"少なくともビスマス、バリウム、鉄及びチタンを含むペロブスカイト型酸化物を形成するための圧電体前駆体溶液であって、少なくとも、ビスマス塩、バリウム塩、鉄塩、並びに、チタンにアルコキシ基及び該アルコキシ基以外の官能基が結合したチタン化合物を含む、圧電体前駆体溶液。前記チタン化合物が一般式TiOR1nR24n式中、OR1はアルコキシ基、R2は前記OR1以外の1価の官能基、nは1~3の整数、を示す。で表される化合物である、請求項1に記載の圧電体前駆体溶液。前記チタンに結合した前記アルコキシ基以外の官能基がアセトネート系の官能基、グリコレート系の官能基、カルボキシレート基、の中から選ばれる一種以上の官能基である、請求項1又は請求項2に記載の圧電体前駆体溶液。請求項1~請求項3のいずれか一項に記載の圧電体前駆体溶液を塗布する工程と、該塗布した前駆体溶液を結晶化させてペロブスカイト型酸化物を含む圧電セラミックスを形成する工程と、を備えた、圧電セラミックスの製造方法。請求項4に記載の圧電セラミックスの製造方法により圧電セラミックスを形成する工程と、前記圧電セラミックスに電極を形成する工程と、を備えた、圧電素子の製造方法。請求項5に記載の圧電素子の製造方法により圧電素子を形成する工程を備えた、液体噴射ヘッドの製造方法。請求項6に記載の液体噴射ヘッドの製造方法により液体噴射ヘッドを形成する工程を備えた、液体噴射装置の製造方法。しかしながら、BiFeO3-BaTiO3系圧電材料を用いて圧電素子を作製したところ、PZTと比較して、圧電薄膜にクラックが発生し易く、現状では実用化が難しいことが分かった。なお、このような問題は、液体噴射ヘッドに限らず、圧電アクチュエーターやセンサー等の圧電素子においても同様に存在する。以上を鑑み、本発明の目的の一つは、少なくともBiビスマス、Baバリウム、Fe鉄及びTiチタンを含む圧電体層を有する圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置の性能を向上させることにある。上記目的の一つを達成するため、本発明は、少なくともビスマス、バリウム、鉄及びチタンを含むペロブスカイト型酸化物を形成するための圧電体前駆体溶液であって、少なくとも、ビスマス塩、バリウム塩、鉄塩、並びに、チタンにアルコキシ基及び該アルコキシ基以外の官能基が結合したチタン化合物を含む態様を有する。また、本発明は、上記圧電体前駆体溶液を塗布する工程と、該塗布した前駆体溶液を結晶化させてペロブスカイト型酸化物を含む圧電セラミックスを形成する工程と、を備えた、圧電セラミックスの製造方法の態様を有する。さらに、本発明は、上記圧電セラミックスの製造方法により圧電セラミックスを形成する工程と、前記圧電セラミックスに電極を形成する工程と、を備えた、圧電素子の製造方法の態様を有する。さらに、本発明は、上記圧電素子の製造方法を含む液体噴射ヘッドの製造方法の態様を有する。さらに、本発明は、上記液体噴射ヘッドの製造方法を含む液体噴射装置の製造方法の態様を有する。本製造方法に用いる前駆体溶液には、チタンにアルコキシ基及び該アルコキシ基以外の官能基が結合したチタン化合物が含まれている。このように部分的にアルコキシドとされたチタン化合物を含む前駆体溶液が結晶化されてペロブスカイト型酸化物を含む圧電セラミックスが形成される。このような圧電セラミックスを圧電体層として有する圧電素子は、部分的にアルコキシドとされていないチタン化合物を含む前駆体溶液を結晶化したペロブスカイト型酸化物を含む圧電素子と比べて圧電体層のクラックが抑制されることが分かった。ここで、上記前駆体溶液は、ゾル等の状態が含まれる。前駆体溶液は、Mnマンガン等、Bi、Ba、Fe及びTi以外の金属が含まれてもよいし、不純物が含まれていてもよい。前駆体溶液に含まれる金属は、当然ながら、イオンの状態が含まれる。上記圧電体層も、Mn等、Bi、Ba、Fe及びTi以外の金属が含まれてもよいし、不純物が含まれていてもよい。