基板上に少なくとも第一電極と第二電極とが配置されている抵抗変化型不揮発性メモリ素子であって、前記第一電極は金属からなり、前記第一電極と前記第二電極との間に導電性の強誘電酸化物が形成されていて、前記第一電極と前記導電性の強誘電酸化物とは整流性接合されていて、前記第二電極と前記導電性の強誘電酸化物とはオーミック接合されていて、前記第一電極と第二電極との間に正電圧を正方向に漸次印加し続けると該メモリ素子の抵抗値は第一の閾値を越えた前記正電圧の一定範囲で減少し、該メモリ素子は安定的に低抵抗状態となり、その後前記正電圧を除去しても前記低抵抗状態は保持されていて、前記第一電極と第二電極との間に負電圧を負方向に漸次印加し続けると該メモリ素子の抵抗値は第二の閾値を越えた前記負電圧の一定範囲で増加し、該メモリ素子は安定的に高抵抗状態となり、その後前記負電圧を除去しても高抵抗状態は保持されている、ことを特徴とする抵抗変化型不揮発性メモリ素子。前記導電性の強誘電酸化物は、導電性を有するBi1xFeO31<x<0である請求項1記載の抵抗変化型不揮発性メモリ素子。前記金属は、Ptである請求項1又は請求項2記載の抵抗変化型不揮発性メモリ素子。上述したようにReRAMと呼ばれる遷移金属酸化物を用いた不揮発性メモリでは、メモリ抵抗の可逆的な変化は、電場による酸素欠陥または酸素イオンの移動により引き起こされる化学的変質のため、メモリ抵抗変化が繰り返し行われると材料の劣化が起こり、メモリ抵抗変化の繰り返し特性またメモリ抵抗状態の安定した保持特性に問題があった。本発明は、遷移金属酸化物を用いた不揮発性メモリにおいて、メモリ抵抗の可逆的な変化を化学的変質にたよらない、従って、メモリ抵抗変化の繰り返しによる材料の劣化が起きにくい、メモリ抵抗変化の繰り返し特性に優れ、メモリ抵抗状態の安定した保持特性を有する抵抗変化型不揮発性メモリ素子を提供することを目的とする。本発明は、上述の課題解決のため、基板上に少なくとも第一電極と第二電極とが配置されている抵抗変化型不揮発性メモリ素子であって、前記第一電極は金属からなり、前記第一電極と前記第二電極との間に導電性の強誘電酸化物が形成されていて、前記第一電極と前記導電性の強誘電酸化物とは整流性接合されていて、前記第二電極と前記導電性の強誘電酸化物とはオーミック接合されていて、前記第一電極と第二電極との間に正電圧を正方向に漸次印加し続けると該メモリ素子の抵抗値は第一の閾値を越えた前記正電圧の一定範囲で減少し、該メモリ素子は安定的に低抵抗状態となり、その後前記正電圧を除去しても前記低抵抗状態は保持されていて、前記第一電極と第二電極との間に負電圧を負方向に漸次印加し続けると該メモリ素子の抵抗値は第二の閾値を越えた前記負電圧の一定範囲で増加し、該メモリ素子は安定的に高抵抗状態となり、その後前記負電圧を除去しても高抵抗状態は保持されていることを特徴とする抵抗変化型不揮発性メモリ素子を提供する。本発明により、該不揮発性メモリ素子は、安定的にメモリ抵抗状態が保持されて、保持されたメモリ抵抗状態は第一の閾値と第二の閾値の間にある任意の電圧を印加して非破壊的に検知することが可能となった。さらに、該不揮発性メモリ素子の保持されたメモリ抵抗状態は、電圧の印加により生じる電気分極の反転作用により、第一の閾値より高い正電圧を印加して、または、第二の閾値より低い負電圧を印加して非破壊的にメモリ抵抗状態を更新できて、安定的に制御することが可能となった。また本発明は、導電性の強誘電酸化物は、導電性を有するBi1xFeO31<x<0である前記載の抵抗変化型不揮発性メモリ素子を提供する。本発明により、Bi欠損があり導電性を有するペロブスカイト型の金属酸化物Bi1xFeO3の有用性が明らかとなった。さらに本発明は、前記金属は、Ptである前記載の抵抗変化型不揮発性メモリ素子を提供する。本発明により、第一電極に使用するPtの有用性が明らかとなった。本発明により提供される抵抗変化型不揮発性メモリ素子の抵抗変化動作原理は、化学的変質を招く電場による酸素欠陥または酸素イオンの移動を原理とせず、電子的な機構に基づき導電性の強誘電酸化物Bi1xFeO3層の電気分極反転を原理としているため、材料の劣化を防止でき、抵抗変化の高い繰り返し特性が得られ、抵抗状態を安定的に制御して保持でき、変化した抵抗状態を非破壊的に検知できる等の改善点がある。