ダイパッドと、前記ダイパッドの上面に搭載された半導体素子と、前記ダイパッドの周囲に配置され、且つ前記半導体素子と電気的に接続された外部端子と、前記外部端子の上に形成された保護層と、前記外部端子を貫通する第1の貫通穴と、前記保護層を貫通する第2の貫通穴とを備え、前記第1の貫通穴と前記第2の貫通穴とは、少なくとも一部が重なるように接続していることを特徴とする半導体装置。請求項1に記載の半導体装置において、前記半導体素子の上方から見て前記第2の貫通穴は前記第1の貫通穴よりも大きいことを特徴とする半導体装置。請求項1に記載の半導体装置において、前記半導体素子の上方から見て前記第1の貫通穴は前記第2の貫通穴よりも大きいことを特徴とする半導体装置。請求項1に記載の半導体装置において、前記半導体素子の上方から見て前記第1の貫通穴は前記第2の貫通穴と実質的に同じ大きさを持つことを特徴とする半導体装置。請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記半導体素子の上方から見て前記第1の貫通穴の中心と前記第2の貫通穴の中心とは実質的に一致することを特徴とする半導体装置。請求項1~5のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記半導体素子は発光素子であることを特徴とする半導体装置。請求項6に記載の半導体装置において、前記保護層は第1のリフレクターであることを特徴とする半導体装置。請求項7に記載の半導体装置において、前記第1のリフレクターに囲まれるように第2のリフレクターが配置されていることを特徴とする半導体装置。請求項8に記載の半導体装置において、前記ダイパッド及び前記半導体素子は、前記第2のリフレクターに囲まれるように配置されていることを特徴とする半導体装置。請求項9に記載の半導体装置において、前記第2のリフレクターに囲まれると共に前記半導体素子を覆うように蛍光体が設けられていることを特徴とする半導体装置。請求項10に記載の半導体装置において、前記半導体素子と前記外部端子とは、前記第2のリフレクターを跨ぐように形成された金属ワイヤーによって電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。請求項11に記載の半導体装置において、前記第1のリフレクターに囲まれると共に前記半導体素子を覆うように透明樹脂が設けられていることを特徴とする半導体装置。請求項12に記載の半導体装置において、前記第1のリフレクターの上面及び前記半導体素子を覆うように透明レンズが設けられていることを特徴とする半導体装置。請求項13に記載の半導体装置において、前記透明レンズは前記第2の貫通穴を覆っていることを特徴とする半導体装置。請求項14に記載の半導体装置において、前記透明レンズを貫通するように第3の貫通穴が形成されており、前記第2の貫通穴と前記第3の貫通穴とは、少なくとも一部が重なるように接続していることを特徴とする半導体装置。請求項1~5のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記保護層は、前記半導体素子を覆う封止樹脂であることを特徴とする半導体装置。ところで、半導体装置と実装基板との電気的及び物理的な接続には、半田等に代表される金属材料が用いられてきたが、この金属材料による接続不良が問題となってきている。具体的には、通常、半導体装置を基板のランドに半田実装する場合、半田実装の温度条件や時間条件を決定して実装が行われるが、材料のロット間バラツキや経時変化等に起因して半田不良が生じて歩留まりが低下してしまうことがある。このため、半田実装時の各種条件調整や製品の品質確認等のために、半田不良の有無を外観上で確認しなければならない。しかしながら、特許文献1に開示された構成を用いた半導体装置を実装基板に実装した場合、半導体装置パッケージの底面に配置されている外部端子が実装基板のランドに半田によって接続されることになるため、半田接合部が半導体装置上面側から見えなくなるので、半田不良の有無つまり機械的接続性や電気的接続性を外観上で確認することができなくなる。