"下記式1で表わされる化合物。式中、l、m及びnは、それぞれ1~3の整数である。Ar1~Ar4は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基である。Ar5、Ar6及びAr7は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリーレン基であり、Ar5、Ar6又はAr7が複数存在する場合、Ar5、Ar6又はAr7のそれぞれは、同じでも異なってもよい。pは、0~2の整数であり、pが0の場合、Ar6とNの間は単結合である。但し、Ar1~Ar4の少なくとも1つの置換基は、置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数3~10のシクロアルキル基であり、且つAr1~Ar4の少なくとも1つの置換基は、シアノ基である。前記Ar1~Ar4のうちの2つは置換基を有し、前記置換基の一方は、置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数3~10のシクロアルキル基であり、他方の置換基はシアノ基である請求項1に記載の化合物。前記Ar1~Ar4のうちいずれか2つが、それぞれ独立に、置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数3~10のシクロアルキル基を有する基であり、且つ残りのAr1~Ar4が、それぞれ独立に、シアノ基を有する基である請求項1又は2に記載の化合物。前記Ar1~Ar4が、それぞれ独立に置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基である請求項1~3のいずれかに記載の化合物。前記Ar1及びAr4が、それぞれ独立に、置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数3~10のシクロアルキル基で置換された環形成炭素数6~30のアリール基であり、前記Ar2及びAr3が、それぞれ独立にシアノ基で置換された環形成炭素数6~30のアリール基である請求項1~4のいずれかに記載の化合物。Ar1及びAr4が、それぞれ独立に、置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数3~10のシクロアルキル基で置換されたフェニル基であり、Ar2及びAr3が、それぞれ独立にシアノ基で置換されたフェニル基である請求項1~5のいずれかに記載の化合物。Ar5、Ar6及びAr7が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリーレン基である請求項1~6のいずれかに記載の化合物。Ar5、Ar6及びAr7が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基又はフルオレニレン基である請求項1~7のいずれかに記載の化合物。l=1、m=1及びp=0である請求項1~8のいずれかに記載の化合物。l=1、m=1、n=1及びp=1である請求項1~8のいずれかに記載の化合物。有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料である請求項1~10のいずれか記載の化合物。有機エレクトロルミネッセンス素子用ドーピング材料である請求項1~10のいずれか記載の化合物。陰極と陽極の間に少なくとも発光層を含む1以上の有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも1層が、請求項1~10のいずれかに記載の化合物を単独もしくは混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。前記請求項1~10のいずれか記載の化合物を含有する有機薄膜層が発光層である請求項13に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記請求項1~10のいずれか記載の化合物を含有する有機薄膜層が、下記式5で表わされるアントラセン誘導体をさらに含有する請求項13又は14に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、Ar11及びAr12は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成原子数5~50の単環基、置換もしくは無置換の環形成原子数8~50の縮合環基、又は前記単環基と前記縮合環基との組合せから構成される基であり、R101~R108は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成原子数5~50の単環基、置換もしくは無置換の環形成原子数8~50の縮合環基、及び、前記単環基と縮合環基の組合せから構成される基、置換もしくは無置換の炭素数1~50のアルキル基と縮合環基と基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7~50のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~50のアリールオキシ、置換もしくは無置換のシリル基、ハロゲン原子、シアノ基から選ばれる基である。本発明の芳香族アミン誘導体は下記式1で表わされる化合物である。式中、l、m及びnは、それぞれ1~3の整数である。Ar1~Ar4は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基である。Ar5、Ar6及びAr7は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリーレン基であり、l、m及びnがそれぞれ2以上の場合、Ar5、Ar6及びAr7はそれぞれ同じでも異なってもよい即ち、Ar5、Ar6又はAr7が複数存在する場合、Ar5、Ar6又はAr7のそれぞれは、同じでも異なってもよい。。pは、0~2の整数であり、pが0の場合、Ar6とNの間は単結合である。但し、Ar1~Ar4の少なくとも1つの置換基は、置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数3~10のシクロアルキル基であり、且つAr1~Ar4の少なくとも1つの置換基は、シアノ基である。