"絶縁基板の上に形成されているデータ線を含むデータ配線と、前記基板の上部の画素に形成されている赤、緑、青のカラーフィルターと、前記データ配線及び前記カラーフィルターを覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の上部に形成されており、前記データ線と交差して前記画素を定義するゲート線及び前記ゲート線に連結されたゲート電極を含むゲート配線と、前記絶縁膜の上部に形成されて前記ゲート配線を覆っており前記絶縁膜と共に前記データ線の一部を露出させる第1接触孔を有するゲート絶縁膜と、前記ゲート電極の前記ゲート絶縁膜の上部に形成されている半導体層パターンと、前記半導体層パターンの上部に形成されており、前記第1接触孔を通じて前記データ線と連結されているソース用電極と前記ゲート電極を中心にして前記ソース用電極と分離されて対向するドレーン用電極と前記ドレーン用電極と連結されており前記画素に形成されている画素電極とを含む画素配線と、を含む液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。前記赤、緑、青のカラーフィルターの端部は、前記データ線の端部を覆っていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。前記絶縁膜は有機絶縁物質からなることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。前記ゲート配線は前記ゲート線に連結されて外部から信号の伝達を受けるゲートパッドをさらに含み、前記データ配線は前記データ線に連結されて外部から信号の伝達を受けるデータパッドをさらに含み、前記ゲート絶縁膜及び前記絶縁膜は前記ゲートパッド及び前記データパッドを露出させる第2接触孔及び第3接触孔を有しており、前記第2接触孔及び第3接触孔を通じて前記ゲートパッド及び前記データパッドと連結され前記画素電極と同一の層で形成されている補助ゲートパッド及び補助データパッドをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。前記データ配線と同一の層で形成されている第1補助ゲートパッドをさらに含み、前記ゲート絶縁膜及び前記絶縁膜は前記第1補助ゲートパッドをそれぞれ露出させる第2接触孔及び第3接触孔と前記データパッドを露出させる第4接触孔とを有しており、前記ゲート配線は前記ゲート線に連結されて外部から信号の伝達を受け、前記第2接触孔を通じて前記第1補助ゲートパッドと連結されているゲートパッドをさらに含み、前記データ配線は前記データ線に連結されて外部から信号の伝達を受けるデータパッドをさらに含み、前記第3接触孔及び第4接触孔を通じて前記第1補助ゲートパッド及び前記データパッドと連結され前記画素電極と同一の層で形成されている第2補助ゲートパッド及び補助データパッドをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。前記データ配線と同一の層で形成されており、前記半導体層パターンまたは前記ゲート配線に対応する部分に位置する光遮断膜をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。少なくとも前記ソース用電極と前記ドレーン用電極との間の前記半導体層パターンの上部に形成されている保護膜をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。前記保護膜の上部に形成されている間隔維持材をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。前記間隔維持材は感光性有機絶縁物質からなることを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。前記間隔維持材は黒い色顔料を含むことを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。前記半導体層パターンは二重層構造で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。前記二重層構造の半導体層パターンは、第1非晶質ケイ素膜と、前記第1非晶質ケイ素膜の上に位置し第1非晶質ケイ素膜のバンドギャップより低い第2非晶質ケイ素膜とを含むことを特徴とする請求項11に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。前記ゲート絶縁膜は、下部ゲート絶縁膜及び上部ゲート絶縁膜を含む二重層構造で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。前記上部及び下部ゲート絶縁膜は、有機絶縁膜、非晶質酸化ケイ素、非晶質窒化ケイ素のうちの一つからなることを特徴とする請求項13に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。第1絶縁基板の上に形成され一方向にのびているデータ線を含むデータ配線と、前記第1基板の上部の画素に形成されている赤、緑、青のカラーフィルターと、前記データ配線及び前記カラーフィルターを覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の上部に形成されており前記データ線と交差して前記画素を定義するゲート線及び前記ゲート線に連結されたゲート電極を含むゲート配線と、前記絶縁膜の上部に形成されて前記ゲート配線を覆っており前記絶縁膜と共に前記データ線の一部を露出させる第1接触孔を有するゲート絶縁膜と、前記ゲート電極の前記ゲート絶縁膜の上部に形成されている半導体層パターンと、前記半導体層パターンの上部に形成されており前記第1接触孔を通じて前記データ線と連結されているソース用電極と前記ゲート電極を中心にして前記ソース用電極と分離されて対向するドレーン用電極と前記ドレーン用電極と連結されており前記画素に形成されている画素電極とを含む画素配線とを含む下部絶縁基板と、前記第1絶縁基板と対向する第2絶縁基板の上部に形成されている共通電極を含む上部絶縁基板と、を含む液晶表示装置。少なくとも前記ソース用電極と前記ドレーン用電極との間の前記半導体層パターンの上部に形成されており、前記第1基板及び前記第2基板を支持する間隔維持材をさらに含むことを特徴とする請求項15に記載の液晶表示装置。前記間隔維持材は黒い色顔料を含む感光性有機絶縁物質からなることを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置。ゲート線とデータ線とが交差して多数個の画素領域を定義し、多数個の画素領域に前記ゲート線及びデータ線に電気的に連結される薄膜トランジスタと画素電極が形成されている薄膜トランジスタ基板において、前記薄膜トランジスタの半導体層はバンドギャップが互いに異なる二重層構造の非晶質ケイ素膜からなる薄膜トランジスタ基板。前記二重層構造の半導体層は、前記ゲート絶縁膜の上に位置する第1非晶質ケイ素膜と、前記第1非晶質ケイ素膜の上に位置し前記第1非晶質ケイ素膜よりバンドギャップが低い第2非晶質ケイ素膜とからなることを特徴とする請求項18に記載の薄膜トランジスタ基板。互いに交差して画素を定義するゲート線及びデータ線と、前記画素に形成されている画素電極及び前記ゲート線及びデータ線と前記画素電極とを電気的に連結する薄膜トランジスタとを含む薄膜トランジスタ基板において、前記薄膜トランジスタの一構成をなすゲート絶縁膜は上部及び下部絶縁膜の二重構造で形成される薄膜トランジスタ基板。前記上部及び下部絶縁膜は、有機絶縁膜、非晶質酸化ケイ素、非晶質窒化ケイ素のうちの一つであることを特徴とする請求項20に記載の薄膜トランジスタ基板。絶縁基板の上にデータ線を含むデータ配線を形成する段階と、前記基板の上部に赤、緑、青のカラーフィルターを形成する段階と、前記データ配線及び前記カラーフィルターを覆う絶縁膜を形成する段階と、前記絶縁膜の上部にゲート線及びゲート電極を含むゲート配線を形成する段階と、前記絶縁膜の上部に前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜の上に半導体層パターンを形成すると共に前記ゲート絶縁膜及び前記絶縁膜に前記データ線の一部を露出させる第1接触孔を形成する段階と、前記半導体層パターンの上に互いに分離されて形成されており同一の層で形成されているソース用電極及びドレーン用電極と、前記ドレーン用電極と連結された画素電極を含む画素配線を形成する段階と、を含む液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。前記半導体パターンは二重層構造で形成することを特徴とする請求項22に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。前記ゲート絶縁膜は、下部ゲート絶縁膜及び前記下部ゲート絶縁膜の上部に形成されている上部ゲート絶縁膜を含む二重層構造で形成することを特徴とする請求項22に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。絶縁基板の上にデータ線を含むデータ配線を形成する段階と、前記基板の上部に赤、緑、青のカラーフィルターを形成する段階と、前記データ配線及び前記カラーフィルターを覆う絶縁膜を形成する段階と、前記絶縁膜をパターニングして前記データ線を露出させる第1接触孔を形成する段階と、前記絶縁膜の上部にゲート線及び前記ゲート線と連結されているゲートパッドを含むゲート配線を形成する段階と、前記絶縁膜の上部に前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜の上に半導体層パターンを形成すると共に前記第1接触孔を通じて前記データ線を露出させる段階と、前記半導体層パターンの上部に抵抗性接触層パターンを形成する段階と、前記接触層パターンの上に互いに分離されて形成されており同一の層で形成されたソース用電極及びドレーン用電極と、前記ドレーン用電極と連結された画素電極を含む画素配線とを形成する段階と、を含む液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。しかし、液晶表示装置の製造方法において、後者の場合には高コストの薄膜トランジスタ製造工程以後に低コストのカラーフィルター製造工程を実行するが、カラーフィルター工程での不良発生が最終的な歩留まりに悪影響を及ぼすようになるので製造費用を増加させることがある。また、前者の場合にはゲート線と画素電極との間に形成される維持容量を十分に確保することができないという問題点がある。本発明が達成しようとする技術的課題は、誤整列を最少化することができると共に開口率を確保することができる液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供することである。本発明が達成しようとする他の技術的課題は、歩留まりを向上させることができる液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供することである。また、本発明が達成しようとする他の技術的課題は、液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造工程を単純化することである。また、本発明が達成しようとするその他の技術的課題は、開口率を確保し歩留まりを向上させることができると共に寄生容量を最少化し維持容量を十分に確保することができる液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供することである。このような課題を達成するために、絶縁基板の上に形成されているデータ線を含むデータ配線と、前記基板の上部の画素に形成されている赤、緑、青のカラーフィルターと、前記データ配線及び前記カラーフィルターを覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の上部に形成されており、前記データ線と交差して前記画素を定義するゲート線及び前記ゲート線に連結されたゲート電極を含むゲート配線と、前記絶縁膜の上部に形成されて前記ゲート配線を覆っており前記絶縁膜と共に前記データ線の一部を露出させる第1接触孔を有するゲート絶縁膜と、前記ゲート電極の前記ゲート絶縁膜の上部に形成されている半導体層パターンと、前記半導体層パターンの上部に形成されており、前記第1接触孔を通じて前記データ線と連結されているソース用電極と前記ゲート電極を中心にして前記ソース用電極と分離されて対向するドレーン用電極と前記ドレーン用電極と連結されており前記画素に形成されている画素電極とを含む画素配線とを含む液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を提供する。