"ジオルガノジハロシランの調製方法であって、以下の独立した連続の工程を具える方法:i銅触媒を、水素ガス及び四ハロゲン化ケイ素を含む混合物と500~1400°Cの温度で接触させ、少なくとも0.1w/wのケイ素を含有するケイ素含有銅触媒を形成し、該銅触媒が、銅、並びに、銅と、金、マグネシウム、カルシウム、セシウム、スズ、及び硫黄から選択される少なくとも1つの元素とを含む混合物から選択される工程と、ii該ケイ素含有銅触媒を有機ハロゲン化物と100~600°Cの温度で接触させ、少なくとも1つのジオルガノジハロシランを形成する工程。工程iiにおいて前記有機ハロゲン化物と接触させた前記ケイ素含有銅触媒を、水素ガス及び四ハロゲン化ケイ素を含む前記混合物と500~1400°Cの温度で接触させ、少なくとも0.1w/wのケイ素を含む前記ケイ素含有銅触媒を再形成する工程iii;並びに、該再形成したケイ素含有銅触媒を前記有機ハロゲン化物と100~600°Cの温度で接触させ、少なくとも1つのジオルガノジハロシランを形成する工程ivをさらに含む、請求項1に記載の方法。工程iii及びivを少なくとも1回繰り返す工程をさらに含む、請求項2に記載の方法。工程ivにおける前記再形成されたケイ素含有銅触媒の有機ハロゲン化物との接触前に、パージする工程をさらに含む、請求項2又は3に記載の方法。前記パージをアルゴン又は四塩化ケイ素で行う、請求項4に記載の方法。工程iiにおける前記ケイ素含有銅触媒の前記有機ハロゲン化物との接触前に、パージする工程をさらに含む、請求項1~5のいずれか1項に記載の方法。前記パージをアルゴン又は四塩化ケイ素で行う、請求項6に記載の方法。前記銅触媒が担持されている、請求項1~7のいずれか1項に記載の方法。前記銅触媒が0.1~35w/wの混合物を含み、該混合物が銅、金及びマグネシウムを含む、請求項8に記載の方法。担持材が活性炭である、請求項8又は9に記載の方法。前記ケイ素含有銅触媒が1~5w/wのケイ素を含む、請求項1~10のいずれか1項に記載の方法。水素の四ハロゲン化ケイ素に対するモル比が20:1~5:1である、請求項1~11のいずれか1項に記載の方法。前記四ハロゲン化ケイ素が四塩化ケイ素である、請求項1~12のいずれか1項に記載の方法。前記有機ハロゲン化物が式RXを有し、式中、RはC1~C10アルキル又はC4~C10シクロアルキルであり、Xはフルオロ、クロロ、ブロモ、又はヨードである、請求項1~13のいずれか1項に記載の方法。Rがメチルであり、Xがクロロである、請求項14に記載の方法。工程iiにおける前記接触が水素の非存在下である、請求項1~15のいずれか1項に記載の方法。前記ジオルガノジハロシランが式R2SiX2を有し、式中、RはC1~C10アルキル又はC4~C10シクロアルキルであり、Xはフルオロ、クロロ、ブロモ、又はヨードである、請求項1~16のいずれか1項に記載の方法。Rがメチルであり、Xがクロロである、請求項17に記載の方法。前記ジオルガノジハロシランを回収する工程をさらに含む、請求項1~18のいずれか1項に記載の方法。水素及び四ハロゲン化ケイ素の滞留時間が0.5~10秒であり、有機ハロゲン化物の滞留時間が1~10秒である、請求項1~19のいずれか1項に記載の方法。ジオルガノジハロシランの調製方法であって、該方法は以下の独立した連続の工程を具える:i銅触媒を、水素ガス及び四ハロゲン化ケイ素を含む混合物と500~1400°Cの温度で接触させ、少なくとも0.1w/wのケイ素を含有するケイ素含有銅触媒を形成し、該銅触媒が、銅、並びに、銅と、金、マグネシウム、カルシウム、セシウム、スズ、及び硫黄から選択される少なくとも1つの元素とを含む混合物から選択される工程と、ii該ケイ素含有銅触媒を有機ハロゲン化物と100~600°Cの温度で接触させ、少なくとも1つのジオルガノジハロシランを形成する工程。