本発明の芳香族アミン誘導体は、Ar1~Ar4の少なくとも1つが、置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数3~10のシクロアルキル基を有する基置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基であり、Ar1~Ar4の少なくとも1つが、シアノ基を有する基置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基である。本発明の芳香族アミン誘導体は、置換シリル基、アルキル基又はシクロアルキル基と、シアノ基によって同時に置換されることで、ホストドーピングシステムのドーパント材料として使用した際に、キャリア注入性が大幅に改善される。これにより、本発明の芳香族アミン誘導体を用いた有機EL素子は、低電圧化を実現することができ、低電圧化により低消費電力も実現できる。式1において、好ましくはAr1~Ar4が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基である。本発明において、置換シリル基、アルキル基又はシクロアルキル基と、シアノ基は、Ar1~Ar4のうちの同一の基に結合していてもよく、また、別々の基に結合していてもよい。好ましくは、Ar1~Ar4のうち2つは置換基を有し、これら置換基の一方が置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数3~10のシクロアルキル基であり、他方の置換基がシアノ基である。また、好ましくはAr1~Ar4がいずれも置換基を有し、Ar1~Ar4のうちいずれか2つが、それぞれ置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数3~10のシクロアルキル基を有する基置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基であり、且つ残りのAr1~Ar4が、それぞれシアノ基を有する基置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基である。なかでも、好ましくはAr1及びAr4が、それぞれ独立に、置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数3~10のシクロアルキル基で置換された環形成炭素数6~30のアリール基であり、Ar2及びAr3が、それぞれ独立にシアノ基で置換された環形成炭素数6~30のアリール基であり、より好ましくはAr1及びAr4が、それぞれ独立に、置換シリル、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数3~10のシクロアルキル基で置換されたフェニル基であり、Ar2及びAr3が、それぞれ独立にシアノ基で置換されたフェニル基である。式1において、好ましくはAr5、Ar6及びAr7が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリーレン基であり、より好ましくはAr5、Ar6及びAr7が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基又はフルオレニレン基である。式1において、l、m及びpは、好ましくはl=1、m=1及びp=0である、又はl=1、m=1、n=1及びp=1である。以下、本発明の芳香族アミン誘導体の各基について説明する。尚、環形成炭素とは飽和環、不飽和環、又は芳香環を構成する炭素原子を意味し、環形成原子とはヘテロ環飽和環、不飽和環、及び芳香環を含むを構成する炭素原子及びヘテロ原子を意味する。Ar1~Ar4の環形成炭素数6~30のアリール基は、好ましくは環形成炭素数6~20のアリール基であり、より好ましくは環形成炭素数6~12のアリール基である。アリール基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ナフタセニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾ[c]フェナントリル基、ベンゾ[g]クリセニル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基、9,9-ジメチルフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、ビフェニルイル基、ターフェニル基、フルオランテニル基等が挙げられ、好ましくはフェニル基、ビフェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基である。Ar1~Ar4の環形成原子数5~30のヘテロアリール基は、好ましくは環形成原子数5~20のヘテロアリール基であり、より好ましくは環形成原子数5~14のヘテロアリール基である。ヘテロアリール基の具体例としては、ピロリル基、ピラジニル基、ピリジニル基、インドリル基、イソインドリル基、イミダゾリル基、フリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリニル基、カルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、ベンゾチオフェニル基等が挙げられ、好ましくは、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基である。Ar1~Ar4の少なくとも1つが有する置換シリル基としては、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキルシリル基モノ-、ジ-及びトリアルキルシリル基を含む及び置換もしくは無置換の炭素数6~30のアリールシリル基アリールジアルキルシリル基、ジアリールアルキルシリル基、及びトリアリールシリル基を含む等が挙げられる。上記炭素数1~20のアルキルシリル基は、好ましくは炭素数1~10のアルキルシリル基であり、より好ましくは炭素数1~6のアルキルシリル基である。アルキルシリル基の具体例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、t-ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基等が挙げられる。上記炭素数6~30のアリールシリル基は、好ましくは炭素数6~20のアリールシリル基であり、より好ましくは炭素数6~10のアリールシリル基である。