"式1で表される化合物。式中、Rは炭素数2~20のアルケニルであり;環A1および環A2は独立して、1,4-シクロヘキシレン、または少なくとも1つの水素がフッ素で置き換えられてもよい1,4-フェニレンであり;Z1およびZ2は独立して、単結合、-CH2CH2-、-CH=CH-、-CH2O-、または-OCH2-であり;nは0または1である。式1において、Rが炭素数2~20のアルケニルであり、環A1が1,4-シクロヘキシレンであり、Z1が単結合であり、そしてnが0である、請求項1に記載の化合物。請求項1または2に記載の化合物を少なくとも1つ含有する液晶組成物。式2、3および4で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する、請求項3に記載の液晶組成物。式中、R3は炭素数1~10のアルキルまたは炭素数2~10のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて少なくとも1つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも1つの-CH2-は-O-で置き換えられてもよく;X1は、フッ素、塩素、-OCF3、-OCHF2、-CF3、-CHF2、-CH2F、-OCF2CHF2、または-OCF2CHFCF3であり;環A1、環A2および環A3は独立して、1,4-シクロヘキシレン、1,3-ジオキサン-2,5-ジイル、ピリミジン-2,5-ジイル、1-ピラン-2,5-ジイル、または少なくとも1つの水素がフッ素で置き換えられてもよい1,4-フェニレンであり;Z1およびZ2は独立して、-CH22-、-CH24-、-COO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH=CH-、-C≡C-、-CH2O-、または単結合であり;L1およびL2は独立して水素またはフッ素である。式5で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する請求項3に記載の液晶組成物。式中、R4は炭素数1~10のアルキルまたは炭素数2~10のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも1つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも1つの-CH2-は-O-で置き換えられてもよく;X2は-C≡Nまたは-C≡C-C≡Nであり;環B1、環B2および環B3は独立して、1,4-シクロヘキシレン、少なくとも1つの水素がフッ素で置き換えられてもよい1,4-フェニレン、1,3-ジオキサン-2,5-ジイル、1-ピラン-2,5-ジイル、またはピリミジン-2,5-ジイルであり;Z3は、-CH22-、-COO-、-CF2O-、-OCF2-、-C≡C-、-CH2O-、または単結合であり;L3およびL4は独立して水素またはフッ素であり;qは、0、1または2であり、rは0または1である。式6、7、8、9、10、および11で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する請求項3に記載の液晶組成物。式中、R5およびR6は独立して炭素数1~10のアルキルまたは炭素数2~10のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて少なくとも1つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも1つの-CH2-は-O-で置き換えられてもよく;環C1、環C2、環C3および環C4は独立して、1,4-シクロヘキシレン、1,4-シクロヘキセニレン、少なくとも1つの水素がフッ素で置き換えられてもよい1,4-フェニレン、6-ピラン-2,5-ジイルまたはデカヒドロ-2,6-ナフタレンであり;Z4、Z5、Z6、およびZ7は独立して、-CH22-、-COO-、-CH2O-、-OCF2-、-OCF2CH22-、または単結合であり;L5およびL6は独立してフッ素または塩素であり;j、k、l、m、n、およびpは独立して、0または1であり、k、l、m、およびnの和は、1または2である。式12、13および14で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する請求項3に記載の液晶組成物。式中、R7およびR8は独立して、炭素数1~10のアルキルまたは炭素数2~10のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも1つの-CH2-は-O-で置き換えられてもよく、少なくとも1つの水素はフッ素で置き換えられてもよいが、-CH=CHFを除く;環D1、環D2および環D3は独立して、1,4-シクロヘキシレン、ピリミジン-2,5-ジイル、1,4-フェニレン、2-フルオロ-1,4-フェニレン、3-フルオロ-1,4-フェニレン、または2,5-ジフルオロ-1,4-フェニレンであり;Z8およびZ9は独立して、-C≡C-、-COO-、-CH22-、-CH=CH-または単結合である。請求項5に記載の式5で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する請求項4に記載の液晶組成物。請求項7に記載の式12、13および14で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する請求項4に記載の液晶組成物。請求項7に記載の式12、13および14で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する請求項5に記載の液晶組成物。請求項7に記載の式12、13および14で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する請求項6に記載の液晶組成物。少なくとも1つの光学活性化合物および/または重合可能な化合物をさらに含有する請求項3~11のいずれか1項に記載の液晶組成物。少なくとも1つの酸化防止剤および/または紫外線吸収剤を含有する請求項3~12のいずれか1項に記載の液晶組成物。請求項3~13のいずれか1項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。