"下記一般式1で表されるアリールアミンポリマーを酸化ドーピングしてなり、導電率が3.0×10-2S/cm以上であることを特徴とする導電性高分子。式中、Ar1は無置換又は置換基を有する炭素数6~20の芳香族基であるものを表す。R1は水素原子、無置換又は置換基を有する炭素数1~6のアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。mは1以上の整数である。一般式1において、Ar1は下記一般式2又は3であることを特徴とする請求項1に記載の導電性高分子。式中、R2は水素原子、無置換又は置換基を有する炭素数1~6のアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。酸化ドーピングに使用するドーパントが、ハロゲンであることを特徴とする請求項1又は2に記載の導電性高分子。酸化ドーピングに使用するドーパントが、ヨウ素または臭素であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の導電性高分子。上記一般式1で表されるアリールアミンポリマーにドーパントを添加し、酸化ドーピングを行うことにより得られることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の導電性高分子の製造方法。本発明は、上記の背景技術に鑑みてなされたものであり、ヨウ素などにより酸化ドーピングすることで良好な導電性を有する導電性高分子及びその製造方法を提供することである。本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は以下に示すとおり、二級のアリールアミンポリマーをヨウ素などのドーパントで酸化ドーピングすることで良好な導電性を発現することを見出した。[1]下記一般式1で表されるアリールアミンポリマーを酸化ドーピングしてなり、導電率が3.0×10-2S/cm以上であることを特徴とする導電性高分子。式中、Ar1は無置換又は置換基を有する炭素数6~20の芳香族基であるものを表す。R1は水素原子、無置換又は置換基を有する炭素数1~6のアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。mは1以上の整数である。[2]一般式1において、Ar1は下記一般式2又は3であることを特徴とする上記[1]に記載の導電性高分子。式中、R2は水素原子、無置換又は置換基を有する炭素数1~6のアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。[3]酸化ドーピングに使用するドーパントが、ハロゲンであることを特徴とする上記[1]又は[2]に記載の導電性高分子。[4]酸化ドーピングに使用するドーパントが、ヨウ素または臭素であることを特徴とする上記[1]~[3]のいずれかに記載の導電性高分子。[5]上記一般式1で表されるアリールアミンポリマーにドーパントを添加し、酸化ドーピングを行うことにより得られることを特徴とする上記[1]~[4]のいずれかに記載の導電性高分子の製造方法。本発明のヨウ素などのハロゲンで酸化ドーピングした導電性高分子は、従来のポリアニリンのヨウ素による酸化ドーピング体よりも高い導電性を有する材料であり、有機エレクトロニクス分野での幅広い応用が期待される。以下、本発明を詳細に説明する。本発明の導電性高分子は、上記一般式1で表されるアリールアミンポリマーを酸化ドーピングしてなり、導電率が3.0×10-2S/cm以上であることを特徴とする導電性高分子であり、一般式1において、置換基Ar1は、無置換又は置換基を有する炭素数6~20の芳香族基であり、その中でも特に、上記一般式2又は3であることが好ましい。R1は、水素原子、無置換又は置換基を有する炭素数1~6のアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基である。一般式1における置換基R1としては、上記の定義に該当すれば特に限定されるものではなく、具体的には、例えば水素原子の他;メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert-ペンチル基、シクロペンチル基、n-へキシル基、2-エチルブチル基、3,3-ジメチルブチル基、シクロヘキシル基、n-へプチル基、シクロヘキシルメチル基、n-オクチル基、トリフルオロメチル基等の炭素数1~6のアルキル基;エテニル基、2-プロペニル基、1-メチルエテニル基、3-ブテニル基、1-メチル-2-プロペニル基、4-ペンテニル基等の炭素数1~6のアルケニル基;メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