"デジタル出力を生成するために、複数の半導体発光デバイスの出力を組み合わせるためのシステムであって、該システムは、前記複数の半導体発光デバイスの間の、及び複数の第1の波長を生成するために操作可能である、半導体発光デバイスの第1セットを含み、該半導体発光デバイスの第1セットは、1以上のサブアレイの少なくとも1つのアレイ内の最初の第1形状においてグループ化され、該システムはさらに、デジタル出力データを包含する第1の2進数文字列を含み、該第1の2進数文字列からの各ビットは、前記1以上のサブアレイからの各サブアレイのパワーを制御し、ここで、各サブアレイによって生成された波長強度は、各サブアレイを制御する特定のビットの位置によって決定され、及び該システムはさらに、前記デジタル出力を表す第1の波長ビームを生成するための、前記複数の第1の波長を組み合わせる第1ビームコンバイナを含むことを特徴とするシステム。請求項1に記載のシステムであって、該システムは、前記複数の半導体発光デバイスの間の、及び複数の第2の波長を生成するために操作可能である、半導体発光デバイスの第2セットを含み、該半導体発光デバイスの第2セットは、1以上の第2サブアレイの少なくとも1つの第2アレイ内の第2形状においてグループ化され、該システムはさらに、第2デジタル出力データを包含する第2の2進数文字列を含み、該第2の2進数文字列からの各ビットは、前記1以上の第2サブアレイからの各第2サブアレイの力を制御し、ここで、各第2サブアレイによって生成された第2の波長強度は、各第2サブアレイを制御する前記特定のビットの前記位置によって決定され、該システムはさらに、第2の波長ビームを生成するための、前記複数の第2の波長を組み合わせる第2ビームコンバイナを含み、及び該システムはさらに、前記デジタル出力に対応する複数のデータ点を生成するために、前記第1の波長ビームと第2の波長ビームを組み合わせる非コヒーレントビームコンバイナを含むことを特徴とするシステム。前記複数の半導体発光デバイスは、上面発光の垂直キャビティ面発光レーザVCSEL、下面発光VCSEL、外部キャビティを有する上面発光VCSELVECSEL、及び下面発光VECSELから成る群から選択されることを特徴とする、請求項1に記載のシステム。前記複数の半導体発光デバイスは、発光ダイオード、端部発光レーザ、有機発光ダイオード、光学的にポンピングされた光源、及び電気的にポンピングされた光源から成る群から選択されることを特徴とする、請求項1に記載のシステム。前記1以上のサブアレイ中の最上位ビットサブアレイは、前記1以上のサブアレイ中の最下位ビットアレイより多数の半導体発光デバイスを有することを特徴とする、請求項1に記載のシステム。前記1以上のサブアレイ中の最上位ビットサブアレイ内の各半導体発光デバイスは、前記1以上のサブアレイ中の最下位ビットアレイ内の各半導体発光デバイスより大きなアパーチャサイズを有することを特徴とする、請求項1に記載のシステム。サブアレイ内の半導体発光デバイスは、平列に接続され、単一のコネクションによって駆動されることを特徴とする、請求項1に記載のシステム。前記単一のコネクションは、前記サブアレイ内の前記半導体発光デバイスのための熱管理ヒートシンクとして働くことを特徴とする、請求項7に記載のシステム。前記1以上のサブアレイ中のサブアレイ内の半導体発光デバイスは、等しいアパーチャサイズを有することを特徴とする、請求項1に記載のシステム。前記第1形状は直線的であり、ここで、前記1以上のサブアレイ中のサブアレイ内の半導体発光デバイスの第1セットは、前記サブアレイ内の第1行上で配され、前記サブアレイ内の半導体発光デバイスの第2セットは、前記サブアレイ内の第2行上で配されることを特徴とする、請求項1に記載のシステム。前記1以上のサブアレイ中のサブアレイ内の半導体発光デバイスを実質的に取り囲み、コプレーナ導波路のリードを形成するグランドプレーンをさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載のシステム。前記第1形状が直線的であり、ここで、前記少なくとも1つのアレイは、横に配され、第1行を形成する、請求項1に記載のシステムであって、該システムは、横に配され、前記第1行の下に複数の行を形成する複数のリニアアレイをさらに含むことを特徴とするシステム。前記第1形状が直線的であり、ここで、前記少なくとも1つのアレイは、縦に配され、第1列を形成する、請求項1に記載のシステムであって、該システムは、縦に配され、前記第1列に隣接する複数の列を形成する複数のリニアアレイをさらに含むことを特徴とするシステム。前記複数の半導体発光デバイスが、垂直キャビティ発光レーザである、請求項1に記載のシステムであって、該システムは、前記第1の波長ビームを周波数が逓倍された波長に変換するための1以上の光学要素を含み、該1以上の光学要素は、非線形結晶、ビームスプリッタ、偏光ビームスプリッタ、波長フィルタ、リフレクタ、レンズ、ミラー、及びエタロンから成る群から選択されることを特徴とするシステム。半導体レーザの大きさ、重量および必要動力が、その継続した利用と共に時間をかけて減少してきたことにつれて、特に半導体レーザは撮像システム用途の重要な構成要素になってきた。光源からの光を、ピクセルを生成するために使用される高度に解像された強度プロファイル中に描写することで、半導体レーザは光源としてディスプレイのために使用されてきた。しかしながら、いくつかの既存の技術は、アナログ電源変動の使用を必要とし、その一方で他の技術はタイミング及び/又は機械的な反射手段mechanicalreflectionmeansに依存している。光源としてのレーザの使用はまた、蛍光作用の欠点を有し、それによってスポットまたはピクセルの明るい領域と暗い領域を生成する。正確な色の半導体レーザソースを生成することは、端面発光半導体edge-emittingsemiconductorレーザデバイスによってのみ可能であった。しかしながら、レイジング用のキャビティを生成するために端面上でそれらを切断しなければならないので、この種のレーザデバイスはフォトリソグラフィックアレイの設計に対して有用ではない。一般に、基板は成形の後に切断される。結果的に、これはレーザディスプレイソースを、単一デバイスまたは機械的に連動された単一デバイスに限定してきた。垂直キャビティ面発光レーザVCSELは、上面から垂直なレーザビーム放出を備えた一種の半導体レーザダイオードである。対照的に、従来の端面発光半導体レーザは、ウエハからの個々のチップを切断することで形成された表面から放出する。VCSELは端面発光レーザに対する利点を提供する一方、緑の出力波長を生成することが出来るVCSELはほんの最近生み出されたので、VCSELは撮像システムにおいて使用が見出されてこなかった。緑の出力VCSELは生み出されたが、これらのデバイスには極端な必要動力および多くの信頼性の問題があった。よりよい緑の出力、並びに他の色の出力を生成することができる他のVCSELを作りだすのに必要な材料研究はゆっくりと進んできた。実際、青のVCSELは数年間市販で入手可能なだけだった。外部キャビティを備えたVCSELVECSELは、ウエハの外部でキャビティを広げるように再構成された一種のVCSELである。VECSELは、従来のレーザダイオードで光学的にポンピングされる。加えて、非線形結晶のような光学要素は光の周波数を逓倍するために使用され得、そして半導体レーザ成形に最も適した材料を使用する着色光出力を可能にするために使用され得る。ディスプレイにおいて出力を逓倍する周波数のためにVECSELを使用するデバイスは、3つの異なる色で光源を生み出すように設計されている。これは、プロジェクターそれは特定色を生成するためにフィルタリングされる白色光源を使用するのようなディスプレイデバイスと対照的である。VECSELデバイスのアレイは単一の、明るい、着色の光源を生み出すために使用される。単一の着色光源は典型的に静的であり、それは光源の強度が変わらないことを意味する。しかしながら、ある点での色の強度を測定するために、複数のミラーの中にミラーを配置し得ることは知られている。他の知られていて、さらに関連する技術は、単一の光源をパルス化する工程、または光源が強度値を変更するよう時間を決める工程を含む。しかしながら、これらの方法はすべて、機械的なミラーに極度に依存する。この技術は一般にデジタルライトプロセッサDLP技術と称される。DLP技術は何年もの間、高品質ディスプレイを独占してきた。DLP技術は、多くの他の異なる型のディスプレイに加えて、投写型ディスプレイにおいて広く使用される。DLPは、3つの多様な色ソースから組み合わせた色を生み出す着色光の特定量を反射する電気信号によって変調することができる多数の小さなリフレクタとしてマイクロ電気機械のMEMデバイスのアレイを使用する。これらのソースは、一般に、フィルタリングされた波長中にない大量の浪費されるエネルギーを使用する高価な映写用電球のような白色光源からフィルタリングされた色である。この過剰な浪費されたエネルギーはすべて、超過熱によって引き起こされる熱問題を管理するためにシステムサイズをはるかに大きく、より高価にする、大きな熱量を生む。VCSELアレイは平行な光走査およびデータ伝送の目的のために配列されてきた。マトリックスアドレス方式のVCSELは撮像およびデータ伝送のために従来使用され、独立してアドレス可能であった。独立して駆動される多くの独立したデバイスを形成する別々に制御可能な手段におけるデバイスを使用するように構成される。強度を生成するための各々のデバイスの電源を変更することで画像を生成するために、アレイにおけるこれらの別々に制御されるデバイスを使用するという他の概念で提案されてきた。本技術を合わせたものは、ピクセルを形成するより明るい、またはより薄暗い色強度をつくるように電流ソースを調節することによって、または色ソースを生成する為にレーザアレイを使用することによって、最終強度を生成する為にそのソースを反射する、或いは時間を決める、および走査することによって、生成されるディスプレイ用のレーザの色形成を示している。これらの技術の全ては、高価で、かさばる、エネルギーを浪費する技術を要求し、および/または機械的なミラー、ミラーのアレイ、および機能するのに高価な支持装置に依存する。[発明の詳細な説明]実施形態は、2進数文字列を備えた様々な特定の構成に容易に切りかえることができる高解像度の強度プロファイルを効率的に生み出すことができるデバイスを備える。