"半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置において、前記接続部を封止する半導体封止用接着剤であって、a第一級又は第二級窒素原子含有化合物と、bエステルと、cエポキシ樹脂と、を含有する、半導体封止用接着剤。前記a第一級又は第二級窒素原子含有化合物がイミダゾール類である、請求項1記載の半導体封止用接着剤。前記接続部が、主成分として銅、ニッケル、スズ及び鉛からなる群より選ばれる少なくとも一種の金属を含有する、請求項1又は2半導体封止用接着剤。さらにd重量平均分子量10000以上の高分子成分を含有する、請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体封止用接着剤。前記d重量平均分子量10000以上の高分子成分がポリイミド樹脂である、請求項4記載の半導体封止用接着剤。形状がフィルム状である、請求項1~5のいずれか一項に記載の半導体封止用接着剤。半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置の製造方法であって、前記接続部を、請求項1~6のいずれか一項に記載の半導体封止用接着剤を用いて封止する工程を備える、半導体装置の製造方法。請求項7記載の製造方法によって得られる、半導体装置。フラックス活性を示すフラックス剤として、上記のようにカルボン酸などの有機酸を配合したものが検討されている。しかし、カルボン酸などの有機酸は、封止樹脂に広く用いられているエポキシ樹脂の硬化剤としても作用することから、反応性の制御や保存安定性の確保が困難であった。また、カルボン酸などの有機酸を用いた場合、酸成分によって配線の腐食が発生し、半導体チップ及び基板間や2つの半導体チップ間の接続性や絶縁信頼性が低下する場合があった。本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、半導体チップ及び基板間や2つの半導体チップ間の接続性を良好にでき、且つ、保存安定性を確保できる半導体封止用接着剤、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明は、半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置において、上記接続部を封止する半導体封止用接着剤であって、a第一級又は第二級窒素原子含有化合物と、bエステルと、cエポキシ樹脂と、を含有する、半導体封止用接着剤を提供する。本発明の半導体封止用接着剤によれば、a第一級又は第二級窒素原子含有化合物のような窒素にプロトンが存在する化合物と、bエステルとを組み合わせて用いることで、フラックス活性が発現し、半導体チップ及び基板間や2つの半導体チップ間の接続性が向上するだけでなく、保存安定性も確保できる。本発明の半導体封止用接着剤において、上記a第一級又は第二級窒素原子含有化合物は、取り扱い性や安定性に優れることから、イミダゾール類であることが好ましい。本発明の半導体封止用接着剤により封止する半導体装置の上記接続部は、主成分として銅、ニッケル、スズ及び鉛からなる群より選ばれる少なくとも一種の金属を含有することが好ましい。これらの金属は酸化物を生じやすいが、本発明の半導体封止用接着剤では、有機酸を用いることなく、a第一級又は第二級窒素原子含有化合物とbエステルとの組み合わせによりフラックス活性を示すことができるため、上記金属の酸化を抑制することができ、良好な接続性を得ることができる。本発明の半導体封止用接着剤は、さらにd重量平均分子量10000以上の高分子成分を含有することが好ましい。また、上記d重量平均分子量10000以上の高分子成分は、ポリイミド樹脂であることが好ましい。このようなd高分子成分を含有することにより、半導体封止用接着剤のフィルム形成性や膜形成性を向上させることができる。Pre-applied方式で半導体チップと配線回路基板の空隙又は複数の半導体チップ間の空隙を封止する場合の作業性を向上させることができることから、本発明の半導体封止用接着剤は、形状がフィルム状であることが好ましい。また、半導体封止用接着剤が液状の場合、ディスペンス法などで基板に樹脂を塗布する際に、樹脂粘度の経時変化によって、供給量を安定的に制御することが困難になる場合があったが、フィルム状にすることで、このような問題を解決することができる。本発明はまた、半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置の製造方法であって、上記接続部を、上記本発明の半導体封止用接着剤を用いて封止する工程を備える、半導体装置の製造方法を提供する。本発明の半導体装置の製造方法によれば、上記本発明の半導体封止用接着剤を用いることにより、半導体装置の接続性を向上させることができる。本発明はさらに、上記本発明の半導体装置の製造方法によって得られる、半導体装置を提供する。本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体装置の製造方法を用いて作製されるため、接続性が十分に優れたものとなる。本発明によれば、半導体チップ及び基板間や2つの半導体チップ間の接続性を良好にでき、且つ、保存安定性を確保できる半導体封止用接着剤、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することができる。以下、場合により図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。<半導体封止用接着剤>本発明の半導体封止用接着剤は、半導体チップ及び配線回路基板以下、場合により単に基板というのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置において、上記接続部を封止する半導体封止用接着剤であって、a第一級又は第二級窒素原子含有化合物以下、場合によりa成分というと、bエステル以下、場合によりb成分というと、cエポキシ樹脂以下、場合によりc成分というと、を含有する。a第一級又は第二級窒素原子含有化合物のような窒素原子にプロトンを有する化合物と、bエステルとを組み合わせることによってフラックス活性が発揮する。なお、a第一級又は第二級窒素原子含有化合物、及び、bエステルは、共に酸性を示さない。また、半導体封止用接着剤は、d重量平均分子量10000以上の高分子成分以下、場合によりd成分というを含有する。以下、半導体封止用接着剤を構成する各成分について説明する。a第一級又は第二級窒素原子含有化合物a第一級又は第二級窒素原子含有化合物は、第一級又は第二級窒素原子を含有する化合物であれば特に制限はなく、例えば第一級アルキルアミン、第二級アルキルアミン、及びアリールアミン、並びに、複素環アミンであるピリジン類、ピロール類、キノリン類、イミダゾール類、インドール類、ピリミジン類、ピロリジン類、及びピペリジン類等が挙げられる。これらの中でも、取り扱い性や安定性の観点から、第一級アルキルアミン、第二級アルキルアミン、アリールアミン、及びイミダゾール類が好ましく、さらに好ましくはイミダゾール類である。イミダゾール類としては、例えば、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール等が挙げられる。a第一級又は第二級窒素原子含有化合物は、高温接続例えば、ハンダを用いた接続温度240°C以上での接続に耐え得るように、室温1気圧、25°Cで液状のものより、室温で固形のものであって耐熱性の高い化合物であることが好ましい。これらは単独で又は2種以上の混合物として使用することができる。bエステルbエステルは、エステル基を有する化合物であれば特に制限はなく、例えば、カルボン酸エステル、チオエステル、炭酸エステル、リン酸エステル、硫酸エステル、硝酸エステル等が挙げられる。