"基板上に電極を成膜し、該電極上にPZT膜を成膜した後、該PZT膜を部分的に除去することでPZT部材を形状加工するように製造され、前記電極に電気的に接続されるボンディングパッドにボンディングワイヤが接続される基板パッケージにおいて、前記ボンディングパッドの前記ボンディングワイヤが接続される接続部と前記基板との間には、前記PZT膜を残して前記PZT部材が形状加工されていることを特徴とする基板パッケージ。請求項1に記載の基板パッケージにおいて、前記PZT部材は、前記基板を屈曲変形させるための圧電素子として使用されるものであり、前記ボンディングパッドは、当該PZT部材上に形成されていることを特徴とする基板パッケージ。しかしながら、鉛の融点327.4°Cに比べて高温例えば、約500°CでPZT膜を成膜するので、PZT膜を成膜する過程で、PZTに含まれる鉛が融け、基板上に成膜された白金の中に鉛が浸透してしまう。これにより、白金を材料とする電極と基板との間の結合力が低下してしまう。その上、ボンディングパッドにボンディングワイヤを接続するときの超音波による振動により、電極と基板との間の結合力が更に低下する。また、ボンディングパッドの材料であるアルミニウムと電極の材料である白金は結合力が高い。このため、ボンディングワイヤの張力により、結合力が低下した電極と基板とが乖離しやすくなる。従って、基板パッケージの歩留まりが悪く、製造コストが増加する要因となっていた。本発明は、基板上に電極を成膜し、この電極上にPZT膜を成膜した後、このPZT膜を部分的に除去することでPZT部材を形状加工するように製造され、電極に電気的に接続されるボンディングパッドにボンディングワイヤが接続される基板パッケージを改良して、歩留まりを向上させることを目的とする。本発明は、基板上に電極を成膜し、該電極上にPZT膜を成膜した後、該PZT膜を部分的に除去することでPZT部材を形状加工するように製造され、前記電極に電気的に接続されるボンディングパッドにボンディングワイヤが接続される基板パッケージにおいて、前記ボンディングパッドの前記ボンディングワイヤが接続される部位と前記基板との間には、前記PZT膜を残して前記PZT部材が形状加工されていることを特徴とする。本発明によれば、ボンディングパッドのボンディングワイヤが接続される部位と基板との間にPZT部材が形状加工されている。これにより、ワイヤボンディングでボンディングワイヤが接続されるときの超音波による振動が、PZT部材を介して電極に伝達される。このため、超音波による振動が緩和されて電極に伝達されるので、電極と基板とが乖離しづらくなる。従って、基板パッケージの歩留りを向上できる。これにより、製造コストを低減可能となる。本発明において、前記PZT部材は、前記基板を屈曲変形させるための圧電素子として使用されるものとし、前記ボンディングパッドは、当該PZT部材上に形成することができる。[第1実施形態]本発明の第1実施形態の基板パッケージ1の構成について図1を参照して説明する。基板パッケージ1が備える基板2は、シリコン基板であり、電子回路用の回路素子が実装される。なお、基板2上にはその全面に熱酸化膜SiO2図示省略が形成されている。基板2上には、2層の金属薄膜として下部電極3が形成される。下部電極3の材料としては、1層目下層の金属薄膜にはチタンTiを用い、2層目上層の金属薄膜には白金Ptを用いる。各金属薄膜は、例えば、スパッタ法、電子ビーム蒸着法等により成膜する。各金属薄膜の厚みは、例えば1層目のTiは30~100[nm]、2層目のPtは100~300[nm]程度とする。本実施形態では、下部電極3は、当該基板パッケージ1の基準電位点に接続接地されている。下部電極3上には、PZTを材料とした圧電膜を反応性アーク放電を利用したイオンプレーティング法により形成し、その後、必要な部位圧電素子4以外をエッチング処理により除去することで、圧電素子4が形成される。反応性アーク放電を利用したイオンプレーティング法については、具体的には、本願出願人による特開2001-234331号公報、特開2002-177765号公報、特開2003-81694号公報に記載された手法を用いる。