"加熱されることによって昇華物を発生する膜を表面に形成した基板の熱処理を行う熱処理方法であって、前記基板をチャンバー内に収容する収容工程と、前記チャンバー内に収容された前記基板にフラッシュランプからフラッシュ光を照射して前記膜の焼成処理を行うフラッシュ照射工程と、を備えることを特徴とする熱処理方法。請求項1記載の熱処理方法において、前記チャンバーから排気を行う排気工程と、前記チャンバー内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程と、をさらに備えることを特徴とする熱処理方法。請求項1または請求項2に記載の熱処理方法において、前記基板を前記チャンバー内の冷却プレートによって冷却しつつフラッシュ光の照射を行うことを特徴とする熱処理方法。請求項1から請求項3のいずれかに記載の熱処理方法において、前記基板と前記フラッシュランプとの間に配置された黒体板にフラッシュ光が照射され、それによって昇温した前記黒体板からの熱放射によって前記基板を加熱することを特徴とする熱処理方法。請求項1から請求項4のいずれかに記載の熱処理方法において、前記フラッシュ照射工程でのフラッシュ光照射による加熱処理時間は1秒以下であることを特徴とする熱処理方法。請求項1から請求項5のいずれかに記載の熱処理方法において、前記フラッシュ照射工程では、前記フラッシュランプに印加する電圧を制御することによって前記膜の焼成処理温度を変更することを特徴とする熱処理方法。請求項1から請求項6のいずれかに記載の熱処理方法において、前記チャンバー内に基板を収容することなく酸素ガスを供給する酸素供給工程と、前記フラッシュランプからフラッシュ光を照射して前記チャンバー内に付着した汚染物を除去するクリーニング工程と、をさらに備えることを特徴とする熱処理方法。加熱されることによって昇華物を発生する膜を表面に形成した基板の熱処理を行う熱処理装置であって、前記基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内にて前記基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された前記基板を冷却する冷却手段と、前記チャンバーから排気を行う排気手段と、前記チャンバー内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、前記保持手段に保持された前記基板にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、を備えることを特徴とする熱処理装置。請求項8記載の熱処理装置において、前記保持手段に保持された前記基板と前記フラッシュランプとの間に黒体板をさらに備えることを特徴とする熱処理装置。請求項8または請求項9に記載の熱処理装置において、前記チャンバー内に酸素ガスを供給する酸素供給手段をさらに備えることを特徴とする熱処理装置。しかしながら、特許文献1,2に開示される技術では、焼成時における昇華物の発生そのものを抑制することはできなかった。すなわち、特許文献1,2に開示される技術は、昇華物が発生することを前提とした対策である。そのため、排気管に別途の加熱機構が必要のとなったり、加熱処理部内での処理時間が長くなってスループットが低下する懸念があった。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、焼成時に発生する昇華物を低減することができる熱処理方法および熱処理装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、請求項1の発明は、加熱されることによって昇華物を発生する膜を表面に形成した基板の熱処理を行う熱処理方法において、前記基板をチャンバー内に収容する収容工程と、前記チャンバー内に収容された前記基板にフラッシュランプからフラッシュ光を照射して前記膜の焼成処理を行うフラッシュ照射工程と、を備えることを特徴とする。また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係る熱処理方法において、前記チャンバーから排気を行う排気工程と、前記チャンバー内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程と、をさらに備えることを特徴とする。また、請求項3の発明は、請求項1または請求項2の発明に係る熱処理方法において、前記基板を前記チャンバー内の冷却プレートによって冷却しつつフラッシュ光の照射を行うことを特徴とする。また、請求項4の発明は、請求項1から請求項3のいずれかの発明に係る熱処理方法において、前記基板と前記フラッシュランプとの間に配置された黒体板にフラッシュ光が照射され、それによって昇温した前記黒体板からの熱放射によって前記基板を加熱することを特徴とする。また、請求項5の発明は、請求項1から請求項4のいずれかの発明に係る熱処理方法において、前記フラッシュ照射工程でのフラッシュ光照射による加熱処理時間は1秒以下であることを特徴とする。また、請求項6の発明は、請求項1から請求項5のいずれかの発明に係る熱処理方法において、前記フラッシュ照射工程では、前記フラッシュランプに印加する電圧を制御することによって前記膜の焼成処理温度を変更することを特徴とする。また、請求項7の発明は、請求項1から請求項6のいずれかの発明に係る熱処理方法において、前記チャンバー内に基板を収容することなく酸素ガスを供給する酸素供給工程と、前記フラッシュランプからフラッシュ光を照射して前記チャンバー内に付着した汚染物を除去するクリーニング工程と、をさらに備えることを特徴とする。また、請求項8の発明は、加熱されることによって昇華物を発生する膜を表面に形成した基板の熱処理を行う熱処理装置において、前記基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内にて前記基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された前記基板を冷却する冷却手段と、前記チャンバーから排気を行う排気手段と、前記チャンバー内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、前記保持手段に保持された前記基板にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、を備えることを特徴とする。また、請求項9の発明は、請求項8の発明に係る熱処理装置において、前記保持手段に保持された前記基板と前記フラッシュランプとの間に黒体板をさらに備えることを特徴とする。また、請求項10の発明は、請求項8または請求項9の発明に係る熱処理装置において、前記チャンバー内に酸素ガスを供給する酸素供給手段をさらに備えることを特徴とする。請求項1から請求項7の発明によれば、加熱されることによって昇華物を発生する膜を表面に形成した基板にフラッシュランプからフラッシュ光を照射して当該膜の焼成処理を行うため、焼成処理に要する時間は極めて短くて済み、スループットを向上できるとともに、焼成時に発生する昇華物を大幅に低減することができる。特に、請求項3の発明によれば、基板をチャンバー内の冷却プレートによって冷却しつつフラッシュ光の照射を行うため、基板間での温度履歴を均一にすることができる。特に、請求項4の発明によれば、基板とフラッシュランプとの間に配置された黒体板にフラッシュ光が照射され、それによって昇温した黒体板からの熱放射によって基板を加熱するため、基板の表面に形成された膜の種類にかかわらず、当該膜を一定の処理温度に加熱することができる。特に、請求項5の発明によれば、フラッシュ照射工程でのフラッシュ光照射による加熱処理時間は1秒以下であるため、焼成時に発生する昇華物を確実に低減することができる。特に、請求項6の発明によれば、フラッシュランプに印加する電圧を制御することによって膜の焼成処理温度を変更するため、その温度変更に要する待機時間は不要となる。特に、請求項7の発明によれば、チャンバー内に基板を収容することなく酸素ガスを供給し、フラッシュランプからフラッシュ光を照射してチャンバー内に付着した汚染物を除去するため、チャンバーを清浄に維持することができる。また、請求項8から請求項10の発明によれば、加熱されることによって昇華物を発生する膜を表面に形成した基板にフラッシュランプからフラッシュ光を照射して当該膜の焼成処理を行うため、焼成処理に要する時間は極めて短くて済み、スループットを向上できるとともに、焼成時に発生する昇華物を大幅に低減することができる。特に、請求項9の発明によれば、保持手段に保持された前記基板と前記フラッシュランプとの間に黒体板を備えるため、フラッシュ光照射によって昇温した黒体板を介して基板を間接的に加熱することができ、基板の表面に形成された膜の種類にかかわらず、当該膜を一定の処理温度に加熱することができる。特に、請求項10の発明によれば、チャンバー内に酸素ガスを供給する酸素供給手段を備えるため、チャンバー内に基板を収容することなく酸素ガスを供給し、フラッシュランプからフラッシュ光を照射してチャンバー内に付着した汚染物を除去することにより、チャンバーを清浄に維持することができる。以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。<第1実施形態>まず、本発明に係る熱処理装置を組み込んだ基板処理装置の全体構成について説明する。図1は、本発明に係る熱処理装置を組み込んだ基板処理装置1の平面図である。また、図2は基板処理装置1の液処理部の正面図であり、図3は熱処理部の正面図であり、図4は搬送ロボットおよび基板載置部の配置構成を示す図である。なお、図1および以降の各図にはそれらの方向関係を明確にするためZ軸方向を鉛直方向とし、XY平面を水平面とするXYZ直交座標系を適宜付している。また、図1および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。