"半導体基板2上の、補強構造体10を有するボンディングコンタクト1において、該ボンディングコンタクトには、-前記の半導体基板2上に配置される少なくとも1つの第1金属層3と、-当該の第1金属層3の上方に配置される第3金属層4とを有しており、前記の第1金属層3には、パターンを有する補強構造体10が収容され、前記の第3金属層4は、ボンディング面ボンディングパッド5を有するボンディングコンタクト層であり、さらに-前記のボンディング面5の下方かつ第1金属層3の上方に絶縁層14が配置されており、当該の絶縁層14は、前記のボンディング面5の縁部5aを越えて突き出ている、ボンディングコンタクト1において、-前記の補強構造体10は、当該のボンディング面5の上側から見た場合に当該のボンディング面5の下方において第1金属層3内に構成されており、-当該の補強構造体10には誘電体島11,12が含まれていることを特徴とするボンディングコンタクト1。前記の絶縁層14は、少なくともほぼ2μmの厚さを有し、かつ複数の部分層から構成される、請求項1に記載のボンディングコンタクト。-前記の補強構造体10は、規則的に配置される第1形状の島11および第2形状の島12から構成され、-第1形状の島11は格子状に配置されており、-当該の第1形状の島11は、直に隣接する4つの第2形状の島12の間にそれぞれ配置されており、-第2形状の島12は格子状の構造を構成する、請求項1または2項に記載のボンディングコンタクト。前記の第1金属層3にフレーム3cが構成されており、当該フレーム3cにより、前記の補強構造体10が包囲される、請求項1から3までのいずれか1項に記載のボンディングコンタクト。前記の第1金属層3は、縁部領域にて、少なくとも1つの誘電体層8に配置される貫通コンタクト部15を介して前記のボンディングコンタクト層4に電気的に接続される、請求項1から4までのいずれか1項に記載のボンディングコンタクト。前記の第1形状の島11は、第1金属層3の面にて正方形または矩形の断面を有する、請求項1から5までのいずれか1項に記載のボンディングコンタクト1。前記の第2形状の島12は、第1金属層3の面にて十字形の断面を有する、請求項1から6までのいずれか1項に記載のボンディングコンタクト1。第2金属層7が設けられており、該第2金属層7は、前記の補強構造体10を有する第1金属層3の上に配置されており、かつ誘電体から構成されかつ中央に配置される島を有しており、当該の島は、第2金属層7によってフレーム状に包囲される、請求項1から7までのいずれか1項に記載のボンディングコンタクト1。前記の第1金属層3と第2金属層7との間に誘電体層8が配置されており、該誘電体層より、縁部領域に配置された貫通コンタクト部15を介して前記の2つの導電性材料層3,7が電気的に接続される、請求項8に記載のボンディングコンタクト1。前記のボンディング面5は、縁部領域にて、誘電体層6に配置される貫通コンタクト部16を介して第2金属層7に電気的に接続される、請求項9に記載のボンディングコンタクト1。前記のボンディング面5は、パッシベーション層13の開口部によって定められ、前記の貫通コンタクト部15,16は、当該のパッシベーション層13の縁部領域に配置される、請求項1から10までのいずれか1項に記載のボンディングコンタクト1。前記の金属製のフレームの外側の縁部3c,7aと、ボンディング面の外側の縁部5aとはそれぞれラテラル方向にずれている、請求項1から11までのいずれか1項に記載のボンディング個所1。本発明の課題は、改善された特性を備えた冒頭に述べた形式のボンディングコンタクト、殊に銅ボンディングとの両立性の点で高い信頼性を有するボンディングコンタクトを提供することであり、この銅ボンディングでは、エネルギ吸収度が高いことによって起因してボンディングの際にも、また作動温度が高い場合にもボンディングパッドのロバストかつ均一な特性が要求されるのである。上記の課題は、請求項1の記載された特徴的構成を有するボンディングコンタクトによって解決される。本発明によるボンディングコンタクトはつぎのように構成されている。すなわち、補強構造体を有する半導体基板上に、半導体基板に配置された少なくとも1つの第1金属層と、半導体基板上の、補強構造体を有する半導体基板上に、この半導体基板上に配置される少なくとも1つの第1金属層と、第1金属層の上方に配置された第3金属層とを有しており、上記の第1金属層は、パターンを有する補強構造体を収容するためのものであり、上記の第3金属層は、ボンディング面ボンディングパッドを有するボンディングコンタクト層であり、上記のボンディング面の下方および第1金属層の上方に絶縁層が配置されており、この絶縁層は、ボンディング面の縁部を越えて突き出ており、上記の補強構造体は、上側からボンディング面を見た場合、ボンディング面の下方において上記の第1金属層の内側に構成されており、上記の補強構造体には誘電体島が含まれている。