"基材フィルムと粘着剤層とからなる粘着シートの粘着剤層上に、加熱により保護膜となる熱硬化性保護膜形成層を有し、粘着シートと保護膜の間の粘着力が加熱により低下し、かつ熱硬化性保護膜形成層の発熱発生温度が、粘着力低下温度よりも低い保護膜形成層付ダイシングシート。130°Cで2時間加熱時における基材フィルムの熱収縮率が-5~5である請求項1に記載の保護膜形成層付ダイシングシート。請求項1または2に記載の保護膜形成層付ダイシングシートの保護膜形成層を、ワークに貼付し、以下の工程1~3を1、2、3または2、1、3の順で行うチップの製造方法;工程1:保護膜形成層を硬化し保護膜を得る、工程2:ワークと、保護膜形成層または保護膜とをダイシング、工程3:保護膜と粘着シートとを剥離。前記工程1の後のいずれかの工程において、下記工程4を行う請求項3に記載のチップの製造方法;工程4:保護膜にレーザー印字。本発明者らの検討によれば、特許文献1に記載のチップ用保護フィルムは、保護膜付チップを製造する際に、ダイシングシートに保護膜付ウエハを貼付する必要があり、製造工程が複雑であった。また、保護膜形成層を硬化する際に収縮し、半導体ウエハが反るという問題が発生するおそれがあった。特に、極薄の半導体ウエハでは上記問題が顕著である。半導体ウエハが反ると、ウエハが破損したり、保護膜へのマーキング印字精度が低下するおそれがある。また、ダイシングにより半導体ウエハをチップに分割した後、ダイシングシートの粘着力を低下させ、チップのピックアップを容易にするため、該ダイシングシートの粘着剤層にエネルギー線を照射することがある。エネルギー線照射工程を行うために、ダイシングシートに貼付された保護膜付チップを搬送することがあり、製造工程が複雑になるおそれがあった。本発明は上記の事情に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明は、厚みの均一性が高く、印字精度に優れる保護膜を有する半導体チップを簡便に製造可能であり、かつ保護膜形成層の硬化及び粘着シートの粘着力低下を加熱工程により行うことで、保護膜を有する半導体チップのピックアップが容易で、半導体チップの製造工程の簡便な保護膜付ダイシングシートを提供することを目的とする。本発明は、以下の要旨を含む。1基材フィルムと粘着剤層とからなる粘着シートの粘着剤層上に、加熱により保護膜となる熱硬化性保護膜形成層を有し、粘着シートと保護膜の間の粘着力が加熱により低下し、かつ熱硬化性保護膜形成層の発熱発生温度が、粘着力低下温度よりも低い保護膜形成層付ダイシングシート。2130°Cで2時間加熱時における基材フィルムの熱収縮率が-5~5である1に記載の保護膜形成層付ダイシングシート。3上記1または2に記載の保護膜形成層付ダイシングシートの保護膜形成層を、ワークに貼付し、以下の工程1~3を1、2、3または2、1、3の順で行うチップの製造方法;工程1:保護膜形成層を硬化し保護膜を得る、工程2:ワークと、保護膜形成層または保護膜とをダイシング、工程3:保護膜と粘着シートとを剥離。4前記工程1の後のいずれかの工程において、下記工程4を行う3に記載のチップの製造方法;工程4:保護膜にレーザー印字。半導体チップ裏面に保護膜を形成する際に、本発明に係る保護膜形成層付ダイシングシートを用いることで、半導体チップ裏面に厚みの均一性が高く、印字精度に優れる保護膜を簡便に形成することができる。また、保護膜形成層の発熱発生温度よりも粘着力低下温度が高いため、保護膜形成層付ダイシングシートに半導体ウエハまたは半導体チップを貼付したまま保護膜形成層の加熱硬化工程を行うことができ、加熱硬化工程を経た後も粘着シートと保護膜の間の粘着力が加熱により低下する性質が失われない。このため、該加熱硬化工程、およびその前または後に行われるダイシング工程の際にダイシングシートに該ウエハまたはチップを良好に保持できる。そして、該加熱硬化工程およびダイシング工程の後にさらに加熱することで、粘着シートと保護膜の間の粘着力が低下するため、保護膜付半導体チップのピックアップ性に優れ、保護膜付半導体チップの製造工程を簡略化できる。以下、本発明について、その最良の形態も含めてさらに具体的に説明する。図1に示すように、本発明に係る保護膜形成層付ダイシングシート10は、基材フィルム1と粘着剤層2とからなる粘着シート3の粘着剤層2上に熱硬化性保護膜形成層4を有する。また、図1に示すように、熱硬化性保護膜形成層4は粘着シート3の内周部に形成され、粘着シート3の外周部に粘着剤層2が露出することが好ましい。そして、粘着シート3の外周部において、粘着剤層2によりリングフレーム5に貼付される。基材フィルム本発明における基材フィルムは耐熱性を有し、具体的には、130°Cで2時間加熱における基材フィルムの熱収縮率は、好ましくは-5~5、より好ましくは-4~4である。また、基材フィルムの融点は130°Cを超えるか、もしくは融点を持たないことが好ましく、140°C以上もしくは融点を持たないことがより好ましく、融点が200°C以上もしくは融点を持たないことがさらに好ましい。基材フィルムの熱収縮率が上記範囲外であったり、基材フィルムの融点が130°C以下であったりすると、熱硬化性保護膜形成層以下において、単に保護膜形成層と記載することがある。の硬化時に基材フィルムが溶融し、基材フィルムの形状を保つことが困難になるおそれがある。また、基材フィルムが半導体チップ製造工程中の周辺の装置と融着してしまうことがある。熱収縮率は基材フィルムの熱変形のしやすさを示す指標である。熱収縮率が-5未満または5超である基材フィルムから保護膜形成層付ダイシングシートを構成し、ウエハを保持して熱硬化を行った場合には、ウエハの重みによって、ウエハに対応しない周縁部粘着シートの外周部における基材フィルムは収縮ではなくむしろ伸張し、保護膜形成層付ダイシングシートに弛みが生じやすくなる。これによりその後のダイシング工程が困難になったり、ダイシング後のチップを粘着シートから取り上げることピックアップが困難になったりすることがある。基材フィルムの熱収縮率や融点を上記範囲とすることで、基材フィルムは耐熱性に優れ、保護膜形成層を硬化したときの基材フィルムの形状保持性が良好に保たれる。なお、130°Cで2時間加熱時における基材フィルムの熱収縮率は、130°Cの環境下に基材フィルムを投入する前後の基材フィルムの面積から下記式により求められる。熱収縮率=投入前の基材フィルムの面積-投入後の基材フィルムの面積/投入前の基材フィルムの面積×100また、基材フィルムのMD方向フィルムを長尺で製膜した場合の、フィルムを搬送する方向と並行する方向、およびCD方向フィルムの同一面上においてMD方向と直交する方向のいずれにおいても、引っ張り測定での破断伸度が70以上であるフィルムを用いてもよい。