"内部異常が検出されると出力端子を通じてロータコイルの励磁電流を抑制制御するレギュレータと、前記レギュレータの出力端子を通じて通電されるロータコイルの励磁電流に応じてステータコイルに生じる複数相の交流電圧について第1ダイオードを用いた整流部により整流してバッテリに充電するレクチファイヤであり、レクチファイヤ本体の異常を検出する異常検出回路を備えたレクチファイヤと、を備え、前記レクチファイヤは、前記異常検出回路により異常が検出された後には前記レギュレータの出力端子を通じて当該レギュレータに異常検出信号を通知することを特徴とするオルタネータ。前記第1ダイオードは、前記レクチファイヤを構成する半導体スイッチに寄生した第1寄生ダイオードを含み、前記第1寄生ダイオードが寄生した半導体スイッチを用いて整流してバッテリに充電することを特徴とする請求項1記載のオルタネータ。前記レクチファイヤは、前記ロータコイルに接続されたインピーダンス変化手段を備え、前記レクチファイヤは、前記異常検出回路により異常が検出された後には前記インピーダンス変化手段により前記ロータコイル側のインピーダンスを変化させることで前記ロータコイルの端子間のインピーダンスを変化させ、当該インピーダンス変化に応じた前記レギュレータに異常検出信号を送信して前記レギュレータに異常検出処理を行わせることを特徴とする請求項1または2記載のオルタネータ。前記インピーダンス変化手段は、前記ロータコイルの端子間に接続されたスイッチを含み、当該ロータコイルの端子間を短絡することで前記レギュレータに異常検出処理を行わせることを特徴とする請求項3記載のオルタネータ。前記レクチファイヤは、前記スイッチのオンタイミングを、前記ロータコイルの端子間の直流電圧がほぼ最低電圧となる区間内とすることを特徴とする請求項4記載のオルタネータ。前記レギュレータは、バッテリおよびグランド間に対し前記出力端子を通じて前記ロータコイルに直列接続された駆動トランジスタ、および、当該駆動トランジスタに直列接続されると共に前記ロータコイルに並列接続された還流ダイオード、を備え、前記レクチファイヤのスイッチは、第2寄生ダイオードが逆並列接続されたMOSトランジスタを用いて構成され、前記レギュレータの還流ダイオードに還流電流が流れるときには、前記MOSトランジスタに逆並列接続された第2寄生ダイオードに同時に還流電流が流れることを特徴とする請求項4または5記載のオルタネータ。前記レクチファイヤは、複数相の交流電圧を整流する複数の整流部を備えて前記バッテリに充電するものであり複数の整流部は複数のパッケージを用いて相毎にそれぞれ構成され、前記異常検出回路は、前記複数のパッケージの過熱または/および過電流をそれぞれ検出することで相毎に異常を検出するように構成され、前記複数相のうち何れか一の相で前記異常検出回路が異常を検出すると、他の相に当該一の相の異常を送信し、他の相では前記一の相の異常を受信することで異常状態を受け付けることを特徴とする請求項1ないし6の何れかに記載のオルタネータ。前記他の相では前記一の相の異常を受信すると、前記レクチファイヤは前記スイッチをオンすることで前記ロータコイルの端子間を短絡させることを特徴とする請求項7記載のオルタネータ。前記レクチファイヤは、複数相の交流電圧を整流する整流部を備えて前記バッテリに充電するものであって、前記整流部は1パッケージに構成され、前記異常検出回路は、前記1パッケージの過熱または/および過電流を検出することで異常を検出することを特徴とする請求項1ないし6の何れかに記載のオルタネータ。内部異常を検出可能なレギュレータからその出力端子を通じてロータコイルに通電された励磁電流に応じてステータコイルに生じる複数相の交流電圧について、第1ダイオードを用いた整流部により整流しバッテリに充電するレクチファイヤであって、レクチファイヤ本体内の異常を検出する異常検出回路を備え、前記異常検出回路により異常が検出された後には前記レギュレータの出力端子を通じて当該レギュレータに異常検出信号を送信することを特徴とするレクチファイヤ。前記第1ダイオードは、前記レクチファイヤ本体を構成する半導体スイッチに寄生した第1寄生ダイオードを含み、前記レクチファイヤ本体は、前記第1寄生ダイオードが寄生した半導体スイッチを用いて整流してバッテリに充電することを特徴とする請求項10記載のレクチファイヤ。