基板上に第一の電極膜、非シリコン系発電層及び第二の電極膜が積層されてなる薄膜太陽電池の製造方法であって、基板母材の一方の表面に第一の電極膜に重ねて製膜される発電層の材料の沸点が第一の電極膜の材料の沸点よりも低く、発電層をセル単位に分割する分離溝を形成するレーザ加工工程の際、レーザ光を第一の電極膜及び発電層が製膜される面の裏側から基板母材越しに照射して第一の電極膜に照射することにより、発電層のみまたは発電層及び第二の電極膜の両方を除去することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。第一の電極膜がモリブデンを含むものであり、発電層がCIGS系、CIS系またはカルコパイライト系の結晶構造を含むものである請求項1記載の薄膜太陽電池の製造方法。請求項1または2記載の薄膜太陽電池の製造方法を実施するためのものであって、発電層をセル単位に分割する分離溝を形成するためのレーザ光を第一の電極膜及び発電層が製膜される面の裏側から基板母材越しに照射して第一の電極膜に照射するレーザ光照射手段を具備するレーザ加工機。本発明は、非シリコン系薄膜太陽電池の製造過程において半導体膜に分離溝を形成する加工が難しいという問題を解消しようとするものである。本発明は、基板上に第一の電極膜、非シリコン系発電層及び第二の電極膜が積層されてなる薄膜太陽電池の製造方法であって、基板母材の一方の表面に第一の電極膜に重ねて製膜される発電層の材料の沸点が第一の電極膜の材料の沸点よりも低く、発電層をセル単位に分割する分離溝を形成するレーザ加工工程の際、レーザ光を第一の電極膜及び発電層が製膜される面の裏側から基板母材越しに照射して第一の電極膜に照射することにより、発電層のみまたは発電層及び第二の電極膜の両方を除去することを特徴とする。非シリコン系太陽電池、とりわけCIGS系太陽電池の第一の電極膜は、不透明な金属薄膜であることが通例である。にもかかわらず、本発明では、発電層をセル単位に分割するレーザ加工工程において、レーザ光を膜面側から直接発電層に照射するのではなく、敢えて基板側から第一の電極膜に照射するようにしている。つまり、発電層の材料の沸点が第一の電極膜のそれよりも低いことを利用し、レーザ光のエネルギを以て発電層を熱し、発電層の材料を一部分解気化させて発電層を除去することとしたのである。CIGS系、CIS系またはカルコパイライト系太陽電池では、第一の電極膜がモリブデンMoを含み、発電層がCIGS系、CIS系またはカルコパイライト系の半導体を含む。この場合、第一の電極膜の材料の沸点は発電層の材料の沸点よりも十分に高くなる。本発明に係る薄膜太陽電池の製造方法を実施するためのレーザ加工機としては、発電層をセル単位に分割する分離溝を形成するためのレーザ光を基板側から当該基板を透過させて第一の電極膜に照射するレーザ光照射手段を具備するものが挙げられる。本発明によれば、非シリコン系薄膜太陽電池の製造過程において半導体膜に分離溝を形成する加工が難しい問題を実効的に解消することが可能である。本発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。図1ないし図6に示す本実施形態の薄膜太陽電池の製造方法は、以下の工程を具備する。a第一の電極膜の製膜b第一の電極膜の分離溝形成P1加工c発電層の製膜d発電層の分離溝形成P2加工e第二の電極膜の製膜f第二の電極膜の分離溝形成P3加工図1に示すように、製膜工程aでは、第一の電極膜1たる裏面電極膜、特にMo等の金属薄膜を、スパッタリング法等により透明な基板0上に蒸着する。但し、太陽電池等の製造用に予め裏面電極膜1が製膜されたガラス基板を入手できる場合には、製膜工程aを省略することができる。図2に示すように、第一のレーザ加工工程bでは、レーザ光41を照射して、裏面電極膜1をセル単位に分割する複数本の分離溝11を切削形成する。