"被エッチング材の上にレジストとしての感応性樹脂膜を形成する感応性樹脂膜形成工程と、感応性樹脂膜に対してエネルギーを照射する部分を制御して選択的にエネルギー照射する露光工程と、選択的にエネルギー照射された感応性樹脂膜を現像する現像工程と、を有するレジストパターン形成方法であって、該レジストパターン形成方法は、現像によって形成されるレジスト凸部とレジスト凸部の間の凹部にレジスト残膜を存在させるレジスト残膜形成手法を備えることを特徴とするレジストパターン形成方法。前記レジスト残膜形成手法は、被エッチング材の上に塩基性の官能基を有する化合物を配置するとともに、感応性樹脂膜をポジ型化学増幅型レジストとし、感応性樹脂膜に対するエネルギー照射によって被エッチング材の表面に発生した酸を失活させることによって前記レジスト残膜を存在させる手法である請求項1に記載のレジストパターン形成方法。前記塩基性の官能基を有する化合物がシランカップリング剤である請求項2に記載のレジストパターン形成方法。前記塩基性の官能基がアミノ基であり、末端に配置されている請求項2または請求項3に記載のレジストパターン形成方法。前記レジスト残膜形成手法は、感応性樹脂膜をネガ型レジストとし、前記露光工程を第1の露光工程とし、当該第1の露光工程に加えて、さらに少なくともエネルギー照射されていない箇所の感応性樹脂膜に対してエネルギーを照射する第2の露光工程を行なうことによって前記レジスト残膜を存在させる手法である請求項1に記載のレジストパターン形成方法。前記第2の露光工程で用いられる照射エネルギーは、前記第1の露光工程で用いられる照射エネルギーよりも低いエネルギーである請求項5に記載のレジストパターン形成方法。前記第2の露光工程は、感応性樹脂膜の全域または必要な部分に亘り行なわれる請求項6に記載のレジストパターン形成方法。このような実情の基に本発明は創案されたものであって、その目的は、現像やリンス後のレジストパターンの倒れ、滑りを抑制でき、レジストパターンの欠陥をなくすことが可能であるレジストパターン形成方法を提供することにある。このような課題を解決するために、本発明は、被エッチング材の上にレジストとしての感応性樹脂膜を形成する感応性樹脂膜形成工程と、感応性樹脂膜に対してエネルギーを照射する部分を制御して選択的にエネルギー照射する露光工程と、選択的にエネルギー照射された感応性樹脂膜を現像する現像工程と、を有するレジストパターン形成方法であって、該レジストパターン形成方法は、現像によって形成されるレジスト凸部とレジスト凸部の間の凹部にレジスト残膜を存在させるレジスト残膜形成手法を備えるように構成される。また、本発明のレジストパターン形成方法の好ましい態様として、前記レジスト残膜形成手法は、被エッチング材の上に塩基性の官能基を有する化合物を配置するとともに、感応性樹脂膜をポジ型化学増幅型レジストとし、感応性樹脂膜に対するエネルギー照射によって被エッチング材の表面に発生した酸を失活させることによって前記レジスト残膜を存在させる手法として構成される。また、本発明のレジストパターン形成方法の好ましい態様として、前記塩基性の官能基を有する化合物がシランカップリング剤であるように構成される。また、本発明のレジストパターン形成方法の好ましい態様として、前記塩基性の官能基がアミノ基であり、末端に配置されているように構成される。また、本発明のレジストパターン形成方法の好ましい態様として、前記レジスト残膜形成手法は、感応性樹脂膜をネガ型レジストとし、前記露光工程を第1の露光工程とし、当該第1の露光工程に加えて、さらに少なくともエネルギー照射されていない箇所の感応性樹脂膜に対してエネルギーを照射する第2の露光工程を行なうことによって前記レジスト残膜を存在させる手法として構成される。また、本発明のレジストパターン形成方法の好ましい態様として、前記第2の露光工程で用いられる照射エネルギーは、前記第1の露光工程で用いられる照射エネルギーよりも低いエネルギーであるように構成される。また、本発明のレジストパターン形成方法の好ましい態様として、前記第2の露光工程は、感応性樹脂膜の全域または必要な部分に亘り行なわれるように構成される。