"金属メッキされた基板と;この基板の金属メッキされた一面側に実装されたLEDベアチップと;このLEDベアチップを包囲するように前記基板の一面側に設けられた枠部と;前記LEDベアチップを封止するように前記枠部内に充填された透光性樹脂と;この透光性樹脂の表面上に充填された前記透光性樹脂よりもガス透過率の低い透光性の保護層と;を具備していることを特徴とする発光体。前記保護層は、前記枠部と前記透光性樹脂との界面を覆うとともに前記枠部の頂部側まで充填されていることを特徴とする請求項1記載の発光体。前記保護層は、前記透光性樹脂よりも薄く設けられていることを特徴とする請求項1または2記載の発光体。請求項1ないし3いずれか一記載の発光体と;この発光体を配設している装置本体と;前記発光体のLEDベアチップに電力を供給する電源装置と;を具備していることを特徴とする照明装置。しかし、ガス透過率の低い樹脂は、一般的に、硬度が高い傾向にあり、基板や樹脂を包囲している枠部との界面で剥離しやすいという問題がある。本実施形態は、基板上の金属メッキが変色しにくい発光体およびこの発光体を具備する照明装置を提供することを目的とする。本実施形態の発光体は、基板、LEDベアチップ、枠部、透光性樹脂および保護層を有して構成される。基板は、金属メッキされて、その金属メッキされた一面側にLEDベアチップを実装している。枠部は、LEDベアチップを包囲するように基板の一面側に設けられている。透光性樹脂は、LEDベアチップを封止するように枠部内に充填される。そして、保護層は、透光性樹脂の表面上に充填される。保護層は、透光性樹脂よりもガス透過率が低いものである。本発明の実施形態によれば、透光性樹脂の表面上に、透光性樹脂よりもガス透過率が低い保護層が充填されているので、外部からのガスが保護層を透過して透光性樹脂に侵入しにくくなり、基板の金属メッキが外部からのガスによって腐食されにくくなることが期待できる。以下、本発明の一実施の形態について、図面を参照して説明する。まず、本発明の第1の実施形態について説明する。本実施形態の発光体1は、図1および図2に示すように構成される。図2において、発光体1は、基板2、LEDベアチップ3、枠部4、透光性樹脂5および保護層6を有して形成されている。基板2は、例えば、正方形に形成された厚さ1mmの板状のアルミニウムAlからなり、その一面2aに例えば厚さ80μmの絶縁層7が形成されている。絶縁層7は、例えばエポキシ材および無機フィラー材からなり、高熱伝導性を有している。そして、絶縁層7の表面に、例えば厚さ10μmの金属メッキ部8が設けられている。金属メッキ部8は、例えば銅Cu、この銅Cuの表面にニッケルNiメッキされ、さらに銀Agメッキされた導電材料からなっている。すなわち、基板2は、金属メッキ部8が形成されるように金属メッキされている。金属メッキ部8は、図1に示すように、四角形に形成されている。そして、金属メッキ部8の両端側には、一対の配線パターン9,9が形成されている。配線パターン9,9は、例えば厚さ10μmの銅Cu箔からなり、金属メッキ部8と同様、絶縁層7の表面に形成されている。そして、配線パターン9,9は、基板2の一端部側に設けられた雌コネクタ10に電気接続されている。雌コネクタ10は、LEDベアチップ3に電力を供給する図示しない電源装置に接続される。LEDベアチップ3は、複数個からなり、金属メッキ部8の表面8a側に実装されている。すなわち、LEDベアチップ3は、基板2の金属メッキされた一面2a側に実装されている。LEDベアチップ3は、図3に示すように、直方体に形成されたサファイア11の表面に発光層12が形成され、この発光層12の表面に電極13,14が設けられている。サファイア11は、金属メッキ部8の銀メッキ層の表面に図示しない透明シリコーンにより接着されている。発光層12は、例えば、紫外光から青色光の領域の光を放射する発光材料例えばInGaNを有して形成され、通電により青色光を放射する。