"少なくとも一方の主面に半導体デバイスが実装される配線基板であって、前記配線基板を構成する基材の熱膨張係数Aは、前記半導体デバイスを構成する基材の熱膨張係数Bよりも小さく、前記配線基板の内部には、前記熱膨張係数Aよりも大きな熱膨張係数Cを有する材料からなる調整部が配されていることを特徴とする配線基板。前記調整部が前記主面に対して略平行に延設されていることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。前記調整部が互いに略等間隔で配置されたことを特徴とする請求項1又は2に記載の配線基板。前記基材の主面の平面視において、前記調整部が網目構造をなして配されたことを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の配線基板。前記基材の主面の平面視において、前記調整部が同心円構造又はスパイラル構造をなして配されたことを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の配線基板。請求項1~5に記載の配線基板の少なくとも一方の主面において、前記半導体デバイスが実装されていることを特徴とする電子デバイスパッケージ。特許文献1等に開示された従来のインターポーザーでは、半導体デバイスとインターポーザーとを接続する接続端子が破損してしまうことがあった。その一因として、半導体デバイスを構成するシリコンの熱膨張係数2.4×10-6/Kとインターポーザーを構成する石英ガラスの熱膨張係数0.5×10-6/Kとが異なるために、電子デバイスパッケージに温度変化が生じた場合において両者の変形量が異なり、両者を接続する接続端子に応力が加わることが考えられる。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、半導体デバイスと配線基板との接続の信頼性が高められた配線基板、及び該配線基板を用いた電子デバイスパッケージの提供を課題とする。本発明の請求項1に記載の配線基板は、少なくとも一方の主面に半導体デバイスが実装される配線基板であって、前記配線基板を構成する基材の熱膨張係数Aは、前記半導体デバイスを構成する基材の熱膨張係数Bよりも小さく、前記配線基板の内部には、前記熱膨張係数Aよりも大きな熱膨張係数Cを有する材料からなる調整部が配されていることを特徴とする。本発明の配線基板によれば、調整部が配されていることによって、調整部が配されていない場合よりも配線基板の温度変化による変形量熱膨張や熱収縮の量が大きくなっている。この結果、当該配線基板の温度変化による変形量が、当該配線基板に実装される半導体デバイスの変形量に近くなるため、配線基板と半導体デバイスとの間に加わる応力が軽減され、両者の接続信頼性を高めることができる。本発明の請求項2に記載の配線基板は、請求項1において、前記調整部が前記主面に対して略平行に延設されていることを特徴とする。この構成によれば、配線基板の主面方向の温度変化による変形量をより大きくすることができる。半導体デバイスとの接続信頼性を高めるためには、配線基板の厚さ方向よりも、配線基板の主面方向平面方向の変形量を大きくするほうがより効果的である。本発明の請求項3に記載の配線基板は、請求項1又は2において、前記調整部が互いに略等間隔で配置されたことを特徴とする。この構成によれば、調整部が配された領域において、配線基板の温度変化による変形量を均等にすることができる。均等にすることによって、配線基板の変形の偏りを無くすことができ、配線基板の平面性をより確実に維持できる。本発明の請求項4に記載の配線基板は、請求項1~3のいずれか一項において、前記基材の主面の平面視において、前記調整部が網目構造をなして配されたことを特徴とする。この構成によれば、調整部が配された領域において、配線基板の温度変化による変形量をより均等にすることができる。より均等にすることによって、配線基板の変形の偏りを一層確実に無くすことができ、配線基板の平面性をより一層確実に維持できる。また、網目構造が金属からなるものである場合、配線基板の構造的強度を高める機能を備える。さらに、外部からの電磁ノイズを遮蔽することもできる。この結果、当該配線基板の配線に対して、外部からの電磁ノイズが影響することを防止又は低減できるので、当該配線における電気信号の伝送特性が高められる。