"光ファイバの端部同士を対向させて融着接続した部分に、光ファイバ接続部補強部材を電熱ヒータの熱によって熱収縮させて装着する光ファイバ接続部補強部材の加熱装置において、前記電熱ヒータに印加される電圧を検出する電圧検出手段と、前記電熱ヒータに流れる電流を検出する電流検出手段と、前記電圧検出手段および前記電流検出手段によって検出された電圧と電流に基づいて前記電熱ヒータの温度制御を行う制御手段と、を有し、前記制御手段は、前記電圧検出手段と前記電流検出手段によって検出された電圧と電流から算出される抵抗値が昇温目標温度に対応する抵抗値以上となるまで、前記電熱ヒータに対して連続して電源電圧を印加する、ことを特徴とする光ファイバ接続部補強部材の加熱装置。前記制御手段は、算出される抵抗値が昇温目標温度に対応する抵抗値以上となった後は、一定の期間にわたって、前記算出される抵抗値が前記昇温目標温度に対応する抵抗値と略等しくなるように、前記電熱ヒータに対して電源電圧を断続的に印加する、ことを特徴とする請求項1記載の光ファイバ接続部補強部材の加熱装置。前記制御手段は、前記一定期間が経過した後は、前記電熱ヒータに対して所定の周期で瞬間的に電源電圧を印加し、算出される抵抗値が降温目標温度に対応する抵抗値以下となるまで動作を継続する、ことを特徴とする請求項2記載の光ファイバ接続部補強部材の加熱装置。光ファイバの端部同士を対向させて融着接続した部分に、光ファイバ接続部補強部材を電熱ヒータの熱によって熱収縮させて装着する光ファイバ接続部補強部材の加熱方法において、前記電熱ヒータに印加される電圧を検出する電圧検出ステップと、前記電熱ヒータに流れる電流を検出する電流検出ステップと、前記電圧検出ステップおよび前記電流検出ステップにおいて検出された電圧と電流に基づいて前記電熱ヒータの温度制御を行う制御ステップと、を有し、前記制御ステップは、前記電圧検出ステップと前記電流検出ステップによって検出された電圧と電流から算出される抵抗値が昇温目標温度に対応する抵抗値以上となるまで、前記電熱ヒータに対して連続して電源電圧を印加する、ことを特徴とする光ファイバ接続部補強部材の加熱方法。ところで、特許文献1に開示される技術では、電熱ヒータの温度検出と、電熱ヒータへの給電は同時に行うことができないことから、これらを異なるタイミングで行う必要がある。そのため、電熱ヒータの温度の検出に要する時間だけ、加熱処理時間が長くなるという問題点がある。そこで、本発明は、光ファイバの接続部分を補強する光ファイバ接続部補強部材の取り付けを迅速に行うことが可能な光ファイバ接続部補強部材の加熱装置および加熱方法を提供することである。上記課題を解決するため、本発明は、光ファイバの端部同士を対向させて融着接続した部分に、光ファイバ接続部補強部材を電熱ヒータの熱によって熱収縮させて装着する光ファイバ接続部補強部材の加熱装置において、前記電熱ヒータに印加される電圧を検出する電圧検出手段と、前記電熱ヒータに流れる電流を検出する電流検出手段と、前記電圧検出手段および前記電流検出手段によって検出された電圧と電流に基づいて前記電熱ヒータの温度制御を行う制御手段と、を有し、前記制御手段は、前記電圧検出手段と前記電流検出手段によって検出された電圧と電流から算出される抵抗値が昇温目標温度に対応する抵抗値以上となるまで、前記電熱ヒータに対して連続して電源電圧を印加することを特徴とする。この構成によれば、光ファイバの接続部分を補強する光ファイバ接続部補強部材の取り付けを迅速に行うことが可能となる。また、他の発明は、上記発明に加えて、前記制御手段は、算出される抵抗値が昇温目標温度に対応する抵抗値以上となった後は、一定の期間にわたって、前記算出される抵抗値が前記昇温目標温度に対応する抵抗値と略等しくなるように、前記電熱ヒータに対して電源電圧を断続的に印加することを特徴とする。この構成によれば、光ファイバ接続部補強部材を確実に熱収縮させることができる。また、他の発明は、上記発明に加えて、前記制御手段は、前記一定期間が経過した後は、前記電熱ヒータに対して所定の周期で瞬間的に電源電圧を印加し、算出される抵抗値が降温目標温度に対応する抵抗値以下となるまで動作を継続することを特徴とする。