単結晶半導体基板表面に、気相エピタキシャル成長法によって圧縮応力を有する単結晶半導体膜を形成し、前記単結晶半導体膜表面に、引張応力を有する膜を形成し、前記単結晶半導体膜に力を加える剥離工程によって、前記単結晶半導体基板と前記単結晶半導体膜とを分離する、単結晶半導体膜の作製方法。単結晶半導体基板表面に、気相エピタキシャル成長法によって圧縮応力を有する単結晶半導体膜を形成し、前記単結晶半導体膜表面に、引張応力を有する膜を形成し、前記引張応力を有する膜表面に、フィルムを粘着し、前記フィルム上から前記単結晶半導体膜に力を加える剥離工程によって、前記単結晶半導体基板と前記単結晶半導体膜とを分離する、単結晶半導体膜の作製方法。単結晶半導体基板表面に、気相エピタキシャル成長法によって圧縮応力を有する単結晶半導体膜を形成し、前記単結晶半導体膜表面に、熱硬化性樹脂膜を形成し、前記熱硬化性樹脂膜を加熱によって硬化させることにより、引張応力を有する熱硬化性樹脂膜とし、前記硬化させた熱硬化性樹脂膜表面に、フィルムを粘着し、前記フィルム上から、前記単結晶半導体膜に力を加える剥離工程によって、前記単結晶半導体基板と前記単結晶半導体膜とを分離する、単結晶半導体膜の作製方法。前記剥離工程前に、前記フィルムおよび前記硬化した熱硬化性樹脂膜に溝を形成する、請求項3に記載の単結晶半導体膜の作製方法。前記熱硬化性樹脂膜は、エポキシ樹脂膜である、請求項3または4に記載の単結晶半導体膜の作製方法。単結晶半導体基板表面に、気相エピタキシャル成長法によって圧縮応力を有する単結晶半導体膜を形成し、前記単結晶半導体膜表面に、導電性を付与した熱硬化性樹脂膜を形成し、前記熱硬化性樹脂膜を加熱によって硬化させることにより、引張応力を有する熱硬化性樹脂膜とし、前記硬化させた熱硬化性樹脂膜表面に、フィルムを粘着し、前記フィルム上から、前記単結晶半導体膜に力を加える剥離工程によって、前記単結晶半導体基板と前記単結晶半導体膜とを分離する、単結晶半導体膜の作製方法。前記剥離工程前に、前記フィルムおよび前記硬化した熱硬化性樹脂膜に溝を形成する、請求項5に記載の単結晶半導体膜の作製方法。前記熱硬化性樹脂膜は、エポキシ樹脂膜である、請求項6または7に記載の単結晶半導体膜の作製方法。単結晶半導体基板表面に、気相エピタキシャル成長法によって圧縮応力を有する単結晶半導体膜を形成し、前記単結晶半導体膜表面に、銀ペースト膜を形成し、前記銀ペースト膜を加熱によって硬化させることにより、引張応力を有する銀ペースト膜とし、前記硬化させた銀ペースト膜表面に、フィルムを粘着し、前記フィルム上から、前記単結晶半導体膜に力を加える剥離工程によって、前記単結晶半導体基板と前記単結晶半導体膜とを分離する、単結晶半導体膜の作製方法。単結晶半導体基板表面に、気相エピタキシャル成長法によって圧縮応力を有する単結晶半導体膜を形成し、前記単結晶半導体膜表面に、ITO膜を形成し、前記ITO膜を、加熱によって硬化させることにより、引張応力を有するITO膜とし、前記硬化させたITO膜表面に、フィルムを粘着し、前記フィルム上から、前記単結晶半導体膜に力を加える剥離工程によって、前記単結晶半導体基板と前記単結晶半導体膜とを分離する、単結晶半導体膜の作製方法。請求項6乃至10のいずれか一に記載の単結晶半導体膜の作製方法を用いる電極の作製方法。水素イオン注入剥離法は、脆化領域を形成するために、単結晶半導体基板にイオンの注入処理をする必要がある。したがって、イオンの注入を行う装置が必要であり、また水素イオンの加速エネルギーやドーズ量を制御する必要もある。さらに、単結晶半導体基板へのダメージも無視できない。