"光信号を生成するレーザダイオードと、前記レーザダイオードに駆動電流を供給する電流回路と、前記レーザダイオードに供給される駆動電流に含まれるバイアス電流をモニタする電流モニタ部と、前記レーザダイオードによって生成される光信号を検出するフォトダイオードと、前記レーザダイオードによって生成される光信号の光強度を、前記フォトダイオードを介してモニタする光信号モニタ部と、前記光信号モニタ部からのモニタ信号に基づいてバイアス電流のAPC制御を行う制御部と、を備え、前記制御部は、前記電流モニタ部によってモニタされるバイアス電流の値に基づいて、APC制御に用いるバイアス電流の上限値を算出し、バイアス電流が前記上限値を超えないようにAPC制御を行う、ことを特徴とするレーザ制御装置。前記レーザダイオードの周辺温度をモニタする温度モニタ部を更に備え、前記制御部は、前記温度モニタ部によってモニタされた前記レーザダイオードの周辺温度の変化が予め設定された期間において第1の範囲にあるか否かを判定する判定手段と、前記変化が前記第1の範囲にあると前記判定手段によって判定された場合に、前記上限値を算出する算出手段と、を有する、ことを特徴とする請求項1に記載のレーザ制御装置。前記制御部は、前記変化が前記第1の範囲にあると前記判定手段によって判定された場合に、前記温度モニタ部によってモニタされた前記レーザダイオードの周辺温度の値を記憶装置に格納する格納手段を更に有し、前記判定手段は、前記上限値が前記算出手段によって算出された後に前記温度モニタ部によってモニタされた前記レーザダイオードの周辺温度の値と前記記憶装置に格納されている前記レーザダイオードの周辺温度の値との差が第2の範囲を超えたか否かを判定し、前記第2の範囲を超えたと判定した場合に、前記変化が前記期間において前記第1の範囲にあるか否かを再び判定する、ことを特徴とする請求項2に記載のレーザ制御装置。前記格納手段は、前記変化が前記第1の範囲にあると前記判定手段によって判定された場合に、前記電流モニタ部によってモニタされたバイアス電流の値を前記記憶装置に格納し、前記算出手段は、前記記憶装置に格納されているバイアス電流の値に基づいて前記上限値を算出する、ことを特徴とする請求項3に記載のレーザ制御装置。LDの光強度をモニタするモニタ用のPD、又は、光強度のモニタ回路、に不具合が生じた場合には、LDの光強度が、LDのバイアス電流を制御するAPC回路に対しモニタ回路からフィードバックされないので、好適なバイアス電流がLDに供給されない場合、特に、過大なバイアス電流がLDに供給される場合がある。このため、バイアス電流に対し上限値を設定することが考えられる。しかし、比較的低温でLDが動作している場合には、LDの発光効率が比較的良好となっているので、この上限値でバイアス電流がLDに供給されると、LDは、予め設定されている上限特に規格で設定されている上限を超える光強度で発光する場合がある。そこで、好適な上限値を温度に応じて設定することが考えられる。しかし、温度に応じて上限値を設定するには、LDの製造バラツキ、及び、個々のLDの経年劣化、等が考慮されなければならず、従って、個々のLDによらずにLDの周辺温度に応じて好適なバイアス電流の上限値を設定するのは困難である。そこで、本発明の目的は、上記の事項を鑑みてなされたものであり、レーザダイオードの製造バラツキや経年劣化を伴う場合であっても、個々のレーザダイオードによらずにレーザダイオードの周辺温度に応じてバイアス電流の好適な上限値が設定できるレーザ制御装置を提供することである。本発明に係る光送信装置は、光信号を生成するレーザダイオードと、前記レーザダイオードに駆動電流を供給する電流回路と、前記レーザダイオードに供給される駆動電流に含まれるバイアス電流をモニタする電流モニタ部と、前記レーザダイオードによって生成される光信号を検出するフォトダイオードと、前記レーザダイオードによって生成される光信号の光強度を、前記フォトダイオードを介してモニタする光信号モニタ部と、前記光信号モニタ部からのモニタ信号に基づいてバイアス電流のAPC制御を行う制御部と、を備え、前記制御部は、前記電流モニタ部によってモニタされるバイアス電流の値に基づいて、APC制御に用いるバイアス電流の上限値を算出し、バイアス電流が前記上限値を超えないようにAPC制御を行う、ことを特徴とする。