レーザ光41は、図中左方に示すように基板0側から当該基板0を透過させて裏面電極膜1に照射してもよいし、図中右方に示すように膜面側から基板0を透過させず直接裏面電極膜1に照射してもよい。レーザ光41は例えば、波長1064nmの近赤外レーザ、または波長532nmの緑色レーザとする。レーザ光41のパルス幅は特に限定されず、ピコ秒レーザであってもナノ秒レーザであってもよい。図3に示すように、製膜工程cでは、発電層2たる光吸収層、特にCIGS、CIGSS、CIS、CZTS等の半導体膜を、CVD法等により裏面電極膜1上に蒸着する。このとき、発電層2の構成材料が、先に裏面電極膜1に形成した分離溝11内に入り込む。さらに、半導体膜に重ねて、ZnS、InS等のバッファ層を蒸着することがある。このバッファ層は、発電層2の一部をなし、キャリアの移動を一部せき止めるような働きをする。図4に示すように、第二のレーザ加工工程dでは、レーザ光42を照射して、発電層2をセル単位に分割する複数本の分離溝21を切削形成する。このレーザ光42は、基板0側から当該基板0を透過させて裏面電極膜1に照射する。レーザ光42は、第一のレーザ加工工程bにおけるレーザ光41と同様のものとすることができる。レーザ加工工程dに関して詳述する。裏面電極膜1の材料であるMoは、融点が2623°C、沸点が4682°Cである。これに対し、発電層2の材料である銅Cuの沸点は2571°C、イリジウムInの沸点は2072°C、ガリウムGaの沸点は2204°C、セレンSeの沸点は648°Cであって、何れもMoの融点より低い。CIGS、CIGSS、CIS、CZTS等の半導体膜を主体とする発電層2におけるSeの含有率は比較的大きい。裏面電極膜1はレーザ光42を殆ど透過させないが、レーザ光42の照射を受けた裏面電極膜1はレーザ光42のエネルギにより加熱される。この熱は、裏面電極膜1と発電層2との界面から発電層2に伝わる。結果、発電層2が加熱され、半導体膜の分解が生じ、顕著に沸点の低いSeが蒸発して圧力を増し、発電層2に微細な機械的破壊を生じさせ、遂には発電層2をあまり溶融させることなく爆発的に吹き飛ばす作用が営まれるものと推察される。第二のレーザ加工工程dでは、レーザ光42の焦点合わせ、出力及び光軸の向きレーザ光42の照射箇所におけるパワー密度に直結するを緻密にコントロールすることが望ましい。つまるところ、裏面電極膜1及び/または発電層2において、裏面電極膜1の融点以下かつ発電層2の沸点以上の温度となるように、レーザ光42の出力等を制御する。基本的には、レーザ光42のパルス幅が短いほど発電層2の加工性が向上すると予想される。レーザ光42のピークパワーの上昇は加工性に寄与し、パルス幅の短縮は裏面電極膜1の溶融の抑制に寄与する。図5に示すように、製膜工程eでは、第二の電極膜3たる透明導電膜、特にZnO等のTCO膜を、CVD法等により発電層2上に蒸着する。このとき、TCO膜3の構成材料が、先に発電層2に形成した分離溝21内に入り込む。しかして、図6に示すように、第三のレーザ加工工程fでは、レーザ光43を照射して、TCO膜3をセル単位に分割する複数本の分離溝31を切削形成する。レーザ光43は、図中左方に示すように基板0側から当該基板0を透過させて裏面電極膜1に照射する。即ち、第二のレーザ加工工程dと同じ作用により発電層2を吹き飛ばし、その上に重なっているTCO膜3を諸共吹き飛ばすことで、TCO膜3及び発電層2を貫く分離溝31を形成する。レーザ光43は、第一のレーザ加工工程bまたは第二のレーザ加工工程dにおけるレーザ光41、42と同様のものとすることができる。以上の工程aないしfを経て、図7中矢印で表しているように電荷の通り道が完成し、複数のセルを直接接続した太陽電池の構造が完成する。