外部からの影響によって素子を伝わる弾性表面波の特性が変化して素子の出力が変化する第1弾性表面波素子及び第2弾性表面波素子及び第3弾性表面波素子を備えた弾性表面波センサであって、前記第1弾性表面波素子及び前記第2弾性表面波素子は、温度変化に対し素子の出力が同じであるとともに、前記第3弾性表面波素子は、前記第1弾性表面波素子及び前記第2弾性表面波素子とは温度変化に対し素子の出力が異なり、且つ、前記第1弾性表面波素子は、前記温度以外の測定対象の状態の変化によって素子の出力が変化するように構成された素子であることを特徴とする弾性表面波センサ。無線によって外部装置との信号の送受信が可能な構成を備えたことを特徴とする請求項1に記載の弾性表面波センサ。前記測定対象は、圧力であることを特徴とする請求項1又は2に記載の弾性表面波センサ。前記第1弾性表面波素子に対して、前記圧力に対応する押圧力を印加する押圧力印加部を備えたことを特徴とする請求項3に記載の弾性表面波センサ。前記第1弾性表面波素子と前記第2弾性表面波素子と前記第3弾性表面波素子とは、それぞれ各素子における信号の遅延時間が全て異なるように設定されていることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の弾性表面波センサ。前記第1弾性表面波素子は、弾性表面波を発生させる電極と、前記電極にて発生した弾性表面波を反射させる反射器とを備え、前記第1弾性表面波素子の反射器は、外部からの押圧力が印加された場合に弾性変形する構成を有するとともに、前記反射器に対して押圧力を印加する押圧力印加部を備えたことを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の弾性表面波センサ。前記請求項1~6のいずれか1項に記載の弾性表面波センサを備えた圧力のセンシングシステムであって、前記第1弾性表面波素子に前記圧力に対応する押圧力が加わった場合に、前記第1弾性表面波素子の出力電圧と前記第2弾性表面波素子の出力電圧との電圧差を示す第1の演算値を求める第1演算手段と、前記第3弾性表面波素子の出力電圧と前記第2弾性表面波素子の出力電圧との電圧差を示す第2の演算値を求める第2演算手段と、前記第2の演算値に基づいて、温度による素子の基板変化量を求める第3演算手段と、前記第1の演算値と圧力による素子の基板変化量との関係を用い、前記温度による素子の基板変化量に基づいて、圧力及び温度による素子の基板変化量を求める際の基準となる温度補正量を求める第4演算手段と、前記温度補正量に前記第1の演算値を加算して、加算値を求める第5演算手段と、前記加算値に基づいて、圧力及び温度による素子の基板変化量を求める第6演算手段と、前記圧力及び温度による素子の基板変化量と前記温度による素子の基板変化量との差から、圧力による素子の基板変化量を求める第7演算手段と、前記圧力による素子の基板変化量に基づいて、前記圧力を算出する第8演算手段と、を備えたことを特徴とするセンシングシステム。前記請求項1~6のいずれか1項に記載の弾性表面波センサを備えた圧力のセンシングシステムであって、前記第1弾性表面波素子に前記圧力に対応する押圧力が加わった場合に、前記第1弾性表面波素子の出力電圧と前記第2弾性表面波素子の出力電圧との電圧差を示す第1の演算値を求める第1演算手段と、前記第3弾性表面波素子の出力電圧と前記第2弾性表面波素子の出力電圧との電圧差を示す第2の演算値を求める第2演算手段と、前記第2の演算値に基づいて、温度による素子の基板変化量を求める第3演算手段と、前記第2の演算値と前記第1の演算値との関係を用い、前記第2の演算値に基づいて、圧力及び温度による素子の基板変化量を求める際の基準となる温度補正量を求める第4演算手段と、前記温度補正量に前記第1の演算値を加算して、加算値を求める第5演算手段と、前記加算値に基づいて、圧力及び温度による素子の基板変化量を求める第6演算手段と、前記圧力及び温度による素子の基板変化量と前記温度による素子の基板変化量との差から、圧力による素子の基板変化量を求める第7演算手段と、前記圧力による素子の基板変化量に基づいて、前記圧力を算出する第8演算手段と、を備えたことを特徴とするセンシングシステム。前記請求項1~6のいずれか1項に記載の弾性表面波センサを備えた圧力のセンシングシステムであって、前記第1弾性表面波素子に前記圧力に対応する押圧力が加わった場合に、前記第1弾性表面波素子の出力電力と前記第2弾性表面波素子の出力電力との電力比を示す第1の演算値を求める第1演算手段と、前記第3弾性表面波素子の出力電力と前記第2弾性表面波素子の出力電力との電力比を示す第2の演算値を求める第2演算手段と、前記第2の演算値に基づいて、温度による素子の基板変化量を求める第3演算手段と、前記第1の演算値と圧力による素子の基板変化量との関係を用い、前記温度による素子の基板変化量に基づいて、圧力及び温度による素子の基板変化量を求める際の基準となる温度補正量を求める第4演算手段と、前記温度補正量に前記第1の演算値を加算して、加算値を求める第5演算手段と、前記加算値に基づいて、前記加算値から圧力及び温度による素子の基板変化量を求める第6演算手段と、前記圧力及び温度による素子の基板変化量と前記温度による素子の基板変化量との差から、圧力による素子の基板変化量を求める第7演算手段と、前記圧力による素子の基板変化量に基づいて、前記圧力を算出する第8演算手段と、を備えたことを特徴とするセンシングシステム。前記請求項1~6のいずれか1項に記載の弾性表面波センサを備えた圧力のセンシングシステムであって、前記第1弾性表面波素子に前記圧力に対応する押圧力が加わった場合に、前記第1弾性表面波素子の出力電力と前記第2弾性表面波素子の出力電力との電力比を示す第1の演算値を求める第1演算手段と、前記第3弾性表面波素子の出力電力と前記第2弾性表面波素子の出力電力との電力比を示す第2の演算値を求める第2演算手段と、前記第2の演算値に基づいて、温度による素子の基板変化量を求める第3演算手段と、前記第2の演算値と前記第1の演算値との関係を用い、前記第2の演算値に基づいて、圧力及び温度による素子の基板変化量を求める際の基準となる温度補正量を求める第4演算手段と、前記温度補正量に前記第1の演算値を加算して、加算値を求める第5演算手段と、前記加算値に基づいて、圧力及び温度による素子の基板変化量を求める第6演算手段と、前記圧力及び温度による素子の基板変化量と前記温度による素子の基板変化量との差から、圧力による素子の基板変化量を求める第7演算手段と、前記圧力による素子の基板変化量に基づいて、前記圧力を算出する第8演算手段と、を備えたことを特徴とするセンシングシステム。前記外部装置は、無線により前記弾性表面波センサに対して高周波信号を印加する高周波印加部と、無線により前記弾性表面波センサからの信号を受信する信号受信部と、該信号受信部にて受信した信号を検知する信号検知部とを備えたことを特徴とする請求項7~10のいずれか1項に記載のセンシングシステム。前記第1弾性表面波素子と前記第2弾性表面波素子と前記第3弾性表面波素子との遅延時間が全て異なり、且つ、前記第1弾性表面波素子と前記第2弾性表面波素子と前記第3弾性表面波素子との遅延時間が、全て前記外部装置より出力される出力信号時間より長く、且つ、前記第1弾性表面波素子と前記第2弾性表面波素子と前記第3弾性表面波素子との最大遅延時間が、最小遅延時間の2倍より短いことを特徴とする請求項7~11のいずれか1項に記載のセンシングシステム。前記請求項1~6のいずれか1項に記載の弾性表面波センサを用いて圧力を測定する圧力測定方法であって、前記第1弾性表面波素子に前記圧力に対応する押圧力が加わった場合に、前記第1弾性表面波素子の出力電圧と前記第2弾性表面波素子の出力電圧との電圧差を示す第1の演算値を求める第1演算工程と、前記第3弾性表面波素子の出力電圧と前記第2弾性表面波素子の出力電圧との電圧差を示す第2の演算値を求める第2演算工程と、前記第2の演算値に基づいて、温度による素子の基板変化量を求める第3演算工程と、前記第1の演算値と圧力による素子の基板変化量との関係を用い、前記温度による素子の基板変化量に基づいて、圧力及び温度による素子の基板変化量を求める際の基準となる温度補正量を求める第4演算工程と、前記温度補正量に前記第1の演算値を加算して、加算値を求める第5演算工程と、前記加算値に基づいて、圧力及び温度による素子の基板変化量を求める第6演算工程と、前記圧力及び温度による素子の基板変化量と前記温度による素子の基板変化量との差から、圧力による素子の基板変化量を求める第7演算工程と、前記圧力による素子の基板変化量に基づいて、前記圧力を算出する第8演算工程と、を備えたことを特徴とする圧力測定方法。前記請求項1~6のいずれか1項に記載の弾性表面波センサを用いて圧力を測定する圧力測定方法であって、前記第1弾性表面波素子に前記圧力に対応する押圧力が加わった場合に、前記第1弾性表面波素子の出力電圧と前記第2弾性表面波素子の出力電圧との電圧差を示す第1の演算値を求める第1演算工程と、前記第3弾性表面波素子の出力電圧と前記第2弾性表面波素子の出力電圧との電圧差を示す第2の演算値を求める第2演算工程と、前記第2の演算値に基づいて、温度による素子の基板変化量を求める第3演算工程と、前記第2の演算値と前記第1の演算値との関係を用い、前記第2の演算値に基づいて、圧力及び温度による素子の基板変化量を求める際の基準となる温度補正量を求める第4演算工程と、前記温度補正量に前記第1の演算値を加算して、加算値を求める第5演算工程と、前記加算値に基づいて、圧力及び温度による素子の基板変化量を求める第6演算工程と、前記圧力及び温度による素子の基板変化量と前記温度による素子の基板変化量との差から、圧力による素子の基板変化量を求める第7演算工程と、前記圧力による素子の基板変化量に基づいて、前記圧力を算出する第8演算工程と、を備えたことを特徴とする圧力測定方法。前記請求項1~6のいずれか1項に記載の弾性表面波センサを用いて圧力を測定する圧力測定方法であって、前記第1弾性表面波素子に前記圧力に対応する押圧力が加わった場合に、前記第1弾性表面波素子の出力電力と前記第2弾性表面波素子の出力電力との電力比を示す第1の演算値を求める第1演算工程と、前記第3弾性表面波素子の出力電力と前記第2弾性表面波素子の出力電力との電力比を示す第2の演算値を求める第2演算工程と、前記第2の演算値に基づいて、温度による素子の基板変化量を求める第3演算工程と、前記第1の演算値と圧力による素子の基板変化量との関係を用い、前記温度による素子の基板変化量に基づいて、圧力及び温度による素子の基板変化量を求める際の基準となる温度補正量を求める第4演算工程と、前記温度補正量に前記第1の演算値を加算して、加算値を求める第5演算工程と、前記加算値に基づいて、前記加算値から圧力及び温度による素子の基板変化量を求める第6演算工程と、前記圧力及び温度による素子の基板変化量と前記温度による素子の基板変化量との差から、圧力による素子の基板変化量を求める第7演算工程と、前記圧力による素子の基板変化量に基づいて、前記圧力を算出する第8演算工程と、を備えたことを特徴とする圧力測定方法。