第1の基板と、一面の一側または両側に前記第1の基板との連結のためのパッドが形成され、他面には外部との連結のための外部接続端子が形成された第2の基板と、一端は前記第1の基板上に接合され、他端は前記第2の基板のパッドと接合されて、前記第1の基板と第2の基板とを垂直に連結するリードフレームと、を含むパワーモジュールパッケージ。前記リードフレームの他端が、前記第2の基板の一面の一側に形成されたパッドと接合される請求項1に記載のパワーモジュールパッケージ。前記リードフレームの他端が、前記第2の基板の一面の両側に形成されたパッドと接合される請求項1に記載のパワーモジュールパッケージ。前記第2の基板は、前記外部接続端子と電気的に連結されるように形成されたビアをさらに含む請求項1に記載のパワーモジュールパッケージ。前記第2の基板のパッドと接合されるリードフレームの他端はダウンセットdown-set形態である請求項1に記載のパワーモジュールパッケージ。前記リードフレームの他端と前記第2の基板のパッドとは半田付けによって接合される請求項1に記載のパワーモジュールパッケージ。前記第1の基板上に接合されたリードフレーム上に実装される第1の半導体チップと、前記第2の基板上に実装される第2の半導体チップと、をさらに含む請求項1に記載のパワーモジュールパッケージ。前記第1の半導体チップは電力素子であり、前記第2の半導体チップは前記電力素子の駆動を制御するための制御素子である請求項7に記載のパワーモジュールパッケージ。前記第1の基板は陽極酸化層を有する金属基板である請求項1に記載のパワーモジュールパッケージ。前記第2の基板は印刷回路基板PrintedCircuitBoard:PCBである請求項1に記載のパワーモジュールパッケージ。前記第1の基板の側面から前記第2の基板の側面まで包むように形成された封止樹脂をさらに含み、前記第1の基板及び第2の基板は前記リードフレームによって連結される請求項1に記載のパワーモジュールパッケージ。リードフレームの一端が接合された第1の基板を準備する段階と、一面の一側または両側には前記第1の基板との連結のためのパッドが形成され、他面には外部との連結のための外部接続端子が形成された第2の基板を準備する段階と、前記リードフレームの他端と前記第2の基板のパッドとを接合し、前記第1の基板と第2の基板とを垂直に連結する段階と、を含むパワーモジュールパッケージの製造方法。前記第1の基板と第2の基板とを垂直に連結する段階は、前記リードフレームの他端と前記第2の基板の一側に形成されたパッドとを接合して行われる請求項12に記載にパワーモジュールパッケージの製造方法。前記第1の基板と第2の基板とを垂直に連結する段階は、前記リードフレームの他端と前記第2の基板の両側に形成されたパッドとを接合して行われる請求項12に記載のパワーモジュールパッケージの製造方法。前記第2の基板を準備する段階は、前記第2の基板に前記外部接続端子と電気的に連結されるビアを形成する段階をさらに含む請求項12に記載のパワーモジュールパッケージの製造方法。前記第1の基板を準備する段階の後に、前記第1の基板に接合されたリードフレーム上に第1の半導体チップを実装する段階をさらに含む請求項12に記載のパワーモジュールパッケージの製造方法。前記第2の基板を準備する段階の後に、前記第2の基板の上部に第2の半導体チップを実装する段階をさらに含む請求項12に記載のパワーモジュールパッケージの製造方法。前記第1の基板と第2の基板とを垂直に連結する段階の後に、前記第1の基板の側面から前記第2の基板の側面まで包む封止樹脂を形成する段階をさらに含む請求項12に記載のパワーモジュールパッケージの製造方法。前記第1の基板は陽極酸化層を有する金属基板である請求項12に記載のパワーモジュールパッケージの製造方法。前記第2の基板は印刷回路基板PrintedCircuitBoard:PCBである請求項12に記載のパワーモジュールパッケージの製造方法。本発明は上述の従来技術の問題点を解決するためのものであり、本発明の一側面は、製品全体の小型化が可能なパワーモジュールパッケージ及びその製造方法を提供することをその目的とする。本発明の他の側面は、一般基板に比べ高価である放熱基板の面積を減少させることにより、製品原価を低減させることができるパワーモジュールパッケージ及びその製造方法を提供することをその目的とする。本発明のさらに他の側面は、外部との連結のためのリードフレームの使用を減少させることにより、製品原価を低減させることができるパワーモジュールパッケージ及びその製造方法を提供することをその目的とする。本発明の一実施例によるパワーモジュールパッケージは、第1の基板と、一面の一側または両側に前記第1の基板との連結のためのパッドが形成され、他面には外部との連結のための外部接続端子が形成された第2の基板と、一端は前記第1の基板上に接合され、他端は前記第2の基板のパッドと接合されて、前記第1の基板と第2の基板とを垂直に連結するリードフレームと、を含む。