"表面に配線パターンが形成された配線基板と、前記配線パターンに裏面が電気的機械的に接合された電力変換用の半導体スイッチング素子と、前記半導体スイッチング素子の2つの電流出入力電極をそれぞれ外部に導出する第1及び第2の電極導出端子と、前記半導体スイッチング素子の2つの制御電極をそれぞれ外部に導出する第3及び第4の電極導出端子と、前記配線基板に固定され、前記配線パターンの形成領域を露出させる開口を底面に有し、上端が開口された樹脂ケースと、前記樹脂ケースの内側に嵌合して前記樹脂ケースと一体に固定され、前記第1から第4の電極導出端子を保持する端子保持樹脂とを備え、前記第1から第4の電極導出端子はそれぞれ、折り曲げ形成された金属板からなり、前記端子保持樹脂の上面に敷くように配置されて露出する外部接続部と、前記外部接続部より低い位置で前記端子保持樹脂の上面に敷くように配置されて露出する内部接続部と、前記外部接続部と前記内部接続部との間を繋ぎ前記端子保持樹脂に埋設された中間部とを有し、前記端子保持樹脂は、前記外部接続部が配置され前記中間部を埋設保持する第1の渡り部と、前記第1及び第2の電極導出端子の内部接続部を支持する第2の渡り部とを有し、前記第1の渡り部は、前記樹脂ケースの一辺中央部からその対辺中央部に渡るように配置され、前記樹脂ケース内の空間を2分割し、前記第2の渡り部及びこれに支持される前記第1、第2の電極導出端子の内部接続部は、前記第1の渡り部の中央部から両側にそれぞれ延設されて、前記第1の渡り部によって2分割された各空間をさらに2分割し、前記第1の電極導出端子の中間部の一部の上方に前記第2の電極導出端子の中間部が間隔を隔てて重なって配置され、当該間隔に前記端子保持樹脂を構成する樹脂が充填され、前記第1の電極導出端子の内部接続部の幅方向の中央部の上方に前記第2の電極導出端子の内部接続部が間隔を隔てて重なって配置され、当該間隔に前記端子保持樹脂を構成する樹脂が充填され、前記第2の電極導出端子の内部接続部の上面が露出してワイヤボンディング領域を形成し、前記第1の電極導出端子の内部接続部は前記第2の電極導出端子の内部接続部の両側で露出してワイヤボンディング領域を形成し、前記配線パターンの形成領域は、互いに離れた4つに分割されて、前記第1の渡り部及び前記第2の渡り部により4分割された空間にそれぞれ臨むように配置され、前記4分割された空間の各々において、前記半導体スイッチング素子が接合された前記配線パターンと、前記第1の電極導出端子の内部接続部とがワイヤボンディングされ、前記半導体スイッチング素子の表面に形成された電極と、前記第2の電極導出端子の内部接続部とがワイヤボンディングされ、前記樹脂ケース及び前記端子保持樹脂が熱可塑性樹脂からなり、前記4分割された空間の各々に、熱硬化性樹脂が充填されて電気回路が封止されてなる樹脂封止型パワー半導体モジュール。前記第3の電極導出端子の内部接続部が前記第1の渡り部の両端部から両側にそれぞれ延設されて、上面を露出して前記配線パターンの形成領域より外側にワイヤボンディング領域を形成し、前記4分割された空間の各々において、前記第3電極導出端子の内部接続部がワイヤボンディングされて前記半導体素子の表面に形成された制御電極と接続されてなる請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール。前記第4の電極導出端子の内部接続部が前記第1の渡り部の中央部から突出して前記第2の電極導出端子の内部接続部の上方に間隔を隔てて重なって設けられ、上面を露出してワイヤボンディング領域を形成し、前記第2の電極導出端子の内部接続部と前記第4の電極導出端子の内部接続部とがワイヤボンディングされてなる請求項1又は請求項2に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール。前記樹脂ケースと前記端子保持樹脂とからなる組立体は、前記第2の渡り部と平行な辺において、前記樹脂ケースの外周空間と前記4分割された空間の各々とを隣接させて連通させる切欠が形成された側壁を構成し、当該切欠が前記熱硬化性樹脂によって閉塞されてなる請求項1から請求項3のうちいずれか一に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール。