スピネルからなる、発光素子30用の基板。前記スピネルの焼結体の組成がMgOnAl2O31.05≦n≦1.30であり、Si元素の含有量が20ppm以下である、請求項1に記載の基板。前記焼結体は、厚さ1mmでの波長350nm以上450nm以下の光線による直線透過率が80以上である、請求項2に記載の基板。前記基板は主表面10aを有し、前記主表面10aについて、縦5mm×横5mmの四角形状の複数の領域を設定した場合、前記複数の領域のうち、前記主表面10aの外周から3mmの範囲に入る前記領域を除いた部分である複数の評価対象領域について、LTVが1.0μm以下となっている前記評価対象領域の割合を示すPLTVが90以上である、請求項1に記載の基板。組成が、MgOnAl2O31.05≦n≦1.30であり、Si元素の含有量が20ppm以下である、スピネルからなる発光素子30用の基板10の製造方法であって、Si元素の含有量が50ppm以下であり、純度が995質量以上であるスピネル粉末から成形体を形成する工程S20と、前記成形体を真空中において1500°C以上1800°C以下で焼結することにより、密度95以上の焼結体を形成する第1の焼結工程S31と、前記焼結体を1600°C以上1900°C以下で加圧焼結する第2の焼結工程S32とを備える、基板の製造方法。前記第1の焼結工程S31により形成する前記焼結体は、Si元素の含有量が20ppm以下である、請求項5に記載の基板10の製造方法。前記第1の焼結工程S31は、圧力が50Pa以下で行ない、前記焼結体の中心部から前記焼結体の外側までの最短の厚さをDmmとし、1000°Cから最高温度に到達するまでの昇温時間をt分とするとき、D=a×t1/20.1≦a≦3の関係を有する、請求項5に記載の基板10の製造方法。前記第2の焼結工程S32の後に、前記焼結体をスライスする工程と、前記スライスする工程により得られた基板の表面を、化学機械研磨法を用いて研磨する工程S44とをさらに備え、前記研磨する工程S44では、定盤42上に配置された研磨パッド43と、前記研磨パッド43と対向するように配置された研磨ヘッドと45の間に前記基板10が挟まれた状態で前記基板10が研磨され、さらに、前記研磨ヘッド45と前記基板10との間には前記研磨ヘッド45より硬度の低い軟質層44が配置されている、請求項5に記載の基板10の製造方法。請求項1に記載の基板10と、前記基板10の一方の主表面上に配置され、発光層4を含む半導体層1~6を備える、発光素子。前記基板10と前記半導体層1~6とが接合されている、請求項9に記載の発光素子。しかしながらサファイアは工業製品としては高価である。このため、サファイア基板からなる発光素子はコスト高になるという問題を抱えている。発光素子が普及する中で、発光素子がより広い用途に適用可能とするためには、発光素子のコスト低減が不可欠であると考えられる。本発明は、上記の問題に鑑みなされたものである。その目的は、サファイア基板からなる発光素子よりも安価な発光素子を形成することが可能な基板およびその製造方法を提供することである。また、当該基板を用いた発光素子を提供することである。本発明に係る基板は、スピネルからなる、発光素子用の基板である。本発明の発明者は鋭意研究の結果、たとえば上述した発光ダイオードなどの発光素子に用いられる基板として、サファイアの代わりに、光学素子の分野で主に用いられるスピネルを用いることができる可能性があることを見出した。スピネルの強度などの物性値は、サファイアの強度などの物性値に近い。スピネルを用いて形成する発光素子用の基板も、サファイアからなる発光素子用の基板と同様に実用に耐えうるという可能性を見出した。たとえば、スピネル製の発光素子用基板は、サファイア製の発光素子用基板と同等ではないが実用上問題ないレベルの強度ヤング率を示す。またスピネルは、発光素子における発光領域が発生する熱を放熱するため実用上問題ないレベルの熱伝導率を有する。しかし従来、発光素子用の基板としてはサファイアなどの単結晶体を用いることが技術常識であり、当業者の間ではそもそも多結晶体のスピネルを基板材料の候補とすること自体、考えられていなかった。発明者は当業者の常識にとらわれることなく研究を進めた結果、スピネルを発光素子用基板として用いうるという知見を得た。サファイアの代わりにスピネルを用いて発光素子用基板を形成すれば、当該基板の生産コストを低減することができる。上記のスピネル製の基板は、組成がMgOnAl2O31.05≦n≦1.30となるスピネル型結晶構造を有する複合酸化物であり、Si元素の含有量が20ppm以下である焼結体であることが好ましい。上記焼結体は、厚さ1mmでの波長350nm以上450nm以下の光線による直線透過率が80以上であることが好ましい。このようにすれば、多結晶体であるスピネルからなる基板の良好な光透過性が得られる。上記スピネル製の基板は主表面を有し、当該主表面について、縦5mm×横5mmの四角形状の複数の領域を設定した場合、当該複数の領域のうち、主表面の外周から3mmの範囲に入る領域を除いた部分である複数の評価対象領域について、LTVLocalThicknessVariationが1.0μm以下となっている評価対象領域の割合を示すPLTVPercentLTVが90以上であることが好ましい。