"処理容器内にて回転テーブルの一面側の載置領域に載置された基板を回転テーブルの回転により公転させることにより複数の処理領域を順次通過させ、基板にガス処理を行う基板処理装置において、前記複数の処理領域に反応ガスを夫々供給するための複数の反応ガス供給手段と、前記複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するために前記回転方向においてこれら処理領域の間に位置する分離領域と、前記処理容器内を排気するための排気口と、前記載置領域の他面側を熱輻射により加熱することにより前記基板を加熱する加熱部と、を備え、前記回転テーブルは、前記載置領域に相当する部位であって、当該回転テーブルの一面側から他面側までを形成する基板載置部と、この基板載置部以外の部位であるテーブル本体と、から構成され、前記基板載置部はテーブル本体よりも熱容量の小さい材質により構成されていることを特徴とする基板処理装置。前記基板載置部はテーブル本体に対して着脱自在に構成されていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。前記回転テーブルの他面は凹部を備え、前記凹部の底面は前記基板載置部により構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の基板処理装置。前記基板載置部には回転テーブルの一面側から他面側に向かって多数の孔が設けられていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の基板処理装置。前記多数の孔は、基板載置部に基板を受け渡すために昇降するピンが通過するための貫通孔と、前記ピンが通過せず、基板載置部の熱容量を抑えるために設けられた貫通孔とにより構成されることを特徴とする請求項4記載の基板処理装置。回転テーブルの一面側には基板がその内部に載置される基板載置用の凹部が設けられ、前記凹部の底面は前記基板載置部により構成されることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の基板処理装置。前記テーブル本体は石英により構成され、前記基板載置部は窒化アルミニウム、炭化シリコンまたはカーボンにより構成されることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一つに記載の基板処理装置。処理容器内にて回転テーブルの一面側の載置領域に載置された基板を回転テーブルの回転により公転させることにより、当該回転テーブル上の基板に複数種類の反応ガスを順番に供給し、反応生成物の層を積層して薄膜を形成する成膜装置において、前記複数の処理領域に反応ガスを夫々供給するための複数の反応ガス供給手段と、前記複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するために前記回転方向においてこれら処理領域の間に位置する分離領域と、前記処理容器内を排気するための排気口と、前記載置領域の他面側を熱輻射により加熱することにより前記基板を加熱する加熱部と、を備え、前記回転テーブルは、前記載置領域に相当する部位であって、当該回転テーブルの一面側から他面側までを形成する基板載置部と、この基板載置部以外の部位であるテーブル本体と、から構成され、前記基板載置部はテーブル本体よりも熱容量の小さい材質により構成されていることを特徴とする成膜装置。本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は回転テーブルに載置した基板を速やかに昇温させることができる技術を提供することである。本発明の基板処理装置は、処理容器内にて回転テーブルの一面側の載置領域に載置された基板を回転テーブルの回転により公転させることにより複数の処理領域を順次通過させ、基板にガス処理を行う基板処理装置において、前記複数の処理領域に反応ガスを夫々供給するための複数の反応ガス供給手段と、前記複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するために前記回転方向においてこれら処理領域の間に位置する分離領域と、前記処理容器内を排気するための排気口と、前記載置領域の他面側を熱輻射により加熱することにより前記基板を加熱する加熱部と、を備え、前記回転テーブルは、前記載置領域に相当する部位であって、当該回転テーブルの一面側から他面側までを形成する基板載置部と、この基板載置部以外の部位であるテーブル本体と、から構成され、前記基板載置部はテーブル本体よりも熱容量の小さい材質により構成されていることを特徴とする。本発明の具体的態様としては、例えば以下の通りである。