"セラミックからなる基体と、前記基体の内部に冷媒を流す冷媒流路とを備える放熱装置であって、前記基体は、複数枚のセラミックシートを積層してなる積層体が焼成されることで形成され、前記複数枚のセラミックシートは、前記冷媒流路を構成する複数本のスリットが形成されたセラミックシートと、前記冷媒流路と外部とを互いに連通する連通路が形成されたセラミックシートとを含むことを特徴とする、放熱装置。前記基体は、冷却対象物が搭載される搭載面を有し、前記連通路が有する冷媒流入口と冷媒排出口とは、前記搭載面に開口している、請求項1記載の放熱装置。前記基体は、冷却対象物が搭載される搭載面を有し、前記基体を前記搭載面から平面視した場合に、前記冷媒流路は波線状に形成されている、請求項1または2記載の放熱装置。前記複数本のスリットが形成された前記セラミックシートは、機械的強度の高い材料で形成されている、請求項1~3何れか一項記載の放熱装置。前記冷媒流路には、前記スリットの延設方向に前記スリットを仕切る少なくとも1つの仕切りが設けられている、請求項1~4何れか一項記載の放熱装置。複数の前記仕切りは、少なくとも1つの梯子状の連を構成し、前記スリットの延設方向に延びかつ前記セラミックシートの積層方向に延びる断面で前記冷媒流路を視たときに、複数の前記仕切りが、前記セラミックシートの積層の順に順次ズレて配設されることによって、前記梯子状の連は構成される、請求項5記載の放熱装置。前記スリットの延設方向に延びかつ前記セラミックシートの積層方向に延びる断面で前記冷媒流路を視たときに、前記放熱装置は、前記搭載面とは反対側に位置する底板部を有し、前記底板部は、前記冷媒流路の底面を区画形成し、前記冷媒流路の底面は、前記搭載面に向かって突出する突状部を備える、請求項6記載の放熱装置。前記スリットの延設方向に対して垂直な断面で前記冷媒流路を視たときに、前記冷媒流路の両側面は、前記スリットと前記基体との間の一対の境界線を規定し、前記一対の境界線は、前記スリットを挟んで互いに対称性があるように折れ曲がりかつそれぞれ矩形を覆うように折れ曲がる形状を呈している、請求項1~7何れか一項記載の放熱装置。前記スリットの延設方向に対して垂直な断面で前記冷媒流路を視たときに、前記冷媒流路の両側面は、前記スリットと前記基体との間の一対の境界線を規定し、前記一対の境界線は、双方とも同一方向に折れ曲がりかつそれぞれ矩形を覆うように折れ曲がる形状を呈している、請求項1~7何れか一項記載の放熱装置。前記冷媒流路には、当該冷媒流路を幅方向または高さ方向に窄める少なくとも1つの狭窄部が設けられている、請求項1~9何れか一項記載の放熱装置。半導体素子と;前記半導体素子が実装された金属板と;前記金属板が接合される請求項1~10何れか一項記載の放熱装置とを備える半導体装置であって、前記放熱装置の前記基体は、冷却対象物が搭載される搭載面を有し、前記金属板が前記搭載面に接合されることによって前記半導体装置は構成されたことを特徴とする、半導体装置。前記連通路の冷媒流入口には、前記冷媒を前記冷媒流路へ供給する供給パイプが設けられ、前記連通路の冷媒排出口には、前記冷媒流路を通過した冷媒を、外部に排出する排出パイプが設けられ、前記供給パイプと前記排出パイプとは、軟質材料によって形成された、請求項11記載の半導体装置。前記放熱装置は、冷媒が供給される冷媒供給部と、冷媒が排出される冷媒排出部と、前記搭載面とは反対側に位置する前記底板部とを有し、前記底板部は、前記冷媒流路の底面を区画形成し、前記冷媒流路には、前記スリットを当該スリットの延設方向に仕切る複数の前記仕切りが設けられ、複数の前記仕切りは、少なくとも1つの梯子状の連を構成し、前記スリットの延設方向に延びかつ前記セラミックシートの積層方向に延びる断面で前記冷媒流路を視たときに、複数の前記仕切りが、前記セラミックシートの積層の順に順次ズレて配設されることによって、前記梯子状の連は構成され、前記梯子状の連が、前記冷媒供給部から前記冷媒排出部への前記冷媒流路の流れ方向に沿って前記冷媒流路の底面に近付くように傾斜するように、前記梯子状の連を構成する複数の前記仕切りは配置される、請求項11記載の半導体装置。ところで、前記文献の半導体装置は、回路基板の絶縁機能を充足するためにセラミック基板を用いる一方で、放熱装置を、熱伝導性に優れているとともに軽量であるアルミニウムによって形成している。このため前記文献の半導体装置は、部品点数が多くなっていた。この発明は、このような従来の技術に存在する問題点に着目してなされたものであり、その目的は、絶縁機能と冷却機能とを充足させつつ、部品点数を削減することができる放熱装置および半導体装置を提供することにある。上記問題点を解決するために、本発明の一態様によれば、セラミックからなる基体と、前記基体の内部に冷媒を流す冷媒流路とを備える放熱装置が提供される。前記基体は、複数枚のセラミックシートを積層してなる積層体が焼成されることで形成される。前記複数枚のセラミックシートは、前記冷媒流路を構成する複数本のスリットが形成されたセラミックシートと、前記冷媒流路と外部とを互いに連通する連通路が形成されたセラミックシートとを含む。この構成によれば放熱装置は、複数枚のセラミックシートを積層して焼成することで形成される。よって放熱装置自体が、冷却機能と絶縁機能とを持つことが可能となる。このため本発明の放熱装置が、たとえば半導体装置に採用される場合、半導体素子が実装された配線層として機能する金属板は、放熱装置に直接接合することができる。したがって放熱装置は、絶縁機能と冷却機能とを充足させつつ、部品点数を削減することができる。好適には前記基体は、冷却対象物が搭載される搭載面を有し、前記連通路が有する冷媒流入口と冷媒排出口とは、前記搭載面に開口していることが望ましい。この構成によれば、放熱装置への冷媒流入口と、放熱装置からの冷媒排出口とを、冷却対象物が搭載される基体における搭載面に開口させることで、冷媒供給用の管路や冷媒排出用の管路を、搭載面に接続することができる。このため、放熱装置に必要な部品を、搭載面に集約した状態で配置することが可能となる。したがって、放熱装置を小型化することができる。好適には前記基体は、冷却対象物が搭載される搭載面を有し、前記基体を前記搭載面から平面視した場合に、前記冷媒流路は波線状に形成されていることが望ましい。この構成によれば、たとえば冷媒流路を平面視で直線状に形成したような場合に比して、冷媒流路の表面積を増加させることができる。したがって、冷却性能を向上させることができる。好適には前記複数本のスリットが形成された前記セラミックシートは、機械的強度の高い材料で形成されていることが望ましい。この構成によれば、セラミックシートの強度を向上させることで、幅狭の冷媒流路つまりスリットを形成することができる。その結果、放熱装置の冷却性能を向上させることができる。