"静電容量型のMEMSデバイスであって、外部から与えられた物理量に応じて可動する可動部と、前記可動部を支持するバネ部とを備え、前記バネ部の表面の強度を構造体形成後に高めることで前記バネ部の特性が補正されていることを特徴とするMEMSデバイス。前記バネ部の表面に微粒子を照射することで前記バネ部の特性が補正されていることを特徴とする請求項1に記載のMEMSデバイス。前記バネ部の表面に薄膜を形成することで前記バネ部の特性が補正されていることを特徴とする請求項1に記載のMEMSデバイス。前記MESMデバイスは、トーション構造であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のMEMSデバイス。前記MESMデバイスは、両持ち梁構造であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のMEMSデバイス。前記MESMデバイスは、片持ち梁構造であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のMEMSデバイス。前記MESMデバイスは、櫛歯構造であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のMEMSデバイス。しかし、昨今、コスト競争が激化するのを背景にウェハの大口径化が進み、薄膜積層形成されるサーフェイスMEMSも、バルクを掘り込んで形成されるバルクMEMSも、プロセスのばらつきをコントロールするのが難しくなってきている。その結果、不良率が増加し、大口径化によるコストメリットが小さくなっている。そこで、本発明は、デバイス特性のばらつきが小さいMEMSデバイスを得ることを目的とする。本発明は、静電容量型のMEMSデバイスであって、外部から与えられた物理量に応じて可動する可動部と、前記可動部を支持するバネ部とを備え、前記バネ部の表面の強度を構造体形成後に高めることで前記バネ部の特性が補正されていることを特徴とする。また、本発明において、前記バネ部の表面に微粒子を照射することで前記バネ部の特性が補正されていてもよい。また、本発明において、前記バネ部の表面に薄膜を形成することで前記バネ部の特性が補正されていてもよい。また、本発明において、前記MESMデバイスは、トーション構造であってもよい。また、本発明において、前記MESMデバイスは、両持ち梁構造であってもよい。また、本発明において、前記MESMデバイスは、片持ち梁構造であってもよい。また、本発明において、前記MESMデバイスは、櫛歯構造であってもよい。本発明によれば、バネ部の表面の強度を構造体形成後に高めることでバネ部の特性が補正されるため、デバイス特性のばらつきが小さいMEMSデバイスを得ることが可能となる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、以下の複数の実施形態には、同様の構成要素が含まれている。よって、以下では、それら同様の構成要素には共通の符号を付与するとともに、重複する説明を省略する。第1実施形態まず、MEMSデバイスの一例として加速度センサの構成を説明する。加速度センサの構成第1実施形態における加速度センサは、図1に示すように、シリコンSOI基板により形成されたセンサチップ1の上下面が上部固定板2aと下部固定板2bにより挟持された構成となっている。センサチップ1は、2つの矩形枠3a,3bを有するフレーム部3と、矩形枠3a,3bの側壁部に対し隙間をあけた状態で矩形枠3a,3b内に配置された矩形形状の2つの可動電極4,5とを備えている。また、センサチップ1は、可動電極4の表面の対向する2辺の略中央部と矩形枠3aの側壁部とを連結することにより可動電極4をフレーム部3に対し揺動自在に支持する一対のビーム部6a,6bと、可動電極5の表面の対向する2辺の略中央と矩形枠3bの側壁部とを連結することにより可動電極5をフレーム部3に対し揺動自在に支持する一対のビーム部7a,7bとを備えている。さらに、センサチップ1は、フレーム部3,可動電極4,及び他の検出電極に対し離間配置された検出電極8a,8bと、フレーム部3、可動電極5、及び他の検出電極に対し離間配置された検出電極9a,9bと、検出電極8bと検出電極9a間のフレーム部3表面に形成された接地電極10とを備えている。検出電極8a,8b及び検出電極9a,9bは、それぞれ、後述する固定電極20a,20b及び固定電極21a,21bと電気的に接続されている。本実施形態では、図2に示すように、検出電極8aと検出電極8b間、検出電極9aと検出電極9b間、検出電極8a,8bとフレーム部3間、検出電極9a,9bとフレーム部3間、検出電極8a,8bと可動電極4間、及び検出電極9a,9bと可動電極5間には隙間が形成されている。