筐体と、この筐体の一方の側壁に読取り幅に亘って被検知物を挿入する細長の第1の開口部と、この第1の開口部に対向する前記筐体の他方の側壁に前記第1の開口部に平行して配置した前記被検知物を排出する第2の開口部と、前記第1の開口部と前記第2の開口部と接続され前記被検知物が搬送される中空部と、前記中空部を搬送される前記被検知物の一方の面側に搬送方向に沿って磁極が反転するように配置した第1の磁石と、前記中空部を搬送される前記被検知物の他方の面側に搬送方向に沿って前記第1の磁石の磁極と異なる磁極が対向して配置され、前記第1の磁石との間で搬送方向に連続的な勾配磁界を形成する第2の磁石と、前記第1の磁石の前記被検知物側の面と側面に設けられ、前記被検知物側の前記第1の磁石の磁極の反転部に前記搬送方向に所定の間隙長を有する第1の間隙を備えた第1のヨークと、前記第2の磁石の前記被検知物側の面と側面に設けられ、前記被検知物側の前記第2の磁石の磁極の反転部に前記搬送方向に前記第1の間隙の間隙長よりも長い間隙長を有する第2の間隙を備えた第2のヨークと、前記被検知物と前記第1のヨークとの間の前記勾配磁界の磁界強度の弱磁界強度領域に設けられ、出力端子を有し、前記勾配磁界内の前記弱磁界強度領域より磁界強度が強い強磁界強度領域を搬送される前記被検知物の磁気成分を検知することにより抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子の出力端子からの抵抗値変化を接続パッドから外部に出力する多層基板と、この多層基板の接続パッドと前記磁気抵抗効果素子の出力端子とを電気接続する電気接続手段とを備えた磁気センサ装置。前記第1及び前記第2のヨークの側壁は、前記搬送方向の法線方向に延伸するに従い厚さが漸減する請求項1に記載の磁気センサ装置。しかしながら、特許文献1に記載の磁気センサ装置では、被検知物と磁気抵抗効果素子に掛かる磁界強度は等しく大きくなるが、磁気抵抗効果素子には飽和磁界強度を有するものがあり、飽和磁界強度以上の磁界強度が磁気抵抗効果素子に掛かると抵抗値が変化しなくなる。すなわち、被検知物と磁気抵抗効果素子への磁界強度が等しい磁場では、磁界強度を大きくするにつれ、被検知物に掛かる磁界強度は強くなるが、所定以上の大きさの磁界強度では磁気抵抗効果素子が飽和して抵抗値が変化しない状態となり、被検知物による磁界変化を検知できなくなるという課題がある。この発明は上述のような課題を解決するためになされたものであり、被検知物には磁気抵抗効果素子が飽和するような大きさの磁界強度を掛け、磁気抵抗効果素子には磁気抵抗効果素子が飽和しない磁界強度を提供することにより、被検知物へ掛けられる磁界強度を強化させ、検知感度を向上させる磁気センサ装置を得るものである。この発明に係る磁気センサ装置は、筐体と、この筐体の一方の側壁に読取り幅に亘って被検知物を挿入する細長の第1の開口部と、この第1の開口部に対向する前記筐体の他方の側壁に前記第1の開口部に平行して配置した前記被検知物を排出する第2の開口部と、前記第1の開口部と前記第2の開口部と接続され前記被検知物が搬送される中空部と、前記中空部を搬送される前記被検知物の一方の面側に搬送方向に沿って磁極が反転するように配置した第1の磁石と、前記中空部を搬送される前記被検知物の他方の面側に搬送方向に沿って前記第1の磁石の磁極と異なる磁極が対向して配置され、前記第1の磁石との間で搬送方向に連続的な勾配磁界を形成する第2の磁石と、前記第1の磁石の前記被検知物側の面と側面に設けられ、前記被検知物側の前記第1の磁石の磁極の反転部に前記搬送方向に所定の間隙長を有する第1の間隙を備えた第1のヨークと、前記第2の磁石の前記被検知物側の面と側面に設けられ、前記被検知物側の前記第2の磁石の磁極の反転部に前記搬送方向に前記第1の間隙の間隙長よりも長い間隙長を有する第2の間隙を備えた第2のヨークと、前記被検知物と前記第1のヨークとの間の前記勾配磁界の磁界強度の弱磁界強度領域に設けられ、出力端子を有し、前記勾配磁界内の前記弱磁界強度領域より磁界強度が強い強磁界強度領域を搬送される前記被検知物の磁気成分を検知することにより抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子の出力端子からの抵抗値変化を接続パッドから外部に出力する多層基板と、この多層基板の接続パッドと前記磁気抵抗効果素子の出力端子とを電気接続する電気接続手段とを備えたものである。この発明によれば、飽和磁界強度を有する磁気抵抗効果素子を磁気検知部へ用いた磁気センサ装置において、検知感度が向上され、さらには磁気検知部と被検知物との距離を大きくすることが可能となる。実施の形態1.図1は、この発明の実施の形態1における磁気センサ装置の構成図である。図1において、非磁性体で形成された筐体1は内部に中空部2を有し、筐体1の一方の側面側壁に読取り幅被検知物の搬送方向と直交する方向に亘って第1のスリット部開口部3を備え、他方の側面側壁に第1のスリット部3に平行に第2のスリット部開口部4を備え、中空部2を介して第1のスリット部3と第2のスリット部4とが接続されており、例えば、被検知物である磁性パターンを含んだ紙幣5は第1のスリット部3から挿入され、中空部2を搬送経路として搬送され、第2のスリット部4から排出される。