"陽極と、発光層と、電子輸送帯域と、陰極とをこの順に備え、前記発光層は、ホストと、蛍光発光性ドーパントとを含み、前記電子輸送帯域内に、前記発光層に隣接して障壁層が設けられ、前記障壁層は、芳香族複素環誘導体を含み、前記芳香族複素環誘導体の三重項エネルギーETbeVは、前記ホストの三重項エネルギーETheVよりも大きく、前記芳香族複素環誘導体は、アジン環を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記芳香族複素環誘導体は、下記一般式1で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。上記一般式1において、HArは、置換基を有してもよい環形成原子数5~30の複素環基であり複数のHArが存在する場合はそれぞれのHArが同じでも異なっていても良く、Azは、置換基を有してもよいピリミジン、置換基を有してもよいピラジン、置換基を有してもよいピリダジン又は置換基を有してもよいトリアジンであり、Lは、単結合、置換基を有してもよい環形成炭素数6~30の芳香族炭化水素環の2~4価の残基、置換基を有してもよい環形成原子数5~30の複素環の2~4価の残基、又は前記芳香族炭化水素環及び複素環から選ばれる2~3個の環が単結合で結合してなる基の2~4価の残基であり、aは、1~3の整数であり、bは、1~3の整数である。請求項1または請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記芳香族複素環誘導体の電子移動度が、電界強度0.04MV/cm以上0.5MV/cm以下の範囲において、10-6cm2/Vs以上であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記芳香族複素環誘導体の三重項エネルギーETbeVおよび前記ホストの三重項エネルギーETheVが、ETh0.2<ETbで表される関係を満たすことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記電子輸送帯域内には、前記障壁層に隣接して電子注入層が設けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。請求項5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記電子注入層を構成する材料の電子移動度が、電界強度0.04MV/cm以上0.5MV/cm以下の範囲において、10-6cm2/Vs以上であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。請求項5または請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記電子注入層を構成する材料が、前記障壁層を構成する材料と同一であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。請求項5または請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記電子注入層を構成する材料が、前記障壁層を構成する材料と同一であり、前記電子注入層にドナーがドープされていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。請求項1から請求項8までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記蛍光発光性ドーパントは、主ピーク波長が550nm以下の蛍光発光を示し、前記蛍光発光性ドーパントの三重項エネルギーETdeVが前記ホストの三重項エネルギーETheVより大きいことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。請求項1から請求項9までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記陽極と前記発光層との間に正孔輸送帯域を備え、前記正孔輸送帯域内に、前記発光層に隣接して正孔輸送層が設けられ、前記正孔輸送層の三重項エネルギーEThoeVが、前記ホストの三重項エネルギーETheVよりも大きいことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。請求項1から請求項10までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記蛍光発光性ドーパントが、ピレン誘導体、アミノアントラセン誘導体、アミノクリセン誘導体、アミノピレン誘導体、フルオランテン誘導体およびホウ素錯体からなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。請求項1から請求項11までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記ホストが、環式構造以外に二重結合を含まない化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。請求項1から請求項12までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記蛍光発光性ドーパントが、環式構造以外に二重結合を含まない化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。陽極と、発光層と、電子輸送帯域と、陰極とをこの順に備え、前記発光層は、ホストと、蛍光発光性ドーパントとを含み、前記電子輸送帯域内に、前記発光層に隣接して障壁層が設けられ、前記障壁層は、芳香族複素環誘導体を含み、前記芳香族複素環誘導体の三重項エネルギーETbeVは、前記ホストの三重項エネルギーETheVよりも大きく、前記芳香族複素環誘導体は、アジン環を有し、電流効率cd/Aが最大となる印加電圧において、前記発光層に生成する3重項励起子同士が衝突して生成する1重項励起子由来の発光強度が、全発光強度に対して30以上であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。しかしながら、非特許文献1では、ホストのみのノンドープ素子において、三重項励起子が衝突融合することによって蛍光発光の増加が確認されたことを開示するのみであり、三重項励起子による効率の増加分は3~6と低い効果であった。非特許文献2における検討では、EELに用いたBCPを使用した素子の外部量子効率EQEは、EELにEEL-1を用いた素子に比べて数十劣った結果となっている。所定の三重項エネルギー関係を充足し、かつヘテロ原子を含む化合物BCP等を障壁層に用いて、TTF現象を効率よく引き起こし、効率の高い素子を作製するのは困難であると考えられていた。本発明の目的は、高効率で蛍光発光する有機EL素子を提供することである。本発明者らは、電子輸送帯域内の障壁層にアジン環を有する化合物を用いた場合、障壁層と電子注入層との間にアフィニティ差が存在しても効率の高い有機EL素子を作製できることを見出した。障壁層にアジン環を有する特定の化合物を用いた場合、ワイドギャップであるにも関わらず、発光層へ電子を供給する量がほとんど減少しないため、TTF現象による高効率な素子が実現された。また、電子輸送帯域が、電子注入層を含まず、前記アジン環を有する特定の化合物が電子注入層としての機能を合わせもった有機EL素子の場合でも、効率が高くなることを見出した。このような知見に基づいて、本発明者らは、以下の有機EL素子を発明した。本発明の有機EL素子は、陽極と、発光層と、電子輸送帯域と、陰極とをこの順に備え、前記発光層は、ホストと、蛍光発光性ドーパントとを含み、前記電子輸送帯域内に、前記発光層に隣接して障壁層が設けられ、前記障壁層は、芳香族複素環誘導体を含み、前記芳香族複素環誘導体の三重項エネルギーETbeVは、前記ホストの三重項エネルギーETheVよりも大きく、前記芳香族複素環誘導体は、アジン環を有することを特徴とする。前記障壁層に含まれる芳香族複素環誘導体は、アジン環を有する。具体的には下記一般式AZ-1で示されるアジン構造を有する。上記一般式AZ-1において、Xは、それぞれ独立にN窒素原子又はCRである。CRは、C炭素原子にRが結合したものを表す。上記一般式AZ-1における5つのXのうち1個以上3個以下がNである。上記一般式AZ-1における5つのXのうち2個または3個がNであることが好ましい。上記一般式AZ-1のアジン構造が、ピリミジン構造または1,3,5-トリアジン構造であることがさらに好ましい。上記一般式AZ-1において、Rは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基、またはそれらが複数連結した置換基である。本発明の有機EL素子において、前記芳香族複素環誘導体は、下記一般式BL-21で表されることが好ましい。上記一般式BL-21において、HArは、置換基を有してもよい環形成原子数5~30の複素環基であり複数のHArが存在する場合はそれぞれのHArが同じでも異なっていても良く、Azは、置換基を有してもよいピリミジン、置換基を有してもよいピラジン、置換基を有してもよいピリダジン又は置換基を有してもよいトリアジンであり、Lは、単結合、置換基を有してもよい環形成炭素数6~30の芳香族炭化水素環の2~4価の残基、置換基を有してもよい環形成原子数5~30の複素環の2~4価の残基、又は前記芳香族炭化水素環及び複素環から選ばれる2~3個の環が単結合で結合してなる基の2~4価の残基であり、aは、1~3の整数であり、bは、1~3の整数である。本発明の有機EL素子において、前記芳香族複素環誘導体の電子移動度が、電界強度0.04MV/cm以上0.5MV/cm以下の範囲において、10-6cm2/Vs以上であることが好ましい。本発明の有機EL素子において、前記芳香族複素環誘導体の三重項エネルギーETbeVおよび前記ホストの三重項エネルギーETheVが、ETh0.2<ETbで表される関係を満たすことが好ましい。本発明の有機EL素子において、前記芳香族複素環誘導体の三重項エネルギーETbeVおよび前記ホストの三重項エネルギーETheVが、ETh0.3<ETbで表される関係を満たすことが好ましい。本発明の有機EL素子において、前記芳香族複素環誘導体の三重項エネルギーETbeVおよび前記ホストの三重項エネルギーETheVが、ETh0.4<ETbで表される関係を満たすことが好ましい。本発明の有機EL素子において、前記電子輸送帯域内には、前記障壁層に隣接して電子注入層が設けられていることが好ましい。また、本発明の有機EL素子において、前記電子注入層を構成する材料の電子移動度が、電界強度0.04MV/cm以上0.5MV/cm以下の範囲において、10-6cm2/Vs以上であることが好ましい。本発明の有機EL素子において、前記蛍光発光性ドーパントは、主ピーク波長が550nm以下の蛍光発光を示し、前記蛍光発光性ドーパントの三重項エネルギーETdeVが前記ホストの三重項エネルギーETheVより大きいことが好ましい。本発明の有機EL素子において、前記陽極と前記発光層との間に正孔輸送帯域を備え、前記正孔輸送帯域内に、前記発光層に隣接して正孔輸送層が設けられ、前記正孔輸送層の三重項エネルギーEThoeVが、前記ホストの三重項エネルギーETheVよりも大きいことが好ましい。本発明の有機EL素子において、前記電子注入層を構成する材料が、前記障壁層を構成する材料と同一であることが好ましい。本発明の有機EL素子において、前記電子注入層を構成する材料が、前記障壁層を構成する材料と同一であり、前記電子注入層にドナーがドープされていることが好ましい。本発明の有機EL素子において、前記蛍光発光性ドーパントが、ピレン誘導体、アミノアントラセン誘導体、アミノクリセン誘導体、アミノピレン誘導体、フルオランテン誘導体およびホウ素錯体からなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物であることが好ましい。本発明の有機EL素子において、前記ホストが、環式構造以外に二重結合を含まない化合物であることが好ましい。本発明の有機EL素子において、前記蛍光発光性ドーパントが、環式構造以外に二重結合を含まない化合物であることが好ましい。また、本発明の有機EL素子は、陽極と、発光層と、電子輸送帯域と、陰極とをこの順に備え、前記発光層は、ホストと、蛍光発光性ドーパントとを含み、前記電子輸送帯域内に、前記発光層に隣接して障壁層が設けられ、前記障壁層は、芳香族複素環誘導体を含み、前記芳香族複素環誘導体の三重項エネルギーETbeVは、前記ホストの三重項エネルギーETheVよりも大きく、前記芳香族複素環誘導体は、アジン環を有し、電流効率cd/Aが最大となる印加電圧において、前記発光層に生成する3重項励起子同士が衝突して生成する1重項励起子由来の発光強度が、全発光強度に対して30以上であることを特徴とする。本発明によれば、TTF現象が効率的に起こり、高効率で蛍光発光する有機EL素子を提供することができる。<第一実施形態>本発明は、TTF現象を利用したものである。まず、以下にTTF現象を説明する。陽極、陰極から注入された正孔、電子は、発光層内で再結合し励起子を生成する。そのスピン状態は、従来から知られているように、一重項励起子が25、三重項励起子が75の比率である。従来から知られている蛍光素子においては、25の一重項励起子が基底状態に緩和するときに光を発するが、残りの75の三重項励起子については、光を発することなく熱的失活過程を経て基底状態に戻る。従って、従来の蛍光素子の内部量子効率の理論的限界値は、25といわれていた。一方、有機物内部で生成した三重項励起子の挙動が理論的に調べられている。S.M.BachiloらによればJ.Phys.Cem.A,104,77112000、五重項等の高次の励起子がすぐに三重項に戻ると仮定すると、三重項励起子以下、3Aと記載するの密度が上がってきたとき、三重項励起子同士が衝突し下記式のような反応が起きる。ここで、1Aは基底状態、1Aは最低励起一重項励起子を表す。3A3A→4/91A1/91A13/93Aすなわち、53A→41A1Aとなり、当初生成した75の三重項励起子のうち、1/520が一重項励起子に変化することが予測されている。従って、光として寄与する一重項励起子は、当初生成する25分に75×1/5=15を加えた40ということになる。このとき、全発光強度中に占めるTTF由来の発光比率TTF比率は、15/40、すなわち37.5となる。また、当初生成した75の三重項励起子のお互いが衝突して一重項励起子が生成した2つの三重項励起子から1つの一重項励起子が生成したとすると、当初生成する一重項励起子25分に75×1/2=37.5を加えた62.5という非常に高い内部量子効率が得られることとなる。このとき、TTF比率は、37.5/62.5=60となる。図1は、本発明の第一実施形態の一例を示す有機EL素子の概略構成図である。図2は、第一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層および電子輸送帯域における三重項エネルギーの関係を示す図である。なお、本発明で三重項エネルギーは、最低励起三重項状態におけるエネルギーと基底状態におけるエネルギーの差をいい、一重項エネルギーエネルギーギャップという場合もある。は、最低励起一重項状態におけるエネルギーと基底状態におけるエネルギーの差をいう。図1に示す有機EL素子1は、陽極10側から順に、正孔輸送帯域60、発光層20、障壁層30、電子注入層40および陰極50を備える。本発明の有機EL素子では、これらが互いに隣接している。電子輸送帯域70は、障壁層30と電子注入層40とで構成される。陽極10と発光層20との間に正孔輸送帯域60が設けられていることが好ましい。正孔輸送帯域には、正孔注入層および正孔輸送層の少なくともいずれかが含まれる。なお、本発明において単に障壁層といったときは、三重項エネルギーに対する障壁機能を有する層をいう。