"[A]下記式1で表される基を有する構造単位Iを含む重合体、及び[B]感放射線性酸発生剤を含有する感放射線性樹脂組成物。式1中、R1及びR2は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。また、R1及びR2が共に水素原子である場合はない。R3は、単結合、メチレン基、アルキレン基、アリーレン基、下記式4で表される基、又はこれらの基を組み合わせてなる2価の有機基である。但し、これらの基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。R4は、エポキシ基、グリシジル基、グリシジルオキシ基、不飽和二重結合若しくはエポキシ基を有する脂環式基、ビニル基、ビニルエーテル基又はメタアクリロイル基である。但し、上記エポキシ基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。nは、1~3の整数である。但し、R4が複数の場合、複数のR4は同一であっても異なっていてもよい。式4中、a、cは、それぞれ独立して1~6の整数である。bは、1~2の整数である。[A]重合体が、構造単位Iを含む重合体分子中に、又は構造単位Iを含まない他の重合体分子中に、エポキシ基を有する構造単位IIをさらに含む請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。[C]増感剤をさらに含有する請求項1又は請求項2に記載の感放射線性樹脂組成物。表示素子用層間絶縁膜の形成に用いられる請求項1、請求項2又は請求項3に記載の感放射線性樹脂組成物。1請求項4に記載の感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布し、塗膜を形成する工程、2上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、3上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び4上記現像された塗膜を加熱する工程を有する表示素子用層間絶縁膜の形成方法。請求項4に記載の感放射線性樹脂組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜。本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は良好な感度を有し、また表面硬度及び耐溶媒性に加え、優れた平坦性残膜率を有する感放射線性樹脂組成物、表示不良を引き起こさない当該組成物から得られる表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法を提供することである。上記課題を解決するためになされた発明は、[A]下記式1で表される基を有する構造単位Iを含む重合体以下、[A]重合体とも称する、及び[B]感放射線性酸発生剤を含有する感放射線性樹脂組成物である。式1中、R1及びR2は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。また、R1及びR2が共に水素原子である場合はない。R3は、単結合、メチレン基、アルキレン基、アリーレン基、下記式4で表される基、又はこれらの基を組み合わせてなる2価の有機基である。但し、これらの基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。R4は、エポキシ基、グリシジル基、グリシジルオキシ基、不飽和二重結合若しくはエポキシ基を有する脂環式基、ビニル基、ビニルエーテル基又はメタアクリロイル基である。但し、上記エポキシ基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。nは、1~3の整数である。但し、R4が複数の場合、複数のR4は同一であっても異なっていてもよい。式4中、a、cは、それぞれ独立して1~6の整数である。bは、1~2の整数である。上記構造単位Iは、反応性基を有する保護基を有しており、露光により解離した保護基が有する反応性基はレジスト膜中の重合体成分の官能基と反応し、レジスト膜外に排出されにくくなる。結果として、構造単位Iを含む[A]重合体を含有する当該組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜は、優れた残膜率を実現することができる。また、当該組成物は、[B]感放射線性酸発生剤を含有することで良好な感度を有し、かつ当該組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜は、優れた表面硬度及び耐溶媒性を有し、さらに高い電圧保持率表示不良を引き起こさないを発揮することができる。[A]重合体は、構造単位Iを含む重合体分子中に、又は構造単位Iを含まない他の重合体分子中に、エポキシ基を有する構造単位IIをさらに含むことが好ましい。構造単位IIをさらに含むことで、当該組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜は、より優れた表面硬度、耐溶媒性及び電圧保持率を有することができる。当該組成物は、[C]増感剤をさらに含有することが好ましい。当該組成物が、[C]増感剤をさらに含有することで、当該組成物の感度をより向上することができる。当該組成物は、表示素子用層間絶縁膜の形成材料として好適である。また、本発明には、当該組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜も好適に含まれる。本発明の表示素子用層間絶縁膜の形成方法は、1当該組成物を基板上に塗布し、塗膜を形成する工程、2上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、3上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び4上記現像された塗膜を加熱する工程を有する。当該形成方法によると、優れた平坦性残膜率を有し、かつ表示不良を引き起こさない表示素子用層間絶縁膜を形成できる。また、感放射線性を利用した露光、現像、加熱によってパターンを形成することによって、容易に微細かつ精巧なパターンを有する表示素子用層間絶縁膜を形成できる。従って、形成された表示素子用層間絶縁膜は、液晶表示素子、有機EL表示素子等の表示素子に好適に使用できる。なお、本明細書にいう感放射線性樹脂組成物の放射線とは、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等を含む概念である。以上説明したように、本発明の感放射線性樹脂組成物は、良好な感度を有し、また表面硬度及び耐溶媒性に加え、優れた平坦性残膜率を有し、かつ表示不良を引き起こさない表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。従って、当該組成物は、液晶表示素子、有機EL表示素子等の表示素子用層間絶縁膜を形成するための材料として好適である。<感放射線性樹脂組成物>本発明の感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体及び[B]感放射線性酸発生剤を含有する。また、当該組成物は好適成分として、[C]増感剤を含有してもよい。さらに、本発明の効果を損なわない限りにおいて、その他の任意成分を含有してもよい。以下、各成分を詳述する。<[A]重合体>[A]重合体は、上記式1で表される基を有する構造単位Iを含む重合体である。上記構造単位Iは、反応性基を有する保護基を有しており、露光により解離した保護基が有する反応性基はレジスト膜中の重合体成分の官能基と反応し、レジスト膜外に排出されにくくなる。結果として、構造単位Iを含む[A]重合体を含有する当該組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜は、優れた残膜率を実現することができる。また、[A]重合体は、構造単位Iを含む重合体分子中に、又は構造単位Iを含まない他の重合体分子中に、エポキシ基を有する構造単位IIをさらに含むことが好ましい。さらに、[A]重合体は本発明の効果を損なわない範囲において、アセタール構造を含む構造単位III及びその他の構造単位を含んでいてもよい。なお、[A]重合体は、各構造単位を2種以上含んでいてもよい。以下、各構造単位を詳述する。[構造単位I]構造単位Iは、上記式1で表される基を有する。上記式1中、R1及びR2は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。また、R1及びR2が共に水素原子である場合はない。R3は、単結合、メチレン基、アルキレン基、アリーレン基、上記式4で表される基、又はこれらの基を組み合わせてなる2価の有機基である。但し、これらの基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。上記式4中、a、cは、それぞれ独立して1~6の整数である。bは、1~2の整数である。R4は、エポキシ基、グリシジル基、グリシジルオキシ基、不飽和二重結合若しくはエポキシ基を有する脂環式基、ビニル基、ビニルエーテル基又はメタアクリロイル基である。但し、上記エポキシ基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。nは、1~3の整数である。但し、R4が複数の場合、複数のR4は同一であっても異なっていてもよい。上記R1及びR2で表されるアルキル基としては、例えば炭素数1~30の直鎖状及び分岐状のアルキル基等が挙げられる。上記炭素数1~30の直鎖状及び分岐状のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、n-ドデシル基、n-テトラデシル基、n-オクタデシル基等の直鎖状アルキル基、i-プロピル基、i-ブチル基、t-ブチル基、ネオペンチル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基等の分岐状のアルキル基等が挙げられる。上記R1及びR2で表されるシクロアルキル基としては、例えば炭素数3~20のシクロアルキル基等が挙げられる。また、この炭素数3~20のシクロアルキル基は、多環でもよい。上記炭素数3~20のシクロアルキル基としては、例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル、シクロオクチル、ボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。上記R1及びR2で表されるアリール基としては、例えば炭素数6~14のアリール基等が挙げられる。上記炭素数6~14のアリール基は、単環でもよく、単環が連結した構造であってもよく、縮合環であってもよい。上記炭素数6~14のアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。