"金属ストリップに対し電子ビームを照射する方法において、電子ビームの出力が安定するまでの間、または電子ビームが金属ストリップの外側に照射される間に、別途用意したアイドルターゲットに電子ビームを照射するに際し、上記アイドルターゲットに電子ビームを照射する際の該アイドルターゲット表面におけるビーム照射径を、上記金属ストリップに電子ビームを照射する際の該金属ストリップ表面におけるビーム照射径の12倍以上とすることを特徴とする電子ビームの照射方法。前記アイドルターゲットを昇降移動させることによって、該アイドルターゲット表面におけるビーム照射径を調整することを特徴とする請求項1に記載の電子ビームの照射方法。前記アイドルターゲット上に電子ビームが照射される際に電子ビームの収束電流値を変更することによって、ビーム照射径を調整することを特徴とする請求項1または2に記載の電子ビームの照射方法。しかしながら、特許文献2に開示されている方法を用いる場合、アイドルターゲット上の電子ビームの照射位置を常時変化させるという、煩雑なビーム制御が必要となる。また、この方法を用いる場合、電子ビームが安定化するまで、または金属ストリップ外に待機する間、揺動させているために、待機位置からストリップ照射開始点へのビーム移動時間が一定とならないため、ストリップ照射開始点が不安定になるおそれがある。また、同文献には、待機位置からストリップ照射開始点の距離が常に一定となるように、揺動させる電子ビームの形状を円状にさせることによって、上記問題を解消する技術も示されているが、この場合には、待機位置からストリップ照射開始点まで電子ビームを移動させる間に、金属ストリップに電子ビームが照射されてしまうおそれがあった。また、特許文献3に開示されている方法は、基板への薄膜の形成を回避すべき待機時に、ビーム待機位置での収束電流をターゲット照射時における収束電流から大きく異なる値に制御するものであり、この方法を用いる場合、アイドルターゲット照射時の収束電流を金属ストリップ照射時における収束電流から大きく異なる値に制御することとなる。しかしながら、本発明で意図している金属ストリップの連続通板における通板速度の高速化や金属ストリップに照射していないアイドル時間の短縮化が求められる状況においては、特許文献3のような急激な変化を伴う収束電流の制御は困難である。また、アイドルターゲットを大型化させる場合は、アイドルターゲットの熱容量が増加するため、アイドルターゲット全体としての温度上昇は抑制できる。しかしながら、アイドルターゲットのビーム照射面におけるビーム照射時の局所的な高温化を防止することはできないため、少なくとも上記2,3の問題を解決することができない。また、アイドルターゲットの素材を変更する場合は、例えば、熱伝導度がより高い銀、またはより融点の高いタングステンもしくはモリブデンに変えることによって、上記の問題を軽減または解決することができる。しかしながら、これらの素材はいずれも入手が難しく、またタングステンやモリブデンの場合には加工性に問題がある。この発明は、上記の問題を解決するもので、アイドルターゲットの局所的な高温化を有利に防止することができ、ひいてはアイドルターゲットの変形や、金属蒸気の発生を回避することができる電子ビームの照射方法を提供することを目的とする。さて、発明者らは、上記の問題を解決すべく鋭意研究を重ねた末に、以下に述べる知見を得た。1アイドルターゲットに電子ビームを照射する際のアイドルターゲット表面におけるビーム照射径を、金属ストリップに電子ビームを照射する際の金属ストリップ表面におけるビーム照射径よりも大きくしてやれば、アイドルターゲットのビーム照射面における熱密度を低下させて、アイドルターゲットの局所的な高温化を防止することができる。2アイドルターゲット表面におけるビーム照射径を大きくする手段としては、アイドルターゲットと金属ストリップの距離を離すことが考えられる。通常、電子ビームは、その焦点が金属ストリップ表面に合わせられるため、アイドルターゲットと金属ストリップの距離を離せば離すほど、アイドルターゲット表面におけるビーム照射径を大きくすることができる。3また、上記以外の手段としては、アイドルターゲット上で収束電流値を変更して、アイドルターゲット表面におけるビーム照射径を大きくすることが考えられる。