複数のビア電極が形成されたセラミック基板と、前記セラミック基板の一面に形成され、前記ビア電極を露出させる複数の貫通ホールを含む絶縁層と、前記貫通ホールの内部に形成され、ビア電極と電気的に連結される接触パッドと、を含むプローブカード用セラミック基板。前記絶縁層は、セラミックまたはポリイミドを含む、請求項1に記載のプローブカード用セラミック基板。前記貫通ホールの高さは、20から30μmである、請求項1に記載のプローブカード用セラミック基板。前記接触パッドは、凹溝状を有するように形成される、請求項1に記載のプローブカード用セラミック基板。前記接触パッドは、メッキ方式またはスパッタリング方式により形成される、請求項1に記載のプローブカード用セラミック基板。前記接触パッドは、Ti、Cu、Ag及びNiからなる群より選択された1つ以上からなる、請求項1に記載のプローブカード用セラミック基板。複数のビア電極が形成されたセラミック基板を設ける段階と、前記セラミック基板の一面に絶縁層を形成する段階と、前記ビア電極が露出するように上記絶縁層に貫通ホールを形成する段階と、前記貫通ホールにビア電極と電気的に連結される接触パッドを形成する段階と、を含むプローブカード用セラミック基板の製造方法。前記貫通ホールを形成する段階は、前記絶縁層上にレジスト層を形成する段階と、前記ビア電極が形成された領域を除いた部分のレジストを硬化させる段階と、前記ビア電極が形成された領域のレジストと絶縁層を除去する段階と、前記硬化されたレジストを除去する段階と、を含む、請求項7に記載のプローブカード用セラミック基板の製造方法。前記貫通ホールは、レーザー方式により形成される、請求項7に記載のプローブカード用セラミック基板の製造方法。前記接触パッドは、凹溝状を有するように形成される、請求項7に記載のプローブカード用セラミック基板の製造方法。前記接触パッドは、スパッタリング方式またはメッキ方式により形成される、請求項7に記載のプローブカード用セラミック基板の製造方法。前記絶縁層は、セラミックまたはポリイミドを含む、請求項7に記載のプローブカード用セラミック基板の製造方法。前記貫通ホールの高さは、20から30μmである、請求項7に記載のプローブカード用セラミック基板の製造方法。前記接触パッドは、Ti、Cu、Ag及びNiからなる群より選択された1つ以上からなる、請求項7に記載のプローブカード用セラミック基板の製造方法。本発明の目的は、プローブカードとセラミック基板の接触性を向上させるために、プローブカードのインターポーザーinterposerとセラミック基板の接触パッド間の接触性を向上させることができるプローブカード用セラミック基板及びその製造方法を提供することである。本発明の一実施形態によるプローブカード用セラミック基板は、複数のビア電極が形成されたセラミック基板と、セラミック基板の一面に形成され、上記ビア電極を露出させる複数の貫通ホールを含む絶縁層と、貫通ホールの内部に形成され、ビア電極と電気的に連結される接触パッドとを含む。上記絶縁層はセラミックまたはポリイミドを含むことができる。上記絶縁層の厚さは20から30μmであることができる。上記接触パッドは凹溝状を有することができる。上記接触パッドは、メッキ方式またはスパッタリング方式により形成されることができる。上記接触パッドは、Ti、Cu、Ag及びNiからなる群より選択された1つ以上からなることができる。本発明の他の実施形態によるプローブカード用セラミック基板の製造方法は、複数のビア電極が形成されたセラミック基板を設ける段階と、セラミック基板の一面に絶縁層を形成する段階と、ビア電極が露出するように上記絶縁層に貫通ホールを形成する段階と、貫通ホールにビア電極と電気的に連結される接触パッドを形成する段階とを含む。上記貫通ホールを形成する段階は、絶縁層上にレジスト層を形成する段階と、ビア電極が形成された領域を除いた部分のレジストを硬化させる段階と、ビア電極が形成された領域のレジストと絶縁層を除去する段階と、硬化されたレジストを除去する段階とを含む。上記貫通ホールはレーザー方式により形成されることができる。上記接触パッドは凹溝状を有するように形成されることができる。上記接触パッドはスパッタリング方式またはメッキ方式により形成されることができる。上記絶縁層はセラミックまたはポリイミドを含むことができる。上記絶縁層の厚さは20から30μmであることができる。