"光共振器であって、内部に周期的に低屈折率材料からなる円柱または多角柱構造を配置した高屈折率媒体からなる棒状構造の1次元フォトニック結晶と、前記1次元フォトニック結晶に接して配置した、熱伝導率が高い材料からなる、前記1次元フォトニック結晶より薄く、かつ有限の幅を有する、1つまたは複数のサイドスラブと、前記サイドスラブの前記1次元フォトニック結晶と接する側と対向する側に接して配置した熱拡散構造体と、前記1次元フォトニック結晶を取り巻く低屈折率媒体とを備えたことを特徴とする光共振器。前記熱拡散構造体は、半導体材料からなる半導体層から構成される、または半導体材料からなる半導体層と該半導体材料より熱伝導率が高い金属からなる金属層とから構成されることを特徴とする請求項1に記載の光共振器。前記高屈折率媒体、前記サイドスラブ、及び前記半導体材料はシリコンであり、前記1次元フォトニック結晶を取り巻く低屈折率媒体及び前記円柱または多角柱構造の低屈折率材料は、空気またはシリコン酸化膜の屈折率以下の屈折率を有する材料であり、前記熱拡散構造体の厚さが前記サイドスラブよりも厚いことを特徴とする請求項2に記載の光共振器。前記高屈折率媒体、前記サイドスラブ、及び前記半導体材料は、InPであり、前記1次元フォトニック結晶を取り巻く低屈折率媒体及び前記円柱または多角柱構造の低屈折率材料は、空気またはシリコン酸化膜の屈折率以下の屈折率を有する材料であり、前記熱拡散構造体は、前記サイドスラブよりも厚いことを特徴とする請求項2に記載の光共振器。半導体基板上に作製されたInPかInPよりも熱伝導率の高い材料からなる伝熱体をさらに備え、前記熱拡散構造体は、前記伝熱体に接して配置されていることを特徴とする請求項4に記載の光共振器。前記高屈折率媒体は、InPからなる層とInGaAsPからなる層とからなり、前記サイドスラブは、InPからなり、前記熱拡散構造体は、InPからなる層とInGaAsPからなる層とからなり、前記1次元フォトニック結晶を取り巻く低屈折率媒体及び前記円柱または多角柱構造の低屈折率材料は、空気またはシリコン酸化膜の屈折率以下の屈折率を有する材料であり、前記熱拡散構造体は、前記サイドスラブよりも厚いことを特徴とする請求項1に記載の光共振器。レーザースイッチ等の光素子の駆動は電気的に行うのが望ましい。電気駆動の場合は、普遍的な半導体電子チップとの組み合わせにより小型で安価な装置を構成し、低消費電力で駆動できるのに対して、光駆動の場合は、レーザー光源や光変調装置等の光駆動装置が別途必要になるため実用性が制限されるからである。フォトニック結晶共振器ベースの光素子は光による励起および駆動の条件では既に優れた性能が得られているのに対し、電気駆動の条件では一部の面発光型フォトニック結晶レーザ水平方向の光閉込無しを除き良好な性能は得られていないことが、難易度の高さを示している。ここでは光を波長の数倍以下のスケールの微小体積に強く閉じ込めるフォトニック結晶ナノ共振器以下ナノ共振器に対象を限定する。ナノ共振器の定義として、Q値外部との結合を無視したintrinsicな値:活性層の利得機構による低下分は除外が1万以上、閉込モード体積が3λ/n3λは波長、nは屈折率以下とする。このような共振器はフォトニック結晶以外の原理では実現困難である。ナノ共振器においてはより大型な共振器に対し、チップ体積及び面積の大幅な縮小と動作パワーの大幅な低減が原理的に可能となることから、光素子回路の大幅な小型化、低消費エネルギー化が期待される。本願においてはこのうち1次元棒状フォトニック結晶以下1D結晶における課題を取り上げる。従来ナノ共振器は主に2次元スラブ型フォトニック結晶以下2D結晶において実現されてきた。1D結晶共振器は2D結晶共振器に比べ構造が単純で加工が容易であり、特にSilicononInsulatorSOI基板プラットフォームにおいてシリコンフォトニクスとして開発が進められているナノ光導波路との整合性が高い特長がありながら、Q値等の性能不足によりあまり注目されて来なかった。1D結晶共振器に関し、最近発明者らは穴の間隔や半径を共振器中心付近で局所的に変調を加え、導波モード端にモードギャップを発生させることで光を閉じ込める原理により、適切な設計を行うと2D結晶共振器と同等の性能を達成できることを明らかにした非特許文献1参照。