共通電極との間で電気光学物質層を駆動する画素電極、該画素電極の電位を保持する保持容量部、および前記画素電極に対応して設けられた画素トランジスターを備えた画素を有し、前記画素電極の電位が前記共通電極の電位より高い第1期間と前記画素電極の電位が前記共通電極の電位より低い第2期間とが実行される電気光学装置であって、前記保持容量部は、第1電極、該第1電極に対向し、当該第1電極の電位より低い電位が印加される第2電極、前記第1電極と前記第2電極との間に第1絶縁材料により形成された第1誘電体層、および前記第1誘電体層と前記第2電極との間に第2絶縁材料により形成された第2誘電体層を備えた第1保持容量と、第3電極、該第3電極に対向し、当該第3電極の電位より高い電位が印加される第4電極、前記第3電極と前記第4電極との間に前記第2絶縁材料により形成された第3誘電体層、および前記第3誘電体層と前記第4電極との間に前記第1絶縁材料により形成された第4誘電体層を備えた第2保持容量と、前記第1期間では前記第1保持容量と前記画素電極とを導通状態とする一方、前記第2保持容量と前記画素電極とを非導通状態とし、前記第2期間では前記第1保持容量と前記画素電極とを非導通状態とする一方、前記第2保持容量と前記画素電極とを導通状態とするスイッチング回路と、を有していることを特徴とする電気光学装置。前記第1電極および前記第3電極は各々、前記スイッチング回路を介して前記画素電極に電気的に接続し、前記第2電極および前記第4電極は各々、前記共通電極と同一の電位が印加されることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。前記スイッチング回路は、前記第1電極と前記画素電極との間に電気的に接続された第1導電型トランジスターと、前記第3電極と前記画素電極との間に電気的に接続され、前記第1導電型トランジスターと導電型が異なる第2導電型トランジスターと、を備え、前記第1期間と前記第2期間とにおいて電位が異なる制御信号が前記第1導電型トランジスターの制御電極および前記第2導電型トランジスターの制御電極に印加されることを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置。前記制御信号は、前記画素トランジスターの画素電極側ソースドレイン電極から印加される信号であることを特徴とする請求項3に記載の電気光学装置。前記第1誘電体層と前記第4誘電体層とは異なる層に位置し、前記第2誘電体層と前記第3誘電体層とは異なる層に位置することを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の電気光学装置。前記第1誘電体層と前記第4誘電体層とは同一の層に位置し、前記第2誘電体層と前記第3誘電体層とは同一の層に位置することを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の電気光学装置。前記第1絶縁材料は、シリコン酸化物であり、前記第2絶縁材料は、シリコン窒化物であることを特徴とする請求項1乃至6の何れか一項に記載の電気光学装置。前記画素電極、前記保持容量部、および前記画素トランジスターが形成された素子基板と、前記素子基板と対向基板との間に前記電気光学物質層としての液晶層を保持する対向基板と、を有していることを特徴とする請求項1乃至7の何れか一項に記載の電気光学装置。請求項1乃至8のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。一方、本願発明者は、複数の保持容量を構成するにあたって、図11aに示すように、共通電位Vcomが印加される第1電極99aの下層側に、画素電極9aに電気的接続する第2電極99bを設ける一方、第1電極99aと第2電極99bとの間に第1誘電体層99eを設け、第1電極99aの上層側に、画素電極9aに電気的接続する第3電極99cを設ける一方、第1電極99aと第3電極99cとの間に第2誘電体層99fを設けた構造を検討している。また、第1誘電体層99eについては、第1電極99aの側に接するシリコン窒化膜99gと第2電極99bの側に接するシリコン酸化膜99hとの二層構造とし、第2誘電体層99fについては、第1電極99aの側に接するシリコン酸化膜99iと第3電極99cの側に接するシリコン窒化膜99jとの二層構造とすることを検討している。かかる構成によれば、第1電極99aと第2電極99bとの間に構成された第1保持容量99sと、第1電極99aと第3電極99cとの間に構成された第2保持容量99tとでは、第1電極99aからみたときのシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜の順序が逆になっているので、画素電極9aに印加される画像信号の極性を反転させる駆動方式を採用した場合でも、保持容量全体の電気特性が極性によって変化することがないという利点がある。しかしながら、図11aに示す構造では、第1保持容量99sおよび第2保持容量99tのうち、特性が低い方の保持容量によって保持容量部全体の特性が支配されるという問題点ある。より具体的には、シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜のうち、シリコン酸化膜の方が高電位になった状態での電圧-電流特性は図11bに線L1で示す通りであり、耐電圧はVaである。これに対して、シリコン窒化膜の方が高電位になった状態での電圧-電流特性は図11bに線L2で示す通りであり、耐電圧がVbまで低下してしまう。その結果、保持容量部の耐電圧は、図11bに線L2で示す特性で規定されてしまうという問題点ある。それ故、複数の保持容量のうち、電気光学装置の動作に連動して最適な保持容量を選択して利用できれば、耐電圧等の特性を向上することができるが、かかる構成は未だ案出されていない。なお、図11aに示す構成は、本願発明に対する参考例であり、従来技術ではない。以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、極性反転駆動を行う際、極性反転に伴って、画素電極に導通する保持容量を切り換えることのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。上記課題を解決するために、本発明は、共通電極との間で電気光学物質層を駆動する画素電極、該画素電極の電位を保持する保持容量部、および前記画素電極に対応して設けられた画素トランジスターを備えた画素を有し、前記画素電極の電位が前記共通電極の電位より高い第1期間と前記画素電極の電位が前記共通電極の電位より低い第2期間とが実行される電気光学装置であって、前記保持容量部は、第1電極、該第1電極に対向し、当該第1電極の電位より低い電位が印加される第2電極、前記第1電極と前記第2電極との間に第1絶縁材料により形成された第1誘電体層、および前記第1誘電体層と前記第2電極との間に第2絶縁材料により形成された第2誘電体層を備えた第1保持容量と、第3電極、該第3電極に対向し、当該第3電極の電位より高い電位が印加される第4電極、前記第3電極と前記第4電極との間に前記第2絶縁材料により形成された第3誘電体層、および前記第3誘電体層と前記第4電極との間に前記第1絶縁材料により形成された第4誘電体層を備えた第2保持容量と、前記第1期間では前記第1保持容量と前記画素電極とを導通状態とする一方、前記第2保持容量と前記画素電極とを非導通状態とし、前記第2期間では前記第1保持容量と前記画素電極とを非導通状態とする一方、前記第2保持容量と前記画素電極とを導通状態とするスイッチング回路と、を有していることを特徴とする。本発明では、画素電極の電位が共通電極の電位より高い第1期間では、第1保持容量が画素電極に導通状態となるので、第1電極、第1誘電体層第1絶縁材料、第2誘電体層第2絶縁材料、および第2電極に向けて電流が流れ、電荷が蓄積される。これに対して、画素電極の電位が共通電極の電位より低い第2期間では、第2保持容量が画素電極に導通状態となるので、第4電極、第4誘電体層第1絶縁材料、第3誘電体層第2絶縁材料、および第3電極に向けて電流が流れ、電荷が蓄積される。従って、画素電極の電位が共通電極の電位より高い第1期間、および画素電極の電位が共通電極の電位より低い第2期間のいずれにおいても、第1絶縁材料が位置する方が高電位で、第2絶縁材料が位置する方が低電位となる。それ故、第1期間および第2期間のいずれにおいても、保持容量部では、耐電圧が高い電圧-電流特性が実現されることになる。本発明において、前記第1電極および前記第3電極は各々、前記スイッチング回路を介して前記画素電極に電気的に接続し、前記第2電極および前記第4電極は各々、前記共通電極と同一の電位が印加される構成を採用することができる。本発明において、前記スイッチング回路は、前記第1電極と前記画素電極との間に電気的に接続された第1導電型トランジスターと、前記第3電極と前記画素電極との間に電気的に接続され、前記第1導電型トランジスターと導電型が異なる第2導電型トランジスターと、を備え、前記第1期間と前記第2期間とにおいて電位が異なる制御信号が前記第1導電型トランジスターの制御電極および前記第2導電型トランジスターの制御電極に印加される構成を採用することができる。かかる構成によれば、画素トランジスターの製造工程の一部あるいは全部を利用して第1導電型トランジスターおよび第2導電型トランジスターを形成することができ、工程数を削減することができる。