少なくとも一つの電子銃と、前記電子銃から放出された電子を加速収束してプローブ電子線とする、対物レンズを含む電子レンズと、前記プローブ電子線を偏向する偏向器と、観察試料を乗せる試料台と、前記観察試料の観察画像の表示手段およびこれらの機能を制御するコントローラを備え、前記プローブ電子線を前記観察試料上に収束し、前記観察試料からの前記発生電子を検出することで前記観察試料の微細構造を観察する電子線装置であって、前記対物レンズと前記観察試料との間に前記プローブ電子線を減速する電界を印加するリターディング電源を持ち、リターディング電圧印加時において、前記対物レンズと前記観察試料の間のうち、前記プローブ電子線が通る領域での、リターディング電界の軸対称からのずれを可視化する可視化手段と、この結果をもとに電界のずれを低減するずれ低減手段とを有することを特徴とする電子線装置。請求項1記載の電子線装置において、前記ずれ低減手段は、前記試料台の傾け機構であり、2軸の傾き、もしくは、1軸の傾きと1軸の回転からなることを特徴とする電子線装置。請求項2記載の電子線装置において、前記可視化手段は、前記観察試料からの前記発生電子を前記観察試料上方の円形の穴もしくは不感帯のある検出器で直接検出する第1の手段か、あるいは、円形の穴のある板に試料から発生した電子を衝突させた結果、前記板から発生する電子を検出する第2検出手段を含み、前記コントローラでは、前記観察試料からの前記発生電子が前記第1の手段の穴もしくは不感帯又は前記板の穴にありその結果円形の暗い領域と、前記第1の手段の有感帯又は前記板の穴の縁に照射することで検出電子が増加する明るい領域もしくは明るい円環領域が見えるように、前記プローブ電子線の偏向範囲と収束のための前記電子レンズのレンズ条件を設定し、この円環が画像の中央に来るように前記試料台の前記傾け機構を制御する機能を持つこと、およびこの機能を発動させるための制御パネルもしくはスイッチを備えたことを特徴とする電子線装置。請求項1記載の電子線装置において、前記可視化手段は、前記リターディング電圧を所望の幅に変化させて、観察画像の視野のずれを見る機能であり、前記コントローラでは、観察画像の振動がゼロまたは最小となるように前記試料台の傾け機構を制御する機能を持つこと、およびこの機能を発動させるための制御パネルもしくはスイッチを備えたことを特徴とする電子線装置。請求項1記載の電子線装置において、前記可視化手段は、前記リターディング電圧を変化させ、前記プローブ電子線が前記試料に入射するエネルギーを0eV近傍および、前記プローブ電子線が入射できないミラー条件とし、この時の観察画像の非対称性を見ることを特徴とする電子線装置。請求項3記載の電子線装置において、前記軸対称からのずれが最小となるよう、前記試料台の傾きを自動で調節する機能を備えたことを特徴とする電子線装置。請求項4記載の電子線装置において、前記軸対称からのずれが最小となるよう、前記試料台の傾きを自動で調節する機能を備えたことを特徴とする電子線装置。請求項5記載の電子線装置において、前記軸対称ずれが最小となるよう、前記試料台の傾きを調節する機能を備えたことを特徴とする電子線装置。請求項6記載の電子線装置において、前記可視化手段は、前記リターディング電圧を所望の幅に変化させて、観察画像の視野のずれを見る機能を更に備えたことを特徴とする電子線装置。請求項6記載の電子線装置において、前記可視化手段は、更に前記リターディング電圧を変化させ、前記プローブ電子線が前記試料に入射するエネルギーを0eV近傍および、前記プローブ電子線が入射できないミラー条件とし、この時の観察画像の非対称性を見ることを特徴とする電子線装置。請求項7記載の電子線装置において、前記可視化手段は、更に前記リターディング電圧を変化させ、前記プローブ電子線が前記試料に入射するエネルギーを0eV近傍および、前記プローブ電子線が入射できないミラー条件とし、この時の観察画像の非対称性を見ることを特徴とする電子線装置。請求項9記載の電子線装置において、前記可視化手段は、更に前記リターディング電圧を変化させ、前記プローブ電子線が前記試料に入射するエネルギーを0eV近傍および、前記プローブ電子線が入射できないミラー条件とし、この時の観察画像の非対称性を見ることを特徴とする電子線装置。請求項5記載の電子線装置に置いて、前記プローブ電子線が前記観察試料に入射するエネルギーを変化させる手段としてリターディング電圧を、少なくとも3点以上選択できることを特徴とする電子線装置。請求項6記載の電子線装置において、前記プローブ電子線が前記観察試料に入射するエネルギーを変化させる手段としてリターディング電圧を、少なくとも3点以上選択できることを特徴とする電子線装置。請求項14に記載の電子線装置において、前記試料台は半導体の断面試料を観察する試料台をそなえ、断面の観察をするさいに、プローブ電子線の加速を3kVから5kVのいずれかとしたことを特徴とする電子線装置。