これらの中でも、取り扱い性や安定性の観点から、カルボン酸エステルが好ましい。bエステルは、高温接続例えば、ハンダを用いた接続温度240°C以上での接続に耐え得るように、室温1気圧、25°Cで液状のものより、室温で固形のものであって、ベンゼン環やナフタレン骨格を含有する耐熱性の高い化合物であることが好ましい。これらは単独で又は2種以上の混合物として使用することができる。a成分及びb成分の組み合わせによりフラックス活性が発現する理由について、本発明者らは以下のように推察する。a成分とb成分との間で、一種のエステル交換反応が生じていると考えられる。通常、エステル交換反応では、アルコールR1-OHとエステルR2-COOR3とが、酸性条件下のプロトンもしくはアルコールのプロトン塩基性条件下によって反応促進され、R1とR3とが変換される。この反応の途中もしくは最終的に、フラックス成分として一般的なカルボン酸誘導体やアルコールが生成することとなる。a第一級又は第二級窒素原子含有化合物とbエステルとの間でもこれと類似した反応が起き、フラックス活性が発現していると推測される。なお、カルボン酸等のフラックス成分であり、低温で反応するものは、フラックス活性を発現する前に、エポキシ等と反応して十分なフラックス活性を示せない場合がある接続不良が起きる。エステル成分の種類等によって異なるが、a第一級又は第二級窒素原子含有化合物とbエステルとの組み合わせでは、ある一定の温度以上でないとフラックス活性を発現しない。下記表1~2に示した配合物について、ハンダ濡れ性を評価した。評価では、Sn42Bi58粒径:10~25μm、融点:138°Cのスズビスマスを0.1g取って、ホットプレートで下記表1~2に示す評価温度に加熱したCu板上に置き、これに下記表1~2に示した配合物を添加した。10秒後、スズビスマスが全て溶融した場合をA、溶融残りがあるサンプルをB、溶融しなかったサンプルをCとした。結果を下記表1~2に示した。なお、表中の各成分の詳細は以下の通りである。2PHZ2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、四国化成株式会社製、商品名:2PHZ-PW2E4MZ2-エチル-4-メチルイミダゾール、四国化成株式会社製2PZCN1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール、四国化成株式会社製イソフタル酸ジフェニル東京化成株式会社製アジピン酸東京化成社製、融点:152°C表1~2の実験例1~13に示されるように、カルボン酸とエステルとの組み合わせでは160°Cでフラックス活性が発現するのに対し、a第一級又は第二級窒素原子含有化合物とbエステルとの組み合わせでは200°C程度以上でなければフラックス活性を発現しない。このように、bエステルは他の成分と反応せず、a成分との組み合わせ且つある一定の温度に達することでフラックス活性を発揮することとなる。すなわち、a成分及びb成分の組み合わせは、潜在性フラックス発生機構であると言える。ここで、ある一定の温度は200°C以上であることが好ましく、220°C以上であることがより好ましい。これにより、通常のパッケージで用いられるはんだSnAgCuの融点付近融点以下でフラックス活性が発現することとなる。半導体封止用接着剤において、a成分及びb成分の含有量の比a成分/b成分の質量比は、硬化性や接着性、保存安定性などの観点から、0.1~10であることが好ましく、0.5~2であることがより好ましい。この含有量の比が0.1未満であると硬化阻害や金属配線の腐食が生じやすくなる傾向があり、10を超えると接続不良が生じやすくなる傾向がある。半導体封止用接着剤において、a成分及びb成分の合計の含有量は、半導体封止用接着剤の固形分全量を基準として、1~20質量であることが好ましく、3~13質量であることがより好ましい。この含有量が1質量未満であると接続不良が生じやすくなる傾向があり、20質量を超える場合も接続不良が生じやすくなる傾向がある。cエポキシ樹脂cエポキシ樹脂としては、分子内に2個以上のエポキシ基を有するものであれば特に制限なく用いることができる。c成分として、具体的には、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ナフタレン型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、フェノールアラルキル型、ビフェニル型、トリフェニルメタン型、ジシクロペンタジエン型及び各種多官能エポキシ樹脂を使用することができる。これらは単独で又は2種以上の混合物として使用することができる。c成分は、高温での接続時に分解して揮発成分が発生することを抑制する観点から、接続時の温度が250°Cの場合は、250°Cにおける熱重量減少量率が5以下のエポキシ樹脂を用いることが好ましく、300°Cの場合は、300°Cにおける熱重量減少量率が5以下のエポキシ樹脂を用いることが好ましい。また、ビスフェノールA型やビスフェノールF型の液状エポキシ樹脂は、1熱重量減少温度が250°C以下であるため、高温加熱時に分解して揮発成分が発生する恐れがある。このため、室温1気圧、25°Cで固形のエポキシ樹脂を用いることが好ましい。a第一級又は第二級窒素原子含有化合物は、cエポキシ樹脂の硬化剤としても働くが、硬化性や物性、信頼性の観点から、別途e硬化剤以下、場合によりe成分というを添加してもよい。e硬化剤e硬化剤としては、例えば、フェノール樹脂系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤及びホスフィン系硬化剤が挙げられる。e成分がフェノール性水酸基、酸無水物、アミン類又はイミダゾール類を含むと、接続部に酸化膜が生じることを抑制するフラックス活性を示し、接続信頼性絶縁信頼性を向上させることができる。以下、各硬化剤について説明する。iフェノール樹脂系硬化剤フェノール樹脂系硬化剤としては、分子内に2個以上のフェノール性水酸基を有するものであれば特に制限はなく、例えば、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールナフトールホルムアルデヒド重縮合物、トリフェニルメタン型多官能フェノール及び各種多官能フェノール樹脂などを使用することができる。これらは単独で又は2種以上の混合物として使用することができる。また、液状フェノール樹脂は高温加熱時に分解して揮発成分が発生する恐れがあることから、室温1気圧、25°Cで固形のフェノール樹脂を用いることが望ましい。上記cエポキシ樹脂に対するフェノール樹脂系硬化剤の当量比フェノール性水酸基/エポキシ基のモル比は、硬化性や接着性、保存安定性などの観点から、0.3~1.5であることが好ましく、0.4~1.0であることがより好ましく、0.5~1.0であることが更に好ましい。当量比が0.3より小さいと、硬化性が低下し、接着力が低下する恐れがあり、1.5を超えると、未反応のフェノール性水酸基が過剰に残存し、吸水率が高くなり、絶縁信頼性が低下する恐れがある。フェノール性水酸基は、酸化膜を除去するフラックス活性を示すため、半導体封止用接着剤がフェノール樹脂系硬化剤を含むことで、接続性、信頼性を向上させることができる。ii酸無水物系硬化剤酸無水物系硬化剤としては、例えば、メチルシクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物及びエチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート等を使用することができる。これらは単独で又は2種以上の混合物として使用することができる。これらは単独で又は2種以上の混合物として使用することができる。