"光を参照光と測定光とに分離する光束分離部と、前記測定光を被撮影物体側に導くとともに、前記被撮影物体の深さ方向に直交する面内における前記測定光の照射位置を変位させる照射位置変更部と、第1の対物光学系と、前記第1の対物光学系が有する開口数よりも大きな開口数を有する第2の対物光学系と、前記第1の対物光学系および前記第2の対物光学系のいずれかを対物光学系として選択する制御部と、前記測定光を前記被撮影物体に照射可能に、前記制御部により選択された対物光学系を配設する対物光学系切替部と、前記測定光が前記選択された対物光学系を通過して前記被撮影物体に照射されることによって得られる戻り光と前記参照光との干渉光を得る光束合成部と、前記干渉光に基づいて、前記被撮影物体の前記深さ方向の断面を表す断層画像を生成する断層画像生成部と、を備えることを特徴とする光干渉断層撮影装置。前記被撮影物体は、複数の細胞を含むコロニーが培養される試料であり、前記第1の対物光学系は、前記コロニー単体の深さ方向全体の寸法を合焦範囲として含むとともに、前記複数の細胞それぞれを検出可能な分解能となる開口数を有し、前記第2の対物光学系は、前記細胞単体の深さ方向全体の寸法を合焦範囲として含むとともに、前記分解能よりも高い分解能となる開口数を有することを特徴とする請求項1に記載の光干渉断層撮影装置。前記制御部は、前記断層画像生成部が生成した前記断層画像に基づいて、前記第1の対物光学系および前記第2の対物光学系のいずれかを対物光学系として選択することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の光干渉断層撮影装置。前記制御部は、前記第1の対物光学系を用いて得られた干渉光に基づき生成された断層画像に基づいて、コロニーに含まれる細胞の数量を計測し、前記細胞の数量と所定の基準値の比較によって前記第2の対物光学系を選択するか否かを判定することを特徴とする請求項2または請求項3に記載の光干渉断層撮影装置。前記制御部は、前記第1の対物光学系を用いて得られた干渉光に基づき生成された断層画像に基づいて、コロニーに含まれる複数の細胞において隣り合う細胞間の距離を計測し、前記細胞間の距離と所定の基準値との比較によって前記第2の対物光学系を選択するか否かを判定することを特徴とする請求項2~請求項4いずれか一項に記載の光干渉断層撮影装置。前記制御部は、前記第1の対物光学系を用いて得られた干渉光に基づき生成された断層画像に基づいて、コロニーにおける前記干渉光の強度の密度分布を計測し、前記密度分布と所定の基準値との比較によって前記第2の対物光学系を選択するか否かを判定することを特徴とする請求項2~請求項5いずれか一項に記載の光干渉断層撮影装置。前記制御部は、時間または時刻に応じて、前記第1の対物光学系および前記第2の対物光学系のいずれかを対物光学系として選択することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の光干渉断層撮影装置。前記制御部は、前記密度分布において前記所定の基準値を超える領域がある場合に、前記領域に対応する三次元位置であって、前記被撮影物体内における三次元位置を取得し、取得した前記三次元位置に基づいて、前記光学スキャナおよび前記第2の対物光学系を制御することを特徴とする請求項6に記載の光干渉断層撮影装置。しかしながら、上記の光画像計測装置は、フルフィールドタイプの光干渉断層撮影装置として機能するものであるため、被測定物体の深さ方向の断面を示す断層画像を得るためには、被測定物体の上面視による多数の断面画像を、信号光と参照光との光路長差を変更して撮像し、これら多数の断面画像に基づいて所望の断層像を生成する処理が必要となる。つまり、この光画像計測装置は、簡単な手順によって短時間に被測定物体の断層画像を得ることができない。また、上記の光画像計測装置が備える撮像装置は、光干渉断層撮影法によらない撮像装置であり、被測定物体の外観を撮影するものである。よって、特許文献1に記載の光画像計測装置では、簡単な手順によって短時間に被測定物体の断層画像の概略をとらえることができず、また、その概略の断層画像において注目すべき局所的な部位の断層画像をすぐさま詳細にとらえることができない。そこで、本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、被測定物体の概略の断層画像および局所の詳細な断層画像をとらえることができる、光干渉断層撮影装置を提供することを目的とする。上記の課題を解決するため、本発明の一態様である光干渉断層撮影装置は、光を参照光と測定光とに分離する光束分離部と、前記測定光を被撮影物体側に導くとともに、前記被撮影物体の深さ方向に直交する面内における前記測定光の照射位置を変位させる照射位置変更部と、第1の対物光学系と、前記第1の対物光学系が有する開口数よりも大きな開口数を有する第2の対物光学系と、前記第1の対物光学系および前記第2の対物光学系のいずれかを対物光学系として選択する制御部と、前記測定光を前記被撮影物体に照射可能に、前記制御部により選択された対物光学系を配設する対物光学系切替部と、前記測定光が前記選択された対物光学系を通過して前記被撮影物体に照射されることによって得られる戻り光と前記参照光との干渉光を得る光束合成部と、前記干渉光に基づいて、前記被撮影物体の前記深さ方向の断面を表す断層画像を生成する断層画像生成部と、を備えることを特徴とする。本発明によれば、被測定物体の概略の断層画像および局所の詳細な断層画像をとらえることができる。以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。[第1の実施の形態]本発明の第1実施形態は、細胞塊であるコロニーの形態とコロニーに含まれる細胞の形態とを、撮影のスケジュールに基づき選択して撮影する光干渉断層撮影装置である。図1は、第1実施形態である光干渉断層撮影装置を適用した測定システムの概略の機能構成図である。