上記のPLTVが少なくとも90あれば、多結晶体であるスピネル製の基板でも、発光素子を構成する半導体層を当該基板の主表面に接着材料を用いることなく直接接合することが可能となる。したがって、この基板を用いることで、優れた特性の発光素子を得ることができる。本発明に係る基板の製造方法は、組成が、MgOnAl2O31.05≦n≦1.30であり、Si元素の含有量が20ppm以下である、スピネルからなる発光素子用の基板の製造方法である。Si元素の含有量が50ppm以下であり、純度が995質量以上であるスピネル粉末から成形体を形成する工程と、成形体を真空中において1500°C以上1800°C以下で焼結することにより、密度95以上の焼結体を形成する第1の焼結工程と、焼結体を1600°C以上1900°C以下で加圧焼結する第2の焼結工程とを備える。上記の方法により、組成がMgOnAl2O31.05≦n≦1.30であり、Si元素の含有量が20ppmであるスピネルの焼結体としての基板を形成することができる。当該基板は、発光素子用の基板として必要な強度や光透過性を備えるものとなる。このためサファイア基板の代わりに当該基板を用いても、上記のとおり実用上問題ない発光素子を提供することができる。上記第1の焼結工程は、圧力が50Pa以下で行ない、焼結体の中心部から焼結体の外側までの最短の厚さをDmmとし、1000°Cから最高温度に到達するまでの昇温時間をt分とするとき、D=a×t1/20.1≦a≦3の関係を有することが好ましい。上記の条件にて第1の焼結工程の昇温をすれば、当該焼結工程の終了後に、Si元素の含有量を20ppm以下に低減することができ、その結果、高い光透過率のスピネル焼結体を得ることができる。したがってスピネル製の、発光素子に用いる基板において、高い光透過率を得ることができる。上記基板の製造方法は、第2の焼結工程の後に、焼結体をスライスする工程と、スライスする工程により得られた基板の表面を、化学機械研磨法を用いて研磨する工程とをさらに備えていてもよい。研磨する工程では、定盤上に配置された研磨パッドと、当該研磨パッドと対向するように配置された研磨ヘッドとの間に基板が挟まれた状態で基板が研磨されてもよい。さらに、研磨ヘッドと基板との間には研磨ヘッドより硬度の低い軟質層が配置されていることが好ましい。この場合、基板の平坦性を向上させることができる。その結果、主表面に半導体層を接合することが可能な基板を得ることができる。本発明に係る発光素子は、上記のスピネル製の基板と、当該基板の一方の主表面上に配置され、発光層を含む半導体層とを備える。上記のように、スピネル製の基板を用いれば、サファイア製の基板を用いた発光素子と同等の機能を有する発光素子を、より安価に提供することができる。また、上記基板と半導体層とは接合されていてもよい。接合方法としては、透過性の接着材料を用いて基板と半導体層とを接合してもよいし、表面活性化法などを用いて基板と半導体層とを直接接合してもよい。このようにすれば、良好な結晶性を備える半導体層を基板に接合することで、優れた特性の発光素子を得ることができる。本発明によれば、サファイア製の基板を用いた発光素子と同等の機能を有する発光素子を、より安価に提供することができる。また基板の透過特性を確保することができる。以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。実施の形態1図1に示すように、本実施の形態の基板10は、たとえば主表面10aが直径4インチであり、スピネルからなるウェハである。基板10を構成するスピネルの組成としてはたとえばMgOnAl2O3が挙げられる。基板10は、たとえば図2に示す構成を有するLEDなどの発光素子30に用いられる。図2の発光素子30は、たとえば基板10の主表面10a上にバッファ層1、n型GaN窒化ガリウム層2、n型AlGaNアルミ窒化ガリウム層3、多重量子井戸4、p型AlGaN層5、p型GaN層6からなる半導体層がこの順に積層された構成である。バッファ層1は、基板10を構成するスピネルの格子定数と、n型GaN層2などの化合物半導体薄膜を構成する化合物半導体格子定数との差における両者の格子不整合を抑制するために配置される薄膜であり、たとえばInGaN窒化インジウムガリウム化合物から構成されることが好ましい。多重量子井戸4は当該LEDの発光領域発光層であり、たとえばIn0.2Ga0.8Nの極薄膜層とAl0.2Ga0.8Nの極薄膜層とが交互に複数積層された構成であることが好ましい。バッファ層1および、n型GaN層2、n型AlGaN層3、多重量子井戸4、p型AlGaN層5、p型GaN層6からなる半導体層はこの順に、たとえばエピタキシャル成長により形成されることが好ましい。そして上記の半導体層の積層構造が全て形成された後、その一部、具体的にはn型GaN層2の一部、およびn型AlGaN層3、多重量子井戸4、p型AlGaN層5、p型GaN層6をエッチングにより除去する。