"ICチップが形成されているSiウェハを複数枚積み重ねて接合し、TSV技術により、この接合されたSiウェハにICチップ同士を電気的に接続するための穴を開けた後、複数のICチップを繋ぐ該穴の中に導電体膜を形成する前に、該穴の中にバリヤー膜を形成する方法であって、2種類以上のモノマーを真空中にて蒸発させ、蒸着重合法により該穴の中にポリイミドからなるバリヤー膜を形成することを特徴とするバリヤー膜の形成方法。請求項1に記載のバリヤー膜の形成方法において、該モノマーを同時に又は別々に蒸発させて蒸着せしめることを特徴とする。請求項1又は2に記載のバリヤー膜の形成方法において、該モノマーが芳香族ジアミンとテトラカルボン酸二無水物とからなるものであることを特徴とする。ICチップが形成されているSiウェハを複数枚積み重ねて接合し、TSV技術により、この接合されたSiウェハにICチップ同士を電気的に接続するための穴を開けた後、複数のICチップを繋ぐ該穴の中に導電体膜を形成する前に、該穴の中にバリヤー膜を形成する方法であって、2種類以上のモノマーを真空中にて蒸発させ、蒸着重合法により該穴の中にポリマーからなるバリヤー膜を形成することを特徴とするバリヤー膜の形成方法。請求項4に記載のバリヤー膜の形成方法において、該モノマーを同時に又は別々に蒸発させて蒸着せしめることを特徴とする。請求項4又は5に記載のバリヤー膜の形成方法おいて、該ポリマーがポリイミドであることを特徴とする。請求項4~6のいずれか1項に記載のバリヤー膜の形成方法において、該モノマーが芳香族ジアミンとテトラカルボン酸二無水物とからなるものであることを特徴とする。ICチップがそれぞれに形成された複数枚のSiウェハの各Siウェハが積み重ねられて接合されているSiウェハ積層物を有するICチップパッケージであって、該Siウェハ積層物には接合後にTSV技術により開けられた穴が設けられ、該穴の中には、2種類以上のモノマーを用いて蒸着重合してなるポリイミドからなるバリヤー膜が形成されており、そしてこのバリヤー膜の上には導電体膜が形成されていることを特徴とするICチップパッケージ。請求項8に記載のICチップパッケージにおいて、該モノマーが芳香族ジアミンとテトラカルボン酸二無水物とからなるものであることを特徴とする。ICチップがそれぞれに形成された複数枚のSiウェハの各Siウェハが積み重ねられて接合されているSiウェハ積層物を有するICチップパッケージであって、該Siウェハ積層物には接合後にTSV技術により開けられた穴が設けられ、該穴の中には、蒸着重合してなるポリマーからなるバリヤー膜が形成されており、そしてこのバリヤー膜の上には導電体膜が形成されていることを特徴とするICチップパッケージ。請求項10に記載のICチップパッケージにおいて、該ポリマーがポリイミドであることを特徴とする。請求項10又は11に記載のICチップパッケージにおいて、該ポリマーが芳香族ジアミンとテトラカルボン酸二無水物との蒸着重合体であることを特徴とする。本発明の課題は、上述の従来技術の問題点を解決することにあり、真空中にて2種類のモノマーを同時に又は別々に蒸着して、基板上にて反応させ、その後必要に応じて加熱し、重合反応で所望の膜を得るいわゆる蒸着重合法を利用することにより、低温で絶縁特性、バリヤー特性、ホール内の均一成膜特性に優れたバリヤー膜を形成する方法及びこのバリヤー膜を備えたICチップパッケージを提供することにある。本発明のバリヤー膜の形成方法に係る第1の形成方法の発明は、ICチップが形成されているSiウェハを複数枚積み重ねて接合し、TSV技術により、この接合されたSiウェハにICチップ同士を電気的に接続するための穴を開けた後、複数のICチップを繋ぐ該穴の中に導電体膜を形成する前に、該穴の中にバリヤー膜を形成する方法であって、2種類以上のモノマーを真空中にて蒸発させ、蒸着重合法により該穴の中にポリイミドからなるバリヤー膜を形成することを特徴とする。上記第1の形成方法の発明において、該モノマーを同時に又は別々に蒸発させて蒸着せしめることを特徴とする。上記第1の形成方法の発明において、該モノマーが芳香族ジアミンとテトラカルボン酸二無水物とからなるものであることを特徴とする。