この発明の目的は、広いネマチック温度範囲、低い粘性、他の液晶化合物との良好な相溶性を持ち、加えて適切な大きさの屈折率異方性値および誘電率異方性値を有し、液晶表示素子に使用した場合には高速な応答特性を得ることができる新規液晶性化合物と、これを含有する液晶組成物および該液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子を提供することにある。本発明者らは、前記従来技術の欠点を解消するために鋭意研究を遂行した結果、フルオロビニルとアルケニルを両末端に有するシクロヘキサン化合物1が極めて広いネマチック温度範囲、低い粘性、他の液晶化合物との良好な相溶性を持つことを見出した。従って、上記化合物は液晶表示素子、特に現在広く利用されているTN、STN、TFTなどの液晶表示素子に好適であることを見出し、本発明を完成するに至ったものである。具体的には、式1で表される化合物。式中、Rは炭素数2~20のアルケニルであり;環A1および環A2は独立して、1,4-シクロヘキシレン、または少なくとも1つの水素がフッ素で置き換えられてもよい1,4-フェニレンであり;Z1およびZ2は独立して、単結合、-CH2CH2-、-CH=CH-、-CH2O-、または-OCH2-であり;nは0または1である。本発明の化合物は、公知の同様な構造の化合物に比べ、広いネマチック温度範囲をもち、他の液晶材料との相溶性に優れかつ低粘度である。また、類似の化合物と比較し、低いしきい値電圧を有するうえ比較的低粘度を示す。さらに本発明化合物は液晶表示素子が通常使用される条件下において物理的および化学的に十分安定であり、ネマチック液晶組成物の構成成分として極めて優れ、TN型、STN型、TFT型、VA型、IPS型、およびPSA型用の液晶組成物の構成成分として好適に使用することができる。本発明は、以下の項[1]~項[14]などである。[1]式1で表される化合物。式中、Rは炭素数2~20のアルケニルであり;環A1および環A2は独立して、1,4-シクロヘキシレン、または少なくとも1つの水素がフッ素で置き換えられてもよい1,4-フェニレンであり;Z1およびZ2は独立して、単結合、-CH2CH2-、-CH=CH-、-CH2O-、または-OCH2-であり;nは0または1である。[2]式1において、Rが炭素数2~20のアルケニルであり、環A1が1,4-シクロヘキシレンであり、Z1が単結合であり、そしてnが0である、項[1]に記載の化合物。[3]項[1]または[2]に記載の化合物を少なくとも1つ含有する液晶組成物。[4]式2、3および4で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する、項[3]に記載の液晶組成物。式中、R3は炭素数1~10のアルキルまたは炭素数2~10のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて少なくとも1つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも1つの-CH2-は-O-で置き換えられてもよく;X1は、フッ素、塩素、-OCF3、-OCHF2、-CF3、-CHF2、-CH2F、-OCF2CHF2、または-OCF2CHFCF3であり;環A1、環A2および環A3は独立して、1,4-シクロヘキシレン、1,3-ジオキサン-2,5-ジイル、ピリミジン-2,5-ジイル、1-ピラン-2,5-ジイル、または少なくとも1つの水素がフッ素で置き換えられてもよい1,4-フェニレンであり;Z1およびZ2は独立して、-CH22-、-CH24-、-COO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH=CH-、-C≡C-、-CH2O-、または単結合であり;L1およびL2は独立して水素またはフッ素である。[5]式5で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する項[3]に記載の液晶組成物。式中、R4は炭素数1~10のアルキルまたは炭素数2~10のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも1つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも1つの-CH2-は-O-で置き換えられてもよく;X2は-C≡Nまたは-C≡C-C≡Nであり;環B1、環B2および環B3は独立して、1,4-シクロヘキシレン、少なくとも1つの水素がフッ素で置き換えられてもよい1,4-フェニレン、1,3-ジオキサン-2,5-ジイル、1-ピラン-2,5-ジイル、またはピリミジン-2,5-ジイルであり;Z3は、-CH22-、-COO-、-CF2O-、-OCF2-、-C≡C-、-CH2O-、または単結合であり;L3およびL4は独立して水素またはフッ素であり;qは、0、1または2であり、rは0または1である。[6]式6、7、8、9、10、および11で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する項[3]に記載の液晶組成物。式中、R5およびR6は独立して炭素数1~10のアルキルまたは炭素数2~10のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて少なくとも1つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも1つの-CH2-は-O-で置き換えられてもよく;環C1、環C2、環C3および環C4は独立して、1,4-シクロヘキシレン、1,4-シクロヘキセニレン、少なくとも1つの水素がフッ素で置き換えられてもよい1,4-フェニレン、6-ピラン-2,5-ジイルまたはデカヒドロ-2,6-ナフタレンであり;Z4、Z5、Z6、およびZ7は独立して、-CH22-、-COO-、-CH2O-、-OCF2-、-OCF2CH22-、または単結合であり;L5およびL6は独立してフッ素または塩素であり;j、k、l、m、n、およびpは独立して、0または1であり、k、l、m、およびnの和は、1または2である。[7]式12、13および14で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する項[3]に記載の液晶組成物。