封止領域を有するガラス基板を用意する工程と、封着ガラスとレーザ吸収材とを含む封着材料を有機バインダと混合して調製した封着材料ペーストを、前記ガラス基板の前記封止領域上に枠状に塗布する工程と、レーザ光を前記封着材料ペーストの枠状塗布層に沿って走査しながら照射し、前記レーザ光で前記枠状塗布層全体を加熱することにより、前記枠状塗布層内の前記有機バインダを除去しつつ、前記封着材料を焼成して封着材料層を形成する工程とを具備し、前記ガラス基板はコンパクション値が60ppm以下であることを特徴とする封着材料層付きガラス部材の製造方法。前記ガラス基板は歪点が600°C以上であることを特徴とする請求項1記載の封着材料層付きガラス部材の製造方法。前記封着ガラスの軟化温度T°Cに対して前記封着材料の加熱温度がT80°C以上T550°C以下の範囲となるように、前記レーザ光を前記枠状塗布層に照射することを特徴とする請求項1または2記載の封着材料層付きガラス部材の製造方法。前記枠状塗布層の既に焼成された部分と少なくとも一部が重なる照射終了位置に接近した位置から前記照射終了位置までの終了領域における前記レーザ光の走査速度を、前記終了領域を除く前記枠状塗布層に沿った走査領域における前記レーザ光の走査速度より減速させることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項記載の封着材料層付きガラス部材の製造方法。前記走査領域における前記レーザ光の走査速度を3~20mm/秒の範囲に制御し、かつ前記終了領域における前記レーザ光の走査速度を前記枠状塗布層の前記焼成部分から前記レーザ光のビーム径の1.2倍手前の位置における前記走査速度が2mm/秒以下となるように制御することを特徴とする請求項4記載の封着材料層付きガラス部材の製造方法。前記レーザ光の前記照射終了位置を、前記枠状塗布層の前記焼成部分と一部が重なる位置から前記レーザ光の重複照射領域が前記レーザ光のビーム径の20倍以下となる位置までの範囲内に設定することを特徴とする請求項4または5記載の封着材料層付きガラス部材の製造方法。前記封着材料ペーストの枠状塗布層は、焼成後の厚さが15μm以下となる厚さを有することを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項記載の封着材料層付きガラス部材の製造方法。前記封着材料は、0.1~40体積の前記レーザ吸収材と0~50体積の範囲の低膨張充填材とを、前記レーザ吸収材と前記低膨張充填材との合計量として0.1~50体積の範囲で含むことを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1項記載の封着材料層付きガラス部材の製造方法。第1の封止領域が設けられた第1の表面を有する第1のガラス基板を用意する工程と、第2の封止領域が設けられた第2の表面を有する第2のガラス基板を用意する工程と、封着ガラスとレーザ吸収材とを含む封着材料を有機バインダと混合して調製した封着材料ペーストを、前記第1のガラス基板の前記第1の封止領域上に枠状に塗布する工程と、焼成用レーザ光を前記封着材料ペーストの枠状塗布層に沿って走査しながら照射し、前記レーザ光で前記枠状塗布層全体を加熱することにより、前記枠状塗布層内の前記有機バインダを除去しつつ、前記封着材料を焼成して封着材料層を形成する工程と、前記第1の表面と前記第2の表面とを対向させつつ、前記封着材料層を介して前記第1のガラス基板と前記第2のガラス基板とを積層する工程と、前記第1のガラス基板または前記第2のガラス基板を通して封着用レーザ光を前記封着材料層に沿って走査しながら照射し、前記封着材料層を溶融および固化させて、前記第1のガラス基板と前記第2のガラス基板との間の間隙を気密に封止する封着層を形成する工程とを具備し、前記第1のガラス基板はコンパクション値が60ppm以下であることを特徴とする気密部材の製造方法。前記第1のガラス基板は歪点が600°C以上であることを特徴とする請求項9記載の気密部材の製造方法。前記第2のガラス基板はコンパクション値が170ppm以下であることを特徴とする請求項9または10記載の気密部材の製造方法。前記封着ガラスの軟化温度T°Cに対して前記封着材料の加熱温度がT80°C以上T550°C以下の範囲となるように、前記焼成用レーザ光を前記枠状塗布層に照射することを特徴とする請求項9ないし11のいずれか1項記載の気密部材の製造方法。前記枠状塗布層の既に焼成された部分と少なくとも一部が重なる照射終了位置に接近した位置から前記照射終了位置までの終了領域における前記焼成用レーザ光の走査速度を、前記終了領域を除く前記枠状塗布層に沿った走査領域における前記焼成レーザ光の走査速度より減速させることを特徴とする請求項9ないし12のいずれか1項記載の気密部材の製造方法。本発明の目的は、レーザ光による局所加熱を適用して封着材料層を形成するにあたって、封着材料層を良好に形成しつつ、ガラス基板の局部的な過熱によるクラックの発生等を再現性よく抑制することを可能にした封着材料層付きガラス部材の製造方法と気密部材の製造方法を提供することにある。本発明の封着材料層付きガラス部材の製造方法は、封止領域を有するガラス基板を用意する工程と、封着ガラスとレーザ吸収材とを含む封着材料を有機バインダと混合して調製した封着材料ペーストを、前記ガラス基板の前記封止領域上に枠状に塗布する工程と、レーザ光を前記封着材料ペーストの枠状塗布層に沿って走査しながら照射し、前記レーザ光で前記枠状塗布層全体を加熱することにより、前記枠状塗布層内の前記有機バインダを除去しつつ、前記封着材料を焼成して封着材料層を形成する工程とを具備し、前記ガラス基板はコンパクション値が60ppm以下であることを特徴としている。本発明の気密部材の製造方法は、第1の封止領域が設けられた第1の表面を有する第1のガラス基板を用意する工程と、第2の封止領域が設けられた第2の表面を有する第2のガラス基板を用意する工程と、封着ガラスとレーザ吸収材とを含む封着材料を有機バインダと混合して調製した封着材料ペーストを、前記第1のガラス基板の前記第1の封止領域上に枠状に塗布する工程と、焼成用レーザ光を前記封着材料ペーストの枠状塗布層に沿って走査しながら照射し、前記レーザ光で前記枠状塗布層全体を加熱することにより、前記枠状塗布層内の前記有機バインダを除去しつつ、前記封着材料を焼成して封着材料層を形成する工程と、前記第1の表面と前記第2の表面とを対向させつつ、前記封着材料層を介して前記第1のガラス基板と前記第2のガラス基板とを積層する工程と、前記第1のガラス基板または前記第2のガラス基板を通して封着用レーザ光を前記封着材料層に沿って走査しながら照射し、前記封着材料層を溶融および固化させて、前記第1のガラス基板と前記第2のガラス基板との間の間隙を気密に封止する封着層を形成する工程とを具備し、前記第1のガラス基板はコンパクション値が60ppm以下であることを特徴としている。