真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内で基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板を加熱する加熱手段と、水素ガスと金属ガリウムとを反応させて水素化ガリウムを発生させ、前記処理容器内で前記基板保持部に保持された基板に水素化ガリウムを供給する水素化ガリウム発生器と、前記処理容器内で前記基板保持部に保持された基板に窒素源を供給する窒素源供給部とを具備し、前記水素化ガリウム発生器は、内部で水素ガスと金属ガリウムとを反応させ、水素化ガリウムを生成する本体容器と、前記本体容器内で金属ガリウムを収容する金属ガリウム容器と、前記本体容器内に水素ガスを供給する水素ガス供給部と、前記本体容器内を加熱する加熱手段と、前記本体容器に形成された水素化ガリウムを吐出する吐出孔とを有し、前記本体容器は、前記吐出孔が前記処理容器の内部と直接繋がるように配置されており、前記基板保持部に保持された基板の表面で、水素化ガリウムと窒素源とが反応してエピタキシャル成長により窒化ガリウム膜が成膜されることを特徴とする窒化ガリウム膜の成膜装置。前記水素化ガリウム発生器の前記本体容器は、前記処理容器の内部に収容されていることを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム膜の成膜装置。前記水素化ガリウム発生器の前記本体容器は、前記処理容器の外部に配置されており、前記吐出孔が前記処理容器の内部と直接繋がるように、前記処理容器の壁部に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム膜の成膜装置。前記窒素源供給部は、窒素源として窒素ラジカルまたは窒素プラズマを基板に供給することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の窒化ガリウム膜の成膜装置。前記窒素源供給部は、前記処理容器の外部で窒素プラズマを生成する窒素プラズマ発生部と、前記窒素プラズマ発生部で発生した窒素プラズマを前記処理容器に導入する窒素プラズマ導入部材と、前記導入された窒素プラズマから窒素イオンを掃引するためのイオンキャンセラーとを有し、窒素ラジカルを基板表面に供給することを特徴とする請求項4に記載の窒化ガリウム膜の成膜装置。前記窒素源供給部は、前記処理容器の外部で窒素プラズマを生成する窒素プラズマ発生部と、前記窒素プラズマ発生部で発生した窒素プラズマを前記処理容器に導入する窒素プラズマ導入部材とを有し、窒素プラズマを基板表面に供給することを特徴とする請求項4に記載の窒化ガリウム膜の成膜装置。水素化ガリウム発生器の本体容器内で水素ガスと金属ガリウムとを反応させて水素化ガリウムを発生させ、発生した水素化ガリウムを、前記本体容器から真空雰囲気の処理容器内に配管を介することなく直接導入して前記処理容器内に配置された基板の表面に水素化ガリウムを供給し、前記処理容器内に配置された基板の表面に窒素源を供給し、基板を加熱しつつ、基板の表面で、水素化ガリウムと窒素源とを反応させてエピタキシャル成長により窒化ガリウム膜を成膜することを特徴とする窒化ガリウム膜の成膜方法。前記窒素源として窒素ラジカルまたは窒素プラズマを用いることを特徴とする請求項7に記載の窒化ガリウム膜の成膜方法。処理容器内に配置された基板の表面で水素化ガリウムと窒素源とを反応させてエピタキシャル成長により窒化ガリウム膜を成膜する際に、水素化ガリウムを発生させる水素化ガリウム発生器であって、内部で水素ガスと金属ガリウムとを反応させ、水素化ガリウムを生成する本体容器と、前記本体容器内で金属ガリウムを収容する金属ガリウム容器と、前記本体容器内に水素ガスを供給する水素ガス供給部と、前記本体容器内を加熱する加熱手段と、前記本体容器に形成された水素化ガリウムを吐出する吐出孔とを有し、前記本体容器は、前記吐出孔が前記処理容器の内部と直接繋がるように配置されていることを特徴とする水素化ガリウム発生器。前記本体容器は、前記処理容器の内部に収容されていることを特徴とする請求項9に記載の水素化ガリウム発生器。前記本体容器は、前記処理容器の外部に配置されており、前記吐出孔が前記処理容器の内部と直接繋がるように、前記処理容器の壁部に接続されていることを特徴とする請求項9に記載の水素化ガリウム発生器。上記特許文献1および非特許文献1の技術は、窒化ガリウム膜を成膜するための処理容器の外部で水素化ガリウムを発生させ、配管を介して水素化ガリウムを処理容器内に供給しているが、配管中で水素化ガリウムがガリウムに戻って配管を閉塞させるおそれがある。