"一の主面と他の主面とを有し、結晶系半導体からなる基板と、非結晶性半導体からなる真性半導体層と、非結晶性半導体からなる第一半導体層と第二半導体層とを有し、前記第一半導体層及び前記第二半導体層の一方は前記基板と同じ導電型を有し、他方は前記基板と逆の導電型を有する太陽電池の製造方法であって、触媒化学気相成長法によって、前記基板の前記一の主面上と前記他の主面上とに前記真性半導体層を形成する工程S1と、前記基板の両主面上に形成された前記真性半導体層の少なくとも一方の真性半導体層上に前記第一半導体層または前記第二半導体層を形成する工程S2とを備え、前記工程S1では、通電加熱され、原料ガスを分解する触媒体は、第1触媒体と第2触媒体とを有し、前記第1触媒体は、前記工程S1中に前記一の主面に対向する位置に配置されており、前記第2触媒体は、前記工程S1中に前記他の主面に対向する位置に配置されている、太陽電池の製造方法。前記工程S2は、第一半導体層形成工程と第二半導体層形成工程とを有し、前記第一半導体層形成工程では、前記基板の前記一の主面上に形成された前記真性半導体層上に前記第一半導体層を形成し、前記第二半導体層形成工程では、前記基板の前記他の主面上に形成された前記真性半導体層上に前記第二半導体層を形成する、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記工程S2は、第一半導体層形成工程と第二半導体層形成工程とを有し、前記第一半導体層形成工程では、前記基板の前記一の主面上に形成された前記真性半導体層の第1の領域上を含んで前記第一半導体層を形成し、前記第二半導体層形成工程では、前記基板の前記一の主面上に形成された前記真性半導体層上の第2の領域を含んで前記第二半導体層を形成する、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記第一半導体層形成工程及び前記第二半導体層形成工程は、非晶質からなる第2真性半導体層を形成する工程を有し、前記第一半導体層形成工程では、前記真性半導体層上に前記第2真性半導体層と前記第一半導体層とをこの順に形成し、前記第二半導体層形成工程では、前記真性半導体層上に前記第2真性半導体層と前記第二半導体層とをこの順に形成する、請求項2または3に記載の太陽電池の製造方法。前記第2真性半導体層と、前記第一半導体層及び前記第二半導体層のうち少なくとも一方の半導体層とを、同じ形成室内で形成する請求項4に記載の太陽電池の製造方法。前記一の主面における前記基板と前記真性半導体層との界面から、前記第2真性半導体層と前記第一半導体層との界面までの前記第一半導体層にドープされる不純物の量のピークは、前記真性半導体層と前記第2真性半導体層とからなる層の間にある請求項4に記載の太陽電池の製造方法。前記真性半導体層の前記基板からの厚さは、2nm以上である請求項4又は5に記載の太陽電池の製造方法。前記第1触媒体は、一の前記基板の前記一の主面及び前記一の基板とは異なる他の前記基板の前記一の主面と対向しており、前記一の基板の前記一の主面と前記他の基板の前記一の主面とには、前記真性半導体層が同時に形成される請求項1から7の何れか1項に記載の太陽電池の製造方法。前記第1触媒体及び前記第2触媒体は、所定間隔を空けて交互に複数配置され、各前記間隔に前記基板を配することによって、前記基板の前記一の主面と前記他の主面とに前記真性半導体層を形成する請求項1から7の何れか1項に記載の太陽電池の製造方法。前記第1触媒体は、第1間隔を空けて複数配置され、前記第2触媒体は、第2間隔を空けて複数配置され、前記工程S1は、前記一の主面に前記真性半導体層を形成する工程Aと、前記他の主面に前記真性半導体層を形成する工程Bとを有し、前記工程Aでは、前記第1間隔の間であり前記第1触媒体と対向する位置に、一の前記基板を搬送し、前記一の基板の前記一の主面に前記真性半導体層を形成し、前記第1間隔に隣接する他の前記第1間隔の間であり、前記一の基板が対向する前記第1触媒体と対向する位置に、他の前記基板を搬送し、前記他の基板の前記一の主面に前記真性半導体層を形成し、前記工程Bでは、一の前記第2触媒体と前記一の第2触媒体に隣接する他の前記第2触媒体との間であり、前記一の第2触媒体と対向する位置に、前記一の基板を搬送し、前記一の基板の前記他の主面に前記真性半導体層を形成し、前記一の第2触媒体と前記他の第2触媒体との間であり、前記他の第2触媒体と対向する位置に、前記他の基板を搬送し、前記他の基板の前記他の主面に前記真性半導体層を形成する請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記工程S1では、前記第1触媒体と前記第2触媒体とを交互に通電加熱する請求項1から8の何れか1項に記載の太陽電池の製造方法。前記工程S1及び前記工程S2を行うために、前記基板は搬送が行われ、前記搬送の際には、前記基板のみ搬送される請求項1から8又は10の何れか1項に記載の太陽電池の製造方法。前記一の主面と前記他の主面とを有し、結晶系半導体からなる前記基板と、非結晶性半導体からなる前記真性半導体層と、非結晶性半導体からなる前記第一半導体層と前記第二半導体層とを有し、前記第一半導体層及び前記第二半導体層の一方は前記基板と同じ導電型を有し、他方は前記基板と逆の導電型を有する太陽電池であって、請求項1から12の何れか1項に記載の方法によって製造されたことを特徴とする太陽電池。本発明の実施形態に係る太陽電池500の一例について、図面を参照しながら説明する。以下の図面の記載において、同一または類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。図面は模式的なのものであり、各寸法の比率などは現実のものとは異なることを留意すべきである。従って、具体的な寸法などは以下の説明を参酌して判断すべきものである。図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。1第1実施形態太陽電池500Aの製造方法本発明の第1実施形態に係る太陽電池500Aの製造方法について、図1から図4を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る太陽電池500Aの製造方法を説明するためのフローチャートである。図2は、本実施形態に係る太陽電池500Aの製造方法に用いられる半導体形成装置1の概略構成上面図である。図3は、工程S1における本実施形態に係る基板搬送用のトレイ201の一部斜視図である。