同図に示すように、第1実施形態における測定システムは、光干渉断層撮影装置1と、表示装置2とを含んで構成される。光干渉断層撮影装置1には、フーリエドメイン方式による光干渉断層撮影法FD-OCT;FourierDomainOpticalCoherenceTomographyの一種である、SD-OCTSpectralDomainOpticalCoherenceTomographyを適用した。図1に示すように、光干渉断層撮影装置1は、制御部10と、光源20と、光束分離合成部30と、参照ミラー40と、光学スキャナ照射位置変更部50と、対物光学系切替部60と、第1対物光学系第1の対物光学系61Lと、第2対物光学系第2の対物光学系61Hと、ステージ70と、分光器80と、光検出部90とを備える。また、ステージ70には、被撮影物体spが設けられる。同図では、被撮影物体spが設けられるステージ70の面の延長上に、直交座標系であるXYZ座標系の原点が含まれ、且つZ軸が当該面に直交するように設けられている。ただし、XYZ座標系の原点は、ステージ70の面内に設けられてもよい。以下、必要に応じて、このXYZ座標系を用いて説明する。なお、以下の説明において、第1対物光学系61Lおよび第2対物光学系61Hのうちいずれかを指す場合に、対物光学系61と呼ぶ場合がある。制御部10は、図示しないCPUCentralProcessingUnitと、制御プログラムを記憶した記憶部とを備え、この記憶部からその制御プログラムを読み出してCPUに実行させることによって以下の各種制御を行う。具体的には、制御部10は、制御プログラムを実行することにより、撮影のスケジュールを管理して、光源20と光学スキャナ50と対物光学系切替部60とを制御する。また、制御部10は、光検出部90から供給される検出信号を取り込み、この検出信号を断層画像に変換してこの断層画像を記憶する。また、制御部10は、記憶した断層画像を読み出して表示信号に変換し、この表示信号を表示装置2に供給する。光源20は、光SLを出射する。光SLは、低コヒーレンス光の光束である。光源20は、例えば、SLDSuperLuminescentDiodeやハロゲンランプにより実現される。光干渉断層撮影法において、光SLの中心波長が短く且つスペクトル幅が広いほど、被撮影物体spの深さ方向の分解能は高くなる。よって、光源20の種類および性能は、中心波長とスペクトル幅とに基づいて決まる被撮影物体spの深さ方向の分解能を考慮して決められることが多い。本実施形態では、光源20は、中心波長が800nmであり、スペクトル幅が100nmである光SLを出射する。この場合、被撮影物体spの深さ方向の分解能は、約2.8μmである。光源20は、制御部10から供給される光源制御信号を受ける。光源20は、その光源制御信号が出射開始信号である場合は光SLの出射を開始し、光源制御信号が出射停止信号である場合は光SLの出射を停止する。光束分離合成部30は、入射される一系統の光束を二系統の光束に光学的に分離して出射する光束分離部としての機能と、入射される二系統の光束を一系統の光束に光学的に合成合波して出射する光束合成部としての機能とを有する。具体的には、光束分離合成部30は、光源20が出射した光SLを入射させ、この入射された光束の一部を参照光RL1として出射し、前記の入射された光束の他の一部を測定光MLとして出射する。また、光束分離合成部30は、参照ミラー40からの反射光である参照光RL2を入射させ、また、光学スキャナ50から到来する戻り光BLを入射させ、参照項RLと戻り光BLとを合成し、この合成された光束を合成光干渉光CLとして出射する。光束分離合成部30は、例えばビームスプリッタにより実現される。光束分離合成部30は、二つの直角プリズムを貼り合わせて形成したキューブビームスプリッタを適用した例である。二つの直角プリズムの接合面csには、例えば誘電体多層膜がコーティングされている。このキューブビームスプリッタ型の光束分離合成部30は、接合面csに直交していない面である第1の面から入射した光SLの一部を、接合面csを透過させて第1の面と対向する第2の面から参照光RL1として導光する。また、光束分離合成部30は、第1の面から入射した光SLの他の一部を、接合面csで反射させて幾何光学における入射面と直交する第3の面から測定光MLとして導光する。また、光束分離合成部30は、第2の面から入射した参照光RL2の一部を、接合面csで反射させ、また、第3の面から入射した戻り光BLの一部を、接合面csを透過させ、これら接合面csで反射した参照光RL2と接合面csを透過した戻り光BLとを合成した光束を、第3の面と対向する第4の面から合成光CLとして出射する。参照ミラー40は、光束分離合成部30から導かれた参照光RL1を反射し、反射光である参照光RL2を光束分離合成部30へ入射させる。光学スキャナ50は、光束分離合成部30から導かれた測定光MLをX方向またはY方向に走査させることで、被撮影物体spの撮影面上をスキャンする。さらに、戻り光BLも同様に走査させることでデスキャンを行う。また、光学スキャナ50は、制御部10から供給される走査制御信号を受け、この走査制御信号にしたがって対物光学系61による測定光MLの被撮影物体spへの照射位置をXY面内で所定の方向に変位させる。つまり、光学スキャナ50はXY面での二次元スキャナであり、例えば、ガルバノスキャナ等によって実現される。対物光学系切替部60は、制御部10から供給される選択信号に応じて、第1対物光学系61Lおよび第2対物光学系61Hのうちいずれかを、測定光MLを受光可能な位置に設置する。具体的には、対物光学系切替部60は、制御部10から供給される選択信号を受け、この選択信号が第1対物光学系61Lを選択することを示す第1対物光学系選択信号である場合は、第1対物光学系61Lを、測定光MLを受光可能な位置に設置し、選択信号が第2対物光学系61Hを選択することを示す第2対物光学系選択信号である場合は、第2対物光学系61Hを、測定光MLを受光可能な位置に設置する。