パワー半導体チップと、前記パワー半導体チップに形成された電極と、前記パワー半導体チップの近傍に形成された電極端子と、前記電極と前記電極端子とを電気的に接続するボンディングリボンと、前記電極及び前記電極端子に接続された接続部以外の前記ボンディングリボンの本体部分において、他の部分よりも厚みが薄く形成された部分が1箇所以上設けられている、パワー半導体装置。前記厚みが薄く形成された部分は、溝状であり、前記ボンディングリボンの、前記電極との接続部と前記電極端子との接続部の間に形成されている、請求項1記載のパワー半導体装置。前記電極は、複数形成されており、前記ボンディングリボンは、前記電極同士及び前記電極端子を電気的に接続し、前記厚みが薄く形成された部分は、溝状であり、前記ボンディングリボンの、それぞれの前記電極との複数の接続部の間に形成されている、請求項1記載のパワー半導体装置。前記厚みが薄く形成された部分の前記ボンディングリボンの幅は、前記他の部分の前記ボンディングリボンの幅より広い、請求項1記載のパワー半導体装置。パワー半導体チップの電極上にボンディングリボンを配置する電極配置工程と、前記ボンディングリボンに対して、ボンディングツールを介して前記パワー半導体チップの方向に荷重を加えながら、超音波振動を印加し、前記ボンディングリボンと前記電極とを電気的に接続する電極接続工程と、前記ボンディングリボンに荷重を加えながら超音波振動を印加し、圧延することにより、その前後の場所よりも厚みが薄い部分を形成する圧延工程と、前記パワー半導体チップの近傍に形成された電極端子上に前記ボンディングリボンを配置する電極端子配置工程と、前記ボンディングリボンに対して、ボンディングツールを介して前記パワー半導体チップの方向に荷重を加えながら、超音波振動を印加し、前記ボンディングリボンと前記電極端子とを電気的に接続する電極端子接続工程とを備えた、ボンディング方法。ボンディングリボンを収納するボンディングリボン収納部と、前記ボンディングリボン収納部から搬送された前記ボンディングリボンをパワー半導体チップの電極及び電極端子に固着し、電気的に接続する接合ヘッドと、前記ボンディングリボンの前記固着する部分以外の部分を圧延する圧延ツールとを備えた、ボンディング装置。パワー半導体装置をより大電流に対応させるためには、リボンの幅あるいは厚みを大きくし、断面積を大きくする必要がある。しかしコスト低減のため、半導体ウエハからの取得数を向上させようとすると半導体電極を小さくする必要がある。これは超音波等の荷重がかかる半導体電極直下には、素子を形成することができないため、半導体電極を小さくできれば、半導体チップの外形寸法が小さくできるからである。面積が小さくなった半導体電極にボンディングを行うためには、リボンの幅を小さくしなければならないが、リボンの幅を小さくすると電流量を上げるためには厚さを厚くする必要が生じる。リボンの厚さを厚くするとリボンの剛性が高くなる。製造時において、スプールに巻かれたリボンを用いる場合、図19に示したように、ループを形成することになるが、リボンの剛性が高くなると、安定したループ形成が困難になり、製造し難くなる。さらに信頼性の観点からは、リボンの剛性が高くなると、半導体チップ、リードフレームの熱膨張差から生じる応力がリボンにかかる際、リボンの接続部分に応力が集中することとなり、接続信頼性が低下するという課題が生じる。本発明は、上記従来の課題を考慮し、接続信頼性が向上した、又は容易に製造可能なパワー半導体装置、ボンディング方法およびボンディング装置を提供することを目的とする。上記従来の課題を解決する為に、第1の本発明は、パワー半導体チップと、前記パワー半導体チップに形成された電極と、前記パワー半導体チップの近傍に形成された電極端子と、前記電極と前記電極端子とを電気的に接続するボンディングリボンと、前記電極及び前記電極端子に接続された接続部以外の前記ボンディングリボンの本体部分において、他の部分よりも厚みが薄く形成された部分が1箇所以上設けられている、パワー半導体装置である。第2の本発明は、前記厚みが薄く形成された部分は、溝状であり、前記ボンディングリボンの、前記電極との接続部と前記電極端子との接続部の間に形成されている、第1の本発明のパワー半導体装置である。