"第1の電極と、配向制御層と、電気機械変換膜と、第2の電極とを積層して成る電気機械変換素子を製造する電気機械変換素子の製造方法において、前記第1の電極の表面側に、前記配向制御層を形成する配向制御層形成工程と、前記配向制御層の表面側に、前記電気機械変換膜を形成する電気機械変換膜形成工程と、前記電気機械変換膜の表面側に、前記第2の電極を形成する第2の電極形成工程とを備えるとともに、前記配向制御層形成工程は、前記第1の電極の表面側に液体吐出ヘッドのノズルを対向させるとともに、ゾルから成る配向制御層前駆体溶液を前記ノズルから吐出することにより前記第1の電極に前記配向制御層前駆体溶液を塗布する塗布工程と、塗布した前記配向制御層前駆体溶液を熱処理して前記第1の電極上で結晶化する熱処理工程とを有し、前記塗布工程および前記熱処理工程を少なくとも1回ずつ順に行うゾルゲル法により前記第1の電極の前記ノズル側に前記配向制御層を形成することを特徴とする電気機械変換素子の製造方法。前記配向制御層形成工程は、前記塗布工程に先立って、前記第1の電極の表面側の前記配向制御層前駆体溶液を塗布する部分以外の部分に、前記配向制御層前駆体溶液の付着を阻害する表面改質を施す表面改質工程を備えることを特徴とする請求項1に記載の電気機械変換素子の製造方法。前記配向制御層前駆体溶液は、少なくとも鉛とチタンとを含むチタン酸鉛前駆体溶液であることを特徴とする請求項1又は2に記載の電気機械変換素子の製造方法。前記チタン酸鉛前駆体溶液は、少なくとも酢酸鉛とチタン塩とを含むことを特徴とする請求項3に記載の電気機械変換素子の製造方法。前記配向制御層の膜厚は、2nm~50nmであることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の電気機械変換素子の製造方法。前記配向制御層による前記電気機械変換膜の優先配向は111であることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の電気機械変換素子の製造方法。前記電気機械変換膜は、鉛、ジルコニウム、チタンの少なくともいずれか1つを含むことを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の電気機械変換素子の製造方法。上述した請求項1~7のいずれか一項に記載の電気機械変換素子の製造方法により製造したことを特徴とする電気機械変換素子。請求項8に記載の電気機械変換素子を備えたことを特徴とするインクジェットヘッド。請求項9に記載のインクジェットヘッドを備えたことを特徴とするインクジェット記録装置。しかしながら、上述した電気機械変換素子では、配向制御層の製造方法として真空成膜法が採用されているので、下部電極の全面に成膜されてしまい、成膜後にフォトリソグラフィー及びエッチングの処理が必要となり、作業が煩雑になるという問題があった。しかも、除去される部位の材料は無駄になってしまうので、無駄を少なくしてコストを削減することが望まれていた。真空成膜法以外の成膜法として、例えばゾルゲル法の1つであるスピン成膜法が知られている。しかし、スピン成膜法であっても、下部電極の全面に成膜されてしまうので、上述した真空成膜法と同様の問題が生じてしまう。しかも、スピン成膜法では、成膜可能な膜厚の下限値が30nmであり、それより薄い膜厚の配向制御層を形成しようとすると、膜質が不均一になってしまう可能性がある。このため、所望の厚さの配向制御層を成膜できない場合がある。本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであり、配向制御層を成膜する際に全面成膜することなく必要な部分だけパターニングして成膜できるとともに、配向制御層を薄膜化できる電気機械変換素子の製造方法、この製造方法により製造された電気機械変換素子、及びこれを用いたインクジェットヘッド並びにインクジェット記録装置を提供することを目的とする。本発明に係る電気機械変換素子の製造方法は、上記目的達成のため、第1の電極と、配向制御層と、電気機械変換膜と、第2の電極とを積層して成る電気機械変換素子を製造する電気機械変換素子の製造方法において、前記第1の電極の表面側に、前記配向制御層を形成する配向制御層形成工程と、前記配向制御層の表面側に、前記電気機械変換膜を形成する電気機械変換膜形成工程と、前記電気機械変換膜の表面側に、前記第2の電極を形成する第2の電極形成工程とを備えるとともに、前記配向制御層形成工程は、前記第1の電極の表面側に液体吐出ヘッドのノズルを対向させるとともに、ゾルから成る配向制御層前駆体溶液を前記ノズルから吐出することにより前記第1の電極に前記配向制御層前駆体溶液を塗布する塗布工程と、塗布した前記配向制御層前駆体溶液を熱処理して前記第1の電極上で結晶化する熱処理工程とを有し、前記塗布工程および前記熱処理工程を少なくとも1回ずつ順に行うゾルゲル法により前記第1の電極の前記ノズル側に前記配向制御層を形成することを特徴とするものである。これにより、配向制御層形成工程において液体吐出ヘッドすなわち、インクジェットヘッドを利用したゾルゲル法により配向制御層が形成されているので、第1の電極に配向制御層を成膜する際に全面成膜することなく、選択的に必要な部分だけパターニングして成膜することができる。このため、従来のように配向制御層の製造方法として真空成膜法やスピン成膜法を採用した場合のように第1の電極の全面に成膜されることがないので、成膜後のフォトリソグラフィー及びエッチングの工程が不要となる。また、したがって、配向制御層の形成作業が簡易になるとともに、従来は最終的に除去されていた不必要な部分への配向制御層前駆体溶液の塗布が無くなるのでコスト削減に貢献することができる。また、液体吐出ヘッドを利用したゾルゲル法により配向制御層を形成しているので、従来のように真空成膜法やスピン成膜法により膜形成した場合に比べて、配向制御層の薄膜化を図ることができる。これにより、配向制御層の配向度が高くなるので図10を参照。、電気機械変換膜の変位特性を向上することができる。