ホスト基板と、前記ホスト基板に実装され、自己監視を繰り返し実行する光通信モジュールと、前記ホスト基板に実装され、前記光通信モジュールの動作に関する余裕尺度を決定する制御部とを備え、前記光通信モジュールは、前記制御部によって決定された前記余裕尺度が大きいほど、前記自己監視の頻度を下げる、光通信装置。前記制御部は、前記ホスト基板の温度および前記光通信モジュールの温度のうちの少なくとも一方に関する情報を用いて、前記余裕尺度を決定する、請求項1に記載の光通信装置。前記光通信モジュールは、前記ホスト基板に実装された複数の光通信モジュールのうちの少なくとも1つである、請求項1または2に記載の光通信装置。光通信モジュールであって、前記光通信モジュールの動作に関する余裕尺度の情報を受信する受信部と、自己監視により前記光通信モジュールの状態を繰り返し監視し、前記受信した情報により示された余裕尺度が大きいほど、前記自己監視の頻度を下げる監視部とを備える、光通信モジュール。ホスト基板に実装された光通信モジュールの監視方法であって、前記光通信モジュールの動作に関する余裕尺度を前記ホスト基板において決定するステップと、前記ホスト基板により決定された余裕尺度が大きいほど、前記光通信モジュールが自己監視を行なう頻度を下げるステップとを備える、光通信モジュールの監視方法。光通信モジュールの中には、自己の状態を繰り返したとえば一定の周期で監視するものがある。自己監視の頻度を下げることにより、光通信モジュールの省電力を図ることが可能となる。しかしながら自己監視の頻度を下げた場合には、光通信モジュールの異常の兆候を検知するのが遅れる可能性がある。逆に、自己監視の頻度を上げれば、光通信モジュールの異常の兆候を早期に検知できる。しかしながら自己監視の頻度を上げた場合には、光通信モジュールの負荷が増大するので光通信モジュールの省電力化を図ることが困難になる。したがって従来の技術では、光トランシーバの自己監視を実行しつつ、その光トランシーバの負荷が過剰になることを防ぐことが課題となる。上記のように、特許文献1~5は、CPUの省電力のための方法として、クロック信号の周波数を切換える方法、あるいは、CPUの負荷を算出する方法などを開示する。しかし特許文献1~5に開示されたCPUは、パーソナルコンピュータなどに実装される、高度の処理能力を有する演算装置である。これに対して、光通信モジュールに実装されるマイクロコンピュータの処理能力は、一般に、パーソナルコンピュータに実装されるCPUよりも低い。この理由は、たとえば光通信モジュールのサイズの小型化および低コストのためである。したがって、光通信モジュールに実装されるマイクロコンピュータに、特許文献1~5に開示された省電力方法を適用した場合、マイクロコンピュータの処理負荷が増大する可能性がある。この結果、マイコンの消費電力が増大する。したがって、特許文献1~5に記載された省電力方法を光通信モジュールに適用しても、光通信モジュールの省電力化の効果は弱いと考えられる。あるいは、特許文献1~5に記載された省電力方法を光通信モジュールで実現するために、マイクロコンピュータの高機能化を図ることが考えられる。しかしながら、一般にマイクロコンピュータの高機能化を図るためには、マイクロコンピュータの回路規模を増大させる必要がある。回路規模が増大することによりマイクロコンピュータの消費電力が増大する。したがって、光通信モジュールの場合、特許文献1~5に記載された省電力方法を実行するためにマイクロコンピュータの高機能化を図ったとしても、光通信モジュールの省電力化の効果は弱いと考えられる。さらに、マイクロコンピュータの回路規模が増大することにより、マイクロコンピュータの物理的サイズたとえば半導体チップのサイズが大きくなるので、光通信モジュールの小型化を図ることも難しくなる。以上の理由によって、特許文献1~5に開示されるような省電力方法を光トランシーバに適用することは困難である。したがって、従来の技術によれば、光通信モジュールの自己監視を実行しつつ、光通信モジュールの負荷が過剰になるのを避けることは難しい。本発明の目的は、光通信モジュールの自己監視を実行しつつ、光通信モジュールの負荷が過剰になるのを避けるための技術を提供することである。本発明のある局面に係る光通信装置は、ホスト基板と、ホスト基板に実装され、自己監視を繰り返し実行する光通信モジュールと、ホスト基板に実装され、光通信モジュールの動作に関する余裕尺度を決定する制御部とを備える。光通信モジュールは、制御部によって決定された余裕尺度が大きいほど、自己監視の頻度を下げる。この構成によれば、光通信モジュールの動作の余裕尺度は、光通信モジュールとは別に設けられた制御部により決定される。光通信モジュールは、その決定された余裕尺度に応じて自己監視の頻度を変化させる。光通信モジュールが自己の余裕尺度を決定しなくてもよいので、光通信モジュールの負荷が増大することを防ぐことができる。さらに、余裕尺度が大きいほど自己監視の頻度が下がるので、適切な頻度での自己監視を実現できる。したがって、光通信モジュールの自己監視を実行しつつ、光通信モジュールの負荷が過剰になるのを避けることができる。