第2導電型の不純物元素が拡散された不純物拡散層が一面側および一面側から他面側に回り込んで形成された第1導電型の半導体基板と、前記不純物拡散層に電気的に接続して前記半導体基板の一面側に形成された受光面側電極と、前記半導体基板の他面側に形成された裏面側電極と、前記不純物拡散層の表面から前記半導体基板の内部に達して設けられ、前記受光面側電極に電気的に接続する前記不純物拡散層と前記裏面側電極とを電気的に分離する分離溝と、を備え、前記分離溝は、前記不純物拡散層よりも深い第1の溝と、前記第1の溝の幅方向において前記第1の溝の内側に形成されて前記第1の溝よりも幅が狭く深さの深い第2の溝とにより構成されること、を特徴とする太陽電池素子。前記第1の溝の幅は、前記第2の溝の幅よりも0.02mm以上広いこと、を特徴とする請求項1に記載の太陽電池素子。前記分離溝は、前記半導体基板の他面側に形成された前記不純物拡散層の表面から前記第1導電型の半導体基板の内部に達して設けられていること、を特徴とする請求項1または2に記載の太陽電池素子。前記分離溝は、前記半導体基板の一面側に形成された前記不純物拡散層の表面から前記第1導電型の半導体基板の内部に達して設けられていること、を特徴とする請求項1または2に記載の太陽電池素子。第1導電型の半導体基板に第2導電型の不純物元素を拡散して前記半導体基板の全面に不純物拡散層を形成する不純物拡散層形成工程と、前記半導体基板の一面側に前記不純物拡散層に電気的に接続する受光面側電極を形成する受光面側電極形成工程と、前記半導体基板の他面側に裏面側電極を形成する裏面側電極形成工程と、前記不純物拡散層の表面から前記半導体基板の内部に達し、前記受光面側電極に電気的に接続する前記不純物拡散層と前記裏面側電極とを電気的に分離する分離溝をレーザー加工により形成する分離溝形成工程と、を含み、前記分離溝形成工程では、加工溝形成領域に第1レーザーを照射することにより前記不純物拡散層よりも深い第1の溝を形成し、加工溝形成領域に第2レーザーを照射することにより前記第1の溝の幅方向において前記第1の溝の内側に設けられて前記第1の溝よりも幅が狭く深さの深い第2の溝を形成すること、を特徴とする太陽電池素子の製造方法。前記第1レーザーを前記加工溝形成領域に照射した後に前記加工溝形成領域に前記第2レーザーを照射し、または前記第2レーザーを前記加工溝形成領域に照射した後に前記加工溝形成領域に前記第1レーザーを照射すること、を特徴とする請求項5に記載の太陽電池素子の製造方法。1つの光源から出射された1本のレーザーを前記第1レーザーと前記第2レーザーとに分岐させ、前記第2レーザーを前記第1レーザーに追随させて照射し、または前記第1レーザーを前記第2レーザーに追随させて照射すること、を特徴とする請求項5または6に記載の太陽電池素子の製造方法。前記第1の溝の深さと前記第2の溝の深さとの合計深さを0.03mm~0.05mmの範囲とすること、を特徴とする請求項5~7のいずれか1つに記載の太陽電池素子の製造方法。しかしながら、上記従来の技術によれば、レーザー加工を用いて太陽電池素子の外周部に加工溝を設けても、加工時に発生するシリコン溶融物やシリコン残渣などの影響を受けて良質のPN分離が形成できない、という問題があった。これに対して特許文献2では加工溝を2重にすることによりリーク電流の低減を狙っているが、リーク電流を発生させる加工溝を2つに増やしても、リーク電流を十分に低下させることはできなかった。また、この場合は、2つの加工溝分の加工径と、2つの加工溝間の間隔として0.05mm以上を必要としている。このため、太陽電池素子の裏面の発電寄与分がより少なくなり、レーザー加工を用いることによる溝の小面積化の効果が得られていない。また、特許文献3のように基板を回転させながら同一箇所にレーザー加工を複数回行うことにより良質な加工溝は得られる。