本実施形態の製造方法に含まれるレーザ加工工程dを実施するためのレーザ加工機は、発電層2をセル単位に分割する分離溝21を形成するためのレーザ光42を、基板0側から当該基板0を透過させて第一の電極膜1に照射するレーザ光照射手段を具備する。レーザ光照射手段は、レーザ発振器が発振する波長1064nmまたは波長532nmのパルスレーザを伝搬させる光学系と、光学系を介して供給されるパルスレーザを基板0の被加工面に製膜された積層膜1、2、3に向けて出射させる加工ノズル52とを組み合わせてなる。光学系は、光ファイバ、ミラー、レンズ等の任意の光学要素を用いて構成することができる。加工ノズル52は、膜面を上にした基板0に対し、基板0の下方から上向きにレーザ光を打ち上げるものである。加工ノズル52は、基板0に対して相対変位可能に設ける。典型的には、薄膜1、2、3に形成する分離溝11、21、31が延伸するY軸方向に往復走行でき、かつY軸方向とは直交するX軸方向光起電力素子として機能するセルが並ぶ方向、セルとセルとを分かつ分離溝11、21、31が並ぶ方向にピッチ送り移動できるリニアモータ台車等に、加工ノズル52を支持させる。分離溝11、21によって多数のセルを区画する都合上、加工ノズル52はX軸方向に複数基配列させて設置することが望ましい。因みに、不動の基板0に対して加工ノズル52をX軸方向及び/またはY軸方向に移動させるのに替えて、基板0自体を加工ノズル52に対してX軸方向及び/またはY軸方向に移動させ得る機構を実装することも考えられる。上記のレーザ光照射手段を構成する光学系及び加工ノズル52を、工程bを実施するレーザ光41を照射して裏面電極膜1に分離溝を形成するための光学系及び加工ノズル51と共通化しても構わない。さすれば、工程bとdとを一基のレーザ加工機によって実施することが可能になる。並びに、上記のレーザ光照射手段を構成する光学系及び加工ノズル52を、工程fを実施するレーザ光43を照射してTCO膜3に分離溝31を形成するための光学系及び加工ノズル53と共通化しても構わない。さすれば、工程dとfとを一基のレーザ加工機によって実施することが可能になる。さらには、工程bを実施するためのレーザ光照射手段、工程dを実施するためのレーザ光照射手段、工程fを実施するためのレーザ光照射手段を、おしなべて共通化しても構わない。本実施形態における薄膜太陽電池の製造方法では、第一の電極膜1に重ねて製膜される非シリコン系発電層2の材料の沸点が第一の電極膜1の材料の沸点よりも低いことを利用し、発電層2をセル単位に分割する分離溝21を形成するレーザ加工工程dの際に、レーザ光42を敢えて基板0側から当該基板0を透過させて第一の電極膜1に照射することで、発電層2を吹き飛ばして除去する。本実施形態によれば、非シリコン系薄膜太陽電池の製造過程において難易度の高い、半導体膜2に分離溝21を形成する加工を好適に実行することが可能であり、非シリコン系太陽電池の発電性能及び量産性の向上に貢献できる。なお、本発明は以上に詳述した各実施形態に限られるものではない。特に、第一の電極膜1、発電層2及び第二の電極膜3の各材料は、上記実施形態の如きものには限定されない。上記実施形態ではCIGS系太陽電池の製造を念頭に置いていたが、本発明に係る製造方法及びレーザ加工機をCIGS系以外の太陽電池の製造に適用することは当然に可能である。本発明により、例えば、発電層2に導電性ポリマーその他の有機半導体を用いる有機薄膜太陽電池を製造することが考えられる。第一のレーザ加工工程b、第二のレーザ加工工程d、第三のレーザ加工工程fの各々で用いるレーザ光の波長やパルス幅も、上記実施形態のそれには限定されない。パルスレーザであるか連続波レーザであるかも問われない。また、第一の電極膜と発電層の間や、発電層と第二の電極膜との間に、別途中間層を敷設することもあり得る。その他、各部の具体的な構成や工程の手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形が可能である。