カーボン又はボロンを0.1~30at含有するSb-Te基合金焼結体スパッタリングターゲットであって、Sb-Te基合金粒子と微小なカーボンC又はボロンBの粒子の均一な混合組織を備え、Sb-Te基合金粒子の平均結晶粒径が3μm以下、標準偏差が1.00未満であり、C又はBの平均粒子径が0.5μm以下、標準偏差が0.20未満であり、前記Sb-Te基合金粒子の平均結晶粒径をX、カーボン又はボロンの平均粒子径をYとした場合、Y/Xが0.1~0.5の範囲にあることを特徴とするSb及びTeを主成分とするSb-Te基合金焼結体スパッタリングターゲット。Ag、In、Si、Ge、Ga、Ti、Au、Pt、Pdから選択した1種以上の元素を、最大30at含有することを特徴とする請求項1記載のSb-Te基合金焼結体スパッタリングターゲット。カーボン又はボロンを含有するAg-In-Sb-Te合金又はGe-Sb-Te合金からなる相変化記録層を形成するためのターゲットであることを特徴とする請求項1又は2記載のスパッタリング用Sb-Te基合金焼結体ターゲット。セラミックスの機械的強度の指標である平均抗折力が100MPa以上であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載のスパッタリング用Sb-Te基合金焼結体ターゲット。本発明は、カーボン又はボロンを添加した相変化記録層形成用Sb-Te基合金焼結体ターゲットにおいて、上記の諸問題点の解決、特にスパッタリングの際の、パーティクルの発生、異常放電アーキング、ノジュールの発生、ターゲットのクラック又は割れの発生等を効果的に抑制できるターゲットを提供するものである。特に、Ag-In-Sb-Te合金又はGe-Sb-Te合金からなる相変化記録層を形成するためのスパッタリング用Sb-Te基合金焼結体ターゲットを提供する。上記問題点を解決するための技術的な手段は、安定しかつ均質な相変化記録層は、粉末の性状並びにターゲットの構造及び特性を工夫することによって得ることができるとの知見を得た。具体的にはターゲットを構成しているSb-Te基合金粉末の微細化及びカーボン粉又はボロン粉との相互の位置及び形状の分散の均一性を向上することである。また、均一性と微細化が向上することによって、ターゲットの機械的強度が向上し、安定したスパッタが実現される。この知見に基づき、本発明は1カーボン又はボロンを0.1~30at含有するSb-Te基合金焼結体スパッタリングターゲットであって、Sb-Te基合金粒子と微小なカーボンC又はボロンBの粒子の均一な混合組織を備え、Sb-Te基合金粒子の平均結晶粒径が3μm以下、標準偏差が1.00未満であり、C又はBの平均粒子径が0.5μm以下、標準偏差が0.20未満であり、前記Sb-Te基合金粒子の平均結晶粒径をX、カーボン又はボロンの平均粒子径をYとした場合、Y/Xが0.1~0.5の範囲にあることを特徴とするSb及びTeを主成分とするSb-Te基合金焼結体スパッタリングターゲット、を提供する。本発明は、また2Ag、In、Si、Ge、Ga、Ti、Au、Pt、Pdから選択した1種以上の元素を、最大30at含有することを特徴とする上記1記載のSb-Te基合金焼結体スパッタリングターゲット3カーボン又はボロンを含有するAg-In-Sb-Te合金又はGe-Sb-Te合金からなる相変化記録層を形成するためのターゲットであることを特徴とする上記1又は2記載のスパッタリング用Sb-Te基合金焼結体ターゲット、4平均抗折力が100MPa以上であることを特徴とする上記1~3のいずれか一項に記載のスパッタリング用Sb-Te基合金焼結体ターゲット、を提供する。本発明のSb-Te基合金焼結体は、添加した非金属であるカーボン又はボロンが凝集したダマ粗大粒子などの異常組織を抑制することができるので、これらを起点とする異常放電を防止することが可能となり、アーキングによるパーティクルの発生を抑制することができ、さらにスパッタ膜の均一性が向上するという優れた効果を有する。また、ターゲットの仕上げの段階で、切削加工等の機械加工を行うが、粗大化したカーボンやボロンが存在する場合には、それらを起点としたクラック等が発生する虞があり、これを起点とするパーティクル発生も考えられたが、本発明により、これらも未然に防止できるという大きな効果が得られた。