"光放射領域および光非放射領域を含む層と、前記光非放射領域の上に配置された光抽出機構とを含むデバイス。前記光放射領域が前記層のあらかじめ決められた部分に配置された発光素子に対応する、請求項1記載のデバイス。前記光非放射領域が前記発光素子を含まない前記層の一部に対応する、請求項1記載のデバイス。前記層が基板層を含む、請求項1記載のデバイス。前記光抽出機構が前記層の中の前記光非放射領域の上に配置された表面収差を含む、請求項1記載のデバイス。前記光抽出機構が前記層の中の前記光非放射領域の上に配置されたくぼみまたはかき傷を含む、請求項5記載のデバイス。前記光抽出機構が前記層の中の前記光非放射領域の上に配置された屈折率整合素子を含む、請求項1記載のデバイス。前記光抽出機構が前記層の中の前記光非放射領域の上に配置された屈折率整合球を含む、請求項1記載のデバイス。前記光抽出機構が前記層の中の前記光非放射領域の上に配置された屈折率整合マイクロレンズを含む、請求項1記載のデバイス。前記光抽出機構が前記層の中の前記光非放射領域の上に配置された屈折率整合ミクロスフェアを含む、請求項1記載のデバイス。前記光抽出機構が前記層の中の前記光非放射領域の上に配置された2次元フォトニック結晶機構を含む、請求項1記載のデバイス。前記層の縁部に反射コーティングをさらに含む、請求項1記載のデバイス。前記層の上に配置された透過導電性酸化物層をさらに含む、請求項1記載のデバイス。屈折率整合機構が前記透過導電性酸化物層と前記層の間に配置された、請求項13記載のデバイス。屈折率整合層が前記透過導電性酸化物層と前記層の間に配置された、請求項13記載のデバイス。層と、前記層の上でお互いから間隔をおいて配置された複数の発光素子であって、前記層が、複数の光放射領域および光非放射領域を画定し、前記層が、前記複数の発光素子に対応する複数の光放射領域および前記複数の発光素子の間の前記間隔に対応する複数の光非放射領域を含む、発光素子と、前記層の中の前記複数の光非放射領域のうちの1つまたは複数の上に配置された光抽出機構とを含むデバイス。前記発光素子間の前記間隔が約10ミクロンから約10ミリメートルの範囲内である、請求項16記載のデバイス。複数の発光素子を支える層を提供するステップであって、前記複数の発光素子がお互いからあらかじめ決められた間隔で配置される、ステップと、前記複数の発光素子に対応する複数の光放射領域を前記層の上に形成し、前記発光素子間の前記あらかじめ決められた間隔に対応する複数の光非放射領域を前記層の中に形成するステップと前記複数の光非放射領域と一致するように光抽出機構を前記層の上に配置するステップとを含む方法。前記光抽出機構を配置するステップが前記層の中の前記複数の非放射領域の上に表面収差を配置するステップを含む、請求項18記載の方法。前記光抽出機構を配置するステップが前記層の中の前記複数の非放射領域の上に屈折率整合素子を配置するステップを含む、請求項18記載の方法。単数形a、anおよびtheは、文脈が明確に他を指示しないかぎり複数の指示対象を含む。明細書および特許請求の範囲全体を通して本明細書で使用されるように、近似用語は、関係する基本機能を変化させずに許される範囲で変化できる任意の定量的表現を修飾するように適用することができる。したがって、約などの1つの用語または複数の用語によって修飾された値は、指定された正確な値に限定されない。一部の例では、近似用語は値を測定する計器の精度に対応することができる。同様に、ないは用語と組み合わせて使用することができ、まだ修飾された用語がないと考えられる一方で、わずかな数またはわずかな量を含むことができる。本明細書では、用語に固定されたまたはの上に配置されたまたはの上に置かれたまたはの間に配置されたは、直接接触する場合と、それらの間に層を介在させて間接的に接触する場合のどちらでも固定または配置されたことを意味する。動作可能なように結合されたは、記載した機能を提供する、列記された部品間の関係である。余分な修飾語を伴わずに、光透過性は、可視波長範囲において少なくとも1つの周波数の約50パーセントを超える光が所与の厚さの素材を通って伝わることを意味する。可視波長範囲は約400ナノメートルから約700ナノメートルである。一部の素材は光の波長に基づいて多かれ少なかれ光を伝える。すなわち、1つの周波数で光透過性の素材は、多かれ少なかれ別の波長でも透過性であり得る。さまざまな実施形態で使用される用語アルキルは、炭素原子および水素原子を含む、直鎖アルキル基、分岐アルキル基、アラルキル基、シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基およびポリシクロアルキル基を示すこととする。アルキル基は、飽和または不飽和であり得るし、例えばビニルまたはアリルを含むことができる。また、用語アルキルは、アルコキシド基のアルキル部を包含する。さまざまな実施形態では、直鎖アルキル基および分岐アルキル基は、1個から約32個の炭素原子を含む基であり、例示的な限定的でない例として、C1~C32アルキル、C3~C15シクロアルキルまたはアリールから選択された1つまたは複数の基で適宜置換したC1~C32アルキル、および、C1~C32アルキルまたはアリールから選択された1つまたは複数の基で適宜置換したC3~C15シクロアルキルが含まれる。例には、メチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、n-ブチル、sec-ブチル、第三級ブチル、ペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、アンデシルおよびドデシルが含まれる。シクロアルキル基およびビシクロアルキル基のいくつかの例示的な限定的でない例には、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシクロヘキシル、シクロヘプチル、ビシクロヘプチルおよびアダマンチルが含まれる。さまざまな実施形態では、アラルキル基は7個から約14個の炭素原子を含有する基を含み、それらにはベンジル、フェニルブチル、フェニルプロピルおよびフェニルエチルが含まれる。実施形態で使用される用語アリールは、6個から20個の環炭素原子を含む、置換または非置換のアリール基を示す。アリール基の一部の例には、C1~C32アルキル、C3~C15シクロアルキル、アリールから選択された1つまたは複数の基で適宜置換したC6~C20アリール、ならびに、周期表のグループ15、16および17から選択された原子を含む官能基が含まれる。アリール基の例には、置換または非置換のフェニル、ビフェニル、トリル、キシリル、ナフチルおよびビナフチルが含まれる。図1を参照すると、変化するOLED構成の概略側面図100が提供される。第1の実施形態では、OLED110は、アノード112、発光層114およびカソード116を含む。第2の実施形態では、OLED118は、アノード120、正孔注入層122、発光層124、およびカソード126を含む。第3の実施形態では、OLED128は、アノード130、正孔注入層132、発光層134、電子注入層136、およびカソード138を含む。通常、OLEDは、上記のように一連の層を積み重ねることによって形成され、所望の色および光強度を提供する。図2を参照すると、2つのユニット、第1のユニット210および第2のユニット212を有するOLED200の概略側面図がその中に示される。