"機能素子上に絶縁層を形成し、該絶縁層を開口して機能素子の電極パッド上にビアホールを形成する第1の工程と、前記ビアホールの内部に犠牲層を充填する第2の工程と、前記機能素子の表面を、前記ビアホールの内部の犠牲層が露出するように平坦化する第3の工程と、前記ビアホールの内部の犠牲層を除去し、ビアホール内の電極パッドを露出させる第4の工程と、露出したビアホール内の電極パッドに配線導体層を結線する第5の工程と、を備えたことを特徴とする機能素子の再配線方法。ベース基板上に一層以上の配線層を形成する第1の工程と、前記ベース基板上に機能素子を搭載する第2の工程と、搭載された機能素子を含むベース基板上に絶縁層を形成し、該絶縁層を開口して機能素子の電極パッド上にビアホールを形成する第3の工程と、前記ビアホールの内部に犠牲層を充填する第4の工程と、前記機能素子の表面を、前記ビアホールの内部の犠牲層が露出するように平坦化する第5の工程と、前記ビアホールの内部の犠牲層を除去し、ビアホール内の電極パッドを露出させる第6の工程と、露出したビアホール内の電極パッドに配線導体層を結線する第7の工程と、を備えたことを特徴とする機能素子の再配線方法。前記第2の工程より後、第3の工程より前に、第2の絶縁層を形成し、前記搭載された機能素子周辺の前記第2の絶縁層に開口部を設ける工程を含むことを特徴とする請求項2に記載の機能素子の再配線方法。前記第1の工程より後、第2の工程より前に、金属ピラーを前記ベース基板上に形成し、前記第5の工程における平坦化工程において、前記第2の絶縁層内部の金属ピラーの頭出しも同時に行うことを特徴とする請求項3に記載の機能素子の再配線方法。機能素子の電極パッド上に犠牲層ピラーを形成する第1の工程と、前記犠牲層ピラーを含む機能素子の全面に絶縁層を形成する第2の工程と、前記絶縁層の表面を、前記犠牲層ピラーが露出するように平坦化する第3の工程と、露出した犠牲層ピラーを除去し、電極パッド上にビアホールを形成する第4の工程と、形成された前記ビアホールを介して、機能素子の電極パッドに配線導体層を結線する第5の工程と、を備えたことを特徴とする機能素子の再配線方法。ベース基板上に一層以上の配線層を形成する第1の工程と、機能素子の電極パッド上に犠牲層ピラーを形成する第2の工程と、前記ベース基板上に、前記犠牲層ピラーが形成された機能素子を搭載する第3の工程と、搭載された機能素子を内蔵するように前記ベース基板上に絶縁層を形成する第4の工程と、前記絶縁層の表面を、前記犠牲層ピラーが露出するように平坦化する第5の工程と、露出した犠牲層ピラーを除去し、電極パッドを露出させる第6の工程と、露出された機能素子の電極パッドに配線導体層を結線する第7の工程と、を備えたことを特徴とする機能素子の再配線方法。前記第3の工程より後で、第4の工程より前に、第2の絶縁層を形成し、前記搭載された機能素子周辺の前記第2の絶縁層に開口部を設ける工程を含むことを特徴とする請求項6に記載の機能素子の再配線方法。前記第1の工程より後で、前記第2の工程より前に、金属ピラーを前記ベース基板上に形成し、前記第5の工程における平坦化工程において、前記第2の絶縁層内部の金属ピラーの頭出しも同時に行うことを特徴とする請求項7に記載の機能素子の再配線方法。前記犠牲層ピラーがBステージ状態の半硬化樹脂であることを特徴とする請求項5または6に記載の機能素子の再配線方法。前記犠牲層ピラーが樹脂であり、前記犠牲層ピラーを覆うように形成される絶縁層が無機物質であることを特徴とする請求項5または6に記載の機能素子の再配線方法。前記絶縁層が無機材料からなることを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の機能素子の再配線方法。前記絶縁層が有機材料からなることを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の機能素子の再配線方法。前記配線導体層の上層に、さらに1層以上の中間絶縁層と上層配線導体層とを繰り返し設け、多層配線構造とすることを特徴とする請求項1乃至10のいずれかに記載の機能素子の再配線方法。前記絶縁層及び中間絶縁層として樹脂を使用する場合、各層の樹脂絶縁層形成時には半硬化条件でのベークを行い、全工程中最後の樹脂絶縁層形成後に本キュアを行うことを特徴とする請求項13に記載の機能素子の再配線方法。しかしながら上記した特許文献には次のような問題点がある。第一の問題点は、表面を平坦化する場合の応力が半導体装置内部の回路層へ加わり、Lowk低誘電率層間絶縁膜層を破壊するということである。例えば、特許第4057146号公報、特開2007-53395号公報では、半導体装置の電極パッド上の銅Cuピラーや金の突起バンプを絶縁樹脂層内部に内蔵し、研磨によって電極を絶縁樹脂に内蔵された状態から上部のみ露出させて端子とする。この際、図5に示す断面構造のように、研磨ホイールや研削子106より、金属ピラー104や突起バンプを通じて、せん断応力が半導体装置101内部の回路層へ加わる。その結果、Low-k低誘電率層間絶縁膜層102を破壊するという問題がある。また半導体装置内部にクラック等の不良が発生し、製品としての信頼性が悪いという問題がある。第二の問題点として、シード層が不連続に形成される場所があり、配線導体層形成後にオープン不良が発生することによる製造歩留まりの悪さが問題である。例えば特開2008-300559号公報では、半導体装置が配置された位置周辺での絶縁樹脂層表面の段差が発生する。これはスピンコート法によって樹脂供給した場合に顕著である。このことにより、20μm以下の幅で、20μm以下の厚みの配線を形成する場合、フォトレジストの露光現像によるパターンニング不良が発生しやすく、製造歩留まりが悪くなる。また、ビアホールの内径が30μm以下と小さく、アスペクト比が1より大きい場合にも、めっきシード層の供給時に、ビアホール側壁、低部において、シード層が不連続に形成される場所ができやすい。そのため、配線導体層形成後にオープン不良が発生することによる製造歩留まりの悪さが問題となる。本発明は、以上のような問題点を鑑みてなされたものであり、研磨もしくは研削を用いることによって、配線導体層形成に有利な絶縁樹脂の表面平坦性を得ることである。本発明の他の目的は、機能素子内部配線構造への応力付加による装置損傷を防ぎ、信頼性の高い製品を高歩留まりで提供することにある。本発明の1つの観点によれば、機能素子上に絶縁層を形成し、該絶縁層を開口して機能素子の電極パッド上にビアホールを形成する第1の工程と、前記ビアホールの内部に犠牲層を充填する第2の工程と、前記機能素子の表面を、前記ビアホールの内部の犠牲層が露出するように平坦化する第3の工程と、前記ビアホールの内部の犠牲層を除去し、ビアホール内の電極パッドを露出させる第4の工程と、露出したビアホール内の電極パッドに配線導体層を結線する第5の工程と、を備えたことを特徴とする機能素子の再配線方法が得られる。本発明の他の観点によれば、ベース基板上に一層以上の配線層を形成する第1の工程と、前記ベース基板上に機能素子を搭載する第2の工程と、搭載された機能素子を含むベース基板上に絶縁層を形成し、該絶縁層を開口して機能素子の電極パッド上にビアホールを形成する第3の工程と、前記ビアホールの内部に犠牲層を充填する第4の工程と、前記機能素子の表面を、前記ビアホールの内部の犠牲層が露出するように平坦化する第5の工程と、前記ビアホールの内部の犠牲層を除去し、ビアホール内の電極パッドを露出させる第6の工程と、露出したビアホール内の電極パッドに配線導体層を結線する第7の工程と、を備えたことを特徴とする機能素子の再配線方法が得られる。本発明のさらなる他の観点によれば、機能素子の電極パッド上に犠牲層ピラーを形成する第1の工程と、前記犠牲層ピラーを含む機能素子の全面に絶縁層を形成する第2の工程と前記絶縁層の表面を、前記犠牲層ピラーが露出するように平坦化する第3の工程と、露出した犠牲層ピラーを除去し、電極パッド上にビアホールを形成する第4の工程と、形成された前記ビアホールを介して、機能素子の電極パッドに配線導体層を結線する第5の工程と、を備えたことを特徴とする機能素子の再配線方法が得られる。