"入力側伝送線路基板、分配器基板、入力側整合回路基板、高周波トランジスタチップ基板、出力側整合回路基板、結合器、出力側伝送線路基板を平坦なベース上に実装した高周波トランジスタ装置において、前記ベース上に実装された各基板の高さは、前記高周波トランジスタチップから前記入力側伝送線路と前記出力側伝送線路に向かうにしたがって、それぞれ段階的に高く構成され、前記ベース上に実装された各基板は、隣接する基板間における高さの低い基板側からファーストボンドが行われ、高さの高い基板側にセカンドボンドが行われて電気的に接続されることを特徴とする高周波トランジスタ装置。入力側伝送線路から高周波トランジスタチップまでの間および該高周波トランジスタチップから出力側伝送線路までの間にそれぞれ基板を増やしてベース上に実装することを特徴とする請求項1記載の高周波トランジスタ装置。出力側伝送線路とその直近の基板の間隔を小さくするよう各基板を配置してベース上に実装することを特徴とする請求項1または請求項2記載の高周波トランジスタ装置。しかしながら、パッケージのベース301に掘り込み301a,301bを設ける構成は、高周波トランジスタ装置の種類毎に、パッケージ開発とベースの加工を必要とし、高コストになるという課題があった。また、入力側伝送線路302と出力側伝送線路308の基板厚さを薄くする構成は、入力側伝送線路302および出力側伝送線路308の基板厚さを最適化設計しなければならず、さらに高コストとなるという課題があった。さらに、パッケージのベースをかさ上げする構成は、熱的に不利となる上、熱伝導性のよいベース材の比率が大きくなるため、さらに高コストとなるという課題があった。この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、ワイヤボンディング面が高周波トランジスタチップよりも高い位置にある場合であっても、パッケージコストを抑え、かつ、ワイヤによるインダクタンス成分を小さくすることができる高周波トランジスタ装置を提供することを目的とする。この発明に係る高周波トランジスタ装置は、入力側伝送線路基板、分配器基板、入力側整合回路基板、高周波トランジスタチップ基板、出力側整合回路基板、結合器基板、出力側伝送線路基板を平坦なベース上に実装し、ベース上に実装された各基板の高さは、高周波トランジスタチップから入力側伝送線路基板と出力側伝送線路に向かうにしたがって、それぞれ段階的に高く構成され、ベース上に実装された各基板は、隣接する基板間における高さの低い基板側からファーストボンドが行われ、高さの高い基板側にセカンドボンドが行われて電気的に接続されるものである。この発明に係る高周波トランジスタ装置によれば、上記のように高周波トランジスタチップから入力側伝送線路基板と出力側伝送線路に向かうにしたがってそれぞれ段階的に基板高さを高くするよう構成し、ワイヤループを小さくしてワイヤ長を短くすることにより、高周波性能を確保することができる。その結果、各構成の実装面が平坦なベースと、基板厚さが大きいフィードスルー部としての入力側伝送線路基板および出力側伝送線路とを有する汎用パッケージを使用することが可能になり、パッケージコストを抑制し、かつ、ワイヤによるインダクタンス成分を小さくすることができる。以下、この発明の実施の形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。実施の形態1.図1aは、実施の形態1に係る高周波トランジスタ装置100の平面から見た構成を示し、図1bは図1aのA-A ́線の断面から見た構成を示している。高周波トランジスタ装置100は、ベース101、入力側伝送線路基板102、分配器基板103、入力側整合回路基板104、高周波トランジスタチップ基板105、出力側整合回路基板106、結合器基板107、出力側伝送線路基板108、ワイヤ109a~109f、フレーム110で構成されており、例えば通信機器の送信用アンプとして用いられるものである。ベース101、入力側伝送線路基板102、出力側伝送線路基板108、およびフレーム110はメタルパッケージを構成している。このメタルパッケージ内には、分配器基板103、入力側整合回路基板104、高周波トランジスタチップ基板105、出力側整合回路基板106、結合器基板107、およびワイヤ109a~109fが収容され、例えばフレーム110の内側に窒素充填し、フレーム外周の形状に合わせたキャップ110aをはんだ付け、または接着することで気密封止されている。ベース101は、分配器基板103、入力側整合回路基板104、高周波トランジスタチップ基板105、出力側整合回路基板106、および結合器基板107の各構成の基板を取り付けて実装する平坦な面を有する高周波トランジスタ装置側の基板である。入力側伝送線路基板102は、セラミック基板上に伝送線路102aを配置し、伝送線路102aが図示しない入力用外部端子と電気的に接続しており、外部から入力用外部端子を介して入力した電気信号を分配器基板103へ送るよう機能する。