金属基板、および該金属基板に結合した端子チップからなり、前記端子チップが、取り付けパッドに電気的に結合したダイ接触パッドおよび前記金属基板と前記ダイ接触パッドとの間に電気的な分離を確保するように構成した分離機能部を有し、前記ダイ接触パッドを電子素子成分に電気的に接続するように構成されたことを特徴とする電子素子成分のパッケージ。前記金属基板を折りたたんで成形用キャビティを形成した請求項1に記載のパッケージ。前記金属基板に、折りたたみを容易にする強度の弱いスポットウインドを形成した請求項2に記載のパッケージ。成形用キャビティウインドを形成した金属ストリップからなり、この金属ストリップを前記金属基板に積層して成形用キャビティを形成した請求項1に記載のパッケージ。前記パッケージの一体的部分としてヒートシンク素子を形成した請求項1に記載のパッケージ。前記金属基板が、少なくとも一つの金属処理層を有する請求項1に記載のパッケージ。前記金属基板が、Ni層およびAu層からなる第1メッキ層を有する請求項6に記載のパッケージ。前記金属基板が、半田からなる第2の選択的メッキ層を有する請求項7に記載のパッケージ。さらに、前記金属基板に結合した発光ダイオードLEDからなる請求項1に記載のパッケージ。共融ボンドを介して前記LEDを前記金属基板に結合した請求項9に記載のパッケージ。さらに、前記金属基板に結合した静電放電ESD保護装置からなる請求項9に記載のパッケージ。さらに、前記金属基板に一体化した複数の角度の付いたダイ平面からなり、これら角度の付いたダイ平面について複数の発光ダイオードを取り付けることができるように構成した請求項1に記載のパッケージ。前記端子チップが、さらに複数の埋設回路成分からなる請求項1に記載のパッケージ。前記端子チップが、さらに前記金属基板と前記端子チップとの間に電気的な分離を確保できるように構成した金属処理セラミック基体からなる請求項1に記載のパッケージ。前記端子チップが、前記金属基板に半田付けできるように構成したセラミック基板および上部、下部および側部銅パッドからなる請求項1に記載のパッケージ。電子素子成分パッケージを形成する方法であって、金属基板を用意する工程、前記金属基板に端子チップを結合する工程であって、該端子チップが、取り付けパッドに電気的に結合したダイ接触パッドおよび前記金属基板と前記ダイ接触パッドとの間に電気的な分離を確保するように構成した分離機能部を有する工程、および前記電子素子成分を前記ダイ接触パッドに電気的に接続する工程からなることを特徴とする方法。前記金属基板を折りたたんで成形用キャビティを形成する請求項16に記載の方法。前記金属基板に、折りたたみを容易にする強度の弱いスポットウインドを形成する請求項17に記載の方法。成形用キャビティウインドを形成した金属ストリップを前記金属基板に積層して成形用キャビティを形成する請求項16に記載の方法。さらに前記パッケージの一体的部分としてヒートシンク機能部を形成する請求項16に記載の方法。さらに前記金属基板を少なくとも一つのメッキ層でメッキすることからなる請求項16に記載の方法。前記金属基板にNi層およびAu層からなる第1メッキ層を形成する請求項21に記載の方法。さらに半田層を選択的にメッキすることによって前記金属基板に第2メッキ層を形成することからなる請求項22に記載の方法。さらに前記金属基板に発光ダイオードLEDを取り付けることからなる請求項16に記載の方法。さらに共融ボンドを介して前記LEDを前記金属基板に結合することからなる請求項16に記載の方法。さらに前記金属基板に静電放電ESD保護装置に取り付けることからなる請求項16に記載の方法。さらに前記金属基板に複数の角度の付いたダイ平面を形成することからなり、これら角度の付いたダイ平面について複数の発光ダイオードを取り付けることができるように構成した請求項16に記載の方法。前記端子チップが、さらに複数の埋設回路成分からなる請求項16に記載の方法。前記端子チップが、さらに前記金属基板と前記端子チップとの間に電気的な分離を確保できるように構成した金属処理セラミック基体からなる請求項16に記載の方法。前記端子チップが、前記金属基板に半田付けできるように構成したセラミック基板および上部、下部および側部銅パッドからなる請求項16に記載の方法。