好適には前記冷媒流路には、前記スリットの延設方向に前記スリットを仕切る少なくとも1つの仕切りが設けられていることが望ましい。この構成によれば、仕切りが梁の役目を果たす。よって放熱装置の製造段階において、複数枚のセラミックシートを積層しかつ互いに接合するときに、強度不足でこれらセラミックシートが変形することや積層ズレが生ずることを防止できる。好適には複数の前記仕切りは、少なくとも1つの梯子状の連を構成する。前記スリットの延設方向に延びかつ前記セラミックシートの積層方向に延びる断面で、前記冷媒流路を視る。このときに複数の前記仕切りが、前記セラミックシートの積層の順に順次ズレて配設することによって、前記梯子状の連を構成することが望ましい。この構成によれば、梯子のステップとなるそれぞれの仕切りによって、冷媒流路を流れる冷媒の流れの方向が変わる。このため冷媒の放射状の拡散流が、生じやすくなる。よって、冷却対象物と冷媒との間でより効果的な熱交換が促進されることになり、放熱装置の冷却性能を向上させることができる。好適には前記スリットの延設方向に延びかつ前記セラミックシートの積層方向に延びる断面で、前記冷媒流路を視る。前記放熱装置は、前記搭載面とは反対側に位置する底板部を有する。前記底板部は、前記冷媒流路の底面を区画形成する。前記冷媒流路の底面は、前記搭載面に向かって突出する突状部を備えることが望ましい。この構成によれば、冷媒流路を流れる冷媒の流れの方向は、冷媒流路の底面の突状部によって、冷却対象物が搭載される搭載面に向かうように変わる。このことから、冷却対象物と冷媒との間でより効果的な熱交換が促進されることになり、冷却性能を向上させることができる。好適には前記スリットの延設方向に対して垂直な断面で、前記冷媒流路を視る。このときに前記冷媒流路の両側面は、前記スリットと前記基体との間の一対の境界線を規定する。前記一対の境界線は、前記スリットを挟んで互いに対称性があるように折れ曲がりかつそれぞれ矩形を覆うように折れ曲がる形状を呈していることが望ましい。この構成によれば、スリットの延設方向に対して垂直な断面で冷媒流路は、高さ方向つまり搭載面と底面との間で、拡幅と狭幅とを繰り返す形状になる。このため高さ方向への冷媒の流れは、狭幅部で一部が渦流となり、乱流を引き起こす。さらに冷媒流路の断面が拡幅と狭幅とを繰り返すことで、冷媒流路の表面積も広くなる。これら双方の効果によって、効果的に冷媒と基体との間で熱交換が促進されることになる。よって放熱装置の冷却性能を向上させることができる。好適には前記スリットの延設方向に対して垂直な断面で、前記冷媒流路を視る。前記冷媒流路の両側面は、前記スリットと前記基体との間の一対の境界線を規定する。前記一対の境界線は、双方とも同一方向に折れ曲がりかつそれぞれ矩形を覆うように折れ曲がる形状を呈していることが望ましい。この構成によれば、スリットの延設方向に対して垂直な断面で冷媒流路は、高さ方向つまり搭載面と底面との間で、ジグザグな形状になる。このため冷媒流路の冷媒の流れは、高さ方向にくねった流れとなる。また冷媒流路の表面積も広くなる。これら双方の効果によって、効果的に冷媒と基体との間で熱交換が促進されることになり、放熱装置の冷却性能を向上させることができる。好適には前記冷媒流路には、当該冷媒流路を幅方向または高さ方向に窄める少なくとも1つの狭窄部が設けられていることが望ましい。この構成によれば、冷媒流路を流れる冷媒が、狭窄部を通過する際に乱流を起こす。よって、より効果的な熱交換が冷媒と基体との間で促進されることになり、放熱装置の冷却性能を向上させることができる。好適には半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子が実装された金属板と、前記金属板が接合される前述の放熱装置とを備える。前記放熱装置の前記基体は、冷却対象物が搭載される搭載面を有する。前記金属板が前記搭載面に接合されることによって、前記半導体装置は構成される。この構成によれば、半導体素子が実装される配線層として機能する金属板が、前述の放熱装置に直接接合することで、半導体装置は形成される。したがって半導体装置の絶縁機能と冷却機能とを充足させつつ、半導体装置の部品点数を削減することができる。好適には前記連通路の冷媒流入口には、前記冷媒を前記冷媒流路へ供給する供給パイプが設けられる。前記連通路の冷媒排出口には、前記冷媒流路を通過した冷媒を外部に排出する排出パイプが設けられる。前記供給パイプと前記排出パイプとは、軟質材料によって形成されことが望ましい。この構成によれば、たとえ半導体装置に激しい振動などが加わった場合であっても、軟質材料で形成されたパイプたとえば供給パイプや排出パイプが、半導体装置の振動を吸収することができる。好適には前記梯子状の連が、前記冷媒供給部から前記冷媒排出部への前記冷媒流路の流れ方向に沿って前記冷媒流路の底面に近付くように傾斜するように、前記梯子状の連を構成する複数の前記仕切りを配置することが望ましい。この構成によれば、冷却対象物が搭載される搭載面に向かって、冷媒供給部からの冷媒が送出される位置は、梯子状の連によって順次ズレる。よって、搭載面に向かう放射状の冷媒の拡散流が生じる。このため満遍なく、冷媒と冷却対象物との間で熱交換が促進されることになる。したがって放熱装置の冷却性能を、より向上させることができる。本発明によれば、絶縁機能と冷却機能とを充足させつつ、部品点数を削減することができる。図1~図5は、本発明を具体化した一実施形態を説明する。図1が示す放熱装置Hは、セラミックからなる基体14を備え、基体14の内部には、冷媒を流す図4に示す冷媒流路Tが形成されている。図3では、冷媒流路Tが紙面の奥に隠れている。図2は、図1に示す放熱装置Hを用いた、半導体モジュールとしての半導体装置10の一例を示す。図1に示す放熱装置Hは、冷却対象物が搭載される搭載面15を有する。図2に示すように、搭載面15には、電子部品としての半導体素子12が実装された金属回路板としての金属板11が接合される。そうすることで、半導体装置10は構成されている。金属板11は、配線層および接合層として機能するとともに、純アルミニウムたとえば工業用純アルミニウムである1000系アルミニウムや、銅によって形成されている。また半導体素子12としては、たとえばIGBTInsulatedGateBipolarTransistorや、ダイオードが用いられる。金属板11と半導体素子12との接合や、金属板11と放熱装置Hとの接合には、半田付けやロウ付けが用いられる。本実施形態において放熱装置Hは、それぞれ厚さ1mm程度のセラミックシートを複数枚積層してなる積層体を、焼成することで形成されている。セラミックシートの材料としては、酸化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素、窒化アルミニウム、およびアルミナジルコニアなどが用いられる。