第1の半導体チップ及び該第1の半導体チップの側面から外方に拡張するように設けられた拡張部を有する第1の拡張型半導体チップと、前記第1の拡張型半導体チップ上に搭載され、前記第1の半導体チップと電気的に接続された第2の半導体チップとを備え、前記第1の拡張型半導体チップは、前記拡張部の上に設けられ、前記第1の半導体チップの電極と電気的に接続された第1の拡張部電極パッドを有していることを特徴とする半導体装置。前記拡張部は、第1の半導体チップの側面を覆う絶縁材料からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記第1の拡張型半導体チップと、前記第2の半導体チップとは、バンプを介して接続されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。上面に前記第1の拡張型半導体チップを搭載した配線基板をさらに備え、前記配線基板と前記第1の拡張型半導体チップとは接着層により接合され、前記第1の拡張部電極パッドは、前記配線基板の上面に形成された基板電極パッドと電気的に接続されていることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体装置。前記第1の拡張型半導体チップと前記配線基板との間挿入された、平板状の接合層をさらに備えていることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。前記拡張部電極パッドと前記基板電極パッドとは、金属細線を介して接続されていることを特徴とする請求項4又は5に記載の半導体装置。前記第1の拡張型半導体チップ、前記第2の半導体チップ及び前記金属細線を封止する封止樹脂をさらに備えていることを特徴とする請求項3~5のいずれか1項に記載の半導体装置。前記第1の拡張型半導体チップを搭載するチップ搭載部とリードとを有するリードフレームをさらに備え、前記リードフレームと前記第1の拡張型半導体チップとは接着層により接合され、前記拡張部前記電極パッドは、前記リードと電気的に接続されていることを特徴とする請求項第1~3のいずれか1項に記載の半導体装置。前記第1の拡張型半導体チップと前記チップ搭載部との間に挿入された、平板状の接合層をさらに備えていることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。前記拡張部電極パッドと前記リードとは、金属細線を介して接続されていることを特徴とする請求項8又は9に記載の半導体装置。前記第1の拡張型半導体チップ、前記第2の半導体チップ及び前記リードフレームを封止する封止樹脂をさらに備え、前記リードフレームは、前記封止樹脂の裏面から露出した外部接続端子を有していることを特徴とする請求項8~10のいずれか1項に記載の半導体装置。前記接合層は金属、ガラス又はシリコンからなることを特徴とする請求項5又は9に記載の半導体装置。前記第1の拡張型半導体チップと前記第2の半導体チップとは、互いに対応する辺同士が並行して配置され、前記第1の拡張型半導体チップの一の辺の長さは、前記第2の半導体チップの対応する辺の長さよりも長いことを特徴とする請求項1~12のいずれか1項に記載の半導体装置。前記第1の拡張型半導体チップと前記第2の半導体チップとは、互いに対応する辺同士が並行して配置され、前記第1の拡張型半導体チップの外縁部は、前記第2の半導体チップに覆われていないことを特徴とする請求項1~13のいずれか1項に記載の半導体装置。前記第1の拡張型半導体チップの一の辺と、前記第2の半導体チップの対応する辺との間隔は500μm以上であることを特徴とする請求項13又は14に記載の半導体装置。前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとは、互いに対応する辺同士が並行して配置され、前記第1の半導体チップの一の辺は、前記第2の半導体チップの対応する辺の長さよりも短いことを特徴とする請求項1~15のいずれか1項に記載の半導体装置。前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとは、互いに対応する辺同士が並行して配置され、前記第1の拡張型半導体チップの一の辺と、前記第2の半導体チップの対応する辺との間隔は500μm未満であることを特徴とする請求項1~14のいずれか1項に記載の半導体装置。前記拡張部と前記第1の半導体チップとの接合面は、凹凸を有していることを特徴とする請求項1~17のいずれか1項に記載の半導体装置。