基板上の第1領域に形成されたゲート電極配線と、前記基板上の前記第1領域とは異なる領域である第2領域に形成された第1信号配線層と、前記基板上に、前記ゲート電極配線と前記第1信号配線層とを被覆して形成され、第1誘電体膜からなるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記第1誘電体膜より低い誘電率を有する第2誘電体膜からなる隔壁層と、前記第1信号配線の上方の前記隔壁層上に形成される第2信号配線層と、前記第2領域上の少なくとも一部の前記隔壁層は開口されており、前記隔壁層及び前記開口に形成された一対のドレイン電極及びソース電極配線と、前記隔壁層、前記ドレイン電極及び前記ソース電極配線を隔壁として、少なくとも前記開口の前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、前記隔壁層、前記ドレイン電極及び前記ソース電極配線を隔壁として、前記半導体層を被覆するように形成された保護膜と、を備える、薄膜トランジスタ装置。前記開口は、前記第2領域における第3領域上と第4領域上との前記隔壁層に形成されることで、前記ゲート絶縁膜の一部を露出し、前記ソース電極配線は、前記第3領域の開口の前記ゲート絶縁膜上と、前記第3領域及び前記第4領域の間の前記隔壁層上と、前記第4領域の前記第3領域側の開口における前記ゲート絶縁膜上の一部とに形成され、前記ドレイン電極は、前記第4領域の前記3領域の反対側の開口における前記ゲート絶縁膜上の一部と、前記第4領域の前記3領域の反対側の前記隔壁層上とに形成され、前記半導体層は、前記ドレイン電極及び前記ソース電極配線を隔壁として、前記第4領域の開口の前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記保護膜は、前記ドレイン電極及び前記ソース電極配線を隔壁として、前記半導体層を被覆するように形成される、請求項1に記載の薄膜トランジスタ装置。前記開口は、前記第2領域上の前記隔壁層に形成されることで、前記ゲート絶縁膜の一部を露出し、前記ソース電極配線は、前記隔壁層の前記開口側の端部上、前記開口の前記端部側のゲート絶縁膜上の一部に形成され、前記ドレイン電極は、前記開口の前記端部と反対側の前記ゲート絶縁膜上の一部と、前記開口の前記端部と反対側の前記隔壁層上とに形成され、前記半導体層は、前記隔壁層、前記ドレイン電極及び前記ソース電極配線を隔壁として、前記開口の前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記保護膜は、前記隔壁層、前記ドレイン電極及び前記ソース電極配線を隔壁として、前記半導体層を被覆するように形成される、請求項1に記載の薄膜トランジスタ装置。前記第3領域は、前記ゲート電極配線と、前記ゲート絶縁膜と、前記ソース電極とで構成される蓄積容量部であり、前記第4領域は、前記ゲート電極配線と、前記ゲート絶縁膜と、前記半導体層と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とで構成されるチャネル部である、請求項2に記載の薄膜トランジスタ装置。前記薄膜トランジスタ装置は、前記ゲート電極配線と、前記ゲート絶縁膜と、前記ソース電極とにより蓄積容量部が構成され、前記ゲート電極配線と、前記ゲート絶縁膜と、前記半導体層と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とにより、チャネル部が構成される、請求項1~3のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ装置。さらに、前記第2信号配線層と、前記ソース電極と、前記ドレイン電極と、前記保護膜とを覆うように形成された平坦化膜を備える、請求項1~5のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ装置。前記ドレイン電極、前記ソース電極、及び、前記第2信号配線層は、同一の材料で形成されている、請求項1~6のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ装置。前記開口の側面は、順テーパー形状に形成されている、請求項1~7のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ装置。前記半導体は、塗布型有機半導体である、請求項1~8のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ装置。前記半導体は塗布型酸化物半導体である、請求項1~8のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ装置。基板上の第1領域にゲート電極配線を、前記基板上の前記第1領域とは異なる領域である第2領域に第1信号配線層を形成する工程と、前記基板上に、前記ゲート電極配線と前記第1信号配線とを被覆するように、第1誘電体膜からなるゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に、第1誘電体膜より低い誘電率を有する第2誘電体膜からなる隔壁層を形成する工程と、前記第2領域上の少なくとも一部の前記隔壁層を開口する工程と、前記第1信号配線の上方の前記隔壁層上に第2信号配線層を形成する工程と、前記隔壁層及び前記開口にとドレイン電極及びソース電極を形成する工程と、前記隔壁層、前記ドレイン電極及び前記ソース電極を隔壁として、少なくとも前記開口の前記ゲート絶縁膜上に半導体層を形成する工程と、前記隔壁層、前記ドレイン電極及び前記ソース電極を隔壁として、前記半導体層を被覆するように保護膜を形成する工程とを含む、薄膜トランジスタの製造方法。基板上に形成されたゲート電極配線層と、前記ゲート電極配線層上に形成された、第1誘電体膜からなるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に、第1誘電体膜と異なる誘電率を有する第2誘電体膜からなる隔壁層とを備え、前記隔壁層のうち、チャネル部および蓄積容量部となる領域は開口され、前記チャネル部及び蓄積容量部と異なる領域では、前記隔壁層上に形成された配線層を有し、前記チャネル部および蓄積容量部では、前記開口の前記ゲート絶縁膜上に、形成されたドレイン電極またはソース電極配線を有し、前記チャネル部には、前記チャネル部の前記開口に形成された半導体層と、前記半導体層を被覆するよう形成された保護膜とを有し、前記半導体層は、前記チャネル部の前記開口における前記隔壁層、ドレイン電極またはソース電極配線により周囲が規制されている、薄膜トランジスタ装置。しかしながら、近年、表示装置の大画面化、高性能化が進んでおり、これに伴ってTFT特性の向上、寄生容量低減が必要になるものの、現状では所望のTFT装置の特性が得られないため表示画像の品質が劣化してしまうという問題がある。つまり、通常、チャネル部80Aの薄膜トランジスタの特性は、ゲート絶縁膜803の静電容量に左右される。トランジスタ特性を向上させるためにはゲート絶縁膜803を薄膜化するとともに、ゲート絶縁膜803を酸化膜の誘電率より高い誘電率を有する材料で形成する必要がある。しかしながら、ゲート絶縁膜803を薄膜化することにより、ゲート電極配線802aの段差部W1において、ゲートリークが増大耐圧が低下してしまう問題がある。また、信号線交差部80Cにおいても同様のことが言える。すなわち、ゲート絶縁膜803を薄膜化することにより、第1信号配線層802bの段差部W2において、ゲートリークが増大耐電圧特性が低下してしまう。さらに、信号線交差部80Cおいて、ゲート絶縁膜803が薄いために、第1信号配線層802bと第2信号配線層810とが交差する部分では、寄生容量が増大し、画素回路の高速動作の弊害になってしまう。