受光面電極層と、前記受光面電極層上に積層された光電変換部と、前記光電変換部上に積層された裏面電極層と、を備え、前記光電変換部は、前記受光面電極層側から一導電型半導体層と、真性半導体層と、逆導電型半導体層とを順次積層して形成した光電変換セルを有し、前記逆導電型半導体層は、逆導電型の非晶質シリコン層、酸化シリコン層、逆導電型のシリコン層が順次積層されていることを特徴とする太陽電池。受光面電極層と、前記受光面電極層上に積層された光電変換部と、前記光電変換部上に積層された裏面電極層と、を備え、前記光電変換部は、前記受光面電極層側から一導電型半導体層と、真性半導体層と、逆導電型半導体層とを順次積層して形成した光電変換セルを有し、前記逆導電型半導体層は、逆導電型の非晶質シリコン層と逆導電型の酸化シリコン層が順次積層されていることを特徴とする太陽電池。前記真性半導体層は、非晶質シリコンであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の太陽電池。前記光電変換部は、複数の光電変換セルを備え、前記複数の光電変換セルのうち、前記裏面電極層に隣接する光電変換セルは、前記受光面電極層側から一導電型半導体層と、真性半導体層と、逆導電型半導体層とを順次積層したものであって、前記逆導電型半導体層は、逆導電型の非晶質シリコン層、酸化シリコン層、逆導電型のシリコン層が順次積層されていることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。前記光電変換部は、複数の光電変換セルを備え、前記複数の光電変換セルのうち、前記裏面電極層に隣接する光電変換セルは、前記受光面電極層側から一導電型半導体層と、真性半導体層と、逆導電型半導体層とを順次積層したものであって、前記逆導電型半導体層は、逆導電型の非晶質シリコン層と逆導電型の酸化シリコン層が順次積層されていることを特徴とする請求項2に記載の太陽電池。前記真性半導体層は、微結晶シリコンであることを特徴とする請求項4または5に記載の太陽電池。前記酸化シリコン層は、結晶化率が2以上であることを特徴とする請求項2または5に記載の太陽電池。前記酸化シリコン層は、膜厚が5~30nmであることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の太陽電池。前記酸化シリコン層は、550nmの波長の光に対する屈折率が2.4未満であることを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載の太陽電池。発電効率をさらに向上させるためには、光電変換部において生成されるキャリアを増加させることとともに、光電変換セル46の一導電型層と他導電型層との間に配置された光電変換に寄与するi層に生じる電界を強めることが有効である。そこで、i層に生じる電界を強めるために、膜厚を厚くした一導電型層と他導電型層を設けることが行われてきた。しかしながら、光電変換セル46のi層と裏面電極層45の間に介在する他導電型層の膜厚を厚くすると、裏面側の透明電極45aにテクスチャ構造を設けても他導電型層に光の一部が吸収され、入射した光を有効に光電変換に寄与させることができないという問題が生じていた。そこで、本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、発電効率を向上させた太陽電池を提供することを目的とする。本発明に係る太陽電池は、受光面電極層と、受光面電極層上に積層された光電変換部と、光電変換部上に積層された裏面電極層と、を備え、光電変換部は、受光面電極層側から一導電型半導体層と、真性半導体層と、逆導電型半導体層とを順次積層して形成した光電変換セルを有し、逆導電型半導体層は、逆導電型の非晶質シリコン層、酸化シリコン層、逆導電型のシリコン層が順次積層される。本発明によれば、入射した光のロスを抑制しつつ、発電層に生じる電界を強めて発電効率を向上させた太陽電池を提供することができる。図面を用いて、本発明の実施形態について説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。従って、具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。[第1実施形態]太陽電池の構成図面を用いて、第1実施形態に係る太陽電池100の構成について、図1を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態に係る太陽電池100の断面図である。