"吸入弁および吐出弁の一側に枠体を介して固定したダイヤフラムによって、前記吸入弁および吐出弁に対向するポンプ室を形成し、前記ダイヤフラムの振動によって流体を前記吸入弁から前記吐出弁に導くマイクロダイヤフラムポンプであって、前記ポンプ室を囲む枠体が複数の薄板を積層して形成され、前記薄板は、前記ダイヤフラムのポンプ室側への変位による曲面形状に近接させて開口径が変化していることを特徴とするマイクロダイヤフラムポンプ。枠体を形成する複数の薄板は、複数の金属薄板であり、各金属薄板の開口径は段階的に変化している請求項1のマイクロダイヤフラムポンプ。ポンプの外形を平面視で四角形とし、ポンプ室を円形とした請求項1のマイクロダイヤフラムポンプ。ダイヤフラムは、このダイヤフラムに固定した圧電素子により振動される請求項1のマイクロダイヤフラムポンプ。しかし発明者らの研究によれば、このポンプ室の容積V0がダイヤフラムの一回の往復動による容積変化に比べて大きいとポンプ効率吐出効率が低下するという問題があることが明らかになった。すなわち、ポンプ室内でダイヤフラムの振動によりダイヤフラムが占める容積排除容積Vaの変化が小さいと、ダイヤフラムが占めない部分の容積であるデッドボリュームVd=V0-Va、不要容積が増えることになり、圧縮比が小さくなるからである。例えば、送る流体が圧縮性のもの気体、あるいは気体を含むものであるときには効率の低下が顕著である。また吐出する流体が液体である場合に気泡が混入すると、この気泡が液体と共にポンプ室に入ることになるが、ポンプの圧縮比が小さいとポンプ室に入った気泡を吐出できず、ポンプとして機能できなかったりすなわち自吸性が低下する、液体吐出量が不正確になるという問題が生じる。すなわち気泡の混入に対してポンプ機能の低下を受けない性質気泡耐性という。が低く信頼性が低下する。このため圧縮性の気体などには使用するのが困難または不可能である。さらにダイヤフラムの面積を小さくしてポンプの小型化、マイクロ化を図ると流体の吸引力と吐出力を大きくするのが困難であるため、小型化、マイクロ化にも制約があるという問題もある。さらにまたここで用いるシリコン基板は比較的高価である、という問題もある。この発明はこのような事情に鑑みなされたものであり、ダイヤフラムがポンプ室側に変位した時の容積デッドボリューム、V0-Vaの容積を小さくすることにより、外形寸法を小さくしてもポンプ効率吐出効率を上げ、流体の流量制御精度を向上させることができ、また、吸引力と吐出力を大きくすることにより、ポンプの自吸性と気泡耐性を向上させることができ、さらに使用する材料がシリコン基板に制約されることなく材料の選定自由度をが大きくでき、信頼性の高いマイクロダイヤフラムポンプを提供することを目的とする。この発明によれば第1の目的は、吸入弁および吐出弁の一側に枠体を介して固定したダイヤフラムによって、前記吸入弁および吐出弁に対向するポンプ室を形成し、前記ダイヤフラムの振動によって流体を前記吸入弁から前記吐出弁に導くマイクロダイヤフラムポンプであって、前記ポンプ室を囲む枠体が複数の薄板を積層して形成され、各薄板は、前記ダイヤフラムのポンプ室側への変位による曲面形状に近接させて開口径が変化していることを特徴とするマイクロダイヤフラムポンプ、により達成される。この発明は、ポンプ室の枠体を複数の薄板を積層して形成し、前記薄板にダイヤフラムの変位に対応した曲面形状に近接するように開口径を変化させた開口を形成したものであるから、ダイヤフラムがダイヤフラム室側に変位した時の容積の容積を小さくすることができる。このため、外形寸法とポンプ室容積を極めて小さくしても、ポンプ効率吐出効率を上げ、流体の流量制御精度を向上させることができる。またダイヤフラムを小さくしても所定の吐出量や吐出圧を発生させることが可能になるから、液体流体に混入する気泡に対する自吸性と気泡耐性を向上させることができる。さらにポンプの小型化、マイクロ化が可能である。