"半導体基板面に対し垂直方向に光を出射する面発光レーザを有する面発光レーザチップと、前記面発光レーザチップの側面と接続される誘電体基板と、を有し、前記面発光レーザチップには、前記光を出射する一方の面には信号電極が形成され、前記信号電極が形成されている面とは反対側の他方の面には裏面グランド電極が形成されており、前記誘電体基板の一方の面には、前記信号電極と接続される信号用の伝送線路が形成されており、前記信号電極と前記信号用の伝送線路が接続されていることを特徴とする面発光レーザモジュール。前記信号用の伝送線路は、前記誘電体基板の表面に形成された凸部の上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザモジュール。前記信号電極と前記信号用の伝送線路とは、半田により接続されていることを特徴とする請求項1または2に記載の面発光レーザモジュール。前記誘電体基板の他方の面には、グランド部が形成されており、前記誘電体基板に設けられた貫通電極を介し、前記面発光レーザチップにおける前記裏面グランド電極と前記グランド部とが接続されるものであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の面発光レーザモジュール。前記信号用の伝送線路は、マイクロストリップ線路であることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の面発光レーザモジュール。前記一方の面の信号電極の周囲には、表面グランド電極が形成されており、前記誘電体基板の一方の面には、裏面グランド電極及び表面グランド電極と接続されるグランド用の伝送線路が形成されており、裏面グランド電極及び表面グランド電極と前記グランド用の伝送線路とが接続されていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の面発光レーザモジュール。前記グランド用の伝送線路は、前記誘電体基板の表面に形成された凸部の上に形成されていることを特徴とする請求項6に記載の面発光レーザモジュール。裏面グランド電極及び表面グランド電極と前記グランド用の伝送線路とは、半田により接続されていることを特徴とする請求項6または7に記載の面発光レーザモジュール。前記信号用の伝送線路及び前記グランド用の伝送線路は、コプレーナ線路であることを特徴とする請求項6から8のいずれかに記載の面発光レーザモジュール。前記面発光レーザチップにおいて、前記誘電体基板と接合される面には、絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載の面発光レーザモジュール。しかしながら、特許文献1に記載されている表面発光型半導体レーザ素子では、面発光レーザの電極パッドとサブマウントの伝送線路との間には、金によるボンディングワイヤにより接続されている。金によるボンディングワイヤは、高周波領域においてインダクタンス成分となるため、これにより、特性インピーダンスの不整合が発生し、高周波特性を劣化させるといった問題を有していた。本発明は、上記に鑑みなされたものであり、高速及び高周波特性に優れる面発光レーザモジュールを提供することを目的とするものである。本発明は、半導体基板面に対し垂直方向に光を出射する面発光レーザを有する面発光レーザチップと、前記面発光レーザチップの側面と接続される誘電体基板と、を有し、前記面発光レーザチップには、前記光を出射する一方の面には信号電極が形成され、前記信号電極が形成されている面とは反対側の他方の面には裏面グランド電極が形成されており、前記誘電体基板の一方の面には、前記信号電極と接続される信号用の伝送線路が形成されており、前記信号電極と前記信号用の伝送線路が接続されていることを特徴とする。本発明によれば、高速及び高周波特性に優れる面発光レーザモジュールを提供することができる。本発明を実施するための形態について、以下に説明する。尚、同じ部材等については、同一の符号を付して説明を省略する。第1の実施の形態面発光レーザ最初に、図1に基づき本実施の形態における面発光レーザモジュールに用いられる面発光レーザ素子について説明する。図1に示されるように、面発光レーザ素子100は、発振波長が780nm帯の面発光レーザであり、GaAs基板101の一方の面に、バッファ層102、下部半導体DBR103、下部スペーサ層104、活性層105、上部スペーサ層106、上部半導体DBR107、コンタクト層109等が形成されており、更に、絶縁膜111が形成され、アノード電極113が形成されている。