本発明は、Sb-Te基合金を、ジェットミルなどを用いて微粉砕して得たSb-Te基合金粉末及びカーボンC又はボロンB粉末を使用し、これを機械的に混合した後焼結し、焼結体スパッタリングターゲットを得る。上記ジェットミルに替えて振動ミル又は遊星ボールミル等を使用することもできる。上記混合に際しては、必要に応じ、回転翼混合機、乳鉢、ボールミルなどによる混合機を使用することができる。混合においては、凝集体を破壊しC又はBを物理的に練りこむような機構を備えたものが望ましい。一般に、Sb-Te基合金粉末のジェットミル粉砕は、ガスアトマイズ粉あるいは機械粉砕粉末に比べ極めて微細な粉末を得ることができ、粉砕機械の使用による汚染が防止できるという特徴を有している。このジェットミル粉砕粉を用いて焼結したターゲットは、後述するように、機械粉砕した粉末に比べ特性上優れている。上記の通り、ジェットミル粉砕粉の使用は、より好ましい形態である。しかし、本願発明の条件を満たしている限り、ジェットミル以外の機械粉砕粉を使用することが直ちに問題となるものではない。機械粉砕するに際しては、酸素含有量を低減させるために、不活性雰囲気中で機械粉砕することが望ましい。機械粉砕には、振動ボールミルなどを使用することができる。本発明のSb-Te基合金焼結体スパッタリングターゲットは、Sb-Te基合金粒子と微小なカーボンC又はボロンBの粒子が均一に混合した組織を備えていることが大きな特徴である。カーボン又はボロンは0.1~30at含有する。Sb-Te基合金粒子の平均結晶粒径が3μm以下、標準偏差が1.00未満である。また、C又はBの平均粒子径が0.5μm以下、標準偏差が0.20未満である。さらに、前記Sb-Te基合金粒子の平均結晶粒径をX、カーボン又はボロンの平均粒子径をYとした場合、Y/Xが0.1~0.5の範囲とする。なお、カーボン又はボロンの平均粒子径は、凝集したカーボン又はボロンの粒子径を含むものとする。このターゲットの条件は、スパッタリングの際の、パーティクルの発生、異常放電アーキング、ノジュールの発生、ターゲットのクラック又は割れの発生を好適に抑制する上で必要不可欠な条件である。この条件を備えたターゲットを用いてスパッタリングすることにより、従来に比較して、より均一な膜を形成することが可能となる。特に、パーティクル発生の原因は、Sb-Te基合金粒子の径とカーボン又はボロンの粒子径の比が重要である。その比は最適な条件があり、Y/Xが0.1~0.5の範囲にある場合に、アーキング及びパーティクルの発生を大きく抑制できる効果がある。前記カーボン又はボロンを0.1~30at含有させること、Sb-Te基合金粒子の平均結晶粒径を3μm以下とし標準偏差を1.00未満とすること、さらにC又はBの平均粒子径を0.5μm以下とし標準偏差を0.20未満とすることは、Y/Xを0.1~0.5を実現する上で、重要な要件となることが容易に理解できるであろう。Y/Xが1/2を超えるようなY/Xの場合には、アーキング及びパーティクル発生の抑制効果が低く、焼結性も悪いため低密度で割れなどの問題が発生する。また、Y/Xが0.1未満の場合はカーボン粉又はボロン粉が本技術で分離分散できる最小サイズを下回るため製造することが困難である。したがって、上記の範囲とすることが好ましい。また、Sb-Te基合金粒子は、カーボン又はボロンの粒子径とのバランスの上で、必要な粒子径が望まれる。Sb-Te基合金粒子の平均結晶粒径が3μm以下、標準偏差が1.00未満の均一組織であることが、より望ましいと言える。多くの場合、粗大化したSb-Te基合金粒子は小さいSb-Te基合金粒子を伴うものであり、粗大化したSb-Te基合金粒子と小さいSb-Te基合金粒子との混在は組織の不均一化を招く。したがって、同様にアーキング及びパーティクルの発生原因となる。また、ターゲットの結晶粒径を小さくすることにより、エロージョンされたターゲットの表面を、エロージョン後も平滑とすることができ、従前のエロージョン面に発生した凹凸にリデポが付着し、それがノジュールに成長し、これが崩壊することによって発生するパーティクルも抑制することが可能となるという利点がある。また、上記の条件のターゲットを作製する場合には、カーボン又はボロンの選択と混合及びこれらの焼結体の製造条件を調整することが重要である。