電子銃と、前記電子銃から放出された電子を加速してプローブ電子線とする加速手段と、試料を載せる試料台と、加速された前記プローブ電子線を減速して前記試料に照射する減速手段と、これらを制御するコントローラと、前記コントローラに接続された表示装置とを有する電子線装置において、前記減速手段により形成される電界の軸対称からのずれを可視化する可視化手段と、前記軸対称からのずれを低減する低減手段と、前記可視化手段により可視化された画像に基づき前記低減手段により前記軸対称からのずれを低減する操作パネルとを有することを特徴とする電子線装置。請求項16記載の電子線装置において、前記可視化手段は、前記プローブ電子が通過する穴を有する反射板と、前記反射板に前記試料からの二次電子や反射電子の焦点を結ばせる結像制御手段と、前記穴を含む前記反射板に前記二次電子や反射電子が当たるように前記二次電子や反射電子を曲げる偏向制御手段とを含むことを特徴とする電子線装置。請求項16記載の電子線装置において、前記可視化手段は、前記減速手段に交流信号を重畳するワブラ電源を含むことを特徴とする電子線装置。請求項16記載の電子線装置において、前記ずれ低減手段は、前記試料台の傾斜回転機構を含み、前記操作パネルは、前記コントローラを介して前記傾斜回転機構により前記試料台の回転角の調整を行う回転角調整手段及び傾斜角の調整を行う傾斜角調整手段を有し、前記軸対称からのずれ低減に用いられるものであることを特徴とする電子線装置。請求項19記載の電子線装置において、前記操作パネルは、前記コントローラを介して前記減速手段により前記プローブ電子線の前記試料への入射エネルギーを調整する入射エネルギー調整手段を更に有することを特徴とする電子線装置。特許文献1に示す構造でリターディング時に発生する電子を、今後高まると思われる要求への対応のために更に高分解能条件でエネルギー弁別しようとしたところ、試料によっては必ずしもうまくエネルギー弁別されない場合のあることがわかった。その多くは、形成されるリターディング電界が必ずしも軸対称ではないことによっていることを見出した。このリターディング電界の印加により観察像の移動、すなわち視野のずれがある場合は、観察したい場所をリターディング電圧印加後に再度探さねばならない。また、このずれを補正するための手段として、リターディング電圧をわずかに変化させ、像の移動が最小になるように電磁界のアライナーにより調整することが例えば特許文献2に開示されている。ところが、この方法において調整した条件は特定のリターディング電界と入射エネルギーの場合に成り立つものであり、条件が変わるたびに調整する必要がある。さらに次に示す理由により、高分解能でのエネルギー弁別は困難であることが懸念される。即ち、発生するSEに対してはエネルギーが違うために必ずしも好適な条件とはならない。また、BSEにおいても磁界で行うアラインメントではプローブ電子と同じ軌道を逆向きにはたどらず、むしろ、より軸から外れる軌道を取ってしまうためである。本発明の目的は、リターディング電界の非軸対称性による影響を低減し、低加速高分解能条件でエネルギー弁別による情報取得が可能な電子線装置を提供することにある。本発明は、電子線装置において、リターディング電界の軸ずれを可視化する手段と、試料台の傾きを変えて軸ずれを調整する手段とを有することを最も主要な特徴とする。上記特徴であるリターディング電界の軸ずれを可視化する手段と、試料台の傾きを変えて軸ずれを調整する手段を備えることにより、リターディング電界による視野ずれや検出電子の軌道のずれが低減されるため、低加速高分解能条件でエネルギー弁別による情報取得が可能な電子線装置を提供することができる。実施例1本発明の第1の実施例について、図1A~図7を用いて説明する。図1Aは実施例1に係る電子線装置の一つである走査電子顕微鏡SEMシステムの概念図を示す。これは、電子銃13、コンデンサレンズ30や対物レンズ3である電子レンズ、偏向器2、二次電子や反射電子の検出器7、試料4を置き移動させて観察領域を決める試料台機構、真空容器72、およびSEM像の表示装置14、SEM全体を制御するコントローラ80、真空排気設備、除振機構などを有する。電子銃13はCFEColdFieldEmission、SESchottkyEmission、熱電子ThermionicEmissionなど各種電子源70のいずれも該当する。ここでは、プローブとなる電子線1が偏向器2により向きを変えられ、対物レンズ3の中心を通過して試料台5に乗っている試料4に収束して入射する。対物レンズ3は先述のセミインレンズ型であり、対物レンズ3よりも試料4側に磁界レンズの主面があり、収差を低減している。さらに、試料台5にはVr電源リターディング電源11から負の電圧が印加されている。これは、低加速5kV以下から10V程度まででの対物レンズ3の色収差を低減するために、あらかじめプローブ電子線の加速電圧V0を高めに設定しておき、Vrの電位により試料直前で減速している。