薄板及び基板、特にガラス又はガラス状材料及び半導体の形態の誘電性ワーク1内に孔12を作製する装置であって、以下の特徴:電極ホルダー21及び対向電極ホルダー31の配置が、前記ワーク1のための処理加工スペース23を囲むことと、好ましくは、前記ワークの両側に互いに対向して配置されている電極6及び対向電極7が、前記電極ホルダー21及び前記対向電極ホルダー31によって支持されており、また高電圧源に接続可能であることと、好ましくは、ワークホルダー5が、前記ワーク1を前記電極ホルダー21及び前記対向電極ホルダー31に対して移動させるために設けられていることと、好ましくは、前記電極6のそれぞれが複数の個々の高圧電極6a、6b、6cを含み、前記対向電極7のそれぞれが複数の個々の高圧対向電極7a、7b、7cを含み、前記個々の電極は、前記ワーク1内に作製される各孔12の周りに対称的に配置されていることと、前記ワークホルダー5は、穿孔される前記ワーク1を前記処理加工スペース23内で位置決めし、前記ワークの穿孔箇所10は、前記個々の高圧電極6a、6b、6cと前記個々の高圧対向電極7a、7b、7cとの間の対称軸内にあることと、前記個々の高圧電極6a、6b、6c及び前記個々の高圧対向電極7a、7b、7cは、高電圧絶縁破壊をもたらすように高電圧源に交互に接続可能であることと、を有する、薄板及び基板、特にガラス又はガラス状材料及び半導体の形態の誘電性ワーク内に孔を作製する装置。前記個々の高圧電極6a、6b、6c及び前記個々の対向電極7a、7b、7cは、有効になるように対になって接続可能である、請求項1に記載の装置。3つの個々の電極6a、6b、6c;7a、7b、7cは、前記高圧電極6及び前記高圧対向電極7の各位置に設けられる、請求項1又は2に記載の装置。前記電極ホルダー21及び前記対向電極ホルダー31のそれぞれは、円筒形ジャケット22;32と、前記それぞれの個々の電極6a、6b、6c;7a、7b、7c用の電極通路24;34とを備える、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の装置。前記電極6;7は、それぞれの外側セラミクススリーブ26によって絶縁される電極シャフトを有し、前記円筒形ジャケット22;32は、前記それぞれの電極6;7を正確に支持するように構成されている、請求項4に記載の装置。前記電極6;7は炭化タングステン合金から作られる、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の装置。前記電極6;7は、精密に形成された電極先端を有する、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の装置。前記個々の電極6a、6b、6c;7a、7b、7cの対となる接続は並べ換え回路によって変えることができる、請求項2乃至7のいずれか1項に記載の装置。電極及び対向電極の対6;7の複数配置が見込まれる前記穿孔12の周りに対称的に配置され、前記複数の対のうちの各電極及び対向電極の対は別個の高電圧源に接続可能である、請求項1乃至8のいずれか1項に記載の装置。前記ワーク1上の穿孔箇所10にマーキングするマーキング手段が、孔形成手段の上流に配置されている、請求項1乃至9のいずれか1項に記載の装置。前記マーキング手段は、作製される前記孔12のパターンに従って配置されるか、又は前記ワーク1の移動によってこのパターンを捜し求めることができるレーザー40のマルチアレイ4を含む、請求項10に記載の装置。前記レーザー40は、前記ワーク1が実質的に透明である波長範囲内の放射線41を放出することができ、前記穿孔されるワーク1がフィラメント上のチャネル11に沿った非熱破壊を受けるような放射強度を有し、前記レーザーは高電圧スパークに対して絶縁耐力が低下した領域として前記穿孔箇所10にマーキングする、請求項11に記載の装置。前記マーキング手段は、ドット状の結合材料を前記ワークに塗布する手段であり、該結合材料は、高い誘電正接を有し、高電圧絶縁破壊及び融液流動を促進する物質を含む、請求項10に記載の装置。薄板及び基板、特にガラス又はガラス状材料及び半導体の形態の誘電性ワーク1内に孔12を作製する方法であって、a電極6と対向電極7との間の処理加工スペース23内にワーク1を導入するステップであって、前記電極及び前記対向電極は、前記ワーク内に作製されるそれぞれの孔12の周りに個々の電極6a、6b、6c及び個々の対向電極7a、7b、7cの対称的配置を形成する、導入するステップと、b見込まれる各穿孔箇所の前記個々の電極6a、6b、6c及び前記個々の対向電極7a、7b、7cを高電圧に交互にさらして、前記ワーク1を横切る電気絶縁破壊をもたらす、交互にさらすステップと、c前記孔12の所望のサイズまで前記絶縁破壊を拡大するステップと、を含む、薄板及び基板、特にガラス又はガラス状材料及び半導体の形態の誘電性ワーク内に孔を作製する方法。前記交互にさらすステップは、全ての有効な電極対が同じ頻度で存在する、相互に関連付けられる電極及び対向電極のトリガー方式に従って達成される、請求項14に記載の方法。前記ステップaの前に、意図される前記穿孔箇所10において前記ワーク1にマーキングする、請求項14又は15に記載の方法。前記マーキングは、前記ワーク1内にフィラメント状のチャネル11を作製するレーザー放射線41によって行われる、請求項16に記載の方法。前記マーキングは、ドットの形態で塗布される結合材料によって行われ、該結合材料は、高い誘電正接を有し、高電圧絶縁破壊及び融液流動を促進する、請求項16に記載の方法。