本発明に係るレーザ制御装置によれば、レーザダイオードの周辺温度が変化するごとに、バイアス電流の上限値電流Imaxが算出される。従って、レーザダイオードの製造バラツキや経年劣化を伴う場合であっても、個々のレーザダイオードによらずにレーザダイオードの周辺温度に応じてバイアス電流の好適な最大値が設定できる。本発明に係る光送信装置では、前記レーザダイオードの周辺温度をモニタする温度モニタ部を更に備え、前記制御部は、前記温度モニタ部によってモニタされた前記レーザダイオードの周辺温度の変化が予め設定された期間において第1の範囲にあるか否かを判定する判定手段と、前記変化が前記第1の範囲にあると前記判定手段によって判定された場合に、前記上限値を算出する算出手段とを有する。従って、バイアス電流の上限値は、レーザダイオードの周辺温度が安定している場合に算出される。本発明に係る光送信装置では、前記制御部は、前記変化が前記第1の範囲にあると前記判定手段によって判定された場合に、前記温度モニタ部によってモニタされた前記レーザダイオードの周辺温度の値を記憶装置に格納する格納手段を更に有し、前記判定手段は、前記上限値が前記算出手段によって算出された後に前記温度モニタ部によってモニタされた前記レーザダイオードの周辺温度の値と前記記憶装置に格納されている前記レーザダイオードの周辺温度の値との差が第2の範囲を超えたか否かを判定し、前記第2の範囲を超えたと判定した場合に、前記変化が前記期間において前記第1の範囲にあるか否かを再び判定する。従って、レーザダイオードの周辺温度の変化が予め設定された範囲を超えた場合、周辺温度が安定したか否かが再び判定されるので、周辺温度が変化した場合であっても、安定した変化後の周辺温度のもとでバイアス電流の上限値が算出可能となる。本発明に係る光送信装置では、前記格納手段は、前記変化が前記第1の範囲にあると前記判定手段によって判定された場合に、前記電流モニタ部によってモニタされたバイアス電流の値を前記記憶装置に格納し、前記算出手段は、前記記憶装置に格納されているバイアス電流の値に基づいて前記上限値を算出する。従って、上限値は、安定した周辺温度のもとでレーザダイオードに供給されているバイアス電流の値に基づいて、算出される。本発明によれば、レーザダイオードの製造バラツキや経年劣化を伴う場合であっても、個々のレーザダイオードによらずにレーザダイオードの周辺温度に応じてバイアス電流の好適な上限値が設定できるレーザ制御装置を提供することができる。以下、図面を参照して、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、可能な場合には、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。図1は、実施形態に係るレーザ制御装置1の構成を示す図である。図2は、制御部7の物理的な構成を示す図である。レーザ制御装置1は、例えば、図示しない光送信装置に搭載される。レーザ制御装置1は、図1に示すように、レーザダイオード3、電流回路5、制御部7、電流モニタ部9、フォトダイオード11、光信号モニタ部13、及び、温度モニタ部15を備える。レーザダイオード3は、光信号を生成する。電流回路5は、レーザダイオード3に駆動電流を供給する。制御部7は、光信号モニタ部13からのモニタ信号に基づいてバイアス電流のAPC制御を行う。制御部7は、電流モニタ部9によってモニタされるバイアス電流の値に基づいて、APC制御に用いるバイアス電流の上限値以下、電流値Imaxというを算出し、バイアス電流が電流Imaxを超えないようにAPC制御を行う。制御部7は、電流Imaxを、後述の図3のフローチャートに示す方法で算出する。電流モニタ部9は、レーザダイオード3に供給される駆動電流に含まれるバイアス電流をモニタする。電流モニタ部9は、モニタ結果を示すモニタ信号を制御部7に出力する。フォトダイオード11は、レーザダイオード3によって生成される光信号を検出する。光信号モニタ部13は、レーザダイオード3によって生成される光信号の光強度を、フォトダイオード11を介してモニタする。光信号モニタ部13は、モニタ結果を示すモニタ信号を制御部7に出力する。温度モニタ部15は、レーザダイオード3の周辺温度をモニタする。