OLED200は、アノード216、第1のユニット210、第2のユニット212、および、それを通して放射光220を見ることができるカソード218がその上に配置された基板214を含むことができる。第1のユニット210は、第1の正孔輸送層222、第1の発光層224、および第1の電子輸送層226を含むことができる。第2のユニット212は、第2の正孔輸送層228、第2の発光層230、および第2の電子輸送層232を含むことができる。適切なアノード216は、例えば約4.0電子ボルトを超える高い仕事関数を有する素材を含むことができる。一実施形態では、アノード素材の仕事関数は、約5電子ボルトから約6電子ボルト、または約6電子ボルトから約7電子ボルトの範囲内であり得る。インジウムスズ酸化物ITOなどの透過性金属酸化物、または、金もしくは銀の金属グリッドなどの微細加工金属グリッドは、この目的のために使用することができる。ITOは光透過性であり、有機発光層から放射された光が著しく減衰しないでITOアノードから漏れることを可能にする。アノード216としての使用に適している他の素材は、酸化スズ、酸化インジウム、酸化亜鉛、インジウム亜鉛酸化物、亜鉛インジウムスズ酸化物、酸化アンチモン、およびそれらの混合物である。一実施形態では、そのような導電性酸化物を含むアノード216の厚さは、約10ナノメートルを超える場合がある。一実施形態では、アノード216の厚さは、約10ナノメートルから約50ナノメートル、約50ナノメートルから約100ナノメートル、または約100ナノメートルから約200ナノメートルの範囲内であり得る。一実施形態では、金属の薄い透明層はアノード216に適している。透明金属層は約50ナノメートル以下の厚さを有する場合がある。一実施形態では、金属の厚さは約50ナノメートルから約20ナノメートルの範囲内であり得る。アノード用に適している金属には、例えば、銀、銅、タングステン、ニッケル、コバルト、鉄、セレニウム、ゲルマニウム、金、プラチナ、アルニウム、またはそれらの混合物、またはそれらの合金が含まれる。アノード216は、物理的気相成長法、化学気相蒸着法、またはスパッタリングなどの技法により、基底素子の上に配置することができる。カソード218は、負電荷担体すなわち電子を有機発光層の中に射出し、例えば約4電子ボルト未満の低い仕事関数を有する素材で作成することができる。さまざまな実施形態では、カソードとしての使用に適しているすべての素材が低い仕事関数を有する必要はない。カソードとしての使用に適している素材には、K、Li、Na、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Ag、In、Sn、Zn、Zr、Sc、およびYが含まれ得る。他の適切な素材には、ランタニド系列の元素、それらの合金、またはそれらの混合物が含まれ得る。カソード層の生成用に適している合金素材の例には、Ag-Mg合金、Al-Li合金、In-Mg合金、およびAl-Ca合金が含まれ得る。層状非合金構造を使用することができる。そのような層状非合金構造は、約1ナノメートルから約50ナノメートルの範囲内の厚さを有するCaなどの金属の薄い層を含むことができる。他のそのような層状非合金構造には、一部の他の金属のより厚い層をかぶせたLiF、KF、またはNaFなどの非金属が含まれ得る。適切な他の金属には、アルミニウムまたは銀が含まれ得る。カソード218は、例えば物理的気相成長法、化学気相蒸着法、またはスパッタリングにより、基底層の上に配置することができる。適切なOLEDは、有機発光層、発光素材層、電界発光層または発光層と呼ぶことができる、発光層224、230を含むことができる。電界発光EL素材は、有機蛍光性および/またはリン光性の素材を意味する。電界発光素材は印加電圧バイアスにさらされると光を放射する。電界発光素材は、決められた波長範囲内の光を放射するように適合させることができる。一実施形態では、発光層224、230の厚さは約40ナノメートルを超える場合がある。一実施形態では、厚さは約300ナノメートル未満である場合がある。発光層224、230を形成するために使用される電界発光素材は、ポリマー、コポリマーすなわちポリマーの混合物であり得る。適切な電界発光素材には、ポリ-N-ビニルカルバゾールPVKおよびその誘導体;ポリフルオレン、および、ポリアルキルフルオレン、例えばポリ-9,9-ジヘキシルフルオレン、ポリジオクチルフルオレン、またはポリ-9,9-ビス-3,6-ジオクサヘプチル-フルオレン-2,7-ジルなどのその誘導体;ポリパラフェニレン、および、ポリ-2-デシルオキシ-1,4-フェニレンまたはポリ-2,5-ジヘプチル-1,4-フェニレンなどのその誘導体;ポリp-フェニレンビニレン、および、ジアルコキシ置換PPVまたはシアノ置換PPVなどのその誘導体;ポリチオフェン、および、ポリ-3-アルキルチオフェン、ポリ-4,4’-ジアルキル-2,2’-ビチオフェン、ポリ-2,5-チエニレンビニレンなどのその誘導体;ポリピリジンビニレンおよびその誘導体;ポリキノキサリンおよびその誘導体;ならびに、ポリキノリンおよびその誘導体が含まれ得る。一実施形態では、適切な電界発光素材は、N,N-ビス4-メチルフェニル-4-アニリンでエンドキャップされたポリ-9,9-ジオクチルフルオレニル-2,7-ジルである。これらのポリマーのうちの1つまたは複数に基づいたこれらのポリマーの混合物、すなわちコポリマーを使用することができる。電界発光素材として使用できる他の適切な素材はポリシランである。ポリシランは、アルキルおよび/またはアリールの側基で置換したシリコン骨格を有する直鎖ポリマーである。ポリシランは、ポリマー骨格鎖に沿って非局在化されたシグマ共役電子を有する疑似一次元素材である。ポリシランの例には、ポリジ-n-ブチルシラン、ポリジ-n-ペンチルシラン、ポリジ-n-ヘキシルシラン、ポリメチルフェニルシラン、およびポリビスp-ブチルフェニルシランが含まれる。一実施形態では、約5000未満の分子量を有する有機素材は芳香族ユニットを含み、電界発光素材として使用されて発光層224、230を形成することができる。そのような素材の一例は、1,3,5-トリスN-4-ジフェニルアミノフェニルフェニルアミノベンゼンであり、約380ナノメートルから約500ナノメートルの波長範囲内の光を放射する。これらの電界発光層有機素材は、フェニルアントラセン、テトラアリレチン、クマリン、ルブレン、テトラフェニルブタジエン、アンスラセン、ペリレン、コロネン、またはそれらの誘導体などの有機分子から調製することができる。これらの素材は、約520ナノメートルの最大波長を有する光を放射することができる。さらに他の適切な素材は、約415ナノメートルから約457ナノメートルの波長範囲内の光を放射する、アルミニウム-アセチルアセトネート、ガリウム-アセチルアセトネート、およびインジウム-アセチルアセトネート、約420ナノメートルから約433ナノメートルの範囲内の波長を有する光を放射する、アルミニウムピコリメチルケトンビス-2,6-ジブチルフェノキシドまたはスカンジウム-4-メトキシピコリルメチルケトン-ビスアセチルアセトネートなどの低分子量の有機金属錯体である。可視波長範囲内の光を放射する他の適切な電界発光素材には、トリス-8-キノリノラトアルミニウムおよびその誘導体などの、8-ヒドロキシキノリンの有機金属錯体が含まれ得る。例えば上記図2に示されたようなOLED200は、さらに、正孔輸送層222、228、電子輸送層226、232、ならびに、正孔注入層、正孔注入強化層、電荷輸送層、電子注入層、電子注入強化層、電子遮断層、カプセル封入層、および光出力結合層を含む図に示されていない他の層、またはそれらの任意の組合せなどの、1つまたは複数の層を含むことができる。