本発明のさらなる他の観点によれば、ベース基板上に一層以上の配線層を形成する第1の工程と、機能素子の電極パッド上に犠牲層ピラーを形成する第2の工程と、前記ベース基板上に、前記犠牲層ピラーが形成された機能素子を搭載する第3の工程と、搭載された機能素子を内蔵するように前記ベース基板上に絶縁層を形成する第4の工程と、前記絶縁層の表面を、前記犠牲層ピラーが露出するように平坦化する第5の工程と、露出した犠牲層ピラーを除去し、電極パッドを露出させる第6の工程と、露出された機能素子の電極パッドに配線導体層を結線する第7の工程と、を備えたことを特徴とする機能素子の再配線方法が得られる。本発明による機能素子の再配線方法は、絶縁層を機能素子上に設け、機能素子の電極パッド上でビアホールとなる箇所を犠牲層で充填した状態で平坦化し、その後機能素子の電極パッドに接続する再配線用の導体層を形成する。本発明では、研磨もしくは研削による平坦化工程において、電極パッドに加わるせん断応力を犠牲層が緩和するために、機能素子の内部配線への損傷を防ぐことが可能となる。従って、銅ピラーや金の突起電極を使用した場合に見られるせん断応力の伝達による機能素子の内部のLow-k材等脆い材料の破壊を防ぐことが出来る。犠牲層除去後に、平坦性に優れた微細な配線導体層の形成が可能となることで、信頼性に優れ高歩留まりの機能素子の再配線方法が得られる。本発明での機能素子としては、シリコンSi、ガリウム砒素GaAs、タンタルリチウムLiTaO3、ニオブ酸リチウムLiNbO3、水晶等に配線形成した半導体、マイクロエレクトロメカニカルシステム以下、MEMSと略記するまたは表面弾性波SAWフィルターまたは薄膜機能素子等や、コンデンサー、抵抗、インダクターなどのプリント基板、フレキシブル基板等に配線形成をしたものが好適に使用されるがそれらに限定されない。ベース基板としては機能素子、シリコン等の半導体、ガラス、アルミナ、ガラスセラミックス、窒化チタン、窒化アルミ等のセラミクス、銅、ステンレス、鉄、ニッケル等の金属、ポリイミドシート、エポキシシート等の有機樹脂が好適に用いられるがそれらに限定されない。絶縁樹脂層内部のビアの開口方法は、UV-YAG、CO2レーザー等が好適に使用されるが、それらに限定されない。絶縁樹脂層を感光性とすることで、露光現像によりビアを開口することができる。また、ドライエッチングによっても開口することが出来る。本発明で表面に露出している配線導体層部分は、銅Cu、ニッケルNi、金Au、銀Ag、錫―銀Sn-Agはんだ等が使用される。たとえば、配線導体層を銅メッキにより形成する場合であっても、配線導体層は、無電解めっきやスパッタリング、電解めっき工程、および印刷処理とリフロー工程等によりシード層を形成することによって、好適に形成することができるが、配線導体層表面の材質はこれらに限定されない。内蔵された機能素子側面に位置する金属ピラーに関しても、銅、ニッケル、金、銀、Sn-Agが好適に使用できるがこれらに限定されない。めっきにより金属ピラーを形成可能であるが、印刷により導電性ペーストを印刷した後に、高温処理してビア内の金属を一体物とすることも可能である。また、本発明による機能素子内蔵回路基板の最表面には、必要な箇所のみ開口部を設けたソルダーレジスト層を好適に形成することが可能である。必要な箇所をソルダーレジスト層で覆うことで、表面に露出させる配線導体部分を制限したり、配線の酸化を防いだり、はんだを使用した実装時に導体電極配線間でショートが発生するのを防いだりすることができる。さらに、その開口部により露出した配線導体層に銅、ニッケル、金、銀、Sn-Agはんだ等、無電解めっき、電解めっき、印刷処理等を施すことで、酸化防止や、はんだ濡れ性に優れた配線導体層の形成が可能となる。なお本発明による機能素子内蔵基板は、多層配線化のために、両面に絶縁層と配線導体層を交互に形成し配線導体層間がビアを介して結線された状態とするビルドアップを施すことも可能である。そのような多層化された機能素子内蔵回路基板や、ダイシングにより個片化の後、別の回路基板、機能素子へ実装された電子部品や、この機能素子内蔵基板を更に内蔵した基板も本発明の範疇に含まれるものである。第一の実施の形態以下、本発明の実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。図1a~e、図1f~jに本発明の第一の製造方法の実施の形態を示す各工程の断面模式図をそれぞれ示す。図1aは、機能素子1と、その機能素子の内部配線層2と、内部配線層2の最上層に設けられた電極パッド3の構造を示している。図1bにおいて、絶縁層4を形成する。絶縁層4の供給方法としては、スピンコート法、カーテンコート法、印刷法、ラミネート法等が好適に使用されるがそれらに限定されない。その後、例えば絶縁層4が絶縁樹脂層の場合で、必要ならばオーブンやホットプレート等により樹脂を硬化することができる。ここで、絶縁樹脂層に代わる絶縁層として無機物質を使用することも可能である。その無機絶縁層としては、二酸化シリコンSiO2、窒化シリコンSi3N4、酸化窒化シリコンSiON等が好適に使用されるがそれらに限定されない。供給方法としては、スピンコート、化学気相成長CVD、物理気相成長PVD等が好適に使用されるがそれらに限定されない。このとき、機能素子1の表面構造により、絶縁層としての有機樹脂層もしくは無機層の表面に凹凸が現れる。図1cは、続く工程として、絶縁層4にビアホール5を形成した構造を示している。ビアホール5は、電極パッド3の一部が露出するよう形成される。このビアホール5の形成方法としては、絶縁層4が感光性材料である場合には、露光と現像により形成し、非感光性の場合には、樹脂マスクや金属マスクを使用して、ドライエッチングまたは溶剤等を使用したウェットエッチングが好適に使用されるがそれらに限定されない。ビアホール5を形成した図1cの状態の後も図1bの状態にて発生していた絶縁層上の凹凸は存在する。続いて図1dの工程にて、ビアホール内を充填するように犠牲層6を設ける。犠牲層6を設ける方法としては、スピンコート法、カーテンコート法、印刷法、ラミネート法等が好適に使用されるがそれらに限定されない。その後、接触プローブやマイクロメーター、エリプソメーターを使用して、全体の厚み、もしくは、犠牲層6の厚みを測定する。所定の厚み分だけを研削または、研磨することにより、犠牲層6を上部表面から削り、図1eの構造のように、ビアホール内部の犠牲層6の上部表面とその周辺の絶縁層4の上部表面とが平坦化された状態とする。このように絶縁層4と犠牲層6の表面が同じ高さに平坦化され、犠牲層6の上面頭が周囲の絶縁層4の上面の位置とが揃った状態を、周囲の絶縁層4から犠牲層6が頭だしした状態と記す。このように犠牲層6及び絶縁層4の表面を平坦化する平坦化工程では、バフ研磨装置、グラインダー、サーフェースプレーナー研削機、または切削機、化学的機械的研磨CMP等が研磨または研削するための装置として好適に使用されるが、それらに限定されない。これらの装置は、削り厚み、許容される高さ制御精度、許容される表面粗さ、および犠牲層6、絶縁層4の含有物により選択される。本発明では、研磨もしくは研削の工程において、電極パッド3に加わるせん断応力が充填されている犠牲層6によって緩和されるために、機能素子1の内部配線への損傷を防ぐことが可能となり、製品の歩留まりと信頼性を高めることができる。続いて、ビアホール5に充填された犠牲層6を除去して、図1fの断面構造のようにビアホール5が開口した状態とする。この時の除去方法としては、犠牲層6の溶剤成分等を含む薬剤でのウェットプロセスでの除去方法が好適に使用されるが、それらに限定されない。またこの除去後に、洗浄のための酸素プラズマアッシング等の工程を入れることは、犠牲層6の残渣を除去するという目的において有効である。更に弱酸による洗浄を行うと、電極パッド3の表面に形成された酸化皮膜を除去するために有効である。デスミア処理等を用いてビアホール5内部および絶縁層4の表面を粗面化することは、続くめっき工程での配線と絶縁層4との間の密着を保つために有効である。図1gは、図1fの状態からシード層7を蒸着法や無電解めっき法により設け、フォトレジストをラミネート法、スピンコート法、スプレーコート法等により供給した後、UV露光と現像によってフォトレジスト層8をパターンニングした断面構造を示している。シード層7としては、チタンTi、銅Cu、パラジュームPd等金属の単層もしくは、複合層から形成されるがそれらに限定されない。続いて、電解めっき、もしくは無電解めっき法によりフォトレジスト層8の開口された部分に、任意の厚みで金属導体をめっきし、再配線用の導体層として配線導体層9を形成することで図1hの断面構造の状態とする。めっき工程の後にフォトレジスト層8を除去し、露出したシード層7をエッチングすることで、図1iのように電極配線層9を絶縁層4の上に、シード層7を介して設置することができる。