本発明の封着材料層付きガラス部材の製造方法によれば、封着材料層を良好に形成しつつ、ガラス基板の局部的な過熱によるクラックの発生等を再現性よく抑制することができる。従って、そのような封着材料層付きガラス部材を用いて気密部材を製造することで、気密封止性やその信頼性に優れる気密部材を歩留りよく提供することが可能となる。以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して説明する。図1ないし図6は本発明の実施形態による気密部材の製造工程を示す図である。ここで、本発明の実施形態の製造方法を適用する気密部材としては、OELD、FED、PDP、LCD等のFPDにおける表示素子を封止するガラスパッケージ、色素増感型太陽電池、薄膜シリコン太陽電池、化合物半導体系太陽電池等の封止型太陽電池における太陽電池素子を封止するガラスパッケージ、反射鏡の気密パッケージ、複層ガラス等が挙げられる。まず、図1aに示すように、第1のガラス基板1と第2のガラス基板2とを用意する。第1および第2のガラス基板1、2には、例えば各種公知の組成を有する無アルカリガラスやソーダライムガラス等で形成されたガラス基板が用いられる。無アルカリガラスは30~40×107/K程度の熱膨張係数を有している。ソーダライムガラスは80~90×107/K程度の熱膨張係数を有している。第1および第2のガラス基板1、2の少なくとも一方は、化学強化ガラス等であってもよい。封着材料層の形成基材となる第1のガラス基板1には、コンパクション値が60ppm以下のガラス基板が用いられる。ガラス基板のコンパクション値やその規定理由等については、後に詳述する。第1のガラス基板1の表面1aには、図2および図3に示すように、外周領域に沿って枠状の第1の封止領域3が設けられている。第2のガラス基板2の表面2aには、図4に示すように、第1の封止領域3に対応する枠状の第2の封止領域4が設けられている。第1および第2の封止領域3、4は封着層の形成領域となる。また、第1の封止領域3は封着材料層の形成領域となる。第1のガラス基板1と第2のガラス基板2とは、第1の封止領域3を有する表面1aと第2の封止領域4を有する表面2aとが対向するように、所定の間隙を持って配置される。第1のガラス基板1と第2のガラス基板2との間隔は、気密部材の用途等に応じて適宜に設定されものである。この実施形態で製造する気密部材を電子デバイスのガラスパッケージ等として用いる場合には、第1のガラス基板1の表面1aと第2のガラス基板2の表面2aとの間に、電子デバイスに応じた電子素子部が設けられる。電子素子部は、例えばOELDやOEL照明であればOEL素子、FEDであれば電子放出素子、PDPであればプラズマ発光素子、LCDであれば液晶表示素子、太陽電池であれば太陽電池素子を備えるものである。電子素子部には各種公知の構造が適用され、その構成に限定されるものではない。また、気密部材を反射鏡の気密パッケージとして用いる場合には、第1のガラス基板1の表面1aおよび第2のガラス基板2の表面2aの少なくとも一方に金属反射膜が設けられる。第1のガラス基板1の封止領域3には、図1a、図2および図3に示すように、枠状の封着材料層5が形成される。封着材料層5は封着ガラスとレーザ吸収材とを含む封着材料を焼成した材料からなる層である。封着材料は、主成分としての封着ガラスにレーザ吸収材、さらに必要に応じて低膨張充填材等の無機充填材を配合したものである。封着材料はこれら以外の添加材を必要に応じて含有していてもよい。封着ガラスガラスフリットには、例えばビスマス系ガラス、錫-リン酸系ガラス、バナジウム系ガラス、鉛系ガラス等の低融点ガラスが用いられる。これらのうち、ガラス基板1、2に対する封着性接着性やその信頼性接着信頼性や密閉性、さらには環境や人体に対する影響性等を考慮して、ビスマス系ガラスや錫-リン酸系ガラスからなる低融点の封着ガラスを使用することが好ましい。ビスマス系ガラスガラスフリットは、70~90質量のBi2O3、1~20質量のZnO、および2~12質量のB2O3基本的には合計量を100質量とするの組成を有することが好ましい。Bi2O3はガラスの網目を形成する成分である。Bi2O3の含有量が70質量未満であると低融点ガラスの軟化点が高くなり、低温での封着が困難になる。Bi2O3の含有量が90質量を超えるとガラス化しにくくなると共に、熱膨張係数が高くなりすぎる傾向がある。ZnOは熱膨張係数等を下げる成分である。ZnOの含有量が1質量未満であるとガラス化が困難になる。ZnOの含有量が20質量を超えると低融点ガラス成形時の安定性が低下し、失透が発生しやすくなる。B2O3はガラスの骨格を形成してガラス化が可能となる範囲を広げる成分である。B2O3の含有量が2質量未満であるとガラス化が困難となり、12質量を超えると軟化点が高くなりすぎて、封着時に荷重をかけたとしても低温で封着することが困難となる。上記した3成分で形成されるガラスはガラス転移点が低く、低温用の封着材料に適したものであるが、Al2O3、CeO2、SiO2、Ag2O、MoO3、Nb2O3、Ta2O5、Ga2O3、Sb2O3、Li2O、Na2O、K2O、Cs2O、CaO、SrO、BaO、WO3、P2O5、SnOxxは1または2である等の任意成分を含有していてもよい。ただし、任意成分の含有量が多すぎるとガラスが不安定となって失透が発生したり、またガラス転移点や軟化点が上昇するおそれがあるため、任意成分の合計含有量は30質量以下とすることが好ましい。この場合のガラス組成は基本成分と任意成分との合計量が基本的には100質量となるように調整される。錫-リン酸系ガラスガラスフリットは、55~68モルのSnO、0.5~5モルのSnO2、および20~40モルのP2O5基本的には合計量を100モルとするを含む組成を有することが好ましい。SnOはガラスを低融点化させるための成分である。SnOの含有量が55モル未満であるとガラスの粘性が高くなって封着温度が高くなりすぎ、68モルを超えるとガラス化しなくなる。SnO2はガラスを安定化するための成分である。SnO2の含有量が0.5モル未満であると封着作業時に軟化溶融したガラス中にSnO2が分離、析出し、流動性が損なわれて封着作業性が低下する。