集光方向Xと非集光方向Yを有する異方性の集光手段と、液晶層の配向を制御する画素電極を基板の同一面側に備える画素を有し、前記異方性の集光手段が前記基板の可視光を透過する領域上に設けられ、前記画素電極が可視光を透過する領域と可視光を反射する領域を有し、前記画素電極の可視光を透過する領域を前記異方性の集光手段上に重ねて設ける液晶表示装置。前記異方性の集光手段が集光方向Xに複数設けられた請求項1記載の液晶表示装置。集光方向Xと非集光方向Yを有する異方性の集光手段と、液晶層の配向を制御する画素電極を基板の同一面側に備えるサブピクセルを有し、前記異方性の集光手段が前記基板の可視光を透過する領域上に設けられ、前記画素電極は可視光を透過する領域と可視光を反射する領域を有し、前記画素電極の可視光を透過する領域を前記異方性の集光手段上に重ねて設け、前記サブピクセルを前記異方性の集光手段の集光方向Xに複数備える画素を有する液晶表示装置。前記異方性の集光手段の非集光方向Yと画素電極の可視光を透過する領域の長軸方向を一致して設ける請求項1乃至請求項3記載の液晶表示装置。前記異方性の集光手段が可視光を透過する構造体の対向する傾斜面に反射層を備え、前記対向する傾斜面の一方の傾斜面と他方の傾斜面のなす角θTが90°未満である請求項1乃至請求項4記載の液晶表示装置。前記異方性の集光手段がレンチキュラレンズである請求項1乃至請求項4記載の液晶表示装置。液晶表示パネルのバックライトからの光が入射する側の面にマイクロレンズを設ける構成とする場合、マイクロレンズを設ける面と画素電極を形成する面とが一致することはない。従って、マイクロレンズと画素を、アライメントズレが生じないように設けるには、特別な工夫が必要となる。例えば、画素電極を設けた基板と基板に対向する対向基板の間に、液晶層、及びカラーフィルタを有する液晶表示パネルを用意し、次いで光入射側の面に形成した光硬化性材料層に、カラーフィルタを介して光を照射して、マイクロレンズを形成する方法をその例に挙げることができる。このような方法は工程が極めて煩雑なだけでなく、光硬化性材料層にカラーフィルタを介して光を照射することになるため、露光効率の低下やカラーフィルタの劣化が問題となる。また、可視光を透過する領域が画素電極に占める割合が低いと、可視光を透過する領域とマイクロレンズの光軸を合わせることが困難になり、画素の輝度にバラツキが生じ易くなる。また、透過光の間隔がまばらになり、表示品位が低下する問題が発生する。本発明は、このような技術的背景のもとでなされたものである。したがってその目的は、表示パネルの背面からの光を集める集光手段の光軸上に画素電極の可視光を透過する領域を備える液晶表示装置を複雑な工程を必要としないで提供することを課題の一とする。また、可視光を透過する領域が画素電極に占める割合が低くても、画素電極の可視光を透過する領域と光軸を合わせ易い集光手段を備える液晶表示装置を提供することを課題の一とする。上記目的を達成するために、基板の同一面側に集光手段と画素電極を設ける構成とし、集光手段の光軸上に画素電極の可視光を透過する領域を重ねて設ければよい。また、集光方向Xと非集光方向Yを有する異方性の集光手段を用い、非集光方向Yを画素電極の可視光を透過する領域の長軸方向に一致して設ければよい。すなわち、本発明の一態様は、集光方向Xと非集光方向Yを有する異方性の集光手段と、液晶層の配向を制御する画素電極を基板の同一面側に備える画素を有し、異方性の集光手段が基板の可視光を透過する領域上に設けられ、画素電極が可視光を透過する領域と可視光を反射する領域を有し、画素電極の可視光を透過する領域を異方性の集光手段上に重ねて設ける液晶表示装置である。また、本発明の一態様は、異方性の集光手段が集光方向Xに複数設けられた上記の液晶表示装置である。また、本発明の一態様は、集光方向Xと非集光方向Yを有する異方性の集光手段と、液晶層の配向を制御する画素電極を基板の同一面側に備えるサブピクセルを有し、異方性の集光手段が基板の可視光を透過する領域上に設けられ、画素電極は可視光を透過する領域と可視光を反射する領域を有し、画素電極の可視光を透過する領域を異方性の集光手段上に重ねて設け、サブピクセルを異方性の集光手段の集光方向Xに複数備える画素を有する液晶表示装置である。また、本発明の一態様は、異方性の集光手段の非集光方向Yと画素電極の可視光を透過する領域の長軸方向を一致して設ける上記の液晶表示装置である。また、本発明の一態様は、異方性の集光手段が可視光を透過する構造体の対向する傾斜面に反射層を備え、対向する傾斜面の一方の傾斜面と他方の傾斜面のなす角θTが90°未満である上記の液晶表示装置である。また、本発明の一態様は、異方性の集光手段がレンチキュラレンズである上記液晶表示装置である。なお、本明細書中において、発光装置とは画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源照明装置含むを指す。また、発光装置にコネクター、例えばFPCFlexibleprintedcircuitもしくはTABTapeAutomatedBondingテープもしくはTCPTapeCarrierPackageが取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子が形成された基板にCOGChipOnGlass方式によりIC集積回路が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。本発明によれば、表示パネルの背面からの光を集める手段の光軸上に、画素電極の可視光を透過する領域を備える液晶表示装置を、複雑な工程を必要としないで提供できる。また、可視光を透過する領域が画素電極に占める割合が低くても、画素電極の可視光を透過する領域と光軸を合わせ易い集光手段を備える液晶表示装置を提供できる。実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。実施の形態1本実施の形態では、可視光を透過する領域と可視光を反射する領域を有する画素電極を有し、画素電極の可視光を透過する領域に重ねて、集光方向Xと非集光方向Yを有する異方性の集光手段を同一基板の同一面側に備える液晶表示装置について図1、及び図2を用いて説明する。本実施の形態で例示する液晶表示装置の画素450の構成を、図1に示す上面図を用いて説明する。画素450は第1のサブピクセル450R、第2のサブピクセル450G、第3のサブピクセル450Bの三つのサブピクセルを有する。第1のサブピクセル450Rは、可視光を透過する第1の画素電極315R、可視光を反射する第2の画素電極316Rを有する図2参照。また、本実施の形態ではサブピクセルにはスイッチング素子としてトランジスタ350R、350G、及び350Bが形成されている。サブピクセルに設けられるトランジスタに接続する配線について、トランジスタ350Rを例に説明する。トランジスタ350Rのゲート電極は走査信号線320と接続し、ソース電極またはドレイン電極はデータ信号線330または容量線335と接続する。画素450の積層構造を、図2を用いて説明する。図2は図1の切断線P1-P2における断面に対応する。画素450は、画素電極、異方性の集光手段、及びスイッチング素子が形成されたアクティブマトリクス基板380と対向基板430の間に液晶層440を挟んだ構成を有する。なお、図示されていないスペーサがアクティブマトリクス基板380と対向基板430の間隔セルギャップを保持している。対向基板430は、基板400上に対向電極401、対向電極401上にブラックマトリクス402、ブラックマトリクス402を覆う配向膜403を有する。液晶層440は対向基板430の配向膜403とアクティブマトリクス基板380の配向膜319の間に接して設けられている。アクティブマトリクス基板380は複数の画素を有する。また、それぞれの画素に複数のサブピクセルを設けることができる。本実施の形態では、各画素に3つのサブピクセルを設ける構成を例示する。サブピクセル450R、450G、及び450Bは、それぞれ異方性の集光手段、画素電極、並びに該画素電極と電気的に接続するトランジスタを有する。なお、異方性の集光手段、画素電極、並びにトランジスタは絶縁表面を有する基板300の同一面上に設けられている。サブピクセル450R近傍のアクティブマトリクス基板380の構成を説明する。アクティブマトリクス基板380は、絶縁表面を有する基板300上にデータ信号線330、容量線335、及び図示されていない走査信号線を含む配線と、トランジスタ350R、並びに可視光を透過する領域384Rを有する。また、トランジスタ350Rと電気的に接続する画素電極315R、及び316Rを有し、画素電極は可視光を透過する領域385R、及び可視光を反射する領域386Rを有する。なお、可視光を透過する領域384R上に重ねて異方性の集光手段340Rと画素電極の可視光を透過する領域385Rを有し、異方性の集光手段340Rと画素電極の可視光を透過する領域385Rの間にカラーフィルタとして機能する着色層309Rを設けても良い。次に、本実施の形態で例示する液晶表示装置の主要な構成について、サブピクセル450R近傍の構成を用いて詳細に説明する。画素電極315R、及び316Rは対向電極401との間に生じる電界を用いて液晶の配向状態を制御する。第1の画素電極315Rは可視光を透過する導電膜で形成し、第2の画素電極316Rは可視光を反射する導電膜で形成する。また、画素電極の可視光を透過する領域385Rは、第1の画素電極315Rを用いて形成し、画素電極の可視光を反射する領域386Rは、第2の画素電極316Rを用いて形成する。なお、画素電極の可視光を反射する領域386Rは、表面に不規則な形態の凹凸構造、もしくはテクスチャ構造を有する絶縁層311上に設ける。絶縁層311のテクスチャ構造が第1の画素電極315R、及び第2の画素電極316Rの表面に現れ、当該画素電極表面に入射する光が乱反射され、画素電極の可視光を反射する領域386Rが巨視的には概ね白色に見える。なお、白色に見える画素電極を用いて液晶の配向を制御することで、紙面上の文字のように見やすい表示を得ることができる。絶縁層311は表面に凹凸構造が設けられている。また、絶縁層311の厚みは、画素電極の可視光を反射する領域386Rでは厚く、画素電極の可視光を透過する領域385Rでは薄い。絶縁層311の厚みを変えることで画素電極と対向電極の間の距離、所謂セルギャップを調節し、画素電極の可視光を反射する領域386Rでは反射型の液晶表示領域として最適化を行い、画素電極の可視光を透過する領域385Rでは透過型の液晶表示領域として最適化する。対向基板430のブラックマトリクス402は、画素電極の可視光を反射する領域386Rと可視光を透過する領域385Rの境目、並びに隣接する画素もしくはサブピクセル間の境目に重ねて配置する。ブラックマトリクス402を設けることにより、セルギャップが異なる境目、並びに電位が異なる隣接する画素電極の境目に生じる液晶の配向の乱れが、表示品位に与える影響を低減できる。オーバーコート層310は着色層309Rを覆い、絶縁層311の下地となる。オーバーコート層を形成することでカラーフィルタに含まれる材料の一部が液晶材料中に侵入することを防ぐことができる。