イオンビーム試料準備装置であって、a真空チャンバ内に配置され、イオンビームをシールド保持ステージに向けるイオンビーム放射手段と、b前記真空チャンバ内に配置される前記シールド保持ステージであって、i第1の基準特徴、ii第2の基準特徴、iii少なくともシールド解放位置及びシールド保持位置を有するシールド保持手段を備える、前記シールド保持ステージと、c前記シールド保持ステージに結合され、前記シールド保持ステージを保持ステージ装填位置と保持ステージ処理位置との間で移動させるように構成された保持ステージリフト手段であって、前記保持ステージリフト手段が前記保持ステージ装填位置にある場合、実質的な真空気密装填チャンバが前記シールド保持ステージと前記真空チャンバの部分との間に形成されることを特徴とするとともに、前記保持ステージリフト手段が前記保持ステージ装填位置にある場合、実質的な真空気密封止が、前記装填チャンバと前記イオンビーム放射手段が配置された前記真空チャンバの部分との間に形成されることをさらに特徴とする、保持ステージリフト手段と、d前記保持ステージリフト手段に結合され、前記保持ステージリフト手段を前記保持ステージ装填位置と前記保持ステージ処理位置との間で移動させるように動作可能なリフト駆動装置と、e前記保持ステージリフト手段が前記保持ステージ装填位置に保持される場合、前記装填チャンバにアクセスできるように配置される着脱可能且つ再配置可能なチャンバカバーであって、前記チャンバカバーが、前記真空チャンバの所定位置に配置された場合、実質的な真空気密封止を提供することを特徴とする、着脱可能且つ再配置可能なチャンバカバーと、f少なくとも剛性平坦部を有し、前記シールド保持ステージに着脱可能且つ再配置可能に保持されるシールドであって、前記シールドが、i前記試料を前記シールドに耐久的に接着させるように構成された近位試料面、ii前記イオンビームの経路に配置され、前記シールドが前記シールド保持手段の前記シールド保持位置に保持され、前記保持ステージリフト手段が前記保持ステージ処理位置に保持される場合、前記試料に向けられたイオンビームの部分を遮蔽するように位置決めされる第1の遮蔽面、iii前記シールドに一体形成される第3の基準特徴であって、前記シールド保持位置にある前記シールド保持手段が、前記第3の基準特徴を付勢して、前記第1の基準特徴に当接させる、第3の基準特徴、及びiv前記シールドに一体形成される第4の基準特徴であって、前記シールド保持位置にある前記シールド保持手段が、前記第4の基準特徴を付勢して、前記第2の基準特徴に当接させる、第4の基準特徴をさらに備える、シールドと、g第1のポンプマニフォルド及び第2のポンプマニフォルドの両方に動作可能に接続された真空ポンプ手段であって、前記第1のポンプマニフォルドが前記真空チャンバを脱気するように構成され、前記第2のポンプマニフォルドが、前記保持ステージリフト手段が前記保持ステージ装填位置にある場合、前記装填チャンバを脱気するように構成される、真空ポンプ手段と、を備えることを特徴とする、装置。請求項1に記載の装置において、前記シールド保持ステージが第5の基準特徴をさらに備え、前記シールドが、前記シールドに一体形成された第6の基準特徴をさらに備え、前記シールド保持位置にある前記シールド保持手段が、前記第6の基準特徴を付勢して、前記第5の基準特徴に当接させることを特徴とする、装置。請求項1に記載の装置において、前記第1の遮蔽面が約90度未満且つ約80度を超える角度で前記近位試料面に接触することを特徴とする、装置。請求項1に記載の装置において、前記第1の遮蔽面が約87度未満且つ約83度を超える角度で前記近位試料面に接触することを特徴とする、装置。請求項1に記載の装置において、前記第1の遮蔽面が、低いスパッタリング収率を有する非磁性材料で作られることを特徴とする、装置。請求項1に記載の装置において、前記第1の遮蔽面の少なくとも一部がタンタル又はチタンで作られることを特徴とする、装置。請求項1に記載の装置において、前記第3の基準特徴が基準面であり、前記基準面の少なくとも一部が、前記近位試料面の少なくとも一部と同一の広がりを有することを特徴とする、装置。請求項1に記載の装置において、前記近位試料面が、前記シールドと前記試料との間で接着剤を流すように構成された少なくとも1つの溝部を有することを特徴とする、装置。請求項1に記載の装置において、前記シールドが、前記シールドに結合され、前記近位試料面に対して前記試料を保持するように構成された試料締め付け手段をさらに備えることを特徴とする、装置。請求項1に記載の装置において、前記シールドが、a前記イオンビームの部分の経路に配置された部分を有する第2の遮蔽面と、b前記第1の遮蔽面が前記近位試料面に接触する位置にあるシールドエッジと、c前記第2の遮蔽面上の可視位置合わせマークであって、前記シールドが前記シールド保持手段の前記シールド保持位置に保持される場合、イオンビームが前記シールドエッジに衝突する領域に対して、前記可視位置合わせマークの位置が所定の関係にあるように構成される、可視位置合わせマークと、をさらに備えることを特徴とする、装置。請求項1に記載の装置において、前記シールドがコア材料に接合する被覆材料で作られ、前記被覆材料の部分が前記第1の遮蔽面の少なくとも一部を形成し、前記コア材料の部分が、前記シールドの前記第3の基準特徴及び前記シールドの前記第4の基準特徴を形成することを特徴とする、装置。請求項11に記載の装置において、前記被覆材料が、低いスパッタリング収率を有する非磁性材料で作られることを特徴とする、装置。請求項12に記載の装置において、前記被覆材料の少なくとも一部がタンタル又はチタンであることを特徴とする、装置。イオンビーム試料準備装置であって、a真空チャンバ内に配置され、イオンビームをシールド保持ステージに向けるイオンビーム放射手段と、b前記真空チャンバ内に配置される前記シールド保持ステージであって、i第1の基準特徴、ii第2の基準特徴、iii少なくともシールド解放位置及びシールド保持位置を有するシールド保持手段を備える、前記シールド保持ステージと、c前記シールド保持ステージに結合され、前記シールド保持ステージを保持ステージ装填位置と保持ステージ処理位置との間で移動させるように構成された保持ステージリフト手段であって、前記保持ステージリフト手段が前記保持ステージ装填位置にある場合、実質的な真空気密装填チャンバが前記シールド保持ステージと前記真空チャンバの部分との間に形成されることを特徴とするとともに、前記保持ステージリフト手段が前記保持ステージ装填位置にある場合、実質的な真空気密封止が、前記装填チャンバと前記イオンビーム放射手段が配置された前記真空チャンバの部分との間に形成