また、液状酸無水物は高温加熱時に分解して揮発成分が発生する恐れがあることから、室温1気圧、25°Cで固形の酸無水物を用いることが望ましい。上記cエポキシ樹脂に対する酸無水物系硬化剤の当量比酸無水物基/エポキシ基のモル比は、硬化性や接着性、保存安定性などの観点から、0.3~1.5であることが好ましく、0.4~1.0であることがより好ましく、0.5~1.0であることが更に好ましい。当量比が0.3より小さいと、硬化性が低下し、接着力が低下する恐れがあり、1.5を超えると、未反応の酸無水物が過剰に残存し、吸水率が高くなり、絶縁信頼性が低下する恐れがある。酸無水物は酸化膜を除去するフラックス活性を示すため、半導体封止用接着剤が酸無水物を含むことで、接続性、信頼性を向上させることができる。iiiアミン系硬化剤アミン系硬化剤としては、例えば、ジシアンジアミド等を使用することができる。また、液状アミンは高温加熱時に分解して揮発成分が発生する恐れがあることから、室温1気圧、25°Cで固形のアミンを用いることが望ましい。上記cエポキシ樹脂に対するアミン系硬化剤の当量比アミン/エポキシ基のモル比は、硬化性や接着性、保存安定性などの観点から、0.3~1.5であることが好ましく、0.4~1.0であることがより好ましく、0.5~1.0であることが更に好ましい。当量比が0.3より小さいと、硬化性が低下し、接着力が低下する恐れがあり、1.5を超えると、未反応のアミンが過剰に残存し、絶縁信頼性が低下する恐れがある。アミン類は酸化膜を除去するフラックス活性を示すため、半導体封止用接着剤がアミン類を含むことで、接続性、信頼性を向上させることができる。iv含有する窒素原子が第三級窒素原子であるイミダゾール系硬化剤イミダゾール系硬化剤としては、例えば、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-1’]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-ウンデシルイミダゾリル-1’]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-エチル-4’-メチルイミダゾリル-1’]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-1’]-エチル-s-トリアジンイソシアヌル酸付加体、2-フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体、エポキシ樹脂とイミダゾール類の付加体などが挙げられる。これらの中でも、硬化性や保存安定性、接続信頼性の観点から、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-1’]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-エチル-4’-メチルイミダゾリル-1’]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-1’]-エチル-s-トリアジンイソシアヌル酸付加体、2-フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体が好ましい。これらは単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。また、これらをマイクロカプセル化して潜在性を高めた潜在性硬化剤を用いてもよい。イミダゾール系硬化剤の含有量は、cエポキシ樹脂100質量部に対して、0.1~20質量部であることが好ましく、0.1~10質量部であることがより好ましい。この含有量が0.1質量部より少ない場合には、硬化性が低下する恐れがあり、20質量部を超える場合には、金属-金属の接続部が形成される前に半導体封止用接着剤が硬化してしまい、接続不良が発生する恐れがある。イミダゾール系硬化剤は、e硬化剤として単独で用いてもよいが、上記i~iiiの硬化剤と共に硬化促進剤として用いてもよい。vホスフィン系硬化剤ホスフィン系硬化剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラ4-メチルフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウム4-フルオロフェニルボレートなどが挙げられる。ホスフィン系硬化剤の含有量は、cエポキシ樹脂100質量部に対して、0.1~10質量部であることが好ましく、0.1~5質量部であることがより好ましい。この含有量が0.1質量部より少ない場合には、硬化性が低下する恐れがあり、10質量部を超える場合には、金属-金属の接続部が形成される前に硬化してしまい、接続不良が発生する恐れがある。ホスフィン系硬化剤は、e硬化剤として単独で用いてもよいが、上記i~iiiの硬化剤と共に硬化促進剤として用いてもよい。d重量平均分子量10000以上の高分子成分d重量平均分子量10000以上の高分子成分としては、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカルボジイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂、アクリルゴム等が挙げられる。これらの中でも、耐熱性およびフィルム形成性に優れることから、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリルゴム、シアネートエステル樹脂、ポリカルボジイミド樹脂等が望ましく、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリルゴムがより好ましい。これらの高分子成分は単独で、或いは2種以上の混合物又は共重合体として使用することができる。d重量平均分子量10000以上の高分子成分と、cエポキシ樹脂と、a第一級又は第二級窒素原子含有化合物と、e硬化剤との質量比は、特に制限されないが、フィルム形成性や、スピンコート等による膜形成性を良好にするためには、d重量平均分子量10000以上の高分子成分1質量部に対して、cエポキシ樹脂、a第一級又は第二級窒素原子含有化合物、及びe硬化剤の合計の質量が、0.01~4質量部であることが好ましく、0.1~4質量部であることがより好ましく、0.1~3質量部であることが更に好ましい。この質量比が0.01質量部より小さいと、半導体封止用接着剤の硬化性が低下し、接着力が低下する恐れがあり、4質量部より大きいと、フィルム形成性や膜形成性が低下する恐れがある。d成分として用いられるポリイミド樹脂は、例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを公知の方法で縮合反応させて得ることができる。より具体的には、有機溶媒中で、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを等モル又はほぼ等モル混合し各成分の添加順序は任意、反応温度80°C以下、好ましくは0~60°Cで付加反応させる。反応が進行するにつれ反応液の粘度が徐々に上昇し、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸が生成する。なお、半導体封止用接着剤の諸特性の低下を抑えるため、上記のテトラカルボン酸二無水物は無水酢酸で再結晶精製処理されていることが好ましい。上記ポリアミド酸は、50~80°Cの温度で加熱して解重合させることによって、その分子量を調整することもできる。ポリイミド樹脂は、上記反応物ポリアミド酸を脱水閉環させて得ることができる。脱水閉環は、加熱処理する熱閉環法と、脱水剤を使用する化学閉環法で行うことができる。