工程iでは、銅触媒を水素ガス及び四ハロゲン化ケイ素を含む混合物と500~1400°Cの温度で接触させ、少なくとも0.1w/wのケイ素を含有するケイ素含有銅触媒を形成する。銅触媒は銅及び銅と金、マグネシウム、カルシウム、セシウム、スズ、及び硫黄から選択される少なくとも1つの元素を含む混合物から選択される。銅触媒は銅及び銅と金、マグネシウム、カルシウム、セシウム、スズ、及び硫黄から選択される少なくとも1つの元素を含む混合物から選択される。混合物は一般的には、混合物の総重量に対して、0.1~100w/w未満、あるいは50~100w/w未満、あるいは70~100w/w未満、あるいは80~99.9w/wの銅を含み、混合物の残部は上述の元素の少なくとも1つである。触媒は担持又は非担持触媒とすることができる。担持材の例としては、これらに限定されないが、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、及びケイ素の酸化物;活性炭;炭素ナノチューブ;フラーレン;並びに炭素の他の同素形が挙げられる。1つの実施形態では、担持材は活性炭である。触媒が担持材を含む場合、触媒は一般的には、担持材及び銅又は混合物の総重量に対して、0.1~100w/w未満、あるいは0.1~50w/w、あるいは0.1~35の銅又は混合物を含む。触媒は、これらに限定されないが、塊、顆粒、薄片、及び粉末を含むさまざまな物理的形態を有することができる。非担持触媒の例としては、これらに限定されないが、金属銅;金属銅及び金の混合物;金属銅、金属金及び塩化マグネシウムの混合物;金属銅、金属金及び硫黄の混合物;金属銅及びスズの混合物;金属銅及びセシウムの混合物;並びに金属銅及び塩化カルシウムの混合物が挙げられる。本明細書において用いる金属とは、金属が0の酸化数を有することを意味する。担持銅触媒の例としては、活性炭担持材上に上述の非担持銅触媒を有するものが挙げられ、担持銅触媒は、担持材及び銅又は混合物の重量に対して、0.1~35w/wの銅又は混合物を含む。非担持及び担持銅触媒は、当技術分野において知られるプロセスにより製造することができる。例えば、非担持触媒を製造するには、銅、金、塩化マグネシウム、スズ、及びカルシウムを混合し、銅触媒を形成することができる。また、これらに限定されないが、ハロゲン塩、酢酸塩、硝酸塩、及びカルボン酸塩を含む、金属塩を所望の割合で混合した後、既知の還元プロセスを行うことができる。1つのこうした還元プロセスは、担持銅触媒の製造について後述する。このプロセスは、他を還元しながら、非還元塩化マグネシウムのようないくらかの塩をもたらすことができる。担持銅触媒は、例えば、水又は酸のような溶媒中の、塩化第二銅のような銅塩の混合物を製造し、混合物を担持材に塗布し、銅塩を担持材の表面上で還元することにより調製することができる。例えば、CuCl2を水又は塩酸中に溶解し、活性炭と混合することができる。過剰なCuCl2溶液を次に除去し、活性炭-CuCl2混合物を乾燥させることができる。CuCl2を次に活性炭上で水素を用いて500°Cで還元し、担持銅触媒を得ることができる。当業者であれば、添加、還元並びに塩の多段階式添加及びその後の還元のプロセスを行い、担持触媒を調製することもできることを理解するだろう。担持金属触媒の製造方法については以下の実施例セクションにも詳細に記載する。これらの触媒のいくつかも市販されている。四ハロゲン化ケイ素は式SiX4を有し、式中、Xはクロロ、ブロモ、フルオロ、又はヨード、あるいはクロロ、ブロモ、又はヨード、あるいはクロロである。四ハロゲン化ケイ素の例としては、これらに限定されないが、四塩化ケイ素、四臭化ケイ素、四ヨウ化ケイ素、四フッ化ケイ素が挙げられる。iのための反応器は、気体及び固体を組み合わせるのに適したいずれかの反応器とすることができる。例えば、反応器形状は充填床、撹拌床、振動床、移動床、再循環床、又は流動床とすることができる。