、2-エチルブトキシ基、3,3-ジメチルブトキシ基、シクロヘキシルオキシ基、n-ヘプチルオキシ基、シクロヘキシルメチルオキシ基、n-オクチルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等の炭素数1~6のアルコキシ基;フェニル基、2-メトキシフェニル基、3-メトキシフェニル基、2-メチルフェニル基、3-メチルフェニル基、2-ヒドロキシフェニル基、3-ヒドロキシフェニル基、4-トリフルオロメチルフェニル基、3-トリフルオロメトキシフェニル基等の炭素数1~6のアリール基;ジフェニルアミノ基、ジ-p-トリルアミノ基等のアリールアミノ基;及び2-チエニル基、2-ピリジル基等の炭素数1~6のヘテロアリール基を挙げることができる。また、R1は他の置換基と縮合環を形成しても良い。これらの中でもR1としては、好ましくは、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアリールアミノ基であり、水素原子、メチル基、エチル基、n-プロピル基等の炭素数1~3のアルキル基、アルコキシ基がさらに好ましく、特に水素原子が好ましい。一般式2、3における置換基R2は、式1における置換基R1と同じものを例示することができる。一般式1におけるmは1以上の整数である。本発明の導電性高分子における一般式1のアリールアミンポリマーは、特に下記一般式4、5が好ましい。式中、R1及びmは一般式1と同意義を示し、R2は一般式2、3と同意義を示す。本発明の導電性高分子におけるアリールアミンポリマーの重量平均分子量は、ポリスチレン換算で500~500,000が好ましく、より好ましくは1,000~50,000である。本発明の導電性高分子における上記一般式1で表されるアリールアミンポリマーの製造方法としては、以下のa~cの方法で製造することができる。a溶媒中、塩基存在下、ホスフィン系配位子とパラジウム錯体化合物からなる触媒で芳香族ジハライド類とベンジルアミンを反応させるBuckwald-Hartwig反応で重合させ、得られたポリマーを水素化分解により脱ベンジル化する。bジハロゲン化アリールアミンなどの芳香族ジハライド化合物をニッケル触媒で重合させる山本重合で製造する。cハロゲン原子とアミノ基を有する芳香族化合物をパラジウム化合物とBINAP配位子からなる触媒系で重合させる。本発明の導電性高分子では、酸化ドーピングする際にドーパントが必要であり、該ドーパントとしては、ハロゲンであればよく、例えばヨウ素、臭素、塩化ヨウ素、三塩化ヨウ素、臭化ヨウ素、三弗化ヨウ素などからなる群より選択される1種以上の化合物が挙げられる。又、ドーパントの使用量としては、所望の導電性が発現する量であれば特に限定されるものではなく、好ましくは原料のアリールアミンポリマーに含有される繰り返し単位中の窒素原子1モルに対してポリスチレン換算での平均分子量Mnから推定に対し、0.001~100000倍モルが好ましく、更に好ましくは0.1~100倍モルである。本発明におけるドーピング方法としては、一般的手法でよく特に限定はなく、例えばアリールアミンポリマーを溶媒に溶解させた後、ヨウ素などを添加する方法;フィルムや粉末、圧縮成型したペレットをハロゲンガスに真空下または密閉容器中で飽和蒸気に暴露する方法;アリールアミンポリマーの溶液を基板上に成膜した後、ヨウ素を溶かしたエタノール溶媒に浸漬する方法等を挙げることができる。ドーピングする際の反応温度は、アリールアミンポリマーをドーピングできる温度であれば特に限定はなく、0~200°Cが好ましく、さらに好ましくは10~150°C、特に好ましくは20~50°Cである。本発明の導電性高分子の導電率は、3.0×10-2S/cm以上であり、好ましくは3.0×10-2~102S/cm、特に好ましくは1.0×10-1~102S/cmである。本発明の導電性高分子の用途としては、構造材料、有機EL材料、電界効果トランジスタ、光機能素子、帯電防止剤、固体電解コンデンサ用の固体電解質、タッチパネルの電極、電位ペーパー、色素増感太陽電池に有用である。以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、本実施例で用いた分析機器及び測定方法を以下に列記する。