イオンビームを往復ビームスキャンし、ビームスキャン方向に直交する方向にウエハをメカニカルにスキャンして、ウエハにイオン注入するイオン注入方法において、ウエハメカニカルスキャン方向においてウエハ面内の注入領域を複数に分割して、各注入領域ごとに、ビームスキャン方向のビームスキャン速度を可変設定可能にするよう構成し、各注入領域ごとのイオン注入量分布に対応するビームスキャン速度の可変設定により算出した速度パターンに基づいてビームスキャン速度を変更制御することにより、各注入領域のイオン注入量分布を制御し、各注入領域に対応させてウエハメカニカルスキャン速度を設定して各注入領域ごとに制御することにより、各注入領域のイオン注入量を制御すると共に、各注入領域ごとのビームスキャン速度の制御におけるビームスキャン周波数とビームスキャン振幅を一定とするよう構成したことを特徴とするイオン注入方法。請求項1に記載のイオン注入方法において、各注入領域ごとのビームスキャン方向のイオン注入量分布とイオン注入量とを各々設定したウエハに対して、複数の注入領域に連続してイオン注入を行うよう構成したことを特徴とするイオン注入方法。請求項1に記載のイオン注入方法において、各注入領域は、ウエハのメカニカルスキャン方向において均等な間隔となるように構成したことを特徴とするイオン注入方法。請求項1に記載のイオン注入方法において、各注入領域は、ウエハのメカニカルスキャン方向において任意に設定した間隔となるように構成したことを特徴とするイオン注入方法。請求項1~4のいずれか1項に記載のイオン注入方法において、前記ビームスキャン速度の速度パターンを各注入領域ごとに各イオン注入量分布に対応して個別に設定することを特徴とするイオン注入方法。請求項1~5のいずれか1項に記載のイオン注入方法において、各注入領域ごとにビーム測定装置により、一定数のビームスキャン周期分に相当するイオンビーム電流の積分値を測定し、測定したイオンビーム電流の積分値に対応して、各注入領域ごとに可変設定により算出した各速度パターンに基づいてウエハメカニカルスキャン速度を制御することを特徴とするイオン注入方法。請求項1~6のいずれか1項に記載のイオン注入方法において、各注入領域ごとのビームスキャン速度の変更に伴い、ウエハメカニカルスキャン速度が、ビームスキャン速度とウエハメカニカルスキャン速度の積が各速度パターンごとにそれぞれ一定になるように変更されることを特徴とするイオン注入方法。請求項1に記載のイオン注入方法において、ビームスキャン速度の速度パターンを保ちながら、その基準速度に比例定数を乗算して、各注入領域ごとに基準速度を変更し、ビームスキャン振幅及びビームスキャン周波数を一定化することを特徴とするイオン注入方法。請求項1に記載のイオン注入方法において、目的のイオン注入量分布が、同心円形状の任意の不均一な2次元イオン注入量分布であることを特徴とするイオン注入方法。請求項1に記載のイオン注入方法において、目的のイオン注入量分布が、同心リング形状の任意の不均一な2次元イオン注入量分布であることを特徴とするイオン注入方法。請求項1に記載のイオン注入方法において、目的のイオン注入量分布が、複数個のウエハ面内特定位置に対して、部分的にイオン注入量を増減させる任意の不均一な2次元イオン注入量分布であることを特徴とするイオン注入方法。イオンビームを往復ビームスキャンし、ビームスキャン方向にほぼ直交する方向にウエハをメカニカルにスキャンして、ウエハにイオン注入するイオン注入装置において、他の半導体製造工程のウエハ面内不均一性を補正する目的で、ウエハをメカニカルスキャン方向において複数の注入領域に分け、その注入領域ごとにビームスキャン方向のビームスキャン速度を可変設定可能に構成し、それによってウエハ内のイオン注入量を制御する場合に、ビームスキャン周波数とビームスキャン振幅を共に固定しながら、各注入領域に所望のイオン注入量分布とイオン注入量を実現する制御装置を備え、前記制御装置は、各注入領域ごとのイオン注入量分布に対応するビームスキャン速度の可変設定により算出した速度パターンに基づいてビームスキャン速度を変更制御することにより、各注入領域のイオン注入量分布を制御し、各注入領域に対応させてウエハメカニカルスキャン速度を設定して各注入領域ごとに制御することにより、各注入領域のイオン注入量を制御すると共に、各注入領域ごとのビームスキャン速度の制御におけるビームスキャン周波数とビームスキャン振幅を一定とすることを特徴とするイオン注入装置。請求項12に記載のイオン注入装置において、ビーム測定装置を更に備え、該ビーム測定装置は、各注入領域ごとに一定数のビームスキャン周期分に相当するイオンビーム電流の積分値を測定し、前記制御装置は、測定したイオンビーム電流の積分値に対応して、各注入領域ごとにウエハメカニカルスキャン速度を制御することを特徴とするイオン注入装置。