"コロイダルシリカと水溶性高分子と水を含み、研磨液のpHが4.0以上8.0以下である半導体基板用研磨液。研磨液のゼータ電位が-30.0mV以上-5.0mV以下である請求項1に記載の半導体基板用研磨液。コロイダルシリカの添加量は、半導体基板用研磨液に対して、0.01質量以上1.5質量以下である請求項1又は2に記載の半導体基板用研磨液。水溶性高分子の添加量が、半導体基板用研磨液に対して、0.001質量以上1.0質量以下である請求項1~3のいずれかに記載の半導体基板用研磨液。水溶性高分子が、ポリビニルピロリドン及びポリビニルピロリドンの共重合体から選ばれる少なくとも一種を含む混合物である、請求項1~4のいずれかに記載の半導体基板用研磨液。研磨対象である半導体基板が、基板構成にシリコンを含む基板である、請求項1~5のいずれかに記載の半導体基板用研磨液。請求項1~6のいずれかに記載の半導体基板用研磨液を用いて半導体基板の表面を研磨する、半導体基板の研磨方法。1シリコンの単結晶をスライスする工程、ラッピング工程又はグラインディング工程、エッチング工程を経て粗ウエハを準備するステップ、2前記粗ウエハを粗研磨するステップ、3請求項1~7のいずれかに記載の半導体基板用研磨液を用いて、粗研磨されたウエハを仕上げ研磨するステップ、を含む半導体基板の研磨方法。1膜が形成されたシリコン基板の、前記膜をウエットエッチングにより除去して粗ウエハを得るステップ、2前記粗ウエハを粗研磨するステップ、3請求項1~7のいずれかに記載の半導体基板用研磨液を用いて、粗研磨されたウエハを仕上げ研磨するステップ、を含む半導体基板の研磨方法。上述のように、半導体基板のポリッシング工程で使用される研磨液は、研磨粒子とアルカリ剤を基として、更に、研磨速度を高めたり、研磨粒子残りを低減したり、結晶欠陥を低減するために塩や水溶性高分子等が添加されるが、いずれもアルカリ領域にて使用される。これはアルカリのケミカルな作用で研磨が行われるためである。一方で、上記のような研磨液は、アルカリ領域であることからアルカリ剤のエッチング作用によりCOPを拡大させたり、増加させたりする問題点があった。本発明の目的は、半導体基板のファイナルポリッシングにおいて、平滑性の低下や異物の増加を生じることなく、ウエハ自体の欠陥を低減し、優れた研磨表面が形成可能な半導体基板研磨液及び当該半導体基板研磨液を用いた半導体基板の研磨方法を提供することである。本発明者らは、研磨粒子にコロイダルシリカと水溶性高分子と水を含む研磨液をpHが4.0以上8.0以下の領域で使用することで、アルカリ剤のエッチングに起因して発生する基板表面の欠陥を低減できるとともに、平滑性の低下や異物の増加を生じることなく優れた研磨表面が形成可能であることを見いだし、本発明に至った。すなわち、本発明に係る半導体基板用研磨液は、コロイダルシリカと、水溶性高分子と、水とを含有し、pHが4.0以上8.0以下である。本発明において、研磨液のゼータ電位は-30.0mV以上-5.0mV以下であることが好ましい。本発明において、研磨粒子として用いられるコロイダルシリカは、主研磨材として作用する。コロイダルシリカの含有量は、半導体基板用研磨液全質量に対して0.01質量以上1.5質量以下が好ましく、0.05質量以上1.0質量以下がより好ましい。0.1質量以上0.5質量以下が更に好ましい。添加量が0.01質量より少ない場合には、充分な研磨速度を得ることが困難となり、HAZEを改善する効果は得られない。また、1.5質量よりも添加量を多くしても添加量に見合う欠陥やHAZEの改善が得られないだけではなく、分散性の低下といった不具合が発生する場合がある。本発明の半導体基板用研磨液は、水溶性高分子を含有する。水溶性高分子は研磨粒子や研磨パッド屑等の異物がウエハ表面に固着するのを防止する働きがあると考えられる。水溶性高分子は、ポリビニルピロリドン及びその共重合体から選ばれる少なくとも一種類であることが好ましい。