半導体素子と、前記半導体素子の裏面に接続された放熱構造体と、前記放熱構造体に対し、充填材を介して接続されたヒートシンクと、前記半導体素子の表面を覆う封止体と、を備え、前記放熱構造体および前記ヒートシンクの少なくとも一方における前記充填材との当接面には、周囲が取り囲まれ互いに分離された複数の凹部が形成された半導体装置。前記放熱構造体は、前記半導体素子の裏面に接合された絶縁基板と、前記絶縁基板に接合されるとともに、前記ヒートシンクに対し前記充填材を介して接続された放熱板と、により形成された請求項1記載の半導体装置。前記凹部は、前記放熱構造体および前記ヒートシンクの双方に形成された請求項1または2に記載の半導体装置。複数の前記凹部はハニカム形状を形成している請求項1乃至3のうちのいずれか一項に記載の半導体装置。しかしながら、特許文献2に開示された従来技術による半導体装置は、その組付工程において、半導体素子とヒートシンクとの間の空間内を真空にするための真空引き装置、工具、作業手間を必要とする。このため、当該従来技術による半導体装置は、その製造コストの増大を余儀なくされていた。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、冷却性に優れ低コストの半導体装置を提供することにある。上述した課題を解決するために、請求項1に係る半導体装置の発明の構成は、半導体素子と、半導体素子の裏面に接続された放熱構造体と、放熱構造体に対し、充填材を介して接続されたヒートシンクと、半導体素子の表面を覆う封止体と、を備え、放熱構造体およびヒートシンクの少なくとも一方における充填材との当接面には、周囲が取り囲まれ互いに分離された複数の凹部が形成されたことである。請求項2に係る発明の構成は、請求項1の半導体装置において、放熱構造体は、半導体素子の裏面に接合された絶縁基板と、絶縁基板に接合されるとともに、ヒートシンクに対し充填材を介して接続された放熱板と、により形成されたことである。請求項3に係る発明の構成は、請求項1または2の半導体装置において、凹部は、放熱構造体およびヒートシンクの双方に形成されたことである。請求項4に係る発明の構成は、請求項1乃至3のうちのいずれかの半導体装置において、複数の凹部はハニカム形状を形成していることである。請求項1に係る半導体装置によれば、放熱構造体およびヒートシンクの少なくとも一方における充填材との当接面には、周囲が取り囲まれ互いに分離された複数の凹部が形成されたことにより、例え、放熱構造体またはヒートシンクに反りが発生しても、充填材から発生したボイドがそれぞれの凹部に分割されて捕獲されるため、放熱構造体またはヒートシンク上において、一つ一つのボイドが占める面積が低減される。したがって、放熱構造体からヒートシンクへの熱の伝播を妨げることがなく、半導体装置の最低放熱性能を維持することができる。図12に示したように、半導体装置の放熱構造体の放熱平面またはヒートシンクの受熱平面に、周囲が取り囲まれた多数の凹部を形成した場合、充填材が一定量のボイドを含んでいても、一個当たりのボイド面積比放熱構造体またはヒートシンク上において一個当たりのボイドが占める面積/放熱構造体またはヒートシンク上において全ボイドが占める面積を減少させることによって、半導体素子からヒートシンクへ向けての熱抵抗比を低減させ、半導体装置の最低放熱性能を維持することができることは、本発明者が行った熱流体解析によるシミュレーションによって確認されている。また、充填材から発生したボイドが各凹部に分割されて収容されることにより、真空引き装置等を必要とせずに半導体装置の放熱性能を向上させることができるため、その製造コストを低減することができる。尚、最低放熱性能とは、半導体装置が、ボイドにより妨げられることなく、半導体素子による発熱を最低限放出することができる能力をいう。請求項2に係る半導体装置によれば、放熱構造体は、半導体素子の裏面に接合された絶縁基板と、絶縁基板に接合されるとともに、ヒートシンクに対し充填材を介して接続された放熱板とにより形成されたことにより、半導体素子が発生した熱を放熱板によって放熱させることができるため、半導体装置の冷却性を向上させることができる。