ラマンスペクトル測定において、少なくとも123±5cm1、139±5cm1及び170±5cm1にピークを示す構造を有することを特徴とするフッ素ドープ酸化スズ粒子。更に78±5cm1、97±5cm1、109±5cm1、186±5cm1及び207±5cm1にラマンスペクトルのピークが観察される請求項1に記載のフッ素ドープ酸化スズ粒子。比表面積が10~300m2/gである請求項1又は2に記載のフッ素ドープ酸化スズ粒子。一次粒子の平均粒径が1~5000nmである請求項1ないし3のいずれか一項に記載のフッ素ドープ酸化スズ粒子。更に塩素がドープされている請求項1ないし4のいずれか一項記載のフッ素ドープ酸化スズ粒子。フッ化スズIIと塩基性化合物とを水中で混合して、フッ素を含むスズの沈殿物を生成させ、該沈殿物を含酸素雰囲気下に焼成することを特徴とするフッ素ドープ酸化スズ粒子の製造方法。水酸基を有する有機化合物を更に混合する請求項6に記載の製造方法。水溶性スズII化合物ただしフッ化物は除くと、水溶性フッ化物と、塩基性化合物とを水中で混合して、フッ素を含むスズの沈殿物を生成させ、該沈殿物を含酸素雰囲気下に焼成することを特徴とするフッ素ドープ酸化スズ粒子の製造方法。水酸基を有する有機化合物を更に混合する請求項8に記載の製造方法。水溶性スズII化合物として塩化スズIIを用いる請求項8又は9に記載の製造方法。しかし前記の各特許文献で得られたフッ素ドープ酸化スズ粒子の導電性は未だ満足できるものではない。したがって本発明の課題は、前述した従来技術が有する種々の欠点を解消し得るフッ素ドープ酸化スズ粒子を提供することにある。本発明は、ラマンスペクトル測定において、少なくとも123±5cm1、139±5cm1及び170±5cm1にピークを示す構造を有することを特徴とするフッ素ドープ酸化スズ粒子を提供するものである。また本発明は、前記のフッ素ドープ酸化スズ粒子の好適な製造方法として、フッ化スズIIと塩基性化合物とを水中で混合して、フッ素を含むスズの沈殿物を生成させ、該沈殿物を含酸素雰囲気下に焼成することを特徴とするフッ素ドープ酸化スズ粒子の製造方法を提供するものである。また本発明は、前記のフッ素ドープ酸化スズ粒子の別の好適な製造方法として、水溶性スズII化合物ただしフッ化物は除くと、水溶性フッ化物と、塩基性化合物とを水中で混合して、フッ素を含むスズの沈殿物を生成させ、該沈殿物を含酸素雰囲気下に焼成することを特徴とするフッ素ドープ酸化スズ粒子の製造方法を提供するものである。本発明のフッ素ドープ酸化スズ粒子は、導電性が高く、また導電性の経時安定性が高いものである。以下本発明を、その好ましい実施形態に基づき説明する。本発明のフッ素ドープ酸化スズ以下FTOともいう。粒子は導電性粒子である。本発明においては、該粒子の導電性を高める目的でフッ素がドープされている。本発明のFTO粒子は、酸化スズの結晶中において酸素原子の位置がフッ素原子で置換された構造を有していると考えられる。本発明のFTO粒子はN型半導体の性質を有し、電子がキャリアとなって導電性を発現すると考えられる。本発明のFTO粒子は、ラマンスペクトル測定において、低波数領域、具体的には少なくとも123±5cm1、139±5cm1及び170±5cm1にピークを示す構造を有するものである。つまり本発明の酸化スズ粒子はラマン活性を有するものである。これまで知られているFTOはこれらの波数の位置にラマンスペクトルのピークを示さない。つまり、これらの波数の位置にラマンスペクトルのピークを示すFTO粒子はこれまで知られておらず、本発明のFTO粒子は極めて新規なものである。本発明のFTO粒子は、ラマンスペクトル測定において、上述したラマン散乱光のピークに加え、78±5cm1、97±5cm1、109±5cm1、186±5cm1及び207±5cm1にもピークが観察されることがある。これらの位置にピークが観察されるFTO粒子は、上述の位置にピークが観察されるFTO粒子よりも一層高い導電性を示す。ラマンスペクトルの測定手順は、後述する実施例において詳述する。前記の波数の位置にラマンシフトのピークが観察される本発明のFTO粒子は、該ピークが観察されないFTO粒子に比べて導電性が高くなる。このような本発明のFTO粒子のラマン活性は、該FTO粒子を熱処理することによって消失することが本発明者らの検討の結果判明した。