このようにしてn型GaN層2の主表面の一部、およびp型GaN層6の主表面が露出した状態となるようにする。その後、部分的に露出された上記n型GaN層2およびp型GaN層6の主表面上に、それぞれとオーミック接触をなす金属材料を用いてn型電極7およびp型電極8が形成される。以上の手順により、図2に示す発光素子30が形成される。当該発光素子30はn型電極7とp型電極8との間を導通することにより、発光層である多重量子井戸4において正孔と電子との再結合が起こり、発光現象が生じる。当該光は、基板10の裏側図2における基板10の下側の主表面から放出透過することができる。これは基板10を構成するスピネルは、上記発光素子30が発する光を透過することが可能であるためである。基板10に光が透過することにより、基板10を含む発光素子30は発熱する。このため基板10やその他の半導体層には相当の応力が加わる。すなわち発光素子30が作動すると基板10は発熱し、その熱が基板10にも伝播する。つまりこの際、基板10には熱応力が発生する。このため基板10は、相応の強度を有することが好ましい。構造体は一般に、ヤング率が高いと強度が高くなり、ヤング率が低いと強度が低くなる。したがって基板10は、上述した条件での使用に耐えうる強度を備えるために、ヤング率が150GPa以上350GPa以下であることが好ましい。基板10のヤング率が150GPa以上であれば、上記条件での使用に耐えうる強度を有するものとなる。また構造体は一般に、ヤング率が高いと硬度が高くなり、ヤング率が低いと硬度が低くなる。このためたとえば基板10のヤング率が350GPaを超えると、基板10の硬度が過剰に高くなるためにチッピングを起こす可能性が高くなる。また、基板10の硬度が過剰に高くなるために加工が困難となる。このため適切な強度を有し、かつチッピングなどの不具合を抑制する観点から基板10のヤング率は上記範囲内であることが好ましく、そのなかでも180GPa以上300GPa以下であることが最も好ましい範囲であるといえる。上記発光素子30の基板10の強度は、サファイアからなるLED用の基板と同等ではないが、発光素子30用の基板としてサファイアの代わりに用いても実用上問題ないレベルの強度である。したがって発光素子30用として、サファイア製の基板の代わりにスピネル製の基板10を用いても、サファイア製の基板からなるLED用の基板と同等の機能を確保することができる。したがってスピネル製の基板10を用いることにより、サファイア製の基板を用いた場合よりも安価に、LEDなどの発光素子30を形成することができる。次に、基板10を構成するスピネルの焼結体については、その組成が、MgOnAl2O31.05≦n≦1.30であり、Si元素の含有量が20ppm以下である。このスピネル焼結体は、厚さ1mmでの波長350nm以上450nm以下の可視光線による直線透過率が、好ましくは80以上であり、より好ましくは82以上であり、特に好ましくは84以上であり、直線透過率が十分に高い。また、安定して高い光透過率が得られ、バラツキが小さい。さらに、厚みのある素材でも、可視光線に対して安定した高い透過率が得られる。スピネル焼結体は、組成がMgOnAl2O31.05≦n≦1.30となるスピネル型結晶構造を有する複合酸化物であり、MgOとAl2O3を成分として含む。スピネル焼結体は、結晶型が立方晶であるため、結晶粒界での光の散乱が起こりにくく、高密度に焼結すると、良好な光透過性が得られる。1.05≦n≦1.30とすることにより、MgOの成分量を少なくして、微視的な結晶格子のバラツキと歪みを小さくし、透光性を改善することができる。かかる観点から、1.06≦n≦1.125が好ましい。一般に、スピネル焼結体の光透過性を低下させる要因として、金属不純物の混入があり、金属不純物としては、Si、Ti、Na、K、Ca、Fe、Cなどが挙げられる。これらの金属不純物は、原料粉末に由来して焼結体中に混入する。これらの金属不純物のうち、Si元素の含有量を20ppm以下とすることにより、高い光透過性を安定して得ることができるようになる。かかる観点から、Si元素の含有量は、10ppm以下がより好ましく、5ppm以下が特に好ましい。Si元素の含有量をこのように制御することにより、厚さ10mm以上のスピネル焼結体においても、均一な光透過性を得ることができる。Si元素は、焼結時にスピネル粉末と反応して液相を生成する。この液相は、スピネル粉末の焼結性を早める効果があるが、この液相が粒界に残存すると、異相となり、光透過率を低下させる。Si元素以外の金属不純物、たとえば、Na、K、CaまたはFeなどを含め、不純物の混入により、スピネル焼結体の光透過性、そのバラツキおよび製造上の安定性が悪影響を受ける。このため、スピネル粉末におけるMgOnAl2O3の純度は、995質量以上とし、999質量以上が好ましく、9999質量以上がより好ましい。次に本発明の基板10の製造方法について説明する。図3を参照して、本発明のスピネル焼結体である基板10の製造方法は、高純度スピネル粉末準備工程S10と成形工程S20と、焼結工程S30と加工工程S40とを備える。