本発明のレジストパターン形成方法は、現像によって形成されるレジスト凸部とレジスト凸部の間の凹部にレジスト残膜を存在させるレジスト残膜形成手法を備えて構成されているので、現像やリンス後のレジストパターンの倒れ、滑りを抑制でき、パターンの欠陥をなくすことができる。以下、本発明のレジストパターン形成方法の実施形態について説明する。本発明は、被エッチング材の上にレジストとしての感応性樹脂膜を形成する感応性樹脂膜形成工程と、感応性樹脂膜に対してエネルギーを照射する部分を制御して選択的にエネルギー照射する露光工程と、必要に応じて設けられるPEBPostExposureBake工程と、選択的にエネルギー照射された感応性樹脂膜を現像する現像工程と、さらに現像反応を停止させ、現像後のレジストパターンの不要部分を除去するためのリンス工程と、を有するレジストパターン形成方法に関するものであり、特に、本発明のレジストパターン形成方法は、その要部として、現像によって形成されるレジスト凸部とレジスト凸部の間の凹部にレジスト残膜を存在させるレジスト残膜形成手法を備えて構成される。上記のレジスト残膜形成手法については、いくつかの形成手法が存在する。以下、異なるレジスト残膜形成手法ごとにレジストパターン形成方法の実施形態を分けて説明する。なお、本明細書においては、微細パターンの形成工程において、定着された用語として、露光工程という用語を用いているが、この用語は、本明細書中において、光を電子線EBに置換したEB照射工程の概念を含むものである。また、本明細書において使用している感応性樹脂膜とは、光や電子線EBなどのエネルギー線に感応する樹脂膜をいう。<第1の実施形態>本発明のレジストパターン形成方法の第1の実施形態について、図1および図2を参照しつつ説明する。図1A~Eは、それぞれ、本発明のレジストパターン形成方法の一実施形態を経時的に示す概略断面図であり、図2F~Gは、それぞれ、図1Eに続く工程であって、本発明のレジストパターン形成方法の一実施形態を経時的に示す概略断面図である。被エッチング材を準備する工程図1Aに示されるように、エッチングの対象となる被エッチング材10を準備する工程が行なわれる。被エッチング材10としては、例えば、シリコンウエハ等の基板状の形態のものであってもよいし、基板の上に形成されたハードマスク形成のための被エッチング層、例えば、SiO2、SiN、Cr、CrN、CrO2等が形成された積層膜等であってもよく、被エッチング材の材質や形態については特に限定されるものではない。ここでは、図面をシンプルに描くことができ、発明の理解がより容易となるようにシリコンウエハ等の基板状の形態の被エッチング材10を例示している。被エッチング材の上に塩基性の官能基を有する化合物を配置する工程次いで、図1Bに示されるように、被エッチング材10の上に塩基性の官能基を有する化合物を配置する工程が行なわれる。配置される塩基性の官能基を有する化合物は、図1Bにおいて、便宜上、被エッチング材10の上に形成された太線で示される膜状物として表わされ、符号15が付されているが、必ずしも当該化合物の配置形態は膜状物に限定されるものではない。本発明の作用効果が発現できる程度に、被エッチング材10の上に塩基性の官能基を有する化合物が存在していればよい。また、以下に、符号15を処理面と称す場合もある。塩基性の官能基を有する化合物としては、いわゆるシランカップリング剤を用いることが好ましく、特に末端に塩基性の官能基としてアミノ基を有するものが好ましい。このようなアミノ基には水素をアルキル基で置換したものも含まれる。このようなシランカップリング剤としては、N-2-アミノエチルー3-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N-2-アミノエチルー3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-フェニルー3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-トリエトキシシリルーN-1,3-ジメチルーブチリデンープロピルアミン等を好適例として例示することができるが、必ずしも、これらの化合物に限定されるものではない。