ウエハを収容する処理室を備える基板処理装置において、臭素を含む処理ガスから生成されたプラズマで前記ウエハ上に形成されたシリコン層をエッチングするメインエッチングステップと、酸素を含む処理ガスから生成されたプラズマで前記エッチングされたシリコン層をアッシングするアッシングステップと、フッ素を含む処理ガスから生成されたプラズマで前記アッシングされたシリコン層をエッチングするブレークスルーエッチングステップとを有し、前記アッシングステップは、前記メインエッチングにおいて生成された反応性生成物に酸化処理を施す酸化ステップを含むことを特徴とする基板処理方法。前記メインエッチングステップ、前記アッシングステップ、及び前記ブレークスルーエッチングステップをこの順で2回以上繰り返すことを特徴とする請求項1記載の基板処理方法。前記メインエッチングステップに先立って、前記臭素を含む処理ガス及び前記フッ素を含む処理ガスから生成されたプラズマで前記シリコン層をエッチングする事前エッチングステップをさらに有することを特徴とする請求項1又は2記載の基板処理方法。前記酸素を含む処理ガスは窒素ガスを含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板処理方法。前記メインエッチングステップの実行時間、前記アッシングステップの実行時間、及び前記ブレークスルーエッチングステップの実行時間の比は、42~48:1~2:2~3であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板処理方法。前記ブレークスルーエッチングステップにおいて、前記基板処理装置で用いられる2つの高周波電力のうちの低い周波数の高周波電力の周波数は13.52MHzよりも小さいことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の基板処理方法。前記低い周波数の高周波電力の周波数は3MHzよりも小さいことを特徴とする請求項6記載の基板処理方法。前記メインエッチングステップ、前記アッシングステップ、及び前記ブレークスルーエッチングステップにおいて前記処理室内の圧力を同じ値に維持することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の基板処理方法。前記メインエッチングステップ、前記アッシングステップ、及び前記ブレークスルーエッチングステップにおいて前記基板処理装置で用いられる2つの高周波電力の出力値を同じ値に維持することを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の基板処理方法。前記メインエッチングステップ、前記アッシングステップ、及び前記ブレークスルーエッチングステップにおいて前記処理室内に供給される前記処理ガスの総流量を同じ値に維持することを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の基板処理方法。ウエハを収容する処理室を備える基板処理装置において前記ウエハに所定の処理を施す基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータで読み取り可能な記憶媒体であって、前記基板処理方法は、ウエハを収容する処理室を備える基板処理装置において、臭素を含む処理ガスから生成されたプラズマで前記ウエハ上に形成されたシリコン層をエッチングするメインエッチングステップと、酸素を含む処理ガスから生成されたプラズマで前記エッチングされたシリコン層をアッシングするアッシングステップと、フッ素を含む処理ガスから生成されたプラズマで前記アッシングされたシリコン層をエッチングするブレークスルーエッチングステップとを有し、前記アッシングステップは、前記メインエッチングにおいて生成された反応性生成物に酸化処理を施す酸化ステップを含むことを特徴とする記憶媒体。前記メインエッチングステップ、前記アッシングステップ、及び前記ブレークスルーエッチングステップをこの順で2回以上繰り返すことを特徴とする請求項11記載の記憶媒体。前記メインエッチングステップに先立って、前記臭素を含む処理ガス及び前記フッ素を含む処理ガスから生成されたプラズマで前記シリコン層をエッチングする事前エッチングステップをさらに有することを特徴とする請求項11又は12記載の記憶媒体。