本発明において、前記制御信号は、前記画素トランジスターの画素電極側ソースドレイン電極から印加される信号である構成を採用してもよい。本発明において、前記第1誘電体層と前記第4誘電体層とは異なる層に位置し、前記第2誘電体層と前記第3誘電体層とは異なる層に位置する構成を採用することができる。本発明において、前記第1誘電体層と前記第4誘電体層とは同一の層に位置し、前記第2誘電体層と前記第3誘電体層とは同一の層に位置することが好ましい。かかる構成によれば、誘電体層を形成するための工程数を減らすことができる。本発明において、前記第1絶縁材料は、例えばシリコン酸化物であり、前記第2絶縁材料は、例えばシリコン窒化物である。本発明において、前記画素電極、前記保持容量部、および前記画素トランジスターが形成された素子基板と、前記素子基板と対向基板との間に前記電気光学物質層としての液晶層を保持する対向基板と、を有している構成を採用でき、この場合、電気光学装置は液晶装置として構成されることになる。本発明に係る電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピューター、投射型表示装置等の電子機器に用いることができる。これらの電子機器のうち、投射型表示装置は、電気光学装置液晶装置に光を供給するための光源部と、前記電気光学装置によって光変調された光を投射する投射光学系とを備えている。本発明の実施の形態として、各種の電気光学装置のうち、アクティブマトリクス型の液晶装置に本発明を適用した例を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側対向基板が位置する側を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。また、対向基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側素子基板が位置する側を意味し、下層側とは対向基板の基板本体が位置する側を意味する。[実施の形態1]電気光学装置の構成全体構成図1は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図1において、本形態の電気光学装置100は、TNTwistedNematicモードやVAVerticalAlignmentモードの液晶パネル100pを有する液晶装置であり、かかる液晶パネル100pは、その中央領域に複数の画素100aがマトリクス状に配列された画像表示領域10a画素配列領域/有効画素領域を備えている。液晶パネル100pにおいて、後述する素子基板10図2等を参照では、画像表示領域10aの内側で複数本のデータ線6aおよび複数本の走査線3aが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素100aが構成されている。複数の画素100aの各々には、電界効果型トランジスタースイッチング素子からなる画素トランジスター30、および後述する画素電極9aが形成されている。画素トランジスター30のソースドレイン領域のうち、データ線側ソースドレイン領域にはデータ線6aが電気的に接続され、画素電極側ソースドレイン領域には画素電極9aが電気的に接続され、画素トランジスター30のゲートには走査線3aが電気的に接続されている。このようにして、電気光学装置100では、複数の画素100aの各々に対応して複数の画素電極9aおよび複数の画素トランジスター30が形成されている。素子基板10において、画像表示領域10aより外周側には、図2に示す走査線駆動回路104やデータ線駆動回路101が設けられている。データ線駆動回路101は各データ線6aに電気的に接続しており、画像信号S1、S2Snを各データ線6aに順次供給する。走査線駆動回路104は、各走査線3aに電気的に接続しており、走査信号G1、G2Gnを各走査線3aに順次供給する。各画素100aにおいて、画素電極9aは、後述する対向基板20図2等を参照に形成された共通電極と液晶層電気光学物質層を介して対向し、液晶容量50aを構成している。また、各画素100aには、液晶容量50aで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量50aと並列に保持容量部70が付加されている。本形態では、保持容量部70を構成するために、素子基板10には、複数の画素100aに跨って延在する容量線7aが形成されており、容量線7aには、共通電位Vcomが印加されている。また、本形態では、図3等を参照して後述するように、保持容量部70には、第1保持容量80aと、第2保持容量80bと、第1保持容量80aおよび第2保持容量80bのうちのいずれの保持容量を画素電極9aと導通させるかを切り換えるスイッチング回路90とが設けられている。液晶パネル100pおよび素子基板10の構成図2は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置100の液晶パネル100pの説明図であり、図2a、bは各々、液晶パネル100pを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのH-H′断面図である。図2に示すように、液晶パネル100pでは、素子基板10と対向基板20とが所定の隙間を介してシール材152によって貼り合わされており、シール材152は対向基板20の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材152は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。液晶パネル100pにおいて、素子基板10と対向基板20との間のうち、シール材152によって囲まれた領域内には、各種液晶材料電気光学物質からなる液晶層50電気光学物質層が設けられている。本形態において、シール材152には、液晶注入口152cとして利用される途切れ部分が形成されており、かかる液晶注入口152cは、液晶材料の注入後、封止材158によって封止されている。かかる構成の液晶パネル100pにおいて、素子基板10および対向基板20はいずれも四角形であり、液晶パネル100pの略中央には、図1を参照して説明した画像表示領域10aが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材152も略四角形に設けられ、画像表示領域10aの外側は、四角枠状の外周領域10cになっている。素子基板10において、外周領域10cでは、素子基板10の一辺に沿ってデータ線駆動回路101および複数の端子電極102が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路104が形成されている。なお、端子電極102には、フレキシブル配線基板図示せずが接続されており、素子基板10には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。図3等を参照して詳しくは後述するが、素子基板10の一方面10sおよび他方面10tのうち、対向基板20と対向する一方面10sの側において、画像表示領域10aには、図1を参照して説明した画素トランジスター30、および画素トランジスター30に電気的に接続する画素電極9aがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極9aの上層側には配向膜16が形成されている。また、素子基板10の一方面10sの側において、画像表示領域10aより外側の外周領域10cのうち、画像表示領域10aとシール材152とに挟まれた四角枠状の周辺領域10bには、画素電極9aと同時形成されたダミー画素電極9bが形成されている。ダミー画素電極9bは、隣り合うダミー画素電極9b同士が細幅の連結部図示せずで繋がっている。また、ダミー画素電極9bは、共通電位Vcomが印加されており、画像表示領域10aの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。また、ダミー画素電極9bは、素子基板10において配向膜16が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域10aと周辺領域10bとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜16が形成される面を平坦面にするのに寄与する。なお、ダミー画素電極9bに電位を印加せず、ダミー画素電極9bを電位的にフロート状態とする場合もあり、この場合でも、ダミー画素電極9bは、画像表示領域10aと周辺領域10bとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜16が形成される面を平坦面にするのに寄与する。対向基板20の一方面20sおよび他方面20tのうち、素子基板10と対向する一方面20sの側には共通電極21が形成されている。共通電極21は、対向基板20の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素100aに跨って形成されている。本形態において、共通電極21は、対向基板20の略全面に形成されている。また、対向基板20の一方面20sの側には、共通電極21の下層側に遮光層29が形成され、共通電極21の表面には配向膜22が積層されている。