被測定物の表面および裏面のそれぞれに設けられた表面電極および裏面電極を通じて前記被測定物の電気的特性を測定するための半導体試験装置であって、前記被測定物の裏面の一部を非固定で保持するための被測定物支持体と、前記被測定物の前記裏面電極と電気的に接触して電気的特性を測定するための複数の裏面プローブと、前記被測定物の前記表面電極と電気的に接触して電気的特性を測定するための表面プローブとを備え、前記被測定物支持体に非固定で保持された前記被測定物の前記裏面電極に複数の前記裏面プローブが接触した後に、複数の前記裏面プローブに囲まれた領域内の前記表面側に位置する前記表面電極に前記表面プローブが接触可能に設けられている、半導体試験装置。前記被測定物の温度を変化させるための温度変化部をさらに備えた、請求項1に記載の半導体試験装置。前記温度変化部は、前記被測定物の前記表面側および前記裏面側の少なくともいずれかに設けられている、請求項2に記載の半導体試験装置。前記温度変化部は、前記被測定物の前記表面プローブが接触する前記表面電極および前記被測定物の前記裏面プローブが接触する前記裏面電極の少なくともいずれかを取り囲むように設けられている、請求項2または3に記載の半導体試験装置。前記温度変化部は、前記被測定物の温度を上昇させるための発熱体および前記被測定物の温度を下降させるための冷却体の少なくともいずれかを含む、請求項2~4のいずれかに記載の半導体試験装置。前記温度変化部は、円筒状の筒部を有することを特徴とする、請求項2~5のいずれかに記載の半導体試験装置。前記温度変化部は、中空形状を有する筒部と、前記筒部内にガスを供給可能なガス供給部とを含み、前記ガス供給部は、前記表面電極および前記裏面電極の少なくともいずれかが前記筒部に取り囲まれた状態で前記筒部内に前記ガスを供給することによって前記被測定物の温度を変化可能に設けられている、請求項2または3に記載の半導体試験装置。前記ガスは、前記被測定物の温度を上昇させるためのガスおよび前記被測定物の温度を下降させるためのガスのいずれかを含む、請求項7に記載の半導体試験装置。前記筒部の内周面に設けられ、かつ凹凸形状を有する絶縁部材をさら備えた、請求項6~8のいずれかに記載の半導体試験装置。前記被測定物を準備する工程と、請求項1~9に記載の半導体試験装置によって前記被測定物の電気的特性を測定する工程とを備えた、半導体試験方法。しかしながら、上記の特開2005-332839号公報に記載された試験装置では、挟持部材の突起部によって半導体ウエハが挟持されることで固定されているため、プローブが半導体ウエハに接触することによって半導体ウエハに割れおよび破損が生じることがある。また、上記の実開平1-97551号公報に記載されたプローバーでは、ウエハがウエハ吸着部に吸着されることで固定されているため、プローブがウエハに接触することによってウエハに割れおよび破損が生じることがある。本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、被測定物の両面よりプローブを接触させて電気的特性を測定する際に、被測定物の割れおよび破損を抑制することができる半導体試験装置および半導体試験方法を提供することである。本発明の半導体試験装置は、被測定物の表面および裏面のそれぞれに設けられた表面電極および裏面電極を通じて前記被測定物の電気的特性を測定するための半導体試験装置である。半導体装置は、被測定物の裏面の一部を非固定で保持するための被測定物支持体と、被測定物の裏面電極と電気的に接触して電気的特性を測定するための複数の裏面プローブと、被測定物の表面電極と電気的に接触して電気的特性を測定するための表面プローブとを備えている。被測定物支持体に非固定で保持された被測定物の裏面電極に複数の裏面プローブが接触した後に、複数の裏面プローブに囲まれた領域内の表面側に位置する表面電極に表面プローブが接触可能に設けられている。