前記請求項1~6のいずれか1項に記載の弾性表面波センサを用いて圧力を測定する圧力測定方法であって、前記第1弾性表面波素子に前記圧力に対応する押圧力が加わった場合に、前記第1弾性表面波素子の出力電力と前記第2弾性表面波素子の出力電力との電力比を示す第1の演算値を求める第1演算工程と、前記第3弾性表面波素子の出力電力と前記第2弾性表面波素子の出力電力との電力比を示す第2の演算値を求める第2演算工程と、前記第2の演算値に基づいて、温度による素子の基板変化量を求める第3演算工程と、前記第2の演算値と前記第1の演算値との関係を用い、前記第2の演算値に基づいて、圧力及び温度による素子の基板変化量を求める際の基準となる温度補正量を求める第4演算工程と、前記温度補正量に前記第1の演算値を加算して、加算値を求める第5演算工程と、前記加算値に基づいて、圧力及び温度による素子の基板変化量を求める第6演算工程と、前記圧力及び温度による素子の基板変化量と前記温度による素子の基板変化量との差から、圧力による素子の基板変化量を求める第7演算工程と、前記圧力による素子の基板変化量に基づいて、前記圧力を算出する第8演算工程と、を備えたことを特徴とする圧力測定方法。しかしながら、上述した従来技術の様に、両SAW素子の出力電圧値の差の変化から、目的とする測定対象の状態例えば圧力を検知する場合でも、好適に測定対象の状態を検知できないことがあった。つまり、弾性表面波センサの特性特にSAW素子の反射係数と周波数との関係は温度によって影響を受け、温度によって同じ圧力でも異なった出力電圧値となるので、単にSAW素子の出力電圧値の差を取っただけでは、精度良く測定対象の状態を検出できないことがあった。すなわち、温度と圧力の変化が同時に発生するような状況では、両SAW素子の特性自体が変化する状態となるので、単にSAW素子の出力電圧値の差を取っただけでは、精度良く測定対象の状態を検出できないという問題があった。本発明は、こうした問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、温度が変化した場合でも、例えば圧力等の目的とする測定対象の状態を精度良く検知することができる弾性表面波センサ、センシングシステム、及び圧力測定方法を提供することを目的とする。1本発明の弾性表面波センサは、第1態様として、外部からの影響によって素子を伝わる弾性表面波の特性が変化して素子の出力が変化する第1弾性表面波素子及び第2弾性表面波素子及び第3弾性表面波素子を備えた弾性表面波センサであって、前記第1弾性表面波素子及び前記第2弾性表面波素子は、温度変化に対し素子の出力が同じであるとともに、前記第3弾性表面波素子は、前記第1弾性表面波素子及び前記第2弾性表面波素子とは温度変化に対し素子の出力が異なり、且つ、前記第1弾性表面波素子は、前記温度以外の測定対象の状態の変化によって素子の出力が変化するように構成された素子であることを特徴とする。本発明では、第1弾性表面波素子及び第2弾性表面波素子は、温度変化に対し素子の出力例えば電圧や電力が同じであるが、第3弾性表面波素子は、第1弾性表面波素子及び第2弾性表面波素子とは温度変化に対し素子の出力例えば電圧や電力が異なる。また、第1弾性表面波素子は、例えば圧力等の温度以外の測定対象の状態の変化によって素子の出力例えば電圧や電力が変化するように構成された素子である。従って、これらの各出力を用いて、例えば後述する請求項7~16に記載の様に、温度の影響を排除して、測定対象の状態例えば圧力を精度良く検出することができる。なお、前記各弾性表面波素子としては、圧電基板上に櫛歯電極、反射器等の電極を備えた素子が挙げられるが、各素子において、例えば反射器反射係数の周波数特性が異なる場合には、同じ温度変化であっても、温度変化によって各素子の出力例えば電圧や電力が異なる。2本発明では、第2態様として、無線によって外部装置との信号の送受信が可能な構成とすることができる。3本発明では、第3態様として、測定対象を圧力とすることができる。4本発明では、第4態様として、押圧力印加部によって、第1弾性表面波素子に対して圧力に対応する押圧力を印加することができる。5本発明では、第5態様として、第1弾性表面波素子と第2弾性表面波素子と第3弾性表面波素子とにおける信号の遅延時間が全て異なるように設定することができる。これにより、弾性表面波センサから送信された各素子からの信号を受信した外部装置送受信機では、各素子からの信号を時間によって分離することが可能になる。6本発明では、第6態様として、第1弾性表面波素子は、弾性表面波を発生させる電極と、電極にて発生した弾性表面波を反射させる反射器とを備え、この反射器は、外部からの押圧力が印加された場合に弾性変形する構成を有するとともに、反射器に対して押圧力を印加する押圧力印加部を備えた構成とすることができる。これにより、第1弾性表面波素子の押圧力印加部によって反射器に対して応力を印加すると、反射器は弾性変形してたわむことにより、その反射係数が変化する。よって、反射係数の変化によって大きく変動する応答例えば応答信号の電圧レベルに基づいて、印加された応力を検出することができる。また、電極を、応力が印加された場合でも変形しないように固定することもできる。これにより、応力が印加された場合でも、電極自体は変形しないので従って電極の反射係数は変化しないので、反射器自体の反射係数の変化に基づく応答の変化を精度良く検出することができる。さらに、押圧力印加部を、応力に応じて変形する弾性部材を介して該応力を受けるように構成することで、応力の変化を好適に弾性表面波素子側に伝達することができる。7本発明のセンシングシステムは、第7態様として、前記請求項1~6のいずれか1項に記載の弾性表面波センサを備えた圧力のセンシングシステムであって、前記第1弾性表面波素子に前記圧力に対応する押圧力が加わった場合に、前記第1弾性表面波素子の出力電圧と前記第2弾性表面波素子の出力電圧との電圧差を示す第1の演算値を求める第1演算手段と、前記第3弾性表面波素子の出力電圧と前記第2弾性表面波素子の出力電圧との電圧差を示す第2の演算値を求める第2演算手段と、前記第2の演算値に基づいて、温度による素子の基板変化量を求める第3演算手段と、前記第1の演算値と圧力による素子の基板変化量との関係を用い、前記温度による素子の基板変化量に基づいて、圧力及び温度による素子の基板変化量を求める際の基準となる温度補正量を求める第4演算手段と、前記温度補正量に前記第1の演算値を加算して、加算値を求める第5演算手段と、前記加算値に基づいて、圧力及び温度による素子の基板変化量を求める第6演算手段と、前記圧力及び温度による素子の基板変化量と前記温度による素子の基板変化量との差から、圧力による素子の基板変化量を求める第7演算手段と、前記圧力による素子の基板変化量に基づいて、前記圧力を算出する第8演算手段と、を備えたことを特徴とする。次に、各素子の出力を用いて、圧力を求めることができる原理を、図1に基づいて説明する。各弾性表面波素子においては、その弾性表面波を発生する部材基板は、温度によってその形状寸法が異なるとともに以下その変化量を基板変化量と称する、圧力が加わっても基板変化量が異なる。第7態様では、この様に、素子特性は、温度変化及び印加による圧力変化に応じて、共に基板変化量として表すことができるという知見に基づいており、この基板変化量を利用して、弾性表面波素子に加わった圧力又は温度を検出する。即ち、図1の横軸X軸に示す様に、温度及び圧力の変化は、基板変化量として同一軸上にプロットすることができるので、以下に示す手順の様に、この基板変化量に基づいて、温度変化があった場合でも、印加された圧力の変化を検知することができる。ここで、図1の横軸X軸は、温度又は圧力による基板変化量を示し、縦軸Y軸は、素子間の出力電圧の差又は電力比を示している。また、同図の実線のグラフ圧力マップは、温度を一定として、第1弾性表面波素子SAW1に印加する圧力を変化させた場合に、第1弾性表面波素子SAW1と第2弾性表面波素子SAW2との出力電圧の差又は電力比:反射電力比の変化を示すグラフである。同図の点線で示すグラフ温度マップは、圧力の印加なく温度を変化させた場合に、第3弾性表面波素子SAW3と第2弾性表面波素子SAW2との出力電圧の差又は電力比:反射電力比の変化を示すグラフである。なお、前記マップではなく、演算式で規定してもよいが、以下ではマップで説明する。なお、本第7態様では、第1弾性表面波素子は、圧力及び温度に反応する圧力温度極であり、第2弾性表面波素子は、温度のみに反応し、後述の計算における圧力の基準となる圧力基準極及び温度の基準となる温度基準極であり、第3弾性表面波素子は、温度のみに反応する温度極である。具体的には、図1に例示する様に、まず、第1演算手段により、第1弾性表面波素子の出力電圧と第2弾性表面波素子の出力電圧との電圧差第1の演算値:VSAW1-VSAW2を求める。ここで、第1弾性表面波素子と第2弾性表面波素子とは温度に対する特性が同じであり、両素子の特性例えば反射係数と周波数との関係は温度によって変化する。従って、この第1の演算値には、圧力と温度とによる影響が含まれている。また、第2演算手段により、第3弾性表面波素子の出力電圧と第2弾性表面波素子の出力電圧との電圧差第2の演算値:VSAW3-VSAW2を求める同図1参照。ここで、第2弾性表面波素子と第3弾性表面波素子とには圧力が加わっておらず温度に対する特性が異なり、この第2の演算値には、圧力による影響は無く温度による影響が含まれている。なお、予め第3、第2弾性表面波素子の温度特性を調べておくことにより、この第2の演算値により、温度の影響を抽出することができる。つまり、第3、第2弾性表面波素子の出力は、温度によって変化するので従って両素子の出力電圧の差も温度によって変化するので、第2演算値から温度を求めることができる。そして、この第2の演算値である電圧差VSAW3-VSAW2は、温度のみによる基板変化量に対応しているので、第3演算手段により、この電圧差と温度による基板変化量とのマップ温度マップを用い、前記電圧差から温度による基板変化量を求める同図2参照。また、前記第1の演算値と圧力による素子の基板変化量とは所定の対応関係があるので、第4演算手段では、この第1の演算値と圧力による素子の基板変化量との関係例えば圧力マップを用いて、前記温度による基板変化量から、圧力及び温度による基板変化量を求める際の基準となる圧力基準値即ち、圧力のみによる基板の変化量を求める際の初期値である温度補正量を求める同図3参照。なお、この温度補正量圧力基準値は、圧力マップから得られる。ここで、温度補正量という概念について、第1弾性表面波素子と第2弾性表面波素子とは温度に対する特性が同じであることから、前述の圧力マップに対してその温度変化時の圧力マップは、その基準点を、圧力マップ上をシフトさせたものとみなすことができる。したがって、第3演算手段による温度による基板変化量を求めることにより、圧力マップの基準点のシフト量すなわち温度補正量を求めるのである。そして、圧力及び温度の影響を含む電圧差を求めるために、第5演算手段によって、初期値である温度補正量に圧力及び温度の影響を含む第1の演算値を加算して、加算値を求める。また、加算値と圧力及び温度による基板変化量とには所定の関係があるので、第6演算手段では、圧力及び温度の影響を含む電圧差と圧力及び温度による基板変化量との関係例えば圧力マップを用いて、加算値から圧力及び温度による基板変化量を求める同図4参照。