前期2進数文字列はピクセルのための色を形成する為に組み合わせられる出力強度を定義する。これらのデバイスの配置は、ピクセルの画像ラインが全体的な蛍光作用なしで効率的に生み出されることを可能にする。スクリーンまたは最終画像への蛍光作用を低減するように、非コヒーレントの出力がこの用途において望ましい。VCSELを使用する実施形態はVCSELの高パワーおよび周波数応答のためにより高い帯域幅を可能にする。これは、さらに単一ピクセルのための色を形成する多くのVCSELの要素からの出力の組み合わせのためにより明るい画像を可能にする。さらに下記に述べられるように、実施形態はまた、VCSELとVECSELのようなレーザデバイスのフォトリソグラフィックで定義された特徴のためにより小さな成形サイズを結果的にもたらす。白色光のフィルタリングを必要とせずに、必要とされる色のみが生成されるので、実施形態はまたより少ないエネルギーを使用する。より少ないエネルギーを使用することで、より小さな冷却デバイスおよび他のより安価な冷却方法が使用され得、はるかに小さな撮像システムを可能にする。本明細書に記載されている実施形態が、ディスプレイデバイスおよび投射システムから医療の用途まで広範囲の用途および分野で使用することができることはまた理解されたい。実施形態は、1つのピクセルを形成するために、複数の位相の異なる、またはインコヒーレントのレーザを使用することで蛍光作用を最小限にする。さらに、実施形態は、デジタルで定義された電流駆動入力の使用を可能にする。これは、他の撮像システムのアナログからデジタルの要素およびデジタルからアナログの要素の、もし全てでないとしても、多くの必要性をなくし、より小さな駆動電子を結果としてもたらす。レーザデバイスによって生成された波長を組み合わせることにより色を生成するために実施形態を使用することができることは、理解されたい。各々の波長に対応する前記レーザデバイスが、基板、チップまたは幾つかの他の回路に配置され取り付けられる。生成された出力および前記レーザデバイスの強度は、2進数文字列で制御される。レーザデバイスは群またはサブアレイ中に配置される。その後、各々のサブアレイは、画像形成情報を包含している2進数文字列と共に2進数文字列中のビットにマッピングされる。本明細書の実施形態が、赤い波長を生成するレーザデバイスの第1のセット、緑色波長を生成するレーザデバイスの第2のセット、および青い波長を生成するレーザデバイスの第3のセットと共に、赤、緑、青の色空間RGBの点から記載されることはまた理解されたい。これらの3つの波長はピクセルの色を生成するために組み合わせられる。しかしながら、いくつかの実施形態は、ピクセルの色を生成するために単一の波長のみを使用するかもしれない。その一方で他の実施形態は、ピクセルの色を生成するために3つ以上の波長を使用し得る。例えば、シアン波長を生成するレーザデバイスの第1のセットは、マジェンタ波長および黄色の波長を生成する他のレーザデバイスと組み合わせられ得る。これはまた、ピクセルの色が、CYMK色モデルの原色であるシアン、マジェンタ、および黄色と共に生成されることを可能にするだろう。異なる波長で動作する実施形態はピクセルのためのトゥルーカラー、色相および強度値を形成するために組み合わせられ得る。レーザアレイで構成された、各々の色ソースはそれぞれ、色ソースのサイズを最小限にするために接近して一緒に位置している様々なチップと共にシングルチップ内に収容され得る。前記レーザチップは、フリップチップパッケージング設計における駆動電子に統合され得、費用の低減、パフォーマンスの改善、およびサイズと重量の減少を結果的にもたらす。レーザデバイスの線形の配置について実施形態は本明細書に記載されているが、レーザデバイスの多くの他の物理的な組み合わせが可能であり、データ通信デバイスにおいてのように幾つかの用途について好ましいかもしれない。撮像システムに対して特定の用途を有している以下に議論されるリニアアレイおよびサブアレイとは対照的に、前記レーザデバイスは円に、星形に、丸いクラスター、三角形、正方形および何千もの他の形で配され得る。例えば、データ通信用途では、1つ以上の多数のレーザビーム要素が丸い光ファイバーと組み合わせて、それらが使用されている環境に適合することができるように、円形の方法で個々にアドレス可能なレーザデバイスまたはレーザデバイスのアドレス可能なサブアレイを配することが望ましいかもしれない。しかしながら、本明細書の記載を単純化するために、リニアアレイをアドレスし、前記リニアアレイの出力を組み合わせるためのリニアアレイおよび技術が議論されるが、全体に渡って、本発明がレーザデバイスのリニアアレイに限定されないことは留意されるべきである。第1の実施形態は、赤、緑および青の三原色のいずれかの1つにおいてピクセルの色要件のために複数のレーザビーム要素を提供する。前記複数のレーザビーム要素はレーザデバイスのアドレス可能な1Dアレイで構成される。1Dアレイあるいはリニアアレイ内の前記レーザデバイスは1つ以上のサブアレイへグループ化される。前記サブアレイは、各々のサブアレイ内のレーザデバイスの数、および前記レーザデバイスのアパーチャのサイズという点で異なり得る。各々のサブアレイは、リニアアレイ内のサブアレイの全部の総和によって生成された色の波長のための部分的な色強度を表わす。1つの2進法、あるいは、複数の2進数文字列は、実施に依存して、画像情報を包含しており、前記レーザデバイスによって生成された色強度を制御するために使用される。特に、2進数文字列内のビットは、レーザデバイスのサブアレイのための情報を包含している。1Dアレイ中の各々のサブアレイは、そのサブアレイ用の駆動電子に供給されたビット情報によって制御される。各々の代表的なビットは2進数文字列またはデータ文字列から成る、より大きなビット構造の一部である。2進コード化におけるより高いディジットによって表わされる、各々のより高いオーダーのサブアレイの結合したアパーチャのパワーまたは強度を逓倍することによって、2進コード化は、容易にリニアアレイ、または2Dアレイの全体に適用することができる。上記のように、リニアアレイ内の活性化されたサブアレイはすべて、1つの2進数文字列によって定義され、同時にオンにされる。1つのリニアアレイにおける、すべての活性化されたサブアレイ、および対応する活性化されたレーザ要素全てからの出力は、特定の波長の1つの非コヒーレントのレーザを生成する外部光学システムによって線形方向で組み合わせられる。前記特定の波長は、RGBモデルの使用を仮定して、赤、緑または青であり得る。前記1つの非コヒーレントのレーザはまた、ピクセルの色を生成するために、同じ方法で生成される他の2つの色成分と組み合わされる。例えば、第1の非コヒーレントのレーザは青を生成し得、第2の非コヒーレントのレーザは赤を生成し得、また、第3の非コヒーレントのレーザは緑を生成し得る。非コヒーレントのレーザの結合した出力は明るいフルカラー、位相が異なりインコヒーレントであるレーザビームによる低い蛍光作用を備える高い帯域ピクセルから、蛍光作用がない高い帯域ピクセルを生成する。単一のリニアアレイ、または単一の行上に整理された複数のリニアアレイは、2進数文字列で同時にオンにされ得、生成される画像のピクセルの垂直なラインを産出する。実施形態は、図1に図示されるように、異なるサイズのサブアレイ中でグループ化された多数のVCSELデバイスを組み入れる。前記サブアレイは、2進数文字列からのビットに対応し、およびビットに対して制御される様々な強度レベルを形成する。例えば、もしリニアアレイが2つのサブアレイから構成される場合、ビット文字列11は両方のサブアレイがオンにされることを示唆するだろう。同様に、ビット文字列01は、第1のサブアレイがオフにされ、第2のアレイがオンにされることを示唆するだろう。上記のように、前記2進数文字列は、そのピクセルの色のための正確な強度を生み出すように1つのリニアアレイの全ての活性なビームを組み合わせるために、リニアアレイ全体中で、幾つのそしてどのサブアレイがオンにされるかを表わす。図1に示されるように、1つのリニアアレイを構成する、または1つの2進ワードを構成するサブアレイビームの全ては、特定のピクセルを構成する3つの色のうちの1つを形成するために組み合わせられる。並列なそのサブアレイにおける全てのVCSELデバイスを接続することで、各々のサブアレイの要素をすべて供給するのに、1つの電流駆動だけが必要である。2進数文字列における前記2進法のビットはどのサブアレイがオンにされるかを決定し、その特定の2進ワードについてオンと定義される全てのサブアレイは3つの色全てについて、全て同時にオンにされる。その後、同時にオンにされる3つのリニアアレイのビームは全て、1つのピクセルを形成するためにアナモルフィック円筒状レンズと組み合わされる。1つの色強度を構成する前記サブアレイは、サブアレイのリニアアレイ中に編成される。リニアアレイは、任意の数のサブアレイを有し得、そして、対応する制御する2進数文字列は、各々のサブアレイが2進数文字列からビットにマッピングされることを確実にするための長さに従って調節され得る。各々のリニアアレイの出力は、2つの他のリニアアレイの出力と組み合わされ、同じ方法で生成される2つの他の色を生成し、最終的なピクセルの色を形成する。図2に図示されるように、1つ以上のリニアアレイが、行に配され得、サブアレイおよびVCSELデバイスの2Dアレイを形成する。特定の実施形態において、行はすべて2Dアレイを形成するリニアアレイである。上記で提示されたように、原色すなわち赤、緑または青のうちの1つを生成するために使用されるリニアアレイはすべて、単一のVCSELチップ上に配される。異なる原色に対応する各々のチップを備える前記VCSELチップは、1つのVCSELチップ上のリニアアレイが2つ以上の他のVCSELチップ上の対応するリニアアレイと列をなすように位置を調整され、それは列をなす全てのチップの行を結果的にもたらす。例えば、各々のチップからの第1の行は他の2つのチップからの第1の行と列をなすだろう。全てのVCSELチップのリニアアレイの線形の配列は、3つのリニアアレイ全てを可能にし、あるいは、同一のアナモフィックレンズによって組み合わされる1つのピクセルを構成する3つを超えるチップを使用すればさらに多くのリニアアレイを可能にする。実施形態において、各々の行上のリニアアレイはすべて同時にオンにされる。例えば、第1の行上のリニアアレイはすべて2進数文字列における値に従って同時にオンにされる。