動作の余裕尺度とは、たとえば光通信モジュールの動作環境の変化に耐えることができる光通信モジュールの能力を含む。光通信モジュールは、光トランシーバのように送信および受信の両方の機能を有するものでもよく、あるいは、送信機能および受信機能のいずれか一方のみを有するもの例としては光レシーバあるいは光トランスミッタであってもよい。好ましくは、制御部は、ホスト基板の温度および光通信モジュールの温度のうちの少なくとも一方に関する情報を用いて、余裕尺度を決定する。この構成によれば、光通信モジュールの動作に影響をもたらす要因の1つである温度ホスト基板の温度および光通信モジュールの温度のうちの一方または両方が余裕尺度の決定に用いられる。ホスト基板の温度は、ホスト基板の表面の温度、ホスト基板の表面の近傍の温度を含む。また、ホスト基板の温度は、ホスト基板のどの位置の温度であるかは特に限定されない。たとえば、光通信モジュールの周囲温度雰囲気温度を、ホスト基板の温度として測定してもよく、制御部の周囲温度をホスト基板の温度として測定してもよい。また、光通信モジュールの温度は、光通信モジュールの内部の温度でもよく、光通信モジュールの外部たとえば外表面の温度でもよい。また、温度に関する情報とは、たとえば温度値であるが、これに限定されない。たとえば、ホスト基板および/または光通信モジュールの温度の時間変化率を、温度に関する情報として用いてもよい。あるいは温度分布たとえば光通信モジュールとホスト基板との間の温度差を、温度に関する情報として用いてもよい。たとえばホスト基板に複数の光通信モジュールが集中的に配置されていると、各々の光通信モジュールの発する熱によってホスト基板の温度が上がりやすい。このため、光通信モジュールの放熱が悪くなり、光通信モジュールの異常あるいは故障が生じやすくなる。このような場合には、余裕尺度が小さくなるように決定されるので、光通信モジュールの自己監視の頻度が上がる。これにより、光通信モジュールの異常が生じる前に、光通信モジュールの放熱を促進させるといった対策を施すことができる。好ましくは、上記の光通信モジュールは、ホスト基板に実装された複数の光通信モジュールのうちの少なくとも1つである。この構成によれば、上記の光通信モジュールについては、自己監視を実行しつつ、負荷が過剰になるのを避けることができる。さらに、このような光通信モジュールが光通信装置に実装されることで、たとえば光通信装置の省電力を図ることができる。本発明の他の局面に係る光通信モジュールは、光通信モジュールの動作に関する余裕尺度の情報を受信する受信部と、自己監視により光通信モジュールの状態を繰り返し監視し、受信した情報により示された余裕尺度が大きいほど、自己監視の頻度を下げる監視部とを備える。この構成によれば、受信部が受けた余裕尺度に基づいて光通信モジュールの自己監視の頻度が決定されるので、光通信モジュールの自己監視を実行しつつ、光通信モジュールの負荷が過剰になるのを避けることができる。本発明の他の局面に係る光通信モジュールの監視方法は、ホスト基板に実装された光通信モジュールの監視方法であって、光通信モジュールの動作に関する余裕尺度をホスト基板において決定するステップと、決定された余裕尺度が大きいほど、光通信モジュールが自己監視を行なう頻度を下げるステップとを備える。この構成によれば、ホスト基板で決定された余裕尺度に基づいて光通信モジュールの自己監視の頻度が決定されるので、光通信モジュールの自己監視を実行しつつ、光通信モジュールの負荷が過剰になるのを避けることができる。本発明によれば、光通信モジュールの自己監視を実行しつつ、光通信モジュールの負荷が過剰になるのを避けることができる。以下、この発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。図1は、本発明の実施の形態に係る光通信装置の概略的構成図である。図1を参照して、光通信装置101は、複数の光トランシーバ1と、ホスト基板2と、筐体5と、ファン10とを備える。光トランシーバ1は、本発明に係る光通信モジュールの1つの具体的な形態として図1に示されている。複数の光トランシーバ1は、ホスト基板2に実装される。複数の光トランシーバ1の各々は、たとえばプラガブル光トランシーバである。プラガブル光トランシーバは、ホスト基板2に対して挿抜可能に構成される。しかしながら光トランシーバ1はプラガブル光トランシーバであると限定されるものではない。光トランシーバ1は、ホスト基板2から送られた電気信号を光信号に変換して、その光信号を光ネットワークに出力する。また、光トランシーバ1は、光ネットワークを通じて送られた光信号を電気信号に変換して、その電気信号をホスト基板2に送る。図1では詳細に示されていないが、光通信ケーブルの端部に設けられたコネクタ図示せずが光トランシーバ1の前面1aに着脱可能なように、光トランシーバ1の前面1aが構成される。ホスト基板2は、筐体5に設置される。筐体5は、たとえばラックでもよい。また、ホスト基板2の向きは特に限定されるものではない。