"式I0で表される塩。[式I0中、L1は、2価のC1~C17炭化水素基を表し、該2価の炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又はC1~C6ペルフルオロアルキル基を表す。Zmは、m価の有機カチオン又は無機カチオンを表す。mは、1又は2を表す。]式Iで表される請求項1記載の塩。[式I中、L1は、2価のC1~C17飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又はC1~C6ペルフルオロアルキル基を表す。Zは、有機カチオン又は無機カチオンを表す。]L1が、-CO-である請求項1又は2記載の塩。Zmが、トリアリールスルホニウムカチオン又はアルカリ金属カチオンである請求項1~3のいずれか記載の塩。請求項2~4のいずれか記載の塩を製造する製造方法であって、式IIで表される塩とカルボニルジイミダゾールとを反応させる工程を有する製造方法。[式II中、L1、Q1、Q2及びZは、上記と同じ意味を表す。]式I’で表される塩と式IVで表される化合物とを反応させる工程を有する式B1で表される塩を得る式B1で表される塩の製造方法。[式I’中、L1は、2価のC1~C17飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又はC1~C6ペルフルオロアルキル基を表す。Z’は、有機カチオンを表す。][式IV中、X1は、単結合又はC1~C6アルキレン基を表す。L2は、-O-又は-NR3-を表し、R3は、水素原子又はC1~C4アルキル基を表す。Yは、置換基を有していてもよいC1~C18アルキル基又は置換基を有していてもよいC3~C18飽和環状炭化水素基を表し、前記アルキル基及び前記飽和環状炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-、-SO2-又は-CO-で置き換わっていてもよい。][式B1中、L1、L2、Q1、Q2、X1、Y及びZ’は、上記と同じ意味を表す。]従来の塩によれば、該塩を中間体として用いた酸発生剤の製造方法では、得られる酸発生剤の収率が必ずしも満足することができない場合があった。本発明は、以下の発明を含む。[1]式I0で表される塩。[式I0中、L1は、2価のC1~C17炭化水素基を表し、該2価の炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又はC1~C6ペルフルオロアルキル基を表す。Zmは、m価の有機カチオン又は無機カチオンを表す。mは、1又は2を表す。][2]式Iで表される[1]記載の塩。[式I中、L1は、2価のC1~C17飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又はC1~C6ペルフルオロアルキル基を表す。Zは、有機カチオン又は無機カチオンを表す。][3]L1が、-CO-である[1]又は[2]記載の塩。[4]Zmが、トリアリールスルホニウムカチオン又はアルカリ金属カチオンである[1]~[3]のいずれか記載の塩。[5][2]~[4]のいずれか記載の塩を製造する製造方法であって、式IIで表される塩とカルボニルジイミダゾールとを反応させる製造方法。[式II中、L1、Q1、Q2及びZは、上記と同じ意味を表す。][6]式I’で表される塩と式IVで表される化合物とを反応させる工程を有する式B1で表される塩を得る式B1で表される塩の製造方法。[式I’中、L1は、2価のC1~C17飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又はC1~C6ペルフルオロアルキル基を表す。Z’は、有機カチオンを表す。][式IV中、X1は、単結合又はC1~C6アルキレン基を表す。L2は、-O-又は-NR3-を表し、R3は、水素原子又はC1~C4アルキル基を表す。Yは、置換基を有していてもよいC1~C18アルキル基又は置換基を有していてもよいC3~C18飽和環状炭化水素基を表し、前記アルキル基及び前記飽和環状炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-、-SO2-又は-CO-で置き換わっていてもよい。][式B1中、L1、L2、Q1、Q2、X1、Y及びZ’は、上記と同じ意味を表す。]本発明の塩によれば、該塩を中間体として用いることにより高い収率で酸発生剤を製造することができる。本発明の塩以下塩Iという場合があるは、式I0で表され、式Iで表されることが好ましい。[式I0中、L1は、2価のC1~C17飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又はC1~C6ペルフルオロアルキル基を表す。Zmは、m価の有機カチオン又は無機カチオンを表す。mは、1又は2を表す。][式I中、L1は、2価のC1~C17飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又はC1~C6ペルフルオロアルキル基を表す。Zは、有機カチオン又は無機カチオンを表す。]本明細書中、Ca~Cbは炭素数a~bを意味する。ペルフルオロアルキル基としては、例えば、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。Q1及びQ2は、好ましくはペルフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。2価の飽和炭化水素基としては、2価の飽和炭化水素基及び2価の非飽和炭化水素基が挙げられる。2価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルキレン基、分岐状アルキレン基、単環式又は多環式の飽和環状炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせたものでもよい。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、プロパン-1,2-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基、トリデカン-1,13-ジイル基、テトラデカン-1,14-ジイル基、ペンタデカン-1,15-ジイル基、ヘキサデカン-1,16-ジイル基、ヘプタデカン-1,17-ジイル基、メチリデン基、エチリデン基、プロピリデン基、2-プロピリデン基等の直鎖状アルキレン基;直鎖状アルキレンに、アルキル基特に、C1~C4アルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等の側鎖を有したもの、例えば、1-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチル-1,2-プロピレン基、1-メチル-1,4-ブチレン基、2-メチル-1,4-ブチレン基等の分岐状アルキレン;1,3-シクロブチレン基、1,3-シクロペンチレン基、1,4-シクロヘキシレン基、1,5-シクロオクチレン基等のシクロアルキレン基である単環式の飽和環状炭化水素基;1,4-ノルボルニレン基、2,5-ノルボルニレン基、1,5-アダマンチレン基、2,6-アダマンチレン基等の多環式の飽和環状炭化水素基等が挙げられる。2価の非飽和炭化水素基としては、2価の芳香族炭化水素基等が挙げられ、具体的には、フェニレン基等が挙げられる。L1の炭化水素基に含まれる-CH2-が-O-又は-CO-で置き換わった基としては、例えば、式b1-1~式b1-4が挙げられる。L1は、好ましくは式b1-1~式b1-3のいずれか、さらに好ましくは式b1-1又は式b1-2、特に好ましくは式b1-1が挙げられる。なお、式b1-1~式b1-4は、その左右を式Iに合わせて記載しており、左側でCQ1Q2と結合し、右側でNと結合する。以下の式b1-1~式b1-4の具体例も同様である。式b1-1~式b1-4中、Lb1は、C1~C14アルキレン基を表す。Lb2は、C1~C15アルキレン基又はフェニレン基を表す。Lb3は、C1~C13飽和炭化水素基を表す。式b1-2で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-3で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-4で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。mは、1又は2であり、1であることが好ましい。塩Iとしては、例えば以下の塩が挙げられる。Zmは、m価の有機カチオン又は無機カチオンを表す。有機カチオンとしては、オニウムカチオン、例えばスルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、ホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。無機カチオンとしては、アルカリ金属カチオン、例えばナトリウムカチオン、カリウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、ナトリウムカチオンが好ましい。有機カチオンは、好ましくは式b2-1~式b2-4のいずれかで表される。これらの式b2-1~式b2-4において、Rb4~Rb6は、それぞれ独立に、C1~C30アルキル基、C3~C36飽和環状炭化水素基又はC6~C18芳香族炭化水素基を表す。