半導体基板と、第1半導体コア部と、第1半導体クラッド部とを有し、前記半導体基板の積層面上に設けられた偏波回転部と、を備える偏波回転素子の製造方法であって、前記半導体基板と、前記半導体基板の前記積層面から突出して当該積層面と平行な第1方向に沿って延びる凸部と、を有する構造体を形成する構造体形成工程と、前記半導体基板の前記積層面上に、第1半導体層を、前記凸部の側面に接する凸部隣接領域を有するように、かつ、当該凸部隣接領域の少なくとも一部が、傾斜面を規定するように堆積させる第1半導体層形成工程と、前記第1半導体層上に、第2半導体層を、前記凸部隣接領域の前記傾斜面上に位置する傾斜部を有するように形成する第2半導体層形成工程と、前記第2半導体層上に、第3半導体層を形成することにより、前記第1半導体層、前記第2半導体層、及び、前記第3半導体層からなる半導体積層を形成する第3半導体層形成工程と、前記第3半導体層の表面のうち、前記第2半導体層の前記傾斜部の少なくとも一部の上方の表面を前記第1方向に沿って延びる形状を有するマスク層でマスクするマスク工程と、前記第2半導体層のうち、前記マスク層下方の前記第2半導体層の前記傾斜部の前記少なくとも一部と接する領域が除去されるように前記マスク層をマスクとして前記半導体積層をエッチングすることにより、前記マスク層の下に、前記半導体積層の積層方向に突出して前記第1方向に沿って延びると共に、前記マスク層下方の前記第2半導体層の前記傾斜部の前記少なくとも一部からなる前記第1半導体コア部を含むストライプ状の突出部を形成する半導体積層エッチング工程と、前記ストライプ状の突出部を埋め込むように第4半導体層を形成することにより、前記第1半導体層、前記第3半導体層、及び、前記第4半導体層を含むと共に、前記第1半導体コア部の周囲を覆う前記第1半導体クラッド部を形成する第4半導体層形成工程と、を備え、前記凸部隣接領域の前記傾斜面は、前記第1方向と垂直な断面において前記凸部に近づくにつれて前記半導体基板の前記積層面からの高さが増加するように、前記半導体基板の前記積層面と鋭角を成す第2方向に沿って延び、前記第2半導体層の前記傾斜部は、前記第1方向と垂直な断面において前記第2方向に沿って延びることを特徴とする偏波回転素子の製造方法。前記半導体基板の前記積層面と前記第2方向とが成す角度は、20度以上、80度以下であることを特徴とする請求項1に記載の偏波回転素子の製造方法。前記構造体形成工程は、前記凸部となるべき領域を含む初期半導体基板を準備する準備工程と、前記初期半導体基板のうち、前記凸部となるべき領域上に凸部用マスク部を形成するマスク部形成工程と、前記凸部用マスク部をマスクとして前記初期半導体基板をエッチングすることにより、前記凸部用マスク部の下に位置する前記凸部と、前記凸部の下に位置する前記半導体基板とを形成する初期半導体基板エッチング工程と、を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の偏波回転素子の製造方法。前記半導体基板上に、前記第1方向に沿って延びると共に前記第1方向と垂直な断面において前記第2方向と異なる第3方向に沿って延びる形状を有する第2半導体コア部と、前記第2半導体コア部の周囲を覆う第2半導体クラッド部とを有し、前記偏波回転部の前記第1方向の一端面と隣接して当該偏波回転部と光結合する第1導波路部を形成する第1導波路部形成工程をさらに備えることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の偏波回転素子の製造方法。前記半導体基板上に、前記第1方向に沿って延びると共に前記第1方向と垂直な断面において前記第3方向に沿って延びる形状を有する第3半導体コア部と、前記第3半導体コア部の周囲を覆う第3半導体クラッド部とを有し、前記偏波回転部の前記第1方向の他端面と隣接して当該偏波回転部と光結合する第2導波路部を形成する第2導波路部形成工程をさらに備えることを特徴とする請求項4に記載の偏波回転素子の製造方法。前記第2方向と前記第3方向は、略45度の角度を成すことを特徴とする請求項4又は5に記載の偏波回転素子の製造方法。半導体基板と、第1半導体コア部と、第1半導体クラッド部とを有し、前記半導体基板の積層面上に設けられた偏波回転部と、を備え、前記第1半導体コア部は、前記半導体基板の前記積層面に平行な第1方向に沿って延び、前記第1半導体クラッド部は、前記第1半導体コア部の周囲を覆い、前記第1方向と垂直な前記第1半導体コア部の断面は、前記半導体基板の前記積層面と鋭角を成す第2方向に沿って延びた形状を有することを特徴とする偏波回転素子。前記半導体基板の前記積層面と前記第2方向とが成す角度は、20度以上、80度以下であることを特徴とする請求項7に記載の偏波回転素子。第2半導体コア部と、第2半導体クラッド部とを有し、前記半導体基板上に設けられていると共に、前記偏波回転部と光結合するように当該偏波回転部の前記第1方向の一端面と隣接する第1導波路部をさらに備え、前記第2半導体コア部は、前記第1方向に沿って延び、前記第2半導体クラッド部は、前記第2半導体コア部の周囲を覆い、前記第1方向と垂直な前記第2半導体コア部の断面は、前記第2方向とは異なる第3方向に沿って延びた形状を有することを特徴とする請求項7又は8に記載の偏波回転素子。第3半導体コア部と、第3半導体クラッド部とを有し、前記半導体基板上に設けられていると共に、前記偏波回転部と光結合するように当該偏波回転部の前記第1方向の他端面と隣接する第2導波路部をさらに備え、前記第3半導体コア部は、前記半導体基板の前記積層面に平行な前記第1方向に沿って延び、前記第3半導体クラッド部は、前記第3半導体コア部の周囲を覆い、前記第1方向と垂直な前記第3半導体コア部の断面は、前記第3方向に沿って延びた形状を有することを特徴とする請求項9に記載の偏波回転素子。前記第2方向と前記第3方向は、略45度の角度を成すことを特徴とする請求項9又は10に記載の偏波回転素子。前記第1方向と垂直な前記第1半導体コア部の断面は、前記第2方向に沿った長さが、前記第2方向と垂直な方向に沿った幅の3倍以上、10倍以下である形状を有することを特徴とする請求項7~11のいずれか一項に記載の偏波回転素子。前記半導体基板は、InPからなることを特徴とする請求項7~12のいずれか一項に記載の偏波回転素子。偏波回転素子は、例えば、偏波多重光伝送システムにおいて、偏波した光信号の偏波状態を変換するために用いられる。この場合、偏波回転素子は、偏波光からなる光信号の偏波面を回転させることにより、例えばTE偏波の光信号をTM偏波の光信号に変換する。このような偏波多重光伝送システムにおいては、光信号を送受信する素子として、一般的に半導体光素子が使用される。具体的には、光送信素子として半導体レーザー素子等の半導体発光素子が使用され、光受信素子として半導体フォトダイオード等の半導体受光素子が使用される。そのため、偏波多重光伝送システムの小型化を図る観点から、光信号を送受信するための半導体光素子と偏波回転素子とを、同一の半導体基板上にモノリシックに集積することが好ましい。しかしながら、上記特許文献1に記載されている偏波回転素子は、誘電体材料で構成されている。このように半導体材料以外の材料で構成される偏波回転素子と半導体光素子とを同一の半導体基板上にモノリシックに集積させることは困難であり、一般に、この偏波回転素子は光ファイバなどの光導波路中に挿入して使用される。また、屈折率の異なる誘電体材料からなる偏波回転素子と半導体光素子とを同一の半導体基板上にモノリシックに集積した場合、偏波回転素子と半導体光素子との1μm単位の精密な光軸合わせが必要であり、さらに、偏波回転素子と半導体光素子との光結合部での反射戻り光が半導体光素子の動作に悪影響を与えることが考えられる。上記特許文献1に記載されている偏波回転素子と同様の形状を有する偏波回転素子を半導体材料を用いて、半導体光素子と一体に形成すれば、この半導体偏波回転素子と半導体光素子とを同一の半導体基板上にモノリシックに集積させる際の、上述のような光軸合わせの課題や反射戻り光に起因した課題は解消すると考えられる。しかしながら、そのような形状の半導体材料からなる偏波回転素子は知られていない。さらに、半導体光素子は、一般に半導体堆積法を用いて半導体基板上に形成される。従って、偏波回転素子と半導体光素子とを一体に形成するためには、半導体堆積法によって偏波回転素子も形成する必要がある。しかし、一般的な半導体堆積法によって、半導体基板上に当該半導体基板の積層面に対して鋭角の傾斜角度を成すような半導体層を、所望の形状に堆積させることは困難である。そのため、上記特許文献1に記載されている偏波回転素子と同様の形状を有する偏波回転素子を半導体材料を用いて形成することは困難である。上記特許文献1には、偏波回転素子を半導体材料で形成することについては触れられていない。本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、基板の積層面に対して傾斜したコア部を容易に形成することが可能な半導体材料からなる偏波回転素子の製造方法、及び、そのようなコア部を有する半導体材料からなる偏波回転素子を提供することを目的とする。