そして、ラマン活性が消失した酸化スズ粒子はもはや高導電性のものではなくなり、高抵抗を示す。このことから、本発明の酸化スズ粒子の導電性は、該導電性を発現する格子振動に由来するのではないかと本発明者は考えている。前記の熱処理は、例えば大気雰囲気中、450°C以上において2時間以上行われる。従来知られている導電性酸化スズは、一般に四価のスズに、フッ素、アンチモン、ニオブ、タンタル等のドーパント元素をドープして導電性を高めていたところ、本発明においてはFTO中における格子振動をコントロールすることで、導電性を高めている。具体的には、本発明のFTO粒子が示すラマン活性は、電子伝導性を発現する導電パスに起因していると考えられる。尤も、粉末X線回折測定を行うと、本発明のFTO粒子と、これまで知られているFTO粒子とでは実質的な違いが観察されないことから、本発明のFTO粒子は、粉末X線回折測定に現れるような中長距離的な結晶構造の秩序が、従来のFTO粒子と相違している訳ではなく、近距離又は原子間結合のようなミクロな構造が、従来のFTO粒子と相違していると考えられる。そして、その相違に起因してキャリア移動度が高まり、低抵抗を実現できたのではないかと、本発明者らは考えている。この構成を採用することによって、従来用いられてきたドーパント元素が有する不都合、例えば経済的に不利であることや、環境負荷が大きいこと等を克服しつつ、FTO粒子の導電性を高めることが可能となった。ラマン活性を有するFTO粒子を得るためには、後述する製造方法に従いFTO粒子を製造すればよい。ところで、二価のスズのみからなる酸化物は、導電性は有するものの黒色となり、透明性が要求される用途、例えば透明導電膜等に利用することができない。一方、四価のスズのみからなる酸化物は、二価のスズのみからなる酸化物に比べて導電性を高くすることができない。これに対して、本発明のFTO粒子は白色系であり、透明導電膜等に利用することができ、かつ導電性が高いので、該透明導電膜等の導電性を高めることが可能となる。なお、本発明のFTO粒子は、これを粉末X線回折測定すると、四価のSnO2と同様の回折ピークを呈する。したがって、本発明のFTO粒子におけるスズの価数は大部分が四価であると考えられる。本発明のFTO粒子におけるドーパントであるフッ素の含有量は、FTOの全量に対して0.01~5質量、特に0.05~1質量であることが、経済性を損なうことなく、FTO粒子の導電性を高め得る点から好ましい。また、FTO粒子におけるスズと酸素との割合は、スズ1モル対して酸素原子が1.5~2.5モル、特に1.8~2.2モルであることが好ましい。本発明のFTO粒子は、ドーパントとしてフッ素のみを含有し、他のドーパント元素、例えば塩素を含有していなくてもよく、あるいはフッ素に加えて他のドーパント元素、例えば塩素を含有していてもよい。ドーパントしてフッ素に加えて塩素が含まれていることで、フッ素と同族である塩素が、酸化スズ中の結晶中において酸素原子の位置と置換してキャリア電子を発生させる結果、FTO粒子が一層低抵抗になる。この観点から、本発明のFTO粒子に、フッ素に加えて塩素が含まれている場合、塩素の含有量は、FTO粒子の全量に対して0.01~1.5質量、特に0.05~1質量であることが好ましい。酸化スズが導電性を発現するためには、一般にその結晶中に酸素欠損を有することが必要であるとされている。これとは対照的に、本発明のFTO粒子は、後述する製造方法から明らかなように、酸素欠損を実質的に非含有である。酸素欠損を実質的に非含有であることは、電気抵抗の経時安定性が高いという利点をもたらす。従来知られているFTO粒子は、その製造時に酸素欠損が生ずるような条件を採用しており、そのことに起因してFTOの結晶中においてフッ素が十分に固定されず、その結果、電気抵抗の経時安定性が劣るものになると考えられる。本発明のFTO粒子が酸素欠損を実質的に非含有であることは、以下の条件で行ったプレッシャークッカーテスト以下PCTともいう。の前後での圧粉抵抗の増加率を指標に判断することができる。詳細には、PCTの前後での圧粉抵抗の増加率が低い場合、具体的には圧粉抵抗の増加率であるRb/Raの値が好ましくは10以下である場合、更に好ましくは8以下である場合には、酸素欠損を実質的に非含有であると判断できる。ここで、Raは、PCT前のフッ素ドープ酸化スズ粒子の圧粉抵抗を表し、Rbは、PCT後のフッ素ドープ酸化スズ粒子の圧粉抵抗を表す。