前記ロータコイルに接続されたインピーダンス変化手段を備え、前記異常検出回路により異常が検出された後には前記インピーダンス変化手段により前記ロータコイル側のインピーダンスを変化させることで前記ロータコイルの端子間のインピーダンスを変化させ、当該インピーダンス変化に応じた前記レギュレータに異常検出信号を送信して前記レギュレータに異常検出処理を行わせることを特徴とする請求項10または11記載のレクチファイヤ。前記インピーダンス変化手段は、前記ロータコイルの端子間に接続されたスイッチを含み、当該ロータコイルの端子間を短絡することで前記レギュレータに異常検出処理を行わせることを特徴とする請求項12記載のレクチファイヤ。前記スイッチのオンタイミングを、前記ロータコイルの端子間の直流電圧が最低電圧となる区間内とすることを特徴とする請求項13記載のレクチファイヤ。前記レギュレータは、バッテリおよびグランド間に対し前記出力端子を通じて前記ロータコイルに直列接続された駆動トランジスタ、および、当該駆動トランジスタに直列接続されると共に前記ロータコイルに並列接続された還流ダイオード、を備え、前記スイッチは、第2寄生ダイオードが逆並列接続されたMOSトランジスタを用いて構成され、前記レギュレータの還流ダイオードに還流電流が流れるときには、前記MOSトランジスタに逆並列接続された第2寄生ダイオードに同時に還流電流が流れることを特徴とする請求項13または14記載のレクチファイヤ。複数相の交流電圧を整流する複数の整流部を備え前記バッテリに充電するものであって前記複数の整流部は複数のパッケージを用いて相毎にそれぞれ構成され、前記異常検出回路は、前記複数のパッケージの過熱または/および過電流をそれぞれ検出することで相毎に異常を検出するように構成され、前記複数相のうち何れか一の相で前記異常検出回路が異常を検出すると、他の相に当該一の相の異常を送信し、他の相では前記一の相の異常を受信することで異常状態を受け付けることを特徴とする請求項10ないし15の何れかに記載のレクチファイヤ。前記他の相では前記一の相の異常を受信すると、前記スイッチをオンすることで前記ロータコイルの端子間を短絡させることを特徴とする請求項16記載のレクチファイヤ。複数相の交流電圧を整流する整流部を備えて前記バッテリに充電するものであって、前記整流部は1パッケージに構成され、前記異常検出回路は、前記1パッケージの過熱または/および過電流を検出することで異常を検出することを特徴とする請求項10ないし15の何れかに記載のレクチファイヤ。特許文献2の技術を適用した場合には、FETのドレイン-ソース間には寄生ダイオードが存在する。このため、FETの過熱又は過電流などの異常時には、FETをオフしても寄生ダイオードに発電電流が流れる。この寄生ダイオードを通して発電電流が流れる方が消費電力は大きくなる。このため、発熱による劣化が進む虞がある。そこで、発電電流を抑制するため、例えばレクチファイヤからレギュレータに異常を通知しロータコイルの励磁電流を抑制する所謂、協調制御必要があるが、専用のダイアグ通信線を設けると、既存のレギュレータを使用できないなどの不都合を生じる。FETに寄生ダイオードが追加された半導体スイッチを適用した課題を示したが、特に半導体スイッチを設けなくてもレクチファイヤ側で異常を生じれば同様の課題を生じる。本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、レギュレータとレクチファイヤ間で専用のダイアグ通信線を設けることなく、レクチファイヤ異常時に発電発電電流を抑制できるようにしたオルタネータおよびレクチファイヤを提供することにある。請求項1記載の発明によれば、レギュレータは、内部で異常が検出されると出力端子を通じてロータコイルの励磁電流を抑制制御する。レクチファイヤは、レギュレータの出力端子を通じて通電されるロータコイルの励磁電流に応じてステータコイルに生じる複数相の交流電圧について第1ダイオードを用いて整流しバッテリに充電する。レクチファイヤの異常検出回路は、当該レクチファイヤ本体の異常を検出するが、異常検出回路により異常が検出された後にはレギュレータにその出力端子を通じて異常検出信号を送信する。レギュレータは異常検出信号が与えられるとロータコイルの励磁電流を抑制制御するため発電を抑制できる。したがって、レクチファイヤ側で異常が生じたとしても、当該レクチファイヤからレギュレータの出力端子を通じて異常を通知できるため、別途専用のダイアグ通信線を設けることなく発電を抑制できる。