SnO2の含有量が5モルを超えると低融点ガラスの溶融中からSnO2が析出しやすくなる。P2O5はガラス骨格を形成するための成分である。P2O5の含有量が20モル未満であるとガラス化せず、その含有量が40モルを超えるとリン酸塩ガラス特有の欠点である耐候性の悪化を引き起こすおそれがある。ガラスフリット中のSnOおよびSnO2の割合モルは、以下のようにして求めることができる。まず、ガラスフリット低融点ガラス粉末を酸分解した後、ICP発光分光分析によりガラスフリット中に含有されているSn原子の総量を測定する。次に、Sn2SnOは酸分解したものをヨウ素滴定法により求められるので、そこで求められたSn2の量をSn原子の総量から減じてSn4SnO2を求める。上記した3成分で形成されるガラスはガラス転移点が低く、低温用の封着材料に適したものであるが、SiO2等のガラスの骨格を形成する成分やZnO、B2O3、Al2O3、WO3、MoO3、Nb2O5、TiO2、ZrO2、Li2O、Na2O、K2O、Cs2O、MgO、CaO、SrO、BaO等のガラスを安定化させる成分等を任意成分として含有していてもよい。ただし、任意成分の含有量が多すぎるとガラスが不安定となって失透が発生したり、またガラス転移点や軟化点が上昇するおそれがあるため、任意成分の合計含有量は30モル以下とすることが好ましい。この場合のガラス組成は基本成分と任意成分との合計量が基本的には100モルとなるように調整される。封着材料はレーザ吸収材を含有している。レーザ吸収材としてはFe、Cr、Mn、Co、NiおよびCuから選ばれる少なくとも1種の金属または前記金属を含む酸化物等の化合物が用いられる。これら以外の顔料であってもよい。レーザ吸収材の含有量は封着材料に対して0.1~40体積の範囲とすることが好ましい。レーザ吸収材の含有量が0.1体積未満であると封着材料層5を十分に溶融させることができないおそれがある。レーザ吸収材の含有量が40体積を超えると第2のガラス基板2との界面近傍で局所的に発熱するおそれがあり、また封着材料の溶融時の流動性が劣化して第2のガラス基板2との接着性が低下するおそれがある。好ましくは37体積以下である。さらに、封着材料は必要に応じて0~50体積の範囲で低膨張充填材を含有してもよい。低膨張充填材としては、シリカ、アルミナ、ジルコニア、珪酸ジルコニウム、チタン酸アルミニウム、ムライト、コージェライト、ユークリプタイト、スポジュメン、リン酸ジルコニウム系化合物、石英固溶体、ソーダライムガラスおよび硼珪酸ガラスから選ばれる少なくとも1種を用いることが好ましい。リン酸ジルコニウム系化合物としては、ZrO2P2O7、NaZr2PO43、KZr2PO43、Ca05Zr2PO43、NbZrPO43、Zr2WO3PO42、これらの複合化合物が挙げられる。低膨張充填材とは封着ガラスより低い熱膨張係数を有するものである。低膨張充填材の含有量は、封着ガラスの熱膨張係数がガラス基板1、2の熱膨張係数に近づくように設定することが好ましい。低膨張充填材は封着ガラスやガラス基板1、2の熱膨張係数にもよるが、封着材料に対して0.1~50体積の範囲で含有させることが好ましい。低膨張充填材の含有量は、封着材料層5の厚さ等によっても適宜変更することができる。ただし、低膨張充填材の含有量が50体積を超えると、封着材料の溶融時の流動性が劣化して第1のガラス基板1との接着性が低下するおそれがある。好ましくは45体積以下である。低膨張充填材の含有量はレーザ吸収材との合計含有量として影響するため、これらの合計含有量は0.1~50体積の範囲とすることが好ましい。封着材料層5は以下のようにして形成される。封着材料層5の形成工程について、図5を参照して説明する。図5は本発明の封着材料層付きガラス部材の製造方法の実施形態を示すものである。まず、封着ガラスにレーザ吸収材や低膨張充填材等を配合して封着材料を作製し、これをビヒクルと混合して封着材料ペーストを調製する。ビヒクルは、バインダ成分である樹脂を溶剤に溶解したものである。ビヒクル用の樹脂としては、例えばメチルセルロース、エチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、オキシエチルセルロース、ベンジルセルロース、プロピルセルロース、ニトロセルロース等のセルロース系樹脂、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、ブチルメタクリレート、2-ヒドロキシエチルメタクリレート、ブチルアクリレート、2-ヒドロキシエチルアクリレート等のアクリル系モノマーの1種以上を重合して得られるアクリル系樹脂等の有機樹脂が用いられる。溶剤としては、セルロース系樹脂の場合はターピネオール、ブチルカルビトールアセテート、エチルカルビトールアセテート等の有機溶剤が、アクリル系樹脂の場合はメチルエチルケトン、ターピネオール、ブチルカルビトールアセテート、エチルカルビトールアセテート等の有機溶剤が用いられる。ビヒクル中の樹脂成分は封着材料のバインダとして機能するものであり、封着材料を焼成する以前に除去する必要がある。封着材料ペーストの粘度は、ガラス基板1に塗布する装置に対応した粘度に合わせればよく、樹脂成分有機バインダと溶剤有機溶剤等の割合や封着材料とビヒクルとの割合により調整することができる。封着材料ペーストには、消泡剤や分散剤のようにガラスペーストで公知の添加物を加えてもよい。封着材料ペーストの調製には、攪拌翼を備えた回転式の混合機、ロールミル、ボールミル等を用いた公知の方法を適用することができる。図5aに示すように、第1のガラス基板1の封止領域3に封着材料ペーストを塗布し、これを乾燥させて塗布層6を形成する。封着材料ペーストは、例えばスクリーン印刷やグラビア印刷等の印刷法を適用して第1の封止領域3上に塗布したり、あるいはディスペンサ等を用いて第1の封止領域3に沿って塗布する。塗布層6は、例えば120°C以上の温度で10分以上乾燥させることが好ましい。乾燥工程は塗布層6内の溶剤を除去するために実施するものである。塗布層6内に溶剤が残留していると、その後の焼成工程レーザ焼成工程で有機バインダを十分に除去できないおそれがある。次に、図5bに示すように、封着材料ペーストの塗布層乾燥膜6に焼成用のレーザ光7を照射する。焼成用のレーザ光7を塗布層6に沿って照射して選択的に加熱することで、塗布層6中の有機バインダを除去しつつ、封着材料を焼成して封着材料層5を形成する図5c。焼成用のレーザ光7は特に限定されるものではなく、半導体レーザ、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、YAGレーザ、HeNeレーザ等からのレーザ光が使用される。