"一般式1式中、Mは、金属原子を示し、Xは、一般式2で示されるアルコキシアルキル基式中、n=0又は1、Ra、Rc及びRdは、それぞれ独立に、炭素原子数1~5の直鎖又は分枝状のアルキル基を示し、Rbは、炭素原子数1~8の直鎖又は分枝状のアルキレン基を示す。、Yは、一般式2で示される基又は炭素原子数1~8の直鎖又は分枝状のアルキル基、Zは、水素原子又は炭素原子数1~4の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。mは、配位子の数を示し、金属Mの価数に等しい。但し、MがSrであり、n=1であり、Ra、Rc及びRdが全てメチル基、Rbがメチレン基、Yがt-ブチル基であって、Zが水素原子であることを同時に満たす場合を除く。で示されるアルコキシアルキル基を有するβ-ジケトナトを配位子とすることを特徴とする有機金属錯体。Mが、Sr、Ni、Li、Cu、Zn、Mg、Al、La、Co又はYである請求項1記載の有機金属錯体。請求項1に記載の有機金属錯体、又は請求項1に記載の有機金属錯体の溶媒溶液を金属供給源として用いた化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。請求項1に記載の有機金属錯体、又は請求項1に記載の有機金属錯体の溶媒溶液と、酸素源とを用いた請求項3記載の化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。酸素源が酸素ガスである請求項4記載の金属含有薄膜の製造法。請求項1に記載の有機金属錯体、又は請求項1に記載の有機金属錯体の溶媒溶液と、還元性ガスとを用いた請求項3記載の化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。還元性ガスが水素ガス又はアンモニアガス、もしくはそれらの混合ガスである請求項6記載の金属含有薄膜の製造法。使用する溶媒が、脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類及びエーテル類からなる群より選ばれる少なくとも1種の溶媒である請求項3乃至7のいずれか1項に記載の化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。しかしながら、特許文献1及び2記載のシクロペンタジエニル誘導体を配位子に用いたストロンチウム錯体は、酸素との反応が激し過ぎるために、ストロンチウム含有薄膜製造時の制御に問題があった。又、特許文献3及び4記載のβ-ジケトナト誘導体を配位子としたストロンチウム錯体、例えば、ビス2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ノナンジオナトストロンチウムは、高融点の固体であるために、一定の供給量を保つことが困難である上に、配管閉塞を引き起こす恐れがあるという問題があった。その中でも室温で液体のストロンチウム錯体の提案もなされているが、当該ストロンチウム錯体は、蒸気圧が低く、ストロンチウム含有薄膜製造時のストロンチウム錯体の供給が難しくなってしまう問題があった。以上のように、上記いずれのストロンチウム錯体も何らかの問題を有しており、それらを用いたストロンチウム含有薄膜の製造法は工業的な製造法としては有利ではなかった。また、CVD法で用いられるニッケル錯体のうち、シクロペンタジエニル系ニッケル錯体やテトラキストリフルオロホスフィンニッケル錯体は、蒸気圧が高いものの、空気、水分又は熱に対して不安定であるために取り扱いが難しく、多量に使用する工業的な生産の際には問題であった。又、β-ケトイミナトニッケル錯体やニッケルアミド錯体は高融点の固体であるために、CVD原料用途としては気化量変動の問題があり、更にはCVDでの途中、配管内で閉塞を起こす可能性もある。一方、ニッケルアミノアルコキシド錯体は、一部の錯体で低融点であるものの、その多くは固体であり、水分に対して不安定であるため、その製造や取り扱いに問題があった。以上のように、上記いずれの有機ニッケル錯体も問題を有しており、当該有機ニッケル錯体を用いたニッケル含有薄膜の製造方法は工業的な製造方法としては採用し難かった。また、他の金属錯体に関しても、半導体、電子部品、光学部品など、様々な分野の材料として多くの研究と開発がなされており、特にCVD法による成膜に適した有機金属錯体が求められている。本発明の課題は、即ち、上記問題点を解決し、低融点を有し、且つ熱に対しての安定性に優れるとともに、CVD法による成膜に適した有機金属錯体を提供することにある。又、本発明の課題は、当該有機金属錯体を用いた金属含有薄膜の製造法を提供するものでもある。本発明は以下の事項に関する。1.一般式1式中、Mは、金属原子を示し、Xは、一般式2で示されるアルコキシアルキル基式中、n=0又は1、Ra、Rc及びRdは、それぞれ独立に、炭素原子数1~5の直鎖又は分枝状のアルキル基を示し、Rbは、炭素原子数1~8の直鎖又は分枝状のアルキレン基を示す。、Yは、一般式2で示される基又は炭素原子数1~8の直鎖又は分枝状のアルキル基、Zは、水素原子又は炭素原子数1~4の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。mは、配位子の数を示し、金属Mの価数に等しい。但し、MがSrであり、n=1であり、Ra、Rc及びRdが全てメチル基、Rbがメチレン基、Yがt-ブチル基であって、Zが水素原子であることを同時に満たす場合を除く。で示されるアルコキシアルキル基を有するβ-ジケトナトを配位子とすることを特徴とする有機金属錯体。2.Mが、Sr、Ni、Li、Cu、Zn、Mg、Al、La、Co又はYである上記1記載の有機金属錯体。3.