請求項10記載の発明もほぼ同様の作用効果を奏する。請求項2記載の発明によれば、第1ダイオードとして半導体スイッチに寄生した第1寄生ダイオードを用いており、第1寄生ダイオードが寄生した半導体スイッチを用いて整流してバッテリに充電する。半導体スイッチの異常発熱などをレクチファイヤ側で検出でき、当該異常が検出されるとレクチファイヤからレギュレータの出力端子を通じて半導体スイッチの異常を通知できる。請求項11記載の発明もほぼ同様の作用効果を奏する。請求項3記載の発明によれば、レクチファイヤは、ロータコイルに接続されたインピーダンス変化手段を備え、レクチファイヤは、異常検出回路により異常が検出された後にはインピーダンス変化手段によりロータコイル側のインピーダンスを変化させることでロータコイルの端子間のインピーダンスを変化させ、当該インピーダンス変化に応じた異常検出信号をレギュレータに送信し当該レギュレータに異常検出処理を行わせる。レギュレータはロータコイルの励磁電流を抑制制御するため発電を抑制できる。したがって、レクチファイヤ側で異常を生じたとしても、当該レクチファイヤからレギュレータの出力端子を通じて異常を通知できるため、別途専用のダイアグ通信線を設けることなく発電を抑制できる。請求項12記載の発明もほぼ同様の作用効果を奏する。この場合、インピーダンス変化手段を、ロータコイルの端子間に接続されたスイッチを含んで構成しロータコイルの端子間を短絡することでレギュレータに異常検出処理を行わせることが望ましい請求項4。請求項13記載の発明もほぼ同様である。また、請求項5記載の発明のように、レクチファイヤが、スイッチをオンするタイミングについて、ロータコイルの端子間の直流電圧がほぼ最低電圧となる区間内とすると、スイッチのオンタイミングにおけるスイッチの通電電流を少なくできる。請求項14記載の発明もほぼ同様の作用効果を奏する。請求項6記載の発明によれば、レギュレータはバッテリおよびグランド間に駆動トランジスタおよび還流ダイオードを直列接続して構成されており、駆動トランジスタは出力端子を通じてロータコイルに直列接続されている。還流ダイオードはロータコイルに並列接続されている。レクチファイヤのスイッチは、第2寄生ダイオードが逆並列接続されたMOSトランジスタを用いて構成されているが、レギュレータの還流ダイオードに還流電流が流れるときには、第2寄生ダイオードにも同時に還流電流が流れるため、ロータコイルの通電電流をレギュレータ側とレクチファイヤ側に分配することができ、レギュレータ側の発熱を抑制できる。請求項15記載の発明もほぼ同様の作用効果を奏する。請求項7記載の発明によれば、複数相のうち何れか一の相で異常検出回路が異常を検出すると、他の相に一の相の異常を送信し、他の相では一の相の異常を受信すると異常状態を受け付けるため、他の相に一の相の異常状態を通知できる。請求項16記載の発明もほぼ同様の作用効果を奏する。請求項8記載の発明によれば、請求項7記載の発明において、一の相および他の相のレクチファイヤはそれぞれスイッチをオンすることでロータコイルの端子間を短絡させるようにしているため、ロータコイルの端子間を短絡したときにスイッチに流れるデッドショート電流を一の相および他の相で分担することができる。請求項17記載の発明もほぼ同様の作用効果を奏する。請求項9、18記載の発明のように、整流部を1パッケージに構成し、異常検出回路が1パッケージの過熱または/および過電流を検出することで異常を検出するようにしても良い。第1実施形態以下、本発明の第1実施形態について図1ないし図7を参照しながら説明する。図2は、オルタネータの基本的な電気的構成を示し、また図3は、オルタネータの基本的動作の説明をタイミングチャートで示している。図2に示すように、オルタネータ1は、バッテリ2から電力供給されるレギュレータ3、ロータコイル4、ステータコイル5U,5V,5W、レクチファイヤ整流器、整流部6などを接続して構成される。オルタネータ1は、交流発電機として用いられロータコイル4を回転子とした回転界磁形の電磁石同期発電機であり、U相、V相、W相の各ステータコイル5U,5V,5Wの電機子によって三相交流電力を取得する。レクチファイヤ6は、三相交流電力を整流することで直流電力に変換しバッテリ2に充電する。