ここで、前記赤、緑、青のカラーフィルターの端部は、前記データ線の端部を覆っていることが好ましい。また、前記絶縁膜は有機絶縁物質からなることが好ましい。前記ゲート配線は前記ゲート線に連結されて外部から信号の伝達を受けるゲートパッドをさらに含み、前記データ配線は前記データ線に連結されて外部から信号の伝達を受けるデータパッドをさらに含み、前記ゲート絶縁膜及び前記絶縁膜は前記ゲートパッド及び前記データパッドを露出させる第2接触孔及び第3接触孔を有しており、前記第2接触孔及び第3接触孔を通じて前記ゲートパッド及び前記データパッドと連結され前記画素電極と同一の層で形成されている補助ゲートパッド及び補助データパッドをさらに含むことが好ましい。前記データ配線と同一の層で形成されている第1補助ゲートパッドをさらに含み、前記ゲート絶縁膜及び前記絶縁膜は前記第1補助ゲートパッドをそれぞれ露出させる第2接触孔及び第3接触孔と前記データパッドを露出させる第4接触孔とを有しており、前記ゲート配線は前記ゲート線に連結されて外部から信号の伝達を受け、前記第2接触孔を通じて前記第1補助ゲートパッドと連結されているゲートパッドをさらに含み、前記データ配線は前記データ線に連結されて外部から信号の伝達を受けるデータパッドをさらに含み、前記第3接触孔及び第4接触孔を通じて前記第1補助ゲートパッド及び前記データパッドと連結され前記画素電極と同一の層で形成されている第2補助ゲートパッド及び補助データパッドをさらに含むことがさらに好ましい。前記データ配線と同一の層で形成されており、前記半導体層パターンまたは前記ゲート配線に対応する部分に位置する光遮断膜をさらに含むが好ましい。少なくとも前記ソース用電極と前記ドレーン用電極との間の前記半導体層パターンの上部に形成されている保護膜をさらに含むことが好ましい。前記保護膜の上部に形成されている間隔維持材をさらに含むことが好ましい。前記間隔維持材は感光性有機絶縁物質からなることが好ましい。前記間隔維持材は黒い色顔料を含むことが好ましい。前記半導体層パターンは二重層構造で形成されていることが好ましい。前記二重層構造の半導体層パターンは、第1非晶質ケイ素膜と、前記第1非晶質ケイ素膜の上に位置し第1非晶質ケイ素膜のバンドギャップより低い第2非晶質ケイ素膜とを含むことが好ましい。前記ゲート絶縁膜は、下部ゲート絶縁膜及び上部ゲート絶縁膜を含む二重層構造で形成されていることが好ましい。前記上部及び下部ゲート絶縁膜は、有機絶縁膜、非晶質酸化ケイ素、非晶質窒化ケイ素のうちの一つからなることが好ましい。本発明の他の観点による液晶表示装置は、第1絶縁基板の上に形成され一方向にのびているデータ線を含むデータ配線と、前記第1基板の上部の画素に形成されている赤、緑、青のカラーフィルターと、前記データ配線及び前記カラーフィルターを覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の上部に形成されており前記データ線と交差して前記画素を定義するゲート線及び前記ゲート線に連結されたゲート電極を含むゲート配線と、前記絶縁膜の上部に形成されて前記ゲート配線を覆っており前記絶縁膜と共に前記データ線の一部を露出させる第1接触孔を有するゲート絶縁膜と、前記ゲート電極の前記ゲート絶縁膜の上部に形成されている半導体層パターンと、前記半導体層パターンの上部に形成されており前記第1接触孔を通じて前記データ線と連結されているソース用電極と前記ゲート電極を中心にして前記ソース用電極と分離されて対向するドレーン用電極と前記ドレーン用電極と連結されており前記画素に形成されている画素電極とを含む画素配線とを含む下部絶縁基板と、前記第1絶縁基板と対向する第2絶縁基板の上部に形成されている共通電極を含む上部絶縁基板とを含む。ここで、少なくとも前記ソース用電極と前記ドレーン用電極との間の前記半導体層パターンの上部に形成されており、前記第1基板及び前記第2基板を支持する間隔維持材をさらに含むことが好ましい。前記間隔維持材は黒い色顔料を含む感光性有機絶縁物質からなることが好ましい。本発明の他の観点による薄膜トランジスタ基板は、ゲート線とデータ線とが交差して多数個の画素領域を定義し、多数個の画素領域に前記ゲート線及びデータ線に電気的に連結される薄膜トランジスタと画素電極が形成されている薄膜トランジスタ基板において、前記薄膜トランジスタの半導体層はバンドギャップが互いに異なる二重層構造の非晶質ケイ素膜からなることを特徴とする。ここで、前記二重層構造の半導体層は、前記ゲート絶縁膜の上に位置する第1非晶質ケイ素膜と、前記第1非晶質ケイ素膜の上に位置し前記第1非晶質ケイ素膜よりバンドギャップが低い第2非晶質ケイ素膜とからなることが好ましい。本発明のさらに他の観点による薄膜トランジスタ基板は、互いに交差して画素を定義するゲート線及びデータ線と、前記画素に形成されている画素電極及び前記ゲート線及びデータ線と前記画素電極とを電気的に連結する薄膜トランジスタとを含む薄膜トランジスタ基板において、前記薄膜トランジスタの一構成をなすゲート絶縁膜は上部及び下部絶縁膜の二重構造で形成される。ここで、前記上部及び下部絶縁膜は、有機絶縁膜、非晶質酸化ケイ素、非晶質窒化ケイ素のうちの一つであることが好ましい。本発明に係る液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法は、絶縁基板の上にデータ線を含むデータ配線を形成する段階と、前記基板の上部に赤、緑、青のカラーフィルターを形成する段階と、前記データ配線及び前記カラーフィルターを覆う絶縁膜を形成する段階と、前記絶縁膜の上部にゲート線及びゲート電極を含むゲート配線を形成する段階と、前記絶縁膜の上部に前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜の上に半導体層パターンを形成すると共に前記ゲート絶縁膜及び前記絶縁膜に前記データ線の一部を露出させる第1接触孔を形成する段階と、前記半導体層パターンの上に互いに分離されて形成されており同一の層で形成されているソース用電極及びドレーン用電極と、前記ドレーン用電極と連結された画素電極を含む画素配線を形成する段階とを含む。ここで、前記半導体パターンは二重層構造で形成することが好ましい。前記ゲート絶縁膜は、下部ゲート絶縁膜及び前記下部ゲート絶縁膜の上部に形成されている上部ゲート絶縁膜を含む二重層構造で形成することが好ましい。本発明の他の観点による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法は、絶縁基板の上にデータ線を含むデータ配線を形成する段階と、前記基板の上部に赤、緑、青のカラーフィルターを形成する段階と、前記データ配線及び前記カラーフィルターを覆う絶縁膜を形成する段階と、前記絶縁膜をパターニングして前記データ線を露出させる第1接触孔を形成する段階と、前記絶縁膜の上部にゲート線及び前記ゲート線と連結されているゲートパッドを含むゲート配線を形成する段階と、前記絶縁膜の上部に前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜の上に半導体層パターンを形成すると共に前記第1接触孔を通じて前記データ線を露出させる段階と、前記半導体層パターンの上部に抵抗性接触層パターンを形成する段階と、前記接触層パターンの上に互いに分離されて形成されており同一の層で形成されたソース用電極及びドレーン用電極と、前記ドレーン用電極と連結された画素電極を含む画素配線とを形成する段階とを含む。このように、本発明の実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法ではブラックマトリックスまたはカラーフィルターを形成する時に整列キーを形成することによって以後に形成される薄膜の整列を正確に行うことができる。また、薄膜トランジスタよりカラーフィルター及びブラックマトリックスを先に形成しデータ線と画素電極との間に有機絶縁膜を形成することによって開口率を確保することができる。また、ブラックマトリックスと同一の層で共通配線とパッドを形成することによって共通信号の遅延を少なくすることができ、低抵抗の配線を有することができるので大面積でも画質の均一度を確保して画質の特性を向上させることができる。また、カラーフィルターと薄膜トランジスタアレイの製造工程をそれぞれ別途の製造ラインで進行することができるので製造効率性を極大化することができる。また、配線をブラックマトリックスとして活用し半導体層と接触孔を共に形成することによって製造費用を低減することができる。またデータ配線と画素電極及びゲート配線が十分に絶縁されているのでこれらの間で発生する寄生容量を少なくすることができ、薄膜トランジスタの上下部に別途の光遮断膜を設置することができるので光漏れ電流を少なくすることができ、ゲート電極の大きさを小さくして薄膜トランジスタの寄生容量を少なくすることができるので大面積でも画質の均一度を確保して画質の特性を向上させることができる。また、二重にゲート絶縁膜または半導体層を形成することによって低温工程下でもTFT特性を確保することができる薄膜トランジスタ基板を製作することができる。また、本発明の実施例のようにカラーフィルターとブラックマトリックスを下部基板に形成することによって基板の厚さを薄くすることができるだけでなくプラスチックに置き換えることができ、低温工程を用いた薄膜トランジスタ基板の製造が可能なので下部基板もプラスチックに置き換えることができる。以下、添付図面に基づいて本発明の実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法について本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。まず、本発明の製造方法では薄膜トランジスタよりカラーフィルターを先に形成し、カラーフィルターの下部に画素対応の開口部を有するバックマトリックスbackmatrixを形成する。また、カラーフィルターまたはブラックマトリックスを形成する工程で製造工程時の層間整列のための整列キーを形成する。まず、図1乃至図4に基づいて本発明の実施例による薄膜トランジスタ基板の構造について詳細に説明する。図1に示されているように、一つの絶縁基板に同時に多数の液晶表示装置用パネル領域が形成される。例えば、図1のように、1つのガラス基板10に6個の液晶表示装置用パネル領域110、120、130、140、150、160が形成され、形成されるパネルが薄膜トランジスタパネルである場合、パネル領域110、120、130、140、150、160は多数の画素からなる画面表示部119、129、139、149、159、169と周辺部112、122、132、142、152、162とを含む。画面表示部119、129、139、149、159、169には主に薄膜トランジスタ、配線及び画素電極などが行列の形態に反復して配置され、周辺部115、125、135、145、155、165には駆動素子と連結される要素、即ち、パッド及びその他の画素電極と対向する共通電極に伝達される共通信号を外部から受信するためのパッドと共通信号の遅延を最少化するための共通信号線を含む共通配線などが配置される。しかし、このような液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板は多層の薄膜パターンを形成するためにマスクを利用した数回の写真エッチング工程によって形成される。この時、多層の薄膜パターンは層間に正確な整列が行われなければならず、層間の整列を正確にするためには不透明膜からなる整列キーalignkeyが必要であり、このような整列キーは基板10の外郭部11に配置される。図2は図1の一つのパネル領域に形成された液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の配置を概略的に示した配置図である。図2に示されているように、線1で囲まれた画面表示部には多数の薄膜トランジスタ3とそれぞれの薄膜トランジスタ3に電気的に連結されている画素電極112とゲート線52及びデータ線92を含む配線などが形成されており、ゲート線52及びデータ線92で囲まれた画素に対応する開口部を有するブラックマトリックス22が形成されている。この時、画面表示部の端部から漏洩する光を完全に遮断するため、ブラックマトリックス22が画面表示部の境界線1まで覆うように十分に広く形成するのが好ましい。画面表示部の外側の周辺部にはゲート線52の端に電気的に連結されたゲートパッド26とデータ線92の端に連結されたデータパッド98とが配置されている。