図1jは、図1iまでの本発明による再配線用の導体層を形成した後に、更に多層にするために、セミアディティブ法を用いて、絶縁層25と配線導体層26を形成した断面模式図を示す。この時絶縁層25と配線導体層26の間には密着力向上のためのめっきシード層を形成するのが好ましい。このシード層は、Ti、Pd、Cu等が好適に使用されるがそれらに限定されない。また本発明においては、その後、更にセミアディティブ法やアディティブ法、リフトオフ法等により更に絶縁層および配線導体層を多層化することが可能である。これらの配線導体層9、配線導体層26は、機能素子を再配線又は再配置するための導体層であることから再配線導体層と呼ぶことができる。さらに最表面の配線導体層9、または配線導体層26は、機能素子における外部との接続電極となるための導体層であることから電極配線導体層と呼ぶこともできる。本実施の形態の再配線方法は、機能素子に絶縁層を形成し、機能素子の電極パッド上の絶縁層にビアホールを開口する。ビアホールを犠牲層で充填した状態で絶縁層と犠牲層を平坦化し、ビアホール内の犠牲層を除去する。その後ビアホールを充填するように配線導体層を形成し、再配線導体層又は再配置導体層を形成する。さらにその後、絶縁層と配線導体層を交互に形成することで、多層配線を形成することも可能である。また、ソルダーレジストや金属バンプ等を形成し製品とすることが可能である。本発明の研磨もしくは研削工程においては、電極パッドに加わるせん断応力を緩和層が緩和するために、機能素子の内部配線への損傷を防ぐことが可能となり、製品の歩留まりと信頼性信頼性に優れた機能素子製品を供給することが可能となる。第二の実施の形態図2a~e、図2f~jに本発明の第二の製造方法の実施の形態を示す各工程の断面模式図を示す。図2aは、ベース基板11に配線層12を形成し、配線層12上に金属ピラー13を形成した構造を示す図である。本発明においては、ベース基板としては、Cu、ステンレス等の金属や、ガラス基板、アルミナ基板、Si等が好適に使用されるがそれらに限定されない。また、ベース基板11が導体、もしくは半導体である場合には、絶縁層をベース基板11と配線層12の間に設けることが電気特性上望ましい。ここで、ベース基板11自体が機能素子である場合には、電極パッドの直上に配線層12を介して金属ピラー13を形成することは、後の研削もしくは研磨を使用する工程を考えた場合、機能素子内部の損傷を招くため望ましくない。この場合には電極パッドと配線層12の配置位置を異ならせ、電極パッドと金属ピラーの位置が重ならないようにする。金属ピラー13としては、銅、金、Sn-Ag、Sn等の材料が好適に使用できるがそれらに限定されず、金属ピラー13の製造方法として、めっき法や金ワイヤーの加熱による突起電極の形成方法、金属ペーストの印刷、リフロー方法等が好適に使用できるがそれらに限定されない。図2bは、図2aの構造で所定の位置に機能素子15を、接着層14を介して、回路面を上向きに設置した構造を示している。このとき、機能素子15は、接着層14を介して配線層12ではなく、ベース基板11に直接接続、接着されても良い。このとき機能素子15の電極パッド16は上方に露出している。接着層14としては、エポキシ、ポリイミド、プロピレングリコールn-ブチルエーテル以下PNBと略記、ポリベンゾオキサゾール以下PBOと略記等からなるダイアタッチメントフィルムや液状樹脂を好適に使用できるが、それらに限定されない。放熱またはグランド特性の向上のため、銀ペーストやはんだペーストも好適に使用されるがそれらに限定されない。また供給方法も、スピンコート法、ディスペンス法、ラミネート法、印刷法等が好適に使用できるがそれらに限定されない。図2cは、図2bの状態に、絶縁層17を供給し、機能素子15の周辺部分の樹脂を除去することで、得られる構造を示したものである。ここで、機能素子15の周辺部分の樹脂を取り除く理由としては、機能素子の回路面の表面に樹脂を残さないことで、続く図2dで示す機能素子15表面上の絶縁層18の高さを制御しやすくするためである。図2cの構造を得るためには、絶縁層17はスピンコート法や、カーテンコート法、ラミネート法により機能素子15を含むベース基板11上の全面に設ける。その後、絶縁層17が感光性樹脂である場合には露光現像により、機能素子15周辺の絶縁層17を形成する樹脂を除去する。絶縁層17が非感光性である場合には、樹脂シートを使用し、予め機能素子15が存在する箇所をポンチやカッター等で開口し、ラミネートやプレス機を使用して、樹脂シートを積層して硬化することで図2cの状態を得ることができる。図2dは、図2cで示した構造の状態に、さらに上面から絶縁層18を供給した断面構造を示す模式図である。このとき絶縁層18は有機であっても、無機であっても構わない。絶縁層18の供給前に、機能素子15の表面上を清潔な状態に保っていたため、機能素子15上の絶縁層18の厚みを所望の厚みに近づけることができる。そのため、絶縁層18を薄く形成制御することが可能となり、機能素子15に形成された電極パッド16上への微細な内径と配置のピッチを持つビアホール19を形成することが容易となる。しかしながら、絶縁層18の表面には、金属ピラー13上や機能素子15周辺での段差が形成される。図2eは、図2dで示した構造の状態に、犠牲層20を設けた状態を示す断面模式図である。犠牲層20は適切な樹脂厚みを選択することで、最上層表面の凹凸を小さくすることができる。よって、ベース基板11の上に形成された配線や機能素子を内蔵した絶縁層や、犠牲層を含む全体の厚みを測定することが容易となる。このときの全体厚みの測定は、マイクロメーター、プローブ接触装置、エリプソメーター等の使用が考えられるがそれらに限定されない。この全体厚みを基準として、次の工程での、上面からの研削厚みもしくは研磨厚みを設定することが可能となる。図2fは、図2eで示した構造の状態から研磨もしくは研削によって平坦化した断面構図を示す模式図である。研磨もしくは研削により、金属ピラー13の頭だしと機能素子15の電極パッド16の上のビアホール19に充填された犠牲層20が露出している。露出した絶縁層17、18、犠牲層20、金属ピラー13の表面凹凸は、約5μm以下に抑えることが可能となるが、表面粗さについては、使用装置に応じて変化するため、凹凸の量についてはこの限りではない。本発明では、研磨もしくは研削の工程において、電極パッド16に加わるせん断応力を充填されている犠牲層20が緩和するために、機能素子15の内部配線への損傷を防ぐことが可能となり、製品の歩留まりと信頼性を高めることができる。続いて、図2gは、図2fで示した構造の状態から、機能素子15の電極パッド16上のビアホール19に充填された犠牲層20を除去した断面模式図を示している。犠牲層20は溶剤等のウェットエッチングや、絶縁層18と犠牲層20とのエッチング比を利用したドライエッチングにより除去することができる。ビアホール19の底部にある電極パッド16上に樹脂残渣等が存在しないように、有機溶剤による洗浄や、酸素プラズマを使用した洗浄は、続く配線形成での歩留まりや電気特性の劣化を防ぐ上で効果的である。また、この時、電極パッド16を構成する材料がエッチングの影響を受けないよう、バリア層の役割を果たす金属膜を予め電極パッド16に形成しておく方法も信頼性確保するために効果的である。図2hは、図2gで示した構造の状態から、めっき工程でのシード層21とめっきされない部分にフォトレジスト層22を形成した断面構造を示す模式図である。めっき工程でのシード層21となる金属層を全面に設け、さらにフォトレジスト層22を設ける。フォトレジスト層22を露光現像により、所定の配線導体層パターンとなるよう、めっきされる部分のフォトレジスト層を除去する。本発明では、予め、研磨もしくは研削により表面を平坦化されているため、シード層供給や、フォトレジスト22の形成時に凹凸による不連続点の発生が抑えられることから、続く工程において、高歩留まりな配線形成が可能となる。フォトレジスト層の供給方法は、ラミネート法、スピンコート法、カーテンコート法等が好適に使用されるがそれらに限定されない。シード層の供給方法としては、無電解めっき法、スパッタ法等が好適に使用されるがそれらに限定されない。シード層を構成する材料としては、Cu、Ti、Pd等が好適に使用されるがそれらに限定されない。またシード層21は、単層もしくは複数層の金属や、導体膜から形成されていても良い。