"PZTを含む材料からなり且つ厚さ200μm以下であるセラミックグリーン体を焼成してセラミック焼成体を形成する際に、前記セラミックグリーン体が載置される載置面を有するセッターであって、前記載置面は、表面に凹凸を有する第1部分と、前記第1部分よりも緻密な第2部分とが混在してなる面であることを特徴とするセッター。前記第2部分は、前記載置面における単位面積当たりの割合が40~90であることを特徴とする請求項1記載のセッター。前記第2部分は、前記載置面における単位面積当たりの割合が40~65であることを特徴とする請求項1記載のセッター。前記第2部分は、前記載置面における単位面積当たりの割合が65~90であることを特徴とする請求項1記載のセッター。前記第1部分は、ブラスト処理によって前記表面が研磨されている研磨面であることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項記載のセッター。前記第2部分は、機械的な加工が施されていない無研磨面であることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項記載のセッター。PZTを含む材料からなり且つ厚さ200μm以下であるセラミックグリーン体を焼成してセラミック電子部品を製造する方法であって、前記セラミックグリーン体を準備する工程と、前記セラミックグリーン体が載置される載置面を有するセッターを準備する工程と、前記セッターの前記載置面に前記セラミックグリーン体を載置して前記セラミックグリーン体を焼成する工程と、を有し、前記セッターの前記載置面は、表面に凹凸を有する第1部分と、前記第1部分よりも緻密な第2部分とが混在してなる面であることを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。ところで、PZTPbZrx,Ti1-xO3:チタン酸ジルコン酸鉛を含むセラミック材料からなるグリーンシートを積層して得られたセラミックグリーン体を焼成する際、このセラミックグリーン体からは、セッターの載置面と当接する裏面側及びこの裏面に対向する表面側からセラミック材料に含まれるPbが蒸発すると共に、裏面側からセッターにPbが拡散する。上記従来のセッターのように載置面が研磨面となっている場合には、裏面側からのPbの蒸発量及びセッターへのPbの拡散量が、表面側からのPbの蒸発量よりも多くなる。そのため、セラミックグリーン体の表面側と裏面側とにおいてPbの含有量が不均一となり組成が異なる。これにより、セラミックグリーン体の表面側と裏面側とにおいて収縮率が変わり、結果としてセラミック基板に反りが生じる。一方、載置面が自然面、すなわち機械的な加工が施されてない無研磨面である場合には、Pbを殆ど吸収しないため、表面側からのPbの蒸発量が裏面側からのPbの蒸発量及び裏面側からのセッターへのPbの拡散量よりも多くなる。そのため、載置面が自然面の場合であっても、セラミックグリーン体の表面側と裏面側とにおいてPbの含有量が不均一となり、セラミック基板に反りが生じる。特に、セラミックグリーン体の厚みが薄い場合には、焼成体の反りが顕著となる。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、焼成体の反りを防止することができるセッター及びセラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明に係るセッターは、PZTを含む材料からなり且つ厚さ200μm以下であるセラミックグリーン体を焼成してセラミック焼成体を形成する際に、セラミックグリーン体が載置される載置面を有するセッターであって、載置面は、表面に凹凸を有する第1部分と、第1部分よりも緻密な第2部分とが混在してなる面であることを特徴とする。このセッターでは、PZTを含む材料からなり且つ厚さ200μm以下であるセラミックグリーン体が載置される載置面において、表面に凹凸を有する第1部分と、この第1部分よりも緻密な第2部分とが混在している。表面に凹凸を有する第1部分では、セラミックグリーン体から蒸発するPbを吸収する一方、緻密な第2部分では、Pbを殆ど吸収しない。そのため、第1部分及び第2部分によって、セラミックグリーン体の裏面側からのPbの蒸発量を調整できる。したがって、セラミックグリーン体を焼成する際、セラミックグリーン体の裏面側からのPbの蒸発量及びセッターへの拡散量と、表面側からのPbの蒸発量とを略同量とすることができる。