磁気記録媒体から磁気記録データを検出するための磁気抵抗センサ構造であって、基板と、前記基板上に磁気透過性材料で形成された第1のシールド層と、前記第1のシールド層上の強磁性自由層を含み、かつ磁気記録媒体に面する前縁と、前記前縁から奥まった所に置かれた後縁と、センサトラック幅TWを画定する2つの離間された側縁と、を有する層スタックを含む磁気抵抗センサであって、前記層スタックにおける層の平面に垂直にセンス電流が印加された場合に、磁気記録データを検出できる磁気抵抗センサと、前記強磁性自由層の前記側縁上でそれに接し、かつ前記磁気抵抗センサに隣接する前記第1のシールド層の領域に接する電気絶縁層と、前記電気絶縁層上でそれに接するTaの層と、前記Taの層上でそれに接するTiおよびTi酸化物の一方または両方から選択されるTi含有層と、前記Ti含有層上でそれに接するWの層と、からなるシード層構造と、前記シード層構造の前記Wの層上でそれに接する、CoおよびPtを含む合金を含む強磁性バイアス層と、を含む磁気抵抗センサ構造。前記シード層構造が、29Å以上、かつ40Åオングストローム未満の厚さを有する、請求項1に記載の磁気抵抗センサ構造。前記Wの層が、13Å以上の厚さを有する、請求項1又は2に記載の磁気抵抗センサ構造。前記強磁性バイアス層が、1850Oeより大きい保磁力Hcを有する、請求項1ないし3のいずれか一項に記載の磁気抵抗センサ構造。前記強磁性バイアス層が、2200Oeより大きい保磁力Hcを有する、請求項4に記載の磁気抵抗センサ構造。前記強磁性バイアス層が、0.80より大きい残留磁化Mr対飽和磁化Msの比率Sを有する、請求項1ないし5のいずれか一項に記載の磁気抵抗センサ構造。前記強磁性バイアス層が、1.3memu/cm2より大きい残留磁化-厚さ積Mrtを有する、請求項1ないし6のいずれか一項に記載の磁気抵抗センサ構造。前記電気絶縁層が、アルミニウム酸化物、タンタル酸化物、マグネシウム酸化物および窒化ケイ素から選択される材料で形成される、請求項1ないし7のいずれか一項に記載の磁気抵抗センサ構造。前記強磁性バイアス層上にキャッピング層をさらに含む、請求項1ないし8のいずれか一項に記載の磁気抵抗センサ構造。前記磁気抵抗センサが、巨大磁気抵抗GMRセンサである、請求項1ないし9のいずれか一項に記載の磁気抵抗センサ構造。前記磁気抵抗センサが、トンネル磁気抵抗TMRセンサである、請求項1ないし9のいずれか一項に記載の磁気抵抗センサ構造。磁気記録ディスクドライブ用の面垂直電流CPP磁気抵抗MR読み出しヘッドであって、基板と、前記基板上における磁気透過性材料の第1のシールド層と、前記第1のシールド層上に強磁性自由層を含み、かつ2つの離間された側縁を有する層のセンサスタックであって、前記強磁性自由層が、ディスク上の記録データからの磁界が存在する状態で自由に回転する磁化を有するセンサスタックと、前記強磁性自由層の前記側縁上でそれに接し、かつ前記センサスタックに隣接する前記第1のシールド層の領域に接する電気絶縁層と、40Å未満の厚さを有し、かつ前記電気絶縁層上でそれに接するTaの第1シード層と、前記第1シード層上でそれに接するTiおよびTi酸化物の一方または両方から選択される第2シード層と、前記第2シード層上でそれに接する、13Å以上の厚さを有するWの第3シード層と、からなる3層シード層構造と、前記強磁性自由層の磁化にバイアスをかけるために、前記第3シード層上でそれに接する、1850Oeより大きな保磁力を有するCoおよびPtを含有する合金を含む強磁性ハードバイアス層と、前記強磁性ハードバイアス層上のキャッピング層と、前記センサスタックおよびキャッピング層上にある磁気透過性材料の第2のシールド層と、を含む面垂直電流磁気抵抗読み出しヘッド。前記第2シード層が、実質的にTi酸化物からなる、請求項12に記載の面垂直電流磁気抵抗読み出しヘッド。前記強磁性ハードバイアス層が、2200Oeより大きな保磁力を有する、請求項12又は13に記載の面垂直電流磁気抵抗読み出しヘッド。