ところで、上記チタン化合物は、一般式TiOR1nR24n式中、OR1はアルコキシ基、R2は前記OR1以外の1価の官能基、nは1~3の整数、を示す。で表される化合物が好ましい。チタンに結合したアルコキシ基以外の官能基は、アセトネート系の官能基、グリコレート系の官能基、カルボキシレート基、の中から選ばれる一種以上の官能基が好ましい。これらの態様は、圧電体層のクラックを抑制させる好ましい製造方法及び圧電体前駆体溶液を提供することができる。上記前駆体溶液にMnが含まれていると、圧電体層の絶縁性を高くリーク特性を改善する効果が期待される。以下、本発明の実施形態を説明する。むろん、以下に説明する実施形態は、本発明を例示するものに過ぎない。1圧電セラミックス、圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置の製法の概要:まず、図1~5を参照して、本製造方法の例を説明する。図2及び図4cに例示する記録ヘッド液体噴射ヘッド1は、圧電体層圧電セラミックス30及び電極20,40を有する圧電素子3と、ノズル開口71に連通し圧電素子3により圧力変化が生じる圧力発生室12とを備えている。従って、液体噴射ヘッドの製造方法は、圧電素子を形成する工程と、圧力発生室を形成する工程と、を備えることになる。圧力発生室12は、流路形成基板10のシリコン基板15に形成されている。ノズル開口71は、ノズルプレート70に形成されている。流路形成基板10の弾性膜振動板16上に下電極第1電極20、圧電体層30及び上電極第2電極40が順に積層され、圧力発生室12が形成されたシリコン基板15にノズルプレート70が固着されている。なお、本明細書で説明する位置関係は、発明を説明するための例示に過ぎず、発明を限定するものではない。従って、第1電極の上以外の位置、例えば、下、左、右、等に第2電極が配置されることも、本発明に含まれる。図1に例示する本製造方法は、工程S1,S2を備えている。塗布工程S1では、少なくとも、ビスマス塩、バリウム塩、鉄塩、並びに、チタンにアルコキシ基アルコキシル基ともいう。及び該アルコキシ基以外の官能基が結合したチタン化合物を含む圧電体前駆体溶液を塗布する。図1aの例では、電極20の表面に前駆体溶液31を膜状に塗布している。前駆体溶液31に含まれるチタン化合物は、アルコキシ基と、該アルコキシ基以外の官能基と、が一つのチタン原子に結合した有機金属化合物であり、多価のチタンが部分的にアルコキシ基と金属アルコキシドを形成している。このようなアルコキシドを、部分アルコキシドを呼ぶことにする。なお、アルコキシドは、アルコラートともいい、アルコールのヒドロキシ基の水素を金属で置換した化合物の総称である。チタンの部分アルコキシドには、例えば、一般式TiOR1nR24nIで表される化合物を用いることができる。ここで、OR1はアルコキシ基、R1は炭化水素基、R2はOR1以外の1価の官能基、nは1~3の整数、を示す。炭化水素基には、飽和鎖式のアルキル基や脂環式の炭化水素基が含まれる。上記式Iで表されるチタンの部分アルコキシドを用いると、圧電体層のクラックを抑制する効果が向上する。nは、2が好ましいが、1又は3でもよい。また、複数種類のアルコキシ基が一つのチタン原子に結合してもよいし、アルコキシ基以外の複数種類の官能基が一つのチタン原子に結合してもよい。例えば、下記一般式で表される部分アルコキシドも使用可能である。TiOR11OR12R21R22IITiOR11OR12OR13R2IIITiOR1R21R22R23IV式中、OR11,OR12,OR13は互いに異なるアルコキシ基、R21,R22,R23は互いに異なる官能基アルコキシ基を除く。、を示す。上述したアルコキシ基には、直鎖形の1価アルコールに由来するアルコキシ基、炭素原子の枝分かれを有する1価アルコールに由来するアルコキシ基、等が含まれ、具体的には、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、オクチロキシ基、等が含まれる。