次に、第7演算手段により、圧力及び温度による基板変化量と温度による基板変化量との差から、圧力による基板変化量を求め同図5参照、第8演算手段により、圧力による基板変化量に基づいて、圧力を算出する。つまり、本第7態様では、第3弾性表面波素子と第2弾性表面波素子との電圧差に対応した温度による基板変化量を求め、温度マップ等を用いてこの温度による基板変化量から温度補正量を求める。この温度補正量は、ある温度条件における圧力マップ等の圧力による基板変化量の変化の開始点圧力基準点と見なせるので、この温度補正量に第1の演算値を加算し、この加算値に基づいて、圧力及び温度に対応した基板変化量を求めることができる。よって、この圧力及び温度による基板変化量から温度による基板変化量を除くことにより、圧力のみに対応した基板変化量を求めることができるので、この圧力のみに対応した基板変化量から圧力を求めることができる。なお、図2に示す様に、一定の圧力下においては、温度条件が異なれば、各素子間の電圧差や電力比は異なるが、即ち、温度による基板変化量は異なるが、そのときは、温度によって変化する圧力基準値が異なるだけであるので、圧力による基板変化量は同じである。即ち、検知される圧力は同じである。ここで、温度によって、素子の特性特に反射係数:従って出力例えば電圧が変化することを説明する。図3aに示す様に、弾性表面波素子に用いられる周知の電極例えば櫛歯電極:IDTの反射係数は、櫛歯電極に入力される入力信号の周波数によって異なる。例えば温度が25°Cの場合に同図の実線で示す特性が、温度が50°Cに上がると同図の破線のように変化する。また、図3bに示す様に、弾性表面波素子に用いられる周知の反射器リフレクタの反射係数も、反射器に入力される入力信号の周波数によって異なる。例えば温度が25°Cの場合に同図のX1~X3で示す特性が、温度が50°Cに上がると同図のY1~Y3のように変化する。なお、X1、Y1は、弾性表面波素子に圧力が加わっていない状態の特性を示し、X2、Y2は、200[kPa]の圧力が加わった場合の特性を示し、X3、Y3は、400[kPa]の圧力が加わった場合の特性を示している。このような弾性表面波素子の場合は、その出力ここでは電圧は、例えば図4に示す様になる。なお、同図において、PX1~X3が、25°Cの場合の信号強度電圧を示し、PY1~Y3が、50°Cの場合の信号強度を示す。つまり、前記弾性表面波素子を用いた場合は、図5に示す様に、同じ圧力であっても、温度が異なれば異なる信号強度となる。従って、本発明では、この様な弾性表面波素子の温度による影響を解消するために、上述した構成としたものである。つまり、従来の様に、例えば温度と圧力を検出する素子の出力と温度のみを検出する素子の出力との差を取る場合を考えると、具体的には、例えば温度25°Cにて圧力が200~400[kPa]に変化したときに所定の出力電圧差ΔTが得られた場合を考えると、圧力や温度が変化した他の条件で同様な出力電圧差ΔTが得られたときには、単純に出力電圧差ΔTから精度良く圧力を検出することは容易ではない。従って、本発明では、上述した様に、3種の弾性表面波素子を設け、この素子出力を利用することにより、圧力と温度が共に変化する状況であっても、温度の影響を好適に排除して、目的とする測定対象の状態圧力を精度良く検出することができる。8本発明は、第8態様として、前記請求項1~6のいずれか1項に記載の弾性表面波センサを備えた圧力のセンシングシステムであって、前記第1弾性表面波素子に前記圧力に対応する押圧力が加わった場合に、前記第1弾性表面波素子の出力電圧と前記第2弾性表面波素子の出力電圧との電圧差を示す第1の演算値を求める第1演算手段と、前記第3弾性表面波素子の出力電圧と前記第2弾性表面波素子の出力電圧との電圧差を示す第2の演算値を求める第2演算手段と、前記第2の演算値に基づいて、温度による素子の基板変化量を求める第3演算手段と、前記第2の演算値と前記第1の演算値との関係を用い、前記第2の演算値に基づいて、圧力及び温度による素子の基板変化量を求める際の基準となる温度補正量を求める第4演算手段と、前記温度補正量に前記第1の演算値を加算して、加算値を求める第5演算手段と、前記加算値に基づいて、圧力及び温度による素子の基板変化量を求める第6演算手段と、前記圧力及び温度による素子の基板変化量と前記温度による素子の基板変化量との差から、圧力による素子の基板変化量を求める第7演算手段と、前記圧力による素子の基板変化量に基づいて、前記圧力を算出する第8演算手段と、を備えたことを特徴とする。本第8態様は、前記第7態様とは、第4演算手段が異なっている。つまり、この第4演算手段では、第2の演算値と第1の演算値との関係を用い、第2の演算値から、第2の演算値に対応した第1の演算値である圧力及び温度による基板変化量を求める際の基準圧力基準値となる温度補正量を求め、以後第7態様と同様な演算を行っている。従って、予め第2の演算値と第1の演算値との関係を示す例えばオフセットマップ等を作っておけば、第2の演算値から温度による基板変化量を利用することなく温度補正量を求めることができる。本第8態様によっても、前記第7態様と同様な効果が得られる。9本発明は、第9態様として、前記請求項1~6のいずれか1項に記載の弾性表面波センサを備えた圧力のセンシングシステムであって、前記第1弾性表面波素子に前記圧力に対応する押圧力が加わった場合に、前記第1弾性表面波素子の出力電力と前記第2弾性表面波素子の出力電力との電力比を示す第1の演算値を求める第1演算手段と、前記第3弾性表面波素子の出力電力と前記第2弾性表面波素子の出力電力との電力比を示す第2の演算値を求める第2演算手段と、前記第2の演算値に基づいて、温度による素子の基板変化量を求める第3演算手段と、前記第1の演算値と圧力による素子の基板変化量との関係を用い、前記温度による素子の基板変化量に基づいて、圧力及び温度による素子の基板変化量を求める際の基準となる温度補正量を求める第4演算手段と、前記温度補正量に前記第1の演算値を加算して、加算値を求める第5演算手段と、前記加算値に基づいて、前記加算値から圧力及び温度による素子の基板変化量を求める第6演算手段と、前記圧力及び温度による素子の基板変化量と前記温度による素子の基板変化量との差から、圧力による素子の基板変化量を求める第7演算手段と、前記圧力による素子の基板変化量に基づいて、前記圧力を算出する第8演算手段と、を備えたことを特徴とする。以下に、本第9態様の電力比を用いて、圧力を求めることができる原理を、前記図1に基づいて説明する。図1に例示する様に、まず、第1演算手段により、第1弾性表面波素子の出力電圧と第2弾性表面波素子の出力電力との電力比第1の演算値を求める。また、第2演算手段により、第2演算手段にて、第3弾性表面波素子の出力電力と第2弾性表面波素子の出力電力との電力比第2の演算値を求める同図1参照。この第2の演算値である電力比PSAW3/PSAW2は、温度による基板変化量に対応しているので、第3演算手段により、この電力比と温度による基板変化量との関係例えば温度マップを用い、前記電力比から温度による基板変化量を求める同図2参照。上述した様に、第1の演算値と圧力による素子の基板変化量とには所定の関係があるので、第4演算手段では、この関係例えば圧力マップを用いて、温度による基板変化量から、圧力及び温度による基板変化量を求める際の基準となる圧力基準値初期値である温度補正量を求める同図3参照。ここで、温度補正量という概念について、第1弾性表面波素子と第2弾性表面波素子とは温度に対する特性が同じであることから、前述の圧力マップに対してその温度変化時の圧力マップは、その基準点を、圧力マップ上をシフトさせたものとみなすことができる。したがって、第3演算手段による温度による基板変化量を求めることにより、圧力マップの基準点のシフト量すなわち温度補正量を求めるのである。そして、圧力及び温度の影響を含む電圧差を求めるために、第5演算手段によって、初期値である温度補正量に圧力及び温度の影響を含む第1の演算値を加算して、加算値を求める。また、加算値と圧力及び温度による基板変化量とには所定の関係があるので、第6演算手段では、圧力及び温度の影響を含む電圧差と圧力及び温度による基板変化量との関係例えば圧力マップを用いて、加算値から圧力及び温度による基板変化量を求める同図4参照。次に、第7演算手段により、圧力及び温度による基板変化量と温度による基板変化量との差から、圧力による基板変化量を求め同図5参照、第8演算手段により、圧力による基板変化量に基づいて、圧力を算出する。つまり、本第9態様では、第3弾性表面波素子と第2弾性表面波素子との電力比に対応した温度による基板変化量を求め、温度マップ等を用いてこの温度による基板変化量から温度補正量を求める。この温度補正量は、ある温度条件における圧力マップ等の圧力による基板変化量の変化の開始点圧力基準点と見なせるので、この温度補正量に第1の演算値を加算し、この加算値に基づいて、圧力及び温度に対応した基板変化量を求めることができる。よって、この圧力及び温度による基板変化量から温度による基板変化量を除くことにより、圧力のみに対応した基板変化量を求めることができるので、この圧力のみに対応した基板変化量から圧力を求めることができる。10本発明では、第10態様として、前記請求項1~6のいずれか1項に記載の弾性表面波センサを備えた圧力のセンシングシステムであって、前記第1弾性表面波素子に前記圧力に対応する押圧力が加わった場合に、前記第1弾性表面波素子の出力電力と前記第2弾性表面波素子の出力電力との電力比を示す第1の演算値を求める第1演算手段と、前記第3弾性表面波素子の出力電力と前記第2弾性表面波素子の出力電力との電力比を示す第2の演算値を求める第2演算手段と、前記第2の演算値に基づいて、温度による素子の基板変化量を求める第3演算手段と、前記第2の演算値と前記第1の演算値との関係を用い、前記第2の演算値に基づいて、圧力及び温度による素子の基板変化量を求める際の基準となる温度補正量を求める第4演算手段と、前記温度補正量に前記第1の演算値を加算して、加算値を求める第5演算手段と、前記加算値に基づいて、圧力及び温度による素子の基板変化量を求める第6演算手段と、前記圧力及び温度による素子の基板変化量と前記温度による素子の基板変化量との差から、圧力による素子の基板変化量を求める第7演算手段と、前記圧力による素子の基板変化量に基づいて、前記圧力を算出する第8演算手段と、を備えたことを特徴とする。本第10態様は、前記第9態様とは、第4演算手段が異なっている。つまり、この第4演算手段では、第2の演算値と第1の演算値との関係を用い、第2の演算値から、第2の演算値に対応した第1の演算値である圧力及び温度による基板変化量を求める際の基準圧力基準値となる温度補正量を求め、以後第9態様と同様な演算を行っている。従って、予め第2の演算値と第1の演算値との関係を示す例えばオフセットマップ等を作っておけば、第2の演算値から温度による基板変化量を利用することなく温度補正量を求めることができる。本第10態様によっても、前記第9態様と同様な効果が得られる。