"少なくとも1層の金属基材とAl基材とが積層されて一体化された金属基板、および前記金属基板の前記Al基材の表面に形成された電気絶縁層を備える絶縁層付基板と、前記電気絶縁層上に形成された少なくとも1層の応力緩和層と、前記応力緩和層上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成され、化合物半導体層から構成される光電変換層と、前記光電変換層上に形成された上部電極とを有し、前記電気絶縁層は、アルミニウムの陽極酸化膜であることを特徴とする光電変換素子。前記化合物半導体は、少なくとも1種のカルコパイライト構造の化合物半導体である請求項1に記載の光電変換素子。前記化合物半導体は、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とからなる少なくとも1種の化合物半導体である請求項2に記載の光電変換素子。前記Ib族元素は、CuおよびAgからなる群より選択された少なくとも1種であり、前記IIIb族元素は、Al,Ga及びInからなる群より選択された少なくとも1種であり、前記VIb族元素は、S,Se,及びTeからなる群から選択された少なくとも1種である請求項3に記載の光電変換素子。前記応力緩和層は、熱膨張係数が、前記光電変換層の熱膨張係数よりも小さく、かつ前記絶縁層の熱膨張係数よりも大きい請求項1~4のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記応力緩和層は、酸化物により構成されている請求項1~5のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記応力緩和層は、厚さが10nm~400nmである請求項1~6のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記応力緩和層の厚みは、50nm~200nmである請求項7に記載の光電変換素子。前記光電変換層は、複数の開溝部によって複数の素子に分割され、かつ該複数の素子は、電気的に直列接続されたものである請求項1~8のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記応力緩和層は、アルカリ金属を含む請求項1~9のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記応力緩和層は、酸化ケイ素を主成分とし、かつナトリウム酸化物を含む化合物により構成される請求項10に記載の光電変換素子。前記応力緩和層は、2層構造であり、前記絶縁層付基板側の第1の応力緩和層は、その上の第2の応力緩和層よりも熱膨張係数が小さい請求項1~11のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記応力緩和層は、2層構造であり、前記光電変換層がCIGS系の半導体化合物で構成される場合、前記絶縁層付基板側の第1の応力緩和層は、ZrN、AlN、BN、Al2O3、またはZrO2で構成され、その上の第2の応力緩和層は、酸化ケイ素を主成分とし、かつナトリウム酸化物を含む化合物により構成される請求項1~12のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記金属基板は、金属基材とAl基材とが加圧接合により一体化された積層板である請求項1~13のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記金属基材は、鋼材、合金鋼材、Ti箔又はTi箔と鋼材との2層基材である請求項14に記載の光電変換素子。前記合金鋼材は、炭素鋼、フェライト系ステンレスからなるものである請求項15に記載の光電変換素子。前記金属基材と前記光電変換層との熱膨張係数の差は、3×10-6/°C未満である請求項1~16のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記金属基材と前記光電変換層との熱膨張係数の差は、1×10-6/°C未満である請求項17に記載の光電変換素子。前記金属基板が、炭素鋼又はフェライト系ステンレスからなる合金鋼材とAl基材とが加圧接合により一体化された積層板からなるものであり、前記下部電極が、Moからなるものであり、前記光電変換層が、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とからなる少なくとも1種の化合物半導体を主成分とする層である請求項1~18のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記金属基材は、コバールにより構成され、前記光電変換層は、主成分がCdTeの化合物半導体で構成される請求項1~15、17、および18のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記陽極酸化膜は、ポーラス構造を有する請求項1~20のいずれか1項に記載の光電変換素子。請求項1~21のいずれか1項に記載の光電変換素子を有することを特徴とする薄膜太陽電池。少なくとも1層の金属基材とAl基材とを積層させた状態で一体化して金属基板を形成する工程と、前記金属基板の前記Al基材を陽極酸化処理して、前記Al基材上に電気絶縁層を形成し、絶縁層付基板を得る工程と、前記電気絶縁層上に応力緩和層を形成する工程と、前記応力緩和層上に下部電極を形成する工程と、500°C以上の成膜温度で、前記下部電極上に光電変換層を形成する工程と、前記光電変換層上に上部電極を形成する工程とを有することを特徴とする光電変換素子の製造方法。前記金属基板は、金属基材とAl基材とが積層されて一体化された積層板であり、前記絶縁層付基板を得る工程は、前記Al基材を陽極酸化処理して、前記Al基材の表面に陽極酸化膜を形成する工程である請求項23に記載の光電変換素子の製造方法。太陽電池において、現在、検討されているCIGS系化合物半導体を光電変換層として用いる場合、高品質な光電変換効率を得るためには、成膜温度がさらに高温であることを要し、一般的には500°C以上、特に、Cu-Seの液層が出現する約520°C以上が適する。従って、500°C以上、好ましくは520°C以上の高温に耐えうる構成の基板が求められる。また、生産性を考慮した際にも、基板温度は高い方が好ましい。基板として、アルミニウム材に陽極酸化膜が形成されたものを用いた場合、高温にさらされると、アルミニウムの熱膨張係数23×10-6/°Cと陽極酸化膜の熱膨張係数5×10-6/°C程度との約18×10-6/°Cという大きな熱膨張係数差に起因する応力が陽極酸化膜に発生し、この応力に耐えきれず、アルミニウム材上の陽極酸化膜にクラックが生じる。しかも、太陽電池においては、一般的に、例えば、絶縁層と裏面電極層または光電変換材料層などとの接合部分は、熱膨張率の違いなどにより剥離しやすいことが知られている。このように、金属基板の表面に絶縁層を設けた基板を太陽電池に用いる場合、高温に耐えることが要求されているが、上述の特許文献1~3に開示のものでは、500°C以上の高温に耐えることができず、基板に求められている高温に耐え、かつ絶縁性を有する基板がないのが現状である。なお、青板ガラス以外の金属板等を太陽電池の基板として使用する場合、Naを供給するには光電変換層を高温で成膜することが好ましい。本発明の目的は、前記従来技術に基づく問題点を解消し、絶縁層上に応力緩和層を設け、光電変換素子を構成する層の剥離を抑制した光電変換素子、薄膜太陽電池および光電変換素子の製造方法を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明の第1の態様は、少なくとも1層の金属基材とAl基材とが積層されて一体化された金属基板、および前記金属基板の前記Al基材の表面に形成された電気絶縁層を備える絶縁層付基板と、前記電気絶縁層上に形成された少なくとも1層の応力緩和層と、前記応力緩和層上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成され、化合物半導体層から構成される光電変換層と、前記光電変換層上に形成された上部電極とを有し、前記電気絶縁層は、アルミニウムの陽極酸化膜であることを特徴とする光電変換素子を提供するものである。また、上記目的を達成するために、本発明の第2の態様は、少なくとも1層の金属基材とAl基材とを積層させた状態で一体化して金属基板を形成する工程と、前記金属基板の前記Al基材を陽極酸化処理して、前記Al基材上に電気絶縁層を形成し、絶縁層付基板を得る工程と、前記電気絶縁層上に応力緩和層を形成する工程と、前記応力緩和層上に下部電極を形成する工程と、500°C以上の成膜温度で、前記下部電極上に光電変換層を形成する工程と、前記光電変換層上に上部電極を形成する工程とを有することを特徴とする光電変換素子の製造方法を提供するものである。ここで、前記金属基板は、金属基材とAl基材とが積層されて一体化された積層板であり、前記絶縁層付基板を得る工程は、前記Al基材を陽極酸化処理して、前記Al基材の表面に陽極酸化膜を形成する工程であるのが好ましい。