請求項12又は13に記載のイオン注入装置において、前記制御装置は、各注入領域ごとのビームスキャン速度の変更に伴い、ウエハメカニカルスキャン速度を、ビームスキャン速度とウエハメカニカルスキャン速度の積が各速度パターンごとにそれぞれ一定になるように変更することを特徴とするイオン注入装置。請求項12に記載のイオン注入装置において、前記制御装置は、ビームスキャン速度の速度パターンを保ちながら、その基準速度に比例定数を乗算して、各注入領域ごとに基準速度を変更し、ビームスキャン振幅及びビームスキャン周波数を一定化することを特徴とするイオン注入装置。特許文献1のイオン注入方法では、単純にビームスキャン速度を変化させるので、ビームスキャン周波数またはビームスキャン振幅のいずれか一方は必ず変化してしまい、その両者を同時に固定することはできず、既に述べた、最近の微細化された半導体製品において、イオン注入工程で意図的に不均一な2次元イオン注入量面内分布を作成する際に必要な条件を満たさない。本発明の課題は、イオンビームを往復ビームスキャンし、ビームスキャン方向に直交する方向にウエハをメカニカルにスキャンして、ウエハにイオンを打ち込む装置において、ウエハをメカニカルスキャン方向において複数の注入領域に分け、各注入領域ごとにビームスキャン方向のビームスキャン速度を可変設定可能にし、それによってウエハ内のイオン注入量を制御する場合に、ビームスキャン周波数とビームスキャン振幅を共に一定にしながら、ウエハ内のイオン注入量制御を実現することである。本発明は、イオンビームを往復ビームスキャンし、ビームスキャン方向に直交する方向にウエハをメカニカルにスキャンして、ウエハにイオンを打ち込む装置に適用される。本発明の態様によれば、イオンビームを往復ビームスキャンし、ビームスキャン方向に直交する方向にウエハをメカニカルにスキャンして、ウエハにイオン注入するイオン注入方法において、ウエハメカニカルスキャン方向においてウエハ面内の注入領域を複数に分割して、各注入領域ごとに、ビームスキャン方向のビームスキャン速度を可変設定可能にするよう構成し、各注入領域ごとのイオン注入量分布に対応するビームスキャン速度の可変設定により算出した速度パターンに基づいてビームスキャン速度を変更制御することにより、各注入領域のイオン注入量分布を制御し、各注入領域に対応させてウエハメカニカルスキャン速度を設定して各注入領域ごとに制御することにより、各注入領域のイオン注入量を制御すると共に、各注入領域ごとのビームスキャン速度の制御におけるビームスキャン周波数とビームスキャン振幅を一定とするよう構成したことを特徴とするイオン注入方法が提供される。上記の態様によるイオン注入方法は、以下のように構成されても良い。各注入領域ごとのビームスキャン方向のイオン注入量分布とイオン注入量とを各々設定したウエハに対して、複数の注入領域に連続してイオン注入を行う。各注入領域は、ウエハのメカニカルスキャン方向において均等な間隔となるように構成しても良いし、ウエハのメカニカルスキャン方向において任意に設定した間隔となるように構成しても良い。前記ビームスキャン速度の速度パターンを各注入領域ごとに各イオン注入量分布に対応して個別に設定する。各注入領域ごとにビーム測定装置により、一定数のビームスキャン周期分に相当するイオンビーム電流の積分値を測定し、測定したイオンビーム電流の積分値に対応して、各注入領域ごとに可変設定により算出した各速度パターンに基づいてウエハメカニカルスキャン速度を制御する。各注入領域ごとのビームスキャン速度の変更に伴い、ウエハメカニカルスキャン速度を、ビームスキャン速度とウエハメカニカルスキャン速度の積が各速度パターンごとにそれぞれ一定になるように変更する。ビームスキャン速度の速度パターンを保ちながら、その基準速度に比例定数を乗算して、各注入領域ごとに基準速度を変更し、ビームスキャン振幅及びビームスキャン周波数を一定化する。目的のイオン注入量分布が、同心円形状の任意の不均一な2次元イオン注入量分布、あるいは同心リング形状の任意の不均一な2次元イオン注入量分布、もしくは複数個のウエハ面内特定位置に対して、部分的にイオン注入量を増減させる任意の不均一な2次元イオン注入量分布である。本発明の別の態様によれば、イオンビームを往復ビームスキャンし、ビームスキャン方向にほぼ直交する方向にウエハをメカニカルにスキャンして、ウエハにイオン注入するイオン注入装置において、他の半導体製造工程のウエハ面内不均一性を補正する目的で、ウエハをメカニカルスキャン方向において複数の注入領域に分け、その注入領域ごとにビームスキャン方向のビームスキャン速度を可変設定可能に構成し、それによってウエハ内のイオン注入量を制御する場合に、ビームスキャン周波数とビームスキャン振幅を共に固定しながら、各注入領域に所望のイオン注入量分布とイオン注入量を実現する制御装置を備えたイオン注入装置が提供される。