ハイコントラストな整列マークを有するテンプレートを製作するための方法であって、この方法は、aそれぞれが複数の凸部及び凹部を有する整列領域及び微細フィーチャ領域を有する表面をテンプレートに設けるステップ;b前記微細フィーチャ領域上に第1の層を形成するステップ;cハイコントラストな材料を、前記整列領域及び形成した前記第1の層に蒸着するステップ;d第2の層を、前記蒸着したハイコントラストな材料を覆うように形成するステップ;e前記第2の層の残りの部分が前記整列領域の前記凹部に残るように、前記第2の層の一部を除去するステップ;f前記ハイコントラストな材料の一部が前記整列領域の前記凹部に残るように、前記ハイコントラストな材料の一部を除去するステップ;及び、g前記第1の層を前記微細フィーチャ領域から、前記整列領域の凹部から前記第2の層の前記残りの部分を除去するのと共に除去するステップとから構成されることを特徴とする方法。前記第1の層は、重合可能な材料を前記テンプレート表面に分配し、前記重合可能な材料をインプリントリソグラフィテンプレートと接触させ、前記重合可能な材料を硬化させることによって形成される、請求項1に記載の方法。前記第1の層の形成は更に:前駆層を前記微細フィーチャ領域及び前記整列領域の両方を覆うように形成することであって、前記前駆層は、前記微細フィーチャ領域を覆う第1の厚さと、前記整列領域を覆う第2の厚さを有し、前記第1の厚さは前記第2の厚さよりも厚く、前記前駆領域の部分を除去することによって、前記整列領域が露出し、同時に前記前駆層の残りの部分が微細フィーチャ領域を覆うように残り、形成される前記第1の層を画定することを含む、請求項1に記載の方法。前記前駆層は、重合可能な材料を前記テンプレート表面に分配し、前記重合可能な材料をインプリントリソグラフィテンプレートと接触させ、前記重合可能な材料を硬化させることによって形成される、請求項3に記載の方法。前記前駆層の一部の前記除去は更に、デスカムエッチングステップを含む、請求項3又は4に記載の方法。形成される前記第2の層は平坦化される、請求項1~5のいずれか1項に記載の方法。前記第2の層は、重合可能な材料を前記テンプレート表面に分配し、前記重合可能な材料をインプリントリソグラフィテンプレートと接触させ、前記重合可能な材料を硬化させることによって形成される、請求項1~6のいずれか1項に記載の方法。前記第2の層の一部の前記除去は更に、デスカムエッチングステップを含む、請求項1~7のいずれか1項に記載の方法。前記ハイコントラストな材料の前記除去ステップは更に、反応性イオンエッチングRIEステップを含む、請求項1~8のいずれか1項に記載の方法。前記第1の層の前記除去は更に、デスカムエッチングステップを含む、請求項1~9のいずれか1項に記載の方法。インプリントリソグラフィ用テンプレートの微細にパターン形成されたフィーチャを保護することができる方法を提供する。これらの方法は、蒸着されるハイコントラストな材料例えば金属層が、テンプレートにエッチングされる微細なフィーチャに接触するのを防ぐことによって、凹部を有するハイコントラストな整列マークを、このようなテンプレート上に製作するにあたって、特に便利であり得る。ある態様では、本方法は、ハイコントラストな整列マークを製作するために提供され、この方法は、それぞれが複数の凸部及び凹部を有してよい整列領域及び微細フィーチャ領域の両方を有する表面をテンプレートに設けることと、それに続いて微細フィーチャ領域を覆って第1の層を形成し、それと同時に整列部分を露出させることとを含む。次に、金属であってよいハイコントラストな材料を、整列領域及び第1の層の両方を覆うように蒸着し、第1の層は微細フィーチャ領域を、ハイコントラストな材料と直接接触しないよう保護する。次に第2の層を、蒸着したハイコントラストな材料を覆うように形成する。続いて、第2の層の残りの部分が整列領域の凹部に残るように、第2の層の一部を除去する。次に、ハイコントラストな材料の一部のみが整列領域の凹部に残るように、ハイコントラストな材料を除去する。最後に、第1の材料を微細フィーチャ領域から、整列領域の凹部から第2の層の残留部分を除去するのと共に除去し、これによって微細フィーチャ領域と、整列領域の凹部のハイコントラストな材料とを露出させる。別の態様では、形成される第1の層は、まず前駆層を微細フィーチャ領域及び整列領域の両方を覆うように形成することにより設けることができる。前駆層は、微細フィーチャ領域を覆う厚さが整列領域を覆う厚さよりも厚くなるよう、異なる厚さを有することができる。このような構成により、整列領域が露出し、同時に前駆領域の一部が第1の層として微細フィーチャ領域を覆うように残るように、前駆領域の部分を除去する、又はエッチングによって取り除くことができる。