また、配管で輸送している間に不純物が入り込むおそれもある。本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、配管を閉塞させるといった不都合が生じることなく高純度の窒化ガリウム単結晶膜を効率良く成膜することができる窒化ガリウム膜の成膜装置および成膜方法、ならびにそれに用いる水素化ガリウム発生器を提供することを課題とする。上記課題を解決するため、本発明の第1の観点では、真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内で基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板を加熱する加熱手段と、水素ガスと金属ガリウムとを反応させて水素化ガリウムを発生させ、前記処理容器内で前記基板保持部に保持された基板に水素化ガリウムを供給する水素化ガリウム発生器と、前記処理容器内で前記基板保持部に保持された基板に窒素源を供給する窒素源供給部とを具備し、前記水素化ガリウム発生器は、内部で水素ガスと金属ガリウムとを反応させ、水素化ガリウムを生成する本体容器と、前記本体容器内で金属ガリウムを収容する金属ガリウム容器と、前記本体容器内に水素ガスを供給する水素ガス供給部と、前記本体容器内を加熱する加熱手段と、前記本体容器に形成された水素化ガリウムを吐出する吐出孔とを有し、前記本体容器は、前記吐出孔が前記処理容器の内部と直接繋がるように配置されており、前記基板保持部に保持された基板の表面で、水素化ガリウムと窒素源とが反応してエピタキシャル成長により窒化ガリウム膜が成膜されることを特徴とする窒化ガリウム膜の成膜装置を提供する。上記第1の観点において、前記水素化ガリウム発生器の前記本体容器は、前記処理容器の内部に収容されている構成とすることができる。また、前記水素化ガリウム発生器の前記本体容器は、前記処理容器の外部に配置されており、前記吐出孔が前記処理容器の内部と直接繋がるように、前記処理容器の壁部に接続されている構成とすることもできる。前記窒素源供給部は、窒素源として窒素ラジカルまたは窒素プラズマを基板に供給するものとすることができる。この場合に、前記窒素源供給部は、前記処理容器の外部で窒素プラズマを生成する窒素プラズマ発生部と、前記窒素プラズマ発生部で発生した窒素プラズマを前記処理容器に導入する窒素プラズマ導入部材と、前記導入された窒素プラズマから窒素イオンを掃引するためのイオンキャンセラーとを有し、窒素ラジカルを基板表面に供給するものとすることができる。または、上記構成からイオンキャンセラーを削除して窒素プラズマを基板表面に供給するものとすることができる。本発明の第2の観点では、水素化ガリウム発生器の本体容器内で水素ガスと金属ガリウムとを反応させて水素化ガリウムを発生させ、発生した水素化ガリウムを、前記本体容器から真空雰囲気の処理容器内に配管を介することなく直接導入して前記処理容器内に配置された基板の表面に水素化ガリウムを供給し、前記処理容器内に配置された基板の表面に窒素源を供給し、基板を加熱しつつ、基板の表面で、水素化ガリウムと窒素源とを反応させてエピタキシャル成長により窒化ガリウム膜を成膜することを特徴とする窒化ガリウム膜の成膜方法を提供する。本発明の第3の観点では、処理容器内に配置された基板の表面で水素化ガリウムと窒素源とを反応させてエピタキシャル成長により窒化ガリウム膜を成膜する際に、水素化ガリウムを発生させる水素化ガリウム発生器であって、内部で水素ガスと金属ガリウムとを反応させ、水素化ガリウムを生成する本体容器と、前記本体容器内で金属ガリウムを収容する金属ガリウム容器と、前記本体容器内に水素ガスを供給する水素ガス供給部と、前記本体容器内を加熱する加熱手段と、前記本体容器に形成された水素化ガリウムを吐出する吐出孔とを有し、前記本体容器は、前記吐出孔が前記処理容器の内部と直接繋がるように配置されていることを特徴とする水素化ガリウム発生器を提供する。本発明によれば、ガリウム源として炭化水素が存在しない水素化ガリウムを用いるので、MOVPEを用いた場合のような膜中への炭化水素の取り込みが生じず、形成される窒化ガリウム膜を高純度のものとすることができる。また、水素化ガリウム発生器の本体容器は、その水素化ガリウムを吐出する吐出孔が処理容器の内部と直接繋がるように配置されているので、本体容器から吐出された水素化ガリウムは処理容器内に直接導入され、処理容器とは別個の場所で水素化ガリウムを生成して配管を介して処理容器内に導く場合と比較して、水素化ガリウムが金属ガリウムに戻ることによる配管の閉塞や配管からの不純物の混入が生じずに効率良く成膜することができる。