水冷手段を有する反応器内に形成された反応部に、クロロシラン類化合物と水素とを含む原料ガスを導入して反応させるクロロシラン水素還元反応において、反応後のガス中に含まれるSi2OCl6の濃度を測定し、該測定濃度の変化によって反応器内への水漏れを検知することを特徴とする水漏れ検知方法。クロロシラン類化合物がトリクロロシランであり、還元反応目的物が多結晶シリコンであることを特徴とする請求項1に記載の水漏れ検知方法。クロロシラン類化合物がテトラクロロシランであり、還元反応目的物がトリクロロシランであることを特徴とする請求項1に記載の水漏れ検知方法。水冷手段を有する反応器内に形成された反応部で、クロロシラン類化合物と水素との還元反応により多結晶シリコンを製造するに際し、前記反応器から排出される排ガス中に含まれるSi2OCl6の濃度を測定し、該測定濃度の変化によって反応器内への水漏れを検知して還元反応を制御することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。内部にクロロシラン類化合物と水素とを反応せしめる反応部を有し、且つ、クロロシラン類化合物と水素とを含む原料ガスを供給する原料ガス供給手段、反応後のガスを排出するガス排出手段、および水冷手段を有する反応器を具備したクロロシラン水素還元反応装置であって、前記反応器内又はガス排出手段に存在するSi2OCl6の濃度を測定するための検出装置を備えることを特徴とするクロロシラン水素還元反応装置。前記ガス排出手段が、排ガスの一部を分取してこれを80°C以上に保持して気体状態に維持する保温手段又は加熱手段を備え、Si2OCl6の濃度を検出する検出装置の検出部が、上記気体状態に維持されたガス相に設けられることを特徴とする請求項5に記載のクロロシラン水素還元反応装置。前記ガス排出手段が、排ガスの一部を分取してこれを-30°C以下に冷却して凝縮させる冷却手段を備え、Si2OCl6の濃度を検出する検出装置の検出部が、上記凝縮により得られる凝縮液相に設けられることを特徴とする請求項5に記載のクロロシラン水素還元反応装置。クロロシラン類化合物がトリクロロシランであり、還元反応目的物が多結晶シリコンであることを特徴とする請求項5に記載のクロロシラン水素還元反応装置。本発明は、水冷手段を有し、クロロシラン類化合物と水素と反応させるクロロシラン水素還元反応器において、水漏れによる反応系への水の混入を早期検知することにより、副生不純物による製品品質の低下、並びに、運転面における配管の閉塞や重大な災害を未然に防ぐための水漏れ検知方法、水漏れ検出装置を具備した製造装置、該装置による製造方法を提供することを目的とする。本発明は、クロロシラン類化合物と水素とが反応するクロロシラン水素還元反応およびその装置に適用される。クロロシラン類化合物としては、テトラクロロシラン、トリクロロシラン、ジクロロシラン、モノシラン等が挙げられる。これらの化合物と水素との具体的な反応としては、トリクロロシランと水素との反応による多結晶シリコン析出反応、テトラクロロシランと水素との反応によるトリクロロシラン生成反応がある。多結晶シリコン析出法としては、ベルジャー型反応器を用いる化学気相析出法シーメンス法、筒状の反応基材を使用した溶融析出法がある。これらの反応において、反応後のガス中には、主として、水素及びモノシラン、ジクロロシラン、トリクロロシラン、テトラクロシラン等のクロロシラン化合物および塩化水素が含有され、更にはSi2Cl6をはじめとする高次のクロロシラン化合物も存在することを確認した。上記反応後におけるクロロシラン類化合物と水が反応した場合、代表的には、シリカ及び塩化水素が生成し、更に反応物として、Si2Cl6やSi2OCl6が存在することを確認した。更にまた、これらの化合物の中で、Si2Cl6は、その検出量が漏洩した水の量と必ずしも明確な相関性を有しないが、一方、Si2OCl6は十分な相関性を有することを見出した。