第一基板と第二基板との間に、機能素子を含む構造体を挟んでなるTFT基板の製造方法であって、ダミー基板の上に、柱状の結晶粒子からなる金属膜と、前記第一基板と、前記構造体と、前記第二基板とを順に形成した後に、前記金属膜に、レーザー光の焦点を集光させて、前記ダミー基板と前記金属膜とを、前記第一基板と前記構造体と前記第二基板から分離する工程を、少なくとも有することを特徴とするTFT基板の製造方法。前記金属膜は、モリブデン元素を含むことを特徴とする請求項1に記載のTFT基板の製造方法。前記レーザー光として、グリーンレーザー光を用いることを特徴とする請求項1または2に記載のTFT基板の製造方法。ダミー基板とTFT基板との間に挟まれた金属膜を加熱して、該金属膜の結晶構造を熱変化させるレーザーアニール装置であって、前記金属膜に向けてグリーンレーザー光を照射する光源と、前記グリーンレーザー光の焦点を、前記金属膜上で走査させる手段と、を少なくとも有することを特徴とするレーザーアニール装置。前記グリーンレーザー光のパワー密度は、前記金属膜において、367.6[mJ/cm2]以上であることを特徴とする請求項4に記載のレーザーアニール装置。本発明は、以上のような点を考慮してなされたものであり、TFT基板を犠牲層から容易に剥離するとともに、TFT基板とダミー基板とを分離することを可能とする、TFT基板の製造方法を提供することを、第一の目的とする。また、本発明は、金属膜にグリーンレーザー光を照射し、グリーンレーザー光の焦点を金属膜上で走査させることが可能な、レーザーアニール装置を提供することを、第二の目的とする。本発明の請求項1に係るTFT基板の製造方法は、第一基板と第二基板との間に、機能素子を含む構造体を挟んでなるTFT基板の製造方法であって、ダミー基板の上に、柱状の結晶粒子からなる金属膜と、前記第一基板と、前記構造体と、前記第二基板とを順に形成した後に、前記金属膜に、レーザー光の焦点を集光させて、前記ダミー基板と前記金属膜とを、前記第一基板と前記構造体と前記第二基板から分離する工程を、少なくとも有することを特徴とする。本発明の請求項2に係るTFT基板の製造方法は、請求項1において、前記金属膜は、モリブデン元素を含むことを特徴とする。本発明の請求項3に係るTFT基板の製造方法は、請求項1または2において、前記レーザー光として、グリーンレーザー光を用いることを特徴とする。本発明の請求項4に係るレーザーアニール装置は、ダミー基板とTFT基板との間に挟まれた金属膜を加熱して、該金属膜の結晶構造を熱変化させるレーザーアニール装置であって、前記金属膜に向けてグリーンレーザー光を照射する光源と、前記グリーンレーザー光の焦点を、前記金属膜上で走査させる手段と、を少なくとも有することを特徴とする。本発明の請求項5に係るレーザーアニール装置は、請求項4において、前記グリーンレーザー光のパワー密度は、前記金属膜において、367.6[mJ/cm2]以上であることを特徴とする。本発明に係るTFT基板の製造方法によれば、TFT基板をダミー基板から剥離させる際の犠牲層剥離層として金属膜を用いる。金属膜は、ダミー基板側から金属膜に入射したレーザー光を、効率的に吸収する。そして、レーザー光の吸収により、金属膜から熱が発生するため、金属膜と第一基板との密着性が弱まり、TFT基板を金属膜から容易に剥離するとともに、TFT基板とダミー基板とを分離することができる。本発明に係るレーザーアニール装置の構成によれば、金属膜にグリーンレーザー光を照射し、グリーンレーザー光の焦点を金属膜上で走査させることができる。そして、グリーンレーザー光を、金属膜に走査させるとともに吸収させ、熱を発生させることにより、金属膜のTFT基板に対する密着性を弱めることができる。また、従来のようにエキシマレーザー光を照射する光源として用いる場合に比べて、ランニングコストを低く抑えることができる。また、グリーンレーザー光は、目視が可能な光であるため、照射する位置の調整が容易となる。以下、好適な実施形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。<第一実施形態>図1は、第一実施形態に係るTFT基板100の構成例を示す図である。