"順番に積層された、導電陽極基板と、三元ドーピングホール輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層と、陰極層とを含み、前記三元ドーピングホール輸送層の材料は、セシウム塩とホール輸送材料を、金属化合物にドーピングしたことにより形成された混合材料であることを特徴とする、三元ドーピングホール輸送層を有する有機エレクトロルミネセントデバイス。前記金属化合物は、金属酸化物又は金属硫化物であり、前記金属酸化物は、酸化亜鉛又は二酸化チタニウムであり、前記金属硫化物は、硫化亜鉛又は硫化スズであり、前記セシウム塩は、セシウムアジド、フッ化セシウム、炭酸セシウム又は酸化セシウムであることを特徴とする、請求項1に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。前記ホール輸送材料は、1,1-ビス[4-N,N’-ジp-トリルアミノフェニル]シクロヘキサン、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ベンジジン、4,4’,4’’-トリスカルバゾル-9-イル-トリフェニルアミン、又はN,N’-ジ-[1-ナフタレニル-N,N’-ジフェニル]-4,4’-ビフェニル-4,4’-ジアミンであることを特徴とする、請求項1に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。前記セシウム塩のドーピング質量百分率は、1~5であり、前記ホール輸送材料のドーピング質量百分率は、10~40であることを特徴とする、請求項1に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。前記発光層の材料は、4-ジシアノメチレン-2-ブチル-6-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-イル-ビニル-4H-ピラン、トリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウム、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2ピコリネートイリジウム、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジナトテトラキス1-ピラゾリルボレートイリジウム、ビス2-メチルジベンゾ[f,h]キノキサリンアセチルアセトナートイリジウム及びトリス2-フェニルピリジンイリジウムからなる群から選択される少なくとも1つであり、又は、前記発光層の材料は、ゲスト材料をドーピングしたホスト材料であり、ここで、前記ゲスト材料は、4-ジシアノメチリレン-2-ブチル-6-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-イル-ビニル-4H-ピラン、トリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウム、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2ピコリネートイリジウム、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジナトテトラキス1-ピラゾリルボレートイリジウム、ビス2-メチルジベンゾ[f,h]キノキサリンアセチルアセトナートイリジウム、又は、トリス2-フェニルピリジンイリジウムであり、前記ホスト材料は、1,1-ビス[4-N,N’-ジp-トリルアミノフェニル]シクロヘキサン、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ベンジジン、4,4’,4’’-トリスカルバゾル-9-イル-トリフェニルアミン、N,N’-ジ-[1-ナフタレニル-N,N’-ジフェニル]-4,4’-ビフェニル-4,4’-ジアミン、2-4-t-ブチルフェニル-5-4-ビフェニル-1,3,4-オキサジアゾール、トリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウム、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン、1,2,4-トリアゾールの誘導体及びN-フェニルベンズイミダゾールからなる群から選択される1つ又は2つであることを特徴とする、請求項1に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。前記電子輸送層の材料は、2-4-t-ブチルフェニル-5-4-ビフェニル-1,3,4-オキサジアゾール、トリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウム、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン、1,2,4-トリアゾール誘導体又はN-フェニルベンズイミダゾールであることを特徴とする、請求項1に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。前記電子注入層の材料は、LiF、CaF2又はNaFであることを特徴とする、請求項1に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。前記導電陽極基板は、インジウムスズ酸化物ガラス、フッ素をドーピングした酸化スズガラス、アルミニウムをドーピングした酸化亜鉛ガラス、又は、インジウムをドーピングした酸化亜鉛ガラスであることを特徴とする、請求項1に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。前記陰極層は、銀、アルミニウム、チタニウム又は金であることを特徴とする、請求項1に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。