KKは2以上の整数個の画素が設けられたセルと、前記K個の画素で共有され、前記画素から読み出された信号を増幅する増幅トランジスタと、前記K個の画素から読み出された信号をリセットする複数のリセットトランジスタとを備えることを特徴とする固体撮像装置。前記複数のリセットトランジスタは、前記K個の画素から読み出された信号を同時にリセットすることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記増幅トランジスタのドレインは、前記複数のリセットトランジスタのドレインと別駆動されることを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置。前記複数のリセットトランジスタに対応してそれぞれ設けられたフローティングディフュージョンを備えることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記リセットトランジスタのドレインは、隣接セル間で共有されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記複数のリセットトランジスタは、前記増幅トランジスタに対して対称配置されていることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記セルには縦方向に配列された4個の画素が設けられ、前記増幅トランジスタに対して2画素単位で対称配置されていることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。奇数列の前記増幅トランジスタは偶数列の前記増幅トランジスタに対して縦方向に2画素分だけずらされて配置されていることを特徴とする請求項7に記載の固体撮像装置。前記セルには縦方向に配列された8個の画素が設けられ、前記増幅トランジスタに対して4画素単位で対称配置されていることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。本発明の一つの実施形態の目的は、複数画素共有構造において、リセットトランジスタおよび増幅トランジスタに対してフローティングディフュージョンを対称に配置することが可能な固体撮像装置を提供することである。実施形態の固体撮像装置によれば、セルと、増幅トランジスタと、複数のリセットトランジスタとが設けられている。セルは、KKは2以上の整数個の画素が設けられている。増幅トランジスタは、前記K個の画素で共有され、前記画素から読み出された信号を増幅する。複数のリセットトランジスタは、前記K個の画素から読み出された信号をリセットする。以下、実施形態に係る固体撮像装置について図面を参照しながら説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。第1実施形態図1は、第1実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。図1において、この固体撮像装置には、セルUC1が行方向および列方向にマトリックス状に配置されている。ここで、各セルUC1には、4個のフォトダイオードPD1~PD4、4個の読み出しトランジスタTd1~Td4、2個のリセットトランジスタTc1、Tc2、2個のフローティングディフュージョンFD1、FD2および1個の増幅トランジスタTbが設けられている。ここで、各フォトダイオードPD1~PD4は、撮像対象からの光を画素単位で電気信号に変換することができる。読み出しトランジスタTd1~Td4は、フォトダイオードPD1~PD4にて光電変換された信号をそれぞれ読み出すことができる。リセットトランジスタTc1、Tc2は、フォトダイオードPD1~PD4から読み出された信号を同時にリセットすることができる。フローティングディフュージョンFD1、FD2は互いに電気的に接続され、フォトダイオードPD1~PD4から読み出された信号を検出させることができる。増幅トランジスタTbは、フォトダイオードPD1~PD4にて共有され、フォトダイオードPD1~PD4から読み出された信号を増幅することができる。そして、フォトダイオードPD1~PD4は、縦方向に並べて配置され、フォトダイオードPD1はMMは正の整数行目、フォトダイオードPD2はM1行目、フォトダイオードPD3はM2行目、フォトダイオードPD4はM3行目に配置することができる。また、フローティングディフュージョンFD1は、読み出しトランジスタTd1、Td2のドレインと共有され、フローティングディフュージョンFD2は、読み出しトランジスタTd3、Td4のドレインと共有されている。また、読み出しトランジスタTd1~Td4のソースはフォトダイオードPD1~PD4にそれぞれ接続されている。また、フローティングディフュージョンFD1、FD2は、増幅トランジスタTbに対して互いに対称になるように配置されている。また、リセットトランジスタTc1、Tc2は、増幅トランジスタTbに対して互いに対称になるように配置されている。また、リセットトランジスタTc1は、セルUC1の上端に配置され、リセットトランジスタTc2は、セルUC1の下端に配置されている。