前記樹脂ケース及び前記端子保持樹脂は、前記4分割された空間に露出する内面に粗面加工が施されてなり、当該内面に、前記熱硬化性樹脂が接合してなる請求項1から請求項4のうちいずれか一に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール。請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュールを製造するにあたり、前記樹脂ケースを成型し、前記電極導出端子を保持した状態に前記端子保持樹脂を成型し、その後、素子実装済みの前記配線基板と、前記樹脂ケースと、前記電極導出端子を保持した前記端子保持樹脂とを組立て、その後、内部配線を接続し、その後、前記4分割された空間の上方から、前記熱硬化性樹脂を充填する樹脂封止型パワー半導体モジュールの製造方法。請求項4に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュールを製造するにあたり、前記切欠から、前記熱硬化性樹脂を注入して充填する樹脂封止型パワー半導体モジュールの製造方法。請求項5に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュールを製造するにあたり、前記樹脂ケースを成型する時に、前記樹脂ケースを成型する金型の粗面加工された成型面を、前記樹脂ケースを構成する樹脂に転写し、前記端子保持樹脂を成型する時に、前記端子保持樹脂を成型する金型の粗面加工された成型面を、前記端子保持樹脂を構成する樹脂に転写し、その後、当該転写により粗面加工が施された前記樹脂ケース及び前記端子保持樹脂の前記4分割された空間に露出する内面に前記熱硬化性樹脂を接合させる樹脂封止型パワー半導体モジュールの製造方法。特許文献1,2のパワー半導体モジュールにあっては、半導体素子と基板上の配線パターンとがワイヤにより接続され、同配線パターンに外部導出端子の内端部が接合する構造がとられる。このような配線接続構造であると、半導体素子から外部導出端子までの配線接合部が多く生じるため、配線接合の不良が生じる可能性は高まる。また、大電力用途となると、ワイヤ数を増大させ、かつ、外部導出端子と配線パターンとの接触面積も大きくしなければならないから、素子ボンディング領域以外の配線接合領域が面積的に増大し、益々、モジュールを大型化させてしまう。そこで、外部導出端子の内端部と半導体素子とを直接ワイヤボンディングすると、半導体素子から外部導出端子までに配線接合部は減少し、配線接合領域の面積も減少する。しかしながら、このような配線接続構造であると、ワイヤボンディング工程時に外部導出端子を回路基板上の所定位置に配置して回路基板と固定しておかなければならない。主端子同士を積層状に重ねた構造を採る場合に、主端子同士を精度良く配置する必要があるととともに、主端子同士の隙間に樹脂を充填する際には高い樹脂注入圧を要するから、ワイヤボンディング後にこれを行っては、ワイヤに変形や接合不良が生じる可能性が高まる。主端子同士の隙間に充填する樹脂と、ワイヤや半導体素子を被う樹脂とを使い分けることが困難であり、また大型品の樹脂成形が難しい。本発明は以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであって、電力変換用の半導体スイッチング素子が実装された回路を樹脂封止した樹脂封止型パワー半導体モジュール及びその製造方法において、配線インダクタンスの低減性、各半導体スイッチング素子の動作の同時性、樹脂の回路への充填性及び適用性を良好にして、大電力化に対応するために信頼性、生産性、コスト性を向上することを課題とする。