"トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスであって、順番に積層される、基板と、陽極層と、自己組織化分子修飾層と、ホール輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層と、陰極層とを備えることを特徴とする、トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。前記自己組織化分子修飾層に使用される材料は、一般式CH3CH2n-SHここで、5≦n≦21であるで示されるアルカンチオールであることを特徴とする、請求項1に記載のトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。前記陰極層は、単一種材料の一層の陰極単体層であり、又は異なる材料の、積層された二層の陰極単体層であり、前記陰極単体層の材料はアルミニウム、銀、サマリウム又はイッテルビウムであることを特徴とする、請求項1に記載のトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。前記基板の材料は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンナフラレート又はポリカーボネートであり、前記陽極層の材料は、銀、アルミニウム又は金であることを特徴とする、請求項1に記載のトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法であって、基板を洗浄、乾燥するステップS1と、前記基板の表面に陽極層を蒸着するステップS2と、前記陽極層の表面に自己組織化分子修飾層を設けるステップS3と、前記自己組織化分子修飾層の表面において、ホール輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層とを順番に蒸着し、積層させるステップS4と前記電子注入層の表面に陰極層を蒸着し、前記トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスを製造するステップS5とを含む、トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。前記ステップS2は、用意された陽極層をプラズマ処理装置内に入れ、真空状態、及び空気雰囲気下で、高周波放電プラズマにより、陽極層の表面を洗浄するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項5に記載のトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。前記自己組織化分子修飾層に使用される材料は、一般式CH3CH2n-SHここで、5≦n≦21であるで示されるアルカンチオールであることを特徴とする、請求項5に記載のトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。前記ステップS3は、一般式CH3CH2n-SHで示されるアルカンチオールをエタノール又はエーテルに溶解し、モル濃度が0.1mM~10mMの溶液に調製するステップS31と、陽極層を蒸着した基板を前記溶液中に浸漬させ、5分~30分間経過後取り出して窒素気流で乾燥し、陽極層の表面において自己組織化分子修飾層を形成するステップS32とをさらに含有することを特徴とする、請求項7に記載のトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。前記陰極層は、単一種類の材料の一層の陰極単体層であり、又は異なる材料の、積層された二層の陰極単体層であり、前記陰極単体層の材料はアルミニウム、銀、サマリウム又はイッテルビウムであることを特徴とする、請求項5に記載のトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。前記基板の材料は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンナフラレート又はポリカーボネートであり、前記陽極層の材料は、銀、アルミニウム又は金であることを特徴とする、請求項5に記載のトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。本発明の目的は、高発光効率のトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスを提供することにある。トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、順番に積層される、基板と、陽極層と、自己組織化分子修飾層と、ホール輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層と、陰極層とを備える。当該トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、前記自己組織化分子修飾層に使用される材料は、一般式CH3CH2n-SHここで、5≦n≦21であるで示されるアルカンチオールであり、自己組織化分子修飾層は、チオールにおけるスルフィドリル基によって金属薄膜と化学結合する。本発明のトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、使用される基板の材料は、ポリマー薄膜であり、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエーテルスルホンPES、ポリエチレンナフラレートPEN又はポリカーボネートPCである。前記トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの陰極層は、一層の陰極単体層であり、又は二層の積層された陰極単体層である。