このように、ゲート絶縁膜803を薄膜化することにより、ゲートリークが増大耐電圧特性が低下し、所望のTFT装置の特性が得られず、表示画像の品質が劣化してしまう。本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、ゲート絶縁膜の耐電圧特性を向上し、かつ、信号線が交差する部分での寄生容量を低下させることができる薄膜トランジスタ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。上記問題を解決するために、本発明に係る薄膜トランジスタ装置の一態様は、基板上の第1領域に形成されたゲート電極配線と、前記基板上の前記第1領域とは異なる領域である第2領域に形成された第1信号配線層と、前記基板上に、前記ゲート電極配線と前記第1信号配線層とを被覆して形成され、第1誘電体膜からなるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記第1誘電体膜より低い誘電率を有する第2誘電体膜からなる隔壁層と、前記第1信号配線の上方の前記隔壁層上に形成される第2信号配線層と、前記第2領域上の少なくとも一部の前記隔壁層は開口されており、前記隔壁層及び前記開口に形成された一対のドレイン電極及びソース電極配線と、前記隔壁層、前記ドレイン電極及び前記ソース電極配線を隔壁として、少なくとも前記開口の前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、前記隔壁層、前記ドレイン電極及び前記ソース電極配線を隔壁として、前記半導体層を被覆するように形成された保護膜と、を備える。本発明によれば、ゲート絶縁膜の耐電圧特性を向上し、かつ、信号線が交差する部分での寄生容量を低下させることができる薄膜トランジスタ装置及びその製造方法を実現することができる。本発明に係る薄膜トランジスタ装置の一態様は、基板上の第1領域に形成されたゲート電極配線と、前記基板上の前記第1領域とは異なる領域である第2領域に形成された第1信号配線層と、前記基板上に、前記ゲート電極配線と前記第1信号配線層とを被覆して形成され、第1誘電体膜からなるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記第1誘電体膜より低い誘電率を有する第2誘電体膜からなる隔壁層と、前記第1信号配線の上方の前記隔壁層上に形成される第2信号配線層と、前記第2領域上の少なくとも一部の前記隔壁層は開口されており、前記隔壁層及び前記開口に形成された一対のドレイン電極及びソース電極配線と、前記隔壁層、前記ドレイン電極及び前記ソース電極配線を隔壁として、少なくとも前記開口の前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、前記隔壁層、前記ドレイン電極及び前記ソース電極配線を隔壁として、前記半導体層を被覆するように形成された保護膜と、を備える。本態様によれば、ゲート絶縁膜の耐電圧特性を向上し、かつ、信号線が交差する部分での寄生容量を低下させることができる薄膜トランジスタ装置を実現することができる。ここで、本発明に係る薄膜トランジスタ装置置の一態様において、前記開口は、前記第2領域における第3領域上と第4領域上との前記隔壁層に形成されることで、前記ゲート絶縁膜の一部を露出し、前記ソース電極配線は、前記第3領域の開口の前記ゲート絶縁膜上と、前記第3領域及び前記第4領域の間の前記隔壁層上と、前記第4領域の前記第3領域側の開口における前記ゲート絶縁膜上の一部とに形成され、前記ドレイン電極は、前記第4領域の前記3領域の反対側の開口における前記ゲート絶縁膜上の一部と、前記第4領域の前記3領域の反対側の前記隔壁層上とに形成され、前記半導体層は、前記ドレイン電極及び前記ソース電極配線を隔壁として、前記第4領域の開口の前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記保護膜は、前記ドレイン電極及び前記ソース電極配線を隔壁として、前記半導体層を被覆するように形成されるとしてもよい。また、本発明に係る薄膜トランジスタ装置置の一態様において、前記開口は、前記第2領域上の前記隔壁層に形成されることで、前記ゲート絶縁膜の一部を露出し、前記ソース電極配線は、前記隔壁層の前記開口側の端部上、前記開口の前記端部側のゲート絶縁膜上の一部に形成され、前記ドレイン電極は、前記開口の前記端部と反対側の前記ゲート絶縁膜上の一部と、前記開口の前記端部と反対側の前記隔壁層上とに形成され、前記半導体層は、前記隔壁層、前記ドレイン電極及び前記ソース電極配線を隔壁として、前記開口の前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記保護膜は、前記隔壁層、前記ドレイン電極及び前記ソース電極配線を隔壁として、前記半導体層を被覆するように形成されるとしてもよい。また、本発明に係る薄膜トランジスタ装置の一態様において、前記第3領域は、前記ゲート電極配線と、前記ゲート絶縁膜と、前記ソース電極とで構成される蓄積容量部であり、前記第4領域は、前記ゲート電極配線と、前記ゲート絶縁膜と、前記半導体層と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とで構成されるチャネル部であるとしてもよい。ここで、本発明に係る薄膜トランジスタ装置の一態様において、前記薄膜トランジスタ装置は、前記ゲート電極配線と、前記ゲート絶縁膜と、前記ソース電極とにより蓄積容量部が構成され、前記ゲート電極配線と、前記ゲート絶縁膜と、前記半導体層と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極とにより、チャネル部が構成される。さらに、本発明に係る薄膜トランジスタ装置の一態様において、さらに、前記第2信号配線層と、前記ソース電極と、前記ドレイン電極と、前記保護膜とを覆うように形成された平坦化膜を備えることが好ましい。また、本発明に係る薄膜トランジスタ装置の一態様において、前記ドレイン電極、前記ソース電極、及び、前記第2信号配線層は、同一の材料で形成されていることが好ましい。また、本発明に係る薄膜トランジスタ装置の一態様において、前記開口の側面は、順テーパー形状に形成されているとしてもよい。ここで、本発明に係る薄膜トランジスタ装置の一態様において、前記半導体は、塗布型有機半導体であることが好ましい。また、本発明に係る薄膜トランジスタ装置の一態様において、前記半導体は塗布型酸化物半導体であることが好ましい。また、本発明に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法の一態様は、基板上の第1領域にゲート電極配線を、前記基板上の前記第1領域とは異なる領域である第2領域に第1信号配線層を形成する工程と、前記基板上に、前記ゲート電極配線と前記第1信号配線とを被覆するように、第1誘電体膜からなるゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に、第1誘電体膜より低い誘電率を有する第2誘電体膜からなる隔壁層を形成する工程と、前記第2領域上の少なくとも一部の前記隔壁層を開口する工程と、前記第1信号配線の上方の前記隔壁層上に第2信号配線層を形成する工程と、前記隔壁層及び前記開口にとドレイン電極及びソース電極を形成する工程と、前記隔壁層、前記ドレイン電極及び前記ソース電極を隔壁として、少なくとも前記開口の前記ゲート絶縁膜上に半導体層を形成する工程と、前記隔壁層、前記ドレイン電極及び前記ソース電極を隔壁として、前記半導体層を被覆するように保護膜を形成する工程とを含む。本態様によれば、ゲート絶縁膜の耐電圧特性を向上し、かつ、信号線が交差する部分での寄生容量を低下させることができる薄膜トランジスタ装置の製造方法を実現することができる。