プラズマチャンバであって、このプラズマチャンバ内に導入されるガスから、イオンを有するプラズマを発生するように構成された当該プラズマチャンバと、プラズマドーピング用の絶縁体基板を支持するとともにこの絶縁体基板に電気接続されているプラテンであって、このプラテン及び前記絶縁体基板に第1の電位で負のバイアス電圧パルスを供給する電圧源に接続されている当該プラテンと、発生された前記プラズマの上方に配置された電極であって、この電極が第2の電位で負のバイアス電圧を受け、この第2の電位は前記第1の電位よりも大きくして、前記イオンがこの電極の表面に衝突することによりこの電極が二次電子を発生させ、これら二次電子が前記第2の電位で前記基板に向けて加速され、この基板上の電荷の蓄積体を中性化するようになっている当該電極とを具えるプラズマ処理ツール。請求項1に記載のプラズマ処理ツールが更に、前記プラテンから離して前記電極の上方に配置したバッフルと、このバッフルと前記電極との間に配置され、この電極を電気的に分離させる絶縁部分とを具えているプラズマ処理ツール。請求項1に記載のプラズマ処理ツールにおいて、前記電極は第1の表面を有する電極プレートであり、この第1の表面が前記プラテンの方向に向いているとともに、この第1の表面は前記電極上の前記イオンと関連する入射角を増大させるように構成された形状を有しているようにしたプラズマ処理ツール。プラズマ処理ツールにおける絶縁体のターゲット基板の表面上の電荷の蓄積体を中性化する電荷蓄積体中性化方法において、この電荷蓄積体中性化方法が、反応ガスをチャンバに供給するステップと、この反応ガスを励起してイオンを有するプラズマを発生させるステップと、前記チャンバ内に配置された絶縁体のターゲット基板に第1のバイアス電圧パルスを供給するステップと、前記プラズマの上方に配置された電極に、前記第1のバイアス電圧パルスよりも大きい電位を有する第2のバイアス電圧パルスを供給して前記イオンを前記電極の方向に引き付けるようにするステップと、前記電極の方向に引き付けられたイオンが前記電極の表面に衝突した際に、二次電子を発生させるステップと、発生された前記二次電子を前記絶縁体のターゲット基板の方向に加速させて、この絶縁体のターゲット基板の表面上に存在する電荷の蓄積体を中性化するようにするステップとを具える電荷蓄積体中性化方法。請求項4に記載の電荷蓄積体中性化方法において、前記第2のバイアス電圧パルスを負とし、前記第1のバイアス電圧パルスと前記第2のバイアス電圧パルスとを同期させるようにする電荷蓄積体中性化方法。請求項4に記載の電荷蓄積体中性化方法において、前記第2のバイアス電圧パルスに相当する電位で前記二次電子を前記絶縁体のターゲット基板の方向に加速させるようにする電荷蓄積体中性化方法。請求項6に記載の電荷蓄積体中性化方法が更に、前記二次電子が前記絶縁体のターゲット基板の表面に到達する前にこれら二次電子を減速させるステップを具えている電荷蓄積体中性化方法。請求項4に記載の電荷蓄積体中性化方法が更に、前記第2のバイアス電圧パルスを供給する前に前記電極を加熱するステップを具えている電荷蓄積体中性化方法。請求項4に記載の電荷蓄積体中性化方法が更に、前記反応ガスを、前記絶縁体のターゲット基板の上方に配置されたバッフルであって、前記絶縁体のターゲット基板の方向に向いたこのバッフルの側に前記電極が配置されている当該バッフルを介して前記チャンバ内に分布させるステップを具えている電荷蓄積体中性化方法。プラズマチャンバであって、このプラズマチャンバ内に導入されたガスから、イオンを有するプラズマを発生させるように構成された当該プラズマチャンバと、絶縁体基板を支持するとともにこの絶縁体基板に電気接続され、この絶縁体基板内に前記イオンを注入するようにするプラテンであって、このプラテン及び前記絶縁体基板に第1の電位で負のバイアス電圧パルスを供給する電圧源に接続されている当該プラテンと、前記プラズマチャンバ内に、前記プラテンに隣接して配置された遮蔽リングであって、このプラテンに電気接続されているとともに前記第1の電位でバイアスされている当該遮蔽リングと、この遮蔽リングの上に配置された絶縁体と、この絶縁体の上に配置された金属層であって、前記イオンを前記絶縁体基板内に注入する間この絶縁体基板の電荷の蓄積体に対応する電荷を有する当該金属層と、この金属層に接続され、前記電荷の蓄積体を測定するプローブとを具えているプラズマ浸漬イオン注入モニタリング装置。