この態様においては、前記制御装置は、各注入領域ごとのイオン注入量分布に対応するビームスキャン速度の可変設定により算出した速度パターンに基づいてビームスキャン速度を変更制御することにより、各注入領域のイオン注入量分布を制御し、各注入領域に対応させてウエハメカニカルスキャン速度を設定して各注入領域ごとに制御することにより、各注入領域のイオン注入量を制御すると共に、各注入領域ごとのビームスキャン速度の制御におけるビームスキャン周波数とビームスキャン振幅を一定とする。上記の態様によるイオン注入装置は、以下のように構成されても良い。ビーム測定装置を更に備え、該ビーム測定装置は、各注入領域ごとに一定数のビームスキャン周期分に相当するイオンビーム電流の積分値を測定し、前記制御装置は、測定したイオンビーム電流の積分値に対応して、各注入領域ごとにウエハメカニカルスキャン速度を制御する。前記制御装置は、各注入領域ごとのビームスキャン速度の変更に伴い、ウエハメカニカルスキャン速度を、ビームスキャン速度とウエハメカニカルスキャン速度の積が各速度パターンごとにそれぞれ一定になるように変更する。前記制御装置は、ビームスキャン速度の速度パターンを保ちながら、その基準速度に比例定数を乗算して、各注入領域ごとに基準速度を変更し、ビームスキャン振幅及びビームスキャン周波数を一定化する。本発明によれば、イオンビームを往復ビームスキャンし、ビームスキャン方向に直交する方向にウエハをメカニカルにスキャンして、ウエハにイオンを打ち込む装置において、他の半導体製造工程のウエハ面内不均一性を補正する目的で、ウエハをメカニカルスキャン方向において複数の注入領域に分け、各注入領域ごとにビームスキャン速度を可変設定可能に構成し、それによってウエハ内のイオン注入量を制御する場合に、ビームスキャン周波数とビームスキャン振幅を共に固定しながら、目的のイオン注入量分布とイオン注入量とを実現することができる。本発明によれば、イオンビームを往復ビームスキャンし、ビームスキャン方向に直交する方向にウエハをメカニカルにスキャンして、ウエハにイオンを打ち込む装置において、他の半導体製造工程のウエハ面内不均一性を補正する目的で、ウエハをメカニカルスキャン方向において複数の注入領域に分け、各注入領域ごとにビームスキャン速度を可変設定可能に構成し、それによってウエハ内のイオン注入量を制御する場合に、ビームスキャン周波数とビームスキャン振幅を共に固定しながら、同心円形状、同心リング形状のイオン注入量分布とイオン注入量とを実現することができる。本発明によれば、イオンビームを往復ビームスキャンし、ビームスキャン方向に直交する方向にウエハをメカニカルにスキャンして、ウエハにイオンを打ち込む装置において、他の半導体製造工程のウエハ面内不均一性を補正する目的で、ウエハをメカニカルスキャン方向において複数の注入領域に分け、各注入領域ごとにビームスキャン速度を可変設定可能に構成し、それによってウエハ内のイオン注入量を制御する場合に、ビームスキャン周波数とビームスキャン振幅を共に固定しながら、複数個のウエハ面内特定位置に対して、部分的にイオン注入量を増減させて意図的に不均一な2次元イオン注入量分布とイオン注入量とを実現することができる。本発明によれば、イオンビームを往復ビームスキャンし、ビームスキャン方向に直交する方向にウエハをメカニカルにスキャンして、ウエハにイオンを打ち込む装置において、他の半導体製造工程のウエハ面内不均一性を補正する目的で、ウエハをメカニカルスキャン方向において複数の注入領域に分け、各注入領域ごとにビームスキャン速度を可変設定可能に構成し、それによってウエハ内のイオン注入量を制御する場合に、ビームスキャン周波数とビームスキャン振幅を共に固定しながら、目的のイオン注入量分布とイオン注入量とを実現できる機能を有するイオン注入装置を提供することができる。ここで、図1を参照して、本発明が適用され得るイオン注入装置の概略構成について説明する。図1aはイオン注入装置の概略構成を平面図で示し、図1bはイオン注入装置の概略構成を側面図で示す。本発明が適用され得るイオン注入装置は、イオン源1から引出電極2により引き出したイオンビームがウエハ10に至るビームライン上を通るようにするために、該ビームラインに沿って、質量分析磁石装置3、質量分析スリット4、ビームスキャナー5、ウエハ処理室イオン注入室を配設している。ウエハ処理室内には、ウエハを保持する機構を備えたメカニカルスキャン装置11が配設される。イオン源1から引き出されたイオンビームは、ビームラインに沿ってウエハ処理室のイオン注入位置に配置されたホルダ上のウエハ10に導かれる。イオンビームは、ビームラインの途中で、ビームスキャナー5を用いて往復ビームスキャンされ、パラレルレンズ6の機能により、平行化された後、ウエハ10まで導かれる。