露光波長の光を発する光源部と、照明の形状を可変に構成された照明光学系部、及び、マスクのパターン像を感光性基板上に形成する投影光学系を備えた露光装置であって、前記投影光学系の瞳面を通過する光の一部を遮蔽する中心遮蔽と、一端側を介して前記中心遮蔽と繋がり、前記中心遮蔽から放射状に延伸するスポークと、前記スポークの他端側と繋がり、前記中心遮蔽及び前記スポークを支持する支持部材と、を有する遮蔽部材が前記瞳面近傍に位置し、前記遮蔽部材は、前記中心遮蔽の中心を前記中心遮蔽と垂直に通過する軸を回転軸として、回転可能に支持されている露光装置。請求項1に記載の露光装置において、前記中心遮蔽の平面形状は、回転対称形状である露光装置。請求項3に記載の露光装置において、前記中心遮蔽の平面形状は、円形である露光装置。請求項1から3のいずれか1項に記載の露光装置において、前記スポークは4本であり、平面視で隣り合う2本の前記スポークどうしは90度の角をなす露光装置。請求項4に記載の露光装置において、前記遮蔽部材の回転角度は45度に制限されている露光装置。請求項4または5に記載の露光装置において、露光に用いる照明には二重極照明と四重極照明とが含まれ、前記二重極照明を45度回転させると、前記二重極照明の2つの照明領域の中心どうしを結ぶ線と、前記四重極照明の4つの照明領域の中心どうしを結んで形成される四角形の対角線のいずれかとが、略平行になる露光装置。請求項1から6のいずれか1項に記載の露光装置において、露光波長は1nm以上20nm以下である露光装置。請求項1から7のいずれか1項に記載の露光装置を用いて、感光性基板上にマスクのパターン像を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。請求項1から7のいずれか1項に記載の露光装置を用いた半導体装置の製造方法であって、露光に用いる照明形状を選択する第1工程と、前記第1工程の後、選択した前記照明形状に応じて、前記遮蔽部材を所定角度回転させる第2工程と、前記第2工程の後、露光を行い、感光性基板上にマスクのパターン像を形成する第3工程を有する半導体装置の製造方法。請求項1から7のいずれか1項に記載の露光装置を用いて、感光性基板上にマスクのパターン像を形成する工程を有するパターン形成方法。請求項1から7のいずれか1項に記載の露光装置を用いたパターン形成方法であって、露光に用いる照明形状を選択する第1工程と、前記第1工程の後、選択した前記照明形状に応じて、前記遮蔽部材を所定角度回転させる第2工程と、前記第2工程の後、露光を行い、感光性基板上にマスクのパターン像を形成する第3工程を有するパターン形成方法。図8に示すように、中心遮蔽500と繋がったスポーク510を用いて中心遮蔽500を支持する場合、スポーク510が不要にEUV光を遮蔽してしまい、ウエハ400面上での照度の低下や、光学像の劣化を招く恐れがある。本発明者は、特に、以下のような場合に、当該不都合が顕著になることを発見した。最近の露光装置では、解像性能を高めるために、変形照明という手法がよく使われている。これは、マスクに入射する光を特定の方向からの光のみに制限することで、転写パターンの解像性を向上させる手法である。変形照明の代表的な例としては、輪帯照明、二重極照明、四重極照明等がある。短波長光源を用いる中心遮蔽500を備えた露光装置において、照明領域を小さく絞ったこれらの変形照明を用いる場合、EUV光がスポーク510により遮蔽されると、変形照明を用いない場合に比べて、EUV光全体におけるスポーク510で遮蔽された光の割合は相対的に大きくなり、照度低下や光学像劣化の度合いは大きくなってしまう。本発明によれば、露光波長の光を発する光源部と、照明の形状を可変に構成された照明光学系部、及び、マスクのパターン像を感光性基板上に形成する投影光学系を備えた露光装置であって、前記投影光学系の瞳面を通過する光の一部を遮蔽する中心遮蔽と、一端側を介して前記中心遮蔽と繋がり、前記中心遮蔽から放射状に延伸するスポークと、前記スポークの他端側と繋がり、前記中心遮蔽及び前記スポークを支持する支持部材と、を有する遮蔽部材が前記瞳面近傍に位置し、前記遮蔽部材は、前記中心遮蔽の中心を前記中心遮蔽と垂直に通過する軸を回転軸として、回転可能に支持されている露光装置が提供される。また、本発明によれば前記露光装置を用いて、感光性基板上にマスクのパターン像を形成する工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。また、本発明によれば前記露光装置を用いて、感光性基板上にマスクのパターン像を形成する工程を有するパターン形成方法が提供される。本発明によれば、照明形状や転写パターンのレイアウトに応じて遮蔽部材を回転させることで、スポークによってEUV光が遮蔽される不都合を軽減することができる。本発明によれば、ウエハ面上での照度低下や光学像劣化の度合いを軽減することができる。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号およびハッチングを付し、適宜説明を省略する。