一面上にテクスチャが形成された基板のヘイズ率を測定するヘイズ率測定工程と、前記基板のヘイズ率の測定結果に基づいてシリコン含有膜の製膜条件を決定する製膜条件決定工程と、前記製膜条件決定工程で決定された製膜条件により、微結晶シリコン含有膜からなる光電変換セルを前記基板上にCVD法により製膜する製膜工程と、を含むこと、を特徴とする薄膜シリコン太陽電池の製造方法。前記基板のヘイズ率の測定結果に基づいて決定される製膜条件が、前記光電変換セルに含まれるP型微結晶シリコン膜の製膜条件であること、を特徴とする請求項1に記載の薄膜シリコン太陽電池の製造方法。前記基板のヘイズ率の測定結果に基づいて決定される製膜条件が、前記光電変換セルに含まれるI型微結晶シリコン膜の製膜条件であること、を特徴とする請求項1に記載の薄膜シリコン太陽電池の製造方法。前記製膜工程は、アモルファスシリコン含有膜からなるトップ光電変換セルを製膜する第1工程と、前記第1工程の後に、微結晶シリコン含有膜からなるボトム光電変換セルを製膜する第2工程と、を有し、前記製膜条件決定工程では、前記ボトム光電変換セルの製膜条件を決定すること、を特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の薄膜シリコン太陽電池の製造方法。前記一面上にテクスチャが形成された基板は、テクスチャを有する透明電極膜が前記基板の平坦面上に形成されていること、を特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の薄膜シリコン太陽電池の製造方法。前記ヘイズ率測定工程および前記製膜条件決定工程は、前記製膜工程の直前に行なわれること、を特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載の薄膜シリコン太陽電池の製造方法。所定の真空圧に調圧可能であり基板上に微結晶シリコン含有膜をCVD法により製膜する製膜室と、前記製膜室に前記基板を真空搬送するための搬送室と、所定の真空圧に調圧可能であり前記搬送室に前記基板を搬入および搬出するためのロードロック室と、前記ロードロック室または前記搬送室のいずれかに配置され、前記基板のヘイズ率を測定するヘイズ率測定部と、前記ヘイズ率測定部で測定された測定結果に基づいて、前記製膜室における微結晶シリコン含有膜の製膜条件を制御する製膜条件制御部と、を備えることを特徴とする薄膜シリコン太陽電池の製造装置。前記製膜条件制御部が、P型微結晶シリコン膜の製膜条件を制御すること、を特徴とする請求項7に記載の薄膜シリコン太陽電池の製造装置。前記製膜条件制御部が、I型微結晶シリコン膜の製膜条件を制御すること、を特徴とする請求項7に記載の薄膜シリコン太陽電池の製造装置。しかしながら、特許文献1や特許文献2の何れの方法でテクスチャを形成してもテクスチャの形状にバラつきを生じて、作製する薄膜シリコン太陽電池の特性にバラつきを生じ、歩留まりの低下を引き起こす、という問題があった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、光電変換効率および歩留まりに優れた薄膜シリコン太陽電池の製造方法および製造装置を得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる薄膜シリコン太陽電池の製造方法は、一面上にテクスチャが形成された基板のヘイズ率を測定するヘイズ率測定工程と、前記基板のヘイズ率の測定結果に基づいてシリコン含有膜の製膜条件を決定する製膜条件決定工程と、前記製膜条件決定工程で決定された製膜条件により、微結晶シリコン含有膜からなる光電変換セルを前記基板上にCVD法により製膜する製膜工程と、を含むこと、を特徴とする。本発明によれば、光電変換効率および歩留まりに優れた薄膜シリコン太陽電池が得られる、という効果を奏する。以下に、本発明にかかる薄膜シリコン太陽電池の製造方法および製造装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1にかかる薄膜シリコン太陽電池の製造方法により作製される2層タンデム型薄膜シリコン太陽電池の構造を示す断面図である。