本実施形態の基板処理装置1は、半導体ウェハー等の基板Wにフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、パターン露光後の基板Wに現像処理を行う装置いわゆるコータデベロッパである。なお、本発明に係る基板処理装置1の処理対象となる基板Wは半導体ウェハに限定されるものではなく、液晶表示装置用ガラス基板やフォトマスク用ガラス基板等であっても良い。本実施形態の基板処理装置1は、インデクサブロック10、バークブロック20、レジスト塗布ブロック30、現像処理ブロック40およびインターフェイスブロック50の5つの処理ブロックを一方向X方向に連設して構成されている。インターフェイスブロック50には基板処理装置1とは別体の外部装置である露光ユニットステッパEXPが接続配置されている。インデクサブロック10は、装置外から受け取った未処理基板を装置内に搬入するとともに、現像処理の終了した処理済み基板を装置外に搬出するための処理ブロックである。インデクサブロック10は、複数のキャリアC本実施形態では4個を並べて載置する載置台11と、各キャリアCから未処理の基板Wを取り出すとともに、各キャリアCに処理済みの基板Wを収納するインデクサロボットIRと、を備えている。インデクサロボットIRは、載置台11に沿ってY軸方向に沿って水平移動可能であるとともに昇降Z軸方向移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である可動台12を備えている。可動台12には、基板Wを水平姿勢で保持する2つの保持アーム13a,13bが搭載されている。保持アーム13a,13bは相互に独立して前後にスライド移動可能とされている。よって、保持アーム13a,13bのそれぞれは、Y軸方向に沿った水平移動、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、インデクサロボットIRは、保持アーム13a,13bを個別に各キャリアCにアクセスさせて未処理の基板Wの取り出しおよび処理済みの基板Wの収納を行うことができる。なお、キャリアCの形態としては、基板Wを密閉空間に収納するFOUPの他に、SMIFポッドや収納基板Wを外気に曝すOCであっても良い。インデクサブロック10に隣接してバークブロック20が設けられている。インデクサブロック10とバークブロック20との間には、雰囲気遮断用の隔壁15が設けられている。この隔壁15にインデクサブロック10とバークブロック20との間で基板Wの受け渡しを行うために基板Wを載置する2つの基板載置部PASS1,PASS2が上下に積層して設けられている。上側の基板載置部PASS1は、インデクサブロック10からバークブロック20へ基板Wを搬送するために使用される。基板載置部PASS1は3本の支持ピンを備えており、インデクサブロック10のインデクサロボットIRはキャリアCから取り出した未処理の基板Wを基板載置部PASS1の3本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部PASS1に載置された基板Wを後述するバークブロック20の搬送ロボットTR1が受け取る。一方、下側の基板載置部PASS2は、バークブロック20からインデクサブロック10へ基板Wを搬送するために使用される。基板載置部PASS2も3本の支持ピンを備えており、バークブロック20の搬送ロボットTR1は処理済みの基板Wを基板載置部PASS2の3本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部PASS2に載置された基板WをインデクサロボットIRが受け取ってキャリアCに収納する。なお、後述する基板載置部PASS3~PASS10の構成も基板載置部PASS1,PASS2と同じである。基板載置部PASS1,PASS2は、隔壁15の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部PASS1,PASS2には、基板Wの有無を検出する光学式のセンサ図示省略が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、インデクサロボットIRや搬送ロボットTR1が基板載置部PASS1,PASS2に対して基板Wを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。次に、バークブロック20について説明する。バークブロック20は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下地に反射防止膜BARCを塗布形成するための処理ブロックである。バークブロック20は、基板Wの表面に反射防止膜を塗布形成するための下地塗布処理部21と、反射防止膜の塗布形成に付随する熱処理を行う2つの熱処理タワー22,23と、下地塗布処理部21および熱処理タワー22,23に対して基板Wの受け渡しを行う搬送ロボットTR1とを備える。バークブロック20においては、搬送ロボットTR1を挟んで下地塗布処理部21と熱処理タワー22,23とが対向して配置されている。具体的には、下地塗布処理部21が装置正面側-Y側に、2つの熱処理タワー22,23が装置背面側Y側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー22,23の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。下地塗布処理部21と熱処理タワー22,23とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー22,23から下地塗布処理部21に熱的影響を与えることを回避しているのである。図2に示すように、下地塗布処理部21は同様の構成を備えた4つの塗布処理ユニットBRCを上下に積層配置して構成されている。それぞれの塗布処理ユニットBRCは、基板Wを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック26、このスピンチャック26上に保持された基板W上に反射防止膜用の塗布液を吐出する塗布ノズル27、スピンチャック26を回転駆動させるスピンモータ図示省略およびスピンチャック26上に保持された基板Wの周囲を囲繞するカップ図示省略等を備えている。図3に示すように、熱処理タワー22には、基板Wを所定の温度にまで加熱する2個の加熱ユニットHP、加熱された基板Wを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Wを当該所定の温度に維持する2個の冷却ユニットCP、および、レジスト膜と基板Wとの密着性を向上させるためにHMDSヘキサメチルジシラザンの蒸気雰囲気中で基板Wを熱処理する3個の密着強化処理ユニットAHLが上下に積層配置されている。加熱ユニットHPおよび密着強化処理ユニットAHLは基板Wを載置して加熱するホットプレートを備え、冷却ユニットCPは基板Wを載置して冷却するクーリングプレートを備えている。一方、熱処理タワー23にも2個の加熱ユニットHPおよび2個の冷却ユニットCPが上下に積層配置されている。さらに、熱処理タワー23には、フラッシュ光を照射して基板Wの表面を瞬間的に加熱する1個のフラッシュベークユニットFLBが配置されている。このフラッシュベークユニットFLBについてはさらに後述する。なお、図3において×印で示した箇所には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている後述する他の熱処理タワーについても同じ。図4に示すように、搬送ロボットTR1は、基板Wを略水平姿勢で保持する搬送アーム24a,24bを上下2段に近接させて備えている。搬送アーム24a,24bのそれぞれは、先端部が平面視でC字形状になっており、このC字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピンで基板Wの周縁を下方から支持するようになっている。搬送アーム24a,24bは搬送ヘッド28に搭載されている。搬送ヘッド28は、図示省略の駆動機構によって鉛直方向Z軸方向に沿った昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である。また、搬送ヘッド28は、図示省略のスライド機構によって搬送アーム24a,24bを互いに独立して水平方向に進退移動させることができる。よって、搬送アーム24a,24bのそれぞれは、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、搬送ロボットTR1は、2個の搬送アーム24a,24bをそれぞれ個別に基板載置部PASS1,PASS2、熱処理タワー22,23に設けられた熱処理ユニット加熱ユニットHP、冷却ユニットCPおよびフラッシュベークユニットFLB、下地塗布処理部21に設けられた4つの塗布処理ユニットBRCおよび後述する基板載置部PASS3,PASS4に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Wの授受を行うことができる。次に、レジスト塗布ブロック30について説明する。バークブロック20と現像処理ブロック40との間に挟み込まれるようにしてレジスト塗布ブロック30が設けられている。このレジスト塗布ブロック30とバークブロック20との間にも、雰囲気遮断用の隔壁25が設けられている。この隔壁25にバークブロック20とレジスト塗布ブロック30との間で基板Wの受け渡しを行うために基板Wを載置する2つの基板載置部PASS3,PASS4が上下に積層して設けられている。基板載置部PASS3,PASS4は、上述した基板載置部PASS1,PASS2と同様の構成を備えている。上側の基板載置部PASS3は、バークブロック20からレジスト塗布ブロック30へ基板Wを搬送するために使用される。