"1,3,3,3-テトラフルオロプロペン、添加ガス、及び不活性ガスを含むドライエッチング剤。添加ガスが酸化性、又は還元性ガスである、請求項1に記載のドライエッチング剤。酸化性、又は還元性ガスがH2、O2、O3、CO、CO2、COCl2、COF2、CF3OF、NO2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2、CH4、C2H2,C2H4,C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、HF、HI、HBr、HCl、NO、NH3、及びYFn式中、YはCl、Br、又はIを表し、nは整数を表し、1≦n≦7である。からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスである、請求項2に記載のドライエッチング剤。不活性ガスがN2、He、Ar、Ne、及びKrからなる群より選ばれる少なくとも1種のガスである、請求項1に記載のドライエッチング剤。1,3,3,3-テトラフルオロプロペンの含有率が、1~45体積である請求項1に記載のドライエッチング剤。CF4、CF3H、CF2H2、CFH3、C2F6、C2F4H2、C2F5H、C3F8、C3F7H、C3F6H2、C3F5H3、C3F4H4、C3F3H5、C3F5H、C3F3H、C3ClF3H、C4F8、C4F6、C5F8、及びC5F10からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスをさらに含む、請求項1乃至請求項5の何れかに記載のドライエッチング剤。請求項1乃至請求項6の何れかに記載のドライエッチング剤をプラズマ化して得られるプラズマガスを用いて、二酸化シリコン、窒化シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、及び炭化シリコンからなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的にエッチングするドライエッチング方法。A1,3,3,3-テトラフルオロプロペンと、BH2、O2、CO、及びCOF2からなる群より選ばれる少なくとも1種以上のガスと、Arを用い、A、B、及びArの体積流量比をそれぞれ1~45:1~50:5~98但し、各々のガスの体積流量比の合計は100である。とし、二酸化シリコン、窒化シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、及び炭化シリコンからなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的にエッチングするドライエッチング方法。PFC類やHFC類はGWPが高いため規制対象物質であり、それらの代替物質であるパーフルオロケトン類、ハイドロフルオロエーテル類やハイドロフルオロビニルエーテル類は、分解物質に少なからず高GWPのPFCが含まれることや製造が難しく経済的でないことから、地球環境に対する影響が小さく、かつ必要とされる性能を有するドライエッチング剤の開発が求められている。エッチング性能については、プラズマエッチングの場合、例えばCF4のガスからFラジカルを作り、SiO2をエッチングすると等方性にエッチングされる。微細加工が要求されるドライエッチングにおいては、等方性よりも異方性エッチングに指向性をもつエッチング剤が好ましく、さらに地球環境負荷が小さく、かつ経済性の高いエッチング剤が望まれている。また、これまでのエッチングガスを用いる技術では特許文献5に記載のような複雑な工程や装置、限られた温度条件や基板、ガスへの振動付加等の操作が必要であり、プロセスウインドウが狭いという問題があった。本発明は、ガスの分子構造及びガス組成を好適化することにより、プロセスウインドウが広く、特殊な装置を使用することなく良好な加工形状が得られるドライエッチング剤、及びそれを用いたドライエッチング方法を提供することを目的とする。本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、ドライエッチングにおいて異方性エッチングに好適で、かつ地球環境への影響がより小さい代替物質を見出した。すなわち、本発明は、以下の[発明1]~[発明8]に記載した発明を提供する。[発明1]1,3,3,3-テトラフルオロプロペン、添加ガス、及び不活性ガスを含むドライエッチング剤。[発明2]添加ガスが酸化性、又は還元性ガスである、発明1に記載のドライエッチング剤。[発明3]酸化性、又は還元性ガスがH2、O2、O3、CO、CO2、COCl2、COF2、CF3OF、NO2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2、CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、HF、HI、HBr、HCl、NO、NH3、及びYFn式中、YはCl、Br、又はIを表し、nは整数を表し、1≦n≦7である。からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスである、発明2に記載のドライエッチング剤。[発明4]不活性ガスがN2、He、Ar、Ne、及びKrからなる群より選ばれる少なくとも1種のガスである、発明1に記載のドライエッチング剤。[発明5]1,3,3,3-テトラフルオロプロペンの含有率が、1~45体積である発明1に記載のドライエッチング剤。[発明6]CF4、CF3H、CF2H2、CFH3、C2F6、C2F4H2、C2F5H、C3F8、C3F7H、C3F6H2、C3F5H3、C3F4H4、C3F3H5、C3F5H、C3F3H、C3ClF3H、C4F8、C4F6、C5F8、及びC5F10からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスをさらに含む、発明1乃至発明5の何れかに記載のドライエッチング剤。[発明7]発明1乃至発明6の何れかに記載のドライエッチング剤をプラズマ化して得られるプラズマガスを用いて、二酸化シリコン、窒化シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、及び炭化シリコンからなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的にエッチングするドライエッチング方法。[発明8]A1,3,3,3-テトラフルオロプロペンと、BH2、O2、CO、及びCOF2からなる群より選ばれる少なくとも1種以上のガスと、Arを用い、A、B、及びArの体積流量比をそれぞれ1~45:1~50:5~98但し、各々のガスの体積流量比の合計は100である。とし、二酸化シリコン、窒化シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン及び炭化シリコンからなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的にエッチングするドライエッチング方法。本発明では、1,3,3,3-テトラフルオロプロペンCF3CH=CFHを用い、かつ、H2、O2、O3、CO、CO2、COCl2、CF3OF、COF2、NO2、F2、NF3、Cl2、CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、HF、HI、HBr、HCl、NO、NH3、及びYFn式中、YはCl、Br、又はIを表し、nは整数を表し、1≦n≦7である。等の添加ガス、及び、N2、He、Ar等の不活性ガスを添加した混合ガスを用いることで良好な加工形状が得られることを特徴とするドライエッチング剤を提供する。前述したように、1,1,1,2,3-ペンタフルオロプロペン、ヘキサフルオロ-2-ブチン、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン、ヘキサフルオロプロペン等をエッチングガスとして用いることは既に知られている。これらのフッ素化オレフィン化合物はそれ自身、多くのフッ素原子を持ち、酸化シリコン系材料に対し高いエッチング速度を有することからも、一見好ましい方法ではあるが、複数の二重結合もしくは三重結合部位を持つ為、これらの化合物を製造するには幾分困難であった。また、本願発明の対象とする化合物の類似化合物である1,1,1,2,3-ペンタフルオロプロペンについて特許文献3に開示されているが、実際にエッチングを行った実施例の記載がされておらず、本願発明の対象とする化合物が、はたして高い選択比を持ち、かつ各種材料に対し、工業的に採用し得る程度のエッチング速度を有するのかどうか、不明であった。ところが本発明者らは、1,3,3,3-テトラフルオロプロペンを用い、かつ特定の添加ガス詳細は後述、及び特定の不活性ガスを共存させながらエッチングを行うことで、シリコン系材料層に対し選択性が高く、かつ高いエッチング速度で効率よくエッチングできることを見出した。なお、1,3,3,3-テトラフルオロプロペンはCF3CHの構造を含み、CF3が形成されやすく、しかも分子中に高分子化しやすい二重結合および水素を有するため壁保護に有利であり、そのため異方性エッチングを達成することができる。また、添加ガスを特定の量を用いることで、特に好ましい条件も得た。このように、本発明で用いるエッチング剤は、実用的にも支障なく使用することができ、工業的にも地球環境的にも非常に優位性のあるものである。本発明におけるドライエッチング剤は、分子内に1個の不飽和の二重結合を有するため、大気中でのOHラジカル等による分解性が高く、地球温暖化への寄与もCF4やCF3H等のPFC類やHFC類より格段に低いことから、ドライエッチング剤とした場合、環境への負荷が軽いという効果を奏す。