1前記基板載置部はテーブル本体に対して着脱自在に構成されている。2前記回転テーブルの他面は凹部を備え、前記凹部の底面は前記基板載置部により構成されている。3前記基板載置部には回転テーブルの一面側から他面側に向かって多数の孔が設けられている。4前記多数の孔は、基板載置部に基板を受け渡すために昇降するピンが通過するための貫通孔と、前記ピンが通過せず、基板載置部の熱容量を抑えるために設けられた貫通孔とにより構成される。5回転テーブルの一面側には基板がその内部に載置される基板載置用の凹部が設けられ、前記凹部の底面は前記基板載置部により構成される。6前記テーブル本体は石英により構成され、前記基板載置部は窒化アルミニウム、炭化シリコンまたはカーボンにより構成される。また、本発明の成膜装置は、処理容器内にて回転テーブルの一面側の載置領域に載置された基板を回転テーブルの回転により公転させることにより、当該回転テーブル上の基板に複数種類の反応ガスを順番に供給し、反応生成物の層を積層して薄膜を形成する成膜装置において、前記複数の処理領域に反応ガスを夫々供給するための複数の反応ガス供給手段と、前記複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するために前記回転方向においてこれら処理領域の間に位置する分離領域と、前記処理容器内を排気するための排気口と、前記載置領域の他面側を熱輻射により加熱することにより前記基板を加熱する加熱部と、を備え、前記回転テーブルは、前記載置領域に相当する部位であって、当該回転テーブルの一面側から他面側までを形成する基板載置部と、この基板載置部以外の部位であるテーブル本体と、から構成され、前記基板載置部はテーブル本体よりも熱容量の小さい材質により構成されていることを特徴とする。本発明によれば、回転テーブルを、当該回転テーブルの一面側から他面側までを形成する基板載置部と、この基板載置部以外の部位を形成するテーブル本体とにより構成し、基板載置部はテーブル本体よりも熱容量が小さい。従って、基板載置部に載置された基板を速やかに昇温させることができるので、装置のスループットの低下を抑えることができる。本発明の実施形態である成膜装置1について説明する。この成膜装置1は、基板である半導体ウエハWにALDAtomicLayerDeposition及びMLDMolecularLayerDepositionを行う。図1、図2、図3は夫々成膜装置1の縦断側面図、概略斜視図、横断平面図である。成膜装置1は、概ね円形状の扁平な真空容器処理容器11と、真空容器11内に水平に設けられた円形の回転テーブル2と、を備えている。真空容器11は大気雰囲気に設けられ、天板12と、真空容器11の側壁及び底部をなす容器本体13とにより構成されている。図1中11aは、真空容器11内を気密に保つためのシール部材であり、13aは容器本体13の中央部を塞ぐカバーである。回転テーブル2は回転駆動機構14に接続され、回転駆動機構14によりその中心軸周りに周方向に回転する。回転テーブル2の表面側一面側には、前記回転方向に沿って5つの凹部21が形成されており、この凹部21に基板であるウエハWが載置され、回転テーブル2の回転により凹部21の基板が前記中心軸周りに公転する。図中15はウエハWの搬送口である。図3中16は搬送口15を開閉自在なシャッタである図2では省略している。回転テーブル2については後により詳しく説明する。回転テーブル2上には、当該回転テーブル2の外周から中心へ向かって伸びる棒状の第1の反応ガスノズル31、分離ガスノズル32、第2の反応ガスノズル33及び分離ガスノズル34が、この順で周方向に配設されている。これらのガスノズル31~34は下方に開口部を備え、回転テーブル2の径に沿って夫々ガスを供給する。成膜処理時には第1の反応ガスノズル31はBTBASビスターシャルブチルアミノシランガスを、第2の反応ガスノズル33はO3オゾンガスを夫々吐出する。また、成膜装置1では、ウエハWに対して成膜処理を行う他に、各反応ガスから生成して、回転テーブル2表面及び真空容器11の内壁に堆積した堆積物を除去するクリーニング処理を行う。このクリーニング処理時には、反応ガスノズル31,33からはBTBASガス、O3ガスの代わりに例えば塩素を含んだクリーニングガスが供給される。分離ガスノズル32、34はN2窒素ガスを吐出する。真空容器11の天板12は、下方に突出する扇状の2つの突状部35を備え、突状部35は周方向に間隔をおいて形成されている。前記分離ガスノズル32、34は、夫々突状部35にめり込むと共に、当該突状部35を周方向に分割するように設けられている。前記第1の反応ガスノズル31及び第2の反応ガスノズル33は、各突状部35から離れて設けられている。