"物体を露光して前記物体上にパターンを形成する露光装置であって、第1波長の第1の光と該第1波長と異なる第2波長の第2の光とを、切り替えて又は同時に、それぞれ第1面上に配置された第1パターンを有する第1マスク及び第2面上に配置された第2パターンを有する第2マスクに、照明光として照射し、前記第1及び第2の光に対して色収差を最適化可能な構成部分を少なくとも有し、前記第1パターンと前記第2パターンとの重なり部から成る合成パターンの像をその像面に形成可能な光学系と、前記第1マスクを保持する第1保持部材と、前記第2マスクを保持する第2保持部材と、前記物体を保持する第3保持部材と、を、備える露光装置。前記光学系は、前記第1の光と前記第2の光とを、それぞれ前記第1パターン、前記第2パターンに、同時に照射し、前記第1パターンを介した前記第1の光と前記第2パターンを介した前記第2の光とを、同じ光軸上に合成して前記物体上に照射する請求項1に記載の露光装置。前記光学系は、前記第1の光と前記第2の光とを切り替えて、前記照明光として、前記第1パターンが形成された前記第1マスクに照射し、前記第1マスクを介した前記照明光を前記第2面に照射し、前記第1パターンの像を、前記第2面に配置された前記第2マスク上に形成する第1光学系と、前記第2マスクを介した前記照明光を物体上に照射し、前記第2パターンと前記第1パターンとを重ね合わせた合成パターンの像を、前記物体上に形成する第2光学系と、を含む請求項1に記載の露光装置。床面に設置されたベースフレームをさらに備え、前記第1光学系は、前記ベースフレームに吊り下げ状態で防振支持されている請求項3に記載の露光装置。前記第2保持部材は、前記第2面に実質的に沿って移動する請求項4に記載の露光装置。前記ベースフレームに防振支持された第1ベースをさらに備え、前記第2保持部材は、前記第1ベース上で移動する請求項5に記載の露光装置。前記第2保持部材には、前記第2マスクを2枚前記第2面に平行な2次元平面内の第1軸に平行な方向に並べて載置可能であり、前記第2保持部材は、少なくとも前記第1軸に平行な方向に移動する請求項5又は6に記載の露光装置。前記第1保持部材は、前記第1面に実質的に沿って移動する請求項5~7のいずれか一項に記載の露光装置。前記ベースフレームに防振支持された第2ベースをさらに備え、前記第1保持部材は、前記第2ベース上で移動する請求項8に記載の露光装置。前記第1保持部材の位置情報を計測する第1位置計測系と、前記第2保持部材の位置情報を計測する第2位置計測系と、前記第1光学系の位置情報を計測する第3位置計測系と、前記第1、第2及び第3位置計測系の位置情報に基づいて、前記第1、第2保持部材の少なくとも一方を制御して、前記第1保持部材、前記第2保持部材及び前記第1光学系の3者間の位置関係を、サーボ制御する制御系と、を、さらに備える請求項8又は9に記載の露光装置。前記光学系は、前記第1面、前記第2面及び前記第2光学系の結像面に対して光学的に共役な面に配置された視野絞りを有する請求項3~10のいずれか一項に記載の露光装置。前記第1、及び第2の光の一方は、ArFエキシマレーザ光と同一波長の光であり、前記第1、及び第2の光の他方は、KrFエキシマレーザ光と同一波長の光である請求項1~11のいずれか一項に記載の露光装置。請求項1~12のいずれか一項に記載の露光装置を用いて、物体を露光して前記物体上に前記第1パターンと前記第2パターンとの重なり部から成る合成パターンの像を形成することと、露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。物体を露光して前記物体上にパターンを形成する露光方法であって、第1波長の第1の光に対する感度が高く、前記第1波長と異なる第2波長の第2の光に対して感度が低い第1感光層と前記第2の光に対する感度が高く前記第1の光に対して感度が低い第2感光層とを前記物体上に積層状態で形成することと、前記第1の光で第1パターンを照明し、該第1パターンを介した前記第1の光を第1光学系を介して前記物体上に照射し、前記第1感光層を露光して前記第1パターンの潜像を形成することと、前記第2の光で第2パターンを照明し、該第2パターンを介した照明光を、前記第1光学系を含む第2光学系を介して前記物体上に照射し、前記第2感光層を露光して前記第2パターンの潜像を形成することと、を含む露光方法。前記第1パターンの潜像と前記第2パターンの潜像は、一方が他方に対して少なくとも一部重なった状態で形成される請求項14に記載の露光方法。前記第1パターンの潜像と前記第2パターンの潜像との重なり部は、前記第1光学系の解像限界より微細なサイズのパターンの像を含む請求項15に記載の露光方法。前記第1光学系と前記第2光学系とは、同一の光学系であり、前記第1パターンの潜像を形成することと、前記第2パターンの潜像を形成することとは、時間的に前後して行われる請求項14~16のいずれか一項に記載の露光方法。前記第1パターンの潜像を形成することと、前記第2パターンの潜像を形成することとは、同時に行われる請求項14~16のいずれか一項に記載の露光方法。前記第2光学系は、前記第1パターンが配置される第2面と前記物体の表面とを共役関係にする前記第1光学系と、前記第2面と前記第2パターンが配置される第1面とを共役関係にする第3光学系とを含み、前記第1の光と前記第2の光とが、同時に、前記第2パターン、前記第3光学系、前記第1パターン及び前記第1光学系を、順次経由して、前記物体上に照射される請求項18に記載の露光方法。前記第1、及び第2の光の一方は、ArFエキシマレーザ光と同一波長の光であり、前記第1、及び第2の光の他方は、KrFエキシマレーザ光と同一波長の光である請求項14~19のいずれか一項に記載の露光方法。請求項14~20のいずれか一項に記載の露光方法により物体上にパターンを形成することと、パターンが形成された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。本発明の第1の態様によれば、物体を露光して前記物体上にパターンを形成する露光装置であって、第1波長の第1の光と該第1波長と異なる第2波長の第2の光とを、切り替えて又は同時に、それぞれ第1面上に配置された第1パターンを有する第1マスク及び第2面上に配置された第2パターンを有する第2マスクに、照明光として照射し、前記第1及び第2の光に対して色収差を最適化可能な構成部分を少なくとも有し、前記第1パターンと前記第2パターンとの重なり部から成る合成パターンの像をその像面に形成可能な光学系と、前記第1マスクを保持する第1保持部材と、前記第2マスクを保持する第2保持部材と、前記物体を保持する第3保持部材と、を、備える露光装置が、提供される。これによれば、光学系により、第1の光と第2の光とが、切り替えて又は同時に、第1保持部材によって保持され第1面上に配置された第1パターンを有する第1マスク及び第2保持部材によって保持され第2面上に配置された第2パターンを有する第2マスクに、照明光として照射される。