一方で1D結晶共振器においては非常に熱抵抗が大きくなり共振器中心に熱がたまりやすいことを明らかにした非特許文献2。1D結晶に有効な導波モードを導入するためには棒状部分を囲む材料の屈折率を棒状部分よりも十分低く保つ必要があった。例えば低屈折率部分は空気誘電体ポリマーなど熱伝導率の低い材料により構成することになる。従来の設計では良好な熱伝導体が細い棒状部分にしか無いため他に熱の通り道が無く熱抵抗が大きくなってしまうことが原因であった。熱抵抗が大きくなることは、共振器部分で熱が発生する素子では素子温度の上昇を招く。レーザーなどの発光素子では共振器部分に利得媒体を配置し、キャリアを利得媒体に供給する必要がある。キャリアの一部は発光に寄与せずに非発光再結合を起こし発熱を生む。非発光素子においても屈折率変調のために供給したキャリアの一部が同様に発熱を生む。特にフォトニック結晶では結晶を構成する穴の側壁等に存在するエッチング面が非発光再結合中心を供給し発熱につながりやすい。また、電気駆動においては電気抵抗によるジュール発熱も問題になる。半導体レーザーの場合、原理的に発振閾値は素子温度が高いほど増大する。またキャリアプラズマ効果による光非線形効果光双安定現象を含むを利用する光スイッチ変調メモリ素子では動作原理である屈折率変調による共振器波長の制御が温度上昇による波長変化により困難になる問題がある。このように電気駆動を行う1D結晶共振器素子においてある程度の発熱は避けられない。故に高性能な光素子を実現するためには熱抵抗を下げ排熱性能を高める必要がある。しかしながら、従来の1D結晶共振器において熱抵抗が大きくなることへの対策は考慮されていなかった。従来の1D結晶共振器の課題として熱抵抗の増大を取り上げてきたが、もう一つの重要な熱特性として、熱緩和時間がある。これは熱が指数関数的に緩和する場合の時定数である。一般的な半導体構造は熱伝導方程式の性質により指数関数的な熱応答をする。我々はシリコンの2D結晶共振器において緩和時間の実験値が約100nsであることを報告済みである。この値を参考に、従来型の1D及び2D結晶共振器を用い、市販ソフトComsolにより数値解析を行った。その結果を非特許文献2に掲載した。2D結晶共振器において熱抵抗の計算値は実験値とほぼ一致し、計算結果が信用できることを確認した。注目すべきは前記熱抵抗が大きい1D結晶共振器において熱緩和時間も2D結晶共振器の数倍にあたる著しい増加を示したことである。熱緩和時間の増加は熱光学効果を利用した光スイッチ素子等の光素子の応答速度を遅くするため、高速な光素子の実現において障害になる。このように熱緩和時間の点でも従来の1D結晶共振器には問題があった。本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、1D結晶共振器素子に対してサイドスラブおよび熱拡散構造体を追加することにより、共振器中心付近の温度上昇を抑制した光共振器を提供することにある。上記課題を解決するために、本願に係る光共振器は、内部に低屈折率材料からなる円柱または多角柱構造を周期的に配置した高屈折率材料からなる棒状構造の1次元フォトニック結晶棒状構造体と、当該棒状構造体を取り巻く低屈折率媒体と、サイドスラブ及び熱拡散構造体を備えたことを特徴とする。前記サイドスラブは、熱伝導率が高く、前記棒状構造体より薄く、かつ有限の幅を有する。前記熱拡散構造体は熱伝導率が高く、当該熱拡散構造体と前記棒状構造体との間に前記サイドスラブを挟む位置に配置される。請求項1に記載の発明は、光共振器であって、内部に周期的に低屈折率材料からなる円柱または多角柱構造を配置した高屈折率媒体からなる棒状構造の1次元フォトニック結晶と、前記1次元フォトニック結晶に接して配置した、熱伝導率が高い材料からなる、前記1次元フォトニック結晶より薄く、かつ有限の幅を有する、1つまたは複数のサイドスラブと、前記サイドスラブの前記1次元フォトニック結晶と接する側と対向する側に接して配置した熱拡散構造体と、前記1次元フォトニック結晶を取り巻く低屈折率媒体とを備えたことを特徴とする。