"半導体チップ12の一面に、接合面が該半導体チップ12の一面よりも小さい金属ブロック体13、22、32、42、52をはんだ接合すると共に、それらの両面側に夫々金属放熱板14、15、62をはんだ接合した構成を備える半導体装置11、21、31、41、51、61において、前記金属ブロック体13、22、32、42、52の側壁部のうち、少なくとも前記半導体チップ12の一面から立上る部分を、鋭角形状に構成したことを特徴とする半導体装置。前記金属ブロック体13、22、32、42、52の側壁部の鋭角形状部分は、該金属ブロック体13、22、32、42、52の厚さ方向の半分以上について設けられていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記金属ブロック体22の側壁部は、前記半導体チップ12の一面と接触する側に位置される傾斜面22aと、その傾斜面22aから連続して前記金属放熱板14側に延びる垂直面22bとを有して構成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。前記金属ブロック体32の側壁部は、前記半導体チップ12の一面から立上る部分が鋭角状とされた曲面状をなしていることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。前記金属ブロック体42、52の側壁部のうち、前記金属放熱板14との接合側についても、該金属ブロック体42、52の厚み方向に関して前記半導体チップ12との接合側と対称的になるような鋭角形状に構成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。前記金属ブロック体13、22、32、42、52の側壁部の、前記半導体チップ12の一面から鋭角形状に立上る部分の角度θは、45°以上、90°未満の範囲とされていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の半導体装置。前記半導体チップ12の表面に対してはんだ17のなす接触角度αが、60°以上、90°未満であることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の半導体装置。前記金属放熱板62の、前記金属ブロック体13が接合される接合面には、はんだ接合部の外周に位置して、はんだ17の拡がりを防止するための環状の溝62aが形成されていると共に、その溝62aの内面には、前記金属ブロック体13の側面よりもはんだ17の濡れ性の大きい部材63が設けられていることを特徴とする請求項1ないし7のいずれかに記載の半導体装置。請求項1乃至8のいずれかに記載の半導体装置11、21、31、41、51、61に用いられる金属ブロック体13、22、32、42、52であって、側壁部のうち少なくとも前記半導体チップ12の一面から立上る部分が、鋭角形状に構成されていることを特徴とする金属ブロック体。請求項9に記載の金属ブロック体13、22、32、42、52を製造するための方法であって、金属材料71を上面からプレスすることにより形成されることを特徴とする金属ブロック体の製造方法。請求項9に記載の金属ブロック体13、22、32、42、52を製造するための方法であって、金属材料71を側面からプレスすることにより形成されることを特徴とする金属ブロック体の製造方法。請求項9に記載の金属ブロック体13、22、32、42、52を製造するための方法であって、厚み方向に2分割された形態の2つの分割体75、75を接合することにより形成されることを特徴とする金属ブロック体の製造方法。請求項9に記載の金属ブロック体13、22、32、42、52を製造するための方法であって、金属材料71の切削及び研削加工により形成されることを特徴とする金属ブロック体の製造方法。請求項9に記載の金属ブロック体13、22、32、42、52を製造するための方法であって、フープ材76から直接切り出すことにより形成されることを特徴とする金属ブロック体の製造方法。ところで、上記構成の半導体装置1においては、半導体チップ4、5の構造によっては、半導体チップ4、5と金属ブロック体6、7との間を接合しているはんだ8の端部において、熱サイクルを受けた際などに、熱膨張係数の相違に起因して半導体チップ4、5に比較的大きな垂直応力が作用し、半導体チップ4、5に悪影響を与えてしまう問題点があった。