"導電性支持体、弾性層および表面層を有し、該表面層は、バインダーおよび下記式1で示す化合物を含有していることを特徴とする帯電部材:[式1中、G1~G10は各々独立に水素原子、炭素数1~3のアルキル基、フェニル基、または下記式2で示される基を示す。但し、G1~G10から選ばれる1つまたは2つ以上は、下記式2で示される基である。a、b、及びcは0以上の整数を示す。[式2中、h及びkは0または1であり、mは0または1である。E及びZは各々独立に、炭素数2~6のアルキレン基、メチル基またはエチル基で置換されていてもよいフェニレン基、下記式7または下記式8で示される基を示す。R1、R2、R4及びR5は各々独立に炭素数1~3のアルキル基またはフェニル基を示す。R3は炭素数1~3のアルコキシ基、または、トリメチルシロキシ基を示す。Xは水素原子、炭素数1~15のアルキル基、メチル基またはエチル基で置換されていてもよいフェニル基、アリルallyl基、ビニル基、下記式10または上記式2で示される基を示す。]式7中、rおよびsは0~3の整数であり、rまたはsのうちどちらか一方は1以上である。[式8中、pは0または1である。R6及びR8は炭素数1~4のアルキレン基を示す。R7は酸素原子または下記式9で示される基を示す。[式10中、qは1~4の整数である。R9は水素原子またはメチル基を示す。]請求項1に記載の帯電部材と被帯電体とを有し、電子写真装置の本体に着脱自在に構成されていることを特徴とするプロセスカートリッジ。請求項1に記載の帯電部材と、該帯電部材と接触して配置されている被帯電体を有することを特徴とする電子写真装置。しかしながら、本発明者らの検討によれば、高温高湿条件下でのCセット画像の発生を、より一層抑制することのできる帯電部材が必要であるとの認識を得た。そこで、本発明の目的は、多様な環境下において、Cセット画像をより確実に抑制し得る帯電部材を提供することにある。また、本発明の目的は、多様な環境下でも、高品位な電子写真画像を安定して形成し得るプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供することにある。本発明に係る帯電部材は、導電性支持体、弾性層および表面層を有し、該表面層は、バインダーおよび下記式1で示す化合物を含有していることを特徴とする:[式1中、G1~G10は各々独立に水素原子、炭素数1~3のアルキル基、フェニル基、または下記式2で示される基を示す。但し、G1~G10から選ばれる1つまたは2つ以上は、下記式2で示される基である。a、b、及びcは0以上の整数を示す。[式2中、h及びkは0または1であり、mは0または1である。E及びZは各々独立に、炭素数2~6のアルキレン基、メチル基またはエチル基で置換されていてもよいフェニレン基、下記式7、または、下記式8で示される基を示す。R1、R2、R4及びR5は各々独立に、炭素数1~3のアルキル基またはフェニル基を示す。R3は炭素数1~3のアルコキシ基、または、トリメチルシロキシ基を示す。Xは水素原子、炭素数1~15のアルキル基、メチル基またはエチル基で置換されていてもよいフェニル基、アリル基、ビニル基、下記式10または、上記式2で示される基を示す。]式7中、r及びsは、0~3の整数であり、rまたはsのうちどちらか一方は1以上である。[式8中、pは0または1である。R6及びR8は、炭素数1~4のアルキレン基を示す。R7は酸素原子または、下記式9で示される基を示す。[式10中、qは1~4の整数である。R9は水素原子またはメチル基を示す。]また、本発明は、上記の帯電部材と被帯電体とを有し、電子写真装置の本体に着脱自在に構成されていることを特徴とするプロセスカートリッジである。また、本発明は、上記の帯電部材と、該帯電部材と接触して配置されている被帯電体とを有することを特徴とする電子写真装置である。本発明の帯電部材は、電子写真感光体と長期間当接したまま放置した後に発生する帯電部材の歪み量以下Cセット量と呼ぶを低減することが可能になる。同時に、帯電部材の帯電能力を向上させることが可能になる。これにより、Cセット画像の発生を抑制することができる。本発明の帯電部材は、導電性支持体上に、弾性層および表面層を有し、被帯電体と接触して、被帯電体を帯電する帯電部材である。そして、該帯電部材の表面層は、バインダーおよび下記式1で示す化合物を含有している。上記式1において、前記式1中、G1~G10は各々独立に、水素原子、炭素数1~3のアルキル基、フェニル基または下記式2で示される基を示す。また、G1~G10のうち1つ又は2つ以上は、下記式2で示す構造である。上記式2中、h及びkは0または1であり、mは0または1である。E及びZは各々独立に、炭素数2~6のアルキレン基、メチル基またはエチル基で置換されていてもよいフェニレン基、下記式7、または、下記式8で示される基を示す。R1、R2、R4及びR5は各々独立に、炭素数1~3のアルキル基またはフェニル基を示す。R3は炭素数1~3のアルコキシ基、または、トリメチルシロキシ基を示す。Xは水素原子、炭素数1~15のアルキル基、メチル基またはエチル基で置換されていてもよいフェニル基、アリルallyl基、ビニル基、下記式10または、上記式2で示される基を示す。上記式7中、r及びsは、0~3の整数であり、rまたはsのうちどちらか一方は1以上である。上記式8中、pは0または1である。R6及びR8は、炭素数1~4のアルキレン基を示す。R7は酸素原子または、下記式9で示される基を示す。上記式10中、qは1~4の整数である。R9は水素原子またはメチル基を示す。E及びZとしては、下記式4、5及び6で示す構造のうちの少なくとも1つとすることが好ましい。式4および5中、R6、R8及びR9はそれぞれ独立に炭素数1~4のアルキレン基である。かかる構造により、表面層に含有した際の化合物の安定性を更に高めることが可能になる。R6、R8及びR9は、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基等が例示され、この中でも、メチレン基、プロピレン基がより好ましい。前記式2中、R1、R2、R4及びR5は、各々独立に、炭素数1~3のアルキル基またはフェニル基である。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基等が例示される。これらの中でもメチル基がより好ましい。R3は炭素数1~3のアルコキシル基、または、トリメチルシロキシ基である。アルコキシル基は、R1で例示したアルキル基に酸素原子を結合させたものが例示できる。Xは、前述のとおり、水素原子、炭素数1~15のアルキル基、メチル基またはエチル基で置換されていてもよいフェニル基、アリルallyl基、ビニル基、前記式10、または、前記式2で示される基である。上記アルキル基の具体的な例としては、メチル、エチル、n-プロピル、i-プロピル、シクロプロピル、n-ブチル、i-ブチル、sec-ブチル、tert-ブチル、シクロブチル、n-ペンチル、tert-アミル、シクロペンチル、n-ヘキシル、シクロヘキシル、2-エチルヘキシル等が挙げられる。上記式2に示した記載の構造は、シロキサン結合とシルアルキレン結合とが交互に配列した多分岐構造を有するバルキーな構造を有している。かかる特異的構造を有する化合物をバインダー樹脂として含む表面層は、吸湿性が抑制され、表面層の分子運動が抑制される。その結果、帯電部材に応力がかかった際の歪み量を減少させることができる。また、多数のケイ素原子を含有する構造を有することにより、表面層の誘電率が向上し、帯電能力を向上させることができる。これらの効果により、Cセット画像の発生の抑制が可能となる。また、表面層の吸湿性が抑えられることで、帯電部材の環境変動を防止することもできる。すなわち、本発明に係る帯電部材によれば、高温高湿環境から低温低湿環境にいたるまで、安定して電子写真感光体等の帯電を行うことが可能になる。前記式2中、mは0であることが好ましい。また、h及びkは0であることが好ましく、更には、前記式2で示す構造のうち、下記式3で示す構造の繰り返しが1回から3回であることが好ましい。これにより、表面層の吸湿性を更に抑制することが可能になる。また、前記式1で示す化合物は、分岐構造のすべての末端が前述した炭素数1~10のアルキル基であることが好ましい。これらの中でも、炭素数1~10のアルキル基がより好ましく、更に、炭素数1~4のアルキル基が、特に好ましい。これにより、表面層の吸湿性を更に抑制することが可能になる。前記式1で示す化合物の数平均分子量の目安としては、600~100000、特には1500~50000である。前記式1で示す化合物は、ケイ素原子に結合した水素原子以降、ケイ素原子結合水素原子と略を含有する化合物以下、ケイ素原子結合水素原子含有化合物というを原料として製造することができる。前記式1で示す化合物の製造方法の一例として、ケイ素原子結合水素原子含有化合物に、下記工程Aから工程Dのいずれかを一回以上行う方法を挙げることができる。工程A;ケイ素原子結合水素原子含有化合物と、下記式13で示すアルケニル基含有アルコキシシランとを、遷移金属ヒドロシリル化反応用触媒の存在下で付加反応させる工程。式中、R6は、炭素原子数2~10のアルケニル基である。R12、R13及びR14は、炭素原子数1~10のアルキル基もしくはアリールaryl基であり、R12、R13及びR14は、同じ構造であっても異なる構造であっても良い。工程B;ケイ素原子結合水素原子含有化合物に下記式14で示す化合物を酸性条件下に反応させる工程。式中、R15、R16、R17及びR18は、炭素原子数1~10のアルキル基もしくはアリールaryl基であり、R15、R16、R17及びR18は、同じ構造であっても異なる構造であっても良い。工程C;ケイ素原子結合水素原子含有化合物に分子中に1個の非共役アルケニル基を有する化合物を、遷移金属ヒドロシリル化反応用触媒の存在下で付加反応させる工程。工程D;ケイ素原子結合水素原子含有化合物に下記式15で示す化合物を酸性条件下で反応させる工程。