図2iは、図2hで示した構造の状態から、電解めっき、もしくは無電解めっき法により、配線導体層23を形成した断面構造を示す模式図である。配線導体層23を構成する材料として、Cu、Ni、Au等が好適に使用されるがそれらに限定されない。配線導体層は、印刷法やリフトオフ等により、めっき法以外での形成も可能である。本発明では、研削もしくは研磨によって予め絶縁層表面を平坦にしているために、本配線導体層23の形成工程も歩留まりが高く、信頼性を高めることが可能となる。図2jは、図2iで示した構造の状態から、フォトレジスト22を剥離し、露出した一部のめっきシード層21を除去した後の断面構造を示す模式図である。フォトレジスト22の剥離は、溶剤やイソプロピルアルコール以下IPAと略記、メチルエチルケトン以下MEKと略記、エタノール、アセトン等有機溶剤が好適に使用されるがそれらに限定されない。シード層21は、酸もしくはアルカリ性の溶剤を用いたウェットエッチング、もしくはプラズマエッチング装置を使用したドライエッチング等が好適に使用できるがそれらに限定されない。さらに図2jの状態から、絶縁樹脂層を設け、ビアホールを形成し、セミアディティブプロセスによる図1jの工程同様に配線の多層化も行うことができる。また、導体の最表層にはんだボールを形成し、フリップチップ接続に使用可能な実装製品とすることもできる。本発明による機能素子の再配線方法においては、さらにベース基板上、もしくは機能素子上の配線導体層の多層化や、ベース基板の除去や、実装を行った場合にも本発明における製造方法としての範疇に含まれる。また、配線層と配線導体層を電気的に結線する必要がない場合には、金属ピラーは必要ではない。そのため金属ピラーを形成しない場合も、本発明の範疇に含まれるものである。本実施の形態の再配線方法は、ベース基板に配線層を形成し、配線層には金属ピラーまたは機能素子を配置する。機能素子が配置されたベース基板に絶縁層を形成し、機能素子の周辺部分の絶縁層を除去し、さらに絶縁層を形成する。機能素子の電極パッド上にビアホールを開口する。ビアホールを犠牲層で充填した状態で絶縁層と犠牲層を平坦化する。その後ビアホール内の犠牲層を除去し、ビアホールを充填するように配線導体層を形成し、再配線導体層を形成する。本発明の研磨もしくは研削工程においては、電極パッドに加わるせん断応力を緩和層が緩和するために、機能素子の内部配線への損傷を防ぐことが可能となり、製品の歩留まりと信頼性信頼性に優れた機能素子製品を供給することが可能となる。第三の実施の形態図3a~d、図3e~hに本発明の第三の製造方法の実施の形態を示す各工程の断面模式図を示す。図3aは、機能素子31と、その機能素子内部配線層32と、内部配線層32の最上層に設けられた電極パッド33の構造を示す図である。図3bにおいて、有機樹脂による犠牲層ピラー34を形成する。この犠牲層ピラーは電極パッド33の上に形成され、犠牲層ピラー34を構成する材料が感光性である場合には、露光現像により形成し、非感光性の材料である場合には、印刷法によって形成することもできるがそれらに限定されない。犠牲層ピラー34を構成する材料が、樹脂である場合には、露光現像後、半硬化やBステージの状態とし、後の工程での犠牲層ピラー34の除去を容易にする方法も好適に用いられるが、それらに限定されない。図3cにおいて、犠牲層ピラー34を含む機能素子31の全面に絶縁層35を形成する。絶縁層35の形成方法としては、スピンコート法、カーテンコート法、印刷法、ラミネート法等が好適に使用されるがそれらに限定されない。その後、必要ならば、オーブンやホットプレート等により絶縁層の樹脂は硬化される。ここで、絶縁樹脂層に代わる絶縁層35として無機物質を使用することも可能である。その無機絶縁層としては、SiO2、Si3N4、SiON等が好適に使用されるがそれらに限定されない。供給方法としては、スピンコート、CVD、PVD等が好適に使用されるがそれらに限定されない。接触プローブやマイクロメーター、エリプソメーター等を使用して、全体の厚み、もしくは、絶縁層35の厚みを測定する。続く図3dの工程において、所定の厚み分だけを研削または、研磨することにより、絶縁層35を上部表面から削り、犠牲層ピラー34の上部表面とその周辺の絶縁層35の上部表面が平坦化された状態とする。このとき、バフ研磨装置、グラインダー、サーフェースプレーナー研削機、または切削機、CMP等が研磨または研削するための装置として好適に使用されるが、それらに限定されない。続いて、溶剤、薬液によって犠牲層ピラー34を除去して、図3eの断面構造のようにビアホール36が開口した状態とする。この時の除去方法としては、犠牲層ピラー34の溶剤成分等を含む薬剤でのウェットプロセスでの除去方法が好適に使用されるが、それらに限定されない。またこの除去後に、洗浄のための酸素プラズマアッシング等の工程を入れることは、残渣を除去するという目的において有効である。図3fには、図3eの状態からシード層37を形成し、フォトレジスト層38をパターンニングした断面構造を示している。シード層37を蒸着法や無電解めっき法により供給する。フォトレジストをラミネート法、スピンコート法、スプレーコート法等により供給した後、UV露光と現像によってフォトレジスト層38をパターンニングしている。シード層37としては、Ti、Cu、Pd等金属の単層もしくは、複合層から形成されるがそれらに限定されない。続いて、電解めっき、もしくは無電解めっき法によりフォトレジスト層38の開口された部分に、任意の厚みで金属導体をめっきし、配線導体層39を形成することで図3gの断面構造の状態とする。めっき工程の後にフォトレジストを除去しシード層37をエッチングすることで、図3hのように配線導体層39を絶縁層35の上に、シード層37を介して設置することができる。その後、さらに多層の絶縁層と配線導体層を交互に形成することで、図1jと同様に多層配線を形成することも可能である。また、ソルダーレジストや金属バンプ等を形成し製品とすることが可能である。本実施の形態の再配線方法は、機能素子の電極パッド上に犠牲層ピラーを形成し、さらに機能素子の全面に絶縁層を形成する。絶縁層と犠牲層ピラーを平坦化した後、犠牲層ピラーを除去し、ビアホールを形成する。ビアホールを充填するように配線導体層を形成し、再配線導体層を形成する。本発明の研磨もしくは研削工程においては、電極パッドに加わるせん断応力を緩和層ピラーが緩和するために、機能素子の内部配線への損傷を防ぐことが可能となり、製品の歩留まりと信頼性信頼性に優れた機能素子製品を供給することが可能となる。第四の実施の形態図4a~d、図4e、fに本発明の第四の製造方法の実施の形態を示す各工程の断面模式図を示す。図4aは、ベース基板41に配線層42を形成し、配線層42上に金属ピラー43を形成した構造を示す図である。本発明においては、ベース基板としては、Cu、ステンレス等の金属や、ガラス基板、アルミナ基板、Si等が好適に使用されるがそれらに限定されない。また、ベース基板41が導体、もしくは半導体である場合には、絶縁層をベース基板41と配線層42の間に設けることが電気特性上望ましい。ここで、ベース基板41自体が機能素子である場合には、電極パッドの直上に配線層42を介して金属ピラー43を形成することは、後の研削もしくは研磨する工程を考えた場合、機能素子内部の損傷を招くため望ましくない。金属ピラー43としては、銅、金、Sn-Ag、Sn等の材料が好適に使用できるがそれらに限定されず、金属ピラー43の製造方法として、めっき法や金ワイヤーの加熱による突起電極の形成方法、金属ペーストの印刷、リフロー方法等が好適に使用できるがそれらに限定されない。図4bは、図4aの構造で所定の位置に機能素子45を、接着層44を介して、回路面を上向きに設置した構造を示す図である。このとき、機能素子45は、接着層44を介して配線層42ではなく、ベース基板41に直接接続、接着されても良い。このとき機能素子45の電極パッド46は上方に露出している。更には、電極パッド46上には予め、犠牲層ピラー47を形成しておく。接着層44としては、エポキシ、ポリイミド、PNB、PBO等からなるダイアタッチメントフィルムや液状樹脂を好適に使用できるが、それらに限定されない。放熱またはグランド特性の向上のため、銀ペースやはんだペーストも好適に使用されるがそれらに限定されない。また形成方法も、スピンコート法、ディスペンス法、ラミネート法、印刷法等が好適に使用できるがそれらに限定されない。