したがって、正孔障壁層や電荷障壁層とはその機能が異なるものである。なお、本発明においては、電子輸送帯域が、電子注入層を含まず、アジン環を有する特定の化合物が電子注入層としての機能を合わせもった場合でもよい。そのため、このような場合には、図1に示された有機EL素子1において電子輸送帯域70が障壁層30だけで構成され、障壁層30と陰極50とが隣接する構成であってもよい。発光層は、ホストおよびドーパントを含む。ドーパントとしては、主ピーク波長が550nm以下の蛍光発光を示すドーパント以下、主ピーク波長550nm以下の蛍光発光性ドーパントともいうが好ましい。主ピーク波長とは、濃度10-5モル/リットル以上10-6モル/リットル以下のトルエン溶液中で測定した発光スペクトラムにおける発光強度が最大となる発光スペクトルのピーク波長をいう。主ピーク波長550nmとは、緑色発光程度に相当し、当該波長領域では、TTF現象を利用した蛍光発光素子の発光効率の向上が望まれる。また、480nm以下の青色発光を示す蛍光発光素子においては、より高い発光効率の向上が期待できる。なお、550nm以上の赤色発光については、内部量子効率の高いリン光発光素子が既に実用水準にあることから、蛍光素子として発光効率の向上は望まれていない。図2において、陽極から注入された正孔は、正孔輸送帯域を通して発光層へ注入され、陰極から注入された電子は、電子注入層および障壁層を通して発光層へ注入される。その後、発光層で正孔と電子が再結合し、一重項励起子と三重項励起子が生成する。再結合は、ホスト分子上で起こる場合と、ドーパント分子上で起こる場合の2通りがある。本実施形態では、図2に示されるように、ホスト、ドーパントの三重項エネルギーをそれぞれETh、ETdとするとき、ETh<ETdの関係を満たす。この関係を満たすことにより、さらに、図3に示されるように、ホスト上で再結合し発生した三重項励起子は、より高い三重項エネルギーを持つドーパントには移動しない。また、ドーパント分子上で再結合し発生した三重項励起子は、速やかにホスト分子にエネルギー移動する。すなわち、ホストの三重項励起子がドーパントに移動することなくTTF現象によって効率的にホスト上で三重項励起子同士が衝突することで一重項励起子が生成される。さらに、ドーパントの一重項エネルギーESdは、ホストの一重項エネルギーEShより小さいため、すなわち、次の関係ESd<EShを満たすため、TTF現象によって生成された一重項励起子は、ホストからドーパントへエネルギー移動し、ドーパントの蛍光性発光に寄与する。本来、蛍光型素子に用いられるドーパントにおいては、励起三重項状態から基底状態への遷移は禁制であり、このような遷移では三重項励起子は、光学的なエネルギー失活をせず、熱的失活を起こしていた。しかし、ホストとドーパントの三重項エネルギーの関係を上記のようにすることにより、三重項励起子が熱的失活を起こす前に、互いの衝突により効率的に一重項励起子を生成できる。その結果、発光効率が向上することになる。本発明では、障壁層は、発光層に隣接する。障壁層は、発光層で生成する三重項励起子が電子輸送帯域へ拡散することを防止し、三重項励起子を発光層内に閉じ込めることによって三重項励起子の密度を高め、TTF現象を効率よく引き起こす機能を有する。また、障壁層は、発光層へ効率よく電子を注入する役割も担っている。発光層への電子注入性が下がる場合、発光層における電子-正孔の再結合が減ることで、三重項励起子の密度が小さくなる。三重項励起子の密度が小さくなると、三重項励起子の衝突頻度が減り、効率よくTTF現象が起きない。本発明者らは、障壁層にアジン環を有する芳香族複素環誘導体を含むことにより、光学エネルギーギャップが大きな化合物であっても、電子注入層からの電子注入を受ける機能を有し、さらに電子輸送を担うことを見出した。また、青色用の蛍光ホスト材料に対しても、前記アジン環を有する芳香族複素環誘導体から容易に電子注入が起こることを見出した。従来、アフィニティの小さい化合物を電子輸送層として使用すると、素子の高電圧化を招くと考えられていたが、本発明の有機EL素子では、隣接層からの電子注入、また、発光層への電子注入が円滑に行われることにより、有機EL素子の高電圧化を伴うことなく、発光層に電子が注入され、効率よくTTF現象を発現できることを見出した。図4に第一実施形態に係る有機EL素子のエネルギーバンド図の一例を示す。図4に示されているように、第一実施形態の有機EL素子は、電子注入層のアフィニティAeが障壁層のアフィニティAbよりも大きい。前記障壁層に含まれる芳香族複素環誘導体は、アジン環を有する。具体的には下記一般式AZ-1で示されるアジン構造を有する。上記一般式AZ-1において、Xは、それぞれ独立にN窒素原子又はCRである。CRは、C炭素原子にRが結合したものを表す。上記一般式AZ-1における5つのXのうち1個以上3個以下がNである。上記一般式AZ-1における5つのXのうち2個または3個がNであることが好ましい。上記一般式AZ-1のアジン構造が、ピリミジン構造または1,3,5-トリアジン構造であることがさらに好ましい。上記一般式AZ-1において、Rは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基、またはそれらが複数連結した置換基である。また、障壁層に含まれる芳香族複素環誘導体であって、アジン環を有する化合物として、好ましくは、下記一般式BL-21で表される化合物が挙げられる。上記一般式BL-21において、HArは、置換もしくは無置換の環形成原子数5~30の複素環基であり、複数のHArが存在する場合はそれぞれのHArが同じでも異なっていても良い。HArは、置換もしくは無置換の環形成原子数6~30の複素環基であることが好ましい。上記一般式BL-21において、Azは、置換もしくは無置換のアジンであり、好ましくは置換もしくは無置換のピリミジン、置換もしくは無置換のピラジン、置換もしくは無置換のピリダジン、または置換もしくは無置換のトリアジンである。上記一般式BL-21において、Lは、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30の芳香族炭化水素環の2~4価の残基、置換もしくは無置換の環形成原子数5~30の複素環の2~4価の残基、または前記芳香族炭化水素環及び複素環から選ばれる2~3個の環が単結合で結合してなる基の2~4価の残基である。ここで、Lは、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレン基、または置換もしくは無置換のフェナントレン基であることが好ましい。化合物として十分に大きな三重項エネルギーをもち、効率的にTTFを起こし高効率な有機EL素子を実現することができるためである。上記一般式BL-21において、aは、1~3の整数であり、bは、1~3の整数である。Azは、好ましくは下記式BL-21-1で表される構造である。上記式BL-21-1において、3つのXのうち少なくとも一つはNであり、残りはCArである。好ましくは、上記式BL-21-1において、3つのXのうち2つ以上はNである。上記式BL-21-1において、Arは、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、または置換もしくは無置換の環形成原子数5~30の複素環基のいずれかより選ばれる。上記式BL-21-1において、Ar1、Ar2およびAr3は、それぞれ独立して、一般式BL-21におけるLと結合する単結合、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、または置換もしくは無置換の環形成原子数5~30の複素環基のいずれかより選ばれる。上記一般式BL-21において、HArは、好ましくは、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のピリミジニル基、置換もしくは無置換のピラジニル基、置換もしくは無置換のピリダジニル基、置換もしくは無置換のトリアジニル基、置換もしくは無置換のキノリニル基、置換もしくは無置換のイソキノリニル基、置換もしくは無置換のキノキサリニル基、または式BL-21-2に列挙される複素環基である。上記式BL-21において、HArとしては、下記式BL-21-2で表される構造が好ましい。式BL-21-2において、Yは、O、S、NR ́またはCR ́R ́であり、Zは、NまたはCR ́である。各複素環にYが複数含まれる場合には、複数のYは、同一でも異なっていてもよい。各複素環にZが複数含まれる場合には、複数のZは、同一でも異なっていてもよい。また、各複素環基にR ́が複数含まれる場合には、R ́は、同一でも異なっていてもよい。各複素環においてR ́の一つは、Lとの結合部位として用いられ、残りのR ́は、それぞれ独立して水素原子、フッ素原子、置換もしくは無置換の炭素数1~10のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~8のシクロアルキル基、炭素数3~30の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~20のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、または置換もしくは無置換の環形成原子数5~30の複素環基である。上記式BL-21において、HArとしては、特に下記式BL-21-3で表される構造が好ましい。上記一般式BL-21で表される化合物において、HArが下記式BL-21-3で表される構造を有すると、効率的にTTFを起こし、高効率な有機EL素子を実現することができる。上記式BL-21-3において、Yは、O、S、又はNR ́である。上記式BL-21-3において、Zは、NまたはCR ́であり、Zは、同一でも異なっていてもよい。また、複数のZにR ́が含まれる場合には、R ́は、同一でも異なっていてもよい。R ́の一つは、Lとの結合部位として用いられ、残りのR ́は、それぞれ独立して水素原子、フッ素原子、置換もしくは無置換の炭素数1~10のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~8のシクロアルキル基、炭素数3~30の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~20のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、または置換もしくは無置換の環形成原子数5~30の複素環基である。上記式BL-21-3において、複数のZのうち一つが、CR ́であり、R ́が、環形成原子数5~30の複素環基である場合において、この複素環基は、カルバゾリル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基が好ましい。このように、複数のZのうち一つのCR ́におけるR ́をカルバゾリル基、ジベンゾチオフェニル基及びジベンゾフラニル基の中から選択することで、効率良くTTFを起こすことができ、高効率な有機EL素子を実現することができる。さらに好ましくは、上記式BL-21-3において、すべてのZが、CR ́であって、R ́が水素原子、炭素数1~4のアルキル基、又は環形成炭素数6~12のアリール基であることが好ましい。この場合、発光層への電子注入が促進され、高い効率を維持しつつ低電圧で駆動可能な有機EL素子を実現することができる。上式BL-21において、HArとしては、カルバゾリル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基が好ましい。HArをカルバゾリル基、ジベンゾチオフェニル基及びジベンゾフラニル基の中から選択することで、発光層への電子注入が促進され、高い効率を維持しつつ低電圧で駆動可能な有機EL素子を実現することができる。また、上式BL-21におけるHArとしては、特に下記式BL-21-4に列挙される構造が好ましい。上記一般式BL-21で表される化合物において、HArが下記式BL-21-4で表される構造を有すると、効率的にTTFを起こし、高効率な有機EL素子を実現することができる。上記式BL-21-4において、Yは、O、S、NR ́またはCR ́R ́である。上記式BL-21-4において、Zは、NまたはCR ́である。各複素環基にYもしくはZが複数含まれる場合には、YもしくはZは同一でも異なっていてもよい。また、各複素環基にR ́が複数含まれる場合には、R ́は同一でも異なっていてもよい。各複素環において、R ́の一つは、Lとの結合部位として用いられ、残りのR ́は、それぞれ独立して水素原子、フッ素原子、置換もしくは無置換の炭素数1~10のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~8のシクロアルキル基、炭素数3~30の置換シリル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~20のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、または置換もしくは無置換の環形成原子数5~30の複素環基である。上記式BL-21-4において、複数のYのうち少なくとも一つは、OまたはSであることが好ましい。Yのうち少なくとも一つがOまたはSであることにより、適切な移動度の化合物となり、効率的にTTFを起こすことができ、高効率な有機EL素子を実現することができる。上記式BL-21において、aは、好ましくは1または2の整数であり、bは、好ましくは1または2の整数である。上記アリール基とは、好ましくはフェニル基、ビフェニル基、o-ターフェニル基、m-ターフェニル基、p-ターフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、クリセニル基、ベンゾフェナントレニル基、ベンゾクリセニル基、ベンズアントリル基、トリフェニル基、フルオランテニル基、ベンゾフルオランテニル基、フルオレニル基などであり、さらに好ましくはフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基である。より好ましい上記アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基である。このようなアリール基とすることで、化合物として十分に大きな三重項エネルギーをもち、効率的にTTFを起こし、高効率な有機EL素子を実現することができる。HAr以外で上記にある複素環基としては、好ましくはピリジニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、インドリル基、キノリニル基、アクリジニル基、ピロリジニル基、ジオキサニル基、ピペリジニル基、モルフォリル基、ピペラジニル基、カルバゾリル基、フラニル基、チオフェニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、トリアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、イミダゾピリジル基、ベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基等が挙げられる。本発明のアジン環を有する芳香族複素環誘導体に関して、障壁層材料の分子中の双極子モーメントが大きい場合、青色蛍光発光層との接合に際して、障壁層材料の電子伝導準位が深くなる方向へエネルギー準位のシフトが起こると考えられる。このシフトにより、電子伝導準位が深い準位を取るようになると、障壁層から青色蛍光発光層への電子注入に際してエネルギー障壁が生じるようになり、素子の駆動電圧が高くなると考えられる。このため、より低電圧で有機EL素子を駆動させるためには、障壁層材料の分子の双極子モーメントが小さい方が好ましい。アジン環を有する芳香族複素環誘導体の三重項エネルギーT1は、2.0eVよりも大きいことが好ましく、2.3eVよりも大きいことがさらに好ましい。