サファイア基板の表面に発光層が積層され分割予定ラインによって区画された領域に複数の光デバイスが形成された光デバイスウェーハの加工方法であって、サファイア基板の裏面に複数の窪みを形成して個々の光デバイスの裏面に窪みを形成する窪み形成工程と、分割予定ラインに沿って光デバイスウェーハを個々の光デバイスに分割する光デバイスウェーハ分割工程と、から少なくとも構成されることを特徴とする光デバイスウェーハの加工方法。前記窪み形成工程は、ポイントスクライバーまたは切削ブレードによって遂行されることを特徴とする請求項1に記載の光デバイスウェーハの加工方法。前記光デバイスウェーハ分割工程は、分割予定ラインにレーザー光線を照射して分割の起点を形成し、その分割の起点に外力を付与して光デバイスウェーハを個々の光デバイスに分割することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の光デバイスウェーハの加工方法。サファイア基板の表面に発光層が積層されて構成された光デバイスであって、サファイア基板の裏面に窪みが形成されていることを特徴とする光デバイス。前記窪みは段差を持って形成されていることを特徴とする請求項4に記載の光デバイス。前記窪みは2本以上形成されていることを特徴とする請求項4または請求項5に記載の光デバイス。ところで、上記した光デバイスにおいては、発光層からサファイア層に放射された光線が、サファイア層から空気中に出射される。しかしながら、サファイアの屈折率が空気と比較してかなり大きいため、サファイア層から効率よく光線が出射されないという問題が生じていた。これは、サファイア層-空気界面に対する光線の入射角が、臨界角度34.5°よりも大きいと、当該界面において全反射が生じ、光線がサファイア層中に閉じ込められてしまうためである。本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、光デバイスウェーハの分割によって形成される光デバイスの輝度を向上できる光デバイスウェーハの加工方法およびこの加工方法により形成される光デバイスを提供することを目的とする。本発明の光デバイスウェーハの加工方法は、サファイア基板の表面に発光層が積層され分割予定ラインによって区画された領域に複数の光デバイスが形成された光デバイスウェーハの加工方法であって、サファイア基板の裏面に複数の窪みを形成して個々の光デバイスの裏面に窪みを形成する窪み形成工程と、分割予定ラインに沿って光デバイスウェーハを個々の光デバイスに分割する光デバイスウェーハ分割工程と、から少なくとも構成されることを特徴とする。この構成によれば、窪み形成工程でサファイア基板の裏面に形成された複数の窪みにより、分割工程で個々に分割された光デバイスの裏面に、当該裏面に対して様々な角度をもつ斜面や曲面等の多角形状の外形面が形成される。これにより、デバイス内で反射された光線が臨界角度以下で外形面に入射し易くなる。よって、発光層からの光線が外部に出射され易くなり、光デバイスの輝度を向上できる。なお、ここでいう窪みとは、有底の穴に限定されず、細長い窪みである溝を含む。また本発明は、上記光デバイスウェーハの加工方法において、前記窪み形成工程が、ポイントスクライバーまたは切削ブレードによって遂行される。また本発明は、上記光デバイスウェーハの加工方法において、前記光デバイスウェーハ分割工程が、分割予定ラインにレーザー光線を照射して分割の起点を形成し、その分割の起点に外力を付与して光デバイスウェーハを個々の光デバイスに分割する。また本発明の光デバイスは、サファイア基板の表面に発光層が積層されて構成された光デバイスであって、サファイア基板の裏面に窪みが形成されていることを特徴とする。また本発明は、上記光デバイスにおいて、前記窪みが段差を持って形成されている。また本発明は、上記光デバイスにおいて、前記窪みが2本以上形成されている。本発明によれば、光デバイスウェーハの裏面に窪みを形成することで、光デバイスウェーハの分割によって形成される光デバイスの輝度を向上させることができる。以下、添付図面を参照して、第1の実施の形態について説明する。第1の実施の形態に係る分割方法を用いたサファイアウェーハの分割は、切削装置による窪み形成工程、レーザー加工装置による改質層形成工程、テープ拡張装置による分割工程光デバイスウェーハ分割工程を経て実施される。窪み形成工程では、表面に発光層が積層されたサファイアウェーハの裏面に、分割予定ラインに沿った窪みとして段差を有する切削溝が形成される。改質層形成工程では、サファイアウェーハの内部に分割予定ラインに沿った改質層が形成される。分割工程では、サファイアウェーハの表面に貼り付けられたダイシングテープの拡張によりサファイアウェーハが個々の光デバイスに分割される。これらの工程を経て分割された光デバイスは、窪み形成工程で形成された段状の切削溝により裏面側の角部が階段状に面取りされ、表面側に設けられた発光層からの光線が外部に出射され易くなる。以下、各工程で用いられる装置構成について説明する。図1を参照して、サファイアウェーハに段状の切削溝を形成する切削装置について説明する。図1は、第1の実施の形態に係る切削装置の斜視図である。なお、本実施の形態に係る分割方法に用いられる切削装置は、図1に示す構成に限定されない。切削装置は、サファイアウェーハに対して段状の切削溝を形成可能であれば、どのような構成を有していてもよい。また、以下の説明では、段状の切削溝を形成するために、幅広の切削ブレードおよび幅狭の切削ブレードを使用するが、説明の便宜上、同一の符号を付して説明する。図1に示すように、切削装置101は、切削ブレード111を有する一対のブレードユニット106とサファイアウェーハWを保持したチャックテーブル103とを相対移動させて、サファイアウェーハWを切削するように構成されている。サファイアウェーハWは、略円板状に形成されており、サファイアAl2O3基板の表面に発光層が積層されている。サファイアウェーハWの裏面は、格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域に区画されている。また、サファイアウェーハWは、発光層が形成された上面を下向きにして、環状フレーム131に張られたダイシングテープ132に貼着されている。なお、本実施の形態においては、光デバイス用ウェーハとしてサファイアウェーハを例に挙げて説明するが、この構成に限定されるものではない。