透明基板と、複数のフォトニック結晶パターンを含むフォトニック結晶層と、光エネルギー変換素子と、を備え、前記透明基板は、前記光エネルギー変換素子と前記フォトニック結晶パターンとの間に備えられた反射型カラーフィルタ。前記フォトニック結晶層は、前記透明基板上に形成されたことを特徴とする請求項1に記載の反射型カラーフィルタ。前記光エネルギー変換素子は、前記透明基板に接触されたことを特徴とする請求項1に記載の反射型カラーフィルタ。前記光エネルギー変換素子は、前記フォトニック結晶パターンと対向することを特徴とする請求項1に記載の反射型カラーフィルタ。前記透明基板と前記フォトニック結晶層との間にバリア層がさらに備えられたことを特徴とする請求項1に記載の反射型カラーフィルタ。前記バリア層は、前記透明基板に接触されたことを特徴とする請求項5に記載の反射型カラーフィルタ。前記バリア層は、前記フォトニック結晶層に接触されたことを特徴とする請求項5に記載の反射型カラーフィルタ。前記フォトニック結晶層は、前記フォトニック結晶パターンをカバーすると共に、前記フォトニック結晶パターンの屈折率より低い屈折率を持つ低屈折率層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の反射型カラーフィルタ。前記フォトニック結晶パターンは、単結晶Si、PolySi、AlSb、AlAs、AlGaAs、AlGaInP、BP及びZnGeP2のうち一つまたはそれ以上を含むことを特徴とする請求項8に記載の反射型カラーフィルタ。前記低屈折率層の材料は、空気、ポリカルボナート、ポリスチレン、ポリメタクリル酸メチル樹脂、Si3N4及びSiO2のうち一つまたはそれ以上を含むことを特徴とする請求項8に記載の反射型カラーフィルタ。前記複数のフォトニック結晶パターンのそれぞれは島状であり、前記複数のフォトニック結晶パターンは、赤色光、緑色光及び青色光のそれぞれに対応する相異なるサイズのフォトニック結晶パターン領域をなすことを特徴とする請求項1に記載の反射型カラーフィルタ。前記赤色光、緑色光及び青色光のそれぞれに対応する相異なるサイズのフォトニック結晶パターン領域は、ストライプ型、モザイク型またはデルタ型に配列されてなることを特徴とする請求項11に記載の反射型カラーフィルタ。前記フォトニック結晶パターンの上に光カットオフ層がさらに備えられたことを特徴とする請求項8に記載の反射型カラーフィルタ。前記光カットオフ層は、SiO2膜またはSi3N4膜からなることを特徴とする請求項13に記載の反射型カラーフィルタ。前記光エネルギー変換素子は太陽電池であることを特徴とする請求項1に記載の反射型カラーフィルタ。入射光に対する透過率が電気的に制御される液晶層と、前記液晶層を画像情報によって駆動する複数の薄膜トランジスタを備えるTFT-アレイ層と、前記液晶層を通じて入射された光のうち、フォトニックバンドギャップに該当する波長帯域の光を反射させる、請求項1に記載の反射型カラーフィルタと、を備える反射型ディスプレイ装置。前記液晶層の上に入射光ユニットがさらに備えられたことを特徴とする請求項16に記載の反射型ディスプレイ装置。前記入射光ユニットは、発光ダイオードLEDであることを特徴とする請求項17に記載の反射型ディスプレイ装置。本発明の一実施形態は、光エネルギー変換素子が付着された反射型カラーフィルタを提供する。本発明の一実施形態は、かかる反射型カラーフィルタを利用して動作中にも充電可能な反射型ディスプレイ装置を提供する。本発明の一実施形態による反射型カラーフィルタは、透明基板と、前記透明基板上に形成された複数のフォトニック結晶パターンを含むフォトニック結晶層、及び前記透明基板を介して前記フォトニック結晶パターンと対向する光エネルギー変換素子を備える。前記透明基板と前記フォトニック結晶層との間にバリア層がさらに備えられうる。前記フォトニック結晶層は、前記フォトニック結晶パターンをカバーすると共に前記フォトニック結晶パターンの屈折率より低い屈折率を持つ低屈折率層を備えることができる。