シリコン原料を無底の冷却モールドに投入し、電磁誘導加熱とプラズマアークによるプラズマ加熱を併用して溶融し、当該溶融したシリコンを下方に引き下げ凝固させることにより多結晶シリコンを連続的に鋳造する多結晶シリコンの連続鋳造方法であって、方形の無底モールド内の溶融シリコン上で、プラズマトーチを、モールドの中心を基点として、原料の投入方向に対して垂直の方向に走査させるか、または、モールド断面の2本の対角線により形成される4つの角のうち原料の投入方向に対して垂直で、かつモールドの中心を通る方向を含む2つの角に含まれるいずれか一の方向但し、前記垂直の方向を除くもしくは二以上の方向に走査させるとともに、シリコン原料のモールド内への投入を、当該投入側のモールド側壁に対して直角の方向で、かつ、プラズマトーチがシリコン原料の落下軌道線上にある場合には、投入する原料の少なくとも一部がプラズマトーチに衝突し、落下軌道線上から外れている場合には、投入する原料の落下点がモールドの中心から外れるように、投入角度および高さを調整して行うことを特徴とする多結晶シリコンの連続鋳造方法。前記プラズマトーチの走査を、プラズマトーチの釣支部を固定点とする振り子運動またはプラズマトーチの水平方向での移動により行わせることを特徴とする請求項1に記載の多結晶シリコンの連続鋳造方法。前記連続的に鋳造する多結晶シリコンを、長尺のインゴットとすることを特徴とする請求項1または2に記載の多結晶シリコンの連続鋳造方法。本発明はこのような状況に鑑みてなされたもので、電磁誘導加熱とプラズマアークによるプラズマ加熱を併用してシリコン原料を溶融し、太陽電池の基板材として好適な多結晶シリコンを連続的に鋳造するに際し、モールド内に投入した原料の落下に伴う溶融シリコンの跳ね上げによるプラズマトーチの先端へのシリコンの付着を抑制し、サイドアークの発生を防止することができる多結晶シリコンの連続鋳造方法を提供することを目的としている。前記図6に示したように、原料の落下に伴う溶融シリコンの跳ね上げによるプラズマトーチの先端へのシリコンの付着は、溶融シリコンの上を走査するプラズマトーチの位置と、シリコン原料のモールド内への投入高さおよび角度で決まる溶融シリコンの跳ね上げスプラッシュの方向により大きく左右される。そこで、本発明者らは、前記図6に示したような状況の出現を回避することができる、プラズマトーチの走査パターンならびにシリコン原料の投入高さおよび角度について検討した。その結果、下記1または2の条件と、3の条件が共に満たされるように、プラズマトーチの走査パターンを定め、シリコン原料の投入高さおよび角度を設定することにより、溶融シリコンの跳ね上げによるプラズマトーチ先端へのシリコンの付着を抑制できることが判明した。1プラズマトーチの走査パターンとして、モールドの中心を基点として、シリコン原料の投入方向に対し垂直の方向へ往復させる走査パターンを採用する。2プラズマトーチの走査パターンとして、前記1の条件の代わりに、モールドの中心を基点として、シリコン原料の投入方向と平行となるモールド側壁へ向かう一の方向但し、前記1に記載の原料の投入方向に対し垂直の方向を除く、または二以上の方向へ交互に往復させる走査パターンを採用する。3シリコン原料の投入方向を投入側モールド側壁に対して直角方向とし、投入角度俯角および高さを、プラズマトーチがモールドの中心を通過する場合には、投入する原料の少なくとも一部がプラズマトーチに衝突するように設定する。すなわち、投入する原料の落下点がモールドの中心から外れるように設定する。本発明はこのような知見に基づいてなされたもので、下記の多結晶シリコンの連続鋳造方法を要旨とする。