しかしながら、図5Aに示すように、臭化水素ガスから生成されたプラズマを用いてポリシリコン層50をエッチングすると、プラズマ中の臭素ラジカル51がシリコンと反応して反応性生成物、例えば、臭化珪素SiBrxxは自然数を生成する。なお、上記エッチングにおいて生成される反応性生成物としては、本来、臭素酸化珪素SiOBrxxは自然数が該当するが、上記エッチングは、通常、大気が存在しない減圧環境下で行われるため、生じる反応性生成物は酸素を欠いた臭化珪素又はそれに類するものとなる。生成された臭化珪素はホール52の内面にデポ53として付着する図5B。ポリシリコン層50のエッチングが進むにつれて生成される臭化珪素の量も増加するが、臭化珪素は臭素プラズマや水素プラズマによって除去されにくいため、ホール52の内面に付着するデポ53の量も増加し、ホール52においてシリコンが殆ど露出しなくなり図5C、ポリシリコン層50のエッチングレートが低下する。本発明の目的は、エッチングレートを低下させることなくアスペクト比の高いホール等をシリコン層に形成することができる基板処理方法及び記憶媒体を提供することにある。上記目的を達成するために、請求項1記載の基板処理方法は、ウエハを収容する処理室を備える基板処理装置において、臭素を含む処理ガスから生成されたプラズマで前記ウエハ上に形成されたシリコン層をエッチングするメインエッチングステップと、酸素を含む処理ガスから生成されたプラズマで前記エッチングされたシリコン層をアッシングするアッシングステップと、フッ素を含む処理ガスから生成されたプラズマで前記アッシングされたシリコン層をエッチングするブレークスルーエッチングステップとを有し、前記アッシングステップは、前記メインエッチングにおいて生成された反応性生成物に酸化処理を施す酸化ステップを含むことを特徴とする。請求項2記載の基板処理方法は、請求項1記載の基板処理方法において、前記メインエッチングステップ、前記アッシングステップ、及び前記ブレークスルーエッチングステップをこの順で2回以上繰り返すことを特徴とする。請求項3記載の基板処理方法は、請求項1又は2記載の基板処理方法において、前記メインエッチングステップに先立って、前記臭素を含む処理ガス及び前記フッ素を含む処理ガスから生成されたプラズマで前記シリコン層をエッチングする事前エッチングステップをさらに有することを特徴とする。請求項4記載の基板処理方法は、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板処理方法において、前記酸素を含む処理ガスは窒素ガスを含むことを特徴とする。請求項5記載の基板処理方法は、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板処理方法において、前記メインエッチングステップの実行時間、前記アッシングステップの実行時間、及び前記ブレークスルーエッチングステップの実行時間の比は、42~48:1~2:2~3であることを特徴とする。請求項6記載の基板処理方法は、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の基板処理方法において、前記ブレークスルーエッチングステップにおいて、前記基板処理装置で用いられる2つの高周波電力のうちの低い周波数の高周波電力の周波数は13.52MHzよりも小さいことを特徴とする。請求項7記載の基板処理方法は、請求項6記載の基板処理方法において、前記低い周波数の高周波電力の周波数は3MHzよりも小さいことを特徴とする。請求項8記載の基板処理方法は、請求項1乃至7のいずれか1項に記載の基板処理方法において、前記メインエッチングステップ、前記アッシングステップ、及び前記ブレークスルーエッチングステップにおいて前記処理室内の圧力を同じ値に維持することを特徴とする。請求項9記載の基板処理方法は、請求項1乃至8のいずれか1項に記載の基板処理方法において、前記メインエッチングステップ、前記アッシングステップ、及び前記ブレークスルーエッチングステップにおいて前記基板処理装置で用いられる2つの高周波電力の出力値を同じ値に維持することを特徴とする。請求項10記載の基板処理方法は、請求項1乃至9のいずれか1項に記載の基板処理方法において、前記メインエッチングステップ、前記アッシングステップ、及び前記ブレークスルーエッチングステップにおいて前記処理室内に供給される前記処理ガスの総流量を同じ値に維持することを特徴とする。