上述の課題を解決するため、本発明に係る偏波回転素子の製造方法は、半導体基板と、第1半導体コア部と、第1半導体クラッド部とを有し、半導体基板の積層面上に設けられた偏波回転部とを備える偏波回転素子の製造方法であって、半導体基板と、半導体基板の積層面から突出して当該積層面と平行な第1方向に沿って延びる凸部と、を有する構造体を形成する構造体形成工程と、半導体基板の積層面上に、第1半導体層を、凸部の側面に接する凸部隣接領域を有するように、かつ、当該凸部隣接領域の少なくとも一部が、傾斜面を規定するように堆積させる第1半導体層形成工程と、第1半導体層上に、第2半導体層を、凸部隣接領域の上記傾斜面上に位置する傾斜部を有するように形成する第2半導体層形成工程と、第2半導体層上に、第3半導体層を形成することにより、第1半導体層、第2半導体層、及び、第3半導体層からなる半導体積層を形成する第3半導体層形成工程と、第3半導体層の表面のうち、第2半導体層の上記傾斜部の少なくとも一部の上方の表面を第1方向に沿って延びる形状を有するマスク層でマスクするマスク工程と、第2半導体層のうち、マスク層下方の第2半導体層の上記傾斜部の上記少なくとも一部と接する領域が除去されるようにマスク層をマスクとして半導体積層をエッチングすることにより、マスク層の下に、半導体積層の積層方向に突出して第1方向に沿って延びると共に、マスク層下方の第2半導体層の上記傾斜部の上記少なくとも一部からなる第1半導体コア部を含むストライプ状の突出部を形成する半導体積層エッチング工程と、ストライプ状の突出部を埋め込むように第4半導体層を形成することにより、第1半導体層、第3半導体層、及び、第4半導体層を含むと共に、第1半導体コア部の周囲を覆う第1半導体クラッド部を形成する第4半導体層形成工程と、を備え、凸部隣接領域の上記傾斜面は、第1方向と垂直な断面において凸部に近づくにつれて半導体基板の積層面からの高さが増加するように、半導体基板の積層面と鋭角を成す第2方向に沿って延び、第2半導体層の上記傾斜部は、第1方向と垂直な断面において第2方向に沿って延びることを特徴とする。本発明に係る偏波回転素子の製造方法においては、第1半導体コア部と第1半導体クラッド部をそれぞれ半導体材料で形成する。その上、本発明に係る偏波回転素子の製造方法においては、第1半導体層形成工程において凸部隣接領域を有する第1半導体層を形成し、この凸部隣接領域は、半導体基板の積層面と鋭角を成す第2方向に沿って延びる傾斜面を規定する。このような傾斜面を有する凸部隣接領域は、構造体形成工程で形成した構造体を用いて、容易に形成することができる。即ち、第1半導体層形成工程において、半導体基板の積層面上に、第1半導体層を構造体の凸部の側面に接するように堆積させるだけで、当該凸部に近い領域ほど第1半導体層を構成する半導体材料が厚く堆積されるため、上述のような傾斜面を有する凸部隣接領域を容易に形成することができる。続いて、第2半導体層形成工程において、この第1半導体層上に第2半導体層を形成するだけで、当該第2半導体層は上記第2方向に沿って延びる傾斜部を有することになる。そのため、この傾斜部も容易に形成することができる。その後、エッチング工程において半導体積層のエッチングが行われて、当該傾斜部の少なくとも一部が第1半導体コア部となる。そのため、本発明に係る偏波回転素子の製造方法によれば、半導体基板の積層面に対して傾斜したコア部を容易に形成することが可能である。以上より、本発明に係る偏波回転素子の製造方法によれば、半導体材料からなる偏波回転素子が得られ、また、基板の積層面に対して傾斜したコア部の形成が容易となる。さらに、本発明に係る偏波回転素子の製造方法において、半導体基板の積層面と第2方向とが成す角度は、20度以上、80度以下であることが好ましい。この角度が20度以上であると、積層面と平行又は垂直な偏波面を有する直線偏波を偏波回転部に入射させた場合に、偏波回転部の単位長さ当たりの偏波面回転効率を十分に高くすることができるため、偏波回転素子の小型化が可能となる。この角度が80度以下である場合も同様に、積層面と平行又は垂直な偏波面を有する直線偏波を偏波回転部に入射させた場合に、偏波回転部の単位長さ当たりの偏波面回転効率を十分に高くすることができるため、偏波回転素子の小型化が可能となる。さらに、本発明に係る偏波回転素子の製造方法において、構造体形成工程は、凸部となるべき領域を含む初期半導体基板を準備する準備工程と、初期半導体基板のうち、凸部となるべき領域上に凸部用マスク部を形成するマスク部形成工程と、凸部用マスク部をマスクとして初期半導体基板をエッチングすることにより、凸部用マスク部の下に位置する凸部と、凸部の下に位置する上記半導体基板とを形成する初期半導体基板エッチング工程と、を有することが好ましい。これにより、半導体基板と凸部とからなる上記構造体を容易に形成することができる。さらに、本発明に係る偏波回転素子の製造方法は、上記半導体基板上に、第1方向に沿って延びると共に第1方向と垂直な断面において第2方向と異なる第3方向に沿って延びる形状を有する第2半導体コア部と、第2半導体コア部の周囲を覆う第2半導体クラッド部とを有し、偏波回転部の第1方向の一端面と隣接して偏波回転部と光結合する第1導波路部を形成する第1導波路部形成工程をさらに備えることが好ましい。このような第1導波路部の遅相軸の方向は、第1方向から見て、偏波回転部の遅相軸の方向と異なる。そのため、第1導波路部と偏波回転部は、同一の偏波に対する偏波面回転特性が互いに異なる。その結果、本発明に係る偏波回転素子の製造方法によれば、第1導波路部によって、偏波面を回転させずに第1導波路部の一端面から他端面に直線偏波を導波させて偏波回転部に導いた後に、偏波回転部によって、偏波面を回転させながら偏波回転部の一端面から他端面まで当該直線偏波を導波させるという使用方法が可能な偏波回転素子が得られる。さらに、本発明に係る偏波回転素子の製造方法は、上記半導体基板上に、第1方向に沿って延びると共に第1方向と垂直な断面において第3方向に沿って延びる形状を有する第3半導体コア部と、第3半導体コア部の周囲を覆う第3半導体クラッド部とを有し、偏波回転部の第1方向の他端面と隣接して偏波回転部と光結合する第2導波路部を形成する第2導波路部形成工程をさらに備えることが好ましい。このような第2導波路部の遅相軸の方向は、第1方向から見て、偏波回転部の遅相軸の方向と異なる。そのため、第2導波路部と偏波回転部は、同一の偏波に対する偏波面回転特性が互いに異なる。その結果、本発明に係る偏波回転素子の製造方法によれば、偏波回転部によって、偏波面を回転させながら偏波回転部の一端面から他端面まで導波させて第2導波路部に導いた後に、第2導波路部によって、偏波面を回転させずに第2導波路部の一端面から他端面まで当該偏波を導波させるという使用方法が可能な偏波回転素子が得られる。さらに、本発明に係る偏波回転素子の製造方法において、第2方向と第3方向は、略45度の角度を成すことが好ましい。これにより、第1導波路部内のみ、又は、第1導波路部と第2導波路部内を偏波面を回転させずに直線偏波を導波させる場合に、偏波回転部による当該直線偏光の偏波面の回転効率を特に特に大きくすることができる。また、上述の課題を解決するため、本発明に係る偏波回転素子は、半導体基板と、第1半導体コア部と、第1半導体クラッド部とを有し、半導体基板の積層面上に設けられた偏波回転部と、を備え、第1半導体コア部は、半導体基板の積層面に平行な第1方向に沿って延び、第1半導体クラッド部は、第1半導体コア部の周囲を覆い、第1方向と垂直な第1半導体コア部の断面は、半導体基板の前記積層面と鋭角を成す第2方向に沿って延びた形状を有することを特徴とする。本発明に係る偏波回転素子においては、第1半導体コア部と第1半導体クラッド部は、それぞれ半導体材料で構成されている。その上、本発明に係る偏波回転素子においては、第1方向と垂直な第1半導体コア部の断面は、半導体基板の積層面と鋭角を成す第2方向に沿って延びた形状を有する。そのため、基板の積層面に対して傾斜したコア部を有する偏波回転素子となる。さらに、本発明に係る偏波回転素子において、半導体基板の積層面と第2方向とが成す角度は、20度以上、80度以下であることが好ましい。この角度が20度以上であると、積層面と平行又は垂直な偏波面を有する直線偏波を偏波回転部に入射させた場合に、偏波回転部の単位長さ当たりの偏波面回転効率を十分に高くすることができるため、偏波回転素子の小型化が可能となる。この角度が80度以下である場合も同様に、積層面と平行又は垂直な偏波面を有する直線偏波を偏波回転部5に入射させた場合に、偏波回転部の単位長さ当たりの偏波面回転効率を十分に高くすることができるため、偏波回転素子の小型化が可能となる。さらに、本発明に係る偏波回転素は、第2半導体コア部と、第2半導体クラッド部とを有し、上記半導体基板上に設けられていると共に、偏波回転部と光結合するように当該偏波回転部の第1方向の一端面と隣接する第1導波路部をさらに備え、第2半導体コア部は、第1方向に沿って延び、第2半導体クラッド部は、第2半導体コア部の周囲を覆い、第1方向と垂直な第2半導体コア部の断面は、第2方向とは異なる第3方向に沿って延びた形状を有することが好ましい。このような第1導波路部の遅相軸の方向は、第1方向から見て、偏波回転部の遅相軸の方向と異なる。そのため、第1導波路部と偏波回転部は、同一の偏波状態の偏波に対する偏波面回転特性が互いに異なる。その結果、本発明に係る偏波回転素子によれば、第1導波路部によって、偏波面を回転させずに第1導波路部の一端面から他端面に直線偏波を導波させて偏波回転部に導いた後に、偏波回転部によって、偏波面を回転させながら偏波回転部の一端面から他端面まで当該直線偏波を導波させて、他の偏光状態の偏波に変換するという使用方法が可能となる。さらに、本発明に係る偏波回転素は、第3半導体コア部と、第3半導体クラッド部とを有し、半導体基板上に設けられていると共に、偏波回転部と光結合するように当該偏波回転部の第1方向の他端面と隣接する第2導波路部をさらに備え、第3半導体コア部は、半導体基板の積層面に平行な第1方向に沿って延び、第3半導体クラッド部は、第3半導体コア部の周囲を覆い、第1方向と垂直な第3半導体コア部の断面は、第3方向に沿って延びた形状を有することが好ましい。このような第2導波路部の遅相軸の方向は、第1方向から見て、偏波回転部の遅相軸の方向と異なる。そのため、第2導波路部と偏波回転部は、同一の偏波に対する偏波面回転特性が互いに異なる。その結果、本発明に係る偏波回転素子によれば、偏波回転部によって、偏波面を回転させながら偏波回転部の一端面から他端面まで直線偏波を導波させて第2導波路部に導いた後に、第2導波路部によって、偏波面を回転させずに第2導波路部の一端面から他端面まで当該直線偏波を導波させるという使用方法が可能となる。さらに、本発明に係る偏波回転素において、第2方向と第3方向は、略45度の角度を成すことが好ましい。