この際、前記リードフレームの他端が、前記第2の基板の一面の一側に形成されたパッドと接合されることができる。また、前記リードフレームの他端が、前記第2の基板の一面の両側に形成されたパッドと接合されることができる。また、前記第2の基板は、前記外部接続端子と電気的に連結されるように形成されたビアをさらに含むことができる。また、前記第2の基板のパッドと接合されるリードフレームの他端はダウンセットdown-set形態であることができ、前記リードフレームの他端と前記第2の基板のパッドとは半田付けによって接合されることができる。また、前記第1の基板上に接合されたリードフレーム上に実装される第1の半導体チップと、前記第2の基板上に実装される第2の半導体チップと、をさらに含むことができ、前記第1の半導体チップは電力素子であり、前記第2の半導体チップは前記電力素子の駆動を制御するための制御素子であることができる。ここで、前記第1の基板は陽極酸化層を有する金属基板であることができ、前記第2の基板は印刷回路基板PrintedCircuitBoard:PCBであることができる。また、前記第1の基板の側面から前記第2の基板の側面まで包むように形成された封止樹脂をさらに含み、前記第1の基板及び第2の基板は前記リードフレームによって連結されることができる。また、本発明の一実施例によるパワーモジュールパッケージの製造方法は、リードフレームの一端が接合された第1の基板を準備する段階と、一面の一側または両側には前記第1の基板との連結のためのパッドが形成され、他面には外部との連結のための外部接続端子が形成された第2の基板を準備する段階と、前記リードフレームの他端と前記第2の基板のパッドとを接合し、前記第1の基板と第2の基板とを垂直に連結する段階と、を含む。この際、前記第1の基板と第2の基板とを垂直に連結する段階は、前記リードフレームの他端と前記第2の基板の一側に形成されたパッドとを接合して行われることができる。また、前記第1の基板と第2の基板とを垂直に連結する段階は、前記リードフレームの他端と前記第2の基板の両側に形成されたパッドとを接合して行われることができる。また、前記第2の基板を準備する段階は、前記第2の基板に前記外部接続端子と電気的に連結されるビアを形成する段階をさらに含むことができる。また、前記第1の基板を準備する段階の後に、前記第1の基板に接合されたリードフレーム上に第1の半導体チップを実装する段階をさらに含むことができる。また、前記第2の基板を準備する段階の後に、前記第2の基板の上部に第2の半導体チップを実装する段階をさらに含むことができる。また、前記第1の基板と第2の基板とを垂直に連結する段階の後に、前記第1の基板の側面から前記第2の基板の側面まで包む封止樹脂を形成する段階をさらに含むことができる。この際、前記第1の基板は陽極酸化層を有する金属基板であることができ、前記第2の基板は印刷回路基板PrintedCircuitBoard:PCBであることができる。本発明の特徴及び利点は添付図面に基づいた以下の詳細な説明によってさらに明らかになるであろう。本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び請求範囲に用いられた用語や単語は通常的かつ辞書的な意味に解釈されてはならず、発明者が自らの発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されるべきである。本発明は、電力素子と制御素子とを3次元的構造に分離することにより、電力素子から発生した熱が制御素子に及ぶ影響を最小化し、制御素子が損傷することを防止することができる効果がある。また、本発明は、電力素子が実装された電力部と制御素子が実装された制御部とを3次元的構造に配置することにより、平面基準の製品サイズを小型化し、メイン基板上でパワーモジュールパッケージが占める面積を減少させることができる効果がある。また、本発明は、高価の放熱基板には電力素子のみを実装し、制御素子は別の印刷回路基板に実装するため、用いる放熱基板のサイズを減少させることができ、製品原価を低減する効果がある。また、本発明は、制御素子が実装された制御部をビア及び外部接続端子を介してメイン基板と電気的に連結させることが可能であるため、リードフレームの使用を減少させ、製品原価を低減する効果がある。本発明の目的、特定の長所及び新規の特徴は添付図面に係る以下の詳細な説明及び好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ異なる図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。また、本発明を説明するにあたり、係わる公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不明瞭にする可能性があると判断される場合には、その詳細な説明を省略する。