プラズマ処理装置であって、真空チャンバと、前記真空チャンバと流体的に連通する排気口と、前記真空チャンバと流体的に連通するガス源と、ウェハ領域の圧力制御を40にする閉じ込め装置と、を備えるプラズマ処理装置。請求項1に記載のプラズマ処理装置であって、前記閉じ込め装置は、真空チャンバ内の垂直制限リングと、前記真空チャンバ内の調節可能な閉じ込めリングと、を備えるプラズマ処理装置。請求項2に記載のプラズマ処理装置であって、前記垂直制限リングは前記プラズマ処理装置に連結された第1端と、自由端であって、前記調節可能な閉じ込めリングに隣接する第2端とを有するプラズマ処理装置。請求項2および請求項3のいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記プラズマ処理チャンバ内でプラズマ処理中に前記閉じ込めリングを調節する、前記調節可能な閉じ込めリングに結合されたコントローラをさらに備えるプラズマ処理装置。請求項2から請求項4のうちのいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記垂直制限リングは前記閉じ込めリングの外側に位置するプラズマ処理装置。請求項2から請求項5のうちのいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記垂直制限リングの前記自由端がリップを有するプラズマ処理装置。請求項2から請求項6のうちのいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記閉じ込めリングがリップを有するプラズマ処理装置。請求項2から請求項4、請求項6、および請求項7のうちのいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記垂直制限リングが前記閉じ込めリングの内側に位置するプラズマ処理装置。請求項2から請求項8のうちのいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記真空チャンバ内に、前記真空チャンバ内で基板を保持するチャックを備えるプラズマ処理装置。請求項1に記載のプラズマ処理装置であって、前記閉じ込め装置は、前記真空チャンバ内の第1の調節可能な閉じ込めリングと、前記真空チャンバ内の第2の調節可能な閉じ込めリングと、を備えるプラズマ処理装置。請求項10に記載のプラズマ処理装置であって、前記第1の調節可能な閉じ込めリングと前記第2の調節可能な閉じ込めリングとに結合されたコントローラであって、前記第1の調節可能な閉じ込めリングと前記第2の調節可能な閉じ込めリングとをプラズマ処理中に前記プラズマ処理装置内で調節できる前記コントローラをさらに備えるプラズマ処理装置。請求項10および請求項11のいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、第3の閉じ込めリングをさらに備えるプラズマ処理装置。請求項12に記載のプラズマ処理装置であって、前記第3の閉じ込めリングは調節可能であるプラズマ処理装置。請求項13に記載のプラズマ処理装置であって、前記コントローラは、前記第3の閉じ込めリングに結合されているプラズマ処理装置。プラズマ処理装置内のウェハ領域圧力を制御する方法であって、エッチング用ガス源をウェハエリア領域に供給すること、前記エッチング用ガス源からプラズマを前記ウェハエリア領域に発生すること、前記プラズマを垂直制限リング内に閉じ込めること、および前記垂直制限リングの自由端に隣接する閉じ込めリングを調節すること、を備える方法。プラズマ処理装置内のウェハ領域圧力を制御する方法であって、エッチング用ガス源をウェハエリア領域に供給すること、前記エッチング用ガス源からプラズマを前記ウェハエリア領域に発生すること、前記プラズマを少なくとも2つの閉じ込めリング内に閉じ込めること、および前記少なくとも2つの閉じ込めリングの少なくとも2つをプラズマ処理中に調節すること、を備える方法。プラズマ処理装置であって、真空チャンバと、前記真空チャンバと流体的に連通する排気口と、前記真空チャンバと流体的に連通するガス源と、閉じ込め装置であって、前記真空チャンバ内の垂直制限リングと、前記真空チャンバ内の調節可能な閉じ込めリングと、を有する前記閉じ込め装置と、を備えるプラズマ処理装置。請求項17に記載のプラズマ処理装置であって、前記垂直制限リングは前記プラズマ処理装置に連結された第1端と、自由端であって、前記調節可能な閉じ込めリングに隣接する第2端とを有するプラズマ処理装置。請求項17および請求項18のいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記プラズマ処理チャンバ内でプラズマ処理中に前記閉じ込めリングを調節する、前記調節可能な閉じ込めリングに結合されたコントローラをさらに備えるプラズマ処理装置。請求項17から請求項19のうちのいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記垂直制限リングは前記閉じ込めリングの外側に位置するプラズマ処理装置。