アリールシリル基の具体例としては、トリフェニルシリル基、フェニルジメチルシリル基、t-ブチルジフェニルシリル基、トリトリルシリル基、トリキシリルシリル基、トリナフチルシリル基等が挙げられる。Ar1~Ar4の少なくとも1つが有する置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、s-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基等が挙げられる。上記炭素数は、1~10が好ましく、1~6がさらに好ましい。中でもメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、s-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基が好ましい。上記炭素数1~20のアルキル基が置換基を有する場合の置換基としては、環形成炭素数6~12のアリール基が好ましく、より好ましくはフェニル基である。置換された炭素数1~20のアルキル基としては、例えばフェニルメチル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基例えば、2-フェニルイソプロピル基等が好ましい。Ar1~Ar4の少なくとも1つが有する置換もしくは無置換の炭素数3~10のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、4-メチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基等が挙げられる。環形成炭素数は、3~10が好ましく、3~8がより好ましく、3~6が特に好ましい。Ar5、Ar6及びAr7の環形成炭素数6~30好ましくは6~20、より好ましくは6~12のアリーレン基及び環形成原子数5~30好ましくは5~20、より好ましくは5~14のヘテロアリーレン基の具体例としては、上記Ar1~Ar4の環形成炭素数6~30のアリール基及び環形成原子数5~30のヘテロアリール基の具体例に対応する2価の基が挙げられる。好ましくはフェニル基、フルオレニル基、9,9-ジメチルフルオレニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ビフェニルイル基、ジベンゾフルオレニル基、ピリジニル基、イソキノリル基等の2価の基が挙げられる。式1の置換もしくは無置換のの置換基としては、上記のアルキル基、置換シリル基、アリール基、シクロアルキル基、ヘテロアリール基、後述するアルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、及びシリル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基等が挙げられる。また、置換もしくは無置換のの無置換とは、水素原子が置換していることを意味し、本発明の水素原子には、軽水素、重水素、三重水素が含まれる。尚、Ar1~Ar4が、それぞれ、置換基を有する基環形成炭素数6~30のアリール基、又は、環形成原子数5~30のヘテロアリール基である場合、置換基に上述した、置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3~10のシクロアルキル基、又はシアノ基が結合した化合物も本発明の化合物に該当する。例えば、Ar1~Ar4が置換基として環形成炭素数6~30のアリール基を有する場合、置換基であるアリール基に置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3~10のシクロアルキル基、又はシアノ基が結合した化合物が挙げられる。アルコキシ基は、-OYと表され、Yの例として上記のアルキルの例が挙げられる。アルコキシ基は、例えばメトキシ基、エトキシ基である。アリールオキシ基は、-OZで表わされ、Zの例としては上記アリール基が挙げられる。アリールオキシ基は、例えばフェノキシ基である。アラルキル基は、-Y-Zと表され、Yの例として上記のアルキルの例に対応するアルキレンの例が挙げられ、Zの例として上記のアリールの例が挙げられる。アラルキル基は、炭素数7~50アラルキル基アリール部分は炭素数6~49好ましくは6~30、より好ましくは6~20、特に好ましくは6~12、アルキル部分は炭素数1~44好ましくは1~30、より好ましくは1~20、さらに好ましくは1~10、特に好ましくは1~6であり、例えばベンジル基、フェニルエチル基、2-フェニルプロパン-2-イル基である。ハロゲン原子として、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。ハロゲン化アルキル基として、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、フルオロエチル基、トリフルオロメチルメチル基等が挙げられる。本発明の芳香族アミン誘導体の具体例を以下に示す。本発明の芳香族アミン誘導体は、有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料として好適に用いることができ、例えばドーパントとして使用できる。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、陰極と陽極の間に少なくとも発光層を含む1以上の有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該有機薄膜層の少なくとも1層が、本発明の芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する。本発明の芳香族アミン誘導体を含む有機薄膜層は、好ましくは発光層であり、当該発光層は本発明の芳香族誘導体のみからなってもよく、ホストとして又はドーパントとして含んでもよい。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、好ましくは有機薄膜層の少なくとも一層に、上記の芳香族アミン誘導体と下記式5で表されるアントラセン誘導体又は下記式6で表されるピレン誘導体を少なくとも1種とを含有する。好ましくは、発光層が、芳香族アミン誘導体をドーパントとして、アントラセン誘導体をホストとして含有する。アントラセン誘導体式5で表されるアントラセン誘導体は、下記化合物である。