これにより、セラミックグリーン体の表面側及び裏面側における成分の含有量が略均一となり、その結果、セラミック焼成体の反りを防止できる。第2部分は、載置面における単位面積当たりの割合が40~90である。特に、載置面における単位面積当たりの第2部分の割合が40~65であるセッターの場合、厚みが100μm~200μmのセラミックグリーン体を焼成するために用いることが好適である。また、載置面における単位面積当たりの第2部分の割合が65~90であるセッターの場合、厚みが30μm~100μmのセラミックグリーン体を焼成するために用いることが好適である。第1部分は、ブラスト処理によって表面が研磨されている研磨面である。また、第2部分は、機械的な加工が施されていない無研磨面である。本発明に係るセラミック電子部品の製造方法は、PZTを含む材料からなり且つ厚さ200μm以下であるセラミックグリーン体を焼成してセラミック電子部品を製造する方法であって、セラミックグリーン体を準備する工程と、セラミックグリーン体が載置される載置面を有するセッターを準備する工程と、セッターの載置面にセラミックグリーン体を載置してセラミックグリーン体を焼成する工程と、を有し、セッターの載置面は、表面に凹凸を有する第1部分と、第1部分よりも緻密な第2部分とが混在してなる面であることを特徴とする。このセラミック電子部品の製造方法では、表面に凹凸を有する第1部分と、第1部分よりも緻密な第2部分とが混在してなる載置面を有するセッターを用いている。表面に凹凸を有する第1部分では、セラミックグリーン体から蒸発するPbを吸収する一方、緻密な第2部分では、Pbを殆ど吸収しない。そのため、第1部分及び第2部分によって、セラミックグリーン体の裏面側からのPbの蒸発量を調整できる。したがって、セラミックグリーン体を焼成する際、セラミックグリーン体の裏面側からのPbの蒸発量及びセッターへの拡散量と、表面側からのPbの蒸発量とを略同量とすることができる。これにより、セラミックグリーン体の表面側及び裏面側における成分の含有量が略均一となり、その結果、セラミック焼成体の反りを防止できる。本発明によれば、焼成体の反りを防止することができる。本発明の好適な実施形態について、図面を参照して説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。まず、図1を参照して、本実施形態に係るセッターを用いて製造されるセラミック電子部品の構成について説明する。図1は、一実施形態に係る製造方法によって製造される圧電素子を示す斜視図である。本実施形態では、セラミック電子部品の一形態として、圧電素子100について説明する。圧電素子100は、例えば、磁気ディスクを備えたディスク装置などに適用される。すなわち、デュアルステージアクチュエータ方式のディスク装置において、ボイスコイルモータ以外の第2のアクチュエータとして、圧電素子100が用いられる。図1に示すように、圧電素子100は、対向する第1面102aと第2面102bとを有する圧電素子基板102を備えている。圧電素子基板102は、圧電セラミックス103の両面に金属極104を設けることによって構成されている。圧電セラミックス103の材料として、組成がPbTiO3-PbZrO3-PbZn1/3Nb2/3O3の3成分系圧電セラミック材料等が挙げられる。圧電素子基板102の第1面102a及び第2面102bは、金属極104に覆われている。圧電素子基板102の四方の側面102cは金属極104に覆われず、圧電セラミックス103が露出する。この側面102cは、樹脂105によって覆われている。樹脂105の材料として、エポキシ樹脂が用いられる。また、エポキシ樹脂の他に、ウレタン樹脂などの熱硬化性樹脂を使用することができる。また、エポキシアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂などの紫外線硬化樹脂を使用することもできる。また、ポリ酢酸ビニルなどのホットメルト樹脂を用いてもよい。次に、図2及び図3を参照して、圧電素子100を焼成するためのセッターの構成について説明する。図2は、圧電素子の製造方法を実施するためのセッターを示した図であり、図3は、図2におけるIII-III線断面図である。図2及び図3に示されるように、セッター1は、正方形を呈する板状体であり、例えば縦横が100mm×100mmとすることができる。セッター1は、気孔率が3未満、好ましくは1未満といった緻密性を有するものが望ましい。