a窒化物半導体層上に積層体を形成する工程と、b前記a工程後、前記積層体に対して、熱処理を施すことにより、電極を形成する工程と、を備え、前記積層体は、前記窒化物半導体層上に形成された第1モリブデン膜と、前記第1モリブデン膜上に形成されたアルミニウム膜と、前記アルミニウム膜上に形成された第2モリブデン膜と、前記第2モリブデン膜上に形成された金膜と、を有し、前記第1モリブデン膜の膜厚をXとした場合、2nm≦X≦10nmの関係を満たしている半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、前記アルミニウム膜の膜厚をYとし、前記金膜の膜厚をZとした場合、Y≦Z≦2Yの関係を満たしている半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、前記a工程は、a1前記窒化物半導体層上に、開口部を有するレジスト膜を形成する工程と、a2前記開口部内を含む前記レジスト膜上に前記第1モリブデン膜を形成する工程と、a3前記第1モリブデン膜上に前記アルミニウム膜を形成する工程と、a4前記アルミニウム膜上に第2モリブデン膜を形成する工程と、a5前記第2モリブデン膜上に金膜を形成する工程と、a6前記a5工程後、前記レジスト膜を除去することにより、前記レジスト膜上に形成されている前記第1モリブデン膜、前記アルミニウム膜、前記第2モリブデン膜および前記金膜をリフトオフして、前記積層体を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、前記a工程の前に、基板上に前記窒化物半導体層を形成する工程をさらに有し、前記基板は、サファイア基板、炭化シリコン基板、あるいは、シリコン基板のいずれかから形成されている半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、前記窒化物半導体層は、ガリウムを含む窒化物半導体層である半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、前記窒化物半導体層は、GaN層、あるいは、AlGaN層である半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、前記b工程で実施される熱処理の温度は、650°C以上850°C以下である半導体装置の製造方法。請求項7に記載の半導体装置の製造方法であって、前記b工程で実施される熱処理の温度は、700°C以上800°C以下である半導体装置の製造方法。請求項1~8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、前記電極は、前記熱処理を施すことにより、前記窒化物半導体層とオーミック接触する半導体装置の製造方法。a窒化物半導体層上に積層体を形成する工程と、b前記a工程後、前記積層体に対して、熱処理を施すことにより、電極を形成する工程と、を備え、前記積層体は、前記窒化物半導体層上に形成された第1モリブデン膜と、前記第1モリブデン膜上に形成されたアルミニウム膜と、前記アルミニウム膜上に形成された第2モリブデン膜と、前記第2モリブデン膜上に形成された金膜と、を有し、前記アルミニウム膜の膜厚をYとし、前記金膜の膜厚をZとした場合、Y≦Z≦2Yの関係を満たしている半導体装置の製造方法。請求項10に記載の半導体装置の製造方法であって、前記a工程は、a1前記窒化物半導体層上に、開口部を有するレジスト膜を形成する工程と、a2前記開口部内を含む前記レジスト膜上に前記第1モリブデン膜を形成する工程と、a3前記第1モリブデン膜上に前記アルミニウム膜を形成する工程と、a4前記アルミニウム膜上に第2モリブデン膜を形成する工程と、a5前記第2モリブデン膜上に金膜を形成する工程と、a6前記a5工程後、前記レジスト膜を除去することにより、前記レジスト膜上に形成されている前記第1モリブデン膜、前記アルミニウム膜、前記第2モリブデン膜および前記金膜をリフトオフして、前記積層体を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。請求項10に記載の半導体装置の製造方法であって、前記c工程の前に、基板上に窒化物半導体層を形成する工程をさらに有し、前記基板は、サファイア基板、炭化シリコン基板、あるいは、シリコン基板のいずれかから形成されている半導体装置の製造方法。請求項10に記載の半導体装置の製造方法であって、前記窒化物半導体層は、ガリウムを含む窒化物半導体層である半導体装置の製造方法。請求項10に記載の半導体装置の製造方法であって、前記窒化物半導体層は、GaN層、あるいは、AlGaN層である半導体装置の製造方法。請求項10に記載の半導体装置の製造方法であって、前記b工程で実施される熱処理の温度は、650°C以上850°C以下である半導体装置の製造方法。請求項15に記載の半導体装置の製造方法であって、前記b工程で実施される熱処理の温度は、700°C以上800°C以下である半導体装置の製造方法。a窒化物半導体層と、b前記窒化物半導体層上に形成され、アルミニウム、モリブデン、および、金が相互拡散した構造を有する電極と、を備え、前記電極は、前記窒化物半導体層上に形成された積層体に対して熱処理を施すことにより形成され、前記積層体は、c1前記窒化物半導体層上に形成された第1モリブデン膜と、c2前記第1モリブデン膜上に形成されたアルミニウム膜と、c3前記アルミニウム膜上に形成された第2モリブデン膜と、c4前記第2モリブデン膜上に形成された金膜と、を有し、前記第1モリブデン膜の膜厚をXとした場合、2nm≦X≦10nmの関係を満たしている半導体装置。請求項17に記載の半導体装置であって、前記アルミニウム膜の膜厚をYとし、前記金膜の膜厚をZとした場合、Y≦Z≦2Yの関係を満たしている半導体装置。a窒化物半導体層と、b前記窒化物半導体層上に形成され、アルミニウム、モリブデン、および、金が相互拡散した構造を有する電極と、を備え、前記電極は、前記窒化物半導体層上に形成された積層体に対して熱処理を施すことにより形成され、前記積層体は、c1前記窒化物半導体層上に形成された第1モリブデン膜と、c2前記第1モリブデン膜上に形成されたアルミニウム膜と、c3前記アルミニウム膜上に形成された第2モリブデン膜と、c4前記第2モリブデン膜上に形成された金膜と、を有し、前記アルミニウム膜の膜厚をYとし、前記金膜の膜厚をZとした場合、Y≦Z≦2Yの関係を満たしている半導体装置。請求項17~19のいずれか1項に記載の半導体装置であって、前記電極は、前記窒化物半導体層との間でオーミック接触している半導体装置。a窒化物半導体層と、b前記窒化物半導体層上に形成され、アルミニウム、モリブデン、および、金が相互拡散した構造を有し、かつ、前記窒化物半導体層との間でオーミック接触をしているオーミック電極と、を備え、前記窒化物半導体層と前記オーミック電極との界面において、前記アルミニウムの原子は、前記モリブデンの原子よりも大きい半導体装置。請求項21に記載の半導体装置であって、前記窒化物半導体層と前記オーミック電極との界面において、アルミニウム、モリブデン、および、金のうち、アルミニウムの原子が最も大きい半導体装置。a窒化物半導体層と、b前記窒化物半導体層上に形成され、アルミニウム、モリブデン、および、金が相互拡散した構造を有し、かつ、前記窒化物半導体層との間でオーミック接触をしているオーミック電極と、を備え、前記窒化物半導体層と前記オーミック電極との界面において、前記アルミニウムの原子は、前記金の原子よりも大きい半導体装置。GaN層やAlGaN層に代表される窒化物半導体層を有する半導体装置においては、通常、この窒化物半導体層とオーミック接触を取るためのオーミック電極が形成されている。例えば、n型の窒化物半導体層とオーミック接触を取るオーミック電極には、チタンTiとアルミニウムAlの積層構造や、モリブデンMoとアルミニウムAlの積層構造が使用されている。このようなオーミック電極には、半導体装置の性能向上信頼性向上を含むの観点から、オーミック電極と窒化物半導体層とのコンタクト抵抗接触抵抗を低減するだけでなく、オーミック電極と窒化物半導体層との界面における表面モホロジー表面粗さの悪化を抑制することが要求される。ところが、本発明者がこれらの積層構造をしたオーミック電極について検討した結果、オーミック電極と窒化物半導体層との間のコンタクト抵抗接触抵抗の低減と、オーミック電極と窒化物半導体層との界面における表面モホロジー表面粗さの悪化の抑制とを両立させることが、現状のオーミック電極の構造では困難であることが明らかになった。本願において開示される課題を解決するための手段のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。1一実施の形態における半導体装置及びその製造方法は、積層体に熱処理を施すことにより形成された電極を有する。積層体は、窒化物半導体層上に形成された第1モリブデン膜と、第1モリブデン膜上に形成されたアルミニウム膜と、アルミニウム膜上に形成された第2モリブデン膜と、第2モリブデン膜上に形成された金膜と、を有し、かつ、第1モリブデン膜の膜厚をXとした場合、2nm≦X≦10nmの関係を満たす。2一実施の形態における半導体装置及びその製造方法は、積層体に熱処理を施すことにより形成された電極を有する。積層体は、窒化物半導体層上に形成された第1モリブデン膜と、第1モリブデン膜上に形成されたアルミニウム膜と、アルミニウム膜上に形成された第2モリブデン膜と、第2モリブデン膜上に形成された金膜と、を有し、かつ、アルミニウム膜の膜厚をYとし、前記金膜の膜厚をZとした場合、Y≦Z≦2Yの関係を満たす。3一実施の形態における半導体装置は、窒化物半導体層上に形成され、アルミニウム、モリブデン、および、金が相互拡散した構造を有し、かつ、窒化物半導体層との間でオーミック接触をしているオーミック電極を備える。このとき、窒化物半導体層とオーミック電極との界面において、アルミニウム、モリブデン、および、金のうち、アルミニウムの原子が最も大きい。一実施の形態によれば、窒化物半導体層とオーミック接触するオーミック電極において、コンタクト抵抗接触抵抗の低減と、表面モホロジー表面粗さの悪化の抑制とを両立できる。これにより、半導体装置の性能向上を図ることができる。以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等個数、数値、量、範囲等を含むに言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素要素ステップ等も含むは、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうではないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。また、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。なお、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。実施の形態1<ショットキー接触>半導体装置では、例えば、半導体デバイスには半導体層が形成され、かつ、配線電極も含むには金属膜が使用されることから、半導体デバイスと配線とを電気的に接続して回路を構成するために、半導体層と金属膜とを接触させる必要あるが、一般的に、半導体層と金属膜とを接触させる場合、ショットキー接触になる場合とオーミック接触になる場合がある。半導体層と金属膜とを単に電気的に接続する場合には、ショットキー接触ではなく、オーミック接触にする必要がある。以下では、まず、ショットキー接触とオーミック接触について説明し、単に、半導体層と金属膜とを電気的に接続する場合には、オーミック接触にする必要がある点について説明する。図1は、金属とn型半導体とを接触させる前のそれぞれのバンド構造を示す図である。図1の左側に金属のバンド構造が示されており、図1の右側にn型半導体のバンド構造が示されている。図1の破線で示されているものは真空準位であり、この真空準位は、真空のエネルギー準位を示している。図1の左側に示す金属のバンド構造においては、金属のフェルミ準位εFMが示されており、金属のフェルミ準位εFMと真空準位の差が仕事関数Φmとなる。この仕事関数Φmは、金属中でフェルミエネルギーを持つ電子を金属中から真空中に取り出すために必要なエネルギーという意味を有している。一方、図1の右側に示されるn型半導体のバンド構造において、価電子帯Evと伝導帯Ecが示されており、n型半導体のフェルミ準位εFSは、伝導帯Ecの近傍に存在する。そして、n型半導体のフェルミ準位εFSと真空準位の差が仕事関数Φsとなる。この仕事関数Φsは、n型半導体中でフェルミエネルギーを持つ電子を真空中に取り出すために必要なエネルギーという意味を有している。