前記第1の半導体チップの、前記拡張部と接している側面は、傾斜角度が異なる複数の面を有していることを特徴とする請求項1~17のいずれか1項に記載の半導体装置。第3の半導体チップ及び該第3の半導体チップの側面から外方に拡張するように設けられた拡張部を有する第2の拡張型半導体チップと、配線基板とをさらに備え、前記第2の拡張型半導体チップは、前記配線基板の上面に接着層により接合され、前記第1の拡張型半導体チップは、前記第2の拡張型半導体チップの上に搭載され、前記第2の拡張型半導体チップの拡張部に形成された第2の拡張部電極パッドは、前記配線基板の上面に形成された基板電極パッドと電気的に接続されていることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体装置。しかしながら、従来の技術では積層する順序がチップのサイズにより限定されるという問題がある。メモリと論理回路チップを積層する場合、チップサイズの大小関係からサイズが大きい半導体メモリを下側に、前記半導体メモリよりサイズの小さい半導体論理回路チップを上側にした構成とする必要がある。このため論理回路チップのサイズがメモリチップのサイズよりも大きい場合、従来技術ではCoC構成が実現できないという問題がある。また、従来の技術ではメモリ配線層内に外部接続用端子と半導体メモリ端子とを接続する配線を有する特別なメモリチップを使用する必要があり、半導体装置としての汎用性が低い。本開示は、前記の問題を解決し、複数の半導体チップを積層する際におけるサイズの大小関係の制約を解決すると共に、特別な配線を形成した半導体チップを使用する必要がない半導体装置を実現できるようにすることを目的とする。前記の目的を達成するため、本開示は半導体装置を、半導体チップの外縁に樹脂等により拡張部を形成し、拡張部にワイヤボンディング端子を設けた拡張型半導体チップを備えている構成とする。具体的に、本開示の半導体装置は、第1の半導体チップ及び該第1の半導体チップの側面から外方に拡張するように設けられた拡張部を有する第1の拡張型半導体チップと、第1の拡張型半導体チップ上に搭載され、第1の半導体チップと電気的に接続された第2の半導体チップとを備え、第1の拡張型半導体チップは、拡張部の上に設けられ、第1の半導体チップの電極と電気的に接続された第1の拡張部電極パッドを有している。本開示の半導体装置において、拡張部は、第1の半導体チップの側面を覆う絶縁材料からなることが好ましい。本開示の半導体装置において、第1の拡張型半導体チップと、第2の半導体チップとは、バンプを介して接続されていてもよい。本開示の半導体装置は、上面に第1の拡張型半導体チップを搭載した配線基板をさらに備え、配線基板と第1の拡張型半導体チップとは接着層により接合され、第1の拡張部電極パッドは、配線基板の上面に形成された基板電極パッドと電気的に接続されていてもよい。本開示の半導体装置は、第1の拡張型半導体チップと配線基板との間挿入された、平板状の接合層をさらに備えていてもよい。本開示の半導体装置において、拡張部電極パッドと基板電極パッドとは、金属細線を介して接続されていてもよい。本開示の半導体装置は、第1の拡張型半導体チップ、第2の半導体チップ及び金属細線を封止する封止樹脂をさらに備えていてもよい。本開示の半導体装置は、第1の拡張型半導体チップを搭載するチップ搭載部とリードとを有するリードフレームをさらに備え、リードフレームと第1の拡張型半導体チップとは接着層により接合され、拡張部電極パッドは、リードと電気的に接続されていてもよい。本開示の半導体装置は、第1の拡張型半導体チップとチップ搭載部との間に挿入された、平板状の接合層をさらに備えていてもよい。本開示の半導体装置において、拡張部電極パッドとリードとは、金属細線を介して接続されていてもいよい。本開示の半導体装置は、第1の拡張型半導体チップ、第2の半導体チップ及びリードフレームを封止する封止樹脂をさらに備え、リードフレームは、封止樹脂の裏面から露出した外部接続端子を有していてもよい。本開示の半導体装置において、接合層は金属、ガラス又はシリコンとすればよい。本開示の半導体装置において、第1の拡張型半導体チップと第2の半導体チップとは、互いに対応する辺同士が並行して配置され、第1の拡張型半導体チップの一の辺の長さは、第2の半導体チップの対応する辺の長さよりも長い構成としてもよい。本開示の半導体装置において、第1の拡張型半導体チップと第2の半導体チップとは、互いに対応する辺同士が並行して配置され、第1の拡張型半導体チップの外縁部は、第2の半導体チップに覆われていない構成としてもよい。本開示の半導体装置において、第1の拡張型半導体チップの一の辺と、第2の半導体チップの対応する辺との間隔は500μm以上としてもよい。本開示の半導体装置において、第1の半導体チップと第2の半導体チップとは、互いに対応する辺同士が並行して配置され、第1の半導体チップの一の辺は、第2の半導体チップの対応する辺の長さよりも短くしてもよい。本開示の半導体装置において、第1の半導体チップと第2の半導体チップとは、互いに対応する辺同士が並行して配置され、第1の拡張型半導体チップの一の辺と、第2の半導体チップの対応する辺との間隔は500μm未満としてもよい。本開示の半導体装置において、拡張部と第1の半導体チップとの接合面は、凹凸を有していてもよい。本開示の半導体装置において、第1の半導体チップの、拡張部と接している側面は、傾斜角度が異なる複数の面を有していてもよい。本開示の半導体装置は、第3の半導体チップ及び該第3の半導体チップの側面から外方に拡張するように設けられた拡張部を有する第2の拡張型半導体チップと、配線基板とをさらに備え、第2の拡張型半導体チップは、配線基板の上面に接着層により接合され、第1の拡張型半導体チップは、第2の拡張型半導体チップの上に搭載され、第2の拡張型半導体チップの拡張部に形成された第2の拡張部電極パッドは、配線基板の上面に形成された基板電極パッドと電気的に接続されていてもよい。本開示の半導体装置によれば、複数の半導体チップを積層する際におけるサイズの大小関係の制約を解決すると共に、特別な配線を形成した半導体チップを使用する必要がない半導体装置を実現できる。半導体装置は、種々の態様をとることができる。例えば、本開示の半導体装置は、第1の半導体チップ及び該第1の半導体チップの側面から外方に拡張するように設けられた拡張部を有する第1の拡張型半導体チップと、第1の拡張型半導体チップ上に搭載され、第1の半導体チップと電気的に接続された第2の半導体チップと、拡張部の上に設けられ、第1の半導体チップの電極と電気的に接続された第1の拡張部電極パッドとを備えている構成にすることができる。半導体チップの外縁に拡張された拡張部を有する半導体チップを複数個半導体パッケージ上に搭載できる。半導体チップの外縁に拡張された拡張部のワイヤボンディング端子は複数列形成することができ、拡張部間の電気的接続をすることができる。積層された複数の半導体チップは、配線基板の代わりにリードフレームに搭載してもよい。この構成により、安価な材料で構成することが可能となる。半導体チップの外縁に拡張された拡張部は半導体チップ側面だけでなく半導体チップの上面及び下面の少なくとも一方を覆うように拡張することができる。半導体チップの外縁に拡張された拡張部と半導体チップとの境界面に凹凸を形成したり、半導体チップの側面を垂直方向に対して傾斜させることにより、半導体チップと拡張部との接合面積を大きくし、接合強度を高めることができる。ワイヤボンディング端子と半導体チップの電極とを電気的に接続するための配線層は半導体チップの全面に形成されていても、部分的に形成されていてもよい。また、第1の半導体チップを拡張するために、配線層と片面にワイヤボンディング端子を有する配線基板の互いに異なる面に第1の半導体チップ及び第2の半導体チップを搭載し、第1の半導体チップを覆うように樹脂により封止し、配線基板のワイヤボンディング端子を半導体パッケージの配線基板等とワイヤにより電気的に接続してもよい。配線基板を曲げに強いフレキシビリティのある配線基板で構成することにより、半導体チップ間の接続と半導体パッケージと半導体チップとの電気的接続に用いることができる。この場合、配線基板は半導体チップの全面を覆うようにしても、部分的に覆うようにしてもよい。また、片面にワイヤボンディング端子を配した再配線基板と、再配線基板に接続された半導体チップと、積層された半導体チップと、ボールを有する半導体パッケージ配線基板とを備えていてもよい。また、両面に半導体チップを搭載でき且つ片面にボンディング端子を有し、搭載する半導体チップよりもサイズが大きい再配線基板と、再配線基板に実装する複数の半導体チップと、半導体外部との接続をする半導体パッケージ配線基板とを備え、再配線基板の片側に半導体チップをバンプにより電気的に接続して樹脂により封止し、封止された再配線基板にバンプにより別の半導体チップを電気的に接続し、前記再配線基板のワイヤボンディング端子と半導体パッケージとがワイヤにより電気的に接続された構成としてもよい。例示した半導体装置によれば、CoC構造の半導体パッケージにおいて下側に配置される半導体チップのサイズよりも、上側に配置される半導体チップサイズの方が大きい場合にも、下側に配置される半導体チップと半導体パッケージ外部端子とをワイヤにより接続できる。