このようなシランカップリング剤を被エッチング材の上に配置するには、シランカップリング剤を、例えば0.01~10重量程度の濃度に溶媒で希釈して、当該希釈した溶液を用いて浸漬法、回転塗布法、気相成膜等によって、被エッチング材の上に液膜を形成するようにすればよい。その後、通常、ベーク処理を行うことによって脱水縮合による化学結合が進行してシランカップリング処理を完了させる。なお、上記の希釈するための溶媒としては、例えば、エタノール、メタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、イソプロピルアルコール等の公知の種々の溶媒を用いることができる。感応性樹脂膜形成工程次いで、図1Cに示されるように、シランカップリング処理された表面処理面15の上にレジストとしての感応性樹脂膜20を形成する感応性樹脂膜形成工程が行なわれる。レジストとしての感応性樹脂膜20を形成するには、通常、回転塗布法が用いられるが、必ずしもこの手法に限定されるわけではない。本実施形態においては、レジストを形成する感応性樹脂としてポジ型化学増幅型レジストChemicallyAmplifiedResistCARが用いられる。ポジ型化学増幅型レジストは、その好適例として、極性変換基を導入した高分子化合物と、光酸発生剤PhotoacidGeneratorとの混合物を主成分として含み構成される。例えば、アルカリ水溶性の高分子化合物の末端にある水酸基OHに酸分解性基を化学結合させておき、さらに酸発生剤を混合してレジストとすることができる。そして、後述するように、感応性樹脂膜を露光することによって、露光された部分に酸を発生させ、さらに後述するPEBPostExposureBake工程によって、露光された部分に酸が拡散、反応し、導入した酸分解性基を解烈して、元の水酸基に変換させてアルカリ可溶とする。つまり、レジスト中に発生した酸は、PEBによって拡散し、多くの領域をアルカリ可溶性に変質させる。このようなメカニズムによって高感度化が実現される。ポジ型化学増幅型レジストは、公知の種々の材料の中から露光条件等を考慮して適宜選定して使用すればよく、特に、限定されるものではない。プリベーク工程次いで、上記のごとく被エッチング材10の上の処理面15上に形成されたレジストとしての感応性樹脂膜20を加熱して、レジストを固化するためのプリベーク工程が行なわれる。プリベーク工程における加熱温度や加熱時間は、レジストそのものが持つ物性等を考慮して適宜選定するようにすればよい。露光工程次いで、図1Dに示されるように、プリベークされた感応性樹脂膜20に対してエネルギーを照射する部分を制御して選択的にエネルギー照射する露光工程が行なわれる。エネルギーを照射する部分を制御するために、必要な箇所だけ電子線EBで直接レジスト上に描画する方法や、所定の光透過可能なパターンが形成されたマスクを介してその上にエネルギー源を配置してエネルギー照射する方法等が用いられる。パターンが微細化するほど、短波長のエネルギー源が必要とされるため、例えば、KrFエキシマレーザ、ArFエキシマレーザ、F2エキシマレーザ等が好適に用いられる。また、X線をエネルギー源に用いたり、EUV光源をエネルギー源に用いたりすることもできる。上記のごとく感応性樹脂膜20としてポジ型化学増幅型レジストを用いた場合には、通常、エネルギー照射がされない箇所は現像液に溶解せずに、エネルギー照射がされた箇所のみ現像液に溶解する潜像が形成される。従って、その後の現像処理によって、エネルギー照射がされない箇所にのみレジスト凸部が形成され、エネルギー照射がされた箇所にはレジストが残存しない。しかしながら、本実施形態においては、上述したように被エッチング材の上に塩基性の官能基を有する化合物を配置処理面15が形成されているために、被エッチング材の表面近傍では、露光によりレジスト中に発生した酸が塩基により中和されて酸の失活が起こる。