光デバイスウェーハは、サファイア基板に発光層を積層したものに限らず、GaAsガリウム砒素基板、SiC炭化珪素基板に発光層を積層したものでもよい。切削装置101は、基台102を有しており、基台102上にはチャックテーブル103をX軸方向に加工送りするチャックテーブル移動機構104が設けられている。また、基台102上には、チャックテーブル移動機構104を跨ぐように立設した門型の柱部105が設けられ、柱部105には、チャックテーブル103の上方において一対のブレードユニット106をY軸方向に割出送りするブレードユニット移動機構107が設けられている。チャックテーブル移動機構104は、上部にチャックテーブル103を保持するX軸テーブル112を有している。X軸テーブル112は、基台102の上面に配置されたX軸方向に平行な一対のガイドレール113に支持され、ボールねじ式の移動機構によりX軸方向に移動される。チャックテーブル103は、X軸テーブル112の上面に固定されたZ軸回りに回転可能なθテーブル114と、θテーブル114の上部に設けられ、サファイアウェーハWを吸着保持するワーク保持部116とを有している。ワーク保持部116は、所定の厚みを有する円盤状であり、上面中央部分にはポーラスセラミック材により吸着面が形成されている。吸着面は、負圧によりダイシングテープ132を介してサファイアウェーハWを吸着する面であり、θテーブル114の内部の配管を介して吸引源に接続されている。ワーク保持部116の周囲には、θテーブル114の四方から径方向外側に延びる一対の支持アームを介して4つのクランプ部117が設けられている。4つのクランプ部117は、エアーアクチュエータにより駆動し、サファイアウェーハWの周囲の環状フレーム131を挟持固定する。ブレードユニット移動機構107は、柱部105の前面に対してY軸方向に移動する一対のY軸テーブル121と、各Y軸テーブル121のそれぞれに対してZ軸方向に移動するZ軸テーブル122とを有している。各Z軸テーブル122には、それぞれブレードユニット106が延設されている。Y軸テーブル121は、柱部105の前面に配置されたY軸方向に平行な一対のガイドレール123に支持され、ボールねじ式の移動機構によりY軸方向に移動される。Z軸テーブル122は、Y軸テーブル121の前面に配置されたZ軸方向に平行な一対のガイドレール124に支持され、ボールねじ式の移動機構によりZ軸方向に移動される。ブレードユニット106は、Y軸回りに回転するスピンドルの先端に設けられた円盤状の切削ブレード111と、切削部分に切削水を噴射する図示しない噴射ノズルとを有している。ブレードユニット106は、スピンドルにより切削ブレード111を高速回転させ、複数のノズルから切削部分に切削水を噴射しつつサファイアウェーハWを切削加工する。ここで、切削装置101による切削加工動作について説明する。切削加工は、幅広の切削ブレード111によって浅溝405を形成した後、幅狭の切削ブレード111によって深溝406を形成して、段状の切削溝401を形成する図5参照。まず、チャックテーブル103にサファイアウェーハWが載置されると、チャックテーブル103が幅広の切削ブレード111に臨む加工位置に向けて移動される。次に、幅広の切削ブレード111の切削刃がサファイアウェーハWの分割予定ラインに位置合わせされる。そして、ブレードユニット106が下降されることで、高速回転した切削刃によりサファイアウェーハWの裏面が所定の深さだけ切り込まれる。幅広の切削ブレード111によりサファイアウェーハWが切り込まれると、チャックテーブル103がX軸方向に加工送りされ、サファイアウェーハWに1本の浅溝405図5参照が形成される。続いて、幅広の切削ブレード111がY軸方向に数ピッチ分だけ割出送りされ、幅広の切削ブレード111により隣接する分割予定ラインに浅溝405が形成される。この動作が繰り返されてサファイアウェーハWのX軸方向の全ての分割予定ラインが加工される。続いて、チャックテーブル103がθテーブル114により90度回転され、サファイアウェーハWのY軸方向の分割予定ラインに浅溝405が形成される。次に、切削装置101の幅広の切削ブレード111が幅狭の切削ブレード111に付け替えられて、浅溝405と同様な手順でサファイアウェーハWの分割予定ラインに深溝406が形成される。このようにして、サファイアウェーハWの裏面に段状の切削溝401が形成される。裏面に切削溝401が形成されたサファイアウェーハWは、チャックテーブル103から取り外されてレーザー加工装置201に搬入される。なお、切削装置101は、切削ブレード111の切削刃に超音波振動を伝達して振動切削することで、サファイアウェーハWに対する加工負荷を低減する構成としてもよい。また、本実施の形態では、幅広の切削ブレード111から幅狭の切削ブレード111を付け替えたが、一対のブレードユニット106の一方に幅広の切削ブレード111を設け、他方に幅狭の切削ブレード111を設けてもよい。さらに、深溝406を形成した後に、浅溝405を形成してもよい。図2を参照して、サファイアウェーハの内部に改質層を形成するレーザー加工装置について説明する。図2は、第1の実施の形態に係るレーザー加工装置の斜視図である。なお、本実施の形態に係る分割方法に用いられるレーザー加工装置は、図2に示す構成に限定されない。レーザー加工装置は、サファイアウェーハに対して改質層を形成可能であれば、どのような構成を有していてもよい。図2に示すように、レーザー加工装置201は、レーザービームを照射するレーザー加工ユニット206とサファイアウェーハWを保持したチャックテーブル208とを相対移動させて、サファイアウェーハWを加工するように構成されている。レーザー加工装置201は、直方体状のベッド部203と、ベッド部203の上面後方に立設したコラム部204とを有している。コラム部204の前面には、前方に突出したアーム部205が設けられ、アーム部205の先端側にはレーザー加工ユニット206の加工ヘッド207が設けられている。ベッド部203の上面には、チャックテーブル208をX軸方向に加工送りすると共に、Y軸方向に割出送りするチャックテーブル移動機構209が設けられている。チャックテーブル移動機構209は、チャックテーブル208をX軸方向に加工送りする加工送り機構211と、チャックテーブル208をY軸方向に割出送りする割出送り機構212とを備えている。