再循環床を用いる場合、ケイ素含有銅触媒をiを行うための床からiiを行うための床まで循環させることができる。反応を促進するため、反応器は反応帯の温度を制御するための手段を有していなければならない。水素及び四ハロゲン化ケイ素を銅触媒と接触させる温度は、一般的には500~1400°C;あるいは600~1200°C;あるいは650~1100°Cである。水素及び四ハロゲン化ケイ素を銅触媒と接触させる圧力は、大気中より低い圧力、大気圧、又は大気中より高い圧力とすることができる。例えば、圧力は一般的には500~1400°Cの温度で100~2000キロパスカルゲージkPag;あるいは100~1000kPag;あるいは100~800kPagである。銅触媒と接触させる水素の四ハロゲン化ケイ素に対するモル比は、10,000:1~0.01:1、あるいは100:1~1:1、あるいは20:1~2:1、あるいは20:1~5:1である。水素及び四ハロゲン化ケイ素の滞留時間は、水素及び四ハロゲン化ケイ素が銅触媒と接触し、ケイ素含有銅触媒を形成するのに十分である。例えば、水素及び四ハロゲン化ケイ素の十分な滞留時間は一般的には少なくとも0.01秒;あるいは少なくとも0.1秒;あるいは0.1秒~10分;あるいは0.1秒~1分;あるいは0.5秒~10秒である。本明細書において用いる滞留時間とは、1反応器容積について反応ガスすなわち、水素及び四ハロゲン化ケイ素又は有機ハロゲン化物が銅触媒を含む反応器を通過する時間を意味する。所望の滞留時間は水素及び四ハロゲン化ケイ素の流量を調節することにより達成することができる。水素及び四ハロゲン化ケイ素は一般的には同時に反応器に供給されるが、別々のパルスによるような他の組み合わせ方法も考えられる。銅触媒は十分な量で存在する。本明細書において用いる十分な量の銅触媒は、水素及び四ハロゲン化ケイ素を銅触媒と接触させる場合、後述するようにケイ素含有銅触媒を形成するのに十分な触媒である。例えば、十分な量の触媒は反応器容積1cm3当たり少なくとも0.01mgの触媒;あるいは反応器容積1cm3当たり少なくとも0.5mgの触媒;あるいは反応器容積1cm3当たり1~10,000mgの触媒である。工程iを行う時間について上限はない。例えば、工程iは通常少なくとも0.1秒、あるいは1秒~5時間、あるいは1分~1時間行われる。本方法の工程iiでは、ケイ素含有銅触媒を有機ハロゲン化物と100~600°Cの温度で接触させ、少なくとも1つのジオルガノジハロシランを形成する。ケイ素含有銅触媒は、いずれかの担持材を含有するケイ素含有銅触媒の全重量に対して、少なくとも0.1w/w、あるいは0.1~90w/w、あるいは1~20w/w、あるいは1~5w/wのケイ素を含有するケイ素含有銅触媒中のケイ素の割合は標準的な分析試験を用いて割り出すことができる。例えば、ケイ素の割合は、誘導結合プラズマ原子発光分析ICP-AES及びICP質量分析ICP-MSを用いて割り出してもよい。有機ハロゲン化物は式RXを有し、式中、RはC1~C10アルキル又はC4~C10シクロアルキルであり、Xは四ハロゲン化ケイ素について上で定義したとおりであり、四ハロゲン化ケイ素と同じ又は異なっていてもよい。Rにより表されるアルキル基は一般的には、1~10個の炭素原子、あるいは1~6個の炭素原子、あるいは1~4個の炭素原子を有する。Rにより表されるシクロアルキル基は一般的には、4~10個の炭素原子;あるいは6~8個の炭素原子を有する。少なくとも3個の炭素原子を含有するアルキル基は分岐又は非分岐構造を有することができる。アルキル基の例としては、これらに限定されないが、メチル、エチル、プロピル、1-メチルエチル、ブチル、1-メチルプロピル、2-メチルプロピル、1,1-ジメチルエチル、ペンチル、1-メチルブチル、1-エチルプロピル、2-メチルブチル、3-メチルブチル、1,2-ジメチルプロピル、2,2-ジメチルプロピル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、及びデシルが挙げられる。