しかしながら、製造プロセスの観点から見ると、この場合は高スループットは実現できない、という問題があった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、レーザー加工によるPN分離に起因したリーク電流の発生を防止可能な、光電変換効率および生産効率に優れた太陽電池素子およびその製造方法を得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる太陽電池素子は、第2導電型の不純物元素が拡散された不純物拡散層が一面側および一面側から他面側に回り込んで形成された第1導電型の半導体基板と、前記不純物拡散層に電気的に接続して前記半導体基板の一面側に形成された受光面側電極と、前記半導体基板の他面側に形成された裏面側電極と、前記不純物拡散層の表面から前記半導体基板の内部に達して設けられ、前記受光面側電極に電気的に接続する前記不純物拡散層と前記裏面側電極とを電気的に分離する分離溝と、を備え、前記分離溝は、前記不純物拡散層よりも深い第1の溝と、前記第1の溝の幅方向において前記第1の溝の内側に形成されて前記第1の溝よりも幅が狭く深さの深い第2の溝とにより構成されること、を特徴とする。本発明によれば、分離溝として必要となる溝幅を大きくすることなくレーザー加工によるPN分離に起因したリーク電流の発生を防止でき、光電変換効率および生産効率に優れた太陽電池素子が得られる、という効果を奏する。以下に、本発明にかかる太陽電池素子およびその製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。各図面間においても同様である。実施の形態1.図1-1は、本発明の実施の形態1にかかる結晶シリコン太陽電池素子以下、単に太陽電池素子と呼ぶ場合があるの構成を示す図であり、結晶シリコン太陽電池素子の断面構造を模式的に示す断面図である。図1-2は、本発明の実施の形態1にかかる結晶シリコン太陽電池素子の構成を示す図であり、結晶シリコン太陽電池素子の裏面構造を模式的に示す平面図である。実施の形態1にかかる太陽電池素子は、図1-1および図1-2に示されるように、P型シリコン基板1と、不純物拡散層N型不純物拡散層2と、反射防止膜3と、受光面側銀電極4と、裏面P層5と、裏面側アルミニウム電極6と、を備える。また、P型シリコン基板1の受光面と反対側の面裏面側には、N型不純物拡散層2の周縁部においてN型不純物拡散層2の表面からP型シリコン基板1の内部にまで達するPN分離溝7が形成されている。PN分離溝7は、P型シリコン基板1の裏面において、P型シリコン基板1の外形の4つの辺方向に形成されている。この結晶シリコン太陽電池素子では、第1導電型の結晶シリコン半導体部であるP型シリコン基板1と、第2導電型の結晶シリコン半導体部であるN型不純物拡散層2とにより、PN接合を有して光電変換機能を有する太陽電池基板が構成されている。N型不純物拡散層2は、P型シリコン基板1の受光面側の全面から裏面側にわたってリン拡散によって形成されている。なお、P型シリコン基板1には、多結晶シリコン基板を用いてもよく、また単結晶シリコン基板を用いてもよい。また、P型シリコン基板1とN型不純物拡散層2との導電型を入れ替えてもよい。反射防止膜3は、たとえば窒化シリコンSiN膜など絶縁膜からなり、P型シリコン基板1の受光面側から側面にわたってN型不純物拡散層2を覆って受光面等での入射光の反射を防止する。受光面側銀電極4は、太陽電池素子の受光面側においてN型不純物拡散層2に電気的に接続した第1電極N型電極である。裏面P層5は、P型不純物を高濃度に含んだBSFBackSurfaceField層であり、P型シリコン基板1の裏面側における裏面側アルミニウム電極6の下部領域に形成されている。裏面側アルミニウム電極6は、太陽電池素子の裏面側においてP型シリコン基板1に電気的に接続した第2電極P型電極である。太陽電池素子を効率良く発電させるためには、N型電極である受光面側銀電極4に接続されたN型不純物拡散層2とP型電極である裏面側アルミニウム電極6とを電気的に絶縁させるPN分離の構造が必要である。図2は、本実施の形態にかかるPN分離溝7の構成を模式的に示す断面図である。PN分離溝7は、図2に示すように太陽電池素子の裏面側においてN型不純物拡散層2の表面からP型シリコン基板1の内部にまで達する2段溝であり、N型電極である受光面側銀電極4に接続されたN型不純物拡散層2とP型電極である裏面側アルミニウム電極6とを電気的に絶縁させる。