放熱基板と、前記放熱基板の主面上に半田層を介して接合された少なくとも1つの半導体チップと、を備え、前記少なくとも1つの半導体チップとともに前記放熱基板の前記主面がモールド樹脂によって樹脂封止された半導体装置であって、前記放熱基板の前記主面において前記少なくとも1つの半導体チップの配設領域を囲むように配設され、極性基を含み、曲げ強度およびガラス転移温度が前記モールド樹脂よりも大きな樹脂材で構成されたガードを備えることを特徴とする、半導体装置。前記ガードは、前記放熱基板の前記主面に対して垂直な方向に延在する本体部と、前記本体部の両側面から突出し、前記放熱基板の前記主面に接触する面を有する突片を備える、請求項1記載の半導体装置。前記少なくとも1つの半導体チップは、複数の半導体チップであって、前記ガードは、前記複数の半導体チップのそれぞれの配設領域を囲むように配設される、請求項1記載の半導体装置。前記少なくとも1つの半導体チップは、複数の半導体チップであって、前記ガードは、前記複数の半導体チップの配設領域を囲むように配設される、請求項1記載の半導体装置。前記放熱基板は、前記少なくとも1つの半導体チップの配設領域を囲むように配設されたスリット溝を有し、前記ガードは、前記スリット溝内にその一部が挿入される、請求項1記載の半導体装置。前記ガードは、前記放熱基板上に接着層を介して接着される、請求項1記載の半導体装置。前記ガードの前記放熱基板上での高さは、前記少なくとも1つの半導体チップと前記半田層の厚みの合計以上であって、かつ、前記ガードの上端より上の前記モールド樹脂の厚みが0.5mm以上確保される高さである、請求項1記載の半導体装置。前記少なくとも1つの半導体チップは、ワイドバンドギャップ半導体を基板とする半導体素子によって構成されている、請求項1記載の半導体装置。従来の半導体装置は以上のように構成されており、ディンプルのアンカー効果によりモールド樹脂とヒートスプレッダの接着性を高めているが、ヒートスプレッダを構成する金属材、例えば銅材とモールド樹脂との密着力は低く、ディンプル形状の鋭角な部分にモールド樹脂の応力が集中しており、今以上の広範囲な温度領域で使用すると、ヒートサイクルに対する耐久性が低下するという可能性がある。一方、半導体チップについては、SiC炭化シリコンなどのワイドバンドギャップを有する半導体を基板として使用し、より高温での動作が可能な半導体チップの開発が進んでおり、高温動作によるヒートサイクルに対する耐久性を高めた半導体装置が求められている。本発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、高温動作によるヒートサイクルに対する耐久性を高めた半導体装置を提供することを目的とする。本発明に係る半導体装置の態様は、放熱基板と、前記放熱基板の主面上に半田層を介して接合された少なくとも1つの半導体チップとを備え、前記少なくとも1つの半導体チップとともに前記放熱基板の前記主面がモールド樹脂によって樹脂封止された半導体装置であって、前記放熱基板の前記主面において前記少なくとも1つの半導体チップの配設領域を囲むように配設され、極性基を含み、曲げ強度およびガラス転移温度が前記モールド樹脂よりも大きな樹脂材で構成されたガードを備えている。本発明に係る半導体装置の態様によれば、ガードとモールド樹脂とが極性基の水素結合により強固に接着するので、ガードに密着したモールド樹脂は容易には剥離せず、モールド樹脂の剥離の伸展が抑制される。また、放熱基板の主面上にガードを設けることで、ヒートサイクルにより放熱基板に加わる応力を緩和して半田層にクラックが生じることを防止できる。このため、高温動作によるヒートサイクルに対する耐久性を高めた半導体装置を得ることができる。<実施の形態>図1は、本発明に係る半導体装置100の構成を示す断面図である。図1に示すように、半導体装置100においては、放熱基板として機能する金属製のヒートスプレッダ2の主面上面上に、複数の半導体チップ4が半田層3によって接合されている。複数の半導体チップ4は、例えばトランジスタを含んでおり、そのエミッタ電極はアルミワイヤ10を介してエミッタ端子9に接続されている。