"A少なくとも1種の水酸化第4級アンモニウム及びB以下のb1一般式I:R1-SO3-nXnIの水溶性のスルホン酸、及びその水溶性の塩、b2一般式II:R-PO32-Xn3-nIIの水溶性のホスホン酸、及びその水溶性の塩、b3一般式III:RO-SO3-nXnIIIの水溶性の硫酸エステル、及びその水溶性の塩、b4一般式IV:RO-PO32-Xn3-nIVの水溶性のリン酸エステル、及びその水溶性の塩、及びb5一般式V:[RO2PO2-]nXnVの水溶性のリン酸エステル、及びその水溶性の塩、但し、インデックスn=1又は2;変化項目Xが、水素、アルカリ金属、及びアルカリ土類金属から成る群から選ばれ;変化項目R1が、2~5個の炭素原子及び少なくとも1つのオレフィン性不飽和二重結合を有する脂肪族部分、及び4~6個の炭素原子、及び少なくとも1つのオレフィン性不飽和二重結合を有する脂環式の部分から成る群から選ばれ;及び変化項目Rが、2~5個の炭素原子及び少なくとも1つのオレフィン性不飽和の二重結合を有する脂肪族部分、4~6個の炭素原子及び少なくとも1つのオレフィン性不飽和の二重結合を有する脂環式部分、及びアルキルアリール部分から成る群から選ばれ、ここでアリール部分がベンゼン及びナフタレンから選ばれ、アルキル部分がメチレン、エタン-ジイル、及びプロパン-ジイルから選ばれ、及び一般式II中のリン原子が直接的に、及び一般式III中の硫黄原子、及び一般式IV及びV中のリン原子が、それぞれ酸素原子を介して脂肪族炭素原子に結合しているから成る群から選ばれる少なくとも1種の成分、を含むことを特徴とする水性アルカリ性エッチング及び洗浄組成物。四級アンモニウムヒドロキシドAが、テトラメチルアンモニウムヒロドキシド及びテトラエチルアンモニウムヒドロキシドから成る群から選ばれることを特徴とする請求項1に記載の組成物。R1が、ビニル、プロプ-1-エン-1-イル、プロプ-2-エン-1-イルアリル、及びアルファ-メチル-ビニルから選ばれ、及びRが、ビニル、プロプ-1-エン-1-イル、プロプ-2-エン-1-イルアリル、アルファ-メチル-ビニル、及びベンジルから選ばれることを特徴とする請求項1又は2に記載の組成物。無機の鉱酸、及び水溶性のカルボン酸の群から選ばれる、少なくとも1種の酸Cを含むことを特徴とする請求項1~3の何れか1項に記載の組成物。窒素原子を少なくとも1個含む、揮発性の無機及び有機塩基の群から選ばれる、少なくとも1種の塩基Dを含むことを特徴とする請求項1~4の何れか1項に記載の組成物。水溶性の有機及び無機過酸化物から成る群から選ばれる、少なくとも1種の酸化剤Eを含むことを特徴とする請求項1~5の何れか1項に記載の組成物。少なくとも1種の金属キレート剤Fを含むことを特徴とする請求項1~6の何れか1項に記載の組成物。前記金属キレート剤Fがアミノ酸ジアセテート、及びヒドロキシアミノ酸ジアセテート、及びその塩から成る群から選ばれることを特徴とする請求項7に記載の組成物。pHが8~13であることを特徴とする請求項1~8の何れか1項に記載の組成物。請求項1~9の何れか1項に記載の水性アルカリ性エッチング及び洗浄組成物を、シリコン基材の処理のために使用する方法。シリコン基材がシリコンウエハーであることを特徴とする請求項10に記載の方法。シリコンウエハーが、電磁放射に曝されて電気を発生する装置を製造するために使用されることを特徴とする請求項11に記載の方法。前記装置が光電池及び太陽電池であることを特徴とする請求項12に記載の方法。太陽電池が、選択エミッタ太陽電池、MetalWrapThroughMWT太陽電池、及びEmitterWrapThroughEWT太陽電池であることを特徴とする請求項13に記載の方法。前記電磁放射が太陽放射であることを特徴とする請求項12~14の何れか1項に記載の方法。水性アルカリ性洗浄及びエッチング組成物が、エッチング及び酸化によるシリコン基材の表面の変性、リンエミッタドーピングによって発生したホスホラスシリケートガラス及びデッド層の除去、湿式端部分離によって発生した多孔性シリコンの除去、及び/又はシリコン基材の表面を再度汚染する崩壊堆積物の除去、のために使用されることを特徴とする請求項10~15の何れか1項に記載の方法。1以下の、A少なくとも1種の水酸化第4級アンモニウム及びB以下のb1a一般式I:R-SO3-nXnIaの水溶性のスルホン酸、及びその水溶性の塩、b2一般式II:R-PO32-Xn3-nIIの水溶性のホスホン酸、及びその水溶性の塩、b3一般式III:RO-SO3-nXnIIIの水溶性の硫酸エステル、及びその水溶性の塩、b4一般式IV:RO-PO32-Xn3-nIVの水溶性のリン酸エステル、及びその水溶性の塩,及びb5一般式V:[RO2PO2-]nXnVの水溶性のリン酸エステル、及びその水溶性の塩、但し、インデックスn=1又は2;変化項目Xが、水素、アルカリ金属、及びアルカリ土類金属から成る群から選ばれ;変化項目Rが、2~5個の炭素原子及び少なくとも1つのオレフィン性不飽和二重結合を有する脂肪族部分、及び4~6個の炭素原子、及び少なくとも1つのオレフィン性不飽和二重結合を有する脂環式の部分、及びアルキルアリール部分から成る群から選ばれ、ここでアリール部分がベンゼン及びナフタレンから選ばれ、アルキル部分がメチレン、エタン-ジイル、及びプロパン-ジイルから選ばれ、及び一般式Ia及びII中の硫黄原子、及びリン原子が、それぞれ直接的に、及び一般式III中の硫黄原子、及び一般式IV及びV中のリン原子が、それぞれ酸素原子を介して脂肪族炭素原子に結合しているから成る群から選ばれる少なくとも1種の成分、を含む水性アルカリ性エッチング及び洗浄組成物を用意する工程、2シリコン基材の少なくとも1つの主要表面に、前記水性アルカリ性エッチング及び洗浄組成物を、少なくとも1回、清潔な親水性の表面が得られるのに十分な時間と温度で接触させる工程、3前記水性アルカリ性エッチング及び洗浄組成物との接触から、少なくとも1つの主要表面を除去する工程、を含むことを特徴とするシリコン基材の表面を処理するための方法。シリコン基材の少なくとも1つの主要表面が、水性アルカリ性エッチング及び洗浄組成物と、少なくとも2回接触されることを特徴とする請求項17に記載の方法。シリコン基材がシリコンウエハーであることを特徴とする請求項17又は18に記載の方法。電磁放射に曝されて電気を発生する装置を製造するための製造方法であって、以下の工程、Iシリコン基材の少なくとも1つの主要表面を、エッチング組成物でテキスチャー化し、これにより疎水性表面を形成する工程;II請求項17~19の何れか1項に記載の、シリコン基材の表面を処理するための方法を使用して、疎水性表面を親水性にする工程;III親水性の表面上に、少なくとも1種のスプレー-オンリンエミッタ源を施す工程;IVエミッタ源と接触しているシリコン基材を加熱し、シリコン基材内にリンエミッタを形成するか、又はシリコン基材内にリンエミッタ、及びシリコン基材の表面の頂部にリンシリケートガラスを形成する工程;Vリンエミッタを含むシリコン基材の上部層を変性するか、又はシリコン半導体の表面からリンシリケートガラスを除去し、この後に、リンエミッタを含むシリコン基材の上部層を変性する工程;VIリンエミッタを含むシリコン基材の、変性された上部層の頂部に、反射防止層を堆積させ、これにより、中間体を得る工程;及びVII更に、中間体を処理して装置を得る工程、を含むことを特徴とする製造方法。