なお、レクチファイヤ6はシリコンダイオードなどのダイオードを用いて整流するが、別の形態として、U相,V相,W相に例えばNチャネル型のMOSトランジスタ6uu,6vu,6wu,6ud,6vd,6wd、および、それらのトランジスタにそれぞれ逆並列接続された寄生ダイオードボディダイオードDuu、Dvu,Dwu,Dud,Dvd,Dwd第1ダイオード、第1寄生ダイオードを用いる場合もある。以下では、レクチファイヤ6は、MOSトランジスタ6uu,6vu,6wu,6ud,6vd,6wdを用いて整流部を構成したものを例に挙げて説明するが、ダイオードブリッジのみで整流部を構成しても良い。本実施形態では、これらのMOSトランジスタ6uu,6vu,6wu,6ud,6vd,6wd寄生ダイオードDuu、Dvu,Dwu,Dud,Dvd,Dwdを3相ブリッジ接続して整流部を構成している。以下の説明では、U相,V相,W相の各MOSトランジスタ6uu,6vu,6wu,6ud,6vd,6wdの各トランジスタまたは一群のトランジスタの記載を単にMOSトランジスタ6Tと記載して説明し、寄生ダイオードボディダイオードDuu、Dvu,Dwu,Dud,Dvd,Dwdの各ダイオードまたは一群のトランジスタの記載を単に寄生ダイオードDTと記載して説明する。オルタネータ1には、発電能力を調整するためのレギュレータ3が付加されている。このレギュレータ3は車両内の電力の過不足に応じ発電量を増減する。発電量の増減はレギュレータ3の出力端子3aに印加する電圧のデューティ比を増減することでロータコイル4の励磁電流を増減させて制御する。また、レギュレータ3内部の異常時、たとえば過電流、過電圧時には出力端子3aの電圧をオフする保護機能を有している。図3は、レクチファイヤの基本的な整流動作の説明図を示している。レクチファイヤ6は、ステータコイル5U,5V,5Wの正弦波状の交流電圧をMOSトランジスタ6T、または、寄生ダイオードDTによってクランプしバッテリ2に充電する。ここで、図3の右欄に示すように、MOSトランジスタ6Tをオフ制御なしした状態においては、ボディダイオードの順方向電圧0.7V電圧降下した状態でバッテリ2に充電される。図3の左欄に示すように、MOSトランジスタ6Tをオン制御したときには、MOSトランジスタ6Tのオン抵抗Ronおよびその充電電流の乗算値に対応した電圧降下例えば1mΩ×200A=0.2Vで充電できる。したがって、MOSトランジスタ6Tをオン制御して充電を行うことで、電圧降下による損失を低減することができ、充電効率が良くなる。図1は、レギュレータの出力段の回路構成を主として示している。レギュレータ3は、制御回路7、ゲート回路8、駆動トランジスタ9、異常検出回路10、還流ダイオード11を接続して構成され、出力端子3aを通じてロータコイル4に励磁電流を出力する。制御回路7は、発電量に応じたデューティ比に調整されたPWM信号を、ゲート回路8を介して駆動トランジスタ9の制御端子に出力する。駆動トランジスタ9は、Nチャネル型のパワーMOSトランジスタであり、そのソースは出力端子3aからロータコイル4を介してアースに接続されており、そのドレインはバッテリ2に接続されている。制御回路7は、駆動トランジスタ9のゲートにPWM信号を印加し、駆動トランジスタ9をオンオフさせる。オン区間において、バッテリ2から駆動トランジスタ9を介してロータコイル4に励磁電流が供給されると当該励磁電流は上昇する。逆にオフ区間においては、バッテリ2からロータコイル4に通電する励磁電流の供給が停止される。このとき、ロータコイル4に発生した還流電流が還流ダイオード11を通じて還流され、ロータコイル4に対する駆動電流供給が継続する。レギュレータ3内には異常検出回路10が構成されている。図4は異常検出回路の構成例を示している。図4aは過電流検出する異常検出回路の構成例、図4bは過熱検出する異常検出回路の構成例を示している。図4aに示す過電流検出用の異常検出回路の構成例では、駆動トランジスタ9と並列にセンシングトランジスタ10aを設け、駆動トランジスタ9の通電電流に比例したセンシング電流を検出することで駆動トランジスタ9の通電電流を推定する。コンパレータ10bは、センシングトランジスタ10aのセンス電流に応じた検出電圧を予め定められた比較対象電圧Vrと比較し、比較対象電圧Vrを下回ったか否かを判定することで過電流が流れたか否かを判定する。