式5中、Ar11及びAr12は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の環形成原子数5~50の単環基、置換若しくは無置換の環形成原子数8~50の縮合環基、又は単環基と縮合環基との組合せから構成される基であり、R101~R108は、それぞれ独立に、水素原子、置換若しくは無置換の環形成原子数5~50の単環基、置換若しくは無置換の環形成原子数8~50の縮合環基、単環基と縮合環基との組合せから構成される基、置換若しくは無置換の炭素数1~50のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数3~50のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数1~50のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数7~50のアラルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6~50のアリールオキシ基、置換若しくは無置換のシリル基、ハロゲン原子、シアノ基から選ばれる基である。式5における、単環基とは、縮合構造を持たない環構造のみで構成される基である。環形成原子数5~50の単環基好ましくは環形成原子数5~30、より好ましくは環形成原子数5~20として具体的には、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、クォーターフェニル基等の芳香族基と、ピリジル基、ピラジル基、ピリミジル基、トリアジニル基、フリル基、チエニル基等の複素環基が好ましい。中でも、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基が好ましい。式5における、縮合環基とは、2環以上の環構造が縮環した基である。前記環形成原子数8~50の縮合環基好ましくは環形成原子数8~30、より好ましくは環形成原子数8~20として具体的には、ナフチル基、フェナントリル基、アントリル基、クリセニル基、ベンゾアントリル基、ベンゾフェナントリル基、トリフェニレニル基、ベンゾクリセニル基、インデニル基、フルオレニル基、9,9-ジメチルフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フルオランテニル基、ベンゾフルオランテニル基等の縮合芳香族環基や、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、インドリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、キノリル基、フェナントロリニル基等の縮合複素環基が好ましい。中でも、ナフチル基、フェナントリル基、アントリル基、9,9-ジメチルフルオレニル基、フルオランテニル基、ベンゾアントリル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基が好ましい。式5における、アルキル基、置換シリル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子の具体例は、上述の式1の各基及び、置換もしくは無置換のにおける置換基の具体例と同様である。以下に、式5における好ましい具体例のみを挙げる。Ar11、Ar12、R101~R108、の置換若しくは無置換の好ましい置換基として、単環基、縮合環基、アルキル基、シクロアルキル基、置換もしくは無置換のシリル基、アルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原子特にフッ素が好ましく、特に好ましくは、単環基、縮合環基であり、好ましい具体的な置換基は上述の式5の各基及び上述の式1における各基と同様である。式5で表されるアントラセン誘導体は、下記アントラセン誘導体A、B、及びCのいずれかであることが好ましく、適用する有機EL素子の構成や求める特性により選択される。アントラセン誘導体A当該アントラセン誘導体は、式5におけるAr11及びAr12が、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の環形成原子数8~50の縮合環基となっている。当該アントラセン誘導体としては、Ar11及びAr12が同一の置換若しくは無置換の縮合環基である場合、及び異なる置換若しくは無置換の縮合環基である場合に分けることができる。式5におけるAr11及びAr12が異なる置換位置の違いを含む置換若しくは無置換の縮合環基であるアントラセン誘導体が特に好ましく、縮合環の好ましい具体例は上述した通りである。中でもナフチル基、フェナントリル基、ベンズアントリル基、9,9-ジメチルフルオレニル基、ジベンゾフラニル基が好ましい。アントラセン誘導体B当該アントラセン誘導体は、式5におけるAr11及びAr12の一方が置換若しくは無置換の環形成原子数5~50の単環基であり、他方が置換若しくは無置換の環形成原子数8~50の縮合環基となっている。好ましい形態として、Ar12がナフチル基、フェナントリル基、ベンゾアントリル基、9,9-ジメチルフルオレニル基、ジベンゾフラニル基であり、Ar11が単環基又は縮合環基が置換されたフェニル基である。好ましい単環基、縮合環基の具体的な基は上述した通りである。別の好ましい形態として、Ar12が縮合環基であり、Ar11が無置換のフェニル基である。この場合、縮合環基として、フェナントリル基、9,9-ジメチルフルオレニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾアントリル基が特に好ましい。アントラセン誘導体C当該アントラセン誘導体は、式5におけるAr11及びAr12が、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の環形成原子数5~50の単環基となっている。好ましい形態として、Ar11、Ar12ともに置換若しくは無置換のフェニル基である。さらに好ましい形態として、Ar11が無置換のフェニル基であり、Ar12が単環基、縮合環基を置換基として持つフェニル基である場合と、Ar11、Ar12がそれぞれ独立に単環基、縮合環基を置換基として持つフェニル基である場合がある。前記置換基としての好ましい単環基、縮合環基の具体例は上述した通りである。さらに好ましくは、置換基としての単環基としてフェニル基、ビフェニル基、縮合環基として、ナフチル基、フェナントリル基、9,9-ジメチルフルオレニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾアントリル基である。