本明細書で説明したさまざまな層は、アノード216とカソード218の間に配置することができる。OLED200の中に含むことができる電荷輸送層としての使用に適している素材の限定的でない例には、低から中間の分子量の有機ポリマー、例えば、ポリスチレン規格を使用して決定されたような1モル当たり約200,000グラム未満の重量平均分子量Mwを有する有機ポリマー、例えばポリ-3,4-エチレンジオキシチオフェンPEDOT、ポリアニリン、ポリ-3,4-プロピレンジオキシチオフェンPProDOT、ポリスチレンスルホネートPSS、ポリビニルカルバゾールPVK、および他の同様の素材が含まれ得る。OLED200の中に含むことができる正孔輸送層222、228用に適している素材の限定的でない例には、トリアリールダイアミン、テトラフェニルダイアミン、芳香族第三級アミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を含むオキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン、および同様の素材が含まれ得る。OLED200の中に含むことができる正孔遮断層用に適している素材の限定的でない例には、ポリ-N-ビニルカルバゾール、および同様の素材が含まれ得る。OLED200の中に含むことができる正孔注入層用に適している素材の限定的でない例には、プロトンドープポリチオフェンまたはポリアニリンなどのp-ドーププロトンドープ導電性ポリマー、ならびに、テトラフルオロテトラシアノキノジメタンF4-TCQNなどのp-ドープ有機半導体、ドープ有機および高分子の半導体、ならびに、トリアリールアミン含有の化合物およびポリマーが含まれ得る。電子注入素材の限定的でない例には、ポリフルオレンおよびその誘導体、アルミニウムトリス-8-ヒドロキシキノリンAlq3、アルカリ金属/アルカリ土類金属でn-ドープされた有機/高分子の半導体、などが含まれ得る。OLED200の中に含むことができる正孔注入強化層用に適している素材の限定的でない例には、3,4,9,10-ペリレンテトラ-カルボキシリックジアンヒドリド,ビス-1,2,5-チアジアゾロ-p-キノビス-1,3-ジチオールなどのアリーレンベースの化合物、および同様の素材が含まれ得る。OLED200の中に含むことができる電子注入強化層用、および電子輸送層226、232用に適している素材の限定的でない例には、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体などの有機金属錯体、および同様の素材が含まれ得る。OLED200の中に含むことができる電子遮断層用に適している素材の限定的でない例には、N,N’-ジカルバゾリル-3,5-ベンゼン以下mCP、4,4’-N,N’-ジカルバゾール-ビフェニル以下CBP、1,4-ジカルバゾール-9-イル-ベンゼン以下CCP、または、1,3,5-トリスN-カルバゾリルベンゼン以下TCBが含まれ得る。OLED200の中に含むことができるカプセル封入層用に適している素材の限定的でない例には、物理的または化学的に損傷を受けることからOLEDデバイスを保護することができる素材が含まれ得る。物理的損傷には、かき傷、直接衝突、穿孔などが含まれる。化学的損傷には、湿気、酸素および他の反応種の存在に起因するOLEDデバイスの中の有機層の電気化学的劣化が含まれる。カプセル封入層は保護層および接着剤層を組み込むことができる。一実施形態では、保護層は、ガスバリヤ被覆でコーティングされた金属箔または高分子フィルムであり得る。一実施形態では、接着剤層は、熱可塑性接着剤、例えば紫外線硬化性接着剤などの熱硬化性接着剤、および感圧接着剤のうちの1つまたは複数を含むことができる。OLED200の中に含むことができる光出力結合層用に適している素材の限定的でない例には、OLEDデバイスから多くの光を抽出することができる、任意の適切な素材が含まれ得る。光出力結合層は、光出力結合層が取り付けられるOLEDの光透過層とおおよそ等しい屈折率を有する素材を含む。光出力結合層の中で使用される光抽出素子の形状および/または幾何形状は、デバイスからの光の出力結合を強化するように設計される。図3を参照すると、ディスプレイデバイス300の概略側面図が提供される。デバイス300は、基板310の上に間隔318および320で配置された複数のOLED312、314、および316を有する基板310を含むことができる。OLED312、314、および316のそれぞれは、アノード322、有機発光層324および326、ならびにカソード328を含むことができる。有機発光層324および326から放射された光330は、透過性のアノード層318および基板310を通り抜けることができる。基板310上の光放射領域332、334、および336は、OLED312、314、および316におおよそ対応する。基板上の光非放射領域338および340は、OLEDが基板310上に配置された間隔318および320におおよそ対応する。図4を参照すると、ディスプレイデバイス300の概略上面図342が提供される。デバイスの上面図342に示されたように、光非放射領域344は、光放射領域348の間の暗い領域として表すことができる。一実施形態では、デバイス、例えば図5の中で参照されるディスプレイデバイス500が提供される。デバイス500は、光放射領域526、528、530、および光非放射領域532、534を画定する層510を含むことができる。例えば、層510は、基板512の上に間隔520および522で配置された複数のOLED514、516、および518を有する基板512を含むことができる。OLED514、516、518は、例えば図1および/または図2で示されたように構成することができる。OLED514、516、および518から放射された光524は、基板512を通り抜けることができる。層510上で画定された光放射領域526、528、および530は、OLED514、516、および518におおよそ対応する。層510上で画定された光非放射領域532および534は、OLED514、516、および518が基板512上に配置された間隔520および522におおよそ対応する。光抽出機構536および538は、光非放射領域532および534の一部または全部の上に配置することができる。光抽出機構536および538は、光540を層510から抽出する働きをすることができる。さまざまなタイプの光抽出機構が光非放射領域および光放射領域の上に配置することができるように、ある実施形態では、光抽出機構536および538は、さらに光放射領域526、528、および530の一部または全部の上に配置することができる。例えば、一実施形態では、下記図6で説明する表面収差636、638を含む光抽出機構を光放射領域の上に配置することができ、下記図10で説明する屈折率整合素子1036、1038を含む光抽出機構を光非放射領域の上に配置することができる。本明細書では、熟語光放射領域は、放射素材層が電気的に励起状態にある有機分子上で励起子の放射性再結合を受けて、実際に光を放射する領域を意味する。本明細書で使用される熟語光非放射領域は、励起子の放射性再結合が起きず、光が実際に放射されない領域を意味する。一実施形態では、層510は、基板512上に配置された複数の有機層および無機層例えば、OLED514、516、518を作成する層を含むことができる。