"走査型電子顕微鏡で撮像されたパターン画像から所望の範囲のパターン寸法を測定するパターン測定方法において、前記パターン画像に対して前記所望の範囲を包含する測定対象領域を設定する設定工程と、前記測定対象領域に含まれるパターンのエッジ位置を検出して前記測定対象領域内の前記パターン寸法を測定する測定工程と、前記測定対象領域内の前記パターン寸法の測定値から、前記所望の範囲のパターン寸法を推定する推定工程と、を含んだことを特徴とするパターン測定方法。前記設定工程では、前記所望の範囲をすべて含み、かつ前記所望の範囲よりも大きい範囲を前記測定対象領域として設定することを特徴とする請求項1に記載のパターン測定方法。前記測定工程では、前記測定対象領域の両端に測定ボックスを設定し、前記測定ボックスの範囲内において前記パターンのエッジと直交する方向のラインプロファイルを前記パターン画像から所定の間隔毎に取得し、前記ラインプロファイルを微分した微分プロファイルのピークから前記所定の間隔毎の前記エッジ位置を検出し、前記所定の間隔毎の前記パターン寸法を計測することを特徴とする請求項1または2に記載のパターン測定方法。前記推定工程では、前記パターン寸法の前記測定値を統計処理して曲線近似し、前記曲線で表れるデータ群のうち、前記所望の範囲に対応する前記データ群の平均値を、前記所望の範囲の前記パターン寸法の測定値として推定することを特徴とする請求項1~3のいずれか一つに記載のパターン測定方法。前記推定工程は、前記パターンの設計データから前記測定値に対する第1の閾値を設定して第1の測定対象領域を抽出する工程と、前記測定対象領域内の前記パターン寸法の測定値の変化量を算出し、前記変化量の絶対値が第2の閾値以下の第2の測定対象領域を抽出する工程と、前記第1の測定対象領域と前記第2の測定対象領域の両方に含まれる領域の前記パターン寸法の測定値の平均値を前記所望の範囲のパターン寸法の測定値として推定する工程と、を含むことを特徴とする請求項1~3のいずれか一つに記載のパターン測定方法。フォトマスクのパターン寸法を測定する場合、オペレーターが設計データに基づき、測定対象領域RegionOfInterestROIを設定し、自動測定レシピを作成し測定を行う。OPC処理されていない一般的なフォトマスクのパターンは、幅寸法が一定の矩形であるため、自動測定レシピで設定したROIが測定を行いたい所望のパターンに対し、ずれることはなく、自動測定が可能であった。しかし、OPC処理されたフォトマスクのパターンは、幅寸法が一定ではなく階段状に変化する多角形であったり、角部が丸まった形状であることが多く、適切なROIを設定することが困難である。そのため、測定が適切に行われなかった場合には、オペレーターがその都度適切なROIをマニュアルで設定しなければならず、測定に多大な時間を要するといった問題があった。特許文献1には、OPCパターンの寸法を測定する技術が記載されており、測定パターンの輪郭線データと設計データとの差分の変化量が、ある閾値を超えるまでの範囲を、測定範囲として設定し、測定する方法が開示されている。しかし、輪郭線データと設計データのマッチング手法に関して、有効な方法が説明されていないため、重ね合わせに失敗した場合、適切な測定領域を設定できないという問題がある。また、走査画像の画質が悪い場合、輪郭線データ抽出が適切に行われない場合があり、この場合にも適切な測定領域を設定できないという問題がある。上述した課題を解決するため、請求項1に記載の発明は、走査型電子顕微鏡で撮像されたパターン画像から所望の範囲のパターン寸法を測定するパターン測定方法において、前記パターン画像に対して前記所望の範囲を包含する測定対象領域を設定する設定工程と、前記測定対象領域に含まれるパターンのエッジ位置を検出して前記測定対象領域内の前記パターン寸法を測定する測定工程と、前記測定対象領域内の前記パターン寸法の測定値から、前記所望の範囲のパターン寸法を推定する推定工程と、を含んだことを特徴とする。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のパターン測定方法において、前記設定工程では、前記所望の範囲をすべて含み、かつ前記所望の範囲よりも大きい範囲を前記測定対象領域として設定することを特徴とする。請求項3に記載の本発明は、請求項1または2に記載のパターン測定方法において、前記測定工程では、前記測定対象領域の両端に測定ボックスを設定し、前記測定ボックスの範囲内において前記パターンのエッジと直交する方向のラインプロファイルを前記パターン画像から所定の間隔毎に取得し、前記ラインプロファイルを微分した微分プロファイルのピークから前記所定の間隔毎の前記エッジ位置を検出し、前記所定の間隔毎の前記パターン寸法を計測する。請求項4に記載の本発明は、請求項1~3のいずれか一つに記載のパターン測定方法において、前記推定工程では、前記パターン寸法の前記測定値を統計処理して曲線近似し、前記曲線で表れるデータ群のうち、前記所望の範囲に対応する前記データ群の平均値を、前記所望の範囲の前記パターン寸法として推定することを特徴とする。