PCTは以下の方法で行われる。FTO粒子2gと水1gとを30mLの耐圧容器に入れて密封した後、大気雰囲気下に180°Cを3時間維持する。耐圧容器が室温に戻ってから粒子を取り出し、80°Cで2時間大気乾燥した後に圧粉抵抗を測定する。圧粉抵抗の測定方法は後述する。上述のとおり、本発明のFTO粒子は圧粉抵抗の増加率が低いものであるところ、FTO粒子の圧粉抵抗それ自体は、500kgf/cm2下での圧粉抵抗が101Ωcm以下、特に100Ωcm以下、とりわけ101Ωcm以下という低い値である。本発明のFTO粒子は、一次粒子の平均粒径が好ましくは1~5000nm、更に好ましくは3~3000nm、一層好ましくは3~1000nm、更に一層好ましくは3~200nmである。一次粒子の平均粒径の測定方法は、後述する実施例において説明する。FTO粒子の粒径は、例えば後述する製造方法において、水酸基を有する有機化合物の使用の有無や使用量によって調整することができる。また、本発明のFTO粒子は高比表面積を有するものである。具体的には、BET比表面積が10~300m2/g、特に10~100m2/g、とりわけ10~40m2/gという高比表面積を有するものである。FTO粒子の比表面積は、例えば後述する製造方法において、水酸基を有する有機化合物の使用の有無や使用量によって調整することができる。本発明のFTO粒子は、これを膜状に成形した場合に、透明性の高いものである。例えば厚さ2~3μmで、FTO粒子の含有量が30~80質量の膜を製造した場合、この膜の可視光の全光線透過率は85以上、特に90以上という透明性の高いものとなる。また本発明のFTO粒子は、赤外光に対する透明性が低いものである。例えば厚さ2~3μmで、酸化スズ粒子の含有量が30~80質量の膜を製造した場合、波長1500nmにおける赤外光の透過率は好ましくは80以下、更に好ましくは70以下であり、波長2000nmにおける赤外光の透過率は好ましくは50以下、更に好ましくは30以下という赤外光遮蔽性の高いものとなる。膜の形成方法や、全光線透過率及び赤外光透過率は、後述する実施例において詳述する。次に本発明のFTO粒子の好ましい製造方法について説明する以下、この製造方法を製造方法1という。製造方法1においては、フッ化スズIIと塩基性化合物とを水中で混合して、フッ素を含むスズの沈殿物を生成させ、該沈殿物を含酸素雰囲気下に焼成する。以下、具体的な工程について説明する。先ず原料としてフッ化スズIIの水溶液を用意する。水溶液中におけるフッ化スズIIの濃度は1.0×103~2.5mol/l、特に1.0×102~1mol/lであることが好ましい。原料として二価のスズに代えて四価のスズを用いると、高抵抗の酸化スズしか得られない。フッ化スズIIの水溶液とは別に塩基性化合物アルカリの水溶液も用意する。塩基性化合物としては、例えば水酸化ナトリウムや水酸化カリウム等のアルカリ金属の水酸化物、水酸化マグネシウム等のアルカリ土類金属の水酸化物、NaHCO3やNH4HCO3等の炭酸塩、アンモニア等が挙げられる。塩基性化合物の水溶液中の水酸化物イオンの濃度は、1.0×103~6mol/l、特に1.0×102~1mol/lであることが好ましい。このようにして得られたフッ化スズIIの水溶液と塩基性化合物の水溶液とを混合してフッ素を含むスズの沈殿物を生成させる。沈殿物の生成に際しては、フッ化スズIIの水溶液を母液とし、これに塩基性化合物の水溶液をフィード液として添加してもよく、あるいは塩基性化合物の水溶液を母液とし、これにフッ化スズIIの水溶液をフィード液として添加してもよい。いずれを母液とする場合においても、フッ化スズIIの水溶液と、塩基性化合物の水溶液との混合の割合は、1モルのスズIIに対して水酸化物イオンが好ましくは0.1~5モル、更に好ましくは0.5~4モルとなる割合とすることが好ましい。また、いずれを母液とする場合においても、添加液の添加は逐次添加及び一括添加のいずれでもよい。反応の制御のしやすさの点からは、逐次添加を採用することが好ましい。フッ化スズIIの水溶液と塩基性化合物の水溶液との混合は、加熱下又は非加熱下のどちらで行ってもよい。混合を加熱下で行う場合、例えば母液を所定温度に加熱しておき、該母液に加熱されているか又は非加熱の添加液を添加することができる。加熱温度は30~100°C、特に40~95°Cとすることが好ましい。