以上の課題を解決するための請求項1記載の発明は、表面に配線パターンが形成された配線基板と、前記配線パターンに裏面が電気的機械的に接合された電力変換用の半導体スイッチング素子と、前記半導体スイッチング素子の2つの電流出入力電極をそれぞれ外部に導出する第1及び第2の電極導出端子と、前記半導体スイッチング素子の2つの制御電極をそれぞれ外部に導出する第3及び第4の電極導出端子と、前記配線基板に固定され、前記配線パターンの形成領域を露出させる開口を底面に有し、上端が開口された樹脂ケースと、前記樹脂ケースの内側に嵌合して前記樹脂ケースと一体に固定され、前記第1から第4の電極導出端子を保持する端子保持樹脂とを備え、前記第1から第4の電極導出端子はそれぞれ、折り曲げ形成された金属板からなり、前記端子保持樹脂の上面に敷くように配置されて露出する外部接続部と、前記外部接続部より低い位置で前記端子保持樹脂の上面に敷くように配置されて露出する内部接続部と、前記外部接続部と前記内部接続部との間を繋ぎ前記端子保持樹脂に埋設された中間部とを有し、前記端子保持樹脂は、前記外部接続部が配置され前記中間部を埋設保持する第1の渡り部と、前記第1及び第2の電極導出端子の内部接続部を支持する第2の渡り部とを有し、前記第1の渡り部は、前記樹脂ケースの一辺中央部からその対辺中央部に渡るように配置され、前記樹脂ケース内の空間を2分割し、前記第2の渡り部及びこれに支持される前記第1、第2の電極導出端子の内部接続部は、前記第1の渡り部の中央部から両側にそれぞれ延設されて、前記第1の渡り部によって2分割された各空間をさらに2分割し、前記第1の電極導出端子の中間部の一部の上方に前記第2の電極導出端子の中間部が間隔を隔てて重なって配置され、当該間隔に前記端子保持樹脂を構成する樹脂が充填され、前記第1の電極導出端子の内部接続部の幅方向の中央部の上方に前記第2の電極導出端子の内部接続部が間隔を隔てて重なって配置され、当該間隔に前記端子保持樹脂を構成する樹脂が充填され、前記第2の電極導出端子の内部接続部の上面が露出してワイヤボンディング領域を形成し、前記第1の電極導出端子の内部接続部は前記第2の電極導出端子の内部接続部の両側で露出してワイヤボンディング領域を形成し、前記配線パターンの形成領域は、互いに離れた4つに分割されて、前記第1の渡り部及び前記第2の渡り部により4分割された空間にそれぞれ臨むように配置され、前記4分割された空間の各々において、前記半導体スイッチング素子が接合された前記配線パターンと、前記第1の電極導出端子の内部接続部とがワイヤボンディングされ、前記半導体スイッチング素子の表面に形成された電極と、前記第2の電極導出端子の内部接続部とがワイヤボンディングされ、前記樹脂ケース及び前記端子保持樹脂が熱可塑性樹脂からなり、前記4分割された空間の各々に、熱硬化性樹脂が充填されて電気回路が封止されてなる樹脂封止型パワー半導体モジュールである。請求項2記載の発明は、前記第3の電極導出端子の内部接続部が前記第1の渡り部の両端部から両側にそれぞれ延設されて、上面を露出して前記配線パターンの形成領域より外側にワイヤボンディング領域を形成し、前記4分割された空間の各々において、前記第3電極導出端子の内部接続部がワイヤボンディングされて前記半導体素子の表面に形成された制御電極と接続されてなる請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュールである。請求項3記載の発明は、前記第4の電極導出端子の内部接続部が前記第1の渡り部の中央部から突出して前記第2の電極導出端子の内部接続部の上方に間隔を隔てて重なって設けられ、上面を露出してワイヤボンディング領域を形成し、前記第2の電極導出端子の内部接続部と前記第4の電極導出端子の内部接続部とがワイヤボンディングされてなる請求項1又は請求項2に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュールである。請求項4記載の発明は、前記樹脂ケースと前記端子保持樹脂とからなる組立体は、前記第2の渡り部と平行な辺において、前記樹脂ケースの外周空間と前記4分割された空間の各々とを隣接させて連通させる切欠が形成された側壁を構成し、当該切欠が前記熱硬化性樹脂によって閉塞されてなる請求項1から請求項3のうちいずれか一に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュールである。請求項5記載の発明は、前記樹脂ケース及び前記端子保持樹脂は、前記4分割された空間に露出する内面に粗面加工が施されてなり、当該内面に、前記熱硬化性樹脂が接合してなる請求項1から請求項4のうちいずれか一に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュールである。