X線を発生させるX線源に対して被検体の体軸を中心にして対向配置され、前記体軸回りの方向に回転してX線を検出するX線検出器において、前記体軸回りの方向に沿って配列されたシンチレータ素子、及び隣り合う前記シンチレータ素子同士を仕切る隔壁を有するシンチレータアレイと、前記隔壁に対応して設けられた複数のコリメータ板を有し、前記隔壁に前記各コリメータ板の一端部が近接され、前記隔壁から前記X線源へ向かう高さ方向に前記各コリメータ板の他端部が延設され、前記シンチレータ素子に入射されるX線の入射方向を規制するコリメータと、前記隔壁と前記コリメータ板の一端部との間に前記X線の入射方向から少なくとも前記隔壁を覆うように配置され、前記X線を吸収するマスクと、を有することを特徴とするX線検出器。前記マスクは、前記シンチレータの前記隔壁と一体的に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のX線検出器。前記マスクは、前記コリメータ板の一端部と一体的に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のX線検出器。前記マスクは、前記隔壁に接する前記シンチレータ素子の端面の位置から前記シンチレータ素子の中央部の位置の方へ張り出す張出部を有することを特徴とする請求項1に記載のX線検出器。前記張出部は、前記配列方向及び前記高さ方向における前記コリメータ板の他端部の位置、並びに前記入射方向に応じて設けられることを特徴とする請求項4に記載のX線検出器。前記配列方向における前記コリメータ板の前記他端部の位置から前記張出部の先端の位置までの長さをL1とし、前記高さ方向における前記コリメータ板の前記他端部の位置から前記張出部の位置までの長さをHとし、前記入射方向の角度の変化範囲内における最大角をθ1としたとき、次の関係を有するL1=H/tanθ1ことを特徴とする請求項5に記載のX線検出器。前記隔壁は、前記体軸方向及び前記体軸回りの方向を縦横とした格子状に形成され、前記マスクは、前記隔壁に対応して格子状に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のX線検出器。請求項1から請求項7のいずれかに記載のX線検出器を有することを特徴とするX線CT装置。しかし、隔壁が厚くなる分だけ、X線が入射されるシンチレータ素子の有効領域を小さく設定する必要があり、幾何学的効率が低下する。ここで、幾何学的効率とは、面積比で表される。例えば、有効領域の面積がA0からA1に変化したとき、幾何学的効率はA1/A0となる。なお、幾何学的効率は、有効領域の面積が小さくならないときA1≧A0でも、1=100以下の値で表される。また、組み立ての際に生じる、シンチレータ素子と光電変換素子との相対的な位置ずれを考慮して、シンチレータ素子の有効領域に対して光電変換素子の有効領域を小さく設定する必要がある。例えば、光電変換素子の有効領域の面積をA2とすると、シンチレータ素子の有効領域の面積はA1だから、幾何学的効率はA2/A1となる。すなわち、光電変換素子の有効領域がシンチレータ素子の有効領域よりも小さく設定されるタイプのX線検出器においては、幾何学的効率がA2/A0=A1/A0A2/A1の二段階で低下し、X線検出器の出力が幾何学的効率に比例するため、二段階で下がることとなる。さらに、ターゲットの移動により、ターゲット上の焦点がチャンネル方向に沿って移動調整されるX線CT装置では、焦点の移動により、シンチレータ素子に対するX線入射方向の角度が変化し、この角度が大きくなるに応じて、X線によるコリメータ板の陰が隔壁側からシンチレータ素子の方に移動するようになる。陰がシンチレータ素子にかからないよう、焦点の移動量に応じて隔壁を厚くする必要がある。それにより、X線検出器の出力がさらに低下するという問題点があった。さらに、隔壁を厚くすると、隔壁にもX線が入射され、隔壁を通過し、散乱したX線により光電変換素子を劣化させたり、異常出力を発生させる要因になるという問題点があった。さらに、シンチレータ素子の端面隔壁に接する面は加工面であって、X線の感度が低下する部分である。そのため、シンチレータ素子の端面を有効領域に含めると、アーチファクトが生じるという問題点もある。