式中、R7およびR8は独立して、炭素数1~10のアルキルまたは炭素数2~10のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも1つの-CH2-は-O-で置き換えられてもよく、少なくとも1つの水素はフッ素で置き換えられてもよいが、-CH=CHFを除く;環D1、環D2および環D3は独立して、1,4-シクロヘキシレン、ピリミジン-2,5-ジイル、1,4-フェニレン、2-フルオロ-1,4-フェニレン、3-フルオロ-1,4-フェニレン、または2,5-ジフルオロ-1,4-フェニレンであり;Z8およびZ9は独立して、-C≡C-、-COO-、-CH22-、-CH=CH-または単結合である。[8]項[5]に記載の式5で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する項[4]に記載の液晶組成物。[9]項[7]に記載の式12、13および14で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する項[4]に記載の液晶組成物。[10]項[7]に記載の式12、13および14で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する項[5]に記載の液晶組成物。[11]項[7]に記載の式12、13および14で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する項[6]に記載の液晶組成物。[12]少なくとも1つの光学活性化合物および/または重合可能な化合物をさらに含有する項[3]~[11]のいずれか1項に記載の液晶組成物。[13]少なくとも1つの酸化防止剤および/または紫外線吸収剤を含有する項[3]~[12]のいずれか1項に記載の液晶組成物。[14]項[3]~[13]のいずれか1項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。この明細書における用語の使い方は次のとおりである。液晶化合物は、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物および液晶相を有しないが液晶組成物の成分として有用な化合物の総称である。液晶化合物、液晶組成物、液晶表示素子をそれぞれ化合物、組成物、素子と略すことがある。液晶表示素子は液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。ネマチック相の上限温度はネマチック相-等方相の相転移温度であり、そして単に透明点または上限温度と略すことがある。ネマチック相の下限温度を単に下限温度と略すことがある。式1で表わされる化合物を化合物1と略すことがある。この略記は式2などで表される化合物にも適用することがある。式1から式14において、六角形で囲んだB、D、Eなどの記号はそれぞれ環B、環D、環Eなどに対応する。百分率で表した化合物の量は組成物の全重量に基づいた重量百分率重量である。環A1、X1、環B1など複数の同じ記号を同一の式または異なった式に記載したが、これらで選択される基は同一であってもよいし、異なってもよい。化学式1のうち、Rによって示されるアルケニルとして具体的には、ビニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニルなどのアルケニル、ブタジエニルなどのアルカジエニルなどを挙げることができる。本発明の化合物1は、該式中のRに所定の基を導入することにより得られるが、このような基の導入は公知の一般的な有機合成法により行い得る。代表的な合成例は、新実験化学講座14有機化合物の合成と反応1978年丸善、第四版実験化学講座19~26有機合成I~VIII1991丸善などに記載の方法をあげることができる。フルオロビニル基を生成する方法の一例に関して、最初にスキームを示し、次に項I~項IIでスキームを説明する。このスキームにおいて、Rは前記と同じ定義である。Iジフルオロビニル基の生成公知の方法で合成されるアルケニル化合物1Aとジブロモジフルオロメタンとを、トリスジエチルアミノホスフィンの存在下で反応させて化合物1Bを合成する。IIフルオロビニル基の生成ジフルオロビニル化合物1Bに水素化ビス2-メトキシエトキシアルミニウムナトリウムを反応させてフルオロビニル化合物1を得る。本発明の液晶組成物は、本発明の化合物1を成分Aとして含む必要がある。この成分Aのみの組成物、または成分Aと本明細書中で特に成分名を示していないその他の成分との組成物でもよいが、この成分Aに以下に示す成分B、C、DおよびE成分から選ばれた成分を加えることにより種々の特性を有する本発明の液晶組成物が提供できる。成分Aに加える成分として、式2、3および4からなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物からなる成分B、および/または式5からなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物からなる成分C、および/または式6、7、8、9、10、および11からなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物からなる成分Dを混合したものが好ましい。さらに式12、13および14からなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物からなる成分Eを混合することによりしきい値電圧、液晶相温度範囲、屈折率異方性値、誘電率異方性値および粘度等を調整することができる。また、本発明に使用される液晶組成物の各成分は、各元素の同位体元素からなる類縁体でもその物理特性に大きな差異がない。上記成分Bのうち、化合物2の好適例として、化合物2-1~2-16、化合物3の好適例として、化合物3-1~3-112、化合物4の好適例として化合物4-1~4-54を挙げることができる。式中、R3およびX1は前記と同じ定義である。これらの化合物2~4すなわち成分Bは、誘電率異方性値が正であり、熱安定性や化学的安定性が非常に優れているので、TFT用およびPSA用の液晶組成物を調製する場合に用いられる。本発明の液晶組成物における成分Bの含有量は、液晶組成物の全重量に対して、1~99重量の範囲が適し、好ましくは10~97重量、より好ましくは40~95重量である。