温度モニタ部15は、モニタ結果を示すモニタ信号を制御部7に出力する。制御部7は、物理的には、図2に示すCPU71,ROM72,RAM73、及び、記憶装置7d、等を含むコンピュータ装置を有する。CPU71、ROM72、RAM73及び記憶装置7dは、バス74に接続されている。CPU71は、ROM72,記憶装置7d等のメモリに格納されたコンピュータプログラム例えば、図3に示すフローチャートの処理を実行するためのコンピュータプログラムをRAM73にロードして実行することによって、電流回路5に対する制御特に、レーザダイオード3に供給されるバイアス電流に対するAPC制御、及び、図3のフローチャートに示す処理を行う。記憶装置7dは、書き込み/読み出しが自在なメモリ例えば、レーザ制御装置1の内蔵メモリ、又は、レーザ制御装置1に対し着脱自在な記録媒体であって、各種コンピュータプログラムや、コンピュータプログラムの実行に必要な各種データを格納する。制御部7は、複数の機能を有する。制御部7が有する複数の機能は、電流モニタ部9から入力されるモニタ信号、光信号モニタ部13から入力されるモニタ信号、及び、温度モニタ部15から入力されるモニタ信号に基づいて、CPU71が、ROM72,記憶装置7d等のメモリに格納されたコンピュータプログラムを実行することによって実現される機能である。制御部7は、このような複数の機能として、特に、図1に示す判定部7a判定手段、算出部7b算出手段、及び、格納部7c格納手段を有する。判定部7aは、温度モニタ部15によってモニタされたレーザダイオード3の周辺温度の変化が予め設定された期間以下、期間T1というにおいて第1の範囲にあるか否かレーザダイオード3の周辺温度が安定しているか否かを判定する。格納部7cは、温度モニタ部15によってモニタされたレーザダイオード3の周辺温度の変化が第1の範囲にあるレーザダイオード3の周辺温度が安定していると判定部7aによって判定された場合に、温度モニタ部15によってモニタされたレーザダイオード3の周辺温度の値を示すデータを、記憶装置7dに格納する。格納部7cは、温度モニタ部15によってモニタされたレーザダイオード3の周辺温度の変化が第1の範囲にあるレーザダイオード3の周辺温度が安定していると判定部7aによって判定された場合に、電流モニタ部9によってモニタされたバイアス電流の値を示すデータを、記憶装置7dに格納する。算出部7bは、温度モニタ部15によってモニタされたレーザダイオード3の周辺温度の変化が第1の範囲にあるレーザダイオード3の周辺温度が安定していると判定部7aによって判定された場合に、電流Imaxを算出する。算出部7bは、記憶装置7dに格納されているデータが示すバイアス電流の値に基づいて、電流Imaxを算出する。判定部7aは、更に、電流Imaxが算出部7bによって算出された後に温度モニタ部15によってモニタされたレーザダイオード3の周辺温度の値と記憶装置7dに格納されているレーザダイオード3の周辺温度の値との差が第2の範囲を超えたか否かレーザダイオード3の周辺温度が変化したか否かを判定する。判定部7aは、電流Imaxが算出部7bによって算出された後に温度モニタ部15によってモニタされたレーザダイオード3の周辺温度の値と記憶装置7dに格納されているレーザダイオード3の周辺温度の値との差が第2の範囲を超えたレーザダイオード3の周辺温度が変化したと判定した場合に、温度モニタ部15によってモニタされたレーザダイオード3の周辺温度の変化が期間T1において第1の範囲にあるか否かレーザダイオード3の変化後の周辺温度が安定しているか否かを再び判定する。なお、電流Imaxはレーザダイオード3の周辺温度に応じて算出部7bによって算出されるが、電流Imaxに対しても許容される上限値が予め設定されている。次に、図3を参照して、レーザ制御装置1の動作を説明する。図3は、実施形態に係るレーザ制御装置1の動作を説明するためのフローチャートである。図3のフローチャートは、電流Imaxの算出方法の一つの具体例を表している。まず、制御部7は、APC制御が正常に動作していることを確認するステップS1。すなわち、制御部7は、ステップS1において、光信号モニタ部13からのモニタ信号に基づいて、レーザダイオード3に対して予め設定されている光強度が得られていることを確認する。