図1に示す2層タンデム型薄膜シリコン太陽電池は、トップセルの発電層にアモルファスシリコンを、ボトムセルの発電層に微結晶シリコンを用いた2層タンデム型薄膜シリコン太陽電池である。この2層タンデム型薄膜シリコン太陽電池においては、透明絶縁性基板であるガラス基板1上に透明電極膜2が形成されている。透明電極膜2は、太陽電池セルの光入射側の膜であるため太陽電池セル内に有効に光を取り込むために低光吸収率である必要があり、且つ、セル内での光路長を延ばすために透過光を散乱させる必要がある。このため、透明電極膜2の表面には凹凸形状テクスチャが形成されている。透明電極膜2の上には、P型アモルファスシリコン膜3、I型アモルファスシリコン膜4、N型アモルファスシリコン膜5から成るアモルファスシリコンセル6が形成されている。このアモルファスシリコンセル6上には、P型微結晶シリコン膜7、I型微結晶シリコン膜8、N型微結晶シリコン膜9から成る微結晶シリコンセル10が形成されている。微結晶シリコンセル10上には、光閉じ込め層となる裏面透明電極膜11および金属電極膜12が形成されている。図2は、実施の形態1にかかる薄膜シリコン太陽電池の製造方法により2層タンデム型薄膜シリコン太陽電池を製造する手順を説明するフローチャートである。ステップS1では、製品基板であるガラス基板1以下、基板1と呼ぶ場合があるを用意し、基板1を洗浄する。ステップS2では、基板1上にSnO2を熱CVD法により堆積させて透明電極膜2を製膜する。この際、SnO2結晶粒の成長過程において膜表面にテクスチャが形成される。ここで得られる透明電極膜2は、下部電極層を構成する。ステップS3では、テクスチャが形成された透明電極膜2付きの基板1のヘイズ率を測定する。透過光に対する散乱光の割合をヘイズ率と呼び、ヘイズ率が高いほど透過光が有効に拡散されることを示している。ステップS4では、ステップS3で測定した基板1のヘイズ率の測定結果を基にP型微結晶シリコン膜7の製膜条件を決定する。ステップS5では、ステップS3で測定した基板1のヘイズ率の測定結果を基にI型微結晶シリコン膜8の製膜条件を決定する。ステップS6では、レーザースクライブにより、透明電極膜2をセル状にパターニングする。ステップS7、S8、S9では、ボロンBをドープしたP型アモルファスシリコン膜3、ノンドープのI型アモルファスシリコン膜4、リンPをドープしたN型アモルファスシリコン膜5をCVD法により順次製膜し、トップセルとなるアモルファスシリコンセル6を形成する。ステップS10、S11、S12では、リンPをドープしたP型微結晶シリコン膜7、ノンドープのI型微結晶シリコン膜8、リンPをドープしたN型微結晶シリコン膜9をCVD法により順次製膜し、ボトムセルとなる微結晶シリコンセルを10形成する。なお、P型微結晶シリコン膜7の製膜条件は、ステップS3で測定した基板1のヘイズ率の測定結果を基にステップS10のP型微結晶シリコン膜7の製膜までに決定されればよい。同様に、I型微結晶シリコン膜8の製膜条件は、ステップS3で測定した基板1のヘイズ率の測定結果を基にステップS11のI型微結晶シリコン膜8の製膜までに決定されればよい。ステップS13では、レーザースクライブにより、積層されたアモルファスシリコンセル6および微結晶シリコンセル10をセル状にパターニングする。ステップS14では、裏面透明電極膜11を製膜する。ここで得られる裏面透明電極膜11は、光閉じ込め層を構成する。ステップS15では、金属電極膜12を製膜する。ここで得られる金属電極膜12は、上部電極層を構成する。ステップS16では、レーザースクライブにより、積層されたアモルファスシリコンセル6、微結晶シリコンセル10、裏面透明電極膜11および金属電極膜12をセル状にパターニングする。以上の製造工程によって、隣接するセル間で下部電極層と上部電極層とが直列に接続された構造を形成する。その後、ステップS17で基板洗浄を行い、ステップS18で太陽電池特性検査を実施して、実装工程へ移行する。ここで、ステップS4、S5における、テクスチャが形成された透明電極膜2付きの基板1のヘイズ率測定結果を基にP型微結晶シリコン膜7の製膜ステップS10とI型微結晶シリコン膜8の製膜ステップS11との製膜条件を決定する方法について説明する。