そして、第1パターンと第2パターンとの重なり部から成る合成パターンの像が、その像面に第3保持部材によって保持された物体上に形成される。従って、物体上に感光層が形成されている場合、その感光層が、前記合成パターンの像で露光される。特に、感光層が、第1の光、第2の光にそれぞれ感度を有する第1、第2のレジスト層が形成されている場合には、第1の光と第2の光とを同時に第1マスク、第2マスクにそれぞれ照明光として照射することにより、第1の光で照射された第1パターンの像と第2の光で照射された第2パターンの像との重なり部から成る合成パターンの像が第1、第2のレジスト層に形成される。本発明の第2の態様によれば、本発明の露光装置を用いて、物体を露光して前記物体上に前記第1パターンと前記第2パターンとの重なり部から成る合成パターンの像を形成することと、露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。本発明の第3の態様によれば、物体を露光して前記物体上にパターンを形成する露光方法であって、第1波長の第1の光に対する感度が高く、前記第1波長と異なる第2波長の第2の光に対して感度が低い第1感光層と前記第2の光に対する感度が高く前記第1の光に対して感度が低い第2感光層とを前記物体上に積層状態で形成することと、前記第1の光で第1パターンを照明し、該第1パターンを介した前記第1の光を第1光学系を介して前記物体上に照射し、前記第1感光層を露光して前記第1パターンの潜像を形成することと、前記第2の光で第2パターンを照明し、該第2パターンを介した照明光を、前記第1光学系を含む第2光学系を介して前記物体上に照射し、前記第2感光層を露光して前記第2パターンの潜像を形成することと、を含む露光方法が、提供される。これによれば、第1及び第2パターンの重なり部のパターンである微細なパターンを物体上に形成することが可能となる。本発明の第4の態様によれば、本発明の露光方法により物体上にパターンを形成することと、パターンが形成された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。《第1実施形態》以下、第1の実施形態を、図1~図5Bに基づいて説明する。図1には、第1の実施形態の露光装置100の概略構成が示されている。露光装置100は、ステップアンドスキャン方式の投影露光装置、いわゆるスキャナである。後述するように、本実施形態では、投影光学系PLが設けられているので、以下においては、投影光学系PLの光軸AXpと平行な方向をZ軸方向、これに直交する面内で第2レチクルR21又はR22とウエハWとが相対走査される走査方向をY軸方向、Z軸及びY軸に直交する方向をX軸方向とし、X軸、Y軸、及びZ軸回りの回転傾斜方向をそれぞれθx、θy、及びθz方向として、説明を行う。露光装置100は、光源部50図1では不図示、図2参照に、不図示の送光光学系を介して接続された照明光学系IOP、第1レチクルR1を保持してXY平面に平行な面内で移動する第1レチクルステージRST1、2枚の第2レチクルR21、R22を同時に保持してXY平面に平行な面内で移動する第2レチクルステージRST2、第1レチクルR1のパターン面と第2レチクルR21又はR22のパターン面とを光学的に共役な関係にする副投影光学系以下、副光学系と略記する60、第2レチクルに形成されたパターンの像をウエハW上に投影する投影ユニットPU、ウエハWを保持してXY平面内で移動するウエハステージWST、及びこれらの制御系、並びに副光学系60、投影ユニットPU、及び第1、第2レチクルステージRST1,RST2等が搭載されたボディBD等を、備えている。光源部50は、図2に示されるように、第1光源52及び第2光源54と、該2つの光源からそれぞれ発せられる波長の異なる第1、第2の光IL1、IL2を切り換えて、又は同時に照明光学系IOPに対して、送光光学系を介して送光する切り換え装置56とを有している。切り換え装置56は、主制御装置120によって制御される。ここで、説明の便宜上、他の構成部分に先立って、ボディBDについて簡単に説明する。ボディBDは、床面F上に設置された本体コラム30と、本体コラム30上に設置された光学系支持コラム35とを備えている。本体コラム30は、床面F上に所定の位置関係で配置された複数、例えば4本の脚部331と、該複数の脚部331によって水平に支持された本体フレーム32とを有している。本体フレーム32は、所定厚さの所定形状、例えば矩形の板状部材から成り、その-Y側の端部が例えば2本の脚部331によって下方から支持されるとともに、そのY軸方向の中央より幾分Y側の部分が、例えば2本の脚部331によって下方から支持されている。本体フレーム32の、Y側の脚部331より僅かにY側の位置には、後述する照明光ILの通路となる開口32aが形成されている。また、本体フレーム32の、Y側の脚部331と-Y側の脚部331とのほぼ中央の部分には、投影ユニットPUの上部がその内部に挿入される開口32bが形成されている。光学系支持コラム35は、本体フレーム32上面のY側の端部に固定された脚部332と、脚部332の上に片持ち状態で固定された支持フレーム31とを有している。照明光学系IOPは、床面F上の本体コラム30のY側の脚部331のY側かつ本体フレーム32の下方に設置されている。照明光学系IOPは、光源部50から送光光学系を介して送られてきた第1の光IL1及び/又は第2の光IL2を不図示のオプティカルインテグレータ等を介して照明光ILに変換し、不図示の視野絞りレチクルブラインド又はマスキングシステムとも呼ばれるによって設定又は制限される視野絞りの配置面に共役な第1面第1レチクルR1のパターン面に一致上でX軸方向図1における紙面直交方向に細長く伸びるスリット状の照明領域IAR1を、前述の開口32a及び後述する開口RB1aを介して、照明光露光光ILを用いてほぼ均一な照度で照明する。照明光学系IOPの構成は、例えば米国特許出願公開第2003/0025890号明細書などに開示される照明光学系と同様に構成されている。本実施形態では、第1の光IL1として例えばKrFエキシマレーザ光波長248nmが、第2の光IL2として例えばArFエキシマレーザ光波長193nmが、それぞれ用いられている。第1レチクルステージRST1はその底面に設けられた複数の気体静圧軸受、例えばエアベアリングを介して、照明光学系IOPの上方Z側に配置された第1レチクルベースRB1上に非接触状態で支持されている。第1レチクルベースRB1は、照明光学系IOPの射出端のほぼ真上の本体フレーム32上に水平XY平面に平行に配置され、複数の防振装置320を介して本体フレーム32に支持されている。第1レチクルステージRST1は、例えばリニアモータ等を含む第1レチクルステージ駆動系111図1では不図示、図2参照によって、第1レチクルベースRB1上でX,Y2次元方向に駆動されるようになっており、θz方向にも微小回転可能になっている。