加工送り機構211は、ベッド部203に対してX軸方向に移動するX軸テーブル216を有している。X軸テーブル216は、ベッド部203の上面に配置されたX軸方向に平行な一対のガイドレール215に支持され、ボールねじ式の移動機構によりX軸方向に移動される。割出送り機構212は、X軸テーブル216に対してY軸方向に移動するY軸テーブル219を有している。Y軸テーブル219は、X軸テーブル216の上面に配置されたY軸方向に平行な一対のガイドレール218に支持され、ボールねじ式の移動機構によりY軸方向に移動される。Y軸テーブル219の上面には、チャックテーブル208が設けられている。チャックテーブル208は、Y軸テーブル219の上面においてZ軸回りに回転可能なθテーブル231と、θテーブル231の上部に設けられ、サファイアウェーハWを吸着保持するワーク保持部232とを有している。ワーク保持部232は、所定の厚みを有する円板状であり、上面中央部分にはポーラスセラミック材により吸着面が形成されている。吸着面は、負圧によりダイシングテープ132を介してサファイアウェーハWを吸着する面であり、θテーブル231の内部の配管を介して吸引源に接続されている。ワーク保持部232の周囲には、θテーブル231の四方から径方向外側に延びる一対の支持アームを介して4つのクランプ部234が設けられている。4つのクランプ部234は、エアーアクチュエータにより駆動し、サファイアウェーハWの周囲の環状フレーム131を四方から挟持固定する。レーザー加工ユニット206は、アーム部205の先端に設けられた加工ヘッド207を有している。アーム部205および加工ヘッド207内には、レーザー加工ユニット206の光学系が設けられている。加工ヘッド207は、発振器242から発振されたレーザービームを集光レンズによって集光し、チャックテーブル208上に保持されたサファイアウェーハWをレーザー加工する。この場合、レーザービームは、透過性を有しており、光学系においてサファイアウェーハWの内部に集光するように調整される。このようにして、サファイアウェーハWの内部に分割起点となる改質層402図5参照が形成される。改質層402は、レーザービームの照射によってサファイアウェーハW内部の密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲と異なる状態となり、周囲よりも強度が低下する領域のことをいう。改質層402は、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等であり、これらが混在した領域でもよい。ここで、レーザー加工装置201によるレーザー加工動作について説明する。まず、チャックテーブル208にサファイアウェーハWが載置されると、チャックテーブル208が加工ヘッド207に臨む加工位置に向けて移動される。次に、加工ヘッド207の射出口がサファイアウェーハWの分割予定ライン切削溝401に位置合わせされると共に、レーザービームの焦点がサファイアウェーハWの内部に調整され、レーザー加工処理が開始される。この場合、チャックテーブル208がサファイアウェーハWを保持した状態でX軸方向に加工送りされ、切削溝401に沿ってサファイアウェーハW内に1列の改質層402が形成される。続いて、チャックテーブル208が数ピッチ分だけY軸方向に割出送りされ、隣接する切削溝401に沿ってサファイアウェーハW内に改質層402が形成される。この動作が繰り返されてサファイアウェーハWのX軸方向の全ての切削溝401に沿って改質層が形成される。次に、チャックテーブル208がθテーブル231により90度回転され、サファイアウェーハWのY軸方向の切削溝401に沿って改質層402が形成される。内部に改質層402が形成されたサファイアウェーハWは、チャックテーブル208から取り外されてテープ拡張装置301に搬入される。図3を参照して、ダイシングテープを拡張して、サファイアウェーハを個々の光デバイスに分割するテープ拡張装置について説明する。図3は、第1の実施の形態に係るテープ拡張装置の斜視図である。なお、本実施の形態に係る分割方法に用いられるテープ拡張装置は、図3に示す構成に限定されない。テープ拡張装置は、ダイシングテープの拡張によってサファイアウェーハを分割可能であれば、どのような構成を有していてもよい。図3に示すように、テープ拡張装置301は、サファイアウェーハWに貼られたダイシングテープ132を拡張ドラム321により拡張することで、サファイアウェーハWを分割するように構成されている。テープ拡張装置301は、円盤状の円形台322と、円形台322の上面中央に設けられた拡張ドラム321とを有している。また、円形台322の上面において、拡張ドラム321の周囲には、サファイアウェーハWを保持する環状テーブル311を昇降させる4つの昇降機構323が設けられている。各昇降機構323は、エアシリンダであり、シリンダケース324から突出されたピストンロッド325を環状テーブル311に連結して構成される。環状テーブル311は、環状フレーム131を載置する載置面311aを有し、拡張ドラム321の上方にサファイアウェーハWを位置付ける。環状テーブル311の周囲には、環状フレーム131を四方から挟持固定する4つのクランプ部312が設けられている。拡張ドラム321は、環状フレーム131の内径より小さく、ダイシングテープ132に貼られたサファイアウェーハWの外径より大きなドラム径を有している。このため、拡張ドラム321の上端部は、ダイシングテープ132において、サファイアウェーハWの外縁部と環状フレーム131の内縁部との間の環状領域に当接される。拡張ドラム321とダイシングテープ132との当接により、ダイシングテープ132に引張力が作用して、サファイアウェーハWが改質層402に沿って分割される。ここで、テープ拡張装置301による分割加工動作について説明する。まず、環状テーブル311にサファイアウェーハWが固定されると、4つの昇降機構323により環状テーブル311が下降される。このとき、ダイシングテープ132の環状領域に拡張ドラム321の上端部が当接され、ダイシングテープ132に急激な引張力が作用する。この構成により、サファイアウェーハWが改質層402を分割起点として個々の光デバイスに分割される。個々の光デバイス411は、ピックアップコレット304により吸着され、ダイシングテープ132から剥離される。