したがって、対物レンズ下面0Vとの間に電界が形成されている。試料で発生した二次電子9は初速が小さい2-3V程度にピークがあるため、ここでできた電界により加速され、対物レンズ3中をプローブ電子線1と逆の向きに進む。ここでは二次電子で説明するが、反射電子を用いることもできる。対物レンズ3による磁場の影響が試料表面まで及んでいるため、発生したSEのほぼすべてが対物レンズ中を抜け、偏向器2の磁界中で偏向され上方の反射板6に向かう。この反射板6から二次電子発生し、これを検出電子10と呼ぶ。これを電界によって検出器7に引き込み電気信号に変換する。検出器7は多くの場合はE-T型検出器を用い、蛍光体、ライトガイド、光電子増倍管で構成される。すなわち、検出電子10はバイアス電圧10kV程度印加した蛍光体に入射させ、発生する光を光電子増倍管で電気信号に変換し、適宜増幅してSEMのコントローラに送ると、試料のSEM像が得られる。ここで、対物レンズ3の条件を二次電子9がちょうど反射板6上に焦点を結ぶように設定する。この条件で低倍観察、すなわち、偏向器2による軌道の曲がりを大きくしていくと、反射板6の中心の穴に二次電子9が収束する場合には二次電子9は検出されず、画像が暗くなる。この穴の外側に当たると二次電子9が検出されるので明るいSEM像が得られ、この穴の内側は暗い丸穴として観測される。場合によっては、図1Bのように、反射板6の穴のふち内縁6aでのエッジ効果によってこの部分からのみ多くの検出電子が発生するので明るい縁取りのリングとなる。ここで得られるリングの画像中での位置が中央に無い場合は、図1Cに示すように、試料台5の回転と傾斜を調節し、リング構造が中央に来るようにする。この回転と傾斜は、観察している領域の中心Oを中心として試料台5の垂線A-Oを中心軸として角度φ回転、面内の線Q-Oを軸として台を角度θ傾斜することをさす。なお、試料台5の機能により回転傾斜の中心位置が必ずしも観察中心にならない場合は、適宜、x、y、z軸、すなわち上下左右移動して観察領域が移動しないようにする必要がある。なお、この機能を形成するためにリターディング電圧Vrを印加する試料台5は導電性のある材料、例えばアルミニウムであり、傾斜回転機構8との間には絶縁ホルダ12により電気的な接触が無いようにしてある。この機能を使うために、SEMの操作画面には、図2に示すような操作パネルを設ける。この機能は、低加速高分解能で観察したいためにリターディング電圧を印加する場合の軸合わせとして用いるものである。この操作パネルを用いることにより、可視化されたリターディング電界の軸ずれの画像を操作者が見ながら軸合わせを容易に行うことができる。まず、表示装置14に本操作パネルを表示させる。あらかじめ、基本操作画面からコマンドやボタンなどで呼び出される。次に、リターディング電圧Vrを決める。これはすでに印加してあっても良いが、このパネルで加速設定しても良い。加速設定スライダ25と加速表示窓24は現在の試料に入射するエネルギーを加速として表示している。変更するには加速設定スライダ25のドラッグ操作、加速表示窓24内で数字を打ち込むなどでプローブ電子線1が試料に入射する電圧Viを決定すると、Vr=V0-Viになるように、リターディング電圧Vrを印加する。なお、プローブの加速電圧V0は、プローブの電圧表示窓23に表示される。ここでは本操作パネルを表示装置14に表示させたが、専用の操作パネルとすることもできる。次に、アラインメント開始ボタン20をクリックすると、電子光学系が図1Aのように二次電子9が反射板6に焦点を結ぶように対物レンズ3の励磁電流とその上方の図には入っていないコンデンサレンズの条件を設定する。これは、前もって対物レンズ3から試料4までの距離、プローブ電子線1の加速電圧V0、プローブ電子線が試料に入射する電圧Viの条件でそれぞれのレンズ条件をデータとして持っている。この結果、図1Bの画像を出し、これが中央に来るように試料台5の回転角φと傾斜角θを傾斜回転機構8により調節する図1C。この操作は図2のパネルの下部にある軸調整部22で行う。ここでは回転と傾斜用にそれぞれ、チェックボックス221、スライダ222、数値表示窓223、増減ボタン224を備え、チェックボックス221にチェックを入れて調節を可能にし、スライダ222で大まかな回転と傾斜の調節を行う。さらに細かくする場合は増減ボタン224により1デジットずつ増減する。また、すでに条件がわかっている場合は数値表示窓223に直接数値を入力しても良い。この数値は角度デグリー、ラジアンが使い易いが、デジット値すなわちDAC値Digital-Analogコンバータの入力値でも良い。さらに、操作を簡便にするために自動アラインメント開始ボタン21を設置し、これを押すことで自動的にあわせても良い。この結果、検出器7では倍率を上げて観測すると図1Bの暗い領域を中心に見ることになるが、この部分は二次電子SEがほとんど検出されないので、反射電子BSEによる画像が得られる。