まず、タンデム型薄膜シリコン太陽電池の短絡電流密度Jscのヘイズ率依存性について説明する。図3は、タンデム型薄膜シリコン太陽電池の短絡電流密度Jscのヘイズ率依存性を示す特性図である。図3の横軸に示すヘイズ率は、上述した薄膜シリコン太陽電池の製造プロセスにおいてテクスチャを有する透明電極膜2が形成された時点の基板1における波長:800nmの光に対する値である。そして、横軸に示すHaは、透明電極膜が形成されて所定の基準のヘイズ率を有する通常の基板のヘイズ率である。図3の縦軸に示す短絡電流密度Jscは、透明電極膜2が形成された基板上に作製されたタンデムセルの短絡電流密度Jscである。そして、縦軸に示すJaは、所定の基準のヘイズ率を有する通常の基板ヘイズ率:Ha上に作製された通常のタンデムセルの短絡電流密度Jscである。このタンデムセルは、セルの発電電流が、ヘイズ率:Haの基板上でアモルファスシリコンセルの発電電流に制限された領域Bにおいて、短絡電流密度Jscとして所望の値Jaが得られるように設計されている。セルの発電電流が微結晶シリコンセルの発電電流に制限された領域Aにおいては、ヘイズ率が高くなるとテクスチャによる光散乱量が増加するため微結晶シリコンセル内での光吸収量が増大して微結晶シリコンセルの発電電流が増加する。この結果、領域Aにおいては、タンデムセルの短絡電流密度Jscは増加する。しかし、ヘイズ率がある程度以上になると、タンデムセルの短絡電流がアモルファスシリコンセルの発電電流に制限される。このため、セルの発電電流がアモルファスシリコンセルの発電電流に制限された領域Bにおいては、ヘイズ率が増加して微結晶シリコンセルの発電電流が増加しても、タンデムセルの短絡電流密度Jscはほぼ一定の値となる。このことから、透明電極膜が形成された基板のヘイズ率が通常の基板よりも低い領域Aに含まれる場合には、作製した薄膜シリコン太陽電池の短絡電流密度Jscが減少して特性不良が発生し、歩留まりの低下を招く要因となる。このため、ヘイズ率の測定結果が領域Aに含まれる場合には、微結晶シリコンセル10の発電電流が増加するように微結晶シリコンセル10の製膜条件を決定する。具体的には、図3において、ヘイズ率の測定結果が領域A内のHbであった場合は、通常の製膜条件で微結晶シリコンセル10を作製した場合、タンデムセルの短絡電流密度Jscは微結晶シリコンセルの電流で制限されるため、通常よりも低いJbとなることが予想される。このため、ステップS11において製膜するI型微結晶シリコン膜8の製膜時間を通常よりも長く設定し、発電層であるI型微結晶シリコン膜8の膜厚を通常よりも厚くすることで、微結晶シリコンセル10の発電電流が増加し、タンデムセルの短絡電流密度Jscを通常の値Jaとすることができる。このように、透明電極膜が形成された基板のヘイズ率が通常の基板よりも低く、微結晶シリコンセル10の発電電流の低下が予測される場合においても、ヘイズ率の測定結果を基に微結晶シリコンセル10の製膜条件を最適に制御することで、タンデムセルの短絡電流密度Jscを一定に保つことができ、特性不良による歩留まりの低下を抑制できる。つぎに、タンデム型薄膜シリコン太陽電池の開放電圧Vocのヘイズ率依存性について説明する。図4は、タンデム型薄膜シリコン太陽電池の開放電圧Vocのヘイズ率依存性を示す特性図である。図4の横軸に示すヘイズ率は、上述した薄膜シリコン太陽電池の製造プロセスにおいてテクスチャを有する透明電極膜が形成された時点の基板における波長:800nmの光に対する値である。そして、横軸に示すHcは、透明電極膜が形成されて所定の基準のヘイズ率を有する通常の基板のヘイズ率である。図4の縦軸に示す開放電圧Vocは、透明電極膜が形成された基板上に作製されたタンデムセルの開放電圧Vocである。そして、縦軸に示すVaは、通常の基板ヘイズ率:Hc上に作製された通常のタンデムセルの開放電圧Vocである。ヘイズ率が低い場合には領域C、ヘイズ率に対してタンデムセルの開放電圧Vocはほぼ一定である。