なお、この形成時には、基板が500°C前後の温度となる。また、本実施形態では、圧電膜圧電素子4の厚みを3[μm]程度とする。そして、白金Ptの膜が成膜された後、エッチング処理により上部電極8として不要な箇所の白金が除去される。これにより後述する片持ち梁7の圧電素子4上に上部電極8が形成される。この後、アルミニウムAlの膜を成膜し、エッチング処理によりパターン配線を形成すると共に、パターン配線の一部としてボンディングパッド5が形成される。また、本実施形態では、ボンディングパッド5の厚みを0.5[μm]程度とする。更に、ボンディングパッド5は、下部電極3と導通するために、圧電素子4の外周を囲うように形成されている。ボンディングパッド5上には、ワイヤボンディングによりボンディングワイヤ6が接続される。また、基板2は、その一辺に片持ち梁7が形成されている。片持ち梁7は、起歪体片持ち梁本体としての基板2上に、下部電極3、圧電素子4及び上部電極8を積層した構造の圧電カンチレバーである。片持ち梁7の上部電極8に電気的に接続する配線図示省略と下部電極3もしくはボンディングパッド5との間に電圧を印加することで、圧電駆動により圧電素子4が屈曲変形し、片持ち梁7を構成する基板2が屈曲変形する。基板パッケージ1は、上記のように、基板2上に下部電極3の膜、圧電体の膜、上部電極8の膜の順にそれぞれの膜を成膜した後、エッチング処理により、必要な部分以外除去することで、圧電素子4等の各部材を形成している。その後、ボンディングパッド5等のパターン配線用のアルミニウム膜を成膜した後、エッチング処理によりパターン配線部分のみを残す。これにより、圧電素子4の外周を囲うようにボンディングパッド5が形成される。なお、図1には図示していないが、ボンディングパッド5を形成した後、片持ち梁7を含む基板パッケージ1の表面全体に熱酸化膜としてSiO2の膜を形成している。この熱酸化膜は、ワイヤボンディングによる超音波の振動により、ボンディングワイヤ6が接続されるボンディングパッド5の接続部分が除去され、ボンディングワイヤ6とボンディングパッド5とが電気的に接続される。以上のように、第1実施形態の基板パッケージ1では、ボンディングワイヤ6が接続されるボンディングパッド5と基板2もしくは下部電極3との間には、エッチング処理で除去されずに圧電素子4が形成されている。これにより、ワイヤボンディングにより、ボンディングワイヤが接続されるときの超音波による振動が圧電素子4を介して下部電極3に伝達される。このため、圧電素子4を介さずに下部電極3上にボンディングパッドが成膜もしくは形成されているものと比較して、圧電素子4の厚みによって超音波の振動が緩和されて下部電極3に伝達されるので、下部電極3と基板2とが乖離しづらくなる。従って、基板パッケージ11の歩留まりを向上可能となる。これにより当該基板パッケージ1の製造コストを低減できる。また、基板2に設けられた圧電素子4は、圧電駆動させることを目的として残されたものではない。通常、圧電膜の圧電駆動させる部位片持ち梁7の圧電素子4以外は、エッチング処理により除去されるが、ワイヤボンディング時の振動による影響を緩和するために、ボンディングパッド5の圧電素子4を意図的に残している圧電駆動させることを目的としない圧電素子4を形成している。このため、このような圧電素子4が残されていないものに比べて、エッチングによって圧電素子4を除去する面積が減少するので、エッチングを施す装置のメンテナンスサイクルが長くなる。これによっても製造コストを低減可能となる。なお、本実施形態では、圧電駆動させることを目的とする圧電素子4を利用したものとして片持ち梁7を例示したがどのような形状のものであってもよい。[第2実施形態]次に、本発明の第2実施形態の基板パッケージについて説明する。図2に示されるように、基板パッケージ11は、第1実施形態の基板パッケージ1と比較した際の相違点は、第1実施形態ではボンディングパッドをボンディングパッド5の1つのみで構成していたのに対し、第2実施形態では、ボンディングパッドが第1ボンディングパッド151~第4ボンディングパッド154の4つで構成されている点のみである。