本発明の各態様において、前記化合物半導体は、少なくとも1種のカルコパイライト構造の化合物半導体であるのが好ましく、また、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とからなる少なくとも1種の化合物半導体であるのがより好ましく、また、前記Ib族元素は、CuおよびAgからなる群より選択された少なくとも1種であり、前記IIIb族元素は、Al,Ga及びInからなる群より選択された少なくとも1種であり、前記VIb族元素は、S,Se,及びTeからなる群から選択された少なくとも1種であるのがさらに好ましい。また、前記応力緩和層は、熱膨張係数が、前記光電変換層の熱膨張係数よりも小さく、かつ前記絶縁層の熱膨張係数よりも大きいことが好ましい。また、前記応力緩和層は、酸化物により構成されていることが好ましい。また、本発明においては、前記応力緩和層は、厚さが10nm~400nmであることが好ましく、50nm~200nmであるのがより好ましい。また、本発明においては、前記金属基板は、金属基材とAl基材とが加圧接合により一体化された積層板であることが好ましい。また、前記光電変換層は、複数の開溝部によって複数の素子に分割され、かつ該複数の素子は、電気的に直列接続されたものであるのが好ましい。また、前記応力緩和層は、アルカリ金属を含むことが好ましく、前記応力緩和層は、酸化ケイ素を主成分とし、かつナトリウム酸化物を含む化合物により構成されることが好ましい。また、前記応力緩和層は、2層構造であり、前記絶縁層付基板側の第1の応力緩和層は、その上の第2の応力緩和層よりも熱膨張係数が小さいことが好ましい。また、前記応力緩和層は、2層構造であり、前記光電変換層がCIGS系の半導体化合物で構成される場合、前記絶縁層付基板側の第1の応力緩和層は、ZrN、AlN、BN、Al2O3、またはZrO2で構成され、その上の第2の応力緩和層は、酸化ケイ素を主成分とし、かつナトリウム酸化物を含む化合物により構成されることが好ましい。また、前記金属基板は、金属基材とAl基材とが加圧接合により一体化された積層板であることが好ましい。また、前記金属基材は、鋼材、合金鋼材、Ti箔又はTi箔と鋼材との2層基材であるのが好ましく、前記合金鋼材は、炭素鋼、フェライト系ステンレスからなるものであるのが好ましく、また、前記金属基材と前記光電変換層との熱膨張係数差が、3×10-6/°C未満であるのが好ましく、1×10-6/°C未満であるのがより好ましい。また、前記金属基板が、炭素鋼又はフェライト系ステンレスからなる合金鋼材とAl基材とが加圧接合により一体化された積層板からなるものであり、前記下部電極が、Moからなるものであり、前記光電変換層が、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とからなる少なくとも1種の化合物半導体を主成分とする層であることが好ましい。また、前記金属基材は、コバールにより構成され、前記光電変換層は、主成分がCdTeの化合物半導体で構成されることが好ましい。また、前記陽極酸化膜は、ポーラス構造を有するのが好ましい。また、上記目的を達成するために、本発明の第3の態様は、上記第1の態様の光電変換素子を有することを特徴とする薄膜太陽電池を提供するものである。本発明によれば、応力緩和層を設けることにより、電気絶縁層におけるクラックの発生、および電気絶縁層を基点とする剥離の発生を抑制することができる。さらには、本発明によれば、下部電極、光電変換層、上部電極を形成する際に、温度が500°C以上の高温に昇温された後、室温まで降温されても、形成される各層の熱膨張係数の違いにより発生する応力を応力緩和層により緩和することができ、光電変換素子を構成する各層の剥離を抑制することができる。また、本発明によれば、少なくとも1層の金属基材とアルミニウム基材とが積層されて一体化された金属基板およびこの金属基板のアルミニウム基材の表面に形成された電気絶縁層を備える絶縁層付基板とすることにより、例えば、温度500°C以上の成膜工程を経ても高い絶縁性および高い強度を維持することができ、温度が500°C以上の高温での製造工程が可能である。このため、500°C以上で光電変換層として化合物半導体を形成することができる。光電変換層を構成する化合物半導体は、高温で形成した方が、光電変換特性を向上させることができるため、これにより、光電変換特性を向上させた光電変換層を有する光電変換素子を製造することができる。しかも、温度が500°C以上の高温での製造工程が可能であるため、製造時のハンドリング等に制限をなくすことが可能となる。また、本発明によれば、特に、応力緩和層を酸化物で構成する場合、応力緩和層も電気絶縁層として機能するため、より絶縁性を高くすることができる。これにより、より耐電圧性が優れたものとなる。さらに、応力緩和層をアルカリ金属を含むもので構成する場合、応力緩和層がアルカリ金属の供給源としての機能を果たす。これにより、光電変換層の形成中に、アルカリ金属を光電変換層に拡散させることができ、光電変換効率を向上させることができる。この場合、光電変換層の成膜工程は、より高温であることが要求されるものの、本発明の基板は、高温耐性があるため、アルカリ金属を光電変換層に拡散させることができる。以下、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の光電変換素子、薄膜太陽電池および光電変換素子の製造方法を詳細に説明する。まず、本発明の実施形態の光電変換素子を有する薄膜太陽電池に用いられる基板について説明する。図1は、本発明の実施形態に係る光電変換素子を有する薄膜太陽電池を示す模式的断面図である。図1に示す本実施形態の薄膜太陽電池30は、太陽電池モジュール又はこの太陽電池モジュールを構成する太陽電池サブモジュールとして用いられるもので、例えば、接地された略長方形状の金属基板15及び金属基板15上に形成された電気的な絶縁層16からなる絶縁層付基板10以下単に基板10というと、絶縁層16上に形成された応力緩和層50と、応力緩和層50に形成され、直列に接続された複数の発電セル太陽電池セル54、複数の発電セル54の一方に接続される第1の導電部材42、およびその他方に接続される第2の導電部材44からなる発電層56と、を有する。なお、ここでは、1つの発電セル54と、これに対応する基板10、および応力緩和層50の各部分からなるものを光電変換素子40と呼ぶが、図1に示す薄膜太陽電池30自体を光電変換素子と呼んでもよい。まず、本発明の実施形態に係る光電変換素子を有する薄膜太陽電池に用いられる基板について説明する。図2aは、図1に示す本発明の実施形態に係る光電変換素子を有する薄膜太陽電池に用いられる基板を示す模式的断面図であり、bは、本発明の実施形態に係る光電変換素子を有する薄膜太陽電池に用いられる基板の他の例を示す模式的断面図である。図2aに示すように、基板10は、金属基材12およびアルミニウムを主成分とするアルミニウム基材14以下、Al基材14というからなる金属基板15と、絶縁層16とを有する絶縁層付基板である。基板10においては、金属基材12の表面12aにAl基材14が形成されて金属基板15を構成し、金属基板15のAl基材14の表面14aに絶縁層16が形成されている。また、金属基板15は、金属基材12とAl基材14とが積層されて一体化されたもの、すなわち、Alクラッド基材又はAlクラッド基板である。本実施形態の基板10は、光電変換素子および薄膜太陽電池の基板に利用されるものであり、例えば、平板状である。基板10の形状および大きさ等は適用される光電変換素子および薄膜太陽電池の大きさ等に応じて適宜決定される。薄膜太陽電池に用いる場合、基板10は、例えば、一辺の長さが1mを超える四角形状または矩形状である。基板10において、金属基材12には、平板状又は箔状金属材が用いられるが、例えば、炭素鋼およびフェライト系ステンレス鋼等の鋼材が用いられる。金属基材12に用いられる鋼材は、アルミニウム合金より300°C以上での耐熱強度が高く、基板10は所定の耐熱性が得られる。上述の金属基材12に用いられる炭素鋼は、例えば、炭素含有量が0.6質量以下の機械構造用炭素鋼が用いられる。機械構造用炭素鋼としては、例えば、一般的にSC材と呼ばれるものが用いられる。また、フェライト系ステンレス鋼としては、SUS430、SUS405、SUS410、SUS436、SUS444等を用いることができる。鋼材としては、これ以外にも、一般的にSPCC冷間圧延鋼板と呼ばれるものが用いられる。なお、金属基材12は、上記以外にも、コバール合金5×10-6°C、チタンまたはチタン合金により構成してもよい。チタンとしては、純Ti9.2×10-6°Cが用いられ、チタン合金としては、展伸用合金であるTi-6Al-4V、Ti-15V-3Cr-3Al-3Snが用いられる。これらの金属も、平板状又は箔状で用いられる。金属基材12としては、アルミニウムおよびアルミニウム合金よりも熱膨張係数が小さく、剛性が高く、しかも耐熱性が高い金属または合金であることが好ましい。金属基材12の厚さは、可撓性に影響するので、過度の剛性不足を伴わない範囲で薄くすることが好ましい。