投光素子から投光された光を受光素子で受光し、該受光素子から出力される受光信号に基づいて検出物の有無を検出する光電センサであって、前記投光素子は、パワーが900nm以上の波長でピークとなる近赤外光を投光するものであり、前記受光素子は、前記近赤外光に対応したフォトダイオードであり、該受光素子の前段には、900nm以下の波長の光を除去するカットフィルタが設けられていることを特徴とする光電センサ。請求項1に記載の光電センサにおいて、前記カットフィルタは、前記受光素子の受光面に一体に設けられていることを特徴とする光電センサ。請求項2に記載の光電センサにおいて、前記カットフィルタは、前記受光素子の受光面に蒸着されていることを特徴とする光電センサ。請求項1~3のいずれか1項に記載の光電センサにおいて、前記受光素子を有する受光器は、前記受光素子を内部に有するハウジングと、前記ハウジングの受光面側に設けられ前記投光素子からの光を透過させる透明部材からなるレンズ部材と、前記ハウジング内に設けられた光軸合わせ用の表示灯とを備えていることを特徴とする光電センサ。請求項1~4のいずれか1項に記載の光電センサにおいて、前記投光素子は、パワーが900nm~1000nmの波長でピークとなる近赤外光を投光するものであり、前記受光素子は、前記近赤外光に対応して、900nm~1000nmの波長の光を受光する感度が最も高い特性を有するフォトダイオードであることを特徴とする光電センサ。請求項5に記載の光電センサにおいて、前記投光素子は、930nm~950nmの波長でピークとなる近赤外光を投光するものであり、前記受光素子は、前記近赤外光に対応して、930nm~950nmの波長の光を受光する感度が最も高い特性を有するフォトダイオードであることを特徴とする光電センサ。ところで、上記のような光電センサでは、投光素子に可視光や可視光に極めて近い波長帯の光例えば、パワーが860nmの波長でピークとなる光を投光する素子を用い、その投光素子が投光する光のピーク波長帯の光のみを通過させるカットフィルタを受光素子の前段に設けている。このカットフィルタによって、工場内の蛍光灯照明や太陽光等の外乱光が受光素子の前段で除去されるため、受光素子が外乱光を受光することによって生じる誤検出を抑制することができるようになっている。しかしながら、カットフィルタにより投光素子のピーク波長帯以外の波長の光を除去するためには、投光素子のピーク波長よりも短波長側と長波長側の両方の波長帯を除去する特殊なフィルタが必要となるため、コストの増加を招いていた。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、外乱光の影響を抑えつつも低コスト化に寄与できる光電センサを提供することにある。上記課題を解決するために、請求項1に記載の発明は、投光素子から投光された光を受光素子で受光し、該受光素子から出力される受光信号に基づいて検出物の有無を検出する光電センサであって、前記投光素子は、パワーが900nm以上の波長でピークとなる近赤外光を投光するものであり、前記受光素子は、前記近赤外光に対応したフォトダイオードであり、該受光素子の前段には、900nm以下の波長の光を除去するカットフィルタが設けられていることを特徴とする。この発明では、投光素子は、パワーが900nm以上の波長でピークとなる近赤外光を投光するものであり、受光素子はその近赤外光に対応したフォトダイオードである。このようなフォトダイオードは、長波長帯例えば、1050nm以上の波長帯での受光感度が小さい図2参照ため、長波長帯の光を除去するためのフィルタを設けずとも、長波長帯の外乱光による誤検出の発生を抑えることが可能となる。一方、短波長帯の外乱光900nm以下の波長の光は、受光素子の前段に設けられたカットフィルタによって除去されるため、短波長帯の外乱光による誤検出の発生を抑えることが可能となる。これにより、特殊なフィルタを用いず、投光素子のピーク波長即ち、受光素子の受光感度のピーク波長よりも短波長側をカットするカットフィルタのみのフィルタ構成とすることで低コスト化を実現しつつ、短波長側及び長波長側の外乱光による誤検出の発生を抑えることが可能となる。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の光電センサにおいて、前記カットフィルタは、前記受光素子の受光面に一体に設けられていることを特徴とする。この発明では、カットフィルタが受光素子の受光面に一体に設けられるため、カットフィルタを受光素子とは別に設ける構成に比べて構成の簡素化に寄与できる。