前記ステップcは、ディープ反応性イオンエッチングを用いて実行される、請求項14乃至18のいずれか1項に記載の方法。図1は、穿孔箇所10にマーキングするとともに誘電性ワーク1内に孔12を作製する装置を示す。このマーキング手段は、本発明の目的のために必須ではないが所定の穿孔の非常に精密な位置決めを可能にするレーザー40のアレイ4を含む。レーザー40は、誘電性ワーク1が実質的に透明である波長範囲内の光ビーム41を放出するが、光ビーム41が、精密に穿孔が望まれる箇所においてワーク1の材料内にフィラメント状の破壊チャネル11をもたらすような高い強度を有する光ビーム41を放出する。本明細書における実質的に透明であるは、レーザービームは穿孔される材料内へ十分に深く突き抜けることができるが、その材料は破壊がチャネル11に沿って起こるように十分な吸収作用を呈することを意味する。所望の寸法の孔12は、協働する電極6及び対向電極7によって作製される。相互に対向するとともに協働する電極6及び7は、形成されるそれぞれの孔12の回りに対称的に配置されており、複数の個々の電極として構成されている。本実施形態では、3つの個々の電極6a、6b、6cは、概略的に示されているように支持構造部20内に概して固定されており、個々の電極7a、7b、7cは別の支持構造部30内に固定されている。ワーク1のための処理加工スペース23は支持構造部20、30間に延在する。処理加工スペース23内では、ワークホルダー5を用いてワーク1を移動させて精密に位置決めすることができる。支持構造部20、30は、複数の電極ホルダー21及び31をそれぞれ支持するように構成されており図2、これらの電極ホルダーはそれぞれ、それらの支持構造部20又は30においてそれぞれのアレイを形成する。各電極ホルダー21及び31はそれぞれ、円筒形ジャケット22及び32それぞれと、3つの個々の電極用の3つの通路24及び34それぞれとを備え、これらの個々の電極は、先端が円筒形ジャケットの軸付近の箇所に配置されている図3を参照。電極6、7は、図2に詳細に示されているように、電極6と対向電極7との間にスパークを発生させる高電圧源不図示に接続可能である。個々の電極6a、6b、6c、及び7a、7b、7cは、図示されない並べ換え装置permutationdeviceに接続され、この装置は、例えば電極6a、6b、6cを高電圧源に輪番で接続し、一方で個々の対向電極7a、7b、7cは、高電圧源の反対側の極にランダム順に接続される。全ての有効な電極対が同程度に生じることを確実にするように異なるトリガー方式を適用することも可能である。そのため、スパークが各電極先端から各他方の対向電極に向かって生じ、その結果、孔12の壁が少なくとも孔の中心部分において円筒状に延び、また軸対称性を保つということを見込むことができる。さらに、所望されるように孔の入口及び出口における孔縁は角をなくすように処理されることを見込むことができる。図4は、電極ホルダー21の円筒形ジャケット22を横切る、個々の電極6用の通路24を示す。電極ホルダー31を横切る通路34も同様である。円筒形ジャケット22はリセス25を有しており、このリセスを通ってそれぞれの個々の電極が延びる。これらの電極のシャフトは、高温耐熱性酸化アルミニウムからなることができるとともに耐熱材料のプレート27内に埋め込まれる電気絶縁性セラミックスリーブ26によって覆われる。プレート27は、円筒形ジャケット22に対してリセス25上で取り付けられている。個々の電極は、炭化タングステン合金製であるとともにEDM放電加工プロセスを用いてミクロン範囲で鋭いように先鋭化された完全な電極先端を有する。マーキング手段を含むレーザーアレイ4の代わりに、穿孔10のパターンに従って結合箇所にインプリントするマーキング手段を用いることができる。結合材料は、ワークの穿孔される領域において電気絶縁破壊及び融液流動を促進する。図1の装置は、以下の通りに作動される:穿孔箇所10の特に精密な位置決めが重要である場合、そのような穿孔箇所がマーキングされ、これは、図1の場合にはレーザー放射線41を放出するレーザー40のアレイ4によって達成される。例えばガラスから作られたワーク1を、穿孔箇所10において放射線41が突き抜け、この放射線41は非常に強いため、フィラメント状の破壊チャネル11がガラス内に形成される。しかしながら、この前処理は、図1の装置の基本動作に必須ではない。ワーク1は、意図される穿孔箇所10が電極及び対向電極の対6、7間のそれぞれの接続ライン内に位置するようにこれらの電極及び対向電極6、7に対して位置決めされる。高電圧を印加することによって、絶縁破壊がワーク1の材料を横切る穿孔箇所において引き起こされ、本発明の特徴は、放電スパークを、個々の電極6a、6b、6cから個々の電極7a、7b、7cまで延びる各穿孔箇所の回りで対称的に発生させることである。図示されない並べ換え装置が、いずれの場合において、電極ホルダー21の1つの個々の電極が電極ホルダー31の1つの個々の電極と協働することを確実にし、これは図2に示されるように、スパークがこれらの個々の電極に飛び移ることを意味する。平均すると各電極ホルダーの個々の電極の全てが、対応する対向電極ホルダーの個々の電極と協働して、平均すると同程度に応力をかけられるように、並べ換え装置は個々の電極の交互切り換えを提供する。このようにして孔壁の軸対称性が得られ、孔は中心部分では円筒形であり、孔の外周の縁は角が取れている。この孔の輪郭は、インターポーザーとしてのワークの使用に特に適している。高圧放電を用いる絶縁破壊の拡大の代わりに、ディープ反応性イオンエッチングのプロセスステップを実行することができる。