クラッド部と、前記クラッド部の上に屈折率実部の異なる複数の成分が周期的に配置されているコア部と、を有する複数の構成要素が、コア部を内側にして対向しているX線導波路であって、対向している前記構成要素のコア部の複数の成分の周期が等しく、前記クラッド部と前記コア部との界面における全反射臨界角が、同じ波長のX線に対する前記コア部の構造周期に対応するブラッグ角よりも大きく、且つ、前記コア部を形成する屈折率実部の異なる複数の成分の界面における全反射臨界角が前記ブラッグ角よりも小さく、前記構成要素のうちの少なくとも1つの第一の構成要素と、前記第一の構成要素と対向する第二の構成要素の位置関係を制御するための手段を備えたことを特徴とするX線導波路。前記位置関係を制御するための手段が、ピエゾアクチュエータであることを特徴とする請求項1項に記載のX線導波路。前記第一の構成要素及び前記第二の構成要素のコア部は、前記クラッド部の表面に対して垂直な方向に構造周期性を有していることを特徴とする請求項第1又は2に記載のX線導波路。前記第一の構成要素及び第二の構成要素のコア部は、屈折率実部の異なる複数の成分が周期的に積層した1次元周期構造を有していることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のX線導波路。前記第一の構成要素及び前記第二の構成要素のコア部が、有機-無機メソ構造体膜であることを特徴とする請求項第1項乃至第4項のいずれか一項に記載のX線導波路。前記第一の構成要素及び前記第二の構成要素のコア部は、メソポーラス材料膜であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のX線導波路。前記第一の構成要素及び前記第二の構成要素のコア部は、両親媒性材料の自己集合によって形成されるものであることを特徴とする請求項5に記載のX線導波路。クラッド部の上に、屈折率実部の異なる複数の成分が周期的に形成されているコア部を形成してX線導波路の構成要素を作製する工程と、同じ構造周期のコア部を有する複数の前記構成要素を、前記コア部を内側にして前記構成要素を対向して配置する工程と、前記構成要素のうちの少なくとも1つの第一の構成要素と、前記第一の構成要素と対向する第二の構成要素との位置関係を制御することのできる機構を設ける工程と、を有することを特徴とするX線導波路の製造方法。クラッド部と、前記クラッド部の上に屈折率実部の異なる複数の成分が周期的に形成されているコア部と、を有する複数の構成要素が、コア部を内側にして対向しているX線導波路において、前記構成要素のうちの少なくとも1つの第一の構成要素と、コア部を内側にして前記第一の構成要素と対向する第二の構成要素との位置関係を制御して、前記周期構造体に基づいてX線を共鳴させることを特徴とするX線導波路の制御方法。非特許文献1に開示されている導波路は、ニッケルよりなるX線導波路のクラッドと、炭素よりなるX線導波路のコアから構成される。この導波路は、炭素とニッケルとの界面の全反射によりX線が閉じ込められ導波する。この構成の単層導波路は、X線の位相が揃った状態で導波させるために、導波路のコアの幅を極めて小さい値にする必要があり、導波させることのできるX線の光量を大きくすることができない。非特許文献2に開示されている導波路は、上記単層導波路が、積層されたものである。このために、クラッドに挟まれたコアの組み合わせが一組の単層導波路と比較して大きな光量のX線を導波することが可能となる。しかし、このような構成の導波路は、積層された導波路構成のそれぞれコアとそれを挟み込むクラッドの組が別個の単層導波路として機能する。そのために、全体として出射されるX線の位相が揃う、集光、発散抑制効果を持つといった、単層導波路の長所を減じることとなる。上記課題を解決するための本発明は、クラッド部と、前記クラッド部の上に屈折率実部の異なる複数の成分が周期的に配置されているコア部と、を有する複数の構成要素が、コア部を内側にして対向しているX線導波路であって、対向している前記構成要素のコア部の複数の成分の周期が等しく、前記クラッド部と前記コア部との界面における全反射臨界角が、同じ波長のX線に対する前記コア部の構造周期に対応するブラッグ角よりも大きく、且つ、前記コア部を形成する屈折率実部の異なる複数の成分の界面における全反射臨界角が前記ブラッグ角よりも小さく、前記構成要素のうちの少なくとも1つの第1構成要素と、前記第1の構成要素と対向する第2の構成要素の位置関係を制御するための手段を備えたことを特徴とするX線導波路に関する。また、本発明は、クラッド部の上に、屈折率実部の異なる複数の成分が周期的に形成されているコア部を形成してX線導波路の構成要素を作製する工程と、同じ構造周期のコア部を有する複数の前記構成要素を、前記コア部を内側にして前記構成要素を対向して配置する工程と、前記構成要素のうちの少なくとも1つの第1の構成要素と、前記第1の構成要素と対向する第2の構成要素との位置関係を制御することのできる機構を設ける工程と、を有することを特徴とするX線導波路の製造方法に関する。