請求項3に係る半導体装置によれば、凹部は、放熱構造体およびヒートシンクの双方に形成されたことにより、充填材に対して放熱構造体が上方にある場合においても、充填材に対してヒートシンクが上方にある場合においても、充填材に含まれたボイドを凹部に捕獲することができ、双方の場合において、一つのタイプの半導体装置を兼用することができる。請求項4に係る半導体装置によれば、複数の凹部はハニカム形状を形成していることにより、放熱構造体またはヒートシンクの限られた表面積において、所定面積を有する凹部を多数形成することができる。<実施形態1>図1乃至図7に基づき、本発明の実施形態1による半導体装置1について説明する。本実施形態による半導体装置1の用途は特定のものに限られず、あらゆる電子回路に適用することが可能である。尚、説明中において、図1における上方を半導体装置1の上方とし、下方を半導体装置1の下方とする。また、半導体チップ2の上方の面を半導体チップ2の表面とし、下方の面を半導体チップ2の裏面として説明する。半導体装置1の半導体チップ2半導体素子に該当するは、IGBT、パワートランジスタ、パワーICといったスイッチング機能を有するパワー半導体であるが、本発明による半導体装置1に使用可能なものは、特にこれに限定されるものではない。半導体チップ2の表面には、金属ワイヤによってリード端子がそれぞれ接続される複数の電極パッドいずれも図示せずが形成されている。一方、半導体チップ2の裏面には、裏面電極図示せずが形成されている。裏面電極には、はんだ3により導体回路付絶縁基板4放熱構造体に該当するが接合されている。導体回路付絶縁基板4は、半導体チップ2に対して共晶金属結合法あるいは導電性樹脂材料による樹脂接着法等によって接合してもよい。本実施形態において、半導体チップ2は、導体回路付絶縁基板4の略中央部に取り付けられている図2示。導体回路付絶縁基板4は略平板状を呈しており、銅、アルミニウム等の導電性の金属板5とセラミックス板6とが、AlSi系ロウ材またはAgCu系ロウ材もしくは接着剤により接合されて形成されている。導体回路付絶縁基板4において、金属板5は上方に配置され、上述したように半導体チップ2がはんだ付けされている。導体回路付絶縁基板4には、アルミニウム板と窒化アルミニウム板とにより形成されたDBA、あるいは銅板と窒化ケイ素板とにより形成されたDBC登録商標等が適用可能である。また、導体回路付絶縁基板4は、アルミニウム板と酸化アルミニウム板とを接合して形成してもよい。導体回路付絶縁基板4は、所定の強度、剛性、耐熱性、熱伝動性および絶縁性を有するとともに、熱膨張率が所定値よりも低いといった特性を有している。図1に示したように、半導体チップ2の表面および導体回路付絶縁基板4は、エポキシ樹脂等の合成樹脂材料による樹脂筐体8封止体に該当するで覆われている。これにより、上述した各部材は樹脂筐体8内に封入され、水、異物等から保護される。セラミックス板6は、樹脂筐体8によって封入された状態で下面が露出している。導体回路付絶縁基板4セラミックス板6の下面に形成された放熱平面4aは、シリコングリス等により形成されたサーマルグリス9充填材に該当するを介して、ヒートシンク熱交換器10の受熱平面10aに接合されている。ヒートシンク10は、銅、アルミニウム等のような、熱伝動性の良好な材料により形成されている。半導体チップ2による発熱は、導体回路付絶縁基板4を介してヒートシンク10へと伝わり、ヒートシンク10は、半導体装置1をその下端面において冷却している。また、樹脂筐体8の上面には、平板状の固定用治具11が載置されている。固定用治具11には、上方より複数の取付ボルト12が貫通し、取付ボルト12がヒートシンク10の周縁部に締め付けられることにより、樹脂筐体8がヒートシンク10に固定されている。次に、上述した半導体装置1の製造工程について簡単に説明する。最初に、金属板5とセラミックス板6とが予め接合されて形成された導体回路付絶縁基板4の上面金属板5側に、はんだボンディングにより半導体チップ2の裏面電極を接合するダイボンディング工程。次に、半導体チップ2の表面の電極パッドを、それぞれリード端子に対し金属ワイヤによって接続するワイヤボンディング工程。