複数の元素を含む薄膜を被処理体の表面に形成する太陽電池用の薄膜形成方法において、前記元素を含む原料溶液を電界により微粒子として処理空間に飛散させて、該飛散された前記微粒子を前記被処理体の表面に付着させて前記薄膜を形成するようにしたことを特徴とする太陽電池用の薄膜形成方法。前記被処理体は加熱されていることを特徴とする請求項1記載の太陽電池用の薄膜形成方法。前記薄膜は結晶性の薄膜であることを特徴とする請求項1又は2記載の太陽電池用の薄膜形成方法。前記膜中の前記複数の元素の原子比を異ならせることによって、形成される前記薄膜の導電型を選択することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の太陽電池用の薄膜形成方法。前記薄膜の形成後に、前記被処理体に温度が制御されたアニール処理を行うことにより前記薄膜の導電型を選択することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の太陽電池用の薄膜形成方法。前記処理空間は、100kV/m以上の電界強度になされていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の太陽電池用の薄膜形成方法。前記薄膜は、In0.5Ga0.5P、γ-In2Se3、In2S3、CuIn1-XGaXS、GaAs、CdTe、CuInS2、CuIn1-xGaxSe、Cu2ZnSnS4よりなる群から選択される1の薄膜であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の太陽電池用の薄膜形成方法。前記薄膜はCuInS2であり、前記被処理体の温度は250~305°Cの範囲内であり、前記原料溶液中の原子比Cu/Inは0.85~1.40の範囲内であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の太陽電池用の薄膜形成方法。前記薄膜はInとSeとを含み、前記被処理体の温度は235~280°Cの範囲内であり、前記原料溶液中の原子比Se/Inは1以上であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の太陽電池用の薄膜形成方法。前記薄膜はIn2S3であり、前記被処理体の成膜時の温度は275~350°Cの範囲内であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の太陽電池用の薄膜形成方法。前記薄膜はCu2ZnSnS4であり、前記被処理体の成膜時の温度は340~380°Cの範囲内であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の太陽電池用の薄膜形成方法。複数の元素を含む薄膜を被処理体の表面に形成する太陽電池用の薄膜形成装置において、処理空間に前記元素を含む原料溶液を供給する原料溶液供給手段と、前記被処理体を保持する保持手段と、前記被処理体を加熱する加熱手段と、前記保持手段と前記原料溶液供給手段との間に電圧を印加して電界により前記原料溶液を微粒子として飛散させるための電界用電源手段と、を備えたことを特徴とする太陽電池用の薄膜形成装置。前記原料溶液供給手段は、前記原料溶液を一時的に貯留するヘッダ部を有し、前記ヘッダ部には液出口を有するノズル部が設けられていることを特徴とする請求項12記載の太陽電池用の薄膜形成装置。前記原料溶液中には、前記複数の元素が混合されていることを特徴とする請求項12又は13記載の太陽電池用の薄膜形成装置。前記原料溶液供給手段は、前記ヘッダ部を複数個有し、前記各ヘッダ部には前記複数の元素の内のそれぞれ異なる元素を含む原料溶液が供給されていることを特徴とする請求項13記載の太陽電池用の薄膜形成装置。前記原料溶液供給手段は、前記ヘッダ部を複数個有し、前記各ヘッダ部には形成される前記薄膜の導電型を変えるために前記複数の元素の原子比が互いに異なる原料溶液を供給するようになっていることを特徴とする請求項13又は14記載の太陽電池用の薄膜形成装置。前記処理空間は、100kV/m以上の電界強度になされていることを特徴とする請求項12乃至16のいずれか一項に記載の太陽電池用の薄膜形成装置。複数の元素を含む薄膜を被処理体の表面に形成する太陽電池用の薄膜形成装置において、処理空間に前記元素を含む原料溶液を供給する原料溶液供給手段と、前記被処理体を保持する保持手段と、前記被処理体を加熱する加熱手段と、前記原料溶液供給手段の近傍に設けられた引出電極と、前記原料溶液供給手段と前記引出電極との間に電圧を印加して電界により前記原料溶液を微粒子として飛散させるための引出用電源手段と、を備えたことを特徴とする太陽電池用の薄膜形成装置。前記引出電極と前記保持手段との間には、前記原料溶液の微粒子を加速させるための加速用電源手段が接続されていることを特徴とする請求項18記載の太陽電池用の薄膜形成装置。前記原料溶液供給手段は、前記原料溶液を一時的に貯留するヘッダ部を有し、前記ヘッダ部には液出口を有するノズル部が設けられていることを特徴とする請求項18又は19記載の太陽電池用の薄膜形成装置。前記引出電極は、前記液出口の先端より前記保持手段側へ離間させた場所に位置された微粒子通過孔が形成されている電極本体を有することを特徴とする請求項20記載の太陽電池用の薄膜形成装置。前記電極本体は、少なくとも前記ノズル部の周囲を覆うように形成されていることを特徴とする請求項21記載の太陽電池用の薄膜形成装置。前記原料溶液中には、前記複数の元素が混合されていることを特徴とする請求項18乃至22のいずれか一項に記載の太陽電池用の薄膜形成装置。前記ヘッダ部は、複数個設けられると共に、前記複数のヘッダ部には、それぞれ前記電極本体が設けられることを特徴とする請求項21乃至23のいずれか一項に記載の太陽電池用の薄膜形成装置。前記各ヘッダ部には、前記複数の元素の内のそれぞれ異なる元素を含む原料溶液が供給されていることを特徴とする請求項24記載の太陽電池用の薄膜形成装置。前記各ヘッダ部には、形成される前記薄膜の導電型を変えるために前記複数の元素の原子比が互いに異なる原料溶液を供給するようになっていることを特徴とする請求項24記載の太陽電池用の薄膜形成装置。前記各電極本体は、共通に接続されて同一の電位になされていることを特徴とする請求項24乃至26のいずれか一項に記載の太陽電池用の薄膜形成装置。前記各ヘッダ部に対応させて定電流回路を設けるように構成したことを特徴とする請求項24乃至27のいずれか一項に記載の太陽電池用の薄膜形成装置。前記原料溶液供給手段と前記保持手段と前記加熱手段は、排気が可能になされた処理容器内に収容されていることを特徴とする請求項1乃至28のいずれか一項に記載の太陽電池用の薄膜形成装置。前記被処理体の温度を測定する温度測定手段と、前記温度測定手段の測定値に基づいて前記被処理体の温度を制御する温度制御部と、を有していることを特徴とする請求項1乃至29のいずれか一項に記載の太陽電池用の薄膜形成装置。前記保持手段と前記原料溶液供給手段とは、互いに相対移動可能になされていることを特徴とする請求項1乃至30のいずれか一項に記載の太陽電池用の薄膜形成装置。