セッター1の材料としては、耐久性を高めるべく、例えば酸化ジルコニウムにイットリアY2O3を添加して安定化させたものを用いるのが望ましい。酸化ジルコニウムに添加されるイットリアの量としては、8molが好ましい。なお、安定化剤としては、Y2O3の他に、カルシアCaO、マグネシアMgO、セリアCeO2等を用いることができる。セッター1は、セラミックグリーン体10を載置する載置面2を有している。載置面2には、セラミックグリーン体10が2×5のマトリックス状となるように載置されている。図5に示すように、載置面2は、研磨面第1部分3と、自然面第2部分4とから形成されている。以下、図4~図8を参照して、載置面2について詳細に説明する。図4aは、研磨面を説明する図であり、図4bは、自然面を説明する図である。図5は、図2に示すセッターの載置面を説明する図である。また、図6は、研磨面の表面を拡大して示す写真であり、図7は、自然面の表面を拡大して示す写真である。図8は、図2に示すセッターの載置面を拡大して示す写真である。なお、図6~図8において、aは表面を1000倍に拡大した写真であり、bは表面を5000倍に拡大した写真である。研磨面3は、機械的な加工によって表面が研磨されている面である。研磨面3は、ブラスト処理によって表面の粒子が脱落剥離して間隙が形成されており、凹凸3aが形成された粗い表面となっている。すなわち、研磨面3の表面は、断面で見た場合に、セッター1の厚み方向において自然面4に対して粒子が脱落した分だけ深い位置に形成されている。研磨面3の表面粗さは、焼成されるセラミックグリーン体に応じて適宜設定されが、例えば中心線平均粗さRaが好ましくは1μm~20μm、より好ましくは2μm~6μmとなっている。中心線平均粗さRaとは、JISB0601に規定されている表面粗さのことであり、粗さ曲線を中心線から折り返し、その粗さ曲線と中心線とによって得られた面積を長さで割った値である。なお、ブラスト処理としては、周知の技術を用いることができ、ショット材やブラスト圧力、ブラスト時間は、所望する表面粗さに応じて適宜設定することができる。自然面4は、表面が滑らかな面となっている。自然面4は、その表面を粒子が殆ど隙間なく覆っており、粒子が密集した緻密面である。すなわち、自然面4は、機械的な加工が施されていない無研磨面であり、研磨面3よりも緻密な面となっている。上述のように、研磨面3は、ブラスト処理による機械的な面加工時の機械的な衝撃によって、表面の粒子の脱落や隙間が生じて凹凸3aが形成されている。一方、自然面4は、機械的な面加工が施されないため、表面の粒子の脱落等が生じておらず、研磨面3に比べて緻密になっている。なお、自然面4は、完全に平坦な面ではなく、表面に多少の凹凸が形成されている場合も含んでおり、研磨面3と比較して相対的に緻密となっている。図5に示すように、セッター1の載置面2は、上記のような研磨面3及び自然面4が混在してなる面である。なお、ここで言う混在とは、所定の周期で研磨面3と自然面4とが形成されていてもよいし、研磨面3と自然面4とが規則性無く形成されていてもよい。載置面2における単位面積当たりの自然面4の割合は、40~90であることが好ましい。また、厚みが100μm~200μmであるセラミックグリーン体10の焼成に用いる場合には、載置面2における単位面積当たりの自然面4の割合が40~65であることが好ましい。さらに、厚みが30μm~100μmであるセラミックグリーン体10の焼成に用いる場合には、載置面2における単位面積当たりの自然面4の割合が65~90であることが好ましい。すなわち、自然面4は、厚みが薄いセラミックグリーン体10の焼成に用いる場合には、載置面2における単位面積当たりを占める割合が多く形成されていることが好ましい。続いて、上記のセッター1を用いた圧電素子100の製造方法について説明する。まず、セッター1を準備する。セッター1は、自然面のみのセッターを用意し、このセッターにブラスト処理を施して研磨面3を形成する。これにより、図5に示すように、載置面2において、研磨面3と自然面4とが混在する。そして、ブラスト処理の後に洗浄乾燥を行って、セッター1を得る。なお、用意するセッターは、その表面が平坦なものであってもよいし、その表面にエンボス加工が施されているものであってもよい。続いて、セラミックグリーン体10を用意する。そのため、まず、例えば組成がPbTiO3-PbZrO3-PbZn1/3Nb2/3O3の3成分系圧電セラミック材料に有機バインダや有機溶剤等を混合して基体ペーストを作成し、その基体ペーストを用いて、ドクターブレード法によりセラミックグリーンシートを形成する。