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の光共振器において、前記熱拡散構造体は、半導体材料からなる半導体層から構成される、または半導体材料からなる半導体層と該半導体材料より熱伝導率が高い金属からなる金属層とから構成されることを特徴とする。請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の光共振器において、前記高屈折率媒体、前記サイドスラブ、及び前記半導体材料はシリコンであり、前記1次元フォトニック結晶を取り巻く低屈折率媒体及び前記円柱または多角柱構造の低屈折率材料は、空気またはシリコン酸化膜の屈折率以下の屈折率を有する材料であり、前記熱拡散構造体の厚さが前記サイドスラブよりも厚いことを特徴とする。請求項4に記載の発明は、請求項2に記載の光共振器において、前記高屈折率媒体、前記サイドスラブ、及び前記半導体材料は、InPであり、前記1次元フォトニック結晶を取り巻く低屈折率媒体及び前記円柱または多角柱構造の低屈折率材料は、空気またはシリコン酸化膜の屈折率以下の屈折率を有する材料であり、前記熱拡散構造体は、前記サイドスラブよりも厚いことを特徴とする。請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の光共振器において、半導体基板上に作製されたInPかInPよりも熱伝導率の高い材料からなる伝熱体をさらに備え、前記熱拡散構造体は、前記伝熱体に接して配置されていることを特徴とする。請求項6に記載の発明は、請求項1に記載の光共振器において、前記高屈折率媒体は、InPからなる層とInGaAsPからなる層とからなり、前記サイドスラブは、InPからなり、前記熱拡散構造体は、InPからなる層とInGaAsPからなる層とからなり、前記1次元フォトニック結晶を取り巻く低屈折率媒体及び前記円柱または多角柱構造の低屈折率材料は、空気またはシリコン酸化膜の屈折率以下の屈折率を有する材料であり、前記熱拡散構造体は、前記サイドスラブよりも厚いことを特徴とする。以上説明したように、本発明によれば1D結晶光ナノ共振器において、必要十分なQ値を保ったまま共振器熱抵抗を低くし、共振器中心付近の温度上昇を抑制することが可能になる。動作時に非発光再結合やジュール熱などの発熱過程が存在し、かつ温度上昇により性能が制限されるレーザー、光スイッチ、光メモリ等の光素子において、本発明を実施することにより特性改善が可能になる。また素子を電気駆動する場合にサイドスラブを電流の導線にできるので、従来の多くの1D結晶共振器の設計に比べ電気駆動への整合性が高い。本願の光共振器の構造は空気層の上に設けられた中空のシリコン薄膜中の光共振器にも有効であるが、特にシリコン酸化膜付のSOI構造の場合には、シリコンフォトニクスと整合性が高い、作製プロセスを単純化できる、中空構造が伴う構造脆弱性を排除できる、等の利点がある。また酸化膜を伴う場合に高性能の2D結晶共振器の実現が困難である非特許文献4参照ことを鑑みれば、本発明はシリコンフォトニクスにおける光電子素子の基盤として極めて有力である。本発明では光閉込を行うサイドスラブ部分と、高い排熱性能を有する熱拡散構造体を分離導入する手法を採用した。以下の第2の検証例で示すように、この手法はInPのように熱伝導率が比較的低い媒体において特に効果が高い。本発明の光共振器は1D結晶をベースとしており、2D結晶共振器に比べ構造の上下非対称性の影響を受けにくい。サイドスラブの位置は図1のように1D結晶部に対し下側でなく、上側でも中央部でも構わず、設計の自由度が高い。共振器及び光素子を実現する様々な加工技術への対応性に優れているといえる。同じく上下非対称性の影響を受けにくいため、図2の例のように上側と下側の低屈折率媒体が異なっていても構わない。故に各種材料への対応性も優れている。以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。