[NMR測定]装置:VARIAN製、Gemini-200[赤外分光分析]装置:パーキンエルマー製、System2000FTIR測定方法:KBr法[GC測定]装置:Shimadzu社製、GC-2014[GPC測定]装置:東ソー製、HLC-8200、カラム:東ソー製、G4000HXL-G3000HXL-G2000HXL[表面抵抗測定]装置:三菱油化製、LorestaIPMCP-250[膜厚測定]装置:ミツトヨ製、マイクロメーターMDC-25L合成例1aN-ベンジルアリールアミンポリマー6の合成冷却管、温度計、攪拌羽根を装着した3000mLの四つ口セパラブルフラスコに、室温下で4、4’-ジヨードビフェニル121.8g300mmol、ベンジルアミン35.4g330mmol、97ナトリウム-tert-ブトキシド69.2g720mol;ヨウ素原子に対して1.2当量及びo-キシレン2100gを仕込んだ。この混合液に予め窒素雰囲気下で調製したトリスジベンジリデンアセトン二パラジウムクロロホルム錯体1370mg1.5mmol及び25重量トリターシャリーブチルホスフィンのo-キシレン溶液を9.71gパラジウム原子に対して原子4当量のo-キシレン50ml溶液を添加した。その後、窒素雰囲気下、温度を120°Cまで昇温し、同温度で加熱撹拌しながら15時間熟成した。熟成後、ベンジルアミン6.4g60mmolを添加し、更に3時間反応を行った。反応終了後この反応混合物を約80°Cまで冷却した後、水200gを添加し、更に92アセトン水溶液の撹拌溶液へゆっくり加えた。ろ過により固体をろ別回収し、アセトン、水、アセトンの順で洗浄した後、減圧乾燥し淡黄色粉体57.5gを得た収率72。得られた粉体をTHF系GPCで分析した結果、ポリスチレン換算で重量平均分子量Mw=4094、数平均分子量Mn=2597分散度1.58だった。又、得られたポリマーを1H-NMR、13C-NMR及び赤外分光分析により測定したところ、下記一般式6で表されるN-ベンジルアリールアミンポリマーであることが確認された。1H-NMR200MHz/CDCl3/TMSδ7.11~7.50m、13H、5.04brs、2H13C-NMR50MHz/CDCl3/TMSδ146.6、139.0、133.7、128.5、127.2、126.8、126.4、120.8、56.3bアリールアミンポリマー7の合成冷却管、温度計を装着した2000mlの四つ口丸底フラスコに、室温下、aで得られたN-ベンジルアリールアミンポリマー10.0g繰返しユニットの分子量267.27g/mol、37.4mmolを入れ、脱気したN-メチルピロリドン1500mLを加えて溶解させた。引き続き、エタノール100.0g、35塩酸を7.79g、20水酸化パラジウム炭素粉末50wetを4.0g入れた。その後、室温で攪拌下に減圧窒素置換、減圧水素置換を行った後、水素バルーンを装着して反応系中を水素雰囲気下とし、同温度で48時間反応させた。反応後、減圧ろ過によりパラジウム触媒をろ別し、得られたろ液を濃縮した後、アセトンを加えて洗浄した。引き続き、減圧ろ過、減圧乾燥により黄土色~赤土色固体を6.6g得た。得られたポリマーはN-メチルピロリドンに溶解した。この固体を赤外分光分析により測定したところ、下記一般式7で表されるアリールアミンポリマーであることが確認された。赤外分光分析の測定結果を図1に示す。特に赤外分光分析では、3400cm-1付近のピークは脱ベンジル化により生成したフリーの二級アミノ基に由来する吸収と推定される。合成例2a中間体8の合成冷却管、温度計、攪拌羽根、滴下ロートを装着した2Lのセパラブルフラスコに、1、4-ジブロモナフタレン23.15g80.96mmolを入れ、テトラヒドロフラン445gに室温で溶解させた後、窒素雰囲気下で-72°Cまで冷却した。次に滴下ロートで1.6Mn-ブチルリチウムのヘキサン溶液52mL82.98mmolを1時間かけて系内に滴下し、1時間熟成させた。引き続き、トリイソプロポキシボレート31mL161.91mmolを1時間かけて系内に滴下し、1時間熟成させた後、ゆっくりと室温へ戻した。さらに室温で2時間攪拌した後、トルエンで希釈し、10°C以下で1N塩酸水溶液を用いて加水分解を行った。分液して得られた有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮して乳白色の固体を得た。さらに、ヘキサンでリパルプ洗浄した後、減圧乾燥して中間体8を白色固体として9.8g得た。b中間体9の合成冷却官、温度計、攪拌羽根を備えた500mLのセパラブルフラスコに、4―ブロモニトロベンゼン7.50g37.13mmol、aで得た中間体89.31g37.13mmol、トルエン223mL、炭酸ナトリウム11.81g111.4mmol、純水43.88g、Aliquat336メチルトリオクチルアンモニウムクロリド3.71mmolを1.50g、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0を1.07g0.93mmol仕込み、100°Cで18時間反応させた。放冷後、分液ロートへ移し、トルエンで希釈した後、5塩酸で酸洗浄した。