前記薄膜は、In0.5Ga0.5P、γ-In2Se3、In2S3、CuIn1-XGaXS、GaAs、CdTe、CuInS2、CuIn1-xGaxSe、Cu2ZnSnS4よりなる群から選択される1の薄膜であることを特徴とする請求項1乃至31のいずれか一項に記載の太陽電池用の薄膜形成装置。しかしながら、上述のように単なるスプレー塗装による成膜方法や塗布による成膜方法で形成された半導体薄膜は、液晶性がそれ程良好でないことから膜特性が良好ではない、といった問題点があった。本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明は、大気圧雰囲気下においても結晶性が良好な光電変換素子用の薄膜を形成することができる太陽電池用の薄膜形成装置及び薄膜形成方法である。請求項1に係る発明は、複数の元素を含む薄膜を被処理体の表面に形成する太陽電池用の薄膜形成方法において、前記元素を含む原料溶液を電界により微粒子として処理空間に飛散させて、該飛散された前記微粒子を前記被処理体の表面に付着させて前記薄膜を形成するようにしたことを特徴とする太陽電池用の薄膜形成方法である。上記のように構成することにより、原料溶液を電界により微粒子として飛散させて被処理体の表面に付着させて成膜するようにしたので、膜質特性が良好な結晶性の薄膜を形成することが可能となる。請求項12係る発明は、複数の元素を含む薄膜を被処理体の表面に形成する太陽電池用の薄膜形成装置において、処理空間に前記元素を含む原料溶液を供給する原料溶液供給手段と、前記被処理体を保持する保持手段と、前記被処理体を加熱する加熱手段と、前記保持手段と前記原料溶液供給手段との間に電圧を印加して電界により前記原料溶液を微粒子として飛散させるための電界用電源手段と、を備えたことを特徴とする太陽電池用の薄膜形成装置である。請求項18係る発明は、複数の元素を含む薄膜を被処理体の表面に形成する太陽電池用の薄膜形成装置において、処理空間に前記元素を含む原料溶液を供給する原料溶液供給手段と、前記被処理体を保持する保持手段と、前記被処理体を加熱する加熱手段と、前記原料溶液供給手段の近傍に設けられた引出電極と、前記原料溶液供給手段と前記引出電極との間に電圧を印加して電界により前記原料溶液を微粒子として飛散させるための引出用電源手段と、を備えたことを特徴とする太陽電池用の薄膜形成装置である。本発明に係る大陽電池用の薄膜形成装置及び薄膜形成方法によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。原料溶液を電界により微粒子として飛散させて被処理体の表面に付着させて成膜するようにしたので、膜質特性が良好な結晶性の薄膜を形成することができる。以下に、本発明に係る太陽電池用の薄膜形成装置及び薄膜形成方法の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図1は本発明に係る薄膜形成装置の第1実施例の一例を示す構成図、図2は原料溶液供給手段のノズル部を示す部分拡大断面図である。ここでは複数の元素を含む薄膜を形成する場合を例にとって説明する。この薄膜は太陽電池等の光電変換素子に用いられる。<第1実施例>図1に示すように、この薄膜形成装置2の第1実施例は、箱状になされた処理容器4を有している。尚、本発明の薄膜形成方法の成膜処理を大気圧雰囲気中で行う場合には、上記処理容器4を特に設ける必要はないが、侵入してくるパーティクル等を排除するためには処理容器4を設けるのが望ましい。この処理容器4は、成膜処理を大気圧雰囲気中で行う場合には、プラスチック等よりなる薄い樹脂板やアルミニウム板、アルミニウム合金板等の薄い金属板などの耐圧性を問題としない材料で構成することができ、成膜処理を減圧雰囲気真空雰囲気中で行う場合には、厚い樹脂板や厚いアルミニウム板、厚いアルミニウム合金板等の厚い金属板などの耐圧性が十分な材料で構成する。ここでは処理容器4の材料として金属板を用いた場合を例にとって説明する。上記処理容器4内の底部には、被処理体である基板6を保持する保持手段8が設けられる。上記基板6は、例えばガラス板や樹脂板等よりなる。そして、ここでは上記保持手段8として載置台10を有している。この載置台10は、基板6の形状に対応した形状になされており、基板6が円形の場合には円形になされ、基板6が矩形の場合には矩形状になされている。尚、基板6の形状に問わない。この載置台10の材料は、例えばアルミニウムやアルミニウム合金等の導電性のある金属よりなり、絶縁部材12を介して容器底部上に設置されている。また、この載置台10には、上記基板6を加熱するための加熱手段15が設けられている。この加熱手段15としては、例えばセラミックヒータやカーボンワイヤヒータ等の抵抗加熱ヒータが用いられており、載置台10の中に絶縁された状態でほぼ全面に亘って埋め込むようにして設けられている。また、この載置台10には、基板6を搬出入する際に、これを持ち上げ又は持ち下げるリフタピン14が設けられる。具体的には、上記載置台10、又は上記絶縁部材12及び容器底部には、ピン挿通孔16が上下方向へ向けて貫通させて形成されており、このピン挿通孔16内に上記リフタピン14が上下方向へ移動可能に挿通されている。そして、図示しないアクチュエータにより上記リフタピン14を昇降させることにより、上記リフタピン14を載置台10の上方へ出没させて基板6を持ち上げたり、持ち下げたりできるようになっている。このリフタピン14は、基板6の大きさに応じて複数本設けられる。尚、成膜処理を減圧雰囲気中で行う場合には、上記リフタピン14の容器底部の貫通部に、伸縮可能な金属製のベローズ図示せずを設けて、処理容器4内の気密性を維持する。また上記加熱手段15には、給電ライン18を介してヒータ電源20が接続されており、加熱電力を供給できるようになっている。またここでは、上記基板6の温度を測定する温度測定手段22が設けられている。具体的には、この温度測定手段22は、上記載置台10中の加熱手段15及び基板6に接近させて設けた熱電対24よりなり、この基板6の温度を測定できるようになっている。そして、この温度測定手段22は、例えばコンピュータ等よりなる温度制御部26に接続されており、この温度制御部26は、上記熱電対24による測定値に基づいて上記ヒータ電源20の出力を調整して基板6の温度を所望の温度に制御できるようになっている。また処理容器4の底部には、排気口28が設けられており、この排気口28には排気系30が接続されて処理容器4内の雰囲気を排気できるようになっている。具体的には、この排気系30は、上記排気口28に接続された排気通路32を有し、この排気通路32の途中には排気ポンプ34が介設されて排気を促進するようになっている。この場合、成膜処理を大気圧雰囲気中で行う場合には、上記排気ポンプ34を設けないで排気通路32を、工場内の排気を行う排気ダクトに直接的に連結するようにしてもよい。また成膜処理を減圧雰囲気中で行う場合には、上記排気ポンプ34として真空ポンプを用い、更にこの真空ポンプの上流側の排気通路32に圧力調整弁図示せずを設けて処理容器4内の圧力調整が可能となるようにする。