太陽電池100は、基板1と、受光面電極層2と、光電変換セル3および4と、裏面電極層5とを備える。基板1は、透光性を有し、ガラス、プラスチック等の透光性材料により構成される。受光面電極層2は、導電性および透光性を有し、基板1上に積層される。受光面電極層2としては、酸化錫SnO2、酸化亜鉛ZnO、酸化インジウムIn2O3、又は酸化チタンTiO2などの金属酸化物を用いることができる。なお、これらの金属酸化物に、フッ素F、錫Sn、アルミニウムAl、鉄Fe、ガリウムGa、ニオブNbなどがドープされていてもよい。光電変換セル3および4は、受光面電極層2と裏面電極層5との間に設けられる。光電変換セル3として、受光面側電極層2上に、p型層31と、i型層32と、n型層33と、が基板1側から順に積層されたpin接合が形成される。p型層31は、ボロンB等のp型ドーパントがドープされたp型の非晶質シリコンが用いられる。i型層32は、真性非晶質シリコンが用いられ、光電変換に寄与する発電層とする。n型層33は、リンP等のn型ドーパントがドープされたn型の非晶質シリコンが用いられる。そして、光電変換セル4として、n型層33上に、p型層41と、i型層42と、n型層43と、が基板1側から順に積層されたpin接合が構成される。p型層41は、ボロンB等のp型ドーパントがドープされたp型微結晶シリコンが用いられる。p型層41として、微結晶シリコンを用いることにより、非晶質シリコンを用いた場合に比べ、ドーパントの活性化率を高めることができ、強い電界を生じさせることができる。i型層42は、真性微結晶シリコンが用いられ、光電変換に寄与する発電層とする。n型層43は、基板1側から非晶質シリコン層43aと、酸化シリコン層43bと、シリコン層43cと、が基板1側から順に積層された構造を有する。非晶質シリコン層43aは、リンP等のn型ドーパントがドープされたn型の非晶質シリコンが用いられ、膜厚が5~30nm程度、好ましくは5~15nmとなるようにして、i型層42上に設けられる。酸化シリコン層43bは、リンP等のn型ドーパントがドープされた酸化シリコンが用いられ、膜厚が5~150nm程度、好ましくは5~30nmとなるようにして、非晶質シリコン層43a上に設けられる。酸化シリコン層43bは、550nmの波長に対して2.4以下の屈折率を有するものが用いられる。シリコン層43cは、リンP等のn型ドーパントがドープされたn型のシリコンが用いられ、酸化シリコン層43b上に設けられる。本実施形態では、シリコン層43cとして微結晶シリコンが用いる。シリコン層43c上に、裏面電極層5として酸化亜鉛からなる層を形成する場合にあっては、特にシリコン層43cを微結晶シリコンとすることが好ましい。シリコン層43cの膜厚は、非晶質シリコン層43aと、シリコン層43cとの膜厚の合計が20nm以上となるようにすることが好ましい。裏面電極層5は、導電性を有する一または複数の層からなる。裏面電極層5としては、酸化亜鉛ZnO、銀Agなどを用いることができ、本実施形態では、裏面電極層5が、酸化亜鉛を含む層と、銀を含む層と、を光電変換セル4側から順に積層した構成とした。しかし、これに限るものではなく、裏面電極層5は、銀を含む層のみを有していてもよい。作用および効果第1実施形態に係る太陽電池100によれば、n型層43が、非晶質シリコン層43aと、酸化シリコン層43bと、シリコン層43cと、を順次積層して構成される。以下に、本願発明の構成による効果を詳説する。1第1実施形態に係る太陽電池100では、i型層42上に、非晶質シリコン層43aと、屈折率が2.4以下の酸化シリコンからなる酸化シリコン層43bとが順次積層され、構成される。これにより、シリコンからなる非晶質シリコン層43aは、酸化シリコン層43bに比べて屈折率が高いため、受光面側から非晶質シリコン層43と酸化シリコン層43bの界面に光が入射したとき、非晶質シリコン層43a側に光を反射させることができる。特に、550nmの波長の光に対する酸化シリコン層43bの屈折率を2.4未満とすることにより、4.3程度の屈折率を有するシリコンとの界面における反射率を8以上とすることができる。このように、n型層43での光の吸収を少なくし、且つ非晶質シリコン層43aと酸化シリコン層43bの界面で光を反射して再度i型層42に光を入射させ、より多くの光を光電変換に寄与させることにより、短絡電流Iscが向上して発電効率を高くすることができる。また、i型層42に入射する光を多くすることによって、実質的にi型層42の厚さを厚くしたときと同様の効果を得ることができる。