前記アルキル基は、ヒドロキシ基、C1~C12アルコキシ基又はC6~C18芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、前記飽和環状炭化水素基は、ハロゲン原子、C2~C4アシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、前記芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、C1~C36アルキル基、C3~C36飽和環状炭化水素基又はC1~C12アルコキシ基で置換されていてもよい。Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、C1~C12アルキル基又はC1~C12アルコキシ基を表す。m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、C1~C36アルキル基又はC3~C36飽和環状炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、C1~C36アルキル基、C3~C36飽和環状炭化水素基又はC6~C18芳香族炭化水素基を表す。Rb9~Rb11のアルキル基は、好ましくはC1~C12であり、飽和環状炭化水素基は、好ましくはC3~C36、より好ましくはC4~C12である。Rb12は、C1~C12アルキル基、C3~C18飽和環状炭化水素基又はC6~C18芳香族炭化水素基を表す。前記芳香族炭化水素基は、C1~C12アルキル基、C1~C12アルコキシ基、C3~C18飽和環状炭化水素基又はC1~C12アルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。Rb9及びRb10、並びにRb11及びRb12は、それぞれ独立に、互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環を形成していてもよく、これらの環の-CH2-は、-O-、-S-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Rb13~Rb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、C1~C12アルキル基又はC1~C12アルコキシ基を表す。Lb11は、-S-又は-O-を表す。o2、p2、s2、及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2~t2のいずれかが2であるとき、それぞれ、複数のRb13~Rb18のいずれかは互いに同一でも異なってもよい。アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n-プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n-ブチルカルボニルオキシ基、sec-ブチルカルボニルオキシ基、tert-ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2-エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。好ましいアルキル基は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基である。好ましい飽和環状炭化水素基は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2-アルキル-2-アダマンチル基、1-1-アダマンチル-1-アルキル基、及びイソボルニル基である。好ましい芳香族炭化水素基は、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-シクロへキシルフェニル基、4-メトキシフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基である。置換基が芳香族炭化水素基であるアルキル基アラルキル基としては、ベンジル基などが挙げられる。Rb9及びRb10が形成する環としては、例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環、1,4-オキサチアン-4-イウム環などが挙げられる。Rb11及びRb12が形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環、オキソアダマンタン環などが挙げられる。カチオンb2-1~カチオンb2-4の中でも、カチオンb2-1が好ましく、式b2-1-1で表されるカチオンがより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0がさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19~Rb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、C1~C36アルキル基、C3~C36飽和環状炭化水素基又はC1~C12アルコキシ基を表す。アルキル基は、好ましくはC1~C12であり、飽和環状炭化水素基は、好ましくはC4~C36である。前記アルキル基は、ヒドロキシ基、C1~C12アルコキシ基又はC6~C18芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。前記飽和環状炭化水素基は、ハロゲン原子、C2~C4アシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよい。v2~x2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2~x2が2以上のとき、それぞれ、複数のRb19~Rb21は、互いに同一でも異なってもよい。なかでも、Rb19~Rb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、C1~C12アルキル基、又はC1~C12アルコキシ基である。カチオンb2-1-1の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-2の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-3の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-4の具体例としては、以下のものが挙げられる。塩Iは、上述のアニオン及び有機カチオン又は無機カチオンの組合せである。上述のアニオンとカチオンとは任意に組み合わせることができるが、以下で表される塩が好ましい。例えば、塩Iとしては、以下のものが挙げられる。なかでも、塩Iとしては、式I-1、式I-2、式I-9、式I-10、式I-13、式I-14、式I-17、式I-18、式I-21、式I-22、式I-25、式I-26、式I-33、式I-34、式I-37及び式I-38で表される塩が好ましく、式I-1、式I-9、式I-13、式I-17、式I-33及び式I-37で表される塩がより好ましく、式I-1、式I-9、式I-13及び式I-33で表される塩が特に好ましい。塩Iは、例えば式IIで表される塩と式IIIで表される化合物カルボニルジイミダゾールとを溶剤中で反応させることにより製造することができる。溶媒としては、アセトニトリル等が挙げられる。反応温度は、5~90°Cであり、20~60°Cが好ましい。式IIで表される塩は、特開2008-127367号公報に記載された方法で合成することができる。式IIで表される塩と式IIIで表される化合物の比率は、式IIIで表される塩/式IIで表される化合物=1.0~3.0が好ましく、式IIIで表される塩/式IIで表される化合物=1.0~2.0がより好ましい。溶剤量は、式IIで表される塩と式IIIで表される化合物の合計重量の1.5倍量~10倍量が好ましく、2倍量~5倍量がより好ましい。本発明の塩を中間体として用いることにより、高い収率で酸発生剤を製造することができる。本発明の塩を中間体として用いることにより製造することができる酸発生剤としては、例えば式B1で表される塩が挙げられる。[式B1中、L1、Q1及びQ2は、上記と同じ意味を表す。X1は、単結合又はC1~C6アルキレン基を表す。L2は、-O-又は-NR3-を表し、R3は、水素原子又はC1~C4アルキル基を表す。Yは、置換基を有していてもよいC1~C18アルキル基又は置換基を有していてもよいC3~C18飽和環状炭化水素基を表し、前記アルキル基及び前記飽和環状炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-、-SO2-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Z’は、有機カチオンを表す。]式B1で表される塩の第1の製造方法としては、式I’で表される塩と式IVで表される化合物とを反応させる方法が挙げられる。溶媒としては、アセトニトリル、クロロホルム等が挙げられる。反応温度は、5~90°Cであり、20~60°Cが好ましい。[式I’中、L1、Q1、Q2及びZ’は、上記と同じ意味を表す。][式IV中、X1、L2及びYは、上記と同じ意味を表す。]