本発明に係る電気機械変換素子の製造方法は、前記配向制御層形成工程は、前記塗布工程に先立って、前記第1の電極の表面側の前記配向制御層前駆体溶液を塗布する部分以外の部分に、前記配向制御層前駆体溶液の付着を阻害する表面改質を施す表面改質工程を備えることが好ましい。ここで、例えば、第1の電極が貴金属元素である場合、第1の電極の表面側は濡れ性を示すので、配向制御層前駆体溶液を塗布すると同心円状に濡れ広がる虞がある。これに対し、本発明に係る電気機械変換素子の製造方法によれば、第1の電極の表面側の配向制御層前駆体溶液を塗布する部分以外の部分に配向制御層前駆体溶液が付着し難くなる。これにより、所望パターンの配向制御層を高精度に形成することができる。本発明に係る電気機械変換素子の製造方法は、前記配向制御層前駆体溶液は、少なくとも鉛とチタンとを含むチタン酸鉛前駆体溶液であることが好ましい。これにより、配向制御層としてチタン酸鉛層を形成することができるので、配向制御層の配向度を高めて電気機械変換膜の変位特性を向上することができる。本発明に係る電気機械変換素子の製造方法は、前記チタン酸鉛前駆体溶液は、少なくとも酢酸鉛とチタン塩とを含むことが好ましい。これにより、配向制御層としてチタン酸鉛層を形成することができるので、配向制御層の配向度を高めて電気機械変換膜の変位特性を向上することができる。ここでのチタン塩としては、例えば、アルコキシド、塩化物、硝酸塩、酢酸塩等が挙げられる。本発明に係る電気機械変換素子の製造方法は、前記配向制御層の膜厚は、2nm~50nmであることが好ましい。これにより、配向制御層は十分薄膜となるので、配向制御層の配向度を高めて電気機械変換膜の変位特性を向上することができる。本発明に係る電気機械変換素子の製造方法は、前記配向制御層による前記電気機械変換膜の優先配向は111であることが好ましい。これにより、配向制御層に成膜される電気機械変換膜の結晶面方位が111に配向されるので、電気機械変換膜の変位特性を向上することができる。本発明に係る電気機械変換素子の製造方法は、前記電気機械変換膜は、鉛、ジルコニウム、チタンの少なくともいずれか1つを含むことが好ましい。これにより、電気機械変換膜の変位特性が向上するので、電気機械変換素子の変位量が大きくなるとともに、電気機械変換膜の耐久性が高くなる。本発明に係る電気機械変換素子は、上述した電気機械変換素子の製造方法により製造したことを特徴とするものである。これにより、変位量の大きい電気機械変換素子を安価に得ることができる。本発明に係るインクジェットヘッドは、上述した電気機械変換素子を備えたことを特徴とするものである。これにより、変位量の大きい安価な電気機械変換素子を利用することにより、高性能のインクジェットヘッドを安価に得ることができる。本発明に係るインクジェット記録装置は、上述した液体吐出ヘッドを備えたことを特徴とするものである。これにより、変位量の大きい安価な電気機械変換素子を利用することにより、高性能のインクジェット記録装置を得ることができる。本発明によれば、液体吐出ヘッドを利用したゾルゲル法により配向制御層が形成されるので、配向制御層を成膜する際に全面成膜することなく必要な部分だけパターニングして成膜できるとともに、配向制御層を薄膜化できる電気機械変換素子の製造方法、この製造方法により製造された電気機械変換素子、及びこれを用いたインクジェットヘッド並びにインクジェット記録装置を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。まず、図1および図2を参照して、本発明の実施の形態に係る電気機械変換素子の製造方法により製造された電気機械変換素子を備えたインクジェットヘッドについて説明する。本実施の形態のインクジェットヘッド1は、ノズル板10と、シリコン基板20と、振動板30と、電気機械変換素子40とを積層して備えている。すなわち、このインクジェットヘッド1は、ノズル板10のノズル孔11からインク液滴を吐出させるサイドシュータータイプのものである。シリコン基板20は、厚さ方向に貫通して形成される複数の加圧室21と、共通液室22と、各加圧室21と共通液室22とをそれぞれ連結する流体抵抗通路23とを備えている。これにより、共通液室22に流入されたインクは、各流体抵抗通路23を流通して各加圧室21に供給される。各加圧室21と、各流体抵抗通路23と、共通液室22とは、隔壁24により仕切られている。ノズル板10は、加圧室21ごとにノズル孔11を備えている。振動板30は、共通液室22に対向する部位が開口されて成るインク供給口31を備えている。このインク供給口31は、液滴として吐出されるインクを共通液室22に外部から供給できるようになっている。電気機械変換素子40は、第1の電極としての下部電極41と、配向制御層42と、電気機械変換膜43と、第2の電極としての上部電極44とを積層して備えている。下部電極41は、積層された酸化物電極45および白金族電極46を備えている。下部電極41は、振動板30の全域に形成されている。配向制御層42と、電気機械変換膜43と、上部電極44とは、加圧室21ごとに対応する位置に別個に設けられている。これにより、一の上部電極44に電圧を印加することにより、その上部電極44に対応する加圧室21のみに圧力を加えることができるようになり、加圧室21ごとに別個に制御することができるようになっている。次いで、インクジェットヘッド1の動作について説明する。各加圧室21には、予めインクが満たされているものとする。この状態で、制御部の発振回路図示せずにより、画像データに基づいて、インクの吐出を行いたいノズル孔11に対応する上部電極44に対して、20Vのパルス電圧が印加される。上部電極44から電気機械変換素子40に電圧パルスが印加されることにより、電気機械変換膜43は電歪効果によって瞬間的に振動板30と平行方向に縮む。これにより、振動板30が加圧室21の内部に向けて撓み、加圧室21内の圧力が急激に上昇して、加圧室21に連通するノズル孔11からインクが吐出される。パルス電圧印加後は縮んだ電気機械変換膜43が元の形状に戻るので、撓んだ振動板30も元の形状に戻る。このため、加圧室21内が共通液室22内に比べて負圧となり、共通液室22から流体抵抗通路23を流通してインクが加圧室21内に供給される。