なお放熱装置の冷却方式として、水冷方式を採用する場合、セラミックシートの材料は、耐水性の高い材料が好ましい。図5は、放熱装置Hの分解図であり、つまり本実施形態の放熱装置Hを構成する複数枚のセラミックシートを示す。具体的には図5は、第1セラミックシート13a、複数の第2セラミックシート13b、複数の第3セラミックシート13c、および第4セラミックシート13dを示す。なお搭載面15を有する放熱装置Hの部分を、つまり金属板11に接合される接合面を有する放熱装置Hの部分を、放熱装置Hの天板部と呼ぶことにする。第1セラミックシート13aは、放熱装置Hの天板部を構成する。これらセラミックシートを、セラミックシート13と総称することがある。なお図5は、放熱装置Hの冷媒流路の位置関係を視やすくするために各セラミックシート13が正方形のように描かれているが、実際には図1や図2に示すように、各セラミックシート13の冷媒流れ方向の長さは、幅方向よりも長く形成されている。第1セラミックシート13aには、それぞれ貫通孔状の冷媒供給部INと冷媒排出部OUTとが、形成されている。本実施形態において冷媒供給部INと冷媒排出部OUTとは、互いに同一の開口面積で形成されている。冷媒供給部INには、放熱装置H内に冷媒を供給する供給パイプP1図1~図3に示すが接続される。冷媒排出部OUTには、放熱装置H内を流通した冷媒を、外部に排出する排出パイプP2図1~図3に示すが接続される。本実施形態では、冷媒供給部INが冷媒流入口となり、冷媒排出部OUTが冷媒排出口となる。それぞれ第2セラミックシート13bには、第1セラミックシート13aの冷媒供給部INに対応する位置に、貫通孔状の第1通路形成部Taが形成されている。また第2セラミックシート13bには、第1セラミックシート13aの冷媒排出部OUTに対応する位置に、貫通孔状の第2通路形成部Tbが形成されている。第1通路形成部Taは冷媒供給部INに対向し、第2通路形成部Tbは冷媒排出部OUTに対向する。また本実施形態において第1通路形成部Taと第2通路形成部Tbとは、同一開口面積で形成されている。それぞれ第3セラミックシート13cには、冷媒流路Tを構成する流路形成部としての複数本のスリット細隙Sが形成されている。放熱装置H内に形成される冷媒流路Tが、冷却対象となる半導体素子12が実装される放熱装置Hの部位である実装部位に対応する位置に配置されるように、スリットSは形成されている。これによって冷媒流路Tは、半導体素子12の直下に配置されることになる。冷媒流路Tは、セラミックからなる放熱装置Hの基体の内部に冷媒を流す。本実施形態において各スリットSは、平面視で直線状に形成されている。また本実施形態において各スリットSは、互いに同一開口面積で形成されている。各スリットSの長さは、第2セラミックシート13bにおける第1通路形成部Taと第2通路形成部Tbとの両者間の離間長さよりも長くなっている。また第4セラミックシート13dは、放熱装置Hの天板部とは反対側の、放熱装置Hの底板部を構成する。本実施形態では、放熱装置Hの底板部となる第4セラミックシート13d上に、複数枚つまり本実施形態では5枚の第3セラミックシート13cが積層されている。その上に複数枚つまり本実施形態では2枚の第2セラミックシート13bが積層され、その上に第1セラミックシート13aが積層されている。これら第1セラミックシート13a~第4セラミックシート13dは、このような順に積層された積層体とされている。なお複数枚の第3セラミックシート13cは、各スリットSのスリットの延設方向が同一方向となるように積層されている。また複数枚の第2セラミックシート13bは、第1通路形成部Ta同士が重なるように、かつ第2通路形成部Tb同士が重なるように積層されている。スリットSの両端のうちの一端に第1通路形成部Taが配置され、かつスリットSの他端に第2通路形成部Tbが配置されるように第2セラミックシート13bは、第3セラミックシート13cに対して積層されている。また第1セラミックシート13aは、冷媒供給部INに第1通路形成部Taが重なるとともに、冷媒排出部OUTに第2通路形成部Tbが重なるように、第2セラミックシート13bに対して積層されている。そして放熱装置Hは、前述のように積層してなる積層体を焼成することで、図1~図4に示すように形成される。放熱装置Hには、積層した第3セラミックシート13cのスリットSによって、直線状をなす複数本たとえば本実施形態では8本の冷媒流路Tが形成される。また互いに隣合う冷媒流路T同士の間の充実部分は、冷媒流路Tに面する側面を有するフィンFとして機能する。図3は、フィンFの断面を示しており、スリットSは紙面の奥に隠れている。本実施形態の放熱装置Hにおいて、冷媒流路Tは、それぞれが独立した流路として形成される。複数本たとえば本実施形態では7本のフィンFが、冷媒流路Tを複数本に区画することで冷媒流路Tを互いに独立させる。よって、放熱装置H内における冷媒の接触面積つまり流路の表面積が、増加することになる。また第4セラミックシート13dが冷媒流路Tの底部をなすとともに、第1セラミックシート13aと第2セラミックシート13bによって冷媒流路Tの上部が覆蓋されることで、それぞれ冷媒流路Tは、冷媒流路Tが延びる方向に対して垂直な断面において、閉塞された空間として区画形成される。また放熱装置Hには、積層した第1セラミックシート13aの冷媒供給部INと、第2セラミックシート13bの第1通路形成部Taとによって、第1連通路R1が形成される。さらに放熱装置Hには、積層した第1セラミックシート13aの冷媒排出部OUTと、第2セラミックシート13bの第2通路形成部Tbとによって、第2連通路R2が形成される。これらの第1連通路R1と第2連通路R2とは、図3に示すように、それぞれ冷媒流路Tに接続される。また第1連通路R1には供給パイプP1が接続され、第2連通路R2には排出パイプP2が接続される。これによって第1連通路R1と第2連通路R2とはそれぞれ、冷媒流路Tと、放熱装置Hの外部とを互いに連通する。なお第1セラミックシート13a~第4セラミックシート13dの材料は、前述した酸化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素、窒化アルミニウムおよびアルミナジルコニアのいずれか、もしくはこれらの複数の材料の組み合わせでも構わない。特に、金属板11が載置接合される第1セラミックシート13aは、絶縁性が高い材料たとえば酸化アルミニウム、窒化珪素、およびアルミナジルコニア等を用いることが、より好ましい。また第1連通路R1の一部を構成する第1通路形成部Taと、第2連通路R2の一部を構成する第2通路形成部Tbとが形成される第2セラミックシート13bは、熱伝導率の高い材料たとえば窒化珪素、炭化珪素、および窒化アルミニウム等を用いることが、より好ましい。