"複数のトランジスタで構成される高周波増幅器において、平面上に配置されている前記複数のトランジスタのうち隣接している2つの各トランジスタにおけるx軸方向の各中心はy軸方向にずれていることを特徴とする高周波増幅器。全てのトランジスタについて、隣接している2つの各トランジスタにおけるx軸方向の各中心はy軸方向に互い違いにずれていることを特徴とした請求項1記載の高周波増幅器。互いに縦続接続したnnは自然数段で構成され、前記複数のトランジスタの中で、n段のうちの少なくとも1段に含まれるトランジスタについて、隣接している2つの各トランジスタにおけるx軸方向の各中心はy軸方向に互い違いにずれていることを特徴とする請求項1記載の高周波増幅器。直線上に配置された複数のトランジスタで構成される高周波増幅器において、前記複数のトランジスタが配置されている前記直線の方向と、前記複数のトランジスタの各トランジスタの長手方向とのなす角度は、0度を超え且つ90度までのいずれかであることを特徴とする高周波増幅器。しかしながら、従来の高周波増幅器では、トランジスタセル1の中心が同一線上となるように配置されているため、高周波増幅器から高周波増幅器下部への熱の拡散について、高周波増幅器のトランジスタセル1から、図1中z軸の正の方向に、間隔lの半分の距離において隣接するトランジスタセル1同士の熱流がぶつかり、熱流の干渉し合う範囲が広く熱抵抗が上がり高周波増幅器全体の放熱性能が劣化するという課題があった。この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、熱抵抗が下がり高周波増幅器全体の放熱性能が向上する高周波増幅器を提供することを目的とする。この発明に係る高周波増幅器は、平面上に配置されている複数のトランジスタのうち隣接している2つの各トランジスタにおけるx軸方向の各中心はy軸方向にずれていることを特徴とするものである。この発明によれば、トランジスタはx軸方向の中心がy軸方向にずれているために熱抵抗が下がり高周波増幅器全体の放熱性能が向上する高周波増幅器を提供することができる。実施の形態1.図2は、この発明の実施の形態1に係る高周波増幅器の回路図である。この図2中、1a-1gはトランジスタセルトランジスタ、2は周辺回路、10は高周波増幅器を示す。全てのトランジスタセル1a-1gについて、隣接している2つの各トランジスタセル例えば、トランジスタセル1a及び1b、トランジスタセル1b及び1c等におけるx軸方向の各中心は、y軸方向に互い違いにずれている。ここで、互い違いにずれているとは、下方にずれたトランジスタセル例えば1aと上方にずれたトランジスタセル例えば1bとが交互に配列されていることを意味する。具体的には、トランジスタセル1a-1gは、図2において左から1a,1b,,1gとすると、1a,1c,1e,1gの中心が図2において点線Dで示した線上に位置し、1b,1d,1fの中心が図2において点線Dで示した線よりも上方にある点線Eで示した線上に位置している。この実施の形態の説明においてトランジスタセルを用いて説明するが、トランジスタセル1a-1gは、1つのトランジスタで構成されていてもよい。以後の説明でも同様である。図2中点線Dで示した線の上方に点線Eで示す線がある場合の例を用いて説明しているが、図2中点線Eで示した線の上方に点線Dで示す線があってもよい。この実施の形態1の説明では、トランジスタセル1a-1gの数が7個の場合を例にして説明しているが、7個である必要はない。次に、この実施の形態1に係る高周波増幅器10の放熱性能について説明する。放熱性能の指標として熱抵抗の大小を用いることができる。熱抵抗Rthは式1を用いて計算する事ができる。式1において、χは熱が伝達する媒質半導体内部あるいは放熱器などの熱伝導率、h1は計算する範囲のz軸方向における上辺、h2は計算する範囲のz軸方向における下辺、Szは、あるzh1<z<h2についてのx-y平面上において熱流の通過する面積である。式1より、熱抵抗は面積が大きいほど小さくなる、言い換えると放熱面積が大きいほど放熱性能が高いと言える。Szとしては、いくつかのモデルが提案されている。図3を参照して、以下の説明で用いるモデルについて述べる。熱流は、その伝達した距離だけ拡散する。各辺の長さがl×mの長方形図3にてハッチングされている部分を放熱面とし、z軸方向の熱流伝達距離をhとした場合、Szは{l2h×m2h}の長方形図3にて面積の広い方の長方形からl×mの長方形図3にてハッチングされている部分を引いた部分である。以降の検討では、Szは本モデルを用いて計算を行う。図1に示す従来の高周波増幅器及びこの実施の形態1に係る高周波増幅器10について、熱流の通過面積で比較を行う。図1、2において、各トランジスタセル1を発熱体発熱面とする。図4aは、図1に示した従来の高周波増幅器について、発熱面よりz軸方向の距離0.2mmの位置でのx-y平面に平行な切断面における熱流の通過面積を示す図である。