塩素化合物、硫酸化合物、及び硫酸水素化合物からなる群より選ばれる1種以上を含む汚れ物質を含む排ガスに反応体を接触させることで、前記反応体を前記汚れ物質と反応させ、前記汚れ物質を液化又は気化させる工程を有する汚れ及び腐食の抑制方法。前記反応体は、第4級アンモニウム化合物を含む請求項1記載の方法。塩素化合物、硫酸化合物、及び硫酸水素化合物からなる群より選ばれる1種以上を含む汚れ物質による汚れ及び腐食の抑制剤であって、前記汚れ物質と反応して、前記汚れ物質を液化又は気化させる抑制剤。第4級アンモニウム化合物を含む請求項3記載の抑制剤。しかし、前述の方法は、いずれも汚れ物質の生成を予防するものであるが、理論的な観点から、生成を完全に抑制することはできない。本発明は、以上の実情に鑑みてなされたものであり、排ガス中の汚れ物質による汚れ及び腐食を抑制することができる方法及び製剤を提供することを目的とする。本発明者らは、汚れ物質を液化又は気化させることで、汚れを根本的に抑制することを見出し、本発明を完成するに至った。具体的に、本発明は以下のものを提供する。1塩素化合物、硫酸化合物、及び硫酸水素化合物からなる群より選ばれる1種以上を含む汚れ物質を含む排ガスに反応体を接触させることで、前記反応体を前記汚れ物質と反応させ、前記汚れ物質を液化又は気化させる工程を有する汚れ及び腐食の抑制方法。2前記反応体は、第4級アンモニウム化合物を含む1記載の方法。3塩素化合物、硫酸化合物、及び硫酸水素化合物からなる群より選ばれる1種以上を含む汚れ物質による汚れ及び腐食の抑制剤であって、前記汚れ物質と反応して、前記汚れ物質を液化又は気化させる抑制剤。4第4級アンモニウム化合物を含む3記載の抑制剤。本発明によれば、汚れ物質を液化又は気化させることで、排ガス流路への固体付着が抑制される。これにより、排ガス中の汚れ物質による汚れ及び腐食を抑制することができる。以下、本発明の実施形態について説明するが、それらに本発明が限定されるものではない。本発明の実施形態に係る方法は、汚れ物質を含む排ガスに反応体を接触することで、この反応体を汚れ物質と反応させ、液化又は気化させる工程を有する。具体的には、上記反応により、汚れ物質より低融点もしくは低潮解温度、かつ/又は、低沸点もしくは低昇華温度、低分解温度の別物質へと変化させることが好ましい。汚れ物質は、塩素化合物、硫酸化合物、及び硫酸水素化合物からなる群より選ばれる1種以上を含み、例えば100~350°Cの排ガスの流路に固化して付着しやすい。このような汚れ物質を上記の別物質へと化学的に変化させると、かかる物質は液化、気化又は分解しやすいため、汚れの付着及び腐食を抑制することができる。塩素化合物としては、塩化水素、塩化アンモニウムが挙げられる。硫酸化合物としては、硫酸、硫酸アンモニウムが挙げられる。硫酸水素化合物としては、硫酸水素アンモニウムが挙げられる。上記の別物質は、排ガスが流通する系の雰囲気の圧力、温度、組成等に応じ、固化しにくいよう適宜設定されてよい。具体的に、上記の別物質は、排ガスが流通する系の雰囲気の最低温度より低い融点を有する物質を含むことが好ましい。これにより、排ガスが流通する系において、上記の別物質は常に固化しにくい。なお、排ガスが流通する系とは、燃料が燃焼されて排ガスが生成されてから、排ガスが外気へと放出されるまでの流路を指す。最低温度は、系内の複数個所における排ガスの温度のうち最も低い温度を指す。別の側面で、様々な条件において固化しにくい点で、上記の別物質は、200°C以下の融点を有する物質を含むことが好ましく、より好ましくは180°C以下である。様々な系において気体でありやすい点で、上記の別物質は、350°C以下の沸点を有する又は350°C以下で分解する物質を含むことも好ましい。上記温度は、より好ましくは250°C以下である。これにより、上記の別物質は、様々な条件において気化又は気体物質へと分解しやすいため、汚れ及び腐食を抑制することができる。本発明で用いる反応体は、汚れ物質を液化又は気化できる限りにおいて特に限定されない。具体的には、第4級アンモニウム化合物が好ましく、例えば以下の化学式で示される。式中、R1、R2及びR3は、独立して、ヒドロキシル基を有していてもよい炭素数1以上のアルキル基であり、nは1以上の整数である。第4級アンモニウム化合物は、特に限定されないが、ヒドロキシメチルトリメチルアンモニウムハイドロオキサイド、ヒドロキシメチルトリエチルアンモニウムハイドロオキサイド、ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムハイドロオキサイド、2-ヒドロキシエチルトリエチルアンモニウムハイドロオキサイド、3-ヒドロキシプロピルトリメチルアンモニウムハイドロオキサイド等の1種又は2種以上であってよい。