そのため、図1Dに示されるごとく、被エッチング材の表面近傍処理面15付近のレジストは、後述のPEBPostExposureBake工程後もアルカリ可溶性に変質させることができず、後述の現像後、被エッチング材の表面近傍処理面15付近に薄膜のレジストが残存するようなアルカリ可溶の潜像20aが形成されることとなる。PEBPostExposureBake工程次いで、露光後、現像前の加熱工程であるPEBPostExposureBake工程が行なわれる。PEB工程における加熱温度や加熱時間は、レジストそのものが持つ物性等を考慮して適宜選定するようにすればよい。PEB工程によって、感応性樹脂膜の露光された部分に発生した酸は、さらに膜内を拡散、反応し、導入した酸分解性基を解烈して、元の水酸基に変換させてアルカリ可溶とする。つまり、レジスト中に発生した酸は、ベークすることによって拡散し、多くの領域をアルカリ可溶性に変質させる。ただし、本実施形態においては、上述したように塩基性の官能基を有する化合物が配置された被エッチング材の表面近傍のレジストは、酸の失活が生じ、アルカリ可溶性に変質させることができず現像後も被エッチング材の表面近傍処理面15付近に薄膜のレジスト図1Eの符号25を参照が残存することとなる。現像工程次いで、図1Eに示されるように、露光した部分を現像液に浸して余分な部分のレジストを除去する現像工程が行なわれる。この工程において、レジストの凸パターンが被エッチング材10の上に現われる。本発明においては、上述したごとく、被エッチング材の上に塩基性の官能基を有する化合物を配置するとともに、感応性樹脂膜をポジ型化学増幅型レジストとし、感応性樹脂膜に対するエネルギー照射によって被エッチング材の表面に発生した酸を失活させるレジスト残膜形成手法を備えているので、図1Eに示されるように、現像によって形成されるレジスト凸部21とレジスト凸部21の間の凹部にレジスト残膜25を存在させることができる。このようにしてレジスト凸部21と、レジスト凸部21とレジスト凸部21の間の凹部に形成されたレジスト残膜25とを凹凸状に備えるレジストの凹凸パターンが形成される。レジスト残膜25の厚さは、レジスト残膜25の厚さをHr、レジスト凸部21の厚さをHpとした場合、Hr/Hp=0.02~0.1程度とされる。また、レジスト凸部の底部幅Wと高さHpとの比であるアスペクト比は、1~3程度とされる。レジスト残膜25の存在によって、レジストの凹凸パターンは、その底部が一枚の膜で基板と一体的に固着する形態となり、接触面積が大きくなるために、レジストパターンを構成しているレジスト凸部21の滑りや倒れが抑制できる。なお、レジスト残膜25は後述するエッチングプロセスにおいて容易に除去することが可能である。リンス工程次いで、現像液の供給をとめ、現像反応を停止させ、レジストパターンの周辺に存在する不要部分を除去するためのリンス工程が行なわれる。不要部分としては、例えば、レジスト現像液や現像後の残余の不要レジスト等が挙げられる。リンス液としては、主として超純水が用いられるが、必ずしもこれに限定されるわけではなく、種々の洗浄用の液体を使用することが可能である。溶剤や界面活性剤を含む溶液を用いてもよい。本発明においては、レジスト凸部21と、レジスト凸部21とレジスト凸部21の間の凹部に形成されたレジスト残膜25とを凹凸状に備えるレジストの凹凸パターンが形成されているので、レジスト凸部のみが分断された状態で基板と密着している箇所がなく、接触面積が大きくなるために、レジスト凸部21で構成されるレジストパターンの倒れ、滑り等を抑制でき、レジストパターンの欠陥をなくすことが可能となる。このような効果は、現像工程の直後はもとより、その後のレジストが特に倒れ易いリンス工程特に超純水を用いたリンス工程後であっても発現させることができる。このようなリンス工程を経て、洗浄された所望のレジスト凹凸パターンが形成される。なお、リンス工程後に、必要に応じて、現像液やリンス液などの水分を除去するとともに、レジストの密着性と次工程のエッチング耐性を向上させるためにポストベーク工程を設けるようにしてもよい。