"両面に金属層を備える絶縁基板と、該絶縁基板の一方の面の該金属層上に搭載される半導体素子と、該絶縁基板の他方の面側に配設される金属放熱板と、該半導体素子の該絶縁基板と反対側の面に配設される導電体とからなる各部材を積層し、各部材の少なくとも2つをロウ付けにより接合してなる半導体装置であって、ロウ付けされる部材の間に介装されると共に熱膨張の差による応力を緩和する金属製応力緩和層を備え、該金属製応力緩和層は、無方向性の多孔質金属からなることを特徴とする半導体装置。請求項1記載の半導体装置において、前記ロウ付けされる部材は、前記絶縁基板と前記金属放熱板とであることを特徴とする半導体装置。請求項1又は請求項2記載の半導体装置において、前記ロウ付けされる部材は、前記半導体素子と前記導電体とであることを特徴とする半導体装置。請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の半導体装置において、前記無方向性の多孔質金属は、金属繊維集合体又は無方向性の細孔を備える多孔質金属成形体からなることを特徴とする半導体装置。請求項4記載の半導体装置において、前記金属繊維集合体は、前記ロウ付けされる部材の間に所定の間隔を保持する間隔保持部材を備えることを特徴とする半導体装置。請求項5記載の半導体装置において、前記間隔保持部材は、前記金属繊維集合体中に配設される球状部材であることを特徴とする半導体装置。請求項5記載の半導体装置において、前記間隔保持部材は、前記金属繊維集合体に樹脂が含浸されてなる樹脂層であり、該樹脂層は前記ロウ付けされる部材に対向する面から該金属繊維集合体の一部が露出していることを特徴とする半導体装置。請求項7記載の半導体装置において、前記樹脂層から露出している金属繊維集合体は、ロウ付けに用いるロウ材に対する濡れ性を付与するメッキが施されていることを特徴とする半導体装置。請求項5記載の半導体装置において、前記間隔保持部材は、前記ロウ付けされる部材の少なくとも一方から他方に向けて突出して、前記金属繊維集合体を厚さ方向に貫通する突起部材であることを特徴とする半導体装置。しかしながら、前記多孔質金属板は、厚さ方向に貫通する空洞部のみを備えるので、厚さ方向空洞部に沿う方向と厚さ方向に垂直な方向空洞部を横切る方向とで強度及び伸縮性が異なり、十分な応力緩和性能を得ることができないという不都合がある。本発明は、かかる不都合を解消して、ロウ付けされる部材間に、厚さ方向と厚さ方向に垂直な方向とで強度及び伸縮性が均一である応力緩和層を備え、優れた応力緩和性能を得ることができる半導体装置を提供することを目的とする。かかる目的を達成するために、本発明は、両面に金属層を備える絶縁基板と、該絶縁基板の一方の面の該金属層上に搭載される半導体素子と、該絶縁基板の他方の面側に配設される金属放熱板と、該半導体素子の該絶縁基板と反対側の面に配設される導電体とからなる各部材を積層し、各部材の少なくとも2つをロウ付けにより接合してなる半導体装置であって、ロウ付けされる部材の間に介装されると共に熱膨張の差による応力を緩和する金属製応力緩和層を備え、該金属製応力緩和層は、無方向性の多孔質金属からなることを特徴とする。本発明の半導体装置は、ロウ付けされる部材の間の熱膨張の差による応力を緩和する金属製応力緩和層が該ロウ付けされる部材の間に介装されており、該金属製応力緩和層は各部材にロウ付けされている。前記ロウ付けされる部材は、前記絶縁基板と前記金属放熱板とであるか、又は前記半導体素子と前記導電体とである。また、前記ロウ付けされる部材は、前記絶縁基板及び前記金属放熱板と、前記半導体素子及び前記導電体との両方であってもよい。ここで、前記金属製応力緩和層は、無方向性の多孔質金属からなる。