ポリイミド樹脂の原料として用いられるテトラカルボン酸二無水物としては特に制限は無く、例えば、ピロメリット酸二無水物、3,3’、4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’、3,3’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス3,4-ジカルボキシフェニルプロパン二無水物、2,2-ビス2,3-ジカルボキシフェニルプロパン二無水物、1,1-ビス2,3-ジカルボキシフェニルエタン二無水物、1,1-ビス3,4-ジカルボキシフェニルエタン二無水物、ビス2,3-ジカルボキシフェニルメタン二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルメタン二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルスルホン二無水物、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルエーテル二無水物、ベンゼン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、3,4,3’,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,2’,3’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3,3’,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,6-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,7-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-テトラクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,8,9,10-テトラカルボン酸二無水物、ピラジン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、チオフェン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,4,3’,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,2’,3’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルジメチルシラン二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルメチルフェニルシラン二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルジフェニルシラン二無水物、1,4-ビス3,4-ジカルボキシフェニルジメチルシリルベンゼン二無水物、1,3-ビス3,4-ジカルボキシフェニル-1,1,3,3-テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、p-フェニレンビストリメリテート無水物、エチレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4-ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒドロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビスエキソ-ビシクロ2,2,1ヘプタン-2,3-ジカルボン酸二無水物、ビシクロ-2,2,2-オクト-7-エン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス3,4-ジカルボキシフェニルプロパン二無水物、2,2、-ビス4-3,4-ジカルボキシフェニルフェニルプロパン二無水物、2,2-ビス3,4-ジカルボキシフェニルヘキサフルオロプロパン二無水物、2,2、-ビス4-3,4-ジカルボキシフェニルフェニルヘキサフルオロプロパン二無水物、4,4’-ビス3,4-ジカルボキシフェノキシジフェニルスルフィド二無水物、1,4-ビス2-ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピルベンゼンビストリメリット酸無水物、1,3-ビス2-ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピルベンゼンビストリメリット酸無水物、5-2,5-ジオキソテトラヒドロフリル-3-メチル-3-シクロヘキセン-1,2-ジカルボン酸二無水物、テトラヒドロフラン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、下記一般式Iで表されるテトラカルボン酸二無水物式中、nは2~20の整数を示す、及び、下記式IIで表されるテトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。[式I中、mは2~20の整数を示す。]上記一般式Iで表されるテトラカルボン酸二無水物としては、例えば、無水トリメリット酸モノクロライド及び対応するジオールから合成することができ、具体的には1,2-エチレンビストリメリテート無水物、1,3-トリメチレンビストリメリテート無水物、1,4-テトラメチレンビストリメリテート無水物、1,5-ペンタメチレンビストリメリテート無水物、1,6-ヘキサメチレンビストリメリテート無水物、1,7-ヘプタメチレンビストリメリテート無水物、1,8-オクタメチレンビストリメリテート無水物、1,9-ノナメチレンビストリメリテート無水物、1,10-デカメチレンビストリメリテート無水物、1,12-ドデカメチレンビストリメリテート無水物、1,16-ヘキサデカメチレンビストリメリテート無水物、1,18-オクタデカメチレンビストリメリテート無水物等が挙げられる。テトラカルボン酸二無水物としては、優れた耐湿信頼性を付与できる点で、上記式IIで表されるテトラカルボン酸二無水物が好ましい。これらテトラカルボン酸二無水物は単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。また、上記式IIで表されるテトラカルボン酸二無水物の含有量は、全テトラカルボン酸二無水物に対して40モル以上が好ましく、50モル以上がより好ましく、70モル以上が極めて好ましい。この含有量が40モル未満であると、上記式IIで表されるテトラカルボン酸二無水物を使用したことによる耐湿信頼性の効果を充分に確保することができない傾向がある。