本実施形態の基板10においては、金属基材12の厚さは、例えば、10~800μmであり、好ましくは30~300μmである。より好ましくは50~150μmである。金属基材12の厚さを薄くすることは、原材料コストの面からも好ましい。金属基材12を可撓性を有するもの、すなわち、フレキシブルなものとする場合、金属基材12は、フェライト系ステンレス鋼が好ましい。Al基材14は、主成分がアルミニウムAlで構成されるものであり、主成分がアルミニウムとは、アルミニウム含有量が90質量以上であることをいう。Al基材14としては、例えば、アルミニウムまたはアルミニウム合金が用いられる。Al基材14に用いられるアルミニウムまたはアルミニウム合金は、不要な金属間化合物を含まないことが好ましい。具体的には不純物の少ない、99質量以上の純度のアルミであることが好ましい。純度としては、例えば、99.99質量Al、99.96質量Al、99.9質量Al、99.85質量Al、99.7質量Al、99.5質量Al等が好ましい。また、アルミニウム合金には、金属間化合物を作りにくい元素を添加したものを用いることができる。例えば、純度が99.9質量のAlにマグネシウムを2.0~7.0質量添加したアルミニウム合金である。マグネシウム以外では、Cu、Siなど、固溶限界の高い元素を添加することができる。Al基材14のアルミニウムの純度を高めることにより、析出物に起因する金属間化合物を避けることができ、絶縁層16の健全性を増すことができる。これは、アルミニウム合金の陽極酸化を行った場合、金属間化合物が起点となって、絶縁不良を起こす可能性があり、金属間化合物が多いと、その可能性が増えることによるものである。また、Al基材14の厚さは、例えば、5~150μmであり、好ましくは10~100μmである。より好ましくは20~50μmである。また、Al基材14の表面粗さは、例えば、算術平均粗さRaで1μm以下である。好ましくは、0.5μm以下、より好ましくは、0.1μm以下である。なお、Al基材14の表面は、鏡面仕上げされていてもよい。この鏡面仕上げは、例えば、特許第4212641号公報、特開2003-341696号公報、特開平7-331379号公報、特開2007-196250号公報、特開2000-223205号公報に記載の方法によりなされる。基板10において、絶縁層16は、絶縁性とハンドリング時の機械衝撃による損傷を防止するためのものである。この絶縁層16は、陽極酸化膜アルミニウム陽極酸化膜アルミナ膜により構成されるものである。絶縁層16は、陽極酸化膜に限定されるものではなく、例えば、蒸着法、スパッタ法、CVD法により形成されたものであってもよい。絶縁層16の厚さは5μm以上が好ましく、10μm以上が更に好ましい。絶縁層16の厚さが過度に厚い場合、可撓性が低下すること、および絶縁層16の形成に要するコスト、時間がかかるため好ましくない。現実的には、絶縁層16の厚さは、最大50μm以下、好ましくは30μm以下である。このため、絶縁層16の好ましい厚さは、0.5~50μmである。また、絶縁層16の表面18aの表面粗さは、例えば、算術平均粗さRaで1μm以下であり、好ましくは、0.5μm以下、より好ましくは、0.1μm以下である。基板10の強度は、500°C以上に熱処理をされている中での引張強度が5MPa以上あることが必要で、好ましくは10MPa以上ある。また、500°C以上で熱処理されている中で、クリープ変形を起こさないため、500°C、10分間保持された際、最大0.1の塑性変形を起こす強度が0.2MPa以上あることが好ましく、より好ましくは0.4MPa以上、更に好ましくは1MPa以上である。なお、基板10は、金属基材12、Al基材14および絶縁層16のいずれも可撓性を有するもの、すなわち、フレキシブルなものとすることにより、基板10全体として、フレキシブルなものになる。これにより、例えば、ロールツーロール方式で、基板10の絶縁層16側に、後述する応力緩和層、下部電極となる裏面電極、光電変換層、上部電極となる透明電極等を形成することができる。また、本実施形態においては、基板10を、金属基材12とAl基材14とが積層されて一体化された金属基板15およびこの金属基板15のAl基材14の表面14aに形成された絶縁層16を備える絶縁層付基板とすることにより、例えば、温度500°C以上の成膜工程を経ても高い絶縁性および高い強度を維持することができ、しかも、歪の発生も抑制されるため、温度が500°C以上の高温で、種々の膜を、例えば、ロールツーロール方式で形成することが可能である。また、本実施形態の基板10においては、金属基材12とAl基材14の2層構造の金属基板15を有する構成としたが、本発明は、金属基材12は、少なくとも1層であればよいため、1層のものに限定されるものではなく複数層でもよい。図2bに示す基板10aのように、金属基材は、例えば、第1の金属基材13aと第2の金属基材13bとを有する2層構造であってもよい。この場合、例えば、第1の金属基材13aがチタンまたはチタン合金により構成され、第2の金属基材13bが金属基材12と同じく鋼材により構成される。なお、第2の金属基材13bがチタンまたはチタン合金により構成され、第1の金属基材13aが金属基材12と同じく鋼材により構成されてもよい。さらには、基板として、金属基材12の表面12aおよび裏面にAl基材14が形成され、この各Al基材14の表面14aに絶縁層16が形成されている構成としてもよい。この場合、金属基材12を中心として、対称にAl基材14および絶縁層16が形成される。なお、金属基材12と2つのAl基材14とが積層されて一体化されたものが金属基板となる。次に、本実施形態の基板10の製造方法について説明する。まず、金属基材12を準備する。この金属基材12は、形成する基板10の大きさにより、所定の形状および大きさに形成されている。次に、金属基材12の表面12aに、Al基材14を形成する。これにより、金属基板15が構成される。金属基材12の表面12aに、Al基材14を形成する方法としては、金属基材12とAl基材14との密着性が確保できる一体化結合ができていれば、特に限定されるものではない。このAl基材14の形成法としては、例えば、蒸着法、スパッタ法等の気相法、メッキ法、および表面清浄化後の加圧接合法を用いることができる。Al基材14の形成法としては、コストと量産性の観点からロール圧延等による加圧接合が好ましい。なお、上述したように、金属基材12の表面12aおよび裏面の両面にAl基材14を形成してもよい。次に、金属基板15のAl基材14の表面14aに絶縁層16を形成する。こうして、基板10が得られる。以下、絶縁層16である陽極酸化膜の形成方法について説明する。絶縁層16である陽極酸化膜を形成する場合、金属基材12を陽極とし、陰極と共に電解液に浸漬させ、陽極陰極間に電圧を印加することにより陽極酸化膜を形成することができる。このとき、金属基材12が電解液に接触すると、Al基材14と局部電池を形成するため、電解液に接触する金属基材12をマスキングフィルム図示せずにより、マスクして絶縁しておく必要がある。すなわち、Al基材14の表面14a以外の金属基材12の端面および裏面を、マスキングフィルム図示せずを用いて絶縁しておく必要がある。陽極酸化処理前には、必要に応じてAl基材14の表面に洗浄処理研磨平滑化処理等を施す。陽極酸化時の陰極としてはカーボンまたはAl等が使用される。電解質としては、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、およびアミドスルホン酸等の酸を、1種または2種以上含む酸性電解液を用いる。陽極酸化条件は使用する電解質の種類にもより特に限定されるものではない。陽極酸化条件としては、例えば、電解質濃度1~80質量、液温5~70°C、電流密度0.005~0.60A/cm2、電圧1~200V、電解時間3~500分の範囲にあれば適当である。電解質としては、硫酸、リン酸、シュウ酸またはこれらの混合液が好ましい。このような電解質を用いる場合、電解質濃度4~30質量、液温10~30°C、電流密度0.002~0.30A/cm2、および電圧20~100Vとすることが好ましい。陽極酸化処理時には、Al基材14の表面14aから略垂直方向に酸化反応が進行し、Al基材14の表面14aに陽極酸化膜が生成される。上述の酸性電解液を用いた場合、陽極酸化膜は、多数の平面視略正六角形状の微細柱状体が隙間なく配列し、各微細柱状体の中心部には丸みを帯びた底面を有する微細孔が形成され、微細柱状体の底部にはバリヤ層通常、厚さ0.02~0.1μmが形成されたポーラス型となる。このようなポーラス構造を有する陽極酸化膜は、非ポーラス構造の酸化アルミニウム単体膜と比較して膜のヤング率が低いものとなり、曲げ耐性および高温時の熱膨張差により生じるクラック耐性が高いものとなる。なお、酸性電解液を用いず、ホウ酸等の中性電解液で電解処理すると、ポーラスな微細柱状体が配列した陽極酸化膜でなく緻密な陽極酸化膜非ポーラスな酸化アルミニウム単体膜となる。酸性電解液でポーラスな陽極酸化膜を生成後に、中性電解液で再電解処理するポアフィリング法によりバリヤ層の層厚を大きくした陽極酸化膜を形成してもよい。