式中、R20、R21、R22及びR23は、炭素原子数1~10のアルキル基もしくはアリールaryl基であり、R20、R21、R22及びR23は、同じ構造であっても異なる構造であっても良い。R19及びR24は、炭素原子数1~30の炭化水素基、アリルallyl基、アリールaryl基、ビニル基、前記式10で示される基である。上記の工程のいずれかを行った後、更に、別の工程を行っても良い。例えば、工程Aと工程Bを1回以上交互に行っても良いし、工程Aと工程Bを1回以上交互に行った後、更に、工程Cを行っても良い。また、工程Aの後に、工程Dを行っても良い。上記工程AからDを適時組み合わせることにより、所望の化合物を得ることができる。ケイ素原子結合水素原子含有化合物としては、前式14で示す化合物や、ケイ素原子結合水素原子ポリオルガノシロキサン、ケイ素原子結合水素原子含有ポリオレフィン、ケイ素原子結合水素原子含有ポリアルキレンオキシド、ケイ素原子結合水素原子含有ポリエステル、ケイ素原子結合水素原子含有ポリアミド、ケイ素原子結合水素原子含有ポリイミド、前式1で示す化合物のうち式2のXが水素原子である化合物等が挙げられる。これらの中でも、前式14で示す化合物、ケイ素原子結合水素原子含有ポリオルガノシロキサン、または前式1で示す化合物のうち式2のXが水素原子である化合物がより好ましい。ケイ素原子結合水素原子含有ポリオルガノポリシロキサンとしては、線状、分岐状、環状のシロキサンが挙げられる。このポリオルガノポリシロキサン中、水素原子以外のケイ素原子に結合した有機基は、一価の炭化水素基であることがより好ましい。一価の炭化水素基のなかでも、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基が好ましい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、イソプロピル基、イソブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が例示できる。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基、アリールアルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基等が例示できる。前記式1で示す化合物のうち式2のXが水素原子である化合物は、分岐末端すなわち最外殻にケイ素原子結合水素原子を有する多分岐状の化合物である。工程A及び工程Cで使用する遷移金属ヒドロシリル化反応用触媒としては、白金系遷移金属触媒が好ましい。このうち、塩化白金酸、アルコール変性塩化白金酸、白金のオレフィン錯体、白金のジケトナート錯体を使用することが更に好ましい。この白金系遷移金属触媒を用いて付加反応を行う際には、原料中のケイ素原子結合水素原子を完全に反応させるために、やや過剰のアルケニル基含有化合物を反応させるのが好ましい。過剰量のアルケニル基含有化合物は反応後、減圧蒸留等によって分別回収することができる。工程A及び工程Cで行う付加反応は、常温もしくは加熱条件下に行うことができる。更に、反応を妨害しない溶媒を用いて行うこともできる。溶媒は、既存の溶媒から選択することができ、例えば、ヘキサン、オクタン、デカン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン等のケトン類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル等のエステル類、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール類、オクタメチルテシクロテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、オクタメチルトリシロキサン等のオルガノシロキサンオリゴマー、水等を例示できる。この中でも、アルコール類が好ましい。工程Aで使用するアルケニル基含有アルコキシシランとしては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ヘキセニルトリメトキシシラン、ヘキセニルトリエトキシシラン等を例示することができる。工程Cで使用する分子中に1個の非共役アルケニル基を有する化合物としては、ブテン、イソブテン、ヘキセン、オクテン、スチレン、α-メチルスチレン、ビニルトリストリメチルシロキシシラン、ビニルビストリメチルシロキシメトキシシラン等が例示される。上記工程Bおよび工程Dにおいて酸性条件を作るのに使われる酸性物質としては、塩酸、硫酸、カルボン酸類、スルホン酸類またはその混合物を例示することができる。上記工程B及び工程Dにおいては、反応を妨害しない溶媒を適時用いることができる。溶剤としては、前記と同様である。中でも、アルコール類及び水が好ましい。式1に示す化合物を製造する製造方法のその他の例として、前記ケイ素原子結合水素原子含有化合物と下記式22で示す化合物を遷移金属ヒドロシリル化反応用触媒の存在下で付加反応させる方法を例示することができる。式中、R25は、炭素原子数2~10のアルケニル基である。Kは2価の有機基である。nは0または1である。その他の記号R3、R4、R5、X、mは、前式2について記載したと同じ意味を示す。遷移金属ヒドロシリル化反応用触媒としては、前記工程Aで記載した触媒を挙げることができる。また、反応を妨害しない溶媒を用いて行うこともでき、溶媒としては、前記工程Aで記載したものと同様である。<帯電部材>図1A~図1Dは本発明に係る帯電部材の概略断面図である。図1A~図1Dは各々ローラ形状の帯電部材帯電ローラを示している。以下、帯電ローラを例に用いて詳細に説明する。図1Aは、導電性支持体1と表面層3を有している帯電ローラである。図1Bは、導電性支持体1と表面層3の間に、弾性層2を有する帯電ローラである。図1Cは弾性層2と表面層3の間に、中間層21を有する帯電ローラである。図1Dは弾性層2と表面層3の間に、中間層21及び22を有する帯電ローラである。本発明の帯電ローラは、電子写真感光体と接触して用いられるので、弾性を有していることがより好ましい。特に耐久性等が要求される場合、図1A~図1Dのように、弾性層を設けて、導電性支持体1上に2つ以上の層を設けることが推奨される。導電性支持体と弾性層、あるいは、順次積層する層例えば、図1Bに示す弾性層2と表面層3は、接着剤を介して接着してもよい。この場合、接着剤は導電性であることが好ましい。導電性とするため、接着剤には公知の導電剤を有することができる。接着剤のバインダーとしては、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂が挙げられるが、ウレタン系、アクリル系、ポリエステル系、ポリエーテル系、エポキシ系等の公知のものを用いることができる。接着剤に導電性を付与するための導電剤としては、後に詳述する導電剤から適宜選択し、単独で、また2種類以上組み合わせて、用いることができる。本発明に係る帯電ローラは、感光体の帯電を良好なものとするため、通常、電気抵抗が、23°C/50RH環境中において、1×104Ω以上、1×1010Ω以下であることがより好ましい。一例として、図2Aおよび図2Bに帯電ローラの電気抵抗測定装置を示す。導電性支持体41の両端を、荷重のかかった軸受け33、33により感光体と同じ曲率の円柱形金属32に、平行になるように当接させる。この状態で、モータ不図示により円柱形金属32を回転させ、当接した帯電ローラ45を従動回転させながら安定化電源34から直流電圧-200Vを印加する。この時に流れる電流を電流計35で測定し、帯電ローラの抵抗を計算する。ここで、荷重は各4.9Nとし、円柱形金属は直径φ30mm、円柱形金属の回転は周速45mm/secである。本発明に係る帯電ローラは、感光体に対して、長手のニップ幅を均一にするという観点から、長手方向中央部が一番太く、長手方向両端部にいくほど細くなる形状、いわゆるクラウン形状が好ましい。クラウン量は、中央部の外径と中央部から90mm離れた位置の外径との差が、30μm以上200μm以下であるが好ましい。本発明の帯電ローラは、表面の十点平均粗さRzjisμmが2≦Rzjis≦30であり、表面の凹凸平均間隔Smμmが15≦Sm≦150であることがより好ましい。帯電ローラの表面粗さRzjis、凹凸平均間隔Smをこの範囲とすることにより、帯電ローラと電子写真感光体との接触状態をより安定にすることができる。これにより、感光体を均一に帯電することが容易になるため、より好ましい。表面の十点平均粗さRzjis及び表面の凹凸平均間隔Smの測定法について下記に示す。測定はJISB0601-1994表面粗さの規格に準じて行い、表面粗さ測定器SE-3500商品名、株式会社小坂研究所製を用いて行う。Rzjisは、帯電部材を無作為に6箇所測定した場合の、その平均値である。また、Smは、帯電部材を無作為に6箇所選び、そこにおける各10点の凹凸間隔を測定しその平均値を測定箇所のSmとし、当該帯電部材のSmとしては、6箇所の平均値の平均である。尚、測定条件は以下の通りである。カットオフ値;0.8mm、フィルタ;ガウス、予備長さ;カットオフ×2、レベリング;直線全域、評価長さ;8mm。十点平均粗さ及び凹凸平均間隔を上記の範囲に制御するため、後述する各層、特に表面層に、平均粒子径が1μm以上30μm以下の粒子が添加されていることがより好ましい。粒子については、後に詳述する導電剤や絶縁性粒子を例示することができる。導電性支持体本発明に係る帯電部材に用いられる導電性支持体は、導電性を有し、その上に設けられる表面層等を支持する機能を有するものである。材質としては、例えば、鉄、銅、ステンレス、アルミニウム、ニッケル等の金属やその合金を挙げることができる。表面層本発明の帯電部材に用いられる表面層は、式1で示す化合物を含有している。また、表面層は、式1で示す化合物を、バインダーと混合して形成することがより好ましい。前記化合物をバインダーに混合する際は、バインダー100質量部に対して、0.5質量部以上混合することが好ましい。