請求項18から請求項20のうちのいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記垂直制限リングの前記自由端がリップを有するプラズマ処理装置。請求項17から請求項21のうちのいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記閉じ込めリングがリップを有するプラズマ処理装置。請求項17から請求項19、請求項21、および請求項22のうちのいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記垂直制限リングが前記閉じ込めリングの内側に位置するプラズマ処理装置。請求項17から請求項23のうちのいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記真空チャンバ内に、前記真空チャンバ内で基板を保持するチャックを備えるプラズマ処理装置。プラズマ処理装置であって、真空チャンバと、前記真空チャンバと流体的に連通する排気口と、前記真空チャンバと流体的に連通するガス源と、ウェハエリアの圧力制御を行う閉じ込め装置であって、前記真空チャンバ内の第1の調節可能な閉じ込めリングと、前記真空チャンバ内の第2の調節可能な閉じ込めリングと、を有する前記閉じ込め装置と、を備えるプラズマ処理装置。請求項25に記載のプラズマ処理装置であって、前記第1の調節可能な閉じ込めリングと前記第2の調節可能な閉じ込めリングとに結合されたコントローラであって、前記第1の調節可能な閉じ込めリングと前記第2の調節可能な閉じ込めリングとをプラズマ処理中に前記プラズマ処理装置内で調節できる前記コントローラをさらに備えるプラズマ処理装置。請求項25および請求項26のいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、第3の閉じ込めリングをさらに備えるプラズマ処理装置。請求項27に記載のプラズマ処理装置であって、前記第3の閉じ込めリングは調節可能であるプラズマ処理装置。本発明は、限定的にではなく、例示によって説明されており、添付図面の図においては同じ参照番号は同じ要素を示す。添付の図面に示されるように本発明の2、3の好ましい実施形態を参照して、本発明が以下に詳細に記載される。以下の記載において、本発明を完全に理解するために多くの具体的な詳細事項が説明される。しかし本発明はこれらの具体的な詳細事項の一部またはすべてを伴うことなく実施されうることが当業者にはわかるだろう。他の場合には、本発明のポイントを不必要にぼかさないために、よく知られた方法ステップおよび/または構造の詳細は記載されていない。説明をわかりやすくするために、図2はプラズマ処理チャンバ200の概略図であり、本発明のある実施形態によれば、これは調節可能な閉じ込めリング202および固定された内部垂直制限リング203を含む。内部垂直制限リングは、プラズマ処理チャンバ200の上部212に連結された固定端と、閉じ込めリング202に隣接する自由端とを有する。本明細書および特許請求の範囲において、調節可能な閉じ込めリングは、ウェハ領域圧力を調節可能に制御するために、プラズマ処理プロセス中に軸方向上下に調節または移動されうる閉じ込めリングとして定義される。閉じ込めリング202に連結されたコントローラ252は、プラズマ処理プロセス中に閉じ込めリング202を調節することを可能にする。プラズマ処理チャンバ200内には、基板ホルダを表すチャック204が示され、この上に基板206がエッチング中に位置する。チャック204は、例えば静電的、機械的クランプ、真空などの適当なチャッキング技術によって実現されうる。エッチング用ガス源220および排気口222は、処理チャンバ200に連結されている。上述したものや図1に示されるような他のプラズマ発生装置もこのプラズマ処理チャンバに設けられるが、簡明にするため図示されていない。そのようなプラズマ発生装置は、図1に示されるように容量的であるか、または誘導的であるか、あるいは他のプラズマ発生装置であってもよい。エッチング中、エッチング用ガス源220は、ガスを閉じ込めリング202内の領域に供給する。ガスは閉じ込めリング202の外の領域から排気口222へと排気される。基板206ウェハの上方の領域の圧力は、エッチング用ガスが閉じ込めリング202内においてエッチング用ガス源220から基板206の上方の領域へと導かれる速度、閉じ込めリング202の外の排気口222を通るガスの流れの速度、および閉じ込めリング202の両端における圧力降下によって決定される。閉じ込めリング202の両端の圧力降下は、閉じ込めリング202を通ったガスの流れに依存する。図3は、図2の閉じ込めリング202および垂直制限リング203の断面の拡大図である。閉じ込めリング202を通るガスの流れは、閉じ込めリング202および処理チャンバの下部228の間を流れる第1成分302と、閉じ込めリング202および垂直制限リング203の間を流れる第2成分304とを有する。閉じ込めリング202および処理チャンバの下部228の間の距離はxとして示される。