"バリア膜若しくはバリア膜とシード膜からなる複合膜の上に銅配線層を有する半導体集積回路装置の前記バリア膜を構成するバリア材として、単位結晶格子の最近接原子間距離DMがルテニウムの単位結晶格子の最近接原子間距離DRuに近い領域にあって、かつ融点若しくは変態点が650ケルビンK以上である金属又は金属間化合物を選択することを特徴とする半導体集積回路用バリア材の探索方法。前記バリア膜を構成するバリア材料の単位結晶格子の最近接原子間距離DMが、ルテニウムの単位結晶格子の最近接原子間距離DRuに対して、オングストロームÅ単位で-0.200Å<DM―DRu<0.120Åの関係を満たすことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路用バリア材の探索方法。前記バリア膜を構成するバリア材の単位結晶格子の最近接原子間距離DMが、さらに、銅の単位結晶格子の最近接原子間距離DCuに対して、絶対値として|[DM―DCu/DCu]│×100>3.0の関係を満たすことを特徴とする請求項2に記載の半導体集積回路用バリア材の探索方法。バリア膜を構成するバリア材の融点若しくは変態点が1000~2000ケルビンKであることを特徴とする請求項3に記載の半導体集積回路用バリア材の探索方法。請求項1又は2に記載の方法によって探索される金属ただし、ルテニウムは除く又は金属間化合物からなる半導体集積回路装置用バリア材。請求項3に記載の方法によって探索される金属ただし、ルテニウムは除く又は金属間化合物からなる半導体集積回路装置用バリア材。請求項4に記載の方法によって探索される金属又は金属間化合物からなる半導体集積回路装置用バリア材。前記の金属又は金属間化合物は、IrMo、FePt、Mn3Pt、Pt3Mn、CoPt、Pd3Fe、NiPt、FePd、CuAu、Cu3Au、Ni3Fe、Ni3Mn、Ni3Pt、及びCu3Pdの群から選ばれるいずれか一つであることを特徴とする請求項5に記載の半導体集積回路装置用バリア材。前記の金属又は金属間化合物は、IrMo、FePt、Mn3Pt、Pt3Mn、CoPt、Pd3Fe、NiPt、FePd、CuAu、及びCu3Auの群から選ばれるいずれか一つであることを特徴とする請求項6に記載の半導体集積回路装置用バリア材。前記の金属又は金属間化合物は、IrMo、FePt、Mn3Pt、Pt3Mn、CoPt、及びPd3Feの群から選ばれるいずれか一つであることを特徴とする請求項7に記載の半導体集積回路装置用バリア材。前記の金属又は金属間化合物はIrMoであることを特徴とする請求項10に記載の半導体集積回路装置用バリア材。しかしながら、前記の特許文献6に記載のロジウム、イリジウム、オスミウム又は白金は、希少金属又は非常に高価な金属であり、ルテニウムと同様に、現状でもコストが高く、将来的には使用できなくなるという問題がある。そのため、Cu配線層を有する半導体集積回路装置において、Cuの拡散抑制についてルテニウムと同等以上の効果を有しながら、供給性の点で問題がなく、比較的低コストの新規なバリア材の開発が求められている。また、新規なバリア材の探索は、一般的に、数多くの様々な金属又は金属間化合物について試作や実験等による試行錯誤を行って探索するという従来の方法によって行われるが、この方法は効率的なものではなく、多大の費用と時間を要する。前記の特許文献6には、配線層であるCuの拡散を抑制するバリア材料を探索するために、ルテニウム及びCuの単位結晶格子の短辺と長辺の長さに注目して、それらの差及び比を規定する方法を開示しているが、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、オスミウム又は白金以外に、供給性の点で問題がなく、より安価な金属やその金属を含む金属間化合物をバリア材として適用できるとの知見にまでには至っていない。そのため、ルテニウムに代わる新規なバリア材を効率的に、より短時間で探索するための方法を新たに検討する必要があった。本発明は、上記した従来の問題点に鑑みてなされたものであって、銅拡散の抑制について従来のルテニウムバリア材と同等以上の効果を有し、供給性の点で問題がなく、比較的低コストの金属又はその金属を含む金属間化合物からなる半導体集積回路装置用バリア材料の探索方法及びその探索方法によって選択される金属又は金属化合物からなる新規な半導体集積回路装置用バリア材料を提供することにある。