半導体装置の製造方法であって、シリコン酸化膜よりも比誘電率が高い絶縁膜が形成された基板を用意する工程と、前記絶縁膜上に金属窒化膜を堆積させる工程とを有し、前記金属窒化膜を堆積させる工程は、減圧可能な処理室内にて、金属ターゲットと、格子点を形成するマグネットピースが複数格子状に配置され、かつ隣接するマグネットピースが異極性を有する配置である構造物により前記金属ターゲット表面に形成されるカスプ磁場とを用いたスパッタリング堆積工程であって、前記処理室内に窒素ガスを含むガスを導入し、前記カスプ磁場により前記窒素のプラズマを形成して前記金属窒化膜を形成する工程であることを特徴とする、半導体装置の製造方法。前記金属窒化膜は、Ti、Ta、WおよびAlからなる群から選択された1種又は2種以上の金属元素を含有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記金属窒化膜を堆積させる工程では、圧力が2から100Paの間に設定されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記ガスはさらにアルゴンガスを含み、前記金属窒化膜を堆積させる工程では、形成する際の窒素/アルゴン窒素流量比が0.05以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。金属ターゲットを載置する電極には、整合回路を介して高周波電力を印加可能な高周波電源が接続されており、前記電極に供給する高周波電源の周波数は、10乃至100MHzであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記電極には、直流電圧を供給するDC電源が接続されており、前記高周波電力と前記直流電圧を重畳することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。半導体装置の製造方法であって、半導体基板上に高誘電率絶縁膜を形成する工程と、前記高誘電率絶縁膜上に第1の金属窒化物層を形成する工程と、前記第1の金属窒化物層上にシリコン層を形成する工程と、少なくとも前記高誘電率膜と前記第1の金属窒化物層と前記シリコン層とをマスクとして前記半導体基板にソース領域およびドレイン領域を形成する工程と、前記ソース領域およびドレイン領域が形成された半導体基板上に層間絶縁膜を形成した後、その一部を除去することで前記シリコン層を露出させる工程と、前記高誘電率絶縁膜上の前記シリコン層を除去してトレンチ構造を形成する工程と、前記トレンチ構造の内部を被覆するように第2の金属窒化物層を形成する工程とを有し、前記第1の金属窒化物層を形成する工程および前記第2の金属窒化物層を形成する工程の少なくとも一方は、減圧可能な処理室内にて、金属ターゲットと、格子点を形成するマグネットピースが複数格子状に配置され、かつ隣接するマグネットピースが異極性となるように配置された構造物によりターゲット表面に形成されるカスプ磁場とを用いたスパッタリング堆積工程であって、前記処理室内に窒素ガスを含むガスを導入し、前記カスプ磁場により前記窒素のプラズマを形成して金属窒化物層を形成する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。半導体装置の製造方法であって、半導体基板上の第1のMOSトランジスタ形成領域と、第1のMOSトランジスタと逆導電型の第2のMOSトランジスタ形成領域上に、高誘電率絶縁膜を形成する工程と、前記高誘電率絶縁膜上に金属窒化物層およびシリコンを順に形成する工程と、少なくとも前記高誘電率絶縁膜と前記金属窒化物層と前記シリコン層とをマスクとして前記半導体基板上にソース領域およびドレインを形成する工程と、前記ソース領域およびドレイン領域が形成された半導体基板上に層間絶縁膜を形成した後、その一部を除去することで前記シリコン層を露出させる工程と、前記高誘電率絶縁膜上のシリコン層を除去してトレンチ構造を形成する工程と、前記トレンチ構造の内部を被覆するように窒化タンタル膜と窒化チタン膜とを順に形成する