シクロアルキル基の例としては、これらに限定されないが、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、及びメチルシクロヘキシルが挙げられる。有機ハロゲン化物の例としては、これらに限定されないが、塩化メチル、臭化メチル、ヨウ化メチル、塩化エチル、臭化エチル、ヨウ化エチル、塩化シクロブチル、臭化シクロブチル、塩化シクロヘキシル、及び臭化シクロヘキシルが挙げられる。iiにおいて用いるのに適した反応器はiについて記載したとおりである。工程iに用いるものと工程iiに用いるものは同じ反応器であってもよいが、別の反応器を用いることもできる。有機ハロゲン化物は一般的には、工程iにおいて生成されるケイ素含有銅触媒を含有する反応器中に有機ハロゲン化物を供給することにより、ケイ素含有銅触媒と接触させる。有機ハロゲン化物の滞留時間は、有機ハロゲン化物がケイ素含有銅触媒と反応し、ジオルガノジハロシランを形成するのに十分である。例えば、有機ハロゲン化物の十分な滞留時間は一般的には少なくとも0.01秒、あるいは少なくとも0.1秒、あるいは0.5秒~10分、あるいは1秒~1分、あるいは1~10秒である。所望の滞留時間は有機ハロゲン化物の流量を調節することにより達成することができる。有機ハロゲン化物をケイ素含有銅触媒と接触させる温度は、一般的には100~600°C;あるいは200~500°C;あるいは250~375°Cである。工程iiは一般的には、ケイ素含有銅触媒中のケイ素が所定の下限を割るまで行われる。例えば、工程iiは一般的には、ケイ素含有銅触媒中のケイ素が、いずれかの担持材を含む触媒の全重量に対して、その初期重量パーセントの90w/wより低い、あるいは1~90w/w、あるいは1~40w/wになるまで行われる。本明細書において用いるケイ素含有銅触媒中のケイ素の初期重量パーセントとは、iiにおいてケイ素含有銅触媒を有機ハロゲン化物と接触させる前のケイ素含有銅触媒中のケイ素の重量パーセントを意味する。ケイ素含有銅触媒中のケイ素の量は、ジオルガノジハロシラン生成をケイ素含有銅触媒中のケイ素の重量パーセントと関連づけた後、ジオルガノジハロシラン生成を観測することにより観測することができ、又はケイ素含有銅触媒について上述したように測定してもよい。iiにおいて有機ハロゲン化物をケイ素含有銅触媒と接触させる圧力は、大気中より低い圧力、大気圧、又は大気中より高い圧力とすることができる。例えば、圧力は一般的には100~2000キロパスカルゲージkPag;あるいは100~1000kPag;あるいは100~800kPagである。ケイ素含有銅触媒は十分な量で存在する。本明細書において用いる十分な量のケイ素含有銅触媒は、有機ハロゲン化物と接触させる場合、後述するようにジオルガノジハロシランを形成するのに十分な触媒である。例えば、十分な量のケイ素含有銅触媒は反応器容積1cm3当たり少なくとも0.01mgの触媒;あるいは反応器容積1cm3当たり少なくとも0.5mgの触媒;あるいは反応器容積1cm3当たり1~10000mgの触媒である。本方法の工程i及び工程iiは個別にかつ連続的に行われる。本明細書において用いる個別にとは、工程i及び工程iiが重複又は一致しないことを意味する。本明細書において用いる連続的にとは、本方法において工程iiが工程iの後に行われることを意味するが、後述するように、工程iとiiとの間で追加の工程を行ってもよい。本発明の方法は、工程iiにおけるケイ素含有銅触媒の有機ハロゲン化物との接触前かつivにおける再形成されたケイ素含有触媒の有機ハロゲン化物との接触前に、パージする工程を具えることもできる。本明細書において用いるパージとは、ケイ素含有銅触媒を含有する反応器にガス流を導入し、不要な物質を除去することを意味する。