これにより、基材フィルムのエキスパンドが可能となる。引っ張り測定での破断伸度は、好ましくは100以上、より好ましくは120以上である。また、基材フィルムの25応力が、好ましくは150MPa以下、より好ましくは120MPa以下、さらに好ましくは100MPa以下であることにより、粘着シートはより良好なエキスパンド性を示す。基材フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステルフィルム、ポリプロピレンやポリメチルペンテンなどのポリオレフィンフィルム、アクリル樹脂フィルム、耐熱ポリウレタンフィルム等が挙げられる。また、これらの架橋フィルムや放射線放電等による改質フィルムも用いることができる。基材フィルムは、上記フィルムの積層体であってもよい。基材フィルムの厚さは特に限定されず、好ましくは30~300μm、より好ましくは50~200μmである。基材フィルムの厚みを上記範囲とすることで、ダイシングによる切り込みが行われても基材フィルムの断裂が生じにくい。また、保護膜形成層付ダイシングシートが十分な可とう性を有するため、ワーク例えば半導体ウエハ等に対して良好な貼付性を示す。粘着剤層本発明における粘着剤層は、従来より公知の種々の粘着剤により形成され得る。粘着剤層は、後述するチップを製造する際に、その外周部においてリングフレームに貼付され、その内周部において後述する熱硬化性保護膜形成層が積層されることが好ましい。粘着剤層の厚さは特に限定されないが、好ましくは1~100μm、さらに好ましくは2~80μm、特に好ましくは3~50μmである。粘着シート本発明における粘着シートは、上記の基材フィルム表面に粘着剤層を設けることで形成される。基材フィルム表面に粘着剤層を設ける方法は、剥離シート上に所定の膜厚になるように塗布し形成した粘着剤層を基材フィルム表面に転写しても構わないし、基材フィルム表面に粘着剤層を構成する粘着剤組成物を直接塗布して粘着剤層を形成しても構わない。剥離シートとしては、後述する保護膜形成層上に設けるものと同じものを用いることができる。波長532nmおよび波長1064nmにおける粘着シートの全光線透過率は、好ましくは50以上、より好ましくは70以上である。波長532nmおよび波長1064nmにおける粘着シートの全光線透過率を上記範囲とすることで、半導体ウエハに保護膜形成層付ダイシングシートを貼付した後に、レーザーマーキングを粘着シート基材フィルム及び粘着剤層越しに行うことが可能になる。粘着シートには熱硬化性保護膜形成層が設けられる領域に、複数の微細な貫通孔が設けられていてもよい。貫通孔を設けることで、熱硬化性保護膜形成層へのレーザーマーキングを行った際に発生するガスにより生じる異物の発生を抑制できる。また、本発明における粘着シートとして、従来より公知の種々の粘着シートを用いることもできる。このような粘着シートとしては、特開2004-277749号公報等に記載の加熱剥離型粘着シートや、特開平10-233373号公報や特開2004-119992号公報等に記載の加熱により粘着力の低下する粘着シートが挙げられる。上記加熱剥離型粘着シートは、基材本発明における基材フィルムと熱膨張性粘着層とからなり、熱膨張性粘着層は粘着性を付与するための粘着剤及び熱膨張性を付与するための熱膨張性微小球マイクロカプセルを含んでいる。前記粘着剤としては、加熱時に熱膨張性微小球の発泡及び/又は膨張を可及的に拘束しないようなものが好ましい。該粘着剤として、例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、ウレタン系粘着剤、スチレン-ジエンブロック共重合体系粘着剤、これらの粘着剤に融点が約200°C以下の熱溶融性樹脂を配合したクリープ特性改良型粘着剤などの公知の粘着剤を1種又は2種以上組み合わせて用いることができる。熱膨張性微小球としては、例えば、イソブタン、プロパン、ペンタンなどの加熱により容易にガス化して膨張する物質を、弾性を有する殻内に内包させた微小球であればよい。加熱により粘着力の低下する粘着シートは、非収縮性支持フィルム本発明における基材フィルムと、収縮性フィルムと、粘着剤層とがこの順に積層された粘着シートであり、非収縮性支持フィルムと収縮性フィルムとの間に接着剤層を設けてもよい。上記構成の粘着シートは、ダイシング工程によりワーク例えば保護膜付半導体ウエハと共に収縮性フィルムが完全に切断され、加熱により収縮性フィルムが収縮する。その結果、収縮性フィルム上の粘着剤層も収縮性フィルムの収縮に同伴して変形し、個片化されたワーク例えば保護膜付半導体チップと粘着剤層との接触面積が減少する。そのため、個片化されたワークと粘着剤層との粘着力が低減し、ピックアップが容易となる。収縮性フィルムとしては、特に熱収縮性のポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等のフィルムを用いることができる。また、粘着剤層は、従来より公知の種々の感圧性粘着剤により形成され、このような粘着剤としては、例えば、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等の粘着剤が用いられる。熱硬化性保護膜形成層本発明における熱硬化性保護膜形成層は、バインダーポリマー成分A及び熱硬化性成分Bを含有することが好ましい。Aバインダーポリマー成分保護膜形成層に十分な接着性および造膜性シート形成性を付与するためにバインダーポリマー成分Aが用いられる。バインダーポリマー成分Aとしては、従来公知のアクリルポリマー、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、アクリルウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ゴム系ポリマー等を用いることができる。バインダーポリマー成分Aの重量平均分子量Mwは、1万~200万であることが好ましく、10万~120万であることがより好ましい。バインダーポリマー成分Aの重量平均分子量が低過ぎると保護膜形成層と粘着シートとの粘着力が高くなり、保護膜形成層の転写不良が起こることがあり、高過ぎると保護膜形成層の接着性が低下し、チップ等に転写できなくなったり、あるいは転写後にチップ等から保護膜が剥離することがある。バインダーポリマー成分Aとして、アクリルポリマーが好ましく用いられる。