また、水素イオン注入剥離法は、単結晶半導体基板と支持基板との接合を強固にするため、比較的高い温度300°C以上で熱処理する必要がある。したがって、熱処理に伴うコストが高くなってしまう。そして、当該熱処理は、支持基板との貼り合わせの後に行われるため、有機樹脂基板などの耐熱性の低い基板を支持基板として用いることが困難である。つまり、水素イオン注入剥離法を用いて、有機樹脂基板などの上に単結晶半導体膜を形成することは難しい。そこで、イオンドーピング処理や高温での熱処理を必要とせず、簡単かつコストの低い方法で単結晶半導体膜を得る方法を提供することを課題とする。本発明は、被形成表面上に、圧縮応力を有する膜と引張応力を有する膜とを積層させることによって、上記積層構造を被形成表面から分離することを趣旨とするものである。より具体的な構成としては、次のようなものを挙げることができる。本発明の一態様は、単結晶半導体基板表面に、気相エピタキシャル成長法によって圧縮応力を有する単結晶半導体膜を形成し、単結晶半導体膜表面に、引張応力を有する膜を形成し、単結晶半導体膜に力を加える剥離工程によって、単結晶半導体基板と単結晶半導体膜とを分離する、単結晶半導体膜の作製方法である。本発明の別の一態様は、単結晶半導体基板表面に、気相エピタキシャル成長法によって圧縮応力を有する単結晶半導体膜を形成し、単結晶半導体膜表面に、引張応力を有する膜を形成し、引張応力を有する膜表面に、フィルムを粘着し、フィルム上から単結晶半導体膜に力を加える剥離工程によって、単結晶半導体基板と単結晶半導体膜とを分離する、単結晶半導体膜の作製方法である。本発明の別の一態様は、単結晶半導体基板表面に、気相エピタキシャル成長法によって圧縮応力を有する単結晶半導体膜を形成し、単結晶半導体膜表面に、熱硬化性樹脂例えば、エポキシ樹脂膜を形成し、熱硬化性樹脂膜を加熱によって硬化させることにより、引張応力を有する熱硬化性樹脂膜とし、硬化させた熱硬化性樹脂膜表面に、フィルムを粘着し、フィルム上から、単結晶半導体膜に力を加える剥離工程によって、単結晶半導体基板と単結晶半導体膜とを分離する、単結晶半導体膜の作製方法である。上記作製方法において、剥離工程前に、フィルムおよび硬化した熱硬化性樹脂膜に溝を形成する場合がある。また、熱硬化性樹脂膜として、エポキシ樹脂膜を用いる場合がある。本発明の別の一態様は、単結晶半導体基板表面に、気相エピタキシャル成長法によって圧縮応力を有する単結晶半導体膜を形成し、単結晶半導体膜表面に、導電性を付与した熱硬化性樹脂例えば、エポキシ樹脂膜を形成し、熱硬化性樹脂膜を加熱によって硬化させることにより、引張応力を有する熱硬化性樹脂膜とし、硬化させた熱硬化性樹脂膜表面に、フィルムを粘着し、フィルム上から、単結晶半導体膜に力を加える剥離工程によって、単結晶半導体基板と単結晶半導体膜とを分離する、単結晶半導体膜の作製方法である。上記作製方法において、剥離工程前に、フィルムおよび硬化した熱硬化性樹脂膜に溝を形成する場合がある。また、熱硬化性樹脂膜として、エポキシ樹脂膜を用いる場合がある。本発明の別の一態様は、単結晶半導体基板表面に、気相エピタキシャル成長法によって圧縮応力を有する単結晶半導体膜を形成し、単結晶半導体膜表面に、銀ペースト膜を形成し、銀ペースト膜を加熱によって硬化させることにより、引張応力を有する銀ペースト膜とし、硬化させた銀ペースト膜表面に、フィルムを粘着し、フィルム上から、単結晶半導体膜に力を加える剥離工程によって、単結晶半導体基板と単結晶半導体膜とを分離する、単結晶半導体膜の作製方法である。なお、ここでは便宜上、ペーストを硬化させた後についても銀ペースト膜の表現を用いることとする。