より好ましくは1質量部以上、更に好ましくは5質量部以上である。特に好ましくは、5から50質量部である。表面層に用いるバインダーとしては、公知のバインダーを採用することができる。例えば、樹脂、天然ゴムやこれを加硫処理したもの、合成ゴムなどのゴム等を挙げることができる。樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の樹脂が使用できる。中でも、フッ素樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ブチラール樹脂等がより好ましい。合成ゴムとしては、エチレン-プロピレン-ジエン共重合体EPDM、スチレン-ブタジエン共重合ゴムSBR、シリコーンゴム、ウレタンゴム、イソプレンゴムIR、ブチルゴム、アクリロニトリル-ブタジエン共重合ゴムNBR、クロロプレンゴムCR、アクリルゴム及びエピクロルヒドリンゴム等が使用できる。これらは、単独で用いてもよいし、2種以上を混合して用いても、また共重合体であってもよい。なお、これらの中でも、表面層に用いるバインダーとしては、感光体やその他の部材を汚染せず離型性が高いという観点から、樹脂を用いることが好ましい。本発明では、表面層は、帯電部材の電気抵抗を上記とするために、23°C/50RH環境1×103Ωcm以上1×1015Ωcm以下であることが、より好ましい。表面層の体積抵抗率を上記範囲内とすることによって、感光体にピンホールが発生した場合であっても、当該ピンホールに過大な電流が流れることを抑制することができる。表面層の体積抵抗率は、以下のようにして求める。まず、ローラ状態から表面層を剥がし、5mm×5mm程度の短冊形に切り出す。両面に金属を蒸着して電極とガード電極とを作製し測定用サンプルを得る。あるいはアルミシートの上に塗布して表面層塗膜を形成し、塗膜面に金属を蒸着して測定用サンプルを得る。得られた測定用サンプルについて微小電流計商品名:ADVANTESTR8340AULTRAHIGHRESISTANCEMETER、株アドバンテスト製を用いて200Vの電圧を印加する。そして、30秒後の電流を測定し、膜厚と電極面積とから計算して求める。表面層の体積抵抗率は、イオン導電剤、電子導電剤等の導電剤により調整することができる。導電剤として、カーボンブラックを使用する際は、金属酸化物系微粒子にカーボンブラックを被覆した複合導電性微粒子として使用することが更に好ましい。カーボンブラックは、ストラクチャーを形成するため、バインダーに対して、均一に存在させることが困難な傾向にある。カーボンブラックを金属酸化物に被覆した複合導電性微粒子として使用すると、導電剤をバインダーへ均一に存在させることができ、体積抵抗率の制御がより容易になる。この目的で使用する金属酸化物系微粒子としては、金属酸化物や複合金属酸化物が挙げられる。具体的には、金属酸化物としては、酸化亜鉛、酸化錫、酸化インジウム、酸化チタン二酸化チタン、一酸化チタン等、酸化鉄、シリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム等を例示することができる。また、複合金属酸化物として、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム等を例示することができる。金属酸化物系微粒子は表面処理されていることがより好ましい。表面処理としては、アルコキシシラン、フルオロアルキルシラン、ポリシロキサン等の有機ケイ素化合物、シラン系、チタネート系、アルミネート系及びジルコネート系の各種カップリング剤、オリゴマー又は高分子化合物が使用可能である。これらは一種で使用しても、二種以上を用いても良い。表面層には、本発明の効果を損なわない範囲で他の粒子を含有させることができる。他の粒子としては、絶縁性粒子を挙げることができる。また、表面層には、表面の離型性を向上させるために、離型剤を含有させても良い。表面層は、01μm以上100μm以下の厚さを有することが好ましい。より好ましくは、1μm以上50μm以下である。なお、表面層の膜厚は、図3Aおよび図3Bの矢印で示す位置でローラ断面を鋭利な刃物で切り出して、光学顕微鏡や電子顕微鏡で観察することにより測定できる。更に、表面層は、表面処理が施されていてもよい。表面処理としては、UVや電子線を用いた表面加工処理や、化合物等を表面に付着及び/又は含浸させる表面改質処理を挙げることができる。表面層は、静電スプレー塗布やディッピング塗布等の塗布法により形成することができる。または、予め所定の膜厚に成膜されたシート形状又はチューブ形状の層を接着又は被覆することにより形成することもできる。あるいは、型内で所定の形状に材料を硬化、成形する方法も用いることができる。この中でも、塗布法によって塗料を塗工し、塗膜を形成することが好ましい。弾性層弾性層に用いる材料としては、表面層のバインダーとして前記で例示した、ゴムや樹脂を用いることができる。好ましくは、以下のものが挙げられる。エピクロルヒドリンゴム、NBRニトリルゴム、クロロプレンゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、あるいはSBSスチレンブタジエンスチレン-ブロックコポリマー、SEBSスチレンエチレンブチレンスチレン-ブロックコポリマー等の熱可塑性エラストマー。この中でも、抵抗調整が容易であるため、極性ゴムを用いるのがより好ましい。中でも、NBR及びエピクロルヒドリンゴムを挙げることができる。これらは、弾性層の抵抗制御及び硬度制御をより行い易いという利点がある。エピクロルヒドリンゴムは、ポリマー自体が中抵抗領域の導電性を有し、導電剤の添加量が少なくても良好な導電性を発揮することができる。また、位置による電気抵抗のバラツキも小さくすることができるので、高分子弾性体として好適に用いられる。エピクロルヒドリンゴムとしては以下のものが挙げられる。エピクロルヒドリン単独重合体、エピクロルヒドリン-エチレンオキサイド共重合体、エピクロルヒドリン-アリルグリシジルエーテル共重合体及びエピクロルヒドリン-エチレンオキサイド-アリルグリシジルエーテル三元共重合体。この中でも安定した中抵抗領域の導電性を示すことから、エピクロルヒドリン-エチレンオキサイド-アリルグリシジルエーテル三元共重合体が特に好適に用いられる。エピクロルヒドリン-エチレンオキサイド-アリルグリシジルエーテル三元共重合体は、重合度や組成比を任意に調整することで導電性や加工性を制御できる。弾性層は、エピクロルヒドリンゴム単独でもよいが、エピクロルヒドリンゴムを主成分として、必要に応じてその他の一般的なゴムを含有してもよい。その他の一般的なゴムとしては、以下のものが挙げられる。EPMエチレンプロピレンゴム、EPDMエチレンプロピレンゴム、NBRニトリルゴム、クロロプレンゴム、天然ゴム、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレン-ブタジエンゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム等が挙げられる。また、SBSスチレンブタジエンスチレン-ブロックコポリマー、SEBSスチレンエチレンブチレンスチレン-ブロックコポリマーの如き熱可塑性エラストマーを含有してもよい。上記の一般的なゴムを含有する場合、その含有量は、弾性層材料100質量部に対し、1~50質量部であるのがより好ましい。弾性層の体積抵抗率は、23°C/50RH環境下で測定して、102Ωcm以上1010Ωcm以下であることが好ましい。また、体積抵抗率を調整するため、カーボンブラック、導電性金属酸化物、アルカリ金属塩、アンモニウム塩等の導電剤を適宜添加することができる。弾性層材料に極性ゴムを使用する場合は、特に、アンモニウム塩を用いることが好ましい。弾性層には、前記で例示した、絶縁性粒子を含有させても良い。また、弾性層には、硬度等を調整するために、軟化油、可塑剤等の添加剤を添加してもよい。可塑剤等の配合量は、弾性層材料100質量部に対して、好ましくは1質量部から30質量部であり、より好ましくは3質量部から20質量部である。可塑剤としては、高分子タイプのものを用いることがより好ましい。高分子可塑剤の分子量は、好ましくは2000以上、より好ましくは4000以上である。更に、弾性層には、種々な機能を付与する材料を適宜含有させてもよい。これらの例として、老化防止剤、充填剤等を挙げることができる。弾性層の硬度は、マイクロ硬度MD-1型で70°以下が好ましく、より好ましくは60°以下である。マイクロ硬度MD-1型が70°を超えると、帯電部材と感光体との間のニップ幅が小さくなり、帯電部材と感光体との間の当接力が狭い面積に集中し、当接圧力が大きくなる場合がある。なお、マイクロ硬度MD-1型とは、アスカーマイクロゴム硬度計MD-1型商品名、高分子計器株式会社製を用いて測定した帯電部材の硬度である。具体的には、常温常湿23°C/55RHの環境中に12時間以上放置した帯電部材に対して該硬度計を10Nのピークホールドモードで測定した値とする。弾性層の体積抵抗率は、弾性層に使用するすべての材料を厚さ1mmのシートに成型し、両面に金属を蒸着して電極とガード電極を形成して得た体積抵抗率測定試料を、上記表面層の体積抵抗率測定方法と同様にして測定できる。弾性層は、表面処理が施されていてもよい。表面処理としては、UVや電子線を用いた表面加工処理や、化合物等を表面に付着及び/又は含浸させる表面改質処理を挙げることができる。弾性層の形成は、予め所定の膜厚に形成されたシート形状又はチューブ形状の層を導電性支持体に接着又は被覆することによって行うことができる。また、クロスヘッドを備えた押出し機を用いて、導電性支持体と弾性層材料を一体的に押出して作製することもできる。弾性層材料に導電剤、絶縁性粒子及び充填剤等を分散する方法としては、リボンブレンダー、ナウターミキサー、ヘンシェルミキサー、スーパーミキサー、バンバリーミキサー、加圧ニーダー等で混合するなど、公知の方法を用いることができる。