請求項1に記載の三元ドーピングホール輸送層を有する有機エレクトロルミネセントデバイスの作製方法であって、まず、導電陽極基板を超音波洗浄し、洗浄した後、酸素プラズマ処理するステップ1と、酸素プラズマ処理した後の導電陽極基板の表面に、三元ドーピングホール輸送層を電子ビームで蒸着し、前記三元ドーピングホール輸送層の材料は、セシウム塩と、ホール輸送材料とを金属化合物にドーピングしたことにより形成された混合材料であるステップ2と、前記三元ドーピングホール輸送層の表面に、発光層と、電子輸送層と、電子注入層と、陰極層とを順番に蒸着して積層するステップ3とを含み、上述したステップを実行することにより、前記有機エレクトロルミネセントデバイスを得ることを特徴とする、有機エレクトロルミネセントデバイスの作製方法。上述した従来技術の問題を克服するために、本発明の課題は、三元ドーピングホール輸送層を有する有機エレクトロルミネセントデバイス及びその作製方法を提供することである。本発明は、セシウム塩とホール輸送材料とを、金属化合物にドーピングしたことでp型ドーピングを形成することにより、ホール注入及び輸送の効率を上げる。その結果、発光効率が向上する。さらに、本発明における三元ドーピングホール輸送層の材料は、金属化合物をホストとし、作製工程の難易度が低く、部品の量産に有利であり、加工コストが低下するため、将来の商業化使用に好適である。一態様において、本発明は、三元ドーピングホール輸送層を有する有機エレクトロルミネセントデバイスを提供し、その構造は、順番に積層された、導電陽極基板と、三元ドーピングホール輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層と、陰極層とを含み、三元ドーピングホール輸送層の材料は、セシウム塩とホール輸送材料を、金属化合物にドーピングしたことにより形成された混合材料である。導電陽極基板は、導電ガラス基板であってもよく、インジウムスズ酸化物ガラスITO、フッ素をドーピングした酸化スズガラスFTO、アルミニウムをドーピングした酸化亜鉛ガラスAZO、及び、インジウムをドーピングした酸化亜鉛ガラスIZOからなる群から選択されるものである。三元ドーピングホール輸送層の材料は、金属化合物をホストとし、セシウム塩とホール輸送材料とを、金属化合物にドーピングすることで混合材料を形成する。三元ドーピングホール輸送層は、次の方法で作製される。すなわち、電子ビーム蒸着法で、セシウム塩と、ホール輸送材料とを金属化合物にドーピングして混合材料を形成する。三元ドーピングホール輸送層は、導電陽極基板に積層される。好ましくは、金属化合物は、金属酸化物例えば、酸化亜鉛ZnO又は二酸化チタニウムTiO2、又は金属硫化物例えば、硫化亜鉛ZnS又は硫化スズPbSである。好ましくは、セシウム塩は、セシウムアジドCsN3、フッ化セシウムCsF、炭酸セシウムCs2CO3又は酸化セシウムCs2Oである。好ましくは、セシウム塩のドーピング質量百分率は、1~5である。好ましくは、ホール輸送材料は、1,1-ビス[4-N,N’-ジp-トリルアミノフェニル]シクロヘキサンTAPC、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ベンジジンTPD、4,4’,4’’-トリスカルバゾル-9-イル-トリフェニルアミンTCTA、又はN,N’-ジ1-ナフタレニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニル-4,4’-ジアミンNPBである。好ましく、ホール輸送材料のドーピング質量百分率は、10~40である。好ましくは、三元ドーピングホール輸送層の厚みは、20nm~60nmである。三元ドーピングホール輸送層の材料において、金属化合物は、出力効率を向上させ、ホール注入バリアを低減させることができると共に、セシウム塩のドーピングによりp型ドーピングを形成可能であり、ホールの注入と輸送に有利であり、さらに、ホール輸送材料のドーピングは、ホールの輸送速度をさらに上げることができ、成膜の質を向上させ有機小分子の成膜性が比較的良好であり、発光層の励起子の複合率をさらに向上させる。微量のp型材料ドーピング質量分数が0.5~2をホール輸送材料にドーピングする従来技術と比較し、本発明の三元ドーピングホール輸送層の材料は、金属化合物をホストしており、作製工程の難易度が低く、部品の量産に有利であり、加工コストが低下するため、将来の商業化使用に好適である。発光層は、三元ドーピングホール輸送層に積層されている。好ましくは、発光層の材料は、4-ジシアノメチレン-2-ブチル-6-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-イル-ビニル-4H-ピランDCJTB、トリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウムAlq3、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2ピコリネートイリジウムFIrpic、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジナトテトラキス1-ピラゾリルボレートイリジウムFIr6、ビス2-メチルジベンゾ[f,h]キノキサリンアセチルアセトナートイリジウムIrMDQ2acac及びトリス2-フェニルピリジンイリジウムIrppy3からなる群から選択される少なくとも1つである。より好ましくは、発光材料は、トリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウムである。さらに、好ましくは、前記発光層の材料は、ゲスト材料をドーピングしたホスト材料であり、且つ、ゲスト材料のドーピング質量百分率は1~20である。