"酸不安定基によりカルボキシル基が保護された部分構造を有する下記一般式[1]で表される構造の繰り返し単位[A]1種以上と、ラクトン構造を有する下記一般式[3]又は[4]のいずれかで示される構造の繰り返し単位[B]1種以上とを含有し、各式中のX11、X12、X21、X22、X31、X32のうち1つ以上が-O-である開環メタセシス重合体水素添加物をベース樹脂として含有し、更に酸発生剤と有機溶剤を含むレジスト組成物を基板上に塗布し、塗布後加熱処理ポストアプライドベークをして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理ポストエクスポージャーベークを施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させることを特徴とするネガ型パターン形成方法。[式中、R1~R4のうち少なくとも一つは、下記一般式[2]式中、鎖線は結合手を表す。R5は水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数2~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、又は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアシル基を表す。R6は酸不安定基を表す。W1は単結合又は炭素数1~10のk2価の炭化水素基を表す。kは0又は1を表す。で表される官能基であり、その他はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ハロゲン原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のハロゲン化アルキル基、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数6~20のアリールカルボニルオキシ基、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルスルホニルオキシ基、炭素数6~20のアリールスルホニルオキシ基、炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニル基、又は炭素数3~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニルアルキル基を表す。X11、X12はそれぞれ独立に-O-又はCR72-を表し、R7は水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。jは0又は1~3の整数を表す。]式中、R8~R11はそれぞれ独立に水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表す。X21、X22はそれぞれ独立に-O-又はCR122-を表し、R12は水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。mは0又は1~3の整数を表す。R13~R16はそれぞれ独立に水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表す。X31、X32はそれぞれ独立に-O-又はCR172-を表し、R17は水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。Y1及びY2は、一方が-C=O-であり、他方は-CR182-である。R18は水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。nは0又は1~3の整数を表す。上記一般式[2]中の酸不安定基R6が、下記一般式[5]~[7]で表される基から選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。式中、鎖線は結合手を表す。RL01~RL03はそれぞれ独立に炭素数1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表す。RL04は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表す。Zは炭素数2~15の2価の炭化水素基を表し、結合する炭素原子と共に単環又は架橋環を形成する。RL05は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表す。上記一般式[2]中の酸不安定基R6が、tert-ブチル基、tert-アミル基、2-エチル-2-ブチル基、1-メチルシクロペンチル基、1-エチルシクロペンチル基、1-n-プロピルシクロペンチル基、1-iso-プロピルシクロペンチル基、1-tert-ブチルシクロペンチル基、1-シクロペンチルシクロペンチル基、1-シクロヘキシルシクロペンチル基、1-ノルボルニルシクロペンチル基、2-メチル-2-ノルボルニル基、2-エチル-2-ノルボルニル基、2-メチル-2-アダマンチル基、2-エチル-2-アダマンチル基、2-n-プロピル-2-アダマンチル基、2-iso-プロピル-2-アダマンチル基、メトキシメチル基、及び2-アダマンチルオキシメチル基から選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。上記レジスト組成物のベース樹脂としての開環メタセシス重合体水素添加物が、上記繰り返し単位[A]と[B]に加え、下記一般式[8]で表される繰り返し単位[C]、下記一般式[10]で表される繰り返し単位[D]、及び下記一般式[12]又は[13]で表される繰り返し単位[E]から選ばれる1種以上を含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。[式中、R19~R22のうち少なくとも一つは、下記一般式[9]式中、鎖線は結合手を表す。R23は水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数2~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、又は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアシル基を表す。W2は単結合又は炭素数1~10のq2価の炭化水素基を表す。qは0又は1を表す。で表されるカルボキシル基を有する官能基であり、その他はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ハロゲン原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のハロゲン化アルキル基、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数6~20のアリールカルボニルオキシ基、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルスルホニルオキシ基、炭素数6~20のアリールスルホニルオキシ基、炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニル基、又は炭素数3~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニルアルキル基を表す。X41、X42はそれぞれ独立に-O-又はCR242-を表し、R24は水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。pは0又は1~3の整数を表す。][式中、R25~R28のうち少なくとも一つは、下記一般式[11]式中、鎖線は結合手を表す。R29は水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数2~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、又は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアシル基を表す。R30は炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基、炭素数2~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、又は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のハロゲン化アルキル基を表す。W3は単結合又は炭素数1~10のs2価の炭化水素基を表す。sは0又は1を表す。で表されるカルボン酸エステル基を有する官能基であり、その他はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ハロゲン原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のハロゲン化アルキル基、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数6~20のアリールカルボニルオキシ基、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルスルホニルオキシ基、炭素数6~20のアリールスルホニルオキシ基、炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニル基、又は炭素数3~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニルアルキル基を表す。X51、X52はそれぞれ独立に-O-又はCR312-を表し、R31は水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。rは0又は1~3の整数を表す。]式中、eは0又は1~3の整数を表す。fは0又は1~3の整数を表す。現像液が、2-オクタノン、2-ノナノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、3-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、2-メチルシクロヘキサノン、3-メチルシクロヘキサノン、4-メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、2-メチルアセトフェノン、4-メチルアセトフェノン、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸アミル、酢酸ブテニル、酢酸イソアミル、酢酸フェニル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、蟻酸イソブチル、蟻酸アミル、蟻酸イソアミル、吉草酸メチル、ペンテン酸メチル、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、乳酸アミル、乳酸イソアミル、2-ヒドロキシイソ酪酸メチル、2-ヒドロキシイソ酪酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、蟻酸ベンジル、蟻酸フェニルエチル、3-フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、及び酢酸2-フェニルエチルから選ばれる1種以上の有機溶剤を含有し、これら有機溶剤の総量が、現像液総量の60質量以上であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。高エネルギー線による露光が、波長193nmのArFエキシマレーザーによる液浸リソグラフィー、又は波長13.5nmのEUVリソグラフィーであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のパターン形成方法。