これにより、第1導波路部内のみ、又は、第1導波路部と第2導波路部内を偏波面を回転させずに直線偏波を導波させる場合に、偏波回転部による当該直線偏光の偏波面の回転効率を特に特に大きくすることができる。さらに、本発明に係る偏波回転素において、第1方向と垂直な第1半導体コア部の断面は、第2方向に沿った長さが、第2方向と垂直な方向に沿った幅の3倍以上、10倍以下である形状を有することが好ましい。上記断面の第2方向に沿った長さが、第2方向と垂直な方向に沿った幅の3倍以下の場合、コアの断面形状が正方形に近いために、第2方向に沿った偏波に対する屈折率と、第2方向とは垂直な方向に沿った偏波に対する屈折率の差である複屈折率が小さくなり、偏波回転効率が小さくなる。また、上記断面の第2方向に沿った長さが、第2方向と垂直な方向に沿った幅の10倍以上の場合、コアへの光閉じ込めが弱くなるために、第2方向に沿った偏波に対する屈折率と、第2方向と垂直な方向に沿った偏波に対する屈折率の差である複屈折率が小さくなり、やはり偏波回転効率が小さくなる。従って、第1方向と垂直な第1半導体コア部の断面は、第2方向に沿った長さが、第2方向と垂直な方向に沿った幅の3倍以上、10倍以下である形状を有することにより、好適な偏波回転効率を得ることができる。さらに、本発明に係る偏波回転素において、半導体基板は、InPからなることができる。本発明によれば、基板の積層面に対して傾斜したコア部を容易に形成することが可能な半導体材料からなる偏波回転素子の製造方法、及び、そのようなコア部を有する半導体材料からなる偏波回転素子が提供される。以下、実施の形態に係る偏波回転素子の製造方法及び偏波回転素子について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図面において、可能な場合には同一要素には同一符号を用いる。また、図面中の構成要素内及び構成要素間の寸法比は、図面の見易さのため、それぞれ任意となっている。まず、本実施形態に係る偏波回転素子について説明する。図1は、本実施形態に係る偏波回転素子を示す斜視図である。図1に示すように、本実施形態の偏波回転素子1は、積層面3Sを有する半導体基板3と、偏波回転部5と、第1導波路部7と、第2導波路部9と、を備えている。本実施形態においては、半導体基板3は板状であり、半導体基板3の積層面3Sは略平面である。偏波回転部5、第1導波路部7、及び、第2導波路部9は、半導体基板3の積層面3S上に設けられている。なお、図1においては、直交座標系2を示しており、半導体基板3の積層面3Sと平行にX軸及びY軸を設定している。図2以降の各図においても、必要に応じて図1に対応させた直交座標系2を示している。図1に示すように、偏波回転部5、第1導波路部7、及び、第2導波路部9は、それぞれY軸と平行な第1方向D1に沿って延びている。即ち、偏波回転部5、第1導波路部7、及び、第2導波路部9は、それぞれ半導体基板3の積層面3Sに平行な第1方向D1に沿って延びている。半導体基板3は、例えば、Si、Ge等の単元素半導体材料や、III-V族化合物半導体等の化合物半導体材料からなる。半導体基板3を構成するIII-V族化合物半導体としては、例えば、InPを挙げることができる。図2は、本実施形態に係る偏波回転素子を示す分解斜視図である。図2においては、偏波回転部5、第1導波路部7、及び、第2導波路部9を互いに第1方向D1に離間させた状態の偏波回転素子1を示しており、また、半導体基板3の図示を省略している。図2に示すように、偏波回転部5は、第1方向D1に沿って延びる第1半導体コア部5Cと、第1半導体クラッド部5Lと、を有している。第1半導体コア部5Cは、偏波回転部5の第1方向D1方向の一端面5E1から、偏波回転部5の第1方向D1方向の他端面5E2まで延びている。一端面5E1及び他端面5E2は、第1方向D1と略直交する平面とすることができる。第1半導体クラッド部5Lは、第1半導体コア部5Cの周囲を覆っている。即ち、第1方向D1に垂直な断面において、第1半導体コア部5Cは第1半導体クラッド部5Lに取り囲まれている。第1半導体コア部5Cを構成する半導体材料の屈折率は、第1半導体クラッド部5Lを構成する半導体材料の屈折率よりも大きい。偏波回転部5の第1方向D1に沿った方向の長さは、例えば、20μm以上、500μm以下とすることができる。また、図2に示すように、第1導波路部7は、第1方向D1に沿って延びる第2半導体コア部7Cと、第2半導体クラッド部7Lと、を有している。第2半導体コア部7Cは、第1導波路部7の第1方向D1方向の一端面7E1から、第1導波路部7の第1方向D1方向の他端面7E2まで延びている。一端面7E1及び他端面7E2は、第1方向D1と略直交する平面とすることができる。第2半導体クラッド部7Lは、第2半導体コア部7Cの周囲を覆っている。即ち、第1方向D1に垂直な断面において、第2半導体コア部7Cは第2半導体クラッド部7Lに取り囲まれている。第1導波路部7が偏波回転部5と光結合するように、第1導波路部7の他端面7E2は、偏波回転部5の一端面5E1と隣接している。第2半導体コア部7Cを構成する半導体材料の屈折率は、第2半導体クラッド部7Lを構成する半導体材料の屈折率よりも大きい。第1導波路部7の第1方向D1に沿った方向の長さは、例えば、100μmとすることができる。また、本実施形態においては、第2導波路部9は第1導波路部7と同様の構成を有している。即ち、図2に示すように、第2導波路部9は、第1方向D1に沿って延びる第3半導体コア部9Cと、第3半導体クラッド部9Lと、を有している。第3半導体コア部9Cは、第2導波路部9の第1方向D1方向の一端面9E1から、第2導波路部9の第1方向D1方向の他端面9E2まで延びている。一端面9E1及び他端面9E2は、第1方向D1と略直交する平面とすることができる。第3半導体クラッド部9Lは、第3半導体コア部9Cの周囲を覆っている。即ち、第1方向D1に垂直な断面において、第3半導体コア部9Cは第3半導体クラッド部9Lに取り囲まれている。第2導波路部9が偏波回転部5と光結合するように、第2導波路部9の一端面9E1は、偏波回転部5の他端面5E2と隣接している。第3半導体コア部9Cを構成する半導体材料の屈折率は、第3半導体クラッド部9Lを構成する半導体材料の屈折率よりも大きい。第2導波路部9の第1方向D1に沿った方向の長さは、例えば、100μmとすることができる。次に、偏波回転部5、第1導波路部7、及び、第2導波路部9の断面形状について説明する。図3Aは、図1の偏波回転素子のIIIA-IIIA線に沿った断面を示す図であり、図3Bは、図1の偏波回転素子のIIIB-IIIB線に沿った断面を示す図であり、図3Cは、図1の偏波回転素子のIIIC-IIIC線に沿った断面を示す図である。図3Aに示すように、第1方向D1と垂直な第1半導体コア部5Cの断面は、半導体基板3の積層面3Sと鋭角θAを成す第2方向D2に沿って延びた形状を有している。そのため、第1方向D1と垂直な第1半導体コア部5Cの断面は、第1方向D1に沿った方向の長さが、第1方向D1とは垂直な方向に沿った幅よりも長い形状を有している。後述のような理由により、鋭角θAは、20度以上、80度以下であることが好ましく、略45度であることが特に好ましい。第1方向D1と垂直な第1半導体コア部5Cの断面の形状は、例えば、矩形状、平行四辺形状、又は台形状とすることができる。第1方向D1と垂直な第1半導体コア部5Cの断面の第2方向D2に沿った長さは、例えば、1μm以上、5μm以下とすることができ、第1方向D1と垂直な第1半導体コア部5Cの断面の第2方向D2と垂直な方向に沿った幅は、例えば、0.1μm以上、0.5μm以下とすることができる。第1方向D1と垂直な第1半導体クラッド部5Lの断面の形状は、例えば、正方形状、矩形状、平行四辺形状、又は台形状とすることができる。また、第1半導体クラッド部5Lは、半導体基板3の表面全体に形成されていてもよい。第1半導体コア部5Cは、単元素半導体材料や化合物半導体材料からなる。第1半導体コア部5Cを構成する化合物半導体材料としては、例えば、GaInAsP等のIII-V族化合物半導体材料を挙げることができる。第1半導体クラッド部5Lは、単元素半導体材料や化合物半導体材料からなる。第1半導体クラッド部5Lを構成する化合物半導体材料としては、例えば、InP等のIII-V族化合物半導体材料を挙げることができる。また、図3Bに示すように、第1方向D1と垂直な第2半導体コア部7Cの断面は、第3方向D3に沿って延びた形状を有している。第3方向D3は、第2方向D2と異なる方向である。即ち、第2方向D2と第3方向D3は、0度よりも大きい角度θ23を成す。そのため、第1方向D1と垂直な第2半導体コア部7Cの断面は、第3方向D3に沿った方向の長さが、第3方向D3とは垂直な方向に沿った幅よりも長い形状を有している。第3方向D3は、本実施形態では、半導体基板3の積層面3Sと平行である。即ち、本実施形態では、第3方向D3はX軸と平行である。第1導波路部7と偏波回転部5との光結合の効率を高める観点から、第1方向D1方向から見て、第2半導体コア部7Cは第1半導体コア部5Cと重なる部分を有することが好ましい図1及び図2参照。第1方向D1と垂直な第2半導体コア部7Cの断面の形状は、例えば、矩形状、平行四辺形状、又は台形状とすることができる。第1方向D1と垂直な第2半導体コア部7Cの断面の第3方向D3に沿った長さは、例えば、1μm以上、5μm以下とすることができ、第1方向D1と垂直な第2半導体コア部7Cの断面の第3方向D3と垂直な方向に沿った幅は、例えば、0.1μm以上、0.5μm以下とすることができる。第1方向D1と垂直な第2半導体クラッド部7Lの断面の形状は、例えば、正方形状、矩形状、平行四辺形状、又は台形状とすることができる。また、第2半導体クラッド部7Lは、半導体基板3の表面全体に形成されていてもよい。本実施形態においては、第1方向D1と垂直な第2半導体クラッド部7Lの断面の形状は、第1方向D1と垂直な第1半導体クラッド部5Lの断面の形状と略同一である。第2半導体コア部7Cは、単元素半導体材料や化合物半導体材料からなる。