請求項6記載の発明は、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュールを製造するにあたり、前記樹脂ケースを成型し、前記電極導出端子を保持した状態に前記端子保持樹脂を成型し、その後、素子実装済みの前記配線基板と、前記樹脂ケースと、前記電極導出端子を保持した前記端子保持樹脂とを組立て、その後、内部配線を接続し、その後、前記4分割された空間の上方から、前記熱硬化性樹脂を充填する樹脂封止型パワー半導体モジュールの製造方法である。請求項7記載の発明は、請求項4に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュールを製造するにあたり、前記切欠から、前記熱硬化性樹脂を注入して充填する樹脂封止型パワー半導体モジュールの製造方法である。請求項8記載の発明は、請求項5に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュールを製造するにあたり、前記樹脂ケースを成型する時に、前記樹脂ケースを成型する金型の粗面加工された成型面を、前記樹脂ケースを構成する樹脂に転写し、前記端子保持樹脂を成型する時に、前記端子保持樹脂を成型する金型の粗面加工された成型面を、前記端子保持樹脂を構成する樹脂に転写し、その後、当該転写により粗面加工が施された前記樹脂ケース及び前記端子保持樹脂の前記4分割された空間に露出する内面に前記熱硬化性樹脂を接合させる樹脂封止型パワー半導体モジュールの製造方法である。本発明によれば、電流が出入力される第1及び第2の電極導出端子の一部同士は互いに平行に所定の間隔を隔てて重なって配置されるので、配線インダクタンスの低減性が良好となる。本発明によれば、第1及び第2の電極導出端子は、端子保持樹脂の第1の渡り部と第2の渡り部とが交差する中央部を経由するので、4分割された各空間の半導体スイッチング素子から均等な配線長で第1及び第2の電極導出端子の外部接続部まで引き出すことができ、各半導体スイッチング素子の動作の同時性が良好となる。本発明によれば、樹脂ケースと、端子保持樹脂とは別個に成形されるので、樹脂ケースに適合した成形条件、端子保持樹脂に適合した成形条件で、熱可塑性樹脂により歩留まり良く生産性及びコスト性良好にそれぞれ作製でき、端子保持樹脂に関しては電極導出端子間の間隔への樹脂充填性も良好に作製でき、端子保持樹脂により4分割された樹脂ケース内の空間の各々に充填される樹脂としては熱硬化性樹脂を適用するので、注入圧や硬化収縮により配線基板、半導体素子、ボンディングワイヤなどの要素に変形、破壊、剥離を生じさせることなく、良好な絶縁性能で封止することができる。したがって、樹脂の回路への充填性及び適用性が良好である。以上により本発明は、大電力化に対応するために信頼性、生産性、コスト性を向上する。以下に本発明の一実施形態につき図面を参照して説明する。以下は本発明の一実施形態であって本発明を限定するものではない。まず、本発明の一実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュールにつき、図1から図14を参照して説明する。図1に、本実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100は、配線基板1と、第1から第4の電極導出端子C1,E2,G3,E4と、樹脂ケース2と、端子保持樹脂3と、熱硬化性封止樹脂4を備える。第1から第4の電極導出端子C1,E2,G3,E4と端子保持樹脂3とを合わせて端子保持ブロック5とする。さらに、モジュール100は、半導体スイッチング素子としてのIGBTチップ6Aと、IGBTチップ6Aと並列に接続されるFRDチップ6Bと、ボンディングワイヤ7を備えて構成されている。モジュール100の完成体全体に関して図1に斜視図が、図2に平面図が、図3に断面図が示される。図4は熱硬化性封止樹脂4を除いた状態、図5はさらにボンディングワイヤ7を除いた状態、図6はさらに端子保持ブロック5を除いた状態を示す。図7は樹脂ケース2単体の斜視図である。図8は端子保持ブロック5単体の斜視図、第1から第4の電極導出端子C1,E2,G3,E4の形状と相対的配置は図9から図11によって明示される。図12、図13は粗面加工の領域を明示するためのものである。また、参考のため図14に等価回路図を示した。