また、本発明は、クラッド部と、前記クラッド部上に屈折率実部の異なる複数の成分が周期的に形成されているコア部と、を有する複数の構成要素が、コア部を内側にして前記構成用要素を対向しているX線導波路において、前記構成要素のうちの少なくとも1つの第1の構成要素と、コア部を内側にして前記第1の構成要素と対向する第2の構成要素との位置関係を制御して前記周期構造体に基づいてX線を共鳴させることを特徴とするX線導波路の制御方法に関する。本発明のX線導波路によれば、平坦なクラッド部材の上に周期構造体より成るコア部が形成された構成のX線導波路構成要素を複数組み合わせ、その位置関係を精密に制御することによって、コア部表面の粗さによる、X線伝搬効率の低下を抑制することができる。以下、本発明を詳細に説明する。本発明においてX線とは、物質の屈折率実部が1以下となる波長帯域の電磁波を指す。具体的には、1pm以上で、極端紫外光ExtremeUltraVioletEUV光を含む100nm以下の波長の電磁波を指す。このような短い波長の電磁波の周波数は、非常に高く、物質の最外殻電子が応答できないため、紫外光の波長以上の波長をもつ電磁波可視光や赤外線の周波数帯域と異なり、X線に対しては物質の屈折率の実部が1より小さくなることが知られている。このようなX線に対する物質の屈折率nは一般的に、下記の式1で表されるように、実数部の1からのずれ量δ、吸収に関係する虚数部のを用いて表される。δは物質の電子密度ρeに比例するため電子密度の大きい物質ほど屈折率の実部が小さくなることになる。また、屈折率実部は、となる。さらに、ρeは原子密度ρaと原子番号Zに比例する。このようにX線に対する物質の屈折率は複素数で表されるが、その実部を本明細書中では屈折率実部または屈折率の実部と称し、虚部を屈折率虚部または屈折率の虚部と称する。X線の帯域では、屈折率実部が最大の1となる物質は真空であり、空気に代表される気体は真空とほぼ同じ屈折率を持つが、気体以外のほぼすべての物質の屈折率実部は、1よりも小さい値となる。本明細書中では、成分、材料、物質という文言を真空や空気等の気体に対しても適用する。次に、本発明に用いられるX線導波路について説明する。本発明者らは、クラッドとコアを備え、コアとクラッドとの界面の全反射によってコアにX線を閉じ込める構成のX線導波路であって、そのコアとして、屈折率実部が異なる複数の物質が周期的に配置されたX線導波路を作製した。この導波路では、コアを導波するX線が多重干渉し、この周期構造に対応して効率的に導波するモードが選択的されるために、高効率に大きな光量の位相の揃ったX線を導波することが可能となる。この導波路は、コアとクラッドとの界面の全反射によってコアにX線を閉じ込め、導波させる。一般に界面におけるX線の全反射は、界面の粗さに依存し、その反射率は、粗さの低減とともに大きく増大することが知られている。従って、X線導波路のコアとクラッドとの界面の粗さが大きい場合には、X線の閉じ込め効率が低下し、導波路の伝搬効率が減少する。本発明者らが作製したX線導波路の基本的な構成は、図1に模式的に示すように、物質の屈折率実部が1以下となる波長帯域のX線を導波させるためのコア部11と、界面での全反射によってX線をコア部内に閉じ込めるためのクラッド部14より構成され、前記コア部が、屈折率実部が異なる複数のコア部を形成する成分12、13が周期構造を形成した構造を有し、前記コア部と前記クラッド部の界面でのX線の全反射臨界角が、前記コア部の構造周期に起因するブラッグ角よりも大きくなるように構成されていることを特徴とする。クラッド部の外側には、機械的強度向上目的の基体15が設けられることもある。X線に対する物質の屈折率は、物質中の電子密度に依存するため、前述の屈折率実部が異なる複数の成分とは、多くの場合電子密度が異なる複数の成分であるということもできる。本発明のX線導波路は、コアを形成する成分の周期構造に起因する多重干渉を起こしたX線が、コア内を低伝搬損失で導波する、本発明者らが発見した特異なX線の導波現象を利用している。この特異なX線の導波モードは構造周期性により形成され、X線の電場強度分布の腹と節の位置は、基本構造を構成しているそれぞれの物質領域内の位置に一致する。その際、前記周期性構造体の電子密度の小さい物質にX線の電場強度が集中する導波モードの伝搬損失が、他の導波モードに比べて小さくなり、その導波モードを選択的に取り出すことが可能となる。以下、この導波モードを周期共鳴導波モードと称する。この周期共鳴導波モードを可能にする、本発明のX線導波路を構成するためには、いくつかの条件が満たされる必要がある。これについて以下に詳しく説明する。