"二つの周波数のうちの任意の周波数に選択的にRFパワーを提供してプラズマ負荷にマッチングさせるための、少なくとも前記二つの周波数の入力に適用される単一マッチングネットワークであって、前記単一マッチングネットワークは、マルチ周波数入力に一連に接続される入力端子と前記プラズマ負荷に一連に接続される出力端子を含み、前記入力端子と前記出力端子との間には互いに直列接続されるコンデンサー及びインダクタンスを含み、且つ前記コンデンサーとインダクタンスが一つのブランチ電路を構成し、前記コンデンサーの容量値がC0であり、前記インダクタンスのインダクタンス値がL0であり、ここで、前記容量値C0と前記インダクタンス値L0が以下の関係、jω1L01jω1C0jy1jω2L01jω2C0jy2ここで、ω12πf1、ω22πf2で、前記f1とf2はそれぞれ前記二つの周波数の大きさであり、y1は周波数f1でマッチング状態になるのに必要な前記ブランチ電路のインピーダンスであり、y2は周波数f2でマッチング状態になるのに必要な前記ブランチ電路のインピーダンスである。を満足する、単一マッチングネットワーク。前記ブランチ電路とアースとの間に接続される可変コンポーネントを更に含む、ことを特徴とする請求項1に記載の単一マッチングネットワーク。前記可変コンポーネントは可変コンデンサー又は可変インダクタンス、又は可変コンデンサーと可変インダクタンスの組合せである、ことを特徴とする請求項2に記載の単一マッチングネットワーク。前記マッチングネットワークは、L型又はT型又はπ型ネットワーク、或いは前記各項目の任意の一種の組合せ及び変形である、ことを特徴とする請求項1~3のうちの何れか一つの請求項に記載の単一マッチングネットワーク。単一マッチングネットワークの入力端子が単一RFパワー供給装置と互いに接続され、ある特定の期間で前記単一RFパワー供給装置が選択的にその中の一つの周波数f1又はf2を出力する、ことを特徴とする請求項1~4のうちの何れか一つの請求項に記載の単一マッチングネットワーク。前記プラズマ負荷はプラズマ処理室である、ことを特徴とする請求項1~5のうちの何れか一つの請求項に記載の単一マッチングネットワーク。前記プラズマ処理室は上部電極と下部電極を含み、前記単一マッチングネットワークの出力端子が前記上部電極又は前記下部電極と接続される、ことを特徴とする、請求項6に記載の単一マッチングネットワーク。少なくとも二つの周波数f1又はf2のうちの一つをプラズマ処理室の電極に切り替え可能に結合して接続させるためのRFパワーサプライヤーシステムであって、前記周波数f1又はf2のうちの一つを選択的に出力するためのRFパワーサプライヤー装置と、前記RFパワーサプライヤー装置に接続される入力端子と前記電極に接続される出力端子を有し、容量値がC0であるコンデンサー及びインダクタンス値がL0であるインダクタンスを含み、前記コンデンサーとインダクタンスが互いに直列接続されてブランチ電路を構成するマッチングネットワークと、を含み、ここで、前記容量値C0とインダクタンス値L0が以下の関係、jω1L01jω1C0jy1jω2L01jω2C0jy2ここで、ω12πf1、ω22πf2であるを満足し、前記f1とf2がそれぞれ前記二つの周波数の大きさであり、y1は周波数f1でマッチング状態になるのに必要な前記ブランチ電路のインピーダンスであり、y2は周波数f2でマッチング状態になるのに必要な前記ブランチ電路のインピーダンスである、RFパワーサプライヤーシステム。前記ブランチ電路とアースとの間に接続される可変コンポーネントを更に含む、ことを特徴とする請求項8に記載のRFパワーサプライヤーシステム。マッチングネットワークはL型又はT型又はπ型ネットワーク、又は前記各項目の任意の一種の組合せ及び変形である、ことを特徴とする請求項8又は9に記載のRFパワーサプライヤーシステム。前記電極は前記プラズマ処理室の上部電極又は下部電極である、ことを特徴とする請求項8~10のうちの何れか一つの請求項に記載のRFパワーサプライヤーシステム。選択的に二つの周波数のうちの任意の周波数にRFパワーを提供してプラズマ負荷にマッチングさせるための、少なくとも前記二つの周波数の入力に適用される単一マッチングネットワークであって、マルチ周波数入力に接続される入力端子と前記プラズマ負荷に接続される出力端子を含み、前記入力端子と前記出力端子との間には互いに並列接続されるコンデンサー及びインダクタンスを含み、且つ前記並列接続されるコンデンサーとインダクタンスがブランチ電路を構成し、前記コンデンサーの容量値がC4であり、前記インダクタンスのインダクタンス値がL4であり、ここで、前記容量値C4とインダクタンス値L4は以下の関係、1jω1L4jω1C41jy11jω2L4jω2C41jy2ここで、ω12πf1、ω22πf2である。を満足し、前記f1とf2はそれぞれ前記二つの周波数の大きさであり、y1は周波数f1でマッチング状態になるのに必要な前記ブランチ電路のインピーダンスであり、y2は周波数f2でマッチング状態になるのに必要な前記ブランチ電路のインピーダンスである、単一マッチングネットワーク。前記ブランチ電路とアースとの間に接続される可変コンポーネントを更に含む、ことを特徴とする請求項12に記載の単一マッチングネットワーク。マッチングネットワークはL型又はT型又はπ型ネットワーク、又は前記各項目の任意の一種の組合せ及び変形である、ことを特徴とする請求項12又は13に記載のマッチングネットワーク。