そして、リセットトランジスタTc1のドレインは、自己が属するセルUC1の上側に隣接するセルのリセットトランジスタTc2のドレインと共有されている。また、リセットトランジスタTc2のドレインは、自己が属するセルUC1の下側に隣接するセルのリセットトランジスタTc1のドレインと共有されている。リセットトランジスタTc1のソースは、フローティングディフュージョンFD1に接続され、リセットトランジスタTc2のソースは、フローティングディフュージョンFD2に接続されている。また、この固体撮像装置には、行ごとに画素を走査する行走査回路1が設けられるとともに、各画素から読み出された信号を列ごとに伝送する垂直信号線VLが設けられている。そして、行走査回路1には、ドレイン電源線HD1、HD2、リセット制御線HS1、HS2、読み出し制御線HR1~HR4が接続されている。なお、行走査回路1は、セルUC1の画素から信号を読み出す時は、リセット制御線HS1、HS2を組として駆動することができる。ここで、読み出し制御線HR1~HR4は行ごとに設けられ、読み出しトランジスタTd1~Td4のゲートにそれぞれ接続されている。リセット制御線HS1、HS2は、M行目とM3行目に設けられ、リセットトランジスタTc1、Tc2のゲートにそれぞれ接続されている。ドレイン電源線HD1は、上側に隣接するセルUC1との境界に配置され、リセットトランジスタTc1のドレインに接続されている。ドレイン電源線HD2は、下側に隣接するセルUC1との境界に配置され、リセットトランジスタTc2のドレインに接続されている。行走査回路1には、この行走査線が繰り返し単位で接続されている。増幅トランジスタTbのゲートはフローティングディフュージョンFD1、FD2に接続され、増幅トランジスタTbのソースは垂直信号線VLに接続され、増幅トランジスタTbのドレインはドレイン電源AVDDに接続されている。なお、ドレイン電源AVDDは、この固体撮像装置の全てのセルUC1の増幅トランジスタTbのドレインに共通に接続することができる。また、ドレイン電源AVDDの電圧は固定値に設定することができる。図2は、図1の固体撮像装置の読み出し動作を示すタイミングチャートである。図2において、例えば、M行目の画素から信号を読み出すものとすると、リセット制御線HS1、HS2にリセット信号RESET12、RESET13がそれぞれ与えられることで、リセットトランジスタTc1、Tc2がオンし、フローティングディフュージョンFD1、FD2の電荷がリセットされる。そして、フローティングディフュージョンFD1、FD2のリセットレベルに応じた電圧が増幅トランジスタTbのゲートにかかり、増幅トランジスタTbのゲートに印加された電圧にNNは正の整数列目の垂直信号線VLの電圧が追従することで、リセットレベルの画素信号VSig1がN列目の垂直信号線VLに出力される。なお、増幅トランジスタTbは、垂直信号線VLに接続された負荷トランジスタとソースフォロアを構成することができる。次に、読み出し制御線HR1にリード信号READ13が与えられることで、読み出しトランジスタTd1がオンし、フォトダイオードPD1で検出された電荷がフローティングディフュージョンFD1、FD2に転送される。そして、フローティングディフュージョンの信号レベルに応じた電圧が増幅トランジスタTbのゲートにかかり、増幅トランジスタTbのゲートに印加された電圧にN列目の垂直信号線VLの電圧が追従することで、信号レベルの画素信号VSig1がN列目の垂直信号線VLに出力される。次に、リセット制御線HS1、HS2にリセット信号RESET12、RESET13がそれぞれ与えられることで、リセットトランジスタTc1、Tc2がオンする。この時、ドレイン電源線HD1、HD2にドレインパルスDRAIN11、DRAIN12がそれぞれ与えられることで、フローティングディフュージョンFD1、FD2の電位が電源電位に設定される。なお、このドレインパルスDRAIN11、DRAIN12は、この固体撮像装置の全てのセルUC1のリセットトランジスタTc1、Tc2のドレインに一括して与えられる。ここで、フローティングディフュージョンFD1、FD2の電位が電源電位に設定されると、増幅トランジスタTbがオフし、各画素が垂直信号線VLから切り離される。このため、各画素から信号を読み出した後、全てのセルUC1のフローティングディフュージョンFD1、FD2の電位を電源電位に設定することにより、読み出し対象となる画素以外の画素からの信号に基づいて垂直信号線VLが駆動されるのを防止することができる。次に、M1行目の画素から信号を読み出すものとすると、リセット制御線HS1、HS2にリセット信号RESET12、RESET13がそれぞれ与えられることで、リセットトランジスタTc1、Tc2がオンし、フローティングディフュージョンFD1、FD2の電荷がリセットされる。そして、フローティングディフュージョンFD1、FD2のリセットレベルに応じた電圧が増幅トランジスタTbのゲートにかかり、増幅トランジスタTbのゲートに印加された電圧にN列目の垂直信号線VLの電圧が追従することで、リセットレベルの画素信号VSig1がN列目の垂直信号線VLに出力される。