図4cは、図4bの状態に、絶縁層48を供給し、機能素子45の周辺部分の樹脂を除去することで、得られる構造を示した図である。ここで、機能素子45の周辺部分の樹脂を取り除く理由としては、機能素子の回路面の表面に樹脂を残さないことで、図4dに示す、機能素子45表面上の絶縁層49の高さを制御しやすくするためである。図4cの構造を得るために、絶縁層48はスピンコート法や、カーテンコート法、ラミネート法により機能素子45を含むベース基板41上の全面に供給された後、感光性のある場合には露光現像により、機能素子45周辺の絶縁層48を形成する樹脂を除去する。樹脂が非感光性である場合には、樹脂シートを使用し、予め機能素子45が存在する箇所をポンチやカッター等で開口し、ラミネートやプレス機を使用して、樹脂シートを積層して硬化することで図4cの状態を得ることができる。図4dは、図4cで示した構造の状態に、上面から絶縁層49を供給した断面構造を示す模式図である。このとき絶縁層49は有機であっても、無機であっても構わない。絶縁層49の供給前には、機能素子45表面上を清潔な状態に保っていたため、機能素子45上の絶縁層49の厚みを狙いの厚みに近づけることができる。そのため、絶縁層49を薄く供給制御することが可能となり、機能素子45に形成された電極パッド46上への微細な内径と配置のピッチを持つビアホール50を形成することが容易となる。しかしながら、絶縁層49の表面には、金属ピラー43上や機能素子45周辺での段差が形成される。図4eは、図4dで示した構造の状態から、研磨もしくは研削によって金属ピラー43の頭だしと機能素子45の電極パッド46の上の犠牲層ピラー47の頭だしを行った後の断面構図を示す模式図である。本発明では、研磨もしくは研削の工程において、電極パッド46に加わるせん断応力を犠牲層ピラー47が緩和するために、機能素子45の内部配線への損傷を防ぐことが可能となり、製品の歩留まりと信頼性を高めることができる。続いて、図4fは、図4eで示した構造の状態から、機能素子45の電極パッド46上の犠牲層ピラー47を溶剤等によるウェットエッチングや、絶縁層48、49と犠牲層ピラー47の選択性を使用したドライエッチングにより除去した断面模式図を示している。ビアホール50の底部にある電極パッド46上に樹脂残渣等が存在しないように、有機溶剤による洗浄や、酸素プラズマを使用した洗浄は、続く配線形成での歩留まりや電気特性の劣化を防ぐ上で効果的である。また、この時、電極パッド46を構成する材料がエッチングの影響を受けないよう、バリア層の役割を果たす金属膜を予め電極パッド46に形成しておく方法も信頼性確保するために効果的である。図4fで得られる断面模式図は、第二実施形態の図2gと同じであり、図4f以降の工程では、図1h~jの工程を経ることで、機能素子45の断面より見て上下に再配線層を形成することが可能となる。さらに図1jと同様の工程での配線の多層化や、ベース基板41を除去や、実装を行った場合にも製造方法としての本発明の範疇に含まれる。また、金属ピラー43は形成しなくとも、本発明の範疇に含まれるものである。本実施の形態の再配線方法は、ベース基板に配線層を形成し、配線層には金属ピラーまたは電極パッド上に犠牲層ピラーを備えた機能素子を配置する。機能素子が配置されたベース基板に絶縁層を形成し、機能素子の周辺部分の絶縁層を除去し、さらに絶縁層を形成する。絶縁層、犠牲層ピラー、金属ピラーを平坦化し、電極パッド上の犠牲層ピラーを除去する。その後犠牲層ピラーが除去されたビアホールを充填するように配線導体層を形成し、再配線導体層を形成する。本発明の研磨もしくは研削工程においては、電極パッドに加わるせん断応力を犠牲層ピラーが緩和するために、機能素子の内部配線への損傷を防ぐことが可能となり、製品の歩留まりと信頼性信頼性に優れた機能素子製品を供給することが可能となる。第一の実施例本発明の第一の実施例を、図面を参照して詳細に説明する。本発明の第一の製造方法の実施の形態を示す図1a~e、図1f~jを参照して、第一の実施例として、その詳細を具体的に説明する。図1aは、機能素子1としてSi基材のLSIを使用し、機能素子の内部配線層2に相当するトランジスタ形成箇所上に設けられたBEOL層BackEndOfLineの最上層に設けられたアルミニュームAlの電極パッド3を示す構造断面図である。このBEOL層の内部には、Low-k材料も含まれている。続く工程で、図1bのように、絶縁層4を形成する。ここでは例えば、絶縁層4として、スピンコート法により膜厚5~30μmのダウケミカル製のベンゾシクロブテン以下BCBと略記を供給し、ホットプレート上で半硬化した。ここで、BCBを8インチウェハに供給した場合には、ウェハ端部と中心部の間で膜厚に約3~5μmの差が出る。また電極パッド3周辺にポリイミド等の絶縁材料が形成されている場合には、BCBの厚みが薄い場合、ポリイミドの膜厚に応じた表面凹凸が電極パッド周辺に発生する。図1cは、続く工程として、絶縁層4にビアホール5を形成した構造を示している。ビアホール5は、絶縁層4がBCBの場合、露光と現像により形成が可能である。感光特性を考えた場合、樹脂の膜厚は低いほど、微細なビアホール5を形成するに有利となる。ビアホール5を形成した後も、図1bの状態にて発生していた絶縁層4上の凹凸は存在する。その後、BCB膜厚に応じて、200°Cから250°Cの温度で、30分から120分の間、オーブン中でBCBを加熱硬化した。この際にも、樹脂の硬化収縮により表面凹凸が、樹脂供給直後よりも大きくなる。続いて図1dの工程にて、犠牲層6を、ビアホール5内を充填するよう供給する。犠牲層6として、例えば東京応化工業製やAZElectronicMaterials製レジストを使用した。供給方法は、スピンコート法を使用し、膜厚は20-30μmを用いた。その後、エリプソメーターを使用して、機能素子上に設けられた絶縁層4と犠牲層6の総厚みを測定した。所定の厚み分だけを研削または、研磨することにより、BCB残部厚みが5μmとなるように、犠牲層6を上部表面から削り、図1eの構造のように、上部表面が平坦化された状態とする。このとき例えば、DISCO社製グラインダーにより研削することができる。このときの研削後の表面粗さRmaxは、1μm以下となる。このとき図9に示す従来法では、研削された金属ピラー104より発生した金属屑が絶縁層105の表面に散在することによる、絶縁破壊抵抗が信頼性上問題となる。しかし本発明においては、金属を研削せずに、電極パッド上はあらかじめ供給した犠牲層6を研削するため、絶縁特性に優れた絶縁層4を得ることができる。犠牲層6が樹脂レジストで、金属でないことから、その硬度が軟らかく、研削時の応力は犠牲層6で緩和、吸収される。そのため研削時の応力は機能素子の内部には伝達されず、応力による機能素子の内部回路の損傷が防止される。さらに研削子ダイアモンドバイト106の先端の磨耗量を減少させることができるため、一研削子あたりの製品処理数を増加させ、製品の製造コストの低減が可能となった。更なる小さな表面粗さを求める場合には、CMPを用いた表面の平坦化を行い、0.5μm以下の表面粗さRmaxを得ることができる。続いて、ビアホール5に充填された犠牲層6を除去して、図1fの断面構造のようにビアホール5が開口した状態となる。この時犠牲層6として、フォトレジストを用いているため、除去方法としては、MEK,IPA、エタノール等溶剤成分でのウェットプロセスを使用した。またこのフォトレジストの除去後に、電極パッド3の上の残渣除去のため酸素プラズマアッシングを行った。続いて図1gに示す断面模式図のように、図1fの状態からシード層7をスパッタリングにより供給する。さらに、フォトレジストをスピンコート法、またはスプレーコート法により供給した後、所定の温度でのプレベーク後に、UV露光と現像によってフォトレジスト層8をパターンニングした。シード層7は、Ti層10~50nm厚み、Cu層100~300nm厚みを順次スパッタリングした。フォトレジストとしては、厚みを5~30μmとして、東京応化工業製やAZElectronicMaterials製レジストを使用した。続いて、電解めっき法によりフォトレジスト層8が開口された部分に、1~30μmの厚みで銅をめっきし、配線導体層9を形成することで図1hの断面構造の状態となる。めっき工程の後にフォトレジストをMEK,エタノール、IPAで除去し、露出したシード層除去のため、Cu、Ti層を順次エッチングすることで、図1iのように電極配線層9を絶縁樹脂層4の上に、シード層7を介して設置することができる。