請求項17~19の何れか1項に記載の、シリコン基材の表面を処理するための方法が、工程Vで使用されることを特徴とする請求項20に記載の製造方法。工程VIの前に湿式端部分離工程が行われることを特徴とする請求項20又は21の何れかに記載の製造方法。請求項17~19の何れか1項に記載の、シリコン基材の表面を処理するための方法が、湿式端部分離工程の後に行われることを特徴とする請求項22に記載の製造方法。前記装置が光電池及び太陽電池であることを特徴とする請求項20~23の何れか1項に記載の製造方法。太陽電池が、選択エミッタ太陽電池、MetalWrapThroughMWT太陽電池、及びEmitterWrapThroughEWT太陽電池であることを特徴とする請求項24に記載の製造方法。電磁放射に曝されて電気を発生する装置を製造するための方法であって、以下の工程、Iシリコン基材の少なくとも1つの主要表面を、エッチング組成物でテキスチャー化し、これにより疎水性表面を形成する工程;II少なくとも1種のガス状のリンエミッタ源を含み、及び加熱した雰囲気内で、シリコン基材の疎水性表面を処理し、これによりシリコン基材内にリンエミッタを形成するか、又はシリコン基材内にリンエミッタ、及びシリコン基材の表面の頂部にリンシリケートガラスを形成する工程;III請求項17~19の何れか1項に記載の、シリコン基材の表面を処理するための方法を使用して、リンエミッタを含むシリコン基材の上部層を変性するか、又はシリコン半導体の表面からリンシリケートガラスを除去し、この後に、リンエミッタを含むシリコン基材の上部層を変性する工程;IVリンエミッタを含むシリコン基材の、変性された上部層の頂部に、反射防止層を堆積させ、これにより、中間体を得る工程;及びV更に、中間体を処理して装置を得る工程、を含むことを特徴とする製造方法。工程VIの前に湿式端部分離工程が行われることを特徴とする請求項26に記載の製造方法。請求項17~19の何れか1項に記載の、シリコン基材の表面を処理するための方法が、湿式端部分離工程の後に行われることを特徴とする請求項27に記載の製造方法。前記装置が光電池及び太陽電池であることを特徴とする請求項26~28の何れか1項に記載の製造方法。太陽電池が、選択エミッタ太陽電池、MetalWrapThroughMWT太陽電池、及びEmitterWrapThroughEWT太陽電池であることを特徴とする請求項29に記載の製造方法。しかしながら、これらの従来技術のエッチング及び洗浄組成物の親水化効果は、高効率の太陽電池を製造するための現代の方法の、ますます厳しくなる要求に合致するために、相当に改良する必要がある。特に、シリコン基材の表面、特にシリコンウエハー基材の表面の不十分な親水性は、極性の高いスプレー-オンリン源を均一に分散させることを困難なものとし、このことは、不十分なリンドーピングをもたらし、及びその結果、効率が許容できない程低い太陽電池をもたらす。エッチング及び洗浄組成物を除去した後、次の工程段階で、リンエミッタ源をシリコンウエハー表面に片面又は表面に施すことができる。施されたリンエミッタ源は、例えば赤外線加熱ベルト炉内で加熱され、これによりリンエミッタがシリコンウエハー内に拡散する。この工程では、リンシリケートガラスPSGの層、又は領域、及び非電気的に活性なリンで構成された第2の領域、いわゆるデッド層が、シリコンウエハーの表面の頂部に形成される。しかしながら、層、PSG層は、次の工程段階でフッ化水素酸処理によって除去することができるが、デッド層にはこのことが該当しない。しかしながらデッド層は、太陽電池の電気的特性に損傷を与え、及び特に短絡電流を減少させ、従って効率を低下させる。この技術分野では、ガス状のリン源、例えばPOCl3を、シリコン基材中にリンエミッタを発生させるために使用することもできる。この場合、シリコン基材のテキスチャー化の後で、親水化工程が必要とされない。しかしながら、PSG層除去の後に残っているデッド層に関する問題を解決する必要がある。更に、リンドーピングの後に、シリコン基材の両面及び/又は端部に存在するリンエミッタ層は、分離隔離して太陽電池を短絡させることを防止する必要がある。端部分離は、金属化工程の後、レーザー端部隔離技術を使用して、又は湿式化学技術によって行うことができる。湿式化学エッジ分離は、シリコン基材の後側及び端部を、フッ化水素含有組成物中に浸漬することによって行われる。基材とフッ化水素含有組成物の間の界面張力のために、前側上のエミッタ層は、エッチングに曝されない。しかしながら、多孔性シリコンの残留物が残留し、シリコン基材を更に処理する前にこれを除去しなければならない。従って、電磁放射に曝されて電気を発生する装置を製造するための、現代の工程手順では、追加的な湿式洗浄、及び表面変性工程この工程の次に、すすぎ洗い及び乾燥が行われるが、PSG除去工程、及び/又は湿式端部分離工程の後、及びシリコンニトリドSiNx:H反射防止被覆が施される前に、例えば物理的に高められた化学蒸気堆積PECVDによって行われる。このような追加的な湿式洗浄及び表面変性工程を経て、PSG除去工程及び/又は湿式端部分離工程後に残った、及び/又はシリコンウエハー表面を再汚染した崩壊堆積物、及びデッド層、及び/又は多孔性シリコン残留物が除去され、及びエッチング及び酸化によって表面が変性される。親水性化工程で使用されるエッチング及び洗浄組成物が、追加的な湿式洗浄及び表面変性工程でも使用可能なことが、経済的及び技術的に非常に好ましい。従来技術のエッチング及び洗浄組成物は両方の目的のために、ある程度適切であっても良い。しかしながら、太陽電池製造のますます高くなる技術的及び経済的要求に合致するために、改良が必要とされる。本発明の目的本発明の目的は、シリコン基材、特にシリコンウエハーの表面を処理するために特に適切な、及び従来の水性アルカリ性エッチング及び洗浄組成物の短所を示すことのない新規な水性アルカリ性エッチング及び洗浄組成物を提供することにある。追加的に、新規な水性アルカリ性エッチング及び洗浄組成物は、特に高い洗浄効率を有し、これにより、シリコン基材の表面のかすみ及び再汚染が防止されるべきである。更に、新規な水性アルカリ性エッチング及び洗浄組成物は特に強い親水性を有し、これにより、得られた親水性表面が、極性の高いスプレーオンリンエミッタ源、例えば水性又はアルコール性リン酸で非常に良好に濡れ、これによりエミッタの形成を正確に制御できるべきである。追加的に、新規な水性アルカリ性エッチング及び洗浄組成物は、PSG除去工程の後に行われる、追加的な湿式洗浄及び変性工程での湿式洗浄及び変性組成物としても、特に適切であるべきである。特に、追加的な湿式洗浄及び表面変性工程では、新規なアルカリ性エッチング及び洗浄組成物は、PSG除去工程から残った、及び/又はシリコン基材の表面を再汚染した崩壊堆積物のみならず、デッド層をも実質的に完全に除去可能であるべきである。これは、エッチング及び酸化によって、表面を変性可能であるべきでもある。このようにして、開回路電流、及び従って、光電池及び太陽電池の効率が改良されるべきである。最後に、しかし特に、新規な水性アルカリ性エッチング及び洗浄組成物は、湿式端部分離工程の後に残留する多孔性のシリカの残留物を除去するために、特に適切であるべきである。