制御部7は、ステップS1において、APC制御が正常に動作していることを確認した場合ステップS1;Yes、ステップS2に進む。制御部7は、ステップS1において、APC制御が正常に動作していることを確認できなかった場合ステップS1;No、レーザダイオード3に供給する駆動電流がゼロとなるように電流回路5を制御して終了する。ステップS1の後、判定部7aは、温度モニタ部15からのモニタ信号に基づいて、レーザダイオード3の周辺温度が安定したか否かを判定するステップS2。すなわち、ステップS2において、判定部7aは、温度モニタ部15によってモニタされたレーザダイオード3の周辺温度の変化が予め設定された期間T1、例えば、1ms以上99ms以下、において第1の範囲、例えば、0.1度以下、にあるか否かを判定する。判定部7aは、温度モニタ部15によってモニタされたレーザダイオード3の周辺温度の変化が期間T1において第1の範囲にある場合に、レーザダイオード3の周辺温度が安定したと判断する。判定部7aは、レーザダイオード3の周辺温度が安定したと判断するまで、温度モニタ部15からのモニタ信号に基づいてレーザダイオード3の周辺温度の監視を続けるが、後段のステップS3には進まない。ステップS2においてレーザダイオード3の周辺温度が安定したと判定部7aによって判断された場合、格納部7cは、ステップS3において、現時点におけるレーザダイオード3の周辺温度を示すデータ温度モニタ部15からのモニタ信号を、記憶装置7dに格納するステップS3。また、ステップS2においてレーザダイオード3の周辺温度が安定したと判定部7aによって判断された場合、格納部7cは、ステップS4において、現時点におけるバイアス電流の値を示すデータ電流モニタ部9からのモニタ信号を、記憶装置7dに格納するステップS4。なお、ステップS3及びステップS4の順序は、図3に示す順序に限らない。すなわち、ステップS3の後にステップS4が実行されてもよいし、ステップS4の後にステップS3が実行されてもよい。ステップS3及びステップS4の後、算出部7bは、電流Imaxを算出するステップS5。電流Imaxは、現時点でのバイアス電流の値ステップS4において格納部7cによって記憶装置7dに格納されたデータが示すバイアス電流の値に対し、予め設定された算出方法によって、このバイアス電流の値よりも大きい値に算出される値である。例えば、電流Imaxは、現時点でのバイアス電流の値ステップS4において格納部7cによって記憶装置7dに格納されたデータが示すバイアス電流の値の1.1倍程度の値である。ステップS5までの処理によって、バイアス電流の上限値は、レーザダイオード3の周辺温度が安定している場合に算出可能となる。更に、電流Imaxは、安定した周辺温度のもとでレーザダイオード3に供給されているバイアス電流の値に基づいて算出可能となる。判定部7aは、ステップS6において、ステップS5の後に温度モニタ部15によってモニタされたレーザダイオード3の周辺温度の値と、ステップS3において記憶装置7dに格納されたザダイオード3の周辺温度の値との差が、第2の範囲、例えば、マイナス2度以上プラス2度以下、を超えたか否かを判定し、ステップS5の後に温度モニタ部15によってモニタされたレーザダイオード3の周辺温度の値と、ステップS3において記憶装置7dに格納されたレーザダイオード3の周辺温度の値との差が、第2の範囲を超えたと判定した場合に、レーザダイオード3の周辺温度が変化したと判断し、ステップS2に再び進むステップS6。判定部7aは、ここで、温度モニタ部15によってモニタされたレーザダイオード3の周辺温度の変化が期間T1において第1の範囲にあるか否かすなわち、レーザダイオード3の周辺温度が安定したか否かを再び判定し、後段のステップS3~ステップS6を再び実行する。ステップS6の処理によって、レーザダイオード3の周辺温度が変化するごとに、バイアス電流の上限値電流Imaxが算出可能となる。レーザダイオード3の周辺温度の変化が予め設定された第2の範囲を超えた場合であっても、周辺温度が安定したか否かが再び判定されるので、周辺温度が変化した場合であっても、安定した変化後の周辺温度のもとでバイアス電流の上限値が算出可能となる。次に、図4及び図5を参照して、実施形態に係るレーザ制御装置1の作用効果を説明する。図4に、一般的なレーザダイオードの特性を示す。