基板の上の互いに離隔されて配置された第1ナノワイヤ及び第2ナノワイヤと、前記第1ナノワイヤの一端に接続される第1シリコン薄膜と、前記第2ナノワイヤの一端に接続される第2シリコン薄膜と、前記第1ナノワイヤの他端及び前記第2ナノワイヤの他端に接続される第3シリコン薄膜とを含み、前記第1ナノワイヤ及び前記第2ナノワイヤは前記基板の上部面に対して水平な方向に延長されることを特徴とする熱電素子。前記シリコン薄膜及び前記ナノワイヤは同一の平面に提供されることを特徴とする請求項1に記載の熱電素子。前記シリコン薄膜及び前記ナノワイヤは同一の厚さを有することを特徴とする請求項1に記載の熱電素子。前記シリコン薄膜に電気的にそれぞれ接続される第1、第2及び第3金属薄膜と、前記第3金属薄膜に電気的に接続される吸湿体とをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の熱電素子。前記吸湿体は熱を吸収して前記第3金属薄膜を通じて前記第3シリコン薄膜に伝達することを特徴とする請求項4に記載の熱電素子。前記第1及び第2ナノワイヤはシリコンを含むことを特徴とする請求項4に記載の熱電素子。前記第1ナノワイヤはn型ドーパントを含み、前記第2ナノワイヤはp型ドーパントを含むことを特徴とする請求項6に記載の熱電素子。前記第1シリコン薄膜、前記第2シリコン薄膜及び前記第3シリコン薄膜のそれぞれはドーピング領域をさらに含み、前記ドーピング領域は前記第1、第2及び第3金属薄膜と接続されたコンタクトとオミックコンタクトを形成することを特徴とする請求項4に記載の熱電素子。前記第1、第2及び第3金属薄膜は同一の物質を含むことを特徴とする請求項4に記載の熱電素子。前記第1、第2及び第3金属薄膜は銅、アルミニウム、チタン、コバルト、窒化チタンまたはタングステンのうちの少なくともいずれか1つを含むことを特徴とする請求項9に記載の熱電素子。前記基板の上に提供された絶縁膜をさらに含み、前記シリコン薄膜及び前記ナノワイヤは前記絶縁膜の上に配置されることを特徴とする請求項1に記載の熱電素子。熱源の熱エネルギーを電気エネルギーに変換する請求項1の熱電素子と、前記電気エネルギーを前記熱源の温度値と比較して演算する中央処理部と、前記中央処理部で演算されたデータを格納し、前記中央処理部とデータを交換するデータ格納部とを含むことを特徴とする温度感知センサ。AND論理回路、前記AND論理回路によってターンオンされるスイチング素子及び前記スイチング素子に電気的に接続された請求項1の熱電素子をそれぞれ含む複数の単位ピクセルと、前記複数の単位ピクセルを選択し、前記AND論理回路に電気的に接続されたロウマルチプレクサ及びコラムマルチプレクサと、前記ターンオンされたスイチング素子を通じて前記熱電素子の電気エネルギーを増幅する電流増幅器と、前記電流増幅器によって増幅された信号が伝達されて映像を出力するディスプレイとを含むことを特徴とする熱源イメージセンサ。基板の上に絶縁膜及びシリコン層を順に形成し、前記シリコン層の上に第1線幅を有するフォトレジストパターンを形成し、前記フォトレジストパターンにアッシング工程を進行し、前記第1線幅よりさらに狭い第2線幅を有するフォトレジスト微細パターンを形成し、前記フォトレジスト微細パターンをマスクとして前記シリコン層にエッチング工程を進行して第1及び第2ナノワイヤを形成することを特徴とする熱電素子の形成方法。前記第1及び第2ナノワイヤを形成することは、前記第1ナノワイヤの一端と接続される第1シリコン薄膜を形成し、前記第2ナノワイヤの一端と接続される第2シリコン薄膜を形成し、前記第1ナノワイヤの他端及び前記第2ナノワイヤの他端と接続される第3シリコン薄膜を形成することを特徴とする請求項14に記載の熱電素子の形成方法。前記第1ナノワイヤにn型ドーパントをドーピングし、前記第2ナノワイヤにp型ドーパントをドーピングすることをさらに含むことを特徴とする請求項15に記載の熱電素子の形成方法。