その後、ソルダーレジスト層をラミネータにより供給して、Snはんだめっきを施し、ウェハをダイシングすることによって、個片化された再配線を形成済みのLSIを製造した。本発明においては、さらに多層の絶縁層と配線導体層を交互に形成することで、多層配線を形成することも可能である。以上の方法によって、信頼性に優れた機能素子製品を供給することが可能となった。図1jは、図1a~図1iまでの本発明による再配線方法を形成した後に、更に多層にするために、セミアディティブ法を用いて、絶縁層25と配線導体層26を形成した断面模式図を示す。絶縁層25としてBCBを使用しスピンコート法により5~20μmの厚みで供給した後に露光現像でのビア開口、オーブンでの半硬化を行った。続いてシード層をスパッタリングにより形成した。露光現像工程によるフォトレジストのパターンニングの後に、配線導体層26としてCuの電解めっきを行い、めっき厚み1~20μmとした。電解めっき後は、フォトレジストの溶剤による除去と、シード層のエッチングを行うことで、配線導体層26を形成した。本実施例による機能素子の再配線方法は、絶縁樹脂層をLSI等の機能素子ウェハ上に供給し、電極パッド上の樹脂をドライエッチプロセスや感光性プロセス、レーザーにより除去することでビアホールを形成する。続いてビア内部に犠牲樹脂をスピンコートや印刷、ラミネート法により充填する。その後、研削や研磨によって、絶縁樹脂の頭だしを行う。この時電極パッド上は、樹脂であるため、従来のCuピラーや金の突起電極を使用した場合に見られるせん断応力の伝達による、絶縁樹脂とCuピラーや金の突起電極の間に起こる剥離や、Lowk材の破壊を防ぐことが出来る。また、同時に研削くずのビア内部への侵入も防ぐことが出来る。更に絶縁樹脂層の表面を平坦にする。次に、ビア内部の犠牲層樹脂を溶剤や熱やUV照射により取り除く。めっきシード層を形成し、めっきレジストのパターンを形成後、電解めっきを行う。このとき、ビア位置周辺の平坦な樹脂表面では、微細な配線パターンを形成可能となる。レジストを剥離し、シード層をエッチングすることで、電極パッドからの再配線層を形成する。本実施例による機能素子の再配線方法は、研削や研磨工程において、電極パッド上はレジストからなる犠牲層とする。そのため、せん断応力を緩和させ、機能素子の内部回路の損傷を防ぐことが出来る。このように機能素子内部の破壊を防止し、信頼性に優れ高歩留まりで、かつ平坦性に優れた微細な配線導体層の形成することが可能となる。第二の実施例本発明の第二の実施例を、図面を参照して詳細に説明する。本発明の第二の製造方法の実施の形態を示す図2a~e、図2f~jを参照して、第二の実施例として、その詳細を具体的に説明する。図2aは、ベース基板11に厚み1~5μmによる銅の配線層12を形成し、配線層12上に高さ10~50μmのCuの金属ピラー13を形成した構造を示す図である。ここでベース基板としてはSiからなり、配線層12との間にSiO2層が形成されている8または12インチのウェハを使用した。この際ベース基板の内部にもトランジスタを形成した場合、電極パッドの直上に配線層12を介して金属Cuピラー13を形成する設計を避け、後の研削工程後のベース基板の損傷を防ぐことを可能とした。続いて、図2aの構造でアライメントマークを形成した配線層12上の所定の位置に、厚み8~20μmの機能素子15を、接着層14を介して回路面を上向きに搭載して、図2bに示す断面構造とした。このとき、機能素子15としてはLSIおよびIPDIntegratedpassivedevice:集積化受動デバイスを使用した。このとき機能素子15の厚みは、Cuピラー13の厚みより小さいことが、後の研削もしくは研磨の工程を考えた場合、望ましい。これらは、同一のベース基板11上に設置した。放熱のためには、搭載される機能素子の直下に銅からなる配線層12を形成し、ベース基板上の広いエリアに熱が拡散するよう設計した。またIPD等の発熱量の小さな素子に対しては、ベース基板11と接着層14の間に配線層12を形成しない設計とした。このように接着層14を介してベース基板11に直接接続されても良い。このとき機能素子15の電極パッド16は上方に露出している。接着層14としては、スピンコートでベース基板11上に供給し、露光現像で接着剤の必要な場所以外を樹脂除去するダウケミカル製BCBや、予め搭載する機能素子15の裏面にラミネートした15μm厚みのリンテック製LEシリーズを使用した。これらの接着剤は、機能素子の厚み、およびCuピラーの厚みに応じて選択した。図2cは、図2bの状態に絶縁層17を設け、機能素子15の周辺部分の絶縁層17を除去した図である。ここで、機能素子15の周辺部分の絶縁層17を取り除く理由としては、機能素子の回路面の表面に絶縁層17の樹脂を残さないことで、続く図2dで示す機能素子15表面上の絶縁層18の高さを制御しやすくするためである。図2cの構造を得るために、絶縁層17としてダウケミカル製BCBやHDマイクロシステムズ製HDシリーズ、住友ベークライト製CRCシリーズの樹脂を使用した。これらの樹脂がスピンコート法により機能素子15を含むベース基板11上の全面に供給された後、UV露光と現像により、機能素子15周辺の樹脂を除去した。ここで、樹脂の粘度が低く、機能素子の厚みが10μm以上で高い場合には、二度以上のスピンコートと露光現像を繰り返すことによって、図2cの構造とすることができる。ここで、絶縁層17は、同一樹脂からなる単層である必要は無く、異なる樹脂により構成された複数層の積層体であっても良い。なお、図2cの状態において、Cuピラー13の外周を取り囲む、絶縁層17の厚みより高さが高い部分では、Cuピラー13の表面を絶縁層17の樹脂が取り囲んでいる。図2dは、図2cで示した構造の状態に、上面から絶縁層18を設けた断面構造を示す模式図である。このとき絶縁層18は絶縁層17と同じように有機材料であっても、無機材料であってもかまわない。無機材料として、SiO2およびSi3N4層をプラズマ化学気相成長法以下、PECVD法と略記により蒸着した。しかしながら膜厚が5μm以上の場合には、蒸着法によるスピードではプロセスタイムの長さが問題となるために、ダウケミカル製BCBやHDマイクロシステムズ製HDシリーズ、住友ベークライト製CRCシリーズを使用し、スピンコート法により供給した。無機の材料を使用した場合には、さらに有機もしくは金属からなるマスク材料を供給し、ドライエッチングにより、機能素子15に形成された電極パッド16上への微細な内径と配置のピッチを持つビアホール19を形成した。有機の材料を使用した場合には、非感光樹脂の場合、レーザー、およびマスク材料を用いたドライエッチングによりビアホール19を形成した。感光性の場合には露光、現像によりビアホール19を形成した。ここで、絶縁層18の上部表面には、Cuピラー13上や機能素子15周辺での段差が形成された状態となる。図2eは、図2dで示した構造の状態に、犠牲層20を設けた状態を示す断面模式図である。犠牲層20としては、東京応化工業製やAZElectronicMaterials製のフォトレジストを使用した。絶縁層18の表面凹凸に応じた樹脂厚みを選択することで、フォトレジスト最上層表面の凹凸を小さくすることができたため、ここでは、フォトレジスト厚み20μmを選択した。ベース基板11の上に形成された、犠牲層上部までの全体の厚みをプローバーによりウェハ上の数点で測定した。図2fは、図2eで示した構造の状態から、研削もしくは研削によってCuピラー13の頭だしと機能素子15の電極パッド16の上のビアホール19に充填された犠牲層20の頭だしを行った後の断面構図を示す模式図である。ここでは、絶縁層18が有機の場合にはDISCO社製研削装置を使用した。絶縁層18が無機の場合には、グラインダーを使用した。使用する装置により、露出した絶縁層17、18、犠牲層20、Cuピラー13の表面凹凸は、約5μm以下に抑えることが可能となる。しかし表面粗さについては、使用装置や構成材料の組み合わせに応じて変化するため、凹凸の量についてはこの限りではない。本発明では、研磨もしくは研削の工程において、電極パッド16に加わるせん断応力を充填した犠牲層20が緩和するために、機能素子15の内部配線への損傷を防ぐことが可能となり、製品の歩留まりと信頼性を高めることができる。続いて、図2gは、図2fで示した構造の状態から、機能素子15の電極パッド16上ビアホール19に充填された犠牲層20をMEK,エタノール、IPA等によるウェットエッチングを行った後の断面構造図である。