この構成によれば、光ファイバ接続部補強部材を確実に冷却して、変形を防ぐことができる。また、本発明は、光ファイバの端部同士を対向させて融着接続した部分に、光ファイバ接続部補強部材を電熱ヒータの熱によって熱収縮させて装着する光ファイバ接続部補強部材の加熱方法において、前記電熱ヒータに印加される電圧を検出する電圧検出ステップと、前記電熱ヒータに流れる電流を検出する電流検出ステップと、前記電圧検出ステップおよび前記電流検出ステップにおいて検出された電圧と電流に基づいて前記電熱ヒータの温度制御を行う制御ステップと、を有し、前記制御ステップは、前記電圧検出ステップと前記電流検出ステップによって検出された電圧と電流から算出される抵抗値が昇温目標温度に対応する抵抗値以上となるまで、前記電熱ヒータに対して連続して電源電圧を印加する、ことを特徴とする。この方法によれば、光ファイバの接続部分を補強する光ファイバ接続部補強部材の取り付けを迅速に行うことが可能となる。本発明によれば、光ファイバの接続部分を補強する光ファイバ接続部補強部材の取り付けを迅速に行うことが可能な光ファイバ接続部補強部材の加熱装置および加熱方法を提供することが可能となる。次に、本発明の実施形態について説明する。図1は本発明の実施形態に係る光ファイバ接続部補強部材の加熱装置30以下、単に加熱装置30と称するの構成例を示すブロック図である。この図に示すように、加熱装置30は、バッテリ31、抵抗32、ヒータユニット20、半導体スイッチ33、分圧回路34、増幅回路35、A/DAnalogtoDigital変換回路36,37、および、制御回路38を主要な構成要素としている。ここで、バッテリ31は、例えば、ニッケルカドミウム電池または鉛蓄電池等の二次電池または一次電池によって構成され、所定の直流電圧この例では12Vを出力する。抵抗32は、ヒータユニット20に流れる電流を検出するためのシャント抵抗であり、例えば、0.02Ω程度の抵抗値を有する。抵抗32の両端に生じた電圧は、増幅回路35に入力される。ヒータユニット20は、例えば、図2に示すように、セラミック等のプレート状のヒータ基体22に加熱導体としての電熱ヒータ21以下、単にヒータ21と称するを埋設したものであり、ヒータ21の中央部分の導体を両側の部分より密に形成し、中央部分の発熱量が両側部分の発熱量よりも多くなるように設定されている。これにより、ヒータユニット20の両側より中央部分の温度の方が高くなることから、まず、中央部分の熱溶融チューブ11が溶融しはじめ、ついで、中央部分の熱収縮チューブ13が熱収縮し、熱溶融チューブ11を中央部分から両端部分に向けて押し出すようにして熱溶融と熱収縮が進行する。その結果、熱溶融チューブ11内に気泡が残ることなく、融着接続部19の周囲に溶融した熱溶融チューブ11が充填される。なお、ヒータ21の抵抗値は、常温25°C下において、例えば、9.5Ωである。半導体スイッチ33は、例えば、MOS-FETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor等によって構成される。半導体スイッチ33は、制御回路38からの制御信号によってその状態が制御され、オンの状態導通状態にされた場合には、バッテリ31からの直流電圧が抵抗32を介してヒータユニット20のヒータ21に供給される。また、オフの状態遮断状態にされた場合には、バッテリ31からヒータ21への直流電圧の供給が停止される。分圧回路34は、例えば、直列接続された抵抗素子等によって構成され、バッテリ31の直流電圧=12Vを、例えば、1/4程度に分圧し、A/D変換回路36の入力電圧範囲=0~3.3Vに適合する電圧範囲に変換して出力する。なお、バッテリ31の電圧またはA/D変換回路36の入力電圧範囲によっては、これ以外の分圧比であってもよい。増幅回路35は、抵抗32に現れる電圧を、所定のゲインで増幅し、A/D変換回路37に出力する。ここで、抵抗32に現れる電圧は、半導体スイッチ33のオン抵抗およびバッテリ31の内部抵抗を無視し、ヒータユニット20のヒータ21の抵抗値を9.5Ωとすると、0.02Ω/0.02Ω9.5Ω×12V≒0.025Vとなる。