"全反射を利用して入射光を偏光分離する全反射型偏光ビームスプリッタであって、直角二等辺三角柱状に形成された第1のプリズム材及び第2のプリズム材と、前記第1のプリズム材の斜面部と前記第2のプリズム材の斜面部との間に挟持される板材と、前記第1のプリズム材と前記板材との間、及び、前記第2のプリズム材と前記板材との間にそれぞれ配設される反射防止膜と、を備え、前記第1のプリズム材と前記板材、及び、前記第2のプリズム材と前記板材は、前記反射防止膜を介してオプティカルコンタクトにより接合され、前記第1のプリズム材と、前記第2のプリズム材と、前記板材とは、前記入射光の入射方向と一致しない方向の光学軸を有する異方性材料からなることを特徴とする全反射型偏光ビームスプリッタ。前記第1のプリズム材及び前記第2のプリズム材は、光学軸が同方向に沿って配設され、前記板材の光学軸は、前記第1のプリズム材及び前記第2のプリズム材の光学軸と直交する方向に沿って配設されてなることを特徴とする請求項1に記載の全反射型偏光ビームスプリッタ。前記第1のプリズム材と、前記第2のプリズム材と、前記板材とは、光学軸が同方向に沿って配設されてなることを特徴とする請求項1に記載の全反射型偏光ビームスプリッタ。前記第1のプリズム材及び前記第2のプリズム材は、同じ異方性材料によって形成され、前記第1のプリズム材及び前記第2のプリズム材の二つの屈折率のうち、大きい方の屈折率をn1L、小さい方の屈折率をn1Sとし、前記板材の二つの屈折率のうち、大きい方の屈折率をn2L、小さい方の屈折率をn2Sとしたとき、n2L/n1S>0.7071、n2S/n1L<0.7071を満たすことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の全反射型偏光ビームスプリッタ。前記第1のプリズム材及び前記第2のプリズム材の材料は、YVO4、ルチル型のTiO2、LiNbO3のいずれかから選択され、前記板材の材料は、CaCO3、YVO4、CaWO4のいずれかから選択され、前記第1のプリズム材及び前記第2のプリズム材の材料と、前記板材の材料とは、互いに異なることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の全反射型偏光ビームスプリッタ。前記第1のプリズム材及び前記第2のプリズム材の材料は、YVO4からなり、前記板材の材料は、CaCO3からなることを特徴とする請求項5に記載の全反射型偏光ビームスプリッタ。前記第1のプリズム材及び前記第2のプリズム材の材料は、ルチル型のTiO2からなり、前記板材の材料は、YVO4からなることを特徴とする請求項5に記載の全反射型偏光ビームスプリッタ。前記第1のプリズム材及び前記第2のプリズム材の材料は、LiNbO3からなり、前記板材の材料は、CaCO3からなることを特徴とする請求項5に記載の全反射型偏光ビームスプリッタ。前記第1のプリズム材及び前記第2のプリズム材の材料は、ルチル型のTiO2からなり、前記板材の材料は、CaWO4からなることを特徴とする請求項5に記載の全反射型偏光ビームスプリッタ。特許文献2において開示されたグラントムソン型の偏光ビームスプリッタは、異方性のプリズム材を、AR膜反射防止膜を介して高屈折率の添加剤を含んだ接着剤特許文献2では接合剤と記載されているにより接合することにより形成されている。換言すると、特許文献2において開示された偏光ビームスプリッタは、異方性材料異方性プリズムと等方性材料によって構成されるものである。上記構成の偏光ビームスプリッタは、分離した偏光の消光比を50dB以上という高い値とすることができる可能性があるが、消光比は入射角度に大きく依存し、十分に広い入射角許容幅を得ることが難しく、装置内の光路設計において極めて高い精度が必要となる。したがって、さらに広い入射角許容幅を備えると共に、十分に高い消光比を備える偏光ビームスプリッタが望まれていた。また、高い消光比を備えるだけでなく、装置設計における利便性から、偏光分離角を90°とすることが可能であり、さらに小型化が可能な偏光ビームスプリッタが求められていた。さらにまた、特に光通信分野において用いられる波長の光に対して使用可能であり、毒性や潮解性等、実用的に問題となる性質を持たない材料で構成される偏光ビームスプリッタが求められている。本発明の目的は、小型で入射角許容幅と波長範囲が広く、且つ高い消光比を備えた全反射型偏光ビームスプリッタを提供することにある。また、本発明の他の目的は、毒性や潮解性等がなく、実用的な材料で構成される全反射型偏光ビームスプリッタを提供することにある。さらに、本発明の他の目的は、特に光通信分野において用いられる波長の光に対して偏光分離角を90°とすることが可能な全反射型偏光ビームスプリッタを提供することにある。前記課題は、全反射を利用して入射光を偏光分離する全反射型偏光ビームスプリッタであって、直角二等辺三角柱状に形成された第1のプリズム材及び第2のプリズム材と、前記第1のプリズム材の斜面部と前記第2のプリズム材の斜面部との間に挟持される板材と、前記第1のプリズム材と前記板材との間、及び、前記第2のプリズム材と前記板材との間にそれぞれ配設される反射防止膜と、を備え、前記第1のプリズム材と前記板材、及び、前記第2のプリズム材と前記板材は、前記反射防止膜を介してオプティカルコンタクトにより接合され、前記第1のプリズム材と、前記第2のプリズム材と、前記板材とは、前記入射光の入射方向と一致しない方向の光学軸を有する異方性材料からなること、により解決される。このように、本発明の全反射型偏光ビームスプリッタは、異方性材料からなる第1のプリズム材及び第2のプリズム材に挟まれる板材もまた、異方性材料により形成されている。そして、これら異方性材料からなる各プリズム材及び板材は、反射防止膜を介してオプティカルコンタクトにより接合されている。第1のプリズム材、第2のプリズム材及び板材をすべて異方性材料とすることにより、広い入射角許容幅を得ることができる。しかし、異方性材料の中でも、毒性や潮解性等の性質を有するものではない材料すなわち、取扱いが容易な材料を用いると、一般に、適当な全反射角を備え、且つプリズム材を形成可能な材料が存在しない。これに対し、反射防止膜を第1のプリズム材及び第2のプリズム材と板材との間にそれぞれ介在させることにより、フレネル反射を抑制して透過偏光の反射率を下げることができ、実用的な異方性材料により第1のプリズム材、第2のプリズム材及び板材を形成することができると共に、さらに高い消光比や広い入射角許容幅など、良好な偏光分離特性を得ることができる。また、例えば、偏光分離膜型の偏光ビームスプリッタと比較して、取扱いが容易な材料を選択可能となるため、加工精度且つ光学性能を高めることができる。さらに、接着剤等により第1のプリズム材、第2のプリズム材及び板材を接合するのではなく、オプティカルコンタクトにより接合する構成であるため、接着剤等が入射光を吸収することなく、高い透過率で透過させることができる。