図4は、本実施形態に係る太陽電池500Aの断面図である。図1に示されるように、太陽電池500Aの製造方法は、工程S1から工程S3を備える。工程S1は、触媒化学気相成長法によって、半導体材料からなる基板510の両主面上にi型半導体層520a及びi型半導体層520bを形成する工程である。まず、基板510を準備する。本実施形態に係る基板510は、n型又はp型の単結晶又は多結晶シリコン等の結晶系半導体からなる基板である。基板510は、互いに対向する一の主面515a及び他の主面515bを有する図4参照。基板510は、概略四角形状の板状に加工されている。基板510表面の汚れを除去するため、基板510の表面には、酸又はアルカリ溶液でエッチングがなされている。また、一の主面515a及び他の主面515bの少なくとも一方の主面は、光反射を低減するためのテクスチャ構造を有する。準備された基板510を基板搬送用のトレイ200にセットし、半導体形成装置1に搬送する。半導体形成装置1は、図2に示すように、補助室10、i層形成室20、第1導電型層形成室30、第2導電型層形成室40、補助室50、ゲートバルブ61、ゲートバルブ62、ゲートバルブ63、及びゲートバルブ64を備える。図示しないが、補助室10及び補助室50を大気雰囲気から隔離するためのゲートバルブも有する。補助室10では、トレイ200及び基板510から脱ガスするため、大気中から搬送されたトレイ200が加熱される。補助室50では、トレイ200の温度が下げられる。i層形成室20では、基板510の両主面である主面515a上及び主面515b上にi型半導体層520a及びi型半導体層520bが形成される。第1導電型層形成室30では、i型半導体層520a上に第1導電型半導体層530が形成される。第2導電型層形成室40では、i型半導体層520b上に第2導電型半導体層540が形成される。なお、第1導電型は、p型及びn型のうち一方の導電型であり、第2導電型は、他方の導電型である。補助室10、i層形成室20、第1導電型層形成室30、第2導電型層形成室40及び補助室50には、それぞれ図示しない原料ガスの導入口、排気口が設けられている。各室は、ゲートバルブ61、ゲートバルブ62、ゲートバルブ63、又はゲートバルブ64を介してつながっている。各ゲートバルブは、各室へトレイ200を移動させるとき以外は基本的に閉じられている。i層形成室20、第1導電型層形成室30及び第2導電型層形成室40は、通電加熱され、原料ガスを分解するための触媒体を有している。i層形成室20内では、触媒体251、触媒体252、触媒体253、触媒体254及び触媒体255は、間隔Lを空けて配置されている。本実施形態において、触媒体251から触媒体255は、それぞれ複数の触媒線を含む。各触媒線は、反応室の底面に対して略鉛直方向に延びるように配置されている。また、各触媒線は、トレイ200の主面と略平行になるように配置されている。第1導電型層形成室30及び第2導電型層形成室40でも同様に、触媒体が、所定間隔を空けて複数配置されている。触媒体の材料には、例えば、タングステン、モリブデン、タンタル等が用いられる。基板510は、図3に示されるように、トレイ200トレイユニット201にセットされる。トレイ200は、複数直列に接続され、一つのトレイユニットを構成する。トレイ200は、概略四角形状の枠状部材である。トレイ200の枠内部の上側すなわち、トレイ200が直列に並ぶ方向の一方の端部側には、支持部材200aが2つ取り付けられている。トレイ200の枠内部の下側すなわち、トレイ200が直列に並ぶ方向の他方の端部側には、支持部材200bが2つ取り付けられている。これらの支持部材200a及び支持部材200bによって、基板510を支持することにより、基板510は、工程S1の間にトレイ200から外れないようになっている。基板510がセットされたトレイ200は、補助室10に搬入される。補助室10を密閉した後、排気口から排気を行い、補助室10の内部を所定の真空度にする。i層形成室20は、排気口から排気が行われ、i層形成室20内部は、所定の真空度になっている。このi層形成室20へと、図示しない搬送系によって、トレイ200を補助室10から移動させる。図2及び図3に示されるように、トレイユニットにセットされた基板510の主面515a及び主面515bが、触媒体と対向する位置に搬送される。具体的には、トレイユニット201は、触媒体251及び触媒体252に挟まれる位置に搬送される。触媒体251は、トレイユニット201にセットされた基板510の主面515bに対向する。触媒体252は、トレイユニット201にセットされた基板510の主面515aに対向し、トレイユニット202にセットされた基板510の主面515aに対向する。触媒体253は、トレイユニット202にセットされた基板510の主面515bに対向し、トレイユニット203にセットされた基板510の主面515bに対向する。触媒体254は、トレイユニット203にセットされた基板510の主面515aに対向し、トレイユニット204にセットされた基板510の主面515aに対向する。触媒体255は、トレイユニット204にセットされた基板510の主面515bに対向する。換言すると、触媒体252及び触媒体254は、基板510の主面515aに対向する。触媒体251、触媒体253及び触媒体255は、基板510の主面515bに対向する。すなわち、本実施形態にあっては、基板510の主面515aに対向する触媒体252及び触媒体254と、基板510の主面515bに対向する触媒体251、触媒体253、触媒体255とが交互に配置されている。触媒体251、触媒体252、触媒体253、触媒体254及び触媒体255に通電し、各触媒体の温度を上昇させる。i層形成室20に反応ガスであるSiH4及びH2を導入する。導入された反応ガスは、各触媒体によって分解され、基板510の主面515a上及び主面515b上に堆積する。これによって、基板510の主面515a上にi型半導体層520aが形成され、基板510の主面515b上にi型半導体層520bが形成される。触媒体251、触媒体252、触媒体253、触媒体254及び触媒体255は、間隔Lを空けて複数配置されている。触媒体251と触媒体252との間隔Lには、トレイユニット201にセットされた基板510が入れられている。同様に、他の間隔Lにも、それぞれトレイユニット202、トレイユニット203、トレイユニット204が入れられている。