請求項10に記載のプラズマ浸漬イオン注入モニタリング装置が更に、発生された前記プラズマの上方に配置された電極を具えており、この電極は第2の電位で負のバイアス電圧パルスを受けるようになっており、この第2の電位は前記第1の電位よりも大きくして前記プラズマから前記イオンを引き付けるとともに二次電子を発生させ、これら二次電子をこの第2の電位で前記絶縁体基板の方向に加速させてこの絶縁体基板上の電荷の蓄積体を中性化するようになっているプラズマ浸漬イオン注入モニタリング装置。プラズマ浸漬イオン注入を受ける絶縁体基板の表面電圧を調整する表面電圧調整方法において、この表面電圧調整方法が、プラズマチャンバ内で反応ガスを励起させてイオンを有するプラズマを発生させるステップと、前記プラズマチャンバ内でプラテン上に配置された絶縁体基板の表面の電圧をモニタリングするステップと、前記プラズマチャンバ内で発生されたプラズマの上方に配置された電極と関連する複数のパラメータのうちの1つを調整するステップと、発生された前記プラズマからイオンを引き付けて前記電極の方向に向けるステップと、前記イオンが前記電極に衝突した際に二次電子を発生させるステップと、発生されたこれら二次電子を前記絶縁体基板の方向に向け、この絶縁体基板の表面上の電圧を調整するようにするステップとを具える表面電圧調整方法。請求項12に記載の表面電圧調整方法において、電極と関連する複数のパラメータのうちの1つを調整する前記ステップが、前記電極のバイアス電圧を調整するステップを有している表面電圧調整方法。請求項12に記載の表面電圧調整方法において、電極と関連する複数のパラメータのうちの1つを調整する前記ステップが、前記電極に供給される電圧パルスの幅を調整するステップを有している表面電圧調整方法。請求項12に記載の表面電圧調整方法が更に、前記絶縁体基板にバイアス電圧パルスを供給するステップを有しており、電極と関連する複数のパラメータのうちの1つを調整する前記ステップが、前記絶縁体基板に供給される前記バイアス電圧パルスの各パルス中に前記電極に供給されるバイアス電圧パルスの個数を調整するステップを有している表面電圧調整方法。PLADツールを用いる注入は代表的に、導電性の基板をバイアスすることによりプラズマシースを横切るようにイオンを引き付けてこのプラズマシース内にイオンを注入する能力の為に、基板又は半導体例えば、Siのワークピースを導電性とするのに限定される。ある種類の装置を製造するには、ガラス、石英等のような絶縁性の又は絶縁体の基板内に特定のドーパントを注入する必要がある。しかし、絶縁性の基板を介して電圧結合を行って、イオンを注入の為にプラズマシースを横切るように引き付けるのに適切なバイアスをこの基板に維持するのは困難である。特に、比較的厚肉な絶縁基板の場合、電圧結合は、絶縁体の基板のキャパシタンスが基板の表面上のプラズマシースのキャパシタンスに比べて低いことにより制限される。このことにより、基板にまたがる電圧を殆ど降下させる分圧回路がもたらされる。例えば、フラットパネルディスプレイに用いられている薄肉基板の場合、妥当な値の電圧が基板に結合されるが、この電圧はすぐに降下される。このことは、部分的に、イオンが注入される際に絶縁体の基板が正に帯電されることや、イオンが絶縁体の基板の表面に衝突する際に二次電子が発生されることによるものである。このことは一般に、代表的なPLADツールにおけるある電位を示す機能図である図1に示されている。絶縁体の基板1は導電性のプラテン2上に配置されている。プラズマ3は、従来技術で周知のように反応ガスをチャンバ内に導入することにより発生される。発生されたプラズマと絶縁体の基板1の表面との間のシース4は、次式で与えられる実効注入電圧Veffを有する。ここで、aは、注入されたイオンと発生された二次電子とが相俟って生ぜしめられた絶縁体の基板1の表面帯電による実効電圧の降下分を表し、bは、絶縁体の基板1とシース4とのキャパシティブディバイダを表す。更に、ターゲット基板は絶縁体である為、シース4の特性が変化し、キャパシティブディバイダが存在することにより実効電圧を減少させるおそれがあり、更に絶縁体であるターゲット基板の表面上の電荷の蓄積体が実効電圧を更に減少させる。実効電圧があまりにも小さい場合には、イオン注入処理が低下されるおそれがある。