第1の反応ガスノズル31の下方のガス供給領域を第1の処理領域P1、第2の反応ガスノズル33の下方のガス供給領域を第2の処理領域P2とする。突状部35、35の下方は分離領域D、Dとして構成されている。成膜処理時に分離ガスノズル32、34から前記分離領域Dに供給されたN2ガスが、当該分離領域Dを周方向に広がり、回転テーブル2上でBTBASガスとO3ガスとが混合されることを防ぎ、排気口36,36へと押し流す。これら排気口36は、真空容器11の底面において処理領域P1、P2と、回転テーブル2の回転方向に見て当該処理領域P1、P2に隣り合う分離領域Dとの間から、回転テーブル2の径方向外側へ向かった位置に開口している。また、この成膜処理時には、回転テーブル2の中心部領域38にN2ガスが供給される。天板12において、リング状に下方に突出した突状部39の下方を介して、このN2ガスが回転テーブル2の径方向外側に供給され、前記中心部領域でのBTBASガスとO3ガスとの混合が防がれる。また、図示は省略しているが、カバー13a内及び回転テーブル2の裏面側にもN2ガスが供給され、反応ガスがパージされるようになっている。真空容器11の底部、即ち回転テーブル2の下方には回転テーブル2から離れた位置に加熱部であるヒータ41が設けられている。ヒータ41の回転テーブル2への輻射熱により回転テーブル2が昇温し、凹部21に載置されたウエハWが加熱される。図中42はヒータ41表面に成膜されることを防ぐためのシールドである。続いて、回転テーブル2について図4~図6も参照しながらより詳しく説明する。図4は回転テーブル2の縦断側面図、図5は回転テーブル2の表面側分解斜視図、図6は回転テーブル2の裏面側斜視図である。回転テーブル2は、回転テーブル2の外形を構成するテーブル本体22と、ウエハ載置板23とにより構成される。ウエハ載置板23はウエハWの載置領域を構成し、回転テーブル2においてこのウエハWの載置領域の外側がテーブル本体22により構成されている。テーブル本体22は石英により構成されており、背景技術の項目でも説明したように上記のクリーニングガスに対して高い耐腐食性を有するように構成されている。テーブル本体22は回転方向に5つの円形の貫通孔24を備えており、貫通孔24の下部側の側壁は貫通孔24の内側に向かって突出してリング状の保持部25を形成している。この保持部25に前記ウエハ載置板23の周縁部が保持されることにより既述の凹部21が形成される。ウエハ載置板23は、ウエハWの載置領域において回転テーブル2の裏面側から表面側までを形成し、前記ヒータ41の輻射熱により加熱されたときに速やかに載置されたウエハWの温度を上昇させるために、その熱容量がテーブル本体22の熱容量よりも小さく構成されている。即ち、テーブル本体22の熱伝導性よりもウエハ載置板23の熱伝導性が大きい。具体的には、ウエハ載置板23は例えばAlN窒化アルミニウム、SiC炭化シリコンまたはカーボンなどの材質により構成される。ウエハ載置板23は前記貫通孔24の形状に対応して円形に構成され、テーブル本体22に対して着脱自在に構成される。ウエハ載置板23はその表裏方向に貫通孔26を備えている。この貫通孔26はウエハ載置板23に多数分散配置されており、当該ウエハ載置板23の熱容量を抑える役割を有している。また、ウエハ載置板23には、3つのピン挿通用貫通孔27が形成されており、その径は貫通孔26の径よりも大きく形成される。ピン挿通用貫通孔27は回転テーブル2の下方に設けられる図示しない昇降ピンを通過させる役割を有し、前記昇降ピンにより回転テーブル2と図3に示すウエハ搬送機構3Aとの間でウエハWの受け渡しが行われる。また、ウエハ載置板23と保持部25の内周壁とにより裏面側凹部28が形成されている。このように裏面側凹部28が形成されるようにウエハ載置板23を構成する、つまり、ウエハ載置板23の厚さを小さくすることで、ウエハ載置板23の熱容量をより小さくし、より速やかにウエハWが昇温されるようにしている。続いて、この成膜装置1の作用について説明する。搬送口15からウエハ搬送機構3AがウエハWを保持した状態で真空容器11内に進入し、搬送口15に臨む位置における凹部21のピン挿通用貫通孔27から回転テーブル2上に不図示の昇降ピンが突出してウエハWを突き上げ、凹部21とウエハ搬送機構3Aとの間でウエハWが受け渡される。各凹部内21にウエハWが載置されると、排気口36、36に夫々接続された真空ポンプにより排気が行われて真空容器11内が排気され、真空容器11内が所定の圧力の真空雰囲気になる。そして、回転テーブル2が回転すると共にヒータ41が昇温する。ヒータ41からの回転テーブル2への輻射熱が増大し、回転テーブル2のウエハ載置板23はテーブル本体22よりも速やかに目標温度例えば350°Cに昇温する。