図2hは、図2gで示した構造の状態から、めっき工程でのシード層21とフォトレジスト層22を形成した断面構造を示す模式図である。シード層21となる金属層として、Ti層10~50nm厚み、Cu層100~300nm厚みを順次スパッタリングした。さらにフォトレジストとしては、厚みを5~30μmとして、東京応化工業製やAZElectronicMaterials製レジストを使用した。フォトレジスト層22を供給した後に、露光現像により、所定の配線導体層パターンとなるよう、めっきされる部分のフォトレジスト層を除去した。フォトレジスト層の供給方法は、ラミネート法を使用した。本発明では、予め、研磨もしくは研削により表面を平坦化されているため、シード層供給や、フォトレジスト22の形成時に凹凸による不連続点の発生を抑えるため、続く工程において、高歩留まりな配線形成が可能となった。図2iは、図2hで示した構造の状態から、電解めっき法により、厚み1~10μmの銅の配線導体層23を形成した断面構造を示す模式図である。めっき面が予め、研削もしくは研磨により平坦化されているため、高歩留まりでのめっき工程が可能となり、配線幅10μm以下での銅めっき配線でも、表面凹凸によるオープン不良を防ぐことができた。図2jは、図2iで示した構造の状態から、フォトレジスト22をIPA,MEK,エタノールを使用して剥離し、めっきシード層21を混合酸およびアルカリ性溶液によりCu、Tiと順次除去した後の断面構造を示す模式図である。さらに図2jの状態から、絶縁樹脂層を供給し、ビアホールを設け、セミアディティブプロセスによる図1jの工程と同様に配線の多層化も行える。また、導体の最表層にはんだボールを形成し、フリップチップ接続に使用可能な実装製品とすることを可能である。本実施例による機能素子内蔵基板を形成する製造方法では、予めベース基板上に、配線層および金属ピラーを形成する。このときの金属ピラーは、ベース基板が機能素子である場合には、電極パッドにピラーを直接設けず、本機能素子の再配線方法を用いて、電極パッドより結線された別位置に設置する。ベース基板上に、機能素子を回路素子面を上にして搭載する。ベース基板上の機能素子と金属ピラーを絶縁樹脂層で埋め込む。この時、感光性樹脂の使用や印刷法によって樹脂が機能素子位置に入り込まないようパターニングする。次に機能素子上へ絶縁樹脂層を供給する。この時、機能素子上には元々樹脂がないため、樹脂膜厚は、任意にコントロールできる。感光性である場合には露光現像等で、非感光性である場合にはドライエッチング、レーザーにより機能素子の電極パッド上の樹脂を除去し、ビアホールを形成する。その後は、ビアホール内に犠牲層樹脂を供給し、研削や研磨によって、絶縁樹脂の頭だしと同時に金属ピラーの頭出しを行う。この時、機能素子の電極パッド上は樹脂であるため、応力の伝達による機能素子内部のLowk材等脆い材料の破壊を防ぐことが出来る。また、研削屑のビア内部への侵入も防ぐことが出来る。また樹脂表面を平坦にすることが出来る。ビア内部の犠牲層を取り除く。めっきシード層を形成し、めっきレジストのパターンを形成した後に電解めっきを行う。ビア位置周辺の平坦な樹脂表面では、微細な配線パターンを形成可能となる。レジストを剥離し、シード層をエッチングすることで、頭だしされた機能素子の電極パッドと、金属ピラーと、ベース基板の配線層とを結線を結線する絶縁樹脂上の配線導体層を形成することができる。本実施例によれば平坦化工程におけるせん断応力を犠牲層で緩和させることから、機能素子内部の破壊を防止し、信頼性に優れ高歩留まりで、かつ平坦性に優れた微細な配線導体層の形成することが可能となる。第三の実施例本発明の第三の実施例を、図面を参照して詳細に説明する。図3a~d、図3e~hに本発明の第三の製造方法の実施例を示す。図3aは、機能素子31としてLSIを使用した際の、その内部配線層32と、内部配線32の最上層に設けられたAlからなる電極パッド33の構造を示している。図3bにおいて、電極パッド33上の一部にダウケミカル製BCBによる高さ20-30μmの犠牲層ピラー34を形成した。この犠牲層ピラー34は電極パッド33の上に露光現像により形成した。図3cにおいて、絶縁層35として、Si3N4を150°Cの蒸着温度で40μm厚みとなるまで、PECVD法によって供給した。その後、エリプソメーターによってSi3N4からなる絶縁層35の厚みを測定した。続く図3dの工程において、研磨することにより、20μm厚み分だけ絶縁層35を上部表面からグラインダーにより削り、犠牲層ピラー34の上部表面と絶縁層35の上部表面とを平坦化した。BCBからなる犠牲層ピラー34の上部表面と、その周辺のSi3N4からなる絶縁層35の上部表面が平坦化された状態とし、その表面粗さRmax以下とした。続いて、溶剤によるウェットエッチングによって犠牲層ピラー34を除去して、図3eの断面構造のようにビアホール36が、電極パッド33上に開口した状態とする。犠牲層ピラー34の除去後に、洗浄のための酸素プラズマアッシング工程によって残渣を除去した。次に図3fに示すように、図3eの状態から、シード層37を形成し、フォトレジスト層38をパターンニングした断面構造とした。Ti層10~50nm厚み、Cu層100~300nm厚みを順次スパッタリングすることでシード層37を形成した。さらに東京応化工業製やAZElectronicMaterials製レジストを使用してフォトレジストをスピンコート法により供給した後、UV露光と現像によってフォトレジスト層38をパターンニングした。続いて、銅を電解めっき法によりフォトレジスト層38の開口された部分に、1~10μm厚みで金属導体をめっきし、配線導体層39を形成することで、図3gの断面構造の状態とする。電解めっき工程の後に、溶剤を使用してフォトレジスト38を除去し、TiとCuからなるシード層37を酸やアルカリ溶液を用いてエッチングすることで、図3hの断面構造の状態とする。図3hのように銅からなる配線導体層39をSi3N4からなる絶縁層35の上に、シード層37を介して設置することができる。その後、さらに多層の絶縁層と配線導体層を交互に形成し、隣り合う配線導体層の間をCuビアで結線することで、多層配線を形成した。また、ソルダーレジストや金属バンプ等を形成し製品とした。以上の方法によって、信頼性に優れた機能素子製品を形成した。本実施例による機能素子の再配線方法は、絶縁樹脂層をLSI等の機能素子ウェハ上に供給し、電極パッド上の樹脂を感光性プロセス、レーザーにより犠牲層ピラーを形成する。その後、絶縁樹脂を供給した後に、研削や研磨によって、犠牲層ピラーの頭だしを行う。この時電極パッド上は、樹脂であるため、従来のCuピラーや金の突起電極を使用した場合に見られるせん断応力の伝達による、絶縁樹脂とCuピラーや金の突起電極の間に起こる剥離や、Lowk材の破壊を防ぐことが出来る。また、同時に研削くずのビア内部への侵入も防ぐことが出来る。絶縁樹脂層の表面を平坦にし、ビア内部の犠牲層樹脂を溶剤や熱やUV照射、ドライエッチング等により取り除く。めっきシード層を形成し、めっきレジストのパターンを形成後、電解めっきを行う。このとき、ビア位置周辺の平坦な樹脂表面では、微細な配線パターンを形成可能となる。レジストを剥離し、シード層をエッチングすることで、電極パッドからの再配線層を形成する。信頼性に優れ高密度な導体配線形成が可能となる。第四の実施例本発明の第四の実施例を、図面を参照して詳細に説明する。図4a~d、図4e、fに、本発明による第四の製造法の実施例を示す。図4aは、ベース基板41に厚み1~5μmによる銅の配線層42を形成し、配線層42上に高さ10~50μmのCuからなる金属ピラー43を形成した構造を示す図である。ここでベース基板としてSiからなり、配線層42との間にSiO2層が形成されている8または12インチのウェハを使用した。この際ベース基板の内部にもトランジスタを形成した場合、ベース基板の電極パッドの直上に配線層42を介してCuピラー43を形成する設計を避けることで、後の研削工程後のベース基板の損傷を防ぐことを可能とした。続いて、図4aの構造でアライメントマークを形成した配線層42上の所定の位置に、厚み8~20μmの機能素子45を接着層44を介して回路面を上向きに搭載して、図4bに示す断面構造とした。このとき、機能素子45としてはLSIおよびMEMSデバイス、IPDを使用した。このとき機能素子45の厚みは、Cuピラー43の厚みより小さいことが、後の研削もしくは研磨の工程を考えた場合に望ましい。