工程と、前記第1のMOSトランジスタ形成領域上のトレンチ構造の底部を被覆する窒化チタン膜と窒化タンタル膜とを除去する工程と、前記トレンチ構造の内部を被覆するようにチタンとアルミニウムとを含有する合金層を形成する工程と、前記トレンチ構造の内部を埋め込むように前記合金層上にアルミニウム膜を形成する工程とを有し、前記金属窒化物層、前記窒化チタン膜および窒化タンタル膜の少なくとも一つを、減圧可能な処理室内に窒素を含むガスを導入し、金属ターゲットと、格子点を形成するマグネットピースが複数格子状に配置され、かつ隣接するマグネットピースが異極性を有するように配置された構造物によりターゲット表面に形成されるカスプ磁場とを用い、該カスプ磁場により形成された前記窒素のプラズマを用いたスパッタリング法で形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。金属窒化物層を形成する装置であって、減圧可能な処理室と、前記処理室内に設けられ、金属ターゲットを保持可能に構成された第1の電極と、基板を保持可能な基板ホルダーを有する第2の電極と、前記処理室内に、窒素を含むガスを導入するためのガス導入口と、格子点を形成するマグネットピースが複数格子状に配置され、かつ隣接するマグネットピースが異極性を有するように配置された磁石機構であって、前記第1の電極にターゲットが設けられた場合に該ターゲット表面にカスプ磁場を形成するように構成された磁石機構と、前記第1の電極に接続されたDC電源と、前記第1の電極に対して、前記DC電源からの直流電圧と重畳して高周波電力を印加する第1の高周波電源と、前記第2の電極に高周波電力を印加する第2の高周波電源とを備えることを特徴とする装置。本発明における所望の実効仕事関数が得られ、酸化膜厚換算膜厚に対するリーク電流特性を向上することができる金属窒化膜の形態について、図1のMISMetalInsulatorSemiconductorstructureキャパシタ素子を例に取り説明する。図1に示すように、表面にシリコン酸化膜とゲート絶縁膜としての高誘電率膜であるHfSiO膜2とを有するp型シリコン基板1上に、ゲート電極としての窒化チタン膜3が形成されている。ゲート絶縁膜に用いられる高誘電率材料は、SiO2の比誘電率3.9より大きな比誘電率をもつ材料であり、金属酸化物、金属シリケート、窒素が導入された金属酸化物、窒素が導入された金属シリケート等が挙げられる。結晶化が抑えられ、素子の信頼性が向上する点から、ゲート絶縁膜としては窒素が導入された高誘電率膜が好ましい。高誘電率材料中の金属としては、膜の耐熱性および膜中の固定電荷抑制の観点から、HfもしくはZrが好ましい。また、高誘電率材料としては、Hf又はZrとSiとを含む金属酸化物、この金属酸化物にさらに窒素を含む金属酸窒化物が好ましく、HfSiO、HfSiONがより好ましい。また、ここではゲート絶縁膜としてシリコン酸化膜とその上に積層された高誘電率膜とを用いているが、これに限定されるものではなく、高誘電率絶縁膜単独あるいはシリコン酸窒化膜とその上に積層された高誘電率膜を用いることができる。また、ゲート電極としての金属窒化膜は、Ti、Ta、WおよびAlかrなる群から選択された1種または2種以上の金属元素を含有することが好ましい。図2に、本発明の一実施形態における窒化チタン膜の形成工程に用いられる装置の概略を示す。本発明の一実施形態に係る半導体製造装置100は、図2に示すように、上部電極401と下部電極301とを有するチャンバ201を備えている。チャンバ201は真空処理容器として機能するものであり、排気口205には、チャンバ201内を排気する真空用排気ポンプ410が接続されるとともに、自動圧力制御機構APC431が設けられている。また、チャンバ201内には、上部電極401と下部電極301が設けられている。上部電極401には、整合器101を介して上部電極用高周波電源102とDC電源103が接続されている。また、下部電極301には、整合器304を介して下部電極用高周波電源305が接続されている。