第1の具体例として、図1において、対物光学系切替部60は、Z軸に略平行平行を含むな軸jに対し垂直方向にそれぞれ等距離だけ離間した第1対物光学系61Lおよび第2対物光学系61Hを、各光軸をZ軸に略平行平行を含むにして、軸jを中心に回転可能に設ける。そして、対物光学系切替部60は、制御部10から供給される選択信号に応じて軸jを中心に所定角度回動することにより、第1対物光学系61Lと第2対物光学系61Hとを切替える。また、第2の具体例として、図1において、対物光学系切替部60は、XZ面に平行な面に第1対物光学系61Lおよび第2対物光学系61Hの各光軸が含まれるように、第1対物光学系61Lおよび第2対物光学系61Hを支持する。そして、対物光学系切替部60は、制御部10から供給される選択信号に応じてX軸方向に移動例えばスライドすることにより、第1対物光学系61Lと第2対物光学系61Hとを切替える。対物光学系61は、測定光MLを集光して被撮影物体spの表面または内部に合焦させる。例えば、制御部10は、オートフォーカス機能により対物光学系61の合焦位置を設定する。または、オペレータは、表示装置2に表示される断層画像を観察しながら、図示しない操作部の操作によって対物光学系61の合焦位置をZ軸方向に移動させる。また、対物光学系61は、測定光MLを照明して得られる被撮影物体spの表面または内部の位置からの光反射光および散乱光等を集光して戻り光BLとして出射する。第1対物光学系61Lおよび第2対物光学系61Hの光学的仕様については後述する。ステージ70は、被撮影物体spを載置する載置台である。ステージ70は、下方から照射される測定光MLが被撮影物体spに到達するために、穴が設けられたり、光透過性を有する部材で形成されたりする。分光器80は、光束分離合成部30で合成された合成光CLを分光して光検出部90に供給する。分光器80は、例えば回折格子により実現される。光検出部90は、分光した合成光CLを受光して得た検出信号を制御部10に供給する。光検出部90は、例えば二次元光センサである。表示装置2は、光干渉断層撮影装置1の制御部10から供給される表示信号を取り込み、この表示信号により断層画像を表示する。表示装置2は、例えば液晶表示装置によって実現される。なお、表示装置2は、光干渉断層撮影装置1に含まれてもよい。図1の説明のとおり、光干渉断層撮影装置1は、マイケルソン干渉計の原理により実現されるものである。図2は、制御部10の機能構成を示すブロック図である。同図に示すように、制御部10は、スケジュール管理部11と、光源制御部12と、走査制御部13と、検出信号取得部14と、画像記憶部15と、切替制御部16と、画像供給部17とを備える。スケジュール管理部11は、断層画像を取得するタイミングと対物光学系61を切替えるタイミングとを規定した撮影スケジュールデータをあらかじめ記憶し、この記憶した撮影スケジュールデータにしたがって断層画像を取得するタイミングと対物光学系61を切替えるタイミングとを管理する。撮影スケジュールデータは、例えば、最初の1週間は第1対物光学系61Lを用いて撮影し、次の1週間は第2対物光学系61Hを用いて撮影することを規定したデータである。スケジュール管理部11は、具体的には、記憶した撮影スケジュールデータと時計図示省略が計時する現在時刻とに基づいて、断層画像を取得するタイミングと対物光学系61を切替えるタイミングとを検出する。現在時刻は、例えば年月日時分秒を表す時刻情報である。タイミングは、現時点での時刻であってもよいし、基準時点例えば、測定開始時刻からの経過時間であってもよい。スケジュール管理部11は、断層画像を取得するタイミングを走査制御部13および光源制御部12に供給して制御する。また、スケジュール管理部11は、対物光学系61を切替えるタイミングを切替制御部16に供給して制御する。スケジュール管理部11が記憶する撮影スケジュールデータは、外部から、書き込み、読み出し、削除、およびデータ更新等の変更が可能である。光源制御部12は、光源制御信号を光源20に供給する。光源制御信号は、例えば、光源20に光SLの出射を開始させるための出射開始信号と、光源20に光SLの出射を停止させるための出射停止信号とのいずれかである。走査制御部13は、光学スキャナ50による測定光MLのXY面における走査を行うための走査制御信号を光学スキャナ50に供給する。走査制御信号は、例えば、光学スキャナ50を、X軸に平行な軸を中心として回転させる角度の情報と、Y軸に平行な軸を中心として回転させる角度の情報とを含む。この場合、例えば、光学スキャナ50が対物光学系61に導光する測定光MLの光軸とZ軸とが平行となる光学スキャナ50の角度を0ゼロ度基準角度とする。切替制御部16は、スケジュール管理部11の制御にしたがって選択信号を対物光学系切替部60に供給する。選択信号は、例えば、第1対物光学系61Lを受光可能に設置させるための第1対物光学系選択信号と、第2対物光学系61Hを受光可能に設置させるための第2対物光学系選択信号とのいずれかである。検出信号取得部14は、光検出部90から供給される検出信号を取り込み、この検出信号をフーリエ変換して断層画像を生成し、この断層画像を画像記憶部15に記憶させる。なお、分光器80と光検出部90と検出信号取得部14とは、断層画像生成部である。画像記憶部15は、検出信号取得部14から供給される断層画像を記憶する。画像記憶部15は、例えば半導体記憶装置メモリや磁気ハードディスク装置により実現される。画像供給部17は、画像記憶部15に記憶された断層画像を読み込んで表示信号に変換し、この表示信号を表示装置2に供給する。図3は、被撮影物体spのXZ断面を模式的に表す断面図である。なお、図を理解し易くするため、同図における縮尺および形状は実際のものと異なる。同図に表すように、被撮影物体spは、光透過性を有する培養皿101に納められた試料である。また、試料の容器は、培養皿101に限らず、スライドガラス等の容器を用いてもよい。