"バッキングプレートと、前記バッキングプレートに金属のろう材で固定されたターゲット板とを有するターゲット装置であって、前記バッキングプレートの露出部分には、TiAlN薄膜か、又は、面の割合が最も大きいTiN薄膜のいずれか一方の薄膜から成る保護膜が形成されたターゲット装置。前記バッキングプレートは、純銅又は銅合金から成る請求項1記載のターゲット装置。請求項1又は請求項2のいずれか1項記載のターゲット装置を有するスパッタリング装置。前記ターゲット装置が真空槽内に配置されたスパッタリング装置。バッキングプレートを1気圧よりも低い圧力の窒素ガス雰囲気中に配置し、金属チタンをイオン化させて蒸発させ、負電圧で絶対値が100V以上の電圧を前記バッキングプレートに印加しながら、前記イオンを到達させ、前記バッキングプレートの表面に窒化チタンから成る保護膜を形成した後、前記バッキングプレートにターゲット板を取り付けるターゲット装置の製造方法。しかしながら、従来の薄膜は、溶射薄膜よりも表面平滑性が高いものが得られているものの、バッキングプレートを充分に保護できず、ガス放出量も多い。また、ろう材によってターゲット板をバッキングプレートに取り付ける際に、はみ出したろう材がバッキングプレートに付着し、除去するのに手間がかかるという問題がある。本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、ガス放出量が少なく、保護能力が高いターゲット装置用の保護膜を提供することにある。上記課題を解決するために本発明は、バッキングプレートと、前記バッキングプレートに金属のろう材で固定されたターゲット板とを有するターゲット装置であって、前記バッキングプレートの露出部分には、TiAlN薄膜か、又は、面の割合が最も大きいTiN薄膜のいずれか一方の薄膜から成る保護膜が形成されたターゲット装置である。本発明はターゲット装置であって、前記バッキングプレートは、純銅又は銅合金から成るターゲット装置である。本発明はスパッタリング装置であって、上記いずれかのターゲット装置を有するスパッタリング装置である。本発明はスパッタリング装置であって、前記ターゲット装置が真空槽内に配置されたスパッタリング装置である。本発明は、バッキングプレートを1気圧よりも低い圧力の窒素ガス雰囲気中に配置し、金属チタンをイオン化させて蒸発させ、負電圧で絶対値が100V以上の電圧を前記バッキングプレートに印加しながら、前記イオンを到達させ、前記バッキングプレートの表面に窒化チタンから成る保護膜を形成した後、前記バッキングプレートにターゲット板を取り付けるターゲット装置の製造方法である。本発明の保護膜は、の面方位の面が表面に露出するTiN薄膜から成り、インジウムのろう材の接着性が低い。また、ガス放出量が少なく、高真空雰囲気で使用することが可能である。図2は、スパッタリング装置30であり、真空槽31を有している。本発明のターゲット装置10は、真空槽31の内部に配置されている。このターゲット装置10は、図1に示されており、金属製のバッキングプレート12を有しており、バッキングプレート12上には、金属ろう材15によって、ターゲット板17が取り付けられている。この例では、バッキングプレート12は、純銅又は銅合金から成り、金属ろう材15は添加物を含有するインジウムから成る。真空槽31のターゲット板17と向かい合う位置には、基板ホルダ36が設けられており、基板ホルダ36上には基板35が配置されている。真空槽31の内部は、真空排気系37によって予め真空排気されており、ガス導入系39から真空槽31内にスパッタリングガスを導入し、スパッタ電源34によって、ターゲット装置10に電圧を印加すると、ターゲット板17の表面がスパッタリングされ、基板ホルダ36上の基板35に薄膜が形成される。一般に、ターゲット装置10の裏面には、マグネトロン磁石32が配置されており、マグネトロン磁石32が形成する磁界によって、ターゲット板17のスパッタリング速度が向上するようにされている。このターゲット装置10では、バッキングプレート12の表面のうち、ターゲット板17が取り付けられておらず、露出している部分には、保護膜が形成されており、従って、このターゲット装置10では、ターゲット板17の表面又は保護膜の表面が露出されている。このターゲット装置10の製造工程を説明すると、先ず、バッキングプレート12の表面のうち、後でターゲット板17が配置される部分に防着板13を配置し、保護膜を形成するための成膜対象物11を構成させる。成膜対象物11は、ターゲット板17が配置される場所が防着板13で覆されており、防着板13は、バッキングプレート12の表面に仮固定されている。図3の成膜装置の真空槽51内に、成膜対象物11を、一枚乃至複数枚搬入し、真空排気系58によって真空雰囲気にされた真空槽51内のプレートホルダ56に保持させる。真空槽51内では、プレートホルダ56の下方位置に、一台乃至複数台のるつぼ52L,52Rが配置されている。各るつぼ52L,52Rには、保護膜の原材料53L,53Rが配置されている。原材料53L,53Rは金属であり、各るつぼ52L,52Rに近接して配置されたホローカソード内でアルゴンガスプラズマを発生させ、アルゴンイオン又は熱電子を引き出して、各るつぼ52L,52R内の原材料にそれぞれ照射すると、各るつぼ52L,52R内の原材料53L,53Rから、それぞれ金属イオンが放出される。