基板と、該基板の一方の面の上に形成され、アルミニウム系金属層と酸化亜鉛層とを前記基板側からこの順に有している裏面電極と、該裏面電極の面の上に形成されたシリコン系薄膜光電変換層と、該シリコン系薄膜光電変換層の面の上に形成された透明電極とを備え、前記裏面電極が、アルミニウムと酸化亜鉛との接触を防止するブロック層を前記アルミニウム系金属層と前記酸化亜鉛層との間にさらに有するものである薄膜光電変換素子。透光性基板と、該透光性基板の一方の面の上に形成された透明電極と、該透明電極の面の上に形成されたシリコン系薄膜光電変換層と、該シリコン系薄膜光電変換層の面の上に形成され、酸化亜鉛層と、アルミニウム系金属層とを前記シリコン系薄膜光電変換層側からこの順に有している裏面電極とを備え、該裏面電極が、前記酸化亜鉛層と前記アルミニウム系金属層との間に挟まれ、アルミニウムと酸化亜鉛との接触を防止するブロック層を前記アルミニウム系金属層と前記酸化亜鉛層との間にさらに含むものである薄膜光電変換素子。前記ブロック層が銀の薄膜である請求項1または請求項2に記載の薄膜光電変換素子。前記ブロック層が金属酸化物の薄膜である請求項1または請求項2に記載の薄膜光電変換素子。前記アルミニウム系金属層、前記ブロック層および前記酸化亜鉛層がスパッタリング法により形成されている請求項1または請求項2に記載の薄膜光電変換素子。ところが、実際にアルミニウムを裏面電極の金属薄膜として採用し、さらに、上述した光閉じ込めに有効なZnOの透明導電体層を形成した積層膜を作製すると、光の反射率が不十分となるという課題に本願の発明者は直面した。光の反射率が低下すると、再利用される光の量が減少してしまい、薄膜光電変換素子の光電変換効率の低下も避けられない。本発明は、アルミニウムを裏面電極に採用する場合における上記問題点を解決するためになされたものである。本発明は、コストの低減が可能で高性能な薄膜光電変換素子を提供することにより、太陽光発電システムの普及に貢献するものである。本願の発明者は、裏面電極の金属薄膜としてアルミニウムを採用し、さらに、アルミニウムにZnOの透明導電体層を積層した積層膜において、金属薄膜としてのアルミニウムと透光性材料の組合せから期待されるほどには当該積層膜の反射率が向上しない理由について考察した。そして、この構造の積層膜では、アルミニウムとZnOとが接触しているために反射率が低下している可能性があると推測した。そして、より原理的な側面を推測するために、銀薄膜ではそのような現象が見られないことと対比し検討した。その際特に注目したのは、銀に比べてアルミニウムの反応性が高いことである。アルミニウムとZnOとが接触していると、これらの間の界面付近において例えば酸化反応または還元反応も生じかねない。しかも、例えばアルミニウム原子がZnOにまでマイグレーションしたり拡散することも十分に考えられる。もしアルミニウムがZnOにまで入り込むと、酸化されやすいアルミニウム原子がZnOを還元して酸素を奪い取り、Znを金属微粒子として析出させる可能性が高い。このZnの金属微粒子では、金属微粒子においてしばしばみられる光の吸収性が生じることも十分あり得るため、この現象が上記反射率の低下を引き起こしているものと想定した。しかもこの想定は、銀を採用する従来の構造において銀がZnOを変質させにくいため問題が出なかった、という理解とも矛盾しない。反応性の低い銀はZnOから酸素を奪ったりすることはないと考えられるからである。この想定は仮説に過ぎず、必ずしも完全に検証されたものではない。しかしながら本願の発明者はこの仮説の下、アルミニウムを採用する場合についての対策を検討した。そして、ブロック層と呼ぶ層を追加する裏面電極の構造を採用すれば、実際に反射率の低下を回避しうることを見出し本発明を創出するに至った。そのブロック層とは、アルミニウム系金属相とZnO薄膜との間に、アルミニウムとZnOの直接的な接触を防止するような作用をもつ任意の層である。すなわち、本発明のある態様においては、基板と、該基板の一方の面の上に形成され、アルミニウム系金属層と酸化亜鉛層とを前記基板側からこの順に有している裏面電極と、該裏面電極の面の上に形成されたシリコン系薄膜光電変換層と、該シリコン系薄膜光電変換層の面の上に形成された透明電極とを備え、前記裏面電極が、アルミニウムと酸化亜鉛との接触を防止するブロック層を前記アルミニウム系金属層と前記酸化亜鉛層との間にさらに有するものである薄膜光電変換素子が提供される。