アルコキシ基以外の官能基には、アセチルアセトネートといったアセトネートアセトナートともいう。系の官能基、オクチレングリコレートといったグリコレートグリコラートともいう。系の官能基、2-エチルヘキサン酸の共役塩基といったカルボキシレートカルボキシラートともいう。基、等が含まれる。前駆体溶液には、Bi、Ba、Fe及びTiを主要成分としてモル比で少ない別の金属例えばMnが含まれてもよい。ここで、主要成分は、モル比合計が他の含有成分のモル比よりも多いような一以上の対象成分とする。前駆体溶液の塗布は、スピンコート法、ディップコート法、インクジェット法、等の液相法で行うことができる。圧電体層形成工程S2では、塗布した前駆体溶液31を結晶化させてペロブスカイト型酸化物を含む圧電セラミックス圧電体層30を形成する。得られるペロブスカイト型酸化物は、少なくともBi、Ba、Fe及びTiが含まれ、Bi、Ba、Fe及びTiを主要成分としてモル比で少ない別の金属例えばMnが含まれてもよい。圧電セラミックス30には、ペロブスカイト型酸化物以外の物質例えば金属酸化物が含まれてもよい。図1bに圧電薄膜の亀裂進展評価及び表面形状評価を例示するように、チタンの部分アルコキシドを含んでいない前駆体溶液を用いた圧電体層は、表面が粗く亀裂の進展が速い、すなわち、クラックが生じ易いことが分かる。なお、比較例1のチタン化合物は多価のチタンの各結合が全てアルコキシ基以外の官能基との結合とされ、比較例2のチタン化合物は多価のチタンの各結合が全てアルコキシ基との結合とされている。一方、チタンの部分アルコキシドを含む前駆体溶液を用いた圧電体層は、表面が平滑で亀裂の進展が遅い、すなわち、クラックが生じ難いことが分かった。圧電薄膜の亀裂進展評価は、ビッカース硬さ試験法に準じた所定の圧子を薄膜表面に所定の試験荷重で押し込み、薄膜表面に亀裂が進展するか否かを調べることにより行うことができる。少なくともBi、Ba、Fe及びTiを含むペロブスカイト型酸化物を有する圧電体層は、PZTとは異なり、表面モフォロジーが粗くなる傾向がある。チタン化合物に部分アルコキシドを用いると、前駆体溶液にポリマーのような性質が付与され、圧電体層の表面が平滑になるとともに圧電体層のじん性が向上すると考えられる。以上より、圧電体層のクラックを抑制するためには、少なくとも、ビスマス塩、バリウム塩、鉄塩、及び、チタンの部分アルコキシドを含む前駆体溶液を用いて圧電体層を形成すればよい。また、圧電体層の表面モフォロジーが粗いと、圧電素子を形成したときに、リーク電流が比較的小さい部分とリーク電流が比較的大きい部分とが生じたり、電圧に対する十分な耐圧がある部分と耐圧が低下した部分とが生じたりする等、信頼性が低下することがある。少なくとも、ビスマス塩、バリウム塩、鉄塩、及び、チタンの部分アルコキシドを含む前駆体溶液を用いることにより、圧電体層表面の平滑性が向上し、圧電素子の性能ばらつきが少なくなり、圧電素子の信頼性、特に耐久性が向上する。前駆体溶液31に含まれる少なくともBi、Ba及びFeの金属塩には、2-エチルヘキサン酸塩や酢酸塩といった有機酸塩等を用いることができる。前駆体溶液には、前記金属塩を溶媒に溶解させた溶液、前記金属塩を分散媒に分散させたゾル、等が含まれる。前駆体溶液の溶媒分散媒を含む。には、例えば、オクタン、キシレン、これらの組合せ、といった有機溶媒を用いることができる。前駆体溶液に含まれる金属は、ペロブスカイト構造の中で原子半径に応じたサイトに配置される。得られるペロブスカイト型酸化物は、AサイトにBiとBaを少なくとも含み、BサイトにFeとTiを少なくとも含む。このようなペロブスカイト型酸化物には、下記一般式で表される組成の非鉛系ペロブスカイト型酸化物が含まれる。