このような構成によれば、各検出電極が電気的に絶縁されるようになるので、各検出電極の寄生容量や検出電極間のクロストークを低減し、高精度な容量検出を行うことが可能になる。なお、これらの隙間や矩形枠3a,3b内の空間には空気等の気体が封入され、大気圧に近い状態で密封されている。可動電極4の裏面のビーム部6a,6bを結ぶ直線を境界線とした一方側には、図2に示すように、補強部材16により区画された第1の凹部としての凹部11a,11b,11c,11dが形成されている。また、可動電極4の裏面のビーム部6a,6bを結ぶ直線を境界線とした他方側には、第2の凹部としての凹部12が形成されている。同様に、可動電極5の裏面のビーム部7a,7bを結ぶ直線を境界線とした一方側には、図2に示すように、補強部材16により区画された第1の凹部としての凹部13a,13b,13c,13dが形成されている。また、可動電極5の裏面のビーム部7a,7bを結ぶ直線を境界線とした他方側には、第2の凹部としての凹部14が形成されている。本実施形態では、第1の凹部と第2の凹部を別体として形成したが、例えば第1の凹部を前記境界線を超えて他方側に拡大することにより第1の凹部と第2の凹部を一体として形成してもよい。また、第1の凹部の形状は、図2に示す三角形状に限定されることはなく、第2の凹部と同様の矩形形状としてもよい。さらに、第2の凹部を形成する位置は、図3に示すように、可動電極の重心位置Oとビーム部がなす角度θが45度になることによりx方向とz方向の検出感度が等価になる位置であれば特に限定されることはない。境界線からより遠い側に第2の凹部を形成すれば、回転モーメントがより大きくなるので、加速度センサの検出感度を高めることができる。可動電極4,5の上部固定板2a及び下部固定板2bと対向する面には、図3に示すように図3では可動電極4についてのみ図示、シリコン又はシリコン酸化膜により形成された複数の突起部15a~15gが形成されている。このような突起部15a~15gを形成することにより、可動電極4,5に測定レンジを超える大きな加速度が印加された場合であっても、可動電極4,5は対向する上部固定板2a及び下部固定板2bに直接衝突しないので、センサチップ1を破損を抑制できる。本実施形態では、可動電極4,5の上部固定板2a及び下部固定板2bと対向する面に突起部を形成したが、上部固定板2a及び下部固定板2bの可動電極4,5と対向する面に同様の突起部を形成するようにしてもよい。上部固定板2aはガラス基板により形成され、その可動電極4と対向する表面側には、ビーム部6aとビーム部6bを結ぶ直線を境界線として固定電極20a,20bが設けられている。同様に、上部固定板2aの可動電極5と対向する表面側には、ビーム部7aとビーム部7bを結ぶ直線を境界線として固定電極21a,21bが設けられている。上部固定板2aの検出電極8a,8b,9a,9b及び接地電極10に対向する位置にはスルーホール22a~22eが形成され、このスルーホール22a~22eを介して固定電極20a,20b及び固定電極21a,21bにそれぞれ接続された検出電極8a,8b及び検出電極9a,9bと接地電極10の出力が取り出されるようになっている。下部固定板2bはガラス基板により形成され、その可動電極4,5の裏面と対向する面側には、可動電極4,5の裏面に対し間隔をあけてアルミニウム系合金等の固定電極20a,20b,21a,21bと同材料により形成された付着防止膜23a,23bが配置されている。このような付着防止膜23a,23bを設けることにより、可動電極4,5が動作時に下部固定板2bに付着することを防止できると共に、過大衝撃時でも可動電極4,5と下部固定板2bが直接接触しないため衝撃を緩和できる。特性補正手法本実施形態では、MEMSデバイス30のプロセスによって生じた構造体の形状ばらつきに起因するデバイス特性のばらつき感度、衝撃耐性を、その後の工程で個別に補正するようにしている。すなわち、サーフェイスMEMSにおいてもバルクMEMSにおいても、成膜やエッチングによる形状ばらつきは、スケールが異なるだけで面内やウェハ間、ロット間において必ず発生する。これによるデバイス特性のばらつきを補正するためには、バネ部を再加工する必要がある。本実施形態では、バネ部に残留応力を発生させることで、デバイス特性のばらつきを補正するようにしている。図4は、第1実施形態における静電容量型のMEMSデバイス30の模式図であり、aは平面図、bは側面図である。このMEMSデバイス30はトーション構造であり、可動部31とバネ部32とアンカー部33とを備えている。