式I’で表される塩と式IVで表される化合物の比率は、式IVで表される化合物/式I’で表される塩=1.0~1.5が好ましく、式IVで表される化合物/式I’で表される塩=1.0~1.2がより好ましい。溶剤量は、式I’で表される塩と式IVで表される化合物の合計重量の1.5倍量~10倍量が好ましく、2倍量~5倍量がより好ましい。式B1で表される塩の第2の製造方法としては、式Iで表される塩と式IVで表される化合物とを反応させ、式Vで表される塩を得た後、得られた式Vで表される塩と式VIで表される塩とを反応させる方法が挙げられる。溶媒としては、アセトニトリル、クロロホルム等が挙げられる。反応温度は、5~90°Cであり、20~60°Cが好ましい。[式I中、L1、Q1及びQ2は、上記と同じ意味を表す。Zは、無機カチオンを表す。][式V中、L1、L2、Q1、Q2、Z、X1及びYは、上記と同じ意味を表す。][式VI中、Z’は、上記と同じ意味を表す。X’-は、ハロゲンイオンを表す。]式Iで表される塩と式IVで表される化合物の比率は、式IVで表される化合物/式Iで表される塩=1.0~1.5が好ましく、式IVで表される化合物/式Iで表される塩=1.0~1.2がより好ましい。溶剤量は、式Iで表される塩と式IVで表される化合物の合計重量の1.5倍量~10倍量が好ましく、2倍量~5倍量がより好ましい。X1のC1~C6アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、プロパン-1,2-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基等が挙げられる。X1は、単結合又はメチレン基が好ましい。L2として、-O-、-NH-、-NCH3-、-NC2H5-、-NC3H7-、-NC4H9-が挙げられ、-O-又は-NH-が好ましく、-O-がより好ましい。Yのアルキル基としては、C1~C6アルキル基が好ましい。アルキル基及び飽和環状炭化水素基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、オキソ基、C1~C12アルキル基、ヒドロキシ基含有C1~C12アルキル基、C3~C16飽和環状炭化水素基、C1~C12アルコキシ基、C6~C18芳香族炭化水素基、C7~C21アラルキル基、C2~C4アシル基、グリシジルオキシ基又は-CH2j2-O-CO-Rb1基式中、Rb1は、C1~C16アルキル基、C3~C16飽和環状炭化水素基又はC6~C18芳香族炭化水素基を表す。j2は、0~4の整数を表す。などが挙げられる。Yの置換基であるアルキル基、飽和環状炭化水素基、芳香族炭化水素基及びアラルキル基等は、さらに置換基を有していてもよい。ここでの置換基は、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、オキソ基等が挙げられる。ヒドロキシ基含有アルキル基としては、例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Yの飽和環状炭化水素基における-CH2-が-O-、-SO2-又は-CO-で置き換わった基としては、例えば、環状エーテルを有する基-CH2-が-O-で置き換わった基、オキソ基を有する飽和環状炭化水素基-CH2-が-CO-で置き換わった基、スルトン環を有する基隣り合う2つの-CH2-が、それぞれ、-O-又は-SO2-で置き換わった基又はラクトン環を有する基隣り合う2つの-CH2-が、それぞれ、-O-又は-CO-で置き換わった基等が挙げられる。特に、Yの飽和環状炭化水素基としては、式Y1~式Y26で表される基が挙げられる。なかでも、好ましくは式Y1~式Y19のいずれかで表される基であり、より好ましくは式Y11、式Y14、式Y15又は式Y19で表される基であり、さらに好ましくは式Y11又は式Y14で表される基である。アルキル基が置換された飽和環状炭化水素基であるYとしては、例えば以下のものが挙げられる。ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有アルキル基が置換された飽和環状炭化水素基であるYとしては、例えば以下のものが挙げられる。芳香族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYとしては、例えば以下のものが挙げられる。-CH2j2-O-CO-Rb1基が置換された飽和環状炭化水素基であるYとしては、例えば以下のものが挙げられる。Yは、好ましくは置換基例えば、オキソ基等を有していてもよいアダマンチル基であり、より好ましくはアダマンチル基又はオキソアダマンチル基である。好ましい酸発生剤は、式B1-1~式B1-29で表されるものである。中でもトリアリールスルホニウムカチオンを含む酸発生剤B1-1、B1-2、B1-3、B1-6、B1-11、B1-12、B1-13、B1-14、B1-22、B1-23、B1-24及びB1-25がより好ましく、B1-2、B1-3、B1-6、B1-11、B1-13、B1-22及びB1-24が特に好ましい。また、塩Iのうち、式Gで表される塩は、レジスト組成物用の酸発生剤として使用することができる。式Gで表される塩を含むレジスト組成物によれば、優れたラインエッジラフネスを有するレジストパターンを製造することができる。[式G中、Z、Q1及びQ2は、上記と同じ意味を表す。sは0~6の整数を表す。環W1は、炭素数3~20の炭化水素環を表し、該炭化水素環に含まれる水素原子は、水酸基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数3~12の脂環式炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。]環W1としては、アダマンタン環、シクロヘキサン環、ノルボルナン環等が挙げられ、アダマンタン環が好ましい。式Gで表される塩としては、下記の塩が挙げられる。本発明のレジスト組成物は、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂と、酸発生剤と、塩基性化合物とを含有する。樹脂以下樹脂Aという場合がある。樹脂Aは、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂である。樹脂Aは、酸に不安定な基を有するモノマー以下酸に不安定な基を有するモノマーa1という場合があるを重合することによって製造でき、酸の作用によりアルカリ可溶となる。、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得るとは、酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となることを意味する。酸に不安定な基を有するモノマーa1は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。酸に不安定な基を有するモノマーa1酸に不安定な基とは、酸と接触すると脱離基が開裂して、親水性基例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基を形成する基を意味する。酸に不安定な基としては、例えば、式1で表される基、式2で表される基などが挙げられる。[式1中、Ra1~Ra3は、それぞれ独立に、炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表すか、Ra1及びRa2は互いに結合して炭素数2~20の2価の炭化水素基を形成する。は結合手を表す。][式2中、Ra1’及びRa2’は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表し、Ra3’は、炭素数1~20の炭化水素基を表すか、Ra2’及びRa3’は互いに結合して炭素数2~20の2価の炭化水素基を形成し、前記炭化水素基及び2価の基に含まれる-CH2-は、-O―又は―S-で置き換わってもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の飽和炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基、下記のような基等が挙げられる。式1では、脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは炭素数3~16である。Ra1及びRa2が互いに結合して2価の炭化水素基を形成する場合、-CRa1Ra2Ra3基としては、下記の基が挙げられる。2価の炭化水素基の炭素数は、好ましくは炭素数3~12である。式1で表される酸に不安定な基としては、例えば、1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1~Ra3がアルキル基である基、好ましくはtert-ブトキシカルボニル基、2-アルキル-2-アダマンチルオキシカルボニル基式1中、Ra1、Ra2及び炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ra3がアルキル基である基及び1-1-アダマンチル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基などが挙げられる。炭化水素基としては、例えば、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられる。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントニル基、p-メチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、2,6-ジエチルフェニル基、2-メチル-6-エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。好ましくは、Ra1’及びRa2’のうち少なくとも1つが水素原子である。式2で表される基の具体例としては、以下の基が挙げられる。酸に不安定な基を有するモノマーa1は、好ましくは、酸に不安定な基と炭素-炭素二重結合とを有するモノマー、より好ましくは酸に不安定な基を有するメタアクリル系モノマーである。酸に不安定な基を有するメタアクリル系モノマーのうち、好ましくは、炭素数5~20の脂環式炭化水素基を有するものが挙げられる。脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有するモノマーa1を重合して得られる樹脂を使用すれば、レジストの解像度を向上させることができる。酸に不安定な基と脂環式炭化水素基とを有するメタアクリル系モノマーとして、好ましくは式a1-1で表されるモノマー又は式a1-2で表されるモノマーが挙げられる。これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。[式a1-1及び式a1-2中、La1及びLa2は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2k1-CO-O-を表し、k1は1~7の整数を表し、は-CO-との結合手を表す。Ra4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。n1は0~10の整数を表す。n2は0又は1の整数を表す。]La1及びLa2は、好ましくは、-O-又は-O-CH2k1-CO-O-であり、より好ましくは-O-である。k1は、好ましくは1~4の整数、より好ましくは1である。Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。Ra6及びRa7のアルキル基は、好ましくは炭素数6以下である。脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数8以下、より好ましくは6以下である。Ra6及びRa7の脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の飽和炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基、下記のような基等が挙げられる。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。式a1-1で表されるモノマーとしては、例えば、特開2010-204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式a1-1-1~a1-1-6で表されるモノマーが好ましく、下式a1-1-1~a1-1-3で表されるモノマーがより好ましい。式a1-2で表されるモノマーとしては、例えば、1-エチル-1-シクロペンチルメタアクリレート、1-エチル-1-シクロヘキシルメタアクリレート、1-エチル-1-シクロヘプチルメタアクリレート、1-メチル-1-シクロペンチルメタアクリレート、1-イソプロピル-1-シクロペンチルメタアクリレート等が挙げられる。下式a1-2-1~a1-2-6で表されるモノマーが好ましく、下式a1-2-3~a1-2-4で表されるモノマーがより好ましく、下式a1-2-3で表されるモノマーがさらに好ましい。樹脂における式a1-1で表されるモノマー又は式a1-2で表されるモノマーに由来する構造単位の含有率は、樹脂の全単位において、通常10~95モルであり、好ましくは15~90モルであり、より好ましくは20~85モルである。樹脂Aは、好ましくは、酸に不安定な基を有するモノマーa1と、酸に不安定な基を有さないモノマー以下酸安定モノマーという場合があるとの共重合体である。酸安定モノマーは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。樹脂Aが酸に不安定な基を有するモノマーa1と酸安定モノマーとの共重合体である場合、酸に不安定な基を有するモノマーa1に由来する構造単位は、全構造単位100モルに対して、好ましくは10~80モル、より好ましくは20~60モルである。また、アダマンチル基を有するモノマー特に酸に不安定な基を有するモノマーa1-1に由来する構造単位の含有率は、好ましくは酸に不安定な基を有するモノマーa1に対して15モル以上である。アダマンチル基を有するモノマーの比率が増えると、レジストのドライエッチング耐性が向上する。酸安定モノマーとしては、好ましくは、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するモノマーが挙げられる。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー以下ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2という又はラクトン環を含有する酸安定モノマー以下ラクトン環を有する酸安定モノマーa3というに由来する構造単位を有する樹脂を使用すれば、レジストの解像度及び基板への密着性を向上させることができる。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2レジスト組成物をKrFエキシマレーザ露光248nm、電子線あるいはEUV光などの高エネルギー線露光に用いる場合、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2として、好ましくは、ヒドロキシスチレン類であるフェノール性水酸基を有する酸安定モノマーa2-0を使用する。短波長のArFエキシマレーザ露光193nmなどを用いる場合は、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2として、好ましくは、式a2-1で表されるヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーを使用する。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。フェノール性水酸基を有するモノマーa2-0として、式a2-0で表されるp-又はm-ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマーが挙げられる。[式a2-0中、Ra30は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。Ra31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maは0~4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31は同一であっても異なってもよい。]Ra30におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基が挙げられ、好ましくは、炭素数1~4のアルキル基であり、より好ましくは、炭素数1又は2のアルキル基であり、特に好ましくは、メチル基である。また、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロピポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、n-ペントキシ基、n-ヘキトキシ基等が挙げられ、好ましくは、炭素数1~4のアルコキシ基であり、より好ましくは、炭素数1又は2のアルコキシ基であり、特に好ましくは、メトキシ基である。maは、好ましくは、0~2であり、より好ましくは、0又は1であり、特に好ましくは、0である。このようなフェノール性水酸基を有するモノマーに由来する構造単位を有する共重合樹脂を得る場合は、該当するメタアクリル酸エステルモノマーとアセトキシスチレン、及びスチレンをラジカル重合した後、酸によって脱アセチルすることによって得ることができる。フェノール性水酸基を有するモノマーとしては、例えば、特開2010-204634号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式a2-0-1及びa2-0-2で表されるモノマーが好ましい。樹脂Aを製造する際には、これらにあるフェノール性水酸基が適当な保護基で保護したものを用いることもできる。樹脂における式a2-0で表されるモノマーに由来する構造単位の含有率は、樹脂の全単位において、通常5~90モルであり、好ましくは10~85モルであり、より好ましくは15~80モルである。ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーとして、式a2-1で表されるモノマーが挙げられる。式a2-1中、La3は、-O-又は-O-CH2k2-CO-O-を表し、k2は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。