このとき、前記第1のプリズム材及び前記第2のプリズム材は、光学軸が同方向に沿って配設され、前記板材の光学軸は、前記第1のプリズム材及び前記第2のプリズム材の光学軸と直交する方向に沿って配設されてなると好ましい。上記のように、第1のプリズム材、第2のプリズム材、板材はすべて異方性材料で形成されており、複屈折性を備えている。このように、光学軸を持つ第1のプリズム材、第2のプリズム材及び板材は、その光学軸が入射光の光軸に沿った方向でなければ、第1のプリズム材、第2のプリズム材の光学軸が同方向に沿って配設される一方、板材の光学軸が、第1のプリズム材、第2のプリズム材の光学軸と直行する方向に沿って形成されていてもよい。また、前記第1のプリズム材と、前記第2のプリズム材と、前記板材とは、光学軸が同方向に沿って配設されていてもよい。上記のように、第1のプリズム材、第2のプリズム材、板材はすべて異方性材料で形成されており、複屈折性を備えている。このように、光学軸を持つ第1のプリズム材、第2のプリズム材及び板材は、その光学軸が入射光の光軸に沿った方向でなければ、互いの光学軸がすべて同方向に沿って形成されていてもよい。さらに、前記第1のプリズム材及び前記第2のプリズム材は、同じ異方性材料によって形成され、前記第1のプリズム材及び前記第2のプリズム材の二つの屈折率のうち、大きい方の屈折率をn1L、小さい方の屈折率をn1Sとし、前記板材の二つの屈折率のうち、大きい方の屈折率をn2L、小さい方の屈折率をn2Sとしたとき、n2L/n1S>0.7071、n2S/n1L<0.7071を満たすと好適である。このように、第1のプリズム材及び第2のプリズム材を構成する異方性材料の屈折率と、板材を構成する異方性材料の屈折率とが、上記関係式を満たすことにより、第1のプリズム材の斜面部に入射する入射光の角度を45°とし、分離される一方の偏光を入射光の光軸に対して90°で分離することができる。すなわち、第1のプリズム材及び第2のプリズム材を直角二等辺三角柱状に形成し、立方体形状の偏光ビームスプリッタを形成する際、上記の屈折率条件とすることにより、良好な偏光分離特性を得ることができる。立方体形状の偏光ビームスプリッタは、該形状以外の形状の偏光ビームスプリッタと比較して、小型化することができるため、偏光ビームスプリッタを配置する装置内において省スペース化することが可能となる。また、上記の全反射型偏光ビームスプリッタにおいて、前記第1のプリズム材及び前記第2のプリズム材の材料は、YVO4、ルチル型のTiO2、LiNbO3のいずれかから選択され、前記板材の材料は、CaCO3、YVO4、CaWO4のいずれかから選択され、前記第1のプリズム材及び前記第2のプリズム材の材料と、前記板材の材料とは、互いに異なる材料が選択される。上記の異方性材料は、毒性や潮解性を備えておらず、取扱いが容易な材料であり、且つ全反射型偏光ビームスプリッタを形成するためのプリズム加工に適した材料である。したがって、良好な加工精度で全反射型偏光ビームスプリッタを形成することができ、加工精度の低下に起因する入射角許容幅の縮小を防止することができる。また、前記第1のプリズム材及び前記第2のプリズム材の材料は、YVO4からなり、前記板材の材料は、CaCO3からなると好適である。上記材料の組み合わせによって全反射型偏光ビームスプリッタを形成することにより、入射角許容幅が大きくなるだけでなく、良好な消光比で偏光を分離することができる。また、上記材料は毒性や潮解性がなく、取扱いが容易であると共に、プリズムとして加工しやすい材料である。したがって、加工性がよく、製造誤差を小さくすることができるため、性能の良い全反射型偏光ビームスプリッタとすることができる。さらに、前記第1のプリズム材及び前記第2のプリズム材の材料は、ルチル型のTiO2からなり、前記板材の材料は、YVO4からなる構成としてもよい。上記材料の組み合わせによって全反射型偏光ビームスプリッタを形成することにより、適当な入射角許容幅を備えた全反射型偏光ビームスプリッタとすることができる。さらにまた、前記第1のプリズム材及び前記第2のプリズム材の材料は、LiNbO3からなり、前記板材の材料は、CaCO3からなる構成であってもよい。上記材料の組み合わせによって全反射型偏光ビームスプリッタを形成することにより、適当な入射角許容幅を備えた全反射型偏光ビームスプリッタとすることができる。また、前記第1のプリズム材及び前記第2のプリズム材の材料は、ルチル型のTiO2からなり、前記板材の材料は、CaWO4からなる構成としてもよい。上記材料で全反射型偏光ビームスプリッタを形成することにより、特に通信帯域において頻繁に用いられる光の波長λ=1550nmの光について、好適に偏光分離することができる。本発明の全反射型偏光ビームスプリッタは、異方性材料同士を組み合わせることにより、入射角許容幅すなわち、一定値以上の消光比を得るための入射角度の許容幅及び波長範囲が広く、且つ高い消光比を備えた全反射型偏光ビームスプリッタとすることができる。また、異方性材料からなる第1のプリズム材、第2のプリズム材及び板材との間に反射防止膜を介在させてオプティカルコンタクトにより接合させることにより、本発明の全反射型偏光ビームスプリッタは、フレネル反射を抑制し、透過偏光の損失を小さくすることができ且つ、透過偏光と反射偏光共に高い消光比を得ることができる。さらに、本発明の全反射型偏光ビームスプリッタは、反射防止膜を備えることにより、全反射型偏光ビームスプリッタを構成する材料に関し、毒性や潮解性等がなく、取扱いが容易な材料によって形成可能である。したがって、例えば、偏光分離膜型の偏光ビームスプリッタと比較して、加工精度を向上させることができ、より偏光分離特性のよい全反射型偏光ビームスプリッタを提供することが可能となる。さらにまた、本発明の全反射型偏光ビームスプリッタは、立方体形状に形成することができ、他の形状のものと比較して小型化しやすいため、特に光通信分野のように、装置内に十分な空間を確保しにくい機器に対して特に好適に用いることができる。そして、全反射型偏光ビームスプリッタを構成する材料について、適当な材料を選択することにより、通信帯域の波長の光に対しても高い消光比で偏光分離することができるため、本発明の全反射型偏光ビームスプリッタは、特に光通信分野の機器において好適に用いることができる。このように、本発明によると、消光比、入射角許容幅、波長範囲、材料選択、形状等、偏光ビームスプリッタとして重要な因子においていずれも欠くことなく、極めてバランスの良い全反射型偏光ビームスプリッタを提供することが可能である。以下、本発明の一実施形態について、図を参照して説明する。なお、以下に説明する構成等は、本発明を限定するものではなく、本発明の趣旨に沿って各種改変することができることは勿論である。なお、以下の実施形態の説明では、本発明の全反射型偏光ビームスプリッタを偏光ビームスプリッタとのみ記載する。図1及び図2は本発明の実施形態に係る偏光ビームスプリッタに関するものであり、図1は偏光ビームスプリッタの斜視図、図2は偏光ビームスプリッタの側面図である。