上記目的を達成するために、請求項11記載の記憶媒体は、ウエハを収容する処理室を備える基板処理装置において前記ウエハに所定の処理を施す基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータで読み取り可能な記憶媒体であって、前記基板処理方法は、ウエハを収容する処理室を備える基板処理装置において、臭素を含む処理ガスから生成されたプラズマで前記ウエハ上に形成されたシリコン層をエッチングするメインエッチングステップと、酸素を含む処理ガスから生成されたプラズマで前記エッチングされたシリコン層をアッシングするアッシングステップと、フッ素を含む処理ガスから生成されたプラズマで前記アッシングされたシリコン層をエッチングするブレークスルーエッチングステップとを有し、前記アッシングステップは、前記メインエッチングにおいて生成された反応性生成物に酸化処理を施す酸化ステップを含むことを特徴とする。請求項12記載の記憶媒体は、請求項11記載の記憶媒体において、前記メインエッチングステップ、前記アッシングステップ、及び前記ブレークスルーエッチングステップをこの順で2回以上繰り返すことを特徴とする。請求項13記載の記憶媒体は、請求項11又は12記載の記憶媒体において、前記メインエッチングステップに先立って、前記臭素を含む処理ガス及び前記フッ素を含む処理ガスから生成されたプラズマで前記シリコン層をエッチングする事前エッチングステップをさらに有することを特徴とする。本発明によれば、ウエハ上に形成されたシリコン層が臭素を含む処理ガスから生成されたプラズマでエッチングされ、酸素を含む処理ガスから生成されたプラズマでアッシングされ、さらにフッ素を含む処理ガスから生成されたプラズマでエッチングされ、アッシングの際、臭素プラズマによるシリコン層のエッチングで生成された反応性生成物に酸化処理が施される。臭素プラズマによるシリコン層のエッチングで生成された反応性生成物は臭素プラズマで除去されにくいが、該反応性生成物はアッシング処理において発生した酸素ラジカルによる酸化処理が施されて酸化物に変質する。変質した酸化物は、フッ素プラズマのエッチングによって容易に除去される。すなわち、反応性生成物を酸化物に変質させることによって容易に除去することができる。したがって、ホール等の内面に付着する反応性生成物からなるデポを除去することができ、その結果、エッチングレートを低下させることなくアスペクト比の高いホール等をシリコン層に形成することができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。図1は、本実施の形態に係る基板処理方法が実行される基板処理装置の構成を概略的に示す図である。本基板処理装置は、基板としての半導体デバイス用のウエハ以下、単にウエハという。にプラズマエッチング処理を施す。図1において、基板処理装置10は、例えば、直径が300mmのウエハWを収容するチャンバ11を有し、該チャンバ11内にはウエハWを上面に載置する円柱状のサセプタ12が配置されている。基板処理装置10では、チャンバ11の内側壁とサセプタ12の側面とによって側方排気路13が形成される。この側方排気路13の途中には排気プレート14が配置される。排気プレート14は多数の貫通孔を有する板状部材であり、チャンバ11内部を上部と下部に仕切る仕切り板として機能する。排気プレート14によって仕切られたチャンバ11内部の上部以下、処理室という。15の内部空間には後述するようにプラズマが発生する。また、チャンバ11内部の下部以下、排気室マニホールドという。16にはチャンバ11内のガスを排出する排気管17が接続される。排気プレート14は処理室15に発生するプラズマを捕捉又は反射してマニホールド16への漏洩を防止する。排気管17にはTMPTurboMolecularPump及びDPDryPumpともに図示しないが接続され、これらのポンプはチャンバ11内を真空引きして減圧する。具体的には、DPはチャンバ11内を大気圧から中真空状態例えば、1.3×10Pa0.1Torr以下まで減圧し、TMPはDPと協働してチャンバ11内を中真空状態より低い圧力である高真空状態例えば、1.3×10-3Pa1.0×10-5Torr以下まで減圧する。