前記に鑑み、本発明は、外部端子がパッケージ底面に配置されている半導体装置を半田を用いて基板上に実装する際に半田不良の有無を外観上で確認できるようにし、それによって、実装信頼性を向上させることを目的とする。前記の課題を解決するために、本発明に係る半導体装置は、ダイパッドと、前記ダイパッドの上面に搭載された半導体素子と、前記ダイパッドの周囲に配置され且つ前記半導体素子と電気的に接続された外部端子と、前記外部端子の上に形成された保護層と、前記外部端子を貫通する第1の貫通穴と、前記保護層を貫通する第2の貫通穴とを備え、前記第1の貫通穴と前記第2の貫通穴とは、少なくとも一部が重なるように接続している。本発明に係る半導体装置において、前記半導体素子の上方から見て前記第2の貫通穴が前記第1の貫通穴よりも大きくてもよいし、前記半導体素子の上方から見て前記第1の貫通穴が前記第2の貫通穴よりも大きくてもよいし、又は、前記半導体素子の上方から見て前記第1の貫通穴が前記第2の貫通穴と実質的に同じ大きさを持っていてもよい。本発明に係る半導体装置において、前記半導体素子の上方から見て前記第1の貫通穴の中心と前記第2の貫通穴の中心とは実質的に一致していてもよい。本発明に係る半導体装置において、前記半導体素子は発光素子であってもよい。この場合、前記保護層は第1のリフレクターであってもよい。また、前記第1のリフレクターに囲まれるように第2のリフレクターが配置されていてもよい。また、前記ダイパッド及び前記半導体素子は、前記第2のリフレクターに囲まれるように配置されていてもよい。また、前記第2のリフレクターに囲まれると共に前記半導体素子を覆うように蛍光体が設けられていてもよい。また、前記半導体素子と前記外部端子とは、前記第2のリフレクターを跨ぐように形成された金属ワイヤーによって電気的に接続されていてもよい。また、前記第1のリフレクターに囲まれると共に前記半導体素子を覆うように透明樹脂が設けられていてもよい。また、前記第1のリフレクターの上面及び前記半導体素子を覆うように透明レンズが設けられていてもよい。また、前記透明レンズは前記第2の貫通穴を覆っていてもよい。さらに、前記透明レンズを貫通するように第3の貫通穴が形成されており、前記第2の貫通穴と前記第3の貫通穴とは、少なくとも一部が重なるように接続していてもよい。本発明に係る半導体装置において、前記保護層は、前記半導体素子を覆う封止樹脂であってもよい。本発明に係る半導体装置によると、外部端子を貫通する第1の貫通穴と、外部端子の上面を覆う保護層を貫通する第2の貫通穴とが少なくとも部分的に重なるように接続している。このため、本発明に係る半導体装置の外部端子と実装基板のランドとを半田によって接続することにより実装を行った場合、第1の貫通穴と第2の貫通穴とを通じて半田不良の有無を外観上で確認することができる。従って、半導体装置と実装基板との半田接合状態を確実に確認することができるので、実装信頼性を向上させることができる。また、本発明に係る半導体装置の外部端子と実装基板のランドとを半田によって接続することにより実装を行った場合、外部端子を貫通する第1の貫通穴外部端子の端部に形成された括れを含むの内壁に沿って半田が吸い上げられる。このため、濡れ性が高くなる結果、濡れ面積が大きくなるので、半田フィレットfilletが形成されやすくなり、それによって、半導体装置と実装基板との半田接続信頼性を向上させることができる。以下、本発明の一実施形態に係る半導体装置について、図面を参照しながら説明する。図1a及びbは、本実施形態に係る半導体装置の平面図及び断面図である。図1a及びbに示すように、本実施形態の半導体装置10は、ダイパッド4と、ダイパッド4の上面に搭載された半導体発光素子5と、ダイパッド4の周囲に配置され且つ半導体発光素子5と電気的に接続された外部端子3とを備えている。ここで、ダイパッド4と外部端子3とは実質的に同一平面上に配置されていてもよい。また、半導体発光素子5はダイパッド4の上面に例えばダイスボンド材によって接着されていてもよい。また、外部端子3の上には外側リフレクター2が形成されている。