また互いに隣合うフィンF同士の間に区画形成される冷媒流路Tを有する第3セラミックシート13cは、冷却性能を上げるためにはたとえばフィンFの幅を細くしたりスリットSの幅を狭くしたりすることで、フィンFやスリットS各々の本数を増やすことが好適であるため、機械的強度が高くかつ熱伝導率が高いたとえば窒化珪素等を用いることが、より好ましい。作用このように構成した放熱装置Hでは、冷媒供給源から供給された冷媒が供給パイプP1から第1連通路R1に流入するとともに、その冷媒は第1連通路R1を介してそれぞれ冷媒流路Tへ流入する。それぞれ冷媒流路Tに流入した冷媒は、第2連通路R2に向かって同一方向に流れる。金属板11を介して放熱装置Hに、つまりフィンFに伝達された半導体素子12の熱は、このように冷媒流路Tを流れる冷媒へと放熱される。そしてフィンFとの熱交換後の冷媒は、冷媒流路Tから第2連通路R2へ到達し、排出パイプP2から放熱装置Hの外部に排出される。図3に示すように、本実施形態の放熱装置Hにおいて冷媒は、放熱装置Hの上面搭載面15つまり金属板11との放熱装置Hの接合面から、放熱装置Hの内部に流入し、放熱装置Hの内部を通過した後、再び放熱装置Hの上面搭載面15から排出される。また本実施形態の放熱装置Hは、セラミック材料で形成されていることから、冷却機能に加えて絶縁機能も有することになる。したがって本実施形態は、以下に示す効果を得ることができる。1複数枚の第1セラミックシート13a~第4セラミックシート13dを積層し、そして焼成することで、放熱装置Hを形成した。これによって、放熱装置H自体に冷却機能と絶縁機能とを持たせることが可能となる。このため半導体素子12を実装した配線層として機能する金属板11が、放熱装置Hに直接接合されることで、半導体装置10を形成することができる。したがって放熱装置Hと半導体装置10とはそれぞれ、絶縁機能と冷却機能とを充足させつつ、部品点数を削減することができる。すなわち本実施形態は従来とは異なり、たとえば絶縁機能を充足させるためのセラミック基板と、冷却機能を充足させるための放熱装置とを、別体とするような必要がない。2半導体素子12を実装した金属板11が、放熱装置Hに直接接合されることで、半導体装置10は形成される。よって半導体装置10を小型化することができる。3第3セラミックシート13cに形成されたスリットSによって、細分化された互いに独立した複数本の冷媒流路Tが形成された。よって本実施形態は、放熱装置Hにおける冷媒流路Tの表面積を、たとえば流路の断面積を広くした単一の流路を形成するような場合に比して、より広くすることができる。したがって放熱装置Hの冷却性能を向上させることができる。4互いに独立した冷媒流路Tが複数本形成されることで、互いに隣合う冷媒流路Tの間にはフィンFが形成された。このため本実施形態は、放熱装置Hに単一の流路を形成するような場合に比して、放熱装置Hの強度を向上させることができる。すなわちフィンFは、冷媒流路Tの表面積を増加させることに加えて、放熱装置Hの補強材としても機能することになる。そして放熱装置Hの強度を向上させることで放熱装置Hを薄く形成することができるので、熱源となる半導体素子12と放熱装置H内の冷媒流路Tの間隔を短くすることが可能となる。これによって、放熱装置Hの熱抵抗を減少させるとともに熱伝達性能を向上させることができるので、冷却性能を向上させることができる。5第3セラミックシート13cのスリットSによって冷媒流路Tを形成するので、冷媒流路Tの設計の自由度を向上させることができる。すなわち冷却対象とする半導体素子12の形状、発熱量、実装位置などに応じて、要求される冷却性能を充足し得る冷媒流路Tを容易に形成することができる。また金属板11に複数個の半導体素子12を実装する場合であっても、それぞれ半導体素子12に応じた冷媒流路Tを容易に形成することができる。6放熱装置Hへの冷媒流入口つまり冷媒供給部INと、放熱装置Hからの冷媒排出口つまり冷媒排出部OUTとは、いずれも放熱装置Hの金属板11との接合面つまり搭載面15に開口された。これによって、金属板11との接合面に、冷媒供給用の管路つまり供給パイプP1や、冷媒排出用の管路つまり排出パイプP2を接続することができる。このため、半導体装置10に必要な部品たとえば金属板11や半導体素子12などを、金属板11との接合面に、集約した状態で配置することが可能となる。したがって、半導体装置10を小型化しやすい。7放熱装置Hを焼成体とした。よって放熱装置Hは、必要な冷却性能を充足することができるとともに、放熱装置Hが水冷方式を採用した場合の水漏れの発生を防止することもできる。なお本実施形態は、以下のように変更してもよい。○図6に示すように、第3セラミックシート13cに形成するスリットSを、平面視波線状としても良い。つまり冷却対象物が搭載される搭載面15から、基体14を平面視した場合に、スリットSは、波線状に形成されてもよい。このようにスリットSを形成した場合、放熱装置Hには、平面視波線状の冷媒流路が形成されることになる。平面視波線状の冷媒流路は、たとえば冷媒流路が平面視直線状のような場合に比して、冷媒の流れを乱し、乱流効果によって冷却性能をさらに向上させることができる。○第3セラミックシート13cに、形状が互いに異なるスリットSを形成しても良い。具体的に言えば、金属板11に複数の半導体素子12を実装する場合に、その半導体素子12の発熱量に応じて異なる形状のスリットSによって冷媒流路Tを形成する。たとえば発熱量が比較的少ない半導体素子12が実装される放熱装置Hの部位に対応させて、平面視直線状の冷媒流路TとなるスリットSを形成する。一方、発熱量が比較的多い半導体素子12が実装される放熱装置Hの部位に対応させて、平面視波線状の冷媒流路TとなるスリットSを形成する。このように形状が互いに異なる冷媒流路Tは、放熱装置Hが複数枚のセラミックシートによる積層構造とされることで容易に形成することができる。○放熱装置Hの冷却方式を、空冷としても良い。このように構成した場合、冷媒流路Tには、空気などの冷却用気体が流れることになる。○放熱装置Hを構成するセラミックシートの積層枚数を、変更しても良い。たとえば積層枚数は、放熱装置H内に形成する冷媒流路Tの断面積流路面積に応じて増減させる。また積層枚数は、第1連通路R1と第2連通路R2との大きさ深さに応じて増減させる。○第3セラミックシート13cに形成するスリットSの数を、変更しても良い。スリットSの数は、金属板11に実装する半導体素子12の実装面積や、冷媒流路Tの通路幅などによって変更される。すなわち冷媒流路Tを形成する領域面積を同一とすると、それぞれスリットSの通路幅を広くすれば、1つの第3セラミックシート13cが有するスリットSの数は少なくなる。逆にそれぞれスリットSの通路幅を狭くすれば、1つの第3セラミックシート13cが有するスリットSの数は多くなる。○図7に示すように、冷媒流路Tに、スリットSをスリットの延設方向に仕切る仕切りCを設けても良い。