本形態において、遮光層29は、画像表示領域10aの外周縁に沿って延在する額縁部分29aとして形成されており、額縁部分29aの内周縁によって画像表示領域10aが規定されている。また、本形態において、遮光層29は、隣り合う画素電極9aにより挟まれた画素間領域10fに重なるブラックマトリクス部29bとしても形成されている。ここで、額縁部分29aはダミー画素電極9bと重なる位置に形成されており、額縁部分29aの外周縁は、シール材152の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分29aとシール材152とは重なっていない。液晶パネル100pにおいて、シール材152より外側には、対向基板20の一方面20sの側の4つの角部分に基板間導通用電極25が形成されており、素子基板10の一方面10sの側には、対向基板20の4つの角部分基板間導通用電極25と対向する位置に基板間導通用電極106が形成されている。本形態において、基板間導通用電極25は、共通電極21の一部からなる。基板間導通用電極25は、共通電位Vcomが印加された定電位配線に導通している。基板間導通用電極106と基板間導通用電極25との間には、導電粒子を含んだ基板間導通材109が配置されており、対向基板20の共通電極21は、基板間導通用電極106、基板間導通材109および基板間導通用電極25を介して、素子基板10側に電気的に接続されている。このため、共通電極21は、素子基板10の側から共通電位Vcomが印加されている。シール材152は、略同一の幅寸法をもって対向基板20の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材152は、略四角形である。但し、シール材152は、対向基板20の角部分と重なる領域では基板間導通用電極25、106を避けて内側を通るように設けられている。なお、素子基板10上には、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置100の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。かかる構成の電気光学装置100において、画素電極9aおよび共通電極21をITOIndiumTinOxideやIZOIndiumZincOxide等の透光性の導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。かかる透過型の電気光学装置100の場合、素子基板10および対向基板20のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。本形態では、対向基板20から入射した光が素子基板10を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。これに対して、共通電極21をITOやIZO等の透光性導電膜により形成し、画素電極9aをアルミニウム等の反射性導電膜により形成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。電気光学装置100が反射型である場合、対向基板20の側から入射した光が素子基板10の側で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。その際、液晶層50では、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。例えば、ノーマリホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置100からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。なお、階調表示を行うにあたっては、画像信号S1、S2Snとしてデジタル信号を用い、画素100aの選択期間中におけるパルスの数やパルスのデューティ比によって画像信号に応じたコントラストをもつ光を出射させてもよい。電気光学装置100は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板20あるいは素子基板10には、カラーフィルター図示せずが形成される。また、電気光学装置100は、電子ペーパーとして用いることできる。また、電気光学装置100では、使用する液晶層50の種類や、ノーマリホワイトモード/ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル100pに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置100は、後述する投射型表示装置液晶プロジェクターにおいて、RGB用のライトバルブとして用いることができる。この場合、RGB用の各電気光学装置100の各々には、RGB色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。本形態において、電気光学装置100が、後述する投射型表示装置においてRGB用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置である場合を中心に説明する。また、本形態において、電気光学装置100は、液晶層50として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたVAモードの液晶パネル100pを備えている場合を中心に説明する。保持容量部の構成図3は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置100の保持容量部70の説明図であり、図3a、bは、保持容量部70の構成を示すブロック図および制御信号の説明図である。図3aにおいて、本形態の電気光学装置100においては、画素電極9aを駆動するにあたって、画素電極9aの電位が共通電極21の電位より高い第1期間と、画素電極9aの電位が共通電極21の電位より低い第2期間とが実行される。本形態においては、共通電極21の電位を基準としたときの画素電極9aの極性が1フレーム毎に反転する。例えば、共通電極21の電位は7Vで一定であるのに対して、画素電極9aの電位は12V第1期間と2V第2期間とに切り換わり、共通電位Vcomからみたときの極性が判定する。また、本形態では、保持容量部70には、2つの保持容量第1保持容量80aおよび第2保持容量80bが設けられているとともに、画素電極9aにおける極性の反転に連動して2つの保持容量第1保持容量80aおよび第2保持容量80bのうち、いずれの保持容量を画素電極9aと導通させるかを切り換えるスイッチング回路90が設けられている。ここで、第1保持容量80aおよび第2保持容量80bは、同一の静電容量を有している。かかる保持容量部70において、第1保持容量80aは、第1電極81と、第1電極81に対向する第2電極82と、第1電極81と第2電極82との間に第1絶縁材料により形成された第1誘電体層86と、第1誘電体層86と第2電極82との間に第2絶縁材料により形成された第2誘電体層87とを備えている。すなわち、第1保持容量80aでは、第1電極81、第1誘電体層86、第2誘電体層87、および第2電極82がこの順に重なっている。また、第1保持容量80aにおいて、第1電極81は、スイッチング回路90を介して画素電極9aに電気的に接続し、第2電極82は容量線7aに導通している。第2保持容量80bは、第3電極83と、第3電極83に対向する第4電極84と、第3電極83と第4電極84との間に第2絶縁材料により形成された第3誘電体層88と、第3誘電体層88と第4電極84との間に第1絶縁材料により形成された第4誘電体層89とを備えている。すなわち、第2保持容量80bでは、第3電極83、第3誘電体層88、第4誘電体層89、および第4電極84がこの順に重なっている。また、第2保持容量80bにおいて、第3電極83は、スイッチング回路90を介して画素電極9aに電気的に接続し、第4電極84は容量線7aに導通している。本形態において、第1保持容量80aの第1誘電体層86および第2保持容量80bの第4誘電体層89を構成する第1絶縁材料はシリコン酸化物であり、第1保持容量80aの第2誘電体層87および第2保持容量80bの第3誘電体層88を構成する第2絶縁材料はシリコン窒化物である。また、保持容量部70において、スイッチング回路90は、画素電極9aの電位が共通電極21の電位より高い第1期間では、第1保持容量80aと画素電極9aとを導通状態とする一方、第2保持容量80bと画素電極9aとを非導通状態とする。従って、第2電極82は、第1電極81の電位より低い電位が印加されることになる。これに対して、スイッチング回路90は、画素電極9aの電位が共通電極21の電位より低い第2期間では、第1保持容量80aと画素電極9aとを非導通状態とする一方、第2保持容量80bと画素電極9aとを導通状態とする。従って、第4電極84は、第3電極83の電位より高い電位が印加されることになる。このような構成の保持容量部70を構成するにあたって、スイッチング回路90は、第1電極81と画素電極9aとの間に電気的に接続された第1導電型トランジスター91nと、第3電極83と画素電極9aとの間に電気的に接続された第2導電型トランジスター91pとを有している。第1導電型トランジスター91nと第2導電型トランジスター91pとは導電型が相違している。より具体的には、本形態において、第1導電型トランジスター91nはn型の電界効果型トランジスターであり、ソースが第1電極81に導通し、ドレインは画素電極9aに導通している。