"太陽電池セル、特に結晶または多結晶シリコン太陽電池セルのディスク状基板材料を熱処理するための方法において、少なくとも1つのプロセスステップにおいて、基板材料、特に結晶または多結晶シリコンは、レーザビーム6a,6bによる熱処理を受けることを特徴とする方法。基板材料の上面および下面は、レーザビーム6a,6bで同時に照射されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。レーザビーム6a,6bは、時間に関して構成が考慮されたパルスから成り、または時間に関して構成が考慮されたパルスを含むことを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。基板材料の上面および/または下面は、全表面にわたって、レーザビーム6a,6bで同時に照射されることを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の方法。基板材料の上面および/または下面は、全表面にわたり移動する、レーザビーム6a,6bの線形強度分布で照射されることを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の方法。基板材料の上面および/または下面は、中心部がより高い強度のレーザビーム6a,6bで、周縁部がより低い強度のレーザビーム6a,6bで照射されることを特徴とする、請求項1~5のいずれか1項に記載の方法。基板材料の上面は、第1のレーザビーム6aで照射され、基板材料の下面は、第2のレーザビーム6bで照射され、基板材料の上面および下面において異なるプロセスを行うために、第1および第2のレーザビーム6a,6bは、1または複数の特性に関して異なっていることを特徴とする、請求項1~6のいずれか1項に記載の方法。太陽電池セル、特に結晶または多結晶シリコン太陽電池セルのディスク状基板材料を熱処理するための装置であって、該装置によって、特に請求項1~7のいずれか1項に記載の方法が実行可能な装置において、少なくとも1つのレーザ光源4a,4bを含むことを特徴とする装置。ディスク状基板材料のための、少なくとも1つのホルダ1を含むことを特徴とする、請求項8に記載の装置。少なくとも1つのホルダ1は、少なくとも部分的に、使用されるレーザビーム6a,6bの波長領域において透過性を有することを特徴とする、請求項9に記載の装置。少なくとも1つのホルダ1は、少なくとも部分的に、クォーツから成ることを特徴とする、請求項9または10に記載の装置。少なくとも1つのホルダ1は、使用されるレーザビーム6a,6bの波長領域において透過性を有する材料から成る1つ、好ましくは2つのフレーム9,10を含むことを特徴とする、請求項9~11のいずれか1項に記載の装置。加熱されるべき基板材料は、2つのフレーム9,10間で保持可能であることを特徴とする、請求項12に記載の装置。少なくとも1つのホルダ1は、使用されるレーザビーム6a,6bの波長領域において透過性を有する材料から成る1つ、好ましくは2つのプレート14,15を含むことを特徴とする、請求項9~11のいずれか1項に記載の装置。加熱されるべき基板材料は、2つのプレート14,15間で保持可能であることを特徴とする、請求項14に記載の装置。複数のホルダを含み、該複数のホルダは、適切な結合手段2によって相互に結合されることを特徴とする、請求項9~15のいずれか1項に記載の装置。光学手段5a,5bを含み、該光学手段は、少なくとも1つのレーザ光源4a,4bからのレーザビーム6a,6bを、基板材料の上面および/または下面上にもたらし得ることを特徴とする、請求項8~16のいずれか1項に記載の装置。以下において、添付の図を参照し、本発明の実施形態を詳細に説明する。図において、同じまたは機能的に同じ部品については同じ参照符号が付与されている。図1に示した、発明に従った装置の第1の実施形態は、複数のホルダ1を有し、該ホルダ1について以下において図3~図5を参照してより詳細に説明する。各ホルダ1は、太陽電池セルのための基板材料として働くシリコンウエハを保持する。各ホルダ1は、適切な結合手段2を介して互いに結合され、複数のホルダ1は搬送方向3において同時に図1右方に移動させることが可能である。発明に従った装置は、さらにまた2つのレーザ光源4a,4bを備え、該レーザ光源はそれぞれ、たとえば1つのまたは複数のレーザダイオード、特に1つのレーザダイオードバーまたはレーザダイオードバースタックを含む。商業的理由から、レーザ光源4a,4bの波長は、800nm~1100nmの範囲とすることが可能である。しかしながら、レーザ光源4a,4bを、波長がもっと長いもの、もっと短いものに取り換えることも可能である。さらにまた、レーザ光源4a,4bは、該光源の駆動、特に、そのオン時間ないしはパルス持続時間を制御可能な制御手段を含んでもよく、または、該制御手段と結合してもよい。特にパルス持続時間は1ns~1sとする。