水溶性高分子の含有量は、半導体基板用研磨液全質量に対して0.001質量以上1.0質量以下の範囲が好ましく、0.005質量以上0.1質量以下の範囲がより好ましく、0.01質量以上0.05質量以下の範囲が更に好ましい。添加量が少なすぎると異物がウエハ表面に固着するのを防止する効果が充分得られず、多すぎると高粘度化のため流動性の低下や、研磨粒子の凝集といった不具合が発生する場合がある。本発明の半導体基板用研磨液は、研磨対象である半導体基板が、基板構成にシリコンを含む基板である場合に好適に使用することができる。すなわち、本発明によれば、基板構成にシリコンを含む基板に優れた研磨表面を形成することができる。本発明に係る半導体基板の研磨方法では、上記本願発明に係る半導体基板用研磨液を用いて半導体基板の表面を研磨する。このような研磨方法によれば、半導体基板に、欠陥が少なく、HAZEが良好な研磨表面を形成することができる。本発明の半導体基板の研磨方法は、シリコン単結晶をスライスして得られたシリコンウエハをラッピング又はグラインディングした後に、当該シリコンウエハをエッチングして粗ウエハを準備する準備工程と、粗ウエハを研磨する粗研磨工程と、上記半導体基板用研磨液を用いて、粗研磨工程後のウエハを更に研磨する仕上げ研磨工程と、を備えることが好ましい。本発明の半導体基板の研磨方法は、付着物が付着したシリコンウエハをウエットエッチングして粗ウエハを準備する準備工程と、粗ウエハを研磨する粗研磨工程と、上記半導体基板用研磨液を用いて、粗研磨工程後のウエハを更に研磨する仕上げ研磨工程と、を備える研磨方法であってもよい。本発明によれば、半導体基板のファイナルポリッシングにおいて平滑性の低下や異物の増加を生じることなく、ウエハ自体の欠陥を低減し、優れた研磨表面が形成可能な半導体基板研磨液及び当該半導体基板研磨液を用いた半導体基板の研磨方法を提供することができる。以下、本発明の一実施形態に係る半導体基板用研磨液及び当該研磨液を用いた半導体基板の研磨方法について詳細に説明する。<半導体基板用研磨液>本実施形態の半導体基板用研磨液は、研磨粒子にコロイダルシリカと水溶性高分子と水を含み、pHが4.0以上8.0以下である。本実施形態では、研磨液のpHが4.0以上8.0以下であることから、アルカリ剤によるエッチング起因の欠陥の発生を抑制できる。また、研磨粒子にコロイダルシリカを用い、添加剤として水溶性高分子を加えることにより、HAZEの向上と異物の付着が低減可能であり、優れた研磨表面が形成できる。pH本実施形態では、アルカリ剤によるエッチングに起因する欠陥を低減するために、半導体基板用研磨液のpHの上限を8.0以下とする。より欠陥を低減できる点では、pHは7.5以下であることが好ましい。一方、異物の付着、特に研磨粒子の付着に関してはpHが低くなるほど半導体基板の電位が小さくなることから、静電反発による付着低減効果を得ることが困難となる。pHの下限は4.0以上が好ましく、4.5以上であることがより好ましく、5.0以上であることが更に好ましい。半導体基板用研磨液のpHは、例えば、酸性化合物及び/又は塩基性化合物の添加量で調整することができる。なお、半導体基板用研磨液のpHは、pHメータ例えば、東亜ディーケーケー株式会社製の型番:HM-21Pで測定することができる。上記酸性化合物としては、例えば、リンゴ酸等の有機酸、グリシン等のアミノ酸、硝酸等の無機酸等が挙げられる。上記塩基性化合物としては、例えば、アンモニア、水酸化アンモニウム及び水酸化テトラメチルアンモニウムから選ばれる1種類以上の含窒素塩基性化合物、又は、水酸化カリウム及び水酸化ナトリウムから選ばれる1種類以上の無機塩基性化合物が好ましい。これらは単独で、もしくは複数で用いることができる。水溶性高分子を含まないpH調整剤と研磨粒子のみで構成された研磨液では、実用的なHAZEを得ることはできない。