まず、屈折率実部が異なる複数の成分が周期構造を形成した構造を有するコア部について説明する。ここでいう複数の成分とは、安定な周期構造が定義できるいかなる組み合わせをも包含し、前述したように、成分の定義には真空や空気も含まれる。つまり、材料とエアギャップが交互に周期構造を形成したような材料も本発明のコア部として使用することができる。ここでいう周期構造は、構造周期の次元を問わない。つまり、1次元、2次元、3次元、いずれの周期構造をも適用することができる。ここで、1次元周期構造とは、図2Aに示すような、層状の複数の材料が積層方向に周期性をもったものである。2次元周期構造とは、図2Bに示すような、1方向に無限の広がりを有する構造ユニットが、断面において2次元的に規則低配置されているもので、その配置には図示した六方配置、立方配置等がある。3次元周期構造には、例えば図2Cに示す、球のような構成単位が、立方細密充填や六方細密充填したものや、複数の成分が構造規則性をもって相分離して形成されるダブルジャイロイド構造のようなものが含まれる。このような周期構造がある場合、複数の材料の界面において起こるX線の散乱が干渉を起こし、結晶のX線回折のように、散乱X線が強め合って明確な回折を起こし得る。本発明に用いられる導波路のコアの構造周期が、X線の波長に匹敵するレベル1nm~数十nmの場合には、各部材の中に原子レベルでの構造規則性が無くても、X線回折が観測される。構造規則性が高い場合には、多重干渉が起こる結果、規則構造中でX線は特異な伝搬挙動を示す。前述したように、本発明のX線導波路は、このX線の多重干渉を利用している。従って、本発明に用いられるコア部位の構造周期も、1nm~50nmの範囲であることが好ましい。また、コア部位の周期構造の数としては10層乃至500層程度の範囲であることが好ましい。層数が過小な場合には、導波路の透過率が低下する傾向にある。結果的に、コア部位の厚さは、10nm~10μm程度とすることが好ましいことになる。本発明のX線導波路の構造周期性を有するコア材料としては、人工多層膜や、界面活性剤に代表される両親媒性材料の分子集合体と無機物とが規則的に配列した構造を有するメソ構造体膜有機-無機メソ構造体膜、前記メソ構造体膜から両親媒性材料を除去したメソポーラス材料膜、ブロック共重合体のミクロ相分離によって形成される規則構造を有する膜等を用いることができる。しかし、X線の多重干渉を起こし得る材料であれば、これらに限定されることなく使用することが可能である。人工多層膜は、スパッタリングや蒸着等の手法によって複数の材料を所定の厚さで積層したもので、構造体の周期は成膜時間によって自在に制御することができる一方で、形成可能な構造は1次元周期構造に限定されること等の制限がある。メソ構造体膜は、界面活性剤に代表される両親媒性材料と無機物の前駆体を含む前駆体溶液を基板上に付与し、基板上で界面活性剤と無機種の自己集合を起こさせることで作製される無機-有機複合体で、2nm~50nm程度の周期構造を有する膜である。この場合、界面活性剤両親媒性材料は、構造規定剤とも称される。界面活性剤や無機前駆物質、及びその濃度等を変化させることで、膜中の規則構造の次元や対称性、構造周期を変化させることができる。特に、作製された界面活性剤-無機材料メソ構造体膜から、界面活性剤を除去して作製されるメソポーラス膜は、空気と無機物が3次元的に規則配列した構造体の膜であり、X線が低損失の空洞部位に集中することにより、低損失のX線伝搬を可能にする意味で、本発明に好ましく用いられる材料である。ブロック共重合体は、複数の性質の異なる高分子セグメントが共有結合で連結された高分子化合物で、構成する各成分の性質と分子量によって規則正しいミクロ相分離構造を形成する。各セグメントの分子量を制御することによって得られる規則構造の対称性を制御することも可能である。無機物に転換できる材料を用い、電子密度のコントラストの大きな周期構造体を作製することもできる。ブロック共重合体は、基板に塗布した後に加熱するなどの簡単なプロセスで、規則構造を形成できるという特長がある。次にクラッド部について説明する。前述したように、クラッドは、コアの周期構造によって多重干渉したX線を全反射でコア内に閉じ込める働きを有する。物質に対するX線の全反射臨界角は、使用するX線の波長と、物質の電子密度によって決定され、電子密度が大きい物質ほど屈折率が低くなるために全反射臨界角は大きくなる。前述したように、コアの周期構造に対応するブラッグ角は、全反射臨界角よりも小さい必要があるため、電子密度が小さい物質でクラッドを形成した場合にはコアのブラッグ角を小さくする、すなわち構造周期を大きくする必要があり、構造規則性の低下に繋がることがあるため、一般にクラッド材料は電子密度の大きな物質で形成するのが好ましい。例示すると、タングステン、タンタル、金、ビスマス等が好ましく用いられる。