"複数の受光素子10と、全ての前記受光素子10それぞれの受光面に入射する光の入射角度が異なるように、光の入射角度を規定する規定部20と、前記受光素子10の出力信号に基づいて、光の入射角度を算出する算出部30と、を備える光センサであって、全ての前記受光素子10それぞれと前記算出部30との間に設けられた選択スイッチ40と、前記選択スイッチ40の開閉を制御する制御部50と、を有することを特徴とする光センサ。前記受光素子10は、半導体基板11の一面11a側に形成され、前記規定部20は、前記一面11a上に形成された透光膜21と、前記透光膜21を介して前記一面11a上に形成された遮光膜22と、該遮光膜22に形成された投光用の開口部23とから成ることを特徴とする請求項1に記載の光センサ。複数の前記受光素子10が、前記半導体基板10の一面11a側にマトリックス状に形成され、複数の前記開口部23は、前記マトリックスを2分する分割線上に位置する基準点Pから放射状に延びる仮想直線に沿って、対応する受光素子10から離れるように、前記遮光膜22に形成されており、前記開口部23と、該開口部23に対応する受光素子10との離間距離は、前記基準点Pと前記受光素子10との距離に比例することを特徴とする請求項2に記載の光センサ。前記マトリックスは、前記分割線によって、第1受光素子群10aと第2受光素子群10bとに2分されており、前記算出部30は、前記第1受光素子群10aと前記第2受光素子群10bそれぞれの出力信号を比較することで、光の入射方向を概算することを特徴とする請求項3に記載の光センサ。前記遮光膜22は、前記透光膜21に層状に複数形成されており、複数の前記遮光膜22それぞれに形成された開口部23によって、前記受光面に入射する光の角度が規定されていることを特徴とする請求項2~4いずれか1項に記載の光センサ。前記制御部50は、アドレスデコーダであることを特徴とする請求項1~5いずれか1項に記載の光センサ。特許文献1に示される光センサでは、対を成す2つのフォトダイオードが左右方向に隣接しており、これら2つのフォトダイオードそれぞれの受光面に入射する光の範囲が、2つのフォトダイオードの上方に位置する1つの光伝播エリアによって規定されている。したがって、左方から光センサに光が入射した場合、右方のフォトダイオードの出力信号が、左方のフォトダイオードの出力信号よりも大きくなる。これとは反対に、右方から光センサに光が入射した場合、左方のフォトダイオードの出力信号が、右方のフォトダイオードの出力信号よりも大きくなる。したがって、対を成す2つのフォトダイオードの出力信号を比べることで、光が左方から入射しているのか、右方から入射しているのかを検出することが可能となっている。ところで、上記構成では、左方のフォトダイオードの出力信号を、対を成す2つのフォトダイオードの出力信号の総和によって割った値と、右方のフォトダイオードの出力信号を、対を成す2つのフォトダイオードの出力信号の総和によって割った値と、を算出し、これら2つの値の比をとることで、光が、光センサに対して左方からどれくらい入射しているのか、若しくは、右方からどれくらい入射しているのか、を検出することができる。すなわち、光の左右比を検出することができる。しかしながら、用途によって、特に検出したい光の角度がある場合、その用途に応じて光伝播エリアを作成し直さなくてはならないために、汎用性が低い、という問題があった。そこで、本発明は上記問題点に鑑み、汎用性が向上された光センサを提供することを目的とする。上記した目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、複数の受光素子10と、全ての受光素子10それぞれの受光面に入射する光の入射角度が異なるように、光の入射角度を規定する規定部20と、受光素子10の出力信号に基づいて、光の入射角度を算出する算出部30と、を備える光センサであって、全ての受光素子10それぞれと算出部30との間に設けられた選択スイッチ40と、選択スイッチ40の開閉を制御する制御部50と、を有することを特徴とする。このように本発明によれば、任意の受光素子10を選択することができるので、特に検出したい光の角度があったとしても、その用途に応じて、制御部50の設定を書き換えるだけでよくなる。これによれば、用途に応じて、規定部20を作成し直す構成と比べて、汎用性が向上される。請求項2に記載のように、受光素子10は、半導体基板11の一面11a側に形成され、規定部20は、一面11a上に形成された透光膜21と、透光膜21を介して一面11a上に形成された遮光膜22と、該遮光膜22に形成された投光用の開口部23とから成る構成を採用することができる。このように、規定部20が、半導体基板11に形成された薄膜21,22から成るので、半導体基板の上方に、開口窓が形成された遮蔽板などが設けられた構成と比べて、光センサの体格の増大が抑制される。受光素子10と開口部23の配置としては、請求項3に記載のように、複数の受光素子10が、半導体基板10の一面11a側にマトリックス状に形成され、複数の開口部23は、マトリックスを2分する分割線上に位置する基準点Pから放射状に延びる仮想直線に沿って、対応する受光素子10から離れるように、遮光膜22に形成されており、開口部23と、該開口部23に対応する受光素子10との離間距離は、基準点Pと受光素子10との距離に比例する構成を採用することができる。