請求項5に記載の本発明は、請求項1~3のいずれか一つに記載のパターン測定方法において、前記推定工程は、前記パターンの設計データから前記測定値に対する第1の閾値を設定して第1の測定対象領域を抽出する工程と、前記測定対象領域内の前記パターン寸法の測定値の変化量を算出し、前記変化量の絶対値が第2の閾値以下の第2の測定対象領域を抽出する工程と、前記第1の測定対象領域と前記第2の測定対象領域の両方に含まれる領域の前記パターン寸法の測定値の平均値を前記所望の範囲のパターン寸法として推定する工程と、を含むことを特徴とする。本発明によれば、フォトマスクのOPCパターンの寸法を容易に且つ正確に測定することができる。以下、本発明によるパターン測定方法について、図示の実施の形態により詳細に説明する。まず初めに、OPCパターンを測定するための一般的な手法を説明する。その後、本発明に係るパターン測定方法を説明する。図1は、フォトマスクパターン11の観察画像10を示す図である。以下の図において、x軸方向のパターン寸法を長さ、y軸方向のパターン寸法を幅という。ここでは、一般的なOPCパターンの例を示した。光近接効果を補正するためパターン中心付近の幅寸法が狭くなっている。図1において、観察画像10は、例えば荷電粒子ビームをパターンに照射し、表面から放出される二次電子を基に走査された観察画像である。SEMScanningElectronMicroscope観察画像などがこれに相当する。図1において、中心付近の幅寸法が狭くなっている部分をパターン寸法の測定対象とする。測定対象の幅寸法を測定するためには、上下のエッジ部分を検出する必要がある。そこで図2のように、ROI12を測定対象領域に合わせるように設定する。図2は、フォトマスクパターンに測定対象領域を設定する処理を説明する図である。フォトマスクパターン11は中心付近にかけて幅が徐々に狭くなっているため、角に丸みがある。この部分は測定対象とはならないため、ROI12がこの領域にかからないように設定する。ROI12の両端には測定ボックス13及び14があり、それぞれの測定ボックスの領域内にパターンエッジが入るように適切な大きさに設定する。次に、測定ボックス内において、走査画像からエッジと直交する方向のラインプロファイルを取得し、パターンエッジ位置を決定する。一般的に、各ピクセル毎に取得したラインプロファイルを、測定ボックス内で積算平均したラインプロファイルを生成する。パターンエッジ位置の決め方は前記ラインプロファイルを微分した微分プロファイルを生成し、微分ピークをエッジとする方法などがある。両端のパターンエッジの位置が決定すれば、その間の距離を幅寸法として測定する。以上のように、OPCパターンの寸法を測定するためには、ROIを適切なサイズに設定し測定しなければならない。以下、測定対象のパターンに対してROIのサイズを詳細に設定することなく、測定対象範囲のパターン寸法を測定することが可能となる方法について説明する。<実施の形態1>図3は、フォトマスクパターン31の観察画像30を示す図である。このOPCパターンも中心付近で幅寸法が狭くなるパターンで、この領域が測定範囲所望の範囲となる。まず、OPCパターンに対して、ROI32を適当な大きさに設定する。ROI32は、測定対象パターンが含まれるように一回り大きめにサイズ、すなわち所望の範囲をすべて含み、かつ所望の範囲よりも大きい範囲を設定することが望ましい。ROI32のサイズは適当なため、測定範囲のパターン以外の領域も、このROIは含んでいる。これは、角が丸まっている部分や幅寸法が広い領域などを指す。次に、両端の測定ボックス内においてラインプロファイルを取得し、パターンエッジを決定し、幅寸法を測定する。一般的には、ROIの領域全体の平均値が幅寸法として測定されるが、本発明では、幅寸法は微小な領域毎に区切って測定する。すなわち、測定ボックスの範囲内においてパターンのエッジと直交する方向のラインプロファイルをパターン画像から所定の間隔毎微小な領域毎に取得し、ラインプロファイルを微分した微分プロファイルのピークから所定の間隔毎のエッジ位置を検出して、所定の間隔毎のパターン寸法線幅を測定する。図4は、フォトマスクパターンの線幅を微小な領域毎に測定した結果を示す図である。図4では横軸がX座標、縦軸が幅寸法を表している。図4のグラフは、実際は連続した値ではなく、所定の間隔毎の線幅の値を結んだものである。図4ではX座標の中心付近で幅寸法が小さくなっている。図5は、線幅の測定結果を統計的に処理して曲線で近似した図である。フォトマスクパターン31は、中心付近の線幅が短い領域と両端付近の線幅が長い領域の2つに大別される。よって、図5は線幅が短いD1と線幅が長いD2の2つにデータ群が表れる。このD1及びD2は、図4に示すD1及びD2に対応する。フォトマスクパターン31は、線幅が短い領域が測定対象領域であるため、D1のデータ群の平均値をパターン寸法として推定する。実際には、データ群のピーク値から±数nmの範囲を平均すればよく、平均化範囲に関しては、ユーザーが適宜決めればよい。