高純度スピネル粉末工程S10においては、たとえばSi元素の含有量が50ppm以下、平均粒径が0.1μm以上0.3μm以下、純度が995質量以上であり、組成がMgOnAl2O31.05≦n≦1.30であるスピネル粉末を準備する。なお、ここで粉末粒子の粒径とは、レーザ回折散乱法による粒子径分布測定方法を用いて測定した場合における、小粒径側から大粒径側に向けて当該粉末の体積を積算した累積体積が50となる箇所における粉末断面の直径の値を意味する。上述した粒子径分布測定方法とは具体的には、粉末粒子に照射したレーザ光の散乱光の散乱強度分布を解析することにより、粉末粒子の直径を測定する方法である。準備したスピネル粉末中に含まれる複数の粉末粒子の粒径の平均値が、上述した平均粒径である。成形工程S20においては、工程S10にて準備したスピネル粉末から成形体を形成する。これは具体的には、プレス成形またはCIPColdIsostaticPressing;冷間等方圧加工法により成形する。より具体的には、たとえば工程S10で準備したMgOnAl2O3の粉末を、まずプレス成形により予備成形した後、CIPを行ない、成形体を得ることが好ましい。ただしここではプレス成形とCIPとのいずれか一方のみを行なってもよいし、たとえばプレス成形を行なった後にCIPを行なうなど、両方を行なってもよい。ここでプレス成形においてはたとえば10MPa以上300MPa以下、特に20MPaの圧力を用いることが好ましく、CIPにおいてはたとえば160MPa以上250MPa以下、特に180MPa以上230MPa以下の圧力を用いることが好ましい。次に図3に示す焼結工程S30を実施する。焼結工程S30は具体的には、図4を参照して第1の焼結工程S31と第2の焼結工程S32との2段階の工程を有することが好ましい。第1の焼結工程S31においては、真空中において1500°C以上1800°C以下で成形体を焼結し、密度95以上の焼結体を形成する。真空雰囲気で焼結することにより、不純物であるSi元素から生成した液相を真空中で蒸発させ、除去することが可能となる。かかる観点から、真空度は、50Pa以下が好ましく、20Pa以下がより好ましい。第1の焼結工程の条件は、Si元素の量や焼結体の厚さにより異なるが、焼結体の中心部から焼結体の外側までの最短の厚さをDmmとし、1000°Cから最高温度に到達するまでの昇温時間をt分とするとき、D=a×t1/20.1≦a≦3の関係を有することが好ましい。このような範囲内で昇温することにより、スピネル粉末におけるSi元素の含有量が50ppm以下であるときは、第1の焼結工程の終了後に、Si元素の含有量を20ppm以下に低減することが可能であり、高い光透過率のスピネル焼結体が得られる。焼結体中のSi元素含有量を一層低減し、スピネル焼結体の光透過率を高める点で、スピネル粉末中のSi元素含有量は、30ppm以下が好ましい。スピネル粉末中のSi元素の含有量が50ppm以上の場合には、第1の焼結工程における真空雰囲気中での昇温時間をさらに長くすることにより、焼結体中のSi元素含有量を低減することは可能である。また、第1の焼結工程における温度は、密度95以上の高密度焼結体を得る点で、1500°C以上が好ましい。焼結体の密度は、焼結体の光透過率を高める点で、95以上がより好ましい。本明細書において、密度は、アルキメデス法により計算される相対密度を指す。一方、焼結温度は、真空中でのMgOの蒸発を抑え、冷却時にAl2O3が第2相として析出するのを防止し、光透過性を高く維持する点で、1800°C以下が好ましく、1700°C以下がより好ましく、1650°C以下がさらに好ましい。第1の焼結工程の終了後、第2の焼結工程S32において、HIPHotIsostaticPressing;熱間等方加圧などにより焼結体を1600°C以上1900°C以下で加圧焼結する。温度1600°C以上1900°C以下、圧力100MPa程度でHIPすると、組成変形と拡散機構により空孔の除去が促進されるため、さらに高密度化することができ、光透過率が一層向上する。HIPに用いるガスは、Arガス、N2ガスなどの不活性ガス、O2ガスまたはこれらの混合ガスが好ましく、O2ガスを混合すれば、脱酸素による透光性の低下を防止することができる。以上により焼結がなされた焼結体に対して、図3に示すように加工工程S40を行なう。これは具体的には、まず上記焼結体を所望の基板10の厚みとなるようにMWSMultiWireSaw等により切断切削加工する焼結体をスライスする工程。これにより、所望の厚みを有する基板10の下地が完成する。なおここで所望の厚みとは、最終的に形成したい基板10の厚みと、後工程における基板10の主表面10aの研磨しろ等を考慮した上で決定することが好ましい。次に、上記基板10の下地の主表面を研磨する。具体的には、上述したように最終的に形成される基板10の主表面10aを、平均粗さRaが所望の値となるように研磨する工程である。特に上述したように、発光素子用の基板としての基板10は、主表面10aを上述した所望のRaとなるように研磨することが好ましい。