単一マッチングネットワークの入力端子は単一RFパワー供給装置と接続され、ある特定の期間で前記単一RFパワー供給装置がその中の一つの周波数f1又はf2を選択的に出力する、ことを特徴とする請求項12~14のうちの何れか一つの請求項に記載の単一マッチングネットワーク。前記プラズマ負荷はプラズマ処理室である、ことを特徴とする請求項12~15のうちの何れか一つの請求項に記載の単一マッチングネットワーク。前記プラズマ処理室は上部電極と下部電極を含み、前記単一マッチングネットワークの出力端子が前記上部電極又は前記下部電極と接続される、ことを特徴とする請求項16に記載の単一マッチングネットワーク。少なくとも二つの周波数f1又はf2のうちの一つをプラズマ処理室の電極に切り替え可能に結合して接続させるためのRFパワーサプライヤーシステムであって、前記周波数f1又はf2のうちの一つを選択的に出力するためのRFパワーサプライヤー装置と、前記RFパワーサプライヤー装置に接続される入力端子と前記電極に接続される出力端子を有し、容量値がC4であるコンデンサー及びインダクタンス値がL4であるインダクタンスを含み、前記コンデンサーとインダクタンスは互いに並列接続され、且つ互いに並列接続される前記コンデンサーとインダクタンスがブランチ電路を構成する、マッチングネットワークと、を含み、前記容量値C4とインダクタンス値L4が以下の関係、1jω1L4jω1C41jy11jω2L4jω2C41jy2ここで、ω12πf1、ω22πf2である。を満足し、前記f1とf2はそれぞれ前記二つの周波数の大きさであり、y1は周波数f1でマッチング状態になるのに必要な前記ブランチ電路のインピーダンスであり、y2は周波数f2でマッチング状態になるのに必要な前記ブランチ電路のインピーダンスである、RFパワーサプライヤーシステム。前記ブランチ電路とアースとの間に接続される可変コンポーネントを更に含む、ことを特徴とする請求項18に記載の単一マッチングネットワーク。前記マッチングネットワークはL型又はT型又はπ型ネットワーク、又は前記各項目の任意の一種の組合せ及び変形である、ことを特徴とする請求項18又は19に記載のRFパワーサプライヤーシステム。前記電極は前記プラズマ処理室の上部電極又は下部電極である、ことを特徴とする請求項18~20のうちの何れか一つの請求項に記載のRFパワーサプライヤーシステム。上述の例から分るように、個々のパワーサプライヤーはその出力周波数に応じて、作業に合わせるために一つのマッチングネットワークを必要とする。それでシステム全体としては幾つのマッチングネットワークが必要になり、これはシステムの複雑さとコストを増加させる。もしコストとシステムの信頼性から考えれば、複数のRF周波数に適応する一つの単一マッチングネットワークがもっと好ましいし、且つこのような設置はRF結合の効率を損なうこともない。この課題を解決するための手段は本発明のいくつかの側面と特徴に関する基本的な理解を提供する。この内容は本発明についての突き詰めた概要ではなく、それは本発明の鍵重要な要素或いは本発明の範囲を限定することを意図していない。その唯一の目的は単に簡略化した形式で、本発明のいくつかの概念を提供することだけであり、これをその後の論述のより詳しい記述の序文とする。本発明は、選択的に二つの周波数のうちの任意の周波数にRFパワーを提供してプラズマ負荷にマッチングさせるための、少なくとも前記二つの周波数の入力に適応する単一マッチングネットワークを提供し、前記単一マッチングネットワークは、マルチ周波数入力に接続される入力端子と前記プラズマ負荷に接続される出力端子を含み、前記入力端子と出力端子との間には互いに直列接続されるコンデンサー及びインダクタンスを含み、且つ前記コンデンサーとインダクタンスがブランチ電路を構成し、前記コンデンサーの容量値はC0であり、前記インダクタンスのインダクタンス値はL0であり、ここで、前記容量値C0と前記インダクタンス値L0が以下の関係jω1L01jω1C0jy1jω2L01jω2C0jy2ここで、ω12πf1、ω22πf2で、前記f1とf2がそれぞれ前記二つの周波数の大きさで、y1は周波数f1でマッチング状態になるのに必要な前記ブランチ電路のインピーダンスであり、y2は周波数f2でマッチング状態になるのに必要な前記ブランチ電路のインピーダンスである。を満足させる。前記マッチングネットワークはL型又はT型又はπ型ネットワーク、又は前記各項目の任意の組合せ及び変形である。前記単一マッチングネットワークの入力端子は単一RFパワー供給装置と接続され、前記単一のRFパワー供給装置は、ある特定の期間で周波数f1又はf2のうちの一つを選択的に出力する。前記プラズマ負荷はプラズマ処理室である。前記プラズマ処理室は上部電極と下部電極を含み、前記単一マッチングネットワークの出力端子は前記上部電極或いは下部電極と接続される。前記マッチングネットワークは前記ブランチ電路とアースとの間に接続される一つの可変コンポーネントを更に含む。前記可変コンポーネントは可変コンデンサー又は可変インダクタンス或いは可変コンデンサーと可変インダクタンスの組合せである。