即ち、本発明者等は、クロロシラン類化合物と水との反応メカニズムや反応生成物に付いて詳細に検討した結果、反応生成物の一つであるSi2OCl6に着目し、この化合物が高感度で検出でき、しかも漏洩した水の量との相関性が極めて高いことを見出し、本発明を完成するに至った。本発明によれば、水冷手段を有する反応器内に形成された反応部に、クロロシラン類化合物と水素とを含む原料ガスを導入して反応させるクロロシラン水素還元反応において、反応後のガス中に含まれるSi2OCl6の濃度を測定し、該測定濃度の変化によって反応器内への水漏れを検知することを特徴とする水漏れ検知方法が提供される。上記水漏れ検知方法の発明は、1クロロシラン類化合物がトリクロロシランであり、還元反応目的物が多結晶シリコンである反応、2クロロシラン類化合物がテトラクロロシランであり、還元反応目的物がトリクロロシランである反応に好適に採用される。本発明によれば、また、水冷手段を有する反応器内に形成された反応部で、クロロシラン類化合物と水素との還元反応により多結晶シリコンを製造するに際し、前記反応器から排出される排ガス中に含まれるSi2OCl6の濃度を測定し、該測定濃度の変化によって反応器内への水漏れを検知して還元反応を制御することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法が提供される。本発明によれば、更に、内部にクロロシラン類化合物と水素とを反応せしめる反応部を有し、且つ、クロロシラン類化合物と水素とを含む原料ガスを供給する原料ガス供給手段、反応後のガスを排出するガス排出手段、および水冷手段を有する反応器を具備したクロロシラン水素還元反応装置であって、前記反応器内又はガス排出手段に存在するSi2OCl6の濃度を測定するための検出装置を備えることを特徴とするクロロシラン水素還元反応装置が提供される。上記クロロシラン水素還元反応装置の発明において、1前記ガス排出手段が、排ガスの一部を分取してこれを80°C以上に保持して気体状態に維持する保温手段又は加熱手段を備え、Si2OCl6の濃度を検出する検出装置の検出部が、上記気体状態に維持されたガス相に設けられること、2前記ガス排出手段が、排ガスの一部を分取してこれを-30°C以下に冷却して凝縮させる冷却手段を備え、Si2OCl6の濃度を検出する検出装置の検出部が、上記凝縮により得られる凝縮液相に設けられること、3クロロシラン類化合物がトリクロロシランであり、還元反応目的物が多結晶シリコンであることが好ましい。本発明によれば、微小の水漏れを高感度に、且つ、高い相関性でもって検知できる。この結果、水漏れによる反応系への水の混入を早期に、且つ、正確に検出することができ、汚染物質や副生不純物による製品品質の低下、並びに、運転面における配管の閉塞や重大な災害を未然に防ぐことができ、工業的に極めて価値の高い技術である。本発明は、水冷手段を有する反応器内に形成された反応部に、クロロシラン類化合物と水素とを含む原料ガスを導入して反応させるクロロシラン水素還元反応において、反応器内への水漏れを検知するための水漏れ検知方法、前記反応器内への水漏れを検知して還元反応を制御する多結晶シリコンの製造方法、および、前記反応器内又はガス排出手段に存在するSi2OCl6の濃度を測定するための検出装置を備えたクロロシラン水素還元反応装置を提供するものである。本発明において、クロロシラン水素還元用の前記反応器としては、テトラクロロシランと水素との反応によりトリクロロシランを生成する、トリクロロシラン生成用の反応器、トリクロロシランと水素との反応によりシリコンを析出させる、シリコン生成用の反応器とが挙げられる。上記シリコン生成用の反応器としては、具体的には、一般に、ベルジャー型反応器と称されるシリコン生成用の反応器が挙げられる図1参照。