"一方向に試験被研磨物と砥石とを相対移動させることにより、中心軸を中心に回転する前記砥石にて、前記試験被研磨物の表面を研削し、前記試験被研磨物の前記表面を化学機械研磨して前記化学機械研磨の研磨速度を求め、または、前記表面の状態を調べ、前記試験被研磨物と前記砥石との相対移動の方向を変えて同様のことを繰り返して、前記化学機械研磨の前記研磨速度が速くなる研削方向を求める試験加工工程と、前記試験加工工程で求められた前記研削方向にて、被研磨物の前記表面を前記砥石で研削した後、前記被研磨物の前記表面を前記化学機械研磨する通常加工工程と、を含む被研磨物の研磨方法。前記被研磨物は、タンタル酸リチウムのY35~55度面の単結晶ウェハであり、前記化学機械研磨の研磨速度が速くなる前記研削方向が、前記単結晶ウェハのオリエンテーションフラットに対して、100~110度の方向であり、前記研削方向に前記被研磨物と前記砥石とを相対的に水平移動させて前記被研磨物の前記表面を研磨する請求項1に記載の被研磨物の研磨方法。特許文献1の作動液や、特許文献2の化学機械研磨パッドについては、ウェハに合わせた作動液、パッドを準備する必要がある。また、特許文献3のプラズマ処理では、専用の装置が必要である。本発明の課題は、被研磨物を速い研磨速度で研磨することができる被研磨物の研磨方法を提供することにある。本発明者は、ある特定の一方向に被研磨物と砥石とを相対移動させて研削を行うことにより、後工程の化学機械研磨の研磨速度を速くすることができることを見出した。すなわち、本発明によれば、以下の被研磨物の研磨方法が提供される。[1]一方向に試験被研磨物と砥石とを相対移動させることにより、中心軸を中心に回転する前記砥石にて、前記試験被研磨物の表面を研削し、前記試験被研磨物の前記表面を化学機械研磨して前記化学機械研磨の研磨速度を求め、または、前記表面の状態を調べ、前記試験被研磨物と前記砥石との相対移動の方向を変えて同様のことを繰り返して、前記化学機械研磨の前記研磨速度が速くなる研削方向を求める試験加工工程と、前記試験加工工程で求められた前記研削方向にて、被研磨物の前記表面を前記砥石で研削した後、前記被研磨物の前記表面を前記化学機械研磨する通常加工工程と、を含む被研磨物の研磨方法。[2]前記被研磨物は、タンタル酸リチウムのY35~55度面の単結晶ウェハであり、前記化学機械研磨の研磨速度が速くなる前記研削方向が、前記単結晶ウェハのオリエンテーションフラットに対して、100~110度の方向であり、前記研削方向に前記被研磨物と前記砥石とを相対的に水平移動させて前記被研磨物の前記表面を研磨する前記[1]に記載の被研磨物の研磨方法。ある特定の一方向に被研磨物と砥石とを相対移動させて研削を行うことにより、後工程の化学機械研磨の研磨速度を速くすることができる。以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、発明の範囲を逸脱しない限りにおいて、変更、修正、改良を加え得るものである。本発明の被研磨物の研磨方法は、半導体ウェハなどの被研磨物1の表面1aを研磨する化学機械研磨chemicalmechanicalpolishing:CMPを含む研磨方法である。図1に示すように、本発明の被研磨物の研磨方法は、試験被研磨物1を用いて、化学機械研磨の研磨速度が速くなる、化学機械研磨の前工程の研削の研削方向を求める試験加工工程と、試験加工工程で求められた研削方向にて被研磨物1の表面1aを研削し、化学機械研磨する通常加工工程と、を含む。なお、研削として、例えば、カップ型の砥石11を用いて、クリープフィード研削を行うことができる図2A参照。クリープフィード研削は、大きな切り込み量で、送り速度を小さくし、1パスで目的形状に加工する研削である。あるいは、台金11aの外周面に砥層11bが設けられたストレート型の砥石11を用いて研削を行うこともできる図2B参照。研削は、一方向に一回行ってもよいし、一方向に複数回行ってもよい。試験加工工程では、一方向に試験被研磨物1と砥石11とを相対移動させることにより、中心軸12を中心に回転する砥石11にて、試験被研磨物1の表面1aを研削する研削工程:図2A参照。その後、試験被研磨物1の表面1aを化学機械研磨して、化学機械研磨の研磨速度を求める化学機械研磨工程:図4参照。次に、異なる方向に試験被研磨物1と砥石11とを相対移動させて研削を行い試験被研磨物1の表面1aを化学機械研磨して、化学機械研磨の研磨速度を求める。このように試験被研磨物1と砥石11との相対移動の方向を変えて研削、化学機械研磨を繰り返して、化学機械研磨の研磨速度が速くなる研削方向を求める。なお、試験加工工程において、試験被研磨物1の表面1aがどのような場合に、化学機械研磨の研磨速度が速くなるか分かっている場合には、化学機械研磨をしないで、研削後の試験被研磨物1の表面1aの状態を調べてもよい。表面1aの状態を調べる方法としては、例えば、硬度測定、X線回折等が挙げられる。硬度が小さくなると化学機械研磨の研磨速度が速くなる材料の場合は、硬度が小さくなるような研削方向を求めればよい。