研磨粒子に、研磨粒子の表面がアルミネートにより改質された変性シリカを使用した場合でも同様である。HAZEの向上のためには、研磨粒子のコロイダルシリカとpH調整剤と水溶性高分子とを併用することが重要である。研磨粒子本実施形態では、半導体基板用研磨液に含まれる研磨粒子としては、コロイダルシリカが好ましい。また、コロイダルシリカは、必要に応じて他の研磨粒子と併用してもよい。シリカと併用できる他の研磨粒子としては、具体的には例えば、アルミナ、セリア、チタニア、ジルコニア、有機ポリマ等を挙げることができる。コロイダルシリカの一次粒子径は、実用的な研磨速度を得ることができる点で、15nm以上であることが好ましく、20nm以上であることがより好ましく、30nm以上であることが特に好ましい。また、コロイダルシリカの一次粒子径は、傷等の研磨欠陥の発生を抑制しやすい点で、200nm以下であることが好ましく、150nm以下であることが特に好ましく、100nm以下であることが極めて好ましい。コロイダルシリカの一次粒子径を上記の範囲内とした場合、研磨の進行によりHAZEが向上するとともに、粒子起因の欠陥の増加を抑制することができる。本実施形態において、コロイダルシリカの一次粒子径とは、BET比表面積Vから算出できる直径をいう。コロイダルシリカの一次粒子径の算出では、まずシリカの砥粒を真空凍結乾燥機で乾燥し、この残分を乳鉢磁製、100mlで細かく砕いて測定用試料を得る。ユアサアイオニクス株式会社製BET比表面積測定装置製品名:オートソーブ6を用いて、測定用試料のBET比表面積Vを測定し、D=2727/Vとして求められる値Dnmをコロイダルシリカの一次粒子径とする。水溶性高分子本発明の半導体基板用研磨液における水溶性高分子は、アルギン酸、ペクチン酸、カルボキシメチルセルロース、寒天、キサンタンガム、キトサン、メチルグリコールキトサン、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、カードラン及びプルラン等の多糖類;ポリアスパラギン酸、ポリグルタミン酸、ポリリシン、ポリリンゴ酸、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸アンモニウム塩、ポリメタクリル酸ナトリウム塩、ポリアミド酸、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリフマル酸、ポリp-スチレンカルボン酸、ポリビニル硫酸、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、アミノポリアクリルアミド、ポリアクリル酸アンモニウム塩、ポリアクリル酸ナトリウム塩、ポリアミド酸、ポリアミド酸アンモニウム塩、ポリアミド酸ナトリウム塩及びポリグリオキシル酸等のポリカルボン酸及びその塩;ポリエチレンイミン、及びその塩;ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン及びポリアクロレイン等のビニル系高分子、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール、エチレングリコール-プロピレングリコールブロック共重合体等が挙げられる。その中でも、カルボキシメチルセルロース、寒天、キサンタンガム、キトサン、メチルグリコールキトサン、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、カードラン及びプルラン等の多糖類、ポリアクリルアミド、ポリエチレンイミン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン及びポリアクロレイン、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール、エチレングリコール-プロピレングリコールブロック共重合体等のノニオン性高分子が好ましく、ポリビニルピロリドン及びその共重合体がより好ましい。