また、画面表示部の外側の周縁には共通信号線25が形成されており、共通信号線25には外部から共通信号の伝達を受けて共通信号線25に伝達する共通パッド27が連結されており、共通パッド27は画面表示部の外側の周辺部に形成されている。共通配線25、27を画面表示部1の外側に形成しブラックマトリックス22の横部と同様にブラックマトリックス22の縦部を画面表示部の境界線1まで覆うように形成することもできる。一方、線2で囲まれた周辺部の外側である外郭部には整列キー29が形成されている。ここで、整列キー29は図1の外郭部11の角部にそれぞれ形成されるのが好ましく、共通信号線25はゲートパッド26が形成された一つの辺を除いた周辺部115、125、135、145、155、165の周囲に形成されるのが好ましく、これについては以後に詳細に説明する。図3及び図4は図2の画面表示部の薄膜トランジスタと画素電極及び配線と周辺部のパッドを拡大して示したものであって、図3は配置図であり、図4は図3のIV-IV ́線に沿って切断して示した断面図である。まず、下部絶縁基板10の上部に銅系列またはアルミニウム系列あるいはクロムまたはモリブデン系列あるいは窒化クロムまたは窒化モリブデンなどを含む単一膜または多層膜からなるブラックマトリックス22が形成されている。ブラックマトリックス22はマトリックス形態の画素に対応して開口部を有する網形態で形成されており、画素と画素の間から漏洩する光を遮断するように構成される。このブラックマトリックス22は、以後に形成される薄膜トランジスタの半導体層70に入射する光を遮断するために変形された構成とすることもできる。一方、ブラックマトリックス22と同一の層には、以後に形成される画素電極112と対向して液晶分子を駆動するための電気場を形成する共通信号線25と、共通信号線25に接続され、外部回路からの共通信号を共通信号線25に伝達する共通パッド27図2参照が形成されている。また、ブラックマトリックス22と同一の層には製造工程時の層間の整列を正確に調整するための整列キー29図2参照が形成されており、以後に形成されるゲート配線52、56に走査信号またはゲート信号を外部から伝達するためのゲートパッド26が形成されている。もちろん、本発明の実施例では示されていないが、ゲートパッド26と同様にブラックマトリックス22と同一の層には以後に形成されるデータ線92に外部から画像信号を伝達するためのデータパッドを形成することができる。ここで、共通配線25、27は基板10の周囲の周辺部115、125、135、145、155、165図1参照の周囲に形成して画面表示部119、129、139、149、159、169の周囲の外側から漏洩する光を遮断するようにし、低抵抗を有する銅系列、アルミニウム系列または銀系列の導電物質で形成して共通信号の遅延を防止することができる。また、以後に形成される画素配線112、116、118がITOindiumtinoxideまたはIZOindiumzincoxideであることを考慮してこれらとの接触特性が良い物質で形成するのが好ましい。下部絶縁基板10の上部画素には端部がブラックマトリックス22を覆う赤R、緑G、青Bのカラーフィルター31、32、33がそれぞれ形成されている。ここで、カラーフィルター31、32、33はブラックマトリックス22の上部で互いに重なるように形成してもよく、350°C以上の薄膜トランジスタ製造温度によって色特性が変わらない物質を使用するのが好ましい。ブラックマトリックス22、共通配線25、27図2参照及びゲートパッド26とカラーフィルター31、32、33の上にはBCBbisbenzocyclobuteneまたはPFCBperfluorocyclobuteneなどのように3.0以下の低い誘電率と300°C以上の耐熱性を有する物質からなり、平坦化されている有機絶縁膜40が形成されている。有機絶縁膜40にはゲートパッド26を露出させる接触孔42、46がそれぞれ形成されている。有機絶縁膜40の上部にはアルミニウムAlまたはアルミニウム合金Alalloy、モリブデンMoまたはモリブデン-タングステンMoW合金、クロムCr、タンタルTa、銅Cuまたは銅合金Cualloyなどの金属あるいは導電体からなるゲート配線が形成されている。ゲート配線は横方向にのびており、接触孔42を通じてゲートパッド26と連結されている走査信号線またはゲート線52及び薄膜トランジスタのゲート電極56を含む。ここで、ゲート線52は後述する画素電極112と重なって画素の電荷保存能力を向上させる維持蓄電器をなし、後述する画素電極112とゲート線52との重畳によって発生する維持容量が十分でない場合には維持容量用配線を追加的に形成することもできる。ゲート配線52、56は低抵抗を有する銅系列、アルミニウム系列または銀系列などの単一膜で形成できるが、二重層または三重層で形成することもできる。特に、外部からの走査信号の伝達を受けるためのゲートパッド26がゲート配線52、56と異なる層に形成されているためパッド部の接触特性を考慮しなくてもよいので、抵抗が小さい物質の単一膜で形成するのが容易である。有機絶縁膜40の上には窒化ケイ素SiNxなどからなるゲート絶縁膜60がゲート配線52、56を覆っており、ゲート電極56のゲート絶縁膜60の上部には水素化非晶質ケイ素hydrogenatedamorphoussiliconなどの半導体からなる半導体層70が島形態で形成されている。半導体層70の上には燐Pなどのn型不純物で高濃度でドーピングされている非晶質ケイ素または微細結晶化されたケイ素または金属シリサイドなどを含む抵抗性接触層ohmiccontactlayer85、86がゲート電極56を中心にして分離されて形成されている。ゲート絶縁膜60及び抵抗性接触層85、86の上には低抵抗を有するアルミニウム系列、銅系列または銀系列の導電物質からなるデータ配線が形成されている。データ配線は縦方向に形成されているデータ線92、データ線92の一端に連結されて外部からの画像信号の印加を受けるデータパッド98、そしてデータ線92と連結されており抵抗性接触層85の上に位置するソース電極95及びデータ線部92、95、98と分離されておりゲート電極56に対してソース電極95の反対側の抵抗性接触層86の上部に位置する薄膜トランジスタのドレーン電極96を含む。データ配線92、95、96、98もゲート配線52、56と同様に低抵抗を有する導電物質の単一層で形成できるが、二重層または三重層で形成されることもできる。もちろん、二重層以上で形成する場合には一つの層は抵抗が小さい物質で形成し他の層は他の物質との接触特性が良い物質で形成することが好ましく、データパッド98をゲートパッド26と同一の層で形成する場合には他の物質との接触特性を考慮せずに抵抗が小さい導電物質の単一膜で形成することが好ましい。データ配線92、95、96、98の上には保護膜100が形成されており、保護膜100はドレーン電極96及びデータパッド98を露出させる接触孔102、108を有している。また、ゲート絶縁膜60と共にゲートパッド26を露出させる接触孔106を有している。保護膜100は窒化ケイ素あるいはアクリル系などの有機絶縁物質から形成することができる。保護膜100の上には薄膜トランジスタから画像信号を受けて上板の電極と共に電気場を生成する画素電極112が形成されている。画素電極112はITOindiumtinoxideまたはIZOindiumzincoxideなどの透明な導電物質からなり、接触孔102を通じてドレーン電極96と物理的電気的に連結されて画像信号の伝達を受ける。また、画素電極112は隣接するゲート線52及びデータ線92と重なって開口率を高めているが、重ならないこともある。一方、ゲートパッド26及びデータパッド98の上には接触孔106、108を通じてそれぞれこれらと連結される補助ゲートパッド116及び補助データパッド118が形成されており、これらはパッド26、98と外部回路装置との接着性を補完しパッドを保護する役割を果たすものであって、必須なものではなく、これらの適用如何は選択的である。ここでは画素電極82の材料の例として透明なITOまたはIZOをあげたが、反射型液晶表示装置の場合には不透明な導電物質を使用しても関係ない。このような本発明の実施例による液晶表示装置ではデータ線92と画素電極112との間にはゲート絶縁膜60と低い誘電率を有する保護膜100とが形成されていて、これらの間で発生するカップリング容量を最少化することができるので表示装置の特性を向上させることができると共にこれらの間に間隔をおく必要がないので開口率を最大限確保することができる。以下、本発明の実施例による液晶表示装置用基板の製造方法について図5乃至図20と前述の図1乃至図4に基づいて詳細に説明する。まず、図5乃至図6に示されているように、導電物質をスパッタリングなどの方法で蒸着しマスクを利用した写真エッチング工程で乾式または湿式エッチングして、下部絶縁基板10の上にブラックマトリックス22を形成する。この時、図7に示されているように、基板10の周辺部115、125、135、145、155、165図1参照の周囲に共通信号線25及び共通パッド27を含む共通配線とゲートパッド26とを形成することができ、外郭部11図1参照に整列キー29を形成する。このように、ブラックマトリックス22を形成すると共に整列キー29を形成すると、以後に形成するゲート配線52、56またはデータ配線92、95、96などのような薄膜を誤整列無しで正確に形成することができる。ここで、導電物質はアルミニウムまたはアルミニウム合金、銅または銅合金あるいは銀系列などのように低抵抗を有する導電物質またはITOとの接触特性が優れたクロムまたはモリブデンまたはチタニウムまたは反射度が低い窒化クロムなどを含む多層膜で形成するのが好ましい。もちろん、ここでデータパッドを追加的に形成することができ、以後に形成するカラーフィルター31、32、33を整列するための整列キー、基板10を完成した後に切断するための切断用整列キーまたは液晶表示装置の二つの基板の間に注入されている液晶物質を封印するための封印材を整列するための整列キーなどを追加的に形成することもできる。次いで、図8及び図9に示されているように、赤、緑、青の顔料を含む感光性物質を順次に塗布しマスクを利用した写真工程でパターニングして赤、緑、青のカラーフィルター31、32、33を順次に形成する。この時、感光性物質は350°C以上の温度でも色特性が変わらない耐熱性物質を使用するのが好ましく、赤、緑、青のカラーフィルター31、32、33は三枚のマスクを使用して形成するが、製造費用を節減するために一つのマスクを移動しながら使用して形成することもできる。また、レーザー転写法lasertranscriptionまたはプリントprint法を利用するとマスクを使用しないで形成することができ、製造費用を軽減することもできる。この時、図面に示されているように、赤、緑、青のカラーフィルター31、32、33の端部はブラックマトリックス22と重なるように形成するのが好ましい。この時、図10に示されているように、カラーフィルター31、32、33を形成する時、整列キー29がカラーフィルター用感光性物質によって覆われないようにシャドーマスク500を使用する。一方、ブラックマトリックス22を形成する工程で整列キー29を形成しない場合には、図10に示されているように、カラーフィルター用感光性物質を利用して多数の整列キー39を形成することができる。次いで、図11及び図12に示されているように、下部絶縁基板10の上部に350°C以上の耐熱特性と平坦化特性が優れた有機物質を利用して有機絶縁膜40を形成する。このような有機物質にはBCBまたはPFCBなどがある。その後、マスクを利用した写真エッチング工程でゲートパッド26を露出させる接触孔42、46を形成し、乾式エッチングを用いる。この時、共通配線25、27を露出させる接触孔も共に形成し、有機絶縁膜40を感光性物質で形成する場合には写真工程のみでも接触孔を形成することができる。もちろん、ゲートパッド26及び共通配線25、27を形成しない場合には有機絶縁膜40をパターニングしなくてもよく、データパッドもブラックマトリックス22と同一の層で形成する場合にはデータパッドを露出させる接触孔も共に形成する。次いで、図13及び図14に示されているように、アルミニウムまたはアルミニウム合金、銅または銅合金あるいは銀系列などのように低抵抗を有するゲート配線用導電物質を順次にスパッタリングなどの方法で蒸着しマスクを利用した写真エッチング工程で乾式または湿式エッチングして、基板10の上に接触孔42を通じてゲートパッド26と連結されるゲート線52及びゲート電極56を含むゲート配線を形成する。