フッ化スズIIの水溶液と塩基性化合物の水溶液との混合によって生成するフッ素を含むスズの沈殿物は、目的とするFTOの前駆体である。この前駆体の詳細は現在のところ明確ではないが、スズと酸素とを含み、スズの価数が二価のものであると考えられる。前駆体中のスズと酸素とのモル比は、ICP等の化学分析によりスズ及び酸素を定量し、定量した値から求めることができる。フッ化スズIIの水溶液と塩基性化合物の水溶液との混合に先立ち、フッ化スズIIの水溶液に、水酸基を有する有機化合物を水に添加しておくことが有利であることが本発明者の検討の結果判明した。フッ化スズIIの水溶液に水酸基を有する有機化合物を共存させておくことで、該水溶液中における二価のスズのイオンの量と、塩基性化合物の水溶液の添加量とを広い範囲で設定することができるからである。つまり、フッ化スズII及び塩基性化合物の添加量の自由度や反応温度の自由度が高くなる。その結果、得られるFTO粒子の粒径や比表面積の調整が容易になる。また副生成物であるSnOの生成も抑制される。水酸基を有する有機化合物としては、低分子量の化合物及び高分子化合物を用いることができる。水酸基を有する低分子量の有機化合物としては、例えば一価のアルコールを用いることができる。この一価アルコールは、脂肪族のものでもよく、脂環式のものでもよく、あるいは芳香族のものでもよい。脂肪族の一価のアルコールとしては、例えば炭素数1~6の一価アルコールであるメタノール、エタノール、n-ブタノール、n-ヘキサノール等が挙げられる。脂環式の一価のアルコールとしてはシクロヘキサノール、テルピネオール等が挙げられる。芳香族の一価のアルコールとしては、例えばベンジルアルコール等が挙げられる。一方、水酸基を有する高分子有機化合物としてはポリビニルアルコールやポリオールが挙げられる。ポリビニルアルコールとしては、変性されていないポリビニルアルコールそのもの及び変性されたポリビニルアルコールを用いることができる。ポリビニルアルコールは、完全けん化型と部分けん化型けん化度=80~90のどちらでもよい。変性されたポリビニルアルコールとしては、例えばカルボキシル基変性、アルキル変性、アセトアセチル変性、アクリル酸変性、メタクリル酸変性、ピロリドン変性、ビニリデン変性又はシラノール変性ポリビニルアルコール等を用いることができる。ポリビニルアルコール-CHOHCH2-nは、その平均重合度が、n=200~30000、特にn=500~10000のものを用いることが好ましい。この重合度は、例えばサイズ排除クロマトグラフィーSizeExclusionChromatography、SECを用いて測定することができる。一方、ポリオールとしては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、プロパンジオール、ブタンジオール、ペンタンジオール、ヘキサンジオール、グリセロール、ヘキサントリオール、ブタントリオール、ペトリオールを用いることができる。また、メトキシエタノール、エトキシエタノール、プロポキシエタノール、ブトキシエタノール、メトキシエトキシエタノール、エトキシエトキシエタノール、プロポキシエトキシエタノール及びブトキシエトキシエタノール等のカルビトールを用いることもできる。フッ化スズIIの水溶液中における水酸基を有する有機化合物の濃度は、該有機化合物が一価のアルコールである場合、0.005~30質量、特に0.01~10質量であることが好ましい。この範囲内であれば、水酸基を有する有機化合物の効果が十分に発現し、また増粘等の問題も起こりにくく、均一な粒径を有するFTO粒子を首尾良く得ることができる。同様の理由により、水酸基を有する有機化合物が高分子化合物の場合、該有機化合物の濃度は、0.005~10質量、特に0.01~5質量であることが好ましい。フッ化スズIIの水溶液中における二価のスズと水酸基を有する有機化合物との比率は、Sn/OHモル比で表して、0.01~150、特に0.03~75であることが好ましい。この範囲内であれば、水中に未反応のSnイオンが残存しにくくなり、また副生成物であるスズの酸化物やスズのオキシ水酸化物が析出しづらくなる。フッ化スズIIの水溶液と塩基性化合物の水溶液との混合によって、フッ素を含むスズの沈殿物が液中に生成する。この液中には副生成物として、スズのオキシ水酸化物が共存している場合がある。