ベース基板と、前記ベース基板上に形成される導電性パッドを含む回路パターンと、前記導電性パッドに接合されるはんだボールと、前記ベース基板と前記導電性パッドとの間に備えられる剥離防止層と、を含むプリント基板。前記ベース基板は、片面プリント基板、両面プリント基板、または複数の回路層と複数の絶縁層を備えた多層プリント基板からなる請求項1に記載のプリント基板。前記ベース基板は、エポキシ系絶縁材、味の素ビルドアップフィルムAjinomotoBuild-upFilm;ABF、液晶ポリマーLiquidCrystalPolymer;LCP、ポリテトラフルオロエチレンPolytetrafluoroethylene;PTFE、ポリイミドPolyimide;PI、ポリエーテルエーテルケトンPolyetheretherketone;PEEKから選ばれる少なくとも一つ以上からなる絶縁層を含む請求項1に記載のプリント基板。前記剥離防止層は、前記ベース基板より高い弾性係数を有することを特徴とする請求項1に記載のプリント基板。前記剥離防止層の弾性係数は、4Gpa超過~110Gpa以下であることを特徴とする請求項1に記載のプリント基板。前記剥離防止層は、0.6μm~10μmの厚さ範囲を有することを特徴とする請求項1に記載のプリント基板。aベース基板を準備する段階と、b前記ベース基板の上面に剥離防止層を形成する段階と、c前記剥離防止層の上面に導電性パッドを含む回路パターンを形成する段階と、d前記ベース基板の上部に前記導電性パッド部分を除くソルダレジスト層を形成する段階と、を含むプリント基板の製造方法。b段階は、a段階で準備されたベース基板の上面をソフトエッチングsoftetchingして剥離防止層を形成することを特徴とする請求項7に記載のプリント基板の製造方法。b段階は、デスミア工程により剥離防止層を形成することを特徴とする請求項7に記載のプリント基板の製造方法。前記デスミア工程は、過マンガン酸塩溶液の温度や濃度を増加させたり過マンガン酸塩溶液を噴出するスプレーの圧力を増加させることを特徴とする請求項9に記載のプリント基板の製造方法。b段階は、a段階の後、前記ベース基板より高い弾性係数を有する物質を前記ベース基板の上面に積層して剥離防止層を形成することを特徴とする請求項7に記載のプリント基板の製造方法。本発明は、ボールせん断試験を行う際に発生するベース基板と導電性パッドとの間の剥離Delamination現象を防止するために導き出されたものであって、具体的に、従来技術と異なり、ベース基板と導電性パッドとの間に剥離防止層を備え、ベース基板の表面に集中するストレスを緩和させることにより、ベース基板と導電性パッドとの間の剥離Delamination現象を防止するプリント基板及びその製造方法を提供することを目的とする。前記目的を果たすために、本発明の一実施形態によると、回路パターンを含むベース基板と、前記ベース基板上に備えられる導電性パッドと、前記導電性パッドに接合されるはんだボールと、前記ベース基板と前記導電性パッドとの間に備えられる剥離防止層と、を含むプリント基板を提供する。また、前記ベース基板は、片面プリント基板、両面プリント基板、または複数の回路層と複数の絶縁層を備えた多層プリント基板であることを特徴とする。また、前記ベース基板は、エポキシ系絶縁材、味の素ビルドアップフィルムAjinomotoBuild-upFilm;ABF、液晶ポリマーLiquidCrystalPolymer;LCP、ポリテトラフルオロエチレンPolytetrafluoroethylene;PTFE、ポリイミドPolyimide;PI、ポリエーテルエーテルケトンPolyetheretherketone;PEEKから選ばれる少なくとも一つ以上からなる絶縁層を含むことを特徴とする。また、前記剥離防止層は、前記ベース基板より高い弾性係数を有することを特徴とする。また、前記剥離防止層の弾性係数は4Gpa超過~110Gpa以下であることを特徴とする。また、前記剥離防止層は、0.6μm~10μmの厚さ範囲を有することを特徴とする。