金属イオンの放出が安定した後、シャッタを開けると、原材料の金属イオンは成膜対象物11に向かって進行する。このとき、予め、反応性ガスをガス導入管59から真空槽51内に導入させておき、真空槽51の内部は、反応性ガスを含む真空雰囲気にしておく。プレートホルダ56には、バイアス電源54が接続されており、真空槽51を接地電位に接続し、プレートホルダ56を介して、各成膜対象物11に負電圧を印加しておき、プレートホルダ56に配置された成膜対象物11に金属イオンを到達させる。成膜対象物11は、ヒータ58U,58Bによって加熱し、昇温させておき、窒素ガス雰囲気中でイオンが成膜対象物11に到達すると、成膜対象物11の表面で原材料の金属イオンと反応性ガスとが反応し、図1に示すように、露出したバッキングプレート12と防着板13の表面に、反応生成物の薄膜21が形成される。ここでは原材料として金属チタンが配置され、反応性ガスには窒素ガスが用いられており、窒化チタンの薄膜が形成される。特に、バイアス電圧等の窒化チタン薄膜の成膜条件が制御されており、保護膜として、表面に111面が露出する窒化チタン薄膜を形成するようにしている。次に、防着板13をバッキングプレート12の表面から取り外すと、反応生成物の薄膜21のうち、防着板13が位置していた部分が除去され、その薄膜21によって、図1に示すような保護膜22が形成される。バッキングプレート12のうち、防着板13を取り外した後の部分14は、バッキングプレート12の材質が露出されている。保護膜22を構成させた後、洗浄し、図1に示すように、バッキングプレート12の露出された表面である部分14に、ろう材15を配置する。次に、図1に示すように、ろう材15上にターゲット板17を配置し、加熱しながら押圧し、ろう材を軟化溶融させた後、冷却して固化させると、図1に示されるように、ターゲット板17は、バッキングプレート12に取り付けられ、ターゲット装置10が得られる。なお、ターゲット板17をバッキングプレート12に取り付ける際に、軟化溶融したろう材15は、ターゲット板17とバッキングプレート12との間から押し出され、ターゲット板17の外側にはみ出るが、ターゲット板17の外側には、保護膜22が露出しており、はみ出されたろう材は保護膜22と接触した状態で固化するので、ろう材はバッキングプレート12とは接触しないで固化する。ろう材15の軟化溶融物は保護膜22に接着できず、固化物は保護膜22から簡単に剥離させることができるので、保護膜22表面の固化物はクリーニングによって除去されている。本発明のターゲット装置10に形成された保護膜22のバイアス電圧Vbと、表面の結晶方位面との関係を、図4のX線回折解析のチャートに示す。バイアス電圧が絶対値で-100V以上になると、面方位が111面の強度が他の面方位の強度よりも大きくなり、111の面の割合が最大になるから、ろう材の剥離が容易になる。図4のチャート中、符号SSで示したピークは、ステンレスの表面の面方位のピークである。次に、保護膜22と、ステンレスとのガス放出量の相違を図5のグラフに示す。TiN群が本発明の保護膜22であり、ガス放出量は、ステンレスよりも一桁以上少なくなっている。図6は、TiN薄膜から放出されるガスの分析結果である。図7は、本発明の保護膜22の硬度と、保護膜としての使用が考えられる他の材質の薄膜との硬度を比較したグラフである。TiN薄膜と、TiAlN薄膜とは硬度が高く、ガス放出量が低い点で優れており、イオンプレーティング方法によって、バッキングプレート表面のうち、防着板が配置されていない部分に形成することができるので、バッキングプレート表面に形成する薄膜として適している。なお、上記例では、銅又は銅合金のバッキングプレートに、保護膜22を形成したが、ステンレスのバッキングプレート、又は、アルミニウムのバッキングプレートにも、上記保護膜22を形成して、本発明のターゲット装置を構成させることができる。上記実施例では、ホローカソードプラズマ源によって、るつぼ52L,52R中の原材料53L,53RからTi蒸気を生成してTiN薄膜を形成したが、アーク放電によって原材料から蒸気を放出させて、放出されたイオンと反応性ガスとを反応させて薄膜を形成するアークイオンプレーティング方法によって保護膜を形成するようにしてもよい。図7中のTiAlNは、AIP法によって形成した薄膜の測定値である。TiN薄膜については、ホローカソード方法とAIP法のどちらでも形成することができる。図8、図9は、摩擦係数の値と各薄膜の耐酸化温度の値である。耐酸化温度は高い方が高温での使用に耐えることができ、純銅や銅合金の保護膜に適しており、保護膜自体も変色しないで済む。また、摩擦係数が小さい方が再生使用に向いている。表面処理によって薄膜を形成した場合の、各薄膜の特性を下記表1に示す。本発明に設けられたTiN膜と、CrN膜と、ステンレスと、硬質クロムメッキに対して、溶融シリカ入り樹脂、シリコンゴム、半田を表面に接着させ、引き剥がし荷重Xを測定した。測定結果を下記表2に示す。なお、上記例では、バッキングプレートの表面のうち、ターゲット板をろう材で取り付ける部分には保護膜を形成しないようにしたが、ターゲット板を取り付ける部分にも保護膜を形成し、ターゲット板を保護膜上に固定しても良い。"