第3の本発明は、前記電極は、複数形成されており、前記ボンディングリボンは、前記電極同士及び前記電極端子を電気的に接続し、前記厚みが薄く形成された部分は、溝状であり、前記ボンディングリボンの、それぞれの前記電極との複数の接続部の間に形成されている、第1の本発明のパワー半導体装置である。第4の本発明は、前記厚みが薄く形成された部分の前記ボンディングリボンの幅は、前記他の部分の前記ボンディングリボンの幅より広い、第1の本発明のパワー半導体装置である。第5の本発明は、パワー半導体チップの電極上にボンディングリボンを配置する電極配置工程と、前記ボンディングリボンに対して、ボンディングツールを介して前記パワー半導体チップの方向に荷重を加えながら、超音波振動を印加し、前記ボンディングリボンと前記電極とを電気的に接続する電極接続工程と、前記ボンディングリボンに荷重を加えながら超音波振動を印加し、圧延することにより、その前後の場所よりも厚みが薄い部分を形成する圧延工程と、前記パワー半導体チップの近傍に形成された電極端子上に前記ボンディングリボンを配置する電極端子配置工程と、前記ボンディングリボンに対して、ボンディングツールを介して前記パワー半導体チップの方向に荷重を加えながら、超音波振動を印加し、前記ボンディングリボンと前記電極端子とを電気的に接続する電極端子接続工程とを備えた、ボンディング方法である。第6の本発明は、ボンディングリボンを収納するボンディングリボン収納部と、前記ボンディングリボン収納部から搬送された前記ボンディングリボンをパワー半導体チップの電極及び電極端子に固着し、電気的に接続する接合ヘッドと、前記ボンディングリボンの前記固着する部分以外の部分を圧延する圧延ツールとを備えた、ボンディング装置である。本発明によれば、容易に製造可能な、又は接続信頼性が向上したパワー半導体装置、ボンディング方法およびボンディング装置を提供することが出来る。以下、図面を参照して、本発明の一例である実施の形態について説明する。実施の形態1この実施の形態1は、本発明のパワー半導体装置の一例である。図1は、本発明にかかる実施の形態1におけるパワー半導体装置の平面構成図である。図2は、図1のAA ́間の断面構成図である。図1及び図2に示すように、本実施の形態1のパワー半導体装置は、半導体チップ1と、半導体チップ1が配置されているリードフレームダイパッド部3と、半導体チップ1とボンディングリボン6を介して電気的に接続されているリードフレームソース端子4と、半導体チップ1とAuワイヤ7を介して電気的に接続されているリードフレームゲート端子5とを備えている。上記半導体チップ1は、アルミニウム等の金属で形成されたソースパッド11を有しており、半導体チップ1の下にある素子への接続を提供する。また、半導体チップ1は、ゲートパッド12を有している。半導体チップ1は、実施の形態1では、パワーMOSFETなどのパワー半導体デバイスの一部分である。そして、半導体チップ1は、リードフレームダイパッド部3に、例えば半田またはAg等のフィラとエポキシ等からなるペーストである導電性接着剤16によって固定されている。樹脂パッケージ2が、半導体チップ1を外部素子から保護する。本実施の形態のパッケージの例としては、半導体パッケージは、TO-220あるいはSO-8パッケージである。上記Auワイヤ7は、リードフレームゲート端子5のゲートポスト15と半導体チップ1のゲートパッド12を電気的に接続している。又、上記ボンディングリボン6は、断面形状が長方形であり、ソースパッド11とリードフレームソース端子4のソースポスト14を電気的に接続している。そして、ボンディングリボン6は、ソースパッド11と接続されている接続部61と、リードフレームソース端子4のソースポスト14と接続されている接続部63を有している。この接続部61と接続部63では、後述するように作製時に超音波振動が印加されているため、ボンディングリボン6の厚みが薄くなっている。そして、ボンディングリボン6には、接続部61と接続部63の間であって、図中上側の面半導体チップ1が配置されている反対側の面に、厚みが薄い部分である薄厚部分62が形成されている。この薄厚部分62は、接続部61と接続部63の間に形成されている。すなわち、ボンディングリボン6の接続部61と接続部63を除いた本体部分64において、他の部分よりも厚みが薄い部分である薄厚部分62が形成されている。