第1レチクルステージRST1のXY平面内の位置情報θz方向の回転情報を含むは、第1レチクルレーザ干渉計以下、第1レチクル干渉計という141によって、移動鏡121又は第1レチクルステージRST1の端面に形成された反射面を介して、例えば0.25nm程度の分解能で常時検出される。第1レチクル干渉計141の計測情報は、主制御装置120図1では不図示、図2参照に供給される。主制御装置120は、第1レチクル干渉計141からの計測情報に基づいて、第1レチクルステージ駆動系111を介して第1レチクルステージRST1のY軸方向の位置及びX軸方向の位置、並びにθz方向の回転を制御する。第1レチクルステージRST1上には、第1レチクルR1が、そのパターン面を上方Z側、すなわち照明光学系IOPとは反対側に向けて載置されている。このパターン面が、前述した第1面、すなわち照明光学系IOP内の視野絞りの配置面と共役な面に一致している。なお、第1レチクルR1は、そのパターン面を下方-Z側に向けて第1レチクルステージRST1上に保持させることもできるが、その場合には、そのパターン面に、照明光学系IOP内の視野絞りの配置面と共役な面を一致させる必要がある。第1レチクルベースRB1には、Z軸方向に貫通する開口RB1aが形成されている。開口RB1aは、前述の開口32aにほぼ対向している。照明光学系IOPから射出された照明光ILは、本体フレーム32の開口32a、第1レチクルベースRB1の開口、及び第1レチクルステージRST1の開口不図示を、順次通って第1レチクルR1のパターン面Z側の面に照射される。副光学系60は、光学系支持コラム35の支持フレーム31に複数の防振装置310を介して水平XY平面に平行に吊り下げ支持されている。副光学系60は、光学系支持コラム35から振動的に分離されている。副光学系60は、その光軸に沿って配列された複数の光学素子レンズエレメント後述する投影光学系PLを構成するレンズエレメントと区別してスレーブレンズと呼ぶを有している。副光学系60は、例えば両側テレセントリックで投影倍率が等倍の等倍の反射屈折系である。副光学系60の第1面物体面上に第1レチクルR1のパターン面が、第2面像面上に後述する第2レチクルR2R21又はR22のパターン面が配置される。そのため、第1レチクルR1を介した照明光ILは、副光学系60により、第2レチクルR2R21又はR22に向けて送光される。副光学系60は、その結像特性、例えば収差を調整する第1の結像特性補正装置411を備えている。第1の結像特性補正装置411は、照明光ILの波長すなわち光IL1,IL2に応じて副光学系60の収差を補正して、第2レチクルR2のパターン面に結像される第1レチクルR1のパターンの像の結像状態を調整し、あるいは良好に維持するために用いられる。第1の結像特性補正装置411は、ピエゾ素子等のアクチュエータによって光軸に平行な方向に微小駆動及び光軸に対して傾斜駆動可能な一部のレンズエレメントと、そのアクチュエータの駆動量を測定するエンコーダ等のセンサと、その計測結果に基づいて、アクチュエータを制御するコントローラとを含む。コントローラは、主制御装置120からの指示に従ってアクチュエータを制御する。第1の結像特性補正装置411は、副光学系60の光学特性、例えば、球面収差結像位置の収差、コマ収差倍率の収差、非点収差、像面湾曲、歪曲収差ディストーション等の諸収差結像特性を調整することができる。本実施形態では、予め光IL1,IL2の一方の波長に合わせて副光学系60の結像特性を初期調整しておき、他方の光を照明光ILとして用いる場合に第1の結像特性補正装置411を用いて結像特性を調整することとしている。この場合、一方の光を照明光ILとして再度用いる場合には、初期調整状態に戻せば良い。ただし、いずれの波長の光を用いる場合にも、第1レチクルR1の熱膨張変形、レンズの熱膨張変形等によるパターン像の歪み等は、従来と同様に補正することが望ましい。レンズの熱膨張変形等によるパターン像の歪みの補正については、例えば米国特許出願公開第2008/0218714号明細書に開示される方法を適用することができる。副光学系60の位置は、変位計測系61図1では不図示、図2参照により計測され、計測情報は、主制御装置120に供給される図2参照。主制御装置120は、変位計測系61からの計測情報に基づいて、第1及び第2レチクルステージRST1,RST2を、副光学系60に対して相対駆動することで、副光学系60の位置変化よるパターンの像の形成誤差を補正する。第2レチクルステージRST2は、その底面に設けられた複数の気体静圧軸受、例えばエアベアリングを介して、副光学系60の下方-Z側に配置された第2レチクルベースRB2上に非接触状態で支持されている。第2レチクルベースRB2は、本体フレーム32に複数の防振装置320を介して水平XY平面に平行に支持されている。第2レチクルステージRST2のXY平面内の位置情報θz方向の回転情報を含むは、第2レチクルレーザ干渉計以下、第2レチクル干渉計という142によって、移動鏡122又は第2レチクルステージRST2の端面に形成された反射面を介して、例えば0.25nm程度の分解能で常時検出される。第2レチクル干渉計142の計測情報は、主制御装置120図1では不図示、図2参照に供給される。主制御装置120は、第2レチクル干渉計142からの計測情報に基づいて、第1レチクルステージ駆動系111と同様に構成された第2レチクルステージ駆動系112図1では不図示、図2参照を介して第2レチクルステージRST2のY軸方向の位置及びX軸方向の位置、並びにθz方向の回転を制御する。第2レチクルステージRST2は、例えば米国特許第6,327,022号などに開示されるいわゆるダブルレチクルホルダ方式のレチクルステージであり、2枚の第2レチクルR21、R22を、Y軸方向に並べて載置することができる。第2レチクルステージRST2上に2枚の第2レチクルR21、R22が、そのパターン面を下方-Z側に向けて載置されている。照明光ILによって第1レチクルR1上の照明領域IAR1が照明されると、第1レチクルR1を透過した照明光ILが副光学系60を介して第2レチクルR2に照射され、照明領域IAR1と共役な第2レチクルR2R21又はR22上の照明領域IAR2が照明される。なお、第2レチクルR21、R22は、そのパターン面を上方Z側に向けて第2レチクルステージRST2上に保持させることもできるが、その場合には、それぞれのパターン面に、副光学系60の像面を一致させる必要がある。投影ユニットPUは、第2レチクルステージRST2の下方-Z側に配置されている。投影ユニットPUは、筐体40の高さ方向のほぼ中央に一体的に設けられたフランジFLGを介して鏡筒定盤メトロロジーフレームとも呼ばれる38に支持されている。鏡筒定盤38は、本体フレーム32に複数の防振装置330を介して水平XY平面に平行に吊り下げ支持されている。