また、コレクタ電極は、エミッタ電極とは反対側に設けられており、半田層3を介してヒートスプレッダ2に電気的に接続され、ヒートスプレッダ2には、コレクタ端子8が接続されている。ここで、半導体チップ4は、シリコンSiを基板とする半導体素子によって構成されていても良いし、SiC炭化シリコンなどのワイドバンドギャップ半導体を基板とする半導体素子によって構成されていても良い。ワイドバンドギャップ半導体によって構成されるスイッチング素子やダイオード素子などの半導体素子は、耐電圧性が高く、許容電流密度も高いため、シリコン半導体を使用する場合に比べて小型化が可能であり、これら小型化されたスイッチング素子やダイオード素子を用いることにより、これらの素子を組み込んだ半導体チップの小型化が可能となる。ヒートスプレッダ2の半導体チップ4が搭載された側の主面には、それぞれの半導体チップ4の周囲にスリット溝SLが形成され、スリット溝SL内にその一部が挿入されるように樹脂製のガード1が設けられている。ガード1は、ヒートスプレッダ2の主面に対して垂直な方向に延在しており、半導体チップ4の周囲に壁を形成している。また、ヒートスプレッダ2の半導体チップ4が搭載された側とは反対側の主面底面上には、電気絶縁性を有するとともに、放熱性を有する絶縁シート6が接合され、絶縁シート6のヒートスプレッダ2の搭載面とは反対側の面には、保護用の銅箔7が張られている。そして、半導体チップ4を含むヒートスプレッダ2の上面および側面がモールド樹脂5で封止されている。なお、コレクタ端子8およびエミッタ端子9の端部は、モールド樹脂5の側面から外部に突出している。また、半導体装置100の底面には銅箔7の表面が露出しており、露出した銅箔7をヒートシンク等の冷却器に接触するように取り付けることで、放熱を行う構成となっている。図2には、樹脂封止する前の半導体装置100を半導体チップ4側から見た場合の平面図を示しており、ガード1は半導体チップ4の周囲を個々に囲むように配設されている。なお、図2におけるA-A線での矢視方向断面が図1に相当する。図3には、ガード1の断面形状の一例を示している。なお、ガード1は半導体チップ4を囲むように形成されるので正確には左側にも同じ形状の断面が現れるが、図3においては省略している。図3に示すように、ガード1の断面形状は、ガード1の矩形状の本体部MBの両側面のそれぞれの中央部から、ヒートスプレッダ2の主面にかけて延在するフィレット部FLを有した構成となっている。フィレット部FLは、本体部MBの側面部分で太く、先端に近づくにつれて細くなる形状を有し、ヒートスプレッダ2に接する側は平坦であるが、ヒートスプレッダ2に接しない側は、内側に湾曲した湾曲面となっている。ここで、ヒートスプレッダ2は銅材で構成されるが、銅材とモールド樹脂5との接着部では、銅材表面に形成される酸化膜にモールド樹脂5が接着している。このため、銅材とその酸化膜とが剥離することで、モールド樹脂5のヒートスプレッダ2表面からの剥離が伸展する。また、ヒートスプレッダ2上には半田層3により半導体チップ4が接合されているが、半田層3の側面にも半田の酸化膜が形成されており、半田層3とモールド樹脂5との接着部では、半田層3表面に形成される半田の酸化膜にモールド樹脂5が接着している。ここで、半田とその酸化膜との接着力は、銅材とその酸化膜との接着力よりも弱い。このため、半田とその酸化膜とが剥離することで、モールド樹脂5の半田層3表面からの剥離が伸展する。また、半導体チップ2とモールド樹脂5との線膨張係数の違いにより、半田層3および半導体チップ4の側面が、モールド樹脂5の剥離の起点となる可能性がある。本発明は、半導体チップ4の周囲にガード1を設けることで、ヒートサイクルによるヒートスプレッダからのモールド樹脂の剥離を抑制するものである。すなわち、OHやOなどの極性基を含み、曲げ強度およびTg非晶性樹脂のガラス転移温度がモールド樹脂よりも大きな材質、例えばデュポン社製の66ナイロン登録商標でガード1を構成することで、ガード1とモールド樹脂5との水素結合による接着を図り、モールド樹脂5の剥離を抑制する。より具体的なイメージとしては、66ナイロン登録商標で構成されるガード1とモールド樹脂5とが水素結合により強固に接着するので、ガード1に密着したモールド樹脂5は容易には剥離せず、また、ガード1とヒートスプレッダ2に設けたスリット溝SLとは、寸法公差を考慮して設計することで、ガード1がスリット溝SLにがっちりとはめ込まれることとなり、ガード1がヒートスプレッダ2から抜けることはなく、モールド樹脂の剥離の伸展が抑制されることとなる。