請求項4に記載のように、マトリックスは、分割線によって、第1受光素子群10aと第2受光素子群10bとに2分されており、算出部30は、第1受光素子群10aと第2受光素子群10bそれぞれの出力信号を比較することで、光の入射方向を概算する構成が良い。これによれば、第1受光素子群10aの出力信号が第2受光素子群10bの出力信号よりも高くなる場合、光は、第1受光素子群10aから分割線に向うように入射していることがわかる。反対に、第2受光素子群10bの出力信号が第1受光素子群10aの出力信号よりも高くなる場合、光は、第2受光素子群10bから分割線に向うように入射していることがわかる。このように、2つの受光素子群10a,10bそれぞれの出力信号を比較することで、光の入射方向を概算することができる。請求項5に記載のように、遮光膜22は、透光膜21に層状に複数形成されており、複数の遮光膜22それぞれに形成された開口部23によって、受光面に入射する光の角度が規定された構成が好ましい。これによれば、ある開口部23から入射した光が、その開口部23と対応する受光素子10以外の受光素子10に入射することが抑制される。これにより、各受光素子10の出力信号に、意図しない開口部23からの光出力外乱出力が含まれることが抑制される。請求項1~5に記載の制御部50としては、例えば、請求項6に記載のように、アドレスデコーダを採用することができる。以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。第1実施形態図1は、光センサの概略構成を示す回路図である。図2は、受光素子と開口部の配置を説明するための平面図である。図3は、図2のIII-III線に沿う断面図である。図4は、算出部の概略構成を説明するための回路図である。なお、図2では、受光素子10の形成位置を明瞭とするために、受光素子10を実線で示し、開口部23を破線で示している。また、図3では、受光素子10の中心と、受光素子10に対応する開口部23の中心とを結ぶ仮想直線を破線で示している。以下においては、複数の受光素子10によって構成されるマトリックスの行に沿う方向を左右方向、列に沿う方向を前後方向と示す。なお、以下に示す左方とは、列番号が少ない側であり、右方とは、列番号が大きい側である。また、前方とは、行番号が少ない側であり、後方とは、行番号が大きい側である。光センサ100は、図1~図3に示すように、要部として、受光素子10と、規定部20と、算出部30と、選択スイッチ40と、制御部50と、を有する。受光素子10と算出部30とは、選択スイッチ40を介して電気的に接続されており、受光素子10の出力信号は、制御部50によって閉状態とされた選択スイッチ40を介して算出部30に入力される。受光素子10は、光を電気信号に変換するものであり、PN接合を有するフォトダイオードである。図2及び図3に示すように、28個の受光素子10が、半導体基板11の一面11a側に形成されており、28個の受光素子10によって、4行7列のマトリックスが構成されている。本実施形態では、マトリックスが、前後方向に沿う分割線図2に二点鎖線で示す直線によって、第1~第4列の受光素子10から成る第1受光素子群10aと、第4~第7列の受光素子10から成る第2受光素子群10bとに2分されている。なお、図示しないが、半導体基板11には、光センサ100の構成要素30~50が形成されており、これら構成要素は、半導体基板11に形成された配線パターンを介して電気的に接続されている。規定部20は、28個の受光素子10それぞれの受光面に入射する光の入射角度が異なるように、光の入射角度を規定するものである。図3に示すように、規定部20は、一面11a上に形成された透光膜21と、透光膜21上に形成された遮光膜22と、遮光膜22に形成された投光用の開口部23と、を有する。図3に破線で示すように、各受光素子10の受光面の中心と、対応する開口部23の中心とを結ぶ線の傾きが異なっており、各受光素子10に入射する光の角度が異なっている。透光膜21は絶縁性と透光性を有する材料から成り、このような性質を有する材料としては、例えば酸化シリコンSiO2がある。遮光膜22は、遮光性と導電性を有する材料から成り、このような性質を有する材料としては、例えばアルミニウムがある。図2に示すように、複数の規定部20は、4行4列に位置する受光素子10基準点Pから放射状に延びる仮想直線図示略に沿って、対応する受光素子10から離れるように、遮光膜22に形成されている。そして、開口部23と、該開口部23に対応する受光素子10との離間距離が、基準点Pと受光素子10との距離に比例している。これにより、第1受光素子群10aでは、左方から入射する光を検出し易く、右方か入射する光を検出し難くなっている。反対に、第2受光素子群10bでは、右方から入射する光を検出し易く、左方から入射する光を検出し難くなっている。また、各受光素子10では、後方から入射する光を検出し難く、第4列の受光素子10から、列番号が増減するにつれて、前方から入射する光を検出し難くなっている。以上、示したように、第1受光素子群10aを構成する受光素子10は、左方から入射する光を検出し易く、第2受光素子群10bを構成する受光素子10は、左方から入射する光を検出し易く、第4列の受光素子10は、前方から入射する光を検出し易くなっている。