されることをさらに特徴とする、保持ステージリフト手段と、d前記保持ステージリフト手段に結合され、前記保持ステージリフト手段を前記保持ステージ装填位置と前記保持ステージ処理位置との間で移動させるように動作可能なリフト駆動装置と、e前記保持ステージリフト手段が前記保持ステージ装填位置に保持される場合、前記装填チャンバにアクセスできるように配置される着脱可能且つ再配置可能なチャンバカバーであって、前記チャンバカバーが、前記真空チャンバの所定位置に配置された場合、実質的な真空気密封止を提供することを特徴とする、着脱可能且つ再配置可能なチャンバカバーと、f少なくとも剛性平坦部を有し、前記シールド保持ステージに着脱可能且つ再配置可能に保持されるシールドであって、前記シールドが、i前記試料を前記シールドに耐久的に接着させるように構成された近位試料面、ii前記イオンビームの経路に配置され、前記シールドが前記シールド保持手段の前記シールド保持位置に保持され、前記保持ステージリフト手段が前記保持ステージ処理位置に保持される場合、前記試料に向けられたイオンビームの部分を遮蔽するように位置決めされる第1の遮蔽面、iii前記シールドに一体形成される第3の基準特徴であって、前記シールド保持位置にある前記シールド保持手段が、前記第3の基準特徴を付勢して、前記第1の基準特徴に熱伝導的に接触して当接させる、第3の基準特徴、及びiv前記シールドに一体形成される第4の基準特徴であって、前記シールド保持位置にある前記シールド保持手段が、前記第4の基準特徴を付勢して、前記第2の基準特徴に当接させる、第4の基準特徴をさらに備える、シールドと、g第1のポンプマニフォルド及び第2のポンプマニフォルドの両方に動作可能に接続された真空ポンプ手段であって、前記第1のポンプマニフォルドが前記真空チャンバを脱気するように構成され、前記第2のポンプマニフォルドが、前記保持ステージリフト手段が前記保持ステージ装填位置にある場合、前記装填チャンバを脱気するように構成される、真空ポンプ手段と、h前記シールド保持ステージに熱伝導的に接触する伝熱部材と、i熱を前記伝熱部材から離れるように伝導させるように構成されたヒートシンク手段と、を備えることを特徴とする、装置。請求項14に記載の装置において、前記シールド保持ステージが第5の基準特徴をさらに備え、前記シールドが、前記シールドに一体形成された第6の基準特徴をさらに備え、前記シールド保持位置にある前記シールド保持手段が、前記第6の基準特徴を前記第5の基準特徴に当接するように促すことを特徴とする、装置。請求項14に記載の装置において、前記第1の遮蔽面が約90度未満且つ約80度を超える角度で前記近位試料面に接触することを特徴とする、装置。請求項14に記載の装置において、前記第1の遮蔽面が約87度未満且つ約83度を超える角度で前記近位試料面に接触することを特徴とする、装置。請求項14に記載の装置において、前記第1の遮蔽面が、低いスパッタリング収率を有する非磁性材料で作られることを特徴とする、装置。請求項14に記載の装置において、前記第1の遮蔽面の少なくとも一部がタンタル又はチタンで作られることを特徴とする、装置。請求項14に記載の装置において、前記第3の基準特徴が基準面であり、前記基準面の少なくとも一部が、前記近位試料面の少なくとも一部と同一の広がりを有することを特徴とする、装置。請求項14に記載の装置において、前記近位試料面が、前記シールドと前記試料との間で接着剤を流すように構成された少なくとも1つの溝部を有することを特徴とする、装置。請求項14に記載の装置において、前記シールドが、前記シールドに結合され、前記近位試料面に対して前記試料を保持するように構成された試料締め付け手段をさらに備えることを特徴とする、装置。請求項14に記載の装置において、前記シールドが、a前記イオンビームの部分の経路に配置された部分を有する第2の遮蔽面と、b前記第2の遮蔽面上の可視位置合わせマークであって、前記可視位置合わせマークの位置が、前記シールドが前記シールド保持手段の前記シールド保持位置に保持される場合、前記イオンビームが前記シールドエッジに衝突する領域に対して所定の関係にあるように構成される、可視位置合わせマークと、をさらに備えることを特徴とする、装置。請求項14に記載の装置において、前記ヒートシンク手段が窒素を使用して、前記伝熱部材から離れるように熱を伝導させるように構成されることを特徴とする、装置。請求項14に記載の装置において、前記シールドが高い熱伝導性を有する材料で作られることを特徴とする、装置。請求項14に記載の装置において、前記シールドがコア材料に接合する被覆材料で作られ、前記被覆材料の部分が前記第1の遮蔽面の少なくとも一部を形成し、前記コア材料の部分が、前記シールドの前記第3及び第4の基準特徴を形成することを特徴とする、装置。請求項26に記載の装置において、前記コア材料は銅を含むことを特徴とする、装置。イオンビーム試料準備装置において、a真空チャンバ内に配置され、イオンビームをシールド保持ステージに向けるイオンビーム放射手段と、b前記真空チャンバ内に配置される前記シールド保持ステージであって、i第1の基準特徴、ii第2の基準特徴、iii少なくともシールド解放位置及びシールド保持位置を有するシールド保持手段を備える、前記シールド保持ステージと、c前記シールド保持ステージに結合され、前記シールド保持ステージを保持ステージ装填位置と保持ステージ処理位置との間で移動させるように構成された保持ステージリフト手段であって、前記保持ステージリフト手段が前記保持ステージ装填位置にある場合、実質的な真空気密装填チャンバが前記シールド保持ステージと前記真空チャンバの部分との間に形成されることを特徴とするとともに、前記保持ステージリフト手段が前記保持ステージ装填位置にある場合、実質的な真空気密封止が、前記装填チャンバと前記イオンビーム放射手段が配置された前記真空チャンバの部分との間に形成されることをさらに特徴とし、前記保持ステージリフト手段が前記保持ステージ装填位置にある場合、前記シールド保持ステージが前記真空チャンバの部分と熱伝導的に接触することをさらに特徴とする、保持ステージリフト手段と、d前記保持ステージリフト手段に結合され、前記保持ステージリフト手段を前記保持ステージ装填位置と前記保持ステージ処理位置との間で移動させるように動作可能なリフト駆動装置と、e前記保持ステージリフト手段が前記保持ステージ装填位置に保持される場合、前記装填チャンバにアクセスできるように配置される着脱可能且つ再配置可能なチャンバカバーであって、前記チャンバカバーが、前記真空チャンバの所定位置に配置された場合、実質的な真空気密封止を提供することを特徴とする、着脱可能且つ再配置可能なチャンバカバーと