"第一雰囲気種を持つ第一蒸着領域において少なくとも第一層を、分離領域によって第一雰囲気種から分離された第二雰囲気種を持つ第二蒸着領域において少なくとも第二層を真空下において蒸着することを含む、平板ガラス基板の上に多層被覆積層物を蒸着するための方法であって、平板ガラス基板が護送路に沿って分離領域を通って第一蒸着領域から第二蒸着領域まで移動する方法において、ガスが護送路の近くの分離領域中に注入されて二つの雰囲気種間の分離係数を増加することを特徴とする方法。分離領域内の雰囲気のガスがポンピングによって吸引されることを特徴とする請求書1に記載の方法。ガスが、穴を穿孔されたパイプを通して注入されることを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。ガスが二つの蒸着領域の各々の近くで注入されることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の方法。ガスが護送路の方にかつそれに垂直に注入されることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の方法。ガスが近い蒸着領域の開口の方に注入されることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の方法。ガスが護送路の10mm~100mm、好ましくは15mm~50mmに注入されることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の方法。ガスが、基板の上に規定されたトンネル路の内側に注入されることを特徴とする請求項1~7のいずれかに記載の方法。平板ガラス基板上に真空下で薄層を蒸着するためのモジュール式コータであって、少なくとも二つの蒸着領域と、それらの間にガス分離領域を有し、分離領域を介して一つの蒸着領域から他の蒸着領域の方へ開口を通って進むガラス基板のための護送路を有するものにおいて、ガス分離領域が護送路の近くに少なくとも一つのガス注入器を含むことを特徴とするモジュール式コータ。ガス分離領域が、ガス分離領域から外にガスを吸引するためのポンピング手段を含むことを特徴とする請求項9に記載のモジュール式コータ。被覆手段が護送路の上に配置され、ガラス基板がその上を護送されるときにガス分離領域内の護送路とともにトンネル路を規定すること、及び少なくとも一つのガス注入器が前記トンネル内に配置されることを特徴とする請求項9又は10に記載のモジュール式コータ。ガス注入器が、護送路方向に垂直な領域幅に沿って配置された穴を穿孔されたパイプを含むことを特徴とする請求項9~11のいずれかに記載のモジュール式コータ。ガス注入器が二つの蒸着領域の各々の10mm~100mmに配置されることを特徴とする請求項9~12のいずれかに記載のモジュール式コータ。図1及び2は、分離領域又はチャンバーBを間に有する第一及び第二蒸着領域Aを形成する二つのチャンバーを含むモジュールを概略的に示す。蒸着領域の任意のポンピング手段は示されていない。分離領域は護送路の上に二つの区画Dを含む。各区画Dは、区画の内側の低レベルの圧力を維持し、分離係数を調整するために、上に少なくとも一つのポンピング手段Cそれは活性化されたり、活性化されなかったりすることができるを含む。護送路Hは、分離チャンバーの内側のローラコンベアFによって具体化される。第一蒸着領域Aと分離領域Bの間に、ガラス基板の通過の余地を有する開口Gがある。同様に、分離領域Bと第二蒸着領域Aの間に開口Gがある。各ポンピング区画Dは、護送路の約10~50mm上に配置されたプレートの形の被覆手段によって下を閉じられ、従って二つの蒸着領域の間の護送路の上で基板それが存在するときとともにトンネル路を形成する。各プレートには、ポンピング手段がトンネル路からガスを抽出することを可能にするスリットKがある。ガス注入器Eは、トンネル路の入口及び出口の近くに配置され、トンネル路を被覆するプレートに固定される。各ガス注入器は、ガスが護送路の方向にその約20mm上に注入されるように穴を穿孔されたパイプである。図2には、ガスが蒸着領域からポンピング区画を通して抽出されることを可能にする各蒸着領域Aとポンピング区画Dの間に側部開口Jも存在する。ガス分離係数SFは、異なるパラメータを調整及び/又は組み合わせることによってさらに増加されることができる。