図3乃至図8は本発明の各実施形態に係るものであり、図3は実施形態1に係る偏光ビームスプリッタの側面図、図4は実施形態2に係る偏光ビームスプリッタの側面図、図5は実施形態3に係る偏光ビームスプリッタの側面図、図6は実施形態4に係る偏光ビームスプリッタの側面図、図7は実施形態5に係る偏光ビームスプリッタの側面図、図8は実施形態6に係る偏光ビームスプリッタの側面図である。図9乃至図26は本発明の各実施例に係るものであり、図9は実施例1-1の偏光ビームスプリッタの入射光の入射角と各偏光の反射率の関係を示すグラフ図、図10は実施例1-1の偏光ビームスプリッタの入射光の波長と各偏光の反射率の関係を示すグラフ図、図11は実施例1-2の偏光ビームスプリッタの入射光の入射角と各偏光の反射率の関係を示すグラフ図、図12は実施例1-2の偏光ビームスプリッタの入射光の波長と各偏光の反射率の関係を示すグラフ図、図13は実施例1と比較例の偏光ビームスプリッタの入射光の入射角と反射光の消光比との関係を示すグラフ図、図14は実施例1と比較例の偏光ビームスプリッタの入射光の波長と反射光の消光比との関係を示すグラフ図、図15は実施例2-1の偏光ビームスプリッタの入射光の入射角と各偏光の反射率の関係を示すグラフ図、図16は実施例2-1の偏光ビームスプリッタの入射光の波長と各偏光の反射率の関係を示すグラフ図、図17は実施例2-2の偏光ビームスプリッタの入射光の入射角と各偏光の反射率の関係を示すグラフ図、図18は実施例2-2の偏光ビームスプリッタの入射光の波長と各偏光の反射率の関係を示すグラフ図、図19は実施例3-1の偏光ビームスプリッタの入射光の入射角と各偏光の反射率の関係を示すグラフ図、図20は実施例3-1の偏光ビームスプリッタの入射光の波長と各偏光の反射率の関係を示すグラフ図、図21は実施例3-2の偏光ビームスプリッタの入射光の入射角と各偏光の反射率の関係を示すグラフ図、図22は実施例3-2の偏光ビームスプリッタの入射光の波長と各偏光の反射率の関係を示すグラフ図、図23は実施例4-1の偏光ビームスプリッタの入射光の入射角と各偏光の反射率の関係を示すグラフ図、図24は実施例4-1の偏光ビームスプリッタの入射光の波長と各偏光の反射率の関係を示すグラフ図、図25は実施例4-2の偏光ビームスプリッタの入射光の入射角と各偏光の反射率の関係を示すグラフ図、図26は実施例4-2の偏光ビームスプリッタの入射光の波長と各偏光の反射率の関係を示すグラフ図である。<偏光ビームスプリッタ100の構成>本発明の全反射型偏光ビームスプリッタ以下、偏光ビームスプリッタ100は、二つの異なる全反射を利用して偏光を分離させる全反射型の偏光ビームスプリッタである。本発明の偏光ビームスプリッタ100は、図1に示すように、直角二等辺三角柱状に形成された第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12と、第1のプリズム材11の斜面部11aと第2のプリズム材12の斜面部12aとの間に挟持される板材21と、第1のプリズム材11と板材21との間、及び、第2のプリズム12材と板材21との間にそれぞれ配設される反射防止膜31と、を備えている。そして、第1のプリズム材11と板材21、及び、第2のプリズム材12と板材21は、反射防止膜31を介してオプティカルコンタクトにより接合されており、第1のプリズム材11と、第2のプリズム材12と、板材21とは、入射光の入射方向と一致しない方向、より詳細には、直交する方向に沿う光学軸を有する異方性材料によって形成されている。第1のプリズム材11は、図2に示すように、光が入射する入射光側に備えられ、第2のプリズム材12は、光が出射する出射光側に備えられる。第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12は、側面視で直角二等辺三角形のプリズム材によって形成されており、その直角二等辺三角形の斜辺部分に相当する斜面部11a,12aは、それぞれ透過偏光用の反射防止膜31を介して板材21の平面部21aを挟み込むように形成されている。そして、第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12と、板材21とは、反射防止膜31を介して互いにオプティカルコンタクトした構造である。上記のように、本発明の偏光ビームスプリッタ100を構成する第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12は、側面視が直角二等辺三角形に形成された45°プリズムであり、光が入射する入射面部11bと斜面部11aとがなす角度、透過光が出射する透過光出射面部12cと斜面部12aとがなす角度はそれぞれ45°である。したがって、偏光ビームスプリッタ100は、図1に示すように、全体として立方体形状とすることができる。このように、偏光ビームスプリッタ100を立方体形状に形成することが可能であるため、他の形状に形成されたものと比較して、容易に小型化可能であり、また、偏光ビームスプリッタが備えられる装置において、設計に関する自由度が向上する。第1のプリズム材11、第2のプリズム材12、板材21の光学軸は、入射光Iの入射方向すなわち、図2においてx方向に対して直交する方向図2においてy方向または図2の奥行き方向であるz方向に沿うように加工される。そして、第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12は、複屈折性を有する異方性材料によって形成されており、その光学軸が互いに同方向に沿って配設される。そして、板材21の光学軸は、第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12の光学軸と直交する方向に沿って配設される構成とするとよい。すなわち、図2において、第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12の光学軸はy方向に沿って形成されている一方で、板材21の光学軸は図2の奥行き方向不図示のz方向に沿って配設されていると好適である。つまり、図3実施形態1及び図4実施形態2に示す方向の屈折率配置とすることができる。なお、第1のプリズム材11、第2のプリズム材12及び板材21はすべて異方性材料で形成されており、図3乃至図8において、n1Sは第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12の小さい方の屈折率、n2Sは板材21の小さい方の屈折率、n1Lは第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12の大きい方の屈折率、n2Lは板材21の大きい方の屈折率を示すものである。例えば、図3に示す方向の屈折率配置とすることにより、第1のプリズム材11の入射面部11bに対して入射光Iを入射させた際、P偏光を透過させ、S偏光を全反射させることができるため、90°に偏光分離することができる。また、図4に示す方向の屈折率配置とすることにより、第1のプリズム材11の入射面部11bに対して入射光Iを入射させた際、S偏光を透過させ、P偏光を全反射させることができるため、90°に偏光分離することができる。