"下記一般式I;式中、R1、R2、R3及びR4はそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、ホルミル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アシルアミノ基またはハロゲン原子であるか、R1とR2、或いはR3とR4が一緒になって置換基を有していてもよいアルキレン基またはアルカジエン基を形成してもよい。で表されるジカルボン酸化合物Iと、周期表の2族及び7~12族に属する金属のイオンから選択される少なくとも1種の金属イオンと、下記一般式II;式中、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11及びR12はそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、ホルミル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アシルアミノ基またはハロゲン原子である。で表される該金属イオンに二座配位可能な有機配位子IIとからなる金属錯体。ジャングルジム骨格が多重に相互貫入した構造を有する請求項1に記載の金属錯体。該金属イオンが銅イオンまたは亜鉛イオンである請求項1または2に記載の金属錯体。該二座配位可能な有機配位子IIがN-4-ピリジルイソニコチンアミドである請求項1~3のいずれかに記載の金属錯体。請求項1~4のいずれかに記載の金属錯体からなる吸蔵材。該吸蔵材が、二酸化炭素、水素、一酸化炭素、酸素、窒素、炭素数1~4の炭化水素、希ガス、硫化水素、アンモニア、水蒸気または有機蒸気を吸蔵するための吸蔵材である請求項5に記載の吸蔵材。請求項1~4のいずれかに記載の金属錯体からなる分離材。該分離材が、二酸化炭素、水素、一酸化炭素、酸素、窒素、炭素数1~4の炭化水素、希ガス、硫化水素、アンモニア、硫黄酸化物、窒素酸化物、シロキサン、水蒸気または有機蒸気を分離するための分離材である請求項7に記載の分離材。該分離材が、メタンと二酸化炭素、エタンと二酸化炭素、エチレンと二酸化炭素、水素と二酸化炭素、窒素と二酸化炭素、メタンとエタン、エタンとエチレン、エチレンとアセチレン、エタンとプロパン、プロパンとプロペンまたはメタンとエタンとプロパンまたは空気とメタンを分離するための分離材である請求項7に記載の分離材。ジカルボン酸化合物Iと、周期表の2族及び7~12族に属する金属の塩から選択される少なくとも1種の金属塩と、該金属イオンに二座配位可能な有機配位子IIとを溶媒中で反応させ、析出させる、請求項1に記載の金属錯体の製造方法。したがって、本発明の目的は、従来よりも吸蔵量が多いガス吸蔵材、或いは従来よりも高い選択性を発現するガス分離材として使用できる金属錯体を提供することにある。本発明者らは鋭意検討し、特定のジカルボン酸化合物Iと、少なくとも1種の金属イオンと、該金属イオンに二座配位可能な有機配位子IIとからなる金属錯体により、上記目的を達成できることを見出し、本発明に至った。すなわち、本発明によれば、以下のものが提供される。1下記一般式I;式中、R1、R2、R3及びR4はそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、ホルミル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アシルアミノ基またはハロゲン原子であるか、R1とR2、或いはR3とR4が一緒になって置換基を有していてもよいアルキレン基またはアルカジエン基を形成してもよいで表されるジカルボン酸化合物Iと、周期表の2族及び7~12族に属する金属のイオンから選択される少なくとも1種の金属イオンと、下記一般式II;式中、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11及びR12はそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、ホルミル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アシルアミノ基またはハロゲン原子である。で表される該金属イオンに二座配位可能な有機配位子IIとからなる金属錯体。2ジャングルジム骨格が多重に相互貫入した構造を有する1に記載の金属錯体。3該金属イオンが銅イオンまたは亜鉛イオンである1または2に記載の金属錯体。4該二座配位可能な有機配位子IIがN-4-ピリジルイソニコチンアミドである1~3のいずれかに記載の金属錯体。51~4のいずれかに記載の金属錯体からなる吸蔵材。