電気変調信号を変調出力光に変換して出力する発光素子を備える光送信機と、前記光送信機から出力された前記変調出力光を入力して電気変調信号に変換する光受信機とを備える光送受信システムにおいて、前記光送信機が、前記発光素子に微弱な電気信号を印加する摂動付与手段を備えることを特徴とする光送受信システム。前記発光素子が半導体レーザと該半導体レーザから出射されるレーザ発振光を前記電気変調信号に基づいて変調出力光に変換する変調器とからなる電界吸収型変調器集積半導体レーザであり、前記微弱な電気信号が、減衰手段によって減衰された前記電気変調信号の一部であることを特徴とする請求項1記載の光送受信システム。前記発光素子が半導体レーザと該半導体レーザから出射されるレーザ発振光を前記電気変調信号に基づいて変調出力光に変換する変調器とからなる電界吸収型変調器集積半導体レーザであり、前記電気変調信号がデータ信号とデータバー信号との差動信号であり、前記微弱な電気信号が、減衰手段によって減衰された前記データバー信号の一部であることを特徴とする請求項1記載の光送受信システム。前記発光素子が半導体レーザと該半導体レーザから出射されるレーザ発振光を前記電気変調信号に基づいて変調出力光に変換する変調器とからなる電界吸収型変調器集積半導体レーザであり、前記電気変調信号がクロック信号によって整形されたデータ信号であり、前記微弱な電気信号が、減衰手段によって減衰された前記クロック信号の一部であることを特徴とする請求項1記載の光送受信システム。前記発光素子が半導体レーザと該半導体レーザから出射されるレーザ発振光を前記電気変調信号に基づいて変調出力光に変換する変調器とからなる電界吸収型変調器集積半導体レーザであるとともに、前記光送信機が他の電気変調信号に基づいて他の変調出力光を出射する他の半導体レーザを備え、前記微弱な電気信号が、減衰手段によって減衰された前記他の電気変調信号の一部であることを特徴とする請求項1記載の光送受信システム。前記発光素子が半導体レーザと該半導体レーザから出射されるレーザ発振光を前記電気変調信号に基づいて変調出力光に変換する変調器とからなる電界吸収型変調器集積半導体レーザであるとともに、前記光送信機が受光素子を備え、前記光受信機が他の電気変調信号に基づいて他の変調出力光を出射する他の半導体レーザを備え、前記微弱な電気信号が、前記受光素子によって復調された前記他の電気変調信号の一部であることを特徴とする請求項1記載の光送受信システム。前記半導体レーザが電気的に終端され、前記電気変調信号が誤り訂正符号を含み、前記光受信機が受信した前記電気変調信号により誤り訂正を行うことを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の光送受信システム。上記に示したように、光送受信システムにおける反射戻り光の影響は、光アイソレータを用いれば解決する。しかしながら問題は光アイソレータが高価なことである。光アイソレータは通常、ファラデー回転子となるガーネット単結晶、それを磁化する磁石、そして2つの偏光子からなり、光部品としては一番高価である。そのため、光アイソレータをなくした安価な光送信機が求められてきた。もちろん、光アイソレータをなくした状況下でも、反射戻り光の影響があることは許されない。本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは高価な光アイソレータを用いることなく、光送受信システムの反射戻り光の影響を抑制した光送受信システムを提供することにある。上記の課題を解決するための第1の発明に係る光送受信システムは、電気変調信号を変調出力光に変換して出力する発光素子を備える光送信機と、前記光送信機から出力された前記変調出力光を入力して電気変調信号に変換する光受信機とを備える光送受信システムにおいて、前記光送信機が、前記発光素子に微弱な電気信号を印加する摂動付与手段を備えることを特徴とする。また、上記の課題を解決する第2の発明に係る光送受信システムは、第1の発明に係る光送受信システムにおいて、前記発光素子が半導体レーザと該半導体レーザから出射されるレーザ発振光を前記電気変調信号に基づいて変調出力光に変換する変調器とからなる電界吸収型変調器集積半導体レーザであり、前記微弱な電気信号が、減衰手段によって減衰された前記電気変調信号の一部であることを特徴とする。