また、処理容器4の側壁には、基板6の搬出入口36が形成されており、この搬出入口36には、開閉ドア38が設けられている。尚、成膜処理を減圧雰囲気中で行う場合には、上記開閉ドア38として気密に開閉されるゲートバルブを用いるのがよい。またこの処理容器4には、この処理容器4内へパージガスを流すパージガス導入手段40が設けられている。このパージガス導入手段40は、上記処理容器4の側壁に設けたガスノズル42を有しており、このガスノズル42にはガス通路44が接続されている。そして、このガス通路44には、マスフローコントローラのような流量制御器46及び開閉弁48が順次介設されており、パージガスとして例えばN2ガスを必要に応じて流量制御しつつ供給できるようになっている。このパージガスとしては、N2の他にHeやAr等の希ガスを用いることができる。そして、この処理容器4には、処理容器4内の基板6の上方である処理空間53に、成膜すべき薄膜の材料となる複数の元素を含む原料溶液を供給する原料溶液供給手段50が設けられると共に、この原料溶液供給手段50と上記保持手段8である載置台10との間に電圧を印加して処理空間53に電界を形成する電界用電源手段52が設けられている。具体的には、上記原料溶液供給手段50は、上記原料溶液を一時的に貯留するヘッダ部54を有している。このヘッダ部54は、例えばアルミニウムやアルミニウム合金等の導電性の金属材料により筒体状に成形されており、容器天井部に絶縁部材60を介して取り付けられている。あるいはヘッダ部54は、外壁が金属材料により成形され、内壁は耐薬品性の高いガラスやプラスチック等で成形された二重構造の筒体であってもよい。図2にも示すように、ヘッダ部54の先端部は内径が絞り込まれて先端にはノズル部56が設けられている。このノズル部56は、例えば細長い中空の円筒状に成形されており、その下端は液出口58となって、後述するようにこの液出口58より上記原料溶液を電界により微粒子として下方向に向けて飛散させるようになっている。上記ノズル部56の内径Hは、原料溶液の材料や粘度や濃度又はノズル部56の設置方向等によって異なるが、この原料溶液が液滴状になって滴下しないような大きさ、例えば0.1~0.35mm程度の範囲内であり、好ましくは0.22~0.26mm程度の範囲内である。このノズル部56も例えばアルミニウムやアルミニウム合金等の導電性の金属材料により成形されている。尚、上記ヘッダ部54やノズル部56を耐腐食性の高い導電性樹脂、例えばPEEK商品名により形成してもよい。上記ヘッダ部54には、原料溶液62を貯留する原料貯留槽64に延びる原料通路66が接続されており、上記原料貯留槽64内に導入される加圧気体により上記原料溶液62を所定の圧力で上記ヘッダ部54に向けて圧送し得るようになっている。また、上記原料通路66の途中には、液体用のマスフローコントローラのような流量制御器68及び開閉弁70が順次介設されており、必要に応じて上記原料溶液62を流量制御しつつヘッダ部54に向けて供給できるようになっている。ここでは上記原料溶液62としては、元素として例えばCu、In、Sを含む原料溶液が用いられ、後述するように半導体の薄膜としてCuInS2膜を成膜するようになっている。一方、上記電界用電源手段52は、電圧調整可能になされた電界用電源部72よりなり、この電界用電源部72は、配線73を介して上記ヘッダ部54とこの下方に位置する載置台10との間に電圧を印加して上記処理空間53に電界を形成するようになっている。この電界用電源部72としては、例えば直流電圧やパルス電圧を用いることができ、原料溶液62の飛散を行うことが可能であるような周波数であるならば、交流電圧も用いることができる。この電界用電源手段52は、ノズル部56から原料溶液62を霧状に引き出して微粒子として飛散させる機能と飛散された微粒子を載置台10側へ加速させる機能とを有す。ここで、上記ノズル部56と基板6との間の距離は特に限定されずに基板6の大きさにもよるが、例えば基板6の直径が10cm程度の時には10~20cm程度である。また、電界用電源部72の出力は、例えば10~30kV程度である。このように構成された薄膜形成装置2の全体の動作は、例えばコンピュータ等よりなる装置制御部80により制御されるようになっており、この動作を行うコンピュータのプログラムは、記憶媒体82に記憶されている。この記憶媒体は、例えばフレキシブルディスク、CDCompactDisc、ハードディスク、フラッシュメモリ或いはDVD等よりなる。具体的には、この装置制御部80からの指令により、プロセス圧力の制御減圧雰囲気での成膜の場合、原料溶液62の供給圧力、供給流量の制御、電界用電源部72の出力電圧の制御等が行われる。尚、ここでは載置台10とヘッダ部54とを固定的に設けているが、両者を相対的に移動させてもよく、例えば載置台10に図示しない回転機構を設けて、これを回転させるようにしてもよい。次に、以上のように構成された本発明の薄膜形成装置を用いて行われる本発明の薄膜形成方法について説明する。まず、処理容器4の側壁に設けた開閉ドア38を開き、そして図示しない搬送アームに保持された未処理の基板6が、搬出入口36を介して処理容器4内へ搬入される。そして、保持手段8である載置台10に設けたリフタピン14を昇降させて載置台10の上面に出没させることにより、上記基板6を上記リフタピン14で受け取り、これを載置台10上に載置する。次に、ヒータ電源20より載置台10に設けた加熱手段15に電力を供給して載置台10の全体を加熱し、これによって載置台10上に載置していた基板6を所定のプロセス温度まで加熱してこの温度を維持する。また、パージガス導入手段40より処理容器4内にパージガスとしてN2ガスを流しつつ排気系30の排気ポンプ34も駆動して成膜時に発生するガス等の処理容器4内の雰囲気を排気する。ここでは、成膜処理は例えば大気圧雰囲気中で行うことから、排気ポンプ34はそれ程強力に排気する必要はない。そして、原料溶液供給手段50を駆動して、原料貯留槽64から原料溶液62を圧送し、これを流量制御器68で流量制御しつつヘッダ部54へ供給する。これと同時に電界用電源手段52の電界用電源部72を動作してヘッダ部54及びノズル部56と載置台10との間に例えば直流電圧を印加することにより処理空間53に電界を発生させる。これにより、上記ヘッダ部54のノズル部56の下端部の液出口58から僅かずつ流出する原料溶液62は、電界に引っ張られて微粒子となって霧状に飛散し、この微粒子は電荷を帯びて反対側の電極である載置台10に向けて加速され、この載置台10の表面、すなわち基板6の表面にスプレー状に降り注ぐことになる。この結果、基板6の表面に上記原料溶液62の微粒子が膜状に付着すると共に加熱により原料原子が基板6上で移動して、結晶性の半導体の薄膜が形成されることになる。このような成膜方法を、いわゆる静電スプレー法と称す。<CuInS2薄膜の形成>ここで用いられる原料溶液としては、薄膜を構成する元素の塩化物等を溶媒に溶解させて形成する。具体的には、薄膜としてCuInS2よりなる半導体薄膜を形成する場合には、例えば元素Cuの塩化物であるCuCl2と、元素Inの塩化物であるInCl3と元素Sの化合物であるチオ尿素SCNH22とを混合して溶媒に溶解させて上記原料溶液62を形成する。