従って、前記金属製応力緩和層は、厚さ方向と厚さ方向に垂直な方向とで強度及び伸縮性が均一であり、前記絶縁基板と前記金属放熱板との間、又は前記半導体素子と前記導電体との間で、優れた応力緩和性能を得ることができる。尚、本出願において、ロウ付けとは、はんだ、銀ロウ等のロウ材により金属材料同士を接合することを意味する。また、前記銀ロウは、ナノオーダーの銀粒子を含むものとする。前記金属製応力緩和層を形成する無方向性の多孔質金属としては、例えば、金属繊維集合体又は無方向性の細孔を備える多孔質金属成形体を挙げることができる。前記金属繊維集合体は、例えば、特開2000-192108号公報記載のステンレス鋼、チタン合金、ニッケル等の金属から、単伸線、集束伸線、コイル切削法等により製造された金属繊維からなるもの等を挙げることができる。また、前記無方向性の細孔を備える多孔質金属成形体としては、例えば、特開2010-90416号公報記載の金属粉末と発泡剤とを含む発泡性スラリーを板状に成形し、発泡させた後に焼結したもの等を挙げることができる。また、本発明の半導体装置において、前記金属繊維集合体は、前記ロウ付けされる部材の間に所定の間隔を保持する間隔保持部材を備えることが好ましい。前記金属繊維集合体は、前記間隔保持部材により、前記ロウ付けされる部材の間に所定の間隔を保持することにより、該部材間でさらに優れた応力緩和性能を得ることができる。前記間隔保持部材として、例えば、前記金属繊維集合体中に配設される球状部材等のスペーサを挙げることができる。また、前記間隔保持部材は、前記金属繊維集合体に樹脂が含浸されてなる樹脂層であってもよく、該樹脂層は前記ロウ付けされる部材に対向する面から該金属繊維集合体の一部が露出していることが好ましい。前記金属繊維集合体は、前記樹脂層の前記ロウ付けされる部材に対向する面からその一部が露出しているので、露出する部分により該部材にロウ付けすることができ、該露出する部分により、該ロウ付けされる部材間の熱膨張の差による応力を緩和することができる。ここで、前記金属繊維集合体が前記ロウ付けに用いるロウ材に対する濡れ性に富むときには、前記樹脂層が無いと該金属繊維集合体の全体が該ロウ材により被覆されることにより硬化又は脆化し、応力緩和性能が低減することが懸念される。しかし、前記金属繊維集合体は、前記樹脂層を備えることにより前記ロウ材により被覆される部分を制限することができるので、応力緩和性能の低減を避けることができる。一方、前記金属繊維集合体が前記ロウ付けに用いるロウ材に対する濡れ性に乏しいときには、前記樹脂層から露出している該金属繊維集合体は、該ロウ材に対する濡れ性を付与するメッキが施されていることが好ましい。このようにすることにより、前記金属繊維集合体が前記ロウ付けに用いるロウ材に対する濡れ性に乏しいときにも、前記ロウ付けされる部材に確実にロウ付けすることができる。また、前記間隔保持部材は、前記ロウ付けされる部材の少なくとも一方から他方に向けて突出して、前記金属繊維集合体を厚さ方向に貫通する突起部材であってもよい。前記突起部材は、前記ロウ付けされる部材のどちらか一方のみに備えられていてもよく、両方に備えられていてもよい。次に、添付の図面を参照しながら本発明の実施の形態についてさらに詳しく説明する。図1に示す本実施形態の半導体装置1は、パワーモジュールとして用いられるものである。半導体装置1は、アルミナ等のセラミックスからなる絶縁基板2と、絶縁基板2の一方の面に備えられた金属層としての配線パターン3と、配線パターン3上に搭載されて実装されているIGBT等の半導体素子4とを備えている。絶縁基板2の半導体素子4と反対側の面には金属放熱板5が配設されており、絶縁基板2と金属放熱板5との間には、金属製応力緩和層6が介装されている。