"炭化シリコン基板の表面をマスクして前記表面に開口部を規定する工程と、前記炭化シリコン基板内にp型ドーパントを、深いp型注入領域を形成する注入エネルギー及び注入量で前記開口部を通して注入する工程と、前記炭化シリコン基板内にn型ドーパントを、前記深いp型注入領域と比較して浅いn型注入領域を形成する注入エネルギー及び注入量で前記開口部を通して注入する工程と、前記深いp型ドーパントと前記浅いn型ドーパントとを1650°C未満でアニールする工程とを含んでいる炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記アニール工程は、約1500°C以上で1650°C未満の温度においてアニールする工程を含んでいる請求項1に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記アニール工程は、約1500°C以上で1650°C未満の温度において約5分から約30分間アニールする工程をさらに含んでいる請求項2に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記アニール工程に先立って、前記炭化シリコン基板の温度を約500°C未満の温度から約1400°Cまで約20分以上約60分未満の時間内に上昇する工程がある請求項1に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記アニール工程に先立って、前記炭化シリコン基板の温度を室温から1650°C未満のアニール温度まで約30分以上で約100分未満の時間内に上昇する工程がある請求項1に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記アニール工程に先立って、前記炭化シリコン基板の温度を、室温から1650°C未満のアニール温度まで、前記炭化シリコン基板内の欠陥のアニールを抑制するために十分急速に上昇させる工程がある請求項1に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記炭化シリコン基板の温度を上昇させる工程は、前記炭化シリコン基板の温度を、室温から1650°C未満のアニール温度まで、前記炭化シリコン基板内の欠陥のアニールを抑制するために十分急速に非線形的に上昇させる工程を含んでいる請求項6に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記アニール工程に続いて、前記炭化シリコン基板の温度を約1500°Cより低い温度まで急速に低下させる工程がある請求項1に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記炭化シリコン基板の温度を急速に低下させる工程は、前記炭化シリコン基板の温度を、1650°C未満のアニール温度から1500°Cより低い温度まで2分未満内に低下させる工程を含んでいる請求項8に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記1650°C未満におけるアニール工程は、前記深いp型注入領域を前記浅いn型注入領域を通って前記炭化シリコン基板の前記表面まで縦方向に拡散させることなく、前記深いp型注入領域を前記浅いn型注入領域を囲む前記炭化シリコンの前記表面に側方拡散させるのに十分な時間により実行される請求項1に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記p型ドーパントを注入する工程は、前記n型ドーパントを注入する工程に先行する請求項1に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記n型ドーパントを注入する工程は、前記p型ドーパントを注入する工程に先行し、前記n型ドーパントを電気的に活性化させる工程が、前記n型ドーパントを注入する工程と前記p型ドーパントを注入する工程との間に実行される請求項1に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記p型ドーパントを注入する工程は、前記炭化シリコン基板内にp型ドーパントを、深いp型注入領域を形成するため複数の注入エネルギー及び注入量で前記開口部を通して注入する工程を含み、前記n型ドーパントを注入する工程は、前記炭化シリコン基板内にn型ドーパントを、前記深いp型注入領域と比較して浅いn型注入領域を形成する複数の注入エネルギー及び注入量で前記開口部を通して注入する工程を含んでいる請求項1に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記p型ドーパントを注入する工程は、前記炭化シリコン基板内にホウ素を前記開口部を通して注入して深いp型注入領域を形成する工程を含み、前記n型ドーパントを注入する工程は、前記炭化シリコン基板内に窒素を前記開口部を通して注入して前記深いp型注入領域と比較して浅いn型注入領域を形成する工程を含んでいる請求項13に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記p型ドーパントを注入する工程は、前記炭化シリコン基板内にベリリウムを前記開口部を通して注入して深いp型注入領域を形成する工程を含み、前記n型ドーパントを注入する工程は、前記炭化シリコン基板内に窒素を前記開口部を通して注入して、前記深いp型注入領域と比較して浅いn型注入領域を形成する工程を含んでいる請求項13に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記側方拡散したp型注入領域に電気的に接触するアルミニウムウェルを前記炭化シリコン基板の前記表面に形成する工程をさらに含んでいる請求項10に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記側方拡散したp型注入領域とは空間的に隔たった位置にn型ドーパントを前記炭化シリコン基板の前記表面に注入してドレイン領域を規定する工程と、前記側方拡散したp型注入領域に前記表面において接触するゲート絶縁領域を前記炭化シリコン基板の前記表面上に形成する工程と、ソースコンタクトを前記アルミニウムウェル上に、ドレインコンタクトを前記ドレイン領域上に、そしてゲートコンタクトを前記ゲート絶縁領域上に、前記浅いn型注入領域上においてそれぞれ形成して、横型MOSFETを形成する工程とをさらに含んでいる請求項10に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記側方拡散したp型注入領域に前記表面において接触するゲート絶縁領域を前記炭化シリコン基板の前記表面上に形成する工程と、ソースコンタクトを前記アルミニウムウェル上に、ドレインコンタクトを前記ソースコンタクトと対向する前記炭化シリコン基板の第2の表面上に、そしてゲートコンタクトを前記ゲート絶縁領域上に、前記浅いn型注入領域上にそれぞれ形成して、それにより縦型MOSFETを形成する工程とをさらに含んでいる請求項10に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記アルミニウムウェルを形成する工程は、前記浅いn型注入領域まで拡がり前記側方拡散したp型注入領域に電気的に接触するアルミニウムウェルを前記炭化シリコン基板の前記表面に形成する工程を含んでいる請求項16に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記アルミニウムウェルを形成する工程は、前記側方拡散したp型注入領域の外側かつ前記側方拡散したp型注入領域と電気的に接触するアルミニウムウェルを前記炭化シリコン基板の前記表面に形成する工程を含んでいる請求項16に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。炭化シリコン基板の表面をマスクして前記表面に開口部を規定する工程と、前記炭化シリコン基板内にp型ドーパントを、深いp型注入領域を形成する注入エネルギー及び注入量で前記開口部を通して注入する工程と、前記炭化シリコン基板内にn型ドーパントを、前記深いp型注入領域と比較して浅いn型注入領域を形成する注入エネルギー及び注入量で前記開口部を通して注入する工程と、前記炭化シリコン基板の温度を室温から1650°C未満の温度まで約30分以上約100分未満の時間内に上昇させる工程と、前記深いp型注入領域及び前記浅いn型注入領域をアニールする工程とを含んでいる炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記炭化シリコン基板の温度を上昇させる工程は、前記炭化シリコン基板の温度を約500°C未満から約1400°Cまで約20分以上約60分未満の時間内に上昇させる工程を含んでいる請求項21に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記炭化シリコン基板の温度を上昇させる工程は、前記炭化シリコン基板の温度を室温から1650°C未満の温度まで約30分以上約100分未満の時間内に線形的または非線形的に上昇させる工程を含んでいる請求項21に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記アニール工程は、前記深いp型注入領域及び前記浅いn型注入領域を1650°C未満の温度でアニールする工程を含んでいる請求項21に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記アニール工程は、約1550°C以上で1650°C未満の温度でアニールする工程を含んでいる請求項24に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記アニール工程は、約1550°C以上で1650°C未満の温度で約5分から約30分間アニールする工程をさらに含んでいる請求項25に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記アニール工程は、前記深いp型注入領域を前記浅いn型注入領域を通って前記炭化シリコン基板の前記表面まで縦方向に拡散させることなく、前記深いp型注入領域を前記浅いn型注入領域を囲む前記炭化シリコンの表面に側方拡散させるのに十分な時間により実行する請求項21に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記アニール工程に続いて、前記炭化シリコン基板の温度を、約1500°C未満の温度まで急速に低下させる工程がある請求項21に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記炭化シリコン基板の温度を急速に低下させる工程は、前記炭化シリコン基板の温度を1650°C未満のアニール温度から約1500°Cより低い温度まで約2分未満内に低下させる工程を含んでいる請求項28に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記p型ドーパントを注入する工程に先立って、前記n型ドーパントを注入する工程がある請求項21に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記n型ドーパントを注入する工程は、前記p型ドーパントを注入する工程に先行し、前記n型ドーパントを電気的に活性化させる工程が、前記n型ドーパントを注入する工程と前記p型ドーパントを注入する工程との間で実行される請求項21に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記p型ドーパントを注入する工程は、前記炭化シリコン基板内にp型ドーパントを、深いp型注入領域を形成する複数の注入エネルギー及び注入量で前記開口部を通して注入する工程を含み、前記n型ドーパントを注入する工程は、前記炭化シリコン基板内にn型ドーパントを、前記深いp型注入領域と比較して浅いn型注入領域を形成する複数の注入エネルギー及び注入量で前記開口部を通して注入する工程を含んでいる請求項21に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記p型ドーパントを注入する工程は、前記炭化シリコン基板内にホウ素を前記開口部を通して注入して深いp型注入領域を形成する工程を含み、前記n型ドーパントを注入する工程は、前記炭化シリコン基板内に窒素を前記開口部を通して注入して前記深いp型注入領域と比較して浅いn型注入領域を形成する工程を含んでいる請求項32に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記p型ドーパントを注入する工程は、前記炭化シリコン基板内にベリリウムを前記開口部を通して注入して深いp型注入領域を形成する工程を含み、前記n型ドーパントを注入する工程は、前記炭化シリコン基板内に窒素を前記開口部を通して注入して前記深いp型注入領域と比較して浅いn型注入領域を形成する工程を含んでいる請求項32に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記側方拡散したp型注入領域に電気的に接触するアルミニウムウェルを前記炭化シリコン基板の前記表面に形成する工程をさらに含んでいる請求項27に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記側方拡散したp型注入領域とは空間的に隔たった位置にn型ドーパントを前記炭化シリコン基板の前記表面に注入して、ドレイン領域を規定する工程と、前記側方拡散したp型注入領域に前記表面において接触するゲート絶縁領域を前記炭化シリコン基板の前記表面上に形成する工程と、ソースコンタクトを前記アルミニウムウェル上に、ドレインコンタクトを前記ドレイン領域上に、そしてゲートコンタクトを前記ゲート絶縁領域上に、前記浅いn型注入領域上にそれぞれ形成して、それにより横型MOSFETを形成する工程とをさらに含んでいる請求項35に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記炭化シリコン基板の前記表面上に、前記側方拡散したp型注入領域に前記表面において接触するゲート絶縁領域を形成する工程と、ソースコンタクトを前記アルミニウムウェル上に、ドレインコンタクトを前記ソースコンタクトと対向する前記炭化シリコン基板の第2の表面上に、そしてゲートコンタクトを前記ゲート絶縁領域上に、前記浅いn型注入領域上においてそれぞれ形成して、それにより縦型MOSFETを形成する工程とをさらに含んでいる請求項35に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記アルミニウムウェルを形成する工程は、前記浅いn型注入領域まで拡がり前記側方拡散したp型注入領域に電気的に接触するアルミニウムウェルを、前記炭化シリコン基板の前記表面に形成する工程を含んでいる請求項35に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。前記アルミニウムウェルを形成する工程は、前記側方拡散したp型注入領域の外側かつ前記側方拡散したp型注入領域と電気的に接触するアルミニウムウェルを、前記炭化シリコン基板の前記表面に形成する工程を含んでいる請求項35に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。これらの潜在的な利点にもかかわらず、炭化シリコン内にMOSFETを含むパワーデバイスを製造することは困難である。例えば、すでに述べた二重拡散型MOSFETDMOSFETは一般に、pベース領域がnソースよりも深く形成される二重拡散処理を使用してシリコン内に製造される。不幸にも、炭化シリコン中では、従来のp型及びn型ドーパントの拡散係数はシリコンと比較して小さく、そのために受け入れ可能な拡散時間と温度を使用してpベース領域とnソース領域の必要とされる深さを得ることは困難な場合がある。イオン注入をpベースとnソースをインプラントするために使用することもできる。例えば、1997年3月に発行されたIEEE電子デバイスレター第18巻第3号の93-95ページIEEEElectronDeviceLettersVol18No3March1997pp93-95に記載されたShenoyらによって著された6H-SiCにおける二重注入された高電圧パワーMOSFETHigh-VoltageDouble-ImplantedPowerMOSFETsin6H-SiCを参照されたい。しかしながら、イオン注入された領域の深さと横方向の拡張を制御することは困難なことがある。さらに、ソース領域を囲む表面チャネルを形成する必要において2つの別々の注入マスクが使用されることが要求されるかもしれない。そのときpベースとソース領域を互いに重ねあわせることは困難かもしれず、それによりデバイス性能に対して潜在的な影響がある可能性がある。1998年1月22日に公開されたPCT国際特許出願番号WO98/02916は、電圧制御された半導体デバイスを製造するため、ドープされたp型チャネル領域層であって、炭化シリコン層内にドープされたn型領域をこのp型チャネル領域層の横方向に互いに反対側に有するものを形成するための方法を説明している。マスク層は軽くn型にドープされた炭化シリコンの最上部に適用される。一つの開口部アパーチャが炭化シリコン層まで拡がるマスク層にエッチングされる。n型ドーパントが、その開口部によって規定された炭化シリコン層領域に注入されることにより、その領域下において炭化シリコン層の表面近傍層surface-nearlayer内にn型の高いドーピング濃度が実現される。炭化シリコン内にそのn型ドーパントよりもかなり高い拡散速度を有するp型ドーパントが、その表面近傍層のドーピング型が維持される程度に前記開口部によって規定される領域に注入される。次いで炭化シリコン層は、前記表面近傍層に注入されたp型ドーパントが軽くn型にドープされた炭化シリコン層を囲む領域中において、p型ドーパントが、その中で優位を占めるチャネル領域層が横方向に前記高くドープされたn型の表面近傍層に、かつ、この層と炭化シリコン層の軽くn型にドープされた領域との間に生成される程度に、拡散する温度で加熱される。この国際特許出願の記述では、加熱は1650°Cより高く1800°Cより低い温度にて実行されている。本発明は、炭化シリコン基板の表面をマスクしてその表面に開口部を規定し、炭化シリコン基板内にp型ドーパントを深いp型注入領域deepp-typeimplantを形成するための注入エネルギーimplantationenergyと注入量dosageで前記開口部を通して注入implantし、炭化シリコン基板内にn型ドーパントを前記深いp型注入領域と比較して浅いn型注入領域shallown-typeimplantを形成する注入エネルギーと注入量で前記開口部を通して注入することによって、炭化シリコンパワーデバイスを製造する方法を提供する。