したがって、当該電圧をA/D変換回路37の入力電圧範囲0~3.3Vに適合する電圧範囲に変換するため、増幅回路35は、入力電圧を100倍に増幅して出力する。なお、抵抗32およびヒータ21の抵抗値またはA/D変換回路37の入力電圧範囲によっては、これ以外のゲインであってもよい。A/D変換回路36は、分圧回路34から出力される電圧を所定のサンプリング周期でサンプリングし、所定の量子化ビット数で量子化し、デジタル信号として出力する。A/D変換回路37は、増幅回路35から出力される電圧を所定のサンプリング周期でサンプリングし、所定の量子化ビット数で量子化し、デジタル信号として出力する。ここで、A/D変換回路36,37のサンプリング周期および量子化ビット数について説明する。まず、サンプリング周期については、常温である25°Cから昇温目標温度である250°Cまで上昇するために要する時間は、12.5秒程度である。そこで、オーバーシュートを1°C以下とする場合、サンプリング周期は、0.055秒≒12.5秒/250°C-25°C以下に設定すればよい。また、量子化ビット数については、抵抗32の抵抗値が0.02Ωであり、増幅回路35のゲインが100倍である場合、1°Cあたりの分解能は、実測によれば、0.00199V程度となる。ここで、リファレンス電圧が3.3VのA/D変換回路の場合、量子化ビット数が10bitであるときは1LSBの分解能は0.00322Vとなり、量子化ビット数が12bitであるときは1LSBの分解能は0.0008Vとなる。このため、量子化ビット数が12bitのA/D変換回路を使用することが望ましい。制御回路38は、例えば、CPUCentralProcessingUnit、ROMReadOnlyMemory、RAMRandomAccessMemory、および、I/FInterface等によって構成され、ROMに格納されている制御プログラムに基づいて、A/D変換回路36,37を制御して、サンプリングされたデータを入力するとともに、これらデータに基づいて、半導体スイッチ33を制御し、ヒータユニット20の温度を制御する。つぎに、本実施形態の動作について説明する。以下では、まず、図3を参照して、本実施形態の動作の概要について説明した後、図4~図7のフローチャートを参照して、詳細な動作を説明する。まず、本実施形態の動作の概要について説明する。図3は、本実施形態の加熱装置30の動作の概要を説明するための図である。この図において、図3Aは、A/D変換回路36,37のサンプリング周期を示している。図3Bは、ヒータ21に印加される電圧の時間的変化を示している。図3Cは、ヒータ21の温度の時間的変化を示している。なお、本実施形態では、図3Cに示すように、ヒータ21の温度は、T0~T1の期間における温度上昇処理により昇温目標温度である250°Cまで上昇され、T1~T2の期間における温度維持処理により250°Cに一定期間維持され、T2~T3の期間における温度下降処理により降温目標温度である100°Cまで下降される。このような制御により、光ファイバ接続部補強部材14を収縮させて、補強接続部15を生成する。なお、ヒータ21の温度とは、例えば、図2に示すヒータ21の中央付近温度が最も高い部分の温度をいうものとする。ここで、T0~T1の期間における温度上昇処理では、図3Bに示すように、半導体スイッチ33が連続してオンの状態に保持されるとともに、図3Aに示すように、サンプリング周期τ1例えば、10msec毎に分圧回路34および増幅回路35の出力がサンプリングされてヒータ21の抵抗値が算出される。そして、算出された抵抗値Rが昇温目標温度である250°Cにおけるヒータ21の抵抗値R1既知の値と比較され、R≧R1となった場合には、250°Cに達したとしてT1~T2の期間で示す温度維持処理に移行する。温度維持処理では、サンプリング周期τ1毎にヒータ21の抵抗値Rが算出され、R=R1となるように、半導体スイッチ33が断続的に制御される例えば、PWMPulseWidthModulation制御されることで、250°Cに維持される。そして、所定の時間Th例えば、20秒が経過した場合には、T2~T3の期間で示す温度下降処理に移行する。