培養皿101には、Z軸方向に2~3mmの厚みを有する培地102が設けられ、培地102の内部には、培養された細胞図示省略により形成されるコロニーが点在している。細胞は、例えば幹細胞等である。また、培地102は、例えば液体培地である。通常、幹細胞の培養は、培養皿101の底面101aに幹細胞を付着させた状態から開始する。その後、時間経過にともない、幹細胞は増殖してコロニーを形成する。そして、コロニーは、底面101aに付着した状態で、XY面に沿う方向およびZ軸方向に成長する。同図において、コロニー103は、底面101aに付着した状態の付着細胞塊である。例えば、観察時の付着細胞塊であるコロニー103のZ軸方向の大きさは、100μm~500μm程度であり、コロニー103に含まれる幹細胞の大きさは、10μm程度またはそれ以下である。また、培地102中のコロニーは、その成長過程において底面101aから剥離する場合がある。同図において、コロニー104は、底面101aから剥離して培地102に浮いた状態の浮遊細胞塊である。浮遊細胞塊となったコロニー104は、培養細胞の有用性を失うこともある。光干渉断層撮影装置1は、第1対物光学系61Lを用いて撮影する場合、測定光MLをXY面において一次元的に走査させることにより、被撮影物体spの付着細胞塊および浮遊細胞塊を識別可能に撮影することができるものである。また、光干渉断層撮影装置1は、第1対物光学系61Lを用いて撮影する場合、コロニー全体をとらえ、その内部の幹細胞を計数可能に撮影することができる。また、光干渉断層撮影装置1は、第2対物光学系61Hを用いて撮影する場合、単一の幹細胞をとらえ、その形態を詳細に撮影することができるものである。対物光学系61の焦点深度DepthOfField;DOFおよびX軸方向分解能Y軸方向分解能も同様は、測定光MLの波長と開口数NumericalAperture;NAによって決まる。具体的には、焦点深度は、波長に比例し、開口数の2乗に反比例する。また、X軸方向分解能およびY軸方向分解能は、波長に比例し開口数に反比例する。測定光MLの波長が800nmである場合の、第1対物光学系61Lおよび第2対物光学系61Hの光学的な仕様を下記の表1に示す。図4a,bは、光干渉断層撮影装置1が撮影して得る被撮影物体spの断層画像を模式的に示す図である。なお、図を理解し易くするため、同図a,bにおける縮尺および形状は実際のものと異なる。同図aは、光干渉断層撮影装置1が、第1対物光学系61Lを用いてコロニー103の全体を撮影して得たコロニー103の三次元像の断層XZ断面である。同図aに示すように、培養皿101の底面101aに付着したコロニー103のZ軸方向の大きさの最大値は約400μm約100μm~約500μmの範囲内であり、第1対物光学系61Lが有する焦点深度約500μm以下の範囲内にある。また、コロニー103に含まれる幹細胞105のXYZ軸各方向の大きさは約10μmであり、第1対物光学系61Lが有する分解能約12μmと同等である。つまり、第1対物光学系61Lの焦点深度が約500μm以下であるため、第1対物光学系61Lを用いて撮影する光干渉断層撮影装置1は、Z軸方向に走査させることなく、Z軸方向に約100μm~約500μm程度の大きさを有する通常のコロニーの全体像をとらえることができる。また、第1対物光学系61LのX軸方向分解能およびY軸方向分解能が約12μmであるため、第1対物光学系61Lを用いて撮影する光干渉断層撮影装置1は、幹細胞105の判別が可能である。よって、第1対物光学系61Lを用いて撮影する光干渉断層撮影装置1は、コロニー全体の形態と、コロニー内部の幹細胞の形態とをZ軸方向に走査させることなく取得することができる。図4bは、光干渉断層撮影装置1が、第2対物光学系61Hを用いて幹細胞105を撮影して得た幹細胞105の三次元像の断層XZ断面である。同図bに示すように、幹細胞105のXYZ軸各方向の大きさは約10μmであり、第2対物光学系61Hが有する焦点深度約13μm以下の範囲内にあり、また、第2対物光学系61Hが有する分解能約2μmの約5倍である。つまり、第2対物光学系61Hの焦点深度が約13μm以下であるため、第2対物光学系61Hを用いて撮影する光干渉断層撮影装置1は、Z軸方向に走査させることなく、Z軸方向に約10μmの大きさを有する幹細胞の全体像をとらえることができる。また、第2対物光学系61HのX軸方向分解能およびY軸方向分解能が約2μmであるため、第2対物光学系61Hを用いて撮影する光干渉断層撮影装置1は、XYZ軸各方向に走査させることなく幹細胞105の形態を詳細にとらえることができる。よって、第2対物光学系61Hを用いて撮影する光干渉断層撮影装置1は、幹細胞全体の大きさ、幹細胞内部の形態等を取得することができる。また、光干渉断層撮影装置1が第2対物光学系61Hを用いて複数の幹細胞それぞれを撮影することにより、コロニー103内部の幹細胞間の距離を取得することができる。次に、光干渉断層撮影装置1の動作について、全体処理と断層画像の取得処理とに分けて説明する。まず、光干渉断層撮影装置1の全体処理について説明する。この全体処理は、光干渉断層撮影装置1が、第1対物光学系61Lを用いて撮影した後、第2対物光学系61Hに切替えて撮影する例である。図5は、光干渉断層撮影装置1による全体処理の手順を示すフローチャートである。制御部10のCPUが記憶部から制御プログラムを読み出して実行を開始すると、同図のフローチャートの処理が実行される。ただし、同図には図示していないが、初期化の段階で、切替制御部16は、第1対物光学系選択信号を対物光学系切替部60に供給し、その第1対物光学系選択信号を取り込んだ対物光学系切替部60に、第1対物光学系61Lを、測定光MLを受光可能に設置させておく。まず、ステップS101において、スケジュール管理部11は、時刻と撮影スケジュールデータとに基づいて、現在時刻が断層画像を取得するタイミングになったか否かを判定する。