6該吸蔵材が、二酸化炭素、水素、一酸化炭素、酸素、窒素、炭素数1~4の炭化水素、希ガス、硫化水素、アンモニア、水蒸気または有機蒸気を吸蔵するための吸蔵材である5に記載の吸蔵材。71~4のいずれかに記載の金属錯体からなる分離材。8該分離材が、二酸化炭素、水素、一酸化炭素、酸素、窒素、炭素数1~4の炭化水素、希ガス、硫化水素、アンモニア、硫黄酸化物、窒素酸化物、シロキサン、水蒸気または有機蒸気を分離するための分離材である7に記載の分離材。9該分離材が、メタンと二酸化炭素、エタンと二酸化炭素、エチレンと二酸化炭素、水素と二酸化炭素、窒素と二酸化炭素、メタンとエタン、エタンとエチレン、エチレンとアセチレン、エタンとプロパン、プロパンとプロペンまたはメタンとエタンとプロパンまたは空気とメタンを分離するための分離材である7に記載の分離材。10ジカルボン酸化合物Iと、周期表の2族及び7~12族に属する金属の塩から選択される少なくとも1種の金属塩と、該金属イオンに二座配位可能な有機配位子IIとを溶媒中で反応させ、析出させる、1に記載の金属錯体の製造方法。本発明により、特定のジカルボン酸化合物Iと、周期表の2族及び7~12族に属する金属のイオンから選択される少なくとも1種の金属イオンと、該金属イオンに二座配位可能な有機配位子IIとからなる金属錯体を提供することができる。本発明の金属錯体は、各種ガスの吸蔵性能に優れているので、二酸化炭素、水素、一酸化炭素、酸素、窒素、炭素数1~4の炭化水素、希ガス、硫化水素、アンモニア、水蒸気または有機蒸気などを吸蔵するための吸蔵材として使用することができる。また、本発明の金属錯体は、各種ガスの分離性能に優れているので、二酸化炭素、水素、一酸化炭素、酸素、窒素、炭素数1~4の炭化水素、希ガス、硫化水素、アンモニア、硫黄酸化物、窒素酸化物、シロキサン、水蒸気または有機蒸気などを分離するための分離材としても使用することができる。本発明の金属錯体は、ジカルボン酸化合物Iと、周期表の2族及び7~12族に属する金属のイオンから選択される少なくとも1種の金属イオンと、該金属イオンに二座配位可能な有機配位子IIとからなる。金属錯体は、ジカルボン酸化合物Iと、周期表の2族及び7~12族に属する金属の塩から選択される少なくとも1種の金属塩と、該金属イオンに二座配位可能な有機配位子IIとを、常圧下、溶媒中で数時間から数日間反応させ、析出させて製造することができる。例えば、金属塩の水溶液または有機溶媒溶液と、ジカルボン酸化合物I及び二座配位可能な有機配位子IIを含有する有機溶媒溶液とを、常圧下で混合して反応させることにより本発明の金属錯体を得ることができる。本発明に用いられるジカルボン酸化合物Iは下記一般式I;で表される。式中、R1、R2、R3及びR4はそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、ホルミル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アシルアミノ基またはハロゲン原子であるか、R1とR2、或いはR3とR4が一緒になって置換基を有していてもよいアルキレン基またはアルカジエン基を形成してもよい。上記R1、R2、R3及びR4を構成することのできる置換基の内、アルキル基またはアルコキシ基の炭素原子数は1~5が好ましい。アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基などの直鎖または分岐を有するアルキル基が、アルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基,n-ブトキシ基、イソブトキシ基、tert-ブトキシ基が、アシロキシ基の例としては、アセトキシ基、n-プロパノイルオキシ基、n-ブタノイルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基が、アルコキシカルボニル基の例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基が、モノアルキルアミノ基の例としてはメチルアミノ基が、ジアルキルアミノ基の例としては、ジメチルアミノ基が、アシルアミノ基の例としては、アセチルアミノ基が、ハロゲン原子の例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が、それぞれ挙げられる。