過電流が検出されると、異常検出回路10は異常検出信号を制御回路7に出力し、制御回路7は異常時におけるゲート駆動信号通常時に比較してデューティ比減少、ただしわずかに0超を駆動トランジスタ9の制御端子に出力する。図4bに示す過熱検出用の異常検出回路の構成例では、駆動トランジスタ9に近接して複数直列接続されたダイオード群Dを配置し、このダイオード群Dの温度特性を利用して過熱検出を行う。ダイオードの順方向電圧Vdは一般に-2mV/°Cの温度特性があり、周辺温度が上昇すると順方向電圧Vdが低下する。ダイオードを複数直列接続すると温度変化に応じた電圧変動勾配も大きくなる。したがって、周辺温度が標準温度から上昇すると、ダイオード群Dの順方向電圧Vdが低下するため、コンパレータ10cが、このダイオード群Dの電圧と予め定められた比較対象電圧Vr2を比較し、比較対象電圧Vr2を下回ったか否かを判定することで過熱検出されたか否かを判定する。過熱であることが判定されると、過電流検出と同様に、異常検出回路10は異常検出信号を制御回路7に出力し、制御回路7は異常時におけるゲート駆動信号を駆動トランジスタ9の制御端子に出力する。したがって、異常検出回路10が異常状態を検出すると、ロータコイル4の励磁電流が徐々に低下し発電量が低下する。図1に戻ってレクチファイヤ6内の構成説明を行う。図1に示すレクチファイヤ6の電気的構成は、図2に示すレクチファイヤ6の基本的な電気的構成と共に当該レクチファイヤ6の筺体内部に構成されている。レクチファイヤ6には、ロータコイル4に並列にショート用トランジスタスイッチ、インピーダンス変化手段、MOSトランジスタに相当12が構成されている。このトランジスタ12は、例えばNチャネル型のMOSトランジスタにより構成されている。レクチファイヤ6内には、トランジスタ12の前段に位置して、異常検出回路13、低電圧検出回路14、ゲート回路15、遅延ゲート16、SRフリップフロップ17などが構成されている。異常検出回路13は、レクチファイヤ6を構成するMOSトランジスタの通電電流、発熱を検出し、過電流、過熱などの異常を検出する。異常検出回路13が異常を検出する手段は、前述の異常検出回路10の異常検出図4aに示す過電流検出手段、図4bに示す過熱検出手段と同様の手段を適用しても良いし、異なる手段を用いても良い。異常検出回路13は、異常を検出すると異常検出信号Hをゲート回路15、遅延ゲート16の反転入力に出力する。低電圧検出回路14は、例えば基準電圧源およびコンパレータなどにより構成されるもので、駆動トランジスタ9および還流ダイオード11の共通接続ノードN1の電圧を検出し、PWM信号のオフほぼ0V区間予め定められた所定電圧より低い電圧、ほぼ最低電圧に相当を検出したときにゲート回路15に低電圧検出信号Hを出力する。ゲート回路15は、異常検出回路13の異常検出信号H、および低電圧検出回路14の低電圧検出信号Hを検出すると、SRフリップフロップ17のセット端子にセット信号Hを出力する。SRフリップフロップ17は、ゲート回路15からセット信号Hを受付けると、ショート用トランジスタ12をオン制御する。ショート用トランジスタ12をオンすることでレクチファイヤ6の入力インピーダンスを変化させると、レギュレータ3の出力電流となるロータコイル4の励磁電流がトランジスタ12側にも流れる。したがって、レクチファイヤ6側で過熱、過電流などの異常が検出された後には、低電圧検出回路14がPWM信号の低電圧区間L区間を検出したときにショート用トランジスタ12がオンすることでロータコイル4の励磁電流がトランジスタ12側に流れる。前記した構成の動作について図5ないし図7を参照して説明する。図5は、正常発電中の動作、および、発電抑制中におけるレクチファイヤ保護動作を示している。図6は、動作を示すフローチャートである。図7は、正常発電中における電流の流れを示している。図5に示すように、駆動トランジスタ9がオンオフ駆動されると、励磁電流はオン区間で上昇しオフ区間で減少し、これに応じて発電量が制御され定常状態が保たれる図6のS1でNO。図7は、レクチファイヤによる回生動作の説明を示している。前述したように、駆動トランジスタ9がオフすると、還流電流が還流ダイオード11からロータコイル4に流れるが、レクチファイヤ6のショート用トランジスタ12の寄生ダイオードボディダイオード12aがグランドからノードN1レギュレータ3の出力端子3a側に順方向接続されているため、還流ダイオード11による還流電流と共にトランジスタ12の寄生ダイオード12aからも還流電流がロータコイル4に流れる。