本発明は、従来からバリア材として使用されているルテニウムと配線層金属である銅との組合せについて、それぞれの結晶格子及び物性値が銅の拡散抑制を最大限に発揮するために、どのような関係にあるのかを鋭意検討した結果、配線層金属である銅の拡散を大幅に低減できるルテニウム代替の新規なバリア材の探索方法を見出すことによって、優れた銅のバリア性を有するバリア材が得られることが分かり本発明に到った。すなわち、本発明の構成は以下の通りである。1バリア膜若しくはバリア膜とシード膜からなる複合膜の上に銅配線層を有する半導体集積回路装置の前記バリア膜を構成するバリア材として、単位結晶格子の最近接原子間距離DMがルテニウムの単位結晶格子の最近接原子間距離DRuに近い領域にあって、かつ融点若しくは変態点が650ケルビンK以上である金属又は金属間化合物を選択することを特徴とする半導体集積回路用バリア材の探索方法を提供する。2前記バリア膜を構成するバリア材の単位結晶格子の最近接原子間距離DMが、ルテニウムの単位結晶格子の最近接原子間距離DRuに対して、オングストロームÅ単位で-0.200Å<DM―DRu<0.120Åの関係を満たすことを特徴とする前記1に記載の半導体集積回路用バリア材の探索方法を提供する。3前記バリア膜を構成するバリア材の単位結晶格子の最近接原子間距離DMが、さらに、銅の単位結晶格子の最近接原子間距離DCuに対して、絶対値として|[DM―DCu/DCu]│×100>3.0の関係を満たすことを特徴とする前記2に記載の半導体集積回路用バリア材の探索方法を提供する。4バリア膜を構成するバリア材の融点若しくは変態点が1000~2000ケルビンKであることを特徴とする前記3に記載の半導体集積回路用バリア材の探索方法を提供する。5前記1又は2に記載の方法によって探索される金属ただし、ルテニウムは除く又は金属間化合物からなる半導体集積回路装置用バリア材を提供する。6前記3に記載の方法によって探索される金属ただし、ルテニウムは除く又は金属間化合物からなる半導体集積回路装置用バリア材を提供する。7前記4に記載の方法によって探索される金属又は金属間化合物からなる半導体集積回路装置用バリア材を提供する。8前記の金属又は金属間化合物は、IrMo、FePt、Mn3Pt、Pt3Mn、CoPt、Pd3Fe、NiPt、FePd、CuAu、Cu3Au、Ni3Fe、Ni3Mn、Ni3Pt、及びCu3Pdの群から選ばれるいずれか一つであることを特徴とする前記5に記載の半導体集積回路装置用バリア材を提供する。9前記の金属又は金属間化合物は、IrMo、FePt、Mn3Pt、Pt3Mn、CoPt、Pd3Fe、NiPt、FePd、CuAu、及びCu3Auの群から選ばれるいずれか一つであることを特徴とする前記6に記載の半導体集積回路装置用バリア材を提供する。10前記の金属又は金属間化合物は、IrMo、FePt、Mn3Pt、Pt3Mn、CoPt、及びPd3Feの群から選ばれるいずれか一つであることを特徴とする前記7に記載の半導体集積回路装置用バリア材を提供する。11前記の金属又は金属間化合物は、IrMoであることを特徴とする前記10に記載の半導体集積回路装置用バリア材を提供する。本発明の探索方法によれば、数多くの様々な金属又は金属間化合物について試作や実験等による試行錯誤で探索する必要がなく、シミュレーションによって候補材料を絞った後、特性の確認を行って最適材料を選定することができる。そのため、銅の拡散抑制に対して優れたバリア性を有するルテニウム代替のバリア材の探索を、効率的に、かつ短時間で行うことが可能となる。本発明によれば、バリア膜を構成する材料の単位結晶格子の最近接原子間距離DMがルテニウムの単位結晶格子の最近接原子間距離DRuに近い領域にあるために、従来からバリア膜の材料として使用されているルテニウムと同じ様に、銅の拡散抑制に対して優れた効果が期待でき、供給性の点で問題がないルテニウム代替の半導体集積回路用バリア材を得ることができる。また、本発明によるバリア材料は、単位結晶格子の最近接原子間距離DMが低抵抗のルテニウムに近いために、従来のバリア材であるTa、Ti、TaN、TiN等よりも抵抗値を低くすることができる可能性が高く、今後、高集積、高密度及び高速化が要求される半導体集積回路装置用バリア材として使用できる。