従って、所望のイオン注入特性を得るために実効電圧を維持するPLADシステムでは、用いられる絶縁体のターゲット基板の表面上の電荷の蓄積体を減少させる必要がある。本発明は、誘電体基板のプラズマ浸漬イオン注入用制御装置及びこれに関連する方法を提供するものである。本発明の代表的な例では、プラズマ処理ツールがプラズマチャンバを有し、このプラズマチャンバは、この中に導入されるガスから、イオンを有するプラズマを発生させるように構成されている。プラテンは、プラズマドーピング用の絶縁体の基板を支持するとともにこの基板に電気接続されるように構成されている。このプラテンは、負のバイアス電圧パルスを第1の電位でこのプラテン及び基板に供給する電圧源に接続されている。発生されるプラズマの上方には電極が配置され、この電極には負のバイアス電圧パルスが第2の電位で供給され、この第2の電位は第1の電位よりも負にし、電極から得られる電子に、基板を囲む高電圧シースの負電圧に打ち勝つのに充分なエネルギーを与え、これにより電子が基板に到達するようにする。イオンが電極に衝突すると、二次電子が発生され、これらの二次電子が第2の電位で基板に向けて加速され、基板上の電荷の蓄積体を中性化する。又、本発明は、プラズマ処理ツールにおける絶縁体のターゲット基板の表面上の電荷の蓄積体を中性化する方法を提供するものであり、この方法は反応ガスをチャンバに供給するステップと、この反応ガスを励起してイオンを有するプラズマを発生させるステップとを具える。チャンバ内に配置された絶縁体のターゲット基板には第1のバイアス電圧パルスを供給する。プラズマの上方に配置された電極には、第1のバイアス電圧パルスよりも大きい電位を有する第2のバイアス電圧パルスを供給してイオンを電極の方向に引き付けるようにする。電極の方向に引き付けられたイオンが電極の表面に衝突した際に、二次電子を発生させる。二次電子を絶縁体のターゲット基板の方向に加速させて、この絶縁体のターゲット基板の表面上に存在する電荷の蓄積体を中性化するようにする。以下に、本発明の好適実施例を示す添付図面を参照して、本発明をより完全に説明する。しかし、本発明は多くの異なる形態で構成できるものであり、本発明の構成は以下に説明する実施例に限定されるものではない。これらの実施例は、本発明が完全となるように提供するものであり、本発明の範囲を当業者に完全に伝達するものである。図面全体に亘り、同様な参照符号は同様な素子を参照するものである。図2は、本発明の代表的な実施例による簡単化したPLADシステム又はツール10を示す線図である。このシステム10は、絶縁されたターゲット基板5を支持する台又はプラテン14を有する処理チャンバ12を具えている。この処理チャンバ12内にはこの処理チャンバのトッププレート18を貫通するガス入口13を介して、所望のドーパント特性を有する1種類以上の反応ガスを送給する。反応ガスは例えば、BF3、B2H6、PF5等とすることができる。続いて、反応ガスを処理チャンバ12に入れる前に、この反応ガスを、バッフル11を介して均一に分布させることができる。処理チャンバ12の壁部と相俟ってアノードを形成するコイル16の群は、酸化アルミニウAl2O3の窓17を介して処理チャンバ12内に無線周波数RFの電力を結合することができる。RF電力は、反応ガスから、ドーパント含有プラズマ20を生じる。ターゲット基板5には、プラテン14を介してバイアス電圧が印加され、プラズマ20から帯電粒子を引き出す。プラテン14は処理チャンバ12から電気絶縁されており、ターゲット基板は、プラズマの正に帯電されたイオンを引き付けるために負の電位に保たれている。ターゲット基板5は代表的に、パルス状のDC電圧でバイアスされてカソードとして作用するようになっている。その結果、ドーパントイオンは、プラズマ20から、このプラズマ20とターゲット基板5の頂面との間に配置されているプラズマシースを横切って抽出される。イオンはバイアスパルスがオンとなっている期間中にターゲット基板5内に注入される。イオンのドーズ量は一般に、ターゲット基板内に注入されるイオンの量、又はイオン電流の時間に亘る積分値である。バイアス電圧はイオンの注入深さに対応し、この注入深さは、処理チャンバ12内に導入される反応ガスの圧力及び流速や、バイアス電圧の持続時間等によっても影響されうる。ターゲット基板5は、フラットパネルディスプレイに用いられている絶縁性の基板とすることができる。