上記ポリイミド樹脂の原料として用いられるジアミンとしては特に制限はなく、例えば、o-フェニレンジアミン、m-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、3,3’-ジアミノジフェニルエーテル、3,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、3,3’-ジアミノジフェニルメタン、3,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテメタン、ビス4-アミノ-3,5-ジメチルフェニルメタン、ビス4-アミノ-3,5-ジイソプロピルフェニルメタン、3,3’-ジアミノジフェニルジフルオロメタン、3,4’-ジアミノジフェニルジフルオロメタン、4,4’-ジアミノジフェニルジフルオロメタン、3,3’-ジアミノジフェニルスルフォン、3,4’-ジアミノジフェニルスルフォン、4,4’-ジアミノジフェニルスルフォン、3,3’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’-ジアミノジフェニルケトン、3,4’-ジアミノジフェニルケトン、4,4’-ジアミノジフェニルケトン、2,2-ビス3-アミノフェニルプロパン、2,2’-3,4’-ジアミノジフェニルプロパン、2,2-ビス4-アミノフェニルプロパン、2,2-ビス3-アミノフェニルヘキサフルオロプロパン、2,2-3,4’-ジアミノジフェニルヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス4-アミノフェニルヘキサフルオロプロパン、1,3-ビス3-アミノフェノキシベンゼン、1,4-ビス3-アミノフェノキシベンゼン、1,4-ビス4-アミノフェノキシベンゼン、3,3’-1,4-フェニレンビス1-メチルエチリデンビスアニリン、3,4’-1,4-フェニレンビス1-メチルエチリデンビスアニリン、4,4’-1,4-フェニレンビス1-メチルエチリデンビスアニリン、2,2-ビス4-3-アミノフェノキシフェニルプロパン、2,2-ビス4-3-アミノフェノキシフェニルヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス4-4-アミノフェノキシフェニルヘキサフルオロプロパン、ビス4-3-アミノエノキシフェニルスルフィド、ビス4-4-アミノエノキシフェニルスルフィド、ビス4-3-アミノエノキシフェニルスルフォン、ビス4-4-アミノエノキシフェニルスルフォン、3,5-ジアミノ安息香酸等の芳香族ジアミン、1,3-ビスアミノメチルシクロヘキサン、2,2-ビス4-アミノフェノキシフェニルプロパン、下記式IIIで表される脂肪族エーテルジアミン、下記一般式IVで表される脂肪族ジアミン、下記一般式Vで表されるシロキサンジアミンが挙げられる。[式III中、Q1、Q2及びQ3は各々独立に炭素数1~10のアルキレン基を示し、rは2~80の整数を示す。][式IV中、qは5~20の整数を示す。][式V中、Q4及びQ9は各々独立に炭素数1~5のアルキレン基又は置換基を有してもよいフェニレン基を示し、Q5、Q6、Q7、及びQ8は各々独立に炭素数1~5のアルキル基、フェニル基又はフェノキシ基を示し、pは1~5の整数を示す。]これらの中でも、低応力性、低温ラミネート性、低温接着性を付与できる点で、上記一般式III又はIVで表されるジアミンが好ましい。また、低吸水性、低吸湿性を付与できる点で、上記一般式Vで表されるジアミンが好ましい。これらのジアミンは単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。この場合、上記一般式IIIで表される脂肪族エーテルジアミンの含有量は、全ジアミンの1~50モルであることが好ましく、上記一般式IVで表される脂肪族ジアミンの含有量は、全ジアミンの20~80モルであることが好ましく、上記一般式Vで表されるシロキサンジアミンの含有量は、全ジアミンの20~80モルであることが好ましい。上記含有量の範囲外であると、低温ラミネート性及び低吸水性の付与の効果が小さくなる傾向があるため、好ましくない。また、上記一般式IIIで表される脂肪族エーテルジアミンとしては、具体的には、下記式;で表される脂肪族エーテルジアミンが挙げられ、中でも、低温ラミネート性と有機レジスト付き基板に対する良好な接着性を確保できる点で、下記一般式VIで表される脂肪族エーテルジアミンがより好ましい。[式中、sは2~80の整数を示す。]上記一般式VIで表される脂肪族エーテルジアミンとして具体的には、サンテクノケミカル株製のジェファーミンD-230,D-400,D-2000,D-4000,ED-600,ED-900,ED-2001,EDR-148、BASF製のポリエーテルアミンD-230,D-400,D-2000等のポリオキシアルキレンジアミン等の脂肪族ジアミンが挙げられる。また、上記一般式IVで表される脂肪族ジアミンとしては、例えば、1,2-ジアミノエタン、1,3-ジアミノプロパン、1,4-ジアミノブタン、1,5-ジアミノペンタン、1,6-ジアミノヘキサン、1,7-ジアミノヘプタン、1,8-ジアミノオクタン、1,9-ジアミノノナン、1,10-ジアミノデカン、1,11-ジアミノウンデカン、1,12-ジアミノドデカン、1,2-ジアミノシクロヘキサン等が挙げられ、中でも1,9-ジアミノノナン、1,10-ジアミノデカン、1,11-ジアミノウンデカン、1,12-ジアミノドデカンが好ましい。また、上記一般式Vで表されるシロキサンジアミンとしては、例えば、上記一般式V中のpが1のものとして、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ビス4-アミノフェニルジシロキサン、1,1,3,3-テトラフェノキシ-1,3-ビス4-アミノエチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラフェニル-1,3-ビス2-アミノエチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラフェニル-1,3-ビス3-アミノプロピルジシロキサン、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ビス2-アミノエチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ビス3-アミノプロピルジシロキサン、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ビス3-アミノブチルジシロキサン、1,3-ジメチル-1,3-ジメトキシ-1,3-ビス4-アミノブチルジシロキサン等があり、pが2のものとして、1,1,3,3,5,5-ヘキサメチル-1,5-ビス4-アミノフェニルトリシロキサン、1,1,5,5-テトラフェニル-3,3-ジメチル-1,5-ビス3-アミノプロピルトリシロキサン、1,1,5,5-テトラフェニル-3,3-ジメトキシ-1,5-ビス4-アミノブチルトリシロキサン、1,1,5,5-テトラフェニル-3,3-ジメトキシ-1,5-ビス5-アミノペンチルトリシロキサン、1,1,5,5-テトラメチル-3,3-ジメトキシ-1,5-ビス2-アミノエチルトリシロキサン、1,1,5,5-テトラメチル-3,3-ジメトキシ-1,5-ビス4-アミノブチルトリシロキサン、1,1,5,5-テトラメチル-3,3-ジメトキシ-1,5-ビス5-アミノペンチルトリシロキサン、1,1,3,3,5,5-ヘキサメチル-1,5-ビス3-アミノプロピルトリシロキサン、1,1,3,3,5,5-ヘキサエチル-1,5-ビス3-アミノプロピルトリシロキサン、1,1,3,3,5,5-ヘキサプロピル-1,5-ビス3-アミノプロピルトリシロキサン等がある。上記ポリイミド樹脂は1種を単独で又は必要に応じて2種以上を混合ブレンドして使用することができる。d成分のガラス転移温度Tgは、基板やチップへの貼付性の観点から、100°C以下であることが好ましく、75°C以下であることがより好ましい。Tgが100°Cより高い場合には、半導体チップに形成されたバンプや、基板に形成された電極や配線パターンなどの凹凸を半導体封止用接着剤で埋め込むことができず、気泡が残存して、ボイドの原因となる傾向がある。なお、上記のTgとは、DSCパーキンエルマー社製DSC-7型を用いて、サンプル量10mg、昇温速度5°C/min、測定雰囲気:空気、の条件で測定したときのTgである。d成分の重量平均分子量は、ポリスチレン換算で10000以上であるが、単独で良好なフィルム形成性を示すために、30000以上であることが好ましく、40000以上であることがより好ましく、50000以上であることが更に好ましい。重量平均分子量が10000より小さい場合にはフィルム形成性が低下する恐れがある。