式a2-1では、La3は、好ましくは、-O-、-O-CH2f1-CO-O-であり前記f1は、1~4の整数である、より好ましくは-O-である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーa2-1としては、例えば、特開2010-204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式a2-1-1~a2-1-6で表されるモノマーが好ましく、下式a2-1-1~a2-1-4で表されるモノマーがより好ましく、下式a2-1-1又はa2-1-3で表されるモノマーがさらに好ましい。樹脂における式a2-1で表されるモノマーに由来する構造単位の含有率は、樹脂の全単位において、通常3~40モルであり、好ましくは5~35モルであり、より好ましくは5~30モルである。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3酸安定モノマーa3が有するラクトン環は、例えば、β-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環、δ-バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、好ましくは、γ-ブチロラクトン環、又は、γ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が挙げられる。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3は、好ましくは、式a3-1、式a3-2又は式a3-3で表される。これらの1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。式a3-1~式a3-3中、La4~La6は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2k3-CO-O-を表す。k3は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra18~Ra20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra21は、炭素数1~4のアルキル基を表す。p1は0~5の整数を表す。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4のアルキル基を表す。q1及びr1は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。p1、q1又はr1が2以上のとき、それぞれ、複数のRa21、Ra22又はRa23は、互いに同一でも異なってもよい。式a3-1~式a3-3では、La4~La6としては、La3で説明したものが挙げられる。La4~La6は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2k3-CO-O-であることが好ましく、より好ましくは-O-である。k3は、好ましくは1~4の整数であり、より好ましくは1である。Ra18~Ra21は、好ましくはメチル基である。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。p1~r1は、それぞれ独立に、好ましくは0~2、より好ましくは0又は1である。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3としては、特開2010-204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式a3-1-1~a3-1-4、a3-2-1~a3-2-4、a3-3-1~a3-3-4で表されるモノマーが好ましく、下式a3-1-1~a3-1-2、a3-2-3~a3-2-4で表されるモノマーがより好ましく、下式a3-1-1又はa3-2-3で表されるモノマーがさらに好ましい。樹脂におけるラクトン環を有する酸安定モノマーa3に由来する構造単位の含有率は、樹脂の全単位において、通常5~50モルであり、好ましくは10~45モルであり、より好ましくは15~40モルである。その他のモノマーa4樹脂は、上記のモノマー以外のその他の公知のモノマーa4に由来する構造単位を有していてもよい。好ましくは、樹脂Aは、少なくとも、酸に不安定な基を有するモノマーa1、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2及び/又はラクトン環を有する酸安定モノマーa3を重合させた共重合体である。該共重合体において、酸に不安定な基を有するモノマーa1は、より好ましくはアダマンチル基を有するモノマーa1-1及びシクロへキシル基を有するモノマーa1-2の少なくとも1種さらに好ましくはアダマンチル基を有するモノマーa1-1であり、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2は、好ましくはヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーa2-1であり、ラクトン環を有する酸安定モノマーa3は、より好ましくはγ-ブチロラクトン環を有する酸安定モノマーa3-1及びγ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-2の少なくとも1種である。樹脂Aは、公知の重合法例えばラジカル重合法によって製造できる。樹脂Aの重量平均分子量は、好ましくは、2,500以上より好ましくは3,000以上、50,000以下より好ましくは30,000以下である。樹脂Aの含有率は、好ましくは、組成物の固形分中80質量以上である。なお本明細書において組成物中の固形分とは、後述する溶剤Eを除いたレジスト組成物成分の合計を意味する。組成物中の固形分及びこれに対する樹脂Aの含有率は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。酸発生剤以下酸発生剤Bという場合がある酸発生剤Bとしては、例えば、式B1で表される塩や、式Gで表される塩が挙げられる。酸発生剤Bの含有率は、樹脂Aにおいて、好ましくは1質量以上より好ましくは3質量以上、好ましくは30質量以下より好ましくは25質量以下である。塩基性化合物以下塩基性化合物Cという場合がある本発明のレジスト組成物は、塩基性化合物Cを含むことが好ましい。塩基性化合物Cはクエンチャーとして作用する。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えばアミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、1級アミン、2級アミン及び3級アミンが挙げられる。塩基性化合物Cとして、好ましくは、式C1で表される化合物~式C8で表される化合物が挙げられ、より好ましくは式C1-1で表される化合物が挙げられる。[式C1中、Rc1、Rc2及びRc3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~10の脂環式炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。][式C1-1中、Rc2及びRc3は、上記と同じ意味を表す。Rc4は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表す。m3は0~3の整数を表し、m3が2以上のとき、複数のRc4は、互いに同一でも異なってもよい。][式C2、式C3及び式C4中、Rc5、Rc6、Rc7及びRc8は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。Rc9は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数3~6の脂環式炭化水素基又は炭素数2~6のアルカノイル基を表す。n3は0~8の整数を表し、n3が2以上のとき、複数のRc9は、互いに同一でも異なってもよい。][式C5及び式C6中、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13及びRc16は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。Rc14、Rc15及びRc17は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。o3及びp3は、それぞれ独立に0~3の整数を表し、o3又はp3が2以上であるとき、それぞれ、複数のRc14及びRc15は互いに同一でも異なってもよい。Lc1は、炭素数1~6のアルキレン基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。][式C7及び式C8中、Rc18、Rc19及びRc20は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。q3、r3及びs3は、それぞれ独立に0~3の整数を表し、q3、r3及びs3が2以上であるとき、それぞれ、複数のRc18、Rc19及びRc20は互いに同一でも異なってもよい。Lc2は、単結合又は炭素数1~6のアルキレン基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。]