11本発明では、第11態様として、外部装置として、無線により弾性表面波センサに対して高周波信号を印加する高周波印加部と、無線により弾性表面波センサからの信号を受信する信号受信部と、信号受信部にて受信した信号例えば電圧レベルを検知する信号検知部とを備えた構成とすることができる。無線によって、弾性表面波センサと外部装置との間で信号の送受信を行って、各素子の出力例えば電圧の関係を利用して圧力を検出する場合、即ち、無線を利用した電力検知方式で圧力を検出する場合には、無線伝送距離の変動に伴って信号強度例えば出力電圧が変化するので、精度良く圧力を検出することが難しい。この対策として、無線伝送距離が一定のタイミングを検知する場合には、そのタイミングでのセンシングが必要となり、システムが複雑化する。それに対して、本発明では、上述した様に、各素子間の出力電圧や電力の演算を行うので、無線伝送距離の影響を排除することができる。つまり、各素子間の出力電圧の差や電力の比を演算することにより無線通信距離の変動に伴う信号強度の変化をキャンセルすることができる、すなわち、無線伝送距離による影響を排除することができる。12本発明では、第12態様として、第1弾性表面波素子と第2弾性表面波素子と第3弾性表面波素子との遅延時間が全て異なり、且つ、第1弾性表面波素子と第2弾性表面波素子と第3弾性表面波素子との遅延時間が、全て外部装置より出力される出力信号時間より長く、且つ、第1弾性表面波素子と第2弾性表面波素子と第3弾性表面波素子との最大遅延時間が、最小遅延時間の2倍より短いように設定することができる。つまり、各素子における入力信号に対する応答信号反射波には、図6に例示する様に、各素子における遅延時間によるずれが発生する。電極~反射器間の複数回の反射を繰り返した応答信号第1次反射波、第2次反射波は、本発明のように各素子の条件を設定することにより、各素子における応答信号に、例えば外部装置側にて応答信号の時間分離が可能なような十分な時間的なずれを与えることができる。ここで、第1弾性表面波素子と第2弾性表面波素子と第3弾性表面波素子との遅延時間が全て異なることは、3素子の信号分離のための必要条件であり、第1弾性表面波素子と第2弾性表面波素子と第3弾性表面波素子との遅延時間が、全て外部装置より出力される出力信号時間より長いことは、素子上での入力波と反射波を分離するための必要条件であり、第1弾性表面波素子と第2弾性表面波素子と第3弾性表面波素子との最大遅延時間が、最小遅延時間の2倍より短いことは、2次反射波と1次反射波とを分離するための必要条件である。なお、同図において、τA、τB、τCは、それぞれ、第1、第2、第3弾性表面波素子において、電極から送信された信号が例えば反射器に反射して帰って来るまでの時間電極から反射器までの伝搬路で規定される遅延時間の2倍を示している。13本発明は、第13態様として、前記請求項1~6のいずれか1項に記載の弾性表面波センサを用いて圧力を測定する圧力測定方法であって、前記第1弾性表面波素子に前記圧力に対応する押圧力が加わった場合に、前記第1弾性表面波素子の出力電圧と前記第2弾性表面波素子の出力電圧との電圧差を示す第1の演算値を求める第1演算工程と、前記第3弾性表面波素子の出力電圧と前記第2弾性表面波素子の出力電圧との電圧差を示す第2の演算値を求める第2演算工程と、前記第2の演算値に基づいて、温度による素子の基板変化量を求める第3演算工程と、前記第1の演算値と圧力による素子の基板変化量との関係を用い、前記温度による素子の基板変化量に基づいて、圧力及び温度による素子の基板変化量を求める際の基準となる温度補正量を求める第4演算工程と、前記温度補正量に前記第1の演算値を加算して、加算値を求める第5演算工程と、前記加算値に基づいて、圧力及び温度による素子の基板変化量を求める第6演算工程と、前記圧力及び温度による素子の基板変化量と前記温度による素子の基板変化量との差から、圧力による素子の基板変化量を求める第7演算工程と、前記圧力による素子の基板変化量に基づいて、前記圧力を算出する第8演算工程と、を備えたことを特徴とする。本第13態様は、前記第7態様と同様な作用効果を奏する。14本発明は、第14態様として、前記請求項1~6のいずれか1項に記載の弾性表面波センサを用いて圧力を測定する圧力測定方法であって、前記第1弾性表面波素子に前記圧力に対応する押圧力が加わった場合に、前記第1弾性表面波素子の出力電圧と前記第2弾性表面波素子の出力電圧との電圧差を示す第1の演算値を求める第1演算工程と、前記第3弾性表面波素子の出力電圧と前記第2弾性表面波素子の出力電圧との電圧差を示す第2の演算値を求める第2演算工程と、前記第2の演算値に基づいて、温度による素子の基板変化量を求める第3演算工程と、前記第2の演算値と前記第1の演算値との関係を用い、前記第2の演算値に基づいて、圧力及び温度による素子の基板変化量を求める際の基準となる温度補正量を求める第4演算工程と、前記温度補正量に前記第1の演算値を加算して、加算値を求める第5演算工程と、前記加算値に基づいて、圧力及び温度による素子の基板変化量を求める第6演算工程と、前記圧力及び温度による素子の基板変化量と前記温度による素子の基板変化量との差から、圧力による素子の基板変化量を求める第7演算工程と、前記圧力による素子の基板変化量に基づいて、前記圧力を算出する第8演算工程と、を備えたことを特徴とする。本第14態様は、前記第8態様と同様な作用効果を奏する。15本発明は、第15態様として、前記請求項1~6のいずれか1項に記載の弾性表面波センサを用いて圧力を測定する圧力測定方法であって、前記第1弾性表面波素子に前記圧力に対応する押圧力が加わった場合に、前記第1弾性表面波素子の出力電力と前記第2弾性表面波素子の出力電力との電力比を示す第1の演算値を求める第1演算工程と、前記第3弾性表面波素子の出力電力と前記第2弾性表面波素子の出力電力との電力比を示す第2の演算値を求める第2演算工程と、前記第2の演算値に基づいて、温度による素子の基板変化量を求める第3演算工程と、前記第1の演算値と圧力による素子の基板変化量との関係を用い、前記温度による素子の基板変化量に基づいて、圧力及び温度による素子の基板変化量を求める際の基準となる温度補正量を求める第4演算工程と、前記温度補正量に前記第1の演算値を加算して、加算値を求める第5演算工程と、前記加算値に基づいて、前記加算値から圧力及び温度による素子の基板変化量を求める第6演算工程と、前記圧力及び温度による素子の基板変化量と前記温度による素子の基板変化量との差から、圧力による素子の基板変化量を求める第7演算工程と、前記圧力による素子の基板変化量に基づいて、前記圧力を算出する第8演算工程と、を備えたことを特徴とする。本第15態様は、前記第9態様と同様な作用効果を奏する。16本発明は、第16態様として、前記請求項1~6のいずれか1項に記載の弾性表面波センサを用いて圧力を測定する圧力測定方法であって、前記第1弾性表面波素子に前記圧力に対応する押圧力が加わった場合に、前記第1弾性表面波素子の出力電力と前記第2弾性表面波素子の出力電力との電力比を示す第1の演算値を求める第1演算工程と、前記第3弾性表面波素子の出力電力と前記第2弾性表面波素子の出力電力との電力比を示す第2の演算値を求める第2演算工程と、前記第2の演算値に基づいて、温度による素子の基板変化量を求める第3演算工程と、前記第2の演算値と前記第1の演算値との関係を用い、前記第2の演算値に基づいて、圧力及び温度による素子の基板変化量を求める際の基準となる温度補正量を求める第4演算工程と、前記温度補正量に前記第1の演算値を加算して、加算値を求める第5演算工程と、前記加算値に基づいて、圧力及び温度による素子の基板変化量を求める第6演算工程と、前記圧力及び温度による素子の基板変化量と前記温度による素子の基板変化量との差から、圧力による素子の基板変化量を求める第7演算工程と、前記圧力による素子の基板変化量に基づいて、前記圧力を算出する第8演算工程と、を備えたことを特徴とする。本第16態様は、前記第10態様と同様な作用効果を奏する。以下、本発明が適用される実施例について図面を用いて説明する。本実施例では、弾性表面波センサとして、例えば車両のタイヤ空気圧を検出するタイヤ空気圧センサである圧力センサを例に挙げて説明する。図7にシステム全体を示す様に、圧力センサ1は、外部装置計測装置:送受信機3との間で、無線にて信号の送受信を行うセンシングシステムを構成するものであり、このセンシングシステムでは、圧力センサ1は、外部装置3からの信号高周波信号を受けて、その信号に対する応答を外部装置3に送信し、外部装置3は、受信した信号に基づいて演算を行うことにより、タイヤ空気圧を求める。なお、前記圧力センサ1は、例えばタイヤ5内部の内側表面などに取り付けられ、外部装置3は、例えば回転しない箇所例えばリム7の近傍やタイヤハウジング9の周辺に取り付けられるものである。以下、詳細に説明する。aまず、弾性表面波センサである圧力センサ1の構成について説明する。図8及び図9に示す様に、本実施例の圧力センサ1は、特徴の異なる3種の弾性表面波素子第1~第3弾性表面波素子11、13、15が、例えばコバールからなる平板状の基板17上に並列に配置されて貼り付けられたものである。なお、ここでは、アンテナ及びアンテナに接続された回路は省略してある。以下、各弾性表面波素子11~15について説明する。第1弾性表面波素子11は、圧電基板19の同一表面上に、同一方向圧電基板19の長手方向に沿って、弾性表面波SAWを励起させる一対の櫛歯電極IDT21、23図8参照と、櫛歯電極21、23によって励起された弾性表面波を櫛歯電極21、23側に反射させる反射器25と、余分な弾性表面波を吸収する左右一対の吸音材27、29とを備えている。なお、一対の櫛歯電極21、23を櫛歯電極部24と称する。この第1弾性表面波素子11は、433MHz近傍で動作する素子であり、櫛歯電極21、23に対して、信号源である外部装置3図9、図11参照から、後述するように無線又は有線にて、単位時間の一定強度の一周波数433MHzの高周波信号が印加されるように構成されている他の素子13、15も同様である。なお、ここでは、櫛歯電極21、23は、反射器25からの反射波を受信する電極としても用いられる。以下に、第1弾性表面波素子11の各構成について、更に詳細に説明する。前記図9に示す様に、前記圧電基板19は、例えば縦2mm×横16mm×厚み0.5mmの例えばST-X水晶基板単結晶からなる。前記櫛歯電極21、23は、信号源から433MHzの高周波信号が印加される電極即ち交互に正負の電圧が印加される電極であり、それぞれ複数の櫛歯電極指31が、前記長手方向と垂直方向に平行に形成されるとともに、対向する櫛歯電極21、23の電極指31が互いに入り込む様に設定されている。ここでは、櫛歯電極21、23は、厚さ0.1μmのアルミニウムからなり、電極幅:1/4λ1.181μm、電極間隔:1/4λ1.81μm、対数:100.5対に設定されている。なお、λは励起する弾性表面波の波長である。前記反射器リフレクタ:SMSA25は、厚さ0.1μmのアルミニウムからなり、電極幅:1/4λ1.181μm、電極間隔:1/4λ1.81μm、本数:200本に設定されている。なお、反射器25は、自身に印加される応力や周囲の温度に応じて反射係数が変化する特性を有している。