アクリルポリマーのガラス転移温度Tgは、好ましくは-60~50°C、さらに好ましくは-50~40°C、特に好ましくは-40~30°Cの範囲にある。アクリルポリマーのガラス転移温度が低過ぎると保護膜形成層と粘着シートとの剥離力が大きくなって保護膜形成層の転写不良が起こることがあり、高過ぎると保護膜形成層の接着性が低下し、チップ等に転写できなくなったり、あるいは転写後にチップ等から保護膜が剥離することがある。上記アクリルポリマーを構成するモノマーとしては、メタアクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体が挙げられる。例えば、アルキル基の炭素数が1~18であるアルキルメタアクリレート、具体的にはメチルメタアクリレート、エチルメタアクリレート、プロピルメタアクリレート、ブチルメタアクリレート、2-エチルヘキシルメタアクリレートなどが挙げられる。また、環状骨格を有するメタアクリレート、具体的にはシクロヘキシルメタアクリレート、ベンジルメタアクリレート、イソボルニルメタアクリレート、ジシクロペンタニルメタアクリレート、ジシクロペンテニルメタアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルメタアクリレート、イミドメタアクリレートなどが挙げられる。さらに官能基を有するモノマーとして、水酸基を有するヒドロキシメチルメタアクリレート、2-ヒドロキシエチルメタアクリレート、2-ヒドロキシプロピルメタアクリレートなどが挙げられ;その他、エポキシ基を有するグリシジルメタアクリレートなどが挙げられる。アクリルポリマーは、水酸基を有しているモノマーを含有しているアクリルポリマーが、後述する熱硬化性成分Bとの相溶性が良いため好ましい。また、上記アクリルポリマーは、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレンなどが共重合されていてもよい。さらに、バインダーポリマー成分Aとして、硬化後の保護膜の可とう性を保持するための熱可塑性樹脂を配合してもよい。そのような熱可塑性樹脂としては、重量平均分子量が1000~10万のものが好ましく、3000~8万のものがさらに好ましい。熱可塑性樹脂のガラス転移温度は、好ましくは-30~120°C、さらに好ましくは-20~120°Cのものが好ましい。熱可塑性樹脂としては、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリスチレンなどが挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は、1種単独で、または2種以上混合して使用することができる。上記の熱可塑性樹脂を含有することにより、保護膜形成層の転写面に保護膜形成層が追従しボイドなどの発生を抑えることができる。B熱硬化性成分熱硬化性成分Bとしては、熱硬化樹脂および熱硬化剤が用いられる。熱硬化樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂としては、従来公知のエポキシ樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂としては、具体的には、多官能系エポキシ樹脂や、ビフェニル化合物、ビスフェノールAジグリシジルエーテルやその水添物、オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂など、分子中に2官能以上有するエポキシ化合物が挙げられる。これらは1種単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。保護膜形成層には、バインダーポリマー成分A100質量部に対して、熱硬化樹脂が、好ましくは1~1000質量部、より好ましくは10~500質量部、特に好ましくは20~200質量部含まれる。熱硬化樹脂の含有量が1質量部未満であると十分な接着性が得られないことがあり、1000質量部を超えると保護膜形成層と粘着シートとの剥離力が高くなり、保護膜形成層の転写不良が起こることがある。熱硬化剤は、熱硬化樹脂、特にエポキシ樹脂に対する硬化剤として機能する。エポキシ樹脂からなる熱硬化樹脂に好ましい熱硬化剤としては、1分子中にエポキシ基と反応しうる官能基を2個以上有する化合物が挙げられる。その官能基としてはフェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基および酸無水物などが挙げられる。これらのうち好ましくはフェノール性水酸基、アミノ基、酸無水物などが挙げられ、さらに好ましくはフェノール性水酸基、アミノ基が挙げられる。フェノール系硬化剤の具体的な例としては、多官能系フェノール樹脂、ビフェノール、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン系フェノール樹脂、ザイロック型フェノール樹脂、アラルキルフェノール樹脂が挙げられる。アミン系硬化剤の具体的な例としては、DICYジシアンジアミドが挙げられる。これらは、1種単独で、または2種以上混合して使用することができる。熱硬化剤の含有量は、熱硬化樹脂100質量部に対して、0.1~500質量部であることが好ましく、1~200質量部であることがより好ましい。熱硬化剤の含有量が少ないと硬化不足で接着性が得られないことがあり、過剰であると保護膜形成層の吸湿率が高まり半導体装置の信頼性を低下させることがある。保護膜形成層が熱硬化性成分Bを含有するため、保護膜形成層は熱硬化性を有する。この場合、保護膜形成層を加熱により硬化することが可能となるが、本発明の保護膜形成層付ダイシングシートは基材フィルムが耐熱性を有しているために、保護膜形成層の熱硬化の際に基材フィルムが変形して不具合を生じることが起こりにくい。その他の成分保護膜形成層は、上記バインダーポリマー成分A及び熱硬化性成分Bに加えて下記成分を含むことができる。C着色剤保護膜形成層は、着色剤Cを含有することが好ましい。保護膜形成層に着色剤を配合することで、半導体装置を機器に組み込んだ際に、周囲の装置から発生する赤外線等を遮蔽し、それらによる半導体装置の誤作動を防止することができ、また保護膜形成層を硬化して得た保護膜に、製品番号等を印字した際の文字の視認性が向上する。すなわち、保護膜を形成された半導体装置や半導体チップでは、保護膜の表面に品番等が通常レーザーマーキング法レーザー光により保護膜表面を削り取り印字を行う方法により印字されるが、保護膜が着色剤Cを含有することで、保護膜のレーザー光により削り取られた部分とそうでない部分のコントラスト差が充分に得られ、視認性が向上する。