図1に、本実施形態の露光装置の一例を模式的に示す。図示するように本実施形態の露光装置は、EUV光を発する光源部不図示及び照明アパーチャー10を有する照明光学系部と、複数の反射型ミラー33及び34と、中心遮蔽50、スポーク51及び支持部材52を含む遮蔽部材と、EUVマスク20を保持するマスク保持部不図示と、ウエハ40を保持するウエハ保持部不図示とを有する。そして、一部の反射型ミラーと遮蔽部材は筺体60内に位置する。筺体60は、筺体60内へのEUV光の入射、及び、筺体60内からのEUV光の出射が可能に構成されている。例えば、筺体60には、EUV光の通路となる穴が設けられている。このような筺体60の構成は特段制限されず、従来のあらゆる技術を利用することができる。複数の反射型ミラー33及び34、マスク保持部、ウエハ保持部の構成は特段制限されず、従来のあらゆる技術を利用することができる。すなわち、反射型ミラーの数、及び、配置方法等は図示するものに限定されず、設計的事項である。EUV光を発する光源の構成は特段制限されず、従来のあらゆる技術を利用することができる。光源が発する光の波長は、例えば1nm以上20nm以下である。照明アパーチャー10は、発する光の形状を可変に構成されている。変形照明の例としては、例えば、図3Aに示すような二重極照明12が考えられる。この二重極照明12では、円形の互いに分離した2つの照明領域が形成される。この2つの照明領域は、各照明領域の中心同士を結ぶ線分の中心が、照射対象全域例えば、図中最大円で囲まれた斜線のハッチングがなされた領域の中心にくるように位置している。変形照明のその他の例としては、例えば、図2Aに示すような四重極照明11が考えられる。この四重極照明11では、円形の互いに分離した4つの照明領域が形成される。この4つの照明領域は、各照明領域の中心を結ぶと1つの正方形が形成されるよう位置し、当該正方形の中心が、照射対象全域例えば、図中最大円で囲まれた斜線のハッチングがなされた領域の中心にくるように位置している。なお、図2及び3に示す照明領域の形状円形はあくまで一例であり、当該形状は特段制限されない。参考までに、図4A及び図5Aに、照明領域の形状が円形と異なる四重極照明13を示す。変形照明のその他の例としては、図示しないが輪帯照明等が考えられる。本実施形態の照明アパーチャー10が実現する変形照明の形状は特段制限されないが、少なくとも、二重極照明12及び四重極照明11を実現可能に構成される。照明領域の形状は特段制限されない。なお、照明アパーチャー10は、輪帯照明等その他の形状を実現できてもよい。照明アパーチャー10から発せられる二重極照明12及び四重極照明11の平面視での位置関係は、次のようになっている。すなわち、図2A及び図3Aに示すように、そのままの状態照明アパーチャー10から発せられる際の状態では、二重極照明12の2つの照明領域の中心どうしを結ぶ線と、四重極照明11の4つの照明領域の中心どうしを結んで形成される四角形の対角線のいずれかとが、平行になることはない。そして、二重極照明12を、2つの照明領域の中心同士を結ぶ線分の中心を紙面に対して垂直に通る軸を回転軸として45度回転させると、二重極照明12の2つの照明領域の中心どうしを結ぶ線と、四重極照明11の4つの照明領域の中心どうしを結んで形成される四角形の対角線のいずれかとが、略平行になる。このような照明アパーチャー10は、従来技術に準じて実現することができる。中心遮蔽50は、瞳面を通過するEUV光の一部を遮蔽する。例えば、中心遮蔽50は、瞳面を通過するEUV光の束の中の、略中心付近のEUV光を遮蔽する。中心遮蔽50は、平面形状が回転対称形状になるよう構成される。回転対称形状としては、例えば円形などが考えられる。このような中心遮蔽50は、従来技術に準じて実現することができる。スポーク51は、例えば棒状に構成され、一端側を介して中心遮蔽50と繋がり、他端側を介して支持部材52と繋がる。スポーク51は、EUV光をできるだけ透過させ、かつ、中心遮蔽50を保持可能な強度を要求される。このようなスポーク51を実現する材料は従来技術に準じたあらゆるものを採用できる。スポーク51の本数は特段制限されないが、本実施形態では4本とする。スポークの太さは、4本のスポーク51で中心遮蔽50を保持できる範囲で、可能な限り細くするのが好ましい。4本のスポーク51は、図1に示すように、平面視で、隣り合う2本のスポーク51どうしが90度の角をなすよう構成される。支持部材52は、スポーク51と繋がり、スポーク51及び中心遮蔽50を保持する。支持部材52の平面形状は特段制限されないが、例えば、回転対称形状であってもよい。支持部材52の材料についても特段制限されないが、スポーク51及び中心遮蔽50を保持可能なものとする。このような中心遮蔽50、スポーク51及び支持部材52を含む遮蔽部材は、中心遮蔽50の中心を、中心遮蔽50と垂直図1において、紙面と垂直に通過する軸を回転軸として、回転可能に支持されている。当該回転を実現する構成は特段制限されず、例えば、モータ等を利用して自動で回転可能に構成してもよい。