"主鎖又は側鎖にナフタレン環を含む樹脂及び溶剤を含む、EUVリソグラフィー工程に用いるEUVレジスト上層膜形成組成物。樹脂が親水性基としてヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基、又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を含むものである、請求項1に記載のEUVレジスト上層膜形成組成物。樹脂が式1で表される単位構造、又は、式1及び式2で表される単位構造を含む、請求項1又は請求項2に記載のEUVレジスト上層膜形成組成物。:上記式中、R1及びR3は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を表し、R2及びR4は、それぞれ独立して、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数2~10のアルケニル基、ベンジル基、フェニル基、ハロゲン原子、炭素原子数1~10のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数1~10のアルキルチオ基、又はそれらの2種以上の組み合わせを表す。Ar1はベンゼン環又はアントラセン環を表す。n1及びn2はそれぞれ0乃至6の整数を表し、n3及びn4はそれぞれ0乃至ベンゼン環又はアントラセン環に置換し得る最大の整数である。但し、n1、又はn1n3は少なくとも1である。樹脂が式3で表される単位構造、又は、式3及び式4で表される単位構造、又は、式3及び式5で表される単位構造、又は、式3及び式4及び式5で表される単位構造、又は、式3及び式5及び式6で表される単位構造、又は、式3及び式4及び式5及び式6で表される単位構造を含む、請求項1又は請求項2に記載のEUVレジスト上層膜形成組成物。:式中、Tは単結合、又はエーテル基、エステル基、カルボニル基、アミド基、又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む二価の有機基を表す。R7、R10、R12及びR13は、それぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、R5、R8及びR11は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を表し、R6及びR9は、それぞれ独立して、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数2~10のアルケニル基、ベンジル基、フェニル基、ハロゲン原子、炭素原子数1~10のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数1~10のアルキルチオ基、又はそれらの2種以上の組み合わせを表す。n5及びn6はそれぞれ0乃至7の整数を表し、n8及びn9はそれぞれ0乃至5の整数を表す。但し、n5、n5n8、n5n11、又はn5n8n11は少なくとも1である。溶剤がアルコール系溶剤である、請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載のEUVレジスト上層膜形成組成物。更に酸化合物を含む、請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のEUVレジスト上層膜形成組成物。酸化合物がスルホン酸化合物又はスルホン酸エステル化合物である、請求項6に記載のEUVレジスト上層膜形成組成物。酸化合物がヨードニウム塩系酸発生剤又はスルホニウム塩系酸発生剤である、請求項6に記載のEUVレジスト上層膜形成組成物。基板上にEUVレジスト膜を形成する工程、該レジスト膜上に請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載のEUVレジスト上層膜形成組成物を塗布し焼成してEUVレジスト上層膜を形成する工程、該レジスト上層膜とレジスト膜で被覆された半導体基板を露光する工程、露光後に現像し該レジスト上層膜とレジスト膜を除去する工程、を含む半導体装置の製造方法。露光がEUV波長13.5nm光により行われる、請求項9に記載の半導体装置の製造方法。本発明はEUVレジストの上層膜として、EUVレジストとインターミキシングすることなく、EUV露光に際して好ましくない露光光、例えばUV光やDUV光を遮断してEUV光のみを選択的に透過し、また露光後に現像液で現像可能なEUVリソグラフィープロセスに用いるEUVレジスト上層膜形成組成物を提供する。本発明は、第1観点として、主鎖又は側鎖にナフタレン環を含む樹脂及び溶剤を含む、EUVリソグラフィー工程に用いるEUVレジスト上層膜形成組成物に関する第2観点として、樹脂が親水性基としてヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基、又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を含むものである、第1観点に記載のEUVレジスト上層膜形成組成物に関する。