このため、複数の基板510の主面515a上及び主面515b上に同時にi型半導体層を形成することができる。基板510に、i型半導体層520a及びi型半導体層520bを形成した後、SiH4及びH2の導入を終了する。排気口から排気を行い、i層形成室20内部を所定の真空度にする。次に、工程S2が行われる。工程S2は、i型半導体層520a及びi型半導体層520bが形成された基板510に第1導電型半導体層530及び第2導電型半導体層540を形成する工程である。工程S2も、工程S1と同様に、触媒化学気相成長法を用いる。工程S2は、工程S24と工程S28とを有する。工程S24は、基板510の主面515a上に形成されたi型半導体層520aの表面上に第1導電型半導体層530を形成する工程である。第1導電型層形成室30は、排気口から排気が行われ、第1導電型層形成室30内部は、所定の真空度になっている。図示しない搬送系によって、トレイ200をi層形成室20から第1導電型層形成室30へと移動させる。トレイユニット201の位置にあったトレイユニットは、トレイユニット301の位置へと移動する。同様に、トレイユニット202の位置にあったトレイユニットは、トレイユニット302の位置へと移動する。トレイユニット203の位置にあったトレイユニットは、トレイユニット303の位置へと移動する。トレイユニット204の位置にあったトレイユニットは、トレイユニット304の位置へと移動する。具体的には、トレイユニット201及びトレイユニット202は、触媒体351を挟むような位置へと搬送される。トレイユニット203及びトレイユニット204は、触媒体352を挟むような位置へと搬送される。触媒体351及び触媒体352に通電し、各触媒体の温度を上昇させる。第1導電型層形成室30に反応ガスであるSiH4及びドーピングガス例えば、B2H6又はPH3等を導入する。導入された反応ガスは、各触媒体によって分解され、基板510の主面515a側に堆積する。これによって、基板510の主面515a上に形成されたi型半導体層520aの表面上に、第1導電型半導体層530が形成される。第1導電型半導体層530は、非結晶性半導体からなる。触媒体351はトレイユニット301にセットされた基板510の主面515aと対向している。また、触媒体351は、トレイユニット302にセットされた基板510の主面515aとも対向している。このため、基板510の主面515a上と基板510の主面515a上とに同時に第1導電型半導体層530を形成することができる。触媒体352についても同様である。図2に示されるように、触媒体351と触媒体352とは所定間隔を空けて配置されている。その間隔の間に、トレイユニット302及びトレイユニット303は位置している。触媒体351は、トレイユニット302にセットされた基板510の主面515aと対向する位置にある。すなわち、触媒体351とトレイユニット303との間には、トレイユニット302が存在する。このため、トレイユニット302にセットされた基板510の主面515b上には、第1導電型半導体層530は形成されない。基板510の主面515a上に所定の厚みの第1導電型半導体層530を形成した後、SiH4及びドーピングガスの導入を終了する。排気口から排気を行い、第1導電型層形成室30内部を所定の真空度にする。次に、工程S28を行う。工程S28は、基板510の主面515b上に形成されたi型半導体層520b上に第2導電型半導体層540を形成する工程である。図示しない搬送系によって、トレイ200を第1導電型層形成室30から第2導電型層形成室40へと移動させる。第2導電型層形成室40は、排気口から排気が行われ、第2導電型層形成室40内部は、所定の真空度になっている。トレイユニット301の位置にあったトレイユニットは、トレイユニット401の位置へと移動する。同様に、トレイユニット302の位置にあったトレイユニットは、トレイユニット402の位置へと移動する。トレイユニット303の位置にあったトレイユニットは、トレイユニット403の位置へと移動する。トレイユニット304の位置にあったトレイユニットは、トレイユニット404の位置へと移動する。具体的には、トレイユニット301は、触媒体451に基板510の主面515bが対向する位置へと搬送される。トレイユニット302及びトレイユニット303は、触媒体452を挟むような位置へと搬送される。トレイユニット304は、触媒体451に基板510の主面515bが対向する位置へと搬送される。触媒体451、触媒体452及び触媒体453に通電し、各触媒体の温度を上昇させる。第2導電型層形成室40に反応ガスであるSiH4、及びドーピングガスを導入する。導入された反応ガスは、各触媒体によって分解され、基板510の主面515b側に堆積する。これによって、基板510の主面515b上に形成されたi型半導体層520bの表面上に、基板510と逆の導電型を有する第2導電型半導体層540が形成される。触媒体452はトレイユニット402にセットされた基板510の主面515bと対向している。また、触媒体452は、トレイユニット403にセットされた基板510の主面515bとも対向している。このため、基板510の主面515b上と基板510の主面515b上とに同時に第2導電型半導体層540を形成することができる。第2導電型半導体層540は、非結晶性半導体からなる。図2に示されるように、触媒体451、触媒体452、触媒体453とは所定間隔を空けて配置されている。触媒体451と触媒体452との間隔の間に、トレイユニット401及びトレイユニット402は位置している。触媒体451は、トレイユニット401にセットされた基板510の主面515bと対向する位置である。すなわち、触媒体451とトレイユニット402との間には、トレイユニット401が存在する。このため、トレイユニット402にセットされた基板510の主面515a上には、第2導電型半導体層540は形成されない。他のトレイユニットにセットされた基板510についても同様である。基板510の主面515a上に所定厚みの第2導電型半導体層520を形成した後、SiH4、及びドーピングガスの導入を終了する。排気口から排気を行い、第2導電型層形成室40内部を所定の真空度にする。図示しない搬送系によって、トレイ200を第2導電型層形成室40から補助室50へと移動させる。補助室50へと移動したトレイユニットを半導体形成装置1から搬送する。次に、工程S3が行われる。