鏡筒定盤38は、本体フレーム32に対して振動的に分離されている。投影ユニットPUは、そのフランジFLGより下方の部分が、鏡筒定盤38に形成された円形開口又はフランジFLGの下端部が係合する段付きの円形開口内に挿入され、上部が前述の開口32b内に挿入され、さらに上端部が、第2レチクルベースRB2の底面に形成された凹部内に挿入されている。投影ユニットPUは、鏡筒定盤38以外の部材には、非接触である。第2レチクルベースRB2には、照明光ILの通路となる開口RB2aが形成されている。このため、第2レチクルR2を透過した照明光ILは、第2レチクルステージRST2の開口不図示、第2レチクルベースRB2の開口RB2aを、順次通って後述する投影光学系PL内に入射する。投影ユニットPUは、筐体40と、該筐体40の内部に光軸AXpに沿って配列された複数の光学素子レンズエレメント前述の副光学系60を構成するスレーブレンズと区別してマスターレンズと呼ぶから成る投影光学系PLとを有する。投影光学系PLは、例えば両側テレセントリックで、所定の投影倍率例えば1/4倍、1/5倍又は1/8倍などを有する。このため、第1レチクルR1を透過した照明光ILにより第2レチクルR2上の照明領域IAR2が照明されると、第2レチクルR2を透過した照明光ILは投影光学系PLを介してウエハWに照射され、第1レチクルR1上の照明領域IAR1内のパターンと第2レチクルR2上の照明領域IAR2内のパターンとの重なり部から成る合成パターンの縮小像が、投影光学系PLの結像面上に配置されたウエハW上に結像される。投影光学系PLには、その結像特性、例えば収差を調整する第2の結像特性補正装置412が備えられている。しかし、投影光学系PLは、第1、第2の光IL1,IL2の両者に対して色収差があるレベル以下に抑えられていることが望ましい。第2の結像特性補正装置412は、前述の第1の結像特性補正装置411と同様に構成され、同様に機能する。但し、この第2の結像特性補正装置412の方が、調整量の数が多く、より細かく調整が可能である。ここで、結像特性補正装置411,412の結像特性の補正のための調整量の算出方法として、例えば、米国特許出願公開第2002/0159040号明細書、米国特許出願公開第2006/0007418号明細書、米国特許出願公開第2005/0206850号明細書などに開示される波面収差ツェルニケ多項式の各項の係数、ツェルニケ感度、及び調整量等との関係式を用いる算出方法を用いることができる。ウエハWの表面には、レジスト感光材が塗布されている。第1レチクルR1上の照明領域IAR1内のパターンと第2レチクルR2上の照明領域IAR2内のパターンとの重なり部から成る合成パターンの縮小像が、照明領域IAR1,IAR2に共役なウエハW上の領域以下、露光領域とも呼ぶIAに投影される。第1及び第2レチクルステージRST1,RST2とウエハステージWSTとの同期駆動により、照明領域IAR1,IAR2照明光ILに対して第1及び第2レチクルR1,R2R21、R22を走査方向Y軸方向に相対駆動し、同時に露光領域IA照明光ILに対してウエハWを走査方向Y軸方向に相対駆動することにより、ウエハW上の1つのショット領域区画領域が走査露光され、そのショット領域内に第1レチクルR1と第2レチクルR21又はR22の重なり部から成る合成パターンが転写される。図1に戻り、ウエハステージWSTは、リニアモータ等を含むステージ駆動系24図1では不図示、図2参照によって、ステージベース22上をX軸方向、Y軸方向に所定ストロークで駆動されるとともに、Z軸方向、θx方向、θy方向、及びθz方向に微小駆動される。ウエハステージWST上に、ウエハWが、ウエハホルダ不図示を介して例えば真空吸着等によって保持されている。なお、ウエハステージWSTは、単一の6自由度駆動ステージに限らず、各ステージの駆動方向を組み合わせることで、ウエハWを6自由度駆動可能となる複数のステージによって構成しても良い。ウエハステージWSTのXY平面内の位置情報回転情報ヨーイング量θz方向の回転量θz、ピッチング量θx方向の回転量θx、ローリング量θy方向の回転量θyを含むは、レーザ干渉計システム18によって、移動鏡16又はウエハステージWSTの端面に形成された反射面を介して、例えば0.25nm程度の分解能で常時検出される。干渉計システム18の計測情報は、主制御装置120に供給される図2参照。主制御装置120は、干渉計システム18からの計測情報に基づいて、ステージ駆動系24を介してウエハステージWSTのXY平面内の位置θz方向の回転を含むを制御する。また、ウエハWの表面のZ軸方向の位置及び傾斜は、例えば米国特許第5,448,332号明細書等に開示される斜入射方式の多点焦点位置検出系から成るフォーカスセンサAF図1では不図示、図2参照によって計測される。このフォーカスセンサAFの計測情報も主制御装置120に供給される図2参照。投影ユニットPUの側面には、ウエハWに形成されたアライメントマーク等を検出するウエハアライメント系以下、アライメント系AS図1では不図示、図2参照が設けられている。アライメント系ASとして、一例として画像処理方式の結像式アライメントセンサの一種であるFIAFieldImageAlignment系が用いられている。露光装置100では、さらに、第2レチクルステージRST2の上方に、例えば米国特許第5,646,413号明細書等に開示される、露光波長の光を用いたTTRThroughTheReticleアライメント系から成る一対のレチクルアライメント系13図1では不図示、図2参照が設けられている。レチクルアライメント系13の検出信号は、主制御装置120に供給される図2参照。図2には、本実施形態の露光装置100の制御系を中心的に構成する主制御装置120の入出力関係が、ブロック図にて示されている。主制御装置120は、CPU中央演算処理装置、ROMリードオンリメモリ、RAMランダムアクセスメモリ等から成るいわゆるマイクロコンピュータ又はワークステーションを含み、装置全体を統括して制御する。次に、上述のようにして構成された本実施形態の露光装置100の動作を、簡単に説明する。ここでは、一例として、第2レチクルステージRST2に、一枚の第2レチクルR2のみを搭載する場合について説明する。露光に先立って、レチクルローダ不図示によって、第1レチクルR1が第1レチクルステージRST1上にロードされる。同時に、第2レチクルR2が第2レチクルステージRST2上にロードされる。さらに、露光装置100に併設されたコータデベロッパ不図示によりその表面に感光層レジスト層が形成されたウエハWが、ウエハローダ不図示によって、ウエハステージWSTのウエハホルダ不図示上にロードされる。以降、通常のスキャナと同様に、主制御装置120によって、一対のレチクルアライメント系13、ウエハステージWST上の基準マーク板不図示、及びアライメント系AS等を用いて、第2レチクルR2のレチクルアライメント及びアライメント系ASのベースライン計測等が行われる。