それらのうち、通過ラインHの上の開口図1の符号Gを参照、分離トンネルBの長さ、コータの幅、及びポンプCの存在のようなガス分離領域寸法を見い出すことができる。寸法変更及びポンピング能力の追加は、静的分離と称される分離を行なう一般的な方法である。分離チャンバー領域長さの3倍の減少はガス分離係数を約50減少する。ポンピング能力を二つに分割することは、他の全てのパラメータを一定にした場合に分離係数を10低下することができる。従来技術と比較した本発明の効果を実施するために、我々は以下の試験を行なった。分離領域における追加のポンピングなしの簡単な注入の効果を証明するために、我々は分離チャンバー内にアルゴンのような中性ガス注入を加える。実験によって、2000sccm1分間あたりの標準立方センチメートル、ガス流量測定の注入量が分離係数を約2.5倍増加しうることが示される。1000sccmの注入量は分離係数を約20倍増加しうる。これは、本発明で達成可能な分離係数についての大きなフレキシビリティを示す。これらの結果は、分離領域へのポンピング能力の追加によって改良されることができる。もし我々が存在する設計で見い出されるものと同様のポンピング能力を考えるなら、分離領域におけるガス流れ注入とポンピング能力の両方についての改良は3.75~30倍の分離係数の増加を表わす。ポンピングチャンバーの上側の側部開口図2,Jを閉じることにある、分離領域におけるポンピング区域の設計の変更は、分離係数の値を40改良することができる。本発明は、短かいトンネル長さで標準的な分離係数値に等価な分離係数値を達成するか、又は標準的な分離領域長さで良好な分離係数値を達成する可能性を開く。本発明は、存在する設計ではコータを排気することなしには不可能である分離係数の調整を可能にする。コータの内側の圧力のレベルはターボ分子ポンプによって有利に制御され、工程に適合した圧力レベルを確実にする。所望の分離係数の値は、注入されたガスの量の変化によって調整される。ガスは注入器によって分離領域において注入され、ガスは分離領域自体から又は隣接する蒸着領域から来てもよい。最も好適なガス注入システムは、移動方向に垂直なチャンバー幅に沿って固定された穴を穿孔されたパイプから作られる。好ましくは、二つの蒸着領域の各々の近くにガス注入器がある。穴からのガスの流れは護送路の方にかつそれに垂直に向けられてもよく、又は対応する蒸着領域の開口の方に向けられてもよい。一つの実施形態では、注入器は約20mm直径の金属管であり、それらの全長にわたって分布された穴を有し、管は護送路の20mmの距離に護送路の幅を横切って配置される。分離領域においてガスを注入する他のいかなる方法も、注入装置の寸法又は幾何学的形状がどのようなものであれ本用途のために好適である。注入された流れは、質量流量計のような調整装置、又はガス流れを制御することができる他のいかなる装置によっても制御される。流量の適用可能な範囲は0~10000sccm標準立方センチメートルであり、それは流量又は圧力を制御することによって得られる。ガスの放出角又はパイプにおける穴の配向は幾何学的な制約に従って変化することができる。もし二つ以上の注入器が使用されるなら、流れは、均一に分布されるか、又は異なる注入器パイプの間では分布されないようにすることができる。例えば、もし二つのパイプが図1で示されているように使用され、全流量が2000sccmであるなら、一つのパイプにおける流量は1000sccmであることができ、第二のものにおいて1000sccmであることができるが、それは500~1500sccmであるか又は他のいかなる分布であることもできる。二つの蒸着領域を分離するためにガスを注入する原理は、いかなるタイプのガスに対しても有効であるが、当業者は、ガスの選択が分離される蒸着工程雰囲気に依存することがわかる。本発明に従ってガス注入と組み合わせるために最も好適なポンピング手段は、分離チャンバーの蓋に固定された、2300l/sの公称ポンピング能力を有する四つのターボ分子ポンプに基づく。本発明が最良の利点をとる工程圧力範囲は、理想的には0.1~15mTorrであることが好ましい。ポンプの数は0からチャンバーの周囲の利用可能な空間によって規定される最大量まで変化することができる。TMPターボ分子ポンプのポンピング能力は、圧力範囲と適合するように設計されなければならない。二つの蒸着領域の間の分離係数をさらに改良するためにポンピングしながら本発明による分離領域におけるガス注入は、マグネトロンスパッタリング工程圧力に限定されない。