チャンバ201は略円柱状となっており、略円盤状の上部壁天井壁202と、略円筒形の側壁203と、略円盤状の底壁204とから構成されている。チャンバ201内の側壁203付近には、圧力を測定するための圧力計430例えば、ダイヤフラムゲージが設けられている。圧力計430は、自動圧力制御機構431と電気的に接続されており、チャンバ201内の圧力を自動制御できるように構成されている。上部電極401は、上部壁202と、磁石機構405と、ターゲット電極第1の電極402と、絶縁体404と、シールド403とを有している。磁石機構405は上部壁202の下方に設けられており、磁石機構405の下方にはターゲット電極402が設けられている。また、絶縁体404は、ターゲット電極402とチャンバ201の側壁とを絶縁するとともに、ターゲット電極402をチャンバ201内に保持するためのものである。さらに、絶縁体404の下方には、シールド403が設けられている。なお、ターゲット電極402は、整合器101を介して、上部電極用高周波電源102とDC電源103に接続されている。ターゲット電極402の主要部品は、Al、SUS、Cuなどの非磁性金属を含む。ターゲット電極402の減圧側には、基板306上に成膜するのに必要な材料ターゲット材不図示を設置することができる。また、上部電極401やターゲット電極402の中には配管が形成されており、この配管に冷却水を流すことによって、上部電極401やターゲット電極402を冷却することができる。上記ターゲットとしては、例えば、Ti、Ta、WおよびAlかrなる群から選択された1種または2種以上の金属元素を含有するターゲットを用いれば良い。磁石機構405は、マグネット支持板407と、マグネット支持板407に支持された複数のマグネットピース406と、複数のマグネットピース406の最外周側に設けられた磁場調整用磁性体408とを有している。なお、磁石機構405は、不図示の回転機構により、材料ターゲットの中心軸を回転軸として回転可能となっている。複数のマグネットピース406は、ターゲット電極402の上方であって、ターゲット電極402の表面と平行となるようにして、相互に隣接して配置されている。隣接するマグネットピース406には、プラズマを閉じ込めるために、閉じたポイントカスプ磁場411が形成されている。磁場調整用磁性体408は、外周側に位置するマグネットピース406が、ターゲット電極402側において部分的に重なるようにして延設されている。このような構成とすることにより、ターゲット電極402とシールド403の隙間において、磁場強度を抑制制御することできる。下部電極301は、ステージホルダ302と、冷却加熱機構412と、底壁204と、第2の電極用絶縁体303とを有している。ステージホルダ302は、基板306を載置するための装置であり、その内部には冷却加熱機構412が設けられている。第2の電極用絶縁体303は、ステージホルダ302とチャンバ201の底壁204とを電気的に絶縁して支持するための装置である。また、ステージホルダ302には、整合器304を介して下部電極用高周波電源305が接続されている。なお、図示していないが、ステージホルダ302には、単極型電極を有する静電吸着装置が設けられており、この単極型電極は、DC電源不図示と接続されている。さらに、図示していないが、ステージホルダ302には、基板306の裏面に対して、基板306を温度制御するためのガス例えば、Arなどの不活性ガスを供給するため、複数のガス噴出口と、基板の温度を測定するための基板温度計測器が設けられている。チャンバ201内には、アルゴン等のプロセスガスといった所定のガスをチャンバ201内に供給するための複数のガス導入口409が設けられている。図3を参照して、磁石機構405の形状について詳細に説明する。図2は、磁石機構405をターゲット電極402側から見た平面図である。図3に示すように、円盤状のマグネット支持体407には、環状の磁場調整用磁性体408と、磁場調整用磁性体408の内周領域に配置されたマグネットピース406とが、支持されて設けられている。