また、本発明に係る薄膜トランジスタ装置の一態様において、基板上に形成されたゲート電極配線層と、前記ゲート電極配線層上に形成された、第1誘電体膜からなるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に、第1誘電体膜と異なる誘電率を有する第2誘電体膜からなる隔壁層とを備え、前記隔壁層のうち、チャネル部および蓄積容量部となる領域は開口され、前記チャネル部及び蓄積容量部と異なる領域では、前記隔壁層上に形成された配線層を有し、前記チャネル部および蓄積容量部では、前記開口の前記ゲート絶縁膜上に、形成されたドレイン電極またはソース電極配線を有し、前記チャネル部には、前記チャネル部の前記開口に形成された半導体層と、前記半導体層を被覆するよう形成された保護膜とを有し、前記半導体層は、前記チャネル部の前記開口における前記隔壁層、ドレイン電極またはソース電極配線により周囲が規制されているとしてもよい。本態様によれば、ゲート絶縁膜の耐電圧特性を向上し、かつ、信号線が交差する部分での寄生容量を低下させることができる薄膜トランジスタ装置を実現することができる。実施の形態1以下、本発明に係る有機薄膜トランジスタ及びその製造方法について、実施の形態に基づいて説明するが、本発明は、請求の範囲の記載に基づいて特定される。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、請求項に記載されていない構成要素は、本発明の課題を達成するのに必ずしも必要ではないが、より好ましい形態を構成するものとして説明される。なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示したものではない。本発明の実施の形態1に係る有機薄膜トランジスタ装置10について、図1及び図2を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態1に係る有機薄膜トランジスタ装置10の上面図である。図2は、図1のA-A’線に沿って切断した本発明の実施の形態1に係る有機薄膜トランジスタ装置10の断面図である。有機薄膜トランジスタ装置10は、図2に示すように、基板101と、ゲート電極配線102aと、第1信号配線層102bと、ゲート絶縁膜103と、隔壁層105、106及び107と、ドレイン電極108及びソース電極配線109と、第2信号配線層110と、有機半導体層111と、保護膜112と、平坦化膜113とを備える。また、有機薄膜トランジスタ装置10は、ボトムゲート型のTFTが形成されるチャネル部10Aと、蓄積容量部10Bと、信号線交差部10Cとで構成されている。チャネル部10Aは、隔壁層105及び隔壁層106の間に形成されており、チャネル部10Aには、基板101と、ゲート電極配線102aと、ゲート絶縁膜103と、ドレイン電極108及びソース電極配線109と、有機半導体層111と、保護膜112とで構成されるボトムゲート型のTFTが形成されている。蓄積容量部10Bは、隔壁層106及び隔壁層107の間に形成されており、蓄積容量部10Bには、基板101と、ゲート電極配線102aと、ゲート絶縁膜103と、ソース電極配線109とで構成される容量コンデンサが形成されている。信号線交差部10Cには、第1信号配線層102bと、第2信号配線層110とが交差するように形成されており、第1信号配線層102bと、第2信号配線層110との間には、ゲート絶縁膜103と、隔壁層107とが形成されている。以下、各構成要素について詳述する。基板101は、例えば、石英ガラス又は無アルカリガラスからなるガラス基板である。なお、基板101としては、プラスチックフィルム等の可撓性を有するフレキシブル基板等を用いても構わない。ゲート電極配線102aは、基板101上の所定の領域に形成され、第1信号配線層102bは、基板101上の所定の領域とは異なる領域である信号線交差部10Cに形成される。本実施の形態において、ゲート電極配線102aは、チャネル部10A及び蓄積容量部10Bにおける基板101上に所定形状にパターン形成されている。同様に、第1信号配線層102bは、信号線交差部10Cにおける基板101上に、所定形状にパターン形成されている。ゲート電極配線102a及び第1信号配線層102bは、導電性材料又はその合金等の単層構造又は多層構造からなり、例えば、モリブデンMo、アルミニウムAl、銅Cu、タングステンW、チタンTi、クロムCr、又はモリブデンタングステンMoW等を用いて形成される。ゲート絶縁膜103は、第1誘電体膜で構成され、基板101上に、ゲート電極配線102aと第1信号配線層102bとを被覆して形成される。本実施の形態において、ゲート絶縁膜103は、ゲート電極配線102a及び第1信号配線層102bを覆うように基板101上の全面に形成される。ここで、第1誘電体膜は、シリコン窒化膜の単層膜若しくは積層膜、又は、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜等の積層膜からなる無機絶縁膜によって形成することができる。また、ポリイミド、ポリビニルフェノール、ポリプロピレン等の有機絶縁膜によって形成してもよい。一対のドレイン電極108及びソース電極配線109は、隔壁層の開口隔壁層105及び隔壁層106の間と、隔壁層106及び隔壁層107の間のゲート絶縁膜103上に形成され、ゲート電極配線102aの上方において所定の間隔をあけて対向配置される。換言すると、ソース電極配線109は、蓄積容量部10Bにおける隔壁層の開口と、蓄積容量部10B及びチャネル部10Aの間の隔壁層上と、チャネル部10Aの蓄積容量部10B側の開口の一部とに形成される。ドレイン電極108は、チャネル部10Aの蓄積容量部10Bの反対側の開口の一部と、隔壁層105上とに形成される。より具体的には、ソース電極配線109は、チャネル部10Aの蓄積容量部10B側の開口の一部のゲート絶縁膜103上と、隔壁層106上と、蓄積容量部10Bにおける隔壁層の開口隔壁層106及び隔壁層107の間のゲート絶縁膜103上と、隔壁層107の一端とに形成されている。ドレイン電極108は、隔壁層の開口隔壁層105及び隔壁層106の間のゲート絶縁膜103上の一部と隔壁層105上に形成されている。また、一対のドレイン電極108及びソース電極配線109は、導電性材料又はその合金等からなる単層構造であり、例えば、Mo、W、Cu、Al、Au金、Ag銀、MoW又はMoN窒化モリブデン等を用いて形成される。本実施の形態では、ドレイン電極108及びソース電極配線109は、隔壁層105及び隔壁層106上に形成されていることにより、ドレイン電極108及びソース電極配線109は、有機半導体層111の周囲を規制するバンク隔壁としての機能も有する。より具体的には、ドレイン電極108及びソース電極配線109は、有機半導体層111の周囲を規制するバンクとしても機能し、隔壁層105及び隔壁層106とともに塗布された有機半導体層111を形成するための溶剤の流れをせき止める。隔壁層隔壁層105と隔壁層106と隔壁層107は、第1誘電体膜より低い誘電率を有する第2誘電体膜で構成され、ゲート絶縁膜103上に形成される。この隔壁層は、チャネル部10Aと蓄積容量部10Bとに開口を有する。また、典型的には、チャネル部10Aと蓄積容量部10Bとにおける隔壁層の開口の側面は、順テーパー形状に形成されている。本実施の形態において、隔壁層105と隔壁層106は、ゲート絶縁膜103上に形成されており、有機半導体層111を画素ごとに分離して区画するための開口を形成する。また、隔壁層107は、ゲート絶縁膜103上に形成されている。隔壁層105と隔壁層106と隔壁層107とは、第1の誘電体膜より誘電率の低い第2誘電体膜で構成されている。ここで、第2誘電体膜は、第1誘電体膜の誘電率より低い誘電率を有する材料で形成する。