尚、ボンディングリボン6は、材料としては、銅などの他の導電性金属も適切であるが、アルミニウムが好適である。また、ボンディングリボン6の幅は、100μmから2000μmが好ましいが、それ以上にすることができる。尚、本実施の形態1では、幅は400μmに設定されている。ボンディングリボン6の厚さは、50μmから200μmが好ましいが、それ以上にすることができる。薄厚部分62の厚みは、20μmから60μmが好適である。20μmより薄くなると、応力緩和には優れるが、強度が低くなるためにその部分が破断しやすくなることがある。さらに薄厚部分62を形成するとき、ボンディングリボン6の幅方向の両端部に亀裂が発生し、この亀裂が両端部から内側に進行してボンディングリボン6が断線することがある。また、薄厚部分62の厚みが60μm以上の場合、応力緩和効果が低減される。ただし図3に示すパワー半導体装置のボンディングリボン600のように薄厚部分621、622、623を複数形成することで、厚みが60μm以上であっても十分な応力緩和効果を持たすこともできる。図1及び図2では、ボンディングリボン6の厚さは100umであり、薄厚部分62の厚さは50μmである。又、図3では、ボンディングリボン6の厚さは200umであり、薄厚部分621、622、623の厚さは100μmである。尚、本発明のパワー半導体チップの一例は、本実施の形態の半導体チップ1に対応し、本発明の電極の一例は、本実施の形態のソースパッド11に対応する。本発明の電極端子の一例は、本実施の形態のリードフレームソース端子4に対応し、本発明の接続部の一例は、本実施の形態の接続部61、63に対応する。本発明の厚みが薄く形成された部分の一例は、本実施の形態の薄厚部分62に対応する。次に、本発明の実施の形態1に係るパワー半導体装置の半導体チップ上のソースパッドとリードフレームソース端子のボンディングリボンによる接続方法について図に基づいて説明するとともに、本発明のボンディング方法についても述べる。図4aから図4dは、本発明の実施の形態1に係るパワー半導体装置の半導体チップ上のソースパッドとリードフレームソース端子のボンディングリボンによる接続方法を示す模式断面図である。本実施の形態1のパワー半導体装置を製造するには、まず、図4aに示すように、Agペーストや半田などの導電性接着剤16を使用してリードフレームダイパッド部3上に半導体チップ1が搭載されるダイボンディング。次に、図4aに示すように、リボンガイド140から送り出されたボンディングリボン8の先端部が、半導体チップ1のソースパッド11上に位置決めされる。この工程が、本発明の電極配置工程の一例に対応する。位置決めした後、ウェッジツール100の圧着面100aがボンディングリボン8に圧接され、数W程度のエネルギーの超音波振動が印加される。これにより、ウェッジツール100の圧着面100aと接する領域のボンディングリボン8が潰されて、ボンディングリボン8が、ソースパッド11の表面にボンディングされる。この際、図4a、bに示すように、圧接し、超音波振動が印加されるため、厚みが薄い接続部61が形成される。また、この工程が、本発明の電極接続工程の一例に対応する。次に、ウェッジツール100をリードフレームソース端子4のソースポスト14上に移動させながら、図4bに示す圧延ツール120を用いて厚みの薄い薄厚部分62の形成が行われる。その際、ボンディングと同様に、数W程度のエネルギーの超音波振動を印加することで、容易に所望の厚みの薄い薄厚部分62を形成することができる。この工程が、本発明の圧延工程の一例に対応する。尚、図5aに示すように、圧延ツール120は、超音波を印加する超音波印加ツール120bと、それに対向するように配置された台座ツール120aを有している。そして、超音波印加ツール120bによって、台座ツール120aにボンディングリボン8を押し当てながら、超音波を印加することによって、ボンディングリボン8の圧延が行われる。次に、ウェッジツール100をソースポスト14上に移動させた後、ボンディングリボン8が、ソースポスト14上に位置決めされる。この工程が、本発明の電極端子配置工程の一例に対応する。続いて、図4cに示すように、ウェッジツール100の圧着面100aをボンディングリボン8に圧接し、上記と同様の方法でボンディングリボン8が、リードフレームソース端子4のソースポスト14の表面にボンディングされる。