すなわち、バークブロック20の搬送ロボットTR1が基板載置部PASS3に載置した基板Wをレジスト塗布ブロック30の搬送ロボットTR2が受け取る。一方、下側の基板載置部PASS4は、レジスト塗布ブロック30からバークブロック20へ基板Wを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック30の搬送ロボットTR2が基板載置部PASS4に載置した基板Wをバークブロック20の搬送ロボットTR1が受け取る。基板載置部PASS3,PASS4は、隔壁25の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部PASS3,PASS4には、基板Wの有無を検出する光学式のセンサ図示省略が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、搬送ロボットTR1,TR2が基板載置部PASS3,PASS4に対して基板Wを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。レジスト塗布ブロック30は、反射防止膜が塗布形成された基板W上にレジストを塗布してレジスト膜を形成するための処理ブロックである。なお、本実施形態では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト塗布ブロック30は、下地塗布された反射防止膜の上にレジストを塗布するレジスト塗布処理部31と、レジスト塗布処理に付随する熱処理を行う2つの熱処理タワー32,33と、レジスト塗布処理部31および熱処理タワー32,33に対して基板Wの受け渡しを行う搬送ロボットTR2とを備える。レジスト塗布ブロック30においては、搬送ロボットTR2を挟んでレジスト塗布処理部31と熱処理タワー32,33とが対向して配置されている。具体的には、レジスト塗布処理部31が装置正面側に、2つの熱処理タワー32,33が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー32,33の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。レジスト塗布処理部31と熱処理タワー32,33とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー32,33からレジスト塗布処理部31に熱的影響を与えることを回避しているのである。図2に示すように、レジスト塗布処理部31は同様の構成を備えた4つの塗布処理ユニットSCを上下に積層配置して構成されている。それぞれの塗布処理ユニットSCは、基板Wを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック36、このスピンチャック36上に保持された基板W上にフォトレジストの塗布液を吐出する塗布ノズル37、スピンチャック36を回転駆動させるスピンモータ図示省略およびスピンチャック36上に保持された基板Wの周囲を囲繞するカップ図示省略等を備えている。図3に示すように、熱処理タワー32には、基板Wを所定の温度にまで加熱するホットプレートを備えた2個の加熱ユニットHPおよび加熱された基板Wを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Wを当該所定の温度に維持するクーリングプレートを備えた2個の冷却ユニットCPが上下に積層配置されている。一方、熱処理タワー33にも2個の加熱ユニットHPおよび2個の冷却ユニットCPが上下に積層配置されている。図4に示すように、搬送ロボットTR2は、搬送ロボットTR1と同様の構成を備えており、基板Wを略水平姿勢で保持する搬送アーム34a,34bを上下2段に近接させて備えている。搬送アーム34a,34bは、C字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピンで基板Wの周縁を下方から支持する。搬送アーム34a,34bは搬送ヘッド38に搭載されている。搬送ヘッド38は、図示省略の駆動機構によって鉛直方向Z軸方向に沿った昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である。また、搬送ヘッド38は、図示省略のスライド機構によって搬送アーム34a,34bを互いに独立して水平方向に進退移動させることができる。よって、搬送アーム34a,34bのそれぞれは、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、搬送ロボットTR2は、2個の搬送アーム34a,34bをそれぞれ個別に基板載置部PASS3,PASS4、熱処理タワー32,33に設けられた熱処理ユニット、レジスト塗布処理部31に設けられた4つの塗布処理ユニットSCおよび後述する基板載置部PASS5,PASS6に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Wの授受を行うことができる。次に、現像処理ブロック40について説明する。レジスト塗布ブロック30とインターフェイスブロック50との間に挟み込まれるようにして現像処理ブロック40が設けられている。この現像処理ブロック40とレジスト塗布ブロック30との間にも、雰囲気遮断用の隔壁35が設けられている。この隔壁35にレジスト塗布ブロック30と現像処理ブロック40との間で基板Wの受け渡しを行うために基板Wを載置する2つの基板載置部PASS5,PASS6が上下に積層して設けられている。基板載置部PASS5,PASS6は、上述した基板載置部PASS1,PASS2と同様の構成を備えている。上側の基板載置部PASS5は、レジスト塗布ブロック30から現像処理ブロック40へ基板Wを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック30の搬送ロボットTR2が基板載置部PASS5に載置した基板Wを現像処理ブロック40の搬送ロボットTR3が受け取る。一方、下側の基板載置部PASS6は、現像処理ブロック40からレジスト塗布ブロック30へ基板Wを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック40の搬送ロボットTR3が基板載置部PASS6に載置した基板Wをレジスト塗布ブロック30の搬送ロボットTR2が受け取る。基板載置部PASS5,PASS6は、隔壁35の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部PASS5,PASS6には、基板Wの有無を検出する光学式のセンサ図示省略が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、搬送ロボットTR2,TR3が基板載置部PASS5,PASS6に対して基板Wを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。現像処理ブロック40は、露光処理後の基板Wに対して現像処理を行うための処理ブロックである。現像処理ブロック40は、パターンが露光された基板Wに対して現像液を供給して現像処理を行う現像処理部41と、現像処理後の熱処理を行う熱処理タワー42と、露光直後の基板Wに熱処理を行う熱処理タワー43と、現像処理部41および熱処理タワー42に対して基板Wの受け渡しを行う搬送ロボットTR3とを備える。図2に示すように、現像処理部41は、同様の構成を備えた5つの現像処理ユニットSDを上下に積層配置して構成されている。各現像処理ユニットSDは、基板Wを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック46、このスピンチャック46上に保持された基板W上に現像液を供給するノズル47、スピンチャック46を回転駆動させるスピンモータ図示省略およびスピンチャック46上に保持された基板Wの周囲を囲繞するカップ図示省略等を備えている。図3に示すように、熱処理タワー42には、基板Wを所定の温度にまで加熱するホットプレートを備えた2個の加熱ユニットHPおよび加熱された基板Wを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Wを当該所定の温度に維持するクーリングプレートを備えた2個の冷却ユニットCPが上下に積層配置されている。一方、熱処理タワー43にも2個の加熱ユニットHPおよび2個の冷却ユニットCPが上下に積層配置されている。熱処理タワー43の加熱ユニットHPは露光直後の基板Wに対して露光後加熱処理を行う。熱処理タワー43の加熱ユニットHPおよび冷却ユニットCPに対してはインターフェイスブロック50の搬送ロボットTR4が基板Wの搬出入を行う。また、熱処理タワー43には、現像処理ブロック40とインターフェイスブロック50との間で基板Wの受け渡しを行うための2つの基板載置部PASS7,PASS8が上下に近接して組み込まれている。上側の基板載置部PASS7は、現像処理ブロック40からインターフェイスブロック50へ基板Wを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック40の搬送ロボットTR3が基板載置部PASS7に載置した基板Wをインターフェイスブロック50の搬送ロボットTR4が受け取る。一方、下側の基板載置部PASS8は、インターフェイスブロック50から現像処理ブロック40へ基板Wを搬送するために使用される。すなわち、インターフェイスブロック50の搬送ロボットTR4が基板載置部PASS8に載置した基板Wを現像処理ブロック40の搬送ロボットTR3が受け取る。なお、基板載置部PASS7,PASS8は、現像処理ブロック40の搬送ロボットTR3およびインターフェイスブロック50の搬送ロボットTR4の両側に対して開口している。搬送ロボットTR3は、基板Wを略水平姿勢で保持する搬送アーム44a,44bを上下に近接させて備えている。