また、積層される半導体チップに特別に半導体プロセスを用いて配線を行う必要がないため、積層する半導体チップが制限されないという利点が得られる。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る半導体装置積層半導体パッケージの断面構成を示している。拡張型半導体チップ31は、論理回路チップである第1のチップ6aと、その外縁部に樹脂により形成された拡張部1aとを有している。拡張部1aの上にはワイヤボンディング端子である拡張部電極パッド21aが形成されている。拡張部電極パッド21aは、再配線部2aを介して第1のチップ6aに設けられた電極と電気的に接続されている。拡張型半導体チップ31の上にはメモリチップである第2のチップ5が積層されている。拡張型半導体チップ31の一の辺と、第2のチップ5の対応する辺とが並行するように、拡張型半導体チップ31と第2のチップ5とは配置されている。拡張型半導体チップ31の平面サイズが、第2のチップ5の平面サイズよりも大きくなるように、拡張部1aは形成されている。具体的には、拡張型半導体チップ31の各辺の長さは、第2のチップ5の対応する辺の長さよりも長い。また、拡張型半導体チップ31の各辺の長さが、第2のチップ5のいずれの辺の長さよりも長い構成であってもよい。第1のチップ6aの上面に設けられた端子図示せずと、第2のチップ5の下面に設けられた端子図示せずとは、バンプ8を介して電気的に接合されている。通常は、第1のチップ6aの上面に形成された端子が、再配線部2a内に形成された配線を介して再配線部2aの上面に形成された端子と接続され、再配線部2aの上面に形成された端子とバンプ8とが接続されている。但し、再配線部2aは、第1のチップ6a及び拡張部1a上の全面に形成されている必要はない。拡張型半導体チップ31の中央部において、第1のチップ6aの上面が露出するようにし、第1のチップ6aの上に直接第2のチップ5を搭載してもよい。第2のチップ5と拡張型半導体チップ31との間にはアンダーフィル9bが注入されており、第2のチップ5と拡張型半導体チップ31との接合部は固定されている。拡張型半導体チップ31と第2のチップ5とが積層された積層チップは、接着層であるアンダーフィル9aにより配線基板7上に固定されている。配線基板7は、例えば樹脂基板であり、その上面には、ワイヤボンディングパッドである基板電極パッド3aが形成されており、拡張部電極パッド21aと基板電極パッド3aとはワイヤ4aにより電気的に接続されている。配線基板7の下面には、パッケージボール12aが形成されており、半導体装置の外部と電気的に接続することができる。積層チップは封止樹脂10により封止され、CoC型の積層半導体パッケージとなっている。なお、配線基板7に代えてリードフレーム等を用いることも可能である。図2は図1のA部分を拡大して示している。第1のチップ6aの上面には、第1のチップ6a中の種々の素子と電気的に接続された電極20が形成されている。第1のチップ6aの上面と拡張部1aの上面とを覆うように再配線22を有する再配線部2aが形成されている。拡張部1aの再配線部2aの上には拡張部電極パッド21aが形成されている。電極20と拡張部電極パッド21aとは再配線22により電気的に接続されている。このため、本実施形態の半導体装置は、積層する半導体チップの平面サイズに制限されることなく積層CoC構造を実現することができる。図2においては、再配線部2aは一層であるが、複数層形成されていてもよい。図1は、拡張型半導体チップが1つである例を示したが、図3に示すように、複数の拡張型半導体チップを積層してもよい。第1の拡張型半導体チップ31Aは、第1のチップ6aとその外縁部に樹脂により形成された拡張部1aとを有している。第1の拡張型半導体チップ31Aの上には、図1と同様にして第2のチップ5が積層されている。第1の拡張型半導体チップ31Aと第2のチップ5とは、第2の拡張型半導体チップ32の上に積層されている。第2の拡張型半導体チップ32は、第3のチップ6bと拡張部1bとを有している。第2の拡張型半導体チップ32の平面サイズが第1の拡張型半導体チップ31Aの平面サイズよりも大きくなるように、拡張部1bは形成されている。拡張部1bの上には拡張部電極パッド21bが形成されている。拡張部電極パッド21bは、第1の拡張型半導体チップ31Aと同様に再配線部2bを介して第3のチップ6bの電極と接続されている。第1の拡張型半導体チップ31Aと第2の拡張型半導体チップ32との界面にはアンダーフィル9cが注入されている。