"半導体基板への不純物拡散成分の拡散保護に用いられるマスク材組成物であって、一般式a1で表される構成単位a1を含むシロキサン樹脂A1と、一般式b1で表されるジメチルシロキサン構成単位b1、及びアルキレンオキサイド構成単位b2を有する界面活性剤Bと、溶剤Cと、を含有し、前記界面活性剤Bは、含有量が5000ppm以下であり、ジメチルシロキサン構成単位b1とアルキレンオキサイド構成単位b2との存在比が35:65~99:1であることを特徴とするマスク材組成物。[一般式a1中、R1は単結合又は炭素数1~5のアルキレン基であり、R2は炭素数6~20のアリール基である。]前記アルキレンオキサイド構成単位b2は、エチレンオキサイド構成単位及びプロピレンオキサイド構成単位の少なくとも一方を含む請求項1に記載のマスク材組成物。前記シロキサン樹脂A1は、前記一般式a1で表される構成単位のみからなるシルセスキオキサン樹脂である請求項1又は2に記載のマスク材組成物。前記シルセスキオキサン樹脂は、一般式A1-2で表される請求項3に記載のマスク材組成物。[一般式A1-2中、R6、R8は単結合又は炭素数1~5のアルキレン基であり、R7、R9はアリール基であり、R6とR7からなる有機基と、R8とR9とからなる有機基とは互いに同じでも異なってもよく、異なる場合、m:nは1:99~99:1の範囲である。]前記溶剤Cは、沸点が100°C以上の有機溶剤C1を含有する請求項1乃至4のいずれか1項に記載のマスク材組成物。前記溶剤Cは、沸点が180°C以上の有機溶剤C2を含有する請求項1乃至5のいずれか1項に記載のマスク材組成物。半導体基板に、請求項1乃至6のいずれか1項に記載のマスク材組成物を選択的に塗布する工程と、前記半導体基板に塗布された前記マスク材組成物をマスクとして、不純物拡散成分を前記半導体基板に選択的に塗布し、拡散させる拡散工程と、を含むことを特徴とする不純物拡散層の形成方法。請求項7に記載の不純物拡散層の形成方法により不純物拡散層が形成された半導体基板を備えたことを特徴とする太陽電池。上述したマスク材組成物には、高精度なパターニング、もしくはより微細なパターニングを実現するために、半導体基板上に選択的に塗布された際に滲みや拡がりが少ないことが求められる。これに対し、本発明者らは鋭意検討した結果、半導体基板上に塗布されたマスク材組成物の滲みや拡がりの抑制に関して、従来のマスク材組成物には改善の余地があることを認識するに到った。本発明は、発明者によるこうした認識に基づいてなされたものであり、その目的は、半導体基板への不純物拡散成分の拡散の際に拡散保護のために形成するマスクに好適に採用可能なマスク材組成物、当該マスク材組成物を用いた不純物拡散層の形成方法、及び太陽電池を提供することにある。上記課題を解決するために、本発明のある態様はマスク材組成物である。このマスク材組成物は、半導体基板への不純物拡散成分の拡散保護に用いられるマスク材組成物であって、一般式a1で表される構成単位a1を含むシロキサン樹脂A1と、一般式b1で表されるジメチルシロキサン構成単位b1、及びアルキレンオキサイド構成単位b2を有する界面活性剤Bと、溶剤Cと、を含有し、界面活性剤Bは、含有量が5000ppm以下であり、ジメチルシロキサン構成単位b1とアルキレンオキサイド構成単位b2との存在比が35:65~99:1であることを特徴とする。[一般式a1中、R1は単結合又は炭素数1~5のアルキレン基であり、R2は炭素数6~20のアリール基である。]この態様によれば、半導体基板への不純物拡散成分の拡散の際に拡散保護のために形成するマスクに好適に採用可能なマスク材組成物を提供することができる。本発明の他の態様は不純物拡散層の形成方法である。この不純物拡散層の形成方法は、半導体基板に、上記態様のマスク材組成物を選択的に塗布する工程と、半導体基板に塗布されたマスク材組成物をマスクとして、不純物拡散成分を半導体基板に選択的に塗布し、拡散させる拡散工程と、を含むことを特徴とする。この態様によれば、より高精度に不純物拡散層を形成することができる。本発明のさらに他の態様は太陽電池である。この太陽電池は、上記態様の不純物拡散層の形成方法により不純物拡散層が形成された半導体基板を備えたことを特徴とする。この態様によれば、より信頼性の高い太陽電池を得ることができる。本発明によれば、半導体基板への不純物拡散成分の拡散の際に拡散保護のために形成するマスクに好適に採用可能なマスク材組成物、当該マスク材組成物を用いた不純物拡散層の形成方法、及び太陽電池を提供することができる。以下、本発明を好適な実施の形態をもとに説明する。