以上の動作を繰り返すことにより、インク液滴を連続的に吐出することができる。そして、インクジェットヘッド1に対向して配置された記録媒体に画像が形成される。次に、本発明の実施の形態に係る電気機械変換素子40の製造方法により、電気機械変換素子40を製造する手順について、図3および図4を参照して説明する。まず、シリコン基板20と、埋め込みシリコン酸化膜と、活性層シリコンとを順に積層して成るSOISiliconOnInsulator基板を用意する。そして、活性層シリコンの表面側に一般的な熱酸化法により処理を施し、シリコン酸化膜を形成する。各層の厚さとしては、例えば、シリコン基板20は400μm、埋め込みシリコン酸化膜は500nm、活性層シリコンは2μm、シリコン酸化膜は300nmとしている。これら埋め込みシリコン酸化膜と、活性層シリコンと、シリコン酸化膜とは、振動板30を構成している。ここで、振動板30の表面側に形成される下部電極41は、電気機械変換素子40に信号入力する際の共通電極として電気的に接続される。このため、下部電極41の下に積層される振動板30は絶縁体であるか、もしくは導体であれば絶縁処理を施して用いる必要がある。そこで、本実施形態では、振動板30は、いずれも絶縁体である埋め込みシリコン酸化膜と、活性層シリコンと、シリコン酸化膜とから形成されるものとしている。本実施形態では、振動板30は、埋め込みシリコン酸化膜と、活性層シリコンと、シリコン酸化膜とから形成されるものとしたが、これに限られず、例えば、シリコン酸化膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、これらの膜を積層した膜としてもよい。これらのシリコン系絶縁膜としては、熱酸化膜やCVD堆積膜を用いる。あるいは、振動板30としては、熱膨張差を考慮した酸化アルミニウム膜、ジルコニア膜等のセラミック膜で、絶縁処理を施したものでもよい。これらの金属酸化膜はスパッタリング法で成膜することができる。そして、振動板30の表面側に下部電極41が形成される。これは、まず振動板30の表面側に、スパッタ法により、酸化物電極45が形成される。ここで、酸化物電極45に積層する下部電極41の材料としては、耐熱性かつアルカンチオールとの反応によりSAMSelf-AssembledMonolayer膜を形成可能な金属である必要がある。銅や銀はSAM膜を形成可能であるが、大気下中で500~700°Cの熱処理により変質してしまうので用いることは好ましくない。また、金は、SAM膜を形成可能であるとともに500~700°C程度の熱処理でも変質しないものの、積層する配向制御層42の結晶化に不利であるので好ましくない。これに対し、白金、ロジウム、ルテニウム、イリジウムの単金属や白金-ロジウムなどの白金を主成分とした他の白金族元素との合金材料は、チオールとの反応性に優れてSAM膜を形成可能であるとともに、500~700°C程度の熱処理でも変質せず、また積層する配向制御層42の結晶化にも有利である。そこで、本実施の形態では、酸化物電極45の表面側に、スパッタ法により、白金族電極46が積層して形成される。また、シリコン基板20と、振動板30と、下部電極41とを積層したものを配向制御層形成前基板25と呼ぶ。そして、図3aに示すように、白金族電極46の表面側にSAM膜47が形成される。SAM膜47は、配向制御層形成前基板25をアルカンチオール液に浸漬することにより得られる。本実施の形態では、アルカンチオール液として、CH3CH2-SHのアルカンチオールの分子をアルコール、アセトン、トルエン等の一般的な有機溶媒に、例えば、数mol/Lの濃度で溶解させたものを用いている。このアルカンチオール液に、配向制御層形成前基板25を浸漬させ、所定時間後に取り出した後、余剰な分子を溶媒で置換洗浄し乾燥する。これにより、白金族電極46の表面側に有機分子が自己配列され、SAM膜47が形成される。SAM膜47の表面側にはアルキル基が配置されている。このため、SAM膜47の表面側は疎水性となる。次に、図3bに示すように、フォトリソグラフィーによりフォトレジスト48を所定のパターンでパターン形成する。さらに、図3cに示すように、例えば、酸素プラズマの照射又はUV光の照射といったドライエッチングによりSAM膜47を除去する。そして、加工に用いたフォトレジスト48を除去してSAM膜47のパターニングを終了する表面改質工程。すなわち、本実施の形態では、SAM膜47は、フォトリソグラフィーエッチング法によりパターン形成されている。このように形成されたSAM膜47は、純水に対する接触角が例えば92度であり、疎水性を示す。一方、SAM膜47が除去されて露出した基板の白金族電極46の表面は、純水に対する接触角が例えば5度であり、親水性を示す。次に、図3dに示すように、後述する液体吐出塗布装置100の液体吐出ヘッド50により、ゾルから成る配向制御層前駆体溶液2の液滴を白金族電極46に吐出させる。液体吐出ヘッド50による液体吐出方式によって、配向制御層前駆体溶液2が塗布される塗布工程。配向制御層前駆体溶液2としては、鉛およびチタンを含むチタン酸鉛前駆体溶液を使用している。ここでは、チタン酸鉛前駆体溶液として、少なくとも酢酸鉛と、アルコキシド、塩化物、硝酸塩、酢酸塩などのチタン塩とを含むものとしている。また、チタン酸鉛前駆体の濃度としては、0.01mol/Lとしている。配向制御層前駆体溶液2は、疎水性であるSAM膜47上には塗布されず、SAM膜47の除去された親水性である白金族電極46のみに塗布される。すなわち、疎水面および親水面の表面エネルギのコントラストを利用して、配向制御層前駆体溶液2が塗り分けられる。そして、図3eに示すように、塗布された配向制御層前駆体溶液2を、例えば120°Cで乾燥させ、例えば500°Cで熱分解し、例えば700°Cで結晶化させるという熱処理を施す熱処理工程。これにより、ゾルゲル法を利用して配向制御層42が得られるとともに、熱処理により全てのSAM膜47が除去される配向制御層形成工程。こうして形成された配向制御層42は、膜厚が30nmであり、結晶面方位は111に優先配向したものとなっている。