オーバーコート層には、アクリル樹脂をベースとした熱硬化性材料が用いられる。また、無機材料、及び無機材料と有機樹脂を積層して用いてもよい。着色層309Rを画素電極の可視光を透過する領域385Rに重ねて設け、カラーフィルタを形成することができる。カラーフィルタを用いて液晶表示装置をフルカラー表示とする場合、例えば赤色R、緑色G、青色Bを呈する材料を用いて着色層を形成すればよく、モノカラー表示とする場合、着色層を無くす、もしくは少なくとも一つの色を呈する材料を用いて着色層を形成すればよい。なお、バックライト装置にRGBの発光ダイオードLED等を配置し、時分割によりカラー表示する継時加法混色法フィールドシーケンシャル法を採用するときには、カラーフィルタを設けない場合もある。絶縁層308は異方性の集光手段340Rを覆って、着色層309Rと基板300の間に設けられている。絶縁層308は可視光を透過し、その屈折率は異方性の集光手段の屈折率よりも低く、その差が大きいほど好ましい。具体的には屈折率に0.1以上の差がある材料を選択して用いる。異方性の集光手段340Rは集光方向に異方性を有する。例えば、図2に示す異方性の集光手段340Rは基板300を介して入射する光を集光方向X紙面の左右方向に集光し、非集光方向Y紙面の奥行き方向には集光しない。このような異方性の集光手段340Rとしては、例えばレンチキュラレンズをその例に挙げることができる。また、異方性の集光手段の非集光方向Yと画素電極の可視光を透過する領域の長軸方向を一致して設ける構成が特に好ましい。異方性の集光手段340R、基板300の可視光を透過する領域384R、並びに画素電極の可視光を透過する領域385Rの位置、及び大きさについて、図3を用いて説明する。異方性の集光手段340Rは少なくともその一部が基板300の可視光を透過する領域384Rに重ねて設けられている。基板300の可視光を透過する領域384Rと異方性の集光手段340Rが重なる領域を受光領域384R_2とするとき、受光領域384R_2と画素電極の可視光を透過する領域385Rが重なる領域、及び当該重なる領域を集光方向Xに延長して受光領域と重なる領域を合わせた領域が集光手段の有効領域384R_3となる。有効領域384R_3の面積は画素電極の可視光を透過する領域385Rより広く設けるものとする。また、受光領域384R_2、並びに画素電極の可視光を透過する領域385Rは、画素またはサブピクセルの非集光方向Yについて大きいほど好ましい。画素またはサブピクセルの非集光方向Yに占める割合が大きいほど、集光方向Xに集光した光が点状ではなく線状に表示されるため、集光効率が高められ、表示品位が向上する。なお、画素450が複数のサブピクセルを有する場合、異方性の集光手段の非集光方向Yは、サブピクセルを横断しない構成とすることが好ましい。言い換えると、異方性の集光手段の非集光方向Yは、画素450が備える複数のサブピクセルを横断する方向と一致しない。隣接するサブピクセルの境目には、対向基板のブラックマトリクス402が配置されているため、異方性の集光手段が集光した光の一部がブラックマトリクス402に阻害されてしまうからである。異方性の集光手段の別の形態を図4に示す。異方性の集光手段は可視光を透過する構造体341と、その稜線部に可視光を反射する反射層342から構成される。バックライトの光がアクティブマトリクス基板380の可視光を透過する領域384Rから入射し、反射層342に反射して画素電極の可視光を透過する領域385Rを介して観察者側に透過する図4A参照。異方性の集光手段の構造体341の集光方向Xの断面を図4Bに示す。左右に相対向する側面は傾斜面となって、それぞれの側面のなす角度θTを、90°未満、好ましくは10°以上60°以下とすることで、バックライトの光が入射する領域384Rから入射した透過光を効率よく画素電極の可視光を透過する領域385Rへ導くことができる。また、異方性の集光手段の非集光方向Yの形態を図4Cに示す。従来の半透過型液晶表示装置では、画素電極のうち、可視光を反射する領域386Rの面積をSR、可視光を透過する領域385Rの面積をSTとした場合、両電極の合計面積が100SRST=100となる。本実施の形態で示した画素構成を有する半透過型液晶表示装置は、透過電極として機能する電極面積STが、バックライトの光が入射する領域384Rの面積に相当するため、画素電極の可視光を透過する領域385Rの面積を大きくする、或いは、バックライトの輝度を上げたりすることなく、透過光量を向上させることができる。つまり、見かけ上の両電極の合計面積を100以上SRST≧100とすることができる。スイッチング素子として、例えばトランジスタ350Rを用いることができる図2参照。トランジスタ350Rはゲート電極301、ソース電極及びドレイン電極305a、305bを有し、基板300上に形成されている。第1の画素電極315Rは絶縁層307、絶縁層308、オーバーコート層310、絶縁層311に形成された開口部を介してトランジスタ350Rのソース電極またはドレイン電極305bと電気的に接続されている。図5に本実施の形態の液晶表示装置の概要を、斜視図を用いて示す。アクティブマトリクス基板380と対向基板430が重ね合わされている。アクティブマトリクス基板380にはサブピクセル450R、サブピクセル450G、サブピクセル450Bが設けられている。サブピクセル450Rは、異方性の集光手段340R、着色層309R、及び画素電極の可視光を透過する領域385Rが重なる位置に設けられている。また、画素電極の可視光を反射する領域386Rが設けられている。以上のような構成とすることで、基板側の受光領域から異方性の集光手段に入射した光が、画素電極の可視光を透過する領域に集光される。その結果、画素電極の可視光を反射する領域の面積を大幅に減らすことなく透過光の強度を増すことができ、透過モードの液晶表示画像が明るくなり、コントラスト、及び画質を向上できる。また、消費電力を低減できる。また、画素電極の可視光を反射する領域の面積を広くできるため、反射モードの液晶表示画像が明るくなり、コントラスト、及び画質が向上する。なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。実施の形態2本実施の形態では、実施の形態1で説明した可視光を透過する領域と可視光を反射する領域を有する画素電極の画素電極の可視光を透過する領域に重ねて、集光方向Xと非集光方向Yを有する異方性の集光手段を設ける液晶表示装置の作製方法について図6、及び図7を用いて説明する。基板300上に形成するスイッチング素子は特に限定されない。例えばトップゲート構造、又はボトムゲート構造のトランジスタなどを用いることができる。また、トランジスタはチャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造でも、二つ形成されるダブルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。また、チャネル領域の上下にゲート絶縁層を介して配置された2つのゲート電極層を有する、デュアルゲート型でもよい。一例として、ボトムゲート型のトランジスタ350Rを適用する場合について、図6に示す。なお、スイッチング素子としては、オフ電流が低減された酸化物半導体層を有するトランジスタが特に好適である。オフ電流が低減された酸化物半導体層を有するトランジスタを画素トランジスタに用いることにより、例えば静止画像を表示する期間に表示素子の書き換え頻度を低減することにより、電力の消費が抑制された表示装置を提供できる。トランジスタ350R上に絶縁層307を形成する。絶縁層307としては、代表的には酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、または酸化窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、絶縁層307は複数の絶縁膜を積層して形成してもよい。例えば、前述の無機絶縁膜に重ねて窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。なお、上記無機絶縁膜はスパッタリング法などを用いて形成することができる。次に樹脂層340aを、基板300の可視光を透過する領域に重ねて絶縁層307上に設ける。図6Aでは、トランジスタ350Rのソース電極またはドレイン電極と、隣接する画素のデータ信号線330の間の可視光を透過する領域に樹脂層340aが設けられている。樹脂層340aは例えば熱可塑性の材料を用いる。熱可塑性を有する有機樹脂層と該有機樹脂層上にレジストマスクを形成し、当該レジストマスクを用いて不要な部分をエッチングして除去し、島状、または線状に形成することができる。この段階の断面図を図6Aに示す。なお、図示されていないが、樹脂層340aは紙面の奥行き方向に同じ断面をもって伸びている。また、有機樹脂としては屈折率が1.7以上の材料が好ましい。次いで基板300を熱処理し、熱可塑性の樹脂層340aを変形して異方性の集光手段340Rを形成する。なお、異方性の集光手段340Rの形成方法としてはこの方法に限られず、例えば電鋳法等により作成した微細な金型を加熱しながら熱可塑性の樹脂層340aに押し当て、異方性の集光手段340Rに変形してもよい。次に、異方性の集光手段340Rを覆う絶縁層308を、スピンコート法などを用いて形成する。絶縁層308は基板300上に設けた構造物がもたらす凹凸を平坦化する働きを有する。また、絶縁層308に用いる材料の屈折率は、異方性の集光手段340Rに用いる材料の屈折率と、0.1以上の差がある材料を用いる。両者の屈折率の差が大きいほど、集光手段340Rは急な角度で集光することができる。次いで、カラーフィルタとして機能する着色層309Rを絶縁層308上に形成する。着色層309Rは感光性を有する材料を用い、異方性の集光手段340R上を覆うようにフォトマスクを用いて形成する。なお、複数の色の着色層、例えば赤色R、緑色G、青色Bを呈する着色層を設ける場合は、色の数だけ着色層を形成する工程を繰り返せばよい。この段階の断面図を図6Bに示す。次に、オーバーコート層310を着色層上にスピンコート法などを用いて形成する。オーバーコート層310は着色層がもたらす凹凸を覆って平坦にする。次いで、絶縁層311をオーバーコート層310上に設ける。絶縁層311としては、例えば感光性有機樹脂を用いることができる。スピンコート法などを用いて感光性有機樹脂層を形成し、フォトマスクを用いて異方性の集光手段340R上に開口部313を設けるための露光をはじめにおこない、次いで、別のフォトマスクを用いて絶縁層311の表面に凹凸構造を形成するための露光を行う。その後、現像して絶縁層311を形成する。この段階の断面図を図6Cに示す。なお、図示されていないが、絶縁層311の開口部313は異方性の集光手段340Rと重なり、紙面の奥行き方向に概略同じ断面をもって伸びている。次に、開口部312をトランジスタ350Rのソース電極またはドレイン電極に達するように、絶縁層307、絶縁層308、オーバーコート層310、及び絶縁層311に形成する。次いで、可視光を透過する導電膜を絶縁層311、オーバーコート層310、及び開口部312上に成膜する。