、f少なくとも剛性平坦部を有し、前記シールド保持ステージに着脱可能且つ再配置可能に保持されるシールドであって、前記シールドが、i前記試料を前記シールドに耐久的に接着させるように構成された近位試料面、ii前記イオンビームの経路に配置され、前記シールドが前記シールド保持手段の前記シールド保持位置に保持され、前記保持ステージリフト手段が前記保持ステージ処理位置に保持される場合、前記試料に向けられたイオンビームの部分を遮蔽するように位置決めされる第1の遮蔽面、iii前記シールドに一体形成される第3の基準特徴であって、前記シールド保持位置にある前記シールド保持手段が、前記第3の基準特徴を付勢して、前記第1の基準特徴に熱伝導的に接触して当接させる、第3の基準特徴、及びiv前記シールドに一体形成される第4の基準特徴であって、前記シールド保持位置にある前記シールド保持手段が、前記第4の基準特徴を付勢して、前記第2の基準特徴に当接させる、第4の基準特徴をさらに備える、シールドと、g第1のポンプマニフォルド及び第2のポンプマニフォルドの両方に動作可能に接続された真空ポンプ手段であって、前記第1のポンプマニフォルドが前記真空チャンバを脱気するように構成され、前記第2のポンプマニフォルドが、前記保持ステージリフト手段が前記保持ステージ装填位置にある場合、前記装填チャンバを脱気するように構成される、真空ポンプ手段と、h前記保持ステージリフト手段が前記保持ステージ処理位置に保持される場合、前記シールド保持ステージに熱伝導的に接触するように配置された伝熱部材であって、前記保持ステージリフト手段が前記保持ステージ装填位置に保持される場合、前記伝熱部材が前記シールド保持ステージと熱伝導的に接触しないようにさらに配置される、伝熱部材と、i熱を前記伝熱部材から離れるように伝導させるように構成されたヒートシンク手段と、を備えることを特徴とする、装置。請求項28に記載の装置において、前記シールド保持ステージが第5の基準特徴をさらに備え、前記シールドが、前記シールドに一体形成された第6の基準特徴をさらに備え、前記シールド保持位置にある前記シールド保持手段が、前記第6の基準特徴を前記第5の基準特徴に当接するように促すことを特徴とする、装置。請求項28に記載の装置において、前記第1の遮蔽面が約90度未満且つ約80度を超える角度で前記近位試料面に接触することを特徴とする、装置。請求項28に記載の装置において、前記第1の遮蔽面が約87度未満且つ約83度を超える角度で前記近位試料面に接触することを特徴とする、装置。請求項28に記載の装置において、前記第1の遮蔽面が、低いスパッタリング収率を有する非磁性材料で作られることを特徴とする、装置。請求項28に記載の装置において、前記第1の遮蔽面の少なくとも一部がタンタル又はチタンで作られることを特徴とする、装置。請求項28に記載の装置において、前記第3の基準特徴が基準面であり、前記基準面の少なくとも一部が、前記近位試料面の少なくとも一部と同一の広がりを有することを特徴とする、装置。請求項28に記載の装置において、前記近位試料面が、前記シールドと前記試料との間で接着剤を流すように構成された少なくとも1つの溝部を有することを特徴とする、装置。請求項28に記載の装置において、前記シールドが、前記シールドに結合され、前記近位試料面に対して前記試料を保持するように構成された試料締め付け手段をさらに備えることを特徴とする、装置。請求項28に記載の装置において、前記シールドが、a前記イオンビームの部分の経路に配置された部分を有する第2の遮蔽面と、b前記第2の遮蔽面上の可視位置合わせマークであって、前記可視位置合わせマークの位置が、前記シールドが前記シールド保持手段の前記シールド保持位置に保持される場合、イオンビームが前記シールドエッジに衝突する領域に対して所定の関係にあるように構成される、可視位置合わせマークと、をさらに備えることを特徴とする、装置。請求項28に記載の装置において、前記ヒートシンク手段が窒素を使用して、前記伝熱部材から離れるように熱を伝導させるように構成されることを特徴とする、装置。請求項28に記載の装置において、前記シールドが高い熱伝導性を有する材料で作られることを特徴とする、装置。請求項28に記載の装置において、前記シールドがコア材料に接合する被覆材料で作られ、前記被覆材料の部分が前記第1の遮蔽面の少なくとも一部を形成し、前記コア材料の部分が、前記シールドの前記第3及び第4の基準特徴を形成することを特徴とする、装置。請求項40に記載の装置において、前記コア材料は銅を含むことを特徴とする、装置。広域イオンビーム傾斜切断BIBSC試料準備手順は、一連のプロセスステップp1~p5として説明することができる:p1処理が望まれる試料の領域をイオンシールドの使用可能部分に位置合わせするステップ、p2試料の所望の領域を1つ又は複数のイオンビームで処理することができるように、BIBSCイオンミリングシステム内で試料とシールドとを位置合わせするステップ、p3イオンミリングシステムを、イオンビームミリングに適切な真空レベルまで脱気するステップ、p4時には生体内光学顕微鏡撮像等のプロセス監視ステップを使用し、十分な切断深度及び断面品質を確認して、1つ又は複数のイオンミリング動作を実行するステップ、p5BIBSCイオンミリング機器を通気し、機器から試料を取り出すステップ。準備のできたBIBSC試料の解析は、一連のプロセスステップp6~p9として説明することができる:p6最終的な解析顕微鏡に試料を導入し、解析を開始できるように、顕微鏡を初期化するステップ、p7所望のエリアを撮像できるように、任意の数の顕微鏡の並進移動ステージ、傾斜ステージ、及び回転ステージを調整することにより、準備のできた断面表面の位置を見つけるステップ、p8所望の顕微鏡解析又は分光解析を実行するステップ、p9試料を顕微鏡から取り出すステップ、p10試料を解析した後、試料を再処理して、切断深度、位置、又は角度を変更すると判断し得る-従来ではp1~p9を繰り返す必要がある。本開示の実施形態は、BIBSC生成された試料の処理並びに続く観測及び解析において特定の効率及び性能を独自に可能にする。本開示の有益な特徴、機能、及び態様としては、1.シールド、試料-シールド取り付け装置内のシールド保持装置、BIBSCイオンミル内のシールド保持装置、最終的な解析機器内のシールド保持装置の基準特徴により、処理ステップp1、p2、及びp7での大幅な時間効率が可能であること、2.シールドに耐久的に接着した試料の一体性及びシールドに単に締め付けられた状態でのより低い程度でのシールドへの試料の一体性により、p4中に、長時間であり、温度が変化してさえも、試料へのシールドの位置合わせが一貫した状態を保持する際により大きな確実性が可能であり、その一方で、この精密な位置合わせが維持されない場合には、断面切断プロセスの品質が低減すること、3.