制御部10は、現在時刻が断層画像を取得するタイミングになった場合S101:YESは、ステップS102の処理に移し、現在時刻が断層画像を取得するタイミングになっていない場合S101:NOは、ステップS101の処理を続行する。ステップS102において、光干渉断層撮影装置1は、断層画像の取得処理を実行する。この断層画像の取得処理については後述する。次に、ステップS103において、スケジュール管理部11は、時刻と撮影スケジュールデータとに基づいて、現在時刻が対物光学系61を切替えるタイミングになったか否かを判定する。制御部10は、現在時刻が対物光学系61を切替えるタイミングになった場合S103:YESは、ステップS104の処理に移し、現在時刻が対物光学系61を切替えるタイミングになっていない場合S103:NOは、ステップS101の処理に戻す。ステップS104において、切替制御部16は、第2対物光学系選択信号を対物光学系切替部60に供給する。切替制御部16から供給される第2対物光学系選択信号を受けた対物光学系切替部60は、第2対物光学系61Hを、例えば前述した第1または第2の具体例によって、測定光MLを受光可能に設置する。ステップS105において、スケジュール管理部11は、時刻と撮影スケジュールデータとに基づいて、現在時刻が断層画像を取得するタイミングになったか否かを判定する。制御部10は、現在時刻が断層画像を取得するタイミングになった場合S105:YESは、ステップS106の処理に移し、現在時刻が断層画像を取得するタイミングになっていない場合S105:NOは、ステップS105の処理を続行する。ステップS106において、光干渉断層撮影装置1は、断層画像の取得処理を実行する。次に、ステップS107において、スケジュール管理部11は、時刻と撮影スケジュールデータとに基づいて、現在時刻が全体処理を終了させるタイミングになったか否かを判定する。制御部10は、現在時刻が全体処理を終了させるタイミングになった場合S107:YESは、本フローチャートの処理を終了させ、現在時刻が全体処理を終了させるタイミングになっていない場合S107:NOは、ステップS105の処理に戻す。次に、光干渉断層撮影装置1の断層画像の取得処理について説明する。この断層画像の取得処理は、図5におけるステップS102およびステップS106において光干渉断層撮影装置1によって実行される処理である。図6は、光干渉断層撮影装置1による断層画像の取得処理の手順を示すフローチャートである。ステップS201において、走査制御部13は、光学スキャナ50を初期設定するための走査制御信号を光学スキャナ50に供給する。初期設定とは、XY面における走査の開始位置に対応する角度を設定することである。光学スキャナ50は、走査制御部13から供給される走査制御信号を受けて初期設定を行う。次に、ステップS202において、光源制御部12は、出射開始信号を光源20に供給する。そして、光源20は、光源制御部12から供給される出射開始信号を受けて光SLの出射を開始する。次に、ステップS203において、検出信号取得部14は、光検出部90から供給される検出信号を取り込み、この検出信号をフーリエ変換して断層画像を生成し、この断層画像を画像記憶部15に記憶させる。次に、ステップS204において、走査制御部13の制御による光学スキャナ50の測定光MLのXY面における走査が完了した場合S204:YESはステップS205の処理に移り、走査が完了していない場合S204:NOはステップS206の処理に移る。ステップS205において、光源制御部12は、出射停止信号を光源20に供給する。そして、光源20は、光源制御部12から供給される出射停止信号を受けて光SLの出射を停止する。そして、本フローチャートの処理を終了する。一方、ステップS206において、走査制御部13は、光学スキャナ50による測定光MLのXY面における走査を行うための角度の情報を含めた走査制御信号を光学スキャナ50に供給する。光学スキャナ50は、走査制御部13から供給される走査制御信号を受け、この走査制御信号にしたがって対物光学系61による測定光MLの被撮影物体spへの照射位置をXY面内で所定の方向に移動させる。次に、ステップS203の処理に戻る。幹細胞の培養においては、コロニーを侵襲せず内部の幹細胞の数量を把握する必要がある。しかしながら、一般的な光学顕微鏡を用いた場合、幹細胞の数量を計測するためには、コロニーを解体する必要がある。また、細胞核を染色してコンフォーカル顕微鏡で計数する方法が知られているが、この方法では染色によって幹細胞が蛍光色素で染まってしまう。本発明の第1実施形態である光干渉断層撮影装置1を適用した測定システムによれば、光干渉断層撮影装置1は、前記の表1に示す光学的な仕様の第1対物光学系61Lを用いて被撮影物体spを撮影することにより、Z軸方向に走査させることなく、所望のコロニー全体の断層画像を得ることができる。また、コロニー内部の幹細胞の三次元位置を特定することができる。そして、表示装置2は、光干渉断層撮影装置1が取得した所望のコロニー全体の断層画像を表示することができる。また、細胞が凝集して細胞塊を形成すると、細胞塊内部の細胞がどのような状態になっているのか、一般的な透過顕微鏡では観察することができない。コロニーに含まれる幹細胞は、単一種であることが求められるが、位相差顕微鏡では、複数種類の細胞が積層した場合、コロニーが単一種の細胞であるか否かを判定することは困難である。また幹細胞が分化した状態を観察する場合、全ての幹細胞が分化しているのか、一部分が分化しているのかについて識別することが困難である。光干渉断層撮影装置1は、前記の表1に示す光学的な仕様の第2対物光学系61Hを用いて被撮影物体spを撮影することにより、Z軸方向に走査させることなく、コロニー内部の所望の幹細胞単体の詳細な断層画像を得ることができる。そして、表示装置2は、光干渉断層撮影装置1が取得した所望の幹細胞単体の詳細な断層画像を表示することができる。また、光干渉断層撮影装置1は、撮影スケジュールデータに基づいて、第1対物光学系61Lと第2対物光学系61Hとを切替えて被撮影物体spを撮影する。