上記1に記載の有機金属錯体、又は上記1に記載の有機金属錯体の溶媒溶液を金属供給源として用いた化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。4.上記1に記載の有機金属錯体、又は上記1に記載の有機金属錯体の溶媒溶液と、酸素源とを用いた上記3記載の化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。5.酸素源が酸素ガスである上記4記載の金属含有薄膜の製造法。6.上記1に記載の有機金属錯体、又は上記1に記載の有機金属錯体の溶媒溶液と、還元性ガスとを用いた上記3記載の化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。7.還元性ガスが水素ガス又はアンモニアガス、もしくはそれらの混合ガスである上記6記載の金属含有薄膜の製造法。8.使用する溶媒が、脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類及びエーテル類からなる群より選ばれる少なくとも1種の溶媒である上記3乃至7のいずれか1項に記載の化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。本発明の有機金属錯体は、低融点を有し、且つ熱に対しての安定性に優れており、CVD法による成膜に適している。また、本発明の有機金属錯体を用いて、CVD法により、良好な成膜特性で、金属含有薄膜を成膜することができる。本発明の有機金属錯体は、アルコキシアルキル基を有するβ-ジケトナトを配位子とする金属錯体であり、前記の一般式1で示される。前記の一般式1において、Mは、金属原子を示し、例えばSr、Ni、Li、Cu、Zn、Mg、Al、La、Co又はYである。好ましい配位子は金属Mによって異なり、MがSrの場合は、n=1であり、Ra、Rc及びRdが全てメチル基、Rbがメチレン基、Yがt-ブチル基であって、Zが水素原子であることは好ましくない。前記の一般式1において、Xは、前記の一般式2で示されるアルコキシアルキル基を示し、一般式2中、n=0又は1であり、Ra、Rc及びRdは、それぞれ独立に、炭素原子数1~5の直鎖又は分枝状のアルキル基を示し、Rbは、炭素原子数1~8の直鎖又は分枝状のアルキレン基を示す。Yは、一般式2で示される基又は炭素原子数1~8の直鎖又は分枝状のアルキル基、Zは、水素原子又は炭素原子数1~4の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。但し、MがSrの場合は、n=1であり、Ra、Rc及びRdが全てメチル基、Rbがメチレン基、Yがt-ブチル基であって、Zが水素原子であることを同時に満たす場合を除く。なお、n=0の場合、2つの-Rb-O-Raは同一でも異なっていてもよく、また、Yが一般式2で示される基である場合、XとYは同一でも異なっていてもよい。Raとしては、炭素原子数1~4の直鎖又は分枝状のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、n-プロピル基がより好ましく、エチル基が特に好ましい。Rbとしては、炭素原子数1~3の直鎖又は分枝状のアルキレン基が好ましく、炭素原子数1~2の直鎖又は分枝状のアルキレン基がより好ましく、メチレン基が特に好ましい。Rc及びRdとしては、炭素原子数1~3の直鎖又は分枝状のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Yとしては、一般式2で示される基、又は炭素原子数1~5の直鎖又は分枝状のアルキル基が好ましく、炭素原子数3~5の直鎖又は分枝状のアルキル基がより好ましく、tert-ブチル基が特に好ましい。Zとしては、水素原子が好ましい。前記の一般式1において、mは、配位子の数を示し、金属Mの価数に等しい。本発明の有機ストロンチウム錯体の具体例としては、例えば、式A3から式A14で示される。本発明の有機ニッケル錯体の具体例としては、例えば、式B3から式B14で示される。本発明のリチウム錯体の具体例としては、例えば、式C3から式C14で示される。本発明の銅錯体の具体例としては、例えば、式D3から式D14で示される。本発明の亜鉛錯体の具体例としては、例えば、式E3から式E14で示される。本発明のマグネシウム錯体の具体例としては、例えば、式F3から式F14で示される。本発明のアルミニウム錯体の具体例としては、例えば、式G3から式G14で示される。本発明のランタン錯体の具体例としては、例えば、式H3から式H14で示される。本発明のイットリウム錯体の具体例としては、例えば、式I3から式I14で示される。本発明のコバルト錯体の具体例としては、例えば、式J3から式J14で示される。本発明の有機金属錯体は、低融点であり、しかも熱安定性が高いため、CVD法での使用におけるバブリング時の長期の加熱においても問題なく使用できる。本発明の有機金属錯体の配位子であるβ-ジケトナトは対応するβ-ジケトンから得られるが、これらのβ-ジケトンは、例えば、式A3のストロンチウム錯体および式B3のニッケル錯体の配位子であるβ-ジケトナトに対応するβ-ジケトン、1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオンは、下記式で示される方法等によって容易に得ることが出来る。なお、本発明の金属錯体は、公知のβ-ジケトナトを配位子とする金属錯体の製造方法を参考にして、例えば、溶媒中で、金属酸化物、金属塩化物、金属水酸化物等の金属化合物と対応するβ-ジケトンとを反応させることにより製造することができる。CVD法においては、薄膜形成のために有機金属錯体を気化させる必要があるが、本発明の有機金属錯体を気化させる方法としては、例えば、有機金属錯体自体を気化室に充填又は搬送して気化させる方法だけでなく、有機金属錯体を適当な溶媒例えば、ヘキサン、オクタン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類;トルエン等の芳香族炭化水素類;テトラヒドロフラン、ジブチルエーテル等のエーテル類等が挙げられる。