"第1の高分子フィルムと、前記高分子フィルムに設けられた共通電極と、前記共通電極に設けられた誘電体と、前記誘電体に設けられた第2の高分子フィルムと、前記第2の高分子フィルムに設けられ、圧力が加えられた際に、前記誘電体の厚さの変化量を容量の変化として読み出す圧力センサと、前記第2の高分子フィルムに設けられ、前記圧力センサを読み出すための非単結晶トランジスタと、を具えることを特徴とする非単結晶トランジスタ集積回路。第1の高分子フィルムと、前記高分子フィルムに設けられた共通電極と、前記共通電極に設けられた圧電性高分子材料と、前記誘電体に設けられた第2の高分子フィルムと、前記第2の高分子フィルムに設けられ、圧力が加えられ又は折り曲げ変形された際に、前記圧電性高分子材料の変形量を歪として読み出す歪センサと、前記第2の高分子フィルムに設けられ、前記歪センサを読み出すための非単結晶トランジスタと、を具えることを特徴とする非単結晶トランジスタ集積回路。開口部及び遮光部を有する透明高分子フィルムと、前記遮光部に設けられた電極と、前記電極に設けられた第1の型の非単結晶材料層と、前記第1の型の非単結晶材料層に設けられた第2の型の非単結晶材料層と、前記第2の型の非単結晶材料層に設けられた透明電極と、前記透明電極に設けられた高分子フィルムと、前記高分子フィルムに設けられ、前記透明電極と電気的に接続した非単結晶トランジスタと、を具えることを特徴とする非単結晶トランジスタ集積回路。m行n列m,nを共に2以上の自然数とする。のセルのアレイと、前記アレイの秒及び/又は列を選択する手段とを具え、これらセルの各々が、所定の物理量及び又は科学的特性を検出する検出手段と、そのセンサに接続された、スイッチング機能を有する非単結晶トランジスタとを有し、前記セルのアレイを、所定の単位ごとに粗くスキャンし、応答があった場合のみ後に細かく読み出すように構成したことを特徴とする、非単結晶トランジスタ集積回路。高分子フィルムと、前記高分子フィルムの一方の面に設けられた非単結晶トランジスタと、前記非単結晶トランジスタを保護するための保護膜と、を具えることを特徴とする非単結晶トランジスタ集積回路。高分子フィルムと、前記高分子フィルムの一方の面に設けられた非単結晶トランジスタとを具え、前記非単結晶トランジスタが、ゲート電極と、チャネル部分の厚さをそれ以外の部分に比べて小さくしたゲート絶縁膜と、前記チャネル部分に対応する箇所に設けられた非単結晶材料と、前記非単結晶材料に電気的に接続するように、前記ゲート絶縁膜に設けられたソース電極及びドレイン電極と、を有することを特徴とする非単結晶トランジスタ集積回路。かかる非単結晶トランジスタの高機能化の要望が更に高くなる傾向にあり、特に、以下の機能を有することが所望されている。1高精度での圧力の検出。2高精度での歪の検出。3フォトディテクタにおける容易な白黒の判別。4解像度の向上。5非結晶トランジスタの機械的な衝撃や圧力からの保護。6非結晶トランジスタの動作速度の向上。本発明の目的は、更に高機能化した非単結晶トランジスタ集積回路を提供することである。本発明による他の非単結晶トランジスタ集積回路以後、第1の非単結晶トランジスタ集積回路という。は、第1の高分子フィルムと、前記高分子フィルムに設けられた共通電極と、前記共通電極に設けられた誘電体と、前記誘電体に設けられた第2の高分子フィルムと、前記第2の高分子フィルムに設けられ、圧力が加えられた際に、前記誘電体の厚さの変化量を容量の変化として読み出す圧力センサと、前記第2の高分子フィルムに設けられ、前記圧力センサを読み出すための非単結晶トランジスタとを具えることを特徴とする。本発明による他の非単結晶トランジスタ集積回路以後、第2の非単結晶トランジスタ集積回路という。は、第1の高分子フィルムと、前記高分子フィルムに設けられた共通電極と、前記共通電極に設けられた圧電性高分子材料と、前記誘電体に設けられた第2の高分子フィルムと、前記第2の高分子フィルムに設けられ、圧力が加えられ又は折り曲げ変形された際に、前記圧電性高分子材料の変形量を歪として読み出す歪センサと、前記第2の高分子フィルムに設けられ、前記歪センサを読み出すための非単結晶トランジスタと、を具えることを特徴とする。本発明による他の非単結晶トランジスタ集積回路以後、第3の非単結晶トランジスタ集積回路という。