また、GaAs基板101の他方の面には、カソード電極114が形成されている。下部半導体DBR103は、バッファ層102のZ側に積層されており、図2に示されるように、n-AlAsからなる低屈折率層103aと、n-Al0.3Ga0.7Asからなる高屈折率層103bのペアを40.5ペア、交互に積層形成することにより形成されている。また、各屈折率層の間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成に向かって組成を徐々に変化させた厚さ20nmの組成傾斜層が形成されている。低屈折率層103a及び高屈折率層103bは、いずれも隣接する組成傾斜層の膜厚の1/2を含んで、光学的な膜厚がλ/4となるように形成されている。尚、光学的な厚さがλ/4とは、その層における実際の膜厚Dは、D=λ/4nである。ここで、波長λは、この面発光レーザ素子における発振波長であり、nはその層の媒質の屈折率である。下部スペーサ層104は、下部半導体DBR103のZ側に積層されており、ノンドープのAl0.1Ga0.90.5In0.5Pからなる層である。活性層105は、下部スペーサ層104のZ側に積層されており、図2に示されるように、量子井戸層105aと障壁層105bとが交互に形成されており、3層の量子井戸層105aと4層の障壁層105bとにより、3重量子井戸構造が形成されている。量子井戸層105aは、0.7の圧縮歪みを誘起する組成であるGaInAsPにより形成されており、バンドギャップにおける波長は約780nmである。また、障壁層105bは、0.6の引張歪みを誘起する組成であるGaInPにより形成されている。上部スペーサ層106は、活性層105のZ側に積層されており、ノンドープのAl0.1Ga0.90.5In0.5Pにより形成されている。下部スペーサ層104、活性層105及び上部スペーサ層106からなる部分は、共振器構造体とも呼ばれており、その光学的な厚さがλ1波長となるように形成されている。尚、活性層105は、高い誘導放出確率が得られるように、電界の定在波分布における腹に対応する位置である共振器構造体の中央に設けられている。上部半導体DBR107は、上部スペーサ層106のZ側に積層されており、図2に示されるように、p-Al0.9Ga0.1からなる低屈折率層107aと、p-Al0.3Ga0.7Asからなる高屈折率層107bのペアを23ペア、交互に積層形成することにより形成されている。また、各屈折率層の間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成に向かって組成を徐々に変化させた厚さ20nmの組成傾斜層が形成されている。低屈折率層107a及び高屈折率層107bは、いずれも隣接する組成傾斜層の膜厚の1/2を含んで、光学的な膜厚がλ/4となるように形成されている。上部半導体DBR107における低屈折率層の1つには、p-AlAsにより形成された厚さ30nmの電流狭窄層108が設けられている。電流狭窄層108が設けられている位置は、電界の定在波分布において,活性層105から3番目となる節に対応する位置である。コンタクト層109は、上部半導体DBR107のZ側に積層されており、p-GaAsにより形成されている。GaAs基板101の一方の面に、バッファ層102からコンタクト層109までエピタキシャル成長により形成した後、活性層105までエッチングにより除去し、メサ120を形成する。この際行なわれるエッチングでは、ICPInductiveCoupledPlasmaエッチング装置が用いられる。メサ120を形成した後、水蒸気による酸化を行なうことにより、メサ120の周辺部より、電流狭窄層108を酸化し選択酸化領域108aを形成する。これにより、電流狭窄層108において、酸化されなかった領域が電流狭窄領域108bとなり、この電流狭窄領域108bを電流が流れる。次に、表面全面にSiN等により絶縁膜111を形成し、メサ120の上面における絶縁膜111を除去した後、Au/Niまたは、Au/Pt/Ti等によりアノード電極113を形成し、GaAs基板101の裏面にカソード電極114を形成する。この後、バー状にへき開することにより、面発光レーザの実装面がへき開面として露出する。更に、この実装面にシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜等の絶縁膜を真空蒸着法又はスパッタリング法により、約2μm成膜する。