ここで、ゲスト材料は、4-ジシアノメチリレン-2-ブチル-6-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-イル-ビニル-4H-ピラン、トリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウム、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2ピコリネートイリジウム、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジナトテトラキス1-ピラゾリルボレートイリジウム、ビス2-メチルジベンゾ[f,h]キノキサリンアセチルアセトナートイリジウム、又は、トリス2-フェニルピリジンイリジウムであり、ホスト材料は、1,1-ビス[4-N,N’-ジp-トリルアミノフェニル]シクロヘキサンTAPC、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ベンジジンTPD、4,4’,4’’-トリスカルバゾル-9-イル-トリフェニルアミンTCTA、N,N’-ジ-[1-ナフタレニル-N,N’-ジフェニル]-4,4’-ビフェニル-4,4’-ジアミンNPB、2-4-t-ブチルフェニル-5-4-ビフェニル-1,3,4-オキサジアゾールPBD、トリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウムAlq3、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBphen、1,2,4-トリアゾールの誘導体例えば、TAZ及びN-フェニルベンズイミダゾールTPBIからなる群から選択される1つ又は2つである。好ましくは、発光層の厚みは2nm~50nmである、より好ましくは、発光層の厚みは20nmである。電子輸送層が発光層の上に積層される。好ましくは、電子輸送層の材料は、2-4-t-ブチルフェニル-5-4-ビフェニル-1,3,4-オキサジアゾールPBD、トリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウムAlq3、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBphen、1,2,4-トリアゾール誘導体例えば、TAZ又はN-フェニルベンズイミダゾールTPBIである。より好ましくは、電子材料は、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンである。好ましくは、電子輸送層の厚みは、40nm~80nmである。より好ましくは、電子輸送層の厚みは60nmである。好ましくは、電子注入層の材料は、LiF、CaF2又はNaFである。より好ましくは、電子注入層はLiFである。好ましくは、電子注入層の厚みは、0.5nm~5nmである。より好ましくは、電子注入層の厚みは0.7nmである。好ましくは、陰極は、銀Ag、アルミニウムAl、プラチナPt又は金Auである。より好ましくは、陰極はアルミニウムである。好ましくは、陰極の厚みは、80nm~250nmである。より好ましくは、陰極の厚みは150nmである。他の一態様では、本発明は、三元ドーピングホール輸送層を有する有機エレクトロルミネセントデバイスの作製方法を提供する。当該作製方法は、まず、導電陽極基板を超音波洗浄し、洗浄した後、酸素プラズマ処理するステップ1と、酸素プラズマ処理した後の導電陽極基板の表面に、三元ドーピングホール輸送層を電子ビームで蒸着し、前記三元ドーピングホール輸送層の材料は、セシウム塩と、ホール輸送材料とを金属化合物にドーピングしたことにより形成された混合材料であるステップ2と、前記三元ドーピングホール輸送層の表面に、発光層と、電子輸送層と、電子注入層と、陰極層とを順番に蒸着して積層するステップ3とを含み、上述したステップを実行することにより、前記有機エレクトロルミネセントデバイスを得ることを特徴とする。ステップ1において、超音波洗浄により、導電陽極基板の表面にある有機汚染物を除去する。導電陽極基板は、導電ガラス基板であってもよく、インジウムスズ酸化物ガラスITO、フッ素をドーピングした酸化スズガラスFTO、アルミニウムをドーピングした酸化亜鉛ガラスAZO、及び、インジウムをドーピングした酸化亜鉛ガラスIZOからなる群から選択されるものである。好ましくは、導電陽極基板を、洗浄液、脱イオン水、アセトン、エタノール及びイソプロパノールとの順で洗浄し、それぞれ15分間超音波をかける。洗浄後、酸素プラズマ処理を行う。好ましくは、酸素プラズマ処理の時間は、5分間~15分間であり、効率は、10W~50Wである。ステップ2において、酸素プラズマ処理した後の導電陽極基板の表面に、電子ビームで三元ドーピングホール輸送層を蒸着する。三元ドーピングホール輸送層の材料は、金属化合物をホストとし、セシウム塩とホール輸送材料とを、金属化合物にドーピングすることで形成された混合材料である。好ましくは、金属化合物は、金属酸化物例えば、酸化亜鉛ZnO又は二酸化チタニウムTiO2、又は、金属硫化物例えば、硫化亜鉛ZnS又は硫化スズPbSである。好ましくは、セシウム塩は、セシウムアジドCsN3、フッ化セシウムCsF、炭酸セシウムCs2CO3又は酸化セシウムCs2Oである。好ましくは、セシウム塩のドーピング質量百分率は、1~5である。好ましくは、ホール輸送材料は、1,1-ビス[4-N,N’-ジp-トリルアミノフェニル]シクロヘキサンTAPC、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ベンジジンTPD、4,4’,4’’-トリスカルバゾル-9-イル-トリフェニルアミンTCTA、又はN,N’-ジ-[1-ナフタレニル-N,N’-ジフェニル]-4,4’-ビフェニル-4,4’-ジアミンNPBである。好ましく、ホール輸送材料のドーピング質量百分率は、10~40である。好ましくは、三元ドーピングホール輸送層の材料の厚みは、20nm~60nmである。三元ドーピングホール輸送層の材料のうち、金属化合物は、効率を向上させ、ホール注入バリアを下げ、さらに、セシウム塩のドーピングはp型ドーピングを形成可能であるため、ホールの注入及び輸送に有利であり、ホール輸送材料のドーピングは、ホールの輸送速度をさらに向上させることができ、成膜の質を向上し有機小分子の成膜性能が比較的良好であり、さらに発光層の励起子の複合率を上げることができる。