PN分離溝7は、太陽電池素子の裏面側からレーザーを同一箇所に2回照射することにより形成されており、加工径が大きいレーザーを用いて形成されて加工溝幅が広くかつ深さの浅い第1の溝である浅溝9と、加工径が小さいレーザーを用いて形成されて加工溝幅が狭くかつ深さの深い第2の溝である深溝10とにより構成されている。深溝10は、浅溝9の加工溝幅方向において浅溝9の内側に形成されて、浅溝9よりも幅が狭くかつ深さの深い溝である。浅溝9と深溝10との加工溝幅の差は、0.02mm以上とされることが好ましい。すなわち、浅溝9の加工溝幅を深溝10の両端から0.02mm以上広く設けられることが好ましい。また、浅溝9の加工溝幅は、深溝10の両端から同等の幅だけ広く設けられることが好ましい。浅溝9と深溝10との加工溝幅の差が0.02mm以上とされることにより、PN分離溝7を形成するレーザー照射時に発生する残渣を加工溝内部に留まらせることができ、PN分離溝7に起因したリーク電流の発生を抑制することができる。ここで、残渣とは、レーザー照射時に飛散したシリコンを意味する。深溝10の加工溝幅は、たとえば0.04mm以下とされる。浅溝9の加工溝幅は、深溝10の両端から0.02mm以上広く加工溝幅を有することが好ましいため、浅溝9の加工溝幅は、0.06mm以上とされることが好ましい。PN分離溝7は、加工溝深さが異なる浅溝9と深溝10とにより構成されるが、PN分離溝7としての加工溝深さは、従来のように1本のレーザーの1回のレーザー照射により形成したPN分離溝の深さと同程度、例えば0.03mm~0.05mm程度の深さとされている。通常、P型シリコン基板1の厚みは0.1~0.3mm程度、N型不純物拡散層2の深さは0.0005mm=500nm程度とされる。レーザー照射によるPN分離溝7の形成時に発生する残渣には、周囲に飛び散るものと、熱が加わることにより溝内部においてリンを再拡散レーザードーピングさせるものとがある。そこで、後者の影響を小さくする必要があるため、PN分離溝7ではたとえば上記のような深さが必要となる。PN分離溝7の加工溝深さが0.03mmよりも小である場合には、溶融したシリコンの付着によるリーク電流を抑える事が出来ない。PN分離溝7の加工溝深さが0.05mmよりも大である場合には、シリコン基板への機械的ダメージが大きくなり割れ易くなる。また、PN分離溝7の加工溝深さが深い場合は、P型シリコン基板1の機械的強度が弱くなり易く、P型シリコン基板1の割れや欠けが多く発生する原因になる。このため、浅溝9と深溝10とは、従来のように1本のレーザーの1回のレーザー照射により加工する場合よりもそれぞれ浅くされる必要があり、これらの合計の加工溝深さが0.03mm~0.05mmの深さになるように加工されている。たとえば浅溝9の加工溝深さは0.01mm~0.03mm程度とされ、深溝10の加工溝深さは0.03mm~0.05mm程度とされる。加工溝深さを浅くする手段としては、レーザー出力を下げる方法、走査速度を上げる方法、発振周波数を上げる方法などが挙げられる。また、図2のようなPN分離溝を形成することにより基板の機械強度も高めることができる。また、例えばP型シリコン基板1の裏面側に0.01mm程度の大きさの凹凸テクスチャが形成されている場合には、凹凸形成の半値である0.005mmからの深さを加工溝深さとする。通常、テクスチャは大きいものでも0.02mm程度の大きさとされる。仮にこのようなサイズのテクスチャが形成されている場合であっても、加工溝深さを0.03mmとして加工することにより、テクスチャの底からの深さが0.01mmの溝が得られる。テクスチャの大きさを大きくした場合には、太陽電池基板の厚みが薄くなり、光電変換効率が低下する。このため、太陽電池素子における技術動向としては、一般的に0.01mm程度の凹凸テクスチャが基板表面に形成される場合が多い。つぎに、上述した本実施の形態にかかる太陽電池素子の製造方法について図3-1および図3-2を参照して説明する。図3-1および図3-2は、本実施の形態にかかる太陽電池素子の製造方法を示す断面図である。なお、ここで説明する工程は、一般的なシリコン基板を用いた太陽電池素子の製造工程と同様であるため、詳細は特に図示しない。