第1の、第2の及び/又は前駆層を、形成可能な重合可能な材料で作製することができ、また、インプリントリソグラフィ技術を含む様々な技術によって形成することができる。更に、第2の層を平坦化することができる。形成した層の除去は、例えばデスカムエッチングによって実施することができる。ハイコントラストな材料の除去は、例えばRIEエッチングによって実施することができる。本発明の特徴及び利点を詳細に理解できるよう、添付の図面に示す実施形態を参照して、本発明の実施形態のより具体的な説明を利用することができる。しかし、添付の図面は本発明の典型的な実施形態のみを示すものであり、従って、本発明に他の同等に効果的な実施形態が認められるよう、本発明の範囲を制限するものと見なされるべきではないことに留意されたい。図面、特に図1を参照すると、基材12上にレリーフパターンを形成するために使用されるリソグラフィシステムが図示されている。基材12は基材チャック14に連結されていてよい。図示したように、基材チャック14は真空チャックである。しかし、基材チャック14は、真空、ピンタイプ、溝タイプ、静電、及び/又は電磁等を含むがこれらに限定されないいずれのチャックであってよい。チャックの例は米国特許第6873087号に記載されており、この特許文献は参照によってその全体が本出願に援用される。基材12及び基材チャック14を更に、ステージ16で支持してよい。ステージ16は、x、y及びz軸に沿った並進運動及び/又は回転運動を行ってよい。ステージ16、基材12及び基材チャック14を、ベース図示せず上に配置してもよい。基材12と離間して、テンプレート18が存在する。テンプレート18は、第1の側面及び第2の側面を有する本体を含んでよく、側面の1つは、そこから基材12へと延伸する台部20を有する。台部20は、パターン形成表面22をその上に有する。更に、台部20は、鋳型20と呼んでもよい。代替として、テンプレート18を台部20無しで形成してよい。テンプレート18及び/又は鋳型20は、融解シリカ、水晶、ケイ素、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウケイ酸ガラス、フッ化炭素ポリマー、金属、及び/又は硬化サファイア等を含むがこれらに限定されない材料から形成してよい。図示したように、パターン形成表面22は、複数の離間した凹部24及び/又は凸部26によって画定されるフィーチャを備えるが、本発明の実施形態はこのような構成に限定されない例えば、平坦な表面。パターン形成表面22は、基材12上に形成されるパターンの基礎を形成するいずれの原パターンを画定することができる。テンプレート18はチャック28に連結してよい。チャック28は、真空、真空、ピンタイプ、溝タイプ、静電気、及び/又は電磁等を含むがこれらに限定されないいずれのチャックとして構成してよい。チャックの例は米国特許第6873087号に記載されており、この特許文献は参照によってその全体が本出願に援用される。更に、チャック28はインプリントヘッド30に連結してよく、これにより、チャック28及び/又はインプリントヘッド30はテンプレート18の移動を促進するよう構成することができる。システム10は更に、流体分配システム32を備えてよい。流体分配システム32は、形成可能な材料34例えば重合可能な材料を基材12上に蒸着するために使用することができる。形成可能な材料34は、滴下蒸着、スピンコーティング、ディップコーティング、化学蒸着CVD、物理蒸着PVD、薄膜蒸着、及び/又は厚膜蒸着等の技術を用いて基材12上に配置してよい。形成可能な材料34は、設計要件に応じて鋳型20と基材12の間に所望の容積を画定する前及び/又は画定した後に、蒸着してよい。形成可能な材料34は、バイオ領域、太陽電池分野、電池分野、及び/又は機能性ナノ粒子を必要とするその他の分野で使用される機能性ナノ粒子であってよい。例えば、形成可能な材料34は、米国特許第7157036号及び米国特許公報第2005/0187339号に記載されているモノマー混合物を含んでよく、両特許文献は参照によってその全体が本出願に援用される。代替として、形成可能な材料34は、生体材料例えばPEG及び/又は太陽電池材料例えばN型、P型材料等を含んでよいがこれらに限定されない。図1及び2を参照すると、システム10は更に、経路42に沿ってエネルギ40を配向するために連結されるエネルギ源38を備えてよい。インプリントヘッド30及びステージ16を、テンプレート18及び基材12を経路42と重なるよう配置するように構成してよい。システム10は、ステージ16、インプリントヘッド30、流体分配システム32、及び/又はエネルギ源38と連絡するプロセッサ54によって統制してよく、また、メモリ56に格納されたコンピュータ可読プログラムに従って動作してよい。