ダイ接触パッドを有する第1端子およびワイヤボンディングパッドを有する第2端子を有する金属基板、およびこれら端子を設け、固定するように構成したパッケージトップであって、該パッケージトップに、前記ダイ接触パッドおよび前記ワイヤボンディングパッドが露出するように構成したキャビティを形成し、そして電子素子成分に電気的に接続するように前記ダイ接触パッドを構成したパッケージトップからなることを特徴とする電子素子成分の電気パッケージ。前記パッケージトップに凸部を形成し、そして前記金属基板にこの凸部を受け取る寸法のスロットを形成した請求項31に記載のパッケージ。前記凸部により前記第1端部および第2端部を電気的に分離した請求項32に記載のパッケージ。前記金属基板が、少なくとも一つのメッキ層を有する請求項31に記載のパッケージ。前記金属基板の上面を金層でメッキした請求項31に記載のパッケージ。前記金属基板の下面を半田層でメッキした請求項31に記載のパッケージ。さらに、半導体ダイを前記キャビティに取り付け、前記ダイ接触パッドに電気的に接続した請求項31に記載のパッケージ。前記半導体ダイが発光ダイオードLEDからなる請求項37に記載のパッケージ。共融ボンドを介して前記LEDを前記金属基板に結合した請求項38に記載のパッケージ。さらに、前記半導体ダイの少なくとも一部を前記ワイヤボンディングパッドに電気的に接続するワイヤボンドからなる請求項37に記載の電気パッケージ。さらに、前記金属基板に結合した静電放電ESD保護装置からなる請求項31に記載の電気パッケージ。さらに、前記金属基板に集積化した複数の角度の付いたダイ平面を形成し、これら角度の付いたダイ平面について複数の発光ダイオードを取り付けることができるように構成した請求項31に記載の電気パッケージ。接着剤および導電性材料のうち少なくとも一つによって前記パッケージトップを前記金属基板に結合した請求項31に記載の電気パッケージ。前記パッケージトップを前記金属基板に成形した請求項31に記載の電気パッケージ。さらに、前記キャビティを充填する成形用材料からなる請求項31に記載の電気パッケージ。各種のパッケージング法を利用して、熱問題に対処できる。例えば、高い熱伝導性のセラミック基体に基づくパッケージ。金属リードフレームを備えたLTCCまたは成形化合物に基づくパッケージ。これらパッケージには、金属ヒートシンクを形成することができる。金属コア式、または金属バック式印刷回路基盤に基づくパッケージ。以下、金属基板ストリップから発光ダイオードLEDなどの電気素子成分を製造することについて説明する。このような構造体を使用すると、熱管理を強化した電子素子成分パッケージの製造に有利な作用効果を与える。このような構造体の重要な作用効果は次の通りである。セラミック基板と比較した場合、金属基板を使用すると、より低いコストですぐれた熱伝導性を実現できる。成形リードフレームパッケージと比較した場合、金属基板は、共融ダイボンドの使用を可能にする。成形用化合物は高い温度で分解するが、金属は耐高温性を示す。共融ダイボンドを使用すると、上記ダイと上記パッケージとの間において耐熱性を低くできる。金属基板パッケージの場合、標準的な表面実装法SMT組み立てを可能にする。この作用効果は、金属コアまたは金属バック印刷回路基盤では実現できない。なぜなら、これらの実装法の場合、片面設計のみが実現できるに過ぎないからである。代替的なパッケージング法の場合、熱は、接合部ダイから回路基盤に伝わる。本発明の新規なパッケージング法では、ヒートシンクフィンを金属基板パッケージに集積化することによって、周囲において直接除熱できるだけでなく、従来通り熱を回路基盤に伝えることができる。金属基板パッケージの場合、ダイ組み立て平面とパッケージ組み立て平面との間の角度を選択することができる。異なるダイ平面状態で、複数の発光ダイオードを使用すると、光の放射パターンを改善することができる。この作用効果があるため、同じ目的のためにレンズを使用する必要がなくなる。以下、金属基板電子素子成分パッケージ、および以下の製造方法の組み合わせによってこのパッケージを製造する方法について説明する。