さらに、水素化ガリウムは加熱された水素ガスや水素ラジカルと金属ガリウムを低温で反応させて発生させることができ、また反応性が高いため、MOVPEよりも低温で成膜することができ、また処理容器内の圧力についても特段の高真空にすることなく成膜が可能である。以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について具体的に説明する。図1は本発明の一実施形態に係る窒化ガリウム膜の成膜装置を示す断面図である。図1に示すように、成膜装置100は、処理容器1と、基板加熱部10と、水素化ガリウム発生器20と、窒素ラジカル生成部30と、水素ラジカル生成部40と、排気部50と、制御部60とを有している。基板加熱部10は、処理容器1の底部において、脚部12に支持された状態で基板Sを保持するサセプタ11を有している。サセプタ11は例えばPBNでコーティングされたカーボンからなり、脚部12は例えば石英からなる。サセプタ11の内部には、抵抗加熱ヒータ13が設けられている。サセプタ11には熱電対14が埋設されており、この熱電対14の検出信号に基づいて図示していない温度制御部により基板Sの温度が400~1300°C、好適には600~1100°C、例えば800°Cに制御されるようになっている。基板Sとしてはサファイアを好適に用いることができる。水素化ガリウム発生器20は、図2にも拡大して示すように、処理容器1内に配置された本体容器21と、本体容器21内に配置された内部に金属ガリウムGa23が収容された金属ガリウム容器22と、本体容器21に水素ガスを供給する水素ガスノズル25と、本体容器21内に設けられた熱クラッキングヒータ26とを有している。本体容器21の壁部には熱電対28が埋設されており、この熱電対28の検出信号に基づいて図示していない温度制御部により本体容器21内の温度が700~1000°C、好適には850~950°C、例えば900°Cに制御されるようになっている。ガリウム容器22は例えばBNからなる坩堝で構成されており、図示していないヒータにより加熱されてガリウム蒸気が生成されるようになっている。また、水素ガスノズル25へは図示していない流量制御器MFCで流量制御して水素ガスが供給される。水素ガスは熱クラッキングヒータ26によって加熱されて一部が水素ラジカルとなる。これら水素ガスおよび水素ラジカルは、ガリウム容器22内の金属ガリウム23および金属ガリウム23が蒸発して形成されたGa蒸気と反応して、水素化ガリウムGaH3等ガスが生成される。本体容器21の底部には、生成した水素化ガリウムガスを吐出するための複数の吐出孔24が形成されており、水素ガスにより搬送された水素化ガリウムガスが吐出孔24から吐出され、基板Sに向けて供給される。なお、本体容器21内には、ガリウム容器22の上方には邪魔板27が配置されている。窒素ラジカル生成部30は、窒素源として窒素ラジカルを生成して基板Sに供給するものであり、窒素プラズマ発生部31と、窒素プラズマを処理容器1内に導入する窒素プラズマ導入管32と、イオンキャンセラー33とを有する。窒素プラズマ発生部31には図示していない流量制御器MFCで流量制御して窒素ガスが供給され、その中で高周波電界を発生させることにより窒素プラズマが生成される。プラズマ生成方式としては、高周波により誘導電界を生じさせる誘導結合型のものが例示される。そして、窒素プラズマ導入管32内を処理容器1に向かって導かれた窒素プラズマはイオンキャンセラー33に至り、N2等の窒素イオンは掃引されて基板Sには到達しないようにされ、窒素ラジカルNのみが基板Sに供給されるようになっている。水素ラジカル生成部40は、水素ガスが導入されて水素ラジカルを生成して処理容器1内に導入する水素ラジカル生成管41と、水素ラジカル生成管41の内部に設けられた熱クラッキングヒータ42を有している。そして、水素ラジカル生成管41へは図示していない流量制御器MFCで流量制御して水素ガスが供給され、この水素ガスは熱クラッキングヒータ42により加熱されて水素ラジカルHとなり、基板Sに向けて供給される。この水素ラジカル生成部40は、成膜前処理として、基板Sに水素ラジカルを供給して水素アニールによる基板S表面の酸化膜の除去を行う。また、成膜中には、水素化ガリウムの水素終端の除去を行う。排気部50は、処理容器1の側壁下部に接続された排気管51と、排気管51に設けられた圧力制御バルブAPC52と、排気管51を介して処理容器1内を排気する真空ポンプ等からなる排気装置53とを有している。