残膜除去工程次いで、レジスト凸部21とレジスト凸部21の間の谷間である凹部に形成されたレジスト残膜25をエッチングやアッシング等によって除去する残膜除去工程が行なわれる。これによって、谷間である凹部に形成されたレジスト残膜25が除去され、被エッチング材の一部が露出する。レジスト凸部21は残存した状態にある。被エッチング材の加工工程次いで、図2Fに示されるように、被エッチング材の露出部分をエッチング加工することによって、所望の凹部10aを形成する加工が行なわれる。このような被エッチング材の加工工程は、上述の残膜除去工程と連続的に行なうこともできる。レジスト除去工程次いで、図2Gに示されるように、被エッチング材の上に残存するレジストをアッシングや溶剤等で除去するレジスト除去工程が行なわれ、被エッチング材10の凹凸加工パターンが形成される。なお、上記の説明では被エッチング材10を例えば、シリコンウエハ等の基板としたが、被エッチング材10を例えば、ハードマスク形成のために基板の上に形成された積層膜とした場合には、図2Gの状態は、図3に示される断面形状の状態に置き換えられる。図3において、被エッチング材は基板11の上に設けられたハードマスク層12であり、このハードマスク層12は、本発明のレジストパターン形成方法を利用して、例えば、図1A~図1Gに示されるのと同様な工程を経てエッチング加工されて設けられている。なお、被エッチング材であるハードマスク層12の凹部は、マスクとして使用されるために、基板11の表面まで到達している。<第2の実施形態>本発明のレジストパターン形成方法の第2の実施形態について、図4および図5を参照しつつ説明する。図4A~Eは、それぞれ、本発明のレジストパターン形成方法の他の一実施形態を経時的に示す概略断面図であり、図5F~Gは、それぞれ、図4Eに続く工程であって、本発明のレジストパターン形成方法の他の一実施形態を経時的に示す概略断面図である。被エッチング材を準備する工程図4Aに示されるように、エッチングの対象となる被エッチング材10を準備する工程が行なわれる。図4Aは、基本的に前述の図1Aと同様の図面であり、被エッチング材10の構成は、前述したとおりである。感応性樹脂膜形成工程次いで、図4Bに示されるように、被エッチング材10の上にレジストとしての感応性樹脂膜30を形成する感応性樹脂膜形成工程が行なわれる。レジストとしての感応性樹脂膜30を形成するには、通常、回転塗布法が用いられるが、必ずしもこの手法に限定されるわけではない。本実施形態においては、レジストを形成する感応性樹脂としてネガ型レジストが用いられ、非化学増幅型レジスト、化学増幅型レジストいずれであってもよい。ネガ型レジストは、エネルギーを照射することによってレジスト樹脂が架橋反応を起こして重合し、その結果、現像液に不溶となるタイプのレジストである。ネガ型レジストは、公知の種々の材料の中から露光条件等を考慮して適宜選定して使用すればよく、特に、限定されるものではない。プリベーク工程次いで、被エッチング材10の上に形成されたレジストとしての感応性樹脂膜30を加熱して、レジストを固化するためのプリベーク工程が行なわれる。プリベーク工程における加熱温度や加熱時間は、レジストそのものが持つ物性等を考慮して適宜選定するようにすればよい。露光工程次いで、図4Cに示されるように、プリベークされた感応性樹脂膜30に対してエネルギーを照射する部分を制御して選択的にエネルギー照射する第1の露光工程が行なわれる。前述したようにエネルギーを照射する部分を制御するために、必要な箇所だけ電子線EBで直接レジスト上に描画する方法や、所定の光透過可能なパターンが形成されたマスクを介してその上にエネルギー源を配置してエネルギー照射する方法等が用いられる。パターンが微細化するほど、短波長のエネルギー源が必要とされるため、例えば、KrFエキシマレーザ、ArFエキシマレーザ、F2エキシマレーザ等が好適に用いられる。また、X線をエネルギー源に用いたり、EUV光源をエネルギー源に用いたりすることもできる。上記のごとく感応性樹脂膜30としてネガ型レジストを用いた場合、図4Cに示される第1の露光工程によって、エネルギー照射がされた箇所は、樹脂の架橋反応が生じ現像液に不溶の潜像30aが形成される。