不要な物質とは、例えば、H2、O2、及びH2Oである。パージは、アルゴンのような不活性ガスによって、又は水分と反応してその結果除去する四塩化ケイ素のような反応性ガスによって達成することができる。本発明の1つの実施形態では、iiにおいて接触させるケイ素含有銅触媒および有機ハロゲン化物は、水素、四ハロゲン化ケイ素、または水素および四ハロゲン化ケイ素の両方の非存在下で接触させる。1つの実施形態では、本方法は、iiiiiにおいて有機ハロゲン化物と接触させたケイ素含有銅触媒を水素ガス及び四ハロゲン化ケイ素を含む混合物と500~1400°Cの温度で接触させ、少なくとも0.1w/wのケイ素を含有するケイ素含有銅触媒を再形成する工程;並びにiv該再形成したケイ素含有銅触媒を有機ハロゲン化物と100~600°Cの温度で接触させ、少なくとも1つのジオルガノジハロシランを形成する工程をさらに含む。別の実施形態では、本発明の方法は、工程iii及びivを少なくとも1回、あるいは1~105回、あるいは1~1000回、あるいは1~100回、あるいは1~10回繰り返す工程をさらに含む。有機ハロゲン化物又は四ハロゲン化ケイ素が標準温度及び圧力以下で液体である場合、本方法は、i及びiiiにおいて四ハロゲン化ケイ素を銅触媒と接触させる、又はii及びivにおいて有機ハロゲン化物をケイ素含有銅触媒と接触させる前に、有機ハロゲン化物又は四ハロゲン化ケイ素を既知の方法により再加熱し、ガス化する工程をさらに含むことができる。あるいは、本プロセスは、工程iにおいて銅触媒及びiiiにおいてケイ素含有銅触媒と接触させる前に、水素を液体四ハロゲン化ケイ素によってバブリングし、四ハロゲン化ケイ素を蒸発させる工程をさらに含むことができる。本プロセスは、生成されたジオルガノジハロシランを回収する工程をさらに含むことができる。ジオルガノジハロシランは、例えば、ガス状ジオルガノジハロシランを反応器から除去した後、蒸留による分離を行うことにより回収することができる。上で説明及び例示したプロセスにより生成されるジオルガノジハロシランは、式R2SiX2を有し、式中、R及びXは有機ハロゲン化物について上で定義及び例示したとおりである。本プロセスに従って調製されるジオルガノジハロシランの例としては、これらに限定されないが、ジメチルジクロロシランすなわち、CH32SiCl2、ジメチルジブロモシラン、ジメチルジヨードシラン、ジメチルジフルオロシラン、ジエチルジクロロシラン、ジエチルジブロモシラン、ジエチルジヨードシラン、ジシクロヘキシルジクロロシラン、及びジシクロヘキシルジブロモシランが挙げられる。本プロセスは、式RaHSiX3-a、RSiX3、及びR3SiXを有するもののような、他のオルガノハロシランを生成することもでき、式中、R及びXは上で定義したとおりであり、aは1又は2である。本プロセスは、式HSiX3を有するもののようなヒドロハロシランを生成することもでき、式中、Xは上で定義したとおりである。本発明の方法は四ハロゲン化ケイ素からジオルガノジハロシランを生成する。四ハロゲン化ケイ素は他の産業プロセスの副産物であり、0価ケイ素を生成するのに必要なものより少ないエネルギーを用いて生成することができるので、本発明の方法は0価ケイ素を用いてジオルガノジハロシランを生成する方法より経済的であり得る。さらに、本方法は、費用のかかる廃棄を要する多量の金属ハロゲン化物副産物を生成しない。またさらに、本方法は、他のオルガノシランと比較して良好な選択性を有する、より有用なジオルガノジハロシランを生成する。最終的には、銅触媒は本方法において再形成及び再利用することができ、再形成及び再利用はジオルガノジハロシランの生成及び選択性の向上をもたらす。本発明のプロセスはジオルガノジハロシランを生成し、これは既知のポリオルガノシロキサン生成プロセスにおいて加水分解することができる。