圧力制御バルブAPC52は、圧力計54により計測される圧力に基づいて、処理容器1内が所定の圧力になるように、その開度が調整される。制御部60は、各構成部、具体的には基板加熱部10、水素化ガリウム発生器20、窒素ラジカル生成部30、水素ラジカル生成部40、排気部50を制御する。この制御部60は、マイクロプロセッサコンピュータを備えたコントローラ61と、ユーザーインターフェース62と、記憶部63とを有している。コントローラ61には成膜装置100の各構成部が電気的に接続されて制御される構成となっている。ユーザーインターフェース62は、コントローラ61に接続されており、オペレータが成膜装置の各構成部を管理するためにコマンドの入力操作などを行うキーボードや、成膜装置の各構成部の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなっている。記憶部63もコントローラ61に接続されており、この記憶部63には、成膜装置100で実行される各種処理をコントローラ61の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて成膜装置100の各構成部に所定の処理を実行させるための制御プログラムすなわち処理レシピや、各種データベース等が格納されている。処理レシピは記憶部63の中の記憶媒体図示せずに記憶されている。記憶媒体は、ハードディスク等の固定的に設けられているものであってもよいし、CDROM、DVD、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース62からの指示等にて所定の処理レシピを記憶部63から呼び出してコントローラ61に実行させることで、コントローラ61の制御下で、成膜装置100での所望の処理が行われる。処理容器1の側壁には基板Sを搬入および搬出するための搬入出口図示せずが形成されており、ゲートバルブ図示せずにより開閉可能となっている。次に、以上のように構成された成膜装置100による成膜方法について説明する。なお、以下の成膜方法は、記憶部63の記憶媒体に記憶された処理レシピに従って、コントローラ61により制御しつつ行われる。まず、最初に、ゲートバルブを開け、搬入出口から適宜の搬送装置により基板Sを処理容器1内に搬入してサセプタ11上に載置し、排気装置53により処理容器1内を排気して10-2~100Pa程度、例えば0.5Paの真空状態にするとともに、抵抗加熱ヒータ13により、400~1300°Cの範囲の所定の温度、好ましくは600~1100°Cの範囲、例えば800°Cに加熱する。基板Sとしては例えばC面が上面になるようにしたサファイア基板を用いることができる。この状態で、まず、水素ラジカル生成部40において生成された水素ラジカルHを基板Sに供給し、成膜前処理として基板Sの表面の自然酸化物を除去する。次に、水素化ガリウム発生器20の水素ガスノズル25から本体容器21内に0.1~500sccmmL/min、例えば5sccmmL/minの流量で水素ガスを供給し、熱クラッキングヒータ26により本体容器21内を700~1000°C、好ましくは850~950°C、例えば900°Cに加熱するとともに、供給された水素ガスの一部を水素ラジカルとし、これら水素ガスおよび水素ラジカルと、ガリウム容器22内の金属ガリウム23および金属ガリウム23の蒸気と反応させて、水素化ガリウムGaH3等ガスを生成し、この水素化ガリウムガスを水素ガスに搬送させて本体容器21の底部の吐出孔24から吐出させ、基板Sに供給する。一方、窒素ラジカル生成部30では、窒素ガスを1~500sccmmL/min、例えば5sccmmL/minの流量で窒素プラズマ発生部31に供給して高周波電界により窒素プラズマを発生させ、窒素プラズマ導入管32により窒素プラズマを処理容器1内に導き、イオンキャンセラー33でN2等の窒素イオンを掃引して、窒素ラジカルNのみを基板Sに供給する。なお、イオンキャンセラー33を用いずに窒素イオンも含む窒素プラズマを基板Sに供給してもよい。ただし、窒素ラジカルのみを供給することにより、一層高い反応性を得ることができる。これにより、400~1300°Cに加熱された基板S上で水素化ガリウムと窒素ラジカルとが供給され、基板S上でこれらが反応して、エピタキシャル成長により基板S上に単結晶である窒化ガリウムGaN膜70が形成される。成膜処理の際には、水素ラジカル生成部40から水素ラジカルを処理容器1内に供給し、処理容器1内の水素化ガリウムの水素終端の除去を行ってもよい。