そして、図4aに示すように、配向制御層42の形成されたPZT形成前基板25をアルカンチオール液に浸漬する。アルカンチオール液の成分や濃度は、配向制御層42の形成時と同様としている。このPZT形成前基板25を所定時間後に取り出した後、余剰な分子を溶媒で置換洗浄し乾燥する。これにより、白金族電極46の表面側に有機分子が自己配列され、SAM膜47が形成される。ここで、SAM膜47は、チタン酸鉛膜のような酸化物薄膜には形成されない。このため、SAM膜47は配向制御層42の形成された部分以外の部分である白金族電極46の露出している表面側のみに形成される。これにより、図3bに示すような所定のパターンのフォトレジスト48を形成することなく、SAM膜47は所望のパターンに形成される。よって、配向制御層42の形成時のSAM膜47の形成に比べて、処理手順を簡素化することができる。そして、図4bに示すように、後述する液体吐出塗布装置100の液体吐出ヘッド50により、ゾルから成るPZT前駆体溶液49の液滴を配向制御層42に吐出させる。液体吐出ヘッド50による液体吐出方式によって、PZT前駆体溶液49が塗布される。ここで、疎水性であるSAM膜47上にはPZT前駆体溶液49が塗布されず、SAM膜47の除去された親水性である配向制御層42のみにPZT前駆体溶液49が塗布されるようになる。すなわち、疎水面および親水面の表面エネルギのコントラストを利用して、PZT前駆体溶液49が塗り分けられる。そして、図4cに示すように、塗布されたPZT前駆体溶液49を、例えば120°Cで乾燥させ、例えば500°Cで熱分解し、最後に例えば700°Cで結晶化させるという熱処理を施す。これにより、ゾルゲル法を利用して電気機械変換膜43が得られるとともに、熱処理により全てのSAM膜47が除去される電気機械変換膜形成工程。さらに、電気機械変換膜43の表面側に、スパッタ法により白金族の上部電極44が積層して形成される第2の電極形成工程。これにより、電気機械変換素子40が製造される。次に、上述した配向制御層形成工程および電気機械変換膜形成工程で使用される膜形成用液体吐出ヘッド50を備えた液体吐出塗布装置100について説明する。図5に示すように、この液体吐出塗布装置100は、架台110と、X軸駆動手段120と、Y軸駆動手段130と、Z軸駆動手段140と、液体吐出塗布手段150とを備えている。架台110は平板状で、Y軸駆動手段130と、X軸駆動手段120とが設置されている。Y軸駆動手段130は、ステージ131と、図示しないY軸駆動部材とを備えている。Y軸駆動部材は、ステージ131をY軸方向に駆動するように設置されている。ステージ131には、シリコン基板20、振動板30、下部電極41が積層されて成る基板が搭載される。また、ステージ131は、図示しない吸着手段を備えている。吸着手段は、負圧あるいは静電気等により、配向制御層形成前基板25をステージ131に固定するものとしている。X軸駆動手段120は、X軸支持部材121と、図示しないX軸駆動部材とを備えている。X軸駆動部材は、X軸支持部材121によって支持されるとともに、Z軸駆動手段140を保持している。これにより、Z軸駆動手段140をX軸方向に駆動するようになっている。Z軸駆動手段140は、ヘッドベース141と、図示しないZ軸駆動部材とを備えている。Z軸駆動部材は、ヘッドベース141をZ軸方向に駆動するように設置されている。液体吐出塗布手段150は、液体吐出ヘッド50と、供給用パイプ151とを備えている。液体吐出塗布手段150は、ヘッドベース141に搭載されている。液体吐出ヘッド50には、図示しない液体タンクから供給用パイプ151により、配向制御層前駆体溶液2やPZT前駆体溶液49が供給される。また、液体吐出ヘッド50には、図示しない吐出駆動電源が接続されている。上述したように、本実施の形態のインクジェットヘッド1によれば、配向制御層形成工程において液体吐出ヘッド50を利用したゾルゲル法により配向制御層42が形成されているので、下部電極41に配向制御層42を成膜する際に全面成膜することなく、選択的に必要な部分だけパターニングして成膜することができる。このため、従来のように配向制御層42の形成方法として真空成膜法やスピン成膜法を採用した場合のように下部電極41の全面に成膜されることがないので、成膜後のフォトリソグラフィー及びエッチングの工程が不要となる。したがって、配向制御層42の形成作業が簡易になるとともに、従来は最終的に除去されていた不必要な部分への配向制御層前駆体溶液2の塗布が無くなるのでコスト削減に貢献することができる。また、液体吐出ヘッド50を利用したゾルゲル法により配向制御層42を形成しているので、従来のように真空成膜法やスピン成膜法により膜形成した場合に比べて、配向制御層42の薄膜化を図ることができる。これにより、配向制御層42の配向度が高くなるので図10を参照。、電気機械変換膜43の変位特性を向上することができる。このように、電気機械変換膜43の変位特性を安価に向上することができるので、変位量の大きい電気機械変換素子40を安価に得ることができる。よって、安価で高性能のインクジェットヘッド1を得ることができる。また、本実施の形態に係る電気機械変換膜の製造方法によれば、配向制御層前駆体溶液2の塗布前に表面改質工程を行っているので、白金族電極46の表面側の配向制御層前駆体溶液2を塗布する部分以外の部分に、配向制御層前駆体溶液2が付着し難くなる。これにより、所望パターンの配向制御層42を高精度に形成することができる。さらに、上述した本発明の実施の形態に係るインクジェットヘッド1を備えたインクジェット記録装置5について説明する。図6および図7に示すように、インクジェット記録装置5は、記録媒体Pに対して印刷を行う印刷機構部60と、記録媒体Pの給紙を行う給紙機構部70と、記録媒体Pの排紙を行う排紙機構部80と、回復部90とを備えている。印刷機構部60は、インクジェットヘッド1と、インクカートリッジ61と、キャリッジ62と、主ガイドロッド63と、従ガイドロッド64と、主走査モータ65と、駆動プーリ66と、従動プーリ67と、タイミングベルト68とを備えている。