本発明が適用されるイオン注入装置では、ビームスキャン方向に直交する方向にウエハをメカニカルにスキャンして、ウエハ10にイオンを打ち込む。図1では、角度エネルギーフィルタ7を用いてイオンビームを曲げ、イオンエネルギーの均一性を高めているが、これは一例であって、角度エネルギーフィルタ7は用いなくても良い。実際には、ウエハ10に均一なイオン注入を実施するため、ないし、ウエハ10に意図的に不均一な2次元イオン注入量分布を実施するため、ウエハ領域ビーム測定装置9を用いて、イオンビーム測定を行い、しかる後にウエハ10をセットする。図1では、ウエハ領域ビーム測定装置9は、図中一点鎖線で示す位置との間で可動であるように描かれているが、これは一例であって、非可動タイプのウエハ領域ビーム測定装置9を用いても良い。ウエハ処理室には、ドーズカップ8が設置され、イオン注入中も含めイオンビーム電流を測定する。図1では、ドーズカップ8が、ウエハ10の前方側においてビームスキャン方向の両側に対応する2箇所に設置されているが、これは一例であって、イオン注入中も含めイオンビーム電流量を測定できる位置であれば、ドーズカップ8はウエハ10の後方側に設置しても良いし、ウエハ10を含む平面上に設置しても良い。また、図1では、ドーズカップ8はビームスキャン方向の両側に2個設置されているが、これは一例であって、1個であっても良いし、3個以上の複数個であっても良い。ウエハ10は、ウエハ10を保持する機構を備えたメカニカルスキャン装置11にセットされる。ここで図1aにおいて、ウエハ10はメカニカルスキャン装置11と共に、図面の面に直交する上下方向に往復移動することを示し、図1bにおいてウエハ10は、メカニカルスキャン装置11と共に図面の面に沿う方向で往復移動することを示している。ここで図2を参照して、ウエハ10にイオン注入を行うときの様子をさらに詳しく説明する。特に図2aはウエハ10を前方から見た正面図であり、図2bはウエハ10を上方から見た平面図である。既に図1で説明したように、ウエハ10は、ウエハ10を保持する機構を備えたメカニカルスキャン装置11にセットされ、図2aにおいてウエハ10は、メカニカルスキャン装置11と共に図面の面に沿って上下方向に往復移動する。一方、図2bでは、ウエハ10は図面の面に直交する上下方向に往復移動する。以下では、この方向をY軸方向と呼ぶことがある。メカニカルスキャン装置11は、制御を司るCPUCentralProcessingUnit:制御装置12を備え、必要に応じてメカニカルスキャン装置11のスキャン速度を変更することにより、ウエハ10のスキャン速度以下、ウエハメカニカルスキャン速度と呼ぶを制御する。また、CPU12は、ビームスキャン方向のスキャン速度以下、ビームスキャン速度と呼ぶを制御する。また、メカニカルスキャン装置11は、ウエハ10の上下方向に関する移動位置を記憶するRAM13を備え、必要に応じてウエハ10の移動位置を記憶する。RAM13はまた、ビームスキャンスキャン速度の速度パターンを記憶する。ドーズカップ8は、イオンビーム電流量を測定し、その測定値をCPU12に出力する。図2aで、破線の矢印は、ビームスキャナー5によってスキャンされたイオンビームの軌道を示している。図2aでは、イオンビームはドーズカップ8を横切るように水平方向に往復ビームスキャンされる。以下では、この方向をX軸方向と呼ぶことがある。この水平方向X軸方向に往復ビームスキャンされているイオンビームに対して、実線の互いに反対向きの2本の矢印で示すように、ウエハ10が上下方向Y軸方向に移動すると、イオンビームはウエハ10の全面を往復ビームスキャンすることになり、その結果としてウエハ10の全面にイオンが注入される。具体的には、ウエハ10が最下位置から最上位置、ないし最上位置から最下位置まで移動する間に、ウエハ10の全面にイオンが注入される。ここで、図3a、b及び図4a、bを参照して、本発明が適用され得る、イオンビームを往復ビームスキャンし、ビームスキャン方向に直交する方向にウエハをメカニカルにスキャンして、ウエハにイオンを打ち込むイオン注入装置における、イオンビーム電流の特徴について説明する。このタイプのイオン注入装置では、ウエハ内のイオン注入量は、イオン源1で発生するイオンビームの強度を変えて制御されるのではない。本発明は、図11に示すように、ウエハ10をメカニカルスキャン方向、すなわちY軸方向に関して複数の注入領域に分け、各注入領域ごとにビームスキャン速度を可変にすることによって、ウエハ内のイオン注入量を制御する場合に適用されるが、このような場合、ビームスキャン速度を変えることによりウエハ内のイオン注入量が制御される。図11ではウエハ10をA1~A10の10段に分割しているが、これは一例にすぎず、分割の範囲は数段~数十段である。