なお、水溶性高分子は単独でも、混合でも使用することができる。水溶性高分子には、研磨粒子や研磨パッド屑等の異物がウエハ表面に固着するのを防止する働きや、付着してしまった研磨粒子や研磨パッド屑等の異物が、洗浄時に取れやすくする働きがあると考えられる。これらの働きは、水溶性高分子が半導体基板の表面に付着することで得られると考えている。すなわち、基板上に水溶性高分子が付着することで、水溶性高分子の上に付着した異物は洗浄時に水溶性高分子とともに基板から除去される。また、半導体基板表面に直接付着してしまった異物は、水溶性高分子で被覆されることで乾燥固着が防止され、同様に洗浄によって水溶性高分子とともに半導体基板から除去されると考えられる。本実施形態のpHが4.0以上8.0以下の環境において、半導体基板の表面電位は負の値となる。また、自然酸化膜等が生じていない半導体基板の表面は強い疎水性を示す。このような半導体基板と水溶性高分子の相互作用としては、主に静電及び疎水相互作用が働くと考えられる。相互作用が強すぎる場合、水溶性高分子が研磨を阻害するとともに、洗浄による水溶性高分子の除去が困難となる。一方で、相互作用が弱すぎる場合は、半導体基板表面を充分に被覆することができず、洗浄効果を得ることが困難となる。本発明における半導体基板と水溶性高分子の相互作用は、上記の効果を得るために疎水性相互作用が最も好ましく、アニオン性官能基によるイオン相互作用が好ましい。これらの相互作用は単独もしくは複数でもかまわない。その他の成分本実施形態では、上述した成分の他に、水以外の溶媒、防食剤、酸化剤等、一般に研磨液に添加される成分を、上述した研磨液の作用効果を損なわない範囲で半導体基板用研磨液に添加することができる。保存形態本実施形態の半導体基板用研磨液は、その成分濃度を予め高くした濃縮形態として保存できる。研磨液の使用時には、濃縮形態にある研磨液を、水等で本来の成分濃度まで希釈して使用すればよい。更に、半導体基板用研磨液の成分を幾つかに分けた分液形態として保存し、それらを使用時に混合して使用することもできる。本実施形態の半導体基板用研磨液は、上記のような研磨方法を用いて、基板構成にシリコンを含む基板を研磨した場合に、優れた研磨特性を有する。<研磨方法>本実施形態の半導体基板の研磨方法では、本実施形態の半導体基板用研磨液を用いて半導体基板の表面を研磨する。本実施形態の半導体基板用研磨液は、基板構成にシリコンを含む基板を研磨した場合に、特に優れた研磨特性を示す。これまでに説明したように、本実施形態の半導体基板用研磨液は、コロイダルシリカと、水溶性高分子を含有し、pHが4.0以上8.0以下である、半導体基板用研磨液である。本実施形態の半導体基板用研磨液は、シリコンに対する研磨速度よりも、シリコン基板上の欠陥を発生しづらくすること、シリコン基板上に残存する異物研磨粒子、研磨パッドの摩耗による発生するカス等を残りづらくすること、シリコン基板上を平滑にすることに重点を置いた研磨液であり、半導体ウエハの製造工程における仕上げ研磨用途に特に適している。すなわち、1シリコンの単結晶をスライスする工程、ラッピング工程又はグラインディング工程、エッチング工程を経て粗ウエハを準備するステップ、2前記粗ウエハを粗研磨するステップ、3前記本実施形態の半導体基板用研磨液を用いて、粗研磨されたウエハを仕上げ研磨するステップ、を含むことを特徴とする半導体基板の研磨方法が提供される。また、本実施形態の半導体基板用研磨液は、再生ウエハを得る工程における仕上げ研磨にも適用することができる。以下、再生ウエハを研磨する方法について説明する。一般に、シリコンウエハから、半導体デバイスを製造する各要素工程において、プロセステストのため、多数のウエハがテストウエハとして使用される。