エネルギー照射がされない箇所は現像液に溶解する。第1の露光工程に使用されるエネルギーは、感応性樹脂膜30の表面から膜厚方向の底部に至るまで十分な潜像が形成できる程度の高エネルギーKHとされる。次いで、本実施例の露光工程においては、感応性樹脂膜30に対して、図4Dに示されるごとく第2の露光工程が行なわれる。第2の露光工程の目的は、上記の第1の露光工程でエネルギー照射されなかった感応性樹脂膜30の部分39に対して、低エネルギーKLのエネルギーを照射して、当該部分39の被エッチング材の表面近傍のレジストを架橋反応により重合させて、現像液に対して不溶となる潜像30bを形成させることにある。従って、少なくとも上記の第1の露光工程でエネルギー照射されなかった感応性樹脂膜30の部分39に対してのみ、第2の露光工程のエネルギー照射を施せば目的は達成できるが、第2の露光工程の露光操作の簡便性を考慮して、図4Dに示されるごとく感応性樹脂膜30のパターンが形成されている領域と同一面積以上の領域に対して、第2の露光工程重ね露光を行なうことが好ましい。もちろん、上記の第1の露光工程でエネルギー照射されなかった感応性樹脂膜30の部分39に対してのみエネルギーが照射されるように第2の露光工程を施すようにしてもよい。また第1の露光工程高エネルギー照射と第2の露光工程低エネルギー照射の順序が入れ替わってもよい。特に、第1の露光工程でエネルギー照射されなかった感応性樹脂膜30の部分39は、第2の露光工程の低エネルギーのエネルギー照射によって、被エッチング材の表面近傍のレジストが重合しやすくなる傾向にある。これは、感応性樹脂膜30の中に入射した電子が被エッチング材の表面近傍で散乱されその一部が感応性樹脂膜中に反射することによってもたらされる現象に起因するものと考察される。これによって、本来、第1の露光工程でエネルギー照射されなかった感応性樹脂膜30の部分39、すなわち、被エッチング材の表面が露出するべき部分に、薄膜のレジストを残存させることができる。なお、第1の露光工程に使用される高エネルギーKHの光エネルギーに対する第2の露光工程に使用される低エネルギーKLの光エネルギーとの比KL/KHは、0.1~0.25程度とされる。PEBPostExposureBake工程ネガ型レジストとして、化学増幅型レジストを用いる場合には、露光後、現像前の加熱工程であるPEBPostExposureBake工程が行なわれる。その場合のPEB工程における加熱温度や加熱時間は、レジストそのものが持つ物性等を考慮して適宜選定するようにすればよい。現像工程次いで、図4Eに示されるように、露光した部分を現像液に浸して余分な部分のレジストを除去する現像工程が行なわれる。この工程において、レジストの凸パターンが被エッチング材10の上に現われる。本発明においては、上述したごとく、感応性樹脂膜をネガ型レジストとし、第1の露光工程に加えて、少なくとも照射されていない箇所の感応性樹脂膜の部分39に対してエネルギーを照射する第2の露光工程としての重ね露光を行なうレジスト残膜形成手法を備えているので、図4Eに示されるように、現像によって形成されるレジスト凸部31とレジスト凸部31の間の凹部にレジスト残膜35を存在させることができる。レジスト残膜35の厚さは、レジスト残膜35の厚さをHr、レジスト凸部31の厚さをHpとした場合、Hr/Hp=0.02~0.1程度とされる。また、レジスト凸部の底部幅Wと高さHpとの比であるアスペクト比は、1~3程度とされる。リンス工程次いで、現像反応を止め、レジストパターンの周辺に存在する不要部分を除去するためのリンス工程が行なわれる。不要部分としては、例えば、レジス現像液や現像後の残余の不要レジスト等が挙げられる。リンス液としては、主として超純水が用いられるが、必ずしもこれに限定されるわけではなく、種々の洗浄用の液体を使用することが可能である。溶剤を含む溶液を用いてもよい。本発明においては、レジスト凸部31と、レジスト凸部31とレジスト凸部31の間の凹部に形成されたレジスト残膜35とを凹凸状に備えるレジストの凹凸パターンが形成されているので、レジスト凸部のみが分断された状態で基板と密着している箇所がなく、接触面積が大きくなるために、レジスト凸部21で構成されるレジストパターンの倒れ、滑り等を抑制でき、レジストパターンの欠陥をなくすことが可能となる。