後述する封着用のレーザ光も同様である。レーザ光7による塗布層6の焼成工程は、必ずしも塗布層6の膜厚に限定されるものではないが、焼成後の厚さ封着材料層5の厚さが15μm以下となるような膜厚を有する塗布層6に対して特に有効である。焼成後の厚さが15μmを超えるような場合には、レーザ光7で塗布層6全体を均一に加熱することができないおそれがある。ただし、塗布層6の形成条件やレーザ光7の照射条件等を調整することによって、焼成後の厚さが150μm以下となる膜厚を有する塗布層6であれば、レーザ光7で焼成できる場合がある。封着材料層5の厚さは実用的には1μm以上とすることが好ましい。焼成用のレーザ光7で封着材料層5を形成するにあたって、まず図6に示すように、封着材料ペーストの枠状塗布層6の照射開始位置Sにレーザ光7を照射する。続いて、レーザ光7を枠状塗布層6に沿って走査しながら照射する。そして、レーザ光7を照射開始位置Sと少なくとも一部が重なる照射終了位置Fまで走査し、枠状塗布層6全体を加熱した後、レーザ光7の照射を終了する。レーザ光7を枠状塗布層6に沿って走査しながら照射するにあたって、枠状塗布層6の加熱温度は封着ガラスの軟化温度T°Cに対してT80°C以上でT550°C以下の範囲とすることが好ましい。封着ガラスの軟化温度Tは、軟化流動するが結晶化しない温度を示すものである。レーザ光7を照射した際の枠状塗布層6の温度は、放射温度計で測定した値とする。枠状塗布層6の温度がT80°C以上でT550°C以下の範囲となるようにレーザ光7を照射すると、封着材料中の封着ガラスが溶融並びに急冷固化され、これにより封着材料が第1のガラス基板1に焼き付けられて封着材料層5が形成される。枠状塗布層6の温度がT80°Cに達しないようなレーザ光7の照射条件下では、枠状塗布層6の表面部分のみが溶融され、枠状塗布層6全体を均一に溶融できないおそれがある。枠状塗布層6の温度がT550°Cを超えるようなレーザ光7の照射条件下では、ガラス基板1や封着材料層焼成層7にクラックや割れ等が生じやすくなる。封着材料ペーストの枠状塗布層乾燥膜6の加熱温度が上記範囲となるように、レーザ光7を走査しながら照射することによって、枠状塗布層6中の有機バインダが熱分解されて除去される。レーザ光7は枠状塗布層6に沿って走査しながら照射されるため、レーザ光7の進行方向前方に位置する部分は適度に予熱されることになる。有機バインダの熱分解は、枠状塗布層6の該当部分にレーザ光7が直に照射されているときに加えて、レーザ光7の進行方向前方の予熱された部分によっても進行する。これらによって、枠状塗布層6中の有機バインダを有効にかつ効率よく除去することができる。具体的には、封着材料層5内の残留カーボン量を低減することができる。残留カーボンは気密部材ガラスパッケージ内の不純物ガス濃度を上昇させる要因となる。レーザ光7は枠状塗布層6に沿って3~20mm/秒の範囲の走査速度で走査しながら照射することが好ましい。枠状塗布層6に沿って走査する際のレーザ光7の走査速度が3mm/秒未満であると、レーザ光7による枠状塗布層6の焼成時間が増加し、封着材料層5を効率よく形成することができない。一方、レーザ光7の走査速度が20mm/秒を超えると、枠状塗布層6全体が均一に加熱される前に表面部分のみが溶融してガラス化されるおそれがあるため、有機バインダの熱分解により生じたガスの外部への放出性が低下する。このため、封着材料層5の内部に気泡が生じたり、表面に気泡による変形が生じやすくなる。さらに、封着材料層5の残留カーボン量も増大しやすい。有機バインダの除去状態が悪い封着材料層5を用いてガラス基板1、2間を封止すると、ガラス基板1、2と封着層との接着強度が低下したり、ガラスパッケージの気密性が低下するおそれがある。さらに、走査速度が3~20mm/秒の範囲のレーザ光7で、枠状塗布層6の加熱温度をT80°C以上でT550°C以下の範囲とするにあたって、レーザ光7は100~1100W/cm2の範囲の出力密度を有することが好ましい。レーザ光7の出力密度が100W/cm2未満であると、枠状塗布層6全体を均一に加熱することができないおそれがある。レーザ光7の出力密度が1100W/cm2を超えると、ガラス基板1が過剰に加熱されてクラックや割れ等が生じやすくなる。図5ではレーザ光7を枠状塗布層6上から照射する状態を示しているが、レーザ光7はガラス基板1を介して枠状塗布層6に照射してもよい。例えば、枠状塗布層6の焼成時間を短縮するためには、レーザ光7の高出力化や走査速度の高速化が有効である。例えば、高出力化したレーザ光7を枠状塗布層6上から照射すると、枠状塗布層6の表面部分のみがガラス化するおそれがある。枠状塗布層6の表面部分のみのガラス化は、上述したような種々の問題を引き起こす。このような点に対して、レーザ光7をガラス基板1側から枠状塗布層6に照射すると、レーザ光7が照射された部分からガラス化したとしても、有機バインダの熱分解により生じたガスを枠状塗布層6の表面から逃すことができる。レーザ光7を枠状塗布層6の上下両面から照射することも有効である。レーザ光7のビーム形状照射スポットの形状は、特に限定されるものではない。レーザ光7のビーム形状は一般的には円形であるが、円形に限られるものではない。レーザ光7のビーム形状は、塗布層6の幅方向が短径となる楕円形としてもよい。ビーム形状を楕円形に整形したレーザ光7によれば、枠状塗布層6に対するレーザ光7の照射面積を拡大することができ、さらにレーザ光7の走査速度を速くすることができる。これらによって、枠状塗布層6の焼成時間を短縮することが可能となる。この実施形態による封着材料層5の形成工程においては、封着材料ペーストの枠状塗布層6に焼成用のレーザ光7を照射して選択的に加熱している。このため、第1のガラス基板1の表面1aにカラーフィルタ等の有機樹脂膜、また素子膜等が形成されているような場合においても、有機樹脂膜や素子膜等に熱ダメージを与えることなく、封着材料層5を良好に形成することができる。さらに、有機バインダの除去性にも優れていることから、封着性や信頼性等に優れる封着材料層5を得ることができる。また当然ながら、焼成用のレーザ光7による封着材料層5の形成工程は、第1のガラス基板1の表面1aに有機樹脂膜や素子膜等が形成されていない場合でも適用可能であり、そのような場合にも封着性や信頼性等に優れる封着材料層5を得ることができる。さらに、レーザ光7による焼成工程は、従来の加熱炉による焼成工程に比べてエネルギー消費量が少なく、また製造工数や製造コストの削減に寄与する。