本発明のバリヤー膜の形成方法に係る第2の形成方法の発明は、ICチップが形成されているSiウェハを複数枚積み重ねて接合し、TSV技術により、この接合されたSiウェハにICチップ同士を電気的に接続するための穴を開けた後、複数のICチップを繋ぐ該穴の中に導電体膜を形成する前に、該穴の中にバリヤー膜を形成する方法であって、2種類以上のモノマーを真空中にて蒸発させ、蒸着重合法により該穴の中にポリマーからなるバリヤー膜を形成することを特徴とする。上記第2の形成方法の発明において、該モノマーを同時に又は別々に蒸発させて蒸着せしめることを特徴とする。上記第2の形成方法の発明において、該ポリマーがポリイミドであることを特徴とする。上記第2の形成方法の発明において、該モノマーが芳香族ジアミンとテトラカルボン酸二無水物とからなるものであることを特徴とする。本発明のICチップパッケージに係る第1のICチップパッケージの発明は、ICチップがそれぞれに形成された複数枚のSiウェハの各Siウェハが積み重ねられて接合されているSiウェハ積層物を有するICチップパッケージであって、該Siウェハ積層物には接合後にTSV技術により開けられた穴が設けられ、該穴の中には、2種類以上のモノマーを用いて蒸着重合してなるポリイミドからなるバリヤー膜が形成されており、そしてこのバリヤー膜の上には導電体膜が形成されていることを特徴とする。上記第1のICチップパッケージの発明において、該モノマーが芳香族ジアミンとテトラカルボン酸二無水物とからなるものであることを特徴とする。本発明のICチップパッケージに係る第2のICチップパッケージの発明は、ICチップがそれぞれに形成された複数枚のSiウェハの各Siウェハが積み重ねられて接合されているSiウェハ積層物を有するICチップパッケージであって、該Siウェハ積層物には接合後にTSV技術により開けられた穴が設けられ、該穴の中には、蒸着重合してなるポリマーからなるバリヤー膜が形成されており、そしてこのバリヤー膜の上には導電体膜が形成されていることを特徴とする。上記第2のICチップパッケージの発明において、該ポリマーがポリイミドであることを特徴とする。上記第2のICチップパッケージの発明において、該ポリマーが芳香族ジアミンとテトラカルボン酸二無水物との蒸着重合体であることを特徴とする。本発明によれば、TSV技術を適用して開けた穴内に、蒸着重合法により250°C以下で成膜可能であり、且つA/Rで10以上でも十分な付き回りを示し、バリヤー膜として十分使用可能なバリヤー膜を形成することができるという効果を奏する。また、本発明によれば、上記バリヤー膜を備えたICチップパッケージは、信号遅延の問題が生じる恐れもなく、また、大容量、高速動作も可能であるという効果を奏する。以下、本発明に係るバリヤー膜の形成方法の実施の形態及びICチップパッケージの実施の形態について説明し、その後に、各構成要件について詳細に説明する。本発明に係るバリヤー膜の形成方法の実施の形態によれば、この形成方法は、Siウェハ表面上にICチップICデバイスが形成されている複数枚のSiウェハを、ICチップが形成されていないSiウェハの裏面側とICチップが形成されている別のSiウェハの表面側とが接するように積み重ね、例えばシロキサン樹脂やエポキシ樹脂等から選ばれた接着剤を用いて接合し、3次元実装工程TSV技術工程により、この接合されたSiウェハ積層物にICチップ同士を電気的に接続するための穴を開けた後、複数のICチップを繋ぐCuやAlやWやNi等からなる導電体膜を穴内、また、穴の周辺に形成する前に、穴内やその周辺にバリヤー膜を形成する方法であって、2種類以上のモノマーを、好ましくは芳香族ジアミンとテトラカルボン酸二無水物とを真空中で蒸発させ、例えば各モノマーを同時に蒸発させ又は時間をずらせて別々に蒸発させ、穴内やその周辺で蒸着重合させ、好ましくはポリイミド等のポリマーからなるバリヤー膜を形成することからなる。本明細書中で穴内といった場合は、穴内とその周辺とを含むものとする。この場合、穴の周辺に形成された膜は、目的とするデバイスに応じてエッチング除去する。