電極13,14は、隣かつ列状のLEDベアチップ3の電極13,14にそれぞれワイヤボンディングされている。そして、図2に示すように、列状の図中最左端のLEDベアチップ3の電極13は、一対の配線パターン9,9の一方にワイヤボンディングされ、列状の図中最右端のLEDベアチップ3の電極14は、一対の配線パターン9,9の他方にワイヤボンディングされている。すなわち、図1に示すように、複数個のLEDベアチップ3は、列毎にボンディングワイヤ15により直列接続されて、一対の配線パターン9,9に電気接続されている。そして、基板2の絶縁層7上には、LEDベアチップ3を包囲するように、所定の幅を有する枠部4が形成されている。枠部4は、絶縁性を有する熱硬化性樹脂例えばシリコーン樹脂からなり、その外形が正四角形に形成されている。また、枠部4は、基板2上に雌コネクタ10を実装する前に、例えば印刷により形成されている。枠部4の基板2の一面2aからの高さは、300~600μmであり、その内側がLEDベアチップ3の収納部となっている。図2において、透光性樹脂5は、例えば透光性のシリコーン樹脂からなり、枠部4の内側に充填されて、各LEDベアチップ3を封止している。すなわち、LEDベアチップ3およびボンディングワイヤ15は、透光性樹脂5により封止されている。透光性樹脂5の表面5aは、平坦状となっている。そして、透光性樹脂5は、蛍光体としてのYAG蛍光体16を所定の濃度で含有している。YAG蛍光体16は、LEDベアチップ3から放射された青色光が入射されると、その青色光を黄色光に波長変換する。すなわち、YAG蛍光体16は、LEDベアチップ3の放射光の一部を波長変換する。この波長変換された黄色光と、LEDベアチップ3から放射された青色光とが混合して透光性樹脂5の表面5aから保護層6を介して外方に出射されることにより、発光体1から白色光が放射しているように見える。保護層6は、透光性樹脂5の表面5a上に充填されている。保護層6は、透光性樹脂5よりもガス透過率が低いものであり、例えば透光性のガラス層からなっている。ガラスとしては、例えば軟質ガラスが用いられ、軟化した状態で透光性樹脂5の表面5a上に充填され、その後、硬化する。そして、硬化した状態において、透光性樹脂5および枠部4に密着しており、これらから剥れにくくなっている。また、保護層6として、ジメチル系シリコーン樹脂と、フェニル系シリコーン樹脂とを適宜混合した樹脂を用いることができる。この樹脂も好適な硬度を有して透光性樹脂5および枠部4に密着し、これらから剥れにくいものである。そして、保護層6は、図3に示すように、枠部4と透光性樹脂5との界面17を覆うとともに枠部4の頂部4a側まで充填されている。これにより、外部からのガスが枠部4の界面17から透光性樹脂5側に侵入しにくくなっている。また、保護層6は、透光性樹脂5よりも薄くなるように設けられている。透光性樹脂5は、例えばシリコーン樹脂からなり、相応の好適な熱伝導率を有するので、所定の容積が確保されることにより、LEDベアチップ3に発生した熱を拡散させて放熱可能にしている。また、YAG蛍光体16の濃度が高くなることを抑制して、YAG蛍光体16による拡散光の損失を抑制している。なお、保護層6の表面6aは、発光体1の発光面となっている。また、図1において、枠部4の外側の基板2上には、白色のレジスト18が塗布されている。次に、第1の実施形態の作用について述べる。発光体1は、その雌コネクタ10に電源装置から電力が供給されると、LEDベアチップ3に所定の電流が流れる。LEDベアチップ3は、発熱し、発光層12から青色光を放射する。青色光は、その一部が透光性樹脂5を透過し、透光性の保護層6を透過して外方に出射される。また、青色光の一部は、透光性樹脂5に含有されたYAG蛍光体16により黄色光に波長変換されて、透光性樹脂5および保護層6を透過して外方に出射される。また、青色光および黄色光のそれぞれの一部は、基板2の一面2a側に設けられた金属メッキ部7に入射して反射される。