しかしながら、これは、上記Sb-Te基合金粒子の平均結晶粒径が3μm以下、標準偏差が1.00未満であり、またC又はBの平均粒子径が0.5μm以下、標準偏差が0.20未満であり、かつY/Xが0.1~0.5の範囲に調整する為に行うものであって、その範囲に十分調整できるのであれば、必ずしも特定の製造工程のみに限定されるものではない。以上から、カーボン又はボロンを除くSb-Te基合金焼結体の原料として、上記の理由でジェットミル粉を用いることが、好ましい条件である。また、添加するカーボン又はボロンの含有量は0.1~30atとすることが望ましい。0.1at未満では添加の効果がなく、また30atを超える添加では、焼結体の密度の低下により機械的強度が低下し製品加工やスパッタリングの際に割れるなどの問題が生じるからである。また、本願発明のSb-Te基合金焼結体スパッタリングターゲットは、副成分として、Ag、In、Si、Ge、Ga、Ti、Au、Pt、Pdから選択した1種以上の元素を、最大30at含有させることができる。添加の効果を持たせるためには、通常15at以上とするのが良い。Sbの含有量も15~30atを添加し、残量をTeとする。添加元素として、Ag、In、Si、Ge、Ga、Ti、Au、Pt、Pdから選択した1種以上の元素を最大30at含有させる場合には、所望のガラス転移点や変態速度を得ることができる。特に、カーボン又はボロンを含有するAg-In-Sb-Te合金又はGe-Sb-Te合金からなるターゲットが相変化記録層形成用として有効な成分である。さらに、スパッタリング用Sb-Te基合金焼結体ターゲットは、平均抗折力が100MPa以上を有することが望ましい。この平均抗折力100MPa以上は、セラミックスの機械的強度の指標となり、併せてパーティクル発生を低減する目安となるからである。本願発明は、これを達成することができる。また、Sb-Te基合金焼結体スパッタリングターゲットの純度を上げることにより、主成分又は添加副成分以外の不純物、例えば酸化物等は、それを起点とする異常放電アーキングの原因となる。本願発明では、4N以上の純度を有し、この不純物によるアーキングを効果的に防止することが可能となり、アーキングによるパーティクルの発生を抑制することができる。純度はさらに5N以上であることが望ましい。また、不純物であるガス成分の含有量を1500ppm以下とすることが望ましい。これを超える酸素、窒素、炭素等のガス成分の含有は、酸化物、窒化物、炭化物等の不純物発生の原因となり易い。これを減少させることは、アーキングを防止し、このアーキングによるパーティクルの発生を抑制することにつながる。このように、本願発明のSb-Te基合金焼結体は、添加した非金属であるカーボンやボロンの粗大化を抑制しているので、これらを起点とする異常放電を防止することが可能となり、アーキングによるパーティクルの発生を抑制することができるという優れた効果を有する。これにより、スパッタリング薄膜の均一性を向上させることができる。さらに、ターゲットの仕上げの段階で、切削加工等の機械加工を行うが、粗大化したカーボンやボロンが存在する場合には、それらを起点としたクラック等が発生する虞があり、これを起点とするパーティクル発生も考えられたが、本発明により、これらも未然に防止できるという大きな効果が得られる大きな効果を得ることができる。このように、本願発明の結晶構造の相変化ターゲットは、スパッタエロージョンによる表面凹凸が減少し、ターゲット上面へのリデポ再付着物膜剥離によるパーティクル発生が抑制できる効果がある。また、このような組織によりスパッタ膜も面内及びロット間の組成変動が抑えられ、相変化記録層の品質が安定するというメリットがある。そして、このようにスパッタリングの際の、パーティクルの発生、異常放電、ノジュールの発生等を効果的に抑制することができ、薄膜の均一性を向上させる効果を有する。本発明のSb-Te基スパッタリングターゲットにおいて、さらに、付加的に酸素等のガス成分含有量を1500ppm以下、特に1000ppm以下さらには、酸素等のガス成分含有量を500ppm以下とすることができる。このような酸素等のガス成分の低減は、パーティクルの発生や異常放電の発生をさらに低減することができるメリットがある。本発明の実施例について説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例に制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想の範囲内で、実施例以外の態様あるいは変形を全て包含するものである。