半導体層と、その半導体層の表面に形成されている第1金属層と、第1金属層の少なくとも一部が露出するように第1金属層に隣接する位置に形成されている絶縁層とを有する半導体基板を用いて、半導体装置を製造する方法であって、露出部分の第1金属層の表面及び絶縁層の表面に、絶縁層に対するよりも第1金属層に対する接着性が高い第2金属層を形成する工程と、第1金属層の表面に形成された第2金属層を残存させながら、絶縁層の表面に形成された第2金属層を絶縁層から剥離する工程、を有することを特徴とする製造方法。第2金属層を形成する前に、絶縁層の表面をプラズマ改質することで、絶縁層の第2金属層に対する接着性を低下させることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。第2金属層を形成した後、かつ、第2金属層を絶縁層から剥離する前に、半導体基板を熱処理することを特徴とする請求項1または2に記載の製造方法。特許文献1の技術では、ハンダ接合のために、複数の金属層が積層された電極構造が採用されている。ハンダ接合する目的の他にも、種々の目的で、半導体装置の電極に、複数の金属層が積層された構造が採用されることが多い。特許文献1の技術では、第1金属層の表面にメッキにより第2金属層を形成する。このように、メッキにより第2金属層を形成する場合には、メッキ工程で生じる廃液の処理等が必要となり、これによって半導体装置の製造コストが上昇するという問題がある。また、複数の金属層が積層された電極構造の形成方法として、リフトオフが用いられる場合もある。この場合には、図6に示す様に、第1金属層32の一部が露出するように絶縁層50が形成されている半導体基板上に、マスク層54を形成する。マスク層54は、第1金属層32の露出部分が開口となるように形成される。そして、マスク層32が形成された半導体基板上に、スパッタリング等によって第2金属層34を形成する。第2金属層34は、第1金属層32の露出部分の表面と、マスク層54の表面に形成される。次に、エッチングによってマスク層54を除去する。マスク層54が除去されると、その表面に形成されている第2金属層34も一緒に除去される。したがって、第1金属層32の露出部分の表面に第2金属層34が残存する。これによって、上述した電極構造が完成する。この方法でも、マスク層54のエッチング工程で廃液が生じるため、廃液処理による製造コストの上昇の問題が生じる。また、エッチング工程では、マスク層54以外の層例えば、裏面側の電極等がエッチングされるのを防止するために、保護措置等が必要となる場合がある。このような保護措置も、製造コスト上昇の要因となる。以上に説明したように、従来の方法では、複数の金属層が積層された電極構造を容易に形成することができず、これが半導体装置の製造コストの上昇の要因となっていた。したがって、本明細書では、複数の金属層が積層された電極構造を有する半導体装置を容易に製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。本明細書では、半導体層と、その半導体層の表面に形成されている第1金属層と、第1金属層の少なくとも一部が露出するように第1金属層に隣接する位置に形成されている絶縁層とを有する半導体基板を用いて、半導体装置を製造する方法を提供する。この方法は、露出部分の第1金属層の表面及び絶縁層の表面に、絶縁層に対するよりも第1金属層に対する接着性が高い第2金属層を形成する工程と、第1金属層の表面に形成された第2金属層を残存させながら、絶縁層の表面に形成された第2金属層を絶縁層から剥離する工程を有する。なお、接着性とは、ある層例えば、第2金属層を他の層例えば、第1金属層または絶縁層の表面に形成したときに、それら2つの層の間で得られる接着強度の高さをいう。したがって、絶縁層に対するよりも第1金属層に対する接着性が高い第2金属層とは、第2金属層を第1金属層の表面に形成したときにこれらの層の間で得られる接着強度が、第2金属層を絶縁層の表面に形成したときにこれらの層の間で得られる接着強度よりも高いことを意味する。この製造方法では、第1金属層の表面に形成された第2金属層を残存させながら、絶縁層の表面に形成された第2金属層を絶縁層から剥離する。