に希釈した溶液を液体搬送用ポンプで気化室に導入して気化させる方法溶液法も使用出来る。成膜対象物上へのストロンチウム含有薄膜の蒸着方法としては、公知のCVD法で行うことが出来、例えば、常圧又は減圧下にて、ストロンチウム錯体蒸気を酸素源例えば、酸素、オゾン等の酸化性ガス;水;メタノール、エタノール、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブタノール等のアルコール類と共に加熱した成膜対象物上に送り込んでストロンチウム含有薄膜を蒸着させる方法が使用出来る。なお、これらのガス気化した液体も含むは不活性ガス等で希釈されていても良い。又、同様な原料供給により、プラズマCVD法でストロンチウム含有薄膜を蒸着させることも出来る。本発明の有機ストロンチウム錯体を用いてストロンチウム含有薄膜を蒸着させる場合、その蒸着条件としては、例えば、反応系内の圧力は、好ましくは1Pa~200kPa、更に好ましくは10Pa~110kPa、成膜対象物温度は、好ましくは50~900°C、更に好ましくは100~600°C、有機ストロンチウム錯体を気化させる温度は、好ましくは60~400°C、更に好ましくは100~300°Cである。なお、ストロンチウム含有薄膜を蒸着させる際の全ガス量に対する酸素源例えば、酸化性ガス、水蒸気又はアルコール蒸気、もしくはこれらの混合ガスの含有割合としては、好ましくは3~99容量、更に好ましくは5~98容量である。成膜対象物上へのニッケル含有薄膜の蒸着方法としては、公知のCVD法で行うことが出来、例えば、常圧又は減圧下にて、有機ニッケル錯体蒸気を酸素源例えば、酸素、オゾン等の酸化性ガス;水;メタノール、エタノール、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブタノール等のアルコール類又は還元性ガス例えば、水素ガス、アンモニアガスと共に加熱した成膜対象物上に送り込んでニッケル含有薄膜を蒸着させる方法が使用出来る。なお、これらのガス気化した液体も含むは不活性ガス等で希釈されていても良い。又、同様な原料供給により、プラズマCVD法でニッケル含有薄膜を蒸着させることも出来る。本発明の有機ニッケル錯体を用いてニッケル含有薄膜を蒸着させる場合、その蒸着条件としては、例えば、反応系内の圧力は、好ましくは1Pa~200kPa、更に好ましくは10Pa~110kPa、成膜対象物温度は、好ましくは50~900°C、更に好ましくは100~600°C、有機ニッケル錯体を気化させる温度は、好ましくは30~250°C、更に好ましくは60~200°Cである。なお、ニッケル含有薄膜を蒸着させる際の全ガス量に対する酸素源例えば、酸化性ガス、水蒸気又はアルコール蒸気、もしくはこれらの混合ガス又は還元性ガス例えば、水素ガス又はアンモニアガス、もしくはこれらの混合ガスの含有割合としては、好ましくは3~99容量、更に好ましくは5~98容量である。他の金属含有薄膜も、上記のストロンチウム含有薄膜及びニッケル含有薄膜と同様にして成膜することができる。次に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。実施例1ビス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトストロンチウムIIストロンチウム錯体A3;以下、ストロンチウム錯体3と称するの合成攪拌装置、温度計を備えた内容積100mlのフラスコに、酸化ストロンチウム0.4g3.9mmol及びテトラヒドロフラン10mlを加えた。次いで、1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオン1.7g6.1mmolを水冷下にて滴下させた後、水0.2gを滴下して1時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下にて濃縮し、濃縮物にヘキサン10mlを加えた。得られた溶液を濾過後、濾液を濃縮した後に、濃縮物を減圧蒸留310°C、16Paして、黄色固体として、ビス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトストロンチウムII1.3gを得た単離収率:62.5。ビス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトストロンチウムIIは、以下の物性値で示される新規な化合物である。1H-NMRCDCl3,δppm;1.04~1.1136H,m、3.324H,s、3.474H,q、5.502H,sIRneatcm-1;2967、2868、1596、1503、1427、1359、1223、1179、1123、1068、870、790、749、474元素分析C26H46O6Sr;炭素:57.4、水素:8.8、ストロンチウム:16.0理論値;炭素:57.6、水素:8.6、ストロンチウム:16.2融点;40~44°C実施例2ビス2,2-ビスメトキシメチル-6,6-ジメチル-3,5-ヘプタンジオナトストロンチウムIIストロンチウム錯体A13;以下、ストロンチウム錯体13と称するの合成攪拌装置、温度計を備えた内容積100mlのフラスコに、酸化ストロンチウム0.2g1.9mmol及びテトラヒドロフラン5mlを加えた。次いで、2,2-ビスメトキシメチル-6,6-ジメチル-3,5-ヘプタンジオン0.7g2.9mmolを水冷下にて滴下させた後、水0.2gを滴下して1時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下にて濃縮し、濃縮物にヘキサン10mlを加えた。