実施の形態は、発明を限定するものではなく例示であって、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは、必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。本実施の形態に係るマスク材組成物は、半導体基板への不純物拡散成分の拡散保護に用いられるマスク材組成物であって、シロキサン樹脂Aと、界面活性剤Bと、溶剤Cと、を含有する。以下、各成分について詳細に説明する。<シロキサン樹脂A>シロキサン樹脂Aは、マスク材本体を構成する樹脂である。本実施の形態に係るマスク材組成物は、シロキサン樹脂Aとして、下記一般式a1で表される構成単位以下、適宜この構成単位を構成単位a1と称するを含むシロキサン樹脂A1を含有する。[一般式a1中、R1は単結合又は炭素数1~5のアルキレン基であり、R2は炭素数6~20のアリール基である。]ここで構成単位とは、高分子化合物重合体、共重合体を構成するモノマー単位単量体単位、ユニットを意味する。一般式a1中、R1の炭素数1~5のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、n-ブチレン基等の直鎖状のアルキレン基や、イソプロピレン基、t-ブチレン基等の分岐鎖状のアルキレン基が挙げられる。R1としては、メチレン基及びエチレン基が好ましい。また、一般式a1中、R2の炭素数6~20のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等が挙げられる。また、このアリール基は、アルコキシ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、イミノ基、アミノ基等の置換基を有していてもよい。R2としては、フェニル基及びナフチル基が好ましい。構成単位a1の具体例としては、例えば、下記式a1-1で表される構成単位以下、適宜この構成単位を構成単位a1-1と称する、下記式a1-2で表される構成単位以下、適宜この構成単位を構成単位a1-2と称する、下記式a1-3で表される構成単位以下、適宜この構成単位を構成単位a1-3と称する、及び下記式a1-4で表される構成単位以下、適宜この構成単位を構成単位a1-4と称するなどが挙げられる。また、シロキサン樹脂A1は、下記一般式a2で表される構成単位以下、適宜この構成単位を構成単位a2と称するを含んでもよい。[一般式a2中、R3は、炭素数1~20の脂肪族炭化水素基である。]一般式a2中、R3の炭素数1~20の脂肪族炭化水素基は、アルコキシ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、イミノ基、アミノ基等の置換基を有していてもよい。また、この脂肪族炭化水素基は、飽和又は不飽和のいずれでもよい。飽和炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-ブチル基、ヘキシル基、オクチルデシル基、ドデシル基、オクタデシル基等の直鎖状のアルキル基、イソプロピル基、t-ブチル基等の分岐鎖状のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基等の環状のアルキル基等が挙げられる。不飽和炭化水素基としては、例えば、プロペニル基アリル基、ブチニル基、1-メチルプロペニル基、2-メチルプロペニル基等が挙げられる。構成単位a2の具体例としては、R3がメチル基であるメチルシルセスキオキサンモノマー、R3がエチル基であるエチルシルセスキオキサンモノマー、R3がプロピル基であるプロピルシルセスキオキサンモノマーなどが挙げられる。構成単位a1と構成単位a2との共重合体であるシルセスキオキサン樹脂の具体例としては、例えば下記式A1-1で表されるものが挙げられる。[式A1-1中、j:kは、1:99~99:1の範囲である。]なお、構成単位a1と構成単位a2との共重合体は、構成単位a1の共重合比が50以上、すなわちj:kが50:50~1:99であることが好ましく、また、構成単位a1の共重合比が70以上、すなわちj:kが30:70~1:99であることがより好ましい。また、シロキサン樹脂A1は、下記一般式a3で表される構成単位以下、適宜この構成単位を構成単位a3と称するを含んでもよい。[一般式a3中、R4及びR5は、炭素数6~20のアリール基、又は炭素数1~20の脂肪族炭化水素基である。]一般式a3中、R4及びR5の炭素数6~20のアリール基、及び炭素数1~20の脂肪族炭化水素基の具体例は、R2の炭素数6~20のアリール基、及びR3の炭素数1~20の脂肪族炭化水素基と同様である。