着色剤Cとしては、有機または無機の顔料および染料が用いられる。これらの中でも電磁波や赤外線遮蔽性の点から黒色顔料が好ましい。黒色顔料としては、カーボンブラック、酸化鉄、二酸化マンガン、アニリンブラック、活性炭等が用いられるが、これらに限定されることはない。半導体装置の信頼性を高める観点からは、カーボンブラックが特に好ましい。着色剤Cは、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。本発明における保護膜形成層の高い硬化性は、可視光および/または赤外線と紫外線との両方の透過性を低下させる着色剤を用い、紫外線の透過性が低下した場合に、特に好ましく発揮される。可視光および/または赤外線と紫外線との両方の透過性を低下させる着色剤としては、上記の黒色顔料のほか、可視光および/または赤外線と紫外線との両方の波長領域で吸収性または反射性を有するものであれば特に限定されない。着色剤Cの配合量は、保護膜形成層を構成する全固形分100質量部に対して、好ましくは0.1~35質量部、さらに好ましくは0.5~25質量部、特に好ましくは1~15質量部である。D硬化促進剤硬化促進剤Dは、保護膜形成層の硬化速度を調整するために用いられる。硬化促進剤Dは、特に、熱硬化性成分Bにおいて、エポキシ樹脂と熱硬化剤とを併用する場合に好ましく用いられる。好ましい硬化促進剤としては、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリスジメチルアミノメチルフェノールなどの3級アミン類;2-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール類;トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィンなどの有機ホスフィン類;テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレートなどのテトラフェニルボロン塩などが挙げられる。これらは1種単独で、または2種以上混合して使用することができる。硬化促進剤Dは、熱硬化性成分B100質量部に対して、好ましくは0.01~10質量部、さらに好ましくは0.1~1質量部の量で含まれる。硬化促進剤Dを上記範囲の量で含有することにより、高温度高湿度下に曝されても優れた接着特性を有し、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても高い信頼性を達成することができる。硬化促進剤Dの含有量が少ないと硬化不足で十分な接着特性が得られず、過剰であると高い極性をもつ硬化促進剤は高温度高湿度下で保護膜形成層中を接着界面側に移動し、偏析することにより半導体装置の信頼性を低下させる。Eカップリング剤カップリング剤Eは、保護膜形成層のチップに対する接着性、密着性および/または保護膜の凝集性を向上させるために用いてもよい。また、カップリング剤Eを使用することで、保護膜形成層を硬化して得られる保護膜の耐熱性を損なうことなく、その耐水性を向上することができる。カップリング剤Eとしては、バインダーポリマー成分A、熱硬化性成分Bなどが有する官能基と反応する基を有する化合物が好ましく使用される。カップリング剤Eとしては、シランカップリング剤が望ましい。このようなカップリング剤としてはγ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-6-アミノエチル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-6-アミノエチル-γ-アミノプロピルメチルジエトキシシラン、N-フェニル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス3-トリエトキシシリルプロピルテトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシランなどが挙げられる。これらは1種単独で、または2種以上混合して使用することができる。カップリング剤Eは、バインダーポリマー成分Aおよび熱硬化性成分Bの合計100質量部に対して、通常0.1~20質量部、好ましくは0.2~10質量部、より好ましくは0.3~5質量部の割合で含まれる。カップリング剤Eの含有量が0.1質量部未満だと上記の効果が得られない可能性があり、20質量部を超えるとアウトガスの原因となる可能性がある。F無機充填材無機充填材Fを保護膜形成層に配合することにより、硬化後の保護膜における熱膨張係数を調整することが可能となり、半導体チップに対して硬化後の保護膜の熱膨張係数を最適化することで半導体装置の信頼性を向上させることができる。また、硬化後の保護膜の吸湿率を低減させることも可能となる。好ましい無機充填材としては、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、酸化チタン、酸化鉄、炭化珪素、窒化ホウ素等の粉末、これらを球形化したビーズ、単結晶繊維およびガラス繊維等が挙げられる。これらのなかでも、シリカフィラーおよびアルミナフィラーが好ましい。上記無機充填材Fは単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。無機充填材Fの含有量は、保護膜形成層を構成する全固形分100質量部に対して、通常1~80質量部の範囲で調整が可能である。G架橋剤保護膜形成層の初期接着力および凝集力を調節するために、架橋剤を添加することもできる。架橋剤Gとしては有機多価イソシアネート化合物、有機多価イミン化合物などが挙げられる。上記有機多価イソシアネート化合物としては、芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物、脂環族多価イソシアネート化合物およびこれらの有機多価イソシアネート化合物の三量体、ならびにこれら有機多価イソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマー等を挙げることができる。有機多価イソシアネート化合物としては、たとえば2,4-トリレンジイソシアネート、2,6-トリレンジイソシアネート、1,3-キシリレンジイソシアネート、1,4-キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン-4,4’-ジイソシアネート、ジフェニルメタン-2,4’-ジイソシアネート、3-メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン-4,4’-ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン-2,4’-ジイソシアネート、トリメチロールプロパンアダクトトリレンジイソシアネートおよびリジンイソシアネートが挙げられる。