前記吸音材27、29は、例えばシリコンからなり、それぞれ、櫛歯電極21、23の外側と反射器25の外側に配置されている。なお、櫛歯電極21、23と反射器25との間の弾性表面波の伝搬路33の伝搬距離dR1は、1500λ4.735mmに設定されており、その伝搬時間従って遅延時間τ1は、1.5μs相当である。特に、第1弾性表面波素子11については、図10に図8のZ-Z断面を示す様に、第1弾性表面波素子11の先端側同図右側に対応して、基板17の先端側同図右側の表面に、直方体形状の凹部35が形成されている。つまり、第1弾性表面波素子11は、その櫛歯電極21、23が設けられている側同図左側が、基板17の表面に固定され、反射器25が設けられている側同図右側が、凹部35の上方に張り出すように配置され、これにより、第1弾性表面波素子11の先端側が同図上下方向に湾曲可能に構成されている。また、同図に示す様に、基板17表面には、各素子11~13を覆うようなカバー37が配置されている。そして、カバー37の先端側同図右側には、開口部39が形成されており、この開口部39を覆うように、例えばゴムからなる弾性部材41が貼り付けられている。この弾性部材41の中心の基板17側には、第1弾性表面波素子11の先端側に当接するように、棒状の押圧部材43が突出して形成されている。なお、弾性部材41と押圧部材43により押圧力印加部が構成されている。これにより、弾性部材41が外部より押圧されると、押圧部材43が第1弾性表面波素子11の先端を押圧して凹部35の左側端部を支点として第1弾性表面波素子11の先端部分が湾曲するので、同時に反射器25も湾曲して、その反射係数が変化する。なお、上述した第1弾性表面波素子11を製造する場合には、例えば圧電基板19上に、スパッタリング法にて金属アルミニウム膜を成膜し、フォトリソグラフィーにて櫛歯電極21、23や反射器25に対応する形状にマスキングし、エッチングにより櫛歯電極21、23や反射器25をパターンニングする方法を採用できる。前記図9に示す様に、第2弾性表面波素子13は、前記第1弾性表面波素子11と同様に、圧電基板51の表面に、一対の櫛歯電極53、55と反射器57とが、所定の伝搬距離dR2>dR1だけ離れて形成されたものであり、その外側には、同様に吸音材59、61が配置されている。なお、一対の櫛歯電極53、55により櫛歯電極部56が構成されている。この第2弾性表面波素子13は、前記第1弾性表面波素子11と、圧電基板51の材料及び寸法が同じであり、櫛歯電極53、55及び反射器57の材料や寸法形状も同じである。従って、第2弾性表面波素子13の温度に対する反射係数-周波数の特性は、第1弾性表面波素子11と同じである。但し、この第2弾性表面波素子13は、その裏面全体が基板17上に接合されており、第1弾性表面波素子11とは異なり圧力を加えられないように構成されている。なお、上記以外の構成は、基本的に第1弾性表面波素子11と同様であるので、その説明は省略する。前記図9に示す様に、第3弾性表面波素子15は、前記第1弾性表面波素子11と同様に、第1弾性表面波素子11より長尺の圧電基板71の表面に、一対の櫛歯電極73、75と反射器77とが、所定の伝搬距離dR3>dR2>dR1だけ離れて形成されたものであり、その外側には、同様に吸音材79、81が配置されている。なお、一対の櫛歯電極73、75により櫛歯電極部76が構成されている。この第3弾性表面波素子15は、前記第1弾性表面波素子11と、櫛歯電極73、75及び反射器77の材料や寸法形状も同じであり、圧電基板の材料も同じであるが、圧電基板71の寸法が異なる。具体的には、圧電基板71は、例えば縦2mm×横23mm×厚み0.5mmの例えばST-X水晶基板単結晶からなる。従って、第3弾性表面波素子15の温度に対する反射係数-周波数の特性は、第1、第2弾性表面波素子11、13とは異なっている。また、この第3弾性表面波素子15は、その裏面全体が基板17上に接合されており、第2弾性表面波素子13と同様に圧力を加えられないように構成されている。なお、上記以外の構成は、基本的に第1弾性表面波素子11と同様であるので、その説明は省略する。なお、前記第1~第3弾性表面波素子11~15は、同種の圧電基板から構成されているので、この圧電基板のみに着目した場合には、例えば同じ条件圧力や温度の場合には、同じ基板変化量だけ変化する。bここで、本実施例の要部である各弾性表面波素子11~15間の関係について、まとめて説明する。本実施例では、下記表1に示す様に、第1弾性表面波素子11及び第2弾性表面波素子13は、温度変化に対し素子の出力電圧が同じであるように設定されている。即ち、温度変化に対する素子の出力電圧が同じであるように、第1弾性表面波素子11及び第2弾性表面波素子13を構成する各圧電基板19、51や櫛歯電極21、23、53、55や反射器25、57が設定されている。また、第3弾性表面波素子15は、第1弾性表面波素子11及び第2弾性表面波素子13とは温度変化に対し素子の出力電圧が異なるように設定されている。即ち、温度変化に対する素子の出力電圧が異なるように、第3弾性表面波素子15と第1弾性表面波素子11及び第2弾性表面波素子13とを構成する各圧電基板19、51、71などが設定されている。具体的には、第1弾性表面波素子11及び第2弾性表面波素子13は、櫛歯電極21、23、53、55及び反射器25、57の材料や寸法、形状が同じであるので、温度変化に対し素子の出力電圧が同じであり、第3弾性表面波素子15は、第1弾性表面波素子11及び第2弾性表面波素子13に対して、例えば反射器反射係数の周波数特性が異なるので、温度変化に対し素子の出力電圧が異なる。更に、第1弾性表面波素子11は、圧力の変化によって素子の出力電圧が変化するように設定されている。即ち、第1弾性表面波素子11のみ、圧力の変化によって素子の出力電圧が変化するように、反射器25側が圧力を受けて撓んで、その反射係数が変化するように構成されている。しかも、本実施例では、第1弾性表面波素子11と第2弾性表面波素子13と第3弾性表面波素子15との遅延時間τ1、τ2、τ3が全て異なるように、各伝搬路33の長さ、従って各伝搬距離dR1、dR2、dR3dR1<dR2<dR3が設定されている。つまり、外部装置3側送受信機側にて、第1~第3弾性表面波素子11~15おける各応答信号を分離できるように、第1~第3弾性表面波素子11~15における伝搬距離dR1~dR3が十分に異なるように設定されている。また、第1弾性表面波素子11と第2弾性表面波素子13と第3弾性表面波素子15との遅延時間τ1~τ3は、全て外部装置3より出力される出力信号時間より長く設定されている。更に、第1弾性表面波素子11と第2弾性表面波素子13と第3弾性表面波素子15との最大遅延時間が、最小遅延時間の2倍より短く設定されている。c次に、前記圧力センサ1及び外部装置3を用いたセンシングシステムについて、図11に基づいて説明する。ここでは、無線による送受信システムを例に挙げて説明するが、有線にて応力を検出するようにしてもよい。なお、ここでは、同一の信号源即ち外部装置である送受信機3からの信号が、第1~第3弾性表面波素子11~15の各櫛歯電極21、23、53、55、73、75に入力するように構成されている。同様に、第1~第3弾性表面波素子11~15から得られる各反射信号応答信号が、1つのアンテナを介して外部装置3側に送信されるように構成されている。図11に示す様に、第1~第3弾性表面波素子11~15及びアンテナ91を備えた圧力センサ1は、無線を利用した周知の外部装置3によって駆動される。従って、ここでは、この外部装置3が前記信号源に相当するものである。前記外部装置3は、その主要部として制御回路コントローラ93を備えている。また、外部装置3は、圧力センサ1を駆動させる信号高周波信号の送信のための回路として、高周波の発振回路Osc95、発信のオンオフを切り換えるスイッチSW96、バンドパスフィルタBPF97、パワーアンプPA99、送受信を切り換えるスイッチSPDT101、アンテナ103を備えている。よって、スイッチSPDT101が信号の送信が可能に設定されている場合には、制御回路93からの制御信号により、アンテナ103を介して、圧力センサ1に信号を送信する。この送信される信号は、例えば10mWの433MHzの単パルスの高周波信号である。更に、外部装置3は、圧力センサ1からの信号を受信するための回路として、前記アンテナ103、前記スイッチSPDT101に加え、ローノイズアンプLNA105、バンドパスフィルタBPF107、ログアンプあるいはダイオードからなる検波器DET109、A/D変換器111等を備えている。よって、スイッチSPDT101が信号の受信が可能に設定されている場合には、アンテナ103を介して、圧力センサ1からの信号を送信して、制御回路93に入力する。d次に、前記センシングシステムを用いた圧力測定方法について説明する。最初に、このセンシングシステムにおける基本的な送受信の動作について説明する。まず、圧力センサ1を駆動する場合には、上述した様に、外部装置3からアンテナ103を介して圧力センサ1に対して高周波信号を送信する。この高周波信号を受信した圧力センサ1では、受信した高周波信号を第1~第3弾性表面波素子11~15の各櫛歯電極21、23、53、55、73、75に印加することにより、弾性表面波を発生させる。ここでは、例えば図12に示す様なtINの幅を有する入力信号が、各第1~第3弾性表面波素子11~15の各櫛歯電極21、23、53、55、73、75に印加された場合を考える。この入力信号は、各櫛歯電極21、23、53、55、73、75によって弾性表面波に変換され、弾性表面波は、各櫛歯電極21、23、53、55、73、75と各反射器25、57、77との間の伝搬距離dR1~dR3によって定まる伝搬時間即ち遅延時間τ1~τ3に各反射器25、57、77に到達する。各反射器25、57、77では、この弾性表面波を反射し、この弾性表面波は、同様に前記伝搬距離dR1~dR3によって定まる遅延時間τ1~τ3後に各櫛歯電極21、23、53、55、73、75に到達する。この反射した弾性表面波反射波によって、各櫛歯電極21、23、53、55、73、75に生ずる信号が応答信号反射信号であり、この応答信号は、前記送信された信号送信信号とは逆に、アンテナ91を介して、外部装置3に送信される。従って、外部装置3では、この応答信号の電圧信号レベルから、以下に述べる様に、弾性表面波素子1に加わる圧力を検出することができる。次に、前記圧力測定方法による処理手順ついて、より具体的に説明する。まず、センシングシステム全体における処理の流れについて、図13に基づいて、時系列に沿って説明する。図13に示す様に、外部装置3側において、圧力センサ1側に問い合わせ信号を発生し、その後、送受信回路を受信に切り換える。一方、圧力センサ1側では、外部装置3側から送信された問い合わせ信号を受信する。次に、圧力センサ1において、問い合わせ信号を第1~第3弾性表面素子11~15の各櫛歯電極21、23、53、55、73、75に分配し、櫛歯電極21、23、53、55、73、75から弾性表面波入力波を発生させる。そして、各反射器25、57、77にて反射した遅延時間の2倍分遅延した反射波を、各櫛歯電極21、23、53、55、73、75にて受信し、その応答信号を、外部装置3側に送信する。