半導体チップと、上記半導体チップの最表層部に形成され、上記半導体チップにおける素子形成領域上を覆い尽くす中央側部分と、この中央側部分の周縁と所定間隔を空けて、上記中央側部分の周囲を取り囲む周縁側部分とを含むパッシベーション膜と、上記パッシベーション膜上に形成され、外部から加わる応力を吸収して緩和するための応力緩和層とを含み、上記中央側部分と上記周縁側部分との間に上記応力緩和層が入り込んでおり、上記パッシベーション膜の上記中央側部分の側面が上記応力緩和層で覆われていることを特徴とする半導体装置。上記応力緩和層上に形成され、上記半導体チップの表面側を封止するための封止樹脂層をさらに含み、上記封止樹脂層は、上記応力緩和層の側面に回り込んでいることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。複数の半導体チップが作り込まれ、その最表層部にパッシベーション膜を有する半導体ウエハを用意する工程と、上記半導体ウエハに設定されたダイシングラインと所定間隔を空けて、そのダイシングラインに沿って延びる帯状の領域から、少なくとも上記パッシベーション膜の一部を除去して、上記パッシベーション膜を、上記半導体チップにおける素子形成領域上を覆い尽くす中央側部分と、この中央側部分の周縁と所定間隔を空けて、上記中央側部分の周囲を取り囲む周縁側部分とに分断するパッシベーション膜除去工程と、このパッシベーション膜除去工程後、上記半導体ウエハ上に応力緩和層を形成する応力緩和層形成工程と、この応力緩和層工程後に、上記半導体ウエハをダイシングラインに沿って切断するダイシング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。上記応力緩和層工程後、上記半導体ウエハ上に封止樹脂層を形成する封止樹脂層形成工程をさらに含むことを特徴とする請求項3記載の半導体装置の製造方法。ところが、このようにして製造される半導体装置では、半導体チップ101、パッシベーション膜102および封止樹脂層108の各側面が面一となって露出している。そのため、半導体装置の側面に大きな応力が加わると、その側面で薄い膜状のパッシベーション膜102の剥がれやひび割れが発生する。このパッシベーション膜102の剥がれやひび割れが半導体チップ101の素子形成領域上まで進行すると、その素子形成領域に形成されている機能素子の動作不良を生じるおそれがある。そこで、この発明の目的は、半導体チップの素子形成領域上におけるパッシベーション膜の剥がれやひび割れを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供することである。上記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、半導体チップ1と、上記半導体チップの最表層部に形成され、上記半導体チップその基体をなす半導体基板における素子形成領域A上を覆い尽くす中央側部分111と、この中央側部分の周縁と所定間隔を空けて、上記中央側部分の周囲を取り囲む周縁側部分112とを含むパッシベーション膜11と、上記パッシベーション膜上に形成され、外部から加わる応力を吸収して緩和するための応力緩和層2とを含み、上記中央側部分と上記周縁側部分との間に上記応力緩和層が入り込んでおり、上記パッシベーション膜の上記中央側部分の側面が上記応力緩和層で覆われていることを特徴とする半導体装置である。なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。この構成によれば、パッシベーション膜が、素子形成領域上を覆い尽くす中央側部分と、この中央側部分の周縁と所定間隔を空けて、中央側部分の周囲を取り囲む周縁側部分とを有している。言い換えれば、半導体チップの最表層部には、パッシベーション膜の存在していないパッシベーション非存在部12が、半導体チップの表面を見下ろす平面視で素子形成領域の周囲を取り囲む環状に形成されており、パッシベーション膜は、そのパッシベーション非存在部を挟んで内側の中央側部分と外側の周縁側部分とに分断されている。そのため、半導体装置の側面でパッシベーション膜の剥がれやひび割れが発生しても、その剥がれやひび割れをパッシベーション膜の周縁側部分のみに止めることができる。その結果、パッシベーション膜の中央側部分の剥がれやひび割れを防止することができ、その剥がれやひび割れに起因する機能素子の動作不良の発生を防止することができる。また、パッシベーション膜の中央側部分の側面は、その中央側部分と周縁側部分との間に入り込んでいる応力緩和層によって覆われる。そのため、パッシベーション膜の中央側部分の側面を応力緩和層によって保護することができる。また、パッシベーション膜の中央側部分と周縁側部分との間においても、その間に入り込んでいる応力緩和層によって、この半導体装置に加わる応力を吸収することができる。その結果、パッシベーション膜の中央側部分の剥がれやひび割れをより確実に防止することができる。