2第1実施形態に係る太陽電池100では、n型層43としてi型層42上に積層された非晶質シリコン層43aと別体のシリコン層43cを設ける。これにより、非晶質シリコン層43aでの光の吸収を少なくしつつ、非晶質シリコン層43aに加えてシリコン層43cがp型層41と作用することによってi型層42に生じる電界を強めることができるため、開放電圧Vocと曲線因子F.F.の向上を図ることができる。3第1実施形態に係る太陽電池100では、シリコン層43cとして、微結晶シリコンが用いられる。これにより、以下の効果が得られる。a非晶質シリコンを用いた場合に比べ、微結晶シリコンを用いた方がドーパントの活性化率を高めることができ、強い電界を生じさせることができる。この結果、p型層41との間に十分な電界を生じさせ、i型層42においてより光起電力が生じ易くすることができる。なお、i型層42として微結晶シリコンを用いた本実施形態では、i型層42の膜厚が非晶質シリコンを用いた場合に比べて厚く、i型層42に強い電界を生じさせる必要があるため、シリコン層43cとして微結晶シリコンを用いることが好適である。bシリコン層43c上に、裏面電極層5として酸化亜鉛からなる層を形成する場合にあっては、非晶質シリコンとした場合に比べ、シリコン層43cを微結晶シリコンとした場合の方がコンタクト抵抗を低下させることができる。したがって、コンタクト抵抗値に起因するシリーズ抵抗値の増大による太陽電池100の曲線因子の減少を抑制し、太陽電池100の発電効率の向上を図ることができる。4第1実施形態に係る太陽電池100では、非晶質シリコン層43aを、i型層42と酸化シリコン層43bとの間に配置し、非晶質シリコン層43aにより、i型層42と酸化シリコン層43bとが直接接触することを防止する。これにより、以下の効果が得られる。a非晶質シリコン層43aが、酸化シリコンからなる酸化シリコン層43bから光電変換に寄与するi型層42に酸素Oが拡散することを抑制する。この結果、i型層42に酸素が拡散して膜質が低下することに起因する発電効率の低下を抑制することができる。b真性シリコンからなるi型層42と酸化シリコンからなる酸化シリコン層43bの接触界面における高いコンタクト抵抗値に起因する太陽電池200のシリーズ抵抗直列抵抗値の増大を抑制することができ、このシリーズ抵抗値の増大による太陽電池200の曲線因子の減少を抑制し、太陽電池200の発電効率の向上を図ることができる。[第2実施形態]太陽電池の構成以下において、第2実施形態に係る太陽電池の構成について、図2を参照しながら説明する。図2は、第2実施形態に係る太陽電池200の断面図である。太陽電池200は、基板1と、受光面電極層2と、光電変換セル6と、裏面電極層5とを備える。本実施形態では、単一の光電変換セル6を用いる点で第1の実施形態と異なる。以下に、第1の実施形態との差異点である単一の光電変換セル6を中心に説明する。第1の実施形態同様、透光性材料により構成された基板1上に、導電性および透光性を有する受光面電極層2が積層される。光電変換セル6は、p型層61と、i型層62と、n型層63と、が基板1側から順に積層されたpin接合となるように構成され、受光面電極層2と裏面電極層5との間に設けられる。p型層61は、ボロンB等のp型ドーパントがドープされたp型の非晶質シリコンが用いられる。i型層62は、真性の非晶質シリコンが用いられ、光電変換に寄与する発電層とする。n型層63は、非晶質シリコン層63aと、酸化シリコン層63bと、シリコン層63cと、が基板1側から順に積層され構造を有する。非晶質シリコン層63aは、リンP等のn型ドーパントがドープされたn型の非晶質シリコンが用いられ、膜厚が5~30nm程度、好ましくは5~15nmとなるようにして、i型層62上に設けられる。酸化シリコン層63bは、リンP等のn型ドーパントがドープされた酸化シリコンが用いられ、膜厚が5~150nm程度、好ましくは5~30nmとなるようにして、非晶質シリコン層63a上に設けられる。酸化シリコン層63bは、550nmの波長に対して2.4以下の屈折率を有するものが用いられる。シリコン層63cは、リンP等のn型ドーパントがドープされたn型のシリコンが用いられ、酸化シリコン層63b上に設けられる。本実施形態では、シリコン層63cとして非晶質シリコンが用いる。なお、シリコン層63cを非晶質シリコンとする場合にあっては、膜厚を15nm以上とすることが好ましい。また、シリコン層63cの膜厚は、非晶質シリコン層63aと、シリコン層63cとの膜厚の合計は20nm以上となるようにすることが好ましい。裏面電極層5は、第1の実施形態同様、酸化亜鉛を含む層と、銀を含む層と、を光電変換セル6側から順に積層した構成とした。