第2誘電体膜は、例えば、第2誘電体膜は、シリコン窒化膜の単層膜若しくは積層膜、又は、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜等の積層膜からなる無機絶縁膜にFを添加することによって形成することができる。また、ポリイミド、ポリビニルフェノール、ポリプロピレン等の有機絶縁膜にFを添加することよって形成してもよい。また、第2誘電体膜は、レジスト等の感光性材料を用いて形成することができる。つまり、感光性樹脂で隔壁層を形成後に感光性樹脂を部分的に露光し現像することによって隔壁層の開口を形成することにより、隔壁層105、隔壁層106及び隔壁層107を形成することができる。第2信号配線層110は、第1信号配線層102bの上方、かつ、隔壁層107上に形成される。第2信号配線層110は、ドレイン電極108及びソース電極配線109と同じ材料で構成されている。すなわち、第2信号配線層110は、導電性材料又はその合金等からなる単層構造であり、例えば、Mo、W、Cu、Al、Au金、Ag銀、MoW又はMoN窒化モリブデン等を用いて形成される。有機半導体層111は、隔壁層105、隔壁層106、ドレイン電極108及びソース電極配線109を隔壁として、チャネル部10Aの開口のゲート絶縁膜103上に形成される。具体的には、有機半導体層111は、チャネル部10Aにおける隔壁層の開口内隔壁層105及び隔壁層106との間、かつ、ドレイン電極108及びソース電極配線109の間に形成される。より具体的には、有機半導体層111は、少なくともドレイン電極108とソース電極配線109との間のゲート絶縁膜103上に形成されている。有機半導体層111は、隔壁層105と、隔壁層106と、ドレイン電極108及びソース電極配線109の開口における内壁と側面によって囲まれており、有機半導体層111の外周は、これらの内壁及び側面によって規制されている。さらに換言すると、有機半導体層111は、ドレイン電極108の隔壁層の開口内の内壁及び側面と、露出するゲート絶縁膜103の上面と、ソース電極配線109の隔壁層の開口内の内壁及び側面と、隔壁層105と、隔壁層106とにおいて連続的に形成されている。有機半導体層111は、塗布型の有機材料を用いて、インクジェット法等の印刷法によって隔壁層の開口内、かつ、ドレイン電極108及びソース電極配線109の間に所定の溶剤を塗布して結晶化することによって形成することができる塗布型有機半導体である。有機半導体層111の材料としては、例えば、ペンタセン、フタロシアニン系、又は、ポルフィリン系の可溶性の有機材料を用いることができる。また、有機半導体層111は、有機材料を用いて形成される場合に限られない、例えば塗布可能な無機材料であれば、それを用いて形成するとしてもよい。つまり、例えば、有機半導体層111は、塗布型酸化物半導体から構成されるとしてもよい。保護膜112は、隔壁層105、隔壁層106、ドレイン電極108及びソース電極配線109を隔壁として、有機半導体層111を被覆するように形成される。具体的には、保護膜112は、有機半導体層111を保護するために有機半導体層111上に形成される。本実施の形態において、保護膜112は、隔壁層の開口内、かつ、ドレイン電極108及びソース電極配線109の間において有機半導体層111を覆うように形成される。保護膜112の外周は、隔壁層の開口に形成された隔壁層105、隔壁層106、ドレイン電極108及びソース電極配線109の内壁によって規制される。ここで、保護膜112は、光で架橋する材料を含むことが好ましい。光で架橋する材料は、光照射されることによって分子中に分子結合が形成され、分子構造が緻密になってポリマーの結合が強固になる。これにより、有機半導体層111に浸入しようとする水分や酸素又は不純物を効果的に遮断することができる。光で架橋する材料としては、アクリルポリマー等の高分子材料、又は、アクリルモノマー等の低分子材料がある。さらに、保護膜112としては、光で架橋する材料に加えて、熱で架橋する材料を含むことが好ましい。なお、保護膜112は有機材料のみからなるものに限らず、上記の有機材料にシリコンなどの無機材料を添加した材料も使用することができる。このような有機材料にシリコンなどの無機材料を添加した材料を用いることにより、有機材料のみからなる有機保護膜よりも、水分や酸素などが有機半導体層111へ侵入することを、一層抑制することができる。平坦化膜113は、有機薄膜トランジスタ装置10を平坦化するために、第2信号配線層110上と、ソース電極配線109上と、ドレイン電極108上と、保護膜112上とを覆うように、形成される。本実施の形態において、平坦化膜113は、保護膜112を覆って隔壁層の開口を埋めるようにドレイン電極108及びソース電極配線109上に形成される。また、平坦化膜113は、蓄積容量部10Bと信号線交差部10Cとの間の隔壁層107が露出した部分を埋めるようにも形成される。このように、平坦化膜113は、層間のリーク電流の発生を抑制するとともに、有機薄膜トランジスタ装置10の表面を平坦化するものである。平坦化膜113は、例えば、レジストなどの有機材料やSOGSpinOnGlassなどの無機材料を用いて形成することができる。つまり、平坦化膜113を形成することにより、有機半導体層111の特性劣化を防止する機能を保護膜112に担わせ、層間絶縁という機能を平坦化膜113に担わすことができ、保護膜112と平坦化膜113との2つの膜によって機能分離することができる。従って、有機半導体層111の特性劣化を防止することができるとともに、層間での電流リークを防止することができるので、信頼性の高い有機薄膜トランジスタ装置10を実現することができる。以上のように、有機薄膜トランジスタ装置10は構成される。次に、本発明の実施の形態1に係る有機薄膜トランジスタ装置10の効果について説明する。図3は、本発明の実施の形態1に係る有機薄膜トランジスタ装置10の効果を説明するための図である。図2と同様の要素には同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。有機薄膜トランジスタ装置10では、ゲート絶縁膜103上に隔壁層105、106及び107を形成後、ドレイン電極108、ソース電極配線109及び第2信号配線層110を形成する。それにより、図中の点線領域dに示すように、隔壁層105の厚みがドレイン電極108の段差として反映され、隔壁層106の厚みが、ソース電極配線109の段差として反映されることにより、ドレイン電極108及びソース電極配線109が隔壁層105及び隔壁層106とともに有機半導体層111の隔壁バンクとして機能する。このように構成することにより、有機薄膜トランジスタ装置10は、以下の4つの効果を奏することができる。以下それについて説明する。まず1つ目の効果について説明する。有機薄膜トランジスタ装置10では、チャネル部10Aにおいて、ドレイン電極108とゲート絶縁膜103との間に隔壁層105が形成されている。それにより、最も耐電圧特性が悪い絶縁耐圧が弱いゲート電極配線102aの端部におけるゲート絶縁膜103を隔壁層105で覆うことができ、さらに、ゲート電極配線102aと、ドレイン電極108との間の距離aを十分に確保することができるので、リーク電流を抑止できる。つまり、耐電圧特性を向上することができる。同様に、信号線交差部10Cにおいて、第2信号配線層110とゲート絶縁膜103との間に隔壁層107が形成されている。それにより、耐電圧特性が悪い絶縁耐圧が弱い第1信号配線層102bの端部におけるゲート絶縁膜103を隔壁層107で覆うことができ、さらに、第1信号配線層102bと第2信号配線層110との間の距離aを十分に確保することができるので、リーク電流を抑止できる。つまり、耐電圧特性を向上することができる。次に、2つ目の効果について説明する。有機薄膜トランジスタ装置10では、信号線交差部10Cにおいて、第2信号配線層110とゲート絶縁膜103との間に隔壁層107が形成されている。