次に、第2の行上のリニアアレイはすべて異なる2進数文字列に基づいて、同時にオンにされる。その後、これが残りの行について継続する。各々の行の2進数文字列は、単一の、1次元の2進数文字列を形成するために、全ての他の行の2進数文字列と連結され得る。行内のサブアレイの数は、特定の行について2進数文字列がどこで始まり、また、それがどこで終了するか追跡するために使用され得る。単一の2進数文字列はまた、行に関する文字列がどこで始まり、そして、行に関する文字列がどこで終了するかを識別するセパレータを含み得る。セパレータは、2、-1または他のある数のような数値であり得る。セパレータはまた、コンマ、アスタリスク、文字letterなどのような単一の文字characterまたはシンボル、あるいは文字とシンボルの配列から構成され得る。代替的に、各々の行に関する2進数文字列は全ての他の行からの2進数文字列から隔てて維持され得る。この場合、様々な行に対応する複数の2進数文字列はリスト、マトリックス、または代替的なデータ構造中に編成され得る。実施形態は、いつVCSELサブアレイがオンおよびオフにされるかを表わすために0および1の配列を使用することに限定されない。重要なことは、VCSELサブアレイがオンにされることを示し、およびいつVCSELアレイがオンにされるかを示す1つの文字を備える、2つの異なる文字を一貫して使用することである。したがって、リニアアレイについて2進数文字列は、リニアアレイ内のVCSELサブアレイの総数と等しい長さを有するだろう。代替的な実施形態において、2進数文字列内のビットはそれぞれ、同じサブアレイ内の全ての他のVCSELと独立してサブアレイ内の独立したVCSELがオンおよびオフにされるかどうかを示す。例えば、2つのVCSELがあるサブアレイについて、2進数文字列10は、サブアレイ内の第1のVCSELがオンにされることを示し、その一方で、同じサブアレイ内の第2のVCSELがオフにされるか、若しくはオフのままにされていることを示すだろう。したがって、リニアアレイについて2進数文字列は、リニアアレイ内のVCSELサブアレイの総数と等しい長さを有するよりもむしろ、リニアアレイ内のVCSELの総数と等しい長さを有するだろう。本明細書に記載されている実施形態は発光ダイオードLEDと同様に任意の色のついたVCSELおよび他の半導体レーザソースに適用可能である。したがって、新しい可視的な色がつけられたVCSELおよび他の半導体レーザソースは、開発され発達し続けるので、それらは、本明細書に記載されている実施形態に従って使用され得る。特に、これら各々の技術が発達しているため、それらは本明細書の幾つかの実施形態に記載されている周波数逓倍の代わりに使用され得る。幾つかの場合には、周波数逓倍に依存しない技術を有することは、周波数逓倍のために使用される非線形結晶に関連した追加の製造コストを削減するのに望ましいかもしれない。他の場合には、幾つかの波長は存在するのに非線形結晶を必要としない。本明細書に示された実施形態は、特定の波長の単一のパルスまたは多数のパルスの強度変調を生み出すことで、データ伝送に使用され得るデバイスを可能にする。実施形態はまた、繊細な手術におけるような医療分野で必要とされる選択可能な強度を有するデバイスとして使用され得る。例えば、多くの医療用の用途が外部ソースによって集められたデータに基づいた強度変調を必要としている。図1はVCSELのアドレス可能な1Dアレイ100、6つのサブアレイ102、104、106、108、110および112を含む、を図示している。サブアレイ102~112およびそれらのアパーチャ、あるいはビームの組み合わせが、レンズを介して投射されることを可能にするために、各々のサブアレイ102~112は、必ずしも同一のライン上ではないが、線形に配されたVCSELで構成される。リニアアレイ100の長さ、およびリニアアレイ100内のサブアレイ102~112の数は、リニアアレイ100が使用される方法およびその用途に依存して異なり得る。同様に、各々のサブアレイ102~112内のVCSELの数もまた異なり得る。VCSELのリニアアレイ100の設計および組成における、この柔軟性、および可変性は、大きなパワースケーラビリティを可能にし、それは他の技術では見出されない。実施形態は、複数のレーザのグループ化を線形に組み合わせる特有の設計を含む。複数のレーザのグループ化からの各々の群は、アパーチャの数およびアパーチャのサイズにおいて、全ての他の群と異なり得る。図1~4は、対応するビット構造に基づく色の深さのデジタル制御用の適切なアパーチャ配列を備える、単一のアパーチャおよびマルチアパーチャVCSELサブアレイの実施形態を図示している。図2は、VCSELのリニアアレイの2Dアレイの実施例を図示している。本明細書に記載されている実施形態は、グループ化におけるレーザを線形にまたは非線形に組み合わせる特有の設計に基づいている。群またはサブアレイ内のレーザは、アパーチャの数という点で、群内のアパーチャのサイズという点で、および各々のサブアレイ中のレーザの編成という点で、他の群またはサブアレイ内のレーザと異なり得る。各々の群またはサブアレイはそれぞれ2進数文字列からのビットによって表わされ制御される。しかしながら、代替的な実施形態において、サブアレイ内のレーザはそれぞれ、2進数文字列内のビットによって独立して制御される。しかしながら、代替的な実施形態において、サブアレイ内のレーザデバイスはそれぞれ、2進数文字列内のビットによって独立して制御される。図1は、実施形態によるVCSELSのリニアアレイ100を図示している。前記リニアアレイ100は6つのサブアレイ102~112を含んでいる。実施形態において、2進数文字列からの最上位ビットは第1のサブアレイ102に対応するだろう。その一方で2進数文字列からの最下位ビットは最後のサブアレイ112に対応するだろう。代替的に、前記2進数文字列は、最上位ビットが最後のサブアレイ112に対応し、最下位ビットが第1のサブアレイ110に対応するように、フォーマットされ得る。リニアアレイ100を制御する2進数文字列は、6の長さを有するだろう。2進数文字列111111によって、リニアアレイ100のサブアレイ全てが結果的にオンにされるだろう。その一方で2進数文字列100001によって、サブアレイ104、106、108および110がオフのまま、すなわちオフにされた状態で、第1のサブアレイ102および最後のサブアレイ112のみが結果的にオンにされるだろう。各々のサブアレイは、サブアレイ102に関してのみ図1に図示される、1つ以上のレーザアパーチャ114を含んでいる。上記のように、2進数文字列からの単一のビットはサブアレイ内のアパーチャが全てオンにされるかどうかに対して対応し得る。あるいは、より高いレベルの制御は、単一のビットを各々のサブアレイ内の単一アパーチャに関係させることにより達成することができる。サブアレイ内の前記アパーチャは異なるサブアレイ内のアパーチャとは異なるサイズを有し得る。例えば、サブアレイ108内のアパーチャはサブアレイ110内のアパーチャよりサイズにおいて大きい。同様に、各々の行がラインに沿って配される限り、サブアレイ内のアパーチャは1つ以上の行へ配され得る。例えば、サブアレイ110は4つのアパーチャを含んでおり、2つのアパーチャは第1の行に位置付けられ、および他の2つのアパーチャは第2の行に位置付けられる。図2は、実施形態によるレーザのリニアアレイの2D配列を図示している。特に、図2は4つのリニアアレイ200、202、204および206を図示している。各々のリニアアレイ内のサブアレイ208は、全ての他のリニアアレイのサブアレイ208と縦に並べられ、その結果、第1のリニアアレイ200内の第1のサブアレイが第2のリニアアレイ202内の第1のサブアレイと縦に並べられ、同様に続く。各々の行内のアパーチャが全ての他の行内のアパーチャと縦に並ぶように、前記リニアアレイはまた並べられる。図2は4つのリニアアレイを図示しているのみであるが、画像の必要なラインを生成するために必要なだけ多くのリニアアレイの行が加えられ得る。サブアレイまたはサブグループはそれぞれ、並列に接続されるリニアアレイ内のレーザにより1つの電源によって制御される。図3は実施形態によるマルチアパーチャ要素の構造を図示しており、それは柔軟なアパーチャサイズ、アパーチャ量および余剰な光源を可能にする。特に図3は、サブアレイ内のアパーチャがどのように互いに並列に接続されるか、そしてどのように単一のコネクションによって制御されるかを、強調するためにリニアアレイの一部を図示している。アパーチャ1~4を並列に接続させる第1のサブアレイ300は、コネクション302によって制御される。アパーチャ5~8を並列に接続させる第2のサブアレイ304は、コネクション306によって制御される。最後に、アパーチャ9および10を並列に接続させるサブアレイ308は、コネクション310によって制御される。上記のように、サブアレイは少なくとも1つのアパーチャで構成され得、そして、サブアレイ内のアパーチャは、アパーチャの単一の行、またはアパーチャの2つ以上の行中に配され得る。さらに、サブアレイは全てが同じ数のアパーチャ行を有する必要があるわけではない。例えば、サブアレイ310は、アパーチャ9および10が2つの行上ではなくむしろ同じ行に沿って位置づけられるように、配され得た。前記サブアレイまたは要素は1つのデバイスまたはそれ以上のデバイスを有し得る。図4は、3つの異なる2進数文字列入力がリニアアレイ内のグループ化またはサブアレイをどのように制御するかを図示している。前記2進数文字列、またはあるいはデータ文字列は、1つのピクセルの色のための色強度について表わす。具体的には、データ文字列は、サブアレイへの電流の入力を制御することで、リニアアレイ内のサブアレイを制御する。もしサブアレイ内のアパーチャがすべて並列に接続されれば、サブアレイ全体は単一のビット値に基づいて、オンまたはオフの何れかにされるだろう。データ文字列に応じた様々なサブアレイの組み合わされた出力は、ピクセルのために生成された色を決定する。代替的な実施形態が、アパーチャが並列に接続されないサブアレイで構成され得ることは留意される。この代替的な構成は、サブアレイ内の各々のアパーチャがサブアレイ内の全ての他のアパーチャと無関係に制御されることを可能にする。図4はリニアアレイの3つの行を形成する、3つのリニアアレイ400、402および404を図示している。