請求項2記載の発明は、上記応力緩和層上に形成され、上記半導体チップの表面側を封止するための封止樹脂層4をさらに含み、上記封止樹脂層は、上記応力緩和層の側面に回り込んでいることを特徴とする請求項1記載の半導体装置である。この構成によれば、封止樹脂層が応力緩和層の側面に回り込むことによって、応力緩和層の側面が封止樹脂層によって覆われる。そのため、応力緩和層を外気から遮断することができ、外気に含まれる水分などによる応力緩和層の劣化を防止することができる。請求項3記載の発明は、複数の半導体チップ1が作り込まれ、その最表層部にパッシベーション膜11を有する半導体ウエハWを用意する工程と、上記半導体ウエハに設定されたダイシングラインLと所定間隔を空けて、そのダイシングラインに沿って延びる帯状の領域から、少なくとも上記パッシベーション膜11の一部を除去して、上記パッシベーション膜を、上記半導体チップにおける素子形成領域上を覆い尽くす中央側部分111と、この中央側部分の周縁と所定間隔を空けて、上記中央側部分の周囲を取り囲む周縁側部分112とに分断するパッシベーション膜除去工程と、このパッシベーション膜除去工程後、上記半導体ウエハ上に応力緩和層2を形成する応力緩和層形成工程と、この応力緩和層形成工程後に、上記半導体ウエハをダイシングラインに沿って切断するダイシング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。この方法によれば、半導体チップにおける素子形成領域上を覆い尽くす中央側部分と、この中央側部分の周縁と所定間隔を空けて、中央側部分の周囲を取り囲む周縁側部分とを含むパッシベーション膜を半導体チップの最表層部に有し、その中央側部分と周縁側部分との間パッシベーション非存在部に応力緩和層が入り込んでいる構成の半導体装置を製造することができる。請求項4記載の発明は、上記応力緩和層工程後、上記半導体ウエハ上に封止樹脂層4を形成する封止樹脂層形成工程をさらに含むことを特徴とする請求項3記載の半導体装置の製造方法である。以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、この発明の一実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。この半導体装置は、WL-CSPの半導体装置であり、最表層部にパッシベーション膜表面保護膜11を有する半導体チップ1と、パッシベーション膜11上に積層された応力緩和層2と、この応力緩和層2上に形成された再配線3と、この再配線3上に積層された封止樹脂層4と、この封止樹脂層4上に配置された金属ボール5とを備えている。半導体チップ1は、平面視略矩形状に形成されている。この半導体チップ1の表面の周縁部には、環状の溝12パッシベーション非存在部が、その表面を見下ろす平面視で素子形成領域半導体チップ1の基体をなす半導体基板において機能素子が形成されている領域Aの周囲を取り囲むように形成されている。この溝12は、パッシベーション膜11の表面から凹状に窪み、パッシベーション膜11よりも半導体チップ1の基体をなす半導体基板側に掘り下げられている。これにより、パッシベーション膜11は、溝12を挟んで、素子形成領域機能素子が形成されている領域A上を覆い尽くす中央側部分111と、この中央側部分111の周縁と所定間隔を空けて、中央側部分111の周囲を取り囲む周縁側部分112とに分断されている。また、パッシベーション膜11は、酸化シリコンまたは窒化シリコンからなる。このパッシベーション膜11には、半導体チップ1の表面に形成されたアルミニウムなどの金属からなる内部配線の一部を、電極パッド6として露出させるためのパッド開口113が形成されている。応力緩和層2は、この半導体装置に応力が加わったときに、その応力を吸収して緩和するために設けられている。この応力緩和層2は、たとえば、ポリイミドからなり、その表面を見下ろしたときに、パッシベーション膜11の中央側部分111よりも少し小さい矩形状に形成されている。この応力緩和層2には、電極パッド6と対向する位置に貫通孔21が貫通して形成されている。再配線3は、たとえば、銅などの金属材料を用いて形成されている。この再配線3は、貫通孔21を介して電極パッド6に接続されている。また、再配線3は、応力緩和層2の表面に沿って、封止樹脂層4を挟んで金属ボール5と対向する位置まで延びている。封止樹脂層4は、たとえば、エポキシ樹脂からなり、半導体チップ1の表面側を封止している。この封止樹脂層4は、パッシベーション膜11の中央側部分111、応力緩和層2および再配線3の表面を覆い、さらに、これらの表面から側面に回り込み、半導体チップ1の溝12を埋め尽くしている。また、封止樹脂層4は、表面が平坦面に形成されるとともに、その側面が半導体チップ1の側面と面一に形成されている。これによって、この半導体装置は、平面視におけるサイズが半導体チップ1のサイズと等しい略直方体形状を有している。また、封止樹脂層4には、再配線3と金属ボール5との間に、たとえば、銅などの金属からなる扁平な円柱状のポスト7が貫通して設けられており、このポスト7によって、再配線3と金属ボール5とが接続されている。