一連の発光ダイオードLEDの動作を制御するための回路であって、直列接続された複数区間であって、前記区間が電源に接続するように構成され、各区間が、少なくとも1つのLEDと、前記LED区間に結合された可変抵抗素子と、可変抵抗素子及び前記LED区間に結合されたスイッチと、を含む、複数区間を含み、前記スイッチが、前記可変抵抗素子とともに、前記LED区間を起動させ、前記LEDを通る電流を制御し、前記電源から電力を受けると、前記区間が、前記直列区間の全体にわたって前記LED区間を順次起動させる、回路。前記スイッチがトランジスタを含む、請求項1に記載の回路。前記スイッチがデプレッション型FETを含む、請求項2に記載の回路。各区間が複数のLEDを含む、請求項1に記載の回路。前記直列区間に結合され前記電源に接続されるように構成された整流器を更に含む、請求項1に記載の回路。前記整流器に結合された調光回路を更に含み、前記電源から電力を受けると、前記調光回路が、前記区間のうちの1つ以上の選択の起動を制御して、前記選択された区間内のLEDを順次起動させる、請求項5に記載の回路。前記調光回路がTRIACを含む、請求項6に記載の回路。前記調光回路が位相カット電気回路を含む、請求項6に記載の回路。一連の発光ダイオードLEDの動作を制御するための回路であって、直列接続された複数区間であって、前記区間が電源に接続するように構成され、各区間が、少なくとも1つのLEDと、前記LED区間に結合された可変抵抗素子と、前記可変抵抗素子に結合されたトランジスタと、前記LED区間、前記可変抵抗素子、及び前記トランジスタに結合されたスイッチと、を含む、複数区間を含み、前記スイッチが、前記可変抵抗素子及び前記トランジスタとともに、前記LED区間を起動させ、前記LEDを通る電流を制御し、前記電源から電力を受けると、前記区間が、前記直列区間の全体にわたって前記LED区間を順次起動させる、回路。前記トランジスタがエンハンスメント型FETを含む、請求項9に記載の回路。前記スイッチと前記可変抵抗素子との間に結合された第1の抵抗素子と、前記スイッチと前記トランジスタとの間に結合された第2の抵抗素子と、を更に含む、請求項9に記載の回路。前記スイッチがトランジスタを含む、請求項9に記載の回路。前記スイッチがデプレッション型FETを含む、請求項12に記載の回路。各区間が複数のLED接合部を含む、請求項9に記載の回路。前記直列区間に結合され前記電源に接続されるように構成された整流器を更に含む、請求項9に記載の回路。前記整流器に結合された調光回路を更に含み、前記電源から電力を受けると、前記調光回路が、前記区間のうちの1つ以上の選択の起動を制御して、前記選択された区間内のLEDを順次起動させる、請求項15に記載の回路。前記調光回路がTRIACを含む、請求項16に記載の回路。前記調光回路が位相カット電気回路を含む、請求項16に記載の回路。前記スイッチと前記トランジスタとの間に結合されたキャパシタを更に含む、請求項9に記載の回路。したがって、低い駆動電圧でも最小限の高調波歪み及びほぼ高力率で電流が十分に流れるようにすることにより、特にLED光交換白熱又は蛍光灯として、調光機能を持ち得る実施態様をもたらす、修正又は改良が望まれる。本発明による一連のLEDの動作を制御するための第1の回路は、直列接続され電源に接続されるように構成された複数区間を含む。各区間は、1つ以上のLED接合部と、LED区間に結合された可変抵抗素子と、可変抵抗素子及びLED区間に結合されたスイッチと、を含む。スイッチは、可変抵抗素子とともに、LED区間の起動を制御する。電源から電力を受けると、この区間は、直列区間の全体にわたって順次起動される。本発明による一連のLEDの動作を制御するための第2の回路もまた、直列接続され電源に接続されるように構成された複数区間を含む。第2の回路の各区間は、1つ以上のLED接合部と、LEDに結合された可変抵抗阻止と、可変抵抗阻止に結合されたトランジスタと、LED区間、可変抵抗阻止、及びトランジスタに結合されたスイッチと、を含む。スイッチは、可変抵抗素子及びトランジスタとともに、LED区間の起動を制御する。電源から電力を受けると、この区間は、一連の直列区間の全体にわたって順次起動される。LED駆動回路の実施形態によれば、AC電源用途において、複数の直列LEDを駆動電流における最小限の高調波歪み及びほぼ高力率で駆動することが可能となる。この回路によればまた、調光回路、例えば従来のTRIAC調光器による直接調光及び色変化が可能となる。更に、この回路は電源電圧サージ保護機能を有し、また不足電圧動作の影響を比較的受けにくい。図1は、一連の直列LEDを駆動するためのFET回路10の図である。回路10は、一連の直列接続された3つのm=3区間、すなわちN1、N2、及びN3を含む。各区間は、NmLED接合部を制御する。第1の区間は、1つのダイオードとして表されるN1LED接合部12、抵抗R1、及びトランジスタT1を含む。第2の区間は、1つのダイオードとして表されるN2LED接合部14、抵抗R2、及びトランジスタT2を含む。