簡潔のため電極の符号と、対応する電極導出端子の符号を共通とする。配線基板1、樹脂ケース2及びモジュール100全体が矩形状の外形を成す。十字状の端子保持ブロック5が樹脂ケース2の内側に嵌って樹脂ケース2の内の空間を4分割する形態を成す。配線基板1は、銅板1a図3参照上に、絶縁層として4つのセラミック層1b図3、図4参照が接合し、セラミック層1b上に所定の形状、個数の配線パターン1c図4参照が敷設して形成されたものである。銅板1aは、樹脂ケース2の4つの底面開口2a図7参照をすべて被う程度以上の大きさを有する。4つのセラミック層1bは、底面開口2aに露出する領域にそれぞれ一つずつ配置され、互いに離れて形成されている。図4に示すように各セラミック層1b上の配線パターン1cは、同一又は回転対称のパターンで構成されている。IGBTチップ6A及びFRDチップ6Bが、配線パターン1c上にそれぞれダイボンディングされている。1つのセラミック層1bにつき、3つのIGBTチップ6A及び3つのFRDチップ6Bが実装されている。IGBTチップ6Aの裏面がコレクタ電極である。IGBTチップ6Aの表面に、エミッタ電極及びゲート電極が設けられている。FRDチップ6Bの接続は図14の通りである。第1及び第2の電極導出端子C1,E2は、本モジュール100によって生成される電流の出入力端子である。第1の電極導出端子C1は、IGBTチップ6Aのコレクタ電極C1を外部に導出する。第2の電極導出端子E2は、IGBTチップ6Aのエミッタ電極E2を外部に導出する。第3及び第4の電極導出端子G3,E4は、IGBTチップ6Aをスイッチング動作させる電圧を印加するための2つの制御電極を外部に導出するものである。第3の電極導出端子G3は、IGBTチップ6Aのゲート電極G3を外部に導出する。第4の電極導出端子E4は、制御信号入力のために補助的にIGBTチップ6Aのエミッタ電極E4電極E2と電気的に同位を外部に導出する。図9から図11に示すように、第1から第4の電極導出端子C1,E2,G3,E4は、それぞれ折り曲げ形成された金属板からなり、外部接続部C1a,E2a,G3a,E4aと、内部接続部C1b,E2b,G3b,E4bと、それらの間の中間部C1c,E2c,G3c,E4cとを有して構成されており、図9から図11に示す配置のまま端子保持樹脂3によって一体に保持される。図8に示すように端子保持樹脂3は、第1の渡り部3aと、第2の渡り部3bと、突出部3cとを有して構成されている。図5に示すように第1の渡り部3aは、樹脂ケース2の一辺S1の中央部からその対辺S2の中央部に渡るように配置され、樹脂ケース2内の空間を2分割する。第2の渡り部3b及びこれに支持される第1、第2の電極導出端子の内部接続部C1b,E2bは、第1の渡り部3aの中央部から両側にそれぞれ延設されて、第1の渡り部3aによって2分割された各空間をさらに2分割する。以上のようにして4分割された樹脂ケース2内の空間の各々に、セラミック層1b及びその上の配線パターン1cが臨む配置となる。第3の電極導出端子G3の内部接続部G3bは、第1の渡り部3aの両端部から両側にそれぞれ延設され、上面を露出してワイヤボンディング領域を形成している。この内部接続部G3bを支持する突出部3cは、第1の渡り部3aの両端部のそれぞれにおいて両側に突出形成されて計4つ設けられ、セラミック層1b配線パターンの形成領域より外側に配置されている。第2の渡り部3bの延出方向、突出部3cの突出方向は、第1の渡り部3aの延在方向と垂直で、辺S1,S2に沿った方向である。第4の電極導出端子E4の内部接続部E4bが第1の渡り部3aの中央部から突出して第2の電極導出端子E2の内部接続部E2bの上方に間隔を隔てて重なって設けられ、上面を露出してワイヤボンディング領域を形成している。第1の電極導出端子C1の内部接続部C1bと第2の電極導出端子E2の内部接続部E2bとの間、第2の電極導出端子E2の内部接続部E2bと第4の電極導出端子E4の内部接続部E4bとの間には、端子保持樹脂3を構成する熱可塑性樹脂が充填されている。外部接続部C1a,E2a,G3a,E4aは、第1の渡り部3aの上面に敷くように配置され、図1、図2の完成体においても外部に露出し、配線接続用の孔が形成されている。この孔の裏面側にナット不図示が配置され第1の渡り部3aに埋設されている。