また従来のものようにSi基板をエッチングするものに比べて、薄板の積層によりポンプ室を形成できるので材料の選定自由度が増え、信頼性を向上させることができる。ポンプ室の枠体となる部分は金属薄板を積層したものが最適である請求項2。例えばステンレス鋼などの薄板が使用できる。この場合は比較的高価なシリコンを使用する必要が無く、安価でもある。なお薄板は金属以外の材料、例えばセラミックス薄板、ガラス薄板、シリコン薄板、硬質の樹脂の薄板、などであってもよく、使用する流体により腐食しないものが使用できる。ここに薄板は、箔状のものを含む。各薄板の開口径は、ダイヤフラムの変位曲面形状に沿わせて段階的に変化させるのが望ましいが、一部隣接する薄板の開口径は同一としてもよい。またステンレス薄板を多層積層し接合するためには、ステンレス鋼に対して濡れ性やはんだ付け強度などの点からSnスズ濃度の高いはんだや、Sn-Agなどの銀合金のはんだメッキを用いることができる。また、接着剤や、金属の拡散接合など、種々の方法も使用可能である。ポンプはその外形を平面視で四角形とし、ポンプ室を円形とすることができる請求項3。この場合にはこのポンプを電子基板などに電子部品と共に実装した時に、外形が四角形のポンプと他の電子部品との間にできる無駄な間隙がを小さくして実装密度を上げることができる。ダイヤフラムに保持する駆動素子は、圧電素子ピエゾ素子が適する請求項4。例えばジルコンチタン酸鉛PZTを含みPZTと総称される圧電性材料の焼結体を用い、これをダイヤフラムに貼着し、電界印加によって分極させたものを使用することができる。ダイヤフラムの周縁には、この駆動素子を囲む第2の枠体を固着しておけば、この第2の枠体の内側に駆動素子やダイヤフラムの可動域可動空間を確保でき、このポンプを基板などに実装した場合に、隣接する部品が接触してポンプ動作の障害になることがない。図1~3において、符号10は本発明に係るマイクロダイヤフラムポンプの一実施例を示している。このポンプ10は、複数のステンレスの金属薄板と枠体とを多層化接合、すなわち金属薄板などを位置合わせして積層し、接合したものであり、一辺が約7~10mmの四角形である。このポンプ10の構造は、同一出願人による特許出願2010-130304号に詳細に説明されている通りである。12は弁板シートであり、図2、3に示すように、例えば厚さ0.01mm10ミクロンのステンレス薄板に弁板14と流路開口16とをエッチングやプレス打ち抜きにより形成したものである。ここに弁板14は、流路開口16とほぼ同径の開口から内径側に折曲しながら伸びる支持腕に保持されて上下動可能である。18は弁座シートであり、例えば厚さが005mmのステンレス薄板に、弁座20と弁ストッパ22とをエッチングやプレス打ち抜きにより形成したものである。弁ストッパ22は、環状部22aと、この環状部22aの周囲に周方向に分割された3つの流路22bとを有する図3。この環状部22aは、後記するようにポンプ10を組み立てた状態で弁板14を介して弁座20に対向するものである。このように加工された弁板シート12と弁座シート18とは二枚ずつ準備され、弁板シート12,12を図2、3に示すように重ね、その両側に弁座シート18,18を重ねて多層化接合する。例えば拡散接合真空中で加熱加圧して接合する。なおこの時弁板シート12,12は、図2から明らかなように、左右を逆にして180度回転してかつ裏返して重ねる。このため弁板シート12の弁板14と流路開口16は、弁板シート12の左右を逆にしたり裏返した時に弁座シート18の弁座20,弁ストッパ22と同心に重なる位置に形成する。この結果この積層体予備積層体24には、図3に示す吸入弁26と吐出弁28とが形成される。図2、3で、符号32はベース板である。このベース板32は、例えば厚さ0.4mmのステンレス板であって、吸入弁26の弁座20に対向する吸入口となる流路32aと、吐出弁28の弁ストッパ22流路22bに対向する吐出口となる流路32bとが形成されている図3。これらの流路32a、32bは予備積層体24の下面に積層される。