このような三重項エネルギーT1とすることで、障壁層の機能が強化される。障壁層が、6環以上の環構造を有する芳香族複素環誘導体を含んでいることが好ましい。その結果、会合状態が形成されず、電子注入層からの電子の供給が十分に行われることで発光層内の励起子密度が向上し、TTF現象によって発光効率が向上すると考えられる。環構造が5個以下である場合、その小さい分子サイズにより、薄膜形成時の膜安定性が低い。このことは、これらの化合物を障壁層として用いた場合、障壁層と電子注入層との界面の状態が変化し易く、結果として局所的な分子同士の会合状態をもたらすことを意味する。このような会合状態による界面の状態変化により、電子注入層からの電子の供給が阻害されることが考えられる。前記芳香族複素環誘導体の環構造の数え方について説明する。本願における環構造1個とは、非金属原子同士による共有結合で形成される環を、同一分子内に1個有しているものをいう。特に、縮合環基の場合は、縮合している環構造の数を、その縮合環基の環構造の数とする。例えば、ナフタレン環の環構造は2環であり、ジベンゾフラン環の環構造は3環となる。また、次の化学式1に示される芳香族複素環誘導体の環構造は、10個となる。また、次の化学式2に示されるBAlqのような錯体の場合は、金属に対して直接的又は元素を介して間接的に結合する芳香環構造およびヘテロ環構造も環構造として数える。そうすると、BAlqは、環構造が6個となる。次の化学式3に示されるBphenの環構造は、5個となる。また、電子注入層に用いられる化合物としては、下記一般式EIL-1で表される化合物が挙げられる。一般式EIL-1において、HAr1は、置換もしくは無置換の含窒素複素環基であり、好ましくは下記式の構造である。一般式EIL-1におけるHAr1の置換基としては、フッ素原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3~20のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数8~30のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6~30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30の複素環基などが挙げられる。一般式EIL-1において、Ar1は、置換もしくは無置換の環形成炭素数10~30の縮合環基であり、好ましくは下記の縮合環構造を有する物である。一般式EIL-1におけるAr1の置換基としては、フッ素原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3~20のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数8~30のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6~30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30の複素環基などが挙げられる。一般式EIL-1においてL1は、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のab価の炭化水素環基、置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のab価の複素環基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30の炭化水素環基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30の複素環基が複数連結して形成されるab価の基を示す。一般式EIL-1におけるL1の置換基としては、フッ素原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数3~20のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数8~30のアリールシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30の複素環基などが挙げられる。一般式EIL-1においてaは、1~3の整数であり、好ましくは、a=1である。一般式EIL-1においてbは、1~3の整数であり、好ましくは、b=1である。また、電子注入層に用いられる化合物としては、下記一般式EIL-2で表される化合物が挙げられる。一般式EIL-2において、R101~R108のうち1つは単結合でL2と結合し、他は水素原子又は置換基である。一般式EIL-2におけるR101~R108の置換基としては、前記一般式EIL-1で挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは炭素数1~20のアルキル基又は環形成炭素数6~30のアリール基である。一般式EIL-2において、L2は、単結合もしくは連結基を表し、連結基はc価の芳香族炭化水素基もしくは、下記一般式EIL-2-1により示される構造を有するc価の基である。一般式EIL-2-1において、R109~R110は、水素原子または置換基である。一般式EIL-2-1において、d及びeは、それぞれ独立に1~5の整数である。一般式EIL-2-1において、Xは、下記式に示される構造より選ばれる。一般式EIL-2において、cは2~4の整数であり、好ましくはcは2である。一般式EIL-2で示された化合物の内、好ましくは、R101においてL2と結合した下記の一般式EIL-2-2で示される化合物である。一般式EIL-2-2において、R102~R107は水素原子又は置換基であり、好ましくは水素原子である。一般式EIL-2-2において、c及びL2は上記一般式EIL-2と同様である。一般式EIL-2-2において、cは、好ましくは2である。一般式EIL-2-2において、L2は、好ましくは置換もしくは無置換のフェニレン基又は置換もしくは無置換のナフチレン基である。一般式EIL-2-2において、Ar108は、水素原子、炭素数1~20のアルキル基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基であり、さらに好ましくは、メチル基、t-ブチル基、置換もしくは無置換のフェニル基または置換もしくは無置換のナフチル基である。さらに、TTF現象を効率的に起こすための条件を、ホストとドーパントのアフィニティの関係に着目して説明する。以下では、ホストのアフィニティをAh、ドーパントのアフィニティをAd、ホストのイオン化ポテンシャルをIh、ドーパントのイオン化ポテンシャルをIdと記載する。ここで、以下のように場合分けして説明する。[1]Ah>Adの場合[2]Ah<Adの場合[3]Ah<Adを満たすドーパントとAh>Adを満たすドーパントとが共存する場合[1]Ah>Adの場合まず、Ah>Adという関係を満たす場合について説明する。本実施形態で用いるドーパントは、主ピーク波長が550nm以下の蛍光発光を示すドーパント以下、主ピーク波長550nm以下の蛍光発光性ドーパントともいうであり、エネルギーギャップは、比較的大きくなる。したがって、Ah>Adという関係を満たすとき、同時にIh>Idという関係を満たす。そのため、ドーパントは、正孔トラップとして機能し易くなる。このときの発光層におけるホストとドーパントのIp-Afの関係を、例として図5に示す。図5において、発光層の斜線部分は、励起子密度分布を示す。図6~図8についても同様である。なお、図5においては、Ah>Ab>Aeの場合における関係が示されている。ホストとのイオン化ポテンシャル差が大きくなると、ドーパントは、正孔トラップ性を有するようになり、三重項励起子は、ホスト分子上ばかりではなく、直接ドーパント分子上でも生成されるようになる。その結果、直接ドーパント上で生成する三重項励起子が多くなる。ETh<ETdという関係になっていれば、ドーパント分子上の三重項励起子エネルギーは、デクスターエネルギー移動により、ホスト分子上に移り、結果としてすべての三重項励起子がホスト上に集まる。その結果、効率よくTTF現象が起きるようになる。本発明において、正孔輸送帯域内に、発光層に隣接して正孔輸送層が設けられ、正孔輸送層の三重項エネルギーEThoが、ホストの三重項エネルギーEThよりも大きいことが好ましい。ドーパントが正孔トラップ性を有する場合には、正孔輸送帯域から発光層に注入された正孔は、ドーパントにトラップされる。そのため、再結合は、発光層中の陽極側で多く起きるようになる。従来知られている正孔輸送帯域に用いる正孔輸送材料の三重項エネルギーは、もともとホストの三重項エネルギーより大きな場合が多く、正孔側における三重項励起子の拡散は、問題となっていなかった。一方、陽極側で多く再結合が起きているとはいえ、電子輸送帯域界面での三重項励起子の密度も無視できず、このような状況においても、障壁層の三重項エネルギーを大きくすることで高効率化を図ることができるようになる。また、再結合領域を決める他の要因としては、正孔輸送帯域や電子輸送帯域のキャリア移動度やイオン化ポテンシャル、アフィニティ、さらには膜厚がある。例えば、正孔輸送帯域よりも電子輸送帯域の膜厚が大きい場合には相対的には発光層への電子注入量が小さくなり、その結果、再結合領域が電子輸送帯域側へ偏る。このような場合に、本願のように三重項エネルギーの大きな障壁層を用いると、TTF現象をより効率的に起こすことが可能となる。以上のようなアフィニティの関係を満たすホストとドーパントとしては、例えば、以下の化合物から選択できる特開2010-50227号公報特願2008-212102等参照。ホストは、アントラセン誘導体、多環芳香族骨格含有化合物、好ましくはアントラセン誘導体である。ドーパントは、ピレン誘導体、アミノアントラセン誘導体、アミノクリセン誘導体、およびアミノピレン誘導体からなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物である。ホストとドーパントとの組み合わせの好ましい例としては、ホストとしてのアントラセン誘導体と、ドーパントとして、ピレン誘導体、アミノアントラセン誘導体、アミノクリセン誘導体、およびアミノピレン誘導体からなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物の組み合わせである。具体的なアミノアントラセン誘導体の例として以下の式4で表される化合物が挙げられる。式4中、A1およびA2は、それぞれ独立に置換基を有してもよい炭素数1~6の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい環形成炭素数6~20の芳香族炭化水素基、又は窒素、又は硫黄又は酸素原子を含む置換基を有してもよい環形成原子数5~19の複素芳香族炭化水素基である。A3は、それぞれ独立に置換基を有してもよい炭素数1~6の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい環形成炭素数6~20の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい環形成原子数5~19の複素芳香族炭化水素基又は水素原子である。この複素芳香族炭化水素基は、窒素、硫黄又は酸素原子を含む。具体的なアミノクリセン誘導体の例として以下の式5で表される化合物が挙げられる。式5中、X1~X10は、それぞれ水素原子又は置換基であり、Y1,Y2は、それぞれ置換基である。好ましくは、X1~X10は、水素原子である。好ましくは、Y1,Y2は、置換基を有してもよい環形成炭素数6~30の芳香族環である。この芳香族環の置換基として、好ましくは、炭素数1~6のアルキル基である。また、この芳香族環として、環形成炭素数6~10の芳香族環又はフェニル基が好ましい。具体的なアミノピレン誘導体の例として以下の式6で表される化合物が挙げられる。式6中、X1~X10は、それぞれ水素原子又は置換基であり、ただし、X3とX8又はX2とX7が、それぞれ-NY1Y2Y1,Y2は置換基であるである。好ましくは、X3とX8がそれぞれ-NY1Y2であるとき、X2,4,5,7,9,10は、水素原子であり、X1,X6は水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基である。好ましくは、X2とX7がそれぞれ-NY1Y2であるとき、X1,3-6,8-10は、水素原子である。好ましくは、Y1,Y2は、置換基を有してもよい芳香族環であって、例えば、フェニル基やナフチル基である。この芳香族環の置換基としては、例えば、炭素数1~6のアルキル基が挙げられる。アントラセン誘導体は、下記式7で表される化合物が好ましい。式7中、Ar11およびAr12は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい環形成炭素数6~50のアリール基、又は環形成原子数5~50の複素環基であり、R1~R8は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよい環形成炭素数6~50のアリール基、置換基を有してもよい環形成原子数5~50の複素環基、置換基を有してもよい炭素数1~50のアルキル基、置換基を有してもよい環形成炭素数3~50のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数1~50のアルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数7~50のアラルキル基、置換基を有してもよい環形成炭素数6~50のアリールオキシ基、置換基を有してもよい環形成炭素数6~50のアリールチオ基、置換基を有してもよい炭素数2~50のアルコキシカルボニル基、置換基を有してもよいシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基およびヒドロキシル基から選ばれる基である。これらのアントラセン誘導体の中でも、下記アントラセン誘導体A、B、およびCのいずれかであることが好ましく、適用する有機EL素子の構成や求める特性により選択される。アントラセン誘導体A当該アントラセン誘導体は、式7におけるAr11およびAr12が、それぞれ独立に、置換基を有してもよい環形成炭素数10~50の縮合アリール基となっている。当該アントラセン誘導体としては、Ar11およびAr12が同一の置換基を有してもよい縮合アリール基である場合、および異なる置換基を有してもよい縮合アリール基である場合に分けることができる。具体的には、下記式7-1~7-3で表されるアントラセン誘導体、および式7におけるAr11およびAr12が異なる置換基を有してもよい縮合アリール基であるアントラセン誘導体が挙げられる。下記式7-1で表されるアントラセン誘導体は、Ar11およびAr12が、置換基を有してもよい9-フェナントレニル基となっている。式7-1中、R1~R8は前記と同様であり、R11は、水素原子、置換基を有してもよい環形成炭素数6~50のアリール基、置換基を有してもよい環形成原子数5~50の複素環基、置換基を有してもよい炭素数1~50のアルキル基、置換基を有してもよい環形成炭素数3~50のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数1~50のアルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数7~50のアラルキル基、置換基を有してもよい環形成炭素数6~50のアリールオキシ基、置換基を有してもよい環形成炭素数6~50のアリールチオ基、置換基を有してもよい炭素数2~50のアルコキシカルボニル基、置換基を有してもよいシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基およびヒドロキシル基から選ばれる基であり、aは、0~9の整数である。