そして、透光性樹脂5に入射した当該反射光は、その一部が透光性樹脂5および保護層6を透過して外方に出射される。そして、青色光と黄色光とが混合混色することにより、白色光が得られる。すなわち、発光体1から白色光が放射される。そして、透光性樹脂5よりもガス透過率の低い保護層6が透光性樹脂5の表面5a上に充填されているので、透光性樹脂5内に、外部からの硫化物などのガスが侵入しにくくなっている。また、保護層6は、枠部4と透光性樹脂5との界面17を覆うとともに枠部4の頂部4a側まで充填されているので、外部からのガスが枠部4の表面側から透光性樹脂5内に侵入しにくくなっている。これにより、金属メッキ部7は、外部からのガスによって劣化や腐食されにくくなり、時間が経過しても、LEDベアチップ3から放射されて入射した光を低下させることなく反射する。これにより、発光体1の出射効率が時間の経過とともに低下することが抑制され、出射光の光束維持率の低下が抑制される。また、保護層6は、透光性樹脂5よりも薄くなるように設けられているので、LEDベアチップ3からの放射光が透光性樹脂5において適宜拡散されるとともに、LEDベアチップ3に発生した熱が透光性樹脂5において熱拡散されて、基板6側に加えて、透光性樹脂5および保護層6側からも放熱される。本実施形態の発光体1は、LEDベアチップ3を充填している透光性樹脂5の表面5a上に、透光性樹脂5よりもガス透過率が低い保護層6が充填されているので、外部からのガスが保護層6を透過して透光性樹脂5に侵入しにくくなり、基板2の金属メッキ部7が外部からのガスによって腐食されて変色されることを抑制でき、金属メッキ部7からの反射光を確保することができて、これにより、放射光の光束維持率の低下を抑制できるという効果を有する。また、保護層6は、枠部4と透光性樹脂5との界面17を覆うとともに枠部4の頂部4a側まで充填されているので、外部からのガスが枠部4の界面17から透光性樹脂5側に侵入しにくくなり、基板2の金属メッキ部7がさらに外部からのガスによって腐食されて変色されることを抑制できるという効果を有する。また、保護層6は、透光性樹脂5よりも薄く設けられているので、所定の容積の透光性樹脂5を確保することができて、透光性樹脂5内においてLEDベアチップ3からの放射光を光拡散することができ、また、LEDベアチップ3からの熱を熱拡散して、基板2側に加えて透光性樹脂5側からも放熱させることができるという効果を有する。次に、本発明の第2の実施形態について説明する。本実施形態の照明装置21は、図4に示すように構成される。なお、図4において、図1と同一部分には、同一符号を付して説明は省略する。照明装置21は、天井面等に埋設されるダウンライトであり、略円筒状の装置本体22の下端側22aに円形の化粧枠23がリベット24により取り付けられ、この化粧枠23に透光性カバー25が配設されている。化粧枠23は、その外面23aに補強片26が設けられている。そして、装置本体22は、左右両側に装置本体22を天井面等に固定するための一対の取付けばね27,27をリベット28により取り付けている。また、装置本体22は、下端側22aの内部に図1に示す発光体1を回転対称に4個配設している。また、装置本体22は、その中間側22bの内部に電源装置29が配設されている。電源装置29は、交流電源を直流電源に変換し、発光体1のLEDベアチップ3に定電流電力を供給するように既知の構成により形成されている。そして、装置本体22の上面側22cには、交流電源からの図示しない電源線を接続する端子台30が配設されている。本実施形態の照明装置21は、LEDベアチップ3が実装される金属メッキ部7が腐食や劣化しにくい発光体1を具備しているので、時間の経過とともに出射効率が低下しにくく、照明光の光束維持率の低下を抑制することができるという効果を有する。なお、照明装置21は、埋込型のダウンライトに形成したが、これに限らず、発光体1を具備する長形の埋込型、直付け型や吊り下げ型などの照明装置やLED電球などのランプ装置に形成されたものであってもよい。"