或いは、板材21の光学軸は、第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12の光学軸と同方向に沿って配設されていてもよい。すなわち、図2において、第1のプリズム材11、第2のプリズム材12及び板材21の光学軸はすべてy方向に沿って形成されていてもよい。詳細には、図5乃至図8に示す方向の屈折率配置とすることができる。図5実施形態3及び図7実施形態5に示す方向の屈折率配置とすることにより、第1のプリズム材11の入射面部11bに対して入射光Iを入射させた際、P偏光を透過させ、S偏光を反射させることができるため、90°に偏光分離することができる。また、図6実施形態4及び図8実施形態6に示す方向の屈折率配置とすることにより、第1のプリズム材11の入射面部11bに対して入射光Iを入射させた際、S偏光を透過させ、P偏光を反射させることができるため、90°に偏光分離することができる。このように、第1のプリズム材11、第2のプリズム材12及び板材21の光学軸をそれぞれ上記のような方向とすることにより、P偏光とS偏光のどちらを透過、反射させるか選択することができると共に、90°に偏光分離することができる。異方性材料は、光学軸方向をy方向又はz方向となるように加工することで、x方向に沿って入射する入射光Iにおいて、異なる屈折率を得ることができる。本発明の偏光ビームスプリッタ100は、第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12におけるそれぞれの方向の屈折率と、板材21におけるそれぞれの方向の屈折率を所定の組み合わせとすることにより、二つの全反射角を得ることができ、P偏光とS偏光に分離することができる。より詳細には、図2に示すように、偏光ビームスプリッタ100に備えられた第1のプリズム材11の入射面部11bから入射光Iが入射し、斜面部11aに対して45°の角度で入射する。このとき、斜面部11aに対向する板材21の平面部21aにおいて、一方の偏光例えば、S偏光が反射角度45°で反射し、反射光出射面部11cから出射するすなわち、入射光Iに対して90°でS偏光が分離される。一方、他方の偏光例えば、P偏光が斜面部12aから第2のプリズム材12に入射して透過し、透過光出射面部12cから出射する。したがって、本発明の偏光ビームスプリッタ100は、P偏光とS偏光を90°に分離することができる。そして、本発明の偏光ビームスプリッタ100は、高い消光比を備え、広い入射角許容幅を備えている。以下、本発明の偏光ビームスプリッタ100において、偏光分離するための構成に関し、詳述する。<偏光ビームスプリッタ100の構成材料>本発明の偏光ビームスプリッタ100は、異方性材料を用いることにより2種類の全反射条件を利用してP偏光とS偏光を分離するものである。この全反射は、斜面部11aにおいて発生する。以下、説明する臨界角θcは、斜面部11aに対向する平面部21aで全反射が始まる角度を示すものである。光が高屈折率媒質から低屈折率媒質に入射された場合、全反射が始まる入射角度である臨界角θcは、式2で示すことができる。なお、このとき、n1:プリズム材の屈折率、n2:板材の屈折率であり、n1>n2とする。屈折率比:Nr=n2/n1式1臨界角:θc=arcsinNr式2異方性材料は、入射偏光成分に対して異なる屈折率を持つ。このような異方性材料において、毒性や潮解性がなく、プリズム材として使用可能であり、比較的入手が容易な材料としては、YVO4、TiO2ルチル型、LiNbO3、CaCO3、CaWO4等が挙げられる。本発明の偏光ビームスプリッタ100は、第1のプリズム材11、第2のプリズム材12及び板材21を構成する材料として異方性材料を使用しているため、2種類の屈折率比すなわち、偏光方向ごとの屈折率比NrT、NrRを得ることができる。偏光分離は、以下の式3及び式4の条件を満たすような材料を組み合わせることにより可能となる。なお、このとき、透過条件とは、光線が全反射しない条件のことであり、反射条件とは、光線が全反射する条件のことである。また、θは任意の角度である。透過条件屈折率比:NrT>sinθ式3反射条件屈折率比:NrR<sinθ式4そして、本発明の偏光ビームスプリッタ100において、プリズム材10は45°プリズムによって構成されるため、上記式3及び式4において、θ=45°とすると、透過条件および反射条件を満たすためには、NrT>0.7071、NrR<0.7071を満たせばよい。屈折率比NrT及びNrRが、上記値を満たし、さらに実用的な材料による異方性材料同士の組み合わせとして、下記の表1の組み合わせ実施例1~実施例4が挙げられる。表中において、実施例1~実施例3は波長λ=633nmにおける計算結果であり、実施例4は波長λ=1550nmにおける計算結果である。なお、二つの屈折率を持つ異方性の各材料に関し、n1Sは第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12の小さい方の屈折率、n2Sは板材21の小さい方の屈折率、n1Lは第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12の大きい方の屈折率、n2Lは板材21大きい方の屈折率を示すものである。また、表中、θcRは反射偏光の全反射角、θcTは透過偏光の全反射角を示すものである。さらに、入射角許容幅は、臨界角θcRとθcTを得ることが可能な偏光ビームスプリッタへの入射角の幅を示すものであり、上段の値0は第1のプリズム材11の入射面部11bに対する垂線と、入射光Iとがなす角度が0°であることすなわち、図2の状態を示す。また、下段の値は、その角度幅において、斜面部11aに対向する平面部21aで全反射角θcRとθcTを得ることが可能な入射角の幅を示す。なお、入射角度が反時計回りの時をとし、時計回りの時を-と記載している。そして、入射角許容幅は、以下の式5によって求められる。なお、式5は、偏光ビームスプリッタ100に入射した光線がプリズム材で屈折する効果を考慮したものである。入射角度≒プリズム材屈折率×臨界角-45°式5偏光ビームスプリッタ100の性能として、広い入射角許容幅すなわち、一定値以上の消光比を得るための入射角度の許容幅を備え、高い入射角特性を得るためには、全反射角θcRとθcTの差が大きく、且つθcRとθcTの45°からの差が大きいことが求められる。さらに反射防止膜31の性質上、θcTが大きい必要がある。また、入射光Iの一方の偏光成分を全反射させる必要があることから、第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12の材料の屈折率は、常に板材21の材料の屈折率よりも大きいものであるとよい。すなわち、n1s>n2Lであると好適である。表1の実施例3は、第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12の材料をLiNbO3、板材21の材料をCaCO3方解石としたものである。