分配器基板103は、外部から入力した電気信号の電力を高周波トランジスタチップ基板105の各単位セルへ均等に供給するために分配し、分配した電力を入力側整合回路基板104を介して高周波トランジスタチップ基板105へ出力する。入力側整合回路基板104は、高周波トランジスタチップ基板105の入力側のインピーダンス整合を行うよう機能する。高周波トランジスタチップ基板105は、単位セルが並列に複数並べられた高周波半導体素子用チップであり、各単位セルにより分配器基板103から入力側整合回路基板104を介して入力された電力を増幅するよう機能する。出力側整合回路基板106は、高周波トランジスタチップ基板105の出力側のインピーダンス整合を行うよう機能する。結合器基板107は、高周波トランジスタチップ基板105の各単位セルからの出力電力を、出力側整合回路基板106を介して入力して合成し、電気信号を出力側伝送線路基板108へ出力する。出力側伝送線路基板108は、セラミック基板上に伝送線路108aを配置し、伝送線路108aが図示しない出力用外部端子と電気的に接続しており、結合器基板107から出力された電気信号を出力用外部端子へ送るよう機能する。ワイヤ109a~109fは、ベース上の隣接する構成の基板間を電気的に接続するよう機能する。ワイヤ109aが入力側伝送線路基板102と分配器基板103を接続し、ワイヤ109bが分配器基板103と入力側整合回路基板104を接続し、ワイヤ109cが入力側整合回路基板104と高周波トランジスタチップ基板105を接続し、ワイヤ109dが高周波トランジスタチップ基板105と出力側整合回路基板106を接続し、ワイヤ109eが出力側整合回路基板106と結合器基板107を接続し、ワイヤ109fが結合器基板107と出力側伝送線路基板108を接続している。フレーム110は、各基板が実装されたベース101上を囲むよう配置され、このフレーム110の内側に窒素充填し、フレーム外周の形状に合わせたキャップ110aをはんだ付け、または接着することでベース101上に実装された各基板を気密封止している。また、フレーム110は、入力側伝送線路基板102および出力側伝送線路基板108をメタルパッケージ内外に貫通させるよう構成されている。フレーム110と、入力側伝送線路基板102および出力側伝送線路基板108との間にはセラミック部110bが設けられており、セラミック層で伝送線路102aおよび伝送線路108aを挟み込む構造により、伝送線路102aおよび伝送線路108aをフレーム110に接触させずに貫通させている。次に、実施の形態1の高周波トランジスタ装置100における各構成の配列および実装方法について図1bを用いて説明する。高周波トランジスタ装置100は、図1bに示すように、ベース101上に入力側伝送線路基板102、分配器基板103、入力側整合回路基板104、高周波トランジスタチップ基板105、出力側整合回路基板106、結合器基板107、出力側伝送線路基板108の順で各構成の基板が配置され、AuSnはんだでベース101にダイボンディングされる。このとき、各構成の高さは、高周波トランジスタチップ基板105が最も低く、入力側伝送線路基板102、出力側伝送線路基板108に向かうにしたがって段階的に高くなるよう製作されている。すなわち、ベース101に実装される各構成の厚さは、高周波トランジスタチップ基板105から入力側伝送線路基板102と出力側伝送線路基板108に向かうにしたがってそれぞれ段階的に大きく構成されている。なお、図1a,bは説明をわかりやすくするために実際の寸法とは異なっており、例えば、高周波トランジスタチップ基板105が厚さ0.1mm、入力側伝送線路基板102と出力側伝送線路基板108が厚さ1.0mmの場合、分配器基板103が厚さ0.2mm、結合器基板107が厚さ0.38mm、入力側整合回路基板104と出力側整合回路基板106が厚さ0.15mmで構成されるものである。このように配列して実装した各構成の隣接する構成の基板間にワイヤ109a~109fをボンディングして各構成を電気的に接続する。このとき、各ワイヤ109a~109fのファーストボンドを隣接する構成のうち基板高さの低い基板側に行い、セカンドボンドを高さの高い基板側に行ってワイヤ109a~109fを形成する。例えば、図1bに示すように、入力側伝送線路基板102と分配器基板103の基板間において、高さの低い分配器基板103の基板にファーストボンド121を行ってから、高さの高い入力側伝送線路基板102の基板にセカンドボンド122を行ってワイヤ109aを形成することにより、ワイヤ109aのワイヤループを小さくしている。隣接する構成の基板高さの差異が、各基板のワイヤボンド面を揃えた構成を結ぶワイヤのワイヤループ高さと同程度であれば、上記の方法でワイヤループを小さくすることにより、各基板のワイヤボンド面を揃えた構成と同等のワイヤ長にすることができる。