本発明の半導体試験装置によれば、被測定物支持体に非固定で保持された被測定物の裏面電極に複数の裏面プローブが接触した後に、複数の裏面プローブに囲まれた領域内の表面側に位置する表面電極に表面プローブが接触可能に設けられている。そして、被測定物支持体が被測定物の裏面の一部を非固定で保持しているため、被測定物の裏面電極に複数の裏面プローブが接触した際に、被測定物が被測定物支持体から移動できる。このため、被測定物を被測定物支持体に押さえつける応力が作用しない。これにより、被測定物支持体に保持された部分および裏面プローブと接触する部分での被測定物の割れおよび破損を抑制することができる。また、被測定物の裏面電極に複数の裏面プローブが接触した後に、複数の裏面プローブに囲まれた領域内の表面側に位置する表面電極に表面プローブが接触するため、被測定物が裏面側に向かって凸状に反ることになる。このため、表面プローブによる被測定物を被測定物支持体に押さえつける応力は被測定物を保持する被測定物支持体の部分に及ばない。これにより、被測定物支持体に保持された部分および裏面プローブと接触する部分での被測定物の割れおよび破損を抑制することができる。以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。実施の形態1最初に本発明の実施の形態1の半導体試験装置の構成について説明する。図1~図3を参照して、本実施の形態の半導体試験装置は、被測定物としての半導体チップ1の表面1aおよび裏面1bのそれぞれに設けられた裏面電極1cおよび表面電極1dを通じて被測定物である半導体チップ1の電気的特性を測定するためのものである。本実施の形態では、被測定物としての半導体チップ1が形成された半導体ウエハ10の状態で試験されているが、切り出された半導体チップ1そのものが直接試験されてもよい。被測定物としての半導体チップ1は、その表面1aおよび裏面1bに表面電極1dおよび裏面電極1cが設けられた縦型構造の半導体を有している。半導体チップ1は、たとえばIGBTInsulatedGateBipolarTransistorおよびダイオードなどのパワー半導体であってもよい。このパワー半導体は電極パッドの寸法が15mm×15mmと大きく、かつ数百アンペアA相当の電流を印加可能なものを用いることができる。なお、半導体チップ1はこれらに限られるものではない。半導体試験装置は、被測定物支持体2と、裏面プローブ3と、表面プローブ4とを主に有している。被測定物支持体2は、半導体チップ被測定物1の裏面1bの一部を非固定で保持するように設けられている。被測定物支持体2は、本体部2aと、アーム部2eとを主に有している。本体部2aは半導体チップ1が形成された半導体ウエハ10を保持するためのものであり、被測定物支持体2の基幹部分である。また、アーム部2eは半導体チップ1の移動に利用するためのものである。本体部2aは、枠部2bと、支持部2cと、溝部2dとを有している。枠部2bは、半導体ウエハ10の落下を防ぐためのものである。支持部2cは、半導体ウエハ10の裏面1b側の外周部分と接触して保持するためのものである。溝部2dは、主として半導体ウエハ10の外周エッジ部分から発生するウエハ屑や前工程から持ち込まれる異物を収めるためのものである。本体部2aは、本実施の形態のように円形状の半導体ウエハ10を載置する場合、半導体ウエハ10の外周に沿った円形状に構成されている。また後の実施の形態において説明するように、温度変化時の特性評価を行う場合、本体部2aは、耐熱性のある材料にて作製されている。本体部2aの材料としては、たとえば、耐食性に優れたステンレス等の金属材料、エンジニアリングプラスチック等の樹脂材料が適用可能であるがこれらに限るものではない。裏面プローブ3は、半導体チップ1の裏面電極1cと電気的に接触して電気的特性を測定するためものである。複数の裏面プローブ3が設けられている。表面プローブ4は、半導体チップ1の表面電極1dと電気的に接触して電気的特性を測定するためのものである。表面プローブ4は少なくとも一つ設けられていればよい。