それにより、第2信号配線層110と第1信号配線層102bとの間を厚膜化することができるので、寄生容量を抑制することができる。次に、3つ目の効果について説明する。有機薄膜トランジスタ装置10では、チャネル部10Aにおいて、ゲート絶縁膜103上に、隔壁層を介すことなく、有機半導体層111が形成されている。また、蓄積容量部10Bにおいて、ゲート絶縁膜103上に、隔壁層を介すことなく、ソース電極配線109が形成されている。それにより、チャネル部10A及び蓄積容量部10Bにおいて、薄膜化されたゲート絶縁膜103を用いることができる。つまり、有機薄膜トランジスタ装置10の特性を向上するために必要なゲート絶縁膜103の静電容量を確保することができる。最後に、4つ目の効果について説明する。有機薄膜トランジスタ装置10では、隔壁層105、106、107は、ゲート絶縁膜103を構成する第1誘電体膜より低い誘電率を有する第2誘電体膜で構成される。それにより、信号線交差部10Cにおいて、2つめの効果である寄生容量の抑制についてさらに有利な効果を奏することができる。また、チャネル部10Aにおいて、3つめの効果であるゲート絶縁膜103の静電容量を確保についてさらに有利な効果を奏することができる。つまり、チャネル部10A及び蓄積容量部10Bにおいてゲート絶縁膜103は薄膜化することができ、信号線交差部10Cにおいてゲート絶縁膜103と異なる絶縁膜例えば第2誘電率膜からなる隔壁層とにより絶縁層の厚膜化を行うことができる。それにより、チャネル部10Aにおいてゲート絶縁膜103の薄膜化により特性が向上することができるだけでなく、蓄積容量部10Bにおいて、蓄積容量を増大させることができ、信号線交差部10Cにおいて、絶縁膜厚膜化及び低誘電率化により信号遅延低減画素回路の高速動作化ができる。一般に、チャネル部10Aの薄膜トランジスタ特性は、Ids=W/2LμCoxVds2で規定される。ここで、Idsは、ドレインからソースへ流れる電流を示す。μは、キャリアの移動度を示し、Coxは単位面積当たりのゲート絶縁膜容量を示す。また、Wはチャネル幅、Lはチャネル長を示す。Vdsはドレイン電極-ソース電極間の電圧を示す。このようにIdsはゲート絶縁膜容量に比例して増大し、またW/Lに比例して増大する。よって本構成の有機薄膜トランジスタ10においては蓄積容量が増大可能であるため、より小さいWのトランジスタでも従来と同等のIdsを得ることはできる。また、蓄積容量部10Bもより小さい面積で従来と同等の蓄積容量を得ることができる。これは、従来と同等の性能の有機薄膜トランジスタ装置を、従来と比べて面積が小さいトランジスタで蓄積容量部10Bに構成することができることを意味している。つまり、有機薄膜トランジスタ装置を微細化することができる。なお、上記では、有機半導体層111を上からみたときの領域であるチャネル領域は、図1に示すように、ドレイン電極108とソース電極配線109の上からみたときの幅より短いとしていたが、それに限らない。例えば、図4に示すように、ドレイン電極108とソース電極配線109の上からみたときの幅より長いチャネル領域を有するとしてもよい。ここで、図4は、本発明の実施の形態1の変形例に係る有機薄膜トランジスタ装置20の上面図である。次に、本発明の実施の形態1に係る有機薄膜トランジスタ装置10の製造方法について、図5A~図5Jを用いて説明する。図5A~図5Jは、本発明の実施の形態1に係る有機薄膜トランジスタ装置10の製造方法における各工程を説明するための断面図である。まず、図5Aに示すように、基板101上に、ゲート電極配線102a及び第1信号配線層102bの材料を堆積させて金属層102を形成する。本実施の形態では、基板101としてガラス基板を用いた。金属層102の材料としては、Mo、Al、Cu、W、Ti、Cr又はMoW等を用いることができ、金属層102は、スパッタ又は蒸着によって成膜することができる。次に、図5Bに示すように、フォトリソグラフィ及びエッチングによって、金属層102をパターニングして、基板101上の所定の領域に所定形状のゲート電極配線102aを形成し、基板101上の所定の領域とは異なる領域に所定形状の第1信号配線層102bを形成する。なお、金属層102のエッチングは、ウェットエッチング又はドライエッチングを用いることができる。次に、図5Cに示すように、基板101上に、ゲート電極配線102aと第1信号配線層102bとを被覆してゲート絶縁膜103を形成する。ゲート絶縁膜103は、ゲート電極配線102a及び第1信号配線層102bを覆うように基板101上の全面に形成され、材料に応じてプラズマCVD又は塗布法によって形成することができる。例えば、ゲート絶縁膜103としては、所定の誘電率を有する材料である第1誘電体膜を用いて成膜される。例えば、ゲート絶縁膜103は、シリコン窒化膜の単層膜若しくは積層膜、又は、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜等の積層膜からなる第1誘電体膜を用い、プラズマCVDによって成膜することができる。なお、ゲート絶縁膜103は、ポリイミド、ポリビニルフェノール又はポリプロピレン等の有機絶縁膜からなる第1誘電体膜を用いて、塗布法によっても成膜してもよい。次に、図5Dに示すように、ゲート絶縁膜103上に、第1誘電体膜より低い誘電率を有する第2誘電体膜からなる隔壁層104を形成する。隔壁層104は、材料に応じてプラズマCVD又は塗布法によって形成することができる。例えば、隔壁層104としては、第1誘電体膜より低い誘電率を有する第2誘電体膜を用いて成膜される。例えば、隔壁層104は、シリコン酸化膜にFを添加されてなる第2誘電体膜を用い、プラズマCVDによって成膜することができる。なお、隔壁層104は、ポリイミド、ポリビニルフェノール又はポリプロピレン等の有機絶縁膜にFを添加されてなる第2誘電体膜を用いて、塗布法によっても成膜してもよい。次に、図5Eに示すように、隔壁層104をパターニングすることにより、ゲート絶縁膜103を露出するようにゲート電極配線102aの上方の所定の位置後のチャネル部10A及び蓄積容量部10Bに開口を形成する。それにより、所定形状の隔壁層105、106及び107を形成する。ここで、隔壁層105、106及び107は、フォトリソグラフィ及びエッチングによって、隔壁層104をパターニングすることにより形成され、エッチングにより隔壁層104の所定の位置を除去することによって、ゲート絶縁膜103が露出する。なお、隔壁層104のエッチングは、ウェットエッチング又はドライエッチングを用いて行うことができる。なお、隔壁層104が、有機絶縁膜にFを添加されてなる第2誘電体膜で構成される場合は、パターニングは、隔壁層104を露光及び現像することによって行うことができる。次に、図5Fに示すように、隔壁層105、106、107及びゲート絶縁膜103の上に、ドレイン電極108、ソース電極配線109及び第2信号配線層110の材料を堆積させて金属層108aを形成する。金属層108aは、スパッタ又は蒸着によって、Mo、W、Cu、Al、Au、Ag、MoW又はMoN等を用いた単層膜として形成する。本実施の形態では、MoWの単層膜を成膜した。次に、図5Gに示すように、フォトリソグラフィ及びエッチングによって、金属層108aをパターニングすることにより、所定形状のドレイン電極108、ソース電極配線109及び第2信号配線層110を形成する。エッチングによる除去によって、所定の領域後のチャネル部10Aのゲート絶縁膜103が露出する。なお、金属層108aのエッチングは、ウェットエッチング又はドライエッチングを用いて行うことができる。このようにして、第1信号配線層102bの上方の隔壁層107上に第2信号配線層を形成することができる。また、隔壁層107と隔壁層106の間にある開口と、隔壁層106上と、隔壁層106と隔壁層105との間にある開口の一部とにソース電極配線109を形成することができる。