第2半導体コア部7Cを構成する化合物半導体材料としては、例えば、GaInAsP等のIII-V族化合物半導体材料を挙げることができる。第2半導体クラッド部7Lは、単元素半導体材料や化合物半導体材料からなる。第2半導体クラッド部7Lを構成する化合物半導体材料としては、例えば、InP等のIII-V族化合物半導体材料を挙げることができる。また、図3Cに示すように、第1方向D1と垂直な第3半導体コア部9Cの断面は、第3方向D3に沿って延びた形状を有している。そのため、第1方向D1と垂直な第3半導体コア部9Cの断面は、第3方向D3に沿った方向の長さが、第3方向D3とは垂直な方向に沿った幅よりも長い形状を有している。第3半導体コア部9Cと偏波回転部5との光結合の効率を高める観点から、第1方向D1方向から見て、第3半導体コア部9Cは第1半導体コア部5Cと重なる部分を有することが好ましい図1及び図2参照。第1方向D1と垂直な第3半導体コア部9Cの断面の形状は、例えば、矩形状、平行四辺形状、又は台形状とすることができる。第1方向D1と垂直な第3半導体コア部9Cの断面の第3方向D3に沿った長さは、例えば、1μm以上、5μm以下とすることができ、第1方向D1と垂直な第3半導体コア部9Cの断面の第3方向D3と垂直な方向に沿った幅は、例えば、0.1μm以上、0.5μm以下とすることができる。第1方向D1と垂直な第3半導体クラッド部9Lの断面の形状は、例えば、正方形状、矩形状、平行四辺形状、又は台形状とすることができる。また、第3半導体クラッド部9Lは、半導体基板3の表面全体に形成されていてもよい。本実施形態においては、第1方向D1と垂直な第3半導体クラッド部9Lの断面の形状は、第1方向D1と垂直な第1半導体クラッド部5Lの断面の形状と略同一である。第3半導体コア部9Cは、単元素半導体材料や化合物半導体材料からなる。第3半導体コア部9Cを構成する化合物半導体材料としては、例えば、GaInAsP等のIII-V族化合物半導体材料を挙げることができる。第3半導体クラッド部9Lは、単元素半導体材料や化合物半導体材料からなる。第3半導体クラッド部9Lを構成する化合物半導体材料としては、例えば、InP等のIII-V族化合物半導体材料を挙げることができる。次に、図1~図3を参照しながら、本実施形態の偏波回転素子1の機能について説明する。まず、偏波回転部5の機能について説明する。図3Aに示すように、第1方向D1と垂直な断面において、偏波回転部5の第1半導体コア部5Cは、第2方向D2方向に沿って延びている。そして、上述のように第1半導体コア部5Cを構成する半導体材料の屈折率は、第1半導体クラッド部5Lを構成する半導体材料の屈折率よりも高い。そのため、第1方向D1方向に沿って偏波回転部5内を偏波が導波する際、当該偏波に対する偏波回転部5の実効的な屈折率は、当該偏波の偏波面の方向電場ベクトルの方向に依存する。具体的には、偏波回転部5は、第2方向D2に沿った偏波面を有する偏波に対して最も高い実効的な屈折率を示し、第2方向D2に垂直な方向に沿った偏波面を有する偏波に対して最も小さい実効的な屈折率を示す。そのため、偏波回転部5は、第2方向D2と平行な遅相軸を有し、第1方向D1及び第2方向D2の双方に垂直な進相軸を有する複屈折素子として機能する。そのため、例えば、偏波面が第2方向D2と鋭角を成す直線偏波を、第1方向D1に沿って偏波回転部5内を導波させると、当該直線偏波の偏波面は偏波回転部5によって回転させられる。当該直線偏波の偏波面が第2方向D2と45度の角度を成す場合、偏波回転部5による当該直線偏波の偏波面の回転効率第1方向D1に沿った単位長さ当たりの偏波回転部5による直線偏波の偏波面の回転角度の大きさが最も高くなる。また、例えば、偏波面が第2方向D2と平行又は90度の角度を成す直線偏波を、第1方向D1に沿って偏波回転部5内を導波させると、当該直線偏波の偏波面は偏波回転部5によって変化しない。次に、第1導波路部7及び第2導波路部9の機能について説明する。図3B及びCに示すように、第1方向D1と垂直な断面において、第1導波路部7の第2半導体コア部7C及び第2導波路部9の第3半導体コア部9Cは、それぞれ第3方向D3に沿って延びている。そして、上述のように第2半導体コア部7Cを構成する半導体材料の屈折率は、第2半導体クラッド部7Lを構成する半導体材料の屈折率よりも高く、第3半導体コア部9Cを構成する半導体材料の屈折率は、第3半導体クラッド部9Lを構成する半導体材料の屈折率よりも高い。そのため、第1方向D1方向に沿って第1導波路部7及び第2導波路部9内を偏波が導波する際、当該偏波に対する第1導波路部7及び第2導波路部9の実効的な屈折率は、それぞれ当該偏波の偏波面の方向電場ベクトルの方向に依存する。具体的には、第1導波路部7及び第2導波路部9は、それぞれ第3方向D3に沿った偏波面を有する偏波に対して最も高い実効的な屈折率を示し、第3方向D3に垂直な方向に沿った偏波面を有する偏波に対して最も小さい実効的な屈折率を示す。そのため、第1導波路部7及び第2導波路部9は、それぞれ第3方向D3と平行な遅相軸を有し、第1方向D1及び第3方向D3の双方に垂直な進相軸を有する複屈折素子として機能する。そのため、例えば、偏波面が第3方向D3と鋭角を成す直線偏波を、第1方向D1に沿って第1導波路部7又は第2導波路部9内を導波させると、当該直線偏波の偏波面は第1導波路部7又は第2導波路部9によって回転させられる。当該直線偏波の偏波面が第3方向D3と45度の角度を成す場合、第1導波路部7又は第2導波路部9による当該直線偏波の偏波面の回転効率第1方向D1に沿った単位長さ当たりの第1導波路部7又は第2導波路部9による直線偏波の偏波面の回転角度の大きさが最も高くなる。また、例えば、偏波面が第3方向D3と平行又は90度の角度を成す直線偏波即ち、本実施形態においては、偏波面がX軸又はZ軸と平行な直線偏波を、第1方向D1に沿って第1導波路部7又は第2導波路部9内を導波させると、当該直線偏波の偏波面は第1導波路部7又は第2導波路部9によって変化しない。続いて、偏波回転素子1全体の機能について説明する。図1及び図2に示すように、偏波回転素子1は、第1導波路部7の一端面7E1から入射した偏波を、第1導波路部7、偏波回転部5、及び、第2導波路部9内を順に第1方向D1に沿って導波させ、第2導波路部9の他端面9E2から出射させる。そして、上述のような偏波回転部5、第1導波路部7、及び、第2導波路部9の機能に基づき、偏波が第1導波路部7、偏波回転部5、及び、第2導波路部9内を導波する際、偏波回転素子1は、第1導波路部7、偏波回転部5、及び、第2導波路部9の一部又は全部において、当該偏波の偏波面を回転させる機能を有する。そのため、偏波回転素子1は、波長板として機能する。一例として、偏波回転素子1が1/2波長板λ/2板として機能し、図1に示すように偏波回転素子1に直線偏波であるTETransverseElectric偏波PL1を入射させた場合について説明する。この場合、偏波回転素子1は、第1導波路部7の一端面7E1に入射したTE偏波PL1の偏波面を90度回転させて直線偏波であるTMTransverseMagnetic偏波PL2に変換し、このTM偏波PL2を第2導波路部9の他端面9E2から出射する。ここで、TE偏波PL1の電場Eは、YZ平面と平行な入射面と直交しており、TM偏波PL2の磁場Bは、当該入射面と直交している。そのため、TE偏波PL1の電場Eの第1方向D1と垂直な成分は、X軸と平行であり、TM偏波PL2の電場Eの第1方向D1と垂直な成分は、Z軸と平行である。この偏波回転素子1による偏波面の回転について具体的に説明する。上述のように、第1導波路部7は、偏波面がX軸と平行な直線偏波の偏波面を回転させないため、本実施形態においては、第1導波路部7は偏波状態を保ったままTE偏波PL1を一端面7E1から他端面7E2まで導波させ、他端面7E2から出射させる。続いて、このTE偏波PL1は、偏波回転部5の一端面5E1に入射する。上述のように、偏波回転部5は、偏波面が第2方向D2と鋭角を成す直線偏波の偏波面を回転させるため、本実施形態においては、偏波回転部5は偏波面を回転させながらTE偏波PL1を一端面5E1から他端面5E2まで導波させ、TM偏波PL2を他端面5E2から出射させる。続いて、このTM偏波PL2は、第2導波路部9の一端面9E1に入射する。上述のように、第2導波路部9は、偏波面がZ軸と平行な直線偏波の偏波面を回転させないため、本実施形態においては、第2導波路部9は偏波状態を保ったままTM偏波PL2を一端面9E1から他端面9E2まで導波させ、他端面7E2から出射させる。このようにして、偏波回転素子1は、入射した偏波の偏波面を回転させて偏波状態の異なる偏波に変換し、当該偏波状態が変換された偏波を出射する。上述のような本実施形態に係る偏波回転素子1においては、図1~図3に示すように、第1半導体コア部5Cと第1半導体クラッド部5Lは、それぞれ半導体材料で構成されている。そのため、半導体基板3の積層面3S上に、偏波回転素子1の半導体基板3以外の要素と、他の半導体素子とを、容易にモノリシックに集積することが可能である。その上、本実施形態に係る偏波回転素子1においては、第1半導体コア部5Cの第1方向D1と垂直な断面は、半導体基板3の積層面3Sと鋭角θAを成す第2方向D2に沿って延びた形状を有する図3A参照。そのため、半導体基板3の積層面3Sに対して傾斜した第1半導体コア部5Cを有する偏波回転素子1となる。また、本実施形態に係る偏波回転素子1において、半導体基板3の積層面3Sと第2方向D2とが成す角度鋭角θAは、20度以上、80度以下であることが好ましい。鋭角θAが20度以上であると、積層面3Sと平行な偏波面を有する直線偏波例えば、上述のTE偏波PL1又は積層面3Sと垂直な偏波面を有する直線偏波を偏波回転部5に入射させた場合に、偏波回転部5の単位長さ当たりの偏波面回転効率を十分に高くすることができる図1及び図3A参照。そのため、偏波回転部5の第1方向D1に沿った長さを短くすることが可能になるため、偏波回転素子1の小型化が可能となる。