本発明の別の一態様は、単結晶半導体基板表面に、気相エピタキシャル成長法によって圧縮応力を有する単結晶半導体膜を形成し、単結晶半導体膜表面に、ITO膜を形成し、ITO膜を、加熱によって硬化させることにより、引張応力を有するITO膜とし、硬化させたITO膜表面に、フィルムを粘着し、フィルム上から、単結晶半導体膜に力を加える剥離工程によって、単結晶半導体基板と単結晶半導体膜とを分離する、単結晶半導体膜の作製方法である。なお、上記の単結晶半導体膜の作製方法を用いて、電池などの電極を作製することが可能である。単結晶半導体膜の剥離のためのイオンドーピング処理を必要としないため、単結晶半導体基板へのダメージを少なくできる。また、低温での熱処理のみで、単結晶半導体膜を得ることができる。そのため、低コストで単結晶半導体膜を得ることができる。実施の形態1図1に基づいて、単結晶半導体膜の作製方法を説明する。本明細書において、単結晶とは、任意の結晶軸に注目したとき、試料のどの部分においてもその向きが同一であるような結晶質固体をいう。ただし、部分的に結晶軸の向きが変わっているものや、格子欠陥が含まれるものも、単結晶として扱う。第1工程として、単結晶半導体基板10の表面を洗浄し、自然酸化膜を除去する図示せず。単結晶半導体基板10の界面に自然酸化膜が存在すると、続く第2工程において、エピタキシャル成長による結晶性が劣化するためである。単結晶半導体基板10には、単結晶シリコン基板、単結晶ゲルマニウム基板、単結晶シリコンゲルマニウム基板など、第14族元素からなる単結晶半導体基板を用いることができる。単結晶半導体基板10の表面の洗浄には、希フッ酸DHF、硫酸過水SPM、アンモニア過水APM、塩酸過水HPMなどを用いることができる。第2工程として、表面を洗浄した単結晶半導体基板10表面に、気相エピタキシャル成長法によって、単結晶半導体膜11を形成する図1A参照。単結晶半導体膜11は、圧縮応力を有するものであることが望ましい。または、何らかの処理例えば熱処理によって圧縮応力を示すものであることが望ましい。後の単結晶半導体膜11の分離を、不具合なく行えるようにするためである。気相エピタキシャル成長法には、例えば、化学的気相成長CVD:ChemicalVaporDeposition法を選択することができる。単結晶半導体膜11の膜厚は、適宜必要な厚さとすればよい。ただし、単結晶半導体膜11の膜厚と、圧縮応力には、正の相関がある。したがって、単結晶半導体膜11の膜厚を厚くするほど、単結晶半導体膜11の圧縮応力は増大し、単結晶半導体基板10と単結晶半導体膜11との界面での分離をより容易なものとすることができる。第3工程として、単結晶半導体膜11表面に、スクリーン印刷法によって、熱硬化性樹脂膜12を形成する図1B参照。熱硬化性樹脂膜12としては、例えば、エポキシ樹脂膜を適用することができる。なお、熱硬化性樹脂膜12は、引張応力を有する膜の一例に過ぎないものである。開示する発明の技術思想は、圧縮応力を有する半導体膜表面に引張応力を有する膜を形成することによって、半導体膜の分離を容易にすることであるから、単結晶半導体膜11表面に形成する膜として熱硬化性樹脂膜以外の引張応力を有する膜を適用できることは言うまでもない。熱硬化性樹脂膜12の膜厚と、温度変化に起因する熱応力には、正の相関がある。したがって、熱硬化性樹脂膜12の膜厚が薄いと、生じる熱応力が弱く、第6工程において、単結晶半導体基板10との界面から、単結晶半導体膜11が分離せず、フィルム13のみが剥がれるという現象が起こり得る。よって、熱硬化性樹脂膜12は、適切な膜厚で形成することが必要である。