こうして生成されるポリオルガノシロキサンは多くの産業及び用途に用いられる。以下の実施例は本発明の方法をより良く示すために提供するのであって、添付の特許請求の範囲に記載する本発明を限定するものとみなすべきでない。とくに指定のない限り、実施例において報告されるすべての部及びパーセントは重量による。以下の表に実施例において用いる略語及び用語について記載する。銅、金、及びマグネシウムを含む銅触媒の生成方法1.0526gのCuCl22H2O99、0.0192gのAuCl399、及び0.0357gのMgCl26H2O99.995を2.1mLの脱イオンH2O及び0.1mLの濃HCl中に溶解し、金属塩混合物を形成した。この金属塩混合物をその後1.1734gの活性炭に添加した。活性炭により吸収されなかった過剰の液体を軽くたたいて落とした後、活性炭を175°Cで乾燥させた。乾燥させた活性炭は1.9355gの最終乾燥重量を有していた。活性炭及び金属溶液充填の出発重量に対して、活性炭上の金属充填は22.3wwCu、0.71w/wAu、及び0.24w/wMgであると計算された。金属充填活性炭0.77gを石英ガラス管中に入れ、フロー反応器中に入れた。触媒の活性化及び還元を、反応器において600°Cで2時間、触媒を含有するガラス管中にH2を100sccmOmegaFMA5500マスフローコントローラーによって制御で流し入れることにより行った。加熱はLindberg/BlueMinimite1インチ管状炉を用いて達成した。反応装置反応装置はフロー反応器中に4.8mm内径の石英ガラス管を備えた。反応器管をLindberg/BlueMinimite2.54cm管状炉を用いて加熱した。OmegaFMA5500マスフローコントローラーを用い、ガス流量を制御した。ステンレス鋼SiCl4バブラーを用い、SiCl4をH2ガス流中に導入した。H2ガス流中のSiCl4の量を、周知の熱力学原理を用いる計算に従って、バブラー中のSiCl4の温度を変化させることにより調節した。反応器からの流出物をViciの作動6方向バルブに通過させた。試薬活性炭、CuCl22H2O、AuCl3、及びMgCl26H2O並びに実施例において用いた他の試薬は、ウィスコシン州ミルウォーキーのSigmaAldrichから購入した。生成物分析生成物及び副産物を含有する反応器からの流出物を、排出される前に、一定の100μL注入ループを有する作動6方向バルブViciに通した。注入バルブを作動させることにより、反応流から試料を採り、100mLの試料を分析のため7890AAgilentGC-MSの注入ポート中に100:1の注入ポートでの分割比で直接通した。GCは2つの30mSPB-オクチルカラムSupelco、250μm内径、0.25μm厚膜を含有し、これらは平行に配置され、試料を2つのカラム間で均一に分離した。1つのカラムは反応生成物の定量化のためTCDに行き、他のカラムは微量の生成物の高感度検出及び形成されたいずれかの生成物の確実な同定のため質量分析計Agilent7895CMSDに行った。カラムをAgilentLTMモジュールにより加熱したすなわち、カラムを加熱エレメント及び熱電対で包み、それらを正確かつ急速に所望の温度まで上昇させた。流量流量比は、既知の熱力学原理を用い、標準温度及び圧力での水素、SiCl4、及び塩化メチルの流量で割り出した。上述のように調製した銅、金、及びマグネシウムの活性炭担持混合物を含む銅触媒0.77gをH2/SiCl4中、30分間750°Cで、-4°Cのステンレス鋼SiCl4バブラーによってH2をバブリングすることにより処理した。H2及びSiCl4の全流量は109sccmであり、H2のSiCl4に対するモル比は11.25:1であった。バブラーから出るガス及び蒸気を、銅触媒を含有するフロー反応器のガス管中に供給し、2~3w/wのSiを含有するケイ素含有銅触媒を形成した。30分後、SiCl4流入を止め、1時間かけて300°Cまで冷却しながら100sccmの水素流を維持した。