本発明の請求項5に記載の配線基板は、請求項1~3のいずれか一項において、前記基材の主面の平面視において、前記調整部が同心円構造又はスパイラル構造をなして配されたことを特徴とする。この構成によれば、調整部が配された領域において、配線基板の温度変化による変形をより均等にすることができる。より均等にすることによって、配線基板の変形の偏りを一層確実に無くすことができ、配線基板の平面性をより一層確実に維持できる。また、金属からなる同心円構造又はスパイラル構造の調整部は、配線基板の構造的強度を高められる。さらに、外部からの電磁ノイズを遮蔽することもできる。この結果、当該配線基板の配線に対して、外部からの電磁ノイズが影響することを防止又は低減できるので、当該配線における電気信号の伝送特性が高められる。本発明の請求項6に記載の電子デバイスパッケージは、請求項1~5に記載の配線基板の少なくとも一方の主面において、前記半導体デバイスが実装されていることを特徴とする。本発明の電子デバイスパッケージは、本発明の配線基板を用いているので、温度変化が生じた場合でも、半導体デバイスを構成する基材の温度変化による変形量と配線基板の温度変化による変形量が近くなっているので、両基材を接続する接続端子にかかる応力を低減できる。この結果、接続端子の破損を防止でき、当該接続端子による接続の信頼性を高められる。本発明の配線基板によれば、当該配線基板に実装される半導体デバイスとの接続の信頼性を高められる。本発明の電子デバイスパッケージによれば、当該配線基板に実装されている半導体デバイスとの接続の信頼性を高められる。以下、好適な実施の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。<<配線基板、電子デバイスパッケージ>>[配線基板10A、電子デバイスパッケージ20A]図1は、本発明にかかる配線基板の第一実施形態である配線基板10Aの斜視図である。図2は、配線基板10Aに半導体デバイス13を実装した、電子デバイスパッケージ20Aの斜視図である。配線基板10Aは、少なくとも一方の主面1aに半導体デバイス13が実装される配線基板であって、配線基板10Aを構成する基材1の熱膨張係数Aは、半導体デバイス13を構成する基材11の熱膨張係数Bよりも小さく、配線基板10の内部には、熱膨張係数Aよりも大きな熱膨張係数Cを有する材料からなる調整部2が配されているものである。平板状の基材1の一方の主面1aには、半導体デバイス13を実装するための表面配線が備えられている不図示。前記表面配線の所定の位置に、半導体デバイス13と電気的接続を取るための接続端子12半田ボールが設けられている。配線基板10A及び半導体デバイス13の形状、大きさ、個数は、図1に示したものに限られず、所望の形状、大きさ、個数が採用できる。また、基材1の他方の主面1bに半導体デバイス13が実装されていてもよいし、一方の主面1a及び他方の主面1bの両方に半導体デバイス13が実装されていてもよい。本発明にかかる電子デバイスパッケージ20Aは、本発明にかかる配線基板10Aおよび該配線基板10Aに実装された半導体デバイス13を有する。配線基板10Aの基材1の材質は、実装される半導体デバイス13の基材11の材質との関係で規定される。その関係は、配線基板10の基材1基板の熱膨張係数Aは、半導体デバイスの基材11基板の熱膨張係数Bよりも小さいである。具体的には、配線基板10の基材1の材質としては、石英ガラス熱膨張係数=0.5×ppm/K、ネオセラム熱膨張係数=-0.5~1.3ppm/K等が例示できる。これらの材質は、一般的な半導体デバイス13の基材11を構成するシリコンの熱膨張係数3.3ppm/Kよりも小さいので、配線基板10の基材1として用いられる。本発明にかかる配線基板の基材の熱膨張係数としては、-0.5~3ppm/Kが好ましく、0.5~3ppm/Kがより好ましく、1.5~3ppm/Kがさらに好ましい。配線基板10Aの内部に配された調整部2の材質は、配線基板10Aの基材1の材質との関係で規定される。その関係は、調整部2の材質の熱膨張係数Cは、配線基板10Aの基材1の材質の熱膨張係数Aよりも大きいである。具体的には、調整部2の材質としては、銅熱膨張係数=16.8ppm/K、金-錫合金熱膨張係数=16.2ppm/K、ニッケル熱膨張係数=12.8ppm/K等が例示できる。