一方、ヘイズ率がある程度以上高くなると領域D、ヘイズ率の増加に伴ってタンデムセルの開放電圧Vocは低下する。これは、微結晶シリコンセル10を作製する際に、凹凸形状の影響でI型微結晶シリコン膜8中の粒界欠陥が増加することに起因するものである。このように、ヘイズ率の測定結果の結果、ヘイズ率が、所定の基準のヘイズ率を有する通常の基板よりも高い領域Dに含まれる場合には、微結晶シリコンセル10の開放電圧Vocが増加するよう微結晶シリコンセル10の製膜条件を決定する。具体的には、図4において、ヘイズ率の測定結果が領域D内のHdであった場合は、通常の製膜条件で微結晶シリコンセル10を作製した場合には、タンデムセルの開放電圧Vocは、通常よりも低いVbとなることが予想される。このため、ステップS10において製膜するP型微結晶シリコン膜7の製膜条件を、メタンCH4や二酸化炭素CO2ガスを添加した条件とする、もしくは、これらのガスの添加量を増加させた条件とする。これにより、P型微結晶シリコン膜7をワイドバンドギャップ化して微結晶シリコンセル10の開放電圧Vocを通常よりも高めることで、タンデムセルの開放電圧Vocの低下を抑制できる。このように、透明電極膜が形成された基板のヘイズ率が通常の基板よりも高く、微結晶シリコンセル10の開放電圧Vocの低下が予測される場合においても、ヘイズ率の測定結果を基に微結晶シリコンセル10の製膜条件を最適に制御することで、タンデムセルの開放電圧特性を一定に保つことができ、特性不良による歩留まりの低下を抑制できる。上述したように、実施の形態1においては、テクスチャの形成された製品基板のヘイズ率の測定結果に基づき、製膜する微結晶シリコン膜の製膜条件を決定し、製膜を行う。これにより、基板のテクスチャ形状のバラつきに起因した微結晶シリコン膜の結晶化率のバラつきや薄膜シリコン太陽電池の特性のバラつきの発生を抑制することができる。したがって、実施の形態1においては、光電変換効率および歩留まりに優れた薄膜シリコン太陽電池が得られる。なお、本実施の形態では、テクスチャを形成した透明電極膜2の形成後に基板のヘイズ率を測定する方法について述べたが、基板のヘイズ率の測定は、テクスチャが形成された後であれば必ずしも透明電極膜2の形成後である必要は無い。例えば、図5のフローチャートに示すように、アモルファスシリコンセル6が基板上に形成された状態でヘイズ率の測定を行なってもよい。図5は、実施の形態1にかかる薄膜シリコン太陽電池の製造方法により2層タンデム型薄膜シリコン太陽電池を製造する他の手順を説明するフローチャートである。図5のフローチャートが図2のフローチャートと異なる点は、N型アモルファスシリコン膜5を製膜するステップS9の後に、ヘイズ率を測定するステップS3、およびヘイズ率の測定結果を基に製膜条件を決定するステップS4、ステップS5を実施することである。また、本実施の形態では、透明電極膜2へのテクスチャの形成は熱CVDによるSnO膜の堆積を例に説明したが、テクスチャを有する基板上にタンデム型シリコン太陽電池を形成する場合であれば、透明電極膜2の材料やテクスチャの形成方法が異なっても同様の効果が得られる。また、本実施の形態では、ヘイズ率の測定結果に応じてI型微結晶シリコン膜8の膜厚を調整する場合と、P型微結晶シリコン膜7の製膜時のCH4、CO2ガスの添加量を調整する場合とを例に説明したが、微結晶シリコンセル10の製膜条件の制御はこれに限らない。例えば、微結晶シリコンセル10の製膜時の圧力、SiH4流量、H2流量、電極間距離などを変化させてタンデムセルの特性が一定となるように製膜条件を制御してもよい。また、本実施の形態では、微結晶シリコンセル10を含む2層タンデム型薄膜シリコン太陽電池の製造方法を例に説明したが、これに限ることなく微結晶シリコン酸化膜セル、微結晶シリコンカーバイドセル、微結晶シリコンゲルマニュウムセルなどを用いたタンデム型薄膜太陽電池であれば、同様の効果を得ることができる。また、光電変換セルの積層数も2層に限られない。さらに、シングル型の薄膜シリコン太陽電池の製造に適用することもできる。実施の形態2.