特に、金属ブロック体6、7と放熱板3との間を接合しているはんだ8が溢れて、金属ブロック体6、7の側面に濡れ拡がり、半導体チップ4、5の表面にまで溢れてしまう場合がある。この場合、溢れたはんだ8と半導体チップ4、5との接触角によっては、垂直応力が更に大きくなり、半導体チップ4、5の寿命低下を招く虞があった。尚、上記した特許文献1では、図14bに接合部分の一部を拡大して示すように、放熱板3の上面に、溢れたはんだ8を収容するための溝3aを形成すると共に、その溝3aの内面を含むはんだ8の接合面に、金属ブロック体6、7の側面に比べてはんだ8との濡れ性を大きくするための金メッキ層10を形成するようにしている。これにより、放熱板3の上面から溢れたはんだ8が金属ブロック体6、7の側面に濡れ拡がることを防止するようにしている。本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その第1の目的は、半導体チップの一面に金属ブロック体をはんだ接合する構成を備えるものにあって、半導体チップのはんだ接合部分に作用する応力を小さくすることができながらも、そのための構成を簡単に済ませることができる半導体装置を提供するにある。また、本発明の第2の目的は、上記半導体装置に適する金属ブロック体及びその製造方法を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明者は、半導体チップ12の表面に金属ブロック体13、22、32、42、52をはんだ接合した場合に、接合部から溢れたはんだ17によって半導体チップ12が受ける応力に関し、様々な試験、研究を行った。その結果、半導体チップ12に作用する垂直応力は、はんだ17の形状、具体的には半導体チップ12の表面に対してはんだ17がなす接触角度αの大小によって変動することを確認した図3参照。即ち、はんだ17の接触角度αが90°以上の鈍角であると、応力が比較的大きくなり、接触角度αが90°未満の鋭角であると、応力を十分にはんだ17の溢れがない場合と同程度に小さくできるとの知見を得て、本発明を成し遂げるに至ったのである。本発明の半導体装置は、半導体チップ12の一面に、接合面が該半導体チップ12の一面よりも小さい金属ブロック体13、22、32、42、52をはんだ接合すると共に、それらの両面側に夫々金属放熱板14、15、62をはんだ接合した構成を備えるものにおいて、前記金属ブロック体13、22、32、42、52の側壁部のうち、少なくとも前記半導体チップ12の一面から立上る部分を、鋭角形状に構成したところに特徴を有する請求項1の発明。これによれば、金属ブロック体13、22、32、42、52の側壁部の半導体チップ12表面から立上る部分が鋭角形状に構成されているので、接合部から溢れてはみ出したはんだ17が、金属ブロック体13、22、32、42、52の側壁部に沿って付着した場合でも、そのはんだ17の半導体チップ12表面に対する接触角度αが鋭角状になる。従って、半導体チップ12と金属ブロック体13、22、32、42、52とのはんだ接合部分からはんだ17が溢れて金属ブロック体13、22、32、42、52の側壁面に付着することがあっても、半導体チップ12に作用する応力を小さくすることが可能になる。この場合、金属ブロック体13、22、32、42、52の形状によって応力を小さくすることができるので、製造工程の複雑化やコストアップを抑えることができる。ここで、金属ブロック体13、22、32、42、52の側壁部全体を一定の鋭角形状の傾斜面とした場合には、金属ブロック体13、22、32、42、52の金属放熱板14、62と接合される側の面の面積が小さくなってしまい、熱伝導性能ひいては放熱性を低下させることにつながる。そこで、本発明においては、前記金属ブロック体13、22、32、42、52の側壁部の鋭角形状部分を、該金属ブロック体13、22、32、42、52の厚さ方向の半分以上について設けることにより請求項2の発明、所期の目的を達成することができる。この場合、前記金属ブロック体22の側壁部を、前記半導体チップ12の一面と接触する側に位置される傾斜面22aと、その傾斜面22aから連続して前記金属放熱板14側に延びる垂直面22bとを有するように構成することができる請求項3の発明。或いは、前記金属ブロック体32の側壁部32aを、前記半導体チップ12の一面から立上る部分が鋭角状とされた曲面状をなすように構成しても良い請求項4の発明。