作用および効果第2実施形態に係る太陽電池200によれば、n型層63が、i型層62上に非晶質シリコン層63aと、酸化シリコン層63bと、シリコン層63cとを順次積層して構成される。以下に、本願発明の構成による効果を詳説する。1第2実施形態に係る太陽電池200では、i型層62上に、非晶質シリコン層63aと、屈折率が2.4以下の酸化シリコンからなる酸化シリコン層63bとが順次積層され、構成される。これにより、シリコンからなる非晶質シリコン層63aは、酸化シリコン層63bに比べて屈折率が高いため、受光面側から非晶質シリコン層63aと酸化シリコン層63bの界面に光が入射したとき、非晶質シリコン層63a側に光を反射させることができる。特に、550nmの波長の光に対する酸化シリコン層63bの屈折率を2.4未満とすることにより、4.3程度の屈折率を有するシリコンとの界面における反射率を8以上とすることができる。このように、n型層63での光の吸収を少なくし、且つ非晶質シリコン層63aと酸化シリコン層63bの界面で光を反射して再度i型層62に光を入射させ、より多くの光を光電変換に寄与させることにより、短絡電流が向上して発電効率を高くすることができる。また、i型層62に入射する光を多くすることによって、実質的にi型層62の厚さを厚くしたときと同様の効果を得ることができる。この結果、i型層62が非晶質シリコンからなる場合、厚さが厚いほど問題となるi型層62の光劣化を抑制しつつ、i型層62において生成されるキャリアの減少を抑制することができる。2第2実施形態に係る太陽電池200では、n型層63としてi型層62上に積層された非晶質シリコン層63aと別体のシリコン層63cを設ける。これにより、非晶質シリコン層63aでの光の吸収を少なくしつつ、非晶質シリコン層63aに加えてシリコン層63cがp型層61と作用することによってi型層62に生じる電界を強めることができるため、開放電圧と曲線因子の向上を図ることができる。3第2実施形態に係る太陽電池200では、非晶質シリコン層63aを、i型層62と酸化シリコン層63bとの間に配置し、非晶質シリコン63aにより、i型層62と酸化シリコン層63bとが直接接触することを防止する。これにより、以下の効果が得られる。a非晶質シリコン層63aが、酸化シリコンからなる酸化シリコン層63bから光電変換に寄与するi型層62に酸素Oが拡散することを抑制する。この結果、i型層62に酸素が拡散して膜質が低下することに起因する発電効率の低下を抑制することができる。b真性シリコンからなるi型層62と酸化シリコンからなる酸化シリコン層63bの接触界面における高いコンタクト抵抗値に起因する太陽電池200のシリーズ抵抗値の増大を抑制することができ、このシリーズ抵抗値の増大による太陽電池200の曲線因子の減少を抑制し、太陽電池200の発電効率の向上を図ることができる。4第2実施形態に係る太陽電池200では、シリコン層63cとして、非晶質シリコンが用いられる。これにより、微結晶シリコンを用いた場合に比べて非晶質シリコンは、光の透過率が高いため、入射した光をシリコン層63cで吸収することなく、裏面電極層5で反射し、再度i型層62に光を入射させることができ、より多くの光を光電変換に寄与させることができる。5本発明の第2実施形態に係る太陽電池200では、シリコン層63cとして、15nm以上の膜厚を有するものが用いられる。これにより、裏面電極層5側からi型層62への水分の侵入を防止しすることができるため、i型層62に不純物が拡散することに起因した光電変換効率の低下を抑制する効果を得ることができる。[第3実施形態]太陽電池の構成図面を用いて、第3実施形態に係る太陽電池300の構成について、図3を参照しながら説明する。図3は、第3実施形態に係る太陽電池300の断面図である。太陽電池300は、基板1と、受光面電極層2と、光電変換セル3および7と、裏面電極層5とを備える。本実施形態では、光電変換セル4の代わりに光電変換セル7を用いる点で第1の実施形態と異なる。以下に、第1の実施形態との差異点である光電変換セル7を中心に説明する。第1の実施形態同様、透光性材料により構成された基板1上に、導電性および透光性を有する受光面電極層2が積層される。光電変換セル3および7は、受光面電極層2と裏面電極層5との間に設けられる。光電変換セル3として、受光面側電極層2上に、p型層31と、i型層32と、n型層33と、が基板1側から順に積層されたpin接合が形成される。p型層31は、ボロンB等のp型ドーパントがドープされたp型の非晶質シリコンが用いられる。