各々のリニアアレイは入力としてビット文字列を受ける。各々のリニアアレイは第1のサブアレイ406、第2のサブアレイ408、第3のサブアレイ410および第4のサブアレイ412を有する。前記サブアレイは、ワードの各ビットを表わすアレイにおけるその位置に応じて各々のリニアアレイ中でオンにされる。第1のリニアアレイ400については、データ入力は0110であり、これによって結果的に第1のサブアレイ406がオフ0にされ、第2のサブアレイ408がオン1にされ、第3のサブアレイ410がオン1にされ、そして第4のサブアレイ412がオフ0にされる。図3への参照において記載されるように、各々のサブアレイは、互いに並列して接続されるサブアレイ内のアパーチャと共にコネクションラインによって制御される。第2リニアアレイ402に関して、データ入力は0111であり、それによって、結果的に、第1サブアレイ406はオフにされ、他の3つのサブアレイ408、410及び412はオンにされる。最終的に、第3リニアアレイ404は、1010のデータ入力を受け、それによって、結果的に、第1サブアレイ406及び第3サブアレイ410はオンにされ、第2サブアレイ408及び第4サブアレイ412はオフにされる。システムはまた、ゼロがオンになっていることを表し、1がオフになっていることを表すように構成され得る。単一行上に配された複数のリニアアレイ複数のリニアアレイからの各リニアアレイは、単一ピクセルのための色を生成するは、一連のピクセルを形成するために、赤などの第1の色に関する正確な色強度と組み合わされ得る。緑及び青などの、2つ又はそれ以上の他の色に関する色強度が、第1の色からの出力と直線的に配列され組み合わせられるとき、結果として生じる出力は、生成されている画像に関する一連のピクセルである。上に言及されるように、実施形態において、各サブアレイ内のレーザは平列に接続される。したがって、各サブアレイ内のレーザによって共有される接続は、温度管理ヒートシンク要素として使用され得、改善された温度管理に対する優れたデバイスの性能を可能にする。サブアレイは、アパーチャの最大値及び最大のアパーチャサイズから、アパーチャの最小値及び最も小さなアパーチャサイズを有するサブアレイへと配され得る。したがって、ビット列における最上位ビットは、特定の波長特定色に関する最大の色強度を生成することができるサブアレイに対応するだろう。同様に、最下位ビットは、特定の波長に関して最小の色強度を生成することができるサブアレイに対応するだろう。図4において、第1サブアレイ406は、最後のサブアレイ412として同じ数のアパーチャを有するが、第1サブアレイ406は、より大きなサイズのアパーチャを有する。図1及び2はまた、リニアアレイにおいて最後のサブアレイよりも、第1サブアレイがより多くのアパーチャを有し、アパーチャがより大きなサイズを有する、リニアアレイを示す。示される、各図における各アレイのサイズ及びレーザデバイス、サブアレイ及びアレイの組み合わせは、実施形態のより広い概念を説明するのに役立つ単なる例である。本発明は、レーザデバイスの任意の特定のサイズ、形態、タイプ又は物理的配列、あるいはレーザデバイス、サブアレイ及びアレイの任意の組み合わせに限定されない。直線的な実施形態において、リニアアレイ内の各サブアレイからの組み合わされた出力から成る、単一のリニアアレイからの組み合わされた出力は、最終色又はピクセルの一部を生成する。すなわち、単一のリニアアレイからの組み合わされた出力は、2つの他の波長と続いて組み合わされる第1の波長を生成し、最終的な波長は、ピクセルの最終色を決定する。例えば、第1リニアアレイは、赤の色合いから成る波長を生成し得る。第2リニアアレイは、青の色合いから成る第2の波長を生成し得る。最後に、第3リニアアレイは、緑の色合いの第3の波長を生成し得る。一旦3つの波長が組み合わせられると、それらは、ピクセルの最終色を構築する最終的な波長を生成する。VCSELチップ内に収容される、様々なリニアアレイからの出力が、適切に組み合わされることを保証するために、VCSELチップは、ディスプレイデバイスの光学設計に基づいて、互いに関連して位置付けられなければならない。上に言及されるように、実施形態において、赤の波長を生成する赤のVCSELチップは、列をなして且つ青の波長を生成する青のVCSELの隣り及び緑の波長を生成する緑のVCSELの隣りに位置付けられ得る。3つのVCSEL又はVECSELによって作られた多数の並列ビーム、異なる波長のチップは、正確な色強度の1つの高度に解像されたピクセルを形成するために組み合わされる。実施形態は、赤色光、緑色光、及び青色光を組み合わせる点から本明細書に記載されるが、追加の及び代替的な色が、本発明の精神から逸脱することなく組み合わされ得る。例えば、実施形態は、ディスプレイ又は通信デバイス設計及び必要条件に基づいて必要な、任意の色又は波長を組み合わせる且つ使用することができる。代替の実施形態において、赤、緑又は青の固有の波長で作製された、1つ以上のVCSELチップ、又は代替のレーザチップは、色強度を定義する所望の3つ以上の色を生み出すために、周波数逓倍を利用する必要がある、1つ以上のVCSELチップ又はレーザチップと組み合わせて使用され得る。本明細書に記載される実施形態は、位相の異なる非コヒーレントの光を生み出す。これは、最終画像においてシンチレーションを減少させるために、レーザソースが光源として使用されるときが望ましい。位相の異なる光は、生成された光波が互いに破壊的に干渉しないことを保証する。しかしながら、代替の実施形態はまた、同相の光を生み出し得る。図1~4は、横に配され単一行を形成するリニアアレイを示すが、代替の実施形態は、縦に配され列を形成するリニアアレイ、又は任意の組み合わせの形態で配される非線形アレイから成り得る。リニアアレイの行は横に配置され、横の画像ラインを形成することに一斉に向けられたが、他の多くの方法で異なる結果を生むことに向けられ得る。また別の実施形態において、リニアアレイは、縦及び横の両方に配され得る。例えば、リニアアレイの第1のセットは、横に配され得、行の第1のセットを形成する。リニアアレイの第2のセットは、その後、行の第1のセットの下に位置付けられ得るが、縦に配され得、行の最初のセットの下に1セットの列を形成する。リニアアレイの行の間隔又は位置も、異なる波長を生み出すリニアアレイを収容する他のチップにおけるリニアアレイの行の位置に基づいて決定される。リニアアレイが行を形成することによって横に配されるか、又は列を形成することによって縦に配されるかどうかにかかわらず、画像ライン又は通信マトリックスは、もし横に配されると行毎に又はもし縦に配されると列毎に配列決定することによって形成され得る。単一のリニアアレイはまた、ソースを生み出す唯一のラインとして使用され得る。このような実施形態において、出力ピクセル強度は、縦及び横の両方の方法で走査される。ディスプレイとなる画像はまた、画像情報の横の構成要素を最初に走査し、その後、次の縦位置へ配列決定することによって、形成され得る。上に留意されるように、実施形態は、デジタルで定義された電流駆動入力の使用を認める。これは、アナログデジタル回路の必要がないため、これは結果的に、ディスプレイデバイスによって使用されるすべてのデジタル制御回路を単純化する。最終色の色強度を構築するリニアアレイの各々は、異なる数のサブアレイを有し得る。例えば、赤の波長要素を構築するリニアアレイは、5つのサブアレイから成り得るが、一方で、緑色要素を構築するリニアアレイ及び青色要素を構築するリニアアレイは、4つのサブアレイから成り得る。あるいは、サブアレイの数は、各波長要素のリニアアレイにおいて同じであり得るが、サブアレイ内に異なる数のアパーチャ及び/又は異なるアパーチャのサイズを有する。各波長要素のリニアアレイの構造を変更することによって、特定の波長、又は色要素が、より大きなパワーを持つことができる。例えば、赤の波長を発生させるリニアアレイが数多くのサブアレイを有すると、その後、赤色が最終的なピクセル色を占める傾向がある。実施形態は、VCSELの代わりに、周波数逓倍に関するVECSELを使用することができる。目に見える色においてデジタルで代表的なVECSEL出力を生み出す特定の目的のための周波数逓倍は、当業者に公知の多くの共通の配置において達成され得るが、特有の設計である。レーザチップ、又は周波数が逓倍される必要があるVECSELチップの1つ以上は、共通の非線形水晶素子を共有することができ、それによって、製造コストを下げる。あるいは、レーザチップ、又はVCSELチップの1つ以上は、周波数逓倍を必要としないチップ又はVCSELデバイスと共に使用され得る。実施形態において、リニアアレイを収容する、デバイス、又はVCSELチップは、対応する波長のすべてのアパーチャの出力を、光学要素の組み合わせを介して通させるであろう。光学要素の選択は、エタロン、非線形結晶、エタロン及び非線形結晶の組み合わせ、ビームスプリッタ、フィルタ、反射鏡、レンズ、ミラー、又はこれらの光学デバイスの任意の組み合わせを含むことができる。特定の波長のすべてのアパーチャの出力を光学要素を介して通すことによって、光源のレーザの、所望のカラー、波長、及びビームの特性をもたらす。最も重要なことに、光学要素は、用途によって、可視スペクトル、紫外スペクトル、近赤外スペクトル、又は遠赤外スペクトルにある、第2の波長をもたらす。多くの異なるタイプのVCSELチップ又は他のタイプのレーザデバイスは、本発明の実施形態において使用され得、それは、ドライバに接触するため、VCSEL又はレーザチップを互いに並べるため、又はキャリア基板上にチップを載せるための、フリップチップ技術を使用するVCSELを含む。高速VCSELアレイのためのフリップチップ技術の使用は、米国特許出願第12/707,657号に記載され、その全体が引用によって本明細書に組み込まれる。キャリア基板上に載せられるか又はフリップチップが施されるflipchippedVCSELチップは、レーザ光線が基板を介して発光することを可能にする、キャリア基板における開口部又は窓を有する。リニアアレイを収容する、VCSELチップ又は他のチップは、図5に示されるように、典型的な上面発光設計から成ることができる。マトリックスアドレス方式の配線は、サブアレイ接続によって発光チップ上で作製され、活性又は不活性なヒートシンク基板上に載せられるか、又はフリップチップが施される。