金属製応力緩和層6は、絶縁基板2と金属放熱板5との熱膨張の差による応力を緩和する機能を備え、絶縁基板2の配線パターン3とは反対側の面に備えられた金属層7と金属放熱板5とにロウ材層8a,8bを介してロウ付けされている。絶縁基板2は、配線パターン3と反対側の面にも配線パターン図示せずを備える両面配線基板であってもよいが、この場合、金属層7は同一面に設けられた配線パターンとは独立に形成されている。また、半導体素子4の絶縁基板2の反対側の面には、半導体素子4に給電する導電体としてのバスバー9が配設されており、半導体素子4とバスバー9との間には、金属製応力緩和層10が介装されている。金属製応力緩和層10は、半導体素子4とバスバー9との熱膨張の差による応力を緩和する機能を備え、半導体素子4とバスバー9とにロウ材層11a,11bを介してロウ付けされている。ロウ材層8a,8b,11a,11bを形成するロウ材としては、はんだ、銀ロウ等のそれ自体公知のロウ材を用いることができ、前記銀ロウはナノオーダーの銀粒子からなるものであってもよい。また、半導体素子4は、配線パターン3にはんだ層12を介してはんだ付けされている。金属製応力緩和層6,10は、無方向性の多孔質金属からなる。本実施形態の半導体装置1において、前記無方向性の多孔質金属としては、金属繊維集合体又は無方向性の細孔を備える多孔質金属成形体を用いることができる。前記金属繊維集合体は、例えば、金属繊維を長さ方向に揃えて束にしたトウ状のもの、或いは丸めて玉状にしたピリング状のもの、トウ状のものとピリング状のものとの混合物等からなる。また、金属繊維集合体は、前記トウ状又はピリング状の状態で、上下から複数のニードルを挿入することにより、密度を向上させることができると共に、繊維の方向を該ニードルの挿入方向に揃えることができる。前記金属繊維は、ステンレス鋼、Ti合金、Ni等の金属から、単伸線、集束伸線、コイル切削法等の製造方法により製造することができ、数μmから数十μmの径を備えている。また、前記多孔質金属成形体は、例えば、金属粉末と発泡剤とを含む発泡性スラリーを板状に成形し、発泡させた後に焼結したものである。前記金属粉末は、Ni、Cu、Ti、Al、Ag、ステンレス鋼等の金属から、アトマイズ法、酸化物還元法、湿式還元法、化学プロセス法等の製造方法により製造することができ、0.5~30μmの範囲の平均粒子径を備えていることが好ましい。前記金属繊維集合体又は多孔質金属成形体は、いずれも無方向性の多孔質体であるので、厚さ方向と厚さ方向に垂直な方向とで強度及び伸縮性が均一である。従って、金属製応力緩和層6として、絶縁基板2と金属放熱板5との間に介装されたときに、絶縁基板2と金属放熱板5との熱膨張の差による応力に対し、優れた応力緩和性能を得ることができる。また、金属製応力緩和層10として、半導体素子4とバスバー9との間に介装されたときに、半導体素子4とバスバー9との熱膨張の差による応力に対し、優れた応力緩和性能を得ることができる。また、前記金属繊維集合体は、それ自体弾性を備え、伸縮性に優れているので、さらに優れた応力緩和性能を得ることができる。そこで、次に、金属製応力緩和層6,10に用いる無方向性の多孔質金属として、前記金属繊維集合体を用いる場合について説明する。尚、本実施形態の半導体装置1では、金属製応力緩和層6と金属製応力緩和層10との両方を備えるものとしているが、金属製応力緩和層6と金属製応力緩和層10とのいずれか一方のみを備えるものであってもよい。図2に示すように、絶縁基板2に備えられた金属層7と金属放熱板5との間に金属繊維集合体13が介装される場合、金属繊維集合体13はロウ材層8a,8bを介して金属層7と金属放熱板5とにロウ付けされることにより接合され金属製応力緩和層6を形成する。このとき半導体装置1は、図3に示すように、金属繊維集合体13に樹脂を含浸させて樹脂層14を形成し、樹脂層14の両面、すなわち絶縁基板2と金属放熱板5とにそれぞれ対向する面から金属繊維集合体13の一部を露出させる構成とすることが好ましい。