次に、読み出し制御線HR2にリード信号READ14が与えられることで、読み出しトランジスタTd2がオンし、フォトダイオードPD2で検出された電荷がフローティングディフュージョンFD1、FD2に転送される。そして、フローティングディフュージョンの信号レベルに応じた電圧が増幅トランジスタTbのゲートにかかり、増幅トランジスタTbのゲートに印加された電圧にN列目の垂直信号線VLの電圧が追従することで、信号レベルの画素信号VSig1がN列目の垂直信号線VLに出力される。次に、リセット制御線HS1、HS2にリセット信号RESET12、RESET13がそれぞれ与えられることで、リセットトランジスタTc1、Tc2がオンする。この時、ドレイン電源線HD1、HD2にドレインパルスDRAIN11、DRAIN12がそれぞれ与えられることで、フローティングディフュージョンFD1、FD2の電位が電源電位に設定される。次に、M2行目の画素から信号を読み出すものとすると、リセット制御線HS1、HS2にリセット信号RESET12、RESET13がそれぞれ与えられることで、リセットトランジスタTc1、Tc2がオンし、フローティングディフュージョンFD1、FD2の電荷がリセットされる。そして、フローティングディフュージョンFD1、FD2のリセットレベルに応じた電圧が増幅トランジスタTbのゲートにかかり、増幅トランジスタTbのゲートに印加された電圧にN列目の垂直信号線VLの電圧が追従することで、リセットレベルの画素信号VSig1がN列目の垂直信号線VLに出力される。次に、読み出し制御線HR3にリード信号READ15が与えられることで、読み出しトランジスタTd3がオンし、フォトダイオードPD3で検出された電荷がフローティングディフュージョンFD1、FD2に転送される。そして、フローティングディフュージョンの信号レベルに応じた電圧が増幅トランジスタTbのゲートにかかり、増幅トランジスタTbのゲートに印加された電圧にN列目の垂直信号線VLの電圧が追従することで、信号レベルの画素信号VSig1がN列目の垂直信号線VLに出力される。次に、リセット制御線HS1、HS2にリセット信号RESET12、RESET13がそれぞれ与えられることで、リセットトランジスタTc1、Tc2がオンする。この時、ドレイン電源線HD1、HD2にドレインパルスDRAIN11、DRAIN12がそれぞれ与えられることで、フローティングディフュージョンFD1、FD2の電位が電源電位に設定される。ここで、1個の増幅トランジスタTbにて4画素が共有されているセルUC1に2個のリセットトランジスタTc1、Tc2を設けることにより、増幅トランジスタTbに対してリセットトランジスタTc1、Tc2が互いに対称になるように配置することができる。このため、フローティングディフュージョンFD1、FD2間の寄生容量が互いに等しくなるようにレイアウト設定することができ、画素間で段差状のノイズが発生するのを防止することができる。また、ドレイン電源線HD1、HD2をドレイン電源AVDDと分離することにより、垂直信号線VLの容量負荷を小さくすることができ、高速動作化を実現することが可能となるとともに、増幅トランジスタTbのドレイン電位を固定することができ、垂直信号線VLの電位の揺れを少なくしてノイズを低減させることができる。また、同一の増幅トランジスタTbにて共有されるリセットトランジスタTc1、Tc2のリセット制御線HS1、HS2を組で駆動することにより、1個のセルUC1に2個のリセットトランジスタTc1、Tc2を設けた場合においても、フローティングディフュージョンFD1、FD2の信号が互いに干渉するのを防止することができ、リセットレベルを正確に設定することができる。図3は、図1の固体撮像装置の画素アレイ部のレイアウト構成を示す平面図である。図3において、半導体基板には、4個のフォトダイオードPD1~PD4がセルUC1単位で縦方向に並べて配置されている。そして、フォトダイオードPD1、PD2に隣接するようにフローティングディフュージョンFD1が配置され、フォトダイオードPD3、PD4に隣接するようにフローティングディフュージョンFD2が配置されている。そして、フォトダイオードPD1とフローティングディフュージョンFD1との間にはゲート電極G1が配置され、フォトダイオードPD2とフローティングディフュージョンFD1との間にはゲート電極G2が配置され、フォトダイオードPD3とフローティングディフュージョンFD2との間にはゲート電極G3が配置され、フォトダイオードPD4とフローティングディフュージョンFD2との間にはゲート電極G4が配置されている。なお、ゲート電極G1~G4は、読み出しトランジスタTd1~Td4をそれぞれ構成することができる。また、上側に隣接するセルとの境界には不純物拡散層F1が配置され、フローティングディフュージョンFD1と不純物拡散層F1との間にはゲート電極G9が配置されている。下側に隣接するセルとの境界には不純物拡散層F4が配置され、フローティングディフュージョンFD2と不純物拡散層F4との間にはゲート電極G10が配置されている。なお、ゲート電極G9、G10は、リセットトランジスタTc1、TC2をそれぞれ構成することができる。