設計要件に依存して、光源の電流が変更され得ることで、より高いパワー又はより低いパワーを生成し、その結果、色の強度レベルを変更することができる。サブアレイによって生成される力の強度を多様にするために、サブアレイ内のアパーチャのカスタム化とともに、電流が変更され得る。各サブアレイに関する所望の又は必要とされるパワー及び強度レベルを達成するために、1以上のレベルにおいて、光源の電流がまた変更され得る。例えば、多数のサブアレイを使用するよりもむしろ、2つ又はそれ以上の異なる電流で駆動され得る、より少数のサブアレイが、多数のサブアレイの使用で可能となる同じ色強度を生み出すことができる。リニアアレイ内のサブアレイのすべてが、2つ又はそれ以上の異なる電流で駆動される必要はない。例えば、リニアアレイが4つのサブアレイを含むならば、設計要件に依存して、サブアレイを2つの異なる電流で駆動することが必要となり得るだけである。図5は、上面発光設計を使用し、実施形態に従って共通のオプティカルコンポーネントを示す、VCSELデバイス構造を示す。特に、図5は、ビームスプリッタ/波長フィルタ、周波数逓倍のための非線形結晶、及びキャビティを完成するための反射鏡の使用を示す。周波数逓倍結晶によって発生した第二調波光は、入射光線から90度の角度でフィルタリングされ、反射され、発光される。図5において、基板500は、Nドープされたガリウムひ素GaA基板であり得、これは一般に、エピタキシャル成長に使用される。基板500は、好ましくは、ドープされた基板上のエピタキシャル成長に関連する欠陥密度を回避するために選ばれるべきである。しかしながら、半絶縁性基板もまた、以下にさらに示されるように上面発光設計又は下面発光設計のいずれかと共に使用され得る。次に、一般に極度にドープされたnコンタクト層502とともに開始することができる、共通のエピタキシャル設計が使用され得る。しかしながら、nコンタクト層を基板キャビティにより近く位置決めすることがまた望ましく、これは、最終設計に対しての効果はそれほどないであろう。nコンタクト層を基板キャビティにより近く位置決めすることによって、基板へとエッチング又は深く注入する必要なく、デバイスの設計を改善することもできる。典型的なエピタキシャル設計において、ミラー506又は分布ブラッグリフレクタDBRは、最初に発達され得る。上面発光の実施形態の場合において、このミラーは、99を超える反射率を有する。このエピタキシャル層は、nコンタクト層が基板上で成長される又はnコンタクト層が基板上で続いて成長される緩衝層上で成長されると、電流導通のためにドープされることが必要とされ得る。代替の設計において、nコンタクト層を活性領域により近づけて成長させることが必要であり得るか、又は所望され得、その場合、ドープされていない又は低くドープされたミラーは、nコンタクト層の下で使用され得る。ミラー又はリフレクタ506は、別々に組成された材料の変動する層を有するように、DBRとして設計され得る。これらの材料は、GaA、アルミニウムガリウムひ素AlGaA、又は異なる屈折コントラストの率が原因で、生み出された光の屈折を可能にする異なる屈折率を有する、他の材料組成物を含み得る。変動する層の厚さもまた、デバイスの生成する又は発光する波長に基づいて設計され得る。これらの層の複雑な設計を詳述することは、この発明の範囲内にはない。しかしながら、本明細書の記載は、当業者が本発明を実施するのを可能にする十分な詳細において、最も有望なエピタキシャル成長のパターン又は構成要素を示すであろう。当業者が、デバイス操作に必要な設計に基づいて、関係する層を設計し、選ぶことができ得るため、層、障壁、又は電流波及層のインデックス化に関係する詳細を含むことは必要ではない。これらの層の使用は、VCSEL設計に共通しており、当該技術分野に周知である。次に、エピタキシャル成長は、クラッド層及び任意の数の量子井戸を有する活性領域508を含む。量子井戸は、電流が特定の波長を介して通ることで特定の波長で光子を生成するためのバンドギャップを有する層である。多くの材料化合物は、インジウムガリウムひ素InGaA、InGaAp、及びVCSEL又はエピタキシャル設計に共通する又は共通しない他の材料を含んで使用され得る。これらの層はまた、VCSEL設計に共通しており、当該技術分野に周知である。次に、上面ミラー要素514をもたらすエピタキシャル層は、前に議論された下面ミラー又はDBR506のような同じ又は同様のタイプの複合体から成長される。ミラー反射率は、成長段階においてはるかに低く、キャビティを完成するのに使用されている外部リフレクタの設計に依存している。上面DBRミラー514、または下面DBRミラー506においてさえ、設計者は、電流制限アパーチャ512を形成するために、より高い割合のアルミニウムを加えることができる。半導体レーザ処理において酸化として一般に知られる、この層又は層が閉鎖環境において加熱水H2O及び窒素N2に曝露される時、エッチングによって形成されるメサの外側端部上のこの層又は他の同様の層における材料は、酸化アルミニウムAlO2の誘電性の組成物のある形態に酸化し変化する。これは、電流パスをデバイスの中間に移動させる、デバイスの外面上の誘導体のリングを結果的に作り出し、それにより、アパーチャを作り出す。十分な光子を生み出す又はレイジングを得るために、高電流密度が、その後達成され得る。最後の一般的な構成要素は、上面コンタクト516から成る。上面コンタクト516は、良好なオーミック上面コンタクト516を生み出すために、極度にPドープされ、設計され得る。上面コンタクト516は、処理中及びウエハ成長後に成膜され得る。上面発光設計の最終的な層は、レンズ520の形成のために、共通の厚いGaAs層、又は他の共通の化合物から作られ得る。レンズ520は、発光されたビームの発散を減少し制御するために必要とされる。レンズ520はまた、酸化した層を有する上面ミラー514において設計され得る。しかしながら、代替の実施形態は、レンズ520を使用しないかもしれない。図5は、上面発光レーザ設計のためのエピタキシャル要素の特定の実施形態を記載しているが、半導体レーザ処理に共通の他の層又は設計も使用され得る。特定の実施形態において、実施形態を作り上げるための続く手順は、以下のとおりである。成長したエピタキシャルウエハの適切な清浄化の後、エピタキシャルウエハは、フォトレジストによってコーティングされる。厚いポジ型レジスト及びネガ型レジストの両方は、エピタキシャルウエハをコーティングするために使用され得る。次に、追加されたレジスト層は、使用されるレジスト層に依存して、レジスト層を紫外線光に曝露することによって又はレジスト層をパターニングした電子ビームに曝露することによってマスクでパターニングされ得る。プラズマエッチのチャンバー及び手順において継続し持続するために、パターンは、フォトレジストの円形か正方形のメサに約3ミクロンの厚さを残す。プラズマエッチは、一般に,塩素Cl2又は三臭化ホウ素BCl3のガスベースのエッチ、又はGaAのための共通のプラズマエッチガスの混合物である。代替の手順は、メサ形成のために化学的エッチを使用することができる。メサのエッチング工程は、活性領域を介してエッチングした後に完了するが、高度にドープされたミラーにおいて又はnコンタクト層において停止する。エッチング工程の深さは、反射計、干渉計、又は残留ガスアナライザーRGAを使用する終点検出によって制御され得る。これらの技術及び工程は、半導体処理産業に共通しており、当該技術分野に周知である。次に、サンプル又はウエハは、電流制限層を形成するために、以前に記載された酸化環境に晒される。電流制限は、デバイスを覆うこと及び注入によって達成され得る。これらの技術は、半導体処理産業に共通しており、当該技術分野に公知である。この点で、レンズエッチは、フォトレジスト又は感光性ポリマーをパターニングすることによって達成され得、それによって、レジスト又はポリマーをリフローさせ、その後、一般に低い選択性を有するエッチを使用することによって、プラズマをエッチングする。低い選択性を有するエッチを使用することによって、レンズ520を形成するために、リフローしたレンズ形状が、エッチングされたGaA、AlGa、又は他の複合材料へ、伝達されることができる。このエッチング工程も、デバイスの酸化前に行われ得る。レジストマスクを洗浄した後に、誘電性の蒸着物504が、全表面にわたって形成される。この層は、アパーチャ上に反射防止膜を形成するために、他の堆積物と組み合わせて設計され得る他に、デバイスの波長、他の光学要素又は構成要素によっても設計され得る。誘電特性を有するSiN2又は任意の同様の材料が使用され得る。これらの層タイプは、プラズマ強化化学蒸着PECVDによって一般に成膜される。次に、別のフォトレジストは、サンプル又はウエハ上でパターニングされ、コンタクト層の形成のために誘電体層を開くために曝露される。パターニングしたウエハは、結果的に、フッ素ベースのガス、又はいくつかの他のエッチガスと組み合わされたフッ素ベースのガスから一般に構成される、別のプラズマエッチに曝露される。代替のエッチガスも使用され得る。エッチが完了した後、マスクは、溶媒中で最初に洗浄することによって取り除かれ、その後、脱イオン化された水を使用することによって洗浄される。以下の工程において、別のフォトレジストは、サンプル又はウエハ上でパターニングされ、フォトレジストは、レジストにおいて開口部を形成するために曝露される。それは、pメタルコンタクト516が、Pオーミックコンタクトのために設計された極度にPドープされたエピタキシャル層に成膜される、この開口部にある。このレジストは、一般に、開口された領域の一部でない金属をリフトオフlift-offするために、逆行するレジスト側壁を有するようにパターニングされ得るネガ型レジストである。代替のレジスト処理は、リフトオフ工程に使用され得る。技術は、半導体処理産業に共通しており、当該技術分野に周知である。メッキ処理は、メサのまわりでヒートシンク材料518を形成するために使用される。ヒートシンク材料518は、熱管理に使用され、パラレルコンタクトparallelcontactを形成するために、一緒にサブアレイ内の他のメサを接続するためにも使用されるデバイスに関するフリップチッピングのための及び光学コーティング又は保護層のための、コネクション、コンタクト、及びパッドメタルを曝露及び形成するために、他の誘導体が適用され得る及び/又はエッチバックされ得る。これらの誘電性のコーティングは、当該技術分野に公知の共通の手順である。