ターゲット基板は例えば、低温ポリシリコンLTPS、薄膜トランジスタTFT、有機発光ダイオードOLED、太陽電池等とすることもできる。前述したように、ターゲット基板5は絶縁体例えば、ガラス、石英等である為、このターゲット基板5の上方のシースは、このターゲット基板5のキャパシタンスが、プラズマとターゲット基板5の表面との間のシースのキャパシタンスに比べて低いことによりキャパシティブディバイダとなる。これにより前記の式1で示される実効注入電圧Veffを減少させ、この電圧は絶縁されたターゲット基板5の表面上の電荷の蓄積体により更に減少される。特に、ターゲット基板5をDC電圧でバイアスしてプラズマシースを横切るようにイオンを引き付けると、ターゲット基板5の表面上に電荷が蓄積される傾向がある。プラズマ注入処理のパルスオンサイクルが比較的低いと、この電荷の蓄積体はプラズマ20内に存在する電子により有効に中性化される傾向にある。しかし、パルスオンサイクルを増大させて所望のスループットを達成させるとともにある種の最新のデバイスに必要とするドーピングレベルを維持するようにすると、ターゲット基板5上の電荷の蓄積体をパルスオフサイクル中に中性化しうる期間が短くなる。従って、ターゲット基板5の表面上に電荷の蓄積体が生じる。これにより基板上に比較的高い電圧を生ぜしめ、この電圧によりドーパントを不均一にするとともに、アーク放電を生ぜしめ、デバイスを損傷させるおそれがある。換言すれば、電荷の蓄積体と実効電圧の減少との双方が注入処理に悪影響を生ぜしめる。絶縁性のターゲット基板5の表面上の電荷の蓄積体は、この基板5に電子負電荷源を設けることにより中性化しうる。このことは、例えば、バッフル11の下側に配置されたプレートの形態としうる電極25であって、バッフル11が代表的に接地電位にある為に絶縁部分26によりこのバッフル11から絶縁させた電極25を設けることにより達成させる。この電極25は、プラズマ環境に対応しうる導電性材料であり、例えば、アルミニウとするか、又は低抵抗率のSiCとするか、アルミニウを被覆したシリコンとすることができる。或いはまた、電極25をバッフル11と一体に形成でき、この場合バッフル11を、チャンバ12の壁部から電気絶縁させるとともに、ターゲット基板5の表面上の電荷の蓄積体を中性化するための所望の電極電位を維持するように構成する。一般に、基板5上の電荷の蓄積体は、イオンが電極プレート25の表面に衝突する結果として二次電子を発生させ、これらの二次電子を電極プレート25上にある電位でカソード基板5の方向に加速させることにより中性化される。このことは、PLADツール10の内部のみを示す機能線図である図3を参照し、絶縁性の基板5上の電荷の蓄積体を中性化させるために電極プレート25を如何に用いて二次電子を発生させるかを示すことにより一層良好に理解しうるものである。図2には示してあるが図3には示されていない構成素子は、説明の目的でのみ排除されていることに注意すべきである。電極プレート25はプラテン14及び絶縁性の基板5より成るカソードに対向している。この電極プレート25は、電圧パルス30により負にバイアスされる。この電圧パルス30は、イオンをプラズマ20からシース20aを横切って絶縁体の基板5内に引き付けるのに用いるための、プラテン14に供給するバイアス電圧パルス35と同期させる。しかし、電極プレート25は基板5の表面の電位よりも大きい電圧で負にバイアスされる為、プラズマからのイオンがシース20bを横切って電極プレート25に引き付けられる。電極プレート25の表面に衝突するイオンが二次電子を生ぜしめ、これら二次電子が、電圧パルス30により電極プレート25上に形成される電位で、絶縁体の基板5及びプラテン14より成るカソードに向けて加速される。これらの二次電子がシース20aに達すると、これらの二次電子が減速される。電極プレート25の電圧は、絶縁体の基板5の電圧よりも僅かに大きい為、電極プレートから発生される二次電子は、極めて低いエネルギー、例えば、代表的に100eVよりも低いエネルギーで基板5を囲む高電圧シースを通ってこの基板5に到達する。これらの二次電子が基板5上の表面電荷の蓄積体を中性化する。理想的には、イオンが基板5内に注入されることによりこの基板の表面上に蓄積される正の電荷を発生させる毎に、電極プレート25からの二次電子が基板5に到達して対応する正の電荷を中性化するようにする。