本発明の他の目的は、シリコン基材の表面、特にシリコンウエハーの表面を処理するための、従来技術の不利な点を示さない新規な方法を提供することにある。追加的に、シリコン基材の表面を処理するための新規な方法は、特に高い洗浄効率を有し、これによりシリコン基材の表面のかすみ及び再汚染が回避されるべきである。更に、シリコン基材の表面を処理するための新規な方法は、特に強い親水性化効果を有し、これにより得られた親水性表面が、極性の高いスプレー-オンリンエミッタ源、例えば水性又はアルコール性リン酸で特に良好に濡れることができ、これによりドーピング及びエミッタの形成が正確に制御できるべきである。追加的に、シリコン基材の表面を処理するための新規な方法は、PSG除去工程の後に、追加的な湿式洗浄及び変性工程を行うために好適であるべきである。特に、追加的な湿式洗浄及び表面変性工程は、PSG除去工程から残留した、及び/又はシリコンウエハーを再汚染した崩壊堆積物のみならず、デッド層をも実質的に完全に除去できるべきである。これは、エッチングと酸化によって表面を変性可能であるべきである。このようにして、開回路電流、及び従って光電池又は太陽電池の効率が、相当に改良されるべきである。最後に、しかし特に、シリコン基材の表面を処理するための新規な方法は、湿式端部分離工程の後に残留する多孔性のシリカの残留物を除去するために、特に適切であるべきである。本発明の更なる他の目的は、電磁放射に曝されて電気を発生する装置、特に光電池及び太陽電池、特に選択エミッタ太陽電池、MetalWrapThroughMWT太陽電池、及びEmitterWrapThroughEWT太陽電池を製造するための新規な方法を提供することにあり、これらの装置は、改良された効率で電磁放射に曝されて電気を発生し、及びこの方法は、従来技術の短所をもはや示すべきではない。従って、新規な水性アルカリ性エッチング及び洗浄組成物が見出され、この組成物は、A少なくとも1種の水酸化第4級アンモニウム;及びB以下のb1一般式I:R1-SO3-nXnIの水溶性のスルホン酸、及びその水溶性の塩、b2一般式II:R-PO32-Xn3-nIIの水溶性のホスホン酸、及びその水溶性の塩、b3一般式III:RO-SO3-nXnIIIの水溶性の硫酸エステル、及びその水溶性の塩、b4一般式IV:RO-PO32-Xn3-nIVの水溶性のリン酸エステル、及びその水溶性の塩、及びb5一般式V:[RO2PO2-]nXnVの水溶性のリン酸エステル、及びその水溶性の塩、但し、インデックスn=1又は2;変化項目Xが、水素、アルカリ金属、及びアルカリ土類金属から成る群から選ばれ;変化項目R1が、2~5個の炭素原子及び少なくとも1つのオレフィン性不飽和二重結合を有する脂肪族部分、及び4~6個の炭素原子、及び少なくとも1つのオレフィン性不飽和二重結合を有する脂環式の部分から成る群から選ばれ;及び変化項目Rが、2~5個の炭素原子及び少なくとも1つのオレフィン性不飽和の二重結合を有する脂肪族部分、4~6個の炭素原子及び少なくとも1つのオレフィン性不飽和の二重結合を有する脂環式部分、及びアルキルアリール部分から成る群から選ばれ、ここでアリール部分がベンゼン及びナフタレンから選ばれ、アルキル部分がメチレン、エタン-ジイル、及びプロパン-ジイルから選ばれ、及び一般式II中のリン原子が直接的に、及び一般式III中の硫黄原子、及び一般式IV及びV中のリン原子が、それぞれ酸素原子を介して脂肪族炭素原子に結合しているから成る群から選ばれる少なくとも1種の成分、を含む。新規な水性アルカリ性エッチング及び洗浄組成物は以降、本発明の組成物と称される。追加的に、半導体材料を処理するために、本発明の組成物を使用する新規な方法が見出され、この方法は以降、本発明の使用方法と称される。更に、シリコン基材の表面を処理するための新規な方法が見出され、この新規な方法は、1以下の、A少なくとも1種の水酸化第4級アンモニウム;及びB以下のb1a一般式I:R-SO3-nXnIaの水溶性のスルホン酸、及びその水溶性の塩、b2一般式II:R-PO32-Xn3-nIIの水溶性のホスホン酸、及びその水溶性の塩、b3一般式III:RO-SO3-nXnIIIの水溶性の硫酸エステル、及びその水溶性の塩、b4一般式IV:RO-PO32-Xn3-nIVの水溶性のリン酸エステル、及びその水溶性の塩,及びb5一般式V:[RO2PO2-]nXnVの水溶性のリン酸エステル、及びその水溶性の塩、但し、インデックスn=1又は2;変化項目Xが、水素、アルカリ金属、及びアルカリ土類金属から成る群から選ばれ;変化項目Rが、2~5個の炭素原子及び少なくとも1つのオレフィン性不飽和二重結合を有する脂肪族部分、及び4~6個の炭素原子、及び少なくとも1つのオレフィン性不飽和二重結合を有する脂環式の部分、及びアルキルアリール部分から成る群から選ばれ、ここでアリール部分がベンゼン及びナフタレンから選ばれ、アルキル部分がメチレン、エタン-ジイル、及びプロパン-ジイルから選ばれ、及び一般式Ia及びII中の硫黄原子、及びリン原子が、それぞれ直接的、及び一般式III中の硫黄原子、及び一般式IV及びV中のリン原子が、それぞれ酸素原子を介して脂肪族炭素原子に結合しているから成る群から選ばれる少なくとも1種の成分、を含む水性アルカリ性エッチング及び洗浄組成物を用意する工程、2シリコン基材の少なくとも1つの主要表面に、前記水性アルカリ性エッチング及び洗浄組成物を、少なくとも1回、清潔な親水性の表面が得られるのに十分な時間と温度で接触させる工程、3前記水性アルカリ性エッチング及び洗浄組成物との接触から、少なくとも1つの主要表面を除去する工程、を含む。以降、シリコン基材の表面を処理するための新規な方法は、本発明の処理方法と称される。更に、電磁放射に曝されて電気を発生する装置を製造するための新規な方法が見出され、この新規な方法は、以下の工程、Iシリコン基材の少なくとも1つの主要表面を、エッチング組成物でテキスチャー化し、これにより疎水性表面を形成する工程;II本発明の処理方法を使用して、疎水性表面を親水性にする工程;III親水性の表面上に、少なくとも1種のスプレー-オンリンエミッタ源を施す工程;IVエミッタ源と接触しているシリコン基材を加熱し、シリコン基材内にリンエミッタを形成するか、又はシリコン基材内にリンエミッタ、及びシリコン基材の表面の頂部にリンシリケートガラスを形成する工程;Vリンエミッタを含むシリコン基材の上部層を変性するか、又はシリコン基材の表面からリンシリケートガラスを除去し、この後に、リンエミッタを含むシリコン基材の上部層を変性する工程;VIリンエミッタを含むシリコン基材材料の、変性された上部層の頂部に、反射防止層を堆積させ、これにより、中間体を得る工程;及びVII更に、中間体を処理して装置を得る工程、を含む。以降、電磁放射に曝されて電気を発生する装置を製造するための、この新規な方法は、本発明の第1の製造方法と称される。