剥離工程は、種々の方法で実行することができる。例えば、第2金属層全体に粘着するように粘着テープを貼り付け、その後、粘着テープを半導体基板から剥がすことによって、剥離工程を実行することができる。粘着テープを剥がすと、粘着テープと共に、第2金属層を絶縁層から剥がすことができる。また、半導体基板の表面に向けて水を噴射することで、絶縁層から第2金属層を剥がすこともできる。第2金属層は、絶縁層に対するよりも第1金属層に対する接着性が高い。したがって、第1金属層の表面に形成された第2金属層を残存させながら、絶縁層の表面に形成された第2金属層を絶縁層から剥離することができる。このようにして絶縁層の表面に形成された第2金属層を除去することができる。この方法では、第2金属層を第1金属層の表面だけに形成する必要が無いので、メッキ等を用いることなく、スパッタリング等によって第2金属層を形成することができる。したがって、メッキ液の廃液の問題が生じない。また、剥離によって第2金属層を除去するので、第2金属層を除去するためにエッチング液等を用いる必要がない。したがって、エッチング液の廃液の問題が生じず、また、他の層をエッチング時に保護する必要もない。したがって、この方法によれば、低コストで半導体装置を製造することができる。上述した製造方法は、第2金属層を形成する前に、絶縁層の表面をプラズマ改質することで、絶縁層の第2金属層に対する接着性を低下させることが好ましい。なお、絶縁層の表面をプラズマ改質することで、絶縁層の第2金属層に対する接着性を低下させるとは、第2金属層を形成する前の絶縁層の表面をプラズマ改質することで、その後に形成される第2金属層の絶縁層に対する接着強度を低下させることを意味する。したがって、プラズマ改質していない絶縁層の表面に形成された第2金属層の絶縁層に対する接着強度と、プラズマ改質後の絶縁層の表面に形成された第2金属層の絶縁層に対する接着強度とを比較したときに、前者よりも後者が低ければ、プラズマ改質によって絶縁層の第2金属層に対する接着性を低下させたことになる。このように、絶縁層の第2金属層に対する接着性を低下させることで、より容易に第2金属層を絶縁層から剥離することができる。上述した製造方法は、第2金属層を形成した後、かつ、第2金属層を絶縁層から剥離する前に、半導体基板を熱処理することが好ましい。このような構成によれば、熱処理時に半導体基板が熱膨張することによって、第2金属層に応力が加わる。第2金属層の第1金属層に対する接着性が高いので、応力が加わったとしても第2金属層の第1金属層に対する接着性はほとんど変化しない。一方、第2金属層の絶縁層に対する接着性が低いので、応力が加わることで第2金属層の絶縁層に対する接着強度がより低くなる。したがって、この方法によれば、より容易に第2金属層を絶縁層から剥離することができる。実施例の半導体装置の製造方法について説明する。最初に、実施例の製造方法により製造される半導体装置10について説明する。図1は、実施例の製造方法により製造される半導体装置10の概略断面図を示している。図示するように、半導体装置10は、半導体層20と、上部電極30と、絶縁層50を備えている。なお、本実施例の製造方法は、上部電極30の形成方法に特徴を有するため、図1では、上部電極30近傍の半導体装置10の構造を主に示しており、半導体層20の裏面側の構造、及び、半導体層20の内部の構造の図示を省略している。図示していないが、半導体層20には、半導体素子例えば、IGBT、ダイオード、MOSFET等が形成されている。上部電極30は、これらの半導体素子の電極の1つである。半導体層20は、シリコンにより構成されている。半導体層20の上面20aには、複数の上部電極30が形成されている。各上部電極30は、半導体層20に接続されているアルミニウム層32以下、Al層32というと、Al層32の表面に形成されている表面金属層34を有している。Al層32は、半導体層20に対してオーミック接続されている。絶縁層50は、半導体層20の上面20aのうち、Al層32に覆われていない領域に形成されている。絶縁層50は、Al層32よりも厚い。絶縁層50は、Al層32の外周部の表面を覆うように形成されている。絶縁層50は、ポリイミドにより形成されている。