微量のp型材料ドーピング質量分数が0.5~2をホール輸送材料にドーピングする従来技術と比較し、本発明の三元ドーピングホール輸送層の材料は、金属化合物をホストしており、作製工程の難易度が低く、部品の量産に有利であり、加工コストが低下するため、将来の商業化使用に好適である。ステップ3において、発光層と、電子輸送層と、電子注入層と、陰極とを順番に蒸着することにより、所望な有機エレクトロルミネセントデバイスを得る。発光層は、三元ドーピングホール輸送層上に積層される。好ましくは、発光層の材料は、4-ジシアノメチレン-2-ブチル-6-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-イル-ビニル-4H-ピランDCJTB、トリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウムAlq3、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2ピコリネートイリジウムFIrpic、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジナトテトラキス1-ピラゾリルボレートイリジウムFIr6、ビス2-メチルジベンゾ[f,h]キノキサリンアセチルアセトナートイリジウムIrMDQ2acac及びトリス2-フェニルピリジンイリジウムIrppy3からなる群から選択される少なくとも1つである。より好ましくは、発光材料は、トリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウムである。さらに、好ましくは、前記発光層の材料は、ゲスト材料をドーピングしたホスト材料であり、且つ、ゲスト材料をドーピングした質量百分率は、1~20である。ここで、ゲスト材料は、4-ジシアノメチリレン-2-ブチル-6-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-イル-ビニル-4H-ピラン、トリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウム、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2ピコリネートイリジウム、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジナトテトラキス1-ピラゾリルボレートイリジウム、ビス2-メチルジベンゾ[f,h]キノキサリンアセチルアセトナートイリジウム、又は、トリス2-フェニルピリジンイリジウムであり、ホスト材料は、1,1-ビス[4-N,N’-ジp-トリルアミノフェニル]シクロヘキサンTAPC、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ベンジジンTPD、4,4’,4’’-トリスカルバゾル-9-イル-トリフェニルアミンTCTA、N,N’-ジ-[1-ナフタレニル-N,N’-ジフェニル]-4,4’-ビフェニル-4,4’-ジアミンNPB、2-4-t-ブチルフェニル-5-4-ビフェニル-1,3,4-オキサジアゾールPBD、トリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウムAlq3、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBphen、1,2,4-トリアゾールの誘導体例えば、TAZ及びN-フェニルベンズイミダゾールTPBIからなる群から選択される1つ又は2つである。好ましくは、発光層の厚みは2nm~50nmである、より好ましくは、発光層の厚みは20nmである。電子輸送層が発光層の上に積層される。好ましくは、電子輸送層の材料は、2-4-t-ブチルフェニル-5-4-ビフェニル-1,3,4-オキサジアゾールPBD、トリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウムAlq3、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBphen、1,2,4-トリアゾール誘導体例えば、TAZ又はN-フェニルベンズイミダゾールTPBIである。さらに好ましくは、電子材料は4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンである。好ましくは、電子輸送層の厚みは、40nm~80nmである。より好ましくは、電子輸送層の厚みは60nmである。好ましくは、電子注入層の材料は、LiF、CaF2又はNaFである。より好ましくは、電子注入層はLiFである。好ましくは、電子注入層の厚みは、0.5nm~5nmである。より好ましくは、電子注入層の厚みは0.7nmである。好ましくは、陰極は、銀Ag、アルミニウムAl、プラチナPt又は金Auである。より好ましくは、陰極はアルミニウムである。好ましくは、陰極の厚みは、80nm~250nmである。より好ましくは、陰極の厚みは150nmである。本発明は、三元ドーピングホール輸送層を有する有機エレクトロルミネセントデバイスの作製方法を提供し、下記の有益な効果を有する。1本発明における三元ドーピングホール輸送層の材料は、セシウム塩とホール輸送材とを金属化合物にドーピングすることにより形成された混合材料であり、金属化合物により、出力効率が向上し、ホール注入バリアが低減されると共に、セシウム塩のドーピングにより、p型ドーピングを形成可能であり、ホールの注入と輸送に有利であり、さらに、ホール輸送材料のドーピングにより、ホールの輸送速度がさらに向上し、成膜の質が向上し有機小分子の成膜性が比較的良好であり、発光層の励起子の複合率がさらに上がる。2微量のp型材料ドーピング質量分数が0.5~2をホール輸送材料にドーピングする従来技術と比較し、本発明の三元ドーピングホール輸送層の材料は、金属化合物をホストしており、作製工程の難易度が低く、部品の量産に有利であり、加工コストが低下するため、将来の商業化使用に好適である。以下、本発明の好ましい実施形態を説明する。当業者にとって、本発明の原理を逸脱しないことを前提に、行われた更なる変更及び代替は、本発明の保護範囲に含まれると理解されるべきである。