Bi,BaFe,TiOz...1Bi,Ba,MAFe,TiOz...2Bi,BaFe,Ti,MBOz...3Bi,Ba,MAFe,Ti,MBOz...4ここで、MAはBi、Ba及びPbを除く1種以上の金属元素であり、MBはFe、Ti及びPbを除く1種以上の金属元素である。zは、3が標準であるが、ペロブスカイト構造をとり得る範囲内で3からずれてもよい。Aサイト元素とBサイト元素との比は、1:1が標準であるが、ペロブスカイト構造をとり得る範囲内で1:1からずれてもよい。Bi,Ba,MAのモル数合計に対するBiのモル数比は、例えば50~99.9程度とすることができる。Bi,Ba,MAのモル数合計に対するBaのモル数比は、例えば0.1~50程度とすることができる。Bi,Ba,MAのモル数合計に対するMAのモル数比は、例えば0.1~33程度とすることができる。Fe,Ti,MBのモル数合計に対するFeのモル数比は、例えば50~99.9程度とすることができる。Fe,Ti,MBのモル数合計に対するTiのモル数比は、例えば0.1~50程度とすることができる。Fe,Ti,MBのモル数合計に対するMBのモル数比は、例えば0.1~33程度とすることができる。前駆体溶液に添加可能なMB元素には、Mn等が含まれる。Bサイト構成金属中のMnのモル濃度比は、Bサイト構成金属の全モル濃度比を100として、例えば、0.1~10程度とすることができる。Mnを添加すると圧電体層の絶縁性を高くリーク特性を改善する効果が期待されるが、Mnが無くても圧電性能を有する圧電素子を形成することができる。塗布膜の厚みは、特に限定されないが、例えば0.1μm程度とすることができる。少なくともBi、Ba、Fe及びTiを含むペロブスカイト型酸化物を有する圧電体層30の結晶化温度は、例えば400~450°C程度になる。前駆体溶液31の結晶化の前に、電極20の表面の塗布膜31をペロブスカイト型酸化物の結晶化温度未満で加熱する第1加熱工程が行われてもよい。結晶化前に塗布膜31が乾燥し、脱脂温度以上では塗布膜31が脱脂されるので、圧電体層30を良好に形成することができる。また、第1加熱工程の後に電極20の表面の塗布膜31を結晶化温度以上で加熱する第2加熱工程が行われてもよい。この焼成により、圧電体層30を良好に形成することができる。加熱には種々の装置を用いることができるが、RTARapidThermalAnnealing法を使用することのできる赤外線ランプアニール装置を結晶化温度以上の加熱に用いると、圧電体層30を良好に形成することができる。上記第1加熱工程では、乾燥温度<脱脂温度<結晶化温度として、電極20の表面の塗布膜31を乾燥温度で加熱した後、乾燥処理後に電極20の表面の塗布膜31を脱脂温度で加熱してもよい。2圧電素子及び液体噴射ヘッドの製造方法の例:図2は、液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッド1を便宜上、分解した分解斜視図である。図3,4は、記録ヘッドの製造方法を例示するための断面図であり、圧力発生室12の長手方向D2に沿った垂直断面図である。記録ヘッド1を構成する各層は、接合されて積層されてもよいし、分離されない材料の表面を変性する等して一体に形成されてもよい。流路形成基板10は、シリコン単結晶基板等から形成することができる。弾性膜16は、例えば、膜厚が約625μmと比較的厚く剛性の高いシリコン基板15の一方の面を約1100°Cの拡散炉で熱酸化する等によってシリコン基板15と一体に形成することができ、二酸化シリコンSiO2等で構成することができる。弾性膜16の厚みは、弾性を示す限り特に限定されないが、例えば0.5~2μm程度とすることができる。次いで、図3aに示すように、スパッタ法等によって弾性膜16上に下電極20を形成する。図3bに示す例では、下電極20を形成した後にパターニングしている。下電極20の構成金属には、Pt、Au、Ir、Ti、等の1種以上の金属を用いることができる。下電極20の厚みは、特に限定されないが、例えば50~500nm程度とすることができる。