TFT基板100は、第一基板101と第二基板102との間に、機能素子を含む構造体103を挟んでなる。第一基板101は、ポリイミド等のフレキシブルな材料により構成された、平板状の基材である。第二基板102は、ポリイミド等のフレキシブルな材料により構成された、平板状の基材であってもよいし、ガラスやプラスティック等により構成された、剛性を有する平板状の基材であってもよい。第一基板101および第二基板102が、いずれもフレキシブルな材料により構成される場合には、製造されるTFT基板100を、紙のように柔軟な表示装置とすることができる。機能素子を含む構造体103は、薄膜トランジスタTFTとしての動作を実現させるものであればよく、その内部構成が限定されることはない。[TFT基板の製造方法]図2a~d、3a、bは、第一実施形態に係るTFT基板の製造工程図である。第一実施形態に係るTFT基板100の製造方法について、図2a~d、3a、bを用いて説明する。まず、図2aに示すように、プロセス処理中の被処理体を支持する、ダミー基板104の一方の主面104aに、犠牲層剥離層として機能させる金属膜105を形成する。ダミー基板104は、後の工程にてレーザー光を照射するため、レーザー光に対して比較的透明な、ガラス基板等を用いることが望ましい。金属膜105は、柱状の結晶粒子で構成され、厚さは10~500[nm]である。また、金属膜105は、モリブデンMo、アルミニウムAl、チタンTi、クロムCr、ニッケルNi等の元素を少なくとも含む、純金属膜であることが望ましい。なお、図1aでは、ダミー基板の一方の主面104aのうち全域に、金属膜105を形成する例を示したが、金属膜105を必ずしも全域に形成する必要はなく、剥離する領域に適宜形成すればよい。次に、図2bに示すように、金属膜105の上に、第一基板101を形成する。このとき、第一基板101の一方の主面101aが、ダミー基板の一方の主面104aと対向するとともに、第一基板101は、金属膜105を介してダミー基板104と接合された状態となる。次に、図2cに示すように、第一基板の他方の主面101bに、TFT形成用の所定のプロセス処理を行って、機能素子を含む構造体103を形成する。次に、図2dに示すように、構造体103の上に、剛性を有する第二基板102を形成する。このとき、第二基板102の一方の主面102aが、第一基板の他方の主面と対向するとともに、第二基板102は、構造体103を介して第一基板101と接合された状態となる。なお、構造体103の上に第二基板102を形成しておくことにより、後述の工程において分離されたTFT基板が、フレキシブル性を有する第一基板101とともに反って変形するのを抑えることができる。次に、図3aに示すように、ダミー基板104側から金属膜105に向けてレーザー光Lを照射し、金属膜105の第一基板101側の表面に、レーザー光の焦点Laを集光させて走査する。これにより、図3bに示すように、第一基板101から金属膜105を剥離するとともに、ダミー基板104と金属膜105とを、第一基板101と構造体103と第二基板102とから分離することができる。そして、分離した第一基板101と構造体103と第二基板102とで構成される、TFT基板100を得ることができる。以上説明したように、第一実施形態に係るTFT基板100の製造方法によれば、TFT基板100をダミー基板104から剥離させる際の犠牲層剥離層として金属膜105を用いる。金属膜105は、ダミー基板104側から金属膜105に入射したレーザー光を、効率的に吸収する。そして、レーザー光の吸収により、金属膜105から熱が発生するため、金属膜105と第一基板101との密着性が弱まり、TFT基板100を金属膜105から容易に剥離するとともに、TFT基板100とダミー基板104とを分離することができる。なお、TFT基板100から金属膜105を剥離させる工程においては、金属膜105に向けて照射するレーザー光として、グリーンレーザー光や、YAGレーザー等の赤外光を用いることが望ましい。一例として、グリーンレーザー光の照射を実現する光学系について、以下に説明する。[グリーンレーザー光照射装置]図4は、図3a、bに示した、TFT基板100を金属膜105およびダミー基板104から分離する工程を実現するために用いる、レーザーアニール装置200の斜視図である。