ここでは溶媒として例えばアルコール類のエタノールを用いることができる。ここでプロセス条件としては、プロセス圧力はほぼ大気圧で行ったが、これに限定されず、前述したように減圧雰囲気真空雰囲気中で行ってもよい。また基板6の温度は、250~305°Cの範囲内であり、温度が250°Cよりも低い場合には薄膜が結晶化するにはエネルギーが足りず、また305°Cよりも高い場合には、薄膜中の硫黄分であるSが蒸発してしまって目的とする結晶膜を形成することができない。また原料溶液62中のCuとInの原子比Cu/Inは、0.85~1.40の範囲内に設定する。この原子比が、0.85よりも小さい場合及び1.40よりも大きい場合には、目標とするエネルギーギャップを有する結晶薄膜を作ることができない。また上記原子比Cu/Inを変化させることによって形成される半導体薄膜の導電型をコントロールすることができ、後に詳しく説明するように、例えば原子比Cu/Inが1以下の場合にはn型半導体となり、1よりも大きい場合にはp型半導体となる。尚、イオウ分は不足すると結晶性の薄膜はできないが、過剰に加えてもこのイオウ分は成膜中に蒸発してしまうので、特に問題はなく、従って、イオウ分は原子比で上記CuやInの例えば1.5~5倍程度加えておくのがよい。また処理空間53に形成する電界の強さは、100kV/m以上に設定するのがよく、これよりも電界が弱い場合には原料溶液62が十分に霧状になって飛散しなくなり、成膜ができなくなってしまう。以上のように、原料溶液を電界により微粒子として飛散させて被処理体の表面に付着させて成膜するようにしたので、膜質特性が良好な結晶性の薄膜を形成することができる。特に、成膜処理を大気圧雰囲気中で行うようにすれば、薄膜形成装置自体を真空耐圧仕様にする必要がなくなるので、その分、装置コスト及び設備コストを大幅に削減することができる。<CuInS2薄膜の評価>次に、先に説明したCu、In、Sを含む混合状態の原料溶液を用いて実際に図1及び図2に示す装置を用いてCuInS2薄膜を形成して各種の特性を測定したので、その評価結果について図3を参照して説明する。図3はCuInS2薄膜の評価結果を示すグラフであり、図3Aは成膜時の基板温度とX線回折強度との関係を示すグラフ、図3Bは原子比Cu/Inとエネルギーギャップとの関係を示すグラフ、図3Cは原子比Cu/Inと導電型及び抵抗率との関係を示すグラフである。ここでは、原料としてCuの塩化物であるCuCl2とInの塩化物であるInCl3と硫黄Sの化合物であるチオ尿素とを用いて、これらを溶媒であるエタノールに溶解させ、原料溶液を作製した。まず、成膜時の基板温度を230~325°Cまで変化させてCuInS2薄膜を作製した。この時の原料溶液中の原子比Cu/Inは1.2であり、また、イオウの原子比S/CuInは2.0とした。この時に形成した薄膜をX線回折装置で分析したので、その結果を図3Aに示す。尚、図3A中には、横軸に沿って結晶面がカッコ内に示されている。図3Aに示すように、基板温度が230°Cの場合には、X線のピークがほとんど見られないことから、薄膜がほとんど結晶化していないことが判る。また、基板温度が325°Cの場合には、結晶面112においてX線のピークが見られるが、これは非常に僅かであり、十分であるとはいえない。これに対して、基板温度が250~305°Cの範囲内では、結晶面112においていずれも強いX線ピークが表れており、良好な半導体の結晶膜が形成されていることが判る。次に、原料溶液62中の原子比Cu/Inを種々変更して、形成される薄膜のエネルギーギャップを測定した。上記原子比Cu/Inは、ここでは0.8~1.5まで変化させた。この時の基板温度Tsは270°Cであり、イオウの原子比S/CuInは2.0とした。この時の結果を図3Bに示す。図3Bでは横軸に原子比Cu/Inをとっており、縦軸にエネルギーギャップをとっている。図3Bに示すように、原子比Cu/Inが0.85~1.40までは、エネルギーギャップは1.44~1.47eVの範囲内に入っており、結晶膜として特性が良好であることが判った。これに対して、原子比Cu/Inが0.8の場合及び1.5の場合には、エネルギーギャップ自体が生ぜずグラフ中には値が示されていない、膜質特性が劣っていることが判った。次に、原料溶液中の原子比Cu/Inを種々変更して、形成される薄膜の抵抗率及び半導体の導電型について測定した。上記原子比Cu/Inは0.8~1.2まで変化させた。またこの時の基板温度Tsは270°Cであり、イオウの原子比S/Inは10に設定した。この時の結果を図3Cに示す。図3Cでは横軸に原子比Cu/Inをとり、縦軸に抵抗率をとっている。図3Cから明らかなように、抵抗率に関しては、全て10-1~100Ωcmの範囲内で良好であることが判る。そして、原子比Cu/Inが1以下の場合には、形成された半導体薄膜の導電型はn型であり、原子比Cu/Inが1よりも大きい場合にはp型であることが判る。これにより、原子比Cu/Inを調整することにより、形成される半導体薄膜の導電型を自由にコントロールできることが判る。尚、この薄膜にSnやZn或いはGeなどをドープすることによってもn型のCuInS2Sn、Zn、Ge膜を形成することができる。<γ-In2Se3薄膜の評価>次に、先に説明したCuInS2膜に代えて、実際に図1及び図2に示す装置を用いてIn2Se3膜よりなる半導体薄膜を作製して各種の特性を測定したので、その評価結果について図4及び図5を参照して説明する。図4はInSe含有膜の評価結果を示すグラフであり、図4Aは成膜時の温度基板とX線回折強度との関係を示すグラフ、図4Bは成膜時の基板温度とエネルギーギャップとの関係を示すグラフである。図5はInSe含有膜の電子顕微鏡写真である。ここでは原料としてInの塩化物であるInCl3とSeの化合物であるN-Nジメチルセレノ尿素C3H8N2Seとを用いて、これらをエタノールに溶解させて原料溶液を作製した。まず、成膜時の基板温度を200°C~300°Cまで変化させてInSe含有膜を作製した。この時の原料溶液中の原子比Se/Inは2.0とした。この時に形成した薄膜をX線回折装置で分析したので、その結果を図4Aに示す。図4A中において各InSe含有膜には結晶面が併記されており、またグラフ中の右側にはX線ピーク値の倍率が記載されている。図4Aに示すグラフに明らかなように、基板温度が200°Cの場合には目的とする薄膜ではないInSe膜101面と110面が形成され、また215°Cの場合にも目的とする薄膜ではないInSe膜101面と110面が形成されている。また基板温度が300°Cの場合には、目的とするγ-In2Se3膜0006が形成されてはいるが、非常に僅かであり、結晶性が十分ではない。これに対して、基板温度が235~280°Cの範囲内においては全てにおいて目的とするγ-In2Se3膜0006が十分に結晶化されて形成されており、良好な特性結果を示していることが判る。また、このγ-In2Se3膜の導電型はn型であった。この場合、基板温度250~265°Cの範囲内がX線のピーク値が高いので、特に好ましいことが判る。