また、本発明に係るICチップパッケージの実施の形態によれば、このICチップパッケージは、ICチップがそれぞれに形成された複数枚のSiウェハの各SiウェハがICチップの形成されていないSiウェハの裏面側とICチップの形成されている別のSiウェハの表面側とが接するように積み重ねられて、例えばシロキサン樹脂やエポキシ樹脂等から選ばれた接着剤により接合されているSiウェハ積層物を有し、このSiウェハ積層物には、接合後にTSV技術により開けられた穴が設けられ、穴内やその周辺には、2種類以上のモノマー、好ましくは芳香族ジアミンとテトラカルボン酸二無水物とを用いて蒸着重合してなるポリイミド等のポリマーからなるバリヤー膜が形成されており、そしてこのバリヤー膜の上にはCuやAlやWやNi等からなる導電体膜が形成されていることからなる。従来技術では、上記したように、配線膜のバリヤー膜として、スパッタリング法又はCVD法により金属や金属窒化物を形成していた。特に、A/Rが高く例えば、5以上なるとCVD法を使う必要があった。従って、その成膜温度は300°C以上という高温による熱エネルギーが必要であり、また、使用する原料に由来する塩素やフッ素を膜中から除去するために高温が必要であった。さらに、従来技術では、金属を含むバリヤー膜表面の酸化を防ぐために、バリヤー膜形成後に真空中で連続して配線膜を形成することが必要であった。しかし、上記した本発明によれば、バリヤー膜は有機物からなるポリマー膜であるために、成膜温度も低い上、このポリマー膜を形成した後に、得られたSiウェハを一度大気中に出して、次の工程を進めることも可能である。また、本発明の場合、アニール処理が必要な場合は、アニール後にAl、Cu等の成膜を行うことも出来る。さらに、AlやCu膜等のバリヤー膜に対する密着性向上のために、以下述べるシランカップリング剤を、ポリイミド成膜前又は成膜中に、また、AlやCu等の成膜前アニール後に所望量、例えば、成膜中の場合は、ポリイミド1molに対して0.01~0.1mol程度、また、成膜前の場合は、10分子層程度のような微量を添加することも可能である。本発明に従って形成できるバリヤー膜を構成するポリマーとしては、例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリアゾメチン、ポリ尿素又はそれらの任意の混合物等を挙げることができ、好ましくはポリイミドを挙げることができる。上記ポリイミドを形成することのできる一方のモノマーである芳香族ジアミンとしては、例えば、4,4’ジフェニルエーテル、1,4-ジアミノベンゼン、1,3-ジアミノベンゼン、2,4-ジアミノトルエン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,4’-ジアミノジフェニルエーテル、3,3’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、2,2’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、2,2’-ビストリフルオロメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、3,7-ジアミノ-ジメチルジベンゾチオフェン-5,5-ジオキシド、4,4’-ジアミノベンゾフェン、3’,3’-ジアミノベンゾフェン、4,4’-ビス4-アミノフェニルスルフィド、4,4’-ジアミノジフェニルスルホン、4,4’-ジアミノベンズアニリド、1,n-ビス4-アミノフェノキシアルカン、1,3-ビス4-アミノフェノキシ-2,2-ジメチルプロパン、1,2-ビス[2-4-アミノフェノキシエトキシ]エタン、9,9-ビス4-アミノフェニルフルオレン、56-アミノ-1-4-アミノメチル-3,3,3-トリメチルインダン、1,4-ビス4-アミノフェノキシベンゼン、1,3-ビス4-アミノフェノキシベンゼン、1,3-ビス3-アミノフェノキシベンゼン、4,4’-ビス4-アミノフェノキシビフェニル、4,4’-ビス3-アミノフェノキシビフェニル、2,2-ビス4-アミノフェノキシフェニルプロパン、ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]スルホン、ビス[4-3-アミノフェノキシフェニル]スルホン、2,2-