また、該アルキル基等が有していてもよい置換基の例としては、アルコキシ基メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基,n-ブトキシ基、イソブトキシ基、tert-ブトキシ基など、アミノ基、モノアルキルアミノ基メチルアミノ基など、ジアルキルアミノ基ジメチルアミノ基など、ホルミル基、エポキシ基、アシロキシ基アセトキシ基、n-プロパノイルオキシ基、n-ブタノイルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基など、アルコキシカルボニル基メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基など、カルボン酸無水物基-CO-O-CO-R基Rは炭素数1~5のアルキル基であるなどが挙げられる。アルキル基の置換基の数は、1~3個が好ましく、1個がより好ましい。上記アルキレン基の炭素数は、2が好ましい。アルキレン基の炭素数が2の場合、R1とR2、或いはR3とR4はそれらが結合している炭素原子と一緒になって4員環シクロブテンを構成する。該アルキレン基が有していてもよい置換基の例としては、アルコキシ基メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基,n-ブトキシ基、イソブトキシ基、tert-ブトキシ基など、アミノ基、モノアルキルアミノ基メチルアミノ基など、ジアルキルアミノ基ジメチルアミノ基など、ホルミル基、エポキシ基、アシロキシ基アセトキシ基、n-プロパノイルオキシ基、n-ブタノイルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基など、アルコキシカルボニル基メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基など、カルボン酸無水物基-CO-O-CO-R基Rは炭素数1~5のアルキル基であるなどが挙げられる。上記ジカルボン酸化合物Iとしては、例えば、ジヒドロシクロブタ[1,2-b]テレフタル酸を使用することができる。上記アルカジエン基の炭素数は、4が好ましい。アルカジエン基の炭素数が4の場合、R1とR2、或いはR3とR4はそれらが結合している炭素原子と一緒になって6員環ベンゼンを構成する。該アルカジエン基が有していてもよい置換基の例としては、アルコキシ基メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基,n-ブトキシ基、イソブトキシ基、tert-ブトキシ基など、アミノ基、モノアルキルアミノ基メチルアミノ基など、ジアルキルアミノ基ジメチルアミノ基など、ホルミル基、エポキシ基、アシロキシ基アセトキシ基、n-プロパノイルオキシ基、n-ブタノイルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基など、アルコキシカルボニル基メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基など、カルボン酸無水物基-CO-O-CO-R基Rは炭素数1~5のアルキル基であるなどが挙げられる。上記ジカルボン酸化合物Iとしては、例えば、1,4-ナフタレンジカルボン酸及び9,10-アントラセンジカルボン酸を使用することができる。ジカルボン酸化合物Iとしては、例えば、テレフタル酸、2-メチルテレフタル酸、2-メトキシテレフタル酸、2-ニトロテレフタル酸、ジヒドロシクロブタ[1,2-b]テレフタル酸、1,4-ナフタレンジカルボン酸及び9,10-アントラセンジカルボン酸などを使用することができ、中でもテレフタル酸、2-メチルテレフタル酸、2-メトキシテレフタル酸または2-ニトロテレフタル酸が好ましく、2-ニトロテレフタル酸がより好ましい。本発明に用いられる周期表の2族及び7~12族に属する金属イオンとしては、例えば、マグネシウムイオン、カルシウムイオン、マンガンイオン、鉄イオン、コバルトイオン、ニッケルイオン、銅イオン、亜鉛イオン及びカドミウムイオンなどを使用することができ、中でも銅イオン及び亜鉛イオンがより好ましい。金属イオンは、単一の金属イオンを使用することが好ましいが、2種以上の金属イオンを含む混合金属錯体であってもよい。また、本発明の金属錯体は、単一の金属イオンからなる金属錯体を2種以上混合して使用することもできる。金属錯体の製造に用いる周期表の2族及び7~12族に属する金属の塩としては、例えば、マグネシウム塩、カルシウム塩、マンガン塩、鉄塩、コバルト塩、ニッケル塩、銅塩、亜鉛塩及びカドミウム塩などを使用することができ、中でも銅塩及び亜鉛塩が好ましい。金属塩は単一の金属塩を使用することが好ましいが、2種以上の金属塩を混合して用いてもよい。これらの金属塩としては、酢酸塩、ギ酸塩などの有機酸塩、塩酸塩、臭化水素酸塩、硫酸塩、硝酸塩、炭酸塩などの無機酸塩を使用することができる。本発明に用いられる二座配位可能な有機配位子IIは下記一般式II;で表される。