前記陰極単体層の材料はアルミニウム、銀、サマリウム又はイッテルビウムである。前記トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、各有機機能層の材料は、以下に示すように選択される。ホール輸送層の材料は、N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス1-ナフタレニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミンNPB、N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス3-メチルフェニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミンTPD、及び1,1-ビス{4-[ビス4-メチルフェニルアミノ]フェニル}シクロヘキサンTAPCから選択される。発光層の材料は、イリジウムビス2-メチルジベンゾ[f,h]キノキサリンアセチルアセトネートIrMDQ2acacをドーピングしたN,N’-ジフェニル-N,N’-ビス1-ナフタレニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミンNPB、トリス2-フェニルピリジンイリジウムIrppy3をドーピングした4,4’,4’’-トリスカルバゾール-9-イル-トリフェニルアミンTCTA、4-ジシアノメチレン-2-tert-ブチル-6-[2-2,3,6,7-テトラヒドロ-1,1,7,7-テトラメチル-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピランDCJTBをドーピングしたトリス8-ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq3、及びDPVBiから選択される。すなわち、発光層の材料は、NPB:IrMDQ2acacここで、NPBがホスト材料、IrMDQ2acacがゲスト材料であり、ゲスト材料のドーピング質量百分率が5、TCTA:Irppy3ここで、TCTAがホスト材料、Irppy3がゲスト材料であり、ゲスト材料のドーピング質量百分率が3、Alq3:DCJTBAlq3がホスト材料、DCJTBがゲスト材料であり、ゲスト材料のドーピング質量百分率が2、及びDPVBiから選択される。電子輸送層の材料は、トリス8-ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq3、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBphen、及び1,3,5-トリス1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール-2-イルベンゼンTPBiから選択される。電子注入層の材料は、LiF、CsF及びLi2Oから選択される。前記陽極の材料は、Ag、Al又はAu等の金属である。さらに、本発明は、上述したトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法を提供し、当該製造方法は、基板を洗浄、乾燥して、後工程のために用意しておくステップS1と、真空蒸着法を利用して、前記基板の表面に1層の陽極層を蒸着するステップS2と、前記陽極層の表面に自己組織化分子修飾層を設けるステップS3と真空蒸着法を利用して、前記自己組織化分子修飾層の表面において、ホール輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層とを順番に蒸着し、積層させるステップS4と、前記電子注入層の表面に陰極層を蒸着するステップS5とを含む。上述したステップを実施することにより、トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスを製造しうる。前記トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法において、陽極層の表面における自己組織化分子の吸着力を向上させるために、ステップS2において、用意した陽極層をプラズマ処理装置に入れ、10Pa~60Paに真空減圧させ、空気雰囲気下で高周波放電を行い、周波放電効率が60Wの条件下で、5分~15分間のグロー放電処理により発生されたプラズマで、陽極層の表面を洗浄するステップをさらに含む。このようなプラズマ処理方法は、陽極層の表面エネルギーを増大し、さらに、陽極層表面における自己組織化分子の成膜の均一性及び緻密性を向上させる。上述したステップS3において、一般式CH3CH2n-SHで示されるアルカンチオールをエタノール又はエーテルに溶解し、モル濃度が0.1mM~10mMの溶液に調製するステップS31と、陽極層を蒸着した基板を、前記溶液中に浸漬させ、5~30分間経過後取り出して窒素気流で乾燥し、その後、陽極層の表面において自己組織化分子修飾層を形成するステップS32とをさらに含む。本発明により提供されたトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、陽極層の表面において、自己組織化分子修飾層が設けられ、前記自己組織化分子修飾層は、陽極層の仕事関数を向上し、陽極層とホール輸送層との間のホール注入バリアを小さくすることで、OLEDデバイスの開始電圧を降下させ、さらに、OLEDデバイスの発光効率が向上する。本発明の一実施形態におけるトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、図1に示すように、順番に積層される、基板101と、陽極層102と、自己組織化分子修飾層103と、ホール輸送層104と、発光層105と、電子輸送層106と、電子注入層107と、陰極層108とを備え、すなわち、基板101/陽極層102/自己組織化分子修飾層103/ホール輸送層104/発光層105/電子輸送層106/電子注入層107/陰極層108で構成されている。