可動部31は、外部から与えられた物理量に応じて可動する。バネ部32は、可動部31を支持する。アンカー部33は、バネ部32を支持する。前記した加速度センサは、このMEMSデバイス30の一例であり、可動電極4が可動部31、ビーム部6a,6bがバネ部32、フレーム部3がアンカー部33にそれぞれ対応している。ここで、所望のデバイス特性感度、衝撃耐性に達しない構造体MEMSデバイス30が形成された場合は、その構造体に対して表面改質を行い、圧縮残留応力を発生させる。その具体的な方法としては、すでに形成された構造体に対して直接微粒子を照射することで表面改質し、ピーニング効果による圧縮残留応力を発生させる方法がある。例えば、バネ部32の表面に口径1mm程度のノズルから100N程度で微粒子を照射する。微粒子としては、ドライプロセスではアルゴンなどの不活性粒子、ウェットプロセスではアルミナなどの金属微粒子を採用している。微粒子をバネ部32の表面全体に均一に照射すれば、バネ部32の表面全体を均一の強度にすることができる。このように微粒子を照射した後のバネ部32の様子を図5に示す。図5aは平面図、図5bは側面図である。この図に示すように、微粒子を照射すると、バネ部32の表面に数十オングストローム程度の凹凸31aが形成される。これにより、圧縮残留応力が発生し、バネ部32の表面の強度が高くなる。微粒子の濃度や、微粒子を照射する時間、速度を調整することで、所望のデバイス特性を得ることが可能である。以上のように、本実施形態によれば、バネ部32の表面の強度を構造体形成後に高めることでバネ部32の特性が補正される。具体的には、バネ部32の表面に微粒子を照射することで、バネ部32に圧縮残留応力を発生させるようにしている。これにより、デバイス特性のばらつきが小さいMEMSデバイス30を得ることが可能となる。第2実施形態以下、第2実施形態を前記第1実施形態と異なる点のみ説明する。本実施形態でも、MEMSデバイス30のプロセスによって生じた構造体の形状ばらつきに起因するデバイス特性のばらつきを、その後の工程で個別に補正するようにしている。前記第1実施形態と異なる点は、以下に説明するように、バネ部32の表面に薄膜を形成することでバネ部32の特性が補正される点である。図6は、第2実施形態におけるバネ部32の説明図であり、aは平面図、bは側面図である。この図に示すように、バネ部32の表面には数百オングストローム程度の薄膜31bが形成されている。すなわち、高エネルギースパッタリングやCVDChemicalVaporDepositionによる堆積や焼き入れアニール処理を行う。薄膜31bの材料は、例えばSiNやTiNなど、プロセス親和性の高い圧縮材料である一般半導体材料が理想的である。スパッタのエネルギーを大きくすると、ピーニング効果により、圧縮残留応力をもった膜が積層されやすい。CVDでは、材料とプロセス条件で堆積する膜例えばPCVD-SiNの応力が決まる。また、材料によっては焼き入れアニール処理を追加することで残留応力を与えることもできる。これをバネ部32の表面に必要な厚み分だけ積層し、強度を補正する。薄膜31bをバネ部32の表面全体に均一に形成すれば、バネ部32の表面全体を均一の強度にすることができる。以上のように、本実施形態によれば、バネ部32の表面の強度を構造体形成後に高めることでバネ部32の特性が補正される。具体的には、バネ部32の表面に薄膜を形成するすることで、バネ部32に圧縮残留応力を発生させるようにしている。これにより、デバイス特性のばらつきが小さいMEMSデバイス30を得ることが可能となる。なお、図4では、トーション構造のMEMSデバイス30を例示したが、その他の構造のMEMSデバイス30に対しても同様に本発明を適用することができる。例えば、MEMSデバイス30は、図7に示すように、両持ち梁状の可動部31が形成された両持ち梁構造であってもよい。また、図8に示すように、カンチレバーバネ部32の周囲にコの字状の切除部を設けた片持ち梁構造であってもよい。さらに、図9に示すように、櫛歯状の可動部31が形成された櫛歯構造であってもよい。これら構造のMEMSデバイス30に対しても、同様の手法でバネ部32の特性を補正することができる。以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は前記実施形態には限定されず、種々の変形が可能である。例えば、前記実施形態では、MEMSデバイス30の一例として加速度センサを例示したが、圧力センサなどのその他のMEMSデバイス30にも本発明を適用することができる。また、可動部31、バネ部32、アンカー部33のスペック形状、大きさ、レイアウトなども適宜変更することが可能である。"