中間層弾性層と表面層との間には、1層以上の中間層を設けてもよい。中間層の体積抵抗率は102Ωcm以上1016Ωcm以下であることがより好ましい。体積抵抗率が1016Ωcm以下であれば、帯電部材に感光体を均一に帯電する機能を付与することができる。また、体積抵抗率が102Ωcm以上であれば、感光体の表面にピンホールや傷等が発生した場合においても、リークを防止することができる。中間層の体積抵抗率を調整するために、前記導電剤及び絶縁性粒子等を用いることができる。本発明の中間層には、表面層に含有される各種物質の他、弾性層で例示する材料を適宜含有させることができる。また、弾性層と同様に、UVや電子線を用いた表面加工処理等を施してもよい。<電子写真装置>本発明に係る電子写真装置の概略構成を図4に示す。電子写真装置は、感光体、感光体を帯電する帯電装置、露光を行う潜像形成装置、トナー像に現像する現像装置、転写材に転写する転写装置、感光体上の転写トナーを回収するクリーニング装置、トナー像を定着する定着装置などから構成される。感光体4は、導電性基体上に感光層を有する回転ドラム型である。感光体は矢示の方向に所定の周速度プロセススピードで回転駆動される。帯電装置は、感光体に所定の押圧力で当接されることにより接触配置される接触式の帯電ローラ5を有する。帯電ローラ5は、感光体回転に従い回転する従動回転であり、帯電用電源から所定の直流電圧を印加することにより、感光体を所定の電位に帯電する。感光体に静電潜像を形成する潜像形成装置11は、例えばレーザービームスキャナーなどの露光装置が用いられる。一様に帯電された感光体に画像情報に対応した露光を行うことにより、静電潜像が形成される。現像装置は、感光体に近接または接触して配設される接触式の現像ローラ6を有する。感光体帯電極性と同極性に静電的処理されたトナーを反転現像により、静電潜像をトナー像に可視化現像する。転写装置は、接触式の転写ローラ8を有する。感光体からトナー像を普通紙などの転写材転写材は、搬送部材を有する給紙システムにより搬送される。に転写する。クリーニング装置は、ブレード型のクリーニング部材10、回収容器14を有し、転写した後、感光体上に残留する転写残トナーを機械的に掻き落とし回収する。ここで、現像装置にて転写残トナーを回収する現像同時クリーニング方式を採用することにより、クリーニング装置を取り除くことも可能である。定着装置9は、加熱されたロール等で構成され、転写されたトナー像を転写材7に定着し、機外に排出する。<プロセスカートリッジ>感光体、帯電装置、現像装置、及び、クリーニング装置などを一体化し、電子写真装置本体に着脱自在に設計されたプロセスカートリッジ図5を用いることもできる。以下に、具体的な実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。製造例1化合物1の作製撹拌装置、温度計、還流冷却管、滴下ロートを取り付けた100mlの4つ口フラスコに、ビニルトリストリメチルシロキシシラン17.75gと塩化白金酸3イソプロパノール溶液0.04gを投入し、これらを撹拌しながら100°Cに加熱した。これに、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン3.3gを、滴下ロートを用いて反応温度が100°Cを保つようにゆっくり滴下した。滴下終了後、反応溶液を120°Cで1時間加熱した。室温冷却後、減圧濃縮を行い、化合物1を得た。化合物1は、下記式A-1で示す平均分子式を有する化合物であった。化合物1は、ゲル透過クロマトグラフィーによるポリスチレン換算数平均分子量が788であった。この際、溶媒としてトルエンを使用した。前式2の含有率は、50であった。製造例2[化合物2の作製]200mlの4つ口フラスコに、ビニルトリメトキシシラン121gと塩化白金酸3イソプロパノール溶液004gを投入し、これらを撹拌しながら105°Cに加熱した。次いでこれに、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン50gを、滴下ロートを用いて反応温度が100~110°Cを保つようにゆっくり滴下した。滴下終了後、反応溶液を115°Cで1時間加熱した。冷却後、反応溶液を減圧濃縮したところ、158gの液体が得られた。本工程を工程2-1とする。続いて、1リットルの4つ口フラスコに、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン150g、濃塩酸50ml、水100mlおよびイソプロパノール100mlを投入してこれらを撹拌した。次いでこれに、上記で得た液体158gを滴下ロートを用いて1時間かけてゆっくり滴下した。滴下終了後、反応溶液を室温で1時間撹拌した。次いで反応溶液を分液ロートに移して下層を分取した後、残った上層液を水100mlで3回、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液100mlで1回洗浄して、無水塩化カルシウムで乾燥した。固形分を濾別し、得られた溶液を減圧濃縮して、化合物2を得た。本工程を工程2-2とする。化合物2は、下記式A-2で示す平均分子式を有する化合物であった。製造例1と同様にして、平均分子量を算出したところ、607であった。前記式2の含有率は、50であった。製造例3[化合物3の作製]300mlの4つ口フラスコに、ビニルトリメトキシシラン182gと塩化白金酸3イソプロパノール溶液0.28gを投入し、これらを撹拌しながら100°Cに加熱した。これに、メチルトリスジメチルシロキシシラン100gを、滴下ロートを用いて反応温度が100°Cを保つようにゆっくり滴下した。滴下終了後、反応溶液を120°Cで1時間加熱した。冷却後、反応溶液を減圧濃縮したところ、266gの液体が得られた。これを中間体3Aとした。次に、500mlの4つ口フラスコに、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン127g、濃塩酸33ml、水66mlおよびイソプロパノール66mlを投入してこれらを撹拌した。次いでこれに、上記で得た中間体3Aのうち100gを、1時間かけてゆっくり滴下した。滴下終了後、前記工程2-2と同様にして処理を行い、156gの液体を得た。これを中間体3Bとした。最後に、100ml4つ口フラスコに、上記で得た中間体3Bを30.0gと塩化白金酸3イソプロパノール溶液0.03gを投入し、これらを撹拌しながら100°Cに加熱した。これに、ヘキセン24.6gを、滴下ロートを用いて反応温度が100°Cを保つようにゆっくり滴下した。滴下終了後、反応溶液を100°Cで1時間加熱した。冷却後、反応溶液を減圧濃縮して、化合物3を得た。化合物3は、下記式A-3で示す平均分子式を有する化合物であった。前記平均分子量は、1868であり、前記式2の含有率は、75であった。製造例4[化合物4の作製]100mlの4つ口フラスコに、ビニルトリストリメチルシロキシシラン35.5gと塩化白金酸3イソプロパノール溶液0.04gを投入し、これらを撹拌しながら100°Cに加熱した。これに、テトラキスジメチルシロキシシラン8.2gを、滴下ロートを用いて反応温度が100°Cを保つようにゆっくり滴下した。滴下終了後、反応溶液を120°Cで1時間加熱した。冷却後、減圧濃縮して、化合物4を得た。化合物4は、下記式A-4で示す平均分子式を有する化合物であった。前記平均分子量は2200であり、前記式2の含有率は、100であった。製造例5[化合物5の作製]100mlの4つ口フラスコに、ビニルトリメトキシシラン49.4gと塩化白金酸3イソプロパノール溶液0.04gを投入し、これらを撹拌しながら100°Cに加熱した。これに、下記平均分子式5Aで示すポリシロキサン30.0gを、滴下ロートを用いて反応温度が100°Cを保つようにゆっくり滴下した。滴下終了後、反応溶液を120°Cで1時間加熱した。冷却後、反応溶液を減圧濃縮したところ、63.1gの液体が得られた。これを中間体5Bとした。また、本工程を工程5-1とする。次に、200mlの4つ口フラスコに、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン60g、濃塩酸13ml、水27mlおよびイソプロパノール27mlを投入してこれらを撹拌した。次いでこれに、上記で得た中間体5B、40.0gを1時間かけてゆっくり滴下した。滴下終了後、反応溶液を室温で1時間撹拌した。反応溶液を分液ロートに移して下層を分取した後、残った上層液を水20mlで2回、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液20mlで1回洗浄して、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。固形分を濾別し、得られた溶液を減圧濃縮したところ、45.4gの液体が得られた。これを中間体5Cとした。また、本工程を工程5-2とする。前記工程5-1において、前式5Aのポリシロキサンを、中間体5C、40gに変更した。32gの液体が得られ、これを中間体5Dとした。最後に、100mlの4つ口フラスコに、α-メチルスチレン65.5gと塩化白金酸3イソプロパノール溶液0.04gを投入し、これらを撹拌しながら100°Cに加熱した。これに、上記で得た中間体5D、30.0gを、滴下ロートを用いて反応温度が100°Cを保つようにゆっくり滴下した。滴下終了後、反応溶液を120°Cで1時間加熱した。冷却後、減圧濃縮して、化合物5を得た。本工程を工程5-3とする。化合物5は、下記式A-5で示す平均分子式を有する化合物であった。前記平均分子量は、5230であり、前記式2の含有率は、22.7であった。製造例6[化合物6の作製]平均分子式5Aの化合物を、平均分子式6Aで示す化合物50.0gに変更した以外は、工程5-1と同様にして処理を行い、80gの液体を得た。これを、中間体6Bとした。