インクジェットヘッド1は、イエローY、シアンC、マゼンタM、ブラックBkの各色のインク滴を吐出するよう4個別個に設けられている。各インクジェットヘッド1は、それぞれ複数のノズル孔11を副走査方向に直線状に配列し、キャリッジ62に対してインク滴の吐出方向を下方に向けて装着されている。本実施の形態では、インクジェットヘッド1は各色ごと別個に設けられているが、これには限られず、各色のインク滴を吐出する別個のノズル孔11を有する1個のインクジェットヘッド1を設けるようにしてもよい。インクカートリッジ61は、上方に設けられた大気と連通する図示しない大気口と、下方に設けられたインクジェットヘッド1にインクを供給する図示しない供給口と、内部に設けられたインクが充填された図示しない多孔質体とを有している。多孔質体では、毛管力により、インクジェットヘッド1へ供給されるインクがわずかな負圧に維持されている。これにより、インクカートリッジ61は、インクジェットヘッド1にインクを供給するようになっている。主ガイドロッド63および従ガイドロッド64は、図示しない左右の側板に横架され、キャリッジ62を主走査方向に摺動自在に保持している。キャリッジ62には、インクカートリッジ61が交換可能に装着されている。キャリッジ62は、後方側用紙搬送方向下流側を主ガイドロッド63に摺動自在に嵌装されるとともに、前方側用紙搬送方向上流側を従ガイドロッド64に摺動自在に載置されている。駆動プーリ66および従動プーリ67は、主走査方向の両端部に配置されている。駆動プーリ66は、主走査モータ65に取り付けられて回転駆動される。タイミングベルト68は、駆動プーリ66および従動プーリ67に張装されている。タイミングベルト68は、キャリッジ62に固定されている。主走査モータ65の正逆回転により、動力が駆動プーリ66およびタイミングベルト68を経由して、キャリッジ62が主走査方向に往復駆動される。給紙機構部70は、給紙カセット71と、手差しトレイ72と、給紙ローラ73と、フリクションパッド74と、ガイド部材75と、搬送ローラ76と、搬送コロ77と、先端コロ78と、副走査モータ79と、印写受け部材81とを備えている。給紙カセット71或いは給紙トレイでもよい。は、インクジェット記録装置5の下部に設けられるとともに、前方側から多数枚の記録媒体Pを取り込んで積載可能とされている。給紙カセット71は、インクジェット記録装置5に対して抜き差し装着可能となっている。手差しトレイ72は、開倒可能とされている。手差しトレイ72を開倒することにより、記録媒体Pを手差しで給紙することができる。給紙ローラ73およびフリクションパッド74は、給紙カセット71にセットした記録媒体Pを分離給装する。ガイド部材75は記録媒体Pを案内する。搬送ローラ76は、給紙された記録媒体Pを反転させて搬送する。搬送コロ77は、搬送ローラ76の周面に押し付けられて、搬送ローラ76との間で記録媒体Pを挟み込む。先端コロ78は、搬送ローラ76からの記録媒体Pの送り出し角度を規定する。副走査モータ79は、ギヤ列を介して搬送ローラ76に連結されて、搬送ローラ76を回転駆動させる。印写受け部材81は、キャリッジ62の主走査方向の移動範囲に対応して設けられている。印写受け部材81は、搬送ローラ76から送り出された記録媒体Pをインクジェットヘッド1の下方側で案内する。排紙機構部80は、搬送コロ82と、拍車83と、排紙ローラ84と、拍車85と、上ガイド部材86と、下ガイド部材87と、排紙トレイ88とを備えている。搬送コロ82および拍車83は、印写受け部材81の用紙搬送方向下流側に設けられるとともに、記録媒体Pを排紙方向へ送り出すために回転駆動する。排紙ローラ84および拍車85は、記録媒体Pを排紙トレイ88に送り出す。上ガイド部材86および下ガイド部材87は、印写受け部材81から排紙トレイ88までの排紙経路を形成する。排紙トレイ88は、インクジェット記録装置5の後面側に装着されている。回復部90は、インクジェットヘッド1の吐出不良を回復するものであり、図10中、キャリッジ62の移動方向の右端側の記録領域を外れた位置に設けられている。回復部90は、図示しないキャップ手段と、図示しない吸引手段と、図示しないクリーニング手段とを有している。上述したインクジェット記録装置5の動作を以下に説明する。給紙カセット71あるいは手差しトレイ72に記録媒体Pが装填される。記録媒体Pは、インクジェット記録装置5の内部に取り込まれ、給紙機構部70によりインクジェットヘッド1の下方まで搬送される。印刷時には、印刷機構部60により、キャリッジ62を移動させながら画像信号に応じてインクジェットヘッド1を駆動する。これにより、停止している記録媒体Pにインクを吐出して1行分を記録し、記録媒体Pを所定量搬送後、次の行の記録を行う。記録終了信号、または記録媒体Pの後端が記録領域に到達した信号を受けることにより、印刷機構部60の記録動作を終了させる。そして、排紙機構部80により、記録媒体Pを後面側に装着された排紙トレイ88に排出する。一方、印刷待機中には、キャリッジ62は回復部90に移動されて、キャップ手段によりインクジェットヘッド1がキャッピングされる。これにより、ノズル孔11を湿潤状態に保つことができ、インク乾燥による吐出不良を防止できる。また、記録途中等には、記録と関係しないインクをも吐出することにより、全てのノズル孔11のインクの粘度を一定にして、安定した吐出性能を維持する。また、インクの吐出不良が発生した場合等には、キャップ手段によりインクジェットヘッド1のノズル孔11を密封する。そして、チューブを通して吸引手段でノズル孔11からインクとともに気泡等を吸い出す。これにより、ノズル板10のノズル孔11近傍に付着したインクやゴミ等はクリーニング手段により除去されるので、インクの吐出不良が回復される。クリーニング手段により吸引されたインクは、インクジェット記録装置5の下部に設置された図示しない廃インク溜に排出され、廃インク溜内部のインク吸収体に吸収保持される。上述したように、本実施の形態のインクジェット記録装置5によれば、上述したインクジェットヘッド1を搭載しているので、安価で高性能なインクジェット記録装置5を得ることができる。