ここで、図1では、金属の仕事関数Φmの大きさがn型半導体の仕事関数Φsよりも大きくなっており、この場合、金属とn型半導体を接触させると、金属とn型半導体の接触がショットキー接触となる。言い換えれば、電子のエネルギーから見て、金属とn型半導体とを接触させる前の金属のフェルミ準位εFMの位置がn型半導体のフェルミ準位εFSよりも低い場合、金属とn型半導体の接触がショットキー接触となる。以下に、ショットキー接触が形成されるメカニズムついて説明する。例えば、図1に示す状態から、金属とn型半導体とを接触させると、金属のフェルミ準位εFMの位置がn型半導体のフェルミ準位εFSよりも低いため、n型半導体の伝導帯Ecの底部近傍に多数存在する電子は、n型半導体中にいるよりも金属中に存在した方が、エネルギーが低くなる。このことから、金属とn型半導体とを接触させると、n型半導体の伝導帯Ecの底部近傍に多数存在する電子は、n型半導体から金属に向って流れ込む。この結果、金属に接触するn型半導体の表面領域に正に帯電したドナーイオンが取り残され、これと同量の負の電荷電子が金属側に誘起される。すると、n型半導体から金属に向った方向に電界が発生し、この電界により、n型半導体の伝導帯Ecの底部近傍に多数存在する電子のn型半導体から金属への流入が抑制される。すなわち、ある程度の電子がn型半導体から金属へ流れ込んだ後、電子はそれ以上金属へ流入しなくなり、平衡状態が実現する。図2は、この平衡状態のバンド構造を示す図である。すなわち、図2に示すように、平衡状態では、金属のフェルミ準位εFMとn型半導体のフェルミ準位εFSとが一致する。このとき、n型半導体の充分な内部において、電子密度は接触前の状態から変化しないので、n型半導体のフェルミ準位εFSと伝導帯Ecの底のエネルギー差は変化せず、n型半導体のバンドは、図2に示すように、上側へ曲がることになる。この結果、n型半導体の金属との接触領域においては、伝導帯Ecの底のエネルギーが、n型半導体内部の伝導帯Ecの底のエネルギーよりも高くなるため、このn型半導体の金属との接触領域には電子が存在せず、空乏層が形成されることになる。このようにして、金属の仕事関数Φmの大きさがn型半導体の仕事関数Φsよりも大きい場合、金属とn型半導体を接触させると、金属とn型半導体の接触がショットキー接触となる。このとき、ショットキー障壁の高さΦBは、n型半導体の金属との接触領域における伝導帯Ecの底部のエネルギーと、金属のフェルミ準位εFMとの差として定義される。ここで、ショットキー接触を形成している金属とn型半導体との間に順方向電圧を印加した場合を考える。すなわち、金属側がn型半導体側に対して正電位となるように電圧を印加した場合を考える。この場合、順方向電圧は、そのほとんどが抵抗の高い空乏層に加わるため、この順方向電圧による外部電界が、電子のn型半導体から金属への流入を抑制している空乏層内の電界を弱めることになる。この結果、電子がn型半導体から金属に流入し、電流が金属からn型半導体へ流れる。これが順方向である。図3は、順方向状態のバンド構造を示す図である。図3に示すように、金属とn型半導体との間に順方向電圧Vを加えた場合、電子に対しては、n型半導体の方が金属よりもエネルギー的に高くなるため、n型半導体のフェルミ準位εFSは、金属のフェルミ準位εFMよりもqVだけ高くなる。すると、n型半導体中の電子から見たエネルギー障壁は、電圧を印加しない平衡状態のエネルギー障壁ショットキー障壁の高さΦBよりもqVだけ低くなる。この結果、n型半導体から金属へ電子が流入して、金属からn型半導体に向って電流順方向電流が流れるのである。一方、ショットキー接触を形成している金属とn型半導体との間に逆方向電圧を印加した場合を考える。すなわち、金属側がn型半導体側に対して負電位となるように電圧を印加した場合を考える。この場合、逆方向電圧は、そのほとんどが抵抗の高い空乏層に加わり、この逆方向電圧による外部電界は、空乏層内の電界を強める方向に発生する。この結果、電子のn型半導体から金属への流入は起こらず、電流はほとんど流れない。これが逆方向である。図4は、逆方向状態のバンド構造を示す図である。図4に示すように、金属とn型半導体との間に逆方向電圧Vを加えた場合、電子に対しては、n型半導体の方が金属よりもエネルギー的に低くなるため、n型半導体のフェルミ準位εFSは、金属のフェルミ準位εFMよりもqVだけ低くなる。すると、n型半導体中の電子から見たエネルギー障壁は、電圧を印加しない平衡状態のエネルギー障壁ショットキー障壁の高さΦBよりもqVだけ高くなる。この結果、n型半導体から金属へ電子が流入しにくくなり、金属からn型半導体に向って電流がほとんど流れなくなることがわかる。ここで、電流がほとんど流れないと言っているのは、逆方向状態の場合、金属からn型半導体へわずかに電子が流れる結果、n型半導体から金属に向って、わずかに逆方向電流が流れる。すなわち、逆方向電圧Vを加えた場合には、図4に示すように、金属のフェルミ準位εFMがn型半導体のフェルミ準位εFSはよりもqVだけ高くなるため、電子は、むしろ、金属からn型半導体へ流れる。つまり、逆方向状態では、金属のフェルミ準位εFMがn型半導体のフェルミ準位εFSはよりもqVだけ高くなるため、金属中でフェルミ準位εFMからショットキー障壁の高さΦBよりも大きなエネルギーを有する電子が、n型半導体中でフェルミ準位εFSからΦB-qVよりも大きなエネルギーを有する電子よりも多くなる。このことから、電子の濃度差に起因した拡散現象により、金属からn型半導体に電子が流れ込む。これにより、わずかであるがn型半導体から金属へ逆方向電流が流れるのである。以上がショットキー接触の特性である。図5は、ショットキー接触における電流-電圧特性を示したグラフである。図5において、横軸がショットキー接触間に印加される電圧を示しており、縦軸がショットキー接触間を流れる電流を示している。図5に示すように、ショットキー接触に順方向電圧が印加される場合、順方向電圧の増加に伴って順方向電流が指数関数的に上昇する。一方、ショットキー接触に逆方向電圧が印加される場合、逆方向電圧が増加しても逆方向電流はほとんど小さな値で一定している。このことから、ショットキー接触の電流-電圧特性は、順方向における電流-電圧特性と、逆方向における電流-電圧特性がまったく相違していることがわかる。つまり、ショットキー接触は、順方向には充分に電流が流れる一方、逆方向にはほとんど電流が流れないという整流特性を有していることがわかる。ここで、半導体層を有する半導体デバイスと、金属膜から形成される配線とを電気的に接続して回路を構成することを考える場合、半導体層と金属膜の接触がショットキー接触になると不都合が生じる。なぜなら、単に、半導体層と金属膜とを電気的に接続させる場合であっても、この半導体層と金属膜の接触がショットキー接触になると、このショットキー接触には、ダイオードのような整流特性があるため、あたかも、半導体層と金属膜との間にダイオードが付加接続された構成となってしまい、目的とする回路構成とは異なってしまうからである。このことから、半導体層と金属膜の接触には、整流特性のない抵抗性のオーミック接触が必要となるのである。<オーミック接触>以下に、このオーミック接触について説明する。図6は、金属とn型半導体とを接触させる前のそれぞれのバンド構造を示す図である。図6の左側に金属のバンド構造が示されており、図6の右側にn型半導体のバンド構造が示されている。図6では、金属の仕事関数Φmの大きさがn型半導体の仕事関数Φsよりも小さくなっており、この場合、金属とn型半導体を接触させると、金属とn型半導体の接触がオーミック接触となる。言い換えれば、電子のエネルギーから見て、金属とn型半導体とを接触させる前の金属のフェルミ準位εFMの位置がn型半導体のフェルミ準位εFSよりも高い場合、金属とn型半導体の接触がオーミック接触となる。次に、オーミック接触が形成されるメカニズムついて説明する。例えば、図6に示す状態から、金属とn型半導体とを接触させると、金属のフェルミ準位εFMの位置がn型半導体のフェルミ準位εFSよりも高いため、金属中に存在する電子は、金属中にいるよりもn型半導体中に存在した方が、エネルギーが低くなる。このことから、金属とn型半導体とを接触させると、金属中に存在する電子は、金属からn型半導体に向って流れ込む。この結果、金属に接触するn型半導体の表面領域の電子濃度が高くなり、これと同量の正の電荷が金属側に誘起される。すると、金属からn型半導体に向った方向に電界が発生し、この電界により、金属中に存在する電子の金属からn型半導体への流入が抑制される。すなわち、ある程度の電子が金属からn型半導体へ流れ込んだ後、電子はそれ以上n型半導体へ流入しなくなり、平衡状態が実現する。図7は、この平衡状態のバンド構造を示す図である。すなわち、図7に示すように、平衡状態では、金属のフェルミ準位εFMとn型半導体のフェルミ準位εFSとが一致する。このとき、n型半導体の充分な内部において、電子密度は接触前の状態から変化しないので、n型半導体のフェルミ準位εFSと伝導帯Ecの底のエネルギー差は変化せず、n型半導体のバンドは、図7に示すように、下側へ曲がることになる。この結果、n型半導体の金属との接触領域においては、伝導帯Ecの底のエネルギーが、n型半導体内部の伝導帯Ecの底のエネルギーよりも低くなるため、このn型半導体の金属との接触領域には電子が多く存在することになる。このようにして、金属の仕事関数Φmの大きさがn型半導体の仕事関数Φsよりも小さい場合、金属とn型半導体を接触させると、金属とn型半導体の接触がオーミック接触となる。このとき、オーミック接触においては、ショットキー接触と異なる、ショットキー障壁は形成されないことがわかる。ここで、オーミック接触を形成している金属とn型半導体との間に、金属側がn型半導体側に対して正電位となるような第1電圧を印加した場合を考える。図8は、金属側がn型半導体側に対して正電位となるように第1電圧を印加した場合のバンド構造を示す図である。図8に示すように、金属とn型半導体との間に上述した第1電圧Vを加えた場合、電子に対しては、金属の方がn型半導体よりもエネルギー的に低くなるため、金属のフェルミ準位εFMは、n型半導体のフェルミ準位εFSよりもqVだけ低くなる。すると、n型半導体中の伝導帯近傍に存在する多数の電子が、n型半導体から金属へ流入して、金属からn型半導体に向って電流が流れるのである。一方、オーミック接触を形成している金属とn型半導体との間に、金属側がn型半導体側に対して負電位となるような第2電圧を印加した場合を考える。図9は、金属側がn型半導体側に対して負電位となるように第2電圧を印加した場合のバンド構造を示す図である。図9に示すように、金属とn型半導体との間に上述した第2電圧Vを加えた場合、電子に対しては、金属の方がn型半導体よりもエネルギー的に高くなるため、金属のフェルミ準位εFMは、n型半導体のフェルミ準位εFSよりもqVだけ高くなる。すると、金属中に存在する電子が、金属からn型半導体へ流入して、n型半導体から金属に向って電流が流れるのである。以上がオーミック接触の特性である。図10は、オーミック接触における電流-電圧特性を示したグラフである。図10において、横軸がオーミック接触間に印加される電圧を示しており、縦軸がオーミック接触間を流れる電流を示している。図10に示すように、オーミック接触に第1電圧が印加される場合、第1電圧の増加に伴ってプラス方向の電流が一次直線状に上昇する。一方、オーミック接触に第2電圧が印加される場合、第2電圧の増加に伴ってマイナス方向の電流が一次直線状に上昇する。このことから、オーミック接触の電流-電圧特性は、第1電圧極性における電流-電圧特性と、第2電圧極性における電流-電圧特性がまったく同等であることがわかる。つまり、オーミック接触は、抵抗性接触であり、ショットキー接触のように整流特性を有していないことがわかる。したがって、半導体層を有する半導体デバイスと、金属膜から形成される配線とを電気的に接続して回路を構成することを考える場合、半導体層と金属膜の接触がオーミック接触であると、ショットキー接触のように整流特性がないため、好都合であることがわかる。つまり、半導体層と金属膜がオーミック接触する場合、半導体層と金属膜とは、整流特性のない抵抗性接触となり、目的とする回路構成を実現できることがわかる。<オーミック電極の特性向上の必要性>上述したように、半導体層を有するデバイスでは、多くの場合、集積回路を構成するために、半導体層と金属膜とを電気的に接続する必要性が生じる。このとき、半導体層と金属膜とをオーミック接触させることにより、半導体層を有するデバイスを使用した集積回路が実現される。オーミック電極は、例えば、トランジスタにおけるソース電極やドレイン電極、半導体層を抵抗素子として用いた場合の電極などに使用される。したがって、半導体層を有するデバイスを使用した集積回路を実現するためには、半導体層とオーミック接触するオーミック電極を形成する必要がある。