本明細書において、第1、第2などの用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別するために用いられるものであり、構成要素は前記用語によって限定されない。以下、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。パワーモジュールパッケージ<第1実施例>図1は本発明の第1実施例によるパワーモジュールパッケージの構造を示す断面図である。図1を参照すると、本実施例によるパワーモジュールパッケージ100は、第1の基板110と、第2の基板120と、第1の基板110と第2の基板120とを連結するリードフレーム140と、を含む。第1の基板110は第1の半導体チップ130aが実装される基板であり、本実施例における第1の基板110は陽極酸化層110aを有する金属基板110bであることができるが、特にこれに限定されるものではなく、例えば、印刷回路基板PrintedCircuitBoard:PCB、セラミック基板、DBCDirectBondedCopper基板を含むことができる。金属基板110bとしては、例えば、比較的安価で手軽に入手できる金属材料だけでなく、熱伝逹特性が非常に優れたアルミニウムAlまたはアルミニウム合金が用いられることができる。金属基板110bは熱伝逹特性が非常に優れ、第1の半導体チップ130aから放出される熱を放熱する放熱部材の機能を遂行するため、別の放熱部材が不要となる。また、陽極酸化層110aは、例えば、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属基板110bを、ホウ酸、リン酸、硫酸、クロム酸などの電解液に浸漬した後、金属基板110bに陽極を印加し、電解液に陰極を印加することにより生成されるものであり、絶縁性能を有し、約10~30W/mkの比較的高い熱伝達特性を有する。本実施例では、金属基板110bとしてアルミニウムまたはアルミニウム合金を用いるため、アルミニウム陽極酸化膜Al2O3が形成されることができる。陽極酸化層110aは絶縁性を有するため、第1の基板110への回路層の形成を可能にし、一般的な絶縁層より薄い厚さに形成することができるため、金属基板110bと第1の半導体チップ130aとの距離を減らすことにより、放熱性能をさらに向上させるとともに、パワーモジュールパッケージの薄型化を可能にする。上述の第1の基板110上には、図1に示すように、リードフレーム140の一端が接合され、第1の基板110上に接合されたリードフレーム140上には第1の半導体チップ130aが実装されることができる。ここで、リードフレーム140は一般的に熱伝導性が高い銅からなることができるが、特にこれに限定されるものではない。この際、図1には図示されていないが、接着部材不図示を利用して第1の半導体チップ130aをリードフレーム140上に付着することができ、前記接着部材不図示は導電性または非伝導性であることができる。例えば、前記接着部材は、メッキによって形成されることができ、導電性ペーストまたは導電性テープであることができる。また、前記接着部材は、半田solder、金属エポキシ、金属ペースト、樹脂系エポキシ、または耐熱性に優れた接着テープであることができる。例えば、前記接着部材として用いられる接着テープは、常用化された公知のガラステープ、シリコンテープ、テフロンテープ、ステンレス箔テープ、セラミックテープなどのような高温テープが用いられることができ、また、前記接着部材は上述の材料を組み合わせて形成することができるが、特にこれに限定されるものではない。ここで、第1の半導体チップ130aは、シリコン制御整流器SCR、電力トランジスタ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBT、モストランジスタ、電力整流器、電力レギュレータ、インバータ、コンバータ、またはこれらが組み合わされた高電力半導体チップまたはダイオードが用いられることができる。上述したように、リードフレーム140に実装された第1の半導体チップ130aは、ワイヤ135aボンディングによってリードフレーム140と電気的に連結されることができる。この際、ワイヤ135aボンディング工程は、当技術分野において公知されたボールボンディングballbonding、ウェッジボンディングwedgebonding及びスティッチボンディングstitchbondingによって行われることができる。一方、図1では、リードフレーム140上に実装された二つの第1の半導体チップ130aが全て同じリードフレーム140にワイヤ135aボンディングされているように図示されているが、これは、断面図で図式化したためそのように見えるだけであり、夫々の第1の半導体チップ130aが相違するリードフレーム140とワイヤ135aボンディングされるということは、当業者であれば分かる自明な事項である。本実施例において、第2の基板120は印刷回路基板PrintedCircuitBoard:PCBであることができ、第2の基板120上には第2の半導体チップ130bが実装されることができる。