本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、生産が容易な熱電素子及びその形成方法、これを利用した温度感知センサ及び熱源イメージセンサを提供することにある。前記技術的課題を達成するための本発明の実施形態に係る熱電素子は、基板の上の互いに離隔されて配置された第1ナノワイヤ及び第2ナノワイヤと、前記第1ナノワイヤの一端に接続される第1シリコン薄膜と、前記第2ナノワイヤの一端に接続される第2シリコン薄膜と、前記第1ナノワイヤの他端及び前記第2ナノワイヤの他端に接続される第3シリコン薄膜とを含み、前記第1ナノワイヤ及び前記第2ナノワイヤは前記基板の上部面に対して水平な方向に延長される。本発明の実施形態に係る前記シリコン薄膜及び前記ナノワイヤは同一の平面に提供することができる。本発明の実施形態に係る前記シリコン薄膜及び前記ナノワイヤは同一の厚さを有することができる。本発明の実施形態に係る熱電素子は前記シリコン薄膜に電気的にそれぞれ接続される第1、第2及び第3金属薄膜及び前記第3金属薄膜に電気的に接続される吸湿体をさらに含むことができる。本発明の実施形態に係る前記吸湿体は熱を吸収して前記第3金属薄膜を通じて前記第3シリコン薄膜に伝達することができる。本発明の実施形態に係る前記第1及び第2ナノワイヤはシリコンを含むことができる。本発明の実施形態に係る前記第1ナノワイヤはn型ドーパントを含み、前記第2ナノワイヤはp型ドーパントを含むことができる。本発明の実施形態に係る熱電素子において前記第1シリコン薄膜、前記第2シリコン薄膜及び前記第3シリコン薄膜のそれぞれはドーピング領域をさらに含み、前記ドーピング領域は前記金属薄膜に接続されるコンタクトとオミックコンタクトを形成することができる。本発明の実施形態に係る前記金属薄膜は同一の物質を含むことができる。本発明の実施形態に係る前記金属薄膜は銅Cu、アルミニウムAl、チタンTi、コバルトCo、窒化チタンTiNまたはタングステンWのうちの少なくともいずれか1つを含むことができる。本発明の実施形態に係る熱電素子は前記基板の上に提供された絶縁膜をさらに含み、前記第1、第2、第3シリコン薄膜及び前記第1及び第2ナノワイヤは前記絶縁膜の上に配置することができる。本発明の実施形態に係る温度感知センサは熱源の熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電素子と、前記電気エネルギーを前記熱源の温度値と比較して演算する中央処理部と、前記中央処理部で演算されたデータを格納し、前記中央処理部とデータを交換するデータ格納部とを含むことができる。本発明の実施形態に係る熱源イメージセンサはAND論理回路、前記AND論理回路によってターンオンされるスイチング素子及び前記スイチング素子に電気的に接続された熱電素子をそれぞれ含む複数の単位ピクセル、前記複数の単位ピクセルを選択し、前記AND論理回路に電気的に接続されたロウマルチプレクサ及びコラムマルチプレクサ、前記ターンオンされたスイチング素子を通じて前記熱電素子の電気エネルギーを増幅する電流増幅器、及び前記電流増幅器によって増幅された信号が伝達されて映像を出力するディスプレイを含む。本発明の実施形態に係る熱電素子の形成方法は基板の上に絶縁膜及びシリコン層を順に形成し、前記シリコン層の上に第1線幅を有するフォトレジストパターンを形成し、前記フォトレジストパターンにアッシング工程を進行し、前記第1線幅よりさらに狭い第2線幅を有するフォトレジスト微細パターンを形成し、前記フォトレジスト微細パターンをマスクとして前記シリコン層にエッチング工程を進行して第1、第2ナノワイヤを形成することを含む。本発明の実施形態に係る前記第1、第2ナノワイヤを形成することは、前記第1ナノワイヤの一端と接続される第1シリコン薄膜を形成し、前記第2ナノワイヤの一端と接続される第2シリコン薄膜を形成し、前記第1ナノワイヤの他端及び前記第2ナノワイヤの他端と接続される第3シリコン薄膜を形成することを含むことができる。