温度下降処理では、図3Aに示すように、サンプリング周期τ2例えば、100msec毎に、半導体スイッチ33が瞬間的にヒータ21の抵抗値Rを測定するために十分な時間例えば、1msecだけオンの状態とされ図3B参照、抵抗値Rが降温目標温度である100°Cに対応する抵抗値R2既知の値と比較される。そして、R≦R2となった場合には処理を終了する。以上の処理によれば、温度上昇処理では、ヒータ21に連続して電源電圧を印加するようにしたので、昇温に要する時間を短縮することができる。また、ヒータ21に印加される電圧と、流れる電流とを測定して抵抗値を求め、当該抵抗値に基づいて制御を行うようにしたので、サーミスタを使用する場合に比較して、温度制御をより正確に行うことができる。つぎに、図4~図7に示すフローチャートを参照して、本実施形態の加熱装置30において実行される処理について説明する。なお、図4~図7に示す処理は、制御回路38の図示せぬROMに格納されている制御プログラムが実行されることにより実現される。図4は、本実施形態の加熱装置30において実行されるメインの処理を説明するフローチャートである。まず、図8に示すように、光ファイバ10の心線の融着接続部19に、熱溶融チューブ11、補強体12、および、熱収縮チューブ13からなる光ファイバ接続部補強部材14を被せた後、これをヒータユニット20に近接させ、制御回路38に対して加熱開始を指示する。加熱開始が指示されると、制御回路38は、ステップS10において、半導体スイッチ33をオンの状態にする。この結果、バッテリ31から直流電力がヒータ21に供給される。ステップS11では、制御回路38は、ヒータ21を昇温目標温度である250°Cまで上昇させる温度上昇処理を実行する。なお、この処理の詳細については、図5を参照して後述する。ステップS12では、制御回路38は、半導体スイッチ33をオフの状態に制御する。この結果、バッテリ31からヒータ21への直流電力の供給が停止される。ステップS13では、制御回路38は、ヒータ21を所定の期間250°Cに維持する温度維持処理を実行する。なお、この処理の詳細については、図6を参照して後述する。ステップS14では、制御回路38は、ヒータ21を降温目標温度である100°Cまで下降させる温度下降処理を実行する。なお、この処理の詳細については、図7を参照して後述する。図4の処理により、図3Cに示すような温度制御が実現される。図5は、図4のステップS11に示す温度上昇処理の詳細を説明するためのフローチャートである。このフローチャートの処理が開始されると、ステップS30において、制御回路38は、不図示のタイマを参照し、時間τ1例えば、10msecが経過したか否かを判定し、経過したと判定した場合ステップS30;YesにはステップS31に進み、それ以外の場合ステップS30;Noには時間τ1が経過するまで同じ処理を繰り返す。ステップS31では、制御回路38は、A/D変換回路36から出力されるデータを参照し、ヒータ21に印加される電圧を測定する。具体的には、分圧回路34から出力される電圧は、ヒータ21に印加されている電圧を1/4倍した値であるので、制御回路38はA/D変換回路36から出力されたデータを4倍することにより実際の電圧を求める。なお、分圧回路34が検出する電圧は、実際には、ヒータ21だけではなく、抵抗32および半導体スイッチ33のオン抵抗によって生じる電圧も含んでいるが、これらの抵抗値はヒータ21の抵抗値に比較して非常に小さいので無視する。ステップS32では、制御回路38は、A/D変換回路37から出力されるデータを参照し、ヒータ21に流れる電流を測定する。具体的には、増幅回路35から出力される電圧は、抵抗32に印加されている電圧を100倍にした値であるので、制御回路38はA/D変換回路37から出力されたデータを1/100倍し、抵抗32の抵抗値0.02Ωで除して、電流値を求める。例えば、検出された電圧が2.4Vであるとすると、電流値として1.2A=2.4V/100/0.02Ωが得られる。ステップS33では、制御回路38は、ステップS31で測定した電圧を、ステップS32で測定した電流で除することにより、ヒータ21の抵抗値Rを算出する。