また、第2導電型トランジスター91pはp型の電界効果型トランジスターであり、ソースが第3電極83に導通し、ドレインは画素電極9aに導通している。ここで、第1導電型トランジスター91nのゲート制御電極および第2導電型トランジスター91pのゲート制御電極には、図3bに示すように、第1期間と第2期間とにおいて極性が反転する制御信号Vinが印加される。より具体的には、第1導電型トランジスター91nのゲートおよび第2導電型トランジスター91pのゲートは制御信号線3sに導通しており、制御信号線3sから制御信号Vinが供給される。ここで、制御信号Vinは、第1期間では極性がであり、第2期間では極性が-である。このため、第1期間では第1導電型トランジスター91nがオン状態となり、第2導電型トランジスター91pがオフ状態となる。従って、画素電極9aの電位が共通電極21の電位より高い第1期間では、第1保持容量80aは画素電極9aに導通状態となる一方、第2保持容量80bは画素電極9aに非導通状態となる。それ故、第1期間において、第1保持容量80aでは、矢印Iaで示すように、第1電極81、第1誘電体層86第1絶縁材料/シリコン酸化膜/SiO2、第2誘電体層87第2絶縁材料/シリコン窒化膜/SiN、および第2電極82に向けて電流が流れ、電荷が蓄積される。これに対して、第2期間では第1導電型トランジスター91nがオフ状態となり、第2導電型トランジスター91pがオン状態となる。従って、画素電極9aの電位が共通電極21の電位より低い第2期間では、第1保持容量80aは画素電極9aに非導通状態となる一方、第2保持容量80bは画素電極9aに導通状態となる。それ故、第2期間において、第2保持容量80bでは、矢印Ibで示すように、第4電極84、第4誘電体層89第1絶縁材料/シリコン酸化膜/SiO2、第3誘電体層88第2絶縁材料/シリコン窒化膜/SiN、および第3電極83に向けて電流が流れ、電荷が蓄積される。すなわち、画素電極9aの電位が共通電極21の電位より高い第1期間、および画素電極9aの電位が共通電極21の電位より低い第2期間のいずれにおいても、第1絶縁材料シリコン酸化膜/SiO2が位置する方が高電位で、第2絶縁材料シリコン窒化膜/SiNが位置する方が低電位となる。それ故、第1期間および第2期間のいずれにおいても、保持容量部70では、図11bに示す電流-電圧特性のうち、耐電圧が高い電圧-電流特性が実現されることになる。画素の具体的構成例図4は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置100の画素100aの平面構造を示す説明図であり、素子基板10において隣り合う複数の画素の平面図である。図5は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置100の画素100aの断面構造を示す説明図であり、図4のF-F′線に沿って素子基板を切断したときの断面図である。なお、図4aでは、各層を以下の線下層側の遮光層11a=細い実線半導体層1a=細くて短い点線走査線3aおよび制御信号線3s=太い実線ドレイン電極4aおよび第1電極81=二点鎖線第2電極82および第3電極83=細くて長い破線第4電極84=細い一点鎖線データ線6aおよび中継電極6b、6c、6d=太い一点鎖線容量線7aおよび中継電極7b=細い実線画素電極9a=太くて長い破線で示してある。また、図4では、互いの端部が重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。また、図4では、遮光層11aは概ね、容量線7aと重なっているので、図示を省略してある。図4に示すように、素子基板10の一方面10sには、複数の画素100aの各々に画素電極9aが形成されており、隣り合う画素電極9aにより挟まれた画素間領域10fに沿ってデータ線6aおよび走査線3aが形成されている。本形態において、画素間領域10fは縦横に延在しており、走査線3aは画素間領域10fのうち、X方向第1方向に延在する第1画素間領域10gに沿って直線的に延在し、データ線6aは、Y方向第2方向に延在する第2画素間領域10hに沿って直線的に延在している。また、データ線6aと走査線3aとの交差に対応して画素トランジスター30が形成されており、本形態において、画素トランジスター30は、データ線6aと走査線3aとの交差領域等を利用して形成されている。素子基板10には容量線7aが形成されており、かかる容量線7aには共通電位Vcomが印加されている。本形態において、容量線7aは、走査線3aおよびデータ線6aに重なるように延在して格子状に形成されている。また、本形態では、走査線3aに平行して制御信号線3sが延在している。図5に示すように、素子基板10は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体10wの液晶層50側の基板面側一方面10s側に形成された画素電極9a、画素スイッチング用の画素トランジスター30、配向膜16および保持容量部70を主体として構成されている。素子基板10において、基板本体10wの一方面10s側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等からなる遮光層11aが形成されており、遮光層11aは、電気光学装置100を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層1aに入射することを防止する。なお、遮光層11aを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極3cと遮光層11aを導通させた構成とする。遮光層11aの上層側には、透光性の絶縁膜40が形成されており、かかる絶縁膜40の表面側に、半導体層1aを備えた画素トランジスター30が形成されている。本形態において、絶縁膜40は、NSGノンシリケートガラス、PSGリンシリケートガラス、BSGボロンシリケートガラス、BPSGボロンリンシリケートガラス等のシリコン酸化膜シリケートガラスも含む。や、シリコン窒化膜からなる。画素トランジスター30は、データ線6aの延在方向に長辺方向を向けた半導体層1aと、半導体層1aの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層1aの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極3cとを備えており、本形態において、ゲート電極3cは走査線3aの一部からなる。画素トランジスター30は、半導体層1aとゲート電極3cとの間に透光性のゲート絶縁層2を有している。半導体層1aは、ゲート電極3cに対してゲート絶縁層2を介して対向するチャネル領域1dを備えているとともに、チャネル領域1dの両側にデータ線側ソースドレイン領域1bおよび画素電極側ソースドレイン領域1cを備えている。本形態において、画素トランジスター30は、LDD構造を有している。従って、データ線側ソースドレイン領域1bおよび画素電極側ソースドレイン領域1cは各々、チャネル領域1dの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域1dとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。本形態において、画素トランジスター30はn型第1導電型の電界効果型トランジスターであり、データ線側ソースドレイン領域1bおよび画素電極側ソースドレイン領域1cにはn型の不純物が導入されている。半導体層1aは、ポリシリコン膜多結晶シリコン膜等によって構成されている。ゲート絶縁層2は、例えば、半導体層1aを熱酸化したシリコン酸化膜からなるゲート絶縁層と、温度が700~900°Cの高温条件での減圧CVD法により形成されたシリコン酸化膜からなるゲート絶縁層との2層構造からなる。ゲート電極3cおよび走査線3aは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。ゲート電極3cの上層側には、NSG、PSG、BSG、BPSG等のシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜41が形成され、層間絶縁膜41の上層には、ドレイン電極4aが形成されている。本形態において、層間絶縁膜41は、シリコン酸化膜からなる。ドレイン電極4aは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。ドレイン電極4aは、半導体層1aの画素電極側ソースドレイン領域1cと一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜41およびゲート絶縁層2を貫通するコンタクトホール41aを介して画素電極側ソースドレイン領域1cに導通している。ドレイン電極4aの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜42が形成されており、かかる層間絶縁膜42の上層側には、データ線6aと中継電極6bとが同一の導電膜により形成されている。データ線6aと中継電極6bは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。