請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の光電センサにおいて、前記カットフィルタは、前記受光素子の受光面に蒸着されていることを特徴とする。この発明では、カットフィルタが受光素子の受光面に蒸着されるため、カットフィルタを受光素子の受光面に容易に構成することができる。請求項4に記載の発明は、請求項1~3のいずれか1項に記載の光電センサにおいて、前記受光素子を有する受光器は、前記受光素子を内部に有するハウジングと、前記ハウジングの受光面側に設けられ前記投光素子からの光を透過させる透明部材からなるレンズ部材と、前記ハウジング内に設けられた光軸合わせ用の表示灯とを備えていることを特徴とする。この発明では、受光素子に900nm以上の波長でピークとなる近赤外光に対応したフォトダイオードを用いることで特殊なフィルタが不要となるため、受光器のレンズ部材に特殊なフィルタ加工が施されて可視光を透過させない部材を用いる必要がなくなり、透明部材を用いることができる。このため、ハウジング内に設けられた光軸合わせ用の表示灯の光を、受光面側に設けられたレンズ部材を通して視認することが可能となる。従って、光軸合わせの作業中における表示灯の点灯確認が容易となるため、光軸合わせの作業性を向上させることが可能となる。請求項5に記載の発明は、請求項1~4のいずれか1項に記載の光電センサにおいて、前記投光素子は、パワーが900nm~1000nmの波長でピークとなる近赤外光を投光するものであり、前記受光素子は、前記近赤外光に対応して、900nm~1000nmの波長の光を受光する感度が最も高い特性を有するフォトダイオードであることを特徴とする。この発明では、外乱光の光強度は、900nm~1000nmの波長領域で急激に落ち込む特性があり図3参照、受光素子の受光感度が最も高くなる波長を900nm~1000nmに設定することで、外乱光による誤検出の発生をより抑えることが可能となる。請求項6に記載の発明は、請求項5に記載の光電センサにおいて、前記投光素子は、930nm~950nmの波長でピークとなる近赤外光を投光するものであり、前記受光素子は、前記近赤外光に対応して、930nm~950nmの波長の光を受光する感度が最も高い特性を有するフォトダイオードであることを特徴とする。この発明では、外乱光の光強度は、900nm~1000nmの波長領域内において約940nmで最も低く図3参照、受光素子の受光感度が最も高くなる波長を930nm~950nmに設定することで、外乱光による誤検出の発生を更に抑えることが可能となる。従って、上記記載の発明によれば、外乱光の影響を抑えつつも低コスト化に寄与できる。以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に従って説明する。図1に示すように、本実施形態の光電センサ10は、投光器11と、受光器12と、投光器11及び受光器12を制御するための制御部13とを備えている。投光器11は、そのハウジング11a内に投光素子21を備えている。投光素子21には、前面発光タイプの950nm発光LED素子が用いられており、この投光素子21は、950nmの波長がパワーピークである近赤外光Rを投光するものである。受光器12は、そのハウジング12a内に受光素子22を備えている。受光素子22には、投光素子21から投光される近赤外光Rに対応した950nm受光シリコンフォトダイオードが用いられている。ハウジング12a受光面側には、透明部材からなるレンズ部材23が設けられており、投光素子21からの光は、レンズ部材23を透過してハウジング12a内に入射し、そのハウジング12a内の受光素子22の受光面で受光されるようになっている。また、受光器12のハウジング12a内には、光軸合わせ用の表示灯24が設けられており、表示灯24が発する光は、受光器12の受光面側のレンズ部材23を介して視認することが可能となっている。ここで、受光素子22に用いる950nm受光シリコンフォトダイオードの分光感度特性を図2に示す。同図に示すように、950nm受光シリコンフォトダイオードの受光感度は、受光する光の波長によって異なっており、950nm付近の波長の光を受光する感度が最も高く、図2のグラフではそのピーク波長の受光感度を1基準値としている。受光感度のピーク波長よりも短波長側を見ると、受光する光の波長が短い程、受光感度が低く、850nmの波長の光の受光感度はおよそ0.9で、750nmの波長の光の受光感度は0に近い値となっている。一方、受光感度のピーク波長よりも長波長側では、受光する光の波長が長い程、受光感度が低く、1000nmの波長の光の受光感度はおよそ0.9で、1050nmの波長の光の受光感度はおよそ0.5であり、1150nmの波長の光の受光感度は0に近い値となっている。