上記R1及びR2で表される置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基としては、例えばハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、カルボニル基、シクロアルキル基例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル、シクロオクチル、ボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等、アリール基例えばフェニル基、ナフチル基等、アルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、n-ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基等の炭素数1~20のアルコキシ基等、アシル基例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、i-ブチリル基等の炭素数2~20のアシル基等、アシロキシ基例えば、アセトキシ基、エチリルオキシ基、ブチリルオキシ基、t-ブチリルオキシ基、t-アミリルオキシ基等の炭素数2~10のアシロキシ基等、アルコキシカルボニル基例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基等の炭素数2~20のアルコキシカルボニル基、ハロアルキル基例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、n-ドデシル基、n-テトラデシル基、n-オクタデシル基等の直鎖状アルキル基、i-プロピル基、i-ブチル基、t-ブチル基、ネオペンチル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基等の分岐状のアルキル基等のアルキル基;パーフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、フルオロシクロプロピル基、フルオロシクロブチル基等のシクロアルキル基の水素原子の一部又は全部が、ハロゲン原子で置換された基等等が挙げられる。上記R3で表されるアルキレン基、アリーレン基又はこれらの基を組み合わせてなる2価の有機基としては、例えば上記R1及びR2で例示したアルキル基及びアリール基から、水素原子1つを除いた基及びそれらの基を組み合わせてなる2価の有機基が適用できる。これらの基の置換基としては例えば上記R1及びR2で表される置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基として例示した基が適用できる。上記R4で表される不飽和二重結合若しくはエポキシ基を有する脂環式基の脂環式基としては炭素数3~20のシクロアルキル基等が挙げられる。また、この炭素数3~20のシクロアルキル基は、多環でもよい。上記炭素数3~20のシクロアルキル基としては、例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル、シクロオクチル、ボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。なお、エポキシ基とは、オキシラニル基1,2-エポキシ構造及びオキセタニル基1,3-エポキシ構造を含む概念である。上記R4で表される置換されていてもよいエポキシ基の置換基としては、例えば炭素数1~10の直鎖状及び分岐状のアルキル基等が挙げられる。上記炭素数1~10の直鎖状及び分岐状のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基等の直鎖状アルキル基、i-プロピル基、i-ブチル基、t-ブチル基、ネオペンチル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基等の分岐状のアルキル基等が挙げられる。上記式1で表される基としては、例えば下記式1-1~1-7で表される基等が挙げられる。[A]重合体における構造単位Iの含有量としては、本願発明の所望の効果が奏される限り特に限定されず、[A]重合体に含まれる全構造単位に対して、単量体仕込み比で5質量~80質量が好ましく、10質量~70質量がより好ましく、15質量~65質量が特に好ましい。[構造単位II][A]重合体は、構造単位Iを含む重合体分子中に、又は構造単位Iを含まない他の重合体分子中にエポキシ基を有する構造単位IIをさらに含むことが好ましい。構造単位IIをさらに含むことで、当該組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜は、より優れた表面硬度、耐溶媒性及び電圧保持率を有することができる。構造単位IIとしては、エポキシ基含有単量体に由来する構造単位であれば特に限定されない。構造単位I及び構造単位IIを含む[A]重合体の態様としては、例えばi同一の重合体分子中に構造単位I及び構造単位IIの両方を含んでおり、[A]重合体中に1種の重合体分子が存在する場合;ii一の重合体分子中に構造単位Iを含み、それとは異なる重合体分子中に構造単位IIを含み[A]重合体中に2種の重合体分子が存在する場合;iii一の重合体分子中に構造単位I及び構造単位IIの両方を含み、それとは異なる重合体分子中に構造単位Iを含み、これらとはさらに異なる重合体分子中に構造単位IIを含み、[A]重合体中に3種の重合体分子が存在する場合;iv上記i~iiiの重合体分子に加え、[A]重合体中にさらに別の1種又は2種以上の重合体分子を含む場合等が挙げられる。エポキシ基含有構造単位を与えるエポキシ基含有単量体としては、例えばメタアクリル酸グリシジル、メタアクリル酸3,4-エポキシブチル、アクリル酸3-メチル-3,4-エポキシブチル、メタクリル酸3-エチル-3,4-エポキシブチル、メタアクリル酸5,6-エポキシヘキシル、メタクリル酸5-メチル-5,6-エポキシヘキシル、メタクリル酸5-エチル-5,6-エポキシヘキシル、メタアクリル酸6,7-エポキシヘプチル、メタクリル酸3,4-エポキシシクロへキシル、メタクリル酸3,4-エポキシシクロへキシルメチル、メタアクリル酸3,4-エポキシシクロへキシルエチル、メタクリル酸3,4-エポキシシクロへキシルプロピル、メタクリル酸3,4-エポキシシクロへキシルブチル、メタアクリル酸3,4-エポキシシクロへキシルヘキシル、アクリル酸3,4-エポキシシクロへキシルメチル、アクリル酸3,4-エポキシシクロへキシルエチル、アクリル酸3,4-エポキシシクロへキシルプロピル、アクリル酸3,4-エポキシシクロへキシルブチル、アクリル酸3,4-エポキシシクロへキシルヘキシル等のオキシラニル基含有メタアクリル系化合物;o-ビニルベンジルグリシジルエーテル、m-ビニルベンジルグリシジルエーテル、p-ビニルベンジルグリシジルエーテル、α-メチル-o-ビニルベンジルグリシジルエーテル、α-メチル-m-ビニルベンジルグリシジルエーテル、α-メチル-p-ビニルベンジルグリシジルエーテル等のビニルベンジルグリシジルエーテル類;o-ビニルフェニルグリシジルエーテル、m-ビニルフェニルグリシジルエーテル、p-ビニルフェニルグリシジルエーテル等のビニルフェニルグリシジルエーテル類;3-アクリロイルオキシメチルオキセタン、3-アクリロイルオキシメチル-3-メチルオキセタン、3-アクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン、3-アクリロイルオキシメチル-3-フェニルオキセタン、3-2-アクリロイルオキシエチルオキセタン、3-2-アクリロイルオキシエチル-3-エチルオキセタン、3-2-アクリロイルオキシエチル-3-エチルオキセタン、3-2-アクリロイルオキシエチル-3-フェニルオキセタン、3-メタクリロイルオキシメチルオキセタン、3-メタクリロイルオキシメチル-3-メチルオキセタン、3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン、3-メタクリロイルオキシメチル-3-フェニルオキセタン、3-2-メタクリロイルオキシエチルオキセタン、3-2-メタクリロイルオキシエチル-3-エチルオキセタン、3-2-メタクリロイルオキシエチル-3-エチルオキセタン、3-2-メタクリロイルオキシエチル-3-フェニルオキセタン、2-アクリロイルオキシメチルオキセタン、2-アクリロイルオキシメチル-2-メチルオキセタン、2-アクリロイルオキシメチル-2-エチルオキセタン、2-アクリロイルオキシメチル-2-フェニルオキセタン、2-2-アクリロイルオキシエチルオキセタン、2-2-アクリロイルオキシエチル-2-エチルオキセタン、2-2-アクリロイルオキシエチル-2-エチルオキセタン、2-2-アクリロイルオキシエチル-2-フェニルオキセタン、2-メタクリロイルオキシメチルオキセタン、2-メタクリロイルオキシメチル-2-メチルオキセタン、2-メタクリロイルオキシメチル-2-エチルオキセタン、2-メタクリロイルオキシメチル-2-フェニルオキセタン、2-2-メタクリロイルオキシエチルオキセタン、2-2-メタクリロイルオキシエチル-2-エチルオキセタン、2-2-メタクリロイルオキシエチル-2-エチルオキセタン、2-2-メタクリロイルオキシエチル-2-フェニルオキセタン等のオキセタニル基含有メタアクリル系化合物等が挙げられる。上記エポキシ基含有単量体のうち、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸2-メチルグリシジル、メタクリル酸3,4-エポキシシクロヘキシル、メタクリル酸3,4-エポキシシクロヘキシルメチル、3-メタクリロイルオキシメチル-3-メチルオキセタン、3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタンが他のラジカル重合性単量体との共重合反応性及び当該組成物の現像性の観点から好ましい。[A]重合体における構造単位IIの含有量としては、本願発明の所望の効果が奏される限り特に限定されず、[A]重合体に含まれる全構造単位に対して、単量体仕込み比で5質量~60質量が好ましく、7質量~55質量がより好ましく、10質量~50質量が特に好ましい。[構造単位III]構造単位IIIは、酸解離性基を有し、構造単位Iにおける反応性基、即ちR4に該当する基を有さない構造単位である。構造単位IIIにおける酸解離性基としては、アルカリに対しては比較的安定なアセタール構造又はケタール構造を有しており、これらが酸の作用によって解離することとなる。構造単位IIIを与える単量体としては、例えばメタクリル酸1-エトキシエチル、メタクリル酸1-メトキシエチル、メタクリル酸1-n-ブトキシエチル、メタクリル酸1-イソブトキシエチル、メタクリル酸1-t-ブトキシエチル、メタクリル酸1-2-クロルエトキシエチル、メタクリル酸1-2-エチルヘキシルオキシエチル、メタクリル酸1-n-プロポキシエチル、メタクリル酸1-シクロヘキシルオキシエチル、メタクリル酸1-2-シクロヘキシルエトキシエチル、メタクリル酸1-ベンジルオキシエチル、メタクリル酸2-テトラヒドロピラニル、アクリル酸1-エトキシエチル、アクリル酸1-メトキシエチル、アクリル酸1-n-ブトキシエチル、アクリル酸1-イソブトキシエチル、アクリル酸1-t-ブトキシエチル、アクリル酸1-2-クロルエトキシエチル、アクリル酸1-2-エチルヘキシルオキシエチル、アクリル酸1-n-プロポキシエチル、アクリル酸1-シクロヘキシルオキシエチル、アクリル酸1-2-シクロヘキシルエトキシエチル、アクリル酸1-ベンジルオキシエチル、アクリル酸2-テトラヒドロピラニル、2,3-ジ1-トリメチルシラニルオキシエトキシカルボニル-5-ノルボルネン、2,3-ジ1-トリメチルゲルミルオキシエトキシカルボニル-5-ノルボルネン、2,3-ジ1-メトキシエトキシカルボニル-5-ノルボルネン、2,3-ジ1-シクロヘキシルオキシエトキシカルボニル-5-ノルボルネン、2,3-ジ1-ベンジルオキシエトキシカルボニル-5-ノルボルネン、p又はm-1-エトキシエトキシスチレン、p又はm-1-メトキシエトキシスチレン、p又はm-1-n-ブトキシエトキシスチレン、p又はm-1-イソブトキシエトキシスチレン、p又はm-1-1,1-ジメチルエトキシエトキシスチレン、p又はm-1-2-クロルエトキシエトキシスチレン、p又はm-1-2-エチルヘキシルオキシエトキシスチレン、p又はm-1-n-プロポキシエトキシスチレン、p又はm-1-シクロヘキシルオキシエトキシスチレン、p又はm-1-2-シクロヘキシルエトキシエトキシスチレン、p又はm-1-ベンジルオキシエトキシスチレン等が挙げられる。