電極プレート25からの二次電子のこの収率を最大化することにより、基板5の表面上の電荷の蓄積体を充分に中性化させることができる。このことは、電極プレート25の面積を基板5の面積よりも大きくすることにより達成するようにしうる。更に、電極プレート25は、この電極プレート25への入射角を増大させるために表面粗さを有するように構成し、これにより二次電子の収率を高めるようにする。或いはまた、電極プレート25の表面を、イオンが入射される可能性を高めるように機械加工又は処理を行うか、又は電極プレートをその最大の熱的安定性に達するように加熱するか、又はこれらの双方を行うようにしうる。電極プレートを加熱することにより、伝導帯における電子のエネルギーが増大し、これにより電子が表面から放出される可能性を高める。図4は、本発明の代表的な実施例による閉ループ制御システムを用いる簡単化したPLADシステム100を示す。このシステム100は、一般に、絶縁されたターゲット基板105を支持する台又はプラテン114を有する処理チャンバ112を具えている。この処理チャンバ112内には、この処理チャンバのトッププレート118を貫通するガス入口113を介して、所望のドーパント特性を有する1種類以上の反応ガスを送給する。処理チャンバ112内に導入された反応ガスを均一に分布させるために、ガス入口113の付近に配置されたバッフル111を用いる。処理チャンバ112の壁部を囲んで配置された複数の垂直コイル及び水平コイル140にはRF電力が供給される。このRFエネルギーは、処理チャンバ112に送給された種ガスをイオン化して、所望のドーパント特性を有するプラズマ120を生ぜしめる。ターゲット基板105には負のバイアス電圧パルスを供給し、帯電粒子をプラズマ120から引き出してシースを通して基板内に注入する。図2につき前述したように、絶縁体のターゲット基板105内に注入されたイオンと発生された二次電子とにより、電荷の蓄積体が絶縁体のターゲット基板105の表面上に生じる。プラズマ120内で発生されたイオンの、絶縁体のターゲット基板105内への注入深さを制御するためには、この絶縁体のターゲット基板の表面における電圧を制御する必要がある。電極125は、バッフル111の下側でプラズマ120に面するように絶縁部分126上に配置されている。或いはまた、電極125は図1につき上述したようにバッフル111と一体に形成することができる。処理チャンバ112内には閉ループ制御システムが配置されており、このシステムは遮蔽リング150と、絶縁層155と、金属層160とにより規定されている。この閉ループ制御システムは、絶縁体のターゲット基板105例えば、ガラス、石英等及びプラテン114の構造を実質的に模倣するとともにこの手段を用いることにより、イオン注入処理中に絶縁体のターゲット基板105の電圧を制御するのに用い、電極125をバイアスしてプラズマからイオンを引き付けるとともに基板に向けた二次電子の導入を制御して、基板上の電荷の蓄積体を中性化する。特に、絶縁層155は絶縁性の基板105と同じ特性を有するように選択されている。この絶縁層155は遮蔽リング150上に配置されている。遮蔽リング150はプラテン114に電気接続されており、このプラテンの延長部として機能する。従って、プラテン114に供給されたバイアス電圧パルスは同様に遮蔽リング150にも供給される。金属層160は比較的薄肉であり、代表的にミクロンで10の桁の厚さとし、絶縁体のターゲット基板における電圧をモニタリングするのに用いられる。モニタリングされたこの電圧は、イオン注入された絶縁体のターゲット基板105の表面における電圧を表す。このモニタリングされた電圧に基づいて電極プレート125に供給される電圧パルスを制御してイオンをプラズマ120から引き付けるようにすることができる。続いてこれにより、絶縁体のターゲット基板105の表面上の電荷の蓄積体を中性化するのに用いる二次電子の発生を決定する。図5は、閉ループ制御システムを有するPLADツール100の内部のみを示す機能線図である。プラテン114は絶縁体のターゲット基板105を支持するように構成されている。電極プレート125は、プラテン114と絶縁体のターゲット基板105とより成るカソードに対向している。この電極プレート125は、電圧パルス130により負にバイアスされる。