通常加工工程では、試験加工工程で求められた研削方向にて、被研磨物1の表面1aを砥石11で研削した後研削工程:図2A参照、被研磨物1の表面1aを化学機械研磨する化学機械研磨工程:図4参照。試験加工工程は、研削の条件を決める試験的な工程であり、通常加工工程は、製品の製造工程である。本発明の被研磨物の研磨方法では、化学機械研磨の前に被研磨物1の表面1aを一方向に研削するが、その研削方向を適正化することによって、表面1aの状態を改質する。つまり、化学機械研磨の前工程の研削工程において、ある結晶方位に沿って研削することで、被研磨物の表面全体を均一に改質結晶の転位できる。改質した表面1aは軟化または脆くなっており、後工程ラップ、ポリッシュ、CMPにおける加工が容易となり、結果として高速加工が実現できる。改質のパラメータは研削方向のみであり、専用の工具や装置が不要である。本発明の被研磨物の研磨方法における被研磨物1は、例えば、Si、SiO2等の半導体ウェハや、LNニオブ酸リチウム、LTタンタル酸リチウム、GaN等の単結晶ウェハなどである。以下、さらに詳しく各工程について説明する。各工程は、試験加工工程においても、通常加工工程においても同様である。被研磨物1と記載しているところは、試験加工工程においては、試験被研磨物1の意味である。なお、試験被研磨物1とは、試験用の試料という意味で、被研磨物1と同じものを用いることができる。研削工程図2Aに、研削装置10の模式図を示す。図2Aに示すように、研削装置10には、砥石11が中心軸12を中心に回転可能に備えられている。図2Aに示す砥石11は、台金11aの下面の外周縁に沿って砥層11bが設けられたカップ型の砥石11である。また、研削装置10は、被研磨物1を固定するためのテーブル13を備える。そして、被研磨物1と砥石11とを相対的に一方向に水平移動させて、被研磨物1を研削する。図2Aでは、砥石11を中心軸12を中心に回転させつつ、被研磨物1の単結晶ウェハをテーブル13にて一方向に水平移動させることにより、単結晶ウェハの表面1aを研削している。図2Aの実施形態では、中心軸12に対して垂直に、被研磨物1を移動させている。図2Bに他の研削装置10の模式図を示す。図2Bに示す砥石11は、台金11aの外周面に砥層11bが設けられたストレート型の砥石11であり、外周面に設けられた砥層11bによって研削することができる。中心軸12を水平方向とし、中心軸12と被研磨物1とを平行に配置して、被研磨物1または砥石11を移動させて研削する。本発明の被研磨物の研磨方法は、研削工程において、砥石11の回転数を500~5000rpmとすることが好ましい。より好ましくは、2000~4000rpm、さらに好ましくは、2500~3500rpmである。砥石11の回転数をこの範囲とすることにより、被研磨物1の表面1aに均一な改質層変質層が得られる。被研磨物の研磨方法に用いる砥石11の種類としては、ビトリファイドボンド、メタルボンド、レジンボンド等が挙げられる。被研磨物1を固定したテーブル13の送り速度は、1~100mm/minとすることが好ましい。被研磨物1は、テーブル13上に固定されているため、テーブルの送り速度とは、被研磨物1の移動速度である。テーブル13の送り速度は、より好ましくは、10~80mm/min、さらに好ましくは、20~60mm/minである。テーブル13の送り速度をこの範囲とすることにより、被研磨物1の表面1aに均一な改質層変質層が得られる。研削工程における切り込み量は、0.1~50μmとすることが好ましい。より好ましくは、1~40μm、さらに好ましくは、10~30μmである。切り込み量をこの範囲とすることにより、被研磨物1の表面1aに均一な改質層変質層が得られる。試験加工工程では、被研磨物1の研削方向をある一方向として研削し、それを化学機械研磨して、研磨速度を求める。ここで、研削方向について説明する。研削方向とは、被研磨物1が単結晶ウェハである場合には、オリエンテーションフラット1vに対する方向で定義することにする。図2Cに示すように、オリエンテーションフラット1vに平行に研削した場合を0度とする。図2Dに示すように、反時計方向に研削方向がずれた角度を、研削方向の角度とする。図2Dは、研削方向が105度の場合を示す。被研磨物1が、タンタル酸リチウムLTのY35~55度面の単結晶ウェハである場合、化学機械研磨の研磨速度が速くなる研削方向は、単結晶ウェハのオリエンテーションフラット1vに対して、100~110度、好ましくは、105度の方向である図2D参照。この方向にタンタル酸リチウムの単結晶ウェハを研削することにより、化学機械研磨による研磨速度を速くすることができる。ラップ工程本発明の被研磨物の研磨方法は、図2Aの研削工程の後、化学機械研磨工程を行うが、研削工程の後、化学機械研磨工程の前にラップ工程を行ってもよい。図3にラップ工程を行うためのラップ加工装置を示す。図3に示すように、ラップ加工装置は、上定盤22と、この上定盤22に対向するように配置され、回転する下定盤23と、これらの間に挟み込まれる円盤形状のキャリア24と、を有する。