これらのうち構造単位IIIを与える単量体としては、メタクリル酸1-エトキシエチル、メタクリル酸1-n-ブトキシエチル、メタクリル酸2-テトラヒドロピラニル、メタクリル酸1-ベンジルオキシエチル、メタクリル酸1-シクロヘキシルオキシエチルが好ましい。[その他の構造単位][A]重合体は、本発明の効果を損なわない範囲において、構造単位I、構造単位II及び構造単位III以外のその他の構造単位を含んでいてもよい。その他の構造単位を与える単量体としては、例えばカルボキシル基又はその誘導体を有する単量体、水酸基を有する単量体、その他の単量体等が挙げられる。上記カルボキシル基又はその誘導体を有する単量体としては、例えばアクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、2-アクリロイルオキシエチルコハク酸、2-メタクリロイルオキシエチルコハク酸、2-アクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸、2-メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のモノカルボン酸;マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸等のジカルボン酸;上記ジカルボン酸の酸無水物等が挙げられる。上記水酸基を有する単量体としては、例えばアクリル酸2-ヒドロキシエチル、アクリル酸3-ヒドロキシプロピル、アクリル酸4-ヒドロキシブチル、アクリル酸4-ヒドロキシメチルシクロヘキシルメチル等のアクリル酸ヒドロキシアルキル;メタクリル酸2-ヒドロキシエチル、メタクリル酸3-ヒドロキシプロピル、メタクリル酸4-ヒドロキシブチル、メタクリル酸5-ヒドロキシペンチル、メタクリル酸6-ヒドロキシヘキシル、メタクリル酸4-ヒドロキシメチル-シクロヘキシルメチル等のメタクリル酸ヒドロキシアルキル等が挙げられる。これらの水酸基を有する単量体のうち、得られる表示素子用層間絶縁膜の耐熱性の観点から、アクリル酸2-ヒドロキシエチル、アクリル酸3-ヒドロキシプロピル、アクリル酸4-ヒドロキシブチル、メタクリル酸2-ヒドロキシエチル、メタクリル酸4-ヒドロキシブチル、アクリル酸4-ヒドロキシメチル-シクロヘキシルメチル、メタクリル酸4-ヒドロキシメチル-シクロヘキシルメチルが好ましい。その他の単量体としては、例えばアクリル酸メチル、アクリル酸i-プロピル等のアクリル酸アルキル;メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸n-ブチル、メタクリル酸sec-ブチル、メタクリル酸t-ブチル等のメタクリル酸アルキル;アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸2-メチルシクロヘキシル、アクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イル、アクリル酸2-トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イルオキシエチル、アクリル酸イソボルニル等のアクリル酸脂環式アルキル;メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸2-メチルシクロヘキシル、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イル、メタクリル酸2-トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イルオキシエチル、メタクリル酸イソボルニル等のメタクリル酸脂環式アルキル;アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル等のアクリル酸のアリールエステル又はアクリル酸のアラルキル;メタクリル酸フェニル、メタクリル酸ベンジル等のメタクリル酸のアリールエステル又はメタクリル酸のアラルキル;マレイン酸ジエチル、フマル酸ジエチル、イタコン酸ジエチル等のジカルボン酸ジアルキル;メタクリル酸テトラヒドロフルフリル、メタクリル酸テトラヒドロフリル、メタクリル酸テトラヒドロピラン-2-メチル等の酸素1原子を含む不飽和複素五員環メタクリル酸エステル又は不飽和複素六員環メタクリル酸;4-メタクリロイルオキシメチル-2-メチル-2-エチル-1,3-ジオキソラン、4-メタクリロイルオキシメチル-2-メチル-2-イソブチル-1,3-ジオキソラン、4-メタクリロイルオキシメチル-2-シクロヘキシル-1,3-ジオキソラン、4-メタクリロイルオキシメチル-2-メチル-2-エチル-1,3-ジオキソラン、4-メタクリロイルオキシメチル-2-メチル-2-イソブチル-1,3-ジオキソラン等の酸素2原子を含む不飽和複素五員環メタクリル酸;4-アクリロイルオキシメチル-2,2-ジメチル-1,3-ジオキソラン、4-アクリロイルオキシメチル-2-メチル-2-エチル-1,3-ジオキソラン、4-アクリロイルオキシメチル-2、2-ジエチル-1,3-ジオキソラン、4-アクリロイルオキシメチル-2-メチル-2-イソブチル-1,3-ジオキソラン、4-アクリロイルオキシメチル-2-シクロペンチル-1,3-ジオキソラン、4-アクリロイルオキシメチル-2-シクロヘキシル-1,3-ジオキソラン、4-アクリロイルオキシエチル-2-メチル-2-エチル-1,3-ジオキソラン、4-アクリロイルオキシプロピル-2-メチル-2-エチル-1,3-ジオキソラン、4-アクリロイルオキシブチル-2-メチル-2-エチル-1,3-ジオキソラン等の酸素2原子を含む不飽和複素五員環アクリル酸;スチレン、α-メチルスチレン、m-メチルスチレン、p-メチルスチレン、p-メトキシスチレン、4-イソプロペニルフェノール等のビニル芳香族化合物;N-フェニルマレイミド、N-シクロヘキシルマレイミド、N-ベンジルマレイミド、N-スクシンイミジル-3-マレイミドベンゾエート、N-スクシンイミジル-4-マレイミドブチレート、N-スクシンイミジル-6-マレイミドカプロエート、N-スクシンイミジル-3-マレイミドプロピオネート、N-9-アクリジニルマレイミド等のN位置換マレイミド;1,3-ブタジエン、イソプレン、2,3-ジメチル-1,3-ブタジエン等の共役ジエン系化合物;アクリロニトリル、メタクリロニトリル、アクリルアミド、メタクリルアミド、塩化ビニル、塩化ビニリデン、酢酸ビニル等の不飽和化合物等が挙げられる。これらのその他の単量体のうち、スチレン、4-イソプロペニルフェノール、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イル、メタクリル酸テトラヒドロフルフリル、1,3-ブタジエン、4-アクリロイルオキシメチル-2-メチル-2-エチル-1,3-ジオキソラン、N-シクロヘキシルマレイミド、N-フェニルマレイミド、メタクリル酸ベンジルが、上記のカルボキシル基又はその誘導体を有する単量体、水酸基を有する単量体との共重合反応性及び当該組成物の現像性の観点から好ましい。[A]重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量Mwとしては、好ましくは2.0×103~1.0×105、より好ましくは5.0×103~5.0×104である。[A]重合体のMwを上記特定範囲とすることで、当該組成物の感度及びアルカリ現像性を高めることができる。[A]重合体のGPCによるポリスチレン換算数平均分子量Mnとしては、好ましくは2.0×103~1.0×105、より好ましくは5.0×103~5.0×104である。[A]重合体のMnを上記特定範囲とすることで、当該組成物の塗膜の硬化時の硬化反応性を向上させることができる。[A]重合体の分子量分布Mw/Mnとしては、好ましくは3.0以下、より好ましくは2.6以下である。[A]重合体のMw/Mnを3.0以下とすることで、得られる表示素子用層間絶縁膜の現像性を高めることができる。なお、Mw及びMnは、下記の条件によるGPCにより測定した。装置:GPC-101昭和電工製カラム:GPC-KF-801、GPC-KF-802、GPC-KF-803及びGPC-KF-804を結合移動相:テトラヒドロフランカラム温度:40°C流速:1.0mL/分試料濃度:1.0質量試料注入量:100μL検出器:示差屈折計標準物質:単分散ポリスチレン<[A]重合体の合成方法>[A]重合体は、上記各構造単位を与える単量体のラジカル共重合により合成できる。例えば、同一の重合体分子に構造単位I及び構造単位IIの両方を含む[A]重合体を合成する場合は、構造単位Iを与える単量体と構造単位IIを与える単量体とを含む混合物を用いて共重合させればよい。一方、一の重合体分子に構造単位Iを有し、かつそれとは異なる重合体分子に構造単位IIを有する[A]重合体を合成する場合は、構造単位Iを与える単量体を含む重合性溶液をラジカル重合させて構造単位Iを有する重合体分子を得ておき、別途構造単位IIを与える単量体を含む重合性溶液をラジカル重合させて構造単位IIを有する重合体分子を得て、最後に両者を混合して[A]重合体とすればよい。[A]重合体の重合反応に用いられる溶媒としては、例えば後述する当該組成物の調製の項において例示した溶媒が挙げられる。重合反応に用いられる重合開始剤としては、一般的にラジカル重合開始剤として知られているものが使用できるが、例えば2,2’-アゾビスイソブチロニトリル、2,2’-アゾビス-2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス-4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオン酸メチル等のアゾ化合物;ベンゾイルペルオキシド、ラウロイルペルオキシド、t-ブチルペルオキシピバレート、1,1’-ビス-t-ブチルペルオキシシクロヘキサン等の有機過酸化物;及び過酸化水素等が挙げられる。[A]重合体の重合反応においては、分子量を調整するために分子量調整剤を使用することもできる。分子量調整剤としては、例えばクロロホルム、四臭化炭素等のハロゲン化炭化水素類;n-ヘキシルメルカプタン、n-オクチルメルカプタン、n-ドデシルメルカプタン、t-ドデシルメルカプタン、チオグリコール酸等のメルカプタン類;ジメチルキサントゲンスルフィド、ジイソプロピルキサントゲンジスルフィド等のキサントゲン類;ターピノーレン、α-メチルスチレンダイマー等が挙げられる。<[B]感放射線性酸発生剤>[B]感放射線性酸発生剤は、放射線の照射によって酸を発生する化合物である。放射線としては、例えば可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、X線等を使用できる。