第3観点として、樹脂が式1で表される単位構造、又は、式1及び式2で表される単位構造を含む、第1観点又は第2観点に記載のEUVレジスト上層膜形成組成物に関する。:上記式中、R1及びR3は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を表し、R2及びR4は、それぞれ独立して、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数2~10のアルケニル基、ベンジル基、フェニル基、ハロゲン原子、炭素原子数1~10のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数1~10のアルキルチオ基、又はそれらの2種以上の組み合わせを表す。Ar1はベンゼン環又はアントラセン環を表す。n1及びn2はそれぞれ0乃至6の整数を表し、n3及びn4はそれぞれ0乃至ベンゼン環又はアントラセン環に置換し得る最大の整数である。但し、n1、又はn1n3は少なくとも1である。第4観点として、樹脂が式3で表される単位構造、又は、式3及び式4で表される単位構造、又は、式3及び式5で表される単位構造、又は、式3及び式4及び式5で表される単位構造、又は、式3及び式5及び式6で表される単位構造、又は、式3及び式4及び式5及び式6で表される単位構造を含む、第1観点又は第2観点に記載のEUVレジスト上層膜形成組成物に関する。:式中、Tは単結合、又はエーテル基、エステル基、カルボニル基、アミド基、又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む二価の有機基を表す。R7、R10、R12及びR13は、それぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、R5、R8及びR11は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を表し、R6及びR9は、それぞれ独立して、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数2~10のアルケニル基、ベンジル基、フェニル基、ハロゲン原子、炭素原子数1~10のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数1~10のアルキルチオ基、又はそれらの2種以上の組み合わせを表す。n5及びn6はそれぞれ0乃至7の整数を表し、n8及びn9はそれぞれ0乃至5の整数を表す。但し、n5、n5n8、n5n11、又はn5n8n11は少なくとも1である。第5観点として、溶剤がアルコール系溶剤である、第1観点乃至第4観点のいずれか1項に記載のEUVレジスト上層膜形成組成物に関する。第6観点として、更に酸化合物を含む、第1観点乃至第5観点のいずれか1項に記載のEUVレジスト上層膜形成組成物に関する。第7観点として、酸化合物がスルホン酸化合物又はスルホン酸エステル化合物である、第6観点に記載のEUVレジスト上層膜形成組成物に関する。第8観点として、酸化合物がヨードニウム塩系酸発生剤又はスルホニウム塩系酸発生剤である、第6観点に記載のEUVレジスト上層膜形成組成物に関する。第9観点として、基板上にEUVレジスト膜を形成する工程、該レジスト膜上に請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載のEUVレジスト上層膜形成組成物を塗布し焼成してEUVレジスト上層膜を形成する工程、該レジスト上層膜とレジスト膜で被覆された半導体基板を露光する工程、露光後に現像し該レジスト上層膜とレジスト膜を除去する工程、を含む半導体装置の製造方法に関する。第10観点として、露光がEUV波長13.5nm光により行われる、第9観点に記載の半導体装置の製造方法に関する。本発明により、EUVレジストの上層膜として、EUVレジストとインターミキシングすることなく、EUV露光に際して好ましくない露光光、例えばUV光やDUV光などの帯域外光放射out-of-BANDradiationを遮断してEUV光のみを選択的に透過し、また露光後に現像液で現像可能なEUVレジスト上層膜を形成可能なEUVレジスト上層膜形成組成物を提供することができる。特に本発明のEUVレジスト上層膜形成組成物は、EUV露光光に含まれる帯域外光放射のなかでも、最も望ましくないとされる200~240nmのDUV光を吸収できるレジスト上層膜を提供でき、これにより、EUVレジストの解像性の向上を行うことができる。また本発明のEUVレジスト上層膜形成組成物は、該組成物を半導体装置の製造に適用する際、下層に形成されるEUVレジストとインターミキシングが起きず、またEUV露光後には、EUVレジストと共に現像液によって除去可能である。本発明はEUVリソグラフィー工程に用いるEUVレジスト上層膜に好適な組成物を対象とする。