一実施形態では、基板512は光透過性素子図示せずを含むことができる。基板512は、光透過性素材から形成することができる。光透過性素材は、一実施形態で明らかにすることができる。別の実施形態では、光透過性素材は、色、色調、または、蛋白光もしくは偏光などの特性を含む光学的効果を有することができる。一実施形態では、波長または厚さを考慮しない場合、基板512を通って透過した光の量は、光の約60パーセントから約70パーセント、約70パーセントから約80パーセント、または約80パーセントから約90パーセントの範囲内である。一実施形態では、透過率または厚さを考慮しない場合、透過した光は、約400ナノメートルから約500ナノメートル、約500ナノメートルから約600ナノメートル、または約600ナノメートルから約700ナノメートルの範囲内の波長を有することができる。一実施形態では、厚さを考慮しない場合、約550ナノメートルの波長で約50パーセントを超える光が基板を通って透過される。透過した光の量および波長についての上述の実施形態は、光透過性有機電子デバイス、合成されたデバイスおよびそこから作成される物品に当てはまる。さまざまな実施形態の厚さは、下記で開示される。基板512は、剛性基板および可撓性基板のグループから選ぶことができる。剛性基板には、ガラス、金属およびプラスチックが含まれるがそれらに限定されず、可撓性基板には、可撓性ガラス、金属箔、およびプラスチックフィルムが含まれる。ガラスの限定的でない例には、石英ガラスおよびホウケイ酸ガラスが含まれ得る。プラスチックの限定的でない例には、有機ポリマーが含まれ得る。適切な有機ポリマーには、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフサレート、ポリエーテルスルフォン、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアクリレート、ポリオレフィン、などから選ばれた熱可塑性ポリマーが含まれ得る。一実施形態では、光放射領域526、528、530は、層510のあらかじめ決められた部分に配置することができる発光素子、例えばOLED514、516、および518におおよそ対応することができる。一実施形態では、光非放射領域532、534は、発光素子を含まない層の部分におおよそ対応することができる。一実施形態では、光抽出機構536、538は、層510の中の光非放射領域に配置された表面収差を含むことができる。本明細書では、熟語表面収差は、層510の表面512上に画定された大まかな表面機構を意味する。例えば、図2を参照すると、表面収差は、OLEDデバイス200の透過層218の表面を物理的に変更することによって形成することができる。一実施形態では、表面の変更は、層510の対応する部分の表面上に機械的なかき傷、くぼみ、および/もしくは溝を形成すること、ならびに/または、層510の特定の部分に腐食、除去、および/または、分解をもたらす化学処理を用いることにより、光非放射領域に対応する表面を物理的に変更することを含むことができる。一実施形態では、図5に示された表面収差536、538は、表面の連続性を阻害する働きをする、くぼみ、かき傷、および溝を含むことができる。表面収差536、538の限定的でない例には、OLEDの透過層の表面に刻まれた表面機構が含まれ得る。一実施形態では、表面収差機構は、くぼみまたはへこみ736、738のように図7に示されたような点機構の形状の中にあり得る。さまざまな実施形態では、点機構には、三角形、半円形、正方形、長方形、五角形、または六角形の断面形状が含まれ得る。別の実施形態では、表面収差機構は、かき傷636および638、表面上の浅い切り傷もしくは印または溝図には示されない、細長い溝もしくはへこみのように図6に示されたような線機構の形状の中にあり得る。さまざまな実施形態では、線機構は直線または曲線であり得る。さまざまな実施形態では、線表面収差機構には、三角形、半円形、正方形、長方形、五角形、または六角形の断面形状が含まれ得る。線機構の断面形状は線機構に沿って均一であり得るか、または線機構の長さに沿って変化することができる。ある実施形態では、表面収差機構は点機構と線機構のどちらの組合せでもあり得る。図6を参照すると、ディスプレイデバイス600の概略図が提供される。デバイス600は層610を含むことができる。層610は、基板612の上に間隔620および622で配置された複数のOLED614、616、および618を有する基板612を含むことができる。OLED614、616、および618から放射された光624は、基板612を通り抜けることができる。層610上で画定された光放射領域626、628、および630は、OLED614、616、および618におおよそ対応する。層610上で画定された光非放射領域632および634は、OLED614、616、および618が基板612上に配置された間隔620および622におおよそ対応する。光抽出機構、例えばかき傷636および638は、光非放射領域632および634の一部または全部の上に配置することができる。かき傷636および638は、層610からの光640の抽出を強化する働きをし、おそらくディスプレイデバイス600をより均一に照らすことができる。かき傷636および638を使用して非放射領域から抽出された光640の少なくとも一部は、他の方法では層610内の伝搬の導波モードに依存するはずの光であり得る。図7を参照すると、ディスプレイデバイス700の概略図が提供される。デバイス700は層710を含むことができる。層710は、基板712の上に間隔720および722で配置された複数のOLED714、716、および718を有する基板712を含むことができる。OLED714、716、および718から放射された光724は、基板712を通り抜けることができる。層710上で画定された光放射領域726、728、および730は、OLED714、716、および718におおよそ対応する。層710上で画定された光非放射領域732および734は、OLED714、716、および718が基板712上に配置された間隔720および722におおよそ対応する。光抽出機構、例えばくぼみ736および738は、光非放射領域732および734の一部または全部の上に配置することができる。一実施形態では、くぼみ736、738は、100マイクロメートル以下の深さおよび間隔を有することができる。くぼみ736および738は、層710から光740を抽出する働きをし、おそらくディスプレイデバイス700をより均一に照らすことができる。くぼみ736および738を使用して非放射領域から抽出された光740の少なくとも一部は、他の方法では層710内の伝搬の導波モード742に依存するはずの光であり得る。図7に示された基板導波モード742は、下記図18に示されるようなある特定の電場分布を有することができる。くぼんだ領域736、738の中の光強度が増加するにつれて、深いくぼみ736、738は基板導波モード742をより強く妨害することができる。結果として、より高い光抽出効率を期待することができる。一実施形態では、くぼみ736、738の深さは、基板導波モード742とは異なる抽出効率を得るために変更することができる。一実施形態では、くぼみ736、738の深さは、光放射領域と光非放射領域の間の明るさのバランスをとるために使用し、おそらくディスプレイデバイス700をより均一に照らすことができる。