実施例1ガス成分を除くそれぞれの純度が4N以上であるGe、Sb、Te粉末原料をGe22.2Sb22.2Te55.6合金となるように調合合成し、この合金原料を、ジェットミル粉砕機を用いてアルゴンの不活性雰囲気中で粉砕した。これにより平均直径3μm以下の粉末Pを得た。次に、粒子径20~750nmのカーボン粉末Cを、表1に示すように、所定の混合割合0.1~30atで、前記粉末Pと、乳鉢、遊星ボールミル、振動ミルを使用して混合した。この混合割合は、適正な範囲とすることが必要であり、これを逸脱する場合、すなわち0.1at未満では添加の効果がなく、また30atを超える添加では、焼結体の密度の低下により機械的強度が低下し製品加工やスパッタリングの際に割れるなどの問題が生じる傾向が見られた。次に、このように混合した粉末のうち実施例1-3の組成比カーボン粉末の混合量0.15atで、それぞれの粉の粒度の比Y/Xを表2のように変えた原料粉を用いてホットプレスにより焼結し、さらにこの焼結体を機械加工及び研磨して、上記所定量のカーボンを含有するGe22.2Sb22.2Te55.6合金ターゲットとした。Xは、Ge22.2Sb22.2Te55.6合金粒子の平均結晶粒径、Yは、カーボンの平均粒子径である。このようにして得たスパッタリングターゲットはSb-Te基合金粒子と微小なカーボンCの粒子の均一な混合組織を備えていた。この場合、Ge22.2Sb22.2Te55.6合金粒子の平均結晶粒径を3μm以下、標準偏差を1.00未満とし、Cの平均粒子径を0.5μm以下、標準偏差が0.20未満を達成するようにした。ここでY/Xが0.1~0.5の範囲にあるようにすることが重要である。表2に、乳鉢混合を用い、カーボン粉末の混合量が0.15atの場合の本実施例のターゲットの相対密度を示す。カーボンは凝集し易く、混合状態が不十分である場合には、ダマが発生するという問題がある。このため、均一混合が重要であり、それを達成するための手段として、Y/Xが0.1~0.5の範囲とすることが必要となる。表2の実施例1-16~実施例1-25に示すように、ターゲットの相対密度は、96.51~99.99になり、0.3μm以上のパーティクルの発生個数は、26個~50個と、いずれも少なかった。比較例1比較として、実施例1-3の組成比の原料を用いて、Y/Xが0.1~0.5の範囲外である0.608と0.811に調整し、実施例1と同様にしてGe22.2Sb22.2Te55.6合金ターゲットを作製した。この結果、表2の比較1-A、比較1-Bに示すように、ターゲットの相対密度は実施例1よりも低下し、それぞれ97.50、96.51となり、パーティクルの発生は、81個、>100個と増加し、悪い結果となった。このように、Y/Xが0.5を超えるようなY/Xの場合には、アーキング及びパーティクル発生の抑制効果が低く、焼結性も悪いため低密度で割れなどの問題が発生した。また、Y/Xが0.1未満の場合はカーボン粉が本技術で分離分散できる最小サイズを下回るため製造することが困難であった。次に、実施例1-16のターゲット組織のSEM写真を図1に示す。この図1に示すように、クラック等の欠陥は全く見られず、Ge22.2Sb22.2Te55.6合金粒子の周囲に微小なカーボンの粒子が包囲する組織を備えていた。100kWhrまでのスパッタリングを実施した場合の、200mmφSiウエハー上に形成された0.3μm以上のパーティクル発生個数は、上記の通り26個であり、優れたターゲットが得られた。比較例1-Aのターゲット組織のSEM写真を図2に示す。この図2では、中央部から上部左右にかけて、まだらな組織ムラがあり、粗大なカーボンのだまが見られる。なお、図2に示す組織のターゲットを使用した場合には、上記比較例1-Aに示す通り、200mmφSiウエハー上に形成された0.3μm以上のパーティクル発生個数が81個に増加し、明らかに悪い結果となった。図3に、カーボン粉を15at添加した場合の、上記実施例1及び比較例1のGe-Sb-Te合金の機械的強度を示す。この図3のグラフにおいて、右に行くほど、高強度抗折力が大きいで強い材料と言える。平均抗折力の強度は、この抗折力の各値を積算し、サンプル数で割って得ることができる。