この場合、図4に示すように、光デバイス411は、直方体状を成すように破断され、裏面Wbと4側面Wc破断面との角部に階段状の面取り部Wdが形成される。なお、図4において、破線が発光層412からの光線を示し、一点鎖線が光デバイス411の界面に対する法線をそれぞれ示す。階段状の面取り部Wdは、サファイアウェーハWの段状の切削溝401の分割により形成される。この面取り部Wdにより、発光層412からの光線が、サファイア層413から外部に出射され易くなり、光デバイス411の輝度が向上される。側面Wcおよび裏面Wbで反射される光線が、面取り部Wdでは反射されずに透過され得るからである。より具体的には、発光層412からの破線で示される光線が、サファイア層413内で側面Wcに入射した場合、側面Wcを透過可能な臨界角度θ1は、サファイアと空気との屈折率に基づき、一点鎖線で示される法線に対して34.5度である。この臨界角度θ1内で光線が側面Wcに入射すれば光線が側面Wcにて全反射することは無いが、臨界角度θ1外から光線が側面Wcに入射すれば光線が側面Wcに全反射される。面取りによって裏面Wb側が多面形状に形成された光デバイス411では、角度保存が阻害され、臨界角度よりも大きな入射角度での反射の繰り返しが低減される。図4aに示すように、面取りされていない直方体状の光デバイス411の場合、臨界角度θ1外から光線が側面Wcに入射すると、反射角度が保存されてサファイア層413内で全反射が繰り返される場合がある。例えば、光線が臨界角度θ1外の入射角度θ2で側面に入射され、側面Wcにて全反射された光線が臨界角度θ1外の入射角度90-θ2で裏面に入射されて、さらに裏面Wbにて全反射される場合がある。この場合、光デバイス411の界面に対して臨界角度θ1外の入射角度θ2および入射角度90-θ2で光線の入射が繰り返されるため、全反射が繰り返されてサファイア層413内で消光する事態が生じ得る。一方、図4bに示すように、面取りされた直方体状の光デバイス411では、直交する側面Wcおよび裏面Wbの他に階段状の面取り部Wdが形成されるため、発光層412からの光線が界面に対して臨界角度θ1内で入射し易くなる。例えば、光線が臨界角度θ1外の入射角度θ3で側面Wcに入射され、側面Wcにて全反射された光線が臨界角度θ1内の入射角度θ4で階段状の面取り部Wdに入射される。また、光線が階段状の面取り部Wdにて臨界角度θ1外で反射される場合には、側面Wcや裏面Wbにて臨界角度θ1内の入射角度で入射され易くなる。このように、側面Wcや裏面Wbにて臨界角度θ1外の角度保存される入射角度で光線が入射しても、反射された光線が階段状の面取り部Wdにて角度保存が阻害される。このように、階段状の面取り部Wdによって、サファイア層413内の全反射の繰り返しが減少されることで、サファイア層413から出射する光線の量が多くなる。言い換えれば、光デバイス411のエスケープコーン任意の発光点から光線がサファイア層413と空気との界面を透過可能な範囲を広げることができる。このように、本実施の形態に係る光デバイス411は、裏面Wbの面取りにより輝度が向上される。図5および図6を参照して第1の実施の形態に係る分割方法の流れについて説明する。図5は、第1の実施の形態に係る分割方法の説明図である。図6は、第1の実施の形態に係るブレード幅とレーザースポット径との関係の説明図である。なお、ここで示す切削装置およびレーザー加工装置の加工条件は、一例に過ぎず適宜変更可能である。最初に、図5a、bに示すように、切削装置101において窪み形成工程が実施される。ここでは、例えば、ブレード回転数40000[min-1]、加工送り速度20[mm/s]で加工される。図5aに示すように、表面Waに発光層412が形成されたサファイアウェーハWの裏面Wbに、分割予定ラインに沿う浅溝405が形成される。ここでは、幅100[μm]の切削ブレード111によって、裏面Wbから7[μm]切り込まれて浅溝405が形成される。次に、図5bに示すように、サファイアウェーハWの裏面Wbの浅溝405に、分割予定ラインに沿う深溝406が形成される。ここでは、幅60[μm]の切削ブレード111によって、裏面Wbから8[μm]切り込まれて深溝406が形成される。この浅溝405及び深溝406により、サファイアウェーハWの裏面Wbに分割予定ラインに沿う段状の切削溝401が形成される。この場合、切削ブレード111として、先端形状に平坦面を有する切削ブレードが用いられ、段状の切削溝401の底面が平坦に形成される。この場合、切削ブレード111は、先端形状を平坦に形成可能で、かつ編摩耗し難いニッケルメッキにダイヤモンド砥粒を使用したブレードが用いられる。このため、切削ブレード111の先端の形状変化が抑制され、段状の切削溝401の底面を平坦に保った状態で加工できる。なお、切削ブレード111は、ニッケルメッキにより様々な先端形状および幅寸法で成形可能である。特に、深溝用の切削ブレード111の先端形状が、次工程の改質層形成工程で切削溝401の底部に形成されるレーザースポット径よりも、幅広の平坦面を有するものが好ましい。この切削ブレード111により形成された切削溝401には、図6に示すように、底面中央に改質層形成工程におけるレーザースポット径よりも大きな幅で平坦面401aが形成され、底面側方に平坦面401aとサファイアウェーハWの裏面Wbとを連ねる曲面401b、401cが形成される。平坦面401aは、詳細は後述するが、改質層形成工程における改質層402の精度向上に寄与する。曲面401b、401cは、角度保存を起こさない反射面を形成する外面形状であり、光デバイス411の輝度の向上に寄与している。よって、切削ブレード111の先端形状は、切削溝401における曲面401b、401cの範囲を広げるように、レーザースポット径と略同一の幅の平坦面を有するものがより好ましい。なお、切削溝401の底面側方に形成される面は、曲面形状に限らず、平坦面以外の面状態、すなわちサファイアウェーハWの裏面Wbに対して平行又は垂直でない平面Wbに対する傾斜面でもよい。また、切削ブレード111の砥粒は、粒径が大きすぎると面が荒くなるため、改質層形成工程でレーザービームが錯乱され精度のよい改質層402が形成できない。一方、切削ブレード111の粒径が小さすぎると、角度保存となる反射になり易いため好ましくない。