式C1で表される化合物としては、1-ナフチルアミン、2-ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタン等が挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、特に好ましくは2,6-ジイソプロピルアニリンが挙げられる。式C2で表される化合物としては、ピペラジン等が挙げられる。式C3で表される化合物としては、モルホリン等が挙げられる。式C4で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物等が挙げられる。式C5で表される化合物としては、2,2’-メチレンビスアニリン等が挙げられる。式C6で表される化合物としては、イミダゾール、4-メチルイミダゾール等が挙げられる。式C7で表される化合物としては、ピリジン、4-メチルピリジン等が挙げられる。式C8で表される化合物としては、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン、2,2’-ジピコリルアミン、ビピリジン等が挙げられる。アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3-トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。塩基性化合物Cの含有率は、レジスト組成物の固形分量を基準に、好ましくは、0.01~5質量程度であり、より好ましく0.01~3質量程度であり、特に好ましく0.01~1質量程度である。溶剤以下溶剤Eという場合がある本発明のレジスト組成物は、溶剤Eを含んでいてもよい。溶剤Eの含有率は、例えばレジスト組成物中90質量以上、好ましくは92質量以上、より好ましくは94質量以上であり、例えば99.9質量以下、好ましくは99質量以下である。溶剤Eの含有率は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定できる。溶剤Eとしては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類;γ-ブチロラクトンのような環状エステル類;等を挙げることができる。溶剤Eは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。その他の成分以下その他の成分Fという場合がある本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分Fを含有していてもよい。成分Fに特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料等を利用できる。<本レジスト組成物及びその調製方法>本レジスト組成物は、樹脂A、酸発生剤B及び溶剤Eを混合することで、又は、樹脂A、酸発生剤B、塩基性化合物C及び溶剤Eを混合することで調製することができる。かかる混合において、その混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10~40°Cの範囲から、樹脂などの種類や樹脂等の溶剤Eに対する溶解度等に応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、0.5~24時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合などを用いることができる。このように、樹脂A、酸発生剤B及び溶剤E、並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物C又は成分Fの各々を好ましい含有量で混合した後は、孔径0.2μm程度のフィルターを用いてろ過等することにより、本レジスト組成物は調製できる。レジストパターンの製造方法本発明のレジストパターンの製造方法は、1本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含む。レジスト組成物の基体上への塗布は、スピンコーター等、通常、用いられる装置によって行うことができる。塗布後の組成物を乾燥させて溶剤を除去する。溶剤の除去は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させることにより行われるか、あるいは減圧装置を用いて行われ、溶剤が除去された組成物層が形成される。この場合の温度は、例えば、50~200°C程度が例示される。また、圧力は、1~1.0×105Pa程度が例示される。得られた組成物層は、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であってもよい。この際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2レーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザ等からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。露光後の組成物層は、脱保護基反応を促進するための加熱処理が行われる。加熱温度としては、通常50~200°C程度、好ましくは70~150°C程度である。加熱後の組成物層を、現像装置を用いて、通常、アルカリ現像液を利用して現像する。ここで用いられるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液等が挙げられる。現像後、超純水でリンスし、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。用途本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、EB用のレジスト組成物又はEUV露光機用のレジスト組成物として好適である。以下、本発明を実施例によって詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例及び比較例中、含有量ないし使用量を表す及び部は、特記ないかぎり質量基準である。化合物及び塩の構造は、質量分析LCはAgilent製1100型、MASSはAgilent製LC/MSD型又はLC/MSDTOF型で確認した。実施例1[塩I-9の合成]式II-1で表される塩を、特開2008-127367号公報に記載された方法で合成した。式II-1で表される塩59.76部、アセトニトリル300.00部、式IIIで表される化合物商品名:カルボニルジイミダゾール東京化成製44.20部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した後、50°Cに昇温し、さらに2時間攪拌した。得られた反応物を23°Cまで冷却した後、ろ過して、式I-9で表される塩66.60部を得た。MSESISpectrum:M263.1MSESI-Spectrum:M-225.0実施例2[酸発生剤B1-1の合成]式I-9で表される塩48.85部、式IV-1で表される化合物18.23部及びアセトニトリル500部を仕込み、23°Cで5時間攪拌した。得られた混合物を濃縮し、クロロホルム300部及びイオン交換水150部を加えた後、分液操作により、有機層を回収した。回収された有機層をイオン交換水150部で洗浄した後、得られた有機層を濃縮した。得られた濃縮液をtert-ブチルメチルエーテル100部でリパルプして、白色固体として、式B1-1で表される塩48.22部式II-1で表される塩に対する収率80、式I-9で表される塩に対する収率80を得た。実施例3[塩I-1の合成]式II-2で表される塩を、特開2007-161707号公報に記載された方法で合成した。式II-2で表される塩19.81部、アセトニトリル100.00部、式IIIで表される化合物商品名:カルボニルジイミダゾール東京化成製17.03部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した後、50°Cに昇温し、さらに2時間攪拌した。得られた反応物を23°Cまで冷却した後、ろ過して、式I-1で表される塩23.43部を得た。MSESISpectrum:M23.0MSESI-Spectrum:M-225.0実施例4[酸発生剤B1-2の合成]式I-1で表される塩12.41部、式IV-1で表される化合物9.11部及びアセトニトリル100部を仕込み、23°Cで5時間攪拌した。得られた反応物をろ過して、式V-2で表される塩16.39部式II-2で表される塩に対する収率94、式I-1で表される塩に対する収率85を得た。式VI-2で表される塩13.48部、式V-2で表される塩16.39部、アセトニトリル163.9部及びイオン交換水67.40部を仕込み、23°Cで15時間攪拌した。得られた反応マスを濃縮した後、クロロホルム100部で抽出した。回収された有機層を濃縮した後、tert-ブチルメチルエーテル100部でリパルプして、ろ過することにより、式B1-2で表される塩25.13部式II-2で表される塩に対する収率79、式VI-2で表される塩に対する収率92を得た。実施例5[塩I-17の合成]式VI-3で表される塩14.28部、式II-2で表される塩8.96部、アセトニトリル100部及びイオン交換水50部を仕込み、23°Cで15時間攪拌した。得られた反応マスを濃縮した後、クロロホルム100部で抽出した。回収された有機層を濃縮することにより、式II-3で表される塩19.30部を得た。