この時、ゲート配線52、56を形成するための写真エッチング工程で前で形成した整列キー29または39を用いてマスクを正確に整列させるためにはゲート配線用導電物質が整列キー29または39が形成されている部分には積層されないようにしなければならない。このためにはシャドーマスク500を用いて整列キー29または39が形成されている部分を図10のように覆った後、ゲート配線用導電物質を積層する。これによって写真工程でゲート配線を形成するためのマスクを正確に整列キー29または39を用いて整列することができる。この時、ゲート配線52、56は、図13及び図14に示されているように、ブラックマトリックス22の横部の内側に形成するのが好ましい。一方、シャドーマスク500を使用しない場合にはゲート配線用導電物質を積層し外郭部11図1参照に形成されている整列キー29または39が露出されるようにゲート配線用導電物質を選択的にエッチングして除去した後、整列キー29、39を用いてマスクを整列した後、ゲート配線用導電物質をパターニングしてゲート配線52、56を形成することもできる。また、外郭部11図1参照に平坦化されている有機絶縁膜40を除去して整列キー29または39を露出させることでゲート配線用導電物質を積層した時に整列キー29または39による段差が形成されるようにした後、レーザーを照射して段差による位置情報を得てマスクを整列してゲート配線52、56を形成することができる。また、ゲート配線用導電物質を積層した後、基板10の下部でレーザーを照射して整列キーの位置情報を正確に得てこれに基づいてマスクを整列してゲート配線を形成することもできる。ここでは、前述のように、以後に画素配線112、116、118をITOindiumtinoxideで形成しても、ゲートパッド26がゲート配線52、56と異なる層に形成されるため、ゲート配線52、56をアルミニウムまたはアルミニウム合金のように低抵抗導電物質のみの単一膜で形成することができる。従って、多層膜で形成する場合の多数のエッチング条件を適用してゲート配線52、56を形成する場合より製造工程を単純化することができる。もちろん、ゲートパッド26とゲート配線52、56とを同一の層で形成する場合には低抵抗を有する導電物質とITOまたはIZOとの接触特性が良い導電物質からなる二重膜で形成するのが好ましい。その後、図15及び図16に示されているように、ゲート絶縁膜60、半導体層70、抵抗性接触層80を化学気相蒸着法を用いてそれぞれ蒸着し、マスクを利用した写真工程でパターニングしてゲート電極26と対向するゲート絶縁膜60の上部に島形態の半導体層70及び抵抗性接触層80を形成する。その後、図17乃至図18に示されているように、モリブデンまたはモリブデン合金あるいはクロムを積層した後、マスクを利用した写真工程でパターニングしてゲート線52と交差してマトリックス形態の画素を定義するデータ線92、データ線92と連結されてゲート電極56の上部まで延長されているソース電極95、データ線92の一端に連結されているデータパッド98及びソース電極95と分離されておりゲート電極56を中心にしてソース電極95と対向するドレーン電極96を含むデータ配線を形成する。次いで、データ配線92、95、96、98で覆われないドーピングされた非晶質ケイ素層パターン80をエッチングしてゲート電極56を中心にして両側に分離させる一方、両側のドーピングされた非晶質ケイ素層85、86の間の半導体層パターン70を露出させる。次いで、図19及び図20に示されているように、窒化ケイ素または有機絶縁膜からなる保護膜100を積層した後、マスクを利用した写真エッチング工程でゲート絶縁膜60と共に乾式エッチングでパターニングして、ゲートパッド26、ドレーン電極96及びデータパッド98を露出させる接触孔106、102、108を形成する。この時、共通配線25、27を露出させる接触孔を形成することができる。その後、図3及び図4に示されているように、ITO膜を積層しマスクを利用したパターニングを実施して接触孔102を通じてドレーン電極96と連結される画素電極112と、接触孔106、108を通じてゲートパッド26及びデータパッド98とそれぞれ連結される補助ゲートパッド116及び補助データパッド118をそれぞれ形成する。一方、下部絶縁基板10と対向する上部絶縁基板図示しないには上部にITOまたはIZOまたは銀合金の導電物質を積層して共通電極を形成する。このような本発明の実施例による液晶表示装置の製造方法では、前述のように、ブラックマトリックス22またはカラーフィルター31、32、33を形成する時に整列キー29、39を形成することによって、以後に形成されるゲート配線またはデータ配線などの薄膜を正確に整列して形成することができる。また、下部基板10の上部にカラーフィルター31、32、33及びブラックマトリックス22を薄膜トランジスタと共に形成することによって下部基板と上部基板の整列誤差を考慮しなくてもよいので開口率を向上させることができる。また、本発明による製造方法では低単価工程であるカラーフィルター31、32、33を薄膜トランジスタより先に形成することによってカラーフィルター工程での不良発生が最終的な収率に影響を与えないので製造費用を低減できる。また、カラーフィルター製造工程と薄膜トランジスタ製造工程を別途の製造ラインで実施できるので製造効率性を向上できる。即ち、有機絶縁膜50でコーティングされたカラーフィルターを有する基板を外部に注文したり完成した後、別途の工程で5枚のマスクを利用した写真エッチング工程で薄膜トランジスタアレイ基板製造工程を実施することができる。また、ゲート線52及びデータ線92を銅または銅合金あるいはアルミニウムまたはアルミニウム合金などの低抵抗導電物質で形成することによって高精細大画面の液晶表示装置の製造方法に容易に適用することができる。また、上部絶縁基板には共通電極のみを形成することによって基板の厚さを最小化することができ、材質の制限がないので製造費用を減少させることができ、共通電極に開口部を形成するPVApatternedverticalalign方式の液晶表示装置にも容易に適用することができる。このような方法は、前述のように、有機絶縁膜40を形成した以後の工程を5枚のマスクを使用する製造方法に適用したが、4枚のマスクを使用する液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法でも同一に適用することができる。これについて一つの実施例を図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、ゲートパッドをゲート配線と同一の層で形成することにする。まず、図21乃至図23に基づいて本発明の実施例による4枚マスクを使用して完成された液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の単位画素構造について詳細に説明する。図21は本発明の第2実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の配置図であり、図22及び図23はそれぞれ図21に示した薄膜トランジスタ基板をXXII-XXII ́線及びXXIII-XXIII ́線に沿って切断して示した断面図である。まず、絶縁基板10の上に第1実施例と同様にブラックマトリックス22及びカラーフィルター31、32、33とこれらを覆う有機絶縁膜40が形成されている。有機絶縁膜40の上にはゲート線52、ゲートパッド54及びゲート電極56を含むゲート配線が形成されている。ゲート配線は基板10の上部にゲート線52と平行で上板の共通電極に入力される共通電極電圧などの電圧の印加を外部から受ける維持電極58を含む。維持電極58は後述する画素電極112と連結された維持蓄電器用導電体パターン98と重なって画素の電荷保存能力を向上させる維持蓄電器をなし、後述する画素電極112とゲート線52の重畳で発生する維持容量が十分な場合には形成しないこともある。ゲート配線52、54、56、58の上には窒化ケイ素SiNXなどからなるゲート絶縁膜60が形成されてゲート配線52、54、56、58を覆っている。ゲート絶縁膜60の上には水素化非晶質ケイ素hydrogenatedamorphoussiliconなどの半導体からなる半導体パターン72、78が形成されており、半導体パターン72、78の上には燐Pなどのn型不純物で高濃度でドーピングされている非晶質ケイ素などからなる抵抗性接触層ohmiccontactlayerパターンまたは中間層パターン85、86、88が形成されている。抵抗性接触層パターン85、86、88の上にはMoまたはMoW合金、Cr、AlまたはAl合金、Taなどの導電物質からなるデータ配線が形成されている。データ配線は縦方向に形成されているデータ線92、データ線92の一端に連結されて外部からの画像信号の印加を受けるデータパッド94、データ線92の分枝である薄膜トランジスタのソース電極95からなるデータ線部を含み、また、データ線部92、94、95と分離されておりゲート電極56または薄膜トランジスタのチャンネル部Cに対してソース電極95の反対側に位置する薄膜トランジスタのドレーン電極96と維持電極58の上に位置している維持蓄電器用導電体パターン98も含む。維持電極58を形成しない場合には維持蓄電器用導電体パターン98も形成しない。データ配線92、94、95、96、98もゲート配線52、54、56、58と同様に単一層で形成することができるが、二重層または三重層で形成することもできる。もちろん、二重層以上で形成する場合には一つの層は抵抗が小さい物質で形成し他の層は他の物質との接触特性が良い物質で形成するのが好ましい。接触層パターン85、86、88はその下部の半導体パターン72、78とその上部のデータ配線92、94、95、96、98の接触抵抗を低下させる役割を果たし、データ配線92、94、95、96、98と完全に同一な形態を有する。即ち、データ線部中間層パターン85はデータ線部92、94、95と同一で、ドレーン電極用中間層パターン86はドレーン電極96と同一で、維持蓄電器用中間層パターン88は維持蓄電器用導電体パターン98と同一である。一方、半導体パターン72、78は薄膜トランジスタのチャンネル部Cを除いてデータ配線92、94、95、96、98及び抵抗性接触層パターン85、86、87と同一の形態をしている。具体的には、維持蓄電器用半導体パターン48と維持蓄電器用導電体パターン98及び維持蓄電器用接触層パターン88は同一の形態であるが、薄膜トランジスタ用半導体パターン72はデータ配線及び接触層パターンの残り部分と多少異なる。即ち、薄膜トランジスタのチャンネル部Cでデータ線部92、94、95、特にソース電極95とドレーン電極96が分離されており、データ線部中間層パターン85とドレーン電極用接触層パターン86も分離されているが、薄膜トランジスタ用半導体パターン72はここで分割されないで連結されて薄膜トランジスタのチャンネルを生成する。データ配線92、94、95、96、98の上には保護膜100が形成されており、保護膜100はドレーン電極96、データパッド94及び維持蓄電器用導電体パターン98を露出させる接触孔102、104、108を有しており、また、ゲート絶縁膜60と共にゲートパッド54を露出させる接触孔106を有している。保護膜100は窒化ケイ素あるいはアクリル系などの有機絶縁物質からなることができる。保護膜100の上には薄膜トランジスタから画像信号を受けて上板の電極と共に電気場を生成する画素電極112が形成されている。画素電極112はITOindiumtinoxideまたはIZOindiumzincoxideなどの透明な導電物質からなり、接触孔102を通じてドレーン電極96と物理的電気的に連結されて画像信号の伝達を受ける。また、画素電極112は隣接するゲート線52及びデータ線92と重なっていて開口率を高めているが、重ならないこともある。また、画素電極112は接触孔108を通じて維持蓄電器用導電体パターン98とも連結されて導電体パターン98に画像信号を伝達する。一方、ゲートパッド54及びデータパッド94の上には接触孔106、104を通じてそれぞれこれらと連結される補助ゲートパッド114及び補助データパッド116が形成されており、これらはパッド54、94と外部回路装置との接着性を補完しパッドを保護する役割を果たすものであって、必須なものではなく、これらの適用如何は選択的である。以下、図21乃至図23の構造を有する液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を4枚のマスクを用いて製造する方法について図21乃至図23と図24乃至図43を参照して詳細に説明する。