また、本発明のある態様においては、透光性基板と、該透光性基板の一方の面の上に形成された透明電極と、該透明電極の面の上に形成されたシリコン系薄膜光電変換層と、該シリコン系薄膜光電変換層の面の上に形成され、酸化亜鉛層と、アルミニウム系金属層とを前記シリコン系薄膜光電変換層側からこの順に有している裏面電極とを備え、該裏面電極が、前記酸化亜鉛層と前記アルミニウム系金属層との間に挟まれ、アルミニウムと酸化亜鉛との接触を防止するブロック層を前記アルミニウム系金属層と前記酸化亜鉛層との間にさらに含むものである薄膜光電変換素子が提供される。なお、本出願において、アルミニウム系金属層とは、アルミニウム単体または主成分の一つがアルミニウムである合金の層を一般に指している。また、酸化亜鉛層とは、酸化亜鉛ZnOまたは酸化亜鉛に何らかの成分を添加した材質の層を一般に指している。さらに、シリコン系薄膜光電変換層とは、非結晶のシリコンまたはシリコン系材料の薄膜を含む光電変換層を一般に指している。アモルファスまたは微結晶のシリコンやシリコンゲルマニウム、またこれらに適当なドーピングを行なって導電型を調整した膜や、そのような膜の組合せにより実現される接合単接合および多接合を含むの任意の構造の光電変換層が本発明のシリコン系薄膜光電変換層に含まれている。本発明のいずれかの態様においては、アルミニウム系金属層を採用することにより低コスト化した裏面電極を採用する光電変換素子において、ZnOをさらに積層した場合であっても、裏面電極全体の反射率の低下を防止することができる。以下、本発明に係る薄膜光電変換素子のための裏面電極の実施形態を図面に基づいて説明する。当該説明に際し特に言及がない限り、全図にわたり共通する部分または要素には共通する参照符号が付されている。また、図中、各実施形態の要素のそれぞれは、必ずしも互いの縮尺比を保って示されてはいない。<第1実施形態>[1動作原理][1-1ブロック層による反射率低下の抑止]図1は、本実施形態の薄膜光電変換素子に採用される裏面電極100の構成を示す概略断面図である。本実施形態の裏面電極100はアルミニウム系金属層102と酸化亜鉛層106とを有している。本実施形態においては、裏面電極100の光の入射側、つまり図1における紙面上の上方には、一般に、シリコン系薄膜光電変換層20が配置される。さらに、そのシリコン系薄膜光電変換層20における電力を取り出しつつシリコン系薄膜光電変換層20への光の入射を可能とするために、シリコン系薄膜光電変換層20の面の上には、透明電極30が形成される。なお、本実施形態は、サブストレート型およびスーパーストレート型の両タイプの薄膜光電変換素子に適用することができる。サブストレート型の場合には、裏面電極100の紙面上の下方に基板が配置される。これに対して、スーパーストレート型の場合には、透明電極30の紙面上の上方に透光性基板が配置される。いずれのタイプにおいても、裏面電極100のアルミニウム系金属層102と酸化亜鉛層106の位置関係は、アルミニウム系金属層102からみてシリコン系薄膜光電変換層20の側に酸化亜鉛層106が形成されている。なお、アルミニウム系金属層102は、光閉じ込め効果を実現するために、酸化亜鉛層106側の面が凹凸反射面図示しないとなるように形成されている場合もある。本実施形態における裏面電極100は、アルミニウム系金属層102と酸化亜鉛層106との間に、ブロック層104をさらに有している。このブロック層104が、アルミニウムと酸化亜鉛との接触を防止する機能果たす。[1-2ブロック層として好ましい性質]このようなブロック層104に要求される性質は、アルミニウムとZnOの接触に伴う現象を防止する性質である。このために、アルミニウム系金属層102と酸化亜鉛層106との間にブロック層104を配置することは、それ自体がアルミニウムとZnOの接触を防止する最も直接的な解決策の一つである。この効果をさらに高めるため、ブロック層104として好ましい性質について説明する。