前述したように、EUVリソグラフィーを用いたデバイス作製工程では、EUVレジストを被覆した基板にEUV光を照射して露光させる。ここでEUVレジストの露光に際し、EUV光はEUV光以外に300nm以下の波長の光すなわちUV光やDUV光を5程度含み得る。そして、例えば190~300nm、190~250nm、特に200~240nm付近の波長光はEUVレジストの感度低下やパターン形状の劣化につながる。特に線幅が22nm以下になると、このUV光やDUV光といった帯域外光放射out-of-BANDradiationの影響が出始め、EUVレジストの解像性に悪影響を与える。こうした200~240nm付近の望ましくない波長光を除去するために、リソグラフィーシステムにフィルターを設置する方法もあるが工程上複雑になるという課題がある。一方、EUVレジストの上層にEUVレジスト上層膜を被覆する際に、EUVレジスト膜とEUVレジスト上層膜とのインターミキシング層の混合を防止するために、EUVレジスト上層膜形成時に用いる溶剤として、EUVレジストの溶剤を避けて、例えばアルコール系溶剤を用いることがあり、EUVレジスト上層膜材料にはアルコール系溶剤への高い溶解性も求められる。こうした事情を鑑み、本発明者らは、EUVレジスト上層膜に用いられるポリマーとして、200~240nm付近のDUV光を選択的に効率よく吸収するナフタレン環を含むポリマーを選択し、また、該ポリマーにおいて、アルコール溶剤への溶解性を高めるためヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基やこれらの基を含む有機基からなる親水性基を含めるものとすることにより、帯域外光放射の影響を抑制し且つアルコール系溶剤に対して高い溶解性を有するEUVレジスト上層膜形成組成物を完成させるに至った。しかも本発明の組成物より形成されるEUVレジスト上層膜は、その材料であるポリマーにヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基やこれらの基を含む有機基からなる親水性基を有することで、現像液例えば、アルカリ性現像液に溶解可能であるため、露光後の現像時にEUVレジストと共に現像液による溶解除去が可能である。以下、本発明を詳細に説明する。本発明は主鎖又は側鎖にナフタレン環を含む樹脂を含むEUVリソグラフィー工程に用いるEUVレジスト上層膜形成組成物である。上記EUVレジスト上層膜形成組成物は、ナフタレン環を含む樹脂及び溶剤を含有し、更に架橋剤、架橋触媒、界面活性剤を含むことができる。本発明のEUVレジスト上層膜形成組成物の固形分は、0.1~50質量であり、好ましくは0.5~30質量である。固形分とはEUVレジスト上層膜形成組成物から溶剤成分を取り除いたものである。上記樹脂のEUVレジスト上層膜形成組成物における含有量は、固形分中で20質量以上、例えば20~100質量、又は30~100質量、又は50~90質量、又は60~80質量である。上記樹脂は親水性基としてヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基、又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を含むことができる。上記樹脂は、前記式1で表される構造単位を含む樹脂であるか、又は、前記式1で表される構造単位と前記式2で表される単位構造の双方を含む樹脂とすることができる。前記式1、式2においてR1及びR3は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基、又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を表し、R2及びR4は、それぞれ独立して、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数2~10のアルケニル基、ベンジル基、フェニル基、ハロゲン原子、炭素原子数1~10のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数1~10のアルキルチオ基、又はそれらの2種以上の組み合わせを表す。Ar1はベンゼン環又はアントラセン環を表す。n1及びn2はそれぞれ0乃至6の整数を表し、n3及びn4はそれぞれ0乃至ベンゼン環又はアントラセン環に置換し得る最大の整数ベンゼン環:4、アントラセン環:8を表す。但しn1又はn1n3は少なくとも1である。少なくとも1とは例えば、1、2、3、又は4とすることができる。なお、n1、n2、n3、n4が2以上の整数を表す場合、R1、R2、R3、R4はそれぞれ同一の基であってもよいし、異なる基であってもよい。あるいは上記樹脂は、前記式3で表される構造単位を含む樹脂、式3で表される構造単位と式4で表される構造単位の二種の構造単位を含む樹脂、式3で表される構造単位と式5で表される構造単位の二種の構造単位を含む樹脂、式3で表される構造単位と式4で表される構造単位と式5で表される構造単位の三種の構造単位を含む樹脂、式3で表される構造単位と式5で表される構造単位と式6で表される構造単位の三種の構造単位を含む樹脂、又は式3で表される構造単位と式4で表される構造単位と式5で表される構造単位と式6で表される構造単位の四種の単位構造を含む樹脂とすることができる。