当該組成物が[B]感放射線性酸発生剤を含むことで、当該組成物はポジ型の感放射線特性を発揮することができる。[B]感放射線性酸発生剤としては、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、カルボン酸エステル化合物等が挙げられる。なお、これらの[B]感放射線性酸発生剤はそれぞれを単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。[オキシムスルホネート化合物]オキシムスルホネート化合物としては、例えば下記式2で表されるオキシムスルホネート基を含有する化合物等が挙げられる。上記式2中、RB1は、直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基である。但し、これらの基は水素原子の一部又は全部が置換されていてもよい。上記RB1で表される直鎖状若しくは分岐状のアルキル基としては、炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基が好ましい。上記炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基は置換されていてもよく、置換基としては例えば炭素数1~10のアルコキシ基、7,7-ジメチル-2-オキソノルボルニル基等の有橋式脂環基を含む脂環式基等が挙げられる。なお、好ましい脂環式基としては、ビシクロアルキル基である。上記RB1で表されるアリール基としては、炭素数6~11のアリール基が好ましく、フェニル基、ナフチル基がより好ましい。上記アリール基は置換されていてもよく、置換基としては例えば炭素数1~5のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等が挙げられる。上記式2で表されるオキシムスルホネート基を含有する化合物としては、例えば下記式3で表されるオキシムスルホネート化合物等が挙げられる。上記式3中、RB1は、上記式2と同義である。Xは、アルキル基、アルコキシ基、又はハロゲン原子である。mは、0~3の整数である。但し、Xが複数の場合、複数のXは同一であっても異なっていてもよい。上記Xで表され得るアルキル基としては、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基が好ましい。上記Xで表されるアルコキシ基としては、炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が好ましい。上記Xで表されるハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素原子が好ましい。mとしては、0又は1が好ましい。上記式3においては、mが1であり、Xがメチル基であり、Xの置換位置がオルトである化合物が好ましい。上記3で表されるオキシムスルホネート化合物としては、例えば下記式3-1~3-5でそれぞれ表される化合物等が挙げられる。上記化合物3-15-プロピルスルフォニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン-2-メチルフェニルアセトニトリル、化合物3-25-オクチルスルフォニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン-2-メチルフェニルアセトニトリル、化合物3-3カンファースルフォニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン-2-メチルフェニルアセトニトリル、化合物3-45-p-トルエンスルフォニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン-2-メチルフェニルアセトニトリル及び化合物3-55-オクチルスルフォニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリルは、市販品として入手できる。[オニウム塩]オニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、スルホニウム塩、ベンゾチアゾニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩等が挙げられる。ジフェニルヨードニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウム-p-トルエンスルホナート、ジフェニルヨードニウムブチルトリス2,6-ジフルオロフェニルボレート、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム-p-トルエンスルホナート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムカンファースルホン酸等が挙げられる。トリフェニルスルホニウム塩としては、例えばトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホン酸、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、トリフェニルスルホニウム-p-トルエンスルホナート、トリフェニルスルホニウムブチルトリス2、6-ジフルオロフェニルボレート等が挙げられる。スルホニウム塩としては、例えばアルキルスルホニウム塩、ベンジルスルホニウム塩、ジベンジルスルホニウム塩、置換ベンジルスルホニウム塩等が挙げられる。アルキルスルホニウム塩としては、例えば4-アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル-4-ベンジルオキシカルボニルオキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル-4-ベンゾイルオキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル-4-ベンゾイルオキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル-3-クロロ-4-アセトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。ベンジルスルホニウム塩としては、例えばベンジル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4-アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル-4-メトキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル-2-メチル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル-3-クロロ-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、4-メトキシベンジル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。ジベンジルスルホニウム塩としては、例えばジベンジル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4-アセトキシフェニルジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル-4-メトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル-3-クロロ-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジベンジル-3-メチル-4-ヒドロキシ-5-t-ブチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル-4-メトキシベンジル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。置換ベンジルスルホニウム塩としては、例えばp-クロロベンジル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、p-ニトロベンジル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、p-クロロベンジル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、p-ニトロベンジル-3-メチル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、3,5-ジクロロベンジル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、o-クロロベンジル-3-クロロ-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。ベンゾチアゾニウム塩としては、例えば3-ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3-ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロホスフェート、3-ベンジルベンゾチアゾニウムテトラフルオロボレート、3-p-メトキシベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3-ベンジル-2-メチルチオベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3-ベンジル-5-クロロベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば4,7-ジ-n-ブトキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム-1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム-2-5-t-ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム-2-6-t-ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート等が挙げられる。