このように構成したことにより、光干渉断層撮影装置1は、時間の経過にともなって変化するコロニー全体およびコロニー内部の幹細胞の様子を表す断層画像を、例えば細胞培養の実験スケジュールに合わせて取得することができる。また、光干渉断層撮影装置1は、光学スキャナ50を備え、XY面内で測定光MLの照射位置を変位させる走査を行う。これにより、光干渉断層撮影装置1は、簡単な手順によって短時間に被測定物体spの断層画像を取得することができる。したがって、光干渉断層撮影装置1によれば、簡単な手順によって短時間に被測定物体spの概略の断層画像および局所の詳細な断層画像を選択的にとらえることができる。[第2の実施の形態]本発明の第2実施形態は、細胞塊であるコロニーの形態とコロニーに含まれる細胞の形態との撮影を、画像解析処理の画像解析結果に応じて切替える光干渉断層撮影装置である。図7は、第2実施形態である光干渉断層撮影装置を適用した測定システムの概略の機能構成図である。本実施形態では、第1実施形態と同一の構成については、同一の符号を付してその説明を省略し、第1実施形態と異なる構成についてのみ説明する。同図に示すように、第2実施形態における測定システムは、光干渉断層撮影装置1aと、表示装置2とを含んで構成される。光干渉断層撮影装置1aは、第1実施形態である光干渉断層撮影装置1の制御部10を制御部10aに変更したものである。制御部10aは、図示しないCPUCentralProcessingUnitと、制御プログラムを記憶した記憶部とを備え、この記憶部からその制御プログラムを読み出してCPUに実行させることによって以下の各種制御を行う。具体的には、制御部10aは、制御プログラムを実行することにより、撮影のスケジュールを管理して、光源20と光学スキャナ50とを制御する。また、制御部10aは、光検出部90から供給される検出信号を取り込み、この検出信号を断層画像に変換してこの断層画像を記憶する。また、制御部10aは、記憶した断層画像を読み出して画像解析処理を行い、この画像解析結果に応じて対物光学系切替部60を制御する。また、制御部10aは、記憶した断層画像を読み出して表示信号に変換し、この表示信号を表示装置2に供給する。図8は、制御部10aの機能構成を示すブロック図である。同図に示すように、制御部10aは、第1実施形態における制御部10に対し、新たに画像解析部18を追加し、また、走査制御部13を走査制御部13aに、切替制御部16を切替制御部16aに変更した構成を有する。画像解析部18は、画像記憶部15に記憶された断層画像を読み込んで画像解析処理を行い、この画像解析結果に基づいて走査制御部13aおよび切替制御部16aを制御する。画像解析部18が実行する画像解析処理の詳細については後述する。走査制御部13aは、画像解析部18の制御にしたがって、光学スキャナ50による測定光MLのXY面における走査を行うための走査制御信号を光学スキャナ50に供給する。走査制御信号は、例えば、光学スキャナ50を、X軸に平行な軸を中心として回転させる角度の情報と、Y軸に平行な軸を中心として回転させる角度の情報とを含む。この場合、例えば、光学スキャナ50が対物光学系61に導光する測定光MLの光軸とZ軸とが平行となる光学スキャナ50の角度を0ゼロ度基準角度とする。切替制御部16aは、画像解析部18の制御にしたがって選択信号を対物光学系切替部60に供給する。選択信号は、例えば、第1対物光学系61Lを受光可能に設置させるための第1対物光学系選択信号と、第2対物光学系61Hを受光可能に設置させるための第2対物光学系選択信号とのいずれかである。次に、光干渉断層撮影装置1aの動作について、全体処理と断層画像の取得解析処理とに分けて説明する。まず、光干渉断層撮影装置1aの全体処理について説明する。この全体処理は、光干渉断層撮影装置1aが、第1対物光学系61Lを用いて撮影した後、第2対物光学系61Hに切替えて撮影する例である。図9は、光干渉断層撮影装置1aによる全体処理の手順を示すフローチャートである。制御部10aのCPUが記憶部から制御プログラムを読み出して実行を開始すると、同図のフローチャートの処理が実行される。ただし、同図には図示していないが、初期化の段階で、切替制御部16aは、第1対物光学系選択信号を対物光学系切替部60に供給し、その第1対物光学系選択信号を取り込んだ対物光学系切替部60に、第1対物光学系61Lを、測定光MLを受光可能に設置させておく。まず、ステップS301において、スケジュール管理部11は、時刻と撮影スケジュールデータとに基づいて、現在時刻が断層画像を取得するタイミングになったか否かを判定する。現在時刻が断層画像を取得するタイミングになった場合S301:YESは、制御部10aは、ステップS302の処理に移し、現在時刻が断層画像を取得するタイミングになっていない場合S301:NOは、ステップS301の処理を続行する。ステップS302において、光干渉断層撮影装置1aは、断層画像の取得解析処理を実行する。この断層画像の取得解析処理については後述する。次に、ステップS303において、画像解析部18は、画像解析結果に基づいて、対物光学系61を切替えるか否かを判定する。制御部10aは、対物光学系61を切替える場合S303:YESは、ステップS304の処理に移し、対物光学系61を切替えない場合S303:NOは、ステップS301の処理に戻す。ステップS304において、切替制御部16aは、第2対物光学系選択信号を対物光学系切替部60に供給する。切替制御部16aから供給される第2対物光学系選択信号を受けた対物光学系切替部60は、第2対物光学系61Hを、例えば前述した第1または第2の具体例によって、測定光MLを受光可能に設置する。また、切替制御部16aから供給される第2対物光学系選択信号にZ座標の情報が付加されている場合は、対物光学系切替部60は、第2対物光学系61Hを設置し、Z座標の情報に基づいて合焦位置を設定する。