ここで、図3において、記号403aはシールド403の内径を示しており、多数の小さな円は各々のマグネットピース406の外形を示している。また、各マグネットピース406は、同じ形状及び同じ磁束密度を有している。さらに、N及びSの文字はターゲット電極402側から見たマグネットピース406の磁極を示している。マグネットピース406は、互いに略同一の間隔5乃至100mmの範囲を空けて、各マグネットピース406が各格子点を形成するように複数正方格子状X軸方向、Y軸方向に配置され、隣接する各マグネットピース406は、反対の極性を有している。一方、X軸方向及びY軸方向に沿って配置された任意の4つのマグネットピース406からなる四角形において、対角線方向に沿って隣接するマグネットピース406の極性はそれぞれ同一である。すなわち、隣接する任意の4つのマグネットピース406により、ポイントカスプ磁場411が形成される。なお、マグネットピース406の配置形状は六角格子であってもよく、少なくとも単位格子を形成していればよい。マグネットピース406の高さは、通常は2mmよりも大きくなっており、その断面形状は四角または円形である。マグネットピース406の直径や高さ、材質は、プロセスアプリケーションによって、適宜設定することができる。半導体製造装置100の上部電極401に高周波電力を供給したとき、プラズマは容量結合型のメカニズムによって生成される。このプラズマは、閉じたポイントカスプ磁場411によって作用を受ける。すなわち、本発明の一実施形態では、ポイントカスプ磁場411を発生させるような構成を採用しているので、通常のマグネトロンスパッタに比べて、高密度プラズマを形成することが可能となる。磁場調整用磁性体408は、外周側に位置するマグネットピース406が、ターゲット電極402側において、部分的に重なるように延設されている。これにより、ターゲット電極402とシールド403との隙間において、磁場強度を抑制制御することできる。磁場調整用磁性体408は、ターゲット電極402とシールド403の隙間の磁場強度を制御できる材料であればよく、例えば、SUS430等の透磁率が高い材料が好ましい。磁石機構405において、マグネットピース406と磁場調整用磁性体408とが重なる面積を調整することにより、磁場調整することが可能である。すなわち、マグネットピース406と磁場調整用磁性体408とが重なる面積を調整すると、ターゲット電極402の最外周まで、ターゲット電極402をスパッタするのに必要な磁場を供給し、ターゲット電極402とシールド403との隙間において、磁場強度を調整することができる。本発明の一実施形態では、ターゲットとしてTiの金属ターゲットを用い、基板温度を30°Cとして、Tiのターゲットパワーを1500Wに設定し、該高周波電力に重畳するDC電圧を350Vに設定する。不活性ガスとしてArを用い、Arの供給量を70sccmStandardCubicCentimeterperMinutesとし、窒素を含む反応性ガスの供給量を30sccmとして、ガス導入口409からArガスと窒素を含む反応性ガスとを供給して、20Paの圧力に調整した後に、TiN膜3を10nm堆積する。なお、sccm=一分間当たり供給されるガス流量0°C1気圧で表したcm3数=1.69×10-3Pam3/s0°Cにおいてである。ここで、高周波電源の周波数は、10-100MHzの間であることが好ましい。さらに望ましくは、上記圧力において、ポイントカスプ磁場を用いた高密度プラズマを形成するために、40-60MHzの間であることが、望ましい。次に、リソグラフィー技術とRIE技術を用いてTiN膜3を所望の大きさに加工し素子を形成する。次に、EOT、リーク電流特性、実効仕事関数などの電気特性をC-V、I-V測定により評価した。また、実効仕事関数とは、一般にゲート絶縁膜とゲート電極とのCV測定によるフラットバンドより求められるものであり、ゲート電極本来の仕事関数の他に、絶縁膜中の固定電荷、界面に形成される双極子、フェルミレベルピンニング等の影響を受ける。ゲート電極を構成する材料本来の仕事関数とは区別される。