SiC基板を有する温度検出素子であって、導電型が同じであり、活性化エネルギーが異なる2種類以上の不純物がドープされたドープ領域がSiC基板に形成されており、SiC基板の表面に、前記ドープ領域と導通する2つの電極が形成されている、温度検出素子。前記ドープ領域に、ボロンとアルミニウムがドープされている請求項1に記載の温度検出素子。前記ドープ領域において、ボロンのドーズ量が、アルミニウムのドーズ量の4.54倍以上である請求項1または2に記載の温度検出素子。前記2つの電極のそれぞれが、直接、または、前記ドープ領域と同じ導電型の領域を介して、前記ドープ領域と導通している請求項1~3のいずれか一項に記載の温度検出素子。上述した温度検出素子は、多くの場合、他の半導体素子と一体的に形成される。温度検出素子が検出する温度は、例えば、他の半導体素子を制御するために使用される。一方において、近年では、SiC炭化シリコン基板を用いた半導体素子の開発が進んでいる。SiC基板を用いた半導体素子は、Si基板を用いた半導体素子よりも高い温度例えば、200°C以上の温度で動作させることが期待されている。しかしながら、ポリシリコンダイオードを用いた従来の温度検出素子は、200°C以上の温度において特性が安定せず、温度を検出することができない。したがって、本明細書は、半導体を用いた温度検出素子であって、高温の検出が可能な温度検出素子を提供する。本願の発明者らは、SiC基板に不純物がドープされたドープ領域を、温度検出素子として用いることを着想した。ドープ領域では、温度が上昇するほど、キャリア濃度が上昇する。例えば、p型不純物がドープされた領域では、温度が上昇するほど、価電子帯からアクセプタ準位へ電子が励起され、キャリア濃度が上昇する。したがって、ドープ領域の導電率と温度の間には相関関係が存在する。このため、SiC基板に不純物がドープされたドープ領域を、温度検出に用いることができる。しかしながら、活性化エネルギーが低い不純物がドープされたドープ領域では、高温の温度範囲において導電率と温度の間で正確な相関が得られないことが分かった。また、活性化エネルギーが高い不純物がドープされた領域では、高温の温度範囲において導電率と温度の間で正確な相関が得られるが、低温において導電率が極めて低くなることが分かった。低温において導電率が低すぎると、高電圧を印加しなければ低温の検出ができない。すなわち、活性化エネルギーが高い不純物を用いる場合には、高電圧が必要となるため、温度検出装置が大型化してしまう。これらの問題を解決するために、本願の発明者らは以下の温度検出素子を提供する。本明細書が開示する温度検出素子は、SiC基板を有する。SiC基板には、導電型が同じであり、活性化エネルギーが異なる2種類以上の不純物がドープされたドープ領域が形成されている。SiC基板の表面に、前記ドープ領域と導通する2つの電極が形成されている。この温度検出素子は、活性化エネルギーが異なる2種類以上の不純物がドープされたドープ領域の温度に対する導電率の変化から、温度を検出する。このドープ領域においては、高温の温度範囲では、活性化エネルギーが低い不純物から提供されるキャリアの量は温度によってはほとんど変化しないが、活性化エネルギーが高い不純物から提供されるキャリアの量は温度によって変化する。このため、高温の温度範囲において、ドープ領域の導電率は温度に応じて変化する。すなわち、高温の温度範囲において、ドープ領域の導電率と温度の間で高い相関が得られる。また、このドープ領域においては、低温では、活性化エネルギーが高い不純物からはキャリアはほとんど提供されないが、活性化エネルギーが低い不純物からキャリアが提供される。このため、低温でも、ドープ領域の導電率はそれほど低くならない。また、このドープ領域においては、低温の温度範囲では、活性化エネルギーが低い不純物から提供されるキャリアの量が温度によって変化する。したがって、低温の温度範囲でも、ドープ領域の導電率と温度の間で高い相関が得られる。しがたって、この温度検出素子は、広い温度範囲で温度の測定が可能である。上述した温度検出素子は、前記ドープ領域に、ボロンとアルミニウムがドープされていることが好ましい。これらの不純物の組み合わせによれば、より適切な特性を有する温度検出素子が得られる。上述した温度検出素子は、前記ドープ領域において、ボロンのドーズ量が、アルミニウムのドーズ量の4.54倍以上であることが好ましい。このような構成によれば、導電率と温度の相関曲線が、高温から低温まで滑らかに繋がる。このため、より使い易い温度検出素子が得られる。上述した温度検出素子は、前記2つの電極のそれぞれが、直接、または、前記ドープ領域と同じ導電型の領域を介して、前記ドープ領域と導通していることが好ましい。図1は温度検出素子10の斜視図を示している。図示するように、温度検出素子10は、SiC基板12と、SiC基板12の上面に形成されている電極14、16を有している。なお、図1の斜視図は、SiC基板12の一部を切り取って示したものである。