図5は、基板温度が200~280°Cの範囲で成膜した時の電子顕微鏡写真を示しており、特に最も良好な基板温度の範囲内にある250°Cの場合と265°Cの場合に、六方晶系であるγ-In2Se3結晶の特徴である六角形の形状が明確に且つ明瞭に視認できることが判る。次に、InとSeとの原子比Se/Inを種々変更しながら、成膜時の基板温度を変化させた時の膜質特性を測定した。その結果を図4Bに示す。ここでは、InとSeとの原子比Se/Inを1.5、2.0及び3.0に種々変更している。図4Bに示すグラフから明らかなように、基板温度が215°Cよりも低い場合には、エネルギーギャップがほぼ1.87eVであり、目的としていない構造のIn2Se3結晶膜が形成されている。これに対して、基板温度が235°C~280°C300°Cのデータは無しの場合には、原子比Se/Inの値に関係なく、エネルギーギャップがほぼ1.95eVであり、目的としているγ-In2Se3結晶膜が形成されており、良好な結果が得られることが判る。この場合のγ-In2Se3膜の導電型はn型であった。また、上述のようにして形成したγ-In2Se3結晶膜の導電膜について成膜後にアニール処理を行った結果、アニール温度に依存して、その導電型を制御することができた。すなわち前述のように、成膜されたγ-In2Se3結晶膜の導電型はn型であり、そして、アニール温度が320°Cよりも低い場合にはn型が維持されていたが、これに対して、アニール温度を320°C以上にした場合には、導電型はn型からp型に変化させることができた。これにより、γ-In2Se3結晶膜の半導体膜を生成した後に、n型の導電型を維持するには、アニール処理を行わないか、或いはアニール処理をしても所定の温度、例えば320°Cより低い温度で行えばよいし、導電型をp型へ変換させるには所定の温度、例えば320°C以上の温度でアニール処理を行えばよく、結果的に導電型を自由に選択できることが判る。換言すれば、温度が制御されたアニール処理を行うことにより上記半導体膜の導電型を選択することができる。<In2S3薄膜の評価>次に、実際に図1及び図2に示す装置を用いてIn2S3膜よりなる半導体薄膜を作製して各種の特性を測定したので、その評価結果について図6及び図7を参照して説明する。図6及び図7はInS含有膜の評価結果を示すグラフである。図6Aは成膜時の基板温度とX線回折強度との関係を示すグラフ、図6Bは成膜時の基板温度とX線スペクトルの半値幅との関係を示すグラフ、図7Aは成膜時の基板温度と抵抗率との関係を示すグラフ、図7Bは成膜時の基板温度とエネルギーギャップとの関係を示すグラフである。ここでは、原料として前述したと同様にInの塩化物であるInCl3とSの化合物であるチオ尿素とを用い、両者を混合して溶媒エチルアルコールに溶解させて上記原料溶液を形成した。ここでプロセス条件としてはプロセス圧力はほぼ大気圧で行った。まず、成膜時の基板温度を200~400°Cまで変化させてIn2S3薄膜を作製した。この時の原料溶液中の原子比S/Inは2.0とした。この時に形成した薄膜をX線回折装置で分析したので、その結果を図6Aに示す。尚、図6A中には結晶面が併記されている。図6Aに示すように、基板温度が200°C及び250°Cの場合には、X線のピークがほとんど見られないことからIn2S3薄膜がほとんど成膜していないことが判る。また基板温度が400°Cの場合には、結晶面0012においてX線のピークが見られるが、これは非常に僅かであり、十分であるとはいえない。これに対して、基板温度が275~350°Cの場合には、結晶面0012においていずれも強いX線のピークが現れており、良好な半導体の結晶膜が形成されていることが判る。また、上記X線回折時のX線スペクトルの半値幅を求めて、その結果が図6Bに示されている。図6Bに示すように、基板温度が200°C、250°C及び400°Cの場合は半値幅が大きくて良好ではない。これに対して、基板温度が275~350°Cの範囲では半値幅が小さくて結晶性が良好であり、特に、基板温度300~350°Cの範囲では半値幅が小さいので結晶性が良好であることが判る。この結果、In2S3薄膜の成膜時には、基板温度を275~350°Cの範囲内、より好ましくは300~350°Cの範囲内に設定するのがよいことが判る。確認のために上記したInS含有薄膜の抵抗率及びエネルギーギャップを測定しており、その結果を図7A及び図7Bに示す。上記抵抗率の測定は、薄膜に光を照射した場合と光照射無しの場合の両者について行った。図7Aに示すように、成膜温度を275°Cから400°Cへ上昇するに従って抵抗率は次第に低下しており、また、光照射無しの場合よりも光照射有りの場合の方が抵抗率が低くなっていることが判る。この結果より、光照射が行われると、正孔が発生すると共に電子が流れることが確認できた。尚、基板温度が400°Cの場合は抵抗率はかなり小さくなっており、これは加熱によりイオウが過度に抜けたものと推測される。また、図7Bに示すように、エネルギーギャップについては、各薄膜のエネルギーギャップの測定値は、In2S3の理論値である2.64eVにほぼ近い値になっており、成膜温度に依存することなくほぼ適正なエネルギーギャップを有していることが判る。尚、基板温度が275°Cの場合はエネルギーギャップは2.68eV程度であり、また基板温度が400°Cの場合はエネルギーギャップは2.57eV程度であるが、これは誤差範囲内である。<Cu2ZnSnS4薄膜の評価>次に、実際に図1及び図2に示す装置を用いてCu2ZnSnS4膜よりなる半導体薄膜を作製して各種の特性を測定したので、その評価結果について図8及び図9を参照して説明する。図8及び図9はCuZnSnS含有膜の評価結果を示すグラフである。図8Aは成膜時の基板温度とX線回折強度との関係を示すグラフ、図8Bは成膜時の基板温度とX線スペクトルの半値幅との関係を示すグラフ、図9Aは成膜時の基板温度と抵抗率との関係を示すグラフ、図9Bは光エネルギーと薄膜の光吸収係数との関係からエネルギーギャップを求める時の状態を示すグラフである。ここでは、原料として前述したと同様にCuの塩化物であるCuCl3とZnの塩化物であるZnCl2とSnの塩化物であるSnCl2とSの化合物であるチオ尿素とを用い、これらを混合して溶媒エチルアルコールに溶解させて上記原料溶液を形成した。ここでプロセス条件としては大気中で行った。まず、成膜時の基板温度を320~440°Cまで変化させてCu2ZnSnS4薄膜を作製した。この時の原料溶液中の原子比Cu:Zn:Sn:S=2:1:1:10とした。この時に形成した薄膜をX線回折装置で分析した結果を図8Aに示す。尚、図8A中には結晶面が併記されている。図8Aに示すように、基板温度が320°C、420°C~440°Cの場合には、X線のピークがほとんど見られないことからCu2ZnSnS4薄膜がほとんど成膜していないことが判る。また基板温度が400°Cの場合には、結晶面112においてX線のピークが見られるが、これは非常に僅かであり、十分であるとはいえない。これに対して、基板温度が340~380°Cの場合には、結晶面112においていずれも強いX線のピークが現れており、特に、基板温度が360°C及び370°Cの場合にはX線ピークが特に強く現れており、良好な半導体の結晶膜が形成されていることが判る。