i型層32は、真性非晶質シリコンが用いられ、光電変換に寄与する発電層とする。n型層33は、リンP等のn型ドーパントがドープされたn型の非晶質シリコンが用いられる。そして、光電変換セル7として、n型層33上に、p型層71と、i型層72と、n型層73と、が基板1側から順に積層されたpin接合が構成される。p型層71は、ボロンB等のp型ドーパントがドープされたp型微結晶シリコンが用いられる。p型層71として、微結晶シリコンを用いることにより、非晶質シリコンを用いた場合に比べ、ドーパントの活性化率を高めることができ、強い電界を生じさせることができる。i型層72は、真性微結晶シリコンが用いられ、光電変換に寄与する発電層とする。n型層73は、非晶質シリコン層73aと、酸化シリコン層73bと、が基板1側から順に積層され構造を有する。非晶質シリコン層73aは、リンP等のn型ドーパントがドープされたn型の非晶質シリコンが用いられ、膜厚が5~30nm程度、好ましくは5~15nmとなるようにして、i型層62上に設けられる。酸化シリコン層73bは、リンP等のn型ドーパントがドープされた酸化シリコンが用いられ、膜厚が5~150nm程度、好ましくは5~30nmとなるようにして、非晶質シリコン層63a上に設けられる。また、数式2のように酸化シリコン層73bは、シリコンの原子数[Si]と酸素の原子数[O]の合計に対する水素の原子数[H]とリンの原子数[P]の合計の比で求められる原子数比Aを0.19以上とした膜とする。数1原子数比A=[H][P]/[Si][O]1さらに酸化シリコン層73bは、550nmの波長に対して2.4以下の屈折率を有するものが用いられる。裏面電極層5として酸化亜鉛からなる層を形成する場合にあっては、特に酸化シリコン層73bを結晶質とすることが好ましい。具体的には、ガラス基板上に100~300nmの結晶質の酸化シリコン膜を形成し、結晶質の酸化シリコン膜の面内の各領域に波長514nmの光を照射し、ラマン散乱のスペクトルを検出する。次に得られたデータの400cm-1での強度から600cm-1での強度を結ぶ直線を引き、これをノイズの影響を除去するためのベースラインとする。そして、測定スペクトルからベースラインの値を引いた後の520cm-1付近に現れる最大強度Icと、480cm-1付近に現れる最大強度Iaから数式2を適用して算出した結晶化率Xが、2以上、好ましくは5以上である結晶質の酸化シリコンとすることが好ましい。なお、520cm-1付近に現れる最大強度Icは結晶質のシリコンに、480cm-1付近に現れる最大強度Iaはアモルファスのシリコンに起因するしてスペクトル強度が強くなるため、最大強度Icと最大強度Iaを検出することにより、結晶化率Xを求めることができる。数2結晶化率X=Ic/Ia2裏面電極層5は、第1の実施形態同様、酸化亜鉛を含む層と、銀を含む層と、を光電変換セル7側から順に積層した構成とした。作用および効果第3実施形態に係る太陽電池300によれば、n型層73が、非晶質シリコン層73aと酸化シリコン層73bとを積層して構成される。以下に、本願発明の構成による効果を詳説する。1第3実施形態に係る太陽電池300では、非晶質シリコン層73a上に、屈折率が2.4以下の酸化シリコン層73bが順次積層され、構成される。これにより、非晶質シリコン層73aは、酸化シリコン層73bに比べて屈折率が高いため、受光面側から非晶質シリコン層73aと酸化シリコン層73bの界面に光が入射したとき、i型層72側に光を反射させることができる。特に、550nmの波長の光に対する酸化シリコン層73bの屈折率を2.4未満とすることにより、4.3程度の屈折率を有するシリコンとの界面における反射率を8以上とすることができる。このように、酸化シリコン層73bに入射させることなく、非晶質シリコン層73aと酸化シリコン層73bの界面で光を反射して再度i型層72に光を入射させ、より多くの光を光電変換に寄与させることにより、短絡電流が向上して発電効率を高くすることができる。また、i型層72に入射する光を多くすることによって、実質的にi型層72の厚さを厚くしたときと同様の効果を得ることができる。2第3実施形態に係る太陽電池300では、酸化シリコン層73bとして結晶質からなる酸化シリコンが用いられる。これにより、酸化シリコン層73bとして非晶質の酸化シリコン層を用いた場合に比べ、積層方向への導電率を高めることができる。この結果、太陽電池300としてはシリーズ抵抗直列接続抵抗を低減することができ、このシリーズ抵抗値の増大による太陽電池300の曲線因子の減少を抑制し、太陽電池300の発電効率の向上を図ることができる。