また、フローティングディフュージョンFD1、FD2間には、不純物拡散層F2、F3が配置され、不純物拡散層F2、F3間にはゲート電極G0が配置されている。なお、ゲート電極G0は、増幅トランジスタTbを構成することができる。ここで、フローティングディフュージョンFD1、FD2は、ゲート電極G0に対して互いに対称になるように配置されている。また、ゲート電極G0に対してセルUC1の上側と下側とは鏡像関係になるように配置されている。また、セルUC1のリセットトランジスタTc1、Tc2および増幅トランジスタTbは、N列目のフォトダイオードPD1~PD4と、N1列目のフォトダイオードPD1~PD4との間に配置されている。そして、フローティングディフュージョンFD1、FD2は配線H1を介してゲート電極G0に接続されている。不純物拡散層F3は配線H2を介して垂直信号線VLに接続されている。ドレイン電源線HD1は、不純物拡散層F1に接続され、ドレイン電源線HD2は、不純物拡散層F4に接続されている。リセット制御線HS1は、ゲート電極G9に接続され、リセット制御線HS2は、ゲート電極G10に接続されている。読み出し制御線HR1~HR4は、ゲート電極G1~G4にそれぞれ接続されている。電源線VDは、不純物拡散層F2に接続されている。この電源線VDは、ドレイン電源AVDDを供給することができる。なお、読み出しトランジスタTd1~Td4、リセットトランジスタTc1、Tc2、フローティングディフュージョンFD1、FD2および増幅トランジスタTbは半導体基板の表面側に配置し、フォトダイオードPD1~PD4は、半導体基板の裏面側に配置することができる。この場合、リセット制御線HS1、HS2、読み出し制御線HR1~HR4および電源線VDなどの配線をフォトダイオードPD1~PD4と重なるように配置することができ、配線のレイアウトの自由度を向上させることができる。なお、読み出しトランジスタTd1~Td4、リセットトランジスタTc1、Tc2、フローティングディフュージョンFD1、FD2および増幅トランジスタTbとともにフォトダイオードPD1~PD4も、半導体基板の表面側に配置するようにしてもよい。この場合、フォトダイオードPD1~PD4への光の入射が妨げられないようにするために、フォトダイオードPD1~PD4を避けるようにして、リセット制御線HS1、HS2、読み出し制御線HR1~HR4および電源線VDなどの配線を配置することができる。ここで、フローティングディフュージョンFD1、FD2がゲート電極G0に対して互いに対称になるように配置することで、フローティングディフュージョンFD1、FD2間の寄生容量が互いに等しくなるようにレイアウト設定することができ、画素間で段差状のノイズが発生するのを防止することができる。なお、図3の例では、ドレイン電源線HD1、HD2および電源線VDを横方向に配線する方法について説明したが、縦方向に配線するようにしてもよい。第2実施形態図4は、第2実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。図4において、この固体撮像装置には、セルUC1が行方向および列方向にマトリックス状に配置されている。なお、図4のセルUC1の構成は図1のセルUC1の構成と同様である。ただし、図4のN1列目のセルUC1 ́及びUC1 ́ ́は、N列目のセルUC1に対して縦方向に2画素分だけずらされて配置されている。また、N1列目のセルUC1 ́には、ドレイン電源線HD1 ́、HD2 ́およびリセット制御線HS1 ́、HS2 ́が、N列目のセルUC1のドレイン電源線HD1、HD2およびリセット制御線HS1、HS2と別個に設けられている。ここで、リセット制御線HS1 ́、HS2 ́は、N1列目のセルUC1 ́のリセットトランジスタTc1、Tc2のゲートにそれぞれ接続されている。ドレイン電源線HD1 ́は、N1列目の上側に隣接するセルUC1 ́との境界に配置され、N1列目のセルUC1 ́のリセットトランジスタTc1のドレインに接続されている。ドレイン電源線HD2 ́は、N1列目の下側に隣接するセルUC1 ́との境界に配置され、N1列目のセルUC1 ́のリセットトランジスタTc2のドレインに接続されている。また、N1列目のセルUC1 ́では、読み出し制御線HR1は、読み出しトランジスタTd4のゲートに接続され、読み出し制御線HR2は、トランジスタTd1のゲートに接続され、読み出し制御線HR3は、読み出しトランジスタTd2のゲートに接続され、読み出し制御線HR4は、読み出しトランジスタTd3のゲートに接続されている。また、この固体撮像装置には、図1の行走査回路1の代わりに行走査回路2が設けられている。この行走査回路2には、ドレイン電源線HD1、HD2、HD1 ́、HD2 ́、HD1 ́ ́、HD2 ́ ́、リセット制御線HS1、HS2、HS1 ́、HS2 ́、HS1 ́ ́、HS2 ́ ́、読み出し制御線HR1~HR4が接続されている。ここで、行走査回路2は、例えば、N列目かつM行目の画素から信号を読み出す時は、リセット制御線HS1、HS2、HS1 ́ ́、HS2 ́ ́を組として駆動し、N列目かつM1行目の画素から信号を読み出す時は、リセット制御線HS1、HS2、HS1 ́、HS2 ́を組として駆動する。