また、隔壁層106と隔壁層105との間にある開口であって隔壁層105側の開口の一部と、隔壁層105上とにドレイン電極108を形成することができる。なお、本実施の形態では、金属層108aをパターニングする際、ドレイン電極108及びソース電極配線109をパターン形成すると同時に、有機薄膜トランジスタ装置10の第2信号配線層110もパターン形成している。すなわち、有機薄膜トランジスタ装置10の信号線交差部10Cにおける第2信号配線層110とドレイン電極108及びソース電極配線109とを同じ材料を用いて同時に形成する。また、例えば、金属層108aをパターニングすることによって、第2信号配線層110を含む複数の信号線を形成するとしてもよいし、複数の信号線の一部を延設するようにしてドレイン電極108を形成するとしてもよい。次に、図5Hに示すように、隔壁層106と隔壁層105との間の開口、かつ、ドレイン電極108とソース電極配線109の間にゲート絶縁膜103上に、有機半導体材料を含む溶液有機半導体溶液をインクジェット法にて塗布する。このとき、有機半導体材料を含む溶液は、露出するゲート絶縁膜103の上面に広がるとともに、ドレイン電極108及びソース電極配線109の隔壁層106と隔壁層105との間の開口にある側面部及び側面部の上面にも広がって塗布される。また、この有機半導体材料を含む溶液は、隔壁層105、隔壁層106の段差の効果によって有機半導体材料を含む溶液の塗布領域が規制される。これにより、有機半導体材料を含む溶液が隔壁層106と隔壁層105との間の開口、の外側に流れ出してしまうことを防止することができる。その後、所定の熱処理を行うことによって有機半導体材料を含む溶液を乾燥させて、有機半導体材料の結晶化を行う。これにより、隔壁層106と隔壁層105との間の開口において、隔壁層105、隔壁層106、ドレイン電極108及びソース電極配線109により外周が規制された有機半導体層111を形成することができる。なお、上記のインクジェット法による有機半導体材料溶液の塗布は、隔壁層106と隔壁層105との間の開口の中央付近に滴下して行うことが好ましい。これにより、有機半導体材料を含む溶液は、隔壁層106と隔壁層105との間の開口のドレイン電極108及びソース電極配線109に囲まれる領域内に均一に広がるので、より均一な膜厚で有機半導体層111を形成することができる。また、有機半導体材料としては、ペンタセン、フタロシアニン系、又は、ポルフィリン系の可溶性の有機材料を用いることができる。また、上記の所定の熱処理は、溶液に含まれる有機半導体材料が熱分解せずかつ結晶化する温度であって、溶液の溶媒を蒸発させることができる温度であることが好ましい。本実施の形態では、200°C前後の温度によって熱処理を行った。次に、図5Iに示すように、隔壁層106と隔壁層105との間の開口のドレイン電極108及びソース電極配線109に囲まれる領域内において、有機半導体層111の上方から、保護膜112の材料であるオーバーコート材を含む溶液をインクジェット法にて塗布する。このとき、隔壁層105、隔壁層106の段差の効果によってオーバーコート材を含む溶液の塗布領域が規制される。そのため、オーバーコート材を含む溶液が隔壁層106と隔壁層105との間の開口の外側に流れ出してしまうことを防止することができる。オーバーコート材を含む溶液が所定の領域に塗布された後は、所定の熱処理を行う。これにより、オーバーコート材を含む溶液が乾燥し、外周が規制された保護膜112を形成することができる。このとき、溶液に含まれるオーバーコート材が熱で架橋する材料を含んでいる場合は、熱処理によって保護膜112の保護機能を向上させることができる。また、オーバーコート材が光で架橋する材料を含んでいる場合は、別途UV光等の光照射処理を施すことにより、オーバーコート材の分子中に分子結合が形成され、分子構造が緻密になってポリマーの結合が強固になる。これにより、酸素や水分、あるいは不純物に対する保護膜112の遮蔽効果を高めることができる。なお、本実施の形態において、オーバーコート材はインクジェット法にて塗布したが、スピンコート法による全面塗布を行っても、有機半導体上に必要膜厚が確保できていれば保護膜として同様の効果が得られる。次に、図5Jに示すように、第2信号配線層110と、ソース電極配線109と、ドレイン電極108と、保護膜112とを覆うように、平坦化膜113を形成する。平坦化膜113は、表面が平坦化するように所望の厚さで形成する。なお、平坦化膜113は、SOG等の所定の材料を塗布することによって形成することができる。以上のようにして、本実施の形態に係る有機薄膜トランジスタ装置10を形成することができる。ここで、比較のために、従来の有機薄膜トランジスタ装置80の製造方法について、図6A~図6Dを用いて説明する。図6A~図6Dは、従来の有機薄膜トランジスタ装置80の製造方法における各工程を説明するための断面図である。まず、図6A以前の工程については、図5A~図5Cに示す工程と同様であるため、説明を省略する。次に、図6Aに示すように、ゲート絶縁膜803上の全面に、ドレイン電極808、ソース電極配線809及び第2信号配線層810を堆積させて金属層808aを形成する。金属層808aは、スパッタ又は蒸着によって、Mo、W、Cu、Al、Au、Ag、MoW又はMoN等を用いた単層膜、もしくはこれら複数の金属を用いた積層膜、または金属合金膜として形成する。本実施の形態では、MoWの単層膜を成膜した。次に、図6Bに示すように、フォトリソグラフィ及びエッチングによって、金属層808aをパターニングすることにより、所定形状のドレイン電極808、ソース電極配線809及び第2信号配線層810を形成する。エッチングによる除去によって、所定の領域後のチャネル部80Aのゲート絶縁膜803が露出する。なお、金属層808aのエッチングは、ウェットエッチング又はドライエッチングを用いて行うことができる。なお、従来例でも、金属層808aをパターニングする際、ドレイン電極808及びソース電極配線809をパターン形成すると同時に、有機薄膜トランジスタ装置80の第2信号配線層810もパターン形成している。次に、図6Cに示すように、基板801の上方の全面に、所定の隔壁層バンクの材料を塗布することによって隔壁層804を形成する。これにより、露出させたゲート絶縁膜803上と、ソース電極上と、ソース電極配線809上とに隔壁層804が形成される。ここで、隔壁層804は、感光性樹脂を用いて、1μmの膜厚で形成される。次に、図6Dに示すように、隔壁層804をパターニングすることにより、ドレイン電極808とソース電極配線809との間におけるゲート絶縁膜803を再び露出するようにチャネル部80Aの上方に開口を形成して、所定形状の隔壁層805、807を形成する。また、この開口は、ドレイン電極808及びソース電極配線809の各端部をも露出するように形成される。これにより、露出させたゲート絶縁膜803上とソース電極配線809上とに隔壁層807が形成され、ドレイン電極808上に隔壁層805が形成される。隔壁層804のパターニングは、隔壁層804を露光及び現像することによって行うことができる。これにより、露出させたゲート絶縁膜803上とソース電極配線809上とに隔壁層807が形成され、ドレイン電極808上に隔壁層805が形成される。このように、従来の有機薄膜トランジスタ装置80の製造方法と比較すると、工程数は増加していないことがわかる。一方、従来の有機薄膜トランジスタ装置80の製造方法と比較して、隔壁層隔壁層105、106、107と金属層ドレイン電極108、ソース電極配線109及び第2信号配線層110とを形成する順番が異なる。つまり、有機薄膜トランジスタ装置10では、ゲート絶縁膜103上に、隔壁層105、106、107後に、ドレイン電極108、ソース電極配線109及び第2信号配線層110を形成する。