[スルホンイミド化合物]スルホンイミド化合物としては、例えばN-トリフルオロメチルスルホニルオキシスクシンイミド、N-カンファスルホニルオキシスクシンイミド、N-4-メチルフェニルスルホニルオキシスクシンイミド、N-2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシスクシンイミド、N-4-フルオロフェニルスルホニルオキシスクシンイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシフタルイミド、N-カンファスルホニルオキシフタルイミド、N-2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシフタルイミド、N-2-フルオロフェニルスルホニルオキシフタルイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-カンファスルホニルオキシジフェニルマレイミド、4-メチルフェニルスルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-4-フルオロフェニルスルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-4-フルオロフェニルスルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-フェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-4-メチルフェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-トリフルオロメタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-ノナフルオロブタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-カンファスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-カンファスルホニルオキシ-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシ-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-4-メチルフェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-4-メチルフェニルスルホニルオキシ-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-4-フルオロフェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-4-フルオロフェニルスルホニルオキシ-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-5,6-オキシ-2,3-ジカルボキシルイミド、N-カンファスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-5,6-オキシ-2,3-ジカルボキシルイミド、N-4-メチルフェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-5,6-オキシ-2,3-ジカルボキシルイミド、N-2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-5,6-オキシ-2,3-ジカルボキシルイミド、N-4-フルオロフェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-5,6-オキシ-2,3-ジカルボキシルイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-カンファスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-4-メチルフェニルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-フェニルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-4-フルオロフェニルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-ペンタフルオロエチルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-ヘプタフルオロプロピルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-ノナフルオロブチルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-エチルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-プロピルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-ブチルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-ペンチルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-ヘキシルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-ヘプチルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-オクチルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-ノニルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド等が挙げられる。[ハロゲン含有化合物]ハロゲン含有化合物としては、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有ヘテロ環状化合物等が挙げられる。[ジアゾメタン化合物]ジアゾメタン化合物としては、例えば、ビストリフルオロメチルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビスフェニルスルホニルジアゾメタン、ビスp-トリルスルホニルジアゾメタン、ビス2,4-キシリルスルホニルジアゾメタン、ビスp-クロロフェニルスルホニルジアゾメタン、メチルスルホニル-p-トルエンスルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル1,1-ジメチルエチルスルホニルジアゾメタン、ビス1,1-ジメチルエチルスルホニルジアゾメタン、フェニルスルホニルベンゾイルジアゾメタン等が挙げられる。[スルホン化合物]スルホン化合物としては、例えばβ-ケトスルホン化合物、β-スルホニルスルホン化合物、ジアリールジスルホン化合物等が挙げられる。[スルホン酸エステル化合物]スルホン酸エステル化合物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート等が挙げられる。[カルボン酸エステル化合物]カルボン酸エステル化合物としては、例えばカルボン酸o-ニトロベンジルエステル等が挙げられる。[B]感放射線性酸発生剤としては、感度及び溶解性の観点から、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩、スルホン酸エステル化合物が好ましい。オキシムスルホネート化合物としては、上記式2で表される化合物が好ましく、上記式3で表される化合物がより好ましく、市販品として入手可能な、上記式3-1で表される化合物が特に好ましい。オニウム塩としては、テトラヒドロチオフェニウム塩、ベンジルスルホニウム塩が好ましく、4,7-ジ-n-ブトキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、ベンジル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェートがより好ましい。スルホン酸エステル化合物としては、ハロアルキルスルホン酸エステルが好ましく、N-ヒドロキシナフタルイミド-トリフルオロメタンスルホン酸エステルがより好ましい。当該組成物における[B]感放射線性酸発生剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、好ましくは0.1質量部~10質量部、より好ましくは1質量部~5質量部である。[B]感放射線性酸発生剤の含有量を上記特定範囲とすることで、当該組成物の感度を最適化し、透明性を維持しつつ表面硬度が高い表示素子用層間絶縁膜を形成できる。<[C]増感剤>当該組成物は、好適成分として[C]増感剤をさらに含有することが好ましい。当該組成物が、[C]増感剤をさらに含有することで、当該組成物の感度をより向上することができる。[C]増感剤は、活性光線又は放射線を吸収して電子励起状態となる。電子励起状態となった[C]増感剤は、光酸発生剤と接触して、電子移動、エネルギー移動、発熱等の作用が生じ、これにより[B]感放射線性酸発生剤は化学変化を起こして分解し酸を生成する。[C]増感剤としては、以下の化合物類に属しており、かつ350nm~450nmの領域に吸収波長を有する化合物等が挙げられる。[C]増感剤としては、例えばピレン、ペリレン、トリフェニレン、アントラセン、9,10-ジブトキシアントラセン、9,10-ジエトキシアントラセン、3,7-ジメトキシアントラセン、9,10-ジプロピルオキシアントラセン等の多核芳香族類;フルオレッセイン、エオシン、エリスロシン、ローダミンB、ローズベンガル等のキサンテン類;キサントン、チオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン等のキサントン類;チアカルボシアニン、オキサカルボシアニン等のシアニン類;メロシアニン、カルボメロシアニン等のメロシアニン類;ローダシアニン類;オキソノール類;チオニン、メチレンブルー、トルイジンブルー等のチアジン類;アクリジンオレンジ、クロロフラビン、アクリフラビン等のアクリジン類;アクリドン、10-ブチル-2-クロロアクリドン等のアクリドン類;アントラキノン等のアントラキノン類;スクアリウム等のスクアリウム類;スチリル類;2-[2-[4-ジメチルアミノフェニル]エテニル]ベンゾオキサゾール等のベーススチリル類;7-ジエチルアミノ4-メチルクマリン、7-ヒドロキシ4-メチルクマリン、2,3,6,7-テトラヒドロ-9-メチル-1H,5H,11H[l]ベンゾピラノ[6.7.8-ij]キノリジン-11-ノン等のクマリン類等が挙げられる。これらの[C]増感剤のうち多環芳香族類、キサントン類、アクリドン類、スチリル類、ベーススチリル類、クマリン類が好ましく、多環芳香族類、キサントン類がより好ましく、9,10-ジブトキシアントラセン、イソプロピルチオキサントンが特に好ましい。当該組成物における[C]増感剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して0.1質量部~10質量部が好ましく、0.5質量部~5質量部がより好ましい。[D]塩基性化合物の含有量を上記特定範囲とすることで、感度をより向上できる。<その他の任意成分>当該組成物は、上記[A]~[C]成分に加え、本発明の効果を損なわない範囲で必要に応じて[D]塩基性化合物、[E]界面活性剤、[F]密着助剤、[G]ヒンダードフェノール構造を有する化合物等のその他の任意成分を含有してもよい。これらのその他の任意成分は、単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。以下、各成分を詳述する。<[D]塩基性化合物>[D]塩基性化合物としては、化学増幅レジストで用いられるものから任意に選択して使用でき、例えば脂肪族アミン、芳香族アミン、複素環式アミン、4級アンモニウムヒドロキシド、カルボン酸4級アンモニウム塩等が挙げられる。当該組成物に[D]塩基性化合物を含有させることで、露光により[B]感放射線性酸発生剤から発生した酸の拡散長を適度に制御することができパターン現像性を良好にできる。