前述したように、本発明のX線導波路は、周期構造を有する材料からなるコア中において多重干渉したX線がコアの外部に出ていかないように、コア-クラッド界面での全反射で、X線をコア内に閉じ込める必要がある。つまり、必然的に、導波路を構成しているコア材料の周期構造に対応するブラッグ角が、コア-クラッド界面における全反射臨界角よりも小さいという前記条件が必要になる。図3Aは、この構成を模式的に示したもので、多重干渉したX線がクラッド界面で全反射する。この条件が満たされない場合には、図3Bに記載したように、多重干渉したX線は、コア部材からクラッド部材に大きく漏れ出し、導波路として機能しなくなる。上記のことは、下記のように数式を用いて表すことができる。クラッドとコアの界面におけるクラッド側の物質の屈折率実部をnclad、コア側の物質の屈折率実部をncoreとした場合の、膜の面に平行な方向からの全反射臨界角θc-total°は、nclad<ncoreとして、と表される。またコアをなす周期構造体の構造周期をdとした場合、コア中での多重回折の有無に関わらず次のようにブラッグ角θB°を定義する。mは定数、λはX線の波長である。本発明のX線導波路を構成している物質の物性パラメータ、導波路の構造パラメータ、およびX線の波長は次式を満たす必要がある。θB<θc-total本発明においては、もう一つの条件が満たされることが必要である。これについて説明する。周期構造が、屈折率実部が異なる複数の成分から構成される場合、各成分間の界面におけるX線の反射を考慮する必要がある。本発明のX線導波路が機能するためには、周期構造に由来する多重干渉が起こらなければならない。周期構造を構成する材料の界面で全反射が起こる場合には、例えば1次元周期構造体に関して図3Cに模式的に示すように、X線は、積層構造を形成する材料のうちで最も屈折率の高い成分中に閉じ込められ、多重干渉が阻害される結果、本発明の目的を果たすことができなくなる。言い換えれば、周期構造を構成するユニットがマルチ全反射X線導波路として機能することになり、従来の平板型導波路と同じ構造になってしまう。従って、コアの周期構造を形成する屈折率実部が異なる成分間の界面における全反射臨界角が、前記ブラッグ角よりも小さいという条件が必要になる。このことは、数式を用いて下記のように表すことができる。コアの周期構造を構成する屈折率実部の異なる成分間での全反射臨界角をθc_multi°とする場合、下記の式が満たされる。θc_multi<θB以上述べたような条件が満たされる場合、クラッドとコアとの界面による全反射により閉じ込められる導波モードを、コア内に局在させることができる。膜に平行な方向から測った有効伝搬角度は、導波モードの伝搬方向の波数ベクトル伝搬定数kz、真空中の波数ベクトルkoを用いて次式で表される。以上説明したような、本発明のX線導波路においては、多重干渉によって規則構造の周期に共鳴する導波モードのX線のみを、選択的に低損失で伝搬させることができる。この周期共鳴導波モードのX線は、位相がコアの厚さ全体にわたって揃っている、つまり、空間的にコヒーレントなX線となり、導波路の端面から、X線の波長とコアの構造周期で決定される小さな発散角で出射される。上記周期共鳴導波モードによるX線伝搬を可能にするX線導波路は、以上説明したように、周期構造に起因するX線の多重干渉を、コアとクラッドとの界面の全反射で閉じ込める構成であるため、この界面におけるX線反射率が導波路の伝搬効率に大きな影響を及ぼす。X線の波長は非常に短いため、コアとクラッドとの界面には非常に高い平坦性が求められる。しかし、本発明のX線導波路のコアに用いられる周期構造体の表面は、必ずしも十分な平坦性を保証できるものとは限らず、この課題ゆえに、コア表面の平坦性が低いことが問題にならないような、周期共鳴導波モードによるX線伝搬を可能にする新規なデバイス構成が必要になる。本発明に係る、周期共鳴導波モードによるX線の伝搬を可能にするX線導波路の基本構成は、図1に示したようなものであるが、実際には、コア部を形成する周期構造体は、使用する材料によっては、比較的大きな表面ラフネスを有し、図4に示すように、この上にクラッド部位を形成した場合に、コア部表面とクラッド部との界面41における平坦性が低くなる場合がある。この様な場合、界面での散乱による損失が大きくなり、クラッドによるX線の閉じ込め効果が低下してしまう。しかし、十分な平坦性を有するクラッド部材の上に周期構造体を形成した場合のコア部底面とクラッド部との界面42においては、その界面の平坦性は保証され、こちら側の界面においては全反射の際の損失を小さく抑えることが可能である。本発明のX線導波路と、図1に示した最も簡単な構成の周期共鳴導波モードによるX線導波を可能にするX線導波路との違いは、本発明では、コア部を形成する周期構造体の一方にのみクラッド部が形成された複数の構成要素が、コア部が対向するように保持されている点にある。