また、上記X線回折時のX線スペクトルの半値幅を求めて、その結果が図8Bに示されている。図8Bに示すように、基板温度が340°C及び400°Cの場合は半値幅が大きくてあまり良好ではない。これに対して、基板温度が360~380°Cの範囲では半値幅が小さくて結晶性が良好であることが判る。この結果、Cu2ZnSnS4薄膜の成膜時には、基板温度を340~380°Cの範囲内、より好ましくは360~370°Cの範囲内に設定するのがよいことが判る。確認のために上記したCuZnSnS含有薄膜の抵抗率及びエネルギーギャップを測定しており、その結果を図9A及び図9Bに示す。上記抵抗率の測定は、薄膜に光を照射しない場合について行った。図9Aに示すように、成膜温度を320°Cから420°Cへ上昇するに従って抵抗率は次第に低下していることが判る。尚、基板温度が400°C及び420°Cの場合は抵抗率はかなり小さくなっており、これは加熱によりイオウが抜け、イオウ空位がドナーとして働いたものと推測される。また、図9Bに示すように、エネルギーギャップについては、各薄膜のエネルギーギャップグラフ中の横軸との交点の測定値は、Cu2ZnSnS4の理論値である1.40eVにほぼ近い値になっており、成膜温度に依存することなくほぼ適正なエネルギーギャップを有していることが判る。尚、図9中のαは薄膜の光吸収係数であり、エネルギーギャップは、薄膜に照射する光の振動数と光吸収係数αとの関係より求めている。<原料溶液供給手段の第1変形実施例>次に、原料溶液供給手段の第1変形実施例について説明する。先の実施例では原料溶液は、形成すべき薄膜に含まれる複数の各元素が混合された原料溶液を用いたが、これに限定されず、これらの各元素を個別に溶解した原料溶液や一部の複数の元素を混合して溶解した原料溶液を用いるようにしてもよい。この場合には、原料溶液供給手段に関しては原料溶液の種類に応じた数のヘッダ部を設けるようにする。図10はこのような原料溶液供給手段のヘッダ部の第1変形実施例を示す図である。尚、図10では図1及び図2に示す構成部分と同一構成部分については同一参照符号を付しており、また図10で記載していない部分は、図1及び図2に示す構成と同様に形成されている。図10に示すように、ここでは原料溶液供給手段50として複数のヘッダ部54、図示例では3個のヘッダ部54A、54B、54Cを集合させて設けており、各ヘッダ部54A~54Cに、それぞれ原料通路66A、66B、66Cを接続している。そして、各原料通路66A~66Cに個別に異なる原料溶液を流量制御しつつ供給し、各ノズル部56A、56B、56Cよりそれぞれの原料溶液を電界により霧状に飛散させるようになっている。この場合、例えば原料通路66AにはCuCl2の原料を溶媒エタノールに溶解してなる原料溶液を流し、原料通路66BにはInCl3の原料を溶媒エタノールに溶解してなる原料溶液を流し、原料通路66Cにはチオ尿素の原料を溶媒エタノールに溶解してなる原料溶液を流すようにする。ここで、各原子比の制御は、各原料溶液の供給料を個別に制御すればよい。この場合にも、先に説明した実施例と同様な作用効果を発揮することができる。<原料溶液供給手段の第2変形実施例>次に原料溶液供給手段の第2変形実施例について説明する。先に説明したCuInS2膜の成膜方法では、原料溶液は原子比Cu/Inが特定された1種類の原料溶液しか薄膜形成装置に用いていないので、1つの成膜工程ではp型かn型の1種類の導電型の薄膜しか生成することができなかった図3C参照。そこで、ここでは複数のヘッダ部を設けてそれぞれに原子比の異なる原料溶液を供給し、この原料溶液を切り換えて供給できるようにすることにより、p型の薄膜とn型の薄膜を1つの成膜工程で連続的に形成することが可能となる。図11はこのような原料溶液供給手段のヘッダ部の第2変形実施例を示す図である。尚、図11では図1及び図2に示す構成部分と同一構成部分については同一参照符号を付しており、また図11で記載していない部分は、図1及び図2に示す構成と同様に形成されている。図11に示すように、ここでは図10に示す場合と同様に原料溶液供給手段50として複数のヘッダ部54、図示例では2個のヘッダ部54A、54Bを集合させて設けており、各ヘッダ部54A、54Bに、それぞれ原料通路66A、66Bを接続している。そして、各原料通路66A、66Bに個別に異なる原子比Cu/Inの原料溶液を流量制御しつつ供給し、各ノズル部56A、56Bより選択的に原料溶液を電界により霧状に飛散させるようになっている。ここで、各原料通路66A、66Bに介設した開閉弁70A、70Bを切り替えて上記各原料溶液を選択的に飛散させる。この場合、例えば原料通路66Aには、n型の半導体の薄膜が形成されるように原子比Cu/Inが調整された原料溶液Sを含むを流し、原料通路66Bには、p型の半導体の薄膜が形成されるように原子比Cu/Inが調整された原料溶液Sを含むを流し、両原料溶液を選択的に処理空間に供給することにより、n型のCuInS2薄膜とp型のCuInS2薄膜とを選択的に且つ連続的に形成することができる。この場合にも、先に説明した実施例と同様な作用効果を発揮することができる。<原料溶液供給手段の第3変形実施例>次に原料溶液供給手段の第3変形実施例について説明する。以上説明した原料溶液供給手段50では、1つのヘッダ部54に1つのノズル部を設けた場合を例にとって説明したが、これに限定されず、1つのヘッダ部54に複数のノズル部56を設けるようにしてもよい。図12はこのような原料溶液供給手段の第3変形実施例を示す図であり、図12Aは正面図を示し、図12Bは下面図を示す。尚、図12では図1及び図2に示す構成部分と同一構成部分については同一参照符号を付しており、また図12で記載していない部分は、図1及び図2に示す構成と同様に形成されている。図12に示すように、ここでは原料溶液供給手段50のヘッダ部54は中空円板状に形成されており、その下面側にほぼ全面に亘ってノズル部56が設けられている。このようなヘッダ部54は、基板6の形状が円形の場合に用いるのがよく、基板6の表面全体に均一に霧状の原料溶液を付着させて、形成される薄膜の厚さの面内均一性を向上させることができる。なお基板形状が多角形の場合には、同じ形状をした中空多角形状のヘッダ部54を用いてもよい。<原料溶液供給手段の第4変形実施例>また、先の第3変形実施例では、ヘッダ部54は中空円板状に形成したが、これに限定されず、図13に示す第4変形実施例のように構成してもよい。図13Aは斜視図を示し、図13Bは下面図を示す。尚、図13では図1及び図2に示す構成部分と同一構成部分については同一参照符号を付しており、また図13で記載していない部分は、図1及び図2に示す構成と同様に形成されている。図13に示すように、ここではヘッダ部54は、横方向に細長く形成されており、下端部を除くと断面がほぼ5角形状になされている。そして、このヘッダ部54の下端部に、その長手方向に沿って複数のノズル部56がほぼ等間隔で形成されている。このようなヘッダ部54は、基板6が横方向に長い矩形状になされている場合には都合がよい。