第3の区間は、1つのダイオードとして表されるN3LED接合部16、抵抗R3、及びトランジスタT3を含む。各区間において、デプレッション型トランジスタTは、対応するLED区間を起動又は非起動するオン又はオフにするための、ノーマリオンスイッチとして機能する。デプレッション型トランジスタに要求されることの1つとして、ドレイン-ソース間チャネル抵抗Rdsが、ゲート-ソース間電圧ゼロ、すなわちVgs=0の場合に、数オーム以下であることが挙げられる。トランジスタは、図1の第1の区間N1から最後の区間N3へとLEDを順次起動するために、ラダー回路網を形成している。区間N1、N2、及びN3は、AC電源19及び調光回路20を含む整流器18に接続されている。図1では、調光回路20はTRIACとして表されているが、これは他の電源位相カット電気回路によるものであってもよい。実用的な120VACの場合であれば、区間電圧を実用的な10~20ボルトの範囲にするために、好ましくは3つより多い区間、場合によっては10又は20の区間が設けられる。スイッチトランジスタT1、T2、及びT3はそれぞれ、デプレッション型MOSFET、例えばBSP149トランジスタによって実現できる。抵抗R1、R2、及びR3はそれぞれ、例えば50kΩポテンショメータ、又は他のタイプの可変抵抗素子によって実現できる。LED12、14、及び16はそれぞれ、異なる色で発光するが好ましくは同一の定格電流を有する、任意のタイプのLEDによって実現することができる。図1の回路10は、以下のように動作する。第1の下段のN1区間は、直列のFETチャネルが低い抵抗経路を形成することから、低い駆動電圧Vrで発光する。ポテンショメータ値Rは、動作子より上の最高値をRt、動作子より下の最低値をRbとして、合計R=RtRbである。これをR1ポテンショメータに適用すると、T1のゲート-ソース電圧Vgsは等式1によって得られる。等式1によれば、LED電圧が増大するとVgsは減少する。区間LED電圧VLEDが増大し続けると、トランジスタT1は、そのVgs値が閾値電圧より低くなった時点で、もはや主たる電流供給経路としては機能しなくなる。というのは、第2のN2LED区間が徐々に第1のN1区間と同じ電流を伝導して発光し始めるからである。Vr電圧が更に上昇すると、このプロセスは第3の、また場合によっては更に上段のLED区間へと伝わっていく。この連鎖的プロセスによって、抵抗性LED負荷の線形化が達成される。図1では3区間のみを示しているが、ラダーは、各区間mについて複数のNmLED接合部を備えた、駆動電圧Vrの最大値に対応するLED接合部の総数は積Nm×mで得られる任意のm区間まで、延長することが可能である。各区間はまた、図に示すようなLED接合部を複数、好ましくは各区間に少なくとも3つのLED接合部を含むことができる。複数のLED接合部は、単一のLED部品内又は数個のLED部品中に収容され得る。最終段のトランジスタTm図1ではトランジスタT3は、LED電流を制限する最終的な電源電圧サージ保護装置として機能する。この電流制限は、図4及び図6において最大平坦部として認められる。極端な電源電力消費の際には、不足電圧状態が生じることがあり、そのために1つ以上の上段側LED区間が点灯しないことが生じ得る。しかしながら、残りの区間はそれぞれの定格電流で点灯し続けるため、不足電圧状態が光出力全体に与える影響は限定的である。単一の第1のLED区間について修正を施した電気回路部分が、図2のデュアルFET回路22により示される。図1の回路10と比較して、1つの追加的なエンハンスメント型FETQ1、2つの追加的な抵抗R4及びR5、並びに1つのキャパシタCが、各LED区間N1~Nmに含まれている。FETQ1は、例えば2N7000トランジスタで実現できる。抵抗R4及びR5は、100kΩ程度の抵抗、又は他のタイプの抵抗素子によって実現することができる。R1の時計回りの回転方向図2のcwは、LED電流が増大する方向である。デュアルFET回路は、いくつかの異なった形で現われる回路10の不利益を解消する。制御されたILED電流フィードバック機構には、等式2中の電圧利得Gが関与するが、ここではこの利得|G|<1である。この利得は、先に述べたシングルFET回路では定数であった。デュアルFETの場合には、Gは変化し、エンハンスメント型QFETのRdsの関与かつ適切なR1の選択により、さまざまな性能向上の実現において利点がもたらされる。図3は、T1のゲート-ソース電圧対LED電圧、及びシングルFETの実現とデュアルFETの実現との間の際立った差異を示している。シングルFET回路の場合、T1のVgsが徐々に減少するのに対して、デュアルFETの場合には高めのLED電圧において切り替わり、Vgsは鋭角を描いて減少する。曲線の水平部分においては、トランジスタT1は低いRds抵抗を維持して消散を最小限にとどめる。この結果、各LED区間についてのすべてのT型デプレッショントランジスタは、LEDを通る電流のオンとオフとを切り替える、より完全なスイッチとして動作する。