拡張部電極パッド21aと拡張部電極パッド21bとは、ワイヤ4cにより電気的に接続されている。拡張部電極パッド21bと配線基板7の上面に形成された基板電極パッド3aとは、ワイヤ4bにより電気的に接続されている。以上のような構成においても図1に示した構成と同様の効果を得ることができる。さらに、図3に示した構成においては平面サイズが同等又は異なる複数の半導体チップを積層の順序に制約を受けることなく積層して、積層型のCoC構造を実現することが可能となる。また、図4に示すように、拡張部電極パッド21a及び拡張部電極パッド21bとを、それぞれワイヤ4d及びワイヤ4bを介して、基板電極パッド3b及び基板電極パッド3aと接続してもよい。以上のような構成においても図1及び図3に示した構成と同様の効果を得ることができる。さらに、図4に示した構成においては拡張部にボンディングパッドの領域を多くとる必要がないという利点が得られる。図1は、拡張型半導体チップ31がアンダーフィル9aにより配線基板7と接合されている例を示したが、図5に示すように、拡張型半導体チップ31と配線基板7との間に平板状の接合層91を挿入してもよい。拡張型半導体チップ31と接合層91とを、接着材90により接合し、接合層91と配線基板7とをアンダーフィル9aにより接合すればよい。拡張型半導体チップ31と配線基板7との間に接合層91を挿入しても、図1に示した構成と同様の効果が得られる。また、金属等の伝熱性が高い材料からなる接合層91を挿入することにより、拡張型半導体チップ31において発生する熱を配線基板7及び封止樹脂10へ効率良く伝導し、半導体パッケージの外部へ放熱させることが可能となる。また、ガラス又はシリコン等の剛性が高い材料からなる接合層91を挿入することにより、半導体パッケージの反りを低減したり、拡張部にワイヤボンディングをする際の衝撃に対する耐久性を向上させることができる。第1のチップ6aの厚さが100μm以下の場合や、配線基板7の厚さが600μm以下の場合には特に大きな効果が得られる。なお、図3及び図4に示した構成において、第2の拡張型半導体チップ32と配線基板7との間に接合層91を挿入してもよい。また、第1の拡張型半導体チップ31Aと第2の拡張型半導体チップ32との間に接合層91を挿入してもよい。図1において、配線基板を用いたBGABallGridArrayパッケージの例を示したが、図6に示すように、拡張型半導体チップ31をリードフレームのダイパッド100の上に搭載し、外部電極であるリード101と拡張部1aの拡張部電極パッド21aとをワイヤ4aにより接続する構成としてもよい。このような構成においても、図1に示した構成と同様の効果を得ることができる。さらに図6に示す構成においては、配線基板よりも安価なリードフレームを用いるため半導体パッケージのコストを低減できる。また、図7に示すように拡張型半導体チップ31をリードフレームのダイパッド100の上に搭載し、半導体パッケージの裏面に外部電極102が設けられた構成としてもよい。この場合にも、図1及び図6に示した構成と同様の効果が得られる。なお、配線基板に代えてリードフレームを用いる場合にも、図3及び図4に示すような複数の拡張型半導体チップを有する構成としてもよい。また、拡張型半導体チップとダイパッドとの間に接合層を挿入する構成としてもよい。図1~図7において、第1のチップ6aの平面サイズが第2のチップ5よりも小さく、第1のチップ6aの辺の長さが第2のチップ5の辺の長さよりも短い例を示した。しかし、図8に示すように、第1のチップ6aが第2のチップ5よりも長い辺を有している場合にも、拡張部1aは有用である。拡張部1aを設けることにより、拡張型半導体チップ31の上面における第2のチップ5に覆われていない領域の面積を十分に確保することができる。下側の半導体チップの端子数は上側の半導体チップによって覆われていない領域の面積によって制限される。下側の半導体チップの面積と上側の半導体チップの面積との差が小さく、端子を形成する領域を十分に確保できない場合にも、拡張部1aを設けることにより必要とする端子数を確保することができる。また、上側の半導体チップの側端部と拡張型半導体チップの側端部との水平方向半導体チップの主面と平行な方向の距離は、ワイヤボンダーによりボンディングを行うことを考慮して、500μm以上とすることが好ましい。拡張部1aを設けることにより、上側に搭載する半導体チップの側端部と拡張型半導体チップの側端部との水平方向の距離を確保でき、ワイヤボンダーによるボンディングが容易となるという効果も得られる。第1のチップ6aのサイズが第2のチップ5のサイズと同一であっても同様である。