次に、中間体5Bを中間体6B、70.0gに変更した以外は、前記工程5-2と同様にして処理を行い、60.4gの液体を得た。これを中間体6Cとした。次に、前式5Aのポリシロキサンを中間体6C、50gに変更した以外は、前記工程5-1と同様にして処理を行い、80gの液体を得た。これを中間体6Dとした。次に、中間体5Bを中間体6D、70.0gに変更した以外は、前記工程5-2と同様にして処理を行い、56gの液体を得た。これを中間体6Eとした。次に、前式5Aのポリシロキサン中間体6E、50gに変更した以外は、前記工程5-1と同様にして処理を行い、30gの液体を得た。これを中間体6Fとした。最後に、100mlの4つ口フラスコに、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ジビニルジシロキサン60g、酢酸20gおよびトリフルオロメタンスルホン酸0.06gを投入してこれらを撹拌しながら、50°Cに昇温した。これに、上記で得た中間体6F、30gを1時間かけてゆっくり滴下した。滴下終了後、反応溶液を60°Cで5時間撹拌した。冷却後、反応溶液を分液ロートに移し、水200mlで2回、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液100mlで1回洗浄して、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。生成した固形分を濾別し、得られた溶液を減圧濃縮し、化合物6を得た。これを工程6-1とする。化合物6は、下記式A-6で示す平均分子式を有する化合物であった。前記平均分子量は、22780であった。前記式2の含有率は、13.9であった。製造例7[化合物7の作製]平均分子式5Aで示す化合物を平均分子式7Aで示す化合物50.0gに変更した以外は、工程5-1と同様にして、中間体7Bを作製した。次に、中間体5Bを中間体7B、60.0gに変更した以外は、前記工程5-2と同様にして処理を行い、60.0gの液体を得た。これを中間体7Cとした。前記工程5-1から工程5-2の繰り返しを、この後、同様に4回行った。それぞれの工程を行う際、滴下する化合物は、直前の工程で作製した中間体を用いて行った。使用した化合物の量は同量で行った。最後に、これまでの工程で得た、中間体30gを、前記工程6-1と同様の方法で、1時間かけてゆっくり滴下し、その後の処理も同様に行い、化合物7を得た。化合物7は、下記式A-7で示す平均分子式を有する化合物であった。前記平均分子量は、14000、前記式2の含有率は、8.3であった。製造例8[化合物8の作製]200mlの4つ口フラスコに、ビニルトリメトキシシラン107gと塩化白金酸3イソプロパノール溶液0.04gを投入し、これらを撹拌しながら100°Cに加熱した。これに、テトラキスジメチルシロキシシラン49.4gを、滴下ロートを用いて反応温度が100°Cを保つようにゆっくり滴下した。滴下終了後、反応溶液を120°Cで1時間加熱した。冷却後、減圧濃縮したところ、100gの液体が得られた。これを中間体8Aとした。また、本工程を工程8-1とする。300mlの4つ口フラスコに、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン80.6g、酢酸72.1gおよびトリフルオロメタンスルホン酸0.11gを投入して、これらを撹拌しながら、40°Cに加熱した。これに、上記で得た中間体8A、76.8gを1時間かけてゆっくり滴下した。滴下終了後、反応溶液を50°Cで1時間撹拌した。反応溶液を分液ロートに移して下層を分取した後、残った上層液を水50mlで2回、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液50mlで1回洗浄して、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。固形分を濾別し、得られた溶液を減圧濃縮したところ、90gの液体が得られた。これを中間体8Bとした。また、本工程を工程8-2とする。次に、ビニルトリメトキシシランを88.9gとし、滴下する化合物を中間体8B、60.5gに変更する以外は、前記工程8-1と同様にして処理を行い、85gの液体が得た。これを中間体8Cとした。本工程を工程8-3とする。次に、前記工程8-2において、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン75.1g、酢酸53.7g、中間体8C、66.9gを投入して、これらを撹拌しながら、50°Cに加熱した。これに、トリフルオロメタンスルホン酸0.08gを投入した後、反応溶液を50°Cで1時間撹拌した。前記以外は、工程8-2と同様に処理を行い、77.1gの液体が得られた。これを中間体8Dとした。本工程を工程8-4とする。次に、滴下する化合物を中間体8D、60gに変更する以外は、前記工程8-3と同様にして処理を行い、80gの液体が得られた。これを中間体8Eとした。本工程を工程8-5とする。次に、中間体8Cを、中間体8E、70gに変更する以外は、前記工程8-4と同様にして、処理を行い、80gの液体が得られた。これを中間体8Fとした。本工程を工程8-6とする。最後に、100mlの4つ口フラスコに、平均分子式;で示される化合物50gと塩化白金酸3イソプロパノール溶液0.07gを投入し、これらを撹拌しながら80°Cに加熱した。これに、上記で得た中間体8F、15.0gを、滴下ロートを用いて反応温度が85°Cを保つようにゆっくり滴下した。滴下終了後、反応溶液を100°Cで1時間加熱した。冷却後、反応溶液を減圧濃縮して、化合物8を得た。本工程を工程8-7とする。化合物8は、下記式A-8で示す平均分子式を有する化合物であった。前記平均分子量は、44000であり、前記式2の含有率は、100であった。製造例9[化合物9の作製]100mlの4つ口フラスコに、プロペニルトリメトキシシラン60gと塩化白金酸3イソプロパノール溶液0.04gを投入し、これらを撹拌しながら100°Cに加熱した。これに、下記平均分子式9Aで示すポリシロキサン65gを、ゆっくり滴下した以外は、前記工程5-1と同様にして、処理を行ったところ、90gの液体が得られた。これを中間体9Bとした。次に、中間体5Bを中間体9B、70.0gに変更した以外は、前記工程5-2と同様にして処理を行い、60.0gの液体を得た。これを中間体9Cとした。前記工程5-1から工程5-2の繰り返しを、この後、同様に、1回行った。それぞれの工程を行う際、滴下する化合物は、直前の工程で作製した中間体を用いて行った。使用した化合物の量は同量で行った。最後に、100mlの4つ口フラスコに、プロペニルトリストリメチルシロキシシラン60gと塩化白金酸3イソプロパノール溶液0.04gを投入し、これらを撹拌しながら100°Cに加熱した。これまでの工程で得た中間体40gを、滴下ロートを用いて反応温度が100°Cを保つようにゆっくり滴下した。滴下終了後、反応溶液を120°Cで1時間加熱した。冷却後、反応溶液を減圧濃縮して、化合物9を得た。これを工程9-1とする。化合物9は、下記式A-9で示す平均分子式を有する化合物であった。前記平均分子量は、10400であり、前記式2の含有率は、8.0であった。製造例10[化合物10の作製]100mlの4つ口フラスコに、プロペニルトリメトキシシラン40gと塩化白金酸3イソプロパノール溶液0.04gを投入し、これらを撹拌しながら100°Cに加熱した。これに、下記平均分子式10Aで示すポリシロキサン50gを、ゆっくり滴下した以外は、前記工程5-1と同様にして、処理を行い、60gの液体を得た。これを中間体10Bとした。次に、中間体5Bを中間体10B、40.0gに変更した以外は、前記工程5-2と同様にして処理を行い、55gの液体を得た。これを中間体10Cとした。前記工程5-1から工程5-2の繰り返しを、この後、同様に、1回行った。それぞれの工程を行う際、滴下する化合物は、直前の工程で作製した中間体を用いて行った。使用した化合物の量は同量で行った。最後に、前記工程9-1と同様にして、処理を行い、化合物10を得た。化合物10は、下記式A-10で示す平均分子式を有する化合物であった。前記平均分子量は、16000であり、前記式2の含有率は、4.8であった。製造例11[化合物11の作製]製造例8と同様にして、前記工程8-1から工程8-4までを行い、77.1gの液体を得た。これを中間体11Dとした。最後に、前記式8Gで示される化合物を、下記式11Eで示される化合物に変更し、中間体8Fを中間体11Dに変更した以外は、前記工程8-7と同様にして、処理を行い、化合物11を得た。化合物11は、下記式A-11で示す平均分子式を有する化合物であった。前記平均分子量は、9000であり、前記式2の含有率は、100であった。製造例12[化合物12の作製]平均分子式5Aで示す化合物を平均分子式12A80.0gに変更した以外は、工程5-1と同様にして処理を行い、65gの液体を得た。これを、中間体12Bとした。次に、中間体5Bを中間体12B、65gに変更した以外は、前記工程5-2と同様にして、処理を行い、60gの液体を得た。これを中間体12Cとした。上記に記載した、前記工程5-1から工程5-2の繰り返しを、この後、同様に、2回行った。それぞれの作業を行う際、滴下する化合物は、直前の工程で作製した中間体を用いて行った。使用した化合物の量は同量で行った。最後に、これまでの工程で得た中間体30gを1時間かけてゆっくり滴下した以外は、前期工程6-1と同様にして、化合物12を得た。化合物12は、下記式A-12で示す平均分子式を有する化合物であった。前記平均分子量は45100であり、前記式2の含有率は、17.2であった。製造例13[化合物13の作製]ビニルトリメトキシシランを、ビニルトリストリメチルシロキシシラン17.75gに変更し、前記式5Aで示される化合物を下記式13Aで示される化合物に変更した以外は、前記工程5-1と同様にして、化合物13を得た。化合物13は、下記式A-13で示す平均分子式を有する化合物であった。