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]ヘキサフルオロプロパン、3,3’-ジカルボシキ-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,6-ジヒドロキシ-1,3-フェニレンジアミン、3,3’-ヒドロキシ-4,4’-ジアミノビフェニル、3,3’,4,4’-テトラアミノビフェニル、1-アミノ-3-アミノメチル-3,5,5-トリメチルシクロヘキサン、及び1,3-ビス3-アミノプロピル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン等から選ばれた少なくとも1種類を使用できる。また、ポリイミドを形成することができる他方のモノマーであるテトラカルボン酸二無水物としては、例えば、二無水ピロメリット酸、オキシジフタル酸二無水物、ビフェニル-3,4,3’,4’-テトラカルボン酸二無水物、ベンゾフェノン-3,4,3’,4’-テトラカルボン酸二無水物、ジフェニルスルホン-3,4,3’,4’テトラカルボン酸二無水物、4,4’-2,2-ヘキサフルオロイソプロピリデンジフタル酸二無水物、mp-ターフェニル-3,4,3’,4’-テトラカルボン酸二無水物、シクロブタン1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、及び1-カルボキシメチル-2,3,5-シクロペンタントリカルボン酸-2,6:3,5-二無水物等から選ばれた少なくとも1種類を使用できる。上記した本発明における蒸着重合の場合、通常の溶液重合法溶媒として、例えばジメチルホルムアミド等を用いるにより溶液重合を行ってポリアミック酸ポリアミド酸溶液を得、次いで溶媒を除去し、脱水閉環してポリイミド膜を得る方法の場合と同様に、上記で例示した溶液重合法で通常用いることができる芳香族ジアミン及びテトラカルボン酸二無水物から適宜選択して用いれば、同様に蒸着重合したポリイミド膜を得ることができる。上記したシランカップリング剤としては、分子内に有機材料と反応結合する官能基、及び無機材料と反応結合する官能基を同時に有する有機ケイ素化合物で、次式の構造を持つもの等が知られている。Z-R-Si-X2上記式中、Zは、有機材料と反応結合する官能基で、例えばビニル基、エポキシ基、アミノ基、メタクリル基、又はメルカプト基等であり、Xは、無機材料と反応する官能基又はハロゲン原子で、例えばメトキシ基及びエトキシ基等から選ばれたアルコキシ基、アセトキシ基、フェノキシ基、又は塩素原子等である。上記したようにバリヤー膜に対するAl膜やCu膜等からなる配線膜の密着性向上のために、既知の方法に従って、所定の順番で、所定量添加してもよいシランカップリング剤としては、例えば以下のものを挙げることができる。例えば、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-2-アミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、3-2-アミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、3-フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、1,2-エタンジアミン,N-{3-トリメトキシシリルプロピル}-,N-{エテニルフェニルメチル}誘導体塩酸塩40メタノール溶液、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリエトキシシラン、アミノシランメタノール溶液、アミノシラン混合物、及びアミノシランIPA溶液に加えて、アルキルアルコキシシランとして、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラ、トリメチルメトキシシランメトキシ、メチルトリエトキシシランエトキシ、メチルトリフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラン、n-プロピルトリメトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