導電膜は開口部312を介してトランジスタ350Rのソース電極またはドレイン電極と接続する。次に、レジストマスクを用いて不要な部分を除去して第1の画素電極315Rを形成する。第1の画素電極315Rの一部は画素電極の可視光を透過する領域385Rを形成する。また、可視光を反射する導電膜を成膜し、レジストマスクを用いて不要な部分を除去して第2の画素電極316Rを形成する。第2の画素電極316Rは第1の画素電極315Rを介してトランジスタ350Rのソース電極またはドレイン電極と電気的に接続し、画素電極の可視光を反射する領域386Rを形成する。次いで、配向膜319を第1の画素電極315R、第2の画素電極316Rを覆って形成しラビング処理を施す。ラビング処理は物理的な接触により行われるため、凹んだ領域を有する表面にラビング処理を施すと、処理にムラが生じ易い。具体的には、絶縁層311の上面に位置する画素電極の可視光を反射する領域386Rに比べて、絶縁層311の開口部313に位置する画素電極の可視光を透過する領域385Rは凹んでいるためラビング処理が困難になる。しかし、本実施の形態で例示する絶縁層311の開口部313は、異方性の集光手段に沿って紙面の奥行き方向に連続して伸びている。従って、奥行き方向に向けてラビング処理を行うことでムラの発生を抑制できる。この段階の断面図を図7Aに示す。対向基板430は、公知の方法を用いて基板400上に対向電極401と、対向電極401上にブラックマトリクス402と、対向電極401とブラックマトリクス402を覆う配向膜403を形成することができる。ブラックマトリクス402は、画素電極の可視光を反射する領域と可視光を透過する領域の境目および隣接する画素もしくはサブピクセルとの境目に重なるように配置する。対向基板430とアクティブマトリクス基板380を貼り合わせ、液晶を注入して液晶層440を形成して液晶表示装置を作製する。この段階の断面図を図7Bに示す。異方性の集光手段、カラーフィルタ、並びに画素電極の可視光を透過する領域を同一基板上に形成するため、集光手段の光軸上に配置することが容易になり、歩留まりの向上を図ることができる。なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。実施の形態3本実施の形態では、半透過型の液晶表示モジュールの構成を示す。本実施の形態で例示する半透過型液晶表示モジュールは、反射モードで利用する場合はモノカラー表示で、透過モードで利用する場合はフルカラーモードで映像を表示する。図8に液晶表示モジュール190の構成を示す。液晶表示モジュール190はバックライト部130と、液晶素子がマトリクス状に設けられた表示パネル120と、表示パネル120を挟む偏光板125a、及び偏光板125bを有する。バックライト部130は、面状に均一な白色光を発する。例えば導光板の端部に白色のLED133を配置し、表示パネル120との間に拡散板134を設けたものをバックライト部130に用いることができる。また、外部入力端子となるFPCフレキシブルプリントサーキット140は表示パネル120に設けた端子部と電気的に接続されている。なお、表示パネル120に設ける液晶素子は、実施の形態1に例示する画素450と同様の構成を有する。まず、反射モードによる映像の表示方法について説明する。外光139が表示パネル120に設けられた液晶素子の液晶層を透過して反射電極で反射されて観察者側に反射する様子を、矢印を用いて図8に模式的に示す。外光139は液晶層を通過し、反射電極で反射され再び液晶層を通過して取り出される。液晶素子を透過する光の強度は、画像信号により変調されるため、観察者は外光139の反射光によって、映像を捉えることができる。次に、透過モードによる映像の表示方法について説明する。バックライト部130からの光が表示パネル120の背面に入射し、表示パネルに設けた異方性の集光手段、着色層、透過電極、並びに液晶層を介して観察者側に透過する様子を、3色の光135の矢印R、G、及びBを用いて図8に模式的に示す。例えば、カラーフィルタとして機能する赤色の着色層と重なる画素においては、バックライトの光が表示パネルに設けた異方性の集光手段によって、赤色の着色層に集光され、着色層、透過電極、並びに液晶層を透過して赤色光として取り出される。液晶素子を透過する光の強度は、画像信号により変調されるため、観察者は3色の光135によって、映像を捉えることができる。なお、フルカラー表示とする場合であるため、赤色表示素子、緑色表示素子、青色表示素子の3つの表示素子には、それぞれに異なる映像信号を供給する回路構成とする。なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。実施の形態4本実施の形態では、本発明の液晶表示装置、及び低消費電力化を図れる液晶表示装置の駆動方法の一形態を、図9、乃至図14を用いて説明する。本実施の形態で例示する液晶表示装置100の各構成を、図9のブロック図に示す。液晶表示装置100は、画像処理回路110、電源116、表示制御回路113、表示パネル120を有する。透過型液晶表示装置、又は半透過型液晶表示装置の場合、さらに光源としてバックライト部130を設ける。液晶表示装置100は、接続された外部機器から画像信号画像信号Dataが供給されている。なお、電源電位高電源電位Vdd、低電源電位Vss、及び共通電位Vcomは液晶表示装置の電源116をオン状態として電力供給を開始することによって供給され、制御信号スタートパルスSP、及びクロック信号CKは表示制御回路113によって供給される。なお高電源電位Vddとは、基準電位より高い電位のことであり、低電源電位Vssとは基準電位以下の電位のことをいう。なお高電源電位Vdd及び低電源電位Vssともに、トランジスタが動作できる程度の電位であることが望ましい。なお高電源電位Vdd及び低電源電位Vssを併せて、電源電圧と呼ぶこともある。共通電位Vcomは、画素電極に供給される画像信号の電位に対して基準となる固定電位であればよく、一例としてはグラウンド電位であってもよい。画像信号Dataは、ドット反転駆動、ソースライン反転駆動、ゲートライン反転駆動、フレーム反転駆動等に応じて適宜反転させて液晶表示装置100に入力される構成とすればよい。また、画像信号がアナログの信号の場合には、A/Dコンバータ等を介してデジタルの信号に変換して、液晶表示装置100に供給する構成とすればよい。本実施の形態では、共通電極128及び容量素子210の一方の電極には、電源116より表示制御回路113を介して固定電位である共通電位Vcomが与えられている。表示制御回路113は、表示パネル120に表示パネル画像信号Data、並びに制御信号具体的にはスタートパルスSP、及びクロック信号CK等の制御信号の供給または停止の切り替えを制御するための信号、電源電位高電源電位Vdd、低電源電位Vss、及び共通電位Vcomを供給する回路である。画像処理回路110は、入力される画像信号画像信号Dataを解析、演算、乃至加工し、処理した画像信号を制御信号と共に表示制御回路113に出力する。具体的には画像処理回路110は、入力される画像信号Dataを解析し動画であるか静止画であるかを判断し、判断結果を含む制御信号を表示制御回路113に出力する。また、画像処理回路110は、動画または静止画を含む画像信号Dataから1フレームの静止画を切り出し、静止画であることを意味する制御信号と共に表示制御回路113に出力する。また、画像処理回路110は、入力される画像信号Dataを上述の制御信号と共に表示制御回路113に出力する。なお、上述した機能は画像処理回路110が有する機能の一例であり、表示装置の用途に応じて種々の画像処理機能を選択して適用すればよい。なお、デジタル信号に変換された画像信号は演算例えば画像信号の差分を検出する等が容易であるため、入力される画像信号画像信号Dataがアナログの信号の場合には、A/Dコンバータ等を画像処理回路110に設ける。表示パネル120は液晶素子215を一対の基板第1の基板と第2の基板間に挟持する構成を有する。具体的には、実施の形態1で説明した可視光を透過する領域と可視光を反射する領域を有する画素電極、並びに画素電極の可視光を透過する領域に重ねて、集光方向Xと非集光方向Yを有する異方性の集光手段を、第1の基板の同一面側に備えている。また、第1の基板には駆動回路部121、画素部122が設けられている。また、第2の基板には共通接続部コモンコンタクトともいう、及び共通電極128コモン電極、または対向電極ともいうが設けられている。なお、共通接続部は第1の基板と第2の基板とを電気的に接続するものであって、共通接続部は第1の基板上に設けられていてもよい。画素部122には、複数のゲート線124走査線、及びソース線125信号線が設けられており、複数の画素123がゲート線124及びソース線125に環囲されてマトリクス状に設けられている。なお、本実施の形態で例示する表示パネルにおいては、ゲート線124はゲート線側駆動回路121Aから延在し、ソース線125はソース線側駆動回路121Bから延在している。また、画素123はスイッチング素子としてトランジスタ214、該トランジスタ214に接続された容量素子210、及び液晶素子215を有する。液晶素子215は、液晶の光学的変調作用によって光の透過又は非透過を制御する素子である。液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界によって制御される。液晶にかかる電界方向は液晶材料、駆動方法、及び電極構造によって異なり、適宜選択することができる。例えば、液晶の厚さ方向いわゆる縦方向に電界をかける駆動方法を用いる場合は液晶を挟持するように第1の基板に画素電極を、第2の基板に共通電極をそれぞれ設ける構造とすればよい。また、液晶に基板面内方向いわゆる横電界に電界をかける駆動方法を用いる場合は、液晶に対して同一面に、画素電極と共通電極を設ける構造とすればよい。また画素電極及び共通電極は、多様な開口パターンを有する形状としてもよい。本実施の形態においては光学的変調作用によって光の透過又は非透過を制御する素子であれば、液晶材料、駆動方法、及び電極構造は特に限定されない。トランジスタ214は、画素部122に設けられた複数のゲート線124のうちの一つとゲート電極が接続され、ソース電極またはドレイン電極の一方が複数のソース線125のうちの一つと接続され、ソース電極またはドレイン電極の他方が容量素子210の一方の電極、及び液晶素子215の一方の電極画素電極と接続される。このような構成とすることで、容量素子210は液晶素子215に加える電圧を保持することができる。また、容量素子210の電極は、別途設けた容量線に接続する構成としてもよい。なお、トランジスタ214は、オフ電流が低減されたトランジスタを用いることが好ましい。オフ電流が低減されていると、オフ状態のトランジスタ214は液晶素子215、及び容量素子210に安定して電荷を保持できる。また、オフ電流が充分低減されたトランジスタ214を用いれば、容量素子210を設けることなく画素123を構成することもできる。駆動回路部121は、ゲート線側駆動回路121A、ソース線側駆動回路121Bを有する。