以下、図1乃至図7を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。図1では、基板から見て相対的に上部に位置する電極を上部電極、下部に位置する電極を下部電極とした。以下の説明には上部電極と下部電極との用語を使用する。請求項に記載した第一電極と第二電極はそれぞれ図1の上部電極と下部電極とに対応している。図1のaは、本発明に係る導電性の強誘電酸化物を使用した不揮発性メモリ素子の概念的断面図であり、その作製方法は次のとおりである。まず絶縁体であるSrTiO3酸化物単結晶基板上に、オーミック電極となるSrRuO3のような高い導電性を有する酸化物を、基板温度700°C、酸素圧力100mTorrの作製条件で、パルスレーザーデポジションにより50nm厚に形成する。続いてその上に、基板温度700°C、酸素圧力30mTorrの作製条件で導電性の強誘電体となる、Bi1xFeO3を100nm厚に形成した。その後、室温で電子線蒸着によりBi1xFeO3上に金属Ptを10nm厚形成し、さらに金属Auを100nm厚形成し、AuPtBi1xFeO3SrRuO3積層構造を作製した。作製した積層構造は、フォトリソグラフィーとArイオンミリングにより素子面積100μm×100μmに加工し、AuPtBi1xFeO3SrRuO3接合からなるメモリ素子とした。Bi1xFeO3膜にBi欠損を導入するため、パルスレーザーデポジションの原料であるセラミックターゲットに含まれるBiとFeの組成比率を調整した。作製したBi1xFeO3膜のBi欠損量xは、誘導結合プラズマ発光分析により測定した。Biが欠損すると、Bi1xFeO3に導電性を担う正孔が生成され、Bi1xFeO3はいわゆるp型半導体的特性を示す。図2は、上述したBi欠損量xがあり、導電性を有しているBi1xFeO3が強誘電体の特性を有していることを確認するために、Bi欠損量xが0.19の導電性のBi1xFeO3で作製したBi1xFeO3/SrRuO3積層構造の表面を、ピエゾ応答フォース顕微鏡で観測した結果を示す図である。最初にピエゾ応答フォース顕微鏡の探針に-8Vを印加して外側の点線で囲んだ1μm×1μmの領域を走査し、その後、ピエゾ応答フォース顕微鏡の探針に8Vを印加して内側の点線で囲んだ0.5μm×0.5μmの領域を走査し、最後にピエゾ応答フォース顕微鏡の探針に3Vを印加して表面全体を走査して、Bi1xFeO3の電気分極の方向を評価した。その結果、-8Vを印加して走査した外側の点線で囲んだ1μm×1μmの領域ではBi1xFeO3の電気分極は表面からSrRuO3電極方向を向き、8Vを印加して走査した内側の点線で囲んだ0.5μm×0.5μmの領域では電気分極はSrRuO3電極から表面方向を向いている。したがって、Bi1xFeO3はBi欠損量xがあり導電性を有しても強誘電体としての特性も有していることがわかる。すなわち、Bi欠損量xがあるBi1xFeO3は導電性の強誘電体であることがわかる。図3のaは、本発明のメモリ素子の電流-電圧特性の室温における測定結果を示す図である。この素子のBi1xFeO3のBi欠損量xは0.16であり、導電性を有している。図3において、プラス方向は、図1に示すメモリ素子の下部から上部に電流を流す方向である。図3のaによれば、素子にプラス方向の電圧を印加すると、ある閾値電圧図3のaでは約6.5V以上の電圧で素子に流れる電流値が急激に変化して電流極大が現れた後、低抵抗状態へと転移する。その後電圧を下げてもその低抵抗状態は維持される。さらに素子に印加する電圧の極性をマイナスにすると、ある閾値電圧図3のaでは約-2.5V以下の電圧で電流値は急激に変化して電流極小が現れた後、高抵抗状態へと転移する。その後電圧を戻しても高抵抗状態は維持される。すなわち、素子に印加する電圧の極性を変えて閾値電圧以上の電圧を印加することにより、素子の抵抗状態を低抵抗状態と高抵抗状態の間で可逆に変化する、電界電流誘起抵抗変化メモリ効果が実現されている。