以下、本発明の模式図である図5を用いて説明する。図5に示すように、本発明の導波路においては、周期構造体よりなるコア部51が、表面が平坦なクラッド部52の上に形成され、導波路の構成要素を形作っている。クラッド部52の表面の平坦性としては、二乗平均粗さが5nm未満であることがコア部とクラッド部との界面の全反射の際の損失を少なくする上で好ましい。53はコアとクラッドからなる導波路の構成要素を保持する基体であり、導波路の機械的強度を保つために使用される。この図では、コア部を形成する周期構造体の表面のラフネスが誇張されて描かれている。本発明のX線導波路においては、図示するように、コア部を内側にして、複数の導波路構成要素が対向させて保持されている。この説明では、構成要素が2つの場合について説明する。第一の構成要素を保持した基材は、ホルダー56に固定される。ホルダー56は、基本的に固定されていて良いが、入射X線に対する位置と入射角度を調整するために、角度と並進位置を制御可能な不図示の可動ステージに固定されていることが好ましい。一方、第二の構成要素を保持した基材は、その空間的位置を精密に制御することのできる機構を備えたステージ57に固定される。ステージ57には、高い位置制御分解能と精度が必要であり、駆動手段としてはピエゾアクチュエータが好ましく用いられる。本発明X線導波路は、第一の構成要素と第2の構成要素との位置関係すなわち相対的位置が制御されている。第一の構成要素と可動な第二の構成要素の位置関係が制御されていない場合には、2つの周期構造体は、それぞれ独立の周期構造体としてX線の干渉を引き起こすが、周期共鳴導波モードによるX線伝搬は達成できない。周期共鳴導波モードを達成するためには図6Aに模式的に示すように、周期構造体の屈折率実部の異なる成分の界面において散乱されたX線が、コア部とクラッド部界面での全反射によってコア部内に閉じ込められ、多重干渉を起こし、周期構造体の電子密度の高い低屈折率層に電場の節が、電子密度の低い高低屈折率層に電場の腹が対応するような電場が、周期構造体中に形成される必要がある。ここで、構成要素を保持した可動ステージ57を調整し、2つの構成要素の位置関係を最適化し、それぞれの周期構造体における周期性の位相が揃うようにすることによって、2つの周期構造体が、あたかもひとつの周期構造体のように機能し、図6Bに示すように2つの構成要素のそれぞれのクラッドの間で、前述したような電場が形成され得る。これを可能にするためには、対向する周期構造体の構造周期は同一である必要がある。構成要素の対向するコア部の間隔55には特に制限はないが、間隔が構造周期の20倍以上程度になると、コア間のギャップの空間を伝搬するX線のモードが複数形成され、目的とする周期共鳴導波モードの近くの伝搬角度で伝搬するため、単一の周期共鳴導波モードが選択しにくくなる。構成要素のコアとコアの好ましい間隔は、コアの構造周期の20倍未満、さらに好ましくは10倍未満である。ここで、構成要素の対向するコア部の間隔とは、対向するコア部の最表面間の距離を指す。上記説明は、一つの構成要素を固定した構成に関するものであるが、複数の構成要素がそれぞれ、可動ステージの上に固定されていても、2つの周期構造体の位置関係を精密に調整できる限りにおいて、同様の効果を得ることができる。以上説明したように、本発明によれば、コア表面のラフネスがある程度大きい場合でも、表面に直接クラッド部を形成した場合に不可避な散乱による損失を抑制することが可能になる。また、上記説明は、構成要素の数が2の場合について記述したが、構成要素数は2に限定されない。例えば、図7に示したように、この構成を複数組み合わせてX線導波路を製造することも可能である。例えば図7では、平坦な表面のクラッド部とその上の周期構造体コア部から成る導波路構成要素が、正三角形の断面をした三角柱状基材の3つの側面に固定されており、それぞれの構成要素は、可動ステージの上に固定されたもう一方の構成要素が、コアの形成された面を対向させて保持されている。この場合も、X線に対する入射角度と入射位置を制御するために、前記三角柱状基材は、角度と並進を制御可能なステージに固定されることが好ましい。この場合、3つの周期共鳴導波モードでX線を伝搬させ得る導波路が形成できるわけであるが、この3つの導波路中の構造周期性を変えておけば、例えば三角柱状基材を中心に回転させることによってこの3つの導波路を切り替えることによって、異なる方向にX線を出射させたり、異なる波長のX線を同じ角度で出射させたりすることが可能になる。複数の周期構造体を用いた干渉計としては、Bonse-Hart型X線干渉計が知られているが、この場合、複数の周期構造体結晶による干渉X線を可干渉にするために、該複数の周期構造体結晶は、大きな単一の結晶から削りだしたものを使用している。