"蛍光層を具えた白色発光ダイオードにおいて、該白色発光ダイオードは白色光を発生するのに用いられ、サファイヤ基板と、該サファイヤ基板の上に堆積された窒化ガリウムバッファ層と、該窒化ガリウムバッファ層の上に堆積されたn型窒化ガリウム層と、該n型窒化ガリウム層の上に堆積され、並びに一部分が露出させられた多重量子井戸窒化アルミニウムガリウム層と、該多重量子井戸窒化アルミニウムガリウム層の上に堆積されたp型窒化ガリウム層と、該p型窒化ガリウム層の上に堆積された透明導電層と、該透明導電層の上に堆積され、且つ貫通孔を有している酸化インジウムテルビウム蛍光層と、該酸化インジウムテルビウム蛍光層の上に堆積され、並びに該貫通孔を通り電気的に該透明導電層に接続され、且つ外部電源のマイナス端子に電気的に接続されるマイナス極金属接続層と、該p型窒化ガリウム層の上に堆積され、且つ外部電源のプラス端子に電気的に接続されるプラス極金属接続層と、を包含したことを特徴とする、白色発光ダイオード。請求項1記載の白色発光ダイオードにおいて、該酸化インジウムテルビウム蛍光層が含有する酸化インジウムとテルビウムの比例範囲は、In2O3:Tb=95:5から70:30であることを特徴とする、白色発光ダイオード。請求項1記載の白色発光ダイオードにおいて、該酸化インジウムテルビウム蛍光層はRF反応性磁気制御スパッタ法で堆積されることを特徴とする、白色発光ダイオード。請求項1記載の白色発光ダイオードにおいて、該多重量子井戸窒化アルミニウムガリウム層は複数の、交替して堆積され且つ異なるバンドギャップの薄状窒化アルミニウムガリウムを具え、且つ低バンドギャップ層が形成する量子井戸を有することを特徴とする、白色発光ダイオード。しかし、上述の周知の技術の欠点は、透明蛍光樹脂体層は、樹脂体の老化の問題を有し、発光ダイオードの出射光品質に影響を与えることにある。このため半導体工程で蛍光作用を有する半導体蛍光層を具えた白色発光ダイオードを製造し、上述の周知の技術の問題を解決することが必要とされている。本発明の主要な目的は、蛍光層を具えた白色発光ダイオードを提供することにあり、それは、サファイヤ基板、窒化ガリウムバッファ層、n型窒化ガリウム層、多重量子井戸窒化アルミニウムガリウム層、p型窒化ガリウム層、透明導電層、酸化インジウムテルビウム蛍光層、マイナス極金属接続層、及びプラス極金属接続層を包含する。そのうち、窒化ガリウムバッファ層、n型窒化ガリウム層、多重量子井戸窒化アルミニウムガリウム層、p型窒化ガリウム層、透明導電層、酸化インジウムテルビウム蛍光層は順にサファイヤ基板上に堆積され、マイナス極金属接続層はn型窒化ガリウム層に接続されて、外部マイナス電源端子との接続に用いられ、プラス極金属接続層は酸化インジウムテルビウム蛍光層の上に位置し、並びに酸化インジウムテルビウム蛍光層を貫通して透明導電層に接続され、外部プラス電源端子との接続に用いられ、これにより電流はプラス極金属接続層から透明導電層、p型窒化ガリウム層、酸化インジウムテルビウム蛍光層、n型窒化ガリウム層を流れてマイナス極金属接続層に至り、並びに多重量子井戸窒化アルミニウムガリウム層より光線を発射し、この光線は、p型窒化ガリウム層、透明導電層及び酸化インジウムテルビウム蛍光層をとおり、且つ蛍光特性を具えた酸化インジウムテルビウム蛍光層で白色光に変換されて外部に出射される。