ステージ上に配置された基板と、レーザーを照射する光学ユニットとを相対的に走査し、前記基板の表面に前記レーザーを照射することで、前記基板上の非晶質シリコン薄膜を結晶化させるレーザーアニール方法であって、前記基板にレーザを照射する以前に、前記ステージの範囲外のモニタリング機構にレーザを照射して、レーザー照射の立ち上がりの状態をモニタリングし、前記レーザの立ち上がりが所望の状態であれば、前記基板に対しレーザを照射すること、を特徴とするレーザーアニール方法。基板を配置するステージと、前記ステージに対向して配置されレーザを照射する光学ユニットと、前記ステージと前記光学ユニットとを相対的に走査させる搬送機構と、を有するレーザーアニール装置であって、前記ステージの範囲外にモニタリング機構を備え、前記モニタリング機構は、前記光学ユニットから照射されるレーザの立ち上がりの状態をモニタリングする機能を有すること、を特徴とするレーザーアニール装置。前記モニタリングする機構は、レーザーの進行方向を周期的に変化させるビーム偏向手段と、レーザーの出力の測定手段とから構成され、前記ビーム偏向手段は、レーザーの立ち上がりに要する時間を1周期とした場合、この1周期と同期して周期的にレーザーを偏向させる機構であり、レーザーの出力の測定手段は、前記ビーム偏向手段によって偏向されたレーザーのうち、特定の方向に進むレーザーの出力のみを測定する機構である、請求項1記載のレーザーアニール装置。前記ビーム偏向手段は、ポリゴンミラー又はガルバノミラーである、請求項2または3に記載のレーザーアニール装置。一方、ステージとレーザーを相対走査しながらレーザーを基板に照射する場合、走査の間、レーザーの照射を常時連続的に行なうと、基板を載置しているステージの端部にもレーザーが照射されてしまう。ステージは、グラナイトなどの石製やアルミなどの金属製であり、耐熱性は高いが、それでもレーザーの出力が高いため、ステージにレーザーが照射されると、表面が焦げたり、アブレーションしたりして損傷し、発塵源になってしまう。そのため、レーザーの照射位置が基板の外にあるときはレーザーの照射を停止し、レーザーの照射領域は基板表面の内側の領域のみにしなければならない。従って、レーザーの照射はステージ走査とタイミングを合わせ、相対移動中の基板上へのレーザーの照射位置が基板上に来た瞬間にレーザーの照射を開始する必要がある。基板走査と連動して行なうレーザー照射開始位置の精度は、基板端から照射が必要なトランジスタ形成領域との距離に依存するが、近年の液晶ディスプレイや有機ELディスプレイは高精細化が進み、かつ、基板の有効活用のために基板端のすぐ近傍までパターン以降パターン端が形成されている場合が多く、基板端とパターン端の距離は10mm以下になる場合もある。すると、上述のような例の場合、走査速度500mm/sで10mmの通過時間を考えると20ms程度になり、この間にレーザーの出力を0から所定値に変化させなければならない。レーザーの出力を変化させる方法としては、レーザー発振源から放出された光を機械的シャッターで遮断し制御する方法、光学素子に機械的な変動機構を設けて光路を変化させる方法、光源の出力を電気的に変化させる方法などがあるが、このうち、レーザー発振源の出力を電気的に変化させる方法は、照射を行なっていない間はレーザーの発振そのものを停止させるため、エネルギーの無駄をなくすことができ、好ましい。しかしながら、一般にレーザーは発振を開始した直後は出力が不安定であるため、走査中に極短時間での照射のオンオフを制御して照射領域を定義した場合、照射開始位置付近でのレーザー出力の管理、特に量産で長期間使用した場合のレーザーの安定性の経時変化の管理が重要になり、生産と並行して恒常的にレーザーの立ち上がりの状態をモニタリングする機構が求められている。また、従来のレーザーアニール装置には上記レーザーの立ち上がりの状態をモニタリングする機構を有したものは特に見当たらない。