このオキシ水酸化物の除去を目的として、過酸化水素を添加して該オキシ水酸化物を酸化してもよい。過酸化水素は、所定の濃度に希釈された水溶液として添加されることが好ましい。この観点から、希釈された過酸化水素の濃度は0.1~15質量程度であることが好ましい。過酸化水素の添加量が多すぎると、目的とするFTOが生成せず、二酸化スズが生成するだけになってしまう。フッ素を含むスズの沈殿物は、濾別後にリパルプ洗浄を行うことで不純物が除去される。リパルプ洗浄後、熱風乾燥機を用いて大気中で乾燥させた後、焼成炉において大気中で焼成処理に付される。この焼成処理によって、目的とするFTO粒子が得られる。焼成処理の温度は300~800°C、特に400~700°Cが好ましく、時間は0.5~24時間、特に0.5~5時間が好ましい。焼成温度が高すぎると、フッ素が揮発してしまい、二酸化スズが生成するだけになってしまう。焼成処理は、上述のとおり大気中で行われる。つまり含酸素雰囲気中で行われる。これまでのFTO粒子の製造における焼成は、結晶中に酸素欠損を生じさるために不活性雰囲気中又は還元性雰囲気中で行われることが通常であったところ、これとは対照的に本発明においては酸化性雰囲気中で焼成が行われる。したがって、本発明においては、理論上、焼成によって酸素欠損が生じることはない。つまり、得られたFTO粒子は、酸素欠損を実質的に非含有のものとなる。酸素欠損を実質的に非含有であるFTO粒子の利点は、先に述べたとおりである。このようにして得られたFTO粒子は、例えばビーズミル等のメディアミルを用いた解砕操作に付され、所定の粒径に調整される。解砕操作後のFTO粒子は、例えばこれを水や有機溶媒に分散させて、単分散した透明分散液とすることができる。分散には例えばビーズミルやペイントシェイカーなどを用いることができる。有機溶媒としては、例えば多価アルコール、モノアルコール、セロソルブ、カルビトール、ケトン又はそれらの混合溶媒などを用いることができる。この透明分散液におけるFTO粒子の濃度は0.1~50質量、特に1~40質量とすることが好ましい。この透明分散液は保存安定性の高いものである。この透明分散液は、例えばこれにバインダーを添加することで、インク原料として用いることができる。前記の多価アルコールとしては、例えばエチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、プロパンジオール、ブタンジオール、ペンタンジオール、ヘキサンジオール、グリセロール、ヘキサントリオール、ブタントリオール、ペトリオール、グリセリン等が挙げられる。モノアルコールとしては、例えばメタノール、エタノール、プロパノール、ペンタノール、ヘキサノール、オクタノール、ノナノール、デカノール、テルピネオール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール等が挙げられる。カルビトールとしては、例えばメトキシエタノール、エトキシエタノール、プロポキシエタノール、ブトキシエタノール、メトキシエトキシエタノール、エトキシエトキシエタノール、プロポキシエトキシエタノール、ブトキシエトキシエタノール等が挙げられる。ケトンとしては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジアセトンアルコール等が挙げられる。本発明のFTO粒子の製造方法としては、上述の製造方法1の他に以下に述べる方法以下、この製造方法を製造方法2という。を採用することもできる。すなわち、水溶性スズII化合物ただしフッ化物は除くと、水溶性フッ化物と、塩基性化合物とを水中で混合して、フッ素を含むスズの沈殿物を生成させ、該沈殿物を含酸素雰囲気下に焼成する。先ず原料として水溶性スズII化合物の水溶液を用意する。水溶性スズII化合物としては、塩化スズII、硫酸スズII、硝酸スズII又はこれらの水和物などを用いることができる。更に、金属スズを鉱酸に溶解したものを用いてもよい。特に塩化スズIIを用いると、フッ素に加えて塩素がドープされた酸化スズ粒子が得られるので好ましい。水溶液中における水溶性スズII化合物の濃度は1.0×103~2.5mol/l、特に1.0×102~1mol/lであることが好ましい。前記の水溶性フッ化物としては、例えばNH4FHF、NaF、NH4F、HF、LiF、KF、KFHF、NaFHFなどを用いることができる。