バリヤ層を厚くすることにより、より絶縁性の高い被膜とすることができる。陽極酸化処理に用いる電解液は、好ましくは、硫酸水溶液またはシュウ酸水溶液を用いる。陽極酸化膜の健全性はシュウ酸水溶液が優れ、連続処理生産性は硫酸水溶液が優れる。絶縁層16である陽極酸化膜の好ましい厚さは、上述のように、0.5~50μmである。この厚さは、定電流電解、定電圧電解の電流、電圧の大きさおよび電解時間により制御可能である。陽極酸化により形成された絶縁層16について、特に絶縁性を高めたい場合、ホウ酸液中で封孔処理する。封孔処理は、電気化学的な方法、化学的な方法が知られているが、アルミニウム、アルミニウム合金を陽極にした電気化学的な方法陽極処理が特に好ましい。電気化学的な方法は、アルミニウムまたはその合金を陽極にして直流電流を加え、封孔処理する方法が好ましい。電解液はホウ酸水溶液が好ましく、ホウ酸水溶液にナトリウムを含むホウ酸塩を添加した水溶液が好ましい。ホウ酸塩としては、八ほう酸二ナトリウム、テトラフェニルほう酸ナトリウム、テトラフルオロほう酸ナトリウム、ペルオキソほう酸ナトリウム、四ほう酸ナトリウム、メタほう酸ナトリウムなどがある。これらのホウ酸塩は、無水または水和物として入手することができる。封孔処理に用いる電解液として、0.1~2mol/Lのホウ酸水溶液に、0.01~0.5mol/Lの四ほう酸ナトリウムを添加した水溶液を用いることが特に好ましい。アルミニウムイオンは0~0.1mol/L溶解していることが好ましい。アルミニウムイオンは、電解液中へ封孔処理により化学的または電気化学的に溶解するが、予めホウ酸アルミニウムを添加して電解する方法が特に好ましい。また、アルミニウム合金中に含まれる微量元素が溶解していても良い。好ましい封孔処理条件は、液温10~55°C特に好ましくは10~30°C、電流密度0.01~5A/dm2特に好ましくは0.1~3A/dm2、電解処理時間0.1~10分特に好ましくは1~5分である。電流は、交流、直流、交直重畳電流を用いることが可能であり、電流の与え方は、電解初期から一定でも漸増法を用いてもよいが、直流を用いる方法が特に好ましい。電流の与え方は、定電圧法、定電流法どちらを用いても良い。このときの基板と対極間の電圧は、100~1000Vであることが好ましく、電圧は電解浴組成、液温、アルミニウム界面の流速、電源波形、基板と対極との間の距離、電解時間などによって変化する。基板表面の電解液流速並びに流速の与え方、電解槽、電極、電解液の濃度制御方法は、前記陽極酸化処理に記載の公知の陽極酸化処理方法、並びに封孔処理の方法を用いることが可能である。ホウ酸ナトリウムを含むホウ酸水溶液中で陽極酸化処理する際の膜厚は100nm以上が好ましく、更に好ましくは300nm以上である。上限は多孔質陽極酸化皮膜の膜厚になる。これにより、特に高温強度が必要で、可撓性のメリットがある、薄膜太陽電池の基板に用いることができる。また、化学的な好ましい方法は、陽極酸化処理後にポアおよびまたは空孔にSi酸化物を充填した構造にすることも可能である。Si酸化物による充填はSi-O結合を有する化合物を含む溶液を塗布、または、珪酸ソーダ水溶液1号珪酸ソーダまたは3号珪酸ソーダ、1~5質量水溶液、20~70°Cに、1~30秒間浸漬後に水洗乾燥し、更に200~600°Cで1~60分間焼成する方法も可能である。化学的な好ましい方法として、前記珪酸ソーダ水溶液のほかに、フッ化ジルコン酸ソーダおよびまたはリン酸2水素ナトリウムの単体または混合比率が重量比で5:1~1:5の混合水溶液の、濃度1~5質量の液に、20~70°Cで1~60秒浸漬することで封孔処理をおこなう方法を用いることもできる。なお、陽極酸化処理については、例えば、公知のいわゆるロールツーロール方式の陽極酸化処理装置により行うことができる。次に、陽極酸化処理後に、マスキングフィルム図示せずを剥がす。これにより、基板10を形成することができる。次に、図1に示す本実施形態の薄膜太陽電池30の光電変換素子40について説明する。本実施形態の薄膜太陽電池例えば、薄膜太陽電池サブモジュール30においては、上述の基板10の表面、すなわち、絶縁層16の表面16aに応力緩和層50が形成されている。この薄膜太陽電池30は、複数の光電変換素子40と、第1の導電部材42と、第2の導電部材44とを有する。光電変換素子40は、薄膜太陽電池30を構成するものであり、基板10と、応力緩和層50と、裏面電極32、光電変換層34、バッファ層36および透明電極38により構成される発電セル太陽電池セル54とを備える。上述のように、絶縁層16の表面16aに応力緩和層50が形成されている。この応力緩和層50の表面50aに、発電セル54の裏面電極32と光電変換層34とバッファ層36と透明電極38とが順次積層されている。裏面電極32は、隣り合う裏面電極32と分離溝P133を設けて応力緩和層50の表面50aに形成されている。分離溝P133を埋めつつ光電変換層34が裏面電極32の上に形成されている。この光電変換層34の表面にバッファ層36が形成されている。これらの光電変換層34とバッファ層36とは、裏面電極32にまで達する溝P237により、他の光電変換層34とバッファ層36と離間されている。この溝P237は、裏面電極32の分離溝P133とは異なる位置に形成されている。また、この溝P237を埋めつつバッファ層36の表面に透明電極38が形成されている。透明電極38、バッファ層36および光電変換層34を貫き裏面電極32に達する開口溝P339が形成されている。薄膜太陽電池モジュール30においては、各光電変換素子40は、裏面電極32と透明電極38により、基板10の長手方向Lに、電気的に直列に接続されている。本実施形態の光電変換素子40は、集積型の光電変換素子太陽電池と呼ばれるものであり、例えば、裏面電極32がモリブデン電極で構成され、光電変換層34が、光電変換機能を有する半導体化合物、例えば、CIGS層で構成され、バッファ層36がCdSで構成され、透明電極38がZnOで構成される。なお、光電変換素子40は、基板10の長手方向Lと直交する幅方向に長く伸びて形成されている。このため、裏面電極32等も基板10の幅方向に長く伸びている。図1に示すように、右側の端の裏面電極32上に第1の導電部材42が接続されている。この第1の導電部材42は、後述する負極からの出力を外部に取り出すためのものである。本来、右側の端の裏面電極32上には光電変換素子40が形成されるが、例えば、レーザースクライブまたはメカニカルスクラブにより、光電変換素子40を取り除いて、裏面電極32を表出させている。第1の導電部材42は、例えば、細長い帯状の部材であり、基板10の幅方向に略直線状に伸びて、右端の裏面電極32上に接続されている。また、図1に示すように、第1の導電部材42は、例えば、銅リボン42aがインジウム銅合金の被覆材42bで被覆されたものである。この第1の導電部材42は、例えば、超音波半田により裏面電極32に接続される。この第2の導電部材44は、後述する正極からの出力を外部に取り出すためのものである。第2の導電部材44も、第1の導電部材42と同様に細長い帯状の部材であり、基板10の幅方向に略直線状に伸びて、左端の裏面電極32に接続されている。本来、左端の裏面電極32上には光電変換素子40が形成されるが、例えば、レーザースクライブまたはメカニカルスクラブにより、光電変換素子40を取り除いて、裏面電極32を表出させている。第2の導電部材44は、第1の導電部材42と同様の構成のものであり、例えば、銅リボン44aがインジウム銅合金の被覆材44bで被覆されたものである。第1の導電部材42と第2の導電部材44とは、錫メッキ銅リボンでもよい。また、第1の導電部材42および第2の導電部材44、それぞれの接続も超音波半田に限定されるものではなく、例えば、導電性接着剤、導電性テープを用いて接続してもよい。なお、本実施形態の光電変換素子40の光電変換層34は、例えば、CIGSで構成されており、公知のCIGS系の太陽電池の製造方法により製造することができる。また、裏面電極32の分離溝P133、裏面電極32にまで達する溝P237、裏面電極32に達する開口溝P339は、レーザースクライブまたはメカニカルスクライブにより形成することができる。薄膜太陽電池30では、光電変換素子40に、透明電極38側から光が入射されると、この光が透明電極38およびバッファ層36を通過し、光電変換層34で起電力が発生し、例えば、透明電極38から裏面電極32に向かう電流が発生する。なお、図1に示す矢印は、電流の向きを示すものであり、電子の移動方向は、電流の向きとは逆になる。このため、光電変換部48では、図1中、左端の裏面電極32が正極プラス極になり、右端の裏面電極32が負極マイナス極になる。本実施形態において、薄膜太陽電池30で発生した電力を、第1の導電部材42と第2の導電部材44から、薄膜太陽電池30の外部に取り出すことができる。なお、本実施形態において、第1の導電部材42が負極であり、第2の導電部材44が正極である。また、第1の導電部材42と第2の導電部材44とは極性が逆であってもよく、光電変換素子40の構成、薄膜太陽電池30構成等に応じて、適宜変わるものである。