最後に、しかし特に、電磁放射に曝されて電気を発生する装置を製造するための方法が見出され、この方法は以下の工程、Iシリコン基材の少なくとも1つの主要表面を、エッチング組成物でテキスチャー化し、これにより疎水性表面を形成する工程;II少なくとも1種のガス状のリンエミッタ源を含み、及び加熱した雰囲気内で、シリコン基材の疎水性表面を処理し、これによりシリコン基材内にリンエミッタを形成するか、又はシリコン基材内にリンエミッタ、及びシリコン基材の表面の頂部にリンシリケートガラスを形成する工程;III本発明の処理方法を使用して、リンエミッタを含むシリコン基材の上部層を変性するか、又はシリコン基材の表面からリンシリケートガラスを除去し、この後に、リンエミッタを含むシリコン基材の上部層を変性する工程;IVリンエミッタを含むシリコン基材の、変性された上部層の頂部に、反射防止層を堆積させ、これにより、中間体を得る工程;及びV更に、中間体を処理して装置を得る工程、を含む。以降、電磁放射に曝されて電気を発生する装置を製造するための、この新規な方法を、本発明の第2の製造方法と称する。本発明の有利性本発明の組成物、使用方法、処理方法、及び第1及び第2の製造方法によって、本発明の目的が解決できたことは、上述した従来技術の観点からは、この技術分野の当業者にとって驚くべきことであり、そして予期することができないものであった。従って、本発明の組成物が、従来技術の、シリコン基材、特にシリコンウエハーの表面を処理するための水性アルカリ性エッチング及び洗浄組成物の不利な点、及び欠点をもはや示さないことは驚くべきことであった。更に、本発明の組成物が特に高い洗浄効率を有し、これによりシリコン表面のかすみ及び再汚染を回避することができることは、驚くべきことであった。更に、本発明の組成物が特に強い親水性化効果を有し、これにより得られた親水性表面が、極性が高いスプレー-オンリンエミッタ源、例えば水性又はアルコール性のリン酸で特に良好に濡れ、これによりドーピングとエミッタの形成を正確に制御することができることは、驚くべきことであった。更に、本発明の組成物は、湿式洗浄及び変性組成物として、電磁放射に曝されて電気を発生する装置、特に光電池及び太陽電池を製造するための工程手順において、PSG除去工程の後に行われる追加的な湿式洗浄及び変性工程に特に良好に適合する。特に、追加的な湿式洗浄及び表面変性工程では、本発明の組成物は、PSG除去工程から残った、及び/又はシリコンウエハー表面を再汚染した崩壊堆積物を除去することができるのみならず、デッド層をも除去することができる。エッチング及び酸化によって、表面を変性することも可能であった。このようにして、開回路電流及び従って、光電池、又は太陽電池の効率が相当に改良された。最後に、しかし特に、本発明の組成物は、湿式端部分離工程の後、残留する多孔性のシリカの残留物を除去するために特に適切である。本発明の使用方法及び処理方法が、シリコン基材、特にシリコンウエハーの表面を処理するための従来技術が有していた不利な点及び短所を示さないことも、驚くべきことであった。更に、本発明の処理方法は特に高い洗浄効率を有し、これによりシリコン基材の表面のかすみ及び再汚染が回避された。更に、本発明の処理方法は、特に強い親水性化効果を有し、これにより、得られた親水性表面が、極性の高いスプレー-オンリンエミッタ源、例えば水性、又はアルコー性のリン酸で特に良好に濡れることができ、これによりドーピング及びエミッタの形成を正確に制御することができた。更に、本発明の処理方法は、PSG除去工程の後に、追加的な湿式洗浄及び変性工程を行うために、特に適切であった。特に、追加的な湿式洗浄及び表面変性工程では、PSG除去工程から残った、及び/又はシリコンウエハー表面を再汚染した崩壊堆積物を除去することができるのみならず、デッド層をも除去することができた。エッチング及び酸化によって、表面を酸化することもできた。このようにして、開回路電流及び従って光電池、及び太陽電池の効率は、相当に大きく改良された。最後に、しかし特に、本発明の処理方法は、湿式端部分離工程の後、残留する多孔性シリカの残留物を除去するのに特に適切であった。更に、本発明の第1及び第2の製造方法が、従来技術の製造方法の不利な点、及び短所をもはや示さず、高い効率及びフィルファクターFFを有する、電磁放射に曝されて電気を発生する装置、特に光電池、又は太陽電池、特に選択エミッタ太陽電池、MetalWrapThroughMWT太陽電池、及びEmitterWrapThroughEWT太陽電池を製造したことは、驚くべきことであった。本発明は、本発明の組成物に関するものである。本発明の組成物は、シリコン合金材料、特にシリコンゲルマニウム合金材料を含むシリコン基材の表面を処理するために、特に有用であり、及び適切である。シリコン基材は、非結晶質、単結晶質、又は多結晶質のシリコン半導体材料であることができる。最も好ましくは、シリコン基材は、電磁放射に曝されて電気を発生する装置、特に光電池、又は太陽電池を製造するために有用なシリコンウエハーである。好ましくは、これらは100~210平方mm、又はシュードスクエアmmである。同様に、ウエハーの厚さを変化させることができる。好ましくは、厚さは80~300μmの範囲である。この技術分野では公知のように、シリコンウエハーは、公知の、及び通常の方法を使用して製造することができる。従って、シリコンウエハーは、シリコンインゴット又はブロックを切断することによって製造することができる。単結晶インゴットは、例えばCzochralskiCZ法を使用して、溶融炉内に含まれている溶融シリコンから、シードシャフトをゆっくりと引くことよって成長する。エッジ-デファインドフィルム-フェッドグルースEFG又はストリング-リボンプロセスを使用することも可能である。多結晶性シリコンは、その融点でるつぼ内で、シリコン片を加熱することによって製造することができる。これにより、シリコン片が一緒に成長し、インゴットとも称される大きなシリコンブロックを形成する。このインゴットはしばしば帯鋸を使用してブロックブリックに切断される。このブロックは、ワイヤーソーを使用して最終的にウエハーに切断される。しかしながら、上述したように、のこ引きの後に、のこ引き損傷エッチを行う必要がある。これらを分離して、及び切断スラリーから洗浄した後、シリコンウエハーは通常、破損及び他の過失についてチェックされ、及び光電池、又は太陽電池工程へと仕分けられる。通常では、製造工程は、テキスチャー化及びのこ引き損傷の除去と共に出発する。この次に、シリコンウエハーを水性アルカリ性、及び酸性溶液を含む異なる溶液に浸すことが行われ、ここで疎水性ウエハー表面が得られる。本発明の組成物は水性組成物である。このことは、後に記載する組成物の成分が、完全な分子レベルで水中に、好ましくは脱イオン水に、及び最も好ましくは超純粋に溶解することを意味する。好ましくは、本発明の組成物は、疎水性のウエハー表面に施される。好ましくは、本発明の組成物は、後に記載する組成物の高度に希釈された水溶液である。より好ましくは、これは、処理組成物の全質量に対して、80~99.9質量、より好ましくは82.5~99.8質量、及び最も好ましくは85.5~99.75質量の水を含む。本発明の組成物は、アルカリ性又は塩基性の組成物である。そのpHは非常に広く、そして従って、処理方法と本発明の製造方法の要求に容易に及び正確に調整することができる。好ましくは、pHは、8~13、最も好ましくは9~12である。本発明の組成物の第1の本質的な成分は、少なくとも1種の、好ましくは1種の、水酸化第4級アンモニウムAである。水酸化第4級アンモニウムAは、この技術分野では公知であり、そして例えば、米国特許出願US2006/0226122A1、第2頁、段落0025、及び第3頁、段落0028、及び第4頁、段落0037に詳細に記載されている。テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH及び/又はテトラエチルアンモニウムヒドロキシドTEAHを使用することが最も好ましい。水酸化第4級アンモニウムAの濃度も広く変化することができ、及び従って、本発明の処理方法、及び製造方法の特定の要求に、容易に及び正確に調節することができる。濃度は、好ましくは、0.1~5質量の範囲、より好ましくは0.2~4.5質量の範囲、及び最も好ましくは0.3~4質量の範囲であり、ここで質量は、本発明の組成物の全質量に基づいている。本発明の組成物の第2の本質的な成分は、以下のb1一般式I:R1-SO3-nXnIの水溶性のスルホン酸、及びその水溶性の塩、b2一般式II:R-PO32-Xn3-nIIの水溶性のホスホン酸、及びその水溶性の塩、b3一般式III:RO-SO3-nXnIIIの水溶性の硫酸エステル、及びその水溶性の塩、b4一般式IV:RO-PO32-Xn3-nIVの水溶性のリン酸エステル、及びその水溶性の塩、及びb5一般式V:[RO2PO2-]nXnVの水溶性のリン酸エステル、及びその水溶性の塩、から成る群から選ばれる少なくとも1種の、好ましくは1種の成分Bである。本発明において、水溶性は、相当する成分Bが、分子レベルで水中に完全に溶解することを意味する。一般式I及びII中で、インデックスnは、1又は2であり、好ましくは1である。変化項目Xは、水素、アルカリ金属、及びアルカリ土類金属から成る群から選ばれ、好ましくは水素及びアルカリ金属から成る群から選ばれ、及び最も好ましくは水素とナトリウムから成る群から選ばれる。一般式Iの変化項目R1は、2~5個、好ましくは2~4個、及び最も好ましくは2又は3個の炭素原子及び少なくとも1つ、好ましくは1つのオレフィン性不飽和二重結合を有する脂肪族部分、及び4~6個、好ましくは5又は6個、及び最も好ましくは6個の炭素原子、及び少なくとも1つ、好ましくは1つのオレフィン性不飽和二重結合を有する脂環式の部分から成る群から選ばれる。部分R1は、少なくとも1種の不活性な、すなわち非反応性の置換基、例えばフッ素又は塩素でこのような置換基が水中の成分b1の溶解性を損なうことがなければ置換されても良い。より好ましくは、部分R1は、置換されていない。より好ましくは、部分R1は、以下の、-ビニル;-プロプ-1-エン-1-イル、プロプ-2-エン-1-イルアリル、アルファ-メチル-ビニル;-ブト-1-エン、ブト-2-エン、及びブト-1-エン-1-イル、2-メチル-プロプ-1-エン-1-イル、ブト-2-エン-2-イル;-ペント-1-エン-1-イル、-2-エン-1-イル、-3-エン-1-イル、及び-4-エン-1-イル;-ペント-1-エン-2-イル、-1-エン-2-イル、-3-エン-2-イル、及び-4-エン-2-イル;-ペント-1-エン-3-イル、及び-2-エン-3-イル;-3-メチル-ブト-1-エン-1-イル、-2-エン-1-イル、及び-3-エン-1-イル;-3-メチル-ブト-2-エン-2-イル、及び-3-エン-2-イル;-ネオペント-1-エン-1-イル、及び-2-エン-1-イル;-シクロブト-1-エン-1-イル、及び-2-エン-1-イル;-シクロペント-1-エン-1-イル、-2-エン-1-イル、及び-3-エン-1-イル;及び-シクロヘク-1-エン-1-イル、-2-エン-1-イル、及び-3-エン-1-イル基、から成る群から選ばれる。ビニル、プロポ-1-エン-1-イル、プロポ-2-エン-1-イルアリル及びアルファ-メチル-ビニル基を使用することが最も好ましい。従って、最も好ましく使用される成分b1は、ビニルスルホン酸、アリルスルホン酸、プロポ-1-エン-1-イル-スルホン酸、及びアルファ-メチル-ビニル-スルホン酸、及びそのナトリウム塩から成る群から選ばれる。一般式II~Vの変化項目Rは、上述した部分R1及びアルキルアリール部分から成る群から選ばれ、ここでアリール部分が、ベンゼン及びナフタレン、好ましくはベンゼンから選ばれ、アルキル部分がメチレン、エタン-ジイル、及びプロパン-ジイル、好ましくはメチレンから選ばれ、及び一般式II中のリン原子が直接的に、及び一般式III中の硫黄原子、及び一般式IV及びV中のリン原子が、それぞれ酸素原子を介して脂肪族炭素原子に結合している。アリール部分は、少なくとも1種の不活性な、すなわち非反応性の置換基、例えばフッ素、又は塩素でこのような置換基が、成分b2の水中への溶解性を損なうことがなければ置換されても良い。より好ましくは、アリール部分は、置換されていない。従って、使用することが最も好ましい成分b2は、ビニルホスホン酸、アリルホスホン酸、プロプ-1-エン-1-イル-ホスホン酸、アルファ-メチル-ビニル-ホスホン酸、及びベンジルホスホン酸、及びこれらのナトリウム塩から成る群から選ばれる。使用することが最も好ましい成分b3は、モノビニル、モノアリル、モノプロプ-1-エン-1-イル、モノ-アルファ-メチル-ビニル、及びモノベンジル硫酸エステル、及びそのナトリウム塩から成る群から選ばれる。使用することが最も好ましい成分b4は、モノビニル、モノアリル、モノプロプ-1-エン-1-イル、モノ-アルファ-メチル-ビニル、及びモノベンジルリン酸エステル、及びそのナトリウム塩から成る群から選ばれる。使用することが最も好ましい成分b5は、ジビニル、ジアリル、ジプロプ-1-エン-1-イル、ジ-アルファ-メチル-ビニル、及びジベンジルリン酸エステル、及びそのナトリウム塩から成る群から選ばれる。2つの異なる残基Rを含む、混合リン酸エステルも使用することができる。本発明の組成物中の成分Bの濃度は、広い範囲に変化することができ、及び従って、本発明の関連する処理方法、及び製造方法の特定の要求に容易に、そして正確に調整することができる。濃度は、本発明の組成物の全質量に対する百分率に基づいて、好ましくは、0.001~1.5質量の範囲、より好ましくは0.005~1.25質量の範囲、最も好ましくは0.01~1質量の範囲である。好ましい実施の形態では、本発明の組成物は追加的に、少なくとも1種の酸Cを含む。好ましくは、酸Cは揮発性であり、これにより、これらは比較的低い温度、すなわち200°C未満の温度で、残留物を形成することなく蒸発することができる。特に好ましくは、酸Cは、無鉱酸、最も好ましくは塩酸、及び硝酸、及び水溶性カルボン酸、から成る群から選ばれ、最も好ましくはギ酸、及び酢酸から選ばれる。特に最も好ましくは、1種の鉱酸C及び1種の水溶性カルボン酸Cが使用される。本発明の組成物中の酸Cの濃度は、広い範囲で変化することができ、及び従って、本発明の関連する処理方法、及び製造方法の特定の要求に容易に、そして正確に調整することができる。濃度は、本発明の組成物の全質量に対する百分率に基づいて、好ましくは、0.005~2質量の範囲、より好ましくは0.01~1.75質量の範囲、最も好ましくは0.015~1.5質量の範囲である。他の好ましい実施の形態では、本発明の組成物は追加的に、窒素原子を少なくとも1個含む無機及び有機塩基から成る群から選ばれる、少なくとも1種、好ましくは1種の、揮発性、水溶性塩基Dを含む。より好ましくは、窒素原子を少なくとも1個、好ましくは1個含む、揮発性、水溶性無機塩基Dが、アンモニア又はヒドロキシルアミンであり、より好ましくはアンモニアである。