上記有機多価イミン化合物としては、N,N’-ジフェニルメタン-4,4’-ビス1-アジリジンカルボキシアミド、トリメチロールプロパン-トリ-β-アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン-トリ-β-アジリジニルプロピオネートおよびN,N’-トルエン-2,4-ビス1-アジリジンカルボキシアミドトリエチレンメラミン等を挙げることができる。架橋剤Gはバインダーポリマー成分A100質量部に対して通常0.01~20質量部、好ましくは0.1~10質量部、より好ましくは0.5~5質量部の比率で用いられる。H汎用添加剤保護膜形成層には、上記の他に、必要に応じて各種添加剤が配合されてもよい。各種添加剤としては、レベリング剤、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、イオン捕捉剤、ゲッタリング剤、連鎖移動剤などが挙げられる。上記のような各成分からなる保護膜形成層は、接着性と熱硬化性とを有し、未硬化状態ではワーク半導体ウエハやチップ等に押圧することで容易に接着する。そして熱硬化を経て最終的には耐衝撃性の高い保護膜を与えることができ、接着強度にも優れ、厳しい高温度高湿度条件下においても十分な保護機能を保持し得る。なお、保護膜形成層は単層構造であってもよく、また上記成分を含む層を1層以上含む限りにおいて多層構造であってもよい。保護膜形成層の発熱発生温度は、後述の粘着力低下温度よりも低い。また、保護膜形成層の発熱発生温度は、好ましくは40°C以上、より好ましくは60~200°C、さらに好ましくは80~180°Cである。本発明において発熱発生温度とは、保護膜形成層を構成する保護膜形成層用組成物について、示差走査熱量計パーキンエルマー社製Pyris1を用いて、保護膜形成層10mgを試料とし、昇温速度3°C/分で、50~300°Cの範囲の測定を行い、ベースラインから硬化反応に起因する発熱ピークの立ち上がりが生じる温度を発熱発生温度とした。保護膜形成層の発熱発生温度を上記範囲とすることで、加熱硬化工程における硬化温度を、発熱発生温度付近に設定すれば、0.5~5時間程度で硬化を行うことができる。すなわち、比較的穏和な条件で加熱硬化を行うことが可能となる。保護膜形成層の発熱発生温度は、熱硬化樹脂および熱硬化剤を適宜選択することにより調整することができる。たとえば、熱硬化樹脂としてエポキシ樹脂を用い、熱硬化剤としてアミン系硬化剤を用いた場合には、発熱発生温度は50~250°C程度であり、熱硬化樹脂としてエポキシ樹脂を用い、熱硬化剤としてフェノール系硬化剤を用いた場合には、発熱発生温度は50~250°C程度である。保護膜形成層の厚さは特に限定されないが、好ましくは3~300μm、さらに好ましくは5~250μm、特に好ましくは7~200μmである。保護膜形成層における可視光線および/または赤外線と紫外線の透過性を示す尺度である、波長300~1200nmにおける最大透過率は20以下であることが好ましく、0~15であることがより好ましく、0を超え10以下であることがさらに好ましく、0.001~8であることが特に好ましい。波長300~1200nmにおける保護膜形成層の最大透過率を上記範囲とすることで、可視光波長領域および/または赤外波長領域の透過性の低下が生じ、半導体装置の赤外線起因の誤作動の防止や、印字の視認性向上といった効果が得られる。波長300~1200nmにおける保護膜形成層の最大透過率は、上記着色剤Cにより調整できる。なお、保護膜形成層の最大透過率は、UV-visスペクトル検査装置株島津製作所製を用いて、硬化後の保護膜形成層厚み25μmの300~1200nmでの全光線透過率を測定し、透過率の最も高い値最大透過率とした。剥離シート保護膜形成層付ダイシングシートには、使用に供するまでの間、表面の外部との接触を避けるための剥離シートを設けてもよい。剥離シートとしては、たとえば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレンメタアクリル酸共重合体フィルム、エチレンメタアクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルムなどの透明フィルムが用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。さらにこれらの積層フィルムであってもよい。また、これらを着色したフィルム、不透明フィルムなどを用いることができる。また、剥離シートは片面が剥離処理されていてもよい。剥離処理に用いられる剥離剤としては、例えば、シリコーン系、フッ素系、長鎖アルキル基含有カルバメート等の剥離剤が挙げられる。上記の剥離剤を用いて剥離シートの表面を剥離処理するためには、剥離剤をそのまま無溶剤で、または溶剤希釈やエマルション化して、グラビアコーター、メイヤーバーコーター、エアナイフコーター、ロールコーターなどにより塗布して、常温もしくは加熱または電子線硬化させたり、ウェットラミネーションやドライラミネーション、熱溶融ラミネーション、溶融押出ラミネーション、共押出加工などで積層体を形成すればよい。剥離シートの厚さは、通常は10~500μm、好ましくは15~300μm、特に好ましくは20~250μm程度である。また、剥離シートを除いた状態の保護膜形成層付ダイシングシートの厚みは、通常は1~500μm、好ましくは5~300μm、特に好ましくは10~150μm程度である。保護膜形成層付ダイシングシート本発明の保護膜形成層付ダイシングシートは、基材フィルムと粘着剤層とからなる粘着シートの粘着剤層上に、加熱により保護膜となる熱硬化性保護膜形成層を有する。そして、粘着シートと保護膜の間の粘着力が加熱により低下し、上述した熱硬化性保護膜形成層の発熱発生温度が粘着力低下温度よりも低い。本発明において粘着力低下温度とは、粘着シートと保護膜との間の粘着力が50低下した温度をいう。粘着シートと保護膜の間の粘着力は、保護膜形成層を130°Cで120分間加熱し、加熱硬化した保護膜から粘着シートを180°で剥離するときの粘着力であり、JISZ0237;2009に準拠して測定できる。粘着シートと保護膜の間の粘着力は、好ましくは0.2~15N/25mm、より好ましくは0.5~10N/25mmである。