"活性層と、p型の第1半導体層と、前記活性層と前記第1半導体層との間に配置されp型の不純物がドープされた電子または正孔のオーバーフローを防止するオーバーフロー防止層と、前記活性層と前記オーバーフロー防止層との間、および前記オーバーフロー防止層と前記第1半導体層との間の少なくとも一方に配置されるp型の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記活性層との間に配置され、前記オーバーフロー防止層、前記第1半導体層、および第2半導体層よりも小さいバンドギャップを有し、かつ前記オーバーフロー防止層、前記第1半導体層、および第2半導体層よりも格子定数が大きい、前記p型の不純物の拡散を防止する不純物拡散防止層と、を備え、前記活性層、オーバーフロー防止層、第1半導体層、および第2半導体層はいずれもGaN系化合物半導体であり、前記オーバーフロー防止層は、Inを含有するGaN系化合物半導体であり、前記不純物拡散防止層は、InおよびMgを含むGaN系化合物半導体であることを特徴とする半導体装置。活性層と、p型の第1半導体層と、前記活性層と前記第1半導体層との間に配置されp型の不純物がドープされた電子または正孔のオーバーフローを防止するオーバーフロー防止層と、前記活性層と前記オーバーフロー防止層との間、および前記オーバーフロー防止層と前記第1半導体層との間のいずれか一方に配置されるp型の第2半導体層と、前記オーバーフロー防止層と前記第2半導体層との間に配置され、前記オーバーフロー防止層、前記第1半導体層、および第2半導体層よりも小さいバンドギャップを有し、かつ前記オーバーフロー防止層、前記第1半導体層、および第2半導体層よりも格子定数が大きい、前記p型の不純物の拡散を防止する不純物拡散防止層と、を備え、前記活性層、オーバーフロー防止層、第1半導体層、および第2半導体層はいずれもGaN系化合物半導体であり、前記オーバーフロー防止層は、Inを含有するGaN系化合物半導体であり、前記不純物拡散防止層は、InおよびMgを含むGaN系化合物半導体であることを特徴とする半導体装置。前記第2半導体層は、前記活性層と前記オーバーフロー防止層との間に配置され、当該第2半導体層と前記オーバーフロー防止層との間に前記不純物拡散防止層が配置されることを特徴とする請求項2に記載の半導体発光素子。前記不純物拡散防止層におけるInの組成比は、前記オーバーフロー防止層、第1半導体層、および第2半導体層、におけるInの組成比よりも高いことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置。活性層と、p型の第1半導体層と、前記活性層と前記第1半導体層との間に配置されp型の不純物およびがドープされた電子または正孔のオーバーフローを防止するオーバーフロー防止層と、前記オーバーフロー防止層と前記第1半導体層との間に配置されるp型の第2半導体層と、前記オーバーフロー防止層と前記活性層との間に配置されるp型の第3半導体層と、前記オーバーフロー防止層と前記第2半導体層との間、および前記オーバーフロー防止層と前記第3半導体層との間の少なくとも一方に配置され、前記オーバーフロー防止層、前記第1半導体層、前記第2半導体層、および第3半導体層よりも小さいバンドギャップを有し、かつ前記オーバーフロー防止層、前記第1半導体層、および第2半導体層よりも格子定数が大きい、前記p型の不純物の拡散を防止する不純物拡散防止層と、を備え、前記活性層、オーバーフロー防止層、第1半導体層、第2半導体層、および第3半導体層はいずれもGaN系化合物半導体であり、前記オーバーフロー防止層は、Inを含有するGaN系化合物半導体であり、前記不純物拡散防止層は、InおよびMgを含むGaN系化合物半導体であることを特徴とする半導体装置。前記第3半導体層と前記オーバーフロー防止層との間に前記不純物拡散防止層が配置されることを特徴とする請求項5に記載の半導体発光素子。前記不純物拡散防止層はInを含んでおり、前記不純物拡散防止層におけるInの組成比は、前記オーバーフロー防止層、第1半導体層、第2半導体層、および第3半導体層におけるInの組成比よりも高いことを特徴とする請求項5または6に記載の半導体装置。前記活性層は所定波長の光を発光し、前記第1半導体層、前記第2半導体層はそれぞれp型クラッド層、p型ガイド層であり、前記オーバーフロー防止層は電子のオーバーフローを防止することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体装置。