また、各注入領域は、ウエハのメカニカルスキャン方向において均等な間隔、あるいは任意の間隔のいずれに設定されても良い。ここで、ビームスキャン速度と、ビームスキャン周波数及びビームスキャン振幅の関係を説明する。ビームスキャン周波数はイオンビームを往復ビームスキャンさせるための周波数である。一般的には、ビームスキャン振幅はビームスキャン速度の時間積分で表され、また、ビームスキャン周波数は1周期あたりの時間の逆数で表される。図3a、b及び図4a、bは、この関係を模式的に表した図である。これらの図では、理解のために、2つのビームスキャン速度をそれぞれ一定値v0、v1で表している。図3a、b及び図4a、bにおいて、ビームスキャン振幅は、一辺を1周期当たりの時間、もう一辺をビームスキャン速度とする長方形の面積で表される。例えば、図3で1周期当たりの時間t0、ビームスキャン速度v0の場合、ビームスキャン振幅S0は、S0v0×t0で表される。また、同じく1周期当たりの時間がt0の場合、ビームスキャン周波数は1t0で表される。ここで、ウエハのイオン注入量を制御するために、ビームスキャン速度を変えると、ビームスキャン周波数及びビームスキャン振幅がどう変化するか例示する。まず、元来のビームスキャン速度をv0、スキャン1周期当たりの時間をt0とする。このとき、既に説明したように、ビームスキャン周波数は1t0、ビームスキャン振幅S0は、S0v0×t0で表される。ここで、ビームスキャン速度をv1に変えたとする。図3a、bによって明らかであるが、ビームスキャン周波数を一定にするために、スキャン1周期当たりの時間t0を変えない場合、ビームスキャン振幅は、一辺を1周期当たりの時間、もう一辺をビームスキャン速度とする長方形の面積で表されるので、ビームスキャン振幅Sは、Sv1×t0で表される。すなわち、ビームスキャン速度をv0からv1に変更すると、ビームスキャン周波数を変更しない場合、ビームスキャン振幅が変わってしまう。なお、図3a及び図4aは、v0<V1の場合を示し、図3b及び図4bは、v0>V1の場合を示している。図4のように、ビームスキャン速度をv1に変えた場合でも、ビームスキャン振幅を一定にすることは可能である。すなわち、元来のビームスキャン速度をv0、スキャン1周期当たりの時間をt0とした場合のビームスキャン振幅は、図4aではSaSb、図4bではScSdで表されることになる。ここで、このビームスキャン振幅が一定になるように、長方形の面積を制御し、ビームスキャン速度v1の場合のスキャン1周期当たりの時間をt1に変更すれば、ビームスキャン振幅はやはりSaSb図4a、またはScSd図4bで表されるので、ビームスキャン振幅は一定となる。しかし、この場合には、スキャン1周期当たりの時間をt0からt1に変更するので、その逆数のビームスキャン周波数も1t0から1t1に変更され、ビームスキャン周波数が変わってしまう。この状況は、イオンビームを往復ビームスキャンし、ビームスキャン方向に直交する方向にウエハをメカニカルにスキャンして、イオンをウエハに打ち込む装置において、他の半導体製造工程のウエハ面内不均一性を補正する目的で、ウエハをメカニカルスキャン方向に関して複数の注入領域に分け、各注入領域ごとにビームスキャン速度を可変にし、それによってウエハ内のイオン注入量を制御する場合においても、同様である。ここで、図5を参照して、さらに詳しく説明する。図5では、ウエハメカニカルスキャン位置L1およびL2でビームスキャン速度を変更した場合の、スキャン1周期当たりの時間とビームスキャン振幅の関係を示している。ウエハメカニカルスキャン位置というのは、ウエハがメカニカルスキャンされることによるY軸方向の位置である。ここでは3領域位置L0L1L2のみを示しているが、領域数がさらに増えても以下の議論は同様である。図5では、ビームスキャン速度の基準速度をBv0で表している。この基準速度は、ウエハをメカニカルスキャン方向に領域を分けない場合に、ある一定イオン注入量でウエハにイオン注入を行う場合の、ビームスキャン速度を模式的に表している。現在の先行技術においては、ウエハをメカニカルスキャン方向に領域を分けた場合にも、それぞれの領域で、ある一定イオン注入量を得る場合には、それぞれの領域でのビームスキャン速度の基準速度はBv0と同じ基準速度を用いている。図5の中間の領域位置L1では、ウエハの中央領域でビームスキャン速度が速くなるように制御する速度パターンを示し、図5の後ろ側の領域位置L2では、ウエハの中央領域でビームスキャン速度が遅くなるように制御する速度パターンを示している。以下の説明で、ビームスキャン速度の速度パターンがこれらに限らないことは言うまでもない。ビームスキャン速度の速度パターンは、ウエハのメカニカルスキャン方向に関して分割された各注入領域ごとに各イオン注入量分布に対応して個別に設定されるのが望ましい。