aが2以上の整数の場合、複数あるR11は、2つの置換基を有してもよいフェナントレニル基が同一であることを条件に、それぞれが同一でも異なっていてもよい。下記式7-2で表されるアントラセン誘導体は、式7におけるAr11およびAr12が、置換基を有してもよい2-ナフチル基となっている。式7-2中、R1~R8およびR11は前記と同様であり、bは1~7の整数である。bが2以上の整数の場合、複数あるR11は、2つの置換基を有してもよい2-ナフチル基が同一であることを条件に、それぞれが同一でも異なっていてもよい。下記式7-3で表されるアントラセン誘導体は、式7におけるAr11およびAr12が、置換基を有してもよい1-ナフチル基となっている。式7-3中、R1~R8、R11およびbは、前記と同様である。また、bが2以上の整数の場合、複数あるR11は、2つの置換基を有してもよい1-ナフチル基が同一であることを条件に、それぞれが同一でも異なっていてもよい。式7におけるAr11およびAr12が異なる置換基を有してもよい縮合アリール基であるアントラセン誘導体としては、Ar11およびAr12が、置換基を有してもよい9-フェナントレニル基、置換基を有してもよい1-ナフチル基および置換基を有してもよい2-ナフチル基のいずれかであることが好ましい。具体的には、Ar11が1-ナフチル基、およびAr12が2-ナフチル基である場合、Ar11が1-ナフチル基およびAr12が9-フェナントリル基である場合、並びにAr11が2-ナフチル基およびAr12が9-フェナントリル基である場合である。アントラセン誘導体B当該アントラセン誘導体は、式7におけるAr11およびAr12の一方が置換基を有してもよいフェニル基であり、他方が置換基を有してもよい環形成炭素数10~50の縮合アリール基となっている。当該アントラセン誘導体としては、具体的には、下記式7-4および7-5で表されるアントラセン誘導体が挙げられる。下記式7-4で表されるアントラセン誘導体は、式7におけるAr11が置換基を有してもよい1-ナフチル基であり、Ar12が、置換基を有してもよいフェニル基となっている。式7-4中、R1~R8、R11およびbは、前記と同様であり、Ar6は、置換基を有してもよい環形成炭素数6~50のアリール基、置換基を有してもよい炭素数1~50のアルキル基、置換基を有してもよい環形成炭素数3~50のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数7~50のアラルキル基、置換基を有してもよい環形成原子数5~50の複素環基、9,9-ジメチルフルオレン-1-イル基、9,9-ジメチルフルオレン-2-イル基、9,9-ジメチルフルオレン-3-イル基、9,9-ジメチルフルオレン-4-イル基、ジベンゾフラン-1-イル基、ジベンゾフラン-2-イル基、ジベンゾフラン-3-イル基、又はジベンゾフラン-4-イル基である。また、Ar6は、それが結合しているベンゼン環と共に、置換基を有してもよいフルオレニル基や置換基を有してもよいジベンゾフラニル基等の環を形成していてもよい。bが2以上の整数の場合、複数あるR11は、それぞれが同一でも異なっていてもよい。下記式7-5で表されるアントラセン誘導体は、式7におけるAr11が置換基を有してもよい2-ナフチル基であり、Ar12が、置換基を有してもよいフェニル基となっている。式7-5中、R1~R8、R11およびbは前記と同様であり、Ar7は、置換基を有してもよい環形成炭素数6~50のアリール基、置換基を有してもよい環形成原子数5~50の複素環基、置換基を有してもよい炭素数1~50のアルキル基、置換基を有してもよい環形成炭素数3~50のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数7~50のアラルキル基、ジベンゾフラン-1-イル基、ジベンゾフラン-2-イル基、ジベンゾフラン-3-イル基、又はジベンゾフラン-4-イル基である。また、Ar7はそれが結合しているベンゼン環と共に、置換基を有してもよいフルオレニル基や置換基を有してもよいジベンゾフラニル基等の環を形成していてもよい。bが2以上の整数の場合、複数あるR11は、それぞれが同一でも異なっていてもよい。アントラセン誘導体C当該アントラセン誘導体は、下記式7-6で表され、具体的には、下記式7-6-1、7-6-2および7-6-3のいずれかで表される誘導体であることが好ましい。式7-6中、R1~R8およびAr6は、前記と同様であり、Ar5は、置換基を有してもよい環形成炭素数6~50のアリール基、置換基を有してもよい炭素数1~50のアルキル基、置換基を有してもよい環形成炭素数3~50のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数7~50のアラルキル基、又は置換基を有してもよい環形成原子数5~50の複素環基であり、Ar5とAr6は、それぞれ独立に選択される。式7-6-1中、R1~R8は、前記と同様である。式7-6-2中、R1~R8は、前記と同様である。Ar8は、置換基を有してもよい環形成炭素数10~20の縮合アリール基である。式7-6-3中、R1~R8は、式7と同様である。Ar5aおよびAr6aは、それぞれ独立に、置換基を有してもよい環形成炭素数10~20の縮合アリール基である。R1~R8、R11、Ar5~Ar7、Ar11およびAr12の置換基を有してもよい環形成炭素数6~50のアリール基としては、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントリル基、2-アントリル基、9-アントリル基、1-フェナントリル基、2-フェナントリル基、3-フェナントリル基、4-フェナントリル基、9-フェナントリル基、1-ナフタセニル基、2-ナフタセニル基、9-ナフタセニル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、6-クリセニル基、1-ベンゾ[c]フェナントリル基、2-ベンゾ[c]フェナントリル基、3-ベンゾ[c]フェナントリル基、4-ベンゾ[c]フェナントリル基、5-ベンゾ[c]フェナントリル基、6-ベンゾ[c]フェナントリル基、1-ベンゾ[g]クリセニル基、2-ベンゾ[g]クリセニル基、3-ベンゾ[g]クリセニル基、4-ベンゾ[g]クリセニル基、5-ベンゾ[g]クリセニル基、6-ベンゾ[g]クリセニル基、7-ベンゾ[g]クリセニル基、8-ベンゾ[g]クリセニル基、9-ベンゾ[g]クリセニル基、10-ベンゾ[g]クリセニル基、11-ベンゾ[g]クリセニル基、12-ベンゾ[g]クリセニル基、13-ベンゾ[g]クリセニル基、14-ベンゾ[g]クリセニル基、1-トリフェニル基、2-トリフェニル基、2-フルオレニル基、9,9-ジメチルフルオレン-2-イル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、2-ビフェニルイル基、3-ビフェニルイル基、4-ビフェニルイル基、p-ターフェニル-4-イル基、p-ターフェニル-3-イル基、p-ターフェニル-2-イル基、m-ターフェニル-4-イル基、m-ターフェニル-3-イル基、m-ターフェニル-2-イル基、o-トリル基、m-トリル基、p-トリル基、p-t-ブチルフェニル基、p-2-フェニルプロピルフェニル基、3-メチル-2-ナフチル基、4-メチル-1-ナフチル基、4-メチル-1-アントリル基、4’-メチルビフェニルイル基、4-t-ブチル-p-ターフェニル-4-イル基等が挙げられる。好ましくは、無置換のフェニル基、置換フェニル基および置換基を有してもよい環形成炭素数10~14のアリール基例えば、1-ナフチル基、2-ナフチル基、9-フェナントリル基、置換基を有してもよいフルオレニル基2-フルオレニル基、および置換基を有してもよいピレニル基1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基である。また、Ar5a、Ar6aおよびAr8の置換基を有してもよい環形成炭素数10~20の縮合アリール基としては、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントリル基、2-アントリル基、9-アントリル基、1-フェナントリル基、2-フェナントリル基、3-フェナントリル基、4-フェナントリル基、9-フェナントリル基、1-ナフタセニル基、2-ナフタセニル基、9-ナフタセニル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、2-フルオレニル基等が挙げられる。特に、1-ナフチル基、2-ナフチル基、9-フェナントリル基、およびフルオレニル基2-フルオレニル基が好ましい。HAr、R1~R8、R11、Ar5~Ar7、Ar11およびAr12の置換基を有してもよい環形成原子数5~50の複素環基としては、1-ピロリル基、2-ピロリル基、3-ピロリル基、ピラジニル基、2-ピリジニル基、3-ピリジニル基、4-ピリジニル基、1-インドリル基、2-インドリル基、3-インドリル基、4-インドリル基、5-インドリル基、6-インドリル基、7-インドリル基、1-イソインドリル基、2-イソインドリル基、3-イソインドリル基、4-イソインドリル基、5-イソインドリル基、6-イソインドリル基、7-イソインドリル基、2-フリル基、3-フリル基、2-ベンゾフラニル基、3-ベンゾフラニル基、4-ベンゾフラニル基、5-ベンゾフラニル基、6-ベンゾフラニル基、7-ベンゾフラニル基、1-イソベンゾフラニル基、3-イソベンゾフラニル基、4-イソベンゾフラニル基、5-イソベンゾフラニル基、6-イソベンゾフラニル基、7-イソベンゾフラニル基、1-ジベンゾフラニル基、2-ジベンゾフラニル基、3-ジベンゾフラニル基、4-ジベンゾフラニル基、1-ジベンゾチオフェニル基、2-ジベンゾチオフェニル基、3-ジベンゾチオフェニル基、4-ジベンゾチオフェニル基、キノリル基、3-キノリル基、4-キノリル基、5-キノリル基、6-キノリル基、7-キノリル基、8-キノリル基、1-イソキノリル基、3-イソキノリル基、4-イソキノリル基、5-イソキノリル基、6-イソキノリル基、7-イソキノリル基、8-イソキノリル基、2-キノキサリニル基、5-キノキサリニル基、6-キノキサリニル基、1-カルバゾリル基、2-カルバゾリル基、3-カルバゾリル基、4-カルバゾリル基、9-カルバゾリル基、1-フェナントリジニル基、2-フェナントリジニル基、3-フェナントリジニル基、4-フェナントリジニル基、6-フェナントリジニル基、7-フェナントリジニル基、8-フェナントリジニル基、9-フェナントリジニル基、10-フェナントリジニル基、1-アクリジニル基、2-アクリジニル基、3-アクリジニル基、4-アクリジニル基、9-アクリジニル基、1,7-フェナントロリン-2-イル基、1,7-フェナントロリン-3-イル基、1,7-フェナントロリン-4-イル基、1,7-フェナントロリン-5-イル基、1,7-フェナントロリン-6-イル基、1,7-フェナントロリン-8-イル基、1,7-フェナントロリン-9-イル基、1,7-フェナントロリン-10-イル基、1,8-フェナントロリン-2-イル基、1,8-フェナントロリン-3-イル基、1,8-フェナントロリン-4-イル基、1,8-フェナントロリン-5-イル基、1,8-フェナントロリン-6-イル基、1,8-フェナントロリン-7-イル基、1,8-フェナントロリン-9-イル基、1,8-フェナントロリン-10-イル基、1,9-フェナントロリン-2-イル基、1,9-フェナントロリン-3-イル基、1,9-フェナントロリン-4-イル基、1,9-フェナントロリン-5-イル基、1,9-フェナントロリン-6-イル基、1,9-フェナントロリン-7-イル基、1,9-フェナントロリン-8-イル基、1,9-フェナントロリン-10-イル基、1,10-フェナントロリン-2-イル基、1,10-フェナントロリン-3-イル基、1,10-フェナントロリン-4-イル基、1,10-フェナントロリン-5-イル基、2,9-フェナントロリン-1-イル基、2,9-フェナントロリン-3-イル基、2,9-フェナントロリン-4-イル基、2,9-フェナントロリン-5-イル基、2,9-フェナントロリン-6-イル基、2,9-フェナントロリン-7-イル基、2,9-フェナントロリン-8-イル基、2,9-フェナントロリン-10-イル基、2,8-フェナントロリン-1-イル基、2,8-フェナントロリン-3-イル基、2,8-フェナントロリン-4-イル基、2,8-フェナントロリン-5-イル基、2,8-フェナントロリン-6-イル基、2,8-フェナントロリン-7-イル基、2,8-フェナントロリン-9-イル基、2,8-フェナントロリン-10-イル基、2,7-フェナントロリン-1-イル基、2,7-フェナントロリン-3-イル基、2,7-フェナントロリン-4-イル基、2,7-フェナントロリン-5-イル基、2,7-フェナントロリン-6-イル基、2,7-フェナントロリン-8-イル基、2,7-フェナントロリン-9-イル基、2,7-フェナントロリン-10-イル基、1-フェナジニル基、2-フェナジニル基、1-フェノチアジニル基、2-フェノチアジニル基、3-フェノチアジニル基、4-フェノチアジニル基、10-フェノチアジニル基、1-フェノキサジニル基、2-フェノキサジニル基、3-フェノキサジニル基、4-フェノキサジニル基、10-フェノキサジニル基、2-オキサゾリル基、4-オキサゾリル基、5-オキサゾリル基、2-オキサジアゾリル基、5-オキサジアゾリル基、3-フラザニル基、2-チエニル基、3-チエニル基、2-メチルピロール-1-イル基、2-メチルピロール-3-イル基、2-メチルピロール-4-イル基、2-メチルピロール-5-イル基、3-メチルピロール-1-イル基、3-メチルピロール-2-イル基、3-メチルピロール-4-イル基、3-メチルピロール-5-イル基、2-t-ブチルピロール-4-イル基、3-2-フェニルプロピルピロール-1-イル基、2-メチル-1-インドリル基、4-メチル-1-インドリル基、2-メチル-3-インドリル基、4-メチル-3-インドリル基、2-t-ブチル-1-インドリル基、4-t-ブチル-1-インドリル基、2-t-ブチル-3-インドリル基、4-t-ブチル-3-インドリル基等が挙げられる。好ましくは、1-ジベンゾフラニル基、2-ジベンゾフラニル基、3-ジベンゾフラニル基、4-ジベンゾフラニル基、1-ジベンゾチオフェニル基、2-ジベンゾチオフェニル基、3-ジベンゾチオフェニル基、4-ジベンゾチオフェニル基、1-カルバゾリル基、2-カルバゾリル基、3-カルバゾリル基、4-カルバゾリル基、9-カルバゾリル基である。R1~R8、R11およびAr5~Ar7の置換基を有してもよい炭素数1~50のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、s-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、ヒドロキシメチル基、1-ヒドロキシエチル基、2-ヒドロキシエチル基、2-ヒドロキシイソブチル基、1,2-ジヒドロキシエチル基、1,3-ジヒドロキシイソプロピル基、2,3-ジヒドロキシ-t-ブチル基、1,2,3-トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、1-クロロエチル基、2-クロロエチル基、2-クロロイソブチル基、1,2-ジクロロエチル基、1,3-ジクロロイソプロピル基、2,3-ジクロロ-t-ブチル基、1,2,3-トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、1-ブロモエチル基、2-ブロモエチル基、2-ブロモイソブチル基、1,2-ジブロモエチル基、1,3-ジブロモイソプロピル基、2,3-ジブロモ-t-ブチル基、1,2,3-トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、1-ヨードエチル基、2-ヨードエチル基、2-ヨードイソブチル基、1,2-ジヨードエチル基、1,3-ジヨードイソプロピル基、2,3-ジヨード-t-ブチル基、1,2,3-トリヨードプロピル基、アミノメチル基、1-アミノエチル基、2-アミノエチル基、2-アミノイソブチル基、1,2-ジアミノエチル基、1,3-ジアミノイソプロピル基、2,3-ジアミノ-t-ブチル基、1,2,3-トリアミノプロピル基、シアノメチル基、1-シアノエチル基、2-シアノエチル基、2-シアノイソブチル基、1,2-ジシアノエチル基、1,3-ジシアノイソプロピル基、2,3-ジシアノ-t-ブチル基、1,2,3-トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、1-ニトロエチル基、2-ニトロエチル基、2-ニトロイソブチル基、1,2-ジニトロエチル基、1,3-ジニトロイソプロピル基、2,3-ジニトロ-t-ブチル基、1,2,3-トリニトロプロピル基等が挙げられる。