ウエハ載置板23からの伝熱によりウエハWも350°Cに加熱され、ヒータ41の出力が所定の値に維持される。続いて、各ガスノズル31~34からガスが供給され、ウエハWは第1の反応ガスノズル31の下方の第1の処理領域P1と第2の反応ガスノズル33の下方の第2の処理領域P2とを交互に通過し、ウエハWにBTBASガスが吸着し、次いでO3ガスが吸着してBTBAS分子が酸化されて酸化シリコンの分子層が1層あるいは複数層形成される。こうして酸化シリコンの分子層が順次積層されて所定の膜厚のシリコン酸化膜が成膜される。図7では矢印で真空容器11内のガスの流れを示している。また、図中43の矢印は回転テーブル2の回転方向を示している。分離ガスノズル32、34から前記分離領域Dに供給されたN2ガスが、当該分離領域Dを周方向に広がり、回転テーブル2上でBTBASガスとO3ガスとが混合されることを防ぐ。また、この成膜処理時には、回転テーブル2の中心部領域38上の空間にN2ガスが供給される。天板12において、リング状に下方に突出した突状部39の下方を介して、このN2ガスが回転テーブル2の径方向外側に供給され、前記中心部領域38でのBTBASガスとO3ガスとの混合が防がれる。また、図示は省略しているが、カバー13a内及び回転テーブル2の裏面側にもN2ガスが供給され、反応ガスがパージされるようになっている。所定の回数、回転テーブル2が回転して所定の膜厚のシリコン酸化膜が形成されると、各ガスの供給が停止し、ヒータ41の出力が低下し、ウエハWの温度が350°Cから低下する。そして、昇降ピンが凹部21内のウエハWを突き上げ、前記ウエハ搬送機構3Aが突き上げられたウエハWを受け取り、真空容器11の外に搬出する。例えば所定の回数成膜処理を行うと、第1の反応ガスノズル、第2の反応ガスノズルからBTBASガスまたはO3ガスの代わりにクリーニングガスが供給される。このクリーニング処理はこのようにガスが異なること、回転テーブル2にウエハWが保持されていないことを除き、成膜処理時と同様に行われる。クリーニングガスにより、既述のように真空容器11の内壁及び回転テーブル2の堆積物がエッチングされて除去される。既述のように回転テーブル2のテーブル本体22は、高い耐食性を有しているためこの処理による劣化が抑えられる。ユーザは例えば所定の回数クリーニング処理を行うと、ウエハ載置板23を新規なウエハ載置板23に交換する。この成膜装置1によれば、テーブル本体22を石英により構成して高い耐腐食性を得る一方で、ウエハ載置板23を前記石英よりも熱容量が低いAlN、SiCまたはカーボンにより構成しているため、ウエハWの加熱時に当該ウエハWの温度を速やかに上昇させることができる。従って成膜装置1のスループットの低下を抑えることができる。また、ウエハ載置板23はテーブル本体22に対して着脱自在であるため、前記クリーニング処理によりダメージを受けたときに交換することができる。従って装置1のメンテナンスを容易に行うことができる。ウエハ載置板23の形状としては既述の例に限られず、例えば図8に示すように構成してもよい。このウエハ載置板44は、その周縁部が上方へ向けて突出することにより、凹部21の底面部の他に凹部21の側壁も構成している。また、回転テーブルとしては円形状に限らない。図9は回転テーブルの一例を示したものであり、テーブル本体を十字板45により構成し、十字板の各先端にウエハ載置板23が設けられている。ウエハ載置板23の表面には、十字板45の回転によるウエハWの飛び出しを防止するピン46が設けられている。ところで、テーブル本体に対してウエハ載置板が着脱自在に構成されるとは、テーブル本体にウエハ載置板が置かれている場合、テーブル本体及びウエハ載置板の一方に凸部、他方に凹部を設け、これら凸部及び凹部が嵌合している場合、テーブル本体及びウエハ載置板が互いに係合している場合及びネジなどの止着部材により互いに固定されている場合が含まれる。また、上記の例では第1及び第2の処理領域で夫々異なる成膜用のガスを供給する成膜装置の例を示しているが、一方の処理領域では反応ガスをウエハWに供給してウエハWに成膜を行い、他方の処理領域では不活性ガスを供給して、ウエハWに形成された膜のアニール処理を行ってもよい。また、一方の処理領域でそのように成膜を行い、他方の処理領域では酸化用ガスを供給すると共にその酸化用ガスをプラズマ化して膜の酸化を行ってもよい。また、各処理領域でウエハWにガスを供給することにより、ウエハWに形成された膜のエッチング処理を行ってもよい。その他に、第1の処理領域、第2の処理領域で互いに種類が同じで濃度が異なるガスを供給してウエハWにエッチングや成膜処理を行ってもよい。さらに、回転テーブル2上で処理を行う処理領域を3箇所以上設けてもよい。"