上記式3乃至式6中、R7、R10、R12及びR13は、それぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、R5、R8及びR11は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を表し、R6及びR9は、それぞれ独立して、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数2~10のアルケニル基、ベンジル基、フェニル基、ハロゲン原子、炭素原子数1~10のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数1~10のアルキルチオ基、又はそれらの2種以上の組み合わせを表す。n5及びn6はそれぞれ0乃至7の整数を表し、n8及びn9はそれぞれ0乃至5の整数を表す。但し、n5、n5n8、n5n11、又はn5n8n11は少なくとも1を表す。少なくとも1とは例えば、1、2、3、又は4とすることができる。なお、n5、n6、n7、n8が2以上の整数を表す場合、R5、R6、R7、R8はそれぞれ同一の基であってもよいし、異なる基であってもよい。Tは単結合、又はエーテル基-O-、エステル基-COO-、カルボニル基-CO-、アミド基-CO-NH-を表すか、又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む二価の有機基を表す。Tにおける二価の有機基とは、下記に例示される炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数2~10のアルケニル基、フェニル基等から誘導される二価の有機基において、上記エーテル基、エステル基、カルボニル基、アミド基のうち少なくとも一つの基を含む二価の有機基である。R1及びR3における一価の有機基とは、下記に例示される炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数2~10のアルケニル基、フェニル基等において、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基、又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を含むものである。R5、R8及びR11における一価の有機基とは、下記に例示される炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数2~10のアルケニル基、フェニル基において、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基、又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を含むものである。上記炭素原子数1~10のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、シクロプロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、シクロブチル基、1-メチル-シクロプロピル基、2-メチル-シクロプロピル基、n-ペンチル基、1-メチル-n-ブチル基、2-メチル-n-ブチル基、3-メチル-n-ブチル基、1,1-ジメチル-n-プロピル基、1,2-ジメチル-n-プロピル基、2,2-ジメチル-n-プロピル基、1-エチル-n-プロピル基、シクロペンチル基、1-メチル-シクロブチル基、2-メチル-シクロブチル基、3-メチル-シクロブチル基、1,2-ジメチル-シクロプロピル基、2,3-ジメチル-シクロプロピル基、1-エチル-シクロプロピル基、2-エチル-シクロプロピル基、n-ヘキシル基、1-メチル-n-ペンチル基、2-メチル-n-ペンチル基、3-メチル-n-ペンチル基、4-メチル-n-ペンチル基、1,1-ジメチル-n-ブチル基、1,2-ジメチル-n-ブチル基、1,3-ジメチル-n-ブチル基、2,2-ジメチル-n-ブチル基、2,3-ジメチル-n-ブチル基、3,3-ジメチル-n-ブチル基、1-エチル-n-ブチル基、2-エチル-n-ブチル基、1,1,2-トリメチル-n-プロピル基、1,2,2-トリメチル-n-プロピル基、1-エチル-1-メチル-n-プロピル基、1-エチル-2-メチル-n-プロピル基、シクロヘキシル基、1-メチル-シクロペンチル基、2-メチル-シクロペンチル基、3-メチル-シクロペンチル基、1-エチル-シクロブチル基、2-エチル-シクロブチル基、3-エチル-シクロブチル基、1,2-ジメチル-シクロブチル基、1,3-ジメチル-シクロブチル基、2,2-ジメチル-シクロブチル基、2,3-ジメチル-シクロブチル基、2,4-ジメチル-シクロブチル基、3,3-ジメチル-シクロブチル基、1-n-プロピル-シクロプロピル基、2-n-プロピル-シクロプロピル基、1-i-プロピル-シクロプロピル基、2-i-プロピル-シクロプロピル基、1,2,2-トリメチル-シクロプロピル基、1,2,3-トリメチル-シクロプロピル基、2,2,3-トリメチル-シクロプロピル基、1-エチル-2-メチル-シクロプロピル基、2-エチル-1-メチル-シクロプロピル基、2-エチル-2-メチル-シクロプロピル基及び2-エチル-3-メチル-シクロプロピル基等が挙げられる。