本発明の実施形態に係る熱電素子の形成方法は、前記第1ナノワイヤにn型ドーパントをドーピングし、前記第2ナノワイヤにp型ドーパントをドーピングすることを含むことができる。本発明の実施形態によると、ナノワイヤが基板に対して水平方向に延長される。これはナノワイヤが半導体工程CMOS工程によって形成されるためである。ファーネスで別に形成されず、フォトリソグラフィ工程及びアッシング工程を利用して形成されるので、ナノワイヤを形成する工程時間が減少し、且つ大量生産が可能になる。また、ナノワイヤの均一性が確保され、熱電素子の性能を向上することができる。以上の本発明の目的、他の目的、特徴及び利点は添付の図面と係わる以下の望ましい実施形態を通じて容易に理解することができる。しかし、本発明はここで説明する実施形態に限定されず、他の形態に具体化することもできる。さらに、ここで紹介する実施形態は開示された内容が徹底且つ完全になれるように、そして当業者に本発明の思想を十分に伝達するように提供されるものである。本明細書において、ある構成要素が異なる構成要素の上にあると記載された場合、それは異なる構成要素の上に直接形成されるか、またはそれらの間に第3の構成要素が介在されうる。また、図面において、構成要素の厚さは技術的内容の効果的な説明のために誇張されたものである。明細書の全体にかけて同一の参照番号に表示された部分は同一の構成要素を示す。本明細書で記述する実施形態は本発明の理想的な例示図である断面図及び/または平面図を参考して説明する。図面において、膜及び領域の厚さは技術的内容の効果的な説明のために誇張されたものである。製造技術及び/または許容誤差の結果として図示された形状から偏差がありえる。したがって、本発明の実施形態は、図示された特定の形状にのみ制限されると解釈されてはならず、例えば、製造結果から得られる形状における偏差を含むと解釈されねばならない。したがって、図面に示された領域は、事実上概略的なものであり、それらの形状は、素子の領域の特定形状を例示するためのものであり、本発明の範囲を制限するためものではない。本明細書の多様な実施形態で第1、第2、第3などの用語が多様な構成要素を記述するために用いられたが、これら構成要素がこれらの用語に限定されると解釈されてはならない。これら用語はある構成要素を他の構成要素と区別させるために用いられるだけである。ここに説明及び例示される実施形態はそれの相補的な実施形態も含む。本明細書で使われる用語は、特定の実施形成を記述するための目的として用いられるものであり、本発明の範囲を制限するためのものではない。本明細書で、単数として使われた用語は、それについての単数であることを示す明白な背景に関する言及がない限り、複数も含むものである。また、本明細書で使われる包含するという用語は、言及された構成要素が1つまたはそれ以上の他の構成要素の存在または付加を除外するものではない。図1は、本発明の実施形態に係る熱電素子を説明するための概路図である。図1を参照すると、基板100の上に絶縁膜110が配置される。前記基板100はシリコン基板またはSOISiliconOnInsulator基板であり得る。前記絶縁膜110は前記基板100の上に提供されたシリコン酸化膜であり得る。前記絶縁膜110はSOI基板の埋没絶縁膜buriedoxideであり得る。前記絶縁膜110の上に互いに離隔して第1ナノワイヤ132及び第2ナノワイヤ134が配置される。前記第1ナノワイヤ132及び第2ナノワイヤ134は前記絶縁膜110の上部面に対して水平な方向に延長される。前記第1ナノワイヤ132の一端と接続される第1シリコン薄膜122が配置され、前記第2ナノワイヤ134の一端と接続される第2シリコン薄膜124が配置される。前記第1及び第2ナノワイヤ132、134の他端と接続される第3シリコン薄膜126が配置される。前記第1ナノワイヤ132はn型ドーパントを含み、前記第2ナノワイヤ134はp型ドーパントを含むことができる。