データ線6aは、層間絶縁膜42、層間絶縁膜41およびゲート絶縁層2を貫通するコンタクトホール42aを介してデータ線側ソースドレイン領域1bに導通し、中継電極6bは、層間絶縁膜42を貫通するコンタクトホール42bを介してドレイン電極4aに導通している。データ線6aおよび中継電極6bの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜43が形成されており、かかる層間絶縁膜43の上層側には、容量線7aおよび中継電極7bが同一の導電膜によって形成されている。容量線7aおよび中継電極7bは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。中継電極7bは、層間絶縁膜43を貫通するコンタクトホール43aを介して中継電極6bに導通している。容量線7aは、データ線6aや走査線3aと重なるように延在しており、遮光層としても機能している。容量線7aおよび中継電極7bの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜44が形成されており、かかる層間絶縁膜44の上層側には、ITO膜等の透光性導電膜からなる画素電極9aが形成されている。層間絶縁膜44には、層間絶縁膜44を貫通して中継電極7bまで到達したコンタクトホール44aが形成されており、画素電極9aは、コンタクトホール44aを介して中継電極7bに電気的に接続している。その結果、画素電極9aは、中継電極7b、中継電極6bおよびドレイン電極4aを介して画素電極側ソースドレイン領域1cに電気的に接続している。画素電極9aの上層側にはポリイミドや無機配向膜からなる配向膜16が形成されている。本形態において、配向膜16は、SiOXx<2、SiO2、TiO2、MgO、Al2O3、In2O3、Sb2O3、Ta2O5等の斜方蒸着膜傾斜垂直配向膜/無機配向膜からなる。図2bに示すように、対向基板20は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体20w、その液晶層50側の表面素子基板10と対向する一方面20sに形成された遮光層29、ITO膜等の透光性導電膜からなる共通電極21、および配向膜22を主体として構成されている。本形態において、配向膜22は、SiOXx<2、SiO2、TiO2、MgO、Al2O3、In2O3、Sb2O3、Ta2O5等の斜方蒸着膜傾斜垂直配向膜/無機配向膜からなる。保持容量部70の構成再び図4および図5において、素子基板10の一方面10s側には、図3を参照して説明した保持容量部70が構成されている。保持容量部70は、画素トランジスター30の画素電極側ソースドレイン領域1cから延在した半導体層1f、1gを備えており、かかる半導体層1f、1gを利用して、図3を参照して説明した第1導電型トランジスター91nおよび第2導電型トランジスター91pが構成されている。ここで、第1導電型トランジスター91nおよび第2導電型トランジスター91pは、画素トランジスター30の製造工程の一部または全体を利用して形成されており、画素トランジスター30と略同様な構造を有している。より具体的には、半導体層1f、1gの上層側にはゲート絶縁層2が形成され、かかるゲート絶縁層2の上層側には、走査線3aと同時形成された制御信号線3sの一部が制御電極ゲート電極として形成されている。本形態において、制御信号線3sは、走査線3aと同時形成された導電膜からなり、走査線3aと同一の層に形成されている。また、第1導電型トランジスター91nおよび第2導電型トランジスター91pは各々、チャネル領域1s、1tの両側にソース領域1i、1jおよびドレイン領域1h、1kを備えている。また、第1導電型トランジスター91nおよび第2導電型トランジスター91pは、画素トランジスター30と同様、LDD構造を有している。ここで、第1導電型トランジスター91nはn型であり、ソース領域1iおよびドレイン領域1hはn型の不純物が導入された領域である。第2導電型トランジスター91pはp型であり、ソース領域1jおよびドレイン領域1kはp型の不純物が導入された領域である。第1導電型トランジスター91nおよび第2導電型トランジスター91pにおいて、第1導電型トランジスター91nのドレイン領域1hおよび第2導電型トランジスター91pのドレイン領域1kは、画素トランジスター30の画素電極側ソースドレイン領域1cに導通し、その結果、画素電極9aに導通している。かかる構造を実現するにあたって、本形態では、画素電極側ソースドレイン領域1cから延在した半導体層1fのうち、画素電極側ソースドレイン領域1cから連続する領域にn型の不純物を導入することにより、ドレイン領域1hが形成されている。また、画素電極側ソースドレイン領域1cから延在した半導体層1gのうち、ドレイン領域1hから連続する領域にp型の不純物を導入することにより、ドレイン領域1kが形成されている。かかる構造の場合、ドレイン領域1hとドレイン領域1kの間にはpn接合が形成されるが、本形態では、pn接合には順方向の電流が流れるため、pn接合が障壁として作用することはない。なお、ドレイン領域1hおよびドレイン領域1kを画素電極側ソースドレイン領域1cおよび画素電極9aに導通させるにあたっては、例えば、ドレイン電極4aをドレイン領域1hおよびドレイン領域1kに導通させる構造を採用してもよい。また、保持容量部70では、層間絶縁膜41の上層に、ドレイン電極4aと同時形成された電極4b、4cが形成されており、かかる電極4b、4cの上層には、シリコン酸化膜からなる第1誘電体層86、およびシリコン窒化膜からなる第2誘電体層87がこの順に積層されている。また、第2誘電体層87の上層には電極5a、5bが形成されている。さらに、電極5bの上層には、シリコン窒化膜からなる第3誘電体層88、およびシリコン酸化膜からなる第4誘電体層89がこの順に積層され、第4誘電体層89の上層には電極8aが形成されている。このように本形態では、第1誘電体層86と第4誘電体層89とは、いずれも同一の膜厚を有するシリコン酸化物第1絶縁材料から形成されているが、異なる層に設けられている。また、第2誘電体層87と第3誘電体層88とは、いずれも同一の膜厚を有するシリコン窒化物第2絶縁材料から形成されているが、異なる層に設けられている。ここで、電極5a、5bは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。また、電極8aも、電極5a、5bと同様、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。さらに、電極5aおよび電極8aの上層には層間絶縁膜42が形成されており、層間絶縁膜42の上層には、データ線6aおよび中継電極7bと同時形成された中継電極6c、6dが形成されている。そして、容量線7aは、層間絶縁膜43に形成されたコンタクトホール43b、43cを介して中継電極6c、6dに導通している。ここで、第1導電型トランジスター91nの上層側では、電極4bが層間絶縁膜41およびゲート絶縁層2を貫通するコンタクトホール41bを介して第1導電型トランジスター91nのソース領域1iに導通し、図3を参照して説明した第1電極81を構成している。また、中継電極6cは、層間絶縁膜42に形成されたコンタクトホール42cを介して電極5aに導通している。その結果、電極5aは、中継電極6cを介して容量線7aに導通し、図3を参照して説明した第2電極82を構成している。このようにして、下層側から上層側に向かって、電極4b第1電極81、第1誘電体層86、第2誘電体層87、および電極5a第2電極82がこの順に重なって第1保持容量80aが構成されている。また、第2導電型トランジスター91pの上層側では、第1誘電体層86および第2誘電体層87を貫通するコンタクトホール80fを介して電極4cと電極5bとが導通しており、電極4cは、層間絶縁膜41およびゲート絶縁層2を貫通するコンタクトホール41cを介して第2導電型トランジスター91pのソース領域1jに導通している。従って、電極5bは、電極4cを介して第2導電型トランジスター91pのソース領域1jに導通し、図3を参照して説明した第3電極83を構成している。また、中継電極6dは、層間絶縁膜42に形成されたコンタクトホール42dを介して電極8aに導通している。その結果、電極8aは、中継電極6dを介して容量線7aに導通し、図3を参照して説明した第4電極84を構成している。このようにして、下層側から上層側に向かって、電極5b第3電極83、第3誘電体層88、第4誘電体層89、および電極8a第4電極84がこの順に重なって第2保持容量80bが構成されている。かかる形態によれば、画素トランジスター30の製造工程の一部あるいは全部を利用して第1導電型トランジスター91nおよび第2導電型トランジスター91pを形成することができ、工程数を削減することができる。なお、本形態では、中継電極6c、6dを別々に設けたが、一体の電極であってもよい。また、第1保持容量80aおよび第2保持容量80bを構成するにあたって、第1電極81と第2電極82との間や、第3電極83と第4電極84との間にエッチングストッパー層を設ける等、図3aに示す構成を実現できれば、電極等のレイアウト等を種々変更してもよい。[実施の形態1の変形例]図6は、本発明の実施の形態1の変形例に係る電気光学装置100の画素100aの断面構造を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。