具体的には、測定した電圧が12Vであって、測定した電流が1.2Aであるとすると、ヒータ21の抵抗値Rとして10Ω=12V/1.2Aが得られる。ステップS34では、制御回路38は、ステップS33において算出された抵抗値Rに基づいて異常が発生しているか否かを判定し、異常が発生していると判定した場合ステップS34;YesにはステップS35に進み、それ以外の場合ステップS34;NoにはステップS36に進む。具体的には、抵抗値Rが無限大に近い場合には、断線が生じたまたはヒータユニット20の未接続と判定してステップS35に進み、あるいは、抵抗値Rが0に近い場合には、短絡が生じたと判定してステップS35に進む。なお、ステップS35では、異常が発生したとして、半導体スイッチ33をオフの状態にし、例えば、図示せぬ表示部に異常が発生したことを示す所定の情報を表示して終了する。表示部に表示を行うのではなく、例えば、LEDLightEmittingDiodeを点灯したり、ブザーを鳴動させるようにしたりしてもよい。ステップS36では、ステップS33で算出した抵抗値Rが昇温目標温度250°Cにおけるヒータ21の抵抗値R1以上であるかを判定し、R1以上であると判定した場合ステップS36;Yesには図4のステップS12の処理に復帰リターンし、それ以外の場合ステップS36;Noには処理を終了する。具体的には、抵抗値Rが250°Cにおけるヒータ21の抵抗値R1例えば、11.5Ω以上になった場合にはステップS12の処理に復帰する。なお、昇温目標温度における抵抗値R1については、例えば、ヒータユニット20の温度をサーモカメラで検出しながら、抵抗値を実測することによって求めることができる。以上の処理により、半導体スイッチ33がオンの状態にされ、ヒータ21に電源電力が供給される。そして、サンプリング周期τ1毎にヒータ21の抵抗値Rが算出され、抵抗値Rが250°Cにおけるヒータ21の抵抗値R1以上となった場合には、昇温目的温度に到達したとして処理を終了する。なお、温度上昇処理中は、半導体スイッチ33は、常にオンの状態を維持することから、特許文献1に示すように、測定のために電源電力の供給を停止する必要がないので、昇温目的温度まで迅速に温度を上昇させることができる。また、サンプリング周期τ1については、前述した、オーバーシュートを1°C以下とするための0.055秒=55msecを下回る10msecに設定することにより、オーバーシュートの発生を確実に防止できる。つぎに、図6を参照して、図4のステップS13に示す温度維持処理の詳細について説明する。図6に示す処理が開始されると、ステップS50において、制御回路38は、時間τ1が経過したか否かを判定し、時間τ1例えば、10msecが経過したと判定した場合ステップS50;YesにはステップS51に進み、それ以外の場合ステップS50;Noには時間τ1が経過するまで同様の処理を繰り返す。ステップS51では、制御回路38は、半導体スイッチ33をオンの状態にして、ヒータ21に対して電源電力を供給する。ステップS52では、制御回路38は前述したステップS31と同様に、ヒータ21に印加される電圧を測定する。ステップS53では、制御回路38は前述したステップS32と同様に、ヒータ21に流れる電流を測定する。ステップS54では、制御回路38は、半導体スイッチ33をオフの状態とし、ヒータ21への電源電力の供給を停止する。なお、ステップS51からステップS54の処理は非常に短期間例えば、1msec未満の期間に実行されるので、この期間中に供給される電力によってヒータ21の温度が上昇することを防止できる。ステップS55では、前述したステップS33の場合と同様に、ステップS52とステップS53で測定した電圧と電流に基づいて、ヒータ21の抵抗値Rを算出する。ステップS56では、算出した抵抗値Rに基づいて、例えば、短絡や開放等の異常が発生したか否かを判定し、異常が発生したと判定した場合ステップS56;YesにはステップS57に進み、異常が発生したとして処理を終了し、それ以外の場合ステップS56;NoにはステップS58に進む。