なお、以下に示す製造工程を実施する順には制限がなく、また一部の工程を組み合わせて実施してもよく、あるいは実施を省略してもよい。金属基板用化合物については、コスト、熱伝導性、光反射率、熱的機械的特性、製造容易性および電気特性などのパッケージ特性間のバランスが最適化するように選択する。以下の実施例では、銅ストリップを使用する。図1に示すように、金属基板5を機械加工すると、パンチ加工、コイン加工、機械加工、エッチング加工などによるパッケージ製造が容易になる。本実施態様では、金属基板5はパンチ加工金属ストリップである。この金属基板5は、成形用キャビティウインド1、折り曲げ加工用の強度の弱いスポットウインド2、端子キャビティ3およびインデックス孔4を備えたタブからなる。なお、金属基板5に形成したパターンは複製できるため、一つの金属基板ストリップから複数の素子を製造できる。この金属基板5は、機械加工によりダイ組み立て平面とパッケージ組み立て平面との間の角度を選択することができる。金属基板5を金属処理すると、パッケージ特性を促進する。例えば、SMTパッケージ組み立てパッド、共融ダイ取り付けパッド、接着性ダイ取り付けパッド、ボンドワイヤパッド、反射エリア、機械的化学的保護、外観上の必要条件などを改善できる。金属処理工程は、スパッタリング、電気メッキ、無電解メッキ、ディッピング、スクリーン印刷またはその他のペースト塗布法などの一つかそれ以上の方法によって実施できる。図2に示す実施例では、金属基板5は無電解メッキNi、浸漬メッキAuからなる第1金属層6からなる。この層は、ダイ取り付けパッドへのボンディングを改善するものである。図3に示すように、金属基板5の後側表面に第2層7を貼りつける。この実施例では、第2層7は半田の選択的メッキ層である。第2層7は、SMT端子に対するボンディングを改善するものである。図4に、強度の弱いスポットウインド2にそって金属基板ストリップ5を折りたたんだ状態を示す。このような折りたたみ操作は積層機能を実現するもので、成形用キャビティ、光反射面およびまたはヒートシンクフィンなどの素子成分を構成するのに役立つ。この実施例では、成形用キャビティは、成形用キャビティウインド1を備えたタブを折りたたむことによって形成する。あるいは、考えられる別な手段として、成形用キャビティウインドを備えた別なストリップを金属基板上に積層して成形用キャビティを形成することがある。図5Aおよび図5Bに、端子チップ20の形成を示す。この端子チップは、少なくとも一つの上部ダイ接触パッドおよび最低でも一つの下部パッケージSMT半田パッドを有し、これらを電気的に接続する。端子チップは、パッケージ組み立て時にそれぞれ役に立つパッドおよびまたは分離面などの他の機能部を適宜有することができる。また、場合に応じて、端子チップは、接着物質を使用して金属基板パッケージから分離しておく金属で構成することができる。これも場合に応じてであるが、端子チップは、機械的加工時に金属ストリップそれ自体の一環として構成できる。他の回路要素は、端子チップの一環としてパッケージに埋設できる。これら要素としてはデカップリングキャパシタ、直列ヒューズ要素、電流制限抵抗器、温度検出要素、ESD保護ダイオードなどがある。この実施例では、端子チップ20はセラミック基材チップからなり、ビア10を使用して、一つの上部ダイ接触パッド9を下部SMTパッド11に接続する。上部、下部および側部の銅パッド8については、端子チップを直接金属基板に半田付けできるように設計する。分離用上部被覆anisolatingtopcoating12を設けると、金属基板5と端子チップ20との間の電気的分離を確保するのに役立つ。同じ端子チップは、例えば、標準的なPCB製造法を使用して、FR4基体に製造できる。図6に、金属基板パッケージのそれぞれの挿入キャビティ13に挿入した端子チップ20を示す。この工程は、金属基板それ自体を形成する機械的工程時に端子チップが形成される場合には省略できる。この実施例では、独立した一つの端子チップ20を使用する。なお、複数の端子チップも利用することができる。また、独立した一つの端子チップには、複数の電気接触部またはパッドを形成できる。パッケージの一体性を確保するために、接続機構を使用する。