まず、図24乃至図26に示されているように、第1実施例と同様に基板10の上部にブラックマトリックス22、カラーフィルター31、32、33及び有機絶縁膜40を順次に形成する。この時にも、第1実施例と同一に整列キー29または39図7または図10参照を形成する。次いで、図27乃至図29に示されているように、第1マスクを利用した写真エッチング工程で有機絶縁膜40の上にゲート線52、ゲートパッド54、ゲート電極56及び維持電極58を含むゲート配線を形成する。この時にも、第1実施例と同一に多様な方法で整列キーを覆わないようにしたり、整列キーの位置情報を得て第1マスクを整列した後、通常のパターニング工程でゲート配線52、54、56を形成する。その後、図30及び図31に示されているように、ゲート絶縁膜60、半導体層70、中間層80を化学気相蒸着法を利用してそれぞれ1,500Å乃至5,000Å、500Å乃至2,000Å、300Å乃至600Åの厚さで連続蒸着し、次いで金属などの導電体層90をスパッタリングなどの方法で1,500Å乃至3,000Åの厚さで蒸着した後、その上に感光膜130を1μm乃至2μmの厚さで塗布する。その後、第2マスクを通じて感光膜130に光を照射した後に現像して、図33及び図34に示されているように、感光膜パターン132、134を形成する。この時、感光膜パターン132、134中の薄膜トランジスタのチャンネル部C、即ち、ソース電極95とドレーン電極96との間に位置した第1部分134はデータ配線部A、即ち、データ配線92、94、95、96、98が形成される部分に位置した第2部分132より厚さが小さく形成されるようにし、その他の部分Bの感光膜は全て除去する。この時、チャンネル部Cに残っている感光膜134の厚さとデータ配線部Aに残っている感光膜132の厚さの比は後述するエッチング工程の工程条件に応じて異なるようにしなければならず、第1部分134の厚さを第2部分132の厚さの1/2以下とするのが好ましく、例えば、4,000Å以下であるのが良い。このように、位置に応じて感光膜の厚さを異にする方法には多様なものがあり、A領域の光透過量を調節するために主にスリットslitまたは格子形態のパターンを形成したり半透明膜を使用する。この時、スリットの間に位置したパターンの線幅またはパターン間の間隔、即ち、スリットの幅は露光時に使用する露光器の分解能より小さいことが好ましく、半透明膜を使用する場合にはマスクを製作する時に透過率を調節するために異なる透過率を有する薄膜を使用したり厚さが異なる薄膜を使用することができる。このようなマスクを通して感光膜に光を照射すると光に直接露出される部分では高分子が完全に分解され、スリットパターンまたは半透明膜が形成されている部分では光の照射量が少ないので高分子は完全分解されない状態であり、遮光幕で遮られた部分では高分子が殆ど分解されない。次いで、感光膜を現像すると、高分子の分子が分解されない部分のみが残り、光が少量照射された中央部分には光を全く照射されない部分より薄い感光膜が残ることができる。この時、露光時間を長くすると全ての分子が分解されるので、そのようにならないようにしなければならない。このような薄い感光膜134はリフローが可能な物質からなる感光膜を使用し、光が完全に透過することができる部分と光が完全に透過することができない部分とに分けられた通常のマスクで露光した後、現像しリフローさせて感光膜が残留しない部分に感光膜の一部が流れるようにすることによって形成することもできる。次いで、感光膜パターン134及びその下部の膜、即ち、導電体層90、中間層80及び半導体層70に対するエッチングを行う。この時、データ配線部Aにはデータ配線及びその下部の膜がそのまま残っており、チャンネル部Cには半導体層のみが残っていなければならず、その他の部分Bでは前記3つの層90、80、70が全て除去されてゲート絶縁膜30が露出されなければならない。まず、図35及び図36に示されているように、その他の部分Bの露出されている導電体層90を除去してその下部の中間層80を露出させる。この過程では乾式エッチングまたは湿式エッチング方法を全て使用することができ、この時、導電体層90はエッチングされ感光膜パターン132、134は殆どエッチングされない条件下で行うのが好ましい。しかし、乾式エッチングの場合、導電体層90のみをエッチングし感光膜パターン132、134はエッチングされない条件を探すことが難しいので感光膜パターン132、134も共にエッチングされる条件下で行うことができる。この場合には湿式エッチングの場合より第1部分134の厚さを厚くしてこの過程で第1部分134が除去されて下部の導電体層90が露出されることが発生しないようにする。導電体層90がMoまたはMoW合金、AlまたはAl合金、Taのうちのいずれかの一つである場合には乾式エッチングまたは湿式エッチングのうちのいずれでも可能である。しかし、Crは乾式エッチング方法ではよく除去されないため、導電体層90がCrである場合には湿式エッチングのみを利用することが好ましい。導電体層90がCrである湿式エッチングの場合にはエッチング液としてCeNHO3を使用することができ、導電体層90がMoまたはMoWである乾式エッチングの場合のエッチング気体としてはCF4とHClの混合気体またはCF4とO2の混合気体を使用することができ後者の場合は感光膜に対するエッチング比も殆ど類似する。このようにすると、図35及び図36に示されているように、チャンネル部C及びデータ配線部Bの導電体層、即ち、ソース/ドレーン用導電体パターン97と維持蓄電器用導電体パターン98のみが残りその他の部分Bの導電体層90は全て除去されてその下部の中間層80が露出される。この時、残った導電体パターン97、98はソース及びドレーン電極95、96が分離されないで連結されている点以外はデータ配線92、94、95、96、98の形態と同一である。また、乾式エッチングを使用した場合、感光膜パターン132、134もある程度の厚さでエッチングされる。次いで、図37及び図38に示されているように、その他の部分Bの露出された中間層80及びその下部の半導体層70を感光膜の第1部分134と共に乾式エッチング方法で同時に除去する。この時のエッチングは感光膜パターン132、134と中間層80及び半導体層70半導体層と中間層はエッチング選択性が殆ど無いが同時にエッチングされゲート絶縁膜60はエッチングされない条件下で行わなければならず、特に感光膜パターン132、134と半導体層70に対するエッチング比が殆ど同一な条件でエッチングするのが好ましい。例えば、SF6とHClの混合気体、またはSF6とO2の混合気体を使用すると殆ど同一の厚さで二つの膜をエッチングすることができる。感光膜パターン132、134と半導体層70に対するエッチング比が同一な場合、第1部分134の厚さは半導体層70と中間層80の厚さとを合せたものと同一であったりまたはそれより小さくなければならない。このようにすると、図37及び図38に示されているように、チャンネル部Cの第1部分134が除去されてソース/ドレーン用導電体パターン97が露出され、その他の部分Bの中間層80及び半導体層70が除去されてその下部のゲート絶縁膜60が露出される。一方、データ配線部Aの第2部分132もエッチングされるので厚さが薄くなる。また、この段階で半導体パターン72、78が完成される。図面符号87と88はそれぞれソース/ドレーン用導電体パターン97の下部の中間層パターンと維持蓄電器用導電体パターン98の下部の中間層パターンを指す。次いで、アッシングashingを実施してチャンネル部Cのソース/ドレーン用導電体パターン97の表面に残っている感光膜クズを除去する。その後、図39及び図40に示されているように、チャンネル部Cのソース/ドレーン用導電体パターン97及びその下部のソース/ドレーン用中間層パターン87をエッチングして除去する。この時、エッチングはソース/ドレーン用導電体パターン97と中間層パターン87の両方に対して乾式エッチングのみで行うことができ、ソース/ドレーン用導電体パターン97に対しては湿式エッチングで、中間層パターン87に対しては乾式エッチングで行うこともできる。前者の場合、ソース/ドレーン用導電体パターン97と中間層パターン87のエッチング選択比が大きい条件下でエッチングを行うことが好ましく、これはエッチング選択比が大きくない場合にはエッチング終点を探すことが難しいためチャンネル部Cに残る半導体パターン72の厚さを調節することが容易ではないためである。例えば、SF6とO2の混合気体を使用してソース/ドレーン用導電体パターン97をエッチングすることをあげることができる。湿式エッチングと乾式エッチングを交互に使用する後者の場合には湿式エッチングされるソース/ドレーン用導電体パターン97の側面はエッチングされるが、乾式エッチングされる中間層パターン87は殆どエッチングされないので階段形態で形成される。中間層パターン87及び半導体パターン72をエッチングする時に使用するエッチング気体の例としては前で言及したCF4とHClの混合気体またはCF4とO2の混合気体をあげることができ、CF4とO2を使用すると均一な厚さで半導体パターン72を残すことができる。この時、図40に示されているように、半導体パターン72の一部が除去されて厚さが小さくなることもあり、感光膜パターンの第2部分132もこの時にある程度の厚さでエッチングされる。この時のエッチングはゲート絶縁膜60がエッチングされない条件下で行わなければならず、第2部分132がエッチングされてその下部のデータ配線92、94、95、96、98が露出されることがないように感光膜パターンが厚いのが好ましいことはもちろんである。このようにすると、ソース電極95とドレーン電極96とが分離されながらデータ配線92、94、95、96、98とその下部の接触層パターン85、86、88が完成される。最後にデータ配線部Aに残っている感光膜第2部分132を除去する。しかし、第2部分132の除去はチャンネル部Cソース/ドレーン用導電体パターン97を除去した後、その下の中間層パターン87を除去する前に行うこともできる。前述のように、湿式エッチングと乾式エッチングを交互に行ったり乾式エッチングのみを使用することができる。後者の場合には一つの種類のエッチングのみを使用するので工程が比較的簡便であるが、適当なエッチング条件を探すことが難しい。反面、前者の場合にはエッチング条件を探すことが比較的容易であるが工程が後者に比べて複雑である。このようにしてデータ配線92、94、95、96、98を形成した後、図41乃至図43に示されているように窒化ケイ素をCVD方法で蒸着したり有機絶縁物質をスピンコーティングして3,000Å以上の厚さを有する保護膜100を形成する。次いで、第3マスクを用いて保護膜100をゲート絶縁膜60と共にエッチングしてドレーン電極96、ゲートパッド54、データパッド98及び維持蓄電器用導電体パターン94をそれぞれ露出させる接触孔101、102、103、104を形成する。最後に、図21乃至図23に示されているように、400Å乃至500Å厚さのITO層を蒸着し第4マスクを使用してエッチングして画素電極112、補助ゲートパッド116及び補助データパッド118を形成する。このような本発明の第2実施例では第1実施例による効果だけでなくデータ配線62、64、65、66、68とその下部の接触層パターン55、56、58及び半導体パターン42、48を一つのマスクを用いて形成し、その過程でソース電極65とドレーン電極66が分離されることにより製造工程を単純化することができる。本発明の他の製造方法では薄膜トランジスタよりカラーフィルターを先に形成し、カラーフィルターの下部にデータ線を形成してブラックマトリックスとして活用することによって開口率を確保すると共に向上した歩留まりと十分に低い寄生容量を確保する。また、部分的に異なる厚さを有する感光膜パターンをエッチングマスクとして使用して半導体パターンと接触孔を共に形成することで製造工程を単純化する。まず、図44及び図45に基づいて本発明の第3実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の構造について詳細に説明する。図44は本発明の実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の配置図であり、図45は図44に示した薄膜トランジスタ基板をXLV-XLV ́線に沿って切断して示した断面図である。図45は下部基板101と下部基板101と対向する上部基板201を共に図示した。まず、下部基板101には、下部絶縁基板10の上部に銅または銅合金あるいはアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる下部膜901とクロムまたはモリブデンまたはモリブデン合金または窒化クロムまたは窒化モリブデンなどからなる上部膜902を含むデータ配線が形成されている。