構成単位a3において、R4及びR5は、炭素数6~20のアリール基であることが好ましい。本実施の形態に係るマスク材組成物は、構成単位a1を含むシロキサン樹脂A1を含有している。構成単位a1に含まれるアリール基は、嵩高い構造を有する。そのため、アリール基に起因する立体障害によって、隣接する構成単位同士あるいは隣接するポリマー同士の結合が適度に抑えられる。また、半導体基板表面へのマスク形成の際に、マスク材組成物の熱硬化によって嵩高いアリール基が焼失して、マスク中にポーラスが形成される。そして、このポーラスによって、隣接する構成単位同士あるいは隣接するポリマー同士の結合シラノール脱水縮合による体積収縮が適度に抑えられる。そのため、構成単位a1を含むことでマスクに柔軟性を持たせることができる。これにより、半導体基板の表面の凹部でマスクの膜厚が大きくなった場合でも、当該箇所におけるクラックの発生を抑制することができる。すなわち、マスクのクラック耐性を向上させることができる。また、構成単位a1は、ケイ素Siの4つの結合手のうちの1つに嵩高いアリール基が結合した構造を有する。そのため、例えば従来のスピンオングラスSOGと比較した場合、マスクを構成するシロキサン樹脂Aは反応性が乏しく、したがって分子量の変化が小さい。よって、シロキサン樹脂Aの分子量が経時変化にともなって増大することを抑制することができる。これにより、マスク材の粘度等の特性が変化することを抑制でき、マスクのクラック耐性を向上させるとともに良好な塗布安定性を維持することができる。シロキサン樹脂A1は、構成単位a1を含むシルセスキオキサン樹脂であることが好ましい。また、構成単位a1と構成単位a2とを含むシルセスキオキサン樹脂であってもよい。シルセスキオキサン樹脂は、かご状構造などの3次元構造をとるため、3次元ネットワーク構造を形成しやすい。したがって、シロキサン樹脂A1がシルセスキオキサン樹脂である場合は、他のシロキサン樹脂の場合と比べてマスクのクラック耐性をより高めることができる。さらに、シロキサン樹脂A1は、構成単位a1のみからなるシルセスキオキサン樹脂であることが好ましい。この場合には、マスク中に含まれるアリール基の割合を増やすことができるため、マスクのクラック耐性の向上を図ることができ、またシルセスキオキサン樹脂によるクラック耐性向上効果も得ることができる。このようなシルセスキオキサン樹脂としては、例えば、下記一般式A1-2で表されるものが挙げられる。[一般式A1-2中、R6、R8は単結合又は炭素数1~5のアルキレン基であり、R7、R9はアリール基であり、R6とR7からなる有機基と、R8とR9とからなる有機基とは互いに同じでも異なってもよく、異なる場合、m:nは1:99~99:1の範囲である。]一般式A1-2で表されるシルセスキオキサン樹脂の具体例としては、例えば、下記式A1-2aで表されるもの以下、適宜シルセスキオキサン樹脂A1-2aと称するや、下記式A1-2bで表されるもの以下、適宜シルセスキオキサン樹脂A1-2bと称するなどが挙げられる。シロキサン樹脂A1の質量平均分子量は、1000~30000であることが好ましく、1500~10000であることがより好ましい。このような質量平均分子量の範囲にすることにより、良好な塗布安定性が得られる。なお、マスク材組成物は、シロキサン樹脂Aとして、構成単位a1を含まないシロキサン樹脂A2を含有してもよい。シロキサン樹脂A2としては、例えば構成単位a2のみからなるシルセスキオキサン樹脂、構成単位a3のみからなるシロキサン樹脂、又は構成単位a2及び構成単位a3からなるシロキサン樹脂などが挙げられる。マスク材組成物の樹脂濃度は、1~50であることが好ましく、5~40であることがより好ましい。このような樹脂濃度の範囲にすることにより、良好な塗布安定性が得られる。<界面活性剤B>界面活性剤Bは、下記一般式b1で表されるジメチルシロキサン構成単位b1を有する。また、界面活性剤Bは、アルキレンオキサイド構成単位b2を有する。アルキレンオキサイド構成単位b2は、エチレンオキサイドEO構成単位及びプロピレンオキサイドPO構成単位の少なくとも一方を含む。アルキレンオキサイド構成単位b2がEO構成単位及びPO構成単位を含む場合、EO構成単位とPO構成単位との存在比は、1:99~99:1とすることができる。界面活性剤Bにおけるジメチルシロキサン構成単位b1とアルキレンオキサイド構成単位b2との存在比は、35:65~99:1であり、好ましくは、40:60~99:1ある。ジメチルシロキサン構成単位b1の存在比を35以上とすることで、基板上におけるマスク材組成物の滲みや拡がりを抑制することができる。