なお、熱硬化性樹脂膜12には、熱応力以外の応力も存在しうる。このように、圧縮応力として、熱応力以外の応力を含んでいても良いことはいうまでもない。第4工程として、熱硬化性樹脂膜12を加熱硬化する図示せず。この場合の加熱温度は、200°C程度でよい。第5工程として、硬化した熱硬化性樹脂膜12表面に、フィルム13を粘着する図1C参照。続く第6工程において、単結晶半導体膜11の破損を防止するためである。フィルム13の材質は、フィルム13と熱硬化性樹脂膜12との界面の密着性が、単結晶半導体基板10と単結晶半導体膜11との界面の密着性より高くなるように選択すれば良い。例えば、ポリエステル、アクリル、アラミドなどの有機材料を用いることができる。また、チタンなどの導電性を有する材料を用いても良い。第6工程として、ローラー14によって、フィルム13上から単結晶半導体膜11に均一に力を加えて、単結晶半導体膜11を分離させる図1D参照。単結晶半導体膜11に均一に力を加えることで、単結晶半導体基板10との界面からの単結晶半導体膜11の分離が容易になる。単結晶半導体膜11の水平方向に、全方位均一な力をかけるために、ローラー14以外の手段を用いても構わない。また、単結晶半導体膜11を好適に分離することができるのであれば、均一な力をかける方法のみに限定する必要もない。第6工程前に、溝加工スクライビングにより、フィルム13および硬化した熱硬化性樹脂膜12に浅い溝を形成してもよい。この溝加工により、第6工程における剥離がさらに容易になる。以上の工程により、フィルム13上に剥離転置された、単結晶半導体膜11が得られる図1E参照。上記工程により得られた単結晶半導体膜11は、薄く、曲げることができる。したがって、フレキシブルデバイス用途に適用することができる。また、上記工程により得られた単結晶半導体膜11には、わずかな表面凹凸が存在する。したがって、転置する膜や基材との良好な密着性が得られる。単結晶半導体膜11分離後の単結晶半導体基板10は、再生処理の後、再利用可能である。再生処理は、単結晶半導体基板10の表面を平坦化するための平坦化処理および単結晶半導体基板10の結晶欠陥を低減するための熱処理をすればよい。実施の形態2実施の形態1で示した単結晶半導体膜11は、リチウムイオン2次電池またはリチウムイオンキャパシタの負極として用いることができる。なお、本実施の形態で示す第3工程、第5工程、および第6工程は、実施の形態1で示した第3工程、第5工程、および第6工程にそれぞれ対応する。単結晶半導体膜11を負極として用いる場合、第3工程において、熱硬化性樹脂例えば、エポキシ樹脂にニッケルNiなどの金属を混ぜ、熱硬化性樹脂膜12に導電性を付与する必要がある。あるいは、第3工程において、熱硬化性樹脂のかわりに銀ペーストを用いて、銀ペースト膜を形成してもよい。または、第3工程において、スクリーン印刷法によって熱硬化性樹脂膜12を形成するかわりに、ゾルゲル法によって酸化インジウム酸化スズ合金ITO膜を形成してもよい。この場合は、酸化インジウム酸化スズ合金ITO膜の導電性を利用できる。なお、フィルム13を残存させる場合には、第5工程において、フィルム13として、チタンフィルムなどの導電性を有するフィルムを用いることが望ましい。単結晶半導体膜11を負極として用いる場合、導電性を付与された熱硬化性樹脂膜12などを集電体として用いることができる。また、例えば、第6工程において、単結晶半導体膜11を剥離後、さらに、銅CuやチタンTiなどの集電体に単結晶半導体膜11を転置しても良い。あるいは、第5工程において、フィルム13を粘着後、さらに、フィルム13表面に、銅シートなどを粘着し、集電体としてもよい。