ゲート線側駆動回路121A、ソース線側駆動回路121Bは、複数の画素を有する画素部122を駆動するための駆動回路であり、シフトレジスタ回路シフトレジスタともいうを有する。なお、ゲート線側駆動回路121A、及びソース線側駆動回路121Bは、画素部122と同じ基板に形成されるものでもよいし、別の基板に形成されるものであってもよい。なお駆動回路部121には、表示制御回路113によって制御された高電源電位Vdd、低電源電位Vss、スタートパルスSP、クロック信号CK、画像信号Dataが供給される。端子部126は、表示制御回路113が出力する所定の信号高電源電位Vdd、低電源電位Vss、スタートパルスSP、クロック信号CK、画像信号Data、共通電位Vcom等等を駆動回路部121に供給する入力端子である。共通電極128は、表示制御回路113に制御された共通電位Vcomを与える共通電位線と、共通接続部において電気的に接続する。共通接続部の具体的な一例としては、絶縁性球体に金属薄膜が被覆された導電粒子を間に介することにより共通電極128と共通電位線との電気的な接続を図ることができる。なお、共通接続部は、表示パネル120内に複数箇所設けられる構成としてもよい。また、液晶表示装置は、測光回路を有していてもよい。測光回路を設けた液晶表示装置は当該液晶表示装置がおかれている環境の明るさを検知できる。その結果、測光回路が接続された表示制御回路113は、測光回路から入力される信号に応じて、バックライト、サイドライト等の光源の駆動方法を制御することができる。バックライト部130はバックライト制御回路131、及びバックライト132を有する。バックライト132は、液晶表示装置100の用途に応じて選択して組み合わせればよく、冷陰極管や発光ダイオードLEDなどを用いることができる。バックライト132には例えば白色の発光素子例えばLEDを配置することができる。バックライト制御回路131には、表示制御回路113からバックライトを制御するバックライト信号、及び電源電位が供給される。なお、光学フィルム偏光フィルム、位相差フィルム、反射防止フィルムなども組み合わせて用いることができる。また、バックライト132の光源は、複数のLED光源、または複数のエレクトロルミネセンスEL光源などを用いて面光源を構成してもよい。面光源として、3種類以上のLEDを用いてもよいし、白色発光のLEDを用いてもよい。なお、バックライトにRGBの発光ダイオード等を配置し、時分割によりカラー表示する継時加法混色法フィールドシーケンシャル法を採用するときには、カラーフィルタを設けない場合もある。次に、図9に例示した液晶表示装置の駆動方法について、図10、乃至図14を用いて説明する。本実施の形態で説明する液晶表示装置の駆動方法は、表示する画像の特性に応じて、表示パネルの書き換え頻度または周波数を変える表示方法である。具体的には、連続するフレームの画像信号が異なる画像動画を表示する場合は、フレーム毎に画像信号が書き込まれる表示モードを用いる。一方、連続するフレームの画像信号が同一な画像静止画を表示する場合は、同一な画像を表示し続ける期間に新たに画像信号は書き込まれないか、書き込む頻度を極めてすくなくし、さらに液晶素子に電圧を印加する画素電極及び共通電極の電位を浮遊状態フローティングにして液晶素子にかかる電圧を保持し、新たに電位を供給することなく静止画の表示を行う表示モードを用いる。なお、液晶表示装置は動画と静止画を組み合わせて画面に表示する。動画は、複数のフレームに時分割した複数の異なる画像を高速に切り替えることで人間の目に動く画像として認識される画像をいう。具体的には、1秒間に60回60フレーム以上画像を切り替えることで、人間の目にはちらつきが少なく動画と認識されるものとなる。一方、静止画は、動画及び部分動画と異なり、複数のフレーム期間に時分割した複数の画像を高速に切り替えて動作させていても、連続するフレーム期間、例えばnフレーム目と、n1フレーム目とで変化しない画像のことをいう。本発明に係る液晶表示装置は、画像が動く動画表示の時と画像が静止している静止画表示の時とにおいて、それぞれ動画表示モード、静止画表示モードという異なる表示モードを用いることができる。なお本明細書では、静止画表示の時に表示される画像を静止画像ともよぶ。次に、本実施の形態の液晶表示装置100の各構成を、図10のブロック図を用いて説明する。液晶表示装置100は、偏光板との組み合わせにより画素において液晶層が光の偏光状態を制御して表示を行う半透過型液晶表示装置の例であり、画像処理回路110、電源116、表示パネル120、及びバックライト部130を有する。液晶表示装置100は、接続された外部機器から画像信号画像信号Dataが供給されている。なお、電源電位高電源電位Vdd、低電源電位Vss、及び共通電位Vcomは液晶表示装置の電源116をオン状態として電力供給を開始することによって供給され、制御信号スタートパルスSP、及びクロック信号CKは表示制御回路113によって供給される。次に、画像処理回路110の構成、及び画像処理回路110が信号を処理する手順について、図10に一例を示して説明する。なお、図10に示す画像処理回路110は、本実施の形態の一態様であり、本実施の形態はこの構成に限定されない。図10に例示する画像処理回路110は、連続して入力される画像信号を解析し、動画と静止画を判別する。また、入力される画像信号画像信号Dataが動画から静止画に移行する際に、静止画を切り出し、静止画であることを意味する制御信号と共に表示制御回路113に出力する。また、入力される画像信号画像信号Dataが静止画から動画に移行する際に、動画を含む画像信号を、動画であることを意味する制御信号と共に表示制御回路113に出力する。画像処理回路110は、記憶回路111、比較回路112、及び選択回路115を有する。画像処理回路110は、入力されたデジタル画像信号Dataから表示パネル画像信号とバックライト信号を生成する。表示パネル画像信号は、表示パネル120を制御する画像信号であり、バックライト信号はバックライト部130を制御する信号である。また、共通電極128を制御する信号をスイッチング素子127に出力する。記憶回路111は、複数のフレームに関する画像信号を記憶するための複数のフレームメモリを有する。記憶回路111が有するフレームメモリの数は特に限定されるものではなく、複数のフレームに関する画像信号を記憶できる素子であればよい。なおフレームメモリは、例えばDRAMDynamicRandomAccessMemory、SRAMStaticRandomAccessMemory等の記憶素子を用いて構成すればよい。なおフレームメモリは、フレーム期間毎に画像信号を記憶する構成であればよく、フレームメモリの数について特に限定されるものではない。またフレームメモリの画像信号は、比較回路112及び表示制御回路113により選択的に読み出されるものである。なお図中のフレームメモリ111bは、1フレーム分のメモリ領域を概念的に図示するものである。比較回路112は、記憶回路111に記憶された連続するフレーム期間の画像信号を選択的に読み出して、当該画像信号の連続するフレーム間での比較を画素毎に行い、差分を検出するための回路である。なお、本実施の形態ではフレーム間の画像信号の差分の有無により、表示制御回路113及び選択回路115の動作を決定する。当該比較回路112がフレーム間のいずれかの画素で差分を検出した場合差分有の場合、比較回路112は画像信号が静止画ではないと判断し、差分を検出した連続するフレーム期間を動画であると判断する。一方、比較回路112での画像信号の比較により、全ての画素で差分が検出されない場合差分無の場合、当該差分を検出しなかった連続するフレーム期間は、静止画であると判断する。すなわち比較回路112は、連続するフレーム期間の画像信号の差分の有無を検出することによって、動画を表示するための画像信号であるか、または静止画を表示するための画像信号であるかの判断をするものである。なお、当該比較により差分が有ると検出される基準は、差分の大きさが一定のレベルを超えたときに、差分有りとして検出したと判断されるように設定してもよい。なお比較回路112の検出する差分は、差分の絶対値によって判断をする設定とすればよい。また、本実施の形態においては、液晶表示装置100内部に設けられた比較回路112が連続するフレーム期間の画像信号の差分を検出することにより当該画像が動画か又は静止画かであることの判断を行う構成について示したが、外部から動画であるか静止画であるかの信号を供給する構成としてもよい。選択回路115は、例えばトランジスタで形成される複数のスイッチを設ける構成とする。比較回路112が連続するフレーム間に差分を検出した場合、すなわち画像が動画の際、記憶回路111内のフレームメモリから動画の画像信号を選択して表示制御回路113に出力する。なお選択回路115は、比較回路112が連続するフレーム間に差分を検出しない場合、すなわち画像が静止画の際、記憶回路111内のフレームメモリから表示制御回路113に画像信号を出力しない。画像信号をフレームメモリより表示制御回路113に出力しない構成とすることにより、液晶表示装置の消費電力を削減できる。なお、本実施の形態の液晶表示装置において、比較回路112が画像を静止画と判断しておこなう動作が静止画表示モード、比較回路112が画像を動画と判断しておこなう動作が動画表示モードとなる。表示制御回路113は、表示パネル120に選択回路115で選択された画像信号、並びに制御信号具体的にはスタートパルスSP、及びクロック信号CK等の制御信号の供給または停止の切り替えを制御するための信号、電源電位高電源電位Vdd、低電源電位Vss、及び共通電位Vcomを供給し、バックライト部130にバックライト制御信号具体的にはバックライト制御回路131がバックライトの点灯、及び消灯を制御するための信号を供給する回路である。なお、本実施の形態で例示される画像処理回路は、表示モード切り替え機能を有していてもよい。表示モード切り替え機能は、当該液晶表示装置の利用者が手動または外部接続機器を用いて当該液晶表示装置の動作モードを選択することで動画表示モードまたは静止画表示モードを切り替える機能である。選択回路115は表示モード切り替え回路から入力される信号に応じて、画像信号を表示制御回路113に出力することもできる。例えば、静止画表示モードで動作している際に、表示モード切り替え回路から選択回路115にモード切り替え信号が入力された場合、比較回路112が連続するフレーム期間での画像信号の差分を検出していない場合であっても、選択回路115は入力される画像信号を順次表示制御回路113に出力するモード、すなわち動画表示モードを実行できる。また、動画表示モードで動作している際に、表示モード切り替え回路から選択回路115にモード切り替え信号が入力された場合、比較回路112が連続するフレーム期間での画像信号の差分を検出している場合であっても、選択回路115は選択した1フレームの画像信号の信号のみを出力するモード、すなわち静止画表示モードを実行できる。その結果、本実施の形態の液晶表示装置には、動画中の1フレームが静止画として表示される。