なお、チャンバ11内の圧力はAPCバルブ図示しないによって制御される。チャンバ11内のサセプタ12には第1の高周波電源18が第1の整合器19を介して接続され、第1の高周波電源18は比較的低い周波数、例えば、2MHzのイオン引き込み用の高周波電力をサセプタ12に供給する。これにより、サセプタ12は下部電極として機能する。また、第1の整合器19は、サセプタ12からの高周波電力の反射を低減して高周波電力のサセプタ12への供給効率を最大にする。サセプタ12の上部周縁部には、該サセプタ12の中央部分が図中上方へ向けて突出するように段差が形成される。該サセプタ12の中央部分の先端には静電電極板20を内部に有するセラミックスからなる静電チャック21が配置されている。静電電極板20には直流電源22が接続されており、静電電極板20に正の直流電圧が印加されると、ウエハWにおける静電チャック21側の面以下、裏面という。には負電位が発生して静電電極板20及びウエハWの裏面の間に電位差が生じ、該電位差に起因するクーロン力又はジョンソンラーベック力によってウエハWは静電チャック21に吸着保持される。また、サセプタ12は内部に冷媒流路からなる冷却機構図示しないを有し、該冷却機構はプラズマと接触して温度が上昇するウエハWの熱をサセプタ12を介して吸収することによってウエハWの温度が所望の温度以上になるのを防止する。サセプタ12は伝熱効率や電極機能を考慮して導電体、例えば、アルミニウムから構成されるが、導電体をプラズマが発生する処理室15へ晒すのを防止するために、該サセプタ12は側面を誘電体、例えば、石英SiO2からなる側面保護部材23によって覆われる。さらに、サセプタ12の上部には、静電チャック21に吸着保持されたウエハWを囲むようにフォーカスリング24がサセプタ12の段差や側面保護部材23へ載置され、さらに、フォーカスリング24を囲むようにシールドリング25が側面保護部材23へ載置されている。フォーカスリング24は珪素Si又は炭化珪素SiCからなり、プラズマの分布域をウエハW上だけでなく該フォーカスリング24上まで拡大する。チャンバ11の天井部には、サセプタ12と対向するようにシャワーヘッド26が配置される。シャワーヘッド26は、上部電極板27と、該上部電極板27を着脱可能に釣支するクーリングプレート28と、該クーリングプレート28を覆う蓋体29とを有する。上部電極板27は厚み方向に貫通する多数のガス孔30を有する円板状部材からなる。クーリングプレート28の内部にはバッファ室31が設けられ、このバッファ室31には処理ガス導入管32が接続されている。シャワーヘッド26の上部電極板27には第2の高周波電源33が第2の整合器34を介して接続され、第2の高周波電源33は比較的高い周波数、例えば、40MHzのプラズマ生成用の高周波電力を上部電極板27に供給する。これにより、シャワーヘッド26は上部電極として機能する。また、第2の整合器34は、上部電極板27からの高周波電力の反射を低減して高周波電力の上部電極板27への供給効率を最大にする。基板処理装置10はさらに制御部35を備え、該制御部35は内蔵するメモリ等に記憶されたプログラムに従って各構成要素の動作を制御し、プラズマエッチング処理を実行する。具体的に、制御部35は、各構成要素の動作を制御して処理ガス導入管32からバッファ室31へ供給された処理ガスを処理室15の内部空間へ導入し、該導入した処理ガスを、第2の高周波電源33から上部電極板27を介して処理室15の内部空間へ印加されたプラズマ生成用の高周波電力により、励起してプラズマを生成し、プラズマ中のイオンを第1の高周波電源18がサセプタ12に印加するイオン引き込み用の高周波電力によってウエハWに向けて引き込み、該ウエハWにプラズマエッチング処理を施す。図2は、図1の基板処理装置によってプラズマエッチング処理が施されるウエハの構成を概略的に示す部分断面図である。図2において、ウエハWはシリコン基部36上に支持オキサイド層37、ポリシリコン層38、支持窒化珪素層39及びシリコンの酸化物等からなるハードマスク層40を有する。本実施の形態では、ハードマスク層40は所定のパターンに従って形成された開口部41を有し、支持窒化珪素層39も開口部41に対応した開口部42を有しており、開口部42の底部にはポリシリコン層38が露出している。