式中、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11及びR12はそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、ホルミル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アシルアミノ基またはハロゲン原子である。上記R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11及びR12を構成することのできる置換基の内、アルキル基の炭素原子数は1~5が好ましい。アルキル基またはアルコキシ基の炭素原子数は1~5が好ましい。アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基などの直鎖または分岐を有するアルキル基が、アルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロキシ基,n-ブトキシ基、イソブトキシ基、tert-ブトキシ基が、アシロキシ基の例としては、アセトキシ基、n-プロパノイルオキシ基、n-ブタノイルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基が、アルコキシカルボニル基の例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基が、モノアルキルアミノ基の例としては、メチルアミノ基が、ジアルキルアミノ基の例としては、ジメチルアミノ基が、アシルアミノ基の例としては、アセチルアミノ基が、ハロゲン原子の例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が、それぞれ挙げられる。また、該アルキル基等が有していてもよい置換基の例としては、アルコキシ基メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基,n-ブトキシ基、イソブトキシ基、tert-ブトキシ基など、アミノ基、モノアルキルアミノ基メチルアミノ基など、ジアルキルアミノ基ジメチルアミノ基など、ホルミル基、エポキシ基、アシロキシ基アセトキシ基、n-プロパノイルオキシ基、n-ブタノイルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基など、アルコキシカルボニル基メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基など、カルボン酸無水物基-CO-OCO-R基Rは炭素数1~5のアルキル基であるなどが挙げられる。アルキル基の置換基の数は、1~3個が好ましく、1個がより好ましい。二座配位可能な有機配位子IIとしては、例えば、N-4-ピリジルイソニコチンアミドを使用することができる。ここで、二座配位可能な有機配位子とは非共有電子対で金属イオンに対して配位できる部位を少なくとも2箇所持つ中性配位子を意味する。金属錯体を製造するときのジカルボン酸化合物Iと二座配位可能な有機配位子IIとの混合比率は、ジカルボン酸化合物I:二座配位可能な有機配位子II=1:5~8:1のモル比の範囲内が好ましく、1:3~6:1のモル比の範囲内がより好ましい。これ以外の範囲で反応を行っても目的とする金属錯体は得られるが、収率が低下し、副反応も増えるために好ましくない。金属錯体を製造するときの金属塩と二座配位可能な有機配位子IIの混合比率は、金属塩:二座配位可能な有機配位子II=3:1~1:3のモル比の範囲内が好ましく、2:1~1:2のモル比の範囲内がより好ましい。これ以外の範囲では目的とする金属錯体の収率が低下し、また、未反応の原料が残留して得られた金属錯体の精製が困難になる。金属錯体を製造するための混合溶液におけるジカルボン酸化合物Iのモル濃度は、0.005~5.0mol/Lが好ましく、0.01~2.0mol/Lがより好ましい。これより低い濃度で反応を行っても目的とする金属錯体は得られるが、収率が低下するため好ましくない。また、これより高い濃度では溶解性が低下し、反応が円滑に進行しない。金属錯体を製造するための混合溶液における金属塩のモル濃度は、0.005~5.0mol/Lが好ましく、0.01~2.0mol/Lがより好ましい。これより低い濃度で反応を行っても目的とする金属錯体は得られるが、収率が低下するため好ましくない。また、これより高い濃度では未反応の金属塩が残留し、得られた金属錯体の精製が困難になる。金属錯体を製造するための混合溶液における二座配位可能な有機配位子IIのモル濃度は、0.001~5.0mol/Lが好ましく、0.005~2.0mol/Lがより好ましい。