加えて、本発明によるバリア材は、単位結晶格子が凝集エネルギーの高いルテニウムの単結晶格子に近いだけではなく、融点若しくは変態温度が銅配線の結晶化アニールの温度として一般的に採用される250~400°C523~673ケルビンKよりも高いため、製造工程中に溶融や変形することなく、銅の拡散を十分に抑制できる効果を有する。図1は、バリア膜上に銅配線層を形成した半導体集積回路装置の概略断面図であり、実際の半導体集積回路装置は配線層が8層、9層、それ以上になっているが、説明を簡略化するために2層配線構造を例示している。図において、1は一方の主表面1aに隣接して多数個の回路素子図示せずが形成された半導体基体、2は半導体基体1の一方の主表面1a上に形成された例えばシリコン酸化物層からなる第1絶縁層、2aは第1絶縁層2に形成されたスルーホール、3はスルーホール2a内に形成された例えばタングステンからなるプラグ、3aはスルーホール2aとプラグ3との間に形成されたバリア膜、4は第1絶縁層2及びプラグ3上に例えば窒化シリコン層41を介して形成された例えばシリコン酸化物層42からなる第2絶縁層、4aは第2絶縁層4に形成された第1トレンチ、5は第1トレンチ4a内に形成された第1銅配線、5aは第1トレンチ4aと第1銅配線5との間に形成されたバリア膜、6は第2絶縁層4及び第1銅配線5上に例えば窒化シリコン層61を介して例えばシリコン酸化物層62、窒化シリコン層63、シリコン酸化物層64を順次積層して形成した第3絶縁層、6aは第2絶縁層6に形成された断面T字形を有する第2トレンチ、7は第2トレンチ6a内に形成された第2銅配線、7aは第2トレンチ6aと第2銅配線7の間に形成されたバリア膜である。第1銅配線5及び/又は第2銅配線7は、通常、250~400°C523~673ケルビンKの温度でアニール処理されて、銅配線の結晶状態が調整される。図2は、各バリア膜5a、7aの上に、例えば低抵抗の銅や銅-アルミニウム合金等からなるシード膜5b、7bを設けて、バリア膜とシード膜からなる複合膜を形成した後、めっき等によって銅配線層を形成した半導体集積回路である。前記のシード膜5b、7bは、バリア膜の低抗が高い場合に、銅めっきを行うために使用される。本発明は、図1及び図2に示すバリア層3a、5a、7aの少なくともいずれかの層に適用するために、従来から使用されているルテニウムバリア膜の代替として新規なバリア膜材料を選択するための探索方法であり、次に示す探索指針に基づくものである。1結晶構造がルテニウム膜に近い最密充填面を有すること、2凝集エネルギー、すなわち融点若しくは変態温度をできるだけ高くして、ルテニウム膜に近づけること、3結晶格子がCu格子に近く、Cu格子とのミスマッチ率が適度であること。上記の1~3は、ルテニウムRu膜及び従来からバリア膜として使用されているシリコンSi膜とチタニウムTi膜について、銅Cu膜との積層状態をモデルにしてRu膜へのCuの拡散状態を分子動力学法によって計算シミュレーションした結果から得られた知見である。ここで、Ru膜、Si膜及びTi膜の結晶配向面は100、0001とし、Cu膜の結晶配向面は111として計算した。計算手法として用いる分子動力学法MDは、材料を原子/分子の集合体と考え、個々の原子/分子の運動を追跡して原子構造と材料物性との相関を明らかにする計算手法であり、ナノスケール材料制御開発のための仮想実験に最適のツールである。MDの計算は,時間積分の計算と相互作用の計算の繰り返しである。すなわち、原子が受けている力を原子間ポテンシャルから計算し、ニュートンに運動方程式を微小な時間だけ時間積分して原子の位置と速度を求める。この一連の流れを繰り返すことで、材料を構成する原子が時間とともにどう変化していくのかを計算することができる。Cu-Ru、Cu-Si及びCu-Tiの各モデルのシミュレーション結果から、Ru膜はSi膜又はTi膜よりもCuの拡散が抑制される傾向にあることが分かった。Cuの拡散抑制の程度はバリア膜の結晶構造だけで決められるものでは無いが、少なくともRuに近い結晶構造を有する金属又は金属間化合物は、Cuの拡散抑制効果を有するバリア材料として適用できるものと考えられる。Cuの拡散は、Cuと単位結晶格子の辺の長さの差が小さいバリア材ほど抑制される効果が高くなることは知られているが前記の特許文献6の段落[0005]を参照、本発明では、Ruと類似の表面構造を有する面心立法格子fcc又は六方最密格子hcpの結晶構造を有する化合物について、それぞれの単位結晶格子において、最近接原子間距離がCuの拡散に対するバリア性に最も影響を与える物理量として着目した。