[1-2-1アルミニウムとZnOとのいずれかの拡散を抑制する作用]アルミニウムのZnO層への拡散、または、ZnOまたはそのZnOの酸素のアルミニウム層への拡散の少なくともいずれかを防止する作用を有するブロック層104は、アルミニウムとZnOの接触を防止する効果の点で好ましい。例えば、アルミニウムが例えば熱の作用によってマイグレーションしてゆくとしても、アルミニウムがZnOに到達するために必要となる物理的な距離をブロック層104の厚み自体によって拡大することが可能となって、アルミニウムとZnOとの接触が効果的に抑制される。[1-2-2ブロック層に求められる導電性]さらに、裏面電極100が太陽光発電の電流を伝達する電極として動作する必要がある。この点は、例えばブロック層104の具体的材質により電気的性質が決定されるため、どのような物質をブロック層104として採用するかに依存している。例えば、ブロック層104として導電性の薄膜、例えば金属の薄膜を採用すれば、比較的厚く形成したブロック層104であっても電極として動作させることに支障は生じない。このため、ブロック層104に導電性物質を採用すると、上述した厚みを利用することが容易となり、アルミニウムとZnOの直接的な接触を防止しうる材質を選択すること自体が容易となる。しかし、留意すべきは、本実施形態においては、例えば、電気伝導度が低い絶縁性材質をブロック層104として採用することも可能なことである。この場合には、裏面電極100の電極としての動作のために、ブロック層104の厚みを厚くすることが難しいという制約が生じる。しかし、導電性に制約されずに材質を選択することが可能となるため、ブロック層104の他の性質、例えば化学的な性質を利用した選択が可能となる。そして、化学的性質と導電性とを両立させうる材質をブロック層104に採用する場合、ごく薄い厚みの膜であっても、十分なブロックの効果を示すブロック層104を作成することが可能となる。[1-3具体例][1-3-1金属薄膜]より具体的にブロック層104の典型例を説明する。ブロック層104の一つの典型例は、銀の薄膜である。銀は、高コストという問題点があるものの、上述した導電性の点では申し分ない。また、化学的な性質としても、アルミニウムに比べてZnOに対する影響が少ない。このため、銀を、アルミニウムとZnOの接触を防ぐ程度の薄い膜として採用することにより、本実施形態のブロック層104として好ましい層を形成することが可能となる。なお、アルミニウムとZnOという両側の膜の材質と銀との関係を整理すると、銀は上述したようにアルミニウムに比べて反応性が低い。これが、ZnOに対する影響を抑えることにつながるため、銀以外の金属であっても、一般にアルミニウムに比べてZnOを還元する性質が弱い材質は本実施形態のブロック層104の材質のための候補となる。銀の薄膜を形成する場合の厚みは、ブロック層としての効果が期待できる限り薄いことが望ましい。これは、材質のコストが高い銀の使用量を極力抑制するというアルミニウム系金属層の採用趣旨からである。具体的には、その厚さを1~100nm程度とする。[1-3-2金属酸化物の薄膜]また、上述したように必ずしも十分な導電性が期待できないような物質であっても、ブロック層104のために用いることが可能である。そのようなブロック層104の典型例が、TiOxと表現される酸化チタンである。酸化チタンは厚みを制御して形成することにより、その厚み方向には導電性を確保して裏面電極100のためのブロック層として適するものの一つである。なお、チタンは、安定な酸化物として酸化チタンの形態をとっている。この酸化チタンは高い安定性があるため、アルミニウムからも、また、ZnOからも影響を受けにくく、アルミニウムとZnOとの直接の接触を効果的に防止することが可能となる。このため、本実施形態のブロック層104として適するものの一つである。酸化チタンを採用するブロック層104の膜厚は、例えば1~5nm程度とされる。アルミニウムとZnOという両側の膜の材質と酸化チタンとの関係について詳述すると、酸化チタンは上述したように安定性の高い酸化物である。したがって、アルミニウムに比べて反応性が低い。