上記接触パッドはTi、Cu、Ag及びNiからなる群より選択された1つ以上からなることができる。本発明の一実施形態によると、印刷回路基板に形成されるインターポーザーとセラミック基板に形成された接触パッドの接触性が向上し、接触正確度を向上させることができるため、微細なパターンを含むプローブカードにも適用できるプローブカード用セラミック基板を提供することができる。これにより、正確、且つ信頼度の高いテストを行うことができるプローブカードを提供することができる。以下では、添付の図面を参照して本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に発明を実施できるように本発明の実施形態を詳しく説明する。しかし、本発明は様々な他の形態に具現されることができ、ここで説明する実施形態に限定されない。また、本発明を明確に説明するために、説明と関係のない部分は図面から省略し、明細書全体において、類似する部分に対しては類似する図面符号を用いる。明細書全体において、ある部分が他の部分上に位置するということは、ある層が異なる層に接している場合だけではなく、両層の間に異なる層が存在する場合も含む。また、ある部分がある構成要素を含むとは、特に反対する記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに含むことができるということを意味する。以下では、図1から図3を参照し、本発明の一実施形態によるプローブカード用セラミック基板及びその製造方法について説明する。図1は本発明の一実施形態によるプローブカード用セラミック基板を示す断面図であり、図2は本発明の一実施形態によるプローブカード用セラミック基板の製造方法を示す工程の流れ図であり、図3は本発明の一実施形態により、プローブカード用セラミック基板と印刷回路基板に形成されたインターポーザーが接触することを示す部分拡大図である。図1を参照すると、本発明の一実施形態によるプローブカードは、印刷回路基板200及びプローブカード用セラミック基板100を含み、上記印刷回路基板にはインターポーザー300が形成され、セラミック基板には複数のプローブ不図示が形成されることができる。印刷回路基板に形成されたインターポーザー300と連結されるために、セラミック基板には複数の接触パッド121、123、125が形成されることができる。これにより、探針状のインターポーザー300が接触パッドと接触されて連結されることができる。本発明の一実施形態によるプローブカード用セラミック基板は、複数のビア電極が形成されたセラミック基板10と、セラミック基板10の一面に形成され、上記ビア電極を露出させる複数の貫通ホールを含む絶縁層130と、貫通ホールの内部に形成され、ビア電極と電気的に連結される接触パッド121、123、125とを含む。上記セラミック基板10はHTCCHighTemperatureCofiredCeramics:高温同時焼成セラミック、またはLTCCLowTemperatureCofiredCeramics:低温同時焼成セラミックで製造されることができる。上記セラミック基板10は高い誘電率を有する物質で、内部に形成された複数の導電性ビア電極11、13、15、17、19を含むことができる。上記セラミック基板10は、印刷回路基板を通じてテスターに連結されることができ、また、セラミック基板10の一面に形成されたプローブにより上記ウェーハに形成された素子のテストが行われることができる。印刷回路基板はテスターと連結され、上記印刷回路基板200には複数のインターポーザー300が形成され、上記インターポーザー300がセラミック基板のビア電極を覆うように形成された接触パッド121、123、125と接触することで、印刷回路基板200とセラミック基板10が連結されることができる。また、セラミック基板10の一面にはビア電極11、13、15、17、19と連結されるパッド111、113、115が形成されることができ、パッドにはプローブが形成されてテストのために用いられることができる。本発明の一実施形態によると、上記接触パッド121、123、125はセラミック基板の一面に形成された絶縁層130に形成されることができる。上記絶縁層130にビア電極が露出するように貫通ホールを形成した後、上記貫通ホールの内部に接触パッド121、123、125を形成することができる。上記接触パッド121、123、125は凹溝状を有することができる。