すなわち、シリコン原料を無底の冷却モールドに投入し、電磁誘導加熱とプラズマアークによるプラズマ加熱を併用して溶融し、当該溶融したシリコンを下方に引き下げ凝固させることにより多結晶シリコンを連続的に鋳造する多結晶シリコンの連続鋳造方法であって、方形の無底モールド内の溶融シリコン上で、プラズマトーチを、モールドの中心を基点として、原料の投入方向に対して垂直の方向に走査させるか、または、モールド断面の2本の対角線により形成される4つの角のうち原料の投入方向に対して垂直で、かつモールドの中心を通る方向を含む2つの角に含まれるいずれか一の方向但し、前記垂直の方向を除くもしくは二以上の方向に走査させるとともに、シリコン原料のモールド内への投入を、当該投入側のモールド側壁に対して直角の方向で、かつ、プラズマトーチがシリコン原料の落下軌道線上にある場合には、投入する原料の少なくとも一部がプラズマトーチに衝突し、落下軌道線上から外れている場合には、投入する原料の落下点がモールドの中心から外れるように、投入角度および高さを調整して行うことを特徴とする多結晶シリコンの連続鋳造方法である。ここで、方形の無底モールドとは、断面形状が正方形または長方形矩形の無底モールドをいい、モールドの中心とは、モールド内の、プラズマトーチの走査面を含む断面における両対角線の交点をいう。原料投入側のモールド側壁とは、モールドを構成する4面の側壁のうちの1面の側壁であって、その上方にシリコン原料を投入するための原料供給ノズルが配設されているモールド側壁をいう。また、シリコン原料の落下軌道線とは、シリコン原料をモールド内に投入したときに描く落下軌跡を指す。本発明の多結晶シリコンの連続鋳造方法において、前記プラズマトーチの走査を、プラズマトーチの釣支部を固定点とする振り子運動またはプラズマトーチの水平方向での移動により行わせることとする実施形態を採用することができる。本発明の多結晶シリコンの連続鋳造方法において、前記連続的に鋳造する多結晶シリコンが長尺のインゴットの場合、本発明の連続鋳造方法は特に効果的である。本発明の多結晶シリコンの連続鋳造方法によれば、電磁誘導加熱とプラズマアークによるプラズマ加熱を併用してシリコン原料を溶融し、太陽電池の基板材として好適な多結晶シリコンを連続的に鋳造するに際し、モールド内に投入した原料の落下に伴う溶融シリコンの跳ね上げによるプラズマトーチ先端へのシリコンの付着を抑制し、サイドアークの発生を防止することができる。本発明の多結晶シリコンの連続鋳造方法は、シリコン原料を無底の冷却モールドに投入し、電磁誘導加熱とプラズマアークによるプラズマ加熱を併用して溶融し、当該溶融したシリコンを下方に引き下げ凝固させることにより多結晶シリコンを連続的に鋳造することを前提としている。電磁誘導技術の適用を前提とするのは、太陽電池の基板材として用いられる多結晶シリコンを製造するに際し、モールド内で、溶融シリコンとモールドとをほとんど接触させずに鋳造を行い、モールドからの金属汚染がなく、変換効率を良好に維持できる多結晶シリコンを連続して鋳造することができるからである。さらに、プラズマアーク加熱を併用するのは、シリコン原料の迅速かつ均一な溶解を促進して製造コストのより一層の低下を図ると共に、太陽電池としての品質の向上にも寄与することができるからである。本発明の多結晶シリコンの連続鋳造方法においては、方形の無底モールド内の溶融シリコン上でプラズマトーチを走査させるが、その走査方向は、モールドの中心を基点として、原料の投入方向に対して垂直の方向、または、モールド断面の2本の対角線により形成される4つの角のうち原料の投入方向に対して垂直の方向を含む2つの角に含まれるいずれか一の方向但し、前記垂直の方向を除くもしくは二以上の方向とする。図1は、本発明の多結晶シリコンの連続鋳造方法で採用されるプラズマトーチの溶融シリコン上での走査パターンの説明図で、aはモールドの断面形状が正方形の場合、bは矩形の場合である。