図2に示すように、裏面プローブ3は、半導体チップ1に形成された裏面電極1cと機械的かつ電気的に接触する先端部3aと、内部に組み込まれたスプリング等のばね部材を介して伸縮が可能な押し込み部3bと、装置側のプローブカード等に接続される設置部3cとから構成されている。同様に表面プローブ4も先端部4aと、押し込み部4bと、設置部4cとから構成されている。裏面プローブ3および表面プローブ4は導電性に優れた、例えば銅などの材料にて作製され得るがこれらに限られるものではない。特に、それぞれの先端部3a、4aは、導電性向上や耐久性向上等の観点から、別の部材、例えば金、パラジウム、タンタル、プラチナ等が被覆されてもよい。複数の裏面プローブ3は被測定物支持体2に非固定で保持された半導体チップ1の裏面電極1cに接触可能に設けられている。表面プローブ4は、複数の裏面プローブ3が裏面電極1cに接触した後に、複数の裏面プローブ3に囲まれた領域R内の表面1a側に位置する表面電極1dに接触可能に設けられている。図3に示すように、本実施の形態では、裏面プローブ3および表面プローブ4は各々4本設けられている。4本の裏面プローブ3の先端部3aの裏面電極1cとの接触部分で囲まれた、図3中一点鎖線で示される領域R内において、表面1a側の表面電極1dに接触するように4本の表面プローブ4が設けられている。複数の裏面プローブ3に囲まれた領域R内の表面1a側の表面電極1dに、表面プローブ4が接触するのであれば、裏面プローブ3および表面プローブの本数は限定されず、印加する電流値および測定する電気的特性の仕様等によって本数を変化するのがよい。なお、図1では、見易くするために、裏面プローブ3および表面プローブ4は矢印で示され、接触部側が矢の方向として示されている。続いて、裏面プローブ3および表面プローブ4の動作を説明する。裏面プローブ3と表面プローブ4とは同様に動作するよう構成されている。説明の便宜のため表面プローブ4の動作を説明する。図4a~cを参照して、図4aに示す初期状態から、図4bに示すように半導体チップ1の表面1aに向けて図中Z軸下方表面プローブ4が下降すると、まず表面電極1dと先端部4aとが接触する。図4cに示すようにその後さらに表面プローブ4を下降させると、押し込み部4bが設置部4c内にばね部材を介して押し込まれ、表面電極1dとの接触が確実なものとなる。次に、本実施の形態の半導体試験装置の動作および半導体試験方法について説明する。図5~図7を参照して、半導体ウエハ10が被測定物支持体2の本体部2aに設置され、電気的特性を測定する所定の半導体チップ1に接触するように裏面プローブ3および表面プローブ4が所定の位置まで搬送される。なお、図5~図7では説明の便宜のため、裏面プローブ3および表面プローブ4が矢印で示されている。図5に示すように、まず、被測定物としての半導体チップ1が形成された半導体ウエハ10が準備される。この半導体ウエハ10が被測定物支持体2に非固定で保持される。裏面プローブ3が上昇すると、個々の先端部が半導体チップ1の裏面電極1cに接触する。図では個々の先端部が同時に接触しているが、半導体ウエハ10に反りが生じている場合、必ずしも同時ではなく、多少の時間的なズレを伴って接触することになる。図6に示すように、裏面プローブ3がさらに上昇すると、個々の先端部が裏面電極1cを介して半導体ウエハ10を押し上げ、先端部と裏面電極1cとの接触が確実なものとなる。このとき、半導体ウエハ10の裏面1b周辺部の一部が被測定物支持体2から離れることもあるが構わない。裏面プローブ3の上昇の終了は、個々の裏面プローブ3と裏面電極1cとの接触を検知することで行われる。検知の手法は、例えば個々の裏面プローブ3間の抵抗測定で行われれるが、これに限られるものではない。たとえば、個々の裏面プローブ3の押し込み量を検知するセンサが設けられ、センサ出力より裏面プローブ3の上昇が制御されてもよい。