搬送アーム44a,44bは、C字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピンで基板Wの周縁を下方から支持する。搬送アーム44a,44bは搬送ヘッド48に搭載されている。搬送ヘッド48は、図示省略の駆動機構によって鉛直方向Z軸方向に沿った昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である。また、搬送ヘッド48は、図示省略のスライド機構によって搬送アーム44a,44bを互いに独立して水平方向に進退移動させることができる。よって、搬送アーム44a,44bのそれぞれは、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、搬送ロボットTR3は、2個の搬送アーム44a,44bをそれぞれ個別に基板載置部PASS5,PASS6、熱処理タワー42に設けられた熱処理ユニット、現像処理部41に設けられた5つの現像処理ユニットSDおよび熱処理タワー43の基板載置部PASS7,PASS8に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Wの授受を行うことができる。次に、インターフェイスブロック50について説明する。インターフェイスブロック50は、現像処理ブロック40に隣接して配置され、レジスト膜が塗布形成された未露光の基板Wを基板処理装置1とは別体の外部装置である露光ユニットEXPに渡すとともに、露光済みの基板Wを露光ユニットEXPから受け取って現像処理ブロック40に渡す処理ブロックである。インターフェイスブロック50は、露光ユニットEXPとの間で基板Wの受け渡しを行うための搬送機構IFRの他に、レジスト膜が形成された基板Wの周縁部を露光する2つのエッジ露光ユニットEEWと、現像処理ブロック40の熱処理タワー43およびエッジ露光ユニットEEWに対して基板Wを受け渡しする搬送ロボットTR4とを備える。エッジ露光ユニットEEWは、図2に示すように、基板Wを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック56およびスピンチャック56に保持された基板Wの周縁に光を照射して露光する光照射器57などを備えている。2つのエッジ露光ユニットEEWは、インターフェイスブロック50の中央部に上下に積層配置されている。また、エッジ露光ユニットEEWの下側には、基板送り用のセンドバッファSBF、基板戻し用のリターンバッファRBF、および、2つの基板載置部PASS9,PASS10、が上下に積層配置されている。上側の基板載置部PASS9は搬送ロボットTR4から搬送機構IFRに基板Wを渡すために使用するものであり、下側の基板載置部PASS10は搬送機構IFRから搬送ロボットTR4に基板Wを渡すために使用するものである。リターンバッファRBFは、何らかの障害によって現像処理ブロック40が露光済みの基板Wの現像処理を行うことができない場合に、現像処理ブロック40の熱処理タワー43で露光後加熱処理を行った後に、その基板Wを一時的に収納保管しておくものである。一方、センドバッファSBFは、露光ユニットEXPが未露光の基板Wの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Wを一時的に収納保管するものである。リターンバッファRBFおよびセンドバッファSBFはいずれも複数枚の基板Wを多段に収納できる収納棚によって構成されている。なお、リターンバッファRBFに対しては搬送ロボットTR4がアクセスを行い、センドバッファSBFに対しては搬送機構IFRがアクセスを行う。現像処理ブロック40の熱処理タワー43に隣接して配置されている搬送ロボットTR4は、基板Wを略水平姿勢で保持する搬送アーム54a,54bを上下に近接させて備えており、その構成および動作機構は搬送ロボットTR1~TR3と全く同じである。また、搬送機構IFRは、Y軸方向の水平移動、昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能な可動台52を備え、その可動台52に基板Wを水平姿勢で保持する2つの保持アーム53a,53bを搭載している。保持アーム53a,53bは相互に独立して前後にスライド移動可能とされている。よって、保持アーム53a,53bのそれぞれは、Y軸方向に沿った水平移動、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。露光ユニットEXPは、基板処理装置1にてレジスト塗布された露光前の基板Wを搬送機構IFRから受け取って露光処理を行う。露光ユニットEXPにて露光処理の行われた基板Wは搬送機構IFRによって受け取られる。なお、露光ユニットEXPは、投影光学系と基板Wとの間に屈折率の大きな液体例えば、屈折率n=1.44の純水を満たした状態で露光処理を行う、いわゆる液浸露光処理に対応したものであっても良い。また、露光ユニットEXPは、電子線露光やEUV露光など真空中で露光処理を行うものであっても良い。次に、熱処理タワー23に設けられているフラッシュベークユニットFLBについて説明する。図5は、フラッシュベークユニットFLBの要部構成を示す図である。フラッシュベークユニットFLBは、反射防止膜の塗布液が塗布されて表面に反射防止膜が形成された基板Wに対して加熱処理を行い、その反射防止膜の焼成処理を行う熱処理ユニットである。フラッシュベークユニットFLBは、基板Wを収容するチャンバー70と、チャンバー70内にて基板Wを載置して保持する冷却プレートクーリングプレート81と、チャンバー70から排気を行う排気部77と、チャンバー70内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部74と、チャンバー70内に酸素ガスO2を供給する酸素供給部71と、基板Wにフラッシュ光を照射するフラッシュ照射部60と、を備えている。また、フラッシュベークユニットFLBは、これらの各部を制御して反射防止膜の焼成処理を実行させるユニットコントローラ90を備える。チャンバー70は、フラッシュ照射部60の下方に設けられており、基板Wを収容可能な筐体である。チャンバー70の上部開口にはチャンバー窓69が装着されて閉塞されている。チャンバー70の側壁および底壁とチャンバー窓69とによって囲まれる空間が熱処理空間65として規定される。チャンバー70の天井部を構成するチャンバー窓69は、石英により形成された板状部材であり、フラッシュ照射部60から出射されたフラッシュ光を熱処理空間65に透過する石英窓として機能する。チャンバー70の側壁には、基板Wの搬入および搬出を行うための搬送開口部68が設けられている。搬送開口部68は、図示を省略するシャッターによって開閉可能とされている。搬送開口部68が開放されると、搬送ロボットTR1によってチャンバー70に対する基板Wの搬入および搬出が可能となる。また、搬送開口部68が閉鎖されると、熱処理空間65が外部との通気が遮断された密閉空間となる。冷却プレート81は、冷却機構82を内蔵した金属製例えば、アルミニウムの略円板形状の部材であり、チャンバー70内にて基板Wを載置して水平姿勢主面の法線方向が鉛直方向に沿う姿勢に保持する。冷却機構82としては、水冷管やペルチェ素子などを用いることができる。冷却機構82は、少なくとも冷却プレート81のうちの載置する基板Wに対向する領域には均一な配設密度にて設けられている。このため冷却機構82は、当該領域を均一に冷却することができる。冷却機構82による冷却温度はユニットコントローラ90によって制御されており、本実施形態では半導体製造技術分野における常温である23°Cを維持するように制御されている。また、冷却プレート81の内部には熱電対を用いて構成された温度センサ83が配設されている。温度センサ83は冷却プレート81の上面近傍の温度を測定する。温度センサ83による測定結果はユニットコントローラ90に伝達される。温度センサ83によって測定される冷却プレート81の温度が予め設定された所定温度本実施形態では23°Cとなるように、冷却機構82がユニットコントローラ90によって制御される。すなわち、ユニットコントローラ90は、温度センサ83の測定結果に基づいて、冷却プレート81の温度をフィードバック制御する。なお、温度センサ83は、冷却プレート81が載置する基板Wが対向する領域に複数設けるようにしても良い。冷却プレート81の上面には、図示を省略する複数個3個以上のプロキシミティボールが配設されている。プロキシミティボールは、例えばアルミナAl2O3等の部材によって構成され、その上端が冷却プレート81の上面から微少量だけ突出する状態で配設される。このため、複数個のプロキシミティボールによって基板Wを支持したときには、基板Wの裏面と冷却プレート81の上面との間にいわゆるプロキシミティギャップと称される微小間隔が形成される。なお、冷却プレート81の上面にサセプタを設置し、そのサセプタを介して基板Wを支持するようにしても良い。複数個のプロキシミティボールを介して冷却プレート81に載置された基板Wは、冷却プレート81によって常温23°Cに温調される。すなわち、基板Wの温度が常温よりも高温であれば、常温にまで冷却される。また、常温近傍の基板Wについては、そのまま基板Wを安定して常温に維持する。このように、第1実施形態においては、冷却プレート81がチャンバー70内にて基板Wを保持する保持手段およびその基板Wを冷却する冷却手段の双方の役割を担っている。冷却プレート81には、その上面に出没する複数本本実施の形態では3本のリフトピン84が設けられている。3本のリフトピン84の上端高さ位置は同一水平面内に含まれる。3本のリフトピン84はエアシリンダ85によって一括して鉛直方向に沿って昇降される。各リフトピン84は、冷却プレート81に上下に貫通して設けられた挿通孔の内側に沿って昇降する。エアシリンダ85が3本のリフトピン84を上昇させると、各リフトピン84の先端が冷却プレート81の上面から突出する。