3第3実施形態に係る太陽電池300では、酸化シリコン層73bは、シリコンの原子数[Si]と酸素の原子数[O]の合計に対する水素の原子数[H]とリンの原子数[P]の合計の比で求められる原子数比Aが0.19以上である膜とする。これにより屈折率と吸収係数の増加を抑制するとともに、導電率の低下を抑制することができる。この結果、酸化シリコン層73bと裏面電極層5の接触抵抗を低減し、直接接触させた構成とすることができる。[第4実施形態]太陽電池の構成以下において、第4実施形態に係る太陽電池の構成について、図4を参照しながら説明する。図4は、第4実施形態に係る太陽電池400の断面図である。太陽電池400は、基板1と、受光面電極層2と、光電変換セル8と、裏面電極層5とを備える。本実施形態では、単一の光電変換セル8を用いる点で第1の実施形態と異なる。以下に、第1の実施形態との差異点である単一の光電変換セル8を中心に説明する。第1の実施形態同様、透光性材料により構成された基板1上に、導電性および透光性を有する受光面電極層2が積層される。光電変換セル8は、p型層81と、i型層82と、n型層83と、が基板1側から順に積層されたpin接合となるように構成され、受光面電極層2と裏面電極層5との間に設けられる。p型層81は、ボロンB等のp型ドーパントがドープされたp型の非晶質シリコンが用いられる。i型層82は、真性の非晶質シリコンが用いられ、光電変換に寄与する発電層とする。n型層83は、非晶質シリコン層83aと、酸化シリコン層83bと、が基板1側から順に積層され構造を有する。非晶質シリコン層83aは、リンP等のn型ドーパントがドープされたn型の非晶質シリコンが用いられ、膜厚が5~30nm程度、好ましくは5~15nmとなるようにして、i型層82上に設けられる。酸化シリコン層83bは、リンP等のn型ドーパントがドープされた酸化シリコンが用いられ、膜厚が5~150nm程度、好ましくは5~30nmとなるようにして、非晶質シリコン層83a上に設けられる。また、数式2のように酸化シリコン層83bは、シリコンの原子数[Si]と酸素の原子数[O]の合計に対する水素の原子数[H]とリンの原子数[P]の合計の比で求められる原子数比Aを0.19以上とした膜とする。数1原子数比A=[H][P]/[Si][O]1さらに酸化シリコン層83bは、550nmの波長に対して2.4以下の屈折率を有するものが用いられる。裏面電極層5として酸化亜鉛からなる層を形成する場合にあっては、特に酸化シリコン層83bを結晶質とすることが好ましい。具体的には、ガラス基板上に100~300nmの結晶質の酸化シリコン膜を形成し、結晶質の酸化シリコン膜の面内の各領域に波長514nmの光を照射し、ラマン散乱のスペクトルを検出する。次に得られたデータの400cm-1での強度から600cm-1での強度を結ぶ直線を引き、これをノイズの影響を除去するためのベースラインとする。そして、測定スペクトルからベースラインの値を引いた後の520cm-1付近に現れる最大強度Icと、480cm-1付近に現れる最大強度Iaから数式2を適用して算出した結晶化率Xが、2以上、好ましくは5以上である結晶質の酸化シリコンとすることが好ましい。なお、520cm-1付近に現れる最大強度Icは結晶質のシリコンに、480cm-1付近に現れる最大強度Iaはアモルファスのシリコンに起因するしてスペクトル強度が強くなるため、最大強度Icと最大強度Iaを検出することにより、結晶化率Xを求めることができる。数2結晶化率X=Ic/Ia2裏面電極層5は、第1の実施形態同様、酸化亜鉛を含む層と、銀を含む層と、を光電変換セル8側から順に積層した構成とした。作用および効果第4実施形態に係る太陽電池400によれば、n型層83が、非晶質シリコン層83aと酸化シリコン層83bとを積層して構成される。以下に、本願発明の構成による効果を詳説する。1第4実施形態に係る太陽電池400では、非晶質シリコン層83a上に、屈折率が2.4以下の酸化シリコン層83bが順次積層され、構成される。これにより、非晶質シリコン層83aは、酸化シリコン層83bに比べて屈折率が高いため、受光面側から非晶質シリコン層83aと酸化シリコン層83bの界面に光が入射したとき、i型層82側に光を反射させることができる。特に、550nmの波長の光に対する酸化シリコン層83bの屈折率を2.4未満とすることにより、4.3程度の屈折率を有するシリコンとの界面における反射率を8以上とすることができる。このように、酸化シリコン層83bに入射させることなく、非晶質シリコン層83aと酸化シリコン層83bの界面で光を反射して再度i型層82に光を入射させ、より多くの光を光電変換に寄与させることにより、短絡電流が向上して発電効率を高くすることができる。