この場合には、結晶の構造周期が小さく、可干渉性を持たせるように2つの独立した結晶の位置関係を制御できるだけの分解能を備えた制御手段がないために、単一の結晶から作成することを余儀なくされていたが、本発明のX線導波路に使用される周期構造体は、その構造周期が大きいために、独立した周期構造体の位置関係を、それぞれの干渉X線が可干渉となるように、ピエゾアクチュエータのような精密位置制御ステージを用いて調整することが可能である。以下実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明する。但し、本発明は実施例の内容に限定されるものではない。実施例1本実施例は、シリコン単結晶基体上に形成したタングステンクラッドの上に、非イオン性界面活性剤を構造規定剤として作製したシリカメソ構造体膜を形成した、導波路構成要素2つを対向させ、第一の構成要素を入射X線に対して固定し、該第一の構成要素に対する第二の構成要素の位置を、ピエゾアクチュエータで駆動するステージを用いて精密に制御することで、周期共鳴導波モードによるX線伝搬を可能にする例である。2枚のシリコン基板それぞれの表面に、スパッタリングによってタングステンを20nm成膜し、クラッド部位とする。このタングステン膜の表面は、原子間力顕微鏡により求められた二乗平均粗さが1.0nm未満という、高い平坦性を有している。この上に、シリカメソ構造体膜を作製する。使用する界面活性剤は、非イオン性界面活性剤PluronicP123である。シリカメソ構造体膜作製に用いる前駆体溶液は、テトラエトキシシランTEOS54.7mlを74.4mlのエタノールに溶解した溶液に0.01Mの希塩酸を26.4ml添加して調整した溶液Aと、13.7gのP123を49.6mlのエタノールに溶解して調整した溶液Bとを混合し、最後に純水を12.0ml添加して作製する。上記、タングステン膜を形成したシリコン基板に、上記の前駆体溶液を引き上げ速度0.5mm/sでディップコートし、40°Cで24時間乾燥させてシリカメソ構造体膜を得る。このようにして作製したシリカメソ構造体膜は、構造周期10.1nm、層数42層であることがX線回折分析とX線反射率測定より確認される。また、この膜がシリンダー状ミセルを含む2次元ヘキサゴナル構造を有していることが電子顕微鏡観察により明らかとなる。この周期構造体は、2つの構成要素において同一である。このシリカメソ構造体薄膜の表面粗さを、原子間力顕微鏡によって評価し、二乗平均粗さが11nmであることが明らかとなる。この、2つの構成要素は、X線の導波方向図8のY方向のサイズが3mmである。図8に示すように、2つの構成要素のうちの一方第一の構成要素81を、ホルダーに固定し、前記ホルダーは、第一の構成要素に対するX線の入射角と入射位置を制御するために、ω1、z1可動ステージ82上に固定される。図9に示すように、もう一方第二の構成要素91は、ピエゾアクチュエータで駆動する精密可動ステージ92上に固定する。ピエゾアクチュエータ駆動ステージは、図9に示すω、ψの2つの角度、及びz並進の精密制御が可能であるものを使用する。ステージは、さらに、面内回転角度φ、及びx、y方向の並進が可能であることが好ましいが、これらの軸方向の動きに関しては、必ずしも高い分解能を必要としない。まず、図8に示した、ω1、z1可動ステージ上にホルダーによって固定された第一の構成要素について、X線に対する位置合わせを行う。この調整は、第一の構成要素の周期構造体表面が、入射X線の光路を、光路と平行に遮って強度がほぼ1/2になるように位置z1と角度ω1を調整して行う。使用するX線は、MoKα線で、エネルギーは17.5keVである。この位置から、X線の入射位置を中心にして、第一の構成要素を回転させ、入射角を周期共鳴導波モードによるX線伝搬が起こる角度である、多層膜の構造周期10.1nmに対応するBragg角よりもわずかに小さい角度0.2°に設定する。この角度は、シリカメソ構造体層からタングステン層に、同じ17.5keVのX線が入射した際の全反射臨界角よりも小さい角度であり、この伝搬角でコア中を伝搬するX線はクラッド層によって導波路中に閉じ込められる。このようにして位置を決めた第一の構成要素に対して、第二の構成要素の位置を調整する。まず、可動ステージに固定した第二の構成要素を第一の構成要素に対向させ、粗動モードで第一の構成要素と第二の構成要素のコア面同士が均等に接触するようにする。この状態から、ピエゾステージのz軸を20nm程度動かし、第一の構成要素と第二の構成要素のコア面同士が微小なギャップを介して対向するようにX線導波路を製造する。ここで、X線を導波路に照射し、検出器でX線をモニターしながら、透過X線強度が最大になるように、第二の構成要素が保持されているピエゾステージのz軸、ω軸、ψ軸を微調整する。