この実施形態は、上記の問題を解決するものであり、X線検出器の出力の低下を抑え、また、光電変換素子を劣化させたり、異常出力を発生させる要因をなくし、さらに、アーチファクトの発生を防止することが可能なX線検出器及びX線CT装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、実施形態のX線CT装置用のX線検出器は、X線を発生させるX線源に対して被検体の体軸を中心にして対向配置され、体軸回りの方向に回転してX線を検出し、シンチレータアレイ、コリメータ及びマスクを有する。シンチレータアレイは、体軸回りの方向に沿って配列されたシンチレータ素子、及び隣り合うシンチレータ素子同士を仕切る隔壁を有する。コリメータは、隔壁に対応して設けられた複数のコリメータ板を有し、隔壁に各コリメータ板の一端部が近接され、隔壁からX線源へ向かう高さ方向に各コリメータ板の他端部が延設され、シンチレータ素子に入射されるX線の入射方向を規制する。マスクは、隔壁とコリメータ板の一端部との間にX線の入射方向から少なくとも隔壁を覆うように配置され、X線を吸収する。このX線CT装置の実施形態について各図を参照して説明する。図1はX線CT装置のガントリ内の内部構造の模式図である。ガントリには回転リング1が回転可能に設けられている。この回転リング1には、X線源2と2次元アレイ型のX線検出器3とが被検体Pを中心にして対向配置されている。X線源2の焦点4からファン状に放射されたX線5は、被検体Pを透過して、X線検出器3で検出される。X線検出器3で検出された投影データはデータ収集部図示省略に記憶され、コンピュータ6は、投影データに基づいて少なくとも1つのスライスに関する断層像データを再構成する。再構成された断層像データがデータ記憶部図示省略に記憶される。ディスプレイユニット7は、断層像データに従って断層像を表示する。X線源X線源2は、焦点の位置をチャンネル方向及び体軸方向スライス方向に沿ってそれぞれ移動させる焦点移動手段図示省略を有している。なお、チャンネル方向及び体軸方向スライス方向をX方向及びZ方向という場合がある。また、以下に、焦点をチャンネル方向X方向に沿って移動させる場合について説明するが、焦点を体軸方向Z方向に沿って移動させる場合も同様にこの実施形態の構成を適用することが可能である。X線検出器図2はX線検出器の模式図である。なお、図2では、Z方向から見たときのX線検出器を示す。図2に示すように、X線検出器3は、シンチレータアレイ31、光電変換素子アレイPDA:PhotoDiodeArray32、コリメータ33、及びマスク8有している。シンチレータアレイ図3はX線検出器の部分斜視図である。図3では、X-Z平面を斜め上方から見たときのX線検出器を部分を示す。図2及び図3に示すように、シンチレータアレイ31は、X方向及びZ方向の2次元に配列されたシンチレータ素子34と、隣接するシンチレータ素子34同士を仕切る隔壁35とを有する。シンチレータ素子34としては、例えば、希土類酸硫化物の焼結体からなるセラミックシンチレータを用いることができる。ただし、これに限定されるわけではない。図3に示すように、M個のシンチレータ素子34をZ方向に沿って一列に配列されたモジュールをX方向に沿って円弧状にN個配列している。シンチレータ素子34はX線を受けて蛍光を出力する。図3では、6個のシンチレータ素子34を一列に配されたモジュールの4つをX方向に沿って配列したものを実線で示し、その他のモジュールを二点鎖線で示す。なお、Z方向に配列された隔壁35の数は、シンチレータ素子34より1つ多いM1個である。また、X方向に配列された隔壁35の数は、シンチレータ素子34より1つ多いN1個である。光電変換素子アレイ図2及び図3に示すように、光電変換素子アレイ32は、シンチレータ素子34に対応して配置された光電変換素子36を有する。光電変換素子36は、シンチレータ素子34から出力された蛍光を受けて電気信号に出力する。光電変換素子36としては、例えば、PDフォトダイオードを用いることができる。ただし、これに限定されない。図3では、4個の光電変換素子36のみを示したが、実際には、シンチレータ素子34と同様にX方向及びX方向の2二次元に配されている。コリメータ図2及び図3に示すように、コリメータ33は、複数のコリメータ板37を有している。各コリメータ板37は隔壁35に対応して配置されている。コリメータ板37は、シンチレータ素子34に入射されるX線の入射方向を規制する。