このため、微細な凹凸よりも、原子番号が大きいほうが明るいという、試料の組成を反映した情報が得られる。また、多結晶体の場合は、結晶方位の違いにより反射電子の量が異なるため、結晶情報が得られる。この条件では対物レンズ3から試料までの電界の軸が出ているので、図2の加速設定スライダ25を調節して加速電圧この場合試料に入射するエネルギーのことを変えても視野ずれが生じない、あるいはきわめて小さいので、同じ場所を入射エネルギーを変えて観察できる。この場合、焦点と検出電子の明るさが変わるので、焦点、コントラストとブライトネスを再調整するだけで、入射エネルギーの異なる画像が同一視野で取得できる。焦点の調節は対物レンズ3の励磁電流を変化させて対応する。例えば、テフロン登録商標などの絶縁体試料では、試料が帯電しやすいので低加速で観察していると、負に帯電したり正に帯電したりして焦点をあわせることが難しいが、本装置を使って試料台の傾きを調節すれば、入射エネルギーを変えても同じ視野でかつ短時間で焦点合わせができるので、帯電しない入射エネルギー条件入射電子数と放出電子数が同じ、すなわちイールドが1となる条件を容易に探すことができる。この結果、テフロン登録商標の微細構造を壊さずに詳細に観察可能となる。また、薄膜の積層構造の場合も、電子の入射エネルギーにより到達深さが変わるため、入射エネルギーを変えた条件で積層した個々の膜の情報を弁別できるという利点がある。以上説明してきたように、低加速高分解能条件で情報弁別および電子線の入射エネルギーを容易に変化して観察するという目的を、リターディング電界の軸ずれを可視化する手段と、試料台の傾きを変えて軸ずれを調整する手段を有することで実現した。本実施例では図1Aの構成を用いたが、リターディング法を用いたものであれば同様の効果がある。例えば、図3のように検出器を複数設け701、702、第一反射板601でBSEを検出し、その上に抜けてきたSE信号を第二反射板602で検出すると、1回でBSE情報に加え、SEの表面凹凸情報にとんだ画像が得られる。また、図3のように途中の電子光学系にレンズ300が入っても良い。この場合、対物レンズ3の自由度が増すので、より広い範囲で高分解能観察が可能となる。また、対物レンズ3の直ぐ上にはExB31をおく。これは、電界Eと磁界Bお互いが直交しかつプローブ電子線1が通る軸に対しても直角に配置されており、EとBの強度は、これに入射するプローブ電子線1が影響を受けない組み合わせが選ばれているものである。このExB31を稼動させた場合は、入射するプローブ電子線1には影響が無いが、試料から発生する電子線や第一反射板601から発生する低速の電子は電界Eによりプラス側に引き出されるので、ここに第一検出器701があり低エネルギーの電子を検出できる。特に、リターディング電圧Vr印加時には、SEは第一反射板601中央の穴を抜けて検出せず、BSEのみを効率よく検出できるので、S/Nの良い画像が得られるという利点がある。ここで例示した組み合わせのみならずとも、これらの変換板、検出器、レンズ、ExBの組み合わせが変わっても、個々の部品数が増加しても、軸ずれの検出機能と試料台の傾け機能があれば同様の効果があることは明らかである。本実施例では、回転と傾斜がそれぞれ1軸の試料台の制御機構を用いたが、傾斜がx-yの2軸あると、各々独立に制御できるので便利である。例えば、図5の模式図に示すような構成の試料ステージ機構50を用いても良い。この場合、下から順にz1軸ステージ、θx軸ステージ、θy軸ステージ、x軸ステージ、y軸ステージ、z2軸ステージが積み重なった構成である。ここでは、θx、θyの回転でも移動しない点Oがプローブ電子線1の軸上に来るように構成されている。試料台5の上にある試料の観察したい領域をz、y、z2それぞれの軸ステージで決めておき、リターディング電圧を印加し軸ずれを観察しながら、θx、θyを調節する。このとき観察領域はずれないので軸あわせした後にすぐに観察が行える。分解能や視野を決める試料台5と対物レンズ3との距離WDはz1軸ステージで調節する。本実施例においては、対物レンズ3と試料4の間の電界の軸がずれている様子を可視化するために、中央に穴の開いた反射板を用いて二次電子の軌道を見た。反射板以外でも同様にして軸ずれの可視化が可能なことは明らかであり、例えば、図6abに示すような、中央部に穴や不感帯のある検出器を用いても同様の効果がある。この場合、リターディング電界の軸ずれをあらわすものは、円環ではなく、不感領域にSEが来る場合の暗い円と、その周りの有感領域にSEが照射されて明るい領域となる。図6aは半導体検出器64であり、主に、Siで作られる。符号60は穴、符号61は不感帯、符号62は検出領域、符号63はケースを示す。図6bは中央に穴60のあるシンチレータ66電子線入射により発光する蛍光体であり、これからの発光を外部に運ぶライトガイド65が付属している。外で光を検出して像とするものである。