前記複数のフォトニック結晶パターンのそれぞれは島状であり、前記複数のフォトニック結晶パターンは、赤色光、緑色光及び青色光のそれぞれに対応する相異なるサイズのパターン領域で形成されうる。前記フォトニック結晶パターンは、前記赤色光、緑色光及び青色光のそれぞれに対応する相異なるサイズのフォトニック結晶パターン領域が、ストライプ型、モザイク型、デルタ型または他の形態に配列されて形成されうる。前記フォトニック結晶パターンの上に、シリコン酸化SiO2膜またはシリコン窒化Si3N4膜の光カットオフ層がさらに備えられうる。前記光エネルギー変換素子は太陽電池でありうる。本発明の一実施形態による反射型ディスプレイ装置は、入射光に対する透過率が電気的に制御される液晶層と、前記液晶層を画像情報によって駆動する複数の薄膜トランジスタを備えるTFT-アレイ層、及び前記液晶層を通じて入射された光のうちフォトニックバンドギャップに該当する波長帯域の光を反射させるものとして反射型カラーフィルタを備え、前記反射型カラーフィルタは、透明基板と、前記透明基板上に形成された複数のフォトニック結晶パターンを含むフォトニック結晶層、及び前記透明基板を介して前記フォトニック結晶パターンと対向する光エネルギー変換素子を備える。前記液晶層の上に入射光ユニットがさらに備えられうる。この時、前記入射光ユニットは発光ダイオードLight-EmittingDiode:LEDでありうる。本発明の一実施形態による反射型カラーフィルタ及びディスプレイ装置によれば、使用中にも特定波長帯域の反射光はディスプレイ用途として利用し、残りの透過光は、下部に位置した光エネルギー変換素子によりエネルギーに変換されてディスプレイ装置の駆動電力として活用することによって、ディスプレイ装置の動作時間を倍加させることができる。また別途の入射光発生装置を備えて周辺光に関係なくディスプレイの視認性を高めることもできる。以下、添付した図面を参照して本発明の一実施形態による反射型カラーフィルタ及びディスプレイ装置を詳細に説明する。この過程で、図面に図示された層や領域の厚さは、明細書の明確化のために誇張して図示されたものである。明細書全体で実質的に同じ構成要素については同じ参照番号を使用する。そして、実質的に同じ構成要素については、最初に紹介される構成要素を除外した残りについては説明を省略する。図1は、本発明の一実施形態によるカラーフィルタの概略的な構造を示す。そして、図2は、図1のカラーフィルタの断面を示す。図1及び図2を参照すれば、カラーフィルタ100は、透明基板130、透明基板130上に形成されたバリア層150、バリア層150上に形成されたフォトニック結晶層160、及び透明基板130の下に形成された光エネルギー変換素子である太陽電池110を備える。白色光がフォトニック結晶層160に入射されると、共振波長を中心に一定の波長帯域の光は反射され、残りの光はそのまま透過される。前記透過された光は太陽電池110の光エネルギー源として活用される。フォトニック結晶層160は、周期的な屈折率分布によりフォトニックバンドギャップに該当する波長帯域の光を反射させるように設けられる。フォトニック結晶層160は、相対的に高屈折率を持って周期的に配列されたフォトニック結晶パターン162、相対的に低屈折率を持つ低屈折率層166及びフォトニック結晶パターン162上に形成された光カットオフ層164を備える。それぞれのフォトニック結晶パターン162は島パターンである。フォトニック結晶層160で複数のフォトニック結晶パターン162は、所定の配列、例えば、格子配列をなす。図1で、フォトニック結晶パターン162は直六面体形状に図示されている。しかし、フォトニック結晶パターン162は円柱または多角形柱状であり、その他の形状でもありうる。フォトニック結晶パターン162は、低屈折率層166に比べて大きい屈折率を持つことができる。