"第1のゲートドライブ回路基板及び第2のゲートドライブ回路基板と、第1の半導体素子及び第2の半導体素子と、を備える半導体モジュールであって、前記第1のゲートドライブ回路基板と、前記第2のゲートドライブ回路基板とは、積層方向において重ね合わせられ、前記第1の半導体素子は、前記第1のゲートドライブ回路基板と電気的に接続され、前記第2の半導体素子は、前記第2のゲートドライブ回路基板と電気的に接続されていることを特徴とする半導体モジュール。前記第1のゲートドライブ回路基板は、前記第2のゲートドライブ回路基板と対向する第1の対向面を有し、前記第2のゲートドライブ回路基板は、前記第1のゲートドライブ回路基板と対向する第2の対向面を有し、前記第1の半導体素子は、前記第1のゲートドライブ回路基板の前記第1の対向面と、ワイヤを介して接続され、前記第2の半導体素子は、前記第2のゲートドライブ回路基板の前記第2の対向面と、ワイヤを介して接続されていることを特徴とする請求項1記載の半導体モジュール。前記第1の半導体素子に対して設けられる第1の出力側放熱板と、前記第2の半導体素子に対して設けられる第2の出力側放熱板と、を更に備え、前記第1の出力側放熱板と、前記第2の出力側放熱板とは、前記半導体モジュールの外面のうち、同一面側に配置されていることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体モジュール。第1のゲートドライブ回路基板と第1の半導体素子とを電気的に接続する第1の工程と、第2のゲートドライブ回路基板と第2の半導体素子とを電気的に接続する第2の工程と、電気的に接続された前記第1のゲートドライブ回路基板及び前記第1の半導体素子と、電気的に接続された前記第2のゲートドライブ回路基板及び前記第2の半導体素子とを積層方向に重ね合わせる第3の工程と、を備え、前記第3の工程では、前記第1のゲートドライブ回路基板と前記第2のゲートドライブ回路基板とが、前記積層方向に重なり合うように配置されることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。ここで、半導体モジュールには回路基板周辺に他の構造が適用される場合がある。例えば、冷却のための放熱構造として、半導体モジュールの放熱板などが配置される場合もある。しかしながら、そのような他の構造まで考慮する場合、従来の半導体モジュールでは、組み立て難くなる可能性が生じる。すなわち、半導体モジュールの組み立て易さまで考慮した場合に、従来の半導体モジュールの構造では、十分な組み立て性を確保できていないという問題があった。本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、製造時の組み立て性を向上させると共に、小型化を図ることができる半導体モジュール、及び半導体モジュールの製造方法を提供することを目的とする。本発明に係る半導体モジュールは、第1のゲートドライブ回路基板及び第2のゲートドライブ回路基板と、第1の半導体素子及び第2の半導体素子と、を備える半導体モジュールであって、第1のゲートドライブ回路基板と、第2のゲートドライブ回路基板とは、積層方向において重ね合わせられ、第1の半導体素子は、第1のゲートドライブ回路基板と電気的に接続され、第2の半導体素子は、第2のゲートドライブ回路基板と電気的に接続されていることを特徴とする。本発明に係る半導体モジュールによれば、ゲートドライブ回路基板は、第1のゲートドライブ回路基板と、第2のゲートドライブ回路基板とに分けられている。更には、第1のゲートドライブ回路基板と、第2のゲートドライブ回路基板とは、積層方向において重ね合わせられている。例えば一枚の大きなゲートドライブ回路基板を半導体モジュールに設けた場合は、当該半導体モジュールの幅が大きくなってしまうが、ゲートドライブ回路基板を重ね合わせ構造とすることによって、ゲートドライブ回路基板が幅方向に占める範囲を小さくすることができるため、半導体モジュールの小型化を図ることができる。また、第1の半導体素子は、第1のゲートドライブ回路基板と電気的に接続され、第2の半導体素子は、第2のゲートドライブ回路基板と電気的に接続されている。すなわち、各半導体素子が接続されるゲートドライブ回路基板が分けられているため、一方の半導体素子及びゲートドライブ回路基板を、他方の半導体素子及びゲートドライブ回路基板とは独立して接続を行うことができ、組み立て易くなる。