粘着力低下温度は、好ましくは50~250°C、より好ましくは90~200°Cである。粘着力低下温度は、次のように決定する。まず、保護膜形成層付ダイシングシートを130°Cで120分間加熱し、保護膜形成層を硬化した後、粘着シートと保護膜の間の粘着力加熱オーブン投入前の粘着シートと保護膜の間の粘着力粘着力低下前を測定する。また、別途30~350°Cの範囲の10°C毎の温度に設定した加熱オーブンに、保護膜形成層を硬化した保護膜形成層付ダイシングシートを4分間投入し、各温度における粘着シートと保護膜の間の粘着力を測定する。なお、各温度における粘着シートと保護膜の間の粘着力は、各温度において4分間加熱後、保護膜から粘着シートを180°で剥離するときの粘着力であり、JISZ0237;2009に準拠して測定できる。そして、その温度以上であれば、加熱オーブン投入後の粘着シートと保護膜の間の粘着力が、加熱オーブン投入前の同粘着力の50以下となる温度を粘着力低下温度とする。また、粘着力低下温度における粘着シートと保護膜の間の粘着力粘着力低下後は、好ましくは4N/25mm以下、より好ましくは3N/25mm以下、特に好ましくは0.1~2N/25mmである。粘着シートと保護膜の間の粘着力を上記範囲とすることで、リングフレームへの貼付性に優れ、リングフレームへの糊残りを防止できる。また、粘着力低下後における粘着シートと保護膜の間の粘着力が上記範囲にあることにより、ピックアップを行うことが容易となる。なお、本発明の保護膜形成層付ダイシングシートは、加熱硬化の前にダイシングを行うプロセスにも用いることができるが、硬化前の保護膜形成層に対する粘着シートの粘着力は、硬化後の保護膜に対するそれよりも強いことが通常であるので、粘着シートと保護膜の間の粘着力が上記範囲にあれば、このようなプロセスでもダイシング時の保護膜および半導体ウエハの保持を行うことができる。粘着力低下温度は、粘着剤層が熱膨張性粘着層であれば、通常は熱膨張性微小球の発泡及び/又は膨張が生じる温度以上の温度となる。また、粘着シートが非収縮性支持フィルムと、収縮性フィルムと、粘着剤層とがこの順に積層された粘着シートである場合には、収縮性フィルムが収縮する温度を粘着力低下温度と同一の温度とすることで、粘着力低下温度の調整が可能である。粘着力低下温度を上記範囲とすることで、該粘着力低下温度が上述する熱硬化性保護膜形成層の発熱発生温度よりも高いことに起因して、熱硬化性保護膜形成層の加熱硬化工程やダイシング工程の際に、半導体ウエハや半導体チップを良好に保持できるとともに、粘着力低下後はピックアップが可能となる。他方、粘着力低下温度が発熱発生温度以下である場合には、保護膜形成層の加熱硬化工程において熱膨張性微小球の発泡及び/又は膨張や、収縮性フィルムの収縮は完了する。その後、加熱硬化工程の継続により、粘着剤層と保護膜形成層は再度密着してしまう。この結果、粘着シートと保護膜の間の粘着力は加熱硬化工程においても低下することはなく、また、加熱硬化工程の終了後、再度加熱を行ったとしてももはや粘着力の低下が起こることはない。保護膜形成層付ダイシングシートの製造方法としては、次のような方法が挙げられる。まず、剥離シート上に保護膜形成層を形成する。保護膜形成層は、上記各成分を適宜の割合で、適当な溶媒中で混合してなる保護膜形成層用組成物を、適当な剥離シート上に塗布乾燥して得られる。そして、必要に応じこれを別の剥離シートと貼り合わせて、2枚の剥離シートに挟持された状態剥離シート/保護膜形成層/剥離シートとする。次に、2枚の剥離シートに挟持された状態の場合には一方の剥離シートを剥離する。そして、保護膜形成層を貼付するワーク例えば半導体ウエハ等と同じサイズもしくは一回り大きい円形に型抜きし、円形に型抜きされた保護膜形成層の周囲をカス取り不要部分の除去する。また、2枚の剥離シートに挟持された状態の場合には、一方の剥離シートと保護膜形成層を型抜きし、保護膜形成層を剥離シートごとカス取りし、その後に型抜きされた剥離シートを剥離してもよい。次いで、円形の保護膜形成層を、別途用意した上記粘着シートの粘着剤層に貼付し、リングフレームに対する糊しろの外径に合わせて同心円状に型抜きし、型抜きされた粘着シートの周囲を除去する。最後に、保護膜形成層に貼付された剥離シートを剥離することで、本発明の保護膜形成層付ダイシングシートを得る。図1に示すように、本発明の保護膜形成層付ダイシングシート10は、基材フィルム1と粘着剤層2とからなる粘着シート3の内周部に熱硬化性保護膜形成層4が剥離可能に積層され、粘着シート3の外周部に粘着剤層2が露出していることが好ましい。つまり、粘着シート3よりも小径の熱硬化性保護膜形成層4が、粘着シート3の粘着剤層2上に同心円状に剥離可能に積層されていることが好ましい。上記構成の保護膜形成層付ダイシングシート10は、粘着シート3の外周部に露出した粘着剤層2において、リングフレーム5に貼付される。また、リングフレームに対する糊しろ粘着シートの外周部における露出した粘着剤層上に、環状の両面テープ若しくは粘着剤層を別途設けてもよい。両面テープは粘着剤層/芯材/粘着剤層の構成を有し、両面テープにおける粘着剤層は特に限定されず、たとえばゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等の粘着剤が用いられる。また、エネルギー線硬化型や加熱発泡型、水膨潤型の粘着剤も用いることができる。エネルギー線硬化紫外線硬化、電子線硬化型粘着剤としては、特に紫外線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。粘着剤層は、後述するチップを製造する際に、その外周部においてリングフレームに貼付される。粘着剤層の外周部をリングフレームに貼付して、保護膜形成層の硬化を行うと、リングフレームを粘着剤層から外す際に、リングフレームに糊残りが発生することがある。また、保護膜形成層の硬化工程において、粘着剤層は高温にさらされて軟化し、糊残りが発生しやすくなる。そのため、上記の粘着剤の中でも、リングフレームへの糊残りの防止及び粘着剤層への耐熱性の付与という観点から、アクリル系、シリコーン系の粘着剤が好ましい。芯材は耐熱性を有することが好ましく、芯材として、融点が120°C以上のフィルムを用いることが好ましい。融点が120°C未満のフィルムを芯材として用いると、保護膜形成層の加熱硬化の際に、芯材が溶融し形状を保てなくなったり、周辺の装置と融着してしまうことがある。芯材としては、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルム、液晶ポリマーフィルム等が好ましく用いられる。