また、i型層82に入射する光を多くすることによって、実質的にi型層82の厚さを厚くしたときと同様の効果を得ることができる。2第4実施形態に係る太陽電池400では、酸化シリコン層83bとして結晶質からなる酸化シリコンが用いられる。これにより、酸化シリコン層83bとして非晶質の酸化シリコン層を用いた場合に比べ、積層方向への導電率を高めることができる。この結果、太陽電池400としてはシリーズ抵抗直列接続抵抗を低減することができ、このシリーズ抵抗値の増大による太陽電池400の曲線因子の減少を抑制し、太陽電池400の発電効率の向上を図ることができる。3第4実施形態に係る太陽電池400では、酸化シリコン層83bは、シリコンの原子数[Si]と酸素の原子数[O]の合計に対する水素の原子数[H]とリンの原子数[P]の合計の比で求められる原子数比Aが0.19以上である膜とする。これにより屈折率と吸収係数の増加を抑制するとともに、導電率の低下を抑制することができる。この結果、酸化シリコン層83bと裏面電極層5の接触抵抗を低減し、直接接触させた構成とすることができる。その他の実施形態上記の実施形態は、本発明の一例を開示したに過ぎず、上記の実施形態の論述および図面はこの発明を限定するものではない。例えば、上述した第1実施形態では光電変換セル3および4の2つ、第2実施形態では光電変換セル6のみ、第3実施形態では光電変換セル3および7の2つ、第4実施形態では光電変換セル8のみとしたが、これに限定されるものではない。具体的には、3つ以上の光電変換セルが含まれていてもよい。また、上述した第1実施形態、第2実施形態、第3実施形態および第4実施形態では、光電変換セル3、4、6、7および8は、p型層と、i型層と、n型層と、基板1側から順に積層されたpin接合を有するが、これに限定されるものではない。具体的には、光電変換セル3、4、6、7および8は、n型層と、i型層と、p型層と、が基板1側から順に積層されたnip接合を有していてもよい。また、上述した第2実施形態および第4実施形態では、太陽電池200、400は、基板1上に、受光面電極層2と、光電変換セル6、8と、裏面電極層5とが順に積層された構成を有しているが、これに限定されるものではない。具体的には、太陽電池200、400は、基板1上に、裏面電極層5と、光電変換セル6、8と、受光面電極層2とが順に積層された構成を有していてもよい。実施例1以下のようにして、第1実施形態に係る太陽電池100を実施例1として作製した。まず、厚さ4mmのガラス基板基板1上に、SnO2層受光面電極層2を形成した。次に、SnO2層受光面電極層2上に、プラズマCVD法を用いて、非晶質シリコンからなるp型層31と、非晶質シリコンからなるi型層32と、非晶質シリコンからなるn型層33と、を順次積層し、光電変換セル3を形成した。次に、光電変換セル3上に、プラズマCVD法を用いて、微結晶シリコンからなるp型層41と、微結晶シリコンからなるi型層42と、非晶質シリコン層43a、酸化シリコン層43b、微結晶シリコンからなるシリコン層43cからなるn型層43と、を順次積層し、光電変換セル4を形成した。次に、光電変換セル4上に、スパッタ法を用いて、ZnO層およびAg層裏面電極層5を順次形成した。上述した光電変換セル3および光電変換セル4の形成条件を表1に示す。なお、ZnO層およびAg層裏面電極層5の厚さは、それぞれ90nm、200nmとした。以上により、本実施例1では、図1に示すように、非晶質シリコン層43a、酸化シリコン層43b、微結晶シリコンからなるシリコン層43cからなるn型層43を有する太陽電池100を形成した。実施例2以下のようにして、第3実施形態に係る太陽電池300を実施例2として作製した。まず、厚さ4mmのガラス基板基板1上に、SnO2層受光面電極層2を形成した。次に、SnO2層受光面電極層2上に、プラズマCVD法を用いて、非晶質シリコンからなるp型層31と、非晶質シリコンからなるi型層32と、非晶質シリコンからなるn型層33と、を順次積層し、光電変換セル3を形成した。次に、光電変換セル3上に、プラズマCVD法を用いて、微結晶シリコンからなるp型層71と、微結晶シリコンからなるi型層72と、非晶質シリコン層73aと酸化シリコン層73bからなるn型層73と、を順次積層し、光電変換セル7を形成した。次に、光電変換セル7上に、スパッタ法を用いて、ZnO層およびAg層裏面電極層5を順次形成した。上述した光電変換セル3および光電変換セル7の形成条件を表2に示す。