本発明によれば、前記深いp型注入領域と前記浅いn型注入領域は1650°C未満で、しかし好ましくは1500°C以上の温度でアニールされる。前記アニールは好ましくは約5分から約30分の間の時間の間で行われる。約1500°C以上の温度で、しかし1650°C未満でアニールすることによって、縦方向に前記深いp型注入領域を前記浅いn型注入領域を通って炭化シリコン基板の表面まで拡散させることなく、前記深いp型注入領域が横方向に前記浅いn型注入領域を囲む炭化シリコン基板の表面まで拡散することが見出されている。本発明のもう1つの側面によれば、室温からアニール温度へのランプアップramp-up時間も制御される。特に、アニールに先だって、炭化シリコン基板の温度は、約500°C未満から約1400°Cまで、約20分以上約60分以下の時間内で増大させられる。特に、炭化シリコン基板の温度は、室温から1650°C未満のアニール温度まで、30分以上100分以下の時間内に増大させられる。こうして、炭化シリコン基板の温度は、深いp型注入領域が炭化シリコン基板の表面に向かって浅いn型注入領域を通過して縦方向に拡散することなく、浅いn型注入領域を囲む炭化シリコン基板の表面への側面拡散を防げる。炭化シリコン基板内の欠陥のアニールを抑えるのに十分な速さで増大される。浅いn型注入領域を囲む炭化シリコン基板の表面に側方への拡散を防止することを可能とする。本発明のもう1つの側面によれば、アニール後のランプダウンramp-down時間が、好ましくは拡散したp型注入領域を維持するよう制御されることもさらに見出されている。特に、炭化シリコン基板の温度はアニール後に約1500°C未満まで急速に減少させられる。またさらに、炭化シリコンの温度は約2分以内でアニール温度から約1500°C未満まで減少させられる。こうして、ランプアップ時間を制御することにより、アニール時間や温度やランプダウン時間を制御することによって、高性能炭化シリコンパワーデバイスが製造できる。p型ドーパントを注入する工程はn型ドーパントを注入する工程に先だって実行されてよいことは理解されよう。代わりに、n型ドーパントを最初に注入し、次いで、例えばアニールによって、電気的に活性化してもよい。次いでp型ドーパントを注入してもよい。炭化シリコンに対するn型ドーパントは一般に窒素を含み、そして炭化シリコンに対するp型ドーパントはホウ素boronまたはベリリウムberylliumを含んでよいことも理解されよう。ベリリウムは現在のところ本発明の深いp型注入領域にとって好ましい。その理由は、ベリリウムは、炭化シリコン基板と階段型接合abruptjunctionを作りつつ、深く注入できるからである。本発明のもう一つの側面によれば、アルミニウムウェルaluminumwellを任意に選択的に炭化シリコン基板の表面において注入し、側方拡散したp型注入領域laterallydiffusedp-typeimplatntに電気的に接触するように形成できる。アルミニウムウェルは側方拡散したp型注入領域と電気的に接触するよう浅いn型注入領域を通って拡がるようにしてもよい。代わりに、アルミニウムウェルは、側方拡散したp型注入領域の外側に形成され、それに電気的に接触してよい。アルミニウムウェルは、浅い注入領域と深い注入領域が注入された後または前に注入されてよいことは理解されよう。本発明によれば、横型MOSFETlateralMOSFETは、炭化シリコン基板の表面にn型ドーパントをドレイン領域を規定するために側方拡散したp型注入領域から空間的に離して注入することによって製造できる。側方拡散したp型注入領域に炭化シリコン基板の表面において接触するゲート絶縁領域が炭化シリコン基板の表面上に形成される。ソースコンタクト、ドレインコンタクト、ゲートコンタクトは、浅いn型注入領域上及びアルミニウムウェル上と、ドレイン領域上と、そしてゲート絶縁領域上とにそれぞれ形成される。本発明によれば縦型MOSFETverticalMOSFETを、側方拡散したp型注入領域に炭化シリコン基板の表面において接触するゲート絶縁領域を炭化シリコン基板の表面上に形成することによって形成できる。ソースコンタクトと、ドレインコンタクトと、ゲートコンタクトとは、浅いn型注入領域上及びアルミニウムウェル上と、ソースコンタクトと対向する炭化シリコンの第2の表面上と、そしてゲート絶縁領域上とにそれぞれ形成されてもよい。こうして、ランプアップ時間、アニール時間や温度やランプダウン時間を制御することによって、高性能炭化シリコンパワーデバイスが製造できる。以下、図面を参照しながら本発明の好ましい実施の態様について詳細に説明する。しかしながら本発明は、多くの異なった形態で実施されてよく、以下に説明される実施態様に限定されたものとして構成されるべきではない。むしろこれらの実施態様は本開示が徹底しておりかつ完全なものとなるように提供され、そして本発明の請求の範囲を当業者に明らかにするものである。図面では、層と領域の厚さは分かりやすくするために誇張されている。全体にわたり類似の符号が類似の要素に付与されている。層、領域または基板といった要素は他の要素の上に存在しているものとして引き合いに出されるとき、それはその他の要素の直接上に存在するか、あるいは介在要素が存在していてもよいことは理解されよう。それと対照的に、要素が他の要素の直接上に存在しているものとして引き合いに出されるとき、介在要素は一切存在しない。以下、図1Aから図1Gを参照して、本発明による一対の横型パワーMOSFETの製造方法について説明する。横型パワーMOSFETは自己整合型注入及び拡散を使用するため、炭化シリコンの横型パワーMOSFETは横方向注入拡散型MOSFETあるいはLIDMOSFETLateralImplantedDiffusedMOSFETとも呼ばれている。図1Aを参照すると、半絶縁性基板である基板100は、その上にnドリフト領域n-driftregion102を具備している。当業者であれば、基板100はドープされたまたはドープされていない炭化シリコンあるいは炭化シリコンに格子整合するどれか他の素材ガリウム窒化物に限定されないを含んでよいことは理解されよう。