また、エアシリンダ85が3本のリフトピン84を下降させると、各リフトピン84の先端が冷却プレート81の挿通孔の内部に埋入する。不活性ガス供給部74は、チャンバー70内に不活性ガスとして窒素ガスN2を供給する。不活性ガス供給部74は、窒素供給源75とバルブ76とを備えており、バルブ76を開放することによってチャンバー70内の熱処理空間65に窒素ガスを供給する。また、酸素供給部71は、チャンバー70内に酸素ガスを供給する。酸素供給部71は、酸素供給源72とバルブ73とを備えており、バルブ73を開放することによってチャンバー70内の熱処理空間65に酸素ガスを供給する。なお、窒素供給源75および酸素供給源72としては、基板処理装置1に設けられたタンクと送給ポンプなどによって構成するようにしても良いし、基板処理装置1が設置される工場の用力を用いるようにしても良い。排気部77は、排気装置78およびバルブ79を備えており、バルブ79を開放することによってチャンバー70内の雰囲気を排気する。排気装置78としては、真空ポンプや基板処理装置1が設置される工場の排気ユーティリティを用いることができる。排気装置78として真空ポンプを採用し、不活性ガス供給部74および酸素供給部71から何らのガス供給を行うことなく密閉空間である熱処理空間65の雰囲気を排気すると、チャンバー70内を真空雰囲気にまで減圧することができる。また、排気装置78として真空ポンプを用いていない場合であっても、不活性ガス供給部74および酸素供給部71からガス供給を行うことなく排気を行うことにより、チャンバー70内を大気圧よりも低い気圧に減圧することができる。フラッシュ照射部60は、チャンバー70の上方に設けられている。フラッシュ照射部60は、複数本のフラッシュランプFLからなる光源と、その光源の上方を覆うように設けられたリフレクタ62と、を備えて構成される。フラッシュ照射部60は、チャンバー70内にて冷却プレート81に保持される基板Wに石英のチャンバー窓69を介してフラッシュランプFLからフラッシュ光を照射する。複数のフラッシュランプFLは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が冷却プレート81に保持される基板Wの主面に沿ってつまり水平方向に沿って互いに平行となるように平面状に配列されている。よって、フラッシュランプFLの配列によって形成される平面も水平面である。複数のフラッシュランプFLのそれぞれには電源ユニット91が接続されている。図6は、電源ユニット91の要部構成を示す図である。電源ユニット91は、コイル92、コンデンサ93および充電器94を備える。第1実施形態では、フラッシュランプFLとしてキセノンフラッシュランプを用いている。キセノンフラッシュランプFLは、その内部にキセノンガスが封入されその両端部に陽極および陰極が配設された棒状のガラス管放電管97と、該ガラス管97の外周面上に付設されたトリガー電極96とを備える。フラッシュランプFLの陽極と陰極とを結ぶ配線にコイル92およびコンデンサ93が直列に接続されている。コンデンサ93には、充電器94によって所定の電圧が印加され、その印加電圧に応じた電荷が充電される。充電器94がコンデンサ93に印加する電圧値はユニットコントローラ90によって制御される。また、トリガー電極96にはトリガー回路95から高電圧を印加することができる。トリガー回路95がトリガー電極96に電圧を印加するタイミングはユニットコントローラ90によって制御される。フラッシュランプFLを発光させるときには、ユニットコントローラ90によって指定された電圧値にて充電器94がコンデンサ93に電圧を印加して充電する。コンデンサ93に印加電圧に応じた電荷が蓄積されると、フラッシュランプFLのガラス管97内の陽極と陰極との間に電位差が生じる。そのような状態となってもキセノンガスは電気的には絶縁体であることから、通常の状態ではガラス管97内に電気は流れない。しかしながら、トリガー回路95からトリガー電極96に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサ93に蓄えられた電気が両端電極間の放電によってガラス管97内に瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。このようなキセノンフラッシュランプFLにおいては、予めコンデンサ93に蓄えられていた静電エネルギーが0.1ミリセカンドないし100ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。なお、ガラス管97内に流れる電流の波形はコイル92によって規定され、コイル92のインダクタンスが大きいほどガラス管97内に電流が流れる時間つまり、発光時間が長くなる。また、リフレクタ62は、複数のフラッシュランプFLの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ62の基本的な機能は、複数のフラッシュランプFLから出射されたフラッシュ光を熱処理空間65の側に反射するというものである。リフレクタ62はアルミニウム合金板にて形成されており、その表面フラッシュランプFLに臨む側の面はブラスト処理により粗面化加工が施されて梨地模様を呈する。ユニットコントローラ90は、フラッシュベークユニットFLBに設けられた上記の種々の動作機構を制御する。ユニットコントローラ90のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、ユニットコントローラ90は、各種演算処理を行うCPU、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるROM、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるRAMおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えて構成される。ユニットコントローラ90のCPUが所定の処理プログラムを実行することによってフラッシュベークユニットFLBにおける処理が進行する。なお、ユニットコントローラ90は、基板処理装置1の全体を管理するメインコントローラの下位コントローラとして設けられていても良い。次に、上記の構成を有する基板処理装置1における基板処理の手順について説明する。ここでは、まず、基板処理装置1における全体の処理手順を簡単に説明した後、フラッシュベークユニットFLBでの処理について説明する。装置外部から未処理の基板WがキャリアCに収納された状態でAGV等によってインデクサブロック10に搬入される。続いて、インデクサブロック10から未処理の基板Wの払い出しが行われる。具体的には、インデクサロボットIRが所定のキャリアCから未処理の基板Wを取り出し、上側の基板載置部PASS1に載置する。基板載置部PASS1に未処理の基板Wが載置されると、バークブロック20の搬送ロボットTR1がその基板Wを受け取って熱処理タワー22のいずれかの密着強化処理ユニットAHLに搬送する。密着強化処理ユニットAHLでは、HMDSの蒸気雰囲気で基板Wを熱処理して基板Wの密着性を向上させる。密着強化処理の終了した基板Wは搬送ロボットTR1によって取り出され、熱処理タワー22,23のいずれかの冷却ユニットCPに搬送されて冷却される。冷却された基板Wは搬送ロボットTR1によって冷却ユニットCPから下地塗布処理部21のいずれかの塗布処理ユニットBRCに搬送される。塗布処理ユニットBRCでは、基板Wの表面に反射防止膜用の塗布液が回転塗布されて反射防止膜BARCが形成される。回転塗布処理によって基板Wの表面に反射防止膜が形成された後、搬送ロボットTR1は塗布処理ユニットBRCからその基板Wを搬出して熱処理タワー23のフラッシュベークユニットFLBに搬送する。詳細は後述するが、フラッシュベークユニットFLBでは、フラッシュ光照射によって基板Wが加熱されることにより、塗布された反射防止膜の焼成処理が行われる。その後、搬送ロボットTR1によってフラッシュベークユニットFLBから取り出された基板Wは熱処理タワー22,23のいずれかの冷却ユニットCPに搬送されて冷却される。冷却後の基板Wは搬送ロボットTR1によって基板載置部PASS3に載置される。次に、反射防止膜の焼成が終了した基板Wが基板載置部PASS3に載置されると、レジスト塗布ブロック30の搬送ロボットTR2がその基板Wを受け取って熱処理タワー32,33のいずれかの冷却ユニットCPに搬送して所定温度に温調する。続いて、搬送ロボットTR2が温調済みの基板Wをレジスト塗布処理部31のいずれかの塗布処理ユニットSCに搬送する。塗布処理ユニットSCでは、基板Wにフォトレジストの塗布液が回転塗布されてレジスト膜が形成される。本実施形態においては、フォトレジストとして化学増幅型レジストが使用される。レジスト塗布処理が終了した後、塗布処理ユニットSCから搬出された基板Wは搬送ロボットTR2によって熱処理タワー32,33のいずれかの加熱ユニットHPに搬送される。加熱ユニットHPにて基板Wが加熱されることにより、レジストの溶媒が蒸発してレジスト膜の塗布後ベーク処理が行われる。その後、搬送ロボットTR2によって加熱ユニットHPから取り出された基板Wは熱処理タワー32,33のいずれかの冷却ユニットCPに搬送されて冷却される。冷却後の基板Wは搬送ロボットTR2によって基板載置部PASS5に載置される。レジスト膜が形成された基板Wが基板載置部PASS5に載置されると、現像処理ブロック40の搬送ロボットTR3がその基板Wを受け取ってそのまま基板載置部PASS7に載置する。そして、基板載置部PASS7に載置された基板Wはインターフェイスブロック50の搬送ロボットTR4によって受け取られ、上下いずれかのエッジ露光ユニットEEWに搬入される。エッジ露光ユニットEEWにおいては、基板Wの端縁部の露光処理エッジ露光処理が行われる。エッジ露光処理が終了した基板Wは搬送ロボットTR4によって基板載置部PASS9に載置される。