行走査回路2には、この行走査線が繰り返し単位で接続されている。図5は、図4の固体撮像装置の読み出し動作を示すタイミングチャートである。図5において、例えば、N列目かつM行目の画素から信号を読み出すものとすると、リセット制御線HS1、HS2にリセット信号RESET12、RESET15がそれぞれ与えられることで、セルUC1のリセットトランジスタTc1、Tc2がオンし、セルUC1のフローティングディフュージョンFD1、FD2の電荷がリセットされる。そして、セルUC1のフローティングディフュージョンFD1、FD2のリセットレベルに応じた電圧がセルUC1の増幅トランジスタTbのゲートにかかり、セルUC1の増幅トランジスタTbのゲートに印加された電圧にN列目の垂直信号線VLの電圧が追従することで、リセットレベルの画素信号VSig1がN列目の垂直信号線VLに出力される。この時、リセット制御線HS1 ́ ́、HS2 ́ ́にリセット信号RESET10、RESET13がそれぞれ与えられることで、セルUC1 ́ ́のリセットトランジスタTc1、Tc2がオンし、セルUC1 ́ ́のフローティングディフュージョンFD1、FD2の電荷がリセットされる。そして、セルUC1 ́ ́のフローティングディフュージョンFD1、FD2のリセットレベルに応じた電圧がセルUC1 ́ ́の増幅トランジスタTbのゲートにかかり、セルUC1 ́ ́の増幅トランジスタTbのゲートに印加された電圧にN1列目の垂直信号線VLの電圧が追従することで、リセットレベルの画素信号VSig2がN1列目の垂直信号線VLに出力される。次に、読み出し制御線HR1にリード信号READ13が与えられることで、セルUC1の読み出しトランジスタTd1がオンし、セルUC1のフォトダイオードPD1で検出された電荷がセルUC1のフローティングディフュージョンFD1、FD2に転送される。そして、セルUC1のフローティングディフュージョンの信号レベルに応じた電圧がセルUC1の増幅トランジスタTbのゲートにかかり、セルUC1の増幅トランジスタTbのゲートに印加された電圧にN列目の垂直信号線VLの電圧が追従することで、信号レベルの画素信号VSig1がN列目の垂直信号線VLに出力される。また、読み出し制御線HR1にリード信号READ13が与えられると、セルUC1 ́ ́の読み出しトランジスタTd4がオンし、セルUC1 ́ ́のフォトダイオードPD4で検出された電荷がセルUC1 ́ ́のフローティングディフュージョンFD1、FD2に転送される。そして、セルUC1 ́ ́のフローティングディフュージョンの信号レベルに応じた電圧がセルUC1 ́ ́の増幅トランジスタTbのゲートにかかり、セルUC1 ́ ́の増幅トランジスタTbのゲートに印加された電圧にN1列目の垂直信号線VLの電圧が追従することで、信号レベルの画素信号VSig2がN1列目の垂直信号線VLに出力される。次に、リセット制御線HS1、HS2にリセット信号RESET12、RESET15がそれぞれ与えられることで、セルUC1のリセットトランジスタTc1、Tc2がオンする。この時、ドレイン電源線HD1、HD2にドレインパルスDRAIN11、DRAIN13がそれぞれ与えられることで、セルUC1のフローティングディフュージョンFD1、FD2の電位が電源電位に設定される。また、リセット制御線HS1 ́ ́、HS2 ́ ́にリセット信号RESET10、RESET13がそれぞれ与えられることで、セルUC1 ́ ́のリセットトランジスタTc1、Tc2がオンする。この時、ドレイン電源線HD1 ́ ́、HD1 ́にドレインパルスDRAIN10、DRAIN12がそれぞれ与えられることで、セルUC1 ́ ́のフローティングディフュージョンFD1、FD2の電位が電源電位に設定される。次に、N列目かつM1行目の画素から信号を読み出すものとすると、リセット制御線HS1、HS2にリセット信号RESET12、RESET15がそれぞれ与えられることで、セルUC1のリセットトランジスタTc1、Tc2がオンし、セルUC1のフローティングディフュージョンFD1、FD2の電荷がリセットされる。そして、セルUC1のフローティングディフュージョンFD1、FD2のリセットレベルに応じた電圧がセルUC1の増幅トランジスタTbのゲートにかかり、セルUC1の増幅トランジスタTbのゲートに印加された電圧にN列目の垂直信号線VLの電圧が追従することで、リセットレベルの画素信号VSig1がN列目の垂直信号線VLに出力される。この時、リセット制御線HS1 ́、HS2 ́にリセット信号RESET15、RESET17がそれぞれ与えられることで、セルUC1 ́のリセットトランジスタTc1、Tc2がオンし、セルUC1 ́のフローティングディフュージョンFD1、FD2の電荷がリセットされる。そして、セルUC1 ́のフローティングディフュージョンFD1、FD2のリセットレベルに応じた電圧がセルUC1 ́の増幅トランジスタTbのゲートにかかり、セルUC1 ́の増幅トランジスタTbのゲートに印加された電圧にN1列目の垂直信号線VLの電圧が追従することで、リセットレベルの画素信号VSig2がN1列目の垂直信号線VLに出力される。