図1aまたはbにおいて、原料供給ノズル1は、原料投入側のモールド2側壁に対してシリコン原料3が直角方向に投入されるように配設されている。なお、後述するように、プラズマトーチがシリコン原料の落下軌道線上にある場合には、投入する原料がプラズマトーチに衝突することと規定しており、プラズマトーチの走査方向の如何にかかわらずこの条件が満たされるためには、図1に示されるように、原料供給ノズル1は、原料投入側のモールド2側壁の水平方向長さの中間位置の上方に、シリコン原料3が直角方向に投入されるように取り付けられることとなる。図1aまたはbに示した両端に矢印を付した線分は、それぞれ溶融シリコン上でのプラズマトーチの走査パターンを例示している。これらの走査パターンのうち、符号Rを付した走査パターンは、プラズマトーチを、モールドの中心を基点として、原料の投入方向に対して垂直の方向に走査させる走査パターンである。図1aまたはbにおいて、符号Rを付した走査パターンを除いた走査パターンが、モールドの中心を基点として、モールド断面の2本の対角線により形成される4つの角のうち原料の投入方向に対して垂直の方向を含む2つの角角度θを付した2つの角に含まれるいずれか一の方向に走査させる走査パターンである。符号aまたは符号dを付した走査パターンは、それぞれ対角線の方向に走査させる走査パターンであるが、これらの走査パターンも含まれる。符号Rを付した走査パターンを除いたのは、前記原料の投入方向に対して垂直の方向に走査させるパターンと同じ走査パターンだからである。走査パターンは、モールドの中心を基点として、モールド断面の2本の対角線により形成される4つの角のうち原料の投入方向に対して垂直の方向を含む2つの角角度θを付した2つの角に含まれるいずれか二以上の方向に走査させる走査パターンとしてもよい。この走査パターンは、言い換えれば、モールドの中心を基点として、シリコン原料の投入方向と平行となるモールド側壁図1に示した例では、側壁Wa、Wbが該当するへ向かう二以上の方向へ往復させる走査パターンである。この走査パターンの例としては、実施例で採用したパターン3後述する図3c参照があげられる。すなわち、図1a、bを参照して説明すると、符号aを付した走査パターンモールドの中心から側壁Waへ向かい、モールドの中心へ戻った後、側壁Wbへ向かい、再度モールドの中心へ戻るパターン図3cのiのパターンで走査した後、符号dを付した走査パターンモールドの中心から側壁Waへ向かい、モールドの中心へ戻った後、側壁Wbへ向かい、再度モールドの中心へ戻るパターン図3cのiiのパターンで走査することを繰り返す走査パターンである。それぞれの走査パターンにおける走査の範囲つまり、モールドの中心基点からモールド側壁へ向けての走査範囲は特に限定しない。サイドアーク発生の危険性のある範囲をあらかじめ把握しておき、その範囲が含まれない安全な範囲内で、モールドの中心を基点として走査すればよい。プラズマトーチの走査パターンを上記のように規定するのは、次に述べるシリコン原料のモールド内への投入に関する規定を共に満たすことにより、モールド内に投入した原料の落下に伴う溶融シリコンの跳ね上げによるプラズマトーチの先端へのシリコンの付着を抑制し、サイドアークの発生の危険性をなくすためである。本発明の多結晶シリコンの連続鋳造方法においては、シリコン原料のモールド内への投入を、当該投入側のモールド側壁に対して直角の方向で、かつ、プラズマトーチがシリコン原料の落下軌道線上にある場合には、投入する原料の少なくとも一部がプラズマトーチに衝突し、落下軌道線上から外れている場合には、投入する原料の落下点がモールドの中心から外れるように、投入角度および高さを調整して行うこととする。