前記強磁性ハードバイアス層が、0.80より大きな残留磁化Mr対飽和磁化Msの比率Sを有する、請求項12ないし14のいずれか一項に記載の面垂直電流磁気抵抗読み出しヘッド。前記強磁性ハードバイアス層が、1.3memu/cm2より大きな残留磁化-厚さ積Mrtを有する、請求項12ないし15のいずれか一項に記載の面垂直電流磁気抵抗読み出しヘッド。前記電気絶縁層が、アルミニウム酸化物、タンタル酸化物、マグネシウム酸化物および窒化ケイ素から選択される材料で形成される、請求項12ないし16のいずれか一項に記載の面垂直電流磁気抵抗読み出しヘッド。前記面垂直電流磁気抵抗読み出しヘッドが、巨大磁気抵抗GMR読み出しヘッドである、請求項12ないし17のいずれか一項に記載の面垂直電流磁気抵抗読み出しヘッド。前記面垂直電流磁気抵抗読み出しヘッドが、トンネル磁気抵抗TMR読み出しヘッドである、請求項12ないし17のいずれか一項に記載の面垂直電流磁気抵抗読み出しヘッド。必要なのは、非常に薄くできるが、それでもハードバイアス層用の望ましい磁気特性を提供できる改善されたシード層構造を備えたCPPMRセンサである。本発明は、ハードバイアス層用の改善されたシード層構造を備えた、CPP-GMRまたはCPP-TMR読み出しヘッドのようなCPPMRセンサである。シード層構造は、タンタルTaの第1のシード層と、Ta層上でそれに接するチタンTiおよびTi酸化物の一方または両方の第2のシード層と、第2のシード層上でそれに接するタングステンWの第3のシード層と、からなる3層である。3層は、先行技術のシード層構造よりかなり薄いが、それでもハードバイアス層の磁気特性における著しい改善をもたらす。本発明の性質および利点のより完全な理解のために、添付の図面と共に記載された以下の詳細な説明を参照されたい。本発明のCPP磁気抵抗MRセンサは、磁気記録ディスクドライブで使用する用途を有するが、その動作を、図1~3を参照して簡単に説明する。図1は、従来の磁気記録ハードディスクドライブのブロック図である。ディスクドライブには、磁気記録ディスク12と、ベースまたはディスクドライブハウジング16上に支持された回転ボイスコイルモータVCMアクチュエータ14と、が含まれる。ディスク12は、回転中心13を有し、ベース16に取り付けられたスピンドルモータ図示せずによって方向15に回転される。アクチュエータ14は、軸17を中心に旋回し、剛性アクチュエータアーム18を含む。一般に可撓性のサスペンション20が、屈曲要素23を含み、アーム18の端部に装着される。空気ベアリングスライダまたはヘッドキャリア22が、屈曲部23に装着される。磁気記録読み出し/書き込みヘッド24が、スライダ22の後面25に形成される。屈曲部23およびサスペンション20によって、スライダは、回転するディスク12によって生成された空気ベアリング上で縦揺れおよび横揺れすることができる。典型的には、スピンドルモータによって回転されるハブ上に多数のディスクが積み重ねられ、別個のスライダおよび読み出し/書き込みヘッドが、各ディスク表面に対応付けられる。図2は、図1の方向2-2におけるスライダ22の拡大端面図およびディスク12の一部である。スライダ22は、屈曲部23に装着され、かつディスク12に面する空気ベアリング面ABS27、およびABSに略垂直な後面25を有する。ABS27は、ディスク12の表面に非常に近いかまたはほぼ接触しているスライダ22を支持する空気ベアリングを、回転するディスク12からの空気流に生成させる。読み出し/書き込みヘッド24は、後面25上に形成され、かつ後面25上の端子パッド29に電気接続されることによって、ディスクドライブの読み出し/書き込みエレクトロニクスに接続される。図2の断面図に示すように、ディスク12は、離散データトラック50がクロストラックトラック横断方向において離間されたパターン化媒体ディスクであり、トラック50の1つが、読み出し/書き込みヘッド24と一直線に揃えられて示されている。