また、本実施形態においては、各光電変換素子40を、裏面電極32と透明電極38により基板10の長手方向Lに直列接続されるように形成したが、これに限定されるものではない。例えば、各光電変換素子40が、裏面電極32と透明電極38により幅方向に直列接続されるように、各光電変換素子40を形成してもよい。光電変換素子40において、裏面電極32および透明電極38は、いずれも光電変換層34で発生した電流を取り出すためのものである。裏面電極32および透明電極38は、いずれも導電性材料からなる。光入射側の透明電極38は透光性を有する必要がある。裏面電極32は、例えば、Mo、Cr、またはW、およびこれらを組合わせたものにより構成される。この裏面電極32は、単層構造でもよいし、2層構造等の積層構造でもよい。裏面電極32は、Moで構成することが好ましい。裏面電極32は、厚さが100nm以上であることが好ましく、0.45~1.0μmであることがより好ましい。また、裏面電極32の形成方法は、特に制限されるものではなく、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法等の気相成膜法により形成することができる。透明電極38は、例えば、Al、B、Ga、Sb等が添加されたZnO、ITOインジウム錫酸化物、またはSnO2およびこれらを組合わせたものにより構成される。この透明電極38は、単層構造でもよいし、2層構造等の積層構造でもよい。また、透明電極38の厚さは、特に制限されるものではなく、0.3~1μmが好ましい。また、透明電極38の形成方法は、特に制限されるものではなく、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法等の気相成膜法または塗布法により形成することができる。バッファ層36は、透明電極38の形成時の光電変換層34を保護すること、透明電極38に入射した光を光電変換層34まで透過させるために形成されている。このバッファ層36は、例えば、CdS、ZnS、ZnO、ZnMgO、またはZnSO、OHおよびこれらの組合わせたものにより構成される。バッファ層36は、その厚さが、30~100nmが好ましい。また、このバッファ層36は、例えば、CBDケミカルバス法により形成される。光電変換層34は、透明電極38およびバッファ層36を通過して到達した光を吸収して電流が発生する層であり、光電変換機能を有する。本実施形態において、光電変換層34の構成は、特に制限されるものではなく、例えば、少なくとも1種のカルコパイライト構造の化合物半導体で構成される。また、光電変換層34は、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とからなる少なくとも1種の化合物半導体であってもよい。さらに光吸収率が高く、高い光電変換効率が得られることから、光電変換層34は、CuおよびAgからなる群より選択された少なくとも1種のIb族元素と、Al、GaおよびInからなる群より選択された少なくとも1種のIIIb族元素と、S、SeおよびTeからなる群から選択された少なくとも1種のVIb族元素とからなる少なくとも1種の化合物半導体であることが好ましい。この化合物半導体としては、CuAlS2、CuGaS2、CuInS2、CuAlSe2、CuGaSe2、CuInSe2CIS、AgAlS2、AgGaS2、AgInS2、AgAlSe2、AgGaSe2、AgInSe2、AgAlTe2、AgGaTe2、AgInTe2、CuIn1-xGaxSe2CIGS、CuIn1-xAlxSe2、CuIn1-xGaxS、Se2、AgIn1-xGaxSe2、およびAgIn1-xGaxS、Se2等が挙げられる。光電変換層34は、CuInSe2CIS、および/又はこれにGaを固溶したCuIn、GaSe2CIGSを含むことが特に好ましい。CISおよびCIGSはカルコパイライト結晶構造を有する半導体であり、光吸収率が高く、高い光電変換効率が報告されている。また、光照射等による効率の劣化が少なく、耐久性に優れている。光電変換層34には、所望の半導体導電型を得るための不純物が含まれる。不純物は隣接する層からの拡散、および/又は積極的なドープによって、光電変換層34中に含有させることができる。光電変換層34中において、I-III-VI族半導体の構成元素および/又は不純物には濃度分布があってもよく、n型、p型、およびi型等の半導体性の異なる複数の層領域が含まれていても構わない。例えば、CIGS系においては、光電変換層34中のGa量に厚み方向の分布を持たせると、バンドギャップの幅/キャリアの移動度等を制御でき、光電変換効率を高く設計することができる。光電変換層34は、I-III-VI族半導体以外の1種又は2種以上の半導体を含んでいてもよい。I-III-VI族半導体以外の半導体としては、Si等のIVb族元素からなる半導体IV族半導体、GaAs等のIIIb族元素およびVb族元素からなる半導体III-V族半導体、およびCdTe等のIIb族元素およびVIb族元素からなる半導体II-VI族半導体等が挙げられる。光電変換層34には、特性に支障のない限りにおいて、半導体、所望の導電型とするための不純物以外の任意成分が含まれていても構わない。また、光電変換層34中のI-III-VI族半導体の含有量は、特に制限されるものではない。光電変換層34中のI-III-VI族半導体の含有量は、75質量以上が好ましく、95質量以上がより好ましく、99質量以上が特に好ましい。なお、本実施形態においては、光電変換層34が、主成分75質量以上がCdTeの化合物半導体で構成される場合、金属基材12は炭素鋼またはフェライト系ステンレス鋼により構成されることが好ましい。CIGS層の成膜方法としては、1多源同時蒸着法、2セレン化法、3スパッタ法、4ハイブリッドスパッタ法、および5メカノケミカルプロセス法等が知られている。1多源同時蒸着法としては、3段階法JRTuttleetalMatResSocSympProcVol426p143等と、ECグループの同時蒸着法LStoltetal:Proc13thECPVSEC1451等とが知られている。前者の3段階法は、高真空中で最初にIn、Ga、及びSeを基板温度300°Cで同時蒸着し、次に500~560°Cに昇温してCu及びSeを同時蒸着後、In、Ga、及びSeをさらに同時蒸着する方法である。後者のECグループの同時蒸着法は、蒸着初期にCu過剰CIGS、後半でIn過剰CIGSを蒸着する方法である。CIGS膜の結晶性を向上させるため、上記方法に改良を加えた方法として、aイオン化したGaを使用する方法HMiyazakietalphysstatsolVol2032006p2603等、bクラッキングしたSeを使用する方法第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集2007秋北海道工業大学7P-L-6等、cラジカル化したSeを用いる方法第54回応用物理学会学術講演会講演予稿集2007春青山学院大学29P-ZW-10等、d光励起プロセスを利用した方法第54回応用物理学会学術講演会講演予稿集2007春青山学院大学29P-ZW-14等等が知られている。2セレン化法は2段階法とも呼ばれ、最初にCu層/In層またはCu-Ga層/In層等の積層膜の金属プリカーサをスパッタ法、蒸着法、または電着法などで成膜し、これをセレン蒸気またはセレン化水素中で450~550°C程度に加熱することにより、熱拡散反応によってCuIn1-xGaxSe2等のセレン化合物を生成する方法である。この方法を気相セレン化法と呼ぶ。このほか、金属プリカーサ膜の上に固相セレンを堆積し、この固相セレンをセレン源とした固相拡散反応によりセレン化させる固相セレン化法がある。セレン化法においては、セレン化の際に生ずる急激な体積膨張を回避するために、金属プリカーサ膜に予めセレンをある割合で混合しておく方法TNakadaetalSolarEnergyMaterialsandSolarCells35204214等、及び金属薄層間にセレンを挟み例えば、Cu層/In層/Se層...Cu層/In層/Se層と積層する多層化プリカーサ膜を形成する方法TNakadaetalProcof10thEuropeanPhotovoltaicSolarEnergyConference887890等が知られている。また、グレーデッドバンドギャップCIGS膜の成膜方法として、最初にCu-Ga合金膜を堆積し、その上にIn膜を堆積し、これをセレン化する際に、自然熱拡散を利用してGa濃度を膜厚方向で傾斜させる方法があるKKushiyaetalTechDigest9thPhotovoltaicScienceandEngineeringConfMiyazaki1996p149等。3スパッタ法としては、CuInSe2多結晶をターゲットとした方法、Cu2SeとIn2Se3をターゲットとし、スパッタガスにH2Se/Ar混合ガスを用いる2源スパッタ法JHErmeretalProc18thIEEEPhotovoltaicSpecialistsConf16551658等、およびCuターゲットと、Inターゲットと、SeまたはCuSeターゲットとをArガス中でスパッタする3源スパッタ法TNakadaetalJpnJApplPhys32L1169L1172等が知られている。