なお、酸化シリコン層73bの形成条件については、表2に挙げた実施例に限られず、屈折率と吸収係数を低下させるために通常の形状条件に比べ、シランの流量を少なくする方法、二酸化炭素CO2の流量を多くする方法、水素H2の流量を多くする方法のうち、一又は複数の方法とともに、導電率を向上させるためにフォスフィンPH3の流量を多くし、形成すればよい。具体的には、シランの流量を29sccm以上、二酸化炭素の流量を50sccm以上、水素の流量を10000sccm以上、フォスフィンの流量を2sccm以上とした形成条件とすればよい。また、ZnO層およびAg層裏面電極層5の厚さは、それぞれ90nm、200nmとした。以上により、本実施例2では、図3に示すように、非晶質シリコン層73aと酸化シリコン層73bからなるn型層73を有する太陽電池300を形成した。比較例以下のようにして、比較例に係る太陽電池500を作製した。まず、上記実施例1と同様にして、厚さ4mmのガラス基板基板1上に、SnO2層受光面電極層2、光電変換セル3を順次形成した。次に、光電変換セル3上に、プラズマCVD法を用いて、光電変換セル4 ́を形成した。比較例では、微結晶シリコンからなるp型層41と、微結晶シリコンからなるi型層42と、を形成した後、微結晶シリコンからなるn型層43 ́と、を順次積層し、光電変換セル4 ́を形成した。次に、光電変換セル4 ́上に、上記実施例と同様にしてZnO層およびAg層裏面電極層5を順次形成した。上述した光電変換セル4 ́の形成条件を表2に示す。なお、光電変換セル3の形成条件は、上記実施例1における形成条件と同様である。また、ZnO層およびAg層裏面電極層5の厚さは、上記実施例1と同様に、それぞれ90nm、200nmとした。以上により、本比較例では、図5に示すように、光電変換セル4 ́のn型層43 ́を、30nmの膜厚を有する微結晶シリコンの単層体とした太陽電池500を形成した。特性評価実施例1、実施例2および比較例に係る太陽電池について、開放電圧、短絡電流、曲線因子および発電効率Effの各特性値の比較を行った。比較結果を表4に示す。なお、表4においては、比較例における各特性値を1.00として規格化して表している。表4に示すように、実施例1および実施例2では、曲線因子については比較例よりも増加し、発電効率が比較例よりも高くなることが確認された。短絡電流については、実施例1に係る太陽電池100では、n型層43を非晶質シリコン層43aと、酸化シリコン層43bと、シリコン層43cと、を順次積層して構成したにも関わらず、低下させることなく、比較例と同等の出力とすることができた。実施例1に係る太陽電池100では、比較例に比べ、開放電圧が1.01に、また曲線因子についても1.02に向上した。これは、n型層43としてi型層42上に積層された非晶質シリコン層43aと別体のシリコン層43cを設けたことにより、i型層42に生じる電界を強めることができたためと考えられる。また、i型層42と酸化シリコン層43bとの間に非晶質シリコン層43aを間に配置することにより、i型層42と酸化シリコン層43bとが接触した場合に大きくなる接触界面におけるコンタクト抵抗値を低くすることができる。この結果、太陽電池100のシリーズ抵抗値の増大を抑制することができたため、曲線因子を向上させることができたと考えられる。実施例2に係る太陽電池300では、酸化シリコン層73bと裏面電極層5を接触させるようにして構成したにも関わらず、短絡電流と曲線因子を低下させることなく、比較例以上の出力とすることができた。また、実施例2に係る太陽電池300では、比較例に比べ、開放電圧が1.02に、また曲線因子についても1.04に向上した。これは、実質的にn型層としてp型層71と作用し、i型層72に電界を生じさせる酸化シリコン層73bが、p型層71との距離を短くして配置されることにより、i型層72に生じる電界を強めることができたためと考えられる。加えて、i型層72と酸化シリコン層73bとの間に非晶質シリコン層73aを間に配置することにより、i型層72と酸化シリコン層73bとが接触した場合に大きくなる接触界面におけるコンタクト抵抗値を低くすることができる。この結果、太陽電池300のシリーズ抵抗値の増大を抑制することができたため、曲線因子を向上させることができたと考えられる。以上のように、短絡電流を低下させることなく、開放電圧と曲線因子の改善を図ることができることが確認された。また、発電効率についても曲線因子の改善により多くの電力を取り出すことが可能となり、比較例よりも発電効率を向上させることができることが確認された。