さらに、これらのエッチング剤に含酸素ガス、含ハロゲンガス等の酸化性ガス、還元性ガスを混合することにより飛躍的にプロセスウインドウを広げることができ、特殊な基板の励起操作等なしにサイドエッチ率が小さく高アスペクト比が要求される加工にも対応できる。以下、本発明におけるドライエッチング剤について詳細に説明する。本発明において使用するドライエッチング剤は、化学式CF3CH=CFHで表される1,3,3,3-テトラフルオロプロペンを含む。具体的には、本発明に使用するCF3CH=CFHは、他の1種または2種以上の有機化合物または無機化合物と混合して用いることを特徴とする。なお、1,3,3,3-テトラフルオロプロペンに関しては、立体異性体が存在する。トランス体E体とシス体Z体を含むが、本発明においていずれかの異性体もしくは両者の混合物として用いることができる。なお、本発明で用いる1,3,3,3-テトラフルオロプロペンは従来公知の方法で製造することができる。例えば、本発明者らは、1,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造法に関し、特許第3465865号または特許第3821514号にて、工業的規模で得られる1-クロロ-3,3,3-トリフルオロプロペンを気相フッ素化触媒存在下、HFを作用させることにより得ることができる。また、特許第3465865号に、1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンを気相にて触媒的に分解し得る方法を開示している。1,3,3,3-テトラフルオロプロペンは、二重結合を分子中に有し、この二重結合が単結合によりトリフルオロメチル基CF3基とつながることで、エッチング効率の高いCF3イオンが高頻度で発生する一方、二重結合部分は高分子化して堆積するという特徴をもつ。エッチング剤中の炭素原子が高分子化して被エッチング材の側壁の非選択的なエッチングを防御するためF/C比はできるだけ1に近づくことが好ましい。本発明に使用する1,3,3,3-テトラフルオロプロペンは、分子中のF/C比が1.33と小さく、被エッチング材の側壁が高分子の堆積により保護されやすいため、Fラジカルによる等方的エッチングに対し、異方性エッチングの選択性を向上すると考えられる。なお、F/C比を下げるには水素を含むフッ素化プロペン類が好ましい。このようなフッ素化プロペン類としては、1,2,3,3,3-ペンタフルオロプロペン、1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロペン、3,3,3-トリフルオロプロペン等が挙げられるが、F/C比や燃焼性等の観点から、本願発明で対象とするCF3CH=CFHが好ましい。本発明のエッチング方法は、各種ドライエッチング条件下で実施可能であり、対象膜の物性、生産性、微細精度等によって、種々の添加剤を加えることが可能である。本発明において使用する1,3,3,3-テトラフルオロプロペンは、1~45体積含有させることが好ましい。また、詳細は後述するが、1,3,3,3-テトラフルオロプロペンを1~45体積とし、添加ガスなお、ここで言う添加ガスとは、O2、F2等の酸化性ガス、若しくはH2、CO等の還元性ガスを示す。なお、本明細書で当該ガスを酸化性ガス、含酸素ガス、含ハロゲンガス、還元性ガスと言うことがある。、及び不活性ガスをそれぞれ後述する体積の範囲で混合させることが好ましい。N2、He、Ar、Ne、Kr等の不活性ガスは希釈剤としても使用可能であるが、特にArでは1,3,3,3-テトラフルオロプロペンとの相乗効果によって、より高いエッチングレートが得られる。不活性ガスの添加量は出力、排気量等の装置の形状、性能や対象膜特性に依存するが、1,3,3,3-テトラフルオロプロペンの流量の1から50倍が好ましい。生産性を上げるために、エッチング速度を上げたい時は、酸化性ガスを添加することが好ましい。具体的には、O2、O3、CO、CO2、COCl2、COF2、NO2等の含酸素ガスや、F2、NF3、Cl2、Br2、I2、YFnY=Cl、Br、I、1≦n≦7等の含ハロゲンガスが挙げられる。この中でも、金属のエッチング速度を更に加速することができることから、O2、COF2、F2、NF3、Cl2が好ましく、O2が特に好ましい。なお、当該ガスについては、1種類、もしくは2種類以上を混合して添加することもでき、当業者が適宜調整することができる。酸化性ガスの添加量は出力等の装置の形状、性能や対象膜の特性に依存するが、通常、1,3,3,3-テトラフルオロプロペンの流量に対し1/10から30倍であり、好ましくは、1/10から20倍である。もし、30倍を超える量で添加する場合、1,3,3,3-テトラフルオロプロペンの優れた異方性エッチング性能が損なわれることがある。前述した酸化性ガスの流量が1/10より少ない場合には、1,3,3,3-テトラフルオロプロペンが高分子化した堆積物が著しく増加することがある。