また、上記の課題を解決する第3の発明に係る光送受信システムは、第1の発明に係る光送受信システムにおいて、前記発光素子が半導体レーザと該半導体レーザから出射されるレーザ発振光を前記電気変調信号に基づいて変調出力光に変換する変調器とからなる電界吸収型変調器集積半導体レーザであり、前記電気変調信号がデータ信号とデータバー信号との差動信号であり、前記微弱な電気信号が、減衰手段によって減衰された前記データバー信号の一部であることを特徴とする。また、上記の課題を解決する第4の発明に係る光送受信システムは、第1の発明に係る光送受信システムにおいて、前記発光素子が半導体レーザと該半導体レーザから出射されるレーザ発振光を前記電気変調信号に基づいて変調出力光に変換する変調器とからなる電界吸収型変調器集積半導体レーザであり、前記電気変調信号がクロック信号によって整形されたデータ信号であり、前記微弱な電気信号が、減衰手段によって減衰された前記クロック信号の一部であることを特徴とする。また、上記の課題を解決する第5の発明に係る光送受信システムは、第1の発明に係る光送受信システムにおいて、前記発光素子が半導体レーザと該半導体レーザから出射されるレーザ発振光を前記電気変調信号に基づいて変調出力光に変換する変調器とからなる電界吸収型変調器集積半導体レーザであるとともに、前記光送信機が他の電気変調信号に基づいて他の変調出力光を出射する他の半導体レーザを備え、前記微弱な電気信号が、減衰手段によって減衰された前記他の電気変調信号の一部であることを特徴とする。また、上記の課題を解決する第6の発明に係る光送受信システムは、第1の発明に係る光送受信システムにおいて、前記発光素子が半導体レーザと該半導体レーザから出射されるレーザ発振光を前記電気変調信号に基づいて変調出力光に変換する変調器とからなる電界吸収型変調器集積半導体レーザであるとともに、前記光送信機が受光素子を備え、前記光受信機が他の電気変調信号に基づいて他の変調出力光を出射する他の半導体レーザを備え、前記微弱な電気信号が、前記受光素子によって復調された前記他の電気変調信号の一部であることを特徴とする。また、上記の課題を解決する第7の発明に係る光送受信システムは、第1ないし第6のいずれか一つに係る光送受信システムにおいて、前記半導体レーザが電気的に終端され、前記電気変調信号が誤り訂正符号を含み、前記光受信機が受信した前記電気変調信号により誤り訂正を行うことを特徴とする。本発明に係る光送受信システムによれば、高価な光アイソレータを用いることなく、光送受信システムの反射戻り光の影響を抑制することができる。以下、図面を参照しつつ本発明に係る光送受信システムの詳細を説明する。図1に基づいて本発明の第1の実施例に係る光送受信システムについて説明する。図1に示すように、本実施例に係る光送受信システムは、図6に示し上述した従来の光送受信システムに比較して光送信機1の構成が異なる。具体的には、従来の光送信機1に対して光アイソレータ104を廃止する一方、摂動付与手段として、減衰手段である電気アッテネータ116とバイアスティー115を追加するとともに、終端抵抗117を追加している。その他の構成については上述した構成とおおむね同様であり、以下、同様の作用を奏する部材については同一の名称及び符号を用いて重複する説明は適宜省略し、異なる点を中心に説明する。本実施例に係る光送受信システムにおいては、EAドライバー113に入力される前の電気変調信号V11を電気アッテネータ116によって減衰し、減衰された電気変調信号以下、減衰電気変調信号というV13を結線118によりバイアスティー115を介して半導体レーザ111に印加する。すなわち、本実施例に係る光送受信システムにおいて、半導体レーザ111には駆動用の直流電流I11に加えて電気変調信号V11の一部である減衰電気変調信号V13が入力されることとなる。また、本実施例において終端抵抗117は例えば46オームであって、半導体レーザ111の内部抵抗4オームと合わせると、半導体レーザ111は50オームの終端となる。ここで、一例として電気変調信号V11の電圧を250mV、電気アッテネータ116の減衰量を20dBとした場合、バイアスティー115を介して半導体レーザ111に印加される減衰電気変調信号V13は25mVとなる。半導体レーザ111及び終端抵抗117による50オームの抵抗を考慮すると、減衰電気変調信号V13によって半導体レーザ111に付与される電流は0.5mAとなる。