実施例3は、実施例1や実施例2と比較してθcTがやや小さいが、比較的広い入射角許容幅を有している。実施例2は、第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12の材料をルチル型のTiO2、板材21の材料をYVO4としたものである。実施例2は、反射光の許容角度が-3.2°であり、若干小さいが、十分な入射角許容幅を備えている。そして、実施例1は、第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12の材料をYVO4、板材21の材料をCaCO3方解石としたものである。実施例1は、波長λ=633nmの入射光Iに対して実施例1~3の中で最もバランスが良い材料の組み合わせであり、表1の中では最も高い入射角許容幅を備えたものである。実施例4は、偏光ビームスプリッタ100の利用頻度が高い波長帯域である、波長λ=1550nm通信帯域を想定したものである。実施例4は、第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12の材料をルチル型のTiO2、板材21の材料をCaWO4としたものである。表1において示されるように、実施例4の材料の組み合わせにより、通信帯域であるλ=1550nmにおいても、偏光ビームスプリッタ100として全反射角の差を大きくすることができ、十分な入射角許容幅を得ることができる。このように、適当な材料の組み合わせを選択することにより、45°プリズムで偏光分離することができるため、偏光分離角度を90°とすることができ、さらに入射角許容幅を広くすることができる。<反射防止膜31の効果>本発明の偏光ビームスプリッタ100は、第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12と、板材21との間に、それぞれ反射防止膜31を備えている。このような反射防止膜31としては、公知の材料が用いられる。例えば、チタン膜、酸化チタン膜、チッ化チタン膜、酸化クロム膜、カーボン膜、フッ化マグネシウム膜、酸化ケイ素膜、酸化ジルコニウム膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、H4メルク社製品名:チタン酸ランタン膜、M2メルク社製品名:ランタンアルミネート膜、M3メルク社製品名:ランタンアルミネート膜等の無機膜を真空蒸着、CVD、スパッタリング等の方法により形成したものや、メタクリル樹脂等の有機膜を塗布等の方法により成形したものが挙げられる。また、これら膜を適宜積層してもよい。そして、反射防止膜31を備えることにより、第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12と板材21との屈折率差に起因するフレネル反射を効果的に抑制し、透過偏光の損失を極めて小さくすることができる。また、フレネル反射した光は、反射偏光と混ざりあってしまい、消光比を低下させることが知られており、フレネル反射が消光比に与える影響透過光反射率と反射偏光消光比の関係は式6のように示される。なお、このとき、Er:反射偏光消光比dB、R:透過光反射率である。Er=-10×logR/100式6したがって、反射防止膜31を備えることにより、透過光反射率が低下するため、反射偏光の消光比を向上させることができる。一方、上記のようなフレネル反射を防止するためには、反射防止膜31を備える構成以外に、NrT≒1となる材料を組み合わせる構成が挙げられる。しかし、NrT≒1を持たす材料であって、且つ、毒物や光学用の材料としての入手性が良い材料がないことから、このような構成は実用性に乏しい。さらに、第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12を構成する異方性材料と、板材21を構成する異方性材料によって挟まれる物質の屈折率を合せる場合すなわち、NrT=1とする場合は、異方性材料自身が持つ二つの屈折率の比が0.7071未満になる材料が存在しないため、45°プリズムで第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12を形成することができない。したがって、上記の条件を満たした上で、実用的な材料を得るためには、材料の開発から行う必要があり、開発コストや時間が必要となる。しかし、本発明の偏光ビームスプリッタ100は、反射防止膜31を備えることにより、第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12と、板材21との屈折率が一致していなくても入射光Iの反射防止が可能であるため、材料選定の幅が広く、実用的な材料例えば、毒性や潮解性を持たない材料を組み合わせることができる。<異方性材料同士の組み合わせの効果>式7及び式8は、異方性材料と等方性材料を組み合わせた場合の臨界角差Δθc1と異方性材料同士を組み合わせた場合の臨界角差Δθc2についてそれぞれ示したものである。等方性材料は、一つの屈折率n2のみを持つことに対し、異方性材料は二つの屈折率n2Sとn2Lこのとき、n2S<n2Lとするを持つ。例えば、等方性材料の屈折率n2に対して異方性材料が、n2S<n2<n2Lとなる屈折率を持つ材料を選定した場合、臨界角θcT1<θcT2、θcR1>θcR2となる。なお、θcT1及びθcR1は、異方性材料と等方性材料を組み合わせた場合の臨界角であり、θcT2及びθcR2は、異方性材料同士を組み合わせた場合の臨界角である。臨界角の差等方性材料と異方性材料の組み合わせΔθc1=θcT1-θcR1=arcsinn2/n1L-arcsinn2/n1S式7このとき、n2:等方性板材の屈折率である。臨界角の差異方性材料同士の組み合わせΔθc2=θcT2-θcR2=arcsinn2S/n1L-arcsinn2L/n1S式8上記のように、Δθc1<Δθc2となることから、異方性材料同士の組み合わせは、異方性材料及び等方性材料の組み合わせと比較して、臨界角の差を大きくすることができる。したがって、異方性材料同士の組み合わせは、等方性材料を使用する場合に比べ偏光ビームスプリッタ100の入射角特性をより向上させることが可能となる。<<実施例>>上記の表1において示した各材料によって形成された偏光ビームスプリッタ100の性能について、以下、偏光反射率の入射角度依存性及び波長依存性について説明する。実施例1実施例1実施例1-1,1-2は、第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12の材料をYVO4、板材21の材料をCaCO3方解石としたものである。実施例1-1実施例1-1は、図3のように、第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12の光学軸と、板材21の光学軸とが、同方向に形成されており、P偏光を透過させ、S偏光を全反射させて分離する偏光ビームスプリッタ100である。