"複数のセラミック層を積層してなり、上面ならびに中央領域および周縁領域を有する下面を備えた積層体と、該積層体の前記上面に配設された、プローブピンが取り付けられる複数の測定端子と、前記積層体の前記下面の前記周縁領域に配設された複数の入出力端子と、前記積層体に埋設された、前記測定端子および前記入出力端子に電気的に接続された内部配線とを具備し、前記積層体が、平面透視した場合に、前記中央領域に位置して前記下面に開口して前記複数のセラミック層の途中まで到る穴部および前記周縁領域と重なるように内部に位置する中空部を備えていることを特徴とするウェハ検査用の配線基板。前記複数のセラミック層が、複数の中間セラミック層を積層してなる積層部、該積層部の上面に積層された少なくとも一層の上側セラミック層および前記積層部の下面に積層された少なくとも一層の下側セラミック層からなり、前記穴部が、前記下側セラミック層および前記積層部を積層方向に貫通する貫通孔ならびに前記上側セラミック層の下面によって構成され、前記中空部が、前記積層部を積層方向に貫通する貫通孔ならびに前記下側セラミック層の上面および前記上側セラミック層の下面によって構成されていることを特徴とする請求項1に記載のウェハ検査用の配線基板。前記上側セラミック層の厚みおよび前記下側セラミック層の厚みが、前記中間セラミック層の厚みよりも小さいことを特徴とする請求項2に記載のウェハ検査用の配線基板。前記複数のセラミック層がそれぞれ積層方向に貫通するビア孔を有するとともに、前記内部配線が前記ビア孔にそれぞれ導体を充填してなるビア導体を有し、前記上側セラミック層における前記ビア導体の積層方向に垂直な方向の幅が、前記積層部における前記ビア導体の積層方向に垂直な方向の幅よりも小さいことを特徴とする請求項2に記載のウェハ検査用の配線基板。前記周縁領域に位置する前記ビア導体の積層方向に垂直な方向の幅が、前記中央領域に位置する前記ビア導体の積層方向に垂直な方向の幅よりも大きいことを特徴とする請求項4に記載のウェハ検査用の配線基板。前記穴部に充填された絶縁性樹脂をさらに具備していることを特徴とする請求項1に記載のウェハ検査用の配線基板。請求項1~6のいずれか一つに記載の配線基板を用いて被測定物の通電検査する検査方法であって、前記被測定物に前記配線基板を相対的に近づける工程と、前記被測定物に前記配線基板の前記測定端子を当接させるとともに前記測定端子を介して前記被測定物に通電することによって、被測定物の通電検査をする工程と、前記配線基板を前記被測定物から相対的に遠ざける工程とを備えることを特徴とする検査方法。しかしながら、特許文献1に記載の多層セラミック基板においては、複数の中空部のいずれもがセラミック基板本体の表面に露出しない構成となっている。そのため、セラミック基板本体の表層部の厚みを小さくした場合であっても、多層セラミック基板の中心部分においては、バインダ分解ガスを基板の外部に十分放出することが難しい。また、表層部の厚みを小さくした場合、表層部の耐久性が低下するため、厚みの小さい表層部上に配置された導体配線が断線する可能性がある。本発明は、このような従来技術に鑑みてなされたものであり、バインダ分解ガスを基板の外部に良好に放出することができ、かつ、基板表面に配置される導体配線に安定して通電することのできるウェハ検査用の配線基板を提供することを目的とする。本発明の一態様に係るウェハ検査用の配線基板は、複数のセラミック層を積層してなり、上面ならびに中央領域および周縁領域を有する下面を備えた積層体と、該積層体の前記上面に配設された、プローブピンが取り付けられる複数の測定端子と、前記積層体の前記下面の前記周縁領域に配設された複数の入出力端子と、前記積層体に埋設された、前記測定端子および前記入出力端子に電気的に接続された内部配線とを具備している。そして、平面透視した場合に、前記中央領域に位置して前記下面に開口して前記複数のセラミック層の途中まで到る穴部および前記周縁領域と重なるように内部に位置する中空部を備えていることを特徴としている。上記の態様に係るウェハ検査用の配線基板は、積層体の下面が中央領域および周縁領域を有しており、複数の入出力端子が積層体の下面の周縁領域に配設されている。そして、積層体が、平面透視した場合に、中央領域に位置して積層体の下面に開口して複数のセラミック層の途中まで到る穴部および周縁領域と重なるように内部に位置する中空部を備えている。