前記活性層は所定波長の光を発光し、前記第1半導体層はp型クラッド層であり、前記第2半導体層および第3半導体層はそれぞれp型ガイド層であり、前記オーバーフロー防止層は電子のオーバーフローを防止することを特徴とする請求項5乃至7のいずれかに記載の半導体装置。前記活性層のp型ガイド層とは反対側に配置されGaNまたはInx1Ga1x1N0<x1<1からなるn型ガイド層を備え、前記活性層は、Inx2Ga1-x2N0<x2≦1の量子井戸と、Inx3Ga1-x3N0<x3<1、x2>x3のバリア層と、を有する単一または多重量子井戸構造であり、前記p型ガイド層は、Inx4Ga1-x4N0≦x4<1、x3>x4を含むことを特徴とする請求項8または9に記載の半導体装置。前記オーバーフロー防止層は、Ga1-yAlyN0<y≦1からなることを特徴とする請求項1乃至10のいずれかに記載の半導体装置。本発明は、不純物の活性層への拡散を防止可能な半導体装置を提供するものである。本発明の一態様によれば、活性層と、p型の第1半導体層と、前記活性層と前記第1半導体層との間に配置されp型の不純物がドープされた電子または正孔のオーバーフローを防止するオーバーフロー防止層と、前記活性層と前記オーバーフロー防止層との間、および前記オーバーフロー防止層と前記第1半導体層との間の少なくとも一方に配置されるp型の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記活性層との間に配置され、前記オーバーフロー防止層、前記第1半導体層、および第2半導体層よりも小さいバンドギャップを有し、かつ前記オーバーフロー防止層、前記第1半導体層、および第2半導体層よりも格子定数が大きい、前記p型の不純物の拡散を防止する不純物拡散防止層と、を備え、前記活性層、オーバーフロー防止層、第1半導体層、および第2半導体層はいずれもGaN系化合物半導体であり、前記オーバーフロー防止層は、Inを含有するGaN系化合物半導体であり、前記不純物拡散防止層は、InおよびMgを含むGaN系化合物半導体であることを特徴とする半導体装置が提供される。また、本発明の一態様によれば、活性層と、p型の第1半導体層と、前記活性層と前記第1半導体層との間に配置されp型の不純物がドープされた電子または正孔のオーバーフローを防止するオーバーフロー防止層と、前記活性層と前記オーバーフロー防止層との間、および前記オーバーフロー防止層と前記第1半導体層との間のいずれか一方に配置されるp型の第2半導体層と、前記オーバーフロー防止層と前記第2半導体層との間に配置され、前記オーバーフロー防止層、前記第1半導体層、および第2半導体層よりも小さいバンドギャップを有し、かつ前記オーバーフロー防止層、前記第1半導体層、および第2半導体層よりも格子定数が大きい、前記p型の不純物の拡散を防止する不純物拡散防止層と、を備え、前記活性層、オーバーフロー防止層、第1半導体層、および第2半導体層はいずれもGaN系化合物半導体であり、前記オーバーフロー防止層は、Inを含有するGaN系化合物半導体であり、前記不純物拡散防止層は、InおよびMgを含むGaN系化合物半導体であることを特徴とする半導体装置が提供される。また、本発明の一態様によれば、活性層と、p型の第1半導体層と、前記活性層と前記第1半導体層との間に配置されp型の不純物およびがドープされた電子または正孔のオーバーフローを防止するオーバーフロー防止層と、前記オーバーフロー防止層と前記第1半導体層との間に配置されるp型の第2半導体層と、前記オーバーフロー防止層と前記活性層との間に配置されるp型の第3半導体層と、前記オーバーフロー防止層と前記第2半導体層との間、および前記オーバーフロー防止層と前記第3半導体層との間の少なくとも一方に配置され、前記オーバーフロー防止層、前記第1半導体層、前記第2半導体層、および第3半導体層よりも小さいバンドギャップを有し、かつ前記オーバーフロー防止層、前記第1半導体層、および第2半導体層よりも格子定数が大きい、前記p型の不純物の拡散を防止する不純物拡散防止層と、を備え、前記活性層、オーバーフロー防止層、第1半導体層、第2半導体層、および第3半導体層はいずれもGaN系化合物半導体であり、前記オーバーフロー防止層は、Inを含有するGaN系化合物半導体であり、前記不純物拡散防止層は、InおよびMgを含むGaN系化合物半導体であることを特徴とする半導体装置が提供される。