この絶縁膜は、誘電体基板に実装した際に,誘電体基板に設けられている伝送線路との電気的な絶縁を保つために形成される。最後に、面発光レーザバーをへき開により個別化し、本実施の形態に用いられる面発光レーザ素子である面発光レーザチップが完成する。次に、本実施の形態における面発光レーザモジュールにおけるアノード電極113と伝送線路との接続について説明する。伝送線路は、その特性インピーダンスを適切に選ぶことにより、高周波信号を損失なく,信号源から負荷側に送ることができる。伝送線路の特性インピーダンスZ0は数2に示す式により表わされる。ここで、Lは単位長さあたりのインダクタンスであり、Cは単位長さあたりのキャパシタンスである。伝送線路としては、誘電体基板の一方の信号線が、裏面にグランドを配置してなるマイクロストリップ線路と、誘電体基板の一方に信号線、その信号線の両脇にグランドを配置してなるコプレーナ線路がある。コプレーナ線路には、裏面にもグランドが設けられているものもある。数2に示す式からもわかるように、特性インピーダンスは、信号線とグランドとの間に形成されるキャパシタンスにより調整することができる。具体的には、信号線幅と基板の厚さを調整して,特性インピーダンスを決定している。また、この特性インピーダンスの値としては、一般的に、信号源インピーダンスと同じ50Ωが選ばれる。面発光レーザモジュール次に、本実施の形態における面発光レーザモジュールについて説明する。図3は、へき開することにより作製された面発光レーザチップ100aを示す。尚、図3aは、面発光レーザチップ100aの正面図であり、図3bは、斜視図である。本実施の形態において用いたGaAs基板101における比誘電率εは13である。この面発光レーザチップにおいて、信号電極130は、図1に示されるアノード電極113により形成されており、裏面グランド電極140は、カソード電極114により形成されている。また、メサ120及び信号電極130の周囲には、図1には図示されていない表面グランド電極150が形成されている。例えば、信号電極130及び表面グランド電極150は、表面全面にSiN等の絶縁膜111を0.3μm成膜したものの上に、Au/Niまたは、Au/Pt/Ti等を所定の領域に形成することにより形成されている。本実施の形態では、GaAs基板101の厚さh1は、約500μmであり、信号電極130は、メサ120近傍から面発光レーザチップの周囲に向かって、幅がw1からw2へと徐々に広がるように形成されている。また、信号電極130と表面グランド電極150とのギャップは、メサ120近傍から面発光レーザチップの周囲に向かって、g1からg2へと徐々に広がるように形成されている。本実施の形態においては、特性インピーダンスを約50Ωとするため、幅は、w1が10μm、w2が50μmとなり、ギャップは、g1が7μm、g2が35μmとなるように形成されている。図4に、本実施の形態における面発光レーザモジュールを示す。尚、図4aは、正面図であり、図4bは、図4aにおける一点鎖線4A-4Bにおいて切断した断面図である。本実施の形態における面発光レーザモジュールは、図3に示される面発光レーザチップ100aを誘電体基板160に接合することにより形成される。誘電体基板160の表面には、信号用のコプレーナ線路171とグランド用のコプレーナ線路172とが所定の幅及び間隔で形成されている。誘電体基板160において、面発光レーザチップ100aの表面における信号電極130及び表面グランド電極150と接続される領域、裏面における裏面グランド電極140と接続される領域には、半田等による接合部材の回り込みを防ぐため、凸部161、162及び163が設けられている。凸部161の上には、信号用のコプレーナ線路171が形成されており、凸部162及び163の上には、グランド用のコプレーナ線路172が形成されている。信号用のコプレーナ線路171及びグランド用のコプレーナ線路172は、例えば、Au/Ni、またはAu/Cuにより形成されており、更に、その表面には、各々半田等による接合部材、例えば、AuSn共晶半田等による接合層164~166が形成されている。尚、凸部161、162及び163の高さは、数10μm程度で形成されており、面発光レーザチップ100aには、誘電体基板160と接する面には、絶縁膜119が形成されている。