34は本発明の枠体に対応する第1の枠体であり、ベース板30と外形が同じで、厚さが0.005mmの4枚のステンレス薄板34a~dを積層して約0.02mmの厚さにしたものである。なおステンレス薄板34a~dは非常に薄いので金属箔状のものであってもよい。各ステンレス薄板34a~dには、それぞれ開口径が異なる円形の開口がエッチングや打ち抜きなどで形成され、各開口の直径は、後記ダイヤフラム36が後記ダイヤフラム室40側に湾曲する時の曲面形状に段階的に接近するように設定されている。なおこれらの開口は吸入弁26と吐出弁28の周囲を囲んでいる。また図2では、作図上の都合から各薄板34a~dの開口が同一径に描かれているが、実際には図3、4に示すように段階的に階段状に変化している。36はダイヤフラムであり、厚さ0.05mmのステンレス薄板である。これもベース板32と外形が同じである。38は第2の枠体であり、例えば厚さ0.04mmのステンレス薄板である。この第2の枠体38は外形がベース板32と同一である。前記予備積層体24には、下面にベース板32が、上面に枠体34とダイヤフラム36と第2の枠体38とが順次重ねられ、加圧しながら多層化接合される。例えば拡散接合される。この結果ダイヤフラム36とこれに対向する上方の弁座シート18との間にポンプ室圧力室40が形成される。以上のようにして多数の金属薄板の多層化接合がなされると、次に第2の枠体38の上方からダイヤフラム36にシート状の圧電素子であるPZT42が接着シート44によって貼着される。このPZT42は分極前のものであればこれを電界中に入れて分極する。このPZT42の電極に接続される配線は上方に導かれて、図示しない駆動回路に接続される。この実施例は、ベース板32の流路吸入口32a、流路吐出口32bをそれぞれ流体の供給路と流出路共に図示せずに接続し、PZT42の駆動回路を作動させて用いる。PZT42の作動によってダイヤフラム36が上下に振動し、この振動によってポンプ室40の容積が変化する。この振動によってポンプ室40が負圧になる時には吸入弁26の弁板14が弁座20から離れて吸入弁26が開き、吐出弁28の弁板14は弁座20に当たって吐出弁28が閉じる。この結果吸入弁26から新しく流体が吸入される。ダイヤフラム36がポンプ室40を加圧する時には、吸入弁26が閉じ、吐出弁28が開き、流体はポンプ室40から吐出弁28を通して吐出される。次に枠体34について説明する。図5はポンプ室40とダイヤフラム36の振動による圧縮比を説明するために、その構造を簡略化して示すものであり、ここではポンプ室40の形状が円形にしたものが正方形にしたものよりも圧縮比が大きくなることを説明する。図5で一辺が2rである正方形のポンプ室40では、その容積V1は2r×2r×ttは高さである。直径が2rの円形のダイヤフラム室40では、その容積V2はπ×r×r×tである。一方ダイヤフラム36の振動により変化しない容積であるデッドボリュームVdは、正方形ではVd1=V1-Va、円形ではVd2=V2-Vaとなる。ここにVaは、ダイヤフラム36の下方への最大振幅時にダイヤフラム36が占める容積である。またポンプ室40の変動容積排除容積Veは、Ve=2Vaである。この時の圧縮比γはγ=排除容積Ve/デッドボリュームVdであるから、正方形ではγ1=Ve/Vd1、円形ではγ2=Ve/Vd2である。デッドボリュームVdは、正方形の方が大きいVd1>Vd2から、圧縮比はγ1<γ2となる。すなわち円形のポンプ室40の方が正方形のものよりも圧縮比γは大きくなる。またこの発明では前記しているように、ポンプ室40を形成する枠体34を多層の薄板箔を積層し、これらにダイヤフラム36の湾曲面に接近するように口径が段階的に異なる開口を形成しているので、デッドボリュームVdを小さくすることができる。このため圧縮比γを増大できる。この場合にポンプ室40を円形にすれば、前記した理由により正方形にしたものよりもさらに圧縮比γを大きくすることができる。"