実際には、SiC基板12は、図1のX方向及びY方向に沿って、図示しない範囲まで広がっている。図示しない範囲のSiC基板12には、MOSFETが形成されている。MOSFETは、温度検出素子10により検出されるSiC基板12の温度に基づいて制御される。図1~3に示すように、SiC基板12内には、コンタクト領域20、22、温度検出領域24、分離領域26、ベース領域28、及び、ドリフト領域30が形成されている。なお、SiC基板12の上面や下面には、絶縁膜や配線等が形成されているが、図1~3ではその図示を省略している。ベース領域28、及び、ドリフト領域30は、SiC基板12の横方向に沿って、図示しないMOSFETが形成されている領域まで広がっている。ベース領域28、及び、ドリフト領域30は、図示しないMOSFETの一部を構成している。ドリフト領域30は、n型不純物濃度が低いn型の領域であり、ベース領域28はp型不純物濃度が低いp型の領域である。温度検出領域24は、SiC基板12の上面に露出する範囲に形成されているp型の領域である。温度検出領域24には、ボロンとアルミニウムがドープされている。分離領域26は、温度検出領域24とベース領域28の間に形成されているn型の領域である。分離領域26は温度検出領域24の周囲全体を覆っている。したがって、分離領域26によって、温度検出領域24がベース領域28から分離されている。コンタクト領域20、22は、SiC基板12の上面に露出する範囲に形成されているp型の領域である。コンタクト領域20、22のp型不純物濃度は、温度検出領域24よりも高い。コンタクト領域20、22は、温度検出領域24内に形成されている。コンタクト領域20、22は、互いに分離されている。コンタクト領域20上には、電極14が形成されている。電極14は、コンタクト領域20に対してオーミック接続されている。コンタクト領域22上には、電極16が形成されている。電極16は、コンタクト領域22に対してオーミック接続されている。温度検出素子10を使用する際には、電極14と電極16の間に一定電流を流す。この電流は、電極14から、コンタクト領域20、温度検出領域24、及び、コンタクト領域22を介して電極16へ流れる。温度検出領域24の導電率は温度によって変化する。このため、電極14、16間に一定電流を流すと、温度変化に応じて電極14、16間の電圧が変化する。したがって、電極14、16間の電圧を検出することで、SiC基板12の温度を検出することができる。次に、一般的な半導体層中の導電率の温度特性について説明し、その後、温度検出領域24の導電率の温度特性について説明する。一般に、不純物がドープされた半導体層では、温度の上昇と共に導電率が上昇する。これは、半導体層の温度が上昇するに従って、ドープされた不純物から半導体層中に供給されるキャリアが増加し、半導体層中のキャリア濃度が増加するためである。但し、半導体層の温度が所定温度に達すると、ドープされた不純物からキャリアが出尽くしてしまい、それ以上温度を上昇させても導電率が上昇しなくなる。この動作領域では、温度の上昇と共に半導体層中の散乱が増加するため、温度の上昇と共に導電率が緩やかに低下する。一般に、温度の上昇と共に導電率が上昇する動作領域は不純物領域または、不純物イオン領域と呼ばれ、不純物領域より高温において温度の上昇と共に導電率が緩やかに低下する領域は出払い領域または、外因性領域と呼ばれる。不純物領域と出払い領域との境界温度は、半導体層にドープされている不純物の活性化エネルギーに応じて変化する。すなわち、活性化エネルギーが高いほど、境界温度は高くなる。また、不純物領域における半導体層の導電率σΩ-1は、以下の計算式により決まる。ここで、符号Bは、不純物のドーズ量が多いほど増加する係数であり、符号Eaは不純物の活性化エネルギーであり、符号kはボルツマン定数であり、符号Tは絶対温度Kである。図4のグラフA1は、所定濃度のボロンをドープしたSiC半導体層における導電率σと温度Tとの関係を示しており、図4のグラフA2は、所定濃度のアルミニウムをドープしたSiC半導体層における導電率σと温度Tとの関係を示している。不純物領域においては上述した数1の関係が得られるため、図4において不純物領域におけるグラフの傾き横軸1/Tの変化量に対する縦軸logσの変化量の絶対値は、活性化エネルギーが高いボロンがドープされた半導体層グラフA1の方が、活性化エネルギーが低いアルミニウムがドープされた半導体層グラフA2よりも大きい。また、上述した通り、活性化エネルギーが高いボロンがドープされた半導体層グラフA1の境界温度Ta1不純物領域と出払い領域の境界温度は、活性化エネルギーが低いアルミニウムがドープされた半導体層グラフA2の境界温度Ta2よりも高い。上述した傾きと境界温度は、活性化エネルギーEaによって決まるため、不純物のドーズ量不純物濃度を変更してもほとんど変わらない。一方、上述した数1の中の符号Bは、ドーズ量によって変化する。