インプリントヘッド30、ステージ16、又はその両方は、鋳型20と基材12の間の距離を変化させ、形成可能な材料34によって充填されるこれらの間の所望の容積を画定する。例えば、インプリントヘッド30は、鋳型20を形成可能な材料34に接触させるように、テンプレート18に力を印加してよい。所望の容積が形成可能な材料34で充填された後、エネルギ源38は、例えば紫外線照射であるエネルギ40を生成し、これにより、形成可能な材料34は硬化及び/又は架橋して、基材12の表面44及びパターン形成表面22の形状に一致し、基材12上のパターン形成された層46を画定する。パターン形成された層46は、残留層48と、凸部50及び凹部52として図示した複数のフィーチャとを備えてよく、凸部50は厚さt1を有し、残留層48は厚さt2を有する。上述のシステム及びプロセスは更に、米国特許第6932934号、米国特許第7077992号、米国特許第7179396号、及び米国特許第7396475号に記載のインプリントリソグラフィプロセス及びシステムで用いてよく、これら全ての特許文献は参照によってその全体が本出願に援用される。整列マークは、基材12の正確な位置にパターンを転写するのを容易にするために、形成可能な材料34をインプリントするに先立ってテンプレート18及び基材12を整列させるのを助けることができる。パターン転写を容易にするのを助けることができる整列システム及びプロセスの例は、米国特許出願第12/175258号、米国特許出願第11/695850号、米国特許出願第11/347198号、米国特許出願第11/373533号、米国特許出願第10/670980号、米国特許出願第10/210894号、及び米国特許出願第10/210780号に更に記載されており、これら全ての特許文献は参照によってその全体が本出願に援用される。一般的に、このような整列マークは、形成可能な材料34と実質的に同じ屈折率を有する媒体である融解シリカにエッチングしてよい。よって、整列マークは、典型的な可視照明方法によって視認可能となるよう、形成可能な材料34から分離したままである傾向がある。例えば、米国特許第7309225号に更に記載されているように、トレンチを用いて整列マークを形成可能な材料34から分離してよく、この特許文献は参照によってその全体が本出願に援用される。しかし、トレンチが必要とする空間の最小量は一般に、典型的な半導体スクライブ領域よりも大きい。例えば、トレンチの幅と、流体-マーク間干渉を取り除くために必要な、整列マークと縁部の間の最小の距離との合計は、典型的なスクライブ領域より多くの空間を必要とする。その上、このようなトレンチを備えることで、均一性及び一貫したフィーチャ密度が重要な特質となり得る化学的機械的平坦化CMP及び/又はエッチングプロセス等のいくつかのプロセスにとって有害であり得る、基材12上の大きな開空間が生まれることがあり得る。このようなトレンチ領域はまた、欠陥状態が発生する主要な場所である。このようなトレンチ又は大きな開空間の必要を緩和するために、整列マークをハイコントラストな材料で形成してよい。整列マークを形成するために使用するハイコントラストな材料HCMは、形成可能な材料34とは異なる屈折率を有してよい。よって、これらの整列マークは、整列プロセスにおいて、形成可能な材料34が存在しても視認することができる。ハイコントラストな整列マークを、テンプレート18のフィーチャを最初にパターン形成したのと同様のステップでパターン形成してよい。同様のステップでパターン形成することにより、パターン配置における誤差を最小化することができる。これらの整列マークは一般に、基材12に最初に形成されたフィーチャと実質的に同じ深さにエッチングされる。参照によって本出願に援用される米国特許公報第2010/0092599号に記載されているように、ハイコントラストなマークのいくつかの製作方法は、主パターンのパターン形成と実質的に同じステップの間にパターン形成しなければならない単一又は複数の層を利用する。主パターンは、5~32nmの範囲のフィーチャを含んでよく、これらのフィーチャは、ハイコントラストな整列マークの為に必要なフィルムにパターン転写するのが極めて困難である。更に、ハイコントラストな整列マークを形成するために最適なハードマスクの構成及び厚さは、最初のフィーチャを形成するために必要なハードマスクの構成及び厚さとは異なり得る。参照によって本出願に援用される米国特許公報第2011/0192302号に記載されているように、その他の製作方法は、整列マークを最初のフィーチャと一緒にパターン形成し、それに続いて、ハイコントラストな材料を別個の層として塗布する、単一のステップを含むことができる。