図3の縦軸は、積算破断確率であり、同試料から作製したサンプルの個数で、1を割ったものである。例えば、4個の試料があれば、0.25、0.50、0.75、1.00の4点をプロットすることができる。図3に示す例では、比較1-A及び比較1-Bは、カーボン粉の粒子径が相対的に大きいので、グラフの左側寄りの弱い値となっている。これに対して、実施例1-18、実施例1-21、実施例1-24は、カーボン粉の粒子径が相対的に小さくなる程きれいに分散し、機械的強度が大きくなっているのが分かる。実施例2上記実施例1と同様に、ガス成分を除くそれぞれの純度が4N以上であるGe、Sb、Te粉末原料をGe22.2Sb22.2Te55.6合金となるように調合合成し、この合金原料を、ジェットミル粉砕機を用いてアルゴンの不活性雰囲気中で粉砕した。これにより平均直径3μm以下の粉末Pを得た。次に、粒子径20~750nmのボロンBを、表3に示すように、所定の混合割合0.1~30atで、前記粉末Pと、乳鉢、遊星ボールミル、振動ミルを使用して混合した。この混合割合は、適正な範囲とすることが必要であり、これを逸脱する場合、すなわち0.1at未満では添加の効果がなく、また30atを超える添加では、焼結体の密度の低下により機械的強度が低下し製品加工やスパッタリングの際に割れるなどの問題が生じる傾向が見られた。次に、このように混合した粉末のうちの実施例2-10のボロン粉末の混合量15atのボロン粉で、それぞれの粉の粒度の比Y/Xを、表4に示す原料粉を用いてホットプレスにより焼結し、さらにこの焼結体を機械加工及び研磨して、上記所定量のボロンを含有するGe22.2Sb22.2Te55.6合金ターゲットとした。Xは、Ge22.2Sb22.2Te55.6合金粒子の平均結晶粒径、Yは、ボロンの平均粒子径である。これらを実施例2-19~実施例2-28とする。このようにして得たスパッタリングターゲットは、いずれもSb-Te基合金粒子と微小なボロンBの粒子の均一な混合組織を備えていた。この場合、Ge22.2Sb22.2Te55.6合金粒子の平均結晶粒径を3μm以下、標準偏差を1.00未満とし、Bの平均粒子径を0.5μm以下、標準偏差が0.20未満を達成するようにした。ここで、Y/Xが0.1~0.5の範囲にあるようにすることが重要である。表4に、乳鉢混合を用い、ボロン粉末の混合量が15atの場合の、本実施例のターゲットの相対密度を示す。微細なボロンはカーボンと同様に凝集し易く、混合状態が不十分である場合には、ダマが発生するという問題がある。このため、均一混合が重要であり、それを達成するための手段として、Y/Xが0.1~0.5の範囲とすることが必要となる。このようにして得た実施例2-19のターゲット表面をSEM観察したところ図1と類似したものであった。クラック等の欠陥は全く見られず、Ge22.2Sb22.2Te55.6合金粒子の周囲に微小なボロンの粒子が包囲する組織を備えていた。100kWhrまでのスパッタリングを実施した場合の、200mmφSiウエハー上に形成された0.3μm以上のパーティクル発生個数は28~66個であり、優れたターゲットが得られた。以上の結果を表4に示す。比較例2比較として、実施例2-10の組成比の原料を用いて、前記Ge22.2Sb22.2Te55.6合金粒子の平均結晶粒径をX、ボロンの平均粒子径をYとした場合、Y/Xが0.1~0.5の範囲外である0.610と0.792に調整し、実施例2と同様にしてGe22.2Sb22.2Te55.6合金ターゲットを作製した。この結果、比較2-A、比較2-Bに示すように、ターゲットの相対密度は実施例2よりも低下し、それぞれ97.13、96.36となり、0.3μm以上のパーティクルの発生個数は、83個、>100個と増加し、明らかに悪い結果となった。結果として、Y/Xが0.5を超えるようなY/Xの場合には、アーキング及びパーティクル発生の抑制効果が低く、焼結性も悪いため低密度で割れなどの問題が発生した。また、Y/Xが0.1未満の場合はボロン粉が本技術で分離分散できる最小サイズを下回るため製造することが困難であった。Y/Xが0.5を超え、Y/Xが0.610である場合のターゲットをSEM観察したところ図2と類似しており、粗大なボロンのだまが見られた。