このように積層体が、周縁領域と重なるように内部に位置する中空部を備えていることから、この中空部にバインダ分解ガスを逃がし易く、また、中央領域に位置して積層体の下面に開口して複数のセラミック層の途中まで到る穴部を備えていることから、バインダ分解ガスが溜まり易い積層体の中心部分からバインダ分解ガスを積層体の外部に良好に放出することができる。さらに、複数の入出力端子が積層体の下面の周縁領域に配設されていることから、積層体の下面の中央領域に穴部を形成しつつも、配線基板の下面において入出力端子の配線設計を容易にすることができる。そのため、入出力端子に安定して通電することができる。以下、本発明の一実施形態にかかるウェハ検査用の配線基板以下、単に配線基板とも言うについて、図面を用いて詳細に説明する。但し、以下で参照する各図は、説明の便宜上、下記の実施形態を構成する部材のうち、特徴的な構成を説明するために必要な主要部材のみを簡略化して示したものである。したがって、各実施形態の配線基板は、本明細書が参照する各図に示されていない任意の構成部材を備え得る。また、各図中の部材の寸法は、実際の構成部材の寸法および各部材の寸法比率等を忠実に表したものではない。図1~4に示すように、本実施形態の配線基板1は、複数のセラミック層3を積層してなり、上面ならびに中央領域5aおよび周縁領域5bを有する下面を備えた積層体5と、積層体5の上面に配設された、プローブピン103が取り付けられる複数の測定端子7と、積層体5の下面の周縁領域5bに配設された複数の入出力端子9と、積層体5に埋設された、測定端子7および入出力端子9に電気的に接続された内部配線13とを具備している。そして、積層体5が、平面透視した場合に、中央領域5aに位置して下面に開口して複数のセラミック層3の途中まで到る穴部19および周縁領域5bと重なるように内部に位置する中空部21を備えていることを特徴としている。このように積層体5が、周縁領域5bと重なるように内部に位置する中空部21を備えていることから、この中空部21にバインダ分解ガスを逃がし易く、また、中央領域5aに位置して積層体5の下面に開口する穴部19を備えていることから、バインダ分解ガスが溜まり易い積層体5の中心部分からバインダ分解ガスを積層体5の外部に良好に放出することができる。さらに、複数の入出力端子9が積層体5の下面の周縁領域5bに配設されていることから、積層体5の下面の中央領域5aに穴部19を形成しつつも、配線基板1の下面において入出力端子9の配線設計を容易にすることができる。そのため、入出力端子9に安定して通電することができる。本実施形態の配線基板1は、複数のセラミック層3を積層してなる積層体5を具備している。積層体5は、上面および下面を有している。積層体5の下面は中央領域5aおよび中央領域5aを囲むように位置する周縁領域5bを有している。本実施形態の配線基板1における積層体5は、複数の中間セラミック層を積層してなる積層部13、積層部13の上面に積層された少なくとも一層の上側セラミック層15および積層部13の下面に積層された少なくとも一層の下側セラミック層17によって構成されている。積層体5、具体的には、積層部13、上側セラミック層15および下側セラミック層17をそれぞれ構成するセラミック層3としては、高い絶縁性を有する部材を用いることができる。絶縁性を有する部材としては、具体的には、例えば、各種のガラスセラミック、Al2O3,AlN,Si3N4およびBNのようなセラミック材料を用いることができる。このようなセラミック材料を含有する原料粉末、有機溶剤ならびにバインダを混ぜることにより混合部材を作製する。混合部材をシート状に成形することによりグリーンシートを作製することができる。これらのグリーンシートを複数積層することによって生積層体が作製される。そして、この生積層体を焼成することによって積層体5が作製される。近年、一度に多くの部品の検査を行うことができるようにするため、ウェハ検査用の配線基板1としては大型化が求められている。具体的には、上面の一辺の長さが50mm以上、場合によっては、上面の一辺の長さが数百mm以上であるような非常に大きな配線基板1が求められている。しかしながら、一辺の長さが50mm以上であるような非常に大きな配線基板1を作製する場合、生積層体を焼成して積層体5を作製する際に、生積層体を構成するグリーンシートに含まれるバインダ成分を、生積層体を焼成する工程、より具体的には脱バインダ工程において十分に除去することが難しくなる。