なお、密着層又は拡散防止層として、TiAlN窒化チタンアルミ膜、Ir膜、IrO酸化イリジウム膜、ZrO2酸化ジルコニウム膜、等の層を弾性膜16上に形成したうえで、当該層上に下電極20を形成してもよい。次いで、図1aに示すように、上述した少なくとも、ビスマス塩、バリウム塩、鉄塩、並びに、チタンにアルコキシ基及び該アルコキシ基以外の官能基が結合したチタン化合物を含む前駆体溶液31を下電極20の表面に塗布する塗布工程S1。前駆体溶液中の金属のモル濃度比は、形成されるペロブスカイト型酸化物の組成に応じて決めることができる。上述した式1~4におけるAサイト構成金属及びBサイト構成金属のモル濃度比は、1:1が標準であるが、ペロブスカイト型酸化物が形成される範囲内で1:1からずれていてもよい。次いで、塗布した前駆体溶液31を結晶化させてペロブスカイト型酸化物を含む圧電体層30を形成する圧電体層形成工程S2。前駆体溶液31の膜をペロブスカイト型酸化物の結晶化温度以上で加熱すると、ペロブスカイト型酸化物を含む薄膜状の圧電体層30が形成される。好ましくは、例えば140~190°C程度に加熱して乾燥し乾燥工程、その後、例えば300~400°C程度に加熱して脱脂し脱脂工程、その後、例えば550~850°C程度に加熱して結晶化させる焼成工程。圧電体層30を厚くするため、塗布工程と乾燥工程と脱脂工程と焼成工程の組合せを複数回行ってもよい。焼成工程を減らすために、塗布工程と乾燥工程と脱脂工程の組合せを複数回行った後に焼成工程を行ってもよい。さらに、これらの工程の組合せを複数回行ってもよい。形成される圧電体層30の厚みは、電気機械変換作用を示す範囲で特に限定されないが、例えば0.2~5μm程度とすることができる。好ましくは、製造工程でクラックが発生しない程度に圧電体層30の厚さを抑え、十分な変位特性を示す程度に圧電体層30を厚くするとよい。上述した乾燥工程及び脱脂工程を行うための加熱装置には、ホットプレート、赤外線ランプの照射により加熱する赤外線ランプアニール装置、等を用いることができる。上記焼成工程を行うための加熱装置には、赤外線ランプアニール装置等を用いることができる。好ましくは、RTARapidThermalAnnealing法等を用いて昇温レートを比較的速くするとよい。圧電体層30を形成した後、図3bに示すように、スパッタ法等によって上電極40を圧電体層30上に形成する。上電極40を構成する金属には、Ir、Au、Pt、等の1種以上の金属を用いることができる。上電極40の厚みは、特に限定されないが、例えば50~200nm程度とすることができる。なお、図3cに示す例では、上電極40を形成した後に、圧電体層30及び上電極40を各圧力発生室12に対向する領域にパターニングして圧電素子3を形成している。一般的には、圧電素子3の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層30を圧力発生室12毎にパターニングして圧電素子3を構成する。図2,4に示す圧電素子3は、下電極20を共通電極とし、上電極40を個別電極としている。以上により、圧電体層30及び電極20,40を有する圧電素子3が形成され、この圧電素子3及び弾性膜16を備えた圧電アクチュエーター2が形成される。次いで、図3cに示すように、リード電極45を形成する。例えば、流路形成基板10の全面に亘って金層を形成した後にレジスト等からなるマスクパターンを介して圧電素子3毎にパターニングすることにより、リード電極45が設けられる。図2に示す各上電極40には、インク供給路14側の端部近傍から弾性膜16上に延びたリード電極45が接続されている。なお、下電極20や上電極40やリード電極45は、DC直流マグネトロンスパッタリング法といったスパッタ法等によって形成することができる。各層の厚みは、スパッタ装置の印加電圧やスパッタ処理時間を変えることにより調整することができる。