以上によって、製造時の組み立て性を向上させると共に、小型化を図ることができる。また、本発明に係る半導体モジュールでは、第1のゲートドライブ回路基板は、第2のゲートドライブ回路基板と対向する第1の対向面を有し、第2のゲートドライブ回路基板は、第1のゲートドライブ回路基板と対向する第2の対向面を有し、第1の半導体素子は、第1のゲートドライブ回路基板の第1の対向面と、ワイヤを介して接続され、第2の半導体素子は、第2のゲートドライブ回路基板の第2の対向面と、ワイヤを介して接続されていることが好ましい。これにより、半導体素子とゲートドライブ回路基板とのワイヤ接続時においては、ゲートドライブ回路基板の対向面側からワイヤ接続を行い、ワイヤ接続の後に各対向面が対向するように、第1のゲートドライブ回路基板と第2のゲートドライブ回路基板とを重ね合わせることで、半導体モジュールの組み立てが可能となる。これによって、製造時の組み立て性を向上させることができる。また、本発明に係る半導体モジュールでは、第1の半導体素子に対して設けられる第1の出力側放熱板と、第2の半導体素子に対して設けられる第2の出力側放熱板と、を更に備え、第1の出力側放熱板と、第2の出力側放熱板とは、半導体モジュールの外面のうち、同一面側に配置されていることが好ましい。これにより、互いの出力側放熱板を接続する接続部品がゲートドライブ回路基板と斜め方向に交差することを防止できる。本発明に係る半導体モジュールの製造方法は、第1のゲートドライブ回路基板と第1の半導体素子とを電気的に接続する第1の工程と、第2のゲートドライブ回路基板と第2の半導体素子とを電気的に接続する第2の工程と、電気的に接続された第1のゲートドライブ回路基板及び第1の半導体素子と、電気的に接続された第2のゲートドライブ回路基板及び第2の半導体素子とを積層方向に重ねる第3の工程と、を備え、第3の工程では、第1のゲートドライブ回路基板と第2のゲートドライブ回路基板とが、積層方向に重なり合うように配置されることを特徴とする。本発明に係る半導体モジュールの製造方法によれば、ゲートドライブ回路基板は、第1のゲートドライブ回路基板と、第2のゲートドライブ回路基板とに分けられている。更には、第3の工程で、第1のゲートドライブ回路基板と、第2のゲートドライブ回路基板とを、積層方向において重ね合わせている。例えば一枚の大きなゲートドライブ回路基板を半導体モジュールに設けた場合は、当該半導体モジュールの幅が大きくなってしまうが、ゲートドライブ回路基板を重ね合わせ構造とすることによって、ゲートドライブ回路基板が幅方向に占める範囲を小さくすることができるため、半導体モジュールの小型化を図ることができる。また、第1の工程と第2の工程では、一方の半導体素子及びゲートドライブ回路基板を、他方の半導体素子及びゲートドライブ回路基板とは独立して接続を行っているため、組み立て易くなる。以上によって、製造時の組み立て性を向上させると共に、小型化を図ることができる。本発明によれば、製造時の組み立て性を向上させると共に、小型化を図ることができる。以下、図面を参照して本発明に係る半導体モジュールの好適な実施形態について詳細に説明する。なお、本明細書中では、図1に示す姿勢において積層方向における上側を上とし、積層方向における下側を下として説明する。なお、半導体モジュールの使用状態によっては、上下方向の関係は変動するが、ここでは図1の状態を基準として説明する。まず、図1に示すように、本実施形態に係る半導体モジュール1は、上側ゲートドライブ回路基板2Aと、下側ゲートドライブ回路基板2Bと、上側半導体素子3Aと、下側半導体素子3Bと、上側ワイヤ4Aと、下側ワイヤ4Bと、上側放熱板6A7Aと、下側放熱板6B7Bと、接続部品8と、スペーサ911と、樹脂モールド12と、を備えて構成されている。このような半導体モジュール1が複数個積層されており、半導体モジュール1の上方に制御回路基板Cが配置されることによって半導体装置が構成される。半導体モジュール1は、積層方向における上面1a側に上側放熱板6A及び上側放熱板7Aを有している。上側放熱板6A及び上側放熱板7Aは、入力側放熱板を構成しており、当該入力側放熱板が同一面上面1aに配置される構造となる。上側放熱板6Aと上側放熱板7Aとは、上面1aの平面方向に互いに所定距離、離間するように配置される。