そして、集積回路の性能向上信頼性向上を含むの観点から、オーミック電極と半導体層とのコンタクト抵抗接触抵抗をできるだけ低減するだけでなく、オーミック電極と半導体層との界面における表面モホロジー表面粗さの悪化を抑制することが要求される。なぜなら、オーミック電極のコンタクト抵抗を低減することは、集積回路の特性向上を図る観点から必要であることは言うまでもないが、表面モホロジーの悪化は、オーミック電極と半導体層の密着性の低下を招き、オーミック電極の剥がれによるデバイス破壊や、不要なリーク電流の発生などを引き起こし、半導体装置の信頼性向上の観点から問題となると考えられるからである。ここで、化合物半導体の一種である窒化物半導体を有するデバイスも例外ではなく、窒化物半導体層を有するデバイスを使用した集積回路を実現するためには、窒化物半導体層とオーミック接触するオーミック電極を形成する必要がある。そして、集積回路の性能向上信頼性向上を含むの観点から、オーミック電極と窒化物半導体層とのコンタクト抵抗接触抵抗を低減するだけでなく、オーミック電極と窒化物半導体層との界面における表面モホロジー表面粗さの悪化も抑制する必要がある。特に、本願発明では、真性窒化物半導体層ノンドープ窒化物半導体層やn型窒化物半導体層とオーミック接触するオーミック電極において、コンタクト抵抗接触抵抗の低減と、表面モホロジー表面粗さの悪化の抑制とを両立できるオーミック電極を提供することを目的とするものである。本願発明は、特に、窒化物半導体におけるオーミック電極の特性向上を目指す技術的思想である。このとき、本願発明で窒化物半導体に着目しているのは、化合物半導体の中でも、窒化物半導体の特性が優れている点が多数存在するからである。以下に、まず、化合物半導体の一種である窒化物半導体が、GaAsに代表される化合物半導体と比較した場合の利点について説明する。<窒化物半導体を使用することによる利点>例えば、GaAsやAlGaAsに代表される化合物半導体においては、一般に、シリコンSiよりも電子の移動度が高いものが多い一方、正孔の移動度は、シリコンSiと同程度かあるいはシリコンSiよりも小さい。このため、例えば、デバイス半導体素子の構成要素として化合物半導体を使用する場合には、多数キャリアとして電子を用いたデバイスの方が化合物半導体の特徴を生かすことができる。このような特性がある化合物半導体であるが、近年では、化合物半導体の中でも、GaNやAlGaNに代表される窒化物半導体が注目されている。なぜなら、GaNやAlGaNに代表される窒化物半導体化合物半導体の一例は、GaAsやAlGaAsに代表される化合物半導体よりも、バンドギャップが大きく、この結果、絶縁耐圧が大きくなる特徴を有しているからである。したがって、近年では、GaNやAlGaNに代表される窒化物半導体が、例えば、高周波デバイスや電力用デバイスの分野で使用されている。さらに、AlGaN層とGaN層のヘテロ接合を形成すると、そのバンド構造の相違から、両方の界面近傍に三角形状の井戸型ポテンシャルが形成され、この井戸型ポテンシャル内に電子が集中することが知られている2次元電子ガス。この2次元電子ガスの移動度は非常に高くなるため、両方の界面近傍に形成される井戸型ポテンシャルに発生した2次元電子ガスをキャリアに利用した電界効果トランジスタによれば、高速で動作する動作する電界効果トランジスタが実現される。この2次元電子ガスを利用した電界効果トランジスタは、高電子移動度トランジスタHEMT:HighElectronMobilityTransistorと呼ばれる。このHEMTとしては、AlGaAs層とGaAs層のヘテロ接合を使用したものも存在するが、AlGaN層とGaN層のヘテロ接合に基づく2次元電子ガスの面電荷例えば、1×1013/cm2は、AlGaAs層とGaAs層のヘテロ接合に基づく2次元電子ガスの面電荷例えば、1×1012/cm2よりも充分に大きくなる例えば、10倍。これは、AlGaN層とGaN層との伝導帯不連続ΔEcが、AlGaAs層とGaAs層の伝導帯不連続ΔEcよりも大きいとともに、AlGaN層とGaN層のヘテロ接合では、自発分極によるピエゾ効果によって、井戸型ポテンシャルの底部が下側価電子帯側に引き下げられるからである。この結果、AlGaN層とGaN層のヘテロ接合に形成される井戸型ポテンシャルの大きさが、AlGaAs層とGaAs層のヘテロ接合に形成される井戸型ポテンシャルの大きさよりも大きくなることに起因して、AlGaN層とGaN層のヘテロ接合に基づく2次元電子ガスの面電荷が、AlGaAs層とGaAs層のヘテロ接合に基づく2次元電子ガスの面電荷よりも充分に大きくなるのである。このため、AlGaN層とGaN層のヘテロ接合を使用したHEMTによれば、AlGaAs層とGaAs層のヘテロ接合を使用したHEMTに比べて、大きな電流を得ることが容易になる利点がある。以上のように、GaNやAlGaNに代表される窒化物半導体が高周波デバイスや電力用デバイスの分野で使用されており、特に、窒化物半導体を使用したHEMTによれば、上述した利点を得ることができる。さらに、近年では、窒化物半導体の利用分野が光デバイスの分野にも広がっている。例えば、InGaNに代表される窒化物半導体は、青色発光ダイオードの発光層として利用されている。このように本願発明では、窒化物半導体の利点に着目し、窒化物半導体を使用した半導体装置の性能向上を図ることを目的としている。特に、本願発明では、窒化物半導体層とオーミック接触するオーミック電極の特性向上を図ることに着目している。以下では、まず、窒化物半導体層とオーミック接触するオーミック電極についての検討技術およびその問題点を説明し、その後、本願発明の技術的思想について説明する。<検討技術1>図11は、検討技術1特許第3154364号に記載されているオーミック電極を参考に本発明者が作成した模式図である。図11に示すように、検討技術1におけるオーミック電極OEは、n型GaN層nGNLに形成されている。そして、このオーミック電極OEは、n型GaN層nGNL上に形成されたチタンTiとアルミニウムAlからなる合金膜または多層膜TAFと、合金膜TAF上に形成された高融点金属膜HMFと、この高融点金属膜HMF上に形成された金膜AUFから構成されている。検討技術1では、この積層構造を800°C以上の高温で熱処理することにより、コンタクト抵抗の低い良好なオーミック電極OEが得られるとしている。本発明者の検討の結果、この検討技術1には次のような課題のあることが分かった。検討技術1の第1の課題は、オーミック電極OEの表面モホロジー表面粗さが悪いことである。これは、アルミニウムAlと、ニッケルNiなどの高融点金属が低温で合金を形成しやすく、この合金が平面的に不均一に形成されることに起因するものである。表面モホロジーの悪化は、オーミック電極OEのn型GaN層nGNLからの剥離を助長し、オーミック電極OEの剥離によるデバイス破壊素子破壊を引き起こす。あるいは電極エッジが不均一になる部分で局所的に電界が集中することによるデバイス破壊や、不要なリーク電流の発生などを引き起こす。この結果、半導体装置の信頼性低下を招くことになる。また、本発明者の検討により新たに判明した第2の課題としては、n型GaN層nGNLと直接接触するようにチタンTiを使用した場合、通常、基板とn型GaN層nGNLの間に設けられる高抵抗バッファ層において不要なリーク電流が発生する問題点がある。これは、チタンTiを高温で熱処理すると、n型GaN層nGNLの表面に存在する結晶転移を介して、チタンTiがn型GaN層nGNLの内部にまで侵入し、さらには、高抵抗バッファ層にまで拡散するためと考えられている。つまり、高抵抗バッファ層にまで、チタンTiが拡散すると、この高抵抗バッファ層に拡散したチタンによって、不要なリーク電流が増加してしまうのである。このように検討技術1に記載されているオーミック電極OEでは、オーミック電極OEの特性向上を充分に図ることができない問題点が存在する。<検討技術2>続いて、検討技術2について説明する。図12は、検討技術2非特許文献1に記載されているオーミック電極を参考に本発明者が作成した模式図である。図12に示すように、検討技術2におけるオーミック電極OEは、GaN層GNL上にAlGaN層AGNLが形成されており、このAlGaN層AGNL上に形成されている。具体的に、検討技術2におけるオーミック電極OEは、AlGaN層AGNL上に形成された第1モリブデンMo膜MF1と、この第1モリブデンMo膜MF1上に形成されたアルミニウムAl膜ALFと、このアルミニウムAl膜ALF上に形成された第2モリブデンMo膜MF2と、この第2モリブデンMo膜MF2上に形成された金膜AUFから構成されている。検討技術2では、この積層構造を650°C以上の高温で熱処理することにより、良好なオーミック電極OEが得られるとしている。このように構成されている検討技術2では、オーミック電極OEの最下層に第1モリブデンMo膜が形成されているが、モリブデンMoは、チタンTiに比べて高融点であるため、結晶転移を介して、モリブデンMoが、例えば、高抵抗バッファ層に拡散する問題点は回避されている。しかし、本発明者による検討の結果、検討技術2におけるオーミック電極OEでは、コンタクト抵抗および表面モホロジーが必ずしも良くないという点で問題のあることが分かった。例えば、検討技術2では、第1モリブデンMo膜MF1の膜厚が15nm、アルミニウムAl膜ALFの膜厚が60nm、第2モリブデンMo膜MF2の膜厚が35nm、金膜AUFの膜厚が50nmとなっているが、これらの膜厚では、コンタクト抵抗と表面モホロジーが必ずしも両立できないのである。つまり、コンタクト抵抗と表面モホロジーを両立させるためには、オーミック電極OEを構成する各層の膜厚をうまく調整する必要があり、膜厚条件によっては、コンタクト抵抗の増加や表面モホロジーの悪化が生じるおそれがあるのである。以上のように、検討技術1や検討技術2では、窒化物半導体層とオーミック接触するオーミック電極において、コンタクト抵抗接触抵抗の低減と、表面モホロジー表面粗さの悪化の抑制とを両立できていない現状にある。そこで、本願発明では、窒化物半導体層とオーミック接触するオーミック電極において、コンタクト抵抗接触抵抗の低減と、表面モホロジー表面粗さの悪化の抑制とを両立できる工夫を施している。以下に、この工夫を施した本願発明の技術的思想について説明する。<本願発明における積層体の構成>図13は、本実施の形態1における積層体LABの構成を示す模式図である。本実施の形態1では、図13に示す積層体LABに加熱処理を施すことにより、本実施の形態1におけるオーミック電極が形成される。つまり、図13に示す積層体LABは、加熱処理を施してオーミック電極を形成する前の構造である。図13に示すように、本実施の形態1における積層体LABは、GaN層GNL上に形成されたAlGaN層AGNL上に形成されている。この積層体LABは、まず、AlGaN層AGNL上に形成された第1モリブデンMo膜MF1と、第1モリブデンMo膜MF1上に形成されたアルミニウムAl膜ALFと、アルミニウムAl膜ALF上に形成された第2モリブデンMo膜MF2と、第2モリブデンMo膜MF2上に形成された金Au膜AUFから構成されている。ここで、AlGaN層AGNLとオーミック接触する金属膜としてアルミニウムAl膜が挙げられる。つまり、図13に示す積層体LABで使用されているアルミニウムAl膜ALFは、AlGaN層AGNLとのオーミック接触を確保する機能を有する膜である。このとき、AlGaN層AGNLとのオーミック接触を確保する観点からは、AlGaN層AGNL上に、直接アルミニウムAl膜ALFを形成することが考えられる。ところが、アルミニウムAl膜ALFとAlGaN層AGNLとは密着性が悪い。このため、AlGaN層AGNL上に直接アルミニウムAl膜ALFを接触させる構造では、加熱処理を施してオーミック電極を形成する際、アルミニウムAl膜ALFが表面張力で盛り上がる現象ボールアップ現象と呼ばれるが生じ、AlGaN層AGNLとアルミニウムAl膜ALFとの界面における表面モホロジーが悪化してしまう。表面モホロジーの悪化は、オーミック電極と半導体層の密着性の低下を招き、オーミック電極の剥がれによるデバイス破壊や、不要なリーク電流の発生などを引き起こし、半導体装置の信頼性向上の観点から問題となる。そこで、本実施の形態1では、AlGaN層AGNLと、アルミニウムAl膜ALFとの間に、第1モリブデンMo膜MF1を挿入している。つまり、第1モリブデンMo膜MF1は、AlGaN層AGNLと、アルミニウムAl膜ALFとの密着性を向上させる機能を有し、この第1モリブデンMo膜MF1を形成することによって、AlGaN層AGNLとアルミニウムAl膜ALFとの界面における表面モホロジーを改善することができる。続いて、積層体LABに形成されている金Au膜AUFは、積層体LABに加熱処理を施すことにより、オーミック電極を形成する際、アルミニウムAl膜ALFの表面が酸化されることを防止する機能を有している。