図5においては、ビームスキャン振幅S0が一定になるような制御が行われた場合を示している。既に図4で説明したように、この場合にはスキャン1周期当たりの時間をt0からt1またはt2に変更するので、その逆数のビームスキャン周波数も1t0から1t1または1t2に変更され、ビームスキャン周波数が変わってしまう。図5では、t0よりt1が小さいように、また、t0よりt2が大きいように、図示している。また、ビームスキャン周波数を一定にするために、スキャン1周期当たりの時間t0を変えない場合、既に図3で説明したのと同じ理由で、ビームスキャン振幅は変わってしまう。特に、ウエハをメカニカルスキャン方向において複数の注入領域に分け、各注入領域ごとにビームスキャン速度を可変にし、それによってウエハ内のイオン注入量を制御する場合、ビームスキャン振幅が変わるということは、スキャンされたイオンビームがウエハを抜けきらない場合があることを示すものである。換言すれば、ウエハの全面にイオン注入を行なえなくなることを意味し、イオン注入装置に当然に求められる機能を満たすことができない。今まで説明してきたように、現在の先行技術において、ビームスキャン速度を変えた場合に、イオン注入工程で意図的に不均一な2次元イオン注入量面内分布を作成する際に必要な条件たる、ビームスキャン周波数とビームスキャン振幅を同時に固定する一定とすることはできない。これは、ウエハをメカニカルスキャン方向に領域を分けたとき、それぞれの領域で、ある一定イオン注入量を得るために、それぞれの領域でのビームスキャン速度の基準速度Bv0を同一に設定する場合には、常に発生する本質的問題である。本発明では、イオンビームスキャン機能とウエハメカニカルスキャン機能を備えるイオン注入装置において、他の半導体製造工程のウエハ面内不均一性を補正する目的で、ウエハをメカニカルスキャン方向において複数の注入領域に分け、各注入領域ごとにビームスキャン速度を可変設定可能に構成し、それによってウエハ内のイオン注入量を制御する場合に、一定数のビームスキャン周期分に相当するイオンビーム電流の積分値をドーズカップ8で測定し、測定したイオンビーム電流の積分値に対応して、メカニカルスキャン装置11を制御し、それによってウエハメカニカルスキャン速度を制御することにより、ビームスキャン周波数とビームスキャン振幅を共に固定しながら、注入領域ごとに目的のイオン注入量分布とイオン注入量とを実現できるようにしている。本発明ではまた、イオンビームスキャン機能とウエハメカニカルスキャン機能を備えるイオン注入装置において、他の半導体製造工程のウエハ面内不均一性を補正する目的で、ウエハをメカニカルスキャン方向において複数の注入領域に分け、各注入領域ごとにビームスキャン速度を可変設定可能に構成し、それによってウエハ内のイオン注入量を制御する場合に、その注入領域で目的の不均一なイオン注入量分布のパターンを保ちながら、ビームスキャン振幅が一定になるように、ビームスキャン速度に比例定数を乗算し、ビームスキャン振幅を固定化することにより、ビームスキャン周波数とビームスキャン振幅を共に固定しながら、目的のイオン注入量分布とイオン注入量とを実現できるようにしている。ここで、まず、図6を参照して、制御装置、すなわちCPU12による、イオン注入量の制御に関して、概略的に説明する。イオン注入装置でのイオン注入量を考える場合、通常は1次元的、すなわちビームスキャン速度のみを考えればよいが、正確には、2次元的に扱わなければいけない。すなわち、ビームスキャン方向に直交する方向にウエハ10はメカニカルスキャン装置11によってスキャンされるので、メカニカルスキャン装置11によって制御されるウエハメカニカルスキャン速度を考慮に入れなければならない。さらに、ビームスキャン周波数の条件、ビームスキャン振幅の条件、ウエハメカニカルスキャン速度の条件を一度に考察するためには、図6のように、一辺をビームスキャン1周期当たりの時間、一辺をビームスキャン速度、一辺をウエハメカニカルスキャン速度とする3次元空間を用いることが便利である。図6は、その概略図である。ここでは、イオン注入量は、ビームスキャン速度v0とウエハメカニカルスキャン速度V0の積、v0V0v0×V0に反比例する。すなわち、ビームスキャン速度軸とウエハメカニカルスキャン速度軸で形成される平面上の1辺がビームスキャン速度v0、1辺がウエハメカニカルスキャン速度V0の長方形の面積v0V0v0×V0を一定にすることが、イオン注入量を一定にすることを意味する。またビームスキャン1周期当たりのウエハメカニカルスキャン距離は、ウエハメカニカルスキャン速度V0とビームスキャン1周期当たりの時間t0の積、V0×t0で表される。また、ビームスキャン振幅S0は、図3と同様に、S0v0×t0で表される。