外部装置3側では、圧力センサ1から送信された応答信号を受信し、増幅、ノイズ除去等を行った後に、検波を行い、その信号から、後述するように圧力や温度の算出を行う。次に、外部装置3側における処理手順について、図14及び図15に基づいて説明する。なお、両図に機能的に示すように、ハードによる処理が検知部121にて行われ、ソフトによる処理がマイコン等による演算処理を行う演算部123にて行われる。まず、両図に示すように、圧力センサ1の応答信号の検波電圧は、A/D変換器111にてデジタル信号に変換される。具体的には、第1、第2、第3弾性表面波素子11、13、15からのそれぞれ信号電圧信号VSAW1、VSAW2、VSAW3は、それぞれA/D変換器111図14では便宜的に各信号のA/D変換器を区分して示しているを介して演算部123に入力される。次に、演算部123における処理について、図15及び図16に基づいて詳細に説明する。具体的には、例えば図16aに示す温度マップと図16bに示す圧力マップとを用いる。この温度マップとは、温度による基板変化量と、第3弾性表面波素子15の出力電圧VSAW3と温度基準極である第2弾性表面波素子13の出力電圧VSAW2との差VSAW3-VSAW2との関係を示すマップである。また、圧力マップとは、圧力による基板変化量と、第1弾性表面波素子11の出力電圧VSAW1と圧力基準極である第2弾性表面波素子13の出力電圧VSAW2との差VSAW1-VSAW2との関係を示すマップである。まず、ステップ1では、第1弾性表面波素子11の出力電圧VSAW1と第2弾性表面波素子13の出力電圧VSAW2との電圧差VSAW1-VSAW2を求める。また、ステップ2では、第3弾性表面波素子15の出力電圧VSAW3と第2弾性表面波素子13の出力電圧VSAW2との電圧差VSAW3-VSAW2を求め、温度マップから、この電圧差に対応する温度による基板変化量を求める。例えば前記電圧差が2Vである場合には、図16aから、温度による基板変化量は190ppmとなる。従って、予め温度と温度による基板変化量との関係を調べてマップ等を作製しておき、このマップ等を参照して、温度による基板変化量から温度を求めることができる。次に、ステップ3では、前記温度による基板変化量を、図16bの圧力による基板変化量として当てはめて、同図の圧力マップから、温度補正量圧力基準値を求める。例えば温度による基板変化量が190ppmの場合には、図16bから、温度補正量は1.1Vとなる。次に、ステップ4では、前記ステップ1で求めた電圧差VSAW1-VSAW2に前記温度補正量を加えた値加算値を求める。例えば電圧差が1.2Vである場合には、温度補正量の1.1Vを加えた2.3Vが加算値となる。次に、ステップ5では、前記圧力マップを用い、この加算値に対応した圧力による基板変化量を求める。なお、この加算値には、温度補正量も加味されているので、この圧力による基板変化量には、圧力だけでなく温度による影響も含まれている。例えば、図16bから、加算値2.3Vに対応した圧力による基板変化量は500ppmとなる。次に、ステップ6では、温度の影響も含む圧力による基板変化量から温度のみに起因する温度による基板変化量を引いて、圧力のみによる基板変化量を求める。例えば圧力による基板変化量が500ppmで、温度による基板変化量が190ppmである場合には、その差の310ppmが圧力のみによる基板変化量となる。従って、予め圧力と圧力による基板変化量との関係を調べてマップ等を作製しておき、このマップ等を参照して、圧力のみによる基板変化量から圧力を求めることができる。eこの様に、本実施例では、3種の弾性表面波素子11~15を設けた圧力センサ1を用い、これらの素子出力を利用することにより、圧力と温度が共に変化する状況であっても、温度の影響を好適に排除して、目的とする測定対象の状態圧力を精度良く検出することができる。つまり、まず、第1弾性表面波素子11と第2弾性表面波素子13との出力電圧の差をとって、圧力と温度の影響を含む第1の演算値を求め、第3弾性表面波素子15と第2弾性表面波素子13との出力電圧の差をとって、温度のみの影響を含む第2の演算値を求める。そして、温度マップを用いて、第2の演算値を温度のみによる基板変化量に換算し、次に、圧力マップを用いて、この温度による基板変化量から圧力基準値に対応する温度補正量を求める。次に、この温度補正量に前記第1の演算値を加えた加算値を求め、更に、圧力マップを用いて、この加算値から圧力及び温度による基板変化量を求める。そして、圧力及び温度による基板変化量から温度のみによる基板変化量を引くことにより、圧力のみによる基板変化量を求めることができるので、この圧力のみによる基板変化量から、精度良く圧力を求めることができる。また、本実施例では、無線を利用した電力検知方式で圧力を検出する場合に、上述した圧力測定方法を行うことにより、無線伝送距離の変動に伴って信号強度出力電圧が変化しても、簡易な構成で、無線伝送距離の影響を排除することができる。次に、実施例2について説明するが、前記実施例1と同様な内容の説明は簡略化する。ここでは、外部装置における圧力等を算出する手法が第1実施例と異なるので、異なる内容について説明する。図17及び図18に示す様に、本実施例では、ハードによる処理が検知部201にて行われ、ソフトによる処理が演算部203にて行われる。両図に示す様に、圧力センサ1の応答信号の検波電圧は、各ホールド回路205~209で保持される。具体的には、第1、第2、第3弾性表面波素子からのそれぞれ信号電圧信号VSAW1、VSAW2、VSAW3は、それぞれ各ホールド回路205~209で保持される。そして、例えば図示しない差動演算回路によって、保持された第1、第2弾性表面波素子からの電圧信号VSAW1、VSAW2の差分VSAW1-VSAW2を演算する。また、同様に、保持された第3、第2弾性表面波素子からの電圧信号VSAW3、VSAW2の差分VSAW3-VSAW2を演算する。これらの差分の演算値は、それぞれA/D変換器211、213を介して、演算部203に入力される。その後、演算部203では、前記実施例1と同様に、図18に示す様に、まず、第1弾性表面波素子11からの電圧信号VSAW1と温度及び圧力の基準極である第2弾性表面波素子13からの電圧信号VSAW2の差分VSAW1-VSAW2を演算する。また、同様に、第3弾性表面波素子15からの電圧信号VSAW3と第2弾性表面波素子13からの電圧信号VSAW2の差分VSAW3-VSAW2を演算する。次に、前記図16aの様な温度マップを用いて、前記電圧差VSAW3-VSAW2に対応する基板変位量温度による基板変化量:第1の演算値を算出する。次に、上述した様に、前記図16bの様な圧力マップを用いて、前記温度による基板変化量から圧力基準点に対応する温度補正量を算出する。次に、前記電圧差VSAW1-VSAW2に前記温度補正量を加算し、前記図16bの様な圧力マップを用いて、その加算値から、温度及び圧力による基板変位量を算出する。次に、温度及び圧力による基板変位量から温度による基板変位量を引いて、圧力のみによる基板変位量を算出する。従って、この圧力のみによる基板変位量から、予め求めておいた圧力と圧力のみによる基板変位量との関係を示すマップ等を用いて、圧力を求めることができる。また、前記電圧差VSAW3-VSAW2から、上述した様に、予め求めておいた温度と温度のみによる基板変位量との関係を示すマップ等を用いて、温度を算出することができる。本実施例によっても、前記実施例1と同様な効果を奏する。次に、実施例3について説明するが、前記実施例1と同様な内容の説明は簡略化する。ここでは、弾性表面波素子の構成が第1実施例と異なるので、異なる内容を説明する。図19aに示す様に、本実施例の弾性表面波センサである圧力センサ301では、第1~第3弾性表面波素子303~307の長手方向における長さが異なるように設定されている。なお、各素子303~307は、前記実施例1と同様に、それぞれ圧電基板309~313上に、一対の櫛歯電極からなる櫛歯電極部315~319と反射器321~325が形成されたものである。本実施例においても、第1弾性表面波素子303及び第2弾性表面波素子305は、櫛歯電極及び反射器の材料や寸法、形状を同じにすることにより、温度変化に対し素子の出力電圧が同じであるように設定されている。また、第3弾性表面波素子307は、第1弾性表面波素子303及び第2弾性表面波素子305とは、例えば反射器反射係数の周波数特性が異なるようにすることにより、温度変化に対し素子の出力電圧が異なるように設定されている。更に、第1弾性表面波素子303のみは、圧力の変化によって素子の出力電圧が変化するように設定されている。本実施例においても、前記実施例1と同様な効果を奏する。次に、実施例4について説明するが、前記実施例1と同様な内容の説明は簡略化する。ここでは、弾性表面波素子の構成が第1実施例と異なるので、異なる内容を説明する。図19bに示す様に、本実施例の弾性表面波センサである圧力センサ401では、第1、第2弾性表面波素子403、405は、同一の圧電基板407において、長手方向に一列に形成されている。なお、第1、第2弾性表面波素子403、405は、同一の圧電基板407上の中央に両素子403、405の共有の櫛歯電極部409が形成されるとともに、圧電基板407の両側に反射器411、413が形成されたものである。また、第3弾性表面波素子414は、他の圧電基板415の上に、櫛歯電極部417と反射器419が形成されたものである。本実施例においても、第1弾性表面波素子403及び第2弾性表面波素子405は、櫛歯電極及び反射器の材料や寸法、形状を同じにすることにより、温度変化に対し素子の出力電圧が同じであるように設定されている。また、第3弾性表面波素子414は、第1弾性表面波素子403及び第2弾性表面波素子405とは、例えば反射器反射係数の周波数特性が異なるようにすることにより、温度変化に対し素子の出力電圧が異なるように設定されている。更に、第1弾性表面波素子403のみは、圧力の変化によって素子の出力電圧が変化するように設定されている。本実施例においても、前記実施例1と同様な効果を奏する。次に、実施例5について説明するが、前記実施例1と同様な内容の説明は簡略化する。ここでは、弾性表面波素子の構成が第1実施例と異なるので、異なる内容を説明する。図18cに示す様に、本実施例の弾性表面波センサである圧力センサ501では、第1~第3弾性表面波素子503~507の長手方向における長さが異なるように設定されている。なお、各素子503~507は、前記実施例1と同様に、それぞれ圧電基板509~513上に、各素子共有の一対の櫛歯電極からなる櫛歯電極部515と各反射器517~521が形成されたものである。本実施例においても、第1弾性表面波素子503及び第2弾性表面波素子505は、櫛歯電極及び反射器の材料や寸法、形状を同じにすることにより、温度変化に対し素子の出力電力値が同じであるように設定されている。また、第3弾性表面波素子507は、第1弾性表面波素子503及び第2弾性表面波素子505とは、例えば反射器反射係数の周波数特性が異なるようにすることにより、温度変化に対し素子の出力電圧が異なるように設定されている。