そして、基板載置部PASS9に載置された基板Wは搬送機構IFRによって受け取られ、露光ユニットEXPに搬入され、パターン露光処理に供される。本実施形態では化学増幅型レジストを使用しているため、基板W上に形成されたレジスト膜のうち露光された部分では光化学反応によって酸が生成する。パターン露光処理が終了した露光済みの基板Wは露光ユニットEXPから再びインターフェイスブロック50に戻され、搬送機構IFRによって基板載置部PASS10に載置される。露光後の基板Wが基板載置部PASS10に載置されると、搬送ロボットTR4がその基板Wを受け取って現像処理ブロック40の熱処理タワー43のいずれかの加熱ユニットHPに搬送する。熱処理タワー43の加熱ユニットHPでは、露光時の光化学反応によって生じた生成物を酸触媒としてレジストの樹脂の架橋重合等の反応を進行させ、現像液に対する溶解度を露光部分のみ局所的に変化させるための露光後ベーク処理が行われる。露光後ベーク処理が終了した基板Wが加熱ユニットHP内部の機構によって冷却されることにより、上記化学反応が停止する。続いて基板Wは、搬送ロボットTR4によって熱処理タワー43の加熱ユニットHPから取り出され、基板載置部PASS8に載置される。基板載置部PASS8に基板Wが載置されると、現像処理ブロック40の搬送ロボットTR3がその基板Wを受け取って熱処理タワー42のいずれかの冷却ユニットCPに搬送する。冷却ユニットCPにおいては、露光後ベーク処理が終了した基板Wがさらに冷却され、所定温度に正確に温調される。その後、搬送ロボットTR3は、冷却ユニットCPから基板Wを取り出して現像処理部41のいずれかの現像処理ユニットSDに搬送する。現像処理ユニットSDでは、基板Wに現像液を供給して現像処理を進行させる。やがて現像処理が終了した後、基板Wは搬送ロボットTR3によって熱処理タワー42のいずれかの加熱ユニットHPに搬送され、さらにその後いずれかの冷却ユニットCPに搬送される。その後、基板Wは搬送ロボットTR3によって冷却ユニットCPから取り出されて基板載置部PASS6に載置される。基板載置部PASS6に載置された基板Wは、レジスト塗布ブロック30の搬送ロボットTR2によってそのまま基板載置部PASS4に載置される。さらに、基板載置部PASS4に載置された基板Wは、バークブロック20の搬送ロボットTR1によってそのまま基板載置部PASS2に載置されることにより、インデクサブロック10に格納される。基板載置部PASS2に載置された処理済みの基板WはインデクサロボットIRによって所定のキャリアCに収納される。その後、所定枚数の処理済み基板Wが収納されたキャリアCが装置外部に搬出されて一連のフォトリソグラフィー処理が完了する。フラッシュベークユニットFLBでの処理についてさらに説明を続ける。図7は、フラッシュベークユニットFLBにおける基板Wの処理手順を示すフローチャートである。また、図8は、基板Wの表面温度の変化を示す図である。以下に説明するフラッシュベークユニットFLBの処理手順は、ユニットコントローラ90がフラッシュベークユニットFLBの各動作機構を制御することにより進行する。まず、図示省略のシャッターが開いて搬送開口部68が開放され、回転塗布により反射防止膜が形成された基板Wが搬送ロボットTR1により搬送開口部68を介してチャンバー70内に搬入されるステップS1。具体的には、反射防止膜が形成された基板Wを保持した搬送ロボットTR1の搬送アーム24bまたは24aが搬送開口部68からチャンバー70内に進入し、冷却プレート81の直上にて停止する。続いて、3本のリフトピン84が上昇して搬送アーム24bから基板Wを受け取る。その後、搬送ロボットTR1の搬送アーム24bがチャンバー70から退出するとともに、搬送開口部68が閉鎖されることによってチャンバー70内の熱処理空間65が密閉空間とされる。なお、基板Wの表面に形成されている反射防止膜の厚さは100nm以下である。また、搬送ロボットTR1の搬送アーム24bが退出した後、未処理の基板Wを支持する3本のリフトピン84が下降して冷却プレート81の挿通孔の内部に埋入する。リフトピン84が下降する過程において、時刻t1にて基板Wはリフトピン84から冷却プレート81の上面に渡され、その上面に水平姿勢にて載置保持される。冷却プレート81に受け渡された時刻t1の時点での基板Wの温度は、基板処理装置1が設置されている雰囲気の温度と同じであり、概ね常温である。熱処理空間65が密閉空間とされて基板Wが冷却プレート81に保持された後、チャンバー70内が不活性ガス雰囲気に置換されるステップS2。すなわち、不活性ガス供給部74からチャンバー70内に不活性ガスとして窒素ガスを供給するとともに、排気部77によるチャンバー70からの排気を行う。これにより、チャンバー70内の空気が排出されて窒素ガスに置き換わり、熱処理空間65が不活性ガス雰囲気となる。なお、不活性ガス供給部74から窒素ガスを供給する前に排気部77による排気を行ってチャンバー70内を一旦大気圧よりも低い気圧に減圧してから、窒素ガスの供給を開始するようにしても良い。このようにすれば、雰囲気置換の効率を高めることができる。また、冷却プレート81は冷却機構82によって予め常温23°Cに温調されている。ユニットコントローラ90は、温度センサ83の測定結果に基づいて、冷却プレート81の温度が23°Cとなるように冷却機構82を制御している。リフトピン84が下降して基板Wが常温に温調された冷却プレート81に載置されることにより、時刻t1から基板Wに対する冷却プレート81による温調が開始される。これにより、基板Wは正確に23°Cに温調されることとなり、その結果ロットに含まれる複数の基板W間での温度履歴均一性を向上させることができる。チャンバー70内の熱処理空間65が不活性ガス雰囲気とされ、基板Wが冷却プレート81に保持されて23°Cに温調された後、時刻t2にてユニットコントローラ90の制御によりフラッシュ照射部60のフラッシュランプFLから冷却プレート81に保持された基板Wの表面に向けてフラッシュ光が照射されるステップS3。より詳細には、時刻t2よりも前に基板Wがチャンバー70に搬入される前であっても良い、ユニットコントローラ90が設定した電圧値にて充電器94がコンデンサ93に電圧を印加して充電する。時刻t2の時点ではコンデンサ93にはユニットコントローラ90が設定した印加電圧に応じた電荷が蓄積されており、フラッシュランプFLのガラス管97内の陽極と陰極との間にもその印加電圧にほぼ等しい電位差が生じている。そして、時刻t2にてユニットコントローラ90の制御下でトリガー回路95がトリガー電極96に高電圧を印加する。これにより、キセノンガスの絶縁性が破壊され、コンデンサ93に蓄積されていた電荷がガラス管97の両極間で瞬時に放電し、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。こうしてフラッシュランプFLから放出される光がフラッシュ光であり、その発光時間は0.1ミリセカンドないし100ミリセカンドという極めて短い時間である。なお、フラッシュランプFLの発光時間はコイル92のインダクタンスによって規定される。フラッシュランプFLから放射されるフラッシュ光の一部は直接にチャンバー70内の熱処理空間65へと向かい、他の一部は一旦リフレクタ62により反射されてから熱処理空間65へと向かう。このようなフラッシュ光の照射によって、冷却プレート81に保持された基板Wの表面がフラッシュ加熱される。フラッシュランプFLから照射されるフラッシュ光は、予め蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が0.1ミリセカンド以上100ミリセカンド以下程度の極めて短く強い閃光である。フラッシュランプFLからフラッシュ光が照射された基板Wの表面温度は、瞬間的に処理温度T1にまで上昇し、その後急速に常温にまで下降する。このようなフラッシュ加熱によって、基板Wの表面に形成されていた反射防止膜の焼成処理が行われる。反射防止膜の焼成処理を行うときに基板Wの表面が到達する処理温度T1は約200°Cである。なお、反射防止膜の厚さは100nm以下と極めて薄いため、基板Wの表面の温度と反射防止膜の温度とはほぼ同じであり、反射防止膜の厚さ方向の全体にわたって処理温度T1にまで昇温されることとなる。また、フラッシュ光が照射されて基板Wの表面温度が昇温を開始した時刻t2から常温にまで降温した時刻t3までの時間、すなわちフラッシュ照射工程でのフラッシュ光照射による加熱処理時間は1秒以下である。このような1秒以下の短時間であっても、フラッシュランプFLから強度の大きなフラッシュ光を照射することによって、厚さ100nm以下の反射防止膜であれば確実な焼成処理を行うことができる。フラッシュ光照射による反射防止膜の焼成処理が終了した後においても、基板Wは冷却プレート81に保持され続けることによって冷却され、常温に維持されるステップS4。また、フラッシュ光照射の前後にわたって、不活性ガス供給部74からチャンバー70内に窒素ガスを供給するとともに、排気部77によるチャンバー70からの排気を継続して行っている。これにより、フラッシュ加熱時およびその前後の基板Wを常温に維持しているときは、チャンバー70内が継続して不活性ガス雰囲気とされている。やがて、所定時間が経過して時刻t4に到達した時点にて、3本のリフトピン84が上昇し、冷却プレート81に載置されていた基板Wを突き上げて冷却プレート81から離間させる。その後、搬送開口部68が再び開放され、搬送ロボットTR1の搬送アーム24aまたは24bが搬送開口部68からチャンバー70内に進入して基板Wの直下で停止する。続いて、リフトピン84が下降することによって、基板Wがリフトピン84から搬送アーム24aに渡される。そして、基板Wを受け取った搬送ロボットTR1の搬送アーム24aがチャンバー70から退出することにより、基板Wがチャンバー70から搬出され、フラッシュベークユニットFLBにおける反射防止膜の焼成処理が完了するステップS5。