従って、ビームスキャン周波数とビームスキャン振幅を共に固定しながら、目的のイオン注入量を得るためには、ビームスキャン1周期当たりの時間t0と、ビームスキャン振幅S0v0×t0を一定にしながら、v0×V0を制御すれば良いことになる。図6では簡単のために、同一のビームスキャン速度、同一のウエハメカニカルスキャン速度を用いているが、ビームスキャン速度が可変設定可能にされる場合でも、またウエハメカニカルスキャン速度が可変設定可能にされる場合でも、おなじ議論が成り立つ。ここで、イオンビームを往復ビームスキャンし、ビームスキャン方向に直交する方向にウエハをメカニカルにスキャンして、イオンをウエハに打ち込む装置において、ウエハをメカニカルスキャン方向に領域を分ける場合について、それぞれの領域ごとに、ある一定量のイオン注入を行う場合においては、それぞれの領域毎にビームスキャン周波数とビームスキャン振幅を一定にすることにより、自動的にビームスキャン速度が同一になるのであり、図6で説明したイオン注入量の制御に関する本質があからさまには見えてこない。しかし、本発明に関する、イオンビームスキャン機能とウエハメカニカルスキャン機能を備えるイオン注入装置において、他の半導体製造工程のウエハ面内不均一性を補正する目的で、ウエハをメカニカルスキャン方向において複数の注入領域に分け、各注入領域ごとにビームスキャン速度を可変設定可能にし、それによってウエハ内のイオン注入量を制御する場合には、その注入領域内でビームスキャン速度の速度パターンを用いる必要があり、従って、それぞれの注入領域の一部分に同一のイオン注入を行う場合に、それぞれの注入領域毎にビームスキャン周波数とビームスキャン振幅を一定にすることと、1つの注入領域を通してビームスキャン速度の基準速度を一定にすることについては、相互に矛盾が生じてしまう。ここで、図7を参照して、本発明に関する、イオンビームスキャン機能とウエハメカニカルスキャン機能を備えるイオン注入装置において、他の半導体製造工程のウエハ面内不均一性を補正する目的で、ウエハをメカニカルスキャン方向において複数の注入領域に分け、各注入領域ごとにビームスキャン速度を可変設定可能にし、それによってウエハ内のイオン注入量を制御する場合の、ビームスキャン周波数、ビームスキャン振幅、及びウエハメカニカルスキャン速度の関係を説明する。図7では、速度パターンが平坦なPv0から、ウエハの中央部のみビームスキャン速度を高くするように変更した速度パターンPv1を示している。勿論、以下の説明で、ビームスキャン速度の速度パターンがこれに限らないことは言うまでもない。ここで、図7のウエハの中央部以外は、図6と同一のイオン注入量強度を得たいものとする。それぞれの基準速度を同一のBv0にすると、既に説明したように、ビームスキャン周波数、ビームスキャン振幅のいずれか一方は、固定することは出来ない。しかし、同一のイオン注入量強度を得るために、基準速度を一定にする必要はない。すなわち、既に図6で説明したように、イオン注入量を一定にするためには、ビームスキャン速度v0とウエハメカニカルスキャン速度V0の積、v0×V0を一定にすればよいのであって、v0を単独で一定にする必要は無い。従って、図7に示したように、ビームスキャン方向の基準速度をBv0太い実線からBv1細い実線に変更し、その分、ウエハメカニカルスキャン速度をV0からV1に変更することで、それらの積、すなわち図6ではv0×V0、図7ではv1×V1を一定v0×V0v1×V1にすることができる。このことにより、図7のウエハの中央部以外において、図6と同一のイオン注入量強度を得られることになる。ここで、図7のv1を適切に選ぶと、ビームスキャン1周期当たりの時間t0を変更することなく、ビームスキャン1周期当たりの時間の軸とビームスキャン速度の軸で形成される平面内の面積として表されるビームスキャン振幅を固定することができる。すなわち、ビームスキャン周波数とビームスキャン振幅を共に固定しながら、目的のイオン注入量分布とイオン注入量を実現できることになる。本発明の概略的説明は以上の通りであるが、ここで、図8を用いて、さらに詳しく本発明の詳細を述べる。図8では、ウエハメカニカルスキャン位置L1およびL2でビームスキャン速度を変更した場合の、ビームスキャン1周期当たりの時間とビームスキャン振幅の関係を示している。ここでは位置L0L1およびL2での3領域の速度パターンPv0Pv1Pv2を示しているが、領域数がさらに増えても以下の議論は同様である。図8の中間位置L1の領域では、ウエハの中央領域でビームスキャン速度が速くなるように速度パターンPv1にて制御し、図8の後ろ側の位置L2の領域では、ウエハの中央領域でビームスキャン速度が遅くなるように速度パターンPv2にて制御していることを示している。また、ウエハの中央領域以外では、同一のイオン注入量のイオン注入を実施する場合を示している。