透過X線強度が最大になる位置において、第一の構成要素と第二の構成要素の周期構造体は、その周期構造を形成する格子面が平行になり、かつ、それぞれの周期構造体における周期性の位相が互いに一致することになる。最後に、上述のように、X線を導波路に照射しながら、この両構成要素のω軸を同期させて精密に微小角度回転させ、X線強度が最大になる入射角を決定する。この場合のX線入射角は0.2°程度と非常に小さいもので、導波路端面に垂直に近い角度で入射する配置である。以上のように位置の調整された導波路から出射されるX線の遠視野像を、二次元X線検出器で観測することにより、この導波路から出射されるX線の位相が導波路の厚さ方向に揃っているものであることが確認される。本実施例によって、コア表面の二乗平均粗さが10nmを超えるようなシリカメソ構造体をコアに用いた場合でも、本発明の構成を用いることにより、良好な周期共鳴導波モードによるX線伝搬を達成することができることが示される。実施例2本実施例は、シリコン単結晶基材上に形成したタングステンクラッドの上に、炭化ホウ素B4C/アルミナAl2O3交互積層膜を形成した導波路構成要素2つを対向させ、第一の構成要素を入射X線に対して固定し、該第一の構成要素に対する第二の構成要素の位置を、ピエゾアクチュエータで駆動するステージを用いて精密に制御することで、周期共鳴導波モードによるX線伝搬を可能にする例である。2枚のシリコン基板それぞれの表面に、スパッタリングによってタングステンを20nm成膜し、クラッド部位とする。このタングステン膜の表面は、原子間力顕微鏡により求められた二乗平均粗さが1.0nm未満という、高い平坦性を有している。さらに、その上に、スパッタリングによって炭化ホウ素とアルミナの交互積層膜を形成する。B4Cの膜厚は12nm、Al2O3の膜厚は3nmで構造周期は15nm、総数は100層である。タングステンと接する材料は、Al2O3である。この成膜工程によって、2つのX線導波路の構成要素が作成される。この多層膜の表面粗さを原子力間顕微鏡によって評価し、二乗平均粗さが約7nmであることが明らかとなる。この2つの構成要素はX線の導波方向のサイズが4mmである。実施例1と同様に、2つの構成要素のうちの一方第一の構成要素を、ホルダーに固定し、前記ホルダーは、第一の構成要素に対するX線の入射角と入射位置を制御するために、ω1、z1可動ステージ上に固定される。また、もう一方第二の構成要素は、やはり実施例1と同様に、ピエゾアクチュエータで駆動する精密可動ステージ上に固定する。ピエゾアクチュエータ駆動ステージは、実施例1で使用したものと同一のものである。まず、実施例1と同様の手順で、第一の構成要素について、入射X線に対する位置合わせを行う。この調整は、実施例1で述べたように、第一の構成要素の周期構造体表面が、入射X線の光路を、光路と平行に遮って強度がほぼ1/2になるように位置を調整して行う。使用するX線は、MoKα線で、エネルギーは17.5keVである。この位置から、X線の入射位置を中心にして、第一の構成要素を回転させ、入射角を周期共鳴導波モードによるX線伝搬が起こる角度である、多層膜の構造周期15nmに対応するBragg角よりもわずかに小さい角度0.135°に設定する。この角度は、アルミナ層からタングステン層に、同じ17.5keVのX線が入射した際の全反射臨界角よりも小さい角度であり、この伝搬角でコア中を伝搬するX線はクラッド層によって導波路中に閉じ込められる。このようにして位置を決めた第一の構成要素に対して、実施例1と同様の手順で、第二の構成要素の位置を調整する。まず、可動ステージに固定した第二の構成要素を第一の構成要素に対向させ、粗動モードで第一の構成要素と第二の構成要素のコア面同士が接触するようにする。これに続いて、ピエゾステージのz軸を20nm程度動かし、第一の構成要素と第二の構成要素のコア面同士が微小なギャップを介して対向するようにする。ここで、X線を導波路に照射し、検出器でX線をモニターしながら、透過X線強度が最大になるように、第二の構成要素が保持されているピエゾステージのz軸、ω軸、ψ軸を微調整する。透過X線強度が最大になる位置において、第一の構成要素と第二の構成要素の周期構造体は、その周期構造を形成する格子面が平行になり、かつ、それぞれの周期構造体における周期性の位相が互いに一致することになる。最後に、上述のように、X線を導波路に照射しながら、この両構成要素のω軸を同期させて精密に微小角度回転させ、X線強度が最大になる入射角を決定する。この場合のX線入射角も0.14°程度と非常に小さいもので、導波路端面に垂直に近い角度で入射する配置である。以上のように位置の調整された導波路から出射されるX線の遠視野像を、二次元X線検出器で観測することにより、この導波路から出射されるX線の位相が導波路の厚さ方向に揃っているものであることが確認される。