データ配線は縦方向にのびているデータ線92、データ線92の端に連結され外部から画像信号の伝達を受けてデータ線92に伝達するデータパッド98及びデータ線92の分枝であって下部基板101の下部から以後に形成される薄膜トランジスタの半導体層70に入射する光を遮断する光遮断膜91を含む。ここで、光遮断膜91は漏洩する光を遮断するブラックマトリックスの機能も共に有し、データ線92と分離して断絶された配線として形成することができる。一方、データ配線91、92、98と同一の層には画面表示部の端部から漏洩する光を遮断するためのブラックマトリックスの縦部99が形成されている。データ配線は二重膜で形成されているが、銅または銅合金、アルミニウムAlまたはアルミニウム合金Alalloy、モリブデンMoまたはモリブデン-タングステンMoW合金、クロムCr、タンタルTaなどの導電物質からなる単一膜で形成することもできる。ここでは、以後に形成される画素配線111、112、113がITOindiumtinoxideであることを考慮して下部膜の場合には下部膜901を抵抗が小さい物質であるアルミニウム、アルミニウム合金または銅Cuで形成し上部膜902は他の物質との接触特性が良い物質であるクロムで形成したが、画素配線111、112、113がIZOindiumzincoxideである場合にはアルミニウムまたはアルミニウム合金の単一膜で形成することが好ましい。下部絶縁基板10の上部画素には端部がデータ配線91、92を覆う赤R、緑G、青Bのカラーフィルター31、32、33がそれぞれ形成されている。ここで、カラーフィルター31、32、33はデータ配線91、92の上部で互いに重なるように形成されることができ、350°C以上の薄膜トランジスタ製造温度によって色特性が変わらない物質を使用するのが好ましい。データ配線91、92、98及びカラーフィルター31、32、33の上にはBCBbisbenzocyclobuteneまたはPFCBperfluorocyclobuteneなどのように3.0以下の低い誘電率を有し300°C以上の耐熱性が優れた物質からなっており、平坦化されている有機絶縁膜40が形成されている。有機絶縁膜40の上部にはアルミニウムAlまたはアルミニウム合金Alalloy、モリブデンMoまたはモリブデン-タングステンMoW合金、クロムCr、タンタルTa、銅Cuまたは銅合金Cualloyなどの金属または導電体からなるゲート配線が形成されている。ゲート配線は横方向にのびてデータ線92と交差して単位画素を定義する走査信号線またはゲート線52、ゲート線52の端に連結されており外部からの走査信号の印加を受けてゲート線52に伝達するゲートパッド54及びゲート線52の一部である薄膜トランジスタのゲート電極56を含む。ここで、ゲート線52は後述する画素電極112と重なって画素の電荷保存能力を向上させる維持蓄電器をなし、後述する画素電極112とゲート線52の重畳によって発生する維持容量が十分ではない場合には維持容量用共通電極を形成することもできる。一方、ゲート配線52、54、56と同一の層には画面表示部の縁周から漏洩する光を遮断するためのブラックマトリックスの縦部59が形成されている。ゲート配線52、54、56はデータ配線91、92、98のように低抵抗を有する銅またはアルミニウムまたはアルミニウム合金などの単一膜で形成されることができるが、二重層または三重層で形成されることもできる。二重層以上で形成する場合には一つの層は抵抗が小さい物質で形成し他の層は他の物質との接触特性が良い物質で形成することが好ましく、AlまたはAl合金/Crの二重層またはCu/Crの二重層がその例である。また、接触特性を改善するために窒化クロム膜または窒化モリブデン膜などを追加することもできる。図24に示されているように、本発明の実施例でゲート配線52、54、56はクロムからなる下部膜501とアルミニウム合金であるAl-Ndからなる上部膜502とを含む。ゲート配線52、54、56及び有機絶縁膜40の上には窒化ケイ素SiNXなどからなるゲート絶縁膜60が形成されており、ゲート電極56のゲート絶縁膜60の上部には水素化非晶質ケイ素hydrogenatedamorphoussiliconなどの半導体からなる半導体層70が島形態で形成されている。半導体層70の上には燐Pなどのn型不純物で高濃度でドーピングされている非晶質ケイ素または微細結晶化されたケイ素または金属シリサイドなどを含む抵抗性接触層ohmiccontactlayer85、86がゲート電極56を中心にして分離されて形成されている。接触層82、86の上にはITOからなるソース用電極及びドレーン用電極111、113がそれぞれ形成されている。ソース用電極111はゲート絶縁膜60及び有機絶縁膜40に形成されている接触孔61を通じてデータ線92と連結されており、ドレーン用電極113は画素領域に形成されており薄膜トランジスタから画像信号を受けて上板の電極と共に電気場を生成する画素電極112と連結されている。画素配線111、112、113はITOまたはIZOなどの透明な導電物質で形成され、ドレーン用電極113と物理的電気的に一体に連結されて画像信号の伝達を受ける。また、画素配線111、112、113と同一の層には接触孔64、68を通じてゲートパッド54及びデータパッド98とそれぞれ連結されている補助ゲートパッド114及び補助データパッド118が形成されている。ここで、補助ゲートパッド114はゲートパッド54の下部膜501であるクロム膜と直接接触しており、補助データパッド118もデータパッド98の上部膜902であるクロム膜と直接接触している。この時、ゲートパッド54及びデータパッド98が窒化クロム膜または窒化モリブデン膜を含む場合には補助ゲートパッド114及び補助データパッド118は窒化クロム膜または窒化モリブデン膜と接触するのが好ましい。これらはパッド54、98と外部回路装置との接着性を補完しパッドを保護する役割を果たすものであって必須なものではなく、これらの適用如何は選択的である。また、画素電極112は隣接するゲート線52及びデータ線92と重なって開口率を高めるが、重ならないこともある。ここで、接触層85、86はITOのソース用電極及びドレーン用電極111、113と半導体層70との間の接触抵抗を減少させる機能を有し、微細結晶化されたケイ素層またはモリブデン、ニッケル、クロムなどの金属シリサイドが含まれることができ、シリサイド用金属膜が残留することもできる。ソース用電極及びドレーン用電極111、113の上部には薄膜トランジスタを保護するための保護膜100が形成されており、その上部には光吸収が有利な濃厚な色を有する感光性有色有機膜133が形成されている。この時、有色有機膜133は薄膜トランジスタの半導体層70に入射する光を遮断する役割を果たし、有色有機膜133の高さを調節して下部絶縁基板10とこれと対向する上部絶縁基板200との間の間隔を維持する機能を有する間隔維持材133として使用することもできる。ここで、保護膜100と有機膜133はゲート線52とデータ線92に沿って形成され、有機膜133はゲート配線とデータ配線の周囲から漏洩する光を遮断する役割を有することができる。一方、上部基板201には、上部絶縁基板200の上部にITOまたはIZOからなり画素電極112と共に電気場を生成する共通電極210が全面的で形成されている。ここで、有機膜133は上部基板201と下部基板101を一定の間隔で支持している間隔維持材の機能を有する。このような本発明の実施例による液晶表示装置ではゲート線52及びデータ線92と同一の層でブラックマトリックスの横部59及び縦部99を形成したりゲート線52とデータ線92をブラックマトリックスとして使用するので上部基板200にブラックマトリックスが形成される必要がない。従って、上部基板200と下部基板10の整列誤差を考慮しなくてもよいので開口率を向上させることができる。また、データ線92と画素電極112との間にはゲート絶縁膜60と低い誘電率を有する有機絶縁膜40とが形成されており、これらの間で発生するカップリング容量を最少化することができるので表示装置の特性を向上させることができると共に、これらの間に間隔をおく必要がないので開口率を最大限確保することができる。また、画素電極112とゲート線52との間にはゲート絶縁膜60のみが形成されているので、これらの間に維持容量を十分に確保することができる。また、光遮断膜91を利用して下部基板10の下部から入射する光を遮断することによって、ゲート電極56の大きさを最適化してゲート電極56とソース用電極111及びドレーン用電極113の間で発生する寄生容量を小さくでき、これらの偏差も小さくできる。従って、スティッチstitch及びフリッカーflickerなどの画質不良と光漏れ電流を低減できる。また、ゲート線52とデータ線92との間に有機絶縁膜40が形成されているのでゲート線52とデータ線92との間の短絡不良を少なくでき、ゲート絶縁膜60の厚さを薄くできるので薄膜トランジスタの特性を向上させることができる。以下、本発明の実施例による液晶表示装置用基板の製造方法について図46乃至58と前述の図44及び図45に基づいて詳細に説明する。まず、図46乃至図47に示されているように、アルミニウムまたはアルミニウム合金あるいは銅または銅合金などのように低抵抗を有する導電物質とクロムまたはモリブデンまたはチタニウムまたは窒化クロムまたは窒化モリブデンなどのように他の物質、特にITOとの接触特性が優れた導電物質を順次にスパッタリングなどの方法で蒸着し、マスクを利用した写真エッチング工程で乾式または湿式エッチングして、下部絶縁基板10の上に下部膜901と上部膜902からなるデータ線92、データパッド98及び光遮断膜91を含むデータ配線とブラックマトリックスの縦部99を形成する。この時、画素の間から漏洩する光を遮断するために光遮断膜91を多様な形態に形成することができ、以後に図面を通じて一つの例を詳細に説明する。前述のように、以後に形成される画素配線111、112、113がITOindiumtinoxideであることを考慮してアルミニウムまたはアルミニウム合金あるいは銅Cuまたは銅合金の下部膜901とクロム、モリブデン、チタニウムの上部膜902で形成したが、画素配線111、112、113がIZOindiumzincoxideである場合にはアルミニウムまたはアルミニウム合金の単一膜で形成することができ、銅がIZO及びITOとの接触特性に優れた場合には銅または銅合金の単一膜で形成して製造工程を単純化することができる。次いで、図48及び図49に示されているように、赤、緑、青の顔料を含む感光性物質を順次に塗布し、マスクを利用した写真工程でパターニングして赤、緑、青のカラーフィルター31、32、33を順次に形成する。この時、感光性物質は350°C以上の温度でも色特性が変わらない耐熱性物質を使用するのが好ましい。この時、図面に示されているように、赤、緑、青のカラーフィルター31、32、33の端部はデータ配線91、92と重なるように形成するのが好ましい。次いで、図50及び図51に示されているように、下部絶縁基板10の上部に3.0以下の低い誘電率を有し、350°C以上の耐熱特性と平坦化特性が優れた有機物質を利用して有機絶縁膜40を形成する。このような有機物質としてはBCBまたはPFCBなどがある。次いで、クロム、モリブデン、チタニウム、窒化クロムまたは窒化モリブデンなどのように他の物質、特にITOとの接触特性が優れた導電物質とアルミニウムまたはアルミニウム合金あるいは銅または銅合金などのように低抵抗を有する導電物質とを順次にスパッタリングなどの方法で形成しマスクを利用した写真エッチング工程で乾式または湿式エッチングして、基板10の上に下部膜501と上部膜502とからなるゲート線52、ゲート電極56及びゲートパッド54を含むゲート配線を形成する。前述のように、以後に形成される画素配線111、112、113がITOindiumtinoxideであることを考慮して二重膜501、502で形成したが、データ配線91、92、98と同様にゲート配線52、54、56も画素配線111、112、113がIZOindiumzincoxideである場合にはアルミニウムまたはアルミニウム合金の単一膜で形成することができる。その後、図52及び図53に示されているように、ゲート絶縁膜60、半導体層70、抵抗性接触層80を化学気相蒸着法を用いてそれぞれ蒸着し、マスクを利用した写真工程でパターニングして島形態の半導体層70及び抵抗性接触層80と有機絶縁膜40と共にデータ線92、ゲートパッド54及びデータパッド98をそれぞれ露出させる接触孔61、64、68を形成する。