したがって、切削ブレード111の粒径は、1000番~4000番粒径約2~17[μm]が好ましく、1500番~3000番粒径約3~9[μm]がより好ましく、1800番~2500番粒径約3~8[μm]がさらに好ましい。なお、本実施の形態では、切削ブレード111がダイヤモンド砥粒を使用したニッケルメッキブレードである構成としたが、この構成に限定されるものではない。切削ブレード111は、サファイアウェーハWを加工可能であれば、どのような構成でもよい。また、切削ブレード111は、一度に浅溝405及び深溝406を形成可能な段状の先端形状を有していてもよい。次に、図5cに示すように、レーザー加工装置201において改質層形成工程が実施される。ここでは、例えば、レーザービームとして、波長が1064[nm]、出力が0.3[W]、繰り返し周波数が100[kHz]のパルスレーザービームを用いる。改質層形成工程では、サファイアウェーハWの裏面Wbから所定の深さに焦点を合わせて、段状の切削溝401の下方に分割予定ラインに沿う改質層402を形成する。レーザー加工装置201は、切削溝401の平坦面401aを介してサファイアウェーハW内にレーザービームを集光するため、平坦面401aにおいてレーザービームの屈折および反射を低減して、レーザービームの集光精度を向上している。なお、ここでは、サファイアウェーハWの裏面Wbからの焦点深さを約40[μm]に設定することで、サファイアウェーハW内に焦点位置から上方に向かって約25[μm]程度の改質層402が形成される。この場合、レーザー加工装置201は、段状の切削溝401に届かないように改質層402を形成する。段状の切削溝401と改質層402とに隙間を設けることで、段状の切削溝401と改質層402との繋がりによる品質劣化や割れが防止される。次に、図5dに示すように、テープ拡張装置301において分割加工が実施される。分割加工では、サファイアウェーハWを保持した環状テーブル311が下降され、拡張ドラム321の上端部が環状テーブル311の載置面311aに対して相対的に上方に位置される。この結果、ダイシングテープ132には、拡張ドラム321の上端部に押し上げられて放射状に引張力が作用される。このダイシングテープ132の引張力により、強度が低下したサファイアウェーハWの改質層402に外力が加えられて、改質層402を起点として個々の光デバイス411に分割される。また、段状の切削溝401は、改質層402の上方に形成されるため、改質層402を境として左右に分割される。このため、光デバイス411の裏面側の角部が、窪み形成工程において形成された切削溝401により階段状に面取りされた状態となる。分割された光デバイス411は、ピックアップコレット304により吸着され、ダイシングテープ132から剥離される。このとき、各光デバイス411の間には隙間Sが形成されるため、隣接する光デバイス411が相互に接触することなくピックアップコレット304により容易にピックアップされる。光デバイス411は、上述したように裏面側の角部の階段状の面取りにより、発光層412からの光線がサファイア層413から外部に出射され易くなる。このように、本実施の形態に係る分割方法でサファイアウェーハWが分割されることにより、分割後の光デバイス411の輝度が向上される。図7を参照して、階段状の面取りによる光デバイスの輝度の向上について説明する。図7は、第1の実施の形態に係る分割方法で形成された光デバイスの輝度の測定結果の説明図である。図7aに示す光デバイス411の輝度を測定した。なお、ここでは、チップサイズ0.25×0.27[mm]とし、以下の加工条件で光デバイス411を形成した。位置情報サファイアウェーハの厚みa:100[μm]サファイアウェーハの裏面からの浅溝の切り込み量b:7[μm]サファイアウェーハの裏面からの深溝の切り込み量c:8[μm]浅溝の幅寸法d:50[μm]深溝の幅寸法e:30[μm]深溝の平坦面から改質層までの間隔f:7~12[μm]改質層の寸法g:20~25[μm]サファイアウェーハの裏面からの集光位置h:40[μm]切削加工条件ブレードの種類:ダイヤモンド砥粒を使用したニッケルメッキブレード砥粒の粒径:2000番ブレード回転数:40000[min-1]加工送り速度:20[mm/s]レーザー加工条件波長:1064波長[nm]繰り返し周波数:100[kHz]出力:0.3[W]加工送り速度:400[mm/s]この結果、図7bに示すような結果が得られた。図7bで得られた値は、サファイアウェーハWに改質層402のみを形成して分割した光デバイス411の輝度を100とした場合の値である。このように、サファイアウェーハWに階段状の面取り部Wdを形成することで、平均で約8輝度が向上することが分かる。これは、面取り部Wdを階段状に形成することで、角度保存とならない反射面の面積が増加して輝度が向上することを示している。なお、切削ブレード111のブレード幅は、改質層形成工程の加工条件や切削ブレードの製造歩留まりの関係から30[μm]以上300[μm]以下が好ましく、30[μm]以上200[μm]以下がより好ましく、50[μm]以上100[μm]以下がさらに好ましい。実際のブレード幅についてはチップサイズやウェーハの厚みに応じて上記範囲から適宜選定される。以上のように、第1の実施の形態に係る分割方法によれば、窪み形成工程でサファイアウェーハWの裏面に段状の切削溝が形成されることで、分割工程でサファイアウェーハWを分割して形成された個々の光デバイス411の角部が階段状に面取りされる。この面取りによって光デバイス411の裏面に多角形状の外形面が形成され、デバイス内で反射された光線が臨界角度以下で外形面に入射し易くなる。よって、発光層412からの光線が外部に出射され易くなり、光デバイス411の輝度を向上できる。なお、第1の実施の形態においては、窪み形成工程の前に、サファイアウェーハWにアブレーション加工によって予備溝を形成する予備溝形成工程を設けてもよい。図8を参照して、第1の実施の形態の変形例について説明する。図8は、第1の実施の形態の変形例に係る分割方法の流れの説明図である。なお、変形例に係る分割方法は、上記した分割方法と、予備溝形成工程を加えた点についてのみ相違する。したがって、ここでは、主に相違点についてのみ説明する。図8に示すように、第1の実施の形態の変形例に係る分割方法では、レーザー加工装置による予備溝形成工程、切削装置による窪み形成工程、レーザー加工装置による改質層形成工程、テープ拡張装置による分割工程を経て、サファイアウェーハWが分割される。