本発明は、少なくとも二つの周波数f1又はf2のうちの一つをプラズマ処理室の電極に切り替え可能に結合して接続させるためのRFパワーサプライヤーシステムを更に提供し、前記RFパワーソースシステムには、前記周波数f1又はf2のうちの一つを選択的に出力するためのRFパワーサプライヤー装置と、前記RFパワーサプライヤー装置に接続される入力端子と前記電極に接続される出力端子を有し、容量値がC0であるコンデンサー及びインダクタンス値がL0であるインダクタンスを含み、前記コンデンサーとインダクタンスは互いに直列接続されてブランチ電路を構成する、マッチングネットワークと、を含み、ここで、前記容量値C0と前記インダクタンス値L0は以下の関係jω1L01jω1C0jy1jω2L01jω2C0jy2ここで、ω12πf1、ω22πf2で、前記f1とf2はそれぞれ前記二つの周波数の大きさであり、y1は周波数f1でマッチング状態になるのに必要な前記ブランチ電路のインピーダンスであり、y2は周波数f2でマッチング状態になるのに必要する前記ブランチ電路のインピーダンスである。を満足させる。前記マッチングネットワークはL型又はT型又はπ型ネットワーク、又は上述の各項目の任意の組合せおよび変形である。前記電極は前記プラズマ処理室の上部電極或いは下部電極である。前記RFパワーサプライヤーシステムは前記ブランチ電路とアースとの間に接続する可変コンポーネントを更に含む。更に、本発明はRFエネルギーを、周波数f1又は周波数f2で動作するパワー出力を選択的に提供することができるRFパワーサプライヤー装置からプラズマ負荷に結合させるためのマッチングネットワークの構築方法も提供し、前記方法には以下の工程が含まれ、以下の公式に基づいて前記マッチングネットワークにおけるコンデンサーとインダクタンスを選択し、前記コンデンサーとインダクタンスは互いに直列接続されてブランチ電路を構成し、前記コンデンサーの容量値はC0で、前記インダクタンスのインダクタンス値はL0であり、jω1L01jω1C0jy1jω2L01jω2C0jy2ここで、ω12πf1、ω22πf2で、前記f1とf2はそれぞれ前記二つの周波数の大きさであり、y1は周波数f1でマッチング状態になるのに必要な前記ブランチ電路のインピーダンスであり、y2は周波数f2でマッチング状態になるのに必要な前記ブランチ電路のインピーダンスである。、前記コンデンサーと前記インダクタンスを直列接続させて前記マッチングネットワークを取得し、且つ前記マッチングネットワークを前記RFパワーサプライヤー装置と前記プラズマ負荷との間に直列接続する。前記マッチングネットワークはL型又はT型又はπ型ネットワーク、又は前記各項目の任意の一種の組合せおよび変形に構築される。更に、本発明は、選択的に二つの周波数のうちの任意の周波数にRFパワーを提供してプラズマ負荷にマッチングさせるための、少なくとも前記二つの周波数の入力に適応する単一マッチングネットワークも提供し、前記単一マッチングネットワークは、マルチ周波数入力に接続される入力端子と前記プラズマ負荷に接続される出力端子を含み、前記入力端子と出力端子との間には互いに直列接続されるコンデンサー及びインダクタンスが含まれ、且つ前記コンデンサーとインダクタンスはブランチ電路を構成し、前記コンデンサーの容量値はC4で、前記インダクタンスのインダクタンス値はL4であり、ここで、前記容量値C4と前記インダクタンス値L4は以下の関係1jω1L4jω1C41jy11jω2L4jω2C41jy2ここで、ω12πf1、ω22πf2で、前記f1とf2はそれぞれ前記二つの周波数の大きさであり、y1は周波数f1でマッチング状態になるのに必要な前記ブランチ電路のインピーダンスであり、y2は周波数f2でマッチング状態になるのに必要な前記ブランチ電路のインピーダンスである。を満足させ、前記マッチングネットワークはL型又はT型又はπ型ネットワーク、又は前記各項目の任意の組合せおよび変形である。前記単一マッチングネットワークの入力端子は単一RFパワー供給装置と接続され、前記単一RFパワー供給装置は、ある特定の期間で周波数f1又はf2のうちの一つを選択的に出力する。前記プラズマ負荷はプラズマ処理室である。前記プラズマ処理室は上部電極と下部電極を含み、前記単一マッチングネットワークの出力端子は前記上部電極或いは下部電極と接続される。更に、本発明は、少なくとも二つの周波数f1又はf2のうちの一つをプラズマ処理室の電極に切り替え可能的に結合して接続させるためのRFパワーサプライヤーシステムも提供し、前記RFパワーサプライヤーシステムは、前記周波数f1又はf2のうちの一つを選択的に出力するためのRFパワーサプライヤー装置と、前記RFパワーサプライヤー装置に接続される入力端子と前記電極に接続される出力端子を有し、容量値がC4であるコンデンサー及びインダクタンス値がL4であるインダクタンスを含み、前記コンデンサーとインダクタンスは互いに並列接続され、且つ互いに並列接続される前記コンデンサーとインダクタンスはブランチ電路を構成する、マッチングネットワークとを含み、前記容量値C4とインダクタンス値L4は以下の関係1jω1L4jω1C41jy11jω2L4jω2C41jy2ここで、ω12πf1、ω22πf2で、前記f1とf2はそれぞれ前記二つの周波数の大きさであり、y1は周波数f1でマッチング状態になるのに必要な前記ブランチ電路のインピーダンスであり、y2は周波数f2でマッチング状態になるのに必要な前記ブランチ電路のインピーダンスである。を満足させ、前記マッチングネットワークはL型又はT型又はπ型ネットワーク、又は前記各項目の任意の組合せおよび変形である。前記電極は前記プラズマ処理室の上部電極或いは下部電極である。