以下、この相違点のみについて説明する。なお、成膜やエッチングについても第1実施形態と同様である。第2実施形態の基板パッケージ11では、基板2の中央に第1~第4のボンディングパッド151~154が設けられている。第1~第4のボンディングパッド151~154は、第1実施形態のボンディングパッド5と同様に、ボンディングワイヤ6が接続される第1~第4のボンディングパッド151~154と基板2もしくは下部電極3との間には、圧電素子4がそれぞれ形成されている。そして、ボンディングワイヤ6は、これらの第1~第4のボンディングパッド151~154の全てに接触するように接続されている。ボンディングパッドを第2実施形態の基板パッケージ11のように構成した場合であっても、第1~第4のボンディングパッド151~154と基板2もしくは下部電極3との間に圧電素子4が形成されているので、ワイヤボンディングにより、ボンディングワイヤが接続されるときの超音波による振動が圧電素子4を介して下部電極3に伝達される。このため、圧電素子4を介さずに下部電極3上にボンディングパッドが成膜もしくは形成されているものと比較して、圧電素子4の厚みにより超音波の振動が緩和されて下部電極3に伝達されるので、下部電極3と基板2とが乖離しづらくなる。従って、基板パッケージ11の歩留まりを向上可能となる。これにより当該基板パッケージ11の製造コストを低減できる。また、第2実施形態の基板パッケージ11においても、エッチングによって圧電素子4を除去する面積が減少するので、エッチングを施す装置のメンテナンスサイクルが長くなる効果が得られる。[第3実施形態]次に、第3実施形態の基板パッケージについて説明する。図3に示されるように、第3実施形態の基板パッケージ21は、第1実施形態及び第2実施形態と同様に、全面に熱酸化膜SiO2図示省略が形成された基板2上に、下部電極3が形成されている。そして、下部電極3上にはPZTを材料とする圧電膜が形成された後、エッチング処理により不要な部位が除去され、圧電素子4が形成される。そして、白金Ptの膜が成膜された後、エッチング処理により上部電極28として不要な箇所の白金が除去される。これにより圧電素子4の上部にのみ上部電極28が形成される。この後、層間絶縁膜としてSiO2を成膜し、その一部をエッチング処理により除去することで酸化膜27を形成する。このとき、層間絶縁膜がエッチング処理により除去される部位は、その下の層に圧電素子4が形成されていない部位としている。すなわち、酸化膜27を形成したときに、エッチング処理により下部電極3の表面の一部が露出する。この状態で、アルミニウムAlの膜を成膜した後、エッチング処理によりパターン配線25が形成される。これにより、パターン配線25は、酸化膜27を形成するときにエッチング処理により除去されてできた空隙27aにより露出した下部電極3と接触することで当該下部電極3と電気的に接続される。また、パターン配線25を形成するときに、圧電素子4が形成されている部位は、空隙29により、下部電極3に電気的に接続されたパターン配線25図3の右側と、酸化膜27に設けられた電極ビア27bによって上部電極28と電気的に接続されたパターン配線25図3の左側とが平面的に分離するように設けられている。これにより下部電極3に電気的に接続されたパターン配線25と上部電極28と電気的に接続されたパターン配線25とは、電気的には非接続状態絶縁状態となっている。また、パターン配線25の下の層に圧電素子4が形成されている部位以下、ボンディングパッドという25aには、ボンディングワイヤ6が接続される。なお、図3には図示していないが、第1実施形態及び第2実施形態と同様に、ボンディングパッド25aを形成した後、基板パッケージ21の表面全体に熱酸化膜としてSiO2の膜を形成しており、ワイヤボンディングによる超音波の振動により、ボンディングワイヤ6が接続されるボンディングパッド25aの接続部分が除去され、両者が電気的に接続される。