離散データトラック50は、クロストラック方向におけるトラック幅TWを有し、かつ円周方向に連続して磁化可能な材料で形成してもよく、この場合に、パターン化媒体ディスク12は、離散トラック媒体DTMディスクと呼ばれる。代替として、データトラック50には、トラックに沿って離間された離散データアイランドを含んでもよく、この場合には、パターン化媒体ディスク12は、ビットパターン化媒体BPMディスクと呼ばれる。ディスク12はまた、記録層がパターン化されるのではなく、記録材料の連続層である従来の連続媒体CMディスクであってもよい。CMディスクでは、書き込みヘッドが連続記録層に書き込む場合に、トラック幅TWを備えた同心データトラックが生成される。図3は、図2の方向3-3における図であり、ディスク12から見たような読み出し/書き込みヘッド24の端部を示す。読み出し/書き込みヘッド24は、スライダ22の後面25上に堆積され、リソグラフィでパターン化された一連の薄膜である。書き込みヘッドには、垂直磁気書き込み極WPが含まれ、また後部および/または側部シールド図示せずを含んでもよい。CPPMRセンサまたは読み出しヘッドとも記載100は、2つの磁気シールドS1およびS2間に位置する。シールドS1、S2は、磁気透過性材料、典型的にはNiFe合金で形成され、またそれらが読み出しヘッド100への導線として機能できるように導電性であってもよい。シールドは、読み出されているデータビットに隣接する記録されたデータビットから読み出しヘッド100をシールドするように機能する。また別個の導線を用いてもよく、この場合には、読み出しヘッド100は、シールドS1、S2と接しているルテニウム、タンタル、金または銅などの導線材料の層と接して形成される。図3は、非常に小さな寸法を示すことが困難であるために、縮尺比に従って縮尺されてはいない。典型的には各シールドS1、S2は、トラック沿いの方向における読み出しヘッド100の全体的厚さ20~40nmの範囲であってもよいと比較して、トラック沿いの方向において数ミクロンの厚さである。図4は、ディスクから見たようなCPPMRセンサ構造を構成する層を示すABSの図である。図4は、先行技術のセンサ構造と同様に本発明によるセンサ構造を示すために用いられる。センサ100は、2つの磁気シールド層S1、S2間に形成された層スタックを含むCPPMR読み出しヘッドである。センサ100は、ABSにおける前縁と、トラック幅TWを画定する離間された側縁102、104と、を有する。シールドS1、S2は、導電性材料から形成され、したがって、センス電流IS用の導線として機能し得る。ここでセンス電流ISは、一般に、センサスタックにおける層を通って垂直に導かれる。代替として、別個の導線層を、シールドS1、S2とセンサスタックとの間に形成してもよい。下部シールドS1は、典型的には、化学機械研磨CMPによって研磨され、センサスタックの成長用の滑らかな基板を提供する。薄いRu/NiFe二重層などのシード層101が、典型的には、S2の下にスパッタリングによって堆積されることにより、比較的厚いS2の電気めっきを容易にする。センサ100層には、ページの中へと横に向けられた磁化方向または固定磁気モーメント121を有する基準強磁性層120と、ディスク12からの横の外部磁界に応じて、層110の平面で回転できる磁化方向または固定磁気モーメント111を有する自由強磁性層110と、基準層120と自由層110との間の非磁性スペーサ層130と、が含まれる。CPPMRセンサ100は、CPPGMRセンサであってもよく、この場合には、非磁性スペーサ層130は、導電性材料、典型的にはCu、AuまたはAgのような金属で形成されることになろう。代替として、CPPMRセンサ100は、CPPトンネルMRCPP-TMRセンサであってもよく、この場合には、非磁性スペーサ層130は、TiO2、MgOまたはAl2O3のような電気絶縁材料で形成されるトンネル障壁ということになろう。