この場合、ロータコイル4の励磁電流は、レギュレータ3内の還流ダイオード11とトランジスタ12の寄生ダイオードボディダイオード12aに分配される。レギュレータ3内の発熱は当該レギュレータ3内の電力消費量に依存し、これは還流ダイオード11の通電電流量にも依存する。したがって、ショート用トランジスタ12の寄生ダイオード12a側図7の点線参照に還流電流が分配されれば、レギュレータ3の発熱を抑制できる。何らかの影響で、レクチファイヤ6を構成するMOSトランジスタ6Tの通電電流、寄生ダイオードDTの通電電流が上昇し、レクチファイヤ6のパッケージが発熱すると、異常検出回路13は異常を検出し異常検出信号Hを出力する図5の1時点:図6のS1でYES。異常検出信号Hが検出されても、駆動トランジスタ9がオンしておりノードN1の電圧がバッテリ2の電圧に近ければ、低電圧検出回路14はノードN1の電圧を0V低電圧:望ましくは最低電圧と検出することがない。したがって、この1時点において、低電圧検出回路14が低電圧検出信号Hを出力することはなく、ゲート回路15は低電圧検出信号Hを検出しない。このため、1時点では、ゲート回路15はセット信号Hを出力しない。その後、駆動トランジスタ9がオン状態からオフ状態に移行するとノードN1の電圧が低下する。低電圧検出回路14はノードN1の電圧が所定電圧より低下したことを検出することで駆動トランジスタ9がオフしたことを検出する図6のS2でYES。すると、ゲート回路15はSRフリップフロップ17にセット信号Hを出力し、SRフリップフロップ17は、Q出力によりショート用トランジスタ12のゲートを駆動することでショート用トランジスタ12をオンする図5の2時点:図6のS3。ショート用トランジスタ12がオンするとノードN1がグランドにほぼ導通接続されることになる。ショート用トランジスタ12がオンしたタイミングでは駆動トランジスタ9がオフしておりノードN1の電圧が所定電圧より低いため、ショート用トランジスタ12の通電電流を少なく維持できる。その後、ゲート駆動信号Hが駆動トランジスタ9のゲートに与えられると、駆動トランジスタ9がオンし、駆動トランジスタ9の通電電流が主にショート用トランジスタ12に流れる図5の3時点:図1の点線参照。トランジスタ12のオン抵抗は数Ω以下であるため大電流が流れようとするが、異常検出回路10はこの大電流に基づく信号を異常検出信号として検出することで異常検出処理を行う。異常検出回路10はこの異常検出に応じて制御回路7に異常出力を行い、制御回路7はゲート回路8を通じてPWM信号の後半をマスクしてデューティ数程度のPWM信号を出力する図5の駆動トランジスタ9のオン区間参照。これにより、駆動トランジスタ9およびショート用トランジスタ12が共にオンする間は、デッドショート電流がショート用トランジスタ12側に主に流れる図5の3以降のタイミング参照。ロータコイル4の励磁電流は次第に減少することになり発電を抑制できる。本実施形態では、異常検出後のデューティ比は一旦異常を検出した後も数程度とする例を示している。が、一旦異常を検出した後のデューティ比は発電を抑制できればどの程度のデューティに設定しても良く0としても良い。その後、仮に、レクチファイヤ6の発熱、通電電流が抑制され、異常検出回路13がレクチファイヤ6内の異常を検出しなくなると、レクチファイヤ6が正常に復帰する図6のS4でYES。そして、遅延ゲート16による遅延時間が経過すると図6のS5でYES、SRフリップフロップ17はトランジスタ12をオフ制御する。トランジスタ12がオフすると、レクチファイヤ6は正常動作し再び通常発電を開始し、図6のS1に示す異常検出動作に戻る。<本実施形態の主な特徴のまとめ>本実施形態によれば、異常検出回路13はレクチファイヤ6の異常を検出し、レクチファイヤ6は異常検出回路13により異常が検出された後にはレクチファイヤ6がレギュレータ3の出力端子3aを通じて異常検出信号をレギュレータ3に送信する。このため、レクチファイヤ6側で異常が生じたとしても、当該レクチファイヤ6からレギュレータ3の出力端子3aを通じて異常を通知できる。このため、別途専用のダイアグ通信線を設けることなく異常を通知できる。特に、レクチファイヤ6は、異常検出回路13により異常が検出されると、ロータコイル4に並列接続されたトランジスタ12スイッチをオン制御しロータコイル4の端子間を短絡することでレギュレータ3に異常検出処理を行わせる。