従って、貫通ホールの内部に形成された底面と側面を全て覆うように形成されることができる。最近では、半導体素子のピッチが狭くなり、ウェーハに形成される半導体素子の数が多くなることにより、プローブカードを構成する印刷回路基板に形成されるインターポーザー300の間隔も緻密になり、接触パッド121、123、125の間隔も緻密になることができる。また、既存のプローブカードでは、印刷回路基板とセラミック基板を組み立てた後、インターポーザー300とセラミック基板の接触時に、インターポーザーが接触パッドから外れる現象が発生する。そのため、インターポーザー300が正確な位置の接触パッド121、123、125と電気的に連結されることが非常に重要である。本発明の一実施形態による接触パッド121、123、125は、貫通ホールの内部に形成されるため、インターポーザー300との接触時に、貫通ホールが敷居の役割をし、インターポーザー300が外部に形成された異なる接触パッドと結合することを防止することができる。これにより、インターポーザー300と接触パッド121、123、125間の連結がより正確となる。本発明の一実施形態によると、上記接触パッド121、123、125が形成される上記絶縁層130はセラミックまたはポリイミドを含むことができる。絶縁性に優れ、製造が容易なセラミックまたはポリイミドで製造されることができ、貫通ホール及び接触パッド121、123、125を形成する工程をより容易にすることができる。また、貫通ホールの内部に接触パッド121、123、125を形成するため、接触パッド121、123、125が貫通ホールから外れることを防止することができる。また、上記接触パッド121、123、125は凹溝状を有することができる。そのため、インターポーザー300が貫通ホールの内部のある一地点と接触してもセラミック基板と印刷回路基板が連結されることができる。本発明の一実施形態によると、絶縁層の内部に形成された貫通ホールの高さが20から30μmであることができ、貫通ホールの内部に凹溝状の接触パッド121、123、125を形成する場合は、凹溝状の高さが20から30μmであることができる。上記貫通ホールの厚さが20μm未満では、インターポーザー300が貫通ホールの外に外れることがあり、30μmを超えると、セラミック基板10が過度に厚くなる。上記接触パッドはTi、Cu、Ag及びNiからなる群より選択された1つ以上からなることができる。また、上記のような金属をメッキ方式またはスパッタリング方式により塗布または付着し、接触パッドが貫通ホールの内部に形成された底面と側面を覆うように形成することができる。本発明の一実施形態によると、貫通ホールの内部に接触パッドを形成するため、インターポーザー300と接触パッドの接触性を向上させることができる。また、インターポーザー300が接触しようとする接触パッドと正確に接触し、セラミック基板と印刷回路基板間の接触正確性を向上させることができる。図2を参照し、本発明の他の実施形態によるプローブカード用セラミック基板の製造方法について説明する。本発明の他の実施形態によるプローブカード用セラミック基板の製造方法は、複数のビア電極が形成されたセラミック基板を設ける段階と、セラミック基板の一面に絶縁層を形成する段階と、ビア電極が露出するように上記絶縁層に貫通ホールを形成する段階と、貫通ホールにビア電極と電気的に連結される接触パッドを形成する段階とを含む。図2のaを参照すると、複数のビア電極11、13、15、17、19が形成されたセラミック基板10を設ける。上記セラミック基板はLTCC低温同時焼成セラミック、またはHTCC高温同時焼成セラミックで製造されることができる。本発明の一実施形態によると、一定の厚さと幅を有する低温焼成用誘電体の厚膜フィルムがロールに巻かれた形態で供給され、スリットslitting工程により厚膜フィルムに切断されて積層され、所望する厚さを有する積層体に形成されることができる。上記積層体にパンチング方式またはレーザー方式により適するサイズのビアホールを形成することができ、層間を電気的に連結するために、導電性ペーストでビアホールを充填し、複数のビア電極11、13、15、17、19を形成することができる。図2のaを参照すると、上記セラミック基板10の一面に絶縁層130を形成することができる。上記絶縁層130はビア電極を外部から絶縁するためのもので、セラミックまたはポリイミドで構成されることができる。