このような効果は、現像工程の直後はもとより、その後のレジストが特に倒れ易いリンス工程特に超純水を用いたリンス工程後であっても発現させることができる。このようなリンス工程を経て、洗浄された所望のレジスト凹凸パターンが形成される。なお、リンス工程後に、必要に応じて、現像液やリンス液などの水分を除去するとともに、レジストの密着性と次工程のエッチング耐性を向上させるためにポストベーク工程を設けるようにしてもよい。残膜除去工程次いで、レジスト凸部31とレジスト凸部31の間の谷間である凹部に形成されたレジスト残膜35をエッチング、アッシング等によって除去する残膜除去工程が行なわれる。これによって、谷間である凹部に形成されたレジスト残膜35が除去され、被エッチング材の一部が露出する。レジスト凸部31は残存した状態にある。被エッチング材の加工工程次いで、図5Fに示されるように、被エッチング材の露出部分をエッチング加工することによって、所望の凹部10aを形成する加工が行なわれる。このような被エッチング材の加工工程は、上述の残膜除去工程と連続的に行なうこともできる。レジスト除去工程次いで、図5Gに示されるように、被エッチング材の上に残存するレジストをアッシングや溶剤等で除去するレジスト除去工程が行なわれ、被エッチング材10の凹凸加工パターンが形成される。以下、具体的な実験例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。実施例1被エッチング材として6インチのシリコンウエハ基板を準備し、この基板の表面を、シランカップリング処理した。シランカップリング処理に用いた溶液は、シランカップリング剤信越化学社製:KBM-9033-アミノプロピルトリメトキシシランをエタノール溶剤で0.05重量に希釈したものを用い、この溶液に基板を30分間浸漬させ膜を形成した後、105°C、30分のベーク処理を行ないシランカップリング処理を完了させた。このように形成されたシランカップリング処理表面の上に、ポジ型化学増幅型レジストの感応性樹脂溶液を3000rpmで90秒間スピンコート回転塗布し、その後、110°Cで90秒間プリベークすることによって、膜厚50nmの感応性樹脂膜を形成した。次いで、このように形成された感応性樹脂膜に対して、100μC/cm2の露光量で電子ビームによる選択的エネルギー照射ラインスペース=32nm32nmを行なった後、ホットプレートにより90°C、90秒間のPEBPostExposureBake処理を行なった。次いで、PEBPostExposureBake処理された感応性樹脂膜に対して、濃度2.38重量のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの現像液で60秒間パドル現像することによって、現像後のレジストパターンラインスペース=32nm32nmを得た。このような本実施例においては、被エッチング材であるシリコンウエハの上に塩基性の官能基を有する化合物を配置するとともに、感応性樹脂膜をポジ型化学増幅型レジストとし、感応性樹脂膜に対するエネルギー照射によって被エッチング材の表面に発生した酸を失活させるレジスト残膜形成手法を用いているので、図1Eに示されるごとく現像リンスによって形成されるレジスト凸部とレジスト凸部の間の凹部にレジスト残膜が存在することが、レジスト断面をSEM像観察することによって確認できた。ちなみに、図1Eの状態に当てはめると、レジスト残膜25の厚さは、レジスト残膜25の厚さをHr、レジスト凸部21の厚さをHpとした場合、Hr/Hp比は、約0.1程度であった。また、レジスト凸部の底部幅Wと高さHpとの比であるアスペクト比は、約1.56であった。また凸部の倒れ、滑りは発生しておらず、基板面から垂直に切り立ったレジスト凸部が定ピッチで、シャープなライン群を形成しているのが確認できた。比較例1上記実施例1において、シリコンウエハ基板表面のシランカップリング処理を行なわなかった。