上記の通り、本願によれば、高屈折率材料からなる棒状構造体と、それを取り巻く低屈折率媒体と、熱伝導率が高く、棒状構造体より薄く、かつ有限の幅を有するサイドスラブと、その外側に配置された熱伝導率が高い熱拡散構造体を追加配置した光共振器が提供される。棒状構造体は、内部に低屈折率材料からなる円柱または多角柱構造からなる周期的に配置された高屈折率材料からなる1D結晶1次元棒状フォトニック結晶である。図1に、本発明に係る光共振器の基本構成の見取図を示す。図1に示す光共振器は、基板104上に、高屈折率材料からなる棒状構造体101と、熱伝導率の高いサイドスラブ105及び熱拡散構造体106を有する。図1に示す光共振器は、基板104と棒状構造体101及びサイドスラブ105との間に低屈折率媒体103を有し、棒状構造体101の上部は低屈折率媒体102が配置されている。すなわち、低屈折率媒体が棒状構造体101を取り巻くように配置されている。棒状構造の1D結晶である棒状構造体101の内部には、低屈折率材料からなる円柱または多角柱構造が周期的に配置されている。熱拡散構造体106と基板104との間に低屈折率媒体103が配置されていてもよい。図1においてサイドスラブ105は1D結晶である棒状構造体101内の熱を外部へ伝える排熱経路として機能する。サイドスラブは仮に材料が高屈折率であっても厚さsh図のy方向の長さ、以下同様を薄くすることで上下の低屈折率媒体102、103と合わせた有効屈折率を低くできるので、水平方向図のx方向に前記棒状構造体に対し十分な光閉込効果を得ることができる。熱伝導率が高く、かつ共振器内への光閉込を阻害しない現実的なサイドスラブ材料は、棒状構造体と同様シリコンやInP等の半導体に限られる。サイドスラブ構造自体は電気的なpin構造を実現する手法として提案された例はあるが非特許文献3参照、放熱性に関する考慮はされていなかった。また放熱性を確保しつつ共振器Q値を高く保つ設計指針は未提示であった。本発明においてはサイドスラブに有限の幅sw図のx方向の長さ、以下同様を設定する。shが薄く、またsw幅が広くなると熱抵抗が大きくなる。逆にshが厚く、swが狭くなると水平方向への光閉じ込めが弱くなり共振器Q値が低下する。本発明によれば、以下に示す検討例のようにshとswを最適化することで光共振器性能を確保しつつ従来設計に対し1D結晶共振器の放熱性を著しく改善することが可能になる。本発明のポイントは、光閉込を行うサイドスラブ105とその外側の熱拡散構造体106とを分離することである。熱拡散構造体106をサイドスラブ105から分離することで、光共振器設計にとらわれず熱拡散に最適な構造を追及することができる。具体的には半導体構造の厚みを大きくとることが可能になる。また熱伝導率の高い金属膜を配置することも可能である。また半導体基板上に配置された光共振器の場合、熱拡散構造体を基板に直接接続することも状況によっては有効である。<第一の実施形態>以下に、本発明の有効性を数値シミュレーション及び実験により実証した結果を示す。図2は第一の検証例の光共振器の構成を示し、図3~図5は実証結果を示す。図2に示す光共振器において、1D結晶201、サイドスラブ205、及び熱拡散構造体206はシリコン薄膜からなる。これらはシリコン酸化膜層低屈折率媒体203を介しシリコン基板204上に配置される。この構造はSOI基板203,204に整合している。1D結晶201及び熱拡散構造体206はSOI層をそのまま用いて実現できる。上部低屈折率媒体202は空気であり、空気からなる結晶穴207及びサイドスラブ205はSOI層を上面からドライエッチングすることにより加工できる。共振器設計は非特許文献1にて開示した極めてQ値が高いモードギャップ1D結晶共振器円柱穴ladder型タイプをベースに、格子定数αを350nm、穴半径を基準r0=105nm、変調パラメータをm=17に設定した。1D結晶201及び熱拡散構造体206の高さを210nm、1D結晶201の幅を580nm、シリコン酸化膜層203の厚さは2μmとした。本構造の光共振器性能を3次元有限差分時間領域法FDTDによる数値解析と電子線リソグラフィーによりSOI基板を加工して得たサンプルの測定により評価した。計算の際にシリコン、シリコン酸化膜、空気の屈折率を各3.4、1.46、1.0とした。