従って、省エネやコスト削減等の観点からも、レーザ光7による封着材料層5の形成工程は有効である。ところで、封着材料ペーストの枠状塗布層6にレーザ光7を照射して封着材料層5を形成するにあたって、封着材料ペーストの塗布条件等を調整しても、枠状塗布層6にはある程度の膜厚のばらつきが生じることが避けられない。例えば、封着材料ペーストを上述したような膜厚となるようにディスペンサで塗布した場合、ペースト塗布膜の膜厚には±2~5μm程度のばらつきが生じる。ペースト塗布膜を乾燥させる際の収縮率は60~70程度であるため、乾燥後の枠状塗布層6は±1.3~4μm程度の膜厚ばらつきを有している。枠状塗布層6の局部的に厚い部分は、薄い部分に比べてレーザ吸収材の存在量が多いため、同一条件のレーザ光7を照射した際の温度上昇が大きくなる。図7に枠状塗布層6の膜厚とレーザ光7を照射した際の枠状塗布層6の加熱温度との関係例を示す。図7は封着材料ペーストを線幅が500μmのライン状に塗布した後に乾燥させた塗布層乾燥膜に、出力が15Wのレーザ光を5mm/秒の走査速度で照射した際の塗布層の膜厚と加熱温度との関係を示している。図7に示すように、塗布層の膜厚が4μmの場合、加熱温度は700°C程度であるのに対し、塗布層の膜厚が9μmになると、加熱温度が800°C前後まで上昇する。このように、枠状塗布層6の膜厚により加熱温度が大きく異なることになる。つまり、枠状塗布層6の膜厚にばらつきが生じていると、レーザ光7を照射した際に部分的な加熱温度に差が生じてしまう。膜厚にばらつきが生じている枠状塗布層6にレーザ光7を照射するにあたって、膜厚が厚い部分を基準にしてレーザ光7の照射条件を設定すると、膜厚が薄い部分は十分に焼成が進まず、表面部分のみが溶融された状態となる。このような部分はレーザ封着工程で接着不良等を生じさせる原因となる。膜厚が薄い部分を基準にしてレーザ光7の照射条件を設定すると、膜厚が厚い部分は過剰に加熱されてしまう。枠状塗布層6が局部的に過剰に加熱されると、その近傍部分のガラス基板1にクラックが生じやすくなる。枠状塗布層6に沿ってレーザ光7を照射する場合、局所的には急熱急冷プロセスとなるため、急冷時にガラス基板1が枠状塗布層6の焼成部分に引っ張られることで生じる応力やガラス基板1自体の急冷により生じる応力によって、ガラス基板1にクラックが生じやすい。図8に示すように、クラックCはレーザ光7の走査方向Xと垂直方向に発生する。なお、ガラス基板1にクラックが生じる場合には、封着材料層5にも同様なクラックCが生じる。上述したような膜厚ばらつきを有する枠状塗布層6にレーザ光7を照射して封着材料層5を形成するにあたって、コンパクション値が60ppm以下のガラス基板1を用いることが有効である。コンパクション熱収縮率とは、加熱処理の際にガラス構造の緩和によって発生するガラス熱収縮率である。本発明におけるコンパクション値Cは、ガラス基板の表面に所定の間隔で圧痕を2箇所打った後、ガラス基板を550°Cまで加熱して室温まで冷却した際の圧痕間隔距離の収縮率ppmを意味するものである。本発明におけるコンパクション値Cは、以下に示す方法で測定した値を意味する。まず、ガラス基板の表面に圧痕を長辺方向に90mmの間隔Aで2箇所打つ。次に、ガラス板を昇温速度100°C/時間で550°Cまで加熱し、550°Cで1時間保持した後に、100°C/時間の降温速度で室温まで冷却する。冷却後に再度圧痕間距離Bを測定する。得られた圧痕間距離A、Bから下式1を用いてコンパクション値Cを算出する。圧痕間距離A、Bは光学顕微鏡を用いて測定する。C[ppm]=A-B/A×106...1コンパクション値Cが小さいということは、ガラス基板1の徐冷が十分になされていることを意味し、高温に加熱された際に拡大した容積が元の容積の近くまで収縮してから固まった状態となっている。一方、コンパクション値Cが大きいということは、高温に加熱された際に拡大した容積が十分に収縮する前に固まった状態、すなわち大きい容積のままで固まった状態となっている。レーザ光7による枠状塗布層6の焼成工程は、局所的な急熱急冷プロセスであるため、封着材料層5やガラス基板1の近傍部分はレーザ光7による焼成工程後に高コンパクションの状態となる。このようなレーザ光7による焼成工程において、元々のコンパクション値Cが小さいガラス基板1は、レーザ光7の照射終了後の急冷時に高コンパクション状態となる封着材料層5に追従して伸びることができる。さらに、ガラス基板1自体が急冷された場合において、元々のコンパクション値Cが小さいために、ガラス基板1が局部的に伸びてレーザ光7の照射に起因する高コンパクション状態に対応することができる。これらによって、枠状塗布層6の局部的な過熱によりガラス基板1に加わる応力を緩和することできる。従って、膜厚ばらつきを有する枠状塗布層6にレーザ光7を照射して封着材料層5を形成する際に、ガラス基板1に生じるクラックを抑制することが可能となる。上記したレーザ光7の照射終了後の急冷時に発生する応力を緩和し、ガラス基板1に生じるクラックを抑制する上で、封着材料層5の形成基材となる第1のガラス基板1のコンパクション値は60ppm以下とされている。ガラス基板1のコンパクション値が60ppmを超えると応力の緩和化効果が不十分となり、枠状塗布層6の膜厚ばらつきに起因するクラックの発生を十分に抑制することができない。第1のガラス基板1のコンパクション値は55ppm以下であることがより好ましい。第1のガラス基板1のコンパクション値の下限値は特に限定されるものではなく、理想的には零である。ただし、第1のガラス基板1の実用的な徐冷工程等を考慮すると、ガラス基板1のコンパクション値は10ppm以上であることが一般的である。さらに、第1のガラス基板1は歪点が600°C以上であることが好ましい。これによって、レーザ光7の照射工程に伴って第1のガラス基板1に生じる応力を低減することができる。第1のガラス基板1の歪点は640°C以上であることがより好ましい。ただし、第1のガラス基板1の歪点を上げるためには、徐冷工程等に基づく製造コストの増加等を招くことから、第1のガラス基板1の歪点は実用的には780°C以下であることが好ましく、725°C以下であることがより好ましい。コンパクション値が60ppm以下、さらに歪点が600°C以上のガラス基板1は、例えばガラス基板の製造工程やそれとは別途に実施される徐冷工程を制御することで得ることができる。ガラス基板1の徐冷工程は、その材質等にもよるが、550°C以上の温度に加熱して所定時間保持した後に、100°C/分以下の降温速度で冷却することが好ましい。