補強構造体を有する半導体基板上のこのようなボンディングコンタクトは、本発明による1発展形態によればつぎのような特徴を有する。ここで上記の補強構造体は、パターンを有する補強構造体を収容するための、半導体基板に配置される少なくとも1つの導電性材料層と、金属層とを含んでおり、この金属層は、ボンディング面ボンディングパッドを有するボンディングコンタクト層として構成されかつ上記の導電性材料層に配置される。-上記の補強構造体は、規則的に配置される第1形状の島および第2形状の島から構成され、-第1形状の島は格子状に配置されており、-格子点を構成しかつ隣接する4つの第1形状の島の間にそれぞれ第2形状の島が配置されており、-第2形状の島は、格子状の構造を構成する。本発明のように構造化された導電性材料層、有利にはアルミニウムまたは銅のような金属を使用すれば、ボンディングコンタクトの良好な機械的の特性が得られるため、ボンディングの際の力を一層良好に受け止めることができ、これによって基板までに至る亀裂の形成が抑止されるか、または少なくとも最小化される。本発明の有利な1発展形態にしたがって中央に配置された補強構造体をフレーム状に包囲することにより、有利にも、このフレーム状に包囲された領域において、少なくとも1つの誘電体層に配置される貫通コンタクト部ヴィアを介して、ボンディングコンタクト層との電気的な接触接続を形成することができる。これにより、機械的には不利ではあるが導電性材料層の電気的な接続に必要なこのような貫通コンタクト部が、上記のボンディングによって機械的に負荷のかかるボンディング-パッド領域の外側で実現される。上記のヴィアを収容する誘電体層も、ボンディングパッドの下側の領域には、このような貫通コンタクト部を有しない。これにより、このようなボンディングコンタクトは殊に自動車における適用に有利である。それは上記の補強構造体の領域においては、アクティブな電子構成素子が、その下の半導体基板に実現されることがないからである。本発明による別の1実施形態の特徴は、-上記の補強構造体が、規則的に配置される島からなるパターンを有し、-上記の導電性材料層は、補強構造体をフレーム状に包囲し、-上記の導電性材料層は、縁部領域にて、少なくとも1つの誘電体層に配置される貫通コンタクト部を介して上記のボンディングコンタクト層に電気的に接続される。これにより、機械的には不利ではあるが導電性材料層の電気的な接続には必要なこのような所要の貫通コンタクト部が、上記のボンディングによって機械的に負荷のかかるボンディング-パッド領域の外側で実現される。上記のヴィアを収容する誘電体層も、ボンディングパッドの下側の領域にはこのような貫通コンタクト部を有しない。これにより、このようなボンディングコンタクトは殊に自動車における適用に有利である。それは上記の補強構造体の領域においては、アクティブな電子構成素子が、その下にある半導体基板に実現されることはないからである。本発明の発展形態によれば、上記の2つの解決手段において、島は第1形状および第2形状で構成され、ここで第1形状の島は格子状に配置され、また格子点を構成しかつ隣接するこれらの4つの第1形状の島の間にそれぞれ第2形状の島が配置され、これらの第2形状の島も同様に格子状の構造体を構成する。本発明の1発展形態において第1形状の島は、導電性材料層の面において正方形または矩形の断面を有しているため、このような島は簡単に作製可能である。それは、この場合には相応する構造体が、多重に回転対称だからである。本発明の別の1実施形態において上記の第2形状の島は、導電性材料層の面において十字形の断面を有しており、これによって同様に格子状の、多重に回転対称な構造を構成するため、これによって生じる補強構造体のパターンも多重に回転対称になるのである。ここで殊に有利であることは判明したのは、上記の導電性材料層の面において、隣接し合う第2形状の境界部と、第1形状の島と第2形状の島との境界部とが同じ間隔を有する場合である。これにより、有利には誘電体から作製される上記の補強構造体のパターンの領域において、すなわちこの補強構造体を収容する材料層の中央領域において、誘電体の割合は、導電性材料層の材料の割合よりも大きくなるのである。