これに対し、半導体レーザ111にレーザ発振光を出射させるために供給される直流電流I11は例えば100mAであり、半導体レーザ111には、100mAの直流電流と0.5mAの微小変調電流とが流れることになる。すなわち、減衰電気変調信号V13によって半導体レーザ111に摂動が与えられることとなり、その結果、半導体レーザ111の反射戻り光に対する耐性が向上する。なお、EA変調器112に印加される電気変調信号V11と、半導体レーザ111に印加される減衰電気変調信号V13とは同期をとっても同期をとらなくてもどちらでも構わない。半導体レーザ111に印加される減衰電気変調信号V13は微小なので、半導体レーザ111の発振光強度にほとんど影響はなく、光送信信号に影響を与えることなく反射戻り光に対する耐性を高めることができる。以上に示したように、本実施例に係る光送受信システムによれば、光アイソレータを用いることなく光送受信システムにおける反射戻り光の影響を抑制することができるため、安価な構成で光送受信機を製造することが可能となる。図2を用いて本発明の第2の実施例に係る光送受信システムについて説明する。図2に示すように、本実施例に係る光送受信システムは、図1に示し上述した第1の実施例に係る光送受信システムに比較して、EAドライバー113に入力される電気信号としてデータ信号V14例えば、250mVとデータバー信号V15例えば、250mVの差動電気信号を用い、EAドライバー113に入力される前のデータバー信号V15を電気アッテネータ116によって減衰し、減衰されたデータバー信号以下、減衰データバー信号というV16を結線118によりバイアスティー115を介して半導体レーザ111に印加する点で異なる。すなわち、本実施例に係る光送受信システムにおいて、半導体レーザ111には駆動用の直流電流I11に加えてデータバー信号V15の一部である減衰データバー信号V16が入力されることとなる。その他の構成は図1に示し上述した第1の実施例に係る光送受信システムとおおむね同様であり、以下、同一の作用を奏する部材については同一の名称及び符号を用いて重複する説明は適宜省略し、異なる点を中心に説明する。ここで、一例としてデータバー信号V15の電圧を250mV、電気アッテネータ116の減衰量を20dBとした場合、バイアスティー115を介して半導体レーザ111に印加される減衰データバー信号V16は25mVとなる。半導体レーザ111及び終端抵抗117による50オームの抵抗を考えると、減衰データバー信号V16によって半導体レーザ111に付与される電流は0.5mAとなる。これに対し、半導体レーザ111にレーザ発振光を出射させるために供給される直流電流I11は例えば100mAであり、半導体レーザ111には、100mAの直流電流と0.5mAの微小変調電流とが流れることになる。すなわち、半導体レーザ111に減衰データバー信号V16によって摂動が与えられることとなり、その結果、半導体レーザ111の反射戻り光に対する耐性が向上する。なお、EA変調器112に印加されるデータバー信号V15と半導体レーザ111に印加される減衰データバー信号V16とは同期をとっても同期をとらなくてもどちらでも構わない。半導体レーザ111に印加される減衰データバー信号V16は微小であるので、レーザの発振光強度にほとんど影響はなく、光送信信号に影響を与えることなく反射戻り光に対する耐性を高めることができる。以上に示したように、本実施例に係る光送受信システムによれば、光アイソレータを用いることなく光送受信システムにおける反射戻り光の影響を抑制することができるため、安価な構成で光送受信機を製造することが可能となる。図3を用いて本発明の第3の実施例に係る光送受信システムについて説明する。図3に示すように、本実施例に係る光送受信システムは、図1に示し上述した第1の実施例に係る光送受信システムに比較して、EAドライバー113に入力される電気信号としてクロックデータリカバリclockanddatarecovery:CDR119から入力されるデータ信号V14とクロック信号V17とを用い、このEAドライバー113に入力される前のクロック信号V17を電気アッテネータ116によって減衰し、減衰されたクロック信号以下、減衰クロック信号というV18を結線118によりバイアスティー115を介して半導体レーザ111に印加する点で異なる。