脂肪族アミンとしては、例えばトリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリ-n-プロピルアミン、ジ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン等が挙げられる。芳香族アミンとしては、例えばアニリン、ベンジルアミン、N,N-ジメチルアニリン、ジフェニルアミン等が挙げられる。複素環式アミンとしては、例えばピリジン、2-メチルピリジン、4-メチルピリジン、2-エチルピリジン、4-エチルピリジン、2-フェニルピリジン、4-フェニルピリジン、N-メチル-4-フェニルピリジン、4-ジメチルアミノピリジン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、4-メチルイミダゾール、2-フェニルベンズイミダゾール、2,4,5-トリフェニルイミダゾール、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、8-オキシキノリン、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、4-メチルモルホリン、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネン、1,8-ジアザビシクロ[5.3.0]-7ウンデセン等が挙げられる。4級アンモニウムヒドロキシドとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ヘキシルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。カルボン酸4級アンモニウム塩としては、例えばテトラメチルアンモニウムアセテート、テトラメチルアンモニウムベンゾエート、テトラ-n-ブチルアンモニウムアセテート、テトラ-n-ブチルアンモニウムベンゾエート等が挙げられる。これらの[D]塩基性化合物のうち、複素環式アミンが好ましく、4-ジメチルアミノピリジン、4-メチルイミダゾール、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネンがより好ましい。当該組成物における[D]塩基性化合物の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して0.001質量部~1質量部が好ましく、0.005質量部~0.2質量部がより好ましい。[D]塩基性化合物の含有量を上記特定範囲とすることで、パターン現像性がより向上する。<[E]界面活性剤>[E]界面活性剤は、当該組成物の塗膜形成性をより向上させることができる。界面活性剤としては、例えばフッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤等が挙げられる。当該組成物が、[E]界面活性剤を含有することで、塗膜の表面平滑性を向上でき、その結果形成される表示素子用層間絶縁膜の膜厚均一性をより向上できる。フッ素系界面活性剤としては、末端、主鎖及び側鎖の少なくともいずれかの部位にフルオロアルキル基及び/又はフルオロアルキレン基を有する化合物が好ましく、例えば1,1,2,2-テトラフルオロn-オクチル1,1,2,2-テトラフルオロn-プロピルエーテル、1,1,2,2-テトラフルオロn-オクチルn-ヘキシルエーテル、ヘキサエチレングリコールジ1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロn-ペンチルエーテル、オクタエチレングリコールジ1,1,2,2-テトラフルオロn-ブチルエーテル、ヘキサプロピレングリコールジ1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロn-ペンチルエーテル、オクタプロピレングリコールジ1,1,2,2-テトラフルオロn-ブチルエーテル、パーフルオロn-ドデカンスルホン酸ナトリウム、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロn-デカン、1,1,2,2,3,3,9,9,10,10-デカフルオロn-ドデカン、フルオロアルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、フルオロアルキルリン酸ナトリウム、フルオロアルキルカルボン酸ナトリウム、ジグリセリンテトラキスフルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル、フルオロアルキルアンモニウムヨージド、フルオロアルキルベタイン、フルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル、パーフルオロアルキルポリオキシエタノール、パーフルオロアルキルアルコキシレート、カルボン酸フルオロアルキルエステル等が挙げられる。フッ素系界面活性剤の市販品としては、例えばBM-1000、BM-1100以上、BMCHEMIE製、メガファックF142D、同F172、同F173、同F183、同F178、同F191、同F471、同F476以上、大日本インキ化学工業製、フロラードFC-170C、同FC-171、同FC-430、同FC-431以上、住友スリーエム製、サーフロンS-112、同S-113、同S-131、同S-141、同S-145、同S-382、同SC-101、同SC-102、同SC-103、同SC-104、同SC-105、同SC-106以上、旭硝子製、エフトップEF301、同EF303、同EF352以上、新秋田化成製、フタージェントFT-100、同FT-110、同FT-140A、同FT-150、同FT-250、同FT-251、同FT-300、同FT-310、同FT-400S、同FTX-218、同FT-251以上、ネオス製等が挙げられる。シリコーン系界面活性剤としては、例えばトーレシリコーンDC3PA、同DC7PA、同SH11PA、同SH21PA、同SH28PA、同SH29PA、同SH30PA、同SH-190、同SH-193、同SZ-6032、同SF-8428、同DC-57、同DC-190、SH8400FLUID以上、東レダウコーニングシリコーン製、TSF-4440、TSF-4300、TSF-4445、TSF-4446、TSF-4460、TSF-4452以上、GE東芝シリコーン製、オルガノシロキサンポリマーKP341信越化学工業製等が挙げられる。当該組成物における[E]界面活性剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、好ましくは0.01質量部以上2質量部以下であり、より好ましくは0.05質量部以上1質量部以下である。[E]界面活性剤の含有量を上記特定範囲とすることで塗膜の膜厚均一性をより向上できる。<[F]密着助剤>[F]密着助剤は、基板となる無機物、例えばシリコーン、酸化シリコーン、窒化シリコーン等のシリコーン化合物、金、銅、アルミニウム等の金属と絶縁膜との接着性を向上させるために使用できる。密着助剤としては、官能性シランカップリング剤が好ましい。官能性シランカップリング剤としては、例えばカルボキシル基、メタクリロイル基、イソシアネート基、エポキシ基好ましくはオキシラニル基、チオール基等の反応性置換基を有するシランカップリング剤等が挙げられる。官能性シランカップリング剤としては、例えばトリメトキシシリル安息香酸、γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ-イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、γ-クロロプロピルトリアルコキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリアルコキシシラン、β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン等が挙げられる。これらのうち、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシランが好ましい。当該組成物における[F]密着助剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、0.5質量部以上20質量部以下が好ましく、1質量部以上10質量部以下がより好ましい。[F]密着助剤の含有量を上記特定範囲とすることで、形成される表示素子用層間絶縁膜と基板との密着性がより改善される。<[G]ヒンダードフェノール構造を有する化合物>[G]ヒンダードフェノール構造を有する化合物は、ラジカル又は過酸化物による化合物の結合の解裂を防止するための成分である。[G]ヒンダードフェノール構造を有する化合物としては、ヒンダードフェノール構造を有する化合物に加え、ヒンダードアミン構造を有する化合物等のラジカル捕捉剤等が挙げられる。上記ヒンダードフェノール構造を有する化合物としては、例えばペンタエリスリトールテトラキス[3-3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロピオネート]、チオジエチレンビス[3-3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロピオネート]、オクタデシル-3-3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロピオネート、トリス-3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシベンジル-イソシアヌレイト、1,3,5-トリメチル-2,4,6-トリス3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシベンジルベンゼン、N,N’-ヘキサン-1,6-ジイルビス[3-3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロピオンアミド、3,3’,3’,5’,5’-ヘキサ-tert-ブチル-a,a’,a’-メシチレン-2,4,6-トリイルトリ-p-クレゾール、4,6-ビスオクチルチオメチル-o-クレゾール、4,6-ビスドデシルチオメチル-o-クレゾール、エチレンビスオキシエチレンビス[3-5-tert-ブチル-4-ヒドロキシ-m-トリルプロピオネート、ヘキサメチレンビス[3-3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロピオネート]、1,3,5-トリス[4-tert-ブチル-3-ヒドロキシ-2,6-キシリンメチル]-1,3,5-トリアジン-2,4,61H,3H,5H-トリオン、2,6-ジ-tert-ブチル-4-4,6-ビスオクチルチオ-1,3,5-トリアジン-2-イルアミンフェノール等が挙げられる。