このように形成することにより、上述したように、隔壁層105、隔壁層106の厚みが、ドレイン電極108、ソース電極配線109の段差として反映され、ドレイン電極108、ソース電極配線109が有機半導体層111の隔壁バンクとして機能する。以上、本実施の形態によれば、ゲート絶縁膜の耐電圧特性を向上し、かつ、信号線が交差する部分での寄生容量を低下させることができる薄膜トランジスタ装置及びその製造方法を実現することができる。実施の形態2実施の形態1では、蓄積容量部とチャネル部との間に隔壁層106が形成されている場合について説明したが、それに限らない。蓄積容量部とチャネル部との間に隔壁層が形成されていないとしてもよい。その場合について、以下の実施の形態2で説明する。図7は、本発明の実施の形態2に係る有機薄膜トランジスタ装置30の上面図である。図8は、図7のA-A’線に沿って切断した本発明の実施の形態2に係る有機薄膜トランジスタ装置30の断面図である。なお、図7及び図8において、図1及び図2に示す構成要素と同じ構成要素には同じ符号を付しており、詳しい説明は省略又は簡略化する。本実施の形態に係る有機薄膜トランジスタ装置30は、実施の形態1に係る有機薄膜トランジスタ装置10に対して、ソース電極配線309と、有機半導体層311と、保護膜312の構成が異なる。すなわち、本実施の形態では、蓄積容量部30Bとチャネル部30Aとの間に隔壁層が形成されていないので、有機半導体層311が、蓄積容量部30Bの上方まで広がっている。つまり、有機半導体層311は、ドレイン電極108及びソース電極配線309を隔壁として、チャネル部30A及び蓄積容量部30Bに跨る開口隔壁層の開口のゲート絶縁膜103上に形成される。なお、有機半導体層311の材料等、上述の構成以外については、有機半導体層111と同様であるため、説明を省略する。保護膜312は、ドレイン電極108及びソース電極配線309を隔壁として、有機半導体層111を被覆するように形成される。平坦化膜313は、有機薄膜トランジスタ装置30を平坦化するために、第2信号配線層110上と、ソース電極配線309上と、ドレイン電極108上と、保護膜312上とを覆うように、形成される。なお、有機半導体層311、保護膜312及び平坦化膜313はそれぞれ、上述の構成以外については、有機半導体層111、保護膜112及び平坦化膜113と同様であるため、説明を省略する。以上のように、有機薄膜トランジスタ装置30は構成される。次に、本発明の実施の形態2に係る有機薄膜トランジスタ装置30の効果について説明する。図9は、本発明の実施の形態2に係る有機薄膜トランジスタ装置30の効果を説明するための図である。図8と同様の要素には同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。有機薄膜トランジスタ装置30では、ゲート絶縁膜103上に隔壁層105、107を形成後、ドレイン電極108、ソース電極配線109及び第2信号配線層110を形成する。図中の点線領域dに示すように、隔壁層105及び隔壁層107の段差の効果によって、隔壁層105、隔壁層107、ドレイン電極108及びソース電極配線109が有機半導体層111の隔壁バンクとして機能する。このように構成することにより、有機薄膜トランジスタ装置30は、実施の形態1に係る有機薄膜トランジスタ装置10と同様に4つの効果を奏することができる。以下それについて説明する。まず1つ目の効果について説明する。有機薄膜トランジスタ装置30では、チャネル部30Aにおいて、ドレイン電極108とゲート絶縁膜103との間に隔壁層105が形成されている。それにより、最も耐電圧特性が悪い絶縁耐圧が弱いゲート電極配線102aの端部におけるゲート絶縁膜103を隔壁層105で覆うことができ、さらに、ゲート電極配線102aと、ドレイン電極108との間の距離aを十分に確保することができるので、リーク電流を抑止できる。つまり、耐電圧特性を向上することができる。同様に、信号線交差部30Cにおいて、第2信号配線層110とゲート絶縁膜103との間に隔壁層107が形成されている。それにより、耐電圧特性が悪い絶縁耐圧が弱い第1信号配線層102bの端部におけるゲート絶縁膜103を隔壁層107で覆うことができ、さらに、第1信号配線層102bと第2信号配線層110との間の距離aを十分に確保することができるので、リーク電流を抑止できる。つまり、耐電圧特性を向上することができる。次に、2つ目の効果について説明する。有機薄膜トランジスタ装置30では、信号線交差部30Cにおいて、第2信号配線層110とゲート絶縁膜103との間に隔壁層107が形成されている。それにより、第2信号配線層110と第1信号線配線部107との間を厚膜化することができるので、寄生容量を抑制することができる。次に、3つ目の効果について説明する。有機薄膜トランジスタ装置30では、チャネル部30Aにおいて、ゲート絶縁膜103上に、隔壁層を介すことなく、有機半導体層311が形成されている。また、蓄積容量部30Bにおいて、ゲート絶縁膜103上に、隔壁層を介すことなく、ソース電極配線309が形成されている。それにより、チャネル部10A及び蓄積容量部10Bにおいて、薄膜化されたゲート絶縁膜103を用いることができる。つまり、有機薄膜トランジスタ装置30の特性を向上するために必要なゲート絶縁膜103の静電容量を確保することができる。最後に、4つ目の効果について説明する。有機薄膜トランジスタ装置30では、隔壁層105、107は、ゲート絶縁膜103を構成する第1誘電体膜より低い誘電率を有する第2誘電体膜で構成される。それにより、信号線交差部30Cにおいて、2つめの効果である寄生容量の抑制についてさらに有利な効果を奏することができる。また、チャネル部30Aにおいて、3つめの効果であるゲート絶縁膜103の静電容量を確保についてさらに有利な効果を奏することができる。つまり、チャネル部30A及び蓄積容量部30Bにおいてゲート絶縁膜103は薄膜化することができ、信号線交差部30Cにおいてゲート絶縁膜103と異なる絶縁膜例えば第2誘電率膜からなる隔壁層とにより絶縁層の厚膜化を行うことができる。それにより、チャネル部30Aにおいてゲート絶縁膜103の薄膜化により特性が向上することができるだけでなく、蓄積容量部30Bにおいて、蓄積容量を増大させることができ、信号線交差部30Cにおいて、絶縁膜厚膜化及び低誘電率化により信号遅延低減画素回路の高速動作化ができる。なお、上記では、有機半導体層311を上からみたときの領域であるチャネル領域は、図7に示すように、ドレイン電極108とソース電極配線309の上からみたときの幅より短いとしていたが、それに限らない。例えば、図10に示すように、ドレイン電極108とソース電極配線309の上からみたときの幅より長いチャネル領域を有するとしてもよい。ここで、図10は、本発明の実施の形態2の変形例に係る有機薄膜トランジスタ装置40の上面図である。次に、本発明の実施の形態2に係る有機薄膜トランジスタ装置30の製造方法について、図11A~図11Jを用いて説明する。図11A~図11Jは、本発明の実施の形態2に係る有機薄膜トランジスタ装置30の製造方法における各工程を説明するための断面図である。なお、図5A~図5J、図8と同様の要素には同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。まず、図11A~図11Dの工程については、図5A~図5Dに示す工程と同じであるため、説明を省略する。次に、図11Eに示すように、隔壁層104をパターニングすることにより、ゲート絶縁膜103を露出するようにゲート電極配線102aの上方の所定の位置後のチャネル部10A及び蓄積容量部10Bに開口を形成する。それにより、所定形状の隔壁層105及び107を形成する。