上記炭素原子数2~10のアルケニル基としては、エテニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、1-メチル-1-エテニル基、1-ブテニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基、2-メチル-1-プロペニル基、2-メチル-2-プロペニル基、1-エチルエテニル基、1-メチル-1-プロペニル基、1-メチル-2-プロペニル基、1-ペンテニル基、2-ペンテニル基、3-ペンテニル基、4-ペンテニル基、1-n-プロピルエテニル基、1-メチル-1-ブテニル基、1-メチル-2-ブテニル基、1-メチル-3-ブテニル基、2-エチル-2-プロペニル基、2-メチル-1-ブテニル基、2-メチル-2-ブテニル基、2-メチル-3-ブテニル基、3-メチル-1-ブテニル基、3-メチル-2-ブテニル基、3-メチル-3-ブテニル基、1,1-ジメチル-2-プロペニル基、1-i-プロピルエテニル基、1,2-ジメチル-1-プロペニル基、1,2-ジメチル-2-プロペニル基、1-シクロペンテニル基、2-シクロペンテニル基、3-シクロペンテニル基、1-ヘキセニル基、2-ヘキセニル基、3-ヘキセニル基、4-ヘキセニル基、5-ヘキセニル基、1-メチル-1-ペンテニル基、1-メチル-2-ペンテニル基、1-メチル-3-ペンテニル基、1-メチル-4-ペンテニル基、1-n-ブチルエテニル基、2-メチル-1-ペンテニル基、2-メチル-2-ペンテニル基、2-メチル-3-ペンテニル基、2-メチル-4-ペンテニル基、2-n-プロピル-2-プロペニル基、3-メチル-1-ペンテニル基、3-メチル-2-ペンテニル基、3-メチル-3-ペンテニル基、3-メチル-4-ペンテニル基、3-エチル-3-ブテニル基、4-メチル-1-ペンテニル基、4-メチル-2-ペンテニル基、4-メチル-3-ペンテニル基、4-メチル-4-ペンテニル基、1,1-ジメチル-2-ブテニル基、1,1-ジメチル-3-ブテニル基、1,2-ジメチル-1-ブテニル基、1,2-ジメチル-2-ブテニル基、1,2-ジメチル-3-ブテニル基、1-メチル-2-エチル-2-プロペニル基、1-s-ブチルエテニル基、1,3-ジメチル-1-ブテニル基、1,3-ジメチル-2-ブテニル基、1,3-ジメチル-3-ブテニル基、1-i-ブチルエテニル基、2,2-ジメチル-3-ブテニル基、2,3-ジメチル-1-ブテニル基、2,3-ジメチル-2-ブテニル基、2,3-ジメチル-3-ブテニル基、2-i-プロピル-2-プロペニル基、3,3-ジメチル-1-ブテニル基、1-エチル-1-ブテニル基、1-エチル-2-ブテニル基、1-エチル-3-ブテニル基、1-n-プロピル-1-プロペニル基、1-n-プロピル-2-プロペニル基、2-エチル-1-ブテニル基、2-エチル-2-ブテニル基、2-エチル-3-ブテニル基、1,1,2-トリメチル-2-プロペニル基、1-t-ブチルエテニル基、1-メチル-1-エチル-2-プロペニル基、1-エチル-2-メチル-1-プロペニル基、1-エチル-2-メチル-2-プロペニル基、1-i-プロピル-1-プロペニル基、1-i-プロピル-2-プロペニル基、1-メチル-2-シクロペンテニル基、1-メチル-3-シクロペンテニル基、2-メチル-1-シクロペンテニル基、2-メチル-2-シクロペンテニル基、2-メチル-3-シクロペンテニル基、2-メチル-4-シクロペンテニル基、2-メチル-5-シクロペンテニル基、2-メチレン-シクロペンチル基、3-メチル-1-シクロペンテニル基、3-メチル-2-シクロペンテニル基、3-メチル-3-シクロペンテニル基、3-メチル-4-シクロペンテニル基、3-メチル-5-シクロペンテニル基、3-メチレン-シクロペンチル基、1-シクロヘキセニル基、2-シクロヘキセニル基及び3-シクロヘキセニル基等が挙げられる。