図2においては、第1のチップ6aと拡張部1aとの界面が平坦である例を示したが、図9に示すように第1のチップ6aの側面を凹凸が形成された側面50aとし、拡張部1aとの界面に凹凸を形成してもよい。第1のチップ6aの側面に凹凸が形成されていることにより、拡張部1aの形成時に樹脂が第1のチップ6aと接合しやすくなり、吸着性を高めることが可能となる。また、界面に凹凸を形成するのではなく、図10に示すように第1のチップ6aの側面を上面に対して垂直ではなく、傾斜した側面50bとしてもよい。さらに、図10に示すように傾斜角度が異なる複数の傾斜面により形成されている構成としてもよい。このような構成とすることにより、第1のチップ6aと拡張部1aとの接触面積を大きくすることができる。特に、第1のチップ6aの厚さが薄い場合には有用である。さらに、図11に示すように、第1のチップ6aの下面を覆うような拡張部1dを形成してもよい。このような構成とすることにより、拡張部1dの形成が容易性となり、接合強度も高くすることができる。なお、第1のチップと拡張部との界面の構成例は、互いに組み合わせてもよい。例えば、第1のチップの側面に凹凸を設けると共に、拡張部が第1のチップの下面を覆うようにしてもよい。第1の拡張型半導体チップについて説明したが、複数の拡張型半導体チップを積層する場合には、他の拡張型半導体チップも同様の構成とすることができる。また、拡張型半導体チップを構成する半導体チップは、論理回路チップに限らず、他の種類のチップとしてもよい。拡張型半導体チップの上に積層する半導体チップもメモリチップに限らず、他の種類のチップとしてもよい。第2の実施形態図12は、第2の実施形態に係る半導体装置における、拡張型半導体チップ41の要部を拡大して示している。本実施形態の拡張型半導体チップ41は、論理回路チップである第1のチップ6aと第1のチップ6aの外縁部に形成された樹脂等からなる拡張部1eとを有している。第1のチップ6aの上面には第1のチップ6a中の種々の素子と電気的に接続された電極20が形成されている。第1のチップ6a及び拡張部1eの上を覆うように、上部配線基板80が形成されている。上部配線基板80の上には、拡張部電極パッド83が形成されている。拡張部電極パッド83と電極20とは基板配線82により電気的に接続されている。電極20と基板配線82とは、例えばバンプ図示せずを介して接続されている。本実施形態の半導体装置は、第1のチップ6aの電極20と拡張部1eの上に形成された拡張部電極パッド83とが、再配線に代えて基板配線82により接続されていることを特徴とする。図12においては、上部配線基板80には基板配線82が1層しか形成されていないが、基板配線が複数層形成されていてもよい。上部配線基板80の上には、図1と同様にしてメモリチップ等の第2のチップがバンプ等を介して積層されている。上部配線基板80のサイズは、第1のチップ及び第2のチップよりも大きい。拡張部電極パッド83は、配線基板に形成された基板電極パッドとワイヤ4aにより電気的に接続されている。上部配線基板80は、どのようなものでもよいが曲げに強いフレキシビリティのある配線基板が好ましい。また、上部配線基板80が第1のチップ6a及び拡張部1eの上を完全に覆っている必要はない。拡張部1eの上に形成された拡張部電極パッド83と第1のチップ6aの電極との間を電気的に接続できればよい。このため、拡張型半導体チップ41の中央部において、第1のチップ6aの上面が露出するようにし、第2のチップを第1のチップ6aの上に直接搭載するようにしてもよい。このような構成とすることにより、第1の実施形態の半導体装置と同様に、積層する半導体チップのサイズに制限を受けることなく、積層型のCoC構造を実現できる。また、配線基板を用いることにより、配線の層数を多くすることが容易にでき、特に多信号の接続が必要な場合に有用である。なお、本実施形態の半導体装置においても、複数の拡張型半導体チップを積層してもよい。この場合には、第1の実施形態の拡張型半導体チップと混在させてもよい。また、第1の実施形態と同様に拡張型半導体チップを構成する半導体チップと拡張部との界面に凹凸等を形成してもよい。第1及び第2の実施形態において、拡張部はチップの4辺すべてに設ける必要はなく、必要とする辺だけに設ける構成としてもよい。また、チップの複数の辺に拡張部を設ける場合には、拡張部の幅をすべて等しくする必要はない。例えば、第1のチップが平面長方形状であり、短辺の長さは上側に搭載する第2のチップの対応する辺の長さよりも短く、長辺の長さは第2のチップの対応する辺の長さよりも長い場合には、短辺を延長するように長辺側にのみ拡張部を設けてもよい。