処理ステップp1においてシールドに耐久的に接着された試料の一体性により、ミリング動作全体を通して試料とシールドとの空間的関係を共に維持する高価でかなり大きな固定装置の必要性がなくなり、複数の固定装置なしで、ミリング前に複数の試料を準備できること、4.シールドに耐久的に接着されるか、又は締め付けられる試料の一体性により、撮像対物レンズと試料との間に利用される作業距離が最小の場合であっても、顕微鏡で観察する前に、試料をシールドから取り外す必要性がなくなり、これにより、処理ステップp6での試料再取り付け中の時間及び試料が破損する危険性を低減できること、5.ステップp10でのように試料の再処理が実行される場合、シールドに耐久的に接着されるか、又は締め付けられる試料の一体性により、ステップp1及びp2の必要性をなくすことができ、試料を再び取り付ける間の処理時間及び試料が破損する危険性が大幅に低減すること、及び6.ステップp10でのように試料の再処理が実行される場合、シールドに耐久的に接着されるか、又は締め付けられる試料の一体性により、試料及びシールドに衝突するイオンビームの角度を変更することで、異なる断面平面を元々の切断の断面平面に非常に近くで切断することができること、が挙げられるが、これらに限定されない。これより図1Aを参照して、イオンビーム試料準備装置2の実施形態の概略断面図を示す。図1Aの実施形態は、イオンビーム放射手段20により内部で試料を準備し得る真空チャンバ10と、着脱可能且つ再配置可能なチャンバカバー18であって、チャンバ10から外された場合、試料にアクセスし、シールドを装填できるようにするチャンバカバー18と、共に真空チャンバ10を、イオンビームミリングに適切な真空レベルにする第1のポンプマニフォルド92a及び真空ポンプ手段90と、シールド保持ステージ40及びシールド保持手段42であって、シールド保持手段42は図1Aではシールド解放位置48に示される、シールド保持ステージ40及びシールド保持手段42と、上記シールド保持ステージ40に結合される保持ステージリフト手段100と、上記保持ステージリフト手段100に動作可能に結合されたリフト駆動装置102であって、シールド保持ステージを保持ステージ装填位置104まで持ち上げることができる、リフト駆動装置102と、真空チャンバ10と外部大気との間に真空封止を維持しながら、保持ステージリフト手段を上下に移動させることができる真空封止56と、を備えて示される。シールド保持ステージ40が保持ステージ装填位置104まで上昇した場合、装填チャンバ16が作られる。保持ステージ装填位置104にある場合、シールド保持ステージ40の真空封止特徴が真空チャンバ10の真空封止特徴に係合し、上記真空チャンバを外部大気から分離するように機能する。図1Bは、図1Aと同じ実施形態を示し、試料8が耐久的に接着されたシールド60がシールド保持ステージ40に配置され、シールド保持手段42によりステージのシールド保持位置に保持されることをさらに示す。図1Cは、図1Bと同じ実施形態を示し、チャンバカバー18が真空チャンバ10に配置されて、装填チャンバ16を外部大気から分離することをさらに示す。好ましい実施形態では、チャンバカバー18が所定位置に配置されて、装填チャンバを外部大気から封止する場合、装填チャンバ16の容積は、真空チャンバ10の容積よりもはるかに小さい。装置が図1Cと同様に構成される場合、シールド保持ステージを保持ステージ処理位置に下降させる準備として、第2のポンプマニフォルド92b及びポンプ手段90を使用して、装填チャンバ16を脱気し得る。装填チャンバが適した真空レベルまで脱気されると、試料のイオンビームミリングの準備として、保持ステージリフト手段を作動させて、シールド保持ステージを下降させ得る。図2は、図1Cと同じ実施形態を示す。図2では、保持ステージリフト手段100及びリフト駆動装置102が動作して、シールド保持ステージ40を保持ステージ処理位置106に下降させている。図2の実施形態は、中央イオンビーム軸22を試料8に向けるイオンビーム放射手段20と、イオンビームの少なくとも一部から試料8の少なくとも一部を遮蔽するシールド60とを備えて示される。試料8がイオンビームで準備された後、図1A、図1B、図1C、及び図2に示される一連のステップを逆にして、試料を保持ステージ装填位置まで上昇させ、チャンバカバー18を取り外し、顕微鏡で観測するために、シールドと試料との組み合わせを取り外し得る。図2を引き続き参照すると、イオンビームは、好ましくは、希ガスイオンを含む。イオンビームに使用される元素としては、アルゴン、キセノン、及びクリプトンを挙げることができるが、これらに限定されない。イオンビームは、イオン及び中性物の混合物を含むこともできる。保持ステージ処理位置106にある場合、シールド保持ステージ40は真空チャンバ10内で、中央イオンビーム軸22に対して所定位置且つ所定の向きで配置される。シールド60の好ましい実施形態では、良好な熱伝導性を有する材料を使用して、シールドとシールド保持ステージとの間の伝熱を向上させることができ、上記材料としては、実質的に非磁性の金属が挙げられるが、これに限定されない。シールド60の別の好ましい実施形態では、良好な熱伝導性を有する材料をコア材料66として使用して、シールドとシールド保持ステージとの間の伝熱を向上させることができ、スパッタリング収率が低い実質的に非磁性の材料を、コア材料を覆う被覆材料67として使用し得、それにより、被覆材料はシールド60の遮蔽面61の少なくとも一部を形成する。図13A及び図13Bはシールド60の2つの異なる実施形態を示し、各実施形態は、コア材料66と被覆材料67との組み合わせを備えて示される。図3Aは、シールドと試料との組み合わせをシールド保持ステージ40のシールド保持位置に配置する前に、試料8がシールド60に耐久的に接着されたシールドの保持ステージ40の斜視図を示す。シールド60は遮蔽面61を有し、遮蔽面61は、試料8に関連して位置決めされて、上記試料8の少なくとも一部をイオンビームの少なくとも一部から遮蔽する。図3Aには、図3Bに示される断面図を示す断面線も示される。図3Bは、シールド保持ステージ40の部分であるシールド保持手段の位置及び機能を示す断面図を示す。図3Bは、シールド保持位置46におけるシールド保持手段の実施形態を示し、シールド保持手段は、シールド保持手段の第1の部材42aと、シールド保持手段の第2の部材42bとを備える。シールド保持手段の第1の部材42aは、シールド保持手段の第2の部材42bをシールド60に対して付勢する。