界面活性剤は通常、マスク材組成物の気液界面および固液界面に配向する。そして、本実施の形態における界面活性剤Bは、主骨格主鎖にジメチルシロキサン構成単位b1を含む。そのため、界面活性剤Bをシリコン基板上に塗布すると、ジメチルシロキサン構成単位b1がシリコン基板と界面活性剤Bの界面に現れる。その結果、シリコン基板上でのマスク材組成物の滲みや拡がりが抑制される。なお、マスク材組成物は、その他の界面活性剤を含有してもよい。その他の界面活性剤として、例えば、アニオン系、カチオン系、ノニオン系等の化合物が挙げられ、金属不純物の汚染リスクを低減する点からノニオン系界面活性剤が好ましい。界面活性剤Bのマスク材組成物における含有量は、5000ppm以下であり、好ましくは50~5000ppmであり、より好ましくは500~5000ppmである。界面活性剤Bの含有量を5000ppm以下とすることで、基板上におけるマスク材組成物のはじきや収縮を抑制することができる。<溶剤C>溶剤Cは、シロキサン樹脂A及び界面活性剤Bを溶解できるものであればよい。溶剤Cの具体例としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール類、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール等のグリコール類、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテルなどのグリコール誘導体類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、3ペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸ヘキシル、酢酸オクチル、酢酸2エチルヘキシル、酢酸3メトキシブチル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のエステル類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Nメチル‐2ピロリドン、γブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン等の極性溶剤、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類などが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、溶剤Cは、沸点が100°C以上の有機溶剤C1を含有することが好ましい。有機溶剤C1を含有することで、マスク材組成物の乾燥を抑制することができる。そのため、マスクパターンの形成にインクジェット印刷法を採用した場合に、マスク材組成物の乾燥によって起こるインクジェットノズルの目詰まりを防ぐことができる。また、マスクパターンの形成にスクリーン印刷法を採用した場合に、印刷版上でマスク材組成物が乾燥して固着してしまうのを回避することができる。したがって、溶剤Cに有機溶剤C1を含有させることで、半導体基板に高精度のマスクパターンを形成することができる。溶剤Cに有機溶剤C1を含有させる場合、有機溶剤C1は、溶剤Cの全質量に対し10質量以上となるように含有させることが好ましい。有機溶剤C1の具体例としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、2-メトキシブチルアセテート、3-メトキシブチルアセテート、4-メトキシブチルアセテート、2-メチル-3-メトキシブチルアセテート、2-エトキシブチルアセテート、4-エトキシブチルアセテート、4-プロポキシブチルアセテート、メチルイソブチルケトン、エチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸イソプロピル、メチル-3-メトキシプロピオネート、エチル-3-メトキシプロピオネート、エチル-3-エトキシプロピオネート、エチル-3-プロポキシプロピオネート、プロピル-3-メトキシプロピオネート、イソプロピル-3-メトキシプロピオネート、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、アセト酢酸メチル、乳酸メチル、乳酸エチル、ベンジルメチルエーテル、ベンジルエチルエーテル、ベンゼン、トルエン、キシレン、ブタノール、イソブタノール、3-メチル-3-メトキシブタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノールなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、溶剤Cは、沸点が180°C以上の有機溶剤C2を含有することが好ましい。