発明に従った装置は、さらにまた、概略的に示した第1および第2の光学手段5a,5bを含む。光学手段5a,5bはこの場合、それぞれ、たとえば、複数の互いに交差させたシリンダレンズアレイと視野レンズとを有してもよい均質化装置を含む。光学手段5a,5bはさらにまた、ビーム形成のためのレンズを有してもよい。光学手段5a,5bから出射するレーザビーム6a,6bは、破線で示されている。第1のレーザ光源4aに配設された、第1の光学手段5aは、ホルダ1によって保持されたシリコンウエハが、上方から完全に平らに照射されるように形成される第1の光学手段の下方にあるホルダ1のシリコンウエハの、たとえば平坦な強度分布となる上面を参照。第2のレーザ光源4bに配設された、第2の光学手段5bは、ホルダ1によって保持されたシリコンウエハが、下方から完全に平らに照射されるように形成される。この場合、全照射時間は、クロック速度1sを順守するために最大で1sとする。その場合、レーザビーム6aは、シリコンウエハ上面に実質的に垂直に、およびレーザビーム6bは、シリコンウエハの下面に実質的に垂直に入射することが可能である。代わりに、レーザビーム6a,6bは、それぞれ上面に、および/または下面に0°に等しくない角度で入射する。特に、その場合、シリコンウエハの上面は第1のレーザビーム6aで照射し、シリコンウエハの下面は、第2のレーザビーム6bで照射することが可能であり、第1および第2のレーザビーム6a,6bは、太陽電池セルのための基板材料として使用されるシリコンウエハの上面および下面において異なるプロセスを引き起こさせるために、1または複数の特性に関して異ならせてもよい。パルスの形状は、時間的に、低い強度の予備加熱位相の後に、比較的高い強度の短い位相が続くような構成とすることが可能である。拡散プロセスを促進するために、この比較的高い強度の位相の後に、たとえば、再びより低い強度の比較的長い位相が続くようにしてもよい。したがって、クロック速度1sの場合、パルス形状は、周波数1Hzで繰り返される。照射プロセスにおいて、互いに結合されたホルダ1の搬送方向3における搬送は停止してもよい。しかしながら、照射プロセス中、搬送を連続させてもよい。この場合、レーザ光源4a,4bは、光学手段5a,5bと共に、丁度照射されるべきシリコンウエハから少し移動し、次のシリコンウエハの照射が開始する前に再び元に戻すことが可能である。出力密度は、シリコン表面上において、0.1~30kW/cm2の範囲において選択可能である。光学ビーム形成による精密に予め定められた、シリコンウエハの適切な一様でない照射が保証されることによって、シリコンウエハの一様でない加熱を防止することが可能である。シリコンウエハの中心部における比較的高い密度と縁部における比較的低い密度によって、温度プロファイルが時間によって変動する場合であっても、温度分布は一様になる。さらにまた、太陽電池セル上の、予め定められたより熱いおよびより冷たい領域に関して、追加的な、目標を空間的に異ならせた加熱プロファイルのためのビーム形成を利用することが可能であるたとえば、太陽電池セル上の前面接触フィンガ構造。図2に従った実施形態は、シリコンウエハの上面と下面とが、それぞれ同時に全面が照射されるのではなく、順次、線形強度分布8によって照射される。光学手段5a,5bは、したがって、多かれ少なかれシャープな線を生じさせるために、いくらか異なって構成されてなる。好ましいことに、シリコンウエハを介したラインの走査のために、互いに結合されたホルダの動きを利用することが可能である。短所としては、レーザ光の時間的変調のためには、わずかの時間しか利用できないことがある。図3は、結合手段2を介して互いに結合された2つのホルダ1を示している。各ホルダ1は、用いられる波長のレーザを透過させる材料からなる上部フレーム9と下部フレーム10を有する。たとえば、適切な材料としてはクォーツが考えられる。加熱されるシリコンウエハ11は、上部フレーム9と下部フレーム10の間に置かれる。図4および図5において、シリコンウエハ11は矩形の輪郭で示している。シリコンウエハは、概略正方形の輪郭を有してもよい。ホルダはさらに2つのブラケット12を有し、該ブラケット12は、フレーム9,10を上下からシリコンウエハを押圧している。図4は、ブラケット12がそれぞれ外部からフレーム9,10上に突出し、最大シリコンウエハ11の縁13にまで突出しているが、しかしそれを越えることはないことを示している。このようにして確実に、シリコンウエハの上面および下面は全面平らに構成され、部分的にフレーム9,10を介してレーザビーム6a,6bによって照射されるように構成される。他の実施形態については図5に示される。該実施形態においては、中心に開口を有するフレーム9,10に代わって、中心に開口を有さないプレート14,15が用いられている。レーザビーム6a,6bによるシリコンウエハ11の上下への照射は、専らプレート14,15を介して行われる。"