約100mTorrまでの高い圧力で実行する工程は、機械式ポンプ又はルートのような真空ポンプ類を備えた動的トンネルによって互いから分離されることができる。この場合において、注入されたガスの流量は前述したものよりずっと大きい。拡散ポンプ、機械ポンプのような他のタイプのポンプ、又は作用圧力に到達可能ないかなるポンプも好適である。最も好適な幾何学的形状は、二つの区画Dに分割された分離領域Bに基づく。各区画は、分離領域の蓋の上に置かれた二つのポンプCによってポンピングされる。区画の下部は、護送路の上にポンピングするためのスリットKを有するプレートである。スリットKのサイズは、0ポンピングなしと区画の全長完全開放の間で変化することができる。スリット開口は、図1及び2のようにトンネルの中央に位置される必要はない。ガスEの注入は、蒸着チャンバーとポンピングスリットKの間のコンベアFの上の分離チャンバーに位置される。トンネルの長さは100~2000mmで変化することができる。動的トンネルの開口Gは基板厚さに依存し、護送路Hの上に1~100mmで変化することができる。開口Gは第一蒸着領域Aと第二蒸着領域Bの間で異なってもよい。理想的には、区画Dは蒸着領域Aに対して直接的な開口図2,Jを持たないが、存在するコータについてのポンプ区域設計の性能は、トンネル内にガスを注入し、本構成ポンプ区域の側部の開口、図2のJを使用してそれをポンピングすることによって改良されることができる。動的トンネルの幅は、理想的にはコータの幅に対応する。幅は基板の用途及びサイズに依存する。当業者は、スリットが幅方向に完全に開放されるなら、均一なポンピングが達成されることがわかる。しかしながら、スリットKの幅を減少すると、ポンピング能力を変更するだけだろう。実施例1この実施例は、分離係数に対するガス注入流量の影響を示す。静的にポンピングされる分離システムに基づく従来技術の標準設計から出発して、我々は、本明細書で上述した記載に従ってガス分離係数SFを測定した。これらの値は、本発明に従った設計の変更後に得られた値と比較された。参照設計は、二つの蒸着領域間でポンピングなしで1000mm長さの分離トンネルからなる。Arの1000sccmの流れは、分離トンネルに隣接する各蒸着チャンバーに注入された。O2の40sccmの流れは一つの蒸着チャンバーだけに注入され、O2の分圧は他の蒸着チャンバーで測定された。本発明によれば、Arガスはトンネル内の分離領域図1参照に二つの異なる流量値で注入された。以下の表1は、分離トンネル内に注入されたArの増加する流量に対して測定された結果を要約する。SFは、ガスの注入なしの参照設計Arの0sccmに対して計算される。比較例1比較例1は、SFに対するトンネルのポンピングだけガス注入なしの影響を示す。ここで、参照設計は、9000~18000l/sの総ポンピング能力と比較してポンピングなしで300mm長さの分離トンネルからなる。Arの1000sccmの流れは、トンネルに隣接する各蒸着チャンバーに注入された。O2の40sccmの流れは一つの蒸着チャンバーに注入され、O2の分圧は他の蒸着チャンバーで測定された。以下の表2は、動的トンネルにおいて増加するポンピング能力に対して測定された結果を要約する。SFは、参照設計ポンピングなしに対して計算された。実施例2実施例2は、本発明による動的分離トンネル設計とVonArdenneタイプ設計の従来技術の標準的なコータの比較を示す。VonArdenneタイプの従来技術コータの設計は本明細書において上述されている。分離トンネルの長さは780mmである。それぞれ2300l/sの能力を有する四つのポンプがある。以下の表3は、両場合において実験的な絶対分離係数を与える。本発明は、全ての存在するマグネトロンコータにおいて実施されることができる。本発明はまた、工程の圧力約0.1mTorr~100mTorrがどのようなものであれ、効率的に分離されることが必要であるいかなる工程PECVDのためにも使用されることができる。主な利点は、本発明が小さな空間で良好な分離係数を可能にすることである。即ち、それは、投資のコストを制限するコンパクトなコータ設計で使用されることができるコンパクトなシステムであるが、一つの蒸着チャンバーにおいてマグネトロン被覆のような異なる工程を組み合わせ、PECVDプラズマ化学蒸着を次々と隣接して組み合わせることができる。"