算出部30は、受光素子10の出力信号に基づいて、光の入射角度を算出するものである。図4に示すように、算出部30は、受光素子群10a,10bの出力信号を増幅する2つの増幅部31a,31bと、該増幅部31a,31bの出力信号を演算することで、光センサ100に入射する光の入射方向を算出する演算部32と、を有する。第1の増幅部31aは、第1受光素子群10aを構成する受光素子10の各出力信号を加算しつつ増幅し、第2の増幅部31bは、第2受光素子群10bを構成する受光素子10の各出力信号を加算しつつ増幅する。演算部32は、増幅部31a,31bそれぞれの出力信号が入力されると、加算して光の入射量を演算すると共に、2つの出力信号を比較することで、光の入射方向を概算する。例えば、第1受光素子群10aの出力信号が第2受光素子群10bの出力信号よりも高くなる場合、光は、左方から入射していることがわかる。反対に、第2受光素子群10bの出力信号が第1受光素子群10aの出力信号よりも高くなる場合、光は、右方から入射していることがわかる。このように、2つの受光素子群10a,10bそれぞれの出力信号を比較することで、光の入射方向を概算することができる。本実施形態に係る演算部32は、第1受光素子群10aの出力信号を、2つの受光素子群10a,10bの出力信号の総和によって割った値と、第2受光素子群10bの出力信号を、2つの受光素子群10a,10bの出力信号の総和によって割った値と、を算出し、これら2つの値の比をとることで、光が、光センサ100に対して左右方向からどれくらい入射しているのかを検出する。選択スイッチ40は、受光素子10と算出部30との接続を開閉制御するためのものであり、各受光素子10と算出部30との間に設けられている。本実施形態に係る選択スイッチ40は、Nチャネル型MOSFETである。制御部50は、選択スイッチ40の開閉を制御するものであり、アドレスデコーダである。制御部50には、ROMなどの記憶部から設けられており、この記憶部に記憶された情報によって、どの選択スイッチに、電圧レベルがHiレベルの信号を常時出力して、どの受光素子10と算出部30とを電気的に接続するのかが決定されている。記憶部の情報は、用途に応じて決定される。例えば、受光素子10の受光面と図3に破線で示す仮想直線とが成す角度仰角が大きい光を検出したい場合、第3~第5列の受光素子10に対応する選択スイッチ40のみを常時閉状態とし、上記した角度が小さい光を検出したい場合、第1,2,6,7列の受光素子10に対応する選択スイッチ40のみを常時閉状態とする。このように、分割線を介して対称となるように、選択スイッチ40が選択される。数式で表現すれば、nを1~4までの自然数、mを1~3までの自然数とすると、n行4-m列の受光素子10に対応する選択スイッチ40と、n行4m列の受光素子10に対応する選択スイッチ40と、が選択される。次に、光センサ100の作用効果を説明する。上記したように、受光素子10と算出部30とが選択スイッチ40を介して電気的に接続されており、選択スイッチ40の開閉が、制御部50によって制御されている。これによれば、特に検出したい光の角度があったとしても、その用途に応じて、制御部50の記憶部の情報を書き換えるだけでよくなるので、用途に応じて規定部を作成し直す構成と比べて、汎用性が向上される。受光素子10は、半導体基板11の一面11a側に形成され、規定部20は、一面11a上に形成された複数の薄膜21,22から成る。したがって、半導体基板の上方に、開口窓が形成された遮蔽板などが設けられた構成と比べて、光センサ100の体格の増大が抑制される。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。本実施形態では、28個の受光素子10が半導体基板11に形成された例を示した。しかしながら、受光素子10の数としては、上記例に限定されない。本実施形態では、複数の受光素子10が、マトリックス状に配置された例を示した。しかしながら、受光素子10の配置例としては、上記例に限定されない。例えば、基準点Pから放射状に延びる仮想直線状に、受光素子10が配置された構成を採用することもできる。本実施形態では、図2に示すように、受光面積が相等しい複数の受光素子10が、半導体基板11に形成された例を示した。しかしながら、光の入射量を検出するために、他の受光素子10よりも受光面積が大きい、入射量検出用の受光素子が、半導体基板11に形成された構成を採用することもできる。本実施形態では、図2に示すように、透光膜21が1層であり、遮光膜22が1層である例を示した。しかしながら、透光膜21及び遮光膜22それぞれの層数は上記例に限定されず、例えば、図5に示すように、透光膜21が2層であり、遮光膜22が2層である構成を採用することもできる。このように、透光膜21に遮光膜22が多層に形成されると、一層の遮光膜22に開口部23が形成された構成と比べて、半導体基板11に入射する光の範囲を狭めることができる。これにより、ある開口部23から入射した光が、その開口部23と対応する受光素子10以外の受光素子10に入射することが抑制され、受光素子10の出力信号に、意図しない開口部23からの光出力外乱出力が含まれることが抑制される。図5は、規定部の変形性を説明するための断面図である。"