本実施の形態では、誘電体基板160における信号用のコプレーナ線路171及びグランド用のコプレーナ線路172は、面発光レーザチップ100aの信号電極130、表面グランド電極150及び裏面グランド電極140と接合層164~166により接続される。即ち、面発光レーザチップ100aにおける信号電極130は、信号用のコプレーナ線路171と、凸部161の上に設けられた接合層164において接続される。また、面発光レーザチップ100aにおける表面グランド電極150は、凸部162の上に設けられた接合層165において、裏面グランド電極140は、凸部163の上に設けられた接合層166において、グランド用のコプレーナ線路172と接続される。具体的に、誘電体基板160と面発光レーザチップ100aとの接続方法は、最初に、誘電体基板160の凸部161~163の接合層164~166上に、面発光レーザチップ100aを載置する。次に、窒素雰囲気中において、数10g~数100gの荷重を加えながら、320°Cで数10秒間熱処理を行なうことにより、AuSn半田等が溶融し、面発光レーザチップ100a側の信号電極130等を濡れ広がり、その後、冷却することにより硬化し、半田等による接続がなされる。本実施の形態では、誘電体基板160と面発光レーザチップ100aとを半田等の接合部材により直接接続し接合することにより、低コストで、高速及び高周波特性に優れる面発光レーザモジュールを得ることができる。第2の実施の形態次に、第2の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第1の実施の形態と同様の面発光レーザが1次元に配列されている面発光レーザチップ200aを誘電体基板260に接合した構造のものである。図5及び図6に示されるように、面発光レーザチップ200aには、1次元に複数の面発光レーザが配列されており、各々の面発光レーザには信号電極130が設けられている。尚、図6aは、面発光レーザチップ200aと誘電体基板260とが接合される前の状態を示し、図6bは、面発光レーザチップ200aと誘電体基板260とが接合された状態を示す。尚、図6bでは、接合領域の細部は便宜上省略されている。面発光レーザチップ200aにおいては、信号電極130の設けられている表面には、第1の実施の形態における表面グランド電極150と同様の表面グランド電極250が設けられており、裏面には裏面グランド電極140と同様の裏面グランド電極240が設けられている。誘電体基板260には、信号電極130、表面グランド電極250及び裏面グランド電極240に対応する複数の接合層164~166が設けられており、接合層164~166により対応する信号用のコプレーナ線路及びグランド用のコプレーナ線路と接続される。尚、上記以外の内容については、第1の実施の形態と同様である。第3の実施の形態次に、第3の実施の形態における面発光レーザモジュールについて説明する。図7に示されるように、本実施の形態における面発光レーザモジュールは、第1の実施の形態における面発光レーザと同様のものをへき開することにより作製した面発光レーザチップ300aが誘電体基板360に接合されている構造のものである。また、この面発光レーザチップ300aに用いたGaAs基板101における比誘電率εは13である。面発光レーザチップ300aにおいて、信号電極330は、図1に示されるアノード電極113により形成されており、裏面グランド電極340は、カソード電極114により形成されている。例えば、信号電極330は、表面全面にSiN等の絶縁膜111を0.3μm成膜したものの上に、Au/Niまたは、Au/Pt/Ti等を所定の領域に形成することにより形成されている。本実施の形態においては、GaAs基板101の厚さh2は、約450μmであり、信号電極330は、メサ120近傍から面発光レーザチップの周囲に向かって、略一定の幅w3となるように形成されている。本実施の形態では、特性インピーダンスを50Ωにするため、幅は、w3が327μmとなるように形成されている。また、反射成分を減らすため信号電極330のマイクロストリップ線路の終端には、テーパー形状となるように形成されている。誘電体基板360の表面には、信号用の伝送線路371と不図示のグランド用の伝送線路とが所定の幅及び間隔で形成されている。誘電体基板360において、面発光レーザチップ300aの表面における信号電極330と接続される領域及び裏面における裏面グランド電極340と接続される領域には、半田等による接合部材の回り込みを防ぐため、凸部361等が設けられている。