また、実施例1-1の偏光ビームスプリッタ100に備えられる反射防止膜31は、酸化ハフニウムHfO2、M2を積層した二層膜とした。図9aには、入射光Iのプリズム斜面部への入射角θI、各偏光の反射率計算結果の関係を示す。なお、以下、プリズム斜面部への入射角とは、斜面部11aに対向する平面部21aに対する垂線と、入射光Iの光軸とがなす角度図2におけるθIを指すものとする。また、このときの入射光Iの波長λは633nmとした。なお、入射光Iのプリズム斜面部への入射角θIの許容幅が広いことは、上記表1において説明した入射角許容幅が広いことを示す。図9aより、実施例1-1の偏光ビームスプリッタ100は、S偏光の反射率がほぼ100であり、且つP偏光の反射率が極めて0に近くなる角度範囲すなわち、プリズム斜面部への入射角許容幅が約42°~50°であり、極めて広い入射角許容幅を備えていることが示されている。また、図9bは、入射角θIが45°付近のP偏光の反射率を拡大して示したものである。図9bにおいて、反射率0.010に引かれた一点鎖線は反射光本実施例においてはS偏光の消光比が40dBであることを示し、この線よりも下方範囲は、反射光の消光比が40dBよりも大きいことを示す。また、反射率0.001に引かれた一点鎖線は反射光の消光比が50dBであることを示し、この線よりもより下方範囲は、反射光の消光比が50dBよりも大きいことを示す。なお、特に記載のない限り、他のグラフ図においても同様に消光比を示す。図9bによると、プリズム斜面部への入射角θIが45°付近である時、実施例1-1の偏光ビームスプリッタ100は、透過光であるP偏光の反射率が0.001以下であることから、S偏光の消光比が50dB以上という高い消光比を備えることが示されている。図10aには、入射光Iの波長と、各偏光の反射率計算結果の関係を示す。なお、この時のプリズム斜面部への入射角θIは45°とした。図10より、波長λが400~800nmの範囲において、S偏光の反射率がほぼ100であると共に、P偏光の反射率が極めて0に近いことから、本実施例の偏光ビームスプリッタ100は、広い波長範囲において使用可能である。図10bは、波長λが633nm付近のP偏光の反射率を拡大して示したものである。図10bによると、波長λが633nm付近である時、実施例1-1の偏光ビームスプリッタ100は、透過光であるP偏光の反射率が0.001以下であることから、S偏光の消光比が50dB以上という高い消光比を備えることが示されている。実施例1-2実施例1-2は、図4のように、第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12の光学軸と、板材21の光学軸とが、同方向に形成されており、S偏光を透過させ、P偏光を全反射させて分離する偏光ビームスプリッタ100である。また、実施例1-2の偏光ビームスプリッタ100に備えられる反射防止膜31は、酸化ハフニウムHfO2、M2を積層した四層膜とした。図11aには、入射光Iのプリズム斜面部への入射角θI、各偏光の反射率計算結果の関係を示す。なお、このときの入射光Iの波長λは633nmとした。図11aより、実施例1-2の偏光ビームスプリッタ100は、P偏光の反射率がほぼ100であり、且つS偏光の反射率が極めて0に近くなる角度範囲すなわち、プリズム斜面部への入射角許容幅が約42°~50°であり、極めて広い入射角許容幅を備えていることが示されている。また、図11bは、プリズム斜面部への入射角θIが45°付近のS偏光の反射率を拡大して示したものである。図11bによると、プリズム斜面部への入射角θIが45°付近である時、実施例1-2の偏光ビームスプリッタ100は、透過光であるS偏光の反射率が0.001以下であることから、P偏光の消光比が50dB以上という高い消光比を備えることが示されている。図12aは、入射光Iの波長と、各偏光の反射率計算結果の関係を示すものである。なお、この時のプリズム斜面部への入射角θIは45°とした。図12aより、波長λが500~800nmの範囲において、P偏光の反射率がほぼ100であると共に、S偏光の反射率が極めて0に近いことから、本実施例の偏光ビームスプリッタ100は、広い波長範囲において使用可能である。図12bは、波長λが633nm付近のS偏光の反射率を拡大して示したものである。図12bによると、波長λが633nm付近である時、実施例1-2の偏光ビームスプリッタ100は、透過光であるS偏光の反射率が0.001以下であることから、P偏光の消光比が50dB以上という高い消光比を備えることが示されている。実施例1と比較例との比較図13は、比較例である偏光分離膜型の偏光ビームスプリッタと、本発明の実施例1の偏光ビームスプリッタ100光学軸方向は問わないにおける入射光Iのプリズム斜面部への入射角θI、反射光すなわち、斜面部11aに対向する平面部21aにおいて全反射する偏光の消光比の関係を示したものである。比較例の偏光ビームスプリッタは、偏光分離膜型のものであり、二つの三角柱状のプリズム屈折率n=1.700のガラスからなるプリズムの斜面部の間に21層からなる偏光分離膜を介在させて挟持した構成である。なお、偏光分離膜の構成は、ガラスプリズム上に、厚さ101.18nmのTa2O5屈折率n=2.120と、厚さ146.92nmのSiO2屈折率n=1.460を交互に積層させ、21層としたものである。比較例の偏光ビームスプリッタの設計中心設計通りの場合における消光比を一点鎖線、また、膜厚2の誤差を有するものの消光比を実線で示す。また、本実施例の偏光ビームスプリッタ100の設計中心設計通りの場合における消光比を点線、また、膜厚2の誤差を有するものの消光比を二点鎖線で示す。図13に示されるように、製造誤差を含める場合、プリズム斜面部への入射角θIが45°のとき、比較例の消光比は40dBよりも小さい値となる一方、本実施例の偏光ビームスプリッタ100は、製造誤差を含める場合であっても50dBよりも大きな消光比を得ることができる。さらに、本実施例の偏光ビームスプリッタは、比較例よりも、一定の消光比を得ることが可能なプリズム斜面部への入射角θIの範囲が広い。より詳細には、プリズム斜面部への入射角θIが42°から46°の範囲にわたって、40dB以上約50dBの消光比を得ることができる。したがって、本発明の偏光ビームスプリッタ100は、広い入射角許容幅を持ち、高い消光比を得ることができる。また、図14には、比較例及び本実施例における入射光Iの波長λと反射光の消光比の関係を示す。図14に示されるように、製造誤差を含める場合、波長λが500~750nmの範囲にあるとき、反射光の消光比は最大で40dB程度である。一方、本実施例の偏光ビームスプリッタ100は、製造誤差を含める場合であっても、波長λが580~700nmの範囲では、消光比が40dBよりも大きい値となる。特に、波長633nm付近では、50dB以上約60dB程度の高い消光比を得ることができる。このように、図13及び図14に示した計算値から、本発明の偏光ビームスプリッタ100は、消光比50dBでの入射角範囲や波長範囲が、偏光分離膜型のものと比較して構造上広くなる。