図2は、本発明の多結晶シリコンの連続鋳造方法で採用されるプラズマトーチの溶融シリコン上での走査パターンの他の説明図で、aはプラズマトーチが原料の落下軌道線上に位置する場合、bは原料の落下軌道線から外れている場合である。図2aは、プラズマトーチ4を前述の走査パターンで溶融シリコン5上を走査させたとき、プラズマトーチ4が誘導コイル6の内側に配置されたモールド2の中心を通過する瞬間を示している。つまり、プラズマトーチ4が細い実線で示した原料の落下軌道線上に位置する場合であって、投入したシリコン原料3の少なくとも一部はプラズマトーチ4に衝突し、モールド2の側壁方向に向かって落下する。そのため、溶融シリコンの跳ね上げスプラッシュは主としてモールド2の側壁方向に向かうが図中に黒塗り矢印で表示、その方向にプラズマトーチ4は存在していないので、シリコンのプラズマトーチ4先端への付着は生じにくく、サイドアーク発生が回避される。一方、図2bは、プラズマトーチ4が原料の落下軌道線細い実線から外れている場合すなわち、プラズマトーチ4がモールドの中心から離れた部分を走査している場合で、モールド2内へ投入されたシリコン原料3はモールド中心の上方を通過して直接溶融シリコン5表面に落下する。シリコン原料3がモールド2の側壁方向に向かって落下するので、それによるスプラッシュは主にモールド2の側壁方向に向かうことになる黒塗り矢印で表示。この場合も、飛散方向にプラズマトーチ4は存在していないので、プラズマトーチ4先端へのシリコンの付着は起こりにくい。例えば、図2aを前記の図1aと対比すると、図2aは、図1aの符号Mcを付したモールドの中心にプラズマトーチが存在し、プラズマトーチがシリコン原料の落下軌道線上にある場合に相当する。プラズマトーチの走査パターンが前記の規定範囲内すなわち、図1aに示した角度θの角内にある限り、プラズマトーチ4に衝突したシリコン原料3はプラズマトーチ4の存在しない領域に落下し、しかも溶融シリコンの跳ね上げは主としてモールド2の側壁方向に向かうので、プラズマトーチ4先端へのシリコンの付着はほぼ完全に抑制される。一方、図2bは、プラズマトーチ4がモールドの中心から外れている場合であるが、これを前記図1aと対比すると、モールド2内へ投入されたシリコン原料3は符号Mcを付したモールドの中心の上方を通過するので、シリコン原料3の落下位置は、プラズマトーチ4の走査パターンの規定範囲外すなわち、図1aに示される角度θの角外にあり、しかも溶融シリコンの跳ね上げは主としてモールド2の側壁方向に向かうので、プラズマトーチ4先端へのシリコンの付着は極めて起こりにくい。プラズマトーチの走査パターンの上限ここでは、走査パターンの拡がりの限度をいうを、モールド断面の2本の対角線としたのは、図1および図2から明らかなように、この上限を越える領域まで拡げると、溶融シリコンの跳ね上げが主にモールド2の側壁方向に向かっているとしても、プラズマトーチ4先端へのシリコンの付着が生じる確率が格段に大きくなるかである。また、シリコン原料のモールド内への投入を、当該投入側のモールド側壁に対して直角の方向とするのは、この方向直角方向から外れる場合は、プラズマトーチの走査を前記規定範囲内で行ってもプラズマトーチ4先端へのシリコンの付着が生じる場合が出てくるからである。前記のように、投入する原料の少なくとも一部がプラズマトーチに衝突し、または、投入する原料の落下点がモールドの中心から外れるように行うのは、プラズマトーチがモールドの中心を通過する際に、その先端への溶融シリコンの跳ね上げによるシリコンの付着を回避するためである。図1および図2から類推されるように、例えば、投入する原料をプラズマトーチに衝突させず、モールドの中心付近例えば、符号Mcを付したモールドの中心の手前に落下させた場合、プラズマトーチの走査を前記規定範囲内で行っても、溶融シリコンの跳ね上げによるシリコンの付着の確率は著しく増大する。