基板10の主表面10aを、優れた平坦度を達成するために研磨する場合は、粗研磨と通常研磨と、ダイヤ砥粒を用いた研磨との3段階の研磨を順に行なうことが好ましい。具体的には、第1段階である粗研磨および第2段階である通常研磨において、研磨機を用いて主表面10aを鏡面加工する。ここで粗研磨と通常研磨とでは、研磨に用いる砥粒の番手が異なる。具体的には、粗研磨においては砥粒の番手が800~2000であるGC砥石を、通常研磨においては砥粒の粒径が3~5μmであるダイヤモンド砥石を用いることが好ましい。次に第3段階である仕上げ加工としての研磨は、上述したようにダイヤ砥粒を用いて行なうことが好ましい。ダイヤ砥粒は硬度が非常に高く、かつ砥粒の平均粒径が0.5μm~1.0μm程度と非常に小さいことから、高精度な鏡面加工用の砥粒として用いることに適している。当該砥粒を用いてたとえば10分間研磨加工を行なう。このようにすれば、上述した主表面10aの平均粗さRaが0.01nm以上3.0nm以下である平坦性の高い主表面10aを実現することができる。実施の形態2図5を参照して、本発明による基板10の実施の形態2の製造方法を説明する。当該基板10の製造方法は、基本的には図3に示した高純度スピネル粉末準備工程S10~加工工程S40と同様であるが、加工工程S40における研磨工程の内容が一部異なっている。具体的には、焼結体を切断して得られる基板10の下地について、図5に示すような研磨加工工程を実施する。ここでは、4段階の研磨を行なう。具体的には、粗研磨工程s41、中仕上げ研磨工程S42、仕上げ研磨工程S43、およびCMP工程S44を順に行なうことが好ましい。図5を参照して、第1段階である粗研磨工程S41では、研磨機たとえば両面研磨装置を用いて基板の主表面表面および裏面を研磨する。研磨剤としては、番手がたとえば800~2000であるGC砥石を用いる。なお、研磨量はたとえば50μm以上200μm以下とする。次に、中仕上げ研磨工程S42を実施する。当該工程S42では、たとえば片面研磨装置を用いて、基板の主表面表面および裏面をそれぞれ研磨する。研磨剤としては、たとえば砥粒の粒径が3μm以上5μm以下であるダイヤモンド砥粒を用いることができる。研磨量は、たとえば10μm以上30μm以下とすることができる。次に、仕上げ研磨工程S43を実施する。当該工程S43では、たとえば片面研磨装置を用いて、基板の主表面表面および裏面をそれぞれ研磨する。研磨剤としては、たとえば砥粒の粒径が0.5μm以上1μm以下であるダイヤモンド砥粒を用いることができる。研磨量は、たとえば3μm以上10μm以下とすることができる。ここで、ダイヤ砥粒は硬度が非常に高く、かつ砥粒の平均粒径が上述のように非常に小さいことから、高精度な鏡面加工用の砥粒として用いることに適している。次に、CMP工程S44を実施する。当該工程S44では、たとえばCMP装置を用いて、基板の主表面の一方を研磨する。研磨に用いるスラリーとしては、通常のサファイア用スラリーよりも機械的研磨作用を強めたもの化学研磨作用を抑制したものを用いる。研磨時間は、たとえば10分以上45分以下、より好ましくは15分以上40分以下とすることができる。なお、上述したCMP工程S44では、図6に示すようなCMP装置40を用いる。図6を参照して、CMP装置は、平面形状が円形状の定盤42と、定盤42上に配置された研磨パッド43と、研磨パッド43と対向するように配置された研磨ヘッド45との間に基板10が挟まれた状態で当該基板10が研磨される。研磨ヘッド45と基板10との間には研磨ヘッド45より硬度の低い軟質層44が配置されている。基板10は、軟質層44を介して研磨ヘッド45により研磨パッド43に押圧されている。定盤42はその中央部に接続された支柱41により支持される。また、研磨ヘッド45も、当該研磨ヘッド45の中央部に接続された回転支柱46により支持される。また、スラリー供給部47からはスラリー48が研磨パッド43に供給される。このような構成のCMP装置を用いることで、基板10の平坦性を向上させることができる。具体的には、基板10の主表面10aについて、縦5mm×横5mmの四角形状の複数の領域を設定した場合、当該複数の領域のうち、主表面10aの外周から3mmの範囲に入る領域を除いた部分である複数の評価対象領域について、LTVが1.0μm以下となっている評価対象領域の割合を示すPLTVが90以上となった基板10を得ることができる。このような基板10の主表面10a上には、半導体層を容易に接合することができる。実施の形態3図7を参照して、本発明による発光素子の実施の形態3を説明する。図7を参照して、発光素子は発光ダイオードであって、基板10と、基板10の主表面10aに接合されたp型オーミック接触エピタキシャル層16と、p型オーミック接触エピタキシャル層16上に形成されたp型クラッド層18と、p型クラッド層18上に形成された活性層20と、活性層20上に形成されたn型クラッド層22と、n型電極7およびp型電極8とを備える。n型電極7はn型クラッド層22上に形成されている。p型クラッド層18としては、たとえばp型05In0.5Pを形成してもよい。