一態様において、本発明は、三元ドーピングホール輸送層を有する有機エレクトロルミネセントデバイスを提供し、その構造は、順番に積層された、導電陽極基板と、三元ドーピングホール輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層と、陰極層とを含み、三元ドーピングホール輸送層の材料は、セシウム塩とホール輸送材料を、金属化合物にドーピングしたことにより形成された混合材料である。図1は、本発明に係る有機エレクトロルミネセントデバイスの構造模式図であり、部品1~6は、それぞれ、導電陽極基板、三元ドーピングホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、金属陰極を示す。導電陽極基板は、導電ガラス基板であってもよく、インジウムスズ酸化物ガラスITO、フッ素をドーピングした酸化スズガラスFTO、アルミニウムをドーピングした酸化亜鉛ガラスAZO、及び、インジウムをドーピングした酸化亜鉛ガラスIZOからなる群から選択されるものである。三元ドーピングホール輸送層の材料は、金属化合物をホストとし、セシウム塩とホール輸送材料とを、金属化合物にドーピングすることで混合材料を形成する。三元ドーピングホール輸送層は、次の方法で作製される。すなわち、電子ビーム蒸着法で、セシウム塩と、ホール輸送材料と、金属化合物とをドーピングして混合材料を形成する。三元ドーピングホール輸送層は、導電陽極基板に積層される。金属化合物は、金属酸化物例えば、酸化亜鉛ZnO又は二酸化チタニウムTiO2、又は金属硫化物例えば、硫化亜鉛ZnS又は硫化スズPbSである。金属酸化物及び金属硫化物はいずれも、1800°C以下の融点を有し、加熱蒸着法で製造可能であり、結晶の色が無色又は薄い色といった特徴を有する。ここで、ZnO、TiO2又はZnSが好ましい。セシウム塩は、セシウムアジドCsN3、フッ化セシウムCsF、炭酸セシウムCs2CO3又は酸化セシウムCs2Oである。セシウム塩のドーピング質量百分率は、1~5である。ホール輸送材料は、1,1-ビス[4-N,N’-ジp-トリルアミノフェニル]シクロヘキサンTAPC、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ベンジジンTPD、4,4’,4’’-トリスカルバゾル-9-イル-トリフェニルアミンTCTA、又はN,N’-ジ-[1-ナフタレニル-N,N’-ジフェニル]-4,4’-ビフェニル-4,4’-ジアミンNPBである。ホール輸送材料のドーピング質量百分率は、10~40である。三元ドーピングホール輸送層の厚みは、20nm~60nmである。三元ドーピングホール輸送層の材料において、金属化合物は、出力効率を向上させ、ホール注入バリアを低減させることができると共に、セシウム塩のドーピングによりp型ドーピングを形成可能であり、ホールの注入と輸送に有利であり、さらに、ホール輸送材料のドーピングは、ホールの輸送速度をさらに上げることができ、成膜の質を向上させ有機小分子の成膜性が比較的良好であり、発光層の励起子の複合率をさらに向上させる。微量のp型材料ドーピング質量分数が0.5~2をホール輸送材料にドーピングする従来技術と比較し、本発明の三元ドーピングホール輸送層の材料は、金属化合物をホストしており、作製工程の難易度が低く、部品の量産に有利であり、加工コストが低下するため、将来の商業化に好適である。発光層は、三元ドーピングホール輸送層に積層されている。発光層の材料は、4-ジシアノメチレン-2-ブチル-6-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-イル-ビニル-4H-ピランDCJTB、トリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウムAlq3、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2ピコリネートイリジウムFIrpic、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジナトテトラキス1-ピラゾリルボレートイリジウムFIr6、ビス2-メチルジベンゾ[f,h]キノキサリンアセチルアセトナートイリジウムIrMDQ2acac及びトリス2-フェニルピリジンイリジウムIrppy3からなる群から選択される少なくとも1つである。又は、前記発光層の材料は、ゲスト材料をドーピングしたホスト材料であり、ゲスト材料のドーピング質量百分率は1~20である。ここで、ゲスト材料は、4-ジシアノメチリレン-2-ブチル-6-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-イル-ビニル-4H-ピラン、トリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウム、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2ピコリネートイリジウム、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジナトテトラキス1-ピラゾリルボレートイリジウム、ビス2-メチルジベンゾ[f,h]キノキサリンアセチルアセトナートイリジウム、又は、トリス2-フェニルピリジンイリジウムである。ホスト材料は、1,1-ビス[4-N,N’-ジp-トリルアミノフェニル]シクロヘキサンTAPC、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ベンジジンTPD、4,4’,4’’-トリスカルバゾル-9-イル-トリフェニルアミンTCTA、N,N’-ジ-[1-ナフタレニル-N,N’-ジフェニル]-4,4’-ビフェニル-4,4’-ジアミンNPB、2-4-t-ブチルフェニル-5-4-ビフェニル-1,3,4-オキサジアゾールPBD、トリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウムAlq3、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBphen、1,2,4-トリアゾールの誘導体例えば、TAZ及びN-フェニルベンズイミダゾールTPBIからなる群から選択される1つ又は2つである。