図7は、別例における放熱装置Hを構成する第1セラミックシート13a~第4セラミックシート13dの平面図を示す。この別例の第3セラミックシート13cには仕切りCが、冷媒流路TスリットSをスリットSの延設方向に仕切るように設けている。つまり仕切りCは、冷媒流路TとスリットSとを横切って延びる。またこの別例では、5枚の第3セラミックシート13cのうち、真ん中3枚目の第3セラミックシート13cに、仕切りCが形成する。この1つの仕切りCは、各スリットSの延設方向の中央付近を横断している。なお図7の別例では、仕切りCを1つ形成しているが、スリットSの延設方向に亘って複数の仕切りCが分布するように形成しても良い。また図7では、1枚の第3セラミックシート13cに仕切りCを形成しているが、複数枚たとえば2枚の第3セラミックシート13cに、それぞれ仕切りCを形成しても良い。たとえばフィンFの幅を狭くしたりスリットSの幅を細くしたりすることで、フィンFやスリットS各々の本数を増やすと、冷媒Rと基体20との熱交換が増し、冷却効率は向上できる。しかし、放熱装置Hの製造段階において、複数枚の第3セラミックシート13cを互いに積層したり接合したりするときに、強度不足から第3セラミックシート13cが変形することや積層ズレが生ずるおそれも考えられる。このため図7に示すように、冷媒流路Tを横切るように1つまたは複数の仕切りCを設けると、仕切りCが梁の役目を果たすため、フィンFの強度を確保しやすい。よって仕切りCは、スリットSやフィンFの変形や積層ズレを防止できる。なお複数の第3セラミックシート13cを互いに接合するために積層および加圧したときに、加圧力をそれぞれ第3セラミックシート13cに確実に伝搬させたり、第3セラミックシート13cを互いに十分に接合させたりすることで、第3セラミックシート13cの層間剥離の発生を防止するとともに冷媒流路Tを確保するためには、複数の仕切りCの形成位置を、互いに僅かにズラして配置することが好ましい。○図8の実施形態と、図9~図11の実施形態とでは、複数枚たとえば5枚の第3セラミックシート13cに、それぞれ仕切りCが形成されている。これら仕切りCは、第3セラミックシート13cの積層の順に、順次ズレて形成されている。なお図8は、第5セラミックシート13d1が1枚の実施形態を示す。図9~図11は、第5セラミックシート13d1が2枚の実施形態を示す。図11に示すように、スリットSの延設方向に延びかつ第3セラミックシート13cの積層方向に延びる断面で冷媒流路Tを視たときに、複数たとえば5つの仕切りCが、第3セラミックシート13cの積層の順に順次ズレて配設されていることによって、梯子状の連が形成されている。つまり図11が示す冷媒Rの流れの概念図に現われるように、これら仕切りCによって、梯子状の連Lが構成されている。図8の実施形態と、図9~図11の実施形態とでは、梯子状の連Lは1つであるが、梯子状の連Lを複数形成することがより好ましい。たとえば放熱装置Hに複数の冷却対象物を搭載するときには、スリットSの延設方向に互いに隣合う1対の梯子状の連Lのうち、搭載面15に最も近接した1対の仕切りCの間に対応する搭載面15の部分に、冷却対象物たとえば半導体素子12等を配置する。こうすれば冷却対象物は、仕切りCが邪魔になることなく冷媒Rに接近するため、効果的に冷媒Rと熱交換できる。このように複数の仕切りCが、梯子状の連Lを構成するように配設されている構成において、冷媒Rが、外部の供給パイプP1から、放熱装置Hの冷媒供給部INに供給されると、冷媒Rは、第1連通路R1から、第3セラミックシート13cのスリットSつまり冷媒流路Tに送り込まれる。冷媒Rの流れの方向は、梯子状の連Lを構成する段差つまりステップを構成するそれぞれの仕切りCによって変わる。その結果、冷媒Rの放射状の拡散流が、冷媒流路Tにおいて生じやすくなる。図8に示すように、この実施形態での放熱装置Hは、第1セラミックシート13a、第3セラミックシート13c、および第5セラミックシート13d1、および第4セラミックシート13dが順に積層されて焼成されることで形成されている。第3セラミックシート13cも、第1連通路R1と第2連通路R2とをそれぞれ構成するための貫通孔を、冷媒供給部INと冷媒排出部OUTとにそれぞれ対向するように有している。第5セラミックシート13d1も、第1連通路R1と第2連通路R2とをそれぞれ構成するための貫通孔を有しており、第5セラミックシート13d1が有する貫通孔は、第1連通路R1をスリットSつまり冷媒流路Tに連通したり、第2連通路R2をスリットSつまり冷媒流路Tに連通したりする。なお図8の放熱装置Hに、第2セラミックシート13bを追加しても支障ない。冷媒Rの第1連通路R1と第2連通路R2とは、それぞれ第1セラミックシート13aと第3セラミックシート13cとを貫通することで第5セラミックシート13d1に達する。第1連通路R1と第2連通路R2とは、それぞれ第4セラミックシート13dによって折り返され、冷媒流路Tに連通する。第4セラミックシート13dは、冷却対象物が搭載される搭載面15とは反対側の放熱装置Hの部分としての、底板部16を構成する。冷媒Rは、第5セラミックシート13d1の第1連通路R1から、底板部16に送り込まれる。また冷媒流路Tを通過した全ての冷媒Rは、第5セラミックシート13d1の第2連通路R2に集まり、そして冷媒排出部OUTを通過することで排出される。このような構成によって冷媒流路Tでは、冷媒Rの放射状の拡散流が、さらに生じやすくなり好ましい。第1セラミックシート13aは、冷却対象物が搭載される搭載面15を有する天井板として機能する。よって第1セラミックシート13aの厚みは、半導体素子12等の発熱をより効果的に伝達させるために、他のセラミックシートよりも薄いことが望ましい。第1セラミックシート13aの厚さは、たとえば第3セラミックシート13cの30~50の厚みが好ましい。また前述のように、放熱装置Hの搭載面15に複数の冷却対象物を搭載するときには、複数の梯子状の連L同士の間に冷却対象物たとえば半導体素子12等を配置することで、より効果的に冷媒Rと冷却対象物との間で熱交換できる。○図11に示すように、放熱装置Hの底板部16は、冷媒流路Tの底面を区画形成しており、底面は、冷却却対象物の搭載面15に向かって突出する突状部Prを備えていると良い。冷媒供給部INに供給された冷媒Rは、第1セラミックシート13aと第3セラミックシート13cと第5セラミックシート13d1とによって形成される第1連通路R1を経て、第3セラミックシート13cが区画形成する冷媒流路Tに送り込まれる。図9と図11とで示される実施形態では、底板部16の中央付近には、2段の階段状からなる突状部Prが形成されている。突状部Prの1段目は、第4セラミックシート13dに隣接する第5セラミックシート13d1によって構成される。