図3にサイドスラブの高さshに対する共振器Q値の依存性を示す。ここでサイドスラブの幅swは1.2μmとした。shの増加と共にQ値は減少するが、計算ではsh=60nmにおいても100万を超える、また実験でもsh=50nmで10万を超えるQ値を確認した。Q値10万は通常の光素子応用には十分な値である。またモード体積もFDTD計算結果では1λ/n3を下回る値であった。図2の構造において高性能の1D結晶共振器が実現可能であることを実証した。次に、本構造の熱抵抗および熱緩和時間について調べた。非特許文献2と同様のモデルにより市販ソフトComsolにより解析した。解析においてシリコンおよびシリコン酸化膜の熱伝導率をそれぞれ163および1.5単位はW/m/K、空気は熱の絶縁体とした。図4に熱抵抗のsh依存性を示す。サイドスラブが厚くなると熱抵抗は単調に減少を示した。共振器サンプルの熱光学特性の測定結果から実験的に求めた熱抵抗のsh依存性と比較したところ、両者は良く一致した。このことから本構造により適切なsh及びswを与えると熱抵抗を改善できることが明らかになった。なお、本構造では低屈折率媒体にシリコン酸化膜を用いているためサイドスラブ無しの場合の熱抵抗率は少し高めの程度で留まっている。非特許文献2で検討した低屈折率媒体が全て空気の場合には、熱抵抗は更に5倍になる。次に熱緩和時間に関する計算結果を図5に示す。こちらも熱抵抗と同様のsh依存性を示し、サイドスラブにより熱応答速度を加速できることが示された。いずれの場合でも、サイドスラブ採用による改善効果は非採用に対しsw=1.2μmにおいて最大で数倍、シリコン酸化膜203を除去し空気層に置き換えた場合で数十倍に及ぶことが分かった。また図5ではswを狭くするほど緩和時間が短縮されることが示されている。sh、swの設定は光共振器性能にも制約されるが、図3に示した有用なナノ共振器として動作する範囲のsh、swにおいて十分大きな熱性能の向上が得られている。シリコンの特長は金属に迫る高い熱伝導率を有していることである。故に熱拡散構造体としては本構造で採用している比較的薄い210nmシリコン薄膜でも十分な放熱性能が得られる。すなわち、非特許文献3が示すようなサイドスラブ部分を限定せず熱拡散構造体の厚さもshと同一とする設計に対し、熱緩和時間を半分以下に短縮し、熱抵抗についても15以上の減少が期待できる。なお、図4,5の熱抵抗や熱緩和時間の解析に際して、解析の計算領域を20μm×20μmに設定し、熱拡散構造体206の幅は、20μmから1D結晶201の幅Wpc=580nmおよび2つのサイドスラブ205の幅の合計を引き、2で割った値10μm未満の値となるように設定した。計算領域の端における境界条件として、熱は瞬時に奪われる設定とした。境界の外側に十分大きな金属あるいはシリコンのような熱の良導体が配置されている場合と近似的に同等とみなせる。実際に作製した光共振器における熱拡散構造体206の幅は少なくとも40μm以上であり、解析における計算領域を大きく超えて広がっている。なお、熱拡散構造体中を拡散した熱は最終的に基板または空気に伝わったのち散逸する。以上、図2~5を参照して、第一の実施形態に係る光共振器を示し説明した。これはSOIプラットフォームにおける実施形態例である。図2のシリコン酸化膜層203を除去し空気層としても本発明は有効である。特に極めて低い熱伝導率を有するシリコン酸化膜層がない方が熱緩和時間は短くなる。シリコン酸化膜層203の除去は例えばフッ化水素によるエッチングにより実現できる。<第二の実施形態>図6は第二の検証例の光共振器の構成を示し、図7~図8は実証結果を示す。ここでは1D結晶601、サイドスラブ605、熱拡散構造体606および基板604を構成する高屈折率材料をシリコンからInPに変更した。InP及びそれをベースとする混晶材料系は半導体レーザー受光器変調器等に使われている重要な材料である。SOIのような酸化膜のついた構造はInPにおいても実現可能であるが、InP基板においては普及しておらず一般的ではないので、ここでは下部の低屈折率層603を空気層とする例をとりあげた。InPの場合、熱伝導率68W/m/Kがシリコンよりも相当低いことに注意する必要がある。