また、図1では、第2の基板120は断層印刷回路基板で図示されたが、これは、図面を簡略に示すためのものであり、断層または多層印刷回路基板であることができる。本実施例において、第2の基板120には、接続パッド121a、ビア121c及び回路パターン121bを含む回路層121が形成されることができる。回路層121は電解メッキ層または無電解メッキ層であることができるが、特にこれに限定されるものではない。また、回路層121は、金属のような導電性物質、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金またはこれらの組み合わせ、ニッケル、金、またはこれらの合金を含むことができるが、特にこれに限定されるものではない。この際、第2の半導体チップ130bも第1の半導体チップ130aと同様に、接着部材不図示を利用して第2の基板120上に実装されることができ、第2の基板120に実装された第2の半導体チップ130bは、回路パターン121bとワイヤ135bボンディングによって電気的に連結されることができる。第2の基板120に形成される回路層121のうち接続パッド121aは、図1に示すように、その一端が第1の基板110に接合されたリードフレーム140の他端と接合される部分であり、この際、接続パッド121aとリードフレーム140の他端は半田付けによって接合されることができる。本実施例では、第2の基板120の上面一側にのみ接続パッド121aが形成されており、図1の断面図に図示したように、一つのリードフレーム140の一端が第1の基板110の上面全体に接合されており、他端は第2の基板120の上面一側に形成された接続パッド121aと接合される。この際、図1に図示した断面上には、一つのリードフレーム140のみが図示されているが、複数のリードフレーム140が第1の基板110と第2の基板120との間に図1のような形態に接合されていることができるということはいうまでもない。即ち、第1の基板110の上面全体に接合された複数のリードフレーム140の他端が第2の基板の上面一側に形成された接続パッド121aと接合され、第1の基板110と第2の基板120とが、図1に示すように、垂直形態に連結される。また、第2の基板120の接続パッド121aに接するリードフレーム140の他端はダウンセットdown-set形態であることができるが、特にこれに限定されるものではない。また、図1に図示したように、第2の基板120は、ビア121cと連結された回路パターン121bに形成された外部接続端子123をさらに含むことができる。外部接続端子123は、以後、本実施例によるパワーモジュールパッケージ100が実装されるメイン基板不図示と第2の基板120との電気的な連結のための手段であり、本実施例では、第2の基板120と接合される別のリードフレームを用いることなく、ビア121c及び外部接続端子123を介して第2の基板120を外部と連結することができる。ここで、外部接続端子123は半田ボールであることができるが、特にこれに限定されるものではない。このように、本実施例は、第2の基板120と外部との連結のための別のリードフレームが不要であるため、リードフレームの使用を減らすことにより、製品単価を低減させることができる。上述したように、第2の基板120には第2の半導体チップ130bが実装されることができるが、ここで、第2の半導体チップ130bは、上述の高電力半導体チップを制御するための低電力半導体チップ、例えば、電力素子を制御するための制御素子を含むことができる。即ち、高電力半導体チップに比べ、熱的/電気的に弱い低電力半導体チップが実装された第2の基板120を、高電力半導体チップが実装された第1の基板110と分離製作して、3次元的構造に配置結合することにより、高電力半導体チップから発生する熱による影響が低電力半導体チップに及ぶことを防止することができる。また、高電力半導体チップのみを放熱基板である第1の基板に実装し、低電力半導体チップは印刷回路基板である第2の基板に実装することにより、用いる放熱基板のサイズを減らすことができ、製品の製造コストを低減させることができる。また、電力部と制御部とを夫々別に製作することにより、一つの基板上に全て集積する場合に比べ、回路の設計自由度を向上させることができる。また、図1に示すように、本実施例によるパワーモジュールパッケージは、第1の基板110の側面から第2の基板120の側面まで包む封止樹脂150をさらに含むことができ、ここで、第1の基板及び第2の基板はリードフレーム140によって連結される。封止樹脂150は、ワイヤ135a、135bを含んで第1の半導体チップ130a及び第2の半導体チップ130bを外部環境から保護するためのものであり、例えば、エポキシモールディングコンパウンドEpoxyMoldingCompound:EMCなどが用いられることができるが、特にこれに限定されるものではない。