実施例3、一部比較例3ガス成分を除くそれぞれの純度が4N以上であるIn、Sb、Te粉末原料をIn22.2Sb22.2Te55.6合金となるように調合合成し、この合金原料を、ジェットミル粉砕機を用いてアルゴンの不活性雰囲気中で粉砕した。これにより平均直径3μm以下の粉末Pを得た。次に、粒子径7~750nmのカーボン粉末C及びボロン粉末Bを、表5に示す混合割合カーボン粉末とボロン粉末の合計で0.1~30atで、前記粉末Pと、乳鉢を使用して混合した。この混合割合は、適正な範囲とすることが必要であり、これを逸脱する場合、すなわち0.1at未満では添加の効果がなく、また30atを超える添加では、焼結体の密度の低下により機械的強度が低下し製品加工やスパッタリングの際に割れるなどの問題が生じる傾向が見られた。次に、このように混合した粉末のうちの実施例3-4のカーボン及びボロン粉末の混合量カーボン粉末が15at、ボロン粉末が15at、合計で30atで、それぞれの粉の粒度の比Y/Xを表6に示す原料分を用いてホットプレスにより焼結し、さらにこの焼結体を機械加工及び研磨して、上記所定量のカーボン又はボロンを含有するIn22.2Sb22.2Te55.6合金ターゲットとした。Xは、In22.2Sb22.2Te55.6合金粒子の平均結晶粒径、Yは、カーボンとボロンの混合粉の平均粒子径である。このようにして得たSb-Te基合金焼結体スパッタリングターゲットは、Sb-Te基合金粒子と微小なカーボンC又はボロンBの粒子の均一な混合組織を備えていた。この場合、In22.2Sb22.2Te55.6合金粒子の平均結晶粒径を3μm以下、標準偏差を1.00未満とし、C又はBの平均粒子径を0.5μm以下、標準偏差が0.20未満を達成するようにした。ここで、Y/Xが0.1~0.5の範囲にあるようにすることが重要である。表6に、乳鉢混合を用い、カーボン粉末を15at、ボロン粉末を15atの混合量とした場合の、本実施例のターゲットのY/Xの比率と同ターゲットの相対密度を示す。表6に示すように、実施例3-5~3-14のターゲットの相対密度は、97.85~98.35となり、いずれも高密度のターゲットが得られた。微細なカーボン及びボロンは凝集し易く、混合状態が不十分である場合には、ダマが発生するという問題がある。このため、均一混合が重要であり、それを達成するための手段として、Y/Xが0.1~0.5の範囲とすることが必要となる。結果として、Y/Xが0.5を超えるようなY/Xの場合には、アーキング及びパーティクル発生の抑制効果が低く、焼結性も悪いため低密度で割れなどの問題が発生した。また、Y/Xが0.1未満の場合はカーボン粉及びボロン粉が本技術で分離分散できる最小サイズを下回るため製造することが困難であった。このようにして得た実施例3-5のターゲット表面をSEM観察したところ、実施例1-16と同様にクラック等の欠陥は全く見られず、In22.2Sb22.2Te55.6合金粒子の周囲に微小なカーボン又はボロンの粒子が包囲する組織を備えていた。比較例として、比較3-A及び比較3-Bを表6に示す。この表6に示すように、Y/Xが0.5を超え、Y/Xが0.614である場合のターゲットをSEM観察したが、まだらな組織があり、粗大なカーボン又はボロンのだまが見られた。また、比較3-A及び比較3-Bの相対密度は、96.62、95.51となり、実施例と比較して、低下した。本実施例3において、100kWhrまでのスパッタリングを実施した場合の、200mmφSiウエハー上に形成された0.3μm以上のパーティクル発生個数は、カーボンとボロンの混合量が多いにも関わらず、46~75個であり、優れたターゲットが得られた。なお、比較としてY/Xが1/2を超え、Y/Xが0.614、Y/Xが0.789である場合のターゲットを使用した場合には、200mmφSiウエハー上に形成された0.3μm以上のパーティクル発生個数が>100個に増加し、明らかに悪い結果となった。実施例4、一部比較例4ガス成分を除くそれぞれの純度が4N以上であるAg、In、Sb、Te粉末原料をAg5In5Sb70Te20合金となるように調合合成し、この合金原料を、ジェットミル粉砕機を用いてアルゴンの不活性雰囲気中で粉砕した。これにより平均直径3μm以下の粉末Pを得た。次に、粒子径20~750nmのカーボン粉末C及びボロン粉末Bを、表7に示す混合割合0.1~30atで、前記粉末Pと、乳鉢を使用して混合した。