また化合物12~14成分Eをさらに含有させることにより粘度調整をすることができる。化合物5すなわち成分Cのうちの好適例として、化合物5-1~5-64を挙げることができる。式中、R4およびX2は前記と同じ定義である。これらの化合物5すなわち成分Cは、誘電率異方性値が正でその値が非常に大きいのでSTN用、TN用、PSA用の液晶組成物を調製する場合に主として用いられる。この成分Cを含有させることにより、組成物のしきい値電圧を小さくすることができる。また、粘度の調整、屈折率異方性値の調整および液晶相温度範囲を広げることができる。さらに急峻性の改良にも利用できる。STNまたはTN用の液晶組成物を調製する場合には、成分Cの含有量は0.1~99.9重量の範囲が適用でき、好ましくは10~97重量、より好ましくは40~95重量である。また、後述の成分を混合することによりしきい値電圧、液晶相温度範囲、屈折率異方性値、誘電率異方性値及び粘度などを調整できる。化合物6~11からなる成分Dは、垂直配向モ-ドVAモ-ド、高分子支持配向モードPSAモ-ドなどに用いられる誘電率異方性が負の本発明の液晶組成物を調製する場合に、好ましい成分である。この化合物6~11成分Dの好適例として、化合物6-1~6-6、7-1~7-15、8-1、9-1~9-3、10-1~10-11、および11-1~11-10を挙げることができる。式中、R5およびR6は前記と同じ定義である。これら成分Dの化合物は主として誘電率異方性の値が負であるVAモ-ド、PSAモード用の液晶組成物に用いられる。その含有量を増加させると組成物のしきい値電圧が低くなるが、粘度が大きくなるので、しきい値電圧の要求値を満足している限り含有量を少なくすることが好ましい。しかしながら、誘電率異方性値の絶対値が5程度であるので、含有量が40重量より少なくなると電圧駆動ができなくなる場合がある。成分Dのうち化合物6は2環化合物であるので、主としてしきい値電圧の調整、粘度調整または屈折率異方性値の調整の効果がある。また、化合物7および8は3環化合物であるので、透明点を高くする、ネマチックレンジを広くする、しきい値電圧を低くする、屈折率異方性値を大きくするなどの効果が得られる。また、化合物9、10および11はしきい値電圧を低くするなどの効果が得られる。成分Dの含有量は、VAモ-ド、PSAモード用の組成物を調製する場合には、組成物全量に対して、好ましくは40重量以上、より好ましくは50~95重量である。また、成分Dを混合することにより、弾性定数をコントロ-ルし、組成物の電圧透過率曲線を制御することが可能となる。成分Dを誘電率異方性値が正である組成物に混合する場合はその含有量が組成物全量に対して30重量以下が好ましい。化合物12、13および14成分Eの好適例として、化合物12-1~12-11、13-1~13-19、および14-1~14-6を挙げることができる。式中、R7およびR8は前記と同じ定義である。化合物12~14成分Eは、誘電率異方性値の絶対値が小さく、中性に近い化合物である。化合物12は主として粘度調整または屈折率異方性値の調整の効果があり、また化合物13および14は透明点を高くするなどのネマチックレンジを広げる効果、または屈折率異方性値の調整の効果がある。成分Eである化合物の含有量を増加させると液晶組成物のしきい値電圧が高くなり、粘度が低くなるので、液晶組成物のしきい値電圧の要求値を満たす限り、含有量は多いほうが望ましい。TFT用、PSA用の液晶組成物を調製する場合に、成分Eの含有量は、組成物全量に対して、好ましくは30重量以上、より好ましくは50重量以上である。また、TN用、STN用またはPSA用の液晶組成物を調製する場合には、成分Eの含有量は、組成物全量に対して、好ましくは30以上、より好ましくは40重量以上である。本発明の液晶組成物は、本発明の化合物1の少なくとも1つを0.1~99重量の割合で含有することが、優良な特性を発現せしめるために好ましい。本発明の液晶組成物の調製は、公知の方法、例えば必要な成分を高温度下で溶解させる方法などにより一般に調製される。また、用途に応じて当業者によく知られている添加物を添加して、例えばつぎに述べるような光学活性化合物、または重合可能な化合物、重合開始剤を含む本発明の液晶組成物、染料を添加したGH型用の液晶組成物を調製することができる。通常、添加物は当該業者によく知られており、文献などに詳細に記載されている。本発明の液晶組成物は、前述の本発明の液晶組成物にさらに1つ以上の光学活性化合物を含有してもよい。光学活性化合物として、公知のキラルド-プ剤を添加する。このキラルド-プ剤は液晶のらせん構造を誘起して必要なねじれ角を調整し、逆ねじれを防ぐといった効果を有する。キラルド-プ剤の例として以下の光学活性化合物Op-1~Op-13を挙げることができる。本発明の液晶組成物は、通常これらの光学活性化合物を添加して、ねじれのピッチを調整する。ねじれのピッチはTFT用およびTN用の液晶組成物であれば40~200μmの範囲に調整するのが好ましい。STN用の液晶組成物であれば6~20μmの範囲に調整するのが好ましい。また、双安定TNBistableTNモ-ド用の場合は、1.5~4μmの範囲に調整するのが好ましい。また、ピッチの温度依存性を調整する目的で2種以上の光学活性化合物を添加しても良い。本発明の液晶組成物は、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系、テトラジン系などの二色性色素を添加すれば、GH型用の液晶組成物として使用することもできる。本発明の液晶組成物は、ネマチック液晶をマイクロカプセル化して作製したNCAPや、液晶中に三次元網目状高分子を形成して作製したポリマ-分散型液晶表示素子PDLCD例えばポリマ-ネットワ-ク液晶表示素子PNLCD用をはじめ、複屈折制御ECB型やDS型用の液晶組成物としても使用できる。また、本発明の液晶組成物は重合可能な化合物を添加してPSAPolymersustainedalignment型用の液晶組成物として使用することもできる。重合可能な化合物の例はアクリレート、メタクリレート、ビニル、ビニルオキシ、プロペニルエーテル、エポキシ、ビニルケトン、およびオキセタンなどの重合可能な基を有する化合物である。重合可能な化合物は、好ましくは光重合開始剤などの適切な開始剤存在下でUV照射などにより重合される。重合のための適切な条件、開始剤の適切なタイプ、および適切な量は、当業者には既知であり、文献に記載されている。