ルツボ内に収容した原料及び液体封止材を加熱、溶融し、ルツボ内に生成した原料融液に種結晶を接触させつつ該種結晶を引上げて単結晶を得る半導体結晶の製造方法において、引上げる半導体結晶にガスを吹き付けることにより前記半導体結晶内の軸方向の温度勾配を制御することを特徴とする半導体結晶の製造方法。ルツボ内に収容した原料及び液体封止材を加熱、溶融し、ルツボ内に生成した原料融液に種結晶を接触させつつ該種結晶を引上げて単結晶を得る半導体結晶の製造方法において、引上げる半導体結晶に不活性ガスを吹き付けることにより前記半導体結晶内の軸方向の温度勾配を8~15°C/mmに制御することを特徴とする半導体結晶の製造方法。ルツボ内に収容した原料及び液体封止材を加熱、溶融し、ルツボ内に生成した原料融液に種結晶を接触させつつ該種結晶を引上げて単結晶を得る半導体結晶の製造方法において、引上げる半導体結晶に窒素又はアルゴン又は二酸化炭素又は一酸化炭素のガスを吹き付けることにより前記半導体結晶内の軸方向の温度勾配を制御することを特徴とする半導体結晶の製造方法。半導体の結晶成長において、良質の単結晶を再現性良く得るためには、半導体結晶内の軸方向の温度勾配を適正にすることが必要である。そのためには、半導体結晶引上げ時の結晶頭部の温度を適正に制御することが有効である。従来は、半導体結晶内の軸方向の温度勾配を適正化するために圧力容器である成長炉内の炉構造を工夫していたが、半導体結晶の引上げ過程において、結晶頭部の温度を常に適正に制御することは困難であり、安定した単結晶歩留まりを実現することは困難であった。したがって、本発明の目的は、安定した半導体結晶を歩留まり良く得ることができる半導体結晶の製造方法を実現することにある。本発明は、1つには、ルツボ内に収容した原料及び液体封止材を加熱、溶融し、ルツボ内に生成した原料融液に種結晶を接触させつつ該種結晶を引上げて単結晶を得る半導体結晶の製造方法において、引上げる半導体結晶にガスを吹き付けることにより前記半導体結晶内の軸方向の温度勾配を制御することを特徴とする。2つには、ルツボ内に収容した原料及び液体封止材を加熱、溶融し、ルツボ内に生成した原料融液に種結晶を接触させつつ該種結晶を引上げて単結晶を得る半導体結晶の製造方法において、引上げる半導体結晶に不活性ガスを吹き付けることにより前記半導体結晶内の軸方向の温度勾配を8~15°C/mmに制御することを特徴とする。3つには、ルツボ内に収容した原料及び液体封止材を加熱、溶融し、ルツボ内に生成した原料融液に種結晶を接触させつつ該種結晶を引上げて単結晶を得る半導体結晶の製造方法において、引上げる半導体結晶に窒素又はアルゴン又は二酸化炭素又は一酸化炭素のガスを吹き付けることにより前記半導体結晶内の軸方向の温度勾配を制御することを特徴とする。そして、前記ガスは、引上げる半導体結晶の頭部に吹き付けることを特徴とする。本発明は、成長炉内の半導体結晶頭部にガスを吹き付けることにより、結晶内の温度勾配を適正化し、安定した単結晶を歩留まり良く製造することができる。本発明は、ルツボ内に収容した原料及び液体封止材を加熱、溶融し、ルツボ内に生成した原料融液に種結晶を接触させつつ該種結晶を引上げて単結晶を得る半導体結晶の製造方法において、引上げる半導体結晶の頭部に窒素又はアルゴン又は二酸化炭素又は一酸化炭素のガスを吹き付けて前記半導体結晶内の軸方向の温度勾配を8~15°C/mmに制御することにより、安定した単結晶を歩留まり良く得るものである。図1は、本発明の半導体結晶の製造方法に適用する製造装置であるLEC法結晶成長炉の断面図である。この結晶成長炉は、基本的には従来の炉構成と同一であるが、引上げ中の結晶の頭部にガスを吹き付けるガス吹き付け装置を備える構成に特徴がある。前述した従来の製造装置における炉構成と同一の構成手段には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する。ガス吹き付け装置12は、引上げ中の結晶の頭部にガスを吹き付けるように吹き付けノズル12aを結晶成長炉を貫通させて炉内に開口させて設置する。半導体結晶の製造に際しては、まず、直径300mmのPBN製ルツボ3に、原料7としてのGaAs多結晶原料40kgと、液体封止材8としての三酸化硼素3kgを収容し、原料7を収容したルツボ3は、グラファイト製のペデスタル5上に固着されたグラファイト製のサセプタ6内に収納することにより成長炉1内に設置する。