半導体モジュール1は、積層方向における下面1b側に下側放熱板6B及び下側放熱板7Bを有している。下側放熱板6B及び下側放熱板7Bは、出力側放熱板を構成しており、当該出力側放熱板が同一面下面1bに配置される構造となる。下側放熱板6Bと下側放熱板7Bとは、下面1bの平面方向に互いに所定距離、離間するように配置される。上側放熱板6Aと下側放熱板7Bとは、積層方向に重ね合わせられており、互いに対向する位置に配置されている。上側放熱板6A及び下側放熱板7Bは、互いに対向する対向面6Aa及び対向面7Baをそれぞれ有している。上側放熱板7Aと下側放熱板6Bとは、積層方向に重ね合わせられており、互いに対向する位置に配置されている。上側放熱板7A及び下側放熱板6Bは、互いに対向する対向面7Aa及び対向面6Baをそれぞれ有している。また、下側放熱板6Bと下側放熱板7Bとは、接続部品8によって接続されている。この接続部品8は、下側放熱板6Bと下側放熱板7Bとの間で水平方向積層方向と直交する方向に延びている。上側放熱板6Aの対向面6Aaには、上側半導体素子3Aが積層されている。上側半導体素子3Aは、下方の下側放熱板7Bと対向する対向面3Aaを有している。当該対向面3Aaと下側放熱板7Bの対向面7Baとの間にスペーサ9が配置される。下側放熱板6Bの対向面6Baには、下側半導体素子3Bが積層されている。下側半導体素子3Bは、上方の上側放熱板7Aと対向する対向面3Baを有している。当該対向面3Baと上側放熱板7Aの対向面7Aaとの間にスペーサ11が配置される。半導体モジュール1の内部樹脂モールド12の内部における中央部付近に、上側ゲートドライブ回路基板2Aと、下側ゲートドライブ回路基板2Bとが配置されている。上側ゲートドライブ回路基板2A及び下側ゲートドライブ回路基板2Bは、水平方向においては、上側放熱板6Aと上側放熱板7Aとの間すなわち下側放熱板6Bと下側放熱板7Bとの間に配置され、積層方向においては、上側放熱板6A及び上側放熱板7Aと下側放熱板6B及び下側放熱板7Bとの間に配置されている。上側ゲートドライブ回路基板2Aと下側ゲートドライブ回路基板2Bは、積層方向に重なり合うように、互いに対向する位置に配置されている。上側ゲートドライブ回路基板2Aと下側ゲートドライブ回路基板2Bとは同形状同サイズに形成され、積層方向から見たときに、完全に重なり合うことが好ましい。上側ゲートドライブ回路基板2Aと下側ゲートドライブ回路基板2Bは、互いに離間するように配置されている。上側ゲートドライブ回路基板2Aは、下側ゲートドライブ回路基板2Bと対向する対向面2Aaを有している。下側ゲートドライブ回路基板2Bは、ゲートドライブ回路基板2Aと対向する対向面2Baを有している。上側ワイヤ4Aは、上側ゲートドライブ回路基板2Aと上側半導体素子3Aとを接続している。上側ワイヤ4Aは、上側ゲートドライブ回路基板2Aの対向面2Aaに接続されると共に、上側半導体素子3Aの対向面3Aaに接続される。対向面2Aaと対向面3Aaは同じ方向を向く面であり、いずれも下方を向いている。下側ワイヤ4Bは、下側ゲートドライブ回路基板2Bと下側半導体素子3Bとを接続している。下側ワイヤ4Bは、下側ゲートドライブ回路基板2Bの対向面2Baに接続されると共に、下側半導体素子3Bの対向面3Baに接続される。対向面2Baと対向面3Baは同じ方向を向く面であり、いずれも上方を向いている。樹脂モールド12は、半導体モジュール1の各部品全体を覆うように形成されている。すなわち、上側ゲートドライブ回路基板2A、下側ゲートドライブ回路基板2B、上側半導体素子3A、下側半導体素子3B、上側ワイヤ4A、下側ワイヤ4B、上側放熱板6A7A、下側放熱板6B7B、接続部品8、スペーサ911は、樹脂モールド12の内部に配置される構成となる。ただし、放熱板6A7A6B7Bの外面は外部に露出している。次に、図2及び図3を参照して本実施形態の半導体モジュール1の製造方法について説明する。本実施形態の半導体モジュール1の製造方法では、上側半導体素子3A及び上側ゲートドライブ回路基板2Aを含む上側アームと、下側半導体素子3B及び下側ゲートドライブ回路基板2Bを含む下側アームとを、それぞれ別々に作成し、後で重ね合わせて樹脂モールドで固定することによって、半導体モジュール1が形成される。まず、上側アームの製造工程について図2a~cを用いて説明する。図2aに示すように、上側放熱板6A、ハンダS、上側半導体素子3A、ハンダS、スペーサ9の順番で下から積層し、一括で実装する工程が実行される。