前記トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、自己組織化分子修飾層103に使用されるのは、長鎖のアルカンチオールであり、具体的には、その一般式がCH3CH2n-SHここで、5≦n≦21である、自己組織化分子修飾層は、チオールのスルフィドリル基により金属薄膜に化学結合されている。前記トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、基板101に使用された材料は、ポリマー薄膜であり、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエーテルスルホンPES、ポリエチレンナフラレートPEN又はポリカーボネートPCである。前記トップエミティングの有機エレクトロルミネッセンスデバイスがトップエミッション型OLEDデバイスであることを考慮すれば、その基板材料のポリマー薄膜の表面に対して、平滑化及び硬化処理を施さなければならず、その表面硬度を2H~3H鉛筆硬度までにさせる。前記トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスのホール輸送層104、発光層105、電子輸送層106及び電子注入層107に使用される材料は、当該分野の一般に使用されている材料であり、以下に例示する。ホール輸送層の材料は、N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス1-ナフタレニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミンNPB、N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス3-メチルフェニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミンTPD、及び1,1-ビス[4-[ビス4-メチルフェニルアミノ]フェニル]シクロヘキサンTAPCから選択される。発光層の材料は、イリジウムビス2-メチルジベンゾ[f,h]キノキサリンアセチルアセトネートIrMDQ2acacをドーピングしたN,N’-ジフェニル-N,N’-ビス1-ナフタレニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミンNPB、トリス2-フェニルピリジンイリジウムIrppy3をドーピングした4,4’,4’’-トリスカルバゾール-9-イル-トリフェニルアミンTCTA、4-ジシアノメチレン-2-tert-ブチル-6-[2-2,3,6,7-テトラヒドロ-1,1,7,7-テトラメチル-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピランDCJTBをドーピングしたトリス8-ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq3、及びDPVBiから選択される。すなわち、発光層の材料は、NPB:IrMDQ2acacここで、NPBがホスト材料、IrMDQ2acacがゲスト材料であり、ゲスト材料のドーピング質量百分率が5、TCTA:Irppy3ここで、TCTAがホスト材料、Irppy3がゲスト材料であり、ゲスト材料のドーピング質量百分率が3、Alq3:DCJTBAlq3がホスト材料、DCJTBがゲスト材料であり、ゲスト材料のドーピング質量百分率が2、及びDPVBiから選択される。電子輸送層の材料は、トリス8-ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq3、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBphen、及び1,3,5-トリス1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール-2-イルベンゼンTPBiから選択される。電子注入層の材料は、LiF、CsF及びLi2Oから選択される。前記陽極の材料は、金属Ag、Al又はAuであり、前記陽極層の厚みは18nm~100nmである。前記トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの陰極層は、一層又は二層の陰極単体層であり、前記陰極単体層の材料は、アルミニウムAl、銀Ag、サマリウムSm又はイッテルビウムYbである。前記陰極層は、半透明陰極であり、その合計厚みが18nm~30nmであり、陰極層は、可視光における透過率は、55~75である。さらに、本発明は、上述したトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法を提供する。図2に示すように、当該製造方法は、下記のステップを含有する。ステップS1、基板例えば、ポリマー薄膜を洗浄剤含有の脱イオン水に入れて、超音波洗浄を行い、脱イオン水で洗浄した後、イソプロパノールとアセトンとの順で超音波処理し、さらに、窒素気流で乾燥させ、後工程のために用意しておく。ここで、ポリマー薄膜は、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエーテルスルホンPES、ポリエチレンナフラレートPEN、又はポリカーボネートPCを含む。ステップS2、真空蒸着法を用いて、洗浄した基板の表面に陽極層を蒸着し、前記陽極層の厚みは18nm~100nmである。ステップS3、前記陽極層の表面に自己組織化分子修飾層を設ける。ここで、自己組織化分子修飾層の材料は、一般式CH3CH2n-SH5≦n≦21で示されるアルカンチオールである。