凸部361の上には、信号用の伝送線路371が形成されており、不図示の凸部等の上には、グランド用の伝送線路が形成されている。信号用の伝送線路371及びグランド用の伝送線路は、例えば、Au/Ni、またはAu/Cuにより形成されており、更に、その表面には、各々半田等による接合部材、例えば、AuSn共晶半田等による接合層364等が形成されている。尚、凸部361等の高さは、数10μm程度で形成されている。本実施の形態では、誘電体基板360における信号用の伝送線路371及びグランド用の伝送線路は、面発光レーザチップ300aの信号電極330及び裏面グランド電極340と接合層364等により接続される。即ち、面発光レーザチップ300aにおける信号電極330は、信号用の伝送線路371と、凸部361の上に設けられた接合層364において接続される。また、面発光レーザチップ300aにおける裏面グランド電極340は、不図示の凸部の上に設けられた接合層において、グランド用の伝送線路と接続される。具体的に、誘電体基板360と面発光レーザチップ300aとの接続方法は、最初に、誘電体基板360の凸部361等の接合層364等の上に、面発光レーザチップ300aを載置する。次に、窒素雰囲気中において、数10g~数100gの荷重を加えながら、320°Cで数10秒間熱処理を行なうことにより、AuSn半田等が溶融し、面発光レーザチップ300a側の信号電極330等を濡れ広がり、その後、冷却することにより硬化し、半田等による接続がなされる。本実施の形態では、誘電体基板360と面発光レーザチップ300aとを半田等の接合部材により直接接続し接合することにより、低コストで、高速及び高周波特性に優れる面発光レーザモジュールを得ることができる。尚、上記以外の内容については、第1の実施の形態と同様である。第4の実施の形態次に、第4の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第3の実施の形態と同様の面発光レーザが1次元に配列されている面発光レーザチップ400aを誘電体基板460に接合した構造のものである。図8に示されるように、面発光レーザチップ400aには、1次元に複数の面発光レーザが配列されており、各々の面発光レーザには信号電極330が設けられている。尚、図8aは、面発光レーザチップ400aと誘電体基板460とが接合される前の状態を示し、図8bは、面発光レーザチップ400aと誘電体基板460とが接合された状態を示す。尚、図8bでは、接合領域の細部は便宜上省略されている。面発光レーザチップ400aの裏面には、第3の実施の形態における裏面グランド電極340と同様の裏面グランド電極440が設けられている。また、誘電体基板460には、信号電極330に対応する信号用の伝送線路471と接続するための接合層464が設けられており、接合層464により対応する信号用の伝送線路471と接続される。また、誘電体基板460の裏面にはグランド部461が設けられており、ビアに形成された誘電体基板460の表面に露出する貫通電極481により、裏面グランド電極440は、誘電体基板460の裏面のグランド部461と接続される。尚、上記以外の内容については、第3の実施の形態と同様である。第5の実施の形態次に、第5の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第1から第4の実施の形態における面発光レーザモジュールを用いた画像形成装置であるレーザプリンタ1000である。図9に基づき、本実施の形態におけるレーザプリンタ1000について説明する。本実施の形態におけるレーザプリンタ1000は、光走査装置1010、感光体ドラム1030、帯電チャージャ1031、現像ローラ1032、転写チャージャ1033、除電ユニット1034、クリーニングユニット1035、トナーカートリッジ1036、給紙コロ1037、給紙トレイ1038、レジストローラ対1039、定着ローラ1041、排紙ローラ1042、排紙トレイ1043、通信制御装置1050、及び上記各部を統括的に制御するプリンタ制御装置1060等を備えている。なお、これらは、プリンタ筐体1044の中の所定位置に収容されている。通信制御装置1050は、ネットワークなどを介した上位装置例えばパソコンとの双方向の通信を制御する。感光体ドラム1030は、円柱状の部材であり、その表面には感光層が形成されている。すなわち、感光体ドラム1030の表面が被走査面である。