例えば光重合開始剤であるIrgacure651登録商標、Irgacure184登録商標、またはDarocure1173登録商標CibaJapanK.K.がラジカル重合に対して適切である。[実施例]以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例によって制限されない。得られた化合物はNMRスペクトル、質量スペクトルなどで構造を同定した。これらによる測定方法は後述する方法に従った。なお、各実施例中において、Cは結晶を、SAはスメクチックA相を、SBはスメクチックB相を、SXは相構造未解析のスメクチック相を、Nはネマチック相を、Isoは等方相を示し、相転移温度の単位はすべて°Cである。1H-NMR分析:測定は、DRX-500ブルカーバイオスピン株製を用いた。CDCl3など重水素化されたサンプルが可溶な溶媒に溶解させた溶液を、室温にて核磁気共鳴装置を用いて測定した。なお、δ値のゼロ点の基準物質にはテトラメチルシランTMSを用いた。ガスクロマトグラフ分析:測定には島津製作所製のGC-14B型ガスクロマトグラフを用いた。キャリアーガスはヘリウム2ml/分である。試料気化室を280°Cに、検出器FIDを300°Cに設定した。成分化合物の分離には、AgilentTechnologiesInc製のキャピラリカラムDB-1長さ30m、内径0.32mm、膜厚0.25μm;固定液相はジメチルポリシロキサン;無極性を用いた。このカラムは、200°Cで2分間保持したあと、5°C/分の割合で280°Cまで昇温した。試料はアセトン溶液0.1重量に調製したあと、その1μlを試料気化室に注入した。記録計は島津製作所製のC-R6A型Chromatopac、またはその同等品である。得られたガスクロマトグラムは、成分化合物に対応するピークの保持時間およびピークの面積を示した。4-E-2-フルオロビニル-4’-E-プロぺ-1-エン-1-イル-1,1’-ビシクロヘキサン1-1を下記に示す合成スキームに従って合成した。E-4-2,2-ジフルオロビニルl-4’-プロぺ-1-エン-1-イル-1,1’-ビシクロヘキサン1-Bの合成ジフルオロジブロモメタン29.9gをTHF100mlに溶解させ、氷浴窒素雰囲気下トリスジエチルアミノホスフィン63.4gTHF20ml溶液、E-4’-プロピ-1-レン-1-イル-[1,1’-ビシクロヘキサン]-4-カルバルデヒド20.0gTHF20ml溶液の順に滴下した。反応終了後一規定塩酸を加え、トルエンにて抽出した。有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液および水にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して無色油状物を得た。このものをシリカゲルカラムクロマトグラフィーヘプタン、及びソルミックスA-11登録商標日本アルコール販売株式会社にて再結晶することにより、1-Bを白色針状結晶として7.7g得た。4-E-2-フルオロビニル-4’-E-プロぺ-1-エン-1-イル-1,1’-ビシクロヘキサン1-1の合成上記操作で得られた化合物1-B5.0gをトルエン50mlに溶解させ、65水素化ビス2-メトキシエトキシアルミニウムナトリウムトルエン溶液8.0mlを滴下した。反応終了後一規定塩酸を加え、トルエンにて抽出した。有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液および水にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して無色油状物を得た。このものをシリカゲルカラムクロマトグラフィーヘプタン、及びソルミックスA-11登録商標日本アルコール販売株式会社にて低温再結晶することにより、1-1を無色油状物として1.2g得た。1HNMRδ64853853652918316310910119FNMRδ13477相転移温度は、C0.1N101.9Isoであった。物性値は下記組成例の項に記載した様に、15重量の化合物および85重量の母液晶を混合することによって試料を調製し、測定によって得られた値から外挿法によって算出した。外挿値=試料の測定値-0.85×母液晶の測定値/0.15。物性値は、NI=93.0°C,Δε=3.43,Δn=0.077,η=-7.7mPasであった。E-4-2-フルオロビニル-4’-ビニル-1,1’-ビシクロヘキサン1-2を実施例1に示した方法および記載した合成法と同様にして、無色針状結晶として3.1g得た。1HNMRδ64957752949548718817311110019FNMRδ13472相転移温度は、C1.0N61.3Isoであった。物性値は、NI=60.4°C,Δε=1.97,Δn=0.0637,η=-17.1mPasであった。実施例1と同様な方法により、以下の化合物が製造できる。化合物1-3:E-4-ブテ-3-エン-1-イル-4’-2-フルオロビニル-1,1’-ビシクロヘキサン化合物1-4:4-E-2-フルオロビニル-4’-E-ペンタ-3-エン-1-イル-1,1’-ビシクロヘキサン本発明の代表的な組成物を組成例2~11にまとめた。最初に、組成物の成分である化合物とその量重量を示した。化合物は表1の取り決めに従い、左末端基、環構造、結合基、および右末端基の記号によって表示した。1,4-シクロヘキシレン、テトラヒドロピラニル-2,5-ジイルおよび1,3-ジオキサン-2,5-ジイルの立体配置はトランスである。末端基の記号がない場合は、末端基が水素であることを意味する。次に組成物の物性値を示した。本発明の代表的組成の一例を以下に示す。物性値の測定方法は後述する方法に従った。[組成例1]4つの化合物を混合して、ネマチック相を有する組成物A母液晶を調製した。4つの化合物は、4-4-プロピルシクロヘキシルベンゾニトリル24、4-4-ペンチルシクロヘキシルベンゾニトリル36、4-4-ヘプチルシクロヘキシルベンゾニトリル25、4-4-ペンチルシクロヘキシル-4’-シアノビフェニル15である。組成物Aの物性値は次のとおりであった。上限温度NI=71.7°C;粘度η20=27.0mPas;光学異方性Δn=0.137;誘電率異方性Δε=11.0。この組成物Aに実施例1に記載の4-E-2-フルオロビニル-4’-E-プロピ-1-レン-1-イル-1,1’-ビシクロヘキサン1-1を15重量添加して物性値を測定した。