好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、s-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基である。R1~R8、R11およびAr5~Ar7の置換基を有してもよい環形成炭素数3~50のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、4-メチルシクロヘキシル基、1-アダマンチル基、2-アダマンチル基、1-ノルボルニル基、2-ノルボルニル基等が挙げられる。好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基である。R1~R8およびR11の置換基を有してもよい炭素数1~50のアルコキシ基は、-OZで表される基であり、Zは、前記R1~R8の置換基を有してもよい炭素数1~50のアルキル基から選択される。R1~R8、R11およびAr5~Ar7の置換基を有してもよい炭素数7~50アラルキル基アリール部分は炭素数6~49、アルキル部分は炭素数1~44としては、ベンジル基、1-フェニルエチル基、2-フェニルエチル基、1-フェニルイソプロピル基、2-フェニルイソプロピル基、フェニル-t-ブチル基、α-ナフチルメチル基、1-α-ナフチルエチル基、2-α-ナフチルエチル基、1-α-ナフチルイソプロピル基、2-α-ナフチルイソプロピル基、β-ナフチルメチル基、1-β-ナフチルエチル基、2-β-ナフチルエチル基、1-β-ナフチルイソプロピル基、2-β-ナフチルイソプロピル基、1-ピロリルメチル基、2-1-ピロリルエチル基、p-メチルベンジル基、m-メチルベンジル基、o-メチルベンジル基、p-クロロベンジル基、m-クロロベンジル基、o-クロロベンジル基、p-ブロモベンジル基、m-ブロモベンジル基、o-ブロモベンジル基、p-ヨードベンジル基、m-ヨードベンジル基、o-ヨードベンジル基、p-ヒドロキシベンジル基、m-ヒドロキシベンジル基、o-ヒドロキシベンジル基、p-アミノベンジル基、m-アミノベンジル基、o-アミノベンジル基、p-ニトロベンジル基、m-ニトロベンジル基、o-ニトロベンジル基、p-シアノベンジル基、m-シアノベンジル基、o-シアノベンジル基、1-ヒドロキシ-2-フェニルイソプロピル基、1-クロロ-2-フェニルイソプロピル基等が挙げられる。R1~R8およびR11の置換基を有してもよい環形成炭素数6~50のアリールオキシ基およびアリールチオ基は、それぞれ-OYおよびSYと表され、Yは、前記R1~R8の置換基を有してもよい環形成炭素数6~50のアリール基から選ばれる。R1~R8およびR11の置換基を有してもよい炭素数2~50アルコキシカルボニル基アルキル部分は炭素数1~49は、-COOZと表され、Zは、前記R1~R8の置換基を有してもよい炭素数1~50のアルキル基から選ばれる。R1~R8およびR11の置換シリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、t-ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。R1~R8およびR11のハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。[2]Ah<Adの場合Ah<Adとなるようなホストとドーパントとの組み合わせにすると、電子輸送帯域内に設けた障壁層の効果が顕著に現れ、TTF現象による高効率化を図ることができる。そこで、以下の[2-1]および[2-2]のように場合を分けて説明する。なお、一般に有機材料は、測定されるアフィニティレベルよりも0.2eV程度大きな範囲にLUMOレベルの広がりを持つ。[2-1]AdとAhとの差が0.2eVよりも小さな場合図6は、この場合のエネルギーバンド図の一例である。発光層内に示している点線は、ドーパントのエネルギー準位を表す。図6のように、AdとAhとの差が0.2eVよりも小さな場合、ホストのLUMOレベルの広がりの中にドーパントのLUMOレベルが入るため、発光層内を伝導する電子は、ドーパントにトラップされにくい。すなわち、このドーパントは、電子トラップ性を示しにくい。また、本発明のドーパントは、主ピーク波長550nm以下の蛍光性の光を発するワイドギャップなドーパントであるため、Ah<Adの関係を満たす場合、AdとAhとの差が0.2eV程度であるので、ホストのイオン化ポテンシャルとドーパントのイオン化ポテンシャルとの差が小さくなる。その結果、ドーパントは、顕著な正孔トラップ性を有さない傾向にある。なお、図6においては、Ah>Ab>Aeの場合における関係が示されている。また、前述の図3についても、Ah<Adであって、その差が0.2eVより小さい場合のエネルギーバンド図である。さらに、図3においては、Ah>Ab、Ae>Abの場合における関係が示されている。すなわち、この場合のドーパントは、電子、正孔のいずれにも顕著なトラップ性を有さない傾向にある。この場合、図6の発光層に付した斜線部分のように、電子-正孔の再結合は、発光層内の広い全域において主としてホスト分子上で起こり、25の一重項励起子と75の三重項励起子が主としてホスト分子上に生成する。ホスト上で生成した一重項励起子の持つエネルギーは、フェルスター型エネルギー移動によりドーパントに移動し、ドーパント分子の蛍光性発光に寄与する。一方、三重項励起子の持つエネルギーは、ホスト、ドーパントの三重項エネルギーの関係によってその行方が決まる。その関係が、ETh>ETdとなっている場合、ホストで生成した三重項励起子は、近傍に存在するドーパントにデクスター型のエネルギー移動をしてしまう。蛍光素子において発光層中のドーパント濃度は、通常数質量から20質量程度と低く、ドーパントに移った三重項励起子は、互いに衝突する頻度が小さくなりTTF現象が生じにくくなる。しかし、本実施形態のように、ETh<ETdとなっていれば、三重項励起子は、ホスト分子上に存在するため、衝突頻度が上がり効率的にTTF現象が生じ易くなる。また、本発明においては、発光層に隣接して障壁層が設けられている。障壁層の三重項エネルギーETbがホストの三重項エネルギーEThよりも大きく設定されているため、三重項励起子が電子輸送帯域へ拡散するのを防止し、発光層内で効率よくTTF現象を引き起こすことが可能となる。[2-2]AdとAhとの差が0.2eVよりも大きな場合このときのエネルギーバンド図の一例を図7に示す。ドーパントとホストとのアフィニティ差が大きくなり、ホストのLUMOレベルの広がりよりさらに高い位置にドーパントのLUMOレベルが存在することになる。そのため、ドーパントは、顕著な電子トラップ性を示す傾向が強くなる。ドーパントにトラップされた電子は、正孔がホストからドーパントに移動するのを待って再結合することになる。すなわち、図6での状況とは異なり、電子-正孔対は、ホスト分子上ばかりでなく、ドーパント分子上でも再結合するようになる。その結果、三重項励起子がホスト分子上ばかりでなく、直接ドーパント分子上でも生成するようになる。このような状況において、本実施形態のようにETh<ETdという関係であれば、直接ドーパント上で生成した三重項励起子もデクスター型エネルギー移動によりホスト上に集まるため、効率よくTTF現象が起きるようになる。このようなアフィニティの関係にある場合には、ドーパントによる電子のトラップ確率は、発光層と障壁層との界面付近程高くなり、その結果、再結合も発光層と障壁層との界面付近で多く起きるようになる。この場合、三重項励起子の障壁層による閉じ込め効果は、[2-1]の場合に比べて大きくなり、障壁層との界面における三重項励起子の密度が高くなる。なお、図7においては、Ah>Ab>Aeの場合における関係が示されている。以上のような、Ah<Adの関係を満たすホストおよびドーパントとしては、例えば、以下の化合物から選択できる特開2010-50227号公報特願2008-212102等参照。ホストとしては、アントラセン誘導体および多環芳香族骨格含有化合物、好ましくは、アントラセン誘導体が挙げられる。ドーパントとしては、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、アリールアセチレン誘導体、フルオレン誘導体、ホウ素錯体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体およびアントラセン誘導体、好ましくは、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体およびホウ素錯体、より好ましくは、フルオランテン誘導体およびホウ素錯体が挙げられる。ホストとドーパントとの組合せとしては、ホストがアントラセン誘導体であり、ドーパントがフルオランテン誘導体又はホウ素錯体である場合が好ましい。具体的なフルオランテン誘導体の例として以下の化合物が挙げられる。式8中、X1~X12は、水素又は置換基である。好ましくは、X1~X2、X4~X6及びX8~X11が水素原子であり、X3、X7及びX12が置換基を有してもよい環形成原子数5~50のアリール基である化合物である。より好ましくは、X1~X2、X4~X6及びX8~X11が水素原子であり、X7及びX12が置換基を有してもよい環形成原子数5~50のアリール基、X3が-Ar1-Ar2である化合物であり、Ar1は、置換基を有してもよい環形成原子数5~50のアリーレン基、Ar2は、置換基を有してもよい環形成原子数5~50のアリール基である。また、好ましくは、X1~X2、X4~X6及びX8~X11が水素原子であり、X7及びX12が置換基を有してもよい環形成原子数5~50のアリール基、X3が-Ar1-Ar2-Ar3である化合物であり、Ar1及びAr3は、それぞれ、置換基を有してもよい環形成原子数5~50のアリーレン基、Ar2は、置換基を有してもよい環形成原子数5~50のアリール基である。具体的なホウ素錯体化合物の例として以下の化合物が挙げられる。式9中、A及びA’は、少なくとも1つの窒素を含有する6員芳香族環系に相当する独立したアジン環系を表わし、Xa及びXbは、各々独立に選ばれた置換基であって、その2つが連結することによりそれぞれ環A又は環A’に対して縮合環を形成するものを表わし、その際、該縮合環はアリール又はヘテロアリール置換基を含み、m及びnは、各々独立に0~4を表わし、Za及びZbは、各々独立に選ばれたハロゲン化物を表わし、そして1、2、3、4、1’、2’、3’及び4’は、各々独立に選ばれた炭素原子又は窒素原子を表わす。望ましくは、該アジン環は、1、2、3、4、1’、2’、3’及び4’がすべて炭素原子であり、m及びnが2以上であり、そしてXa及びXbが連結して芳香族環を形成する炭素原子数2以上の置換基を表わすような、キノリニル又はイソキノリニル環である。Za及びZbはフッ素原子であることが望ましい。[2]の場合のホストとしてのアントラセン誘導体は、上記[1]Ah>Adの場合で説明したものと同様である。[3]Ah<Adを満たすドーパントとAh>Adを満たすドーパントとが共存する場合図8は、発光層にAh<Adを満たすドーパントとAh>Adを満たすドーパントの双方が含まれる場合のエネルギーバンド図の一例を示している。このような場合には、電子、正孔のいずれもほどよくトラップされ、結果として発光層内全域で再結合が起きる。したがって、陰極側においても多く再結合が起きており、三重項エネルギーの大きな障壁層を設けることにより、効率よくTTF現象が起きるようになる。なお、図8においては、Ah>Ab>Aeの場合における関係が示されている。本発明では、発光層と障壁層との界面における励起子密度が大きい。この場合、発光層内で再結合に寄与しなかった正孔が障壁層内へ注入される確率が大きくなる。そのため、障壁層に用いる材料としては、上記芳香族複素環誘導体の中でも酸化耐久性に優れる材料であることが好ましい。障壁層材料は、サイクリックボルタンメトリー測定で可逆な酸化過程を示すものが望ましい。インピーダンス分光法による移動度測定について説明する。陽極、陰極で好ましくは厚さ100nm以上200nm以下程度の障壁層材料を挟み、バイアスDC電圧を印加しながら100mV以下の微小交流電圧を印加する。このときに流れる交流電流値絶対値と位相を測定する。交流電圧の周波数を変えながら本測定を行い、電流値と電圧値とから、複素インピーダンスZを算出する。このときモジュラスM=iwZi:虚数単位、w:角周波数の虚数部ImMの周波数依存性を求め、ImMが最大値となる周波数wの逆数を、障壁層内を伝導する電子の応答時間と定義する。そして以下の式により電子移動度を算出する。電子移動度=障壁層材料の膜厚2/応答時間電圧発光層は、主ピーク波長550nm以下の2以上の蛍光発光性ドーパントを含むことができる。2以上の蛍光発光性ドーパントを含むとき、少なくとも1つのドーパントのアフィニティAdがホストのアフィニティAh以上であり、このドーパントの三重項エネルギーETdがホストの三重項エネルギーEThより大きい。例えば、他の少なくとも1つのドーパントのアフィニティAdがホストのアフィニティAhより小さい。このような2種類のドーパントを含むことは前述したようにAh<Adを満たすドーパントとAh>Adを満たすドーパントを共に含むことであり三重項エネルギーの大きな障壁層を設けることにより効率を顕著に改善できる。ドーパントのアフィニティAdがホストのアフィニティAhより小さいドーパントとしては、ピレン誘導体、アミノアントラセン誘導体、アミノクリセン誘導体、アミノピレン誘導体等が挙げられる。なお、上記に記載したホストの他、WO05/113531、JP2005-314239記載のジベンゾフラン化合物、WO02/14244記載のフルオレン化合物、WO08/145239記載のベンズアントラセン化合物も使用できる。上記に記載したドーパントの他、JP2004-204238,WO05/108348,WO04/83162,WO09/84512,KR10-2008-79956,KR10-2007-115588,KR10-2010-24894記載のピレン化合物、WO04/44088記載のクリセン化合物、WO07/21117記載のアントラセン化合物も使用できる。ホスト、ドーパントは、環式構造又は単一原子同士が結合してなる化合物環式構造と単一原子の結合も含むであって、前記結合が単結合である化合物が好ましい。好ましくない例としては、環式構造以外で炭素-炭素二重結合が存在する化合物があげられる。その理由は、ホスト、ドーパント上で生成した三重項励起子のエネルギーが、TTF現象に使われず2重結合の構造変化に消費されてしまうからである。<第二実施形態>本発明の素子は、発光層を含む有機層ユニットを少なくとも2つ有するタンデム素子構成とすることができる。2つの発光層の間には、中間層中間導電層、電化発生層、CGLとも呼ぶが介在する。ユニット毎に電子輸送帯域を設けることができる。少なくとも1つの発光層が蛍光発光層であり、その発光層を含むユニットが上記の要件を満たす。具体的な積層順の例を以下に示す。