"第一基板を提供するステップと、前記第一基板上に半導体層を形成するステップと、前記半導体層を互いに離間して設置される複数の半導体ユニットに形成し、各々の半導体ユニットに正電極及び負電極を形成して、前記第一基板上に互いに離間して設置される複数の発光ユニットを形成するステップと、各々の発光ユニットの正電極上及び負電極上にバンプを形成するステップと、前記第一基板上に第一封止層を形成して、前記複数の発光ユニットを封止するステップと、前記第一封止層の前記基板から離れた第一表面をグラインディングして、前記第一封止層の第一表面と該第一表面から露出される前記バンプの表面とは、同じ平面に位置するステップと、パッケージ基板を前記第一封止層の第一表面に接着して、前記パッケージ基板と前記第一基板を前記第一封止層の両側に配置するステップと、前記第一基板を除去するステップと、前記第一封止層の第一表面に対向する第二表面に第二封止層を形成して、前記第二封止層及び前記パッケージ基板を前記第一封止層の両側に配置するステップと、複数の切断線に沿って、前記パッケージ基板、前記第一封止層及び前記第二封止層からなる積層体を切断して、複数の半導体発光ユニットパッケージ構造を形成するステップと、を備えることを特徴とするウエハレベルパッケージの製造方法。前記半導体層は、P型半導体層、発光層及びN型半導体層を備え、前記発光層は、少なくとも1つの波長帯の光を発光可能であることを特徴とする請求項1に記載のウエハレベルパッケージの製造方法。前記第二封止層の中に波長変換素子を設けることを特徴とする請求項2に記載のウエハレベルパッケージの製造方法。前記パッケージ基板は、回路モジュールを備え、各々の発光ユニットの正電極及び負電極を対応するバンプによって前記回路モジュールに電気接続することを特徴とする請求項3に記載のウエハレベルパッケージの製造方法。本発明の目的は、前記課題を解決し、パッケージ構造の歩留りを向上させることができるウエハレベルパッケージの製造方法を提供することである。本発明に係るウエハレベルパッケージの製造方法は、第一基板を提供するステップと、前記第一基板上に半導体層を形成するステップと、前記半導体層を互いに離間して設置される複数の半導体ユニットに形成し、各々の半導体ユニットに正電極及び負電極を形成して、前記第一基板上に互いに離間して設置される複数の発光ユニットを形成するステップと、各々の発光ユニットの正電極上及び負電極上にバンプを形成するステップと、前記第一基板上に第一封止層を形成して、前記複数の発光ユニットを封止するステップと、前記第一封止層の前記基板から離れた第一表面をグラインディングして、前記第一封止層の第一表面と該第一表面から露出する前記バンプの表面とは、全て滑らかな平面になり且つ同じ平面に位置するステップと、パッケージ基板を前記第一封止層の第一表面に接着して、前記パッケージ基板と前記第一基板を前記第一封止層の両側に配置するステップと、前記第一基板を除去するステップと、前記第一封止層の第一表面に対向する第二表面に第二封止層を形成して、前記第二封止層及び前記パッケージ基板を前記第一封止層の両側に配置するステップと、複数の切断線に沿って、前記パッケージ基板、前記第一封止層及び前記第二封止層からなる積層体を切断して、複数の半導体発光ユニットパッケージ構造を形成するステップと、を備える。本発明に係わるウエハレベルパッケージの製造方法によって、ウエハとパッケージ基板とを緊密に接合して、パッケージ構造の歩留りを向上させる。以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。本発明の実施形態に係るウエハレベルパッケージの製造方法は、以下のステップを備える。図1に示されたように、基板10を提供する。前記基板10は、Al2O3基板、SiC基板、LiAlO2基板、LiGaO2基板、Si基板、GaN基板、ZnO基板、AlZnO基板、GaAs基板、GaP基板、GaSb基板、InP基板、InAs基板又はZnSe基板である。図2に示されたように、前記基板10の上に半導体層11を形成する。化学気相成長法ChemicalVaporDeposition,CVD、有機金属化学気相成長法MetalOrganicChemicalVaporDeposition,MOCVD又は分子線エピタキシー法MolecularBeamEpitaxy,MBEによって、前記基板10の上に半導体層11をエピタキシャル成長する。本実施形態において、前記半導体層11は、P型半導体層111、発光層112及びN型半導体層113を備える。前記半導体層11は、IIIV族化合物半導体又はIIVI族化合物半導体である。前記発光層112は、シングルヘテロ構造、ダブルヘテロ構造、単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造を含み、少なくとも1つの波長帯の光を発光可能である。図3に示されたように、フォトリソグラフィによって前記半導体層11を互いに離間して設置される複数の半導体ユニットに形成してから、蒸着メッキ又はスパッタリング及びエッチングによって各々の半導体ユニットに正電極114及び負電極115を形成して、前記基板10の上に互いに離間して設置される複数の発光ユニット110を形成する。各々の発光ユニット110において、前記正電極114は前記P型半導体層111に電気接続し、前記負電極115は前記N型半導体層113に電気接続する。本実施形態において、前記正電極114及び前記負電極115は、Ni、Cr、Au、Ag、Pt、Cu、Zn、Ti、Si又はこれらの合金からなる。図4に示されたように、各々の発光ユニット110の正電極114及び負電極115にバンプ12a及びバンプ12bをそれぞれ形成する。前記バンプ12a及び前記バンプ12bは、Ni、Sn、Cr、Cu、Au、Ag、Pb、Pt、Zn、Ti、Si又はこれらの合金からなり、ステンシルプリンティングによって前記正電極114及び前記負電極115にそれぞれ形成される。図5に示されたように、前記基板10の上に第一封止層13を形成して、前記複数の発光ユニット110を封止する。