CPPMRセンサにおける固定強磁性層は、単一の固定層または図4に示すような逆平行AP固定構造であってもよい。AP固定構造は、非磁性逆平行結合APC層によって分離された第1AP1および第2AP2の強磁性層を有し、2つのAP固定強磁性層の磁化方向は、ほぼ逆平行になっている。AP2層は、一側で非磁性APC層と接し、他側でセンサの非磁性スペーサ層と接しており、典型的には基準層と呼ばれる。AP1層は、典型的には一側で反強磁性または硬質磁性体の固定層に接し、他側で非磁性APC層に接しており、典型的には固定層と呼ばれる。硬質磁性層に接する代わりに、AP1は、AP1が一側で下層と接し、かつ他側で非磁性APC層に接するように、それ自体、硬質磁性材料で構成することができる。AP固定構造は、基準/固定層とCPPMR自由強磁性層との間の正味の静磁結合を最小限にする。AP固定構造は、また積層固定層とも呼ばれ、時には合成反強磁性体SAFと呼ばれる。これについては特許文献1に説明されている。図4のCPPGMRセンサにおける固定層は、AP結合APC層123を横断して反強磁性的に結合された基準強磁性層120AP2および下部強磁性層122AP1を備えた周知のAP固定構造である。APC層123は、典型的にはRu、Ir、Rh、Crまたはそれらの合金である。自由強磁性層110と同様にAP1およびAP2層は、典型的には、結晶CoFeもしくはNiFe合金、アモルファスもしくは結晶CoFeB合金またはこれらの材料の多層、例えばCoFe/NiFe二重層などで形成される。AP1およびAP2強磁性層は、それらのそれぞれの磁化方向127、121が逆平行になっている。AP1層122は、図4に示すように、反強磁性AF層124と交換結合することによって、その磁化方向を固定してもよい。AF層124は、典型的にはMn合金、例えばPtMn、NiMn、FeMn、IrMn、PdMn、PtPdMnまたはRhMnである。代替として、AP固定構造は、自己固定であってもよく、またはそれは、Co100-xPtxまたはCo100-x-yPtxCryここで、xは、約8~30原子百分率であるなどの硬質磁性層によって固定してもよい。硬質磁性層に接する代わりに、AP1層122は、それが一側で下層と接し、かつ他側で非磁性APC層123に接するように、単独で、硬質磁性材料で構成することができる。自己固定センサにおいて、AP1およびAP2層の磁化方向127、121は、典型的には、作製されたセンサ内に存在する磁気歪みおよび残留応力によって、一般にディスク表面に垂直に設定される。AP1およびAP2層が、同様のモーメントを有することが望ましい。これによって、次のことが保証される。すなわち、自由層110への静磁結合が最小化され、かつAF層124の有効固定磁界これは、AP固定構造の正味磁化にほぼ反比例するが高いままであるために、AP固定構造の正味磁気モーメントが小さくなるように保証される。硬質磁性体固定層の場合には、硬質磁性体固定層モーメントは、自由層への静磁結合を最小限にするためにAP1およびAP2のモーメントのバランスを保つ場合の役割を負う必要がある。シード層125は、下部シールド層S1とAP固定構造との間に位置してもよい。AF層124が用いられる場合には、シード層125は、AF層124の成長を向上させる。シード層125は、典型的には、NiFeCr、NiFe、Ta、CuまたはRuの1つまたは複数の層である。キャッピング層112が、自由強磁性層110と上部シールド層S2との間に位置する。キャッピング層112は、腐食防止を提供し、かつRu、Ta、Tiなどの単層もしくは異なる材料の多層、またはRu/Ta/Ru、Ru/Ti/RuもしくはCu/Ru/Taの3層であってもよい。対象領域における外部磁界、すなわちディスク上の記録データからの磁界が存在する状態で、自由層110の磁化方向111は回転し、一方で基準層120の磁化方向121は、固定されたままで回転しない。