得られた溶液を濾過後、濾液を濃縮した後に、濃縮物を減圧蒸留320°C、16Paして、黄色固体として、ビス2,2-ビスメトキシメチル-6,6-ジメチル-3,5-ヘプタンジオナトストロンチウムII0.5gを得た単離収率:61.0。ビス2,2-ビスメトキシメチル-6,6-ジメチル-3,5-ヘプタンジオナトストロンチウムIIは、以下の物性値で示される新規な化合物である。1H-NMRCDCl3,δppm;1.0324H,m、3.3616H,m、3.574H,d、5.382H,sIRneatcm-1;2966、1596、1606、1532、1499、1429、1389、1361、1272、1225、1174、1123、1080、1019、861、794、735、475元素分析C26H46O8Sr;炭素:54.6、水素:8.2、ストロンチウム:15.1理論値;炭素:54.4、水素:8.1、ストロンチウム:15.3融点;75~79°C実施例3ビス2,2-ビスエトキシメチル-6,6-ジメチル-3,5-ヘプタンジオナトストロンチウムIIストロンチウム錯体A14;以下、ストロンチウム錯体14と称するの合成攪拌装置、温度計を備えた内容積100mlのフラスコに、酸化ストロンチウム0.2g1.9mmol及びテトラヒドロフラン10mlを加えた。次いで、2,2-ビスエトキシメチル-6,6-ジメチル-3,5-ヘプタンジオン0.8g2.9mmolを水冷下にて滴下させた後、水0.2gを滴下して1時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下にて濃縮し、濃縮物にヘキサン10mlを加えた。得られた溶液を濾過後、濾液を濃縮した後に、濃縮物を減圧蒸留320°C、35Paして、黄色固体として、ビス2,2-ビスエトキシメチル-6,6-ジメチル-3,5-ヘプタンジオナトストロンチウムII0.4gを得た単離収率:43.2。ビス2,2-ビスエトキシメチル-6,6-ジメチル-3,5-ヘプタンジオナトストロンチウムIIは、以下の物性値で示される新規な化合物である。1H-NMRCDCl3,δppm;1.0224H,s、1.1612H,t、3.504H,d、3.5912H,m、5.402H,sIRneatcm-1;2966、1596、1606、1532、1499、1429、1389、1361、1272、1225、1174、1123、1080、1019、861、794、735、475元素分析C30H54O8Sr;炭素:57.4、水素:8.7、ストロンチウム:13.8理論値;炭素:57.2、水素:8.6、ストロンチウム:13.9融点;40°C実施例4ビス1-n-プロポキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトストロンチウムIIストロンチウム錯体A5;以下、ストロンチウム錯体5と称するの合成攪拌装置、温度計を備えた内容積100mlのフラスコに、水酸化ストロンチウム8水和物2.72g10.2mmol及びテトラヒドロフラン20mlを加えた。次いで、n-プロポキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオン4.9g20.1mmolを水冷下にて滴下させて1時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下にて濃縮し、濃縮物にヘキサン40mlを加えた。得られた溶液を濾過後、濾液を濃縮した後に、濃縮物を減圧蒸留310°C、18Paして、黄色高粘性液体として、ビス1-n-プロポキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトストロンチウムII3.9gを得た単離収率:67.4。ビス1-n-プロポキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトストロンチウムIIは、以下の物性値で示される新規な化合物である。1H-NMRCDCl3,δppm;0.836H,t、1.04~1.0730H,m、1.544H,m、3.358H,m、5.502H,sIRneatcm-1;2963、2873、1595、1502、1427、1359、1223、1122、1073、868、790、749、474元素分析C28H50O6Sr;炭素:60.0、水素:8.9、ストロンチウム:15.2理論値;炭素:59.0、水素:8.8、ストロンチウム:15.4実施例5熱安定性の評価本発明のビス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトストロンチウムIIストロンチウム錯体3、及び一般的に広く使用されているビスジピバロイルメタナトストロンチウムIISrdpm2;市販品を昇華精製して使用したの熱安定性の評価を行った。その結果を図1に示した。図1のTGデータの結果より、本発明のストロンチウム錯体3は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。また、本発明のビス1-n-プロポキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトストロンチウムIIストロンチウム錯体5の熱安定性の評価を行った。その結果を図2に示した。図2のTGデータの結果より、本発明のストロンチウム錯体5は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。実施例6~9蒸着実験;ストロンチウム含有薄膜の製造実施例1~4で得られた有機ストロンチウム錯体を用いて、CVD法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。