この工程が、本発明の電極端子接続工程の一例に対応する。続いて、図4dに示すように、ボンディングリボン8がカッター130で切断されることにより、ソースポスト14とソースパッド11をボンディングリボン6によって電気的に接続するリボンボンディング工程が完了する。尚、カッター130で切断される前の連続した状態のボンディングリボンが符号8で表され、切断された後のボンディングリボンが符号6で示されている。その後、ゲートパッド12と、リードフレームゲート端子5のゲートポスト15の間がAuワイヤ7によって接続され、樹脂によってパッケージされ、パワー半導体装置が作製される。本実施の形態では、ボンディングリボンに厚みの薄い部分が形成されていることで、信頼性の観点において、ボンディングリボンの厚みの薄い部分で応力を吸収することが可能となり、接続信頼性の低下を防止することができる。なお、ボンディングリボン8のボンディング工程とAuワイヤ7のボンディング工程は、上記と逆の順序で行うこともできるが、ボンディングリボンと比較してAuワイヤ7は細いため、容易にワイヤに傷を付けたり、切断したりする恐れもある。従って、ボンディングリボン8とAuワイヤ7のボンディング順序は、ボンディングリボン8のボンディング後にAuワイヤ7のボンディングを行うことが望ましい。上述したように、本実施の形態のボンディング装置は、リボンガイド140と、ウェッジツール100と、圧延ツール120とを備えている。この本実施の形態1のリボンガイド140は、本発明のボンディングリボン収納部の一例に対応し、本実施の形態のウェッジツール100の圧着面100a図4a参照に対応し、本実施の形態の圧延ツール120が、本発明の圧延ツールの一例に対応する。尚、本実施の形態のような圧延ツール120の構成に限らなくてもよく、図5bに示すように、台座ツール120aの代わりに超音波を印加する超音波印加ツール120bを配置し、超音波印加ツール120bで挟むような構成であってもよい。また、図5aに示す超音波印加ツール120bでは、その先端はRが形成された曲面に形成されているが、図5cに示す超音波印加ツール121bのように、先端が角形の形状であってもよい。しかしながら、ボンディングリボン6を出来るだけ傷つけないようにするためには、超音波印加ツール120bのようにRが形成された先端形状が好ましい。尚、圧延工程の条件はさまざまであるが、荷重としては、15から25N、超音波発振時間は50msから150msの範囲で所望の形状を得ることが出来た。実施の形態2次に、本発明にかかる実施の形態2におけるパワー半導体装置について説明する。尚、本発明にかかる実施の形態2におけるパワー半導体装置は、実施の形態1と基本的な構成は同じであるが、ソースパッドが2つ設けられているため、ボンディングリボンの形状が異なっている。そのため、本相違点を中心に説明する。尚、実施の形態1と同様の構成については同一の符号が付されている。図6は、本実施の形態2のパワー半導体装置の平面構成図である。図7は、図6のBB ́間の断面構成図である。図6及び図7に示すように、本実施の形態2のパワー半導体装置は、実施の形態1のソースパッド11に代えて、第1のソースパッド110aと第2のソースパッド110bを有している。そして、本実施の形態のボンディングリボン601は、第1のソースパッド110a、第2のソースパッド110b、及びソースポスト14を、この順に電気的に接続しており、第1のソースパッド110aと接続されている接続部610aと、第2のソースパッド110bと接続されている接続部610bと、ソースポスト14と接続されている接続部63を有している。これら接続部610a、610b、63では、作製時の接合する際に、圧接し、超音波が印加されているためボンディングリボン601の厚みが薄くなっている。そして、本実施の形態2のボンディングリボン601には、半導体チップ1が配置されている側と反対側の面に、厚みが薄い部分である薄厚部分632、634が形成されている。この薄厚部分632は、接続部610bと接続部63の間に設けられており、薄厚部分634は、接続部610bと接続部610aの間に設けられている。すなわち、ボンディングリボン601の接続部610a、610b、63以外の本体部分631には、2箇所の厚みが薄い薄厚部分632、634が形成されている尚、本発明の複数形成されている電極の一例は、本実施の形態の第1のソースパッド110aと第2のソースパッド110bに対応する。