本発明は、上記従来の課題を解決するものであり、レーザーの立ち上がりの状態をモニタリングする機構を有することで、生産時のレーザアニールプロセスの安定性を容易に管理することが可能な、レーザーアニール方法および装置を提供するものである。上記目的を達成するために、本発明のレーザーアニール方法は、ステージ上に配置された基板と、レーザーを照射する光学ユニットとを相対的に走査し、前記基板の表面に前記レーザーを照射することで、前記基板上の非晶質シリコン薄膜を結晶化させるレーザーアニール方法であって、前記基板にレーザを照射する以前に、前記ステージの範囲外のモニタリング機構にレーザを照射して、レーザー照射の立ち上がりの状態をモニタリングし、前記レーザの立ち上がりが所望の状態であれば、前記基板に対しレーザを照射することを特徴とするものである。また、本発明のレーザーアニール装置は、基板を配置するステージと、前記ステージに対向して配置されレーザを照射する光学ユニットと、前記ステージと前記光学ユニットとを相対的に走査させる搬送機構と、を有するレーザーアニール装置であって、前記ステージの範囲外にモニタリング機構を備え、前記モニタリング機構は、前記光学ユニットから照射されるレーザの立ち上がりの状態をモニタリングする機能を有することを特徴とするものである。このとき、本発明のレーザーアニール装置は、レーザー照射の立ち上がり状態をモニタリングする機構はレーザーの進行方向を周期的に変化させるビーム偏向手段とレーザーの出力の測定手段から構成され、このビーム偏向手段はレーザーの立ち上がりに要する時間を1周期とした場合、この1周期と同期して周期的にレーザーを偏向させる機構を有しており、また、レーザーの出力の測定装置は上記ビーム偏向手段によって偏向されたレーザーのうち、特定の方向に進むレーザーの出力を測定する機構を有している。以上のように、本発明のレーザーアニール装置によると、レーザーの立ち上がりの状態をモニタリングすることが可能になり、生産時のレーザアニールプロセスの安定性を容易に管理でき、レーザーアニール工程の生産安定性を高めることができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。実施の形態1図1は、本発明の実施の形態1におけるレーザーアニール装置の概要図である。このレーザーアニール装置は、ステージ11と、ガントリ12と、ガントリ12に搭載されるミラーと、レンズなどの光学素子を組み合わせた光学ユニット13と、光学ユニット13から照射されるレーザー15を供給するレーザー発振源図示せずと、から構成される。上記レーザー発振源から発振されたレーザーを整形し、基板表面で焦点を取るように光学素子を組み合わせた光学ユニット13は、基板14を載置したステージ11とガントリ12を相対走査しつつ、レーザー照射位置に基板の端部がきた瞬間に基板14にレーザー照射を開始し、照射したレーザー15により基板14に成膜されている非晶質シリコン薄膜を加熱することでシリコン膜を結晶化させる。更に、このレーザーアニール装置は、レーザー照射位置に基板端が来た瞬間に基板14にレーザー照射を開始する際の照射の立ち上がりの状態をモニタリングするモニタリング機構16を有している。以下、本発明のレーザーアニール装置で行うアニール工程を説明する。まず、レーザーアニール装置のステージ11は、待機位置図示しないに移動し、基板14のロードが行なわれる。ステージ11上に載せられた基板14は、カメラや突き当てピンなどでアライメントが実施され、光学ユニット13とステージ11は、照射開始位置19に移動する。なお、ステージ11とガントリ12との相対走査を行なう場合、ステージ11側、ガントリ12側のいずれを駆動させても良いが、ここでは、ステージ11を移動させて走査を行なう方式のレーザーアニール装置で説明する。また、ステージ11を制御、駆動する機構図示せずとしては、リニアモーター、ボールネジなどを用いることができるが、速度精度、速度ムラ、駆動時の揺動などを考慮するとリニアモーターを用いるのが良い。