キャリア24の下面に被研磨物1を配置し、上定盤22と下定盤23とで被研磨物1を挟み、砥粒で研磨して平坦性を高める。化学機械研磨工程図4に、化学機械研磨に用いるCMP装置30の模式図を示す。CMP装置30は、定盤32、研磨ヘッド33、スラリー供給装置34を備える。定盤32には、研磨パッド40が取り付けられている。スラリー供給装置34からは、スラリーが研磨パッド40上に供給され、定盤32が回転するとともに、研磨ヘッド33が、研磨パッド40上に配置された被研磨物1を研磨パッド40に対して押しつけつつ定盤32と同方向に回転することにより、被研磨物1の表面1aを化学的及び機械的に研磨する。本発明の研磨パッド40は、研磨パッド40は、円板状に形成され、その表面には、複数の溝45が加工されており、定盤32に取り付けられて被研磨物1を研磨するものである。研磨パッド40は、例えば、発泡硬質ウレタン、スウェード等で形成されている。溝45の数、深さ、幅等は、被研磨物1の種類、研磨目的などによって適宜選択することができる。しかしながら、例えば、溝45の幅は、0.2~1.5mm、溝45のピッチ溝45の中心間の距離は、1~20mm程度のものを利用することができる。化学機械研磨工程における研磨パッド40の回転数は、10~300rpmであることが好ましい。より好ましくは、20~150rpm、さらに好ましくは、30~100rpmである。研磨パッド40の回転数をこの範囲とすることにより、被研磨物1の研磨量を面内において均一にできる。化学機械研磨工程における被研磨物1の回転数は、10~300rpmとすることが好ましい。より好ましくは、20~150rpm、さらに好ましくは、30~100rpmである。被研磨物1の回転数をこの範囲とすることにより、被研磨物1の研磨量を面内において均一にできる。被研磨物1を研磨パッド40に押しつける荷重は、0.5~100kPaとすることが好ましい。より好ましくは、5~50kPa、さらに好ましくは、10~30kPaである。荷重をこの範囲とすることにより、被研磨物1の研磨量を面内において均一にできる。スラリーは、CMP装置30のスラリー供給装置34から、研磨パッド40の表面上に供給する。スラリーは、研磨材、酸、酸化剤、および水を含む。研磨材としてコロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニアおよびこれらの混合物等を利用することができる。また、酸化剤としては、過酸化物、硝酸塩等を利用することができる。さらに、スラリーには、pH調整剤を含んでもよい。pH調整剤は、スラリーのpHを所望の値に調整するために酸性物質又は塩基性物質を適宜使用する。スラリー供給装置34から、スラリーを研磨パッド40上に供給し、定盤32が回転するとともに、研磨ヘッド33が、研磨パッド40上に配置された被研磨物1を研磨パッド40に対して押しつけつつ定盤32と同方向に回転することにより、被研磨物1の表面1aを化学的及び機械的に研磨する。以下、本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。被研磨物1として、Y40度タンタル酸リチウムの単結晶ウェハを用意した。実施例1,比較例1タンタル酸リチウムの単結晶ウェハの表面1aを、一方向に研削した。砥石11は、ダイヤモンド1000、ビトリファイドボンド砥石を用いた。砥石11の回転数は、2500rpm、被研磨物1を固定したテーブルの送り速度は、20mm/min、切り込み量は、5μmとした。単結晶ウェハのオリエンテーションフラット1vに対する研削方向は、0,105度とした図2C,2D参照。図5に、研削方向が105度の場合の被研磨物1単結晶ウェハの表面の加工痕、図6に、研削方向が0度の場合の被研磨物1単結晶ウェハの表面の加工痕を示す。硬度研削後の単結晶ウェハの表面1aの硬度は、115°三角すい圧子によるマルテンス硬さHMT115にて評価した。化学機械研磨研削後の単結晶ウェハの表面1aを化学機械研磨した。化学機械研磨の条件は、次の通りである。研磨パッド40の回転数は、100rpmとした。単結晶ウェハの回転数は、100rpmとした。単結晶ウェハを研磨パッド40に押しつける荷重は、15kPaとした。スラリーは、研磨材としてコロイダルシリカを含むものを用いた。研磨前後の単結晶ウェハの厚みを測定することにより、化学機械研磨の研磨速度を求めた。比較例2従来の研削装置50により研削した。図7Aに従来の研磨装置50を示す。中心軸12を中心に回転する砥石11にて被研磨物1を回転させながら研削した。実施例1と同様にしてその表面の状態や化学機械研磨の研磨速度を調べた。図7Bに、従来の研削装置による被研磨物の表面の加工痕を示す。実施例1では、硬度が低くなり、化学機械研磨の研磨速度が、比較例1や比較例2よりも速くなった。研削方法を、一般的なインフィード研削比較例2から、クリープフィード研削とすることにより、単結晶ウェハの表面全体を均一に改質することができた。また、クリープフィード研削の研削方向をある特定の一方向とすることにより、後工程の化学機械研磨の研磨速度を速くすることができた。"