複数の光トランシーバ1およびホスト基板2を分かりやすく示すために、図1は、ホスト基板2の表面を水平方向に平行にした配置を示す。図1に示すようにホスト基板2が配置されてもよく、ホスト基板2が縦置きホスト基板2が垂直方向に立てられるであってもよい。また、光通信装置101に実装されるホスト基板2の枚数は1枚でもよく、複数枚であってもよい。複数の光トランシーバ1の各々は、自己監視機能を有する。すなわち、複数の光トランシーバ1の各々は、自己の状態を監視する。自己監視は繰り返して実行される。この実施の形態では、繰り返して実行されるとは、自己監視が複数回実行される場合を含むものであり、前回の自己監視から今回の自己監視までの時間間隔が一定でもよく、一定でなくてもよい。ホストCPU3は、複数の光トランシーバ1の各々と通信する。ホストCPU3は、たとえば、各々の光トランシーバ1から、その光トランシーバの自己監視の結果を取得する。自己監視の結果に含まれる情報は、たとえば光トランシーバの温度に関する情報である。なお、図1には示していないが、ホストCPU3が受け取った情報を記憶するためのメモリたとえば不揮発性メモリがホスト基板2に実装されていてもよい。光トランシーバ1の自己監視結果をホストCPU3が取得するための方法として、光トランシーバ1がホストCPU3に自己監視結果を送信してもよい。あるいは、ホストCPU3が各々の光トランシーバ1にアクセスして、その光トランシーバ1の内部に記憶された自己監視結果を取得してもよい。ファン10は、ホスト基板2で発生する熱を光通信装置101の外部に放出する。図1に示された構成ではファン10が筐体5の背面に設けられている。ファン10が動作することによって、光通信装置101の前面から光通信装置101の内部に外気が導入されるとともに、ホスト基板2で発生する熱が光通信装置101の背面から外部に放出される。ファン10は、筐体5の背面に設けられるものと限定されず、筐体5の任意の面上面、下面、前面、側面などに設けられていてもよく、ホスト基板2に設けられていてもよい。ホストCPU3は、ホスト基板2の状態に関する情報、および複数の光トランシーバ1の各々からの自己監視の結果に基づいて、各々の光トランシーバ1の動作の余裕尺度を決定する。動作の余裕尺度とは、光トランシーバ1の動作環境の変化に耐えることができる光トランシーバ1の能力である。動作環境の変化には、たとえば光トランシーバ1の処理負荷の変化を含むことができる。光トランシーバ1の負荷が増大すると、その光トランシーバ1の余裕尺度は小さくなるように決定される。逆に光トランシーバ1の負荷が低下すると、その光トランシーバ1の余裕尺度が大きくなるように決定される。動作環境の変化には、たとえばホスト基板2の温度の変化を含むことができる。ホスト基板2の温度が高くなると、光トランシーバ1の動作への影響が大きくなる。したがって、その光トランシーバ1の余裕尺度は小さくなるように決定される。なお、以下では、主に、ホスト基板2の温度が高くなるケースについて説明するが、ホスト基板2の温度が低すぎる場合にも光トランシーバ1の余裕尺度が小さくなるように余裕尺度が決定されてもよい。余裕尺度は、たとえば指数のような数値によって表わされてもよく、大、中、小といった、相対的なレベルによって表わされてもよい。複数の光トランシーバ1の各々は、CPU3によって決定された余裕尺度が大きいほど、自己監視の頻度を下げる。逆に言えば、複数の光トランシーバ1の各々は、余裕尺度が小さいほど自己監視の頻度を上げる。たとえば、各々の光トランシーバ1の各々は、自己監視の時間間隔を調整して、自己監視の頻度を変更する。図2は、図1に示したホスト基板の概略的構成を示したブロック図である。図2を参照して、ホスト基板2には、ホストCPU3と、トラヒック計測部4と、マルチプレクサ/デマルチプレクサMUX/DEMUX6と、温度センサ7と、通信インタフェース8と、バス9とが実装される。なお、図2に示された各々の機能ブロックを実現するためのハードウェア構成は特に限定されるものではない。トラヒック計測部4は、複数の光トランシーバ1の各々のトラヒック量を計測する。トラヒック計測部4は、図示しない上位装置から送られるデータストリームに基づいて、各々の光トランシーバ1の送信データ量を計測する。さらにトラヒック計測部4は、マルチプレクサ/デマルチプレクサMUX/DEMUX6を通じてデータストリームを受けることにより、各々の光トランシーバ1の受信データの量を計測する。トラヒック計測部4は、その計測結果をホストCPU3に送信する。マルチプレクサ/デマルチプレクサ6は、上位装置から送られたデータストリームを受け、そのデータストリームを、当該データストリームの送信先に対応する光トランシーバ1に振り分ける。一方、マルチプレクサ/デマルチプレクサ6は、複数の光トランシーバ1の各々からデータストリームを受信して、そのデータストリームを図示しない上位装置へと送信する。温度センサ7は、ホスト基板2の温度を計測して、その計測結果をホストCPU3に送信する。上述の通り、ファン10によって、ホスト基板2で発生する熱が光通信装置101の外部に放出される。