表面金属層34は、絶縁層50の開口部52絶縁層50に覆われていない領域内に形成されている。図2は、上部電極30の拡大断面図を示している。図2に示すように、表面金属層34は、チタン層36以下、Ti層36というと、ニッケル層38以下、Ni層38というと、金層40以下、Au層40というを有している。Ti層36、Ni層38、及び、Au層40は、この順番で、Al層32上に積層されている。上部電極30は、外部の導電板に対してハンダ接合される電極である。Ti層36は、ハンダ接合時に金属が半導体層20内に拡散することを防止するための層である。Ni層38は、上部電極30のハンダ濡れ性を確保するための層である。Au層40は、Ni層38の表面酸化を防止するための層である。次に、半導体装置10の製造方法について説明する。半導体装置10は、シリコン製の半導体ウエハから製造される。半導体ウエハは、上記の半導体層20に相当する。最初に、半導体ウエハの内部に半導体素子の構造を形成する。次に、半導体ウエハの上面にAl層32を形成する。Al層32は、スパッタリング等により形成する。次に、フォトリソ技術及びエッチング等を用いて、Al層32を図1に示すようにパターニングする。次に、半導体ウエハ上に、絶縁層50を形成する。次に、フォトリソ技術及びエッチング等を用いて、絶縁層50をパターニングする。すなわち、開口部52を形成する。次に、半導体ウエハの裏面に電極を形成する。以下では、半導体ウエハとその表面に形成された電極及び絶縁層を含めたウエハ全体をウエハ80という。ここまでの工程によって、ウエハ80が、図3に示す状態となる。ここまでの工程は、従来公知の技術と略同様である。次に、プラズマ処理によって、絶縁層50の表面を改質する。より詳細には、CF4等のガスをプラズマ化させて、絶縁層50の表面をプラズマに曝す。すると、絶縁層50を構成しているポリイミドの分子構造の終端部にフッ素が結合する。これによって、絶縁層50が、後に形成される表面金属層34に対して接着し難くなる。次に、スパッタリング又は蒸着によって、ウエハ80上に、Ti層36、Ni層38、Au層40を順に形成する。これによって、図4に示すように、表面金属層34を形成する。例えば、Ti層36は50~300nmの厚さで形成し、Ni層38は700~5000nmの厚さで形成し、Au層40は50~200nmの厚さで形成する。これらの層の形成は、絶縁層50であるポリイミドの耐熱性を考慮して、300°C以下の温度で実施することが好ましい。表面金属層34によって、絶縁層50の表面と、開口部52内のAl層32の表面が覆われる。絶縁層50であるポリイミドは表面金属層34に対して接着し難く、さらに、上述したプラズマ処理によって絶縁層50の表面金属層34に対する接着性が低下させられている。したがって、表面金属層34の絶縁層50に対する接着強度は弱い。一方、表面金属層34のAl層32に対する接着強度は強い。引張試験により評価した結果の一例では、表面金属層34のAl層32に対する接着強度は約150N/cm2であったのに対し、表面金属層34の絶縁層50に対する接着強度は約10N/cm2であった。次に、ウエハ80の上面にランプを照射することで、ウエハ80を熱処理する。これにより、ウエハ80を、100°C~300°Cの温度に昇温させる。ウエハ80を加熱すると、各層の熱膨張率の違いによって、ウエハ80の各層に応力が加わる。この際、絶縁層50の表面に形成されている表面金属層34の絶縁層50に対する接着強度が弱いので、応力が加わることによって表面金属層34と絶縁層50との間で位置ずれが生じる。これによって、表面金属層34の絶縁層50に対する接着強度が極めて低くなる。一方、表面金属層34のAl層32に対する接着強度が強いので、Al層32の表面の表面金属層34は応力が加わってもAl層32に対して位置ずれを起さない。また、図4に示す開口部52の側壁部52a近傍の領域では、応力によって大部分の表面金属層34が裂けて、Al層32上の表面金属層34が絶縁層50上の表面金属層34から分離する。その後、ウエハ80の温度を常温に戻すと、ウエハ80は図5に示す状態となる。図5では、表面金属層34が絶縁層50に対して位置ずれした結果、絶縁層50上の表面金属層34が側壁部52aからめくれあがった状態となり、絶縁層50側の表面金属層34が、Al層32側の表面金属層34から分離している。