現像後にトレンチパターンを形成することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のパターン形成方法。ドット状の遮光パターンが配置されたマスクを用い、ドット部分を現像後にホールパターンとすることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のパターン形成方法。格子状遮光パターンが配置されたマスクを用い、格子の交点を現像後にホールパターンとすることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のパターン形成方法。ライン状の遮光パターンが配置されたマスクを用いて2回の露光を行う方法であって、1回目の露光と2回目の露光のライン配列の向きを変えることでラインが交差するように重ねて露光し、ラインの交点を現像後にホールパターンとすることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のパターン形成方法。マスクが透過率3~15のハーフトーン位相シフトマスクであることを特徴とする請求項7乃至10のいずれか1項に記載のパターン形成方法。レジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成し、加熱処理ポストアプライドベーク後にレジスト膜に保護膜を形成した後、高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、露光後加熱処理ポストエクスポージャーベークを施した後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部の保護膜とレジスト膜を溶解させることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載のパターン形成方法。現像後に、更に加熱処理ポストデブロップメントベークを施し、トレンチパターン又はホールパターンの寸法を縮小させることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載のパターン形成方法。本発明は上記事情に鑑みなされたもので、高い溶解コントラスト及び高い耐ドライエッチング性を有するレジスト組成物を有機溶剤現像プロセスと組み合わせることにより、微細なトレンチパターンやホールパターンの解像性を向上させると共に、良好な基板加工後形状を実現するための耐ドライエッチング性を確保できるパターン形成方法を提供することを目的とする。本発明者らは上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、酸不安的基を有する特定の構造の開環メタセシス重合体水素添加物をベース樹脂として含むレジスト組成物が、有機溶剤現像における溶解コントラストが高く、また、露光、加熱処理により酸不安定基が脱保護した状態においても高い耐ドライエッチング性を示すことを見出した。その結果、当該レジスト組成物を用いて有機溶剤現像によるネガ型パターン形成を行うことにより、微細トレンチパターンやホールパターンの寸法制御性を向上させることができると共に、耐ドライエッチング性も良好に保つことが可能であることを知見した。即ち、本発明は、下記のパターン形成方法を提供する。請求項1:酸不安定基によりカルボキシル基が保護された部分構造を有する下記一般式[1]で表される構造の繰り返し単位[A]1種以上と、ラクトン構造を有する下記一般式[3]又は[4]のいずれかで示される構造の繰り返し単位[B]1種以上とを含有し、各式中のX11、X12、X21、X22、X31、X32のうち1つ以上が-O-である開環メタセシス重合体水素添加物をベース樹脂として含有し、更に酸発生剤と有機溶剤を含むレジスト組成物を基板上に塗布し、塗布後加熱処理ポストアプライドベークをして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理ポストエクスポージャーベークを施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させることを特徴とするネガ型パターン形成方法。[式中、R1~R4のうち少なくとも一つは、下記一般式[2]式中、鎖線は結合手を表す。R5は水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数2~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、又は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアシル基を表す。R6は酸不安定基を表す。W1は単結合又は炭素数1~10のk2価の炭化水素基を表す。kは0又は1を表す。で表される官能基であり、その他はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ハロゲン原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のハロゲン化アルキル基、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数6~20のアリールカルボニルオキシ基、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルスルホニルオキシ基、炭素数6~20のアリールスルホニルオキシ基、炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニル基、又は炭素数3~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニルアルキル基を表す。X11、X12はそれぞれ独立に-O-又はCR72-を表し、R7は水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。jは0又は1~3の整数を表す。]式中、R8~R11はそれぞれ独立に水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表す。X21、X22はそれぞれ独立に-O-又はCR122-を表し、R12は水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。mは0又は1~3の整数を表す。R13~R16はそれぞれ独立に水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表す。X31、X32はそれぞれ独立に-O-又はCR172-を表し、R17は水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。Y1及びY2は、一方が-C=O-であり、他方は-CR182-である。R18は水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。nは0又は1~3の整数を表す。請求項2:上記一般式[2]中の酸不安定基R6が、下記一般式[5]~[7]で表される基から選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。式中、鎖線は結合手を表す。RL01~RL03はそれぞれ独立に炭素数1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表す。RL04は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表す。Zは炭素数2~15の2価の炭化水素基を表し、結合する炭素原子と共に単環又は架橋環を形成する。RL05は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表す。請求項3:上記一般式[2]中の酸不安定基R6が、tert-ブチル基、tert-アミル基、2-エチル-2-ブチル基、1-メチルシクロペンチル基、1-エチルシクロペンチル基、1-n-プロピルシクロペンチル基、1-iso-プロピルシクロペンチル基、1-tert-ブチルシクロペンチル基、1-シクロペンチルシクロペンチル基、1-シクロヘキシルシクロペンチル基、1-ノルボルニルシクロペンチル基、2-メチル-2-ノルボルニル基、2-エチル-2-ノルボルニル基、2-メチル-2-アダマンチル基、2-エチル-2-アダマンチル基、2-n-プロピル-2-アダマンチル基、2-iso-プロピル-2-アダマンチル基、メトキシメチル基、及び2-アダマンチルオキシメチル基から選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。請求項4:上記レジスト組成物のベース樹脂としての開環メタセシス重合体水素添加物が、上記繰り返し単位[A]と[B]に加え、下記一般式[8]で表される繰り返し単位[C]、下記一般式[10]で表される繰り返し単位[D]、及び下記一般式[12]又は[13]で表される繰り返し単位[E]から選ばれる1種以上を含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。[式中、R19~R22のうち少なくとも一つは、下記一般式[9]式中、鎖線は結合手を表す。R23は水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数2~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、又は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアシル基を表す。W2は単結合又は炭素数1~10のq2価の炭化水素基を表す。qは0又は1を表す。で表されるカルボキシル基を有する官能基であり、その他はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ハロゲン原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のハロゲン化アルキル基、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数6~20のアリールカルボニルオキシ基、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルスルホニルオキシ基、炭素数6~20のアリールスルホニルオキシ基、炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニル基、又は炭素数3~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニルアルキル基を表す。X41、X42はそれぞれ独立に-O-又はCR242-を表し、R24は水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。pは0又は1~3の整数を表す。][式中、R25~R28のうち少なくとも一つは、下記一般式[11]式中、鎖線は結合手を表す。R29は水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数2~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、又は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアシル基を表す。R30は炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基、炭素数2~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、又は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のハロゲン化アルキル基を表す。W3は単結合又は炭素数1~10のs2価の炭化水素基を表す。sは0又は1を表す。