この方法によれば、ROIのサイズを詳細に設定する必要がないため、オペレーターによるマニュアル操作が不要となり、容易に且つ正確にOPCパターンの幅寸法を測定することが可能となる。<実施の形態2>本発明の実施の形態2では、実施の形態1で説明した方法の変形例を説明する。図4の工程までは実施の形態1と同様であるため、以下ではそれ以降の工程についてのみ説明する。図6は図4と同様のグラフで、図7は図6の線幅のデータから、隣接する所定間隔毎に隣り合う寸法値の間の変化量を表した図である。図6のTh1及び図7のE1はそれぞれ所望の寸法値を測定するために必要な閾値を表す。閾値Th1第1の閾値は、フォトマスクパターン31のように線幅が短い領域と広い領域がある場合に、所望の測定領域に限定させて測る場合に必要な閾値である。閾値Th1はあらかじめ設計データより決定しておけばよい。閾値E1第2の閾値は、隣接する寸法値の間の変化量が小さい領域に限定させて測るために必要な閾値である。閾値E1はラフネスの程度などにより適切な値を設定すればよい。本例によると、角部の丸みや寸法値が大きく変化する領域は隣接する寸法値の間の変化量が閾値E1より大きくなる。従って、閾値E1を超える領域は、測定領域から除去することができ、角部の丸みの影響を除去することができる。図3のフォトマスクパターン31では、図6における値が閾値Th1より小さい領域が測定対象に含まれる。よってまずは、図6のXaが測定対象領域として限定することができる。次に、図7における変化量の値が閾値±E1より小さい領域が測定対象領域となる。図7中では、Xb、Xc、Xdが該当される。測定対象領域はXaの範囲内で且つXb、Xc、Xdのいずれかに包含される領域となるので、本例ではXcが最終的な測定対象領域として限定することができる。図6の測定結果のうち、Xcの範囲内の線幅の平均値を測定結果として出力させる。この方法によれば、複雑な形状のOPCパターンでも正確且つ容易に幅寸法を測定することができる。<実施の形態3>本発明の実施の形態3では、一つのOPCパターン内で複数箇所の線幅を測定する場合について説明する。図8は、フォトマスクパターン81の観察画像80を示す図である。このOPCパターン全体が含まれるようにROI82を設定する。次に、両端の測定ボックス83及び84内においてラインプロファイルを取得し、パターンエッジを決定し、幅寸法を測定する。図9は、フォトマスクパターンの線幅を微小な領域毎に測定した結果を示す図である。あらかじめ設計データから、測定領域の幅寸法が測定できるように閾値を設定しておく。図9中のTh2,Th3、Th4は、それぞれ測定領域を限定させて測定するための閾値を表す。本例では、OPCパターン81において、4つの測定すべき領域があるため、閾値を3つ設定している。図10は、図9の線幅のデータから、隣接する線幅の間の変化量を表した図である。閾値E2はラフネスの程度などにより適切な値を設定する。ここで例えば、測定領域A1を測定する場合には、図9の値がTh2より小さく且つ図10の値がE2より小さい領域の幅寸法の平均値を測定結果として出力すればよい。前記領域は図10のXjに相当する。測定領域A2の場合には、図9の値がTh2以上Th3以下で且つ図10の値がE2より小さい領域となる。前記領域は図10のXkに相当する。その他の測定領域においても同様に、幅寸法の閾値と変化量の閾値より測定領域を決定し、その領域の幅寸法の平均値を測定結果として出力すればよい。従って、この方法によれば、測定箇所が複数存在するOPCパターンに対して、ROIを一つ設定するのみで、複数箇所の幅寸法を測定することができる。以下、本発明のパターン測定方法について具体的な実施例を示す。図11は、フォトマスクパターン111を撮像したSEM像110を示す図である。フォトマスクパターン111は、OPCにより中心付近で線幅が狭くなっており、この部分が測定対象領域である。フォトマスクパターン111の測定対象領域が包含されるように、ROI112を設定した。次に、線幅を微小な領域毎に区切って測定を行った。ここでは、測定幅を20ピクセル、測定間隔を5ピクセルとした。測定幅と測定間隔はSEM画像の分解能などから適切な値を決定すればよい。図12は、フォトマスクパターン111の線幅を微小な領域毎に測定した結果を示す図である。横軸はX座標ROI112の左端を原点とした、縦軸は線幅の測定値を表している。図12のTh5は測定領域を限定させるための閾値で、設計データから200nmと設定した。測定対象領域は閾値Th5より小さいため、X方向のおよそ50ピクセルから160ピクセルの範囲が測定対象領域に相当する。図13は、隣接する寸法値の間の変化量を表した図である。ここでは、閾値E3を±2.0nmとした。前記測定対象領域の範囲で、閾値E3より小さい領域を最終的な測定対象領域として決定した。ここでは、X方向の70ピクセルから140ピクセルが測定対象領域となった。次に、前記測定対象領域の線幅の測定値の平均値を測定結果として計算したところ、152.6nmと算出した。以上から、フォトマスクパターン111の測定対象領域の線幅を、ROIの大きさを詳細に設定することなく算出することができた。"