なお、本明細書において、重量平均分子量とは、高速液体クロマトグラフィー島津製作所製C-R4Aを用いて、ポリスチレン換算で測定したときの重量平均分子量を意味する。d成分とc成分との含有量の比は特に制限されないが、フィルム状を良好に保持するために、d成分1質量部に対して、c成分が0.01~5質量部となるようにすることが好ましく、0.1~2質量部となるようにすることがより好ましい。この含有量の比が0.01質量部より小さいと硬化性が低下し、接着力が低下する恐れがあり、5質量部より大きいとフィルム形成性や膜形成性が低下する恐れがある。半導体封止用接着剤には、粘度や硬化物の物性を制御するため、及び、半導体チップと基板とを接続した際のボイドの発生や吸湿率の上昇を抑制するために、フィラーを配合してもよい。フィラーとしては、絶縁性無機フィラー、ウィスカー又は樹脂フィラーを用いることができる。絶縁性無機フィラーとしては、例えば、ガラス、シリカ、アルミナ、酸化チタン、カーボンブラック、マイカ、窒化ホウ素等が挙げられ、その中でも、シリカ、アルミナ、酸化チタン、窒化ホウ素が好ましく、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素がより好ましい。ウィスカーとしては、ホウ酸アルミニウム、チタン酸アルミニウム、酸化亜鉛、珪酸カルシウム、硫酸マグネシウム、窒化ホウ素等が挙げられる。樹脂フィラーとしては、ポリウレタン、ポリイミド等が挙げられる。これらのフィラー及びウィスカーは単独で又は2種以上の混合物として使用することができる。フィラーの形状、粒径、及び配合量については、特に制限されない。さらに、半導体封止用接着剤には、酸化防止剤、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、レベリング剤、イオントラップ剤等の添加剤を配合してもよい。これらは1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの配合量については、各添加剤の効果が発現するように適宜調整すればよい。上述した半導体封止用接着剤を用いたフィルム状接着剤の作製方法を以下に示す。まず、a成分、b成分、c成分、d成分及びe成分、並びに、フィラーや添加剤等を有機溶媒中に加え、攪拌混合、混錬等により、溶解又は分散させて、樹脂ワニスを調製する。その後、離型処理を施した基材フィルム上に、樹脂ワニスをナイフコーター、ロールコーターやアプリケーターを用いて塗布した後、加熱により有機溶媒を除去することにより、基材フィルム上にフィルム状接着剤が得られる。なお、d成分を配合する場合、d成分を合成した後に単離することなく、合成後に得られるワニス中に各成分を加えて上記樹脂ワニスを調製してもよい。樹脂ワニスの調製に用いる有機溶媒としては、各成分を均一に溶解又は分散し得る特性を有するものが好ましく、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トルエン、ベンゼン、キシレン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブ、ジオキサン、シクロヘキサノン、酢酸エチル等が挙げられる。これらの有機溶媒は、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。樹脂ワニス調製の際の攪拌混合や混錬は、攪拌機、らいかい機、3本ロール、ボールミル、ビーズミル、ホモディスパー等を用いて行うことができる。また、基材フィルムとしては、有機溶媒を揮発させる際の加熱条件に耐え得る耐熱性を有するものであれば特に制限はなく、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム等が例示できる。基材フィルムは、これらのフィルムからなる単層のものに限られず、2種以上の材料からなる多層フィルムであってもよい。基材フィルムへ塗布した樹脂ワニスから有機溶媒を揮発させる際の乾燥条件は、有機溶媒が十分に揮発する条件とすることが好ましく、具体的には、50~200°C、0.1~90分間の加熱を行うことが好ましい。<半導体装置>本実施形態の半導体装置について、図1及び2を用いて以下説明する。図1は、本発明の半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図1aに示すように、半導体装置100は、互いに対向する半導体チップ10及び基板回路配線基板20と、半導体チップ10及び基板20の互いに対向する面にそれぞれ配置された配線15と、半導体チップ10及び基板20の配線15を互いに接続する接続バンプ30と、半導体チップ10及び基板20間の空隙に隙間なく充填された半導体封止用接着剤40とを有している。半導体チップ10及び基板20は、配線15及び接続バンプ30によりフリップチップ接続されている。配線15及び接続バンプ30は、半導体封止用接着剤40により封止されており外部環境から遮断されている。図1bに示すように、半導体装置200は、互いに対向する半導体チップ10及び基板20と、半導体チップ10及び基板20の互いに対向する面にそれぞれ配置されたバンプ32と、半導体チップ10及び基板20間の空隙に隙間なく充填された半導体封止用接着剤40とを有している。半導体チップ10及び基板20は、対向するバンプ32が互いに接続されることによりフリップチップ接続されている。バンプ32は、半導体封止用接着剤40により封止されており外部環境から遮断されている。図2は、本発明の半導体装置の他の一実施形態を示す模式断面図である。図2aに示すように、半導体装置300は、2つの半導体チップ10が配線15及び接続バンプ30によりフリップチップ接続されている点を除き、半導体装置100と同様である。図2bに示すように、半導体装置400は、2つの半導体チップ10がバンプ32によりフリップチップ接続されている点を除き、半導体装置200と同様である。半導体チップ10としては、特に限定はなく、シリコン、ゲルマニウム等の同一種類の元素から構成される元素半導体、ガリウムヒ素、インジウムリン等の化合物半導体を用いることができる。基板20としては、回路基板であれば特に制限はなく、主な成分として、ガラスエポキシ、ポリイミド、ポリエステル、セラミック、エポキシ、ビスマレイミドトリアジン等を主な成分とする絶縁基板の表面に、金属膜の不要な個所をエッチング除去して形成された配線配線パターン15を有する回路基板、上記絶縁基板の表面に金属めっき等によって配線15が形成された回路基板、上記絶縁基板の表面に導電性物質を印刷して配線15が形成された回路基板を用いることができる。配線15やバンプ32等の接続部の材質としては、主成分として金、銀、銅、ハンダ主成分は、例えばスズ-銀、スズ-鉛、スズ-ビスマス、スズ-銅、ニッケル、スズ、鉛等が用いられる。接続部は、単一の成分のみで構成されていてもよく、複数の成分から構成されていてもよい。また、これらの金属が積層された構造をなすように形成されていてもよい。接続部の材質として、銅、ハンダは安価であることから一般的に使用されており好ましい。しかし、フラックス活性が必須となる。上記配線15及びバンプ32の表面には、金、銀、銅、ハンダ主成分は、例えばスズ-銀、スズ-鉛、スズ-ビスマス、スズ-銅、スズ、ニッケル等を主な成分とする金属層が例えばメッキにより形成されていてもよい。この金属層は単一の成分のみで構成されていても、複数の成分から構成されていてもよい。また、上記金属層は、単層又は複数の金属層が積層された構造をしていてもよい。金属層の材質として、銅、ハンダは安価であることから一般的に使用されており好ましい。しかし、銅、ハンダを用いた場合、フラックス活性が必須となる。また、本実施形態の半導体装置は、半導体装置100,200,300,400に示すような構造パッケージが複数積層されていてもよい。