ステップS4、真空蒸着法を用いて、陽極層の表面において、ホール輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層とを順番に蒸着する。前記ホール輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層は、それぞれ50nm~60nm、15nm~20nm、30nm~40nm及び1nmの厚みを有する。ステップS5、前記電子注入層の表面に、18nm~30nmの厚みを有する陰極層を蒸着さする。上述した製造工程を実施した後、トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスを製造しうる。上述したトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法において、陽極層の表面における自己組織化分子の吸着力を向上させるために、ステップS2は、作製した陽極層をプラズマ処理装置に入れて、10Pa~60Paに真空減圧し、空気の雰囲気下で高周波放電を行い、周波放電効率が60Wの条件下で、5分~15分間のグロー放電処理により発生されたプラズマで、陽極層の表面を洗浄するステップをさらに含む。このようなプラズマ処理方法は、陽極層の表面エネルギーを増大させ、さらに、陽極層表面における自己組織化分子の成膜の均一性及び緻密性を向上させる。上述したステップS3において、一般式CH3CH2n-SHで示されるアルカンチオールをエタノール又はエーテルに溶解させ、モル濃度が0.1mM~10mMすなわち、mmol/Lの溶液に調製するステップS31と、陽極層を蒸着した基板を、前記溶液中に浸漬させ、5分~30分間経過後取り出して窒素気流で乾燥し、陽極層の表面において自己組織化分子修飾層を形成するステップS32とをさらに含む。本発明により提供されたトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、陽極層の表面において、一般式CH3CH2n-SHで示されるアルカンチオールの自己組織化分子修飾層が設けられ、当該自己組織化単分子層は、陽極層の仕事関数を向上させ、陽極層とホール輸送層との間のホール注入バリアを小さくすることで、OLEDデバイスの開始電圧を降下させる。これによって、OLEDデバイスの発光効率が向上する。以下、図面を参照し、本発明のより好ましい実施例についてさらに詳しく説明する。[実施例1]実施例1におけるトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構成は、PET/Al/CH3CH25-SH/α-NPD/NPB:IrMDQ2acac/Alq3/LiF/Agである。前記トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造工程は以下に示す。厚みが0.175mmのPET薄膜を、洗浄剤含有の脱イオン水に入れて超音波洗浄を行い、さらに、イソプロパノールとアセトンとの順で超音波処理し、処理終了した後窒素気流で乾燥した。PET薄膜の表面において、加熱真空蒸着法で、厚みが60nmのAl膜を形成し、フレキシブル陽極を作製した。陽極をプラズマ処理装置に入れて、10Paまで真空減圧し、高周波放電を行い、周波放電効率が60Wの条件下で、30分間のグロー放電処理を行った。1-ヘキサンチオールCH3CH25-SHをエタノールに溶解し、濃度を10mMとした。さらに、プラズマ処理したAl陽極を当該溶液に30分間浸漬させ、1-ヘキサンチオールをAl膜の表面に吸着させ、自己組織化薄膜を形成した。さらに、取り出して窒素気流で乾燥した。乾燥した後、上述した自己組織化単分子膜で修飾したAl膜において、加熱真空蒸着法で、厚みが50nmのホール輸送層NPBと、厚みが20nmの発光層NPB:IrMDQ2acacここで、NPBがホスト材料、IrMDQ2acacがゲスト材料であり、ゲスト材料のドーピング質量百分率が5と、厚みが40nmの電子輸送層Alq3と、厚みが1nmの電子注入層LiFと、厚みが18nmのAg層とを順番に積層して形成した。[実施例2]実施例2におけるトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構成は、PES/Ag/CH3CH211-SH/NPB/TCTA:Irppy3/Bphen/LiF/Al/Smである。前記トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造工程は以下に示す。厚みが0.15mmのPES薄膜を、洗浄剤含有の脱イオン水に入れて超音波洗浄を行い、さらに、イソプロパノールとアセトンとの順で超音波処理し、処理終了した後窒素気流で乾燥した。フレキシブル基板の表面において、加熱真空蒸着法で、厚みが80nmのAg膜を形成し、フレキシブル陽極を作製した。陽極をプラズマ処理装置に入れて、40Paまで真空減圧し、高周波放電を行い、周波放電効率が60Wの条件下で、10分間のグロー放電処理を行った。1-ドデカンチオールCH3CH211-SHをエタノールに溶解し、濃度を1mMとした。さらに、プラズマ処理したAg陽極を当該溶液に15分間浸漬させ、自己組織化薄膜を形成した。さらに、取り出して窒素気流で乾燥した。乾燥した後、上述した自己組織化単分子膜で修飾したAg膜において、加熱真空蒸着法で、厚みが60nmのホール輸送層NPBと、厚みが15nmの発光層TCTA:Irppy3ここで、TCTAがホスト材料、Irppy3がゲスト材料であり、ゲスト材料のドーピング質量百分率が3と、厚みが30nmの電子輸送層Bphenと、厚みが1nmの電子注入層LiFと、Al厚みが1nm/Sm厚みが30nmの二層単体層の構造を有する陰極層とを順番に積層して形成した。