ここで、本実施の形態に係る電気機械変換素子の製造方法においては、図3a~図3eの処理を1回ずつ行って所定膜厚の配向制御層42を得ているが、本発明の電気機械変換素子の製造方法においては、これに限定されない。例えば、図3c~図3eの工程を2回以上繰り返して配向制御層42を多層に重ねて形成し、所定膜厚の配向制御層42を得るようにしてもよい。この場合、図3eに示す配向制御層42の形成されたPZT形成前基板25をアルカンチオール液に浸漬させ、所定時間後に取り出して、余剰な分子を溶媒で置換洗浄し乾燥する。これにより、白金族電極46の表面側に有機分子が自己配列され、SAM膜47が形成される。ここで、SAM膜47は、配向制御層42のような酸化物薄膜には形成されない。このため、SAM膜47は配向制御層42の形成された部分以外の部分である白金族電極46の露出している表面側のみに形成される。これにより、図3bに示すような所定のパターンのフォトレジスト48を形成することなく、SAM膜47は1回目の配向制御層42の形成時と同じパターンに形成される。よって、1回目の配向制御層42の形成時のSAM膜47の形成に比べて、処理手順を簡素化することができる。このように、配向制御層42を多層に重ねて膜厚を厚くすることにより、一度の成膜処理で厚く成膜する場合に比べて、配向制御層42のクラックの発生を抑制しながらも十分に厚い配向制御層42を得ることができるようになる。また、本実施の形態に係る電気機械変換素子の製造方法においては、配向制御層42の膜厚を30nmとしたが、本発明の電気機械変換素子の製造方法においては、これに限定されない。配向制御層42の膜厚としては、2nm~50nmであることが好ましい図10を参照。。また、本実施の形態に係る電気機械変換素子の製造方法においては、配向制御層前駆体溶液2のチタン酸鉛前駆体の濃度を0.01mol/Lとしたが、本発明の電気機械変換素子の製造方法においては、これに限定されない。配向制御層前駆体溶液2のチタン酸鉛前駆体の濃度としては、0.01mol/L~0.15mol/Lであることが好ましい。配向制御層前駆体溶液2のチタン酸鉛前駆体の濃度が高ければ、形成される膜厚は厚くなるので、濃度は必要な膜厚に応じて適宜設定するようにする。配向制御層前駆体溶液2のチタン酸鉛前駆体の濃度を0.01mol/L~0.15mol/Lとすることにより、配向制御層42の膜厚を2nm~50nmとすることができる。また、本実施の形態に係る電気機械変換素子の製造方法においては、図4a~図4cの処理を1回ずつ行って所定膜厚の電気機械変換膜43を得ているが、本発明の電気機械変換素子の製造方法においては、これに限定されない。例えば、図4a~図4cの工程を2回以上繰り返して電気機械変換膜43を多層に重ねて形成し、所定膜厚の電気機械変換膜43を得るようにしてもよい。この場合、図4cに示す電気機械変換膜43の形成されたPZT形成前基板25をアルカンチオール液に浸漬させ、所定時間後に取り出して、余剰な分子を溶媒で置換洗浄し乾燥する。これにより、白金族電極46の表面側に有機分子が自己配列され、SAM膜47が形成される。ここで、SAM膜47は、電気機械変換膜43のような酸化物薄膜には形成されない。このため、SAM膜47は電気機械変換膜43の形成された部分以外の部分である白金族電極46の露出している表面側のみに形成される。これにより、図3bに示すような所定のパターンのフォトレジスト48を形成することなく、SAM膜47は直前に形成されたSAM膜47と同じパターンに形成される。このように、電気機械変換膜43を多層に重ねて膜厚を厚くすることにより、一度の成膜処理で厚く成膜する場合に比べて、電気機械変換膜43のクラックの発生を抑制しながらも十分に厚い電気機械変換膜43を得ることができるようになる。電気機械変換膜43の厚さとしては、例えば、5μm程度にまで形成することができる実施例9を参照。。また、本実施の形態に係る電気機械変換素子の製造方法においては、SAM膜47のパターン形成方法として、図3a~図3cに示すように、フォトリソグラフィーエッチング法を採用しているが、本発明の電気機械変換素子の製造方法においては、これに限定されない。例えば、フォトリソレジストカバー法や露光除去法を採用することができる。SAM膜47のパターン形成方法としてフォトリソレジストカバー法を採用した場合は、白金族電極46の表面側のパターン形成部にフォトレジストパターンを形成する。そして、配向制御層形成前基板25をアルカンチオール液に浸漬してSAM膜47を形成する。この時、フォトレジスト上にはSAM膜47は形成されない。そして、フォトレジストを除去することにより、SAM膜47をパターン形成することができる実施例2を参照。。SAM膜47のパターン形成方法として露光除去法を採用した場合は、図3aと同様に、配向制御層形成前基板25をアルカンチオール液に浸漬して、全面にSAM膜47を形成する。そして、SAM膜47のパターン形成部分以外にマスクを設け、紫外線を照射する。これにより、マスクを設けた部分ではSAM膜47が残存するとともに、マスクされなかった露光部分ではSAM膜47が消失する。これにより、SAM膜47をパターン形成することができる実施例3を参照。。また、本実施の形態に係る電気機械変換素子の製造方法においては、下部電極41上の配向制御層前駆体溶液2が塗布される所定部分以外の表面をSAM膜47によって疎水面にする表面改質を行っているが、本発明の電気機械変換素子の製造方法においては、これに限定されない。例えば、下部電極41の表面が疎水面の場合は、その下部電極41上の配向制御層前駆体溶液2が塗布される所定部分の表面を親水面にする表面改質を行うようにしてもよい。また、本実施の形態に係る電気機械変換膜の製造方法においては、配向制御層前駆体溶液2の塗布前に表面改質工程を行っているが、本発明の電気機械変換膜の製造方法においては、これに限定されず、表面改質工程は無くてもよい。また、今回開示された実施の形態は、全ての点で例示であってこの実施の形態に制限されるものではない。本発明の範囲は、上記した実施の形態のみの説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。