しかし、ファン10が故障した場合には、ホスト基板2の放熱が不十分となることにより、ホストCPU3等が正常に動作できない可能性が高くなる。このため、ホストCPU3は、温度センサ7の計測結果を用いてホスト基板2の温度を監視する。温度センサ7が計測するホスト基板2の温度は、ホスト基板2の表面の温度でもよく、ホスト基板2の表面の近傍表面からは離れた場所の温度でもよい。さらに、ホスト基板2の温度は、ホスト基板2のどの位置の温度であるかは特に限定されない。たとえば温度センサ7は、光トランシーバ1の周囲温度雰囲気温度を、ホスト基板2の温度として測定してもよい。あるいは、温度センサ7は、ホストCPU3の周囲温度を、ホスト基板2の温度として測定してもよい。ファン10が故障した場合には、その故障を示す故障信号がホストCPU3に入力される。図2では、ファン10が故障信号を発生するように示されているが、ファン10の動作を監視する素子によって、故障信号が発生してもよい。通信インタフェース8およびバス9は、ホストCPU3と複数の光トランシーバ1の各々との間での通信のために設けられる。ホストCPU3は、複数の光トランシーバ1の各々から、その光トランシーバ1の自己監視結果に関する情報を取得する。さらに、ホストCPU3は、複数の光トランシーバ1の各々に対して、たとえば監視頻度の変更、アラーム発生時の対応、監視対象項目の変更等の各種の指示を送る。図3は、図1に示した光トランシーバ1の構成例を示したブロック図である。図3を参照して、光トランシーバ1は、光デバイスブロック11と、送信回路14と、受信回路17と、コントローラ20とを備える。光デバイスブロック11は、レーザダイオードLD12と、ペルチェ素子12aと、サーミスタ12bと、フォトダイオードPD13とを含む。レーザダイオード12は、送信回路14から供給された電源電圧および制御電圧を受ける。レーザダイオード12は、送信回路14から送られた電気信号送信信号を光信号に変換して、その光信号を、図示しない光ケーブルを介して光ネットワークに出力する。ペルチェ素子12aは、送信回路14からの制御電圧を受けてレーザダイオード12の温度を調整する。サーミスタ12bは、レーザダイオード12の温度を測定して、その測定した温度を示す信号を送信回路14に出力する。フォトダイオード13は、受信回路17から供給された電源電圧および制御電圧を受ける。フォトダイオード13は、図示しない光ケーブルを介して光ネットワークから光信号を受信して、その光信号を電気信号に変換する。フォトダイオード13は、その電気信号を受信信号として受信回路17に出力する。送信回路14は、レーザダイオード12に電源電圧および制御電圧を供給するためのドライバ15を含む。さらに、送信回路14は、D/AコンバータDAC16を含む。D/Aコンバータ16は、ホストCPU3から送られたデジタルの送信信号を、アナログ信号に変換する。ドライバ15は、そのアナログ信号をレーザダイオード12に供給する。さらに送信回路14は、送信回路14あるいはレーザダイオード12の状態を表わすモニタ電圧を、コントローラ20に出力する。このモニタ電圧は、たとえばレーザダイオード12の出力光強度を示す電圧である。送信回路14は、さらに、レーザダイオード12の温度を制御するための温度制御回路14aを含む。温度制御回路14aは、サーミスタ12bからの信号を受けて、ペルチェ素子12aに対して制御電圧を出力する。これにより、温度制御回路14aは、レーザダイオード12の温度が所定の範囲内に保たれるようにレーザダイオード12の温度を制御する。受信回路17は、フォトダイオード13に電源電圧および制御電圧を供給する。受信回路17は、アンプ18およびA/DコンバータADC19を含む。アンプ18は、フォトダイオード13から送られた受信信号アナログ信号を増幅する。A/Dコンバータ19は、その増幅されたアナログ信号をデジタル信号に変換する。受信回路17は、そのデジタル信号をホストCPU3に出力する。さらに受信回路17は、受信回路17あるいはフォトダイオード13の状態を表わすモニタ電圧をコントローラ20に出力する。このモニタ電圧は、たとえばフォトダイオード13の受信光強度を示す電圧である。コントローラ20は、光トランシーバ1を統括的に制御する。このために、コントローラ20は、送信回路14および受信回路17の各々に制御信号および制御電圧を供給する。さらにコントローラ20は、送信回路14および受信回路17の各々からのモニタ電圧に基づいて、光トランシーバ1の状態を監視する。さらにコントローラ20は、ホストCPU3からの要求に応じて、光トランシーバ1の状態に関する情報を出力する。なお、図3では、ホスト基板2の構成が簡略化して示される。このため通信インタフェース8およびバス9図2参照は図3には示されていない。図4は、図3に示したコントローラ20の構成を示したブロック図である。図4に示された構成は複数の半導体集積回路、または単一の半導体集積回路のいずれでも実現可能である。