鋭角θAが80度以下である場合も同様に、積層面3Sと平行な偏波面を有する直線偏波例えば、上述のTE偏波PL1又は積層面3Sと垂直な偏波面を有する直線偏波を偏波回転部5に入射させた場合に、偏波回転部5の単位長さ当たりの偏波面回転効率を十分に高くすることができる図1及び図3A参照。さらに、本実施形態に係る偏波回転素子1は、半導体材料からなる第2半導体コア部7Cと、半導体材料からなる第2半導体クラッド部7Lとを有し、半導体基板3上に設けられていると共に、偏波回転部5と光結合するように当該偏波回転部5の第1方向D1の一端面5E1と隣接する第1導波路部7をさらに備え、第2半導体コア部7Cは、第1方向D1に沿って延び、第2半導体クラッド部7Lは、第2半導体コア部7Cの周囲を覆い、第2半導体コア部7Cの第1方向D1と垂直な断面は、第2方向D2とは異なる第3方向D3に沿って延びた形状を有する図1、図2、及び、図3B参照。そのため、このような第1導波路部7の遅相軸の方向即ち、第3方向D3と平行な方向は、第1方向D1から見て、偏波回転部5の遅相軸の方向即ち、第2方向D2と平行な方向と異なる図3A及び図3B参照。そのため、第1導波路部7と偏波回転部5は、同一の偏波状態の偏波に対する偏波面回転特性が互いに異なる。その結果、本実施形態に係る偏波回転素子1によれば、第1導波路部7によって、偏波面を回転させずに第1導波路部7の一端面7E1から他端面7E2に直線偏波例えば、上述のTE偏波PL1を導波させて偏波回転部5に導いた後に、偏波回転部5によって、偏波面を回転させながら偏波回転部5の一端面5E1から他端面5E2まで当該直線偏波を導波させて、他の偏光状態の偏波に変換するという使用方法が可能となる。具体的には、例えば上述のように、第1導波路部7によって、偏波面を回転させずに第1導波路部7の一端面7E1から他端面7E2にTE偏波PL1を導波させて偏波回転部5に導いた後に、偏波回転部5によって、偏波面を回転させながら偏波回転部5の一端面5E1から他端面5E2まで当該TE偏波PL1を導波させて、TM偏波PL2に変換するという使用方法が可能となる。さらに、本実施形態に係る偏波回転素子1は、第3半導体コア部9Cと、第3半導体クラッド部9Lとを有し、半導体基板3上に設けられていると共に、偏波回転部5と光結合するように当該偏波回転部5の第1方向D1の他端面5E2と隣接する第2導波路部9をさらに備え、第3半導体コア部9Cは、半導体基板3の積層面3Sに平行な第1方向D1に沿って延び、第3半導体クラッド部9Lは、第3半導体コア部9Cの周囲を覆い、第3半導体コア部9Cの第1方向D1と垂直な断面は、第3方向D3に沿って延びた形状を有する図1、図2、及び、図3C参照。そのため、このような第2導波路部9の遅相軸の方向即ち、第3方向D3と平行な方向は、第1方向D1から見て、偏波回転部5の遅相軸の方向即ち、第2方向D2と平行な方向と異なる図3A及び図3C参照。そのため、第2導波路部9と偏波回転部5は、同一の偏波状態の偏波に対する偏波面回転特性が互いに異なる。その結果、本実施形態に係る偏波回転素子1によれば、偏波回転部5によって、偏波面を回転させながら偏波回転部5の一端面5E1から他端面5E2まで直線偏波を導波させて第2導波路部9に導いた後に、第2導波路部9によって、偏波面を回転させずに第2導波路部9の一端面9E1から他端面9E2まで当該直線偏波を導波させるという使用方法が可能となる。具体的には、例えば上述のように、偏波回転部5によって、偏波面を回転させながら偏波回転部5の一端面5E1から他端面5E2までTE偏波PL1を導波させてTM偏波PL2に変換し、当該TM偏波PL2を第2導波路部9に導き、第2導波路部9によって、偏波面を回転させずに第2導波路部9の一端面9E1から他端面9E2まで当該TM偏波PL2を導波させるという使用方法が可能となる。また、上述のような本実施形態に係る偏波回転素子1において、第2方向D2と第3方向D3は、略45度の角度を成すことが好ましい。即ち、第2方向D2と第3方向D3とが成す角度θ23は、略45度であることが好ましい図3A参照。これにより、上述のように、第1導波路部7と第2導波路部9内を偏波面を回転させずに直線偏波を導波させる場合に、当該直線偏波の偏波面と偏波回転部5の遅相軸との成す角度が略45度になるため、偏波回転部5による当該直線偏光の偏波面の回転効率を特に特に大きくすることができる。また、本実施形態に係る偏波回転素子1において、第1方向D1と垂直な第1半導体コア部5Cの断面は、第2方向D2に沿った長さが、第2方向D2と垂直な方向に沿った幅の3倍以上、10倍以下である形状を有することが好ましい図3A参照。当該断面の第2方向D2に沿った長さが、第2方向D2と垂直な方向に沿った幅の3倍以下の場合、第1半導体コア部5Cの断面形状が正方形に近いために、第2方向D2に沿った偏波に対する屈折率と、第2方向D2とは垂直な方向に沿った偏波に対する屈折率の差である複屈折率が小さくなり、偏波回転効率が小さくなる。また、当該断面の第2方向D2に沿った長さが、第2方向D2と垂直な方向に沿った幅の10倍以上の場合、第1半導体コア部5Cへの光閉じ込めが弱くなるために、第2方向D2に沿った偏波に対する屈折率と、第2方向D2と垂直な方向に沿った偏波に対する屈折率の差である複屈折率が小さくなり、やはり偏波回転効率が小さくなる。従って、第1方向D1と垂直な第1半導体コア部5Cの断面は、第2方向D2に沿った長さが、第2方向D2と垂直な方向に沿った幅の3倍以上、10倍以下である形状を有することにより、好適な偏波回転効率を得ることができる。次に、本発明者らが偏波回転素子の偏波回転部及び導波路部に対して行った特性の計算結果について説明する。初めに、上述の実施形態の第1導波路部7又は、第2導波路部9に対応する構成を有する導波路部Aについて、下記のような条件を設定した上で特性の計算を行った。導波路部Aの第2半導体コア部7C又は第3半導体コア部9Cを構成する半導体材料は、屈折率が約3.401のGaInAsPとした。導波路部Aの第2半導体クラッド部7L又は第3半導体クラッド部9Lを構成する材料は、屈折率が約3.169のInPとした。導波路部Aの第2半導体コア部7C又は第3半導体コア部9Cは第3方向D3に沿って延びるが図3B及び図3C参照、第3方向D3はX軸と平行即ち、半導体基板3の積層面3Sと平行とした。導波路部Aの第2半導体コア部7C又は第3半導体コア部9Cの第1方向D1と垂直な断面の第3方向D3に沿った長さは、1.5μmとした。導波路部Aの第2半導体コア部7C又は第3半導体コア部9Cの第1方向D1と垂直な断面の第3方向D3と垂直な方向に沿った幅は、0.3μmとした。このような導波路部Aについて、BPMBeamPropagationMethod法によって、偏波状態が互いに異なる波長1.55μmの4種類の直線偏波を導波路部A内を第1方向D1に沿って導波させた場合の、各直線偏波に対する導波路部Aの実効的な屈折率をそれぞれ計算した。4種類の直線偏波は、偏波面がX軸と平行な直線偏波TE偏波、偏波面がZ軸と平行な直線偏波TM偏波、偏波面がX軸と45度を成す直線偏波以下、45度偏波という、及び、偏波面がX軸と135度を成す直線偏波以下、135度偏波というとした。TE偏波に対する導波路部Aの実効的な屈折率は、3.2318となり、TM偏波に対する導波路部Aの実効的な屈折率は、3.2229となった。また、45度偏波に対する導波路部Aの実効的な屈折率と、135度偏波に対する導波路部Aの実効的な屈折率は、いずれも3.2274となった。45度偏波に対する導波路部Aの実効的な屈折率と、135度偏波に対する導波路部Aの実効的な屈折率とが等しいことから、TE偏波やTM偏波を導波路部Aの導波路部内を第1方向D1に沿って導波させた場合、導波路部AはこれらのTE偏波やTM偏波の偏波面を回転させないことが確認された。次に、上述の実施形態の偏波回転部5に対応する構成を有する偏波回転部Aについて、下記のような条件を設定した上で特性の計算を行った。偏波回転部Aの第1半導体コア部5Cを構成する半導体材料は、屈折率が約3.401のGaInAsPとした。偏波回転部Aの第1半導体クラッド部5Lを構成する材料は、屈折率が約3.169のInPとした。偏波回転部Aの第1半導体コア部5Cは第2方向D2に沿って延びるが図3A参照、第2方向D2と半導体基板3の積層面3Sとが成す鋭角θAは、45度とした。偏波回転部Aの第1半導体コア部5Cの第1方向D1と垂直な断面の第2方向D2に沿った長さは、1.8μmとした。第1方向D1と垂直な偏波回転部Aの第1半導体コア部5Cの断面の第2方向D2と垂直な方向に沿った幅は、0.3μmとした。このような偏波回転部Aについて、BPMBeamPropagationMethod法によって、偏波状態が互いに異なる波長1.55μmの2種類の直線偏波45度偏波及び135度偏波を偏波回転部A内を第1方向D1に沿って導波させた場合の、各直線偏波に対する偏波回転部Aの実効的な屈折率をそれぞれ計算した。なお、45度偏波の偏波面は第2方向D2と平行であり、135度偏波の偏波面は第2方向D2と直交する。その結果、45度偏波に対する偏波回転部Aの実効的な屈折率は、3.2284となった。また、135度偏波に対する偏波回転部Aの実効的な屈折率は、3.2197となった。45度偏波に対する偏波回転部Aの実効的な屈折率と、135度偏波に対する偏波回転部Aの実効的な屈折率とが異なることから、TE偏波やTM偏波を偏波回転部Aの導波路部内を第1方向D1に沿って導波させた場合、偏波回転部AはこれらのTE偏波やTM偏波の偏波面を回転させることが確認された。次に、上述の導波路部A及び偏波回転部Aと、下記のような偏波回転部B~Iについて、特性の計算を行った。偏波回転部B~Iは、第2方向D2と半導体基板3の積層面3Sとが成す鋭角θA以外は、偏波回転部Bと同様の構成とした。偏波回転部B、C、D、E、F、G、H及びIの第2方向D2と半導体基板3の積層面3Sとが成す鋭角θAは、それぞれ、5度、10度、25度、30度、40度、50度、60度、及び65度とした。