中空部2において、紙幣5の一方の面側に搬送方向に沿ってN極S極を有する第1の磁石6が筐体1に設置され、紙幣5の他方の面側に搬送方向に沿ってN極S極が第1の磁石6と異極対向配置となるように第2の磁石7が筐体1に設置されている。第1の磁石6には、第1の磁石6の紙幣5側の面と側面を覆うように、磁性体による第1のヨーク81が設けられ、第1のヨーク81の紙幣5側は第1の磁石6の磁極がN極からS極へと反転する位置に第1の間隙81aが設けられている。第1のヨーク81の側壁は紙幣5側から反対の方向へ延伸するにつれて厚みが薄くなるテーパ形状をしている。第2の磁石7には、第2の磁石7の紙幣5側の面と側面を覆うように、磁性体による第2のヨーク82が設けられ、第2のヨーク82の紙幣5側は第2の磁石7の磁極がN極からS極へと反転する位置に第1の間隙よりも間隙長が長い第2の間隙82aが設けられている。第1のヨーク82の側壁は紙幣5側から反対の方向へ延伸するにつれて厚みが薄くなるテーパ形状をしている。第1の間隙81aと第2の間隙82aとは、紙幣5の搬送経路を介して対向するように設けられている。第1のヨーク81の紙幣5側にガラスエポキシ等の樹脂で形成された多層基板9が設けられ、この多層基板9の凹み部に異方性磁気抵抗効果素子AMR素子10が実装されている。このAMR素子10は基板表面に抵抗体を備え、この抵抗体に流れる電流の方向に直交する磁界の変化に対応して抵抗値が変化する特性を有している。AMR素子10のパッドと信号取り出し用の多層基板9との間はワイヤ12で接続されており、ワイヤ12及びAMR素子10の保護用としてポッティング剤13が多層基板9の凹み部に充填されている。紙幣5は、中空部2を第2のヨーク及びAMR素子10と非接触の状態で、第1のスリット部3から第2のスリット部4へと搬送される。なお、図1においては、搬送方向をX軸、搬送方向の法線方向をZ軸としている。図2は、図1において磁気回路を構成している第1の磁石6、第2の磁石7、第1のヨーク81、第2のヨーク82、第1の間隙81a、第2の間隙82a及び中空部2を抽出した図である。図3は、図2における磁気回路に形成される磁界分布を示した図である。図3において、17は磁力線を示す。図4は、図2における磁気回路において、第1の間隙81aと第2の間隙82aとの間の中空部2に形成される磁界の磁界強度のX軸方向成分HxとZ軸方向成分Hzを示す図である。なお、図3及び図4は、第1の磁石6、第2の磁石7、第1のヨーク81、第2のヨーク82、第1の間隙81a、第2の間隙82a及び中空部2を図2に示す寸法でシミュレーションした例である。図2において、第2の間隙82aの間隙長を第1の間隙81aの間隙長より長くすることにより、図3に示すように、第2の間隙82aから中空部2側にはみ出す磁力線は、第1の間隙81aから中空部2側にはみ出す磁力線より多くなり、図4に示すようにZ軸方向に対してX軸方向の磁界強度がゼロとなる付近を境にX軸方向の磁界強度の勾配が変化され、AMR素子10の近傍ではZ軸方向に対するX軸方向の磁界強度の変化の勾配は小さくなり、AMR素子10の近傍から紙幣5が通過するところにかけて磁界強度の変化の勾配が大きくなることにより、紙幣5が通過するところではX軸方向の磁界強度が大きくなる。従って、AMR素子10のZ軸方向の位置が実装ばらつき等によって変化しても磁界強度の変化が小さいため、AMR素子10が磁界飽和せず磁気検知可能なX軸方向の磁界強度が掛かる状態となるZ軸方向の範囲が広がり、AMR素子10と第1の磁石6と第2の磁石7との組付け精度が緩和される。また、紙幣5が通過する箇所の磁界強度が強くなるため磁気センサ装置の磁気検知感度が高くなる。第1のヨーク81及び第2のヨーク82のそれぞれの内部の磁界分布は、図3に示すよう磁力線に粗密がある。第1のヨーク81及び第2のヨーク82のそれぞれの中空部2側は磁力線が密の状態であるため、ヨークの磁気飽和を防ぐため所定の厚みが必要であるが、第1のヨーク81及び第2のヨーク82のそれぞれの側壁は、中空部2側から中空部2の反対側へ延伸するにつれて磁力線が粗の状態になっていくので、第1のヨーク81及び第2のヨーク82のそれぞれの側壁は、中空部2側から中空部2の反対側へ延伸するにつれて、テーパ状に厚みを薄くしてもよい。これにより、ヨークが軽量化される効果がある。また、第1のヨーク81及び第2のヨーク82のそれぞれの側壁をテーパ状に厚みを変化させ、中空部2側を磁気飽和に至らない所定の厚みとすることにより、中空部2以外の空間に形成される第1の磁石6及び第2の磁石7からの磁界を中空部2側へと誘導する効果がある。なお、この発明の実施の形態1では、磁気抵抗効果素子10は、AMR素子を用いたが、巨大磁気抵抗効果GMR素子やトンネル磁気抵抗効果TMR素子を用いても良い。