図7に示すように、最後に表面プローブ4が下降し、個々の先端部と表面電極1dとの接触が検知された時点で表面プローブ4の下降が中止される。その後、半導体チップ1の電気的特性が測定される。続いて、本実施の形態の半導体試験装置を用いた評価工程の具体例を以下に示す。まず、半導体ウエハ10が被測定物支持体2にセットされる。続いて、半導体ウエハ10が電気的特性評価位置に搬送される。次に、裏面プローブ3が半導体ウエハ10内の評価する裏面電極1cに向けて上昇する。その後、全ての裏面プローブ3の裏面電極1cへの接触が確認される。続いて、裏面プローブ3の上昇がストップされる。次に、表面プローブ4が半導体ウエハ10内の評価する表面電極1dに向けて下降する。その後、全ての表面プローブ4の表面電極1dへの接触が確認される。続いて、被測定物の電気的特性の測定が開始される。これにより、被測定物の電気的特性が評価される。次に、本実施の形態の作用効果について説明する。図8~図10を参照して、比較例と対比して本実施の形態の作用効果について説明する。なお、図8~図10では説明の便宜のため、裏面プローブ3および表面プローブ4が矢印で示されている。図8に示すように、本実施の形態では、上述のとおり裏面電極1cに先に裏面プローブ3が接触し、その後裏面プローブ3に囲まれた領域内の表面電極1dに、表面プローブ4が接触する。このように裏面電極1cに裏面プローブ3を接触させ、表面電極1dに表面プローブ4が接触することで、半導体ウエハ10に裏面プローブ3および表面プローブ4から加わる応力が、評価する半導体チップ1の周辺で収支する。これにより、半導体ウエハ10に裏面プローブ3および表面プローブ4から加わる応力が半導体ウエハ10の周辺部に加わらないようにすることができる。よって、半導体ウエハ10の周辺部において破損および割れに至ることはない。一方、図9に示すように比較例1の半導体試験装置では、裏面プローブ3に囲まれた領域外の表面電極1dに表面プローブ4が接触する。この場合、表面プローブ4から半導体ウエハ10に加わる応力は、評価する半導体チップ1の周辺で収支せず、半導体ウエハ10と被測定物支持体2が接触している部分にも印加応力Fとして加わる。このため、この印加応力Fに起因して半導体ウエハ10の破損および割れに至る場合がある。また、図10に示すように比較例2の半導体装置では、半導体ウエハ10の周辺部が被測定物支持体2に例えば真空吸着などで固定されている。各コンタクトプローブの接触位置が表裏面で一致し、かつ同時に、かつ同じ応力で接触したとき、半導体ウエハ10に各コンタクトプローブから加わる応力は、評価する半導体チップ1周辺で収支する。しかしながら、各コンタクトプローブの接触位置が表裏面で一致しない、もしくは同時に接触しない、もしくは表裏面で応力が一致しないとき、半導体ウエハ10に加わる応力は評価する半導体チップ1の周辺で収支せず、半導体ウエハ10と被測定物支持体2が接触している部分にも印加応力Fが加わるため、この印加応力Fに起因して半導体ウエハ10の破損および割れに至る場合がある。例えば、裏面プローブ3が裏面電極1cに接触するよりも先に表面プローブ4が表面電極1dに接触した場合、半導体ウエハ10と被測定物支持体2とが接触している部分にも印加応力Fが加わるため、この印加応力Fに起因して半導体ウエハ10の破損および割れに至る場合がある。上記のように本実施の形態の半導体試験装置によれば、被測定物支持体2に非固定で保持された半導体チップ1の裏面電極1cに複数の裏面プローブ3が接触した後に、複数の裏面プローブ3に囲まれた領域R内の表面1a側に位置する表面電極1dに表面プローブ4が接触可能に設けられている。そして、被測定物支持体2が半導体チップ1の裏面1bの一部を非固定で保持しているため、半導体チップ1の裏面電極1cに複数の裏面プローブ3が接触した際に、半導体チップ1が形成された半導体ウエハ10が被測定物支持体2から移動できる。このため、半導体チップ1が形成された半導体ウエハ10の周辺部を被測定物支持体2に押さえつける応力が作用しない。