このため、不純物のドーズ量を変更すると、図4のグラフA1、A2は上下にシフトする。図4に示すように、ボロンがドープされた半導体層グラフA1では、境界温度Ta1が高いので、高温の温度範囲温度Ta1と温度Ta2の間の温度範囲でも、温度Tが増加するほど、導電率σが増加する。このため、ボロンがドープされた半導体層は、高温の温度範囲における温度検出に用いることができる。しかしながら、図4に示すように、ボロンがドープされた半導体層では、上述した傾きが大きいため、低温において導電率が極めて低くなる。その結果、低温の温度範囲において導電率を検出するためには、高電圧が必要になる。ボロンがドープされた半導体層は、低温の温度検出が困難である。一方、アルミニウムがドープされた半導体層グラフA2では、境界温度Ta2が低いので、高温において温度検出が困難である。図5のグラフB1は、温度検出素子10の温度検出領域24の導電率σと温度Tとの関係を示している。また、図5のグラフB2は、温度検出領域24と同じ濃度のボロンのみをドープしたSiC半導体層の導電率σの温度特性を示しており、図5のグラフB3は、温度検出領域24と同じ濃度のアルミニウムのみをドープしたSiC半導体層の導電率σの温度特性を示している。すなわち、グラフB1は、グラフB2の導電率σとグラフB3の導電率σを加算したグラフである。また、図5の温度Ta3は、グラフB2とグラフB3の交点Dにおける温度を示している。図5のグラフB1に示すように、温度検出領域24の導電率σは、高温の温度範囲温度Ta1と温度Ta3の間の温度範囲:本願では、約200°C以上の温度範囲において、温度Tが増加するほど増加する。これは、高温の温度範囲においては、ボロンの働きによって、キャリアの量が温度に応じて変化するためである。また、温度検出領域24の導電率σは、低温の温度範囲図5の温度Ta3以下の温度範囲:本願では、約200°C未満の温度範囲において極端に低くはならない。これは、低温の温度範囲においては、アルミニウムからキャリアが供給されるためである。低温の温度範囲では、主にアルミニウムの働きによって、キャリアの量が温度に応じて変化する。したがって、低温の温度範囲においても、温度Tが上昇するほど、温度検出領域24の導電率σが増加する。このように、温度検出領域24の導電率は、高温から低温までの広い温度範囲において温度に応じて変化するとともに、低温において極端に低くならない。したがって、温度検出素子10によれば、高温から低温まで幅広い温度範囲において適切に温度を検出することができる。なお、上述したように、図5のグラフB2、B3は、ボロン、及び、アルミニウムのドーズ量によって上下にシフトさせることができる。温度検出領域24は、これらのドーズ量を調節することによって、グラフB3の不純物領域内でグラフB2とグラフB3との交点Dが得られるように形成されている。上記の数1と温度範囲とアルミニウムとボロンの活性化エネルギーの差を考慮すると、図5のようにグラフB3の不純物領域内でグラフB2をグラフB3と交差させるためには、ボロンのドーズ量をアルミニウムのドーズ量の4.54倍以上とする必要がある。グラフB3の不純物領域内でグラフB2がグラフB3と交差していれば、図5のグラフB1に示すように、広い温度範囲で、温度Tが増加するほど導電率σが増加する特性が得られる。このため、より適切な温度検出が可能となる。なお、上述した関係が満たされていない場合には、図6のグラフC1に示すように、温度検出領域24の導電率σの温度特性が極大値E1及び極小値E2を持つようになる。このような特性は、値E1、E2の付近で温度検出がし難くなるため、好ましくはない。但し、このような特性でも、温度検出は不可能ではない。また、このような構成でも、ボロンとアルミニウムの働きにより、広い温度範囲で温度を検出することができる。なお、上述した温度検出素子10の電流Iと電圧Vの間の特性は、以下の数式に示される特性となる。上記の数2において、符号Aは、不純物濃度や温度検出領域24のサイズ等により変化する係数である。数2から明らかなように、電流Iは電圧Vに対して指数関数的に変化する一方で、電流Iは係数Aに対して比例的に変化する。すなわち、上記係数Aすなわち、不純物濃度や温度検出領域24のサイズ等が電流に与える影響は、電圧が電流に与える影響よりも遥かに小さい。したがって、温度検出領域24の電流電圧特性が、温度検出領域24を形成する際におけるバラツキ不純物濃度や温度検出領域24のサイズ等のバラツキの影響を受け難い。すなわち、温度検出素子10は、安定した特性で量産することができる。また、温度検出領域24は、イオン注入やエピタキシャル成長により容易に形成することが可能であり、また、分離領域26等によって他の領域から電気的に分離し易い。したがって、温度検出素子10は製造が容易である。以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。