水溶性フッ化物は、これを水に溶解させて単独の水溶液として用いることもでき、あるいは上述の水溶性スズII化合物の水溶液中に共存させることもできる。塩基性化合物としては、製造方法1に用いられるものと同様のものを用いることができる。したがって製造方法2における塩基性化合物に関連する説明は、製造方法1に関する説明が適宜適用される。製造方法2においては、好適には、水溶性スズII化合物及び水溶性フッ化物の混合水溶液と、塩基性化合物の水溶液とを混合して、フッ素を含むスズの沈殿物を生成させる。沈殿物の生成に際しては、水溶性スズII化合物及び水溶性フッ化物の混合水溶液を母液とし、これに塩基性化合物の水溶液をフィード液として添加してもよく、あるいは塩基性化合物の水溶液を母液とし、これに水溶性スズII化合物及び水溶性フッ化物の混合水溶液をフィード液として添加してもよい。いずれを母液とする場合においても、水溶性スズII化合物及び水溶性フッ化物の混合水溶液と、塩基性化合物の水溶液との混合の割合は、水溶性スズII化合物と水溶性フッ化物との混合物1モルに対して、水酸化物イオンが0.1~5モル、特に0.5~4モルとなる割合とすることが好ましい。また、いずれを母液とする場合においては、添加液の添加は逐次添加及び一括添加のいずれでもよい。反応の制御のしやすさの点からは、逐次添加を採用することが好ましい。水溶性スズII化合物及び水溶性フッ化物の混合水溶液と塩基性化合物の水溶液との混合は、加熱下又は非加熱下のどちらで行ってもよい。混合を加熱下で行う場合、例えば母液を所定温度に加熱しておき、該母液に加熱されているか又は非加熱の添加液を添加することができる。加熱温度は30~100°C、特に40~95°Cとすることが好ましい。先に述べた製造方法1と同様に、製造方法2においても、水溶性スズII化合物及び水溶性フッ化物の混合水溶液と塩基性化合物の水溶液との混合に先立ち、該水溶液に、水酸基を有する有機化合物を水に添加しておくことが有利である。この理由は、製造方法1における理由と同様である。また、製造方法2における水酸基を有する有機化合物に関連する説明は、先に述べた製造方法1に関する説明が適宜適用される。水溶性スズII化合物及び水溶性フッ化物の混合水溶液と塩基性化合物の水溶液との混合によって、フッ素を含むスズの沈殿物が液中に生成する。この液には、製造方法1と同様に、過酸化水素を添加することが好ましい。過酸化水素の添加によって副生成物の除去が容易になるからである。このようにしてフッ素を含むスズの沈殿物が得られたら、その後は製造方法1と同様にして、目的とするFTO粒子を得る。特に水溶性スズII化合物として塩化スズIIを用いた場合は、フッ素及び塩素がドープされた酸化スズ粒子が得られる。いずれの方法で得られたFTO粒子であっても、該FTO粒子は、例えばその高い導電性を利用して、プリンタや複写機関連の帯電ローラー、感光ドラム、トナー、静電ブラシ等の分野、フラットパネルディスプレイ、CRT、ブラウン管、タッチパネル、太陽電池等の分野、塗料、インク、エマルジョンの分野等など、幅広い用途に適用できる。また、赤外光に対する反射率が高いことの利点を生かして、赤外光遮蔽材の用途に適用することもできる。以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。しかしながら本発明の範囲は、かかる実施例に制限されない。特に断らない限り、は質量を意味する。実施例14.51gの水酸化ナトリウムを490gの純水に溶解し、塩基性水溶液を調整した。これをA液とする。これとは別に、純水100gが入った200mLのビーカーに、ポリビニルアルコール平均重合度400~600、完全けん化型、以下PVAという。5.0gを加え、90°Cに加熱しながら溶解させてPVA水溶液を得た。これをB液とする。更にこれらとは別のビーカーに、390gの純水を入れ、これにフッ化スズ11.21gを溶解させてスズ水溶液を得た。これをC液とする。次いで、先に準備したB液を、C液に全量加え、十分に混合した。このようにして母液を得た。これをD液とする。D液をパドル翼で攪拌しながら90°Cに加温し、この中に、先に準備したA液をチューブポンプで全量フィードした。このときのD液のpHは3~4であった。A液の添加終了後、5分間エージングを行った。次いで30過酸化水素水0.75gを純水30gに希釈した液E液をゆっくりとフィードした。