この最近接原子間距離は、X線結晶構造解析X線回折法によって求められる物理量であり、例えば、金属データブック第2版、日本金属学会編、pp.49-50に記載されている化合物について格子定数を調べ、その値と結晶構造から計算して求めることができる。このように、本発明で規定する最近接原子間距離はRuの結晶格子に着目しており、Cuの結晶格子の辺とは直接的に関係するものではない点で、本発明は前記の特許文献6に記載の発明とは異なる。以上の点から、本発明は、Ruバリア膜の代替材料を探索する上記1の指針として、バリア膜を構成する材料について単位結晶格子の最近接原子間距離DMがルテニウムの単位結晶格子の最近接原子間距離DRuに近い領域にあるものを選択する。ここで、前記のDRuは2.7059Åである。さらに、Cuの拡散を抑制する因子の一つとしては、前記の特許文献4の段落[0024]に示されるように、バリア膜の融点を高くすることが知られている。そのため、本発明でもバリア膜の融点に着目するが、最近接原子間距離がRu膜に近い材料を選択する際に、候補材料を単一の元素からなる金属に限定する場合は材料の選択幅を狭めるものである。そのため、単一の融点を示さない金属間化合物合金を含むについてもその変態温度によってRu代替材料の熱物性を規定して探索を行う。ここで、変態温度とは、相変化の起こる温度で、変態が温度範囲にわたって起こるときは、変態が開始し、終了する温度を意味する。また、本発明において、融点若しくは変態温度がRuよりも高い金属若しくは金属間化合物だけに絞って材料の探索を行うことは材料の選択幅が極端に狭まる。そのため、本発明は、上記の2凝集エネルギー、すなわち融点若しくは変態温度をできるだけ高くして、ルテニウム膜に近づけることを探索指針とする。融点若しくは変態温度は、通常、線膨張係数の温度変化や示唆走査型熱量計DSCによる吸熱、発熱の温度変化等から測定されるが、例えば、金属データブック第2版、日本金属学会編、pp.523-555に記載されている化合物の変態図及び状態図集から求めることができるため、本発明はそれから得られるデータを用いる。本発明において、Ru膜代替のバリア膜の材料は、融点又は変態温度が650ケルビンKであることが必要である。この温度以上であれば、銅配線の結晶化アニールの温度として一般的に採用される250~400°C523~673ケルビンKよりも高いため、Cuの拡散には大きな影響を与えない。さらに、融点又は変態温度は1000ケルビンKであれば、Cuの拡散抑制の効果が高くなる。しかし、融点又は変態温度は2000ケルビンKを超えても、Cuの拡散抑制効果が顕著に向上することがないため、バリア膜作製を従来よりも容易にできるような範囲に設定することが好ましい。例えば、バリア膜をスパッタリング法によって形成する場合に、スパッタリング時の温度を従来よりも低くしたり、消費電力を小さくすることができるため、融点又は変態温度の上限値は2000ケルビンKにすることが好ましい。本発明では、上記の1~2の指針に加えて、上記の3の指針に示される、結晶格子がCu格子に近く、Cu格子とのミスマッチ率が適度である金属又は金属間化合物を探索することがより好ましい。前記の特許文献6にも記載されているように、Cuとバリア膜との単位結晶格子の辺の長さの差が小さい材料はCuの拡散を抑制する効果が高くなることが知られている。しかしながら、Cu核散の抑制効果は、Cu結晶との最近接原子間距離のミスマッチ率を小さくするほど、大きくなるものではない。例えば、Cuの格子定数とのミスマッチ率が-2.56であるニッケルNiは、格子整合性が極めて良好であるものの、相互拡散が起こり易く、全率固溶体を形成する。それによって、配線金属であるCuが容易に基板まで拡散してしまい、Niをバリア膜として使用することは不適切である。本発明は、この知見に基づいて、バリア膜を構成する材料の単位結晶格子の最近接原子間距離DMが、銅の単位結晶格子の最近接原子間距離DCuに対して、絶対値として|[DM―DCu/DCu]│×100>3.0の関係を満たす金属又は金属間化合物を探索することが必要である。すなわち、バリア膜とCu膜との最近接原子間距離のミスマッチ率が絶対値で3を超える材料は、Cuの拡散に対するバリア性を向上させることができる。ここで、前記のDCuは、2.5562Åである。