他の形態として、前記有機薄膜層の少なくとも1層が、式1で表わされる芳香族アミン誘導体と、下記式6で表されるピレン誘導体とを含有する有機エレクトロルミネッセンス素子であってもよい。より好ましくは、発光層が、芳香族アミン誘導体をドーパントとして、ピレン誘導体をホストとして含有する。式6中、Ar111及びAr222は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基である。L1及びL2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30の2価のアリール基又は複素環基を示す。xは0~1の整数、yは1~4の整数、sは0~1の整数、tは0~3の整数である。また、L1又はAr111はピレンの1~5位のいずれかに結合し、L2又はAr222はピレンの6~10位のいずれかに結合する。式6におけるL1及びL2は、好ましくは置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のビフェニレン基、置換もしくは無置換のナフチレン基、置換もしくは無置換のターフェニレン基及び置換もしくは無置換のフルオレニレン基及びこれら置換基の組合せからなる2価のアリール基である。また、この置換基としては、上記式1における置換もしくは無置換のにおける置換基と同様である。L1及びL2の置換基は、好ましくは、炭素数1~20のアルキル基である。式6におけるxは、好ましくは0~1の整数である。式6におけるyは、好ましくは1~2の整数である。式6におけるsは、好ましくは0~1の整数である。式6におけるtは、好ましくは0~2の整数である。Ar111及びAr222のアリール基は、上記式1における各基と同様である。好ましくは、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~20のアリール基、より好ましくは、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~16のアリール基、アリール基の好ましい具体例としては、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ビフェニル基、アントリル基、ピレニル基である。芳香族アミン誘導体をドーパントとして含むとき、0.1~20質量であることが好ましく、1~10質量であることがより好ましい。芳香族アミン誘導体は、発光層の他、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層に用いることもできる。本発明において、有機薄膜層が複数層型の有機EL素子としては、陽極/正孔注入層/発光層/陰極、陽極/発光層/電子注入層/陰極、陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極等の構成で積層したものが挙げられる。有機EL素子は、前記有機薄膜層を複数層構造にすることにより、クエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことができる。必要があれば、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を組み合わせて使用することができる。また、ドーピング材料により、発光輝度や発光効率が向上する場合がある。また、正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されてもよい。その際には、正孔注入層の場合、電極から正孔を注入する層を正孔注入層、正孔注入層から正孔を受け取り発光層まで正孔を輸送する層を正孔輸送層と呼ぶ。同様に、電子注入層の場合、電極から電子を注入する層を電子注入層、電子注入層から電子を受け取り発光層まで電子を輸送する層を電子輸送層と呼ぶ。これらの各層は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機層又は金属電極との密着性等の各要因により選択されて使用される。本発明の芳香族アミン誘導体と共に発光層に使用できる上記式5以外の材料としては、例えば、ナフタレン、フェナントレン、ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレン、クリセン、デカシクレン、コロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、フルオレン、スピロフルオレン等の縮合多環芳香族化合物及びそれらの誘導体、トリス8-キノリノラートアルミニウム等の有機金属錯体、トリアリールアミン誘導体、スチリルアミン誘導体、スチルベン誘導体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、オキサゾン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。正孔注入材料としては、正孔を輸送する能力を持ち、陽極からの正孔注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、ベンジジン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン、ヘキサシアノヘキサアザトリフェニレン等と、それらの誘導体、及びポリビニルカルバゾール、ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。本発明の有機EL素子において使用できる正孔注入材料の中で、さらに効果的な正孔注入材料は、フタロシアニン誘導体である。フタロシアニンPc誘導体としては、例えば、H2Pc、CuPc、CoPc、NiPc、ZnPc、PdPc、FePc、MnPc、ClAlPc、ClGaPc、ClInPc、ClSnPc、Cl2SiPc、HOAlPc、HOGaPc、VOPc、TiOPc、MoOPc、GaPc-O-GaPc等のフタロシアニン誘導体及びナフタロシアニン誘導体があるが、これらに限定されるものではない。また、正孔注入材料にTCNQ誘導体等の電子受容物質を添加することによりキャリアを増感させることもできる。本発明の有機EL素子において使用できる好ましい正孔輸送材料は、芳香族三級アミン誘導体である。