発光層の厚みは2nm~50nmである。電子輸送層が発光層の上に積層される。電子輸送層の材料は、2-4-t-ブチルフェニル-5-4-ビフェニル-1,3,4-オキサジアゾールPBD、トリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウムAlq3、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBphen、1,2,4-トリアゾール誘導体例えば、TAZ又はN-フェニルベンズイミダゾールTPBIである。電子輸送層の厚みは、40nm~80nmである。電子注入層の材料は、LiF、CaF2又はNaFである。電子注入層の厚みは、0.5nm~5nmである。陰極は、銀Ag、アルミニウムAl、プラチナPt又は金Auである。陰極の厚みは、80nm~250nmである。他の一態様では、本発明は、三元ドーピングホール輸送層を有する有機エレクトロルミネセントデバイスの作製方法を提供する。当該作製方法は、まず、導電陽極基板を超音波洗浄し、洗浄した後、酸素プラズマ処理するステップ1と、酸素プラズマ処理した後の導電陽極基板の表面に、三元ドーピングホール輸送層を電子ビームで蒸着し、前記三元ドーピングホール輸送層の材料は、セシウム塩と、ホール輸送材料とを金属化合物にドーピングしたことにより形成された混合材料であるステップ2と、前記三元ドーピングホール輸送層の表面に、発光層と、電子輸送層と、電子注入層と、陰極層とを順番に蒸着して積層するステップ3とを含み、上述したステップを実行することにより、前記有機エレクトロルミネセントデバイスを得る。ステップ1において、超音波洗浄により、導電陽極基板の表面にある有機汚染物を除去する。導電陽極基板は、導電ガラス基板であってもよく、インジウムスズ酸化物ガラスITO、フッ素をドーピングした酸化スズガラスFTO、アルミニウムをドーピングした酸化亜鉛ガラスAZO、及び、インジウムをドーピングした酸化亜鉛ガラスIZOからなる群から選択されるものである。導電陽極基板を、洗浄液、脱イオン水、アセトン、エタノール及びイソプロパノールとの順で洗浄し、それぞれ15分間超音波をかける。洗浄後、酸素プラズマ処理を行う。好ましくは、酸素プラズマ処理の時間は、5分間~15分間であり、出力効率は、10W~50Wである。ステップ2において、酸素プラズマ処理した後の導電陽極基板の表面に、電子ビームで三元ドーピングホール輸送層を蒸着する。三元ドーピングホール輸送層の材料は、金属化合物をホストとし、セシウム塩とホール輸送材料とを、金属化合物にドーピングすることで形成された混合材料である。金属化合物は、金属酸化物例えば、酸化亜鉛ZnO又は二酸化チタニウムTiO2、又は金属硫化物例えば、硫化亜鉛ZnS又は硫化スズPbSである。金属酸化物又は金属硫化物はいずれも、1800°C以下の融点を有し、加熱蒸着法で製造可能であり、結晶の色が無色又は薄い色である特徴を有する。ここで、ZnO、TiO2又はZnSが好ましい。セシウム塩は、セシウムアジドCsN3、フッ化セシウムCsF、炭酸セシウムCs2CO3又は酸化セシウムCs2Oである。好ましくは、セシウム塩のドーピング質量百分率は、1~5である。ホール輸送材料は、1,1-ビス[4-N,N’-ジp-トリルアミノフェニル]シクロヘキサンTAPC、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ベンジジンTPD、4,4’,4’’-トリスカルバゾル-9-イル-トリフェニルアミンTCTA、又はN,N’-ジ-[1-ナフタレニル-N,N’-ジフェニル]-4,4’-ビフェニル-4,4’-ジアミンNPBである。ホール輸送材料のドーピング質量百分率は、10~40である。三元ドーピングホール輸送層の材料の厚みは、20nm~60nmである。三元ドーピングホール輸送層の材料のうち、金属化合物は、出力効率を向上し、ホール注入バリアを下げ、さらに、セシウム塩のドーピングはp型ドーピングを形成可能であるため、ホールの注入及び輸送に有利であり、ホール輸送材料のドーピングは、ホールの輸送速度をさらに向上させることができ、成膜の質を向上し有機小分子の成膜性能が比較的良好であり、さらに発光層の励起子の複合率を上げることができる。微量のp型材料ドーピング質量分数が0.5~2をホール輸送材料にドーピングする従来技術と比較し、本発明の三元ドーピングホール輸送層の材料は、金属化合物をホストしており、作製工程の難易度が低く、部品の量産に有利であり、加工コストが低下するため、将来の商業化使用に好適である。ステップ3において、発光層と、電子輸送層と、電子注入層と、陰極とを順番に蒸着することにより、所望な有機エレクトロルミネセントデバイスを得る。発光層は、三元ドーピングホール輸送層上に積層される。発光層の材料は、4-ジシアノメチレン-2-ブチル-6-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-イル-ビニル-4H-ピランDCJTB、トリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウムAlq3、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2ピコリネートイリジウムFIrpic、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジナトテトラキス1-ピラゾリルボレートイリジウムFIr6、ビス2-メチルジベンゾ[f,h]キノキサリンアセチルアセトナートイリジウムIrMDQ2acac及びトリス2-フェニルピリジンイリジウムIrppy3からなる群から選択される少なくとも1つである。又は、前記発光層の材料は、ゲスト材料をドーピングしたホスト材料であり、且つ、ゲスト材料をドーピングした質量百分率は1~20である。