複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって、ウエーハをレーザ加工装置のチャックテーブルで保持する第1保持工程と、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビームをウエーハ内部に集光点を合わせて照射して、該分割予定ラインの両側のウエーハの裏面側に切削ブレードの切刃の幅よりも間隔が大きく該分割予定ラインの幅よりも間隔が小さい一対の改質層を形成する改質層形成工程と、ウエーハを外周部が環状フレームに貼着されたダイシングテープに貼着するウエーハ貼着工程と、該改質層形成工程及び該ウエーハ貼着工程実施後、ウエーハを該ダイシングテープを介して切削装置のチャックテーブルで保持する第2保持工程と、切削ブレードで該各分割予定ラインを切削してウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、を具備したことを特徴とするウエーハの分割方法。しかし、切削ブレードでウエーハを分割予定ラインに沿って切削して分割溝を形成し、ウエーハを個々のデバイスに分割すると、分割溝の両側のウエーハの裏面側に比較的大きい欠けが生じてデバイスの抗折強度を低下させるという問題がある。このような問題は、IC、LSI等のデバイスに限らず石英板を切削ブレードで切削して水晶振動子を形成する場合のように、回路を有さないデバイスを切削する場合においても同様に生じるものである。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、裏面側に大きい欠けが生じることのないウエーハの分割方法を提供することである。本発明によると、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって、ウエーハをレーザ加工装置のチャックテーブルで保持する第1保持工程と、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビームをウエーハ内部に集光点を合わせて照射して、該分割予定ラインの両側のウエーハの裏面側に切削ブレードの切刃の幅よりも間隔が大きく該分割予定ラインの幅よりも間隔が小さい一対の改質層を形成する改質層形成工程と、ウエーハを外周部が環状フレームに貼着されたダイシングテープに貼着するウエーハ貼着工程と、該改質層形成工程及び該ウエーハ貼着工程実施後、ウエーハを該ダイシングテープを介して切削装置のチャックテーブルで保持する第2保持工程と、切削ブレードで該各分割予定ラインを切削してウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、を具備したことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。本発明のウエーハの分割方法によると、切削ブレードによってウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程を実施する前に、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビームをウエーハに照射して、分割予定ラインの両側で且つウエーハの裏面側に切削ブレードの切刃の幅よりも大きく分割予定ラインの幅よりも小さい間隔を有する一対の改質層を形成する改質層形成工程を実施するので、分割予定ラインの両側に形成された改質層によって切刃の破砕力が遮断され、ウエーハ裏面側に形成される分割溝の両側に大きい欠けが生じることがない。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、半導体ウエーハ11の表面11aに保護テープ23を貼着する様子を示す分解斜視図が示されている。半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数の分割予定ラインストリート13が格子状に形成されているとともに、複数の分割予定ライン13によって区画された各領域にそれぞれIC、LSI等のデバイス15が形成されている。このように構成されたウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19を備えている。また、ウエーハ11の外周にはシリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。本発明のウエーハの分割方法では、ウエーハ11の表面11aに形成されたデバイス15を保護するために、図1に示すようにウエーハ11の表面11aに保護テープ23が貼着される。次いで、図2に示すように、レーザ加工装置のチャックテーブル12でウエーハ11を保護テープ23を下にして吸引保持する。従って、ウエーハ11の裏面11bが露出した状態となる。このようにウエーハ11の裏面11bを露出させた状態でレーザ加工装置のチャックテーブル12でウエーハ11を吸引保持し、ウエーハ11の内部に改質層を形成する改質層形成工程を実施する。この改質層形成工程について、図3及び図4を参照して詳細に説明する。図3はレーザ加工装置10の要部斜視図を示している。レーザ加工装置10のチャックテーブル12上には保護テープ23が表面11aに貼着されたウエーハ11が裏面11bを上にして吸引保持されている。