工程S3は、第1導電型半導体層530上及び第2導電型半導体層540上に電極550a及び電極550bを形成する工程である。半導体形成装置1から搬送されたトレイ200から基板510を取り出す。基板510の第1導電型半導体層530上に電極550aを形成する。基板510の第2導電型半導体層540上に電極550bを形成する。電極550aは、透光性導電層550a1及び集電極550a2を含む。また、電極550bは、透光性導電層550b1及び集電極550b2を含む。透光性導電層550a1及び透光性導電層550b1は、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛などの透光性導電酸化物を用いて形成することができる。集電極550a2及び集電極550b2は、銀、銅等の金属や合金等の金属を含む低抵抗の材料を用いて形成することができる。以上の工程によって、図4に示される太陽電池500Aが製造される。上述した製造方法によれば、第1導電型半導体層530及び第2導電型半導体層540を形成するときには、すでにi型半導体層520a及びi型半導体層520bが形成されているため、基板510とi型半導体層520aとの界面及び基板510とi型半導体層520bとの界面に、第1導電型半導体層530及び第2導電型半導体層540にドープされる不純物が混入するのを防ぐことができる。このため、基板510とi型半導体層520aとの界面及び基板510とi型半導体層520bとの界面を清浄に保つことができる。従って、界面特性の低下を抑制できるため、高い光電変換効率を有する太陽電池を製造することができる。平行平板電極を用いたプラズマCVD法では、半導体層を形成したい主面を一方の電極に対向させて、他方の電極に半導体材料からなる基板を載置している。載置した後に、電極に高周波電力を印加し、電極間に放電を生じさせることによって、半導体層を形成する。このため、基板の一の主面及び他の主面に半導体層を形成するためには、反応室から取り出して、一の主面と他の主面とを入れ替えるという作業を行う必要があった。本実施形態によれば、基板の一の主面と他の主面とに真性半導体層を形成する工程S1を備え、工程S1では、通電加熱され、原料ガスを分解する触媒体は、第1触媒体と第2触媒体とを有し、第1触媒体は、工程S1中に一の主面に対向する位置に配置されており、第2触媒体は、工程S1中に他の主面に対向する位置に配置されている。具体的には、主面515aに対向する位置に配置された触媒体によって、i型半導体層520aは、主面515aに形成され、主面515bに対向する位置に配置された触媒体によって、i型半導体層520bは、主面515bに形成される。従って、基板510をi層形成室20から取り出して主面515aと主面515bとを入れ替えるという作業を行わずに主面515a及び主面515bにi型半導体層520bを形成できる。これによって、太陽電池500の製造工程の簡略化及び製造時間の短縮化が図ることができる。本実施形態に係る太陽電池500の製造方法では、例えば、触媒体252は、トレイユニット201にセットされた基板510の主面515aと対向し、触媒体252は、トレイユニット202にセットされた基板510の主面515aとも対向している。このため、基板510の主面515aと基板510の主面515aとに同時にi型半導体層520aを形成することができる。本実施形態に係る太陽電池500の製造方法では、例えば、触媒体251、触媒体252、触媒体253、触媒体254及び触媒体255は、間隔Lを空けて複数配置されている。触媒体251と触媒体252との間隔Lには、トレイユニット201にセットされた基板510が入れられている。同様に、他の間隔Lにも、それぞれトレイユニット202、トレイユニット203、トレイユニット204が入れられている。このため、複数の基板510の主面515a及び主面515bに同時にi型半導体層を形成することができる。2第2実施形態太陽電池500Aの製造方法本発明の第2実施形態に係る太陽電池500Aの製造方法について、図4から図6を参照しながら説明する。以下において、第1実施形態に係る太陽電池500Aの製造方法と同一部分については、説明を省略する。すなわち、第1実施形態に係る太陽電池500Aの製造方法との相違点を主に説明する。図5は、本実施形態に係る太陽電池500Aの製造方法を説明するためのフローチャートである。図6は、本実施形態に係る太陽電池500Aの製造方法に用いられる半導体形成装置1Aの概略構成上面図である。図5に示されるように、第2実施形態に係る太陽電池500Aの製造方法は、工程S1から工程S3を備える。工程S1は、触媒化学気相成長法によって、半導体材料からなる基板510の両主面上にi型半導体層520a及びi型半導体層520bを形成する工程である。工程S1は、工程S12と工程S14とを有する。工程S12は、基板510の主面515b上にi型半導体層520bを形成する工程である。まず、上述した太陽電池500Aの製造方法と同様に、基板510を準備する。準備された基板510をトレイ200にセットし、半導体形成装置1Aに搬送する。半導体形成装置1Aは、図6に示すように、補助室10、i層形成室20A、第1導電型層形成室30、第2導電型層形成室40、補助室50、ゲートバルブ61、ゲートバルブ62、ゲートバルブ63、及びゲートバルブ64を備える。i層形成室20Aは、開閉できる隔壁23によって、i層形成室21とi層形成室22とに分けられている。i層形成室21及びi層形成室22も他の室と同様に、それぞれ図示しないガスの導入口、排気口が設けられている。i層形成室21では、触媒体261、触媒体263、触媒体265は、間隔L1を空けて配置されている。i層形成室22では、触媒体262及び触媒体264は、間隔L2を空けて配置されている。間隔L1及び間隔L2は、図2に示す間隔Lより大きい。基板510がセットされたトレイ200は、補助室10に搬入される。補助室10を密閉した後、排気口から排気を行い、補助室10の内部を所定の真空度にする。i層形成室21は、排気口から排気が行われ、i層形成室20内部は、所定の真空度になっている。図示しない搬送系によって、トレイ200を補助室10からi層形成室21へと移動させる。図6に示されるように、トレイユニットは、基板510の主面515bが、触媒体に対向する位置に搬送される。具体的には、トレイユニット211は、触媒体261に基板510の主面515bが対向する位置へと搬送される。トレイユニット212及びトレイユニット213は、触媒体263を挟むような位置へと搬送される。