この場合には、集電体、フィルム13、導電性が付与された熱硬化性樹脂膜12、単結晶半導体膜11の積層構造となる。図2には、上記単結晶半導体膜を負極として用いたリチウムイオンキャパシタまたはリチウムイオン2次電池の構造の例を示す。図2Aには、導電性が付与された熱硬化性樹脂膜12と、単結晶半導体膜11と、固体電解質25と、正極20と、集電体21とが積層された構造体を示している。ここで、導電性が付与された熱硬化性樹脂膜12と、集電体21には、それぞれ、取り出し電極26と、取り出し電極27が接続されている。また、取り出し電極を除く部分を覆うように、保護膜28が設けられている。なお、この場合には、第6工程において単結晶半導体膜11を剥離した後に、フィルム13は除去されることになる。図2Bには、導電性が付与された熱硬化性樹脂膜12と、集電体22と、単結晶半導体膜11と、固体電解質25と、正極20と、集電体21とが積層された構造体を示している。また、集電体22と、集電体21には、それぞれ、取り出し電極26と、取り出し電極27が接続されている。また、取り出し電極を除く部分を覆うように、保護膜28が設けられている。なお、この構造を採用する場合、熱硬化性樹脂膜への導電性の付与は必須ではない。また、この場合にも、第6工程において単結晶半導体膜11を剥離した後に、フィルム13は除去される。図2Bに示される構造体では、集電体22は、単結晶半導体膜11と熱硬化性樹脂膜12との間に設けられている。集電体22は、例えば、第3工程において、単結晶半導体膜11表面に熱硬化性樹脂膜12を形成する前に形成する。集電体22としては、例えば、蒸着法あるいはスパッタリング法による金属膜などを適用すればよい。なお、単結晶半導体膜11に対して、熱硬化性樹脂膜の圧縮応力の影響を与えることができるものであって、負極の集電体として用いることができるものであれば、集電体の材料等は特に限定されない。図2Cには、導電性が付与された熱硬化性樹脂膜12と、単結晶半導体膜11と、セパレータ23と、正極20と、集電体21とが積層された構造体を示している。ここで、導電性が付与された熱硬化性樹脂膜12と、集電体21には、それぞれ、取り出し電極が接続されていても良い。また、保護膜が設けられていても良い。また、熱硬化性樹脂膜12や単結晶半導体膜11の周囲を覆う負極缶、正極20や集電体21の周囲を覆う正極缶などを設けても良い。負極缶や正極缶には、ステンレスなどの材料を用いることができる。なお、この場合にも、第6工程において単結晶半導体膜11を剥離した後に、フィルム13は除去される。なお、上記において、正極20としてリン酸鉄リチウムLiFePO4などを、集電体21としてアルミニウムAlなどを、集電体22として銅Cuなどを、セパレータ23として樹脂材料などを用いることができる。実施の形態3実施の形態1で示した単結晶半導体膜11は、太陽電池のp型基板として用いることができる。この構成を、図3に基づいて説明する。なお、本実施の形態で示す第2工程、第3工程、および第6工程は、実施の形態1で示した第2工程、第3工程、および第6工程にそれぞれ対応する。第2工程において、p型の単結晶半導体膜11を得るため、p型の単結晶半導体基板10を用いる。第3工程において、単結晶半導体膜11表面に、熱硬化性樹脂膜12を形成する前に、蒸着法あるいはスパッタリング法によって、金属膜30を成膜する。なお、単結晶半導体膜11に対して、熱硬化性樹脂膜の圧縮応力の影響を与えることができるものであれば、金属膜30の材料等は特に限定されない。