本実施形態の配線基板1においては、平面透視した場合に、積層体5が、中央領域5aに位置して積層体5の下面に開口して複数のセラミック層3の途中まで到る穴部19および周縁領域5bと重なるように内部に位置する中空部21を備えている。そのため、グリーンシートに含まれるバインダ成分を容易に除去できる。積層体5の表面付近に位置する部分よりも中心に位置する部分の方が、積層体5の表面からの距離が長いためバインダ分解ガスが外部に放出されにくい。しかしながら、本実施形態における積層体5は、中央領域5aに位置して積層体5の下面に開口して複数のセラミック層3の途中まで到る穴部19を有していることから、上記する積層体5の中心に位置する部分からこの穴部19を介して外部にバインダ分解ガスを容易に放出することができる。また、積層体5の内部であって、平面透視した場合に入出力端子9が配置される周縁領域5bと重なる部分に中空部21が位置している。周縁領域5bは中央領域5aと比較して積層体5の表面付近に位置していることから、相対的にバインダ分解ガスが外部に放出されやすい。そのため、中央領域5aに位置する穴部19とは異なり、周縁領域5bに位置する中空部21は積層体5の表面に開口していなくてもバインダ分解ガスを外部に放出できる。加えて、中空部21が積層体5の表面下面に開口していないことから、周縁領域5bに開口するように凹部が形成されている場合と比較して、積層体5の下面の周縁領域5bにおける入出力端子9の配線の自由度を高めることができる。また、上述の通り、積層体5の中心に位置する部分よりも積層体5の側面付近に位置する部分の方が、バインダ分解ガスが外部に放出されやすいことから、周縁領域5bに位置する積層体5の下側セラミック層17の厚みを極端に薄くする必要がない。そのため、下側セラミック層17の厚みを厚くすることができるので、積層体5の耐久性を良好なものとすることができる。これにより、周縁領域5b上に配設される入出力端子9の接続性を良好なものとすることができる。下側セラミック層17の耐久性を良好なものとするためには、この部分の厚みを大きくすることが好ましいが、複数の被測定物の通電検査を同時に行う場合には、積層体5の上面および下面が平坦であることが求められることから、上側セラミック層15および下側セラミック層17の厚みが過度に大きくないことが好ましい。そこで、上側セラミック層15の厚みおよび下側セラミック層17の厚みが、積層部13を構成する中間セラミック層の厚みよりも小さいことが好ましい。積層体5全体の厚みを大きくして積層体5の耐久性を向上させつつ、上側セラミック層15および下側セラミック層17の厚みが過度に大きくなることを抑制して、積層体5の上面および下面を平坦なものにできるからである。なお、本実施形態の配線基板1における積層体5は、上述の通り、積層部13、上側セラミック層15および下側セラミック層17によって構成されており、穴部19が、下側セラミック層17および積層部13を積層方向に貫通する貫通孔の内側面ならびに上側セラミック層15の下面によって構成されている。すなわち、下側セラミック層17および積層部13を積層方向に貫通する貫通孔の内側面が穴部19の側面を形成している。また、上側セラミック層15の下面の一部が穴部19の底面を形成している。また、中空部21が、積層部13を積層方向に貫通する貫通孔ならびに下側セラミック層17の上面および上側セラミック層15の下面によって構成されている。すなわち、積層部13を積層方向に貫通する貫通孔の内側面が中空部21の側面を形成している。上側セラミック層15の下面の一部が中空部21の上面を形成している。また、下側セラミック層17の上面の一部が中空部21の下面を形成している。本実施形態の配線基板1における積層体5は、平面視した場合の形状が矩形状である直方体形状である。積層体5の寸法は特に限定されるものではないが、例えば、平面視した場合の一辺を50mm以上500mm以下とすることができる。一辺が数百mmであるような非常に大きな配線基板1の場合、本実施形態の配線基板1が特に有効となる。また、積層体5の厚みとしては、例えば、3mm以上30mm以下とすることができる。なお、本実施形態の配線基板1においては、積層体5が平面視した場合に矩形状である直方体形状であるが、これに限られるものではない。例えば、平面視した場合に円形状である円板形状であってもよい。穴部19の寸法は特に限定されるものではないが、例えば、内径を0.1mm以上1mm以下とすることができる。また、穴部19の深さとしては、2mm以上29.7mm以下とすることができる。