このように基板S上に単結晶である窒化ガリウム膜70が所定の厚さで形成された時点で、水素化ガリウム発生器20における水素ガスの供給および窒素ラジカル生成部30の窒素ガスの供給を停止して、成膜を終了させ、処理容器1内を外部の圧力に適合させた後、ゲートバルブを開いて搬入出口から適宜の搬送装置により窒化ガリウム膜が成膜された基板Sを搬出する。本実施形態では、ガリウム源として炭化水素が存在しない水素化ガリウムを用いるので、MOVPEを用いた場合のような膜中への炭化水素の取り込みが生じず、形成される窒化ガリウム膜を高純度のものとすることができる。また、処理容器1内に水素化ガリウム発生器20の本体容器21を設けて、本体容器21の吐出孔24が処理容器1内に直接繋がった状態とし、本体容器21内で水素ガスおよび水素ラジカルと金属ガリウムとを反応させてin-situで水素化ガリウムを発生させ、その水素化ガリウムを吐出孔24を介して処理容器1内に直接導入するようにしたので、上記特許文献1、非特許文献1のように処理容器とは別個の場所で水素化ガリウムを生成して配管を介して処理容器内に導く場合と比較して、水素化ガリウムが金属ガリウムに戻ることによる配管の閉塞や配管からの不純物の混入が生じずに効率良く成膜することができる。さらに、水素化ガリウムは加熱された水素ガスや水素ラジカルと金属ガリウムを低温で反応させることにより発生させることができ、また反応性が高いため、MOVPEよりも低温で成膜することができ、また処理容器内の圧力についても特段の高真空にすることなく成膜が可能であり、一般的なCVD装置と同程度の圧力条件でよいことから、工業的に優位性を有する。さらに、窒素ラジカル生成部30において、処理容器1の外部で窒素ガスのプラズマを発生させ、これを処理容器1内に導いて、反応性が高い窒素ラジカルを窒素源として基板Sに供給するので、より低温でかつ一層高効率で窒化ガリウム膜を成膜することができる。処理容器1内にプラズマを生成すると、プラズマがエピタキシャル成長の妨げになるので処理容器1内に窒素プラズマを生成することはできないが、このようなリモートプラズマを用いることによりラジカルの高反応性を利用しつつエピタキシャル成長させることが可能である。なお、本実施形態では、窒素プラズマからイオンキャンセラー33を用いて窒素イオンN2等を掃引することにより窒素ラジカルを得ているが、窒素イオンを掃引することなく窒素プラズマを基板Sに供給してもエピタキシャル成長による窒化ガリウム膜の成膜は可能である。しかし、窒素イオンの主体をなすN2は、窒素原子を2個含んだイオンであるため、窒素ラジカルNよりは反応性が低いため、窒素ラジカルを用いることが好ましい。次に、他の実施形態について説明する。図3は、本発明の他の実施形態に係る窒化ガリウム膜の成膜装置を示す断面図である。この実施形態では、水素化ガリウム発生器20の本体容器21が処理容器1の外部にある点が異なっている他は、図1の成膜装置と同様に構成されている。したがって、図1と同じものには同じ符号を付して説明する。本実施形態では、水素化ガリウム発生器20の本体容器21が処理容器1の外部に存在するが、本体容器21の下部が処理容器1の天壁に接続されており、本体容器21の吐出孔24が処理容器1の内部に直接繋がっている。したがって、本体容器21内で生成された水素化ガリウムは、配管を介することなく、吐出孔24から直接処理容器1内に導入することができる。このため、本実施形態でも、水素化ガリウムが金属ガリウムに戻ることによる配管の閉塞や配管からの不純物の混入が生じずに効率良く成膜することができるといった効果を得ることができる。従前の実施形態のほうが水素化ガリウム発生器20を基板Sにより近い位置に配置できるため反応効率が高く有利であるが、処理容器1が狭い場合等、本実施形態の構成をとったほうが有利な場合もある。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、水素化ガリウム発生器を処理容器の内部に配置した例、および処理容器の天壁に接続して吐出孔を処理容器内と直接繋がるようにした例を示したが、処理容器の側壁に接続して吐出孔を処理容器内と直接繋がるようにしてもよい。また、上記実施形態では、窒化ガリウムを形成するための窒素源として、処理容器の外部で生成した窒素プラズマを処理容器内に導き、窒素ラジカルとしてまたは窒素プラズマのままで基板に供給する例を示したが、窒素イオンを用いてもよいし、アンモニアNH3ガス等の窒素化合物ガスを用いてもよい。この場合には、活性をもたせるために窒素化合物は加熱して用いることが好ましい。基板としてサファイアを用いた例を示したが、窒化ガリウムをエピタキシャル成長できる材料であればこれに限るものではない。