また、活性層20としては、たとえば0.5In0.5Pを形成してもよい。また、n型クラッド層22として、たとえばn型0.5In0.5Pを形成してもよい。ここでn型クラッド層22、活性層20、p型クラッド層18の好適な厚さは、それぞれ、およそ0.5μm以上3.0μm以下、0.5μm以上2.0μm以下、0.5μm以上3.0μm以下である。n型クラッド層22、活性層20およびp型クラッド層18の一部が除去されることにより開口部が形成されている。当該開口部の底ではp型オーミック接触エピタキシャル層16の上部表面が露出している。当該開口部の底において、p型オーミック接触エピタキシャル層16に接触するようにp型電極8が形成されている。また、n型クラッド層22の表面に接触するようにn型電極7が形成されている。p型オーミック接触エピタキシャル層16の材料は、AlGaAs、AlGaInP、あるいはAlAsPを用いることができ、材料のエネルギーギャップが活性層20のエネルギーギャップより大きく、活性層20から発した光が吸収されない材料あるいは当該光の吸収率が十分低い材料であればよい。また、活性層20のAl組成はおよそ0≦x≦0.45、n型クラッド層22のAl組成はおよそ0.5≦x≦1、p型クラッド層18のAl組成はおよそ0.5≦x≦1であってもよい。なお、x=0であれば、活性層20の組成はGa0.5In0.5P、発光素子が出射する光の波長λは635nmである。なお、上述したAlxGa1-x0.5In0.5Pなどの化合物の組成の割合は好適な例であり、III-V族半導体材料のいかなる材料および割合もまた、本発明に適用することができる。さらに、本発明の活性層20は、SH構造、DH構造、多次元量子井戸MQW構造、又は量子井戸へテロ構造QWHなどの任意の構成を採用できる。次に、図7に示した発光素子の製造方法を、図8~図10を参照して説明する。まず、図8に示すように、構成材準備工程S100を実施する。この構成材準備工程S100では、上述した実施の形態2に示した製造方法を用いて、本発明によるスピネル製の基板10を準備する。また、発光素子の半導体層となるべき活性層20を含む半導体層をn型GaAs基板上に形成した、エピタキシャル構造体を準備する。当該エピタキシャル構造体は、図9に示すように、n型GaAs基板26と、当該n型GaAs基板26上に形成されたエッチングストップ層24と、エッチングストップ層24上に形成されたn型クラッド層22と、n型クラッド層22上に形成された活性層20と、活性層20上に形成されたp型クラッド層18と、p型クラッド層18上に形成されたp型オーミック接触エピタキシャル層16とから構成されている。上述した各層はそれぞれエピタキシャル成長法を用いて形成されている。なお、上記エッチングストップ層24の材料としては、いかなるIII-V族化合半導体材料を用いてもよく、GaAs基板26と格子定数が適合してもしなくてもよい。エッチングストップ層24を構成する材料のエッチング速度は、GaAs基板26のエッチング速度より非常に小さいことが好ましい。例えば、InGaPやAlGaAsはエッチングストップ層24の材料として好ましい。次に、貼り合わせ工程S110を実施する。具体的には、図9に示すようにエピタキシャル構造体において基板10と接合する面であるp型オーミック接触エピタキシャル層16の表面にイオンビーム50を照射することにより、当該表面を活性化する。なお、イオンビーム50に代えて、プラズマなどを当該表面に接触させてもよい。その後、図10に示すように、基板10の主表面10aと、エピタキシャル構造体のp型オーミック接触エピタキシャル層16の表面とを接触させる。なお、このとき基板10の主表面10aがp型オーミック接触エピタキシャル層16の表面に押圧されるように応力を負荷してもよい。ここで、本発明による基板10は、主表面10aに関して優れた平坦性を示すため、上記のような接合常温接合を確実に行なうことができる。なお、上述のようにp型オーミック接触エピタキシャル層16の表面を基板10の主表面10aに直接接合したが、たとえば透過性接着層を介してp型オーミック接触エピタキシャル層16の表面を基板10の主表面10aに接着してもよい。透過性接着層の材料はスピンオンガラスSOG、ポリイミド、あるいはシリコーンなどの任意の接着材料を用いることができる。次に、後処理工程S120を実施する。具体的には、不透過性のn型GaAs基板を、5H3PO43H2O23H2Oや1NH4OH35H2O2などのエッチング液によって取り除く。ここで、たとえばInGaPやAlGaAs等からなるエッチングストップ層24は依然として、活性層から発せられた光を吸収する場合がある。従って、エッチングストップ層24さらにを取り除き、n型電極7と接触するn型クラッド層22の部分のみを残す必要がある。エッチングストップ層24は、ドライエッチングなど任意の方法により除去できる。また、例えばRIEなどのドライエッチング法を適用し、n型クラッド層22、活性層20、p型クラッド層18を部分的に取り除いて、p型オーミック接触エピタキシャル層16の上部表面の一部を露出させる。