モータ等を利用して自動で回転する例としては、例えば、図1に示すように、筺体60内で回転可能に支持された遮蔽部材に回転レバー53を接続し、回転レバー53の一端を、筺体60の外部に突出させておく。図6は、遮蔽部材支持部材52、回転レバー53及び筺体60の関係を示す断面模式図である。図6に示すように、回転レバー53は、一端が遮蔽部材支持部材52と接続している。そして、回転レバー53は、筺体60の側面に設けられた穴を通過し、他端が筺体60の外部に突出している。当該状態で、回転レバー53の先端にモータ等の駆動部を接続し、図中、紙面と垂直な方向に円弧を描くように移動させることで、遮蔽部材を回転させるよう構成されてもよい。次に、本実施形態の露光方法について、図7のフローチャートを用いて説明する。本実施形態の露光方法は、本実施形態の露光装置を用い、感光性基板ウエハ40上にEUVマスク20のパターン像を形成する工程を有する。例えば、まず、パターン等に応じて、露光に用いる照明形状を選択変更する第1工程:S10。ここでは、図3Aに示す二重極照明12を選択したとする。次に、選択した照明形状に応じて、遮蔽部材を所定角度回転させる第2工程:S20。具体的には、遮蔽部材のスポーク51が、照明領域と重ならないように、遮蔽部材を回転させる。ここでは、遮蔽部材を回転させて図3Bに示す状態とする。なお、遮蔽部材の状態があらかじめ図3Bに示す状態となっている場合には、当該工程を省略することができる。その後、遮蔽部材の状態を維持したまま、露光を行う第3工程:S30。すなわち、図3A及びBに示すような二重極照明12及び遮蔽部材の状態を維持したまま、露光を行う。かかる場合、スポーク51が照明領域と重なる不都合を軽減できる。次に、第1工程で、図2Aに示すような四重極照明11を選択したとする。かかる場合、第2工程では、図3Bに示す遮蔽部材を所定角度、例えば45度回転させて、図2Bに示す状態とする。その後、遮蔽部材の状態を維持したまま、露光を行う第3工程。すなわち、図2Aに示すような四重極照明11、及び、図2Bに示す遮蔽部材の状態を維持したまま、露光を行う。かかる場合、スポーク51が照明領域と重なる不都合を軽減できる。次に、図4及び5を用いて、本実施形態の変形例を説明する。本変形例では、図4A及び図5A両方の変形照明を実現する。すなわち、照明領域を所定角度、回転例えば45度移動可能に構成されている。そして、例えば、露光処理の際、パターン形状に応じて、1ショットに対して2種類の照明条件図4A及び図5Aで計2回の二重露光を行うことができる。かかる場合の露光方法は、例えば以下のようなものである。ここでは、二重露光を行うものとする。まず、図4Aに示すような四重極照明13を選択し第1工程、遮蔽部材を必要に応じて回転させて図4Bに示す状態とした後第2工程、当該状態を維持したまま、1回目の露光を行う第3工程。かかる場合、スポーク51が照明領域と重なる不都合を軽減できる。次に、露光に用いる照明形状を、図5Aに示すような四重極照明13に変更する第1工程。その後、図4Bに示す遮蔽部材を所定角度例:45度回転させて図5Bに示す状態とした後第2工程、当該状態を維持したまま、2回目の露光を行う第3工程。かかる場合、スポーク51が照明領域と重なる不都合を軽減できる。以上説明してきたように、本実施形態によれば、照明形状や転写パターンのレイアウトに応じて遮蔽部材を回転させることで、スポーク51によってEUV光が遮蔽される不都合を軽減することができる。この結果、転写パターンのLWRLinewidthroughnessが小さくなる効果や、あるいは露光裕度が広がる効果が期待できる。また転写パターンの忠実度が向上する効果も期待できる。すなわち、光学像の劣化を最小限に抑えることができる。なお、上記では、二重極照明及び四重極照明の場合を例に説明したが、輪帯照明を用いる場合でも、転写パターンのレイアウトに応じてスポーク位置を変更することで、解像しにくい箇所の露光裕度を広げることが出来る。また、本実施形態の場合、遮蔽部材の回転角度を45度に制限することもできる。このように回転角度、すなわち遮蔽部材の動きの自由度を制限することで、露光装置の投影光学系の機械的強度を高めて精度劣化を抑制することができる。なお、露光装置の構成が、1図1に示すように4本のスポーク51で中心遮蔽50を支持し、24本のスポーク51は、平面視で、隣り合う2本のスポーク51どうしが90度の角をなすよう構成され、3光源部は少なくとも二重極照明及び四重極照明を実現可能であり、4二重極照明及び四重極照明の照明領域は平面視で図2A及び図3Aに示すような位置関係をとる場合、遮蔽部材が45度まで回転可能であれば、十分に、本実施形態の作用効果を実現することができる。これは、上記説明からも明らかである。さらに、本実施形態の半導体装置の製造方法は、上記本実施形態の露光方法を含んだ構成とすることができる。このため、露光処理精度の高い半導体装置の製造を実現することができる。さらに、本実施形態のパターン形成方法は、上記本実施形態の露光方法を含んだ構成とすることができる。このため、露光処理精度の高いパターン形成を実現することができる。