本発明によれば、不純物拡散防止層を設けることにより、第1導電型の不純物が活性層に拡散しなくなり、デバイスの特性が向上する。以下、図面を参照しながら、本発明の一実施形態について説明する。第1の実施形態図1は本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の断面図であり、半導体発光素子、より具体的にはレーザダイオードの断面構造を示している。図1のレーザダイオードは、n型GaN基板1上に形成されるn型GaNバッファ層2と、その上に形成されるn型クラッド層3と、その上に形成されるn型ガイド層4と、その上に形成される活性層5と、その上に形成されるp型第1ガイド層6と、その上に形成されるGaxAl1xN0<x≦1層オーバーフロー防止層7と、その上に形成されるInyGa1yN0<y≦1層不純物拡散防止層8と、その上に形成されるp型GaN第2ガイド層9と、その上に形成されるp型クラッド層10と、その上に形成されるp型コンタクト層11とを備えている。なお、オーバーフロー防止層はより一般的にIn1-x-yGaxAlyN0≦x<1,0<y≦1に拡張することもできる。不純物拡散防止層8のInの組成比は、オーバーフロー防止層7とガイド層6,9のInの組成比よりも高く設定されている。後述する不純物拡散目安として、不純物拡散防止層8のInの組成比は2~10、好ましくは3~8、オーバーフロー防止層7とガイド層6,9のInの組成比は2以下である。一般に、Inの組成比が大きいほど、屈折率が大きくなりバンドギャップが小さくなる。不純物拡散防止層8のIn組成が小さいと不純物拡散防止の効果を得ることが難しくなる。また、発効効率の観点から、不純物拡散防止層8のIn組成比は活性層の量子井戸層のIn組成比より小さくすることが望ましい。p型クラッド層10は凸部を有し、凸部の最上面にはp型GaNコンタクト層11が形成され、凸部の側壁部と凸部以外のp型クラッド層10の表面部分には絶縁層12が形成されている。p型GaNコンタクト層11の上にはp型電極13が形成され、n型GaN基板1の裏面側にはn型電極14が形成されている。図1のレーザダイオードは、オーバーフロー防止層7とp型GaN第2ガイド層9の間に不純物拡散防止層8を設けている。この不純物拡散防止層8は、p型GaNガイド層9やp型クラッド層10等の内部に存在するp型不純物を吸収する作用を行い、これにより、p型不純物が活性層に拡散されなくなる。なお、不純物拡散防止層8をp型クラッド層10に近接して配置しても十分に不純物拡散防止の効果を得ることができるが、不純物拡散防止層8を活性層5に近づけた方が不純物拡散防止の効果をより向上させることができる。その理由は、活性層5とp型クラッド層10との間に存在する一つ又は複数のp型半導体層のうちなるべく多くのp型半導体層に含まれるp型不純物の拡散を防止することができるためである。しかしながら、不純物拡散防止層8を活性層5に接して設けた場合は、活性層5の量子井戸層の方が不純物拡散防止層8よりもバンドギャップが小さいので、不純物拡散防止層8でp型不純物が十分に吸収されずに活性層5中へp型不純物が拡散してしまう場合があり好ましくない。本発明者は、GaN、GaAlNおよびInGaNからなる積層膜に対して二次イオン質量分析法SIMS:SecondaryIonmicroprobeMassSpectrometryを用いてp型不純物例えばMgのドーピングプロファイルを調べた。その結果、ドーピング濃度が一定になるように設計したにもかかわらず、SIMSのマトリクス効果を考慮に入れても、InGaNにおけるMg濃度が最も高いことがわかった。図2はこの結果を示す図であり、図2の特性線図aは横軸を上記積層膜の深さ位置、縦軸をMg濃度としたものである。また、特性線図bは横軸を上記積層膜の深さ位置、縦軸をバンドギャップエネルギーとしたものである。図2の特性線図aからわかるように、不純物拡散防止層8のMg濃度が最も高くなっている。また、特性線図bからわかるように、不純物拡散防止層8のバンドギャップエネルギーが最も小さい。InGaNのMg濃度が高い原因として、InGaNはGaNやGaAlNに対して格子定数が大きくより厳密にはc軸方向の格子定数が大きく、Mgが膜中に取り込まれやすいためと考えられる。図2からわかるように、上記積層膜中の各層のMg濃度とバンドギャップエネルギーは互いに相関関係にある。