シリコン基板の受光面となる面に、ドーパントを含む化合物及びチタン系化合物を少なくとも含む溶液を塗布し、熱処理することにより前記ドーパントが拡散された第1エミッタ層と前記ドーパントを含む反射防止膜とを形成する第1工程と、前記反射防止膜上からレーザを照射することにより第2エミッタ層を形成する第2工程とを備えた太陽電池の製造方法。前記第2工程は、前記第2エミッタ層を形成するとともに、前記反射防止膜に開口部を形成する請求項1に記載の太陽電池の製造方法前記ドーパントは、前記シリコン基板の導電型と異なる導電型となる請求項1または2に記載の太陽電池の製造方法。前記ドーパントは、リンである請求項1~3のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。前記第2エミッタ層の前記ドーパント濃度は、前記第1エミッタ層の前記ドーパント濃度よりも高い請求項1~4のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。前記第2エミッタ層の前記ドーパント源は、前記反射防止膜のドーパントである請求項1~5のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。前記レーザは、グリーンレーザである請求項1~6のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。前記レーザは、パルスレーザである請求項1~7のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。前記第2工程の後に、第2エミッタ層上に金属ペーストを塗布、焼成し電極を形成する第3工程を備えた請求項1~8のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。前記金属ペーストは、ガラスフリットを含まない請求項9に記載の太陽電池の製造方法。シリコン基板と、前記シリコン基板の受光面となる面に形成され、前記シリコン基板の導電型と異なる導電型の第1エミッタ層と、前記シリコン基板の受光面となる面の前記第1エミッタ層が形成されていない領域に形成され、前記第1エミッタ層と同じ導電型でドーパント濃度が高い第2エミッタ層と、前記第1エミッタ層が形成されている前記シリコン基板の受光面となる面の上にある反射防止膜と、前記第2エミッタ層に接続された第1電極と前記シリコン基板の受光面とは反対側の面の上にある第2電極と、を備え、前記第1電極はガラスフリットを含まない太陽電池。しかしながら、特許文献1に記載の選択エミッタ構造の太陽電池の製造方法では、まず、高濃度エミッタ層を形成するための固着膜を形成し、その後、低濃度エミッタ層を形成するための低濃度膜を形成した後、熱処理して高濃度エミッタ層及び低濃度エミッタ層を形成していたが、さらに、工程数を低減する必要があった。本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、工程数を低減して、効率的に製造することが可能な選択エミッタ構造の太陽電池の製造方法及び高効率な太陽電池を提供することにある。本発明の太陽電池の製造方法は、シリコン基板の受光面となる面に、ドーパントを含む化合物及びチタン系化合物を少なくとも含む溶液を塗布し、熱処理することによりドーパントが拡散された第1エミッタ層とドーパントを含む反射防止膜とを形成する第1工程と、反射防止膜上からレーザを照射することにより第2エミッタ層を形成する第2工程とを備える。ここで、本発明の太陽電池の製造方法は、前記第2工程は、前記第2エミッタ層を形成するとともに、前記反射防止膜に開口部を形成してもよい。また、本発明の太陽電池の製造方法は、ドーパントは、シリコン基板の導電型と異なる導電型となってもよい。また、本発明の太陽電池の製造方法は、ドーパントは、リンであってもよい。また、本発明の太陽電池の製造方法は、第2エミッタ層のドーパント濃度は、第1エミッタ層のドーパント濃度よりも高くてもよい。また、本発明の太陽電池の製造方法は、第2エミッタ層のドーパント源は、反射防止膜のドーパントであってもよい。また、本発明の太陽電池の製造方法は、レーザは、グリーンレーザであってもよい。また、本発明の太陽電池の製造方法は、レーザは、パルスレーザであってもよい。また、本発明の太陽電池の製造方法は、第2工程の後に、第2エミッタ層上に電極を形成する第3工程を備えてもよい。また、本発明の太陽電池の製造方法は、第2エミッタ層上に形成される電極材料にはガラスフリットを含有しなくてもよい。