シールド保持手段の第1の部材の動作は、シールド60をシールド保持ステージ40に対しても付勢し、それにより、試料がイオンビームにより準備されている間、シールド60の位置をシールド保持ステージ40内に維持する。シールド保持手段の実施形態は、シールド保持手段の第1の部材42aのばねと、シールド保持ステージ40のキャビティ内で摺動するように構成されたシールド保持手段の第2の部材42bとしての中実部材とを備え得る。図4は、図3Bと同じ断面平面からの図を示す。しかし、図4では、シールド及び試料が除去されて、シールド保持手段のシールド解放位置48が示される。シールド保持手段により提供される2つの位置、すなわち、図3A及び図3Bに示されるシールド保持位置46並びに図4に示されるシールド解放位置48により、シールドをシールド保持ステージ40に着脱可能且つ再配置可能に固定し得る。シールド60に耐久的に接着された試料は、処理し、取り外してから、単にシールド保持位置に配置され、試料を再びイオンビームで準備することにより再処理し得る。図5Aは、シールド60が保持されたシールド保持ステージ40の斜視図を示し、上記シールドは遮蔽面61を有する。図5Aは、図5Bに使用される断面平面も示す。図5Bは、シールド60及びシールド保持ステージ40の両方の物理的な特徴を示す断面斜視図を示し、シールド60及びシールド保持ステージ40は、シールド保持ステージに対するシールドの正確で再現可能な位置決めに役立つ。シールド60の位置決めは、遮蔽面61及びシールドエッジ63が正確に位置決めされ、シールド保持ステージに対して正確な向きを有するとともに、中央イオンビーム軸22に対して位置決めされて、試料に向けられたイオンビームの少なくとも一部を遮断することを保証する。図6は、シールド60及びシールド保持ステージ40の両方の好ましい実施形態が複数の基準特徴70a、70b、70c、70d、70e、及び70fを有する図5Bと同様の断面斜視図を示す。図6に示される分解組立図では、シールド60は、シールド保持ステージ40から取り外されており、シールドは近位試料面62を露出するように方向を変更し、イオンビームによる試料準備前に、近位試料面62に、試料を耐久的に接着し得る。複数の基準特徴70a、70b、70c、70d、70e、及び70fは、シールド60及びシールド保持ステージ40の両方に設けられ、基準特徴により、シールド保持ステージ40に対してシールド60を正確且つ再現可能に位置決めすることができる。シールド上の基準特徴70b、70d、及び70fは、シールド保持ステージ上の相補的な基準特徴70a、70c、及び70eに当接させられた場合、シールドを中央イオンビーム軸22に対して所定の位置且つ所定の向きに保持するように形作られ、位置決めされる。シールド保持手段42は、シールドがシールド保持位置に保持された場合、シールド60の基準特徴70b、70d、及び70fがシールド保持ステージ40の対応する基準特徴70a、70c、及び70eに当接することを保証する。シールドがシールド保持位置に保持される場合、図6でも見られるシールドエッジ63も、所定位置及び所定の向きにさせられる。基準特徴は、シールド上の基準特徴が、シールド保持ステージ上に対応する基準特徴を有するように、対で配置される。図6では、そのような一対の基準特徴は、シールド保持ステージ上の基準特徴70aと、シールド上の基準特徴70bとである。図6に示される別の基準特徴対は、シールド保持ステージ上の基準特徴70cと、シールド上の基準特徴70dとである。図6に示される別の基準特徴対は、シールド保持ステージ上の基準特徴70eと、シールド上の基準特徴70fとである。シールドがシールド保持位置にある場合、シールド保持手段は、基準特徴対を当接するように促すように働き、それにより、シールド保持ステージの位置に対するシールドの位置を拘束する。基準特徴は、図6の好ましい実施形態に示されるように、基準面であってもよく、又は基準エッジ、基準頂点、又は基準面と、基準エッジと、基準頂点との組み合わせであってもよい。これより図7A、図7B、図8A、図8B、図9、及び図10を参照して、本開示によるシールド60の様々な特徴及び実施形態を示す。図7Aは、第1の遮蔽面61a、第2の遮蔽面61b、及びシールドエッジ63を示すシールドの斜視図である。シールドにより阻止されるイオンビーム放射手段からのイオン、特に第1の遮蔽面61aにより阻止されるイオンは、試料のミリングから阻まれる。シールドにより阻止されないイオンは、観測及び解析に向けて試料を準備するために使用し得る。イオンビームが動作している場合、イオンは第2の遮蔽面61bに衝突することもあれば、しないこともある。イオンが第2の遮蔽面61bに衝突するか否かは、イオンビームのサイズ、イオンビームが向けられる角度、及びイオンビームが向けられる位置を含むが、これらに限定されないいくつかの要因に依存する。シールドの好ましい実施形態は、第2の遮蔽面61bが第1の遮蔽面61aと同じ材料で作られることである。好ましい実施形態では、シールド60は概して平坦な剛性部材であり、平滑で研磨し得る1つ又は複数の遮蔽面を有し、シールド保持ステージ内への正確な位置決めに役立つ基準面と、少なくとも追加の基準特徴とを有する。シールドの好ましい材料は、タンタル又はチタンが挙げられるが、これらに限定されないスパッタリング収率が低い非磁性金属である。シールド60のより低コストの実施形態は、シールドの大部分のコア材料66と、遮蔽面に使用される被覆材料67とを備え得る。好ましいコア材料としては、銅が挙げられるが、これに限定されない。好ましい被覆材料としては、タンタル又はチタンが挙げられるが、これらに限定されない。図13A及び図13Bは、シールド60の2つの異なる実施形態を示し、各実施形態は、コア材料66と被覆材料67との組み合わせを備えて示される。図7Bは、図7Aに示されるものと同じシールドであるが、異なる角度から示し、それにより、複数の基準特徴70d及び70fの位置及び性質を示す。図8Aは、図7A及び図7Bに示されるものと同じシールドを示す。図8Aは、イオンビーム試料準備中、試料に最も近いシールドの側からのシールド60の斜視図を示す。近位試料面62を使用して、装置で準備すべき試料材料に接着し得る。基準面72は、表面である基準特徴である。好ましい実施形態では、近位試料面62の少なくとも一部は、基準面72の少なくとも一部と同じ広がりを有し得る。シールドエッジ63は、第1の遮蔽面61aと近位試料面62との交わりにより形成される。第1の遮蔽面61aと近位試料面62との角度は、イオンビームにより試料に対して実行されるミリングの品質に影響する。