ここで、スリット溝SLの寸法公差は例えば±0.05mmとし、ガード1の寸法公差は例えば±0.1mmとすることで、スリット溝SLの方が、ガード1よりもやや小さく形成され、そこにガード1を挿入することで、ガード1がヒートスプレッダ2から容易に抜けることはない。また、ガード1の形状としては図3を用いて説明したように、ガード1の矩形状の本体部MBの両側面のそれぞれの中央部から、ヒートスプレッダ2の主面にかけて延在するフィレット状のフィレット部FLを有した構成となっているので、ヒートサイクルにより、モールド樹脂5およびヒートスプレッダ2に生じる応力に起因して、モールド樹脂5のヒートスプレッダ2からの剥離の伸展を確実に抑制できる。この仕組みを、図4を用いて説明する。図4は、ヒートスプレッダ2がモールド樹脂5で覆われた状態において、モールド樹脂5の剥離が生じた状況を模式的に示している。図4において、ヒートスプレッダ2とモールド樹脂5との界面の一部において剥離部PPが存在している。なお、剥離部PPは、ガード1の内側の半導体チップ4図示せずを起点として発生したものとする。モールド樹脂5の剥離は図中に矢印で示すようにガード1を横に押し倒す方向の力を発生させるが、フィレット部FLの存在によりガード1の横方向の力に対する耐久力は格段に強化され、ガード1がスリット溝SLから抜けるということはなく、モールド樹脂5の剥離の伸展はガード1により抑制される。また、ヒートスプレッダ2上にガード1を設けることで、ヒートサイクルによりヒートスプレッダ2に加わる応力を緩和する効果もある。すなわち、フィレット部FLを有するガード1がヒートスプレッダ2を補強する構造体として機能し、応力を緩和できる。この結果、半田層3にクラックが生じることを防止できる。なお、ガード1のヒートスプレッダ2の主面上での高さは、半導体チップ4の厚さと、半田層5の厚さの合計以上であって、かつ、ガード1の上端より上のモールド樹脂5の厚みが0.5mm以上確保される高さであることが望ましい。より具体的には、半導体チップ4と半田層5の厚さの合計は0.2mm~0.45mmが想定され、モールド樹脂5の全体の厚みは5mm程度であるので、ガード1のヒートスプレッダ2の主面上での高さは0.5mm~1mm程度に設定することが望ましい。ガード1の高さが高くなれば、ガード1の表面積が増えるので、モールド樹脂5が密着する面積が増え、モールド樹脂5の剥離の伸展の抑制効果が高まる。また、ガード1の高さを高くすることで、ヒートスプレッダ2に加わる応力に起因したクラックがガード1を越えて半導体チップ4に達することを防止できる。また、図3を用いて説明したように、ガード1は半導体チップ4を囲む形状を有しているので、1つの方向に横方向の力が加わったとしても、ガード1全体がスリット溝SLから抜ける可能性は低く、また、複数の方向に横方向の力が加わった場合には、互いの力が相殺されるので、ガード1全体がスリット溝SLから抜ける可能性は低い。なお、図4においては、剥離部PPは、ガード1の内側の半導体チップ4図示せずを起点として発生したものとしているが、ガード1の外側において発生した場合でも、ガード1は同様の効果を奏する。また、先に説明したように、ガード1とヒートスプレッダ2に設けたスリット溝SLとを、寸法公差を考慮して設計することで、ガード1がスリット溝SLにがっちりとはめ込まれるので、ガード1が、フィレット部FLを有さない単純な矩形の断面形状であっても、ガード1に横方向の力が加わった場合に、簡単にスリット溝SLから抜ける可能性は低い。従って、ガード1の断面形状を単純な矩形としても良い。また、ヒートスプレッダ2上に搭載された複数の半導体チップ4のそれぞれの周囲にガード1を設けることで、ある半導体チップ4を起点とする剥離が、他の半導体チップ4に及ぶことを防止できる。<ガード形状の変形例1>ガード1の断面形状としては図3を用いて説明したように、ガード1の矩形状の本体部MBの両側面のそれぞれの中央部からフィレット状のフィレット部FLが延在する構成の他に、図5に示すガード1Aのように楔状の楔部WEが延在する構成としても良い。