反応器が300°Cに達すると、すべてのH2を反応器及び触媒から50sccmのアルゴン流で30分間パージした。30分後、アルゴン流入を止め、MeClを反応器に5sccmの流量、300°C、及び大気圧で供給した。反応を定期的にサンプリングし、上述のようにGC/GC-MSにより分析し、反応器に残る全質量に対するMe2SiCl2の重量パーセントを割り出した。次に、MeCl供給を止め、ケイ素含有銅触媒を再度H2/SiCl4と30分間750°Cで接触させ、ケイ素含有銅触媒を再形成した。H2及びSiCl4の総流量は109sccmであり、H2のSiCl4に対するモル比は11.25:1であった。ケイ素含有銅触媒を再形成した後、再度アルゴンでパージした後、上述のようにMeClを再形成したケイ素含有銅触媒と接触させた。このサイクルを8回繰り返した。結果は表2に示す。この実施例は、ジオルガノジハロシランが本発明の方法により生成され、ジオルガノジハロシランの選択性及び生成がその後の触媒再生及び反応のサイクルによって向上することを示す。以下の表3に示す銅触媒を上の実施例1前に記載したものと同様の手順に従って調製した。触媒を、実施例1に記載したように水素及び四塩化ケイ素で30分間、表2に示す水素の四塩化ケイ素に対するモル比及び温度で処理した。実施例1に記載したように、水素及び四塩化ケイ素、その後水素のみでの処理後、反応器及び触媒をアルゴンでパージした。アルゴンパージ後、塩化メチルを反応器中に5sccmの流量、300°C、及び大気圧で導入した。反応を各種時間でサンプリングし、ジメチルジクロロシラン生成をGC/GC-MSにより評価した。ジメチルジクロロシランの生成及び反応時間を表3に記載する。この実施例は、ジオルガノジハロシランを生成する銅触媒に用いることができる他の要素を示す。表3中の触媒のリスト:1.活性炭上の23のCu2.活性炭上の30.7のCu及び1.0のCa3.活性炭上の19.8のCu及び0.14のSn4.活性炭上の19.1のCu及び0.87のAu5.活性炭上の22.3のCu、0.71のAu及び0.24のMg6.活性炭上の20のCu、0.7のAu及び3のS7.活性炭上の22.9のCu、1.4のCsフロー反応器において、0.69gの20.9w/wのCuCuCl2として及び0.63w/wのAuAuCl3としてを含む活性炭担持触媒をガラス管中に入れた。水素を次に100sccmの流量、600°Cで2時間導入した。反応管を次にH2下で室温まで冷却し、気密ステンレス鋼系によって環境に制御されるArグローブボックスに移し、計量した後、反応器設備に戻した。水素を次にSiCl4を含有する0~5°Cの温度のバブラーを通して100sccmの流量でフロー反応器に供給した後、750°Cで30分間銅触媒に接触させた。30分後、SiCl4バブラーによる水素の流入を止め、触媒を水素下、600°Cで1時間還元した。反応管を次にH2下で室温まで冷却し、上のように計量し、反応器設備に戻した。反応器を次に、50sccmのArを触媒に流しながら、300°Cまで加熱した。300°Cに達すると、Ar流入を止め、反応管への5sccmのMeClの流入を開始した。試料を反応流から採り、分析のためGC-TCD中へ注入した。反応管を次に上述のように再度冷却し、計量し、反応器設備に戻した。このプロセスを、同じパラメーターを用いて10サイクル繰り返した。添加されるSiの質量に対して、ケイ素、銅、金、及び担持材の重量に対して約3w/wの触媒は、各回H2及びSiCl4を用いた750°Cでの触媒の処理後、Siで構成されていた。第10サイクル中、本プロセスはMe2SiCl2を1.24の選択性で生成した。この実施例は、触媒を再生及び反応させ、ジオルガノジハロシラン並びに四ハロゲン化ケイ素及び水素での処理後のケイ素含有触媒中約3の量のケイ素を生成することができることを示す。"