すなわち、アルミニウムAl膜ALFに対して、加熱処理を実施する場合、アルミニウムAl膜ALFの表面は酸化されやすい。アルミニウムAl膜ALFが酸化されてしまうと、酸化アルミニウムは絶縁体であるため、オーミック電極の抵抗が上昇してしまい、オーミック電極の電気的特性の劣化が生じてしまう。このことから、加熱処理時におけるアルミニウム膜AlALFの酸化を防止するため、アルミニウムAl膜ALF上に金Au膜AUFを形成しているのである。ただし、アルミニウムAl膜ALF上に、直接接触するように金Au膜AUFを形成すると、加熱処理を施した際、アルミニウムAl膜ALFと金Au膜AUFとの間で急速な合金反応が生じてしまう。この合金反応も、表面モホロジーを悪化させる要因となるため、できるだけ合金反応を抑制する必要がある。この観点から、アルミニウムAl膜ALFと金Au膜AUFとの間に中間層として高融点金属である第2モリブデンMo膜MF2を形成している。つまり、第2モリブデンMo膜MF2は、アルミニウムAl膜ALFと金Au膜AUFとの間の急速な合金反応を抑制する機能を有していることになる。以上のことから、本実施の形態1における積層体LABは、第1モリブデンMo膜と、アルミニウムAl膜ALFと、第2モリブデンMo膜MF2と、金Au膜AUFの積層膜から構成されていることになる。そして、本実施の形態1における積層体LABを構成する各膜の機能をまとめると以下のようになる。1まず、最下層の第1モリブデンMo膜MF1は、密着膜として機能する膜であり、AlGaN層AGNLと、アルミニウムAl膜ALFとの間に、第1モリブデンMo膜MF1を挿入することにより、AlGaN層AGNLと、アルミニウムAl膜ALFとの密着性を向上させることができる。これにより、AlGaN層AGNLとアルミニウムAl膜ALFとの界面における表面モホロジーを改善することができる。2アルミニウムAl膜ALFは、AlGaN層AGNLとの間でオーミック接触を実現するためのオーミック金属として機能する膜であり、このアルミニウムAl膜ALFによって、AlGaN層AGNLとの間でオーミック接触するオーミック電極を形成することができる。そして、アルミニウムAl膜ALFの抵抗は比較的小さいため、オーミック電極とAlGaN層AGNLとの接触抵抗コンタクト抵抗を低減することができる。3第2モリブデンMo膜MF2は、積層体LABに加熱処理を施した際、アルミニウムAl膜ALFと金Au膜AUFとの間で急速な合金反応が生じることを抑制する機能を有する膜である。このように、アルミニウムAl膜ALFと金Au膜AUFとの間に、高融点金属である第2モリブデンMo膜MF2を挿入することにより、アルミニウムAl膜ALFと金Au膜AUFとの間で生じる急速な合金反応を抑制することができる。4金Au膜AUFは、積層体LABに加熱処理を施した際、アルミニウムAl膜ALFの表面が酸化されることを防止する機能を有している。このようにアルミニウムAl膜ALF上に金Au膜AUFを形成することにより、アルミニウムAl膜の酸化を防止することができ、オーミック電極の抵抗上昇を抑制することができる。以上のように構成されている本実施の形態1における積層体LABによれば、まず、AlGaN層AGNLと、アルミニウムAl膜ALFとの密着性を向上させる密着膜として、チタンTi膜ではなく、第1モリブデンMo膜MF1を使用している。このとき、モリブデンMoは、チタンTiに比べて高融点であるため、結晶転移を介して、金属が半導体層例えば、高抵抗バッファ層に拡散することを抑制できる。つまり、本実施の形態1における積層体LABに加熱処理を実施することにより、オーミック電極が形成されるが、この際、モリブデンMoは、チタンTiに比べて高融点であるため、結晶転移を介して、モリブデンが半導体層例えば、高抵抗バッファ層に拡散することを抑制できる。この結果、半導体層例えば、高抵抗バッファ層における不要なリーク電流の発生を抑制することができる。また、本実施の形態1における積層体LABでは、アルミニウムAl膜ALFと、金Au膜AUFの間に挿入される中間層として、最下層に形成される第1モリブデンMo膜MF1と同種類の膜である第2モリブデンMo膜MF2を使用している。このため、積層体LABに加熱処理を実施することにより、オーミック電極を形成する際、不要な合金膜が形成されにくいという利点も有している。<本発明者が見出した新たな課題>上述したように、本実施の形態1における積層体LABでは、AlGaN層AGNLとアルミニウムAl膜ALFとの間に、密着膜として機能する第1モリブデンMo膜MF1を挿入している。これにより、AlGaN層AGNLとアルミニウムAl膜ALFとの間の密着性が向上して、表面モホロジーを改善することができる。このように、表面モホロジーを改善する観点からは、第1モリブデンMo膜MF1を、AlGaN層AGNLとアルミニウムAl膜ALFとの間に挿入することが望ましい。ところが、本発明者は、第1モリブデンMo膜MF1の膜厚が厚すぎると、コンタクト抵抗が増加することを見出した。つまり、コンタクト抵抗接触抵抗の低減の観点からは、第1モリブデンMo膜MF1の膜厚が厚すぎることが問題となることを見出したのである。ここで、積層体LABに加熱処理を施してオーミック電極を形成する場合、積層体LABを構成する各層から原子が相互拡散する。このとき、オーミック電極とAlGaN層AGNLとの界面において、例えば、アルミニウム原子の原子が、モリブデン原子の原子よりも多くなる場合には、アルミニウム原子との接触の影響が大きくなる結果、AlGaN層AGNLとオーミック電極との接触がオーミック接触となり、コンタクト抵抗を低減することができると考えられる。ところが、第1モリブデンMo膜MF1の膜厚が厚くなりすぎると、積層体LABを構成する各層から原子が相互拡散した場合であっても、オーミック電極とAlGaN層AGNLとの界面において、アルミニウム原子の原子が、モリブデン原子の原子よりも少なくなってしまう場合が多いものと考えられる。この場合には、AlGaN層AGNLとオーミック電極との接触が、ショットキー接触を構成するモリブデンとの接触の影響を大きく受けることとなり、コンタクト抵抗の増加が起こると考えられるのである。以上のように、AlGaN層AGNLとアルミニウムAl膜ALFとの密着性が悪いことから、密着性を向上させるために、AlGaN層AGNLとアルミニウムAl膜ALFとの間に第1モリブデンMo膜MF1を挿入する必要がある。だからといって、第1モリブデンMo膜MF1の膜厚を厚くしすぎると、AlGaN層AGNLとオーミック電極との間のコンタクト抵抗接触抵抗が増加してしまうという知見を本発明者は見出したのである。つまり、表面モホロジーの改善とコンタクト抵抗の低減を両立させる観点からは、AlGaN層AGNLとアルミニウムAl膜ALFとの間に挿入される第1モリブデンMo膜MF1の膜厚に工夫を施す必要があるのである。そこで、本実施の形態1では、AlGaN層AGNLとアルミニウムAl膜ALFとの間に挿入される第1モリブデンMo膜MF1の膜厚に工夫を施している。以下に、この工夫を施した本実施の形態1における技術的思想について説明する。<本実施の形態1における特徴>図13に示すように、本実施の形態1における積層体LABは、GaN層GNL上に形成されたAlGaN層AGNL上に形成されている。この積層体LABは、まず、AlGaN層AGNL上に形成された第1モリブデンMo膜MF1と、第1モリブデンMo膜MF1上に形成されたアルミニウムAl膜ALFと、アルミニウムAl膜ALF上に形成された第2モリブデンMo膜MF2と、第2モリブデンMo膜MF2上に形成された金Au膜AUFから構成されている。ここで、本実施の形態1の特徴は、AlGaN層AGNLとアルミニウムAl膜ALFの間に挿入されている第1モリブデンMo膜MF1の膜厚をXnmとした場合、2nm≦X≦10nmの関係が満たされている点に特徴がある。本実施の形態1では、このように構成された積層体LABを、例えば、650°C~850°Cの高温で熱処理することにより、表面モホロジーの改善とコンタクト抵抗の低減とを両立したオーミック電極をAlGaN層AGNL上に形成することができる。ここで、例えば、本実施の形態1では、第1モリブデンMo膜MF1以外の膜アルミニウムAl膜ALF、第2モリブデンMo膜MF2、金Au膜AUFの膜厚は、特に、それぞれの膜の有する機能が発揮される範囲内であれば、特に限定されるものではない。例えば、一例として、アルミニウムAl膜ALFの膜厚が70nmであり、第2モリブデンMo膜MF2の膜厚が30nmであり、さらに、金Au膜AUFの膜厚が50nmとなっている。なお、図13では、AlGaN層AGNL上に積層体LABを形成する例について説明しているが、例えば、図14に示すように、n型GaN層nGNL上に積層体LABを形成する場合にも、本実施の形態1における技術的思想を適用することができる。具体的には、n型GaN層nGNLとアルミニウムAl膜ALFの間に挿入されている第1モリブデンMo膜MF1の膜厚をXnmとした場合、2nm≦X≦10nmの関係が満たされるように積層体LABを構成する。そして、この積層体LABを、例えば、650°C~850°Cの高温で熱処理することにより、表面モホロジーの改善とコンタクト抵抗の低減とを両立したオーミック電極をn型GaN層nGNL上に形成することができる。上述したように、AlGaN層AGNLやn型GaN層nGNL上に、直接、アルミニウムAl膜ALFを接触させる構造では、AlGaN層AGNLやn型GaN層nGNLと、アルミニウムAl膜ALFとの密着性が悪くなる。この場合、積層体LABに熱処理を施して、オーミック電極を形成すると、アルミニウムAl膜ALFが表面張力で盛り上がる現象ボールアップ現象と呼ばれるが生じ、AlGaN層AGNLやn型GaN層nGNLと、アルミニウムAl膜ALFとの界面における表面モホロジーが悪化するという問題点が発生する。この対策として、AlGaN層AGNLやn型GaN層nGNLと、アルミニウムAl膜ALFとの間に、密着膜として機能する第1モリブデンMo膜MF1を挿入することが有効である。ところが、第1モリブデンMo膜MF1の膜厚を厚くしすぎると、コンタクト抵抗接触抵抗が増加することになる。したがって、表面モホロジーの改善とコンタクト抵抗の低減を両立させる観点からは、AlGaN層AGNLやn型GaN層nGNLと、アルミニウムAl膜ALFとの間に挿入される第1モリブデンMo膜MF1の膜厚に工夫を施す必要があるのである。そこで、本実施の形態1では、AlGaN層AGNLやn型GaN層nGNLと、アルミニウムAl膜ALFとの間に挿入される第1モリブデンMo膜MF1の膜厚に工夫を施している。具体的に、本実施の形態1では、AlGaN層AGNLやn型GaN層nGNLと、アルミニウムAl膜ALFとの間に挿入されている第1モリブデンMo膜MF1の膜厚をXnmとした場合、2nm≦X≦10nmの関係を満たすように積層体LABを構成している。本実施の形態1では、このように構成された積層体LABを、例えば、650°C~850°Cの高温で熱処理することにより、表面モホロジーの改善とコンタクト抵抗の低減とを両立したオーミック電極を、AlGaN層AGNL上やn型GaN層nGNL上に形成することができる。図15は、第1モリブデンMo膜の膜厚と、オーミック電極と半導体層以下、AlGaN層やn型GaN層を半導体層と総称して言うことにするとのコンタクト抵抗との関係を示すグラフである。図15において、横軸は、第1モリブデンMo膜の膜厚nmを示しており、縦軸は、オーミック電極と半導体層との間のコンタクト抵抗Ωmmを示している。ここで、第1モリブデンMo膜の膜厚は、オーミック電極を形成する前の積層体を構成している際の膜厚を示している。そして、この積層体に熱処理を施すことにより、積層体を構成する各膜の原子が相互拡散し、これによって、オーミック電極が形成される。このとき、図15に示すコンタクト抵抗は、このオーミック電極と半導体層との間のコンタクト抵抗を示している。このコンタクト抵抗は、通常のTLM法TransmissionLineMethodを使用して測定したものである。図15に示すように、第1モリブデンMo膜の膜厚が0nmから2nmの間では、オーミック電極と半導体層との間のコンタクト抵抗が0.3Ωmmから0.2Ωmmに低減していることがわかる。第1モリブデンMo膜厚が2nm以上7nm以下では、コンタクト抵抗が低い領域となっている。その後は、第1モリブデンMo膜の膜厚の増加とともに、オーミック電極と半導体層との間のコンタクト抵抗が増加していることがわかる。特に、第1モリブデンMo膜の膜厚が10nmを超えると、オーミック電極と半導体層との間のコンタクト抵抗が大幅に増加することがわかる。このような挙動を示すメカニズムは、以下に示すようなものと考えることができる。