ここで、隔壁層105及び107は、フォトリソグラフィ及びエッチングによって、隔壁層104をパターニングすることにより形成され、エッチングにより隔壁層104の所定の位置を除去することによって、ゲート絶縁膜103が露出する。なお、隔壁層104のエッチングは、ウェットエッチング又はドライエッチングを用いて行うことができる。なお、隔壁層104が、有機絶縁膜からなる第2誘電体膜で構成される場合は、パターニングは、隔壁層104を露光及び現像することによって行うことができる。また、隔壁層104が、上記材料にFを添加されてなる第2誘電体膜で構成される場合は、隔壁層104の誘電率を低下させることができる。次に、図11Fに示すように、隔壁層105、107及びゲート絶縁膜103の上に、ドレイン電極108、ソース電極配線309及び第2信号配線層110の材料を堆積させて金属層308aを形成する。金属層308aは、スパッタ又は蒸着によって、Mo、W、Cu、Al、Au、Ag、MoW又はMoN等を用いた単層膜、もしくはこれら複数の金属を用いた積層膜、または金属合金膜として形成する。本実施の形態では、MoWの単層膜を成膜した。次に、図11Gに示すように、フォトリソグラフィ及びエッチングによって、金属層308aをパターニングすることにより、所定形状のドレイン電極108、ソース電極配線309及び第2信号配線層110を形成する。エッチングによる除去によって、所定の領域後のチャネル部10Aのゲート絶縁膜103が露出する。なお、金属層308aのエッチングは、ウェットエッチング又はドライエッチングを用いて行うことができる。このようにして、第1信号配線層102bの上方の隔壁層107上に第2信号配線層を形成することができる。また、隔壁層107の蓄積容量部30B側の端部と、隔壁層107と隔壁層105の間にある開口の蓄積容量部30Bの上方とにソース電極配線109を形成することができる。また、隔壁層107と隔壁層105との間にある開口であって隔壁層105側の開口の一部と、隔壁層105上とにドレイン電極108を形成することができる。なお、本実施の形態では、金属層308aをパターニングする際、ドレイン電極108及びソース電極配線309をパターン形成すると同時に、有機薄膜トランジスタ装置30の第2信号配線層110もパターン形成している。すなわち、有機薄膜トランジスタ装置30の信号線交差部30Cにおける第2信号配線層110とドレイン電極108及びソース電極配線309とを同じ材料を用いて同時に形成する。また、例えば、金属層308aをパターニングすることによって、第2信号配線層110を含む複数の信号線を形成するとしてもよいし、複数の信号線の一部を延設するようにしてドレイン電極108を形成するとしてもよい。次に、図11Hに示すように、隔壁層107と隔壁層105との間の開口、すなわちドレイン電極108とソース電極配線309の間のゲート絶縁膜103上とドレイン電極配線の蓄積容量部30B上とに、有機半導体材料を含む溶液有機半導体溶液をインクジェット法にて塗布する。このとき、有機半導体材料を含む溶液は、露出するゲート絶縁膜103の上面に広がるとともに、ドレイン電極108及びソース電極配線309の隔壁層107と隔壁層105との間の開口にある側面部及び側面部の上面にも広がって塗布される。また、この有機半導体材料を含む溶液は、隔壁層105及び隔壁層107とともに、隔壁層105及び隔壁層107の段差の効果によるドレイン電極108及びソース電極配線309とにガードされて、有機半導体材料を含む溶液の塗布領域が規制される。これにより、有機半導体材料を含む溶液が隔壁層107と隔壁層105との間の開口、の外側に流れ出してしまうことを防止することができる。その後、所定の熱処理を行うことによって有機半導体材料を含む溶液を乾燥させて、有機半導体材料の結晶化を行う。これにより、隔壁層107と隔壁層105との間の開口において、隔壁層105、隔壁層107、ドレイン電極108及びソース電極配線109により外周が規制された有機半導体層311を形成することができる。なお、上記のインクジェット法による有機半導体材料溶液の塗布は、隔壁層107と隔壁層105との間の開口の中央付近に滴下して行うことが好ましい。これにより、有機半導体材料を含む溶液は、隔壁層107と隔壁層105との間の開口のドレイン電極108及びソース電極配線109に囲まれる領域内に均一に広がるので、より均一な膜厚で有機半導体層311を形成することができる。また、有機半導体材料としては、ペンタセン、フタロシアニン系、又は、ポルフィリン系の可溶性の有機材料を用いることができる。また、上記の所定の熱処理は、溶液に含まれる有機半導体材料が熱分解せずかつ結晶化する温度であって、溶液の溶媒を蒸発させることができる温度であることが好ましい。本実施の形態では、200°C前後の温度によって熱処理を行った。次に、図11Iに示すように、隔壁層107と、隔壁層105と、隔壁層107及び隔壁層105の間の開口のドレイン電極108及びソース電極配線309とに囲まれる領域内において、有機半導体層311の上方から、保護膜312の材料であるオーバーコート材を含む溶液をインクジェット法にて塗布する。このとき、隔壁層105、隔壁層107の段差の効果によるドレイン電極108及びソース電極配線309とともに、隔壁層105及び隔壁層107がガードとなってオーバーコート材を含む溶液の塗布領域が規制される。そのため、オーバーコート材を含む溶液が隔壁層105と隔壁層107との間の開口の外側に流れ出してしまうことを防止することができる。オーバーコート材を含む溶液が所定の領域に塗布された後は、所定の熱処理を行う。これにより、オーバーコート材を含む溶液が乾燥し、外周が規制された保護膜312を形成することができる。このとき、溶液に含まれるオーバーコート材が熱で架橋する材料を含んでいる場合は、熱処理によって保護膜312の保護機能を向上させることができる。また、オーバーコート材が光で架橋する材料を含んでいる場合は、別途UV光等の光照射処理を施すことにより、オーバーコート材の分子中に分子結合が形成され、分子構造が緻密になってポリマーの結合が強固になる。これにより、酸素や水分、あるいは不純物に対する保護膜112の遮蔽効果を高めることができる。なお、本実施の形態において、オーバーコート材はインクジェット法にて塗布したが、スピンコート法による全面塗布を行っても、有機半導体上に必要膜厚が確保できていれば保護膜として同様の効果が得られる。次に、図11Jに示すように、第2信号配線層110と、ソース電極配線309と、ドレイン電極108と、保護膜312とを覆うように、平坦化膜313を形成する。平坦化膜313は、表面が平坦化するように所望の厚さで形成する。なお、平坦化膜313は、SOG等の所定の材料を塗布することによって形成することができる。以上のようにして、本実施の形態に係る有機薄膜トランジスタ装置30を形成することができる。以上のように、本発明によれば、ゲート絶縁膜の耐電圧特性を向上し、かつ、信号線が交差する部分での寄生容量を低下させることができる薄膜トランジスタ装置及びその製造方法を実現することができる。以上、本発明に係る有機薄膜トランジスタ装置及びその製造方法について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではない。なお、本発明の有機薄膜トランジスタ装置は、典型的には有機EL素子を用いた有機EL表示装置に用いることができるが、液晶表示素子等、アクティブマトリクス基板が用いられる他の表示装置にも適用することができる。また、このように構成される表示装置については、フラットパネルディスプレイとして利用することができ、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などのあらゆる表示パネルを有する電子機器に適用することができる。その他、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。