プラズマトーチを走査させる際のトーチ速度は特に限定しない。走査速度が速すぎると原料の溶解が十分に行われず、走査速度が遅すぎると、走査が行われない領域で未溶解の原料が一時的にせよ残存する場合があるので、原料の投入量、モールド内での分散状況等を勘案して、実績を踏まえて適宜調整すればよい。例えば、投入原料がプラズマトーチに接触する時間すなわち、前記図2aの状態にある時間と前記接触が回避される時間前記図2bの状態にある時間が同等となるように、速度を変えて走査させることが望ましい。原料の均一分散に有効だからである。本発明の多結晶シリコンの連続鋳造方法において、前記プラズマトーチの走査を、プラズマトーチの釣支部を固定点とする振り子運動またはプラズマトーチの水平方向での移動により行わせることとする実施形態を採用することができる。本発明の鋳造方法では、モールドの中心を基点として直線上を往復移動させるので、振り子運動を利用する走査によってもプラズマトーチの先端への溶融シリコンの跳ね上げによるシリコンの付着防止という目的は十分達成可能である。本発明の多結晶シリコンの連続鋳造方法において、前記連続的に鋳造する多結晶シリコンが長尺のインゴットの場合、本発明の連続鋳造方法は特に効果的である。プラズマトーチ先端へのシリコンの付着は、長尺のインゴットを製造する場合のように、操業が長時間に及ぶことによって顕在化しやすいからである。本発明の連続鋳造方法を適用して、断面の寸法が345mm×345mm、および345mm×505mmの多結晶シリコンのインゴットを鋳造し、本発明の効果を確認した。プラズマの照射時間は連続50時間とした。図3は、本実施例で採用したプラズマトーチの走査パターンの説明図で、aは従来の走査パターンパターン1、bおよびcは本発明の規定を満たす走査パターンで、bは走査方向が1方向の場合パターン2、cは走査方向が2方向の場合パターン3である。パターン3では、まずiのパターンで、モールド2の中心から両対角方向へ一往復ずつの走査を行った後、iiのパターンで同じく一往復ずつの走査を行い、この一連の走査を繰り返す。図4は、原料供給ノズルの角度俯角を調整することにより定まる原料の落下軌道の説明図で、aは従来の落下軌道パターンAを、bは本発明の規定を満たす落下軌道パターンBを示す。パターンAでは、モールド2内へ投入する原料3をプラズマトーチ4に衝突させず、モールドの中心付近に落下させた。本発明の効果の評価は、プラズマトーチ先端へのシリコンの付着状況およびサイドアーク発生状況を肉眼観察で調査することにより行った。評価基準は下記のとおりである。シリコンの付着状況付着小:シリコンの付着量が少なく、サイドアークの発生が認められなかった。付着大:シリコンの付着量が多く、サイドアークの発生が認められた。シリコンの付着状況については、付着小であれば良好とした。サイドアーク発生状況無し:サイドアークの発生が認められなかった。有り:サイドアークの発生が認められた少量の疵発生、または疵が多発。サイドアーク発生状況については、無しの場合、良好とした。調査結果を表1に示す。表1に示したように、プラズマトーチの走査パターンを本発明の規定を満たすパターン2、またはパターン3とし、かつ、原料供給ノズルの角度俯角を調整して原料の落下軌道を本発明の規定を満たすパターンBとしたとき、プラズマトーチ先端へのシリコンの付着量を少なくし、サイドアークの発生を抑えることができた本発明例1~4。プラズマトーチの走査パターンを本発明の規定を満たすパターン2、またはパターン3としても、原料の落下軌道を本発明の規定から外れるパターンAとしたときは比較例3、4、比較例7、8、シリコンの付着量が多く、サイドアークの発生が認められた。