これらの材質のうち、配線基板10Aの基材1を構成する材質の熱膨張係数Aよりも大きいものを選択して用いればよい。この選択の際、熱膨張係数A/熱膨張係数Cの比は、1/60~1/20が好ましく、1/45~1/25がより好ましく、1/40~1/30がさらに好ましい。本発明にかかる配線基板の調整部を構成する材質の熱膨張係数としては、10~30ppm/Kが好ましく、12.5~22.5ppm/Kがより好ましく、15~20ppm/Kがさらに好ましい。上記範囲であると、配線基板の基材の熱膨張係数よりも、調整部の熱膨張係数を大きくなるように設定するための材質の選択がより容易となる。また、前述の好ましい範囲の熱膨張係数の基材からなる配線基板と、上記好ましい熱膨張係数の材質からなる調整部とを組み合わせて用いることによって、温度変化時における配線基板全体の変形量熱膨張や熱収縮による変形量を大きくすることができ、半導体デバイスとの変形量の差を縮小することができる。その結果、配線基板と半導体デバイスを接続する接続端子にかかる応力が低減され、当該接続端子が破損することを防止し、接続の信頼性を高められる。本実施形態において、調整部2の形状は、配線基板の平面方向に延設された柱状である。調整部2の形状は、これに限定されず、例えば柱状、立方体状、直方体上、球状、多角体状等が適用できる。これらの中でも柱状が好ましく、円柱状、四角柱条、楕円柱状がより好ましい。これらの好ましい形状は、製造が容易であり、配線基板10Aの広い領域に渡って、複数の調整部2を均等に配置できる。調整部2が柱状である場合、その直径は、0.5~100μmが好ましく、20~80がより好ましく、40~60μmがさらに好ましい。ここで、前記柱状が楕円柱である場合、当該直径は長径であるものとする。この場合、短径は当該長径の10~90の長さであることが好ましい。上記範囲の下限値以上であると、配線基板10Aの基材1の温度変化による変形量をより大きくして、半導体デバイス13の基材11の温度変化による変形量に、より近いものとすることができる。上記範囲の上限値以上であると、配線基板10Aの基材1の構造的強度を充分に維持できる。仮に極端に大きい直径例えば基材1の厚さの95とした場合、調整部2が熱変形する際に、配線基板10の基材1にクラックが生じる等の破損を引き起こす虞がある。調整部2の両端は、配線基板10Aの側面に露出している。例えば、調整部2Aの一端2aは配線基板10Aの一方の側面に露出しており、調整部2Aの他端2bは前記側面に対向する他方の側面に露出している。調整部2の両端又は一端が配線基板10Aの表面に露出する必要はないが、調整部2の製造プロセスの都合上、通常はその両端又は一端が配線基板10Aの表面に露出する。配線基板10Aが温度変化に曝されて熱変形する場合、調整部2の温度変化による変形量が配線基板10の基材1の変形量よりも大きいので、調整部2が配線基板1の基材1を内部から押し拡げるように作用する。この作用によって、配線基板10Aの全体としての変形量は、調整部2が設けられていない配線基板と比べて、大きくなる。この結果、配線基板10の変形量が半導体デバイス13の変形量に近くなるため、接続端子12に加わる応力が小さくなり、接続端子12の破損を防止できる。調整部2がチューブ状である場合、温度変化に曝された調整部2は、長手方向に延びると共に直径が太くなる。通常、調整部2は配線基板10Aの基材1に強く固定接着されているので、調整部2の両端が配線基板10Aの側面から大きく突き出すことは無い。その代わりに、熱変形が起こると、チューブ状の調整部2の直径が太くなることによって前記固定が一層強くなり、且つ、チューブ状の調整部2は、その長手方向へ、配線基板10Aの基材1を押し伸ばすように作用する。配線基板10Aにおいて、チューブ状の調整部2は、調整部2A~2Fの6本が設けられている。調整部2A~2Fが主面1a,1bに対して略平行に延設されているので、配線基板10Aが熱変形する際、各調整部2A~2Fはその長手方向へ配線基板10Aの基材1を押し伸ばす。前記長手方向は、配線基板10Aの主面に略平行な方向であるため、配線基板10Aを平面方向主面方向により強く押し伸ばすことができる。