これらの準備作業に続いて、主制御装置120により、例えばいわゆるショット内多点EGAなどのウエハアライメントアライメント計測が実行される。レチクルアライメント及びアライメント系ASのベースライン計測については、例えば米国特許第5,646,413号明細書などに詳細に開示されており、これに続くショット内多点EGAについては、例えば米国特許第6,876,946号明細書などに開示されている。上記ショット内多点EGAにより、ウエハ上のショット領域の配列座標、及び各ショット領域の倍率を含む変形量倍率、回転、直交度が、求められる。そこで、主制御装置120は、照明光ILの波長に基づいて、必要に応じ、第1、第2の結像特性補正装置411、412を用いて副光学系60、投影光学系PLをそれぞれ構成するレンズ素子を駆動して、副光学系60、投影光学系PLの結像特性収差の補正を行う。この際、主制御装置120は、上記のショット内多点EGAで得られた各ショット領域の倍率を含む変形量倍率、回転、直交度なども考慮して、第2の結像特性補正装置412を用いて投影光学系PLの収差の補正を行う。主制御装置120は、アライメント計測ショット内多点EGAで得られたウエハW上のショット領域の配列座標と、先に計測したアライメント系ASのベースラインとに基づいて、ウエハステージWSTをウエハW上の各ショット領域の走査開始位置に移動させるステッピング動作と、第2レチクルステージRST2とウエハステージWSTとを投影光学系PLの投影倍率に応じた速度比でY軸方向に沿って互いに逆向きに同期移動すると同時に、第2レチクルステージRST2と第1レチクルステージRST1とをY軸方向に沿って同一速度で同期移動する走査露光動作と、を繰り返して、ウエハW上の全ショット領域に、第1レチクルR1のパターンと第2レチクルR2のパターンとの重なり部から成る合成パターンの像をそれぞれ転写する。次に、露光装置100で行われる、第1の露光方法について、説明する。ここでは、図3Aに示されるパターンRP0をウエハW上の各ショット領域に転写形成する場合を取り上げる。この場合、レチクルアライメントに先立って、第2レチクルステージRST2上に、図3Bに示されるパターンRP1が形成された第2レチクルR21と、図3Cに示されるパターンRP2が形成された第2レチクルR22とが、ロードされる。ここで、パターンRP1は、横長の矩形状の開口パターンであり、その長手方向に直交する方向の長さ寸法は、第2の光IL2波長193nmのArFエキシマレーザ光を用いて投影光学系PLを介して像面に投影する場合の解像限界と同程度に設定されている。また、パターンRP2は、2つの正方形状の開口パターンが、所定間隔隔てて配置されたパターンであり、各開口パターンは、第1の光IL1波長248nmのKrFエキシマレーザ光を用いて投影光学系PLを介して像面に投影する場合に、問題なく解像できる寸法である。但し、2つの正方形状の開口パターン同士の間隔は、第2の光IL2波長193nmのArFエキシマレーザ光を用いて投影光学系PL介して像面に投影する場合の解像限界より小さな長さ寸法になっている。また、第1レチクルステージRST1上には、第1レチクルR1として、ウエハ上の各ショット領域に対応する大きさ、形状の矩形の開口パターンが形成された透過型レチクルがロードされる。また、ウエハステージWST上には、ウエハWがロードされるが、このウエハWの上面には、図3Fに示されるように、光IL2ArFエキシマレーザ用のレジスト層RG1と、光IL1KrFエキシマレーザ用のレジスト層RG2とが、積層形成されている。レジスト層RG1,RG2は、互いに異なる感光波長波長依存性を有する。すなわち、レジスト層RG1は、照明光IL2の照射によって感光するが、照明光IL1に対する感度が低く、照明光IL1の照射によって感光しない。一方、レジスト層RG2は、照明光IL1の照射によって感光するが、照明光IL2に対する感度が低く、照明光IL2の照射によって感光しない。そして、前述のレチクルアライメント及びアライメント系ASのベースライン計測及びウエハアライメントが実行される。この場合、レチクルアライメントは、第2レチクルR21、R22のそれぞれに対して行われる。そして、露光に使用される照明光ILの波長ここでは、照明光ILとして光IL2が用いられるに基づいて、必要に応じ、副光学系60、投影光学系PLをそれぞれ構成するレンズ素子を駆動及び投影光学系PLの収差の補正等が行われる。そして、主制御装置120により、切り換え装置56を介して第2光源54が選択され、照明光IL光IL2の下で、第1レチクルR1、第2レチクルR21及びウエハWがそれぞれ用いられて、前述したステップアンドスキャン方式の露光が行われる。これにより、第2レチクルR21のパターンRP1と、第1レチクルR1の開口パターンとの重なり部から成る合成パターン第2レチクルR21のパターンRP1は、第1レチクルR1の開口パターンに完全に含まれるので、合成パターンは、パターンRP1と同一パターンになるの像が、ウエハW上の全ショット領域のそれぞれに転写形成される。図3E中の信号波形I1は、パターンRP2の空間像の光強度を示す。これにより、レジスト層RG1が照明光IL光IL2で感光され、ウエハW上の各ショット領域には、図3D及び図3F中に示される潜像RP1’が、形成される。図3Eにおいて、符号Ithは、レジストが感光するスレッショルドレベルを示す。次いで、露光に使用される照明光ILの波長ここでは、照明光ILとして光IL1が用いられるに基づいて、必要に応じ、副光学系60、投影光学系PLをそれぞれ構成するレンズ素子を駆動及び投影光学系PLの収差の補正等が行われる。そして、主制御装置120により、切り換え装置56を介して第1光源52が選択され、照明光IL光IL1の下で、第1レチクルR1、第2レチクルR22及びウエハWがそれぞれ用いられて、前述したステップアンドスキャン方式の露光が行われる。これにより、第2レチクルR22のパターンRP2と、第1レチクルR1の開口パターンとの重なり部から成る合成パターン第2レチクルR21のパターンRP2は、第1レチクルR1の開口パターンに完全に含まれるので、合成パターンは、パターンRP2と同一パターンになるの像が、ウエハW上の全ショット領域のそれぞれに、潜像RP1’に重ねて転写形成される。図3E中の信号波形I2は、パターンRP2の空間像の光強度を示す。これにより、レジスト層RG2が照明光IL光IL1で感光され、ウエハW上の各ショット領域には、図3D及び図3F中に示される潜像RP2’が、形成される。上述のように、異なる波長の照明光IL1,IL2を用いて、第2レチクルR21,R22のパターンRP1,RP2の像をウエハW上の異なる感光波長波長依存性を有するレジスト層RG1、RG2に重ねて転写することにより、それらの合成パターン図3Aにおける白抜きパターンとして目的のパターンRP0がウエハW上に解像される。