外側リフレクター2は、半導体発光素子5を取り囲むように形成されており、半導体発光素子5が発した光を所定の方向に集光する役割を果たす。ここで、外部端子3の外周側の側面と外側リフレクター2の外周側の側面とは実質的に面一になっていてもよい。尚、外側リフレクター2の材料として、不透明な樹脂を用いた場合、外側リフレクター2の下側に位置する外部端子3を見ることはできない。本実施形態の特徴として、外部端子3及び外側リフレクター2にはそれぞれ貫通穴11A及び11Bが形成されており、外部端子3の貫通穴11Aと外側リフレクター2の貫通穴11Bとは、水平面内において実質的に同一位置に配置されている。ここで、重要な点は、半導体装置10を上方から覗いた際に、外部端子3の貫通穴11Aと外側リフレクター2の貫通穴11Bとからなる貫通穴11を通して、対象物具体的には実装時に外部端子3と実装基板のランドとを接続する半田が見えることである。すなわち、外部端子3の貫通穴11Aと外側リフレクター2の貫通穴11Bとは互いに大きさが異なっていたり、又は形成位置が若干ずれていたりしてもよいが、水平面内において少なくとも一部が重なっていることが必要である。尚、半田不良の有無を確認する観点からは、半導体装置10の上方から見て、外部端子3の貫通穴11Aの中心と外側リフレクター2の貫通穴11Bの中心とは実質的に一致していることが好ましい。後述するように、外部端子3の貫通穴11Aと外側リフレクター2の貫通穴11Bとを同一工程で形成する場合、2つの貫通穴11A及び11Bは同一サイズで同一位置に形成されることになる。この場合、外部端子3と外側リフレクター2とを重ね合わせてから、2つの貫通穴11A及び11Bを同一工程で形成するため、2つの貫通穴11A及び11Bの位置合わせを行うことなく両者の形成位置が揃うので、製造の容易性の点でメリットがある。それに対して、外部端子3の貫通穴11Aと外側リフレクター2の貫通穴11Bとをそれぞれ異なる工程で形成する場合、例えば図2aの平面図に示すように、2つの貫通穴11A及び11Bのそれぞれのサイズが互いに異なっていてもよい。この場合、例えば図2bの断面図に示すように、外側リフレクター2の貫通穴11Bのサイズを外部端子3の貫通穴11Aのサイズよりも大きくすると、外部端子3上に外側リフレクター2を搭載するという工程順の点で、外部端子3の貫通穴11Aの中心を外側リフレクター2の貫通穴11Bを通して捉えやすくなるというメリットがある。また、例えば図2cの断面図に示すように、外側リフレクター2の貫通穴11Bのサイズを外部端子3の貫通穴11Aのサイズよりも小さくすると、外部端子3の貫通穴11Aの一部が外側リフレクター2の底面によって覆われるため、当該外側リフレクター2の底面によって、実装時における必要以上の半田のせり上がりを抑制できるというメリットがある。また、例えば図2dの断面図に示すように、外部端子3の貫通穴11Aと外側リフレクター2の貫通穴11Bとからなる貫通穴11を、上に行くほど広がるテーパー形状にしてもよい。このような形状にすると、2つの貫通穴11A及び11Bを形成する際に、貫通穴形成用ピンパンチを外部端子3側から外側リフレクター2側に引き抜きやすいという効果を発揮する。また、例えば図2eの断面図に示すように、外部端子3の貫通穴11Aと外側リフレクター2の貫通穴11Bとからなる貫通穴11を、下に行くほど広がるテーパー形状にしてもよい。このような形状にすると、2つの貫通穴11A及び11Bを形成する際に、パンチを外側リフレクター2側から外部端子3側に引き抜きやすいという効果を発揮する。尚、図1a及びbに示す本実施形態の半導体装置10において、半導体発光素子5と外部端子3とは金属ワイヤー6によって電気的に接続されている。また、外側リフレクター2の内側に内側リフレクター1が設けられていてもよい。内側リフレクター1は、半導体発光素子5が発した光を所定の方向に集光する役割を果たす。すなわち、内側リフレクター1によって集光しきれなかった光を外側リフレクター2が集光する。内側リフレクター1の材料は外側リフレクター2の材料と同一であってもよい。