図4は、デュアルFET回路における改良された電流制限能力を示し、シングルFET回路に比較して、供給電圧にかかわらず、より厳格な電流制限が行われる。図4の垂直部分より左側では、電圧が印加されてもLED区間は不活性である。垂直部分の右側では、LED区間は活性であり、電流は電気回路によって水平レベルに制限される。回路22の性能は、LEDの充電電流を制限することによって更に向上させることができる。簡略化した同等のLED回路図は、抵抗と容量との並列接続からなり、容量は主として順方向バイアスされたダイオードの拡散容量からなる。この容量は、LED区間に電圧変化が生じると、電流を引き込む。このような充電電流はAC線から供給され、AC電流振幅の上昇部のスパイク又はノイズとして現れる図4参照。放電はLED内部に行われ、放電電流はAC線電流の下降部には現れない。上昇部のスパイクは、電流の高調波部分の増大につながって望ましくない。このような電流スパイクへの対処法は、図2に示すように、エンハンスメント型FETQ1のゲートに接続された小さなキャパシタCを配置することを伴う。このキャパシタCは、抵抗R5及びR1とともに、LEDに突然の電圧変化が生じた場合に、デプレッション型FETT1のチャネル抵抗を一時的に増大させる高域通過フィルタを形成する。この結果、拡散容量に供給される充電電流が一時的に弱まり、上昇部の電流ノイズを低下させる。使用するLEDの大きさ並びに抵抗R5及びR1の値によるが、Cの実用的な値は約100pFである。デュアルFETの場合のもう一つの利点が図5に示されており、シングルFETの場合より電力消費のバランスがとれていることが分かる。この均一なバランスはまた、LED区間の発光の知覚に際しても明確に認められ、異なるLED区間について、それらの発光出力の間に主観的に識別できるほどの違いは観測されなかった。図5のグラフは、ラダーに18のLED区間を用いた、総電力消費が約10Wの実施態様で得られた。図5から得られる効率の数値によって、トランジスタによる消散が、シングルFETの場合は2.6Wであるのに対してデュアルFETの場合には0.5W未満にまで低減し、効率は、シングルFETの場合の73からデュアルFETの場合には95に上昇したことが示される。効率は、電源プラグに得られる電力に対する全LED電力の比率として定義される。図6は、デュアルFET回路についての全高調波歪みを示すグラフである。シングル及びデュアルFET回路双方ともに、非常に小さい全高調波歪みを呈することが示された。更に、シングル及びデュアルFET回路双方において、ラダー回路網によって線形に近い電流対電圧の負荷プロファイルが得られることが示された。図7は、デュアルFET回路についての電流スペクトルを表すグラフであり、これは非常に小さい高調波を示し、デュアルFET回路の特定の実施態様については全高調波歪みが0.7という結果が得られた。図7のスペクトルは、厳密に1/60秒の1周期にわたって線電流Itのデジタル化プロファイルを収集することによって得られた。このプロファイルに、j=√-1としてItのj倍のヒルベルト変換を加えた。その後、この複素数の和について高速フーリエ変換を行った結果、図7の、一方に偏ったスペクトルが得られた。このラダー回路網は、ラダーの選択された数の区間のみを起動する調光回路20による、調光機能を有している。この選択された数としては、第1の区間のみN1、全区間N1~Nm、又は第1の区間N1~区間Nm~nn<mの選択された部分を含み得る。その強度調光は、ラダー中のいくつの区間を起動するかを制御する調光回路により選択された特定強度でオンとなっているLEDでいくつの区間が活性となっているかに基づいて制御される。ラダー回路網はまた、調光回路20の使用を通じて調色を可能にする。LEDにより全体として出力される色は、どの区間を活性とするか、選択された一連の区間、及び第1の区間から最後の区間までの区間におけるLEDの配列を制御する調光器によって決定される。ラダーが順次オンとなるにつれて、LEDの配列によって、区間N1、N2、...Nm内のLEDの色と相関する色1、2、...mで出力色調が決定される。出力色はまた、ラダー中の選択された一連の区間内の活性LED間の混色にもよる。この回路によって、極めて優れた力率性能がもたらされる。力率PFは、ちょうど整数個の周期にわたるT及び任意の定数τを用い、等式3に示す電源電圧V及び電流Iについての一般式を用いて評価される。このラダー回路網の回路によれば、0.98以上の力率が容易に得られる。回路10及び22の部品は、LEDとともに、又はそれとは別に、集積回路に実装することができる。LEDが分離している場合には、それらのLEDをリードで接続することによって、固体照明機器内の駆動装置として使用することが可能となる。固体照明機器の実施例は、2009年8月4日出願の米国特許出願第12/535203号に記載されており、これは参照により、完全に明記されているかのように本明細書に組み込まれる。シングルFET及びデュアルFETの用語は、標示としてのみ用いられ、トランジスタラダー回路網を使用してLEDを制御するために、同等の回路部品を代替的に用いることも可能である。