異なるサブアレイに関するコネクションは、フリップチップボンディングのためのメタル層及びパッドに関して上に記述されるのと同じ方法で成膜され得る。これらの工程は、これらのコネクション形成層を成膜するための任意の順番であり得る。最後に、はんだ524の最終的な成膜が、フリップチップ手順のためのフリップチップボール又はコンタクトを形成するために必要とされ得る。この最終的な成膜は、一般にメッキ成膜であるが、それは蒸発成膜技術でもあり得る。はんだ層は、スズTin、インジウムIndiumのような軟金属の複合体、他の適切な金属、及び金Au又は銀Agなどの金属の組み合わせから成る。それが基板キャリア又はヒートシンク上で遂行されるのであれば、この手順は必要ではないかもしれない。上に示された工程は、VCSELレーザチップのウエハの処理に使用される。以下の工程は、実施形態によるバックエンド又は包装の手順の例を記載する。最初に、適切なサイズの完成したチップを産出するために、ウエハが半導体鋸で開裂され得るか又は賽の目に切られ得る。VCSELレーザチップ又は賽は、チップが列をなすようにする又はヒートシンクが列をなすようにすることによってキャリア基板に取り付けられ得る。ボンディングとフォトリソグラフィーの技術分野において周知のように、チップは、赤外線背面チップアライメント技術によって列をなされ得る。あるいは、ヒートシンクは、フリップチッピング又は配列及び付着の他の手段によって列をなされ得る。いくつかの場合において、ボンディング後、天然基板が、より良好なデバイス性能のために取り除かれ得る。1つのチップが列をなすようにした後に、次の2つ又はそれ以上のチップがキャリア基板に接合される。キャリア基板は、レーザデバイスの操作に必要な他の回路とともに、駆動回路及びフリップチップコネクションパッドを有するように処理される。キャリア基板はまた、レーザが伝播のために列をなされる窓又は開口部を作り出すために、深いシリコンSiエッチツールによって又は化学的エッチにおいて処理され得る。次に、非線形の要素又は結晶図11、結晶1114に例証されるは、キャリア基板上ではんだパッドと一致するために、端部の近くで金属及びはんだコンタクトによってパターニングされる。これは、基板に接合することによる付着を可能にする。さらに、この技術は、外部ミラーがレーザキャビティの構成要素であるときに常に問題である、平面性にとって理想的である。非線形結晶は、周波数逓倍のための1つ又はそれ以上のチップを覆うことができる。幾つかの実施形態において、非線形結晶は、その用途に依存して、周波数を4倍にする、周波数を加算する、又は周波数を減算するために使用され得る。上述されるように、固有の波長を周波数が逓倍された波長に変換する有効性を向上させるために、他の光学要素が加えられ得る。適切な光学要素は、偏光ビームスプリッタ、フィルタ、エタロン、又は波長制御オプティカルコンポーネントを含む。図11は、どのように様々な光学要素が組み込まれ得るかを示す。偏光ビームスプリッタ又はビームコンバイナ1116は、非線形基板上ではんだパッドと一致するために、端部の近くで金属及びはんだコンタクトによってパターニングされる。光学設計におけるすべての他の要素は、同様に取り付けられ得、基板に接合することによる付着を可能にする。接合は、産業に共通の加熱及び加圧の手順によって遂行される。ここで図5に戻ると、固有の波長534は、デバイスによって生成され、偏光ビームスプリッタ要素532を介して伝播し、適切に設計されたリフレクタ526によって反射される光学的キャビティ528において継続する。ビームがビームスプリッタ532を介して再び伝播するため530、周波数が逓倍された構成要素536は、キャビティからの垂線方向で反射される。特定の実施形態において、VCSEL、レーザチップ、又は他の光源は、周波数逓倍なしで、赤、緑及び青の固有の波長によって作製され得る。さらに別の実施形態において、単一のリニアアレイは、すべてのピクセルを作り出すために使用され得る。これらのリニアアレイは、各ピクセルを作り出すために使用され得、2方向の走査手順において走査され得る。実施形態は、VCSELを使用することに限定されない。実施形態において、単一の面発光レーザSELは、サブアレイ内で使用され得る。リニアアレイは、SELを有する1以上のサブアレイ及び他のタイプのレーザを有する1以上の異なるサブアレイの組み合わせから成り得る。さらに別の実施形態において、VECSELチップは、前に言及された窓又は開口部を強調するがそれを必要としないレーザアパーチャによって互いに列をなすために、基板に取り付けられ得る。あるいは、VECSELチップ又は光エミッタは、基板に取り付けられ得、発光された波長又はビームは、前記基板、キャリア基板、及び積極的又は消極的なヒートシンクを介して伝播する。上面発光VECSELチップ及び下面発光VECSELチップの両方は、実施形態において使用され得る。VECSELチップは、フリップチップが施された基板から、基板中で作製されたマトリックスアドレス方式の配線を有する、ヒートシンク基板まで取り付けられ得る。Pコンタクト層、Nコンタクト層、又はその両方のマトリックスコネクションは、各々の適切なパッドに対する直接のフリップチップボンディングのためにヒートシンク基板上で作製され得る。上に留意されるように、サブアレイは、単一のレーザから成り得る。例えば、リニアアレイは、1以上のサブアレイから成り得、各サブアレイ内の単一のアパーチャは、結果的にそれが表すビットの位置に基づいて、サイズが合わせられる。第1サブアレイは、最大のサイズを有する単一のアパーチャから成り得る。第2サブアレイは、単一のアパーチャからなり得るが、これは、より小さなサイズを有する。最下位ビットに対応する最後のサブアレイは、他のサブアレイのいずれかに使用されるアパーチャサイズより小さなサイズを有する単一のアパーチャから成り得る。リニアアレイはまた、1以上のサブアレイから成り得、各サブアレイは、同じリニアアレイにおけるすべての他のサブアレイのアパーチャと同じサイズを有する。図10は、ピクセルの3つの色要素を生成するために使用される、3つの別個の2Dアレイチップ1000、1002及び1004を示す。例えば、アレイチップ1000は赤色要素に対応し得、アレイチップ1002は緑色要素に対応し得、及びアレイチップ1004は青色要素に対応し得、又は用途の必要性に応じて、各々は多くの異なる色のいずれかに対応し得る。チップ1000要素からの行1006、チップ1002からの行1008、チップ1004からの行1010は、3つの色要素を組み合わせるために各チップによって列をなされ、1つの色要素は、各チップによって生成され、それは、ピクセルの最終的に正確な色相及び強度をもたらすために必要である。チップ1000、1002、及び1004の残りの行も列をなされる。しかしながら、チップ1000及び1002が、キャリア基板1012に取り付けられる一方で、チップ1004は取り付けられない。したがって、光源又はチップの位置決めも、チップの特定の光学通路、レンズ位置、ディスプレイデバイスの回路、及び全ディスプレイデバイスに関連する他の構造を考慮に入れなければならない。別の実施形態において、端部発光レーザ又は端部発光の発光ダイオードLEDなどの、端部発光デバイスは、図14に例証されるように作製され得る。図14は、最上位ビットMSBレーザ1400で開始し、最下位ビットLSBレーザ1404で終了する、端部発光レーザを使用する実施形態による設計を示し、その間に多くの他のレーザデバイス1406のいずれかを有する。各サブアレイの出力は、垂直出力1402によって組み合わせられ、放射される。特に、図14からの実施形態において、レーザ又はLEDは、パワーを変更するための、異なるストリップの長さ又は幅を使用することによって、より高い力のサブアレイに対応させるために設計され得る。あるいは、多数のデバイスは、図1及び2に関して記載されるように、サブアレイを形成するために平列して一緒に接触され得る。図14へのさらなる言及において、サブアレイは、単一の端部発光レーザEEL又はEELの組み合わせから成り得る。リニアアレイ内の1以上のサブアレイは、すべてEELから成り得る。あるいは、1以上の第1サブアレイがEELから成り得る一方で、1以上の第2サブアレイは、いくつかの他の面発光ビームデバイスを有するレーザから成り得る。MSBに対応するサブアレイ、及びMSBサブアレイに近いそれらのサブアレイが、LSBに対応するサブアレイ、及びLSBサブアレイに近いそれらのサブアレイよりも大きな出力を有するように、サブアレイは設計され得る。これらの面発光型構造は、ミラー又は回折格子などの垂直出力要素を使用し、VCSELを使用する本明細書に記載される他の実施形態と同じ方法で使用され得る。EELを使用する実施形態も、各パルスの強度変調を使用することによって、通信又はデータ伝送の用途に使用され得る。これによって、典型的により高い出力を有する、典型的により遅いEELデバイスは、高出力の通信用途のために、より高い帯域幅で競争することが可能となる。図15から17は、1つまたは複数のEELを有するサブアレイで構成されたリニアアレイの他の実施形態を示している。単一のリニアアレイは、1つまたは複数のEELサブアレイと他のタイプの1つまたは複数のレーザを収容するサブアレイとから構成することができる。様々なリニアアレイは単一の行に配置されている場合、同一行内の第2のリニアアレイはレーザの他のタイプを含めることができるが、その行内の最初のリニアアレイは、EELのみを含めることができる。別の実施形態では、1Dアレイは同じであるが、異なる色または波長の他のソースと組み合わせて単一色のピクセル生成するソースとして使用され、及び結合されたカラー出力画素強度が垂直方向と水平方向とで走査される。レーザチップは、当業者に知られている一般的な製造技術と端面発光材料から作製することができる。上記の出力のデジタル2進数システムに応じて電力を変化させるアレイ、または単一のデバイスは、色の強度を符号化するのと同じ方法を有効にするために切断し、取り付けることができる。実施形態では、参照により本明細書に組み込まれた米国特許出願第12/707,657号に記載されているように、導波路が各サブアレイまたは要素の周囲に形成された、フリップチップ技術と高速アレイの設計を使用することができる。特に、グランドプレーンは、実質的にまたは完全にコプレーナcoplanar導波路のリードを形成し、サブアレイ内のレーザデバイスのすべてを取り囲む。