その結果、上限温度NI=74.9°C;光学異方性Δn=0.128;誘電率異方性Δε=10.8であった。[比較例1]組成例1に記載した組成物Aの85とE-4-2-フルオロビニル-4’-プロピル-1,1’-ビシクロヘキサンS-1の15とからなる組成物を調製し、物性値の測定を行った。物性値は、上限温度NI=72.1°C;光学異方性Δn=0.125;誘電率異方性Δε=9.8であった。また、化合物S-1の相転移温度は,C-10SB43.6N78.4Isoであった。この値は、化合物1-1の物性値と比較して、ネマチック温度範囲が狭く、上限温度が低く、誘電率異方性が小さい。[比較例2]組成例1に記載した組成物Aの85と4-2,2-ジフルオロビニル-4’-プロピル-1,1’-ビシクロヘキサンS-4の15とからなる組成物を調製し、物性値の測定を行った。物性値は、上限温度NI=68.2°C;光学異方性Δn=0.124;誘電率異方性Δε=9.8であった。また、化合物S-4の相転移温度は、SB39.5N42.6Isoであった。この値は、化合物1-1の物性値と比較して、ネマチック温度範囲が狭く、上限温度が低く、誘電率異方性が小さい。[比較例3]組成例1に記載した組成物Aの85と4-プロピル-4’-ビニル-1,1’-ビシクロヘキサンS-5の15とからなる組成物を調製し、物性値の測定を行った。物性値は、上限温度NI=68.3°C;光学異方性Δn=0.122;誘電率異方性Δε=9.5であった。また、化合物S-5の相転移温度は、C-23.9SB33.9N48.6Isoであった。この値は1-1の物性値と比較して、ネマチック温度範囲が狭く、上限温度が低く、誘電率異方性が小さい。[比較例4]組成例1に記載した組成物Aの85とE-4-プロペ-1-エン-1-イル-4’-ビニル-1,1’-ビシクロヘキサンS-6の15とからなる組成物を調製し、物性値の測定を行った。物性値は、上限温度NI=69.9°C;光学異方性Δn=0.126;誘電率異方性Δε=9.8であった。また、化合物S-6の相転移温度は、C-17.8SC51.5Isoであった。この値は、化合物1-1の物性値と比較して、ネマチック相が存在せず、上限温度が低く、誘電率異方性が小さい。特性値の測定は下記の方法にしたがって行うことができる。それらの多くは、日本電子機械工業会規格StandardofElectricIndustriesAssociationofJapanEIAJED-2521Aに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。測定に用いたTN素子には、TFTを取り付けなかった。転移温度°C:次のいずれかの方法で測定した。1偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートメトラー社FP-52型ホットステージに試料を置き、1°C/分の速度で加熱した。試料が相変化したときの温度を測定した。2パーキンエルマー社製走査熱量計DiamondDSCシステムを用い3°C/分速度で測定した。結晶はCと表した。結晶の区別がつく場合は、それぞれC1またはC2と表した。スメクチック相はSと表した。結晶はNと表した。液体アイソトロピックはIsoと表した。ネマチック相はNと表した。スメクチック相の中で、スメクチックB相、スメクチックC相またはスメクチックA相の区別がつく場合は、それぞれSB、SCまたはSAと表した。転移温度の表記として、C92.9N196.9Isoとは、結晶からネマチック相への転移温度CNが92.9°Cであり、ネマチック相から液体への転移温度NIが196.9°Cであることを示す。他の表記も同様である。ネマチック相の上限温度NI;°C:偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、1°C/分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。ネマチック相の上限温度を上限温度と略すことがある。ネマチック相の下限温度TC;°C:ネマチック相を有する試料を0°C、-10°C、-20°C、-30°C、および-40°Cのフリーザー中に10日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が-20°Cではネマチック相のままであり、-30°Cでは結晶またはスメクチック相に変化したとき、TCを<-20°Cと記載する。ネマチック相の下限温度を下限温度と略すことがある。化合物の相溶性:類似の構造を有する幾つかの化合物を混合してネマチック相を有する母液晶を調製した。測定する化合物とこの母液晶とを混合した組成物を得た。混合する割合の一例は、15の化合物と85の母液晶である。この組成物を-20°C、-30°Cのような低い温度で30日間保管した。この組成物の一部が結晶またはスメクチック相に変化したか否かを観察した。必要に応じて混合する割合と保管温度とを変更した。このようにして測定した結果から、結晶またはスメクチック相が析出する条件および結晶またはスメクチック相が析出しない条件を求めた。これらの条件が相溶性の尺度である。粘度バルク粘度;η;20°Cで測定;mPas:測定にはE型回転粘度計を用いた。粘度回転粘度;γ1;25°Cで測定;mPas:1誘電率異方性が正である試料:測定はMImaietalMolecularCrystalsandLiquidCrystalsVol25937に記載された方法に従った。ツイスト角が0°であり、そして2枚のガラス基板の間隔セルギャップが5μmであるTN素子に試料を入れた。TN素子に16ボルトから19.5ボルトの範囲で0.5ボルト毎に段階的に印加した。0.2秒の無印加のあと、ただ1つの矩形波矩形パルス;0.2秒と無印加2秒の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流transientcurrentのピーク電流peakcurrentとピーク時間peaktimeを測定した。これらの測定値とMImaiらの論文、40頁の計算式8とから回転粘度の値を得た。この計算で必要な誘電率異方性の値は、この回転粘度の測定で使用した素子にて、下記の誘電率異方性の測定方法で求めた。2誘電率異方性が負である試料:測定はMImaietalMolecularCrystalsandLiquidCrystalsVol25937に記載された方法に従った。