図4を参照して、コントローラ20は、制御部21と、不揮発性メモリ22と、揮発性メモリ23と、バス24と、A/Dコンバータ25と、D/Aコンバータ26と、データバスインタフェース27と、ロジックポート28と、データバスインタフェース29と、温度センサ30とを備える。制御部21は、コントローラ20の全体の動作を制御する。不揮発性メモリ22は、情報の書込みおよび情報の読出しが可能なだけでなく、書き込まれた情報を不揮発的に記憶することが可能なメモリである。不揮発性メモリ22は、たとえばEEPROMによって実現される。揮発性メモリ23は、情報の書込みおよび読出しが可能である。揮発性メモリ23は、たとえばDRAMDynamicRandomAccessMemoryあるいはSRAMStaticRandomAccessMemoryなどによって実現される。バス24は、たとえば制御部21と不揮発性メモリ22との間、あるいは制御部21と揮発性メモリ23との間で情報を伝送するためのものである。A/Dコンバータ25は、たとえば図3に示された送信回路14あるいは受信回路17から送られたモニタ電圧をデジタル信号に変換する。A/Dコンバータ25は、そのデジタル信号を制御部21へ出力する。D/Aコンバータ26は、たとえば制御部21から送られるデジタルの制御信号をアナログの制御信号に変換する。D/Aコンバータ26は、そのアナログの制御信号を、図3に示された送信回路14あるいは受信回路17へと出力する。データバスインタフェース27は、たとえば図3に示された送信回路14あるいは受信回路17と制御部21との間でデータを授受するための回路である。ロジックポート28は、たとえば制御部21が送信回路14あるいは受信回路17に対してデジタルの制御信号を送信するための回路である。データバスインタフェース27は、たとえば図3に示された送信回路14あるいは受信回路17と制御部21との間でデータを授受するための回路である。データバスインタフェース29は、たとえば制御部21がホストCPU3あるいはホスト基板2に実装された他の素子たとえば、別の光トランシーバとの間でデータを授受するための回路である。温度センサ30は、光トランシーバ1の温度を検出して、その温度を示す信号を制御部21へと出力する。温度センサ30はコントローラ20とは別に設けられていてもよい。また、温度センサ30は、光トランシーバ1の内部の温度を計測するものと限定されず、光トランシーバ1の外表面たとえば光トランシーバ1の筐体の表面の温度を計測してもよい。制御部21は、光トランシーバ1の状態を繰り返し監視する。制御部21は、さらに、たとえばデータバスインタフェース29あるいはロジックポート28を通じて、ホストCPU3から光トランシーバ1の余裕尺度に関する情報を受ける。制御部21は、この余裕尺度に基づいて、光トランシーバ1の自己監視の頻度を決定する。余裕尺度が大きいほど、制御部21は光トランシーバ1の監視の頻度を下げる。逆に、余裕尺度が小さいほど、制御部21は光トランシーバ1の監視の頻度を上げる。図5は、ホストCPUに入出力される情報を説明するための模式図である。図5を参照して、ホストCPU3には、ホスト基板2の情報および光トランシーバ1の情報が入力される。ホスト基板2の情報は、ホスト基板2の温度の情報、トラヒック量の情報、およびファン10の故障の情報を含むがこれらに限定されるものではない。ホスト基板2の温度の情報は、温度センサ7から得られる。トラヒック量の情報は、トラヒック計測部4から得られる。エラーレートは、たとえばトラヒック計測部4から得られるが、これに限定されない。ファン10の故障の情報は、ファン10から得られる。光トランシーバ1の情報は、その光トランシーバのステータスに関する情報、その光トランシーバの温度に関する情報、およびアラームに関する情報を含むがこれらに限定されない。アラームに関する情報とは、たとえば光トランシーバが自己監視によって検出した異常の内容を示す情報である。さらに、ホストCPU3は、光トランシーバ1の稼働台数に関する情報を収集してもよい。たとえば、ホストCPU3は、ある光トランシーバを省電力モードに設定する。その光トランシーバは省電力モードでは、たとえば光送信および受信機能を停止する。ホストCPU3は、稼動台数を計測する際には、その光トランシーバを稼動中の光トランシーバとして含めない。ホストCPU3は、上記の各種の情報に基づいて、各々の光トランシーバ1の余裕尺度を決定し、その余裕尺度に関する情報を光トランシーバ1に送信する。光トランシーバ1は、その決定された余裕尺度に従って自己監視の頻度を決定する。なお、ホストCPU3が各々の光トランシーバ1の自己監視の頻度を決定し、その決定した頻度を各々の光トランシーバ1に指示してもよい。また、光トランシーバ1が、その光トランシーバ1の異常を示すアラーム情報を出力した場合には、ホストCPU3は、そのアラームに応じた対応を光トランシーバ1に指示する。図6は、余裕尺度の決定方法の一例を説明するための図である。図5および図6を参照して、余裕尺度の決定のために、ホストCPU3は、たとえばホスト基板の温度、トラヒック量、ファン、温度分布を考慮する。また、他の項目が図6に示した項目に追加されてもよく、図6に示した項目のうちの一部を、他の項目に置き換えてもよい。