したがって、センス電流ISが、上部シールドS2から、センサスタックを垂直に通って底部シールドS1へまたはS1からS2へ印加される場合には、ディスク上の記録データからの磁界は、基準層の磁化方向121に対して自由層の磁化方向111の回転を引き起こし、これが、電気抵抗における変化として検出できる。典型的には、CoPtまたはCoPtCrの硬質すなわち、hcpまたはhct単軸結晶構造ゆえの、高結晶異方性およびしたがって高保磁力Hc磁性層であり、したがってまたハードバイアス層とも呼ばれる強磁性バイアス層115もまた、センサ100の側縁102、104の近く、特に自由層110の側縁の近くで、センサスタックの外部に形成される。バイアス層115は、薄い電気絶縁層116によってセンサ100の側縁102、104から電気的に絶縁される。この薄い電気絶縁層116は、典型的にはアルミナAl2O3であるが、しかしまた窒化ケイ素SiNx、またはTa酸化物、Ti酸化物もしくはMg酸化物のような別の金属酸化物であってもよい。3層シード構造114は、典型的には絶縁層116上に堆積されて、バイアス層115、すなわち、その磁気異方性c軸が層の平面に存在するバイアス層115の成長を促進する。Cr層またはTa/Crの多層などのキャッピング層118が、バイアス層115の上に堆積される。キャッピング層118の上部層例えばCrはまた、センサの作製中に、化学機械研磨CMPの停止層としての目的に役立つ。バイアス層115は、ABSと略平行な磁化方向117を有し、したがって、自由層110の磁化方向111に縦にバイアスをかける。したがって、外部磁界が存在しない状態では、バイアス層115の磁化方向117は、自由層110の磁化方向111と平行である。本発明は、図4に記載および図示したセンサのようなCPPMRセンサであるが、しかし3層シード構造114は、絶縁層116上でそれに接するタンタルTa層、Ta層上でそれに接するチタンTiまたはTi酸化物層、およびTiまたはTi酸化物層上でそれに接するタングステンWの層からなる3層シード構造である。図5は、実際のセンサの走査型透過電子顕微鏡STEM画像に基づいた線画であり、かつ本発明に従って、ハードバイアス層115の下の3層シード構造114を示す。絶縁層116は、好ましくはアルミナであり、S1上に、および自由層110のTWエッジ110a、110bに接して堆積される。しかしながら、絶縁層はまた、窒化ケイ素、またはTa酸化物、Ti酸化物もしくはMg酸化物のような別の金属酸化物から形成されてもよい。より高い有効磁界のために、自由層のTWエッジ近くで絶縁層116をより薄くしてハードバイアス層115をより近づけることが好ましくなり得るが、しかし優れた絶縁特性を取得し、電気的分路を回避するためには、S1上で自由層から遠ざかって、より厚くすることが好ましくなり得る。絶縁層116の典型的な厚さは、自由層のTWエッジ近くで約20~40Å、およびS1上で自由層から遠ざかって約30~50Åである。3層シード構造114は、3つの層114a、114bおよび114cからなり、それぞれイオンビーム蒸着IBDによって堆積される。第1の層114aは、実質的にTaからなり、絶縁層116の上部表面上に直接堆積され、S1上の領域において絶縁層116を覆い、かつTWエッジ110a、110bに隣接する領域の中へ延びてもよい。第2の層114bは、好ましくは、Ti酸化物、またはTiおよびTi酸化物を含む組成物であり、かつTa層114a上に直接堆積される。代替として、層114bは、実質的にTiからなる酸化物なしの層であってもよい。第3の層114cは、実質的にWからなり、第2の層114b上に直接堆積される。ハードバイアス層115は、好ましくは、高保磁力1800Oeより大きなHcを備えた強磁性CoPt合金で形成される。ハードバイアス層115の厚さは、約100~200Åの範囲である。CrまたはTaのようなキャッピング層118が、バイアス層115の上に堆積される。