基板100は、好ましくは基板100を介在して隣接するデバイス間の縦方向の伝導性を抑制するために、半絶縁的semi-insulatingである。nドリフト領域102は、エピタキシャル堆積epitaxialdeposition、イオン注入または他の従来技術により形成されてよい。基板100とnドリフト領域102の組合せもまとめて基板と呼ばれてよいことは理解されよう。nドリフト領域102は、約1012cm-3から約1017cm-3までのキャリア濃度を有してよく、約3μmから約500μmまでの厚さを有してよい。基板100は100μmから約500μmの厚さを有してよい。基板100とnドリフト領域102の製造法は当業者によく知られていて、ここではこれ以上説明される必要はない。次に図1Bを参照すると、第1のマスク104はnドリフト領域102の表面102a上でパターン形成される。第1のマスク104は二酸化シリコンまたは他の従来のマスク素材で形成されてよい。図1Bに示されているように、第1のマスク104は、nドリフト領域102の表面102aの一部を露出する開口部を規定する。同じく図1Bに示されているように、p型イオン、好ましくはアルミニウムイオン106が、選択的に表面102aを通して、ドリフト領域102に注入され、それにより、ドリフト領域102内に選択的なpウェル108を形成する。後で説明されるが、pウェル108はp型拡散領域とオーム接触する。その後、第1のマスク104は除去される。次に図1Cを参照すると、二酸化シリコンまたは他の従来のマスク素材で形成された第2のマスク112がnドリフト領域102上でパターン形成され、そのドリフト領域上に開口部114aと114bから成る第1の対が確定される。その対に属するそれぞれの開口部はpウェル108のそれぞれの対向する側にある。次いで、ホウ素あるいはベリリウムイオンのようなp型ドーパント116が前記一対の開口部114aと114bを通してnドリフト領域102内に注入され、pウェル108と対向する側に一対の深いp注入領域118aと118bが形成される。後で説明されるが、ベリリウムは深いp注入領域にとって好ましい。なぜならベリリウムはドリフト領域102と階段型接合を形成することができるからである。深いp注入領域118aと118bは単一の注入エネルギー及び注入量を使用して、例えばホウ素イオンを180keVのエネルギーと4×1015cm-2の注入量において注入して約1016cm-3のキャリア濃度を実現することによって、形成されてよいことは理解されよう。ベリリウムも40keVのエネルギーと3.2×1015cm-2の注入量において注入できる。代わりに、複数の注入量やエネルギーが使用されてもよい。図1Dを参照すると、第2のマスク112は除去されず、そして窒素のようなn型イオン122が第1及び第2の開口部114a及び114bを通して注入され、一対の浅いn注入領域124a、124bが形成される。後に記述されるように、単一あるいは複数の注入が使用されてよい。約1018cm-3より大きなキャリア濃度を具備してもよい。同じ第2のマスク112が図1Cの深いp注入領域と図1Dの浅いn注入領域に対して使用されるので、これらの注入領域は互いに自己整合され得ることは理解されよう。次に図1Eを参照すると、第2のマスク112は除去され、そして第3のマスク126が形成される。図1Eに示されているように、この第3のマスクは二酸化シリコンあるいは従来のマスク素材で形成されてよく、開口部の第2の対128a及び128bをドリフト領域102の表面102a上に規定する。開口部128a及び128bから成る第2の対はそれぞれの浅いn型注入領域124a及び124bから空間的に隔てられ、pウェル108とは反対の位置にある。なお図1Eを参照すると、窒素のようなp型ドーパントが前記開口部の第2の対128a及び128bを通してnドリフト領域102内に注入され、一対のドレイン領域134a、134bが形成される。その後、第3のマスク126が除去されてもよい。当業者であれば、図1B、図1C、図1Dと図1Eの工程の順序は変更されてよいことは理解されよう。従って、例えば、図1Bのpウェルは、図1Cの深いp注入領域118a、118bが形成された後に形成されてよく、また図1Dの浅いn注入領域124a、124bが形成された後に形成されてもよい。図1Bのpウェルは、図1Eのnドレイン領域134a、134bが形成された後に形成されてもよい。さらに、図1Cの深いp注入領域118a、118bは、図1Dの浅いn注入領域124a、124bが形成された後に形成されてもよい。この場合、アニールは、好ましくはマスクが耐えられn型ドーパントを電気的に活性化させるのに十分な温度と時間で、浅いn注入領域124a、124bが注入された後に実行される。図1Eのnドレイン領域134a、134bを、図1Dの浅いn注入領域124a、124b、図1Cの深いp注入領域118a、118bや図1Bのpウェル108が形成される前に形成してもよい。nドレイン領域134a、134bは図1Dの浅いn注入領域124a、124bと同時に形成されてもよい。もしnドレイン領域134a、134bが浅いn注入領域124a、124bと同時にインプラントされるなら、開口部の第2の対128a、128bを同時注入を可能にするために第2のマスク112に形成することができる。次に図1Fを参照すると、アニールは、深いp型注入領域118a、118bを横方向へそれぞれの浅いn型注入領域124a、124bを囲む炭化シリコン基板の表面102aまで拡散させるのに十分で、それぞれの深いp型注入領域を縦方向にそれぞれの浅いn型注入領域124a、124bを通って、炭化シリコン基板の表面まで拡散させることのない温度と時間で実行される。例えば好ましくは、深いp型注入領域の浅いn型注入領域124a、124b内への、その浅いn型注入領域124a、124bの厚さの5未満までの縦方向の拡散が生じる。アニールは、例えば5分間1600°Cにおいて生じて深いp型注入領域を約1μmだけ拡散させる。しかしながら、他のアニール時間と温度を使用することもできる。例えば、約1500°C~約1600°Cの間のアニール温度と約1分~約30分の間のアニール時間とにより、ホウ素を深いp型注入領域から縦及び横方向へ約0.5μm~3μm間の距離まで拡散させうることを利用してもよい。