金属ボール5は、図示しない配線基板などとの接続外部接続のための外部接続端子であり、たとえば、半田などの金属材料を用いてボール状に形成されている。以上のような構成によれば、パッシベーション膜11が、素子形成領域A上を覆い尽くす中央側部分111と、この中央側部分111の周縁と所定間隔を空けて、中央側部分111の周囲を取り囲む周縁側部分112とを有している。言い換えれば、半導体チップ1の最表層部には、環状の溝12が、半導体チップ1の表面を見下ろす平面視で素子形成領域Aの周囲を取り囲むように形成されており、パッシベーション膜11は、その溝12を挟んで内側の中央側部分111と外側の周縁側部分112とに分断されている。そのため、半導体装置の側面でパッシベーション膜11の剥がれやひび割れが発生しても、その剥がれやひび割れをパッシベーション膜11の周縁側部分112のみに止めることができる。その結果、パッシベーション膜11の中央側部分111の剥がれやひび割れを防止することができ、その剥がれやひび割れに起因する機能素子の動作不良の発生を防止することができる。また、パッシベーション膜11の中央側部分111の側面は、その中央側部分111と周縁側部分112との間の溝12に入り込んでいる封止樹脂層4によって覆われる。そのため、パッシベーション膜11の中央側部分111の側面を封止樹脂層4によって保護することができ、中央側部分111の剥がれやひび割れをより確実に防止することができる。図2は、図1に示す半導体装置の製造工程を工程順に示す断面図である。まず、複数の半導体チップ1が作り込まれ、その最表層部にパッシベーション膜11を有するウエハWが用意される。そして、図2aに示すように、パッシベーション膜11に電極パッド6を露出させるためのパッド開口113が形成された後、そのパッシベーション膜11上に、応力緩和層2および再配線3が順に形成される。なお、応力緩和層2は、各半導体チップ1の間に設定されたダイシングラインL上には形成されない。そのため、ダイシングラインLを挟んで隣接する各半導体チップ1上の応力緩和層2の間には所定幅の間隔が生じ、ダイシングラインL上には、この応力緩和層2の間においてパッシベーション膜11が露出している。次いで、図2bに示すように、ダイシングラインLの両側において、溝12が形成されることによって、ダイシングラインLと所定間隔を空けて、ダイシングラインLに沿って延びる帯状の領域からパッシベーション膜11が除去される。溝12は、たとえば、ブレード図示せずを用いて、パッシベーション膜11の表面側からハーフカットの手法によって形成してもよいし、レーザ加工によって形成してもよい。ブレードを用いる場合、そのブレードの厚みおよびカット量切り込み量によって、溝12の幅および深さを制御することができる。その後、図2cに示すように、ウエハWの表面全域上に封止樹脂層4が形成される。この封止樹脂層4は、ウエハWの表面全域に液状未硬化のエポキシ樹脂を塗布し、これを硬化させることによって形成することができる。このとき、液状のエポキシ樹脂が溝12内に流れ込み、そのエポキシ樹脂が硬化すると、半導体チップ1の溝12に封止樹脂層4が入り込んだ構成が得られる。そして、封止樹脂層4の所定位置にポスト7が形成された後、そのポスト7上に金属ボール5が形成される。ポスト7は、封止樹脂層4に孔を貫通形成した後、電解めっきによって、その孔内を埋めるように金属材料を供給することにより形成することができる。そして、図2dに示すように、ダイシングブレード図示せずを用いて、ダイシングラインLに沿って、封止樹脂層4とともにウエハWを切断ダイシングすると、図1に示すWL-CSPの半導体装置が得られる。図3は、この発明の他の実施形態に係る半導体装置の構成を説明するための断面図である。この図3において、上述の図1に示された各部に対応する部分には、図1の場合と同一の参照符号を付して示す。図3に示す半導体装置では、パッシベーション膜11上に積層された応力緩和層2が、パッシベーション膜11の中央側部分111と周縁側部分112との間の溝12に入り込んでいる。そして、封止樹脂層4は、応力緩和層2の側面に回り込んで、この応力緩和層2の側面を覆っている。このような構成によれば、図1に示す半導体装置と同様、パッシベーション膜11が溝12を挟んで内側の中央側部分111と外側の周縁側部分112とに分断されているので、半導体装置の側面でパッシベーション膜11の剥がれやひび割れが発生しても、その剥がれやひび割れをパッシベーション膜11の周縁側部分112のみに止めることができる。その結果、パッシベーション膜11の中央側部分111の剥がれやひび割れを防止することができ、その剥がれやひび割れに起因する機能素子の動作不良の発生を防止することができる。また、パッシベーション膜11の中央側部分111と周縁側部分112との間の溝12には、応力緩和層2が入り込んでおり、この応力緩和層2によって、中央側部分111の側面が覆われている。そのため、パッシベーション膜11の中央側部分111の側面を応力緩和層2によって保護することができる。