そして、感光体ドラム1030は、矢印Xで示す方向に回転するようになっている。帯電チャージャ1031、現像ローラ1032、転写チャージャ1033、除電ユニット1034及びクリーニングユニット1035は、それぞれ感光体ドラム1030の表面近傍に配置されている。そして、感光体ドラム1030の回転方向に沿って、帯電チャージャ1031→現像ローラ1032→転写チャージャ1033→除電ユニット1034→クリーニングユニット1035の順に配置されている。帯電チャージャ1031は、感光体ドラム1030の表面を均一に帯電させる。光走査装置1010は、帯電チャージャ1031で帯電された感光体ドラム1030の表面を、上位装置からの画像情報に基づいて変調された光束により走査し、感光体ドラム1030の表面に画像情報に対応した潜像を形成する。ここで形成された潜像は、感光体ドラム1030の回転に伴って現像ローラ1032の方向に移動する。なお、この光走査装置1010の構成については後述する。トナーカートリッジ1036にはトナーが格納されており、このトナーは現像ローラ1032に供給される。現像ローラ1032は、感光体ドラム1030の表面に形成された潜像にトナーカートリッジ1036から供給されたトナーを付着させて画像情報を顕像化させる。ここでトナーが付着した潜像以下では、便宜上トナー像ともいうは、感光体ドラム1030の回転に伴って転写チャージャ1033の方向に移動する。給紙トレイ1038には記録紙1040が格納されている。この給紙トレイ1038の近傍には給紙コロ1037が配置されており、この給紙コロ1037は、記録紙1040を給紙トレイ1038から1枚づつ取り出し、レジストローラ対1039に搬送する。このレジストローラ対1039は、給紙コロ1037によって取り出された記録紙1040を一旦保持するとともに、この記録紙1040を感光体ドラム1030の回転に合わせて感光体ドラム1030と転写チャージャ1033との間隙に向けて送り出す。転写チャージャ1033には、感光体ドラム1030の表面のトナーを電気的に記録紙1040に引きつけるために、トナーとは逆極性の電圧が印加されている。この電圧により、感光体ドラム1030の表面のトナー像が記録紙1040に転写される。ここで転写された記録紙1040は、定着ローラ1041に送られる。定着ローラ1041では、熱と圧力とが記録紙1040に加えられ、これによってトナーが記録紙1040上に定着される。ここで定着された記録紙1040は、排紙ローラ1042を介して排紙トレイ1043に送られ、排紙トレイ1043上に順次スタックされる。除電ユニット1034は、感光体ドラム1030の表面を除電する。クリーニングユニット1035は、感光体ドラム1030の表面に残ったトナー残留トナーを除去する。残留トナーが除去された感光体ドラム1030の表面は、再度帯電チャージャ1031に対向する位置に戻る。次に、図10に基づき光走査装置1010について説明する。光走査装置1010は、光源ユニット1100、カップリングレンズ1111、アパーチャ1112、シリンドリカルレンズ1113、ポリゴンミラー1114、fθレンズ1115、トロイダルレンズ1116、2つのミラー1117、1118、及び上記各部を統括的に制御する不図示の制御装置を備えている。尚、光源ユニット1100は、第1から第4の実施の形態におけるいずれかの面発光レーザモジュールを含むものである。カップリング1111は、光源ユニット1100における面発光レーザより出射されたレーザ光を略平行光に整形する。アパーチャ1112は、カップリングレンズ1111からのレーザ光を所定のビーム形状となるように規定する。シリンドリカルレンズ1113は、光源ユニット1100から出力された光を、ミラー1117を介してポリゴンミラー1114の偏向反射面近傍に集光する。ポリゴンミラー1114は、高さの低い正六角柱状部材からなり、側面には6面の偏向反射面が形成されている。そして、不図示の回転機構により、矢印Yに示す方向に一定の角速度で回転されている。従って、光源ユニット1100から出射され、シリンドリカルレンズ1113によってポリゴンミラー1114の偏向反射面近傍に集光された光は、ポリゴンミラー1114の回転により一定の角速度で偏向される。fθレンズ1115は、ポリゴンミラー1114からの光の入射角に比例した像高をもち、ポリゴンミラー1114により一定の角速度で偏向される光の像面を、主走査方向に関して等速移動させる。