式II-3で表される塩15.55部、アセトニトリル100.00部、式IIIで表される化合物商品名:カルボニルジイミダゾール東京化成製11.05部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した後、50°Cに昇温し、さらに2時間攪拌した。得られた反応物を23°Cまで冷却した後、ろ過して、式I-17で表される塩17.25部を得た。MSESISpectrum:M281.0MSESI-Spectrum:M-225.0実施例6[酸発生剤B1-18の合成]式I-17で表される塩5.06部、式IV-1で表される化合物1.82部及びアセトニトリル50部を仕込み、23°Cで5時間攪拌した。得られた混合物を濃縮し、クロロホルム30部及びイオン交換水15部を加えた後、分液操作により、有機層を回収した。回収された有機層をイオン交換水15部で洗浄した後、得られた有機層を濃縮した。得られた濃縮液をtert-ブチルメチルエーテル10部でリパルプして、白色固体として、式B1-18で表される塩5.33部式II-3で表される塩に対する収率86、式I-17で表される塩に対する収率86を得た。実施例7[塩I-25の合成]式VI-4で表される塩10.95部、式II-2で表される塩8.96部、アセトニトリル100部及びイオン交換水50部を仕込み、23°Cで15時間攪拌した。得られた反応マスを濃縮した後、クロロホルム100部で抽出した。回収された有機層を濃縮することにより、式II-4で表される塩14.63部を得た。式II-4で表される塩13.03部、アセトニトリル100.00部、式IIIで表される化合物商品名:カルボニルジイミダゾール東京化成製11.05部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した後、50°Cに昇温し、さらに2時間攪拌した。得られた反応物を23°Cまで冷却した後、ろ過して、式I-25で表される塩14.73部を得た。MSESISpectrum:M207.1MSESI-Spectrum:M-225.0実施例8[酸発生剤B1-20の合成]式I-25で表される塩4.32部、式IV-1で表される化合物1.82部及びアセトニトリル50部を仕込み、23°Cで5時間攪拌した。得られた混合物を濃縮し、クロロホルム30部及びイオン交換水15部を加えた後、分液操作により、有機層を回収した。回収された有機層をイオン交換水15部で洗浄した後、得られた有機層を濃縮した。得られた濃縮物にアセトニトリル20部を添加して溶解した後、濃縮し、更に酢酸エチル20部を添加した。得られた溶液を濃縮した後、メチル-tert-ブチルエーテル20部を添加し、これを攪拌した後、2層に分離したので上澄み液を除去して下層を取り出し、これを濃縮した。得られた濃縮液に、酢酸エチル20部を添加して、攪拌した後、2層に分離したので上澄み液を除去し、下層を取り出してこれを濃縮することにより、式B1-20で表される塩4.27部式II-4で表される塩に対する収率78、式I-25で表される塩に対する収率78を得た。実施例9[酸発生剤B1-22の合成]式I-9で表される塩4.89部、式IV-2で表される化合物1.67部及びアセトニトリル50部を仕込み、23°Cで5時間攪拌した。得られた混合物を濃縮し、クロロホルム30部及びイオン交換水15部を加えた後、分液操作により、有機層を回収した。回収された有機層をイオン交換水15部で洗浄した後、得られた有機層を濃縮した。得られた濃縮物にアセトニトリル20部を添加して溶解した後、濃縮し、更に酢酸エチル20部を添加した。得られた溶液を濃縮した後、メチル-tert-ブチルエーテル20部を添加し、これを攪拌した後、2層に分離したので上澄み液を除去して下層を取り出し、これを濃縮した。得られた濃縮液に、酢酸エチル20部を添加して、攪拌した後、2層に分離したので上澄み液を除去し、下層を取り出してこれを濃縮することにより、式B1-22で表される塩4.75部式II-1で表される塩に対する収率81、式I-9で表される塩に対する収率81を得た。実施例10[酸発生剤B1-23の合成]式I-9で表される塩4.89部、式IV-3で表される化合物1.51部及びアセトニトリル50部を仕込み、23°Cで5時間攪拌した。得られた混合物を濃縮し、クロロホルム30部及びイオン交換水15部を加えた後、分液操作により、有機層を回収した。回収された有機層をイオン交換水15部で洗浄した後、得られた有機層を濃縮した。得られた濃縮物にアセトニトリル20部を添加して溶解した後、濃縮し、更に酢酸エチル20部を添加した。得られた溶液を濃縮した後、メチル-tert-ブチルエーテル20部を添加し、これを攪拌した後、2層に分離したので上澄み液を除去して下層を取り出し、これを濃縮した。得られた濃縮液に、酢酸エチル20部を添加して、攪拌した後、2層に分離したので上澄み液を除去し、下層を取り出してこれを濃縮することにより、式B1-23で表される塩4.92部式II-1で表される塩に対する収率86、式I-9で表される塩に対する収率86を得た。実施例11[塩I-33の合成]式B1-26-aで表される塩10.00部及びクロロホルム80.00部を仕込み、これを攪拌して溶解させた後、これに式B1-26-bで表される化合物7.97部純度97.1を仕込み、次いで、リチウムアミド0.15部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した。さらに、モレキュラーシーブ5A;和光純薬工業株製13.00部を添加し、60°Cで8時間加熱攪拌した。23°Cまで冷却後、濾過して、濾液を取り出した。濾液にイオン交換水24.53部を添加、攪拌後、分液を行って有機層を回収した。回収された有機層を、水洗する操作を2回行った。水洗後の有機層に活性炭1.33部を添加、攪拌後、濾過して濾液を回収し、該濾液を濃縮することにより、淡黄色オイル20.20部を得た。得られた淡黄色オイル20.20部にアセトニトリル60.60部を添加して溶解した後、濃縮し、更に酢酸エチル81.80部を添加した。得られた溶液を濃縮した後、メチル-tert-ブチルエーテル76.60部を添加し、これを攪拌した後、2層に分離したので上澄み液を除去して下層を取り出し、これを濃縮した。得られた濃縮液に、酢酸エチル66.00部を添加して、攪拌した後、2層に分離したので上澄み液を除去し、下層を取り出してこれを濃縮することにより、式B1-26-cで表される塩11.96部を得た。式B1-26-cで表される塩6.60部、クロロホルム40.00部、1N塩酸水溶液7.70部とメタノール7.70部の混合溶液を仕込み、23°Cで15時間撹拌した。その後、1N炭酸水素ナトリウム水溶液40.00部を仕込み、これを攪拌後、分液した。イオン交換水40.00部を仕込み、これを攪拌後、分液した。有機層を、水洗する操作を3回行った。水洗後の有機層に活性炭1.00部を添加、攪拌後、濾過して濾液を回収し、該濾液を濃縮することにより、式B1-26-dで表される塩7.71部を得た。式B1-26-dで表される塩7.00部、アセトニトリル35部、式IIIで表される化合物商品名:カルボニルジイミダゾール東京化成製2.21部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した後、50°Cに昇温し、さらに2時間攪拌した。得られた反応物を23°Cまで冷却した後、ろ過して、式I-33で表される塩6.94部を得た。MSESISpectrum:M263.1MSESI-Spectrum:M-403.1実施例12[酸発生剤B1-26の合成]式I-33で表される塩6.67部、式IV-1で表される化合物1.82部及びアセトニトリル50部を仕込み、23°Cで5時間攪拌した。得られた混合物を濃縮し、クロロホルム30部及びイオン交換水15部を加えた後、分液操作により、有機層を回収した。回収された有機層をイオン交換水15部で洗浄した後、得られた有機層を濃縮した。得られた濃縮物にアセトニトリル20部を添加して溶解した後、濃縮し、更に酢酸エチル20部を添加した。得られた溶液を濃縮した後、メチル-tert-ブチルエーテル20部を添加し、これを攪拌した後、2層に分離したので上澄み液を除去して下層を取り出し、これを濃縮した。得られた濃縮液に、酢酸エチル20部を添加して、攪拌した後、2層に分離したので上澄み液を除去し、下層を取り出してこれを濃縮することにより、式B1-26で表される塩6.42部式B1-26-dで表される塩に対する収率75、式I-26で表される塩に対する収率82を得た。MSESISpectrum:M263.1MSESI-Spectrum:M-517.2比較例1[酸発生剤B1-1の合成比較例]特開2006-257078号公報の実施例を参考に、式B1-1で表される塩を以下のように合成した。式H1-1で表される化合物100部及びイオン交換水150部に、氷浴下、30水酸化ナトリウム水溶液230部を滴下した。得られた混合物を100°Cで3時間還流し、冷却後、これを濃塩酸88部で中和した。得られた溶液を濃縮することにより式H1-2で表される塩164.4部無機塩含有、純度62.7を得た。式H1-2で表される塩1.9部純度62.7及びN,N-ジメチルホルムアミド9.5部に、1,1’-カルボニルジイミダゾール1.0部を添加し、2時間撹拌して式H1-2で表される塩を含む溶液を調製した。一方、式H1-3で表される化合物1.1部及びN,N-ジメチルホルムアミド5.5部に、水素化ナトリウム0.2部を添加し、2時間撹拌した。