有機溶剤C2を含有することで、マスク材組成物の乾燥をさらに抑制することができる。そのため、マスクパターンの形成にインクジェット印刷法を採用した場合に、マスク材組成物の乾燥によって起こるインクジェットノズルの目詰まりをより確実に防ぐことができる。また、マスクパターンの形成にスクリーン印刷法を採用した場合に、印刷版上でマスク材組成物が乾燥して固着してしまうのをより確実に回避することができる。したがって、溶剤Cに有機溶剤C2を含有させることで、半導体基板により高精度のマスクパターンを形成することができる。溶剤Cに有機溶剤C2を含有させる場合、有機溶剤C2は、マスク材組成物の全質量に対して、1~60であることが好ましく、5~50であることがより好ましく、10~40であることがさらに好ましい。このような範囲にすることにより、良好な塗布安定性が得られる。有機溶剤C2の具体例としては、エチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコール、プロピレングリコールジアセテート、1,3-ブチレングリコールジアセテート、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、グリセリン、ベンジルアルコール、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、3-エチル-3-メトキシブチルアセテート、2-メトキシペンチルアセテート、3-メトキシペンチルアセテート、4-メトキシペンチルアセテート、2-メチル-3-メトキシペンチルアセテート、3-メチル-3-メトキシペンチルアセテート、3-メチル-4-メトキシペンチルアセテート、4-メチル-4-メトキシペンチルアセテート、アセト酢酸エチル、乳酸ブチル、乳酸エチルヘキシル、ジヘキシルエーテル、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ-ブチロラクトン、テルピネオールなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。<その他>マスク材組成物中に含まれる金属不純物の濃度は、約500ppb以下であることが好ましく、約100ppb以下であることがより好ましい。また、マスク材組成物は、その他の添加剤として一般的な増粘剤などを含有してもよい。<不純物拡散層の形成方法、及び太陽電池の製造方法>図1A~図1Fを参照して、不純物拡散層の形成方法と、当該方法により不純物拡散層が形成された半導体基板を備える太陽電池の製造方法の一例について説明する。図1A~図1Fは、実施の形態に係る不純物拡散層の形成方法及び太陽電池の製造方法を説明するための工程断面図である。まず、図1Aに示すように、シリコン基板等のN型の半導体基板1上に、本実施の形態に係るマスク材組成物Mを選択的に塗布する。マスク材組成物Mは、インクジェット方式により半導体基板1の表面に選択的に塗布されてパターン状となる。すなわち、周知のインクジェット吐出機のインクジェットノズルから、半導体基板1の所定領域にマスク材組成物Mを吐出してパターニングする。インクジェット吐出機としては、電圧を加えると変形するピエゾ素子圧電素子を利用したピエゾ方式の吐出機を用いる。なお、加熱により発生する気泡を利用したサーマル方式の吐出機等を用いてもよい。マスクパターンを形成した後は、焼成してマスク材組成物Mを乾燥させる。次に、図1Bに示すように、半導体基板1上に塗布されたマスク材組成物Mをマスクとして、P型の不純物拡散成分を含有する拡散剤組成物2と、N型の不純物拡散成分を含有する拡散剤組成物3とを、半導体基板1上に選択的に塗布する。拡散剤組成物2及び拡散剤組成物3は、周知の方法で調整されたものである。次に、図1Cに示すように、拡散剤組成物2及び拡散剤組成物3がパターニングされた半導体基板1を、例えば電気炉等の拡散炉内に載置して焼成し、拡散剤組成物2中のP型の不純物拡散成分、及び拡散剤組成物3中のN型の不純物拡散成分を半導体基板1の表面から半導体基板1内に拡散させる。なお、拡散炉に代えて、慣用のレーザー照射により半導体基板1を加熱してもよい。このようにして、P型の不純物拡散成分が半導体基板1内に拡散して、P型不純物拡散層4が形成され、また、N型の不純物拡散成分が半導体基板1内に拡散して、N型不純物拡散層5が形成される。次に、図1Dに示すように、例えばフッ酸などの剥離剤を用いて、マスク材組成物M、拡散剤組成物2、及び拡散剤組成物3を除去する。