トレイユニット214は、触媒体265に基板510の主面515bが対向する位置へと搬送される。触媒体261、触媒体263及び触媒体265に通電し、各触媒体の温度を上昇させる。i層形成室21に反応ガスであるSiH4及びH2を導入する。導入された反応ガスは、各触媒体によって分解され、基板510の主面515b上に堆積する。これによって、基板510の主面515b上にi型半導体層520bが形成される。基板510の主面515b上に所定の厚みのi型半導体層520bを形成した後、SiH4及びH2の導入を終了する。排気口から排気を行い、i層形成室21内部を所定の真空度にする。次に、工程S14が行われる。工程S14は、基板510の主面515aにi型半導体層520aを形成する工程である。i層形成室22は、排気口から排気が行われ、i層形成室22内部は、所定の真空度になっている。このi層形成室22へ、図示しない搬送系によって、トレイ200をi層形成室21から移動させる。トレイユニット211の位置にあったトレイユニットは、トレイユニット221の位置へと移動する。同様に、トレイユニット212の位置にあったトレイユニットは、トレイユニット222の位置へと移動する。トレイユニット213の位置にあったトレイユニットは、トレイユニット223の位置へと移動する。トレイユニット214の位置にあったトレイユニットは、トレイユニット224の位置へと移動する。具体的には、触媒体262を挟むような位置へと、トレイユニット221及びトレイユニット222は搬送される。触媒体264を挟むような位置へと、トレイユニット223及びトレイユニット224は搬送される。触媒体262及び触媒体264に通電し、各触媒体の温度を上昇させる。i層形成室22に反応ガスであるSiH4及びH2を導入する。導入された反応ガスは、各触媒体によって分解され、基板510の主面515a上に堆積する。これによって、基板510の主面515a上にi型半導体層520aが形成される。基板510の主面515a上に所定の厚みのi型半導体層520bを形成した後、SiH4及びH2の導入を終了する。排気口から排気を行い、i層形成室21内部を所定の真空度にする。以後の工程S2及び工程S3は、上述した第1実施形態に係る太陽電池500Aの製造方法と同様である。以上の工程によって、図4に示される太陽電池500Aが製造される。本実施形態に係る太陽電池500Aの製造方法において、工程S12では、基板510の主面515b上にi型半導体層520bを形成する。工程S14では、基板510の主面515a上にi型半導体層520aを形成する。このように、i型半導体層520a及びi型半導体層520bを別々に形成することにより、第1導電型半導体層530が形成されるi型半導体層520aと、第2導電型半導体層540が形成されるi型半導体層520bとの形成条件例えば、温度、圧力、反応ガスの濃度等を変えることができる。これによって、i型半導体層520aとi型半導体層520bとの膜厚や膜質を制御できる。なお、i型半導体層520aとi型半導体層520bとを同じ条件で形成する場合には、隔壁23はなくても良い。触媒化学気相成長法によって、非晶質シリコン膜を形成する場合、触媒体は、約1600°C~2000°C程度の高温に加熱される。第1実施形態では、基板510が2つの触媒体によって加熱されている。具体的には、例えば、トレイユニット201にセットされた基板510は、触媒体251及び触媒体252の輻射熱で加熱される。このため、基板510が必要以上に加熱され過ぎるのを防ぐために、基板510と触媒体との間隔を広くしたり、基板510を冷却するための機構を付加したりすることが好ましい。一方、第2実施形態では、基板510は、1つの触媒体によって加熱される。第2実施形態では、第1実施形態に比べて、基板510を加熱する触媒体の数が少ないため、基板510が加熱され過ぎるのを抑制することができる。従って、第2実施形態では、基板510が必要以上に加熱され過ぎるのを防ぐ製造装置の工夫が、第1実施形態に比べると必要でない。すなわち、第2実施形態によれば、第1実施形態に比べて、製造装置の簡略化を図ることができる。3第3実施形態太陽電池500Aの製造方法本発明の第3実施形態に係る太陽電池500Aの製造方法について、図1、図7、図8を参照しながら説明する。以下において、第1実施形態に係る太陽電池500Aの製造方法と同一部分については、説明を省略する。すなわち、第1実施形態に係る太陽電池500Aの製造方法との相違点を主に説明する。図7は、本発明の第3実施形態に係る太陽電池500Aの製造方法に用いられる半導体形成装置1Bの概略構成上面図である。触媒体は、省略している。図8は、半導体形成装置1Bの概略M-M断面図である。半導体形成装置1Bは、図7に示されるように、出入室10B、i層形成室20B、第1導電型層形成室30B、第2導電型層形成室40B、搬送室70B及びゲートバルブ65を備える。出入室10Bでは、外部から半導体形成装置1Bへと基板510が搬入される。また、第1導電型半導体層530及び第2導電型半導体層540が形成された基板510が、外部へ搬出される。i層形成室20Bでは、基板510上にi型半導体層520a及びi型半導体層520bが形成される。第1導電型層形成室30Bでは、i型半導体層520a上に第1導電型半導体層530が形成される。第2導電型層形成室40Bでは、i型半導体層520b上に第2導電型半導体層540が形成される。出入室10B、i層形成室20B、第1導電型層形成室30B、第2導電型層形成室40B及び搬送室70Bには、それぞれ図示しないガスの導入口、排気口が設けられている。搬送室70Bは、ゲートバルブ65を介して、出入室10B、i層形成室20B、第1導電型層形成室30B及び第2導電型層形成室40Bとつながっている。搬送室70Bには、複数の搬送用フォーク75が備えられている。この搬送用フォーク75によって、基板510を搬送室70Bから各室へ搬送できる。i層形成室20B、第1導電型層形成室30B及び第2導電型層形成室40Bには、通電加熱され、原料ガスを分解するための触媒体を有している。図8に示されるように、i層形成室20Bでは、触媒体271、触媒体272、触媒体273、触媒体274及び触媒体275は、所定間隔を空けて配置されている。第1導電型層形成室30B及び第2導電型層形成室40Bでも同様に、触媒体が所定間隔を空けて複数配置されている。なお、第1導電型層形成室30B内の触媒体と、第2導電型層形成室40B内の触媒体とは、異なる位置に配置されている。