更に、第1弾性表面波素子503のみは、圧力の変化によって素子の出力電圧が変化するように設定されている。本実施例においても、前記実施例1と同様な効果を奏する。次に、実施例6について説明するが、前記実施例1と同様な内容の説明は簡略化する。なお、素子等の各部材は実施例1と同じであるので、実施例1と同じ番号を使用する。本実施例では、前記実施例1の前記図16a、bと同様な、図20aの温度マップ及び図20bの圧力マップを用いるとともに、図20cに示す様なオフセットマップも使用する。このオフセットマップは、縦軸に電圧差VSAW1-VSAW2をとり、横軸に電圧差VSAW3-VSAW2をとったものである。つまり、このオフセットマップは、電圧差VSAW3-VSAW2から、温度補正量に対応する電圧差VSAW1-VSAW2を求めることができる様に設定されている。従って、このオフセットマップを用いれば、電圧差VSAW3-VSAW2から、温度マップを使用することなくオフセット電圧である温度補正量に対応するオフセット電圧VSAW1-VSAW2を求めることができる。以下、このオフセットマップを使用して圧力を測定する手順を説明する。まず、ステップ1では、第3弾性表面波素子15の出力電圧VSAW3と第2弾性表面波素子13の出力電圧VSAW2との電圧差VSAW3-VSAW2を求め、温度マップから、この電圧差に対応する温度による基板変化量を求める。例えば前記電圧差が2Vである場合には、図20aから、温度による基板変化量は190ppmとなる。次に、ステップ2では、図20cのオフセットマップを用い、横軸の電圧差VSAW3-VSAW2から、直接に縦軸の電圧差VSAW1-VSAW2で示される温度補正量を求める。例えば電圧差が2Vである場合には、図20cから、温度補正量は1.1Vとなる。次に、ステップ3では、前記温度補正量に、第1弾性表面波素子11の出力電圧VSAW1と第2弾性表面波素子13の出力電圧VSAW2との電圧差VSAW1-VSAW2を加える。そして、圧力マップから、この加算値に対応した圧力による基板変化量を求める。例えば電圧差が1.2Vである場合には、温度補正量の1.1Vを加えた2.3Vが加算値となり、図20bから、圧力による基板変化量は500ppmとなる。次に、ステップ4では、温度の影響も含む圧力による基板変化量から温度のみに起因する温度による基板変化量を引いて、圧力のみによる基板変化量を求める。例えば圧力による基板変化量が500ppmで、温度による基板変化量が190ppmである場合には、その差の310ppmが、圧力のみによる基板変化量となる。従って、予め圧力と圧力による基板変化量との関係を調べてマップ等を作製しておき、このマップ等を参照して、圧力のみによる基板変化量から圧力を求めることができる。また、温度についても、前記実施例1と同様にして、温度による基板変化量から、予め求めておいた温度と温度のみによる基板変位量との関係を示すマップ等を用いて、温度を算出することができる。本実施例においても、前記実施例1と同様な効果を奏するとともに、予めオフセットマップを用意しておくことにより、演算を簡易でき、演算時間を短縮できるという利点がある。次に、実施例7について説明するが、前記実施例1と同様な内容の説明は簡略化する。なお、素子等の各部材は実施例1と同じであるので、実施例1と同じ番号を使用する。本実施例は、各素子の出力の電力比を用いて、前記実施例1とほぼ同様な手順で圧力を検出するので、図21及び図22に基づいて簡単に説明する。なお、図22aの縦軸は、前記実施例1と同様な温度による基板変化量を示すが、横軸は素子15、13間の電力比を示している。また、図22bの縦軸は、前記実施例1と同様な圧力による基板変化量を示すが、横軸は素子11、13間の電力比を示している。図21及び図22に示す様に、まず、第1~第3弾性表面波素子11~15の出力電圧を、図11のログアンプあるいはダイオードからなる検波器DET109の検波特性に従い、その入力電力に換算することによって、それぞれ電力PSAW1、PSAW2、PSAW3に換算する。そして、第1弾性表面波素子11の電力PSAW1と温度及び圧力の基準極である第2弾性表面波素子13の電力PSAW2との電力比PSAW1/PSAW2を演算する。また、同様に、第3弾性表面波素子15の電力PSAW3と第2弾性表面波素子13の電力PSAW2との電力比PSAW3/PSAW2を演算する。なお、後述する様に、電力比と電力差とは等価であり、ここでは、電力をdBmでとっているため、電力比の計算は差動演算となる。次に、前記図22aの様な温度マップを用いて、前記電力比PSAW3/PSAW2の値に対応する基板変位量温度による基板変化量を算出する。次に、前記図22bの様な圧力マップを用いて、前記温度による基板変化量から圧力基準点に対応する温度補正量を算出する。次に、前記電力比PSAW1/PSAW2に前記温度補正量を加算し、前記図22bの様な圧力マップを用いて、その加算値から、温度及び圧力による基板変位量を算出する。次に、温度及び圧力による基板変位量から温度による基板変位量を引いて、圧力のみによる基板変位量を算出する。従って、この圧力のみによる基板変位量から、予め求めておいた圧力と圧力のみによる基板変位量との関係を示すマップ等を用いて、圧力を求めることができる。また、前記温度による基板変化量から、予め求めておいた温度と温度のみによる基板変位量との関係を示すマップ等を用いて、温度を算出することができる。本実施例においても、前記実施例1と同様な効果を奏する。なお、下記数1に示す様に、式1の様に定義される場合、式2又は式3から明かな様に、dBm単位の電力で差分を計算することは、その真数電力Wの比を取ることと等価であるので、各マップでは、電力の差で表現してある。次に、実施例8について説明するが、前記実施例7と同様な内容の説明は簡略化する。本実施例は、前記実施例7に示した様な素子の電力比を用いるとともに、前記実施例6で示した様なオフセットマップを用いたものである。なお、素子等の各部材は実施例1と同じであるので、実施例1と同じ番号を使用する。本実施例では、前記図22aと図22bの両マップと、図23に示すオフセットマップを使用して圧力を求める。このオフセットマップは、図23に示す様に、縦軸に電力比PSAW1/PSAW2をとり、横軸に電力比PSAW3/PSAW2をとったものである。つまり、このオフセットマップは、電力比PSAW3/PSAW2から、温度補正量に対応する電力比PSAW1/PSAW2を求めることができる様に設定されている。従って、このオフセットマップを用いれば、電力比PSAW3/PSAW2から、温度マップを使用することなくオフセット電圧である温度補正量に対応する電力比PSAW1/PSAW2を求めることができる。以下、このオフセットマップを使用して圧力を検出する手順を簡単に説明する。まず、ステップ1では、第3弾性表面波素子15の電力PSAW3と第2弾性表面波素子13の電力PSAW2との電力比PSAW3/PSAW2を求め、図22aの温度マップから、この電圧比に対応する温度による基板変化量を求める。次に、ステップ2では、図23のオフセットマップを用い、横軸の電力比PSAW3/PSAW2から、直接に縦軸の電力比PSAW1/PSAW2で示される温度補正量を求める。次に、ステップ3では、前記温度補正量に、第1弾性表面波素子11の電力PSAW1と第2弾性表面波素子13の電力PSAW2との電力比PSAW1/PSAW2を加える。そして、図22bの圧力マップから、この加算値に対応した圧力による基板変化量を求める。次に、ステップ4では、温度の影響も含む圧力による基板変化量から温度のみに起因する温度による基板変化量を引いて、圧力のみによる基板変化量を求める。従って、予め圧力と圧力による基板変化量との関係を調べてマップ等を作製しておき、このマップ等を参照して、圧力のみによる基板変化量から圧力を求めることができる。また、前記実施例7と同様にして、温度による基板変化量から温度を求めることができる。本実施例においても、前記実施例7と同様な効果を奏するとともに、予めオフセットマップを用意しておくことにより、演算を簡易でき、演算時間を短縮できるという利点がある。次に、実施例9について説明するが、前記実施例2と同様な内容の説明は簡略化する。なお、素子等の各部材は実施例2と同じであるので、実施例2と同じ番号を使用する。本実施例では、前記実施例2と同様なホールド回路を用いるとともに、前記実施例7と同様な素子間の電力比を用いて、圧力を検出するものである。本実施例では、図24に示す様に、第1、第2、第3弾性表面波素子からのそれぞれ信号電圧信号VSAW1、VSAW2、VSAW3は、それぞれ各ホールド回路205~209で保持される。そして、例えば図示しない差動演算回路によって、保持された第1、第2弾性表面波素子からの電圧信号VSAW1、VSAW2の差分VSAW1-VSAW2を演算する。また、同様に、保持された第3、第2弾性表面波素子からの電圧信号VSAW3、VSAW2の差分VSAW3-VSAW2を演算する。これらの差分の演算値は、それぞれA/D変換器211、213を介して、演算部203に入力される。その後、演算部203では、まず、第1弾性表面波素子11からの電圧信号VSAW1と第2弾性表面波素子13からの電圧信号VSAW2の差分VSAW1-VSAW2を、図11のログアンプあるいはダイオードからなる検波器DET109の検波特性に従い電力換算して、電力比PSAW1/PSAW2を求める。また、同様に、第3弾性表面波素子15からの電圧信号VSAW3と第2弾性表面波素子13からの電圧信号VSAW2の差分VSAW3-VSAW2を電力換算して、電力比PSAW3/PSAW2を求める。そして、これらの電力比を用いて、前記実施例7と同様にして圧力を求める。具体的には、前記図22aの様な温度マップを用いて、前記電力比PSAW3/PSAW2の値に対応する基板変位量温度による基板変化量を算出する。次に、前記図22bの様な圧力マップを用いて、前記温度による基板変化量から圧力基準点に対応する温度補正量を算出する。次に、前記電力比PSAW1/PSAW2に前記温度補正量を加算し、前記図22bの様なマップを用いて、その加算値から、温度及び圧力による基板変位量を算出する。次に、温度及び圧力による基板変位量から温度による基板変位量を引いて、圧力のみによる基板変位量を算出する。従って、この圧力のみによる基板変位量から、予め求めておいた圧力と圧力のみによる基板変位量との関係を示すマップ等を用いて、圧力を求めることができる。また、前記実施例2と同様にして、温度による基板変化量から温度を求めることができる。本実施例によっても、前記実施例2と同様な効果を奏する。次に、実施例10について説明するが、前記実施例9と同様な内容の説明は簡略化する。なお、素子等の各部材は実施例9と同じであるので、実施例9と同じ番号を使用する。本実施例では、前記実施例9と同様なホールド回路及び素子間の電力比を用いるとともに、前記実施例8の様なオフセットマップを使用して、圧力を検出するものである。本実施例では、前記図24に示す様に、前記実施例9と同様にして、演算部203では、第1弾性表面波素子11からの電圧信号VSAW1と第2弾性表面波素子13からの電圧信号VSAW2の差分VSAW1-VSAW2を電力換算して、電力比PSAW1/PSAW2を求める。