ここで、パターンRP0は、解像限界を超えるパターンである。この第1の露光方法によると、第2レチクルステージRST2に予め2枚の第2レチクルR21、R22がロードされているので、1枚目のレチクルの露光終了後に、レチクル交換、レチクルアライメントなどを行うことなく、2枚目のレチクルの露光を、光源を切り替え、照明条件等を2枚目のレチクルに合わせて変更するなどの作業を行うだけで、開始することができる。すなわち、ダブルレチクルホルダ方式のレチクルステージを用いた高スループットの2重露光が可能になる。ダブルレチクルホルダ方式のレチクルステージを用いた高スループットの2重露光については、例えば米国特許第6,327,022号明細書などに開示されている。次に、露光装置100で行われる、第2の露光方法について、説明する。この場合も、図3Aに示されるパターンRP0をウエハW上の各ショット領域に転写形成する場合を取り上げる。この場合、レチクルアライメントに先立って、第2レチクルステージRST2上に、前述のパターンRP1、RP2が、所定の位置関係で形成された図4Aに示される主レチクルCRがロードされる。また、第1レチクルステージRST1上には、図4Bに示される開口パターンMPが形成されたマスキングレチクルMRが、ロードされる。ここで、主レチクルCRは、パターンRP1、RP2に対応する開口パターンが形成された透過型のレチクルであり、マスキングレチクルMRは、開口パターンMPが形成された透過型のレチクルである。開口パターンMPの形状及び大きさは、パターンRP1、RP2の形状及び大きさから定められている。また、ウエハステージWST上には、前述したレジスト層RG1、RG2が、積層形成されたウエハWがロードされる。そして、前述のレチクルアライメント及びアライメント系ASのベースライン計測及びウエハアライメントが実行される。そして、露光に使用される照明光ILの波長ここでは、照明光ILとして光IL2が用いられるに基づいて、必要に応じ、副光学系60、投影光学系PLをそれぞれ構成するレンズ素子を駆動及び投影光学系PLの収差の補正等が行われる。そして、主制御装置120により、切り換え装置56を介して第2光源54が選択され、照明光IL光IL2の下で、主レチクルCR、マスキングレチクルMR及びウエハWがそれぞれ用いられて、前述したステップアンドスキャン方式の露光が行われる。但し、この場合、第1レチクルステージRST1を第2レチクルステージRST2に対する相対位置を、図5Aに示されるように初期設定して、第1レチクルステージRST1と第2レチクルステージRST2とを同一速度で同期移動して走査露光が行われる。これにより、マスキングレチクルMRの開口パターンMPと、主レチクルCRのパターンRP1との重なり部から成る合成パターン、すなわちパターンRP1の像が、ウエハW上の全ショット領域のそれぞれに転写形成される。これにより、レジスト層RG1が照明光IL光IL2で感光され、ウエハW上の各ショット領域には、図3D及び図3F中に示される潜像RP1’が、形成される。次いで、露光に使用される照明光ILの波長ここでは、照明光ILとして光IL1が用いられるに基づいて、必要に応じ、副光学系60、投影光学系PLをそれぞれ構成するレンズ素子を駆動及び投影光学系PLの収差の補正等が行われる。そして、主制御装置120により、切り換え装置56を介して第1光源52が選択され、照明光IL光IL1の下で、主レチクルCR、マスキングレチクルMR、及びウエハWがそれぞれ用いられて、前述したステップアンドスキャン方式の露光が行われる。但し、この場合、第1レチクルステージRST1を第2レチクルステージRST2に対する相対位置を、図5Bに示されるように初期設定して、第1レチクルステージRST1と第2レチクルステージRST2とを同一速度で同期移動して走査露光が行われる。これにより、主レチクルCRのパターンRP2と、マスキングレチクルMRの開口パターンMPとの重なり部から成る合成パターン、すなわちパターンRP2の像が、ウエハW上の全ショット領域のそれぞれに、潜像RP1’に重ねて転写形成される。これにより、レジスト層RG2が照明光IL光IL1で感光され、ウエハW上の各ショット領域には、図3D及び図3F中に示される潜像RP2’が、形成される。上述のように、第2の露光方法では、マスキングレチクルMRを用いて、主レチクルCRのパターンRP1、RP2が形成されたパターン領域の一方を、対応する照明光IL1,IL2を用いて照明する。そして、パターンRP1,RP2をウエハW上の異なる感光波長波長依存性を有するレジスト層RG1、RG2に重ねて転写することにより、それらの合成パターン図3Aにおける白抜きパターンとして目的のパターンRP0がウエハW上に解像される。以上説明した第2の露光方法によっても、第1の露光方法と同様、解像限界を超える照明光の波長よりも微細なパターンをウエハ上に解像することが可能となる。また、第2の露光方法では、パターンRP1、RP2が形成された1つの主レチクルCRと、マスキングレチクルMRとを用いる。ここで、マスキングレチクルMRでは、開口パターンMPの形成に高い精度は要求されない。従って、高精度な第1パターンRP1が形成された第2レチクルR21と、高精度な第2パターンRP2が形成された第2レチクルR22とを用いる第1の露光方法と比較すると、レチクルの製造、管理コストの低減が期待される。また、第2の露光方法では、開口パターンMPを介した必要最小限の照明光のみが主レチクルCRに照射されるため、大部分が遮光部で光吸収率が高く熱膨張し易い、主レチクルCRの熱膨張変形の程度も最小限に抑えることが可能となる。以上詳細に説明したように、本実施形態の露光装置100、及びその第1、第2の露光方法では、第2の光IL2を照明光ILとして、パターンRP1を介した照明光ILを、投影光学系PLを介して第1及び第2感光層RG1,RG2が設けられたウエハW上の各ショット領域に照射し、第1の光IL1を照明光ILとして、パターンRP2を介した照明光ILを、投影光学系PLを介して第1及び第2感光層RG1,RG2が設けられたウエハW上の各ショット領域に照射する。これにより、レジスト層RG1、RG2のそれぞれにパターンRP1、RP2の重なり部の合成パターン目的のパターンRP0の潜像が形成される。従って、解像限界を超える照明光の波長よりも微細なパターンをウエハ上に解像することが可能となる。そして、露光済みのウエハWを現像することで、パターンRP0のレジスト像レジストパターンがウエハWの各ショット領域に形成される。また、本実施形態の露光装置100によると、ダブルレチクルホルダ方式のレチクルステージを用いた高スループットの2重露光が可能になる。