本発明の1発展形態によれば、有利には別の導電性材料層が設けられており、この導電性材料層は、補強構造体を有する導電性材料層に配置されており、かつ誘電体から構成されかつ中央に配置された島を有しており、ここでこの島は、導電性材料層によってフレーム状に包囲される。これにより、本発明のこの発展形態においても、ボンディングパッドの下の領域には別の構造体が存在しないままになる。このようにして得られるボンディングコンタクトは、ボンディングパッドの下に、基板表面に対して垂直方向に延びかつ誘電体から構成される複数の領域を有し、これらの領域は、積層体において中断されることはない。これにより、材料の弾性的な歪み限界までの、ボンディングコンタクトの負荷耐性が得られるのである。したがって有利にも2つの導電性材料層間、またはボンディングパッドと、その下にある導電性材料層との間の別の誘電体層も同様に、電気的な接続に必要な貫通コンタクト部を縁部領域だけに有するのである。最後に本発明の1発展形態によれば、2つの導電性材料層の間に1つの誘電体層が配置されており、この誘電体層により、上記の縁部領域に配置される貫通コンタクト部を介して、上記の2つの導電性材料層が電気的に接続される。実際のボンディングパッドが、負荷耐性能力の低い構造体を有しないように維持するため、パッシベーション層における開口部によって定められるボンディングパッドには、貫通コンタクト部がない。本発明の1発展形態によれば、これらの貫通コンタクト部は、パッシベーション層の縁部領域に配置される。また殊に有利であるのは、上記の補強構造体を有する導電性材料層が、別の材料層および/または誘電体層を基準にして、基板側に配置される場合である。すなわち、この導電性材料層は、可能な限り基板の近くに配置されるのである。これにより、場合によっては発生する亀裂をこの構造化された材料層によって補強することができる。上記の導電性材料層は、金属、有利にはアルミニウムおよび/または銅によって形成され、また誘電体層における貫通コンタクト部は、電気的な接触接続のために金属、有利にはタングステンまたはアルミニウムによって充填される。有利な1実施形態によれば、上記のボンディングコンタクト層の縁部は、第2金属層の金属製のフレームの内側の縁部とも、また外側の縁部ともずれている。さらに第2金属層のフレームの内側の縁部も外側の縁部も共に、第1金属層のフレームの内側および外側の縁部とずれている。第1金属層のフレームの内側の縁部も外側の縁部も共に上記の縁部からずれているため、第1金属層の縁部、第2金属層の縁部およびボンディングコンタクト層の縁部で互いに重なり合うものはない。言い換えると、個々の金属面およびボンディング面における金属フレームのそれぞれの外側の縁部は、互いにラテラム方向にずれているのである。発明者の調査によって示されたのは、互いにずらした金属層の縁部により、亀裂の形成を効果的に抑止することできることである。この際に注意すべきであるのは、個々のフレームおよびボンディングコンタクト層が、択一的な実施形態だけにおいてヴィアないしはスルーコンタクトによって電気的に接続されることである。個々のフレームを互いにずらすという上記の原理は、3つ以上の金属面に拡張することが可能である。以下では添付の図面を参照し、実施例に基づいて本発明を詳しく説明する。図1のボンディングコンタクト1は、半導体基板2上に配置されており、この半導体基板には、xで示した領域の外側に複数のアクティブ半導体素子、例えばトランジスタ、ダイオード、メモリまたはセンサ素子などを実現することができる。ボンディングコンタクト1は、複数の材料層、有利には上下に重なった3つの材料層を有している。すなわちボンディング個所は、基板2に配置されてはいるが、2つの薄い誘電体層9によって基板2から離れているアルミニウム製の第1金属層3を有している。この第1金属層3には誘電体製の補強構造体10が設けられており、この補強構造体10は誘電体層8によって第2金属層7から離されている。最後にボンディングコンタクト1は、ボンディングコンタクト層4でありかつ同様にアルミニウムである第3金属層を有している。ボンディングコンタクト層4の表面は、ボンディング面ないしはボンディングパッド5を形成しており、ここでこの面は、パッシベーション層13によって矩形に包囲されている。このことは図2の平面図に示されているとおりである。ボンディングコンタクトそう4は、縁部5aを有しており、この縁部は、パッシベーション層13の下側に構成されている。すなわち、パッシベーション層13は、四方の縁部においてボンディングコンタクト層4に重なっているのである。