この発明は、上記の知見に立脚するものである。すなわち、この発明の要旨構成は次のとおりである。1.金属ストリップに対し電子ビームを照射する方法において、電子ビームの出力が安定するまでの間、または電子ビームが金属ストリップの外側に照射される間に、別途用意したアイドルターゲットに電子ビームを照射するに際し、上記アイドルターゲットに電子ビームを照射する際の該アイドルターゲット表面におけるビーム照射径を、上記金属ストリップに電子ビームを照射する際の該金属ストリップ表面におけるビーム照射径の12倍以上とすることを特徴とする電子ビームの照射方法。2.前記アイドルターゲットを昇降移動させることによって、該アイドルターゲット表面におけるビーム照射径を調整することを特徴とする上記1に記載の電子ビームの照射方法。3.前記アイドルターゲット上に電子ビームが照射される際に電子ビームの収束電流値を変更することによって、ビーム照射径を調整することを特徴とする上記1または2に記載の電子ビームの照射方法。本発明に従い、アイドルターゲットに電子ビームを照射する際のアイドルターゲット表面におけるビーム照射径を、金属ストリップに電子ビームを照射する際の金属ストリップ表面におけるビーム照射径の12倍以上とすることにより、アイドルターゲットの局所的な高温化を有利に防止することができ、ひいてはアイドルターゲットの変形や、金属蒸気の発生を回避することができる。従って、高出力での電子ビーム加工、さらにそれによる、ビーム加工の高速化が可能になる。また、アイドルターゲットの消耗量および交換頻度を抑制することができ、さらに、加工真空度の安定化や、アイドルターゲット上での電子ビームの揺動不要化などにより、加工精度を向上させることができる。以下、本発明について具体的に説明する。本発明に係る電子ビームの代表的な照射要領を、図1を用いて説明する。図1において、1は電子ビーム発生装置電子銃、2は金属ストリップ、3は電子ビーム、4はアイドルターゲットである。さて金属ストリップ2は、真空室内を図中に示すY方向に走行しているものとする。電子銃1は、真空室の上方に設置されていて、ストリップ2の上面に向けて電子ビーム3を照射する。この時電子ビーム3は、電子銃1に取り付けられた収束コイルによりその径を絞られ、同じく電子銃1に取り付けられた偏向コイルによりその進行方向が偏向させられる。アイドルターゲット4の素材は、局所的な熱集中およびそれに伴うアイドルターゲットの溶解を抑制するために、熱伝導性が高く、融点が高い材料が好ましい。例えば、Cuは、熱伝導率が極めて高く、融点が比較的高い上、加工性にも優れるため好ましい。この点、Alは、熱伝導性は高いが、融点が低いため好ましくない。アイドルターゲット4は、電子ビーム3の出力が安定するまでの間、または電子ビーム3が金属ストリップ2の外側に照射される間に、電子ビーム3の照射を受けるよう配置する。従って、アイドルターゲット4は、電子ビーム3をアイドルターゲット4上から金属ストリップ2上へと連続して照射することができるように、金属ストリップ2と隣接して配置されている。なお、図1に示した配置に代えて、図2に示すように、アイドルターゲット4を金属ストリップ2よりも上方に配置し、かつ、アイドルターゲット4の幅方向図中X方向端部が、電子銃の電子ビーム3の射出口と金属ストリップ2の幅方向図中X方向端部とをつなぐ直線上に位置するようにアイドルターゲット4を配置しても良い。また、これら配置に代えて、図3に示すように、アイドルターゲット4を金属ストリップ2よりも下方に配置し、かつ、アイドルターゲット4の幅方向図中X方向端部が、電子銃の電子ビーム3の射出口と金属ストリップ2の幅方向図中X方向端部とを通過する直線上に位置するように、またはこの直線よりも金属ストリップ側に位置するようにアイドルターゲット4を配置しても良い。アイドルターゲット4を長時間交換しない場合には、長時間の照射による熱の蓄積が問題となる。従って、冷却装置などを用いて、アイドルターゲット4を連続的に冷却することが好ましい。特に、アイドルターゲット4を図1に示したように金属ストリップ2と接触させて配置する場合には、熱が金属ストリップ2へ拡散し、金属ストリップ2を熱変形させるおそれがある。