素子の低抵抗状態をセット1、高抵抗状態をリセット0と定義した時、素子の抵抗状態を読み出すための電圧をプラス方向及びマイナス方向の閾値電圧の間の任意の電圧に設定することで、素子の抵抗状態を非破壊で読み出すことが可能である。図3のbは、比較のため、図1に示すメモリ素子において、上部電極の金属のPtに代えて酸化物のSrRuO3を電極としたものである。この場合には電流-電圧特性はヒステリシスを有さないオーミックな特性であることから、抵抗変化メモリ効果は発現しない。したがって、本発明に係る導電性の強誘電酸化物を使用した不揮発性メモリ素子において、PtとBi1xFeO3界面の電気的特性は非オーミックコンタクトであり、図3のaに示すヒステリシスを有する電流-電圧特性は、この界面で発現していることがわかる。図4は、Pt電極とBi1xFeO3の界面のバンド構造の模式図高抵抗状態、低抵抗状態である。Ptの仕事関数は約5.7eVであるのに対して、p型の導電性を有するBi1xFeO3の価電子帯のトップは約6eVであることから、Bi1xFeO3の価電子帯のトップEVはPtのフェルミ面EFよりも深いエネルギーに位置し、界面にショットキー的な障壁が形成される。このようなショットキー的な障壁が形成されるため、図3のaのような電圧の極性に対して非対称な電流‐電圧特性、すなわち、整流特性が観測される。電気分極は、Bi1xFeO3のバンド構造に電場の勾配を与えるため、電気分極の向きに依存してBi1xFeO3の正孔に対するショットキー的な障壁の高さと厚さWDが変化する。電気分極の反転により界面に形成されたショットキー的な障壁の高さと厚さが変化することが、界面における正孔の導電特性の変化、すなわち抵抗変化の動作機構である。図5は、本発明に係る不揮発性メモリ素子構造にパルス電圧を印加した場合の抵抗変化の室温における測定結果を示す図である。図5において、プラス方向は、図1に示すメモリ素子の下部から上部に電流を流す方向である。この測定結果では、素子抵抗は1Vの電圧印加した状態で素子に流れる電流値を測定することで得られる値である。素子にプラスのパルス電圧図5では7Vを印加することにより素子の抵抗状態が低抵抗状態RLへと変化し、マイナスの電圧パルス図5では-7Vを印加することで、素子の抵抗状態が高抵抗状態RHへと変化する。すなわち、素子に印加するパルス電圧の極性を変えることにより、素子の抵抗状態を低抵抗状態と高抵抗状態の間で可逆に変化する、抵抗変化メモリ効果が実現されている。パルス電圧幅時間が増加すると抵抗変化比RH/RLは増加する。図6のaは、本発明に係る不揮発性メモリ素子構造に、時間幅1μs、電圧7Vと-7Vのパルス電圧を交互に100万回ずつ印加した場合の抵抗変化の繰り返し書き換え特性を測定した結果を示す図である。1桁以上の抵抗変化が10万回以上の繰り返しまで維持されている。図6のbは、Bi1xFeO3に代わって強誘電体ではない導電性の常誘電体であるSm07Ca03MnO3を用い、Ptに代わって上部電極にTiを用いた従来構造の素子の抵抗変化の繰り返し書き換え特性を測定した結果を示す図である。この従来構造素子では、抵抗変化メモリ効果が酸素イオンまたは酸素欠陥の移動により発現している。この素子では、1000回以上の繰り返し書き換えで動作しなくなった。図6の測定結果からわかるように、導電性の強誘電体であるBiが欠損したBi1xFeO3とPt電極を用いることで、従来のものに比べて、データの繰り返し書き換え特性が大きく改善されていることがわかる。これは、抵抗変化メモリ効果の動作機構として、従来型の酸素イオンまたは酸素欠陥の移動に代わり、強誘電分極の反転を用いることにより特性が改善されたものである。図7は、本発明に係る不揮発性メモリ素子構造の室温における低抵抗状態と高抵抗状態の保持特性の測定結果である。この測定結果では、素子抵抗は1Vの電圧印加した状態で素子に流れる電流値を測定することで得られる値である。低抵抗状態、高抵抗状態ともに10万秒まで抵抗変化の時間変化はほとんど見られず、1桁以上の抵抗変化比を保持し、メモリ機能を有していることがわかる。本実施例では、金属電極としてPtを使用したが、これに代えて、仕事関数が6eVよりも小さく、酸化しにくいAu、Ag等又はそれらの合金若しくは化合物であってもよい。