一実施形態では、図8に示されたようなくぼみの深さ830、および図9に示されたようなくぼみからくぼみへの間隔930は、約100マイクロメートル未満の範囲内であり得る。さまざまな実施形態では、くぼみの深さ、幅、および形状は、光抽出効率を改善するために変更することができる。さらに、くぼみ928間の間隔930も、光抽出効率を改善するために変更することができる。さまざまな実施形態では、間隔および深さは人間の裸眼には認識することができない。図8を参照すると、ディスプレイデバイス800の概略図が提供される。デバイス800は層810を含むことができる。層810は、基板812の上に間隔818で配置された複数のOLED814および816を有する基板を含むことができる。OLED814、816から放射された光820は、基板812を通り抜けることができる。層810上で画定された光放射領域822、824は、OLED814、816におおよそ対応する。層810上で画定された光非放射領域826は、OLED814、816が基板812上に配置された間隔818におおよそ対応する。可変の深さ830および固定の間隔832を有するくぼみ828は、光非放射領域826の上に配置することができる。図9を参照すると、ディスプレイデバイス900の概略図が提供される。デバイス900は層910を含むことができる。層910は、基板912の上に間隔918で配置された複数のOLED914および916を有する基板を含むことができる。OLED914、916から放射された光920は、基板912を通り抜けることができる。層910上で画定された光放射領域922、924は、OLED914、916におおよそ対応する。層910上で画定された光非放射領域926は、OLED914、916が基板912上に配置された間隔918におおよそ対応する。くぼみ間の可変の間隔930および固定の深さ932を有するくぼみ928は、光非放射領域926の上に配置することができる。図5および図10を参照すると、一実施形態では、光抽出機構536、538は、層1010の中の光非放射領域1032、1034の上に配置された屈折率整合素子1036、1038を含むことができる。さまざまな実施形態では、屈折率整合素子1036、1038は、屈折率整合素子1036、1038と屈折率整合素子1036、1038が配置された層1010との間の境界で発生するフレネル反射に起因する光抽出損失を削減することができる。一実施形態では、屈折率整合素子1036、1038は球を含むことができる。一実施形態では、ディスプレイデバイス1000の層1010と同じ屈折率を有する半球のような機構1036、1038は、ディスプレイデバイス1000の光抽出効率を改善するのに役立つことができる。図11を参照すると、一実施形態では、屈折率整合素子はミクロスフェア1136、1138を含む。ミクロスフェア機構1136、1138は、数マイクロメートルから数十マイクロメートルの直径を有する球の2次元配列を含むことができる。ミクロスフェア配列1136、1138は、順序付けられているか、または順不同ランダムであり得る。すべてのミクロスフェアは同じまたは同様の直径を有することができるか、または、ミクロスフェアはさまざまな直径の範囲を有することができる。図12を参照すると、一実施形態では、屈折率整合素子はマイクロレンズ1236、1238を含む。マイクロレンズ機構1236、1238は、任意の形状、例えば球、半球、または角錐、または層1210からの光抽出効率を改善できる機構の任意の形状の、マイクロレンズの2次元配列を含むことができる。一実施形態では、マイクロレンズ機構は、下記ディスプレイデバイス1200の層1210の屈折率におおよそ等しい屈折率を有する素材で作成することができる。マイクロレンズ機構は、デバイス1200の層1210から放射された光に対して低い吸収性を有する素材で作成することができる。図10を参照すると、ディスプレイデバイス1000の概略図が提供される。デバイス1000は層1010を含むことができる。層1010は、基板1012の上に間隔1020および1022で配置された複数のOLED1014、1016、および1018を有する基板1012を含むことができる。OLED1014、1016、および1018から放射された光1024は、基板1012を通り抜けることができる。層1010上で画定された光放射領域1026、1028、および1030は、OLED1014、1016、および1018におおよそ対応する。層1010上で画定された光非放射領域1032および1034は、OLED1014、1016、および1018が基板1012上に配置された間隔1020および1022におおよそ対応する。光抽出機構、例えば屈折率整合球1036および1038は、光非放射領域1032および1034の一部または全部の上に配置することができる。屈折率整合球1036および1038は、層1010から光1040を抽出する働きをし、おそらくディスプレイデバイス1000をより均一に照らすことができる。屈折率整合球1036および1038を使用して非放射領域から抽出された光1040の少なくとも一部は、他の方法では層1010内の伝搬の導波モードに依存するはずの光であり得る。図11を参照すると、ディスプレイデバイス1100の概略図が提供される。デバイス1100は層1110を含むことができる。層1110は、基板1112の上に間隔1120および1122で配置された複数のOLED1114、1116、および1118を有する基板1112を含むことができる。OLED1114、1116、および1118から放射された光1124は、基板1112を通り抜けることができる。層1110上で画定された光放射領域1126、1128、および1130は、OLED1114、1116、および1118におおよそ対応する。層1110上で画定された光非放射領域1132および1134は、OLED1114、1116、および1118が基板1112上に配置された間隔1120および1122におおよそ対応する。光抽出機構、例えば屈折率整合ミクロスフェア1136および1138は、光非放射領域1132および1134の一部または全部の上に配置することができる。屈折率整合ミクロスフェア1136および1138は、層1110から光1140を抽出する働きをし、おそらくディスプレイデバイス1100をより均一に照らすことができる。屈折率整合ミクロスフェア1136および1138を使用して非放射領域から抽出された光1140の少なくとも一部は、他の方法では層1110内の伝搬の導波モードに依存するはずの光であり得る。図12を参照すると、ディスプレイデバイス1200の概略図が提供される。デバイス1200は層1210を含むことができる。層1210は、基板1212の上に間隔1220および1222で配置された複数のOLED1214、1216、および1218を有する基板1212を含むことができる。OLED1214、1216、および1218から放射された光1224は、基板1212を通り抜けることができる。層1210上で画定された光放射領域1226、1228、および1230は、OLED1214、1216、および1218におおよそ対応する。層1210上で画定された光非放射領域1232および1234は、OLED1214、1216、および1218が基板1212上に配置された間隔1220および1222におおよそ対応する。光抽出機構、例えば屈折率整合マイクロレンズ1236および1238は、光非放射領域1232および1234の一部または全部の上に配置することができる。