ステップS305において、スケジュール管理部11は、時刻と撮影スケジュールデータとに基づいて、現在時刻が断層画像を取得するタイミングになったか否かを判定する。制御部10aは、現在時刻が断層画像を取得するタイミングになった場合S305:YESは、ステップS306の処理に移し、現在時刻が断層画像を取得するタイミングになっていない場合S305:NOは、ステップS305の処理を続行する。ステップS306において、光干渉断層撮影装置1aは、断層画像の取得解析処理を実行する。次に、ステップS307において、スケジュール管理部11は、時計の現在時刻と撮影スケジュールデータとに基づいて、現在時刻が全体処理を終了させるタイミングになったか否かを判定する。制御部10aは、現在時刻が全体処理を終了させるタイミングになった場合S307:YESは、本フローチャートの処理を終了させ、現在時刻が全体処理を終了させるタイミングになっていない場合S307:NOは、ステップS305の処理に戻す。次に、光干渉断層撮影装置1aの断層画像の取得解析処理について説明する。この断層画像の取得解析処理は、図9におけるステップS302およびステップS306において光干渉断層撮影装置1aによって実行される処理である。図10は、光干渉断層撮影装置1aによる断層画像の取得解析処理の手順を示すフローチャートである。ステップS401において、走査制御部13aは、光学スキャナ50を初期設定するための走査制御信号を光学スキャナ50に供給する。初期設定とは、XY面における走査の開始位置に対応する角度を設定することである。ただし、走査制御部13aは、切替制御部16aからXY座標の情報が供給されている場合、このXY座標の情報に基づいて初期設定のための走査制御信号を生成して光学スキャナ50に供給する。光学スキャナ50は、走査制御部13aから供給される走査制御信号を受けて初期設定を行う。次に、ステップS402において、光源制御部12は、出射開始信号を光源20に供給する。そして、光源20は、光源制御部12から供給される出射開始信号を受けて光SLの出射を開始する。次に、ステップS403において、検出信号取得部14は、光検出部90から供給される検出信号を取り込み、この検出信号をフーリエ変換して断層画像を生成し、この断層画像を画像記憶部15に記憶させる。次に、ステップS404において、走査制御部13aの制御による光学スキャナ50の測定光MLのXY面における走査が完了した場合S404:YESはステップS405の処理に移り、走査が完了していない場合S404:NOはステップS406の処理に移る。ステップS405において、光源制御部12は、出射停止信号を光源20に供給する。そして、光源20は、光源制御部12から供給される出射停止信号を受けて光SLの出射を停止する。一方、ステップS406において、走査制御部13aは、光学スキャナ50による測定光MLのXY面における走査を行うための角度の情報を含めた走査制御信号を光学スキャナ50に供給する。光学スキャナ50は、走査制御部13aから供給される走査制御信号を受け、この走査制御信号にしたがって対物光学系61による測定光MLの被撮影物体spへの照射位置をXY面内で所定の方向に移動させる。次に、ステップS403の処理に戻る。ステップS405の処理に続くステップS407において、画像解析部18は、画像記憶部15に記憶された断層画像を読み込んで画像解析処理を行う。そして、本フローチャートの処理を終了する。次に、光干渉断層撮影装置1aがステップS302として実行する断層画像の取得解析処理におけるステップS407において、画像解析部18が実行する画像解析処理第1の画像解析処理と、この画像解析結果の判定方法と、光干渉断層撮影装置1aがステップS306として実行する断層画像の取得解析処理におけるステップS407において、画像解析部18が実行する画像解析処理第2の画像解析処理とについて説明する。第1の画像解析処理は、光干渉断層撮影装置1aが第1対物光学系61Lを用いて被撮影物体spを撮影して得た断層画像を解析する処理であり、第2の画像解析処理は、光干渉断層撮影装置1aが第2対物光学系61Hを用いて被撮影物体spを撮影して得た断層画像を解析する処理である。<第1の処理の例>画像解析部18は、第1の画像解析処理として、断層画像に写るコロニー全体の断層像から、このコロニーに含まれる幹細胞の数量を計測する。具体的には、画像解析部18は、例えば、断層画像に対して輪郭検出フィルタ処理を行ってコロニーの輪郭およびこのコロニーに含まれる幹細胞の輪郭を検出し、公知のテンプレートマッチング処理によってコロニー内部の幹細胞の数量を計測する。輪郭検出フィルタ処理としては、例えば、空間一次微分を計算するSobelフィルタを用いたフィルタ処理を適用する。または、画像解析部18は、例えば、断層画像から特徴量を抽出して、この特徴量に基づいてコロニーと幹細胞とを検出し、コロニー内部の幹細胞の数量を計測してもよい。その際、必ずしも各細胞の全体像を把握する必要はなく、例えば、細胞内の細胞核の数量を計測することで細胞の数量を計測してもよい。特徴量としては、例えば、SIFTScaleInvariantFeatureTransform特徴量を適用することができる。次に、画像解析部18は、計測した幹細胞の数量と所定の閾値とを比較し、幹細胞の数量がその閾値を超えると判定した場合に、切替制御部16aを制御する。所定の閾値は、例えば、正常な培養過程を経て成長したコロニーに含まれる幹細胞の数量を、培養期間に対応付けてあらかじめ求めておくことにより得られる。または、画像解析部18は、一定領域における幹細胞の密度を計算し、この密度が所定の閾値を超えると判定した場合に、切替制御部16aを制御してもよい。また、画像解析部18は、第1の処理における第2の画像解析処理として、断層画像に写る幹細胞の断層像を画像解析してこの幹細胞の異常の有無、成長度合い等を判定してもよい。<第2の処理の例>画像解析部18は、第1の画像解析処理として、断層画像に写るコロニー全体の断層像から、このコロニーに含まれる幹細胞において隣り合う幹細胞間の距離を計測する。