のその他の部分については、実施例1と同様であるので、詳細な説明は繰り返さない。図9は、実施例1~3に係る装置を制御する機構を説明するための図である。図9aに示すように、制御機構は、コンピューター30と、モニター40とを備える。コンピューター30によって、実施例1~3に係る光学系100、レーザー200、センサー300、スピンドル400およびローラー500の動作が制御される。図9bは、制御操作を行なう際のモニター40の表示内容を示す図である。図9bに示すように、設定された強化検査領域41および入力されたパラメーター42がモニター40に表示される。図9cは、強化および検査工程S21により検出されたクランプ部の欠陥位置を表すモニター40の表示内容を示す図である。図9cに示すように、設定された強化検査領域41内において検出された欠陥の位置がモニター40に表示される。以上、本発明の実施の形態および実施例について説明したが、今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"