中でも、2-ヒドロキシエチルトリエチルアンモニウムハイドロオキサイド以下、コリンハイドロオキサイドともいうが好ましく、コリンハイドロオキサイド単独で用いても、コリンハイドロオキサイドと他の有機アミン等のアルカリ性物質とを併用してもよい。反応体は、それ自体で導入されてもよいが、99以下好ましくは50以下の溶液水又は他の溶媒の形態で導入されてもよい。いずれの形態においても、反応体の導入量は、汚れ物質の量に基づき調節することが好ましい、具体的に、反応体の導入量は、SO3、HCl及びNH3の最小量に対し、0.1以上モル比の量であることが好ましく、合計量の5.0以下モル比の量であることが好ましい。反応体の導入量が過小であると、汚れ物質の残存を十分に防止できず、過大であっても、汚れの抑制効果は飽和し、反応体の浪費につながる。反応体は、排ガスが流通する系において、汚れ及び腐食を抑制すべき箇所又はその上流において導入することが好ましい。汚れ及び腐食を抑制すべき箇所は、特に限定されないが、例えば排ガス温度が350°C以下、具体的には100~350°Cの箇所であってよい。反応体は、溶液をそのまま導入又は高圧例えば0.1~5.0MPaで噴霧液滴径が2~3000μmであってよいしてもよく、気化させてキャリアガスとともに導入してもよい。反応体の供給管を系内に配置する場合、その管はステンレス鋼等の腐食されにくい素材で形成してよく、高温の排ガスによる腐食をより抑制する観点で、管を二重管構造にし、管同士の間に冷媒例えば空気を通してもよい。また、反応体の導入量は、一定でも、変動でもよい。燃料の投入量や性状により、汚れ物質の量が変動する場合、反応体の導入量を適正化することがに好ましい。また、導入方法は、連続でも間欠でもよい。反応体の導入を間欠で行う場合、導入時間は数分~数時間/回、頻度は1回/日以上であってよい。本発明は、塩素化合物、硫酸化合物、及び硫酸水素化合物からなる群より選ばれる1種以上を含む汚れ物質による汚れ及び腐食の抑制剤も包含する。抑制剤は、汚れ物質と反応して、汚れ物質より低融点もしくは低潮解温度、かつ/又は、低沸点もしくは低昇華温度、低分解温度の別物質へと変化させる化学的構造を有する。具体的には、第4級アンモニウム化合物を含んでよい。他の説明は、方法に関する説明と同様であるため、省略する。<実施例1>図1に示す装置において、管状の電気炉の内部に、石英ガラス管を設置した。石英ガラス管は、上部に、コルクを挿入する穴と、反応体を導入する穴とを有する。その穴に、空気吸入口、及び試験片を固定する棒を挿通する口を有するコルク部材を挿入した。試験片としては、10mm×10mm×1mmの軟鋼製の板の上に、硫酸アンモニウム、硫酸水素アンモニウム、又は塩化アンモニウム0.3gを均一に敷き詰めたものを用いた。吸引ポンプにより水分圧0.1atmの空気を石英ガラス管へと通し、電気炉内を表1に示す各温度へと昇温し、温度が安定した後、コリンハイドロオキサイド48水溶液反応体を気化した状態で、石英ガラス管へと導入した。18時間経過した後、試験片を取り出し、試験片上の各物質の状態を観察気体:消失、液体:液だれ、固体:粉末又は加熱前と同じした。また、試験片を室温まで冷やした後、試験片上の各物質の0.5水溶液0.1g/20mL水を調製し、25°CでのpHを測定した。更に、試験片に脱錆処理を施し、その前後での質量差から腐食速度を求めた。この結果を表1に示す。表1に示されるように、反応体を添加した実施例では、反応体を添加しなかった比較例に比べ、各温度特に、100~300°Cにおいて、試験片上の各物質が固化しない物質コリンハイドロオキサイド塩へと変化し、また試験片の腐食が抑制されていた。<実施例2>試験片の上に敷き詰める物質を、硫酸アンモニウムとし、導入する物質を硫酸コリンハイドロオキサイド又は油溶性有機マグネシウム塩へと変更した点を除き、実施例と同様の条件で、加熱を行った。その結果を表2に示す。表2に示されるように、コリンハイドロオキサイドを添加した実施例では、添加しない場合に比べて、各温度特に、100~300°Cにおいて、試験片上の各物質が固化しない物質コリンハイドロオキサイド塩へと変化し、また試験片の腐食が抑制されていた。しかし、油溶性有機マグネシウム塩を添加した場合、反応生成物が硫酸マグネシウム固形物として試験片に残存した。これは、実際の系において、汚れ成分として系内に汚れが残るということを意味する。また、無処理に比べ、腐食速度は低下するが、コリンハイドロオキサイド程の腐食抑制効果は見られなかった。