受光素子22は、以上のような特性を有する950nm受光シリコンフォトダイオードの受光面にカットフィルタ22aが蒸着されて構成されている。カットフィルタ22aは、900nm以下の波長の光を除去するものであり、このため、受光素子22の受光面には、900nmよりも長波長の光のみが受光されるようになっている。外乱光の一例として太陽光の分光放射分布特性を図3に示す。同図に示すように、太陽光の光強度は、可視光領域で最も高く、可視光よりも長波長側においては、900nm以下の領域でも比較的高くなっている。ここで、本実施形態の受光素子22の受光面には、900nm以下の波長の光を除去するカットフィルタ22aが設けられているため、太陽光のうち、光強度が高く誤検出の原因となりえる900nm以下の波長の光は、カットフィルタ22aによって除去されて受光素子22で受光されないようになっている。一方、太陽光において、900nmよりも長波長領域での光強度は比較的小さく、また、この長波長領域の受光素子22の受光感度は低いため、この長波長領域の太陽光によっては受光素子22の誤検出が起こりにくくなっている。また、太陽光の光強度は、900nm~1000nmの波長領域で急激に落ち込む特性があり、この波長領域内においては約940nmで最も低くなっている。そして、本実施形態の受光素子22には、930nm~950nmの波長の光を受光する感度が最も高い特性を有するフォトダイオードが用いられているため、外乱光太陽光による誤検出が特に起こりにくくなっている。次に、本実施形態の作用について説明する。制御部13は、投光素子21から近赤外光Rを投光させ、その光路上に検出物としてのワークWが無いときには、近赤外光Rがカットフィルタ22aを介して受光素子22の受光面で受光される。このとき、受光素子22から制御部13に出力される受光信号は、所定の閾値以上となり、制御部13はワークWが近赤外光Rの光路上に無いと判定する。一方、ワークWが投光素子21から投光された近赤外光Rを遮る位置にあると、受光素子22から制御部13に出力される受光信号が前記閾値を下回り、制御部13はワークWが近赤外光Rの光路上に有ると判定する。ここで、本実施形態の光電センサ10では、受光素子22の受光面にカットフィルタ22aが設けられているため、太陽光や工場内の蛍光灯照明の光等の外乱光の900nm以下の波長の光は、カットフィルタ22aによって除去されて受光素子22で受光されないようになっている。これにより、短波長領域の外乱光によるワークWの誤検出は、極力生じないようになっている。一方、外乱光の900nmよりも長波長領域の光は、その強度自体が低く、また、受光素子22の受光感度特性により受光されにくいため、長波長領域の外乱光によるワークWの誤検出は生じにくくなっている。つまり、本実施形態では、900nm以下の波長の光を除去するカットフィルタ22aのみのフィルタ構成で、外乱光の短波長領域の光及び長波長領域の光による誤検出の発生が抑えられるようになっている。次に、投光器11と受光器12を設置する際の光軸合わせについて説明する。まず、受光器12を所定位置に設定し、次に、ユーザが投光器11を持って、その投光器11から近赤外光Rを投光させた状態で投光素子21と受光素子22の光軸を合わせる。投光素子21と受光素子22の光軸を合うと、制御部13は受光素子22からの受光信号に基づき表示灯24を点灯させる。このとき、表示灯24は、レンズ部材23透明部材を介して受光器12の受光面側で点灯するため、ユーザは、投光器11を持って光軸合わせの作業をしたまま表示灯24の点灯を視認することができ、これにより、光軸合わせの作業性が向上されるようになっている。次に、本実施形態の特徴的な効果を記載する。1制御部13は、投光素子21から投光された光を受光素子22で受光し、該受光素子22から出力される受光信号に基づいてワークWの有無を検出する。そして、投光素子21は、パワーが900nm以上の波長でピークとなる近赤外光Rを投光するものであり、受光素子22は、近赤外光Rに対応したフォトダイオードであり、該受光素子22の前段には、900nm以下の波長の光を除去するカットフィルタ22aが設けられる。これにより、受光素子22の長波長帯例えば、1050nm以上の波長帯での受光感度が小さい図2参照ため、長波長帯の光を除去するためのフィルタを設けずとも、長波長帯の外乱光による誤検出の発生を抑えることが可能となる。一方、短波長帯の外乱光900nm以下の波長の光は、受光素子22の前段に設けられたカットフィルタ22aによって除去されるため、短波長帯の外乱光による誤検出の発生を抑えることが可能となる。