酸化チタン以外の金属酸化物であっても、緻密な膜となってアルミニウムとZnOの接触を防止する効果に優れる材質は、本実施形態のブロック層104の材質のための候補となる。より詳細には、アルミニウムに比べてイオン化傾向が小さい金属の酸化物であって、光を吸収しないものは一般に候補となりうる。例えば酸化マグネシウムMgOはそのような例である。[2具体的構成][2-1サブストレート型]図2は、サブストレート型の薄膜光電変換素子1000において、裏面電極100Aとして銀薄膜104Aを採用した構成を示す概略断面図である。薄膜光電変換素子1000では、まず、薄膜光電変換素子1000の一方の面すなわち図2において紙面上の上方に位置する面に、アルミニウム系金属層102が形成される。そして、シリコン系薄膜光電変換層20として、n型のSi層22、i型のSi層24、p型のSi層26がアルミニウム系金属層102からこの順に形成される。最後に透明電極30形成される。発電のための光hνは、透明電極30を通じてシリコン系薄膜光電変換層20に入射し、電力に変換される。発電のための光の一部はシリコン系薄膜光電変換層20を透過して裏面電極100Aに到達する。透過した光は、アルミニウム系金属層102、酸化亜鉛層106および、材質によってはブロック層104によって反射されて、再びシリコン系薄膜光電変換層20により電力に変換される。こうして透明電極30と裏面電極100により、発電された電力が取り出される。アルミニウム系金属層102は、図示しないが、光閉じ込め効果を実現するために、図の上方の面が凹凸反射面となるように形成されている。[2-1-1銀の薄膜の例]薄膜光電変換素子1000におけるブロック層104としては、銀薄膜104Aが採用される。この銀の薄膜は、酸化亜鉛層106ともアルミニウム系金属層102とも化学反応しない。そして、銀薄膜104Aは、裏面電極100Aの一部となって光の反射性と導電性を示す電極として機能しつつ、ブロック層として機能する。[2-1-2金属酸化物薄膜の例]図2は、サブストレート型の薄膜光電変換素子1100の構造をも示している。薄膜光電変換素子1100における裏面電極100Bは、ブロック層として酸化チタン薄膜104Bを採用した構成を示す概略断面図である。酸化チタン薄膜104Bは、アルミニウム系金属層102のアルミニウムと酸化亜鉛層106のZnOとの接触を防止しつつ、透光性を持つごく薄い薄膜であるため、アルミニウム系金属層102による光の反射性を阻害せず膜厚方向の導電性にも悪影響を及ぼすことなく、ブロック層として機能する。[2-2スーパーストレート型]図3は、スーパーストレート型の薄膜光電変換素子2000の構成を示す概略断面図である。裏面電極100Cにおいては、上述した薄膜光電変換素子1000および薄膜光電変換素子1100と同様に、ブロック層104Cとして銀の薄膜や酸化チタンの薄膜を採用することが可能である。つまり、ブロック層104Cとして銀の薄膜を採用すると、ブロック層104Cは、裏面電極100Cの一部となって光の反射性と導電性を示す電極として機能しつつブロック層としても機能する。つまり、酸化チタンの薄膜を採用しても、ブロック層104Cは、アルミニウム系金属層102による光の反射性を阻害せず、十分薄いと膜厚方向の導電性にも悪影響を及すことなくブロック層として機能する。なお、スーパーストレート型の薄膜光電変換素子2000においても、光閉じ込め効果を実現するために、酸化亜鉛層106のブロック層104C側の面が凹凸となるようにされていて、アルミニウム系金属層102のブロック層104C側の面が凹凸反射面となっている場合もある。[3製造方法]次に、裏面電極100の製造方法について説明する。図4は、本実施形態の薄膜光電変換素子において裏面電極を製造する製造方法のフローチャートである。図4aはサブストレート型の薄膜光電変換素子、そして、図4bは、スーパーストレート型の場合である。薄膜光電変換素子1000や1100などのサブストレート型の薄膜光電変換素子において、裏面電極100を形成するためには、まず、基板8に対してアルミニウム系金属層102を形成するS102。次いで、ブロック層104を形成するS104。そして酸化亜鉛層106を形成するS106。