当該基板パッケージ21は、上部電極28と下部電極3との間に電圧を印加することで、圧電素子4が屈曲変形するように構成されている。第1実施形態及び第2実施形態では、圧電駆動により屈曲変形させるための圧電素子4片持ち梁7の圧電素子4とは別に、ボンディングパッド5又は151~154と下部電極3との間に、圧電駆動させることのない圧電素子4を残していた。これに対して第3実施形態では、圧電駆動するための圧電素子4上に形成された上部電極28上に絶縁体である酸化膜27を形成し、空隙27aにより下部電極3の表面の一部を露出させた状態で、パターン配線25を形成する。第3実施形態の基板パッケージ21のように、圧電駆動させるための圧電素子4上詳細には、圧電素子4上の酸化膜27上にボンディングパッド25aを形成した場合であっても、ワイヤボンディングによる超音波の振動が圧電素子4を介して下部電極3に伝達される。このため、圧電素子4を介さずに下部電極3上にボンディングパッドが成膜もしくは形成されているものと比較して、圧電素子4の厚みにより超音波の振動が緩和されて下部電極3に伝達されるので、下部電極3と基板2とが乖離しづらくなる。従って、基板パッケージ21の歩留まりを向上可能となる。これにより当該基板パッケージ21の製造コストを低減できる。[第4実施形態]次に、第4実施形態の基板パッケージについて説明する。図4に示されるように、第4実施形態の基板パッケージ31は、第1実施形態,第2実施形態及び第3実施形態と同様に、全面に熱酸化膜SiO2図示省略が形成された基板2上に、下部電極3が形成されている。そして、下部電極3上にはPZTを材料とする圧電膜が形成された後、エッチング処理により不要な部位が除去され、圧電素子4が形成される。圧電素子4の形成後、白金Ptの膜が成膜され、エッチング処理により上部電極8として不要な箇所の白金を除去される。これにより圧電素子4の上部にのみ上部電極8が形成される。このとき、圧電素子4の上部の一部は白金が除去される。そして、アルミニウムAlの膜を成膜した後、エッチング処理によりパターン配線35が形成される。これにより、パターン配線35は、当該下部電極3と電気的に接続される。また、パターン配線35を形成するときに、圧電素子4が形成されている部位図4の左側は、空隙39によりパターン配線35とは平面的に分離するように上部電極38が設けられている。これによりパターン配線35と上部電極38とは、電気的には非接続状態絶縁状態となっている。また、パターン配線35の下の層に圧電素子4が形成されている部位以下、ボンディングパッドという35aには、ボンディングワイヤ6が接続される。なお、図3には図示していないが、第1~第3実施形態と同様に、ボンディングパッド35aを形成した後、基板パッケージ31の表面全体に熱酸化膜としてSiO2の膜を形成しており、ワイヤボンディングによる超音波の振動により、ボンディングワイヤ6が接続されるボンディングパッド35aの接続部分が除去され、両者が電気的に接続される。当該基板パッケージ31は、上部電極38と下部電極3との間に電圧を印加することで、圧電素子4が屈曲変形するように構成されている。第4実施形態では、第3実施形態と同様に、ボンディングパッド35aと基板2との間に圧電駆動するための圧電素子4を配置している。これにより、第1~第3実施形態と同様に、ワイヤボンディングによる超音波の振動が圧電素子4を介して下部電極3に伝達される。このため、圧電素子4を介さずに下部電極3上にボンディングパッドが成膜もしくは形成されているものと比較して、圧電素子4の厚みにより超音波の振動が緩和されて下部電極3に伝達されるので、下部電極3と基板2とが乖離しづらくなる。従って、基板パッケージ31の歩留まりを向上可能となる。これにより当該基板パッケージ31の製造コストを低減できる。なお、本発明の基板パッケージにおいて、圧電素子の形状は、どのような形状であってもよい。同様に、本発明の基板パッケージにおいて、ボンディングパッドの形状は、下部電極3との電気的な接続を確保できるものであり、且つボンディングパッドと下部電極3との間に圧電素子が形成されていれば、どのような形状例えば、直方体等のものであってもよい。"