また、この基板高さの差異分だけ、その次に隣接する構成との基板間を接続するワイヤ長を短くすることができる。なお、出力側整合回路基板106と結合器基板107を接続するワイヤ109eのように、隣接する構成の基板の厚さの差異が、各基板のワイヤボンド面を揃えた構成を結ぶワイヤのワイヤループ高さと比べ、十分に大きい基板間のワイヤ長は、各基板のワイヤボンド面を揃えた構成と比べ長くなってしまうが、結合器基板107内にワイヤ109eのワイヤ長を実効的に短くするようにインピーダンス整合を行う整合回路を実装しておくことで対策することが可能である。以上のように、実施の形態1の高周波トランジスタ装置100は、入力側伝送線路基板102、分配器基板103、入力側整合回路基板104、高周波トランジスタチップ基板105、出力側整合回路基板106、結合器基板107、出力側伝送線路基板108で各基板が実装される平坦なベース101と、ベース101に実装された各基板の厚さが高周波トランジスタチップ基板105から入力側伝送線路基板102と出力側伝送線路基板108に向かってそれぞれ段階的に大きく構成され、隣接する基板間における高さの低い基板側からファーストボンド121を行い、高さの高い基板側にセカンドボンド122を行ってワイヤ109a~109fを形成して電気的に接続するよう構成したことにより、パッケージ外部に接続された構成からみた出力特性に大きく関わる結合器基板107と出力側伝送線路基板108との間のワイヤ109fの長さを、入力側伝送線路基板102や出力側伝送線路基板108の基板厚さを薄くした場合と同様に短くすることができる。その結果、各構成の実装面が平坦なベース101と、基板高さが高いフィードスルー部としての入力側伝送線路基板102および出力側伝送線路基板108とを有する汎用パッケージを使用することが可能になるため、パッケージ開発設計加工コストを抑制することができる効果が得られる。また、実施の形態1の高周波トランジスタ装置100は、出力側整合回路基板106の基板厚さが大きいため、パターン幅を太く形成することができ、大きなバイアス電流で高出力駆動するデバイスに対応することができる。なお、結合器基板107と出力側伝送線路基板108の基板間隔を短くとるよう各構成の基板をレイアウトすることで、ワイヤ長をさらに短くすることもできる。実施の形態2.実施の形態1においては、高周波トランジスタ装置100の高周波トランジスタチップ基板105から入力側伝送線路基板102の接続にいたるまでの間に2つの構成の基板を経由させ、高周波トランジスタチップ基板105から出力側伝送線路基板108の接続にいたるまでの間に2つの構成の基板を経由させる構成について説明した。実施の形態2は、構成を追加して基板を増設した構成について説明する。図2aは、実施の形態2に係る高周波トランジスタ装置200の平面から見た構成を示し、図2bは図2aのB-B ́線の断面から見た構成を示している。なお、図2において、実施の形態1の構成と同等の構成については同一の符号を付し、その説明を省略する。高周波トランジスタ装置200は、図2aに示すように、ベース101、入力側伝送線路基板102、入力側整合回路基板211、分配器基板203、入力側整合回路基板104、高周波トランジスタチップ基板105、出力側整合回路基板106、結合器基板207、出力側整合回路基板212、出力側伝送線路基板108、ワイヤ209a~209h、フレーム110で構成されており、例えば通信機器の送信用アンプとして用いられるものである。ベース101、入力側伝送線路基板102、出力側伝送線路基板108、およびフレーム110はメタルパッケージを構成している。このメタルパッケージ内には、入力側整合回路基板211、分配器基板203、入力側整合回路基板104、高周波トランジスタチップ基板105、出力側整合回路基板106、結合器基板207、出力側整合回路基板212、およびワイヤ209a~209hが収容され、例えばフレーム110の内側に窒素充填し、フレーム外周の形状に合わせたキャップ110aをはんだ付け、または接着することで気密封止されている。図2a,bに示す高周波トランジスタ装置200は、実施の形態1の高周波トランジスタ装置100のベース101に実装する構成のうち、分配器基板103に替えて入力側整合回路基板211第2の入力側整合回路基板と分配器基板203を設け、結合器基板107に替えて結合器基板207、出力側整合回路基板212第2の出力側整合回路を設けている。すなわち、実施の形態1の高周波トランジスタ装置100における入力側伝送線路基板102と分配器基板103の間に入力側整合回路基板211を増やして実装し、結合器基板107と出力側伝送線路基板108の間に出力側整合回路基板212を増やして実装した構成である。ここで、ベース101、入力側伝送線路基板102、入力側整合回路基板104、高周波トランジスタチップ基板105、出力側整合回路基板106、出力側伝送線路基板108、フレーム110は実施の形態1と同等の構成であるため説明を省略する。