中間部C1c,E2c,G3c,E4cは、第1の渡り部3aに埋設されている。内部接続部C1b,E2b,G3b,E4bは、外部接続部C1a,E2a,G3a,E4aより低い位置で端子保持樹脂3の上面に敷くように配置されて樹脂ケース2内の位置で露出する。第1、第2、第3の電極導出端子の内部接続部C1b,E2b,E4bにあっては、第2の渡り部3bに支持され、第4の電極導出端子の内部接続部G3bにあては、突出部3cに支持され、前者は、2つのセラミック層1b配線パターンの形成領域の間に配置され、後者は、2つのセラミック層1bの外側に配置される。図9から図11に示すように、第1の電極導出端子C1の中間部C1cの配線基板1と平行となる水平部の一部の上方に第2の電極導出端子E2の中間部E2cが間隔を隔てて重なって配置され、この間隔に端子保持樹脂3を構成する熱可塑性樹脂が充填されている。なお、第3の電極導出端子G3の中間部G3cの一部、第4の電極導出端子E4の中間部E4cの一部も、これらに重なる。第1の電極導出端子C1の内部接続部C1bは、第2の電極導出端子E2の内部接続部E2bの下に配置される。第3の電極導出端子G3の内部接続部G3bは一番下に、第4の電極導出端子E4の内部接続部E4bは一番上に配置される。図5等に示すように、第1の電極導出端子C1の内部接続部C1bの幅方向の中央部の上方に第2の電極導出端子E2の内部接続部E2bが間隔を隔てて重なって配置されている。この間隔に端子保持樹脂3を構成する熱可塑性樹脂が充填されている。中間部C1cと中間部E2cとの上下間隔、内部接続部C1bと内部接続部E2bとの上下間隔の寸法は、第1の電極導出端子C1と第2の電極導出端子E2とに流れる逆方向の電流の電磁な相殺により相互インダクタンスが低減されるように、また、樹脂の充填が十分に行えるように考慮して設計され、本実施形態では1.5mmである。その他の電極導出端子同士間の最小上下間隔の寸法も、1.5mmである。第2の電極導出端子E2の内部接続部E2bの上面が露出してワイヤボンディング領域を形成し、第1の電極導出端子C1の内部接続部C1bは第2の電極導出端子E2の内部接続部E2bの両側で露出してワイヤボンディング領域を形成する。そして、図4に示すように樹脂ケース2内の4分割された空間の各々において、IGBTチップ6Aの裏面及びFRDチップ6Bの裏面が接合された配線パターン1cと、第1の電極導出端子C1の内部接続部C1bとがボンディングワイヤ7によって接続されている。また、IGBTチップ6Aの表面に形成されたエミッタ電極及びFRDチップ6Bの表面に形成された電極と、第2の電極導出端子E2の内部接続部E2bとがボンディングワイヤ7によって接続されている。IGBTチップ6Aの表面に形成されたゲート電極は、配線パターン1cを経由してボンディングワイヤ7によって第3の電極導出端子G3の内部接続部G3bと接続されている。さらに、第2の電極導出端子E2の内部接続部E2bと第4の電極導出端子E4の内部接続部E4bとがボンディングワイヤ7によって接続されている。樹脂ケース2及び端子保持樹脂3は、PPSポリフェニレンサルファイド樹脂等の熱可塑性樹脂により構成される。図7等に示すように樹脂ケース2は、上述した底面開口2aを有した板状の底面部材2bと、その周縁部で立設する外壁部2cを備えて構成されている。底面部材2bにおいて、底面開口2aと、他の底面開口2aとの間がそれぞれ離れており、端子保持ブロック5が載置される面が構成され、また、外壁部2cの内側に端子保持ブロック5と嵌合する嵌合部2dが形成されている。外壁部2cには、熱硬化性封止樹脂4の注入用の3つの切欠2eが形成されている。さらに、図5に示すように樹脂ケース2の内側に端子保持ブロック5が嵌合して、樹脂ケース2と端子保持ブロック5とが一体に固定されることで、熱硬化性封止樹脂4の注入用の他の2つの切欠2eが構成される。さらに、樹脂ケース2と、配線基板1とが固定されることで、図5に示す配線基板1、、樹脂ケース2及び端子保持ブロック5とからなる組立体が構成される。さらに、上述したようにボンディングワイヤ7によって内部配線が接続され、樹脂ケース2内の4分割された空間の各々に、熱硬化性封止樹脂4が充填されて内部の電気回路が封止され、図1から図3に示したような形態を成す。