なお、図1において、レーザーアニール装置の走査方向21は図中の矢印の方向である。即ち、紙面奥から紙面手前方向に向かって走査してアニールを行なう。照射開始位置19は、走査方向のパターン端の位置に、ステージの走査を始める瞬間のステージの加速時に移動する距離を加えた位置になる。従って、ステージ11の加速度が大きければ照射開始位置19は、パターン端と基板端の間、すなわち、図1の基板上に位置させることができるが、ステージの加速度を大きくすると、ステージを制御、駆動する機構の出力を大きくする必要があり好ましくない。従って、照射開始位置19は基板の外側、或いは、ステージ11の外側に位置させることが好ましい。なお、図1において、照射開始位置19は基板14の外側でステージ11の内側になる部分に位置している。照射開始位置19に移動したステージ11は、シリコン膜にレーザー15を照射してアニールを行なう時の走査速度まで図1の矢印の走査方向21の向きに加速を行う。ステージ加速中、あるいは、ステージ速度が走査速度に達した後にレーザーが基板の端部の照射開始位置19に到達する。ステージ11の走査位置が照射開始位置19に到達すると同時に光学ユニット13からレーザー15の照射が開始される。更に、レーザー15の出力はパターン端部と交差する点、すなわち、アニール開始位置20に到達する前に、照射された非晶質シリコン膜が所望の結晶化を行うために必要な出力に到達しなければならない。アニール開始位置20より先には結晶化されるべき非晶質シリコン膜があり、走査によってこのシリコン膜をアニールして結晶化させる。ステージ11の走査が進み、レーザー照射位置が反対側の基板端に達すると、レーザー15は照射を停止し、ステージの走査も停止する。続いて、光学ユニット13はガントリ12に沿って移動し、次の照射位置につく。続いて、ステージ11は逆方向への走査を開始し、レーザー15の照射位置が基板端に到達すると、再度、光学ユニット13はレーザー15の照射を開始する。この動作をレーザー15が被照射基板全面を照射するまで繰り返し、被照射基板全体の非晶質シリコン膜を結晶化する。被照射基板全面に照射を行なった後、ステージ11は待機位置に移動し、基板14はアンロードされ、次の工程に送られ、レーザーアニール工程は完了する。その後、新しい基板14がレーザーアニール装置にロードされる。なお、ここでは、ステージ11の往復いずれの方向でも基板14にレーザー15を照射してアニールを行っているが、1方向の走査だけでアニールを行い、反対方向の走査では照射を行なわないという照射方法でも良い。このようなレーザーアニール工程において、走査時にレーザー15の照射開始位置19が基板の端部の外側にあり、走査が基板に到達する前に光学ユニット13からレーザーの照射が開始されると、レーザーがステージ11に照射されてしまい、ステージが焦げたり、アブレーションを起こしたりしてステージ破損やパーティクル発生の原因になるため、これを避けなければならない。また、照射開始位置19より内側には、ディスプレイパネルのパターン形成領域、或いは、周辺回路の形成領域があり、レーザー照射がこれらの領域に達した時には安定した出力でレーザーの照射を行えないと、非晶質シリコン膜の結晶化にムラが生じ、形成するトランジスタの特性のバラツキが生じてしまうため、これも避けなければならない。従って、非晶質シリコン膜を結晶化させるために必要なレーザー15の出力をPとすると、照射開始位置19からアニール開始位置20までの間に、光学ユニット13から照射されるレーザーの出力を0からPに変調しなければならない。一方、レーザーの照射位置が基板端に到達した時点からパターン端に到達するまでの時間Tは、レーザー照射時のステージ走査速度とパターン端の基板端からの距離とによって決まるが、例えば、走査速度500mm/sで、パターン端が基板端から10mmの位置にある場合、T=20msになる。