更に、本発明は、RFエネルギーを、周波数f1又は周波数f2で動作するパワー出力を選択的に提供することができるRFパワーサプライヤー装置からプラズマ負荷に結合させるためのマッチングネットワークの構築方法も提供し、前記方法には以下の工程が含まれ、以下の式に基づいて前記マッチングネットワークにおけるコンデンサーとインダクタンスを選択し、前記コンデンサーとインダクタンスは互いに並列接続されてブランチ電路を構成し、前記コンデンサーの容量値はC4で、前記インダクタンスのインダクタンス値はL4であり、1jω1L4jω1C41jy11jω2L4jω2C41jy2ここで、ω12πf1、ω22πf2で、前記f1とf2はそれぞれ前記二つの周波数の大きさであり、y1は周波数f1でマッチング状態になるのに必要な前記ブランチ電路のインピーダンスであり、y2は周波数f2でマッチング状態になるのに必要な前記ブランチ電路のインピーダンスである。、前記コンデンサーと前記インダクタンスを並列接続させて前記マッチングネットワークを取得し、且つ前記マッチングネットワークを前記RFパワーサプライヤー装置と前記プラズマ負荷との間に直列接続する。前記マッチングネットワークはL型又はT型又はπ型ネットワーク、又は前記各項目の任意の組合せおよび変形に構築される。前記方法は、可変コンデンサー又は可変インダクタンスをアースと前記マッチングネットワークとの間に接続することを更に含む。前記周波数f1又はf2は、2MHz、1356MHz、27MHz、60MHz、100MHz及び120MHzの周波数から選択される一種である。下記図面は本明細書の一部を成し、明細書の記載とともに例を挙げて本発明の好ましい実施例を説明し、本発明の原理と利点を解釈するために用いる。前記図面は図示の方式で本発明の一つの具体的な実施例の主な技術特徴を示す。なお、図面は縮尺に基づいて描画したものではなく、実施例の各技術特徴又は記述する原理の比率に基づいて製図したものではない。図3は本発明の一つの具体的実施例によるプラズマ処理室の略図を示し、ここで、単一マッチングネットワークHF1は複数の切り替え可能なRFソースパワーのうちの何れかの一つへRFマッチングを提供することに用いられる。図3に示すように、プラズマ処理室は切り替え可能なRFバイアスパワーswitchableRFbiaspowerと切り替え可能なRFソースパワーswitchableRFsourcepowerを有する。本実施例の中で、第一のRFバイアスパワーの周波数は05MHz-10MHzに設置され、第二のRFバイアスパワーの周波数は10MHz-30MHzに設置される。同様に、第一のRFソースパワーの周波数は40MHz-100MHzに設置され、例えば60MHzであり、第二のRFソースパワーの周波数は80MHz-200MHzに設置され、例えば120MHzである。このようなプラズマ処理室はプラズマ密度とイオンエネルギー制御をよりよく実現することができ、これによって適応性が増強される。図3の左部分には切り替え可能な複数のRFバイアスパワー即ち、低周波数部分を提供するためのコンポーネント300を示し、図3の右部分には切り替え可能な複数のRFソースパワー即ち、高周波数部分を提供するためのコンポーネント310を示す。図面の太字の矢印は既知の任意の従来の方式でRFバイアスパワーとソースパワーを前記プラズマ処理室へ結合させることを模式的に示し、これらの方式には容量結合、インダクタンス結合、スパイラルカップリングなどを含む。本実施例において、単一RFパワー供給装置300と310は複数の利用可能な周波数の中の一つの生成に用いられ、本実施例では二つの利用可能な周波数のうちの一つの生成に用いられる。理解すべきことは、このようなRFパワー供給装置の構築にはさまざまな設計を使用することができ、それにより複数の利用可能な周波数を生成するが、ここで示す切り替え可能なRFバイアスパワー又は低周波数パワー発生器300は、複数の利用可能な周波数のうちの一つを有するRF信号を提供するダイレクトデジタル周波数シンセサイザdirectdigitalfrequencysynthesizerDDS302を含む。設計の選択に基づいて、前記RF信号はその後一つのブロードバンドアンプwidebandamplifier又は二つのナローバンドアンプnarrowbandamplifiersで増幅段amplificationstage304により増幅される。前記増幅段304の出力はスイッチ305に接続され、それはダイレクトデジタル周波数シンセサイザDDS302の周波数出力に基づき、当該信号を低周波フィルターLF1フィルター306に接続させるか低周波フィルターLF2フィルター308に接続させる。前記パワー発生器300の出力はスイッチ311の入力端子に接続され、前記スイッチ311はマッチングネットワークLF1とLF2の間で任意に切り替え接続できる。この構造に基づき、マッチングネットワークLF1は二つの切り替え可能な周波数のうちの一つでパワーを伝送するように最適化してもよく、マッチングネットワークLF2は二つの切り替え可能な周波数のうちのもう一つの周波数でパワーを伝送するように最適化してもよい。前記マッチングネットワークの一つの出力は前記プラズマ処理室に印加される。本実施例では、前記RFソースパワー又は切り替え可能なRFパワー発生器310は複数の利用可能な周波数のうちの一つを生成することに用いられる。一種の実施方式として、それは前記発生器300のミラー鏡像であってもよく、複数の利用可能な周波数のうちから選択した周波数を有するRF信号を提供するダイレクトデジタル周波数シンセサイザDDS312を含む。