次に、本発明にかかる実施の形態2に係るパワー半導体装置の半導体チップ上のソースパッドとリードフレームソース端子のボンディングリボンによる接続方法について図に基づいて説明するとともに、本発明のボンディング方法の一例についても述べる。図8a~図8dは、本発明の実施の形態2に係るパワー半導体装置の半導体チップ上のソースボンディングパッドとリードフレームソース端子のボンディングリボンによる接続方法を示す模式断面図である。本実施の形態2のパワー半導体装置を製造するには、まず、図8aに示すように、Agペーストや半田などの導電性接着剤16を使用してリードフレームダイパッド部3上に半導体チップ1が搭載されるダイボンディング。次に、図8aに示すように、リボンガイド140から送り出されたボンディングリボン8の先端部が、半導体チップ1の第1のソースパッド110a上に位置決めされる。この工程が、本発明の電極配置工程の一例に対応する。位置決めした後、ウェッジツール100の圧着面がボンディングリボン8に圧接され、数W程度のエネルギーの超音波振動が印加される。これにより、ウェッジツール100の圧着面100aと接する領域のボンディングリボン8が潰されて、ボンディングリボン8が、第1のソースパッド110aの表面にボンディングされる。この際、図8bに示すように、圧接し、超音波振動が印加されるため、ボンディングリボン8に厚みが薄い接続部610aが形成される。この工程が、本発明の電極接続工程の一例に対応する。次に、ウェッジツール100を第2のソースパッド110b上に移動させながら、2個のソースパッド第1のソースパッド110a、及び第2のソースパッド110bの間のボンディングリボン8を引き伸ばし、ループが形成される部分において、図8bに示す圧延ツール120を用いて厚みの薄い薄厚部分634の形成が行われる。その際、ボンディングと同様に、数W程度のエネルギーの超音波振動を印加することで、容易に所望の厚みの薄い薄厚部分634を形成することができる。この工程が、本発明の圧延工程の一例に対応する。その後、図8cに示すように、第2のソースパッド110b上にボンディングリボン8の位置決めが行われる。この工程が、本発明の電極配置工程の一例に対応する。位置決め後、ウェッジツール100の圧着面100aをボンディングリボン8に圧接し、数W程度のエネルギーの超音波振動が印加される。この工程が、本発明の電極接続工程の一例に対応する。これにより、ウェッジツール100の圧着面100aのボンディングリボン8が潰されて、ボンディングリボン8が第2のソースパッド110bの表面にボンディングされる。このように、2個のソースパッド第1のソースパッド110a及び第2のソースパッド110bの間でボンディングリボン8にループ81を形成すると、ループ81の立ち上がりが非常に急峻になるために、ループ81が立ち上がる領域のボンディングリボン8に強い曲げ応力が加わる。ボンディングリボン8は、この強い曲げ応力がかかることにより、断線する場合もある。そのため、本発明の厚みが薄く形成された部分の一例に対応する薄厚部分634を形成することで、この曲げ応力を緩和することができ有効である。第2のソースパッド110b上にボンディングリボン8をボンディングした後、上記薄厚部分634を形成した方法と同様に薄厚部分632が形成される。この工程は、本発明の圧延工程の一例に対応する。続いて、ウェッジツール100をリードフレームソース端子4のソースポスト14上に移動させた後、ボンディングリボン8がソースポスト14上に位置決めされる。この工程が、本発明の電極端子配置工程の一例に対応する。そして、ウェッジツール100の圧着面100aをボンディングリボン8に圧接し、実施の形態1の図4cと同様に、ボンディングリボン8がソースポスト14の表面にボンディングされる。この工程が、本発明の電極端子接続工程の一例に対応する。続いて、図8dに示すように、ボンディングリボン8をカッター130で切断することにより、ソースポスト14と2個のソースパッド第1のソースパッド110a、及び第2のソースパッド110bをボンディングリボン8によって電気的に接続するリボンボンディング工程が完了する。尚、カッターで切断される前の連続した状態のボンディングリボンが符号8で表され、切断された後のボンディングリボンが符号601で示されている。