入力側整合回路基板211は、入力側伝送線路基板102と分配器基板203の間に配置され、分配器基板203の入力側のインピーダンス整合を行うよう機能する。分配器基板203は、外部から入力側伝送線路基板102、入力側整合回路基板211を介して入力した電気信号の電力を高周波トランジスタチップ基板105の各単位セルへ均等に供給するために分配し、分配した電力を入力側整合回路基板104を介して高周波トランジスタチップ基板105へ出力するよう機能する。結合器基板207は、高周波トランジスタチップ基板105の各単位セルからの出力電力を、出力側整合回路基板106を介して入力して合成し、電気信号を出力側整合回路基板212へ出力する。出力側整合回路基板212は、結合器基板107と出力側伝送線路基板108の間に配置され、結合器基板107の出力側のインピーダンス整合を行うよう機能する。ここで、分配器基板203と結合器基板207の基板幅は、入力側整合回路基板211と出力側整合回路基板212をベース101に収容できるように実施の形態1の分配器基板103と結合器基板107の基板幅よりもそれぞれ小さく構成されている。また、入力側整合回路基板211はワイヤ209gを実効的に短くするようインピーダンス整合を行う整合回路を実装しており、出力側整合回路基板212はワイヤ209hを実効的に短くするようインピーダンス整合を行う整合回路を実装している。ワイヤ209a~209hは、ベース上の隣接する構成の基板間を電気的に接続するよう機能する。ワイヤ209aが入力側伝送線路基板102と入力側整合回路基板211を接続し、ワイヤ209gが入力側整合回路基板211と分配器基板203を接続し、ワイヤ209bが分配器基板203と入力側整合回路基板104を接続し、ワイヤ209cが入力側整合回路基板104と高周波トランジスタチップ基板105を接続し、ワイヤ209dが高周波トランジスタチップ基板105と出力側整合回路基板106を接続し、ワイヤ209eが出力側整合回路基板106と結合器基板207を接続し、ワイヤ209hが結合器基板207と出力側整合回路基板212を接続し、ワイヤ209fが出力側整合回路基板212と出力側伝送線路基板108を接続している。次に、実施の形態2の高周波トランジスタ装置200における各構成の配列および実装方法について図2bを用いて説明する。高周波トランジスタ装置200は、図2bに示すように、ベース101上にベース101、入力側伝送線路基板102、入力側整合回路基板211、分配器基板203、入力側整合回路基板104、高周波トランジスタチップ基板105、出力側整合回路基板106、結合器基板207、出力側整合回路基板212、出力側伝送線路基板108の順で各構成の基板が配置され、それぞれAuSnはんだでベース101にダイボンディングされる。このとき、各構成の高さは、実施の形態1と同様に、高周波トランジスタチップ基板105が最も低く、メタルパッケージとして実装された入力側伝送線路基板102、出力側伝送線路基板108に向かうにしたがって段階的に高くなるよう製作されている。すなわち、ベース101に実装される各構成の厚さは、高周波トランジスタチップ基板105から入力側伝送線路基板102と出力側伝送線路基板108に向かうにしたがってそれぞれ段階的に大きく構成されている。なお、図2a,bは説明をわかりやすくするために実際の寸法とは異なっており、例えば、高周波トランジスタチップ基板105が厚さ0.1mm、入力側伝送線路基板102と出力側伝送線路基板108が厚さ1.0mmの場合、入力側整合回路基板211は厚さ0.6mm、出力側整合回路基板212は厚さ0.7mm、分配器基板103は厚さ0.2mm、結合器基板107は厚さ0.38mm、入力側整合回路基板104と出力側整合回路基板106は厚さ0.15mmで構成されるものである。実施の形態2の高周波トランジスタ装置200の実装方法は実施の形態1と同等であるため説明を省略する。以上のように、実施の形態2の高周波トランジスタ装置200は、入力側伝送線路基板102から高周波トランジスタチップ基板105までの間および高周波トランジスタチップ基板105から出力側伝送線路基板108までの間にそれぞれ基板を増やしてベース101に実装するよう構成したことにより、入力側伝送線路基板102と入力側整合回路基板211を接続するワイヤ209a、出力側整合回路基板212と出力側伝送線路基板108を接続するワイヤ209fの長さをさらに短くすることができる。その結果、実施の形態1の高周波トランジスタ装置100よりも高周波性能を向上することができるという効果が得られる。なお、入力側伝送線路基板102と分配器基板103の間、および結合器基板107と出力側伝送線路基板108の間にそれぞれ2枚以上の基板を追加してもよく、上記と同様の効果が得られる。なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。"