レーザーアニール装置200は、被処理体202の仕込み/取り出し室201と、被処理体202に対してレーザーアニール処理を行うアニール室203と、グリーンレーザー光発振器205と、それらの制御盤操作盤207とで構成される。被処理体202は、図2dに示した工程後の状態であって、TFT基板100とダミー基板104とが、金属膜105を介して接合してなるものとする。アニール室203内には、被処理体202を支持固定するステージ204が配されている。アニール室203は、被処理体202の搬送路不図示を介して、仕込み/取り出し室201と接続されている。また、アニール室203は、グリーンレーザー光Lの導光路206を介して、グリーンレーザー光発振器205と接続されている。導光路光学系206は、グリーンレーザー光Lを所望の形状となるように成形しつつ、グリーンレーザー光発振器205内に配された光源不図示から、アニール室203内に配された被処理体202へ導く機能を備えている。制御盤操作盤207は、仕込み/取り出し室201、アニール室203、グリーンレーザー光発信器205のそれぞれと電気的に接続されている。図5は、図4に示した導光路光学系206の構成例について、説明する図である。導光路206は、レーザー光の反射用ミラー209、誘導用レンズ210、成形用レンズ211を備えている。グリーンレーザー光Lは、反射用ミラー209および誘導用レンズ210によって構成される導光路206を経由して、被処理体202に到達する。また、グリーンレーザー光Lは、導光路206を経由する間に、成形用レンズ211によって、所望の形状となるように成形される。図6は、図4に示した被処理体202における、グリーンレーザー光Lの照射部を拡大し、ダミー基板104、金属膜105のみを模式的に示した図である。被処理体202に照射されたグリーンレーザー光Lは、ダミー基板104を透過して、金属膜105内に入射し、金属膜105において、焦点が集光されるように制御される。グリーンレーザー光Lが照射された領域105aにおいては、金属膜105の改質し、グリーンレーザー光Lが照射されていない領域105bに比べて、金属膜105とTFT基板100との密着性が弱まることになる。図6においては、Y方向の広がりLbを有する線状帯状のグリーンレーザー光Lを、X方向に走査する例を示しているが、グリーンレーザー光Lの形状および走査方法は、この例に限定されない。すなわち、例えば、点状のグリーンレーザー光LをX方向およびY方向に走査させてもよいし、X方向に広がりをもった線状または帯状のグリーンレーザー光Lを、Y方向に走査させてもよい。金属膜105に対するグリーンレーザー光Lの照射位置の移動は、グリーンレーザー光Lを走査させて行ってもよいが、ステージ204をグリーンレーザー光Lと相対的に移動させて行ってもよい。グリーンレーザー光Lは、金属膜105において、所望のパワー密度となるように調整される。表1は、TFT基板を金属膜105から剥離させるのに必要な、グリーンレーザー光のパワー密度を調べる実験を行い、その結果をまとめたものである。表1の左欄の数値は、金属膜105における、グリーンレーザー光Lのパワー密度を示し、各パワー密度で照射された場合における、TFT基板と金属膜105との剥離の可否を、表1の右欄に示している。表1に示す実験結果によれば、金属膜105において、パワー密度が367.6[mJ/cm2]以上である場合に、TFT基板を金属膜105から剥離することが可能となる。なお、金属膜105において、パワー密度がこの範囲に保たれるならば、グリーンレーザー光Lは、金属膜105に対して、垂直に照射されなくてもよい。上述したレーザーアニール装置200の構成によれば、金属膜105にグリーンレーザー光Lを照射し、グリーンレーザー光の焦点Laを金属膜105上で走査させることができる。そして、グリーンレーザー光の焦点Laを、金属膜105において走査させることにより、金属膜105のTFT基板に対する密着性を弱めることができる。また、従来のようにエキシマレーザー光を照射する光源を用いる場合に比べて、ランニングコストを低く抑えることができる。また、グリーンレーザー光Lは、目視が可能な光であるため、照射する位置の調整が容易となる。