その後、p型電極8をp型オーミック接触エピタキシャル層16上に形成する。また、n型電極7をn型クラッド層22上に形成する。このようにして、図7に示されるような、p型とn型のオーミック接触金属層p型電極8およびn型電極7が同じ側に形成されたLED構造である発光素子を形成できる。実施の形態4図11を参照して、本発明による発光素子の実施の形態4を説明する。図11を参照して、発光素子はAlGaAs赤色LED発光波長:650nmであって、基板10と、基板10の主表面10aに接合されたp型クラッド層54と、p型クラッド層54上に形成された活性層53と、活性層53上に形成されたn型クラッド層52と、n型電極7およびp型電極8とを備える。n型電極7はn型クラッド層52上に形成されている。p型クラッド層54としては、たとえばおよそ70~80のAl組成で厚みが0.5μm以上2μm以下のp型AlGaAs層を用いることができる。また、n型クラッド層52として、たとえばおよそ70~80のAl組成で0.5μm以上2μm以下のn型AlGaAs層を用いることができる。n型クラッド層52および活性層53の一部が除去されることにより開口部が形成されている。当該開口部の底ではp型クラッド層54の上部表面が露出している。当該開口部の底において、p型クラッド層54に接触するようにp型電極8が形成されている。次に、図11に示した発光素子の製造方法を、図12および図13を参照して説明する。図11に示した発光素子の製造方法は、基本的には図8に示した発光素子の製造方法と同様である。すなわち、まず、構成材準備工程S100を実施する。この構成材準備工程S100では、上述した実施の形態2に示した製造方法を用いて、本発明によるスピネル製の基板10を準備する。また、発光素子の半導体層となるべき活性層53を含む半導体層をn型GaAs基板上に形成した、エピタキシャル構造体を準備する。当該エピタキシャル構造体は、図12に示すように、n型GaAs基板26と、当該n型GaAs基板26上に形成されたn型クラッド層52と、n型クラッド層52上に形成された活性層53と、活性層53上に形成されたp型クラッド層54とから構成されている。上述した各層はそれぞれエピタキシャル成長法を用いて形成されている。次に、貼り合わせ工程S110を実施する。具体的には、図12に示すようにエピタキシャル構造体において基板10と接合する面であるp型クラッド層54の表面にイオンビーム50を照射することにより、当該表面を活性化する。なお、イオンビーム50に代えて、プラズマなどを当該表面に接触させてもよい。その後、図13に示すように、基板10の主表面10aと、エピタキシャル構造体のp型クラッド層54の表面とを接触させる。なお、このとき基板10の主表面10aがp型クラッド層54の表面に押圧されるように応力を負荷してもよい。ここで、本発明による基板10は、主表面10aに関して優れた平坦性を示すため、上記のような接合を確実に行なうことができる。なお、上述のようにp型クラッド層54の表面を基板10の主表面10aに直接接合したが、たとえば透過性接着層を介してp型クラッド層54の表面を基板10の主表面10aに接着してもよい。透過性接着層の材料は、実施の形態3で説明したようにスピンオンガラスSOG、ポリイミド、あるいはシリコーンなどの任意の接着材料を用いることができる。次に、後処理工程S120を実施する。具体的には、不透過性のn型GaAs基板を、NH4OHH2O2=1.71などのエッチング液によって取り除く。また、例えばRIEなどのドライエッチング法を適用し、n型クラッド層52および活性層53を部分的に取り除いて、p型クラッド層54の上部表面の一部を露出させる。その後、p型電極8をp型クラッド層54上に形成する。また、n型電極7をn型クラッド層52上に形成する。このようにして、図11に示されるような、p型とn型のオーミック接触金属層p型電極8およびn型電極7が同じ側に形成されたLED構造である発光素子を形成できる。実験例1本発明の効果を確認するため、以下のような実験を行なった。試料直径4インチで厚みが0.25mmのスピネル製の基板を4枚準備した。また、研磨工程については、上述した本発明の実施の形態2において説明した4段階の研磨を行なった。なお、粗研磨工程S41、中仕上げ研磨工程S42、仕上げ研磨工程S43については、4枚とも共通の加工条件である。4枚の基板のうち、試料No.1および試料No.2については、CMP工程S44においてCMP装置の定盤側に軟質層を追加した状態でCMP工程を実施した。また、4枚の試料のうち試料No.3および試料No.4については、CMP工程においてCMP装置の研磨ヘッド側に軟質層を追加した。実験内容上述のようにして準備した基板保持基板について、面精度の評価を行なった。また実際にスピネルとは異なる材質からなるウェハをスピネルからなる保持基板の主表面に常温接合し、目視で接合状態の評価を行なった。当該ウェハ接合用ウェハは、接合状態の評価を容易にするために光を透過する材料からなるものを用いた。