これにより、特殊なフィルタを用いず、投光素子21のピーク波長即ち、受光素子22の受光感度のピーク波長よりも短波長側をカットするカットフィルタ22aのみのフィルタ構成とすることで低コスト化を実現しつつ、短波長側及び長波長側の外乱光による誤検出の発生を抑えることが可能となる。2カットフィルタ22aが受光素子22の受光面に一体に設けられるため、カットフィルタ22aを受光素子22とは別に設ける構成に比べて構成の簡素化に寄与できる。3カットフィルタ22aが受光素子22の受光面に蒸着されるため、カットフィルタ22aを受光素子22の受光面に容易に構成することができる。4受光素子22を有する受光器12は、受光素子22を内部に有するハウジング12aと、ハウジング12aの受光面側に設けられ投光素子21からの光を透過させる透明部材からなるレンズ部材23と、ハウジング12a内に設けられた光軸合わせ用の表示灯24とを備える。これにより、受光素子22に900nm以上の波長でピークとなる近赤外光Rに対応したフォトダイオードを用いることで特殊なフィルタが不要となるため、受光器12のレンズ部材23に特殊なフィルタ加工が施されて可視光を透過させない部材を用いる必要が無くなり、透明部材を用いることができる。このため、ハウジング12a内に設けられた光軸合わせ用の表示灯24の光を、受光面側に設けられたレンズ部材23を通して視認することが可能となり、その結果、光軸合わせの作業中における表示灯24の点灯確認が容易となり、光軸合わせの作業性を向上させることが可能となる。5投光素子21は、パワーが900nm~1000nmの波長でピークとなる近赤外光Rを投光するものであり、受光素子22は、近赤外光Rに対応して、900nm~1000nmの波長の光を受光する感度が最も高い特性を有するフォトダイオードである。外乱光の光強度は、900nm~1000nmの波長領域で急激に落ち込む特性がある図3参照ため、受光素子22の受光感度が最も高くなる波長を900nm~1000nmに設定することで、外乱光による誤検出の発生をより抑えることが可能となる。6投光素子21は、930nm~950nmの波長でピークとなる近赤外光Rを投光するものであり、受光素子22は、近赤外光Rに対応して、930nm~950nmの波長の光を受光する感度が最も高い特性を有するフォトダイオードである。外乱光の光強度は、900nm~1000nmの波長領域内において約940nmで最も低く図3参照、受光素子22の受光感度が最も高くなる波長を930nm~950nmに設定することで、外乱光による誤検出の発生を更に抑えることが可能となる。尚、本発明の実施形態は、以下のように変更してもよい。上記実施形態では、投光素子21に950nm発光LED素子を用い、受光素子22に950nm受光シリコンフォトダイオードを用いたが、これ以外に例えば、ピーク波長が900nm~1000nmの範囲内であれば、ピーク波長が950nm以外の発光LED素子を用いてもよい。また、その場合、受光素子22には、投光素子21のピーク波長に合わせた、900nm~1000nmの範囲内のいずれかの波長の光を受光する感度が最も高い特性を有するシリコンフォトダイオードを用いる。このような構成によっても、長波長側の外乱光の影響を好適に抑えることが可能となるが、その中でも、投光素子21にピーク波長が930~950nmの発光LED素子を用い、受光素子22に930nm~950nmの波長の光を受光する感度が最も高い特性を有するフォトダイオードを用いた構成では、長波長側の外乱光の影響をより好適に抑えることが可能となる。また、その中でも、上記実施形態のように、投光素子21に950nmの発光LED素子を用い、受光素子22に950nm受光シリコンフォトダイオードを用いた構成とすると、長波長側の外乱光の影響を特に好適に抑えることが可能となる。上記実施形態では、カットフィルタ22aは受光素子22の受光面に蒸着される構成としたが、これ以外に例えば、カットフィルタ22aを受光素子22の受光面に接着してもよく、また、カットフィルタを前段に配置されたフィルタ板で構成してもよい。上記実施形態では、投光器11と受光器12とが分離された構成の光電センサ10に適用したが、これ以外に例えば、投光器と受光器が一体型の光電センサに適用してもよい。このような構成において、投光素子と受光素子を内部に収容するハウジングの前面投受光面のレンズ部材を透明部材とし、ハウジング内部に可視光のポインターを設ければ、そのポインターの光を透明のレンズ部材を介してハウジング外部に出射することが可能となる。