勿論、以下の説明で、ビームスキャン速度の速度パターンがこれに限らないことは言うまでもない。図8では、ビームスキャン周波数とビームスキャン振幅を共に固定しながら、すなわち図8内のt0とS0の値を常に一定にしながら、ウエハメカニカルスキャン位置L1およびL2でビームスキャン速度を変更している。具体的には、ビームスキャン速度を変更すべき位置をRAM13にて記憶しておき、メカニカルスキャン装置11によってメカニカルスキャンされたウエハ10がその位置に来たときに、別にRAM13に記憶されていたビームスキャン速度の速度パターンに基づき、CPU12がビームスキャン速度とウエハメカニカルスキャン速度を制御する。RAM13に記憶されるビームスキャン速度の速度パターンは注入領域ごとにあらかじめ算出されて、記憶されていることは言うまでも無い。図8の場合、図面の手前側の位置L1の領域、図面の後ろ側の位置L2の領域ではそれぞれ、同一イオン注入量のイオン注入を実施する場合、基準速度をBv0からBv1、Bv0からBv2に変更している。これは、ビームスキャン振幅を固定するためであって、その変更手法は、RAM13に、注入領域ごとに個別に記憶されていたビームスキャン速度の速度パターンを保ちながら、ビームスキャン振幅を固定するように基準速度に比例定数を乗算して底上げあるいは底下げ二点鎖線から破線あるいは二点鎖線から実線へすることによって実現される。また、図8には示していないが、基準速度の変更に伴い、ウエハメカニカルスキャン速度が、ビームスキャンの基準速度とウエハメカニカルスキャン速度の積が速度パターンごとにそれぞれ一定になるように変更されている。この変更は、ドーズカップ8を用いて一定数のビームスキャン周期分に相当するイオンビーム電流の積分値を測定し、測定したイオンビーム電流の積分値に対応して、メカニカルスキャン装置11を用いてウエハメカニカルスキャン速度を制御することによって実現される。このような変更切替えを、分割された注入領域毎に繰り返すことによって、イオンビームを往復ビームスキャンし、ビームスキャン方向に直交する方向にウエハをメカニカルにスキャンして、イオンをウエハに打ち込む装置において、他の半導体製造工程のウエハ面内不均一性を補正する目的で、ウエハをメカニカルスキャン方向において複数の注入領域に分け、各注入領域ごとにビームスキャン速度を可変設定可能に構成し、それによってウエハ内のイオン注入量を制御する場合に、ビームスキャン周波数とビームスキャン振幅を共に固定しながら、注入領域ごとに目的のイオン注入量分布とイオン注入量とを実現することができる。以下に、本発明により、実際に具体的な課題が解決された一例を示す。図9を参照して、本発明により実際に得られたイオン注入量面内分布の一例を示す。この例では、同心円形状の意図的に不均一な2次元イオン注入量分布が得られている。図10を参照して、本発明により実際に得られたイオン注入量面内分布の他の例を示す。この例では、複数個のウエハ面内特定位置に対して、部分的にイオン注入量を増減させる、意図的に不均一な2次元イオン注入量分布が得られている。図9、図10は例示であって、本発明を限定するものではない。本発明によれば、例えば、同心リング形状の意図的に不均一な2次元イオン注入量分布を得ることもできるし、その他種々の形状の意図的に不均一な2次元イオン注入量分布を得ることができる。このように、本発明によって、種々の意図的に不均一な2次元イオン注入量分布が得られる理由は、ウエハ内のビームスキャン速度の速度パターンを保ちながら、その基準速度に比例定数を乗算し、ビームスキャン振幅の固定化を行い、それに合わせて一定数のビームスキャン周期分に相当するイオンビーム電流の積分値を測定し、測定したイオンビーム電流の積分値に対応して、ウエハメカニカルスキャン速度を制御し、そのことによって通常発生する、それぞれの注入領域ごとにビームスキャン周波数とビームスキャン振幅を一定にすることと、注入領域を通してのイオン注入量パターンとイオン注入量絶対値との間の矛盾を解消したことに求められる。以上、本発明により、イオンビームを往復ビームスキャンし、ビームスキャン方向に直交する方向にウエハをメカニカルにスキャンして、ウエハにイオンを打ち込む装置において、他の半導体製造工程のウエハ面内不均一性を補正する目的で、ウエハをメカニカルスキャン方向において複数の注入領域に分け、各注入領域ごとにビームスキャン方向のスキャン速度を可変設定可能にし、それによってウエハ内のイオン注入量を制御する場合に、ビームスキャン周波数とビームスキャン振幅を共に固定しながら、注入領域ごとに目的のイオン注入量分布とイオン注入量とを実現することができる。ここまで、幾つかの例示的実施形態を説明してきたが、上記説明は、単なる例であって、本発明の限定を意図するものではない。