また、内側リフレクター1をまたぐようにして、金属ワイヤー6は、外部端子3と半導体発光素子5とを接続していてもよい。言い換えると、ダイパッド4及び半導体発光素子5は、内側リフレクター1に囲まれるように配置されていてもよい。また、外側リフレクター2の内側に半導体発光素子5を覆うように蛍光体7を充填してもよい。ここで、内側リフレクター1を形成する場合には、内側リフレクター1の内側に半導体発光素子5を覆うように蛍光体7を充填すると共に、外側リフレクター2の内側に半導体発光素子5、蛍光体7及び内側リフレクター1を覆うように例えばシリコンからなる透明アウター樹脂8を充填してもよい。さらに、外側リフレクター2の上面及び透明アウター樹脂8つまり半導体発光素子5、蛍光体7及び内側リフレクター1を覆うようにレンズ9を形成してもよい。ここで、レンズ9の材料としては、例えば透明シリコンが好ましい。また、レンズ9は、外側リフレクター2の貫通穴11Bを覆うように形成されていてもよい。すなわち、レンズ9自体が透明であれば、外側リフレクター2の貫通穴11Bがレンズ9によって覆われていても、半導体装置10の上方から、実装時における半田形成の良否を確認することができる。ここで、レンズ9の外周側の側面と外部端子3の外周側の側面と外側リフレクター2の外周側の側面とは実質的に面一になっていてもよい。また、図3aの平面図及び図3bの断面図に示すように、レンズ9にも貫通穴11Cが形成されていてもよい。ここで、レンズ9の貫通穴11Cは、外部端子3の貫通穴11Aや外側リフレクター2の貫通穴11Bと大きさが異なっていたり、又は形成位置が若干ずれていたりしてもよいが、水平面内において貫通穴11A及び11Bの両方と少なくとも一部が重なっていることが必要である。このような構成にすると、将来的に半田が気化等してしまった際にも、貫通穴11A、11B及び11Cからなる貫通穴11を通してガスが外部に放出されるため、外部端子3の貫通穴11Aや外側リフレクター2の貫通穴11Bの内部にガスが充満することがないので、ボイドの発生を抑えることができる。尚、外部端子3の貫通穴11A、外側リフレクター2の貫通穴11B及びレンズ9の貫通穴11Cのそれぞれ形状は、例えば円柱形であってもよい。以下、本実施形態の半導体装置10の実装方法及び検査方法について、図4を参照しながら説明する。図4は、本実施形態の半導体装置10が基板実装されている様子を示す断面図である。図4に示すように、実装基板20上に形成されたランド21と、半導体装置10の外部端子3とが半田19によって接続されている。このように、半導体装置10を実装基板20のランド21に半田19を用いて実装すると、半田19が外部端子3の貫通穴11Aの内壁に沿って吸い上げられるので、当該内壁上の半田19はフィレット形状になる。本実施形態の半導体装置10においては、外部端子3の上に積層された外側リフレクター2にも貫通穴11Bが貫通穴11Aと重なるように形成されていると共にレンズ9が透明であるので、外部端子3の貫通穴11Aの内壁上に形成された半田19のフィレット形状を、例えば透明シリコンからなるレンズ9を透視して外観上で確認することができる。以下、本実施形態の半導体装置10における貫通穴11の形状及び位置などのバリエーションについて、図5a~jを参照しながら説明する。尚、図5a~jは、本実施形態の半導体装置10を裏面側から見た図である。図5aに示すように、例えば、本実施形態の半導体装置10の両側に設けられた外部端子3の中央部に、円形状の貫通穴11を1個ずつ計2個形成してもよい。また、図5bに示すように、例えば、本実施形態の半導体装置10の両側に設けられた外部端子3の各コーナー部に、円形状の貫通穴11を1個ずつ計4個形成してもよい。このように貫通穴11を配置すると、半田接続の良否の観測ポイントを計4箇所設定できるので、外観検査の信頼性が向上する。また、図5cに示すように、例えば、本実施形態の半導体装置10の両側に設けられた外部端子3の中央部に、方形状の貫通穴11を1個ずつ計2個形成してもよい。また、図5dに示すように、例えば、本実施形態の半導体装置10の両側に設けられた外部端子3の各コーナー部に、方形状の貫通穴11を1個ずつ計4個形成してもよい。