第1実施形態では、フラッシュランプFLからのフラッシュ光照射によって基板Wの表面に形成された反射防止膜の焼成処理を行っている。フラッシュ光照射による加熱処理時間は1秒以下の極めて短時間である。ホットプレートに載置して加熱する従来の焼成処理では、基板Wが目標温度に到達するまでに少なくとも30秒以上を要していた。反射防止膜を所定温度以上に10秒以上加熱すると、多量の昇華物が発生することとなる。これと比較して、本実施形態のフラッシュ光照射による焼成処理に要する時間は顕著に短時間であるため、昇華物の発生を大幅に低減することができる。すなわち、多量の昇華物が発生する前に反射防止膜の温度が低下するのである。しかしながら、フラッシュ光照射によって加熱処理時間を短時間にしたとしても、処理温度T1にまで加熱された反射防止膜からは若干の昇華物が発生する。発生した昇華物の大半は排気部77からの排気によってチャンバー70の外部に排出されるものの、一部はチャンバー70の内壁面や冷却プレート81などに付着して汚染物となることもある。このため、第1実施形態においては、反射防止膜の焼成処理が終了して基板Wがチャンバー70から搬出された後、チャンバー70内のクリーニング処理を行うか否かが判断されるステップS6。クリーニング処理を行うタイミングとしては、例えば、ロットに含まれる全ての基板Wの処理が終了した時点でも良いし、所定枚数の基板Wの処理が終了した時点でも良い。また、ステップS6の判断は、ユニットコントローラ90が行うようにしても良いし、基板処理装置1のオペレータが行うようにしても良い。クリーニング処理を行う場合には、チャンバー70に基板Wを収容することなく搬送開口部68を閉鎖し、密閉空間となったチャンバー70内の熱処理空間65に酸素供給部71から酸素ガスを導入するステップS7。これにより、基板Wが存在していないチャンバー70内の熱処理空間65が酸素を含む雰囲気となる。なお、酸素供給部71から継続して酸素ガスを供給するのであれば排気部77による排気を行うようにしても良いし、所定時間だけ酸素ガスをチャンバー70内に注入するのであれば排気部77による排気は停止すれば良い。チャンバー70内の熱処理空間65が酸素を含む雰囲気とされた後、フラッシュ照射部60のフラッシュランプFLからチャンバー70内に向けてフラッシュ光が照射されるステップS8。フラッシュ光照射により、チャンバー70の内壁面や冷却プレート81などに付着していた昇華物は酸素雰囲気下にて加熱されることとなる。その結果、付着していた昇華物が酸化されて分解される。酸化された昇華物は二酸化炭素や水蒸気などのガス成分となるため、フラッシュ光照射後は排気部77による排気を行うようしておく方が好ましい。このようにして、チャンバー70内のクリーニング処理が行われる。なお、ステップS6にてクリーニング処理を行わない場合には、ステップS1に戻り、新たな基板WについてステップS1からステップS5の処理が繰り返される。以上のように、第1実施形態においては、フラッシュランプFLからのフラッシュ光照射によって基板Wの表面に形成された反射防止膜の焼成処理を極めて短時間にて行っている。このため、反射防止膜から昇華物が多量に発生する前に焼成処理を完了して反射防止膜の温度を昇華物発生温度以下にまで下げることができる。その結果、反射防止膜の焼成処理時に発生する昇華物を大幅に低減することができる。また、従来のホットプレートに基板Wを載置して焼成処理を行う方式に比較して、フラッシュ光照射による反射防止膜の焼成処理に要する時間は顕著に短時間である。このため、基板処理装置1におけるスループットを向上させることができる。また、反射防止膜の焼成処理に要する時間が短時間であれば、基板処理装置1に1つのフラッシュベークユニットFLBを搭載するだけでも、この処理が基板処理装置1全体を律速することはない。従って、従来と同等のスループットを得るために、基板処理装置1に搭載するユニット数は著しく少なくなり、装置サイズをコンパクトにできるとともに、消費電力の増加を抑制することもできる。ところで、基板Wの表面に形成する反射防止膜の種類によっては処理温度T1を異ならせたい場合もある。このような場合、ホットプレートに載置して加熱する従来の方式では、ホットプレートの設定温度を変更するのに長時間を要していた。例えば、ホットプレートの設定温度を30°C変更するのに3分、5°C変更するのに30秒~60秒を要しており、その間は処理を行うことができない待機時間となっていた。第1実施形態のフラッシュベークユニットFLBであれば、フラッシュランプFLからのフラッシュ光照射の強度を変化させることによって容易に反射防止膜の処理温度T1も変更することができる。このため、異なる種類の反射防止膜を形成した基板Wであっても処理温度変更のための待機時間無しに連続してフラッシュ光照射処理を行うことができる。その結果、異なる種類の反射防止膜を形成した基板Wに対して連続して焼成処理を行う場合であっても、基板処理装置1のスループット低下を防止することができる。フラッシュランプFLからのフラッシュ光照射の強度は、例えばユニットコントローラ90が設定するコンデンサ93への充電電圧を変化させ、フラッシュランプFLに印加する電圧を調整することによって容易に変更することができる。換言すれば、ユニットコントローラ90は、フラッシュ光照射による反射防止膜の処理温度T1が当該反射防止膜の種類に適した温度となるように、充電器94がコンデンサ93に充電する電圧を設定してフラッシュランプFLに印加する電圧を制御するのである。また、第1実施形態においては、フラッシュベークユニットFLBは冷却プレート81を備えており、この冷却プレート81によってフラッシュ光照射の前後にわたって基板Wを継続して常温に温調している。すなわち、冷却プレート81によって基板Wを冷却しつつフラッシュ光照射を行っている。このため、連続して処理する複数の基板W間での温度履歴を均一にすることができる。また、フラッシュベークユニットFLBではフラッシュ光照射による焼成処理の後、冷却プレート81によって基板Wを正確に常温に温調しているため、冷却ユニットCPに搬送しての冷却処理工程を省くことも可能となる。このようにすれば、基板処理装置1におけるスループットをさらに向上させることもできる。さらに、フラッシュベークユニットFLBは酸素供給部71を備えており、チャンバー70内に基板Wを収容することなく酸素ガスを供給し、フラッシュランプFLからフラッシュ光を照射してチャンバー70内に付着した汚染物を除去するため、チャンバー70を清浄に維持することができる。<第2実施形態>次に、本発明の第2実施形態について説明する。図9は、第2実施形態のフラッシュベークユニットFLBの要部構成を示す図である。同図において、第1実施形態図5と同一の要素については同一の符号を付している。第2実施形態のフラッシュベークユニットFLBが第1実施形態と相違するのは黒体板89を備えている点である。黒体板89は、カーボンにて形成されており、冷却プレート81に保持された基板WとフラッシュランプFLとの間に設けられる。黒体板89は、少なくとも冷却プレート81に保持された基板Wの全面に対向する領域に設けられる。黒色のカーボンを素材とする黒体板89はフラッシュランプFLのフラッシュ光を吸収する。従って、フラッシュランプFLから基板Wに向けて出射されたフラッシュ光は黒体板89によって遮光されて吸収されることとなり、直接には基板Wに到達しない。第2実施形態のフラッシュベークユニットFLBの残余の構成は第1実施形態と同じである。また、第2実施形態における基板処理装置1での処理手順およびフラッシュベークユニットFLBでの処理手順についても第1実施形態と同じである。但し、第2実施形態においては基板WとフラッシュランプFLとの間に黒体板89が設けられているため、フラッシュ光照射によって基板Wが間接的に加熱されることとなる。図10は、第2実施形態でのフラッシュ光照射によって基板Wが加熱される様子を説明する模式図である。第2実施形態では、フラッシュランプFLからのフラッシュ光は直接には黒体板89に照射される。フラッシュ光を吸収した黒体板89は急速に昇温する。そして、昇温した黒体板89からの熱放射によって基板Wの全体が加熱され、基板Wの表面に形成されている反射防止膜も加熱されることとなる。このようにして、フラッシュ光照射によって加熱された黒体板89を介した基板Wの間接加熱により、基板Wの表面温度は第1実施形態と同じ処理温度T1にまで昇温する。これにより、基板Wの表面に形成されていた反射防止膜の焼成処理が行われる。第2実施形態においても、基板Wの表面温度が昇温を開始した時刻から常温にまで降温した時刻までの加熱処理時間、すなわちフラッシュ照射工程でのフラッシュ光照射による加熱処理時間は1秒以下である。従って、第1実施形態と同様に、反射防止膜から昇華物が多量に発生する前に焼成処理を完了して反射防止膜の温度を昇華物発生温度以下にまで下げることができ、その結果、反射防止膜の焼成処理時に発生する昇華物を大幅に低減することができる。また、第2実施形態によれば、残余の第1実施形態の効果についても同様の奏することができる。特に、第2実施形態においては、黒体板89を介して基板Wを間接的に加熱しているため、基板Wの表面に形成された反射防止膜の種類にかかわらず、フラッシュランプFLから同じ条件でフラッシュ光照射を行えば、当該反射防止膜を確実に一定の処理温度T1に加熱することができる。<第3実施形態>次に、本発明の第3実施形態について説明する。図11は、第3実施形態のフラッシュベークユニットFLBの要部構成を示す図である。同図において、第1実施形態図5と同一の要素については同一の符号を付している。第3実施形態においては、チャンバー70の下側にフラッシュ照射部60を設けられる。すなわち、チャンバー70の下方よりフラッシュ光が照射されることとなる。チャンバー70の下部開口にはチャンバー窓69が装着されて閉塞されている。