酸化性ガスとしては、特に酸素を添加すると選択的に金属のエッチングレートを加速することが可能となる。すなわち、酸化物に対する金属のエッチング速度の選択比を著しく向上でき、金属の選択エッチングが可能となる。なお、本願発明では、酸化性ガスと共に、N2、He、Ar、Ne、Kr等の不活性ガスを添加する。このように、本発明において使用するドライエッチング剤は、1,3,3,3-テトラフルオロプロペン、酸化性ガス、及び、不活性ガスを含むものであるが、当該エッチング剤における好ましい組成を、体積と共に以下に示す。なお、各ガスの体積の合計は100である。例えば、1,3,3,3-テトラフルオロプロペン、及び酸化性ガス、及び、不活性ガスを共存させる場合の体積は、それぞれ当該プロペン:酸化性ガス:不活性ガス=1~45:1~50:5~98とすることが好ましく、さらに、4~40:4~45:15~92とすることが特に好ましい。なお、酸化性ガスまたは不活性ガスがそれぞれ2種類以上混在している場合は、各々の体積比が前述の割合になるように調整すると良い。また、CF4、CF3H、CF2H2、CFH3、C2F6、C2F4H2、C2F5H、C3F8、C3F7H、C3F6H2、C3F5H3、C3F4H4、C3F3H5、C3F5H、C3F3H、C3ClF3H、C4F8、C4F6、C5F8、C5F10等のガスは、エッチングガスのF/C比を変動することができる。これらの化合物の添加量は、選択的エッチングを阻害しないようにF/C比を変動することが好ましく、1,3,3,3-テトラフルオロプロペンに対し0.01~2体積倍が望ましい。なお、1,3,3,3-テトラフルオロプロペン以外の化合物のうち、2,3,3,3-テトラフルオロプロペン等C3F4H2は、F/C比を変動しないが、側壁保護等に影響するため組み合わせて用いることができる。また、等方的なエッチングを促進するFラジカル量の低減を所望するときは、CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、HF、HI、HBr、HCl、NO、NH3、H2に例示される還元性ガスの添加が有効である。還元性ガスの添加量が多すぎる場合には、エッチングに働くFラジカルが著しく減量して、生産性が低下することがある。特に、H2、C2H2を添加するとSiO2のエッチング速度は変化しないのに対して、Siのエッチング速度は低下し、選択性が上がることから、下地のシリコンに対してSiO2を選択的にエッチングすることが可能である。次に、本願発明におけるドライエッチング剤を用いたエッチング方法について説明する。本発明のドライエッチング剤は、シリコンウェハ、金属板、硝子、単結晶、多結晶等の基板上に重層した、B、P、W、Si、Ti、V、Nb、Ta、Se、Te、Mo、Re、Os、Ru、Ir、Sb、Ge、Au、Ag、As、Cr及びその化合物、具体的には、酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物、オキシフッ化物、シリサイド及びこれらの合金のエッチング等、各種の被加工物に適用可能である。特に、半導体材料に対して有効に適用できる。半導体材料として、シリコン、二酸化シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、酸化フッ化シリコンまたは炭化酸化シリコンのシリコン系材料、タングステン、レニウム、それらのシリサイド、チタンあるいは窒化チタン、ルテニウムあるいはルテニウムシリサイド、ルテニウムナイトライド、タンタル、タンタルオキサイド、オキシタンタルフルオライド、ハフニム、ハフニウムオキサイド、オキシハフニウムシリサイド、ハフニムジルコニムオキサイドを挙げることができる。また、本発明のドライエッチング剤を用いたエッチング方法は、反応性イオンエッチングRIE、電子サイクロトロン共鳴ECRプラズマエッチング、マイクロ波エッチング等の各種エッチング方法、並びに反応条件は特に限定せず用いることができる。本発明で用いるエッチング方法は、エッチング処理装置内で対象とするプロペン類のプラズマを発生させ、装置内にある対象の被加工物の所定部位に対してエッチングすることにより行う。例えば半導体の製造において、シリコンウェハ上にシリコン系酸化物膜または窒化珪素膜を成膜し、特定の開口部を設けたレジストを上部に塗布し、シリコン系酸化物または窒化珪素膜を除去するようにレジスト開口部をエッチングする。なお、本発明に係るエッチング方法は、機械要素部品、センサー、アクチュエータ、電子回路を一つのシリコン基板、ガラス基板、有機材料等の上に積層した構造、いわゆる微小電気機械システムMEMS;MicroElectroMechanicalSystemsの略の製造時におけるエッチングにも適用できる。また、本発明の方法を応用することにより、MEMSを利用した磁気記録ヘッド、圧力センサー、加速度センサー等の既存製品における半導体の製造も可能となる。