これより低い濃度で反応を行っても目的とする金属錯体は得られるが、収率が低下するため好ましくない。また、これより高い濃度では溶解性が低下し、反応が円滑に進行しない。金属錯体の製造に用いる溶媒としては、有機溶媒、水またはそれらの混合溶媒を使用することができる。具体的には、メタノール、エタノール、プロパノール、ジエチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、塩化メチレン、クロロホルム、アセトン、酢酸エチル、アセトニトリル、N,N-ジメチルホルムアミド、水またはこれらの混合溶媒を使用することができる。反応温度としては、253~423Kが好ましい。反応が終了したことはガスクロマトグラフィーまたは高速液体クロマトグラフィーにより原料の残存量を定量することにより確認することができる。反応終了後、得られた混合液を吸引濾過に付して沈殿物を集め、有機溶媒による洗浄後、373K程度で数時間真空乾燥することにより、本発明の金属錯体を得ることができる。本発明の金属錯体は、溶媒分子が吸着した状態ではガス分子を吸着しない。そのため、吸蔵材及び分離材として用いる際には、予め得られた金属錯体について真空乾燥を行い、細孔内の溶媒分子を取り除くことが必要である。以上のようにして得られる本発明の金属錯体は、ジカルボン酸化合物Iのカルボキシレートイオンと金属イオンとからなる骨格中の金属イオンのアキシャル位に二座配位可能な有機配位子IIが配位して形成されるジャングルジム骨格が多重に相互貫入した三次元構造を有する。本明細書において、ジャングルジム骨格とは、ジカルボン酸化合物Iのカルボキシレートイオンと金属イオンとからなる骨格中の金属イオンのアキシャル位に二座配位可能な有機配位子が配位し、ジカルボン酸化合物Iと金属イオンとからなる二次元格子状シート間を連結することで形成されるジャングルジム様の三次元構造と定義する。本明細書において、ジャングルジム骨格が多重に相互貫入した構造とは、複数のジャングルジム骨格が互いの細孔を埋める形で貫入し合った三次元集積構造と定義する。金属錯体がジャングルジム骨格が多重に相互貫入した構造を有することは、例えば単結晶X線構造解析、粉末X線結晶構造解析などにより確認できる。本発明の金属錯体は、種々の外部刺激によりジャングルジム骨格における細孔の構造や大きさが変化する。外部刺激としては、金属錯体の細孔内に物質が吸着されるなどの化学的刺激、或いは温度、圧力、電場などの物理的刺激等が挙げられる。金属錯体の細孔内に吸着される物質としては、例えば、二酸化炭素、水素、一酸化炭素、酸素、窒素、炭素数1~4の炭化水素、希ガス、アンモニアなどのガス状物質、或いは水、常温常圧で液体である有機化合物などの液体状物質が挙げられる。外部刺激による細孔の構造や大きさの変化は、吸着される物質の種類、吸着圧力、吸着温度に依存する。すなわち、細孔表面と物質の相互作用の差に加え相互作用の強さは物質のLennard-Jonesポテンシャルの大きさに比例、吸着する物質により構造変化の程度が異なるため、高い選択性が発現する。吸脱着に伴う構造変化の模式図を図1に示す。本発明では、一般式Iで表されるジカルボン酸化合物Iと一般式IIで表される二座配位可能な有機配位子IIを用いて細孔形状及び細孔表面の電荷密度を制御することで、高い吸蔵性能及び高い分離性能が発現する。吸着された物質が脱着した後は、元の構造に戻るので、細孔の大きさも元に戻る。前記の吸着メカニズムは推定ではあるが、例え前記メカニズムに従っていない場合でも、本発明で規定する要件を満足するのであれば、本発明の技術的範囲に包含される。金属錯体が外部刺激により細孔の構造や大きさが変化することは、例えば、粉末X線回折パターンの変化、吸収波長の変化及び磁化率の変化などにより確認できる。本発明の金属錯体は、各種ガスの吸蔵性能に優れているので、二酸化炭素、水素、一酸化炭素、酸素、窒素、炭素数1~4の炭化水素メタン、エタン、エチレン、アセチレン、プロパン、プロペン、メチルアセチレン、プロパジエンなど、希ガスヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンなど、硫化水素、アンモニア、水蒸気または有機蒸気などを吸蔵するための吸蔵材として好ましい。有機蒸気とは、常温、常圧で液体状の有機物質の気化ガスを意味する。このような有機物質としては、メタノール、エタノールなどのアルコール類;トリメチルアミンなどのアミン類;アセトアルデヒドなどのアルデヒド類;炭素数5~16の脂肪族炭化水素;ベンゼン、トルエンなどの芳香族炭化水素;アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類;塩化メチル、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素などが挙げられる。