で表されるカルボン酸エステル基を有する官能基であり、その他はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ハロゲン原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のハロゲン化アルキル基、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数6~20のアリールカルボニルオキシ基、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルスルホニルオキシ基、炭素数6~20のアリールスルホニルオキシ基、炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニル基、又は炭素数3~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニルアルキル基を表す。X51、X52はそれぞれ独立に-O-又はCR312-を表し、R31は水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。rは0又は1~3の整数を表す。]式中、eは0又は1~3の整数を表す。fは0又は1~3の整数を表す。請求項5:現像液が、2-オクタノン、2-ノナノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、3-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、2-メチルシクロヘキサノン、3-メチルシクロヘキサノン、4-メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、2-メチルアセトフェノン、4-メチルアセトフェノン、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸アミル、酢酸ブテニル、酢酸イソアミル、酢酸フェニル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、蟻酸イソブチル、蟻酸アミル、蟻酸イソアミル、吉草酸メチル、ペンテン酸メチル、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、乳酸アミル、乳酸イソアミル、2-ヒドロキシイソ酪酸メチル、2-ヒドロキシイソ酪酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、蟻酸ベンジル、蟻酸フェニルエチル、3-フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、及び酢酸2-フェニルエチルから選ばれる1種以上の有機溶剤を含有し、これら有機溶剤の総量が、現像液総量の60質量以上であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。請求項6:高エネルギー線による露光が、波長193nmのArFエキシマレーザーによる液浸リソグラフィー、又は波長13.5nmのEUVリソグラフィーであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のパターン形成方法。請求項7:現像後にトレンチパターンを形成することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のパターン形成方法。請求項8:ドット状の遮光パターンが配置されたマスクを用い、ドット部分を現像後にホールパターンとすることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のパターン形成方法。請求項9:格子状遮光パターンが配置されたマスクを用い、格子の交点を現像後にホールパターンとすることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のパターン形成方法。請求項10:ライン状の遮光パターンが配置されたマスクを用いて2回の露光を行う方法であって、1回目の露光と2回目の露光のライン配列の向きを変えることでラインが交差するように重ねて露光し、ラインの交点を現像後にホールパターンとすることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のパターン形成方法。請求項11:マスクが透過率3~15のハーフトーン位相シフトマスクであることを特徴とする請求項7乃至10のいずれか1項に記載のパターン形成方法。請求項12:レジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成し、加熱処理ポストアプライドベーク後にレジスト膜に保護膜を形成した後、高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、露光後加熱処理ポストエクスポージャーベークを施した後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部の保護膜とレジスト膜を溶解させることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載のパターン形成方法。請求項13:現像後に、更に加熱処理ポストデブロップメントベークを施し、トレンチパターン又はホールパターンの寸法を縮小させることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載のパターン形成方法。本発明の酸不安定基を有する特定の構造の開環メタセシス重合体水素添加物をベース樹脂として含むレジスト組成物は、有機溶剤現像における溶解コントラストが高く、また、露光、加熱処理により酸不安定基が脱保護した状態においても高い耐ドライエッチング性を示す特徴を有する。このレジスト組成物を用いて有機溶剤現像によるネガ型パターン形成を行うことにより、微細トレンチパターンやホールパターンの解像性能を向上させると共に、高い耐ドライエッチング性を発揮することが可能となる。以下、本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、本明細書中の一般式において、エナンチオ異性体enantiomerやジアステレオ異性体diastereomerが存在し得る場合があるが、その場合、一つの平面式又は立体異性体の式で立体異性体の全てを代表して表す。これらの立体異性体は単独で用いてもよいし、混合物として用いてもよい。本発明は、上述したように、酸不安定基を有する特定の構造の開環メタセシス重合体水素添加物をベース樹脂として含むレジスト組成物を塗布し、塗布後加熱処理ポストアプライドベークにより不要な溶剤を除去してレジスト膜を形成し、高エネルギー線を露光し、露光後加熱処理ポストエクスポージャーベークを施した後、有機溶剤現像液で現像してネガ型パターンを得るパターン形成方法を提供する。本発明のパターン形成方法に用いられるレジスト組成物に含まれる特定の構造の開環メタセシス重合体水素添加物と同様の化合物としては、アルカリ現像液によるポジ型パターン形成を目的とした先行の発明例がある特許文献9:特許第4497266号公報。しかし、有機溶剤を現像液とするネガ型のパターン形成に用いることにより、アルカリ現像では不可能であった微細なトレンチパターンやホールパターンを解像でき、更にこれら微細パターンの解像性が良好であることを、本発明者らは新たに知見するに至った。本発明のパターン形成方法に用いられるレジスト組成物に含まれる開環メタセシス重合体水素添加物は、酸不安定基によりカルボキシル基が保護された部分構造を有する下記一般式[1]で表される繰り返し単位[A]を1つ以上含有する。ここで、上記式中R1~R4のうち少なくとも一つは、下記一般式[2]式中、鎖線は結合手を表す。R5は水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数2~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、又は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアシル基を表す。R6は酸不安定基を表す。W1は単結合又は炭素数1~10のk2価の炭化水素基を表す。kは0又は1を表す。で表される官能基であり、その他はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ハロゲン原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のハロゲン化アルキル基、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数6~20のアリールカルボニルオキシ基、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルスルホニルオキシ基、炭素数6~20のアリールスルホニルオキシ基、炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニル基、又は炭素数3~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニルアルキル基を表す。X11、X12はそれぞれ独立に-O-又はCR72-を表し、R7は水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。jは0又は1~3の整数を表す。一般式[2]中のR5において、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、1-エチルシクロペンチル基、1-エチルシクロヘキシル基等が挙げられる。炭素数2~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基としては、例えばメトキシメチル基、1-エトキシエチル基、1-tert-ブトキシエチル基、1-シクロヘキシルオキシエチル基、1-エトキシプロピル基、1-エトキシ-1-メチルエチル基、テトラヒドロフラン-2-イル基、テトラヒドロピラン-2-イル基等が挙げられる。炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアシル基としては、例えばフォルミル基、アセチル基、ピバロイル基、シクロヘキシルカルボニル基等が挙げられる。これらのうち、炭素数1~6の直鎖状又は分岐状のアルキル基、炭素数2~7の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、及び炭素数2~7の直鎖状又は分岐状のアシル基が好ましく、特に水素原子、メチル基、エチル基、メトキシメチル基、1-エトキシエチル基、テトラヒドロフラン-2-イル基、アセチル基等が好ましい。一般式[2]中のW1において、炭素数1~10のk2価の炭化水素基としては、kが0の場合、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状の2価の炭化水素基であり、例えばメチレン基、ジメチルメチレン基、エチリデン基、プロピリデン基、ブチリデン基、エチレン基、1-メチルエチレン基、2-メチルエチレン基、1-エチルエチレン基、2-エチルエチレン基、1,1-ジメチルエチレン基、1,2-ジメチルエチレン基、2,2-ジメチルエチレン基、1-エチル-2-メチルエチレン基、トリメチレン基、1-メチルトリメチレン基、2-メチルトリメチレン基、3-メチルトリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、1,1-シクロペンチレン基、1,2-シクロペンチレン基、1,3-シクロペンチレン基、1,1-シクロヘキシレン基、1,2-シクロヘキシレン基、1,3-シクロヘキシレン基、1,4-シクロヘキシレン基等が挙げられる。これらのうち、メチレン基、エチリデン基、エチレン基、1-メチルエチレン基、2-メチルエチレン基、トリメチレン基、2-メチルトリメチレン基等が好ましい。