ポリシリコン層は、通常、臭化水素を含む処理ガスから生成されたプラズマを用いてエッチングされるが、この際、上述したように、プラズマ中の臭素ラジカルがシリコンと反応して臭化珪素が生成される。臭化珪素はデポとなってポリシリコン層に形成されるホールやトレンチの内面にデポとして付着するが、臭化珪素は臭素陽イオンや臭素ラジカルによって除去されにくいため、やがてポリシリコン層のエッチングを阻害してエッチングレートを低下させる。そこで、本発明者は鋭意研究を行い、ポリシリコン層38の臭化水素を含む処理ガスから生成されたプラズマによるエッチング処理に続いて、酸素を含む処理ガスから生成されたプラズマによるアッシング処理、及びフッ素を含む処理ガスから生成されたプラズマによるエッチング処理を順にポリシリコン層38に施せば、エッチングレートを低下させることなくアスペクト比の高いホールやトレンチをポリシリコン層38に形成できることを見出した。本発明は本知見に基づくものである。図3は、本実施の形態に係る基板処理方法を示す工程図である。まず、大気の存在しない減圧環境下で臭化水素を含む処理ガスから生成されたプラズマを用いて開口部42の底部に露出するポリシリコン層38をエッチングする。このとき、処理ガスから臭素陽イオン45a及び臭素ラジカル45bが発生し、臭素陽イオン45aはサセプタ12に印加されたイオン引き込み用の高周波電力によってポリシリコン層38に引き込まれて該ポリシリコン層38をスパッタして物理的にエッチングし、臭素ラジカル45bはポリシリコン層38のシリコンと反応して該ポリシリコン層38を化学的にエッチングする図3A。臭素ラジカル45bが大気の存在しない減圧環境下でシリコンと反応すると臭化珪素が生成され、該臭化珪素はデポとしてポリシリコン層38にエッチングによって形成されつつあるホール43の内面にデポ44として付着する図3B。その後、デポ44がホール43の内面を全て覆う頃に、処理室15内に酸素及び窒素を含む処理ガスを導入し、該処理ガスから生成されたプラズマを用いてポリシリコン層38をアッシングする。このとき、処理ガスから酸素ラジカル46及び窒素ラジカル47が発生してデポ44に酸化処理を施す。具体的には、酸素ラジカル46はデポ44中の臭化珪素を酸化して臭素を酸素に置換し、SiO2二酸化珪素に変質させる。また、窒素ラジカル47は臭化珪素から二酸化珪素への酸化を促進する。一方、酸素ラジカル46や窒素ラジカル47はシリコンと反応しないため、ポリシリコン層38をエッチングすることがなく、ホール43が深くなることはない図3C。アッシングに伴う酸化処理によってデポ44中の殆どの臭化珪素が二酸化珪素へ変質した後、処理室15内にフッ素を含む処理ガスを導入し、該処理ガスから生成されたプラズマを用いてポリシリコン層38をエッチングする。このとき、処理ガスからフッ素陽イオン48a及びフッ素ラジカル48bが発生し、フッ素陽イオン48aはイオン引き込み用の高周波電力によってホール43内に引き込まれてデポ44をスパッタして物理的にエッチングし、フッ素ラジカル48bはデポ44中の二酸化珪素と反応してデポ44を化学的にエッチングする図3D。フッ素陽イオン48aやフッ素ラジカル48bは二酸化珪素との反応性が高く、二酸化珪素を物理的エッチングや化学的エッチングによって容易に除去することができる。したがって、ホール43内からデポ44が殆ど除去されてポリシリコン層38が再度露出する。フッ素陽イオン48a及びフッ素ラジカル48bは、臭化珪素だけでなくシリコンもエッチングする虞があるが、ホール43の内面は全てデポ44によって覆われるため、デポ44が除去されるまでは、ポリシリコン層38がエッチングされることはなく、例えば、ホール43の側面がエッチングされて生じるボーイング形状が生じることはない。また、一般にイオン引き込み用の高周波電力の周波数が低いと陽イオンは高周波電力の変動に追従しやすくなるため、周波数を低く設定すれば、例えば、13.52MHz以下、好ましくは3MHz、より好ましくは2MHzよりも小さく設定すれば、フッ素陽イオン48aをホール43内に数多く引き込むことができ、もって、ホール43内のデポ44を確実に除去することができる。特に、ホール43の底部に向けてフッ素陽イオン48aを引き込むことができるので、ホール43のアスペクト比が高くなってきたときに、イオン引き込み用の高周波電力の周波数を低く設定するのが好ましい。