"コバルト元素を含む層を研磨するための研磨液であり、前記研磨液は、金属防食剤、金属酸化剤及び水を含有し、pHが4以下であり、前記金属防食剤は、3-ニトロフタル酸、ヘキサメチレンテトラミン、3,4-ジヒドロ-3-ヒドロキシ-4-オキソ-1,2,4-トリアジン、3H-1,2,3-トリアゾロ[4,5-b]ピリジン-3-オール、5-アミノ-1H-テトラゾール、3-ヒドロキシピリジン、及びベンズイミダゾールから選択される少なくとも一種である、研磨液。更に溶剤を含む請求項1に記載の研磨液。更に水溶性ポリマーを含む請求項1又は請求項2に記載の研磨液。更に砥粒を含む請求項1~請求項3のいずれか1項に記載の研磨液。前記砥粒がコロイダルシリカである請求項4に記載の研磨液。更に金属溶解剤を含む請求項1~請求項5のいずれか1項に記載の研磨液。前記金属酸化剤として過酸化水素を含む請求項1~請求項6のいずれか1項に記載の研磨液。更にベンゾトリアゾール化合物を含む請求項1~請求項7のいずれか1項に記載の研磨液。表面にコバルトまたは、コバルトを含む合金による被研磨膜を有する基板を、前記研磨膜と研磨定盤上の研磨布との間に、請求項1~請求項7のいずれか1項に記載の研磨液を供給しながら、基板と研磨定盤とを相対的に動かし、前記被研磨膜を研磨する基板の研磨方法。ところで、デザインルールの微細化とともに、前記配線形成工程の各層も薄くなる傾向がある。しかしながら前記バリア層3は、薄くなることにより導電性物質例えば、銅、銅合金及び銅若しくは銅合金の酸化物から選ばれた少なくとも1種を含む層以下銅層というの拡散を防止する効果が低下する上、導電性物質との密着性も低下する傾向がある。このため、図1aに示すように、バリア層3と導電性物質層5の間に、Coコバルト元素を含む層以下コバルト層という4を介在させることが提案されている。コバルト層4を介在させることで導電性物質の拡散が抑えられる上、コバルトは導電性物質として広く用いられている銅との親和性が高いため、銅層との密着性を補うことができる。しかしながら、コバルトは、従来配線用金属として使用されてきた銅等の導電性物質と比較して腐食性が強いため、従来の研磨液をそのまま使用すると、配線層にスリットが生じる等、平坦性が低下することがあった。一方で、これを防ぐために、防食作用の強い防食剤を添加したり、防食剤の添加量を増やしたりすると、全体の研磨速度が低下してしまうという課題あった。本発明は、前記の課題を解決しようとするものであって、コバルト層に対する良好な研磨速度を保ちながら、コバルト層のエッチング速度を効果的に抑制してコバルト層を保護できる研磨液、及びこの研磨液を用いた基板の研磨方法を提供することを目的する。このような従来の問題点を解決するために鋭意検討した結果、本発明者らは、特定の防食剤を使用することによって、コバルト層に対する良好な研磨速度を保ちながら、コバルト層のエッチング速度を効果的に抑制してコバルト層を保護できることを見いだした。すなわち本発明は、コバルト元素を含む層を研磨するための研磨液であって、前記研磨液は、金属防食剤、金属酸化剤及び水を含有し、pHが4以下であり、前記金属防食剤は、3-ニトロフタル酸、ヘキサメチレンテトラミン、3,4-ジヒドロ-3-ヒドロキシ-4-オキソ-1,2,4-トリアジン、3H-1,2,3-トリアゾロ[4,5-b]ピリジン-3-オール、5-アミノ-1H-テトラゾール、3-ヒドロキシピリジン、及びベンズイミダゾールから選択される少なくとも一種である研磨液に関する。このような研磨液とすることによって、コバルト層に対する良好な研磨速度を保ちながら、コバルト層のエッチング速度を効果的に抑制することができる。本発明の研磨液は、更に溶剤を含むことが好ましい。溶剤を含有することで、被研磨膜がコバルト層以外の層を含む場合に、コバルト層以外の層に対する濡れ性が向上するため、研磨速度をより向上させることができる。