より好ましくは、揮発性、水溶性有機塩基Dは、メチル-、ジメチル-、エチル-、メチルエチル-、ジエチル-、1-プロピル-、及びイソプロピルアミン、エタノールアミン、ジエタノールアミン及びエチレンジアミンから成る群から選ばれる。揮発性、水溶性の塩基Dの濃度も、広い範囲で変化することができ、及び従って、本発明の関連する処理方法、及び製造方法の特定の要求に容易に、そして正確に調整することができる。濃度は、本発明の組成物の全質量に対する百分率に基づいて、好ましくは、0.05~3質量の範囲、より好ましくは0.075~2.5質量の範囲、及び最も好ましくは0.1~2質量の範囲である。更なる好ましい実施の形態では、本発明の組成物は追加的に、水溶性有機、及び無機の過酸化物、より好ましくは無機過酸化物から成る群から選ばれる、少なくとも1種、好ましくは1種の酸化剤Eを含む。好ましくは、水溶性有機過酸化物Eは、ベンジルペルオキシド、過酢酸、ウレア過酸化水素付加物、及びジ-t-ブチルペルオキシドから成る群から選ばれる。好ましくは、無機過酸化物Eは、過酸化水素、過炭酸塩、過ホウ酸塩、モノ過硫酸塩、ジ過硫酸塩、及び過酸化ナトリウムから成る群から選ばれる。本発明の組成物中の酸化剤Eの濃度は、広い範囲で変化することができ、及び従って、本発明の関連する処理方法、及び製造方法の特定の要求に容易に、そして正確に調整することができる。濃度は、本発明の組成物の全質量に対する百分率に基づいて、好ましくは、0.1~1.5質量の範囲、より好ましくは0.2~1.2質量の範囲、及び最も好ましくは0.3~1質量の範囲である。更なる好ましい実施の形態では、本発明の組成物は、金属イオンを溶液中に保持するための組成物の容量を増し、及びシリコンウエハーの表面上の金属残留物の溶解分解を高めるための少なくとも1種の金属キレート剤Fを含む。本発明の組成物の他の成分に、例えば分解又は望ましくない堆積によって、不利な影響を及ぼさない限り、原則として、通常の、及び公知の、任意の金属キレート剤Fを使用して良い。好ましくは、金属キレート剤Fは、カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸、アミノ酸、ヒドロキシアミノ酸、ホスホン酸、及びヒドロキシホシホン酸、及びこれらの塩、アルコール、及び少なくとも2個のヒドロキシ基を含むフェノールから成る群から選ばれ、上記化合物は、少なくとも1つの窒素原子を含む官能基を含んでいても、含んでいなくても良い。好ましくは、金属キレート剤Fの塩は、アンモニウム塩、特にアンモニウム塩、メチル-、ジメチル-、トリメチル-、エチル-、メチルエチル-、ジエチル-、メチルジエチル-、トリエチル-、1-プロピル-及びイソプロピルアンモニウム塩、及びエタノールアンモニウム、ジエタノールアンモニウム、及びエチレンジアンモニウム塩;及びアルキル金属塩、特にナトリウム及びカリウム塩から成る群から選ばれる。より好ましくは、金属キレート剤Fは、アミノ酸ジアセテート、及びヒドロキシアミノ酸ジアセテート、及びこれらの塩、特にメチルグリシンジアセテートMGDA;TrilonTMM;アルファ-アラニンジアセテート、ベータ-アラニンジアセテート、グルタミン酸ジアセテート、アスパラギン酸ジアセテート、セリンジアセテート、及びスレオニンジアセテート、及びこれらの塩、特に好ましくはMGDA、及びその塩;エチレンジニトリロテトラ酢酸EDTA、ブチレンジアミンテトラ酢酸、1,2-シクロヘキシレンジニトリロテトラ酢酸CyDTA、ジエチレントリアミンペンタ酢酸、エチレンジアミンテトラプロピオン酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミントリ酢酸HEDTA、N,N,N’,N’-エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸EDTMP、トリエチレンテトラアミンヘキサ酢酸TTHA、1,3-ジアミノ-2-ヒドロキシプロパン-N,N,N’,N’-テトラ酢酸DHPTA、メチルイミノジ酢酸、プロピレンジアミンテトラ酢酸、1,5,9-トリアザシクロドデカン-N,N’,N-トリスメチレンホスホン酸DOTRP、1,4,7,10-テトラアザシクロドデカン-N,N’,N,N’’’-テトラキスメチレンホスホン酸DOTP、ニトリロトリスメチレントリホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸DETAP、アミノトリメチレンホスホン酸、1-ヒドロキシエチレン-1,1-ジホスホン酸、ビスヘキサメチレントリアミンホスホン酸、1,4,7-トリアザシクロノナン-N,N’,N-トリメチレンホスホン酸NOTP、2-ホスホノブタン-1,2,4-トリカルボン酸、ニトリロトリ酢酸NTA、クエン酸、酒石酸、グルコン酸、糖酸、グリセリン酸、シュウ酸、フタル酸、マレイン酸、マンデル酸、マロン酸、乳酸、サリチル酸、5-スルホサリチル酸、システイン、及びアセチルシステイン、没食子酸、及びこれらの塩;カテコール、プロピルガラート、ピロガロール、及び8-ヒドロキシキノリンから成る群から選ばれる。適切なキレート剤Fの追加的な例は、米国出願US2010/0319735A1、第2頁、段落[0039]~[0042]、及び第7頁、段落[0133]~[0143]に開示されている。最も好ましくは、金属キレート剤Fは、pKaが10~13の基を少なくとも1個含む。この理由は、このような金属キレート剤は、金属含有残留物に対して、高い親和性を有しているからである。本発明の金属キレート剤Fの濃度は、広い範囲で変化することができ、及び従って、本発明の関連する処理方法、及び製造方法の特定の要求に容易に、そして正確に調整することができる。濃度は、本発明の組成物の全質量に対する百分率に基づいて、好ましくは、0.01~5質量の範囲、より好ましくは0.05~2.5質量の範囲、及び最も好ましくは0.1~2質量の範囲である。最も好ましくは、本発明の組成物は、成分A、B、C及びE、及び特に最も好ましくはA、B、C、D及び/又はF及びEを、上述した好ましい濃度で含む各場合において残りは水である。本発明の組成物の製造は、特異性を示すものではなく、好ましくは、上述した成分A及びB及び任意にC、任意にD及び任意にF、より好ましくはA、B、C及び任意にD及び任意にF、及び最も好ましくはA、B、C及びDを水に所定の濃度でこの濃度は、本発明の処理方法、及び製造方法に使用される時の、本発明の組成物中の濃度よりも高くても良い加えることによって行うことができる。このようにして、問題なく取り扱うことができ、及び保管することができる濃縮物が製造調製され、そしてこの濃縮物は、本発明の処理方法及び製造方法に使用される前に、更に水で希釈されて良い。好ましくは、成分Eは使用する直前に加えられる。本発明の組成物を製造するために、通常の、及び標準的な混合方法、及び耐腐食性混合装置、例えば攪拌容器、インライン溶解機、高せん断インペラー、超音波混合器、均質化ノズル、又は向か流混合器を使用することができる。本発明の組成物は、本発明の方法に使用するのに卓越して適切である。本発明の使用方法は、シリコン基材、特にシリコンウエハーの処理方法に関する。