次いで、ホール43内からデポ44が除去されてポリシリコン層38が露出した後、再度、処理室15内に臭素を含む処理ガスを導入し、該処理ガスから生成された臭素陽イオン45aや臭素ラジカル45bを用いてポリシリコン層38をエッチングする。このときも、臭化珪素が生成され、該臭化珪素がデポ44としてホール43の内面に付着する図3E。次いで、図3Cの工程と同様に、処理室15内に酸素及び窒素を含む処理ガスを導入し、該処理ガスから生成された酸素ラジカル46を用いてデポ44に酸化処理を施し、デポ44中の臭化珪素を酸化して二酸化珪素に変質させ、窒素ラジカル47は臭化珪素から二酸化珪素への酸化を促進する図3F。次いで、図3Dの工程と同様に、処理室15内にフッ素を含む処理ガスを導入し、該処理ガスから生成されたフッ素陽イオン48aやフッ素ラジカル48bを用いて二酸化珪素からなるデポ44をエッチングして除去する図3G。本実施の形態に係る基板処理方法では、ホール43の深さが所望の値に到達するまで図3E乃至図3Gの工程が繰り返される。図4は、本実施の形態に係る基板処理方法としての高アスペクト比エッチング処理を示すフローチャートである。図4において、まず、処理室15内に臭化水素ガスHBr、酸素ガスO2及び三弗化窒素ガスNF3を含む処理ガスを導入し、プラズマ生成用の高周波電力を上部電極板27へ600~800W、好ましくは700Wで供給し、イオン引き込み用の高周波電力をサセプタ12へ200~400W、好ましくは300Wで供給し、処理室15内の圧力を30~50mTorr、好ましくは40mTorrに設定して処理ガスからプラズマを生成し、該プラズマを用いたエッチングを事前エッチングとして9~11秒間、好ましくは10秒間に亘って行うステップS41。事前エッチングにおける臭化水素ガス、酸素ガス及び三弗化窒素ガスの流量はそれぞれ3~7sccm、好ましくは5sccm、120~140sccm、好ましくは130sccm、及び3~7sccm、好ましくは5sccmである。このとき、処理ガスから発生したフッ素陽イオン48aやフッ素ラジカル48bが開口部42の底部に露出するポリシリコン層38の表面に生じている二酸化珪素からなる自然酸化膜図示しないをエッチングして除去し、処理ガスから発生した臭素陽イオン45aや臭素ラジカル45bが上記露出するポリシリコン層38の表面における不規則形状部分、例えば、突起を優先的にエッチングして除去する。その結果、ポリシリコン層38の表面の形状を整えることができる。次いで、処理室15内に臭化水素ガス、酸素ガス及び三弗化窒素ガスを含む処理ガスを導入し、プラズマ生成用の高周波電力を上部電極板27へ400~600W、好ましくは500Wで供給し、イオン引き込み用の高周波電力をサセプタ12へ1400~1600W、好ましくは1500Wで供給し、処理室15内の圧力を90~110mTorr、好ましくは100mTorrに設定して処理ガスからプラズマを生成し、該プラズマを用いたエッチングをメインエッチングとして84~96秒間、好ましくは90秒間に亘って行うステップS42。メインエッチングにおける臭化水素ガス、酸素ガス及び三弗化窒素ガスの流量はそれぞれ8~12sccm、好ましくは10sccm、220~230sccm、好ましくは225sccm、及び18~22sccm、好ましくは20sccmである。このとき、処理ガスから発生した臭素陽イオン45aや臭素ラジカル45bが、表面の形状が整えられたポリシリコン層38をエッチングしてポリシリコン層38にホール43を形成するが、臭化珪素が生成されてホール43の内面へデポ44として付着し、該デポ44はホール43の内面を全て覆う。次いで、処理室15内に酸素ガス及び窒素ガスN2を含む処理ガスを導入し、プラズマ生成用の高周波電力を上部電極板27へ400~600W、好ましくは500Wで供給し、イオン引き込み用の高周波電力をサセプタ12へ1400~1600W、好ましくは1500Wで供給し、処理室15内の圧力を90~110mTorr、好ましくは100mTorrに設定して処理ガスからプラズマを生成し、該プラズマを用いたアッシングを2~4秒間、好ましくは3秒間に亘って行うステップS43。アッシングにおける酸素ガス及び窒素ガスの流量はそれぞれ95~105sccm、好ましくは100sccm及び150~160sccm、好ましくは155sccmである。このとき、処理ガスから発生した酸素ラジカル46が、デポ44中の臭化珪素を酸化して二酸化珪素へ変質させる。