閉じ込めリング202および垂直制限リング203の間の距離はyとして示され、これはこの実施形態では実質的に一定である。閉じ込めリングの両端における圧力降下は、式1にほぼ比例する。調節可能な閉じ込めリング202がその最も高い位置にあるとき、閉じ込めリング202および下部228の間の距離xは最大であり、よって1は最小であり、その結果、閉じ込めリングの両端における圧力降下は最小になる。そのような構成においては、第1成分302はガスフローの95でありえ、第2成分304はガスフローの5でありえる。図4は、調節可能な閉じ込めリング202がその最も低い位置に下げられているときの、調節可能な閉じ込めリング202および垂直制限リング203の断面の拡大図である。閉じ込めリングの両端における圧力降下は、やはり式1にほぼ比例する。調節可能な閉じ込めリング202がその最も低い位置にあるとき、閉じ込めリング202および下部228の間の距離xは最小であり、よって1は最大であり、その結果、閉じ込めリングの両端における圧力降下は最大になる。そのような構成においては、第1成分302はガスフローの90でありえ、第2成分304はガスフローの10でありえる。調節可能な閉じ込めリング202が図2および図3に示す最高位置から図4に示す最低位置へと動くとき、閉じ込めリングの両端における圧力の変化は約90であり、よってウェハ領域圧力制御は90になる。図5は、本発明の第2実施形態による調節可能な閉じ込めリング502および固定された外垂直制限リング503を含むプラズマ処理チャンバ500の概略図である。固定された外垂直制限リング503は、プラズマ処理チャンバ500の上部512に連結された固定端と、閉じ込めリング502に隣接する自由端とを有する。閉じ込めリング502に結合されたコントローラ552は、プラズマ処理プロセス中に閉じ込めリング502を調節することを可能にする。プラズマ処理チャンバ500内には、基板ホルダを表すチャック504が示され、この上に基板506がエッチング中に位置する。チャック504は、例えば静電的、機械的クランプ、真空などの適当なチャッキング技術によって実現されうる。エッチング用ガス源520および排気口522は、処理チャンバ500に連結されている。上述したものや図1に示されるような他のプラズマ発生装置もこのプラズマ処理チャンバに設けられるが、簡明にするため図示されていない。そのようなプラズマ発生装置は、図1に示されるように容量的であるか、または誘導的であるか、あるいは他のプラズマ発生装置であってもよい。エッチング中、エッチング用ガス源520は、ガスを閉じ込めリング502内の領域に供給する。ガスは閉じ込めリング502の外の領域から排気口522へと排気される。基板506ウェハの上方の領域の圧力は、エッチング用ガスが閉じ込めリング202内においてエッチング用ガス源520から基板506の上方の領域へと導かれる速度、閉じ込めリング502の外の排気口522を通るガスの流れの速度、および閉じ込めリング502の両端における圧力降下によって決定される。閉じ込めリング502の両端の圧力降下は、閉じ込めリング502を通ったガスの流れに依存する。図6は、図5の閉じ込めリング502および外垂直制限リング503の断面の拡大図である。閉じ込めリング502を通るガスの流れは、閉じ込めリング502および処理チャンバの下部528の間を流れる第1成分602と、閉じ込めリング502および外垂直制限リング503の間を流れる第2成分604とを有する。閉じ込めリング502および処理チャンバの下部528の間の距離はxとして示される。閉じ込めリング502および外垂直制限リング503の間の距離はyとして示され、これはこの実施形態では実質的に一定である。閉じ込めリングの両端における圧力降下は、式1にほぼ比例する。調節可能な閉じ込めリング502がその最も高い位置にあるとき、閉じ込めリング502および下部528の間の距離xは最大であり、よって1は最小であり、その結果、閉じ込めリングの両端における圧力降下は最小になる。そのような構成においては、第1成分602はガスフローの95でありえ、第2成分604はガスフローの5でありえる。図7は、調節可能な閉じ込めリング502がその最も低い位置に下げられているときの、調節可能な閉じ込めリング502および外垂直制限リング503の断面の拡大図である。閉じ込めリングの両端における圧力降下は、やはり式1にほぼ比例する。調節可能な閉じ込めリング502がその最も低い位置にあるとき、閉じ込めリング502および下部528の間の距離xは最小であり、よって1は最大であり、その結果、閉じ込めリングの両端における圧力降下は最大になる。そのような構成においては、第1成分602はガスフローの90でありえ、第2成分604はガスフローの10でありえる。調節可能な閉じ込めリング502が図5および図6に示す最高位置から図7に示す最低位置へと動くとき、閉じ込めリングの両端における圧力の変化は約100であり、よってウェハ領域圧力制御は100になる。この実施形態においては、閉じ込めリング502は、閉じ込めリング502の外側表面の周りから突出したリップ704上に先端702を有する。同様に外垂直制限リング503は、外垂直制限リング503の内側表面の周りから突出したリップ708上に先端706を有する。