ガラス基板1の板厚は0.7mm以下であることが望ましい。上述したように、コンパクション値が60ppm以下のガラス基板1を用いることによって、枠状塗布層6の局部的に膜厚が厚い部分に起因して、レーザ光7による枠状塗布層6の焼成工程でガラス基板1に生じるクラックを抑制することができる。言い換えると、枠状塗布層6に膜厚が薄い部分を十分に焼成することが可能な条件下でレーザ光7を照射した場合においても、膜厚が厚い部分に起因するガラス基板1のクラックを抑制することができる。従って、レーザ光7による枠状塗布層6の焼成工程における加熱温度のマージンを広げることが可能となる。つまり、焼成工程における枠状塗布層6の加熱温度の下限値封着材料層5に未焼成部分が生じない最低温度から上限値ガラス基板1にクラックが生じない最高温度までの幅を広げることができる。レーザ光7による枠状塗布層6の焼成工程における温度マージンを広げることによって、ガラス基板1のクラックを抑制しつつ、枠状塗布層6全体を良好に焼成することができる。レーザ光7による焼成時の温度マージンは70°C以上であることが好ましい。温度マージンを拡大することによって、レーザ光7による枠状塗布層6の焼成工程の安定性や信頼性を高めることが可能になる。すなわち、実施形態の製造工程を適用して作製した封着材料層5を使用することで、ガラス基板1のクラックによる気密部材の製造歩留りや信頼性の低下を抑制しつつ、気密封止性やその信頼性に優れる気密部材を再現性よく提供することが可能となる。ただし、枠状塗布層6の膜厚ばらつきが大きすぎると、それに見合った温度マージンを得ることができないおそれがあるため、膜厚のばらつき幅は4μm以下とすることが好ましい。また前述したように、封着材料ペーストの枠状塗布層6に沿ってレーザ光7を走査しながら照射する場合、枠状塗布層6全体を加熱するためには、枠状塗布層6におけるレーザ光7の照射開始位置Sと照射終了位置Fとが少なくとも一部重なるように設定する必要がある。レーザ光7を走査している間に、封着ガラスの溶融が終了している照射開始位置Sは冷却されて固化している。このため、照射開始位置Sと少なくとも一部が重なる照射終了位置Fにレーザ光7が到達する際に、封着ガラスが表面張力や空隙減少等に起因して収縮しギャップが生じるおそれがある。封着材料層5に生じるギャップが広いと、その後のレーザ封着工程でガラスパッケージの気密封止性を低下させるおそれがある。すなわち、レーザ光7で加熱溶融された封着ガラスの流動性より表面張力が勝ることによって、照射終了位置Fで封着ガラスが収縮してギャップが生じるものと考えられる。このような点に対しては、レーザ光7の照射終了時期に封着ガラスの流動状態を保つようにすることが有効である。レーザ光7が照射終了位置Fに到達する際の封着ガラスの溶融状態を維持し、溶融状態の封着ガラスが固化している封着ガラスと接する時間を長くする、言い換えると溶融状態の封着ガラスを固化している封着ガラス上を流動させることによって、封着ガラスの表面張力等に起因するギャップの発生を抑制することができる。具体的には、枠状塗布層6におけるレーザ光7の照射終了位置Fを、枠状塗布層6の既に焼成された部分既にレーザ光7が照射されて溶融固化した部分と少なくとも一部が重なる位置に設定した場合、照射終了位置Fに接近した位置から照射終了位置Fまでの終了領域におけるレーザ光7の走査速度を、終了領域を除く枠状塗布層6に沿った走査領域におけるレーザ光7の走査速度より減速させることが好ましい。終了領域におけるレーザ光7の走査速度を減速させることによって、溶融状態の封着ガラスを既に固化している封着ガラスに向けて流動させ、溶融状態の封着ガラスを固化状態の封着ガラスと十分に接触させることが可能となる。従って、照射終了位置Fにおける封着ガラスの流動性が不足して収縮することで生じるギャップ幅を狭くすることができる。枠状塗布層6における焼成用レーザ光7の照射終了位置Fは、図9Aに示すように、枠状塗布層6の既に焼成された部分基本的には照射開始位置Sに相当する部分と少なくとも一部が重なる位置に設定する。これによって、封着ガラスを流動状態で一体化することができる。レーザ光7の照射終了位置Fは、図9Bに示すように照射開始位置Sとの重なり量面積比が50以上となる位置に設定することが好ましい。レーザ光7の照射終了位置Fは、図9Cに示すように照射開始位置Sと重なる位置に設定したり、さらに図9Dに示すように照射開始位置Sを超えた位置に設定することがより好ましい。終了領域における溶融状態の封着ガラスを枠状塗布層6の焼成部分固化状態の封着ガラスとより一層良好に接触させることができる。図9Dに示すように、焼成用レーザ光7の照射終了位置Fを、照射開始位置Sを超えた位置に設定する場合、レーザ光7を重複して照射する領域の長さは特に限定されるものではない。ただし、レーザ光7の重複照射領域をあまり長くしても、溶融状態の封着ガラスと固化状態の封着ガラスとの接触性の向上効果をそれ以上高めることができないだけでなく、封着材料層5の形成時間がその分だけ延びて形成効率が低下する。このため、レーザ光7の重複照射領域はレーザ光7のビーム中心を基準として、照射開始位置Sの中心からレーザ光7のビーム径Dの20倍以下の距離とすることが好ましく、レーザ光7のビーム径Dの5倍以下の距離とすることがより好ましい。なお、レーザ光7のビーム形状は、ビーム最大強度の1/e2の強度になる領域で定義する。レーザ光7の速度を減速させる位置終了領域の開始位置は、図10Aに示すように、レーザ光7のビーム中心を基準として、枠状塗布層6の焼成部分焼成端からレーザ光7のビーム径Dの少なくとも1.2倍手前の位置とすることが好ましい。レーザ光7をビーム径Dの1.2倍未満の位置から減速させた場合には、終了領域における溶融状態の封着ガラスと固化状態の封着ガラスとの接触時間が不十分になるおそれがある。レーザ光7の減速開始位置は、枠状塗布層6の焼成端からレーザ光7のビーム径Dの1.2倍以上手前の位置であればよく、ビーム径Dの1.2倍の位置よりさらに手前の位置焼成端からより離れた位置から減速させてもよい。ただし、枠状塗布層6の焼成端から離れすぎた位置から減速すると、その分だけ減速させた状態でのレーザ光7の走査時間が増加し、封着材料層5の形成時間がその分だけ延びて形成効率が低下する。このため、レーザ光7の減速開始位置は、図10Bに示すように、レーザ光7のビーム中心を基準として、枠状塗布層6の焼成端から手前にレーザ光7のビーム径Dの20倍以下の位置とすることが好ましい。