図1の反応器11は、水冷手段を有する金属性密閉容器1と、該金属性密閉容器1内に、シリコン芯線よりなる反応基材2を設け、これに外部に設けた電源加熱手段4より通電して発熱させることにより、該反応基材2の表面を反応部3とし、多結晶シリコンを化学気相析出させるものである。また、前記金属製密閉容器1は、ガス供給手段として原料ガス供給管5と、反応後のガスを反応系外へ排出するガス排出手段としてガス排出管6を備える。また、シリコン生成用の反応器として、水冷手段を有する金属性密閉容器1と、該金属性密閉容器1内に、筒状の反応基材2を用い、加熱手段4とを有し、上記加熱手段4により筒状の反応基材2を加熱して該反応基材内壁に反応部3を形成し、多結晶シリコンを化学気相析出させ、析出した多結晶シリコンを連続的或いは断続的に溶融落下して回収する、溶融析出型反応器と称する、シリコン生成用の反応器を挙げることができる図2参照。本発明は、これらの反応器内での反応後の排ガスの一部を分取して、Si2OCl6の濃度を測定することに最大の特徴がある。尚、上記各反応器の構造や構造部材は、従来公知のものを何ら制限なく使用できる。本発明のクロロシラン水素還元反応装置は、前記反応器11と、反応後の排ガス中に含まれるSi2OCl6の濃度を測定する検出装置12とを具備している。以下、図2に示す溶融析出法によるクロロシラン水素還元反応装置を一実施態様とし、反応装置、Si2OCl6の濃度測定方法、並びに多結晶シリコンの製造方法を具体的に説明する。<クロロシラン水素還元反応器11>本実施態様では、クロロシラン水素還元のための反応器は、水冷手段を有する金属製密閉容器1を具備している。ここで密閉とは外部の雰囲気からは遮断されていることを意味する。本実施態様に示す反応器は、以下に示すように、1内部にクロロシラン水素還元反応が行われる反応部3を形成するカーボン製の筒状反応基材22上記カーボン製の筒状反応基材2を、例えば、高周波により加熱する加熱手段43上記反応基材内壁で囲まれた反応部3の上部より下方に向かって開口するように設けられた原料ガス供給管54該反応基材と連続し、反応後のガスを反応系外へ排出するガス排出管6を備えている。<金属製密閉容器1>金属製密閉容器の材質は、鉄材やステンレス鋼材など特に制限なく採用可能である。また、密閉容器の壁面におけるクロロシラン類化合物や塩化水素などによる腐食防止を目的に、金属溶射やコーティング塗装などが特に制限なく採用可能である。更に、シリコン融液と接触する可能性のある部位には直接金属製密閉容器と接触しないよう、グラファイト、炭化珪素、窒化珪素等の隔壁を使用することができる。反応後のガスは高温であるため、反応後のガスと接触しうる金属製密閉容器の内壁面部の一部には熱的に隔離する手段構造を有していてもよい。具体的には内壁部にカーボン材が設けられた構造が挙げられる。内壁面部にカーボン材を設ける場合、カーボン材と内壁面部は接触していても接触していなくてもよく、例えば板状カーボン材を金属製密閉容器の内壁面部を覆うようにもうけることが好ましい。金属製密閉容器において上記反応後の高温ガスやその他何らかの要因による熱による変形や局部的な劣化を防止する為に金属製密閉容器の全て若しくは一部において、冷却する手段、例えば水冷ジャケット構造が採用される。<反応基材2>図2に示すクロロシラン水素還元用の反応装置において、反応器内に反応基材2が配置されている。該反応基材2は加熱体であって、その基材表面及び近傍においてクロロシラン水素還元反応が進行する反応部3を形成する。上記クロロシラン類化合物と水素の還元反応を良好に行うことができれば、その構造は特に限定されるものではなく、例えば図2に示すように筒状の反応基材により構成することができる。上記反応基材2の加熱は、後述する加熱手段4にて行われ、クロロシラン水素還元反応に適した温度、例えば上記反応基材表面温度を800~1700°C、好ましくは1200~1400°C以上に加熱される。ここで反応基材2は、生成したクロロシラン類化合物やシリコン融液に接触する為、これら温度条件や接触物に対して十分に耐える材質、例えばグラファイト材などを選択することが好ましい。