突状部Prの2段目は、第4セラミックシート13dから2つ目の第5セラミックシート13d1によって構成される。つまり図9と図11とに示すように、底板部16から2つ目の第5セラミックシート13d1が第1連通路R1と第2連通路R2とを構成するために有する貫通孔は、底板部16に隣接する第5セラミックシート13d1が有する貫通孔よりも、底板部16の中央寄りまで開口している。よって2段の突状部Prが構成される。一方、図8の実施形態は、第5セラミックシート13d1を1つだけ有しているため、突状部Prは1段のみ形成されている。図11は、2つの階段状からなる突状部Prを備えた冷媒流路Tでの、冷媒Rの流れの概念図を示している。冷媒Rの流れの方向は、冷媒流路Tの底面に存在する突状部Prによって、冷却対象物が搭載される搭載面15つまり放熱装置Hの天井部に向かうように変わる。このためより効果的に、冷媒Rと冷却対象物との間の熱交換が促進される。なお突状部Prは、階段状に構成されることに限定されず、たとえば斜面によって構成されるスロープ状であっても良い。○図12aに示すように、冷媒流路を横断面視したとき、つまりスリットSの延設方向に対して垂直な断面で、冷媒流路Tを視たとき、それぞれ冷媒流路Tの両側面T1は、スリットSを挟んで互いに対称性がある矩形状を呈しても良い。スリットSを挟む一対の側面T1のうちの一方の側面T1を、スリットSを間に挟むように反転させると、他方の側面T1に重なる。つまりスリットSを挟む一対の側面T1は、線対称である。図12aは、図8または図9の放熱装置Hを組み立てたときの、図10のD-D線による冷媒流路Tの断面図であり、仕切りCとは異なる箇所の断面図である。図12aに示すように、詳細にはそれぞれ冷媒流路Tの両側面は、スリットSと基体14との間の一対の境界線を規定する。これら一対の境界線は、矩形波のように、高さ方向つまり底板部16と搭載面15との間で延びている。つまりスリットSと基体14との間の一対の境界線は、図12aでのそれぞれスリットSを挟んで互いに対称性があるように折れ曲がり、かつそれぞれ矩形の3辺を覆うように折れ曲がる形状を呈している。このような図12aの冷媒流路Tは、高さ方向つまり底板部16と搭載面15との間で、拡幅と狭幅とを繰り返す。このため高さ方向への冷媒Rの流れは、狭幅部にぶつかる部分が渦流R3となり、よって乱流を引き起こす。また高さ方向たとえば底板部16から搭載面15への冷媒Rの流れは、前述の底板部16の突状部Prなどによって生じる。また冷媒流路Tが拡幅と狭幅とを繰り返すため、冷媒流路Tの表面積も広くなる。これら乱流と、冷媒流路Tの表面積増大との双方の効果によって、冷媒Rと基体14との間で熱交換が効果的に促進され、冷却性能を向上させることができる。ここで、両側面T1がスリットSを挟んで対称性がある矩形状とは、側面T1が有するそれぞれの矩形つまり凹凸の方向が、スリットSの中心を挟んで両側面T1同士で互いに対称であり、かつ矩形状の突出量が両側面T1でおおよそ同等の状態を指す。なお図6に示すように冷媒流路TつまりスリットSが波線状であるように、直線状以外の場合、図12aが示す断面は、個々の冷媒流路TスリットSの進行方向に対して直角な断面を示す。図12aに示す冷媒流路Tの作製方法は、スリットSの寸法が大小の計2種類の第3セラミックシート13cを準備する。そしてこれら第3セラミックシート13cを、積層順に交互に積層しかつ接合すれば良い。なお必ずしも第3セラミックシート13cの1枚ずつ交互にスリットSの拡幅と狭幅とを繰り返す必要はなく、たとえば2つ拡幅が連続したり、3つ拡幅が連続したりしてもよい。つまりおおよそ交互に拡幅と狭幅とが配置されれば良い。側面T1の矩形状の突出量w2は、10μm~40μmの範囲であることがより好ましい。突出量w2がこの範囲内であれば、第3セラミックシート13cの層間剥離の発生を抑制しつつ、冷媒流路Tの表面積をより広く確保できる。なお突出量w2は、冷媒流路Tの幅wと同じ方向の寸法を意味する。○図12bに示すように、冷媒流路を横断面視したとき、つまりスリットSの延設方向に対して垂直な断面で冷媒流路Tを視たとき、それぞれ冷媒流路Tの両側面T1は、双方とも同一方向に折れ曲がりかつそれぞれ矩形を覆うように折れ曲がる形状を呈しても良い。つまり冷媒流路Tの両側面T1は、互いに同一性がある矩形状を呈しても良い。図12bにおいて、スリットSを挟む一対の側面T1のうちの一方の側面T1を平行移動させると、他方の側面T1に重なる。この構成によれば、冷媒Rは高さ方向に、くねった流れを辿り、かつ冷媒Rと基体14との間での接触表面積が広くなる。よって効果的に、冷媒Rと基体14との間で熱交換が促進される。ここで、両側面T1が、互いに同一性がある矩形状とは、側面T1のそれぞれの矩形つまり凹凸の方向が、両側面で同一方向であり、かつ矩形状の突出量が両側面T1でおおよそ同等の状態を指す。なお図6に示すように冷媒流路TつまりスリットSが波線状である場合、図12bが示す断面は、個々の冷媒流路TスリットSの進行方向に対して直角な断面を示す。図12bに示す冷媒流路Tの作製方法は、スリットSの寸法が一種類の第3セラミックシート13cを複数、スリットSの積層位置が積層順に交互にズレるように配置し、積層して接合すれば良い。なお必ずしも1枚ずつ交互にスリットSの配置をズラす必要もなく、たとえば第3セラミックシート13cが2枚連続してズレないように積層したり、3枚連続して第3セラミックシート13cがズレないように積層したりしてもよい。つまりおおよそ交互にスリットSの位置がズレるように、第3セラミックシート13cは配置されれば良い。図12bの側面T1の矩形状の突出量w2は、10μm~40μmの範囲であることがより好ましい。突出量w2がこの範囲内であれば、第3セラミックシート13cの層間剥離の発生を抑制しつつ、冷媒流路Tの表面積をより多く確保できる。○冷媒流路Tに、当該冷媒流路Tを幅方向または高さ方向に窄める狭窄部を設けても良い。狭窄部は、スリットSを区画形成する第3セラミックシート13cに形成される。第3セラミックシート13cは、1つまたは複数の冷媒流路Tを窄めるように狭窄部を設けても良い。図1~図7のそれぞれ実施形態では、冷媒流路Tを構成するスリットSの通路幅は、一定であった。しかし、これら図1~図7の冷媒流路Tに、1つまたは複数の狭窄部を設けると、冷媒Rは、狭窄部を通過する際に乱流を起こす。よって冷媒とフィンFとの間での、より効果的な熱交換が促進され、冷却性能を向上できる。○図13bに示すように、冷媒流路Tの高さ寸法を窄める狭窄部を設けても良い。冷媒流路Tの最大高さ寸法h0に対する、狭窄部によって窄められた冷媒流路Tの最小高さ寸法h1の比、つまり最小高さ寸法h1/最大高さ寸法h0は、0.96以上1未満であると良い0.96≦h1/h0<1。ここで、冷媒流路Tの高さ寸法hとは、複数の第3セラミックシート13cが積層されることで積み上げられた複数のスリットSの合計の高さ寸法hを指す。