導波路の使用が大幅にVCSELアレイの帯域幅を増加させ、本明細書に開示されたアレイの実施形態は、撮像システムに加えて異なるさまざまな用途に利用することを有効にし得る。実施形態は、任意の種々の半導体レーザ、アパーチャ及び光源を使用することができる。そしてそれらは、発光ダイオードLED、端面発光レーザおよびVCSEL、VECSELや、ウエハ基板表面に垂直なレーザ伝播をもつ多様な垂直発光のうちの半導体レーザなど半導体レーザのすべてのクラスを含む。他の光源は、特定の色の光源として、または色の組み合わせのために使用することができる。他の光源は、特定の色のため、或いは色の組み合わせのための光源として使用することができる。代替の光源も、本明細書に開示されているように、サブアレイにおいて直線状に配列することができる。各サブアレイは、形成されるべき画像の情報を含む2進数文字列からのビットによって関連付けられ、制御される。これらの他の光源は、LED、有機LED、光学的にポンピングされた光源、および電気的にポンピングされた光源を含めることができる。例えば、特定の実施形態は、1つまたは複数の類似した色のLEDのリニアアレイから構成し得る。LEDが使用されている場合は、波長の周波数逓倍の必要はなく、それにより周波数逓倍するために必要な複雑な光学系を取り除く。垂直出力を持つ端面発光レーザダイオードは、サブアレイが表すビット位置に対応する電力強度を有する直鎖状アレイのサブアレイでは、リニアアレイに結合することができる。端面発光レーザダイオードを用いた実施形態では、単一のレーザを作る線形の設計やストリップは、リニアアレイの方向に平行に配置することができる。出力は、アナモルフィックレンズまたは類似のデバイスですべてのビームを組み合わせるように配置することができる。例えば、図14は、MSBサブアレイ1400、LSBサブアレイ1404、およびサブアレイ1406を示しており、これらは直線状に配置されている。これらのリニアアレイからのビームは対応する垂直出力1402によって結合され、アナモルフィックレンズであり得る。端面発光デバイスのリニアアレイは、垂直方向出力を持つ複数のストリップレーザを配置するために、当該リニアアレイが、一つの方向、典型的には、x方向に沿って充分な空間を持つように設計され得る。一例が図15に示されている。一方向に沿う充分な空間が、これらの端面発光レーザは、文字列が表している2進数文字列から対応するビットの強度を生成するために変化する長さおよび/または変化する幅を持たせる。図15は端面発光アレイの形成1500の実施例の上面図を示し、端面発光レーザやLEDの端面発光は、上述のレーザ装置の面発光の配向の代わりに製造され、使用されている。図15に示すチップは、ストリップ端面レーザ1504などのストリップ端面発光レーザを用いている第1のサブアレイ1502を示している。レーザ1504が切断されたときに、アパーチャ1506が形成される。アパーチャ1506は、すべて、ビット位置が表している、ビット位置に対応するサブアレイ1502の強度で、並列に制御される。アレイ形成1500は、さらにサブアレイ1508、1510、1512、1514、および1516が含まれている。サブアレイ1516は、LSBに対応し、アレイの形成1500において、サブアレイ1502は、MSBに対応している。図16は、図15から端面発光アレイ形成1500の側面図を示している。図16の観点から、生成された光の伝搬方向は図の表面に垂直である紙面から出てくる。図17は、表面発光の配向というよりは、むしろ端面発光の配向からのデジタル出力強度を生成するために切断し、マウントされている端面発光レーザのアレイを示している。図17は、パッケージングコンポーネント1706にマウントされたチップ1700、1702と1704を示している。図15と図16に示すように、特にチップの各々1700、1702及び1704は、リニアアレイで構成されている。チップは、3つのチップからのレーザ出力が、ピクセルの色を生成するために組み合わせることができるようにするために互いに整列されている。図17に示すように、実施形態では、結果的に製造が容易である、周波数逓倍のコンポーネントを必要としないという利点がある。端面発光レーザを使用する場合は、上述したように、出力は、アナモルフィックレンズを使用して組み合わせることができる。上述したとおり、基板上に堆積depositionにより作製された外部ミラーは、結果的に伝播の特定の波長に合わせた特性を持つDBRを生じるのであるが、非線形基板上の半田パッドに一致させるために端部近傍で金属及びはんだコンタクトによってパターニングされる。これは、基板への結合により付着することができる。ボンディングは、当該技術分野において周知の加熱及び加圧プロセスによって達成される。外部リフレクタ626は、設計を簡素化するために非線形結晶628上に堆積され、図6に示すように、上記外部リフレクタは、他の光学要素の一つ上に成膜することができる。図5は、上面発光型設計を使用して、ビームスプリッタ/波長フィルタ、周波数逓倍シフトの非線形結晶、キャビティを完了するためのリフレクタを含む一般的なオプティカルエレメントを示す典型的なVCSELデバイス構造を示す。周波数逓倍非線形結晶によって生成された第2高調波光は、非線形結晶を通過した後にフィルタリングされる。非線形結晶は90度の角度でVCSELデバイスが、最初に放出されるすべての波長を反射し、非線形結晶によって生成された高調波の波長を通過させる。光が90度の角度で反射される場合、出力ビームは、VCSELからの入射ビームから、出力カプラから同一の入射角である。外部反射器526からの出力は、光源によって生成された波長を反射させながら、結晶528によって生成される高調波の波長が通過できるようにバンドパスフィルタと組み合わせることができる。図6に示す装置は、図5からのデバイスがビームスプリッタまたは他の光学要素を含まないことを除いて、図5からの装置を製造するために使用されるのと同じ方法に従って製造され得る。図6では、外部ミラー526からの反射ビーム530は、キャビティに戻り、同時に、非線形結晶によって生成された、逓倍されたビーム成分600は、非線形の表面に適切に設計されたミラー526に入射するか、或いは垂直に伝播される。図7-9に示すように、別の実施形態では、デバイスの構造は背面発光方向に変更することができる。この実施形態ではウエハが処理され、その後逆さまに反転し、コンタクト部に接合される。図7において、メサ構造は、図5を参照して上述したように、基板700上にエピタキシャル層を成長させる。すなわちNコンタクト層702、当該構造を被覆し、そして開放されるか或いはエッチングされたSIN2などの誘電性の非導電層704をエピタキシャル成長させ、ドープされたコンタクト層702上に直接成膜されたPコンタクト金属層712を形成する。フリップチップボンディング後の下部ミラーになるトップミラー708は、回折格子を用いることにより、または他の反射層が99以上に反射率をもたらすために添加することによって、DBR堆積設計を使用して高反射率のために設計される。また、このデバイスは、アクティブ領域706が含まれており、部分的なDBRミラー704が、組み込まれた内部のレンズを有することができる。組成物中にアルミニウムの含有率を高くして、誘電性のALO2を酸化した後、異なる酸化物の長さをもつリングとして層を形成することによって、酸化後のミラーにおいて複合された屈折率の異ならしめたレンズを形成する。内部レンズは光学設計に有益であるビームの発散を低減するために使用することができる。さらに、銅、金、または良好な熱伝導を持つ他の高度な材料のメッキヒートシンクを使用することができる。はんだコンタクト714を含む、これらの層、構造またはコンタクトは、図5を参照して説明した方法によって形成される。さらに図7を参照すると、ネイティブ波長ビーム724は基板700を介して伝搬する。ネイティブ波長724は偏光ビームスプリッタ要素722を介して伝搬し、適切に設計されたリフレクタ720によって、光学的キャビティ718内で反射され続ける。ビームがビームスプリッタ722を通って戻るように伝播するにつれて、周波数逓要素728は、前記キャビティから垂直方向に反射する。図8は、ビームスプリッタと他の光学素子が含まれていないことを除いて、図7からデバイスに類似した装置の一実施形態を示す。図8では、外部ミラー720からの反射ビーム726は、キャビティに戻り、一方非線形結晶によって生成された逓倍した周波数ビーム成分800は、非線形結晶の表面に入射するように適切に設計されたミラー720を介して伝播される。図6を参照して説明したように、本実施形態では、周波数逓倍結晶によって生成された第2高調波光は、同じフィルタと出力とキャビティ反射器を通して放出される。また、図8からの実施形態は、さらに非線形結晶によって生成された波長のみが出力カプラから通すことができ、追加的にバンドパスフィルタを含まれていることに留意されたい。図9は、図7に示す装置のさらに別の変形例を示す。しかし、図9からのデバイスは、当該デバイスを含むヒートシンクの、はんだ906又は導電性エポキシ成分を使用して取り付けられたコネクション908及び910をもつヒートシンク基板912又はキャリアへの直接の伝達による優れた熱管理を促進する。図9はまた、Nコンタクト層902が如何にしてN層への金属成膜904にいる短絡されたメサの設計を介してNコネクション910に接続されるかを示している。さらに図9を参照すると、底部発光構造は、基板900と埋め込みNエピタキシャル層902とを含む。Nマトリックス配線またはパッド910は、短絡メサ914及び金属成膜904を介して埋め込みNエピタキシャル層902と接続する。他のデバイスメサ又は構造916はN層へのメサの短絡によって影響されない。なぜなら、他のデバイスメサ又は構造916はメサエッチングによって分離されるからである。図示された両方のメサ構造は、異なるはんだ成膜パッド906を使用しており、同時に製法を簡略化するように成膜され得る。デバイス916はPマトリックスコネクション又はパッド908と接続される。マトリックス配線とパッドの両方は、基板又はヒートシンク912上に製造される。図11へと続くと、これらの光学要素は複数の方法で設計され、適用され得、そして上に言及されるような同様の結果を達成することができる。図11では、VECSELアレイチップ1100、1102および1104は開口部を備えたキャリア基板にフリップチップボンディングされている。