まずサイドスラブ605の幅sw膜厚shをより厳密に最適化する必要がある。加えて熱拡散構造体606について、シリコンを材料とした場合と異なり厚さ200~300nmのInP層における熱伝導がボトルネックになる。排熱性能を更に高めるために1この部分のInP膜厚を大幅に厚くする、2InPその他の高熱伝導率媒体により熱を直接基板InPに伝え排熱する、3熱伝導率の非常に高い金属の膜を熱拡散構造体に加える、等の対策が必要になる。本検証例では1および2を採用し、InP基板604とInPから成る熱拡散構造体606を結ぶInPから成る伝熱部608を配置した。図6の構造において下部の低屈折率層603空気層603とも呼ぶと伝熱部608の厚さを1μm、1D結晶601と熱拡散構造体606の厚さ高さを210nmとした。サイドスラブ605の厚さshと幅swを変えた時の熱抵抗と熱緩和時間の変化を数値解析した。本検討では空気層とした下部の低屈折率層603とサイドスラブ605の端を一致させたが、この一致は必ずしも必要ではない。図7はサイドスラブ無しの場合の熱抵抗を1として熱抵抗をプロットした図である。サイドスラブ605の幅swが1.2μmにおける比較では、厚さshが50nmの場合の熱抵抗がサイドスラブ無しの場合の熱抵抗の1/8となり、本検証例の有効性が明確に示された。熱伝導率の違いにより図中に示したとおりシリコンの同等構造シリコンナノ共振器に比べ熱抵抗が大幅に増加するが、本発明によりInPナノ共振器の熱抵抗を典型的シリコンナノ共振器の2倍以内に抑制する見通しがついた。図8aおよびbは、熱緩和時間のsh、sw依存性をそれぞれ示す。熱抵抗と同様に熱緩和時間は大きな単調変化を示した。サイドスラブ無しの場合の緩和時間は500nsを超えるため、1桁以上の短縮が得られる。図7および8は、InPの場合の熱抵抗および熱緩和時間のsw依存性が、シリコンの場合に比べ大きく、InPスラブ内の熱伝導がボトルネックになっていることを示している。シリコンと同様に、shを許される範囲で最大化するまたswを最小化する効果は極めて大きい。また、InPから成る伝熱部608の採用効果は大きく、InPに替わり伝熱部608を空気層にした場合に比べ熱抵抗で最大2倍、緩和時間では更に大きな改善が得られる。図6の構造においてsh=50nm、sw=1.0μm、1D結晶601の幅を525nm、1D結晶601及び熱拡散構造体606の厚さ高さhを300nmとした場合、熱抵抗は図7の単位で0.11となった。非特許文献1にて開示したモードギャップ1D結晶共振器円柱穴ladder型タイプをベースに、格子定数αを400nmに、穴半径を基準r0=150nm、変調パラメータm=6.85に設定し本構造に配置したモデルに対しInPの屈折率を3.17としてFDTD法で解析したところ、約20万のQ値と1λ/n3を下回るモード体積を有する共振器モードが得られた。以上の通り、本検証例において熱性能に優れ実用的なナノ共振器が得られることを数値解析的に実証した。以上、図6~8を参照して、第二の実施形態に係る光共振器を説明した。本構造の加工は主にInP材料が対象になる。結晶穴やサイドスラブ部分は、高精度の電子線リソグラフィー技術とドライエッチングによる加工を組み合わせることで実現できる。伝熱部608を含むInPからなる部分は、InP基板604上への結晶成長技術により実現できる。空気層603の配置は単純な結晶成長またはエッチング技術のみでは困難である。既に普及している選択エッチング選択成長、加工プロセス後再成長、等の技術の組み合わせが必要である。例えば、まずは犠牲層材料であるInGaAsPをInP基板604上に全面成長した後、空気層603となる部分を残しエッチング除去する。次に伝熱部606のInPを選択再成長し、その後1D結晶601、サイドスラブ605、熱拡散構造体606のInPを基板全面に再成長する。次に結晶穴607とサイドスラブ605の加工を電子線リソグラフィーおよびドライエッチングにより行う。最後に空気層603となる部分として残されたInGaAsP犠牲層を選択エッチングにより除去し空気層603とすれば完成する。ここに記述した例の他にも本構造を実現する手法の組み合わせと手順はある。