成長炉1は、原料7及び液体封止材8を収容したルツボ3を設置した後は、炉内雰囲気を真空引きにより排気し、その後、炉内圧力が所定値となるようにガス給排装置図示省略によって不活性ガスを充填する。次に、ヒータ9を発熱させてルツボ3内をGaAsの融点である1238°C以上に加熱昇温し、原料7であるGaAs多結晶原料を融解させる。このときの炉内の圧力は、0.5MPaとする。次に、引上げ軸2を下降させて該引上げ軸2の先端に取り付けた種結晶4の先端を原料融液に接触させ、温度を十分になじませた後に、温度コントローラによりヒータ9の設定温度を3°C/hの割合で低下させながら、種結晶4を8~12mm/hの速度で徐々に引上げる。結晶成長時は、引上げ軸2及びペデスタル5により、種結晶4及びルツボ3を回転させる。このときの回転は、種結晶4は時計回りに5rpmで回転させ、ルツボ3は反時計回りに20rpmで回転させる。成長結晶11の頭部11aを形成する肩部の成長が終了し、直径が160mmになったところで、成長結晶11の外径の自動制御を開始する。この外径制御は、成長した結晶の重量を引上げ軸2に設置したロードセル図示省略でリアルタイムに計測し、単位時間当たりの重量増加分と引上げ軸2の移動上昇量から結晶の外径を算出し、外径が設定値になるようにヒータ9の温度制御を行う温度コントローラに算出結果をフィードバックすることにより実現する。結晶成長中は、成長量の増加に伴って融液量が減少して液面位置が低下する。この液面位置低下に対処するために、前記ロードセルの出力に基づいて液面の低下量を算出し、液面が常にヒータ9に対して所定の相対位置に対応するようにルツボ3を上昇させる自動制御を行う。また、成長中の結晶頭部11aには、結晶内の軸方向の温度勾配を制御するために、ガス吹き付け装置12のガス吹き付けノズル12aにより窒素ガス炉内に充填した不活性ガスと同一成分であることが望ましい。を吹き付ける。このガス吹き付けは、結晶頭部11aの温度を結晶成長炉1内に設置した放射温度計図示省略で計測しながら成長中の結晶内の軸方向の温度勾配を8~15°C/mmとなるように行う。吹き付ける窒素ガスの温度と流量は、例えば、30°C、1.0m3/minとし、温度勾配の制御は、吹き付ける窒素ガスの温度または流量を変えることにより行う。因みに、成長結晶11の温度勾配は、結晶頭部11aの温度と原料融液の温度差と成長結晶11の長さに基づいて算出することができる。また、成長結晶11の引上げに伴う結晶頭部11aとガス吹き付け装置12の間の相対距離は、吹き付けノズル12aを後退させることによって一定距離を維持するように対応する。このガス吹き付けに伴う炉内圧力の変動は前記ガス給排装置によって調整する。成長結晶11が充填した原料7の所定の重量に到達するまで引上げを行った時点でヒータ9の温度を上昇させて成長結晶11の尾部形状を形成した後に成長結晶11を原料融液から切り離し、室温まで冷却して単結晶を得た。この一連の結晶成長工程で10回の結晶成長を試みた結果、全ての結晶で所定の単結晶を得ることができた単結晶製造歩留まり100。[比較例1]実施例と同様の結晶成長工程において、成長中の結晶頭部11aに吹き付けるガスの吹き付け流量や圧力を変えて、成長結晶内の温度勾配が7°C/mmとなるようにして10回の結晶成長を試みた結果、8本の結晶で所定の単結晶を得ることができた単結晶製造歩留まり80。[比較例2]実施例と同様の結晶成長工程において、成長中の結晶頭部11aに吹き付けるガスの吹き付け流量や圧力を変えて、成長結晶内の温度勾配が16°C/mmとなるようにして10回の結晶成長を試みた結果、3本は結晶と融液の境界である固液界面の融液側への突き出しが大きすぎ、結晶がルツボの底面に接触して成長続行が不可能となった。その他の7本は、所定の単結晶を得ることができた単結晶製造歩留まり70。[比較例3]図2に示した従来の製造装置を使用し、結晶頭部へのガス吹き付けを省略した以外は実施例と同様な工程でGaAsの結晶成長を10回行った結果、3本の単結晶を得ることができた単結晶製造歩留まり30。成長中の結晶頭部11aに吹き付けるガスは、窒素ガスやアルゴンガスの不活性ガスであることが望ましいが、二酸化炭素ガスや一酸化炭素ガスを使用しても同様の効果を期待することができる。