したがって、図1のレーザダイオードにおいても、InyGa1yNからなる不純物拡散防止層8の材料を、その両面に配置されるオーバーフロー防止層7とp型GaN第2ガイド層9よりもバンドギャップエネルギーの小さい材料にすれば、p型GaN第2ガイド層9やp型クラッド層10などに含まれるp型不純物を不純物拡散防止層8の内部に蓄積することができる。言い換えると、不純物拡散防止層8のc軸方向の格子定数を、その両面に配置されるオーバーフロー防止層7とp型GaN第2ガイド層9のc軸方向の格子定数よりも大きくすることにより、p型不純物を不純物拡散防止層8の内部に蓄積することができる。そこで、本実施形態では、p型不純物がドープされたオーバーフロー防止層7の上に、バンドギャップのより小さなInyGa1yN層からなる不純物拡散防止層8を配置して、この層の内部にp型不純物を蓄積し、p型不純物が活性層に拡散されないようにする。図3および図4は図1のレーザダイオードの製造工程を示す工程図である。まず、n型GaN基板1上に、n型不純物がドープされたn型GaNバッファ層2を結晶成長する図3a。結晶成長には、例えば有機金属気相成長法MOCVD:MetalOrganicChemicalVaporDepositionが用いられる。この他、分子線エピタキシー法MBE:MolecularBeamEpitaxyにより結晶成長させてもよい。n型不純物には、SiやGeなどを用いることができるが、ここではSiを用いるものとする。次に、n型GaNバッファ層2の上に、アンドープGa09Al01N層とn型不純物が1×1018cm3程度ドープされたGaN層とからなる超格子のn型クラッド層3を成長させる図3b。n型クラッド層3の材料には特に制限はなく、例えばGa095Al005Nの厚膜を用いてもよい。あるいは、Ga09Al01N層とGaN層の両方にn型不純物をドープしてn型クラッド層3を形成してもよい。次に、n型クラッド層3の上に、n型不純物が1×1018cm3程度ドープされた膜厚0.1μm程度のGaNからなるn型ガイド層4を成長させる。あるいは、n型ガイド層4として、膜厚0.1μm程度のIn001Ga099Nを用いてもよい。n型GaNバッファ層2、n型クラッド層3およびn型ガイド層4を成長させる際の成長温度はいずれも1000~1100°Cである。次に、n型ガイド層4の上に、膜厚3.5nm程度のアンドープのIn01Ga09N層からなる量子井戸層と、この量子井戸を挟んでその両面に膜厚7nm程度のアンドープのIn001Ga099N層からなるバリア層とを交互に積層した多重量子井戸MQW:MultipleQuantumWell構造の活性層5を形成する図3c。この場合の成長温度は700~800°Cである。次に、活性層5の上に、In0005Ga0995Nからなるp型第1ガイド層6を成長させる。膜厚は90nm程度あればよい。p型第1ガイド層6はアンドープ、もしくはp型不純物であるMgを1×1017cm3程度以上5×1018cm3程度以下ドープしても良い。活性層の下に配置されるn型ガイド層5がGaNまたはInx1Ga1x1N0<x1<1で、かつ活性層が、Inx2Ga1x2N0<x2≦1を含む量子井戸と、Inx3Ga1x3N0≦x3<1、x2>x3を含むバリア層と、を有する単一または多重量子井戸構造の場合、p型第1ガイド層6は、Inx4Ga1x4N0≦x4<1、x3>x4である。次に、p型第1ガイド層6の上に、Mgが4×1018cm3程度以上5×1019cm3程度以下ドープされた膜厚10nm程度のGa08Al02N層を成長させる。このGa08Al02N層は、電子のオーバーフローを防止するために設けられるため、オーバーフロー防止層7とも呼ばれる。p型第1ガイド層6とオーバーフロー防止層7を成長させる際の成長温度は1000~1100°Cである。次に、オーバーフロー防止層7の上に、InyGa1yN0<y≦1からなる不純物拡散防止層8を成長させる図3d。Inの組成yは例えば、y=0.02、膜厚は例えば3nmである。この膜厚は例えば1~15nm、好ましくは1~10nmとする。膜厚が薄いと不純物拡散防止の効果を得ることが難しくなり、膜厚が厚いと光強度分布が変化していまい好ましくない。不純物拡散防止層8を成長させる際の成長温度は700~800°Cがよいが、Inの組成が低い場合例えば3以下の場合、1000~1100°Cでもよい。不純物拡散防止層8は、Mgが1×1017cm3程度以上1×1019cm3程度以下ドープされていても良い。