このように、レーザ光7の減速開始位置は、枠状塗布層6の焼成端から手前にレーザ光7のビーム径Dの1.2倍以上20倍以下の範囲内に設定することが好ましく、ビーム径Dの1.2倍以上5倍以下の範囲内に設定することがより好ましい。枠状塗布層6に沿って走査する際のレーザ光7の走査速度走査領域におけるレーザ光7の走査速度は、前述したように3~20mm/秒の範囲とすることが好ましい。このような走査領域におけるレーザ光7の走査速度に対して、終了領域ではレーザ光7の走査速度を2mm/秒以下まで減速することが好ましい。これによって、終了領域における溶融状態の封着ガラスを枠状塗布層6の焼成部分固化状態の封着ガラスと良好に接触させることができる。終了領域におけるレーザ光7の走査速度は0.5mm/秒以下まで減速することがより好ましい。終了領域におけるレーザ光7の走査速度の下限値は特に限定されないが、ガラス基板2の過剰加熱や封着材料層5の形成効率の低下等を考慮して0.1mm/秒以上ビーム径Dの1.2倍手前の位置基準とすることが好ましい。終了領域におけるレーザ光7の走査速度は、図11Aおよび図11Bに示すように、レーザ光7のビーム中心を基準として、枠状塗布層6の焼成部分焼成端からレーザ光7のビーム径Dの1.2倍手前の位置で2mm/秒以下とすることが好ましい。レーザ光7の減速開始位置は、上述したように枠状塗布層6の焼成端からレーザ光7のビーム径Dの1.2倍以上手前の位置であればよいため、図11Cに示すように、レーザ光7のビーム径Dの1.2倍手前の位置よりさらに手前の位置焼成端からより離れた位置、すなわちレーザ光7のビーム径Dの1.2倍以上20倍以下の範囲内の位置からレーザ光7を2mm/秒以下の速度で走査してもよい。図11Bおよび図11Cは、終了領域におけるレーザ光7を走査領域の走査速度より減速した一定速度、例えば2mm/秒以下の一定速度で走査する状態を示している。図11Dに示すように、レーザ光7の減速開始位置ビーム径Dの1.2倍以上20倍以下の範囲内から照射終了位置Fまで、所定の減速度でレーザ光7の走査速度を減速させてもよい。この場合にも、レーザ光7のビーム中心が枠状塗布層6の焼成端からレーザ光7のビーム径Dの1.2倍手前の位置に到達した時点における走査速度を2mm/秒以下とすることが好ましい。いずれの場合にも、レーザ光7のビーム径Dの1.2倍手前の位置におけるレーザ光7の走査速度を2mm/秒以下とすることが好まく、これにより照射終了位置Fに生じるギャップ幅を再現性よく狭くすることができる。終了領域におけるレーザ光7の走査速度を走査領域より減速させる際に、終了領域におけるレーザ光7の出力密度を走査領域と同一とした場合には、枠状塗布層6の加熱温度が高くなりすぎるおそれがある。このような場合には、終了領域におけるレーザ光7の出力密度を走査領域より低下させることが好ましい。これによって、枠状塗布層6の過剰な加熱、それによるガラス基板2や封着材料層焼成層5のクラックや割れ等を抑制することができる。ただし、終了領域における枠状塗布層6の加熱温度が上記範囲内であれば、走査領域と同一条件でレーザ光7を照射してもよい。焼成用レーザ光7の照射終了位置Fに生じるギャップは、終了領域におけるレーザ光7の走査速度を走査領域のそれより減速させることで抑制することができる。さらに、照射終了位置Fにおけるギャップ幅は封着材料の流動しやすさにも影響される。封着材料の流動状態は、封着ガラスに添加するレーザ吸収材や低膨張充填材の含有量や粒径等に影響される。このため、レーザ吸収材および低膨張充填材の含有量質量と比表面積m2/gとの積の総和で表される封着材料の流動性阻害因子を300以下とすることが好ましく、さらに好ましくは250以下である。これによって、封着材料の流動性が向上するため、ギャップ幅をより一層狭くすることができる。上述したレーザ焼成工程で形成された封着材料層5を有する第1のガラス基板1と第2のガラス基板2とを用いて、気密部材を作製図1b~dする。すなわち、図1bに示すように、第1のガラス基板1と第2のガラス基板2とを表面1a、2a同士が対向するように封着材料層5を介して積層する。この後、図1cに示すように、第1のガラス基板1を通して封着材料層5に封着用のレーザ光8を照射する。レーザ光8は第2のガラス基板2を通して封着材料層5に照射してもよい。封着用のレーザ光8を枠状の封着材料層5に沿って走査しながら照射し、封着材料層5を順に溶融並びに急冷固化することによって、図1dに示すように第1のガラス基板1と第2のガラス基板2との間隙を気密封止する封着層9を形成して気密部材10を作製する。第1のガラス基板1と第2のガラス基板2との間の空間11は封着層9により気密封止される。次に、封着用レーザ光8による封着層9の形成工程の具体的な条件について述べる。封着用レーザ光8を封着材料層5に照射したときの加熱温度は、封着ガラスの軟化温度T°Cに対してT80°C以上でT550°C以下の範囲とすることが好ましい。封着材料層5の温度がT80°Cに達しないようなレーザ光8の照射条件下では、ガラス基板1、2と封着ガラスとの接着性が不十分になるおそれがある。一方、封着材料層5の温度がT550°Cを超えるようなレーザ光8の照射条件下では、ガラス基板1、2や封着層9にクラックや割れ等が生じやすくなる。レーザ光8は封着材料層5に沿って3~15mm/秒の範囲の走査速度で走査しながら照射することが好ましい。レーザ光8の出力密度は700~5200W/cm2の範囲とすることが好ましい。レーザ光8の照射終了位置は、照射開始位置と重なる位置や照射開始位置を超えた位置に設定することが好ましい。特に、レーザ光8の照射終了位置を照射開始位置を超えた位置に設定することで、レーザ光8の照射開始終了位置に起因する応力を分散させることができる。レーザ光8の重複照射領域はレーザ光8のビーム中心を基準として、照射開始位置の中心からレーザ光8のビーム径Dの20倍以下の距離とすることが好ましく、レーザ光8のビーム径Dの5倍以下の距離とすることがより好ましい。第2のガラス基板2は、第1のガラス基板1と同様に、コンパクション値が小さいことが好ましい。ただし、封着用レーザ光8による封着層9の形成工程封止工程で生じる応力は、焼成用レーザ光7による封着材料層5の形成工程に比べて小さいため、第2のガラス基板2は第1のガラス基板1よりコンパクション値が大きくてもクラック等の発生を抑制することができる。このため、第2のガラス基板2のコンパクション値は170ppm以下であることが好ましい。第2のガラス基板2のコンパクション値は150ppm以下であることがより好ましく、さらに好ましくは60ppm以下である。次に、本発明の具体的な実施例およびその評価結果について述べる。