すなわち、本実施例に係る光送受信システムにおいて、半導体レーザ111には駆動用の直流電流I11に加えてクロック信号V17の一部である減衰クロック信号V18が入力されることとなる。その他の構成は図1に示し上述した第1の実施例に係る光送受信システムとおおむね同様であり、以下、同一の作用を奏する部材については同一の名称及び符号を用いて重複する説明は適宜省略し、異なる点を中心に説明する。ここで、一例としてクロック信号V17の電圧を250mV、電気アッテネータ116の減衰量を20dBとした場合、バイアスティー115を介して半導体レーザ111に印加される減衰クロック信号V18は25mVとなる。半導体レーザ111及び終端抵抗117による50オームの抵抗を考えると、減衰クロック信号V18によって半導体レーザ111に付与される電流は0.5mAとなる。これに対し、半導体レーザ111にレーザ発振光を出射させるために供給される直流電流I11は例えば100mAであり、半導体レーザ111には、100mAの直流電流と0.5mAの微小変調電流とが流れることになる。すなわち、半導体レーザ111に減衰クロック信号V18によって摂動が与えられることとなり、その結果、半導体レーザ111の反射戻り光に対する耐性が向上する。なお、EA変調器112に印加されるクロック信号V17と半導体レーザ111に印加される減衰クロック信号V18とは同期をとっても同期をとらなくてもどちらでも構わない。半導体レーザ111に印加される減衰クロック信号V18は微小であるので、レーザの発振強度にほとんど影響はなく、光送信信号に影響を与えることなく、反射戻り光に対する耐性を高めることができる。以上に示したように、本実施例に係る光送受信システムによれば、光アイソレータを用いることなく光送受信システムにおける反射戻り光の影響を抑制することができるため、安価な構成で光送受信機を製造することが可能となる。図4に基づいて本発明の第4の実施例に係る光送受信システムについて説明する。図4に示すように、本実施例に係る光送受信システムは、図9に示し上述した従来の他の光送受信システムに比較して光送信機4の構成が異なるものである。具体的には、従来の光送信機4に比較して光アイソレータ410を廃止する一方、摂動付与手段として、減衰手段である電気アッテネータ416とバイアスティー415とを追加するとともに、終端抵抗417を追加している。その他の構成については上述した構成とおおむね同様であり、以下、同様の作用を奏する部材については同一の名称及び符号を用いて重複する説明は適宜省略し、異なる点を中心に説明する。本実施例に係る光送受信システムにおいては、レーザドライバー421に入力される前の電気変調信号V23を電気アッテネータ416によって減衰し、減衰された電気変調信号以下、減衰電気変調信号というV25を結線418によりバイアスティー415を介して半導体レーザ411に印加する。すなわち、本実施例に係る光送受信システムにおいて、半導体レーザ411には駆動用の直流電流I21に加えて電気変調信号V23の一部である減衰電気変調信号V25が入力されることとなる。また、本実施例において終端抵抗417は例えば46オームであって、半導体レーザ411の内部抵抗4オームと合わせると、半導体レーザ411は50オームの終端となる。ここで、一例としてレーザドライバー421に入力される電気変調信号V23の電圧を250mV、電気アッテネータ416の減衰量を20dBとした場合、バイアスティー415を介して半導体レーザ411に印加される減衰電気変調信号V25は25mVとなる。半導体レーザ411及び終端抵抗417による50オームの抵抗を考えると、減衰電気変調信号V25によって半導体レーザ411に付与される電流は0.5mAとなる。これに対し、半導体レーザ411にレーザ発振光を出射させるために供給される直流電流I21は例えば100mAであり、半導体レーザ411には、100mAの直流電流と0.5mAの微小変調電流とが流れることになる。すなわち、半導体レーザ411に減衰電気変調信号V25によって摂動が与えられることとなり、その結果、半導体レーザ411の反射戻り光に対する耐性が向上する。半導体レーザ411に印加される減衰電気変調信号V25は微小なので、レーザの発振光強度にほとんど影響はなく、光送信信号に影響を与えることなく反射戻り光に対する耐性を高めることができる。なお、直接変調型半導体レーザ402については電気変調信号V23を入力してレーザ発振光を変調すること自体が摂動を与えることと等価となるので、摂動を与えるために別途電気信号を用意する必要はない。