その代わりに、基板に対して、従来より一般的に行なわれているHMDSHexamethyldisilazaneによる処理を行い、当該表面処理層をレジストと基材との間に介在させた。それ以外は、上記実施例1と同じ要領で、レジスト凸部のパターンを形成した。リンス後のレジスト凸部のパターンの状態をSEM像観察して確認したところ、レジスト凸部で構成されるラインの30が倒れ滑っていることが確認された。上記の実施例1および比較例1の対比実験の結果より、本発明の実施例1では、レジスト凸部のパターンの倒れ、滑りの発生が皆無であり、パターンの倒れ、滑りに対する効果が格段と改善されているのがわかる。実施例2被エッチング材として石英ガラス基板を準備し、この基板の表面にハードマスク形成用のCr層を厚さ20nmにスパッタ成膜した。このようにして形成されたハードマスク形成用のCr層の上に、ネガ型非化学増幅型レジスト住友化学:NEB-22の感応性樹脂溶液を3000rpmで90秒間スピンコート回転塗布し、その後、90°Cで90秒間プリベークすることによって、膜厚300nmの感応性樹脂膜を形成した。次いで、このように形成された感応性樹脂膜に対して2ステップの露光を行なった。すなわち、50μC/cm2の露光量で電子ビームによる選択的エネルギー照射ラインスペース=100nm100nmを行ない図4Cに示される第1の露光工程、しかる後、10μC/cm2の露光量で感応性樹脂膜のパターンが存在する全域に対して電子ビームによる重ね露光を行なった図4Dに示される第2の露光工程。次いで、2ステップで露光処理された感応性樹脂膜に対して、濃度2.38重量のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの現像液で60秒間パドル現像することによって、現像後のレジストパターンラインスペース=100nm100nmを得た。本実施例では、感応性樹脂膜をネガ型レジストとし、露光工程を上記のごとく重ね露光を含む2ステップの露光とするレジスト残膜形成手法を備えているので、図4Eに示されるごとく現像、次いで超純水を用いて60秒間のリンス処理を行なうことによって形成されるレジスト凸部とレジスト凸部の間の凹部にレジスト残膜が存在することが、レジスト凸部の倒れ、滑りは発生しておらず、また基板面から垂直に切り立ったレジスト凸部が定ピッチで、シャープなライン群を形成しているのがレジスト断面をSEM像観察することによって確認できた。ちなみに、図4Eに示される図面の状態に当てはめると、レジスト残膜35の厚さは、レジスト残膜35の厚さをHr、レジスト凸部31の厚さをHpとした場合、Hr/Hp比は、約0.03程度であった。また、レジスト凸部の底部幅Wと高さHpとの比であるアスペクト比は、約3.0であった。比較例2上記実施例2において、重ね露光図4Dに示される第2の露光工程を行なわなかった。それ以外は、上記実施例2と同じ要領で、同じ形態のレジスト凸部のパターンを形成した。リンス後のレジスト凸部のパターンの状態をSEM像観察して確認したところ、レジスト凸部で構成されるラインの倒れ滑りが発生しているのが確認された。上記の実施例2および比較例2の対比実験の結果より、本発明の実施例2では、レジスト凸部のパターンの倒れ、滑りの発生が皆無であり、パターンの倒れ、滑りに対する効果が格段と改善されているのがわかる。以上の実験結果より、本発明の効果は明らかである。すなわち、本発明のレジストパターン形成方法は、現像によって形成されるレジスト凸部とレジスト凸部の間の凹部にレジスト残膜を存在させるレジスト残膜形成手法を備えて構成されているので、現像やリンス後のレジストパターンの倒れ、滑りを抑制でき、パターンの欠陥をなくすことができる。特に、本発明においては、現像後、レジストがパターンとして被エッチング材と接するのではなく、膜として被エッチング材上に形成され、接する面積が大きくなるため、特にレジストパターンの滑りが抑制でき、アスペクトも若干小さくすることができ、倒れも軽減できる。レジスト残膜はその後のエッチングプロセスにおいて容易に取り除くことができる。"