したがって、一対のp拡散領域136a、136bは、pドーパントを深いp注入領域118a、118bから矢印142に示されているように縦方向へ表面102aから離れるように拡散させ、かつ矢印144で示されているように横及び縦方向に表面102aに向かって拡散させることによって形成することができる。同じく矢印144によって示されているように、側方拡散lateraldiffusionは、浅いn注入領域124a、124bの周りに、pウェル108とは反対のドリフト領域の表面102aへ拡散する。領域136cによって示されているように、pウェル108内への側方拡散も、さらにオーム接触を改善させるために生じさせることができる。最後に、図1Gを参照すると、絶縁されたゲートコンタクトと、ソースコンタクトと、ドレインコンタクトとが構成される。例えば、ソースコンタクト146と一対の空間的に隔てられたドレインコンタクト147a、147bとは、ニッケルを層堆積blanketdepositさせ、その後、層堆積したニッケルをパターニングすることにより形成することができる。ソースコンタクト146は図1GにおいてSでラベルされ、ドレインコンタクト147a、147bは図1GにおいてD1とD2でラベルされている。図1Gに示されているように、このソースコンタクトは、浅いn注入領域124a、124b上及びpウェル108上に拡がる共通のソースコンタクトを提供する。ドレインコンタクト147a、147bは、nドレイン134a、134bに電気的にそれぞれ接触する。図1Gの説明を続けると、例えば、二酸化シリコンによる一対のゲート絶縁領域148a、148bは、nドリフト領域102の表面102a上に形成され、それぞれのゲート絶縁領域は、pウェル108に対抗しnドリフト領域102の表面まで側方拡散したp拡散領域136a、136bのそれぞれの部分に接触する。こうして、これらの領域は側方拡散したp型注入領域内で炭化シリコン基板の表面上に一対のチャネル領域150a、150bを形成する。その結果、ソース領域と並んだ自己整合チャネル領域が形成される。その後、一対のゲートコンタクト152a、152bが一対のそれぞれのゲート絶縁領域148a、148b上に形成される。ゲートコンタクトは、図1GにおいてG1とG2でラベルされ、ニッケルを含んでよい。図1Gにおいて記述された絶縁領域とコンタクトの形成は、説明された順序と異なった順序で実行されてよいことも理解されよう。例えば、ゲートコンタクト152a、152bは、ソースコンタクト146と、ドレインコンタクト147a、147bと同時に形成してもよい。好ましくは、ゲートコンタクト152a、152bは、ソースコンタクト146と、ドレインコンタクト147a、147bとを形成する前に形成してもよい。図2は、図1Gの完成したデバイスの平面図である。そこに示されているように、一対の共通ソース形LIDMOSFETが形成されている。一対の共通ソース形LIDMOSFETは、炭化シリコン基板上で複製して、一連のユニットセルを形成してもよい。さらに、もし共通ソースを含まないユニットセルが望ましいなら、図1A~図1Gの左半分または右半分を複製してもよい。次に図3A~図3Gを参照して、本発明による炭化シリコンの縦型パワーMOSFETsiliconcarbideverticalpowerMOSFETを形成する方法を説明する。これらの縦型パワーMOSFETは、注入と拡散を使用して製造されるので、それらはここでは炭化シリコン縦方向注入拡散型MOSFETsiliconcarbideVerticalImplantedDiffusedMOSFET:VIDMOSFETとも呼ばれる。図3Aを参照すると、そこには、nドリフト領域102を含む炭化ケイ素基板100’が与えられている。図3A~図3Gは基板を通しての導電性を有する縦型MOSFETの製造法を示しているので、基板100’は好ましくは周知技術を使用して製造されるn導電性炭化ケイ素基板である。n導電性炭化シリコン基板は、約1016cm-3~約1019cm-3の間のキャリア濃度を有してよい。nドリフト領域102も図1Aで説明されたように製造されてよい。n基板100’とnドリフト領域102との組合せもすでに述べたように基板と呼んでよいことも理解されよう。次に図3Bを参照すると、一対の空間的に隔てられたpウェル108a、108bは、炭化ケイ素基板の表面102aにおいてドリフト領域102内にインプラントされる。一対の空間的に隔てられたpウェル108a、108bは、図1Dに関連して説明されたような方法で一対の開口部を有する第1のマスク104’を使用して、ドリフト領域102の表面102aにインプラントされる。同じく説明されたように、pウェルは好ましくはアルミニウムイオン106を注入することによって形成される。当業者であれば、縦型炭化シリコンMOSFETは、一般に、ユニットセルが複製されることは理解されよう。したがって、ライン110aと110bの間のユニットセルは、図3B~図3Gと図4においてラベルされ説明される。説明を簡明にするため、ライン110aと110bの外側の複製されたユニットセルはラベルされないものとする。次に図3Cを参照すると、一対の開口部114a、114bが、一対のアルミニウムウェル108a、108bの間にこれらの開口部を形成するために修正された第2のマスク112’が使用されることを除き、図1Cに関連して説明されたように形成される。ホウ素イオン、より好ましくはベリリウムイオン116が、図1Cに関連して説明されたように深いp注入領域118a、118bを形成するために注入される。次に図3Dを参照すると、同じ第2のマスク112’を使用して、浅いn注入領域124a、124bが、図1Dに関連して説明されたように例えば窒素イオン122を使用してインプラントされる。図3Eを次に参照すると、アニールが図1Fに関連してすでに説明された方法で実行される。図3A~図3Gは、縦型MOSFETの製造を示しているので、図1Eに示されたような一対のnドレイン134a、134bの製造は省略されてよいことは理解されよう。pウェル108a、108b、深いp注入領域118a、118bと浅いn注入領域124a、124bを製造する順序は、図1Bから図1Fに関連してすでに説明されたように、変更されてよいことも理解されよう。