一方、本発明の他の実施形態によると、aベース基板を準備する段階と、b前記ベース基板の上面に剥離防止層を形成する段階と、c前記剥離防止層の上面に導電性パッドを含む回路パターンを形成する段階と、d前記ベース基板の上部をソルダレジスト層で塗布し、導電性パッド部分のソルダレジスト層を露出させる段階と、を含むプリント基板の製造方法を提供する。また、前記剥離防止層は、a段階の後、ベース基板の上面をソフトエッチングsoftetchingして形成されることを特徴とする。また、前記剥離防止層は、デスミア工程により形成されることを特徴とする。また、前記デスミア工程は、過マンガン酸塩溶液の温度や濃度を増加させたり過マンガン酸塩溶液を噴出するスプレーの圧力を増加させることを特徴とする。また、前記剥離防止層は、a段階の後、ベース基板より高い弾性係数を有する物質をベース基板の上面に積層してなることを特徴とする。本発明のプリント基板及びその製造方法によると、ベース基板と導電性パッドとの間に剥離防止層を備えることにより、ボールせん断試験を行う際にベース基板と導電性パッドの表面に集中するストレスを緩和させてベース基板と導電性パッドとの間の剥離現象を防止し、製品の耐久性に対する信頼度を向上させることができる。以下、添付図面を参照して本発明による好ましい実施形態を詳細に説明する。本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び請求範囲に用いられた用語や単語は通常的かつ辞書的な意味に解釈されてはならず、発明者が自らの発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されるべきである。図3は、本発明の一実施形態によるプリント基板200を示した断面図である。図3を参照すると、本発明の一実施形態によるプリント基板200は、回路パターンを含むベース基板210と、前記ベース基板210上に備えられる導電性パッド220と、前記導電性パッド220に接合されるはんだボール240と、前記ベース基板210と前記導電性パッド220との間に備えられる剥離防止層230と、を含む。本実施形態では、本発明の技術的特徴を明瞭に記述するためにプリント基板の内層回路層及び最下層の構造が省略されたベース基板を例に挙げて説明する。従って、本発明は、このようなベース基板の構造により制限されず、ベース基板は、片面プリント基板、両面プリント基板、または複数の回路層と複数の絶縁層を備えた多層プリント基板の最外層基板を示す。前記ベース基板210は、電気絶縁素材である複合高分子樹脂、例えば、エポキシ系絶縁材、味の素ビルドアップフィルムAjinomotoBuild-upFilm;ABF、液晶ポリマーLiquidCrystalPolymer;LCP、ポリテトラフルオロエチレンPolytetrafluoroethylene;PTFE、ポリイミドPolyimide;PI、ポリエーテルエーテルケトンPolyetheretherketone;PEEKから選ばれる少なくとも一つ以上からなる絶縁層を含む。前記ベース基板210上に形成される導電性パッド220を含む回路パターンは、アディティブ法Additiveprocess、サブトラクティブ法SubtractiveProcess、モディファイドセミアディティブ法ModifiedSemiAdditiveprocess;MSAP及びセミアディティブ法SemiAdditiveprocess;SAPなどを用いて形成することができるが、これに限定されるものではない。前記ベース基板210上には、はんだボール240を介してICまたは電子部品と電気的に連結される導電性パッド220が備えられており、前記導電性パッド220は、はんだボール240と接合される。即ち、はんだボール240を介してICまたは電子部品と基板の回路パターンとが電気的に連結される。前記導電性パッド220は、ほとんどがCuからなり、ICまたは電子部品との電気的接続状態を向上させるためにNi/Auがメッキされる。前記導電性パッド220は、はんだボールが接合される部分であって、回路パターンを具現する際にともに形成される。