次に、半導体チップ2、リード端子および導体回路付絶縁基板4を覆うとともに、導体回路付絶縁基板4の放熱平面4aが露出するように、合成樹脂材料を充填して樹脂筐体8を形成する封止工程。最後に、放熱平面4aにサーマルグリス9を塗布し、ヒートシンク10を接合した後、固定用治具11および取付ボルト12により、樹脂筐体8とヒートシンク10とを固定するヒートシンク取付工程。図2に示すように、導体回路付絶縁基板4セラミックス板6の放熱平面4aには、複数の凹部7が形成されている。各々の凹部7は放熱平面4aにおいて、上方に向けて窪むように形成され、窪み方向に垂直な断面形状が略正六角形状を呈している。凹部7の断面形状は正六角形に限られたものではなく、正方形状、真円状、三角形状、長円状あるいはその他の形状であってもよい。凹部7は導体回路付絶縁基板4に多数形成され、これらは導体回路付絶縁基板4上において均等に配置されている。これらの凹部7は周囲を取り囲まれることにより互いに分離されており、全体としてハニカム形状ハニカム構造を形成している。尚、図2は、導体回路付絶縁基板4上における凹部7の形成状態をイメージ的に表したものである。したがって、実際の導体回路付絶縁基板4の放熱平面4aには、一個当たりの断面積が導体回路付絶縁基板4の全面積に対して、数であるような非常に微小な凹部7が無数に形成されている図3において、拡大図を示す。次に、図4に基づき、半導体装置1のボイド発生時の状態について説明する。尚、図4aおよび図4bにおいて、樹脂筐体8、固定用治具11および取付ボルト12は省略されている。上述したように、サーマルグリス9の上方に配置された導体回路付絶縁基板4の放熱平面4aに、多数の凹部7が形成されている半導体装置1図4a示において、半導体チップ2による発熱または製造工程による平面度のばらつきによって、導体回路付絶縁基板4に反りが発生したとする。これにより、図4bに示すように、導体回路付絶縁基板4は、その略中央部において上方に向けて撓みが発生する。半導体装置1の発熱等により、サーマルグリス9に含まれていたボイドが表面に現れると、サーマルグリス9の上方へと移動し、導体回路付絶縁基板4に形成されている凹部7に捕獲される図4bにおいてVDにて示す。ボイドは主に、導体回路付絶縁基板4の略中央部に位置する複数の凹部7に収容される。各々の凹部7は、微小なサイズに形成されているため、ボイドは細かく分割されて各凹部7内に収容される。図5は、本発明者が行った熱流体解析による熱シミュレーションの結果を表すグラフを示している。グラフにおいて、横軸は全ボイド面積比を示し、これは導体回路付絶縁基板4の放熱平面4aの全面積に対する、サーマルグリス9に混入したボイド全体によって占められる放熱平面4a上の面積比に該当する。また、グラフの縦軸は、半導体装置1の熱抵抗比を示しており、サーマルグリス9にボイドが混入していない場合の熱抵抗比の値を1としている。熱抵抗比は、半導体チップ2の温度をTjとし、ヒートシンク10の温度をTaとした場合、式[Tj-Ta/半導体チップ2による発熱量]°C/Wにて表され、熱抵抗比の値が小さいほど半導体装置1の放熱性が優れていることになる。また、グラフに示した最小凹部サイズとは、導体回路付絶縁基板4の放熱平面4aの全面積に対する、一つ一つの凹部7によって占められる放熱平面4a上の面積比を示している。シミュレーションは、半導体チップ2の発熱量、放熱平面4aの面積、サーマルグリス9内に混入したボイド量および半導体装置1のその他の構成部品の仕様は同一であることを前提とし、導体回路付絶縁基板4上における凹部7の有無および凹部7の面積の違いによって、放熱性能のパラメータである熱抵抗比の値が、どのように変化するかを明らかにするために行った。当該シミュレーションにおいて、凹部7が形成されていない場合は、ボイドの全部がひと固まりとなって、放熱平面4aの略中央部半導体チップ2の直下に滞留したとしている。また、放熱平面4aに凹部7が形成されている場合は、ボイドの全部が放熱平面4aの略中央部に位置する凹部7によって、すべて分割されたとしている。したがって、この場合、[各ボイドが占める放熱平面4a上の面積=一個当たりの凹部7の面積]となる。