あるいは図6に示した項目のうちの一部が削除されてもよい。たとえばホスト基板の温度に代えて、あるいは、ホスト基板の温度に加えてホスト基板の温度の時間変化率が項目に加えられてもよい。たとえばホスト基板の温度に加えて光トランシーバの温度および/または光トランシーバの温度の時間変化率が項目に加えられてもよい。各項目について、通常の状態、ワーニング状態、およびアラーム状態が予め決定される。たとえば、通常の状態に対応するホスト基板の温度はA1以下であると定められる。ワーニング状態に対応するホスト基板の温度は、A1より大きく、かつA2以下であるA1<A2と定められる。アラーム状態に対応するホスト基板の温度は、A2より大きいと定められる。図6に示された例は、ホスト基板の温度が上昇する場合に対応しているが、ホスト基板の温度が通常より大幅に低い場合たとえば温度が氷点下である場合に対応したワーニング状態あるいはアラーム状態が定められてもよい。通常の状態に対応するトラフィック量はB1以下であると定められる。ワーニング状態に対応するトラヒック量はB1より大きく、かつB2以下であるB1<B2と定められる。アラーム状態に対応するトラフィック量は、B2より大きいと定められる。ファンの通常の状態は、ファンが正常に動作している状態であると定められる。ワーニング状態およびアラーム状態ともに、ファンが異常である状態故障の場合も含むと定められる。温度分布は、たとえばホスト基板の温度および各々の光トランシーバの温度の中の最高温度と最低温度との差で与えられる。別の例として、温度分布は、各々の光トランシーバの温度の中の最高温度と、ホスト基板の温度との間の差として定義されてもよい。通常の状態に対応する温度分布温度差はC1以下であると定められる。ワーニング状態に対応する温度分布はC1より大きく、かつC2以下であるC1<C2と定められる。アラーム状態に対応する温度分布は、C2より大きいと定められる。ホストCPU3は、通常状態に該当する項目の数およびワーニング状態に該当する項目の数に応じて余裕尺度を決定する。アラーム状態では、光トランシーバ1の故障を防ぐための速やかな対策が必要となる。したがって、少なくとも1つの項目がアラーム状態に移行した場合には、図5に示されるように、ホストCPU3は、光トランシーバ1に対してアラーム対応を指示する。たとえば余裕尺度が数値によって表わされる場合、ホストCPU3は、ワーニング状態に該当する項目の数が増えるほど余裕尺度を小さくする。逆に通常状態に該当する項目の数が増えるほど、ホストCPU3は、余裕尺度を大きくする。たとえば余裕尺度が大、中、小のレベルによって表わされる場合、ホストCPU3は、ワーニング状態に該当する項目の数が少ない場合には、余裕尺度のレベルを大に決定する。逆に、ワーニング状態に該当する項目の数が多い場合には、ホストCPU3は余裕尺度のレベルを小に決定する。余裕尺度の各レベルに対応する項目の数ワーニング状態に該当する項目の数は、予め定められる。たとえば、余裕尺度に対する影響度の大きさを考慮して、各項目に重み付けを行なっても良い。たとえば、より重要な項目なほど、通常の状態からワーニング状態への変化に応じて余裕尺度がより大きく低下するように、各項目の重みが設定されてもよい。大きな余裕尺度は、光トランシーバ1の動作に十分な余裕があることを意味する。つまり、光トランシーバ1が動作環境の変化に耐えることができる能力が高いことを意味する。逆に余裕尺度が下がることは、光トランシーバ1が動作環境の変化に耐えることができる能力が下がることを意味する。すなわち、光トランシーバ1が動作不良異常あるいは故障になる可能性が高くなる。図7は、ホストCPUのメインルーチンの処理を示したフローチャートである。図7を参照して、ステップS1において、ホストCPU3は、ホストCPU3のステータスを更新する。すなわち、ホストCPU3は、複数の光トランシーバ1の各々の新たな余裕尺度を決定する状態になる。ステップS2において、ホストCPU3は、上述の方法図6を参照に従って余裕尺度を決定する。これにより余裕尺度が更新される。ステップS3において、ホストCPU3は、1つの光トランシーバから、その光トランシーバのステータスに関する情報を取得する。ステップS4において、ホストCPU3は、そのステータス情報に基づいて、アラームを検知したかどうかを判定する。たとえば光トランシーバがアラーム状態である場合には光トランシーバから発せられるステータス情報に、アラームの出力を示す情報が含まれる場合にホストCPU3がアラームを検知する。あるいは、図6で示されるように、ホストCPU3で管理する項目に基づいて、ホストCPU3がアラームを検知してもよい。アラームが検知されなかった場合ステップS4においてNO、処理はステップS5に進む。この場合、ホストCPU3は、その光トランシーバ1に、ステップS2の処理によって決定された余裕尺度を送信する。一方、アラームが検知された場合ステップS4においてYES、処理はステップS6に進む。ステップS6において、ホストCPU3は、その光トランシーバ1に対してセーフモードに移行するように指示する。