図6は、実施の形態2にかかる薄膜シリコン太陽電池の製造装置であって、上述した実施の形態1にかかる薄膜シリコン太陽電池の製造方法に使用される微結晶シリコンセル製膜用のプラズマCVD装置100の概略構成を示すブロック図である。本実施の形態で使用するプラズマCVD装置100は、マルチチャンバ方式のプラズマCVD装置であり、ロードロック室101、搬送室102および3つの製膜室A、B、Cを備える。ロードロック室101および製膜室A、B、Cは、搬送室102の周囲に設けられている。製膜室Aは、P型微結晶シリコン膜7の製膜のための製膜室である。製膜室Bは、I型微結晶シリコン膜8の製膜のための製膜室である。製膜室Cは、N型微結晶シリコン膜9の製膜のための製膜室である。製膜室A、B、Cは、それぞれゲートバルブ103、104、105を介して搬送室102に接続されている。搬送室102は、ロードロック室101と、製膜室A、B、Cとの間で製品基板を搬送するためのスペースである。搬送室102には、真空中で動作可能な搬送ロボット図示省略と製品基板のヘイズ率を測定するためのヘイズ率測定部106が設けられている。搬送ロボットは、搬送室102と、ロードロック室101および製膜室A、B、Cとの間で製品基板を搬送する。ヘイズ率測定部106は、分光光度計を用いることができ、ヘイズ率測定部106で測定したヘイズ率測定結果は、各製膜室の製膜条件を制御する製膜条件制御部107に送られる。ロードロック室101は、搬送室102への製品基板の搬入および取り出しのためのスペースである。ロードロック室101は、ゲートバルブ108を介して搬送室102に接続されている。ロードロック室101、搬送室102および製膜室A、B、Cは所定の真空圧に調圧可能である。図7は、プラズマCVD装置100における製品基板の搬送手順を説明するフロー図である。ここでは、図5に示す手順とともに、製品基板の搬送手順を説明する。ガラス基板1の洗浄後ステップS1、テクスチャを有する透明電極膜2が製膜されステップS2、レーザースクライブステップS6、アモルファスシリコンセル6の形成工程ステップS7~S9を経た基板1は、プラズマCVD装置100のロードロック室101内に設置されるステップS21。ロードロック室101内に基板1が設置されると、ロードロック室101内が真空排気される。ロードロック室101が真空排気された後、ロードロック室101と搬送室102間のゲートバルブ108が開かれる。ロードロック室101内の基板1は、搬送室102内の搬送ロボットのアームに積載され、ロードロック室101から搬送室102を経て、製膜室Aに真空搬送される。この際に、搬送室102に設けられたヘイズ率測定部106により、基板1のヘイズ率が測定されるステップS22、ステップS3。このヘイズ率の測定結果は、製膜条件制御部107に送られるステップS31。製膜条件制御部107は、ステップS41においてP型微結晶シリコン膜7の製膜条件を決定し、この製膜条件により製膜室AにおけるP型微結晶シリコン膜7の製膜を制御するステップS23。P型微結晶シリコン膜7の製膜条件は、ヘイズ率測定部106による基板1のヘイズ率測定の結果に応じて決定される。例えば、製膜条件制御部107に送られたヘイズ率の測定結果により、測定した基板1のヘイズ率が通常の基板よりも高いことが検知された場合は、微結晶シリコンセル10の開放電圧が低下し、タンデムセルの開放電圧が低下することが予想される。この場合、製膜条件制御部107は、通常よりも微結晶シリコンセル10の開放電圧が高くなるようにP型微結晶シリコン膜7の製膜条件を選択することにより、タンデムセルの開放電圧を通常通りの値に保つことが可能となる。例えば、製膜条件制御部107が、P型微結晶シリコン膜7の製膜条件としてP型微結晶シリコン膜7がワイドバンドギャップ化する製膜条件を選択することにより、微結晶シリコンセル10の開放電圧を高くすることができる。また、これ以外にも、ヘイズ率の測定結果を基にして調整されるP型微結晶シリコン7の製膜パラメータとして、製膜時のSiH4流量、H2流量、B2H6流量、CO2流量、CH4流量、製膜圧力、RF電力および電極間距離などがある。