なお、以下の説明は本発明を限定するものではく、本発明の趣旨に沿った形での改変が可能である。実施例1~6、比較例1~10表1に示すガラス転移点、コンパクション値、歪点等を有するガラス基板寸法:90×90mmを用意した。ガラス基板はいずれもアルカリ分を含まないアルミノ珪酸塩ガラスからなり、厚さは表1~3に示した通りである。ガラス基板上に封着材料ペーストをスクリーン印刷法で塗布した。スクリーン印刷には、メッシュサイズが400、乳剤厚が5μmのカレンダータイプのスクリーン版を使用した。線幅が0.65mm、長さが30mmのラインが22本形成されるように、封着材料ペーストをスクリーン印刷法で塗布した後、120°C×10分の条件で乾燥させた。封着材料ペーストの塗布層乾燥膜の平均膜厚は7μmとし、その際の膜厚のばらつき幅は0.5μmであった。封着材料ペーストとしては、以下のようにして調製したものを使用した。まず、Bi2O383質量、B2O35質量、ZnO11質量、Al2O31質量の組成を有し、平均粒径が1μmのビスマス系ガラスフリット軟化温度:410°Cと、低膨張充填材として平均粒径が0.9μm、比表面積が12.4m2/gのコージェライト粉末と、Fe2O3-Al2O3-MnO-CuO組成を有し、平均粒径が0.8μm、比表面積が8.3m2/gのレーザ吸収材とを用意した。上記したビスマス系ガラスフリット66.9体積79.8質量とコージェライト粉末19.2体積8.8質量とレーザ吸収材13.9体積11.4質量とを混合して封着材料を作製した。この封着材料80質量をビヒクル20質量と混合して封着材料ペーストを調製した。ビヒクルはバインダ成分としてのエチルセルロース2.5質量をターピネオールからなる溶剤97.5質量に溶解したものである。コージェライトおよびレーザ吸収材の含有量質量と比表面積m2/gとの積の総和封着材料の流動性阻害因子は203.7である。次に、封着材料ペーストの塗布層を形成したガラス基板を、レーザ照射装置のサンプルホルダ上に厚さ0.5mmのアルミナ基板を介して配置した。波長940nm、ビーム形状が直径1.6mmの円形のレーザ光を、ガラス基板上の封着材料ペーストの塗布層に照射した。レーザ光の走査速度は5mm/秒とした。レーザ光の出力は10~15Wの間で0.5W刻みに変化させ、1つの出力で1つのラインの塗布層を焼成し、その際の塗布層の加熱温度を放射温度計で測定した。このようにして形成した封着材料層とそれを形成する際の加熱温度とから、以下のようにしてレーザ光による封着材料ペーストの塗布層の焼成工程における加熱温度の温度マージンを判定した。封着材料層を金属顕微鏡で観察し、表面に気泡が残っているものを焼成不足と判断した。焼成不足の封着材料層の加熱温度測定温度のうち、最も高い温度を塗布層の加熱温度の下限値とした。次に、ガラス基板のクラックの有無を金属顕微鏡で観察した。クラックは封着材料層を有する状態では観察しにくいため、30の硝酸水溶液にガラス基板を10分間浸漬して封着材料層を除去した。水洗して乾燥させた後、ガラス基板の表面を金属顕微鏡で観察してクラックの有無を判断した。クラックが生じていたガラス基板における封着材料層の加熱温度測定温度のうち、最も低い温度を塗布層の加熱温度の上限値とした。そして、加熱温度の下限値と上限値との差を、塗布層の焼成工程における加熱温度の温度マージンとした。その結果を表1、表2および表3に示す。表1、表2および表3から明らかなように、コンパクション値が60ppm以下のガラス基板を用いることによって、レーザ光による塗布層の焼成工程における加熱温度の温度マージンを拡大することが可能となる。従って、封着材料ペーストの塗布層の膜厚にばらつきが生じている場合であっても、レーザ光の照射時にガラス基板にクラックを生じさせることなく、塗布層全体を良好に焼成することが可能となる。次に、上記した実施例1~6および比較例1~8の各ガラス基板を、それぞれ第1および第2のガラス基板として用いて、以下のようにして気密部材を作製した。まず、各例のガラス基板からなる第1のガラス基板寸法:90×90mmの封止領域に、前述した封着材料ペーストをディスペンサで70×70mmの枠状線幅:0.5mmに塗布した後、120°C×10分の条件で乾燥させた。封着材料ペーストの塗布層乾燥膜の平均膜厚は7μmとし、その際の膜厚のばらつき幅は2.8μmであった。封着材料ペーストの枠状塗布層を形成したガラス基板を、レーザ照射装置のサンプルホルダ上に厚さ0.5mmのアルミナ基板を介して配置した。波長940nm、出力13W、ビーム形状が直径1.5mmの円形のレーザ光を、封着材料ペーストの枠状塗布層に沿って照射した。レーザ光の照射開始位置は封止領域の第1の辺に設定した。レーザ光の走査速度は5mm/秒とした。枠状塗布層の平均加熱温度は780°Cである。レーザ光が枠状塗布層の焼成端から5mmの位置に到達した時点で走査速度を0.5mm/秒まで減速して照射終了位置まで照射した。減速時にレーザ光の出力を7.5Wに低下させた。この際の枠状塗布層の加熱温度は770°Cである。レーザ光の照射終了位置は、重複照射距離が5mmとなるように設定した。このようにして、レーザ光で封着材料ペーストの枠状塗布層全体を焼成して封着材料層を形成した。次いで、封着材料層を有する第1のガラス基板と第2のガラス基板第1のガラス基板と同組成、同形状のガラス基板とを積層した。波長940nm、出力33W、ビーム形状が直径1.5mmの円形のレーザ光を、第1のガラス基板を通して封着材料層に沿って走査しながら照射し、封着材料層を溶融並びに急冷固化することによって、第1のガラス基板と第2のガラス基板とを封着して気密部材を作製した。このようにして得た各例の気密部材について、ガラス基板のクラックの有無と気密性とを調べた。気密部材の気密性はHeリークテスト真空法により測定し、リーク量が0.9×1010[Pam3/s]以下の場合を気密性有りと判定した。これらの測定結果を表4および表5に示す。表4および表5から明らかなように、レーザ焼成工程における加熱温度の温度マージンが広い封着材料層の形成工程を適用して作製した実施例1~6の気密部材は、ガラス基板にクラックの発生が認められず、これにより優れた気密性が得られている。一方、加熱温度の温度マージンが狭い封着材料層の形成工程を適用して作製した比較例1~8の気密部材では、ガラス基板にクラックが発生しており、このため気密性が損なわれている。このように、レーザ焼成工程における加熱温度の温度マージンを広げることによって、レーザ焼成工程およびレーザ封着工程の安定性や信頼性を高めことができる。