そして、セラミックグリーンシートを積層して、所定の温度例えば、60°C程度で加熱しながら、所定の圧力例えば、100MPa程度で積層方向にプレスする。これにより、セラミックグリーン体10を得ることができる。このとき、セラミックグリーン体10の厚みは、200μm以下である。次いで、このような複数枚のセラミックグリーン体10を、図1及び図2に示すようにセッター1の載置面2に載せ、セラミックグリーン体10中に含まれるバインダを除去する、いわゆる脱バインダ脱脂を行う。成形時に用いるバインダは、後述する焼成時にセラミックグリーン体10よりガス化して発生すると、焼成雰囲気を狂わせ、セラミックグリーン体10の焼成不良を引き起こすため、予め焼成前にセラミックグリーン体10の脱バインダを行うようにしている。この脱バインダ処理としては、セラミックグリーン体10を例えば400°Cの温度で加熱して、例えば10時間安定させる。続いて、セラミックグリーン体10をセッター1の載置面2に載せたまま、セラミックグリーン体10の焼成を行う。具体的には、脱バインダ処理が終了したセラミックグリーン体10が載っている複数のセッター1を、柱状のジルコニアスペーサ図示しないを介して重ねる。そして、これらのセッター1の一番上に、セラミックグリーン体10が載っていないセッター1を、ジルコニアスペーサを介して重ねる。なお、最上部のセッター1は、セラミックグリーン体10が載置されるセッター1と同じ構造であるのが好ましい。このとき、セッター1同士の間隔は、ジルコニアスペーサの長さを変えることで調整する。なお、ジルコニアスペーサは、セッター1と同じ材料で形成するのが望ましい。そして、このように多段に積載されたセッター1を焼成炉図示しない内に収容し、各セラミックグリーン体10を焼成する。このとき、セラミックグリーン体10を例えば1050°Cの温度で加熱して、例えば3時間安定させる。セラミックグリーン体10の焼成の際には、セラミックグリーン体10に含まれるPbが表面及び裏面から蒸発すると共に、裏面からPbがセッター1に拡散する。このとき、セッター1における載置面2の研磨面3では、セラミックグリーン体10の裏面側から蒸発するPbを凹凸3aにより吸収する。一方、緻密な自然面4では、セラミックグリーン体10の裏面側から蒸発するPbを殆ど吸収しない。こうしてセラミックグリーン体10の焼成が完了すると、圧電素子100の圧電セラミックス103が連続したセラミック焼成体が得られる。そして、圧電素子基板102の第1面102a及び第2面102bに対応する部分に金属極104を形成し、例えばダイヤモンドブレード等によって所定の大きさに切断することにより、圧電素子基板102が形成される。その後、切り溝に樹脂を充填して硬化させて切断して樹脂105を形成することにより、圧電素子100が得られる。以上説明したように、セッター1は、PZTを含む材料からなり且つ厚さ200μm以下であるセラミックグリーン体10が載置される載置面2において、表面に凹凸3aを有する研磨面3と、この研磨面3よりも緻密な自然面4とが混在している。表面に凹凸3aを有する研磨面3では、セラミックグリーン体10から蒸発するPbを吸収する一方、緻密な自然面4では、Pbをほとんど吸収しない。そのため、研磨面3及び自然面4によって、セラミックグリーン体10の裏面側からのPbの蒸発量を調整できる。したがって、セラミックグリーン体10を焼成する際、セラミックグリーン体10の裏面側からのPbの蒸発量及びセッター1への拡散量と、表面側からのPbの蒸発量とを略同量とすることができる。これにより、セラミックグリーン体10の表面側及び裏面側における成分の含有量が略均一となり、その結果、セラミック焼成体の反りを防止できる。また、載置面2における単位面積当たりの自然面4の割合が40~90である。特に、載置面2における単位面積当たりの自然面4の割合が40~65であるセッター1の場合には、厚みが100μm~200μmのセラミックグリーン体10を焼成するために用いることが好適である。また、載置面2における単位面積当たりの自然面4の割合が65~90であるセッター1の場合には、厚みが30μm~100μmのセラミックグリーン体10を焼成するために用いることが好適である。本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、ブラスト処理によって研磨面3を形成しているが、研磨面3はその表面に凹凸3aを有していればよく、形成方法は他の方法であってもよい。"