これらによれば、金属ブロック体22、32の金属放熱板14と接合される側の面の接触面積を徒に小さくすることなく済ませることができる。更には、前記金属ブロック体42、52の側壁部のうち、前記金属放熱板14との接合側についても、該金属ブロック体42、52の厚み方向に関して前記半導体チップ12との接合側と対称的になるような鋭角形状に構成することもできる請求項5の発明。これによれば、金属ブロック体42、52の金属放熱板14と接合される側の面の接触面積を徒に小さくすることなく済ませることができることに加え、金属ブロック体42、52を上下反転しても組付けが可能となるので、組付作業性を高めることができる。また、本発明においては、前記金属ブロック体13、22、32、42、52の側壁部の、前記半導体チップ12の一面から鋭角状に立上る部分の角度θを、45°以上、90°未満の範囲とすることが望ましい請求項6の発明。或いは、前記半導体チップ12の表面に対してはんだ17のなす接触角度αが、60°以上、90°未満の範囲となるように構成することが望ましい請求項7の発明。これらによれば、はんだ17が接合部から溢れて金属ブロック体13、22、32、42、52の側壁面に付着することがあっても、半導体チップ12に作用する応力を、はんだ17の溢れがない場合と同程度に小さくすることができる。本発明においては、前記金属放熱板62の、前記金属ブロック体13が接合される接合面に、はんだ接合部の外周に位置して、はんだ17の拡がりを防止するための環状の溝62aを形成すると共に、その溝62aの内面に、前記金属ブロック体13の側面よりもはんだ17の濡れ性の大きい部材63を設ける構成としても良い請求項8の発明。金属放熱板62と金属ブロック体13との接合部において溢れるはんだ17を溝62a内に捕獲して、金属ブロック体13の側面にはんだ17が濡れ拡がることを効果的に防止することができる。尚、本発明におけるはんだとは、一般的な、錫-鉛合金系の接合材料に限定されるものではなく、金属や合金からなる各種の金属接合材ろう付け材料全般を含む概念である。本発明の金属ブロック体は、上記請求項1乃至8のいずれかに記載の半導体装置11、21、31、41、51、61に用いられる金属ブロック体13、22、32、42、52であって、側壁部のうち少なくとも前記半導体チップ12の一面から立上る部分が、鋭角形状に構成されているところに特徴を有する請求項9の発明。これによれば、半導体チップ12のはんだ接合部分に作用する応力を小さくすることができながらも、そのための構成を簡単に済ませることができる。そして、上記金属ブロック体13、22、32、42、52を製造するための製造方法として、金属材料71を上面からプレスすることにより形成する方法を採用したり請求項10の発明、金属材料71を側面からプレスすることにより形成する方法を採用したり請求項11の発明、厚み方向に2分割された形態の2つの分割体75、75を接合することにより形成する方法を採用したり請求項12の発明、金属材料71の切削及び研削加工により形成する方法を採用したり請求項13の発明、フープ材76から直接切り出すことにより形成する方法を採用したり請求項14の発明することができる。以下、本発明を具体化したいくつかの実施例について、図1ないし図13を参照しながら説明する。尚、以下の実施例を説明する各図面においては、本来ハッチングを付すべき断面に関しても、判り易くするために、便宜上、基本的にはんだ部分を除いてハッチングを省略して示している。また、以下の各実施例においては、本発明を、例えば三相モータ駆動用のインバータ回路に用いられる、IGBTとダイオードとの並列接続回路を一体的に形成した半導体チップをパッケージ内に備える半導体装置に適用している。1第1の実施例まず、図1ないし図3を参照して、本発明の第1の実施例について述べる。図1及び図2aは、本実施例に係る半導体装置11の全体構成を概略的に示している。この半導体装置11は、半導体チップ12の一面この場合図で上面に、金属ブロック体13を接合すると共に、それらの図で上下両面側に夫々金属放熱板14、15を接合し、更に全体を例えばエポキシ樹脂からなるモールド樹脂層16パッケージでモールドした構成を備える。金属放熱板14、15の放熱面は、モールド樹脂層16から露出している。詳しく図示はしないが、前記半導体チップ12は、例えばパワー素子であるIGBTと、そのコレクタ-エミッタ間に並列接続されたダイオードとを備え、薄型の矩形チップ状に構成されている。