アルミニウム系金属層102~酸化亜鉛層106の形成は、例えばすべてスパッタリングを用いることができる。また、これらの成膜は、各ステップの間に真空を破壊しない連続成膜とすることもできる。これにより、裏面電極100の品質を安定化することが可能となる利点がある。図5は、本実施形態においてブロック層104を掲載するための成膜装置の概略構成を示す構成図である。成膜室1には、アノード電極3の一方の面に基板図5において図示しないが配置される。基板には、この時点で、アルミニウム系金属層102が既に形成されており、そのアルミニウム系金属層102がカソード電極2に向けられている。アノード電極3の基板に対向する向きにカソード電極2配置されており、カソード電極2のうち、基板8に対向する面には、ターゲット4が配置される。アノード電極3には直流電源5が接続されている。また、図示しないガス供給系および排気系により、成膜室1の内部の条件はブロック層104の成膜に適するように調整される。アルミニウム系金属層102の形成後に、真空破壊することなくブロック層104を形成するために、成膜室1は図示しないアルミニウム系金属層102のための成膜室と連通していても良い。ブロック層104の後に成膜される酸化亜鉛層106のための成膜室も同様である。裏面電極100が形成されると、次にシリコン系薄膜光電変換層20を形成する図示しない。このためには、最初にn型のSi層22を形成し、その後i型のSi層24とp型のSi層26とを順次形成する。これらは、プラズマCVD法により真空破壊することなく連続成膜により実施される。そして、透明電極30を形成する図示しない。透明電極30は、例えばスパッタリング法により形成される。最後に、必要に応じて、集電極図示しないとなる金属細線パターンが形成される。なお、図3のスーパーストレート型の薄膜光電変換素子2000のための裏面電極100Cを作製するためには、図4bに示すように、透光性基板98に透明電極30およびシリコン系薄膜光電変換層20が既に形成されている面に酸化亜鉛層106を形成するS112。その後、ブロック層104が形成されS114、最後にアルミニウム系金属層102を形成するS116。この際にも、図5に示した成膜装置に類似した装置を用いて成膜処理を行なう。[4実施例]次に、本実施形態の実施例について説明する。本実施例においては、上述した構成の裏面電極100を作製し、アルミニウム系金属層にZnOを直接接触させて積層した場合の反射率低下が抑制されていることを確認した。まず、従来例として、アルミニウム系金属層のみの裏面電極従来例1およびそのアルミニウム系金属層にZnOを積層した構造の裏面電極従来例2の場合の反射率の変化について説明する。次に、本実施形態におけるブロック層104を採用する裏面電極の反射率について、ブロック層104が金属薄膜の場合実施例1および金属酸化物の場合実施例2について説明する。なお、測定サンプルは、基板8として50μm厚のポリイミドフィルムに形成し、各例にて説明する構造の薄膜の表面における反射率を分光光度計により測定した。測定波長はすべて700nmに統一した。[4-1従来例][4-1-1従来例1]まず、アルミニウム系金属層の反射率を測定した。測定サンプルは、基板の一方の面に単層のアルミニウム薄膜を300nm形成した薄膜とした。具体的には、アルミニウム膜はアルミニウムをターゲット材料としてスパッタ条件としてArガス雰囲気で圧力5mTorrとし、出力200Wで成膜した。このサンプルにおいて実測された反射率は84であった。[4-1-2従来例2]次に、アルミニウム系金属層に直接ZnO薄膜を積層した二層積層膜の反射率を測定した。測定サンプルは基板の一方の面にアルミニウム薄膜を300nm形成し、さらにその面の上にZnO薄膜を30nm形成した。アルミニウム薄膜の形成は従来例1と同様に行なった。また、ZnO薄膜の形成は、ZnO薄膜はZnOをターゲット材料としてスパッタ条件としてAr-O22ガス雰囲気で圧力5mTorrとし、出力200Wで成膜した。このサンプルにおいて実測された反射率は、52であった。このように、従来例1と比較して、反射率が大きく低下した。ZnO薄膜は透明であり、反射率の低下はAlとZnO薄膜を積層したことによる。