上記ヒンダードアミン構造を有する化合物としては、例えばビス2,2,6,6-テトラメチル-4-ピペリジルセバケート、ビス2,2,6,6-テトラメチル-4-ピペリジルスクシネート、ビス1,2,2,6,6-ペンタメチル-4-ピペリジルセバケート、ビスN-オクトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-4-ピペリジルセバケート、ビスN-ベンジルオキシ-2,2,6,6-テトラメチル-4-ピペリジルセバケート、ビスN-シクロヘキシルオキシ-2,2,6,6-テトラメチル-4-ピペリジルセバケート、ビス1,2,2,6,6-ペンタメチル-4-ピペリジル2-3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシベンジル-2-ブチルマロネート、ビス1-アクロイル-2,2,6,6-テトラメチル-4-ピペリジル2,2-ビス3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシベンジル-2-ブチルマロネート、ビス1,2,2,6,6-ペンタメチル-4-ピペリジルデカンジオエート、2,2,6,6-テトラメチル-4-ピペリジルメタクリレート、4-[3-3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロピオニルオキシ]-1-[2-3-3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロピオニルオキシエチル]-2,2,6,6-テトラメチルピペリジン、2-メチル-2-2,2,6,6-テトラメチル-4-ピペリジルアミノ-N-2,2,6,6-テトラメチル-4-ピペリジルプロピオンアミド、テトラキス2,2,6,6-テトラメチル-4-ピペリジル1,2,3,4-ブタンテトラカルボキシレート、テトラキス1,2,2,6,6-ペンタメチル-4-ピペリジル1,2,3,4-ブタンテトラカルボキシレート等の化合物が挙げられる。当該組成物における[G]ヒンダードフェノール構造を有する化合物の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、0.1質量部以上10質量部以下が好ましく、1.5質量部以上3質量部以下がより好ましい。[G]ヒンダードフェノール構造を有する化合物の含有量を上記特定範囲とすることで、当該組成物の感度を保ちつつ、形成される表示素子用層間絶縁膜の電圧保持率等をより向上することができる。<感放射線性樹脂組成物の調製方法>当該組成物は、溶媒に[A]重合体、[B]感放射線性酸発生剤、必要に応じて好適成分、その他の任意成分を混合することによって溶解又は分散させた状態に調製される。例えば溶媒中で、各成分を所定の割合で混合することにより、当該組成物を調製できる。溶媒としては、各成分を均一に溶解又は分散し、各成分と反応しないものが好適に用いられる。溶媒としては、例えばアルコール類、エーテル類、グリコールエーテル、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート、芳香族炭化水素類、ケトン類、他のエステル類等が挙げられる。アルコール類としては、例えばメタノール、エタノール、ベンジルアルコール、2-フェニルエチルアルコール、3-フェニル-1-プロパノール等が挙げられる。エーテル類としては、例えばテトラヒドロフラン等が挙げられる。グリコールエーテルとして、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等が挙げられる。エチレングリコールアルキルエーテルアセテートとしては、例えばメチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等が挙げられる。ジエチレングリコールアルキルエーテルとしては、例えばジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等が挙げられる。プロピレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等が挙げられる。プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートとしては、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等が挙げられる。プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネートとしては、例えばプロピレンモノグリコールメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノブチルエーテルプロピオネート等が挙げられる。芳香族炭化水素類としては、例えばトルエン、キシレン等が挙げられる。ケトン類としては、例えばメチルエチルケトン、シクロヘキサノン、4-ヒドロキシ-4-メチル-2-ペンタノン等が挙げられる。他のエステル類としては、例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸メチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、3-ヒドロキシプロピオン酸メチル、3-ヒドロキシプロピオン酸エチル、3-ヒドロキシプロピオン酸プロピル、3-ヒドロキシプロピオン酸ブチル、2-ヒドロキシ-3-メチルブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチル、2-メトキシプロピオン酸メチル、2-メトキシプロピオン酸エチル、2-メトキシプロピオン酸プロピル、2-メトキシプロピオン酸ブチル、2-エトキシプロピオン酸メチル、2-エトキシプロピオン酸エチル、2-エトキシプロピオン酸プロピル、2-エトキシプロピオン酸ブチル、2-ブトキシプロピオン酸メチル、2-ブトキシプロピオン酸エチル、2-ブトキシプロピオン酸プロピル、2-ブトキシプロピオン酸ブチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-メトキシプロピオン酸プロピル、3-メトキシプロピオン酸ブチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸プロピル、3-エトキシプロピオン酸ブチル、3-プロポキシプロピオン酸メチル、3-プロポキシプロピオン酸エチル、3-プロポキシプロピオン酸プロピル、3-プロポキシプロピオン酸ブチル、3-ブトキシプロピオン酸メチル、3-ブトキシプロピオン酸エチル、3-ブトキシプロピオン酸プロピル、3-ブトキシプロピオン酸ブチル等が挙げられる。これらの溶媒のうち、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、メトキシ酢酸ブチルが好ましく、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メトキシ酢酸ブチルがより好ましい。<表示素子用層間絶縁膜の形成方法>当該組成物は、表示素子用層間絶縁膜の形成材料として好適である。また、本発明には、当該組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜も好適に含まれる。本発明の表示素子用層間絶縁膜の形成方法は、1当該組成物を基板上に塗布し、塗膜を形成する工程、2上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、3上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び4上記現像された塗膜を加熱する工程を有する。当該形成方法によると、優れた平坦性残膜率を有し、かつ表示不良を引き起こさない表示素子用層間絶縁膜を形成できる。また、感放射線性を利用した露光、現像、加熱によってパターンを形成することによって、容易に微細かつ精巧なパターンを有する表示素子用層間絶縁膜を形成できる。従って、形成された表示素子用層間絶縁膜は、液晶表示素子、有機EL表示素子等の表示素子に好適に使用できる。[工程1]本工程では、当該組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する。好ましくは塗布面をプレベークすることによって溶媒を除去する。基板としては、例えばガラス、石英、シリコーン、樹脂等が挙げられる。樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリイミド、環状オレフィンの開環重合体及びその水素添加物等が挙げられる。プレベークの条件としては、各成分の種類、配合割合等によっても異なるが、70°C~120°C、1分~10分間程度とすることができる。[工程2]本工程では、上記形成された塗膜の少なくとも一部に放射線を照射し露光する。露光する際には、通常所定のパターンを有するフォトマスクを介して露光する。露光に使用される放射線としては、波長が190nm~450nmの範囲にある放射線が好ましく、365nmの紫外線を含む放射線がより好ましい。露光量としては、放射線の波長365nmにおける強度を、照度計OAImodel356、OAIOpticalAssociates製により測定した値で、500J/m2~6,000J/m2が好ましく、1,500J/m2~1,800J/m2がより好ましい。[工程3]本工程では、上記放射線が照射された塗膜を現像する。露光後の塗膜を現像することにより、不要な部分放射線の照射部分を除去して所定のパターンを形成する。現像工程に使用される現像液としては、アルカリ性の水溶液が好ましい。アルカリとしては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア等の無機アルカリ;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の4級アンモニウム塩等が挙げられる。アルカリ水溶液には、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ水溶液におけるアルカリの濃度しては、適当な現像性を得る観点から、0.1質量以上5質量以下が好ましい。現像方法としては、例えば液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、シャワー法等が挙げられる。現像時間としては、当該組成物の組成によって異なるが、10秒~180秒間程度である。このような現像処理に続いて、例えば流水洗浄を30秒~90秒間行った後、例えば圧縮空気や圧縮窒素で風乾させることによって、所望のパターンを形成できる。[工程4]本工程では、上記現像された塗膜を加熱する。加熱には、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を用い、パターニングされた薄膜を加熱することで、[A]重合体の硬化反応を促進して、硬化物を得ることができる。加熱温度としては、例えば120°C~250°C程度である。加熱時間としては、加熱機器の種類により異なるが、例えばホットプレートでは5分~30分間程度、オーブンでは30分~90分間程度である。また、2回以上の加熱工程を行うステップベーク法等を用いることもできる。このようにして、目的とする表示素子用層間絶縁膜に対応するパターン状薄膜を基板の表面上に形成できる。なお、上記硬化膜の用途としては、表示素子用層間絶縁膜に限定されず、スペーサーや保護膜としても利用することができる。形成された表示素子用層間絶縁膜の膜厚としては、好ましくは0.1μm~8μm、より好ましくは0.1μm~6μm、特に好ましくは0.1μm~4μmである。以下、実施例に基づき本発明を詳述するが、この実施例の記載に基づいて本発明が限定的に解釈されるものではない。