蛍光体が光るためには電子の入射エネルギーがある程度必要であり、蛍光体の材質により異なるが、YAG:Ceイットリウムアルミニウムガーネットにセリウムをドープの場合、5kV以上必要であり、二次電子を検出するためには二次電子を5kV以上に加速する必要があり、この電圧はリターディング電圧で与えても良い、あるいは、YAG検出器自身に3kV程度のバイアスを印加しておけば、リターディング電圧は2kVで同じ効果が得られる。なお、この場合には、プローブ電子線1に影響を与えないように、中心穴部にシールドパイプや、検出器の上下に金属メッシュなどのシールドが有効である。蛍光体として、低速で光るもの、例えばP15ZnOであれば100eV以下でも発光するのでバイアスは不要となる。これらの検出器は薄く作ることができるので、狭い場所で検出するのに有効である。例えば、図7のようなSEMに用いると良い。対物レンズ3の下部に置いた半導体検出器64でもっぱら反射電子BSEを検出し、カラム内検出器によりSEを検出すると一度に多くの情報が得られる。さらに、リターディング電圧によりプローブ電子線の入射エネルギーを変えて試料の一定の箇所を観察できるので、極表面情報、内部の結晶情報、組成情報、微細な凹凸、帯電情報などが弁別して得られる。なお、試料の形状によっては、入射エネルギーが100eV以下の極低加速の領域では、視野ずれが大きくなる場合がある。この場合は、使用したい入射エネルギーで軸をあわせると良い。また、リターディング電圧を加速と同じか少し大きくプローブ電子線1の試料への入射エネルギーをゼロ又はマイナスにすると、試料に入射する電子が減り、ほとんどの電子が試料からの電界で跳ね返る、ミラー条件にして軸をあわせても良い。この場合は、プローブ電子線1のエネルギー分布によりわずかに試料に入射する電子が作る二次電子を計測するか、あるいは、図4のようにミラーで反射した電子線ミラー反射電子線40を対物レンズ3の下面に収束させて、この対物レンズ3から発生する二次電子検出電子10の強度を検出器7で測定すると良い。このような極低加速の電子線は、表面のモノレーヤー程度の分子や原子層の観察、絶縁体表面の微細な傷の計測などに適している。上述したリターディング電界の軸ずれを可視化する手段と試料台5の傾きを変えて軸ずれを調整する手段は、図7のようなアウトレンズ方式にも適用して有用である。この場合カラム内の加速筒73中にある検出器はシンチレータ66とライトガイド65を用い、加速筒73とシンチレータ66にはプローブ電子線1を加速するために正の電圧、3から8kVの中から選んで印加する。これにより二次電子9は加速筒73のエネルギーを獲得してシンチレータ66に入射するので、有効に光に変換され、光電子倍増管71にて電気信号に変換される。対物レンズ直下に置いた半導体検出器64は主にBSEを検出する。ここで、リターディング法を用いる、試料ステージ機構50は、絶縁体、微動、傾け機構などを含んだものとして省略して示している。ここでの軸だしは、シンチレータ66によるSEM像中の穴60の位置をみて行う。あるいは、ミラー条件に近づけて、下の半導体検出器64中の不感領域の位置で行っても良い。この場合のメリットとして、低加速条件での収差が低減され、高分解能化が達成される。さらに、リターディング電圧の変化により入射エネルギーを連続的に変えられるので、短時間で容易に、より詳細な入射エネルギー条件で画像情報が得られるという利点がある。以上述べたように、本実施例によれば、リターディング電界の軸ずれを可視化する手段と試料台の傾きを変えて軸ずれを調整する手段を備えることにより、リターディング電界の非軸対称性による影響を低減でき、低加速高分解能条件でエネルギー弁別による情報取得が可能な電子線装置を提供することができる。また、それら手段を制御する操作パネルを備えることにより、容易に軸ずれを低減できる。また、リターディング電界の軸合わせにより、リターディング電圧の変化による視野ずれを抑制することができる。実施例2第2の実施例について、図8A~図11Bを用いて説明する。なお、実施例1に記載され、本実施例に未記載の事項は特段の事情がない限り本実施例にも適用することができる。本実施例では、リターディングの電界の軸対称からのずれの可視化手段として、SEM像を観察しながら、リターディング電圧Vrを変化させ、像のゆれを見る方法について説明する。図8Aは、本実施例に係る電子線装置の要部概念図である。図8Aに示すように、リターディング電源11は、定電圧電源84に加えて周波数fのワブラ電源81を備え、定電圧電源84から試料台5の間にRLの値の抵抗83を挿入し、ワブラ電源81からの信号をCcの値のカップリングコンデンサ82を介して試料台5に伝達する。この結果、図8Bのように、試料台の電圧は、リターディング電圧Vrに振幅Vwの交流信号が重畳する。この場合、リターディング電圧Vrが1-2kVに対してワブラ信号Vwは20Vから10V程度である。