コリメータ板37としては、例えば、Wタングステン、Moモリブデン、Taタンタル、Pb鉛または、これらの重金属の一つを含む合金などから形成される。隔壁35は、X方向及びZ方向を縦横とした格子状に形成されている。すなわち、Z方向に配列されたコリメータ板37の数はM1個である。また、X方向に配列されたコリメータ板37の数はN1個である。図4はX線検出器3の部分拡大断面図である。図4では、Z方向から見たときのX線検出器3の一部を示し、シンチレータ素子34に対するX線入射方向をR1、その方向と反対の方向をR2で示す。図4に示すように、コリメータ板37の一端部37aが隔壁35に近接され、コリメータ板37の他端部37bが隔壁35からX線入射方向R1とは反対の方向R2に延設されている。なお、図4に示すR1は、シンチレータ素子34に対するX線入射方向の角度が90°のときのX線入射方向である。マスク図4に示すように、マスク8は、コリメータ板37の一端部37aと隔壁35との間にX線入射方向R1から隔壁35を覆うように配置され、シンチレータ素子34を臨む開口81を有している。マスク8に用いられるX線吸収材料X線を全くまたはほとんど透過しない材料としては、例えば、Wタングステン、Moモリブデン、Taタンタル、Pb鉛または、これらの重金属の一つを含む合金などが用いられる。マスク8は隔壁35に対応して格子状に形成され、格子に囲まれた部分が開口81となっている。マスク8は、隔壁35に接するシンチレータ素子34の端面38の位置からシンチレータ素子34の中央部39の位置の方へ張り出す張出部82を有している。張出部82の先端83同士は、開口81を介して互いに対向している。張出部82は、X方向及びX線入射方向におけるコリメータ板37の他端部37bの位置、並びにX線入射方向の角度に応じて設けられている。なお、前述したように、焦点がX方向に沿って移動することにより、X線入射方向の角度が変化するため、張出部82は、X線入射方向の角度の変化を考慮したものとなる。次に、張出部82の位置、コリメータ板37の他端部37bの位置、及び、シンチレータ素子34に入射されるX線入射方向の角度の相互関係について図5を参照して説明する。図5ではZ方向から見たときのX線検出器の一部を示し、X線入射方向をR、その角度をθで示す。また、図5では、X方向におけるコリメータ板37の他端部37bの位置から張出部82の先端83の位置までの長さをL、高さ方向におけるコリメータ板37の他端部37bの位置から張出部82の位置マスク8の位置までの長さをH、コリメータ板37により規制されたX線入射方向Rの角度をθで示す。このように表されたL、H、θは次式に示す関係を有する。L=H/tanθ1ここで、高さ方向とは、θ=90°のときの入射方向をいう。なお、図5に高さ方向をYで示す。焦点のX方向に沿った移動により、X線入射方向の角度θが変更される。焦点がX方向に沿って移動したとき、X線入射方向の角度が-θ1~θ1θ1>0の範囲で変化する場合、θ=θ1のときのL1が張出部82の最大長となる。これを次式で表す。L1=H/tanθ12張出部82の最大長をL1とすることにより、焦点がX方向に沿ってどのように移動しても、X線によるコリメータ板37の陰がシンチレータ素子34にかからず、アーチファクトの発生を防止することが可能となる。なお、この張出部82と開口81を介して対向する張出部82の最大長は、θ=-θ1のときのL1となる。最大長のL1となった張出部82を図4に示す。また、焦点がX方向に沿ってどのように移動しても、X線がマスク8の張出部82のみにかかるので、X線5が隔壁35に入射せず、隔壁35を通過し、散乱したX線により光電変換素子36を劣化させたり、異常出力を発生させる要因になることもない。次に、隔壁35の厚さ及びコリメータ板37の厚さの関係について図4を参照して説明する。図4に、隔壁35の厚さ及びコリメータ板の厚さをT1及びT2で示す。図4に示すように、隔壁35の厚さT1は、コリメータ板37の厚さT2にほぼ等しくなっているT1≒T2。なお、隔壁35の厚さT1をコリメータ板37の厚さT2以下にすることも可能となるT1≦T2。このように、隔壁35を薄くできた理由は、焦点がX方向に沿ってどのように移動しても、X線によるコリメータ板37の陰がシンチレータ素子34にかからず、アーチファクトの発生を防止するようにマスク8の張出部82が設けられているからである。