前記信号はデザインの選択に基づいて、一つのブロードバンドアンプ又は二つのナローバンドアンプで、増幅段314により増幅される。前記増幅段314の出力端子は前記スイッチ315に接続され、それはDDS312の周波数出力に基づき、当該信号を高周波フィルターHF1フィルター316又は高周波フィルターHF2フィルター318の中の任意の一つに接続させる。パワー発生器310の出力周波数と関係なく、前記パワー発生器310の出力は単一マッチングネットワークHF1に接続される。前記マッチングネットワークHF1の出力端子は前記プラズマ処理室に接続される。理解すべきことは、図3の中で前記バイアス周波数の部分は二つのマッチングネットワークLF1とLF2を有するように図示され、ソース周波数の部分はただ一つのマッチングネットワークHF1を有するように図示されているが、これは例を通して本発明の特徴を強調するためだけである。つまり、上述の特定の構造配置は二つのマッチングネットワーク又は一つの単一マッチングネットワークの利用の異なる点を明確化させることに役立つ。しかし、実際の適用では、バイアスパワー部分はソースパワー部分を模倣するように設置されてもよく、即ち、それは本発明の精神に基づいて一つの単一マッチングネットワークだけを有するように設置されてもよい。同様に、本発明の精神に基づいて、単一マッチングネットワークを構築して切り替え可能なバイアスパワーのために動作し、一つの単一ソースパワーだけを利用してもよい。逆に、単一マッチングネットワークを構築して切り替え可能なソースパワーのために動作し、一つの単一バイアスパワーだけを利用してもよい。図3に示すように、本発明の一つの実施例として、一つの単一マッチングネットワークHF1は二つの高周波RFソースパワーのために動作することに用いられる。本発明の特徴に基づき、前記単一マッチングネットワークHF1は切り替え可能な複数の周波数のうちの何れかの一つの周波数に対する効率的なエネルギー結合が実現することができるように設置される。以下ではこのような単一マッチングネットワークHF1をどうように設置するのを解釈する。目標周波数がf1例えば、60MHzとf2例えば、120MHzであると仮設し、図4と図5を参照し、図4は一つのスミスチャートSmithChartで、目標周波数f160MHzでいかにマッチングを形成するかを示し、図5は一つのスミスチャートSmithChartで、目標周波数f2120MHzでいかにマッチングを形成するかを示す。周波数がf1の条件で、当該単一マッチングネットワークHF1は一つの直列ブランチ電路Sと一つの並列ブランチ電路P図6に示すようにを有し、その中で直列ブランチ電路Sの目標インピーダンスはjy1であり、周波数がf2の条件で、当該単一マッチングネットワークHF1は一つの直列ブランチ電路Sと一つの並列ブランチ電路Pを有し、その中で直列ブランチ電路Sの目標インピーダンスはjy2である。一種の実施方式として、当該マッチングネットワークHF1の直列ブランチ電路Sには前記パワーをマッチングするための互いに直列接続される一つのコンデンサー素子と一つのインダクタンス素子を有し、その容量値とインダクタンス値はそれぞれC0とL0である。周波数f1とf2のインピーダンスマッチングの要求を満足させるために、C0とL0の値は以下の公式を満足させるように設置すべきである、jω1L01jω1C0jy1jω2L01jω2C0jy2ここで、ω12πf1,ω22πf2である。二つの異なる周波数f1とf2で動作できる一つの単一マッチングネットワークHF1のパラメーターをいかに設定するのかを明快にするためには、図3に示す具体的実施例の高周波部分を参照されたい。目標周波数がf160MHz、f2120MHzであると仮設する。周波数f1では、単一マッチングネットワークHF1は一つの直列ブランチ電路Sと一つの並列ブランチ電路Pを有し、その中で直列ブランチ電路Sの目標インピーダンスはjy1であり、周波数f2では、単一マッチングネットワークHF1は一つの直列ブランチ電路Sと一つの並列ブランチ電路Pを有し、その中で直列ブランチ電路Sの目標インピーダンスはjy2である。図3で示す具体的実施例から分かるように、C0とL0の値は、jω1L01jω1C0jy1jω2L01jω2C0jy2ここで、ω12πf1,ω22πf2である。を満足させるべきである。このように、前記単一マッチングネットワークHF1の部分がf1とf2のマッチング条件を満たすように、C0とL0の値を確定しなければならない。図4を参照されたい。周波数が60MHzである時に負荷インピーダンスがZL602191640iだと仮定する。一種の実施例として、当該単一マッチングネットワークHF1がL型マッチングネットワークとして設計されていると仮定すると、それは直列ブランチ電路SにおけるコンデンサーCs6019pfと並列ブランチ電路PにおけるコンデンサーCp6060pfが必要になる。なお、y11ω1Cs601396Ωである。図5を参照されたい。周波数が120MHzである時に負荷インピーダンスがZL12033254iだと仮定すると、L型マッチングは直列ブランチ電路SにおけるコンデンサーCs120102pfと並列ブランチ電路PにおけるコンデンサーCp120100pfが必要となり、従ってy21ω2Cs120130Ωである。以下の方程式を解くと、jω1L01jω1C0jy11396jΩjω2L01jω2C0jy2130jΩここで、ω12πf1,ω22πf2であるL0100nH,C015pfが得られる。