前記第1シリコン薄膜122はn型ドーパントを含むことができ、前記第2シリコン薄膜124はp型ドーパントを含むことができる。前記第3シリコン薄膜126はp型またはn型ドーパントを含むことができる。具体的に、前記第1ナノワイヤ132に隣接した第3シリコン薄膜126はn型ドーパントを含むことができ、前記第2ナノワイヤ134に隣接した第3シリコン薄膜126はp型ドーパントを含むことができる。前記第3シリコン薄膜126が熱源に露出して温度が上昇し、前記第3シリコン薄膜126と第1シリコン薄膜122との間及び前記第3シリコン薄膜126と第2シリコン薄膜124との間の温度差によって電流が誘導され得る。すなわち、前記温度差によって、電子が前記第1ナノワイヤ132を通じて第3シリコン薄膜126から第1シリコン薄膜122方へ移動し、正孔が前記第2ナノワイヤ134を通じて第3シリコン薄膜126から第2シリコン薄膜124方へ移動して時計方向の電流流れを形成することができる。図2~図3Bは、本発明の実施形態に係る熱電素子を具体的に説明するための図である。図3Aは、図2の1-1’に沿って切断した断面図であり、図3Bは図2のII-II’に沿って切断した断面図である。図2~図3Bを参照すると、n領域とp領域を含む基板100の上に絶縁膜110が提供される。前記基板100は半導体基板またはSOI基板であり得る。前記絶縁膜110はシリコン酸化膜を含むことができる。前記絶縁膜110はSOI基板の埋没絶縁膜buriedoxideであり得る。n領域の前記絶縁膜110の上に第1ナノワイヤ132が配置される。p領域の前記絶縁膜110の上に前記第1ナノワイヤ132と離隔された第2ナノワイヤ134が配置される。前記第1ナノワイヤ132の一端に接続される第1シリコン薄膜122が前記絶縁膜110の上に配置される。前記第2ナノワイヤ134の一端に接続される第2シリコン薄膜124が前記絶縁膜110の上に配置される。前記第1及び第2ナノワイヤ132、134の他端に接続される第3シリコン薄膜126が前記絶縁膜110の上に配置される。前記第1及び第2ナノワイヤ132、134は前記基板100または絶縁膜110の上部面に対して水平な方向に延長される。前記第1及び第2ナノワイヤ132、134はシリコンを含むことができる。前記第1ナノワイヤ132はn型ドーパントを含むことができ、前記第2ナノワイヤ134はp型ドーパントを含むことができる。前記シリコン薄膜122、124、126及び前記ナノワイヤ132、134は同一の平面に提供することができる。また、前記シリコン薄膜122、124、126及び前記ナノワイヤ132、134は同一の厚さを有することができる。前記第1シリコン薄膜122は第1ドーピング領域123を含み、前記第2シリコン薄膜124は第2ドーピング領域125を含み、前記第3シリコン薄膜126は第3ドーピング領域127を含む。前記第1、第2及び第3ドーピング領域123、125、127のそれぞれはドーパントを含むことができる。前記第1ドーピング領域123は前記第1シリコン薄膜122と同一の導電型を有し、前記第2ドーピング領域125は前記第2シリコン薄膜124と同一の導電型を有することができる。前記第1シリコン薄膜122と前記第1ドーピング領域123はn型ドーパントを有することができる。前記第2シリコン薄膜124と第2ドーピング領域125はp型ドーパントを有することができる。前記第3ドーピング領域はn領域に提供されたn型ドーピング領域127n及びp領域に提供されたp型ドーピング領域127pを含むことができる。前記n領域に配置される第3シリコン薄膜126はn型ドーパントを有し、前記p領域に配置される第3シリコン薄膜126はp型ドーパントを有することができる。前記シリコン薄膜122、124、126及び前記ナノワイヤ132、134を覆う第1層間絶縁膜140が配置される。前記第1層間絶縁膜140はシリコン酸化膜を含むことができる。