配線基板10Aのように、調整部2を主面1a,1bに対して略平行に延設する場合、調整部2の数は単数又は複数の何れでもよいが、より強く押し伸ばす観点から、複数の方が好ましい。当該複数の調整部2の数は特に制限されず、配線基板の大きさに基づいて設定されるが、例えば2~100とすればよい。または、主面1a,1bに対して略平行に延設した複数の調整部の長手方向と直交する方向において、配線基板の断面の面積S1と、当該複数の調整部の断面の面積の合計S2との比S2/S1が、0.01~0.5であることが好ましく、0.1~0.4であることがより好ましく、0.15~0.25であることがさらに好ましい。上記範囲の下限値以上であると、配線基板をより一層強く押し伸ばす作用が得られる。上記範囲の下限値以下であると、配線基板の構造的強度を減弱させることなく、前記作用を得られる。また、複数の調整部2は、互いに等間隔で配置されることが好ましい。配線基板10Aに配された調整部2A,2B,2Cは、配線基板10Aの平面方向主面方向に等間隔で配置されている。同様に、調整部2D,2E,2Fも配線基板10Aの平面方向に等間隔で配置されている。等間隔で配置することによって、配線基板10Aの熱変形の際、各調整部2は配線基板10Aを、偏り無く均等に押し伸ばすことができる。複数の調整部2を互いに等間隔で配置する方法として、例えば配線基板の従断面の重心に対して、各調整部を対称に配置すればよい。配線基板10Aにおいて、調整部2A,2B,2Cの列上列および調整部2D,2E,2Fの列下列が厚み方向に対して均等に配置されている。すなわち、配線基板10Aの従断面の重心に対して、各調整部が点対称に配置されていて、且つ、上列の調整部と下列の調整部が、前記重心を通る主面に平行な、当該縦断面内の直線に対して、線対称となるように配置されている。このように、各調整部が配線基板の従断面の重心に対して、点対称及び/又は線対称となるように配置することよって、各調整部が協調して、配線基板を偏りや歪なく押し伸ばすように作用するので好ましい。配線基板10Aにおいて、チューブ状の調整部2A~2Fは、各々の長手方向が同一の向きに揃っている。この長手方向において配線基板10Aが押し伸ばされるので、長手方向の直交方向への伸びは、相対的に小さくなる傾向がある。したがって、次に説明する配線基板10Bのように、各調整部の長手方向を2方向以上に分散することによって、配線基板を押し伸ばす方向を、各長手方向に対応する2方向以上とすることができる。[配線基板10B]図3は、本発明にかかる配線基板の第二実施形態である配線基板10Bの斜視図である。図3において、図1に示したものと同じ構成部材には同じ符号を付して、その説明を省略する。本実施形態が、前述の第一の実施形態と異なる点は、調整部2A~2C上列の長手方向が、調整部2D~2F下列の長手方向に対して直交する方向へ延設されている点である。配線基板10Bを構成する基材1の主面1aの平面視主面1aを厚み方向に見てにおいて、各調整部2が網目構造をなして配されている。この構成によれば、調整部2A~2Fが配された配線基板の全体において、配線基板10Bの温度変化による変形量をより均等にすることができる。より均等にすることによって、温度変化に伴う配線基板10Bの変形の偏りを一層確実に無くすことができ、配線基板10Bの平面性をより一層確実に維持できる。例えば、配線基板10Bの変形が偏ると、配線基板10Bが反ったり捩れたりすることがある。また、金属からなる網目構造の調整部2A~2Fは、鉄筋コンクリートにおける鉄骨の様に機能することによって、配線基板10Bの構造的強度を高められる。さらに、外部からの電磁ノイズを遮蔽することもできる。この結果、当該配線基板の主面に配された表面配線に対して、外部からの電磁ノイズが影響することを防止又は低減できるので、当該配線における電気信号の伝達の信頼性が高められる。配線基板10Bにおける各調整部2は、主面1aの平面視において網目に見えるように配置されている。本発明の配線基板における各調整部2の配置はこれに限定されず、各調整部が実際に網目状に編まれて、立体的に交差して配置されていてもよい。その編み方は特に限定されず、例えば、平織り、朱子織り、綾織り等の公知の編み方を適用できる。[配線基板10C]図4は、本発明にかかる配線基板の第三実施形態である配線基板10Cの斜視図である。