次に、InyGa1yN層の上に、Mgが2×1018cm3程度以上5×1019cm3程度以下ドープされたp型GaN第2ガイド層9を成長させる。この層の膜厚は例えば0.05μmである。次に、p型GaN第2ガイド層9の上に、アンドープGa09Al01N層とMgが1×1019cm3程度以上5×1019cm3程度以下ドープされたGaNとからなる超格子構造のp型クラッド層10を成長させる。p型クラッド層10の材料は特に限定されず、例えばGa095Al005Nからなるp型不純物がドープされた厚膜膜厚0.6μm程度でもよい。あるいは、Ga09Al01NとGaNの両方にp型不純物をドープしてもよい。次に、p型クラッド層10の上に、p型不純物がドープされた膜厚0.1μmのGaN層からなるp型GaNコンタクト層11を形成する図4a。GaN層の代わりに、p型不純物がドープされたInGaAlN層でもよい。p型GaN第2ガイド層9、p型クラッド層10およびp型コンタクト層11を成長させる際の成長温度は1000~1100°Cである。図3および図4aまでの工程に従って結晶成長を行ったウエハに対してデバイスプロセスを行うことにより、最終的にレーザダイオードが作製される。リソグラフィおよびドライエッチングにより、p型コンタクト層11とp型クラッド層10の一部を除去して、凸部を有するリッジ構造を作製する図4b。また、凸部の側壁部分と凸部以外のp型クラッド層10の表面部分には絶縁層12を形成する図4c。次に、Mgが3×1019cm3程度以上1×1022cm3程度以下ドープされたp型GaNコンタクト層11と絶縁層12の上にp型電極13を形成するとともに、n-GaN基板の裏面側にn型電極14を形成する。レーザダイオードの端面は劈開により形成され、光取り出し面とは反対側の面には高反射率のコーティングが施される。p型クラッド層10とp型GaNコンタクト層11とからなる凸部積層構造は、紙面に垂直な方向に延伸しており、共振器となる。なお、凸部積層構造は、図1に示すような断面が垂直側壁を有する矩形に限らず、メサ型の斜面を有する台形状の凸部でもよい。p型コンタクト層11の幅リッジ幅は約2μmであり、共振器長としては例えば600μmにすればよい。凸部の側壁部と凸部以外のp型クラッド層10の表面部分には、凸部を挟み込むように絶縁層12からなる電流ブロック層が形成されている。この電流ブロック層によりレーザダイオードの横モードが制御される。電流ブロック層の膜厚は設計により任意に選択できるが、03μm~08μm程度の値、例えば05μm程度に設定すればよい。電流ブロック層の材料としては、例えばAlN膜、Ga08Al02N膜等の高比抵抗半導体膜、プロトンを照射した半導体膜、シリコン酸化膜SiO2膜、SiO2膜とZrO2膜からなる多層膜などが用いられる。すなわち、電流ブロック層の材料としては、活性層5に用いられる窒化物系III-V族化合物半導体よりも屈折率が低いものであれば種々の材料が採用可能である。また、本実施形態に係るレーザダイオードは、リッジ導波路型によるレーザ構造でなくてもよく、例えば埋め込み型レーザ構造の場合は、絶縁膜の代わりに、n型GaNやn型GaAlNなどのn型半導体層を用いてpn接合分離により電流ブロック層として機能させてもよい。p型GaNコンタクト層11の上には、例えばパラジウム-白金-金Pd/Pt/Auの複合膜からなるp型電極13が形成される。例えば、Pd膜は膜厚0.05μm、Pt膜は膜厚0.05μm、Au膜は膜厚1.0μmである。一方、n型GaN基板1の裏面側には、例えばチタン-白金-金Ti/Pt/Auの複合膜からなるn型電極14が形成される。n型電極14の材料としては、例えば膜厚0.05μmのTi膜、膜厚0.05μmのPt膜および膜厚1.0μmのAu膜が用いられる。図3および図4の製法により作製されるレーザダイオードは、電流-光出力特性でのしきい値電流が平均で35mAである。オーバーフロー防止層7の上に不純物拡散防止層8を設けないレーザダイオードの場合も、しきい値電流は平均で約35mA程度であった。これにより、不純物拡散防止層8の有無によりレーザダイオードの初期特性に差がないことがわかる。次に、本発明者は、光出力を一定にした状態での寿命を測定する通電試験を行った。この通電試験では、光出力50mW、動作温度75°Cで、レーザダイオードを連続発振させ、動作電流の上昇率を調べた。動作電流が初期値の20上昇した時間をレーザダイオードの寿命として定義する。