このように貫通穴11を配置すると、半田接続の良否の観測ポイントを計4箇所設定できるので、外観検査の信頼性が向上する。また、図5eに示すように、例えば、本実施形態の半導体装置10の両側に設けられた外部端子3の端部中央に、方形状の貫通穴11を1個ずつ計2個形成してもよい。すなわち、本実施形態において、貫通穴11は四方を外部端子3等に囲まれている必要はなく、外部端子3の輪郭に括れを設けることにより、部分的に開放された貫通穴11を設けてもよい。また、図5fに示すように、例えば、本実施形態の半導体装置10の両側に設けられた外部端子3の各コーナー部に、部分的に開放された方形状の貫通穴11を1個ずつ計4個形成してもよい。このように貫通穴11を配置すると、半田接続の良否の観測ポイントを計4箇所設定できるので、外観検査の信頼性が向上する。また、図5gに示すように、例えば、本実施形態の半導体装置10の両側に設けられた外部端子3の端部中央に、三角形状の貫通穴11を1個ずつ計2個形成してもよい。図5gに示すバリエーションでも、貫通穴11は四方を外部端子3等に囲まれてはおらず、部分的に開放されている。また、図5hに示すように、例えば、本実施形態の半導体装置10の両側に設けられた外部端子3の各コーナー部に、部分的に開放された三角形状の貫通穴11を1個ずつ計4個形成してもよい。このように貫通穴11を配置すると、半田接続の良否の観測ポイントを計4箇所設定できるので、外観検査の信頼性が向上する。また、図5iに示すように、例えば、本実施形態の半導体装置10の両側に設けられた外部端子3の端部中央に、U字状の貫通穴11を1個ずつ計2個形成してもよい。図5iに示すバリエーションでも、貫通穴11は四方を外部端子3等に囲まれてはおらず、部分的に開放されている。また、図5jに示すように、例えば、本実施形態の半導体装置10の両側に設けられた外部端子3の各コーナー部に、部分的に開放されたU字状の貫通穴11を1個ずつ計4個形成してもよい。このように貫通穴11を配置すると、半田接続の良否の観測ポイントを計4箇所設定できるので、外観検査の信頼性が向上する。尚、図5a~jには、2つ又は4つの貫通穴11を配置する場合を示したが、貫通穴11の配置数は特に限定されるものではなく、例えば5つ以上の貫通穴11を配置してもよい。以下、本実施形態の半導体装置がリードフレームアレイ上に格子配列される場合を例として、本実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。図6aは、本実施形態の半導体装置10がリードフレームアレイ上に格子配列された様子を示す上面図であり、図6bは、本実施形態の半導体装置の製造方法のうち、リードフレームアレイ上にレンズを形成している工程の一例を示す断面図である。まず、本実施形態においては、図6aに示すように、半導体装置10のダイパッド4及び外部端子3のそれぞれとなる部分を有するリードフレームアレイ12を用意する。次に、ダイパッド4の周囲に内側リフレクター1を形成する。次に、ダイパッド4上にダイスボンド材を用いて半導体発光素子5を接着する。次に、半導体発光素子5のボンディングパッド図示省略と外部端子3とを金属ワイヤー6によって電気的に接続する。次に、半導体発光素子5を白色に発光させるために、内側リフレクター1の内側に蛍光体7を塗布して硬化させる。次に、外部端子3上に外側リフレクター2を形成する。次に、半導体発光素子5を保護するために、外側リフレクター2の内側に例えばシリコンからなる透明アウター樹脂8を塗布し、それにより、半導体発光素子5等を封止する。その後、外側リフレクター2で反射された光を一定方向に射出するために、例えば透明シリコンからなるレンズ9図1b参照の金型成型を行う。具体的には、図6bに示すように、リードフレームアレイ12上において金型を用いて透明シリコンからなるレンズを一括成型するが、このとき、外部端子3の貫通穴11A図1b参照に透明シリコンが充填されないように、また、外部端子3上に積層されている外側リフレクター2の貫通穴11B図1b参照にも透明シリコンが充填されないように、レンズ成型下型14には貫通穴11A及び11Bに嵌合されるピン15が形成されている。