次に、図2bに示すように、ハンダ実装した上側放熱板6Aと、上側放熱板7Aとを樹脂フレーム20Aに取り付ける工程を実行する。更に、樹脂フレーム20Aの上面に上側ゲートドライブ回路基板2Aを接着固定する工程を実行する。次に、図2cに示すように、上側半導体素子3Aと上側ゲートドライブ回路基板2Aとを上側ワイヤ4Aを介して電気的に接続する工程が実行される。当該工程では、上側ワイヤ4Aを、上側半導体素子3Aの対向面3Aa、上側ゲートドライブ回路基板2Aの対向面2Aaの順で接続する。下側アームの製造工程について図2d及び図3abを用いて説明する。図2dに示すように、下側放熱板6B、ハンダS、下側半導体素子3B、ハンダS、スペーサ11の順番で下から積層し、一括で実装する工程が実行される。また、下側放熱板6Bと下側放熱板7Bとを接続部品8で接続する。次に、図3aに示すように、ハンダ実装した下側放熱板6Bと、下側放熱板7Bとを樹脂フレーム20Bに取り付ける工程が実行される。更に、樹脂フレーム20Bの上面に下側ゲートドライブ回路基板2Bを接着固定する工程を実行する。次に、図3bに示すように、下側半導体素子3Bと下側ゲートドライブ回路基板2Bとを下側ワイヤ4Bを介して電気的に接続する工程が実行される。当該工程では、下側ワイヤ4Bを、下側半導体素子3Bの対向面3Ba、下側ゲートドライブ回路基板2Bの対向面2Baの順で接続する。上側アームと下側アームを重ね合わせる工程について図3cを用いて説明し、樹脂モールド12で固定する工程について図3dを用いて説明する。図3cに示すように、上側アーム全体を逆さまにし上側半導体素子3Aや上側ゲートドライブ回路基板2Aが下方を向くように、上側アームの各部品と下側アームの各部品とが対向するように重ね合わせ、ハンダ実装する工程が実行される。下側放熱板7Bとスペーサ9との間にはハンダSが配置され、上側放熱板7Aとスペーサ11との間にはハンダSが配置され、これによってハンダ実装がなされる。次に、図3dに示すように、上側アーム及び下側アーム全体を樹脂モールド12で固定する工程が実行される。以上によって、半導体モジュール1が完成する。次に、本実施形態に係る半導体モジュール1の作用効果について説明する。まず、図4及び図5を参照して、半導体モジュールの比較例について説明する。図4aに示す比較例に係る半導体装置は、半導体モジュールPMを平置きにし、当該半導体モジュールと制御回路基板Cとが上下に重なるように配置することで構成されている。このような構造に対し、図4bに示す比較例のように、半導体モジュールPMを積層構造とすることにより小型化を図っているが、一方、制御回路基板Cは半導体モジュールPMの小型化に追いついていない。そこで、図5に示す比較例では、ゲートドライブ回路基板を半導体モジュールの内部に配置することによって、制御回路基板Cを小型化している。しかしながら、ゲートドライブ回路基板を半導体モジュールの内部に配置した構成においては、以下のような問題がある。例えば、図5aに示す比較例に係る半導体モジュール100は、内部に一枚のゲートドライブ回路基板2を備えており、出力側放熱板2枚を同一面に配置すべく、下側放熱板6B7Bを出力側放熱板とし、互いに接続部品8で接続している。しかしながら、このような構成にあっては、上側半導体素子3Aと下側半導体素子3Bの位置関係から、上側ワイヤ4Aはゲートドライブ回路基板2の下面2bに接続しなくてはならず、下側ワイヤ4Bはゲートドライブ回路基板2の上面2aに接続しなくてはならない。このようにゲートドライブ回路基板2のワイヤ接合面が互いに逆さになる場合、製造時のワイヤの接続が困難となる。一方、図5bに示す比較例に係る半導体モジュール200は、一方の放熱板の出力側と入力側を逆にすることで、ゲートドライブ回路基板2へのワイヤ接続面を同一としたものである。具体的には、両方のワイヤ接続面を上面2aで同一とすることができる。しかしながら、このような構成にあっては、出力側放熱板同士を接続する接続部品8が、ゲートドライブ回路基板2と斜め方向に交差するような構造となってしまうという問題がある。また、図5a及び図5bに共通する問題として、ゲートドライブ回路基板2を内蔵することによって、半導体モジュール100200が幅方向に大きくなってしまうことが挙げられる。