改めて製造手順に沿って説明すると以下のようになる。樹脂ケース2の成形、端子保持ブロック5の作製、及び配線基板1へのチップ6A,6Bの実装をそれぞれ行う。端子保持ブロック5の作製にあっては、まず、電極導出端子C1,E2,G3,E4をそれぞれプレス形成して作製し、これらを成形金型に配置して熱可塑性樹脂を充填し硬化させることで、端子保持樹脂3を形成する。このプレス形成時に、電極導出端子C1,E2,G3,E4は、完成体の形状まで一度に形成されるので、折り曲げ工程が一度で済み、後で外部接続部を折り曲げる場合に比較して効率的である。その後、チップ実装済みの配線基板1と、樹脂ケース2と、端子保持ブロック5とを上述したように組立てる。その後、上述したようにワイヤボンディングにより内部配線を接続する。その後、樹脂ケース2内の4分割された空間及び第2の渡り部3bの上方から、ディスペンサ等によって熱硬化性樹脂を充填することで、回路を封止し熱硬化性封止樹脂4を成形する。この時、切欠2eは熱硬化性封止樹脂4によって閉塞される。他の熱硬化性封止樹脂4の成形方法としては、内部配線の接続工程の後、第2の渡り部3bと平行な辺S1,S2に形成された4つの切欠2eから熱硬化性樹脂を注入して樹脂ケース2内に充填することで、熱硬化性封止樹脂4を成形する。残りの1つの切欠2eは排気口として利用することができる。切欠2eを増設してもよい。しかし、4分割された各空間に直結し、ボンディングワイヤ7と平行に樹脂を注入できる4つの切欠2eが設けられていることで、ボンディングワイヤ7に与えられる樹脂注入時の負荷を抑えつつ良好に注入することができる。樹脂ケース2及び端子保持樹脂3にあっては、次のように粗面加工を施して熱硬化性封止樹脂4との接合力を向上させることもできる。すなわち、樹脂ケース2を成型する時に、樹脂ケース2を成型する金型の粗面加工された成型面を、樹脂ケースを構成する熱可塑性樹脂に転写する。同様に、端子保持樹脂3を成型する時に、端子保持樹脂3を成型する金型の粗面加工された成型面を、端子保持樹脂3を構成する熱可塑性樹脂に転写する。これにより、図12、図13に示すように樹脂ケース2及び端子保持樹脂3の樹脂ケース2内の4分割された空間に露出する内面Sに粗面加工を施す。金型への粗面加工は、プラズマ放電加工等によって行うことができる。その後、上述したいずれかの方法により熱硬化性封止樹脂4を成形することにより、粗面加工が施された樹脂ケース2及び端子保持樹脂3の内面Sに、熱硬化性封止樹脂4を接合させる。以上の本実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、12個のIGBTチップ6Aと12個のFRDチップ6Bにより、大電流を流すことが可能で、大電力用途に適用することができる。このようにチップ数が多くても、外部接続部は中央を横断する第1の渡り部3aに配され、第1の渡り部3aの中央部から内部接続部が2つの配線パターン形成領域の間に延設されるので、比較的短い配線で接続が行われるとともに、チップの位置による配線長の相違が緩和されスイッチングの同時性が良好となる。これに併せて、第1及び第2の電極導出端子の一部同士は互いに平行に所定の間隔を隔てて重なって配置されるので、配線インダクタンスの低減性が良好である。内部配線は、電極導出端子の内部接続部に直接ワイヤボンディングすることで行われるため効率的であり、電極導出端子の外部接続部及び中間部は、第1の渡り部3aに収まっているので、ワイヤボンディング作業の邪魔とならない。樹脂ケース2と、端子保持樹脂3とは別個に成形されるので、樹脂ケース2に適合した成形条件、端子保持樹脂3に適合した成形条件で、熱可塑性樹脂により歩留まり良く生産性及びコスト性良好にそれぞれ作製できる。端子保持樹脂3に関しては電極導出端子間の間隔への樹脂充填性も良好に作製できる。配線パターン1c、半導体素子6A,6B、ボンディングワイヤ7及び電極導出端子の内部接続部を封止する樹脂としては熱硬化性樹脂を適用するので、注入圧や硬化収縮により配線基板1、半導体素子6A,6B、ボンディングワイヤ7などの要素に変形、破壊、剥離を生じさせることなく、良好な絶縁性能で封止することができる。以上のように、大電力用途に対応する信頼性の高いパワー半導体モジュールを、生産性及びコスト性良好に構成することができる。"