その後、ゲートパッド12と、リードフレームゲート端子5のゲートポスト15の間がAuワイヤ7によって接続され、樹脂によってパッケージされ、パワー半導体装置が作製される。本実施の形態では、ボンディングリボンに、厚みの薄い部分が形成されていることで、製造時においてはループを安定して形成することが可能となり、信頼性の観点からはボンディングリボンの厚みの薄い部分で応力を吸収することが可能となり、接続信頼性の低下を防止することができる。尚、本実施の形態2では、ボンディングリボン601の接続部610a、610b、63以外の本体部分には、2箇所の厚みが薄い薄厚部分632、634が形成されているが、この数に限らず、更に厚みが薄い部分が形成されていても良い。図9は、接続部610a、610b、63以外の本体部分に、4箇所の薄厚部分632、634、635、636が形成されているボンディングリボン602を用いたパワー半導体装置の断面構成図である。図9に示すように、図7に示す状態に加えて、接続部63と薄厚部分632の間に、更に薄厚部分635が形成されており、接続部610bと薄厚部分632の間に、更に薄厚部分636が形成されている。本発明の構造及び比較例について信頼性試験を行った。サンプルとしては、図6及び図7で説明したリードフレームダイパッド部3上に搭載した半導体チップ1をモールド樹脂で封止した小型面実装パッケージであり、その外形寸法は、長辺=6.1mm、短辺=5.3mm、厚さ=0.8mmである。この半導体チップ1の平面形状は、長辺=2.0mm、短辺=1.6mmの長方形である。また、2個のソースパッド第1のソースパッド110a、第2のソースパッド110bのそれぞれの平面形状は、長辺=1.72mm、短辺=0.425mmの長方形であり、ゲートパッド12の平面形状は、1辺=0.12mmの正方形である。下記表1に示すように、実施例1~6、及び比較例1~3として、ボンディングリボンの厚み、横幅、薄厚部分の厚み、薄厚部分の数を変更した小型面実装パッケージを用いて信頼性試験を行った。信頼性試験の条件は、-60°C、150°C各30分にさらす熱衝撃試験を1000サイクル行い、ボンディングリボンの亀裂破断等による特性の変化を試験前後で測定することで、不良を検出した。表1にボンディングリボンの形状及び試験結果を示す。上記実施例1~3では、ボンディングリボンの接続部以外の本体部分に1箇所だけ厚みが薄い薄厚部分が形成されたボンディングリボンが用いられる。このボンディングリボンは、図6、7に示すボンディングリボン601を用いて説明すると、薄厚部分634が形成されておらず、接続部63と接続部610bの間に薄厚部分632が形成されたものである。上記実施例4では、ボンディングリボンの接続部以外の本体部分に2箇所の厚みが薄い薄厚部分が形成されたボンディングリボンが用いられる。このボンディングリボンは、図6、7に示すボンディングリボン601のように、接続部63と接続部610bの間に薄厚部分632が形成されており、接続部610bと接続部610aの間に薄厚部分634が形成されたものである。上記実施例5、6では、ボンディングリボンの接続部以外の本体部分に3箇所の厚みが薄い薄厚部分が形成されたボンディングリボンが用いられる。このボンディングリボンは、図6、7に示すボンディングリボン601を用いて説明すると、接続部610bと接続部610aの間に薄膜部分634が形成され、接続部63と接続部610bの間に、薄厚部分632以外に更に1箇所薄厚部分が形成されたものである。又、図9のボンディングリボン902を用いて説明すると、薄膜部分635、632、636のうち1箇所が形成されていない構成となる。上記表1に示すように、比較例では信頼性試験により不良が発生しているが、実施例では信頼性が改善されていることがわかる。尚、上記実施の形態1、2における薄厚部分62、632、634は、ボンディングリボンの幅方向端面と垂直な方向に平行に形成されているが、これに限らず、図10a、bに示すようなボンディングリボン603の構成であってもよい。図10aは、実施の形態1の変形例のボンディングリボン603の平面構成図であり、図10bは、ボンディングリボン603の正面構成図である。図10a、bに示すボンディングリボン603のように厚みが薄い薄厚部分637が、幅方向に対して斜めに形成されていても良い。