図13aは、冷媒流路Tを、スリットSの延設方向に対して垂直な断面で視た概念図を示し、かつ狭窄部が無い場合を示す。図13bの冷媒流路Tでは、一対の狭窄部が、冷媒流路Tの幅方向の中央に設けられている。つまり一対の狭窄部が、冷媒流路Tの上下面に設けられている。図13bに示すように、冷媒流路Tの高さ寸法を窄める狭窄部が存在し、狭窄部による冷媒流路Tの最小高さ寸法h1/最大高さ寸法h0の比が0.96以上であるとき、たとえば狭窄部が冷媒Rの流れを堰き止めてしまうような異常の発生を抑制できる。よって最小高さ寸法h1/最大高さ寸法h0が0.96以上でれば、供給パイプP1は、冷媒Rの供給圧力を極端に高める必要が無い。また最小高さ寸法h1/最大高さ寸法h0が1未満であるとき、冷媒Rの流れが、狭窄部によって適度に停滞する。つまり狭窄部によって堰き止められた一部の冷媒Rが、渦流となる。よって冷媒Rの乱流が生じやすくなり、効果的な熱交換が冷媒Rと基体14との間で促進される。複数のセラミックシート13を積層しかつ接合する製造方法のうち、たとえば図13bの高さ方向狭窄部の形成方法は、スリットSの延設方向の中央付近の接合時の加圧力と、その他の部分たとえばフィンFの接合時の加圧力とを、互いに違えるように複数のセラミックシート13を加圧する加圧治具を用いて加圧する。そしてこれらセラミックシート13を焼成する。加圧治具は、たとえば積層した複数のセラミックシート13を狭持することで加圧する複数の治具であり、少なくとも一つの治具は、他の部分よりも高い加圧力をスリットSに向けて掛けるように突面を備える。このような高い加圧力によって、高さ方向で冷媒流路Tの内部に突出する高さ方向狭窄部が形成される。焼成後の基体14には、冷却対象物が搭載される搭載面15を平坦化するための研削が施される。よって、冷却対象物である半導体素子12等を搭載する金属板11は、支障なく放熱装置Hの搭載面15に搭載することができる。○図13cに示すように、冷媒流路Tの幅寸法を窄める狭窄部を設けても良い。冷媒流路Tの最大幅w0に対する、狭窄部によって窄められた冷媒流路Tの最小幅w1の比、つまり最小幅w1/最大幅w0は、0.96以上1未満であると良い0.96≦w1/w0<1。ここで、冷媒流路Tの最小幅w1とは、冷媒流路Tの幅方向で最も内側の壁部同士の間の間隔を指す。図13aは、幅方向にも狭窄部が無い冷媒流路Tを示す。図13cの冷媒流路Tでは、一対の幅方向狭窄部が、冷媒流路Tの高さ方向の中央に設けられている。つまり一対の幅方向狭窄部が、冷媒流路Tの両側面に設けられている。図13cに示すように、冷媒流路Tの幅寸法を窄める狭窄部が存在し、狭窄部による冷媒流路Tの最小幅w1/最大幅w0の比が0.96以上であるとき、たとえば狭窄部が冷媒Rの流れを堰き止めてしまうような異常の発生を抑制できる。よって最小幅w1/最大幅w0の比が0.96以上であれば、供給パイプP1は、冷媒Rの供給圧力を極端に高める必要が無い。また最小幅w1/最大幅w0が1未満であるとき、冷媒Rの流れが、狭窄部によって適度に停滞する。つまり狭窄部によって堰き止められた一部の冷媒Rが、渦流となり、冷媒Rの乱流が生じやすくなる。よって効果的な熱交換が、冷媒Rと基体14との間で促進される。複数のセラミックシート13を積層しかつ接合する製造方法のうち、たとえば図13cの幅方向狭窄部の形成方法は、前述した図13bの高さ方向狭窄部の形成方法と同様に、加圧治具を用いる。加圧治具は、たとえば積層した複数のセラミックシート13を狭持することで加圧する治具であり、少なくとも一つの治具は、他の部分よりも高い加圧力をスリットS同士の間つまりフィンFに掛けるように突面を備える。このような高い加圧力によって、幅方向で冷媒流路Tの内部に突出する幅方向狭窄部が形成される。焼成後の基体14は、搭載面15が形成されるべく研削される。○放熱装置Hにおける冷媒流入口つまり冷媒供給部INの位置や、冷媒排出口つまり冷媒排出部OUTの位置を、変更しても良い。たとえば放熱装置Hの下面底面に、冷媒流入口と冷媒排出口とを配置しても良い。この場合、第1セラミックシート13aが、放熱装置Hの底板部を構成する。第1セラミックシート13aの上に第2セラミックシート13bを積層し、第2セラミックシート13bの上に第3セラミックシート13cを積層し、第3セラミックシート13cの上に第4セラミックシート13dを順に積層する。さらに別の変更例として、冷媒流入口と冷媒排出口とのうちの何れか一方を、放熱装置Hの上面に配置するとともに、冷媒流入口と冷媒排出口とのうちの他方を、放熱装置Hの下面に配置しても良い。○放熱装置Hに接続される供給パイプP1と排出パイプP2とを、軟質材料で形成しても良い。つまり冷媒供給部INや冷媒排出部OUTを、冷媒の流体源に接続する少なくとも放熱装置H側の管路を、軟質材料で形成しても良い。放熱装置Hが接合された半導体素子12を有する半導体装置10を、たとえば車載用途に用いたとき、半導体装置10には、激しい振動が加わることが予測される。そこでこの構成によれば、軟質材料で形成された供給パイプP1や排出パイプP2といった管路が、半導体装置10の振動を吸収可能である。特に好ましい軟質材料としては、耐熱性、高強度、および耐薬品性に富むシリコーンゴムや、フェノール樹脂含浸綿布基材等を用いるとよい。○図11に示すように、梯子状の連Lは、冷媒供給部INから冷媒排出部OUTへの冷媒流路Tの流れ方向に沿って、冷媒流路Tの底面に近付くように傾斜していると良い。このように梯子状の連Lが傾斜するように、梯子状の連Lを構成する複数の仕切りCは配置されると良い。この場合、冷媒供給部INから第1通路形成部Taを経て冷媒流路Tに送り込まれた冷媒Rが、梯子状の連Lを通過する位置は、冷媒供給部INから冷媒排出部OUTへの冷媒Rの流れ方向に沿って、搭載面15から冷媒流路Tの底面に向かって順次ズレる。つまりそれぞれの仕切りCによって、冷媒流路Tでの冷媒Rの流れは、図11に示すように放射状の拡散流となり、搭載面15に向かう冷媒Rの流れが満遍なく拡散される。したがって搭載面15の前面に亘って満遍なく熱交換が促進され、冷却性能をより向上させることができる。○上記実施形態は、冷却対象物を搭載する放熱装置Hを例示した。しかし本発明が適用されるのは放熱装置に限らず、加温目的の熱交換装置に応用してもよい。つまり冷媒Rが流れる冷媒流路Tに限らず、本発明の装置は、液体または気体を含む流体が流れる流路を有する装置であれば良い。実施例以下に説明するように、図12aや図12bに示した冷媒流路Tの側面T1の、好ましい矩形波状の寸法について調査した。図14aと図14bとを用いつつ説明する。本実施例では、図8に示す第1セラミックシート13aと、5つの第3セラミックシート13cと、1つの第5セラミックシート13d1と、第4セラミックシート13dとの合計8層を積層する。