すなわち、まず、第1モリブデンMo膜が形成されていない場合、アルミニウムAl膜と半導体層との間の密着性が悪いことから、オーミック電極と半導体層との間のコンタクト抵抗は大きくなってしまうと考えられる。そして、第1モリブデンMo膜が形成されると、アルミニウムAl膜と半導体層との間の密着性が改善して、オーミック電極と半導体層との間のコンタクト抵抗が小さくなる。この現象が、第1モリブデンMo膜の膜厚が0nmから2nmの間で生じているものと考えられる。その後、第1モリブデンMo膜の膜厚の増加とともに、オーミック電極と半導体層との間のコンタクト抵抗が増加している。この現象は、以下のように考えることができる。すなわち、積層体に加熱処理を施してオーミック電極を形成する場合、積層体を構成する各層から原子が相互拡散する。このとき、例えば、第1モリブデンMo膜の膜厚が小さい場合、アルミニウムAl膜から、オーミック電極と半導体層との界面に拡散するアルミニウム原子の原子が、オーミック電極と半導体層との界面に存在するモリブデン原子の原子よりも大きくなる場合が多いと考えられる。この場合、アルミニウム原子との接触の影響が大きくなる結果、半導体層とオーミック電極との接触がオーミック接触となり、コンタクト抵抗を低減することができると考えられる。一方、第1モリブデンMo膜の膜厚が厚くなりすぎると、積層体を構成する各層から原子が相互拡散した場合であっても、オーミック電極と半導体層との界面において、アルミニウム原子の原子が、モリブデン原子の原子よりも少なくなってしまう場合が多くなるものと考えられる。この場合には、半導体層とオーミック電極との接触が、ショットキー接触を構成するモリブデンとの接触の影響を大きく受けることとなり、コンタクト抵抗の増加が起こると考えられるのである。特に、図15からは、第1モリブデンMo膜の膜厚が0nm以上10nm以下であれば、オーミック電極と半導体層との間のコンタクト抵抗を小さくできると考えられる。具体的に、第1モリブデンMo膜の膜厚が0nm以上10nm以下であれば、オーミック電極と半導体層との間のコンタクト抵抗を0.4Ωmm以下にすることができる。この場合、アルミニウムAl膜から、オーミック電極と半導体層との界面に拡散するアルミニウム原子の原子が、半導体層の表面に存在するモリブデン原子の原子よりも大きくなっている場合が多いものと推察される。次に、図16は、第1モリブデンMo膜の膜厚と、オーミック電極と半導体層との界面における表面粗さRMSとの関係を示すグラフである。図16において、横軸は、第1モリブデンMo膜の膜厚nmを示しており、縦軸は、オーミック電極と半導体層との界面における表面粗さμmを示している。ここで、第1モリブデンMo膜の膜厚は、オーミック電極を形成する前の積層体を構成している際の膜厚を示している。そして、この積層体に熱処理を施すことにより、積層体を構成する各膜の原子が相互拡散し、これによって、オーミック電極が形成される。このとき、図16に示す表面粗さは、このオーミック電極と半導体層との界面における表面粗さを示している。つまり、本実施の形態1では、表面モホロジーの指標として、表面粗さを使用している。この表面粗さは、例えば、表面粗さ計、レーザ顕微鏡、あるいは、原子間力顕微鏡などを使用することにより評価される。図16では、レーザ顕微鏡を使用して表面粗さを評価した結果が示されている。図16に示すように、第1モリブデンMo膜の膜厚が0nmの場合半導体層にアルミニウムAl膜が直接接触している場合、表面粗さは0.3μmである。これに対し、第1モリブデンMo膜の膜厚が2nm以上の場合、表面粗さは0.1μmよりも小さくなる。したがって、図16から明らかなように、第1モリブデンMo膜の膜厚が0nmの場合半導体層にアルミニウムAl膜が直接接触している場合は、表面粗さが極端に悪化するが、第1モリブデンMo膜の膜厚が2nm以上あれば、表面粗さを充分に改善できることを示している。これは、第1モリブデンMo膜が、アルミニウムAl膜と半導体層との間の密着性改善に寄与しており、加熱処理によるアルミニウムAl膜のボールアップ現象を抑制する方向に作用していると考えられるからである。言い換えれば、第1モリブデンMo膜が形成されていない場合には、アルミニウムAl膜と半導体層との密着性が悪化することから、加熱処理によるアルミニウムAl膜のボールアップ現象が顕著に発生し、これによって、表面粗さの大幅な悪化が引き起こされるためであると考えられる。以上のことから、オーミック電極と半導体層との間のコンタクト抵抗を小さくする観点からは、図15に示すように、第1モリブデンMo膜の膜厚が0nm以上10nm以下であることが望ましい。一方、オーミック電極と半導体層との界面における表面モホロジー表面粗さを改善する観点からは、図16に示すように、第1モリブデンMo膜の膜厚が2nm以上であれば問題ない。したがって、図15および図16を考慮して、本実施の形態1では、アルミニウムAl膜と半導体層との間に挿入されている第1モリブデンMo膜の膜厚をXnmとした場合、2nm≦X≦10nmの関係を満たすように積層体を構成している。本実施の形態1では、このように構成された積層体を、例えば、650°C~850°Cの高温で熱処理することにより、表面モホロジーの改善とコンタクト抵抗の低減とを両立したオーミック電極を、半導体層上に形成することができる。なお、図15から分かるように、2nm≦X≦7nmとすれば、コンタクト抵抗は0.2Ωmm程度となり、非常にコンタクト抵抗の低いオーミック電極を形成することができる。<本実施の形態1におけるオーミック電極の製造方法>続いて、本実施の形態1におけるオーミック電極の製造方法について、図面を参照しながら説明する。まず、図17に示すように、基板1Sを用意する。この基板1Sは、例えば、サファイア基板、SiC炭化シリコン基板、あるいは、シリコンSi基板から構成される。そして、この基板1S上に、例えば、有機金属気相成長法MOCVD法:MetalOrganicChemicalVaporDepositionを使用することにより、エピタキシャル層であるバッファ層BUFを形成する。バッファ層BUFは、例えば、基板を構成する結晶格子と、バッファ層BUF上に形成されるGaN層を構成する結晶格子との不整合を緩和する目的で形成される。その後、バッファ層BUF上に、例えば、MOCVD法を使用することにより、導電型不純物を添加していないノンドープのエピタキシャル層であるGaN層GNLを形成し、このGaN層GNL上に、導電型不純物を添加していないノンドープのエピタキシャル層であるAlGaN層AGNLを形成する。なお、以上の説明では、基板1Sを窒化物半導体基板から構成する例を示さなかったが、基板1SはGaNやAlGaN等の窒化物半導体基板でもかまわない。この場合、基板1SはGaNと格子整合しているため、バッファ層BUFを薄く、または、無くすこともできる。次に、図18に示すように、AlGaN層AGNL上にレジスト膜FR1を形成した後、このレジスト膜FR1に対して、露光現像処理を施すことにより、レジスト膜FR1をパターニングする。レジスト膜FR1のパターニングは、オーミック電極形成領域に開口部OP1が形成されるように行なわれる。そして、図19に示すように、例えば、電子線蒸着法などを使用することにより、パターニングしたレジスト膜FR1を形成した基板1SAlGaN層AGNL上に積層膜を形成する。具体的に、積層膜は、第1モリブデンMo膜MF1と、この第1モリブデンMo膜MF1上に形成されたアルミニウムAl膜ALFと、このアルミニウムAl膜ALF上に形成された第2モリブデンMo膜MF2と、この第2モリブデンMo膜MF2上に形成された金Au膜AUFから構成される。具体的に、図19に示すように、この積層膜がレジスト膜FR1に形成された開口部OP1内およびレジスト膜FR1上に形成される。このとき、本実施の形態1では、アルミニウムAl膜ALFとAlGaN層AGNLとの間に挿入されている第1モリブデンMo膜MF1の膜厚をXnmとした場合、2nm≦X≦10nmの関係を満たすように積層膜を構成している。そして、例えば、第1モリブデンMo膜MF1以外の膜アルミニウムAl膜ALF、第2モリブデンMo膜MF2、金Au膜AUFの膜厚は、特に、それぞれの膜の有する機能が発揮される範囲内であれば、特に限定されるものではない。例えば、一例として、アルミニウムAl膜ALFの膜厚が70nmであり、第2モリブデンMo膜MF2の膜厚が30nmであり、さらに、金Au膜AUFの膜厚が50nmとなっている。続いて、図20に示すように、レジスト膜FR1を除去する。レジスト膜FR1を除去する際、レジスト膜FR1上に形成されている積層膜もリフトオフによって除去される。したがって、レジスト膜FR1を除去した後は、レジスト膜FR1の開口部OP1に形成されていた積層膜だけが残存し、これによって、オーミック電極形成領域に、積層膜からなる積層体LABを形成することができる。その後、図21に示すように、例えば、窒素雰囲気中で、かつ、650°C~850°Cの温度で、1分~10分間の加熱処理を、積層体LABを形成した基板1Sに対して実施する。この加熱処理は、例えば、RTARapidThermalAnnealや熱処理炉によるファーネスアニールによって実施することができる。なお、上述した熱処理は、650°C~850°Cの温度範囲で実施されるが、望ましくは、700°C~800°Cの温度範囲で実施する。低い温度では、表面モホロジーは良くなるのに対し、コンタクト抵抗は増加する傾向にある一方、高い温度では、表面モホロジーは悪化するのに対し、コンタクト抵抗は低下する傾向がある。このため、上述した加熱処理の温度は、表面モホロジーの改善とコンタクト抵抗の低減のバランスを考慮して決定される。例えば、表面モホロジーの改善を優先させる場合には、上述した温度範囲のうち比較的低温領域で実施されるのに対し、コンタクト抵抗の低減を優先させる場合には、上述した温度範囲のうち比較的高温領域で実施することが考えられる。以上のような加熱処理を施すことにより、積層体LABを構成する各膜を構成するアルミニウムAl、モリブデンMoおよび金Auが相互拡散して、図22に示すオーミック電極OEが形成される。このとき、オーミック電極OEとAlGaN層AGNLとの界面において、本実施の形態1では、第1モリブデンMo膜の膜厚が小さいため、アルミニウムAl膜から、オーミック電極OEとAlGaN層AGNLとの界面に拡散するアルミニウム原子の原子が、オーミック電極OEとAlGaN層AGNLとの界面に存在するモリブデン原子の原子よりも大きくなる場合が多くなると考えられる。つまり、オーミック電極OEとAlGaN層AGNLとの界面での平均のアルミニウム原子の量原子は、平均のモリブデン原子の量原子よりも大きくなっている。このとき、アルミニウム原子との接触の影響が大きくなる結果、AlGaN層AGNLとオーミック電極OEとの接触がオーミック接触となり、コンタクト抵抗を低減することができる。すなわち、本実施の形態1では、アルミニウムAl膜とAlGaN層AGNLとの間に挿入されている第1モリブデンMo膜MF1の膜厚をXnmとした場合、2nm≦X≦10nmの関係を満たすように積層体LABを構成している。そして、本実施の形態1では、このように構成された積層体LABを、例えば、650°C~850°Cの高温で熱処理することにより、表面モホロジーの改善とコンタクト抵抗の低減とを両立したオーミック電極OEを、AlGaN層AGNL上に形成することができる。実施の形態2前記実施の形態1では、半導体層とアルミニウムAl膜との間に挿入された第1モリブデンMo膜の膜厚に着目して、表面モホロジーの改善とコンタクト抵抗の低減とを両立したオーミック電極OEを半導体層上に形成する技術的思想について説明した。本実施の形態2では、積層体を構成するアルミニウムAl膜の膜厚と、金Au膜の膜厚との関係に着目して、表面モホロジーの改善とコンタクト抵抗の低減とを両立したオーミック電極OEを半導体層上に形成する技術的思想について説明する。<本実施の形態2における特徴>図23に示すように、本実施の形態2における積層体LABは、GaN層GNL上に形成されたAlGaN層AGNL上に形成されている。この積層体LABは、まず、AlGaN層AGNL上に形成された第1モリブデンMo膜MF1と、第1モリブデンMo膜MF1上に形成されたアルミニウムAl膜ALFと、アルミニウムAl膜ALF上に形成された第2モリブデンMo膜MF2と、第2モリブデンMo膜MF2上に形成された金Au膜AUFから構成されている。ここで、本実施の形態2の特徴は、アルミニウムAl膜ALFの膜厚をYnmとし、金Au膜AUFの膜厚をZnmとした場合、Y≦Z≦2Yの関係が満たされている点にある。つまり、本実施の形態2では、表面モホロジーの改善とコンタクト抵抗の低減とを両立するためには、アルミニウムAl膜ALFの膜厚と金Au膜AUFの膜厚との間に一定の相関関係を満たす必要があるという知見を見出し、この知見を具現化したものが本実施の形態2における技術的思想である。