次に図3Fを参照すると、例えばニッケルを含む一対のソースコンタクト146a,146bは、図1Gに関連して説明されたように浅いn型注入領域124a,124b上に形成され、そしてそれに隣接するpウェル108a,108b上に拡がる。ドレインコンタクト147は、nドリフト領域102とは反対の炭化シリコン基板100の表面上に形成される。ドレインコンタクト147も好ましくはニッケルを含む。最後に図3Gに示されているように、ゲート絶縁領域148は、ドリフト領域102の表面102aに形成され、それは炭化シリコン基板の表面へ拡散した、そのそれぞれがそれぞれの浅いn型注入領域を囲む深いp型注入領域136a,136bの間かつその上に拡がる。したがって、これらの領域は、浅いn型注入領域の間に炭化シリコン基板の表面102aにおいて、側方拡散したp型注入領域内に、一対のチャネル領域150a、150bを形成する。例えばニッケルを含むゲートコンタクト152が、ゲート絶縁領域148上に形成される。図1Gに関連して説明されたように、ゲート絶縁領域148及びソースコンタクトと、ドレインコンタクトと、ゲートコンタクトとの形成順序は変更されてもよい。図4は完成された構造物の平面図である。最下表面上のドレインコンタクトは示されていない。本発明による炭化シリコンパワーデバイスの製造に関する追加の議論が以下記述される。図1B~図1Gのpウェル108と図3B~図3Gのpウェル108a,108bは、25keVのエネルギーと2×1015cm-2の注入量におけるアルミニウムの第1の注入と、90keVのエネルギーと4×1015cm-2の注入量におけるアルミニウムの第2の注入とを使用して、室温または高温の注入により5×1020cm-3のキャリア濃度を有する深さ0.1μmのアルミニウムウェルを作り出すために形成することができる。図1C~図1Gと図3C~図3Gの深いp領域118a、118bは、ホウ素を450keVの第1のエネルギーと3.2×1014cm-2の注入量において、そして370keVの第2のエネルギーと1.5×1014cm-2の注入量において室温にて注入して、0.4μmから1.0μmまでの深さにおいて活性化した2×1018cm-3のドーパント濃度NAを作り出すことにより製造できる。浅いn型注入領域を囲む炭化シリコン基板の表面において2×1018cm-3の活性化したドーパント濃度NAも作り出される。最後に、図1D~図1Gと図3D~図3Gの浅いn注入領域124a、124bは、室温における窒素の4つの注入を使用して製造できる。第1の注入は、25keVのエネルギーと3×1014cm-2の注入量において実行される。第2、第3及び第4の注入は、それぞれ60keV,120keV及び200keVのエネルギーにて、そしてそれぞれ6×1014cm-2,8×1014cm-2及び1×1015cm-2にて実行されてよく、0μmから0.4μmまでの深さにおいて1×1020cm-3のキャリア濃度を有する浅いn領域が作り出される。5分間1600°Cのアニールの後に、図1Gと図3Gの基板表面102aにおいて幅0.3μmを有するチャネル領域150a,150bが作り出される。p拡散136a、136bの深さは、基板表面102aから1.5μm拡がっていてもよい。すでに説明されたように、ベリリウムは深いp注入領域にとって好ましい。なぜならベリリウムはドリフト領域102と階段型接合を形成することができるからである。図5と図6はそれぞれアニール後のホウ素とベリリウムの拡散を比較した図である。特に図5は、ホウ素が室温にて4H-SiC中に180keVのエネルギーと4×1015cm-2の注入量において注入され、2.3×1015cm-3のホウ素キャリア濃度が実現される場合の、深さに対するホウ素濃度を示している。アニールは10分間1500°Cにおいて行われる。図5に示されているように、アニールの後では、前述のように注入されたホウ素as-implantedboronは拡散して、濃度は次第に減少するのみである。それとは対照的に、図6に示されるように、ベリリウムは室温にて4H-SiC基板内に40keVのエネルギーと3.2×1015cm-2の注入量において注入され、1×1019cm-3のホウ素キャリア濃度が実現される。図6に示されているように、10分間1500°Cにおいてアニールが行われた後、前述のように注入されたベリリウムは比較的に一定のキャリア濃度で拡散し、その濃度は約1000nmにおいて急速に減少する。したがって、ベリリウムでは、ホウ素と比較してより深いより一様な拡散が、ドリフト領域と階段型接合を形成しながら生じる。図7はさらに、注入されたベリリウムのアニール中での拡散を示している。ベリリウムは図6に関して記述された条件下で注入される。図7に示されるように、アニール温度が、一定のアニール時間3分において1400°Cから1700°Cまで増大するに従って、拡散の深さが増加してもキャリア濃度は一様性を維持し、その後急激に減少する。したがって、ベリリウムはホウ素よりも好ましいかもしれない。次に図8には、1650°Cにおいて10分のアニール中での注入されたホウ素と窒素の拡散が示されている。図8では、ホウ素は室温にて180keVのエネルギーと4×1015cm-2の注入量において注入される。2つの窒素注入は、それぞれ25と60keVのエネルギー及び1.5×1014cm-2と2.5×1014cm-2の注入量において実行される。図8に示されているように、極めてわずかな窒素拡散が1650°Cにおける10分のアニールの間に生じる。しかしながら、相当量のホウ素拡散がこのアニールの間に生じる。しかしながら、ホウ素は浅い窒素注入領域から離れてもっと深く拡散するけれども、ホウ素はその浅い窒素注入領域を通って炭化シリコン基板の表面まで拡散しないということに注目すべきである。次に図9を参照して、本発明による、アニール時間を一定としてアニール温度を変動させた場合の拡散を説明する。ホウ素と窒素の注入条件は図8に関連して説明されたものである。図9に示されているように、注入された窒素と比較すると1600°Cでは窒素の極めてわずかな拡散しか生じない。しかしながら、1650°Cでは、窒素拡散が生じ始める。図9はまた、1500°Cまたは1600°Cにおいて、浅い窒素注入領域へのホウ素の極めてわずかなホウ素の拡散しか生じないことも示している。しかしながら、1650°Cでは、深いホウ素注入領域から浅い窒素注入領域への著しいホウ素拡散が生じる。