次に、読み出し制御線HR2にリード信号READ14が与えられることで、セルUC1の読み出しトランジスタTd1がオンし、セルUC1のフォトダイオードPD1で検出された電荷がセルUC1のフローティングディフュージョンFD1、FD2に転送される。そして、セルUC1のフローティングディフュージョンの信号レベルに応じた電圧がセルUC1の増幅トランジスタTbのゲートにかかり、セルUC1の増幅トランジスタTbのゲートに印加された電圧にN列目の垂直信号線VLの電圧が追従することで、信号レベルの画素信号VSig1がN列目の垂直信号線VLに出力される。また、読み出し制御線HR2にリード信号READ14が与えられると、セルUC1 ́の読み出しトランジスタTd1がオンし、セルUC1 ́のフォトダイオードPD1で検出された電荷がセルUC1 ́のフローティングディフュージョンFD1、FD2に転送される。そして、セルUC1 ́のフローティングディフュージョンの信号レベルに応じた電圧がセルUC1 ́の増幅トランジスタTbのゲートにかかり、セルUC1 ́の増幅トランジスタTbのゲートに印加された電圧にN1列目の垂直信号線VLの電圧が追従することで、信号レベルの画素信号VSig2がN1列目の垂直信号線VLに出力される。次に、リセット制御線HS1、HS2にリセット信号RESET12、RESET15がそれぞれ与えられることで、セルUC1のリセットトランジスタTc1、Tc2がオンする。この時、ドレイン電源線HD1、HD2にドレインパルスDRAIN11、DRAIN13がそれぞれ与えられることで、セルUC1のフローティングディフュージョンFD1、FD2の電位が電源電位に設定される。また、リセット制御線HS1 ́、HS2 ́にリセット信号RESET14、RESET17がそれぞれ与えられることで、セルUC1 ́のリセットトランジスタTc1、Tc2がオンする。この時、ドレイン電源線HD1 ́、HD2 ́にドレインパルスDRAIN12、DRAIN14がそれぞれ与えられることで、セルUC1 ́のフローティングディフュージョンFD1、FD2の電位が電源電位に設定される。以下、次の行から信号を読み出す場合についても同様に動作される。ここで、N列目とN1列目とでセルを縦方向にずらして配置することにより、グリーン同士でレイアウトを対称化することができ、色のばらつきを低減させることができる。図6は、図4の固体撮像装置の画素アレイ部のレイアウト構成を示す平面図である。図6において、固体撮像装置のセルUC1のレイアウト構成は、図3のレイアウト構成と同様である。ただし、N1列目のセルUC1は、N列目のセルUC1に対して2画素分だけ縦方向にずらして配置されている。これにより、セルUC1を千鳥配置した場合においても、フローティングディフュージョンFD1、FD2がゲート電極G0に対して互いに対称になるように配置することができる。このため、グリーン同士でレイアウトを対称化することを可能としつつ、フローティングディフュージョンFD1、FD2間の寄生容量が互いに等しくなるようにレイアウト設定することができ、色のばらつきを低減させつつ、画素間で段差状のノイズが発生するのを防止することができる。なお、図6の例では、ドレイン電源線HD1、HD2および電源線VDを横方向に配線する方法について説明したが、縦方向に配線するようにしてもよい。また、図6の例では、裏面照射型CMOSセンサの配線レイアウトを例に取ったが、表面照射型CMOSセンサに適用するようにしてもよい。第3実施形態図7は、第3実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。図7において、この固体撮像装置には、セルUC2が行方向および列方向にマトリックス状に配置されている。ここで、各セルUC2には、8個のフォトダイオードPD1~PD8、8個の読み出しトランジスタTd1~Td8、2個のリセットトランジスタTc1、Tc2、2個のフローティングディフュージョンFD1、FD2および1個の増幅トランジスタTbが設けられている。ここで、各フォトダイオードPD1~PD8は、撮像対象からの光を画素単位で電気信号に変換することができる。読み出しトランジスタTd1~Td8は、フォトダイオードPD1~PD8にて光電変換された信号をそれぞれ読み出すことができる。リセットトランジスタTc1、Tc2は、フォトダイオードPD1~PD8から読み出された信号を同時にリセットすることができる。フローティングディフュージョンFD1、FD2は互いに電気的に接続され、フォトダイオードPD1~PD8から読み出された信号を検出させることができる。増幅トランジスタTbは、フォトダイオードPD1~PD8にて共有され、フォトダイオードPD1~PD8から読み出された信号を増幅することができる。そして、フォトダイオードPD1~PD4は、N列目の縦方向に並べて配置され、フォトダイオードPD1はM行目、フォトダイオードPD2はM1行目、フォトダイオードPD3はM2行目、フォトダイオードPD4はM3行目に配置することができる。