実際の軸調整は図9のフローで行う。まずリターディング電圧として1-2kVの電圧を試料台5に印加し、低倍でSEM観察して観察したい領域を決めておく。これに軸調整を開始するスイッチを入れる。これは、モニタ上に図11Aに示すウィンドウを出し、このワブラボタン100をクリックすると、図8AのSEMコントローラ80よりワブラ電源81に開始信号を発生することで開始される。なお、ワブラ信号の振幅電圧はワブラ電圧窓101で確認できる。これにより軸調整する方法の一例を図9を用いて説明する。試料台は、一方向への傾きθと、試料台の観察点Oとこれと試料台面に垂直に交わる線A-Oを軸とした回転φの機構を有する。ワブラにより振幅10V程度の変動が与えられ、このとき視野3-6μmの倍率のSEM像は図9aの模式図のように軸ずれにしたがってある方向に振動する図中の矢印は振動方向を示す。この振動方向が試料表面の傾斜方向に対応する。この振動が傾きθの方向に一致するように、ここでは図9bの縦方向試料台がチルト可能な方向になるように試料台の回転角φを調節する図9d。この調節は図11Aに示したな操作パネルの軸調整部22で行う。次に、この縦方向の画像振動が小さくなるように傾きθを調節する図9e。これにより、観察領域が図9fのように観察点Oが傾いた面上にあり電界が曲がっている試料でも図9gのように水平に近い角度にして、電界の最適条件にすることができる。図9cのように画像の動きが止まれば図11Aの操作パネルのワブラボタン100によりワブラを停止する。まだ画像の振動が残っているような場合は、再度、図11Aの操作パネルの軸調整部22を用いて回転φの調整から行う。この一連のフローは図9hに示されている。入射エネルギーの調整については図2に示した操作パネルと同様なので省略する。なお、ここで観察している場所Oを中心として回転と傾きができるようにステージを調整しておくと便利である。また、ステージの機能として観察点Oがφとθの移動の中心に来るように制御すると便利なことは明らかである。以上の結果、凹凸の少ない試料では入射エネルギーを変えた場合の視野のずれを1μm以下に抑えることができる。より倍率を高くし、ワブラ信号Vwを大きく≧40Vして調整すれば0.5μm以下も可能である。凹凸の激しい試料の場合は軸が合う電圧範囲が狭くなるので、リターディング電圧Vrを変えて軸ずれが大きくなるところで再度軸合わせをすると良い。また、入射エネルギーの範囲を低加速側に広げる場合も同様であり、2kVの観察の後、100V、10Vの観察をするさいに必要に応じて軸合わせをすると良い。さらにより高い倍率で微細構造を観察するさいには、高い倍率で図9に示すような軸調整を再度すると良い。また、ワブラによる電圧振幅ワブラ信号Vwは一定で用いてもよいが、ユーザーが選べるようにすると便利である。特に、倍率の違い、リターディング電圧、入射エネルギー、試料の状況に応じて画像の揺れ幅が異なるので、例えば、図11Aのようにワブラ電圧窓101を設け、ここに数字を入力することで揺れ幅がちょうどになるように調節できるようにしておくと使い勝手が良い。この電圧設定は、ダイヤルやスライダ、スイッチで数個の中から選ぶようにしても良い。ここで、交流の等価回路は図8Cに示すように、試料台の静電容量Cpにより左右され、ワブラ電源モジュールの出力電圧V1とワブラ信号Vwの関係は次式となる。ここで、コンデンサCcはCpより十分大きな値から選ばれる。試料台5が直径2cm、対物レンズ3との距離が1.5mmの場合、ここでの静電容量は1.8pF、配線などの容量を含めてもCpは10pFのオーダー以下である。さらに、ワブラ信号Vwがワブラ電源モジュールの出力電圧V1の振幅の90以上あることが望ましい。この条件は式1から、CcRL>1.6/fとなる。周波数fは実用上1Hz程度であり、CcRL>1.6となる。試料台は2kV程度の高電圧になるので、コンデンサCcの極板間の耐圧もこの程度が必要であり、容量の大きなものは高価になるため。10nFから50pFから選ばれ、これに対応するRLは、CcRL>1.6の条件にしたがって、160Mから32GΩ以上から選ばれる。本実施例では、プローブ電流100pA程度以下のSEMに用いる場合であったが、よりプローブ電流Ipの大きな場合は、RLIpの電圧降下により試料台の電位が変化し、かつ二次電子や反射電子量の変化によりこの電位がふらついて収束条件が変わると観察に支障をきたす場合は、より小さな抵抗を用い、これに伴いCcの容量を大きくすれば同様の効果が得られる。例えばIp=100nAのような大電流で加速を変える測定をする場合RLIp<1Vの条件が好ましいので、RL<10MΩ、Cc>160nFから選ぶ。なお、図8Aはリターディング電圧を変化させることで軸のずれを可視化するためのものであり、他の手段を用いても電圧を変えられれば同様の効果がある。例えば、定電圧電源84として入力の電圧で出力を可変するモデルでこれにワブラ電源81の出力を加えても良い。