また、本発明の金属錯体は、各種ガスの分離性能に優れているので、二酸化炭素、水素、一酸化炭素、酸素、窒素、炭素数1~4の炭化水素メタン、エタン、エチレン、アセチレン、プロパン、プロペン、メチルアセチレン、プロパジエンなど、希ガスヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンなど、硫化水素、アンモニア、硫黄酸化物、窒素酸化物、シロキサンヘキサメチルシクロトリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサンなど、水蒸気または有機蒸気などを分離するための分離材としても好ましく、特に、メタン中の二酸化炭素、エタン中の二酸化炭素、エチレン中の二酸化炭素、水素中の二酸化炭素、窒素中の二酸化炭素、メタン中のエタン、エチレン中のエタン、エチレン中のアセチレン、エタン中のプロパン、プロパン中のプロペンまたはメタン中のエタンとプロパンまたは空気中のメタンなどを、圧力スイング吸着法や温度スイング吸着法により分離するのに適している。有機蒸気とは、常温、常圧で液体状の有機物質の気化ガスを意味する。このような有機物質としては、メタノール、エタノールなどのアルコール類;トリメチルアミンなどのアミン類;アセトアルデヒドなどのアルデヒド類;炭素数5~16の脂肪族炭化水素;ベンゼン、トルエンなどの芳香族炭化水素;アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類;塩化メチル、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素などが挙げられる。以下、本発明を実施例および比較例によって具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。以下の実施例および比較例における分析および評価は次のようにして行った。1粉末X線回折パターンの測定X線回折装置を用いて、回折角2θ=5~50°の範囲を走査速度1°/分で走査し、対称反射法で測定した。測定条件の詳細を以下に示す。<分析条件>装置:株式会社リガク製RINT2400X線源:CuKαλ=1.5418Å40kV200mAゴニオメーター:縦型ゴニオメーター検出器:シンチレーションカウンターステップ幅:0.02°スリット:発散スリット=0.5°受光スリット=0.15mm散乱スリット=0.5°2吸脱着等温線の作成ガス吸着量測定装置を用いて容量法JISZ8831-2に準拠によりガス吸脱着量の測定を行い、吸脱着等温線を作成した。このとき、測定に先立って試料を373K、50Paで10時間乾燥し、吸着水などを除去した。測定条件の詳細を以下に示す。<分析条件>装置:日本ベル株式会社製BELSORP-HP平衡待ち時間:500秒<合成例1>窒素雰囲気下、硝酸亜鉛六水和物4.40g15mmol、2-ニトロテレフタル酸3.12g15mmol及びN-4-ピリジルイソニコチンアミド1.47g7.4mmolをN,N-ジメチルホルムアミド600mLに溶解させ、393Kで24時間攪拌した。析出した金属錯体の単結晶X線構造解析を行った結果、得られた金属錯体はジャングルジム骨格が二重に相互貫入した三次元構造であった。得られた金属錯体の粉末X線回折パターンを図2に示す。析出した金属錯体を吸引濾過により回収した後、メタノールで3回洗浄を行った。続いて、373K、50Paで8時間乾燥し、目的の金属錯体4.00g収率72を得た。得られた金属錯体の粉末X線回折パターンを図3に示す。図2と図3の比較から、合成溶媒の吸脱着前後で粉末X線回折パターンが異なるので、本金属錯体は外部刺激である合成溶媒の吸脱着に伴い、構造が動的に変化していることが分かる。<合成例2>窒素雰囲気下、ギ酸銅4水和物1.13g5.0mmol、2-ニトロテレフタル酸1.06g5.0mmolをメタノール800mLに溶解させ、313Kで24時間攪拌した。その後、N-4-ピリジルイソニコチンアミド0.500g2.5mmolをメタノール40mLに溶解させた溶液を加え、さらに313Kで24時間攪拌した。析出した金属錯体の単結晶X線構造解析を行った結果、得られた金属錯体はジャングルジム骨格が二重に相互貫入した三次元構造であった。得られた金属錯体の粉末X線回折パターンを図4に示す。析出した金属錯体を吸引濾過により回収した後、メタノールで3回洗浄を行った。続いて、373K、50Paで8時間乾燥し、目的の金属錯体1.83g収率98を得た。得られた金属錯体の粉末X線回折パターンを図5に示す。