図4、5に本発明の一実施形態により形成したTiN電極を有する素子の電気特性を測定した結果を示す。ここで、電気特性はas-deposited状態で評価した。なお、as-deposited状態とは、TiN電極を成膜した状態をいう。図4に本発明の一実施形態により形成したTiN電極とDCマグネトロンスパッタ以下、従来の手法と記載するで形成したTiN電極とのEOT-Jg特性を示す。図4より、従来の手法で形成したTiN電極と比較して、本発明の一実施形態により形成したTiN電極は、リーク電流が約3桁低減するのが確認できる。次に従来の手法で形成したTiN電極と本発明の一実施形態により形成したTiN電極の実効仕事関数の値を図5に示す。図より従来の手法で形成したTiN電極を有する素子の実効仕事関数は、4.6eVを示しているのに対して、本発明の一実施形態により形成したTiN電極を有する素子の実効仕事関数は、5.0eV以上の高い値を示していることが分かる。この値は、P型MOSFETに適した実効仕事関数である。図6に、図3に示した磁石機構405を用いて、発生した磁場の基板近傍での、ターゲット電極402への印加電力に対するプラズマ密度と電子温度の関係を示す。図6より、ターゲット電極402への印加電力1500Wの場合、1×1011/cm3以上のプラズマ密度を有しつつ、電子温度が2.5eV程度であることが分かる。この高密度プラズマによって、形成された窒素イオンもしくは、窒素ラジカルが効率よくHigh-k膜に入射することで、High-k膜が改質される。この現象によって、酸化換算膜厚を増加させることなく、リーク電流を改善していると考えられる。すなわち、本発明の一実施形態では、ポイントカスプ磁場411を発生する磁石機構405を用いてPVDを行っているので、窒素イオンもしくは窒素ラジカルを効率良くHigh-k膜に入射させることができ、酸化換算膜厚を増加させることなく、リーク電流を低減することができる。また、上記ポイントカスプ磁場411は、碁盤目状に複数連なる四角形の各角部に対応する位置に配置されており、各四角形の辺方向に隣接するマグネットピースの極性が反対の極性となっているように配置されたマグネットピースにより形成されるものであり、その磁界の大きさは配置されるマグネットピース406に応じて固定されたものである。しかしながら、本発明の一実施形態では、ターゲット電極402に高周波電力を印加しているので、固定されたポイントカスプ磁場411の磁界においても、高周波電界の作用により、図6に示すようにプラズマ密度を変えることができる。また、不活性ガスであるアルゴン流量ならびに反応性ガスである窒素流量とTiターゲットのスパッタ率の関係を評価した結果、窒素流量が0.05以上である領域では、ターゲットの表面が窒化することにより生じるスパッタ率の低下率が最大となる領域であることを確認した。以上より、本発明の一実施形態により形成したTiNを有する素子の場合、EOT-Jg特性を向上させつつ、所望の実効仕事関数が得られる。ここでは、窒素/=0.3、ならびに20Paの条件で形成したTiN膜を用いているが、これに限定されるものでなく、圧力が2から100Paの間で、かつ窒素/比が0.05以上であれば、十分に効果を発揮できる。圧力が2Pa以下の場合には、リーク電流の悪化が見られ、また、100Pa以上の場合には、リーク電流改善の効果はあるが、成膜速度の低下が顕著であり、量産性能が劣化する。第1の実施例本発明の第1の実施例を、図面を参照しながら詳細に説明する。図7A~7Cは、本発明の第1の実施例である半導体装置の製造方法の工程を示した図である。まず図7Aに示すようにシリコン基板501の表面に、STI技術により形成された素子分離領域502が設けられている。続いて、素子分離されたシリコン基板501の表面に熱酸化法により膜厚1.0nmのシリコン熱酸化膜を形成する。その後、図8に示すクラスターツール600に上記シリコン基板501を投入した。まず、図8のロードロックチャンバ605から上記シリコン基板501をチャンバ601搬送し、スパッタリング法によりシリコン基板501上に膜厚0.5~0.7nmのHfを堆積した。