次いで、図4aに示すように、圧電素子保持部52等を予め形成した保護基板50を流路形成基板10上に例えば接着剤によって接合する。保護基板50には、例えば、シリコン単結晶基板、ガラス、セラミックス材料、等を用いることができる。保護基板50の厚みは、特に限定されないが、例えば400μm程度とすることができる。保護基板50の厚み方向に貫通したリザーバ部51は、連通部13とともに、共通のインク室液体室となるリザーバ9を構成する。圧電素子3に対向する領域に設けられた圧電素子保持部52は、圧電素子3の運動を阻害しない程度の空間を有する。保護基板50の貫通孔53内には、各圧電素子3から引き出されたリード電極45の端部近傍が露出する。次いで、シリコン基板15をある程度の厚さとなるまで研磨した後、さらにフッ硝酸によってウェットエッチングすることによりシリコン基板15を所定の厚み例えば70μm程度にする。次いで、図4bに示すように、シリコン基板15上にマスク膜17を新たに形成し、所定形状にパターニングする。マスク膜17には、窒化シリコンSiN等を用いることができる。次いで、KOH等のアルカリ溶液を用いてシリコン基板15を異方性エッチングウェットエッチングする。これにより、複数の隔壁11によって区画された圧力発生室12と細幅のインク供給路14を備えた複数の液体流路と、各インク供給路14に繋がる共通の液体流路である連通部13とが形成される。液体流路12,14は、圧力発生室12の短手方向である幅方向D1へ並べられている。なお、圧力発生室12は、圧電素子3の形成前に形成されてもよい。次いで、流路形成基板10及び保護基板50の周縁部の不要部分を例えばダイシングにより切断して除去する。次いで、図4cに示すように、シリコン基板15の保護基板50とは反対側の面にノズルプレート70を接合する。ノズルプレート70は、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板、ステンレス鋼、等を用いることができ、流路形成基板10の開口面側に固着される。この固着には、接着剤、熱溶着フィルム、等を用いることができる。ノズルプレート70には、各圧力発生室12のインク供給路14とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口71が穿設されている。従って、圧力発生室12は、液体を吐出するノズル開口71に連通している。次いで、封止膜61及び固定板62を有するコンプライアンス基板60を保護基板50上に接合し、所定のチップサイズに分割する。封止膜61は、例えば厚み6μm程度のポリフェニレンサルファイドPPSフィルムといった剛性が低く可撓性を有する材料等が用いられ、リザーバ部51の一方の面を封止する。固定板62は、例えば厚み30μm程度のステンレス鋼SUSといった金属等の硬質の材料が用いられ、リザーバ9に対向する領域が開口部63とされている。また、保護基板50上には、並設された圧電素子3を駆動するための駆動回路65が固定される。駆動回路65には、回路基板、半導体集積回路IC、等を用いることができる。駆動回路65とリード電極45とは、接続配線66を介して電気的に接続される。接続配線66には、ボンディングワイヤといった導電性ワイヤ等を用いることができる。以上により、記録ヘッド1が製造される。本記録ヘッド1は、図示しない外部インク供給手段と接続したインク導入口からインクを取り込み、リザーバ9からノズル開口71に至るまで内部をインクで満たす。駆動回路65からの記録信号に従い、圧力発生室12毎に下電極20と上電極40との間に電圧を印加すると、圧電体層30、下電極20及び弾性膜16の変形によりノズル開口71からインク滴が吐出する。なお、記録ヘッドは、下電極を共通電極とし上電極を個別電極とした共通下電極構造とされてもよいし、上電極を共通電極とし下電極を個別電極とした共通上電極構造とされてもよいし、下電極及び上電極を共通電極とし両電極間に個別電極を設けた構造とされてもよい。