例えばヘッダ部と基板とが相対移動可能になされており、図示しないスキャナ機構によってヘッダ部54がその長さ方向と直交する方向である矢印84に示す方向基板の長さ方向に沿って移動することにより、効率的に成膜処理を行うことが可能となる。<原料溶液供給手段の第5変形実施例>また、先の第4変形実施例では、ヘッダ部54の下端部に複数の断面円形のノズル部56を形成したが、これに限定されず、図14に示す第5変形実施例のように構成してもよい。図14Aは斜視図を示し、図14Bは下面図を示す。尚、図14では図1及び図2に示す構成部分と同一構成部分については同一参照符号を付しており、また図14で記載していない部分は、図1及び図2に示す構成と同様に形成されている。図14に示すように、ここでは先の第4変形実施例と同様にヘッダ部54は、横方向に細長く形成されており、下端部を除くと断面がほぼ5角形状になされている。そして、このヘッダ部54の下端部に、その長手方向に沿って細長いスリット状の液出口58を有するノズル56が形成されている。そして、この細長いスリット状の液出口58から原料液体が電界によって霧状に飛散されるようになっている。このようなヘッダ部54は、先の第4変形実施例と同様に基板6が横方向に長い矩形状になされている場合には都合がよい。例えばヘッダ部と基板とが相対移動可能になされており、図示しないスキャナ機構によってヘッダ部54がその長さ方向と直交する方向である矢印84に示す方向基板の長さ方向に沿って移動することにより、効率的に成膜処理を行うことが可能となる。<薄膜形成装置の第2実施例>次に本発明に係る薄膜形成装置の第2実施例について説明する。図15は本発明に係る薄膜形成装置の第2実施例の一例を示す構成図、図16は原料溶液供給手段のノズル部の近傍を示す部分拡大断面図である。尚、図1及び図2に示す構成部分と同一構成部分については同一参照符号を付して、その説明を省略する。先に図1等を参照して説明した薄膜形成装置にあっては、ヘッダ部54の下端のノズル部56と保持手段8との間に大きな電圧を印加して電界を形成することにより原料溶液を霧状に微粒子として引き出して加速させるようにしたが、これに限定されず、この第2実施例で説明するように原料溶液の霧状の引き出しと微粒子の加速とを別々に行うようにしてもよいし、或いは霧状の引き出しは行って微粒子の加速は行わないようにしてもよい。図15に示すように、この第2実施例の薄膜形成装置2では、原料溶液62を供給する原料溶液供給手段50の近傍に導電体よりなる引出電極112を設け、この引出電極112と原料溶液供給手段50との間に電圧を印加するための引出用電源手段114を設けている。具体的には、図16にも示すように、上記引出電極112は、上記ノズル部56の先端の液出口58の先端より下方へ、すなわち保持手段8側へ離間させた場所に配置された微粒子通過孔116が形成された電極本体118を有している。この電極本体118は、少なくとも上記ノズル部56の周囲を覆うように形成されている。ここでは、この電極本体118は、ノズル部56とヘッダ部54の一部の側面を囲むように円筒体状に成形された電極本体側面部118Aと、この下端部に接続されて中央部に上記微粒子通過孔116が形成された電極本体下面部118Bとにより形成されている。これにより、ノズル部56の液出口58がこの真下に位置する微粒子通過孔116を介して処理空間53を臨むようになっている。上記ヘッダ部54と円筒体状の電極本体側面部118Aの上部との間には、絶縁部材60が介設されて、これらが一体的に取り付けられており、このヘッダ部54と引出電極112とで1つの溶液射出ユニット120を形成している。また上記電極本体側面部118Aは、絶縁部材122を介して処理容器4の天井部に取り付け固定されている。ここで、微粒子通過孔116の直径H2は、例えば0.5mm程度、微粒子通過孔116と液出口58との間の距離H3は、例えば0.5mm程度に設定されている。また、電極本体118の高さは32mm程度、直径は30mm程度であるが、これらの寸法には特に限定されない。この引出電極112の材料は、導電体としてアルミニウムやアルミニウム合金等の金属を用いるが、前述したような耐腐食性の高い導電性樹脂、例えばPEEK商品名を用いてもよい。上記引出用電源手段114は、引出用電源部124を有し、配線126を介して上記ヘッダ部54と引出電極112との間に引き出し用の電圧を印加するようになっている。これにより、ヘッダ部54のノズル部56の先端と電極本体下面部118Bとの間に大きな電界が発生して、液出口58から微粒子通過孔116に向けて原料溶液62を引き出して飛散させるようになっている。この引出用電源部124は、電圧調整可能になされており、例えば最大10kVの電圧を出力できるようになっている。この引出用電源部124は、例えば直流電圧やパルス電圧を用いることができ、原料溶液62の飛散を行うことが可能であるような周波数であるならば、交流電圧も用いることができる。また、引出用電源部124とヘッダ部54とを接続する配線126の途中には定電流回路128が介設されており、ヘッダ部54に流す電流を一定にすることによりノズル部56からの原料溶液62の飛散量を一定にできるようになっている。また、この定電流回路128は、飛散量をコントロールするために装置制御部80からの指示により電流値を制御できるようになっている。尚、この定電流回路128は省略するようにしてもよい。また、上記引出電極112と保持手段8との間には原料溶液の微粒子を加速するための加速用電源手段130が接続されている。具体的には、この加速用電源手段130は、加速用電源部132を有し、配線126、134を介して上記引出電極112と保持手段8とに接続されている。これにより、引出電極112と保持手段8との間に電界を発生させて、上記微粒子通過孔116を通過して処理空間53に入ってくる微粒子を下方向に向けて加速できるようになっている。この加速用電源部132は、電圧調整可能になされており、例えば最大20kVの電圧を出力できるようになっている。この加速用電源部132としては、例えば直流電圧やパルス電圧や交流電圧を用いることができる。ここで、引出用電源部124と加速用電源部132として直流電圧を用いる場合には、両者の極性が同方向になるように接続するのは勿論である。尚、上記引出用電源部124の電圧で飛散した微粒子の速度が十分に得られるのであれば、上記加速用電源手段130を設けないで省略してもよい。また、この装置での引出電極112の下端と保持手段8である載置台10の上端との間の距離は、例えば1~10cm程度である。次に、以上のように構成された薄膜形成装置の第2実施例の動作について説明する。ここでも減圧雰囲気中及び大気圧雰囲気中のどちらでも成膜でき、また引き出し用電圧の印加の仕方を除いて基本的動作は先の第1実施例の場合と同じである。この第2実施例では、引出用電源部124からの電圧がヘッダ部54と引出電極112との間に印加されると、ヘッダ部54のノズル部56の先端と引出電極112の電極本体下面部118Bとの間で大きな電界が発生してノズル部56の先端に電界集中が生じ、このノズル部56の下端の液出口58より原料溶液62が引き出されて飛散して微粒子状態となる。