例えば、フォトニック結晶パターン162の屈折率と低屈折率層166の屈折率との実数部成分の差は2以上になりうる。また、フォトニック結晶パターン162の屈折率と低屈折率層166の屈折率との虚数部成分は、可視光波長帯域で0.1以下になりうる。屈折率の虚数部成分が大きければ反射率が低くなる。したがって、フォトニック結晶パターン162と低屈折率層166として、屈折率の虚数部成分値の小さな物質を使用できる。フォトニック結晶パターン162の物質として、単結晶シリコン、ポリシリコンPolySi、AlSb、AlAs、AlGaAs、AlGaInP、BP及びZnGeP2のうちいずれか一つが使われうる。そして、低屈折率層166の物質として空気、ポリカルボナートPC、ポリスチレンPS、ポリメタクリル酸メチル樹脂PMMA、Si3N4及びSiO2のうちいずれか一つが使われうる。低屈折率層166は、フォトニック結晶パターン162で形成されたアレイを支持する支持層になりうる。低屈折率層166は、フォトニック結晶パターン162間の領域とフォトニック結晶パターン162の上とを全体的に覆うように設けられうる。言い換えれば、低屈折率層166は、フォトニック結晶パターン162で形成された前記アレイを覆うように設けられうる。このような低屈折率層166を持つ構造は、例えば、非晶質シリコンでフォトニック結晶パターン162を形成した後、非晶質シリコンで形成されたフォトニック結晶パターン162を単結晶シリコンまたはポリシリコンに結晶化する段階で、各フォトニック結晶パターン162の損傷を防止するために選択されうる。光カットオフ層164は、カラーフィルタ100のカットオフ特性を改善する役割を行える。光カットオフ層164は、シリコン酸化物SiO2層またはシリコン窒化物Si3N4層でありうる。透明基板130は、導波管の役割を行うように設けられうる。フォトニック結晶層160の結晶構造により入射光のうち特定波長の光のみ反射され、残りの光は透過されて透明基板130に閉じ込められる。透明基板130はガラス基板でありうる。バリア層150は、透明基板130とフォトニック結晶層160との間に設けられうる。結晶化工程中に、透明基板130の内部の不純物がフォトニック結晶層160のフォトニック結晶パターン162に含まれうる。このようになれば、フォトニック結晶パターン162の結晶純度が低下しうる。例えば、フォトニック結晶パターン162がシリコン物質である場合、シリコンの結晶純度が低下しうる。バリア層150により、前記結晶化工程でフォトニック結晶パターン162の結晶純度が低下することを防止できる。バリア層150は、透明基板130の屈折率と類似した屈折率を持つ物質層でありうる。バリア層150の材料と低屈折率層166の材料とは同一でありうる。太陽電池110の構造は、通常のn型及びp型シリコン薄膜太陽電池と同一でありえる。カラーフィルタ100が反射型ディスプレイに適用される場合、カラーフィルタ100に入射される入射光のうち一部は反射されてディスプレイの色具現のための光として使われる。そして、前記入射光の残りの大部分は、透明基板130、バリア層150及びフォトニック結晶層160を透過する。このような透過光は、太陽電池110のエネルギー源として使われうる。前記透過光を利用して、太陽電池110はさらに駆動電流を生産できる。図3は、フォトニック結晶カラーフィルタの反射面と透過面での反射及び透過スペクトルを示すグラフである。図3で、第1グラフG1は、透過面での反射及び透過スペクトルを示し、第2グラフG2は反射面での反射及び透過スペクトルを示す。図3を参照すれば、あらゆる周波数成分を含む光をフォトニック結晶カラーフィルタに入射させる時、緑色波長帯域の光はフォトニック結晶カラーフィルタで反射され、残りの波長帯域の光はフォトニック結晶カラーフィルタを透過する。したがって、緑色波長帯域の反射光は緑色色の具現に使われ、残りの波長帯域の光418.1nmの中心ピークを持つ光と600nm以上波長帯域の光は太陽電池の充電に使われうるということが分かる。