なお、予備溝形成工程で用いられるレーザー加工装置は、サファイアウェーハWに対してアブレーション加工可能な構成であればよく、例えば、改質層形成工程で用いられるレーザー加工装置と同様なものでもよい。最初に、図8aに示すように、レーザー加工装置201により予備溝形成工程が実施される。ここでは、例えば、レーザービームとして、波長が355[nm]、出力が1.5[W]、繰り返し周波数が100[kHz]のレーザービームを用いる。予備溝形成工程では、アブレーション加工によりサファイアウェーハWの裏面Wbに、分割予定ラインに沿う予備溝403が形成される。アブレーション加工により形成された予備溝403の表面は、細かな凹凸状の溶融部を有している。次に、図8bに示すように、切削装置101により窪み形成工程が実施される。窪み形成工程では、上述した加工条件で幅広の切削ブレード111によって予備溝403をさらう仕上げ加工することで、予備溝403の溶融部が除去され、サファイアウェーハWの裏面Wbに浅溝405が形成される。さらに、図8cに示すように、幅狭の切削ブレード111によって浅溝405に深溝406が形成されることで、サファイアウェーハWの裏面に段状の切削溝401が形成される。窪み形成工程では、アブレーション加工時に発生する溶融部の除去により、切削溝401を介して光線を効果的に外部に出射可能とする。また、変形例に係る分割方法では、アブレーション加工により切削ブレード111による加工量が減少されるため、サファイアウェーハWのように硬いワークであっても、切削ブレード111の消耗が抑えられ、偏磨耗による切削ブレード111の先端の形状変化も抑制される。次に、図8dに示すように、レーザー加工装置201により改質層形成工程が実施される。改質層形成工程では、上述した加工条件で、サファイアウェーハWの内部に分割予定ラインに沿った改質層402が形成される。次に、図8eに示すように、テープ拡張装置301により分割工程が実施される。分割工程では、ダイシングテープ132に対して放射状に引張力が作用され、サファイアウェーハWが改質層402を起点として個々の光デバイス411に分割される。分割された個々の光デバイス411は、上述した実施の形態と同様に、裏面Wbの階段状の面取りにより輝度が向上される。以上のように、第1の実施の形態の変形例に係る分割方法によれば、アブレーション加工により予備溝403が形成されることで、サファイアウェーハWのように硬い材料であっても、切削溝401の形成時に切削ブレード111の消耗が抑えられる。また、変形例に係る分割方法においても、光デバイス411の面取りにより、発光層412からの光線が外部に出射され易くなり、輝度が向上される。続いて、第2の実施の形態について説明する。第2の実施の形態は、サファイアウェーハWに対して改質層を形成した後に、段状の切削溝を形成して分割する点において、第1の実施の形態と相違する。第2の実施の形態に係る分割方法を用いたサファイアウェーハの分割は、レーザー加工装置による改質層形成工程、切削装置による窪み形成工程を経て実施される。改質層形成工程では、サファイアウェーハの内部に分割予定ラインに沿った改質層が形成される。窪み形成工程では、表面に発光層が積層されたサファイアウェーハの裏面に、分割予定ラインに沿った窪みとしての段状の切削溝が形成されると同時に、サファイアウェーハが個々の光デバイスに分割される。すなわち、第2の実施の形態では、窪み形成工程と分割工程光デバイスウェーハ分割工程とが同時に実施される。これらの工程を経て分割された光デバイスは、窪み形成工程で形成された段状の切削溝により裏面側の角部が階段状に面取りされ、表面側に設けられた発光層からの光線が外部に出射され易くなる。なお、各工程で用いられる装置は、第1の実施の形態における装置と同様なため、説明を省略する。図9を参照して、第2の実施の形態に係る分割方法の流れについて説明する。図9は、第2の実施の形態に係る分割方法の説明図である。なお、ここで示すレーザー加工装置および切削装置の加工条件は、一例に過ぎず適宜変更可能である。最初に、図9aに示すように、レーザー加工装置201において改質層形成工程が実施される。ここでは、例えば、レーザービームとして、波長が1064[nm]、出力が0.3[W]、繰り返し周波数が100[kHz]のパルスレーザービームを用いる。改質層形成工程では、サファイアウェーハWの裏面Wbから所定の深さに焦点を合わせて、分割予定ラインに沿って改質層402を形成する。ここでは、サファイアウェーハWの裏面Wbからの焦点深さを約40[μm]に設定することで、サファイアウェーハW内に焦点位置から上方に向かって約25[μm]程度の改質層402が形成される。次に、図9b、cに示すように、切削装置101において窪み形成工程が実施される。ここでは、例えば、ブレード回転数40000[min-1]、加工送り速度20[mm/s]で加工される。図9bに示すように、表面Waに発光層412が形成されたサファイアウェーハWの裏面Wbに、分割予定ラインに沿う浅溝405が形成される。ここでは、幅150[μm]の切削ブレード111によって、裏面Wbから7[μm]切り込まれて浅溝405が形成される。次に、図9cに示すように、サファイアウェーハWの裏面Wbの浅溝405に、分割予定ラインに沿う深溝406が形成される。ここでは、幅60[μm]の切削ブレード111によって、裏面Wbから8[μm]切り込まれて深溝406が形成される。この浅溝405及び深溝406により、サファイアウェーハWの裏面Wbに分割予定ラインに沿う段状の切削溝401が形成される。このとき、切削ブレード111のサファイアウェーハWに対する切り込みにより改質層402に外力が加わり、この改質層402が分割起点となってサファイアウェーハWが分割予定ラインに沿って分割される。サファイアウェーハWに形成された段状の切削溝401は、改質層402の上方に形成され、改質層402を境として左右に分割される。このため、光デバイス411の裏面側の角部が、階段状に面取りされた状態となる。このように窪み形成工程は、サファイアウェーハWに対し切削溝401を形成して、個々の光デバイス411に面取りを施すと同時にサファイアウェーハWを分割する。また、切削ブレード111としては、摩耗し難いニッケルメッキにダイヤモンド砥粒を使用したブレードが好ましい。