<第2実施例>図2は本発明の第2実施例によるパワーモジュールパッケージの構造を示す断面図である。本実施例では、第1実施例と重複される構成についての説明は省略し、第1実施例と同一の構成に対しては、同一の図面符号を付ける。図2を参照すると、本実施例によるパワーモジュールパッケージ200は、第1の基板110と、第2の基板120と、第1の基板110と第2の基板120とを連結するリードフレーム140a、140bと、を含む。本実施例では、前記第1実施例の構造とは異なって、図2の断面図に図示したように、二つのリードフレーム140a、140bの一端が第1の基板110の上面に離隔して接合されており、各リードフレーム140a、140bの他端は第2の基板120の上面の両側に形成された接続パッド121aに夫々接合される。即ち、第1の基板110の上面には二つのリードフレーム140a、140b夫々の一端が接合されており、第1の基板110の上面に一端が接合された二つのリードフレーム140a、140bの他端は夫々第2の基板120の上面の両側に形成された接続パッド121aに接合されている。この際、各リードフレーム140a、140bの他端はダウンセットdown-set形態であることができるが、特にこれに限定されるものではない。また、図2には、二つのリードフレーム140a、140bの一端が第1の基板110の上面に離隔して接合された形態が図示されているが、二つのリードフレーム140a、140bの一端が互いに連結された状態で第1の基板110の上面に接合されることも可能である。また、図2に図示した断面上には、左右一対のリードフレーム140a、140bが図示されているが、複数対のリードフレーム140が図1のような形態に第1の基板110と第2の基板120に接合されていることは自明である。このように、一対のリードフレーム140a、140bによって第1の基板110と第2の基板120との左右両側を結合することにより、上述の第1実施例によるパワーモジュールパッケージ100に比べ、機械的安定度がさらに向上し、工程が安定して行われることができる。パワーモジュールパッケージの製造方法<第1実施例>図3から図8は本発明の第1実施例によるパワーモジュールパッケージの製造方法を順に示す工程断面図である。まず、図3を参照すると、リードフレーム140が接合された第1の基板110を準備する。この際、第1の基板110は第1の半導体チップ130aが実装される基板であり、本実施例における第1の基板110は陽極酸化層110aを有する金属基板110bであることができるが、特にこれに限定されるものではなく、例えば、印刷回路基板PrintedCircuitBoard:PCB、セラミック基板、DBCDirectBondedCopper基板を含むことができる。金属基板110bとしては、例えば、比較的安価で手軽に入手できる金属材料だけでなく、熱伝逹特性が非常に優れたアルミニウムAlまたはアルミニウム合金が用いられることができる。金属基板110bは熱伝逹特性が非常に優れ、第1の半導体チップ130aから放出される熱を放熱する放熱部材の機能を遂行するため、別の放熱部材が不要となる。また、陽極酸化層110aは、例えば、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属基板110bを、ホウ酸、リン酸、硫酸、クロム酸などの電解液に浸漬した後、金属基板110bに陽極を印加し、電解液に陰極を印加することにより生成されるものであり、絶縁性能を有し、約10~30W/mkの比較的高い熱伝達特性を有する。本実施例では、金属基板110bとしてアルミニウムまたはアルミニウム合金を用いるため、アルミニウム陽極酸化膜Al2O3が形成されることができる。陽極酸化層110aは絶縁性を有するため、第1の基板110への回路層の形成を可能にし、一般的な絶縁層より薄い厚さに形成することができるため、金属基板110bと第1の半導体チップ130aとの距離を減らすことにより、放熱性能をさらに向上させるとともに、パワーモジュールパッケージの薄型化を可能にする。この際、リードフレーム140は第1の基板110の上面全体に接合されることができるが、特にこれに限定されるものではなく、リードフレーム140のうち一端が第1の基板110に接合されることもできる。また、第1の基板110から突出されたリードフレーム140の他端はダウンセットdown-set形態であることができるが、特にこれに限定されるものではない。次に、図4を参照すると、第1の基板110に接合されたリードフレーム140上に第1の半導体チップ130aを実装した後、実装された第1の半導体チップ130aとリードフレーム140とをワイヤ135aボンディングする。本実施例における第1の半導体チップ130aは、シリコン制御整流器SCR、電力トランジスタ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBT、モストランジスタ、電力整流器、電力レギュレータ、インバータ、コンバータ、またはこれらが組み合わされた高電力半導体チップまたはダイオードが用いられることができる。