本発明は、このような技術思想に基づいており、前記の特許文献6に記載されている発明に新たな技術思想を加えたものである。次に、本発明を具体的な実施形態によって説明する。第1の実施形態図3に、バリア膜を構成する材料から形成される膜とCu膜との薄膜界面での最近接原子間距離Åと前記バリア膜を構成する材料の融点若しくは変態温度との関係を示す。図3には、従来からバリア膜材料として使用されているRu、Si、Ti及びMoの最近接原子間距離Åと融点若しくは変態温度を合わせて示している。それら以外のプロットは、結晶構造が明確であり、単位結晶格子の最近接原子間距離及び融点若しくは変態温度が明らかな金属又は金属間化合物である。また、図3では、最近接原子間距離DMがルテニウムの単位結晶格子の最近接原子間距離DRuに近い領域、具体的には-0.200Å<DM―DRu<0.120Åにあって、かつ融点若しくは変態点が650ケルビンK以上の範囲がAの領域として実線で囲んである。Aの領域で囲まれる最近接原子間距離は、具体的に2.5059~2.8259Åの範囲である。図4及び図5は、図3を拡大したものである。図4に示すBの領域として点線で囲まれる範囲は、単位結晶格子の最近接原子間距離DMが、銅の単位結晶格子の最近接原子間距離DCuに対して、さらに絶対値として|[DM―DCu/DCu]│×100>3.0の関係を満たす金属又は金属間化合物である。Bで囲まれる最近接原子間距離は、具体的に2.6328~2.8259Åの範囲である。また、図5に示すCの領域として一点鎖線で囲まれる範囲は、融点若しくは変態点が、さらに1000~2000ケルビンKである。図4及び図5に示すA、B及びDの範囲に含まれる1~12の金属又は金属間化合物を表1に示す。表1には、従来からバリア膜材料として使用されているRu、Si、Ti及びMo、並びにCuの最近接原子間距離Åと融点若しくは変態温度を合わせて示している。また、表1において、A、B又はCのそれぞれの領域に含まれる金属又は金属間化合物は○で示し、それらの領域に含まれないものは×で示す。図1、図2、図3及び表1から、領域Aに含まれる金属又は金属間化合物は、IrMo、FePt、Mn3Pt、Pt3Mn、CoPt、Pd3Fe、NiPt、FePd、CuAu、Cu3Au、Ni3Fe、Ni3Mn、Ni3Pt、及びCu3Pdである。領域Bに含まれる金属又は金属間化合物は、IrMo、FePt、Mn3Pt、Pt3Mn、CoPt、Pd3Fe、NiPt、FePd、CuAu、及びCu3Auである。さらに、領域Cに含まれる金属又は金属間化合物は、IrMo、FePt、Mn3Pt、Pt3Mn、CoPt、及びPd3Feである。以上のように、本発明のバリア材の探索方法によれば、試作や実験等による試行錯誤を繰り返す必要がなく、ルテニウムバリア膜に代わる新規なバリア候補材を容易に探索できる。次に、表1に示す金属又は金属間化合物が、バリア材としてCuの拡散抑制をどの程度示すのかについて、簡易的な評価を行った。実施の形態2表1のNo.1に示すIrMoの金属間化合物を用いて合金インゴットを作成して円盤状にしたものをターゲットとして、表面に厚さ200nmのSiO2膜を有するシリコン基板上にスパッタリング処理を行った。スパッタリング処理は、例えば、4×10-9Torrの減圧下でアルゴンをスパッタリングガスとして用いて、シリコン基板の温度を200°Cに設定した状態で、200Wの直流電力で5分間行った。その後、300°Cで水素アニールを5分間行った。作製したIrMoのバリア膜の厚さは25nmであった。また、Cuの拡散抑制効果をRuバリア膜と対比するために、Ruについても前記と同じ構成を有するシリコン基板上にスパッタリング処理を行って、厚さ25nmのRu膜を作製した。次に、IrMo膜及びRu膜の上にそれぞれCu膜厚さ22nmを電気めっきによって形成して、Cu拡散評価用の試料を作製した。電気めっきは、硫酸銅と硫酸からなるめっき液を用いて行った。このようにして得られたCuめっき後のIrMo膜及びRu膜の試料を、-40°C/30分放置と125°C/30分放置を1サイクルとする温度サイクル試験1000回、150°C1000時間の高温放置、又は85°C85高温高湿下での1000時間放置の試験を行った。試験後に試料の断面観察を行い、銅の拡散状態について走査型電子顕微鏡SEMを用いてCu元素の面分析測定SEM-EDX測定を行った。