これも図示はしないが、半導体チップ12の表面図で上面には、例えば大部分に位置してエミッタ電極が形成されていると共に、一辺側に位置してゲート用やケルビンエミッタ用の複数個の小型の電極パッドが形成されている。また、半導体チップ12の裏面には、コレクタ電極が大きな面積で形成されている。前記金属ブロック体13は、例えば銅やアルミニウム等の金属から、この場合薄型の四角錘台状、つまり上下両面が上面側の方が小さい矩形状で、4つの側壁部が傾斜面13aとされたブロック状に構成されている。この金属ブロック体13は、半導体チップ12の表面上面のエミッタ電極に重なるようにして、はんだ17により電気的及び熱的な接続状態で接合されている。このとき、金属ブロック体13の接合面下面は、半導体チップ12の上面より小さく構成されている。そして、図2bにも示すように、金属ブロック体13の側壁部の半導体チップ12の表面から立上る部分は、鋭角形状に構成されている。より具体的には、その立上り角度θは、45°以上、90°未満の範囲、例えば45°とされている。この場合、金属ブロック体13の側壁部は、厚み方向全体に渡って傾斜面13aとされている。尚、この金属ブロック体13は、後の第7の実施例等で説明するように、例えば、金属材料を上下方向にプレス加工することにより製造される。前記金属放熱板14、15は、例えば銅やアルミニウム等の熱伝導性の高い金属から、前記半導体チップ12よりも大型の矩形板状に構成されている。上側の金属放熱板14の下面と、前記金属ブロック体13の上面との間は、はんだ17により電気的及び熱的な接続状態で接合されている。このとき、図示はしないが、金属放熱板14に電気的に接続された或いは一体に設けられたパワー端子が、モールド樹脂層16の側面から導出するように設けられている。下側の金属放熱板15の上面には、前記半導体チップ12の下面側コレクタ電極が、はんだ17により電気的及び熱的な接続状態で接合されている。また、図示はしないが、金属放熱板15には、パワー端子が電気的に接続される或いは一体に設けられると共に、複数本の信号端子となるリード部を有したリードフレームが接続される。これも図示はしないが、リードフレームの各リード部信号端子と、前記半導体チップ12の表面の複数個の電極パッドとが、夫々ボンディングワイヤによって電気的に接続される。前記金属ブロック体13は、ワイヤボンディングのためのスペーサ等として機能する。リードフレームはモールド樹脂層16の形成後に切離され、前記パワー端子および信号端子が、モールド樹脂層16の側面から導出された形態で設けられる。ここで、上記半導体装置11の製造の手順について述べる。半導体装置11を製造するにあたっては、図示はしないが、予め、必要な大きさ及び形状に切断した薄いはんだ箔を用意しておく。まず、図示しない治具上に、下側の金属放熱板15を載置し、その上にはんだ箔を載せ、半導体チップ12を載置する。さらに、半導体チップ12のエミッタ電極上にはんだ箔を載せ、金属ブロック体13を載置する。次いで、1回目のはんだリフローの工程が実行され、はんだ箔が一旦溶けた後、硬化してはんだ17の層となり、部品間つまり金属放熱板15と半導体チップ12との間、並びに、半導体チップ12と金属ブロック体13との間がはんだ接合される。この後、金属放熱板15にリードフレームを接続し、リードフレームの各リード部と、半導体チップ12の各電極パッドと夫々を接続するワイヤボンディングが行われる。さらに、金属ブロック体13上にはんだ箔を載せ、上側の金属放熱板14を載置した上で、2回目のはんだリフローの工程が実行される。これにて、金属ブロック体13と金属放熱板14との間についても、はんだ17の層による接合がなされる。そして、以上のように組立てられた中間組立体を、図示しないモールド成形型内に収容し、エポキシ樹脂により一体に封止する樹脂モールド工程が実行され、モールド樹脂層16パッケージが形成される。この樹脂モールド工程の後に、パッケージの上下両面を切削或いは研磨することにより、金属放熱板14の上面の放熱面がパッケージの上面に露出し、金属放熱板15の下面の放熱面がパッケージの下面に露出した形態とされる。またこれと共に、前記リードフレームの外周側の連結部分が切離され、パワー端子や信号端子が整形される。さて、上記のように構成された半導体装置11においては、半導体チップ12と金属ブロック体13との間の接合部や、金属ブロック体13と金属放熱板14との間の接合部に関して、図1に示すように、はんだ17の量や部材間の間隔が適切であることが理想的である。