したがって、アニールは、好ましくは1650°C未満、しかし好ましくは1550°C以上の温度で行われる。より好ましくは、アニールは約1600°Cで行われる。いかなる動作原理によって拘束されることは望まないが、1550°C未満の温度では、不十分な熱エネルギーが、実用的な時間内において、深いp型注入領域から浅いn型注入領域を囲む炭化シリコンの表面への拡散を可能にするように与えられることが考えられる。それとは対照的に、1650°Cを越える温度においては、深いp型注入領域が浅いn型注入領域を通る炭化シリコンの表面と縦方向に顕著に拡散する。この著しい縦方向拡散はデバイス性能を劣化させることがあり、また浅い窒素注入領域を囲む炭化シリコン基板の表面へ側方拡散して残存するホウ素量を減少させることもある。したがって、アニール温度は1550°C~1650°Cの間が好ましい。このことは、公開されたPCT国際特許出願WO98/02916においてアニール時間が1650°C~1800°Cの間で行われていることと、はっきりと対照的である。次に図10を参照すると、アニール時間もデバイス性能に対して重大な影響があり得ることも見出されている。特に、図10は、1600°Cにおいて5分間、10分間及び20分間のアニール中の注入されたホウ素及び窒素の拡散をグラフで示している。図10の注入条件は図8のそれと同一である。図10に示されているように、5分間1600°Cにおけるアニールでは、窒素は全く拡散せず、顕著でない量のホウ素が浅いn型注入領域内に拡散する。10分間のアニールでは、窒素の若干の縦方向の拡散とホウ素の浅い窒素注入領域内への若干の拡散とが存在するが、これらの量は著しくデバイス性能を劣化させるものではないであろう。それとは対照的に、20分間のアニールでは、ホウ素の浅い窒素注入領域への著しい縦方向の拡散が生じる。したがって、5分間~15分間の多様な温度が好ましいが、10分間のある1つの温度が最も好ましい。いかなる動作原理によっても拘束されることは望まないが、15分よりも長いアニール時間では、ホウ素の浅い窒素注入領域内への著しい拡散が、低いアニール温度でも生じることがあるということが考えられる。さらに、5分未満のアニール時間では、基板表面への側方拡散を満足するp拡散領域を形成するにはホウ素の深いp型注入領域からの拡散が不十分であることもある。次に図11を参照すると、アニール温度へのランプアップ時間は、ホウ素の深いp型注入領域から浅いn型注入領域への拡散に重大な影響を与える可能性があることも見出されている。特に、図11は、室温から1460°Cまで35分、40.3分及び48.1分であって1600°Cまで41分、46分及び55分のランプアップ時間を示している。図11の注入条件は図8のそれと同一で、アニールは1600°Cにおいて10分間実行される。図11に示されているように、55分のランプアップ時間では、深いホウ素注入領域から浅い窒素注入領域への極めてわずかな拡散しか生じない。それとは対照的に、46分のランプアップ時間では、ホウ素の深いp型注入領域から浅い窒素注入領域への著しい拡散が生じる。41分のランプアップ時間では、ずっとさらに多くの拡散が生じる。したがって、炭化シリコン基板の温度は、室温からアニール温度まで30分以上100分未満の時間内に好ましくは増大させられる。いかなる動作原理によっても拘束されることは望まないが、30分未満のランプアップ時間では、炭化シリコン基板中の欠陥のアニールが生じて、それによってホウ素は深いp型注入領域から浅いn型注入領域への拡散が可能になることが考えられる。この点に関して、500°C~1460°Cの間の温度を20分~60分の間の時間に制御することは、炭化シリコン基板の欠陥のアニールを抑制するためには最も重大であると思われる。500°C未満であればいかなる拡散が起きても非常に小さいためである。1400°Cからアニール温度の間の時間間隔は、1分~15分の間に好ましくは制御されるべきである。線形ランプアップが使用されてよいことは理解されよう。代わりに、非線形ランプアップが使用されてもよい。図12は、図11の35分、40.3分及び48.1分のランプアップ時間についての非線形ランプアップのプロファイルを示している。室温から1460°C及び1600°Cへの異なった傾斜が与えられている。最も好ましい実施態様では、55分のランプアップ時間、1600°Cのアニール温度、そして10分のアニール時間が使用される。本発明によれば、炭化シリコン基板の温度は、アニールが完了した後のさらなる拡散を抑制するために、急速に1500°C未満まで減少ランプダウンすべきであることも見出されている。好ましくは、炭化シリコン基板の温度は、2分未満でアニール温度から1500°C未満まで減少させられる。こうして、ランプアップ時間やアニール時間や温度やランプダウン時間を制御することによって、高性能炭化シリコンパワーデバイスが製造され得る。それ故に、自己整合したソースとpベース領域と一様なpチャネルとを備えた高性能炭化シリコンパワーデバイスが製造され得る。反転層は基板表面を横方向に横切るように形成できる。pベースの逆方向プロファイルretrogradeprofileによって注入されたnソースのより低い閾値電圧とより高い活性化を得てもよい。アルミニウムは、pベース領域に使用される必要はないので、より高品質、より薄いゲート酸化領域を得てもよく、これによりさらに閾値電圧を低下させることができる。さらに、高電場がpベースに存在する必要はなく、その結果、散乱または電場集中に関係する問題は回避され得る。オン状態動作の間の熱電子注入の減少を可能にするために、鋭いコーナがn領域内に存在する必要はない。拡散チャネルは、低い界面トラップ密度と固定電荷を与えることができる反応性イオンエッチングのダメージのない炭化シリコン/二酸化シリコン界面を与える可能性があるので、チャネル内において高移動度が与えられる可能性もある。最後に、少なくとも1つのマスクを排除して厳しい整列許容誤差の必要性を緩和させる自己整合を実現することによって、単純化された製造方法が提供されてもよい。これにより、炭化シリコンパワーデバイスを製造する改良された方法が実現されてもよい。本図面及び本明細書において、本発明の典型的な好ましい実施態様が開示されてきた。特定の用語が使用されているが、それらは一般的かつ記述的な意味合いでのみ使用されており、限定目的のためではない。"