屈折率整合マイクロレンズ1236および1238は、層1210から光1240を抽出する働きをし、おそらくディスプレイデバイス1200をより均一に照らすことができる。屈折率整合マイクロレンズ1236および1238を使用して非放射領域から抽出された光1240の少なくとも一部は、他の方法では層1210内の伝搬の導波モードに依存するはずの光であり得る。図5および図13を参照すると、一実施形態では、光抽出機構536、538は、層1310の中の光非放射領域1332、1334の上に配置された2次元フォトニック結晶機構1336、1338を含むことができる。2次元フォトニック結晶は、半導体結晶の中の過ヨウ素酸の電位が許容電子エネルギー帯および禁制電子エネルギー帯を画定することにより電子運動に影響するのと同様の方式で、電磁波EMの伝搬に影響することができる過ヨウ素酸誘電体または金属誘電体のナノ構造体から構成することができる。フォトニック結晶は、高い誘電率と低い誘電率を定期的に繰り返す内部領域を含むことができる。2次元フォトニック結晶は、OLEDの中の光伝搬の横モードを効果的に制御することができる。図13を参照すると、ディスプレイデバイス1300の概略図が提供される。デバイス1300は層1310を含むことができる。層1310は、基板1312の上に間隔1320および1322で配置された複数のOLED1314、1316、および1318を有する基板1312を含むことができる。OLED1314、1316、および1318から放射された光1324は、基板1312を通り抜けることができる。層1310上で画定された光放射領域1326、1328、および1330は、OLED1314、1316、および1318におおよそ対応する。層1310上で画定された光非放射領域1332および1334は、OLED1314、1316、および1318が基板1312上に配置された間隔1320および1322におおよそ対応する。光抽出機構、例えば2次元フォトニック結晶1336および1338は、光非放射領域1332および1334の一部または全部の上に配置することができる。2次元フォトニック結晶1336および1338は、層1310から光1340を抽出する働きをし、おそらくディスプレイデバイス1300をより均一に照らすことができる。2次元フォトニック結晶1336および1338を使用して非放射領域1332および1334から抽出された光1340の少なくとも一部は、他の方法では層1310内の伝搬の導波モードに依存するはずの光であり得る。一実施形態では、下記図14に示されるようなディスプレイデバイス1400は、層1410の縁部に反射コーティング1442、1444を含むことができる。層1410の縁部のまわりに反射コーティング1442、1444を加えると、縁部での光漏れをブロックすることができ、したがって光子は層1410の中で何度もリサイクルされ、最終的に非放射領域1432、1434の上に配置された、設計された機構1436、1438で抽出される。一実施形態では、反射コーティング1442、1444は、光抽出機構の抽出効率が低くても、高い効率の光抽出機構を提供することができる。一実施形態では、反射コーティング1442、1444は、図5から図13で上述したような非放射領域の中のすべてのさまざまな機構と組み合わせることができる。反射コーティング1442、1444の限定的でない例には、Ag、Al、Cu、Au、Ba、Ca、および前述のうちの少なくとも2つを含む合金などの金属層が含まれ得る。図14を参照すると、OLEDデバイス1400の概略図が提供される。デバイス1400は層1410を含むことができる。層1410は、基板1412の上に間隔1420および1422で配置された複数のOLED1414、1416、および1418を有する基板1412を含むことができる。OLED1414、1416、および1418から放射された光1424は、基板1412を通り抜けることができる。層1410上の光放射領域1426、1428、および1430は、OLED1414、1416、および1418におおよそ対応する。層1410上の光非放射領域1432および1434は、OLED1414、1416、および1418が基板1412上に配置された間隔1420および1422におおよそ対応する。光抽出機構1436および1438は、光非放射領域1432および1434の一部または全部の上に配置することができる。光抽出機構1436および1438は、層1410から光1440を抽出する働きをし、おそらくディスプレイデバイス1400をより均一に照らすことができる。光抽出機構1436および1438を使用して非放射領域から抽出された光1440の少なくとも一部は、他の方法では基板1412内の伝搬の導波モードに依存するはずの光であり得る。さらに、反射コーティング1442および1444はOLEDデバイスの縁部に配置される。反射コーティングは、デバイスの縁部での光漏れをブロックするのに役立つことができる。図15を参照すると、一実施形態では、ディスプレイデバイス1500は、OLED1514、1516、1518の中に存在する透過導電性酸化物層1540、1544、および1548と基板1512の間に配置された、屈折率整合機構1552、1554、および1556をさらに含むことができる。透過導電性酸化物層はOLEDの中にアノードを形成することができる。屈折率整合機構は、他の方法では基板1510と透過導電性酸化物層1540、1544、および1548との間の伝搬の導波モードに依存するはずの光を抽出する働きをすることができる。さらに図15を参照すると、OLEDデバイス1500の概略図が提供される。デバイス1500は層1510を含むことができる。層1510は、基板1512の上に間隔1520および1522で配置された複数のOLED1514、1516、および1518を有する基板1512を含むことができる。OLED1514、1516、および1518の中の有機発光層1542、1546、および1550から放射された光1524は、基板1512を通り抜けることができる。層1510上の光放射領域1526、1528、および1530は、OLED1514、1516、および1518におおよそ対応する。層1510上の光非放射領域1532および1534は、OLEDが基板1512上に配置された間隔1520および1522におおよそ対応する。光抽出機構1536および1538は、光非放射領域1532および1534の一部または全部の上に配置することができる。光抽出機構1536および1538は、層1510から光1540を抽出する働きをし、おそらくディスプレイデバイス1500をより均一に照らすことができる。光抽出機構1536および1538を使用して非放射領域から抽出された光1540の少なくとも一部は、他の方法では基板1512内の伝搬の導波モードに依存するはずの光であり得る。ある実施形態では、図15に示されたように、OLED1514、1516、および1518は、それぞれ発光層1542、1546、および1550、ならびに、OLEDの中にアノードを形成する透過導電性酸化物層1540、1544、および1548を含むことができる。屈折率整合機構1552、1554、および1556は、OLED1514、1516、および1518の中の透過導電性酸化物層1540、1544、および1548と基板1512の間に配置することができる。屈折率整合機構1552、1554、および1556は、角柱または円錐の形状をした構造を含む周期性サブ波長構造を含むことができる。