前記平均分子量は、854であり、前記式2の含有率は、20であった。製造例14[化合物14の作製]撹拌装置、温度計、還流冷却管、滴下ロートを取り付けた100mlの4つ口フラスコに、平均分子式;で示す化合物18gと塩化白金酸3イソプロパノール溶液0.04gを投入し、これらを撹拌しながら100°Cに加熱した。これに、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン5gを、滴下ロートを用いて反応温度が100~110°Cを保つようにゆっくり滴下した。滴下終了後、前記工程5-1と同様にして、処理を行い、化合物14を得た。化合物14は、下記式A-14で示す平均分子式を有する化合物であった。前記平均分子量は、454であり、前記式2の含有率は、50であった。製造例15[化合物15の作製]300mlの4つ口フラスコに、平均分子式15Aで示す化合物400gと塩化白金酸3イソプロパノール溶液0.28gを投入し、これらを撹拌しながら100°Cに加熱した。これに、メチルトリスジメチルシロキシシラン100gを、滴下ロートを用いて反応温度が100°Cを保つようにゆっくり滴下した。滴下終了後、製造例14と同様に処理を行い、化合物15を得た。化合物15は、下記式A-15で示す平均分子式を有する化合物であった。前記平均分子量は、1130であり、前記式2の含有率は、75であった。製造例16[化合物16の作製]100mlの4つ口フラスコに、前記平均分子式15Aで示す化合物30gと塩化白金酸3イソプロパノール溶液0.04gを投入し、これらを撹拌しながら100°Cに加熱した。これに、テトラキスジメチルシロキシシラン8.2gを、滴下ロートを用いて反応温度が100°Cを保つようにゆっくり滴下した以外は、製造例15と同様にして、化合物16を得た。化合物16は、下記式A-16で示す平均分子式を有する化合物であった。前記平均分子量は1430であり、前記式2の含有率は、100であった。製造例17[化合物17の作製]200mlの4つ口フラスコに、平均分子式17Aで示す化合物20gと白金ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体のジビニルヘキサメチルジシロキサン溶液白金濃度4重量7.5mgを仕込み、これらを攪拌しながら140°Cまで加熱した。次いでこれに、平均分子式17Bで示す化合物15gを、滴下ロートを使用してゆっくり滴下した。滴下終了後、反応溶液を140°Cで2時間加熱した。冷却して、化合物17を得た。化合物17は、下記式A-17で示す平均分子式を有する化合物であった。前記平均分子量は、12400であり、前記式2の含有率は、75であった。製造例18[化合物18の作製]200mlの4つ口フラスコに、ビニルトリメトキシシラン150gと塩化白金酸3イソプロパノール溶液0.04gを投入し、これらを撹拌しながら100°Cに加熱した。これに、テトラキスジメチルシロキシシラン49.4gを、反応温度が100°Cを保つようにゆっくり滴下した。滴下終了後、反応溶液を120°Cで1時間加熱した。冷却後、減圧濃縮したところ、180gの液体が得られた。これを中間体18Aとした。次に、中間体8Aを、中間体18A、80gに変更した以外は、前記工程8-2と同様にして、処理を行い、120gの液体を得た。これを中間体18Bとした。次に、滴下する化合物を、中間体18B、60gに変更した以外は、前記工程8-3と同様にして、処理を行い、134gの液体を得た。これを中間体18Cとした。次に、中間体8Cを、中間体18C、67gに変更した以外は、前記工程8-4と同様にして処理を行い、78gの液体を得た。これを中間体18Dとした。次に、中間体8Dを、中間体18D、60gに変更した以外は、前記工程8-5と同様にして処理を行い、120gの液体を得た。これを中間体18Eとした。次に、中間体8Eを、中間体18E、67gに変更した以外は、前記工程8-6と同様にして処理を行い、80gの液体を得た。これを中間体18Fとした。次に、中間体8Bを、中間体18F、50gに変更した以外は、前記工程8-3と同様にして処理を行い、90gの液体を得た。これを中間体18Gとした。次に、中間体8Aを、中間体18G、80gに変更した以外は、工程8-2と同様にして処理を行い、120gの液体を得た。これを中間体18Hとした。最後に、中間体8Fを、ビニルトリストリメチルシロキシシラン35.5gに変更した以外は、工程8-7と同様にして、化合物18を得た。化合物18は、下記式A-18で示す平均分子式を有する化合物であった。前記平均分子量は、57300であり、式2の含有率は、100であった。製造例19[化合物19の作製]200mlの4つ口フラスコに、ビニルトリメトキシシラン50gと塩化白金酸3イソプロパノール溶液0.04gを投入し、これらを撹拌しながら100°Cに加熱した。これに、下記平均分子式19Aで示すポリシロキサン50gを滴下した。上記以外は、前記工程5-1と同様にして処理を行い、100gの液体を得た。これを中間体19Bとした。本工程を工程19-1とする。次に、中間体5Bを、中間体19B、80gに変更した以外は、前記工程5-2と同様にして処理を行い、60gの液体を得た。これを中間体19Cとした。最後に、前記平均分子式8Gで示す化合物を、ビニルトリストリメチルシロキシシラン60gに変更し、中間体8Fを、中間体19C、60gに変更した。また、反応温度を100°Cに変更し、反応溶液の加熱を、120°C1時間に変更した。上記以外は、工程8-7と同様にして処理を行い、化合物19を得た。本工程を工程19-2とする。化合物19は、下記式A-19で示す平均分子式を有する化合物であった。前記平均分子量は、98700であり、式2の含有率は、24.5であった。製造例20[化合物20の作製]平均分子式19Aで示す化合物を、平均分子式20Aで示す化合物80.0gに変更する以外は、前記工程19-1と同様にして処理を行い、100gの液体を得た。これを中間体20Bとした。次に、中間体5Bを、中間体20B、80gに変更した以外は、前記工程5-2と同様にして、処理を行い、60gの液体を得た。これを中間体20Cとした。最後に、中間体19Cを、中間体20C、60gに変更した以外は、前記工程19-2と同様にして、化合物20を得た。化合物20は、下記式A-20で示す平均分子式を有する化合物であった。前記平均分子量は、41300であり、前記請求項1に記載した、式2の含有率は、31.3であった。製造例21[化合物21の製造]撹拌装置、温度計、還流冷却管、滴下ロートをつけた200mlの4つ口フラスコに、下記平均分子式21Aで示す化合物27.0gと白金ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体のジビニルヘキサメチルジシロキサン溶液白金濃度4重量7.5mgを仕込み、これらを攪拌しながら140°Cまで加熱した。次いでこれに、下記平均分子式21Bで示す化合物9gを30分間かけて滴下した。滴下終了後、反応溶液を140°Cで2時間加熱した。冷却して化合物21を得た。化合物21は、下記式A-21で示す平均分子式を有する化合物であった。前記平均分子量は3000であり、前記式2の含有率は、9.1であった。製造例22[化合物22の作製]前記平均分子式19Aで示す化合物を、下記平均分子式22Aで示す化合物に変更した以外は、工程19-1と同様にして処理を行い、100gの液体を得た。これを中間体22Bとした。次に、中間体5Bを中間体22B、80gに変更した以外は、前記工程5-2と同様にして、処理を行い、60gの液体が得られた。これを中間体22Cとした。最後に、中間体19Cを、中間体22Cに変更した以外は、前記工程19-2と同様の処理を行い、化合物22を得た。化合物22は、下記式A-22で示す平均分子式を有する化合物であった。前記平均分子量は、70000であり、前記式2の含有率は、39.7であった。製造例23[化合物23の作製]200mlの4つ口フラスコに、下記平均分子式23Aで示す化合物21.0gと白金ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体のジビニルヘキサメチルジシロキサン溶液白金濃度4重量7.5mgを仕込み、これらを攪拌しながら140°Cまで加熱した。次いでこれに、平均分子式23Bで示す化合物18gを、滴下ロートを使用してゆっくり滴下した。滴下終了後、反応溶液を140°Cで2時間加熱した。冷却して、化合物23を得た。化合物23は、下記式A-23で示す平均分子式を有する化合物であった。前記平均分子量は9500であり、前記式2の含有率は、75であった。製造例24[化合物24の作製]製造例20において、ビニルトリストリメチルシロキシシランを、下記平均分子式24Aで示す化合物に変更した以外は、製造例20と同様にして化合物24を作製した。化合物24は、下記式A-24で示す平均分子式を有する化合物であった。前記均分子量は、30000であり、前記式2の含有率は、31.3であった。製造例25[化合物25の作製]200mlの4つ口フラスコに、下記平均分子式25Aで示す化合物121gと塩化白金酸3イソプロパノール溶液004gを投入し、これらを撹拌しながら105°Cに加熱した。次いでこれに、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン50gを、滴下ロートを用いて反応温度が100~110°Cを保つようにゆっくり滴下した。滴下終了後、反応溶液を115°Cで1時間加熱した。冷却後、反応溶液を減圧濃縮したところ、158gの液体が得られた。これを中間体25Bとした。次に、中間体5Bを、中間体25B、40.0gに変更した以外は、前記工程5-2と同様にして処理を行い、60gの液体を得た。これを中間体25Cとした。最後に、中間体19Cを、中間体25Cに変更した以外は、前記工程19-2と同様の処理を行い、化合物25を得た。化合物25は、下記式A-25で示す平均分子式を有する化合物であった。