これにより、被測定物支持体2に保持された部分および裏面プローブ3と接触する部分での半導体ウエハ10および半導体チップ1の割れおよび破損を抑制することができる。また、半導体チップ1の裏面電極1cに複数の裏面プローブ3が接触した後に、複数の裏面プローブ3に囲まれた領域R内の表面1a側に位置する表面電極1dに表面プローブ4が接触するため、半導体チップ1が形成された半導体ウエハ10が裏面1b側に向かって凸状に反ることになる。このため、表面プローブ4による半導体チップ1が形成された半導体ウエハ10を被測定物支持体2に押さえつける応力は半導体チップ1が形成された半導体ウエハ10を保持する被測定物支持体2の部分に及ばない。これにより、被測定物支持体2に保持された部分および裏面プローブ3と接触する部分での半導体ウエハ10の割れおよび破損を抑制することができる。また、本実施の形態の半導体装置では、被測定物1の裏面電極1cおよび表面電極1dのそれぞれに、直接プローブを接触させることで、被測定物1の裏面1bもしくはチャックステージ上に付着する異物に起因した電気的特性の不良を抑制することができる。また、被測定物1の裏面1bと接触するステージを介した電気的特性の測定を回避することで、電気的特性の測定精度が向上することができる。また、個々の被測定物1そのものに対して材料を付加する対策が不要であり、工程簡略化、低コスト化を図ることができる。本実施の形態の半導体試験方法は、被測定物1を準備する工程と、半導体試験装置によって被測定物1の電気的特性を測定する工程とを備えている。これにより、被測定物1の割れおよび破損を抑制することができる。実施の形態2本発明の実施の形態2は、実施の形態1と比較して温度変化部が備えられている点で主に異なっている。図11~図13を参照して、本実施の形態の半導体試験装置は、温度変化部Hを有している。温度変化部Hは、発熱体20と、裏面側被測定物固定治具21と、表面側被測定物固定治具22とを有している。その他の構成は、実施の形態1と同様のため説明を繰り返さない。なお、図11では説明の便宜のため、表面側被測定物固定治具22は図示されていない。また、図12では、説明の便宜のため、裏面プローブ3および表面プローブ4が矢印で示されている。また、図13では説明の便宜のため、各構成が適宜簡略化して図示されている。図11および図12に示すように、本実施の形態では、半導体ウエハ10の一部が裏面側被測定物固定治具21および表面側被測定物固定治具22で挟み込まれて、かつ発熱体20によって昇温した状態で被測定物である半導体チップ1の電気的特性が測定される。温度変化部Hは、被測定物1の温度を変化させるためものである。温度変化部Hは、被測定物1の表面1a側および裏面1b側の少なくともいずれかに設けられている。温度変化部Hは、被測定物1の表面プローブ4が接触する表面電極1dおよび被測定物1の裏面プローブ3が接触する裏面電極1cの少なくともいずれかを取り囲むように設けられている。温度変化部Hは、被測定物1の温度を上昇させるための発熱体ヒータ部20を有している。ヒータ部には電熱線が適用され得る。裏面側被測定物固定治具21および表面側被測定物固定治具22に巻きまわした電熱線に電流を印加することによって、まずは裏面側被測定物固定治具21および表面側被測定物固定治具22が温められる。その後、半導体ウエハ10との接触部、あるいは裏面側被測定物固定治具21および表面側被測定物固定治具22の内部の空気を介して、半導体チップ1の昇温が行われる。昇温の確認は、温度センサ23を利用して行われる。裏面側被測定物固定治具21および表面側被測定物固定治具22は、少なくとも一つの半導体チップ1の周囲を取り囲むように配置されている。本実施の形態では、裏面側被測定物固定治具21および表面側被測定物固定治具22は円筒状の筒部を有するように形成されているが、これに限定されず、少なくとも一つの半導体チップ1が囲まれるような構成であればよい。