また、本発明の太陽電池は、シリコン基板と、前記シリコン基板の受光面となる面に形成され、前記シリコン基板の導電型と異なる導電型の第1エミッタ層と、前記シリコン基板の受光面となる面の前記第1エミッタ層が形成されていない領域に形成され、同じ導電型で前記第1エミッタ層と同じ導電型でドーパント濃度が高い第2エミッタ層と、前記第1エミッタ層が形成されている前記シリコン基板の受光面となる面の上にある反射防止膜と、前記第2エミッタ層に接続された第1電極と、前記シリコン基板の受光面とは反対側の面に形成された第2電極と、を備え、前記第1電極はガラスフリットを含まないことが望ましい。本発明によれば、ドーパントを含む反射防止膜、および第1エミッタ層を熱処理により形成した後、反射防止膜上からレーザを照射することで、第1エミッタ層よりもドーパント濃度が高い第2エミッタ層を形成して選択エミッタ構造を形成することができるため、第2エミッタ層を形成するための固着層を予め形成する必要はないので、工程数を削減して、従来より効率的に製造することが可能な太陽電池の製造方法を提供することができる。第1の実施形態図1は、本発明の第1の実施形態の太陽電池の断面図を表す模式図である。太陽電池31において、p型シリコン基板1の受光面に、2種類の異なるドーパント濃度のエミッタ層である高濃度エミッタ層5、低濃度エミッタ層6が形成され、選択エミッタ構造が形成されている。7は反射防止膜、9は受光面銀電極、10は裏面銀電極、11はBSF層、12は裏面アルミニウム電極である。図2は、本発明の第1の実施形態の太陽電池の製造方法を示す模式的な図である。まず、図2aに示すように、エッチング処理により凹凸構造を形成したp型シリコン基板1の受光面に、ドーパントであるリンを含む五酸化リンとチタン系化合物とアルコールの混合液を少なくとも含むPTG液2を塗布する。その後、塗布したPTG液2の乾燥を行う。なお、図2では、受光面側の凹凸構造を省略している。次に、図2bに示すように、p型シリコン基板1を800°C以上で熱処理し、リンを拡散した第1エミッタ層である低濃度エミッタ層6及びリンを含むチタン酸化物膜である反射防止膜7を形成する。ここで、低濃度エミッタ層6の表面シート抵抗は40Ω/□以上とした。次に、図2cに示すように、低濃度エミッタ層6よりもリン濃度が高い第2エミッタ層である高濃度エミッタ層5を形成する箇所に、反射防止膜7上からレーザを照射する。レーザによる照射箇所の温度は上記熱処理よりも高い温度であり、照射箇所の温度はシリコンが溶融する温度には達していないが、1000°C以上であると思われる。反射防止膜7に含まれるリンをドーパント源として、レーザ照射により高濃度エミッタ層5を形成する。高濃度エミッタ層5の表面シート抵抗は40Ω/□以下になるようにし、低濃度エミッタ層6の表面シート抵抗よりも20Ω/□小さい値をターゲット値とした。レーザはグリーンレーザを用いた。波長は515nmまたは532nmであり、レーザ媒質は、Nd:YAG、またはNd:YVO4である。p型シリコン基板1への浸透深さは2μm程度である。ここで、グリーンレーザよりも波長の短いUVレーザ例えば、波長が266nmを用いると、波長が短いために、p型シリコン基板1への浸透深さは1μm程度であるので、反射防止膜7に吸収されて高濃度エミッタ層が形成されない。また、グリーンレーザよりも波長の長い基本波レーザ例えば、波長が1064nmを用いると、反射防止膜7に吸収はされないが、波長が長すぎるために、反射防止膜7に含まれるリンを拡散させることができない。また、レーザはパルスレーザを用いた。パルス幅を小さくしパルス間隔を長くすることで、p型シリコン基板1へのダメージを低減することができる。次に、図2dに示すように、p型シリコン基板1の裏面に、アルミニウムペースト14と銀ペースト15を塗布し、乾燥する。また、高濃度エミッタ層5上に銀ペースト16を塗布し、乾燥する。次に、図2eに示すように、p型シリコン基板1を焼成して、高濃度エミッタ層5上に受光面銀電極9を形成する。焼成の際に、銀ペースト16はファイヤースルーにより反射防止膜7を貫通して受光面銀電極を形成し、高濃度エミッタ層5と接続する。p型シリコン基板1の裏面には、裏面電極10、BSF層11、アルミニウム電極12がそれぞれ形成される。このようにして、太陽電池31を作製する。よって、複数回のPTG液塗布を行うことなく、PTG液塗布工程を1回にするのみで、選択エミッタ構造を形成することができる。また、高濃度エミッタ層を形成するための膜を予め形成する必要はない。第2の実施形態図3は、本発明の第2の実施形態の太陽電池の断面図を表す模式図である。本実施形態の太陽電池41と第1の実施形態との違いは、受光面銀電極49の面積が反射防止膜開口部48の面積と同じか大きい点と、受光面銀電極49がガラスフリットを含まない銀ペーストで形成されている点である。図4は、本発明の第2の実施形態の太陽電池の製造方法を示す模式的な図である。まず、図4aおよびbに示す通り、低濃度エミッタ層6の形成までは第1の実施形態と同一の工程である。次に、図4cに示すように、低濃度エミッタ層6よりもリン濃度が高い第2エミッタ層である高濃度エミッタ層5を形成する箇所に、反射防止膜7上からレーザを照射する。