この接続機構は、機械的固定ピンソケット、クラスプなど、接着剤、半田などのうち一種か複数からなる。この実施例では、折りたたまれた金属フラップと端子チップ20との間の接続機構として半田リフロー法を使用する。目的の回路要素をパッケージに埋設するために、端子チップを利用できる。これら要素としては、独立した要素または複雑なネットワークがある。例示すると、抵抗器、インダクタ、キャパシタだけでなく、ヒューズ要素、ダイオードおよびまたは他の素子である。特に好適なのは、パッケージ化装置の特性に合わせて加工できる要素を埋設する選択である。例えば、埋設抵抗器をトリミングすると、パッケージ化素子成分のトレランスを代償できる。図7Aに、金属基板5から分離した個々のパッケージを示す。パッケージを分離すると、電子素子成分の金属基板パッケージが得られる。図7Bに、ダイ15、16、ワイヤボンド17およびカプセル化用化合物18を有する組み立て状態のパッケージ40を示す。本実施例では、この方法でハイパワーLED15およびESD保護ダイオード16をパッケージ化する。ワイヤボンド17を使用して、電気的な接続性を確保する。共融ボンドを介して、LED15およびまたはESD保護ダイオード16を金属基板5に実装できる。透明な成形用化合物18を最後に成形用キャビティに設けると、パッケージ装置が完成する。上記に示した実施例は、2端子電子素子成分のパッケージに関する。なお、このパッケージは端子数が3以上の電子素子成分に使用できる。図8に、パッケージ42内に実装した3端子電子素子成分を示す。この実施例では端子チップ50に、例えば上記のようにセラミック製の非導電性基体52を形成する。端子チップの上面は、第1ダイ接触パッド54および第2ダイ接触パッド56を有し、そして端子チップ50の下面は、ダッシュ符号線58、60で示すように対応する第1および第2の取り付けパッドを有する。導電性サイドラップ62を介して第1取り付けパッド58に第1ダイ接触パッド54を電気的に接続し、そして導電性サイドトラップ64を介して第2取り付けパッド60に第2ダイ接触パッド56に電気的に接続する。サイドトラップ62、64は、箔など各種材料から形成できる。なお、ダイ接触パッドと取り付けパッドとの間の電気的接続は、上記のようにビアによって実現できる。金属酸化物半導体MOS電界効果トランジスタFET66などの3端子素子を成形用キャビティ68内に取り付ける。金属基板70に結合したMOSFETの本体が、ソース端子として機能する。ワイヤボンド72によりMOSFETドレイン端子を電気的に第1ダイ接触パッド54に結合し、そしてワイヤボンド74によりMOSFETゲート端子を電気的に第2ダイ接触パッド56に結合する。なお、本発明のパッケージ内には、本明細書に開示した範囲から逸脱せずに、広範な多端子電子素子成分を取り付けることができ、またボンドワイヤ以外の技術を使用してもダイとパッケージとの間に電気的な接続を確保できる。例えば、正面を反転させた状態で、ダイ接触パッドに直接接続できる。上記の実施例は、電子素子成分を取り付ける平坦面を備えたパッケージ構造体に関する例えば、ダイを取り付け面に平行に取り付ける。ダイ取り付け面に角度を付けることが望ましい場合もある。図13Aは、組み立て平面84に対して角度のあるダイ平面82を形成したパッケージ80を示す挿絵風の図であり、そして図13Bは、組み立て平面84に対して角度のあるダイ平面82を形成したパッケージ80を示す側面図である。角度の付いたダイ平面は、スタンピング、グライディングなどの各種の方法によって形成できる。容易に理解できることだが、本開示の範囲から逸脱することなく、このようなパッケージ80には複数の角度のあるダイ平面を形成できる。図14Aに、平坦なダイ取り付け平面92を示す。LED装置94とともに使用した場合、LED放射パターン96の軸98は、ダイ取り付け平面92および金属基板100に対して全体的に直交する。図14Bに、角度の付いたダイ取り付け平面82を備えたパッケージ80を示す。LED装置102とともに使用した場合、LED放射パターン104の軸106は、ダイ取り付け平面82に対して全体的に直交する。