この時、ゲート電極56の上部以外の部分では半導体層70及び抵抗性接触層80を全て除去しなければならず、ゲートパッド54の上部では半導体層70及び抵抗性接触層80と共にゲート絶縁膜60も除去しなければならず、データ線92及びデータパッド98の上部では半導体層70、抵抗性接触層80及びゲート絶縁膜60と共に有機絶縁膜40も除去しなければならない。これを一つのマスクを利用した写真エッチング工程で形成するためには部分的に異なる厚さを有する感光膜パターンをエッチングマスクとして使用しなければならない。これについて図54を用いて詳細に説明する。図54に示されているように、抵抗性接触層80の上部に感光膜を1μm乃至2μmの厚さで塗布する。その後、マスクを利用した写真工程により感光膜に光を照射した後に現像して、図54に示されているように、感光膜パターン312、314を形成する。この時、感光膜パターン312、314のうちのゲート電極56の上部に位置した第1部分312は残りの第2部分314より厚さを厚く形成し、データ線92、データパッド98及びゲートパッド54の一部の上では感光膜を全て除去する。この時、第1部分312の厚さと第2部分314の厚さの比は後述するエッチング工程での工程条件に応じて異なるようにしなければならず、第2部分314の厚さを第1部分312の厚さの1/2以下とするのが好ましく、例えば、4,000Å以下であるのが好ましい。このように、位置に応じて感光膜の厚さを異にする方法は第2実施例の方法と同じである。まず、感光膜パターン312、314をエッチングマスクとして使用して抵抗性接触層80、半導体層70及びゲート絶縁膜60を乾式エッチングしてゲートパッド54を露出させる接触孔64を完成し、C領域に対応する部分の有機絶縁膜40を露出させる。次いで、感光膜パターン312、314をエッチングマスクとして使用してC領域に対応する部分の有機絶縁膜40を乾式エッチングしてデータ線92及びデータパッド98を露出させる接触孔61、68を完成し、第2部分314を完全に除去する。ここで、第2部分314の感光膜クズを完全に除去するために酸素を利用したアッシング工程を追加することもできる。このようにすると、接触孔61、64、68のみが完成され、接触層80と半導体層70及び感光膜パターン312は残るようになる。その後、感光膜パターン312をエッチングマスクとして使用して抵抗性接触層80及びその下部の半導体層70をエッチングして除去し、図52及び図53Bに示されているように、ゲート電極56のゲート絶縁膜60の上部にのみ島形態で半導体層70と抵抗性接触層80を残す。この時、エッチングは乾式エッチングで行われ、半導体層70とゲート絶縁膜60のエッチング選択比が10:1以上でエッチングを行うことが好ましい。最後に第1部分314を除去する。この時、クロムまたはモリブデンなどのようにシリサイド形成が可能な金属物質を蒸着してアニーリングし金属物質を除去して抵抗性接触層80の上部にシリサイドを追加的に形成することができる。この時、アルミニウム全面エッチングを共に実施して接触孔64を通じて露出されており、アルミニウム合金からなるゲートパッド54の上部膜502を図53のように除去するのが好ましい。異なって、図55に示されているように、3層膜60、70、80と共にクロムまたはモリブデンなどのようにシリサイド形成可能なシリサイド用金属膜150を順次に蒸着し、図56に示されているように、半導体層70及び抵抗性接触層80と同一の形態でシリサイド用金属膜90を残した後にアニーリングを実施して抵抗性接触層80とシリサイド用金属膜150との間に金属シリサイドを形成することができる。このような場合には金属シリサイドを形成した後、シリサイド用金属膜150を除去せずに残留させることができる。この時、シリサイド用金属膜150がクロムである場合には500Å以内で形成するのが好ましい。これは、クロム膜を500Å程度に薄く形成する場合には乾式エッチングが可能であるため3階膜60、70、80とシリサイド用金属膜150を全て乾式エッチングのみで処理することができて工程を単純化することができるからである。もちろん、この場合にも接触孔61を通じてゲートパッド54の下部膜501を露出させて、以後に形成されるITOとの接触特性を向上させパッド部の信頼度を確保するのが好ましい。一方、ソース用電極111及びドレーン用電極113と抵抗性接触層80との間の接触抵抗を減少させることができる金属物質をシリサイド用金属膜150の代わりに形成することができる。もちろん、この場合にも乾式エッチングが可能な金属物質を使用するのが好ましい。その後、図57及び図58に示されているように、400Å乃至500Å程度の厚さのITO層を蒸着しマスクを使用してマスクを利用した写真エッチング工程でエッチングして画素電極112、ソース用電極111、ドレーン用電極113、補助ゲートパッド114及び補助データパッド118を形成する。この時、ITO代わりにIZOを使用することもできる。次いで、ソース用電極111とドレーン用電極113をエッチングマスクとして使用してこれらの間の抵抗性接触層80をエッチングして二つの部分85、86に分離された抵抗性接触層パターンを形成し、ソース用電極111とドレーン用電極113との間に半導体層70を露出させる。ここで、図56に示されているように、シリサイド用金属膜150を残留させる場合にはソース用電極111とドレーン用電極113との間のシリサイド用金属膜150も抵抗性接触層80と共に除去してソース用電極111とドレーン用電極113との間に半導体層70を露出させなければならない。図面に示されていないが、抵抗性接触層パターン85、86とソース用電極111及びドレーン用電極113の間には金属膜パターンが残留する。最後に、図44及び図54に示されているように、下部絶縁基板10の上部に窒化ケイ素または酸化ケイ素などの絶縁物質と黒色顔料を含む感光性有機物質などの絶縁物質を順次に積層し、マスクを利用した写真工程で露光現像して有色有機膜133を形成し、これをエッチングマスクとして使用してその下部の絶縁物質をエッチングして保護膜100を形成する。この時、有色有機膜133は薄膜トランジスタに入射する光を遮断し、ゲート配線またはデータ配線の上部に形成して画素と画素の間にある配線の周囲から漏洩する光を遮断するために多様な形態で形成することができ、以後に図面を参照して一つの例を説明する。また、本発明の実施例のように有機膜133の高さを調節して間隔維持材として使用することもできる。一方、上部基板201は、上部絶縁基板200の上部にITOまたはIZOの透明な導電物質を積層して共通電極210を形成する。このような本発明の実施例による液晶表示装置の製造方法では低単価工程であるカラーフィルター31、32、33を薄膜トランジスタより先に形成することによってカラーフィルター工程での不良発生が最終的な収率に影響を与えないので製造費用を最小化することができる。また、カラーフィルター製造工程と薄膜トランジスタの製造工程を別途の製造ラインで実施することができるので製造効率性を高めることができる。即ち、有機絶縁膜50でコーティングされたカラーフィルターを有する基板を外部に注文したり完成した後、別途の工程で4枚以下のマスクを利用した薄膜トランジスタアレイ基板製造工程を実施することができる。また、ゲート線52及びデータ線98を銅または銅合金またはアルミニウムまたはアルミニウム合金などの低抵抗導電物質で形成することによって高精細大画面の液晶表示装置製造方法に容易に適用することができる。また、このような液晶表示装置の製造方法では間隔維持材130を薄膜トランジスタの半導体層70に入射する光を遮断するブラックマトリックスと二つの基板101、201を支持することに活用することによって二つの基板101、201の間隔を維持するためのスペーサ散布工程thestepofdispensingspacersを省略することができ、3μm以下の狭いセル間隔を有する構造にも適用することができる。また、上部絶縁基板200には共通電極210のみを形成することによって基板200の厚さを最小化することができ、材質の制限がないので製造費用を減少させることができ、共通電極210に開口部を形成するPVApatternedverticalalign方式の液晶表示装置にも容易に適用することができる。また、このような本発明の実施例による液晶表示装置及びその製造方法では5枚のマスクのみを使用することによって製造工程を単純化することができると共に製造費用を最少化することができる。また、このような液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法は互いに平行に対向する共通電極と画素電極が同一の基板に形成されている液晶表示装置の製造方法にも適用することができる。前述の第3実施例では光遮断膜91及び間隔維持材130が薄膜トランジスタに入射する光を遮断するように形成されているが、ゲート配線52、56の周辺部まで延びて画素の間から漏洩する光を完全に遮断するように多様な構造を有することができる。これについて詳細に説明する。図59は本発明の第4実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の構造を概略的に示した配置図である。図59に示されているように、大部分の構造は第3実施例と類似している。しかし、光遮断膜91が画素の間から漏洩する光を遮断するためにゲート電極56だけでなくゲート線52とも重なるように横方向に延長されて形成されている。また、間隔維持材133は光遮断膜91とデータ線92との間から漏洩する光を遮断するために光遮断膜91と重なるように横方向に延長されており、薄膜トランジスタの周辺から漏洩する光を遮断するために薄膜トランジスタを十分に覆うように第3実施例より広い面積で形成されている。このような構造は、前述のように、画素の間から漏洩する光を遮断することに有利である。前述のように、第3実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法では島形態の半導体層70と接触孔61、64、68を同時に形成したが、接触孔と半導体層を異なる段階で形成することもできる。これについて詳細に説明する。まず、図60及び図61に基づいて本発明の第5実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の構造について詳細に説明する。図60は本発明の第5実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の配置図であり、図61は図60に示した薄膜トランジスタ基板をLXI-LXI ́線に沿って切断して示した断面図である。図61には下部基板101と対向する上部基板201は第3実施例の構造と同一なので図示しなかった。図60及び図61に示されているように、大部分の構造は第3実施例と類似している。しかし、データ配線91、92、98と同一の層であり、二重膜901、902からなる第1補助ゲートパッド94が形成されており、有機絶縁膜40にはデータ線92、第1補助ゲートパッド94及びデータパッド98を露出させる接触孔41、42、44、48が形成されている。また、有機絶縁膜40の上部には低抵抗を有するアルミニウムAlまたはアルミニウム合金Alalloyあるいは銅Cuまたは銅合金Cualloyなどの単一膜からなるゲート配線52、54、56が形成されている。ここで、ゲートパッド54は接触孔42を通じて第1補助ゲートパッド94と連結されている。また、ゲート絶縁膜60にはデータ線92、第1補助ゲートパッド94及びデータパッド98を露出させる接触孔61、64、68が形成されており、ゲート絶縁膜60の上部には接触孔41、61を通じてデータ線92と連結されているソース用電極111が形成されており、接触孔44、64を通じて第1補助ゲートパッド94と連結されている第2補助ゲートパッド114が形成されている。ここで、第2補助ゲートパッド114は第1補助ゲートパッド94を経由してゲートパッド54と電気的に連結されている。以下、本発明の第5実施例による液晶表示装置用基板の製造方法について図62乃至図63と前述の図60及び図61に基づいて詳細に説明する。まず、図62及び図63に示されているように、第3実施例と同様に下部絶縁基板10の上に下部膜901と上部膜902とからなるデータ線92、データパッド98及び光遮断膜91を含むデータ配線を形成する。この時、第1補助ゲートパッド94も共に形成する。次いで、図64及び図65に示されているように、マスクを使用しないでレーザーlaser転写法またはプリントprint法を用いて赤、緑、青の顔料を含む感光性物質を利用して赤、緑、青のカラーフィルター31、32、33を順次に形成する。