次に、Hfが形成されたシリコン基板501を大気に晒す事無くトランスファーチャンバ604を介し、チャンバ602に搬送し、酸素分圧0.1Paの雰囲気で、900°C、1minのアニール処理を施し、シリコン酸化膜中にHfを拡散させることで、シリコン酸化膜とHfSiO膜の積層構造からなるゲート絶縁膜503を形成する。次に、ゲート絶縁膜503が形成されたシリコン基板501をチャンバ603へ大気に晒すことなく搬送し、詳細を図2に示した処理装置において、Tiターゲットを用いて窒素ガスとアルゴンガス流量の混合比を窒素ガス窒素ガスアルゴンガス≧0.05に調整し、PVD法によりTiN膜504を10nm堆積した。本発明のゲート電極の形成方法を用いて絶縁膜ゲート電極を連続成膜することによって、絶縁膜ゲート電極界面への不純物を抑制することが出来、さらに所望のリーク電流ならびに実効仕事関数が得られる。次に、膜厚20nmのシリコン層505を形成した後、図7Bに示すようにリソグラフィー技術およびRIE技術を用いてゲート電極に加工し、引き続いてイオン注入を行い、エクステンション拡散領域506をゲート電極をマスクとして自己整合的に形成した。さらに、図7Cに示すように、シリコン窒化膜とシリコン酸化膜を順次堆積し、その後、エッチバックすることによってゲート側壁507を形成した。この状態で再度イオン注入を行い、活性化アニールを経てソースドレイン拡散層508を形成した。作製した素子の電気特性を評価した結果、EOTやリーク電流の悪化を伴うことなく、P型MOSFETに適した実効仕事関数が得られることを確認した。また、ゲート絶縁膜としてCVD法により堆積したHfSiO膜においても同様の効果を得ることを確認した。また、HfSiOを堆積した後、ラジカル窒化処理により形成したHfSiON膜をゲート絶縁膜として用いた場合においても同様の効果を得ることを確認した。また、ゲート絶縁膜としてZrを含む、ZrSiO、ZrSiON、HfZrSiO、HfZrSiONからなる群から選択される一つの材料を用いても、同様の効果が得られることを確認した。このように、本実施の形態におけるMIPS型ゲート電極からなるMOSFET素子においても本発明の効果を得られることを確認した。第2の実施例以下に本発明の第2の実施例を、図面を参照しながら説明する。図9A~9Gは本発明の第2の実施例である半導体装置の製造方法の工程を示した図である。まず図9Aに示すようにシリコン基板701の表面にSTI技術を用いて素子分離領域702を形成した。続いて、素子分離されたシリコン基板701の表面に熱酸化法により膜厚1.0nmのシリコン熱酸化膜703を形成し、その後、CVD法、ALD法またはスパッタリング法によりHfO2からなる高誘電率膜704を2.0nm形成し、高誘電率膜を含有する高誘電率ゲート絶縁膜705を形成した。次に、高誘電率ゲート絶縁膜705上に、第1の実施例と同様の方法で膜厚2.0nmの窒化チタン膜706を形成し、続いて、CVD法またはスパッタリング法により膜厚100nmのシリコン膜707を形成した。次に、図9Bに示すように、リソグラフィー技術およびRIE技術を用いて高誘電率ゲート絶縁膜705、窒化チタン膜706およびシリコン膜707を加工し、引き続きイオン注入を行い、エクステンション拡散領域708を形成した。すなわち、少なくとも、高誘電率ゲート絶縁膜705、窒化チタン膜706およびシリコン膜707をマスクとしてソース領域およびドレイン領域を形成した。更に、図9Cに示すように、シリコン窒化膜またはシリコン酸化膜をCVD法により堆積し、その後エッチバックすることによりサイドウォール709を形成した。この状態で再度イオン注入を行い、活性化アニールを経てソースドレイン拡散層710を形成した。次に、図9Dに示すように、CVD法による基板上にシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜等からなる層間絶縁膜711を形成し、その後、CMP法により層間絶縁膜711の上面を研磨して平坦化させ、図に示されるようにシリコン膜707を露出させた。