また、液晶表示装置が測光回路を有している場合、測光回路が検知する環境の明るさにより、液晶表示装置が薄暗い環境で使用されていることが判明すると表示制御回路113はバックライト132の光の強度を高めるように制御して表示画面の良好な視認性を確保し、反対に液晶表示装置が極めて明るい外光下例えば屋外の直射日光下で利用されていることが判明すると、表示制御回路113はバックライト132の光の強度を抑えるように制御しバックライト132が消費する電力を低下させる。本実施の形態では、表示パネル120は画素部122の他に、スイッチング素子127を有する。本実施の形態では、表示パネル120は第1の基板と、第2の基板を有し、第1の基板には駆動回路部121、画素部122、及びスイッチング素子127が設けられている。また、画素123はスイッチング素子としてトランジスタ214、該トランジスタ214に接続された容量素子210、及び液晶素子215を有する図11参照。。トランジスタ214は、オフ電流が低減されたトランジスタを用いることが好ましい。トランジスタ214がオフ状態のとき、オフ電流が低減されたトランジスタ214に接続された液晶素子215、及び容量素子210に蓄えられた電荷は、トランジスタ214を介して漏れ難く、トランジスタ214がオフ状態になる前に書き込まれた状態を長時間に渡って保持できる。本実施の形態では、液晶は、第1の基板に設けられた画素電極と対向する第2の基板に設けられた共通電極によって形成された縦方向の電界によって制御される。液晶素子に適用する液晶の一例としては、ネマチック液晶、コレステリック液晶、スメクチック液晶、ディスコチック液晶、サーモトロピック液晶、リオトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶PDLC、強誘電液晶、反強誘電液晶、主鎖型液晶、側鎖型高分子液晶、バナナ型液晶などを挙げることができる。また液晶の駆動方法の一例としては、TNTwistedNematicモード、STNSuperTwistedNematicモード、OCBOpticallyCompensatedBirefringenceモード、ECBElectricallyControlledBirefringenceモード、FLCFerroelectricLiquidCrystalモード、AFLCAntiFerroelectricLiquidCrystalモード、PDLCPolymerDispersedLiquidCrystalモード、PNLCPolymerNetworkLiquidCrystalモード、ゲストホストモードなどがある。スイッチング素子127は、表示制御回路113が出力する制御信号に応じて、共通電位Vcomを共通電極128に供給する。スイッチング素子127としては、トランジスタを用いることができる。トランジスタのゲート電極及びソース電極またはドレイン電極の一方を表示制御回路113に接続し、ソース電極またはドレイン電極の一方に、端子部126を介して表示制御回路113から共通電位Vcomが供給されるようにし、他方を共通電極128に接続すればよい。なお、スイッチング素子127は駆動回路部121、または画素部122と同じ基板に形成されるものでもよいし、別の基板に形成されるものであってもよい。スイッチング素子127としてオフ電流が低減されたトランジスタを用いることにより、液晶素子215の両端子に加わる電圧が経時的に低下する現象を抑制できる。スイッチング素子127のソース電極またはドレイン電極の一方は、共通接続部を介して共通電極128と電気的に接続する。なお、共通電極128は容量素子210の一方の電極、及び液晶素子215の一方の電極を構成する。スイッチング素子127のソース電極またはドレイン電極の他方は、端子126Bに接続される。また、スイッチング素子127のゲート電極は端子126Aに接続される。次に、画素に供給する信号の様子を、図11に示す液晶表示装置の等価回路図、及び図12に示すタイミングチャートを用いて説明する。図12に、表示制御回路113がゲート線側駆動回路121Aに供給するクロック信号GCK、及びスタートパルスGSPを示す。また、表示制御回路113がソース線側駆動回路121Bに供給するクロック信号SCK、及びスタートパルスSSPを示す。なお、クロック信号の出力のタイミングを説明するために、図12ではクロック信号の波形を単純な矩形波で示す。また図12に、ソース線125の電位、画素電極の電位、端子126Aの電位、端子126Bの電位、並びに共通電極の電位を示す。図12において期間1401は、動画を表示するための画像信号を書き込む期間に相当する。期間1401では画像信号、共通電位が画素部122の各画素、共通電極に供給されるように動作する。また、期間1402は、静止画を表示する期間に相当する。期間1402では、画素部122の各画素への画像信号、共通電極への共通電位を停止することとなる。なお図12に示す期間1402では、駆動回路部の動作を停止するよう各信号を供給する構成について示したが、期間1402の長さ及びリフレッシュレートによって、定期的に画像信号を書き込むことで静止画の画像の劣化を防ぐ構成とすることが好ましい。まず、期間1401におけるタイミングチャートを説明する。期間1401では、クロック信号GCKとして、常時クロック信号が供給され、スタートパルスGSPとして、垂直同期周波数に応じたパルスが供給される。また、期間1401では、クロック信号SCKとして、常時クロック信号が供給され、スタートパルスSSPとして、1ゲート選択期間に応じたパルスが供給される。また、各行の画素に画像信号Dataがソース線125を介して供給され、ゲート線124の電位に応じて画素電極にソース線125の電位が供給される。また、表示制御回路113がスイッチング素子127の端子126Aにスイッチング素子127を導通状態とする電位を供給し、端子126Bを介して共通電極に共通電位を供給する。一方、期間1402は、静止画を表示する期間である。次に、期間1402におけるタイミングチャートを説明する。期間1402では、クロック信号GCK、スタートパルスGSP、クロック信号SCK、及びスタートパルスSSPは共に停止する。また、期間1402において、ソース線125に供給していた画像信号Dataは停止する。クロック信号GCK及びスタートパルスGSPが共に停止する期間1402では、トランジスタ214が非導通状態となり画素電極の電位が浮遊状態となる。また、表示制御回路113がスイッチング素子127の端子126Aにスイッチング素子127を非導通状態とする電位を供給し、共通電極の電位を浮遊状態にする。期間1402では、液晶素子215の両端の電極、即ち画素電極及び共通電極の電位を浮遊状態にして、新たに電位を供給することなく、静止画の表示を行うことができる。また、ゲート線側駆動回路121A、及びソース線側駆動回路121Bに供給するクロック信号、及びスタートパルスを停止することにより低消費電力化を図ることができる。特に、トランジスタ214及びスイッチング素子127にオフ電流が低減されたトランジスタを用いることにより、液晶素子215の両端子に加わる電圧が経時的に低下する現象を抑制できる。次に、動画から静止画に切り替わる期間図12中の期間1403、及び静止画から動画に切り替わる期間図12中の期間1404における表示制御回路の動作を、図13A、Bを用いて説明する。図13A、Bは表示制御回路が出力する、高電源電位Vdd、クロック信号ここではGCK、スタートパルス信号ここではGSP、及び端子126Aの電位を示す。動画から静止画に切り替わる期間1403の表示制御回路の動作を図13Aに示す。表示制御回路は、スタートパルスGSPを停止する図13AのE1、第1のステップ。次いで、スタートパルス信号GSPの停止後、パルス出力がシフトレジスタの最終段まで達した後に、複数のクロック信号GCKを停止する図13AのE2、第2のステップ。次いで、電源電圧の高電源電位Vddを低電源電位Vssにする図13AのE3、第3のステップ。次いで、端子126Aの電位を、スイッチング素子127が非導通状態となる電位にする図13AのE4、第4のステップ。以上の手順をもって、駆動回路部121の誤動作を引き起こすことなく、駆動回路部121に供給する信号を停止できる。動画から静止画に切り替わる際の誤動作はノイズを生じ、ノイズは静止画として保持されるため、誤動作が少ない表示制御回路を搭載した液晶表示装置は画像の劣化が少ない静止画を表示できる。次に静止画から動画に切り替わる期間1404の表示制御回路の動作を図13Bに示す。表示制御回路は、端子126Aの電位をスイッチング素子127が導通状態となる電位にする図13BのS1、第1のステップ。次いで、電源電圧を低電源電位Vssから高電源電位Vddにする図13BのS2、第2のステップ。次いで、クロック信号GCKとして先に後に与える通常のクロック信号GCKより長いパルス信号でハイの電位を与えた後、複数のクロック信号GCKを供給する図13BのS3、第3のステップ。次いでスタートパルス信号GSPを供給する図13BのS4、第4のステップ。以上の手順をもって、駆動回路部121の誤動作を引き起こすことなく駆動回路部121に駆動信号の供給を再開できる。各配線の電位を適宜順番に動画表示時に戻すことで、誤動作なく駆動回路部の駆動を行うことができる。また、図14に、動画を表示する期間601、または静止画を表示する期間602における、フレーム期間毎の画像信号の書き込み頻度を模式的に示す。図14中、Wは画像信号の書き込み期間であることをあらわし、Hは画像信号を保持する期間であることを示している。また、図14中、期間603は1フレーム期間を表したものであるが、別の期間であってもよい。このように、本実施の形態の液晶表示装置の構成において、期間602で表示される静止画の画像信号は期間604に書き込まれ、期間604で書き込まれた画像信号は、期間602の他の期間で保持される。本実施の形態に例示した液晶表示装置は、静止画を表示する期間において画像信号の書き込み頻度を低減できる。その結果、静止画を表示する際の低消費電力化を図ることができる。また、同一の画像を複数回書き換えて静止画を表示する場合、画像の切り替わりが視認できると、人間は目に疲労を感じることもあり得る。本実施の形態の液晶表示装置は、画像信号の書き込み頻度が削減されているため、目の疲労を減らすといった効果もある。特に、本実施の形態の液晶表示装置は、オフ電流が低減されたトランジスタを各画素、並びに共通電極のスイッチング素子に適用することにより、保持容量で電圧を保持できる期間時間を長く取ることができる。その結果、画像信号の書き込み頻度を画期的に低減することが可能になり、静止画を表示する際の低消費電力化、及び目の疲労の低減に、顕著な効果を有する。なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。実施の形態5本実施の形態は、実施の形態1乃至2で説明した液晶表示装置に用いる酸化物半導体層を含むトランジスタ、及び作製方法の一例を、図15を用いて詳細に説明する。上記実施の形態と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程は、上記実施の形態と同様に行うことができ、繰り返しの説明は省略する。また同じ箇所の詳細な説明は省略する。図15A乃至Eにトランジスタの断面構造の一例を示す。