この混合割合は、適正な範囲とすることが必要であり、これを逸脱する場合、すなわち0.1at未満では添加の効果がなく、また30atを超える添加では、焼結体の密度の低下により機械的強度が低下し製品加工やスパッタリングの際に割れるなどの問題が生じる傾向が見られた。次に、このように混合した粉末をホットプレスにより焼結し、さらにこの焼結体を機械加工及び研磨して、上記所定量のカーボン又はボロンを含有するAg5In5Sb70Te20合金ターゲットとした。このようにして得た、カーボン及びボロンを0.1~30at含有するSb-Te基合金焼結体スパッタリングターゲットはSb-Te基合金粒子と微小なカーボンC及びボロンBの粒子の均一な混合組織を備えていた。この場合、Ag5In5Sb70Te20合金粒子の平均結晶粒径を3μm以下、標準偏差を1.00未満とし、C又はBの平均粒子径を0.5μm以下、標準偏差が0.20未満を達成するようにした。さらに、前記Ag5In5Sb70Te20合金粒子の平均結晶粒径をX、カーボン及びボロンの平均粒子径をYとした場合、Y/Xが0.1~0.5の範囲にあるようにすることが重要である。表8に、乳鉢混合を用い、ボロン粉末の混合量を15at、カーボン粉末の混合量を15at、合計で30atとした場合の本実施例のターゲットのY/Xの比率と同ターゲットの密度を示す。実施例4-5~実施例4-14の相対密度は、97.80~98.25の範囲にあった。一方、微細なカーボン又はボロンは凝集し易く、混合状態が不十分である場合には、ダマが発生するという問題がある。このため、均一混合が重要であり、それを達成するための手段として、Y/Xが0.1~0.5の範囲とすることが必要となる。比較例として、比較4-A、比較4-Bを同様に、表8に示す。また、比較4-A及び比較4-Bの相対密度は、96.52、95.40となり、実施例と比較して、低下した。結果として、Y/Xが0.5を超えるようなY/Xの場合には、アーキング及びパーティクル発生の抑制効果が低く、焼結性も悪いため低密度で割れなどの問題が発生した。また、Y/Xが0.1未満の場合はカーボン粉又はボロン粉が本技術で分離分散できる最小サイズを下回るため製造することが困難であった。このようにして得た本実施例4-5のターゲット表面をSEM観察したところ、実施例1-16と同様にクラック等の欠陥は全く見られず、Ag5In5Sb70Te20合金粒子の周囲に微小なカーボン又はボロンの粒子が包囲する組織を備えていた。比較例4に示すように、Y/Xが0.5を超え、Y/Xが0.613である場合のターゲットの表面をSEM観察したが、まだらな組織があり、粗大なカーボン又はボロンのだまが見られた。実施例4では、100kWhrまでのスパッタリングを実施した場合の、200mmφSiウエハー上に形成された0.3μm以上のパーティクル発生個数は、カーボンとボロンの混合量が多いにも関わらず、47~7580個であり、優れたターゲットが得られた。なお、上記比較4-A、比較4-Bに示すように、Y/Xが0.5を超え、Y/Xが0.614である場合のターゲットを使用した場合には、200mmφSiウエハー上に形成された0.3μm以上のパーティクル発生個数が>100個に増加し、明らかに悪い結果となった。比較例4-AのY/Xが3/5、比較例4-BのY/Xが0.804である場合のターゲットを使用した場合には、200mmφSiウエハー上に形成された0.3μm以上のパーティクル発生個数が、いずれも>100個に増加し、悪い結果となった。本実施例では、カーボン又はボロンを添加したGe22.2Sb22.2Te55.6合金ターゲット、In22.2Sb22.2Te55.6合金及びAg5In5Sb70Te20合金ターゲットについて説明した。この他に、副成分として、上記を含むAg、In、Si、Ge、Ga、Ti、Au、Pt、Pdから選択した1種以上の元素を添加した場合についても検証したが、カーボン又はボロンを添加する効果については、同様の結果となった。すなわち、一般に相変化記録膜用Sb-Te基合金材料と称せられる材料の中で、添加成分となるAg、In、Si、Ge、Ga、Ti、Au、Pt、Pdから選択した1種以上の元素は等価であり、均等物と言えるものである。したがって、これらについては、実施例を示すまでもなく、同等の効果を有するものである。本願発明のSb-Te基合金焼結体スパッタリングターゲットにおいても同様である。