本実施形態において、前記第一封止層13は、エポキシepoxy樹脂、シリコーンsilicone又はその組合からなり、トランスファー成形transfermolding、スピンコーティングspincoating、射出成形injectionmoldingによって、前記基板10の表面に形成される。前記第一封止層13は、前記基板10から離れた表面131及び前記表面131に対向する表面132を備える。図6に示されたように、グラインダー100を利用して前記第一封止層13の表面131をグラインディングすることにより、前記第一封止層13の表面131と該表面131に露出される前記バンプ12a、12bの表面とは、全て滑らかな平面になり且つ同じ平面に位置する。本実施形態において、前記第一封止層13の表面131をグラインディングする前に、複数の前記バンプ12a、12bは前記第一封止層13内に封止されているが、前記第一封止層13の表面131をグラインディングすることにより、複数の前記バンプ12a、12bの表面を前記第一封止層13の表面131に露出し、且つ複数の前記バンプ12a、12bの表面と前記第一封止層13の表面131は、同じ平面に位置する。他の実施形態において、前記基板10に第一封止層13を形成する際、複数の前記バンプ12a、12bを前記第一封止層13から露出させてから、複数の前記バンプ12a、12bの表面と前記第一封止層13の表面131が同じ平面に位置するまでに、グラインダー100でグラインディングする。図7に示されたように、前記第一封止層13の表面131に粘着層20を形成する。前記粘着層20は、異方導電性AnisotropicConductiveを有するフィルムFilm、ゲルgel又はペーストpasteであることができ、熱転写印刷方式thermaltransferprintingによって前記第一封止層13の表面131に形成される。図8に示されたように、前記粘着層20によって、パッケージ基板14を前記第一封止層13の表面131に粘着して、前記パッケージ基板14と前記基板10は前記第一封止層13の両側に位置する。前記パッケージ基板14は、複数の第一回路141a及び複数の第二回路141bからなる回路モジュール141を備える。各々の第一回路141aは、1つの第二回路141bに対応し且つ該第二回路141bに電気接続される。複数の第一回路141a及び複数の第二回路141bは、前記パッケージ基板14の対向する両側に位置する。各々の発光ユニット110の正電極114及び負電極115は、前記バンプ12a及び前記バンプ12bによって対応する前記第一回路141aにそれぞれに電気接続される。本実施形態において、前記パッケージ基板14は、印刷回路基板PrintedCircuitBoard,PCB、セラミック基板、シリコン基板、金属基板又はSiO基板であり、前記回路モジュール141は、Cu、Ni、Au、Ag又はこれらの組合のような導電材料からなる。図9に示されたように、前記基板10を複数の前記発光ユニット110及び前記第一封止層13の表面132から除去する。本実施形態において、剥離技術liftoff、エッチング技術、切断cutting又はグラインディングによって、前記基板10を複数の前記発光ユニット110及び前記第一封止層13の表面132から除去する。図10Aに示されたように、複数の波長変換素子151で前記第一封止層13の表面132に露出する複数の前記発光ユニット110を覆ってから、前記第一封止層13の表面132に第二封止層15を形成して、前記第二封止層15及び前記パッケージ基板14は、前記第一封止層13の両側に位置する。前記波長変換素子151は、フィルム、パッチpatch又は蛍光プレートplateであることができ、コーティング、ペーストpaste又はスプレーsprayによって、前記第一封止層13の表面132に露出する複数の前記発光ユニット110の表面に形成される。前記波長変換素子151は、前記発光ユニット110からの光線を吸収して励起状態となり、次いで他の波長の光線を発光する。前記波長変換素子151は、YAGイットリウムアルミニウムガーネット系蛍光体材料、TAGテルビウムアルミニウムガーネット系蛍光体材料、硫化物Sulfide、リン化物Phosphate、酸窒化物Oxynitride又はシリケイトSilicateであることができる。前記第二封止層15は、エポキシ樹脂、シリコーン又はその組合からなり、トランスファー成形、スピンコーティング、射出成形によって、前記第一封止層13の表面132に形成されて、前記波長変換素子151を封止する。図10Bに示されたように、他の実施形態において、波長変換素子152は、粉末であり且つ前記第二封止層15の中に均一に混ぜることができる。図11及び図12に示されたように、複数の切断線16に沿って、前記パッケージ基板14、前記第一封止層13及び前記第二封止層15からなる積層体を切断して、複数の半導体発光ユニットパッケージ構造1を形成する。本実施形態において、各々の半導体発光ユニットパッケージ構造1は、前記回路モジュール141を有する前記パッケージ基板14、1つの前記発光ユニット110、前記第一封止層13、前記波長変換素子151、152及び前記第二封止層15を備える。前記半導体発光ユニットパッケージ構造1は、表面実装デバイスSMDである。他の実施形態において、各々の半導体発光ユニットパッケージ構造1は、複数の発光ユニット110を備えることができる。前記回路モジュール141の第一回路141aは、導通路17によって対応する前記第二回路141bに電気接続される。本実施形態において、前記導通路17は、前記パッケージ基板14の内部に設置されたが、他の実施形態において、前記導通路17は、前記パッケージ基板14の側辺に位置し且つ前記半導体発光ユニットパッケージ構造1の外部に露出されてもよい。本発明に係るウエハレベルパッケージの製造方法によって、ウエハとパッケージ基板とを緊密に接合して、パッケージ構造の歩留りを向上させる。以上、本発明を実施例に基づいて具体的に説明したが、本発明は、上述の実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種種変更可能であることは勿論であって、本発明の保護範囲は、以下の特許請求の範囲から決まる。"