ステップS5またはステップS6の処理に続いてステップS7の処理が実行される。ステップS7において、ホストCPU3は、全ての光トランシーバ1をチェックしたかどうかを判断する。まだチェックしていない光トランシーバ1があった場合ステップS7においてNO、処理はステップS8に進む。ステップS8において、ホストCPU3は、ステータスを未だ取得していない次の光トランシーバをチェックの対象に決定する。ステップS8の処理の後、ステップS3の処理が実行される。全ての光トランシーバ1をチェックした場合ステップS7においてYES、処理はステップS9に進む。すなわち、ステップS3~S8のループにしたがって、ホストCPU3は、複数の光トランシーバ1の各々に対して、余裕尺度を送信するか、セーフモードに移行するための指示を送るかのいずれかを実行する。ステップS9において、ホストCPU3は、光トランシーバ1からステータスを取得する時間間隔を調整する。各々の光トランシーバ1は、ホストCPU3から送られた余裕尺度を受け取り、その余裕尺度にしたがって自己監視の頻度を変更する。光トランシーバ1は自己監視の結果として、ステータスを出力する。したがって光トランシーバ1によるステータスの出力の時間間隔は、自己監視の頻度を反映している。ホストCPU3は、光トランシーバ1の余裕尺度を決定し、その決定した余裕尺度に基づいて、光トランシーバ1からのステータスを取得する時間間隔を調整する。ステップS9に続いてステップS10では、ホストCPU3は、光トランシーバ1からのステータス情報の取得を待つ状態へと移行する。ステップS9の処理によって決定された時間間隔の間、ホストCPU3は、ステータス取得待ちの状態となる。この時間間隔に対応する期間が経過すると、全体の処理はステップS1に戻される。図8は、光トランシーバのメインルーチンの処理を示したフローチャートである。このフローチャートに示した処理は、主としてコントローラ20特に制御部21により実行される。図8を参照して、ステップS11において、コントローラ20は、ホスト基板2ホストCPU3からの通信があるかどうかを判断する。ホスト基板2から通信があった場合ステップS11においてYES、コントローラ20は、ホスト基板2から余裕尺度を受信する。ステップS12に続いて、ステップS13では、コントローラ20は、光トランシーバ1の監視自己監視を実行して、その監視結果に基づいてステータスを更新する。このステータスは、たとえば揮発性メモリ23に記憶される。ホスト基板2から通信がなかった場合ステップS11においてNOにも、ステップS13の処理が実行される。ステップS14において、コントローラ20は、ステップS12で受信した余裕尺度を評価する。上記のように、余裕尺度は、たとえば数値によって表わすことができる。余裕尺度が十分に大きい場合十分な余裕がある場合、あるいは余裕尺度が増加傾向にある場合、コントローラ20は、光トランシーバ1の監視頻度を下げるステップS15。逆に余裕尺度が小さい余裕が少ない場合、あるいは余裕尺度が減少傾向にある場合、コントローラ20は、光トランシーバ1の監視頻度を上げるステップS16。たとえばコントローラ20は、ステップS12の処理によって取得した余裕尺度を基準値と比較することにより、監視頻度の頻度を変更する。余裕尺度が基準値より大きい場合には、コントローラ20は、光トランシーバ1の監視頻度を下げるステップS15。一方、余裕尺度が判定値より小さい場合には、コントローラ20は、光トランシーバ1の監視頻度を上げるステップS15。また、コントローラ20は、余裕尺度が、ある所定の回数たとえば2回であるが、これに限定されない連続して減少した場合には、光トランシーバ1の監視頻度を下げる。逆に、コントローラ20は、余裕尺度が、ある所定の回数たとえば2回であるが、これに限定されない連続して上昇した場合には、光トランシーバ1の監視頻度を上げる。なお、監視頻度を上げる場合と下げる場合とで、判定基準余裕尺度が連続して上昇する回数または連続して減少する回数が異なっていてもよい。ステップS15またはS16の処理の後、ステップS17において、コントローラ20は、次の監視まで待ち状態となる。待ち時間は、ステップS15またはS16の処理によって決定された監視頻度に従って決定される。ステップS17の後、処理はステップS11に戻される。一方、ステップS14では、ステップS13の処理での自己監視の結果に基づいて割り込み処理が発生する場合がある。たとえば光トランシーバ1の温度が急激に上昇した場合、割り込み処理が発生する。この場合、ステップS18において、コントローラ20はアラームを出力するとともに、ステータスの更新を停止する。さらにステップS19において、コントローラ20は、ホスト基板2ホストCPU3からの指示を待つ。この指示は、セーフモードに移行するための指示である。図7のステップS6の処理を実行することにより、ホストCPU3は、光トランシーバ1に対してセーフモードを指示する。ホスト基板2ホストCPU3からの指示をコントローラ20が受けるまで、ステップS19の処理が繰り返される。