すなわち、図5に示すガード1Aの断面形状は、ガード1Aの矩形状の本体部MBの両側面のそれぞれの中央部から、ヒートスプレッダ2の主面にかけて延在する楔部WEを有した構成となっている。楔部WEは、本体部MBの側面部分で太く、先端に近づくにつれて細くなる形状を有し、ヒートスプレッダ2に接する側が平坦であるとともに、ヒートスプレッダ2に接しない側は、所定の傾きの傾斜面となっている。このような形状においても、楔部WEの存在によりガード1Aの横方向の力に対する耐久力は格段に強化され、ガード1Aがスリット溝SLから抜けるということはなく、モールド樹脂5の剥離の伸展を抑制することができる。なお、ガード1のフィレット部FLやガード1Aの楔部WEは一例であり、これらの形状に限定されるものではない。横方向の力に対する耐久力を高めることができるのであれば、本体部MBの両側面から平板が突出してヒートスプレッダ2の主面に接触した構成でも良い。要するに、本体部MBの両側面にフィレット部FLや楔部WEなどの突片が突出し、当該突片の表面の一部がヒートスプレッダ2の主面に接触した構成であれば良い。<ガード形状の変形例2>図3に示したガード1および図5に示したガード1Aにおいては、ヒートスプレッダ2の主面内に設けたスリット溝SL内に本体部MBの一部が挿入される構成となっていたが、図6に示すガード1Bのようにヒートスプレッダ2の主面上に接着する構成としても良い。すなわち、図6に示すガード1Bの断面形状は、ガード1Bの矩形状の本体部MBの両側面のそれぞれの下部から、ヒートスプレッダ2の主面にかけて延在する楔部WEを有した構成となっている。楔部WEは、本体部MBの側面部分で太く、先端に近づくにつれて細くなる形状を有し、ヒートスプレッダ2に接する側が平坦であるとともに、ヒートスプレッダ2に接しない側は、所定の傾きの傾斜面となっている。そして、本体部MBの下面および楔部WEの下面は、接着層11を介してヒートスプレッダ2の主面に接着されている。このような構成を採る場合にも、楔部WEの存在によりガード1Bの横方向の力に対する耐久力は格段に強化され、ガード1Bがずれたり浮き上がったりすることが防止され、モールド樹脂5の剥離の伸展を抑制することができる。また、ヒートスプレッダ2の主面にスリット溝SLを設ける必要がないので、製造工程を簡略化できるとともに、ヒートスプレッダ2への装着が容易となる。<複数の半導体チップを1つのガードで囲む構成>図1および図2を用いて説明した半導体装置100においては、ヒートスプレッダ2上に搭載された複数の半導体チップ4のそれぞれの周囲にガード1を設ける構成を示したが、この場合、スリット溝SLを含めてヒートスプレッダ2上に無効領域が増えることとなる。そこで、ヒートスプレッダ2上の無効領域を低減するために、図7および図8に示す半導体装置100Aのように、複数の半導体チップ4を1つのガード1で囲む構成を採用しても良い。図7は、半導体装置100Aの構成を示す断面図である。図7に示すように、半導体装置100Aにおいては、ヒートスプレッダ2の半導体チップ4が搭載された側の主面に、複数の半導体チップ4の全体を囲むようにスリット溝SLが形成され、スリット溝SL内にその一部が挿入されるように樹脂製のガード1が設けられている。ガード1は、ヒートスプレッダ2の主面に対して垂直な方向に延在しており、半導体チップ4の周囲に壁を形成している。その他の構成は、図1に示した半導体装置100と同一であり、重複する説明は省略する。図8には、樹脂封止する前の半導体装置100Aを半導体チップ4側から見た場合の平面図を示しており、ガード1は複数の半導体チップ4を囲むように配設されている。なお、図8におけるB-B線での矢視方向断面が図7に相当する。無効領域を最小にすることで、半導体装置の高性能化、小型化を図ることができる。なお、上記においては、ヒートスプレッダ2上の全ての半導体チップ4を1つのガード1で囲む例を示したが、これに限定されるものではなく、複数の半導体チップ4を幾つかのグループに分けて、グループ単位でガード1で囲むようにしても良い。モールド樹脂5の剥離の伸展を抑制するというガード1の本来の機能を妨げなければ、ガード1の大きさは任意である。