即ち、はんだ17の層の厚みはんだ17の量が適切であって、接合部からはんだ17が溢れるようなことがない場合には、半導体チップ12に対する垂直応力がさほど大きくなることがない。図3aは、本発明者が、半導体チップ12と金属ブロック体13との接合部においてはんだ17の溢れがない場合に、金属ブロック体13の側壁部の半導体チップ12表面からの立上り角度θと、半導体チップ12に作用する垂直応力との関係をシミュレートした解析結果を示している。この図3aから理解できるように、金属ブロック体13の立上り角度θが、45°以上の鋭角である場合には、応力が比較的小さく済み、90°あるいは鈍角の場合には、応力が比較的大きくなる。従って、金属ブロック体13の側壁部の立上り部分の角度θを、45°以上、90°未満の範囲とすることが望ましい。また、現実には、図1のような理想的な状態とすることは難しく、図2aに示すように、はんだ17の量が多く溢れてしまうことがある。このように接合部から溢れたはんだ17が、金属ブロック体13の側壁部を覆う上下につながるように付着すると、はんだ17層と半導体チップ12との間の熱膨張係数の相違に起因して、熱サイクルを受けた際に、半導体チップ12の表面部に比較的大きな垂直応力がかかることが考えられる。この垂直応力が大きくなると、はんだ17の層にクラックが発生したり、半導体チップ12に対して悪影響を及ぼしたりする虞がある。ところが、本実施例では、金属ブロック体13の形状に工夫を施した、つまり金属ブロック体13の側壁部の半導体チップ12の上面から立上る部分を、鋭角形状の傾斜面13aに構成した。これにより、半導体チップ12と金属ブロック体13とのはんだ接合部分からはんだ17が溢れて金属ブロック体13の側壁面に付着することがあっても、半導体チップ12の表面部に作用する応力を小さくはんだ17の溢れがない場合と同程度にすることができたのである。即ち、本発明者の試験、研究によれば、半導体チップ12に作用する応力は、溢れたはんだ17の形状、具体的には半導体チップ12の表面に対して、はんだ17がなす接触角度αの大小によって変動し、接触角度αが90°以上の鈍角であると、応力が大きくなり、接触角度αが90°未満の鋭角であると、応力を十分に小さくできることが明らかとなったのである。図3bは、半導体チップ12に対するはんだ17の接触角度αと、半導体チップ12に作用する垂直方向の応力との関係をシミュレートした解析結果を示している。この図3bの結果から、半導体チップ12に対するはんだ17の接触角度αが、90°直角又はそれ以下鋭角であると、半導体チップ12に作用する垂直方向の応力が比較的小さいものとなる。中でも、接触角度αを60°程度としたものが、応力が最も小さくなっている。そして、はんだ17の接触角度αが90°を超えた鈍角になると、角度αが大きくなればなるほど、半導体チップ12に作用する応力も次第に大きくなっていくことが理解できる。従って、はんだ17の接触角度αを、60°以上、90°未満とすることが最も望ましいのである。本実施例では、金属ブロック体13の側壁部の半導体チップ12表面から立上る部分の角度θが鋭角状に構成されているので、接合部から溢れてはみ出したはんだ17が、金属ブロック体13の側壁部に沿って付着した場合でも、そのはんだ17の半導体チップ12表面に対する接触角度αも鋭角状になる。従って、半導体チップ12に作用する応力を小さくすることが可能になるのである。この場合、金属ブロック体13の形状によって応力を小さくすることができるので、従来のような溝3aの加工及び金めっき層10の加工を行うものと異なり、製造工程の複雑化やコストアップを抑えることができる。この結果、本実施例の半導体装置11によれば、半導体チップ12の一面に金属ブロック体13をはんだ接合する構成を備えるものにあって、半導体チップ12のはんだ接合部分に作用する応力を小さくすることができながらも、そのための構成を簡単に済ませることができるという優れた効果を奏する。特に本実施例では、金属ブロック体13の側壁部の傾斜面13aの立上り部分の角度θを、45°以上、90°未満の範囲とした。