レクチファイヤ6側で異常を検出したときに、あたかもレギュレータ3内で異常を生じているようにしてレギュレータ3内で異常検出処理を行わせている。レギュレータ3は異常検出回路10に異常検出信号が与えられると、異常検出回路10が制御回路7に異常検出信号を送信するため、制御回路7がロータコイル4の励磁電流を抑制制御するためのPWM信号を駆動トランジスタ9のゲートに与える。このため、発電を抑制できる。また、レクチファイヤ6が、トランジスタ12をオンするタイミングについて、ロータコイル4の端子間の電圧レギュレータ3の出力端子3aの電圧がほぼ最低電圧≒0Vとなる区間内としているため、トランジスタ12のオンタイミングにおけるトランジスタ12の通電電流を少なくできる。また、トランジスタ12が寄生ダイオードボディダイオード12a付きのMOSトランジスタにより構成されているため、図7に示すように、通常動作においても、トランジスタ12の寄生ダイオードボディダイオード12aの順方向電流経路がロータコイル4の還流電流経路になる。このため、ロータコイル4の通電電流をレギュレータ3側とレクチファイヤ6側に分配することができ、特にレギュレータ3側の発熱を抑制できる。第2の実施形態図8および図9は、本発明の第2の実施形態を示すもので、前述実施形態と異なるところは、U相,V相,W相の相毎にレクチファイヤ6の異常検出回路を設け、これらの異常検出信号を他の相の異常検出回路に例えばバスで通信可能に構成しているところを特徴としている。前述実施形態と同一または類似の部分については同一または類似の符号を付して説明を省略し、以下、異なる部分について説明を行う。図8は、前述実施形態説明の図2に代わるオルタネータの電気的な基本構成図を示している。本実施形態では、U相のMOSトランジスタ6uu、6udを1パッケージに収納し、V相のMOSトランジスタ6vu、6vdを1パッケージに収納し、W相のMOSトランジスタ6wu、6wdを1パッケージに収納している。すなわち、MOSトランジスタ6Tおよび寄生ダイオードDTによる複数の整流部を相毎にパッケージに収納している。ここでは、U相レクチファイヤを6U、V相レクチファイヤを6V、W相レクチファイヤを6Wとして説明する。図9は、U相,V相,W相の各相のレクチファイヤ6U,6V,6Wの要部の電気的構成を示している。この図9に示すように、各相のレクチファイヤ6U,6V,6Wは、それぞれ同様の電気的構成が内部に構成されており、各相のレクチファイヤ6U,6V,6Wにはそれぞれ異常検出回路13が設けられている。これらの各相のうち一の相の異常検出回路13がバス18を通じて他の相の異常受信回路19に異常通知信号を送信し、異常受信回路19は当該異常通知信号を受信する。ある相の異常受信回路19は、他の相の異常検出回路13からバス18を通じて異常通知信号を受信すると、この異常状態を受付けて他の相が異常であることを認識できる。そして、異常受信回路19が他の相の異常状態を受付けると、自身の相のゲート回路15および遅延ゲート16にゲートORゲート20を通じて異常検出信号Hを出力する。すると、各相のレクチファイヤ6U,6V,6Wは、駆動トランジスタ9がオフとなるタイミングで自身の相のトランジスタ12をオン制御する。トランジスタ12がオンすると、前述実施形態で説明したデッドショート電流は、一の相および他の相のトランジスタ12を通じて分担されることになる。特に、全ての相でトランジスタ12がオンすれば全ての相のトランジスタ12を通じてデッドショート電流が流れる。したがって、各相レクチファイヤ6U,6V,6W内の各トランジスタ12のデッドショート電流量の負担を軽減できる。<本実施形態の主な特徴のまとめ>複数相のうち何れか一の相で異常検出回路13が異常を検出すると、他の相に一の相の異常を送信し、他の相では一の相の異常を受信すると異常状態であることを受付ける。これにより、他の相に一の相の異常状態を通知できる。また、各相の一の相および他の相のレクチファイヤ6は、それぞれトランジスタ12をオンすることで、ロータコイル4の端子間を短絡したときにトランジスタ12に流れるデッドショート電流を各相一の相および他の相で分担することができる。これによりデッドショート電流量の負担を軽減できる。