本明細書において用いられる導電性パッドの用語は制限的に解釈されず、ベース基板210の最外層に形成され、ICまたは電子部品と電気的に接続して信号を引き出す構成を示すものであればどのようなものでも使用できる。プリント基板の回路パターンを保護し、回路間の絶縁性を与えるために導電性パッド220以外の部分をカバーするソルダレジスト層290が前記ベース基板210上に塗布される。ベース基板210と導電性パッド220との間には剥離防止層230が備えられており、前記剥離防止層230は絶縁材からなるベース基板210より高い弾性係数を有することを特徴とする。前記剥離防止層230を備えることにより、ボールせん断試験Ballsheartestを行う際に発生する圧力ストレスが剥離防止層に均一に分散されてベース基板210と導電性パッド220との間の接合部分に集中しない。これにより、ベース基板210と導電性パッド220との間の剥離現象を防止することができる。前記剥離防止層230の厚さは、0.6μm~10μm範囲内であることが好ましい。0.6μm未満である場合、ボールせん断試験によるストレスが剥離防止層に分散されにくく、10μmを超過する場合、プリント基板の薄膜化に対応することができない。また、前記剥離防止層230の弾性係数は、4Gpa超過~110Gpa以下であることが好ましい。ベース基板に含まれる絶縁層の弾性係数が3~4Gpaの範囲を有するため、4Gpa以下である場合、ベース基板210の弾性係数と同一であるか低くなるため、本発明が目的とする効果を具現することができず、110Gpaを超過する場合、逆に導電性パッド220の弾性係数より高くなるため、導電性パッド220と剥離防止層230との間において剥離現象が発生する可能性がある。図4は、本発明のプリント基板において、ボールせん断試験を行う際に発生するストレスの分布に対するシミュレーション結果を示した図面である。シミュレーションに用いられた剥離防止層の厚さは1.2μmであり、弾性係数は75Gpaである。図2及び図4を互いに比較して説明すると、本発明の一実施形態によるプリント基板200の場合、剥離防止層が備えられていない従来のプリント基板に比べて、ボールせん断試験によるストレスがベース基板210と導電性パッド220の間の表面に集中されないことが分かる。以下、図5~図10を参照して本発明の好ましい実施形態によるプリント基板の製造方法について説明する。先ず、図5に図示されたように、ベース基板210を提供する。前記ベース基板210は、片面プリント基板、両面プリント基板、または多層プリント基板においてICまたは電子部品が実装される最外層の基板になることができ、エポキシ系絶縁材、味の素ビルドアップフィルムAjinomotoBuild-upFilm;ABF、液晶ポリマーLiquidCrystalPolymer;LCP、ポリテトラフルオロエチレンPolytetrafluoroethylene;PTFE、ポリイミドPolyimide;PI、ポリエーテルエーテルケトンPolyetheretherketone;PEEKから選ばれる少なくとも一つ以上からなる絶縁層を含む。次に、図6に図示されたように、前記ベース基板210の上面に剥離防止層230を形成する。前記剥離防止層230は、ベース基板210より高い弾性係数を有することを特徴とする。前記剥離防止層230は、前記ベース基板210の上面をソフトエッチングsoftetchingして形成することができる。前記ベース基板210に含まれる絶縁層の樹脂Reginをソフトエッチングする場合、絶縁層表面の充填剤Fillerの含量が増加して弾性係数の高い剥離防止層が形成される。通常、ソフトエッチングに用いられるエッチング液としては、硫酸水溶液硫酸の濃度:98g/l、硫酸及び過硫酸ナトリウム水溶液硫酸の濃度:9.8g/l、過硫酸ナトリウムの濃度:150g/l、そして硫酸及び過酸化水素水溶液硫酸濃度98g/l、過酸化水素の濃度:27g/lのうち少なくとも一つであることができる。また、前記剥離防止層230は、デスミア工程により形成されることができる。