レーザによる照射箇所の温度は図4bの熱処理よりも高い温度であり、照射箇所の温度はシリコンが溶融する温度には達していないが、1000°C以上であると思われる。反射防止膜7に含まれるリンをドーパント源として、レーザ照射により高濃度エミッタ層5を形成する。このとき、レーザ照射箇所のシリコン基板表面においてアブレーションが起こり、それにより上部の酸化防止膜7の機械的破壊による剥離が発生し、反射防止膜開口部48を形成する。高濃度エミッタ層5の表面シート抵抗は40Ω/□以下になるようにし、低濃度エミッタ層6の表面シート抵抗よりも20Ω/□小さい値をターゲット値とした。レーザはグリーンレーザを用いた。波長は515nmまたは532nmであり、レーザ媒質は、Nd:YAG、またはNd:YVO4である。p型シリコン基板1への浸透深さは2μm程度である。また、レーザの単位面積当たりの出力であるフルエンスは2.0J/cm2が好ましい。また、レーザ照射による反射防止膜開口時のレーザのスポット形状は一辺が30~80μmの矩形とするのが好ましい。次に、図4dに示すように、p型シリコン基板1の裏面に、アルミニウムペースト14と銀ペースト15を塗布し、乾燥する。また、高濃度エミッタ層5上に銀ペースト46を塗布し、乾燥する。このとき、銀ペースト46にガラスフリットを含む銀ペーストを使用すると、高濃度エミッタ層5上に反射防止膜が無いため焼成時に銀ペースト46がファイヤースルー効果により高濃度エミッタ層5を浸食し、pn接合部分を破壊する虞がある。そのため、銀ペースト46にはガラスフリットを含まない銀ペーストを用いる必要がある。また、銀ペースト46の塗布領域は、反射防止膜開口部48と同じであるか、大きくする必要がある。銀ペースト46の塗布領域が反射防止膜開口部48より小さい場合、高濃度エミッタ層5が露出した領域が発生し、太陽電池特性を低下させる原因となるためである。次に、図4eに示すように、p型シリコン基板1を焼成して、高濃度エミッタ層5上に受光面銀電極49を形成する。焼成の際に、銀ペースト46はファイヤースルーすることなく高濃度エミッタ層5と接続する。p型シリコン基板1の裏面には、裏面電極10、BSF層11、アルミニウム電極12がそれぞれ形成される。このようにして、太陽電池41を作製する。よって、複数回のPTG液塗布を行うことなく、PTG液塗布工程を1回にするのみで、選択エミッタ構造を形成することができる。また、高濃度エミッタ層を形成するための膜を予め形成する必要はない。上記に示した本発明の製造方法で、ガラスフリットを含む金属ペースト材料を用いた第1の実施形態の製造方法で作製した太陽電池を実施例1、ガラスフリットを含まない金属ペースト材料を用いた第2の実施形態の製造方法で作製した太陽電池を実施例2とし、図6に記載の特許文献1に開示されている製造方法で作製した太陽電池を比較例として、太陽電池の変換効率を比較した。実施例1および実施例2で用いた高濃度エミッタ層形成および、高濃度エミッタ層上の反射防止膜の開口時のグリーンレーザの条件を下記に示す。Qスイッチパルスレーザ波長:532nmパルス幅:100nsフルエンス:1.5J/cm2スポット形状:300μmの矩形Qスイッチパルスレーザ波長:532nmパルス幅:1200nsフルエンス:2.0J/cm2スポット形状:80μmの矩形表1に結果を示す。表1は、実施例1、実施例2及び比較例共、それぞれ10サンプルについて測定を行い、その平均値とし、比較例を1.000とした場合の実施例1及び実施例2の値である。表1の結果から、比較例と実施例1との変換効率の差は、ほとんどないことが確認できた。したがって、上記より、ドーパントを含む反射防止膜、および低濃度エミッタ層を形成した後、反射防止膜上からレーザを照射することで、低濃度エミッタ層よりもドーパント濃度が高い高濃度エミッタ層を形成して選択エミッタ構造を形成することができるため、工程数を削減して、効率的に太陽電池を製造することができる。太陽電池の反射防止膜として使用する膜をドーパント源として用いるので、レーザ照射後、その膜を除去して新たに反射防止膜を作製する必要はない。また、実施例2と比較例との変換効率の差から、ガラスフリットによる高濃度エミッタ層への電極材料の浸食を抑制し、pn接合部分の破壊を防ぎ、特性を向上させることができた。なお、受光面銀電極が、フィンガー電極と集電極とからなり、フィンガー電極は、太陽電池で発生したキャリアを収集するための電極であり、集電極は、フィンガー電極で収集したキャリアをさらに集め、太陽電池同士を接続する際に用いるインターコネクタを接続するための電極であるならば、高濃度エミッタ層は、少なくともフィンガー電極の下に形成する。今回、p型シリコン基板について記載したが、n型シリコン基板を用いることも可能である。その場合は、エミッタ層はp型ドーパントとなり、反射防止膜はp型ドーパントが含まれた膜となる。