上記炭素原子数1~10のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、i-ブトキシ基、s-ブトキシ基、t-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、1-メチル-n-ブトキシ基、2-メチル-n-ブトキシ基、3-メチル-n-ブトキシ基、1,1-ジメチル-n-プロポキシ基、1,2-ジメチル-n-プロポキシ基、2,2-ジメチル-n-プロポキシ基、1-エチル-n-プロポキシ基、n-ヘキシルオキシ基、1-メチル-n-ペンチルオキシ基、2-メチル-n-ペンチルオキシ基、3-メチル-n-ペンチルオキシ基、4-メチル-n-ペンチルオキシ基、1,1-ジメチル-n-ブトキシ基、1,2-ジメチル-n-ブトキシ基、1,3-ジメチル-n-ブトキシ基、2,2-ジメチル-n-ブトキシ基、2,3-ジメチル-n-ブトキシ基、3,3-ジメチル-n-ブトキシ基、1-エチル-n-ブトキシ基、2-エチル-n-ブトキシ基、1,1,2-トリメチル-n-プロポキシ基、1,2,2-トリメチル-n-プロポキシ基、1-エチル-1-メチル-n-プロポキシ基、及び1-エチル-2-メチル-n-プロポキシ基等が挙げられる。上記炭素原子数1~10のアルキルチオ基としては、エチルチオ基、ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基等が挙げられる。上記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。本発明のEUVレジスト上層膜形成組成物に用いられる上記樹脂の重量平均分子量は500~1,000,000、好ましくは700~500,000、更に好ましくは1000~300,000、更に好ましくは1,000~100,000である。上記樹脂は、例えば以下に例示する式7-1~式7-5に記載する単位構造を含む樹脂主鎖にナフタレン環を含む樹脂、或いは、式8-1~式8-7に記載する単位構造を含む樹脂側鎖にナフタレン環を含む樹脂を用いることができる。本発明のEUVレジスト上層膜形成組成物に含まれる上記溶剤としては、アルコール系溶剤を好ましく用いることができる。これらアルコール系溶剤としては例えば、1-ブタノール、2-ブタノール、イソブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、3-ペンタノール、tert-アミルアルコール、ネオペンチルアルコール、2-メチル-1-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、3-メチル-3-ペンタノール、シクロペンタノール、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、3-ヘキサノール、2,3-ジメチル-2-ブタノール、3,3-ジメチル-1-ブタノール、3,3-ジメチル-2-ブタノール、2-ジエチル-1-ブタノール、2-メチル-1-ペンタノール、2-メチル-2-ペンタノール、2-メチル-3-ペンタノール、3-メチル-1-ペンタノール、3-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、4-メチル-1-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、4-メチル-3-ペンタノール、及びシクロヘキサノールが挙げられる。これらアルコール系溶剤を単独で又は混合物として用いることができる。また、上記アルコール系溶剤と共に以下のその他の溶剤を併用することができる。その溶剤は、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、エトシキ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2-ヒドロキシ-3-メチルブタン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸ブチル等を用いることができる。これらの有機溶剤は単独で、又は2種以上の組合せで使用される。これらその他の溶剤は、前記アルコール系溶剤に対して0.01~10.00質量の割合で含有させることができる。本発明のEUVレジスト上層膜形成組成物は、リソグラフィー工程で下層に存在するレジストとの酸性度を一致させる為に、更に酸化合物を含有させることができる。酸化合物としては、例えばスルホン酸化合物又はスルホン酸エステル化合物を好適に使用可能である。前記スルホン酸又はスルホン酸エステル化合物としては、例えば、p-トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ピリジニウムp-トルエンスルホン酸、スルホサリチル酸などの酸性化合物、及び/又は、ベンゾイントシラート、2-ニトロベンジルトシラート等の熱酸発生剤を挙げることができ、また、サリチル酸、クエン酸、安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、2,4,4,6-テトラブロモシクロヘキサジエノン等も使用することができる。また本発明のEUVレジスト上層膜形成組成物は、リソグラフィー工程で下層に存在するレジストとの酸性度を一致させる為に、酸化合物として、EUV照射により酸を発生する酸発生剤を添加することができる。