前記平均分子量は、2000であり、前記式2の含有率は、50であった。製造例26[化合物26の作製]撹拌装置、温度計、還流冷却管、滴下ロートをつけた200mlの4つ口フラスコに、下記平均分子式26Aで示す化合物50gと白金ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体のジビニルヘキサメチルジシロキサン溶液白金濃度4重量7.5mgを仕込み、これらを攪拌しながら140°Cまで加熱した。次いでこれに、下記式平均分子式26Bで示す化合物2.59gを、滴下ロートを使用してゆっくり滴下した。滴下終了後、反応溶液を140°Cで2時間加熱した。冷却して、化合物26を得た。化合物26は、下記式A-26で示す平均分子式を有する化合物であった。前記平均分子量は、5500であり、前記式2の含有率は、33であった。製造例27[化合物27の作製]ビニルトリメトキシシランを88.9gとし、滴下する化合物を、前記平均分子式26Bで示す化合物30.0gとした以外は、前記工程8-1と同様にして処理を行い、100g液体を得た。これを中間体27Aとした。次に、中間体5Bを、中間体27A、50gに変更した以外は、前記工程5-2と同様にして処理を行い、60gの液体を得た。これを中間体27Bとした。最後に、中間体19Cを、中間体27Bに変更した以外は、前記工程19-2と同様にして処理を行い、化合物27を得た。化合物27は、下記式A-27で示す平均分子式を有する化合物であった。前記平均分子量は、3900であり、前記式2の含有率は、33であった。製造例28[化合物28の作製]前記平均分子式5Aで示す化合物を、下記平均分子式28Aで示す化合物に変更した以外は、前記工程5-1と同様にして処理を行い、63gの液体を得た。これを中間体28Bとした。次に、中間体5Bを、中間体28B、40.0gに変更した以外は、前記工程5-2と同様にして処理を行い、45.4gの液体を得た。これを中間体28Cとした。最後に、α-メチルスチレンを下記平均分子式28Dで示す化合物50gに変更し、中間体5Dを、中間体28C、40gに変更した以外は、前記工程5-3と同様に処理を行い、化合物28を得た。化合物28は、下記式A-28で示す平均分子式を有する化合物であった。前記平均分子量は、4500であり、前記式2の含有率は、22.7であった。製造例29[化合物29の作製]200mlの4つ口フラスコに、平均分子式29Aで示す化合物27.0gと白金ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体のジビニルヘキサメチルジシロキサン溶液白金濃度4重量7.5mgを仕込み、これらを攪拌しながら140°Cまで加熱した。次いでこれに、平均分子式29Bで示す化合物20.3gを30分間かけて滴下した。滴下終了後、反応溶液を140°Cで2時間加熱した。冷却して、化合物29を得た。化合物29は、下記式A-29で示す平均分子式を有する化合物であった。前記平均分子量は2800であり、式2の含有率は、4.3であった。製造例30[化合物30の作製]200mlの4つ口フラスコに、下記平均分子式30Aで示す化合物15gと、下記平均分子式30Bで示す化合物26gと、白金ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体のジビニルヘキサメチルジシロキサン溶液白金濃度4重量7.5mgを仕込み、これらを攪拌しながら140°Cまで加熱した。次いでこれに、下記平均分子式30Cで示す化合物10gを30分間かけて滴下した。滴下終了後、反応溶液を140°Cで2時間加熱した。冷却して化合物30を得た。化合物30は、下記式A-30で示す平均分子式を有する化合物であった。前記平均分子量は、4000であり、前記式2の含有率は、9.1であった。製造例31[化合物31の作製]200mlの4つ口フラスコに、前記平均分子式30Aで示す化合物15gと、前記平均分子式30B示す化合物26gと、白金ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体のジビニルヘキサメチルジシロキサン溶液白金濃度4重量7.5mgを仕込み、140°Cまで加熱した。次いでこれに、下記平均分子式31Cで示す化合物2.35gを30分間かけて滴下した。滴下終了後、反応溶液を140°Cで2時間加熱した。冷却して化合物31を得た。化合物31は、下記式A-31で示す平均分子式を有する化合物であった。前記平均分子量は3200であり、前記式2の含有率は、50であった。製造例32[化合物32の作製]200mlの4つ口フラスコに、前記平均分子式30Aで示す化合物15gと、前記平均分子式30B示す化合物26gと、白金ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体のジビニルヘキサメチルジシロキサン溶液白金濃度4重量7.5mgを仕込み、これらを攪拌しながら140°Cまで加熱した。次いでこれに、平均分子式32Cで示す化合物8.5gを30分間かけて滴下した。滴下終了後、反応溶液を140°Cで2時間加熱した。冷却して化合物32を得た。化合物32は、下記式A-32で示す平均分子式を有する化合物であった。前記平均分子量は6000であり、前記式2の含有率は、22.7であった。製造例33[複合導電性微粒子の作製]シリカ粒子平均粒子径15nm、体積抵抗率1.8×1012Ωcm7.0kgに、メチルハイドロジェンポリシロキサン140gを、エッジランナーを稼動させながら添加し、588N/cm60kg/cmの線荷重で30分間混合攪拌を行った。この時の攪拌速度は22rpmであった。その中に、カーボンブラック粒子粒子径20nm、体積抵抗率1.0×102Ωcm、pH8.07.0kgを、エッジランナーを稼動させながら10分間かけて添加し、更に588N/cm60kg/cmの線荷重で60分間混合攪拌を行った。このようにしてメチルハイドロジェンポリシロキサンを被覆したシリカ粒子の表面にカーボンブラックを付着させた後、乾燥機を用いて80°Cで60分間乾燥を行い、複合導電性微粒子を得た。この時の攪拌速度は22rpmであった。なお、得られた複合導電性微粒子は、平均粒径が15nmであり、体積抵抗率は1.1×102Ωcmであった。製造例34[表面処理酸化チタン粒子の作製]針状ルチル型酸化チタン粒子平均粒径15nm、縦:横=3:1、体積抵抗率2.3×1010Ωcm1000gに、表面処理剤としてイソブチルトリメトキシシラン110g及び溶媒としてトルエン3000gを配合してスラリーを調製した。このスラリーを、攪拌機で30分間混合した後、有効内容積の80が平均粒子径0.8mmのガラスビーズで充填されたビスコミルに供給し、温度35±5°Cで湿式解砕処理を行った。湿式解砕処理して得たスラリーを、ニーダーを用いて減圧蒸留バス温度:110°C、製品温度:30~60°C、減圧度:約100Torrによりトルエンを除去し、120°Cで2時間表面処理剤の焼付け処理を行った。焼付け処理した粒子を室温まで冷却した後、ピンミルを用いて粉砕して、表面処理酸化チタン粒子を得た。製造例35[弾性層を有するローラの作製]直径6mm、長さ252.5mmのステンレス製棒に、カーボンブラックを10含有させた熱硬化性接着剤を塗布し、乾燥したものを導電性支持体として使用した。エピクロルヒドリンゴムEO-EP-AGC三元共重合体、EO/EP/AGE=73mol/23mol/4mol100質量部に対して、下記表1に記載の成分を加えて、50°Cに調節した密閉型ミキサーにて10分間混練して、原料コンパウンドを調製した。上記原料コンパウンドに、加硫剤として硫黄0.8質量部、加硫促進剤としてジベンゾチアジルスルフィドDM1質量部及びテトラメチルチウラムモノスルフィドTS0.5質量部を添加し、20°Cに冷却した二本ロール機にて10分間混練して、弾性層用コンパウンドを得た。上記導電性支持体とともに、弾性層用コンパウンドをクロスヘッド付き押出成型機にて押し出し、外径が約9mmのローラ形状になるように成型し、次いで、電気オーブンの中、160°Cで1時間、加硫及び接着剤の硬化を行った。ゴムの両端部を突っ切り、ゴム長さを228mmとした後、外径が8.5mmのローラ形状になるように表面の研磨加工を行って、導電性支持体上に弾性層を形成して、弾性層を有するローラを得た。なお、このローラのクラウン量中央部と中央部から90mm離れた位置の外径の差は120μmであった。実施例1[表面層用塗布液の調製]カプロラクトン変性アクリルポリオール溶液プラクセルDC2016商品名、ダイセル化学工業株式会社製にメチルイソブチルケトンを加え、固形分が14質量となるように調整した。この溶液714.3質量部アクリルポリオール固形分100質量部に対して、下記表2に記載の成分を加え、混合溶液を調製した。このとき、ブロックイソシアネート混合物は、イソシアネート量としてはNCO/OH=1.0となる量であった。1変性ジメチルシリコーンオイルSH28PA商品名、東レダウコーニングシリコーン株式会社製2ヘキサメチレンジイソシアネートHDIデュラネートTPA-B80E商品名:旭化成工業株式会社製とイソホロンジイソシアネートIPDIベスタナートB1370商品名、デグサヒュルス社製の各ブタノンオキシムブロック体の7:3混合物。内容積450mLのガラス瓶に上記混合溶液200gを、メディアとしての平均粒径0.8mmのガラスビーズ200gと共に入れ、ペイントシェーカー分散機を用いて24時間分散した。同時に、製造例4で得た化合物4を30溶解させたメチルイソブチルケトン溶液を用意した。分散した後、平均粒子径が10μmのポリメチルメタクリレート樹脂粒子を2.24g、上記メチルイソブチルケトン溶液7.47gを添加した。アクリルポリオール固形分100質量部に対してポリメチルメタクリレート樹脂粒子及び化合物4が、共に10質量部相当量であるその後、1時間分散し、ガラスビーズを除去して表面層用塗布溶液を得た。[帯電ローラの作製]上記表面層用塗布溶液を用いて、製造例35で作製した弾性層を有するローラ弾性ローラに1回ディッピング塗布した。