また、下記発光層は、複数の発光層の積層体であってもよく、後述する第三実施形態の電荷障壁層を含む一の有機層ユニットであっても良い。陽極/蛍光発光層/中間層/蛍光発光層/障壁層/電子注入層/陰極陽極/蛍光発光層/障壁層/電子注入層/中間層/蛍光発光層/陰極陽極/蛍光発光層/障壁層/電子注入層/中間層/蛍光発光層/障壁層/陰極陽極/蛍光発光層/障壁層/中間層/蛍光発光層/障壁層/電子注入層/陰極陽極/リン光発光層/中間層/蛍光発光層/障壁層/電子注入層/陰極陽極/蛍光発光層/障壁層/電子注入層/中間層/リン光発光層/陰極陽極/蛍光発光層/中間層/蛍光発光層/障壁層/陰極陽極/蛍光発光層/障壁層/中間層/蛍光発光層/陰極陽極/蛍光発光層/障壁層/中間層/蛍光発光層/障壁層/陰極陽極/蛍光発光層/障壁層/中間層/蛍光発光層/障壁層/陰極陽極/リン光発光層/中間層/蛍光発光層/障壁層/陰極陽極/蛍光発光層/障壁層/中間層/リン光発光層/陰極なお、陽極と発光層の間には、他の実施形態と同様に正孔輸送帯域を設けることが好ましい。図9に第二実施形態にかかる有機EL素子の一例を示す。有機EL素子2は、陽極10と、発光層22,24と、陰極50とをこの順に備え、発光層22,24の間には、中間層80がある。障壁層32は、発光層24に隣接している。電子注入層40は、障壁層32と陰極50との間にある。障壁層32、電子注入層40および発光層24が本発明の要件を満たす障壁層、電子注入層および蛍光発光層である。他方の発光層は、蛍光型でもリン光型でもよい。発光層22の隣に別の障壁層および電子注入層を順次隣接させて設け、この別の障壁層および電子注入層、並びに発光層22を本発明の要件を満たす障壁層、電子注入層および蛍光発光層としてもよい。なお、本発明においては、電子輸送帯域が、電子注入層を含まず、アジン環を有する特定の化合物が電子注入層としての機能を合わせもった場合でもよい。そのため、このような場合には、図2に示された有機EL素子9において障壁層32の陰極50側に電子注入層40を設けず、障壁層32と陰極50とが隣接する構成であってもよい。なお、2つの発光層22,24の間に電子輸送帯域および正孔輸送帯域の少なくともいずれかが介在していてもよい。また、発光層は3以上あってもよく、中間層も2以上あってもよい。発光層が3以上あるとき、全ての発光層の間に中間層があっても、なくてもよい。中間層は、中間導電層及び電荷発生層の少なくともいずれかを含む層、又は中間導電層及び電荷発生層の少なくともいずれかであり、発光ユニットに注入する電子又は正孔の供給源となる。一対の電極から注入される電荷に加えて、中間層から供給される電荷が発光ユニット内に注入されることになるので、中間層を設けることによって、注入した電流に対する発光効率電流効率が向上する。中間層としては、金属、金属酸化物、金属酸化物の混合物、複合酸化物、電子受容性有機化合物が挙げられる。金属としては、Mg、Al、MgやAgの共蒸着膜等が好ましい。金属酸化物としては、ZnO、WO3、MoO3、MoO2などが挙げられる。金属酸化物の混合物としては、ITOやIZO登録商標、ZnO:Al等が挙げられる。電子受容性有機化合物としては、CN基を置換基に持つ有機化合物が挙げられる。CN基を含む有機化合物としては、トリフェニレン誘導体やテトラシアノキノジメタン誘導体、インデノフルオレン誘導体等が好ましい。トリフェニレン誘導体としては、ヘキサシアノヘキサアザトリフェニレンが好ましい。テトラシアノキノジメタン誘導体としてはテトラフルオロキノジメタン、ジシアノキノジメタンが好ましい。インデノフルオレン誘導体としては国際公開第2009/011327号、国際公開第2009/069717号又は国際公開第2010/064655号に示されるような化合物が好ましい。なお、電子受容性物質は単独物質でも、他の有機化合物と混合されたものでもよい。好適には、電荷発生層からの電子の受け取りを容易にするため、電子輸送層の中の電荷発生層界面近傍にアルカリ金属で代表されるドナーをドープする。ドナーとしては、ドナー性金属、ドナー性金属化合物及びドナー性金属錯体から選ばれる群のうち少なくとも一種を選ぶことができる。ドナー性金属、ドナー性金属化合物及びドナー性金属錯体に使用できる化合物の具体例として、特許出願番号PCT/JP2010/003434国際公開第2010/134352号の公報に記載の化合物が挙げられる。<第三実施形態>第三実施形態では、陽極と、複数の発光層と、発光層に隣接する障壁層およびこの障壁層に隣接する電子注入層を有する電子輸送帯域と、陰極とをこの順に備え、複数の発光層のいずれか二つの発光層の間に電荷障壁層を有する。電荷障壁層に接する発光層が蛍光発光層である。蛍光発光層、電子輸送帯域の障壁層および電子注入層が上記の要件を満たす。第三実施形態にかかる好適な有機EL素子の構成として、日本国特許第4134280号公報、米国公開特許公報US2007/0273270A1、国際公開公報WO2008/023623A1に記載されているような、陽極、第1発光層、電荷障壁層、第2発光層および陰極がこの順に積層された構成において、第2発光層と陰極の間に三重項励起子の拡散を防止するための障壁層および電子注入層を有する電子輸送帯域を有する構成が挙げられる。ここで電荷障壁層とは、隣接する発光層との間でHOMOレベルおよびLUMOレベルのエネルギー障壁を設けることにより、発光層へのキャリア注入を調整し、発光層の注入される電子と正孔のキャリアバランスを調整する目的を有する層である。このような構成の具体的な例を以下に示す。陽極/第1発光層/電荷障壁層/第2発光層/電子輸送帯域/陰極陽極/第1発光層/電荷障壁層/第2発光層/第3発光層/電子輸送帯域/陰極なお、陽極と第1発光層の間には、他の実施形態と同様に正孔輸送帯域を設けることが好ましい。図10に本実施形態にかかる有機EL素子の一例を示す。図10の上図は、素子構成および各層のHOMOおよびLUMOエネルギー準位を表す図である。図10の下図は第3発光層と障壁層とのエネルギーギャップの関係を示す。なお、図10の上図においては、Ah>Ab>Aeの場合における関係が示されている。この有機EL素子は、陽極と、第1発光層、第2発光層、第3発光層と、電子輸送帯域と、陰極をこの順に備え、第1発光層と第2発光層の間には、電荷障壁層がある。電子輸送帯域は障壁層からなる。この障壁層および第3発光層が本発明の要件を満たす障壁層および蛍光発光層である。第1発光層および第2発光層は、蛍光型でもリン光型でもよい。なお、本発明においては、電子輸送帯域が、電子注入層を含まず、アジン環を有する特定の化合物が電子注入層としての機能を合わせもった場合でもよい。そのため、このような場合には、図2に示された有機EL素子10において障壁層の陰極側に電子注入層を設けず、障壁層と陰極とが隣接する構成であってもよい。本実施形態の素子は、白色発光素子として好適であり、第1発光層、第2発光層および第3発光層の発光色を調整して白色とすることができる。また、発光層を第1発光層および第2発光層だけとして、2つの発光層の発光色を調整して白色としてもよい。このとき第2発光層が本発明の要件を満たす蛍光発光層となる。特に、第1発光層のホストを正孔輸送性材料とし、主ピーク波長が550nmより大きな蛍光発光性ドーパントを添加し、第2発光層および第3発光層のホストを電子輸送性材料とし、主ピーク波長550nm以下の蛍光発光性ドーパントを添加することにより、全て蛍光材料で構成された構成でありながら、従来技術よりも高い発光効率を示す白色発光素子を実現することができる。発光層と隣接する正孔輸送層に特に言及をすると、本発明のTTF現象を効果的に起こすためには、正孔輸送材料の三重項エネルギーとホストの三重項エネルギーとを比較した場合に、正孔輸送材料の三重項エネルギーが大きいことが好ましい。<第四実施形態>第四実施形態では、青色画素、緑色画素および赤色画素を、基板上に並べて設ける。これら3色の画素のうち、青色画素および緑色画素の少なくともいずれかが第一実施形態の構成を有する。図11に本実施形態にかかる有機EL素子の一例を示す。図11に示す上面発光型有機EL素子4は、共通基板100上に、青色画素B、緑色画素Gおよび赤色画素Rが並列に形成されている。青色画素Bは、陽極10、正孔輸送帯域60、青色発光層20B、障壁層32、電子注入層40、陰極50および保護層90を基板100側からこの順に備えている。緑色画素Gは、陽極10、正孔輸送帯域60、緑色発光層20G、障壁層32、電子注入層40、陰極50および保護層90を基板100側からこの順に備えている。赤色画素Rは、陽極10、正孔輸送帯域60、赤色発光層20R、障壁層32、電子注入層40、陰極50および保護層90を基板100側からこの順に備えている。それぞれの隣接する画素の陽極間に絶縁膜200が形成され、画素間の絶縁を保持している。電子輸送帯域は、障壁層32および電子注入層40からなる。有機EL素子4では、障壁層が青色画素B、赤色画素Rおよび緑色画素Gに共通に設けられている。障壁層の効果は、青色蛍光素子において従来得られていた発光効率に比べて顕著なものである。そして、緑色蛍光素子や赤色蛍光素子においても、三重項エネルギーを発光層内に閉じ込める同様の効果を得ることが可能であり、発光効率の向上が期待できる。一方、リン光発光層においては、三重項励起子を発光層内に閉じ込める効果を得ることが可能であり、三重項エネルギーの拡散を防ぎ、リン光発光性ドーパントの発光効率の向上に寄与する。正孔輸送帯域としては、例えば、正孔輸送層からなるものや、正孔輸送層と正孔注入層との組み合わせからなるものがある。正孔輸送帯域は、青色画素B、赤色画素Rおよび緑色画素Gにおいて、共通でも異なってもよい。通常、正孔輸送帯域は、それぞれ発光色に適した構成にする。発光層20B,G,Rと障壁層から構成される有機層は、図に示す構成に限定されず適宜変更できる。なお、本発明においては、電子輸送帯域が、電子注入層を含まず、アジン環を有する特定の化合物が電子注入層としての機能を合わせもった場合でもよい。そのため、このような場合には、図2に示された有機EL素子11において障壁層32の陰極50側に電子注入層40を設けず、障壁層32と陰極50とが隣接する構成であってもよい。本発明で用いることのできるホストおよびドーパントについては上述したが、特に各色発光層について以下に説明する。緑色発光層は、以下のホスト材料およびドーパント材料から構成されるのが好ましい。ホスト材料としては、縮合芳香族環誘導体が好ましい。縮合芳香族環誘導体としては、アントラセン誘導体、ピレン誘導体等が、発光効率や発光寿命の点でさらに好ましい。また、ホスト材料としては、含ヘテロ環化合物が挙げられる。含ヘテロ環化合物としては、カルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ラダー型フラン化合物、ピリミジン誘導体が挙げられる。ドーパント材料としては、その機能を有するものであれば、特に限定されないが、発光効率等の点で、芳香族アミン誘導体が好ましい。芳香族アミン誘導体としては、置換されてもよいアリールアミノ基を有する縮合芳香族環誘導体が好ましい。このような化合物として、例えば、アリールアミノ基を有する、ピレン、アントラセン、クリセンが挙げられる。また、ドーパント材料として、スチリルアミン化合物も好ましい。スチリルアミン化合物としては、例えば、スチリルアミン、スチリルジアミン、スチリルトリアミン、スチリルテトラアミンが挙げられる。ここでスチリルアミンとは、置換されてもよいアリールアミンに少なくとも1つのアリールビニル基が置換されている化合物のことであり、前記アリールビニル基は置換されていてもよく、置換基としてはアリール基、シリル基、アルキル基、シクロアルキル基、アリールアミノ基があり、これらの置換基は、さらに置換基を有してもよい。また、ドーパント材料として、ホウ素錯体やフルオランテン化合物も好ましい。また、ドーパント材料として、金属錯体も好ましい。金属錯体としては、例えば、イリジウム錯体や白金錯体が挙げられる。赤色発光層は、以下のホスト材料およびドーパント材料から構成されるのが好ましい。ホスト材料は、縮合芳香族環誘導体が好ましい。縮合芳香族環誘導体としては、ナフタセン誘導体、ペンタセン誘導体等が、発光効率や発光寿命の点でさらに好ましい。また、ホスト材料は、縮合多環芳香族化合物が挙げられる。縮合多環芳香族化合物としては、ナフタレン化合物、フェナントレン化合物、フルオランテン化合物が挙げられる。ドーパント材料としては、芳香族アミン誘導体が好ましい。芳香族アミン誘導体としては、置換されてもよいアリールアミノ基を有する縮合芳香族環誘導体が好ましい。このような化合物として、例えば、アリールアミノ基を有するペリフランテンが挙げられる。また、ドーパント材料として、金属錯体も好ましい。金属錯体としては、例えば、イリジウム錯体や白金錯体が挙げられる。第四実施形態の有機EL素子は、例えば以下のようにして作製される。基板上に、銀合金層であるAPCAg-Pd-Cu層反射層、酸化亜鉛膜IZOや酸化錫膜等の透明導電層をこの順に成膜する。続いて通常のリソグラフィ技術を用いて、レジストパターンをマスクに用いたエッチングにより、この導電材料層をパターニングし、陽極を形成する。次に、陽極の上にスピンコート法により、ポリイミド等の感光性樹脂からなる絶縁膜を塗布形成する。その後、露光、現像、硬化することで、陽極を露出させることにより青発光領域、緑発光領域および赤発光領域をパターンニングする。電極は、赤色画素用、緑色画素用および青色画素用の3種類であり、それぞれ青発光領域、緑発光領域および赤発光領域に対応し、それぞれ陽極に相当する。イソプロピルアルコール中で洗浄を5分間行なった後、UVオゾン洗浄を30分間行なう。その後、正孔注入層および正孔輸送層を形成するときは、正孔注入層を基板全面にかけて積層し、さらにその上に正孔輸送層を積層する。各発光層を、赤色画素用、緑色画素用および青色画素用の陽極の各位置に対応して配置するように形成する。真空蒸着法を用いる場合、青色発光層、緑色発光層および赤色発光層を、シャドウマスクを用いて微細パターン化する。次に、障壁層を全面にかけて積層する。続いて、電子注入層を全面にかけて積層する。その後、MgとAgを蒸着成膜し、半透過性のMgAg合金からなる陰極を形成する。本発明で用いる基板、陽極、陰極、正孔注入層、正孔輸送層等のその他の部材は、PCT/JP2009/053247国際公開第2009/107596号、PCT/JP2008/073180国際公開2009/081857号、US特願12/376,236米国特許出願公開2009/251886号明細書、US特願11/766,281米国特許出願公開2008/014464号明細書、US特願12/280,364米国特許出願公開2009/0021160号明細書等に記載の公知のものを適宜選択して用いることができる。好ましくは、正孔輸送層は、下記式a-1~a-5のいずれかで表わされる芳香族アミン誘導体を含有する。式a-1~式a-5中、Ar1~Ar24は、各々独立して、置換基を有してもよい環形成炭素数6~50のアリール基、又は置換基を有してもよい環形成原子数5~50のヘテロアリール基を表わす。L1~L9は、各々独立して、置換基を有してもよい環形成炭素数6~50のアリーレン基、又は置換基を有してもよい環形成原子数5~50のヘテロアリーレン基を表わす。Ar1~Ar24、L1~L9が有してもよい置換基は、炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数3~15のシクロアルキル基、炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を有するトリアルキルシリル基、環形成炭素数6~14のアリール基を有するトリアリールシリル基、炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基および環形成炭素数6~14のアリール基を有するアルキルアリールシリル基、環形成炭素数6~50のアリール基、環形成原子数5~50のヘテロアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。