つまり突状部Prは1段である。これらセラミックシート13a,13c,13d1,13dを接合して焼成後には、第1セラミックシート13aの厚みは0.5mmである。焼成後の第3セラミックシート13cの厚みと、第5セラミックシート13d1の厚みと、第4セラミックシート13dの厚みは、それぞれ1mmである。スリットSの幅wは1mmであり、延設方向eのスリットSの長さは180mmである。隣合うスリットS同士の間隔、つまりフィンFの幅は、1mmである。直線状の8本のスリットSが、形成されている。放熱装置Hの外辺寸法は、220mm流れ方向寸法×50mm幅寸法である。酸化アルミニウムと酸化珪素、酸化カルシウム、および酸化マグネシウムの粉末を混合し、これにアクリル樹脂を主成分とするバインダを混合することで、スラリーを得る。次に、上記スラリーを公知のドクターブレード法で処理することで、平坦なセラミックシートを製作する。次に、上記セラミックシートを金型で処理することで、個々のセラミックシート13を製作する。これらセラミックシート13は、積層したときに製品形状となる。次に、上記セラミックシート13を積層し加圧、接合させるために、セラミックシート13同士の接合部に、上記スラリーと同一のものを密着液として、公知のスクリーン印刷法によって塗布する。次に、セラミックシート13を積層し、最下層に、セラミックシート13の圧力伝搬状態を観察するためのプレスケール富士フイルム株式会社製型名:LLLW超低圧0.2~0.6MPa用を挟み込む。プレスケールは、積層したセラミックシート13の全面に均等な加圧力が掛かっているか観察するために用いられる。プレスケールが示す赤色の発色度合いによって、セラミックシート13の加圧力が判断される。次に、上記のように積層したセラミックシート13とプレスケールとを、加圧治具で挟持することで0.5MPaの加圧を行う。加圧後のプレスケールを確認し、発色がまばらであった場合は、再加圧するか、もしくはセラミックシート13を不良として処分する。次に、酸化雰囲気のトンネル型焼成炉を用いて、約1500°C~1650°Cの最高温度本実施例では1600°Cで焼成する。その結果、酸化アルミニウム96質量含有のセラミック焼結体である放熱装置Hが得られる。図14aと図14bとは、それぞれ図10に示す放熱装置HのD-D線の断面図であり、冷媒流路Tの延設方向eに対して垂直な断面を部分拡大して示す。図14aは、図12aのように冷媒流路Tの両側面T1が、対称性がある矩形状の波線を規定する実施例を示す。ただし、下から3番目と4番目との第3セラミックシート13cは、狭幅のスリットSが2つ連続している。図14bは、図12bのように冷媒流路Tの両側面T1が、互いに同一性がある矩形状の波線を規定する実施例を示す。ただし、下から3番目と4番目との第3セラミックシート13cは、図14bの右方に積層ズレしたスリットSが2つ連続している。1つの放熱装置Hが有する複数の冷媒流路Tは、互いに同一形状かつ同一寸法である。5層の第3セラミックシート13cのスリットSの寸法値を、それぞれ違えて冷媒流路Tを作製した。図14aのように対称性がある矩形状の波を有する両側面T1では、矩形の凹部間の幅をwとし、矩形の突出量つまりズレ量をw2とした。図14bに示すように互いに同一性がある矩形状の波を有する両側面T1では、幅方向に向い合う矩形の凹凸間の幅をwとし、矩形の突出量をw2とした。そして、下記の表1に示す試料をそれぞれ準備した。このようにして得られた放熱装置Hの試料それぞれの、積層されたセラミックシート13の接合状態を観察すべく、超音波探傷試験を実施した。超音波探傷試験では、日立建機ファインテック株式会社製の型名:mi-scopehyperと、超音波プローブ型名:50P6F15およびPT-3-25-17とを用いた。それぞれの試料の接合部を、周波数50MHZと25MHZとにそれぞれ変えて探した。それぞれの超音波探傷試験で得られる画像において、セラミックシート13の接合不良である層間剥離の状態を観察した。冷媒流路Tの、延設方向に垂直な断面つまり横断面に現れる剥離の深さをD1とした。個々の放熱装置Hの冷媒流路Tの矩形状の突出量w2と、剥離の深さD1とが、表1の範囲に入る試料を選択することで、計10個の試料を準備した。次に、放熱装置Hのそれぞれ試料の搭載面15に、ヒータと熱電対とを取付けた。これらヒータや熱電対は、搭載面15の温度が80°Cになるように加熱した。さらに冷媒供給部INに、冷媒Rとして18°Cの水を、0.5MPaの圧力で供給した。こうして30分経過後の、搭載面15の温度を測定し、その平均値を求めた。冷却試験終了後には、それぞれの試料で超音波探傷試験を実施し、剥離の深さD1を測定した。なお超音波探傷試験で得られる画像では、空洞が存在すれば白い画像が表示され、空洞が無い場合には黒い画像が表示される。しかし細かい剥離の深さD1を、計量値で示すことは実際にはできない。そこで事前に、セラミックシートの層間剥離の試料をクロスセクションしたものを用いて、SEM画像で剥離の深さD1を求めたものを作った。このように事前に得たものと、実際に得た画像とを比較対照することで、剥離の深さD1の数値を求めた。これらによって得られたデータを、表1に示す。表1は、図14aのように冷媒流路Tの側面T1が、対称性がある矩形状を示す試料No.1~No.5と、図14bのように互いに同一性がある矩形状の試料No.11~No.15とを示す。これら試料No.1~5と試料No.11~15ともに、矩形状の突出量w2が大きくなるにつれ、冷却効果は向上する。冷却効率は、No.11~15のように互いに同一性がある矩形状の方が、No.1~5のように対称性がある矩形状よりも上回ることも分かる。これは、No.11~15のように互いに同一性がある矩形状では、冷媒Rが高さ方向にも、くねるように流れることによって、基体14と冷媒Rとの間でのより効果的な熱交換が行われた結果であると考えられる。矩形状の突出量w2が40μm以上である試料No.4,5と、試料No.14,15とでは、冷却試験前の冷媒流路Tの側面T1の剥離の深さD1が、最大値で6μm~15μmと大きくなっている。これは、セラミックシート13を積層、接合するときの加圧力が、側面T1の矩形部に十分に伝搬しなかったためと推測される。高圧の水を所定時間供給した結果、試料No.5と試料No.15とでは、それぞれ1個の冷媒流路Tが流路破壊を起こした。これは、側面T1の剥離の深さD1のもっとも大きい箇所が起点となって、流路破壊が起きたものであると考えられる。これらの矩形状の突出量w2について、冷却効果とセラミックシート13の層間剥離流路破壊への耐性との両面から考察すると、次のことが分かる。つまりセラミックシート13のズレ量である矩形状の突出量w2は、10μm以上50μm未満の範囲に設定すると良く、より好ましくは10μm以上40μm未満に設定すると良い。"