図4において、図1に示したものと同じ構成部材には同じ符号を付して、その説明を省略する。配線基板10Cを構成する基材1の主面1aの平面視主面1aを厚み方向に見てにおいて、調整部2Hがスパイラル構造をなして配されている。この構成によれば、調整部2が配された領域において、配線基板10Cの温度変化による変形量をより均等にすることができる。より均等にすることによって、温度変化に伴う配線基板10Cの変形の偏りを一層確実に無くすことができ、配線基板10Cの平面性をより一層確実に維持できる。例えば、配線基板10Cの変形が偏ると、配線基板10Cが反ったり捩れたりすることがある。また、金属からなるスパイラル構造の調整部2は、鉄筋コンクリートにおける鉄骨の様に機能することによって、配線基板10Cの構造的強度を高められる。さらに、外部からの電磁ノイズを遮蔽することもできる。この結果、当該配線基板の配線に対して、外部からの電磁ノイズが影響することを防止又は低減できるので、当該配線における電気信号の伝達の信頼性が高められる。配線基板10Cでは調整部2がスパイラル状に形成されている。これに代えて、調整部2が同心円状に形成されている場合も、同様の効果が得られる。配線基板10Cでは、調整部2の両端2a,2bが主面1aに露出している。これに代えて、調整部2の両端2a,2bが、配線基板10Cの基材1の側面に露出していてもよい。以上では、配線基板10A~10Cを実施形態の例として、配線基板の主面1a及び/又は主面1bに表面配線が形成されていて、その表面配線に接続端子を介して半導体デバイスが実装される場合を説明した。[配線基板10D]図5は、本発明にかかる配線基板の第四実施形態である配線基板10Dの斜視図である。図6は、図4のA-A線に沿った模式的な断面図である。図5,6において、図1に示したものと同じ構成部材には同じ符号を付して、その説明を省略する。本実施形態が、前述の第一の実施形態と異なる点は、配線基板10Dの主面1a,1bを貫通する貫通配線3が複数形成されている点である。本発明の配線基板に備えられる配線は表面配線に限られず、貫通配線であってもよい。すなわち、本発明にかかる配線基板は、貫通配線を有する、いわゆる貫通配線基板であってもよい。この場合、貫通配線と調整部とは明確に区別されるものであり、調整部が金属製のチューブ状である場合も、調整部は配線として機能しないので、明確に区別される。調整部は電気的に全く孤立したものであり、配線として機能させるためのものではない。<<配線基板の製造方法>>本発明の配線基板の製造方法を配線基板10Dを例に挙げて説明する。配線基板10Dの基材1として石英ガラス基板1を採用している。石英ガラス基板の熱膨張係数は、半導体デバイスを構成するシリコン基板の熱膨張係数よりも小さいものである。図7Aに示すように、石英ガラス基板1の主面1a側からフェムト秒レーザーLを照射して、石英ガラス基板1内でその焦点を走査し、チューブ状の調整部2を形成する領域及び貫通配線3を形成する領域に改質部G1を形成する。この改質部G1は、改質されていない箇所に比べてエッチング耐性が低くなっている領域である。各改質部G1の両端又は一端が石英ガラス基板の表面に露出している。次に、図7Bに示すように、改質部G1を形成した石英ガラス基板1をフッ化水素や水酸化カリウム等の薬液に浸漬して、改質部を除去することによって、石英ガラス基板1内に空孔G2を形成する。調整部2を形成する領域の空孔G2の端は、少なくとも一端が石英ガラス基板1の表面に開口している。一方、貫通孔3を形成する領域の空孔G3の一端は石英ガラス基板1の主面1aに開口していて、他端は主面1bに開口した貫通孔G3になっている。次に、図7Cに示すように、空孔G2及び空孔G3内に金属を入れる。その方法としては、無電解めっき法や溶融金属充填法が適用できる。当該金属としては、その膨張係数が、石英ガラスの熱膨張係数よりも大きい銅Cuを採用している。このように、貫通配線3の材質と調整部2を構成する材質とを同じ金属を用いて製造することによって、貫通配線3及び調整部2を一括して形成できるので、製造効率を高められる。得られた配線基板10Dにおいて、貫通配線3と、石英ガラス基板1の主面1a及び/又は1bに実装される半導体デバイス等とを、接続端子を介して接続することによって、本発明にかかる電子デバイスパッケージが得られる。"