次に、ウエハ80の上面にテープを貼り付け、その後、テープをウエハ80の上面から剥がす。すると、絶縁層50上の表面金属層34がテープに貼り付き、絶縁層50の表面から剥離する。これによって、絶縁層50上の表面金属層34が除去される。一方、Al層32上の表面金属層34は、Al層32から剥離することなく、Al層32上に残存する。その結果、図1に示すように、Al層32の表面にのみ表面金属層34が形成されている構造が得られる。その後、ウエハ80をダイシングすることで、図1の半導体装置10が完成する。以上に説明したように、実施例の製造方法では、スパッタリングによってウエハ80の表面全体に表面金属層34を形成し、その後、接着強度が弱い絶縁層50上の表面金属層34を剥離させ、接着強度が強いAl層32上の表面金属層34をAl層32上に残存させる。すなわち、メッキやエッチングを用いることなく、開口部52内のAl層32の表面のみに表面金属層34を形成することができる。したがって、この製造方法によれば、半導体装置の製造コストを低減することができる。また、この製造方法では、開口部52内のAl層32の表面全体に、表面金属層34を形成することができる。一方、従来のリフトオフを用いる製造方法で上述した半導体装置10を製造する場合には、開口部52内全体に表面金属層34を形成することはできない。すなわち、リフトオフを用いる製造方法では、図6に示すように、絶縁層50が覆われるようにマスク層54を形成し、その上に表面金属層34を形成する。その後、マスク層54をエッチングで除去することで、Al層32の表面以外の表面金属層34をマスク層54と共に除去する。この技術では、絶縁層50の表面に表面金属層34が形成されることを防止するために、マスク層54の開口部56を絶縁層50の開口部52より小さくする必要がある。このため、開口部52内のAl層32の外周部分32aにマスク層54が形成され、その外周部分32a上に表面金属層34を形成することができない。開口部52と開口部56の位置合わせの誤差を考慮すると、開口部56を開口部52より相当量小さくせざるを得ない。したがって、リフトオフによる製造方法では、ハンダ接合可能な領域が狭くなり、半導体装置10の放熱性能が低下する。実施例の製造方法によれば、開口部52内のAl層32の表面全体に表面金属層34を形成することができるので、このような問題を解消することができる。また、実施例の製造方法では、上記の位置合わせが不要であるので、容易に半導体装置を製造することができる。なお、上述した実施例では、ウエハ80の表面にテープを貼り付け、そのテープをウエハ80から剥がすことで絶縁層50から表面金属層34を剥離したが、ウエハ80に向けて水を噴射し、その水流によって絶縁層50から表面金属層34を剥離してもよい。その他、種々の方法によって絶縁層50から表面金属層34を剥離することができる。また、上述した実施例では、ウエハ80に対してプラズマ処理と熱処理を行うことで、絶縁層50の表面金属層34に対する接着性を低下させた。しかしながら、絶縁層50の表面金属層34に対する接着強度が十分に低くなる場合には、これらの処理を実施しなくてもよい。また、何れか一方の処理のみを実施するようにしてもよい。また、上述した実施例では、半導体層20上にAl層32を形成したが、Al層に代えて、AlSi層、AlCu層等を形成してもよい。また、上述した実施例では、最も表層の金属層がAu層であったが、Au層に代えて、Pt層やAg層を形成してもよい。また、上述した実施例では、Ti層を形成したが、Ti層は無くてもよい。また、上述した実施例では、ハンダ接合用の電極を形成する工程について説明したが、実施例の技術を、他の用途の電極を形成する際に使用しても良い。また、上述した実施例では、絶縁層50がポリイミドにより構成されていたが、絶縁層50は、酸化シリコンや窒化シリコンであってもよい。また、上述した実施例では、熱処理時にランプによりウエハ80を加熱したが、ホットプレート等他の加熱手段によりウエハ80を加熱してもよい。以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。