実施の形態1では、第1誘電体層86と第4誘電体層89とが異なる層に設けられ、第2誘電体層87と第3誘電体層88とは異なる層に設けられていた。これに対して、本形態では、図6に示すように、第1誘電体層86と第4誘電体層89とは同一の層に設けられた第1絶縁材料シリコン酸化物により形成され、第2誘電体層87と第3誘電体層88とは、同一の層に設けられた第2絶縁材料シリコン窒化物により形成されている。より具体的には、保持容量部70では、層間絶縁膜41の上層に、ドレイン電極4aと同時形成された電極4b、4d、4eが形成されており、電極4bの上層には、シリコン酸化膜からなる第1誘電体層86、およびシリコン窒化膜からなる第2誘電体層87がこの順に積層されている。また、電極4d、4eの上層には、第1誘電体層86と同時形成されたシリコン酸化膜からなる第4誘電体層89、および第2誘電体層87と同時形成されたシリコン窒化膜からなる第3誘電体層88がこの順に積層されている。また、第2誘電体層87の上層には電極5aが形成され、第3誘電体層88の上層には、電極5aと同時形成された電極5bが形成されている。さらに、電極5a、5bの上層側には層間絶縁膜42が形成されており、層間絶縁膜42の上層には、データ線6aおよび中継電極7bと同時形成された中継電極6c、6dが形成されている。そして、容量線7aは、層間絶縁膜43に形成されたコンタクトホール43b、43cを介して中継電極6c、6dに導通している。ここで、第1導電型トランジスター91nの上層側では、電極4bが層間絶縁膜41およびゲート絶縁層2を貫通するコンタクトホール41bを介して第1導電型トランジスター91nのソース領域1iに導通し、図3を参照して説明した第1電極81を構成している。また、中継電極6cは、層間絶縁膜42に形成されたコンタクトホール42cを介して電極5aに導通している。その結果、電極5aは、中継電極6cを介して容量線7aに導通し、図3を参照して説明した第2電極82を構成している。このようにして、下層側から上層側に向かって、電極4b第1電極81、第1誘電体層86、第2誘電体層87、および電極5a第2電極82がこの順に重なって第1保持容量80aが構成されている。また、第2導電型トランジスター91pの上層側では、第1誘電体層86および第2誘電体層87を貫通するコンタクトホール80fを介して電極4dと電極5bとが導通しており、電極4dは、層間絶縁膜41およびゲート絶縁層2を貫通するコンタクトホール41cを介して第2導電型トランジスター91pのソース領域1jに導通している。従って、電極5bは、電極4cを介して第2導電型トランジスター91pのソース領域1jに導通し、図3を参照して説明した第3電極83を構成している。また、中継電極6dは、層間絶縁膜42に形成されたコンタクトホール42dを介して電極4eに導通している。その結果、電極4eは、中継電極6dを介して容量線7aに導通し、図3を参照して説明した第4電極84を構成している。このようにして、上層側から下層側に向かって、電極5b第3電極83、第3誘電体層88、第4誘電体層89、および電極4e第4電極84がこの順に重なって第2保持容量80bが構成されている。かかる形態によれば、第1誘電体層86と第4誘電体層89とは、同一の層に形成されたシリコン酸化物第1絶縁材料によって同時形成され、第2誘電体層87と第3誘電体層88とは、同一の層に形成されたシリコン窒化物第2絶縁材料によって同時形成される。それ故、成膜工程の数を減らすことができ、また、第1保持容量80aと第2保持容量80bとは、各層の位置等も同一であるため、電気的特性を同等とすることができる。[実施の形態2]容量保持部70の構成図7は、本発明の実施の形態2に係る電気光学装置100の保持容量部70の構成を示すブロック図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。図7において、本形態の電気光学装置100においても、実施の形態1と同様、画素電極9aを駆動するにあたって、画素電極9aの電位が共通電極21の電位より高い第1期間と、画素電極9aの電位が共通電極21の電位より低い第2期間とが実行される。本形態においては、共通電極21の電位を基準としたときの画素電極9aの極性が1フレーム毎に反転する。例えば、共通電極21の電位は±0Vで一定であるのに対して、画素電極9aの電位は5V第1期間と-5V第2期間とに切り換わり、共通電位Vcomからみたときの極性が判定する。また、本形態でも、実施の形態1と同様、保持容量部70には、2つの保持容量第1保持容量80aおよび第2保持容量80bが設けられているとともに、画素電極9aにおける極性の反転に連動して2つの保持容量第1保持容量80aおよび第2保持容量80bのうち、いずれの保持容量を画素電極9aと導通させるかを切り換えるスイッチング回路90が設けられている。ここで、第1保持容量80aおよび第2保持容量80bは、同一の静電容量を有している。本形態でも、実施の形態1と同様、第1保持容量80aは、第1電極81と、第1電極81に対向する第2電極82と、第1電極81と第2電極82との間に第1絶縁材料により形成された第1誘電体層86と、第1誘電体層86と第2電極82との間に第2絶縁材料により形成された第2誘電体層87とを備えている。かかる第1保持容量80aにおいて、第1電極81は、スイッチング回路90を介して画素電極9aに電気的に接続し、第2電極82は容量線7aに導通している。第2保持容量80bは、第3電極83と、第3電極83に対向する第4電極84と、第3電極83と第4電極84との間に第2絶縁材料により形成された第3誘電体層88と、第3誘電体層88と第4電極84との間に第1絶縁材料により形成された第4誘電体層89とを備えている。かかる第2保持容量80bにおいて、第3電極83は、スイッチング回路90を介して画素電極9aに電気的に接続し、第4電極84は容量線7aに導通している。本形態において、第1保持容量80aの第1誘電体層86および第2保持容量80bの第4誘電体層89を構成する第1絶縁材料はシリコン酸化物であり、第1保持容量80aの第2誘電体層87および第2保持容量80bの第3誘電体層88を構成する第2絶縁材料はシリコン窒化物である。また、保持容量部70において、スイッチング回路90は、画素電極9aの電位が共通電極21の電位より高い第1期間では、第1保持容量80aと画素電極9aとを導通状態とする一方、第2保持容量80bと画素電極9aとを非導通状態とする。従って、第2電極82は、第1電極81の電位より低い電位が印加されることになる。これに対して、スイッチング回路90は、画素電極9aの電位が共通電極21の電位より低い第2期間では、第1保持容量80aと画素電極9aとを非導通状態とする一方、第2保持容量80bと画素電極9aとを導通状態とする。従って、第4電極84は、第3電極83の電位より高い電位が印加されることになる。このような構成の保持容量部70を構成するにあたって、スイッチング回路90は、n型の第1導電型トランジスター91nと、p型の第2導電型トランジスター91pとを有している。第1導電型トランジスター91nにおいて、ソースは第1電極81に導通し、ドレインは画素電極9aおよび画素トランジスター30の画素電極側ソースドレイン領域1cに導通している。第2導電型トランジスター91pにおいて、ソースは第3電極83に導通し、ドレインは画素電極9aおよび画素トランジスター30の画素電極側ソースドレイン領域1cに導通している。ここで、第1導電型トランジスター91nのゲート制御電極および第2導電型トランジスター91pのゲート制御電極には、制御信号線3sが接続されており、制御信号線3sは、画素電極9aおよび画素トランジスター30の画素電極側ソースドレイン領域1cに導通している。このため、第1導電型トランジスター91nではゲートがドレインに導通し、第2導電型トランジスター91pではゲートがドレインに導通している。従って、第1導電型トランジスター91nおよび第2導電型トランジスター91pはダイオードとして機能する。より具体的には、画素電極9aの電位が共通電極21の電位より高い第1期間では、第1導電型トランジスター91nがオン状態となり、第2導電型トランジスター91pがオフ状態となる。その結果、第1保持容量80aは画素電極9aに導通状態となる一方、第2保持容量80bは画素電極9aに非導通状態となる。それ故、第1期間において、第1保持容量80aでは、矢印Iaで示すように、第1電極81、第1誘電体層86第1絶縁材料/シリコン酸化膜/SiO2、第2誘電体層87シリコン窒化膜/SiN、および第2電極82に向けて電流が流れ、電荷が蓄積される。これに対して、画素電極9aの電位が共通電極21の電位より低い第2期間では、第1導電型トランジスター91nがオフ状態となり、第2導電型トランジスター91pがオン状態となる。その結果、第1保持容量80aは画素電極9aに非導通状態となる一方、第2保持容量80bは画素電極9aに導通状態となる。それ故、第2期間において、第2保持容量80bでは、矢印Ibで示すように、第4電極84、第4誘電体層89第1絶縁材料/シリコン酸化膜/SiO2、第3誘電体層88第2絶縁材料/シリコン窒化膜/SiN、および第3電極83に向けて電流が流れ、電荷が蓄積される。すなわち、実施の形態1と同様、画素電極9aの電位が共通電極21の電位より高い第1期間、および画素電極9aの電位が共通電極21の電位より低い第2期間のいずれにおいても、第1絶縁材料シリコン酸化膜/SiO2が位置する方が高電位で、第2絶縁材料シリコン窒化膜/SiNが位置する方が低電位となる。