実施例1シリコンウェハから成るシリコン基板20に熱酸化膜膜厚1μmを形成し、その上に密着層としてチタン膜膜厚50nmをスパッタ成膜した。さらに、下部電極41として白金族電極46膜厚200nmをスパッタ成膜して、配向制御層形成前基板25を得た。図13に示すように、白金族電極46の表面側での純水の接触角は5°で、完全濡れ状態であった。次いで、アルカンチオールとしてCH3CH2-SHを用い、溶媒をイソプロピルアルコールで濃度0.01mol/Lの溶液を生成した。この溶液に配向制御層形成前基板25を浸漬させ、SAM膜形成処理を行った。配向制御層形成前基板25を溶液から取り出した後、配向制御層形成前基板25をイソプロピルアルコールで洗浄して乾燥した。図12に示すように、白金族電極46の表面側での純水の接触角は92.2°で、疎水状態であった。これにより、SAM膜47が形成されたことが明らかになった図3a。このSAM膜47に対し、スピンコート法でフォトレジスト東京応化社製TSMR880048を成膜し、公知のフォトリソグラフィーにより配向制御層42を形成しない部分にレジストパターンを形成した図3b。さらに、酸素プラズマ処理を行い露出部分のSAM膜47を除去した。処理後のフォトレジスト48はアセトンにて溶解除去した図3c。そして、純水の接触角評価を行った。その結果、SAM膜47の除去部分では接触角は約5°完全濡れであるとともに、フォトレジスト48でカバーされていた部分の接触角は92.4°であった。したがって、SAM膜47のパターン化がなされたことが確認された。実施例2実施例1と同様に、シリコン基板20と、熱酸化膜と、チタン膜と、白金族電極46とを積層して、配向制御層形成前基板25を得た。白金族電極46の表面側に、スピンコート法でフォトレジスト東京応化社製TSMR8800を成膜し、公知のフォトリソグラフィーにより配向制御層42を形成する部分にレジストパターンを形成した。次いで、実施例1と同様のアルカンチオール溶液に配向制御層形成前基板25を浸漬させ、SAM膜形成処理を行った。配向制御層形成前基板25を溶液から取り出した後、配向制御層形成前基板25をイソプロピルアルコールで洗浄して乾燥した。そして、アセトンにてフォトレジストを溶解除去した。さらに、純水の接触角評価を行った。その結果、フォトレジストでカバーされていた部分の接触角は約5°完全濡れであるとともに、他の部分では接触角は92.0°であった。したがって、SAM膜のパターン化がなされたことが確認された。実施例3実施例1と同様に、シリコン基板20と、熱酸化膜と、チタン膜と、白金族電極46とを積層して、配向制御層形成前基板25を得た。次いで、実施例1と同様のアルカンチオール溶液に配向制御層形成前基板25を浸漬させ、SAM膜形成処理を行った。配向制御層形成前基板25を溶液から取り出した後、配向制御層形成前基板25をイソプロピルアルコールで洗浄して乾燥した。白金族電極46に形成されたSAM膜47に対し、配向制御層42を形成しない部分をマスクして紫外線照射を行った。紫外線はエキシマランプによる波長176nmの真空紫外光として、10分間照射した。さらに、純水の接触角評価を行った。その結果、紫外線の照射部分では接触角は約5°完全濡れであるとともに、マスクでカバーされていた部分の接触角は92.2°であった。したがって、SAM膜のパターン化がなされたことが確認された。実施例4出発材料にイソプロポキシドチタンを用いて、配向制御層前駆体溶液2の合成を行った。イソプロポキシドチタンをメトキシエタノールに溶解し、アルコール交換反応を行って溶液を得た。一方、出発材料に酢酸鉛、ジルコニウムアルコキシド、チタンアルコキシド化合物を用いて、共通溶媒としてメトキシエタノールに溶解させ均一溶液を得た。さらに、これら2つの溶液を混合することで、配向制御層前駆体溶液2としてチタン酸鉛前駆体溶液を合成した。このイソプロポキシドチタン濃度は、0.01mol/Lにした。図5に示す液体吐出塗布装置100を用いて、実施例1により得られたSAM膜47のパターン形成された白金族電極46の表面側に、液体吐出ヘッド50によって配向制御層前駆体溶液2を1回塗布した図3d。これにより、配向制御層前駆体溶液2はSAM膜47の形成されていない親水部分のみに塗布された。さらに、塗布された配向制御層前駆体溶液2を、120°Cで乾燥させ、500°Cで熱分解した図3e。その結果、短手方向中央部膜厚2nm、短手方向端部膜厚1.2nmの配向制御層42が得られた。したがって、スピンコート法では得られなかった薄い配向制御層42を得られたことが確認された。実施例5実施例4で得られた配向制御層42の成膜された試料の表面側をイソプロピルアルコールで洗浄した後、実施例1と同様のアルカンチオール溶液に試料を浸漬させ、SAM膜形成処理を行った。試料を溶液から取り出した後、イソプロピルアルコールで洗浄して乾燥した。配向制御層42の接触角は約5°完全濡れであるとともに、配向制御層42が露出している部位の接触角は92.0°であった。これにより、自己整合型SAM膜47の形成が確認された図4a。実施例6図5に示す液体吐出塗布装置100を用いて、実施例5により得られたSAM膜47のパターン形成された試料の表面側に、液体吐出ヘッド50によってPZT前駆体溶液49を塗布した図4b。これにより、PZT前駆体溶液49はSAM膜47の形成されていない親水部分、すなわち配向制御層42のみに塗布された。PZT前駆体溶液49は、出発材料に酢酸鉛三水和物、イソプロポキシドチタン、ノルマルブトキシドジルコニウムを用いた。酢酸鉛の結晶水はメトキシエタノールに溶解後、脱水した。熱処理中のいわゆる鉛抜けによる結晶性低下を防ぐために、化学量論組成に対し鉛量を10mol過剰にした。イソプロポキシドチタン、ノルマルブトキシドジルコニウムをメトキシエタノールに溶解し、アルコール交換反応、エステル化反応を進めた。そして、上述した酢酸鉛を溶解したメトキシエタノール溶液と均一に混合することで、PZT前駆体溶液49を合成した。一度の成膜で得られる膜厚は、結晶化の際のクラック発生を防ぐために100nm以下が好ましい。