まず、P型シリコン基板1を用意する。P型シリコン基板1としては、例えば民生用太陽電池向けとして最も多く使用されているP型多結晶シリコン基板を用いることができる。P型多結晶シリコン基板は、溶融したシリコンを冷却固化してできたインゴットをワイヤーソーでスライスして製造するため、表面にスライス時のダメージが残っている。そこで、まずはこのダメージ層の除去も兼ねて、P型多結晶シリコン基板を酸または加熱したアルカリ溶液中、例えば水酸化ナトリウム水溶液に浸漬して表面をエッチングすることにより、シリコン基板の切り出し時に発生してP型多結晶シリコン基板の表面近くに存在するダメージ領域を取り除く。また、ダメージ除去と同時に、またはダメージ除去に続いて、P型多結晶シリコン基板の受光面側の表面にテクスチャ構造として微小凹凸を形成してもよい。なお、本発明はPN分離にかかる発明であるので、テクスチャ構造の形成方法や形状については、特に制限するものではない。例えば、イソプロピルアルコールを含有させたアルカリ水溶液や主にフッ酸、硝酸の混合液からなる酸エッチングを用いる方法、部分的に開口を設けたマスク材をP型多結晶シリコン基板の表面に形成して該マスク材を介したエッチングによりP型多結晶シリコン基板の表面にハニカム構造や逆ピラミッド構造を得る方法、或いは反応性ガスエッチングRIE:ReactiveIonEtchingを用いた手法など、何れの手法を用いても差し支えない。つぎに、このP型多結晶シリコン基板を熱拡散炉へ投入し、N型の不純物であるリンPの雰囲気下で加熱する。この工程によりP型シリコン基板1の表面にリンPを拡散させて、P型シリコン基板1の全面にN型不純物拡散層2を形成する。これにより、P型シリコン基板1とN型不純物拡散層2とのPN接合が形成される。本実施の形態では、P型シリコン基板1をオキシ塩化リンPOCl3ガス雰囲気中において加熱することにより、N型不純物拡散層2を形成する。ここで、P型シリコン基板1の表面にN型不純物拡散層2が形成され、更にN型不純物拡散層2の最表面には、リンガラス層が形成される。つぎに、フッ酸溶液中でリンガラス層を除去した後、反射防止膜3としてプラズマCVD法によりSiN膜をP型シリコン基板1の受光面となる一面側および側面におけるN型不純物拡散層2上に形成する。なお、屈折率の異なる2層以上の膜を積層してもよい。また、反射防止膜3は、スパッタリング法など、異なる成膜方法により形成してもよい。つぎに、P型シリコン基板1の受光面に銀の混入したペーストをスクリーン印刷にて印刷する。また、P型シリコン基板1の裏面において、アルミニウムの混入したペーストを全面にスクリーン印刷にて印刷する。その後、焼成処理を実施して受光面側銀電極4と裏面側アルミニウム電極6とを形成する。焼成は大気雰囲気中において例えば760°Cで実施する。また、この焼成によりP型シリコン基板1の裏面における裏面側アルミニウム電極6と接する領域に裏面P層5が形成される図3-1。つぎに、P型シリコン基板1の裏面のN型不純物拡散層2の周縁部に沿ってレーザーを照射し、PN分離溝7を形成する。PN分離溝7は、P型シリコン基板1の裏面において、P型シリコン基板1の外形の4つの辺方向に形成される。これにより、N型電極である受光面側銀電極4に接続されたN型不純物拡散層2と、P型電極である裏面側アルミニウム電極6とが電気的に絶縁され、PN分離が実現される図3-2。PN分離溝7は、P型シリコン基板1の裏面のN型不純物拡散層2の周縁部に、加工径の異なる2本のレーザーを同一箇所に1回ずつ照射することにより形成される。すなわち、加工径が大きいレーザーを照射することにより、加工溝幅が広くかつ加工溝深さの浅い浅溝9を形成する。また、加工径が小さいレーザーを照射することにより、加工溝幅が狭くかつ加工溝深さの深い深溝10を形成する。これにより、浅溝9と深溝10とからなる2段溝が形成される。同じ加工径のレーザーを1回または2回以上照射して目標深さの加工溝を形成する場合には、残渣は加工溝の直上に飛び出し、N型不純物拡散層2の表面に堆積する。このN型不純物拡散層2の表面に降り積もった残渣と、加工溝内に付着した残渣とが接続することによりリーク電流が発生する。