図5に示されたように、凹部7が形成されていない場合に比較して、導体回路付絶縁基板4の放熱平面4aに凹部7が形成されている場合には、半導体装置1の熱抵抗比が低減し、放熱性が向上していることが分かる。また、形成された凹部7の面積を小さくすれば、よりいっそう半導体装置1の熱抵抗比が低減する。特に、全ボイド面積比が大きいほど、その優位性が大きく、全ボイド面積比が0.1の時、最小凹部サイズを0.01とすると、凹部7が形成されていない場合に比較して、その熱抵抗比がおよそ1/2となっており、放熱性が2倍になることが分かる。本実施形態によれば、サーマルグリス9との当接面である導体回路付絶縁基板4の放熱平面4aには、周囲が取り囲まれ互いに分離された複数の凹部7が形成されたことにより、例え、導体回路付絶縁基板4に反りが発生しても、サーマルグリス9から発生したボイドがそれぞれの凹部7に分割されて捕獲されるため、放熱平面4a上において、一つ一つのボイドが占める面積が低減される。したがって、導体回路付絶縁基板4からヒートシンク10への熱の伝播を妨げることがなく、半導体装置1の最低放熱性能を維持することができる。また、凹部7は導体回路付絶縁基板4のセラミックス板6に設けられているため、セラミックス板6の成形時に、凹部7も同時に形成することができる。また、ボイドを半導体装置1の外に排出することなく放熱性を確保することができるため、ボイドの排出不足等が発生することがなく、半導体装置1の冷却性を確実に維持することができる。また、サーマルグリス9から発生したボイドが各凹部7に分割されて収容されることにより、真空引き装置等を必要とせずに半導体装置1の放熱性能を向上させることができるため、その製造コストを低減することができる。また、複数の凹部7はハニカム形状を形成していることにより、放熱平面4a上の限られた表面積において、所定面積を有する凹部7を多数形成することができる。図6aは、実施形態1の第1変形実施形態による導体回路付絶縁基板41を示している。導体回路付絶縁基板41は、図1に示したような金属板5とセラミックス板6とが接合されたものの下面セラミックス板6側に、さらに、金属板51が接合されて形成されている。金属板51の下面には、図1に示したものと同様の凹部71が形成されている。凹部71は、上方に向けて窪むように形成されている。図6bは、実施形態1の第2変形実施形態による導体回路付絶縁基板42を示している。導体回路付絶縁基板42は、図6aに示した導体回路付絶縁基板41と同様に、一対の金属板5、52の間に、セラミックス板6が介装されて形成されており、導体回路付絶縁基板42の下面には凹部72が形成されている。本変形実施形態による凹部72は、金属板52を貫通することにより形成されている。図7aは、実施形態1の第3変形実施形態による凹部73の形状を示している。本変形実施形態による凹部73は、導体回路付絶縁基板4の放熱平面4aに複数個形成されており、窪み方向に垂直な断面形状が略正方形状を呈している。凹部73は導体回路付絶縁基板4上において均等に配置され、それぞれの凹部73は周囲を取り囲まれることにより互いに分離されている。また、図7bは、実施形態1の第4変形実施形態による凹部74の形状を示している。本変形実施形態による凹部74は、凹部73と同様に導体回路付絶縁基板4の放熱平面4aに複数個形成されており、窪み方向に垂直な断面形状が真円状を呈している。また、図7cは、実施形態1の第5変形実施形態による凹部75の形状を示している。本変形実施形態による凹部75は、凹部73と同様に導体回路付絶縁基板4の放熱平面4aに複数個形成されており、窪み方向に垂直な断面形状が略正三角形状を呈している。<実施形態2>次に、図8に基づき、本発明の実施形態2による半導体装置20について説明する。実施形態1の場合と同様に、説明中において、図8における上方を半導体装置20の上方とし、下方を半導体装置20の下方とする。本実施形態による半導体装置20は、実施形態1の場合と同様に、はんだ3を介して半導体チップ2が接合された導体回路付絶縁基板4を備えている。導体回路付絶縁基板4の放熱平面下面4aには凹部7は形成されておらず、はんだ3を介して、放熱板14が接合されている。