請求項1の発明は、蛍光層を具えた白色発光ダイオードにおいて、該白色発光ダイオードは白色光を発生するのに用いられ、サファイヤ基板と、該サファイヤ基板の上に堆積された窒化ガリウムバッファ層と、該窒化ガリウムバッファ層の上に堆積されたn型窒化ガリウム層と、該n型窒化ガリウム層の上に堆積され、並びに一部分が露出させられた多重量子井戸窒化アルミニウムガリウム層と、該多重量子井戸窒化アルミニウムガリウム層の上に堆積されたp型窒化ガリウム層と、該p型窒化ガリウム層の上に堆積された透明導電層と、該透明導電層の上に堆積され、且つ貫通孔を有している酸化インジウムテルビウム蛍光層と、該酸化インジウムテルビウム蛍光層の上に堆積され、並びに該貫通孔を通り電気的に該透明導電層に接続され、且つ外部電源のマイナス端子に電気的に接続されるマイナス極金属接続層と、該p型窒化ガリウム層の上に堆積され、且つ外部電源のプラス端子に電気的に接続されるプラス極金属接続層と、を包含したことを特徴とする、白色発光ダイオードとしている。請求項2の発明は、請求項1記載の白色発光ダイオードにおいて、該酸化インジウムテルビウム蛍光層が含有する酸化インジウムとテルビウムの比例範囲は、In2O3:Tb=95:5から70:30であることを特徴とする、白色発光ダイオードとしている。請求項3の発明は、請求項1記載の白色発光ダイオードにおいて、該酸化インジウムテルビウム蛍光層はRF反応性磁気制御スパッタ法で堆積されることを特徴とする、白色発光ダイオードとしている。請求項4の発明は、請求項1記載の白色発光ダイオードにおいて、該多重量子井戸窒化アルミニウムガリウム層は複数の、交替して堆積され且つ異なるバンドギャップの薄状窒化アルミニウムガリウムを具え、且つ低バンドギャップ層が形成する量子井戸を有することを特徴とする、白色発光ダイオードとしている。本発明の白色発光ダイオードは蛍光粉を透明樹脂体中に添加して樹脂体蛍光層を形成して紫外線を可視光に転換する必要がなく、RF反応性磁気制御スパッタ法の半導体工程で直接透明導電層の上に蛍光作用を有する酸化インジウムテルビウム蛍光層を堆積させることができ、これにより白色光スペクトルを有する出射光を発生させることができる。本発明の技術内容、構造特徴、達成する目的を詳細に説明するため、以下に実施例を挙げ並びに図面を組み合わせて説明する。図1を参照されたい。図1は本発明の蛍光層を具えた白色発光ダイオードの表示図である。本発明の蛍光層を具えた白色発光ダイオードは、サファイヤ基板10、窒化ガリウムバッファ層20、n型窒化ガリウム層30、多重量子井戸窒化アルミニウムガリウム層MultipleQuantumWell,MQW40、p型窒化ガリウム層50、透明導電層60、酸化インジウムテルビウム蛍光層70、マイナス極金属接続層80、及びプラス極金属接続層90を包含し、白色光を発生するのに用いられる。窒化ガリウムバッファ層20、n型窒化ガリウム層30、多重量子井戸窒化アルミニウムガリウム層40、p型窒化ガリウム層50、透明導電層60及び酸化インジウムテルビウム蛍光層70は順にサファイヤ基板10上に堆積され、且つ一部のn型窒化ガリウム層30は露出されて、マイナス極金属接続層80を電気的に接続するのに用いられ、マイナス極金属接続層80は外部電源のマイナス端子V-に接続される。プラス極金属接続層90は外部電源のプラス端子Vに接続するのに用いられ、且つ酸化インジウムテルビウム蛍光層70の上に位置する。酸化インジウムテルビウム蛍光層70は貫通孔を有し、これによりプラス極金属接続層90は該貫通孔をとおり透明導電層60に電気的に接続される。多重量子井戸窒化アルミニウムガリウム層40は複数の、交替して堆積され且つ異なるバンドギャップの薄状窒化アルミニウムガリウムを具え、そのうち、低バンドギャップ層の形成する量子井戸を利用し、電子及び正孔を容易に一緒に局限し、これにより発光強度を増加できる。