青色及び赤色フォトニック結晶カラーフィルタの場合にも、同じメカニズムで波長帯域別に反射及び透過特性を示す。図4及び図5は、それぞれ透過波長帯域の光と反射波長帯域の光とをフォトニック結晶カラーフィルタに入射させた時、フォトニック結晶カラーフィルタの反射面と透過面とでの時間応答を示すグラフである。図4及び図5で、第1グラフG11、G12は透過面での時間応答を示し、第2グラフG21、G22は、反射面での時間応答を示す。図4及び図5を参照すれば、透過波長帯域の光418.1nm及び593.5nmが入射される時、透過領域での時間応答が反射領域での時間応答に比べて相対的に大きい。このような結果は、入射光の大部分が透過されることを説明する。逆に、反射波長帯域の光476.6nm及び546.1nmが入射される時、反射領域での時間応答が透過領域での時間応答に比べて相対的に大きい。このような結果は、入射光の大部分が反射されることを説明する。以上説明した光学フィルタ100は、周期的な屈折率分布を形成するフォトニック結晶層160により特定波長帯域の光を反射させる。この時、バンド帯域と幅とは、フォトニック結晶パターン162で形成されるアレイの形状、フォトニック結晶パターン162の周期により定められる。フォトニック結晶パターン162で形成されるアレイの形状とフォトニック結晶パターン162の周期とは、簡単に適切に選択できる。また、光学フィルタ100は、フィルタリング性能に優れて多様な技術分野に適用できる。例えば、光学フィルタ100は、太陽電池、QD-LEDquantumdotlightemittingdiode、OLEDorganiclightemittingdiodeに適用され、また後述するように、ディスプレイ装置のカラーフィルタに適用されることもある。図6は、本発明の一実施形態による反射型カラーフィルタを示す。図6を参照すれば、反射型カラーフィルタ200は、透明基板230、透明基板230上に形成されたバリア層250、バリア層250上に形成された所定波長帯域の光を反射させる複数のフォトニック結晶ユニット270、280、290及び透明基板230の下部に形成された光エネルギー変換素子である太陽電池210を備える。太陽電池210は、透明基板230の下面に付着されうる。バリア層250の上面は複数の画素領域PA1、PA2、PA3で形成される。第1画素領域PA1に入射光Lのうち赤色光LRを反射させる赤色フォトニック結晶ユニット270が設けられうる。第2画素領域PA2に緑色光LGを反射させる緑色フォトニック結晶ユニット280が設けられうる。第3画素領域PA3に青色光LBを反射させる青色フォトニック結晶ユニット290が設けられうる。各画素領域に設けられるフォトニック結晶ユニットはこれと異なりうる。例えば、第1画素領域PA1に青色フォトニック結晶ユニット290が設けられても、第3画素領域PA3に赤色フォトニック結晶ユニット270が設けられてもよい。赤色フォトニック結晶ユニット270は、相対的に高屈折率を持つフォトニック結晶パターン272と相対的に低屈折率を持つ低屈折率層276とを備える。この時、フォトニック結晶パターン272と低屈折率層276とは周期的に配列されている。そして、緑色フォトニック結晶ユニット280は、相対的に高屈折率を持つフォトニック結晶パターン282と、相対的に低屈折率を持つ低屈折率層286とを備える。この時、フォトニック結晶パターン282と低屈折率層286とは周期的に配列されている。また、青色フォトニック結晶ユニット290は、相対的に高屈折率を持つフォトニック結晶パターン292と、相対的に低屈折率を持つ低屈折率層296とを備える。この時、フォトニック結晶パターン292と低屈折率層296とは周期的に配列されている。フォトニック結晶パターン272、282、292上には、それぞれ光カットオフ層274、284、294が形成されている。フォトニック結晶パターン272、282、292は島状のパターンを形成している。