導波路部A及び偏波回転部A~Iについて、BPM法によって、偏波状態が互いに異なる波長1.55μmの2種類の直線偏波45度偏波及び135度偏波を導波路部A及び偏波回転部A~I内を第1方向D1に沿って導波させた場合の、各直線偏波に対する偏波回転部Aの実効的な屈折率をそれぞれ計算した。図4は、導波路部A及び偏波回転部A~Iの特性について計算した結果を示す図である。図4の縦軸は、屈折率の差、即ち、導波路部A及び偏波回転部A~Iそれぞれについての45度偏波に対する屈折率と135度偏波に対する屈折率との差を表している。図4の横軸は、コア角度、即ち、導波路部A及び偏波回転部A~Iそれぞれについての第1半導体コア部5C、第2半導体コア部7C、又は第3半導体コア部9Cの延び方向第2方向D2又は第3方向D3と、半導体基板3の積層面3Sとが成す角度を表している。導波路部A及び偏波回転部A、B、C、D、E、F、G、H、及びIのコア角度は、それぞれ順に、0度、45度、5度、15度、25度、30度、40度、50度、60度、及び65度である。図4におけるプロットE0、E5、E15、E25、E30、E40、E45、E50、E60、及びE65は、それぞれ順に、導波路部A、偏波回転部B、偏波回転部C、偏波回転部D、偏波回転部E、偏波回転部F、偏波回転部A、偏波回転部G、偏波回転部H、及び偏波回転部Iに対応する。図4に示されるように、コア角度が45度に近づく程、屈折率の差は大きくなった。この屈折率の差が大きい程、偏波回転部による偏波の偏波面の回転効率が高くなる。そのため、コア角度が45度の近づく程、偏波回転部による偏波の偏波面の回転効率は高くなることが確認された。偏波回転部A~Iについて、BPM法によって、波長1.55μmのTE偏波を偏波回転部A~I内を第1方向D1に沿って導波させた場合に、偏波回転部A~Iが当該TE偏波をTM偏波に変換するのに必要な偏波回転部A~Iの第1方向D1の長さ以下、単に偏波回転部の所要長さというを、それぞれ計算した。図5は、偏波回転部A~Iについての計算結果を示す図である。各プロットの符号と偏波回転部A~Iとの関係は、図4における当該関係と同じである。図5の縦軸は、偏波回転部の所要長さを表している。図5の横軸は、図4の横軸と同様に、コア角度を表している。図5に示されるように、コア角度が20度以上であると、偏波回転部の所要長さが特に短くなることが確認された。これにより、コア角度が20度以上であると、偏波回転部5の第1方向D1の長さを短くし、これにより偏波回転素子1全体の大きさを小型化することが可能であるため、好ましいことが確認された。次に、本実施形態に係る偏波回転素子の製造方法について説明する。本実施形態の偏波回転素子1の製造方法は、構造体形成工程と、第1半導体層形成工程と、第2半導体層形成工程と、第3半導体層形成工程と、マスク工程と、半導体積層エッチング工程と、第4半導体層形成工程と、第1導波路部形成工程と、第2導波路部形成工程と、を備えている。以下、図6~図17を参照しながら、これらの工程の詳細について説明する。図6~図17は、本実施形態の偏波回転素子の製造方法で行われる一連の工程を説明するための図である。構造体形成工程図6A及び図7Aは、構造体形成工程を説明するための平面図であり、図6B及び図7Bは、それぞれ図6AのVIB-VIB線に沿った断面を示す図、及び、図7AのVIIB-VIIB線に沿った断面を示す図である。本実施形態の構造体形成工程は、初期半導体基板を準備する準備工程と、マスク部形成工程と、初期半導体基板エッチング工程とを有する。準備工程においては、図6に示すように、初期半導体基板3Fを準備する。初期半導体基板3Fは、後に得られる半導体基板3図7参照と同様の半導体材料からなり、例えば、InPからなる。初期半導体基板3Fは、例えば板状であり、略平坦なXY平面に沿って延びる表面を有する。また、初期半導体基板3Fは、後に凸部27図7参照となるべき領域27Pを含んでいる。領域27Pは、Y軸に沿った第1方向D1に沿って延びる領域である。続いて、マスク部形成工程では、図6に示すように、初期半導体基板3Fの表面の一部上、即ち、領域27P上に凸部用マスク部25を形成する。本実施形態の凸部用マスク部25は、初期半導体基板3Fに接するGaInAs等の半導体材料からなる第1マスク部キャップ層21と、第1マスク部21上に形成された酸化シリコンや窒化シリコン等の誘電体材料からなる第2マスク部23と、を有する。半導体材料からなる第1マスク部21は、例えば、MOCVD法有機金属気相成長法等のエピタキシャル成長法によって形成することができる。また、誘電体材料からなる第2マスク部23は、例えば、プラズマCVD法を用いて形成することができる。このような凸部用マスク部25は、例えば、初期半導体基板3Fの表面全体に第1マスク部21を形成し、その第1マスク部21の表面全体に第2マスク部23を形成した後に、第2マスク部23の表面の一部にレジストマスクを形成してから第2マスク部23及び第1マスク部21をドライエッチング法等でエッチングしてパターニングすることにより、形成することができる。なお、マスク部25は、第1マスク部21を有していなくてもよい。続いて、初期半導体基板エッチング工程では、図7に示すように、マスク部25をマスクとして初期半導体基板3Fをドライエッチング法等でエッチングすることにより、マスク部25の下に位置する凸部27と、凸部27の下に位置する半導体基板3と、を有する構造体29を形成する。半導体基板3は、略平坦な積層面3Sを有する。凸部27は、半導体基板3の積層面3Sから突出すると共に、積層面3Sと平行な第1方向D1に沿って延びる。第1半導体層形成工程続いて、第1半導体層形成工程が行われる。図8Aは、第1半導体層形成工程を説明するための平面図であり、図8Bは、図8AのVIIIB-VIIIB線に沿った断面を示す図である。第1半導体層形成工程においては、第1半導体クラッド部5L図13B参照と同じ材料からなる第1半導体層33を、例えばMOCVD法等のエピタキシャル成長法によって、半導体基板3の積層面3S上に堆積させる。この際、マスク部25の誘電体材料からなる第2マスク部23が選択成長マスクとして用いられる。第1半導体層33は、凸部27の側面27Sと隣接する凸部隣接領域33Aと、凸部27の側面27Sとは離間した領域である第1非隣接領域33Fと、を有するようにする。また、マスク部25にGaInAs等の半導体材料からなる第1マスク部21を形成することで、第1半導体層33を形成する際に、凸部27の側面27S上に形成する第1半導体層33の異常成長を防止することができる。また、GaInAs等の半導体材料からなる第1マスク部21を、燐酸系エッチング液燐酸、過酸化水素水および水の混合液を用いて選択的にエッチングすることで、第2マスク部23の庇を形成してもよい。誘電体材料からなる第2マスク部23の庇を形成することにより、さらに凸部27の側面27S上に形成する第1半導体層33の異常成長を防止することができる。また、凸部27の側面27S上に形成される第1半導体層3333Aの形状を再現性よく制御することができる。このように第1半導体層33が凸部隣接領域33Aを有するように積層面3S上に第1半導体層33を堆積させると、凸部27の影響により、凸部隣接領域33Aの少なくとも一部は、第1方向D1と垂直な断面において、凸部27に近づくにつれて半導体基板3の積層面3Sからの高さが増加する傾斜面33Lを規定する。この傾斜面33Lは、半導体基板3の積層面3Sと鋭角θAを成す第2方向D2に沿って延びる。この傾斜面33Lの傾きの大きさ、即ち、鋭角θAの大きさは、第1半導体層33を堆積させる際の堆積条件、例えば、堆積時間等によって、容易に制御することができる。例えば、第1半導体層33の堆積時間を長くして第1半導体層33の膜厚を厚くする程、鋭角θAの大きさは小さくなって凸部隣接領域33Aの表面は平坦に近づく。第1非隣接領域33Fは、凸部隣接領域33Aと比較して凸部27の影響を受け難いため、膜厚は略均等となり、略平坦な表面を有する。第2半導体層形成工程続いて、第2半導体層形成工程が行われる。図9Aは、第2半導体層形成工程を説明するための平面図であり、図9Bは、図9AのIXB-IXB線に沿った断面を示す図である。第2半導体層形成工程においては、第1半導体コア部5C図12B参照と同じ材料からなる第2半導体層35を、例えばMOCVD法等のエピタキシャル成長法によって、第1半導体層33上に形成する。この際、マスク部25の誘電体材料からなる第2マスク部23が選択成長マスクとして用いられる。また、第2半導体層35が、凸部27の側面27Sに隣接し、傾斜面33L上に位置する傾斜部35Aと、凸部27の側面27Sと離間し、第1非隣接領域33F上に位置する第2非隣接領域35Fと、を有するようにする。第2半導体層35の傾斜部35Aは、第1半導体層33の凸部隣接領域33Aの傾斜面33Lに沿って延びるため、第2方向D2に沿って延びる。また、GaInAs等の半導体材料からなる第1マスク部21を形成することで、第2半導体層35を形成する際に、凸部27の側面27S上に形成する第2半導体層35の傾斜部35Aの異常成長を防止することができる。さらに、第2マスク部23の庇を有することにより、第2半導体層35の傾斜部35Aの異常成長を防止するとともに、第2半導体層35の傾斜部35Aの形状を再現性よく制御することができる。第3半導体層形成工程続いて、第3半導体層形成工程が行われる。図10Aは、第3半導体層形成工程を説明するための平面図であり、図10Bは、図10AのXB-XB線に沿った断面を示す図である。第3半導体層形成工程においては、第1半導体クラッド部5L図13B参照と同じ材料からなる第3半導体層37を、例えばMOCVD法等のエピタキシャル成長法によって、第2半導体層35上に堆積させる。この際、マスク部25の誘電体材料からなる第2マスク部23が選択成長マスクとして用いられる。また、GaInAs等の半導体材料からなる第1マスク部21を形成することで、凸部27の側面および第2半導体層35上に第3半導体層37を形成する際に異常成長を防止することができる。