この場合はRL、Ccは不要であるが、電源の安定性のために1Hz以下の周波数で用いる。また、SEMコントローラの制御信号により定電圧電源84の電圧を制御しているが、この制御信号により電圧を変えても同様の効果がある。この場合、連続的に電圧変化させずとも、リターディング電圧Vr以外の設定電圧をワブラ信号Vwの範囲内で2点以上設定して交互に変化させれば、画像の動きがわかるので同様の効果がある。本実施例2で示した走査電子顕微鏡を用いて、リターディングの電界の軸対称からのずれを可視化し、これをもとに試料台の傾きを変え、半導体基板の断面観察を行った。図10aは、半導体基板観察時のリターディング電界の等電位線を含む試料台近傍の概念図である。低加速高分解能の測定のうち、半導体基板を割り、その断面を観察することは多いが、高分解能観察しようとすると、図10aのように試料台5に溝のようなものを準備し、これに半導体断面試料90を立てて置く。表面が完全に平らなことが望ましいが、劈開時や台に固定するときに凹凸が生じてしまう。図10bは、リターディング電界の軸調整前の状態を示す試料近傍の概念図である。図10bのように観察したい領域は半導体断面試料90の端にあるデバイス領域92の付近であり、リターディング電界の等電位線91が傾いており、この結果、プローブ電子線1が曲がるので、視野探しに手間がかかる、非点収差やひずみにより分解能が劣化する、さらに二次電子9は軸から離れていくので、二次電子による表面微細構造の観察が難しくなる、などの問題があった。これに本実施例を適用して、リターディング電界の軸ずれが小さくなるように半導体断面試料90の傾きを調整すると、図10cのように、プローブ電子線1の曲がりが最小限に抑えられるので高分解能で視野ずれなく、観察できる。ここでは、全体の電界を軸対称とすることは困難だが、観察したい部分に向かうプローブ電子線1の通る局所的な領域の最適化をすればよい。また、二次電子も局所的な軸に沿ってほぼ対物レンズ3の中を通り検出器に捕集されるので、S/N比の高い画像が得られる。さらに、絶縁膜があってチャージアップによる画像のドリフトが止まらない場合は、リターディング電圧Vrを変えてみて、ドリフトの最も小さい入射エネルギー条件を選ぶことができる。これは、入射電子の量に対して試料から放出される電子の量が等しくなる入射エネルギー条件が存在するためである。シリコンの酸化膜や窒化膜等が表面にある場合は2kV付近、Siが表面の場合は1kV付近、レジストやポリイミドなどの有機膜の場合は1kV以下が最良となることが多いので、プローブ電子1の加速は2kV以上が良く、2.5-5kVとしておくことが好ましい。この結果、本実施例に係る電子線装置を用いることにより、微細構造の観察が短時間で容易に行えるという利点が生じる。さらに、入射エネルギーを変えると電子の進入深さも変わるので、デバイスの深さ方向の情報を弁別することもできる。なお、上記半導体断面試料の観察に、図1、3、4、7に示す電子光学系に適用しても有効であることは明白であり、さらに、実施例1の機能と両方有するとさらにさまざまな試料観察に対応できるので、効果的である。例えば、Siやガラスの基板など平らで構造が見えにくい試料の場合は、実施例1のSEM画像上に検出器の不感帯の形状を映すことが有効である。一方、断面観察のような、表面凹凸の多い試料の場合は、低倍では実施例1で用いたリング状の形状がきれいに出ない場合が多い。この場合は、観察したい部分の局所的な軸を合わせればよく、実施例2のリターディング電圧を変化させる方法が有効である。このために図11Bに示す操作パネルのように、低倍率用としてアラインメント開始ボタン20を、高倍率用としてワブラボタン100を設けると使い勝手の良い装置が得られることは明らかである。以上述べたように、本実施例によれば、リターディング電界の軸ずれを可視化する手段と試料台の傾きを変えて軸ずれを調整する手段を備えることにより、リターディング電界の非軸対称性による影響を低減でき、低加速高分解能条件でエネルギー弁別による情報取得が可能な電子線装置を提供することができる。また、それら手段を制御する操作パネルを備えることにより容易に軸ずれを低減することができる。また、リターディング電界の軸合わせにより、リターディング電圧の変化による視野ずれを抑制することができる。また、ワブラ電源を用いる場合には、凹凸の多い試料観察に好適である。また、穴のある反射板やシンチレータ、不感帯のある検出器及びワブラ電源の両者を備えることにより、平らであっても凹凸が多くても試料表面形状によらず観察が可能となる。以上、本願発明を詳細に説明したが、以下に主な発明の形態を列挙する。