ここで、ゲスト材料は、4-ジシアノメチリレン-2-ブチル-6-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-イル-ビニル-4H-ピラン、トリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウム、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2ピコリネートイリジウム、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジナトテトラキス1-ピラゾリルボレートイリジウム、ビス2-メチルジベンゾ[f,h]キノキサリンアセチルアセトナートイリジウム、又は、トリス2-フェニルピリジンイリジウムである。ホスト材料は、1,1-ビス[4-N,N’-ジp-トリルアミノフェニル]シクロヘキサンTAPC、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ベンジジンTPD、4,4’,4’’-トリスカルバゾル-9-イル-トリフェニルアミンTCTA、N,N’-ジ-[1-ナフタレニル-N,N’-ジフェニル]-4,4’-ビフェニル-4,4’-ジアミンNPB、2-4-t-ブチルフェニル-5-4-ビフェニル-1,3,4-オキサジアゾールPBD、トリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウムAlq3、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBphen、1,2,4-トリアゾールの誘導体例えば、TAZ及びN-フェニルベンズイミダゾールTPBIからなる群から選択される1つ又は2つである。発光層の厚みは2nm~50nmである。電子輸送層が発光層の上に積層される。電子輸送層の材料は、2-4-t-ブチルフェニル-5-4-ビフェニル-1,3,4-オキサジアゾールPBD、トリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウムAlq3、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBphen、1,2,4-トリアゾール誘導体例えば、TAZ又はN-フェニルベンズイミダゾールTPBIである。電子輸送層の厚みは、40nm~80nmである。電子注入層の材料は、LiF、CaF2又はNaFである。電子注入層の厚みは、0.5nm~5nmである。陰極は、銀Ag、アルミニウムAl、プラチナPt又は金Auである。陰極の厚みは、80nm~250nmである。[実施例1]三元ドーピングホール輸送層を有する有機エレクトロルミネセントデバイスの作製方法は、下記のステップを含む。1まず、ITOを、洗浄液、脱イオン水、アセトン、エタノール及びイソプロパノールとの順で洗浄し、それぞれ15分間超音波をかけ、ITO表面の有機汚染物を除去した。洗浄後、酸素プラズマ処理を10分間行い、出力効率が35Wであった。2酸素プラズマ処理した後のITO表面に、三元ドーピングホール輸送層を電子ビームで蒸着し、前記三元ドーピングホール輸送層は、セシウム塩と、ホール輸送材料とを金属酸化物にドーピングしたことにより形成され、金属酸化物材料はZnOであり、セシウム塩はCsFであり、CsFのドーピング質量百分率が2、ホール輸送材料はNPBであり、NPBのドーピング質量百分率が30であり、三元ドーピングホール輸送層の厚みが50nmであった。3まず、発光層を蒸着し、発光層はAlq3であり、発光層のドーピング質量百分率が10であり、発光層の厚みが20nmであった。さらに、電子輸送層を蒸着し、電子輸送層は、電子輸送材料Bphenを発光層に積層することにより形成され、電子輸送層の厚みが60nmであった。さらに、電子注入層と陽極とを順番に蒸着し、電子注入層はLiFであり、電子注入層の厚みが0.7nmであり、陰極はAlであり、陰極の厚みが150nmであった。これにより、所望の有機エレクトロルミネセントデバイスを得た。本実施例で作製された三元ドーピングホール輸送層を有する有機エレクトロルミネセントデバイスの構造は、ITO/ZnO:NPB:CsF/Alq3/Bphen/LiF/Alとの順であった。[実施例2]三元ドーピングホール輸送層を有する有機エレクトロルミネセントデバイスの作製方法は、下記のステップを含む。1まず、AZOを、洗浄液、脱イオン水、アセトン、エタノール及びイソプロパノールとの順で洗浄し、それぞれ15分間超音波をかけ、AZO表面の有機汚染物を除去した。洗浄後、酸素プラズマ処理を5分間行い、出力効率が50Wであった。2酸素プラズマ処理した後のAZO表面に、三元ドーピングホール輸送層を電子ビームで蒸着し、前記三元ドーピングホール輸送層は、セシウム塩と、ホール輸送材料とを金属硫化物にドーピングしたことにより形成され、金属硫化物材料はZnSであり、セシウム塩はCs2CO3であり、Cs2CO3のドーピング質量百分率が1、ホール輸送材料はTCTAであり、TCTAのドーピング質量百分率が40であり、三元ドーピングホール輸送層の厚みが60nmであった。3まず、発光層を蒸着し、発光層はTCTAにFirpicをドーピングすることにより形成され、Firpicのドーピング質量百分率が20であり、発光層の厚みが15nmであった。さらに、電子輸送層を蒸着し、電子輸送層は、電子輸送材料TPBIを発光層に積層することにより形成され、さらに、電子注入層と陽極とを順番に蒸着し、電子注入層はNaFであり、電子注入層の厚みが0.5nmであり、陰極はAgであり、陰極の厚みが80nmであった。これにより、所望の有機エレクトロルミネセントデバイスを得た。本実施例で作製された三元ドーピングホール輸送層を有する有機エレクトロルミネセントデバイスの構造は、AZO/ZnS:TCTA:Cs2CO3/TCTA:Firpic/TPBI/NaF/Agとの順であった。[実施例3]三元ドーピングホール輸送層を有する有機エレクトロルミネセントデバイスの作製方法は、下記のステップを含む。1まず、IZOを、洗浄液、脱イオン水、アセトン、エタノール及びイソプロパノールとの順で洗浄し、それぞれ15分間超音波をかけ、IZO表面の有機汚染物を除去した。