この際、図4には図示されていないが、接着部材不図示を利用して第1の半導体チップ130aをリードフレーム140上に付着することができ、前記接着部材不図示は導電性または非伝導性であることができる。例えば、前記接着部材は、メッキによって形成されることができ、導電性ペーストまたは導電性テープであることができる。また、前記接着部材は、半田solder、金属エポキシ、金属ペースト、樹脂系エポキシ、または耐熱性に優れた接着テープであることができる。例えば、前記接着部材として用いられる接着テープは、常用化された公知のガラステープ、シリコンテープ、テフロンテープ、ステンレス箔テープ、セラミックテープなどのような高温テープが用いられることができ、また、前記接着部材は上述の材料を混合して形成することができるが、特にこれに限定されるものではない。また、ワイヤ135aを利用して第1の半導体チップ130aとリードフレーム140とを連結する工程は、当技術分野において公知されたボールボンディングballbonding、ウェッジボンディングwedgebonding及びスティッチボンディングstitchbondingによって行われることができる。一方、図4では、一つのリードフレーム140上に二つの第1の半導体チップ130aが実装され、二つの第1の半導体チップ130aが全て同じリードフレーム140とワイヤ135aボンディングされているように図示されているが、第1の基板110上には一つのリードフレーム140でなく、複数のリードフレーム140が接合されていることができ、各リードフレーム140には三つ以上の第1の半導体チップ130aが実装されることができるということはいうまでもない。また、各第1の半導体チップ130aが相違するリードフレーム140とワイヤ135aボンディングされるということは自明である。次に、図5を参照すると、第2の基板120を準備する。第2の基板120は、接続パッド121a、ビア121c及び回路パターン121bを含む回路層121と、回路パターン121b上に形成された外部接続端子123と、を含む印刷回路基板PrintedCircuitBoard:PCBであることができる。本実施例において、回路層121は電解メッキまたは無電解メッキによって形成されることができるが、特にこれに限定されるものではない。また、外部接続端子123は半田ボールであることができるが、特にこれに限定されるものではない。また、本実施例において、接続パッド121aは第2の基板120の上面一側に形成されることができる。次に、図6を参照すると、第2の基板120上に第2の半導体チップ130bを実装した後、実装された第2の半導体チップ130bと回路パターン121bとをワイヤ135bボンディングして連結する。この際、第2の半導体チップ130bは、別の接着部材不図示を利用して第2の基板120上に付着することができる。ここで、第2の半導体チップ130bは、上述の高電力半導体チップの駆動を制御するための低電力半導体チップ、例えば、電力素子を制御するための制御素子を含むことができる。また、第2の半導体チップ130bが第2の基板120のビア121cと直接的に連結される場合は珍しく、ビア121cと連結された回路パターン121bとワイヤ135bボンディングによって連結されることが一般的である。また、図6では、第2の基板120上に一つの第2の半導体チップ130bが実装されていると図示しているが、二つ以上の第2の半導体チップ130bが実装されることもできるということはいうまでもない。本実施例では、第1の基板110を準備した後、第2の基板120を準備すると記載しているが、特にこれに限定されるものではなく、第1の基板110と第2の基板120とを同時に準備することもでき、第2の基板120を先に準備し、第1の基板110を後で準備することも可能である。次に、図7に示すように、第1の半導体チップ130aが実装された第1の基板110と第2の半導体チップ130bが実装された第2の基板120とを、第1の半導体チップ130aと第2の半導体チップ130bとが互いに対向するように配置した後、図8に示すように、第1の基板110に接合されたリードフレーム140の他端と第2の基板120の上面一側に形成された接続パッド121aとを接合する。この際、リードフレーム140の他端と第2の基板120の接続パッド121aとは、半田付けによって接合されることができる。このように、リードフレーム140を利用して第1の基板110と第2の基板120とを垂直に連結することにより、高電力半導体チップである第1の半導体チップ130aと低電力半導体チップである第2の半導体チップ130bとを熱的に分離することにより、高電力半導体チップから発生する熱が低電力半導体チップに及ぶ影響を最小化することができる。