それ故、第1期間および第2期間のいずれにおいても、保持容量部70では、図11bに示す電流-電圧特性のうち、耐電圧が高い電圧-電流特性が実現されることになる。画素の具体的構成例図8は、本発明の実施の形態2に係る電気光学装置100の画素100aの断面構造を示す説明図である。なお、以下に説明する断面の基本構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して、それらの説明を省略する。図8に示すように、本形態でも実施の形態1において図5を参照して説明した構成と同様、第1導電型トランジスター91nの上層側では、電極4b第1電極81、第1誘電体層86、第2誘電体層87、および電極5a第2電極82がこの順に重なって第1保持容量80aが構成されている。また、第2導電型トランジスター91pの上層側では、下層側から上層側に向かって、電極5b第3電極83、第3誘電体層88、第4誘電体層89、および電極8a第4電極84がこの順に重なって第2保持容量80bが構成されている。また、制御信号線3sは、画素トランジスター30の画素電極側ソースドレイン領域に導通しているとともに、その一部によって第1導電型トランジスター91nのゲート電極および第2導電型トランジスター91pのゲート電極が構成されている。[実施の形態2の変形例]図9は、本発明の実施の形態2の変形例に係る電気光学装置100の画素100aの断面構造を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して、それらの説明を省略する。図9に示すように、本形態でも実施の形態1の変形例において図6を参照して説明した構成と同様、第1導電型トランジスター91nの上層側では、下層側から上層側に向かって、電極4b第1電極81、第1誘電体層86、第2誘電体層87、および電極5a第2電極82がこの順に重なって第1保持容量80aが構成されている。また、第2導電型トランジスター91pの上層側では、上層側から下層側に向かって、電極5b第3電極83、第3誘電体層88、第4誘電体層89、および電極4e第4電極84がこの順に重なって第2保持容量80bが構成されている。また、制御信号線3sは、画素トランジスター30の画素電極側ソースドレイン領域に導通しているとともに、その一部によって第1導電型トランジスター91nのゲート電極および第2導電型トランジスター91pのゲート電極が構成されている。[他の実施の形態]上記実施の形態では、電気光学装置として、透過型の液晶装置を例示したが、反射型の液晶装置に本発明を適用してもよい。[他の電気光学装置]上記実施の形態では、電気光学装置として液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマディスプレイ、FEDFieldEmissionDisplay、SEDSurfaceConductionElectronEmitterDisplay、LED発光ダイオード表示装置、電気泳動表示装置等の電気光学装置に本発明を適用してもよい。[電子機器への搭載例]投射型表示装置および光学ユニットの構成例図10は、本発明を適用した投射型表示装置電子機器および光学ユニットの概略構成図であり、図10a、bは各々、透過型の液晶装置を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の液晶装置を用いた投射型表示装置の説明図である。図10aに示す投射型表示装置110は、液晶パネルとして透過型の液晶パネルを用いた例であるのに対して、図10bに示す投射型表示装置1000は、液晶パネルとして反射型の液晶パネルを用いた例である。但し、以下に説明するように、投射型表示装置110、1000はいずれも、光源部130、1021と、光源部130、1021から互いに異なる波長域の光が供給される複数の電気光学装置100と、複数の電気光学装置100から出射された光を合成して出射するクロスダイクロイックプリズム119、1027光合成光学系と、光合成光学系により合成された光を投射する投射光学系118、1029とを有している。また、投射型表示装置110、1000においては、電気光学装置100およびクロスダイクロイックプリズム119、1027光合成光学系を備えた光学ユニット200が用いられている。投射型表示装置の第1例図10aに示す投射型表示装置110は、観察者側に設けられたスクリーン111に光を照射し、このスクリーン111で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置110は、光源112を備えた光源部130と、ダイクロイックミラー113、114と、液晶ライトバルブ115~117と、投射光学系118と、クロスダイクロイックプリズム119合成光学系と、リレー系120とを備えている。光源112は、赤色光R、緑色光G、および青色光Bを含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー113は、光源112からの赤色光Rを透過させるとともに、緑色光G、および青色光Bを反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー114は、ダイクロイックミラー113で反射された緑色光Gおよび青色光Bのうち青色光Bを透過させるとともに緑色光Gを反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー113、114は、光源112から出射した光を赤色光Rと緑色光Gと青色光Bとに分離する色分離光学系を構成する。ここで、ダイクロイックミラー113と光源112との間には、インテグレーター121および偏光変換素子122が光源112から順に配置されている。インテグレーター121は、光源112から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子122は、光源112からの光を、例えばs偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。液晶ライトバルブ115は、ダイクロイックミラー113を透過して反射ミラー123で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ115は、λ/2位相差板115a、第1偏光板115b、電気光学装置100赤色用液晶パネル100R、および第2偏光板115dを備えている。ここで、液晶ライトバルブ115に入射する赤色光Rは、ダイクロイックミラー113を透過しても光の偏光は変化しないことから、s偏光のままである。λ/2位相差板115aは、液晶ライトバルブ115に入射したs偏光をp偏光に変換する光学素子である。また、第1偏光板115bは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置100赤色用液晶パネル100Rは、p偏光を画像信号に応じた変調によってs偏光中間調であれば円偏光又は楕円偏光に変換する構成となっている。さらに、第2偏光板115dは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ115は、画像信号に応じて赤色光Rを変調し、変調した赤色光Rをクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する構成となっている。なお、λ/2位相差板115a、および第1偏光板115bは、偏光を変換させない透光性のガラス板115eに接した状態で配置されており、λ/2位相差板115a、および第1偏光板115bが発熱によって歪むのを回避することができる。液晶ライトバルブ116は、ダイクロイックミラー113で反射した後にダイクロイックミラー114で反射した緑色光Gを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。かかる液晶ライトバルブ116は、液晶ライトバルブ115と同様に、第1偏光板116b、電気光学装置100緑色用液晶パネル100G、および第2偏光板116dを備えている。液晶ライトバルブ116に入射する緑色光Gは、ダイクロイックミラー113、114で反射されて入射するs偏光である。第1偏光板116bは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。また、電気光学装置100緑色用液晶パネル100Gは、s偏光を画像信号に応じた変調によってp偏光中間調であれば円偏光又は楕円偏光に変換する構成となっている。そして、第2偏光板116dは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ116は、画像信号に応じて緑色光Gを変調し、変調した緑色光Gをクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する構成となっている。液晶ライトバルブ117は、ダイクロイックミラー113で反射し、ダイクロイックミラー114を透過した後でリレー系120を経た青色光Bを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。かかる液晶ライトバルブ117は、液晶ライトバルブ115、116と同様に、λ/2位相差板117a、第1偏光板117b、電気光学装置100青色用液晶パネル100B、および第2偏光板117dを備えている。