このとき、穴部19の底と積層体5の上面との間における積層体5の厚みが0.3mm以上あることが好ましい。上記の部分における積層体5の厚みを0.3mm以上とした場合には、この部分に高い耐久性を備えることができるので、積層体5の上面であって穴部19の上方となる領域にも測定端子7を安定して配設することができる。特に、穴部19の底と積層体5の上面との間における積層体5の厚みとしては0.5mm以上であることがさらに好ましい。中空部21の寸法も、穴部19の寸法と同様に特に限定されるものではないが、例えば、内径を0.1mm以上1mm以下とすることができる。また、中空部21の高さ方向積層体5の積層方向の寸法としては、例えば、2mm以上29.4mm以下に設定することができる。このとき、中空部21の上端と積層体5の上面との間における積層体5の厚みが0.3mm以上あることが好ましい。この部分に高い耐久性を備えることができるので、積層体5の上面であって中空部21の上方となる領域にも測定端子7を安定して配設することができるからである。また、同様の理由から、中空部21の下端と積層体5の下面との間における積層体5の厚みが0.3mm以上あることが好ましい。この部分に高い耐久性を備えることができるので、積層体5の下面における周縁領域5bであって中空部21の下方となる領域にも入出力端子9を安定して配設することができるからである。積層体5の内部には内部配線11が埋設されている。内部配線11は、積層体5の上面に配設された測定端子7と積層体5の下面に配設された入出力端子9とを電気的に接続するための部材である。内部配線11は積層体5の積層方向に垂直な配線導体23と、積層体5の積層方向に平行なビア導体25からなっている。複数のセラミック層3がそれぞれ積層方向に貫通するビア孔を有するとともに、ビア導体25はビア孔にそれぞれ導体を充填してなる。内部配線11の一方の端部は、積層体5の上面側に引き出されており、測定端子7と電気的に接続されている。また、内部配線11の他方の端部は、積層体5の下面側に引き出されており、入出力端子9と電気的に接続されている。このとき、上側セラミック層15におけるビア導体25の積層方向に垂直な方向の幅D1が、積層部13におけるビア導体25の積層方向に垂直な方向の幅D2よりも小さいことが好ましい。また、図4に示すように、積層体5の周縁領域5bに位置するビア導体25の積層方向に垂直な方向の幅D1が、積層体5の中央領域5aに位置するビア導体25の積層方向に垂直な方向の幅D3よりも大きいことが好ましい。生積層体を焼成して積層体5を作製する際に生積層体が収縮するが、生積層体における中央領域よりも周縁領域での上記収縮に伴う変位量が大きい。積層体5の周縁領域5bに位置するビア導体25の積層方向に垂直な方向の幅D1が、積層体5の中央領域5aに位置するビア導体25の積層方向に垂直な方向の幅D3よりも大きい場合には、相対的に変位量の大きい周縁領域5bに位置するビア導体25の幅が相対的に大きいので、生積層体が収縮した場合であっても内部配線11の接続信頼性を良好なものにできるからである。内部配線11としては、導電性の良好な部材を用いることが好ましい。例えば、銅、銀、金、ニッケルあるいはタングステン、モリブデンのような金属材料粉末に絶縁材料との密着性を加えるためのガラス質を添加した導体を用いることができる。上記の金属材料は単一で用いてもよく、また、合金、混合物として用いてもよい。積層体5の上面にはウェハ検査用の複数の測定端子7が配設されている。測定端子7は、ウェハ上に形成されたICの端子群のような被測定物の電気特性を検査するための部材である。測定端子7を被測定物に電気的に接続することによって被測定物の電気特性を検査することができる。測定端子7自体を被測定物に当接させることによって電気特性の検査を行っても良いが、それぞれの測定端子7上にプローブピン103を配設することによって、本実施形態の配線基板1を用いたプローブカード101を作製してもよい。このようなプローブカード101におけるプローブピン103を被測定物に当接させることによって電気特性の検査を行うことができる。例えば、ウェハ上に形成された複数のICのウェハ検査を行う場合には、各プローブピン103を各ICに当接させることによって同時に検査を行うことができる。なお、本実施形態におけるプローブピン103は、直線形状をしているが、例えば、複数の屈曲部分を有する形状あるいはバネ形状のような弾性体であることが好ましい。プローブピン103が上記の形状である場合、安定して各プローブピン103を被測定物に当接させることができるからである。