また、高電力半導体チップである第1の半導体チップ130aと低電力半導体チップである第2の半導体チップ130bとを、夫々放熱基板と印刷回路基板上に別に製作することにより、高価の放熱基板の使用を減らし、製品原価を低減することができる。次に、本発明によるパワーモジュールパッケージの製造方法は、図8に示すように、第1の基板110の側面から第2の基板120の側面まで包む封止樹脂150を形成する段階をさらに含むことができ、ここで、前記第1の基板110及び第2の基板120はリードフレーム140によって互いに垂直に連結される。封止樹脂150は、ワイヤ135a、135bを含んで第1の半導体チップ130a及び第2の半導体チップ130bを外部環境から保護するためのものであり、例えば、エポキシモールディングコンパウンドEpoxyMoldingCompound:EMCなどが用いられることができるが、特にこれに限定されるものではない。次に、図8に示すように、封止樹脂150の外部に突出されたリードフレーム140の他端に対して、トリム/フォーミングtrim/forming工程を含む通常の後続工程を行うことができる。<第2実施例>図9から図14は本発明の第2実施例によるパワーモジュールパッケージの製造方法を順に示した工程断面図である。本実施例では、前記第1実施例と同一の構成に対しては同一の図面符号を付け、前記第1実施例と重複される構成についての説明は省略する。まず、図9を参照すると、リードフレーム140a、140bが接合された第1の基板110を準備する。本実施例では、図9に示すように、第1の基板110上に一対のリードフレーム140a、140bの一端を接合する。この際、第1の基板110上に一端が接合された一対のリードフレーム140a、140b夫々の他端はダウンセットdown-set形態であることができるが、特にこれに限定されるものではない。また、図9では、第1の基板110に一対のリードフレーム140a、140bが接合されていると図示しているが、複数対のリードフレーム140a、140bが接合されることもできるということは自明である。また、一対のリードフレーム140a、140bは、互いに離隔されるように第1の基板110上に接合されてもよく、互いに連結されるように接合されてもよい。次に、図10を参照すると、第1の基板110上に接合された一対のリードフレーム140a、140b上に第1の半導体チップ130aを実装する。この際、図10には、各リードフレーム140a、140b上に一つの第1の半導体チップ130aが実装されていると図示しているが、複数の第1の半導体チップ130aが実装されることも可能である。次に、図11を参照すると、第2の基板120を準備する。ここで、第2の基板120は、一面、例えば、上面両側に形成された接続パッド121a、ビア121c及び回路パターン121bを含む回路層121が形成された印刷回路基板であることができる。また、図11では、第2の基板120は断層印刷回路基板で図示されているが、これは、図面を簡略に示すためのものであり、断層または多層印刷回路基板であることができる。この際、第2の基板120の下部の回路パターン121bには外部接続端子123が形成されることができ、外部接続端子123は半田ボールであることができる。次に、図12を参照すると、第2の基板120上に第2の半導体チップ130bを実装する。次に、図13に示すように、第1の半導体チップ130aが実装された第1の基板110と第2の半導体チップ130bが実装された第2の基板120とを、第1の半導体チップ130aと第2の半導体チップ130bとが互いに対向するように配置した後、図14に示すように、第1の基板110に接合されたリードフレーム140a、140bの他端と第2の基板120の上面両側に形成された接続パッド121aとを接合して、第1の基板110と第2の基板120とを垂直に連結する。このように、一対のリードフレーム140a、140bで第1の基板110と第2の基板120との両側を接合して垂直に連結することにより、上述の第1実施例において、一側のみを接合して垂直に連結する方法に比べ、機械的安定度をさらに向上させることができる。次に、図14に示すように、第1の基板110の側面から第2の基板120の側面まで包む封止樹脂150を形成する工程及び封止樹脂150の外部に突出されたリードフレーム140a、140bの他端に対してトリム/フォーミングtrim/forming工程を含む通常の後続工程を行うことができ、ここで、前記第1の基板110及び第2の基板120はリードフレーム140a、140bによって互いに垂直に連結される。以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明によるパワーモジュールパッケージ及びその製造方法はこれに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。本発明の単純な変形乃至変更はいずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。