は、開口部及び遮光部を有する透明高分子フィルムと、前記遮光部に設けられた電極と、前記電極に設けられた第1の型の非単結晶材料層と、前記第1の型の非単結晶材料層に設けられた第2の型の非単結晶材料層と、前記第2の型の非単結晶材料層に設けられた透明電極と、前記透明電極に設けられた高分子フィルムと、前記高分子フィルムに設けられ、前記透明電極と電気的に接続した非単結晶トランジスタと、を具えることを特徴とする。本発明による他の非単結晶トランジスタ集積回路以後、第4の非単結晶トランジスタ集積回路という。は、m行n列m,nを共に2以上の自然数とする。のセルのアレイと、前記アレイの秒及び/又は列を選択する手段とを具え、これらセルの各々が、所定の物理量及び又は科学的特性を検出する検出手段と、そのセンサに接続された、スイッチング機能を有する非単結晶トランジスタとを有し、前記セルのアレイを、所定の単位ごとに粗くスキャンし、応答があった場合のみ後に細かく読み出すように構成したことを特徴とする。本発明による他の非単結晶トランジスタ集積回路以後、第5の非単結晶トランジスタ集積回路という。は、高分子フィルムと、前記高分子フィルムの一方の面に設けられた非単結晶トランジスタと、前記非単結晶トランジスタを保護するための保護膜と、を具えることを特徴とする。本発明による他の非単結晶トランジスタ集積回路以後、第6の非単結晶トランジスタ集積回路という。は、高分子フィルムと、前記高分子フィルムの一方の面に設けられた非単結晶トランジスタとを具え、前記非単結晶トランジスタが、ゲート電極と、チャネル部分の厚さをそれ以外の部分に比べて小さくしたゲート絶縁膜と、前記チャネル部分に対応する箇所に設けられた非単結晶材料と、前記非単結晶材料に電気的に接続するように、前記ゲート絶縁膜に設けられたソース電極及びドレイン電極と、を有することを特徴とする。第1の非単結晶トランジスタ集積回路によれば、圧力が加えられた際に、誘電体の厚さの変化量を容量の変化として読み出すことによって、高精度での圧力の検出が可能になる。第2の非単結晶トランジスタ集積回路によれば、圧力が加えられ又は折り曲げ変形された際に、圧電性高分子材料の変形量を歪として読み出すことによって、高精度での歪の検出が可能となる。第3の非単結晶トランジスタ集積回路によれば、光量の1と0の識別が容易にできるので、フォトディテクタにおける白黒の判別が容易となる。第4の非単結晶トランジスタ集積回路によれば、セルのアレイを、所定の単位ごとに粗くスキャンし、応答があった場合のみ後に細かく読み出すことによって、解像度が向上する。第5の非単結晶トランジスタ集積回路によれば、非単結晶トランジスタを保護するための保護膜によって、非結晶トランジスタを機械的な衝撃や圧力から保護することができる。第6の非単結晶トランジスタ集積回路によれば、ゲート絶縁膜のチャネル部分の厚さをそれ以外の部分に比べて小さくすることによって、非結晶トランジスタの動作速度が向上する。本発明による非単結晶トランジスタ集積回路及びその製造方法の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の実施の形態の説明では、特に説明しない限り非単結晶トランジスタが有機トランジスタである場合について説明する。図1は、本発明による非単結晶トランジスタ集積回路の製造方法を説明するための図である。この場合、先ず、ポリイミドフィルム、ポリエチレンテレフタレートPETフィルム等の高分子フィルムベースフィルム1に、スルーホール加工を施す。高分子フィルム1のスルーホール加工については、NCドリル加工機、レーザ加工機を使用し、又はプラスチックの射出成形機を用いることによって、穴あけ加工を施す。このように形成された孔を通じて、表裏面の電極2,3に電気的な導通をとる。この際、高分子フィルム1の表裏面の全面に金属箔を有するものから開始して、穴あけ導通プロセスの後で、ゲート電極4のパターニングを行うのが通常であるが、機能が同一であればこれに限らない。次に、ポリイミドなどのゲート絶縁膜5をスピンコートによって塗布し、オーブンで硬化させる。その後、レーザ加工などの方法で、ポリイミドの一部を剥離し、ビアを形成するための準備をする。さらに、ペンタセンなどの有機半導体層6を、蒸着法などで形成する。この蒸着の際に、メタルマスクを用いることによって、必要な箇所だけに有機半導体層6を形成し、素子分離を行う。最後に、ソース電極7及びドレイン電極8を形成して有機トランジスタ9を完成させる。このようにして有機トランジスタ9の集積回路を形成した後、有機トランジスタ9の集積回路を有するN枚Nは2以上の自然数。