データ密度が、磁気記録ディスクドライブにおいて増加するにつれて、読み出しヘッド寸法、特にシールド対シールドS1対S2間隔における減少を求める要求がある。しかしながら、たとえS1対S2間隔が低減されても、自由層110の磁気安定化を保証するために、ハードバイアス層115の残留磁化-厚さ積Mrtを最大限にすることが望ましい。これは、次のことを意味する。すなわち、できるだけ薄い3層シード構造114を有し、それでも一方でHc、Mrtおよび直角度S=Mr/Msなどの適切な磁気特性を備えたCoPtハードバイアス層115の成長を可能にすることが望ましいことを意味する。また、できるだけ薄いシード層構造114を有することは、それが、静磁結合の増加ゆえに自由層安定化を向上させるので望ましい。本発明において、3層シード構造114の厚さは、先行技術シード層のほぼ最小の厚さである40Å未満にすることができ、29Åほどの薄さである。しかしなお、たとえこの薄いシード層構造を備えても、ハードバイアス層は、先行技術のものよりも優れた磁気特性を有する。CoPtハードバイアス層およびTa/Ti/W3層シード層構造を備えた多くの試験クーポンが、個別層の様々な厚さで作製され、様々な他のシード層構造を備えたCoPtハードバイアス層と比較された。個別シード層のそれぞれは、IBDによって堆積された。優れたCoPt磁気特性は、Ta/ti/W3層シード層構造に対して13Åの最小W厚さおよび29Åの合計最小厚さで達成できることが分かった。磁気特性は、13Åより厚いW厚さに対してそれほど改善されなかった。驚いたことに、W厚さが12Å未満である場合に、磁気特性における急激な低下があった。Ta/Ti/W3層試験構造29Å~35Åの厚さは、2200~2400OeのHc、S≧0.80、およびMrt≧1.3memu/cm2を示した。比較すると、20ÅTa/20ÅW二重層合計の厚さは約40~42Åの試験構造は、同様の磁気特性を示したが、しかしシード層の合計の厚さは、はるかに大きくなった。上部CrMo層がCoPtハードバイアス層に接するシード層構造としての45ÅNiTa/CrMo二重層を備えた他の試験構造は、1750~1850OeのHc、S≦0.80、およびMrt≦1.3memu/cm2を示し、これらの全ての値は、著しく薄いTa/ti/Wシード層用の値より小さい。Ta/ti/W3層用の好ましい厚さ範囲は、以下のとおりである。xÅTa/yÅTi/少なくとも13ÅW式1式1中、xおよびyは、それぞれ少なくとも6Åであり、xyは、少なくとも16Åである。したがって、Ta/Ti/W3層シード層構造は、CoPtハードバイアス層と同様またはより優れた磁気特性を備えて、約40Åの先行技術の厚さから約11Åの合計シード層厚さの低減を可能にし、かつハードバイアス層を自由層に先行技術から約25近づけて、自由層安定化を著しく改善する。上記のTa/Ti/W3層シード層構造の試験クーポンと類似の試験クーポンを作製したが、しかし、Ti層がIBDによって堆積された後で、それは、Ar/O220のO2ガスに曝された。ガス曝露後のTi層の詳細な解析は実行されなかったが、しかし層は、主にTi酸化物または部分的に酸化されたTiすなわち、非酸化TiとTi酸化物の組成物であると思われる。同様の磁気特性が、Ta/Ti/W3層シード層構造に関して達成されたが、しかし直角度Sは、0.83に改善され、Mrtは、1.39memu/cm2に改善された。したがって、本発明のシード層構造にはまた、第2の層が、純粋なTiに加えて、または純粋なTiの代わりにTi酸化物を含み得る3層シード層構造が含まれる。したがって、第2の層は、TiおよびTi酸化物の一方または両方から選択される材料からなる。好ましい実施形態に関連して本発明を特に図示し説明したが、本発明の趣旨および範囲から逸脱せずに、形態および詳細における様々な変更をなし得ることが当業者によって理解されよう。したがって、開示される本発明は、単に実例として見なされ、添付の特許請求の範囲において特定される範囲においてのみ限定される。