ジイソブチルジメトキシシラン、イソブチルトリエトキシシラン、n-ヘキシルトリメトキシシラン、n-ヘキシルトリエトキシシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、n-オクチルトリエトキシシラン、n-デシルトリメトキシシラン、及びフェニルトリメトキシシラン、アルキルクロロシランとして、メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、及びn-オクチルジメチルクロロシラン、テトラエトキシシラン及び1,1,1,3,3,3-ヘキサメチルジシラザン、並びにオリゴマーとして、メチルメトキシシロキサン、メチルメトキシシロキサン、ジメチル-フェニルメトキシシロキサン、ジエチル-フェニルメトキシシロキサン、及びアルキルアルコキシシロキサン等から選ばれた少なくとも1種類を使用できる。上記シランカップリング剤は、公知の方法例えば、特開2006-231134号公報により、ポリイミド成膜前又は成膜中、また、AlやCu等の成膜前アニール後に所望量添加すればよい。次に、本発明に係るバリヤー膜の形成方法を実施するための成膜装置について、模式的な一構成例を示す図1を参照して説明する。図1に示す成膜装置1は、被処理基板Sを載置できる真空槽11を有しており、この真空槽11は、真空槽内を減圧にするための排気系12を備えている。真空槽11内には第一原料モノマーA用のタングステンボート13a及び第二原料モノマーB用のタングステンボート13bが配置され、タングステンボート13a及び13bのそれぞれには、その上部にシャッター14a及び14bが設置されている。被処理基板Sは、トレイ15上に載置され、固定されて、その処理表面を第一及び第二原料モノマーA及びBと対向するように、真空槽11の上方に設置されている。また、タングステンボート13a及び13bは、図示していないが、固体又は液体の原料モノマーの蒸気を発生させるための加熱手段を備えている。なお、第一及び第二原料モノマーA及びBが室温で固体である場合、タングステンボート13a及び13b上には、図示していないが、モノマーの蒸発量を同じように調整するためのスリット板をそれぞれ装着することが好ましい。上記した成膜装置1を用いてバリヤー膜を形成する場合、例えば、まず、表面に第1の半導体素子領域ICチップが形成された第1のSiウェハの表面側と、表面に第2の半導体素子領域ICチップが形成されている第2のSiウェハの裏面側とを、シロキサン樹脂やエポキシ樹脂等の接着剤を用いて接合する。かくして得られたSiウェハ積層物に対して、TSV技術により、ドライエッチングで、所定のプロセス条件下、第2のSiウェハに形成されている第2の半導体素子領域と第1のSiウェハに形成されている第1の半導体素子領域とを電気的に接続する穴を開ける。この穴の開けられたSiウェハ積層物を本発明における被処理基板Sとして用いる。このTSV技術によるエッチングについて、第1のSiウェハ及び第2のSiウェハを有するSiウェハ積層物からなるICチップパッケージの模式的な一構成例を示す図2を参照して説明する。図2に示すICチップパッケージ2は、第1のSiウェハ21の表面側と第2のSiウェハ22の裏面側とがシロキサン樹脂やエポキシ樹脂等からなる接着剤層23を介して積層されたものである。第1のSiウェハ21の表層の一部には第1の半導体素子領域ICチップ21aが公知の方法により形成されており、また、第2のSiウェハ22の表層の一部には第2の半導体素子領域ICチップ22aが公知の方法により形成されている。また、第1のSiウェハ21と接着剤層23との間には絶縁層24が、また、第2のSiウェハ22と接着剤層23との間には絶縁層25が設けられている。かかるSiウェハ積層物に対して、TSV技術により、所定のドライエッチング条件下、第2のSiウェハ22に形成されている第2のICチップ22aと第1のSiウェハ21に形成されている第1のICチップ21aとを電気的に接続する穴を開ける。かくして得られた穴の中及びその周辺に、上記したようにして、2種類以上のモノマー、好ましくは芳香族ジアミンとテトラカルボン酸二無水物とを用いて蒸着重合によりポリイミド等のポリマーからなるバリヤー膜26を形成する。