しかし、ハイコントラストな材料の蒸着及びそれに続く、最初の又は微細なフィーチャ領域からのハイコントラストな材料の除去に関連して、問題が起こり得る。例えば、いくつかの状態において、金属のハイコントラストな材料は、フィーチャ領域に非可逆的に結合又は接着することがあり、これにより、蒸着された金属全てを最初の又は微細なフィーチャ領域から除去するにあたって、除去ステップが無効又は不完全なものとなる。これは、最終的に得られるテンプレートの欠陥につながり得る。よって、ここで、テンプレート18の微細なパターン形成されたフィーチャ24及び26を保護することができる、2段階インプリント技術について説明する。特に、このような技術を、凹状のハイコントラストな整列マークの製作中に、蒸着される金属層が、後にテンプレート18にエッチングされる微細なフィーチャ24及び26に直接接触するのを防ぐために用いることができる。その上、これらの技術は、従来技術に見られる剥離アプローチと比較して、より少ないステップしか有さないものとすることができ、よって、周囲への粒子の露出を少なくすることができる。図3~8は、ハイコントラストな整列マーク60aを有するテンプレート118を形成するための例示的な方法を示す。一般的に、この方法は2段階インプリント技術であり、1HCM蒸着に先立つ、フィーチャ密着インプリントステップ;それに続く2HCM蒸着の後での、副次的平坦化インプリントステップ、を含む。これら2つの別個のインプリントステップ例えば、レジスト蒸着ステップにより、ハイコントラストな整列マーク60aの製作中のフィーチャ124及び126の保護がもたらされる。図1~3を参照すると、インプリントリソグラフィシステム10で使用するための例示的なパターン形成されるテンプレート118が示されている。テンプレート118は、その概念及び設計に関してテンプレート18と実質的に同一であってよい。テンプレート118は、微細フィーチャ領域62及び整列領域64を含む。微細フィーチャ領域62は、約50nm未満の厳密な寸法を有するフィーチャを含んでよい。例えば、フィーチャ領域62は凹部124及び凸部126を含んでよい。整列領域64は、約50nm超の厳密な寸法を有するフィーチャを含んでよい。このようなフィーチャは、インプリントリソグラフィプロセス中にテンプレート118を基材12と整列させる間に使用することができる。例えば、整列領域64は整列マーク60を含んでよい。テンプレート118自体はリソグラフィプロセスによって形成することができ、電子ビームインプリント、光学リソグラフィ、レーザリソグラフィ、ナノインプリントリソグラフィ等を含むがこれらに限定されないいずれのパターン形成方法を利用してよい。図4は、テンプレート118の整列マーク60中のハイコントラストな材料を提供するための、2段階インプリント技術の第1の2段階の1つを示す。具体的には、図4はフィーチャ密着インプリントステップを示す。一般的に、フィーチャ密着インプリントステップは、更なる加工ステップ例えば図5~10の間の微細フィーチャ領域62の保護をもたらす。ある実施形態では、フィーチャ密着インプリントステップは、テンプレート118全体に形成可能な材料例えば重合可能な材料の層を蒸着することを含み、この形成可能な材料は、形成可能な材料34と同一又は同様のものとすることができる。例えば、この形成可能な材料34は、米国特許第7157036号及び米国特許公報第2005/0187339号に記載されているモノマー混合物を含むがこれに限定されない材料からなってよく、両特許文献は参照によって本出願に援用され、また、滴下蒸着、スピンコーティング、ディップコーティング、化学蒸着CVD、物理蒸着PVD、薄膜蒸着、及び/又は厚膜蒸着等を含むがこれらに限定されない技術を用いて蒸着してよい。このような実施形態では、初期又は前駆層66aを、例えばインプリントリソグラフィによって、第1の厚さt3及び第2の厚さt4を有するように形成してよい。第1の厚さt3は整列領域64内の厚さであってよく、第2の厚さt4は微細フィーチャ領域62内の厚さであってよい。微細フィーチャ領域62内の厚さt4は、整列領域64の厚さt4より実質的に大きくてよい。よって、微細フィーチャ領域62内の大きな厚さt4により、後続の加工ステップ中にフィーチャ124及び126を保護することができる。図5に示すように、層66aは、それを整列領域64内で除去し、結果としてできる層66bが微細フィーチャ領域62内にのみ残るように、エッチング例えばデスカムエッチングしてよい。整列領域64における初期又は前駆層66aのエッチングにより、微細フィーチャ領域62内の層66aの厚さt4が減少することに留意されたい。この目的のために、図5に示すように、微細フィーチャ領域62内の凸部126の上側に、結果としてできる層66bが少なくとも厚さt5だけ残るように、層66aの厚さ及び所望のエッチング率を設定してよい。