これにより、切削ブレード111の先端形状の変化が抑制され、サファイアウェーハWに良好な階段状の面取り部Wdを形成できる。また、切削ブレード111は、ニッケルメッキにより様々な先端形状および幅寸法で成形可能である。特に、切削ブレード111の先端形状は、例えば、曲面形状のように、サファイアウェーハWの裏面Wbに対して平行又は垂直とならない面裏面Wbに対する傾斜面を有することが好ましい。これにより、光デバイス411の面取り部Wdに角度保存を起こし難い反射面を形成することができ、光デバイス411の輝度が向上される。また、切削ブレード111の砥粒は、粒径が小さすぎると、角度保存となる反射になり易いため好ましくない。したがって、切削ブレード111の粒径は、1000番~4000番粒径約2~17[μm]が好ましく、1500番~3000番粒径約3~9[μm]がより好ましく、1800番~2500番粒径約3~8[μm]がさらに好ましい。なお、本実施の形態では、切削ブレード111がダイヤモンド砥粒を使用したニッケルメッキブレードである構成としたが、この構成に限定されるものではない。切削ブレード111は、サファイアウェーハWを加工可能であれば、どのような構成でもよい。また、切削ブレード111は、一度に浅溝405及び深溝406を形成可能な段状の先端形状を有していてもよい。そして、分割された光デバイス411は、ピックアップコレット304により吸着され、ダイシングテープ132から剥離される。光デバイス411は、上述したように裏面側の角部の面取りにより、発光層412からの光線がサファイア層413から外部に出射され易くなる。このように、本実施の形態に係る分割方法でサファイアウェーハWが分割されることにより、分割後の光デバイス411の輝度が向上される。図10を参照して、階段状の面取りによる光デバイスの輝度の向上について説明する。図10は、第2の実施の形態に係る分割方法で形成された光デバイスの輝度の測定結果の説明図である。図10aに示す光デバイス411の輝度を測定した。なお、ここでは、チップサイズ0.25×0.27[mm]とし、以下の加工条件で光デバイス411を形成した。位置情報サファイアウェーハの厚みa:100[μm]サファイアウェーハの裏面からの浅溝の切り込み量b:7[μm]サファイアウェーハの裏面からの深溝の切り込み量c:8[μm]浅溝の幅寸法d:75[μm]深溝の幅寸法e:30[μm]深溝の底面から改質層までの間隔f:7~12[μm]改質層の寸法g:20~25[μm]サファイアウェーハの裏面からの集光位置h:40[μm]切削加工条件ブレードの種類:ダイヤモンド砥粒を使用したニッケルメッキブレード砥粒の粒径:2000番ブレード回転数:40000[min-1]加工送り速度:20[mm/s]レーザー加工条件波長:1064波長[nm]繰り返し周波数:100[kHz]出力:0.3[W]加工送り速度:400[mm/s]この結果、図10bに示すような結果が得られた。図10bで得られた値は、サファイアウェーハWに改質層402のみを形成して分割した光デバイス411の輝度を100とした場合の値である。このように、サファイアウェーハWに階段状の面取り部Wdを形成することで、平均で約11輝度が向上することが分かる。これは、面取り部Wdを階段状に形成することで、角度保存とならない反射面の面積が増加して輝度が向上することを示している。このように、改質層形成工程後に窪み形成工程を実施して、サファイアウェーハWを分割した場合でも、光デバイス411の輝度を向上できる。なお、改質層形成工程では、改質層402の形成時にサファイアウェーハWの一部の分割予定ラインが分割される場合がある。一部の分割予定ラインが分割されると、サファイアウェーハWの搬送時等に分割部分に隙間が生じて、分割予定ラインが全体的に位置ズレする可能性がある。このような場合には、窪み形成工程において切削ブレード111としてブレード幅が大きいものを使用することで、分割予定ラインの位置ズレを吸収させてもよい。ブレード幅は、チップサイズやウェーハの厚みに応じて適宜選定されるが、切削ブレードの製造歩留まりを考慮して、50~300[μm]が好ましく、80~300[μm]がより好ましい。また、面取り分割工程では、ブレード幅を厚くする代わりに、切削装置101の不図示のアライメント装置によるアライメント処理の頻度を多くして、位置ズレした分割予定ラインに対する切削ブレード111の位置合わせ精度を高めてもよい。以上のように、第2の実施の形態に係る分割方法によれば、サファイアウェーハWに改質層402が形成された後に段状の切削溝401が形成されることで、切削溝401の形成時に改質層402に外力が加わり、サファイアウェーハWが改質層402を分割起点として分割される。このように、上記した第1の実施の形態と同様に光デバイスの輝度を向上されると共に、サファイアウェーハWに対する切削溝401の形成と同時に分割して、工程数を減らして作業効率を向上させることができる。なお、上記した第1、第2の実施の形態では、光デバイスの裏面側の角部を階段状に面取りして、光デバイスの輝度を向上させたが、これに限定されない。光デバイスは、裏面に設けられた溝や有底状の穴等の窪みによって裏面に対して様々な角度をもつ斜面や曲面等が形成されることで、表面側に設けられた発光層からの光線が外部に出射され易くなる。よって、光デバイスの裏面側に様々な角度をもつ斜面や曲面が形成されれば、どのような構成でもよい。続いて、光デバイスの裏面に溝や有底状の穴等の窪みを設けた第3の実施の形態について説明する。第3の実施の形態は、分割予定ライン上に切削溝を形成しない点おいて、第1、第2の実施の形態と相違する。図11は、第3の実施の形態に係る分割方法で形成された光デバイスの一例を示す上面模式図である。図11aに示すように、第3の実施の形態に係る光デバイス411は、例えば、裏面Wbの中央を通るように1本の切削溝401が形成されてもよい。また、図11bに示すように、光デバイス411は、裏面Wbに2本の切削溝401が並行に形成されてもよいし、図11cに示すように、光デバイス411は、裏面Wbに2本の切削溝401が十字状に交差して形成されてもよい。さらに、図11dに示すように、光デバイス411は、裏面Wbの中央部分に凹部407が形成されてもよい。なお、切削溝401及び凹部407は、第1、第2の実施の形態と同様に段状に形成されていてもよい。