その後、5分間エージングし、二酸化スズ前駆体を得た。この前駆体を、濾紙アドバンテック社製5Cを用いてろ過し、ろ過後、1リットルの純水を加え通水洗浄した。このようにして得られたケーキを純水1リットルにリパルプ洗浄し再度、ろ過及び通水洗浄した。この操作を3回繰り返して前駆体粒子を洗浄した。洗浄ケーキを120°C設定した熱風乾燥機で大気中において10時間乾燥させた後、メノウ乳鉢で解砕した。この前駆体粒子中のハロゲン量をXRFRIGAKU社製ZSXPrimusIIで測定したころ、Fが0.4含まれていた。この前駆体粒子を、電気炉にて大気中450°Cで3時間焼成し、目的とするFTO粒子を得た。実施例2実施例1において、E液過酸化水素水を添加しなかった以外は実施例1と同様にしてFTO粒子を得た。実施例3実施例1において、E液過酸化水素水を添加せず、かつ前駆体の洗浄工程において90°Cの純水を用いて吸着フッ素を十分に取り除く操作を行った以外は実施例1と同様にしてFTO粒子を得た。実施例4実施例1において、E液過酸化水素水を添加しなかった。また、A液中の水酸化ナトリウムの量を5.3gとした。更に、B液PVA水溶液を添加しなかった。そしてA液とD液との混合を室温≒25°Cとした。これら以外は実施例1と同様にしてFTO粒子を得た。実施例55.84gの水酸化ナトリウムを490gの純水に溶解し、塩基性水溶液を調整した。これをA液とする。これとは別に、純水100gが入った200mLのビーカーに、PVA平均重合度400~600、完全けん化型0.5gを加え、90°Cに加熱しながら溶解させてPVA水溶液を得た。これをB液とする。更にこれらとは別のビーカーに、390gの純水を入れ、これに塩化スズ12.58g及びNaF5.5gを溶解させてスズ水溶液を得た。これをC液とする。次いで、先に準備したB液を、C液に全量加え、十分に混合した。このようにして母液を得た。これをD液とする。これら以外は実施例1と同様にしてフッ素及び塩素ドープ酸化スズ粒子を得た。実施例6実施例2において、前駆体の焼成温度を600°C×3時間とした以外は実施例2と同様にしてFTO粒子を得た。実施例7実施例1において、E液過酸化水素水を添加しなかった。また、A液中の水酸化ナトリウムの量を5.3gとした。更に、母液をA液とし、フィード液をD液とした。そしてA液とD液との混合を室温≒25°Cとした。これら以外は実施例1と同様にしてFTO粒子を得た。実施例8実施例1において、E液過酸化水素水を添加しなかった。また、A液中の水酸化ナトリウムの量を5.84gとした。更に、B液PVA水溶液を添加しなかった。そしてA液とD液との混合を室温≒25°Cとした。これら以外は実施例1と同様にしてFTO粒子を得た。実施例9実施例1において、E液過酸化水素水を添加しなかった。また、A液中の水酸化ナトリウムの量を10.6gと、C液中のフッ化スズの量を22.42gとした。更に、B液PVA水溶液を添加しなかった。そしてA液とD液との混合を室温≒25°Cとした。これら以外は実施例1と同様にしてFTO粒子を得た。実施例10実施例1において、E液過酸化水素水を添加しなかった。また、A液とD液との混合を室温≒25°Cとした。これら以外は実施例1と同様にしてFTO粒子を得た。実施例11実施例5において、C液に加えたNaF5.5gに代えて、NH4FHF3.76gを加えた。これ以外は実施例5と同様にしてフッ素及び塩素ドープ酸化スズ粒子を得た。実施例12実施例5において、C液に加えたNaF5.5gに代えて、NH4FHF3.76gを加えた。また、A液を母液とし、D液をフィード液とした。これ以外は実施例5と同様にしてフッ素及び塩素ドープ酸化スズ粒子を得た。実施例13実施例5において、C液に加えたNaF5.5gに代えて、NaF0.55gを加えた。これ以外は実施例5と同様にしてフッ素及び塩素ドープ酸化スズ粒子を得た。実施例14実施例5において、C液に加えたNaF5.5gに代えて、NaF2.72gを加えた。これ以外は実施例5と同様にしてフッ素及び塩素ドープ酸化スズ粒子を得た。比較例1本比較例は、過酸化水素の使用量を多量にした例である。実施例1において、E液として30過酸化水素水7.5gを純水30gに希釈した液を用いた。これ以外は実施例1と同様にしてFTO粒子を得た。比較例2本比較例は、前駆体の焼成温度を高温にした例である。