第2金属層7とボンディングコンタクト層4との間には第2誘電体層6が配置されている。第1誘電体層8の材料も、第2誘電体層6の材料も共にふつうは二酸化ケイ素SiO2が含まれている。図1から明瞭にわかるのは、ボンディングコンタクト層4ないしはボンディングコンタクト5以外では、絶縁層14内に補強構造体が配置されることであり、ここでこの絶縁層は少なくとも2μmの厚さを有するべきである。絶縁層14は、図1に示したようにただ1つの層として相応に厚く実施するかまたは重なり合う複数の部分絶縁層から構成することが可能である。第1金属層3に実現される補強構造体10のパターンは、個別のパターンエレメントから構成され、これらのパターンエレメントは、異なる形状を有する島11および12として形成され、またそれぞれ誘電体、例えば2酸化ケイ素からなる。図2の第1金属層3の平面図において、島11は、金属層3の面において正方形の断面を有する第1形状からなり、また島12の断面は十字形の第2形状である。正方向の島11も、十字形の島12も共にそれぞれ格子状に配置されており、十字形の島12は、隣接する4つの島11の間にある。ここでこれらの隣接する4つの島11は、島11によって形成される格子状構造体の格子点を構成する。隣接する十字形の島12同士の境界部と、十字形の島12と正方形の島11との間の境界部とは、同じ一定の間隔を有しているため、島11と12との間には金属層3のウェブ状の材料が残ったままになる。十字形の島12の間にある金属ウェブを3aと記し、格子状の島11と十字形の島12との間にある金属ウェブを3bと記す。補強構造体10は、金属層3の閉じた縁部3cによって囲まれており、金属層3は、この縁部3cの領域において、第1誘電体層8に配置される貫通コンタクト15により、第2金属層7に電気的に接続される。第2金属層7はフレーム状に構造化されるため、金属フレーム7aにより、誘電体島14が囲まれる。誘電体島14の代わりに酸化島14を設けることも可能である。金属フレーム7aは、第1誘電体層8内の貫通コンタクト15を介して、第1金属層3の金属フレーム3cに電気的に接続される。さらに第2金属層7のこのフレーム7aは、第2誘電体層6に配置される貫通コンタクト部16を介して、第3金属層4に接続される。貫通コンタクト部16も同様に第2誘電体層6の縁部領域に配置されており、殊に第1誘電体層8の貫通コンタクト部15に重なるように配置されている。貫通コンタクト部15ないしは16は、タングステンないしはアルミニウムからなる。図2からわかるように、これらの貫通コンタクト部15および16は、ボンディングコンタクト1の4つのすべての面に配置されている。すなわち貫通コンタクトは、ボンディングコンタクトを完全に包囲しているのである。これにより、貫通コンタクトは、実質的なボンディングパッド構造体に属してはおらず、パッシベーション層13の下で垂直方向に延びているのである。このことは図2の平面図からもわかり、この図によれば、補強構造体10は、パッシベーション層13によって構成されるフレーム内に配置される。これに続く縁取りは、第2金属層7のフレーム7aの内側の辺によって構成される。補強構造体10の領域では、すなわちパッシベーション層13によって定められるボンディング面5の下側では、すべての層の誘電体から構成されかつ垂直方向に延びるパイルが、第1金属層の島11または12から始まって第2誘電体層6まで延在している。これによって機械的に高い抵抗力が得られるのである。図3にはボンディングコンタクト1の有利な第2の実施形態が示されている。以下では、図1に示した実施例との違いだけを説明する。ボンディングコンタクト層4は、縁部5aによって区切られている。ここではボンディングコンタクト層4の縁部5aは、第2金属層7の金属製フレーム7aの内側の縁部に対しても外側の縁部に対してもずれている。さらに第2金属層のフレーム7aの外側の縁部も内側の縁部も共に、第1金属層3のフレーム3cの内側および内側の縁部に対してずれている。また第1金属層3のフレーム3cの外側の縁部および内側の縁部も縁部5aに対してずれているため、第1金属層3の縁部、第2金属層7の縁部およびボンディングコンタクト層4の縁部は上下に重なっていない。言い換えると、金属フレーム3c,7aの外側の縁部およびボンディング面5aの外側の縁部はそれぞれ互いにラテラル方向にずれているのである。ここで注意すべきであるのみ、個々のフレーム3cおよび7aおよびボンディングコンタクト層4は、択一的な1実施形態においてのみ、ヴィアないし貫通コンタクト部15および16によって電気的に接続されていることである。"