屈折率整合機構1552、1554、および1556は、層1510から光1524、1540の少なくとも一部を抽出する働きをし、おそらくディスプレイデバイス1500をより均一に照らすことができる。光抽出機構1552、1554、および1556を使用して放射領域および非放射領域からそれぞれ抽出された光1524、1540の少なくとも一部は、他の方法では基板1512と透過導電性酸化物層1540、1544、および1548との間の伝搬の導波モードに依存するはずの光であり得る。一実施形態では、ディスプレイデバイス1500は、OLED1514、1516、1518の中に存在する透過導電性酸化物層1540、1544、および1548と基板1512の間に配置された、屈折率整合層1552をさらに含むことができる。屈折率整合層は、他の方法では基板1510と透過導電性酸化物層1540、1544、および1548との間の伝搬の導波モードに依存するはずである光を抽出する働きをすることができる。図16を参照すると、OLEDデバイス1600の概略図が提供される。デバイス1600は層1610を含むことができる。層1610は、基板1612の上に間隔1620および1622で配置された複数のOLED1614、1616、および1618を有する基板1612を含むことができる。OLED1614、1616、および1618の中の有機発光層1642、1646、および1650から放射された光1624は、基板1612を通り抜けることができる。層1610上の光放射領域1626、1628、および1630は、OLED1614、1616、および1618におおよそ対応する。層1610上の光非放射領域1632および1634は、OLEDが基板1612上に配置された間隔1620および1622におおよそ対応する。光抽出機構1636および1638は、光非放射領域1632および1634の一部または全部の上に配置することができる。光抽出機構1636および1638は、層1610から光1640を抽出する働きをし、おそらくディスプレイデバイス1600をより均一に照らすことができる。光抽出機構1636および1638を使用して非放射領域から抽出された光1640の少なくとも一部は、他の方法では基板1612内の伝搬の導波モードに依存するはずの光であり得る。ある実施形態では、図16に示されたように、OLED1614、1616、および1618は、それぞれ発光層1642、1646、および1650、ならびに、OLEDの中にアノードを形成する透過導電性酸化物層1640、1644、および1648を含むことができる。屈折率整合層1652は、OLED1614、1616、および1618の中の透過導電性酸化物層1640、1644、および1648と基板1612の間に配置することができる。屈折率整合層1652は、角柱または円錐の形状をした構造を含む周期性サブ波長構造を含むことができる。屈折率整合層1652は、層1610から光1624、1640の少なくとも一部を抽出する働きをし、おそらくディスプレイデバイス1600をより均一に照らすことができる。屈折率整合層1652を使用して放射領域および非放射領域からそれぞれ抽出された光1624、1640の少なくとも一部は、他の方法では基板1612と透過導電性酸化物層1640、1644、および1648との間の伝搬の導波モードに依存するはずの光であり得る。再び図5を参照すると、デバイス500が別の実施形態で提供される。デバイス500は、層510、ならびに複数の発光素子、例えば層の上にお互いから間隔520、522で配置されたOLED514、516、および518を含む。層510は、複数の光放射領域526、528、および530、ならびに光非放射領域532および534を画定することができる。層510は、複数の発光素子514、516、および518におおよそ対応する複数の光放射領域526、528、および530、ならびに、複数の発光素子514、516、および518の間の間隔520、522におおよそ対応する複数の光非放射領域532、534を含むことができる。光抽出機構536、538は、層510の中の複数の光非放射領域532、534のうちの1つまたは複数の上に配置することができる。一実施形態では、発光素子514、516、518の間の間隔520、522は、約10マイクロメートルから約10ミリメートルの範囲内であり得る。別の実施形態では、発光素子514、516、518の間の間隔は、約100マイクロメートルから約5ミリメートルの範囲内である。さらに別の実施形態では、発光素子514、516、518の間の間隔は、約500マイクロメートルから約3ミリメートルの範囲内である。図17を参照すると、その中に、上記の説明に従って構成されたディスプレイデバイス例えば、下記でも参照される図5に示されたディスプレイデバイス500を製作する方法1700を表す流れ図が提供される。方法は、複数の発光素子514、516、および518を支える層510を提供することを含むことができる。複数の発光素子514、516、および518は、お互いからあらかじめ決められた間隔520、522で配置される。これによって、複数の発光素子514、516、および518に対応する複数の光放射領域526、528、530が層510上に形成され、発光素子514、516、および518の間のあらかじめ決められた間隔520、522に対応する複数の光非放射領域532、534が層510の中に形成される。方法1700は、さらに、複数の光非放射領域532、534と一致するように光抽出機構536、538を層510上に配置することを含む。図6、図7および図17を参照すると、さまざまな実施形態では、光抽出機構は表面収差636、638、736、および738を含むことができる。一実施形態では、表面収差はかき傷636、638またはくぼみ736、738を含むことができる。さまざまな実施形態では、かき傷またはくぼみは、カーバイドスクライバツール、かみそりの刃、ダイヤモンドグリッドダイシングホイール、および、当業者に既知の光学的品質のかき傷またはくぼみを形成する他の方法を使用して形成することができる。図10、図11、図12および図17を参照すると、さまざまな実施形態では、光抽出機構は屈折率整合機構1036、1038、1136、1138、1236、および1238を含むことができる。一実施形態では、機構は球1036、1038、ミクロスフェア1136、1138、またはマイクロレンズ1236および1238を含む。さまざまな実施形態では、ミクロスフェアまたはマイクロレンズは、フォトレジストまたは紫外線硬化性エポキシ樹脂のような素材の中にフォトリソグラフィを実行し、ポリマーを溶かして複数のレンズの配列を形成することによって組み立てることができる。他の実施形態は、マスタのレンズ配列からモデル化またはエンボスすることによって、マイクロレンズまたはミクロスフェアの複数のコピーを作成することを含むことができる。マスタのレンズ配列をマンドレルとして使用して電鋳用鋳型を生成することによっても、マスタのレンズ配列を複製することができる。図13および図17を参照すると、一実施形態では、光抽出機構は2次元フォトニック結晶1336、1338を含む。さまざまな実施形態では、2次元フォトニック結晶は、集積回路用に使用される技法と同様のフォトリソグラフィ技法およびエッチング技法を使用して組み立てることができる。2次元フォトニック結晶を形成する代替手法は、コロイド結晶から自己組織化構造としてフォトニック結晶を成長させることを含むことができる。OLEDの中の発光メカニズムは、OLED基板の電気的に励起状態にある有機分子上で励起子を再結合することであり得る。