芳香族三級アミン誘導体としては、例えば、N,N’-ジフェニル-N,N’-ジナフチル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミン、N,N,N’,N’-テトラビフェニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミン等、又はこれらの芳香族三級アミン骨格を有したオリゴマー若しくはポリマーであるが、これらに限定されるものではない。電子注入材料としては、電子を輸送する能力を持ち、陰極からの電子注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。本発明の有機EL素子において、さらに効果的な電子注入材料は、金属錯体化合物及び含窒素複素環誘導体である。前記金属錯体化合物としては、例えば、8-ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス8-ヒドロキシキノリナート亜鉛、トリス8-ヒドロキシキノリナートアルミニウム、トリス8-ヒドロキシキノリナートガリウム、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナートベリリウム、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナート亜鉛等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。前記含窒素複素環誘導体としては、例えば、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾール、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、フェナントロリン、ベンズイミダゾール、イミダゾピリジン等が好ましく、中でもベンズイミダゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、イミダゾピリジン誘導体が好ましい。好ましい形態として、これらの電子注入材料にさらにドーパントを含有し、陰極からの電子の受け取りを容易にするため、より好ましくは第2有機層の陰極界面近傍にアルカリ金属で代表されるドーパントをドープする。ドーパントとしては、ドナー性金属、ドナー性金属化合物及びドナー性金属錯体が挙げられ、これら還元性ドーパントは1種単独で使用してもよいし、2種以上を組み合わせて使用してもよい。本発明の有機EL素子においては、発光層中に、式1で表される芳香族アミン誘導体から選ばれる少なくとも一種の他に、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料、正孔輸送材料及び電子注入材料の少なくとも一種が同一層に含有されてもよい。また、本発明により得られた有機EL素子の、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護することも可能である。本発明の有機EL素子の陽極に使用される導電性材料としては、4eVより大きな仕事関数を持つものが適しており、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等及びそれらの合金、ITO基板、NESA基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用いられる。陰極に使用される導電性物質としては、4eVより小さな仕事関数を持つものが適しており、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム、フッ化リチウム等及びそれらの合金が用いられるが、これらに限定されるものではない。合金としては、マグネシウム/銀、マグネシウム/インジウム、リチウム/アルミニウム等が代表例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、適切な比率に選択される。陽極及び陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていてもよい。本発明の有機EL素子では、効率良く発光させるために、少なくとも一方の面は素子の発光波長領域において充分透明にすることが望ましい。また、基板も透明であることが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性が確保されるように設定する。発光面の電極は、光透過率を10以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものであれば限定されるものではないが、ガラス基板及び透明性樹脂フィルムがある。本発明の有機EL素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれの方法を適用することができる。膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は5nm~10μmの範囲が適しているが、10nm~0.2μmの範囲がさらに好ましい。湿式成膜法の場合、各層を形成する材料を、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の適切な溶媒に溶解又は分散させて薄膜を形成するが、その溶媒はいずれであってもよい。このような湿式成膜法に適した溶液として、有機EL材料として本発明の芳香族アミン誘導体と溶媒とを含有する有機EL材料含有溶液を用いることができる。前記有機EL材料が、ホスト材料とドーパント材料とを含み、前記ドーパント材料が、本発明の芳香族アミン誘導体であり、前記ホスト材料が、式5で表される化合物から選ばれる少なくとも1種であると好ましい。いずれの有機薄膜層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用してもよい。[芳香族アミン誘導体の製造]実施例1以下の合成スキームに従って、芳香族アミン誘導体D-1を製造した。中間体1の合成合成例1-1アルゴン気流下、2000mLナスフラスコに、トリスジベンジリデンアセトンジパラジウム0Pd2dba32.2g、2,2’-ビスジフェニルホスフィノ-1,1’-ビナフチルBINAP2.9g、1-ブロモ-4-トリメチルシリルベンゼン36g、4-アミノベンゾニトリル37g、ナトリウムtert-ブトキシド30g、及びトルエンを入れ、105°Cにて9時間撹拌した。