評価試験には、図3に示す装置を使用した。気化器5ガラス製アンプルにあるストロンチウム錯体7は、ヒーター6で加熱されて気化し、マスフローコントローラー1Aを経て導入されたヘリウムガスに同伴し気化器5を出る。気化器5を出たガスは、マスフローコントローラー1Bで導入された酸素ガスとともに反応器11に導入される。反応系内圧力は真空ポンプ手前のバルブ14の開閉により、所定圧力にコントロールされ、圧力計12によってモニターされる。ガラス製反応器の中央部はヒーター10で加熱可能な構造となっている。反応器に導入されたストロンチウム錯体は、反応器内中央部にセットされ、ヒーター10で所定の温度に加熱された被蒸着基板9の表面上で反応分解し、基板9上に酸化ストロンチウム膜が析出する。反応器11を出たガスは、トラップ13、真空ポンプを経て、大気中に排気される構造となっている。蒸着結果成膜特性を表1に示す。なお、ストロンチウム含有薄膜の製造における共通蒸着条件は以下の通りである。ストロンチウム錯体気化温度;220°CHeキャリアー流量;30ml/min.酸素流量;350ml/min.蒸着基板;SiO2/Si6mm×20mmサイズ基板温度;525°C反応系内圧力;3990Pa蒸着時間;30分該結果より、本発明の有機ストロンチウム錯体アルコキシアルキル基を有するβ-ジケトナトを配位子とするストロンチウム錯体を用いることにより、優れた特性を有するストロンチウム含有薄膜を製造することが可能であることが分かる。実施例10ビス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトニッケルIIニッケル錯体B3;以下、ニッケル錯体3と称するの合成攪拌装置、温度計を備えた内容積100mlのフラスコに、28のナトリウムメトキシドメタノール溶液3.62g18.8mmolを加えた後、室温にて、1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオン4.35g19.0mmolを滴下した。滴下終了後、塩化ニッケル6水和物2.22g9.34mmolをメタノール15mlに溶かしたメタノール溶液を滴下し、その後、攪拌しながら5分間反応させた。反応終了後、水30ml及びメチルシクロヘキサン50mlを加えて分液し、得られた有機層を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留200°C、15Paし、粘性のある暗緑色粘性液体として、ビス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトニッケルII4.41gを得た単離収率;92。IRneatcm-1;2967、2931、2903、2867、1587、1528、1501、1419、1360、1111、1069、875、791、755、487元素分析C26H46O6Ni;炭素:60.7、水素:9.00、ニッケル:11理論値;炭素:60.8、水素:9.03、ニッケル:11.4MSm/e;512、455、286、57実施例11熱安定性の評価本発明のビス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトニッケルIIニッケル錯体3の熱安定性の評価を行った。その結果を図4に示した。図4のTGデータの結果より、本発明のニッケル錯体3は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。実施例12~14蒸着実験;ニッケル含有薄膜の製造実施例10で得られたニッケル錯体を用いて、CVD法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。評価試験には、図5に示す装置を使用した。気化器3ガラス製アンプルにあるニッケル錯体20は、ヒーター10Bで加熱されて気化し、マスフローコントローラー1Aを経て予熱器10Aで予熱後導入されたヘリウムガスに同伴し気化器3を出る。気化器3を出たガスは、マスフローコントローラー1B、ストップバルブ2を経て導入された酸素ガス、水素ガスもしくはアンモニアガスとともに反応器4に導入される。反応系内圧力は真空ポンプ手前のバルブ6の開閉により、所定圧力にコントロールされ、圧力計5によってモニターされる。反応器の中央部はヒーター10Cで加熱可能な構造となっている。反応器に導入されたニッケル錯体は、反応器内中央部にセットされ、ヒーター10Cで所定の温度に加熱された被蒸着基板21の表面上で酸化熱分解もしくは還元分解され、基板21上にニッケル含有薄膜が析出する。反応器4を出たガスは、トラップ7、真空ポンプを経て、大気中に排気される構造となっている。蒸着条件及び蒸着結果成膜特性を表2に示す。なお、被蒸着基板としては、6mm×20mmサイズの矩形のものを使用した。該結果より、本発明の有機ニッケル錯体アルコキシアルキル基を有するβ-ジケトナトを配位子とする有機ニッケル錯体を用いることにより、優れた特性を有するニッケル含有薄膜を製造することが可能であることが分かる。実施例151-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトリチウムIリチウム錯体C3;以下、リチウム錯体3と称するの合成攪拌装置、温度計を備えた内容積100mlのフラスコに、28ナトリウムメトキシドのメタノール溶液5.05g26.2mmol及びメタノール10mlを加え、氷冷下、1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオン6.06g26.5mmolをゆるやかに滴下し、5分間攪拌させた。次いで、塩化リチウムI1.08g25.5mmolをメタノール10mlに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら30分間反応させた。