銅配線と、前記銅配線上の層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成されたアルミニウム配線と、前記層間絶縁膜中に前記銅配線と前記アルミニウム配線とを電気的に接続するプラグと、を備える半導体装置であって、前記プラグは銅とアルミニウムの合金からなり、前記銅配線と前記プラグの接触界面にはバリアメタルが存在しないことを特徴とする半導体装置。前記プラグと前記アルミニウム配線との接触界面にバリアメタルが存在する請求項1に記載の半導体装置。前記銅配線は、半導体基板上に形成された半導体素子を含むフロントエンド構造上に配置された少なくとも1層の銅配線層の最上部に配置される請求項1又は2に記載の半導体装置。前記アルミニウム配線は、半導体装置の最上層の配線である請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。銅配線上に層間絶縁膜を形成する工程、前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程、前記層間絶縁膜上に第1のアルミニウム膜を成膜し、前記コンタクトホールを埋設する工程、熱処理により前記コンタクトホール内の第1のアルミニウム膜に銅を拡散させ、合金層を形成する工程、前記層間絶縁膜上の未反応の第1のアルミニウム膜を除去する工程、前記層間絶縁膜上にバリアメタルおよび第2のアルミニウム膜を形成する工程、前記バリアメタルおよび第2のアルミニウム膜をパターニングしてアルミニウム配線を形成する工程、とを有する半導体装置の製造方法。前記熱処理は、前記第1のアルミニウム膜を熱リフローする処理である請求項5に記載の半導体装置の製造方法。前記合金層の上面と前記層間絶縁膜上面との段差を前記バリアメタルの膜厚以下とする請求項5また6に記載の半導体装置の製造方法。前記第1のアルミニウム膜の膜厚および熱処理条件を調整することで、前記段差を制御する請求項7に記載の半導体装置の製造方法。前記第1のアルミニウム膜の膜厚を300~700nmとする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。リフロー工程では、例えば400°C以上の高温に曝されるため、コンタクトホール底のバリアメタルが薄くなっている箇所では、しばしば下層配線の銅と最上層配線のコンタクトプラグのアルミニウムとが相互拡散し、合金化反応を生じることがある。ここでの合金化反応はバリアメタルのステップカバレッジ等により不均一に発生し、コンタクトの電気抵抗値が大きくばらつくという問題があった。本発明では、コンタクトプラグとしてバリアメタルを形成せずに積極的に銅とアルミニウムの合金化した合金プラグを形成し、別途アルミニウム配線を形成することでコンタクト抵抗値のばらつきを抑制する。すなわち、本発明の一実施形態によれば、銅配線と、前記銅配線上の層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成されたアルミニウム配線と、前記層間絶縁膜中に前記銅配線と前記アルミニウム配線とを電気的に接続するプラグと、を備える半導体装置であって、前記プラグは銅とアルミニウムの合金からなり、前記銅配線と前記プラグの接触界面にはバリアメタルが存在しないことを特徴とする半導体装置、が提供される。また、本発明の別の実施形態によれば、銅配線上に層間絶縁膜を形成する工程、前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程、前記層間絶縁膜上に第1のアルミニウム膜を成膜し、前記コンタクトホールを埋設する工程、熱処理により前記コンタクトホール内の第1のアルミニウム膜に銅を拡散させ、合金層を形成する工程、前記層間絶縁膜上の未反応の第1のアルミニウム膜を除去する工程、前記層間絶縁膜上にバリアメタルおよび第2のアルミニウム膜を形成する工程、前記バリアメタルおよび第2のアルミニウム膜をパターニングしてアルミニウム配線を形成する工程、とを有する半導体装置の製造方法、が提供される。本発明によれば、銅配線とアルミニウム配線間のコンタクト抵抗値のばらつきを低減することができる。以下、図面を参照して本発明の好ましい実施形態例を説明するが、本発明はこの実施形態例のみに限定されるものではない。まず、図1に示すように、従来技術と同様、シリコン基板上にトランジスタ等の素子を少なくとも1つ以上形成し、その上を第1層間絶縁膜で覆うことでフロントエンド構造FEOL1を形成する。