フォトニック結晶パターン272、282、292、低屈折率層276、286、296及び光カットオフ層274、284、294の材料は、それぞれ図1のフォトニック結晶パターン162、低屈折率層166及び光カットオフ層164に採用される材料から選択されうる。フォトニック結晶パターン272、282、292の材料は同一または相異なる。そして、低屈折率層276、286、296の材料は同一または相異なる。また、光カットオフ層274、284、294の材料も同一または相異なる。フォトニック結晶パターン272、282、292が形成する形状とフォトニック結晶パターン272、282、292の周期とは、それぞれ赤色、緑色、青色に該当するフォトニックバンドギャップを持つように、互いに異なって定められうる。太陽電池210は、色の具現のために反射された光を除外した、透明基板230を透過して太陽電池210に入射される光を吸収する。すなわち、赤色フォトニック結晶ユニット270、緑色フォトニック結晶ユニット280、青色フォトニック結晶ユニット290のそれぞれで反射されない光は、透明基板230を通過して太陽電池210に到達してエネルギーに転換される。このように本発明の一実施形態による反射型カラーフィルタは、入射光のうち特定波長帯域の反射光はディスプレイ用途で利用し、透過光は下部に位置した光エネルギー変換素子、例えば、太陽電池210によりエネルギーに変換される。したがって、前記透過光、即ち、前記光エネルギー変換素子により変換されたエネルギーはディスプレイ装置の駆動電力として活用でき、これにより、ディスプレイ装置の動作時間を倍加させることができる。図6には基本画素をなす3つのフォトニック結晶ユニット270、280、290のみ図示したが、反射型カラーフィルタ200は、基本画素をなす複数のフォトニック結晶ユニット270、280、290が反復配置された構造を持つ。図7Aないし図7Cは、図6の反射型カラーフィルタ200の複数のフォトニック結晶ユニット270、280、290の配置構造についての多様な実施形態を示す。図7Aを参照すれば、複数の赤色フォトニック結晶ユニット270はストライプ状に配置されている。すなわち、複数の赤色フォトニック結晶ユニット270は所定方向に一列に配列されている。複数の緑色フォトニック結晶ユニット280及び複数の青色フォトニック結晶ユニット290も、それぞれストライプ状に配置されている。複数の緑色フォトニック結晶ユニット280及び複数の青色フォトニック結晶ユニット290の配置方向は、複数の赤色フォトニック結晶ユニット270と同一、または一つ以上異なる方向に配置されうる。図7Bを参照すれば、複数の赤色フォトニック結晶ユニット270、緑色フォトニック結晶ユニット280及び青色フォトニック結晶ユニット290はモザイク状に配置されている。このような配置で、赤色フォトニック結晶ユニット270、緑色フォトニック結晶ユニット280及び青色フォトニック結晶ユニット290のうち選択されたいずれか一つのフォトニック結晶ユニットは、残りのフォトニック結晶ユニットで取り囲まれる。図7Cを参照すれば、複数の赤色、緑色及び青色フォトニック結晶ユニット270、280、290は、赤色フォトニック結晶ユニット270、緑色フォトニック結晶ユニット280及び青色フォトニック結晶ユニット290の中心を連結した線がデルタΔ状になるように配置されている。図8は、本発明の一実施形態によるディスプレイ装置を示す。図8を参照すれば、ディスプレイ装置300は、入射光に対する透過率が電気的に制御される液晶層330、液晶層330を通じて入射された光のうち、フォトニックバンドギャップに該当する波長帯域の光を反射させる太陽電池210が備えられた反射型カラーフィルタ400、液晶層330を画像情報によって駆動する複数の薄膜トランジスタ312を備えるTFT-アレイ層310を備える。反射型カラーフィルタ400は、図3の反射型カラーフィルタ200と実質的に同じ構造を持つことができる。