kが1の場合、例えば、上記kが0の場合で挙げた炭化水素基上の任意の位置の水素原子1個を除いて結合手としたものが挙げられる。最も好ましいW1は単結合である。一般式[2]中の酸不安定基R6は、酸の作用により脱保護し、カルボン酸を発生させるものであればよく、構造は特に限定されないが、下記一般式[5]~[7]のいずれかで表される基が、反応性が適度であり好ましい。式中、鎖線は結合手を表す。RL01~RL03はそれぞれ独立に炭素数1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表す。RL04は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表す。Zは炭素数2~15の2価の炭化水素基を表し、結合する炭素原子と共に単環又は架橋環を形成する。RL05は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表す。一般式[5]で表される基の具体例としては、tert-ブチル基、tert-アミル基、2-エチル-2-ブチル基、1,1-ジメチルブチル基、1-エチル-1-メチルプロピル基、1,1-ジメチルプロピル基、1-シクロペンチル-1-メチルエチル基、1-シクロヘキシル-1-メチルエチル基、1-1-アダマンチル-1-メチルエチル基等が挙げられる。一般式[6]で表される基の具体例としては、1-メチルシクロプロピル基、1-メチルシクロブチル基、1-エチルシクロブチル基、1-メチルシクロペンチル基、1-エチルシクロペンチル基、1-n-プロピルシクロペンチル基、1-iso-プロピルシクロペンチル基、1-tert-ブチルシクロペンチル基、1-シクロペンチルシクロペンチル基、1-シクロヘキシルシクロペンチル基、1-ノルボルニルシクロペンチル基、1-メチルシクロヘキシル基、1-エチルシクロヘキシル基、1-メチルシクロヘキシル基、1-エチルシクロヘキシル基、1-メチルシクロヘプチル基、1-エチルシクロヘプチル基、1-メチルシクロオクチル基、1-メチルシクロノニル基、2-メチル-2-ノルボルニル基、2-エチル-2-ノルボルニル基、2-メチル-2-アダマンチル基、2-エチル-2-アダマンチル基、2-n-プロピル-2-アダマンチル基、2-iso-プロピル-2-アダマンチル基等が挙げられる。一般式[7]で表される基の具体例としては、メトキシメチル基、エトキシメチル基、イソプロポキシメチル基、tert-ブトキシメチル基、tert-アミロキシメチル基、ネオペンチロキシメチル基、シクロペンチルオキシメチル基、シクロへキシルオキシメチル基、1-アダマンチルオキシメチル基、2-アダマンチルオキシメチル基、1-アダマンチルメチルオキシメチル基等が挙げられる。これらのうち、一般式[2]中の酸不安定基R6としては、tert-ブチル基、tert-アミル基、2-エチル-2-ブチル基、1-メチルシクロペンチル基、1-エチルシクロペンチル基、1-n-プロピルシクロペンチル基、1-iso-プロピルシクロペンチル基、1-tert-ブチルシクロペンチル基、1-シクロペンチルシクロペンチル基、1-シクロヘキシルシクロペンチル基、1-ノルボルニルシクロペンチル基、2-メチル-2-ノルボルニル基、2-エチル-2-ノルボルニル基、2-メチル-2-アダマンチル基、2-エチル-2-アダマンチル基、2-n-プロピル-2-アダマンチル基、2-iso-プロピル-2-アダマンチル基、メトキシメチル基、2-アダマンチルオキシメチル基等が、解像性能の点において特に好ましい。上記一般式[1]で表される繰り返し単位[A]の具体例を以下に挙げるが、これらに限定されない。本発明のパターン形成方法に用いられるレジスト組成物に含まれる開環メタセシス重合体水素添加物は、上記繰り返し単位[A]を1種以上のほか、ラクトン構造を有する下記一般式[3]又は[4]のいずれかで示される構造の繰り返し単位[B]を1種以上含有する。ここで、上記式中、R8~R11はそれぞれ独立に水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表す。X21、X22はそれぞれ独立に-O-又はCR122-を表し、R12は水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。mは0又は1~3の整数を表す。R13~R16はそれぞれ独立に水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表す。X31、X32はそれぞれ独立に-O-又はCR172-を表し、R17は水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。Y1及びY2は、一方が-C=O-であり、他方は-CR182-である。R18は水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。nは0又は1~3の整数を表す。上記一般式[3]又は[4]で表される繰り返し単位[B]の具体例を以下に挙げるが、これらに限定されない。本発明のパターン形成方法に用いられるレジスト組成物がベース樹脂として含有する開環メタセシス重合体水素添加物は、繰り返し単位[A]を示す上記一般式[1]、繰り返し単位[B]を示す上記一般式[3]及び[4]中のX11、X12、X21、X22、X31、X32のうち1つ以上が-O-であることを特徴とする。このように、主鎖に含まれる脂肪族環状化合物中に酸素原子が存在することにより、シリコン基板のような被処理基板への密着性や、レジスト組成物をシリコンウエハーに塗布する工程で使用されるケトン類、アルコール類等の極性有機溶剤に対する溶解性を向上させる効果があり、また、有機溶剤現像液に対する溶解コントラストを向上させることができる。X11、X12、X21、X22、X31、X32の全合計量における-O-の量は、1~99モルであり、好ましくは5~95モルであり、より好ましくは10~80モルであり、最も好ましくは20~70モルである。上記レジスト組成物のベース樹脂としての開環メタセシス重合体水素添加物は、上記繰り返し単位[A]と[B]のほかに、更に下記一般式[8]で表される繰り返し単位[C]、下記一般式[10]で表される繰り返し単位[D]、及び下記一般式[12]又は[13]で表される繰り返し単位[E]から選ばれる1種以上を含むことが好ましい。[式中、R19~R22のうち少なくとも一つは、下記一般式[9]式中、鎖線は結合手を表す。R23は水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数2~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、又は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアシル基を表す。W2は単結合又は炭素数1~10のq2価の炭化水素基を表す。qは0又は1を表す。で表されるカルボキシル基を有する官能基であり、その他はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ハロゲン原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のハロゲン化アルキル基、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数6~20のアリールカルボニルオキシ基、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルスルホニルオキシ基、炭素数6~20のアリールスルホニルオキシ基、炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニル基、又は炭素数3~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニルアルキル基を表す。X41、X42はそれぞれ独立に-O-又はCR242-を表し、R24は水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。pは0又は1~3の整数を表す。][式中、R25~R28のうち少なくとも一つは、下記一般式[11]式中、鎖線は結合手を表す。R29は水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数2~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、又は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアシル基を表す。R30は炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基、炭素数2~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、又は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のハロゲン化アルキル基を表す。W3は単結合又は炭素数1~10のs2価の炭化水素基を表す。sは0又は1を表す。で表されるカルボン酸エステル基を有する官能基であり、その他はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ハロゲン原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のハロゲン化アルキル基、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数6~20のアリールカルボニルオキシ基、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルスルホニルオキシ基、炭素数6~20のアリールスルホニルオキシ基、炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニル基、又は炭素数3~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニルアルキル基を表す。X51、X52はそれぞれ独立に-O-又はCR312-を表し、R31は水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。rは0又は1~3の整数を表す。]式中、eは0又は1~3の整数を表す。fは0又は1~3の整数を表す。上記一般式[8]で表される繰り返し単位[C]の具体例を以下に挙げるが、これらに限定されない。上記一般式[10]で表される繰り返し単位[D]の具体例を以下に挙げるが、これらに限定されない。上記一般式[12]で示される繰り返し単位[E]は、以下のいずれかの構造に相当する。上記一般式[13]で示される繰り返し単位[E]は、以下のいずれかの構造に相当する。本発明のパターン形成方法に用いられる上記開環メタセシス重合体水素添加物が含有する一般式[1]で表される繰り返し単位[A]の合計と、一般式[3]又は一般式[4]で表される繰り返し単位[B]の合計との構成モル比は、[A]/[B]=10/90~90/10であることが好ましく、より好ましくは20/80~80/20である。また、上記開環メタセシス重合体水素添加物は、繰り返し単位[A]及び[B]に加えて、更に一般式[8]で表される繰り返し単位[C]、一般式[10]で表される繰り返し単位[D]、及び一般式[12]又は[13]で表される繰り返し単位[E]から選ばれる1種以上を含むことが好ましいが、それぞれの繰り返し単位の合計の構成モル比について、[A][B]/[C][D][E]=100/0~50/50であることが好ましく、より好ましくは95/5~70/30である。ここで、繰り返し単位[A]は、露光時に感光剤から発生する酸により分解してカルボン酸を生成することによって、現像液に対する溶解コントラストを生み、レジストパターンを作るために必要である。