その後、メチルシクロヘキサン40ml及び水40mlを加え、有機層を分液し、水洗した有機層を濃縮した。その濃縮物を減圧蒸留185°C、23Paし、黄色固体として、1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトリチウムI1.58gを得た単離収率:26.5。1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトリチウムIは、以下の物性値で示される新規な化合物である。1H-NMRCDCl3,δppm;1.099H,s、1.13~1.169H,m、3.362H,s、3.642H,q、5.531H,sIRneatcm-1;2965、2868、1609、1503、1432、1389、1362、1303、1223、1121、1090、867、790、748、613、557、518元素分析C13H23O3Li;炭素:67.0、水素:10.0、リチウム:29.8理論値;炭素:66.7、水素:9.9、リチウム:30.0MSm/e;510、453、241、183、57融点;78~81°C実施例16熱安定性の評価本発明の1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトリチウムIリチウム錯体3の熱安定性の評価を行った。その結果を図6に示した。図6のTGデータの結果より、本発明のリチウム錯体3は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。実施例17ビス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナト銅II銅錯体D3;以下、銅錯体3と称するの合成攪拌装置、温度計を備えた内容積100mlのフラスコに、水酸化銅1.24g12.7mmol、1,2-ジメトキシエタン12ml、1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオン3.26g14.3mmol及び水1mlを入れ、室温下、攪拌しながら30分間反応させた。反応終了後、濾過を行い、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留170°C、27Paし、粘性のある暗緑色粘性液体として、ビス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナト銅II0.28gを得た単離収率:7.6。ビス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナト銅IIは、以下の物性値で示される新規な化合物である。IRneatcm-1;2968、2868、1552、1504、1405、1361、1273、1227、1176、1115、877、793、757元素分析C26H46O6Cu;炭素:61.0、水素:9.1、銅:12.2理論値;炭素:60.3、水素:9.0、銅:12.3MSm/e;517、460、289、233、101、57実施例18熱安定性の評価本発明のビス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナト銅II銅錯体3の熱安定性の評価を行った。その結果を図7に示した。図7のTGデータの結果より、本発明の銅錯体3は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。実施例19ビス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナト亜鉛II亜鉛錯体E3;以下、亜鉛錯体3と称するの合成攪拌装置、温度計を備えた内容積100mlのフラスコに、水酸化ナトリウム0.60g12.0mmol、メタノール13ml及び水1mlを加え、氷冷下、1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオン3.60g15.8mmolをゆるやかに滴下し、5分間攪拌させた。次いで、塩化亜鉛II1.06g7.8mmolをメタノール13mlに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら30分間反応させた。その後、メチルシクロヘキサン30ml及び水30mlを加え、有機層を分液し、水洗後有機層を濃縮した。その濃縮物を減圧蒸留170°C、24Paし、粘性のある淡黄色液体として、ビス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナト亜鉛II1.17gを得た単離収率:30.0。ビス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナト亜鉛IIは、以下の物性値で示される新規な化合物である。1H-NMRCDCl3,δppm;1.13~1.1936H,m、3.414H,s、3.45~3.504H,m、5.802H,sIRneatcm-1;2969、2868、1551、1505、1388、1359、1224、1114、875、795元素分析C26H45O6Zn;炭素:60.2、水素:9.0、亜鉛:12.4理論値;炭素:60.1、水素:8.9、亜鉛:12.6実施例20熱安定性の評価本発明のビス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナト亜鉛II亜鉛錯体3の熱安定性の評価を行った。その結果を図8に示した。図8のTGデータの結果より、本発明の亜鉛錯体3は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。