なお、本発明の方法を利用すれば、図6に示すような単一マッチングネットワーク800が構築でき、それはL型で、一つのインダクタンス値L0が100nHであるインダクタンスと容量値C0が15pfであるコンデンサーが直列ブランチ電路Sに直列接続されている一つの可変コンデンサーCpは並列ブランチ電路Pに接続され、60MHzのときには60pfに設定され、120MHzのときには100pfに設定される。このように、図6で示す一つの単一マッチングネットワークは切り替え可能な二つの周波数を有するシステムに使用される。図6に示す可変コンデンサーCpは一種の可変コンポーネント又は調整可能なコンポーネントであり、前記直列ブランチ電路Sとアースとの間に接続され、その値は単一マッチングネットワーク800の異なる周波数f1とf2でマッチングするという要求を満足させるように調整することができる。前記可変コンデンサーCpの接続関係には幾つの変種があってもよく、例えば、前記可変コンデンサーCpはアースと以下の各項目における一項目、即ち前記マッチングネットワーク800の入力端子、前記コンデンサーとインダクタンスとの間の中点、或いは前記マッチングネットワーク800の出力端子、の間に接続することができる。さらに、本発明の単一マッチングネットワークはL型、π型又はT型、又は前記L型、T型、π型の中の任意の二種の組合せ或いは組み合わせの変形後で詳細に記述するであってもよいので、可変コンデンサーCpが前記直列ブランチ電路Sの一つの端子への接続にも相応した接続方式があってもよい、その接続方式は当業者にとっては周知のことであり、ここでは詳しく述べない。理解すべきことは、当該可変コンポーネントは一つの可変コンデンサーでもよく、一つのインダクタンスでもよく、又は可変コンデンサーとインダクタンスの組合せでもよいことである。上述のように、本発明は図3で示す具体的実施例に限定されない。当業者は本発明の精神に基づき、一つの単一マッチングネットワークを設計することで任意の切換え可能な周波数にRFマッチングを提供することができるができる。図7は他の具体的実施例を示し、その中で、プラズマ処理室は切換え可能なRFバイアスパワーと切換え可能なRFソースパワーを含む。前記RFソースパワー部分の構造は図3に示すようなバイアスパワー部分に類似し、つまり、二つのマッチングネットワークHF1とHF2を有し、各RF周波数は一つのマッチングネットワークに適合して協調して作用する。しかし、図3の中のRFバイアスパワー部分又は低周波数パワー部分は本発明の方法により設置したものである。切換え可能なパワー発生器700は一つの単一マッチングネットワークLF1と接続される。前記パワー発生器700はRF信号を提供するための一つのダイレクトデジタルシンセサイザDDS702を含み、当該RF信号の周波数は使用できる幾つの周波数から選択した周波数である。その後、設計の選択に基づいて、増幅段704は一つのブロードバンドアンプ又は二つのナローバンドアンプを利用して前記RF信号を増幅させる。前記増幅段704の出力端子はスイッチ705に接続され、ダイレクトデジタル周波数シンセサイザDDS702の周波数出力に基づいて、当該RF信号を低周波フィルターLF1フィルター706に接続するか、又は低周波フィルターLF2フィルター708に接続する。前記パワー発生器700の出力端子は一つの単一マッチングネットワークLF1と接続される。前記単一マッチングネットワークLF1のコンデンサー素子とインダクタンス素子のパラメーター値の選択方法は前述の高周波数部分の相応するパラメーター値の選択方法と同じである。前記単一マッチングネットワークLF1の出力端子は前記プラズマ処理室に接続される。前述のように、図6に示す本発明の単一マッチングネットワークはL型であり、それは互いに直列接続されるコンデンサーC0とインダクタンスL0を含む。理解すべきことは、本発明の単一マッチングネットワークは図6に示すマッチングネットワークの各種の等価変形、例えば図6に示すL型を、π型かT型、又は前述のL型、T型、π型の中の任意の二種の組合せか組合せの変形に変形させたもの、であってもよい。例えば、図8は本発明の単一マッチングネットワークに基づくもう一つの実施例を示し、当該単一マッチングネットワーク820はT型マッチングネットワークであり、切り替え可能なバイアス周波数f1又はf2の中の任意の一つのためにインピーダンスマッチングを提供することに用いられる。当該マッチングネットワーク820では、インダクタンスLとコンデンサーCの値はともに二つの特定周波数f1とf2の時のインピーダンスのマッチングの要求、つまり周波数がf1の時に直列ブランチ電路S1のインピーダンスyf1-1、直列ブランチ電路S2のインピーダンスyf1-2と周波数がf2の時に直列ブランチ電路S1のインピーダンスyf2-1、直列ブランチ電路S2のインピーダンスyf2-2のマッチングの要求を満足させるべきである。このようなマッチングネットワークの設置は前述の図6に示すL型ネットワークの設置過程と類似する。もし周波数がf1の時には、負荷インピーダンスはZf1である。T型マッチングは直列ブランチ電路S1のインダクタンスLs1f1、直列ブランチ電路S2のインダクタンスLs2f1と並列ブランチ電路PのコンデンサーCpf1が必要となる。なお、yf11ω1Ls1f1、yf12ω1Ls2f1である。周波数がf2の時に負荷インピーダンスはZf2である。