光学ユニットから照射されるレーザーの出力を変調する手段としては、チョッパーやシャッターなどでレーザー発振源から放出された光を機械的に遮断し制御する方法、光学素子に機械的な変動機構を設けて光路を変化させたり、透過率、反射率を変化させたりする方法、光源の出力を電気的に変化させる方法などがある。このうち、レーザー発振源の出力を電気的に変化させる方法は、レーザ照射を行なっていない間はレーザーの発振そのものを停止させるため、エネルギーの無駄をなくすことができ、好ましい。いずれの方法で光学ユニットから照射されるレーザーの出力を変調する場合でも、上記の理由によって、時間0からTの間に出力を0からPに確実に変調させる必要がある。特に、量産時は長期間の稼動によるレーザー発振源の経時変化によって、変調の安定性が変化しないかどうかをモニタリングする必要がある。図2は、本発明のレーザーアニール装置は、基板に対しレーザー照射を開始した直後のレーザー照射の立ち上がりの状態をモニタリングしている状態を示した概略図である。図2に示すように、本発明のレーザーアニール装置は、レーザ照射を開始した直後のレーザー照射の立ち上がりの状態をモニタリングするモニタリング機構16を有しているため、量産時の経時変化によって、変調の安定性が変化しないかをモニタリングすることが可能である。また、レーザー照射の立ち上がりの状態のモニタリングは、基板にレーザー照射を行なっていない時間、例えば、基板のロード、アンロード、アライメントなど生産時のレーザー非照射時間帯や、メンテナンス時間などの非生産時に行うことができる。レーザー照射の立ち上がりの状態のモニタリングを行なうことで、レーザー照射開始時のレーザーの安定性を確認することができ、安定性を確認した後にレーザーアニールのプロセスを開始することができる。従って、レーザー照射開始側のパターン端部にある非晶質シリコン膜の結晶化の状態を安定化させることができるため、この領域に形成されるトランジスタの特性のバラツキを減少させることができる。また、レーザ照射を開始した直後のレーザー照射の立ち上がりの状態をモニタリングするモニタリング機構16により、時間0からTの間のレーザー15の出力プロファイルに異常が確認された場合、このモニタリング機構16は装置制御部図示せずや生産ライン図示せずのネットワークなどを通じて、この異常をオペレータに通報する機能を有していることが好ましい。このレーザーの出力プロファイル異常の通報によりオペレータは生産ラインを停止し、本発明のレーザーアニール装置を点検、修理することができる。従って、レーザー照射開始側のパターン端部にある非晶質シリコン膜の結晶化の状態に異常がある基板の後工程への流出を抑え、生産ラインの生産安定性を向上させることができる。実施の形態2本発明の実施の形態2は、本発明のレーザーアニール装置において、レーザー照射の立ち上がり状態をモニタリングするモニタリング機構は、レーザーの進行方向を周期的に変化させるビーム偏向手段とレーザーの出力の測定手段から構成される。このビーム偏向手段は、レーザーの立ち上がりに要する時間を1周期とした場合、この1周期と同期して周期的にレーザーを偏向させる機構を有しており、また、レーザーの出力の測定装置は上記ビーム偏向手段によって偏向されたレーザーのうち、特定の方向に進むレーザーの出力を測定する機構を有している。図3は、本発明の実施の形態2による、レーザーアニール装置のレーザー照射の立ち上がり状態をモニタリングする機構の模式図である。この機構は、少なくともレーザー32の進行方向を周期的に変化させるビーム偏向手段33とレーザー32の出力の測定手段34とから構成されている。このような構成により、ビーム偏向手段33はレーザー32の立ち上がりに要する時間をTとした場合、Tを1周期としてこの周期に同期して周期的にレーザーを偏向させており、時間軸をtとすると、t=0の時、35の方向に、t=t’0≦t’≦Tの時、36の方向に、t=Tの時、37の方向にそれぞれレーザーを偏向させる。このようなビームの偏向手段33としては、ポリゴンミラーやガルバノミラーなどを用いることができる。