本実施の形態2では、このように構成された積層体LABを、例えば、650°C~850°Cの高温で熱処理することにより、表面モホロジーの改善とコンタクト抵抗の低減とを両立したオーミック電極をAlGaN層AGNL上に形成することができる。ここで、例えば、本実施の形態2では、アルミニウムAl膜ALFの膜厚と金Au膜AUFの膜厚は、上述した相関関係の範囲内であればよく、さらに、第1モリブデンMo膜MF1の膜厚や第2モリブデンMo膜MF2の膜厚も、特に、それぞれの膜の有する機能が発揮される範囲内であれば、特に限定されるものではない。例えば、一例として、第1モリブデンMo膜MF1の膜厚を7nm、アルミニウムAl膜ALFの膜厚を50nm~75nm、第2モリブデンMo膜MF2の膜厚を30nm~50nm、金Au膜AUFの膜厚を75nm~150nmとすることができる。なお、図23では、AlGaN層AGNL上に積層体LABを形成する例について説明しているが、例えば、図24に示すように、n型GaN層nGNL上に積層体LABを形成する場合にも、本実施の形態2における技術的思想を適用することができる。具体的には、n型GaN層nGNL上に形成された積層体LABにおいて、アルミニウムAl膜ALFの膜厚をYnmとし、金Au膜AUFの膜厚をZnmとした場合、Y≦Z≦2Yの関係が満たされているように構成する。そして、この積層体LABを、例えば、650°C~850°Cの高温で熱処理することにより、表面モホロジーの改善とコンタクト抵抗の低減とを両立したオーミック電極をn型GaN層nGNL上に形成することができる。このように本実施の形態2では、アルミニウムAl膜ALFの膜厚をYnmとし、金Au膜AUFの膜厚をZnmとした場合、Y≦Z≦2Yの関係が満たされている点に特徴があるが、アルミニウムAl膜ALFの膜厚と、金Au膜AUFの膜厚との間に上述した相関関係を導入した定性的な理由について説明する。例えば、金Au膜AUFの膜厚に対して、アルミニウムAl膜ALFの膜厚が充分大きくなる場合、アルミニウムAlが金Auに対して過剰に存在することになる。この場合、積層体を加熱処理する際、過剰に存在するアルミニウムAlがモリブデンMoや金Auと局所的な合金反応を起こす。この結果、局所的に表面モホロジーが悪化してしまうのである。つまり、アルミニウムAiが金Auに対して過剰に存在する場合、過剰に存在するアルミニウムAlが、モリブデンMoや金Auとの間で余計な合金反応を起こして、表面モホロジーが悪化するのである。このため、表面モホロジーの改善を図る観点から、アルミニウムAlの量は、金Auよりも過剰に存在しないことが望ましく、この観点から、アルミニウムAl膜ALFの膜厚を金Au膜AUFの膜厚以下にする必要があるのである。一方、例えば、アルミニウムAl膜ALFの膜厚に対して、金Au膜AUFの膜厚が充分に大きくなる場合、金AuがアルミニウムAlに対して過剰に存在することになる。この場合、積層体を加熱処理する際、過剰に存在する金Auが拡散し、積層体と半導体層との界面にまで達する。このとき、積層体と半導体層との界面にまで達する金Auが多くなると、積層体と半導体層との界面に拡散するアルミニウムAlの原子よりも、積層体と半導体層との界面にまで達する金Auの原子が多くなる場合が発生すると考えられる。このとき、積層体と半導体層との界面に拡散するアルミニウムAlは、半導体層との間でオーミック接触を形成するのに対し、積層体と半導体層との界面に拡散する金Auは、半導体層との間でショットキー接触を形成する。このため、積層体と半導体層との界面にまで達する金Auの原子が多くなると、半導体層とオーミック電極との接触が、ショットキー接触を構成する金Auとの接触の影響を大きく受けることとなり、コンタクト抵抗の増加が起こると考えられるのである。したがって、オーミック電極のコンタクト抵抗の低減を図る観点からは、金AuがアルミニウムAlに対して過剰に存在することは望ましくなく、アルミニウムAl膜ALFの膜厚に対して、金Au膜AUFの膜厚があまり大きくならないようにする必要がある。このことから、本実施の形態2では、金Au膜AUFの膜厚をアルミニウムAl膜ALFの膜厚よりも充分に厚くすることは避けるべき知見が得られる。以上のことから、表面モホロジーの改善とコンタクト抵抗の低減とを両立したオーミック電極を得るためには、アルミニウムAl膜ALFの膜厚と金Au膜AUFの膜厚とを適切な比率に設定する必要があることがわかる。続いて、アルミニウムAl膜ALFの膜厚と、金Au膜AUFの膜厚との間に上述した相関関係を導入した理由を定量的な観点から説明する。図25は、アルミニウムAl膜と金Au膜との膜厚比以下、Au/Al膜厚比というAuの膜厚/Alの膜厚と、オーミック電極と半導体層以下、AlGaN層やn型GaN層を半導体層と総称して言うことにするとのコンタクト抵抗との関係を示すグラフである。図25において、横軸は、Au/Al膜厚比を示しており、縦軸は、オーミック電極と半導体層との間のコンタクト抵抗Ωmmを示している。ここで、Au/Al膜厚比は、オーミック電極を形成する前の積層体を構成している際の膜厚比を示している。そして、この積層体に熱処理を施すことにより、積層体を構成する各膜の原子が相互拡散し、これによって、オーミック電極が形成される。このとき、図25に示すコンタクト抵抗は、このオーミック電極と半導体層との間のコンタクト抵抗を示している。このコンタクト抵抗は、通常のTLM法TransmissionLineMethodを使用して測定したものである。図25に示すように、Au/Al膜厚比が0.5~2.0の範囲においては、コンタクト抵抗が0.3Ωmm以下となっており、充分にコンタクト抵抗を低減できることがわかる。ところが、Au/Al膜厚比が2.0を超えると、急激にコンタクト抵抗が上昇していることがわかる。これは、以下に示す理由が考えられる。すなわち、Au/Al膜厚比が2.0を超えるということは、アルミニウムAl膜ALFの膜厚に対して、金Au膜AUFの膜厚が充分に大きくなることを意味し、これにより、金AuがアルミニウムAlに対して過剰に存在することになる。この場合、積層体を加熱処理する際、過剰に存在する金Auが拡散し、積層体と半導体層との界面にまで達する。このとき、積層体と半導体層との界面にまで達する金Auが多くなると、積層体と半導体層との界面に拡散するアルミニウムAlの原子よりも、積層体と半導体層との界面にまで達する金Auの原子が多くなる場合が発生すると考えられる。このため、積層体と半導体層との界面にまで達する金Auの原子が多くなると、半導体層とオーミック電極との接触が、ショットキー接触を構成する金Auとの接触の影響を大きく受けることとなり、コンタクト抵抗の急激な増加が起こると考えられるのである。このことから、オーミック電極のコンタクト抵抗を低減する観点から、Au/Al膜厚比は、0.5~2.0の範囲内にあることが望ましいことがわかる。次に、図26は、Au/Al膜厚比と、オーミック電極と半導体層との界面における表面粗さRMSとの関係を示すグラフである。図26において、横軸は、Au/Al膜厚比を示しており、縦軸は、オーミック電極と半導体層との界面における表面粗さμmを示している。ここで、Au/Al膜厚比は、オーミック電極を形成する前の積層体を構成している際の膜厚を示している。そして、この積層体に熱処理を施すことにより、積層体を構成する各膜の原子が相互拡散し、これによって、オーミック電極が形成される。このとき、図26に示す表面粗さは、このオーミック電極と半導体層との界面における表面粗さを示している。つまり、本実施の形態2では、表面モホロジーの指標として、表面粗さを使用している。この表面粗さは、例えば、表面粗さ計、レーザ顕微鏡、あるいは、原子間力顕微鏡などを使用することにより評価される。図26では、レーザ顕微鏡を使用して表面粗さを評価した結果が示されている。図26に示すように、Au/Al膜厚比が1以上の範囲内においては、表面粗さが0.1μm以下となっており、充分に表面モホロジーを改善できることがわかる。ところが、Au/Al膜厚比が1よりも小さくなると、急激に表面粗さが大きくなることがわかる。つまり、図26には、Au/Al膜厚比が1よりも小さくなると、表面モホロジーが急激に悪化することが示されている。これは、以下に示す理由が考えられる。すなわち、Au/Al膜厚比が1よりも小さくなるということは、アルミニウムAl膜の膜厚が金Au膜の膜厚よりも充分大きくなることを意味し、これにより、アルミニウムAlが金Auに対して過剰に存在することになる。この場合、積層体を加熱処理する際、過剰に存在するアルミニウムAlがモリブデンMoや金Auと局所的な合金反応を起こすと考えられ、これによって、局所的に表面モホロジーが悪化してしまうと考えられるのである。このことから、オーミック電極と半導体層の界面における表面モホロジーを改善する観点から、Au/Al膜厚比は、1以上の範囲内にあることが望ましいことがわかる。さらに好ましくは、Au/Al膜厚比は、1.3以上であることが望ましい。以上のことから、オーミック電極と半導体層との間のコンタクト抵抗を小さくする観点からは、図25に示すように、Au/Al膜厚比が0.5~2の範囲内にあることが望ましい。一方、オーミック電極と半導体層との界面における表面モホロジー表面粗さを改善する観点からは、図26に示すように、Au/Al膜厚比が1以上の範囲内にあることが望ましい。したがって、図25および図26を考慮して、本実施の形態2では、Au/Al膜厚比が1~2の範囲内にあるように構成している。言い換えれば、アルミニウムAl膜の膜厚をYnmとし、金Au膜の膜厚をZnmとした場合、Y≦Z≦2Yの関係を満たすように構成している。本実施の形態2では、このように構成された積層体を、例えば、650°C~850°Cの高温で熱処理することにより、表面モホロジーの改善とコンタクト抵抗の低減とを両立したオーミック電極を、半導体層上に形成することができる。図26からはAu/Al膜厚比が1.3以上であればさらに表面粗さを小さくできることから、金Auの膜厚Zは、1.3Y≦Z≦2Yであればさらに、表面を平坦にすることができ、好適である。<本実施の形態2におけるオーミック電極の製造方法>続いて、本実施の形態2におけるオーミック電極の製造方法について、図面を参照しながら説明する。まず、図17に示す前記実施の形態1と同様に、基板1Sを用意する。この基板1Sは、例えば、サファイア基板、SiC炭化シリコン基板、シリコンSi基板、あるいは、GaN基板から構成される。そして、この基板1S上に、例えば、有機金属気相成長法MOCVD法:MetalOrganicChemicalVaporDepositionを使用することにより、エピタキシャル層であるバッファ層BUFを形成する。バッファ層BUFは、例えば、基板を構成する結晶格子と、バッファ層BUF上に形成されるGaN層を構成する結晶格子との不整合を緩和する目的で形成される。その後、バッファ層BUF上に、例えば、MOCVD法を使用することにより、導電型不純物を添加していないノンドープのエピタキシャル層であるGaN層GNLを形成し、このGaN層GNL上に、導電型不純物を添加していないノンドープのエピタキシャル層であるAlGaN層AGNLを形成する。次に、図18に示す前記実施の形態1と同様に、AlGaN層AGNL上にレジスト膜FR1を形成した後、このレジスト膜FR1に対して、露光現像処理を施すことにより、レジスト膜FR1をパターニングする。レジスト膜FR1のパターニングは、オーミック電極形成領域に開口部OP1が形成されるように行なわれる。そして、図27に示すように、例えば、電子線蒸着法などを使用することにより、パターニングしたレジスト膜FR1を形成した基板1S上に積層膜を形成する。具体的に、積層膜は、第1モリブデンMo膜MF1と、この第1モリブデンMo膜MF1上に形成されたアルミニウムAl膜ALFと、このアルミニウムAl膜ALF上に形成された第2モリブデンMo膜MF2と、この第2モリブデンMo膜MF2上に形成された金Au膜AUFから構成される。具体的に、図27に示すように、この積層膜がレジスト膜FR1に形成された開口部OP1内およびレジスト膜FR1上に形成される。このとき、本実施の形態2では、例えば、第1モリブデンMo膜MF1の膜厚は7nmである。また、アルミニウムAl膜ALFの膜厚をYnmとし、金Au膜AUFの膜厚をZnmとした場合、Y≦Z≦2Yの関係を満たすように、それぞれの膜厚が調整される。例えば、アルミニウムAl膜ALFの膜厚は75nmに設定され、金Au膜AUFの膜厚は120nmに設定される。さらに、第2モリブデンMo膜MF2の膜厚については、特に範囲を設けないが、例えば、30nm~50nmの範囲内で形成される。続いて、図28に示すように、レジスト膜FR1を除去する。レジスト膜FR1を除去する際、レジスト膜FR1上に形成されている積層膜もリフトオフによって除去される。