このため、PZT前駆体溶液49の前駆体濃度は、電気機械変換膜43の成膜面積とPZT前駆体溶液49の塗布量との関係から適正化するように調整するのが好ましい。本実施例では、PZT前駆体溶液49のPZT濃度は0.1mol/Lにした。ただし、0.1mol/Lに限定されないのは勿論である。ここで、PZTとは、ジルコン酸鉛PbZrO3とチタン酸鉛PbTiO3の固溶体で、その比率により特性が異なる。一般的に優れた圧電特性を示す組成はPbZrO3とPbTiO3の比率が53:47の割合で、PbZr0.53,Ti0.47O3、一般にPZT53/47と示される。酢酸鉛、ジルコニウムアルコキシド、チタンアルコキシド化合物の出発材料は、この化学式に従って秤量される。また、金属アルコキシド化合物は大気中の水分により容易に加水分解してしまうので、前駆体溶液に安定剤としてアセチルアセトン、酢酸、ジエタノールアミン等の安定化剤を適量、添加してもよい。本実施例では、試料にSAM膜47を部分的に形成する表面改質工程図4aと、液体吐出塗布装置100の液体吐出ヘッド50を用いてPZT前駆体溶液49を選択的に塗布する塗布工程図4bと、塗布したPZT前駆体溶液49を所定温度120°Cで乾燥させる乾燥工程図4cと、乾燥したPZT前駆体溶液49を所定温度500°Cで熱分解する熱分解工程図4cとを1回ずつ行った。これにより、配向制御層42の表面側に、膜厚80nmの膜を得た。そして、上述した表面改質工程、塗布工程、乾燥工程、熱分解工程を6回繰り返すことにより、膜厚540nmの膜を得た。さらに、得られた膜厚430nmの膜に、700°Cの結晶化熱処理を急速熱処理RTAにて行った。その結果、配向制御層42の表面側に膜厚540nmの電気機械変換膜43を得た。この電気機械変換膜43にクラック等の不良は生じなかった。また、SAM膜47の形成により、必要なパターン形成部以外にPZT前駆体溶液49が塗布されるパターン不良の発生はなかった。実施例7実施例6において得られた膜厚540nmの電気機械変換膜43に対し、さらに処理を施した。ここでは、上述と同様の表面改質工程、塗布工程、乾燥工程120°C、熱分解工程500°Cを6回繰り返した後、結晶化処理を2サイクル行った。その結果、膜厚1000nmのパターン化した電気機械変換膜43を得た。この電気機械変換膜43にクラック等の不良は生じなかった。実施例8実施例7において得られた膜厚1000nmの電気機械変換膜43に対し、さらに処理を施した。ここでは、電気機械変換膜43に白金から成る上部電極44をスパッタリング成膜し、電気特性および電気-機械変換能圧電定数の評価を行った。その結果、電気特性については、図8に示すP分極-E電界強度のヒステリシス曲線が得られた。電気機械変換膜43の比誘電率は1220、誘電損失は0.02、残留分極は22.3μC/cm2、抗電界は31.5kV/cmであった。したがって、この電気機械変換膜43は、通常のセラミック焼結体と同等の電気特性を持っていることが判明した。また、電気-機械変換能については、電界印加による変形量をレーザードップラー振動計で計測し、シミュレーションによる合わせ込みから算出した。その結果、圧電定数d31は-120pm/Vとなった。したがって、この電気機械変換膜43は、電気-機械変換能においてもセラミック焼結体と同等の値であった。この値は、一般的なインクジェットヘッドに用いる電気機械変換膜圧電素子として十分適用可能な特性値である。さらに、この電気機械変換膜43をXRD分析した。その結果、図9に示すように、111配向度が91であった。このため、面方位111の優先配向が確認された。また、配向比率は、数式1のように表される。数1111配向度=ΣI/ΣIただし、h,k,lは任意の値これらのことより、この電気機械変換膜43は、一般的なインクジェットヘッドに用いる電気機械変換膜として十分適用可能であることが明らかになった。実施例9実施例7において得られた膜厚1000nmの電気機械変換膜43に対し、さらに処理を施した。ここでは、上部電極44を配置せずに、電気機械変換膜43の更なる厚膜化を試みた。具体的には、上述した表面改質工程、塗布工程、乾燥工程120°C、熱分解工程500°Cの6回の繰り返しおよびその後の結晶化処理を一組として、これを10回繰り返した。その結果、膜厚5μmのパターン化した電気機械変換膜43を得た。この電気機械変換膜43にクラック等の不良は生じなかった。これにより、この電気機械変換膜43は、必要に応じて十分な厚膜化が可能であることが明らかになった。実施例10配向制御層42の膜厚を増加させるためには、1配向制御層前駆体溶液2の固形分濃度を増加させる、2配向制御層前駆体溶液2の塗布および熱処理を複数回行う、の2つの方法がある。本実施例では、1の方法を用いて、配向制御層42の膜厚増加を行った。固形分濃度が数段階に異なる配向制御層前駆体溶液2を用意し、それぞれについて塗布および熱処理を実施した。そして、短手方向中央膜厚が25,50,75,100nmとなる複数の配向制御層42を得た。そして、得られた全ての配向制御層42に対して、実施例6と同様に電気機械変換膜43を成膜した。各電気機械変換膜43をXRD分析した。その結果、図10に示すように、配向制御層42の膜厚が50nm以下で111配向度は90以上であった。電気機械変換膜43の配向制御を行う場合は、配向度90以上が好ましい値とされている。このため、本実施例では、配向制御層42の膜厚が50nm以下である場合に配向度の要求を満たした。これにより、配向制御層42の膜厚としては2nm~50nmが好ましく、誤差等を含めて30nm程度が最も好ましいことが判明した。また、配向度が最も高い値95であった膜厚50nmの配向制御層42に成膜した電気機械変換膜43に対し、さらに処理を施した。ここでは、電気機械変換膜43に白金から成る上部電極44をスパッタリング成膜し、電気特性の評価を行った。その結果、電気特性については、図11に示すP分極-E電界強度のヒステリシス曲線が得られた。電気機械変換膜43の比誘電率は1280、誘電損失は0.02、残留分極は24.2μC/cm2、抗電界は32.5kV/cmであった。したがって、この電気機械変換膜43は、通常のセラミック焼結体と同等の電気特性を持っていることが判明した。"