T型マッチングは直列ブランチ電路S1のインダクタンスLs1f2、直列ブランチ電路S2のインダクタンスLs2f2と並列ブランチ電路PのコンデンサーCpf2が必要となる。なお、yf21ω2Ls1f2、yf22ω2Ls2f2である。次の二つの方程式をそれぞれ解くと、jω1L11jω1C1jyf11jω2L11jω2C1jyf21及びjω1L21jω1C2jyf12jω2L21jω2C2jyf22ここで、ω12πf1,ω22πf2である。であり、直列ブランチ電路S1でのL1C1と直列ブランチ電路S2でのL2C2の値を得ることができる。図9は本発明の単一マッチングネットワークに基づくもう一つの実施例を示し、当該単一マッチングネットワーク830はπ型マッチングネットワークであり、切り替え可能なソース周波数f1又はf2の中の任意の一つのためにインピーダンスマッチングを提供することに用いられる。類似的に、もし周波数がf1であれば負荷インピーダンスはZf1である。π型マッチングは直列ブランチ電路SにおけるインダクタンスがLf1で、並列ブランチ電路P1におけるコンデンサーはCp1f1であり、及び並列ブランチ電路P2におけるコンデンサーがCp2f1であることが必要であり、ここで、yf1ω1Lf1である。周波数がf2である時には負荷インピーダンスはZf2である。π型マッチングは直列ブランチ電路SにおけるインダクタンスがLf2で、並列ブランチ電路P1におけるコンデンサーがCp1f2で、及び並列ブランチ電路P2におけるコンデンサーがCp2f2であることが必要であり、なお、yf2ω2Lf2である。次の方程式を解くと、jω1L31jω1C3jyf1jω2L31jω2C3jyf2ここで、ω12πf1,ω22πf2である。それによりL3、C3の値を得ることができる。図10、11及び12では本発明の周波数f1又はf2にマッチングできる他の単一マッチングネットワークの実施例変形を示す。これらと前述の図6、図8及び図9に示すマッチングネットワークとの相違点は、図6、図8及び図9に示すマッチングネットワークにおけるコンデンサー及びインダクタンスが直列接続され、図10、図11及び図12に示すマッチングネットワークにおけるコンデンサー及びインダクタンスが並列接続されることである。図10に示すように、図の中でインダクタンスL4とコンデンサーC4は並列接続され、且つマッチングネットワークはL型である。周波数がf1である時には負荷インピーダンスはZf1である。L型マッチングは直列ブランチ電路SにおけるインダクタンスLf1と並列ブランチ電路PにおけるコンデンサーCf1が必要であり、ここで、yf1ω1Lf1である。周波数がf2である時には負荷インピーダンスはZf2である。L型マッチングは直列ブランチ電路SにおけるインダクタンスLf2、及び並列ブランチ電路PにおけるコンデンサーCf2が必要であり、ここで、yf2ω2Lf2である。コンデンサーC4の値とインダクタンスL4の値は以下の公式が満足できるように設置すべきである。1jω1L4jω1C41jyf11jω2L4jω2C41jyf2ここで、ω12πf1,ω22πf2である。これによりL4、C4の値を得ることができる。図11に示すように、図の中でインダクタンスL5とコンデンサーC5は並列接続され、L6とC6が並列接続され、且つマッチングネットワークはT型である。もし周波数がf1である時には負荷インピーダンスはZf1である。T型マッチングは直列ブランチ電路S1におけるインダクタンスがLs1f1であり、直列ブランチ電路S2におけるインダクタンスがLs2f1であり、及び並列ブランチ電路PにおけるコンデンサーがCpf1であることが必要である。なお、yf11ω1Ls1f1yf12ω1Ls2f1である。周波数がf2である時には負荷インピーダンスはZf2である。T型マッチングは直列ブランチ電路S1におけるインダクタンスがLs1f2であり、直列ブランチ電路S2におけるインダクタンスがLs2f2であり、及び並列ブランチ電路PにおけるコンデンサーがCpf2であることが必要である。なお、yf21ω2Ls1f2yf22ω2Ls2f2である。コンデンサーC5の値とインダクタンスL5の値は以下の公式が満足できるように設置すべきである。1jω1L5jω1C51jyf111jω2L5jω2C51jyf21コンデンサーC6の値とインダクタンスL6の値は以下の公式が満足できるように設置すべきである。1jω1L6jω1C61jyf121jω2L6jω2C61jyf22ここで、ω12πf1,ω22πf2である。これによりL5、C5及びL6、C6の値を得ることができる。図12に示すように、図の中でインダクタンスL7とコンデンサーC7は並列接続され、且つマッチングネットワークはπ型である。周波数がf1である時には負荷インピーダンスはZf1である。π型マッチングは直列ブランチ電路SにおけるインダクタンスLf1、並列ブランチ電路P1におけるコンデンサーCp1f1および並列ブランチ電路P2におけるコンデンサーCp2f1が必要である。ここで、yf1ω1Lf1である。周波数がf2である時には負荷インピーダンスはZf2である。π型マッチングは直列ブランチ電路SにおけるインダクタンスLf2、並列ブランチ電路P1におけるコンデンサーCp1f2および並列ブランチ電路P2におけるコンデンサーCp2f2が必要である。ここで、yf2ω2Lf2である。コンデンサーC7の値とインダクタンスL7の値は以下の公式が満足できるように設置すべきである。1jω1L7jω1C71jyf11jω2L7jω2C71jyf2ここで、ω12πf1,ω22πf2である。