実施例1において、前駆体の焼成温度を1000°C×3時間とした以外は実施例1と同様にしてFTO粒子を得た。比較例3本比較例では、特許文献2特開2008-184373号公報の実施例1を追試した。追試の内容は、同実施例の記載と同様にした。ただし焼成は450°C、2時間とした。比較例4本比較例では、酸化スズ粒子として高純度化学社製の試薬を用いた。評価実施例及び比較例で得られた酸化スズ粒子について、ハロゲン含有率、XRD測定による構造同定、元素分析スズ及び酸素、窒素吸着法によるBET比表面積、一次粒子の平均粒径、圧粉抵抗を測定した。それらの結果を以下の表1に示す。また、実施例2並びに比較例3及び4の粒子についてラマン分光測定を行った。その結果を図1及び図2に示す。ラマン分光測定は以下のとおりに行った。更に、実施例2のFTO粒子の透過型電子顕微鏡像を図3に示す。実施例1ないし5及び比較例1ないし4については、PCT前後での圧粉抵抗の増加率を上述の方法で測定し、更に、可視光の全光線透過率及び波長1500nmでの赤外光透過率を以下の方法で測定した。それらの結果を以下の表2に示す。ハロゲン含有量ZSXPrimusIIリガク社製にて測定した。XRD測定RINTTTRIIIリガク社製装置専用の粉末XRD用のガラスホルダーに粉末を充填測定範囲:2θdeg./CuKα=5~80°管電圧:50kV管電流:300mAサンプリング角:4°/min元素分析スズ及び酸素スズは、ICPSPS-3000/SIIナノテクノロジー社製を用いて定量した。酸素はガス分析装置EMGA-620/堀場製作所社製を用いて定量した。なお表1中、スズと酸素の合計量が100にならない理由は、スズと酸素とで分析方法が異なるからである。BET比表面積フローソーブ2300島津製作所社製にて測定した。測定粉末量:0.3g予備脱気条件:窒素流通下120°C×10分一次粒子の平均粒径上述の方法で測定したBET比表面積から換算した粒径を一次粒子の平均粒径とした。圧粉抵抗圧力500kgf/cm2で圧縮して得られたサンプルについて、三菱化学社製ロレスタPAPD-41を用い、四端子法に従い抵抗を測定した。可視光の全光透過率FTO粒子7.4gを市販のアクリル樹脂6.4gとともにトルエン:ブタノール=7:3質量比混合溶液10gに添加し、次いでペイントシェイカーを用いてビーズ分散して分散液を調製した。この分散液をPETフィルムに塗布し、1時間風乾して透明薄膜を形成した。この薄膜の膜圧を電子顕微鏡で観察したところ2μmであった。この薄膜を日本電色工業社製の光線透過率測定装置NDH-1001DPを用いて全光線透過率を測定した。波長1500nmでの赤外光透過率可視光の全光線透過率の測定で形成した前記の薄膜の赤外光透過率を、分光光度計U-4000日立ハイテクノロジー社製を用いて測定した。ラマン分光測定レーザーラマンNRS-2100日本分光社製を用い、顕微分析法CCDモードによって測定した。励起光には、波長514.5nmのレーザー出力100mWを使用し、50~500cm1の範囲を測定してスペクトルを得た。露光時間は10秒であり、積算回数は2回とした。測定試料はペレットとした。ペレットは、粉末0.1gを10φの金型に充填し、1ton/cm2プレスすることで作製した。図1に示す結果から明らかなように、実施例2のFTO粒子は低波数領域にラマンスペクトルのピークが観察されることが判る。これらのピークは、約78cm1、約97cm1、約109cm1、約123cm1、約139cm1、約170cm1、約186cm1及び約207cm1の位置に観察された。これに対して、図1及び図2に示す結果から明らかなように、比較例3及び4の粒子にはそのようなピークは観察されない。なお、図1及び図2には示していないが、他の実施例で得られたFTO粒子についても実施例2と同様のラマンスペクトルが観察された。また、表1及び表2に示す結果から明らかように、実施例で得られたフッ素ドープ酸化スズ粒子及びフッ素塩素ドープ酸化スズ粒子は、導電性が高く、可視光の透過率が高く、また比表面積の大きいものであることが判る。更にPCTの結果も良好であることが判る。なお、比較例2及び4は、酸素欠損を有さないのでPCTの結果は良好であるものの、酸素欠損を有さないことに起因して抵抗自体が高いことに留意すべきである。また比較例2及び4は、BET比表面積が小さいことすなわち粒子径が大きいことに起因して、塗膜の全光線透過率が低くなった。