次いで、処理室15内にアルゴンガスAr及び三弗化窒素ガスを含む処理ガスを導入し、プラズマ生成用の高周波電力を上部電極板27へ400~600W、好ましくは500Wで供給し、イオン引き込み用の高周波電力をサセプタ12へ1400~1600W、好ましくは1500Wで供給し、処理室15内の圧力を90~110mTorr、好ましくは100mTorrに設定して処理ガスからプラズマを生成し、該プラズマを用いたエッチングをブレークスルーエッチングとして4~6秒間、好ましくは5秒間に亘って行うステップS44。ブレークスルーエッチングにおけるアルゴンガス及び三弗化窒素ガスの流量はそれぞれ150~160sccm、好ましくは155sccm及び95~105sccm、好ましくは100sccmである。このとき、処理ガスから発生したフッ素陽イオン48aやフッ素ラジカル48bが、二酸化珪素からなるデポ44をエッチングして除去する。その結果、ホール43内においてポリシリコン層38が再度露出する。次いで、ホール43が所定の深さに到達したか否かを判別し、所定の深さに到達していない場合にはステップS41へ戻り、所定の深さに到達していたら本処理を終了する。本実施の形態に係る基板処理方法によれば、ウエハWのポリシリコン層38が臭化水素ガス、酸素ガス及び三弗化窒素ガスを含む処理ガスから生成されたプラズマ中の臭素陽イオン45aや臭素ラジカル45bでエッチングされ、酸素ガス及び窒素ガスを含む処理ガスから生成されたプラズマ中の酸素ラジカル46や窒素ラジカル47でアッシングされ、アルゴンガス及び三弗化窒素ガスを含む処理ガスから生成されたプラズマ中のフッ素陽イオン48aやフッ素ラジカル48bでエッチングされ、アッシングの際、臭素プラズマ臭素陽イオン45aや臭素ラジカル45bによるポリシリコン層38のエッチングで生成された臭化珪素に酸化処理が施される。ポリシリコン層38のエッチングで生成された臭化珪素は臭素プラズマで除去されにくいが、該臭化珪素はアッシングにおいて発生した酸素ラジカル46による酸化処理が施されて二酸化珪素に変質する。変質した二酸化珪素は、フッ素陽イオン48aやフッ素ラジカル48bによるエッチングによって容易に除去される。すなわち、臭化珪素を二酸化珪素に変質させることによって容易に除去することができる。したがって、ホール43の内面に付着する臭化珪素からなるデポ44を除去することができる。その結果、エッチングレートを低下させることなくアスペクト比の高いホール43をポリシリコン層38に形成することができる。上記本実施の形態に係る基板処理方法では、メインエッチング、アッシング、及びブレークスルーエッチングがこの順で繰り返されるので、メインエッチングで発生する臭化珪素は、発生する度に除去される。すなわち、ホール43の形成の間、ホール43の内面にデポ44が付着することが殆ど無い。したがって、エッチングレートを確実に低下させることがない。また、上記本実施の形態に係る基板処理方法では、メインエッチングに先立って、臭化水素ガス及び三弗化窒素ガスを含む処理ガスから生成されたプラズマでポリシリコン層38に事前エッチングが施されるので、ポリシリコン層38の表面に形成された二酸化珪素からなる自然酸化膜を除去するとともに、ポリシリコン層38の表面における不規則形状部分を除去することができる。その結果、ポリシリコン層38の表面の形状を整えることができ、もって、その後のホール43の形成を円滑に行うことができる。上記本実施の形態に係る基板処理方法におけるメインエッチングの実行時間、アッシングの実行時間、及びブレークスルーエッチングの実行時間のそれぞれは、本発明者が実験を通じて見出したメインエッチングにおけるデポ44がホール43の内面を全て覆うために要する時間、アッシングにおけるデポ44中の殆どの臭化珪素が二酸化珪素へ変質するのに要する時間、及びブレークスルーエッチングにおけるホール43内からデポ44が除去されるために要する時間に該当する。したがって、メインエッチングの実行時間、アッシングの実行時間、及びブレークスルーエッチングの実行時間の比を、42~48:1~2:2~3とすると、シリコンのエッチング及び臭化珪素の変質、変質後の二酸化珪素の除去をバランス良く行うことができ、効率的にホール43を形成することができる。