また、主レチクルとして複数のカッティングパターンが所定の位置関係で形成されたカッティングレチクルを用い、マスキングレチクルとして、そのカッティングパターンに対応する開口パターンが形成されたマスキングレチクルを用いることで、カッティング露光を1枚のカッティングレチクルと1枚のマスキングレチクルとで、途中に現像プロセスを入れることなく、多重露光の方法で、実現することが可能になる。なお、上記実施形態において、副光学系60の入射端と射出端の少なくとも一方に、対応するレチクルR1又はR2に対して、所定のクリアランス3mm以下を介して対向する対向面を有するパージカバーを取り付け、レチクルの上方にほぼ気密状態の空間を形成し、この空間の内部をドライエア等のパージガスでガスパージすることとしても良い。これにより、そのパージカバーに対向するレチクルのヘイズを低下させることができる。また、そのレチクルR1又はR2に対向する対向面の少なくとも一部を、レチクルの温度を調整する温度調整デバイスによって構成しても良い。なお、上記実施形態では、パターンRP1,RP2を個別にウエハW上のレジスト層RG1、RG2に転写することとしたが、レジスト層RG1、RG2は異なる感光波長波長依存性を有するため、パターンのサイズ及び配置によっては、同時に、同一のショット領域内のレジスト層RG1、RG2に転写することも可能である。例えば、2つのパターンを重ねることなく、ウエハ上の各ショット領域に転写する場合には、第2レチクルステージRST2に第2の光IL2の解像限界程度のサイズのパターンが形成されたレチクル便宜上第3レチクルと呼ぶをロードし、第1レチクルステージRST1に第1の光IL1で解像できるサイズのパターンが形成されたレチクル便宜上第4レチクルと呼ぶをロードして、切り換え装置56で第1、第2の光源52,54の両者を照明光学系IOPに接続し、照明光ILとして第1の光IL1と第2の光IL2とを同時に用いて、前述の照明領域IAR1を照明して、前述した第2の露光方法と同様の露光を行う。これにより、ウエハW上のレジスト層RG1、RG2のそれぞれに、第3レチクルのパターン、第4レチクルのパターンの像を解像させることができる。しかるに、上述した露光装置100において、第1の光IL1と第2の光IL2とを同時に用いる方法は、2つのパターンを重ねることなく、ウエハ上の各ショット領域に転写する場合には、適用が可能だが、2つのパターンに重なり部がある場合には、両パターンのサイズ等によっては、適用できない場合が考えられる。次に、2つのパターンに重なり部があっても、支障なく、第1の光IL1と第2の光IL2とを同時に用いて露光を行うことができる、第2の実施形態を説明する。《第2の実施形態》図6には、第2の実施形態の露光装置100’の構成が概略的に示されている。露光装置100’は、第1照明系IOP1、第2照明系IOP2、第1レチクルステージRST1、第2レチクルステージRST2、投影光学系PLを含む投影ユニットPU、及びウエハステージWST、並びにこれらの制御系を備えている。第1照明系IOP1は、例えば米国特許出願公開第2003/0025890号明細書に開示される照明系と同様に構成され、光源であるKrFエキシマレーザからの波長248nmの光を照明光IL1として、第1レチクルステージRST1上に載置された第1レチクルR1上でX軸方向に延びるスリット状の照明領域IAR1を均一な照度で照明する。第2照明系IOP2は、第1照明系IOP1と同様に構成され、光源であるArFエキシマレーザからの波長193nmの光を照明光IL2として、第2レチクルステージRST2上に載置された第2レチクルR2上でX軸方向に延びるスリット状の照明領域IAR2を均一な照度で照明する。第1及び第2レチクルステージRST1,RST2は、それぞれ、移動鏡121、122を介して第1及び第2レチクル干渉計141,142によりその位置が計測され、これらの計測結果が主制御装置120図7参照に供給されている。主制御装置120は、レチクル干渉計141,142の計測結果に基づいて、レチクルステージ駆動系111,112を介して、第1及び第2レチクルステージRST1,RST2を独立に駆動位置制御する。投影ユニットPUは、筐体鏡筒40と、鏡筒40内に所定の位置関係で配置された複数の光学部材レンズ、ミラー等から成る投影光学系PLとを有している。投影光学系PLは、例えば米国特許出願公開第2007/0013885号明細書などに開示される投影光学系と同様に構成され、第1レチクルR1を介した照明光IL1と、第2レチクルR2を介した照明光IL2とを、同じ光軸AXp上に合成してウエハWに照射する。投影光学系PLは、例えば両側テレセントリックな反射屈折系であり、その投影倍率は、1/4あるいは1/5等である。また、投影光学系PLは、照明光IL1,IL2の両者に対して色収差があるレベル以下に抑えられている。投影光学系PLには、結像特性補正装置41図7参照が備えられており、結像特性補正装置41により、照明光IL1,IL2の両者に対して投影光学系PLの結像特性諸収差が補正される。ウエハステージWSTは、第1の実施形態と同様に構成され、ステージ駆動系24図6では不図示、図7参照によって、ステージベース22上をX軸方向、Y軸方向に所定ストロークで駆動されるとともに、Z軸方向、θx方向、θy方向、及びθz方向に微小駆動される。ウエハステージWSTのXY平面内の位置情報回転情報ヨーイング量θz方向の回転量θz、ピッチング量θx方向の回転量θx、ローリング量θy方向の回転量θyを含むは、干渉計システム18によって、移動鏡16又はウエハステージWSTの端面に形成された反射面を介して、例えば0.25nm程度の分解能で常時検出される。干渉計システム18の計測情報は、主制御装置120に供給される図7参照。主制御装置120は、干渉計システム18からの計測情報に基づいて、ステージ駆動系24を介してウエハステージWSTのXY平面内の位置θz方向の回転を含むを制御する。その他、露光装置100’は、第1の実施形態の露光装置100と同様に、フォーカスセンサAF、アライメント系AS、及びレチクルR1、R2のそれぞれのレチクルアライメントに用いられる各一対、合計4つのレチクルアライメント系13いずれも図6では不図示、図7参照を備えている。図7には、本第2の実施形態の露光装置100’の制御系を中心的に構成する主制御装置120の入出力関係が、ブロック図にて示されている。主制御装置120は、マイクロコンピュータ又はワークステーションを含み、装置全体を統括して制御する。露光に先立って、レチクルローダ不図示によって、第1レチクルR1として、前述のレチクルR22が第1レチクルステージRST1上にロードされる。同時に、第2レチクルR2として、前述のレチクルR21が第2レチクルステージRST2上にロードされる。さらに、露光装置100’に併設されたコータデベロッパ不図示によりその表面に感光層レジスト層RG1,RG2図3F参照が形成されたウエハWが、ウエハローダ不図示によって、ウエハステージWSTのウエハホルダ不図示上にロードされる。