その後、このバリヤー膜26の穴ホールの底部をエッチ除去し、その後バリヤー膜26及び露出した第1の半導体素子領域21aの上に、CuやAlやWやNi等からなる導電体膜27を形成する。かくして本発明のICチップパッケージ2が得られる。上記ドライエッチングは、例えば、第2のSiウェハ22の上に設けられたSiNハードマスク例えば、0.5μm厚さを介して行う。すなわち、第2のICチップ22a、第2のSiウェハ22、絶縁層25、接着剤層23、及び絶縁層24を順次エッチングし、第1のICチップ21aの上までエッチングし、上記接続穴を開ける。上記マスクのエッチング工程は、例えば、真空槽内の圧力を0.67Paに設定し、Ar/C4F8/O2ガスを180/20/10sccmの流量で流し、アンテナ用高周波電源からの供給電力として1200Wを印加し、そしてバイアス用高周波電源からの供給電力として400Wを印加して行われる。第2のSiウェハ22例えば、10μm厚さのエッチング工程は、例えば、真空槽内の圧力を6.65Paに設定し、SF6/O2/HBrガスを150/55/0sccmの流量で流し、アンテナ用高周波電源からの供給電力として1000Wを印加し、そしてバイアス用高周波電源からの供給電力として50Wを印加して行われる。SiO2からなる絶縁層例えば、0.5μm厚さのエッチング工程は、例えば、真空槽内の圧力を2Paに設定し、Ar/C4F8/O2ガスを180/20/10sccmの流量で流し、アンテナ用高周波電源からの供給電力として1200Wを印加し、そしてバイアス用高周波電源からの供給電力として400Wを印加して行われる。上記接着剤層23のエッチング工程は、例えば、真空槽内の圧力を1.5Paに設定し、SF6/O2/N2ガスを30/200/85sccmの流量で流し、アンテナ用高周波電源からの供給電力として2000Wを印加し、そしてバイアス用高周波電源からの供給電力として300Wを印加して行われる。上記SiO2からなる絶縁層は、例えば、TEOSを原料ガスとして用い、公知のプロセス条件例えば、特開2001-345315号公報参照下で形成すればよい。かくして得られた被処理基板Sをトレイ15上に載置して固定する。また、図1に示す成膜装置1の真空槽11内の蒸発用タングステンボート13a及び13bに、それぞれ、第一原料モノマーA例えば、ピロメリット酸二無水物等のテトラカルボン酸二無水物及び第二原料モノマーB例えば、4,4’-ジフェニルエーテル等の芳香族ジアミンを充填し、上記被処理基板Sが載置固定されたトレイ15を真空槽11内の上方に設置する。次いで真空槽11内を所定の圧力例えば、1E-4Paまで排気した後、各タングステンボート13a及び13bを各モノマーA及びBの蒸気を発生することができる所定の温度に加熱して、各シャッター14a及び14bを開けて、第一原料モノマーと第二原料モノマーとの蒸気が等モルずつ同時に飛ぶようにして、又はシャッター14a及び14bのそれぞれを交互に開けて、それぞれの蒸気が等モルずつ時間をずらして飛ぶようにして、被処理基板S上で蒸着重合せしめ、所定の膜厚のポリアミック酸ポリアミド酸膜を形成する。両原料とも室温で固体である場合には、タングステンボート13a及び13b上には、図示していないが、蒸発量を同じようにするためにスリット板を装着して、等モルずつ蒸発するようにすることが好ましい。被処理基板S上で原料モノマーAとBとが分子状で混ざった瞬間に反応して、ポリアミド酸が生成される。その後、所定の温度例えば、250°C以下で所定の時間の間、N2雰囲気等の不活性雰囲気中でアニール処理を行う。これにより、ポリアミド酸がイミド化し、目的とするポリイミド膜からなるバリヤー膜が得られる。かくして得られた被処理基板Sを別のCVD装置に搬入して、公知のプロセス条件例えば、特開2009-130288号公報下で、配線膜としての所定の厚さのCu膜やAl膜等を形成すると、本発明のICチップパッケージが得られる。250°C以下の成膜温度で絶縁特性、バリヤー特性、ホール内の均一成膜特性に優れたバリヤー膜が形成される。バリヤー膜としてポリイミド膜を形成する場合の実施例を示す。