好ましい実施形態は、上記第1の遮蔽面61aが、約90度未満且つ約80度を超える角度で上記近位試料面62に接触する場合に達成される。さらにより好ましい実施形態が、上記第1の遮蔽面61aが約87度未満且つ約83度を超える角度で上記近位試料面62に接触する場合に達成される。図8Bは、図8Aに示されるものと同じシールドであるが、異なる角度から示し、それにより、シールド60に存在する複数の基準特徴70d及び70fと、基準面72との位置及び性質を示す。図9は、第1の遮蔽面61a、第2の遮蔽面61b、シールドエッジ63を有し、可視位置合わせマーク65をさらに備えるシールド60の斜視図を示す。シールドがシールド保持位置に保持される場合、可視位置合わせマークは、シールドエッジが中央イオンビーム軸に略垂直であるとき、イオンビームの部分がシールドエッジ63上を通り、試料に衝突する大まかな位置を示すように位置決めされる。図10は、イオンビーム試料準備中に試料に最も近いシールドの側からのシールド60の斜視図を示す。近位試料面62を使用して、装置でのイオンビーム試料準備前に試料材料をシールドに接着し得る。溝部64は、試料の下で接着剤が流れるのに有用な近位試料面62の溝部を提供し、それにより、シールドへの試料の耐久性のある接着を促進する。試料をシールドに接着するために使用される好ましい材料としては、UV硬化接着剤、光硬化接着剤、強力瞬間接着剤、シルバーペイント、及びワックスが挙げられるが、これらに限定されない。これより図11Aを参照して、シールド60、遮蔽面61、シールドに耐久的に接着された試料8、及び可視位置合わせマーク65の斜視図を示す。図11Aは、イオンビーム準備前の試料を示す。図11Bは、図11Aに示される物体と同じ物体の斜視図である。しかし、図11Bは、イオンビーム試料準備後の試料を表す。遮蔽面61は、中央イオンビーム軸22に沿って伝播するイオンビームの部分を遮断する。試料8の部分は、試料準備中にイオンビームによりスパッタされて除去され、それにより、シールドエッジ63及び中央イオンビーム軸22により定義される平面にある試料の部分が露出する。このようにして準備された試料は、様々な顕微鏡法又は分光法の技法、特に、高度に研磨された平面を必要とする技法を用いる観測又は解析に適する。図12A及び図12Bは、シールド60の別の実施形態を示し、試料締め付け手段68が、シールドの近位試料面62に一体形成される。図12Aは試料を締め付ける前のこのシールドを示し、図12Bは、試料8が試料締め付け手段68によりシールドに固定された後のこのシールドを示す。別の実施形態では、試料締め付け手段68を別個に形成し、次に、試料を締め付ける前に、シールドに結合してもよい。接着剤を試料締め付け手段と試料との間に塗布して、試料がシールドに対して動かないことをさらに保証し得る。図1A、図1B、図1C、及び図2に示される装置の使用は、以下のステップを参照して進め得る。真空チャンバ外で、試料をシールドに耐久的に接着し得る。シールド保持ステージを保持ステージ装填位置に移動させ、それにより、イオンビーム放射手段が配置された真空チャンバの部分に対して真空気密である装填チャンバを作り出す。次に、第2のポンプマニフォルドを通して、真空ポンプ手段の動作により装填チャンバを大気圧まで加圧し得る。次に、チャンバカバーを外し得る。チャンバカバーが外された状態で、シールドと試料との組み合わせをシールド保持ステージのシールド保持位置に固定し得る。次に、チャンバカバーを再び配置し得る。チャンバカバーが真空チャンバの所定位置にある状態で、真空ポンプ手段を動作させ、第2のポンプマニフォルドを通して装填チャンバを脱気し、それにより、大気圧よりも実質的に低い真空レベルを得ることができる。次に、保持ステージリフト手段及びリフト駆動装置を動作させて、シールド保持ステージを保持ステージ処理位置に移動させ得る。第1のポンプマニフォルドを通して、真空ポンプ手段が装填プロセス全体を通して動作して、真空チャンバ内で真空レベルを維持し得る。試料及びシールドが保持ステージ処理位置に移動すると、イオンビーム放射手段が動作して、試料を準備し得る。試料が、装置のユーザが望む程度まで準備されると、イオンビーム放射手段をオフにし得る。次に、保持ステージリフト手段及びリフト駆動装置が動作して、シールド保持ステージを再び保持ステージ装填位置に移動させ得る。真空気密装填チャンバが再び作り出された状態で、真空チャンバの残りの部分の真空を妨げずに、装填チャンバを大気圧まで加圧し得る。チャンバカバーを外し得、準備のできた試料を、先に接着されたシールドと共に装置から取り出し得る。準備のできた試料及びシールドを保持し、それにより、試料の準備のできた領域を顕微鏡で観測し得るように、顕微鏡にシールド保持ステージを嵌める。観測後、ユーザは、追加の試料準備が必要であると判断し得る。試料はまだ、シールドに耐久的に接着されているため、さらに処理するために、試料及びシールドを真空チャンバに戻すことは簡単である。シールド及びシールド保持ステージの両方の基準特徴は、試料が装置で処理される都度、シールドを略同じ位置及び向きに保持可能なことを保証する。複数の基準特徴70a、70c、及び70eを有するシールド保持ステージ40と、シールド保持手段42と、複数の基準特徴70b、70d、及び70fを有する少なくとも1つのシールド60とを備えたキットを、顕微鏡に嵌めるために供給し得る。そのようなキットは、イオンビーム試料準備装置2で準備された試料の顕微鏡観測に役立つ。これより図14Aを参照して、シールド保持ステージ40の温度を制御するように構成されたイオンビーム試料準備装置2の実施形態の概略断面図を示す。図14Aの実施形態は、試料を内部でイオンビーム放射手段20により準備し得る真空チャンバ10と、着脱可能且つ再配置可能なチャンバカバー18であって、チャンバ10から外された場合、試料にアクセスし、シールドを装填できるようにするチャンバカバー18と、共に真空チャンバ10を、イオンビームミリングに適切な真空レベルにする第1のポンプマニフォルド92a及びポンプ手段90と、シールド保持ステージ40及びシールド保持手段42であって、シールド保持手段42は図14Aではシールド保持位置に示される、シールド保持ステージ40及びシールド保持手段42と、上記シールド保持ステージ40に結合される保持ステージリフト手段100と、上記保持ステージリフト手段100に動作可能に結合されるリフト駆動装置102であって、シールド保持ステージを図14Aに示される保持ステージ装填位置104と図14Bに示される保持ステージ処理位置106との間で移動させ得る、リフト駆動装置102と、真空チャンバ10と外部大気との間で真空封止を維持しながら、保持ステージリフト手段を上下に移動させることができる真空封止56とを備えて示される。