次に、図1Eに示すように、熱酸化等により、半導体基板1のP型不純物拡散層4及びN型不純物拡散層5が形成された側の表面に、パッシベーション層6を形成する。また、半導体基板1のパッシベーション層6が形成された側と反対側の面に、ウェットエッチング法等の周知の方法により微細な凹凸構造を有するテクスチャ部を形成し、その上に太陽光の反射防止効果を有するシリコン窒化膜7を形成する。次に、図1Fに示すように、周知のフォトリソグラフィ法及びエッチング法により、パッシベーション層6を選択的に除去して、P型不純物拡散層4及びN型不純物拡散層5の所定領域が露出するようにコンタクトホール6aを形成する。そして、P型不純物拡散層4上に設けられたコンタクトホール6aに、例えば電解めっき法及び無電解めっき法により所望の金属を充填して、P型不純物拡散層4と電気的に接続された電極8を形成する。また、同様にして、N型不純物拡散層5上に設けられたコンタクトホール6aに、N型不純物拡散層5と電気的に接続された電極9を形成する。以上の工程により、本実施の形態に係る太陽電池10を製造することができる。以上説明したように、本実施の形態に係るマスク剤組成物は、構成単位a1を含むシロキサン樹脂A1と、ジメチルシロキサン構成単位b1、及びアルキレンオキサイド構成単位B2を有する界面活性剤Bと、溶剤Cとを含有する。そして、界面活性剤Bは、含有量が5000ppm以下であり、ジメチルシロキサン構成単位b1とアルキレンオキサイド構成単位b2との存在比が35:65~99:1である。そのため、構成単位a1を含むことによりマスクのクラック耐性の向上及び良好な塗布安定性の維持を図りながら、ジメチルシロキサン構成単位b1を含むことによりマスク材組成物の滲みや拡がりを抑制することができる。したがって、本実施の形態に係るマスク材組成物は、半導体基板への不純物拡散成分の拡散保護の際に形成されるマスクに好適に採用可能である。また、本実施の形態に係るマスク材組成物を用いて不純物拡散層を形成した場合には、より高精度に不純物拡散層を形成することができる。そして、このような不純物拡散層の形成方法により不純物拡散層が形成された半導体基板を太陽電池に用いた場合には、より信頼性の高い太陽電池を得ることができる。本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、当業者の知識に基づいて各種の設計変更などの変形を加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれるものである。上述の実施の形態と以下の変形例との組合せによって生じる新たな実施の形態は、組み合わされる実施の形態及び変形例それぞれの効果をあわせもつ。例えば、上述の実施の形態では、インクジェット印刷法により半導体基板1にマスク材組成物Mを選択的に塗布したが、スピンコート法、スプレー印刷法、ロールコート印刷法、スクリーン印刷法、凸版印刷法、凹版印刷法、オフセット印刷法等の他の印刷法を採用してもよい。また、上述の実施の形態では、マスク材組成物を太陽電池の製造に用いたが、特にこれに限定されず、半導体素子を搭載した様々な半導体装置の製造に用いることができる。以下、本発明の実施例を説明するが、これら実施例は、本発明を好適に説明するための例示に過ぎず、なんら本発明を限定するものではない。マスク材組成物の作成実施例1~5,比較例3,4:シロキサン樹脂A製品名TOS-174H、東レファインケミカル株式会社製、シルセスキオキサン樹脂A1-2bをメイン樹脂として含み、質量平均分子量450025.0質量と、界面活性剤Bとしてのアルキレンオキサイド変性ポリジメチルシロキサン0.1質量1000ppmと、溶剤CとしてのプロピレングリコールモノメチルエーテルPGME36.9質量、及びジプロピレングリコールモノメチルエーテルDPGME製品名MFDG、日本乳化剤株式会社製37.5質量と、添加剤としての密着剤0.5とを混合してマスク材組成物を作製した。実施例1~5は、本実施の形態の界面活性剤Bを添加したマスク材組成物である。比較例3,4は、ジメチルシロキサン構成単位b1とアルキレンオキサイド構成単位b2の存在比が本実施の形態から外れた界面活性剤Bを添加した点が実施例と異なるマスク材組成物である。比較例1:シロキサン樹脂A25.0質量と、溶剤CとしてのPGME37.0質量及びDPGME37.5質量と、添加剤としての密着剤0.5とを混合してマスク材組成物を作製した。比較例1は、界面活性剤Bを非添加とした点が実施例と異なるマスク材組成物である。