次に、シンチレータ素子34の有効領域及び光電変換素子36の有効領域について図4を参照して説明する。図4では、光電変換素子36の有効領域、開口81及びシンチレータ素子34のX方向における幅をW1、W2及びW3で示す。なお、開口81の幅が、シンチレータ素子34の有効領域の幅に相当する。シンチレータ素子34の一部は張出部82に覆われているため、開口81の幅W2はシンチレータ素子34の幅W3より狭くなっているW2<W3。それにより、シンチレータ素子34の有効領域が小さくなり、幾何学的効率が低下する。すなわち、小さくなる前後の有効領域の面積をA0、A1とすると、幾何学的効率はA1/A0となる。しかし、光電変換素子36の有効領域の幅W1は、シンチレータ素子34の幅W3以下であって開口81の幅W2以上になっているW2≦W1≦W3。したがって、光電変換素子36の有効領域その幅を図4にW1で示すを、シンチレータ素子34の有効領域開口81:その幅を図4にW2で示すよりも小さくする必要がないため、幾何学的効率の低下がない。すなわち、幾何学的効率は1となる。それにより、全体での幾何学的効率はA1/A0=A1/A01となり、二段階で低下することがなく、X線検出器3の出力が二段階で低下するのを防止することが可能となる。比較例次に、比較例に係るX線検出器3について説明する。図6は比較例に係るX線検出器3の部分拡大断面図である。比較例が実施形態の構成と異なる点は、マスク8が除かれていることにある。すなわち、図6に示すように、X線検出器3は、チャンネル方向X方向に配列された光電変換素子36と、光電変換素子36に対応して配列されたシンチレータ素子34と、コリメータ板37とを有している。隣り合うシンチレータ素子34の間には不感帯である隔壁35が設けられている。比較例において、入射方向の角度θが所定角度θ1のときにおいても、シンチレータ素子34にX線5によるコリメータ板37の影が映らないように、隔壁35の厚さT1が、コリメータ板37の厚さT2より大きくなっているT1>T2。そのため、比較例の技術においては、焦点がX方向に沿ってどのように移動しても、X線によるコリメータ板37の陰がシンチレータ素子34にかからず、アーチファクトの発生を防止するという利点を有している。しかしながら、比較例の技術では、隔壁35の厚さT1をコリメータ板37の厚さT2より大きくすると、その分だけのシンチレータ素子34の有効領域が小さくなり、それに比例して幾何学的効率が低下し、さらに、シンチレータ素子34の有効領域その幅を図6にW2で示すより光電変換素子36の有効領域その幅を図6にW1で示すを小さくする必要があることから、幾何学的効率が二段階で低下し、X線検出器3の出力が二段階で低下するという従来の技術と同じ問題点が生じる。さらに、隔壁35を通過して散乱するX線5により光電変換素子36を劣化させたり、異常出力を発生させる要因になるという従来の問題点もある。図6に、隔壁35を通過したX線5が散乱して、光電変換素子36に入射するX線5の一部を破線で示す。シンチレータ素子34の端面38隔壁35に接する面は加工面であって、X線の感度が低下することから、端面38をシンチレータ素子34の有効領域に含めるとアーチファクトが生じるが、この実施形態では、シンチレータ素子34の端面38はマスク8の張出部82により覆われ、シンチレータ素子34の有効領域として用いられないため、アーチファクトの発生を防止することが可能となる。なお、実施形態において、マスク8は、隔壁35と別個に設けられたが、隔壁35と一体的に形成されていてもよい。このとき、隔壁35は、マスク8と同じ材料で形成されてもよい。また、マスク8は、コリメータ板37の一端部37aと一体的に形成されていてもよい。また、実施形態では、焦点をチャンネル方向X方向に沿って移動させるとき、シンチレータ素子34にX線によるコリメータ板37の陰がかからないように、マスク8を設けた構成について説明したが、焦点を体軸方向Z方向に沿って移動させるときも、同様にこの実施形態の構成を適用することが可能である。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、書き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるととともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。