トロイダルレンズ1116は、fθレンズ1115からの光をミラー1118を介して、感光体ドラム1030の表面に結像する。トロイダルレンズ1116は、fθレンズ1115を介した光束の光路上に配置されている。そして、このトロイダルレンズ1116を介した光束が、感光体ドラム1030の表面に照射され、光スポットが形成される。この光スポットは、ポリゴンミラー1114の回転に伴って感光体ドラム1030の長手方向に移動する。すなわち、感光体ドラム1030上を走査する。このときの光スポットの移動方向が主走査方向である。また、感光体ドラム1030の回転方向が副走査方向である。ポリゴンミラー1114と感光体ドラム1030との間の光路上に配置される光学系は、走査光学系とも呼ばれている。本実施形態では、走査光学系は、fθレンズ1115とトロイダルレンズ1116とから構成されている。なお、fθレンズ1115とトロイダルレンズ1116の間の光路上、及びトロイダルレンズ1116と感光体ドラム1030の間の光路上の少なくとも一方に、少なくとも1つの折り返しミラーが配置されてもよい。本実施の形態におけるレーザプリンタ1000では、第1から第4の実施の形態におけるいずれかの面発光レーザモジュールを用いているため、高速動作及び高周波特性に優れているため、高い印刷速度で印刷することができる。尚、本実施の形態における説明では、画像形成装置としてレーザプリンタ1000の場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、レーザ光によって発色する媒体例えば、用紙に直接、レーザ光を照射する画像形成装置であってもよい。また、像担持体として銀塩フィルムを用いた画像形成装置であっても良い。この場合には、光走査により銀塩フィルム上に潜像が形成され、この潜像は通常の銀塩写真プロセスにおける現像処理と同等の処理で可視化することができる。そして、通常の銀塩写真プロセスにおける焼付け処理と同等の処理で印画紙に転写することができる。このような画像形成装置は光製版装置や、CTスキャン画像等を描画する光描画装置として実施できる。第6の実施の形態次に、第6の実施の形態について説明する。第6の実施の形態は、複数の感光体ドラムを備えるカラープリンタ2000である。図11に基づき、本実施の形態におけるカラープリンタ2000について説明する。本実施の形態におけるカラープリンタ2000は、4色ブラック、シアン、マゼンタ、イエローを重ね合わせてフルカラーの画像を形成するタンデム方式の多色カラープリンタであり、ブラック用の感光体ドラムK1、帯電装置K2、現像装置K4、クリーニングユニットK5、及び転写装置K6と、シアン用の感光体ドラムC1、帯電装置C2、現像装置C4、クリーニングユニットC5、及び転写装置C6と、マゼンタ用の感光体ドラムM1、帯電装置M2、現像装置M4、クリーニングユニットM5、及び転写装置M6と、イエロー用の感光体ドラムY1、帯電装置Y2、現像装置Y4、クリーニングユニットY5、及び転写装置Y6と、光走査装置2010と、転写ベルト2080と、定着ユニット2030などを備えている。各感光体ドラムは、図11において示される矢印の方向に回転し、各感光体ドラムの周囲には、回転順にそれぞれ帯電装置、現像装置、転写装置、クリーニングユニットが配置されている。各帯電装置は、対応する感光体ドラムの表面を均一に帯電する。帯電装置によって帯電された各感光体ドラム表面に光走査装置2010により光が照射され、各感光体ドラムに潜像が形成されるようになっている。そして、対応する現像装置により各感光体ドラム表面にトナー像が形成される。さらに、対応する転写装置により、転写ベルト2080上の記録紙に各色のトナー像が転写され、最終的に定着ユニット2030により記録紙に画像が定着される。光走査装置2010は、第1から第4の実施の形態におけるいずれかの面発光レーザモジュールを各々の色毎に有しており、第5の実施の形態において説明した光走査装置1010と同様の効果を得ることができ、更には、カラープリンタ2000は、第5の実施の形態におけるレーザプリンタ1000と同様の効果を得ることができる。よって、本実施の形態におけるカラープリンタ2000では、第1から第4の実施の形態におけるいずれかの実施の形態における面発光レーザモジュールを用いているため、高い画質の画像を高速に形成することができる。以上、本発明の実施に係る形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではない。"