本発明の研磨液は、更に水溶性ポリマーを含むことが好ましい。水溶性ポリマーを含有することで、被研磨面が保護されて腐食を抑制し、傷等のディフェクト発生を低減することができる。本発明の研磨液は、更に砥粒を含むことが好ましい。砥粒を含有することで、被研磨膜がコバルト層以外の層を含む場合に、コバルト層以外の層の研磨速度をより向上させることができる。このような観点で、前記砥粒がコロイダルシリカであることが好ましい。本発明の研磨液は、更に金属溶解剤を含むことが好ましい。金属溶解剤を含有することで金属の溶解を促進し、また金属溶解剤が金属防食剤との錯体形成を行うことで、研磨速度をより向上させることができる。本発明の研磨液は、前記金属酸化剤として過酸化水素を含むことが好ましい。過酸化水素を含有することで、コバルト層以外の層の研磨速度をより向上させることができる。本発明の研磨液は、更にベンゾトリアゾールを含むことが好ましい。ベンゾトリアゾールを含有することで、コバルト層のエッチング速度をより効果的に抑制することができる。本発明の研磨方法は、コバルト元素を含む被研磨膜を有する基板を、研磨布と前記被研磨膜との間に、前記研磨液を供給しながら、基板と被研磨膜とを相対的に動かし、前記被研磨膜の少なくとも一部を研磨する基板の研磨方法に関する。このような研磨方法によれば、コバルト元素を含む被研磨膜を高速にかつ平坦性よく研磨することが可能となる。本発明によれば、コバルト層に対する良好な研磨速度を保ちながら、コバルト層のエッチング速度を効果的に抑制してコバルト層を保護できる研磨液、及びこの研磨液を用いた基板の研磨方法することができる。本明細書において工程との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。また本明細書において~を用いて示された数値範囲は、~の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。以下、本発明の研磨液の好適な実施形態について詳細に説明する。本発明の研磨液は、金属防食剤、金属酸化剤及び水を含有し、pHが4以下であり、前記金属防食剤として特定の化合物を1種類又は数種類含む研磨液である。更に好適には、金属溶解剤、砥粒、溶剤、水溶性ポリマー、又はベンゾトリアゾール化合物を含有する。<金属防食剤>本発明に係る金属防食剤としては、例えば3-ニトロフタル酸、ヘキサメチレンテトラミン、3,4-ジヒドロ-3-ヒドロキシ-4-オキソ-1,2,4-トリアジン、3H-1,2,3-トリアゾロ[4,5-b]ピリジン-3-オール、5-アミノ-1H-テトラゾール、3-ヒドロキシピリジン、及びベンズイミダゾールから選択される少なくとも一種以下特定の金属防食剤というを用いる。前記特定の金属防食剤を用いた研磨液では、コバルト層に対する良好な研磨速度を保ちながら、コバルト層のエッチング速度が効果的に抑制される。これらは1種類単独で、若しくは2種類以上混合して用いることができる。前記特定の金属防食剤の含有量は、研磨液の総質量に対して、好ましくは0.001~10質量、より好ましくは0.01~5.0質量、特に好ましくは0.02~0.5質量である。前記特定のコバルト防食剤の含有量を前記範囲に調整することにより、コバルト元素を含む被研磨膜に対して良好な研磨速度を得ることができる。更に、本発明の研磨液には、上記特定の金属防食剤以外に、その他の金属防食剤を用いてもよい。これにより、銅層のエッチング速度が効果的に抑制される傾向がある。その他の金属防食剤としては特に制限はないが、トリアゾール類、ピラゾール類、ピリミジン類、イミダゾール類但し、その他の金属防食剤としては前記特定の金属防食剤として挙げたベンズイミダゾールを除く、グアニジン類、チアゾール類、テトラゾール類但し、その他の金属防食剤としては、前記特定の金属防食剤として挙げた5-アミノ-1H-テトラゾールを除く等が挙げられる。