これによりL7、C7の値を得ることができる。また、本発明の発明精神及び実質に基づき、本発明はマッチングネットワークの構築方法を更に提供し、前記マッチングネットワークはRFエネルギーをRFパワーサプライヤー装置からプラズマ処理室に結合させることに用いられ、前記RFパワーサプライヤー装置は選択的に周波数f1又はf2で動作する出力パワーを提供することができ、前記方法には以下のステップ:以下の公式:jω1L01jω1C0jy1jω2L01jω2C0jy2ここで、ω12πf1,ω22πf2、前記f1とf2はそれぞれ前記二つの周波数の大きさであり、y1は周波数f1でマッチング状態になるのに必要なブランチ電路のインピーダンスであり、y2は周波数f2でマッチング状態になるのに必要なブランチ電路のインピーダンスである。に基づき前記マッチングネットワークにおけるコンデンサーとインダクタンスを選択すること前記コンデンサーとインダクタンスは互いに直列接続して前記ブランチ電路を構成し、前記コンデンサーの容量値はC0で、前記インダクタンスのインダクタンス値はL0であると、前記コンデンサーと前記インダクタンスを直列接続させて前記マッチングネットワークを取得し、且つ前記マッチングネットワークを前記RFパワーサプライヤー装置と前記プラズマ負荷との間に直列接続させること、を含む。前記マッチングネットワークはL型又はT型又はπ型ネットワーク、又は前述の各項目の任意の一種の組合せ及び変形に構築されてもよい。本発明では、本明細書で記述したすべての実施例を含み、前記周波数f1又はf2は任意の一種の周波数であってもよく、好ましくは、2MHz、1356MHz、27MHz、60MHz、100MHz及び120MHzの周波数から選出される一種であってもよい。更に、前述の方法は、マッチングネットワークが異なる周波数f1とf2でマッチングの要求を満足させるように、可変コンポーネントを前記ブランチ電路とアースとの間に接続することを含む。当該可変コンポーネントは可変コンデンサーでもよく、可変インダクタンスでもよく、又は可変コンデンサーと可変インダクタンスの組合せでもよい。更に、本発明の発明精神と実質に基づき、本発明はRFエネルギーをRFパワーサプライヤー装置からプラズマ負荷へ結合させるためのマッチングネットワークの構築方法を更に提供し、前記RFパワーサプライヤー装置は周波数f1又はf2で動作するパワー出力を選択的に提供することができ、前記方法は、以下のステップ:以下の公式:1jω1L4jω1C41jy11jω2L4jω2C41jy2ここで、ω12πf1、ω22πf2、前記f1とf2はそれぞれ前記二つの周波数の大きさであり、y1は周波数f1でマッチング状態になるのに必要なブランチ電路のインピーダンスであり、y2は周波数f2でマッチング状態になるのに必要なブランチ電路のインピーダンスである。、に基づき前記マッチングネットワークにおけるコンデンサーとインダクタンスを選択すること前記コンデンサーとインダクタンスは互いに並列接続されて前記ブランチ電路を構成し、前記コンデンサーの容量値はC4で、前記インダクタンスのインダクタンス値はL4であると、前記コンデンサーと前記インダクタンスを並列接続させて前記マッチングネットワークを取得し、且つ前記マッチングネットワークを前記RFパワーサプライヤー装置と前記プラズマ負荷との間に直列接続させること、を含む。前記マッチングネットワークはL型又はT型又はπ型ネットワーク、又は前述の各項目の任意の一種の組合せ及び変形として構築することができる。前記周波数f1又はf2は任意の一種の周波数であってもよく、好ましくは、2MHz、1356MHz、27MHz、60MHz、100MHz及び120MHzの周波数から選出される一種であってもよい。更に、前述の方法には、マッチングネットワークが異なる周波数f1とf2でマッチングの要求を満足させるように、可変コンポーネントを前記ブランチ電路とアースとの間に接続することを更に含む。当該可変コンポーネントは可変コンデンサー、可変インダクタンス、又は可変コンデンサーと可変インダクタンスの組合せであってもよい。最後に、理解すべきことは、ここで記述した工程と技術は任意の特定のデバイスと直接関連せず、任意の適切なコンポーネントの組合せで実現することができることである。また、本発明で提示した内容に基づいて、各種の一般的なデバイスはいずれも適用することができる。専門のデバイスを作って本公開の前記方法と工程を実現することができ、且つ一定の利点も有する。本発明は具体的な実施形態を参照して記述し、そのすべては概念的な解釈であり限定的なものではない。異なるハード、ソフト及びファームウェアの組合せはいずれも本発明の実施に適用可能であることを、当業者は意識する。本発明は具体的な実施形態を参照して記述しているが、そのすべては概念的なもので、限定的なものではない。多くの異なるハード、ソフト及びファームウェアの組合せはいずれも本発明の実施に適用可能であることを、当業者は理解すべきである。なお、当業者にとって、本発明のここで公開する明細書と実施例を通して、本発明の他の実施方式は自明である。本文で記述した異なる側面及び又はコンポーネントはプラズマ処理室の関係の既存技術において、単一又は任意の組合せの方式で使用することができる。明細書と図面の中に説明した特徴及び実施形態はただ例示的なものと理解すべきであり、本発明の本当の保護範囲と精神は以下の特許請求の範囲より定義されるものである。"