実施例21ビス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトマグネシウムIIマグネシウム錯体F3;以下、マグネシウム錯体3と称するの合成攪拌装置、温度計を備えた内容積100mlのフラスコに、水酸化マグネシウム0.52g8.9mmol及びメタノール13ml、1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオン5.06g22.2mmol及び水5mlを入れ、室温下、攪拌しながら30分間反応させた。反応終了後、反応液を濃縮し、濃縮物を減圧蒸留230°C、27Paし、白色固体として、ビス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトマグネシウムII3.11gを得た単離収率:73.0。ビス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトマグネシウムIIは、以下の物性値で示される新規な化合物である。1H-NMRCDCl3,δppm;1.06~1.1736H,m、3.404H,s、3.46~3.534H,m、5.582H,sIRneatcm-1;2967、2865、1595、1529、1505、1435、1387、1357、1126、1069、876、795、755元素分析C26H46O6Mg;炭素:65.0、水素:9.5、マグネシウム:12.0理論値;炭素:65.2、水素:9.7、マグネシウム:5.1MSm/e;510、421、377、251、183、101、57融点;65~68°C実施例22熱安定性の評価本発明のビス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトマグネシウムIIマグネシウム錯体3の熱安定性の評価を行った。その結果を図9に示した。図9のTGデータの結果より、本発明のマグネシウム錯体3は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。実施例23トリス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトアルミニウムIIIアルミニウム錯体G3;以下、アルミニウム錯体3と称するの合成攪拌装置、温度計を備えた内容積100mlのフラスコに、28ナトリウムメトキシドのメタノール溶液3.04g15.8mmol及びメタノール10mlを加え、氷冷下、1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオン3.80g16.6mmolをゆるやかに滴下し、5分間攪拌させた。次いで、塩化アルミニウムIII0.67g5.0mmolをメタノール10mlに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら30分間反応させた。その後、メチルシクロヘキサン30ml及び水30mlを加え、有機層を分液し、水洗後有機層を濃縮した。その濃縮物を減圧蒸留180°C、23Paし、白色固体として、トリス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトアルミニウムIII2.46gを得た単離収率:69.1。トリス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトアルミニウムIIIは、以下の物性値で示される新規な化合物である。1H-NMRCDCl3,δppm;1.05~1.1354H,m、3.41~3.4512H,m、5.673H,sIRneatcm-1;2968、2868、1579、1540、1510、1434、1398、1280、1175、1149、1116、880、795、659、535元素分析C39H69O9Al;炭素:66.0、水素:9.8、アルミニウム:3.8理論値;炭素:66.1、水素:9.8、アルミニウム:3.8MSm/e;708、481、422、57融点;77~88°C実施例24熱安定性の評価本発明のトリス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトアルミニウムIIIアルミニウム錯体3の熱安定性の評価を行った。その結果を図10に示した。図10のTGデータの結果より、本発明のアルミニウム錯体3は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。実施例25トリス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトランタンIIIランタン錯体H3;以下、ランタン錯体3と称するの合成攪拌装置、温度計を備えた内容積100mlのフラスコに、28ナトリウムメトキシドのメタノール溶液3.01g15.6mmol及びメタノール5mlを加え、氷冷下、1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオン3.69g16.2mmolをゆるやかに滴下し、5分間攪拌させた。次いで、塩化ランタンIII7水和物1.89g5.1mmolをメタノール10mlに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら30分間反応させた。その後、メチルシクロヘキサン30ml及び水30mlを加え、有機層を分液し、水洗後有機層を濃縮した。その濃縮物を減圧蒸留220°C、23Paし、淡黄色の粘性液体として、トリス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトランタンIII3.79gを得た単離収率:90.7。トリス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトランタンIIIは、以下の物性値で示される新規な化合物である。