また、繰り返し単位[B]は、シリコン基板のような被処理基板との密着性を発現するのに必要である。また、繰り返し単位[C]、[D]、[E]は、現像液に対する溶解速度を調整するために有効であり、適量導入することにより、溶解コントラストを更に向上させることができる。本発明で用いる開環メタセシス重合体水素添加物において、重量平均分子量Mwと数平均分子量との比、即ち分散度Mw/Mnは特に制限されないが、1.0~3.0の狭分散の場合、酸拡散が抑制され、解像度が向上するために好ましい。また、本発明で用いる開環メタセシス重合体水素添加物の重量平均分子量Mwは、通常、3,000~100,000であり、好ましくは5,000~50,000である。なお、本明細書において記載する数平均分子量及び重量平均分子量は、溶剤としてテトラヒドロフランTHFを用いたポリスチレン換算でのゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによって測定した。本発明のパターン形成方法に用いられるレジスト組成物は、上記ベース樹脂のほか、高エネルギー線に感応して酸を発生する化合物光酸発生剤及び有機溶剤を含有する。本発明に係るレジスト組成物は、更に、クエンチャー成分及び界面活性剤を含有することが好ましく、必要に応じて更に、溶解制御剤、アセチレンアルコール類等その他の成分を含有することができる。光酸発生剤の配合量は、ベース樹脂100質量部に対し0.5~30質量部、特に1~20質量部とすることが好ましい。光酸発生剤の成分としては、高エネルギー線照射により酸を発生する化合物であればいずれでも構わない。好適な光酸発生剤としてはスルホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニルジアゾメタン、N-スルホニルオキシイミド、オキシム-O-スルホネート型酸発生剤等があり、これらは単独又は2種以上混合して用いることができる。酸発生剤の具体例としては、特開2008-111103号公報の段落[0123]~[0138]に記載されているものが挙げられる。有機溶剤の配合量は、ベース樹脂100質量部に対し100~10,000質量部、特に300~8,000質量部とすることが好ましい。有機溶剤の具体例としては、特開2008-111103号公報の段落[0144]に記載のシクロヘキサノン、メチル-2-n-アミルケトン等のケトン類、3-メトキシブタノール、3-メチル-3-メトキシブタノール、1-メトキシ-2-プロパノール、1-エトキシ-2-プロパノール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、1,4-ブタンジオール、1,3-ブタンジオール等のアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert-ブチル、プロピオン酸tert-ブチル、プロピレングリコールモノtert-ブチルエーテルアセテート等のエステル類、γ-ブチロラクトン等のラクトン類、及びこれらの混合溶剤が挙げられる。また、クエンチャー成分とは、酸発生剤より発生した酸を捕捉し失活させる機能を有する成分であり、適量加えることにより、感度を調整でき、また、溶解コントラストの向上及び未露光部への酸拡散抑制により解像度が向上することが知られている。クエンチャー成分の例としては、塩基性化合物を挙げることができる。具体的には、特開2008-111103号公報の段落[0148]~[0163]に記載の1級、2級、3級のアミン化合物、特にはヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、ラクトン環、シアノ基、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物、特許第3790649号公報記載のカルバメート基を有する含窒素有機化合物等を挙げることができる。含窒素化合物を配合する場合、その配合量は、ベース樹脂100質量部に対し0.01~10質量部、特に0.1~5質量部とすることが好ましい。また、弱酸を共役酸とするアニオンを有するオニウム塩化合物をクエンチャーとして用いることができる。そのクエンチ機構は、酸発生剤より発生した強酸が塩交換反応によりオニウム塩に変わるという現象に基づく。塩交換により発生した弱酸ではベース樹脂に含まれる酸不安定基の脱保護反応は進行しないため、この系における弱酸オニウム塩化合物はクエンチャーとして機能することになる。オニウム塩クエンチャーとしては例えば、特開2008-158339号公報に記載されているα位がフッ素化されていないスルホン酸、及びカルボン酸のスルホニウム塩、ヨードニウム塩、アンモニウム塩等のオニウム塩をクエンチャーとして挙げることができ、これらはα位がフッ素化されたスルホン酸、イミド酸、メチド酸を発生する酸発生剤と併用した場合にクエンチャーとして機能し得る。また、オニウム塩クエンチャーがスルホニウム塩やヨードニウム塩のように光分解性を有する場合、光強度が強い部分のクエンチ能が低下し、これによって溶解コントラストが向上するため、有機溶剤現像によるネガ型パターン形成において、パターンの矩形性が向上する。オニウム塩化合物を配合する場合、その配合量は、ベース樹脂100質量部に対し0.05~20質量部、特に0.2~10質量部とすることが好ましい。上記の含窒素有機化合物やオニウム塩化合物等のクエンチャー成分は、単独又は2種以上混合して用いることができる。界面活性剤としては、特開2008-111103号公報の段落[0166]、溶解制御剤としては特開2008-122932号公報の段落[0155]~[0178]、アセチレンアルコール類としては特開2008-122932号公報の段落[0179]~[0182]に記載のものを用いることができる。界面活性剤を添加する場合、その添加量は、本発明の効果を妨げない範囲で任意とすることができる。また、スピンコート後のレジスト表面の撥水性を向上させるための高分子化合物を添加することもできる。この添加剤は、トップコートを用いない液浸リソグラフィーに用いることができる。このような添加剤としては、特開2007-297590号公報及び特開2008-111103号公報に開示されているような、特定構造の1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロパノール残基を有する高分子化合物等が挙げられる。レジスト組成物に添加される撥水性向上剤は、有機溶剤を含む現像液に溶解する必要がある。上記の特定の1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロパノール残基を有する高分子化合物は、現像液への溶解性が良好である。撥水性向上剤として、アミノ基やアミン塩を繰り返し単位として共重合した高分子化合物は、露光後加熱処理ポストエクスポージャーベーク:以下PEBと記す。中の酸の蒸発を防いで現像後のホールパターンの開口不良を防止する効果が高い。撥水性向上剤を添加する場合、その添加量は、ベース樹脂100質量部に対して0.1~20質量部、好ましくは0.5~10質量部である。本発明のレジストパターン形成方法の説明図を図1に示す。この場合、図1Aに示したように、本発明においては基板10上に形成した被加工層20に直接又は中間介在層30を介してレジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜40を形成する。レジスト膜の厚さは、10~1,000nm、特に20~500nmであることが好ましい。このレジスト膜は、塗布後露光前に加熱処理ポストアプライドベーク:以下PABと記す。されるが、この条件としては60~180°C、特に70~150°Cで10~300秒間、特に15~200秒間行うことが好ましい。なお、基板10としては、シリコン基板が一般的に用いられる。被加工層20としては、SiO2、SiN、SiON、SiOC、p-Si、α-Si、TiN、WSi、BPSG、SOG、Cr、CrO、CrON、MoSi、低誘電膜及びそのエッチングストッパー膜が挙げられる。中間介在層30としては、SiO2、SiN、SiON、p-Si等のハードマスク、カーボン膜による下層膜と珪素含有中間膜、有機反射防止膜等が挙げられる。次いで、図1Bに示すように露光50を行う。ここで、露光光としては波長140~250nmの高エネルギー線、波長13.5nmのEUV等が挙げられるが、中でもArFエキシマレーザーによる193nmの露光光が最も好ましく用いられる。露光は大気中や窒素気流中のドライ雰囲気で行ってもよいし、水中の液浸露光であってもよい。ArF液浸リソグラフィーにおいては、液浸溶剤として純水、又はアルカン等の屈折率が1以上で露光波長に高透明の液体が用いられる。液浸リソグラフィーでは、PAB後のレジスト膜と投影レンズの間に、純水やその他の液体を挿入する。これによってNAが1.0以上のレンズ設計が可能となり、より微細なパターン形成が可能になる。液浸リソグラフィーはArFリソグラフィーを45nmノードまで延命させるための重要な技術である。液浸露光の場合は、レジスト膜上に残った水滴残りを除去するために露光後の純水リンスポストソークを行ってもよいし、レジスト膜からの溶出物を防ぎ、膜表面の滑水性を上げるために、PAB後のレジスト膜上に保護膜を形成してもよい。液浸リソグラフィーに用いられるレジスト保護膜形成用組成物としては、例えば、水に不溶でアルカリ現像液に溶解する1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロパノール残基を有する繰り返し単位を含む高分子化合物をベース樹脂とし、これを炭素数4以上のアルコール系溶剤、炭素数8~12のエーテル系溶剤又はこれらの混合溶剤に溶解させたものが好ましい。保護膜は有機溶剤を含む現像液に溶解する必要があるが、1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロパノール残基を有する繰り返し単位を含む高分子化合物は上記有機溶剤を含む現像液に溶解する。特に、特開2007-25634号公報、特開2008-3569号公報に開示された1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロパノール残基を有する保護膜形成用組成物から形成された保護膜の有機溶剤現像液に対する溶解性は高い。上記保護膜形成用組成物に、アミン化合物もしくはアミン塩を配合すること、又は上記1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロパノール残基を有する繰り返し単位に更にアミノ基もしくはアミン塩を有する繰り返し単位を共重合した高分子化合物をベース樹脂として用いることは、レジスト膜の露光部から発生した酸の未露光部分への拡散を制御し、ホールの開口不良を防止する効果が高い。アミン化合物を添加した保護膜形成用組成物としては特開2008-3569号公報記載のもの、アミノ基又はアミン塩を共重合した保護膜形成用組成物としては特開2007-316448号公報記載のものを用いることができる。アミン化合物、アミン塩としては、上記レジスト組成物添加用の塩基性化合物として詳述したものの中から選定することができる。アミン化合物、アミン塩の配合量は、ベース樹脂100質量部に対して0.01~10質量部、特に0.02~8質量部が好ましい。レジスト膜形成後に、純水リンスポストソークを行うことによって、レジスト膜表面からの酸発生剤等の抽出あるいはパーティクルの洗い流しを行ってもよいし、露光後に膜上に残った水を取り除くためのリンスポストソークを行ってもよい。PEB中に露光部から蒸発した酸が未露光部に付着し、未露光部分の表面の保護基を脱保護させると、現像後のホールの表面がブリッジして閉塞する可能性がある。特に、ネガティブ現像におけるホールの外側は、光が照射されて酸が発生している。PEB中にホールの外側の酸が蒸発し、ホールの内側に付着するとホールが開口しないことがある。酸の蒸発を防いでホールの開口不良を防ぐために保護膜を適用することは効果的である。