図4bは、この実施の形態1に係る高周波増幅器10について、発熱面よりz軸方向の距離0.2mmの位置でのx-y平面に平行な切断面における熱流の通過面積を示す図である。これら図4a及びbにおけるS0.2を計算するためのパラメータを図4cに示す。図4cのパラメータを元にS0.2を計算した結果、この実施の形態1に係る高周波増幅器10のS0.2は、1.865mm2となり、図1に示す従来の高周波増幅器でのS0.2は、1.625mm2となった。この実施の形態1に係る高周波増幅器10のS0.2は、従来の高周波増幅器におけるS0.2と比較して15程度大きくなっている。このため、高周波増幅器10は、放熱性能が向上したといえる。この実施の形態1に係る高周波増幅器10及び図1に示す従来の高周波増幅器について、z軸方向に材料とその厚みを定義して、より実践的な放熱性能の改善量を計算する。図4dに材料の計算条件を示す。各材料のx軸及びy軸方向の大きさは無限大とする。これらの条件の元で放熱性能、すなわち熱抵抗Rthを計算すると、この実施の形態1に係る高周波増幅器10における熱抵抗は2.6[K/W]となり、従来の高周波増幅器の熱抵抗値2.88[K/W]と比較して10程度熱抵抗が小さい結果が得られた。図4eの半導体デバイス、高周波増幅器性能を仮定し、常温の条件で比較すると、この実施の形態1に係る高周波増幅器10は、従来の高周波増幅器と比較して半導体デバイスの温度が16度低く、0.64dB利得が高くなる。以上から、この実施の形態1に係る高周波増幅器10により放熱性能の向上が可能となる。同時に、放熱性能が良いため、デバイスの温度を下げることができ半導体デバイスの信頼性の観点から有利である。また、温度が低いことで高周波増幅器10の利得を改善することができる。また、高周波増幅器10の利得が改善することで、高周波増幅器10の効率を改善することができる。同時に高周波増幅器10の利得が改善することで、高周波増幅器10の前段に接続するドライバ段の高周波増幅器10に必要な出力電力を小さくすることができ、システムの小型化、低価格化に有利である。一般的にトランジスタでは出力電力も利得と同様に高熱条件化では低下するので、出力電力を改善することもできる。この実施の形態1では、分布形増幅器を例に説明を行ったが分配合成型の増幅器であっても同様の効果を得ることができる。図2では、この実施の形態1の高周波増幅器の例として、全てのトランジスタセル1a-1gについて、隣接している2つの各トランジスタセル1aと1b、1bと1c、1cと1d、1dと1e、1eと1f及び1fと1gにおけるx軸方向の各中心はy軸方向に互い違いにずれている例を説明したが、これに限らず、少なくとも隣接している2つの各トランジスタセル1aと1b、又は1bと1c等におけるx軸方向の各中心がy軸方向にずれていれば同様の効果を得られる。以上より、実施の形態1に係る高周波増幅器10は、複数のトランジスタセル1a-1gで構成され、平面上に配置されている複数のトランジスタセル1a-1gのうち隣接している2つの各トランジスタセルにおけるx軸方向の各中心はy軸方向にずれているように構成した。このため熱抵抗が下がり高周波増幅器10全体の放熱性能が向上する高周波増幅器10を提供することができる。また、実施の形態1によれば、全てのトランジスタセル1a-1gについて、隣接している2つの各トランジスタセルにおけるx軸方向の各中心はy軸方向に互い違いにずれているように構成したので、熱抵抗が更に下がり高周波増幅器10全体の放熱性能がより向上する高周波増幅器10を提供することができる。実施の形態2.次に、この発明の実施の形態2に係る高周波増幅器20について説明する。図5は、この実施の形態2に係る高周波増幅器20の回路構成を示す図である。この図5中、1a-1fはトランジスタセルトランジスタ、2は周辺回路、20は高周波増幅器を示す。高周波増幅器20は、互いに縦続接続された2段構成であり、2段のうち上段に含まれるトランジスタセル1a,1b,1c,1d、及び、2段のうち下段に含まれるトランジスタセル1e,1fを備える。2段のうち上段に含まれるトランジスタセル1a,1b,1c,1dについて、隣接している2つの各トランジスタセル1aと1b、1bと1c及び1cと1dにおけるx軸方向の各中心はy軸方向に互い違いにずれている。より具体的には、上方にずれたトランジスタセルと下方にずれたトランジスタセルとが交互に配列するような位置関係にある。図5の例では、上段に含まれるトランジスタセル1a,1b,1c,1dのうちトランジスタセル1a,1cは上方に位置しておりトランジスタセル1b,1dは下方に位置している。下段に含まれるトランジスタセル1e,1fは、上段に含まれるトランジスタセル1a,1b,1c,1dのうち上方に配列しているトランジスタセルトランジスタセル1a,1cの下方向に位置している。実施の形態1と同様に、この実施の形態2に係る高周波増幅器20と従来の高周波増幅器とを放熱性能で比較する。熱流の通過面積Szが大きい方が放熱性能が良いため、ここでもこれを指標とする。比較のための従来の2段高周波増幅器を図6に示す。