この場合、半導体装置100,200,300,400は、金、銀、銅、ハンダ主成分は、例えばスズ-銀、スズ-鉛、スズ-ビスマス、スズ-銅、スズ、ニッケル等を含むバンプや配線で互いに電気的に接続されていてもよい。半導体装置100,200,300,400を接続するバンプや配線の材質として、銅、ハンダは安価であることから一般的に使用されており好ましい。しかし、銅、ハンダを用いた場合、フラックス活性が必須となる。半導体装置を複数積層する手法としては、図3に示すように、例えばTSVThrough-SiliconVia技術が挙げられる。図3は、本発明の半導体装置の他の一実施形態を示す模式断面図であり、TSV技術を用いた半導体装置である。図3に示す半導体装置500では、インターポーザ50上に形成された配線15が半導体チップ10の配線15と接続バンプ30を介して接続されることにより、半導体チップ10とインターポーザ50とはフリップチップ接続されている。半導体チップ10とインターポーザ50との間の空隙には半導体封止用接着剤40が隙間なく充填されている。上記半導体チップ10におけるインターポーザ50と反対側の表面上には、配線15、接続バンプ30及び半導体封止用接着剤40を介して半導体チップ10が繰り返し積層されている。半導体チップ10の表裏におけるパターン面の配線15は、半導体チップ10の内部を貫通する孔内に充填された貫通電極34により互いに接続されている。なお、貫通電極34の材質としては、銅、アルミニウム等を用いることができる。このようなTSV技術により、通常は使用されない半導体チップの裏面からも信号を取得することが可能となる。さらには、半導体チップ10内に貫通電極34を垂直に通すため、対向する半導体チップ10間や半導体チップ10及びインターポーザ50間の距離を短くし、柔軟な接続が可能である。本実施形態の半導体封止用接着剤は、このようなTSV技術において、対向する半導体チップ10間や、半導体チップ10及びインターポーザ50間の半導体封止用接着剤として適用することができる。また、エリヤバンプチップ技術等の自由度の高いバンプ形成方法では、インターポーザを介さないでそのまま半導体チップをマザーボードに直接実装できる。本実施形態の半導体封止用接着剤は、このような半導体チップをマザーボードに直接実装する場合にも適用することができる。なお、本実施形態の半導体封止用接着剤は、2つの配線回路基板を積層する場合に、基板間の空隙を封止する際にも適用することができる。<半導体装置の製造方法>本実施形態の半導体装置の製造方法について、図4を用いて以下説明する。図4は、本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を模式的に示す工程断面図である。まず、図4aに示すように、配線例えば、金バンプ15を有する基板20上に、接続バンプ30を形成する位置に開口を有するソルダーレジスト60を形成する。このソルダーレジスト60は必ずしも設ける必要はない。しかしながら、基板20上にソルダーレジストを設けることにより、配線15間のブリッジの発生を抑制し、接続信頼性絶縁信頼性を向上させることができる。ソルダーレジスト60は、例えば、市販のパッケージ用ソルダーレジスト用インキを用いて形成することができる。市販のパッケージ用ソルダーレジスト用インキとしては、具体的には、SRシリーズ日立化成工業株式会社製、商品名及びPSR4000-AUSシリーズ太陽インキ製造株製、商品名等が挙げられる。次に、図4aに示すように、ソルダーレジスト60の開口に接続バンプ例えば、ハンダバンプ30を形成する。そして、図4bに示すように、接続バンプ30及びソルダーレジスト60が形成された基板20上に、フィルム状の半導体封止用接着剤以下、場合によりフィルム状接着剤という。40を貼付する。フィルム状接着剤40の貼付は、加熱プレス、ロールラミネート、真空ラミネート等によって行うことができる。フィルム状接着剤40の供給面積や厚みは、半導体チップ10及び基板20のサイズや、接続バンプ30の高さ等によって適宜設定される。上記のとおりフィルム状接着剤40を基板20に貼り付けた後、半導体チップ10の配線15と接続バンプ30とをフリップチップボンダー等の接続装置を用いて、位置合わせする。続いて、半導体チップ10と基板20とを接続バンプ30の融点以上の温度で加熱しながら圧着し、図4cに示すように、半導体チップ10と基板20とを接続すると共に、フィルム状接着剤40によって半導体チップ10及び基板20間の空隙を封止充填する。以上により、半導体装置600が得られる。本実施形態の半導体装置の製造方法では、位置合わせをした後に仮固定し、リフロー炉で加熱処理することによって、接続バンプ30を溶融させて半導体チップ10と基板20とを接続してもよい。仮固定の段階では、金属接合を形成することが必ずしも必要ではないため、上記の加熱しながら圧着する方法に比べて低荷重、短時間、低温度による圧着でよく、生産性が向上すると共に接続部の劣化を抑制することができる。また、半導体チップ10と基板20とを接続した後、オーブン等で加熱処理を行って、更に接続信頼性絶縁信頼性を高めてもよい。加熱温度は、フィルム状接着剤の硬化が進行する温度が好ましく、完全に硬化する温度がより好ましい。加熱温度、加熱時間は適宜設定される。本実施形態の半導体装置の製造方法では、フィルム状接着剤40を半導体チップ10に貼付した後に基板20を接続してもよい。また、半導体チップ10及び基板20を配線15及び接続バンプ30により接続した後、半導体チップ10及び基板20間の空隙にペースト状の半導体封止用接着剤を充填してもよい。生産性が向上する観点から、複数の半導体チップ10が連結した半導体ウェハに半導体封止用接着剤を供給した後、ダイシングして個片化することによって、半導体チップ10上に半導体封止用接着剤が供給された構造体を得てもよい。また、半導体封止用接着剤がペースト状の場合は、特に制限されるものではないが、スピンコート等の塗布方法により、半導体チップ10上の配線やバンプを埋め込み、厚みを均一化させればよい。この場合、樹脂の供給量が一定となるため生産性が向上すると共に、埋め込み不足によるボイドの発生及びダイシング性の低下を抑制することができる。一方、半導体封止用接着剤がフィルム状の場合は、特に制限されるものではないが、加熱プレス、ロールラミネート及び真空ラミネート等の貼付方式により半導体チップ10上の配線やバンプを埋め込むようにフィルム状の樹脂組成物を供給すればよい。この場合、樹脂の供給量が一定となるため生産性が向上し、埋め込み不足によるボイドの発生及びダイシング性の低下を抑制することができる。接続荷重は、接続バンプ30の数や高さのばらつき、加圧による接続バンプ30、又は接続部のバンプを受ける配線の変形量を考慮して設定される。接続温度は、接続部の温度が接続バンプ30の融点以上であることが好ましいが、それぞれの接続部バンプや配線の金属接合が形成される温度であればよい。接続バンプ30がハンダバンプである場合は、約240°C以上であればよい。接続時の接続時間は、接続部の構成金属により異なるが、生産性が向上する観点から短時間であるほど好ましい。接続バンプ30がハンダバンプである場合、接続時間は20秒以下が好ましく、10秒以下がより好ましく、5秒以下が更に好ましい。銅-銅、銅-金等の金属接続の場合は、接続時間は60秒以下が好ましい。上述した様々なパッケージ構造のフリップチップ接続部においても、本発明の半導体封止用接着剤は、優れた接続信頼性及び絶縁信頼性を示す。以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。