更に、アミン化合物又はアミン塩を添加した保護膜は、酸の蒸発を効果的に防ぐことができる。このように、保護膜形成用組成物としては、1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロパノール残基を有する高分子化合物及びアミノ基又はアミン塩を有する化合物を、炭素数4以上のアルコール系溶剤、炭素数8~12のエーテル系溶剤又はこれらの混合溶剤に溶解させたもの、あるいは上記1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロパノール残基を有する繰り返し単位に更にアミノ基もしくはアミン塩を有する繰り返し単位を共重合した高分子化合物をベース樹脂として用いて、これを炭素数4以上のアルコール系溶剤、炭素数8~12のエーテル系溶剤又はこれらの混合溶剤に溶解させたものを用いることが好ましい。上記炭素数4以上のアルコール系溶剤としては、1-ブチルアルコール、2-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、3-ペンタノール、tert-アミルアルコール、ネオペンチルアルコール、2-メチル-1-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、3-メチル-3-ペンタノール、シクロペンタノール、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、3-ヘキサノール、2,3-ジメチル-2-ブタノール、3,3-ジメチル-1-ブタノール、3,3-ジメチル-2-ブタノール、2-エチル-1-ブタノール、2-メチル-1-ペンタノール、2-メチル-2-ペンタノール、2-メチル-3-ペンタノール、3-メチル-1-ペンタノール、3-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、4-メチル-1-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、4-メチル-3-ペンタノール、シクロヘキサノール、1-オクタノール等が挙げられる。炭素数8~12のエーテル系溶剤としては、ジ-n-ブチルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジ-sec-ブチルエーテル、ジ-n-ペンチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ-sec-ペンチルエーテル、ジ-tert-アミルエーテル、ジ-n-ヘキシルエーテル等が挙げられる。露光における露光量は、1~200mJ/cm2程度、特に10~100mJ/cm2程度とすることが好ましい。次に、ホットプレート上で60~150°Cで1~5分間、好ましくは80~120°Cで1~3分間PEBを施す。更に、図1Cに示されるように、有機溶剤を含む現像液を用い、0.1~3分間、好ましくは0.5~2分間、浸漬dip法、パドルpuddle法、スプレーspray法等の常法により現像することにより未露光部分が溶解するネガティブパターンが基板上に形成される。上記有機溶剤としては、2-オクタノン、2-ノナノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、3-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、2-メチルシクロヘキサノン、3-メチルシクロヘキサノン、4-メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、2-メチルアセトフェノン、4-メチルアセトフェノン等のケトン類、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸アミル、酢酸ブテニル、酢酸イソアミル、酢酸フェニル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、蟻酸イソブチル、蟻酸アミル、蟻酸イソアミル、吉草酸メチル、ペンテン酸メチル、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、乳酸アミル、乳酸イソアミル、2-ヒドロキシイソ酪酸メチル、2-ヒドロキシイソ酪酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、蟻酸ベンジル、蟻酸フェニルエチル、3-フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、酢酸2-フェニルエチル等のエステル類等を好ましく用いることができる。これらの有機溶剤は、1種単独で又は2種以上を混合して使用することができる。これらの有機溶剤の総量は、現像液総量の60質量以上であることが好ましい。より好ましくは80~100質量である。上記現像液は、その他の有機溶剤を含んでもよい。その他の有機溶剤としては、オクタン、デカン、ドデカン等のアルカン類、イソプロピルアルコール、1-ブタノール、1-ペンタノール、1-ヘキサノール、4-メチル-2-ペンタノール等のアルコール類等が挙げられる。また、上記現像液は界面活性剤を含んでもよく、その具体例としては、上述のレジスト組成物に添加してよい界面活性剤の具体例と同様のものが挙げられる。現像の終了時には、リンスを行う。リンス液としては、現像液と混溶し、レジスト膜を溶解させない溶剤が好ましい。このような溶剤としては、炭素数3~10のアルコール、炭素数8~12のエーテル化合物、炭素数6~12のアルカン、アルケン、アルキン、芳香族系の溶剤が好ましく用いられる。具体的には、炭素数6~12のアルカンとしては、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、メチルシクロペンタン、ジメチルシクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン等が挙げられる。炭素数6~12のアルケンとしては、ヘキセン、ヘプテン、オクテン、シクロヘキセン、メチルシクロヘキセン、ジメチルシクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン等が挙げられる。炭素数6~12のアルキンとしては、ヘキシン、ヘプチン、オクチン等が挙げられる。炭素数3~10のアルコールとしては、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、1-ブチルアルコール、2-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、3-ペンタノール、tert-アミルアルコール、ネオペンチルアルコール、2-メチル-1-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、3-メチル-3-ペンタノール、シクロペンタノール、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、3-ヘキサノール、2,3-ジメチル-2-ブタノール、3,3-ジメチル-1-ブタノール、3,3-ジメチル-2-ブタノール、2-エチル-1-ブタノール、2-メチル-1-ペンタノール、2-メチル-2-ペンタノール、2-メチル-3-ペンタノール、3-メチル-1-ペンタノール、3-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、4-メチル-1-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、4-メチル-3-ペンタノール、シクロヘキサノール、1-オクタノール等が挙げられる。炭素数8~12のエーテル化合物としては、ジ-n-ブチルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジ-sec-ブチルエーテル、ジ-n-ペンチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ-sec-ペンチルエーテル、ジ-tert-アミルエーテル、ジ-n-ヘキシルエーテル等が挙げられる。これらの溶剤は1種単独で又は2種以上を混合して使用することができる。これらの溶剤に加えて、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、tert-ブチルベンゼン、メシチレン等の芳香族系の溶剤を用いることもできる。トレンチパターン形成において、ネガティブトーン現像は、ポジティブトーン現像よりも高コントラストの光学像を形成できる場合が多い。ここでトレンチパターンとは、ラインアンドスペースパターンにおけるスペース部分がライン部分の寸法幅より狭いパターンを指し、スペース部とスペース部の間隔が無限に離れた場合、即ちライン幅が無限に広い場合が孤立トレンチに相当する。特にトレンチ幅スペース幅が微細になるほど、マスク上のラインパターン像を反転しトレンチを形成させるネガティブトーン現像は解像性の点で有利となる。ネガティブトーン現像によってホールパターンを形成する方法は、マスクデザインによる分類により、以下の3通りの方法に集約される。iドット状の遮光パターンが配置されたマスクを用い、ドット部分をネガ現像後にホールパターンとする方法。ii格子状遮光パターンが配置されたマスクを用い、格子の交点をネガ現像後にホールパターンとする方法。iiiライン状の遮光パターンが配置されたマスクを用いて2回の露光を行う方法であって、1回目の露光と2回目の露光のライン配列の向きを変えることでラインが交差するように重ねて露光し、ラインの交点をネガ現像後にホールパターンとする方法。上記iの方法について、ドット状の遮光パターンが配置されたマスクを図7に例示する。この方法において、露光時の照明条件は特に限定されないが、図17に示されるアパチャー形状のクロスポール照明4重極照明が狭ピッチ化のために好ましく、これにX-Y偏光照明又は円形偏光のAzimuthally偏光照明を組み合わせて更にコントラストを向上させることが可能である。上記iiの方法について、格子状遮光パターンが配置されたマスクを図5に例示する。iの方法と同様、クロスポール照明及び偏光照明と組み合わせることが狭ピッチの解像性向上の点で好ましい。図8にNA1.3レンズ、クロスポール照明、6ハーフトーン位相シフトマスク、Azimuthally偏光照明でのピッチ90nm、一辺の幅が60nmの正四角形のドットパターンが配置されたマスクにおける光学像コントラストを示す。また、図6にNA1.3レンズ、クロスポール照明、6ハーフトーン位相シフトマスク、Azimuthally偏光照明でのピッチ90nm、幅30nmの格子状ラインパターンの光学像を示す。前者のドットパターンを利用する場合よりも後者の格子状パターンを利用する場合の方が、光の強度が低下するためにレジストの感度が低下する欠点があるものの、光学コントラストが向上するという利点がある。上記iiの方法において、更に透過率3~15のハーフトーン位相シフトマスクを用い、格子状のシフター格子の交点を現像後にホールパターンとする方法が、光学コントラストが向上することから好ましい。上記iiiの方法について、図15、図16に示されるアパチャー形状のダイポール照明2重極照明を用い、X、Y方向のラインパターンを2回に分けて露光し、光学像を重ねることにより、上記i及びiiの方法に比べて、更に高いコントラストを得ることができる。ダイポール照明に併せてs偏光照明を加えると、更にコントラストを上げることができる。図2は、波長193nmのArFエキシマレーザーを用いたNA1.3レンズ、ダイポール照明、6ハーフトーン位相シフトマスク、s偏光でのピッチ90nm、ラインサイズ45nmのX方向ラインの光学像を示す。また、図3は、波長193nmのArFエキシマレーザーを用いたNA1.3レンズ、ダイポール照明、6ハーフトーン位相シフトマスク、s偏光でのピッチ90nm、ラインサイズ45nmのY方向ラインの光学像を示す。