さらに、第2マスク部23の庇を有することにより、この異常成長を防止することができるとともに、第3半導体層37を第1マスク部21の高さで平坦に形成することができる。これにより、第1半導体層33、第2半導体層35、及び、第3半導体層37からなる半導体積層39を半導体基板3の積層面3S上に形成する。半導体積層39は凸部27の側面27Sに隣接する。その後、例えば、フッ酸系のエッチング液を用いたウェットエッチング等により、マスク部25の第2マスク部23を除去し、燐酸系エッチング液燐酸、過酸化水素水および水の混合液を用いて、第1マスク部21をエッチングし除去する。マスク工程続いて、マスク工程が行われる。図11Aは、マスク工程を説明するための平面図であり、図11Bは、図11AのXIB-XIB線に沿った断面を示す図である。マスク工程では、図11に示すように、第3半導体層37の表面37Sのうち、第2半導体層35の傾斜部35Aの少なくとも一部の上方の表面を、第1方向D1に沿って延びる形状を有するマスク層41でマスクする。マスク層41は、後の工程で形成される第1半導体コア部5C図12B参照を第3半導体層37を介して覆っている。本実施形態のマスク層41は、凸部27とX軸方向積層面3Sと平行かつ第1方向D1と直交する方向に離間しているが、これらは隣接していてもよい。マスク層41は、例えば、酸化シリコンや窒化シリコン等の誘電体材料からなる。半導体積層エッチング工程続いて、半導体積層エッチング工程が行われる。図12Aは、マスク工程を説明するための平面図であり、図12Bは、図12AのXIIB-XIIB線に沿った断面を示す図である。半導体積層エッチング工程では、図12に示すように、マスク層41をマスクとして半導体積層39図11参照をドライエッチング法等によってエッチングする。この際、第2半導体層35のうち、マスク層41下方の第2半導体層35の傾斜部35Aの上記少なくとも一部と接する領域が除去されるようにする。本実施形態では、第2半導体層35のうち、マスク層41下方の第2半導体層35の傾斜部35Aの上記少なくとも一部以外を全てエッチングする。これにより、マスク層41の下に、半導体積層39の積層方向に突出して第1方向D1に沿って延びるストライプ状の突出部45を形成する。突出部45は、マスク層41下方の第2半導体層35の傾斜部35Aの上記少なくとも一部からなる第1半導体コア部5Cを含む。本実施形態においては、半導体積層39のエッチングは、第1半導体層33の一部が残存するように行っているが、第1半導体層33を全て除去するように行ってもよい。また、本実施形態においては、半導体積層39のエッチングは、凸部27の一部が残存するように行っているが、凸部27を全て除去するように行ってもよい。第4半導体層形成工程、第1導波路部形成工程、及び第2導波路部形成工程続いて、第4半導体層形成工程、第1導波路部形成工程、及び第2導波路部形成工程が行われる。第4半導体層形成工程が行われると、偏波回転部5の形成が完了する。図13A、図14A、図15A、及び図16A、は、第4半導体層形成工程、第1導波路部形成工程、及び第2導波路部形成工程を説明するための平面図である。図13B及びCは、それぞれ図13AのXIIIB-XIIIB線に沿った断面及びXIIIC-XIIIC線に沿った断面を示す図である。図14B、C、及びDは、それぞれ図14AのXIVB-XIVB線に沿った断面、XIVC-XIVC線に沿った断面、及びXIVD-XIVD線に沿った断面を示す図である。図15B、C、及びDは、それぞれ図15AのXVB-XVB線に沿った断面、XVC-XVC線に沿った断面、及びXVD-XVD線に沿った断面を示す図である。図16B、C、及びDは、それぞれ図16AのXVIB-XVIB線に沿った断面、XVIC-XVIC線に沿った断面、及びXVID-XVID線に沿った断面を示す図である。これらの工程においては、まず図13に示すように、ストライプ状の突出部45を埋め込むように、例えばMOCVD法等の化学気相成長法や物理気相成長法によって、第1半導体クラッド部5Lと同じ材料からなる第4半導体層47を形成する。これにより、第1半導体層33、第3半導体層37、第4半導体層47を含む第1半導体クラッド部5Lを形成する。第1半導体クラッド部5Lは、第1半導体コア部5Cの周囲を覆っている。このようにして、第1半導体コア部5Cと第1半導体クラッド部5Lを備える偏波回転部5が形成される。その後、マスク層41をウェットエッチング等により除去する。続いて、図14Aに示すように、最終的な第1半導体コア部5Cの形状図17参照に対応した第1方向D1の長さを有するマスク層49を、第3半導体層37及び第4半導体層47上に形成する。即ち、マスク層49は、最終的な第1半導体コア部5Cの形状図17参照の第1方向D1の長さを規定する。マスク層49は、第1半導体コア部5C全体を覆っていてもよいし、第1半導体コア部5Cの第1方向D1方向における両端部又は一方の端部は覆わないように、第1半導体コア部5Cの一部のみを覆っていてもよい。マスク層49は、例えば、酸化シリコンや窒化シリコン等の誘電体材料からなる。そして、マスク層49をマスクとして、第4半導体層47をエッチングし、第1半導体コア部5Cの第1方向D1の両端部を露出させる。マスク層49が第1半導体コア部5Cの第1方向D1方向における両端部又は一方の端部を覆っていない場合、第4半導体層47と共に第1半導体コア部5Cの第1方向D1方向における当該両端部又は当該一方の端部もエッチングする。これにより、偏波回転部5の一端面5E1及び他端面5E2が規定される。本実施形態においては、図14C及びDに示すように、第4半導体層47の中間部までエッチングすることによりマスク層49で覆われていない領域の第4半導体層47を残存させているが、マスク層49で覆われていない領域の第4半導体層47が全て除去されるように第4半導体層47のエッチングを行ってもよい。次に、図14に示すように、第1方向D1において偏波回転部5の一端面5E1及び他端面5E2に隣接する領域に、即ち、上述のマスク層49をマスクとして行ったエッチングによって除去された領域に、第2半導体コア部7C及び第3半導体コア部9C図15参照と同じ半導体材料からなる第5半導体層53と、第2半導体クラッド部7L及び第3半導体クラッド部9L図16参照と同じ半導体材料からなる第6半導体層55とを、この順に形成する。第5半導体層53は、第1方向D1と垂直な断面において、第2方向D2とは異なる第3方向D3に沿って延びる。本実施形態においては、第3方向D3は、半導体基板3の積層面3Sと平行である。続いて、図15Aに示すように、第6半導体層55の表面上に、第1方向D1に沿って延びる2つのマスク層59を形成する。マスク層59は、例えば、酸化シリコンや窒化シリコン等の誘電体材料からなる。マスク層59は、最終的な第2半導体コア部7C及び第3半導体コア部9Cの形状に対応した第1方向D1と垂直方向X軸方向の幅を有する。即ち、マスク層59は、最終的な第2半導体コア部7C及び第3半導体コア部9Cの形状の第1方向D1と垂直方向X軸方向の幅を規定する。続いて、図15C及びDに示すように、第5半導体層53のX軸方向の幅が第2半導体コア部7C及び第3半導体コア部9CのX軸方向の幅に規定されるように、マスク層49及びマスク層59をマスクとして、第6半導体層55、第5半導体層53、第4半導体層47、及び、第1半導体層33をエッチングする。これにより、マスク層59の下に、凸部56を形成する。本実施形態においては、凸部56は、マスク層59の下に残存した第6半導体層55、第5半導体層53、第4半導体層47、及び、第1半導体層33を含む。マスク層59の下に残存した第5半導体層53は、第2半導体コア部7C及び第3半導体コア部9Cとなる。なお、本実施形態では、このエッチングは、半導体基板3の積層面3Sを露出させるように行っているが、第5半導体層53のX軸方向の幅が第2半導体コア部7C及び第3半導体コア部9CのX軸方向の幅に規定されるように行われればよく、例えば、第1半導体層33を残存させるように行われてもよく、第1半導体層33及び第4半導体層47を残存するように行われてもよい。続いて、図16に示すように、凸部56を埋め込むように、第2半導体クラッド部7L及び第3半導体クラッド部9Lと同じ半導体材料からなる第7半導体層63を形成する。これにより、偏波回転部5の一端面5E1に隣接するように、第1半導体層33、第4半導体層47、第6半導体層55、及び、第7半導体層63からなる第2半導体クラッド部7Lが形成され、また、偏波回転部5の他端面5E2に隣接するように、1半導体層33、第4半導体層47、第6半導体層55、及び、第7半導体層63からなる第3半導体クラッド部9Lが形成される。第2半導体クラッド部7Lは第2半導体コア部7Cの周囲を覆っており、第3半導体クラッド部9Lは第3半導体コア部9Cの周囲を覆っている。その結果、偏波回転部5の一端面5E1に隣接するように、第2半導体クラッド部7Lと第2半導体コア部7Cとからなる第1導波路部7が形成され、また、偏波回転部5の他端面5E2と隣接するように、第3半導体クラッド部9Lと第3半導体コア部9Cとからなる第2導波路部9が形成される。第1導波路部7及び第2導波路部9は、それぞれ偏波回転部5と光結合する。その後、マスク層59を除去する。以上のような工程を経ることにより、本実施形態に係る偏波回転素子1が製造される。また、上述のような工程の後、図17に示す工程をさらに行ってもよい。図17Aは、第4半導体層形成工程、第1導波路部形成工程、及び第2導波路部形成工程の後に任意に行うことができる工程を説明するための平面図である。図17BC及びDは、それぞれ図17AのXVIIB-XVIIB線に沿った断面、XVIIC-XVIIC線に沿った断面、XVIID-XVIID線に沿った断面を示す図である。この工程では、図17Aに示すように、第1導波路部7、及び、第2導波路部9の第1方向D1に沿った長さ、及び、偏波回転部5、第1導波路部7、及び、第2導波路部9の第1方向D1と直交かつ半導体基板3の積層面3Sと平行な方向X軸方向に沿った幅が、それぞれ所望の長さ、及び、所望の幅となるように、偏波回転部5、第1導波路部7、及び、第2導波路部9のエッチングを行う。