第6工程において、単結晶半導体膜11を剥離後、単結晶半導体膜11表面に、蒸着法あるいはスパッタリング法によって、アモルファスシリコン膜31を成膜する。アモルファスシリコン膜31は、単結晶半導体膜11とヘテロ接合するように、例えば、i型とする。その後、アモルファスシリコン膜31表面に、蒸着法あるいはスパッタリング法によって、半導体膜32を成膜する。半導体膜32は、n型のシリコンSi膜やn型の酸化亜鉛ZnO膜を適用できる。最後に、半導体膜32表面に、グリッド電極33を形成すると、太陽電池が完成する。このように、剥離転置した単結晶半導体膜11を用いた太陽電池は、集積化しやすい利点がある。なお、単結晶半導体膜11は、太陽電池のn型基板として用いることもできる。この場合は、n型の単結晶半導体基板10を使用する。また、半導体膜32は、p型のシリコンSi膜やp型の酸化亜鉛ZnO膜を適用できる。本実施例では、単結晶半導体膜の好適な剥離が実現される条件における、単結晶半導体膜の膜応力と、引っ張り応力を有する膜の膜応力とを測定した結果について示す。なお、本実施例において示す条件は、あくまで一例に過ぎず、開示する発明の一態様が本実施例に記載の条件のみに限定されるものではない。本実施例の測定に係るサンプルは、まず、シリコンウェハ上に、気相エピタキシャル成長法によって500nm程度の厚さの単結晶シリコン膜を形成し、次に、当該単結晶シリコン膜上に、引っ張り応力を有する膜としてエポキシ樹脂膜を30μm程度の厚さで形成し、その後、200°Cにおいて30分間の熱処理エポキシ樹脂膜の加熱硬化を行うことによって作製された。応力の測定は、シリコンウェハ上に単結晶シリコン膜が形成された状態第1の測定、および、単結晶シリコン膜上にエポキシ樹脂膜を形成し、当該エポキシ樹脂膜を硬化させた後の状態第2の状態、について行った。つまり、第1の状態では、単結晶シリコン膜の膜応力が測定され、第2の状態では、単結晶シリコン膜とエポキシ樹脂膜の積層状態の膜応力が測定されることになる。応力の測定は、応力に起因する反り量を測定することによって行われた。具体的には、レーザー光を被測定表面に入射させ、その反射光の状態反射角などを見ることによって行った。また、本実施例では、直交するx方向とy方向の二つの方向についての反り量を測定することによって、面内の二つの方向に関する応力測定を行った。なお、測定開始前には、シリコンウェハについて同様の測定を行って、その状態反りの状態を基準に、各膜の応力を判定した。図4には、応力測定の結果を示す。図中、横軸は、単結晶シリコン膜結晶成長Si、または、単結晶シリコン膜とエポキシ樹脂膜の積層膜結晶成長Si\エポキシ樹脂、のいずれかの状態を示しており、縦軸は、測定された応力を示している。また、ばつ印はx方向に関する測定結果を示しており、四角印はy方向に関する測定結果を示している。なお、縦軸は、上にくるほど圧縮応力が大きくなることを示している。図4から、単結晶シリコン膜は、比較的大きな圧縮応力を有するのに対して、単結晶シリコン膜とエポキシ樹脂膜の積層膜では、単結晶シリコン膜より圧縮応力が弱まっていることが分かる。これは、エポキシ樹脂膜の圧縮応力により、単結晶シリコン膜の圧縮応力が緩和されたことに起因するものである。このように、単結晶半導体膜として圧縮応力を有する膜を形成し、その後、引張応力を有する膜を形成することで、好適な分離が実現される。応力の絶対値について特に限定はないが、例えば、単結晶半導体膜の圧縮応力の絶対値を基準として、引張応力を有する膜の引張応力の絶対値が0.3倍以上3.0倍以下好ましくは0.5倍以上2.0倍以下であれば、十分に好適な分離を実現することができる。