更に反応基材2の大きさは目的に応じて適宜設定することができ、例えば、反応効率や生産効率などを考慮して設定することができる。<加熱手段4>上記加熱手段4は反応基材1の表面温度を1000~1700°C、好ましくは1200~1400°C以上に加熱調整可能な手段であれば、公知の手段が特に制限なく採用可能である。具体的な加熱手段を例示すれば、図2に示す高周波誘導加熱方式に加えて、赤外線加熱方式などが採用可能である。通常、該加熱手段は、冷却する手段、例えば、コイル内部に水が流通する構造を有する。高周波誘導加熱方式の場合には加熱効率などを考慮して、反応基材1と加熱手段4の間に断熱材などを介在させることが好ましい。<原料ガス供給管5>原料ガス供給管5は、反応基材1内壁で囲まれた反応部3の上部より下方に向かって開口するように設けられ、反応部3に原料ガスとなるクロロシラン類化合物と水素との混合ガスを供給するためのものである。また、反応部3からの伝熱により原料ガス供給管が加熱されて管内部において反応が生じないように、管内壁を反応温度未満に冷却されることが好ましい。冷却手段の態様はかかる目的を達成することができれば特に問わない。例えば図示されてはいないが、該原料ガス供給管に二重管以上の多重環ノズルを設け、多重環内部に冷却水を供給するジャケット構造とし、中心部からクロロシラン類化合物を供給する方式を用いても良い。<ガス排出管6>ガス排出管6は、上記反応基材2に連続して接合しており、該反応部3から排出される反応後のガスを回収滞留させ、反応後のガスを反応系外へ排出するためのものであり、反応ガス冷却系統や処理系等などに通じる。このガス排出管内部を流通する反応後のガス温度は特に制限なく調整可能であるが、少なくとも後述する反応後にガスに含まれるSi2OCl6が液化しない温度に維持することが好ましく、少なくとも80°C以上、好ましくは130°C以上に維持することが好ましい。<検出装置12>検出装置は、反応後の排ガスを採取する検出部と検出部により採取された排ガスの成分中のSi2OCl6を定量する検出器とにより基本構成される。検出を連続的に行う場合は、必要に応じて検出部としての採取手段を設け、採取した排ガスを検出器に導く。例えば、小径チューブなどの連結管、排ガスを気体状に維持する保温手段または加熱手段、或いは排ガスを液体状に凝縮する冷却手段を設けて、排ガスを気体状或いは液状で採取し、これを連結管により接続された検出器に送って定量分析する。一方、検出をバッチ方式で実施することも可能であり、その場合は、上記検出部において気体状或いは液状で採取された排ガスを、独立して設けられた検出器でもって定量分析する。<水漏れ検知方法>上記反応部3より排出された反応後のガス中に、上記金属製密閉容器1若しくは加熱手段4若しくは原料ガス供給管5における水冷部より水が漏洩すると、直ちに反応して、シリカ、塩化水素その他特定の反応物を発生する。本発明において、測定対象ガスは反応後のガスであれば特に限定されず、反応器内のガスでも良い。しかし、装置の構造上、上記ガス排出管6中を流れるガスを対象とすることが好ましく、ガス排出管6より排出された反応後のガス中に含まれるSi2OCl6を検出してその濃度変化をとらえる。Si2OCl6濃度の測定方法は何ら限定されない。検出器7としては、赤外分光分析装置やクロマトグラフィ装置が使用される。これらの中で、ガスクロマトグラフィ法が簡便で、且つ、正確に濃度変化を把握できるので好ましく採用される。図1、図2、および図3に具体的な測定ガスのサンプリング方法を示す。サンプリング方法1:ガス排出管6より流通された反応後のガスを検出部において一部分岐させ、反応後のガスに含まれるSi2OCl6が液化しないよう一定の温度以上に保温または加熱された採取用の小径チューブ8を通して、反応後のガスの一部を気体状で採取する。