また、図示はしないが、光受信機6側の送信器603においても、搭載されている半導体レーザによっては上述した実施例1~3又は後述する実施例5において説明するような手段により摂動が与えらえるものとする。以上に示したように、本実施例に係る光送受信システムによれば、光アイソレータを用いることなく光送受信システムにおける反射戻り光の影響を抑制することができるため、安価な構成で光送受信機を製造することが可能となる。図5を用いて本発明の第5の実施例に係る光送受信システムについて説明する。図5に示すように、本実施例に係る光送受信システムは、図4に示し上述した第4の実施例に係る光送受信システムに比較して、受信器403によって復調された電気変調信号V26を電気アッテネータ416によって減衰し、減衰された電気変調信号以下、減衰電気変調信号というV27を結線418によりバイアスティー415を介して半導体レーザ411に印加する点で異なる。すなわち、本実施例に係る光送受信システムにおいて、半導体レーザ411には駆動用の直流電流I21に加えて復調された電気変調信号V26の一部である減衰電気変調信号V27が入力されることとなる。その他の構成は図4に示し上述した第4の実施例に係る光送受信システムとおおむね同様であり、以下、同一の作用を奏する部材については同一の名称及び符号を用いて重複する説明は適宜省略し、異なる点を中心に説明する。ここで、一例として復調された電気変調信号V26の電圧を250mV、電気アッテネータ416の減衰量を20dBとした場合、バイアスティー415を介して半導体レーザ411に印加される減衰電気変調信号V27は25mVとなる。半導体レーザ411及び終端抵抗417による50オームの抵抗を考えると、減衰電気変調信号V27によって半導体レーザ411に付与される電流は0.5mAとなる。これに対し、半導体レーザ411にレーザ発振光を出射させるために供給される直流電流I21は例えば100mAであり、半導体レーザ411には、100mAの直流電流と0.5mAの微小変調電流とが流れることになる。すなわち、半導体レーザ411に減衰電気変調信号V27によって摂動が与えられることとなり、その結果、半導体レーザ411の反射戻り光に対する耐性が向上する。半導体レーザ411に印加される減衰電気変調信号V27は微小であるので、半導体レーザ411の発振光強度にほとんど影響はなく、光送信信号に影響を与えることなく反射戻り光に対する耐性を高めることができる。以上に示したように、本実施例に係る光送受信システムによれば、光アイソレータを用いることなく光送受信システムにおける反射戻り光の影響を抑制することができるため、安価な構成で光送受信機を製造することが可能となる。以下、本発明の第6の実施例に係る光送受信システムについて説明する。本実施例に係る光送受信システムは、少なくとも図1~図3に示し上述した第1~第3の実施例におけるEA変調器112、又は図4、図5に示し上述した第4、第5の実施例におけるEA変調器412及び直接変調型半導体レーザ402にそれぞれ入力される電気変調信号に誤り訂正符号を挿入し、光受信機3または光受信機6による受光受信後に符号誤り訂正を行うものである。その他の構成は図1~図5に示し上述した第1~第5の実施例に係る光送受信システムと同様であり、以下、図1~図5に示し上述した部材と同一の部材については同一の名称及び符号を用いて重複する説明は省略する。半導体レーザ111又は411、直接変調型半導体レーザ402から出射されるレーザ発振光が、外部からの擾乱によって生じる乱れは、現象的には上述したようにLFFもしくはコヒーレントコラプス、あるいはなんらかのカオス現象として説明されるが、いずれもMHzオーダの揺らぎになり、図7に示すように例えば10Gb/sの信号に対しては10のマイナス4乗、あるいはマイナス5乗台の符号誤りが顕著になる。符号誤り訂正例えば64b66bは10マイナス4乗、あるいはマイナス5乗台の符号誤りの大部分を訂正できる能力を持つので第1~第5の実施例の構成と組み合わせることにより、光アイソレータを廃止したことで生じる、反射戻り光を原因とする符号誤り率の増加を完全に補償することができる。以上に示したように、本実施例に係る光送受信システムによれば、第1~第5の実施例による効果に加えて、より好適な伝送特性を得ることができる。