冷却後、反応溶液をセライトろ過し、ろ液を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィートルエンで精製し、減圧乾燥したところ、24gの白色固体を得た。得られた白色固体を、FD-MSフィールドディソープションマススペクトルの分析により、中間体1と同定した。中間体2の合成合成例1-2アルゴン気流下、1000mLのナスフラスコに、2-ブロモ-7-ヨード-9,9-ジメチルフルオレン41.9g、脱水THF300mLを入れ、-65°Cに冷却した後、n-ブチルリチウムヘキサン溶液1.6M72mLを入れ、30分撹拌した。撹拌後、脱水N,N-ジメチルホルムアミドを25mL滴下した後、徐々に昇温し、室温下4時間撹拌した。4N塩酸、トルエンを加えて分液、抽出した後、上水、飽和食塩水で有機層を洗浄、硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮して得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィートルエンで精製し得られた固体を減圧乾燥したところ、24.4gの白色固体を得た。得られた白色固体を、FD-MSの分析により、中間体2と同定した。中間体3の合成合成例1-3アルゴン気流下、300mLのナスフラスコに、4-ブロモベンジルホスホン酸ジエチル8.40g、THF50mLを入れ、-68°Cに冷却し、カリウムtert-ブトキシド6.16gを入れ、90分撹拌した。続いて、中間体26.90gのTHF60mL溶液を滴下し、2時間反応した後、撹拌しながら1時間かけて室温まで昇温し、室温にて2時間撹拌した。上水、トルエンを加えて分液、水層をトルエンで抽出した後、合わせた有機層を上水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮して得られた固体をトルエンで再結晶して得られた固体を減圧乾燥したところ、7.00gの黄白色固体を得た。FD-MSの分析により、中間体3と同定した。化合物D-1の合成合成例1-4アルゴン気流下、300mLのナスフラスコに、中間体1を14.1g、中間体3を10.0g、ナトリウムtert-ブトキシド4.25g、トリスジベンジリデンアセトンジパラジウム0Pd2dba3607mg、トリ-tert-ブチルホスフィン447mg、トルエンを入れ、95°Cにて8時間撹拌した。冷却後、反応溶液をセライトろ過し、ろ液を濃縮し、得られた租生成物をシリカゲルクロマトグラフィートルエンで精製した。得られたアモルファス状固体を、トルエン/メタノールで再結晶を3回し、減圧乾燥したところ、8.6gの黄白色固体D-1を得た。得られた黄白色固体について、FD-MS、トルエン溶液中の紫外線吸収極大波長λmax、及び蛍光発光極大波長を以下に示す。FDMS,calcdforC55H52N4Si2824,foundmz824UV;λmax,393nmFL;λmax,435nm実施例2以下の合成スキームに従って、芳香族アミン誘導体D-2を製造した。中間体4の合成合成例2-1中間体3の合成において、中間体2の代わりにテレフタルアルデヒドを用いた他は同様の反応を実施した。得られた固体を、FD-MSの分析により、中間体4と同定した。化合物D-2の合成合成例2-2化合物D-1の合成において、中間体3の代わりに中間体4を用いた他は同様の反応を実施し、化合物D-2を得た。得られた化合物について、FD-MS、トルエン溶液中の紫外線吸収極大波長λmax、及び蛍光発光極大波長を以下に示す。FDMS,calcdforC54H50N4Si2810,foundmz810UV;λmax,404nmFL;λmax,450nm実施例3以下の合成スキームに従って、芳香族アミン誘導体D-3を製造した。D-3の合成合成例3-1D-1の合成において、中間体3の代わりに4,4’-ジブロモスチルベンを用いた他は同様の反応を実施し、化合物D-3を得た。得られた化合物について、FD-MS、トルエン溶液中の紫外線吸収極大波長λmax、及び蛍光発光極大波長を以下に示す。FDMS,calcdforC46H44N4Si2708,foundmz708UV;λmax,386nmFL;λmax,429nm実施例4以下の合成スキームに従って、芳香族アミン誘導体D-4を製造した。中間体5の合成合成例4-1中間体2の合成において、2-ブロモ-7-ヨード-9,9-ジメチルフルオレンの代わりに2,6-ジブロモナフタレンを用いた他は同様の反応を実施した。得られた固体を、FD-MSの分析により、中間体5と同定した。中間体6の合成合成例4-2中間体3の合成において、中間体2の代わりに中間体5を用いた他は同様の反応を実施した。得られた固体を、FD-MSの分析により、中間体6と同定した。化合物D-4の合成合成例4-3化合物D-1の合成において、中間体3の代わりに中間体6を用いた他は同様の反応を実施し、化合物D-4を得た。得られた化合物について、FD-MS、トルエン溶液中の紫外線吸収極大波長λmax、及び蛍光発光極大波長を以下に示す。FDMS,calcdforC50H46N4Si2758,foundmz758UV;λmax,389nmFL;λmax,428nm実施例5以下の合成スキームに従って、芳香族アミン誘導体D-5を製造した。中間体7の合成合成例5-1中間体2の合成において、2-ブロモ-7-ヨード-9,9-ジメチルフルオレンの代わりに4,4’-ジブロモビフェニルを用いた他は同様の反応を実施した。得られた固体を、FD-MSの分析により、中間体7と同定した。中間体8の合成合成例5-2中間体3の合成において、中間体2の代わりに中間体7を用いた他は同様の反応を実施した。得られた固体を、FD-MSの分析により、中間体8と同定した。化合物D-5の合成合成例5-3化合物D-1の合成において、中間体3の代わりに中間体8を用いた他は同様の反応を実施し、化合物D-5を得た。得られた化合物について、FD-MS、トルエン溶液中の紫外線吸収極大波長λmax、及び蛍光発光極大波長を以下に示す。FDMS,calcdforC52H48N4Si2784,foundmz784UV;λmax,431nmFL;λmax,373nm実施例6以下の合成スキームに従って、芳香族アミン誘導体D-6を製造した。中間体9の合成合成例6-1中間体1の合成において、1-ブロモ-4-トリメチルシリルベンゼンの代わりに1-ブロモ-4-tert-ブチルベンゼンを用いた他は同様の反応を実施した。得られた固体を、FD-MSの分析により、中間体9と同定した。