このため、パッケージが、組み立て体平面84に対して角度の付いた放射パターン104を発生することができる。なお、このようなパッケージ内には複数のLEDを取り付けることができ、またこのようなLEDを複数の角度で取り付けると、目的の放射パターンを発生できる。別な実施態様では、金属基板およびセラミックあるいはプラスチックの上面は、以下のようにして構成できる。図9に示すように、金属ストリップ20にスロット21、22をパンチ加工してこれを2つの端子23、24に分離し、タイバーtiebarを使用してこれら端子を所定位置に保持し、キャリヤストリップを使用して加工の自動化を容易にする。スロット22については、パッケージトップ27の凸部28を受け取り、後の工程でこれに係合するように寸法を設定する図10を参照。金属ストリップ20は任意の金属で構成できる。なお、銅あるいはアルミニウムなどの熱伝導性が高く、かつ導電性の高い金属を選択するのが望ましい。金属ストリップ20は上面25を備え、これがパッケージトップおよび下面26に接触する。上面25を金メッキすると、ダイとワイヤのボンディングが容易になり、また下面26を半田付けすると、PCBへの半田付けが容易になる。図10に、主に端子23、24を設け、これらを固定する幾何学的形状を備えたパッケージトップ27を示す。パッケージトップ27の凸部28については、タイバーをリードフレームから取り外した後に端子23、24を相互に電気的に分離させておくように構成する。この凸部28は、端子23、24間の機械的接続を確保するとともに、表面またはパッケージフロア32を形成するものでもある。パッケージトップ27にキャビティ29を形成すると、このキャビティ29およびパッケージフロア32によって閉じ込めエリアが形成する。図12を参照。半導体ダイを取り囲むこの構造体については、ダイ組み立て後塗布する成形用材料を閉じ込めるように構成する。キャビティを形成してあるため、端子23、24の部分がキャビティ29内部に露出する。端子23の露出部分がダイ接触パッド30として働き、そして端子24の露出部分がワイヤボンディングパッド35として働く、図12を参照。パッケージトップ27は、非導電性のセラミック材料、プラスチック材料、あるいはその他の剛性材料から構成できる。パッケージトップ27は、接着剤によってリードフレームに接合することができる。この接着剤は、パッケージトップの接触面に対応する位置においてリードフレームに塗布できる。別な組み立て方法では、端子リードフレーム界面においてパッケージトップの端子側を金属処理して、パッケージ組み立て工程時の半田付けを容易にする。これら金属処理エリアは、セラミック上の厚膜でもよく、あるいはセラミックまたはプラスチック上のスパッター処理シード層でもよく、いずれもこの後にニッケルおよび高温半田を電気メッキする。あるいは、パッケージトップ27が成形可能な材料からなる場合には、このパッケージトップをリードフレームに成形してもよい。図11に、金属リードフレームに設けた複数のパッケージトップを示す。接着剤を使用する場合、組み立てた装置を加熱すると、接着剤を硬化できる。あるいは半田を使用する場合には、装置を加熱すると、半田をリフローできる。あるいは、パッケージトップをリードフレームに成形する。この工程が完了すると、端子23、24がパッケージトップに接着する。パッケージ装置がリードフレームに接続している状態では、半導体ダイをパッケージトップ27の開口に取り付けることができる。既に説明したように、端子23の一部は、パッケージトップ27に形成されたキャビティによって露出し、ダイ接触パッド30を形成する。ダイ31は、半田などの導電性材料を介してより大きな端子23にダイボンディングできる。次に、ワイヤ34をダイ、ダイ接触パッド30および端子24との間にボンディングできる。次に、キャビティ29に、ダイを保護する非導電性の成形用材料を充填できる。図12に示すように、完成したパッケージ装置33は、リードフレームから切り出し、試験する。機能部および要素を具体的に組み合わせて説明してきたが、各機能部または要素は他の機能部および要素とは無関係に単独で使用することができ、また他の機能部および要素と組み合わせて、あるいは組み合わせずに使用することが可能である。