<[A]重合体の合成>[合成例1]冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル7質量部及びジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、メタクリル酸5質量部、構造単位Iを与える下記式で表される化合物Z-125質量部、構造単位IIを与えるメタクリル酸グリシジル30質量部、構造単位IIIを与えるメタクリル酸2-テトラヒドロピラニル25質量部、並びにその他の構造単位を与えるスチレン5質量部及びメタクリル酸2-ヒドロキシエチル10質量部、分子量調整剤としてのα-メチルスチレンダイマー3質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70°Cに上昇させ、この温度を5時間保持し共重合体A-1を含む重合体溶液を得た。共重合体A-1のMwは9,000であった。重合体溶液の固形分濃度は33.6質量であった。[合成例2]冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル7質量部及びジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位Iを与える上記Z-130質量部、構造単位IIを与えるメタクリル酸グリシジル30質量部、構造単位IIIを与えるメタクリル酸1-n-ブトキシエチル20質量部、並びにその他の構造単位を与えるメタクリル酸5質量部、スチレン5質量部及びメタクリル酸2-ヒドロキシエチル10質量部、分子量調整剤としてのα-メチルスチレンダイマー3質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70°Cに上昇させ、この温度を5時間保持し共重合体A-2を含む重合体溶液を得た。共重合体A-2のMwは10,000であった。重合体溶液の固形分濃度は31.5質量であった。[合成例3]冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオン酸メチル7質量部及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位Iを与える下記式で表される化合物Z-250質量部、並びにその他の構造単位を与えるメタクリル酸ベンジル35質量部及びメタクリル酸15質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80°Cに上昇させ、この温度を6時間保持し共重合体A-3を含む重合体溶液を得た。共重合体A-3のMwは10,000であった。重合体溶液の固形分濃度は30.5質量であった。[合成例4]冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル7質量部及びジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位IIを与えるメタクリル酸グリシジル52質量部、並びにその他の構造単位を与えるメタクリル酸ベンジル48質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80°Cに上昇させ、この温度を6時間保持し共重合体CS-1を含む重合体溶液を得た。共重合体CS-1のMwは10,000であった。重合体溶液の固形分濃度は、32.3質量であった。[合成例5]冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル7質量部及びジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位IIを与えるメタクリル酸グリシジル25質量部、構造単位IIIを与えるメタクリル酸1-シクロヘキシルオキシエチル55質量部、並びにその他の構造単位を与えるメタクリル酸5質量部、スチレン5質量部及びメタクリル酸2-ヒドロキシエチル10質量部、分子量調整剤としてのα-メチルスチレンダイマー3質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70°Cに上昇させ、この温度を5時間保持し共重合体CS-2を含む重合体溶液を得た。共重合体CS-2のMwは9,000であった。重合体溶液の固形分濃度は、32.1質量であった。[合成例6]冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオン酸メチル7質量部及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位IIIを与えるメタクリル酸1-シクロヘキシルオキシエチル50質量部、並びにその他の構造単位を与えるメタクリル酸ベンジル35質量部及びメタクリル酸15質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80°Cに上昇させ、この温度を6時間保持し共重合体CS-3を含む重合体溶液を得た。共重合体CS-3のMwは10,000であった。重合体溶液の固形分濃度は、30.5質量であった。<感放射線性樹脂組成物の調製>以下、実施例及び比較例の感放射線性樹脂組成物の調製に用いた成分を詳述する。[B]感放射線性酸発生剤B-1:4,7-ジ-n-ブトキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネートB-2:N-ヒドロキシナフタルイミド-トリフルオロメタンスルホン酸エステルB-3:5-プロピルスルフォニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン-2-メチルフェニルアセトニトリルチバスペシャルティーケミカルズ製、IRGACUREPAG103[C]増感剤C-1:イソプロピルチオキサントンC-2:9,10-ジブトキシアントラセン[D]塩基性化合物D-1:4-ジメチルアミノピリジンD-2:4-メチルイミダゾール[E]界面活性剤E-1:シリコーン系界面活性剤東レダウコーニングシリコーン製、SH8400FLUIDE-2:フッ素系界面活性剤ネオス製、フタージェントFTX-218[F]密着助剤F-1:γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシランF-2:β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシランF-3:γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン[実施例1][A]重合体としてのA-1を含む溶液A-1100質量部固形分に相当する量に、[B]感放射線性酸発生剤としてのB-13.5質量部、[D]塩基性化合物としてのD-10.01質量部、[E]界面活性剤としてのE-1を0.2質量部及び[F]密着助剤としてのF-13.0質量部を混合し、孔径0.2μmのメンブランフィルタで濾過することにより、感放射線性組成物を調製した。[実施例2~7並びに比較例1及び2]各成分の種類及び配合量を表1に記載の通りとした以外は、実施例1と同様に操作して各組成物を調製した。なお、表1中の-は、該当する成分を使用しなかったことを意味する。<評価>調製した各組成物を用いて、下記の評価を実施した。結果を表1にあわせて示す。[感度J/m2]550×650mmのクロム成膜ガラス上に、ヘキサメチルジシラザンHMDSを塗布し、60°Cにて1分間加熱した。このHMDS処理後のクロム成膜ガラス上に、各組成物をスリットダイコーター東京応化工業製、TR632105-CLを用いて塗布し、到達圧力を100Paに設定して真空下で溶媒を除去した後、さらに90°Cにおいて2分間プレベークすることによって、膜厚3.0μmの塗膜を形成した。続いて、露光機キヤノン製、MPA-600FAを用い、60μmのラインアンドスペース10対1のパターンを有するマスクを介して、塗膜に対し露光量を変量として放射線を照射した後、0.4質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて25°Cにおいて液盛り法で現像した。現像時間は80秒とした。次いで、超純水で1分間流水洗浄を行い、その後乾燥することにより、HMDS処理後のクロム成膜ガラス基板上にパターンを形成した。このとき6μmのスペースパターンが完全に溶解するために必要な露光量を調べた。この値が480J/m2以下の場合に感度が良好と判断した。[残膜率]上記感度の評価と同様に操作して、シリコン基板上に塗膜を形成した。露光せずに、このシリコン基板をクリーンオーブン内にて220°Cで1時間加熱して硬化膜を得た。加熱前と加熱後の膜厚を、レーザー顕微鏡VK-8500、キーエンス製を用いて測定した。この値と下記式から残膜率を求めた。残膜率=加熱後膜厚/加熱前膜厚×100この残膜率が70未満の場合、残膜率を不良と判断した。[表面硬度]上記感度の評価と同様に操作して、シリコン基板上に塗膜を形成した。露光せずに、このシリコン基板をクリーンオーブン内にて220°Cで1時間加熱して硬化膜を得た。この硬化膜を有する基板について、JISK-5400-1990の8.4.1鉛筆引っかき試験により、硬化膜の鉛筆硬度表面硬度を測定した。この値が3H以上である場合、表示素子用層間絶縁膜としての表面硬度が良好と判断し、十分な硬化性を有するといえる。[耐溶媒性]上記感度の評価と同様に操作して、シリコン基板上に塗膜を形成した。露光せずに、このシリコン基板をクリーンオーブン内にて220°Cで1時間加熱して硬化膜を得た。この硬化膜を有する基板について、得られた硬化膜の膜厚T1をレーザー顕微鏡VK-8510、キーエンス製を用いて測定した。次いで、この硬化膜が形成されたシリコン基板を、70°Cに温度制御されたジメチルスルホキシド中に20分間浸漬させた後、その硬化膜の膜厚t1を測定し、下記式から浸漬による膜厚変化率を求め、耐溶媒性とした。耐溶媒性={t1-T1/T1}×100この値の絶対値が5未満の場合、耐溶媒性は優良と判断した。[電圧保持率]表面にナトリウムイオンの溶出を防止するSiO2膜が形成され、さらにITOインジウム-酸化錫合金電極を所定形状に蒸着したソーダガラス基板上に、各感放射線性樹脂組成物を、スピンコートした後、90°Cのクリーンオーブン内で10分間プレベークを行って、膜厚2.0μmの塗膜を形成した。次いで、フォトマスクを介さずに、塗膜に500J/m2の露光量で露光した。その後、230°Cで30分間ポストベークを行い塗膜を硬化させた。次いで、この画素を形成した基板とITO電極を所定形状に蒸着しただけの基板とを、0.8mmのガラスビーズを混合したシール剤で貼り合わせたのち、メルク製液晶MLC6608を注入して、液晶セルを作製した。さらに、液晶セルを60°Cの恒温層に入れて、液晶セルの電圧保持率を、液晶電圧保持率測定システムVHR-1A型、東陽テクニカ社により測定した。このときの印加電圧は5.5Vの方形波、測定周波数は60Hzである。電圧保持率とは、下記式から求められる値である。電圧保持率=16.7ミリ秒後の液晶セル電位差/0ミリ秒で印加した電圧×100液晶セルの電圧保持率が90以下であると、液晶セルは16.7ミリ秒の時間、印加電圧を所定レベルに保持できず、十分に液晶を配向させることができないことを意味し、残像などの焼き付きを起こすおそれが高い。表1の結果から明らかなように当該組成物を使用した実施例1~7は、比較例1及び2の組成物と比べ、良好な感度を有し、かつ表面硬度及び耐溶媒性に加え、優れた平坦性残膜率を有することがわかった。また、当該組成物を使用した実施例1~7は電圧保持率についても高く、表示不良を引き起こしにくいことがわかった。"