したがって、レジスト膜FR1を除去した後は、レジスト膜FR1の開口部OP1に形成されていた積層膜だけが残存し、これによって、オーミック電極形成領域に、積層膜からなる積層体LABを形成することができる。その後、図29に示すように、例えば、窒素雰囲気中で、かつ、650°C~850°Cの温度で、1分~10分間の加熱処理を、積層体LABを形成した基板1Sに対して実施する。この加熱処理は、例えば、RTARapidThermalAnnealや熱処理炉によるファーネスアニールによって実施することができる。なお、上述した熱処理は、650°C~850°Cの温度範囲で実施されるが、望ましくは、700°C~800°Cの温度範囲で実施する。低い温度では、表面モホロジーは良くなるのに対し、コンタクト抵抗は増加する傾向にある一方、高い温度では、表面モホロジーは悪化するのに対し、コンタクト抵抗は低下する傾向がある。このため、上述した加熱処理の温度は、表面モホロジーの改善とコンタクト抵抗の低減のバランスを考慮して決定される。例えば、表面モホロジーの改善を優先させる場合には、上述した温度範囲のうち比較的低温領域で実施されるのに対し、コンタクト抵抗の低減を優先させる場合には、上述した温度範囲のうち比較的高温領域で実施することが考えられる。以上のような加熱処理を施すことにより、積層体LABを構成する各膜を構成するアルミニウムAl、モリブデンMoおよび金Auが相互拡散して、図30に示すオーミック電極OEが形成される。このとき、オーミック電極OEとAlGaN層AGNLとの界面において、本実施の形態2では、アルミニウムAl膜ALFの膜厚をYnmとし、金Au膜AUFの膜厚をZnmとした場合、Y≦Z≦2Yの関係が満たされている。このため、アルミニウムAl膜から、オーミック電極OEとAlGaN層AGNLとの界面に拡散するアルミニウム原子の原子が、オーミック電極OEとAlGaN層AGNLとの界面に拡散する金原子の原子よりも大きくなる場合が多くなると考えられる。このとき、アルミニウム原子との接触の影響が大きくなる結果、AlGaN層AGNLとオーミック電極OEとの接触がオーミック接触となり、コンタクト抵抗を低減することができる。すなわち、本実施の形態2では、Au/Al膜厚比が1~2の範囲内にあるように構成している。そして、本実施の形態2では、このように構成された積層体LABを、例えば、650°C~850°Cの高温で熱処理することにより、表面モホロジーの改善とコンタクト抵抗の低減とを両立したオーミック電極OEを、AlGaN層AGNL上に形成することができる。なお、本実施の形態2では、アルミニウムAl膜ALFの膜厚をYnmとし、金Au膜AUFの膜厚をZnmとした場合、Y≦Z≦2Yの関係が満たされるように積層体LABを構成する点に特徴がある。そして、この特徴点により、表面モホロジーの改善とコンタクト抵抗の低減とを両立したオーミック電極OEを提供することができる。このため、本実施の形態2では、積層体LABの最下層に形成される第1モリブデンMo膜MF1の膜厚については、特に限定されない。ただし、本実施の形態2においても、前記実施の形態1と同様に、第1モリブデンMo膜MF1の膜厚をXnmとした場合、2nm≦X≦10nmの関係を満たすように積層体LABを構成することにより、前記実施の形態1の特徴と、本実施の形態2の特徴の相乗効果によって、さらなるオーミック電極OEの表面モホロジーの改善とコンタクト抵抗の低減とを図ることができる。この場合、オーミック電極OEとAlGaN層AGNLとの界面において、アルミニウムAl膜から、オーミック電極OEとAlGaN層AGNLとの界面に拡散するアルミニウム原子の原子が、オーミック電極OEとAlGaN層AGNLとの界面に拡散する金原子の原子よりも大きくなる場合が多くなり、かつ、モリブデン原子の原子よりも大きくなる場合が多くなると考えられる。すなわち、半導体層とオーミック電極OEとの界面において、アルミニウム、モリブデン、および、金のうち、アルミニウムの原子が最も大きくなる場合が多くなるものと考えられる。実施の形態3<高電子移動度トランジスタの構成>本実施の形態3では、前記実施の形態1や前記実施の形態2で説明したオーミック電極OEを高電子移動度トランジスタHEMTに利用する例について説明する。図31は、本実施の形態3におけるHEMTのデバイス構造を示す断面図である。図31に示すように、例えば、サファイア基板、SiC炭化シリコン基板、シリコンSi基板、あるいは、GaN基板から構成される基板1S上に、GaN層からなるバッファ層BUFが形成されている。そして、このバッファ層BUF上に、導電型不純物が導入されていないノンドープのGaN層GNLが形成されており、このGaN層GNL上に、導電型不純物が導入されていないノンドープのAlGaN層AGNLが形成されている。つまり、本実施の形態3におけるHEMTにおいては、基板1S上に、GaN層GNLとAlGaN層AGNLからなるヘテロ接合が形成されていることになる。次に、AlGaN層AGNL上には、互いに離間して配置されたソース電極SEとドレイン電極DEが形成されている。このソース電極SEおよびドレイン電極DEは、オーミック電極OEから構成されており、このオーミック電極OEは、前記実施の形態1や前記実施の形態2で説明した特徴を有している。したがって、本実施の形態3におけるHEMTによれば、本願発明の技術的思想が適用されたオーミック電極OEをソース電極SEやドレイン電極DEに使用しているので、ソース電極SEやドレイン電極DEにおける表面モホロジーの改善とコンタクト抵抗の低減とを図ることができる。具体的に、ソース電極SEおよびドレイン電極DEは、アルミニウム、モリブデン、および、金が相互拡散したオーミック電極OEから形成されており、特に、オーミック電極OEとAlGaN層AGNLとの界面において、アルミニウム原子の原子は、モリブデン原子の原子や金原子の原子よりも大きくなっている場合が多いと考えられる。そして、ソース電極SEとドレイン電極DEとの間のAlGaN層AGNL上には、ゲート電極GEが形成されている。このゲート電極GEは、ニッケル膜NIFと金膜AUF2の積層膜から形成されており、ゲート電極GEとAlGaN層AGNLとの接触はショットキー接触となっている。また、本実施の形態3におけるHEMTでは、AlGaN層AGNLの表面に、例えば、窒化シリコン膜からなる表面保護膜PRFが形成されている。<高電子移動度トランジスタの動作>本実施の形態3におけるHEMTは上記のように構成されており、以下に、その動作について説明する。特に、本実施の形態3では、ノーマリオン型のHEMTを例に挙げて、その動作について説明する。図32は、ゲート電極にしきい値電圧以下の負電圧が印加されてHEMTがオフしている場合のバンド構造を示す図である。図32の左側にゲート電極を構成する金属のバンド構造が示されており、図32の中央部にAlGaN層のバンド構造が示されている。そして、図32の右側にGaN層のバンド構造が示されている。ここで、ゲート電極には、GaN層に対して負電圧が印加されているため、ゲート電極金属のフェルミ準位εFMは、GaN層のフェルミ準位εFS2よりも印加した電圧分だけ高くなる。ゲート電極との界面でのAlGaN層の伝導帯は所定のショットキー障壁高さΦBだけ高くなり、また、AlGaN層とGaN層との界面では所定の伝導帯不連続ΔEcがあるため、ゲート電極のフェルミ準位εFMが高くなったのに伴い、伝導帯が引きずられて上昇する。その結果、AlGaN層とGaN層との界面には2次元電子ガスが形成されないため、ソース電極SEとドレイン電極DEを電気的に接続するチャネルが形成されない。この結果、本実施の形態3におけるHEMTは、ゲート電極にしきい値電圧以下の負電圧が印加されている場合、オフする。なお、AlGaN層の伝導帯とGaN層の伝導帯のエネルギー差から、AlGaN層の伝導帯とGaN層の伝導帯との間には所定の伝導帯不連続ΔEcが形成されている。続いて、図33は、ゲート電極に0Vの電圧が印加されてHEMTがオンしている場合のバンド構造を示す図である。図33の左側にゲート電極を構成する金属のバンド構造が示されており、図33の中央部にAlGaN層のバンド構造が示されている。そして、図33の右側にGaN層のバンド構造が示されている。ここで、ゲート電極には0Vが印加されていることから、ゲート電極を構成する金属のフェルミ準位εFMと、GaN層のフェルミ準位εFS2は等しくなる。このとき、AlGaN層の伝導帯とGaN層の伝導帯との間に形成されている伝導帯不連続ΔEcに起因して、AlGaN層とGaN層との界面にフェルミ準位よりも低い位置に井戸型ポテンシャルが形成される。この結果、この井戸型ポテンシャルに電子が蓄積され、2次元電子ガスが形成される。これにより、ゲート電極に0Vの電圧が印加されている場合、AlGaN層とGaN層との界面に2次元電子ガスが形成され、ソース電極SEとドレイン電極DEを電気的に接続するチャネルが形成されることになる。この結果、本実施の形態3におけるHEMTは、ゲート電極に0Vの電圧が印加されている場合、オンする。以上のようにして、本実施の形態3におけるHEMTでは、ゲート電極に印加する電圧を制御することにより、HEMTのオン/オフ動作を実現できることがわかる。<高移動度トランジスタの製造方法>次に、本実施の形態3におけるHEMTの製造方法について説明する。まず、図34に示すように、基板1Sを用意する。この基板1Sは、例えば、サファイア基板、SiC炭化シリコン基板、あるいは、シリコンSi基板から構成される。そして、この基板1S上に、例えば、有機金属気相成長法MOCVD法:MetalOrganicChemicalVaporDepositionを使用することにより、エピタキシャル層であるバッファ層BUFを形成する。バッファ層BUFは、例えば、基板を構成する結晶格子と、バッファ層BUF上に形成されるGaN層を構成する結晶格子との不整合を緩和する目的で形成される。その後、バッファ層BUF上に、例えば、MOCVD法を使用することにより、導電型不純物を添加していないノンドープのエピタキシャル層であるGaN層GNLを形成し、このGaN層GNL上に、導電型不純物を添加していないノンドープのエピタキシャル層であるAlGaN層AGNLを形成する。次に、図35に示すように、AlGaN層AGNL上にレジスト膜FR2を形成した後、このレジスト膜FR2に対して、露光現像処理を施すことにより、レジスト膜FR2をパターニングする。レジスト膜FR2のパターニングは、ソース電極形成領域およびドレイン電極形成領域に開口部OP2が形成されるように行なわれる。そして、図36に示すように、例えば、電子線蒸着法などを使用することにより、パターニングしたレジスト膜FR2を形成した基板1S上に積層膜を形成する。具体的に、積層膜は、第1モリブデンMo膜MF1と、この第1モリブデンMo膜MF1上に形成されたアルミニウムAl膜ALFと、このアルミニウムAl膜ALF上に形成された第2モリブデンMo膜MF2と、この第2モリブデンMo膜MF2上に形成された金Au膜AUFから構成される。具体的に、図36に示すように、この積層膜がレジスト膜FR2に形成された開口部OP2内およびレジスト膜FR2上に形成される。このとき、本実施の形態3では、例えば、アルミニウムAl膜ALFとAlGaN層AGNLとの間に挿入されている第1モリブデンMo膜MF1の膜厚をXnmとした場合、2nm≦X≦10nmの関係を満たすように第1モリブデンMo膜MF1を形成する。また、アルミニウムAl膜ALFの膜厚をYnmとし、金Au膜AUFの膜厚をZnmとした場合、Y≦Z≦2Yの関係を満たすように、それぞれの膜厚が調整される。続いて、図37に示すように、レジスト膜FR2を除去する。レジスト膜FR2を除去する際、レジスト膜FR2上に形成されている積層膜もリフトオフによって除去される。したがって、レジスト膜FR2を除去した後は、レジスト膜FR2の開口部OP2に形成されていた積層膜だけが残存し、これによって、ドレイン電極形成領域に、積層膜からなる積層体LAB1を形成することができるとともに、ソース電極形成領域に、積層膜からなる積層体LAB2を形成することができる。その後、例えば、窒素雰囲気中で、かつ、650°C~850°Cの温度で、1分~10分間の加熱処理を、積層体LABを形成した基板1Sに対して実施する。この加熱処理は、例えば、RTARapidThermalAnnealや熱処理炉によるファーネスアニールによって実施することができる。なお、上述した熱処理は、650°C~850°Cの温度範囲で実施されるが、望ましくは、700°C~800°Cの温度範囲で実施する。低い温度では、表面モホロジーは良くなるのに対し、コンタクト抵抗は増加する傾向にある一方、高い温度では、表面モホロジーは悪化するのに対し、コンタクト抵抗は低下する傾向がある。このため、上述した加熱処理の温度は、表面モホロジーの改善とコンタクト抵抗の低減のバランスを考慮して決定される。