具体的には、接合用ウェハを構成する光透過性の材料として、ここではLiTaO3を用いた。面精度の評価:保持基板の主表面について、平面度測定解析装置を用いてPLTVを測定した。なお、PLTVとしては、以下のような数値を用いた。すなわち、保持基板の主表面について縦5mm×横5mmの四角形状の複数の領域を設定し、当該複数の領域のうち、主表面の外周から3mmの範囲に入る領域を除いた部分である複数の評価対象領域サイトを想定した。当該評価対象領域について、LTVLocalThicknessVariationが1.0μm以下となっている評価対象領域の割合をPLTVとした。サイトはオリエンテーションフラットに平行に設けることができる。LTVは、保持基板の裏面を基準とした高さの一サイトにおける最大値と最小値の差として表すことができる。データ解析においては、設定した縦5mm×横5mmの四角形状の領域サイトの中心点が、主表面の外周から3mmの範囲に含まれていれる場合には、評価対象から除外し、当該中心点が主表面の外周から3mmの範囲より内側であれば、評価対象として取り扱っている。また、それぞれの保持基板について平面度測定解析装置を用いて反りを測定した。ここにおいて、保持基板の裏面の中心点のみを固定した時の基準面からの高さを測定し、その高さの最大値を反り値とした。接合状態の評価:面精度の評価を行なった後、各基板の主表面に、直径が4インチ、厚みが0.5mmである光透過性の接合用ウェハを常温接合した。具体的には、接合用ウェハの表面にアルゴンイオンを照射することで当該接合用ウェハの表面を活性化し、その後接合用ウェハの当該表面にスピネルからなる保持基板の主表面を押圧することで常温接合した。そして、接合後の保持基板について、良好な接合状態の部分と接合不良が発生している部分とを目視で確認した。具体的には、接合不良が発生した部分には接合用ウェハの当該表面とスピネルからなる保持基板との間に空隙が形成されるため、良好な接合状態の部分より白っぽくなっているので、当該変色した部分を目視で確認した。結果測定結果を図14~図26に示す。図14~図16は試料No.1の結果であり、図17~図19は試料No.2の結果であり、図20~図22は試料No.3の結果であり、図23~図25は試料No.4の結果である。図14、図17、図20、図23は、それぞれ保持基板の主表面における凹凸の状態を3次元で示した模式図である。また、図15、図18、図21、図24は、それぞれ保持基板の主表面において設定された5mm角の複数の領域について、LTVが1.0μm以下となった領域を白く表示し、一方LTVが1.0μm超えとなった領域を黒く表示している。また、図16、図19、図22、図25は、接合後の基板接合基板の外観を示している。試料No.1について、図14~図16を参照して、保持基板の外周から3mmの範囲を除いたPLTVは72であり、反りは78μmであった。また、接合用ウェハを接合した状態を示す図16からわかるように、保持基板の主表面において良好な接合状態を示す部分の割合は80であった。試料No.2について、図17~図19を参照して、保持基板の外周から3mmの範囲を除いたPLTVは66であり、反りは66μmであった。また、接合用ウェハを接合した状態を示す図19からわかるように、保持基板の主表面において良好な接合状態を示す部分の割合は70であった。試料No.3について、図20~図22を参照して、保持基板の外周から3mmの範囲を除いたPLTVは92であり、反りは91μmであった。また、接合用ウェハを接合した状態を示す図22からわかるように、保持基板の主表面において良好な接合状態を示す部分の割合は98であった。試料No.4について、図23~図25を参照して、保持基板の外周から3mmの範囲を除いたPLTVは95であり、反りは96μmであった。また、接合用ウェハを接合した状態を示す図25からわかるように、保持基板の主表面において良好な接合状態を示す部分の割合は98であった。実験例2上述した試料No.1~4について、接合用ウェハを接合した後に当該接合基板をダイシングし、ダイシングにより得られたサンプルについてスピネルからなる保持基板と接合用ウェハとの間の接合力を調査した。試料上記実験例1において形成した試料No.1~4の保持基板を用いた接合基板を準備した。実験内容準備した4枚の接合基板を、10mm×10mmという四角形状の複数の試料を切出すようにダイシングした。そして、10mm×10mmという四角形状の試料を各接合基板からそれぞれ10個ずつ取り出し、両表面を治具に接着して引張試験機でスピネルからなる保持基板と接合用ウェハとを180°方向に引き剥がして引張強度を測定した。結果試料No.1および試料No.2の保持基板を用いた試料は、平均の引張強度が5MPaであった。一方、試料No.3および試料No.4の保持基板を用いた試料は、平均の引張強度が12MPaであった。このように、特にPLTVが90以上となっていれば、接合された基板間の接合力引張強度が十分大きくなることが分かる。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。