ステップS58では、制御回路38は、ステップS55で算出したヒータ21の抵抗値Rが、250°Cにおけるヒータ21の抵抗値R1よりも小さいか否かを判定し、小さいと判定した場合ステップS58;YesにはステップS59に進み、それ以外の場合ステップS58;NoにはステップS60に進む。ステップS59では、半導体スイッチ33がオンの状態にされ、ヒータ21に対して電源電力が供給される。一方、ステップS60では、半導体スイッチ33がオフの状態にされ、ヒータ21に対する電源電力の供給が停止される。ステップS61では、制御回路38は、図6の温度維持処理を開始してから、所定の時間Th例えば、20秒が経過したか否かを判定し、経過したと判定した場合ステップS61;Yesには図4のステップS14の処理に復帰リターンし、それ以外の場合ステップS61;NoにはステップS50に戻って前述の場合と同様の処理を繰り返す。以上の処理によれば、所定のサンプリング周期τ1毎にヒータ21の抵抗値Rが算出され、250°Cにおけるヒータ21の抵抗値R1と算出された抵抗値Rが比較され、R<R1の場合には半導体スイッチ33がオンの状態とされ、R≧R1の場合には半導体スイッチ33がオフの状態とされ、ヒータ21の温度が250°Cに維持される。なお、サンプリング周期τ1については、前述した、オーバーシュートを1°C以下とするための0.055秒=55msecを下回る10msecに設定したので、高い精度でヒータ21の温度を250°Cに維持することができる。つぎに、図7を参照して、図4のステップS14に示す温度下降処理の詳細について説明する。図7の処理が開始されると、ステップS70において、制御回路38は、時間τ2例えば、100msecが経過したか否かを判定し、時間τ2が経過したと判定した場合ステップS70;YesにはステップS71に進み、それ以外の場合ステップS70;Noには時間τ2が経過するまで同様の処理を繰り返す。ステップS71では、制御回路38は、半導体スイッチ33をオンの状態にし、ヒータ21に対して電源電力を供給する。ステップS72では、制御回路38は前述したステップS31と同様に、ヒータ21に印加される電圧を測定する。ステップS73では、制御回路38は前述したステップS32と同様に、ヒータ21に流れる電流を測定する。ステップS74では、制御回路38は、半導体スイッチ33をオフの状態とし、ヒータ21への電源電力の供給を停止する。なお、ステップS71からステップS74の処理は非常に短期間例えば、1msec未満の期間に実行されるので、この期間中に供給される電力によってヒータ21の温度が上昇することを防止できる。ステップS75では、前述したステップS33の場合と同様に、ステップS72とステップS73で測定した電圧と電流に基づいて、ヒータ21の抵抗値Rを算出する。ステップS76では、算出した抵抗値Rに基づいて、例えば、短絡や開放等の異常が発生したか否かを判定し、異常が発生したと判定した場合ステップS76;YesにはステップS77に進み、異常が発生したとして処理を終了し、それ以外の場合ステップS76;NoにはステップS78に進む。ステップS78では、制御回路38は、ステップS75で算出したヒータ21の抵抗値Rが、降温目標温度である100°Cにおけるヒータ21の抵抗値R2以下か否かを判定し、R2以下と判定した場合ステップS78;Yesには図4の処理に復帰して処理を終了し、それ以外の場合ステップS78;NoにはステップS70に戻って、前述の場合と同様の処理を繰り返す。以上の処理によれば、所定のサンプリング周期τ2毎にヒータ21の抵抗値Rが算出され、降温目標温度である100°Cにおけるヒータ21の抵抗値R2と算出された抵抗値Rが比較され、R≦R2の場合には冷却が完了したと判定されて処理を終了し、それ以外の場合には100°C以下に下降するまで同様の処理が繰り返される。以上に説明したように、本発明の実施形態によれば、ヒータ21に印加される電圧と、流れる電流からヒータ21の抵抗値Rを算出し、昇温目標温度である250°Cに対応する抵抗値R1以上になるまで、ヒータ21に対して連続して電源電圧を印加するようにしたので、温度を高精度で検出して制御を行うことができるとともに、連続して電源電圧を印加することから、昇温を迅速に行うことができる。