図14Aの装置は、シールド保持ステージ40と熱伝導的に接触する伝熱部材80と、伝熱部材80と熱交換流体又はガスとの間での熱交換に役立つヒートシンク手段84とをさらに備えて示される。シールド保持手段42は、シールド保持位置にある場合、シールド60とシールド保持ステージ40との間での熱伝導接触を促し、それにより、シールドとシールド保持ステージとの熱交換を促進する。シールド保持ステージ40が保持ステージ装填位置104まで上昇した場合、装填チャンバ16が作り出される。保持ステージ装填位置104にあるとき、シールド保持ステージ40の真空封止特徴は、真空チャンバ10の真空封止特徴と係合し、上記真空チャンバを外部大気から分離するように機能する。第2のポンプマニフォルド92b及びポンプ手段90を使用して、シールド保持ステージを保持ステージ処理位置に下降させる準備として、装填チャンバ16を脱気し得る。好ましい実施形態では、チャンバカバー18が所定位置にあり、装填チャンバを外部大気から封止する場合、装填チャンバ16の容積は真空チャンバ10の容積よりもはるかに小さい。引き続き図14Aを参照すると、イオンビームは、好ましくは、希ガスイオンを含む。イオンビームに使用される元素としては、アルゴン、キセノン、及びクリプトンが挙げられるが、これらに限定されない。イオンビームは、イオンと中性物との混合物を含んでもよい。ヒートシンク手段84は、吸熱媒質として気体窒素、液体窒素、他の気体、又は他の液体を使用し得る。ヒートシンク手段84は、伝熱部材80を所定の温度に実質的に維持可能な温度制御手段をさらに備え得る。図14A及び図14Bのシールド保持ステージ40は、図1A、図1B、図1C、図2、図3A、図3B、図4、図5A、図5B、及び図6に示されるシールド保持ステージ40が有するものと同じ特徴及び機能を有する。さらに、図14A及び図14Bのシールド60は、図3A、図3B、図5A、図5B、図6、図7A、図7B、図8A、及び図8Bのものと同じ特徴、機能、及び態様を有する。シールド60の好ましい実施形態では、良好な熱伝導性を有する材料を使用して、シールドとシールド保持ステージとの間での熱伝導を向上させることができ、上記材料としては実質的に非磁性の金属が挙げられるが、これに限定されない。図13A及び図13Bは、シールド60の他の好ましい実施形態を示し、この実施形態では、良好な熱伝導性を有する材料をコア材料として使用して、シールドとシールド保持ステージとの間での熱伝導を向上させることができ、スパッタリング収率が低い実質的に非磁性の材料を、コア材料を覆う被覆材料として使用することができ、それにより、被覆材料はシールド60の遮蔽面61の少なくとも一部を形成する。図14Bの装置は、図14Aと同じ装置を示す。しかし、図14Bでは、保持ステージリフト手段104及びリフト駆動装置102が動作して、シールド保持ステージ40を保持ステージ処理位置106に移動させている。保持ステージ処理位置にある場合、シールド保持ステージ40は、中央イオンビーム軸22に対して所定の位置及び向きで真空チャンバ10内に配置される。図14A及び図14Bの装置では、シールド保持ステージ40の基準特徴により、上述したシールド60を再配置可能に使用することができる。シールド保持手段により提供される2つの位置、すなわち、図3Bに示されるシールド保持位置46及び図4に示されるシールド解放位置48により、シールドを着脱可能且つ再配置可能にシールド保持ステージ40に固定し得る。シールド60に耐久的に接着された試料は、処理し、取り外してから、単に試料をシールド保持位置に配置し、イオンビームで試料を再び準備することにより再処理し得る。シールド及びシールド保持ステージの両方の基準特徴は、シールドを略同一の位置及び向きで複数回位置決めし得ることを保証する。図14A及び図14Bの装置の使用は、図1A、図1B、図1C、及び図2の装置の使用に関して開示されたすべてのステップに従って進め得る。しかし、図14A及び図14Bの実施形態に示される伝熱部材及びヒートシンク手段は、ユーザに追加の性能を与える。図14A及び図14Bの実施形態では、熱制御は、保持ステージリフト手段と、リフト駆動装置と、保持ステージ装填位置にある場合に生み出される分離された装填チャンバと協調して特によく機能する。これは、試料が低温に保たれながらイオンビームで準備される場合に当てはまり得る。そのような温度は、装置の直近外部の局所大気の露点よりも低いことがあり得る。シールド保持ステージが局所露点よりも低い温度である場合、装填中及び取り外し中にシールド保持ステージを大気に露出させると、装填チャンバ内で水分凝縮が生じ得る。そのような水分凝縮は、湿った保持ステージが真空チャンバ内に移動する場合、真空チャンバ内で維持される真空状況を損なうであろう。さらに、凝縮が試料上に形成され得る場合、凝縮は試料を損ない得る。有利なことには、ヒートシンク手段を使用して、ユーザがチャンバカバーを外して、シールド保持ステージにアクセスする前に、シールド保持ステージの温度を局所露点よりも上の温度にし得る。保持ステージリフト手段は、装填チャンバの作成が、試料の装填中及び取り外し中に周囲大気に露出しなければならない装置の容積を大幅に低減するという点で別の利点を生み出す。これは、シールド保持ステージの温度を上昇又は下降させて、周囲大気温度に合わせなければならない場合は常に、途方もない時間の節減である。これより図15A及び図15Bを参照して、イオンビーム試料準備装置2の別の実施形態の概略断面図を示す。図15A及び図15Bの装置は、図14A及び図14Bの実施形態とは異なる構成によりシールド保持ステージ40の温度を制御するように構成される。図15Aの実施形態は、試料を内部でイオンビーム放射手段20により準備し得る真空チャンバ10と、着脱可能且つ再配置可能なチャンバカバー18であって、チャンバ10から外された場合、試料にアクセスし、シールドを装填できるようにするチャンバカバー18と、共に真空チャンバ10を、イオンビームミリングに適切な真空レベルにする第1のポンプマニフォルド92a及びポンプ手段90と、シールド保持ステージ40及びシールド保持手段42であって、シールド保持手段42は図15Aではシールド保持位置に示される、シールド保持ステージ40及びシールド保持手段42と、上記シールド保持ステージ40に結合される保持ステージリフト手段100と、上記保持ステージリフト手段100に動作可能に結合されたリフト駆動装置102であって、シールド保持ステージを図15Aに示される保持ステージ装填位置104と図15Bに示される保持ステージ処理位置106との間で移動し得る、リフト駆動装置102と、真空チャンバ10と外部大気との間に真空封止を維持しながら、保持ステージリフト手段を上下に移動させることができる真空封止56と、を備えて示される。