又、上記実施の形態1、2では、薄厚部分は、ボンディングリボンの半導体チップ1と対向する面の反対側の面に形成されているが、半導体チップ1側の面に形成されていてもよい。図11aは、このような実施の形態1の変形例のボンディングリボン604の平面構成図であり、図11bは、ボンディングリボン604の正面構成図である。図11a、bに示すように、ボンディングリボン604では、半導体チップ1と対向する側の面604uに、厚みが薄い薄厚部分638が形成されている。又、ボンディングリボンの表面のどちらか一方の面だけでなく、双方の面に厚みが薄い薄厚部分が形成されていても良い。図12aは、このような実施の形態1の変形例のボンディングリボン605の平面構成図であり、図12bは、ボンディングリボン605の正面構成図である。図12a、bに示すように、ボンディングリボン605では、半導体チップ1と対向する側の面605uに、薄厚部分638が形成されており、その反対側の面605aに、薄厚部分639が形成されている。又、上記実施の形態1、2では、ボンディングリボンの端から端まで、厚みが薄い部分が形成されていたが、これに限らず、図13a、bに示すボンディングリボン606の構成であってもよい。図13aは、実施の形態1の変形例のボンディングリボン606の平面構成図であり、図13bは、ボンディングリボン606の正面構成図である。図13a、bに示すボンディングリボン606では、接続部63、61以外の本体部分において、薄厚部分640が、一方の端606aから他方の端606bに向かって形成されているが、他方の端606bまでは形成されておらず、その他の部分と同じ厚みの部分670が残っている。このような場合、端606aから端606bまで形成されている構成と比較して応力が緩和される程度は小さくなるが、従来と比較すると応力が緩和されることになる。又、上記実施の形態1、2では、厚みが薄い薄厚部分は溝状に形成されていたが、徐々に厚みが薄くなるように形成されていても良い。図14は、ボンディングリボン607の正面構成図である。図14に示すように、ボンディングリボン607に形成されている厚みが薄い薄厚部分641は、周囲から徐々に厚みが薄くなるように形成されている。尚、実施の形態1の変形例として図11~図14を用いて説明したが、実施の形態2についても各変形例を適用可能である。実施の形態3本実施の形態3のパワー半導体装置は、実施の形態1と基本的な構造は同じであるが、厚みが薄い部分の形状が異なる。そのため、本相違点を中心に説明する。尚、実施の形態1と同様の構成については、同じ符号が付されている。図15は、本実施の形態3のパワー半導体装置の平面構成図である。図16は、図15のCC ́間の断面構成図である。図15及び図16に示すように、本実施の形態3では、実施の形態1におけるボンディングリボン6に代えて、ボンディングリボン608が設けられている。このボンディングリボン608は、ボンディングリボン6と同様に、接続部61と接続部63の間に厚みが薄い薄厚部分620が形成されているが、この薄厚部分620におけるボンディングリボンの幅が他の部分より広く形成されている。尚、本実施の形態の形状は、スプールに巻かれた状態のボンディングリボンでは困難であるため、あらかじめ所望の形状に加工されたクリップと言われる結線材料を用いることが好ましい。このクリップも本発明のボンディングリボンの一例に対応する。又、ボンディングリボン608は接続材料90を介して、ソースパッド11及びソースポスト14に接続されている。接続材料90としては、半田や導電性ペーストが用いられる。本実施の形態3では、半田材料を用いて接続が行われた。厚みが薄い薄厚部分を形成することで、信頼性が向上する反面その部分の電気抵抗、熱抵抗が上昇することとなるが、本実施の形態3の薄厚部分620のように、幅を広くすることでそれらの上昇を抑制することができる。尚、実施の形態2のように、厚みが薄い部分が複数形成されている場合には、それらの全ての部分において、幅が広くなるように構成されていても良い。以上のように、本発明にかかるパワー半導体装置は、厚みの厚いボンディングリボンを用いても信頼性の優れた構造となっているため、大電流に対応できるパワー半導体装置、ボンディング方法およびボンディング装置を提供することができる。