常温で30分間以上風乾した後、熱風循環乾燥機にて80°Cで1時間、更に160°Cで1時間乾燥して、弾性層上に表面層を形成した帯電ローラを得た。ここで、ディッピング塗布は以下の通りである。浸漬時間9秒、ディッピング塗布引き上げ速度は、初期速度20mm/s、最終速度2mm/s、その間は時間に対して直線的に速度を変化させて行った。[帯電ローラの電気抵抗値の測定]図2A及び図2Bに示す電気抵抗値測定用の機器を用いて、帯電ローラの抵抗を測定した。まず、帯電ローラ45を軸受け33により、円柱形金属32直径30mmに対して帯電ローラ45が平行になるように当接させる図2A。ここで、当接圧はバネによる押し圧力により一端が4.9N、両端で合計9.8Nに調整した。次に、図示しないモータにより周速45mm/secで駆動回転される円柱形金属32に従い帯電ローラが従動回転する。従動回転中、図2Bの様に、安定化電源34から直流電圧-200Vを印加し、帯電ローラに流れる電流値を電流計35で測定する。印加電圧、電流値から、帯電ローラの抵抗を算出した。帯電ローラは、N/N常温常湿:23°C/55RH環境に24時間以上放置した後に電気抵抗値を測定した。帯電ローラの電気抵抗値は、3.5×105Ωであった。Cセット画像の発生についての評価図4に示す構成を有する電子写真装置として、カラーレーザープリンター商品名:カラーレーザージェット3800、キヤノン社製を記録メディアの出力スピード200mm/secA4縦出力に改造して用いた。画像の解像度は、600dpi、1次帯電の出力は直流電圧-1100Vである。図5に示す構成を有するプロセスカートリッジとして、上記カラーレーザープリンター用のブラック用のプロセスカートリッジを用いた。上記プロセスカートリッジに本実施例の帯電ローラを装着した。帯電ローラ45は、電子写真感光体4に対し、一端で4.9N、両端で合計9.8Nのバネによる押し圧力で当接させた図6。このプロセスカートリッジを温度40°C、95RHの環境に1ヶ月間放置苛酷放置した。次に、プロセスカートリッジを温度23°C、50RHの環境で6時間放置した後に、前記電子写真装置に装着し、同様の環境にてハーフトーン画像感光体の回転方向と垂直方向とに幅1ドット、間隔2ドットの横線を描くような画像を3枚出力した。出力した3枚のハーフトーン画像について、帯電ローラのCセットに起因するスジ等の発生状況を目視で確認し、下記表3に記載の基準にて評価した。[Cセット量の測定]画像出力後、プロセスカートリッジから帯電ローラを取り外し、Cセット部、及び非Cセット部における帯電ローラの半径をそれぞれ測定した。非Cセット部の半径とCセット部の半径の差がCセット量である。測定は、東京光電子工業株の全自動ローラ測定装置を用いた。帯電ローラ長手中央部、及び、その中央部から左右それぞれ90mm位置の3個所について、帯電ローラを1°ずつ回転させ、Cセット部、非Cセット部に対応する位置の測定を行った。次に非Cセット部の半径の最大値とCセット部の半径の最小値の差を算出した。3箇所の中で最も半径の差が大きい値を本発明のCセット量とした。結果を表7に示す。表7の変形量がCセット量に相当する。本発明の帯電ローラは、Cセット画像を発生せず、良好な画像が得られた。実施例2カプロラクトン変性アクリルポリオール溶液にメチルイソブチルケトンを加え、固形分が17質量となるように調整した。この溶液588.24質量部アクリルポリオール固形分100質量部に対して、下記表4に記載の成分を加え、混合溶液を調製した。このとき、ブロックイソシアネート混合物は、イソシアネート量としてはNCO/OH=1.0となる量であった。12実施例1と同様内容積450mLのガラス瓶に上記混合溶液208.6gを、メディアとしての平均粒径0.8mmのガラスビーズ200gと共に入れ、ペイントシェーカー分散機を用いて24時間分散した。分散した後、平均粒子径が10μmのポリメチルメタクリレート樹脂粒子を2.72g、製造例2で得た化合物2を1.36g添加した。アクリルポリオール固形分100質量部に対して、ポリメチルメタクリレート樹脂粒子及び化合物2が、共に10質量部相当量であるその後、実施例1と同様にして帯電ローラを作製した。作製した帯電ローラについて、帯電ローラの電気抵抗値測定、Cセット量測定及びCセット画像評価を実施例1と同様の方法で行った。結果を表7に示す。実施例3実施例2と同様にして、カプロラクトン変性アクリルポリオール溶液を調製した。この溶液588.24質量部アクリルポリオール固形分100質量部に対して、下記表5に記載の成分を加え、混合溶液を調製した。このとき、ブロックイソシアネート混合物は、イソシアネート量としてはNCO/OH=1.0となる量であった。12実施例1と同様3化合物5を30溶解させたアセトン溶液を用意し、化合物5がアクリルポリオール固形分100質量部に対して、上記質量部になるように添加した。内容積450mLのガラス瓶に上記混合溶液208.6gを、メディアとしての平均粒径0.8mmのガラスビーズ200gと共に入れ、ペイントシェーカー分散機を用いて24時間分散した。分散した後、平均粒子径が10μmのポリメチルメタクリレート樹脂粒子を2.72g添加した。アクリルポリオール固形分100質量部に対して、ポリメチルメタクリレート樹脂粒子が、10質量部相当量であるその後、実施例1と同様にして帯電ローラを作製した。作製した帯電ローラにおいて、帯電ローラの電気抵抗値測定、Cセット量測定及びCセット画像評価を実施例1と同様の方法で行った。結果を表7に示す。本実施例の帯電ローラは、Cセット画像を発生せず、良好な画像が得られた。実施例4ポリビニルブチラールにエタノールを加え、固形分が20質量となるように調整した。この溶液500質量部ポリビニルブチラール固形分100質量部に対して、下記表6に記載の成分を加え、混合溶液を調製した。1実施例1と同様内容積450mLのガラス瓶に上記混合溶液190.4gを、メディアとしての平均粒径0.8mmのガラスビーズ200gと共に入れ、ペイントシェーカー分散機を用いて24時間分散した。分散した後、平均粒子径が10μmのポリメチルメタクリレート樹脂粒子を3.2g添加したポリビニルブチラール固形分100質量部に対して、ポリメチルメタクリレート樹脂粒子が10質量部相当量である。その後、実施例1と同様にして帯電ローラを作製した。作製した帯電ローラにおいて、帯電ローラの電気抵抗値測定、Cセット量測定及びCセット画像評価を実施例1と同様の方法で行った。結果を表7に示す。実施例5から27化合物5を表7に示す化合物に変更した以外は、実施例3と同様にして、帯電ローラを作製した。表1の質量部は前記アクリルポリオール固形分100質量部に対しての質量部である。作製した帯電ローラにおいて、帯電ローラの電気抵抗値測定、Cセット量測定及びCセット画像評価を実施例1と同様の方法で行った。結果を表7に示す。実施例5から7及び実施例25から27の帯電ローラは、Cセット画像を発生せず、良好な画像が得られた。実施例8から15の帯電ローラでは、ランク2の画像レベルの画像が得られた。実施例28、29、32及び33化合物の種類及び質量部を表7に示すように変更し、ペイントシェーカー分散24時間を36時間へ変更した以外は、実施例1と同様にして、帯電ローラを作製した。表7の質量部は前記アクリルポリオール固形分100質量部に対しての質量部である。作製した帯電ローラにおいて、帯電ローラの電気抵抗値測定、Cセット量測定及びCセット画像評価を実施例1と同様の方法で行った。結果を表7に示す。実施例30、31、34及び35から39化合物の種類及び質量部を表7に示すように変更した以外は、実施例1と同様にして、帯電ローラを作製した。表7の質量部は前記アクリルポリオール固形分100質量部に対しての質量部である。作製した帯電ローラにおいて、帯電ローラの電気抵抗値測定、Cセット量測定及びCセット画像評価を実施例1と同様の方法で行った。結果を表7に示す。実施例30、31、36及び38の帯電ローラは、Cセット画像を発生せず、良好な画像が得られた。実施例34及び37の帯電ローラでは、ランク2の画像レベルの画像が得られた。実施例39の帯電ローラでは、ランク3の画像レベルの画像が得られた。比較例1化合物11を添加しない以外は、実施例4と同様にして帯電ローラを作製した。作製した帯電ローラにおいて、帯電ローラの電気抵抗値測定、Cセット量測定及びCセット画像評価を実施例1と同様の方法で行った。結果を表7に示す。比較例2化合物11をジメチルシリコーンオイルKF-96L-5cs商品名、信越シリコーン株式会社製に変更し、質量部を表1に示すように変更した以外は、実施例4と同様にして帯電ローラを作製した。表7の質量部は前記アクリルポリオール固形分100質量部に対しての質量部である。作製した帯電ローラにおいて、帯電ローラの電気抵抗値測定、Cセット量測定及びCセット画像評価を実施例1と同様の方法で行った。結果を表7に示す。比較例3ジメチルシリコーンオイルをSH200-100cs商品名、東レダウコーニングシリコーン株式会社製に変更した以外は、比較例2と同様にして帯電ローラを作製した。作製した帯電ローラにおいて、帯電ローラの電気抵抗値測定、Cセット量測定及びCセット画像評価を実施例1と同様の方法で行った。結果を表7に示す。比較例4化合物の種類及び質量部を表7に示すように変更した以外は、比較例3と同様にして、帯電ローラを作製した。表1の質量部は前記アクリルポリオール固形分100質量部に対しての質量部である。作製した帯電ローラにおいて、帯電ローラの電気抵抗値測定、Cセット量測定及びCセット画像評価を実施例1と同様の方法で行った。結果を表7に示す。比較例5ジメチルシリコーンオイルをKF-96H-10万cs商品名、信越シリコーン株式会社製に変更した以外は、比較例2と同様にして帯電ローラを作製した。作製した帯電ローラにおいて、帯電ローラの電気抵抗値測定、Cセット量測定及びCセット画像評価を実施例1と同様の方法で行った。結果を表7に示す。本比較例の帯電ローラを用いて得られた画像は、ランク4の画像レベルであった。"