具体的には、第1導電型層形成室30B内の触媒体は、基板510の主面515aに対向するように配置されており、第2導電型層形成室40B内の触媒体は、基板510の主面515bに対向するように配されている。本実施形態の太陽電池500Aの製造方法は、第1実施形態の太陽電池500Aの製造方法と同様に、図1に示される工程S1から工程S3を備える。工程S1は、触媒化学気相成長法によって、基板510の両主面上にi型半導体層520a及びi型半導体層520bを形成する工程である。準備された基板510を、外部から出入室10Bへ搬入する。出入室10Bを密閉した後、排気口から排気を行い、出入室10Bの内部を所定の真空度にする。搬送室70Bは、排気口から排気が行われ、搬送室70B内部は、所定の真空度になっている。出入室10Bと搬送室70Bとをつなぐゲートバルブ65を開き、出入室10Bに搬入された基板510を各搬送用フォーク75に載置させる。搬送用フォーク75を搬送室70Bの内部へ戻し、ゲートバルブ65を閉じる。次に、i層形成室20Bと搬送室70Bとをつなぐゲートバルブ65を開く。i層形成室20Bは、排気口から排気が行われ、i層形成室20B内部は、所定の真空度になっている。このi層形成室20Bにあるそれぞれの載置トレイに基板510を載置させる。載置トレイは、トレイ200と同様の概略四角形状の枠状部材をしている。枠内には、突起が付いている。基板510を枠内に入れると、突起が基板510の縁を支えるため、基板510は落下しない。載置トレイ231は、触媒体271と触媒体272との間に固定されている。同様に、載置トレイ232は、触媒体272と触媒体273との間に固定されている。載置トレイ233は、触媒体273と触媒体274との間に固定されている。載置トレイ234は、触媒体274と触媒体275との間に固定されている。基板510を載置させた後、搬送用フォーク75を搬送室70Bの内部へ戻し、ゲートバルブ65を閉じる。上述の第1実施形態に係る太陽電池500Aの製造方法と同様に、触媒化学気相成長法を用いることによって、基板510の主面515a上にi型半導体層520aが、基板510の主面515b上にi型半導体層520bが同時に形成される。排気口から排気を行い、i層形成室20B内部を所定の真空度にする。i層形成室20Bと搬送室70Bとをつなぐゲートバルブ65を開く。i層形成室20Bにあるそれぞれの載置トレイから基板510を各搬送用フォーク75に載置させる。搬送用フォーク75を搬送室70Bの内部へ戻し、ゲートバルブ65を閉じる。次に、工程S2が行われる。工程S2は、i型半導体層520a及びi型半導体層520bが形成された基板510上に第1導電型半導体層530及び第2導電型半導体層540を形成する工程である。工程S2も、工程S1と同様に、触媒化学気相成長法を用いる。第1導電型層形成室30Bと搬送室70Bとをつなぐゲートバルブ65を開く。第1導電型層形成室30Bは、排気口から排気が行われ、第1導電型層形成室30B内部は、所定の真空度になっている。この第1導電型層形成室30Bにあるそれぞれの載置トレイに基板510を載置させる。触媒体は、基板510の主面515aにのみ第1導電型半導体層530が形成されるように、載置トレイと触媒体との位置関係は、第1実施形態の太陽電池500Aの製造方法と同様の位置関係となっている。載置トレイに基板510を載置させた後、搬送用フォーク75を搬送室70Bの内部へ戻し、ゲートバルブ65を閉じる。上述の第1実施形態に係る太陽電池500Aの製造方法と同様に、触媒化学気相成長法を用いることによって、i型半導体層520a上に第1導電型半導体層530が形成される。排気口から排気を行い、第1導電型層形成室30B内部を所定の真空度にする。第1導電型層形成室30Bと搬送室70Bとをつなぐゲートバルブ65を開く。第1導電型層形成室30Bにあるそれぞれの載置トレイから基板510を各搬送用フォーク75に載置させる。搬送用フォーク75を搬送室70Bの内部へ戻し、ゲートバルブ65を閉じる。第1導電型層形成室30Bにおいて、i型半導体層520aの表面上に第1導電型半導体層530を形成したように、第2導電型層形成室40Bにおいて、i型半導体層520bの表面上に第2導電型半導体層540を形成する。第1導電型半導体層530及び第2導電型半導体層540が形成された基板510を搬送用フォーク75を用いて、出入室10Bまで搬送する。出入室10Bに搬送された基板510を外部へと移動させる。この基板510を用いて、工程S3を行う。工程S3は、上述した第1実施形態に係る太陽電池500Aの製造方法と同様である。以上の工程によって、図4に示される第3実施形態に係る太陽電池500Aが製造される。本実施形態では、搬送用フォーク75を用いて、基板搬送用のトレイを使用することなく基板510の搬送を行う。すなわち、上述の工程を行うための搬送において、基板510のみが搬送される。このため、第1導電型半導体層530及び第2導電型半導体層540を形成時にドーピング用不純物が表面に付着したトレイを使用する必要がない。従って、トレイを用いる他の実施形態に比べ、本実施形態に係る太陽電池500Aは、トレイに付着したドーピング用不純物の影響が抑制されている。すなわち、基板510とi型半導体層520aとの界面515a及び基板510とi型半導体層520bとの界面515bに混入するドーピング用不純物の量を少なくすることができる。この結果、界面特性の低下をより抑制することができるため、さらに光電変換効率の向上した太陽電池を製造することができる。4第4実施形態太陽電池500Bの製造方法本発明の第4実施形態に係る太陽電池500Bの製造方法について、図2,図9及び図10を参照しながら説明する。以下において、第1実施形態に係る太陽電池500Aの製造方法と同一部分については、説明を省略する。すなわち、第1実施形態に係る太陽電池500Aの製造方法との相違点を主に説明する。図9は、本実施形態に係る太陽電池500Bの製造方法を説明するためのフローチャートである。図10は、本実施形態に係る太陽電池500Bの断面図である。図9に示されるように、第4実施形態に係る太陽電池500Bの製造方法は、工程S1から工程S3を備える。本実施形態に係る太陽電池500Bの製造方法は、第1実施形態に係る太陽電池500Aの製造方法と同様に半導体形成装置1が用いられる。工程S1は、触媒化学気相成長法によって、基板510の両主面上にi型半導体層521a及びi型半導体層521bを形成する工程である。