電流がプラス極金属接続層90より透明導電層60、p型窒化ガリウム層50、多重量子井戸窒化アルミニウムガリウム層40、n型窒化ガリウム層30をとおりマイナス極金属接続層80に至る時、多重量子井戸窒化アルミニウムガリウム層40は電子正孔再結合作用により光線を発射し、且つ該光線は、p型窒化ガリウム層50、透明導電層60及び酸化インジウムテルビウム蛍光層70を透過し、並びに蛍光特性を有する酸化インジウムテルビウム蛍光層70で白色光の出射光に変換されて外部に出射される。本発明の酸化インジウムテルビウム蛍光層70は透明な薄膜とされ、その主要成分は、酸化インジウムテルビウムTerbiumIndiumOxide、化学式は、In2O3:Tbであり、一般には、TIOである。そのうち、酸化インジウムとテルビウムの最良の比例範囲は、In2O3:Tb=95:5から5:95である。酸化インジウムテルビウム蛍光層70はRF反応性磁気制御スパッタ法の半導体工程を利用して透明導電層60上に堆積される。本発明の特徴を明かにご理解いただくため、図2及び図3を参照されたい。そのうち、図2は本発明の実施例の白色発光ダイオードのホトルミネッセンスphotoluminescence,PLのスペクトルであり、且つその酸化インジウムとテルビウムの比例は90:10であり、第3図は本発明の別の実施例の白色発光ダイオードのホトルミネッセンスであり、その酸化インジウムとテルビウムの比例は80:20である。図2及び図3は10Kから300K温度範囲内のホトルミネッセンス変化を示し、且つ図2及び図3はそれぞれ575nm及び565nm付近で広い吸収特性を示した。図4及び図5は本発明の実施例の白色発光ダイオード及びその蛍光層のエレクトロルミネッセンスelectroluminescence,ELのスペクトルを示し、図4の酸化インジウムとテルビウムの比例は90:10であり、電流は100mAである。図4からわかるように、この実施例の白色発光ダイオードは385nmの紫外光を有する。図5からわかるように、その蛍光層は450nmから700nmの軌道遷移を有し、すなわち、D軌道からF軌道への遷移を有し、図中には並びに遷移に対応する波長が示されている。続いて、図6及び図7を参照されたい。これらはそれぞれ本発明の別の実施例の白色発光ダイオード及びその蛍光層のエレクトロルミネッセンススペクトルであり、且つ酸化インジウムとテルビウムの比例は80:20であり、電流は100mAである。図6中、白色発光ダイオードは先の実施例と同様に、385nm紫外光を有し、図7では、その蛍光層は、図5に示されるものと類似し、450nmから700nmの軌道遷移を有し、図中には並びに遷移に対応する波長も示されている。これにより、図2から図7のスペクトルから明かに理解されるように、本発明の白色発光ダイオードは確実に白色光を発生でき、高品質の光源を提供するのに用いられ、表示装置のバックライト光源或いは一般の照明光源に適用され得る。上述の本発明の蛍光層を具えた白色発光ダイオードをさらに具体的に表現するため、図8及び図9の写真を参照されたい。そのうち、図8は10酸化インジウムテルビウム蛍光層すなわち、酸化インジウムとテルビウムの比例が90:10を具えた窒化ガリウム白色発光ダイオードが発射する白色光の写真であり、図9は20酸化インジウムテルビウム蛍光層すなわち、酸化インジウムとテルビウムの比例が80:20を具えた窒化ガリウム白色発光ダイオードが発射する白色光の写真であり、且つ導通電流は20mAである。以上述べたことは、本発明の実施例にすぎず、本発明の実施の範囲を限定するものではなく、本発明の特許請求の範囲に基づきなし得る同等の変化と修飾は、いずれも本発明の権利のカバーする範囲内に属するものとする。"