また、レーザー照射によるPN分離においては、加工溝内に付着する残渣よりも基板のシリコンN型不純物拡散層2の表面に付着する残渣が問題となる。本発明者の研究において、PN分離が行われるシリコンN型不純物拡散層2の表面が反射防止膜例えばSiN絶縁膜で覆われている場合にはリーク電流の発生が極端に低くなることが分かっている。そこで、本実施の形態においては、N型不純物拡散層2の表面に付着する残渣量を低減することにより、レーザー照射によるPN分離におけるリーク電流の発生を抑制する。すなわち、加工径の異なる2本のレーザーを同一箇所に1回ずつ照射して加工溝幅および加工溝深さの異なる2種類の加工溝を形成することにより、N型不純物拡散層2の表面に降り積もった残渣の影響、すなわち堆積面に降り積もった残渣に起因したリーク電流の発生を低減する。以下では、PN分離溝7を形成する2種類の方法について、図4-1~図5-2を参照して説明する。図4-1および図4-2は、PN分離溝7を形成する第1の方法を模式的に示す断面図である。図5-1および図5-2は、PN分離溝7を形成する第2の方法を模式的に示す断面図である。第1の方法:浅く広い浅溝9の形成後に深く狭い深溝10を形成する方法まず、浅く広い浅溝9を形成する図4-1。最初に浅く広い浅溝9を形成する際には、N型不純物拡散層2の表面を浅くレーザー加工することにより残渣量およびN型不純物拡散層2の表面にあるリン濃度を減らすことができる。また、レーザーの平均出力はほぼ固定であるため、レーザーの加工径を広げて加工溝幅を広げることにより単位面積あたりのエネルギーが小さくなり、低エネルギーの加工となり残渣量は減少する。浅溝9の加工溝深さは、0.01mm~0.03mm程度の深さとされる。続いて、深く狭い深溝10を形成する図4-2。深溝10の加工溝深さは、0.03mm~0.05mm程度の深さとされる。深く狭い深溝10を形成する際には、リン濃度の少ないN型不純物拡散層2表面にレーザー照射することによりPN分離がされ易く、かつ従来よりもレーザー出力を下げることが可能であるため残渣量も減少する。すなわち、浅く広い浅溝9と深く狭い深溝10とをこの順で形成してPN分離を行うことによって、従来のように同じ加工径のレーザーを1回または2回以上照射して加工溝を形成する場合に比べて残渣の発生量を低減することができる。また、残渣は浅溝9の底面に付着するようになり、不純物拡散層2の表面に降り積もる残渣量が低減される。このため、N型不純物拡散層2の表面に降り積もった残渣と、加工溝内に付着した残渣とが接続することによるリーク電流の発生が低減、防止される。さらに、レーザー加工の前後において分離溝の表面積も増えることになる。これにより、加工領域における単位面積あたりの残渣蒸着量は減り、分離溝の表面積が増えるため、良好なPN分離が行える。レーザー加工により分離されたN型不純物拡散層2とN型不純物拡散層2とが残渣により覆われた場合には、分離されたN型不純物拡散層2とN型不純物拡散層2とが電気的に接続してしまう。しかしながら、上記のようにして浅溝9を形成した後に深溝10を形成することにより、N型電極である受光面側銀電極4に接続されたN型不純物拡散層2と、P型電極である裏面側アルミニウム電極6とが確実に電気的に絶縁されて良好なPN分離が実現され、PN分離におけるリーク電流の発生が防止される。第2の方法:深く狭い深溝10の形成後に浅く広い浅溝9を形成する方法まず、深溝10を形成する図5-1。最初に深溝10を形成する場合は、従来と同様に一気に0.03μm~0.05μm程度の深さまでレーザー加工して深溝10を形成する。この場合、従来と同様に残渣はN型不純物拡散層2の表面に付着し、例えば約0.01μmの幅で深溝10の周囲に付着する。続いて浅く広い浅溝9を形成する図5-2。浅溝9の加工溝深さは、0.01mm~0.03mm程度の深さとされる。浅く広い浅溝9を形成する際には、深溝10の周辺領域がレーザー加工される。このため、先に行われた深溝10の形成時にN型不純物拡散層2の表面における深溝10の周囲に付着した残渣が除去される。また、加工深さが浅いためレーザー出力は小さくて済み、N型不純物拡散層2の表面に付着する残渣量は少なくなる。