この定義に従って、図1のレーザダイオードの寿命を測定したところ、上昇率の変化から推定して1000時間以上であった。一方、不純物拡散防止層8を設けないレーザダイオードの寿命は200~300時間であった。このような寿命の差が生じた理由について説明する。不純物拡散防止層8がない場合、通電試験の最中に、p型クラッド層10やp型第2ガイド層9内のp型不純物例えばMgが徐々に不純物の少ない活性層5に向かって拡散を始める。活性層5にp型不純物が拡散すると、自由キャリア損失が生じるため、レーザダイオードにおけるしきい値電流が上昇する。また、しきい値電流以上での電流変化量に対する光出力変化量の比を示すスロープ効率が下がる。したがって、光出力を一定にしようとする場合に動作電流が上昇することになる。一方、本実施形態のように不純物拡散防止層8を設けた場合、不純物拡散防止層8にp型不純物が蓄積されて、活性層5へのp型不純物の拡散を抑制できる。このため、寿命が長くなり、信頼性の高いレーザダイオードを提供できる。図1のレーザダイオードは、オーバーフロー防止層7とp型GaN第2ガイド層9の間に不純物拡散防止層8を設けているが、図5に示すように、オーバーフロー防止層7とp型第1ガイド層6の間に不純物拡散防止層8を設けてもよい。図5の場合、オーバーフロー防止層7内のp型不純物も確実に不純物拡散防止層8に蓄積できる。このように、本実施形態では、活性層5に近接してInyGa1yNからなる不純物拡散防止層8を設けるため、p型クラッド層10やp型第2ガイド層9などの内部に存在するp型不純物を不純物拡散防止層8に蓄積でき、p型不純物が活性層5に拡散しなくなる。このため、レーザダイオードの寿命を延ばすことができ、信頼性向上が図れる。第2の実施形態第2の実施形態は、レーザダイオードの構造が第1の実施形態とは異なるものである。図6は第2の実施形態に係るレーザダイオードの断面図である。図6のレーザダイオードは、図1のp型第1ガイド層6とp型GaN第2ガイド層9を一層にまとめたp型GaNガイド層21を有する。このガイド層は、活性層5とオーバーフロー防止層7の間に配置されている。すなわち、図6のレーザダイオードは、n型GaN基板1上に形成されるn型GaNバッファ層2と、その上に形成されるn型クラッド層3と、その上に形成されるn型ガイド層4と、その上に形成される活性層5と、その上に形成されるp型GaNガイド層21と、その上に形成されるGa08Al02N層オーバーフロー防止層7と、その上に形成されるInyGa1yN0<y≦1層不純物拡散防止層8と、その上に形成されるp型クラッド層10とを備えている。図6のレーザダイオードでは、p型クラッド層10内のp型不純物を不純物拡散防止層8に蓄積できるため、活性層5へのp型不純物の拡散を防止できる。図6では、不純物拡散防止層8をオーバーフロー防止層7とp型クラッド層10の間に配置しているが、図7に示すように不純物拡散防止層8をp型GaNガイド層21とオーバーフロー防止層7の間に配置してもよい。図7のレーザダイオードでは、p型クラッド層10だけでなく、オーバーフロー防止層7内のp型不純物も不純物拡散防止層8に蓄積できる。図6および図7のレーザダイオードにおいて、p型GaNガイド層21とオーバーフロー防止層7の積層順序を入れ替えてもよい。この場合、図8または図9のようなレーザダイオードが得られる。図8のレーザダイオードでは、p型クラッド層10とp型GaNガイド層21の間に不純物拡散防止層8が配置されており、図9のダイオードでは、p型GaNガイド層21とオーバーフロー防止層7の間に不純物拡散防止層8が配置されている。このように、図6~図9のいずれの構造の場合でも、不純物拡散防止層8にp型不純物を蓄積できるため、活性層へのp型不純物の拡散を防止でき、レーザダイオードの寿命を延ばすことができる。上述した第1および第2の実施形態では、p型不純物にはMgを用いたが、Znなどを用いてもよい。また、第1および第2の実施形態では、レーザダイオードに不純物拡散防止層8を設ける例を説明したが、本発明はレーザダイオードだけでなく、発光ダイオードや光検出器などの光デバイスや、トランジスタ例えば、HBTなどの電子デバイスにも適用可能である。また、上記各実施形態では、不純物拡散防止層8にp型不純物を蓄積する例を説明したが、n型不純物がドープされた正孔のオーバーフローを防止するオーバーフロー防止層とn型ガイド層が設けられる場合には、これらの層に隣接して形成される不純物拡散防止層の内部にn型不純物を蓄積してもよい。"