隣接した複数の置換基は、互いに結合して、環を形成する飽和もしくは不飽和の2価の基を形成してもよい。好ましくは、前記Ar1~Ar24の少なくとも1つは、下記式a-6又はa-7のいずれかで表される置換基である。式a-6中、Xは、酸素原子、硫黄原子、又はN-Raを表わし、Raは、炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数3~15のシクロアルキル基、環形成炭素数6~50のアリール基、又は環形成原子数5~50のヘテロアリール基を表す。L10は、単結合、置換基を有してもよい環形成炭素数6~50のアリーレン基、又は置換基を有してもよい環形成原子数5~50のヘテロアリーレン基を表わす。式a-7中、L11は、置換基を有してもよい環形成炭素数6~50のアリーレン基、又は置換基を有してもよい環形成原子数5~50のヘテロアリーレン基を表わす。式a-6および式a-7中、R1~R4は、各々独立して、炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数3~15のシクロアルキル基、炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を有するトリアルキルシリル基、環形成炭素数6~14のアリール基を有するトリアリールシリル基、炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基および環形成炭素数6~14のアリール基を有するアルキルアリールシリル基、環形成炭素数6~14のアリール基、環形成原子数5~50のヘテロアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。また、隣接した複数のR1~R4は互いに結合して環を形成してもよい。a、cおよびdは、0~4の整数を表わす。bは、0~3の整数を表わす。好ましくは、式a-1で表される化合物は、下記式a-8で表される化合物である。式a-8中、Czは置換基を有してもよいカルバゾリル基を表わす。L12は置換基を有してもよい環形成炭素数6~50のアリーレン基、又は置換基を有してもよい環形成原子数5~50のヘテロアリーレン基を表わす。Ar25およびAr26は、各々独立して、置換基を有してもよい環形成炭素数6~50のアリール基、又は置換基を有してもよい環形成原子数5~50のヘテロアリール基を表わす。式a-8で表される化合物は、好ましくは、下記式a-9で表される化合物である。式a-9中、R5およびR6は、各々独立して、炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数3~15のシクロアルキル基、炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を有するトリアルキルシリル基、環形成炭素数6~14のアリール基を有するトリアリールシリル基、炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基および環形成炭素数6~14のアリール基を有するアルキルアリールシリル基、環形成炭素数6~14のアリール基、環形成原子数5~50のヘテロアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。また、隣接した複数のR5およびR6は、互いに結合して環を形成してもよい。eおよびfは、0~4の整数を表わす。L12、Ar25およびAr26は、式a-8におけるL12、Ar25およびAr26と同義である。式a-9で表される化合物は、好ましくは、下記式a-10で表される化合物である。式a-10中、R7およびR8は、各々独立して、炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数3~15のシクロアルキル基、炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を有するトリアルキルシリル基、環形成炭素数6~14のアリール基を有するトリアリールシリル基、炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基および環形成炭素数6~14のアリール基を有するアルキルアリールシリル基、環形成炭素数6~14のアリール基、環形成原子数5~50のヘテロアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。また、隣接した複数のR5およびR6は、互いに結合して環を形成してもよい。gおよびhは、0~4の整数を表わす。R5、R6、e、f、Ar25およびAr26は、式a-9におけるR5、R6、e、f、Ar25およびAr26と同義である。以下、本発明に係る実施例を説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されない。実施例および比較例で使用した材料は、以下のとおりである。材料の物性値の測定方法は、以下のとおりである。1三重項エネルギーET市販の装置F-4500日立社製を用いて測定した。ETの換算式は以下の通りである。換算式ETeV=1239.85/LphLphとは、縦軸にリン光強度、横軸に波長をとって、リン光スペクトルを表したときに、リン光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸の交点の波長値を意味する。単位:nm。各化合物を溶媒に溶解し、リン光測定用試料とした。石英セルへ入れたリン光測定用試料を77Kに冷却し、励起光をリン光測定用試料に照射し、波長を変えながらリン光強度を測定した。リン光スペクトルは、縦軸をリン光強度、横軸を波長とした。このリン光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値Lphnmを求めた。燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線は以下のように引く。燐光スペクトルの短波長側から、スペクトルの極大値のうち、最も短波長側の極大値までスペクトル曲線上を移動する際に、長波長側に向けて曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち上がるにつれつまり縦軸が増加するにつれ、傾きが増加する。この傾きの値が極大値をとる点において引いた接線が、当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。なお、スペクトルの最大ピーク強度の10以下のピーク強度をもつ極大点は、上述の最も短波長側の極大値には含めず、最も短波長側の極大値に最も近い、傾きの値が極大値をとる点において引いた接線を当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。ここで、TB-21について測定したリン光スペクトルの例を図12に示す。図12に示されたTB-21の燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線と横軸との交点の波長値Lphは、447nmであった。2電子移動度インピーダンス分光法を用いて電子移動度評価を行った。基板上に陽極としてAl、その上に障壁層材料、その上に電子注入材料、その上にLiF、続けて陰極としてAlを積層することにより電子オンリーデバイスを作製し、100mVの交流電圧を乗せたDC電圧を印加し複素モジュラスを測定した。モジュラスの虚部が最大となる周波数をfmaxHzとしたとき、応答時間T秒をT=1/2/π/fmaxとして算出し、この値を用いて電子移動度の電界強度依存性を決定した。電子移動度Muの換算式は、以下の通りである。この式において、Vは、DC電圧の大きさであり、dは、電子オンリーデバイスにおける当該障壁層材料、電子注入材料、LiFの総膜厚であり、tISは、インピーダンス分光法により測定された応答時間Tである。3イオン化ポテンシャルIpイオン化ポテンシャルは、有機EL素子を構成する各層の単独層を別途ガラス基板上に真空蒸着で作製し、ガラス基板上の薄膜を用いて大気下で光電子分光装置理研計器株社製:AC-3を用いて測定した。具体的には、材料に光を照射し、その際に電荷分離によって生じる電子量を測定することにより測定した。照射光のエネルギーに対し、放出された光電子を1/2乗でプロットし、光電子放出エネルギーのしきい値をイオン化ポテンシャルIpとした。4アフィニティイオン化ポテンシャルIpとエネルギーギャップEgの測定値から算出した。算出式は、次のとおりである。Af=Ip-EgエネルギーギャップEgは、トルエン溶液中の吸収スペクトルの吸収端から測定した。具体的には、市販の可視紫外分光光度計を用いて、吸収スペクトルを測定し、そのスペクトルの長波長側の立ち下がり波長から算出した。換算式は、次のとおりである。EgeV=1239.85/Lab縦軸に吸光度、横軸に波長をとって、吸収スペクトルを表したものを吸収スペクトルとした。エネルギーギャップEgに関する上記換算式において、Labは、吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対して接線を引き、その接線と横軸の交点の波長値を意味する。単位:nm。各化合物をトルエン溶媒に溶解試料2×10-5[molリットル]し、光路長は1cmとなるように試料を準備した。波長を変えながら吸光度を測定した。吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線は以下のように引く。吸収スペクトルの極大値のうち、最も長波長側の極大値から長波長方向にスペクトル曲線上を移動する際に、曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち下がるにつれつまり縦軸が減少するにつれ、傾きが減少しその後増加することを繰り返す。傾きの値が最も長波長側ただし、吸光度が0.1以下となる場合は除くで極小値をとる点において引いた接線を当該吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線とする。なお、吸光度の値が0.2以下の極大点は、上記最も長波長側の極大値には含めない。ここで、TB-21、TB-22及びTB-23について測定した吸収スペクトルの例を図13~図15に示す。図13~図15に示された各吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線と横軸の交点の波長値Labは、TB-21について417nmであり、TB-22について359nmであり、TB-23について402nmであった。5TTF比率の測定ホスト、ドーパント及び障壁層材料の三重項エネルギーが所定の関係を満たすことにより、全発光に対するTTF由来の発光強度比を高い値とすることができ、従来知られていた蛍光素子では達成できなかった高効率化を可能とすることができる。TTF由来の発光強度比は、過渡EL法により測定することができる。過渡EL法とは、素子に印加しているDC電圧を除去したあとのEL発光の減衰挙動過渡特性を測定する手法である。EL発光強度は、最初の再結合で生成する一重項励起子からの発光成分と、TTF現象を経由して生成する一重項励起子からの発光成分に分類される。一重項励起子の寿命はナノ秒オーダーであり非常に短いためDC電圧除去後速やかに減衰する。一方、TTF現象は寿命の長い三重項励起子を経由して生成する一重項励起子からの発光のため、ゆるやかに減衰する。このように一重項励起子からの発光と三重項励起子からの発光は時間的に大きな差があるため、TTF由来の発光強度を求めることができる。具体的には以下の方法により決定することができる。過渡EL波形は以下のようにして測定する図16を参照。電圧パルスジェネレータPGから出力されるパルス電圧波形をEL素子に印加する。印加電圧波形をオシロスコープOSCに取り込む。パルス電圧をEL素子に印加すると、EL素子はパルス発光を生じる。この発光を、光電子増倍管PMTを経由してオシロスコープOSCに取り込む。電圧波形とパルス発光を同期させてパーソナルコンピュータPCに取り込む。さらに、過渡EL波形の解析によりTTF由来の発光強度比を以下のようにして決定する。三重項励起子の減衰挙動のレート方程式を解いて、TTF現象に基づく発光強度の減衰挙動をモデル化する。発光層内部の三重項励起子密度nTの時間減衰は、三重項励起子の寿命による減衰速度vAと三重項励起子の衝突による減衰速度vCを用いて次のようなレート方程式で表すことができる。この微分方程式を近似的に解くと、次の式が得られる。ここで、ITTFはTTF由来の発光強度であり、Aは定数である。このように、過渡EL発光がTTFに基づくものであれば、その強度の平方根の逆数が直線近似で表されることになる。そこで、測定した過渡EL波形データを下記近似式にフィッティングし定数Aを求める。このときDC電圧を除去した時刻t=0における発光強度1/A2がTTF由来の発光強度比と定義する。図17Aのグラフは、EL素子に所定のDC電圧を印加し、その後電圧を除去した時の測定例であり、EL素子の発光強度の時間変化を表したものである。図17Aのグラフにて時刻約3×10-8秒のところでDC電圧を除去した。なお、グラフは、電圧を除去した時の輝度を1として表したものである。その後約2×10-7までの急速な減衰の後、緩やかな減衰成分が現れる。図17Bのグラフは、電圧除去時点を原点にとり、電圧除去後、10-5秒までの光強度の平方根の逆数をプロットしたグラフであり、直線によく近似できることがわかる。直線部分を時間原点へ延長したときの縦軸との交点Aの値は2.41である。すると、この過渡EL波形から得られるTTF由来発光強度比は、1/2.412=0.17となり、全発光強度のうちの17がTTF由来であることになる。直線へのフィッティングは、最小二乗法により行うことが好ましい。この場合に、10-5秒までの値を用いてフィッティングすることが好ましい。図18に、TB-20を障壁層に用いた下記実施例21の有機EL素子についてTTF比率を測定した例を示す。グラフは電圧除去時点を原点にとり、電圧除去後、10-5秒までの光強度の平方根の逆数をプロットしたグラフであり、直線部分を時間原点へ延長したときの縦軸との交点の値は1.70である。そうすると、TTF由来発光強度比は、1/1.702=0.34となり、全発光強度のうちの34がTTF由来であったことになる。実施例で使用した化合物の物性値を下記表1に示す。実施例125mm×75mm×1.1mm厚のITO透明電極陽極付きガラス基板ジオマティック社製をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を5分間行なった後、UVオゾン洗浄を30分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物HT-1を蒸着し、膜厚50znmの化合物HT-1膜を形成した。このHT-1膜は、正孔注入層として機能する。このHT-1膜の成膜に続けて、化合物HT-2を蒸着し、HT-1膜上に膜厚45nmのHT-2膜を成膜した。このHT-2膜は、正孔輸送層として機能する。このHT-2膜上に化合物BH-1ホスト材料および化合物BD-1ドーパント材料を20:1の質量比で共蒸着し、膜厚25nmの発光層を成膜した。この発光層上にTB-10を蒸着し、膜厚5nmの障壁層を形成した。この障壁層上に電子輸送材料であるET-2を蒸着して、膜厚20nmの電子注入層を形成した。この電子注入層上にLiFを蒸着して、膜厚1nmのLiF膜を形成した。このLiF膜上に金属Alを蒸着して、膜厚150nmの金属陰極を形成した。このようにして、実施例1の有機EL素子を作製した。実施例2~3障壁層および電子注入層の化合物として、表2に示す化合物を用いた他は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。