この溶液に、前記の式H1-2で表される塩を含む溶液を添加した。得られた溶液を15時間撹拌し、式H1-4で表される塩を含む溶液を得た。式H1-4で表される塩含む溶液に、クロロホルム17.2部及び式H1-5で表される塩を含む水溶液14.82.9部を添加した。15時間撹拌した後、分液して有機層を回収した。次いで、残った水層をクロロホルム6.5部で抽出することにより有機層を回収した。さらに残った水層に、前記の抽出操作を繰り返して行い、さらに有機層を回収した。前記の各有機層を合せた後、イオン交換水で洗浄し、その後、得られた有機層を濃縮した。濃縮物にtert-ブチルメチルエーテル5.0部を添加し、撹拌後、濾過することにより白色固体として式B1-1で表される塩0.2部式H1-1で表される化合物に対する収率5.5、式H1-2で表される化合物に対する収率5.5、式H1-5で表される塩に対する収率23を得た。実施例13:式G-1で表される塩の合成式G1-aで表される塩6.03部及びアセトニトリル30.00部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した。その後、式G1-bで表される化合物1.70部を添加し、60°Cで1時間攪拌した。得られた反応溶液をろ過した後、回収されたろ液を濃縮した。得られた濃縮物に、クロロホルム30部及びイオン交換水15部を加え、23°Cで30分間攪拌した。その後、静置し、分液して有機層を得た。得られた有機層に、イオン交換水15部を加え、23°Cで30分間攪拌した。この水洗の操作をさらに3回行った。得られた有機層に活性炭1.00部を仕込み、23°Cで30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮物に、tert-ブチルメチルエーテル100部を加えて攪拌した後、ろ過することにより、式G-1で表される塩6.12部を得た。MASSESISpectrum:M263.1MASSESI-Spectrum:M-433.1合成例1樹脂Aの合成樹脂の合成において使用した化合物モノマーを下記に示す。以下、これらのモノマーをモノマーA~モノマーFという。樹脂A1の合成モノマーD、モノマーE、モノマーB、モノマーC及びモノマーFを、そのモル比モノマーD:モノマーE:モノマーB:モノマーC:モノマーFが、30:14:6:20:30の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物に、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルとを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1.00molと3.00molとなるように添加し、これを73°Cで約5時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒質量比メタノール:水=4:1に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過回収し、再度、ジオキサンに溶解させ、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過回収するという操作を2回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が約8.1×103である共重合体を収率65で得た。この共重合体は、モノマーD、モノマーE、モノマーB、モノマーC及びモノマーに各々由来する、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂A1とする。樹脂A2の合成モノマーA、モノマーE、モノマーB、モノマーC及びモノマーFを、そのモル比モノマーA:モノマーE:モノマーB:モノマーC:モノマーFが、30:14:6:20:30の割合となるように混合し、さらに、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルとを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1.00molと3.00molとの割合で添加し、これを73°Cで約5時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒質量比メタノール:水=4:1に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過回収し、再度、ジオキサンに溶解させ、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過回収するという操作を3回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が約7.8×103である共重合体を収率68で得た。この共重合体は、モノマーA、モノマーE、モノマーB及びモノマーCに各々由来する、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂A2とする。樹脂A3の合成モノマーA、モノマーB及びモノマーCを、そのモル比モノマーA:モノマーB:モノマーCが、50:25:25となるように混合し、さらに、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルとを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1molと3molとの割合で添加し、これを80°Cで約8時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒質量比メタノール:水=4:1に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過回収し、再度、ジオキサンに溶解させ、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過回収するという操作を3回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が約9.2×103である共重合体を収率60で得た。この共重合体は、モノマーA、モノマーB及びモノマーCに各々由来する、以下の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂A3とする。実施例14~18及び比較例2<レジスト組成物の調製>表1に示すように、以下の各成分を混合して溶解することにより得られた混合物を孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。<樹脂>樹脂A1~A3<酸発生剤>酸発生剤G1:式G-1で表される塩酸発生剤B1:酸発生剤B2:<塩基性化合物:クエンチャー>クエンチャーC1:2,6-ジイソプロピルアニリン<溶剤>プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート265部2-ヘプタノン20.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル20.0部γ-ブチロラクトン3.5部<レジストパターンの製造及びその評価>12インチのシリコン製ウェハー上に、有機反射防止膜用組成物[ARC-29;日産化学株製]を塗布して、205°C、60秒の条件でベークすることによって、厚さ780Åの有機反射防止膜を形成させた。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が85nmとなるようにスピンコートした。レジスト組成物塗布後、得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表1のPB欄に記載された温度で60秒間プリベークPBした。こうしてレジスト組成物膜を形成したウェハーに、液浸露光用ArFエキシマステッパー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=135、3/4AnnularX-Y偏光]を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。露光後、ホットプレート上にて、表1のPEB欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベークPEBを行い、さらに2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。各レジスト膜において、50nmのラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量となる露光量を実効感度とした。以上のようなレジストパターンの製造において、以下の項目を評価した。<ラインエッジラフネス評価LER>リソグラフィプロセス後のレジストパターンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察し、レジストパターンの側壁の凹凸の触れ幅が、3.5nmを超え、4nm以下であるものを◎4nmを超え、4.5nm以下であるものを○、4.5nmを超えるものを×とした。以上のようにして求められたラインエッジラフネス評価LERの結果を、上述の水準評価で表し、表2にまとめる。"