1H-NMRCDCl3,δppm;0.97~1.1654H,m、3.386H,s、3.43~3.526H,q、5.673H,sIRneatcm-1;2969、2867、1574、1533、1503、1412、1359、1224、1174、1119、870、792、751、475元素分析C39H69O9La;炭素:57.2、水素:8.6、ランタン:16.7理論値;炭素:57.1、水素:8.5、ランタン:16.9MSm/e;820、719、593、510、411、353、127、57実施例26熱安定性の評価本発明のトリス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトランタンIIIランタン錯体3の熱安定性の評価を行った。その結果を図11に示した。図11のTGデータの結果より、本発明のランタン錯体3は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。実施例27トリス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトイットリウムIIIイットリウム錯体I3;以下、イットリウム錯体3と称するの合成攪拌装置、温度計を備えた内容積100mlのフラスコに、28ナトリウムメトキシドのメタノール溶液3.10g16.1mmol及びメタノール3mlを加え、氷冷下、1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオン3.80g16.6mmolをゆるやかに滴下し、5分間攪拌させた。次いで、塩化イットリウムIII6水和物1.58g5.2mmolをメタノール10mlに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら30分間反応させた。その後、メチルシクロヘキサン30ml及び水30mlを加え、有機層を分液し、水洗後有機層を濃縮した。その濃縮物を減圧蒸留190°C、28Paし、淡黄色の粘性液体として、トリス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトイットリウムIII3.26gを得た単離収率:81.2。トリス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトイットリウムIIIは、以下の物性値で示される新規な化合物である。1H-NMRCDCl3,δppm;1.03~1.1554H,m、3.396H,s、3.42~3.486H,q、5.743H,sIRneatcm-1;2966、2868、1575、1538、1506、1422、1359、1226、1174、1108、872、793、759、475元素分析C39H69O9Y;炭素:61.1、水素:9.2、イットリウム:16.4理論値;炭素:60.8、水素:9.0、イットリウム:11.5MSm/e;770、713、669、625、543、499、441、328、171、127、57実施例28熱安定性の評価本発明のトリス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトイットリウムIIIイットリウム錯体3の熱安定性の評価を行った。その結果を図12に示した。図12のTGデータの結果より、本発明のイットリウム錯体3は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。実施例29ビス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトコバルトIIコバルト錯体J3;以下、コバルト錯体3と称するの合成攪拌装置、温度計を備えた内容積100mlのフラスコに、28ナトリウムメトキシドのメタノール溶液3.08g16.0mmol及びメタノール5mlを加え、氷冷下、1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオン3.76g16.5mmolをゆるやかに滴下し、5分間攪拌させた。次いで、塩化コバルトII1.02g7.9mmolをメタノール10mlに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら30分間反応させた。その後、メチルシクロヘキサン30ml及び水30mlを加え、有機層を分液し、水洗後有機層を濃縮した。その濃縮物を減圧蒸留170°C、27Paし、暗赤色の粘性液体として、ビス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトコバルトII3.83gを得た単離収率:95.0。ビス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトコバルトIIは、以下の物性値で示される新規な化合物である。IRneatcm-1;2967、2865、1584、1535、1502、1449、1424、1358、1123、1061、874、793、754、610、483元素分析C26H46O6Co;炭素:61.0、水素:9.1、コバルト:11.3理論値;炭素:60.8、水素:9.0、コバルト:11.5MSm/e;513、510、456、385、286、171、101、57実施例30熱安定性の評価本発明のビス1-エトキシ-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトコバルトIIコバルト錯体3の熱安定性の評価を行った。その結果を図13に示した。図13のTGデータの結果より、本発明のコバルト錯体3は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。"