図15A乃至Eに示すトランジスタ510は、図2に示すトランジスタ350Rと同様なボトムゲート構造の逆スタガ型トランジスタである。以下、図15A乃至Eを用い、基板505上に酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタ510を作製する工程を説明する。まず、絶縁表面を有する基板505上に導電膜を形成した後、第1のフォトリソグラフィ工程によりゲート電極層511を形成する。なお、レジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。本実施の形態では絶縁表面を有する基板505としてガラス基板を用いる。下地膜となる絶縁膜を基板505とゲート電極層511との間に設けてもよい。下地膜は、基板505からの不純物元素例えば、Li、Naなどのアルカリ金属、及びCaなどのアルカリ土類金属などの拡散を防止する機能があり、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜による積層構造により形成することができる。また、ゲート電極層511の材料は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。なお、後の工程において行われる加熱処理の温度に耐えうるのであれば、上記金属材料としてアルミニウム、銅を用いることもできる。アルミニウムまたは銅は、耐熱性や腐食性の問題を回避するために、高融点金属材料と組み合わせて用いると良い。高融点金属材料としては、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、ネオジム、スカンジウム等を用いることができる。次いで、ゲート電極層511上にゲート絶縁層507を形成する。ゲート絶縁層507は、プラズマCVD法又はスパッタリング法等を用いて形成することができる。またゲート絶縁層507は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、窒化酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化タンタル膜、または酸化ガリウム膜などから選ばれた一または複数の膜により単層、または積層して形成することができる。本実施の形態の酸化物半導体は、不純物を除去され、I型化又は実質的にI型化された酸化物半導体高純度化された酸化物半導体を用いる。このような高純度化された酸化物半導体は界面準位、界面電荷に対して極めて敏感であるため、酸化物半導体層とゲート絶縁層との界面は重要である。そのため高純度化された酸化物半導体に接するゲート絶縁層は、高品質化が要求される。例えば、μ波例えば周波数2.45GHzを用いた高密度プラズマCVDは、緻密で絶縁耐圧の高い高品質な絶縁層を形成できるので好ましい。高純度化された酸化物半導体と高品質ゲート絶縁層とが密接することにより、界面準位を低減して界面特性を良好なものとすることができるからである。もちろん、ゲート絶縁層として良質な絶縁層を形成できるものであれば、スパッタリング法やプラズマCVD法など他の成膜方法を適用することができる。また、成膜後の熱処理によってゲート絶縁層の膜質、酸化物半導体との界面特性が改質される絶縁層であっても良い。いずれにしても、ゲート絶縁層としての膜質が良好であることは勿論のこと、酸化物半導体との界面準位密度を低減し、良好な界面を形成できるものであれば良い。なお、ゲート絶縁層507は後に形成される酸化物半導体層と接する。酸化物半導体層に、水素が拡散すると半導体特性が損なわれるので、ゲート絶縁層507は水素、水酸基および水分が含まれないことが望ましい。ゲート絶縁層507、酸化物半導体膜530に水素、水酸基及び水分がなるべく含まれないようにするために、酸化物半導体膜530の成膜の前処理として、スパッタリング装置の予備加熱室でゲート電極層511が形成された基板505、又はゲート絶縁層507までが形成された基板505を予備加熱し、基板505に吸着した水素、水分などの不純物を脱離し排気することが好ましい。なお、予備加熱室に設ける排気手段はクライオポンプが好ましい。なお、この予備加熱の処理は省略することもできる。またこの予備加熱は、絶縁層516の成膜前に、ソース電極層515a及びドレイン電極層515bまで形成した基板505にも同様に行ってもよい。次いで、ゲート絶縁層507上に、膜厚2nm以上200nm以下、好ましくは5nm以上30nm以下の酸化物半導体膜530を形成する図15A参照。。酸化物半導体膜は、酸化物半導体をターゲットとして用い、スパッタ法により成膜する。スパッタリング法により成膜する場合は、ACスパッタ装置、DCスパッタ装置、またはRFスパッタ装置のいずれか一のスパッタ装置を用いる。なお、酸化物半導体膜530をスパッタリング法により成膜する前に、アルゴンガスを導入してプラズマを発生させる逆スパッタを行い、ゲート絶縁層507の表面に付着している粉状物質パーティクル、ごみともいうを除去することが好ましい。逆スパッタとは、アルゴン雰囲気下で基板にRF電源を用いて電圧を印加して基板近傍にプラズマを形成して表面を改質する方法である。なお、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウム、酸素などを用いてもよい。酸化物半導体膜530に用いる酸化物半導体としては、四元系金属酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn-O系酸化物半導体や、三元系金属酸化物であるIn-Ga-Zn-O系酸化物半導体、In-Sn-Zn-O系酸化物半導体、In-Al-Zn-O系酸化物半導体、Sn-Ga-Zn-O系酸化物半導体、Al-Ga-Zn-O系酸化物半導体、Sn-Al-Zn-O系酸化物半導体や、二元系金属酸化物であるIn-Zn-O系酸化物半導体、Sn-Zn-O系酸化物半導体、Al-Zn-O系酸化物半導体、Zn-Mg-O系酸化物半導体、Sn-Mg-O系酸化物半導体、In-Mg-O系酸化物半導体、In-Ga-O系酸化物半導体や、In-O系酸化物半導体、Sn-O系酸化物半導体、Zn-O系酸化物半導体などを用いることができる。また、上記酸化物半導体にSiO2を含んでもよい。ここで、例えば、In-Ga-Zn-O系酸化物半導体とは、インジウムIn、ガリウムGa、亜鉛Znを有する酸化物膜、という意味であり、その化学量論比はとくに問わない。また、InとGaとZn以外の元素を含んでもよい。本実施の形態では、酸化物半導体膜530としてIn-Ga-Zn-O系酸化物ターゲットを用いてスパッタリング法により成膜する。この段階での断面図が図15Aに相当する。酸化物半導体膜530をスパッタリング法で作製するためのターゲットとしては、例えば、組成比として、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol数比]の酸化物ターゲットを用い、In-Ga-Zn-O膜を成膜する。また、このターゲットの材料及び組成に限定されず、例えば、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比]の酸化物ターゲットを用いてもよい。また、酸化物ターゲットの充填率は90以上100以下、好ましくは95以上99.9以下である。充填率の高い金属酸化物ターゲットを用いることにより、成膜した酸化物半導体膜は緻密な膜とすることができる。酸化物半導体膜530を、成膜する際に用いるスパッタガスは水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。具体的には、露点-60°C以下の高純度ガスが好ましい。減圧状態に保持された成膜室内に基板を保持し、基板温度を100°C以上600°C以下好ましくは200°C以上400°C以下とする。基板を加熱しながら成膜することにより、成膜した酸化物半導体膜に含まれる不純物濃度を低減することができる。また、スパッタリングによる損傷が軽減される。そして、成膜室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が除去されたスパッタガスを導入し、上記ターゲットを用いて基板505上に酸化物半導体膜530を成膜する。成膜室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプ、例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。また、排気手段としては、ターボポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素原子、水H2Oなど水素原子を含む化合物より好ましくは炭素原子を含む化合物も等が排気されるため、当該成膜室で成膜した酸化物半導体膜に含まれる不純物の濃度を低減できる。スパッタリングを行う雰囲気は、希ガス代表的にはアルゴン、酸素、または希ガスと酸素の混合雰囲気とすればよい。成膜条件の一例としては、基板とターゲットの間との距離を100mm、圧力0.6Pa、直流DC電源0.5kW、酸素酸素流量比率100雰囲気下の条件が適用される。なお、パルス直流電源を用いると、成膜時に発生する粉状物質パーティクル、ごみともいうが軽減でき、膜厚分布も均一となるために好ましい。次いで、酸化物半導体膜530を第2のフォトリソグラフィ工程により島状の酸化物半導体層に加工する。また、島状の酸化物半導体層を形成するためのレジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。また、ゲート絶縁層507にコンタクトホールを形成する場合、その工程は酸化物半導体膜530の加工時に同時に行うことができる。なお、ここでの酸化物半導体膜530のエッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよく、両方を用いてもよい。例えば、酸化物半導体膜530のウェットエッチングに用いるエッチング液としては、燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液、ITO07N関東化学社製などを用いてもよい。次いで、酸化物半導体層に第1の加熱処理を行う。この第1の加熱処理によって酸化物半導体層の脱水化または脱水素化を行うことができる。第1の加熱処理の温度は、400°C以上750°C以下、または400°C以上基板の歪み点未満とする。ここでは、加熱処理装置の一つである電気炉に基板を導入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下450°Cにおいて1時間の加熱処理を行った後、大気に触れることなく、酸化物半導体層への水や水素の再混入を防ぎ、酸化物半導体層531を得る図15B参照。。なお、加熱処理装置は電気炉に限られず、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって、被処理物を加熱する装置を用いてもよい。例えば、GRTAGasRapidThermalAnneal装置、LRTALampRapidThermalAnneal装置等のRTARapidThermalAnneal装置を用いることができる。