デスミア工程のうち湿式デスミア工程は、樹脂表面を膨潤させて過マンガン酸塩Permanganateを容易に浸透させる膨潤Swelling段階と、膨潤段階で膨張された樹脂の共有結合を過マンガン酸塩溶液により処理してエッチングする過マンガン酸塩処理段階と、過マンガン酸塩処理により生成された不溶性の副産物を溶解性マンガンにより中和して除去する中和Neutralizer段階と、を含む。ここで、前記過マンガン酸塩処理段階において用いられる過マンガン酸塩溶液の温度や濃度を増加させたり過マンガン酸塩溶液を噴出するスプレーの圧力を増加させる場合、絶縁層表面の充填剤Fillerの含量が増加して弾性係数の高い剥離防止層が形成されることができる。このように、デスミア工程条件の一部を変更して剥離防止層を形成する場合、別途の追加工程なしに剥離防止層を形成することができるため、コストを節約することができる。また他の方法として、前記剥離防止層230はベース基板より高い弾性係数を有する物質をベース基板の上面に積層することにより形成することができる。前記物質の弾性係数は4Gpa超過~110Gpa以下であることが好ましい。前記物質は、エポキシ系樹脂、シリコン系樹脂、アクリル系樹脂、またはウレタン系樹脂のうち少なくともいずれか一つを含むフィルムであることができるが、これに限定されるものではない。次に、図7に図示されたように、前記ベース基板210の任意に選ばれた位置をドリル加工を施して層間接続のためのビアホール250を形成する。前記ビアホール250を形成することは上層の銅箔回路と下層の銅箔回路を互いに電気的に接続するためであり、前記ビアホール250を加工した後、デスミア工程を行う。デスミア工程は、前記ビアホール250を形成のための穴あけ工程において発生する残渣などを除去し、後続するメッキ工程が円滑に行われるように前記ビアホール250の内壁表面に粗さ、即ち粗度roughnessを提供する。次に、図8に図示されたように、無電解銅メッキを行って基板表面及び露出されたビアホール250の内壁表面に無電解銅メッキ層260を形成し、その後、基板表面にドライフィルム270を密着させて被覆する。前記ドライフィルム270は、感光性Photo-sensitiveを有したフィルムであって、回路パターンが形成される領域が露出されることができるように、選択的に露光及び現象工程を行った後に銅メッキを行うと、図9に図示されたように、ドライフィルム270が残存しているところには電気銅280が形成されず、その他に電気が流れる部分、即ち化学銅上にのみ電気銅280が形成される。ここで化学銅と電気銅は両方とも銅Cuであることには相違ないが、後続するフラッシュエッチングFlashetching工程過程においてエッチング特性が相違しており、区別して図示したため、注意しなければならない。次に、ドライフィルム270を剥離した後、ドライフィルムにより保護される部分に化学銅が残存しており、これを除去すると短絡された部分が解消され、図10に図示されたように、導電性パッド220を含む回路パターンが完成される。化学銅は、フラッシュエッチングflashetching、即ちエッチング液に基板を若干浸漬してエッチングすることができる。次に、図11に図示されたように、導電性パッド220を含む回路パターンが完成されたベース基板の表面にソルダレジストを塗布してソルダレジスト層290を形成する。前記ソルダレジスト層290は、ICまたは電子部品を実装する際にはんだ付けにより回路パターンを保護し、回路パターンの間のブリッジを防止するために形成するものであって、感光性のあるインクを使用して基板に塗布する。その後、露光及び現象を行って導電性パッド220部分のソルダレジスト層290を除去することによりはんだボール240が接合される空間を設け、その後、ICまたは電子部品を実装する。本明細書に記載される実施形態と図面に図示される構成は本発明のもっとも好ましい一実施形態に過ぎず、本発明の技術的思想の全部を代弁しているわけではないため、本出願時点においてこれらを代替することができる多様な均等物と変形例があり得ることを理解しなければならない。