この時、ノズル部56と引出電極112との間に印加される電圧は、例えば1~10kV程度である。上記飛散した微粒子は飛散しつつ電極本体下面部118Bに設けた微粒子通過孔116を通過して処理空間53内へ拡散されて行く。そして、処理空間53に通る微粒子は、加速用電源部132により上記引出電極112と載置台10との間に印加されている加速用電圧による電界により下方へ、すなわち載置台10側へ向けて更に加速されつつ拡散されて行き、載置台10上の基板6の表面に付着して薄膜を形成することになる。この時、引出電極112と保持手段8との間に印加される電圧は、例えば0~20kV程度である。ここで薄膜の成膜レートを制御するには、ヘッダ部54に印加される引出電圧やここに流れる引出電流を調整すればよい。従って、この第2実施例の場合にも、図1等を参照して説明した先の第1実施例と同様な作用効果を発揮することができる。尚、この第2実施例でも、先に第1実施例で説明した種々の変形例及び図10乃至図13において説明した種々の変形実施例を適用できるのは勿論である。<変形実施例>次に、原料溶液供給手段と引出電極との変形実施例について説明する。図17は原料溶液供給手段と引出電極との変形実施例を示す部分拡大図である。尚、図15及び図16に示す構成部分と同一構成部分については同一参照符号を示している。先の第2実施例では、ヘッダ部54と引出電極112とよりなる溶液射出ユニット120は、処理容器4の天井部に1つしか設けていなかったが、これに限定されず、図17に示す変形実施例のように複数個設けるようにしてもよい。図17では4つの溶液射出ユニット120を設けるようにしているが、この個数は特に限定されない。図17に示すように、ここではヘッダ部54と引出電極112とよりなる溶液射出ユニット120を4個設けている。この場合、上記各引出電極112、すなわち電極本体118は、配線140によって互いに共通に接続されて同一の電位になされている。また、各ヘッダ部54は、配線126から延びる各配線142により並列に接続されており、各配線142に定電流回路128が介設されている。この場合にも、図15及び図16を参照して説明した第2実施例と同様な作用効果を発揮することができる。また、この変形実施例では設けたヘッダ部54の数が増加した分だけ成膜レートも向上させることができる。更には、各ヘッダ部54に対してそれぞれ1つの引出電極112を対応させて設けた構造になっているので、複数の溶液射出ユニット120を設けても、図15に示すように1つの溶液射出ユニット120を設けた場合と同様にノズル部56の先端には電界集中が生じ易くなっている。このため、第1実施例の薄膜形成装置に複数のヘッダ部を設けたときには原料溶液の引き出しのために過大な高電圧を必要とするが、本変形実施例の場合には第2実施例1つの溶液射出ユニットをもつと同じ電圧で原料溶液を引き出すことができる。この複数の溶液射出ユニット120は、直線状に並べて設けてもよいし、或いは、円形状や方形状のような一定のエリアに集合させて面状に設けてもよい。尚、ここでは引出電極112の電極本体118として円筒状の電極本体側面部118Aと電極本体下面部118Bとにより形成したが、これに限定されず、円筒状の電極本体側面部118Aを省略して設けず、電極本体下面部118Bだけを設けて、4つの電極本体下面部118Bを横方向に連結するようにして一枚の導電板を設け、この導電板に、上記液出口58の直下に対応させて微粒子通過孔116を形成するように構成してもよい。<光電変換素子の一例>次に、以上のような薄膜形成方法で生成された半導体結晶の薄膜を用いた光電変換素子の構造について説明する。図18は光電変換素子の構造の一例を示す概略断面図である。図18Aに示す場合には、例えば太陽電池として有効な光電変換素子である。この光電変換素子は、基板6上に、下部電極90、p型のCuInS2膜92、n型のCuInS2膜94、p型のγ-In2Se3膜96、n型のγ-In2Se3膜98及び透明電極100を順次形成して全体が構成されている。上記膜92、94とでボトムセルを構成し、上記膜96、98とでトップセルを構成している。基板6は前述したようにガラス板等よりなり、下部電極90は例えばモリブデンにより形成されている。また、透明電極100は酸化亜鉛ZnOやITOインジウムすず酸化物により形成されている。また、図18Bに示す場合には、例えば太陽電池として有効な光電変換素子である。この光電変換素子は、基板6上に、下部電極90、p型のCuInS2膜102、n型のCuInS2膜104、p型のγ-In2Se3膜106、n型のγ-In2Se3膜108、n型のIn2S3膜110及び透明電極100を順次形成して全体が構成されている。上記膜102、104とでボトムセルを構成し、上記膜106~110とでトップセルを構成している。基板6は前述したようにガラス板等よりなり、下部電極90は例えばモリブデンにより形成されている。また、透明電極100は酸化亜鉛ZnOやITOインジウムすず酸化物により形成されている。また、図18Cに示す場合には、例えば太陽電池として有効な光電変換素子である。この光電変換素子は、基板6上に、下部電極90、p型のCuInS2膜102、n型のCuInS2膜104、n型のIn2S3膜110及び透明電極100を順次形成して全体が構成されている。基板6は前述したようにガラス板等よりなり、下部電極90は例えばモリブデンにより形成されている。また、透明電極100は酸化亜鉛ZnOやITOインジウムすず酸化物により形成されている。尚、以上の各実施例において、原料溶液を形成する溶媒としてはエタノールを用いた場合を例にとって説明したが、これに限定されない。溶媒としては、水、エタノールやメタノールを含むアルコール、有機溶媒、芳香族系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒等も用いることができる。また、上記各実施例では、形成する薄膜としてCuInS2膜及びIn2Se3膜を主として成膜する場合を例にとって説明したが、これに限定されない。例えば上記薄膜は、In0.5Ga0.5P、γ-In2Se3、In2S3、CuIn1-XGaXS、GaAs、CdTe、CuInS2、CuIn1-xGaxSe、Cu2ZnSnS4よりなる群から選択される1の薄膜を形成する場合に、本発明を適用することができる。特に、前述したようにIn2S3膜を形成する場合は、基板温度は275~350°Cの範囲内、好ましくは300~350°Cの範囲内がよい。またCu2ZnSnS4膜を形成する場合には、基板温度は340~380°Cの範囲内、好ましくは360~370°Cの範囲内がよい。また上記実施例では、原料溶液供給手段50のヘッダ部54を上方に配置し、その下方に基板6を保持した載置台10保持手段8を配置したが、原料溶液は重力に関係なく電界によって飛散されるので、上記した位置関係に限定されない。例えば上記した位置関係を上下逆に対向配置してもよく、或いは横方向水平方向である水平方向に対向配置してもよく、更には鉛直方向に対して斜め方向に対して斜め方向になるように対向配置するようにしてもよい。