また、この反射率の低下は、酸化亜鉛層106の上に形成するシリコン系薄膜光電変換層20に対して戻す光の量を減少させるため、光電変換効率の低下につながる。[4-2実施例1]本実施形態のブロック層104として金属薄膜を採用する裏面電極100を作製し、同様に反射率を測定した。測定サンプルは、図1に示したものと同様の構成とした。具体的には、基板8の面の上にアルミニウム系金属層102としてアルミニウム膜を300nm形成し、次いでブロック層104として銀薄膜を形成した。実施例1ではこのブロック層104の厚みの効果も調査するため、銀薄膜の厚みを10、20、50、100nmと変更したサンプルを作製した。さらに、銀薄膜の表面に、酸化亜鉛層106としてZnO膜を30nm形成して、裏面電極100を作製した。成膜処理の具体的条件は、アルミニウム膜とZnO膜は、厚みを制御するための成膜処理時間以外は従来例1と同じ条件とした。これに対し、ブロック層104の銀薄膜は、ターゲットを銀バルク材とし、スパッタ条件としてArガス雰囲気で圧力5mTorrとし、出力200Wで成膜した。そして作製された各サンプルの反射率を従来例と同様に測定した。その結果、銀薄膜の膜厚が10、20、50、100nmのとき、63、69、75、81となり、いずれの厚みにおいても、従来例1のサンプルに比べて向上した。[4-3実施例2]さらに、ブロック層104として金属酸化物を採用した。この際のブロック層104としては酸化チタンを採用した。測定サンプルは、まず基板上にアルミニウム膜を300nm形成し、次いで酸化チタン薄膜を、1、2、5、10nmと変更した膜厚に形成し、さらに、ZnO膜を200nm形成して、裏面電極100とした。アルミニウム膜とZnO膜は従来例1と同じ条件で成膜した。酸化チタン薄膜は酸化Tiをターゲット材料とし、アルゴンガスに2濃度の酸素を混入したガス雰囲気として酸化チタンの酸素の脱離を防止しつつ、圧力5mTorr、出力200Wの条件により成膜した。作製された膜の反射率は、酸化チタン薄膜のブロック層の膜厚が1、2、5、10nmのとき、それぞれ、59、64、73、69となった。このため、ブロック層104として金属酸化物である酸化チタン薄膜を採用しても、従来例1に比べて反射率を高めた裏面電極100を作製することが可能であった。このように、酸化チタンによるブロック層の挿入による反射率向上の効果を確認した。[5変形例]上述した本実施形態の説明は、実施例の測定サンプルの物も含め、さらに変形が可能である。特にブロック層104のために採用可能な材質や具体的な厚みについては、薄膜光電変換素子の特性を測定して、適宜変更することが可能である。ブロック層104として金属薄膜を採用する場合には、上述したように、アルミニウムに比べて安定性の高い材料が一般に選択される。こうしてアルミニウムとZnOの接触を防止することが可能となる。また、酸化チタン以外の金属酸化物を採用することにより、アルミニウムとZnOの接触を防止することも可能である。このような材料の他の例としては、MgO、CaOなどを採用することができる。また、本発明は、薄膜光電変換素子の形式についても、特段限定されない。例えば、非結晶性つまりアモルファスや微結晶を採用するシリコン系薄膜光電変換素子以外にも、任意の薄膜光電変換素子のために裏面電極100を採用することは有用である。加えて、基板の種類も、薄膜光電変換素子として動作する限り特段の限定はない。サブストレート型はもとより、スーパーストレート型においても、透光性がある限り、剛体基板、可撓性基板、絶縁性基板、金属箔、フィルム基板、長尺基板といった、薄膜光電変換素子のために採用される任意の基板を用いることが可能である。そして、本実施形態において例示した薄膜や基板の材料やその組成、膜厚、形成方法等は、上記実施形態に限定されるものではない。以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。上述の各実施形態および実施例は、発明を説明するために記載されたものであり、本出願の発明の範囲は、特許請求の範囲の記載に基づいて定められるべきものである。また、各実施形態の他の組合せを含む本発明の範囲内に存在する変形例もまた、特許請求の範囲に含まれるものである。