図1の場合、3のシート10を重ねて貼り合わせる。なお、有機トランジスタ9の集積回路をそれぞれ個別に形成することもできるが、1枚のシートの上に複数の集積回路を一度に形成し、このシートから個別の回路を切り出すこともできる。貼りあわせの際に、互いに相違する形状を貼りあわせると、段差が発生して好ましくないので、貼りあわせるシートの形状を予め揃える。シートの形状が揃わない場合には、段差が生じないようにダミーのシートを用意する。図2は、本発明による非単結晶トランジスタ集積回路の第1の実施の形態を示す。この集積回路は、高分子フィルム11、それに支持される共通電極12、絶縁膜13、高分子フィルム14が順に形成され、高分子フィルム14上に静電容量型圧力センサ15及び有機トランジスタ16が集積される。共通電極12は、間隔Lで配置された電極17,18とともにキャパシタを構成する。このような静電容量型圧力センサ14を利用すると、圧力が矢印方向に印加された際に、誘電体としての絶縁膜13の厚さの変化分が容量の変化として読み出される。本実施の形態によれば、絶縁膜13の厚さの変化量が圧力に対して線形的に変化する領域においては、圧力を制御よく読み出すことができる。圧力が変化した際に誘電体の厚さの変化分を容量の変化として読み出す圧力型のセンサは、従来から存在したが、かかるセンサをエリア型にしてマトリックスを構成することは、素子数が増大すると困難である。その理由は、配線による浮遊容量などのために、容量の変化を読み出すことができなかったためである。このような不都合は、静電容量型圧力センサ14を読み出すために、有機トランジスタ15のような非単結晶トランジスタを各センサセルに含むアクティブマトリックス方式を採用することによって、回避することができる。特に、フレキシブルかつ大面積のアクティブマトリックスは、有機トランジスタ15を用いて構成することによって廉価に構成することができる。また、静電容量型圧力センサ14と有機トランジスタ15のような非単結晶トランジスタとを組み合わせることによって、高インピーダンスの計測が可能となり、静電容量型で精度良い圧力マッピングの読出しが可能となる。図3は、本発明による非単結晶トランジスタ集積回路の第2の実施の形態を示す。この集積回路は、高分子フィルム21、それに支持される共通電極22、ポリフッ化ビニリデンPVDFのような高分子圧電材料部23、高分子フィルム24が順に形成され、高分子フィルム24の上に歪センサ25及び有機トランジスタ26を集積する。共通電極22は、電極27,28とともにキャパシタを構成する。高分子圧電材料部23を用いることによって、良好な歪センサのアレイを構成することができる。図4は、本発明による非単結晶トランジスタ集積回路の第3の実施の形態を示す。この集積回路は、開口部分31及び遮光部分32が設けられた透明高分子フィルム33と、アルミニウム、銀等から構成された電極34と、ペリレンなどから構成されたN型有機半導体35と、銅フタロシアニンなどから構成されたP型有機半導体36と、ITOなどから構成された透明電極37と、高分子フィルム38と、有機トランジスタ39とを具える。開口部分31及び遮光部分32が設けられた透明高分子フィルム33、電極34、N型有機半導体35、P型有機半導体36、透明電極37及び高分子フィルム38は、反射型フォトディテクタを構成し、開口部31を通過して高分子フィルム38によって反射された光40は、透明電極37に入射される。イメージをとる対象例えば、紙41の黒部分に対応する箇所に光40が入射すると、光40の光量が0となる。それに対して、対象41の白部分に対応する箇所に光40が入射すると、光40の光量が1となる。このように光量の0と1を判別することによって、良好なイメージキャプチャを構成することができる。図5は、本発明による非単結晶トランジスタ集積回路の第4の実施の形態を示す。この集積回路は、16行16列のセンサアレイ51と、ワード線0,1,2,3,,C,D,E,Fを通じてセンサアレイ51に接続され、ローアドレスR1~R4を有するロー行デコーダ52と、カラムアドレスC0などを有するカラム列セレクタ53とを具える。有機トランジスタのような非単結晶トランジスタの応答速度は、単結晶トランジスタに比べて遅いため、プログレッシブスキャンが有効となる。人工皮膚の場合、通常、センサアレイ51の一部のセンサのみが押され、大部分のセンサが押されていないと考えられる。また、スキャナの場合、通常、黒く描かれている部分は一部であり、大部分が白いままである。