太陽電池500Aの製造方法と同様にして、i層形成室20において、基板510の両主面上にi型半導体層521a及びi型半導体層521bが形成される。太陽電池500Aの製造方法と異なる点は、後述する工程S2において、さらにi型半導体層526a及びi型半導体層526bが形成されるため、i型半導体層521a及びi型半導体層521bを薄く形成することが可能である点である。i型半導体層521a及びi型半導体層521bの膜厚として、工程S1において、基板510の両主面上にi型半導体層521a及びi型半導体層521bが存在することにより、基板510と第1導電型半導体層530又は第2導電型半導体層540との間における不純物の混入を防ぐことができる程度の厚さ以上となれば良い。具体的には、i型半導体層521a及びi型半導体層521bの基板510からの厚さを、2nm以上とする。基板510の両主面上に、所定の厚みのi型半導体層521a及びi型半導体層521bを形成した後、SiH4及びH2の導入を終了する。排気口から排気を行い、i層形成室20内部を所定の真空度にする。次に、工程S2が行われる。工程S2は、工程S22と工程S24と工程S26と工程S28とを有する。まず、工程S22を行う。工程S22は、基板510の主面515a上に形成されたi型半導体層521a上にi型半導体層526aを形成する工程である。第1導電型層形成室30は、排気口から排気が行われ、第1導電型層形成室30内部は、所定の真空度になっている。図示しない搬送系によって、トレイ200をi層形成室20から第1導電型層形成室30へと移動させる。トレイ200が第1導電型層形成室30へと移動した後、触媒体351及び触媒体352に通電し、各触媒体の温度を上昇させる。第1導電型層形成室30に、反応ガスであるSiH4及びH2を導入する。導入された反応ガスは、各触媒体によって分解され、i型半導体層521aにi型半導体層526aが形成される。i型半導体層521aの表面上にi型半導体層526aを形成した後、SiH4及びH2の導入を終了する。排気口から排気を行い、第1導電型層形成室30内部を所定の真空度にする。次に、工程S24を行う。工程S24は、基板510の主面515a側に形成されたi型半導体層526a上に第1導電型半導体層530を形成する工程である。真空度が所定の真空度になった第1導電型層形成室30に、反応ガスであるSiH4及びドーピングガスを導入する。導入された反応ガスは、各触媒体によって分解され、i型半導体層526a上に第1導電型半導体層530が形成される。i型半導体層526aの表面上に第1導電型半導体層530を形成した後、SiH4及びドーピングガスの導入を終了する。排気口から排気を行い、第1導電型層形成室30内部を所定の真空度にする。なお、ここでは、工程S22終了後に第1導電型層形成室30内部を所定の真空度まで排気したが、排気することなくドーピングガスを加えて工程S24を引き続き行っても良い。次に、工程S26を行う。工程S26は、基板510の主面515b上に形成されたi型半導体層521bの表面上にi型半導体層526bを形成する工程である。図示しない搬送系によって、トレイ200を第1導電型層形成室30から第2導電型層形成室40へと移動させる。第2導電型層形成室40は、排気口から排気が行われ、第2導電型層形成室40内部は、所定の真空度になっている。触媒体451、触媒体452及び触媒体453を加熱し、各触媒体の温度を上昇させる。第2導電型層形成室40に反応ガスであるSiH4及びH2を導入する。導入された反応ガスは、各触媒体によって分解され、i型半導体層521bの表面上にi型半導体層526bが形成される。i型半導体層521b上にi型半導体層526bを形成した後、SiH4及びH2の導入を終了する。排気口から排気を行い、第2導電型層形成室40内部を所定の真空度にする。次に、工程S28を行う。工程S28は、基板510の主面515b側に形成されたi型半導体層526bの表面上に第2導電型半導体層540を形成する工程である。真空度が所定の真空度になった第2導電型層形成室40に、反応ガスであるSiH4、及びドーピングガスを導入する。導入された反応ガスは、各触媒体によって分解され、i型半導体層526bの表面上に第2導電型半導体層540が形成される。i型半導体層526bの表面上に第2導電型半導体層540を形成した後、SiH4、及びドーピングガスの導入を終了する。排気口から排気を行い、第2導電型層形成室40内部を所定の真空度にする。なお、ここでは、工程S26終了後に第1導電型層形成室30内部を所定の真空度まで排気したが、排気することなくドーピングガスを加えて工程S28を引き続き行っても良い。次に、工程S3を行う。工程S3は、上述した第1実施形態に係る太陽電池500Aの製造方法と同様である。以上の工程によって、図10に示される第4実施形態に係る太陽電池500Bが製造される。第4実施形態に係る製造方法によれば、第1導電型半導体層530及び第2導電型半導体層540を形成される前に、基板510にi型半導体層521a及びi型半導体層521bが形成される。このため、基板510とi型半導体層521aとの界面515a及び基板510とi型半導体層521bとの界面515bに、第1導電型半導体層530又は第2導電型半導体層540にドープされる不純物が含まれるのを抑制できる。このため、基板510とi型半導体層520aとの界面及び基板510とi型半導体層520bとの界面を清浄に保つことができる。従って、界面特性の低下を抑制できるため、高い光電変換効率を有する太陽電池を製造することができる。また、i型半導体層526bは、第2導電型半導体層540と同じ形成室第2導電型層形成室40内で形成されるため、第2導電型層形成室40内に残留するドーピングガスの影響を受ける。このため、主面515bに垂直な方向xを軸として、基板510とi型半導体層521bとの界面515bからi型半導体層526bと第2導電型半導体層540との界面545までのi型半導体層520bに含まれるドーピング用不純物の量のピークは、i型半導体層521bとi型半導体層526bとからなるi型半導体層520b中にある。具体的には、ドーピング用不純物の量のピークは、i型半導体層521bとi型半導体層526bとの界面525b付近にある。しかしながら、i型半導体層521bの不純物量は少ない。特に、基板510とi型半導体層521bとの界面515bにおけるドーピング用不純物の量は、極めて少ない。このため、太陽電池500Bは、優れた変換効率を有する。