なお、図11に示す光デバイス411は、一例に過ぎず、窪みの形状及び数等が限定されない。図11a-cに示す光デバイス411は、窪み形成工程において隣接する分割予定ラインの間に切削溝401を設けて、サファイアウェーハWを分割予定ラインに沿って分割することで形成される。図11dに示す光デバイス411は、窪み形成工程において隣接する分割予定ラインの間に凹部407を断続的に設けて、サファイアウェーハWを分割予定ラインに沿って分割することで形成される。凹部407は、例えば、図12に示すように、加工送り方向に数ピッチ間隔で、サファイアウェーハWに対して切削ブレード111をZ軸方向に切り込ませることで形成される。図13を参照して、第3の実施の形態に係る分割方法の流れについて説明する。図13は、第3の実施の形態に係る分割方法の説明図である。なお、ここで示す切削装置およびレーザー加工装置の加工条件は、一例に過ぎず適宜変更可能である。ここでは、図11aに示す光デバイスを形成する例について説明する。最初に、図13aに示すように、切削装置101において窪み形成工程が実施される。ここでは、例えば、ブレード回転数20000[min-1]、加工送り速度10[mm/s]で加工される。窪み形成工程では、表面Waに発光層412が形成されたサファイアウェーハWの裏面Wbに、隣接する分割予定ライン間に切削溝401が形成される。なお、切削ブレード111は、第1、第2の実施の形態と同様なニッケルメッキにダイヤモンド砥粒を使用したブレードが用いられる。次に、図13bに示すように、レーザー加工装置201において改質層形成工程が実施される。ここでは、例えば、レーザービームとして、波長が1064[nm]、出力が0.3[W]、繰り返し周波数が100[kHz]のパルスレーザービームを用いる。改質層形成工程では、サファイアウェーハWの裏面Wbから所定の深さに焦点を合わせて、分割予定ラインに沿う改質層402を形成する。次に、図13cに示すように、テープ拡張装置301において分割加工光デバイスウェーハ分割工程が実施される。分割加工では、サファイアウェーハWを保持した環状テーブル311が下降され、拡張ドラム321の上端部が環状テーブル311の載置面311aに対して相対的に上方に位置される。この結果、ダイシングテープ132には、拡張ドラム321の上端部に押し上げられて放射状に引張力が作用される。このダイシングテープ132の引張力により、強度が低下したサファイアウェーハWの改質層402に外力が加えられて、改質層402を起点として個々の光デバイス411に分割される。分割された光デバイス411は、ピックアップコレット304により吸着され、ダイシングテープ132から剥離される。このとき、各光デバイス411の間には隙間Sが形成されるため、隣接する光デバイス411が相互に接触することなくピックアップコレット304により容易にピックアップされる。光デバイス411は、裏面Wbに形成された切削溝401により、様々な角度をもつ斜面や曲面が形成され、発光層412からの光線がサファイア層413から外部に出射され易くなる。このように、本実施の形態に係る分割方法でサファイアウェーハWが分割されることにより、分割後の光デバイス411の輝度が向上される。以上のように、第3の実施の形態に係る分割方法によれば、個々の光デバイス411の裏面に切削溝401が形成される。この切削溝401によって光デバイス411の裏面に様々な角度をもつ斜面や曲面等の多角形状の外形面が形成され、デバイス内で反射された光線が臨界角度以下で外形面に入射し易くなる。よって、発光層412からの光線が外部に出射され易くなり、光デバイス411の輝度を向上できる。なお、第3の実施の形態においては、切削溝401窪みが分割予定ライン上に形成されないため、窪み形成工程及び改質層形成工程のいずれを先に実施してもよい。また、第3の実施の形態においては、第1の実施の形態の変形例と同様に、窪み形成工程の前にアブレーション加工による予備工程を設けてもよい。このアブレーション加工により窪みを形成することにより、窪み形成工程において切削ブレード111による加工量が減少され、切削ブレード111の消耗等が抑えられる。また、第1-第3の実施の形態の窪み形成工程において、切削ブレード111によって窪みを形成する構成としたが、これに限定されない。窪み形成工程は、サファイアウェーハWに対して窪みを形成可能であればよく、例えば、ポイントスクライバーを用いて窪みを形成してもよい。この場合、ポイントスクライバーは、先端に四角錐台形状のダイヤモンドチップを固定したシャンクとサファイアウェーハWを保持したチャックテーブルとを相対移動させて、サファイアウェーハWに窪みを形成するように構成されている。なお、ポイントスクライバーは、切削装置101と同様にシャンクとチャックテーブルとをX、Y、Z軸方向に相対的に移動可能としている。また、切削ブレード111の先端形状は、特に限定されるものではなく、例えば、図14に示すようなベベルブレードを用いてもよい。例えば、図14aに示すようにブレード幅が異なるベベルブレードによりV字状の段状の切削溝401を形成する。図14bに示すように、サファイアウェーハWが分割されると、光デバイス411の角部がV字状の切削溝401により階段状に面取りされた状態となる。また、ベベルブレードにより光デバイス411の裏面Wbの中央等に溝や有底穴の窪みを設けてもよい。また、第1、第3の実施の形態の分割工程においては、テープ拡張装置によりサファイアウェーハを分割する構成としたが、この構成に限定されるものではない。分割工程は、サファイアウェーハに外力を加えて分割可能な装置であれば、テープ拡張装置以外の装置で分割する構成としてもよい。また、第1、第3の実施の形態の分割方法では、改質層形成工程において、サファイアウェーハWの内部に形成された改質層402に外力を付与して、サファイアウェーハWを個々の光デバイス411に分割したが、これに限定されない。サファイアウェーハWは、分割予定ラインに沿って光デバイス411に分割される構成であればよく、例えば、改質層402を形成せずに切削ブレード111により分割されてもよい。また、今回開示された実施の形態は、全ての点で例示であってこの実施の形態に制限されるものではない。本発明の範囲は、上記した実施の形態のみの説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。