3液体噴射装置:図5は、上述した記録ヘッド1を有する記録装置液体噴射装置200の外観を示している。記録ヘッド1を記録ヘッドユニット211,212に組み込むと、記録装置200を製造することができる。図5に示す記録装置200は、記録ヘッドユニット211,212のそれぞれに、記録ヘッド1が設けられ、外部インク供給手段であるインクカートリッジ221,222が着脱可能に設けられている。記録ヘッドユニット211,212を搭載したキャリッジ203は、装置本体204に取り付けられたキャリッジ軸205に沿って往復移動可能に設けられている。駆動モーター206の駆動力が図示しない複数の歯車及びタイミングベルト207を介してキャリッジ203に伝達されると、キャリッジ203がキャリッジ軸205に沿って移動する。図示しない給紙ローラー等により給紙される記録シート290は、プラテン208上に搬送され、インクカートリッジ221,222から供給され記録ヘッド1から吐出するインクにより印刷がなされる。4実施例:以下、実施例を示すが、本発明は以下の例により限定されるものではない。[下電極を積層した基板の作製]Pt/TiOx酸化チタン/SiO2/Siの各層を有する基板を次のようにして作製した。まず、Si基板を拡散炉中で1100°Cの熱酸化を行い、膜厚1.3μmのSiO2膜をSi基板表面に形成した。次に、SiO2膜表面にDCスパッタ法により膜厚20nmのTi膜を成膜して、ランプ熱処理装置RTA法で酸素中700°C5分間の熱処理を行い、TiOx薄膜を形成した。さらに、TiOx膜表面に330°C300WのDCスパッタ法により膜厚130nmのPt薄膜を形成した。[実施例1,2及び比較例1,2]BFM-BT前駆体溶液作製Bi,Fe,Mn,Ba各金属元素の前駆体材料として2-エチルヘキサン酸塩を用いた。Tiの前駆体材料には、実施例1としてチタンジイソプロポキシビスアセチルアセトネート、実施例2としてチタンジオクチロキシビスオクチレングリコレート、多価のチタンの各結合が全てアルコキシ基以外の官能基との結合とされた比較例1として2-エチルヘキサン酸チタン、多価のチタンの各結合が全てアルコキシ基との結合とされた比較例2としてチタニウムテトライソプロポキシド、を用いた。溶解する金属のモル比は、Bi:Fe:Mn=100:95:5、Ba:Ti=100:100、且つ、BFM:BT=75:25にした。ここでBFM-BTは、一般式Bi,BaFe,Ti,MnOzで表され、Bi:Fe:Mn:Ba:Ti=75:71.25:3.75:25:25となる。また、BFMはBiのモル数、すなわち、FeとMnのモル数の合計、BTはBaのモル数、すなわち、Tiのモル数、を表している。溶媒にはオクタンとキシレンの混合物を用い、安定化剤として全量の10volの2-ジメチルアミノエタノールを添加した。BFM-BT薄膜作製それぞれの前駆体溶液をPt/TiOx/SiO2/Si基板上に3000rpmでスピンコートし塗布工程、加熱して乾燥し乾燥工程、さらに加熱して脱脂した脱脂工程。これらの工程を8回繰り返して8層に成膜し、ランプ熱処理装置RTA法で800°C5分間の熱処理により結晶化させてBFM-BTの圧電薄膜を形成した。表1に各BFM-BT薄膜の膜厚を示している。圧子押し込みによる薄膜亀裂進展評価実施例1,2及び比較例1,2のBFM-BT薄膜について、所定の圧子を薄膜表面に所定の試験荷重で押し込み、薄膜表面に亀裂が進展するか否かを目視で調べた。図1bに示すように、実施例2の亀裂進展が最も遅く、実施例1の亀裂進展も比較例1,2の亀裂進展よりも遅かった。このように、チタンの部分アルコキシドを含む前駆体溶液を用いた圧電体層は、チタンの部分アルコキシドを含まない前駆体溶液を用いた圧電体層と比べて亀裂の進展が遅い、すなわち、クラックが生じ難いことが分かる。表面形状評価各BFM-BT薄膜の表面をSEM走査型電子顕微鏡で観察した。