次に、図9Eに示すように、ウエットエッチングやドライエッチングによりシリコン膜707を除去して、トレンチ構造712を形成した。次に、図9Fに示すように、本発明の一実施形態におけるスパッタリング方法を有する図10に示したクラスターツールを用いて、トレンチ構造712を有した基板をチャンバ902に搬送し、窒化タンタルを形成した。次に窒化タンタルが形成された基板をチャンバ901もしくは、903へ大気に晒すことなく搬送し、窒化チタンを成膜し、金属窒化物からなるゲート電極713を形成した。さらに、ゲート電極713が形成された基板をチャンバ905へ大気に晒すことなく搬送し、W、Alなどの通常の配線材料に用いられる金属材料を用いてトレンチ構造712を埋めて、エッチバックやCMP技術により平坦化することによりゲート電極714を形成した図9G。作製した素子の、実効仕事関数、EOT、リーク電流特性を測定した結果、本発明における金属窒化物層の形成方法を用いることで、EOTの増加を招くことなくリーク電流値の低減と、P型MOSFETに適した実効仕事関数4.6eV以上が得られることを確認した。また、高誘電率ゲート絶縁膜としてHfSiO膜を用いても同様の効果を得られることを確認した。第3の実施例以下に本発明の第3の実施例を、図面を参照しながら説明する。図11A~11Fは本発明の第3の実施例である半導体装置の製造方法の工程を示した図である。本実施例では、第1の領域であるN型MOSFETを形成する領域と第2の領域であるP型MOSFETを形成する領域とのそれぞれに対して、第2の実施例におけるトレンチ構造を形成する工程を行い、それぞれに適した実効仕事関数を実現する金属ゲート電極を形成する。図11Aに示すように、第2の実施例と同様の方法を用いて、第1のN型MOSFETを形成する領域と第2のMOSFETを形成する領域にトレンチ構造801、802を形成した。次に、図11Bに示すように、トレンチ構造の内部を被覆するように、本発明におけるスパッタリング方法を用いて窒化タンタル膜803と窒化チタン膜804を形成した。次に、図11Cに示すように、リソグラフィー技術とエッチング技術を用いて第1のN型MOSFETを形成する領域におけるトレンチ構造801の底部を構成する窒化タンタル膜と窒化チタン膜を除去する。本実施例では、窒化チタン膜は硫酸と過酸化水素水と水の混合溶液を用いてウエットエッチングを行い、窒化タンタル膜は、Arプラズマによるエッチングにより除去した。次に、図11Dに示すように、トレンチ構造の内部を被覆するように、本発明の一実施形態におけるスパッタリング方法を有する図9に示したクラスターツールにて、窒化チタン膜804が形成された基板をチャンバ904に基板を搬送し、チタンとアルミニウムの合金を含む金属合金膜805を形成した。次に、図11Eに示すように、トレンチ構造の内部を埋め込むように、スパッタリング法を用いて成膜を行うチャンバ905に金属合金膜805が形成された基板を搬送し、アルミニウムからなる金属膜806を形成し、その後、CMP技術を用いて平坦化を行い図11Fに示される構造を形成した。尚、アルミニウムからなる金属膜を形成する工程において、基板温度を300°C~400°Cに設定することでチタンとアルミニウムからなる金属合金膜805に含まれるアルミニウムは、少なくともN型MOSFETを形成する領域における窒化チタン膜800中を拡散し、N型MOSFETに適した実効仕事関数を達成することができる。一方、P型MOSFETを形成する領域においては、窒化タンタル膜と窒化チタン膜がアルミニウムの拡散を抑制するためP型MOSFETに適した実効仕事関数を維持することができる。作製した素子の、実効仕事関数、EOT、リーク電流特性を測定した結果、本発明における金属窒化物層の形成方法を用いることで、EOTの増加を招くことなくリーク電流値の低減と、それぞれのMOSFETに適した実効仕事関数N型MOSFETでは4.4eV以下、P型MOSFETでは4.6eV以上が得られることを確認した。また、高誘電率ゲート絶縁膜としてHfSiO膜を用いても同様の効果を得られることを確認した。