4ハイブリッドスパッタ法としては、前述のスパッタ法において、CuとIn金属は直流スパッタで、Seのみは蒸着とするハイブリッドスパッタ法TNakadaetalJpnApplPhys3447154721等が知られている。5メカノケミカルプロセス法は、CIGSの組成に応じた原料を遊星ボールミルの容器に入れ、機械的なエネルギーによって原料を混合してCIGS粉末を得、その後、スクリーン印刷によって基板上に塗布し、アニールを施して、CIGSの膜を得る方法であるTWadaetalPhysstatsolVol2032006p2593等。その他のCIGS成膜法としては、スクリーン印刷法、近接昇華法、MOCVD法、及びスプレー法ウェット成膜法などが挙げられる。例えば、スクリーン印刷法ウェット成膜法またはスプレー法ウェット成膜法等で、Ib族元素、IIIb族元素、及びVIb族元素を含む微粒子膜を基板上に形成し、熱分解処理この際、VIb族元素雰囲気での熱分解処理でもよいを実施するなどにより、所望の組成の結晶を得ることができる特開平9-74065号公報、特開平9-74213号公報等。また、本実施形態においては、金属基材12と光電変換層34との熱膨張係数の差は、3×10-6/°C未満であることが好ましい。光電変換層34として用いられる主たる化合物半導体の熱膨張係数は、III-V族系の代表であるGaAsで5.8×10-6/°C、II-VI族系の代表であるCdTeで4.5×10-6/°C、I-III-VI族系の代表であるCuInGaSe2で10×10-6/°Cである。基板10上に光電変換層34として、化合物半導体を500°C以上の高温で成膜した後に室温にまで冷却する際、金属基材12との熱膨張差が大きいと、剥離等の成膜不良が生じる。また、金属基材12との熱膨張差に起因する化合物半導体内の強い内部応力により、光電変換層34の光電変換効率が低下する可能性がある。金属基材12と光電変換層34化合物半導体の熱膨張係数の差が3×10-6/°C未満であると、剥離等の成膜不良が生じにくくなり、好ましい。より好ましくは、熱膨張係数の差は、1×10-6/°C未満である。ここで、熱膨張係数、および熱膨張係数の差は、いずれも室温23°Cの値である。応力緩和層50は、光電変換素子40を構成する各層の剥離を防止するものである。この応力緩和層50により、光電変換素子40を構成する各層を形成する場合、例えば、500°C以上の温度に加熱された後に、室温まで降温された場合、絶縁層16に発生する応力を緩和して、絶縁層16におけるクラックの発生、および絶縁層16とAl基材12との界面等での剥離の発生を抑制することができる。応力緩和層50は、熱膨張係数が、光電変換層34の熱膨張係数よりも小さく、かつ絶縁層16の熱膨張係数よりも大きいものであることが好ましい。また、光電変換素子40の光電変換層34の熱膨張係数と金属基板15の熱膨張係数とは、上述のように、差が小さいことが好ましい。このため、応力緩和層50は、熱膨張係数が、基板10の絶縁層16の熱膨張係数と、光電変換素子40の光電変換層34の熱膨張係数および金属基板15の熱膨張係数との中間であることが好ましい。金属基板15は、金属基材12とAl基材14とを有する構成であるが、この金属基板15の熱膨張係数は、2層の応力計算によって求めることが好ましい。また、予め、金属基板15を作製し、熱膨張係数を測定してもよい。なお、金属基材12が鋼材で、かつその厚さがAl基材14に比して十分厚い場合、例えば、金属基材12がAl基材14よりも5倍以上厚い場合には、金属基材12の熱膨張係数を、金属基板15の熱膨張係数として用いることができる。応力緩和層50は、熱膨張係数が、基板10の絶縁層16の熱膨張係数と、光電変換素子40の光電変換層34の熱膨張係数および金属基板15の熱膨張係数との中間であれば、その組成は、特に限定されるものではなく、光電変換層34の組成に応じて、適宜選択されるものである。なお、本願発明者は、化合物半導体層と熱膨張係数を合わせるように選択された合金鋼板金属基材12のAl基材14に形成された陽極酸化膜は、300°C程度に加熱されてもクラックが発生しないことを確認している。しかしながら、上記陽極酸化膜は、500°C以上に加熱した場合、陽極酸化膜にクラックが発生すること、陽極酸化膜と裏面電極の間または化合物半導体層の間で剥離が発生することを確認している。300°C以上の高温において、基板10のAl基材14に形成された絶縁層陽極酸化膜にクラックが生じ、その上部に形成された裏面電極および光電変換層化合物半導体膜との間で剥離が発生する原因は、陽極酸化膜の熱膨張係数が5×10-6/°Cと、合金鋼板金属基材12とAl基材とのクラッド材の熱膨張係数10×10-6/°C、光電変換層であるCIGS層の熱膨張係数10×10-6/°Cに対して差が有るためと考えられる。また、熱膨張係数の差によるクラックの発生、剥離の発生は、特に酸化物層で起こりやすい。同じく熱膨張係数が小さい裏面電極は、金属で構成されているため延性があり、酸化物膜に比べ応力に対する耐性が高いため、剥離が発生しないと考えられる。応力緩和層50を設けることにより、光電変換素子40を構成する各層の製造プロセスにおいて加熱、および室温までの降温された場合、絶縁層16に応力が発生しても、その発生した応力が応力緩和層50により緩和されて絶縁層16のクラックの発生、絶縁層16と裏面電極との間等の剥離の発生が抑制される。応力緩和層50は、基板10の絶縁特性を向上させること、および絶縁層16との密着性の観点から、酸化物で構成することが好ましい。酸化物としては、TiO29.0×10-6/°C、ZrO27.6×10-6/°C、HfO26.5×10-6/°C、Al2O38.4×10-6/°Cを用いることができる。また、応力緩和層50は、窒化物で構成してもよい。この場合、窒化物としては、TiN9.4×10-6/°C、ZrN7.2×10-6/°C、BN6.4×10-6/°C、AlN5.7×10-6/°Cを用いることができる。窒化物を用いても、基板10の絶縁特性を向上させることができる。なお、応力緩和層50は、熱膨張係数が、基板10の絶縁層16の熱膨張係数と、光電変換素子40の光電変換層34の熱膨張係数および金属基板15の熱膨張係数との中間であれば、金属または合金で構成してもよいことはもちろんである。ここで、アルカリ金属Naが光電変換層34に拡散されると光電変換効率が高くなることが報告されている。このため、応力緩和層50は、Na供給層アルカリ供給層として機能し、光電変換層34CIGS層にアルカリ金属Naを拡散させるものでもよい。このため、応力緩和層50は、アルカリ金属を含むものであることが好ましい。例えば、応力緩和層50は、酸化ケイ素を主成分とし、かつナトリウム酸化物を含む化合物、例えば、青板ガラスソーダライムガラスなどのケイ酸塩ガラスにより構成される。応力緩和層50としては、具体的には、青板ガラスソーダライムガラスを用いることができる。ここで、青板ガラスソーダライムガラスの熱膨張係数は、8~9.5×10-6/°Cである。この青板ガラスソーダライムガラスの熱膨張係数は、基板10の絶縁層16の熱膨張係数と、光電変換素子40の光電変換層34の熱膨張係数および金属基板15の熱膨張係数との中間にあるため好ましい。さらには、応力緩和層50として、青板ガラスソーダライムガラスを用いた場合、良好な絶縁性を有するために好ましい。なお、本実施形態においては、応力緩和層50に、アルカリ金属を光電変換層34に拡散する機能を持たせることなく、例えば、アルカリ金属を含有する層を、裏面電極32上に蒸着法またはスパッタ法によって形成してもよい。また、裏面電極32上に、In、CuおよびGa金属元素を含有成分としたプリカーサを形成した後、このプリカーサに対して、例えば、モリブデン酸ナトリウムを含有した水溶液を付着させて層を形成してもよい。さらには、裏面電極32の内部に、Na2S、Na2Se、NaCl、NaF、およびモリブデン酸ナトリウム塩等の1種または2種以上のアルカリ金属化合物を含む層を設ける構成として、アルカリ金属を光電変換層34に供給するようにしてもよい。また、応力緩和層50は、1層構造に限定されるものではなく、2層構造であってもよい。この場合、基板10側の層を、第1の応力緩和層とし、その上の層を第2の応力緩和層とすると、第1の応力緩和層は、第2の応力緩和層よりも熱膨張係数が小さいもので構成する。この場合、絶縁層16、第1の応力緩和層、第2の応力緩和層、光電変換層34の熱膨張係数の関係は、以下のようになる。絶縁層16の熱膨張係数<第1の応力緩和層の熱膨張係数<第2の応力緩和層の熱膨張係数<光電変換層34の熱膨張係数応力緩和層50が2層構造である場合、光電変換層34がCIGS系の半導体化合物で構成される場合には、基板10側の第1の応力緩和層は、ZrN、AlN、BN、Al2O3、またはZrO2で構成されることが好ましく、第2の応力緩和層は、酸化ケイ素を主成分とし、かつナトリウム酸化物を含む化合物、例えば、青板ガラスソーダライムガラスなどのケイ酸塩ガラスにより構成されることが好ましい。また、応力緩和層50の厚さは、1層でも多層でも、10nm~400nmであることが好ましく、より好ましくは、50nm~200nmである。