図1bに示すように、実施例1,2によるBFM-BT薄膜は、比較例1,2によるBFM-BT薄膜と比較して結晶粒界が平滑な薄膜表面を示した。このように、チタンの部分アルコキシドを含む前駆体溶液を用いた圧電体層は、チタンの部分アルコキシドを含まない前駆体溶液を用いた圧電体層と比べて表面が平滑になることが分かる。その他の評価各BFM-BT薄膜についてX線回折広角法XRDによりX線回折チャートを求めたところ、いずれも110面に優先配向していることが分かり、大きな差は無かった。さらに、各BFM-BT薄膜について、DCスパッタ法により膜厚100nmのPt薄膜を成膜してランプ熱処理装置RTA法により酸素中775°C5分間の熱処理を行い、BFM-BTキャパシタを作製した。各BFM-BTキャパシタについて、東陽テクニカ社製FCEを用い、室温大気中で周波数1kHzの三角波を印加して、分極量PμC/cm2と電界EkV/cmの関係P-E曲線を求めた。図6,7に各BFM-BTキャパシタのヒステリシス特性を示している。ここで、図6aは実施例1、図6bは実施例2、図7aは比較例1、図7bは比較例2、を示している。図6,7に示すように、各ヒステリシス特性に大きな差は無かった。5応用、その他:本発明は、種々の変形例が考えられる。上述した実施形態では圧力発生室毎に個別の圧電体を設けているが、複数の圧力発生室に共通の圧電体を設け圧力発生室毎に個別電極を設けることも可能である。上述した実施形態では流路形成基板にリザーバの一部を形成しているが、流路形成基板とは別の部材にリザーバを形成することも可能である。上述した実施形態では圧電素子の上側を圧電素子保持部で覆っているが、圧電素子の上側を大気に開放することも可能である。上述した実施形態では振動板を隔てて圧電素子の反対側に圧力発生室を設けたが、圧電素子側に圧力発生室を設けることも可能である。例えば、固定した板間及び圧電素子間で囲まれた空間を形成すれば、この空間を圧力発生室とすることができる。流体噴射ヘッドから吐出される液体は、液体噴射ヘッドから吐出可能な材料であればよく、染料等が溶媒に溶解した溶液、顔料や金属粒子といった固形粒子が分散媒に分散したゾル、等の流体が含まれる。このような流体には、インク、液晶、等が含まれる。液体噴射ヘッドには、粉体や気体を吐出するものも含まれる。液体噴射ヘッドは、プリンターといった画像記録装置の他、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造装置、有機ELディスプレー等の電極の製造装置、バイオチップ製造装置、等に搭載可能である。上述した製造方法により製造される積層セラミックスは、強誘電体デバイス、焦電体デバイス、圧電体デバイス、及び光学フィルターの強誘電体薄膜を形成するのに好適に用いることができる。強誘電体デバイスとしては、強誘電体メモリーFeRAM、強誘電体トランジスタFeFET等が挙げられ、焦電体デバイスとしては、温度センサー、赤外線検出器、温度-電気変換器等が挙げられ、圧電体デバイスとしては、流体吐出装置、超音波モーター、加速度センサー、圧力-電気変換器等が挙げられ、光学フィルターとしては、赤外線等の有害光線の遮断フィルター、量子ドット形成によるフォトニック結晶効果を使用した光学フィルター、薄膜の光干渉を利用した光学フィルターが挙げられる。以上説明したように、本発明によると、種々の態様により、少なくともBi、Ba、Fe及びTiを含む圧電体層を有する圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置の性能を向上させる技術等を提供することができる。また、上述した実施形態及び変形例の中で開示した各構成を相互に置換したり組み合わせを変更したりした構成、公知技術並びに上述した実施形態及び変形例の中で開示した各構成を相互に置換したり組み合わせを変更したりした構成、等も実施可能である。本発明は、これらの構成等も含まれる。"