該図は接合されたチップの一部を切り取った図である。基板1112はドライバへの相互接続部を含む回路を有し得る。代替的に、基板1112は、前記VECSELチップの動作を支持するために必要とされるドライバ及び/又はデジタル回路を含み得る。前記基板1112はまた、ちょうど言及された回路上に全てを備えるかまたは何も備えない別の基板1108に対する相互接続部となり得る。実際のVECSELチップはまた、共通の設計実践であるチップ上の回路を使用し得る。ここで基板1108は、VECSELチップが適用されるヒートシンク材1106を有することを可能にする開口部を示し、それは熱をヒートシンク1110に伝送し、改善された熱の管理を可能にするするだろう。さらに非線形の結晶1114は、先に本明細書に言及された技術によって、接合される。このデバイスのキャビティ1120は、VECSELチップ1100および1102の下面のミラーから全てのオプティカルコンポーネントを通って外部リフレクタ1122および1124まで延長された。この例証におけるコンポーネント1116は、波長のフィルタリングを備える3つのビームコンバイナから成り、その結果、波長はネイティブ波長1126と1128、および周波数が逓倍された波長1127と1129から成るリターンビーム1126と1128から組み合わされ、外部リフレクタ1122とリフレクタ1124から戻る周波数が逓倍された波長のみがビームスプリッタ1130のようなビームスプリッタから反射されるか又は組み合わされる。例証されるように、結果として生じるVECSEL1100の出力は青く、そして結果として生じるVECSEL1102の出力は緑である。この例証において示されるように、もし例えばVECSEL1104から結果として生じる赤の波長が周波数逓倍を必要としない場合、ビームコンバイナ1132は、ビームを結合ビーム1134中へ反射させるために使用され得る。その結果は、3つの全てのVECSELチップ1100、1102、1104が組み合わされた線形コンポーネントを表わす平行ビーム1134の結合した波長になるだろう。その後、これらの平行ビーム1134は、ピクセルを生成するよう結合させるためのアナモフィックレンズに走査され得るか、または前記ピクセルを形成する別の並列中のプリズムによって結合され得る。この実施形態において、強度変調は、本明細書に記載されているものと同じ2進コード化を使用して生成され得るが、色の深さまたは色強度に焦点を当てるかわりに、焦点は単一パルス上にコード化され得るデータの文字列を生成することであり得る。その後、パルスは光ファイバーまたは自由空間のいずれかを通って伝送され得、特定の2進法の強度として検知され得、それは、正常データ通信パルスにおける情報の共通の1ビットの代わりにビットの文字列を表わすだろう。この技術は現在可能な正常な伝送データレートの何倍をも生成することができる。強度変調が周知である一方、この実施形態によると前記既知の光源は構成されておらず、それは、正確な2進法強度またはデジタル強度のために設計されたかあるいは較正された、複数の配置されたソースの使用することでの、強度のそのデジタル選択によって、結果として生じる信号のより大きな描写を提示する。さらにこの実施形態において、波長分割多重WDMまたは高密度WDMDWDMを生成するための同じ技術によって、より多くの波長が同一のビームに加えられ得、各々の特定の波長は、その波長にそれぞれのパルスの各々にコード化されたビット文字列情報を有する。この性質のデバイスは、現在まで実現されない非常に高いデータ転送レートを生み出すだろう。さらに、このデバイスでは、より高いパワーレーザ伝搬にとって重要なより長い目に安全な波長のために、周波数逓倍の技術は使用される必要がないであろうし、また、周波数加算技術さえも使用され得る。本明細書に記載された任意の実施形態と共に、MEMsミラーまたは走査デバイスを使用することができることは留意される。前記MEMsミラーまたは走査デバイスは、MEMsミラー位置に依存して異なる位置にビット/ワード情報パルスをいつでも送達することができる。波長の、または前記光源かレーザチップによって生成されるビームの、あるいはその組合せの任意の数を備えた任意の先に言及された実施形態において、1つの高度に解像されたデータパルスを、データパルス文字列を、またはデータ伝送のための2進法か16進法などかに関わらずディジットの任意の形態を備えるワードを形成するために組み合わされ得る。その後、このデバイスは高度に解像されたデジタル強度変調IMのための特有なソースまたは送信器となる。先に言及されたデバイスは、サイズ、焦点距離、または組み合わせるレンズの距離、そして設計によって定義され得るサブグループの数によってのみ限定されるビット情報を潜在的に有し得る。ビット文字列の深さまたはワードの長さは2ビット以上から成り得る。8ビット、10ビット、16ビット、32ビット、64ビット、あるいは、より大きなビットが実現され得る。前記デバイスがデータ伝送のために使用される別の実施形態において、リニアアレイは、パルスの線形列を形成するための全ての行の任意の数と共に同時にオンにされ得、当該パルスの線形列は前記パルスが同じまたは類似の波長を有したとしても、それらの互いに関係する出力位置のために、互いから描写することができ、高帯域の伝送線路を形成するこれらのWDMまたはDWDM強度変調されたパルスに次元要素を加え得る。別の実施形態において、1Dアレイは、同じであるが異なる波長の他のソースと組み合わされたソースを生成する単一の波長のパルスとして使用され、そして結合した波長出力パルス強度は、縦および横方向の方法manorで走査される。レーザチップは、当業者に知られる共通の成形技術を備えた端面発光材から成形され得る。上に記載される出力のデジタル2進法システムによる、異なる電力のデバイスのアレイまたは単体はその後、データ伝送をコード化する同じ方法を可能にするために切断され、取り付けられ得る。図12は、ビーム1200、1202および1204が各々の2進法オン/オフ状態による各々のリニアアレイにおいてオンにされるサブアレイである、図11の同じ図の拡大を示す。ビーム1202および1206は外部の、または拡張されたミラーからのイントラキャビティの反射したビームである。ビーム1210および1012は、非線形の周波数逓倍結晶を既に通った、リターンビームからの周波数を逓倍したビーム要素である。これらのビームは、周波数逓倍した波長のみが反射されることを可能にする特定の波長フィルタによって覆われた角度のある表面のためにキャビティ方向に対して垂直に反射される。全ての他の波長は角度のある表面窓に渡って続くだろう。ビーム1214は、周波数逓倍を必要としない赤のVECSELチップからの反射されたビームである。平行ビーム1010、1012、1014は今や全て組み合わされ、そして、出力は3つの色の強度のために加重されたVECSELサブグループを表わすマルチカラーの平行ビーム1216である。ピクセル強度を定義するリニアアレイは全て同時にオンにされ、平行ビームの2Dアレイを形成する。その後、ミラーはこれらの平行ビームをアナモフィックレンズに反射させ、該アナモフィックレンズはリニアアレイ成分のビームを1方向でピクセルに結合させ、そしてもう1つの方向にピクセルの列を結合させる。隣の画像ラインデータが2Dアレイへ配列され、ミラーが像平面中のそのライン位置と隣に位置する走査を続けるとき、隣の画像ラインが同じ方法で生成される。図13は上記と同じビーム1216、および他の類似のビームが走査ミラー1302および1304によって反射されるのを示している。平行な反射されたビームは、アナモフィックレンズ1306に入射し、それによって収束ビームが、深く豊かな色の深さを生成する色強度の総和と組み合わされた3つの色成分を全て備えたポイント又はピクセル1308を形成する。ある時点で形成されるピクセル1308は、像平面1310の画像ラインのトップのピクセルである。画像ラインおよび他の画像ラインは、リニアアレイビームへの垂直方向でピクセルを同時に形成する2Dアレイの全ての行によって作られる。この垂直方向は紙面を見おろす。画像ラインは、虚像1310を形成する1方向xまたはyを表わし、一方で、画像平面1310の表面を横切って走査されたビームラインは、画像1310の別のxまたはy成分を表わす。各々のサブアレイおよび要素の周りに形成される導波路と共に、フリップチップ技術および高速アレイ用の設計を使用すると、VCSELアレイの速度およびデータ率は増加され得る。フォトリソグラフィーにおいて望まれるよりもはるかに短い波長を備える像を生成するであろう周波数逓倍のかわりに、周波数の4倍を使用することで、本明細書に記載されている実施形態は、マスクのないフォトリソグラフィー曝露に使用され得るデバイスを可能にする。生成された画像は、デバイスの回折限界がシステムについての特徴サイズを限定しうるフォトレジスト上に画像処理するように投射する代わりに、減少され得る。この実施形態において、アパーチャサイズは特徴サイズを減少させるために出来るだけ小さく理想的に設計されるだろう。このプロセスはまた、波長ソースについて任意の数の組合せを使用する適切な波長を備える、印刷業界用の撮像デバイスを可能にする。図18は、実施形態によるレーザデバイスの動作的アレイの部分的に分割された図partiallybrokenviewを示す。前記動作的配列は5つのリニアアレイで構成され、各々のリニアアレイは単一の行を構築する。各々のリニアアレイはまた、レーザデバイスの最大数と、最大のアパーチャを有している第1のサブアレイと共に8つのサブアレイから成る。他方で、最下位ビットに対応する最後のサブアレイは、単一のレーザデバイスのみを有し、そして、この単一のレーザデバイスは同じ行内の他のサブアレイ中の全てのレーザのアパーチャよりも小さなアパーチャサイズを有している。前記アレイは各々の行を連続してオンにすることで動作する。例えば、2進数文字列10100111が第2の行上のリニアアレイへ与えることで、第1のサブアレイ、第3のサブアレイおよび最後の3つのサブアレイをオンにし、残りのサブアレイをオフにしたままにする。本発明は好ましい実施形態および幾つかの代替の点より本明細書に例証され記載されている一方で、本明細書に記載されている技術が多くの追加的な使用および用途を有し得ることは理解されたい。従って、本発明は、発明の原理の好ましい実施形態および用途を単に例証する、本明細書に含まれる単なる特定の記載および様々な図に限定されるべきではない。"