半導体装置1は、金属繊維集合体13が、樹脂層14を備えることにより、絶縁基板2と金属放熱板5との間隔を保持することができる。金属繊維集合体13は、樹脂層14の両面からその一部が露出しているので、露出する部分により絶縁基板2の金属層7と金属放熱板5とにロウ付けすることができる。また、金属繊維集合体13は、前記露出する部分の露出量を調整することにより、絶縁基板2と金属放熱板5との熱膨張の差による応力を緩和することができる。樹脂層14を形成する樹脂としては、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂等を用いることができ、弾性率を制御しながら熱伝導率を向上させるフィラー等の添加剤を添加するようにしてもよい。図3に示す構成は、一旦金属繊維集合体13全体が埋設されるように樹脂層14を形成した後、樹脂層14の両面を切削するか、又は溶解させることにより、金属繊維集合体13の一部を露出させることにより得ることができる。ここで、金属繊維集合体13がロウ材層8a,8bを形成するロウ材に対する濡れ性に富むときには、樹脂層14が無いと金属繊維集合体13全体が該ロウ材により被覆されることにより硬化又は脆化し、応力緩和性能が低減することが懸念される。しかし、金属繊維集合体13は、樹脂層14を備えることにより前記ロウ材により被覆される部分を制限することができ、応力緩和性能の低減を避けることができる。一方、金属繊維集合体13が前記ロウ材に対する濡れ性に乏しいときには、樹脂層14から露出している金属繊維集合体13に、該ロウ材に対する濡れ性を付与するメッキを施すことが好ましい。このようにすることにより、金属繊維集合体13が前記ロウ材に対する濡れ性に乏しいときにも、絶縁基板2の金属層7と金属放熱板5とに、ロウ材層8a,8bを介して確実にロウ付けすることができる。また、絶縁基板2と金属放熱板5との間隔を保持するために、図4に示すように、絶縁基板2と金属放熱板5とに、それぞれ金属繊維集合体13を厚さ方向に貫通して、該間隔を保持する突起部材2a,5aを設けるようにしてもよい。絶縁基板2に設けられた突起部材2aはその先端が金属放熱板5に当接し、金属放熱板5に設けられた突起部材5aはその先端が絶縁基板2に当接することにより、絶縁基板2と金属放熱板5との間隔を保持することができる。尚、半導体装置1では、絶縁基板2のみが突起部材2aを備えるようにしてもよく、金属放熱板5のみが突起部材5aを備えるようにしてもよい。一方、図5に示すように、半導体素子4とバスバー9との間に金属繊維集合体15が介装される場合には、金属繊維集合体15はロウ材層11a,11bを介して半導体素子4とバスバー9とにロウ付けされることにより接合され金属製応力緩和層10を形成する。このとき半導体装置1では、金属繊維集合体15中にCuボール等の球状部材16をスペーサとして配設することが好ましい。半導体装置1は、金属繊維集合体15中に球状部材16を配設することにより、半導体素子4とバスバー9との間隔を保持することができる。また、半導体素子4とバスバー9との間隔を保持するために、図6に示すように、バスバー9に、金属繊維集合体15を厚さ方向に貫通して、該間隔を保持する突起部材9aを設けるようにしてもよい。バスバー9に設けられた突起部材9aはその先端が半導体素子4に当接することにより、半導体素子4とバスバー9ととの間隔を保持することができる。尚、半導体装置1では、金属繊維集合体13に樹脂層14を設け、金属繊維集合体15中に球状部材16を配設するようにしているが、金属繊維集合体13中に球状部材16を配設し、金属繊維集合体15に樹脂層14を設けるようにしてもよい。"