また、本実施形態では、i型半導体層520a及びi型半導体層520bをそれぞれ2層構造としている。1層目のi型半導体層521a及びi型半導体層521bのみをi層形成室20内で形成している。このため、i層形成室20内でのi型半導体層の形成時間を第1実施形態に比べて短くできる。従って、i層形成室20において、基板510と触媒体との間隔を広くしたり、基板510を冷却するための機構を付加したりする必要がなくなるため、第1実施形態に比べて、製造装置の簡略化を図ることができる。また、本実施形態では、i型半導体層526aとi型半導体層526bとをそれぞれ第1導電型層形成室30、第2導電型層形成室40で形成している。従って、i型半導体層526a及びi型半導体層526bの膜質及び厚みを別々に制御することができる。このため、i型半導体層526bの膜質及び厚みを最適化できるので、変換効率の高い太陽電池を製造することができる。5その他の実施形態上述したように、本発明の実施形態を通じて本発明の内容を開示したが、この開示の一部をなす論述及び図面は、本発明を限定するものであると理解すべきではない。本発明の実施形態では、例えば、i層形成室20内に配置された触媒体への通電を同時に行ったが、必ずしもそうである必要はない。例えば、触媒体251、触媒体253及び触媒体255の組に通電しているときには、触媒体252及び触媒体254の組に通電せず、触媒体252及び触媒体254の組に通電しているときには、触媒体251、触媒体253及び触媒体255の組に通電をしない、或いは触媒体251,触媒体253及び触媒体255の組と触媒体252及び触媒体254の組とに交互に通電するというように、触媒体によって適宜タイミングや通電時間を変えても良い。これによって、過加熱を防止でき、品質の良好な半導体層を形成することができる。第2実施形態に係る太陽電池500Aの製造方法では、i層形成室20Aは、開閉できる隔壁23によって、i層形成室21とi層形成室22とに分けられているが、必ずしもそうである必要はない。i層形成室21とi層形成室22とは、一つの室であっても良い。また、i層形成室21内に配置される触媒体とi層形成室22内に配置される触媒体との位置関係は逆であっても良い。第3実施形態に係る太陽電池500Aの製造方法では、搬送用フォーク75は、基板510を1つしか載せなかったが、必ずしもそうである必要はない。搬送用フォーク75は、複数の基板510を載せても良い。例えば、基板510を縦に2つ載せる搬送用フォークを左右に設置し、基板510を4つずつ移動させても良い。また、前述の第2実施形態と同様に、2つのi層形成室20Bを備えても良い。なお、この場合、図7に示されるような搬送室70Bの形状が四角形でなく、搬送室70Bの形状が五角形以上の多角形となっても良い。第4実施形態に係る太陽電池500Bの製造方法では、工程S1において、基板510にi型半導体層521a及びi型半導体層521bを同時に形成したが、必ずしもそうである必要はない。太陽電池500Aの製造方法のように、工程S1は、工程S12と工程S14とを有していても良い。すなわち、基板510の主面515bにi型半導体層520bを形成した後に、基板510の主面515aにi型半導体層520aを形成しても良い。また、第1~第4の実施形態では、基板510の一の主面515a上にi型半導体層520aと第1導電型半導体層530とを有し、一の主面と対向する他の主面515b上にi型半導体層520bと第2導電型半導体層540とを有する太陽電池500の製造方法について説明したが、本発明はこれに限るものではない。例えば、裏面接合型の太陽電池の製造方法にも本発明を適用することができる。基板510の両主面515上にi型半導体層を形成する。その後、半導体材料からなる基板510の一の主面515a側の第1領域上に第1導電型半導体層を形成する。また、主面515aの第2領域上に第2導電型半導体層を形成する。第2領域は、第1領域と異なる領域である。例えば、第1領域及び第2領域は、櫛形状をしており、第1領域の櫛の歯に相当する部分と第2領域の櫛の歯に相当する部分とが交互に並ぶ形状であってもよい。第1導電型半導体層及び第2導電型半導体層を形成する場合には、保護部材を用いて一方の領域を覆う。また、一の主面と対向する他の主面515b側に、反射防止層を形成する。このように、他の主面515b側を光入射側とする、裏面接合型の太陽電池の製造方法にも本発明を適用することができる。なお、反射防止層は、第1導電型半導体層及び第2導電型半導体層を形成する前に形成してもよい。また、上記例では第1導電型半導体層および第2導電型半導体層を形成する場合に保護部材を用いて一方の領域を覆ったがこれに限るものではない。例えば、まず、第1導電型半導体層を一の主面のほぼ全面に形成する。その後、エッチング等の手法で第2領域に相当する部分の第1半導体層を除去する。その後、除去した部分に第2導電型半導体層を形成してもよい。また、反射防止層とi型半導体層との間に、基板510と同じ導電型の第3半導体層を形成してもよい。この場合、第3半導体層は第1導電型半導体層か第2導電型半導体層のいずれか一方と同じ導電型を持つため、基板510の両主面側に同時に、基板510と同じ導電型の半導体層を形成してもよい。また、本発明において、i型半導体層、第1導電型半導体層および第2導電型半導体層は種々の半導体材料を用いて形成することができるが、水素を含む非晶質半導体層、特に水素化非晶質シリコン層を用いて形成することで、良好な光電変換特性を有する太陽電池を製造することができる。なお、一般的に、トレイに半導体膜が付着すると、その影響によって、トレイ全体の電位を0に維持しにくくなる。このため、プラズマCVD法では、半導体膜の膜質及び膜厚が不均一になることもある。上述した本実施形態によれば、触媒化学気相成長法を用いている。このため、プラズマCVD法と異なり、基板と触媒体との間に電界を生じさせる必要がない。従って、基板の電位を0アースにする必要がない。このため、トレイにセットされた基板の全てに対して均一な半導体膜を形成することができる。このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態を含む。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。なお、日本国特許出願第2010-83217号2010年3月31日出願の全内容が、参照により、本願明細書に組み込まれている。"