シールド保持ステージ40が保持ステージ装填位置104まで上昇した場合、装填チャンバ16が生み出される。図15A及び図15Bの装置は、伝熱部材80及びヒートシンク手段84をさらに備えて示され、これらは共に、伝熱部材80とヒートシンク手段84との間で熱交換を促進させる。図15A及び図15Bの両方の装置は、試料8がシールド60に耐久的に接着された状態で示される。試料とシールドとの組み合わせは、シールド保持手段42のシールド保持位置に保持されて示される。シールド保持ステージ40及びシールド60は、本開示においてすべて上述された図1A、図1B、図1C、図2、図3A、図3B、図4、図5A、図5B、図6、図7A、図7B、図8A、図8Bに示されるシールド保持ステージ及びシールドと同じように働き、同じ特徴及び態様を有する。図15A及び図15Bのシールド保持ステージは、保持ステージリフト手段が保持ステージ処理位置106にある場合、伝熱部材80に熱伝導的に接触して係合できるようにする追加の特徴を有する。図15A及び図15Bのシールド保持ステージは、保持ステージリフト手段100が保持ステージ装填位置104にある場合、伝熱部材80との熱伝導的接触から係合解除できるようにする特徴も有する。引き続き図15A及び図15Bを参照すると、シールド保持手段42は、シールド保持位置にある場合、シールド60とシールド保持ステージ40との間での熱伝導的接触を促し、それにより、シールドとシールド保持ステージとの間での熱交換を促進する。保持ステージリフト手段が保持ステージ装填位置104にある場合、シールド保持ステージ40と伝熱部材80との間に熱伝導的接触はない。さらに、保持ステージ装填位置104にある場合、シールド保持ステージは、真空チャンバ10の部分と熱伝導的に接触し得る。熱伝導的な接触により、シールド保持ステージは真空チャンバの接触部分と熱を交換することができ、それにより、試料、シールド、及びシールド保持ステージは、真空チャンバの接触部分に存在する温度と同じ温度に近づき得る。保持ステージ装填位置104にある場合、シールド保持ステージ40の真空封止特徴は真空チャンバ10の真空封止特徴に係合し、上記真空チャンバを外部大気から分離するように機能する。第2のポンプマニフォルド92b及びポンプ手段90を使用して、シールド保持ステージを保持ステージ処理位置まで下降させる準備として、装填チャンバ16を脱気し得る。好ましい実施形態では、チャンバカバー18が所定位置にあり、装填チャンバを外部大気から封止する場合、装填チャンバ16の容積は、真空チャンバ10の容積よりもはるかに小さい。図15Bは、保持ステージリフト手段100及びリフト駆動装置102が動作して、保持ステージ処理位置106に移動した後の図15Aの装置を示す。この位置では、伝熱部材80は、シールド保持ステージ40と熱伝導的に接触する。ヒートシンク手段84は、この位置で動作して、伝熱部材80を通して熱を交換し、それにより、シールド保持ステージ40の温度に影響し得る。シールドがシールド保持位置に保持される場合、シールド60とシールド保持ステージ40との間に確立される熱伝導的接触は、熱回路を完成させ、ヒートシンク手段84とシールド60との間で熱を交換できるようにする。好ましい実施形態では、ヒートシンク手段84は、熱交換媒質として気体又は液体の窒素を使用し得る。図15A及び図15Bの装置の使用は、図1A、図1B、図1C、及び図2の装置の使用に関して開示されたすべてのステップに従って進め得る。しかし、図15A及び図15Bの実施形態に示される伝熱部材及びヒートシンク手段は、ユーザに追加の性能を与える。図15A及び図15Bの実施形態では、熱制御は、保持ステージリフト手段と、リフト駆動装置と、保持ステージ装填位置にある場合に生み出される分離された装填チャンバと協調して特によく機能する。これは、試料が低温に保たれながらイオンビームで準備される場合に当てはまり得る。そのような温度は、装置の直近外部の局所大気の露点よりも低いことがあり得る。シールド保持ステージが局所露点よりも低い温度である場合、装填中及び取り外し中にシールド保持ステージを大気に露出させると、装填チャンバ内で水分凝縮が生じ得る。そのような水分凝縮は、湿った保持ステージが真空チャンバ内に移動する場合、真空チャンバ内で維持される真空状況を損なうであろう。さらに、凝縮が試料上に形成され得る場合、凝縮は試料を損ない得る。試料は、イオンビームで処理された後、保持ステージリフト手段及びリフト駆動装置により保持ステージ装填位置に移動させ得る。この位置において、シールド保持ステージは真空チャンバの部分と熱伝導的に接触する。伝熱部材はもはやシールド保持ステージに接触していないため、シールド保持ステージの温度を真空チャンバのその部分の温度まで自由に上昇させることができる。真空チャンバの温度は局所大気とおおよそ同じ温度であるため、シールド保持ステージ、シールド、及び試料は局所大気の温度に達することになる。保持ステージ装填位置にある場合の真空チャンバとシールド保持ステージとの熱伝導的接触は、保持ステージ処理位置にある間、先に冷却された試料を暖める効率的な方法を提供する。試料、シールド、及びシールド保持ステージが十分に暖まった場合、装填チャンバを大気状況まで再加圧し、チャンバカバーを外し、シールドと試料との組み合わせを装置から取り外して、他のどこかで顕微鏡観察を行い得る。本発明について本発明の特定の好ましいバージョンを参照してかなり詳細に説明したが、他のバージョンも可能である。例えば、様々な実施形態に示される特徴を1つの実施形態に組み合わせることが望ましい場合がある。特定の好ましいバージョンが、適宜置換し得、様々な実施形態で同様の性能を達成し得る代替形態を有することもできる。例えば、装置の装填チャンバのアクセスに使用されるチャンバカバーは、装置に繋がれるか、ヒンジを介して装置に取り付けられるか、それとも全体的に装置から取り外し可能であるかに関係なく、求められる機能を等しく良好に満たし得る。添付の特許請求の範囲のこれら及び他の均等物が、当業者により容易に認識されよう。したがって、添付の特許請求の範囲の趣旨及び範囲は、本明細書に含まれる好ましいバージョンの説明に限定されるべきではない。特定の機能を実行する手段又は特定の機能を実行するステップと明示的に述べられていない請求項内の任意の要素は、米国特許法第112条第6段落に指定される手段又はステップ条項として解釈されるべきではない。特に、本発明での請求項でのステップの使用は、米国特許法第112条第6段落の条項を行使するものとして解釈されない。