1少なくとも一つの電子銃と、前記電子銃から放出された電子を加速収束してプローブ電子線とする、対物レンズを含む電子レンズと、前記プローブ電子線を偏向する偏向器と、観察試料を乗せる試料台と、前記観察試料の観察画像の表示手段およびこれらの機能を制御するコントローラを備え、前記プローブ電子線を前記観察試料上に収束し、前記観察試料からの前記発生電子を検出することで前記観察試料の微細構造を観察する電子線装置であって、前記対物レンズと前記観察試料との間に前記プローブ電子線を減速する電界を印加するリターディング電源を持ち、リターディング電圧印加時において、前記対物レンズと前記観察試料の間のうち、前記プローブ電子線が通る領域での、リターディング電界の軸対称からのずれを可視化する可視化手段と、この結果をもとに電界のずれを低減するずれ低減手段とを有することを特徴とする電子線装置。2上記1記載の電子線装置において、前記ずれ低減手段は、前記試料台の傾け機構であり、2軸の傾き、もしくは、1軸の傾きと1軸の回転からなることを特徴とする電子線装置。3上記2記載の電子線装置において、前記可視化手段は、前記観察試料からの前記発生電子を前記観察試料上方の円形の穴もしくは不感帯のある検出器で直接検出する第1の手段か、あるいは、円形の穴のある板に試料から発生した電子を衝突させた結果、前記板から発生する電子を検出する第2検出手段を含み、前記コントローラでは、前記観察試料からの前記発生電子が前記第1の手段の穴もしくは不感帯又は前記板の穴にありその結果円形の暗い領域と、前記第1の手段の有感帯又は前記板の穴の縁に照射することで検出電子が増加する明るい領域もしくは明るい円環領域が見えるように、前記プローブ電子線の偏向範囲と収束のための前記電子レンズのレンズ条件を設定し、この円環が画像の中央に来るように前記試料台の前記傾け機構を制御する機能を持つこと、およびこの機能を発動させるための制御パネルもしくはスイッチを備えたことを特徴とする電子線装置。4上記1記載の電子線装置において、前記可視化手段は、前記リターディング電圧を所望の幅に変化させて、観察画像の視野のずれを見る機能であり、前記コントローラでは、観察画像の振動がゼロまたは最小となるように前記試料台の傾け機構を制御する機能を持つこと、およびこの機能を発動させるための制御パネルもしくはスイッチを備えたことを特徴とする電子線装置。5上記1記載の電子線装置において、前記可視化手段は、前記リターディング電圧を変化させ、前記プローブ電子線が前記試料に入射するエネルギーを0eV近傍および、前記プローブ電子線が入射できないミラー条件とし、この時の観察画像の非対称性を見ることを特徴とする電子線装置。6上記345の少なくとも一に記載の電子線装置において、前記軸対称からのずれが最小となるよう、前記試料台の傾きを調節する機能を備えたことを特徴とする電子線装置。7上記5記載の電子線装置において、前記プローブ電子線が前記観察試料に入射するエネルギーを変化させる手段としてリターディング電圧を、少なくとも3点以上選択できることを特徴とする電子線装置。8上記6記載の電子線装置において、前記プローブ電子線が前記観察試料に入射するエネルギーを変化させる手段としてリターディング電圧を、少なくとも3点以上選択できることを特徴とする電子線装置。9上記8記載の電子線装置において、前記試料台は半導体の断面試料を観察する試料台をそなえ、断面の観察をするさいに、プローブ電子線の加速を3kVから5kVのいずれかとしたことを特徴とする電子線装置。10電子銃と、前記電子銃から放出された電子を加速してプローブ電子線とする加速手段と、試料を載せる試料台と、加速された前記プローブ電子線を減速して前記試料に照射する減速手段と、これらを制御するコントローラと、前記コントローラに接続された表示装置とを有する電子線装置において、前記減速手段により形成される電界の軸対称からのずれを可視化する可視化手段と、前記軸対称からのずれを低減する低減手段と、前記可視化手段により可視化された画像に基づき前記低減手段により前記軸対称からのずれを低減する操作パネルとを有することを特徴とする電子線装置。11上記10記載の電子線装置において、前記可視化手段は、前記プローブ電子が通過する穴を有する反射板と、前記反射板に前記試料からの二次電子や反射電子の焦点を結ばせる結像制御手段と、前記穴を含む前記反射板に前記二次電子や反射電子が当たるように前記二次電子や反射電子を曲げる偏向制御手段とを含むことを特徴とする電子線装置。12上記11記載の電子線装置において、前記可視化手段は、前記減速手段に交流信号を重畳するワブラ電源を含むことを特徴とする電子線装置。13上記11記載の電子線装置において、前記ずれ低減手段は、前記試料台の傾斜回転機構を含み、前記操作パネルは、前記コントローラを介して前記傾斜回転機構により前記試料台の回転角の調整を行う回転角調整手段及び傾斜角の調整を行う傾斜角調整手段を有し、前記軸対称からのずれ低減に用いられるものであることを特徴とする電子線装置。14上記13記載の電子線装置において、前記操作パネルは、前記コントローラを介して前記減速手段により前記プローブ電子線の前記試料への入射エネルギーを調整する入射エネルギー調整手段を更に有することを特徴とする電子線装置。