図4に示す特性は、バイアス電流及び光強度の相関、及び、当該相関が温度に応じて変化する様子、である。グラフL1,L2,L3は、何れも、バイアス電流及び光強度の相関を示すグラフであるが、レーザダイオードの周辺温度がそれぞれ異なっている。レーザダイオードの周辺温度が最も低い場合においてバイアス電流及び光強度の相関を示すグラフが、グラフL1である。レーザダイオードの周辺温度が次に低い場合においてバイアス電流及び光強度の相関を示すグラフが、グラフL2である。そして、レーザダイオードの周辺温度が最も高い場合においてバイアス電流及び光強度の相関を示すグラフが、グラフL3である。図4に示すように、レーザダイオードの周辺温度が低い程、レーザダイオードの発光効率が高く、周辺温度が上がるにつれて発光効率は劣化する。一般に、バイアス電流は、APC制御によって、予め設定されている設定値e1に光強度を維持するように調整される。また、バイアス電流の上限値は高温動作時に必要とされる電流値電流値i2よりも一定量多い値電流値i3に設定される。しかし、レーザダイオードが低温動作をしている場合例えば、グラフL1に示す相関が実現される温度で動作している場合には、図4に示すレーザダイオードの特性によって、光強度e1を得るために必要とされる電流電流値i1に比較して電流値i3バイアス電流の上限値が過大となり、光強度が値e2となる。値e2は、APC制御によって維持される光強度の設定値e1に比較して大きく、例えば光強度の規格上の許容値、を超えている場合がある。そこで、バイアス電流の上限値をレーザダイオードの周辺温度に応じて変化させることが考えられるが、バイアス電流の上限値をレーザダイオードの周辺温度に応じて変化させる場合、レーザダイオードごとに製造バラツキがあるため、このような製造バラツキの存在を考慮した上で周辺温度に応じたバイアス電流の上限値を決定しなければならず、更に、予測が困難なレーザダイオードの経年劣化によるバイアス電流の増加も考慮しなければならない。図5に、レーザダイオードの周辺温度に応じて設定されるバイアス電流の上限値の一例を模式的に示す。電流値i31は、レーザダイオードの周辺温度が最も低い場合のバイアス電流の上限値である。図中符号v1に示す範囲は、この周辺温度におけるレーザダイオードの製造バラツキに伴うバイアス電流の上限値のバラツキを示す。また、電流値i32は、レーザダイオードの周辺温度が次に低い場合のバイアス電流の上限値である。図中符号v2に示す範囲は、この周辺温度におけるレーザダイオードの製造バラツキに伴うバイアス電流の上限値のバラツキを示す。更に、電流値i33は、レーザダイオードの周辺温度が最も高い場合のバイアス電流の上限値である。図中符号v3に示す範囲は、この周辺温度におけるレーザダイオードの製造バラツキに伴うバイアス電流の上限値のバラツキを示す。図5に示すように、レーザダイオードの周辺温度に応じて、バイアス電流の上限値のバラツキも異なる。しかも、レーザダイオードの製造バラツキに伴うバイアス電流の上限値のバラツキを予測するのは容易ではない。更に、レーザダイオードの経年劣化によるバイアス電流の増加分を予測するのも容易ではない。従って、従来において、レーザダイオードの製造バラツキ、及び、個々のレーザダイオードの経年劣化、等を考慮した上で、個々のレーザダイオードによらずにレーザダイオードの周辺温度に応じて好適な最大電流値を設定するのは困難である。これに対し、実施形態に係るレーザ制御装置1は、レーザダイオード3の周辺温度が変化するごとに、バイアス電流の上限値電流Imaxを算出する。従って、レーザダイオード3の製造バラツキや経年劣化を伴う場合であっても、個々のレーザダイオードの特性によらずにレーザダイオード3の周辺温度に応じてバイアス電流の好適な最大値が設定できる。更に、バイアス電流の上限値は、レーザダイオード3の周辺温度が安定している場合に算出可能である。更に、レーザダイオード3の周辺温度の変化が予め設定された範囲を超えた場合であっても、周辺温度が安定したか否かが再び判定されるので、周辺温度が変化した場合であっても、安定した変化後の周辺温度のもとでバイアス電流の上限値が算出可能である。以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。"