本実施例によって、二乗平均粗さが7nm程度の、比較的粗い表面を有する多層膜をコアに用いた場合でも、本発明の構成を用いることにより、良好な周期共鳴導波モードによるX線伝搬を達成することができることが示される。実施例3本実施例は、石英ガラス基材上に形成したタングステンクラッドの上に、非イオン性界面活性剤を構造規定剤として作製したメソポーラスシリカメソ構造体膜を形成した、導波路構成要素2つを対向させ、第一の構成要素を入射X線に対して固定し、該第一の構成要素に対する第二の構成要素の位置を、ピエゾアクチュエータで駆動するステージを用いて精密に制御することで、周期共鳴導波モードによるX線伝搬を可能にする例である。2枚の石英ガラス基板のそれぞれの表面に、スパッタリングによってタングステンを20nm成膜し、クラッド部位とする。このタングステン膜の表面は、原子間力顕微鏡により求められた二乗平均粗さが約1.8nmという、高い平坦性を有している。この上に、実施例1で使用したものと同じシリカメソ構造体膜を、実施例1と同じ手順で作製する。上記、タングステン膜を形成した石英基板に、上記の前駆体溶液を引き上げ速度0.5mm/sでディップコートし、50°Cで60時間乾燥させてシリカメソ構造体膜を得る。このようにして作製したシリカメソ構造体膜をエタノールに浸漬し、界面活性剤を抽出除去する。界面活性剤の除去は、赤外吸収スペクトルによるC―H結合に起因する吸収ピークがほぼ消失することにより確認される。界面活性剤抽出後のメソポーラスシリカ薄膜の構造周期は9.8nm、層数は42層であることがX線回折分析とX線反射率測定より確認される。また、この膜がシリンダー状のメソ細孔を有する2次元ヘキサゴナル構造を有していることが電子顕微鏡観察により明らかとなる。この周期構造を有するメソポーラスシリカ膜は、2つの構成要素において同一である。このシリカメソ構造体薄膜の表面粗さを、原子間力顕微鏡によって評価し、二乗平均粗さが12nmであることが明らかとなる。この、2つの構成要素は、X線の導波方向のサイズが5mmである。実施例1、2と同様に、これら2つの構成要素のうちの一方第一の構成要素を、ホルダーに固定し、前記ホルダーは、第一の構成要素に対するX線の入射角と入射位置を制御するために、ω1、z1可動ステージ上に固定される。一方、第二の構成要素は、ピエゾアクチュエータで駆動する精密可動ステージ上に固定する。ピエゾアクチュエータ駆動ステージは、実施例1、2で使用したものと同じである。まず、実施例1と同様の手順で、第一の構成要素について、入射X線に対する位置合わせを行う。この調整は、実施例1で述べたように、第一の構成要素の周期構造体表面が、入射X線の光路を、光路と平行に遮って強度がほぼ1/2になるように位置を調整して行う。使用するX線は、CuKα線で、エネルギーは8.0keVである。この位置から、X線の入射位置を中心にして、第一の構成要素を回転させ、入射角を周期共鳴導波モードによるX線伝搬が起こる角度である、多層膜の構造周期9.8nmに対応するBragg角よりもわずかに小さい角度0.45°に設定する。この角度は、メソポーラスシリカ層からタングステン層に、同じ8keVのエネルギーのX線が入射した際の全反射臨界角よりも小さい角度であり、この伝搬角でコア中を伝搬するX線はクラッド層によって導波路中に閉じ込められる。このようにして位置を決めた第一の構成要素に対して、実施例1、2と同様の手順で、第二の構成要素の位置を調整する。まず、可動ステージに固定した第二の構成要素を第一の構成要素に対向させ、粗動モードで第一の構成要素と第二の構成要素のコア面同士が均等に接触するようにする。この状態から、ピエゾステージのz軸を20nm程度動かし、第一の構成要素と第二の構成要素のコア面同士が微小なギャップを介して対向するようにする。ここで、X線を導波路に照射し、検出器でX線をモニターしながら、透過X線強度が最大になるように、第二の構成要素が保持されているピエゾステージのz軸、ω軸、ψ軸を微調整する。透過X線強度が最大になる位置において、第一の構成要素と第二の構成要素の周期構造体は、その周期構造を形成する格子面が平行になり、かつ、それぞれの周期構造体における周期性の位相が互いに一致することになる。最後に、上述のように、X線を導波路に照射しながら、この両構成要素のω軸を同期させて精密に微小角度回転させ、X線強度が最大になる入射角を決定する。この場合のX線入射角は0.45°程度と非常に小さいものである。以上のように位置の調整された導波路から出射されるX線の遠視野像を、二次元X線検出器で観測することにより、この導波路から出射されるX線の位相が導波路の厚さ方向に揃っているものであることが確認される。本実施例によって、コア表面の二乗平均粗さが10nmを超えるようなメソポーラスシリカ膜をコアに用いた場合でも、本発明の構成を用いることにより、良好な周期共鳴導波モードによるX線伝搬を達成することができることが示される。