上記セラミック基板のビア電極が露出した一面にセラミックまたはポリイミドを含むペースト状の物質を塗布して絶縁層130を形成することができる。図2のbを参照すると、上記絶縁層130に複数の貫通ホールH1、H3を形成することができる。上記貫通ホールは、レーザー加工法またはレジスト法により製造されることができる。また、上記貫通ホールは絶縁層130の内部に形成されたビア電極が露出するように形成されることができる。本発明の一実施形態によると、レーザーを用いてセラミック基板10上に形成された絶縁層130に貫通ホールH1、H3を形成することができる。レーザーを用いると、図2のbのように、貫通ホールの断面がセラミック基板10の方に向かうほど直径が小さくなるテーパーtaper状を有することができる。レーザーを用いると、貫通ホールの位置正確度を向上させることができ、さらには、複数の貫通ホールが均一な形状を有するようにすることができる。本発明の他の実施形態によると、レジスト法により上記貫通ホールを形成するために、絶縁層上にレジスト層を形成することができ、ビア電極が形成された領域を除いた部分のレジストを硬化させることができる。レジストの種類によって、光硬化性レジストを使用する場合は、光照射により所望する部分のレジストを硬化させることができ、熱硬化性レジストを使用する場合は、熱を加えて所望する部分のレジストを硬化させることができる。本発明の一実施形態によると、硬化されない部分である、ビア電極が形成された領域のレジストと絶縁層を除去して貫通ホールを形成することができ、その後、硬化されたレジストを除去して貫通ホールH1、H3が形成された絶縁層130を形成することができる。レジストを使用する場合は、円筒状の貫通ホールが形成されるため、後に、スパッタリング工程を適用して接触パッドを形成する際、均一な接触パッドを形成することができる。図2のcを参照すると、本発明の一実施形態によると、上記接触パッドは凹溝状を有するように形成されることができ、スパッタリング方式またはメッキ方式により形成されることができる。上記接触パッド121、123、125は、Ti、Cu、Ag及びNiからなる群より選択された1つ以上を含む物質がスパッタリング方式またはメッキ方式により貫通ホールの内部に付着または塗布されて形成されることができる。上記接触パッド121、123、125は、ビア電極11、13、15、17が露出するように形成された貫通ホール上に形成され、これによりビア電極121、123、125に電気的に連結されるように形成されることができる。本発明の一実施形態によると、上記接触パッドは凹溝状を有することができ、このため、インターポーザーが貫通ホールの側面と接触しても電気的に連結させることができる。本発明の一実施形態によると、上記接触パッド121、123、125は上記のような導電性物質を貫通ホールにスパッタリングする方式により形成されることも、貫通ホールに金属メッキする方式により形成されることもできる。本発明の一実施形態によると、上記貫通ホールH1、H3の高さまたは貫通ホールに形成された凹溝状の接触パッドの深さは20から30μmであることができる。即ち、これにより、貫通ホールの側壁や凹溝状の側壁は、インターポーザーが接触パッドから外れて異なる接触パッドと連結されることを防止することができる。また、一度接触された接触パッドが貫通ホールから外れ、電気的連結が切れることを防止することができる。図3を参照すると、本発明の一実施形態によるセラミック基板10は、貫通ホールの内部に形成される接触パッド121を含むため、インターポーザー300との接触性を向上させることができる。セラミック基板10とインターポーザー300が形成された印刷回路基板を連結するにおいて、接触パッド121は貫通ホールの内部に形成され、且つ凹溝状を有するように製造されるため、インターポーザー300が貫通ホールから外れて印刷回路基板とセラミック基板の連結が切れることを防止することができる。また、貫通ホールにより接触パッド121の位置を明確に区別するため、隣接する接触パッドにインターポーザー300が接触され、セラミック基板と印刷回路基板が間違って接続されることを防止することができる。従って、本発明の一実施形態によると、微細なパターンが形成された電子部品を検査する際、回路パターンの間隔が微細でも、正確な電気的接続を保障することができ、信頼性の高いテストを行うことができる電子部品用プローブカードを提供することができる。