したがって、反射型カラーフィルタ400についての詳細な説明は省略する。TFT-アレイ層310は、複数の薄膜トランジスタ312と複数の画素電極314とを備える。第1ないし第3画素領域PA1、PA2、PA3は少なくとも一つの薄膜トランジスタ312を備え、フォトニック結晶ユニット270、280、290のうち一つを備える。各画素領域PA1、PA2、PA3で薄膜トランジスタ312はフォトニック結晶ユニットに隣接している。薄膜トランジスタ312とフォトニック結晶ユニット270、280、290とは同一基板上に形成されている。液晶層330に入射される入射光に対する液晶層330の透過率は電気的に制御される。液晶層330は、2個の透明基板230、360の間に設けられる。液晶層330の上及び下にそれぞれ配向層340、320が設けられる。液晶層330としては、周知の多様な種類の液晶が採用されうる。例えば、TNtwistednematic液晶、MTNmixed-modeTN液晶、PDLCpolymerdispersedliquidcrystal、HZHeilmeier-Zanoni液晶、CKCole-Kashnow液晶などが採用されうる。透明基板360の液晶層330と対向する一面に透明電極350が設けられている。すなわち、透明電極350は透明基板360と液晶層330との間に設けられている。透明基板360の前記一面と対向する他面に、例えば、透明基板360の上面に偏光板370が設けられている。液晶層330の種類及び駆動モードによって偏光板370は不要なこともある。逆に、偏光軸が偏光板370の偏光軸と垂直の偏光板や1/4波長板がさらに設けられることもある。反射型ディスプレイ装置300の場合、周辺光を利用する。したがって、暗い環境で反射型ディスプレイ装置300の輝度は低下しうる。これにより、液晶層330の上に人為的に周辺光の役割を行える別途の入射光ユニット380を備えることができる。入射光ユニット380は複数の発光ダイオードらLEDがアレイをなす構造でありうる。入射光ユニット380により、暗い環境での反射型ディスプレイ装置300の視認性が高くなりうる。入射光ユニット380は、反射型ディスプレイ装置300に入射光を提供する入射光発生装置でありうる。本発明の一実施形態のディスプレイ装置300で、反射型カラーフィルタ200のフォトニック結晶ユニット270、280、290と薄膜トランジスタ312とは同一基板に形成されている。したがって、反射型カラーフィルタ200とTFT-アレイ層310とを同じ工程段階で製造できる。このようにフォトニック結晶ユニット270、280、290と薄膜トランジスタ312とが同一基板に形成された構造は、カラーフィルタが上部基板に設けられ、TFTアレイが下部基板に設けられる一般的な液晶ディスプレイ装置に比べて製造上いろいろな利点がある。例えば、一般的な液晶ディスプレイ装置の場合、カラーフィルタとTFTアレイとを別途に製作して接合する時、画素単位で整列させて接合せねばならないが、この過程でアラインメントエラーが発生しうる。一方、本発明の一実施形態の場合、同じ基板上にカラーフィルタとTFTアレイとが備えられるので、アラインメントエラーを低減させることができる。本発明の一実施形態で、薄膜トランジスタ312とフォトニック結晶ユニット270、280、290とが同一基板上に形成されたと説明した。しかし、かかる説明は、薄膜トランジスタ312とフォトニック結晶ユニット270、280、290とを同一基板上に形成されたものと限定するためではない。前述したものとは異なって、反射型カラーフィルタ200とTFT-アレイ層310とは別個の層に形成されてもよい。添付した図面を参照して詳述した本発明の実施形態は例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということを理解できるであろう。しがたって、本発明の真の保護範囲は特許請求の範囲のみにより定められねばならない。