また、同様に、第3弾性表面波素子15からの電圧信号VSAW3と第2弾性表面波素子13からの電圧信号VSAW2の差分VSAW3-VSAW2を電力換算して、電力比PSAW3/PSAW2を求める。そして、これらの電力比を用いて、前記実施例8と同様にして圧力を求める。具体的には、ステップ1では、第3弾性表面波素子15の電力PSAW3と第2弾性表面波素子13の電力PSAW2との電力比PSAW3/PSAW2を求め、前記図22aの温度マップから、この電圧比に対応する温度による基板変化量を求める。次に、ステップ2では、前記図23のオフセットマップを用い、横軸の電力比PSAW3/PSAW2から、直接に縦軸のPSAW1/PSAW2、即ち温度補正量を求める。次に、ステップ3では、前記温度補正量に、第1弾性表面波素子11の電力PSAW1と第2弾性表面波素子13の電力PSAW2との電力比PSAW1/PSAW2を加える。そして、前記図22bの圧力マップから、この加算値に対応した圧力による基板変化量を求める。次に、ステップ4では、温度の影響も含む圧力による基板変化量から温度のみに起因する温度による基板変化量を引いて、圧力のみによる基板変化量を求める。従って、予め圧力と圧力による基板変化量との関係を調べてマップ等を作製しておき、このマップ等を参照して、圧力のみによる基板変化量から圧力を求めることができる。また、前記実施例9と同様にして、温度による基板変化量から温度を求めることができる。本実施例においても、前記実施例9と同様な効果を奏する。次に、実施例11について説明するが、前記実施例1と同様な内容の説明は簡略化する。aまず、本実施例において、各素子の出力を用いて、圧力を求めることができる原理を、図25に基づいて説明する。なお、図25の横軸X軸は、温度又は圧力による基板変化量を示し、縦軸Y軸は、素子間の出力電圧の差又は電力比を示している。また、同図の実線のグラフ圧力マップは、温度が一定の場合において、第1弾性表面波素子SAW1に印加する圧力を変化させた場合の第1弾性表面波素子SAW1と第2弾性表面波素子SAW2との出力電圧の差又は電力比:反射電力比を示すグラフである。更に、同図の点線で示すグラフ温度マップは、温度を変化させた場合の第3弾性表面波素子SAW3と第2弾性表面波素子SAW2との出力電圧の差又は電力比:反射電力比を示すグラフである。また、同図の一点鎖線で示すグラフ基準極温度マップは、温度を変化させた場合における基準極である第2弾性表面波素子SAW2の出力電圧の変化量又は電力変化量:反射電力変化量、即ち、第2弾性表面波素子SAW2の出力電圧又は電力と基準温度基板変化量が0のときの出力電圧又は電力:反射電力との電圧差又は電力比である。なお、前記マップはなく、演算式で規定してもよいが、以下ではマップを用いて説明する。本実施例では、以下の手順によって、温度変化があった場合でも、印加された圧力の変化を検知することができる。図25に例示する様に、まず、ステップ1では、SAW3とSAW2との電圧差又は電力比を求める。この電圧差又は電力比は、温度による基板変化量に対応しているので、ステップ2では、前記温度マップを用いて、前記電力差又は電力比に対応した温度による基板変化量を求める。ステップ3では、前記基準極温度マップを用いて、前記温度による基板変化量を圧力による基板変化量に換算して、圧力基準値初期値を求める。つまり、SAW1とSAW2との温度特性が一致している場合には、基準極温度マップと圧力マップとは完全に一致し、圧力基準値は基準極温度マップをシフトするので、ここでは、基準極温度マップを用いて、圧力基準値を求める。なお、ここで、基準極温度マップと圧力マップとが完全に一致する理由は、第1弾性表面波素子及び第2弾性表面波素子は、温度変化に対し素子の出力例えば電圧や電力が同じだからである。ステップ4では、SAW1とSAW2との電力差又は電力比を求める。ステップ5では、前記圧力マップを用いて、前記圧力基準点からのステップ4で求めた電力差電圧比に対応する基板変化量即ち圧力のみに対応した基板変化量を求める。従って、この圧力と圧力のみに対応した基板変化量との関係を予め求めておくことにより、圧力のみに対応した基板変化量から圧力のみを求めることができる。b次に、上述した原理に基づいて、本実施例において行われる圧力の検出のための具体的な手順について、図26及び図27に基づいて説明する。なお、素子等の各部材は実施例1と同じであるので、実施例1と同じ番号を使用する。ここで、図27aに示す温度マップとは、温度による基板変化量と、第3弾性表面波素子15の出力電圧VSAW3と第2弾性表面波素子13の出力電圧VSAW2との差VSAW3-VSAW2との関係を示すマップである。また、図27bに示す圧力マップとは、圧力による基板変化量と、第1弾性表面波素子11の出力電圧VSAW1と第2弾性表面波素子13の出力電圧VSAW2との差VSAW1-VSAW2との関係を示すマップである。更に、図27cに示す基準極温度マップとは、基準極である第2弾性表面波素子13の出力電圧VSAW2と第2弾性表面波素子13の基準温度における出力電圧VSAW2との電圧差VSAW2-VSAW2と、第3弾性表面波素子11の出力電圧VSAW3と第2弾性表面波素子13の出力電圧VSAW2との差VSAW3-VSAW2と、の関係を示すオフセットマップである。図26に示す様に、圧力センサ1の応答信号の検波電圧は、A/D変換器111にてデジタル信号に変換される。具体的には、第1、第2、第3弾性表面波素子11、13、15からのそれぞれ信号電圧信号VSAW1、VSAW2、VSAW3は、それぞれA/D変換器111を介して演算部123に入力される。そして、演算部123では、第1弾性表面波素子11からの電圧信号VSAW1と第2弾性表面波素子13からの電圧信号VSAW2の差分VSAW1-VSAW2を演算する。また、同様に、第3弾性表面波素子15からの電圧信号VSAW3と第2弾性表面波素子13からの電圧信号VSAW2の差分VSAW3-VSAW2を演算する。次に、前記図27aに示す温度マップを用いて、前記電圧差VSAW3-VSAW2の値に対応する基板変位量温度による基板変化量を算出する。なお、例えば電圧差VSAW3-VSAW2が2Vの場合には、温度による基板変化量は190ppmになる。次に、図27cのオフセットマップを用い、横軸の電圧差VSAW3-VSAW2から、縦軸のVSAW2-VSAW2、即ち圧力基準値に対応した温度補正量であるオフセット電圧を求める。例えば電圧差が2Vである場合には、温度補正量は1.1Vとなる。次に、前記温度補正量に、第1弾性表面波素子11の出力電圧VSAW1と第2弾性表面波素子13の出力電圧VSAW2との電圧差VSAW1-VSAW2を加える。そして、図27bに示す圧力マップから、この加算値に対応した圧力による基板変化量を求める。例えば電圧差が1.2Vである場合には、温度補正量の1.1Vを加えた2.3Vが加算値となり、図27bから、圧力による基板変化量は500ppmとなる。次に、この温度の影響も含む圧力による基板変化量から温度のみに起因する温度による基板変化量を引いて、圧力のみによる基板変化量を求める。例えば圧力による基板変化量が500ppmで、温度による基板変化量が190ppmである場合には、その差の310ppmが、圧力のみによる基板変化量となる。従って、予め圧力と圧力による基板変化量との関係を調べてマップ等を作製しておき、このマップ等を参照して、圧力のみによる基板変化量から圧力を求めることができる。また、温度についても、前記実施例1と同様にして、温度による基板変化量から、予め求めておいた温度と温度のみによる基板変位量との関係を示すマップ等を用いて、温度を算出することができる。本実施例においても、前記実施例1と同様な効果を奏する。次に、実施例12について説明するが、前記実施例10と同様な内容の説明は簡略化する。なお、素子等の各部材は実施例10と同じであるので、実施例1と同じ番号を使用する。本実施例では、前記実施例10と同様なホールド回路及び素子間の電力比を用いるとともに、前記実施例11の様なオフセットマップを使用して、圧力を検出するものである。以下に、本実施例において行われる圧力の検出のための具体的な手順について、図28及び図29に基づいて説明する。なお、図29aに示す温度マップとは、温度による基板変化量と、第3弾性表面波素子15の電力PSAW3と第2弾性表面波素子13の電力PSAW2との電力比PSAW3/PSAW2との関係を示すマップである。また、図29bに示す圧力マップとは、圧力による基板変化量と、第1弾性表面波素子11の電力PSAW1と第2弾性表面波素子13の電力PSAW2との電力比PSAW1/PSAW2との関係を示すマップである。更に、図29cに示す基準極温度マップとは、基準極である第2弾性表面波素子13の基準温度における電力PSAW2と第2弾性表面波素子13の電力PSAW3との電力比PSAW2/VSAW2と、第3弾性表面波素子11の電力PSAW3と第2弾性表面波素子13の電力PSAW2との電力比PSAW3/PSAW2との関係を示すオフセットマップである。本実施例では、前記図28に示す様に、前記実施例10と同様にして、演算部203では、第1弾性表面波素子11からの電圧信号VSAW1と第2弾性表面波素子13からの電圧信号VSAW2の差分VSAW1-VSAW2を電力換算して、電力比PSAW1/PSAW2を求める。また、同様に、第3弾性表面波素子15からの電圧信号VSAW3と第2弾性表面波素子13からの電圧信号VSAW2の差分VSAW3-VSAW2を電力換算して、電力比PSAW3/PSAW2を求める。そして、これらの電力比を用いて、前記実施例11と同様にして圧力を求める。具体的には、まず、第3弾性表面波素子15の電力PSAW3と第2弾性表面波素子13の電力PSAW2との電力比PSAW3/PSAW2を求め、前記図29aの温度マップから、この電圧比に対応する温度による基板変化量を求める。次に、図29cのオフセットマップを用い、横軸の電力比PSAW3/PSAW2から、縦軸のPSAW2/PSAW2、即ち圧力基準値に対応した温度補正量であるオフセット電圧を求める。次に、前記温度補正量に、第1弾性表面波素子11の電力PSAW1と第2弾性表面波素子13の電力PSAW2との電力比PSAW1/PSAW2を加える。そして、図29bに示す圧力マップから、この加算値に対応した圧力による基板変化量を求める。次に、この温度の影響も含む圧力による基板変化量から温度のみに起因する温度による基板変化量を引いて、圧力のみによる基板変化量を求める。従って、予め圧力と圧力による基板変化量との関係を調べてマップ等を作製しておき、このマップ等を参照して、圧力のみによる基板変化量から圧力を求めることができる。また、温度についても、温度による基板変化量から、予め求めておいた温度と温度のみによる基板変位量との関係を示すマップ等を用いて、温度を算出することができる。本実施例においても、前記実施例11と同様な効果を奏する。1本発明は、例えばタイヤ空気圧センサのような圧力センサに限らず、応力センサ、変位センサなど、各種の用途に適用できる。2本発明では、出力電圧値を用いて圧力等を求めたが、それ以外に、出力電圧値から求めた出力電流値を用いて圧力等を求めてもよい。