別の実施形態では、層66bを微細フィーチャ領域62内のみに蒸着してよい。微細フィーチャ領域62内のみに層66bを蒸着することにより、整列領域64内の層66aの除去のために必要なエッチングステップを削除することができる。図6を参照すると、ハイコントラストな材料HCMをテンプレート118上に蒸着してよい。使用可能なハイコントラストな材料は、タンタル、タングステン、炭化ケイ素、非晶質ケイ素、クロム、窒化クロム、モリブデン、ケイ化モリブデン、チタン、窒化チタン等を含むがこれらに限定されず、これらは公知の方法によってテンプレート118上に蒸着することができる。例えば、ある実施形態では、ハイコントラストな材料はスパッタコーティングによって蒸着されるクロムを含んでよい。別の実施形態では、ハイコントラストな材料はCVDによって蒸着される非晶質ケイ素を含んでよい。別の実施形態では、ハイコントラストな材料はPVDによって蒸着されるダイアモンド様炭素DLCを含んでよい。テンプレート118上へのハイコントラストな材料の蒸着により、整列領域64及び微細フィーチャ領域62にわたって広がる共形層68を形成することができる。ある実施形態では、共形層68の厚さは、図5に示すように約5nmから、100nm以上までの間であってよい。図7は、2段階インプリント技術の第2段階を示す。具体的には、図7は副次的平坦化インプリントステップを示す。形成可能な材料例えば重合可能な材料の第2の層70を、ハイコントラストな共形層68上に蒸着してよい。第2の層70は、第1の層66と同一又は実質的に同様の材料からなってよい。第2の層70は、微細フィーチャ領域62と整列領域64の両方にわたって広がっていてよい。更に第2の層70を、層70が実質的に平坦な表面71を有したままとなり、かつ約50~200nmの厚さt6を有するように、平坦化してよい。平坦化は、滴下蒸着、スピンコーティング、ディップコーティング、化学蒸着CVD、物理蒸着PVD、薄膜蒸着、及び/又は厚膜蒸着等を含むがこれらに限定されない材料蒸着技術と共に平坦なテンプレートを使用する、ナノインプリントプロセスによるものであってよい。図8を参照すると、第2の層70を、第2のレジスト材料層70の一部72が整列マーク60の凹部内に残るようにエッチング例えばデスカムエッチングしてよい。整列マーク60の凹部内に残る部分72は、厚さt7を有してよい。厚さt7は少なくとも10nmであってよく、更なる保護をもたらすために、より厚くすることができる。第2の層70の一部72は、後続のエッチングステップ中において、整列マーク60の凹部内のハイコントラストな材料の保護をもたらす。図9を参照すると、ハイコントラストな共形層68を、整列マーク60の凹部を除く全ての領域から除去してよい。ハイコントラストな共形層68を除去するために、反応性イオンエッチングRIE、及びその他の選択的エッチングプロセスを用いてよい。例えば、XeF2ガスは一般に、融解シリカのパターンを事実上変化させることなく、融解シリカテンプレート表面からSi、Ta、TaN、MoSi、及びWを除去するのに効果的であるため、これを使用してよい。また、Cl2又はO2ベースのドライエッチングプロセスは、融解シリカテンプレート表面からCr、CrN及びCrOを除去する際に良好な選択性を呈したため、これを使用してもよい。更に、融解シリカからHCMを選択的に除去するために、Cr7sクロムストリッパ等のウェットエッチングプロセスを使用することができる。第2の層70の一部72は、このような除去又はエッチング中において、整列マーク60の凹部内のハイコントラストな材料の保護をもたらす。更に、第1の層666は、このようなエッチング中において、微細フィーチャ領域62の保護をもたらす。図10に示すように、第2の層70の一部72、及び微細フィーチャ領域62を保護する第1の層666はその後除去例えばデスカムエッチングされ、整列マーク60の凹部内のハイコントラストな材料68及び微細フィーチャ領域62を露出させる。凹部内のハイコントラストな材料68を露出させることにより、ハイコントラストな整列マーク60aが形成される。本明細書に鑑みて、当業者には様々な態様の更なる修正及び代替実施形態が明らかであろう。従って本明細書は、単なる説明に過ぎないものと解釈されたい。ここに図示し記載した形態は、実施形態の例として解釈されるべきものであることを理解されたい。ここに説明し記載した要素及び材料は置換し得るものであり、部分及びプロセスは転換し得るものであり、特定の特徴は独立して利用し得るものであり、以上のことは全て、本明細書からの便益を得た後では当業者には明らかであろう。ここに記載した要素に関して、以下の特許請求の範囲に記載した精神及び範囲から逸脱しない限りにおいて変更を行うことができる。