14はレーザビーム発生ユニットであり、図4に示すように、ハウジング16中に、レーザ発振器22、繰り返し周波数設定手段24、パルス幅調整手段26、パワー調整手段28が収容されて構成されている。レーザビーム発生ユニット14のパワー調整手段28で所定パワーに調整されたレーザビームは、集光器レーザ照射ヘッド18によりウエーハ11の内部に集光されて照射され、ウエーハ内部に改質層34を形成する。ケーシング16の先端部には、集光器18とX軸方向に整列してレーザ加工すべき加工領域を検出する撮像手段20が配設されている。撮像手段20は、可視光によって半導体ウエーハ11の加工領域を撮像する通常のCCD等の撮像素子を含んでいる。撮像手段20は更に、半導体ウエーハ11に赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、この光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線CCD等の赤外線撮像素子から構成される赤外線撮像手段を含んでおり、撮像した画像信号はレーザ加工装置10のコントローラに送信される。改質層形成工程を実施するに当たり、撮像手段20の赤外線撮像素子によりウエーハ11の表面11a側の加工すべき第1の方向に伸長する分割予定ライン13を撮像し、集光器18とレーザ加工すべき分割予定ライン13とを整列させるアライメントを実施する。さらに、チャックテーブル12を90度回転してから、第1の方向に直交する第2の方向に伸長する分割予定ライン13を撮像手段18の赤外線撮像素子で撮像して、集光器18と第2の方向に伸長する分割予定ライン13とのアライメントを実施する。アライメント実施後、ウエーハ11に対して透過性を有する波長のレーザビームをウエーハ11の裏面11b近傍に集光点を合わせて照射し、チャックテーブル12をX軸方向に加工送りしながら分割予定ライン13の両側で且つウエーハ11の裏面11b近傍に後で使用する切削ブレードの切刃の幅よりも間隔が大きく分割予定ライン13の幅よりも間隔が小さい一対の改質層34を形成する。第1の方向に伸長する各分割予定ライン13の全てについて同様な一対の改質層34を形成する。次いで、チャックテーブル12を90度回転してから、第1の方向に直交する第2の方向に伸長する全ての分割予定ライン13について同様な一対の改質層34を形成する。上述した実施形態ではウエーハ11の裏面11b側からレーザビームを照射しているが、表面11a側からレーザビームを照射して、ウエーハ11の裏面11b近傍に改質層を形成するようにしてもよい。この場合には、ウエーハ11のデバイス15を保護する保護テープ23を貼着する必要は無く、レーザ加工装置10のチャックテーブル12でウエーハ11を直接吸引保持する。或いは、図5に示すダイシングテープTを介して環状フレームFでウエーハ11を支持した状態で、チャックテーブル12でダイシングテープTを介してウエーハ11を吸引保持する。改質層形成工程の加工条件は例えば以下の通りである。光源:LD励起QスイッチNd:YVO4レーザ波長:1064nm平均出力:1Wパルス幅:40ns集光スポット径:φ1μm繰り返し周波数:100kHz送り速度:100mm/s改質層形成工程実施後、改質層34が形成されたウエーハ11を、図5に示すように、外周部が環状フレームFに貼着されているダイシングテープTに貼着し、ウエーハ11をダイシングテープTを介して環状フレームFで支持する。そして、保護テープ23をウエーハ11の表面11aから剥離する。改質層形成工程を実施する前に、ウエーハ11をダイシングテープTを介して環状フレームFで支持する支持工程を実施するようにしてもよい。このようにウエーハ11をダイシングテープTを介して環状フレームFで支持した後、図6に示すように、切削装置36のチャックテーブル38によりウエーハ11をダイシングテープTを介して吸引保持する。図6において、40は切削装置36の切削ユニットであり、スピンドルハウジング42中に収容された図示しないモータにより回転駆動されるスピンドルと、スピンドルの先端に着脱可能に装着された切削ブレード44とを含んでいる。切削ブレード44は、ホイールカバー46で覆われており、ホイールカバー46のパイプ48は切削水供給源に接続されている。切削ブレード44は、円形基台の外周にニッケル母材又はニッケル合金母材中にダイアモンド砥粒が分散された切刃砥石部44aが電着されて構成されている。ウエーハ11の切削時には、切削水ノズル50から切削水を噴射しながら、切削ブレード44を矢印A方向に高速例えば30000rpmで回転させて、チャックテーブル38をX軸方向に加工送りすることにより、図7に示すように、ウエーハ11が分割予定ライン13に沿って切削されて切削溝分割溝52が形成される。改質層形成工程により、分割予定ライン13の両側のウエーハ11の裏面11b近傍に一対の改質層34が形成されているので、この改質層34によって切刃44aの破砕力が遮断され、分割溝52の両側のウエーハ11の裏面11bに大きな欠けが生じることがない。第1の方向に伸長する全ての分割予定ライン13を切削ブレード44で切削した後、チャックテーブル38を90度回転してから、第1の方向に直交する第2の方向に伸長する全ての分割予定ライン13に沿っても同様な切削を実施して、ウエーハ11を個々のデバイス15に分割する。