これらは、同一のベース基板41上に設置した。放熱のためには、搭載される機能素子の直下に銅からなる配線層42を形成し、ベース基板上の広いエリアに熱が拡散するよう設計した。またIPD、MEMS等の発熱量の小さな素子に対しては、ベース基板41と接着層44の間に配線層42を形成しない設計とし、接着層44を介して機能素子41がベース基板41に直接接続される構造とした。このとき機能素子45の電極パッド46に予め形成した犠牲層ピラー47は上方に面している。接着層44としては、スピンコートでベース基板41上に供給し、露光現像で接着剤の必要な場所以外を樹脂除去するダウケミカル製BCBや、予め搭載する機能素子45の裏面にラミネートした15~20μm厚みのリンテック製LEシリーズを使用した。これらの接着剤の厚みおよび材料は、機能素子の厚み、およびCuピラーの厚みに応じて選択した。図4cは、図4bの状態に絶縁層48を供給し、機能素子45の周辺部分の絶縁層48の樹脂を除去することで、得られた断面構造図である。ここで、機能素子45の周辺部分の絶縁層48を取り除く理由としては、機能素子の回路面の表面に絶縁層48の樹脂を残さないことで、続く図4dで示す工程での機能素子45表面上の絶縁層48の高さを制御しやすくするためである。図4cでは、絶縁層48としてダウケミカル製BCBやHDマイクロシステムズ製HDシリーズ、住友ベークライト製CRCシリーズを使用した。絶縁層48として、スピンコート法により機能素子45を含むベース基板41上の全面に供給された後、UV露光と現像により、機能素子45の周辺の樹脂を除去した。ここで、樹脂の粘度が低く、機能素子の厚みが10μm以上で高い場合には、二度以上のスピンコートと露光現像を繰り返すことによって、図4cの構造とすることができる。ここで、絶縁層48は、同一樹脂からなる単層である必要は無く、異なる樹脂により構成された複数層の積層体であっても良い。なお、図4cの状態において、Cuピラー43の外周を取り囲む、絶縁層48の厚みより高さが高い部分では、Cuピラー43の表面を絶縁層48の樹脂が取り囲んでいる。図4dは、図4cで示した構造の状態に上面から、さらに絶縁層49を供給した断面構造を示す模式図である。このとき絶縁層49は絶縁層48と同じように有機材料であっても、無機材料であってもかまわない。SiO2またはSi3N4層を5~10μm厚みで、絶縁層49としてPECVD法により蒸着した。ここで、絶縁層49の上部表面には、Cuピラー43上や機能素子45周辺での段差が形成された状態となる。図4eは、図4dで示した構造の状態から、研磨もしくは研削によって機能素子45の電極パッド46の上の犠牲層ピラー47の頭だしを行った後の断面構図を示す模式図である。本発明では、研磨もしくは研削の工程において、電極パッド46に加わるせん断応力を犠牲層ピラー47が緩和するために、機能素子45の内部配線への損傷を防ぐことが可能となり、製品の歩留まりと信頼性を高めることができる。続いて、図4fは、図4eで示した構造の状態から、機能素子45の電極パッド46上の犠牲層ピラー47を溶剤等によるウェットエッチングにより除去した断面模式図を示している。ビアホール50の底部にある電極パッド46上に樹脂残渣等が存在しないように、有機溶剤による洗浄や、酸素プラズマを使用した洗浄は、続く配線形成での歩留まりや電気特性の劣化を防ぐ上で効果的である。また、この時、電極パッド46を構成する材料がエッチングの影響を受けないよう、バリア層の役割を果たす金属膜を予め電極パッド46に形成しておく方法も信頼性確保するために効果的である。図4fで得られる断面模式図は、図2gと同じであり、図4f以降の工程では、図2h~jの工程を経ることで、機能素子45の断面より見て上下に再配線層を形成することが可能となる。本発明による機能素子の再配線方法においては、図4a~d、図4e、fに、さらに図2h~jの工程を経る実施例を示す。さらに配線の多層化や、ベース基板の除去や、実装を行った場合にも製造方法として本発明の範疇に含まれる。また、金属ピラーは形成しなくとも、本発明の範疇に含まれるものである。本実施例によれば平坦化工程におけるせん断応力を犠牲層ピラーで緩和させることから、機能素子内部の破壊を防止し、信頼性に優れ高歩留まりで、かつ平坦性に優れた微細な配線導体層の形成することが可能となる。本発明による機能素子の再配線方法は、絶縁樹脂層をLSI等の機能素子ウェハ上に供給し、電極パッド上の樹脂をドライエッチプロセスや感光性プロセス、レーザーにより除去することでビアホールを形成する。続いてビア内部に犠牲層をスピンコートや印刷、ラミネート法により充填する。その後、研削や研磨によって、絶縁樹脂の頭だしを行う。この時電極パッド上は、樹脂であるため、従来のCuピラーや金の突起電極を使用した場合に見られるせん断応力の伝達による、絶縁樹脂とCuピラーや金の突起電極の間に起こる剥離や、Lowk材の破壊を防ぐことが出来る。また、同時に研削くずのビア内部への侵入も防ぐことが出来る。更に絶縁樹脂層の表面を平坦にする。次に、ビア内部の犠牲層樹脂を溶剤や熱やUV照射により取り除く。めっきシード層を形成し、めっきレジストのパターンを形成後、電解めっきを行う。このとき、ビア位置周辺の平坦な樹脂表面では、微細な配線パターンを形成可能となる。レジストを剥離し、シード層をエッチングすることで、電極パッドからの再配線層を形成する。本発明による機能素子内蔵基板を形成する製造方法では、予めベース基板上に、配線および金属ピラーを形成する。このときの金属ピラーは、ベース基板が機能素子である場合には、電極パッドにピラーを直接設けず、本機能素子の再配線方法を用いて、電極パッドより結線された別位置に設置する。ベース基板上に、機能素子を回路面を上にして搭載する。ベース基板上の機能素子と金属ピラーを絶縁樹脂で埋め込む。この時、感光性樹脂の使用や印刷法によって樹脂が機能素子位置に入り込まないようパターニングする。次に機能素子上へ絶縁樹脂を供給する。この時、機能素子上には元々樹脂がないため、樹脂膜厚は、任意にコントロールできる。感光性である場合には露光現像等で、非感光性である場合にはドライエッチング、レーザーにより機能素子の電極パッド上の樹脂を除去し、ビアホールを形成する。その後は、ビアホール内に犠牲層樹脂を供給し、研削や研磨によって、絶縁樹脂の頭だしと同時に金属ピラーの頭出しを行う。この時、機能素子の電極パッド上は樹脂であるため、応力の伝達による機能素子内部のLowk材等脆い材料の破壊を防ぐことが出来る。また、研削屑のビア内部への侵入も防ぐことが出来る。また樹脂表面を平坦にすることが出来る。ビア内部の犠牲層を取り除く。めっきシード層を形成し、めっきレジストのパターンを形成した後に電解めっきを行う。ビア位置周辺の平坦な樹脂表面では、微細な配線パターンを形成可能となる。レジストを剥離し、シード層をエッチングすることで、頭だしされた金属ピラーへ機能素子の電極パッド、ベース基板を結線する絶縁樹脂上の配線導体層を形成することが可能となる。本発明による機能素子の再配線方法は、絶縁樹脂層をLSI等の機能素子ウェハ上に供給し、電極パッド上の樹脂を感光性プロセス、レーザーにより犠牲層ピラーを形成する。その後、絶縁樹脂を供給した後に、研削や研磨によって、犠牲層ピラーの頭だしを行う。この時電極パッド上は、樹脂であるため、従来のCuピラーや金の突起電極を使用した場合に見られるせん断応力の伝達による、絶縁樹脂とCuピラーや金の突起電極の間に起こる剥離や、Lowk材の破壊を防ぐことが出来る。また、同時に研削くずのビア内部への侵入も防ぐことが出来る。更に絶縁樹脂層の表面を平坦にする。次に、ビア内部の犠牲層樹脂を溶剤や熱やUV照射、ドライエッチング等により取り除く。めっきシード層を形成し、めっきレジストのパターンを形成後、電解めっきを行う。このとき、ビア位置周辺の平坦な樹脂表面では、微細な配線パターンを形成可能となる。レジストを剥離し、シード層をエッチングすることで、電極パッドからの再配線層を形成する。信頼性に優れ高密度な配線導体形成が可能となる。以上、好ましい実施の形態について説明したが、本発明はこれら実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において適宜の変更が可能なものである。本願は、日本国特許出願番号第2010133785号に基く優先権を主張するものであり、その開示内容を本願において組み込み、全体的に参照できるものとする。"