前記第1層間絶縁膜140に、前記第1、第2及び第3シリコン薄膜122、124、126にそれぞれ接続される第1、第2及び第3メタルコンタクト142、144、146が配置される。前記第3メタルコンタクト146は、図2と異なり、n領域に提供されたn型メタルコンタクトとp領域に提供されたp型メタルコンタクトに分離して配置することができる。前記第1層間絶縁膜140の上に第2層間絶縁膜150が配置される。前記第2層間絶縁膜150は前記第1層間絶縁膜140と同一の物質を含むことができる。前記第1、第2及び第3メタルコンタクト142、144、146とそれぞれ電気的に接続される第1金属薄膜152、第2金属薄膜154、第3金属薄膜156が前記第2層間絶縁膜150に配置される。前記第1、第2及び第3金属薄膜152、154、156は同一の物質を含むことができる。前記第1、第2及び第3金属薄膜152、154、156は銅Cu、アルミニウムAl、チタンTi、コバルトCo、窒化チタンTiNまたはタングステンWのうちの少なくともいずれか1つを含むことができる。前記第1、第2及び第3金属薄膜152、154、156は前記第1、第2及び第3メタルコンタクト142、144、146と同一の物質を含むことができる。前記第2層間絶縁膜150及び前記金属薄膜152、154、156の上に第3層間絶縁膜160が配置される。前記第3層間絶縁膜160は前記第2層間絶縁膜150と同一の物質を含むことができる。前記第3層間絶縁膜160に前記第3金属薄膜156と接触するコンタクト162が配置される。前記第3層間絶縁膜160の上に前記コンタクト162と接続される吸湿体170が配置される。前記吸湿体170は外部の熱を吸収する役割を果たすことができる。前記吸湿体170はチタン酸化膜を含むことができる。前記コンタクト162は前記吸湿体170と同一の物質を含むことができる。前記吸湿体170は前記第3シリコン薄膜126に熱を伝達し、前記第3シリコン薄膜126と第1シリコン薄膜122との間及び前記第3シリコン薄膜126と第2シリコン薄膜124との間に温度差を形成することができる。図4は、本発明の実施形態に係る温度感知センサを説明するための概念図である。図4を参照すると、温度感知センサ200は熱源210の熱エネルギーを吸収して電気エネルギーに変換する熱電素子220を含む。前記熱電素子220は図2~図3Bを参照して説明した構成要素を含む。熱源210と熱電素子220によって変換された電気エネルギー値を中央処理部230で演算する。前記中央処理部230は熱源210の温度と電気エネルギー値の関係をデータ格納部240に格納する。温度感知センサ200は熱源210の温度によって温度を表示する表示部250を含むことができる。本発明の実施形態によると、温度感知センサ200はシリコンナノワイヤを利用して熱源210の温度を感知することができる。図5は、本発明の実施形態に係る熱源イメージセンサの基本動作原理を説明するための回路図である。図5を参照すると、熱源イメージセンサ300は図2~図3Bで説明した熱電素子310、AND論理回路320及びスイチング素子330を有する単位ピクセルUnitpixelを含む。前記スイチング素子330は前記AND論理回路320によってターンオンturn-onされ得る。前記複数の単位ピクセルunitpixelを選択し、前記AND論理回路320に電気的に接続されたロウマルチプレクサ340及びコラムマルチプレクサ350が提供される。前記熱電素子310の位置に対応する熱エネルギーは選択された単位ピクセルunitpixelの熱電素子310によって電気エネルギーに転換される。選択された単位ピクセルunitpixelの前記スイチング素子330がターンオンされれば、前記熱電素子310で変換された電気エネルギーが出力される。出力された電気エネルギーは低雑音電流増幅器lownoisecurrentamplifier360で増幅された後、電圧値に変換される。