本発明の使用方法に従えば、シリコンウエハーは、電磁放射に曝されて電気を発生する装置を製造するため、特に光電池及び太陽電池、特に、選択エミッタ太陽電池、MetalWrapThroughMWT太陽電池、及びEmitterWrapThroughEWT太陽電池を製造するために使用される。従って、電磁放射は好ましくは太陽放射太陽輻射である。本発明の使用方法に従えば、本発明の組成物は、最も好ましくは、エッチング及び酸化によってシリコン基材の表面を変性するために、リンエミッタドーピングによって生じた、リンシリケートガラス及びデッド層を除去するために、湿式端部分離によって多孔性シリコンを除去するために、及び/又はシリコン基材の表面を再汚染した崩壊堆積物を除去するために使用される。本発明の処理方法は、シリコン基材、特にシリコンウエハーの表面に親水性を与え、及び/又はエッチング及び酸化によってシリコン基材の表面を変性する。本発明の処理方法の第1の工程では、水性アルカリ性エッチング及び洗浄組成物が、好ましくは上述した方法によって用意される。水性アルカリ性エッチング及び洗浄組成物は、上述したように、少なくとも1種の水酸化第4級アンモニウムAを含む。これは更に、以下のb1a一般式I:R-SO3-nXnIaの水溶性のスルホン酸、及びその水溶性の塩、b2一般式II:R-PO32-Xn3-nIIの水溶性のホスホン酸、及びその水溶性の塩、b3一般式III:RO-SO3-nXnIIIの水溶性の硫酸エステル、及びその水溶性の塩、b4一般式IV:RO-PO32-Xn3-nIVの水溶性のリン酸エステル、及びその水溶性の塩,及びb5一般式V:[RO2PO2-]nXnVの水溶性のリン酸エステル、及びその水溶性の塩、但し、インデックスn=1又は2;変化項目Xが、水素、アルカリ金属、及びアルカリ土類金属から成る群から選ばれ;変化項目Rが、2~5個、好ましくは2~4個、及び最も好ましくは2又は3個の炭素原子及び少なくとも1つ、好ましくは1つのオレフィン性不飽和二重結合を有する脂肪族部分、及び4~6個、好ましくは5又は6個、及び最も好ましくは6個の炭素原子、及び少なくとも1つ、好ましくは1つのオレフィン性不飽和二重結合を有する脂環式の部分、及びアルキルアリール部分から成る群から選ばれ、ここでアリール部分がベンゼン及びナフタレン、好ましくはベンゼンから選ばれ、アリール部分がメチレン、エタン-ジイル、及びプロパン-ジイル、好ましくはエタン-ジイルから選ばれ、及び一般式Ia及びII中の硫黄原子、及びリン原子が、それぞれ直接的に、及び一般式III中の硫黄原子、及び一般式IV及びV中のリン原子が、それぞれ酸素原子を介して脂肪族炭素原子に結合しているから成る群から選ばれる成分Bを含む。好ましくは、変化項目Rは、前述した部分Rから成る群から選ばれる。最も好ましくは、成分Bは、上述した最も好ましく使用される水溶性の酸、及びその水溶性の塩b1、b2、b3、b4及b5及びベンジルスルホン酸、及びその塩から成る群から選ばれる。より好ましくは、水性アルカリ性エッチング及び洗浄組成物は、更に成分C、E及び任意にD、最も好ましくはC、D及びEを含む。本発明の処理方法の第2の工程では、シリコン基材、好ましくはシリコンウエハーの1つの主要面、又は2つの対立する主要面が、1つの清浄な親水性表面又は2つの清浄な親水性表面を得るのに十分な所定の時間、好ましくは30秒~10分にわたり、及び所定の温度、好ましくは20°C~60°Cで、水性のアルカリ性エッチング及び洗浄組成物と接触される。このことは、例えば、少なくとも1個のシリコン基材、特に少なくとも1個のシリコンウエハーの全体を、好ましくはコンベアロールのシステムによって、少なくとも1個のシリコン基材を、上述した組成物で満たされたタンクを通って、基本的に水平に運搬することにより、水平に又は垂直に、水性アルカリ性エッチング及び洗浄組成物で満たされたタンク内に浸すことによって行うことができる。本発明の処理方法の第3の工程では、少なくとも1つの主要面が、水性アルカリ性エッチング及び洗浄組成物との接触から除去される。本発明の組成物及び処理方法は、種々の半導体素子の製造方法に有利に使用することができる。最も好ましくは、これらは本発明の製造方法に使用される。本発明の第1及び第2の製造方法は、半導体素子特に、電磁放射、特に太陽光に曝されて電気を発生する光、及び太陽電池を製造する。本発明の第1及び第2の製造方法の前に、太陽電池を製造する技術分野では通常の、及び公知の工程段階が先行することができる。本発明の第1及び第2の製造工程では、シリコン基材、好ましくはシリコンウエハーの少なくとも1つの主要表面が、この技術分野では公知のエッチング組成物を使用してテキスチャー化される。第1の工程の後に、中和、すすぎ洗い、及び乾燥工程が行われても良い。本発明の第1の製造方法の第2の工程では、上述した基材の少なくとも1つの主要表面が、後に詳述する本発明の処理方法を受ける。このようにして、前者の1つ以上の疎水性表面が、1つ以上の親水性表面に変換される。第2の工程の後に、すすぎ洗い及び乾燥工程が行われても良い。本発明の第1の製造方法の第3の工程で、少なくとも1種、好ましくは1種のスプレー-オンリンエミッタ源、好ましくは液体リンエミッタ源、特に希釈水性又はアルコール性リン酸が、1つ以上の親水性の表面に施される。この後、本発明の第1の製造方法の第4の工程で、リンエミッタ源と接触したシリコン基材の1つ以上の表面が、例えば赤外性加熱ベルト炉内で加熱され、これによりシリコン基材内にリンエミッタphosphorusemitterが形成される。この工程段階で、リンシリケートガラスPSG層が、シリコン基材の1つ以上の表面の頂部に形成されても良い。本発明の第1の製造方法の第5の工程で、存在する場合には、PSG層が、好ましくはフッ化水素酸処理によってシリコン基材の1つ以上の表面から除去される。この任意の工程の次に、中和、すすぎ洗い、及び乾燥工程が行われても良い。本発明の第1の製造方法の第5の工程では、リンエミッタを含むシリコン基材材料の上部層が変性される。最も好ましくは、変性は、本発明の処理方法によって行われる。再度、第5の工程の後に、すすぎ洗い及び乾燥工程が行われても良い。本発明の方法の第1の製造方法の第6の工程では、反射防止層が、リンエミッタを含むシリコン基材の変性された上部層の頂部に堆積され、これにより更なる処理のための中間耐が得られる。本発明の第1の製造方法の更なる過程で、太陽電池を製造する従って装置を製造する技術分野では通常の、及び公知の工程段階によって、この中間体が更に処理され、特に電磁放射に曝されて電気を発生し、高い効率及び均一な外観を有する光及び太陽電池が、高い収率で得られるものである。本発明の第2の製造方法では、シリコン基材の疎水性表面が、少なくとも1種のリンエミッタ源、好ましくはPOCl3を含む、加熱された雰囲気内で処理され、これによりシリコン基材内にリンエミッタを形成するか、又はシリコン基材内にリンエミッタを形成し、及びシリコン基材の表面の頂部にリンシリケートガラスPSGを形成する。好ましくは、熱処理は、拡散炉、特に拡散を施すための管炉内で行われる。この目的で、シリコン基材が石英ボートホルダー内に垂直に据え付けられ、そして炉内にバッチ式に装入され、そして次にバッチ式の処理を受ける。この後に、本発明の第2の製造方法の次の工程で、ガス状のリンエミッタ源と接触したシリコン基材の1つ以上の表面が、例えば赤外線加熱ベルト炉内で加熱される。