その結果、IrMo膜は、どの条件下においても、シリコン基板の界面近傍でのCu元素の存在が全く観測されなかった。また、Cu膜との境界部においてもIrMo膜中へのCuの侵入がほとんど観測されず、Cuの拡散抑制効果が高いことが確認できた。一方、Ru膜についても同様のSEM-EDX測定を行った結果、同様に、Cu膜との境界部においてRu膜中へのCuの侵入が観測されなかった。このように、IrMo膜は、半導体集積回路装置の信頼性評価時に採用される上記の各種条件下において、Ru膜に近いCu拡散抑制効果を有することが確認できた。なお、IrMo膜がRu膜と比べて、より高いCu拡散抑制効果を有するものなのかどうかについては現状では把握していない。実施の形態3表1のNo.7に示すNiPtの金属間化合物を用いて合金インゴットを作成して円盤状にしたものをターゲットとして、表面に厚さ200nmのSiO2膜を有するシリコン基板上にスパッタリング処理を行った。スパッタリング処理は、例えば、4×10-9Torrの減圧下でアルゴンをスパッタリングガスとして用いて、シリコン基板の温度を200°Cに設定した状態で、200Wの直流電力で行った。スパッタリング時間は、作製後のNiPt膜の厚さが25nmになるように調整した。その後、300°Cで水素アニールを5分間行った。次に、実施の形態1と同じ方法で、NiPt膜上にCu膜厚さ22nmを電気めっきによって形成して、Cu拡散評価用の試料を作製した。このようにして得られたCuめっき後のNiPt膜の試料を、実施の形態1と同じ様に、-40°C/30分放置と125°C/30分放置を1サイクルとする温度サイクル試験1000回、150°C1000時間の高温放置、又は85°C85高温高湿下での1000時間放置の試験を行った。試験後に試料の断面観察を行い、銅の拡散状態についてSEMを用いたCu元素の面分析測定SEM-EDX測定を行った。その結果、NiPt膜は、どの条件下においても、シリコン基板の界面近傍でのCu元素の存在が全く観測されなかった。一方、Cu膜との境界部ではNiPt膜中へのCuの侵入がわずかながら観測されており、Cuの拡散抑制効果は、実施の形態1のIrMo膜と比べて、やや低下する傾向にあった。実施の形態4表1のNo.13に示すNi3Ptの金属間化合物を用いて合金インゴットを作成して円盤状にしたものをターゲットとして、表面に厚さ200nmのSiO2膜を有するシリコン基板上にスパッタリング処理を行った。スパッタリング処理は、例えば、4×10-9Torrの減圧下でアルゴンをスパッタリングガスとして用いて、シリコン基板の温度を200°Cに設定した状態で、200Wの直流電力で行った。スパッタリング時間は、作製後のNi3Pt膜の厚さが25nmになるように調整した。その後、300°Cで水素アニールを5分間行った。次に、実施の形態1と同じ方法で、Ni3Pt膜上にCu膜厚さ22nmを電気めっきによって形成して、Cu拡散評価用の試料を作製した。このようにして得られたCuめっき後のNi3Pt膜の試料を、実施の形態1と同じ様に、-40°C/30分放置と125°C/30分放置を1サイクルとする温度サイクル試験1000回、150°C1000時間の高温放置、又は85°C85高温高湿下での1000時間放置の試験を行った。試験後に試料の断面観察を行い、銅の拡散状態についてSEMを用いたCu元素の面分析測定SEM-EDX測定を行った。その結果、Ni3Pt膜は、どの条件下においても、シリコン基板の界面近傍でのCu元素の存在が全く観測されなかった。しかし、NiPt膜中へのCuの侵入がシリコン基板に向けてより深部に観測されており、Cuの拡散抑制効果は、実施の形態2のNiPt膜と比べて、やや低下する傾向にあった。以上のように、本発明の探索方法によって選択されたバリア材は、Ruバリア膜に近いCu拡散抑制効果を有することが期待できる。また、本発明のバリア材は、Ruだけではなく、将来的に供給が制限されるかもしれないと考えられるロジウム、イリジウム、オスミウム又は白金等の代替、又はそれらの使用量の減量を図ることができるため、半導体集積回路装置用バリア膜としてその有用性は極めて高い。さらに、本発明のバリア材は、DRAM等のメモリ用半導体装置だけではなく、ロジック用半導体装置等の低コスト板の半導体装置用のバリア膜として使用できる可能性が高いため、低コストのバリア材としての広範な用途が期待できる。"