したがって、製造誤差が生じた場合であっても、広い範囲で消光比を保持することができる。実施例2実施例2実施例2-1,2-2は、第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12の材料をルチル型のTiO2、板材21の材料をYVO4としたものである。また、実施例2において、偏光ビームスプリッタ100に備えられる反射防止膜31は、実施例2-1及び実施例2-2ともに、酸化チタンTiO2、H4を積層した三層膜とした。実施例2-1実施例2-1は、図3のように、第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12の光学軸と、板材21の光学軸とが、互いに直交するように形成されており、P偏光を透過させ、S偏光を全反射させて分離する偏光ビームスプリッタ100である。図15aには、入射光Iのプリズム斜面部への入射角θI、各偏光の反射率計算結果の関係を示す。なお、このときの入射光Iの波長λは633nmとした。図15aより、実施例2-1の偏光ビームスプリッタ100は、S偏光の反射率がほぼ100であり、且つP偏光の反射率が極めて0に近くなる角度範囲すなわち、プリズム斜面部への入射角許容幅が約44°~55°であり、広い入射角許容幅を備えていることが示されている。また、図15bは、プリズム斜面部への入射角θIが45°付近のP偏光の反射率を拡大して示したものである。図15bによると、プリズム斜面部への入射角θIが45°付近である時、実施例2-1の偏光ビームスプリッタ100は、透過光であるP偏光の反射率が0.001以下であることから、S偏光の消光比が50dB以上という高い消光比を備えることが示されている。図16aは、入射光Iの波長と、各偏光の反射率計算結果の関係を示す。なお、この時のプリズム斜面部への入射角θIは45°とした。図16aより、波長λが400~800nmの範囲において、S偏光の反射率がほぼ100であると共に、P偏光の反射率が極めて0に近いことから、本実施例の偏光ビームスプリッタ100は、広い波長範囲において使用可能である。図16bは、波長λが633nm付近のP偏光の反射率を拡大して示したものである。図16bによると、波長λが633nm付近である時、実施例2-1の偏光ビームスプリッタ100は、透過光であるP偏光の反射率が0.001以下であることから、S偏光の消光比が50dB以上という高い消光比を備えることが示されている。実施例2-2実施例2-2は、図4のように、第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12の光学軸と、板材21の光学軸とが、互いに直交するように形成されており、S偏光を透過させ、P偏光を全反射させて分離する偏光ビームスプリッタ100である。図17aには、入射光Iのプリズム斜面部への入射角θI、各偏光の反射率計算結果の関係を示す。なお、このときの入射光Iの波長λは633nmとした。図17aより、実施例2-2の偏光ビームスプリッタ100は、P偏光の反射率がほぼ100であり、且つS偏光の反射率が極めて0に近くなる角度範囲すなわち、プリズム斜面部への入射角許容幅が約44°~50°であり、広い入射角許容幅を備えていることが示されている。また、図17bは、プリズム斜面部への入射角θIが45°付近のS偏光の反射率を拡大して示したものである。図17bによると、入射角θIが45°付近である時、実施例2-2の偏光ビームスプリッタ100は、透過光であるS偏光の反射率が0.001以下であることから、P偏光の消光比が50dB以上という高い消光比を備えることが示されている。図18aは、入射光Iの波長と、各偏光の反射率計算結果の関係を示す。なお、この時のプリズム斜面部への入射角θIは45°とした。図18aより、波長λが550~800nmの範囲において、P偏光の反射率がほぼ100であると共に、S偏光の反射率が極めて0に近いことから、本実施例の偏光ビームスプリッタ100は、広い波長範囲において使用可能である。図18bは、波長λが633nm付近のS偏光の反射率を拡大して示したものである。図18bにおいて、反射率0.10に引かれた一点鎖線は反射光本実施例においてはP偏光の消光比が30dBであることを示し、この線よりも下方範囲は、反射光の消光比が30dBよりも大きいことを示す。また、反射率0.01に引かれた一点鎖線は反射光の消光比が40dBであることを示し、この線よりもより下方範囲は、反射光の消光比が40dBよりも大きいことを示す。図18bによると、波長λが633nm付近である時、実施例2-2の偏光ビームスプリッタ100は、透過光であるS偏光の反射率が0.01以下であることから、P偏光の消光比が40dB以上という高い消光比を備えることが示されている。実施例3実施例3実施例3-1,3-2は、第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12の材料をLiNbO3、板材21の材料をCaCO3方解石としたものである。実施例3-1実施例3-1は、図3のように、第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12の光学軸と、板材21の光学軸とが、互いに直交するように形成されており、P偏光を透過させ、S偏光を全反射させて分離する偏光ビームスプリッタ100である。また、実施例3-1の偏光ビームスプリッタ100に備えられる反射防止膜31は、M2、M3を積層した三層膜とした。図19aには、入射光Iのプリズム斜面部への入射角θI、各偏光の反射率計算結果の関係を示す。なお、このときの入射光Iの波長λは633nmとした。図19aより、実施例3-1の偏光ビームスプリッタ100は、S偏光の反射率がほぼ100であり、且つP偏光の反射率が極めて0に近くなる角度範囲すなわち、プリズム斜面部への入射角許容幅が約41°~47°であり、広い入射角許容幅を備えていることが示されている。また、図19bは、プリズム斜面部への入射角θIが45°付近のP偏光の反射率を拡大して示したものである。図19bによると、プリズム斜面部への入射角θIが45°付近である時、実施例3-1の偏光ビームスプリッタ100は、透過光であるP偏光の反射率が0.001以下であることから、S偏光の消光比が50dB以上という高い消光比を備えることが示されている。図20aは、入射光Iの波長と、各偏光の反射率計算結果の関係を示す。なお、この時のプリズム斜面部への入射角θIは45°とした。図20aより、波長λが500~800nmの範囲において、S偏光の反射率がほぼ100であると共に、P偏光の反射率が極めて0に近いことから、本実施例の偏光ビームスプリッタ100は、広い波長範囲において使用可能である。図20bは、波長λが633nm付近のP偏光の反射率を拡大して示したものである。図20bによると、波長λが633nm付近である時、実施例3-1の偏光ビームスプリッタ100は、透過光であるP偏光の反射率が0.001以下であることから、S偏光の消光比が50dB以上という高い消光比を備えることが示されている。