チャンバー70の側壁および天井部とチャンバー窓69とによって囲まれる空間が熱処理空間65として規定される。チャンバー70の床部を構成するチャンバー窓69は、石英により形成された板状部材であり、フラッシュ照射部60から出射されたフラッシュ光を熱処理空間65に透過する石英窓として機能する。第3実施形態では、保持部80によって基板Wがチャンバー70内に保持される。保持部80は、爪状部材または鍔状部材によって基板Wの周縁部の少なくとも一部を下方より支持することにより当該基板Wを水平姿勢に保持する。保持部80が接触するのは基板Wの周縁部のみであるため、その周縁部よりも内側の領域における基板Wの下方は開放されている。従って、基板Wの周縁部よりも内側の領域において、保持部80がフラッシュ光照射の支障となることはない。なお、搬送ロボットTR1の搬送アーム24a,24bと保持部80との間の基板Wの受け渡しは、第1実施形態と同様のリフトピン84など公知の種々の受渡機構によって行うことが可能である。冷却プレート81は、第1実施形態と同じく冷却機構87を内蔵した金属製の略円板形状の部材であるが、第3実施形態では保持部80に保持された基板Wの上面に近接して配置される。保持部80に保持された基板Wの表面と冷却プレート81との間隔は100μm以下とされる。冷却機構87による冷却温度はユニットコントローラ90によって制御されており、第3実施形態では冷却プレート81が半導体製造技術分野における常温である23°Cを維持するように制御されている。冷却プレート81に近接して保持部80に保持された基板Wは、冷却プレート81によって常温23°Cに温調される。すなわち、基板Wの温度が常温よりも高温であれば、常温にまで冷却される。また、常温近傍の基板Wについては、そのまま基板Wを安定して常温に維持する。このように、第3実施形態においては、保持部80がチャンバー70内にて基板Wを保持する保持手段としての役割を担い、冷却プレート81が保持部80に保持された基板Wを冷却する冷却手段としての役割を担う。フラッシュ照射部60は、上下逆向きにチャンバー70の上側に設けられている点を除いては第1実施形態と同様の構成である。また、第3実施形態のフラッシュベークユニットFLBの残余の構成も第1実施形態と同じである。第3実施形態における基板処理装置1での処理手順およびフラッシュベークユニットFLBでの処理手順についても第1実施形態と概ね同じである。但し、第3実施形態においては、反射防止膜が形成された表面が上側を向くように基板Wが保持部80によって水平姿勢にて保持される。従って、反射防止膜が形成された基板Wの裏面がフラッシュランプFLに対向することとなり、その裏面にフラッシュ光が照射される。フラッシュランプFLからフラッシュ光が照射された基板Wの裏面の温度は瞬間的に急上昇する。そして、急激に昇温した基板Wの裏面から表面に向けて熱伝導が生じ、表面に形成されている反射防止膜が加熱されるのである。このようにして、フラッシュランプFLから基板Wの裏面にフラッシュ光が照射されることにより、基板Wの表面の温度は処理温度T1にまで急上昇し、その後急速に常温まで下降する。基板Wの表面に形成された反射防止膜が処理温度T1にまで加熱されることによって焼成処理が実行される。第3実施形態においても、フラッシュ光が照射されて基板W表面の反射防止膜が昇温を開始した時刻から常温にまで降温した時刻までの加熱処理時間、すなわちフラッシュ照射工程でのフラッシュ光照射による加熱処理時間は1秒以下である。従って、第1実施形態と同様に、反射防止膜から昇華物が多量に発生する前に焼成処理を完了して反射防止膜の温度を昇華物発生温度以下にまで下げることができ、その結果、反射防止膜の焼成処理時に発生する昇華物を大幅に低減することができる。また、反射防止膜の焼成処理に要する時間が短時間であれば、基板処理装置1におけるスループットを向上させることができる。また、基板処理装置1に搭載するユニット数は少なくて済み、装置サイズをコンパクトにできるとともに、消費電力の増加を抑制することもできる。また、第3実施形態においては、保持部80に保持された基板Wの表面に近接して冷却プレート81を配置しており、この冷却プレート81によってフラッシュ光照射の前後にわたって基板Wを継続して常温に温調している。すなわち、冷却プレート81によって基板Wを冷却しつつフラッシュ光照射を行っている。このため、連続して処理する複数の基板W間での温度履歴を均一にすることができる。さらに、フラッシュ光照射による反射防止膜の焼成処理の後においても、冷却プレート81によって基板Wを正確に常温に温調しているため、冷却ユニットCPに搬送しての冷却処理工程を省くことも可能となる。このようにすれば、基板処理装置1におけるスループットをさらに向上させることもできる。特に、第3実施形態では、基板Wの裏面にフラッシュ光を照射して表面の反射防止膜を加熱している。基板Wの裏面は、膜形成が行われておらず、シリコンの基材がそのまま露出した無地面である。従って、基板Wの裏面全面にわたってフラッシュ光の吸収率は均一であり、表面に形成された反射防止膜を均一に加熱することができる。また、基板Wの表面に形成された反射防止膜の種類にかかわらず、基板Wのフラッシュ光吸収率は一定となるため、フラッシュランプFLから同じ条件でフラッシュ光照射を行えば、当該反射防止膜を確実に一定の処理温度T1に加熱することができる。また、第3実施形態のフラッシュベークユニットFLBにおいても、フラッシュランプFLからのフラッシュ光照射の強度を変化させることによって容易に反射防止膜の処理温度T1も変更することができる。このため、異なる種類の反射防止膜を形成した基板Wであっても処理温度変更のための待機時間無しに連続してフラッシュ光照射処理を行うことができる。その結果、異なる種類の反射防止膜を形成した基板Wに対して連続して焼成処理を行う場合であっても、基板処理装置1のスループット低下を防止することができる。<変形例>以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記各実施形態においては、フラッシュベークユニットFLBを熱処理タワー23に設け、反射防止膜の焼成処理をフラッシュ光照射によって実行するようにしていたが、これに限定されるものではなく、基板Wの表面に形成された他の種類の膜をフラッシュ光照射によって焼成処理するようにしても良い。例えば、レジスト膜の下地膜として反射防止膜の他に基板Wの表面にハードマスクを形成することもあるが、このハードマスクの焼成処理をフラッシュ光照射によって行うようにしても良い。ハードマスクは、近年の微細加工プロセスにも対応可能なエッチングマスクであり、レジスト膜の下層に形成される塗布炭素膜である。ハードマスクの焼成処理時には、カーボン以外の成分を焼き飛ばすために大量の反射防止膜焼成時以上の昇華物が発生する。このようなハードマスクの焼成処理を本発明に係る技術を用いてフラッシュ光照射によって行うことにより、昇華物が多量に発生する前に焼成処理を完了することができ、焼成処理時に発生する昇華物を大幅に低減することができる。また、カラーフィルタの製造に使用するカラーレジストも加熱されることによって昇華物を発生するため、本発明に係る技術を用いてフラッシュ光照射により加熱処理を行うことにより昇華物の発生を低減することができる。要するに、加熱されることによって昇華物を発生する膜を表面に形成した基板Wの熱処理を行うのに本発明に係る技術を好適に適用することができる。フラッシュ光照射によって加熱処理時間を極めて短時間とすることにより、膜から昇華物が多量に発生する前に加熱処理を完了することができ、焼成時に発生する昇華物を大幅に低減することができる。また、第3実施形態において、基板Wを反転させ、反射防止膜が形成された表面が下側を向くように基板Wを保持部80に保持させるようにしても良い。そして、チャンバー70の下側に設けられたフラッシュ照射部60から基板Wの表面に向けてフラッシュ光を照射する。このようにしても、第1実施形態と同じく反射防止膜が形成された基板Wの表面にフラッシュ光が照射されることとなるため、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、基板Wを反転させる機構としては、搬送ロボットTR1に搬送アーム24a,24bを回転させる機構を設けるようにしても良いし、搬送ロボットTR1とは別個の反転機構を設けるようにしても良い。また、第3実施形態において、第2実施形態と同様の黒体板を基板WとフラッシュランプFLとの間に設けるようにしても良い。フラッシュ光照射によって黒体板から基板Wの裏面に向けて熱放射がなされ、基板Wの全体が加熱されて表面に形成された反射防止膜の焼成処理が行われることとなる。また、基板処理装置1に複数台のフラッシュベークユニットFLBを搭載するようにしても良い。この場合、複数のフラッシュベークユニットFLBを並行して使用するようにしても良いし、一部のフラッシュベークユニットFLBを予備としても良い。また、上記実施形態においては、フラッシュ光照射時の処理温度T1を変更するのに、コンデンサ93への充電電圧を変化させることによって実現していたが、これに限定されるものではなく、フラッシュランプFLからのフラッシュ光照射の強度を変更する任意の手法を採用することができる。例えば、フラッシュランプFLの陽極と陰極とを結ぶ配線に絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBTなどのスイッチング素子を設け、そのスイッチング素子によってフラッシュランプFLに流れる電流を制御することにより、フラッシュ光照射の強度を変えてフラッシュ光照射時の処理温度T1を変更するようにしても良い。また、電源ユニット91に容量の異なる複数種類のコンデンサを設け、これらを切り替えることによってフラッシュ光照射の強度を変えるようにしても良い。また、本発明に係る熱処理技術によって処理対象となる基板Wは半導体ウェハーに限定されるものではなく、液晶表示装置などに用いるガラス基板や太陽電池用の基板であっても良い。"