すなわち、深く狭い深溝10と浅く広い浅溝9とをこの順で形成してPN分離を行うことによって、従来のように同じ加工径のレーザーを1回または2回以上照射して加工溝を形成する場合に比べて残渣の発生量を低減することができる。レーザー加工により分離されたN型不純物拡散層2とN型不純物拡散層2とが残渣により覆われた場合には、分離されたN型不純物拡散層2とN型不純物拡散層2とが電気的に接続してしまう。しかしながら、上記のようにして深溝10を形成した後に浅溝9を形成することにより、N型電極である受光面側銀電極4に接続されたN型不純物拡散層2と、P型電極である裏面側アルミニウム電極6とが確実に電気的に絶縁されてPN分離が実現され、PN分離におけるリーク電流の発生が防止される。以上の工程を実施することにより、PN分離が良好に行われてPN分離におけるリーク電流の発生が抑制された図1-1および図1-2に示す太陽電池素子が作製される。図6は、加工溝幅とリーク電流Idとの関係を示す特性図である。図6においては、深溝10の加工幅を0.04mmに固定し、浅溝9の加工溝幅を0.04mm~0.10mmまで0.01mm毎に変更した太陽電池素子実施例のリーク電流Id値の変化を示している。加工溝深さの条件は各サンプルで同一であり、深溝10の加工溝深さは0.03~0.04mm、浅溝9の加工溝深さは0.03mm以下である。また、従来の方法により1回のレーザー照射により加工溝幅が0.04mm、深さ0.03mm~0.04mmのPN分離溝を形成した太陽電池素子従来例のリーク電流Id値を図6に併せて示す。実施例と従来例との太陽電池素子は、分離溝以外は同じ構成を有し、図1-1および図1-2に示す構成を有する。図6より、浅溝9の加工幅を0.06mm以上にすればリーク電流Idは10mA以下となり、太陽電池素子の光電変換効率に影響が出ないレベルになるといえる。また、仮にレーザー出力の制約を無視するとして、従来の方法により1回のレーザー照射により加工溝幅0.1mm、加工溝深さ0.03~0.04mmの幅広のPN分離溝を形成しても、シリコンN型不純物拡散層2の表面および加工溝内に付着する残渣量は変わらないためリーク電流は発生する。実際に、図6に示す従来例において加工溝幅を0.04mm→0.05mmに変化させてもリーク電流は発生している。また、PN分離溝7は、P型シリコン基板1の裏面においてP型シリコン基板1の外形の4つの辺方向に形成されるため、レーザー加工が重なる部分が4箇所発生する図1-2参照。レーザー加工が重なる部分はリーク電流が発生し易い。このため、レーザー加工が重なる部分が予め決まっている場合には、図2に示す加工形状をレーザー加工が重なる部分およびその周辺の部分にのみ適用してもよい。また、上記においてはP型シリコン基板1の裏面側のN型不純物拡散層2の周縁部に沿ってPN分離溝7を形成する場合について説明したが、図7に示すようにP型シリコン基板1の受光面側のN型不純物拡散層2の周縁部に沿ってPN分離溝7を形成してもよい。図7は、実施の形態1にかかる他の結晶シリコン太陽電池素子の構成を示す図であり、他の結晶シリコン太陽電池素子の断面構造を模式的に示す断面図である。この場合も、上記と同様にPN分離が良好に行われてPN分離におけるリーク電流の発生が抑制された太陽電池素子が得られる。上述したように、実施の形態1によれば、加工径が大きいレーザーを照射することにより加工溝幅が広くかつ加工溝深さの浅い浅溝9を形成し、加工径が小さいレーザーを照射することにより加工溝幅が狭くかつ加工溝深さの深い深溝10を形成して浅溝9と深溝10とからなる2段溝のPN分離溝7を形成する。これにより、N型不純物拡散層2の表面に付着する残渣量を低減して、N型電極である受光面側銀電極4に接続されたN型不純物拡散層2と、P型電極である裏面側アルミニウム電極6とを確実に電気的に絶縁されたPN分離を実現し、PN分離におけるリーク電流の発生が防止することができる。また、1箇所につき複数本の分離溝を形成する必要がないため、太陽電池素子の裏面の発電に寄与する部分を多く残すことができ、太陽電池素子の光電変換効率が向上する。実施の形態2.図8は、実施の形態2にかかるレーザー装置の要部構成を模式的に示す図である。図8では、実施の形態2にかかるレーザー装置において2つのレーザーをスキャンしている様子を示している。