実施例3-2実施例3-2は、図4のように、第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12の光学軸と、板材21の光学軸とが、互いに直交するように形成されており、S偏光を透過させ、P偏光を全反射させて分離する偏光ビームスプリッタ100である。また、実施例3-1の偏光ビームスプリッタ100に備えられる反射防止膜31は、酸化ハフニウムHfO2、M2を積層した四層膜とした。図21aには、入射光Iのプリズム斜面部への入射角θI、各偏光の反射率計算結果の関係を示す。なお、このときの入射光Iの波長λは633nmとした。図21aより、実施例3-2の偏光ビームスプリッタ100は、P偏光の反射率がほぼ100であり、且つS偏光の反射率が極めて0に近くなる角度範囲すなわち、プリズム斜面部への入射角許容幅が約41°~46°であり、実用可能な入射角許容幅を備えていることが示されている。また、図21bは、プリズム斜面部への入射角θIが45°付近のS偏光の反射率を拡大して示したものである。図21bによると、プリズム斜面部への入射角θIが45°付近である時、実施例3-2の偏光ビームスプリッタ100は、透過光であるS偏光の反射率が0.01以下であることから、P偏光の消光比が40dB以上という高い消光比を備えることが示されている。図22aは、入射光Iの波長と、各偏光の反射率計算結果の関係を示すものである。なお、この時のプリズム斜面部への入射角θIは45°とした。図22aより、波長λが550~800nmの範囲において、P偏光の反射率がほぼ100であると共に、S偏光の反射率が極めて0に近いことから、本実施例の偏光ビームスプリッタ100は、実用的な波長範囲において使用可能である。また、図22bは、プリズム斜面部への入射角θIが45°付近のS偏光の反射率を拡大して示したものである。図22bによると、プリズム斜面部への入射角θIが45°付近である時、実施例3-2の偏光ビームスプリッタ100は、透過光であるS偏光の反射率が0.001以下であることから、P偏光の消光比が50dB以上という高い消光比を備えることが示されている。実施例4実施例4実施例4-1,4-2は、第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12の材料をルチル型のTiO2、板材21の材料をCaWO4としたものであり、特に光通信帯域である波長λ=1550nm付近において特に好適に用いられる。また、実施例4において、偏光ビームスプリッタ100に備えられる反射防止膜31は、実施例4-1及び実施例4-2ともに、酸化ハフニウムHfO2、酸化チタンTiO2を積層した三層膜とした。実施例4-1実施例4-1は、図3のように、第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12の光学軸と、板材21の光学軸とが、互いに直交するように形成されており、P偏光を透過させ、S偏光を全反射させて分離する偏光ビームスプリッタ100である。図23aには、入射光Iのプリズム斜面部への入射角θI、各偏光の反射率計算結果の関係を示す。なお、このときの入射光Iの波長λは1550nmとした。図23aより、実施例4-1の偏光ビームスプリッタ100は、S偏光の反射率がほぼ100であり、且つP偏光の反射率が極めて0に近くなる角度範囲すなわち、プリズム斜面部への入射角許容幅が約44°~49°であり、実用的な入射角許容幅を備えていることが示されている。また、図23bは、プリズム斜面部への入射角θIが45°付近のP偏光の反射率を拡大して示したものである。図23bによると、プリズム斜面部への入射角θIが45°付近である時、実施例4-1の偏光ビームスプリッタ100は、透過光であるP偏光の反射率が0.001以下であることから、S偏光の消光比が50dB以上という高い消光比を備えることが示されている。図24aは、入射光Iの波長と、各偏光の反射率計算結果の関係を示す。なお、この時のプリズム斜面部への入射角θIは45°とした。図24aより、波長λが1400~1700nmの範囲において、S偏光の反射率がほぼ100であると共に、P偏光の反射率が極めて0に近いことから、本実施例の偏光ビームスプリッタ100は、広い波長範囲において使用可能である。図24bは、波長λが1550nm付近のP偏光の反射率を拡大して示したものである。図24bによると、波長λが1550nm付近である時、実施例4-1の偏光ビームスプリッタ100は、透過光であるP偏光の反射率が0.001以下であることから、S偏光の消光比が50dB以上という高い消光比を備えることが示されている。実施例4-2実施例4-2は、図4のように、第1のプリズム材11及び第2のプリズム材12の光学軸と、板材21の光学軸とが、互いに直交するように形成されており、S偏光を透過させ、P偏光を全反射させて分離する偏光ビームスプリッタ100である。図25aには、入射光Iのプリズム斜面部への入射角θI、各偏光の反射率計算結果の関係を示す。なお、このときの入射光Iの波長λは1550nmとした。図25aより、実施例4-2の偏光ビームスプリッタ100は、P偏光の反射率がほぼ100であり、且つS偏光の反射率が極めて0に近くなる角度範囲すなわち、プリズム斜面部への入射角許容幅が約43°~48°であり、実用的な入射角許容幅を備えていることが示されている。また、図25bは、プリズム斜面部への入射角θIが45°付近のS偏光の反射率を拡大して示したものである。図25bによると、プリズム斜面部への入射角θIが45°付近である時、実施例4-2の偏光ビームスプリッタ100は、透過光であるS偏光の反射率が0.001以下であることから、P偏光の消光比が50dB以上という高い消光比を備えることが示されている。図26aは、入射光Iの波長と、各偏光の反射率計算結果の関係を示す。なお、この時のプリズム斜面部への入射角θIは45°とした。図26aより、波長λが1400~1700nmの範囲において、P偏光の反射率がほぼ100であると共に、S偏光の反射率が極めて0に近いことから、本実施例の偏光ビームスプリッタ100は、広い波長範囲において使用可能である。図26bは、波長λが1550nm付近のS偏光の反射率を拡大して示したものである。図26bによると、波長λが1550nm付近である時、実施例4-2の偏光ビームスプリッタ100は、透過光であるS偏光の反射率が0.001以下であることから、P偏光の消光比が50dB以上という高い消光比を備えることが示されている。実施例まとめこのように、適当な屈折率を備えた異方性材料同士を組み合わせてなる偏光ビームスプリッタ100は、P偏光とS偏光を、両者ともに消光比≧50dBにするすることができる。また、上記のように、本発明の偏光ビームスプリッタ100は、入射角許容幅及び使用可能な波長幅が広い。したがって、偏光ビームスプリッタ100の製造時において製造誤差が生じた場合であっても、問題なく使用可能とすることができる。"