本実施の形態に係る基板処理方法では、メインエッチング、アッシング、及びブレークスルーエッチングのそれぞれにおける処理室15内の圧力が90~110mTorr、好ましくは100mTorrに設定されるので、メインエッチング、アッシング、及びブレークスルーエッチングにおける処理室15内の圧力を同じにすることができる。これにより、工程毎に処理室15内の圧力を変更する必要をなくすことができ、もって、ホール43の形成を効率よく行うことができる。また、本実施の形態に係る基板処理方法では、メインエッチング、アッシング、及びブレークスルーエッチングのそれぞれにおけるプラズマ生成用の高周波電力の出力値が400~600W、好ましくは500Wに設定され、イオン引き込み用の高周波電力の出力値が1400~1600W、好ましくは1500Wに設定されるので、メインエッチング、アッシング、及びブレークスルーエッチングにおけるプラズマ生成用の高周波電力の出力値及びイオン引き込み用の高周波電力の出力値を同じにすることができる。これにより、工程毎に各高周波電力の出力値を変更する必要をなくすことができ、もって、ホール43の形成を効率よく行うことができる。さらに、本実施の形態に係る基板処理方法では、メインエッチングにおける処理ガスの総流量が246~264sccm、アッシングにおける処理ガスの総流量が245~265sccm、及びブレークスルーエッチングにおける処理ガスの総流量が245~265sccmに設定されるので、メインエッチング、アッシング、及びブレークスルーエッチングにおける処理ガスの総流量を同じにすることができる。これにより、工程毎に処理ガスの総流量を変更する必要をなくすことができ、もって、ホール43の形成を効率よく行うことができる。以上、本発明について、上記実施の形態を用いて説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、上記実施の形態ではポリシリコン層38にホール43が形成されたが、ポリシリコン層38にトレンチを形成する場合にも、本発明を適用することができる。本発明の目的は、上述した実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムを記録した記憶媒体を、コンピュータ等に供給し、コンピュータのCPUが記憶媒体に格納されたプログラムを読み出して実行することによっても達成される。この場合、記憶媒体から読み出されたプログラム自体が上述した実施の形態の機能を実現することになり、プログラム及びそのプログラムを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。また、プログラムを供給するための記憶媒体としては、例えば、RAM、NV-RAM、フロッピー登録商標ディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVDDVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVDRW等の光ディスク、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、他のROM等の上記プログラムを記憶できるものであればよい。或いは、上記プログラムは、インターネット、商用ネットワーク、若しくはローカルエリアネットワーク等に接続される不図示の他のコンピュータやデータベース等からダウンロードすることによりコンピュータに供給されてもよい。また、コンピュータのCPUが読み出したプログラムを実行することにより、上記実施の形態の機能が実現されるだけでなく、そのプログラムの指示に基づき、CPU上で稼動しているOSオペレーティングシステム等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。更に、記憶媒体から読み出されたプログラムが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムの指示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるCPU等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。上記プログラムの形態は、オブジェクトコード、インタプリタにより実行されるプログラム、OSに供給されるスクリプトデータ等の形態から成ってもよい。