そのような光が生成されると、光は有機発光層から全方向に自然発生的に放射され、さまざまなモードを経て伝搬する。さまざまなモードには、OLED基板から漏れる光に関連する外部モードと称するモード、および/または、OLED基板内の全内部反射に依存する光に関連する導波モードと称するモードが含まれる。表示アプリケーション用には、基板表面から放射された光すなわち、外部モードによって伝搬する光が、ディスプレイを見る人が受ける光を表すので、最も有効である。しかしながら、場合によっては、大量に生成された光は、下記図18に示される例えば、基板およびデバイスの内部に捕らえられるか、またはOLEDデバイスの縁部から外に放射されるように導波モードと関連する可能性があり、限られた量の光だけがOLEDを見る人に届く。例えば、基板から漏れる生成された光の割合は、ηcpext~1/2n2org1によって近似することができる。ここで、ηcpextは外部結合効率であり、norgはITO/有機層の合計である。基板の中に捕らえられた光の割合ηcpsubsおよびITO/有機層の中に捕らえられた光の割合ηcporgはそれぞれ、ηcpsubs=cosθorgc1-cosθorgc22ηcporg=cosθorgc23によって与えられる。ここで、θorgc1およびθorgc2は、それぞれ有機層-空気間および有機層-基板間の臨界角である。アプリケーション、一般に照明およびフラットパネルディスプレイの目的には、ディスプレイデバイス、例えば図3で参照されたディスプレイデバイス300からの全放射光のわずか20パーセントである、基板表面から放射される光ηcpextが最も有用である。図18を参照すると、その中に、通常のOLED構造1800の中で生成された光の伝搬のさまざまなモードが描写される。OLED構造1800は、カソード層1810、電子輸送層1812、発光層1814、正孔輸送層1816、透過導電性酸化物層1818、および基板層1820を含むことができる。発光層1814によって放射された光は、さまざまなモードに起因して失われる可能性がある。屈折1822に起因して、ITO/有機導波モード1824に起因して、基板導波モード1826に起因して、および基板の縁部への漏れ1828に起因して、光は見る人が受けるように放射されるのに失敗する可能性がある。上記説明に従って構成された実施形態は、例えば、基板の漏れモードを増加させるための基板と空気の境界での全内部反射の削減、ならびに/または、有機/ITOモード、基板モードおよび漏れモードの相対数の変更によって、伝搬の導波モードに依存する光の量を削減するように働くことができる。前者の処理は、例えば、目荒しまたはシリカ製のミクロスフェアもしくはマイクロレンズの取り付けなどの、基板表面の変更によって実現することができる。後者の処理は、例えば、放射領域のしわ付け、デバイスの中の層の屈折率の変更、および/または、フォトニック結晶反応を作るためのデバイスのパターン形成によって実現することができる。出願人は、出力結合を増加させる1つの方法は基板と空気の境界の表面のでこぼこを増加させることであることを発見した。この方法によって、通常はすべて内部反射していたはずの光の一部がさまざまな角度で散乱し、したがって表面から漏れることが可能になる。また、出願人は、散乱の増加がシリカ球による表面の周期パターン化を使用することによっても実現できることを発見した。また、それによって表面の幾何形状を変更して全内部反射を削減し表面放射を強化する技法がテストされた。また、前面に取り付けたマイクロレンズの使用は成功した。放射が球の中心で起こるように設計された半球の使用は、ガラスと空気の境界上に突き当る光線が垂直入射し、したがって漏れることができることを意味する。上記その他の技法、導波モードの使用は、通常は基板に限定されるはずであるが、デバイスから効果的に結合することができる。より小さいスケールのパターン化、ならびにマイクロレンズおよびパターン形成されたメサの使用で強化を実現することができる。本明細書に記載したような実施形態は、当技術分野の顕著な短所に対処することができる。本明細書に記載した発光機構は、ピクセルベースのディスプレイデバイスの中の光非放射領域から光を抽出する、改良されたメカニズムを提供することができる。これらのデバイスは、改善された効率およびコストを潜在的に提供することができる。したがって、本明細書に記載した実施形態は、光放射領域および光非放射領域を備える層を含むデバイスを提供する。光抽出機構は光非放射領域の上に配置される。光抽出機構は、それによって導波管モードに起因する光損失を最小限にする、ディスプレイデバイスの透過層の表面を変更する働きをすることができる。一実施形態では、表面の変更は、光非放射領域で機械的にひっかき、または浮き彫りにし、くぼませることによる表面の物理的な変更を含むことができる。別の実施形態では、表面の変更は、ディスプレイデバイスの透過層とおおよそ等しい屈折率を有する光抽出素子を、光非放射領域に取り付けることを含むことができる。さまざまな実施形態では、光抽出素子には、球、マイクロレンズ配列、2次元フォトニック結晶構造、適切な屈折率を有する、台形の形状または角錐の形状の素材が含まれ得る。再び図5を参照すると、一実施形態では、ディスプレイデバイス500は、バリア層、耐摩耗層、接着層、化学的耐性層、光輝性層、放射線吸収層、放射線反射層、平坦層、光拡散層、および光管理フィルムのうちの1つまたは複数のような、別の層図には示されずを含むことができる。また、これらの層は、本明細書で考察したその他の実施形態においても存在することができる。本明細書で説明したさまざまな層を固定または配置することは、スピンコーティング、ディップコーティング、リバースロールコーティング、巻き線型またはMAYERロッドコーティング、ダイレクトおよびオフセットのグラビアコーティング、スロットダイコーティング、ブレードコーティング、ホットメルトコーティング、カーテンコーティング、ナイフオーバロールコーティング、押出しエアナイフコーティング、スプレーコーティング、ロータリスクリーンコーティング、マルチレイヤスライドコーティング、共有押出しメニスカスコーティング、コンマおよびマイクログラビアコーティング、リトグラフ処理、ラングミュア処理、ならびに、フラッシュ蒸発、蒸着、プラズマ化学気相成長法PECVD、無線周波プラズマ化学気相成長法RFPECVD、拡張熱プラズマ化学気相蒸着法ETPCVD、電子サイクロトロン共鳴プラズマ化学気相成長法ECRPECVD、誘導結合プラズマ化学気相成長法ICPECVD、および、反応性スパッタリングを含むスパッタリング技法などの、既知の技法を使用して実行することができる。本明細書に記載した実施形態は、特許請求の範囲に列挙した本発明の構成要素に対応する構成要素を有する組成物、構造、システムおよび方法の例である。この書面による明細によって、特許請求の範囲に列挙した本発明の構成要素に同様に対応する代替の構成要素を有する実施形態を、当業者が作成し使用することが可能になる。したがって、本発明の範囲は、特許請求の範囲の文言と相異のない組成物、構造、システムおよび方法を含み、さらに、特許請求の範囲の文言と実質的に相異のない他の構造、システムおよび方法を含む。本明細書においては、ある特定の機構および実施形態だけを説明および記載したが、当業者は多くの修正形態および変更形態を思いつくことができる。添付の特許請求の範囲はそれらの修正形態および変更形態のすべてをカバーする。"