また、以上の実施形態では、ヒータ21に印加される電圧を検出するようにしたので、バッテリ31の残容量による電圧変化や、バッテリ31の内部抵抗による電圧降下による影響を排除し、ヒータ21の抵抗値を正確に検出することができるため、温度制御を確実に行うことができる。また、以上の実施形態では、ヒータ21の温度が昇温目標温度に達した場合には、一定時間Thの間、抵抗値Rが昇温目標温度に維持されるようにヒータ21に電力を断続的に供給するようにしたので、光ファイバ接続部補強部材14を確実に収縮させ、光ファイバの接続部を補強することができる。また、以上の実施形態では、一定時間Thが経過した後は、ヒータ21に対して所定の周期で瞬間的に電源電圧を印加し、算出される抵抗値が降温目標温度に対応する抵抗値以下になるまで動作を継続するようにしたので、ヒータ21を降温目標温度まで確実に冷却することができる。また、ヒータ21の抵抗値を測定するための電源電圧の印加は、非常に短期間例えば、電圧および電流を測定できる最短の期間に行うようにしたので、測定によってヒータ21の冷却が遅延されることはない。例えば、測定に1msecを要する場合であっても、サンプリング周期である100msecに対しては、1/100の期間であるので、温度降下に及ぼす影響は僅少である。なお、上記の実施形態は、一例であって、これ以外にも各種の変形実施態様が存在する。例えば、図1に示す実施形態では、分圧回路34の検出位置を、抵抗32よりもバッテリ31側としたが、例えば、抵抗32とヒータ21の間の電圧を検出するようにしてもよい。また、図1に示す、抵抗32、ヒータ21および半導体スイッチ33の配置関係を適宜入れ替えてもよい。例えば、グランド側からヒータ21、抵抗32および半導体スイッチ33の順としたり、それ以外の順としたりしてもよい。また、ヒータユニット20としては、図2に示す構造のものを例に挙げて説明したが、例えば、ヒータ21としては電熱線ではなく、セラミックヒータを使用してもよい。セラミックヒータの場合も、温度によって抵抗値が変化するので、本発明を適用することができる。また、ヒータは、1つだけでなく、複数のヒータを直列または並列に接続して構成してもよい。直列接続の場合には、最も高温となるヒータの温度を測定しながら、昇温目標温度と降温目標温度における抵抗値をそれぞれ測定し、当該測定値を用いて制御するようにすればよい。また、並列接続されている場合には、並列接続されているヒータのうち、例えば、最も高温になるヒータについてのみ昇温目標温度と降温目標温度における抵抗値をそれぞれ測定するとともに、当該ヒータのみの電流と電圧を測定し、当該測定値に基づいて全てのヒータについて制御を行うようにすればよい。また、以上の実施形態における、τ1、τ2、Thの具体値については、一例であって前述した値に限定されるものではない。また、昇温目標温度と降温目標温度について、250°Cと100°Cを例に挙げて説明したが、これらの値に限定されるものではない。また、以上の実施形態では、温度上昇処理と温度維持処理におけるサンプリング周期はτ1で同じとしたが、これらを異なる周期に設定するようにしてもよい。例えば、温度上昇処理では、温度検出の分解能によってサンプリング周期を求め、温度維持処理では、温度制御の分解能によってサンプリング周期を求めるようにしてもよい。前者については、温度検出の分解能を1°Cに設定する場合には、前述したように225°C上昇させるために要する時間を225°Cで除した時間がサンプリング周期τ1となる。また、後者については、図6の処理に示すように、ヒータ21に通電される時間の最小単位は、サンプリング周期τ1であるので、当該周期では温度の変動が大きい場合には、サンプリング周期をτ1より短く設定するようにしてもよい。あるいは、ある程度の変動が許容できる場合には、サンプリング周期をτ1より長く設定するようにしてもよい。また、以上の実施形態では、温度下降処理においては、自然冷却するようにしたが、例えば、冷却ファンを用いて強制的に送風して、温度の下降を早めるようにしてもよい。"