これにより、はんだ17の溢れが無い場合の半導体チップ12に作用する垂直応力を低減できるだけでなく、はんだ17が接合部から溢れて金属ブロック体13の側壁面に付着することがあっても、はんだ17の半導体チップ12に対する接触角度αを、60°以上、90°未満とすることができ、半導体チップ12に作用する応力を、はんだ17の溢れがない理想的な場合と同程度に小さくすることができたのである。2第2、第3の実施例次に、図4、図5を夫々参照して、本発明の第2、第3の実施例について述べる。尚、第2の実施例以降の説明に関しては、上記した第1の実施例と同一部分には同一符号を付して詳しい説明を省略し、第1の実施例と異なる点についてのみ述べる。図4a、bは、第2の実施例に係る半導体装置21の構成を示している。この半導体装置21は、半導体チップ12の一面この場合図で上面に、金属ブロック体22をはんだ17により接合すると共に、それらの図で上下両面側に夫々金属放熱板14、15をはんだ17により接合し、それらを例えばエポキシ樹脂からなるモールド樹脂層16パッケージでモールドした構成を備えている。図4aは、はんだ17に溢れがない様子、図4bは、はんだ17の溢れが生じている様子を示している。このとき、前記金属ブロック体22は、例えば銅等の金属により全体として矩形状に構成されているのであるが、その側壁部は、前記半導体チップ12の上面と接触する側下半部に位置される傾斜面22aと、その傾斜面22aから連続して前記金属放熱板14の下面側に直角に延びる垂直面22bとを有している。前記金属ブロック体22の傾斜面22aの半導体チップ12の上面からの立上り角度θは、やはり、45°以上、90°未満の範囲の鋭角状に構成されている。このとき、金属ブロック体22の斜面部22aの高さ寸法hが、該金属ブロック体22の全体の厚さ寸法Hの半分以上となるように形成されている。この構成によれば、金属ブロック体22の側壁部の半導体チップ12表面から立上る傾斜面22aの立上り角度θが鋭角形状に構成されているので、図4bに示すように、接合部から溢れてはみ出したはんだ17が、金属ブロック体22の側壁部に沿って付着した場合でも、そのはんだ17の半導体チップ12表面に対する接触角度αも鋭角状60°以上、90°未満になる。従って、半導体チップ12に作用する応力を小さくすることができながらも、そのための構成を簡単に済ませることができる。そして、金属ブロック体22の側壁部の上半部は、垂直面22bとされているので、金属ブロック体22の金属放熱板14と接合される側の面上面の接触面積を徒に小さくすることなく済ませることができ、高い放熱性を確保することができる。図5a、bは、本発明の第3の実施例に係る半導体装置31の構成を示している。この半導体装置31は、半導体チップ12の一面この場合図で上面に、金属ブロック体32をはんだ17により接合すると共に、それらの図で上下両面側に夫々金属放熱板14、15をはんだ17により接合し、それらを例えばエポキシ樹脂からなるモールド樹脂層16パッケージでモールドした構成を備えている。図5aは、はんだ17に溢れがない様子、図5bは、はんだ17の溢れが生じている様子を示している。そして、この実施例では、金属ブロック体32の4面の側壁部は、半導体チップ12の一面から立上る部分が鋭角状とされた曲面状である円弧面32aとされている。この場合も、円弧面32aの立上り角度θは、45°以上、90°未満の範囲の鋭角状に構成されている。また、図5bに示すように、接合部から溢れてはみ出したはんだ17が、金属ブロック体32の側壁部に沿って付着した場合でも、そのはんだ17の半導体チップ12表面に対する接触角度αが鋭角状60°以上、90°未満になる。この構成によっても、上記第2の実施例と同様に、半導体チップ12に作用する応力を小さくすることができながらも、そのための構成を簡単に済ませることができる。そして、金属ブロック体32の側壁部は、円弧面32aとされているので、金属ブロック体32の金属放熱板14と接合される側の面上面の接触面積を徒に小さくすることなく済ませることができ、高い放熱性を確保することができる。3第4、第5、第6の実施例図6a、bは、本発明の第4の実施例に係る半導体装置41の構成を示している。この半導体装置41は、半導体チップ12の一面この場合図で上面に、金属ブロック体42をはんだ17により接合すると共に、それらの図で上下両面側に夫々金属放熱板14、15をはんだ17により接合し、それらを例えばエポキシ樹脂からなるモールド樹脂層16パッケージでモールドした構成を備えている。図6aは、はんだ17に溢れがない様子、図6bは、はんだ17の溢れが生じている様子を示している。