比較例2:シロキサン樹脂A25.0質量と、界面活性剤Bとしての非シリコン系界面活性剤であるポリオキシレングリコールアルキルエーテル0.1質量1000ppmと、溶剤CとしてのPGME36.9質量及びDPGME37.5質量と、添加剤としての密着剤0.5とを混合してマスク材組成物を作製した。比較例2は、非シリコン系界面活性剤を添加した点が実施例と異なるマスク材組成物である。各実施例及び各比較例における界面活性剤B中のジメチルシロキサン構成単位b1とアルキレンオキサイド構成単位b2との存在比を表1に示す。アルキレンオキサイド構成単位b2について、実施形態1は、EO構成単位とPO構成単位との存在比を38:0とした。実施形態2は、EO構成単位とPO構成単位との存在比を26:0とした。実施形態3は、EO構成単位とPO構成単位との存在比を20:20とした。実施形態4は、EO構成単位とPO構成単位との存在比を50:12とした。実施形態5は、EO構成単位とPO構成単位との存在比を40:6とした。比較例3は、EO構成単位とPO構成単位との存在比を43:43とした。比較例4は、EO構成単位とPO構成単位との存在比を36:30とした。マスク材組成物の印刷各実施例及び各比較例のマスク材組成物を、インクジェット吐出機製品名MID-500C、武蔵エンジニアリング株式会社製を用いてシリコンウェハ上に吐出し、ライン状のマスクを印刷した。射出周波数は8500Hzとし、インクジェット吐出機の7つのノズルからマスク材組成物を吐出したビットマップ7ピクセル。ライン幅の設定値は420μmとした。ライン状マスクの形成後、各シリコンウェハをホットプレート上に載置し、200°Cで1分間乾燥させた。ライン幅の測定光学顕微鏡を用いて、各実施例及び各比較例のライン状マスクにおける乾燥前後のライン幅μmを計測した。乾燥前とは、ライン状マスクの形成後ホットプレート上に載置する前であり、乾燥後とは、200°Cのホットプレート上で1分間放置した後である。ライン幅は、ライン状マスクの5箇所について測定した値の平均値とした。また、設定値420μmに対する乾燥後のライン幅の誤差を算出した。各実施例及び各比較例の結果を表1に示す。界面活性剤Bの添加量評価上述した実施例3のマスク材組成物における界面活性剤Bの添加量を表2に示すように異ならせた実施例3-1~3-7、及び比較例5,6のマスク材組成物を作製した。なお、実施例3-4が上述した実施例3に相当する。作製したマスク材組成物を、上述した方法と同じ方法により、ライン幅の設定値を420μmとするライン状のマスクを形成した。そして、光学顕微鏡を用いて、実施例3-1~3-7及び比較例5,6のライン状マスクにおける乾燥前後のライン幅μmを計測し、設定値420μmに対する乾燥後のライン幅の誤差を算出した。実施例3-1~3-7、及び比較例5,6の結果を表2に示す。表1に示すように、実施例1~5は、比較例1~4に比べて設定値に対するライン幅の誤差が小さかった。このことから、ジメチルシロキサン構成単位b1の存在比が35以上である実施例1~5のマスク材組成物によれば、シリコンウェハ上に印刷した際の滲みや拡がりを抑制できることが分かった。したがって、各実施例のマスク材組成物は、インクジェット印刷法に好適に採用可能である。また、実施例1~3,5は、実施例4に比べてより誤差が小さかった。このことから、ジメチルシロキサン構成単位b1の存在比が40以上のときに滲みや拡がりをより抑制できることが分かった。また、通常、太陽電池に用いられる基板は表面に多数の凹凸を有する。そのため、基板上ではじきや収縮を示すマスク材組成物では、この凹凸に対する追従性が低く、マスクのライン形状を維持できない可能性が高い。そのため、マスク材組成物は、基板上で滲みや拡がりが少ないことが求められるとともに、それ以上に基板上ではじきや収縮がないことが求められる。これに対し、実施例1~5は、乾燥前後でライン幅の差がなかった。このことから、実施例1~5のマスク材組成物によれば、基板上でのマスクのはじきや収縮を抑制できることが分かった。また、表2に示すように、実施例3-1~3-7は乾燥前後でライン幅の差がないのに対し、比較例5,6は乾燥後にライン幅が減少した。これは、実施例3-1~3-7ではマスク材組成物のはじきや収縮が起こらなかったのに対し、比較例5,6ではマスク材組成物のはじきや収縮が起こったことを示す。このことから、界面活性剤Bの含有量が5000ppm以下である場合に、マスク材組成物のはじきや収縮を抑制できることが分かった。また、実施例3-3~3-7では、実施例3-1,3-2に比べてより誤差が小さかった。このことから、界面活性剤Bの含有量が500ppm以上のときに滲みや拡がりをより抑制できることが分かった。"