第3実施形態図10は、本発明の第3実施形態を示すもので、第2実施形態と異なるところは、一相のみにトランジスタ12を構成し、他の相のレクチファイヤには、トランジスタ12を構成することなく異常検出回路13および異常受信回路19を構成したところにある。前述実施形態と同一または類似の機能を有する部分については同一符号を付して説明を行う。図10は、図1または図9に代わる要部の電気的構成を示している。図10に示すように、U相のレクチファイヤ6Uは、第2実施形態のレクチファイヤ6Uと同様の構成を示している。他方、V相およびW相のレクチファイヤ6Vおよび6Wには、異常検出回路13、異常受信回路19が構成されているが、これらの回路を除く他の構成トランジスタ12、低電圧検出回路14、ゲート回路15、遅延ゲート16、SRフリップフロップ17は構成されていない。この場合、V相のレクチファイヤ6Vの異常検出回路13、U相のレクチファイヤ6Wの異常検出回路13がそれぞれ、過電流、過熱等の異常検出処理を行うと、U相のレクチファイヤ6Uの異常受信回路19に異常検知信号を送信することで異常状態を通知する。U相のレクチファイヤ6Uの異常受信回路19は他の相の異常検出回路13からバス18を通じて異常通知信号を受信すると、この異常状態を受付けることで他の相が異常であることを認識できる。これにより、前述実施形態とほぼ同様の作用効果が得られると共に、他の相の異常状態を認識することができる。第4実施形態図11は、本発明の第4実施形態を示している。前述実施形態と同一又は類似機能を有する部分については同一符号を付して説明を省略し、以下、異なる部分について説明を行う。図11は、図1に代わる要部の電気的構成を示している。前述実施形態と異なるところは、レギュレータ3側において、グランド側のローサイドに駆動トランジスタ9を構成しているところである。また、ロータコイル4をバッテリ2側のハイサイド側に直列接続している。また、レクチファイヤ6側にはハイサイド側にショート用トランジスタ12を構成しロータコイル4に並列接続している。このように構成した場合、レクチファイヤ6の異常検出回路13が異常を検出すると、ショート用トランジスタ12をオン制御することで、トランジスタ12にデッドショート電流を流すことができる。したがって、異常検出回路10は、駆動トランジスタ9がオンしたときにトランジスタ12に流れる過電流を異常検出信号として検出することができ、前述実施形態と同様に発熱を抑制できる。その他、前述実施形態と同様の作用効果を奏する。また、通常動作において、還流電流はハイサイド側の還流ダイオード11に流れると共にトランジスタ12の寄生ダイオード12aにも流れ、還流電流は分配されることになり前述実施形態と同様の作用効果が得られる。他の実施形態本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に示す変形または拡張が可能である。また、トランジスタ9、12としてはMOSトランジスタに限らず、他のスイッチングデバイス半導体スイッチ、機械式リレーなどの各種スイッチに変更しても良い。また、ショート用トランジスタ12は、特にロータコイル4の端子間を短絡させる必要はなく、ロータコイル4の端子間のインピーダンスを変化させる構成例えば、低インピーダンス回路数Ω程度をロータコイル4に並列接続する等を適用して構成しても良い。また、前述実施形態では、レクチファイヤ6側で異常を検出したときに故意にロータコイル4の端子間を短絡することに応じてあたかもレギュレータ3内で異常を生じているようにし、レギュレータ3内で異常検出処理を行わせているが、これに限定されるものではなく、レクチファイヤ6側からレギュレータ3側に出力端子3aを通じて異常検出信号を伝達できればどのような回路構成を採用しても良い。すなわち、レクチファイヤ6について、低電圧検出回路14、ANDゲート15、遅延ゲート16、SRフリップフロップ17を用いてトランジスタ12を駆動制御する構成を適用した実施形態を示したが、各種デジタル回路、デジタルアナログ混在回路、を用いて構成しても良い。レクチファイヤ6は、3相構成を例に挙げて説明したが、相数は特に限定されるものではなく5,6など仕様、用途等に応じて実用上変更しても良い。レクチファイヤ6とレギュレータ3間の異常通信用の端子としては、ロータコイル4の駆動出力端子3aを使用した実施例で説明したが、レギュレータ3が備える他の出力端子を使用しても良い。"