フォトダイオードPD5~PD8は、N1列目の縦方向に並べて配置され、フォトダイオードPD5はM4行目、フォトダイオードPD6はM5行目、フォトダイオードPD7はM6行目、フォトダイオードPD8はM7行目に配置することができる。また、フローティングディフュージョンFD1は、読み出しトランジスタTd3、Td4のドレインと共有され、フローティングディフュージョンFD2は、読み出しトランジスタTd5、Td6のドレインと共有されている。また、読み出しトランジスタTd1~Td8のソースはフォトダイオードPD1~PD8にそれぞれ接続されている。また、フローティングディフュージョンFD1、FD2は、増幅トランジスタTbに対して互いに対称になるように配置されている。また、リセットトランジスタTc1、Tc2は、増幅トランジスタTbに対して互いに対称になるように配置されている。また、リセットトランジスタTc1のドレインは、自己が属するセルUC2の右上側に隣接するセルUC2 ́のリセットトランジスタTc2のドレインと共有されている。また、リセットトランジスタTc2のドレインは、自己が属するセルUC2の左下側に隣接するセルのリセットトランジスタTc1のドレインと共有されている。リセットトランジスタTc1のソースは、フローティングディフュージョンFD1に接続され、リセットトランジスタTc2のソースは、フローティングディフュージョンFD2に接続されている。また、この固体撮像装置には、行ごとに画素を走査する行走査回路3が設けられるとともに、各画素から読み出された信号を列ごとに伝送する垂直信号線VLが設けられている。そして、行走査回路3には、ドレイン電源線HD1、HD2、リセット制御線HS1、HS2、読み出し制御線HR1~HR8が接続されている。ここで、読み出し制御線HR1~HR8は行ごとに設けられ、読み出し制御線HR1~HR8は読み出しトランジスタTd1~Td8のゲートにそれぞれ接続されている。リセット制御線HS1、HS2は、M2行目とM5行目に設けられ、リセットトランジスタTc1、Tc2のゲートにそれぞれ接続されている。ドレイン電源線HD1は、M1行目とM2行目の間に設けられ、リセットトランジスタTc1のドレインに接続されている。ドレイン電源線HD2は、M5行目とM6行目の間に設けられ、リセットトランジスタTc2のドレインに接続されている。行走査回路3には、この行走査線が繰り返し単位で接続されている。増幅トランジスタTbのゲートはフローティングディフュージョンFD1、FD2に接続され、増幅トランジスタTbのソースは垂直信号線VLに接続され、増幅トランジスタTbのドレインはドレイン電源AVDDに接続されている。なお、ドレイン電源AVDDは、この固体撮像装置の全てのセルUC2の増幅トランジスタTbのドレインに共通に接続することができる。また、ドレイン電源AVDDの電圧は固定値に設定することができる。なお、図7の例では、各セルUC2に2個のリセットトランジスタTc1、Tc2を設ける方法について説明したが、各セルUC2に4個のリセットトランジスタを設けるようにしてもよい。図8は、図7の固体撮像装置の読み出し動作を示すタイミングチャートである。図8において、例えば、N列目かつM2行目の画素から信号を読み出すものとすると、リセット制御線HS1、HS2にリセット信号RESET12、RESET13がそれぞれ与えられることで、リセットトランジスタTc1、Tc2がオンし、フローティングディフュージョンFD1、FD2の電荷がリセットされる。そして、フローティングディフュージョンFD1、FD2のリセットレベルに応じた電圧が増幅トランジスタTbのゲートにかかり、増幅トランジスタTbのゲートに印加された電圧にN1列目の垂直信号線VLの電圧が追従することで、リセットレベルの画素信号VSig2がN1列目の垂直信号線VLに出力される。この時、リセット制御線HS1 ́、HS2 ́にもリセット信号RESET10、RESET11がそれぞれ与えられることで、セルUC2のリセットトランジスタTc1とドレインを共有するセルUC2 ́のリセットトランジスタTc2がオンされるとともに、セルUC2 ́のリセットトランジスタTc2と電気的に接続されたセルUC2 ́のリセットトランジスタTc1がオンされる。次に、読み出し制御線HR3にリード信号READ13が与えられることで、読み出しトランジスタTd3がオンし、フォトダイオードPD3で検出された電荷がフローティングディフュージョンFD1、FD2に転送される。そして、フローティングディフュージョンの信号レベルに応じた電圧が増幅トランジスタTbのゲートにかかり、増幅トランジスタTbのゲートに印加された電圧にN1列目の垂直信号線VLの電圧が追従することで、信号レベルの画素信号VSig2がN1列目の垂直信号線VLに出力される。次に、リセット制御線HS1、HS2にリセット信号RESET12、RESET13がそれぞれ与えられることで、リセットトランジスタTc1、Tc2がオンする。この時、ドレイン電源線HD1、HD2にドレインパルスDRAIN11、DRAIN12がそれぞれ与えられることで、フローティングディフュージョンFD1、FD2の電位が電源電位に設定される。