LRTA装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光電磁波の輻射により、被処理物を加熱する装置である。GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。高温のガスには、アルゴンなどの希ガス、または窒素のような、加熱処理によって被処理物と反応しない不活性気体が用いられる。例えば、第1の加熱処理として、650°C~700°Cの高温に加熱した不活性ガス中に基板を移動させて入れ、数分間加熱した後、基板を移動させて高温に加熱した不活性ガス中から出すGRTAを行ってもよい。なお、第1の加熱処理においては、窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスに、水、水素などが含まれないことが好ましい。または、加熱処理装置に導入する窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの純度を、6N99.9999以上好ましくは7N99.99999以上即ち不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とすることが好ましい。また、第1の加熱処理で酸化物半導体層を加熱した後、同じ炉に高純度の酸素ガス、高純度のN2Oガス、又は超乾燥エアCRDSキャビティリングダウンレーザー分光法方式の露点計を用いて測定した場合の水分量が露点換算で-40°C以下、好ましくは-60°C以下を導入してもよい。酸素ガスまたはN2Oガスに、水、水素などが含まれないことが好ましい。または、加熱処理装置に導入する酸素ガスまたはN2Oガスの純度を、6N以上好ましくは7N以上即ち、酸素ガスまたはN2Oガス中の不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とすることが好ましい。酸素ガス又はN2Oガスの作用により、脱水化または脱水素化処理による不純物の排除工程によって同時に減少してしまった酸化物半導体を構成する主成分材料である酸素を供給することによって、酸化物半導体層を高純度化及び電気的にI型真性化する。また、酸化物半導体層の第1の加熱処理は、島状の酸化物半導体層に加工する前の酸化物半導体膜530に行うこともできる。その場合には、第1の加熱処理後に、加熱装置から基板を取り出し、フォトリソグラフィ工程を行う。なお、第1の加熱処理は、上記以外にも、酸化物半導体層成膜後であれば、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を積層させた後、あるいは、ソース電極層及びドレイン電極層上に絶縁層を形成した後、のいずれで行っても良い。また、ゲート絶縁層507にコンタクトホールを形成する場合、その工程は酸化物半導体膜530に第1の加熱処理を行う前でも行った後に行ってもよい。また、酸化物半導体層を2回に分けて成膜し、2回に分けて加熱処理を行うことで、下地部材の材料が、酸化物、窒化物、金属など材料を問わず、膜厚の厚い結晶領域単結晶領域、即ち、膜表面に垂直にc軸配向した結晶領域を有する酸化物半導体層を形成してもよい。例えば、3nm以上15nm以下の第1の酸化物半導体膜を成膜し、窒素、酸素、希ガス、または乾燥空気の雰囲気下で450°C以上850°C以下、好ましくは550°C以上750°C以下の第1の加熱処理を行い、表面を含む領域に結晶領域板状結晶を含むを有する第1の酸化物半導体膜を形成する。そして、第1の酸化物半導体膜よりも厚い第2の酸化物半導体膜を形成し、450°C以上850°C以下、好ましくは600°C以上700°C以下の第2の加熱処理を行い、第1の酸化物半導体膜を結晶成長の種として、上方に結晶成長させ、第2の酸化物半導体膜の全体を結晶化させ、結果として膜厚の厚い結晶領域を有する酸化物半導体層を形成してもよい。次いで、ゲート絶縁層507、及び酸化物半導体層531上に、ソース電極層及びドレイン電極層これと同じ層で形成される配線を含むとなる導電膜を形成する。ソース電極層、及びドレイン電極層に用いる導電膜としては、例えば、Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、Wからから選ばれた元素を含む金属膜、または上述した元素を成分とする金属窒化物膜窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜等を用いることができる。また、Al、Cuなどの金属膜の下側又は上側の一方または双方にTi、Mo、Wなどの高融点金属膜またはそれらの金属窒化物膜窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜を積層させた構成としても良い。第3のフォトリソグラフィ工程により導電膜上にレジストマスクを形成し、選択的にエッチングを行ってソース電極層515a、ドレイン電極層515bを形成した後、レジストマスクを除去する図15C参照。。第3のフォトリソグラフィ工程でのレジストマスク形成時の露光には、紫外線やKrFレーザ光やArFレーザ光を用いるとよい。酸化物半導体層531上で隣り合うソース電極層の下端部とドレイン電極層の下端部との間隔幅によって後に形成されるトランジスタのチャネル長Lが決定される。なお、チャネル長L=25nm未満の露光を行う場合には、数nm~数10nmと極めて波長が短い超紫外線ExtremeUltravioletを用いて第3のフォトリソグラフィ工程でのレジストマスク形成時の露光を行うとよい。超紫外線による露光は、解像度が高く焦点深度も大きい。従って、後に形成されるトランジスタのチャネル長Lを10nm以上1000nm以下とすることも可能であり、回路の動作速度を高速化できる。また、フォトリソグラフィ工程で用いるフォトマスク数及び工程数を削減するため、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたレジストマスクを用いてエッチング工程を行ってもよい。多階調マスクを用いて形成したレジストマスクは複数の膜厚を有する形状となり、エッチングを行うことでさらに形状を変形することができるため、異なるパターンに加工する複数のエッチング工程に用いることができる。よって、一枚の多階調マスクによって、少なくとも二種類以上の異なるパターンに対応するレジストマスクを形成することができる。よって露光マスク数を削減することができ、対応するフォトリソグラフィ工程も削減できるため、工程の簡略化が可能となる。なお、導電膜のエッチングの際に、酸化物半導体層531がエッチングされ、分断することのないようエッチング条件を最適化することが望まれる。しかしながら、導電膜のみをエッチングし、酸化物半導体層531を全くエッチングしないという条件を得ることは難しく、導電膜のエッチングの際に酸化物半導体層531は一部のみがエッチングされ、溝部凹部を有する酸化物半導体層となることもある。本実施の形態では、導電膜としてTi膜を用い、酸化物半導体層531にはIn-Ga-Zn-O系酸化物半導体を用いたので、エッチャントとしてアンモニア過水アンモニア、水、過酸化水素水の混合液を用いる。エッチャントとしてアンモニア過水を用いることにより選択的に導電膜をエッチングすることができる。次いで、N2O、N2、またはArなどのガスを用いたプラズマ処理を行い、露出している酸化物半導体層の表面に付着した吸着水などを除去してもよい。プラズマ処理を行った場合、大気に触れることなく、酸化物半導体層の一部に接する保護絶縁膜となる絶縁層516を形成する。また、酸素とアルゴンの混合ガスを用いてプラズマ処理を行ってもよい。絶縁層516は、少なくとも1nm以上の膜厚とし、スパッタ法など、絶縁層516に水、水素等の不純物を混入させない方法を適宜用いて形成することができる。絶縁層516に水素が含まれると、その水素の酸化物半導体層への侵入、又は水素による酸化物半導体層中の酸素の引き抜き、が生じ酸化物半導体層のバックチャネルが低抵抗化N型化してしまい、寄生チャネルが形成されるおそれがある。よって、絶縁層516はできるだけ水素を含まない膜になるように、成膜方法に水素を用いないことが重要である。本実施の形態では、絶縁層516として膜厚200nmの酸化シリコン膜をスパッタリング法を用いて成膜する。成膜時の基板温度は、室温以上300°C以下とすればよく、本実施の形態では100°Cとする。酸化シリコン膜のスパッタ法による成膜は、希ガス代表的にはアルゴン雰囲気下、酸素雰囲気下、または希ガスと酸素の混合雰囲気下において行うことができる。また、ターゲットとして酸化シリコンターゲットまたはシリコンターゲットを用いることができる。例えば、シリコンターゲットを用いて、酸素を含む雰囲気下でスパッタ法により酸化シリコンを形成することができる。酸化物半導体層に接して形成する絶縁層516は、水分や、水素イオンや、OH-などの不純物を含まず、これらが外部から侵入することをブロックする無機絶縁膜を用い、代表的には酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、または酸化窒化アルミニウム膜などを用いる。酸化物半導体膜530の成膜時と同様に、絶縁層516の成膜室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプクライオポンプなどを用いることが好ましい。クライオポンプを用いて排気した成膜室で成膜した絶縁層516に含まれる不純物の濃度を低減できる。また、絶縁層516の成膜室内の残留水分を除去するための排気手段としては、ターボポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。絶縁層516を、成膜する際に用いるスパッタガスは水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。次いで、不活性ガス雰囲気下、または酸素ガス雰囲気下で第2の加熱処理好ましくは200°C以上400°C以下、例えば250°C以上350°C以下を行う。例えば、窒素雰囲気下で250°C、1時間の第2の加熱処理を行う。第2の加熱処理を行うと、酸化物半導体層の一部チャネル形成領域が絶縁層516と接した状態で加熱される。以上の工程を経ることによって、酸化物半導体膜に対して第1の加熱処理を行って水素、水分、水酸基又は水素化物水素化合物ともいうなどの不純物を酸化物半導体層より意図的に排除し、かつ不純物の排除工程によって同時に減少してしまう酸化物半導体を構成する主成分材料の一つである酸素を供給することができる。よって、酸化物半導体層は高純度化及び電気的にI型真性化する。以上の工程でトランジスタ510が形成される図15D参照。。また、絶縁層516に欠陥を多く含む酸化シリコン層を用いると、酸化シリコン層形成後の加熱処理によって酸化物半導体層中に含まれる水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を絶縁層に拡散させ、酸化物半導体層中に含まれる該不純物をより低減させる効果を奏する。絶縁層516上にさらに保護絶縁層506を形成してもよい。例えば、RFスパッタ法を用いて窒化シリコン膜を形成する。