測定端子7としては、内部配線11と同様に、導電性の良好な部材を用いることが好ましい。例えば、銅、銀、金、白金、ニッケルあるいはタングステン、モリブデンのような金属材料粉末に絶縁材料との密着性を加えるためのガラス質を添加した導体を用いることができる。上記の金属材料は単一で用いてもよく、また、合金、混合物として用いてもよい。また、測定端子7の積層体5から露出する表面には、メッキを形成することが好ましい。外部に露出する測定端子7が劣化することを抑制できるからである。また、測定端子7上にプローブピン103を配設する場合には、測定端子7とプローブピン103との接合性を高めることができる。メッキとしては、例えば、ニッケルメッキ、銅メッキ、銀メッキ、金メッキまたは錫めっきを用いることができる。一例として、測定端子7の積層体5から露出する表面にニッケルメッキを形成した後、さらにニッケルメッキの表面に金メッキを形成すればよい。積層体5の下面における周縁領域5bには複数の入出力端子9が配設されている。入出力端子9は、外部の電源不図示または配線回路不図示と電気的に接続されており、内部配線11を介して測定端子7に電気信号を入出力するための部材である。本実施形態の配線基板1においては、積層体5の下面全体ではなく、下面における周縁領域5bに複数の入出力端子9が配設されている。このように入出力端子9が積層体5の下面における周縁領域5bに配設されていることから、積層体5の下面の中央領域5aに、積層体5の下面に開口する穴部19を形成することができる。結果として、入出力端子9の接続性を良好なものとしつつも、製造工程上、積層体5の中心部分で生じるバインダ分解ガスを外部に容易に放出できる。入出力端子9としては、内部配線11と同様に、導電性の良好な部材を用いることが好ましい。例えば、銅、銀、金、白金、ニッケルあるいはタングステン、モリブデンのような金属材料粉末に絶縁材料との密着性を加えるためのガラス質を添加した導体を用いることができる。上記の金属材料は単一で用いてもよく、また、合金、混合物として用いてもよい。また、入出力端子9の積層体5から露出する表面には、測定端子7と同様にメッキを形成することが好ましい。外部に露出する入出力端子9が劣化することを抑制できるからである。メッキとしては、例えば、ニッケルメッキ、銅メッキ、銀メッキ、金メッキまたは錫めっきを用いることができる。また、図5に示すように、積層体5の穴部19には、絶縁性樹脂27が充填されていても良い。脱バインダ工程によってバインダ分解ガスが外部に放出された後に、この穴部19に絶縁性樹脂27を充填することによって、配線基板1の耐久性を向上させることができるからである。しかも、積層体5を構成するセラミックス材料と比較して樹脂材料は一般的に軽量であることから、穴部19にセラミックス材料を充填した場合と比較して、配線基板1の耐久性を向上させつつ配線基板1の軽量化も図ることができる。次に、上記実施形態にかかる配線基板1の製造方法について説明する。まず、積層体5を構成する積層部13、上側セラミック層15および下側セラミック層17となるグリーンシートを複数準備する。グリーンシートは、セラミック材料を含有する原料粉末、有機溶剤ならびにバインダを混ぜることにより混合部材を作製し、この混合部材をシート状に成形することによって作製できる。このようなグリーンシートを複数積層することによって、生積層体が作製される。また、このようにして形成される生積層体の内部に、内部配線11となる導体ペーストを埋設する。具体的には、生積層体を形成するためにグリーンシートを複数積層する際に、セラミック層3となるグリーンシート間に配線導体23となる導体ペーストを配設する。また、グリーンシートを複数積層して生積層体を形成する前に、予め、グリーンシートに貫通孔を形成して、積層方向に隣り合う配線導体23となる導体ペーストを接続するように、この貫通孔にビア導体25となる導体ペーストを配設する。これにより、内部配線11となる導体ペーストを生積層体に埋設することができる。グリーンシート間に導体ペーストを配設するためには、例えば、スクリーン印刷法を用いてグリーンシートの表面に導体ペーストを配設するとともに、この導体ペーストの上にさらにグリーンシートを配設すればよい。また、上記の導体ペーストとしては、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀および金のような金属材料からなる金属粉末に、有機溶剤並びにバインダを混ぜた金属ペーストを用いればよい。