ここで、液晶ライトバルブ117に入射する青色光Bは、ダイクロイックミラー113で反射してダイクロイックミラー114を透過した後にリレー系120の後述する2つの反射ミラー125a、125bで反射することから、s偏光となっている。λ/2位相差板117aは、液晶ライトバルブ117に入射したs偏光をp偏光に変換する光学素子である。また、第1偏光板117bは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置100青色用液晶パネル100Bは、p偏光を画像信号に応じた変調によってs偏光中間調であれば円偏光又は楕円偏光に変換する構成となっている。さらに、第2偏光板117dは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ117は、画像信号に応じて青色光Bを変調し、変調した青色光Bをクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する構成となっている。なお、λ/2位相差板117a、および第1偏光板117bは、ガラス板117eに接した状態で配置されている。リレー系120は、リレーレンズ124a、124bと反射ミラー125a、125bとを備えている。リレーレンズ124a、124bは、青色光Bの光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ124aは、ダイクロイックミラー114と反射ミラー125aとの間に配置されている。また、リレーレンズ124bは、反射ミラー125a、125bの間に配置されている。反射ミラー125aは、ダイクロイックミラー114を透過してリレーレンズ124aから出射した青色光Bをリレーレンズ124bに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー125bは、リレーレンズ124bから出射した青色光Bを液晶ライトバルブ117に向けて反射するように配置されている。クロスダイクロイックプリズム119は、2つのダイクロイック膜119a、119bをX字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜119aは青色光Bを反射して緑色光Gを透過する膜であり、ダイクロイック膜119bは赤色光Rを反射して緑色光Gを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム119は、液晶ライトバルブ115~117の各々で変調された赤色光Rと緑色光Gと青色光Bとを合成し、投射光学系118に向けて出射するように構成されている。なお、液晶ライトバルブ115、117からクロスダイクロイックプリズム119に入射する光はs偏光であり、液晶ライトバルブ116からクロスダイクロイックプリズム119に入射する光はp偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム119に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム119において各液晶ライトバルブ115~117から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜119a、119bはs偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜119a、119bで反射される赤色光R、および青色光Bをs偏光とし、ダイクロイック膜119a、119bを透過する緑色光Gをp偏光としている。投射光学系118は、投影レンズ図示略を有しており、クロスダイクロイックプリズム119で合成された光をスクリーン111に投射するように構成されている。投射型表示装置の第2例図10bに示す投射型表示装置1000は、光源光を発生する光源部1021と、光源部1021から出射された光源光を赤色光R、緑色光G、および青色光Bの3色の色光に分離する色分離導光光学系1023と、色分離導光光学系1023から出射された各色の光源光によって照明される光変調部1025とを有している。また、投射型表示装置1000は、光変調部1025から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム1027合成光学系と、クロスダイクロイックプリズム1027を経た像光をスクリーン不図示に投射する投射光学系1029とを備えている。かかる投射型表示装置1000において、光源部1021は、光源1021aと、一対のフライアイ光学系1021d、1021eと、偏光変換部材1021gと、重畳レンズ1021iとを備えている。本形態においては、光源部1021は、放物面からなるリフレクタ1021fを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系1021d、1021eは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光発散させる。偏光変換部材1021gは、フライアイ光学系1021eから出射した光源光を、例えば図面に平行なp偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ1021iは、偏光変換部材1021gを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部1025に設けた複数の電気光学装置100を各々均一に重畳照明可能とする。色分離導光光学系1023は、クロスダイクロイックミラー1023aと、ダイクロイックミラー1023bと、反射ミラー1023j、1023kとを備える。色分離導光光学系1023において、光源部1021からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー1023aに入射する。クロスダイクロイックミラー1023aを構成する一方の第1ダイクロイックミラー1031aで反射された赤色光Rは、反射ミラー1023jで反射されダイクロイックミラー1023bを透過して、入射側偏光板1037r、p偏光を透過させる一方、s偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板1032r、および光学補償板1039rを介して、p偏光のまま、電気光学装置100赤色用液晶パネル100Rに入射する。また、第1ダイクロイックミラー1031aで反射された緑色光Gは、反射ミラー1023jで反射され、その後、ダイクロイックミラー1023bでも反射されて、入射側偏光板1037g、p偏光を透過させる一方、s偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板1032g、および光学補償板1039gを介して、p偏光のまま、電気光学装置100緑色用液晶パネル100Gに入射する。これに対して、クロスダイクロイックミラー1023aを構成する他方の第2ダイクロイックミラー1031bで反射された青色光Bは、反射ミラー1023kで反射されて、入射側偏光板1037b、p偏光を透過する一方、s偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板1032b、および光学補償板1039bを介して、p偏光のまま、電気光学装置100青色用液晶パネル100Bに入射する。なお、光学補償板1039r、1039g、1039bは、電気光学装置100への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。このように構成した投射型表示装置1000では、光学補償板1039r、1039g、1039bを経て入射した3色の光は各々、各電気光学装置100において変調される。その際、電気光学装置100から出射された変調光のうち、s偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板1032r、1032g、1032bで反射し、出射側偏光板1038r、1038g、1038bを介してクロスダイクロイックプリズム1027に入射する。クロスダイクロイックプリズム1027には、X字状に交差する第1誘電体多層膜1027aおよび第2誘電体多層膜1027bが形成されており、一方の第1誘電体多層膜1027aは赤色光Rを反射し、他方の第2誘電体多層膜1027bは青色光Bを反射する。従って、3色の光は、クロスダイクロイックプリズム1027において合成され、投射光学系1029に出射される。そして、投射光学系1029は、クロスダイクロイックプリズム1027で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン図示せず。に投射する。他の投射型表示装置なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するLED光源等を用い、かかるLED光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。他の電子機器本発明を適用した電気光学装置100については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末PDA:PersonalDigitalAssistants、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。