次に、本実施形態の薄膜太陽電池30の製造方法について説明する。まず、上述のようにして形成された基板10を用意する。次に、基板10の絶縁層16の表面16aに、応力緩和層50として、例えば、TiO2膜を、成膜装置を用いてスパッタ法により形成する。次に、応力緩和層50の表面50aに裏面電極32となるモリブデン膜を、例えば、成膜装置を用いて、スパッタ法により形成する。次に、モリブデン膜を、例えば、レーザースクライブ法を用いて第1の位置をスクライブして、基板10の幅方向に伸びた分離溝P133を形成する。これにより、分離溝P133により互いに分離された裏面電極32が形成される。次に、裏面電極32を覆い、かつ分離溝P133を埋めるように、光電変換層34p型半導体層となる、例えば、CIGS層を上述のいずれかの成膜方法により、成膜装置を用いて形成する。次に、CIGS層上にバッファ層36となるCdS層n型半導体層を、例えば、CBDケミカルバス法により形成する。これにより、pn接合半導体層が構成される。次に、レーザースクライブ法を用いて分離溝P133の第1の位置とは異なる第2の位置をスクライブして、基板10の幅方向に伸びた、裏面電極32にまで達する溝P237を形成する。次に、バッファ層36上に、溝P237を埋めるように、透明電極38となる、例えば、Al、B、Ga、Sb等が添加されたZnO層を、成膜装置を用いて、スパッタ法または塗布法により形成する。次に、レーザースクライブ法を用いて分離溝P133の第1の位置および溝P237の第2の位置とは異なる第3の位置をスクライブして、基板10の幅方向に伸びた、裏面電極32にまで達する開口溝P339を形成する。こうして、基板10、および応力緩和層50の積層体上に、複数の発電セル54を形成し、発電層56を形成する。次に、基板10の長手方向Lにおける左右側の端の裏面電極32上に形成された各光電変換素子40を、例えば、レーザースクライブまたはメカニカルスクラブにより取り除いて、裏面電極32を表出させる。次に、右側の端の裏面電極32上に第1の導電部材42を、左側の端の裏面電極32上に第2の導電部材44を、例えば、超音波半田を用いて接続する。これにより、図1に示すように、複数の光電変換素子40が電気的に直列に接続された薄膜太陽電池30を製造することができる。次いで、得られた薄膜太陽電池30の表面側に封止接着層図示せず、水蒸気バリア層図示せずおよび表面保護層図示せずを配置し、薄膜太陽電池30の裏面側、すなわち、基板10の裏面側に封止接着層図示せずおよびバックシート図示せずを配置して、例えば、真空ラミネート法によりラミネート加工してこれらを一体化する。これにより、薄膜太陽電池モジュールを得ることができる。本実施形態においては、応力緩和層50を設けることにより、薄膜太陽電池を構成する裏面電極、CIGS層光電変換層、CdSバッファ層、ZnO層、透明電極等を形成する場合、500°C以上の高温に昇温された後、室温まで降温されても、形成される各層の熱膨張係数の違いにより発生する応力を緩和することができ、光電変換素子40を構成する各層の剥離を抑制することができる。特に、絶縁層16に発生する応力を緩和して、絶縁層16のクラックの発生、および絶縁層16を起点とする剥離の発生を抑制することができる。また、本実施形態においては、上述のように基板10を、金属基材12とAl基材14とが積層されて一体化された金属基板15およびこの金属基板15のAl基材14の表面14aに形成された絶縁層16を備える絶縁層付基板とすることにより、例えば、温度500°C以上の成膜工程を経ても高い絶縁性および高い強度を維持することができ、温度が500°C以上の高温での製造工程が可能である。このため、500°C以上で光電変換層として化合物半導体を形成することができる。光電変換層を構成する化合物半導体は、高温で形成した方が、光電変換特性を向上させることができるため、これにより、光電変換特性を向上させた光電変換層34を有する光電変換素子40を製造することができる。しかも、温度が500°C以上の高温での製造工程が可能であるため、製造時のハンドリング等に制限をなくすことが可能となる。さらに、本実施形態においては、絶縁層16が形成されており、更に応力緩和層50を酸化物または窒化物で構成することにより、更に基板10の絶縁性耐電圧特性を更に向上させることができる。しかも、上述のように、基板10は耐熱性に優れる。これにより、耐久性および保存寿命に優れた薄膜太陽電池30を得ることができる。このため、太陽電池サブモジュールや薄膜太陽電池モジュールについても耐久性および保存寿命が優れる。さらに、本実施形態においては、応力緩和層50をアルカリ金属を含むもので構成する場合、応力緩和層50がアルカリ金属の供給源としての機能を果たす。これにより、光電変換層34の形成中に、アルカリ金属を光電変換層34に拡散させることができ、光電変換効率を向上させることができる。この場合、光電変換層の成膜工程は、より高温であることが要求されるものの、上述のように基板10は、高温耐性があるため、アルカリ金属を光電変換層に拡散させることができる。また、本実施形態においては、基板10は、ロールツーロール方式で製造されるものであり、可撓性を有する。このため、光電変換素子40、薄膜太陽電池30も、例えば、基板10を長手方向Lに搬送しつつ、ロールツーロール方式で製造することができる。このように、薄膜太陽電池30を安価なロールツーロール方式で製造することができるため、薄膜太陽電池30の製造コスト低くすることができる。これにより、太陽電池サブモジュールや薄膜太陽電池モジュールのコストを低くすることができる。本発明は、基本的に以上のようなものである。以上、本発明の光電変換素子、薄膜太陽電池および光電変換素子の製造方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良または変更をしてもよいのはもちろんである。以下、本発明の光電変換素子の実験例について具体的に説明する。本実験例では、以下に示す実験例1~7を作成し、層構成による効果の違いを検討した。実験例1市販のフェライト系ステンレス鋼材材質SUS430、熱膨張係数10.5×10-6/°Cと、純度が4Nの高純度のアルミニウム材以下、Al材というとを用いて、冷間圧延法により加圧接合、減厚することにより、フェライト系ステンレス鋼材の厚さが50μm、Al材の厚さが30μmの3層のクラッド材を形成し、金属基板を得た。この金属基板の構成は、Al材30μm/フェライト系ステンレス鋼材50μm/Al材30μmである。この金属基板に対して、金属基板のステンレス鋼面と端面をマスキングフィルムで被覆した。その後、エタノールを用いて超音波洗浄し、酢酸過塩素酸溶液を用いて電解研磨した後、80g/Lシュウ酸溶液中で40Vの定電圧電解することにより、絶縁層として厚さが10μmの陽極酸化膜をAl材の表面に形成した。陽極酸化処理後のAl材の厚さは15μmであった。以上の工程により、陽極酸化膜10μm/Al材15μm/フェライト系ステンレス鋼材50μm/Al材15μm/陽極酸化膜10μmという構造の絶縁層付基板を得た。次に、この絶縁層付基板の片面に応力緩和層として、RFスパッタリング法により、熱膨張係数が7~8×10-6/°Cの青板ガラスソーダライムガラス、SLGを200nmの厚さに成膜した。これを実験例1とした。実験例2実験例1と同じ絶縁層付金属基板を用い、さらにこの絶縁層付金属基板の片面に応力緩和層として、反応性スパッタリング法により熱膨張係数が8.4×10-6/°CであるアルミナAl2O3を200nmの厚さに成膜した。これを実験例2とした。実験例3実験例1と同じ絶縁層付金属基板を用い、さらにこの絶縁層付金属基板の片面に応力緩和層を2層、以下のように形成した。まず、応力緩和層の第1の層として、絶縁層付金属基板上に反応性スパッタリング法により、熱膨張係数が5.7×10-6/°Cである窒化アルミと、純度が4Nの高純度Al材を冷間圧延法により加圧接合、減厚することにより、コバール合金材の厚さが50μm、Al材の厚さが30μmの3層クラッド材を作製し、これを金属基板とした。金属基板の構成は、Al基材30μm/コバール合金材50μm/Al基材30μmである。この金属基板に対して、金属基板のコバール合金面と端面をマスキングフィルムで被覆し、エタノールで超音波洗浄、酢酸過塩素酸溶液で電界研磨した後、80g/Lシュウ酸溶液中で40Vの定電圧電解することにより、絶縁層として厚さが10μmの陽極酸化膜をAl材表面に形成した。陽極酸化処理後のAl材の厚さは15μmであった。以上の工程により、陽極酸化膜10μm/Al材15μm/コバール合金材50μm/Al材15μm/陽極酸化膜10μmという構造の絶縁層付基板を得た。さらにこの絶縁層付金属基板の片面に応力緩和層として、RFスパッタリング法により、熱膨張係数が7~8×10-6/°Cの青板ガラスを200nmの厚さに成膜した。これを実験例5とした。実験例6市販のオーステナイト系ステンレス鋼材材質SUS304、熱膨張係数17×10-6/°Cと、純度が4Nの高純度のアルミニウム材とを用いて、冷間圧延法により加圧接合、減厚することにより、オーステナイト系ステンレス鋼材の厚さが50μm、Al材の厚さが30μmの3層のクラッド材を形成し、金属基板を得た。