以下、次の行から信号を読み出す場合についても同様に動作される。ここで、1個の増幅トランジスタTbにて8画素が共有されているセルUC2に2個のリセットトランジスタTc1、Tc2を設けることにより、増幅トランジスタTbに対してリセットトランジスタTc1、Tc2が互いに対称になるように配置することができる。このため、フローティングディフュージョンFD1、FD2間の寄生容量が互いに等しくなるようにレイアウト設定することができ、画素間で段差状のノイズが発生するのを防止することができる。図9は、図7の固体撮像装置の画素アレイ部のレイアウト構成を示す平面図である。図9において、半導体基板には、セルUC2に属する4個のフォトダイオードPD1~PD4はN列目の縦方向に並べて配置され、セルUC2に属する4個のフォトダイオードPD5~PD8はN1列目の縦方向に並べて配置されている。そして、フォトダイオードPD3、PD4に隣接するようにフローティングディフュージョンFD1が配置され、フォトダイオードPD5、PD6に隣接するようにフローティングディフュージョンFD2が配置されている。また、フォトダイオードPD1、PD2に隣接するように不純物拡散層F5が配置され、フォトダイオードPD7、PD8に隣接するように不純物拡散層F6が配置されている。そして、フォトダイオードPD3とフローティングディフュージョンFD1との間にはゲート電極G3が配置され、フォトダイオードPD4とフローティングディフュージョンFD1との間にはゲート電極G4が配置され、フォトダイオードPD5とフローティングディフュージョンFD2との間にはゲート電極G5が配置され、フォトダイオードPD6とフローティングディフュージョンFD2との間にはゲート電極G6が配置されている。また、フォトダイオードPD1と不純物拡散層F5との間にはゲート電極G1が配置され、フォトダイオードPD2と不純物拡散層F5との間にはゲート電極G2が配置され、フォトダイオードPD7と不純物拡散層F6との間にはゲート電極G7が配置され、フォトダイオードPD8と不純物拡散層F6との間にはゲート電極G8が配置されている。なお、ゲート電極G1~G8は、読み出しトランジスタTd1~Td8をそれぞれ構成することができる。また、右上側に隣接するセルとの境界には不純物拡散層F1が配置され、フローティングディフュージョンFD1と不純物拡散層F1との間にはゲート電極G9が配置されている。左下側に隣接するセルとの境界には不純物拡散層F4が配置され、フローティングディフュージョンFD2と不純物拡散層F4との間にはゲート電極G10が配置されている。なお、ゲート電極G9、G10は、リセットトランジスタTc1、TC2をそれぞれ構成することができる。また、フローティングディフュージョンFD1、FD2間には、不純物拡散層F2、F3が配置され、不純物拡散層F2、F3間にはゲート電極G0が配置されている。なお、ゲート電極G0は、増幅トランジスタTbを構成することができる。ここで、フローティングディフュージョンFD1、FD2は、ゲート電極G0に対して互いに対称になるように配置されている。また、ゲート電極G0に対してセルUC1の上側と下側とは点対称になるように配置されている。また、リセットトランジスタTc1、Tc2および増幅トランジスタTbは、N列目のフォトダイオードPD1~PD8と、N1列目のフォトダイオードPD1~PD8との間に配置されている。そして、フローティングディフュージョンFD1、FD2は配線H1を介して互いに接続されている。フローティングディフュージョンFD1と不純物拡散層F5は配線H3を介して互いに接続されている。フローティングディフュージョンFD2と不純物拡散層F6は配線H4を介して互いに接続されている。不純物拡散層F2は配線H2を介して垂直信号線VLに接続されている。ドレイン電源線HD1は、不純物拡散層F1に接続され、ドレイン電源線HD2は、不純物拡散層F4に接続されている。リセット制御線HS1は、ゲート電極G9に接続され、リセット制御線HS2は、ゲート電極G10に接続されている。読み出し制御線HR1~HR8は、ゲート電極G1~G8にそれぞれ接続されている。電源線VDは、不純物拡散層F3に接続されている。これにより、8個のフォトダイオードPD1~PD8で1個の増幅トランジスタTbが共有されている場合においても、フローティングディフュージョンFD1、FD2がゲート電極G0に対して互いに対称になるように配置することができる。このため、フォトダイオードPD1~PD8の面積を増大させることを可能としつつ、フローティングディフュージョンFD1、FD2間の寄生容量が互いに等しくなるようにレイアウト設定することができ、感度を向上させつつ、画素間で段差状のノイズが発生するのを防止することができる。なお、図9の例では、ドレイン電源線HD1、HD2および電源線VDを横方向に配線する方法について説明したが、縦方向に配線するようにしてもよい。また、図9の例では、裏面照射型CMOSセンサの配線レイアウトを例に取ったが、表面照射型CMOSセンサに適用するようにしてもよい。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。