このようなエッチングは、例えば、偏波回転部5、第1導波路部7、及び、第2導波路部9の残存させたい領域の表面をマスクしてから、偏波回転部5、第1導波路部7、及び、第2導波路部9をドライエッチング等でエッチングすることにより行うことができる。これにより、半導体基板3の積層面3Sの一部を露出させる。上述の本実施形態に係る偏波回転素子1の製造方法においては、第1半導体コア部5Cと第1半導体クラッド部5Lをそれぞれ半導体材料で形成する図9~図14参照。そのため、半導体基板3の積層面3S上に、偏波回転素子1の半導体基板3以外の要素と、他の半導体素子とを、容易にモノリシックに集積することが可能である。その上、上述の本実施形態に係る偏波回転素子1の製造方法においては、第1半導体層形成工程において凸部隣接領域33Aを有する第1半導体層33を形成し、この凸部隣接領域33Aは、半導体基板3の半導体基板3あと鋭角θAを成す第2方向D2に沿って延びる傾斜面33Lを規定する図8参照。このような傾斜面33Lを有する凸部隣接領域33Aは、構造体形成工程で形成した構造体29を用いて、容易に形成することができる図7及び図8参照。即ち、第1半導体層形成工程において、半導体基板3の積層面3S上に、第1半導体層33を構造体29の凸部27の側面27Sに接するように堆積させるだけで、当該凸部27に近い領域ほど第1半導体層33を構成する半導体材料が厚く堆積されるため、上述のような傾斜面33Lを有する凸部隣接領域33Aを容易に形成することができる図7及び図8参照。続いて、第2半導体層形成工程において、この第1半導体層33上に第2半導体層35を形成するだけで、当該第2半導体層35は上記第2方向D2に沿って延びる傾斜部35Aを有することになる図9参照。そのため、この傾斜部35Aも容易に形成することができる。その後、エッチング工程において半導体積層39のエッチングが行われて、当該傾斜部35Aの少なくとも一部が第1半導体コア部5Cとなる図11及び図12参照。そのため、本実施形態に係る偏波回転素子1の製造方法によれば、半導体基板3の積層面3Sに対して傾斜した第1半導体コア部5Cを容易に形成することが可能である。以上より、上述の本実施形態に係る偏波回転素子1の製造方法によれば、半導体材料からなる偏波回転素子1が得られ、また、半導体基板3の積層面3Sに対して傾斜した第1半導体コア部5Cの形成が容易となる。さらに、上述の本実施形態に係る偏波回転素子1の製造方法において、半導体基板3の積層面3Sと第2方向D2とが成す角度鋭角θA、図8~図10参照は、20度以上、80度以下であることが好ましい。鋭角θAが20度以上であると、積層面3Sと平行な偏波面を有する直線偏波例えば、上述のTE偏波PL1又は積層面3Sと垂直な偏波面を有する直線偏波を偏波回転部5に入射させた場合に、偏波回転部5の単位長さ当たりの偏波面回転効率を十分に高くすることができる図1及び図3A参照。そのため、偏波回転部5の第1方向D1に沿った長さを短くすることが可能になるため、偏波回転素子1の小型化が可能となる。鋭角θAが80度以下である場合も同様に、積層面3Sと平行な偏波面を有する直線偏波例えば、上述のTE偏波PL1又は積層面3Sと垂直な偏波面を有する直線偏波を偏波回転部5に入射させた場合に、偏波回転部5の単位長さ当たりの偏波面回転効率を十分に高くすることができる図1及び図3A参照。さらに、上述の本実施形態に係る偏波回転素子1の製造方法において、構造体形成工程は、凸部27となるべき領域27Pを含む初期半導体基板3Fを準備する準備工程と、初期半導体基板3Fのうち、凸部27となるべき領域27P上に凸部用のマスク部25を形成するマスク部形成工程と、凸部用のマスク部25をマスクとして初期半導体基板3Fをエッチングすることにより、凸部用のマスク部25の下に位置する凸部27と、凸部27の下に位置する上記半導体基板3とを形成する初期半導体基板エッチング工程と、を有している図6及び図7参照。これにより、半導体基板3と凸部27とからなる上記構造体29を容易に形成することができる。さらに、上述の本実施形態に係る偏波回転素子1の製造方法は、上記半導体基板3上に、半導体材料からなり第1方向D1に沿って延びると共に第1方向D1と垂直な断面において第2方向D2と異なる第3方向D3に沿って延びる形状を有する第2半導体コア部7Cと、半導体材料からなり第2半導体コア部7Cの周囲を覆う第2半導体クラッド部7Lとを有し、偏波回転部5の第1方向D1の一端面5E1と隣接して偏波回転部5と光結合する第1導波路部7を形成する第1導波路部形成工程をさらに備えている図14~図17参照。このような第1導波路部の遅相軸の方向は、第1方向から見て、偏波回転部の遅相軸の方向と異なる。そのため、第1導波路部と偏波回転部は、同一の偏波に対する偏波面回転特性が互いに異なる。その結果、本発明に係る偏波回転素子の製造方法によれば、第1導波路部によって、偏波面を回転させずに第1導波路部の一端面から他端面に直線偏波を導波させて偏波回転部に導いた後に、偏波回転部によって、偏波面を回転させながら偏波回転部の一端面から他端面まで当該直線偏波を導波させるという使用方法が可能な偏波回転素子が得られる。そのため、このような第1導波路部7の遅相軸の方向即ち、第3方向D3と平行な方向は、第1方向D1から見て、偏波回転部5の遅相軸の方向即ち、第2方向D2と平行な方向と異なる図14B及びC参照。そのため、第1導波路部7と偏波回転部5は、同一の偏波状態の偏波に対する偏波面回転特性が互いに異なる。その結果、本実施形態に係る偏波回転素子1によれば、第1導波路部7によって、偏波面を回転させずに第1導波路部7の一端面7E1から他端面7E2に直線偏波例えば、上述のTE偏波PL1を導波させて偏波回転部5に導いた後に、偏波回転部5によって、偏波面を回転させながら偏波回転部5の一端面5E1から他端面5E2まで当該直線偏波を導波させて、他の偏光状態の偏波に変換するという使用方法が可能となる。具体的には、例えば上述のように、第1導波路部7によって、偏波面を回転させずに第1導波路部7の一端面7E1から他端面7E2にTE偏波PL1を導波させて偏波回転部5に導いた後に、偏波回転部5によって、偏波面を回転させながら偏波回転部5の一端面5E1から他端面5E2まで当該TE偏波PL1を導波させて、TM偏波PL2に変換するという使用方法が可能となる。さらに、上述の本実施形態に係る偏波回転素子1の製造方法は、上記半導体基板3上に、半導体材料からなり第1方向D1に沿って延びると共に第1方向D1と垂直な断面において第3方向D3に沿って延びる形状を有する第3半導体コア部9Cと、半導体材料からなり第3半導体コア部9Cの周囲を覆う第3半導体クラッド部9Lとを有し、偏波回転部5の第1方向D1の他端面5E2と隣接して偏波回転部5と光結合する第2導波路部9を形成する第2導波路部形成工程をさらに備えている図14~図17参照。そのため、このような第2導波路部9の遅相軸の方向即ち、第3方向D3と平行な方向は、第1方向D1から見て、偏波回転部5の遅相軸の方向即ち、第2方向D2と平行な方向と異なる図14B及びC参照。そのため、第2導波路部9と偏波回転部5は、同一の偏波状態の偏波に対する偏波面回転特性が互いに異なる。その結果、本実施形態に係る偏波回転素子1によれば、偏波回転部5によって、偏波面を回転させながら偏波回転部5の一端面5E1から他端面5E2まで直線偏波を導波させて第2導波路部9に導いた後に、第2導波路部9によって、偏波面を回転させずに第2導波路部9の一端面9E1から他端面9E2まで当該直線偏波を導波させるという使用方法が可能となる。具体的には、例えば上述のように、偏波回転部5によって、偏波面を回転させながら偏波回転部5の一端面5E1から他端面5E2までTE偏波PL1を導波させてTM偏波PL2に変換し、当該TM偏波PL2を第2導波路部9に導き、第2導波路部9によって、偏波面を回転させずに第2導波路部9の一端面9E1から他端面9E2まで当該TM偏波PL2を導波させるという使用方法が可能となる。さらに、上述の本実施形態に係る偏波回転素子1の製造方法において、第2方向D2と第3方向D3は、略45度の角度を成すことが好ましい。即ち、第2方向D2と第3方向D3とが成す角度θ23は、略45度であることが好ましい図3A参照。これにより、上述のように、第1導波路部7と第2導波路部9内を偏波面を回転させずに直線偏波を導波させる場合に、当該直線偏波の偏波面と偏波回転部5の遅相軸との成す角度が略45度になるため、偏波回転部5による当該直線偏光の偏波面の回転効率を特に特に大きくすることができる。本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形態様が可能である。例えば、上述の実施形態における偏波回転素子1は、第1導波路部7及び第2導波路部9を備えているが図1~図3参照、偏波回転素子1は、第1導波路部7及び/又は第2導波路部9を備えていなくてもよい。また、上述の実施形態における偏波回転素子1の製造方法は、第1導波路部形成工程及び第2導波路部形成工程を備えているが図14~図17参照、偏波回転素子1の製造方法は、第1導波路部形成工程及び/又は第2導波路部形成工程を備えていなくてもよい。また、上述の実施形態における偏波回転素子1の製造方法の構造体形成工程においては、初期半導体基板3Fを準備する準備工程と、凸部用のマスク部25を形成するマスク部形成工程と、初期半導体基板エッチング工程と、を行うことにより、構造体29を形成しているが図6及び図7参照、構造体29の形成方法はこのような態様に限られない。例えば、構造体形成工程においては、半導体基板3を準備する工程と、半導体基板3の積層面3S上に凸部27を形成する工程と、を行うことにより、構造体29を形成することができる。この場合の凸部27を形成する工程は、半導体基板3の積層面3S上の全面に膜を堆積させる工程と、この膜の凸部27となるべき領域以外の領域をエッチングする工程と、を含むことができる。