この電圧パルス130は、プラテン114に供給されるバイアス電圧パルス135であってイオンをプラズマ120からシース120aを横切って絶縁体のターゲット基板105内に引き付けるこのバイアス電圧パルス135と同期されている。閉ループ制御システムは、プラテン114の延長部であってこのプラテンに電気接続されている遮蔽リング150を有している。絶縁層155は、絶縁体のターゲット基板105の周囲を囲む遮蔽リング150上に配置されている。これにより、プラテン114に印加されているのと同じバイアス電圧を遮蔽リング150に、従って、絶縁層155にも印加するようにする。遮蔽リング及び絶縁層をプラテン114及び絶縁体のターゲット基板105のそれぞれの周囲を囲むように配置することにより、閉ループシステムはターゲット基板105が受けるイオン注入処理を模倣する。絶縁層155の上には金属層160が配置されており、この金属層には、絶縁層155上の表面電圧を測定するための電圧モニタプローブ165が接続されている。絶縁層155の表面上のこの測定電圧は、絶縁体のターゲット基板105の表面上に発生された電荷の蓄積体であるとみなされる。その理由は、絶縁層155がターゲット基板105の周囲を囲んで配置されている為である。電極125に供給される電圧パルス130は、絶縁層155の表面上の測定電圧に基づいて調整又は制御し、或いはこれらの双方を行い、電極125の表面に衝突するイオンにより発生される二次電子の個数が、絶縁体のターゲット基板105の表面上に所望電圧を得るのに充分な個数となるようにしうる。図6は、説明のために、プラテン114及び基板105に供給されるパルス135からオフセットされた、電極125に供給される単一パルス130の効果を示している。これらのパルスは、表面電荷の蓄積体に対する電極バイアス電圧の影響を説明するために5μ秒だけオフセットさせて示してある。図示するように、プラテン114にバイアス電圧パルス210が供給されると、絶縁体のターゲット基板105上の表面電圧絶縁体表面電圧が減少する。電極125にバイアス電圧パルス220が供給されると、イオンが電極125の表面上に衝突することにより二次電子が発生される。図示するように、絶縁体のターゲット基板105上の表面電圧は、電圧パルス210が終了するまで正の傾斜を以て増大し、この絶縁体のターゲット基板105上の表面電圧はスパイク状になり、電極パルス220の残余の間平坦となる。更に、電極プレート125に供給される電圧パルス130の幅は、イオンをこの電極プレートに向かうように引き付けて、発生される二次電子の個数を増大させるように長いパルスを生じるように調整することができる。更に、電極プレート125に供給される電圧パルスの複数個が、基板に供給される1つのパルスのタイミング内に生じるようにすることができる。特に、図5Aは、電極プレート125に供給される電圧パルス130の複数個が、絶縁体のターゲット基板105に供給されるパルス135のタイミング内に生じていることを示している。供給パルスの幅、持続時間、電圧レベル及び個数が基板の表面上の電圧の蓄積量を制御する。或いはまた、電極125の温度を制御することにより、イオンがその表面に衝突する際に発生される二次電子の個数に影響を及ぼすようにすることができる。このことは、遮蔽リング150と、絶縁体155と、金属層160とより成る制御ループシステムを使用することなく、基板の表面上の電荷の蓄積体を中性化するための初期制御として用いることができる。このようにすることにより、基板の表面上の電荷の蓄積体の初期制御が電極125の温度を変化させることにより一旦達成されると、閉ループ制御システムを用いて二次電子の発生を微調整し電荷の蓄積体を中性化することができる。図7は、パルスの周波数と、これらに対応する、絶縁体のターゲット基板105の表面電圧に対する影響とを示すグラフ線図である。図から明らかなように、電極125に供給されるパルスの周波数が増大すると、絶縁体のターゲット基板105上の表面電圧を比較的一定に保つことができる。幾つかの実施例につき本発明を説明したが、特許請求の範囲に規定される本発明の範囲から逸脱することなく、上述した実施例に対する種々の変形及び変更が可能となるものである。従って、本発明は上述した実施例に限定されず、特許請求の範囲の記載により規定される全範囲及びその等価なものを有するものである。