また、レーザー32の出力の測定手段34にはレーザーのパワーメーターが用いられる。レーザーのパワーメーターの測定方法としては、レーザーの検知部に照射されたレーザ光の照射による測定部の加熱量の測定を行なう熱的方法と、フォトダイオードを用いて電気的にレーザーの光子数を測定する光電的方法とがあるが、レーザーアニールに用いるような大出力レーザの出力測定には熱的方法が適している。但し、熱的方法による測定は、レーザー出力の変化に対する時定数が大きく、例えば1秒を切るような極短時間でのレーザーの出力変化を検知することはできない。また、レーザーの出力の測定手段34の受光部は出力測定時に不要な入射レーザーをカットするためのスリットを設けておくことが好ましい。一方、レーザー照射の立ち上がり状態をモニタリングする際、光学ユニット31はこのモニタリング機構にレーザー32が照射できる位置に移動する。この状態において、レーザー発振源の制御によって光学ユニット13からは、t=0からt=Tまでのレーザーの出力と同等の出力変化プロファイルを周期Tで繰り返し照射するように設定され、レーザーはt=0からt=Tの間に出力0からPまで変化しながら、これを1周期として繰り返し照射されている。この出力と変化とビーム偏向手段33が同期しているため、レーザーが35の方向に進行するときは、常に出力0の状態で、37の方向に進行するときは常に出力Pの状態で進行する。また、t=t’の時、即ち36の方向に進行するときは、常に出力P’の状態で進行している。従って、図3のように、レーザーの出力の測定手段34を進行方向36の位置に設置した場合、周期Tの間に1回、常に出力P’のレーザーのみが入射する。よって、時定数の大きな熱的方法のパワーメーターをレーザーの出力の測定手段に用いた場合でも、レーザーは周期Tで変調するレーザーのうちのt=t’の時の出力P’を正確に測定することができる。更に、レーザーの出力の測定手段34を、レーザーの進行方向35から37までの到達位置に任意に移動させる機構にしておけば、任意のtにおけるレーザーの出力を測定することが可能になり、t=0からt=Tまでのレーザー出力の立ち上がりのプロファイルを求めることができる。また、35から37までの到達位置に移動させる機構の代わりに、複数のパワーメーターを35から37までの到達位置に配置して、それぞれのパワーメーターがそれぞれのtにおける出力を測定しても良い。更には、ビーム偏向手段33の周期を変えずに位相のみを変えて、任意のtにおけるレーザーの進行方向を進行方向36に合わせるように制御を行なえば、1台のパワーメーターを固定したまま、t=0からt=Tまでのレーザー出力の立ち上がりのプロファイルを求めることもできる。また、ここでは、レーザーの立ち上がりの時間Tをビーム偏向手段の偏向周期としているが、レーザーの立ち上がりの時間Tをビーム偏向手段の偏向周期の整数倍にして同期させても構わない。本発明のレーザーアニール装置は、進行方向を周期的に変化させるビーム偏向手段とレーザーの出力の測定手段から構成され、このビーム偏向手段はレーザーの立ち上がりに要する時間を1周期とした場合、この1周期と同期して周期的にレーザーを偏向させる機構を有している。また、レーザーの出力の測定装置は上記ビーム偏向手段によって偏向されたレーザーのうち、特定の方向に進むレーザーの出力を測定するモニタリング機構を有している。このように、本発明のレーザーアニール装置は照射を開始した直後のレーザー照射の立ち上がりの状態をモニタリングする機構を有しているために、照射を開始した直後のレーザーの出力プロファイルに異常が確認された場合に迅速に異常を検知し、これによりレーザーアニール装置を早期に点検、修理することができる。さらに、パターン端部にある非晶質シリコン膜の結晶化の状態に異常がある基板の後工程への流出を抑え、生産時のレーザアニールプロセスの安定性を容易に管理でき、生産ラインの生産安定性を向上させることが出来る。