本実施例では、図1に示す成膜装置を用いて、蒸発用タングステンボート13a及び13bに、それぞれ、第一原料モノマーAとしてピロメリット酸二無水物及び第二原料モノマーBとして4,4’-ジフェニルエーテルを充填し、トレイ15上に固定したSiウェハSを真空槽11内に搬入し、1E-4Paまで排気し、また、タングステンボート13a及び13bを所定の温度に加熱し、シャッター14a及び14bを開けて、ピロメリット酸二無水物と4,4’-ジフェニルエーテルとの蒸気が等モルずつ同時に飛ぶようにして、厚さ300nmのポリアミック酸ポリアミド酸膜を形成した。両原料とも室温で固体であるため、タングステンボート13a及び13b上には、図示していないが、蒸発量を同じようにするためにスリット板を装着して行った。SiウェハS上でピロメリット酸二無水物と4,4’-ジフェニルエーテルとが分子状で混ざった瞬間に反応して、ポリアミック酸が生成される。その後、150°Cで6時間の間、N2雰囲気中でアニール処理を行った。これにより、80以上がイミド化していることが解った。このSiウェハSを別のCu-CVD装置に搬入して、公知のプロセス条件で厚さ30nmのCu膜を形成した。Cu膜の形成されたSiウェハSを取り出し、その断面をSEMにより観察して、SiウェハS上のポリイミドの各場所における膜厚を測定した。Cu膜は密着性確認のために形成したものである。各場所における測定したポリイミド膜の膜厚を以下の表1に示す。本実施例で使用したSiウェハSは、穴径5μmで、深さ50μm及び70μmのホールパターンを有するものであった。SiウェハS上の膜厚測定場所は、図3に示すように、SiウェハSの上表面A、ホール内の側壁上部B、ホール内の側壁中部C、ホール内の側壁下部D、ホール内の下部Eである。表1から明らかなように、穴径5μmで、深さ50及び70μmのいずれにおいても、十分に均一なポリイミド膜が形成されていることが解る。また、上記観察中に、Cu膜の剥離はなかったので、密着性も十分に得られていることが解る。次いで、上記ポリイミド膜の膜厚を変化させながら、Siウェハ上のホールパターンのない場所に、0.5mmφのAl膜を形成し、このAl膜とSiウェハとの間に電圧を掛けてV-I特性を測定した。ポリイミド膜厚nmと、実用電圧である3V印加時の電流密度リーク電流密度A/cm2との関係を図4に示す。図4から明らかなように、リーク電流は、ポリイミド膜厚の増加と共に減少するが、膜厚が薄いと高い。リーク電流が高いことは、実用上は好ましくない特性であるが、膜厚200nmで10-7A/cm2、300nmで10-8A/cm2台の値が得られていることから、目的に合わせて膜厚を調整すれば、十分実用可能な値が得られているといえる。実施例1に記載の方法に従って蒸着重合せしめて形成した膜に対して赤外線吸収IRスペクトルを測定した。次いで、蒸着膜のポリアミド酸及びポリイミドの生成率を求めるため、100°C、150°CでIRスペクトルの経時変化を測定した。その結果を図5に示す。図5において、横軸は経過時間hrを示し、縦軸はアミド化率及びイミド化率を示す。それぞれ、1650cm-1、1380cm-1の吸収の最大値を100として各時間での吸収の深さの測定から求めた。図5から明らかなように、100°Cでの蒸着直後の膜は、70程度ポリアミド酸となっていて、加熱によりアミド化が進行していることが分かる。温度を150°Cに上げると、時間の経過と共にポリアミド酸が脱水し、ポリイミドに変化していくことが分かる。6時間後には、80程度がポリイミドに変化している。実施例1に記載の方法に従って蒸着重合せしめてポリイミド膜を形成した。但し、シャッター14a及び14bの開閉を調節し、ピロメリット酸二無水物と4,4’-ジフェニルエーテルとの蒸気が等モルずつ時間をずらせて別々に飛ぶようにして、SiウェハS上に所定の厚さのポリイミド膜を形成した。その結果、穴径5μmで、深さ50及び70μmのいずれにおいても、表1に示す結果とほぼ同様に均一なCu成膜ができており、Cu膜の剥離もなかった。また、実施例1の場合と同様にV-I特性を測定したところ、リーク電流とポリイミド膜厚との関係は図4の場合と同様であり、目的に合わせて膜厚を調整すれば、十分実用可能な値が得られていた。"