図2においては、保温材10により保温されて気体状に維持される態様が示されている。ガスクロマトグラフィなどの検出器7は、小径チューブ8でもって検出部と連結され、採取ガスを連続的に分析することができる。採取用の小径チューブ8の保温または加熱温度は、ガス中に含まれるSi2OCl6分圧により適宜決定される。ガス中に含まれるSi2OCl6が小径チューブ内で液化しないことが達成できれば特に問わないが、通常、80°C以上、好ましくは130°C以上とする。上記検出部は検体を採取する箇所であり、該検体は検出部と接続されている検出器に送り込んで連続的に測定しても良いし、独立して存在する検出器を用いてバッチ処理で測定しても良い。サンプリング方法2:ガス排出管6より流通された反応後のガスの一部若しくは全てにおいて、反応後のガスに含まれるSi2OCl6を液化させる為、反応後のガスを一定温度以下に冷却する冷却装置に接続する。排ガスは、その全部を冷却して含まれるSi2OCl6を液化させることも可能であるが、本発明の検出のみを行う場合は、一部を分取して含まれるSi2OCl6を液化させる態様が好ましい。反応後のガスに含まれるSi2OCl6は液化され、検出部において採取する。その後、採取液を検出器7であるガスクロマトグラフィに注入し、分析する。冷却手段の態様はガス中に含まれるSi2OCl6が液化させ回収することが達成できれば特に問わないが、冷却装置におけるガスの冷却温度は、通常-30°C以下、好ましくは-50°C以下とする。濃度測定方法:ガスクロマトグラフィ法によりSi2OCl6を他の成分と分離する方法は、特に制限されるものではない。具体的なガスクロマトグラフィ条件としては、カラムは化学的安定性の高いガラス製パックドカラム、充填材はシリカを主成分とする珪素土系の担体にシリコーンオイル系が添着されたものが好ましく採用される。キャリアーガスはヘリウムやアルゴン、窒素などの測定ガスに対して不活性なものが好ましい。定量分析は、濃度既知のSi2OCl6の標準試料を用いて、予めそれぞれのピーク面積から検量線を作成しておき、各試料の測定を行うことにより、定量が可能である。<多結晶シリコンの製造方法>図2に示すクロロシラン水素還元反応装置を用いた溶融析出法による多結晶シリコンの製造方法は、従来公知の方法を何ら制限なく採用できる。トリクロロシランと水素の供給量や供給比率、反応部の温度、冷却水の供給量や温度その他の具体的条件は、特許4038110号、特許4064918号、特許4157281号、特許4290647号などに詳細に説明されているので、これらを参照して適宜決定すればよい。当該クロロシラン水素還元反応装置においてクロロシラン水素還元反応を行い、反応後のガスを前述の検出方法で分析して、排ガス中に含まれる水の量を定量する。検出される水は、漏れた冷却水や原料ガス中の水分に起因する水である。従って、定量した結果、Si2OCl6の濃度、即ち水分量が規定値以下である場合は、定常状態として取り扱い製造を続行する。この規定値は、得られる多結晶シリコンの製品規格やクロロシラン類化合物の品質により、適宜決定される。Si2OCl6の濃度、即ち、水分量が増加し規定値を超えた場合、若しくは濃度推移を確認し明らかに水漏れ等の異常と判断された場合には、直ちに反応を停止する方法が最も好ましい。ここでの反応停止とは、当該クロロシラン水素還元反応が停止することを意味する。具体的には、加熱手段4に示す高周波誘導加熱等の加熱制御を停止若しくは反応が停止する温度領域に調整する方法、或いは原料ガス供給管5より供給されるクロロシラン類化合物の供給を停止する方法等が挙げられる。Si2OCl6の濃度測定した結果の情報を製造セクションに伝達する方法は特に制限されず、オンラインでもオフラインでも良い。図1に示すシーメンス法においても、上記溶融析出法と同様にして水分量を測定し、得られた値を基にして製造を制御する。