<第三の実施形態>図9は本発明の第三の実施形態の構成を示す。図6の構造から熱拡散構造体部分の変更を行っている。まずInP伝熱部図6の608を採用せず全体が空気層903上の中空構造であるとする機械的支持は図示範囲外の共振器から遠方にて実施。一方InP層905の上に金属層907を形成する。この金属層907を形成する構成は、第二の実施形態にて述べた3熱伝導率の非常に高い金属の膜を熱拡散構造体に加える構成に相当する。本実施形態では、金属としてはInPよりも熱伝導率が高いAl,Au,Ag,Cu等が好ましい。金属層を厚さ160nmのAu熱伝導率400W/m/Kに設定し数値解析を行ったところ、図7及び8に示した第二の実施形態の結果には若干劣るものの、熱抵抗および緩和時間の改善が得られた。第三の実施形態の第二の実施形態に対する利点は、空気層部903の作製に選択再成長が不要となり加工を単純化できることである。金属層907の形成は一般的な真空蒸着等の製膜法とリフトオフ法等によるパタニングとの組み合わせにより容易に実現できる。光素子の電気的駆動の際は、金属層907を電極として利用できる。なお、第一の実施形態で説明した共振器構成における熱拡散構造体206を、シリコン薄膜に替えて、シリコン薄膜とシリコンよりも熱伝導率が高い金属Al,Au,Ag,Cu等層とから構成しても、本実施形態と同様に熱抵抗および緩和時間の改善が得られる。また、第二の実施形態で説明した共振器構成における熱拡散構造体606を、InPに替えて、InP層とInPよりも熱伝導率が高い金属Al,Au,Ag,Cu等層とから構成しても、本実施形態と同様に熱抵抗および緩和時間の改善が得られる。<第四の実施形態>図10は第四の実施形態に係る光共振器の構成を示す。1D結晶1001は下部InP層1009、中間InGaAsP層1010、上部InP層1011の一部からなり、結晶穴1012が貫通している。サイドスラブ1002はInP層1009、1011の一部からなり、1D結晶1001を支持し熱や電流の通り道となる。またサイドスラブ1002は中間の空気層1006と共に水平方向から光を1D結晶1001に閉じ込める働きをする。空気層1004、1005は上下から光を1D結晶1001に閉じ込める役割をする。熱拡散構造体1003はInGaAsP層1008,1010およびInP層1009,1011のうちサイドスラブ1002の外側の部分からなり、1D結晶1001及びサイドスラブ1002を支持するとともに熱を水平及び基板方向へ拡散する。本構造の作製においてはまずInP基板1007上にInGaAsP層1008、InP層1009、InGaAsP層1010、InP層1011の順に基板全面への結晶成長を行う。各層の膜厚は下から順に例えば1μm、50nm、200nm、50nmとする。下層InGaAsP層1008と中間InGaAsP層1010の組成は、これらがInPに対する選択エッチングにより空気層1005及び1006をそれぞれ作製する際の犠牲層になるようにし、かつ前者が後者より相当エッチングレートが高くなるように設定する。次に上面からInP層1009まで貫通する選択エッチング用穴1013をドライエッチング等で作製する。次にクエン酸等の薬液を使いInPとInGaAsPの選択エッチングを実施する。InP層1009、1011のエッチングは無視できる程度でそのまま維持される。InGaAsP層1010の一部が除去されて空気層1006が形成される。エッチングは1D結晶1001の一部をなすInGaAsP層1010が所定の幅まで狭くなった時点で停止する。穴1013を通し下層InGaAsP層1008もエッチングされるが中間InGaAsP層1010より相当エッチングレートが高いため1D結晶1001及びサイドスラブ1002の下のInGaAsP層1008は全て除去されて完全に空気層1005に置換される。最後に電子線リソグラフィーおよびドライエッチングにより結晶穴1012を加工することにより本構造は完成する。本構造ではInPサイドスラブを上下2層配置することにより排熱性能を高めている。第四の実施形態においては結晶成長が1回で済み高度な再成長技術選択成長技術の適用を不要にできる。"