さらに有機層を水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、シリカゲルクロマトグラフィーで分離精製溶離液:ヘキサン/トルエン=9/1~4/1v/vして中間体9を淡黄色固体として10.6g得た単離収率83、純度99.3GC。1H-NMRCDCl3,200MHzδppm:8.38-8.34m,3H,7.87d,J=7.6Hz,1H,7.78-7.52m,5H,7.25d,J=7.6Hz,1H。13C-NMRCDCl3,50MHzδppm:147.17,146.57,137.65,131.99,130.82,130.71,129.26,127.70,127.49,127.32,127.08,125.62,123.68,123.51。c中間体10の合成冷却官、温度計、攪拌羽根を備えた500mLのセパラブルフラスコに、bで得た中間体9を10.8g32.94mmol、塩化スズ二水和物を33.4g148.24mmol、テトラヒドロフラン264mL、1M塩酸を115.3g115.3mmolを仕込み、還流条件下で3時間反応させた。放冷後、テトラヒドロフランを留去し、トルエンを添加した後、炭酸ナトリウム水溶液でアルカリ性とした。得られた有機層を水洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、有機層を濃縮した。引き続き、得られたオレンジオイルをジクロロメタンに溶解させ、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに通液し、留出液を濃縮乾固して目的の中間体10を乳白色固体として8.7g得た単離収率89、純度98.5GC。1H-NMRCDCl3,200MHzδppm:8.29d,J=8.6Hz,1H,7.95d,J=8.4Hz,1H,7.78d,J=7.6Hz,1H,7.57t,J=8.0Hz,1H,7.44t,J=7.4Hz,1H,7.25-7.21m,3H,6.76d,J=8.4Hz,2H。13C-NMRCDCl3,50MHzδppm:145.71,140.34,133.00,131.92,130.76,129.79,129.34,127.19,126.6,126.66,126.31,121.35,114.70。dアリールアミンポリマー11の合成冷却官、温度計、攪拌羽根を備えた500mLのセパラブルフラスコに、cで得た中間体10を8.70g29.18mmol、2,2’-ビスジフェニルホスフィノ-1,1’-ビナフチル=BINAPを1.09g1.75mmol、ナトリウムtert-ブトキサイドを3.37g35.02mmol、テトラヒドロフラン146mL仕込み、還流条件下で16時間反応させた。次に水15mLを添加し、反応を停止させた後、この反応液を90アセトン水溶液にゆっくりと添加した。アセトンと水で数回洗浄した後、減圧乾燥して目的のアリールアミンポリマー11を黄土色固体として6.20g単離収率97.0、Mw/Mn=13620/5720得た。1H-NMRd-THF,200MHzδppm:8.26d,J=8.4Hz,1H,8.07d,J=9.2Hz,1H,7.60-7.34m,6H,7.16d,J=8.4Hz,2H。13C-NMRd-THF,50MHzδppm:145.83,139.32,135.95,133.84,132.74,131.46,129.43,127.49,127.23,126.31,125.51,123.62,117.103,116.6。実施例1アリールアミンポリマー7のヨウ素による酸化ドーピング合成例1で得られたアリールアミンポリマー約150mgをメノー乳鉢で微粉末化し、圧縮成型器を用いて直径13mmの茶色ペレットを作製した。この絶縁性のペレットを過剰量のヨウ素ドーパント中に暴露して酸化ドーピングを行った。得られた深緑色ペレットの導電率の経時変化を表1に示す。実施例2アリールアミンポリマー11のヨウ素による酸化ドーピング合成例2で得られたアリールアミンポリマー約150mgをメノー乳鉢で微粉末化し、圧縮成型器を用いて直径13mmの茶色ペレットを作製した。この絶縁性のペレットを過剰量のヨウ素ドーパント中に暴露して酸化ドーピングを行った。得られた深緑色ペレットの導電率の経時変化を表1に示す。比較例1ポリアニリンエメラルジン塩基のヨウ素による酸化ドーピングポリアニリンエメラルジン塩基、アルドリッチ社製、約150mgをメノー乳鉢で微粉末化し、圧縮成型器を用いて直径13mmの黒色ペレットを作製した。この絶縁性のペレットを過剰量のヨウ素中に暴露して酸化ドーピングを行った。得られた深緑色ペレットの導電率の経時変化を表1に示す。比較例1と実施例1,2との比較より、本発明の導電性高分子は導電性に優れることを確認した。"