色が濃い方が遮光部分、白い方が光の強い領域であり、白と黒のコントラスト差がはっきりしており、特に強い遮光部分が存在することが示されている。図4は、Y方向ラインにX方向ラインの光学像を重ねたコントラストイメージである。XとYのラインの組み合わせで格子状のイメージができ上がるように思われるがそうではなく、光の弱い黒い部分のパターンは円形である。円形のサイズが大きい場合は菱形形状で隣のパターンとつながり易いが、円のサイズが小さいほど円形度合いが向上し、強く遮光された小さな円が存在することが示されている。上記iiiの2回露光する方法は、iやiiの1回露光による方法に比べてスループットが低下するものの、光学コントラストが高いことから、微細なパターンを寸法均一性よく形成でき、狭ピッチ化においても有利である。1回目のラインと2回目のラインの角度は直角が好ましいが、90度以外の角度でも構わなく、1回目のラインの寸法と2回目のラインの寸法やピッチが同じであっても異なってもよい。1回目のラインと、これと異なる位置に2回目のラインが1枚のマスクに有するマスクを用いて1回目の露光と2回目の露光を連続露光することも可能である。また、1枚のマスクを用いてX方向とY方向のコントラストを強調した2回の連続した露光は、現在の市販のスキャナーで行うことが可能である。ピッチや位置がランダムに配列された微細なホールパターンの形成は困難である。密集パターンのコントラストは、ダイポール、クロスポール等の斜入射照明に位相シフトマスクと偏光を組み合わせた超解像技術によって向上させることができるが、孤立パターンのコントラストはそれほど向上しない。密集の繰り返しパターンに対して超解像技術を用いた場合、孤立パターンとの粗密プロキシミティーバイアスが問題になる。強い超解像技術を使えば使うほど密集パターンの解像力が向上するが、孤立パターンの解像力は変わらないために、粗密バイアスが拡大する。微細化に伴うホールパターンにおける粗密バイアスの増加は深刻な問題である。粗密バイアスを抑えるために、一般的にはマスクパターンの寸法にバイアスを付けることが行われている。粗密バイアスはレジスト組成物の特性、即ち、溶解コントラストや酸拡散によっても変わるために、レジスト組成物の種類毎にマスクの粗密バイアスが変化する。レジスト組成物の種類毎に粗密バイアスを変えたマスクを用いることになり、マスク製作の負担が増している。そこで、強い超解像照明で密集ホールパターンのみを解像させ、パターンの上に1回目のポジ型レジストパターンを溶解させないアルコール溶剤のネガ型レジスト膜を塗布し、不必要なホール部分を露光、現像することによって閉塞させて密集パターンと孤立パターンの両方を作製する方法Packandunpack;PAU法が提案されているProc.SPIEVol.5753p1712005。この方法の問題点は、1回目の露光と2回目の露光の位置ずれが挙げられ、この点については文献の著者も指摘している。また、2回目の現像で塞がれないホールパターンは2回現像されることになり、これによる寸法変化も問題として挙げられる。ランダムピッチのホールパターンをポジネガ反転の有機溶剤現像で形成するためには、格子状の遮光パターンが全面に配列され、ホールを形成する場所だけに格子の幅を太くしたマスクを用いることが有効である。上記iiの方法において、図9に示すようなハーフピッチ以下のライン幅による格子状の第1のシフターと、第1のシフター上に第1のシフターの線幅よりもウエハー上の寸法で2~30nm太い第2のシフターが配列された位相シフトマスクを用い、太いシフターが配列された点を現像後にホールパターンとする方法により、あるいは図11に示すようなハーフピッチ以下のライン幅による格子状の第1のシフターと、第1のシフター上に第1のシフターの線幅よりもウエハー上の寸法で2~100nm太いドットパターンの第2のシフターが配列された位相シフトマスクを用い、太いシフターが配列された点を現像後にホールパターンとする方法により、ランダムピッチのホールパターンを形成することができる。ピッチ90nmで、20nmラインの格子状パターン上に、図9に示すようにパターンを形成したい部分に十字の太い交差ラインを配置する。色の黒い部分がハーフトーンのシフター部分である。孤立性の所ほど太いライン図9では幅40nm、密集部分では幅30nmのラインが配置されている。密集パターンよりも孤立パターンの方が光の強度が弱くなるために、太いラインが用いられる。密集パターンの端の部分も光の強度がやや低下するために、密集部分の中心よりもやや幅広の32nmのラインが宛われている。図9のマスクを用いて得られた光学像のコントラストイメージを図10に示す。黒い遮光部分にポジネガ反転によってホールが形成される。ホールが形成されるべき場所以外にも黒点が見られるが、黒点のサイズは小さいために、実際には殆ど転写されない。不必要な部分の格子ラインの幅を狭くしたりする等の更なる最適化によって、不必要なホールの転写を防止することが可能である。同じく格子状の遮光パターンを全面に配列し、ホールを形成する場所だけに太いドットを配置したマスクを用いることもできる。ピッチ90nmで、15nmラインの格子状パターン上に、図11に示すようにドットを形成したい部分に太いドットを配置する。色の黒い部分がハーフトーンのシフター部分である。孤立性の所ほど大きなドット図11では一辺90nm、密集部分では一辺55nmの四角状のドットが配置されている。ドットの形状は正四角形でも、長方形、菱形、5角形、6角形、7角形、8角形以上の多角形、円形でも構わない。図11のマスクを用いて得られた光学像のコントラストイメージを図12に示す。図10に比べてもほぼ同等の黒い遮光部分が存在し、ポジネガ反転によってホールが形成されることが示されている。図13に示されるような格子状パターンが配列されていないマスクを用いた場合、図14に示されるように黒い遮光部分は現れない。この場合はホールの形成が困難であるか、もし形成できたとしても光学像のコントラストが低いために、マスク寸法のばらつきがホールの寸法のばらつきに大きく反映する結果となる。上記方法により形成されたトレンチパターン又はホールパターンを現像後、サーマルフローを行うことにより、寸法を縮小することができる。具体的には、現像後に加熱処理ポストデブロップメントベーク:以下PDBと記す。を行う方法であり、これにより、広いリソグラフィーマージンを確保できる比較的大きな寸法のパターンを形成し、そのマージンをほぼ維持したまま微細化できる。サーマルフローを行うために必要なPDB温度はレジスト組成物により異なり、特にベース樹脂の構造や分子量に大きく依存し、物性値としてはガラス転移点Tgが指標となる。高い精度で温度を制御するためには適用可能な温度範囲は実用上制限されるが、ArFレジスト用ベース樹脂として広く浸透しているメタクリレート樹脂について、これまでに提案された材料の多くはTgが高く、サーマルフロー用には不適であると思われる。一方、本発明のパターン形成方法に使用されるレジスト組成物が含有する開環メタセシス重合体水素添加物はTgが90~150°C程度であり、脱保護により多少Tgが変化する可能性があるものの、実用的なPDB温度である200°C以下でサーマルフローを行うことが可能である。以下、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例等に制限されるものではない。なお、下記例において、数平均分子量及び重量平均分子量は、溶剤としてテトラヒドロフランTHFを用いたポリスチレン換算でのゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによって測定した。レジスト組成物の調製本発明のレジスト組成物を下記表1に示す組成で配合して溶解させ、0.2μmのテフロン登録商標フィルターで濾過したレジスト溶液を調製した。また、表1中のベース樹脂の構造、分子量Mw、分散度Mw/Mnをそれぞれ下記表2~4に示す。表2~4中のかっこ内の数値は各繰り返し単位の構成比率モルを示す。また、表1中の光酸発生剤の構造を表5に、表1中のクエンチャー成分の構造を表6に示す。なお、表1中のResist-1~18が本発明のパターン形成方法に使用されるレジスト組成物に相当し、表1中のResist-19~24は比較例のレジスト組成物である。表1中に示した溶剤は以下の通りである。PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートCyHO:シクロヘキサノンGBL:γ-ブチロラクトンまた、アルカリ可溶型界面活性剤SF-15.0質量部と界面活性剤A0.1質量部を表1中に示したいずれのレジスト組成物にも添加した。アルカリ可溶型界面活性剤SF-1及び界面活性剤Aの構造を以下に示す。アルカリ可溶型界面活性剤SF-1特開2008-122932号公報記載の化合物:ポリメタクリル酸3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-1,1-ジメチル-2-トリフルオロメチルプロピルメタクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-6-メチル-2-トリフルオロメチルヘプタ-4-イル共重合物下記式界面活性剤A:3-メチル-3-2,2,2-トリフルオロエトキシメチルオキセタンテトラヒドロフラン2,2-ジメチル-1,3-プロパンジオール共重合物オムノバ社製下記式アルカリ可溶性保護膜形成用組成物の調製下記に示した組成で、樹脂TC用ポリマー1、有機溶剤を混合、溶解後にそれらをテフロン登録商標製フィルター孔径0.2μmで濾過し、保護膜形成用組成物TC-1を調製した。TC-1混合組成:TC用ポリマー1100質量部、イソアミルエーテル2,600質量部、2-メチル-1-ブタノール260質量部[実施例1~18、比較例1~12]耐エッチング性評価[評価方法]HMDSヘキサメチルジシラザン気相中で表面処理90°C、60秒間したシリコンウエハー上に、上記表1に示したレジスト組成物をスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100°Cで60秒間ベークPABし、レジスト膜の厚みを100nmにした。その後、ArFエキシマレーザースキャナー株ニコン製、NSR-307E、NA0.85にてウエハー全面をオープンフレーム露光した。その際の露光量は、脱保護反応に充分な酸が光酸発生剤から生じるように、50mJ/cm2とした。その後、120°Cで60秒間ベークPEBを施すことにより、レジスト膜を形成するベース樹脂を脱保護状態に変えた。ベース樹脂が脱保護された部分はネガ型現像における不溶部に相当する。次にこれをドライエッチャー東京エレクトロン株製、CF4/CHF3ガスを用いて耐エッチング性評価を行った。1分間当たりの膜厚変化量を求め、エッチレートnm/minとした。エッチレートが低いほど、基板加工後の寸法変化やラフネスが抑制されることを示す。なお、比較例として、いくつかのレジスト組成物については、露光及びPEBを施さない状態でも耐エッチング性評価を行った。露光及びPEBを施さない場合は、ポジ型現像における不溶部の状態に相当する、ベース樹脂の溶解性基カルボン酸が保護された状態のレジスト膜を評価することになる。[評価結果]下記表7に、評価したレジスト組成物、露光及びPEBの有無、及びそれぞれの場合のエッチレートを記載した。上記表7の結果の通り、開環メタセシス重合体水素添加物をベース樹脂として含有する本発明のレジスト組成物及び比較例1,2のレジスト組成物は、脱保護状態露光、PEB処理膜においても充分にエッチレートが低いことがわかった。一方、メタクリレート樹脂をベースとする比較例のレジスト組成物は、保護状態露光、PEB未処理膜においてもエッチレートが高いが、脱保護状態においては更にエッチレートが高くなってしまうことがわかった。[実施例19~38、比較例13~26]パターニング評価1トレンチパターンの形成[評価方法]上記表1に示したレジスト組成物を、シリコンウエハーに信越化学工業株製スピンオンカーボン膜ODL-50カーボンの含有量が80質量を200nm、その上に珪素含有スピンオンハードマスクSHB-A941珪素の含有量が43質量を35nmの膜厚で成膜したトライレイヤープロセス用の基板上にスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100°Cで60秒間ベークPABし、レジスト膜の厚みを100nmにした。