好ましい酸発生剤としては、例えば、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート等のオニウム塩系酸発生剤類例えばヨードニウム塩系酸発生剤、スルホニウム塩系酸発生剤、フェニル-ビストリクロロメチル-s-トリアジン等のハロゲン含有化合物系酸発生剤類、ベンゾイントシレート、N-ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホネート等のスルホン酸系酸発生剤類等が挙げられる。これら酸化合物の配合量は、本発明のEUVレジスト上層膜形成組成物の全固形分100質量当たり、0.02~10質量、好ましくは0.04~5質量である。本発明のEUVレジスト上層膜形成組成物には、上記以外に必要に応じて更なるレオロジー調整剤、接着補助剤、界面活性剤などを添加することができる。レオロジー調整剤は、主にレジスト上層膜形成組成物の流動性を向上させるための目的で添加される。具体例としては、ジメチルフタレート、ジエチルフタレート、ジイソブチルフタレート、ジヘキシルフタレート、ブチルイソデシルフタレート等のフタル酸誘導体、ジノルマルブチルアジペート、ジイソブチルアジペート、ジイソオクチルアジペート、オクチルデシルアジペート等のアジピン酸誘導体、ジノルマルブチルマレート、ジエチルマレート、ジノニルマレート等のマレイン酸誘導体、メチルオレート、ブチルオレート、テトラヒドロフルフリルオレート等のオレイン酸誘導体、又はノルマルブチルステアレート、グリセリルステアレート等のステアリン酸誘導体を挙げることができる。これらのレオロジー調整剤は、EUVレジスト上層膜形成組成物の全組成物100質量に対して通常30質量未満の割合で配合される。本発明のEUVレジスト上層膜形成組成物には、ピンホールやストレーション等の発生がなく、表面むらに対する塗布性をさらに向上させるために、界面活性剤を配合することができる。界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤;エフトップEF301、EF303、EF352株トーケムプロダクツ現:三菱マテリアル電子化成株製、メガファックF171、F173DIC株製、フロラードFC430、FC431住友スリーエム株製、アサヒガードAG710、サーフロンSー382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106旭硝子株製等のフッ素系界面活性剤;オルガノシロキサンポリマーKP341信越化学工業株製等を挙げることができる。これらの界面活性剤の配合量は、本発明のレジスト上層膜形成組成物の全組成物100質量当たり通常0.2質量以下、好ましくは0.1質量以下である。これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また2種以上の組合せで添加することもできる。本発明におけるEUVレジスト上層膜の下層に塗布されるEUVレジストとしてはネガ型、ポジ型いずれも使用できる。酸発生剤と酸により分解してアルカリ溶解速度を変化させる基を有するバインダーからなる化学増幅型レジスト、アルカリ可溶性バインダーと酸発生剤と酸により分解してレジストのアルカリ溶解速度を変化させる低分子化合物からなる化学増幅型レジスト、酸発生剤と酸により分解してアルカリ溶解速度を変化させる基を有するバインダーと酸により分解してレジストのアルカリ溶解速度を変化させる低分子化合物からなる化学増幅型レジスト、EUV光によって分解してアルカリ溶解速度を変化させる基を有するバインダーからなる非化学増幅型レジスト、EUV光によって切断されアルカリ溶解速度を変化させる部位を有するバインダーからなる非化学増幅型レジストなどがある。本発明のEUVレジスト上層膜形成組成物を使用して形成したレジスト上層膜を有するポジ型レジストの現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n-プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ-n-ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類、等のアルカリ類の水溶液を使用することができる。さらに、現像液として、上記アルカリ類の水溶液にイソプロピルアルコール等のアルコール類、ノニオン系等の界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。これらの中で好ましい現像液は第四級アンモニウム塩、さらに好ましくはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びコリンである。本発明では、転写パターンを形成する加工対象膜を有する基板上に、EUVレジスト下層膜を用いるか又は用いずに、EUVレジスト膜を形成する工程、該レジスト膜上にEUVレジスト上層膜形成組成物を塗布し焼成してEUVレジスト上層膜を形成する工程、該レジスト上層膜とレジスト膜で被覆された半導体基板を露光する工程、露光後に現像し該レジスト上層膜とレジスト膜を除去する工程によって半導体装置を製造することができ、こうした工程を含む半導体装置の製造方法も本発明の対象である。