FEOL1の第1層間絶縁膜にコンタクトホールを開口し、TiやW等の導電材をCVD法やスパッタ法により埋設することでプラグ2を形成する。さらにFEOL1の第1層間絶縁膜上には第1配線層の第2層間絶縁膜として窒化シリコン膜3や酸化シリコン膜4を成膜し、配線溝を形成した後、ダマシン法で第1配線5として銅配線を形成する。なお、銅の絶縁膜中への拡散を防止するため、通常バリアメタル図示せずが設けられる。さらに第1配線5上に、拡散防止絶縁膜6として、例えば窒化シリコン膜が形成される。続いて、第3層間絶縁膜7を形成した後、第2配線8と同時に第1配線への接続のためのコンタクトをデュアルダマシン法で形成する。第2配線8は、第1配線5と同様、バリアメタルと銅膜をコンタクトホール及び配線溝に埋め込み、形成された第2配線8上に拡散防止絶縁膜9を形成する。なお、図1ではFEOLとしてキャパシタの形成されるメモリセル領域とメモリセルを制御する回路を構成する周辺回路領域とを示しているが、これに限定されず、銅配線上にアルミニウム配線を形成するいずれの半導体装置にも適用できる。また、プラグ2は周辺回路領域にのみ形成されているが、メモリセル領域のキャパシタ上部電極に接続するプラグ等であっても良い。また、銅配線層として2層の配線層を形成する例を示しているが、これに限定されず、所望の層数に形成することができる。次に、図2に示すように、拡散防止膜9上に第4層間絶縁膜10を成膜し、第2配線8に接続するコンタクトホール11を形成する。続いて、スパッタ法により第1のアルミニウム膜12を成膜し、コンタクトホール11にアルミニウムを埋設する。従来はバリアメタルを形成してからアルミニウム膜を配線厚みにまで形成しているが、本発明ではバリアメタルは形成せず、また、第1のアルミニウム膜12の膜厚は、コンタクト外まで合金化反応が進行するのを防ぐために適切に調整される。第1のアルミニウム膜12の膜厚は、コンタクトの設計高さにもよるが、概ね300~700nm程度が好ましい。なお、図2以降の製造工程を説明する工程断面図ではFEOL1部分を省略している。また、第4層間絶縁膜10として酸化シリコン膜を使用する場合、コンタクトホール11の側壁に拡散防止膜として窒化シリコンからなるサイドウォールを形成してから第1のアルミニウム膜12を形成しても良い。続いて、埋設した第1のアルミニウム膜12を熱リフローすることで、コンタクトホール11内へのアルミニウムの充填を確実に行う。この時の熱負荷により下層の第2配線中の銅とアルミニウムとの合金化反応が進行し、コンタクトホール11中に銅とアルミニウムの合金層13が形成される。合金層13は第2配線と後述するアルミニウムの上層配線とのコンタクトプラグとなる図3。次に、図4に示すように、合金化反応後、未反応の第1のアルミニウム膜12をウェットエッチングにより除去することで、コンタクト部のみに合金層13を残すことができる。エッチャントとしては、例えば希塩酸や希硫酸が使用可能である。合金層13が第4層間絶縁膜10上に突出又は第4層間絶縁膜10上面から後退して段差が形成されることがあるが、アルミニウム膜12の膜厚と高温リフロー処理の熱処理時間を調整することで、合金層13の上面と第4層間絶縁膜10上面との段差を制御することができる。形成される段差は、極力小さいことが好ましく、次工程で形成するバリアメタル14の膜厚以下であることがより好ましい。このように段差が低減された第4層間絶縁膜10上に、スパッタ法によりバリアメタル14を形成し、続いて第2のアルミニウム膜15、第2のアルミニウム膜表面を保護する保護膜16を形成する。保護膜16としては、バリアメタル14と同種又は異種の金属材料や窒化シリコン膜など酸素を含まない絶縁膜などが使用できる。なお、保護膜16は必須ではなく、省略することができる図5。その後、公知の方法によりパターニングしてアルミニウム配線17とする。アルミニウム配線17は保護絶縁膜18で保護される図6。アルミニウム配線17の一部は、ボンディングパッドに形成される。以上により、図7に示す本実施形態例に係る半導体装置が完成する。その後、表面に平坦化膜を形成し、ボンディングパッド部を開口する。また、開口部にバンプ電極などの外部接続端子を形成することもできる。本発明では、銅配線とアルミニウム配線とを接続するコンタクトプラグとして、バリアメタルを設けずに、積極的に銅とアルミニウムとの合金化したプラグを使用する。これにより、コンタクト抵抗の面内ばらつきを低減することができる。また、段差の低減された第4層間絶縁膜10上にアルミニウム配線を形成するため、第2のアルミニウム膜15に対してはリフロー処理が不要となり、配線抵抗の面内均一性が図れる。