下記表8の実施例25、比較例11,14ではレジスト膜の上に更に保護膜形成用組成物TC-1をスピンコーティングし、90°Cで60秒間ベークし、保護膜の厚みを50nmにした。これをArFエキシマレーザー液浸スキャナー株ニコン製、NSR-610C、NA1.30、σ0.98/0.74、クロスポール開口60度、Azimuthally偏光照明、6ハーフトーン位相シフトマスクを用いて露光量及びフォーカスオフセット値を変化させながら露光を行い、その後任意の温度にて60秒間ベークPEBし、その後現像したが、マスク上のデザイン及び現像条件について下記に記載の4種Process-1~4の条件を用意した。[Process-1]マスク上デザイン1/4倍縮小投影露光のためマスク上実寸法は4倍:60nmライン/160nmピッチライン部分が遮光部。現像条件:酢酸ブチルを現像液とし、30秒間現像。その後ジイソアミルエーテルでリンス。[Process-2]マスク上デザイン1/4倍縮小投影露光のためマスク上実寸法は4倍:60nmライン/160nmピッチライン部分が遮光部。現像条件:2-ヘプタノンを現像液とし、30秒間現像。その後ジイソアミルエーテルでリンス。[Process-3]マスク上デザイン1/4倍縮小投影露光のためマスク上実寸法は4倍:60nmライン/160nmピッチライン部分が遮光部。現像条件:酢酸ブチル/安息香酸メチルの質量比1:1混合溶剤を現像液とし、30秒間現像。その後ジイソアミルエーテルでリンス。[Process-4]マスク上デザイン1/4倍縮小投影露光のためマスク上実寸法は4倍:60nmトレンチ/160nmピッチトレンチ部分が光透過部。現像条件:2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を現像液とし、30秒間現像。その後純水でリンス。上記Process-1~3は本発明の有機溶剤ネガ現像ラインパターン反転によるトレンチ形成方法であり、Process-4は比較例として実施したアルカリ現像液によるトレンチ形成方法に相当する。作製したレジストパターンを電子顕微鏡にて観察し、トレンチ寸法幅が50nmとなる露光量を最適露光量Eop、mJ/cm2とし、最適露光量におけるパターンエッジ寸法ばらつきを測定2nm間隔し、その3σ値をエッジラフネスnmとした。次に、最適露光量においてフォーカスオフセット値の異なるパターンを観察し、目標寸法との寸法差が5nm以内となるフォーカス範囲を求め、焦点深度DOF、nmとした数値が大きいほど良好。[評価結果]各レジスト組成物を評価した際の条件及び評価結果を下記表8に示す。上記表8の結果より、Process-1~3に相当する有機溶剤ネガ現像により形成したトレンチパターンがProcess-4のアルカリ水溶液ポジ現像により形成したトレンチパターンに比べて、エッジラフネス及びDOFにおいて優位であることが確認できた。また、本発明に含まれない開環メタセシス水素添加物をベース樹脂とするレジスト組成物Resist-19、20は、ネガ現像条件であっても解像性が劣ることがわかった。表8の結果より、本発明の特定のベース樹脂を含むレジスト組成物を有機溶剤ネガ現像によりトレンチを作製するパターン形成方法が、解像性と耐エッチング性を両立できることが確認された。[実施例39~54、比較例27~40]パターニング評価2ホールパターンの形成[評価方法]上記表1に示したレジスト組成物を、シリコンウエハーに信越化学工業株製スピンオンカーボン膜ODL-50カーボンの含有量が80質量を200nm、その上に珪素含有スピンオンハードマスクSHB-A941珪素の含有量が43質量を35nmの膜厚で成膜したトライレイヤープロセス用の基板上にスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100°Cで60秒間ベークPABし、レジスト膜の厚みを100nmにした。下記表9の実施例43、比較例22,23ではレジスト膜の上に更に保護膜形成用組成物TC-1をスピンコーティングし、90°Cで60秒間ベークし、保護膜の厚みを50nmにした。これをArFエキシマレーザー液浸スキャナー株ニコン製、NSR-610Cにより任意の照明条件にて1回もしくは連続の2回露光を行い、その後任意の温度にて60秒間ベークPEBし、その後現像した。露光照明条件及び6ハーフトーン位相シフトマスク上のデザイン及び現像条件について下記に記載の4種Process-5~8の条件を用意した。[Process-5]露光照明条件:NA1.30、σ0.98/0.78、クロスポール開口20度、Azimuthally偏光。マスク上デザイン1/4倍縮小投影露光のためマスク上実寸法は4倍:60nmドット/90nmピッチ、及び55nmドット/80nmピッチドット部分が遮光部。現像条件:酢酸ブチルを現像液とし、30秒間現像。その後ジイソアミルエーテルでリンス。ドット位置にホールパターンを形成。[Process-6]露光照明条件:NA1.30、σ0.98/0.78、クロスポール開口20度、Azimuthally偏光。マスク上デザイン1/4倍縮小投影露光のためマスク上実寸法は4倍:20nmライン/90nmピッチ、及び15nmライン/80nmピッチの格子状マスク格子形成のライン部分が遮光部。現像条件:酢酸ブチルを現像液とし、30秒間現像。その後ジイソアミルエーテルでリンス。格子点にホールパターンを形成。[Process-7]露光照明条件:NA1.30、σ0.98/0.78、Azimuthally偏光での連続2回露光。露光1回目はXダイポール開口20度、露光2回目はYダイポール開口20度。ここでX方向とY方向は角度90度異なる。マスク上デザイン1/4倍縮小投影露光のためマスク上実寸法は4倍:露光1回目はX方向繰り返しライン、露光2回目はY方向繰り返しラインであり、それぞれ45nmライン/90nmピッチ及び40nmライン/80nmピッチ。露光1回目と2回目とでライン/ピッチの寸法が同一のパターンが交差するように露光。現像条件:酢酸ブチルを現像液とし、30秒間現像。その後4-メチル-2-ペンタノールでリンス。2回の露光のラインの交差点にホールパターンを形成。[Process-8]露光照明条件:NA1.30、σ0.98/0.78、クロスポール開口20度、Azimuthally偏光。マスク上デザイン1/4倍縮小投影露光のためマスク上実寸法は4倍:60nmホール/90nmピッチ、及び55nmホール/80nmピッチ四角ホール、ホール部分が光透過部。現像条件:2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を現像液とし、30秒間現像。その後純水でリンス。ホール位置にホールパターンを形成。上記Process-5~7は本発明の有機溶剤ネガ現像によるホールパターン形成方法であり、Process-5はドットパターンの反転による方法、Process-6は格子パターンの反転による方法、Process-7はライン交差2回露光による方法である。また、Process-8は比較例として実施したアルカリ現像液によるホールパターン形成方法に相当する。作製したレジストパターンを電子顕微鏡にて観察、90nmピッチにおいてホール径45nmとなる露光量を最適露光量Eop、mJ/cm2とし、最適露光量においてフォーカスオフセット値の異なるパターンを観察し、目標寸法との寸法差が5nm以内となるフォーカス範囲を求め、焦点深度DOF、nmとした数値が大きいほど良好。また、対象ホール径からの寸法差が5nm以下である露光量範囲を最適露光量で割った値×100を露光余裕度とした数値が大きいほど良好。更に80nmピッチのホールが解像するか否かを確認した。[評価結果]各レジスト組成物を評価した際の条件及び評価結果を下記表9に示す。上記表9の結果より、Process-5~7の有機溶剤ネガ現像により形成したホールパターンがProcess-8のアルカリ水溶液ポジ現像により形成したホールパターンに比べて、形状及び露光余裕度の双方において優位であることが確認できた。特にProcess-7の方法においては、80nmピッチも解像することが確かめられた。また、本発明に含まれない開環メタセシス水素添加物をベース樹脂とするレジスト組成物Resist-19、20は、ネガ現像においても解像性が劣ることがわかった。表8及び表9の結果より、本発明の特定のベース樹脂を含むレジスト組成物を有機溶剤ネガ現像によりホールを作製するパターン形成方法が、解像性と耐エッチング性を両立できることが確認された。[実施例55~57、比較例41~44]サーマルフロー評価[評価方法]上記表1に示したレジスト組成物のうち数種を、前記パターニング評価2のProcess-5と同様の方法によりホールパターンを形成した後、任意温度によりPDB処理した場合の45nmホール/90nmピッチの寸法縮小量nmを調べた。また、目標寸法を30nmホール/90nmピッチとした場合の、PDB処理した場合とPDB処理しない場合の焦点深度DOF、nmを比較した。[評価結果]各レジスト組成物を評価した際の条件及び評価結果を下記表10に示す。上記表10の結果より、本発明の特定のレジスト組成物を用いた有機溶剤ネガ現像法により形成したホールパターンをPDB処理によりシュリンクさせることで、より微細なホールパターンの焦点深度を拡大できることがわかった。一方、比較例の本発明に含まれないレジスト組成物を用いた場合は、PDB温度が200°Cの場合においてもホールパターンはシュリンクせず、サーマルフロー法が適用不可であった。[実施例58~69、比較例45~58]基板加工試験[評価方法]上記表1に示したレジスト組成物を用い、上記パターニング評価1と同様の方法により、レジスト膜にトレンチパターンを転写した後、ドライエッチングを施すことにより、シリコンウエハーにトレンチパターンを転写した。ドライエッチングは、まずCHF3/CF4混合ガスをエッチャントとして用いて珪素含有スピンオンハードマスクSHB-A941の加工を行い、次にCO2/N2混合ガスをエッチャントとしてスピンオンカーボン膜ODL-50の加工を行い、その後、再びCHF3/CF4混合ガスをエッチャントとして用いて最下層のシリコンウエハーを加工し、トレンチパターンを転写した。レジスト膜にトレンチパターンを転写する際のマスク上デザインと現像液の組み合わせについて、上記パターニング評価1と同様に、上記Process-1~4の中から任意に選択した。Process-1~3は本発明の有機溶剤ネガ現像ラインパターン反転によるトレンチ形成方法であり、Process-4は比較例として実施したアルカリ現像液によるトレンチ形成方法に相当する。また、実施例62、比較例47,52では、レジストパターニングの際、レジスト膜の上に更に保護膜形成用組成物TC1をスピンコーティングし、90°Cで60秒間ベークし、保護膜の厚みを50nmにした。トレンチパターンを電子顕微鏡にて観察し、レジスト現像後の寸法幅が50nmであるトレンチパターンに対して、シリコンウエハーを加工した後の寸法幅を測定し、差分[加工後最終寸法]-[現像後寸法]を求め、加工変換差数値が小さいほど良好とした。また、シリコンウエハー加工後のトレンチパターンのエッジ寸法ばらつきを測定2nm間隔し、その3σ値をエッジラフネスnmとした数値が小さいほど良好。[評価結果]各レジストを評価した際の条件及び評価結果を下記表11に示す。上記表11の結果より、本発明の特定のレジスト組成物を用いた有機溶剤ネガ現像法により形成したパターンはドライエッチングによる加工変換差が小さいことがわかった。また、本発明のパターン形成方法は、現像後のラフネス抑制と耐エッチング性の向上を両立できることにより、特に基板加工後のラフネスにおいて優れた性能を示すことが確認された。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。"