例えば、表面モホロジーの改善を優先させる場合には、上述した温度範囲のうち比較的低温領域で実施されるのに対し、コンタクト抵抗の低減を優先させる場合には、上述した温度範囲のうち比較的高温領域で実施することが考えられる。以上のような加熱処理を施すことにより、積層体LABを構成する各膜を構成するアルミニウムAl、モリブデンMoおよび金Auが相互拡散して、図38に示すオーミック電極OEが形成される。つまり、オーミック電極OEから構成されるソース電極SEおよびドレイン電極DEを形成することができる。このとき、オーミック電極OEとAlGaN層AGNLとの界面において、本実施の形態3では、アルミニウムAl膜ALFの膜厚をYnmとし、金Au膜AUFの膜厚をZnmとした場合、Y≦Z≦2Yの関係が満たされている。このため、アルミニウムAl膜から、オーミック電極OEとAlGaN層AGNLとの界面に拡散するアルミニウム原子の原子が、オーミック電極OEとAlGaN層AGNLとの界面に拡散する金原子の原子よりも大きくなる場合が多くなると考えられる。このとき、アルミニウム原子との接触の影響が大きくなる結果、AlGaN層AGNLとオーミック電極OEとの接触がオーミック接触となり、コンタクト抵抗を低減することができる。すなわち、本実施の形態3では、Au/Al膜厚比が1~2の範囲内にあるように構成している。そして、本実施の形態3では、このように構成された積層体LABを、例えば、650°C~850°Cの高温で熱処理することにより、表面モホロジーの改善とコンタクト抵抗の低減とを両立したソース電極SEオーミック電極OEおよびドレイン電極DEオーミック電極OEを、AlGaN層AGNL上に形成することができる。また、本実施の形態3では、第1モリブデンMo膜MF1の膜厚をXnmとした場合、2nm≦X≦10nmの関係を満たすように積層体LABを構成している。これにより、本実施の形態3では、前記実施の形態1の特徴と、前記実施の形態2の特徴の相乗効果によって、さらなるソース電極SEおよびドレイン電極DEの表面モホロジーの改善とコンタクト抵抗の低減とを図ることができる。この場合、オーミック電極OEソース電極SEおよびドレイン電極DEとAlGaN層AGNLとの界面において、アルミニウムAl膜から、オーミック電極OEとAlGaN層AGNLとの界面に拡散するアルミニウム原子の原子が、オーミック電極OEとAlGaN層AGNLとの界面に拡散する金原子の原子よりも大きくなる場合が多くなり、かつ、モリブデン原子の原子よりも大きくなる場合が多くなると考えられる。すなわち、半導体層とオーミック電極OEとの界面において、アルミニウム、モリブデン、および、金のうち、アルミニウムの原子が最も大きくなる場合が多くなるものと考えられる。次に、図39に示すように、AlGaN層AGNLの表面に、例えば、窒化シリコン膜からなる表面保護膜PRFを形成する。その後、図40に示すように、基板1S上にレジスト膜FR3を塗布し、このレジスト膜FR3に対して露光現像処理を施してパターニングする。レジスト膜FR3のパターニングは、素子形成領域をレジスト膜FR3で覆う一方、素子形成領域間の絶縁形成領域を開口するように行われる。そして、パターニングしたレジスト膜FR3をマスクにしたイオン注入法により、例えば、ボロンホウ素、窒素、または、ヘリウムを導入して絶縁領域を形成する。続いて、図41に示すように、パターニングしたレジスト膜FR3を除去した後、新たなレジスト膜FR4を基板1S上に塗布する。そして、このレジスト膜FR4に対して露光現像処理を施してパターニングする。レジスト膜FR4のパターニングは、ゲート電極形成領域に開口部OP3を形成するように行なわれる。その後、パターニングしたレジスト膜FR4をマスクにしたエッチングにより、開口部OP3から露出する表面保護膜PRFを除去する。この結果、開口部OP3の底部にAlGaN層AGNLが露出する。次に、図42に示すように、例えば、電子線蒸着法などを使用することにより、パターニングしたレジスト膜FR4を形成した基板1S上に積層膜を形成する。具体的に、積層膜は、ニッケル膜NIFと金膜AUF2から構成される。図42に示すように、この積層膜がレジスト膜FR4に形成された開口部OP3内およびレジスト膜FR4上に形成される。続いて、レジスト膜FR4を除去する。レジスト膜FR4を除去する際、レジスト膜FR4上に形成されている積層膜もリフトオフによって除去される。したがって、レジスト膜FR4を除去した後は、レジスト膜FR4の開口部OP3に形成されていた積層膜だけが残存し、これによって、図31に示すニッケル膜NIFと金膜AUFからなるゲート電極GEを形成することができる。以上のようにして、本実施の形態3におけるHEMTを製造することができる。実施の形態4<電界効果トランジスタの構成>本実施の形態4では、前記実施の形態1や前記実施の形態2で説明したオーミック電極OEを絶縁ゲート型電界効果トランジスタMISFETMetalInsulatorSemiconductorFieldEffectTransistorに利用する例について説明する。図43は、本実施の形態4におけるMISFETのデバイス構造を示す断面図である。図43に示すように、例えば、サファイア基板、SiC炭化シリコン基板、GaN基板、あるいは、シリコンSi基板から構成される基板1S上に、GaN層からなるバッファ層BUFが形成されている。そして、このバッファ層BUF上に、n型不純物が導入されたn型GaN層nGNLが形成されている。次に、n型GaN層nGNL上には、互いに離間して配置されたソース電極SEとドレイン電極DEが形成されている。このソース電極SEおよびドレイン電極DEは、オーミック電極OEから構成されており、このオーミック電極OEは、前記実施の形態1や前記実施の形態2で説明した特徴を有している。したがって、本実施の形態4におけるMISFETによれば、本願発明の技術的思想が適用されたオーミック電極OEをソース電極SEやドレイン電極DEに使用しているので、ソース電極SEやドレイン電極DEにおける表面モホロジーの改善とコンタクト抵抗の低減とを図ることができる。具体的に、ソース電極SEおよびドレイン電極DEは、アルミニウム、モリブデン、および、金が相互拡散したオーミック電極OEから形成されており、特に、オーミック電極OEとn型GaN層nGNLとの界面において、アルミニウム原子の原子は、モリブデン原子の原子や金原子の原子よりも大きくなっている場合が多いと考えられる。そして、ソース電極SEとドレイン電極DEとの間のn型GaN層nGNL上には、ゲート絶縁膜GOXを介して、ゲート電極GEが形成されている。ゲート絶縁膜GOXは、例えば、酸化アルミニウム膜や酸化シリコン膜などから形成されている。また、ゲート電極GEは、ポリシリコン膜や金属膜から構成されている。さらに、本実施の形態4におけるMISFETでは、n型GaN層nGNLの表面に、例えば、窒化シリコン膜からなる表面保護膜PRFが形成されている。<電界効果トランジスタの動作>本実施の形態4におけるMISFETは上記のように構成されており、以下に、その動作について説明する。特に、本実施の形態4では、ノーマリオン型のMISFETを例に挙げて、その動作について説明する。図44は、ゲート電極GEにしきい値電圧以下の負電圧が印加されてMISFETがオフしている状態を示す模式図である。図44に示すように、ゲート電極GEに負電圧を印加した場合、ゲート電極GE直下のn型GaN層nGNLに形成されている空乏層DPLが延びる。この結果、n型GaN層nGNLの底面にまで空乏層DPLが達する。この空乏層DPLは絶縁領域として機能することから、ソース電極SEとドレイン電極DEとの電気的な接続は、空乏層DPLによって遮断される。このため、ゲート電極GEにしきい値電圧以下の負電圧が印加された場合、MISFETはオフする。続いて、図45は、ゲート電極に0Vの電圧が印加されてMISFETがオンしている状態を示す模式図である。図45に示すように、ゲート電極GEに0Vが印加される場合、ゲート電極GEに負電圧を印加する場合よりも空乏層DPLが延びないため、図45に示すように、空乏層DPLの直下にn型GaN層nGNLからなるチャネルが形成される。これにより、ソース電極SEとドレイン電極DEとの間が電気的に接続される。すなわち、ソース電極SEからドレイン電極DEに向って電子が流れる。言い換えれば、ドレイン電極DEからソース電極SEに向って電流が流れる。このため、ゲート電極GEに0Vが印加された場合、MISFETはオンする。以上のようにして、本実施の形態4におけるMISFETでは、ゲート電極GEに印加する電圧を制御することにより、MISFETのオン/オフ動作を実現できることがわかる。実施の形態5<青色発光ダイオードの構成>本実施の形態5では、前記実施の形態1や前記実施の形態2で説明したオーミック電極OEを青色発光ダイオードに利用する例について説明する。図46は、本実施の形態5における青色発光ダイオードのデバイス構造を示す断面図である。図46に示すように、サファイア基板SS上に、例えば、GaN層からなるバッファ層BUFが形成されており、このバッファ層BUF上にn型GaN層nGNLが形成されている。そして、このn型GaN層nGNL上には、n型GaN層nGNLとオーミック接触するn型オーミック電極OEnが形成されている。また、n型GaN層nGNL上の別領域にはn型AlGaN層nAGNLが形成され、このn型AlGaN層nAGNL上に、亜鉛ZnをドープしたInGaN層IGNLが形成されている。そして、InGaN層IGNL上にp型AlGaN層pAGNLが形成されており、このp型AlGaN層pAGNL上にp型GaN層pGNLが形成されている。さらに、p型GaN層pGNL上には、p型GaN層pGNLとオーミック接触するp型オーミック電極OEpが形成されている。上述した構成を有する青色発光ダイオードは、p型GaN層pGNLとn型GaN層nGNLで、p型AlGaN層pAGNL/InGaN層IGNL/n型AlGaN層nAGNLからなる2重ヘテロ構造を挟んだ構成をしており、極めて高輝度な青色発光ダイオードとなっている。ここで、n型オーミック電極OEnは、前記実施の形態1や前記実施の形態2で説明した特徴を有している。したがって、本実施の形態5における青色発光ダイオードによれば、本願発明の技術的思想が適用されたn型オーミック電極OEnを使用しているので、n型オーミック電極OEnにおける表面モホロジーの改善とコンタクト抵抗の低減とを図ることができる。具体的に、n型オーミック電極OEnは、アルミニウム、モリブデン、および、金が相互拡散した電極から形成されており、特に、オーミック電極OEnとn型GaN層nGNLとの界面において、アルミニウム原子の原子は、モリブデン原子の原子や金原子の原子よりも大きくなっている場合が多いと考えられる。<青色発光ダイオードの動作>本実施の形態5における青色発光ダイオードは上記のように構成されており、以下に、その動作について説明する。図47は、青色発光ダイオードがオフしている際のダブルヘテロ構造のバンド構造を示す図である。図47において、InGaN層を両側からp型AlGaN層とn型AlGaN層で挟んだ構造がダブルヘテロ構造である。図47に示すように、青色発光ダイオードがオフしている際には、それぞれの層のフェルミ準位は一致している。次に、図48は、青色発光ダイオードがオンしている際のダブルヘテロ構造のバンド構造を示す図である。図48に示すように、青色発光ダイオードに順方向電圧p型AlGaN層に正電圧を印加し、n型AlGaN層に負電圧を印加するを印加する。すると、電子は、バンドギャップの大きなn型AlGaN層からバンドギャップの小さなInGaN層に高密度で注入される。同様に、正孔は、バンドギャップの大きなp型AlGaN層からバンドギャップの小さなInGaN層に高密度で注入される。この結果、InGaN層においては、電子および正孔の密度が熱平衡状態の密度よりも極めて高くなり、再結合の確率が大きくなる。そして、InGaN層において、伝導帯に存在する電子と、価電子帯に存在する正孔が再結合して、バンドギャップに相当するエネルギーを有する光hνが射出される。以上のようにして、本実施の形態5における青色発光ダイオードが動作することになる。以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。前記実施の形態では、窒化物半導体とオーミック接触するオーミック電極に本願発明の技術的思想を適用する例について説明し、特に、窒化物半導体の一例として、ガリウムを含む窒化物半導体を挙げて説明している。そして、ガリウムを含む窒化物半導体の具体的な例として、AlGaNやGaNを例に挙げて説明したが、本願発明の技術的思想は、これに限らず、例えば、InGaNやAlInGaNなどの窒化物半導体とオーミック接触するオーミック電極にも幅広く適用することができる。