このようなテストウエハとしては、平坦なシリコン基板上に絶縁膜や金属膜等の各種膜を成膜したものが挙げられる。これらのテストウエハを製造する目的は、シリコン基板上に各種の膜を成膜するための最適条件を調べる場合、シリコン基板上にレジスト膜を塗布露光する際の最適条件を調べる場合、定期的に前記各最適条件についてモニタリングする場合、シリコン基板上に成膜された各種の膜に対する研磨液の研磨特性を評価する場合等、多岐にわたって用いられている。これらのテストウエハは、再度テストウエハとして利用するために、再生処理が行われる。再生処理としては、一般的に、前記各種膜等の付着物をウエットエッチングにより除去し、粗研磨及び仕上げ研磨工程を経て、再度平坦なウエハを得る。また、前記テストウエハは、再生工程にまわされるまでに大きなキズがついてしまったり、評価の際に凹凸を形成したりする場合がある。この場合には、キズや凹凸を研削加工により除去し、これを粗研磨及び仕上げ研磨することによって、再度平坦なウエハが得られるのが一般的である。また、前記本実施形態の半導体基板用研磨液は、前記再生ウエハを得る工程における仕上げ研磨に適用することができる。すなわち、1膜が形成されたシリコン基板の、前記膜をウエットエッチングにより除去して粗ウエハを得るステップ、2前記粗ウエハを粗研磨するステップ、3前記本実施形態の半導体基板用研磨液を用いて、粗研磨されたウエハを仕上げ研磨するステップ、を含むことを特徴とする半導体基板の研磨方法が提供される。前記膜が形成されたシリコン基板の、シリコン基板表面に凹凸やキズがある場合は、前記粗ウエハを研磨するステップの前に機械的な研削工程を有することが好ましい。また、シリコン貫通ビアTSV裏面研磨方法において、最終段階に仕上げ研磨を適用する場合にも、本発明の半導体基板用研磨液を適用することができる。TSVと呼ばれる構造は、半導体基板の表層に形成されたデバイスと半導体基板の裏面とを接続する電極が、半導体基板内部を貫通するように形成されている構造である。TSVを形成する工程としては、半導体基板にビアを形成し、ビアを形成した面の裏面を研削バックグラインドして、ビアを貫通させる工程が一般的になると考えられている。以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。[半導体用研磨液の調製実施例1~5]コロイダルシリカ、水溶性高分子水溶性ポリマ、pH調整剤を以下の手順に従って、表1に示す添加量で配合して、実施例1~5の各半導体用研磨液を調製した。各研磨液の調製には、水溶性ポリマとして、ポリビニルピロリドンPVP_K30を用いた。K値は、分子量と相関する粘性特性値で、毛細管粘度計により測定される25°Cでの相対粘度値である。各研磨液の調製では、まず、研磨液全体の50質量に相当する純水に、表1に示す含有量のポリビニルピロリドンPVPを溶解させた。所望のpH以外の場合には、酸性もしくは塩基性化合物の添加によりpHを調整した。次いで、一次粒径が35nmのコロイダルシリカを0.2質量分散させた後、純水で計95質量になるように配合した。そして、所望のpHとなるまで塩基性化合物を添加し、残部を純水で計100質量になるように配合した。なお、アルカリ側へpHを調整する場合にはアンモニア水を用い、酸性側へpHを調整する場合には酢酸、酢酸アンモニウムを用いた。[半導体用研磨液の調製比較例1~3]コロイダルシリカ、水溶性高分子水溶性ポリマ、添加剤を、以下の手順に従って、表2に示す添加量で配合して、比較例1~3の各半導体用研磨液を調製した。各研磨液の調製には、水溶性ポリマとして、ポリビニルピロリドンPVP_K30を用いた。なお、アルカリ側へpHを調整する場合にはアンモニア水を用い、酸性側へpHを調整する場合には酢酸を用いた。