図5、6において、各トランジスタセルを発熱体発熱面とする。図7aは、この実施の形態2に係る高周波増幅器20について、発熱面よりz軸方向の距離0.2mmの位置でのx-y平面に平行な切断面における熱流の通過面積を示す図である。図7bは、図6に示した従来の高周波増幅器について、発熱面よりz軸方向の距離0.2mmの位置でのx-y平面に平行な切断面における熱流の通過面積を示す図である。これら図7a及びbにおけるS0.2を計算するためのトランジスタセル1のパラメータを図7cに示す。図7cのパラメータを元にS0.2を計算した結果、この実施の形態2に係る高周波増幅器20のS0.2は、1.59mm2となり、図6に示す従来の高周波増幅器でのS0.2は、1.35mm2となった。この実施の形態2に係る高周波増幅器20のS0.2は、従来の高周波増幅器におけるS0.2と比較して15程度大きくなっている。このため、高周波増幅器20は、放熱性能が向上したといえる。以上から、この実施の形態2に係る高周波増幅器20により、放熱性能が向上する。同時に、上述の実施の形態1で説明したとおり、利得、効率及び出力電力等を改善することができる。この実施の形態2では、2段構成の高周波増幅器20を用いて説明したが、互いに縦続接続したnnは自然数段で構成してもよい。この場合、n段のうちの少なくとも1段に含まれるトランジスタセルについて、隣接している2つの各トランジスタセルにおけるx軸方向の各中心がy軸方向に互い違いにずれて配置されてもよい。この実施の形態2では、分配合成形増幅器を例に説明を行ったが分布形増幅器であっても同様の効果を得ることができる。以上より実施の形態2に係る高周波増幅器20は、互いに縦続接続したnnは自然数段で構成され、複数のトランジスタセル1a-1fの中で、n段のうちの少なくとも1段に含まれるトランジスタセル1a-1dについて、隣接している2つの各トランジスタセルにおけるx軸方向の各中心はy軸方向に互い違いにずれているように構成した。このため熱抵抗が下がり高周波増幅器20全体の放熱性能が向上する高周波増幅器20を提供することができる。実施の形態3.次に、この発明の実施の形態3に係る高周波増幅器30について説明する。図8は、この実施の形態3に係る高周波増幅器30の回路構成を示す図である。この図8中、1は複数のトランジスタセル、2は複数の周辺回路、30は高周波増幅器を示す。高周波増幅器30は1段構成である。トランジスタセル1は、直線上に配置されている。トランジスタセル1が配置されている直線図8で点線Fで示す直線の方向と、各トランジスタセル1の長手方向とのなす角度は90度である。高周波増幅器30は、図1に示した高周波増幅器に対して、各トランジスタセル1を時計回りに90度回転することで得ることができる。実施の形態1と同様に、この実施の形態3に係る高周波増幅器30と従来の高周波増幅器とを放熱性能で比較する。熱流の通過面積Szが大きい方が放熱性能が良いため、ここでもこれを指標とする。比較のための従来の高周波増幅器の計算は、上述の実施の形態1と同様である。図8において、各トランジスタセル1を発熱体発熱面とする。図9は、この実施の形態3に係る高周波増幅器30について、発熱面よりz軸方向の距離0.2mmの位置でのx-y平面に平行な切断面における熱流の通過面積を示す図である。図9におけるS0.2を計算するためのトランジスタセル1のパラメータを図4cに示す。図4cのパラメータを元にS0.2を計算した結果、この実施の形態3に係る高周波増幅器30のS0.2は、1.76mm2となり、図1に示す従来の高周波増幅器でのS0.2は、1.625mm2となった上述。この実施の形態3に係る高周波増幅器30のS0.2は、従来の高周波増幅器におけるS0.2と比較して8程度大きくなっている。このため、高周波増幅器30は、放熱性能が向上したといえる。以上から、この実施の形態3に係る高周波増幅器30により、放熱性能が向上する。同時に、上述の実施の形態1で説明したとおり、利得、効率及び出力電力等を改善することができる。この実施の形態3に係る高周波増幅器30の説明は、複数のトランジスタセル1が配置されている直線の方向と、各トランジスタセル1の長手方向とのなす角度が90である例を用いて説明したが、角度は、0度を超え且つ90までのいずれかであってもよい。それによって同様の効果を得ることが可能である。この実施の形態3では、分布形増幅器を例に説明を行ったが分配合成型の増幅器であっても同様の効果を得ることができる。以上より実施の形態3に係る高周波増幅器30は、直線上に配置された複数のトランジスタセル1で構成され、複数のトランジスタセル1が配置されている直線の方向と、複数のトランジスタセル1の各トランジスタセルの長手方向とのなす角度は、0度を超え且つ90度までのいずれかであるように構成した。このため、熱抵抗が下がり高周波増幅器30全体の放熱性能が向上する高周波増幅器30を提供することができる。なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。"