次いで、下部絶縁基板10の上部に低い誘電率を有し、耐熱特性と平坦化特性が優れた有機物質を積層しマスクを利用した写真工程でパターニングしてデータ線92、第1補助ゲートパッド94及びデータパッド98を露出させる接触孔41、42、44、48を有する有機絶縁膜40を形成する。次いで、図66及び図67に示されているように、アルミニウムまたはアルミニウム合金あるいは銅または銅合金などのように低抵抗を有する導電物質をスパッタリングなどの方法で蒸着しマスクを利用した写真エッチング工程でエッチングして、基板10の上に単一膜からなるゲート配線52、54、56を形成する。この時、ゲートパッド54は接触孔42を通じて第1補助ゲートパッド94と連結されるように形成する。その後、図68及び図69に示されているように、ゲート絶縁膜60、半導体層70、抵抗性接触層80を化学気相蒸着法を用いてそれぞれ蒸着し、マスクを利用した写真工程でパターニングして島形態の半導体層70及び抵抗性接触層80と有機絶縁膜40の接触孔41、44、48と共にデータ線92、第1補助ゲートパッド94及びデータパッド98をそれぞれ露出させる接触孔61、64、68を形成する。この時にも、ゲート電極56の上部以外の部分では半導体層70及び抵抗性接触層80を全て除去しなければならず、データ線92、第1補助ゲートパッド94及びデータパッド98一部の上部では半導体層70及び抵抗性接触層80とゲート絶縁膜60も共に除去しなければならない。これを一つのマスクを利用した写真工程で形成するためには第1実施例と同様に部分的に異なる厚さを有する感光膜パターンをエッチングマスクとして使用する。その後、図70及び図71に示されているように、400Å乃至500Å程度の厚さのITO層を蒸着しマスクを利用した写真エッチング工程でエッチングして画素電極112、ソース用電極111、ドレーン用電極113、第2補助ゲートパッド114及び補助データパッド118を形成する。次いで、ソース用電極111とドレーン用電極113をエッチングマスクとして使用してこれらの間の抵抗性接触層80をエッチングして二つの部分85、86に分離された抵抗性接触層を形成し、ソース用電極111とドレーン用電極113との間に半導体層70を露出させる。最後に、図60及び図61に示されているように、下部絶縁基板10の上部に窒化ケイ素または酸化ケイ素などの絶縁物質と黒色顔料を含む感光性有機物質などの絶縁物質を順次に積層しマスクを利用した写真工程で露光現像して有色有機膜130を形成し、これをエッチングマスクとして使用してその下部の絶縁物質をエッチングして保護膜100を形成する。この時にも、有色有機膜130は薄膜トランジスタに入射する光を遮断し、ゲート配線またはデータ配線の上部に形成して配線の周囲から漏洩する光を遮断する機能を付与することもできる。また、本発明の第3実施例と同様に有色有機膜130の高さを調節して間隔維持材として使用することもできる。このような本発明の第5実施例による液晶表示装置の製造方法では半導体層70を形成する前に有機絶縁膜40に接触孔41、42、44、48を形成することによって5枚のマスクを使用する第3実施例の製造方法より一つのマスクが追加されるが、ゲート配線52、54、56を単一膜で形成することによって第3実施例よりゲート配線形成工程を単純化することができる。また、アルミニウム全面エッチング工程を省略することができ、アルミニウム系列の金属でゲート配線を形成しても第1補助ゲートパッド94を利用することによってパッド部の信頼性を確保することができる。また、ゲート絶縁膜60、半導体層70及び抵抗性接触層85、86の形成前に有機絶縁膜40に接触孔41、42、44、48を形成する工程があるため、ゲート配線及びデータ配線と同一の層にそれぞれ静電気保護用配線を形成し、これらを連結することができるので追加される工程無しで2G-3Dまたは2G-2D静電気保護用配線構造を形成することができる。ここで、2G-3Dまたは2G-2D静電気保護用配線構造とは製造工程時に発生する静電気を放電させるためにゲート配線52、54、56とデータ配線91、92、98を短絡線を用いて連結する構造をいう。また、このような第5実施例による製造方法でも第3実施例と同様に抵抗性接触層85、86とITOのソース用電極111及びドレーン用電極113の間の接触抵抗を最少化するために金属シリサイドまたは微細結晶化されたケイ素層を追加的に形成することができる。また、カラーフィルター31、32、33と有機絶縁膜40が形成された基板101を外注する場合、以後の工程は第3実施例と同一な個数のマスクを利用するので第4実施例による製造方法が第3実施例の製造方法より有利であることもある。一方、このような液晶表示装置の製造方法で良好な性能のTFTを得るためにはゲート絶縁膜60に使用される窒化ケイ素を300°C以上の温度で積層することが好ましいが、カラーフィルター31、32、33の耐熱温度は250°C程度である。300°C以上の温度範囲でカラーフィルター31、32、33を覆うゲート絶縁膜60を形成する場合にはカラーフィルター31、32、33の特性が低下し、250°C以下の低い温度でゲート絶縁膜60を形成する場合には緻密でない微細構造が得られゲート絶縁膜60と半導体層70との間の界面特性がよくないためTFTの動作特性を低下させることができる。本発明ではこのような工程条件の問題を解決するために低温絶縁膜\高温絶縁膜からなる二重層のゲート絶縁膜を使用したり、低温ゲート絶縁膜の上部に二重の半導体層を形成する。まず、工程温度によるカラーフィルターの透過率について説明すると次の通りである。図72は工程条件に応ずるカラーフィルターの色別透過率変化を示したものである。ここで、実線は加熱しない状態での赤、緑、青カラーフィルターの透過率を示したものであり、点線は赤、緑、青カラーフィルターを形成してから345°Cの真空で2時間単純加熱し徐々に冷却した後に測定した透過率を示したものであり、一点実線は300°Cで窒化ケイ素をプラズマplasma蒸着条件で40分間積層した後の赤、緑、青カラーフィルターの透過率を示したものである。ここで、透過率の低下は顔料粒子の昇華による消失を意味する。図72に示されているように、真空中で345°Cまでは2時間加熱しても透過率の変化が殆ど発生しないことと観察されたが、300°Cでプラズマ蒸着を通じてゲート絶縁膜を形成する場合には透過率が急激に低くなることがわかる。この時、カラーフィルターはプラズマ蒸着が10余分経過した後に顔料粒子の昇華が起こることが観察された。図73Aと図73Bは本発明の実験例でカラーフィルターの表面を観察した写真を示したものである。図73Aは300°C程度のプラズマ蒸着条件で40分間窒化ケイ素膜を蒸着した後にカラーフィルターの表面を観察した写真であり、図73Bは単純に加熱した後にカラーフィルターの表面を観察した写真である。図73A及び図73Bに示されているように、300°C程度の範囲で窒化ケイ素膜をプラズマ状態で積層した後にカラーフィルターの表面を測定した結果、顔料粒子の昇華によって窒化ケイ素膜が破壊されながら激しい脱色が発生した。カラーフィルターの上部に窒化ケイ素のような不透明薄膜層が新しく蒸着される場合、蒸気圧によって上部膜が破壊される現象が発生することがわかる。以下、ゲート絶縁膜の蒸着温度による薄膜トランジスタの特性について説明する。図74は本発明の実験例によるゲート絶縁膜の蒸着温度に応ずる薄膜トランジスタの特性を示したグラフである。図74に示されているように、300°C温度でゲート絶縁膜を積層して薄膜トランジスタを形成した場合より250°C温度で積層されたゲート絶縁膜を有する薄膜トランジスタのオフ電流が増加し、しきい電圧thresholdvoltageが移動するなど薄膜トランジスタの動作特性が低下することがわかる。このような問題点を解決するために、第1の方法としては、カラーフィルターが損傷しないように250°C程度の低温で下部絶縁膜を形成し、半導体層と接する上部は300°C程度で上部絶縁膜を形成しカラーフィルターの顔料粒子が昇華されないように5分以下の時間のみ積層して二重構造のゲート絶縁膜を形成する。このような本発明の第6実施例による薄膜トランジスタ基板及び製造方法について図75及び図76を参照して具体的に説明する。図75は本発明の第6実施例による薄膜トランジスタ基板の配置図であり、図76は図75に示した薄膜トランジスタ基板を切断線LXXVI-LXXVI ́に沿って切断して示した断面図である。図76には薄膜トランジスタ基板である下部基板とこれと対向する上部基板も共に示した。図75及び図76に示されているように、大部分の構造及び製造方法は第3実施例と同一である。しかし、ゲート配線52、54、56及び有機絶縁膜40の上には下部絶縁膜601と上部絶縁膜602からなる二重のゲート絶縁膜60が形成されている。この時、下部絶縁膜601は有機絶縁膜、非晶質酸化ケイ素膜、非晶質窒化ケイ素膜などを使用してカラーフィルターが損傷されることを防止するために250°C以下の低温で絶縁特性に必要な厚さで形成することができ、上部蒸着絶縁膜602は後述される半導体層70との良好な界面接触特性を確保するために300°Cまたはそれ以上の温度でカラーフィルターの顔料が昇華する前の5分程度の短い時間で500~1000Åの厚さで薄く形成するのが好ましい。この時、下部絶縁膜601と上部絶縁膜602は不連続的に蒸着することができ、上部絶縁膜602と非晶質ケイ素膜70及び不純物がドーピングされた非晶質ケイ素膜80は連続的に積層することができる。また、前述の問題点を解決するための第2の方法としては、低温絶縁膜を使用してゲート絶縁膜を形成し、薄膜トランジスタの特性が低下することを防止するためにゲート絶縁膜の上に高いバンドギャップbandgapを有する半導体層と相対的に低いバンドギャップを有する半導体層からなる二重層構造の半導体層を形成する。このような本発明の第7実施例による薄膜トランジスタ基板及び製造方法について図77及び図78を参照して具体的に説明する。図77は本発明の第7実施例による薄膜トランジスタ基板の配置図であり、図78は図77に示した薄膜トランジスタ基板を切断線LXXVIII-LXXVIII ́に沿って切断して示した断面図である。図78には薄膜トランジスタ基板である下部基板とこれと対向する上部基板も共に示した。図77及び図78に示されているように、大部分の構造及び製造方法は第3実施例と同一である。しかし、単一膜のゲート配線52、54、56及び有機絶縁膜40の上にはゲート絶縁膜60が形成されている。この時、ゲート絶縁膜60は有機絶縁膜、非晶質酸化ケイ素膜、非晶質窒化ケイ素膜などを使用して低温蒸着工程で形成する。また、ゲート電極56の低温ゲート絶縁膜60の上には二重層構造の半導体層70が島形態で形成されている。二重層構造の半導体層70のうち、下部半導体層701はバンドギャップが高い非晶質シリコンからなり、上部半導体層702は下部半導体701に比べてバンドギャップが低い通常の非晶質シリコンからなる。例えば、本発明の実施例で下部半導体層701のバンドギャップは1.9~2.1eVの範囲であり、上部半導体層702のバンドギャップを1.7~1.8eVの範囲である。ここで、下部半導体層701は50~200Åの厚さを有し、上部半導体層702は1,000~2,000Åの厚さを有する。この時、下部及び上部半導体層701、702は非晶質ケイ素膜を形成するための原料気体であるSiH4にCH4、C2H2、または、C2H6などを適切な量で添加してCVD法によって蒸着して形成する。例えば、CVD装置にSiH4:CH4を1:9の割合で投入して蒸着工程を進行すると、Cが50程度含まれ、2.0~2.3eVのバンドギャップを有する非晶質ケイ素膜を得ることができる。このように、非晶質ケイ素膜のバンドギャップは蒸着工程条件の影響を受け、炭素化合物の添加量に応じて大概1.7~2.5eVの範囲で容易に調節することができる。この時、低温蒸着ゲート絶縁膜60、下部非晶質ケイ素膜701及び上部非晶質ケイ素膜702、不純物がドーピングされた非晶質ケイ素膜80は同一のCVD装置で真空が破られることなく連続的に蒸着することができる。このように、バンドギャップが互いに異なる上部半導体層702と下部半導体層701との間には二つの層のバンドギャップの差異に該当するだけのバンドオフセットが形成される。この時、TFTがオンON状態になると、二つの半導体層701、702の間に位置するバンドオフセット領域にチャンネルが形成される。このバンドオフセット領域は基本的に同一の原子構造を有しているので、欠陥が少なく良好なTFTの特性を期待することができる。本発明は提示された実施例だけでなく多様な方式に適用することができる。例えば、重量減少及び耐衝撃性向上のために台頭したプラスチック基板を使用する液晶表示装置を製造する方法で、本発明を有効に適用することができる。"