各研磨液の調製では、まず、研磨液全体の50質量に相当する純水にポリビニルピロリドンPVP、グリシンを表2に示す添加量を溶解させた。所望のpH以外の場合には酸性もしくは塩基性化合物の添加によりpHを調整した。次いで、一次粒径が35nmの表面がアルミネートにより改質された変性シリカもしくはコロイダルシリカを0.2質量分散させた後、純水で計95質量になるように配合した。そして、所望のpHとなるまで酸性もしくは塩基性化合物を添加し、残部を純水で計100質量になるように配合した。[粗研磨半導体基板の調整]直径300mmのシリコンウエハを下記条件で研磨し、表面をあらした粗研磨状態のシリコンウエハを調整した。粗研磨条件研磨ウエハ:300mmシリコンウエハ研磨機:Reflexionアプライドマテリアルズ社製、商品名、Reflexionは登録商標研磨定盤回転数:123min-1ホルダー回転数:117min-1研磨圧力:13.7kPa研磨液供給量:250ml/分研磨パッド:SUBA600ニッタハース株式会社製、商品名、SUBAは登録商標研磨液:シリカ砥粒一次粒径17nm0.5質量、水酸化カリウム1.0質量、1,2,4-トリアゾール1.0質量、pH10.5研磨時間:90秒[半導体基板の研磨]研磨定盤の研磨布上に、配合直後の実施例1の半導体基板用研磨液を供給しながら、半導体基板を研磨布に押圧した状態で、半導体基板に対して研磨定盤を相対的に回転させることにより、半導体基板の表面を研磨した。また、実施例1と同様の方法で、配合直後の実施例2~5及び比較例1~5の各研磨液を用いて半導体基板を研磨した。研磨条件の詳細は以下の通りである。研磨条件研磨ウエハ:前記で作成した粗研磨後の300mmシリコンウエハ研磨機:Reflexionアプライドマテリアルズ社製、商品名研磨定盤回転数:63min-1ホルダー回転数:57min-1研磨圧力:9.7kPa研磨液供給量:250ml/分研磨パッド:SupremeRN-HPad30.5′′DPJ;CX01ニッタハース製、商品名、Supremeは登録商標研磨時間:5分[洗浄]前記研磨後のウエハを、下記条件で洗浄した。洗浄機:MESAアプライドマテリアルズ社製、商品名洗浄液:水酸化アンモニウム0.06体積過酸化水素0.12体積ブラシ洗浄時間:60秒前記洗浄後のウエハについて、下記の装置を用いて、欠陥数及びHAZE値として表示される値を測定した。なお、欠陥数は、基板表面の結晶欠陥、及び、付着した異物の総数の指標であり、HAZE値は、基板表面の平滑性の指標である。欠陥検査装置:LS6700日立電子エンジニアリング株式会社製、商品名工程条件ファイル測定レシピ:垂直VEM10L、斜方OBL10L欠陥測定範囲:0.1μm~3.0μm投光条件:垂直、斜方実施例1~5の評価結果を表1に示し、比較例1~3の評価結果を表2に示す。なお、表1、2中に示すCSは、コロイダルシリカを指す。実施例1~5から、コロイダルシリカとPVPを含有し、pHが4.0以上8.0の半導体基板用研磨液は、欠陥数が少なく、HAZEが小さくなることが分かる。一方、比較例1は、コロイダルシリカとPVPを含有し、pHが3.0である。酸性領域であることからエッチングで発生する結晶欠陥は減少すると考えられるが、研磨粒子や異物が静電的に付着しやすくなり、結果として欠陥が増加したと考えている。比較例2は、コロイダルシリカとPVPを含有し、pHが10.0である。研磨粒子や異物はアルカリ領域であることからシリコン基板との静電的な反発が強くなることが予想されて減少すると推定されるのに対して、欠陥数は22179個となり、実施例と比較して増加している。これは、pHがアルカリ領域となったことで異物数は減少したが、アルカリによるエッチングで発生した結晶欠陥が増加し、欠陥全体としては増加したものと考えている。比較例3は、コロイダルシリカのみで研磨した結果である。この場合、水溶性高分子が含有されていないため、欠陥数及びHAZEが測定限界以上となっている。"