[実施例3]実施例3におけるトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構成は、PC/Au/CH3CH217-SH/TAPC/DPVBi/TPBi/CsF/Agである。前記トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造工程は以下に示す。厚みが0.20mmのPC薄膜を、洗浄剤含有の脱イオン水に入れて超音波洗浄を行い、さらに、イソプロパノールとアセトンとの順で超音波処理し、処理終了した後窒素気流で乾燥した。フレキシブル基板の表面において、加熱真空蒸着法で、厚みが60nmのAu膜を形成し、フレキシブル陽極を作製した。陽極をプラズマ処理装置に入れて、60Paまで真空減圧し、高周波放電を行い、周波放電効率が60Wの条件下で、10分間のグロー放電処理を行った。1-オクタデカンチオールCH3CH217-SHをエタノールに溶解し、濃度を0.5mMとした。さらに、プラズマ処理したAu陽極を当該溶液に30分間浸漬させ、自己組織化薄膜を形成した。さらに、取り出して窒素気流で乾燥した。乾燥した後、上述した自己組織化単分子膜で修飾したAu膜において、加熱真空蒸着法で、厚みが50nmのホール輸送層TAPCと、厚みが20nmの発光層DPVBiと、厚みが40nmの電子輸送層TPBiと、厚みが1nmの電子注入層CsFと、厚みが20nmのAg層とを順番に積層して形成した。[実施例4]実施例4におけるトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構成は、PEN/Al/CH3CH221-SH/TPD/Alq3:DCJTB/Alq3/Li2O/Yb/Agである。前記トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造工程は以下に示す。厚みが0.18mmのPEN薄膜を、洗浄剤含有の脱イオン水に入れて超音波洗浄を行い、さらに、イソプロパノールとアセトンとの順で超音波処理し、処理終了した後窒素気流で乾燥した。フレキシブル基板の表面において、加熱真空蒸着法で、厚みが100nmのAl膜を形成し、陽極を作製した。陽極をプラズマ処理装置に入れて、50Paまで真空減圧し、高周波放電を行い、周波放電効率が60Wの条件下で、15分間のグロー放電処理を行った。1‐ドコサンチオールCH3CH221-SHをエーテルに溶解し、濃度を0.1mMとした。さらに、プラズマ処理したAl陽極を当該溶液に5分間浸漬させ、さらに、取り出して窒素気流で乾燥した。乾燥した後、上述した自己組織化単分子膜で修飾したAl膜において、加熱真空蒸着法で、厚みが50nmのホール輸送層TPDと、厚みが20nmの発光層Alq3:DCJTBAlq3がホスト材料、DCJTBがゲスト材料であり、ゲスト材料のドーピング質量百分率が2と、厚みが35nmの電子輸送層Alq3と、厚みが1nmの電子注入層Li2Oと、Yb厚みが10nm/Ag厚みが12nmの二層単体層の構造を有する陰極層とを順番に積層して形成した。[比較例1]比較例1におけるトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構成は、PES/Ag/NPB/TCTA:Irppy3/Bphen/LiF/Al/Smである。前記トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造工程は以下に示す。厚みが0.15mmのPES薄膜を、洗浄剤含有の脱イオン水に入れて超音波洗浄を行い、さらに、イソプロパノールとアセトンとの順で超音波処理し、処理終了した後窒素気流で乾燥した。フレキシブル基板の表面において、加熱真空蒸着法で、厚みが80nmのAg膜を形成し、フレキシブル陽極を作製した。上述した金属Ag膜において、加熱真空蒸着法で、厚みが60nmのホール輸送層NPBと、厚みが15nmの発光層TCTA:Irppy3ここで、TCTAがホスト材料、Irppy3がゲスト材料であり、ゲスト材料のドーピング質量百分率が3と、厚みが30nmの電子輸送層Bphenと、厚みが1nmの電子注入層LiFと、Al厚みが1nm/Sm厚みが30nmの二層単体層の構造を有する陰極層とを順番に積層して形成した。実施例1、実施例2、実施例3、実施例4、及び比較例1で作製したデバイスに対して、発光性能のテストを行った。テストの結果は表1に示す。上述した結果により、自己組織化分子修飾層を使用した陽極で作製した有機エレクトロルミネッセンスデバイスの開始電圧は、自己組織化分子修飾層を使用していない陽極で作製した有機エレクトロルミネッセンスデバイスの開始電圧と比較して、顕著に低いことが分かる。その理由は、陽極金属薄膜を自己組織化分子修飾層により修飾した後、陽極とホール輸送材との間のホール注入バリアを小さくすることができ、さらに、開始電圧を降下させるからである。図3は、実施例2で作製したトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスと比較例1で作製したトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスとの電圧-輝度曲線の比較図である。図3により、自己組織化分子修飾層で修飾した陽極層を使用した有機エレクトロルミネッセンスデバイスの輝度は、自己組織化分子修飾層で修飾されていない陽極層を使用した有機エレクトロルミネッセンスデバイスの輝度より高いことが分かる。また、自己組織化分子修飾層で修飾した陽極層を使用した有機エレクトロルミネッセンスデバイスの電流効率は、自己組織化分子修飾層で修飾されていない陽極層を使用した有機エレクトロルミネッセンスデバイスの電流効率より高いことも分かる。なお、本発明のより好ましい実施例に関する上記説明は、比較的詳細的なものであるが、本発明の特許請求の範囲に対する制限でならず、本発明の請求する範囲は、添付の特許請求の範囲に基づくものであると理解されるべきである。"