そのうえ、パッシベーション膜11の中央側部分111と周縁側部分112との間においても、その間に入り込んでいる応力緩和層2によって、この半導体装置に加わる応力を吸収することができる。その結果、パッシベーション膜11の中央側部分111の剥がれやひび割れをより確実に防止することができる。さらに、封止樹脂層4が応力緩和層2の側面に回り込むことによって、応力緩和層2の側面が封止樹脂層4によって覆われているので、応力緩和層2を外気から遮断することができ、外気に含まれる水分などによる応力緩和層2の劣化を防止することができる。図4は、図3に示す半導体装置の製造工程を工程順に示す断面図である。図4に示す半導体装置の製造工程では、まず、複数の半導体チップ1が作り込まれ、その最表層部にパッシベーション膜11を有するウエハWが用意される。そして、図4aに示すように、パッシベーション膜11に電極パッド6を露出させるためのパッド開口113が形成された後、ダイシングラインLの両側において、溝12が形成されることによって、ダイシングラインLと所定間隔を空けて、ダイシングラインLに沿って延びる帯状の領域からパッシベーション膜11が除去される。溝12の形成後、図4bに示すように、パッシベーション膜11上に、貫通孔21を有する応力緩和層2が形成される。この応力緩和層2は、ダイシングラインL上の所定幅の領域を除いて、ウエハWの表面全域に液状未硬化のポリイミドを塗布し、これを硬化させることによって形成することができる。このとき、液状のポリイミドが溝12内に流れ込み、そのエポキシ樹脂が硬化すると、半導体チップ1の溝12に応力緩和層2が入り込んだ構成が得られる。つづいて、図4cに示すように、再配線3および封止樹脂層4が形成された後、その封止樹脂層4の所定位置にポスト7が形成される。さらに、そのポスト7上に金属ボール5が形成される。そして、図4dに示すように、ダイシングブレード図示せずを用いて、ダイシングラインLに沿って、封止樹脂層4とともにウエハWを切断ダイシングすると、図3に示すWL-CSPの半導体装置が得られる。以上、この発明の2つの実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。たとえば、溝12は、パッシベーション膜11よりも半導体基板側に掘り下げられて形成され、これによって、ダイシングラインLに沿って延びる帯状の領域からパッシベーション膜11が除去される場合を取り上げた。しかしながら、溝12は、その帯状の領域からパッシベーション膜11を少なくとも除去することができる深さに形成されればよく、図5に示すように、パッシベーション膜11の膜厚と同じ深さに形成されてもよい。このような深さの溝12は、ブレードを用いたハーフカットのカット量またはレーザビームの照射強度および照射時間を調節することによって形成することができ、パッシベーション膜11のみをエッチングウエットエッチングまたはドライエッチングすることにより確実に形成することができる。ただし、パッシベーション膜11の下半導体基板側に層間絶縁膜を有している場合には、溝12は、ダイシングラインLに沿って延びる帯状の領域から、その層間絶縁膜を除去することができる深さに形成されていることが好ましい。たとえば、図6に示すように、半導体チップ1の基体をなす半導体基板上に、第1配線層81、第1層間絶縁膜91、第2配線層82、第2層間絶縁膜92およびパッシベーション膜11が半導体基板側からこの順に積層されて、第1層間絶縁膜91に形成されたビアホール83を介して、第1配線層81と第2配線層82とが電気的に接続され、第2層間絶縁膜92に形成されたビアホール84を介して、第2配線層82と電極パッド6とが電気的に接続された多層配線構造の半導体装置の場合、溝12は、パッシベーション膜11の表面から第1層間絶縁膜の下面までの厚み以上の深さに形成されていることが好ましい。この場合、溝12により、パッシベーション膜11だけでなく、第1層間絶縁膜91が中央側部分911とその外側の周縁側部分912とに分断され、また、第2層間絶縁膜92が中央側部分921とその外側の周縁側部分922とに分断される。そのため、半導体装置の側面でパッシベーション膜11、第1層間絶縁膜91および/または第2層間絶縁膜92の剥がれやひび割れが発生しても、その剥がれやひび割れを、パッシベーション膜11の周縁側部分112、第1層間絶縁膜91の周縁側部分912および/または第2層間絶縁膜92の周縁側部分921のみに止めることができる。その結果、パッシベーション膜11の中央側部分111、第1層間絶縁膜91の中央側部分911および第2層間絶縁膜92の中央側部分921の剥がれやひび割れを防止することができ、その剥がれやひび割れに起因する機能素子の動作不良の発生を防止することができる。また、上記の実施形態では、WL-CSPの半導体装置を例に取り上げたが、この発明は、WL-CSPの半導体装置以外にも、実装基板に対して、半導体チップの表面を対向させて、半導体チップの裏面が露出した状態で実装ベアチップ実装される、半導体装置に適用することもできる。その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。