従って、この場合には、アイドルターゲット4の金属ストリップ2と接触している部分を、ステンレス鋼製や樹脂製などとすることで、アイドルターゲット4と金属ストリップ2とを熱的に遮断することが好ましい。さて、発明者らは、寸法X,Y,Z=20,100,Zになる平板状のアイドルターゲット4を図1のとおり配置し、Zの値を変えることによって、アイドルターゲット4に電子ビーム3を照射する際のアイドルターゲット表面におけるビーム照射径と、金属ストリップ2に電子ビーム3を照射する際の金属ストリップ表面におけるビーム照射径との比アイドルターゲット表面におけるビーム照射径÷金属ストリップ表面におけるビーム照射径。以下、照射径比というを調整した。そしてこの照射径比と、電子ビーム3の照射エネルギを4Jづつ増大させていったときにアイドルターゲット4がはじめて溶融したときの照射エネルギJとの関係を調べた。その結果を図4に示す。ここに、電子銃1の電子ビーム3の射出口と金属ストリップ2の中央部までの距離W0は450mm、電子銃1の直下ストリップの中央部における電子ビームの照射径は025mmとした。また、電子ビーム3のアイドルターゲットにおける照射時間は01秒とした。なお、照射径rは、金属ストリップまたはアイドルターゲット上に電子ビームを静止したときに照射される照射面積Sを求め、その円相当径S=πr2、すなわち、r=S/π1/2として求められる。照射面積は、例えば、油性インクを塗布した鋼板にビームを照射すると照射部のインクがはがれるため、そのはがれた部分の面積を求めることで、事前に測定しておくことができる。図4に示す結果から、照射径比が12倍以上好ましくは14倍以上であれば、アイドルターゲット4が溶融しない照射エネルギ値を高めることができる、換言すれば、アイドルターゲット4が溶融するようなアイドルターゲット4の局所的な高温化を効果的に抑制できることが判明した。さらに、この時、電子銃1の電子ビーム3の射出口と金属ストリップの幅方向端部までの距離をW1この例では453mm、電子銃1の電子ビーム3の射出口とアイドルターゲット表面におけるビーム照射面までの距離をW2とし、|W2-W1|=ΔWDmmとしたときのΔWDと、電子ビーム3の照射エネルギを4Jづつ増大させていったときにアイドルターゲット4がはじめて溶融したときの照射エネルギJとの関係についても調査した。その結果を図5に示す。図5に示す結果から、この条件下ではΔWDが50mm以上であれば、アイドルターゲット4が溶融しない最大の照射エネルギを高めることができる、換言すれば、アイドルターゲット4が溶融するようなアイドルターゲット4の局所的な高温化を効果的に防止できることが分かる。以上、アイドルターゲット4を予め所定位置に固定しておく配置パターンについて説明したが、図1に示した配置に代え、図6に示すように、アイドルターゲット4を上下方向に移動させて変位Hを変更できるような配置としても良い。表1に示す条件で電子ビームの照射を行った。そのときの前述した各問題、すなわち、1アイドルターゲットの変形2電子銃加工室の真空度低下3金属ストリップへの金属蒸気付着4金属ストリップの変形の有無について調べた結果を、表2に示す。なお、金属ストリップの中央部における電子ビームの照射径は025mmの一定とした。また、表1における配置パターン1,2,3,4は、それぞれ図1,2,3,6に示した配置に対応するものである。No.1の従来例は、とくに問題は生じなかったが、ビーム電流が3mAと極めて低く、また走査速度も10msと遅いため、生産性は極めて低い。次に、ビーム電流が75mAと低く、また走査速度も25msと遅い従来例のNo.2では特に問題は生じなかったが、ビーム電流を15mA、走査速度を50msに上げた比較例のNo.3では上記1~3の問題が発生した。さらに、ビーム電流を45mA、走査速度を150msに上げた比較例のNo.4では、上記1~3の問題に加えて上記4の問題が発生した。これに対し、本発明に従い、照射径比を12倍以上としたNo.5~9では、いずれも何の問題もなかった。特筆すべき点として、No.5~8では、ビーム電流を45mAとし、走査速度を150msまで高めたにもかかわらず、何の問題も発生しなかった。以上の実施例により、本発明に従う電子ビームの照射方法によれば、アイドルターゲットの局所的な高温化を効果的に抑制できることが確認された。"