また、裏面側被測定物固定治具21および表面側被測定物固定治具22は、各々の端面部分を半導体ウエハ10と接触させて保持してもよい。裏面側被測定物固定治具21および表面側被測定物固定治具22は、熱伝導性の優れた、熱伝導率の高い材料にて作製されており、例えば、アルミニウム、銅などの金属系材料、セラミクス等で作製され得るが、これらに限られるものではない。図13に示すように、半導体チップ1のほぼ中央に接触するように温度センサ23は設けられている。主に裏面側被測定物固定治具21および表面側被測定物固定治具22の接触した部分から、半導体チップ1の温度が上昇するため、最も昇温が遅れる中央に温度センサ23が設置されている。温度センサ23は、例えば熱電対であり、半導体チップ1に接触して温度測定を行うが、これに限るものではなく、光式の非接触検知でもよい。なお、裏面側被測定物固定治具21および表面側被測定物固定治具22の両方にヒータ部20が設けられた場合について説明したが、少なくともいずれかに設けられていればよい。また、昇温の例について説明したがこれに限るものではなく、温度を下降させた状態で電気的特性が測定されてもよい。つまり、温度変化部Hは、被測定物の温度を下降させるための冷却体を有していてもよい。例えば温度の下降、低温化はペルチェ素子を裏面側被測定物固定治具21および表面側被測定物固定治具22に設置することで実現できる。また、図14を参照して、裏面側被測定物固定治具21の半導体ウエハ10と接する端面に耐熱性を有する弾性体24が設置されていてもよい。これにより、半導体ウエハ10との接触時に半導体ウエハ10の割れおよび破損等を防ぐことができる。弾性体24は、例えば、シリコーンゴムが適用され得るがこれに限られるものではない。次に、本実施の形態の半導体試験装置の動作を説明する。図15~図17を参照して、半導体ウエハ10が被測定物支持体2の本体部2aに設置される。電気的特性を測定する所定の半導体チップ1に接触するように裏面プローブおよび表面プローブが所定の位置まで搬送される。そして、裏面側被測定物固定治具21および表面側被測定物固定治具22も半導体ウエハ10に接触するように所定の位置まで搬送される。なお、図15~図17では、説明の便宜のため、裏面プローブおよび表面プローブは図示されていない。図15に示すように、裏面側被測定物固定治具21が上昇する。裏面側被測定物固定治具21の端面全部または一部が半導体チップ1の近傍に接触する。接触の状態は、半導体ウエハ10に反りが生じている場合、反りの状況によって異なる。図16に示すように、さらに上昇すると、半導体ウエハ10が押し上げられる。このとき、半導体ウエハ10の裏面周辺部の一部が被測定物支持体2から離れることもあるが構わない。図17に示すように、続いて、表面側被測定物固定治具22を下降させ、表面側被測定物固定治具22の端面と半導体チップ1の近傍との接触後に下降を中止する。裏面プローブおよび表面プローブを裏面電極1cおよび表面電極1dに接触させて電気的特性が測定される。裏面プローブおよび表面プローブの裏面電極1cおよび表面電極1dへの接触は、裏面側被測定物固定治具21および表面側被測定物固定治具22と半導体ウエハ10との接触後であってもよく、また接触前、あるいは接触と同時であってもよい。なお、本実施の形態のこれ以外の構成および半導体試験方法は上述した実施の形態1と同様であるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。次に、本実施の形態の作用効果について説明する。本実施の形態の半導体試験装置は、被測定物1の温度を変化させるための温度変化部Hを有しているため、評価時の温度環境を変化させることができる。これにより、温度環境を変化させた状態での被測定物1の電気的特性を測定することができる。また、温度変化部Hは、被測定物1の表面1aおよび裏面1bの少なくともいずれかに設けられているため、被測定物1の片面および両面の少なくともいずれかの温度環境を変化させることができる。