2枚のガラス基板の間隔セルギャップが20μmのVA素子に試料を入れた。この素子に30ボルトから50ボルトの範囲で1ボルト毎に段階的に印加した。0.2秒の無印加のあと、ただ1つの矩形波矩形パルス;0.2秒と無印加2秒の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流transientcurrentのピーク電流peakcurrentとピーク時間peaktimeを測定した。これらの測定値とMImaiらの論文、40頁の計算式8とから回転粘度の値を得た。この計算に必要な誘電率異方性は、下記の誘電率異方性で測定した値を用いた。光学異方性屈折率異方性;Δn;25°Cで測定:測定は、波長589nmの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングrubbingしたあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率n∥は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率n⊥は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性の値は、Δn=n∥-n⊥、の式から計算した。試料が組成物のときはこの方法によって光学異方性を測定した。試料が化合物のときは、化合物を適切な組成物に混合したあと光学異方性を測定した。化合物の光学異方性は外挿値である。誘電率異方性Δε;25°Cで測定:試料が化合物のときは、化合物を適切な組成物に混合したあと誘電率異方性を測定した。化合物の誘電率異方性は外挿値である。1誘電率異方性が正である組成物:2枚のガラス基板の間隔ギャップが約9μm、ツイスト角が80度の液晶セルに試料を入れた。このセルに20ボルトを印加して、液晶分子の長軸方向における誘電率ε∥を測定した。0.5ボルトを印加して、液晶分子の短軸方向における誘電率ε⊥を測定した。誘電率異方性の値は、Δε=ε∥-ε⊥、の式から計算した。2誘電率異方性が負である組成物:ホメオトロピック配向に処理した液晶セルに試料を入れ、0.5ボルトを印加して誘電率ε∥を測定した。ホモジニアス配向に処理した液晶セルに試料を入れ、0.5ボルトを印加して誘電率ε⊥を測定した。誘電率異方性の値は、Δε=ε∥-ε⊥、の式から計算した。しきい値電圧Vth;25°Cで測定;V:試料が化合物のときは、化合物を適切な組成物に混合したあとしきい値電圧を測定した。化合物のしきい値電圧は外挿値である。1誘電率異方性が正である組成物:2枚のガラス基板の間隔ギャップが0.5/Δnμmであり、ツイスト角が80度である、ノーマリーホワイトモードnormallywhitemodeの液晶表示素子に試料を入れた。Δnは上記の方法で測定した光学異方性の値である。この素子に周波数が32Hzである矩形波を印加した。矩形波の電圧を上昇させ、素子を通過する光の透過率が90になったときの電圧の値を測定した。2誘電率異方性が負である組成物:2枚のガラス基板の間隔ギャップが約9μmであり、ホメオトロピック配向に処理したノーマリーブラックモードnormallyblackmodeの液晶表示素子に試料を入れた。この素子に周波数が32Hzである矩形波を印加した。矩形波の電圧を上昇させ、素子を通過する光の透過率10になったときの電圧の値を測定した。電圧保持率VHR;25°Cで測定;:測定に用いたTN素子はポリイミド配向膜を有し、そして2枚のガラス基板の間隔セルギャップは6μmである。この素子は試料を入れたあと紫外線によって重合する接着剤で密閉した。このTN素子にパルス電圧5Vで60マイクロ秒を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で16.7ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Aを求めた。面積Bは減衰しなかったときの面積である。電圧保持率は面積Bに対する面積Aの百分率である。成分または液晶性化合物の割合百分率は、液晶性化合物の全重量に基づいた重量百分率重量である。組成物は、液晶性化合物などの成分の重量を測定してから混合することによって調製される。したがって、成分の重量を算出するのは容易である。特性値の測定において、化合物単体をそのまま試料として用いる場合、化合物を母液晶に混合し試料として用いる場合、そして組成物をそのまま試料として用いる場合の3通りの方法がある。化合物を母液晶に混合する場合は、次の方法をとる。15重量の化合物および85重量の母液晶を混合することによって試料を調製した。測定によって得られた値から外挿法によって化合物の特性値を算出した。外挿値=試料の測定値-0.85×母液晶の測定値/0.15。この割合でスメクチック相または結晶が25°Cで析出するときは、化合物と母液晶の割合を10重量:90重量、5重量:95重量、1重量:99重量の順に変更した。測定で得られた値のうち、化合物単体をそのまま試料として用い得られた値と、組成物をそのまま試料として用いて得られた値は、そのままの値を実験データとして記載する。化合物を母液晶に混合し試料として用い得られた値は、そのままの値を実験データとして記載する場合もあるし、外挿法で得られた値を記載する場合もある。試料を希釈するための溶媒は、クロロホルム、ヘキサンなどを用いてもよい。成分化合物を分離するために、次のキャピラリーカラムを用いてもよい。AgilentTechnologiesInc製のDB-1長さ30m、内径0.32mm、膜厚0.25μm、RestekCorporation製のRtx-1長さ30m、内径0.32mm、膜厚0.25μm、SGEInternationalPtyLtd製のBP-1長さ30m、内径0.32mm、膜厚0.25μm。化合物ピークの重なりを防ぐ目的で島津製作所製のキャピラリーカラムCBP1-M50-025長さ50m、内径0.25mm、膜厚0.25μmを用いてもよい。ガスクロマトグラムにおけるピークの面積比は成分化合物の割合に相当する。成分化合物の重量は各ピークの面積比と完全には同一ではない。しかし、本発明においては、これらのキャピラリーカラムを用いるときは、成分化合物の重量は各ピークの面積比と同一であると見なしてよい。成分化合物における補正係数に大きな差異がないからである。