以降、通常のスキャナと同様に、主制御装置120によって、2対のレチクルアライメント系13、ウエハステージWST上の基準マーク板不図示、及びアライメント系AS等を用いて、レチクルR22、R21のレチクルアライメント及びアライメント系ASのベースライン計測等が行われる。これらの準備作業に続いて、主制御装置120により、例えばいわゆるショット内多点EGAなどのウエハアライメントアライメント計測が実行される。上記ショット内多点EGAにより、ウエハ上のショット領域の配列座標、及び各ショット領域の倍率を含む変形量倍率、回転、直交度が、求められる。そこで、主制御装置120は、結像特性補正装置41を用いて投影光学系PLの結像特性収差の補正を行う。この際、主制御装置120は、上記のショット内多点EGAで得られた各ショット領域の倍率を含む変形量倍率、回転、直交度なども考慮して、結像特性補正装置41を用いて投影光学系PLの収差の補正を行う。主制御装置120は、アライメント計測ショット内多点EGAで得られたウエハW上のショット領域の配列座標と、先に計測したアライメント系ASのベースラインとに基づいて、ウエハステージWSTをウエハW上の各ショット領域の走査開始位置に移動させるステッピング動作と、第1及び第2レチクルステージRST1,RST2とウエハステージWSTとを投影光学系PLの投影倍率に応じた速度比でY軸方向に同期移動する走査露光動作と、を繰り返す。これにより、照明光IL2の下でのレチクルR21のパターンの像と、照明光IL1の下でのレチクルR22のパターンの像とを、ウエハW上の各ショット領域に、同時に形成する。これにより、同一のショット領域内のレジスト層RG1、RG2のそれぞれにレチクルR21,R22のパターンRP1、RP2の潜像が形成され、両者の合成パターンとしてパターンRP0がウエハW上に解像される。以上説明したように、本第2の実施形態によると、前述の第1の実施形態における第1の露光方法と同等の効果を得られる他、照明光IL2の下でのレチクルR21のパターンの像と、照明光IL1の下でのレチクルR22のパターンの像とを用いたウエハWの露光を同時に行うことができるので、これらを個別にかつ順次行う場合と比べて、スループットが向上する。なお、上記第1及び第2の実施形態では、波長の異なる2種類の照明光を用いて、パターンRP1,PR2を、その2種類の照明光のそれぞれに感光する第1及び第2感光層RG1,RG2に転写することとした。しかし、これに限らず、波長の異なる3種類以上の照明光にそれぞれ感光する3以上の感光層をウエハW上に形成し、その3種類以上の照明光を用いて、3以上のパターンをウエハW上の3以上の感光層に個別に、あるいは同時に転写することも可能である。これにより、さらに微細なパターンをウエハ上に解像することが可能となる。なお、上記各実施形態では、第1、第2のレチクル干渉計141、142により第1、第2レチクルステージRST1、RST2の位置が計測され、干渉計システム18によりウエハステージWSTの位置が計測される場合について例示した。しかし、これに限らず、第1、第2のレチクル干渉計141、142に代えて、あるいはこれとともに、エンコーダ複数のエンコーダから構成されるエンコーダシステムを用いても良い。同様に、干渉計システム18に代えて、あるいはこれとともに、エンコーダ複数のエンコーダから構成されるエンコーダシステムを用いても良い。また、上記各実施形態では、露光装置が、液体水を介さずにウエハWの露光を行うドライタイプである場合について説明したが、これに限らず、例えば国際公開第99/49504号、欧州特許出願公開第1420298号明細書、国際公開第2004/055803号、米国特許第6952253号明細書などに開示されているように、投影光学系とウエハとの間に照明光の光路を含む液浸空間を形成し、投影光学系及び液浸空間の液体を介して照明光でウエハを露光する露光装置にも上記各実施形態を適用することができる。また、例えば米国特許出願公開第2008/0088843号明細書に開示される、液浸露光装置などにも、上記各実施形態を適用することができる。また、上記各実施形態では、露光装置がステップアンドスキャン方式等の走査型露光装置である場合について説明したが、これに限らず、ステッパなどの静止型露光装置に上記各実施形態を適用しても良い。また、例えば米国特許第6,590,634号明細書、米国特許第5,969,441号明細書、米国特許第6,208,407号明細書などに開示されているように、複数のウエハステージを備えたマルチステージ型の露光装置にも上記各実施形態を適用できる。また、例えば国際公開第2005/074014号などに開示されているように、ウエハステージとは別に、計測部材例えば、基準マーク、及び/又はセンサなどを含む計測ステージを備える露光装置にも上記各実施形態は適用が可能である。また、光源は、ArFエキシマレーザに限らず、KrFエキシマレーザ出力波長248nm、F2レーザ出力波長157nm、Ar2レーザ出力波長126nm、Kr2レーザ出力波長146nmなどのパルスレーザ光源、g線波長436nm、i線波長365nmなどの輝線を発する超高圧水銀ランプなどを用いることも可能である。また、YAGレーザの高調波発生装置などを用いることもできる。この他、例えば米国特許第7023610号明細書に開示されているように、真空紫外光としてDFB半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム又はエルビウムとイッテルビウムの両方がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。なお、上記各実施形態でパターンを形成すべき物体エネルギビームが照射される露光対象の物体はウエハに限られるものでなく、ガラスプレート、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど他の物体でも良い。露光装置の用途としては半導体製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置や、有機EL、薄膜磁気ヘッド、撮像素子CCD等、マイクロマシン及びDNAチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも上記各実施形態を適用できる。半導体素子などの電子デバイスは、デバイスの機能性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、前述した実施形態の露光装置パターン形成装置及びその露光方法によりマスクレチクルのパターンをウエハに転写するリソグラフィステップ、露光されたウエハを現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記各実施形態の露光装置を用いて前述の露光方法が実行され、ウエハ上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。"