また、温度変化部Hは、被測定物1の表面プローブ4が接触する表面電極1dおよび被測定物1の裏面プローブ3が接触する裏面電極1cの少なくともいずれかを取り囲むように設けられているため、裏面電極1cおよび表面電極1dを含む半導体チップ1を効果的に温度変化させることができる。また、温度変化部Hは、被測定物1の温度を上昇させるための発熱体20および被測定物の温度を下降させるための冷却体の少なくともいずれかを有しているため、温度を上昇または下降させた状態で被測定物1の電気的特性を測定することができる。また。本実施の形態の半導体試験装置では、半導体ウエハ10全体を恒温槽に入れることなく所望の温度にて電気的特性の測定を実施できるため、試験装置の大型化を防ぐことができる。また、低コスト化を図ることができる。さらに評価時間の短縮化を図ることができる。実施の形態3本発明の実施の形態3は、実施の形態2と比較してガスによって被測定物の温度が変化する点で主に異なっている。図18を参照して、本実施の形態の半導体試験装置では、温度変化部Hは、筒部裏面側被測定物固定治具21、筒部表面側被測定物固定治具22と、ガス供給部25と、仕切り板26とを有している。図18では、見易くするため、裏面プローブ、表面プローブ、温度センサは図示されていない。筒部21、22は中空形状を有している。筒部は、熱伝導性の低い、断熱性の高い材料にて作製されており、例えば、樹脂系材料等で作製され得るが、これらに限られるものではない。ガス供給部25は、筒部21、22内にガスを供給可能に設けられている。ガス供給部25は、表面電極1dおよび裏面電極1cの少なくともいずれかが筒部21、22に取り囲まれた状態で筒部21、22内にガスを供給することによって半導体チップ1の温度を変化可能に設けられている。ガスは図中矢印で示すように、筒部21、22内で仕切り板26に沿って流れている。ガスは、被測定物の温度を上昇させるためのガスおよび被測定物の温度を下降させるためのガスのいずれかであればよい。つまり、筒部21、22部のガス流動を介して、半導体チップ1の温度変化が行われる。温度変化の確認は、温度センサを利用して行われる。なお、温度を上昇または下降させるためのガスとして、例えば試験雰囲気温度より高温または低温である乾燥空気や不活性ガスを使用することなどが考えられる。なお、筒部21、22が半導体チップ1の表面1a側および裏面1b側に設けられた場合について説明したが、表面1a側および裏面1b側のいずれかに設けられていてもよい。また、図19を参照して、筒部21の内周面に、凹凸形状を有する絶縁部材27が設置されていてもよい。この絶縁部材27は、電気的特性の測定時に生じる放電の他チップへの影響を防ぐためのものである。この絶縁部材27の材料は、例えば、樹脂系材料が用いられるがこれに限られるものではない。凹凸形状にすることで沿面距離が長くなるため放電を抑制できる。また、絶縁部材27は、筒部22にも設けられていてもよい。なお、本実施の形態のこれ以外の構成および半導体試験方法は上述した実施の形態1と同様であるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。次に、本実施の形態の作用効果について説明する。本実施の形態の半導体試験装置では、ガス供給部25は、表面電極1dおよび裏面電極1cの少なくともいずれかが筒部21、22に取り囲まれた状態で筒部21、22内にガスを供給することによって半導体チップ1の温度を変化可能に設けられている。このため、ガスによって温度環境を変化させた状態での被測定物1の電気的特性を測定することができる。また、凹凸形状を有する絶縁部材が筒部21の内周面に設けられているため、放電を抑制することができる。その結果、半導体チップの破壊などの不良の発生を抑制することができる。上記の各実施の形態は適宜組み合わせることができる。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。