チップの製造方法次に本発明に係る保護膜形成層付ダイシングシートの利用方法について、該シートをチップ例えば半導体チップ等の製造に適用した場合を例にとって説明する。本発明に係る保護膜形成層付ダイシングシートを用いた半導体チップの製造方法は、表面に回路が形成された半導体ウエハワークの裏面に、上記シートの保護膜形成層を貼付し、以下の工程1~3を、1、2、3または2、1、3の順で行い、裏面に保護膜を有する半導体チップを得ることを特徴としている。工程1:保護膜形成層を硬化し保護膜を得る、工程2:半導体ウエハワークと、保護膜形成層または保護膜とをダイシング、工程3:保護膜と粘着シートとを剥離。また、本発明に係る半導体チップの製造方法は、上記工程1~3の他に、下記の工程4をさらに含み、上記工程1の後のいずれかの工程において、工程4を行うこともできる。工程4:保護膜にレーザー印字。半導体ウエハはシリコンウエハであってもよく、またガリウム砒素などの化合物半導体ウエハであってもよい。ウエハ表面への回路の形成はエッチング法、リフトオフ法などの従来より汎用されている方法を含む様々な方法により行うことができる。次いで、半導体ウエハの回路面の反対面裏面を研削する。研削法は特に限定はされず、グラインダーなどを用いた公知の手段で研削してもよい。裏面研削時には、表面の回路を保護するために回路面に、表面保護シートと呼ばれる粘着シートを貼付する。裏面研削は、ウエハの回路面側すなわち表面保護シート側をチャックテーブル等により固定し、回路が形成されていない裏面側をグラインダーにより研削する。ウエハの研削後の厚みは特に限定はされないが、通常は20~500μm程度である。その後、必要に応じ、裏面研削時に生じた破砕層を除去する。破砕層の除去は、ケミカルエッチングや、プラズマエッチングなどにより行われる。次いで、半導体ウエハの裏面に、上記保護膜形成層付ダイシングシートの保護膜形成層を貼付する。その後、工程1~3を1、2、3または2、1、3の順で行う。これらの一例として、工程1~3を1、2、3の順で行う場合について説明する。まず、表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面に、上記保護膜形成層付ダイシングシートの保護膜形成層を貼付する。次いで、保護膜形成層を、粘着力低下温度よりも低い温度、好ましくは上記の発熱発生温度付近の温度で、0.5~5時間加熱することにより熱硬化し、ウエハの全面に保護膜を形成する。硬化前の保護膜形成層を半導体ウエハに貼付することにより、保護膜形成層がウエハの貼付面によくなじみ、保護膜と半導体チップの接着性が向上する。保護膜形成層には、熱硬化性成分Bが含まれているため、熱硬化により保護膜形成層を硬化する。この結果、ウエハ裏面に硬化樹脂からなる保護膜が形成され、ウエハ単独の場合と比べて強度が向上するので、取扱い時の薄くなったウエハの破損を低減できる。また、ウエハやチップの裏面に直接保護膜用の塗布液を塗布被膜化するコーティング法と比較して、保護膜の厚さの均一性に優れる。また、本発明の保護膜形成層付ダイシングシートにおいては、耐熱性に優れる基材フィルムを用いることにより、熱硬化時の変形による弛みが抑制され、ダイシングやピックアップ保護膜からの粘着シートの剥離が容易となるという効果が好ましく発揮される。次いで、硬化した保護膜形成層保護膜にレーザー印字することが好ましい。レーザー印字はレーザーマーキング法により行われ、レーザー光の照射により粘着シート越しに保護膜の表面を削り取ることで保護膜に品番等をマーキングする。本発明の保護膜形成層付ダイシングシートによれば、極薄のウエハであってもウエハの反りを抑制できるため、レーザー光の焦点が正確に定まり、精度よくマーキングを行える。次いで、半導体ウエハと保護膜形成層付ダイシングシートとの積層体半導体ウエハと保護膜と粘着シートとの積層体を、ウエハ表面に形成された回路毎にダイシングし、半導体チップと保護膜形成層付ダイシングシートとの積層体を得る。ダイシングは、ウエハと保護膜をともに切断するように行われる。本発明の保護膜形成層付ダイシングシートによれば、保護膜形成層の発熱発生温度よりも粘着力低下温度が高いため、ダイシング時において保護膜に対して粘着シートが十分な粘着力を有する。ダイシングは特に限定はされず、一例として、ウエハのダイシング時には保護膜形成層付ダイシングシートの周辺部粘着シートの外周部をリングフレームにより固定した後、ダイシングブレードなどの回転丸刃を用いるなどの公知の手法によりウエハのチップ化を行う方法などが挙げられる。ダイシングによる粘着シートへの切り込み深さは、保護膜形成層を完全に切断していればよく、保護膜形成層との界面から0~30μmとすることが好ましい。基材フィルムへの切り込み量を小さくすることで、ダイシングブレードの摩擦による基材フィルムの溶融や、基材フィルムにおけるバリ等の発生を抑制することができる。そして、半導体チップと保護膜形成層付ダイシングシートとの積層体を、保護膜形成層の発熱発生温度よりも高い温度、好ましくは上記の粘着力低下温度で、15秒~30分加熱し、粘着シートと保護膜の間の粘着力を低下させる。なお、粘着シートと保護膜の間の粘着力を低下させるための加熱工程は、後述するエキスパンドの後に行ってもよい。その後、上記粘着シートをエキスパンドしてもよい。本発明における粘着シートの基材フィルムとして、伸張性に優れるものを選択した場合は、本発明の保護膜形成層付ダイシングシートは、優れたエキスパンド性を有する。ダイシングされた保護膜付半導体チップをコレット等の汎用手段によりピックアップすることで、保護膜と粘着シートとを剥離する。この結果、裏面に保護膜を有する半導体チップ保護膜付半導体チップが得られる。このような本発明によれば、厚みの均一性の高い保護膜を、チップ裏面に簡便に形成でき、ダイシング工程やパッケージングの後のクラックが発生しにくくなる。また、本発明によれば、保護膜が形成されたウエハをダイシングテープに貼り替えてダイシングしていた従来の工程と比較して、ダイシングテープへの貼り替えを行うことなく保護膜付チップを得ることができ、製造工程の簡略化が図れる。また、研削により脆弱化したウエハを単体で扱うことがなくなるため、ウエハ破損の危険を低減する。さらに、薄型化ウエハは保護膜の硬化収縮により反りが発生することがあるが、粘着シートで保持されているため反りも抑制することができる。そして、半導体チップをフェースダウン方式で所定の基台上に実装することで半導体装置を製造することができる。