なお上記露光はEUV波長13.5nm光により行われる。本発明のEUVレジスト上層膜形成組成物を適用する半導体装置は、その製造工程中に、基板上に、パターンを転写する加工対象膜と、レジスト膜と、レジスト上層膜が順に形成された構成をとり得る。本発明のEUVレジスト上層膜形成組成物より形成されるレジスト上層膜は、下地基板やEUVによって及ぼされる悪影響を低減することができ、EUV光の露光後にはストレート形状の良好なレジストパターンを形成し得、充分なEUV照射量に対するマージンを得ることができる。また、本発明のEUVレジスト上層膜形成組成物より形成されるレジスト上層膜は、その下層に形成されるレジスト膜と同等の大きなウエットエッチング速度を有し得、このため、ウエットエッチング工程によって加工対象である下地膜パターンを転写する加工対象膜に容易にレジストパターンを転写することができる。実施例1ナフトールノボラック樹脂1-ナフトール:フェノール=50:50のモル比でホルムアルデヒドと反応しノボラック樹脂を合成した。この樹脂は、前述の式7-2に記載される構造単位を含む樹脂に相当する。重量平均分子量は3,200である。1gを4-メチル-2-ペンタノール99gに溶解させ、EUVレジスト上層膜形成組成物溶液を得た。実施例2ナフトールノボラック樹脂1-ナフトール:フェノール=70:30のモル比でホルムアルデヒドと反応しノボラック樹脂を合成した。この樹脂は、前述の式7-2に記載される構造単位を含む樹脂に相当する。重量平均分子量は2,800である。1gを4-メチル-2-ペンタノール99gに溶解させ、EUVレジスト上層膜形成組成物溶液を得た。実施例3ビニルナフタレン含有樹脂2-ビニルナフタレン:ヒドロキシスチレン:メタクリル酸=50:20:30の質量比でラジカル重合した。この樹脂は、前述の式8-4に記載される構造単位を含む樹脂に相当する。重量平均分子量は5,800である。1gを4-メチル-2-ペンタノール99gに溶解させ、EUVレジスト上層膜形成組成物溶液を得た。比較例1ポリヒドロキシスチレン樹脂市販品。重量平均分子量は8,0001gを4-メチル-2-ペンタノール99gに溶解させ、EUVレジスト上層膜形成組成物溶液を得た。レジストとのインターミキシング試験EUVレジスト溶液メタクリル系レジストをスピナーを用いて塗布した。ホットプレート上で、100°Cで1分間加熱することによりレジスト膜を形成し、膜厚測定を行なった膜厚A:レジスト膜厚。本発明の実施例1乃至実施例3、比較例1で調製されたレジスト上層膜形成組成物溶液を、スピナーを用いてレジスト膜上に塗布し、ホットプレート上で、100°Cで1分間加熱し、レジスト上層膜を形成し、膜厚測定を行なった膜厚B:レジストとレジスト上層膜の膜厚の和。そのレジスト上層膜上に市販の現像液東京応化工業株製、製品名:NMD-3を液盛りして60秒放置し、3,000rpmで回転させながら、30秒間純水でリンスを行った。リンス後、100°Cで60秒間ベークし、膜厚測定を行なった膜厚C。得られた結果を表1に示す。膜厚Aが膜厚Cに等しい場合、レジストとインターミキシングがないと言える。表1に示すように、実施例1乃至実施例3及び比較例1のいずれにおいても、膜厚Aと膜厚Cの数値が等しく、これらEUVレジスト上層膜形成組成物を用いて形成された膜はレジストとのインターミキシングをおこさないものであるとする結果が得られた。光学パラメーター試験本発明の実施例1乃至実施例3で調製されたレジスト上層膜形成組成物溶液、及び比較例1で示したレジスト上層膜形成組成物溶液を、それぞれスピナーを用いて石英基板上に塗布した。ホットプレート上で、100°Cで1分間加熱し、レジスト上層膜膜厚0.03μmを形成した。そして、これら4種類のレジスト上層膜を、分光光度計を用い、波長190nm~240nmでの透過率を測定した。測定結果を図1に示す。DUV光の遮光性に関しては、200nm~240nmの波長域において、透過率の最大値が60以上を不良、60未満を良好と評価した。得られた結果を表2に示す。また、EUV光13.5nmの透過性につき、波長13.5nmでの透過率を元素組成比と膜密度の関係からシミュレーションにより計算した。そして、波長13.5nmにおいて80以上の透過率を良好と評価し、80未満を不良と評価した。得られた結果を表2に示す。なお実施例1乃至実施例3、比較例1での13.5nmの透過率はいずれも88であった。表2に示すように、実施例1乃至実施例3はEUV光の透過性が良好であり且つDUV光の遮光性に優れるとする結果を示し、一方、比較例1はDUV光の遮光性に劣るとする結果を得た。さらに詳細には、図1に示すように、実施例1乃至実施例3のレジスト上層膜形成組成物を用いて形成された膜は波長220nm~240nmの光の透過率が40を下回り、特に実施例1及び実施例2のレジスト上層膜形成組成物を用いて形成された膜にいたっては、波長200nm~240nmに渡って光の透過率が40を下回り、DUV光の遮光性が特に良好であるとする結果が得られた。"