そして、この実施例では、金属ブロック体42の4面の側壁部は、半導体チップ12の一面から立上る部分が45°以上、90°未満の範囲の鋭角状とされた傾斜面42aが形成されている。この傾斜面42aは、金属ブロック体42の厚み方向の下半分について、厚み寸法の半分の位置まで延びて形成されていると共に、厚み方向に関して上半部とにおいても、下半部との間で対称的となる、つまり断面く字状になるように形成されている。また、図5bに示すように、接合部から溢れてはみ出したはんだ17が、金属ブロック体42の側壁部に沿って付着した場合でも、そのはんだ17の半導体チップ12表面に対する接触角度αが鋭角状60°以上、90°未満になる。この構成によっても、上記第2、第3の実施例と同様に、半導体チップ12に作用する応力を小さくすることができながらも、そのための構成を簡単に済ませることができる。そして、金属ブロック体42の側壁部は、傾斜面42aが対称的に形成されているので、金属ブロック体42の金属放熱板14と接合される側の面上面の接触面積を徒に小さくすることなく済ませることができ、高い放熱性を確保することができる。しかも、金属ブロック体42は、上下反転しても組付けが可能となるので、組付作業時の取付け方向のミスを未然に防止し、組付作業性を高めることができる。図7a、bは、本発明の第5の実施例に係る半導体装置51の構成を示している。図7aは、はんだ17に溢れがない様子、図7bは、はんだ17の溢れが生じている様子を示している。この半導体装置51が、上記図6の半導体装置41と異なる点は、金属ブロック体52の形状にある。即ち、金属ブロック体52の4面の側壁部は、半導体チップ12の一面から立上る部分が45°以上、90°未満の範囲の鋭角状とされた円弧面52aが形成されている。この円弧面52aは、金属ブロック体52の厚み方向の中央部において最も深い凹形状となるように形成され、厚み方向に関して上半部と下半部との間で対称的となるように形成されている。図6bに示すように、接合部から溢れてはみ出したはんだ17が、金属ブロック体52の側壁部に沿って付着した場合でも、そのはんだ17の半導体チップ12表面に対する接触角度αが鋭角状60°以上、90°未満になる。この構成によっても、上記第4の実施例と同様に、半導体チップ12に作用する応力を小さくすることができながらも、そのための構成を簡単に済ませることができる。そして、金属ブロック体52の金属放熱板14と接合される側の面上面の接触面積を徒に小さくすることなく済ませることができ、高い放熱性を確保することができる。しかも、金属ブロック体52は、上下反転しても組付けが可能となるので、組付作業時の取付け方向のミスを未然に防止し、組付作業性を高めることができる。図8は、本発明の第6の実施例に係る半導体装置61の構成を示しており、図8aは全体の縦断面図、図8bはそのB部の拡大図を夫々示している。この半導体装置61は、半導体チップ12の一面この場合図で上面に、金属ブロック体13をはんだ17により接合すると共に、それらの図で上下両面側に夫々金属放熱板62、15をはんだ17により接合し、それらを例えばエポキシ樹脂からなるモールド樹脂層16パッケージでモールドした構成を備えている。このとき、金属ブロック体13は、上記第1の実施例で示したと同様に、この場合薄型の四角錘台状、つまり上下両面が上面側の方が小さい矩形状で、4つの側壁部が傾斜面13aとされたブロック状に構成されている。傾斜面13aの立上り角度θは、45°以上、90°未満の範囲、例えば45°とされている。この場合、金属ブロック体13の側壁部は、厚み方向全体に渡って傾斜面13aとされている。従って、接合部から溢れてはみ出したはんだ17が、金属ブロック体52の側壁部に沿って付着した場合でも、そのはんだ17の半導体チップ12表面に対する接触角度αが鋭角状60°以上、90°未満になる。そして、本実施例では、上側の金属放熱板62の、前記金属ブロック体13が接合される接合面下面に、はんだ接合部の外周に位置して、はんだ17の拡がりを防止するための溝62aが環状矩形枠状に形成されている。これと共に、金属放熱板62の下面には、前記溝62aの内面及び内側領域に位置して、金属ブロック体13の側面よりもはんだ17の濡れ性の大きい部材、この場合金メッキ層63が設けられている。