洗浄後、酸素プラズマ処理を15分間行い、出力効率が10Wであった。2酸素プラズマ処理した後のIZO表面に、三元ドーピングホール輸送層を電子ビームで蒸着し、前記三元ドーピングホール輸送層は、セシウム塩と、ホール輸送材料とを金属酸化物にドーピングしたことにより形成され、金属酸化物材料はTiO2であり、セシウム塩はCs2Oであり、Cs2Oのドーピング質量百分率が5、ホール輸送材料はTAPCであり、TAPCのドーピング質量百分率が10であり、三元ドーピングホール輸送層の厚みが20nmであった。3まず、発光層を蒸着し、発光層はTPBIにIrppy3をドーピングすることにより形成され、Irppy3のドーピング質量百分率が10であり、発光層の厚みが10nmであった。さらに、電子輸送層を蒸着し、電子輸送層は、電子輸送材料PBDIを発光層に積層することにより形成され、さらに、電子注入層と陽極とを順番に蒸着し、電子注入層はCaFであり、電子注入層の厚みが5nmであり、陰極はPtであり、陰極の厚みが250nmであった。これにより、所望の有機エレクトロルミネセントデバイスを得た。本実施例で作製された三元ドーピングホール輸送層を有する有機エレクトロルミネセントデバイスの構造は、IZO/TiO2:TAPC:Cs2O/TPBI:Irppy3/PBDI/CaF/Ptとの順であった。[実施例4]三元ドーピングホール輸送層を有する有機エレクトロルミネセントデバイスの作製方法は、下記のステップを含む。1まず、FTOを、洗浄液、脱イオン水、アセトン、エタノール及びイソプロパノールとの順で洗浄し、それぞれ15分間超音波をかけ、FTO表面の有機汚染物を除去した。洗浄後、酸素プラズマ処理を8分間行い、出力効率が40Wであった。2酸素プラズマ処理した後のFTO表面に、三元ドーピングホール輸送層を電子ビームで蒸着し、前記三元ドーピングホール輸送層は、セシウム塩と、ホール輸送材料とを金属硫化物にドーピングしたことにより形成され、金属硫化物材料はPbSであり、セシウム塩はCsN3であり、CsN3のドーピング質量百分率が1、ホール輸送材料はPBDであり、PBDのドーピング質量百分率が30であり、三元ドーピングホール輸送層の厚みが60nmであった。3まず、発光層を蒸着し、発光層はTAPCにIrMDQ2acacをドーピングすることにより形成され、IrMDQ2acacのドーピング質量百分率が1であり、発光層の厚みが2nmであった。さらに、電子輸送層を蒸着し、電子輸送層は、電子輸送材料TAZを発光層に積層することにより形成され、さらに、電子注入層と陽極とを順番に蒸着し、電子注入層はLiFであり、電子注入層の厚みが1nmであり、陰極はAuであり、陰極の厚みが100nmであった。これにより、所望の有機エレクトロルミネセントデバイスを得た。本実施例で作製された三元ドーピングホール輸送層を有する有機エレクトロルミネセントデバイスの構造は、FTO/PbS:PBD:CsN3/TAPC:IrMDQ2acac/TAZ/LiF/Auとの順になっている。[実施例5]三元ドーピングホール輸送層を有する有機エレクトロルミネセントデバイスの作製方法は、下記のステップを含む。1まず、ITOを、洗浄液、脱イオン水、アセトン、エタノール及びイソプロパノールとの順で洗浄し、それぞれ15分間超音波をかけ、ITO表面の有機汚染物を除去した。洗浄後、酸素プラズマ処理を10分間行い、出力効率が30Wであった。2酸素プラズマ処理した後のITO表面に、三元ドーピングホール輸送層を電子ビームで蒸着し、前記三元ドーピングホール輸送層は、セシウム塩と、ホール輸送材料とを金属酸化物にドーピングしたことにより形成され、金属酸化物材料はZnOであり、セシウム塩はCs2CO3であり、Cs2CO3のドーピング質量百分率が2、ホール輸送材料はTAPCであり、TAPCのドーピング質量百分率が30であり、三元ドーピングホール輸送層の厚みが50nmであった。3まず、発光層を蒸着し、発光層はDCJTBであり、発光層のドーピング質量百分率が10であり、発光層の厚みが50nmであった。さらに、電子輸送層を蒸着し、電子輸送層は、電子輸送材料Bphenを発光層に積層することにより形成され、さらに、電子注入層と陽極とを順番に蒸着し、電子注入層はNaFであり、電子注入層の厚みが4nmであり、陰極はAlであり、陰極の厚みが180nmであった。これにより、所望の有機エレクトロルミネセントデバイスを得た。本実施例で作製された三元ドーピングホール輸送層を有する有機エレクトロルミネセントデバイスの構造は、ITO/ZnO:TAPC:Cs2CO3/DCJTB/Bphen/NaF/Alとの順になっている。上記により、本発明の5つの実施例を示してある。本発明で使用した製造及び測定機器は、高真空蒸着設備瀋陽科学儀器研製中心有限会社製、圧力<1×10-3Pa、電流-電圧測定器米国Keithly社製、型番:2602、エレクトロルミネッセンス測定器米国photoresearch社製、型番:PR650、及びスクリーン輝度計北京師範大学製、型番:ST86LAであった。[効果実施例]図2は、本発明の実施例1で作製した三元ドーピングホール輸送層を有する有機エレクトロルミネセントデバイスITO/ZnO:NPB:CsF/Alq3/Bphen/LiF/Alと、従来型の有機エレクトロルミネセントデバイス:ITO/MoO3/NPB/Alq3/Bphen/LiF/Alとの電流効率と電流密度との相関比較図である。図2により、本発明の実施例1の最大電流効率19.5cd/Aは、従来型の有機エレクトロルミネセントデバイスの最大電流効率16.1cd/Aより大きいことがわかった。当該結果に基づいて、本発明の三元ドーピングp型ホール輸送層によれば、陽極と発光層との間におけるバリアが低減され、ホールの注入に有利であると共に、ホール輸送速度を上げ、ホール-電子の複合率を大幅に向上させることで、最終的に発光効率が向上することが言える。ここで、実用性を有する例示的な実施例を用いて本発明を説明したが、本発明は、上述した例示的な実施例に限定することなく、本発明の特許請求の範囲の趣旨と原則に基づいて行われた如何なる変更、均等な代替及び置換等は、本発明の保護範囲内に含まれることを理解されるべきである。"