一方、本実施形態に係る半導体モジュール1によれば、ゲートドライブ回路基板は、上側ゲートドライブ回路基板2Aと、下側ゲートドライブ回路基板2Bとに分けられている。更には、上側ゲートドライブ回路基板2Aと、下側ゲートドライブ回路基板2Bとは、積層方向において重ね合わせられている。前述のように、大きなゲートドライブ回路基板を半導体モジュールに設けた場合は、当該半導体モジュールの幅が大きくなってしまうが、ゲートドライブ回路基板2A,2Bを重ね合わせ構造とすることによって、ゲートドライブ回路基板2A,2Bが幅方向に占める範囲を小さくすることができる例えば、図4cを参照ため、半導体モジュール1の小型化を図ることができる。また、上側半導体素子3Aは、上側ゲートドライブ回路基板2Aと電気的に接続され、下側半導体素子3Bは、下側ゲートドライブ回路基板2Bと電気的に接続されている。すなわち、各半導体素子3A,3Bが接続されるゲートドライブ回路基板2A,2Bが分けられているため、一方の半導体素子3A及びゲートドライブ回路基板2Aを、他方の半導体素子3B及びゲートドライブ回路基板2Bとは独立して接続を行うことができ、組み立て易くなる。また、図5bのようにゲートドライブ回路基板2のワイヤ接合面を同一面とすることで、接続部品8がゲートドライブ回路基板2と交差してしまうような無理な構成となることも防止できる。以上によって、製造時の組み立て性を向上させると共に、小型化を図ることができる。また、本実施形態に係る半導体モジュール1では、上側ゲートドライブ回路基板2Aは、下側ゲートドライブ回路基板2Bと対向する対向面2Aaを有し、下側ゲートドライブ回路基板2Bは、上側ゲートドライブ回路基板2Aと対向する対向面2Baを有している。また、上側半導体素子3Aは、上側ゲートドライブ回路基板2Aの対向面2Aaと、上側ワイヤ4Aを介して接続され、下側半導体素子3Bは、下側ゲートドライブ回路基板2Bの対向面2Baと、下側ワイヤ4Bを介して接続されている。これにより、半導体素子3A,3Bとゲートドライブ回路基板2A,2Bとのワイヤ接続時においては、ゲートドライブ回路基板2A,2Bの対向面2Aa,2Ba側からワイヤ接続を行い、ワイヤ接続の後に各対向面2Aa,2Baが対向するように、上側ゲートドライブ回路基板2Aと下側ゲートドライブ回路基板2Bとを重ね合わせることで、半導体モジュール1の組み立てが可能となる。これによって、製造時の組み立て性を向上させることができる。また、本実施形態に係る半導体モジュール1では、出力側放熱板して機能する下側放熱板6B,7Bは、半導体モジュール1の外面のうち、同一面ここでは下面1b側に配置されている。これにより、互いの出力側放熱板を接続する接続部品8がゲートドライブ回路基板と斜め方向に交差することを防止できる。本実施形態に係る半導体モジュール1の製造方法によれば、ゲートドライブ回路基板は、上側ゲートドライブ回路基板2Aと、下側ゲートドライブ回路基板2Bとに分けられている。更には、図cに示す工程で、上側ゲートドライブ回路基板2Aと、下側ゲートドライブ回路基板2Bとを、積層方向において重ね合わせている。前述のように、大きなゲートドライブ回路基板を半導体モジュールに設けた場合は、当該半導体モジュールの幅が大きくなってしまうが、ゲートドライブ回路基板2A,2Bを重ね合わせ構造とすることによって、ゲートドライブ回路基板2A,2Bが幅方向に占める範囲を小さくすることができるため、半導体モジュール1の小型化を図ることができる。また、図2cに示す工程では、上側半導体素子3A及び上側ゲートドライブ回路基板2Aを、下側半導体素子3B及び下側ゲートドライブ回路基板2Bとは独立して接続を行うことができ、図3bに示す工程では、下側半導体素子3B及び下側ゲートドライブ回路基板2Bを、上側半導体素子3A及び上側ゲートドライブ回路基板2Aとは独立して接続を行うことができ、組み立て易くなる。以上によって、製造時の組み立て性を向上させると共に、小型化を図ることができる。本発明は上述の実施形態に限定されない。例えば、各部品の厚みやサイズや位置関係等は、本発明の趣旨を脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、図1に示すものから上下を逆にしてもよい。また、各ゲートドライブ回路基板が、積層方向から見て完全に一致するように重ね合わせられていなくともよく、半導体モジュールが大きくならない範囲で互いにずれていてもよい。"