ステップS20において、コントローラ20はセーフモードに移行する。この場合、たとえばコントローラ20は、光デバイスブロック11、送信回路14および受信回路17を停止して、それにより送信機能および受信機能を停止する。以上説明したように、本発明の実施の形態によれば、光トランシーバ1とは別に設けられたホストCPU3によって、その光トランシーバ1の余裕尺度が決定される。光トランシーバ1は、その決定された余裕尺度に応じて自己の監視の頻度を変化させる。光トランシーバ1が自己の余裕尺度を決定する場合、光トランシーバ1の処理が増大するため、光トランシーバ1の負荷が増大する。この実施の形態では、ホストCPU3が余裕尺度を決定するので、光トランシーバ1特にコントローラ20の負荷が増大することを防ぐことができる。したがって、本発明の実施の形態によれば、光トランシーバの自己監視を実行しつつ、光トランシーバの負荷が過剰になることを防ぐことができる。さらに、余裕尺度が大きいほど自己監視の頻度が下がる。余裕尺度が大きい場合には、光トランシーバが異常あるいは故障に至る確率は小さくなる。このような場合、光トランシーバの自己監視の頻度を下げることによって、適切な頻度での自己監視を実現できる。したがって、光トランシーバ1の自己監視を実行しつつ、光トランシーバ1の負荷が過剰になるのを避けることができる。また、本発明の実施の形態では、余裕尺度の決定に、ホスト基板および光トランシーバのうちの少なくとも1つの温度に関する情報具体的にはホスト基板の温度および温度分布が余裕尺度の決定に用いられる。図1に示されるように、ホスト基板2には複数の光トランシーバ1が集中的に配置される。さらに、各々の光トランシーバ1が熱を発する。各々の光トランシーバ1が発した熱によって、光トランシーバ1の周囲の温度が上昇する。このため、各々の光トランシーバ1の放熱が悪くなり、いずれかの光トランシーバの異常あるいは故障が生じやすくなる。しかしながら、この実施の形態では、たとえばホスト基板2の温度が上昇してワーニング状態となった場合に、余裕尺度が低下する図6を参照。余裕尺度が低下することによって、光トランシーバ1の自己監視の頻度が上げる。したがって、光トランシーバ1に異常が生じる前に、適切な処理を行なうことができる。たとえばファン10の風量あるいは稼働台数を増大することによって、光トランシーバ1のさらなる温度上昇を抑制することができる。逆に、ファン10によって、各々の光トランシーバ1が発した熱の多くを光通信装置101の外部に逃がすことができた場合、光トランシーバ1の周囲温度が低下する。この場合には、余裕尺度が大きくなる。光トランシーバ1が発した熱を多く逃がすことができるので、光トランシーバが異常あるいは故障に至る確率が小さくなる。この場合には、監視頻度が低下するので、光トランシーバの負荷を減らすことができる。したがって、光トランシーバの自己監視の頻度をより一層適切に設定することができる。さらに、ホストCPU3は、余裕尺度が大きい場合に、自己監視の頻度を下げることに加えて、自己監視の項目を減らすように光トランシーバ1に指示してもよい。たとえば制御部21は、ホストCPU3から受けた余裕尺度が判定値を上回る場合に、自己監視の項目を減らす。これにより、余裕尺度が大きいときには、光トランシーバ1の負荷のより一層の低減を図ることができる。図9は、自己監視の対象項目の例を示した図である。図9を参照して、監視項目は、たとえば光トランシーバ1の内部温度、レーザダイオード12の送信パワーモニタ値、レーザダイオード12のバイアス電流、フォトダイオード13の受信パワーモニタ値、フォトダイオード13のバイアス電圧、ペルチェ素子12aの電圧およびサーミスタ12bの電圧を含む。通常の監視モードでは、これらの項目の全てが監視対象項目となる。一方、余裕尺度が大きい場合、たとえば光トランシーバ1の自己監視のモードが省電力モードに移行する。省電力モードの場合には、レーザダイオード12のバイアス電流、受信パワーモニタ値、フォトダイオード13のバイアス電圧、ペルチェ素子12aの電圧の監視が省略される。なお、図9は、監視対象項目および省略可能な項目の例を示したものであり、これらの項目は適宜定められうる。また、上記の実施の形態では、図1に示された複数の光トランシーバのすべてがこの実施の形態に係る光トランシーバであるとした。しかしながらホスト基板に実装される複数の光トランシーバのうちの少なくとも1つが、この実施の形態に係る光トランシーバであればよい。また、本明細書では、本発明に係る光通信モジュールの1つの具体的な形態として光トランシーバを示した。しかしながら、本発明に係る光通信モジュールは、光トランシーバのように送信機能および受信機能の両方を備えるものと限定されるものではない。本発明に係る光通信モジュールは、送信機能および受信機能のうちのいずれか一方のみを有するものでもよい。したがって、本発明に係る光通信モジュールは、光レシーバあるいは光トランスミッタであってもよい。今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内で全ての変更が含まれることが意図される。