放熱板14は、銅、アルミニウム、モリブデン、タングステンおよびこれらの合金等のような、熱伝動性の良好な材料により形成されている。また、半導体チップ2の表面、導体回路付絶縁基板4および放熱板14の上面は、ゲル状の合成樹脂材料にて形成された絶縁体13封止体に該当するで覆われている。放熱板14の下面には、サーマルグリス9を介して、ヒートシンク10が接合されている。ヒートシンク10は、半導体装置20をその下端面において冷却している。放熱板14には、上方より複数の取付ボルト15が貫通し、取付ボルト15がヒートシンク10の周縁部に締め付けられることにより、放熱板14とヒートシンク10とが固定されている。図8に示すように、放熱板14のサーマルグリス9との当接面下面には、実施形態1による導体回路付絶縁基板4に形成されたものと同様の凹部16が、多数形成されている。各々の凹部16は、周囲が取り囲まれることにより互いに分離されるとともに、放熱板14の下面において、上方に向けて窪むように形成されている。その他の構成については、実施形態1の場合と同様であるため説明は省略する。尚、本実施形態において、導体回路付絶縁基板4は絶縁基板に該当し、導体回路付絶縁基板4と放熱板14とを包括した構成が、放熱構造体に該当する。本実施形態によれば、半導体チップ2の裏面に接合された導体回路付絶縁基板4と、導体回路付絶縁基板4に接合されるとともに、ヒートシンク10に対しサーマルグリス9を介して接続された放熱板14とによって放熱構造体が形成されたことにより、半導体チップ2が発生した熱を放熱板14によって放熱させることができるため、半導体装置20の冷却性を向上させることができる。図9は、実施形態2の変形実施形態による半導体装置21を示している。半導体装置21は、半導体装置20に含まれる導体回路付絶縁基板4に代えて、上述した導体回路付絶縁基板41と類似の、一対の金属板5の間にセラミックス板6が介装された導体回路付絶縁基板43を使用している。導体回路付絶縁基板43には凹部7は形成されておらず、半導体装置20と同様に、放熱板14の下面に凹部16が形成されている。<実施形態3>図10に示された本発明の実施形態3による半導体装置22は、実施形態1による半導体装置1と同様に、半導体チップ2が接合された導体回路付絶縁基板4、導体回路付絶縁基板4の放熱平面4aにサーマルグリス9を介して接続されたヒートシンク10、半導体チップ2等を封止する樹脂筐体8、樹脂筐体8とヒートシンク10とを固定する固定治具11および取付ボルト12を備えている。また、実施形態1による半導体装置1と同様に、本実施形態においても、導体回路付絶縁基板4の放熱平面4aには多数の凹部7が形成されている。本実施形態による半導体装置22においては、導体回路付絶縁基板4に形成された凹部7に加えて、ヒートシンク10のサーマルグリス9との当接面である受熱平面10a上面にも、多数の凹部17が形成されている。それぞれの凹部17は、周囲が取り囲まれることにより互いに分離されている。各々の凹部17は、導体回路付絶縁基板4に形成された凹部7とは反対に、下方に向けて窪むように形成され、窪み方向に垂直な断面形状は正方形状、真円状、三角形状、長円状、ハニカム形状等のいずれでもよい。本実施形態によれば、凹部7、17は、導体回路付絶縁基板4およびヒートシンク10の双方に形成されたことにより、サーマルグリス9に対して導体回路付絶縁基板4が上方にある場合においても、サーマルグリス9に対してヒートシンク10が上方にある場合においても、サーマルグリス9に含まれたボイドを凹部7または凹部17に捕獲することができ、双方の場合において、一つのタイプの半導体装置22を兼用することができる。<他の実施形態>本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、次のように変形または拡張することができる。図1または図8に示した半導体装置1、20において、ヒートシンク10の受熱平面10a上のみに、凹部17を形成してもよい。また、図8および図9に示した半導体装置20、21において、放熱板14およびヒートシンク10の双方に、凹部16、17を形成してもよい。