製膜条件制御部107により決定された製膜条件によりP型微結晶シリコン膜7が形成された基板1は、搬送室102内の搬送ロボットのアームに積載され、製膜室Aから搬送室102を経て製膜室Bに真空搬送される。製膜条件制御部107は、ステップS42において、I型微結晶シリコン膜8の製膜条件を決定し、この製膜条件により製膜室BにおけるI型微結晶シリコン膜8の製膜を制御するステップS24。I型微結晶シリコン膜8の製膜条件は、ヘイズ率測定部106による基板1のヘイズ率測定の結果に応じて決定される。例えば、製膜条件制御部107に送られたヘイズ率の測定結果により、基板1のヘイズ率が通常より低いことが検知された場合は、微結晶シリコンセル10の短絡電流の低下により、タンデムセルの短絡電流密度Jscが低下することが予想される。この場合、製膜条件制御部107は、通常よりも微結晶シリコンセル10の短絡電流が増加するようにI型微結晶シリコン膜8の製膜条件を選択することにより、タンデムセルの短絡電流密度Jscを通常通りの値に保つことが可能となる。例えば、製膜条件制御部107が、I型微結晶シリコン膜8の製膜条件としてI型微結晶シリコン膜8の膜厚を増加させるように製膜条件を選択することにより、微結晶シリコンセル10の短絡電流を増加させることができる。また、これ以外にも、ヘイズ率の測定結果を基にして調整されるI型微結晶シリコン膜8の製膜パラメータとして、製膜時のSiH4流量、H2流量、製膜圧力、RF電力および電極間距離などがある。製膜条件制御部107により決定された製膜条件によりI型微結晶シリコン膜8が形成された基板1は、搬送室102内の搬送ロボットのアームに積載され、製膜室Bから搬送室102を経て、製膜室Cに真空搬送される。そして、製膜室Cにおいて、N型微結晶シリコン膜9の製膜が行なわれるステップS25。N型微結晶シリコン膜が形成された基板1は、搬送室102内の搬送ロボットのアームに積載され、製膜室Cから搬送室102を経て、ロードロック室101へ真空搬送されるステップS26、S27。基板1がロードロック室101に設置されると、搬送室102との間のゲートバルブ108が閉じられ、ロードロック室101内が大気開放される。このようにして微結晶シリコンセル10が形成された基板1は、ロードロック室101から取り出され、図5のステップS13以降の手順へ移行する。上述したように、実施の形態2においては、微結晶シリコンセル製膜用のプラズマCVD装置100の搬送室102にヘイズ率測定部106を設置し、微結晶シリコンセル10を製膜する直前のヘイズ率を測定し、このヘイズ率の測定結果を基に微結晶シリコンセル10の製膜条件を決定して微結晶シリコンセル10の製膜を行なう。これにより、基板1のテクスチャ形状のバラつきに起因した結晶化率のバラつきや薄膜シリコン太陽電池の特性のバラつきの発生を抑制するように微結晶シリコン膜を製膜することができる。したがって、実施の形態2においては、光電変換効率および歩留まりに優れた薄膜シリコン太陽電池を製造することが可能である。また、実施の形態2においてはプラズマCVD装置100内において基板1のヘイズ率を測定できるため、プラズマCVD装置100とは別にヘイズ率測定器を設けた場合と比較して、基板1の搬送時間やヘイズ率測定のための時間を短縮できるためスループットの向上が図れ、且つ、タンデムセルの特性を一定に保つことができる。なお、基板1のヘイズ率測定は、基板1を搬送室102の搬送ロボット上に積載した状態で、搬送ロボットを移動させながら測定することで、ヘイズ率の基板面内分布を測定することができる。また、本実施の形態では、ヘイズ率測定部106を搬送室102に設置した場合について述べたが、ヘイズ率測定部106をロードロック室101に設置しても良い。この場合、ロードロック室101に基板1を設置した後のロードロック室101の真空引きと並行してヘイズ率を測定することができるため、スループットの低下を抑制できる。また、本実施の形態では、マルチチャンバ方式のCVD装置を例に説明したが、製膜室が直線的に連なるインライン方式のCVD装置を用いてもよい。この場合、インライン方式のCVD装置において、基板1を装置に搬入し、真空引きを行なうロードロック室101にヘイズ率測定部106を設けることで同様の効果が得られる。