具体的には、画像解析部18は、例えば、断層画像に対して輪郭検出フィルタ処理等を行ってコロニーの輪郭およびこのコロニーに含まれる幹細胞の輪郭を検出する。次に、画像解析部18は、所定の領域例えば任意の矩形領域に含まれる幹細胞において、隣り合う幹細胞間の距離の平均値を計算する。なお、画像解析部18は、細胞に含まれる細胞核間の距離の平均値を計算してもよい。そして、計算した平均値と所定の閾値とを比較し、平均値がこの閾値以下となると判定した場合に、切替制御部16aを制御する。所定の閾値は、例えば、正常な培養過程を経て成長したコロニーに含まれる幹細胞の細胞間の距離を、培養期間に対応付けてあらかじめ求めておくことにより得られる。また、画像解析部18は、第2の処理における第2の画像解析処理として、断層画像に写る幹細胞の断層像を画像解析してこの幹細胞の異常の有無、成長度合い等を判定してもよい。<第3の処理の例>画像解析部18は、第1の画像解析処理として、断層画像に写るコロニー全体の断層像から、干渉光の強度の密度分布を計測する。次に、画像解析部18は、計測した密度分布と所定の基準レベルとを比較し、密度分布においてこの基準レベルを超える領域があると判定した場合に、この基準レベルを超える領域の三次元位置の情報を取得する。この三次元位置は、例えば領域の略中心中心を含むの位置である。三次元位置の情報は、例えばXYZ座標により表される。次に、画像解析部18は、その三次元位置の情報のうちXY座標の情報を用いて走査制御部13aを制御するとともに、Z座標の情報を用いて切替制御部16aを制御する。所定の基準レベルは、異常化した幹細胞、例えば癌化した幹細胞がコロニーに含まれる場合の光の強度の密度分布をあらかじめ実験によって得ておくことにより求められる。また、画像解析部18は、第3の処理における第2の画像解析処理として、断層画像に写る、当該基準レベルを超える領域に該当する幹細胞の断層像を画像解析してこの幹細胞の状態を判定してもよい。本発明の第2実施形態である光干渉断層撮影装置1aは、第1対物光学系61Lを適用して撮影することにより得た被撮影物体spの断層画像を画像解析処理することによって、コロニー全体の様子をとらえることができる。そして、光干渉断層撮影装置1aは、そのコロニー全体の様子に応じて、第1対物光学系61Lよりも高精細な像を捕らえることができる第2対物光学系61Hに切替えて幹細胞単体の様子を詳細にとらえることができる。このように構成したことにより、本実施形態である光干渉断層撮影装置1aを適用した測定システムによれば、例えば、コロニー内部に癌化した幹細胞が存在するか否か、iPS細胞やES細胞コロニーの内部に分化した幹細胞が存在するか否か、分化させた幹細胞の中にiPS細胞やES細胞が残留しているか否か、特定の体細胞例えば心筋細胞に分化させたコロニー内に他種の分化細胞が混在しているか否か等について、評価することができる。なお、第1実施形態である光干渉断層撮影装置1の全体処理では、光干渉断層撮影装置1が、第1対物光学系61Lを用いて撮影した後、第2対物光学系61Hに切替えて撮影する例とした。これ以外に、光干渉断層撮影装置1が、第2対物光学系61Hを用いて撮影した後、第1対物光学系61Lに切替えて撮影するようにしてもよい。また、第1対物光学系61Lと第2対物光学系61Hとを交互に切替えて被撮影物体spを撮影して断層画像を得るような撮影スケジュールデータを作成し、光干渉断層撮影装置1がその撮影スケジュールデータに基づいて繰り返し対物光学系61を切替えて撮影してもよい。また、第2実施形態である光干渉断層撮影装置1aの全体処理では、光干渉断層撮影装置1aが、第1対物光学系61Lを用いて撮影した後、第2対物光学系61Hに切替えて撮影する例とした。これ以外に、光干渉断層撮影装置1aが、第2対物光学系61Hを用いて撮影した後、第1対物光学系61Lに切替えて撮影するようにしてもよい。また、光干渉断層撮影装置1aは、光学スキャナ50を備え、XY面内で測定光MLの照射位置を変位させる走査を行うようにした。これにより、光干渉断層撮影装置1aは、簡単な手順によって短時間に被測定物体spの断層画像を取得することができる。したがって、光干渉断層撮影装置1aによれば、簡単な手順によって短時間に被測定物体spの概略の断層画像および局所の詳細な断層画像を選択的にとらえることができる。なお、第1実施形態および第2実施形態では、光干渉断層撮影装置1,1aを、SD-OCTにより実現したが、これ以外にも、フーリエドメイン方式による光干渉断層撮影法FD-OCTの一種であるSS-OCTSourceSweptOpticalCoherenceTomographyにより実現してもよい。また、第1実施形態および第2実施形態では、光束分離部と光束合成部とを一体的に構成し光束分離合成部30を実現する例としてキューブビームスプリッタを示した。これ以外にも、光束分離合成部30に入射した光束を分離および合成可能な他の光学素子に置き換えてもよい。例えば、光束分離合成部30に偏光素子を用いて、光束分離部と光束合成部とを分離的に構成してもよい。また、第1実施形態および第2実施形態では、光学スキャナ50を用いて、測定光MLをX方向またはY方向に走査させるようにした。これ以外にも、例えば、光学スキャナ50を固定ミラーとし、ステージ70をX方向またはY方向に走査させるようにしてもよい。この場合、固定ミラーおよびステージ70が照射位置変更部である。また、第1実施形態および第2実施形態では、光干渉断層撮影装置1,1aを、マイケルソン干渉計の原理によって実現した。これ以外にも、本発明の技術的思想は、マハツェンダ干渉計の原理によって実現される光干渉断層撮影装置にも適用できる。以上、本発明の実施の形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はその実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計等も含まれる。"