このため、最初から全体を丁寧にラスタスキャンする必要がなく、先ずは2行2列などの小規模単位で粗くスキャンしてから、信号が存在する部分のみを後に細かく読み出すことによって、センサアレイ51の応答速度を高くすることが期待される。このように、2行2列などの小規模単位で粗くスキャンしてから、信号が存在する部分のみを後に細かく読み出すことをプログレッシブスキャンという。図5において、2行2列の単位でプログレッシブスキャンを行う場合について説明する。図5に示すスキャナProgressiveバー信号がローであるときには、互いに隣接する二つのワード線が0になる。この際、データ出力D0,D1,D2,D3のうちのいずれか一つが1になれば、2行2列の領域のいずれかに信号が含まれていることを意味する。データ出力D0,D1,D2,D3のうちのいずれか一つが1の場合には、スキャナProgressiveバー信号をハイにし、細かいスキャンを行えばよい。図5に示す構成において、液晶パネルディスプレイを光源に使うことによって、有機トランジスタと集積化しない構造を採用することができる。この場合、液晶パネルディスプレイに1行だけを光らせる。そのように光らせた行をスキャンすることによって、有機トランジスタが不要になる。光ダイオードをアレイ又はエリア単位で構成してビット方向に繋ぐことによって、光ダイオードをワード方向に繋ぐ必要がなくなる。さらに、1行ずつ順に光らせる代わりに、1ビットおきに1行又は2行光らせることによって、ずらした効果が出るため、解像度を上げることができる。図6は、本発明による非単結晶トランジスタ集積回路の第5の実施の形態を示す。この集積回路は、高分子フィルム61のうちの有機トランジスタ62が設けられた側に、シリコーンゴムなどの保護用ゴムシート63及び高分子フィルム64を順に貼り付け、高分子フィルム61のうちの有機トランジスタ62が設けられていない側に、感圧導電ゴム65及び高分子フィルム66を順に設ける。低分子半導体をチャネル層とした有機トランジスタにおいては、有機半導体とそれ以外の材料との密着性が悪いため、有機半導体層がゲート絶縁膜から簡単に剥がれるおそれや、有機半導体層と接触するソース電極及びドレイン電極が剥がれるおそれがある。これらのおそれは、可撓性が重要な人工皮膚などの用途で特に顕在化する。また、人工皮膚のように機械的な圧力が加わる接触型のデバイスでは、有機半導体層が簡単に剥がれてしまうおそれがある。したがって、機械的な衝撃や圧力を吸収する層を導入するのが有効である。本実施の形態のように、有機トランジスタ62の有機半導体層を衝撃や圧力から保護するために、ゴムシート63を載せる。図6は、本発明による非単結晶トランジスタ集積回路の第6の実施の形態を示す。この集積回路の有機トランジスタは、高分子フィルム71と、その上に設けられたゲート電極72と、それを被覆するゲート絶縁膜73と、その上に設けられた絶縁膜74、有機半導体層75及び絶縁膜76と、絶縁膜74の上に設けられたソース電極77と、絶縁膜76の上に設けられたドレイン電極78とを具える。ゲート絶縁膜73のチャネル部分の厚さをできるだけ小さくするのが好ましいが、ゲート絶縁膜73のコンタクト領域や配線部分の厚さは、キャパシタの容量を減少させて回路の動作速度を高めるという観点から、他の部分に比べて大きくするのが好ましい。高分子材料をゲート絶縁膜73に用いる場合、チャネル部分が比較的薄いゲート絶縁膜73を安定して形成するためには、スピンコート法によってゲート絶縁膜73を形成するのが好ましい。しかしながら、スピンコート法の場合、絶縁膜の膜厚を局所的に変化することができない。したがって、スピンコートで一定の膜厚のゲート絶縁膜を形成した後、スクリーン印刷などの印刷技術を用いて、所定の厚膜パターンを塗布する。本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、幾多の変更及び変形が可能である。例えば、上記実施の形態において、非単結晶トランジスタが有機トランジスタである場合について説明したが、多結晶シリコントランジスタ、アモルファスシリコントランジスタ等の他の任意の種類の非単結晶トランジスタを用いることもできる。図1に示す製造方法によって製造された非単結晶トランジスタ集積回路において、各シートが、センサ又は可動部を有してもよく、各シートが、電圧を印加する機能、電流を供給する機能、光波を発生する機能のうちの少なくとも一つを有することもできる。"