また、裏面に保護膜を有する半導体チップを、ダイパッド部または別の半導体チップなどの他の部材上チップ搭載部上に接着することで、半導体装置を製造することもできる。粘着力低下温度が保護膜形成層の発熱発生温度以下である保護膜形成層付ダイシングシートを用いて、工程1~3を2、1、3の順で行う場合であって、工程1の保護膜形成層の硬化の後に、粘着力低下のために保護膜形成層付ダイシングシートを加熱しようとするときには、粘着剤層と保護膜形成層とが再度密着してしまい、保護膜付半導体チップのピックアップが困難である。また、工程2のダイシングの後、保護膜形成層付ダイシングシートを粘着力低下温度まで加熱し、粘着シートと保護膜の間の粘着力を低下させた後に工程1の保護膜形成層の硬化を行うときは、加熱硬化工程の間に粘着剤層と保護膜形成層が再度密着するおそれがある。したがって、粘着力低下のための加熱は、工程1の後、工程3の前に行うことが好ましい。以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、以下の実施例および比較例において、<粘着力低下温度>、<粘着シートと保護膜の間の粘着力粘着力低下前>、<粘着シートと保護膜の間の粘着力粘着力低下後>、<ウエハ保持性およびピックアップ性>及び<基材フィルムの熱収縮率>は次のように測定評価した。また、下記の<保護膜形成層用組成物>を用いた。<粘着力低下温度>保護膜形成層付ダイシングシートについて、粘着力低下温度の決定方法として上述した方法により、粘着力低下温度を決定した。<粘着シートと保護膜の間の粘着力粘着力低下前>粘着力低下温度の決定において、加熱オーブン投入前の粘着シートと保護膜の間の粘着力を、粘着シートと保護膜の間の粘着力粘着力低下前とした。<粘着シートと保護膜の間の粘着力粘着力低下後>粘着力低下温度の決定において、粘着力低下温度における加熱オーブン投下後の粘着シートと保護膜の間の粘着力を、粘着シートと保護膜の間の粘着力粘着力低下後とした。<ウエハ保持性およびピックアップ性>保護膜形成層付ダイシングシートの保護膜形成層をシリコンウエハ直径8インチ、厚み200μm、2000研磨に、粘着シートの外周部における粘着剤層をリングフレームに貼付した。次いで、130°Cで2時間加熱して保護膜形成層を硬化し、保護膜付シリコンウエハを5mm×5mmのチップサイズにダイシングした。その後、粘着力低下温度で4分間加熱し、粘着力を低下させ、キャノンマシナリー社製Bestem-D02により保護膜付チップをピックアップした。ウエハ保持性は、ダイシング時にウエハ破損、チップ欠け、チップ飛びのいずれも生じない場合をA、ダイシング時にウエハ破損、チップ欠け、チップ飛びのいずれかが生じた場合をBと評価した。また、ピックアップ性は、チップを破損することなくピックアップが可能であった場合をA、チップを破損もしくはピックアップが不可能であった場合をBと評価した。<基材フィルムの熱収縮率>基材フィルムを10cm×10cmに裁断し、熱風オーブンに投入した130°C、2時間。その後、基材フィルムを取り出し、基材フィルムの寸法を測定し、下記式により熱収縮率を求めた。熱収縮率=投入前の基材フィルムの面積-投入後の基材フィルムの面積/投入前の基材フィルムの面積×100<保護膜形成層用組成物>保護膜形成層を構成する各成分と配合量を下記に示す各成分/配合量。Aバインダーポリマー成分:n-ブチルアクリレート55質量部、メチルメタクリレート15質量部、グリシジルメタクリレート20質量部、及び2-ヒドロキシエチルアクリレート15質量部からなるアクリルポリマー重量平均分子量:90万、ガラス転移温度:-28°C/100質量部B熱硬化性成分:B1ビスフェノールA型エポキシ樹脂エポキシ当量180~200g/eq50質量部、及びジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂大日本インキ化学工業株製エピクロンHP-7200HH50質量部からなる熱硬化性成分/合計100質量部B2熱活性潜在性エポキシ樹脂硬化剤ジシアンジアミド/2.8質量部C着色剤:カーボンブラック/10.0質量部D硬化促進剤2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール四国化成工業社製キュアゾール2PHZ/2.8質量部Eカップリング剤:シランカップリング剤日本ユニカー製A-1110/1質量部F無機充填剤:シリカフィラー溶融石英フィラー平均粒径8μm/300質量部実施例1保護膜形成層用組成物の上記各成分を上記配合量で配合した。また、剥離シートとして、片面に剥離処理を行ったポリエチレンテレフタレートフィルムリンテック社製SP-P502010、厚さ50μmを用意した。上記保護膜形成層用組成物のメチルエチルケトン溶液固形濃度61重量を、上記剥離シートの剥離処理面上に乾燥後25μmの厚みになるように塗布、乾燥乾燥条件:オーブンにて120°C、3分間して、剥離シート上に保護膜形成層を形成した。この保護膜形成層に、他の剥離シートとして、ポリエチレンテレフタレートフィルムSP-PET381031、厚さ38μmの剥離処理面を貼り合わせた。次いで、剥離シートを残して保護膜形成層および他の剥離シートのみを切断するようにシリコンウエハと同サイズ直径8インチに型抜きした後、型抜きされた形状の部分を除く部分の保護膜形成層および他の剥離シートを除去し、剥離シート上に円形に型抜きされた保護膜形成層および他の剥離シートを得た。なお、保護膜形成層の発熱発生温度は、140°Cであった。粘着シートとして、リバアルファ登録商標No.3195H日東電工社製、粘着剤層が150°Cで発泡する熱膨張性微粒子を含有。を用いた。上記粘着シートの粘着剤層上に上記の剥離シート上に形成された保護膜形成層を、型抜きされた他の剥離シートを剥離除去した上で貼付し、リングフレームに対する糊しろの外径直径260mmに合わせて同心円状に型抜きした。その後、保護膜形成層上の剥離シートを剥離し、保護膜形成層付ダイシングシートを得た。各評価結果を表1に示す。比較例1粘着シートとして、リバアルファ登録商標No.3195M日東電工社製、粘着剤層が120°Cで発泡する熱膨張性微粒子を含有。を用いたこと以外は、実施例1と同様にして保護膜形成層付ダイシングシートを得た。各評価結果を表1に示す。なお、比較例1の保護膜形成層付ダイシングシートにおいては、加熱硬化工程において熱膨張性微粒子の発泡が完了し、粘着力低下温度を有さなかった。実施例1の保護膜形成層付ダイシングシートは、粘着力低下温度が保護膜形成層の発熱発生温度よりも高いため、ウエハやチップの保持性に優れ、ピックアップを良好に行うことができる。"