化合物D-6の合成合成例6-2化合物D-1の合成において、中間体1の代わりに中間体9を用い、中間体3の代わりに4,4’-ジブロモスチルベンを用いた他は同様の反応を実施し、化合物D-6を得た。得られた化合物について、FD-MS、トルエン溶液中の紫外線吸収極大波長λmax、及び蛍光発光極大波長を以下に示す。FDMScalcdforC48H44N4676foundmz676UVλmax389nm、FLλmax432nm実施例7以下の合成スキームに従って、芳香族アミン誘導体D-7を製造した。中間体10の合成合成例7-1中間体1の合成において、1-ブロモ-4-トリメチルシリルベンゼンの代わりに1-ブロモ-4-イソプロピルベンゼンを用いた他は同様の反応を実施した。得られた固体を、FD-MSの分析により、中間体10と同定した。化合物D-7の合成合成例7-2化合物D-1の合成において、中間体1の代わりに中間体10を用い、中間体3の代わりに4,4’-ジブロモスチルベンを用いた他は同様の反応を実施し、化合物D-7を得た。得られた化合物について、FD-MS、トルエン溶液中の紫外線吸収極大波長λmax、及び蛍光発光極大波長を以下に示す。FDMScalcdforC46H40N4648foundmz648UV;λmax387nm、FL;λmax431nm実施例8以下の合成スキームに従って、芳香族アミン誘導体D-8を製造した。D-8の合成合成例8-1化合物D-1の合成において、中間体1の代わりに中間体10を用いた他は同様の反応を実施し、化合物D-8を得た。得られた化合物について、FD-MS、トルエン溶液中の紫外線吸収極大波長λmax、及び蛍光発光極大波長を以下に示す。FDMScalcdforC55H48N4764foundmz764UV;λmax395nm、FL;λmax437nm実施例9以下の合成スキームに従って、芳香族アミン誘導体D-9を製造した。中間体11の合成合成例9-1中間体3の合成において、中間体2の代わりに4-N,N-ジフェニルアミノベンズアルデヒドを用いた他は同様の反応を実施した。得られた固体を、FD-MSの分析により、中間体11と同定した。化合物D-9の合成合成例9-2化合物D-1の合成において、中間体3の代わりに中間体11を用いた他は同様の反応を実施し、化合物D-9を得た。得られた化合物について、FD-MS、トルエン溶液中の紫外線吸収極大波長λmax、及び蛍光発光極大波長を以下に示す。FDMScalcdforC42H37N3Si611foundmz611UV;λmax389nm、FL;λmax432nm実施例10以下の合成スキームに従って、芳香族アミン誘導体D-10を製造した。中間体12の合成合成例10-1中間体3の合成において、4-ブロモベンジルホスホン酸ジエチルの代わりに4-クロロベンジルホスホン酸ジエチルを用いた他は同様の反応を実施した。得られた固体を、FD-MSの分析により、中間体12と同定した。中間体13の合成合成例10-2化合物D-1の合成において、中間体3の代わりに中間体12を用い、中間体1の代わりにジフェニルアミンを用いた他は同様の反応を実施した。得られた固体を、FD-MSの分析により、中間体13と同定した。化合物D-10の合成合成例10-3化合物D-1の合成において、中間体3の代わりに中間体13を用いた他は同様の反応を実施し、化合物D-10を得た。得られた化合物について、FD-MS、トルエン溶液中の紫外線吸収極大波長λmax、及び蛍光発光極大波長を以下に示す。FDMScalcdforC51H45N3Si727foundmz727UV;λmax397nm、FL;λmax441nm実施例11以下の合成スキームに従って、芳香族アミン誘導体D-11を製造した。中間体14の合成合成例11-1化合物D-1の合成において、中間体3の代わりに中間体12を用いた他は同様の反応を実施した。得られた固体を、FD-MSの分析により、中間体14と同定した。化合物D-11の合成合成例11-2化合物D-1の合成において、中間体3の代わりに中間体14を用い、中間体1の代わりにジフェニルアミンを用いた他は同様の反応を実施し、化合物D-11を得た。得られた化合物について、FD-MS、トルエン溶液中の紫外線吸収極大波長λmax、及び蛍光発光極大波長を以下に示す。FDMScalcdforC51H45N3Si727foundmz727UV;λmax396nm、FL;λmax440nm[有機EL素子の製造]実施例1225mm×75mm×1.1mmサイズのガラス基板上に、膜厚120nmのインジウムスズ酸化物からなる透明電極を設けた。この透明電極は、陽極として働く。続いて、このガラス基板に紫外線及びオゾンを照射して洗浄したのち、真空蒸着装置にこの基板を設置した。陽極上に正孔注入層として、化合物HT-1を50nmの厚さに蒸着したのち、その上に正孔輸送層として、N,N,N’,N’-テトラキス4-ビフェニル-4,4’-ベンジジンを45nmの厚さに蒸着した。次いで、ホスト材料であるアントラセン誘導体BH-1と、ドーピング材料である化合物D-1とを、質量比25:5で同時蒸着し、厚さ30nmの発光層を形成した。この発光層上に、電子注入層として、化合物ET-1を25nmの厚さに蒸着した。次に、弗化リチウムを1nmの厚さに蒸着し、次いでアルミニウムを150nmの厚さに蒸着し、有機EL素子を作製した。尚、このアルミニウム/弗化リチウムは陰極として働く。有機EL素子の製造に用いた化合物HT-1、化合物ET-1、化合物BH-1及び化合物BH-2は、それぞれ下記構造を有する化合物である。得られた有機EL素子について、電流密度10mA/cm2における駆動時の素子性能駆動電圧、色度CIE1931のx及びy、並びに半減寿命をそれぞれ評価した。結果を表1に示す。実施例13~22及び比較例1~3ホスト材料及びドーピング材料について、表1に示す化合物を用いた他は実施例12と同様にして有機EL素子を作製し、評価した。結果を表1に示す。尚、化合物H-1、H-2及びH-3は、それぞれ下記構造を有する化合物である。表1から分かるように、本発明の芳香族アミン誘導体を用いることにより、実用性能に近い高電流領域において、低電圧な有機EL素子が実現される。一方、シアノ基を有さない化合物H-1、置換シリル基、アルキル基又はシクロアルキル基を有さない化合物H-3は、本発明の芳香族アミン誘導体を用いたときよりも有機EL素子は高電圧化する。また、本発明の芳香族アミン誘導体を用いた有機EL素子では、キャリア注入性が改善されたことにより、低電圧化とは別に、素子寿命が長くなっているものと考えられる。"