<ポリイミド樹脂の合成>温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた300mlフラスコに、1,12-ジアミノドデカン0.42g、ポリエーテルジアミンBASF製、商品名:D40016.5g、1,3-ビス3-アミノプロピルテトラメチルジシロキサン信越化学製、商品名:LP-71000.53g及びN-メチル-2-ピロリドン関東化学製、以下NMPという105gを仕込み、攪拌した。上記ジアミンの溶解後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、無水酢酸で再結晶精製した4,4’-4,4’-イソプロピリデンジフェノキシビスフタル酸二無水物ALDRICH製、商品名:BPADA22.45gを少量ずつ添加した。室温で8時間反応させたのち、キシレン100gを加え、窒素ガスを吹き込みながら180°Cで加熱し、水と共にキシレンを共沸除去し、ポリイミド樹脂溶液を得たポリイミド樹脂のTg:40°C、重量平均分子量:30000。得られたポリイミド樹脂溶液からNMPを除去し、ポリイミド樹脂を固形分として得た。各実験例、実施例及び比較例で使用した化合物を以下に示す。i重量平均分子量10000以上の高分子成分上記ポリイミド合成にて合成したポリイミド樹脂以下ポリイミドAというiiエポキシ樹脂トリフェノールメタン骨格含有多官能固形エポキシジャパンエポキシレジン株式会社、商品名:EP1032H60、以下EP1032というiii第一級又は第二級窒素原子含有化合物2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール四国化成株式会社製、商品名:2PHZ-PW、以下2PHZという2-エチル-4-メチルイミダゾール四国化成株式会社製、商品名:2E4MZiv第三級窒素原子含有化合物1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール四国化成株式会社製、商品名:2PZCNvカルボン酸イソフタル酸東京化成株式会社製viエステル安息香酸フェニル東京化成株式会社製イソフタル酸ジフェニル東京化成株式会社製テレフタル酸ビス[4-メトキシカルボニルフェニル]東京化成株式会社製、以下テレフタル酸ビスというvii無機フィラーシリカフィラー株式会社アドマテックス製、商品名:SE2050、平均粒径:0.5μmviii樹脂フィラーメタブレン型有機フィラー三菱レイヨン製、商品名:W5500<ハンダ濡れ性の評価>実験例14~22ホットプレートで245°Cに加熱したCu板上に、直径0.8mmのSn/Ag/Cuハンダボールを10粒置き、下記表3に示す配合物をハンダボール上に添加した。10秒後、ハンダ10粒が全て溶融した場合をA、5~9粒が溶融した場合をB、5粒以下の溶融若しくは全く溶融しなかった場合をCと評価した。各実験例の配合物の組成単位:g及びハンダ濡れ性の評価結果を表3~4に示す。表3~4に示した結果から明らかなように、第一級又は第二級窒素原子含有化合物a成分とエステルb成分とを組み合わせることによって実験例20~21、フラックス活性が発揮され、ハンダ濡れ性が向上することが確認された。<フィルム状接着剤の作製>実施例1エポキシ樹脂EP10322g、第二級窒素原子含有化合物2PHZ0.14g、イソフタル酸ジフェニル0.33g、無機フィラーSE20503g、樹脂フィラーW55000.5g、並びに、有機溶媒としてのトルエン及び酢酸エチル質量比1:1の混合溶媒を、固形分が60質量になるように仕込んだ。その後、φ0.8mmのビーズ及びφ2.0mmのビーズを上記固形分と同質量加え、ビーズミルフリッチュジャパン株式会社製、遊星型微粉砕機P-7で30分間撹拌した。その後、ポリイミドAを固形分で2g加え、再度ビーズミルで30分間撹拌した。撹拌に用いたビーズをろ過によって除去し、樹脂ワニスを得た。得られた樹脂ワニスを、基材フィルム帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名ピューレックスA53に小型精密塗工装置廉井精機製で塗工し、クリーンオーブンESPEC製中、110°Cで10分間乾燥して、フィルム状接着剤を得た。実施例2~3及び比較例1~2樹脂ワニスの配合物の組成を下記の表5の通りに変更したことを除いては、実施例1と同様にして、実施例2~3及び比較例1~2のフィルム状接着剤を作製した。なお、樹脂ワニスにおいて、使用した混合溶媒及び固形分割合は実施例1と同一である。以下に、実施例及び比較例で得られたフィルム状接着剤の評価方法を示す。<半導体装置の製造初期接続性の評価>作製したフィルム状接着剤を所定のサイズ縦8mm×横8mm×厚み0.025mmに切り抜いて、ガラスエポキシ基板ガラスエポキシ基材:420μm厚、銅配線:9μm厚上に貼付し、ハンダバンプ付き半導体チップチップサイズ:縦7mm×横7mm×高さ0.15mm、バンプ高さ:銅ピラー及びハンダの合計約40μm、バンプ数328をフリップチップ実装装置パナソニック製、商品名:FCB3で実装した実装条件:フィルム状接着剤の到達温度180°C、10秒間、0.5MPa。次いで、フィルム状接着剤の到達温度245°C、10秒間、0.5MPa。これにより、図4と同様に上記ガラスエポキシ基板と、ハンダバンプ付き半導体チップとがデイジーチェーン接続された半導体装置を得た。得られた半導体装置の接続抵抗値をマルチメータADVANTEST製、商品名:R6871Eを用いて測定することにより、実装後の初期導通の可否を評価した。接続抵抗値が11Ω以上14Ω以下の場合をA接続性良好、接続抵抗値が14Ω超20Ω以下の場合をBハンダ濡れ不足、硬化性制御不足等により接続性が劣る、それ以外の接続抵抗値11Ω未満又は20Ω超の場合あるいは接続不良Openが生じて抵抗値が表示されなかった場合をCとして評価した。<保存安定性の評価>作製したフィルム状接着剤を所定のサイズφ6mm、厚み約0.025mmに切り抜いて、ガラスチップ縦15mm×横15mm×厚み0.7mm上に貼付し、フィルム状接着剤の上にシリコンチップ縦12mm×横12mm×厚み0.725mmを被せ、サンプルAを作製した。サンプルAをフリップチップ実装装置パナソニック製、商品名:FCB3で圧着した圧着条件:フィルム状接着剤の到達温度180°C、10秒間、0.5MPa。圧着後、スキャナEPSON社製、商品名:GT-9300UFでガラスチップ及びシリコンチップ間のフィルム状接着剤の画像を取り込み、画像処理ソフトAdobePhotoshopを用いて、色調補正、二階調化によりフィルム状接着剤部分を識別し、ヒストグラムによりフィルム状接着剤部分の占める割合を算出した。これを初期面積とした。次に、作製したフィルム状接着剤を40°Cに加熱したクリーンオーブンESPEC社製に5日間放置した。上記サンプルAの場合と同様の方法で、ガラスチップ上に5日間放置後のフィルム状接着剤を貼付し、その上にシリコンチップを被せ、サンプルBを作製した。このサンプルBについて、上記サンプルAの場合と同様の方法で、圧着後のフィルム状接着剤部分の占める割合を算出した。これを5日後面積とし、初期面積からの面積変化率を以下式1により算出した。{1-5日後面積/初期面積}×100=面積変化率...1面積変化率が20以下の場合をA保存安定性良好、20より大きい値の場合をB保存安定性不良として評価した。各実施例及び比較例の樹脂ワニス中の配合物固形分の組成単位:g及び各試験の評価結果を表5に示す。表5に示した結果から明らかなように、比較例1のフィルム状接着剤は十分にフラックス活性を発揮する成分が含まれていないため、接続不良が発生していることが確認された。また、比較例2のフィルム状接着剤は有機酸であるイソフタル酸を含んでいるため、保存安定性が低下していることが確認された。これらに対し、実施例1~3のフィルム状接着剤は初期接続性及び保存安定性の両方とも良好であることが確認された。"