前記変換された電圧値はディスプレイ370によってイメージに実現することができる。図6A~図7Cは、本発明の実施形態に係る熱電素子の形成方法を説明するための図である。図6A~図6Fはナノワイヤの形成方法を説明するための図であり、図示の便宜のために一対のナノワイヤを示す。図6Aを参照すると、基板400の上に絶縁膜410が形成される。前記絶縁膜410はシリコン酸化膜に形成され得る。前記絶縁膜410の上にシリコン層430が形成される。これと異なり、前記基板400、絶縁膜410及びシリコン層430はSOISiliconOnInsulator基板によって備えることができる。前記シリコン層430はその厚さを数十nm、例えば40nmに薄膜化される。前記シリコン層430を薄膜化することは熱酸化thermaloxidation工程及び酸化膜除去工程を繰り返して進行することを含むことができる。前記酸化膜除去工程は湿式エッチング工程を含むことができる。図6Bを参照すると、前記シリコン層430の上にフォトレジストパターン420が形成される。前記フォトレジストパターン420の第1最小線幅W1は180nmであり得る。前記フォトレジストパターン420はKrFエキシマレーザを利用するステッパstepperによって形成することができる。前記フォトレジストパターン420をマスクとしてエッチング工程を進行し、第1予備シリコン薄膜422a、第2予備シリコン薄膜424a及び第3予備シリコン薄膜426a、第1予備ナノワイヤ432a及び第2予備ナノワイヤ434aを形成することができる。図6Cを参照すると、前記フォトレジストパターン420にアッシングashing工程を進行し、前記第1最小線幅W1よりさらに狭い第2最小線幅W2を有するフォトレジスト微細パターン425が形成される。前記第2最小線幅W2は約30nmで形成することができる。前記アッシング工程は酸素プラズマアッシング工程であり得る。図6Dを参照すると、前記フォトレジスト微細パターン425をマスクとして前記第1予備シリコン薄膜422a、第2予備シリコン薄膜424a、第3予備シリコン薄膜426a、第1予備ナノワイヤ432a及び第2予備ナノワイヤ434aにエッチング工程を進行し、第1シリコン薄膜422、第2シリコン薄膜424、第3シリコン薄膜426、第1ナノワイヤ432及び第2ナノワイヤ434が形成される。前記第1ナノワイヤ432及び第2ナノワイヤ434は約30nmの線幅を有することができる。前記第1及び第2ナノワイヤ432、434は前記基板400の上部面に対して水平な方向に延長される。前記シリコン薄膜422、424、426及び前記ナノワイヤ432、434は実質的に同一の平面に形成することができる。これは1つのフォトレジスト微細パターン425によって同時に形成されるためである。また、前記シリコン薄膜422、424、426及び前記ナノワイヤ432、434は同一の厚さを有することができる。図6E及び図6Fはそれぞれアッシング工程前後の前記第1及び第2ナノワイヤ432、434の走査電子燎微鏡SEMScanningElectronMicroscope写真を示す。図6Eにおいて、ナノワイヤの線幅は160.9nmである一方、アッシング工程後の図6Fにおけるナノワイヤの線幅は31.1nmであることが分かる。図7A~図7Cは、第1及び第2ナノワイヤ432、434が形成された後の工程を示す図であり、前記第1及び第2ナノワイヤ432、434のそれぞれを複数で示した。図7Aを参照すると、前記第1ナノワイヤ432にn型ドーパントがドーピングされる。前記n型ドーパントをドーピングすることによって、前記基板400はn領域を含むことができる。前記n領域に前記第1シリコン薄膜422及び前記第1ナノワイヤ432に隣接した第3シリコン薄膜426の一部が提供され得る。第2ナノワイヤ434にp型ドーパントがドーピングされる。前記p型ドーパントをドーピングすることによって、前記基板400はp領域を含むことができる。