この金属基板の構成は、Al材30μm/オーステナイト系ステンレス鋼材50μm/Al材30μmである。この金属基板に対して、金属基板のステンレス鋼面と端面をマスキングフィルムで被覆した。その後、エタノールで超音波洗浄し、酢酸過塩素酸溶液で電解研磨した後、80g/Lシュウ酸溶液中で40Vの定電圧電解することにより、絶縁層として厚さが10μmの陽極酸化膜をAl材の表面に形成した。陽極酸化処理後のAl基材の厚さは15μmであった。以上の工程により、陽極酸化膜10μm/Al材15μm/オーステナイト系ステンレス鋼材50μm/Al材15μm/陽極酸化膜10μmという構造の絶縁層付基板を得た。さらに、この絶縁層付金属基板の片面に応力緩和層として、RFスパッタリング法により、熱膨張係数が7~8×10-6/°Cの青板ガラスを200nmの厚さに成膜した。これを実験例6とした。実験例7実験例1と同じ絶縁層付金属基板を用い、その上に応力緩和層を成膜しない。これを実験例7とした。次に、実験例1~7について、そのままの状態加熱なしと、真空加熱炉にて500°Cで1時間熱処理した状態のものと、真空加熱炉にて580°Cで0.5時間熱処理した状態のものとで絶縁特性を比較した。本実験例においては、絶縁特性を測定するに際して、実験例1~6では応力緩和層上に、実験例7では陽極酸化膜上に、電極として、マスク蒸着により、直径3.5mm、厚さが0.2μmのAu電極を形成した。そして、金属基板-Au電極間にAu電極を負極として、200Vの電圧を印加し、電圧印加時に金属基板-Au電極間に流れるリーク電流を測定した。ここで、検出されたリーク電流をAu電極面積9.6mm2で除した値をリーク電流密度とした。絶縁特性の評価には、このリーク電流密度を用いた。下記表1に、実験例1~7について、それぞれの絶縁特性測定の結果リーク電流密度を示す。下記表1に示すように、実験例1~5は、応力緩和層を備えたものであり、実験例7に比して、より高温、580°Cで熱処理されてもリーク電流密度が変化しなかった。また、実験例6は、応力緩和層を備えたものであり、実験例7に比して、より高温、580°Cで熱処理されてもリーク電流密度の変化が小さかった。一方、実験例7は、応力緩和層が設けられておらず、580°Cで熱処理されるとリーク電流密度が増加した。本実験例では、以下に示す実験例10~実験例30を作製し、金属基材と光電変換層との熱膨張係数の差による効果の違いを検討した。実験例10~実験例30は、下記表2に示すように、上述の実験例1~7の絶縁層付金属基板について、それぞれ裏面電極および光電変換層半導体層を形成したものである。各実験例10~実験例30について、光電変換層半導体層表面の表面状態の評価を行った。実験例10~実験例30においては、上述の実験例1~7の絶縁層付金属基板を用い、それぞれ応力緩和層上または陽極酸化膜上に裏面電極として、Mo膜を800nmの厚さにDCスパッタ法により形成した。次に、裏面電極上に、基板温度を580°Cとして、光電変換層半導体層を形成した。光電変換層半導体層としては、GaAs、CuIn0.7Ga0.3Se2およびCdTeのいずれかを成膜した。GaAs、およびCuIn0.7Ga0.3Se2は、KセルknudsenCell:クヌーセンセルを蒸発源として用いた蒸発法を用いて、2μmの厚さに形成した。一方、CdTeは近接昇華法を用い、5μmの厚さに形成した。下記表2に、各実験例10~実験例30で使用した基板、応力緩和層の構成、光電変換層の組成、基材と応力緩和層と光電変換層との熱膨張係数の差、および光電変換層表面の表面状態の評価を示す。なお、光電変換層表面の表面状態の評価においては、成膜後の光電変換層の表面を光学顕微鏡で観察し、部分的剥離またはクラックが発生しているものを×とした。また、光電変換層の上に上部電極として、直径が3.5mm、厚さが0.2μmのAu膜をマスク蒸着法にて設け、上部電極と裏面電極間の抵抗値を測定し、マイクロクラックまたは光学顕微鏡では確認できない微小クラックによるリーク電流の有無を確認した。上述の光学顕微鏡による観察で部分的剥離またはクラックが観察されず、導通が確認されたものを△とした。また、上述の光学顕微鏡による観察で部分的剥離またはクラックが観察されず、上述のリーク電流の測定で、リーク電流がないものを○とした。実験例1~5を用いた実験例10~24は、光電変換層半導体層の熱膨張係数に合わせた基材を用い、さらに陽極酸化膜と光電変換層半導体層の間に、両者の中間程度の熱膨張係数を有する材料を応力緩和層として形成することにより、580°Cという高温で光電変換層半導体層を形成した場合、部分的剥離またはクラックが生じない良質な光電変換層半導体層を得ることができた。実験例25~27は、応力緩和層を設けているものの、基材と光電変換層との熱膨張係数の差が大きく、580°Cで熱処理した場合のリーク電流密度の変化はそれほど大きくないものの、580°Cという高温で光電変換層半導体層を形成した場合、部分的剥離またはクラックが生じた。一方、実験例28~30は、応力緩和層がないため、580°Cという高温で光電変換層半導体層を形成した場合、部分的剥離またはクラックが生じ、良質な光電変換層半導体層を得ることができなかった。本実験例では、以下に示す実験例40~実験例46を作製し、金属基材と裏面電極との密着性について検討した。実験例40~実験例46は、下記表3に示すように、上述の実験例1~7の絶縁層付金属基板を用い、それぞれ応力緩和層上または陽極酸化膜上に裏面電極として、Mo膜を600nmの厚さにDCスパッタ法により成膜したものである。なお、成膜条件は、成膜ガス圧を0.5Paとし、スパッタガスにArガスを用い、基板温度を室温とした。裏面電極の密着性の評価は、各実験例40~実験例46に対し、そのままの状態加熱なしのものと、真空加熱炉にて550°Cで0.5時間熱処理した状態550°C加熱後のものとのそれぞれに対して、クロスカット法による密着性試験をJIS規格のK5600に沿って実施して行った。裏面電極の密着性の評価は、具体的には、クロスカット法のカットの間隔を1mmとし、付着力密着力試験後の25個の碁盤目及びカット交差部の剥がれ状況により密着性を評価した。密着性の評価のための点数付けは、剥がれたマスの個数をパーセントで評価し、剥離無し100から全面剥離0としてランク付けをした。以上の裏面電極の密着性の評価結果を下記表3に示す。実験例40~46のいずれも、そのままの状態加熱なしのものは、熱膨張係数差による応力が加わってないために密着性が良好であった。実験例40~46のうち、実験例40~44は、550°Cで熱処理しても剥離することがなく密着性が良好であった。一方、実験例45は、550°Cで熱処理した際、基板とMo膜との熱膨張差から生じる応力と思われる歪により密着性が低下したと推定される。また、実験例46については、陽極酸化膜の直上にMo膜を成膜していることから接触面積が応力緩和層を含むものに比べ小さいことと、金属と酸化物の異種間の界面であることが重なって、550°Cで熱処理した際、密着性が低下したと推定される。本実験例では、以下に示す実験例50~実験例56を作製し、光電変換層CIGS層の密着性について検討した。実験例50~実験例56は、下記表4に示すように、上述の実験例1~7の絶縁層付金属基板について、それぞれ応力緩和層上または陽極酸化膜上に裏面電極および光電変換層CIGS層を形成したものである。裏面電極としては、Mo膜を600nmの厚さにDCスパッタ法により成膜した。なお、成膜条件は、上述の実施例3と同じ成膜条件であるため、その詳細な説明は省略する。また、光電変換層CIGS層は、基板温度を520°Cとした以外は、上述の実施例2と同様にして、裏面電極上にCuIn0.7Ga0.3Se2を2μmの厚さに成膜した。光電変換層CIGS層の密着性の評価は、上述の実施例3と同じく、JIS規格のK5600に沿って密着性試験を実施し、密着性を評価した。なお、密着性の評価のための点数付けも上述の実施例3と同じとした。このため、光電変換層CIGS層の密着性の評価の詳細な説明は省略する。光電変換層CIGS層の密着性の評価結果を下記表4に示す。実験例50~実験例56のうち、実験例50~53は、光電変換層CIGS層の密着性が良好であった。一方、上述の実施例3では密着性が良好であったが実施例3の実験例44参照、新たに密着性の低下が見られた実験例54は、絶縁層付金属基板の基材コバールと光電変換層CIGS層との熱膨張係数差が大きいため、応力緩和層では緩和しきれなかったと推定される。また、実験例55についても、上述の実施例3の実験例45の密着性低下に加え、光電変換層CIGS層と基材SUS304との熱膨張係数差も合わさって、より密着性が低くなったと推定される。さらには、実験例56についても、上述の実施例3の実験例46の密着性が低いことから、光電変換層CIGS層の密着性が低くなったと推定される。しかしながら、絶縁層付金属基板の基材SUS430と光電変換層CIGS層との熱膨張係数差が、実験例55に比して小さいため、実験例55よりも密着性の低下の程度が小さいと推定される。"