一方、レンズ成型下型14の上方には、透明シリコンを充填するためのレンズ成型上型13が設けられている。すなわち、レンズ成型下型13とレンズ成型上型14とをとじ合わせて、両者の間のレンズ成型領域16に透明シリコンを充填した後、当該透明シリコンを硬化させることによって、レンズ9をリードフレームアレイ12上に形成する。その後、図示は省略しているが、レンズ成型がなされたリードフレームアレイ12をダイシングにより個片化する。当該個片化により得られた半導体装置10には、外側リフレクター2と外部端子3とを貫通する貫通穴11が形成されている。以下、本実施形態の半導体装置10に複数設けられた貫通穴11を通じて、半田不良の有無を外観上で確認する様子の一例を、図7a~eを参照しながら説明する。図7aは、ダイシングにより個片化された複数の半導体装置10が実装基板20上に格子状に実装されている様子を示す上面図であり、図7bは、図7aに示す半導体装置10の1つを拡大して示す上面図である。図7bに示すように、レンズ透明シリコンレンズ9及び外側リフレクター2の貫通穴11Bを通して、外部端子3の貫通穴11Aの内壁に沿ってフィレット状の半田19が形成されている様子を確認することができる。図7c及びdは、貫通穴11の形状が円形及び方形のそれぞれである場合における貫通穴11内の状態を拡大して示す図である。図7c及びdに示すように、貫通穴11具体的には外部端子3の貫通穴11Aの内壁に沿って半田19が吸い上げられており、当該内壁上の半田19はフィレット形状になっている。図7eは、図7bに示す半導体装置10が実装基板20上に実装されている様子を示す断面図である。図7eに示すように、実装基板20上に形成されたランド21と、半導体装置10の外部端子3とが半田19によって接続されている。ここで、半田19は、外部端子3の貫通穴11Aの内壁に沿って吸い上げられるので、当該内壁上の半田19はフィレット形状になる。また、当該フィレット形状の半田19を、レンズ透明シリコンレンズ9及び外側リフレクター2の貫通穴11Bを通して、外観上確認することができる。尚、レンズ9にも貫通穴を形成することにより、レンズ9の透過率が低い場合であっても、外部端子3の貫通穴11Aの内壁上に形成されたフィレット形状の半田19を、外観上確実に確認することができる。尚、本発明を適用可能な半導体装置は、外部端子がパッケージ底面に配置されている半導体装置であれば、特に限定されるものではない。図8a及びbは、本発明の変形例に係る半導体装置の断面図及び平面図である。図8a及びbに示すように、本変形例の半導体装置30は、ダイパッド31と、ダイパッド31の上面に搭載された半導体素子32と、ダイパッド31の周囲に配置され且つ半導体素子32と電気的に接続された外部端子33と、半導体素子32と外部端子33とを電気的に接続するワイヤー34と、外部端子33の上面、半導体素子32、ダイパッド31及びワイヤー34を覆うように形成された封止樹脂36とを備えている。ここで、図8a及びbに示す半導体装置30は、外部端子33がパッケージ底面に配置されている、いわゆるQFNQuadFlatNonleadedpackage構造を有している。尚、外部端子33の外周側の側面と封止樹脂36の側面とは実質的に面一になっていてもよい。図8a及びbに示す半導体装置30の特徴として、外部端子33及び封止樹脂36にはそれぞれ貫通穴35A及び35Bが形成されており、外部端子33の貫通穴35Aと封止樹脂36の貫通穴35Bとは、水平面内において実質的に同一位置に配置されている。このような構成によって、半導体装置10を上方から覗いた際に、外部端子33の貫通穴35Aと封止樹脂36の貫通穴35Bとからなる貫通穴35を通して、対象物具体的には実装時に外部端子33と実装基板のランドとを接続する半田等の接続材料を確認することができる。従って、半田接合の良否を貫通穴35を覗くことによって容易に判断することができる。尚、貫通穴35の形状及び位置等は、例えば、図2a~e又は図5a~j等に示した貫通穴11の形状及び位置等と同様であってもよい。