このような第6の実施例によれば、第1の実施例と同様に、金属ブロック体13の側壁部を鋭角形状の傾斜面13aとしたので、半導体チップ12のはんだ接合部分に作用する応力を小さくすることができながらも、そのための構成を簡単に済ませることができる。そして、本実施例では、金属放熱板62に溝62aを形成すると共に、金メッキ層63を設けたので、金属放熱板62と金属ブロック体13との接合部において溢れ出るはんだ17を溝62a内に捕獲して、金属ブロック体13の側面にはんだ17が濡れ拡がることを効果的に防止することができる。4第7~第11の実施例、その他の実施例図9~図13は、本発明の第7~第11の実施例を順に示すものである。これら第7~第11の実施例は、上記第1~第6の実施例で用いられた、側壁部に鋭角形状を備えた金属ブロック体13、22、32、42、52の製造方法のいくつかの具体例を示すものである。ここでは、それらのうち、金属ブロック体13又は金属ブロック体42を代表させて製造方法を説明する。図9は、本発明の第7の実施例に係る金属ブロック体の製造方法を示すもので、前記金属ブロック体13の製造方法を示している。図9aに示すように、金属ブロック体13には、銅やアルミニウムから矩形板状ブロック状に切出された金属材料71が用いられる。そして、図9bに示すように、その金属材料71をプレス型72により上面からプレスすることにより、側壁部が傾斜面13aとされた金属ブロック体13が形成される。図10は、本発明の第8の実施例に係る金属ブロック体の製造方法を示すもので、前記金属ブロック体42の製造方法を示している。この場合も、図10aに示すように、金属材料71が用いられ、図10bに示すように、その金属材料71を図で左右のプレス型73,74により側面からプレスすることにより、側壁部に傾斜面42aが厚み方向に対称的に設けられた金属ブロック体42が形成される。図11は、本発明の第9の実施例に係る金属ブロック体の製造方法を示すもので、前記金属ブロック体42の製造方法を示している。この実施例では、図11aに示すように、金属ブロック体42が厚み方向に2分割された形態の2つの分割体75、75を用い、図11bに示すように、溶接等により接合することにより、側壁部に傾斜面42aが厚み方向に対称的に設けられた金属ブロック体42が形成される。尚、分割体75自体は、薄型の金属材料に対する上記第7の実施例のようなプレスによる方法、或いは、次に述べる切削や切出しなどの方法により製造することができる。図12は、本発明の第10の実施例に係る金属ブロック体の製造方法を示すもので、前記金属ブロック体13の製造方法を示している。この実施例では、金属材料71の端部四辺部を、切削及び研削により斜めに切断した不要部71a,71aを除去し、側壁部が傾斜面13aとされた金属ブロック体13が形成される。図13は、本発明の第11の実施例に係る金属ブロック体の製造方法を示すもので、前記金属ブロック体13の製造方法を示している。この実施例では、金属ブロック体13と同等の厚み寸法を有する長尺なフープ材76から、直接切り出されることにより、側壁部が傾斜面13aとされた複数個の金属ブロック体13が連続的に形成される。尚、図示は省略するが、上記第2の実施例の金属ブロック体22や、第3の実施例の金属ブロック体32についても、上記第7~第11の実施例上面からのプレス、側面からのプレス、分割体の接合、切削及び研削、直接の切出しのような各製造方法を採用することができる。第5の実施例の金属ブロック体52に関しても、上記第8~第10の実施例側面からのプレス、分割体の接合、切削及び研削のような各製造方法を採用することができる。第1の実施例の金属ブロック体13を、第8、第9の実施例側面からのプレスや、分割体の接合のように製造したり、第4の実施例の金属ブロック体42を、第10の実施例切削及び研削のように製造したりしても良いことは勿論である。その他、本発明は上記し且つ図面に示した各実施例に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。例えば金属ブロック体の側壁部の立上り角度θとしては、鋭角状であれば任意の角度を採用すれば良く、その際、特に、45°以上、90°未満の範囲の角度を採用することが好ましい。また、本発明は、1つのパッケージ内に複数個半導体チップを備えるもの等、様々な用途及び構成の半導体装置に適用することができる等、要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更して実施し得るものである。"