本発明の第2の製造方法の次の工程で、存在する場合にはPSG層が、好ましくはフッ化水素酸処理によってシリコン基材の1つ以上の表面から除去される。この任意の工程の次に、中和、すすぎ洗い、及び乾燥工程が行われても良い。本発明の第2の製造方法の次の工程で、リンエミッタを含むシリコン基材の上部層が変性修正される。最も好ましくは、変性は本発明の処理方法によって行われる。再度、この工程の次に、すすぎ洗い、及び乾燥工程が行われても良い。本発明の第2の製造方法の次の工程で、反射防止層が、リンエミッタを含むシリコン基材の変性された上部層の頂部に堆積され、これにより更なる処理用の中間体が得られる。本発明の第2の製造方法の更なる過程で、太陽電池を製造する技術分野では通常の、及び公知の方法を使用して、中間体が更に処理され、これにより装置この装置は、電磁放射に曝されて電気を発生し、及び高い効率と均一な外観を有している、特に電池及び太陽電池、特に、選択エミッタ太陽電池が、高い収率で製造される。本発明の第1、及び第2の製造方法の両方で、リンエミッタを含む変性された半導体材料の頂部に反射防止用の層反射防止層が堆積される前に、湿式端部分離工程を行うことができる。この後で、湿式端部分離工程を行うことができる。この後、湿式端部分離によって形成された多孔性シリコン、及び再汚染する崩壊堆積物を、本発明の処理方法によって除去することができる。このようにして、光電池及び太陽電池、特に選択エミッタ太陽電池、MetalWrapThroughMWT太陽電池、及びEmitterWrapThroughEWT太陽電池が、更に改良される。実施例及び比較例実施例1~3及び比較例C1-C5アリルスルホン酸ナトリウム塩を含む実施例1~3、及びアリルスルホン酸ナトリウム塩を含まない比較例C2~C5水性アルカリ性エッチング及び洗浄組成物、及び水比較例C1の親水化効率実施例及び比較例のために、超高純度の水にその成分を溶解させることによって水性アルカリ性エッチング及び洗浄組成物を製造した。関連する組成を表1に示す。表1:実施例1~3及び比較例C2~C5の水性アルカリ性エッチング及び洗浄組成物の質量百分率による組成湿式試験、すなわち、親水化効率の測定のために、比較例C2~C5及び実施例1~3の各組成の1質量部を、6質量部の超高純度の水、及び1質量部の過酸化水素水中30質量で希釈し、これにより、各場合において、過酸化水素の含有量が、関連する組成の全質量に対して、0.83質量の水性のアルカリ性エッチング及び洗浄組成物が得られた。上述した希釈した組成物及び水の親水化効率を以下のようにして測定した。フッ化水素酸処理によって疎水性が与えられた表面を有するシリコンウエハー片を水比較例C1、及び比較例C2~C5及び実施例1~3の各組成を希釈することによって得られたそれぞれの組成物注、表1中に、40°Cで2分間浸した。この後、シリコンウエハー片をすすぎ洗いし、そして乾燥させた。各場合において、リン酸アルコール中2質量の6滴の200μl液滴を、それぞれの乾燥したシリコンウエハー片の同一の表面上に滴下させた。各場合において、5分の広がり時間の後に、ソフトウェアに補助された写真画像処理を使用して6滴の広がった液滴の面積を測定した。訂正した平均面積値、及び訂正した標準偏差を各場合において計算した。明確化を目的として、得られた平均面積値を、参照としての1ユーロコインの面積と比較し、1ユーロコインの面積を100と定義した。このようにして得られた値を表2にまとめた。表2:参照として1ユーロコインの面積の百分率で表した、水比較例C1及び比較例C2~C5及び実施例1~3の希釈された組成物の親水性効率比較例C2、C4及びC5の希釈された組成物は、実施例1及び3の希釈された組成物よりも高い濡れ効率を示したにもかかわらず、これらは光又は太陽電池を製造するための工業的工程には使用することができなかった。この理由は、これらは工程条件下では安定しなかったかたである。更に、上述した希釈された組成物のエッチング効果は、親水性化された表面の粗悪な品質をもたらした。更に、エッチング及び洗浄効果は、再現することが困難であった。このことは同様に、比較例3の組成物にもあてはまる。更に、比較例C2~C5の全ての希釈された組成物は、PSG除去工程の後に行われる、追加的な湿式洗浄及び変性工程で湿式洗浄、及び変性組成物として使用することができなかった。これに対して、実施例1~3の希釈された組成物は、特に安定していた。特に、その卓越した緩衝容量のために、上述した希釈された組成物のpHは、酸の濃度を広い範囲で変化させても変化しなかった。従って、これらの親水性化効率は、光又は太陽電池を製造するための工業的な工程の条件下で、安定して保持される。更に、これらは、有利な微細粗さmicroroughnessを有する、滑らかなエッチされた表面を生産した。更に、エッチング及び洗浄結果は、卓越した態様で再現可能であった。最後に、しかし特に、これらは、PSG除去の後に行われる、追加的な湿式洗浄及び変性工程で湿式洗浄及び変性組成物として、非常に良好に適切であった。実施例4実施例2の希釈された組成物を使用した、太陽電池のパイロットプラント規模の製造パイロットプラント規模の製造ラインで、太陽電池を製造した。実施例2の希釈された組成物が使用される、関連する工程段階で、シリコンウエハーを、アルカリ的に安定なコンベアロールを使用して、エッチング及び洗浄バスを通して水平に運んだ。シリコンウエハーの関連する表面を、フッ化水素酸を含む水性の酸性エッチング組成物を使用してテキスチャー化した。このようにして、疎水性の表面が得られた。この後、疎水性のシリコンウエハーを中和、すすぎ洗いし、及び乾燥した。この後、疎水性のシリコンウエハーを、実施例2の希釈された組成物を含む40°Cのバスを通して各シリコンウエハーが希釈された組成物と2分間接触する運搬速度で運んだ。このようにして、前述したウエハーの疎水性表面が、親水性表面に変換された。この後、シリコンウエハーをすすぎ洗いし、及び乾燥した。以下の工程で、リン酸アルコール中2質量を、液体リンエミッタ源として、シリコンウエハーの親水性表面上に施した。この後、液体エミッタ源で被覆されたシリコンウエハーの表面を加熱し、これにより、シリコン基材材料内にリンエミッタが形成され、及びシリコンウエハー表面の頂部にPSG層が形成された。10フッ化水素酸処理によって、PSG層が、シリコンウエハーの表面から除去された。この後、シリコンウエハーを中和し、すすぎ洗いし、及び乾燥させた。以下の工程で、各シリコンウエハーの関連する表面を、PSG残留物から洗浄し、そしてウエハーを実施例2の希釈した組成物を約50°Cで使用して2分間処理することによって変性した。この後、シリコンウエハーを1のフッ化水素酸を使用して処理し、すすぎ洗いし、そして乾燥させた。次に、物理的に促進された化学的蒸気堆積PECVDを使用して、水素をドープした窒化ケイ素層を、不動態化及び反射防止層としてシリコンウエハーの変性された表面の一つの頂部に施し、中間体を得た。この後、太陽電池を製造する分野では通常の、及び公知の工程段階を使用して、中間体を更に処理し、高い効率を有し及び均一な外観を有する太陽電池を高い収率で得た。このようにして得られた太陽電池の電気的特性の測定により、優れた結果が得られ、従来技術の方法で製造された太陽電池の効率と比較して、0.1~0.4の範囲で電池効率が増していた。"