エッチングを行う際のプラズマ発生装置に関しては、特に限定はないが、例えば、高周波誘導方式及びマイクロ波方式の装置等が好ましく用いられる。エッチングを行う際の圧力は、異方性エッチングを効率よく行うために、ガス圧力は0.133~133Paの圧力で行うことが好ましい。0.133Paより低い圧力ではエッチング速度が遅くなり、一方、133Paを超える圧力ではレジスト選択比が損なわれることがある。エッチングを行う際の1,3,3,3-テトラフルオロプロペン、及び、添加ガス、及び、不活性ガスそれぞれの体積流量比率は、前述した体積と同じ比率でもってエッチングを行うことができる。また、使用するガス流量は、エッチング装置のサイズに依存する為、当業者がその装置に応じて適宜調整することができる。また、エッチングを行う際の温度は300°C以下が好ましく、特に異方性エッチングを行うためには240°C以下とすることが望ましい。300°Cを超える高温では等方的にエッチングが進行する傾向が強まり、必要とする加工精度が得られないこと、また、レジストが著しくエッチングされるために好ましくない。エッチング処理を行う反応時間は、特に限定はされないが、概ね5分~30分程度である。しかしながらエッチング処理後の経過に依存する為、当業者がエッチングの状況を観察しながら適宜調整するのが良い。なお、前述した還元性ガス等と混合して使用したり、圧力、流量、温度等を最適化することにより、例えばコンタクトホールの加工時のシリコンとシリコン酸化膜とのエッチング速度の選択性を向上させたりすることができる。以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はかかる実施例に限定されるものではない。本発明のドライエッチング剤をコンタクトホール加工に適用し、層間絶縁膜SiO2または窒化珪素膜をエッチングした例を[実施例1]~[実施例10]に示す。また、比較例としてパーフルオロカーボンであるCF4やF2、そしてジオレフィンであるC4F6CF2=CF-CF=CF2をそれぞれ使用した場合を[比較例1]~[比較例12]として示す。本実施例に用いる実験装置の概略図を図1に示す。チャンバー1内の上部電極5に接続されたガス導入口6からプロセスガスを導入後、チャンバー1内圧力を2Paに設定し、高周波電源313.56MHz、0.22W/cm2によりプロセスガスを励起させ生成した活性腫を、下部電極4上に設置した試料8に対し供給しエッチングを行った。試料8としては、単結晶シリコンウェハ上にSiO2膜または窒化珪素膜を5μm成膜し、膜上に線幅0.3μmの開口部を設けたレジストを塗布したものを用いた。試料8に対して、C4F6、CF4、F2、並びにトランス-1,3,3,3-テトラフルオロプロペン1234zeEと略す、または1234zeEと2,3,3,3-テトラフルオロプロペン1234yfと略すとの混合ガス体積比80/20の各々と酸素の混合ガスにてプロセス圧力2Paにてエッチングを30分間行った。エッチング処理後、シリコンウェハ断面をSEM観察することで、エッチング速度、アスペクト比及びサイドエッチ側壁の削れ量の開口部線幅との比率を比較した。サイドエッチ率Rは図2に示すように、R=a/b×100で表わされる。エッチング試験結果を表1に示す。[実施例1]、[実施例2]、[実施例5]、[実施例7]、[実施例9]より、本発明におけるドライエッチング剤は[比較例1]、[比較例2]、[比較例5]、[比較例6]、[比較例9]、[比較例11]に示すCF4、C4F6,F2と比較して、SiO2に対し高アスペクト比、低サイドエッチ率であり、良好なコンタクトホール加工形状が得られている。[実施例3]、[実施例4]、[実施例6]、[実施例8]、[実施例10]より、本発明におけるドライエッチング剤は[比較例3]、[比較例4]、[比較例7]、[比較例8]、[比較例10]、[比較例12]に示すCF4,C4F6,F2と比較して、窒化ケイ素に対し高アスペクト比、低サイドエッチ率であり、良好なコンタクトホール加工形状が得られている。また、[実施例5]、[実施例6]、[実施例9]、[実施例10]に示すように、1234zeEと1234yfとの混合ガスを用いたドライエッチング剤の場合、酸素との反応性が高く、可燃性であり、かつ使用上安全性に問題があった1234yfが、1234zeEと混合させることで、安全性を高めることができ、また、流量並びに酸素流量を下げても、他の実施例と同様、アスペクト比、サイドエッチ率の良好なコンタクトホール加工形状が得られている。上記試験と同条件でのエッチング試験を0.1μmの開口幅を持つ試料で実施したところ、同様の結果を得た。[実施例1]~[実施例10]より、本発明におけるドライエッチング剤は、[比較例1]~[比較例12]の従来知られたCF4、C4F6に比べて、アスペクト比が、サイドエッチ率が小さい、良好なコンタクトホール加工形状が得られている。"