また、ビア導体25となる導体ペーストが配設される貫通孔と同様にして、積層部13となるグリーンシートおよび下側セラミック層17となるグリーンシートに貫通孔を形成する。このように導体ペーストが充填されていない貫通孔を有するグリーンシートを積層することによって、中央領域5aに位置して積層体5の下面に開口する穴部19および周縁領域5bに位置してセラミック層3に囲まれた中空部21を形成することができる。積層されたグリーンシートの表面を削ることによって穴部19および中空部21を形成してもよいが、グリーンシートの表面を削る際に、生積層体に応力が加わり、生積層体が変形する、あるいは、生積層体に埋設された内部配線11となる導体ペーストが断線する可能性がある。しかしながら、上述のように、積層部13となるグリーンシートおよび下側セラミック層17となるグリーンシートに貫通孔を形成して、この貫通孔が形成されたグリーンシートを積層することによって穴部19および中空部21を形成した場合、生積層体に不要な応力が加わることを抑制できる。そのため、上述のような生積層体が変形する、あるいは、生積層体に埋設された内部配線11となる導体ペーストが断線するといったことが生じる可能性を小さくできる。このようにして穴部19および中空部21が形成された場合、下側セラミック層17および積層部13を積層方向に貫通する貫通孔の内側面が穴部19の側面となり、また、上側セラミック層15の下面の一部が穴部19の底面となる。また、積層部13を積層方向に貫通する貫通孔の内側面が中空部21の側面となり、上側セラミック層15の下面の一部が中空部21の上面となり、また、下側セラミック層17の上面の一部が中空部21の下面となる。生積層体の上面には内部配線11となる導体ペーストの一方の端部が引き出されており、この一方の端部と接続されるように生積層体の上面に測定端子7となる金属ペーストが配設される。また、生積層体の下面には内部配線11となる導体ペーストの他方の端部が引き出されており、この他方の端部と接続されるように生積層体の下面に入出力端子9となる金属ペーストが配設される。測定端子7および入出力端子9となる金属ペーストとしては、例えば、銅、銀、金、ニッケルあるいはタングステン、モリブデンのような金属材料粉末、絶縁材料との密着性を加えるためのガラス質、有機溶剤並びにバインダを混ぜたものを用いることができる。上記の通り作製された生積層体を焼成することによって上記の実施形態の配線基板1を作製することができる。また、作製された配線基板1の測定端子7上にプローブピン103を接合することによって、本実施形態の配線基板1を用いたプローブカード101とすることができる。グリーンシートおよび導体ペーストとして用いる材料によって最適な焼成温度は異なるが、本実施形態の配線基板1の製造方法においては約850°C~1600°Cの温度で焼成すればよい。次に、本実施形態の配線基板1を用いたウェハ検査方法について図面を用いて詳細に説明する。まず、ステージ105上に被測定物107を載置する。被測定物107としては、上述のように、ウェハ上に形成されたICの端子群が例示される。次に、ホルダ109に本実施形態の配線基板1あるいは配線基板1を用いたプローブカード101を保持させる。そして、測定端子7あるいはプローブピン103が被測定物107と対向するようにホルダ109をステージ105上に配置する。図6に示すように、図1に示す状態の配線基板1を上下反転させてステージ105上に配置させている。まず、上記の通り配置された配線基板1を被測定物107に相対的に近づける。そして、被測定物107に配線基板1を構成する測定端子7あるいはプローブカード101を構成するプローブピン103を当接させるとともに測定端子7を介して被測定物107に通電することによって、被測定物107の通電検査をする。測定端子7を介して被測定物107に通電した後、配線基板1を被測定物107から相対的に遠ざける。上記の工程によって被測定物107の通電検査を行うことができる。上述の通り、本実施形態のウェハ検査用の配線基板1について説明してきたが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。すなわち、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば、種々の変更や実施の形態の組み合わせを施すことは何等差し支えない。"