図4と図5の比較から、合成溶媒の吸脱着前後で粉末X線回折パターンが異なるので、本金属錯体は外部刺激である合成溶媒の吸脱着に伴い、構造が動的に変化していることが分かる。<比較合成例1>窒素雰囲気下、硝酸亜鉛六水和物2.19g7.4mmol、2,6-ナフタレンジカルボン酸1.59g7.4mmol及びN-4-ピリジルイソニコチンアミド0.732g3.7mmolをN,N-ジメチルホルムアミド300mLに溶解させ、393Kで24時間攪拌した。析出した金属錯体の単結晶X線構造解析を行った結果、得られた金属錯体はジャングルジム骨格が二重に相互貫入した三次元構造であった。得られた金属錯体の粉末X線回折パターンを図6に示す。析出した金属錯体を吸引濾過により回収した後、メタノールで3回洗浄を行った。続いて、373K、50Paで8時間乾燥し、目的の金属錯体2.37g収率85を得た。得られた金属錯体の粉末X線回折パターンを図7に示す。図6と図7の比較から、合成溶媒の吸脱着前後で粉末X線回折パターンが異なるので、本金属錯体は外部刺激である合成溶媒の吸脱着に伴い、構造が動的に変化していることが分かる。<比較合成例2>窒素雰囲気下、硝酸亜鉛六水和物2.81g9.5mmol、2-ニトロテレフタル酸2.00g9.5mmol及び4,4’-ビピリジル0.739g4.7mmolを容量比でN,N-ジメチルホルムアミド:エタノール=1:1からなるN,N-ジメチルホルムアミドとエタノールの混合溶媒800mLに溶解させ、363Kで24時間攪拌した。析出した金属錯体の単結晶X線構造解析を行った結果、得られた金属錯体はジャングルジム骨格が二重に相互貫入した三次元構造であった。得られた金属錯体の粉末X線回折パターンを図8に示す。析出した金属錯体を吸引濾過により回収した後、メタノールで3回洗浄を行った。続いて、373K、50Paで8時間乾燥し、目的の金属錯体2.89g収率87を得た。得られた金属錯体の粉末X線回折パターンを図9に示す。図8と図9の比較から、合成溶媒の吸脱着前後で粉末X線回折パターンが異なるので、本金属錯体は外部刺激である合成溶媒の吸脱着に伴い、構造が動的に変化していることが分かる。<実施例1>合成例1で得た金属錯体について、273Kにおける二酸化炭素の吸脱着量を容量法により測定し、吸脱着等温線を作成した。結果を図10に示す。<実施例2>合成例2で得た金属錯体について、273Kにおける二酸化炭素の吸脱着量を容量法により測定し、吸脱着等温線を作成した。結果を図11に示す。<比較例1>比較合成例1で得た金属錯体について、273Kにおける二酸化炭素の吸脱着量を容量法により測定し、吸脱着等温線を作成した。結果を図12に示す。<比較例2>比較合成例2で得た金属錯体について、273Kにおける二酸化炭素の吸脱着量を容量法により測定し、吸脱着等温線を作成した。結果を図13に示す。図10及び図11と図12及び図13の比較より、本発明の金属錯体は二酸化炭素の有効吸蔵量が多いので、二酸化炭素の吸蔵材として優れていることがわかる。<実施例3>合成例2で得た金属錯体について、273Kにおけるエチレンの吸脱着量を容量法により測定し、吸脱着等温線を作成した。結果を図14に示す。<比較例3>比較合成例1で得た金属錯体について、273Kにおけるエチレンの吸脱着量を容量法により測定し、吸脱着等温線を作成した。結果を図15に示す。<比較例4>比較合成例2で得た金属錯体について、273Kにおけるエチレンの吸脱着量を容量法により測定し、吸脱着等温線を作成した。結果を図16に示す。図14と図15及び図16の比較より、本発明の金属錯体はエチレンの有効吸蔵量が多いので、エチレンの吸蔵材として優れていることがわかる。<実施例4>合成例1で得た金属錯体について、273Kにおける二酸化炭素とメタンの吸脱着量を容量法により測定し、吸脱着等温線を作成した。結果を図17に示す。<比較例5>比較合成例1で得た金属錯体について、273Kにおける二酸化炭素とメタンの吸脱着量を容量法により測定し、吸脱着等温線を作成した。結果を図18に示す。図17と図18の比較より、本発明の金属錯体は二酸化炭素を選択的に吸着し、かつ二酸化炭素の吸着量が多いので、メタンと二酸化炭素の分離材として優れていることがわかる。実施例1~4及び比較例1~5の結果より、本発明の構成要件を満たす合成例1、2で得た金属錯体は、同じくジャングルジム骨格が多重に相互貫入した三次元構造を有し、外部刺激により構造が動的に変化するが、本発明の構成要件を満たさない比較合成例1、2で得た金属錯体に比べ、各種ガスの吸蔵分離性能に優れていることは明らかである。このような差が生じる理由は必ずしも定かではないが、本発明の金属錯体の構成配位子を用いることにより、ガス分子と細孔表面との相互作用が大きくなるため、優れたガス吸蔵性能及びガス分離性能を発現するためであると考えられる。"