以下、本発明の実施例を挙げて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら制限されるものではない。また、実施例の中で説明されている特徴の組み合わせすべてが本発明の解決手段に必須のものとは限らない。実施例1以下、図2の概略図に従って説明する。水冷ジャケット構造を有した金属製ステンレス製密閉容器1内に、反応基材2として等方性グラファイト製の円筒状容器を設置した。また、加熱手段4として高周波誘導加熱コイルを設置し、コイル内部に冷却水を流通させた。上記構造のクロロシラン水素還元反応器を用いて、反応基材2の表面温度が1300°C~1400°Cになるように高周波誘導加熱コイルの加熱出力を制御し、原料ガス供給管5からトリクロロシラン100Nm3/h及び水素1000Nm3/hの混合ガス合計1100Nm3/hを供給して反応を開始し、反応基材2の内表面に固体状のシリコンを析出させた。このときの密閉容器内の圧力は約50kPaGであった。上記トリクロロシランの還元反応において、反応部3直後のガス温度は約1100°Cであり、ガス排出管6におけるガス温度は約800°Cであった。一方、反応器のガス排出管6中に流れる反応後の排ガスの一部を、反応後のガスに含まれるSi2OCl6が液化しないよう110°Cの温度に加熱された採取用のφ8mmの小径チューブ8を通して気体状で採取し、ガス中のSi2OCl6濃度をガスクロマトグラフィにて測定した。上記定常運転において、測定される排ガス中のSi2OCl6濃度をガスクロマトグラフィにて測定した。また、模擬的に密閉容器より水漏れが発生したと想定し、密閉容器内に水を20cc/hの供給速度で混入させて、排ガス中のSi2OCl6濃度をガスクロマトグラフィにて測定した。次いで、前記水の混入量を、100cc/h、400cc/hと段階的に変化させて、同様にして排ガス中のSi2OCl6濃度を測定した。分析結果を表1に示す。この結果より、水の混入量とSi2OCl6濃度とに相関があることが確認される。尚、上記測定の際には、反応器におけるガス温度及び圧力共に変動は確認されず、かかる項目のチェックは微量の水の混入には有効ではない。一方、本発明の検知方法によれば、微量の水の混入に対しても、精度よく検知することができることが判る。前記水添加の反応後、クロロシラン水素還元反応器を開放したところ、金属製密閉容器内壁面及びガス排出管の内側にはシリカが堆積していることが確認された。比較例1、2実施例1に示す各操作において、ガス中の測定対象物をSi2OCl6からSi2Cl6及びHClに変更した以外は同様にして、定常状態、各水の混入時における測定対象物の濃度の測定を行った。結果を表1に示す。表1の結果から、水の漏洩量混入量とSi2OCl6濃度との間には明確な相関が認められた。一方、水とSi2Cl6濃度との間には相関が認められず、また、水とHCl濃度との相関は不明確であり、水の漏洩量が微量の場合には使用できないことが分かる。操業例実施例1に記載の操作によって固体状のシリコンを析出させる操作中に、模擬的に密閉容器より水漏れが発生したと想定し、密閉容器内に水を20cc/hの供給速度で混入させた。一方、上記定常運転時から水の混入後に亘り、実施例1と同様に、ガス排出管6中に流れる反応後のガスを一部分岐させ、反応後のガスに含まれるSi2OCl6が液化しないよう110°Cの温度に加熱された採取用のφ8mmの小径チューブ8を通して、ガス中のSi2OCl6濃度をガスクロマトグラフィにて10分毎に測定した。上記水の混入から30分後、反応後のガスに含まれるSi2OCl6濃度の上昇が確認されたため、水の供給を停止すると共に、加熱手段4である高周波誘導加熱コイルの加熱出力を停止し、更に原料ガス供給管5からトリクロロシラン100Nm3/hの供給を停止して反応を停止した。その後、反応器内を開放したところ、密閉容器内壁面及びガス排出管の内側においてシリカなど副生成物は確認されず、副生成物の生成を未然に防止することができた。