前記p領域に、前記第2シリコン薄膜424及び前記第2ナノワイヤ434に隣接した第3シリコン薄膜426の一部が提供され得る。図7Bを参照すると、前記第1シリコン薄膜422にオミックコンタクトOhmicContactのための第1ドーピング領域423が形成され、前記第2シリコン薄膜424にオミックコンタクトのための第2ドーピング領域425が形成される。前記第1ドーピング領域423はn型ドーパントを含み、前記第2ドーピング領域425はp型ドーパントを含む。前記第3シリコン薄膜426のn型領域にオミックコンタクトのための第3ドーピング領域427nが形成され、前記第3シリコン薄膜426のp型領域にオミックコンタクトのための第4ドーピング領域427pが形成される。前記第3ドーピング領域427nはn型ドーパントを含み、前記第4ドーピング領域427pはp型ドーパントを含む。ここで、オミックコンタクトはシリコン薄膜と下で説明するメタルコンタクトまたは金属薄膜の間で抵抗を減少させることを言う。図7Cを参照すると、前記シリコン薄膜422、424、426及び前記ナノワイヤ432、434を覆う第1層間絶縁膜440が形成される。前記第1層間絶縁膜440はシリコン酸化膜で形成することができる。前記第1層間絶縁膜440に前記第1ドーピング領域423に接触する第1メタルコンタクト442が形成され、前記第2ドーピング領域425に接触する第2メタルコンタクト444が形成され、前記第3ドーピング領域427n及び第4ドーピング領域427pに接触する第3メタルコンタクト446が形成される。前記第3メタルコンタクト446は図7Cと異なり、前記第3ドーピング領域427nに接触するメタルコンタクトと前記第4ドーピング領域427pに接触するメタルコンタクトに分離して形成され得る。前記第1層間絶縁膜440の上に第2層間絶縁膜450が形成される。前記第2層間絶縁膜450は前記第1層間絶縁膜440と同一の物質、例えばシリコン酸化膜で形成することができる。前記第2層間絶縁膜450に前記第1メタルコンタクト442と接触する第1金属薄膜452、前記第2メタルコンタクト444と接触する第2金属薄膜454及び前記第3メタルコンタクト446と接触する第3金属薄膜456が形成される。前記第1、第2及び第3金属薄膜452、454、456は同一の物質で形成することができる。前記第1、第2及び第3金属薄膜452、454、456は前記第1、第2及び第3メタルコンタクト442、444、446と同一の物質で形成することができる。前記第1、第2及び第3金属薄膜452、454、456は例えば、銅Cu、アルミニウムAl、チタンTi、コバルトCo、窒化チタンTiNまたはタングステンWのうちの少なくともいずれか1つで形成することができる。前記第2層間絶縁膜450の上に第3層間絶縁膜460が形成される。前記第3層間絶縁膜460は例えば、シリコン酸化膜で形成することができる。前記第3層間絶縁膜460に、前記第3金属薄膜456と接触するコンタクト462が形成される。前記第3層間絶縁膜460の上に、前記コンタクト462と接続される吸湿体470が形成される。前記吸湿体470はチタン酸化膜で形成することができる。前記コンタクト462は前記吸湿体470と同一の物質で形成することができる。本発明の実施形態によると、前記第1ナノワイヤ432及び第2ナノワイヤ434がフォトリソグラフィ工程及びアッシング工程によって形成される。すなわち、前記第1ナノワイヤ432及び第2ナノワイヤ434はファーネスで別に形成されず、半導体工程CMOS工程を利用して形成される。したがって、ナノワイヤを形成する工程時間が減少し、大量生産が可能になる。また、ナノワイヤの均一性が確保され、熱電素子の性能が向上することができる。図4で説明した中央処理部230、データ格納部240、AND論理回路320、スイチング素子330、ロウマルチプレクサ340、コラムマルチプレクサ350及び低雑音電流増幅器360はCMOS素子を含み、上述のCMOS工程により形成することができる。