先端702および706の間の距離が閉じ込めリング502および垂直制限リング503の間の距離yを決定する。そのような先端702、706は、閉じ込めリング502および垂直制限リング503の間のより均一で正確な距離をつくるために用いられうる。そのようなリップおよび先端は、先の実施形態においても用いられうる。図8は、本発明の第3実施形態による3つの調節可能な閉じ込めリング802を含むプラズマ処理チャンバ800の概略図である。3つの調節可能な閉じ込めリング802のそれぞれに結合されたコントローラ852は、プラズマ処理プロセス中に3つの調節可能な閉じ込めリング802を調節することを可能にする。コントローラ852は、それぞれが単一の閉じ込めリングを制御する3つの小さいコントローラを含んでもよく、あるいはすべての3つの閉じ込めリングを制御する単一の大きなコントローラを含んでもよい。プラズマ処理チャンバ800内には、基板ホルダを表すチャック804が示され、この上に基板806がエッチング中に位置する。チャック804は、例えば静電的、機械的クランプ、真空などの適当なチャッキング技術によって実現されうる。エッチング用ガス源820および排気口822は、処理チャンバ800に連結されている。上述したものや図1に示されるような他のプラズマ発生装置もこのプラズマ処理チャンバに設けられるが、簡明にするため図示されていない。そのようなプラズマ発生装置は、図1に示されるように容量的であるか、または誘導的であるか、あるいは他のプラズマ発生装置であってもよい。エッチング中、エッチング用ガス源820は、処理チャンバ800の上部812に近い閉じ込めリング802内の領域にガスを供給する。ガスは閉じ込めリング802の外の領域から排気口822へと排気される。基板806ウェハの上方の領域の圧力は、エッチング用ガスが閉じ込めリング802内においてエッチング用ガス源820から基板806の上方の領域へと導かれる速度、閉じ込めリング802の外の排気口822を通るガスの流れの速度、および閉じ込めリング802の両端における圧力降下によって決定される。閉じ込めリング802の両端の圧力降下は、閉じ込めリング802を通ったガスの流れに依存する。図9は、図8の閉じ込めリング802の断面の拡大図である。閉じ込めリングの両端における圧力降下は、式1にほぼ比例し、ここでw、x、yおよびzは、図9に示す閉じ込めリングの間の距離である。この例では、w≒x≒y≒zである。そのため1は最大になり、これは圧力降下を最大にする。全ての3つの閉じ込めリング802は独立に調節可能なので、閉じ込めリング802は距離x、y、z、またはwのうちの一つを最大にしつつ、残りの距離を最小にするように動かしうる。図10は、距離zが最大にされ、yが最小にされる閉じ込めリング構成の例を示す。その結果、閉じ込めリング802の両端における圧力降下は1にほぼ比例し、最小になる。これら二つの両極端の場合の圧力降下の差は、ウェハ領域圧力制御を40にすることが計算されている。複数の閉じ込めリングを持つ他の実施形態においては、より多くの閉じ込めリングを用いることができ、その場合、閉じ込めリングのうちの少なくとも2つが調節可能である。好ましくは閉じ込めリングのうちの少なくとも3つが調節可能である。内垂直制限リングまたは外垂直制限リングを持つ他の実施形態においては、より多くの閉じ込めリングを用いることができ、その場合、閉じ込めリングのうちの少なくとも一つが調節可能である。全ての実施形態は、従来技術よりも、ウェハ領域圧力制御をより広範にしつつ、閉じ込めを行うことができる。内垂直制限リングを持つ実施形態の効果は、プラズマがより狭い領域に閉じ込められ、より小さい表面積で接触することである。接触がより狭い表面積になることは、より狭い表面積だけをきれいにすればよいことを意味する。内垂直制限リングの短所は、内垂直制限リング上への堆積がコンタミネーションを起こしうることであり、これは内垂直制限リングがウェハ処理領域に近いためである。この実施形態は、改善されたWAP制御を提供する。外垂直制限リングを持つ実施形態の効果は、それが最もよいWAP制御を提供するかもしれないことである。さらには、垂直制限リングがウェハ領域からさらに遠ざかっているので、垂直制限リングはより少ない量しかコンタミネーションを発生しない。しかしこの実施形態は、より大きな表面積をプラズマに曝すので、より広い表面積をきれいにしなければならない。改善されたWAP制御を提供する他に、垂直制限リングを用いる実施形態は双方ともより簡単な制御を提供する。3つの調節可能な閉じ込めリングを用いることの効果は、閉じ込めわくが拡張されることである。そのような実施形態は、制御特性に大きな変化をきたすまでに、より大きい部品摩耗に耐えることができる。本発明はいくつかの好ましい実施形態に基づいて説明されてきたが、本発明の範囲に含まれる変更、組み合わせ、代替等価物が存在する。また本発明の方法および装置を実現する多くの代替方法が存在することに注意されたい。よって添付の特許請求の範囲は、本発明の真の精神および範囲に含まれるそのような変更、組み合わせ、代替等価物を包含するように解釈されるものと意図されている。