[比較例5]根拠は、この組成物が化合物1-1類似の化合物を含有するからである。この組成物の成分および特性は下記のとおりである。3-HH-VS-61-1類似85-HB-CL2-237-HBF-F2-373-HH-412-193-HH-EMe12-2153-HHEB-F3-1085-HHEB-F3-1083-HHEBF,F-F3-12104-HHEBF,F-F3-1254-HGBF,F-F3-10355-HGBF,F-F3-10362-H2GBF,F-F3-10643-H2GBF,F-F3-10655-GHBF,F-F3-1097NI=77.2°C;Δn=0.064;Δε=5.8.[組成例2][比較例5]の組成物の化合物S-1を化合物1-1に置き換えたところ、この[組成例2]の組成物は、[比較例1]の組成物と比較して、高い上限温度NI、大きな誘電率異方性Δεを有している点で優れていることがわかった。1V-HH-VF1-185-HB-CL2-237-HBF-F2-373-HH-412-193-HH-EMe12-2153-HHEB-F3-1085-HHEB-F3-1083-HHEBF,F-F3-12104-HHEBF,F-F3-1254-HGBF,F-F3-10355-HGBF,F-F3-10362-H2GBF,F-F3-10643-H2GBF,F-F3-10655-GHBF,F-F3-1097NI=80.0°C;Δn=0.066;Δε=6.1.[組成例3]1V-HH-VF1-13V-HH-VF1-252-BEBF-C5-1453-BEBF-C5-1444-BEBF-C5-14121V2-BEBF,F-C5-15143-HB-O212-543-HH-412-133-HHB-F3-133-HHB-113-183-HHB-O113-143-HBEB-F3-3743-HHEB-F3-1075-HHEB-F3-1073-H2BTB-213-1743-H2BTB-313-1743-H2BTB-413-1743-HBFTB-213-185NI=93.5°C;Δn=0.141;Δε=26.9;η=37.8mPas.[組成例4]1V-HH-VF1-15V-HH-VF1-231V2-BEBF,F-C5-1553-HB-C5-1182-BTB-112-10105-HH-VFF12-1233-HHB-113-14VFF-HHB-113-18VFF2-HHB-113-1113-H2BTB-213-1753-H2BTB-313-1743-H2BTB-413-174NI=84.3°C;Δn=0.131;Δε=6.0;η=11.1mPas.[組成例5]1V-HH-VF1-13V-HH-VF1-232-HB-C5-153-HB-C5-1123-HB-O212-5122-BTB-112-1033-HHB-F3-143-HHB-113-183-HHB-O113-153-HHB-313-1143-HHEB-F3-1045-HHEB-F3-1042-HHBF-F3-243-HHBF-F3-275-HHBF-F3-273-HHBF,F-F3-35NI=102.2°C;Δn=0.100;Δε=4.5;η=16.6mPas.[組成例6]1V-HH-VF1-14V-HH-VF1-235-HB-CL2-2103-HH-412-1123-HH-512-143-HHB-F3-143-HHB-CL3-134-HHB-CL3-143-HHBF-F3-2104-HHBF-F3-295-HHBF-F3-297-HHBF-F3-285-HBBF-F3-2341O1-HBBH-514-133-HHBBF,F-F4-624-HHBBF,F-F4-625-HHBBF,F-F4-633-HH2BBF,F-F4-1534-HH2BBF,F-F4-153NI=118.7°C;Δn=0.090;Δε=3.5;η=18.1mPas.[組成例7]1V-HH-VF1-15V-HH-VF1-253-HB-O112-5143-HB2F,3F-O26-1125-HB2F,3F-O26-1102-HHB2F,3F-17-1123-HHB2F,3F-17-1123-HHB2F,3F-O27-1135-HHB2F,3F-O27-1133-HHB-113-14NI=87.6°C;Δn=0.091;η=33.4mPas;Δε=-3.0.[組成例8]1V-HH-VF1-13V-HH-VF1-253-H2B2F,3F-O26-4225-H2B2F,3F-O26-4222-HHB2F,3CL-O27-1223-HHB2F,3CL-O27-1234-HHB2F,3CL-O27-1225-HHB2F,3CL-O27-1223-HBB2F,3F-O27-795-HBB2F,3F-O27-79V-HHB-113-163-HHB-313-163-HHEBH-314-633-HHEBH-414-633-HHEBH-514-63NI=96.6°C;Δn=0.100;η=28.5mPas;Δε=-3.8.上記組成物100重量部に光学活性化合物Op-5を0.25重量部添加したときのピッチは60.8μmであった。[組成例9]1V-HH-VF1-14V-HH-VF1-233-HB-O112-5153-HB2F,3F-O26-1125-HB2F,3F-O26-1102-HHB2F,3F-17-1123-HHB2F,3F-17-1123-HHB2F,3F-O27-1135-HHB2F,3F-O27-1136-HEB2F,3F-O26-66NI=83.9°C;Δn=0.089;η=33.0mPas;Δε=-3.4.[組成例10]1V-HH-VF1-114V-HH-VF1-283-HB-O212-5123-H2B2F,3F-O26-4155-H2B2F,3F-O26-4153-HHB2F,3CL-O27-1252-HBB2F,3F-O27-733-HBB2F,3F-O27-795-HBB2F,3F-O27-793-HHB-113-133-HHB-313-143-HHB-O113-13NI=80.5°C;Δn=0.102;η=17.9mPas;Δε=-3.5.[組成例11]1V-HH-VF1-13V-HH-VF1-263-HB-O112-5123-HB2F,3F-O26-1125-HB2F,3F-O26-1122-HHB2F,3F-17-1123-HHB2F,3F-17-1113-HHB2F,3F-O27-1135-HHB2F,3F-O27-1133-HHB-113-16NI=88.4°C;Δn=0.092;η=34.2mPas;Δε=-3.2."