実施の形態2にかかるレーザー装置は、上述した実施の形態1にかかるPN分離溝7の形成に用いられるレーザー装置である。このレーザー装置は、単一レーザー光源を用いて2つの溝を同時に加工させることが可能である。レーザー光源にはたとえばYAGレーザーが用いられ、その波長は1060nmまたは532nmであり、発振周波数は50~200kHzであり、平均レーザーの出力は30~50Wである。このレーザー装置は、レーザー光源から出射されたレーザーLをガルバノスキャナ13を用いて分岐し、分岐したレーザーを回転機構付きホログラフィック光学素子HOE:HolographicOpticalElement12とfθレンズ11とを用いて2つのレーザーL1、L2としてライン状の加工溝形成領域16上に照射して加工することを特徴としている。レーザー光源から出射された1本のレーザーLをレーザーL1、L2に分岐させて加工することにより、1回のレーザー照射と同じスループットを維持することができる。例えば1つ目のレーザーL1が走査して浅溝9を加工した直後に2つ目のレーザーL2が走査してさらに深溝10を加工する。なお、浅溝9と深溝10とのうちどちらを先に加工しても構わない。すなわち、1つ目のレーザーL1による加工および2つ目のレーザーL2による加工において、どちらの加工の加工幅を広くまたは狭くしても構わない。また、レーザーL1、L2を重ね合わせてレーザーL1、L2の中心と外周の強度を変えることにより、図2に示す加工形状が得られるレーザー強度分布を形成して溝加工を行ってもよい。また、実施の形態1で述べたようにトータルの加工溝深さは従来と同様に0.03mm~0.05mm程度を目標とする。本発明におけるPN分離溝7の形成は、従来の1回のレーザー照射により溝加工を行う場合とレーザー出力および発振周波数を変えることなく実現できる。この条件で加工溝深さを浅くするためには、走査速度を上げる方法が最も簡便である。1本のレーザービームを用いて1回の走査で溝を形成する従来の方法の場合は、走査速度は600mm/秒である。これに対して、このレーザー装置を用いて分岐させた2本のレーザービームを用いて1回の走査で溝を形成する場合は、走査速度は900mm/秒~1200mm/秒まで上げることが可能であり、高スループットが実現可能である。また、2つの加工溝を形成する場合に、2つのレーザー光源を用いて、2周加工するという無駄な作業も不要である。図9は、実施の形態2にかかる他のレーザー装置の要部構成を模式的に示す図である。図9では、実施の形態2にかかる他のレーザー装置において2つのレーザーをスキャンしている様子を示している。実施の形態2にかかる他のレーザー装置は、上述した実施の形態1にかかるPN分離溝7の形成に用いられるレーザー装置である。このレーザー装置も、単一レーザー光源を用いて2つの溝を同時に加工させることが可能である。レーザー光源にはたとえばYAGレーザーが用いられ、その波長は1060nmまたは532nmであり、発振周波数は50~200kHzであり、平均レーザーの出力は30~50Wである。このレーザー装置は、レーザー光源から出射されたレーザーを分岐し、分岐したレーザーをX軸用ガルバノスキャナ14とY軸用ガルバノスキャナ15とを用いて2つのレーザーL1、L2としてライン状の加工溝形成領域16上に照射して加工することを特徴としている。たとえば1つ目のレーザーL1が走査して浅溝9を加工した直後に2つ目のレーザーL2が走査してさらに深溝10を加工する。なお、浅溝9と深溝10とのうちどちらを先に加工しても構わない。すなわち、1つ目のレーザーL1による加工および2つ目のレーザーL2による加工において、どちらの加工の加工幅を広くまたは狭くしても構わない。また、上記の実施の形態で説明した構成を有する太陽電池素子を複数形成し、隣接する太陽電池素子同士を電気的に直列または並列に接続することにより、良好なPN分離効果を有し、光電変換効率に優れた太陽電池モジュールが実現できる。この場合は、たとえば隣接する薄膜太陽電池素子の一方の第1電極N型電極である受光面側銀電極4と、第2電極P型電極である裏面側アルミニウム電極6とを電気的に接続すればよい。