実施例1~3の有機EL素子について、下記方法にて評価を行った。評価結果を表2に示す。初期性能電流密度が1mA/cm2となるように有機EL素子に電圧を印加し、そのときの電圧値Vを測定した。また、そのときのEL発光スペクトルを分光放射輝度計CS-1000:コニカミノルタ社製にて計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、色度CIEx,CIEy、電流効率L/Jcd/A、外部量子効率EQE、および主ピーク波長Lpnmを算出した。実施例1~3の有機EL素子では、障壁層にアジン環を有する化合物であるTB-10やTB-11を用いたところ、高い外部量子効率を示した。実施例1~実施例3が高い外部量子効率を示したのは、アジン環を有する化合物は、障壁層電子注入層との間にアフィニティ差があっても、その影響を受けにくく、発光層へ電子を供給する量がほとんど減少しないことを示しているものと考えられる。実施例4実施例4の有機EL素子は、次のようにして作製した。25mm×75mm×1.1mm厚のITO透明電極陽極付きガラス基板ジオマティック社製をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を5分間行なった後、UVオゾン洗浄を30分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物HT-3を蒸着し、膜厚5nmの化合物HT-3膜を形成した。このHT-3膜は、正孔注入層として機能する。このHT-3膜の成膜に続けて、化合物HT-4を蒸着し、HT-3膜上に膜厚130nmのHT-4膜を成膜した。このHT-4膜は、正孔輸送層として機能する。このHT-4膜上に化合物BH-2ホスト材料および化合物BD-1ドーパント材料を30:1の質量比で共蒸着し、膜厚30nmの発光層を成膜した。測定した化合物BH-2の三重項エネルギーは、1.83eVであった。この発光層上に化合物TB-10およびドナー性金属錯体であるLiq8-キノリノラトリチウムを1:1の質量比で共蒸着し、合計膜厚20nmの障壁層および電子注入層を形成した。本実施例は、電子注入層を構成する材料が、障壁層を構成する材料と同一である。この障壁層の膜上に金属Alを蒸着して、膜厚80nmの金属陰極を形成した。このようにして、実施例4の有機EL素子を作製した。つまり、実施例4の有機EL素子は、電子輸送帯域が実質的に障壁層で構成され、この障壁層が金属陰極に隣接した構成である。実施例5実施例5の有機EL素子は、実施例4の有機EL素子の障壁層および電子注入層を構成する材料の一つである化合物TB-10に代えて、化合物TB-11を用いたこと以外は、実施例4の有機EL素子と同様に作製した。つまり、実施例5の有機EL素子の障壁層および電子注入層は、化合物TB-11とLiqとの共蒸着層である。つまり、実施例5の有機EL素子も、電子輸送帯域が実質的に障壁層で構成され、この障壁層が金属陰極に隣接した構成である。作製した実施例4および実施例5の有機EL素子について、以下の評価を行った。結果を表3に示す。初期性能電流密度が1mA/cm2となるように有機EL素子に電圧を印加し、そのときの電圧値Vを測定した。また、そのときのEL発光スペクトルを分光放射輝度計CS-1000:コニカミノルタ社製にて計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、色度CIEx,CIEy、電流効率L/Jcd/A、外部量子効率EQE、および主ピーク波長Lpnmを算出した。TTF比率パルスジェネレータアジレントテクノロジー社製、高速パルス電源8114Aから出力した電圧パルス波形パルス幅:500マイクロ秒、周波数:20Hz、電圧:0.1~100mA/cm2相当の電圧を印加し、EL発光を光電子増倍管浜松ホトニクス社製、R928に入力し、パルス電圧波形とEL発光とを同期させてオシロスコープテクトロニクス社製、2440に取り込んで過渡EL波形を得た。これを解析してTTF比率を決定した。実施例の有機EL素子に対して、室温下で通電し、時刻約3×10-8秒のところでパルス電圧を除去した。電圧除去時点を原点にとり、電圧除去後、1.5×10-5秒までの光強度の平方根の逆数をプロットしたこのグラフからTTF比率を求めた。他の実施例及び比較例についても同様に測定した。結果を表3に示す。実施例6~11以下に示す素子構成の有機EL素子を作製した。ITO130nmHT―35nmHT―535nmRH―1:RD15nm、1質量HT63.5nmBH3:BD27nm、5質量BH3:GD113nm、10質量障壁層XnmET2YnmLiF1nmAl80nmこの素子構成において、内の数字は、膜厚、及び複数成分が含まれる発光層については、ドーパント材料の含有率質量を示している。障壁層の材料は、各実施例において、下記表4に示される材料に変更した。X及びYは、膜厚を表し、各実施例において、下記表4に示される値に変更されることを示している。実施例6~11の有機EL素子は、具体的には、次のようにして作製した。25mm×75mm×1.1mm厚のITO透明電極陽極付きガラス基板ジオマティック社製をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を5分間行なった後、UVオゾン洗浄を30分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして下記化合物HT-3を蒸着し、膜厚5nmの化合物HT-3膜を形成した。このHT-3膜は、正孔注入層として機能する。このHT-3膜の成膜に続けて、化合物HT-5を蒸着し、HT-3膜上に膜厚35nmのHT-5膜を成膜した。このHT-5膜は、正孔輸送層として機能する。このHT-5膜上に化合物RH-1ホスト材料および化合物RD-1ドーパント材料を共蒸着し、膜厚5nmの赤色発光層を成膜した。ドーパント材料の濃度は、1質量とした。この赤色発光層上に化合物HT-6を蒸着し、膜厚3.5nmのHT-6膜を成膜した。このHT-6膜は、電荷障壁層として機能する。次に、このHT-6膜上に、化合物BH-3ホスト材料および化合物BD-2ドーパント材料を共蒸着し、膜厚7nmの青色発光層を成膜した。ドーパント材料の濃度は、5質量とした。この青色発光層上に、化合物BH-3ホスト材料および化合物GD-1ドーパント材料を共蒸着し、膜厚13nmの緑色発光層を成膜した。ドーパント材料の濃度は、10質量とした。次に、この緑色発光層上に膜厚Xnmの障壁層を成膜した。障壁層の化合物及び膜厚Xについては、表5を参照のこと。この障壁層上に、化合物ET-2を蒸着し、膜厚YnmのET-2膜を成膜した。このHT-2膜は、電子注入層として機能する。膜厚Yについては、表5を参照のこと。次に、このET-2膜上にLiFを蒸着して、膜厚1nmのLiF膜を形成した。このLiF膜上に金属Alを蒸着して、膜厚80nmの金属陰極を形成した。このようにして、実施例6~11の有機EL素子を作製した。作製した実施例6~11の有機EL素子について、以下の評価を行った。結果を表4に示す。初期性能電流密度が1mA/cm2となるように有機EL素子に電圧を印加し、そのときの電圧値Vを測定した。また、そのときのEL発光スペクトルを分光放射輝度計CS-1000:コニカミノルタ社製にて計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、輝度Lcd/m2、色度CIEx,CIEy、電流効率L/Jcd/A、電力効率L/Plm/W、および外部量子効率EQEを算出した。実施例12~21及び比較例1~2以下に示す素子構成の有機EL素子を作製した。ITO130nm/HT-35nm/HT-580nm/HT-715nm/BH-1:BD-225nm、5質量/障壁層20nm/ET-25nm/LiF1nm/Al80nmこの素子構成において、内の数字は、膜厚、及び複数成分が含まれる発光層については、ドーパント材料の含有率質量を示している。障壁層の材料は、各実施例において、下記表5に示される材料に変更した。実施例12の有機EL素子は、具体的には、次のようにして作製した。25mm×75mm×0.7mm厚のITO透明電極陽極付きガラス基板ジオマティック社製をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を5分間行なった後、UVオゾン洗浄を30分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物HT-3を蒸着し、膜厚5nmのHT-3膜を形成した。このHT-3膜は、正孔注入層として機能する。このHT-3膜の成膜に続けて、化合物HT-5を蒸着し、HT-3膜上に膜厚80nmのHT-5膜を成膜した。このHT-5膜は、第一の正孔輸送層として機能する。このHT-5膜の成膜に続けて、化合物HT-7を蒸着し、HT-5膜上に膜厚15nmのHT-7膜を成膜した。このHT-7膜は、第二の正孔輸送層として機能する。このHT-7膜上に化合物BH-1ホスト材料および化合物BD-2ドーパント材料を20:1の質量比で共蒸着し、膜厚25nmの発光層を成膜した。この発光層上にTB-12を蒸着し、膜厚20nmの障壁層を形成した。この障壁層上に電子輸送材料であるET-2を蒸着して、膜厚5nmの電子注入層を形成した。この電子注入層上にLiFを蒸着して、膜厚1nmのLiF膜を形成した。このLiF膜上に金属Alを蒸着して、膜厚80nmの金属陰極を形成した。このようにして、実施例12の有機EL素子を作製した。実施例13~21および比較例1~2実施例13~21および比較例1~2の有機EL素子については、障壁層の材料として表5に示す化合物を用いた他は、実施例12と同様にして作製した。作製した実施例12~21および比較例1~2の有機EL素子について、以下の評価を行った。結果を表5に示す。初期性能電流密度が10mA/cm2となるように有機EL素子に電圧を印加し、そのときの電圧値Vを測定した。また、そのときのEL発光スペクトルを分光放射輝度計CS-1000:コニカミノルタ社製にて計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、色度CIEx,CIEy、および外部量子効率EQEを算出した。TTF比率も上述と同様にして測定した。結果を表5に示す。実施例22~24及び比較例3以下に示す素子構成の有機EL素子を作製した。ITO130nm/HT-35nm/HT-580nm/HT-715nm/BH-1:BD-225nm、5質量/障壁層20nm/TB-95nm/LiF1nm/Al80nmこの素子構成において、内の数字は、膜厚、及び複数成分が含まれる発光層については、ドーパント材料の含有率質量を示している。障壁層の材料は、各実施例において、下記表5に示される材料に変更した。実施例22の有機EL素子は、具体的には、次のようにして作製した。25mm×75mm×0.7mm厚のITO透明電極陽極付きガラス基板ジオマティック社製をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を5分間行なった後、UVオゾン洗浄を30分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物HT-3を蒸着し、膜厚5nmのHT-3膜を形成した。このHT-3膜は、正孔注入層として機能する。このHT-3膜の成膜に続けて、化合物HT-5を蒸着し、HT-3膜上に膜厚80nmのHT-5膜を成膜した。このHT-5膜は、第一の正孔輸送層として機能する。このHT-5膜の成膜に続けて、化合物HT-7を蒸着し、HT-5膜上に膜厚15nmのHT-7膜を成膜した。このHT-7膜は、第二の正孔輸送層として機能する。このHT-7膜上に化合物BH-1ホスト材料および化合物BD-2ドーパント材料を20:1の質量比で共蒸着し、膜厚25nmの発光層を成膜した。この発光層上にTB-13を蒸着し、膜厚5nmの障壁層を形成した。この障壁層上に電子輸送材料であるTB-9を蒸着して、膜厚20nmの電子注入層を形成した。この電子注入層上にLiFを蒸着して、膜厚1nmのLiF膜を形成した。このLiF膜上に金属Alを蒸着して、膜厚80nmの金属陰極を形成した。このようにして、実施例22の有機EL素子を作製した。実施例23、24および比較例3実施例23、24および比較例3の有機EL素子については、障壁層の材料として表6に示す化合物を用いた他は、実施例22と同様にして作製した。作製した実施例22~24および比較例3の有機EL素子について、以下の評価を行った。結果を表6に示す。初期性能電流密度が10mA/cm2となるように有機EL素子に電圧を印加し、そのときの電圧値Vを測定した。また、そのときのEL発光スペクトルを分光放射輝度計CS-1000:コニカミノルタ社製にて計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、輝度Lcd/m2、色度CIEx,CIEy、電流効率L/Jcd/A、電力効率L/Plm/W、および外部量子効率EQEを算出した。また、EL発光スペクトルのピーク波長Lpnmも測定した。TTF比率も上述と同様にして測定した。結果を表6に示す。実施例25~30以下に示す素子構成の有機EL素子を作製した。ITO130nm/HT-35nm/HT-580nm/HT-915nm/BH-10:BD-225nm、質量5/障壁層5nm/ET-220nm/LiF1nm/Al80nmこの素子構成において、内の数字は、膜厚、及び複数成分が含まれる発光層については、ドーパント材料の含有率質量を示している。障壁層の材料は、各実施例において、下記表7に示される材料に変更した。実施例25の有機EL素子は、具体的には、次のようにして作製した。25mm×75mm×0.7mm厚のITO透明電極陽極付きガラス基板ジオマティック社製をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を5分間行なった後、UVオゾン洗浄を30分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物HT-3を蒸着し、膜厚5nmのHT-3膜を形成した。このHT-3膜は、正孔注入層として機能する。このHT-3膜の成膜に続けて、化合物HT-5を蒸着し、HT-3膜上に膜厚80nmのHT-5膜を成膜した。このHT-5膜は、第一の正孔輸送層として機能する。このHT-5膜の成膜に続けて、化合物HT-9を蒸着し、HT-5膜上に膜厚15nmのHT-9膜を成膜した。このHT-9膜は、第二の正孔輸送層として機能する。このHT-9膜上に化合物BH-1ホスト材料および化合物BD-2ドーパント材料を20:1の質量比で共蒸着し、膜厚25nmの発光層を成膜した。この発光層上にTB-21を蒸着し、膜厚5nmの障壁層を形成した。この障壁層上に電子輸送材料であるET-2を蒸着して、膜厚20nmの電子注入層を形成した。この電子注入層上にLiFを蒸着して、膜厚1nmのLiF膜を形成した。このLiF膜上に金属Alを蒸着して、膜厚80nmの金属陰極を形成した。このようにして、実施例25の有機EL素子を作製した。実施例26~30実施例26~30の有機EL素子については、障壁層の材料として表7に示す化合物を用いた他は、実施例25と同様にして作製した。作製した実施例25~30の有機EL素子について、以下の評価を行った。結果を表7に示す。初期性能電流密度が10mA/cm2となるように有機EL素子に電圧を印加し、そのときの電圧値Vを測定した。また、そのときのEL発光スペクトルを分光放射輝度計CS-1000:コニカミノルタ社製にて計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、輝度Lcd/m2、色度CIEx,CIEy、電流効率L/Jcd/A、電力効率L/Plm/W、および外部量子効率EQEを算出した。また、EL発光スペクトルのピーク波長Lpnmも測定した。TTF比率も上述と同様にして測定した。結果を表7に示す。"