RFスパッタ法は、量産性がよいため、保護絶縁層の成膜方法として好ましい。保護絶縁層は、水分などの不純物を含まず、これらが外部から侵入することをブロックする無機絶縁膜を用い、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜などを用いる。また、窒化シリコン膜、及び窒化アルミニウム膜は、水素イオン、又は水素分子のバリア膜として特に有効であり、絶縁層516上に設けることが好ましい。本実施の形態では、窒化シリコン膜を用いて保護絶縁層506を形成する図15E参照。。本実施の形態では、保護絶縁層506として、絶縁層516まで形成された基板505を100°C~400°Cの温度に加熱し、水素及び水分が除去された高純度窒素を含むスパッタガスを導入しシリコン半導体のターゲットを用いて窒化シリコン膜を成膜する。この場合においても、絶縁層516と同様に、処理室内の残留水分を除去しつつ保護絶縁層506を成膜することが好ましい。保護絶縁層の形成後、さらに大気中、100°C以上200°C以下、1時間以上30時間以下での加熱処理を行ってもよい。この加熱処理は一定の加熱温度を保持して加熱してもよいし、室温から、100°C以上200°C以下の加熱温度への昇温と、加熱温度から室温までの降温を複数回くりかえして行ってもよい。このように、本実施の形態を用いて作製した、高純度化された酸化物半導体層を含むトランジスタは、高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。よって、液晶表示装置の画素部に高純度化された酸化物半導体層を含むトランジスタを用いることで、高画質な画像を提供することができる。また、高純度化された酸化物半導体層を含むトランジスタによって、同一基板上に駆動回路部または画素部を作り分けて作製することができるため、液晶表示装置の部品点数を削減することができる。高純度化された酸化物半導体を用いたトランジスタの電界効果移動度を求めた結果について説明する。上述した本実施の形態の作製方法に従って、高純度化された酸化物半導体膜厚50nmのIn-Ga-Zn-O系酸化物半導体膜を用いてトランジスタL/W=10μm/50μmを作製し、基板温度を室温とし、ソース-ドレイン間電圧以下、ドレイン電圧またはVdというを10Vとし、ソース-ゲート間電圧以下、ゲート電圧またはVgというを-30V~30Vまで変化させたときのソース-ドレイン電流以下、ドレイン電流またはIdというの変化特性、すなわちVg-Id特性を測定した。なお、図16では、Vgを-5V~30Vまでの範囲で示している。図16では高純度化された酸化物半導体層を含むトランジスタの電界移動度の最大値は、10.7cm2/Vsecであることが確認できる。また、高純度化された酸化物半導体層を含むトランジスタを用いることにより、オフ状態における電流値オフ電流値をより低くすることができる。よって、画像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、書き込み間隔も長く設定できる。実施の形態4の方法により、リフレッシュ動作の頻度をより少なくすることができるため、消費電力を抑制する効果を高くできる。また、高純度化された酸化物半導体を用いたトランジスタのオフ電流を求めた結果について説明する。図16では、通常の電流測定装置によって、電流を測定したが、Vgがマイナスの領域では多くが測定下限以下であり、厳密なオフ電流の測定が困難であった。そのため、より正確にオフ電流を測定することを試みた。上述した本実施の形態の作製方法に従って、高純度化された酸化物半導体を用いてトランジスタを作製した。まず、高純度化された酸化物半導体を用いたトランジスタのオフ電流が十分に小さいことを考慮して、チャネル幅Wが1cmと十分に大きいトランジスタを用意してオフ電流の測定を行った。チャネル幅Wが1cmのトランジスタのオフ電流を測定した結果を図17に示す。図17において、横軸はゲート電圧Vg、縦軸はドレイン電流Idである。ドレイン電圧VDが1Vまたは10Vの場合、ゲート電圧Vgが-5Vから-20Vの範囲では、トランジスタのオフ電流は、検出限界である1×10-13A以下であることがわかった。また、トランジスタのオフ電流ここでは、単位チャネル幅1μmあたりの値は10aA/μm1×10-17A/μm以下となることがわかった。次に、高純度化された酸化物半導体を用いたトランジスタのオフ電流をさらに正確に求めた結果について説明する。上述したように、高純度化された酸化物半導体を用いたトランジスタのオフ電流は、測定器の検出限界である1×10-13A以下であることがわかった。そこで、特性評価用素子を作製し、より正確なオフ電流の値上記測定における測定器の検出限界以下の値を求めた結果について説明する。電流測定方法に用いた特性評価用素子について、以下に説明する。特性評価用素子は、3つ並列に接続された測定系を用いる。それぞれの測定系は、容量素子700、第1のトランジスタ701、第2のトランジスタ702、第3のトランジスタ703、及び第4のトランジスタ704を有する。第1のトランジスタ701、第2のトランジスタ702、第3のトランジスタ703、及び第4のトランジスタ704は、本実施の形態に従って作製し、図15Dに示したトランジスタ510と同じ構造のものを使用した。一つの測定系の回路図を図20に示す。一つの測定系は、第1のトランジスタ701のソース端子およびドレイン端子の一方と、容量素子700の端子の一方と、第2のトランジスタ702のソース端子およびドレイン端子の一方は、電源V2を与える電源に接続する。また、第1のトランジスタ701のソース端子およびドレイン端子の他方と、第3のトランジスタ703のソース端子およびドレイン端子の一方と、容量素子700の端子の他方と、第2のトランジスタ702のゲート端子とは、接続する。また、第3のトランジスタ703のソース端子およびドレイン端子の他方と、第4のトランジスタ704のソース端子およびドレイン端子の一方と、第4のトランジスタ704のゲート端子は、電源V1を与える電源に接続する。また、第2のトランジスタ702のソース端子およびドレイン端子の他方と、第4のトランジスタ704のソース端子およびドレイン端子の他方とを接続し、出力端子Voutとする。なお、第1のトランジスタ701のゲート端子には、第1のトランジスタ701のオン状態と、オフ状態を制御する電位Vext_b2が供給され、第3のトランジスタ703のゲート端子には、第3のトランジスタ703のオン状態と、オフ状態を制御する電位Vext_b1が供給される。また、出力端子からは電位Voutが出力される。次に、上記の測定系を用いてオフ電流の測定を行う。オフ電流を測定するために初期化期間において電位差を付与し、測定期間が開始されると、時間の経過と共に第2のトランジスタ702のゲート端子の電位が変動する。従って、時間の経過と共に、出力端子の出力電位Voutの電位も変化することとなる。こうして得られた出力電位Voutから、オフ電流を算出することができる。第1のトランジスタ701、第2のトランジスタ702、第3のトランジスタ703、及び第4のトランジスタ704は、それぞれチャネル長L=10μm、チャネル幅W=50μmの、高純度化した酸化物半導体を用いたトランジスタである。また、並列された3つ測定系において、第1の測定系の容量素子の容量値を100fFとし、第2の測定系の容量素子の容量値を1pFとし、第3の測定系の容量素子の容量値を3pFとした。なお、オフ電流の測定では、VDD=5V、VSS=0Vとした。また、測定期間においては、電位V1を原則としてVSSとし、10~300secごとに、100msecの期間だけVDDとしてVoutを測定した。図18には、上記電流測定によって算出されたオフ電流を示す。なお、図18は、ソース-ドレイン電圧Vと、オフ電流Iとの関係を表すものである。図18から、ソース-ドレイン電圧が4Vの条件において、オフ電流は約40zA/μmであることが分かった。また、ソース-ドレイン電圧が3.1Vの条件において、オフ電流は10zA/μm以下であることが分かった。なお、1zAは10-21Aを表す。以上、本実施の形態により、高純度化された酸化物半導体を用いたトランジスタでは、オフ電流が十分に小さくなることが確認された。実施の形態6本実施の形態においては、上記実施の形態で説明した液晶表示装置を具備する電子機器の例について説明する。図19Aは電子書籍E-bookともいうであり、筐体9630、表示部9631、操作キー9632、太陽電池9633、充放電制御回路9634を有することができる。太陽電池9633と、表示パネルとを開閉自在に装着しており、太陽電池からの電力を表示パネル、または映像信号処理部に供給する電子書籍である。図19Aに示した電子書籍は、様々な情報静止画、動画、テキスト画像などを表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作又は編集するタッチ入力機能、様々なソフトウェアプログラムによって処理を制御する機能、等を有することができる。なお、図19Aでは充放電制御回路9634の一例としてバッテリー9635、DCDCコンバータ以下、コンバータ9636と略記を有する構成について示している。表示部9631はフォトセンサを利用したタッチ入力機能を備えた反射型の液晶表示装置であり、比較的明るい状況下で使用するため、太陽電池9633による発電、及びバッテリー9635での充電を効率よく行うことができ、好適である。なお太陽電池9633は、筐体9630の表面及び裏面に効率的なバッテリー9635の充電を行う構成とすることができるため好適である。なおバッテリー9635としては、リチウムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。また図19Aに示す充放電制御回路9634の構成、及び動作について図19Bにブロック図を示し説明する。図19Bには、太陽電池9633、バッテリー9635、コンバータ9636、コンバータ9637、スイッチSW1乃至SW3、表示部9631について示しており、バッテリー9635、コンバータ9636、コンバータ9637、スイッチSW1乃至SW3が充放電制御回路9634に対応する箇所となる。まず外光により太陽電池9633により発電がされる場合の動作の例について説明する。太陽電池で発電した電力は、バッテリー9635を充電するための電圧となるようコンバータ9636で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部9631の動作に太陽電池9633からの電力が用いられる際にはスイッチSW1をオンにし、コンバータ9637で表示部9631に必要な電圧に昇圧または降圧をすることとなる。また、表示部9631での表示を行わない際には、SW1をオフにし、SW2をオンにしてバッテリー9635の充電を行う構成とすればよい。なお太陽電池9633については、充電手段の一例として示したが、他の手段によるバッテリー9635の充電を行う構成であってもよい。また他の充電手段を組み合わせて行う構成としてもよい。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。