トリアゾール類としては、例えば、1,2,3-トリアゾ-ル、1,2,4-トリアゾ-ル、3-アミノ-1H-1,2,4-トリアゾ-ル、ベンゾトリアゾ-ル、1-ヒドロキシベンゾトリアゾ-ル、1-ジヒドロキシプロピルベンゾトリアゾ-ル、2,3-ジカルボキシプロピルベンゾトリアゾ-ル、4-ヒドロキシベンゾトリアゾ-ル、4-カルボキシ-1H-ベンゾトリアゾ-ル、4-カルボキシ-1H-ベンゾトリアゾ-ルメチルエステル、4-カルボキシ-1H-ベンゾトリアゾ-ルブチルエステル、4-カルボキシ-1H-ベンゾトリアゾ-ルオクチルエステル、5-ヘキシルベンゾトリアゾ-ル、1,2,3-ベンゾトリアゾリル-1-メチル1,2,4-トリアゾリル-1-メチル2-エチルヘキシルアミン、トリルトリアゾ-ル、ナフトトリアゾ-ル、ビス[1-ベンゾトリアゾリルメチル]ホスホン酸等が挙げられる。ピラゾール類としては、例えば、ピラゾール、1-アリル-3,5-ジメチルピラゾール、3,5-ジ2-ピリジルピラゾール、3,5-ジイソプロピルピラゾール、3,5-ジメチル-1-ヒドロキシメチルピラゾール、3,5-ジメチル-1-フェニルピラゾール、3,5-ジメチルピラゾール、3-アミノ-5-ヒドロキシピラゾール、4-メチルピラゾール、N-メチルピラゾール、3-アミノピラゾール、3-アミノピラゾール等が挙げられる。ピリミジン類としては、ピリミジン、1,2,4-トリアゾロ[1,5-a]ピリミジン、1,3,4,6,7,8-ヘキサハイドロ-2H-ピリミド[1,2-a]ピリミジン、1,3-ジフェニル-ピリミジン-2,4,6-トリオン、1,4,5,6-テトラハイドロピリミジン、2,4,5,6-テトラアミノピリミジンサルフェイト、2,4,5-トリハイドロキシピリミジン、2,4,6-トリアミノピリミジン、2,4,6-トリクロロピリミジン、2,4,6-トリメトキシピリミジン、2,4,6-トリフェニルピリミジン、2,4-ジアミノ-6-ヒドロキシルピリミジン、2,4-ジアミノピリミジン、2-アセトアミドピリミジン、2-アミノピリミジン、2-メチル-5,7-ジフェニル-1,2,4トリアゾロ1,5-aピリミジン、2-メチルサルファニル-5,7-ジフェニル-1,2,4トリアゾロ1,5-aピリミジン、2-メチルサルファニル-5,7-ジフェニル-4,7-ジヒドロ-1,2,4トリアゾロ1,5-aピリミジン、4-アミノピラゾロ[3,4,-d]ピリミジン等が挙げられる。イミダゾール類としては、例えば、1,1’-カルボニルビス-1H-イミダゾール、1,1’-オキサリルジイミダゾール、1,2,4,5-テトラメチルイミダゾール、1,2-ジメチル-5-ニトロイミダゾール、1,2-ジメチルイミダゾール、1-3-アミノプロピルイミダゾール、1-ブチルイミダゾール、1-エチルイミダゾール、1-メチルイミダゾール等が挙げられる。グアニジン類としては、例えば、1,1,3,3-テトラメチルグアニジン、1,2,3-トリフェニルグアニジン、1,3-ジ-o-トリルグアニジン、1,3-ジフェニルグアニジン等が挙げられる。チアゾール類としては、例えば、2-メルカプトベンゾチアゾール、2,4-ジメチルチアゾール等が挙げられる。テトラゾール類としては、例えば、テトラゾール、5-メチルテトラゾール、5-アミノテトラゾール、1-2-ジメチルアミノエチル-5-メルカプトテトラゾール等が挙げられる。前記特定の金属防食剤との組み合わせによりコバルト層のエッチング速度をより効果的に抑制できるという観点から、その他の金属防食剤としては、トリアゾール類が好ましく、ベンゾトリアゾール化合物がより好ましく、1-ヒドロキシベンゾトリアゾールが更に好ましいい。これらその他の金属防食剤は、1種類単独で、もしくは2種類以上を混合して用いることができる。その他の金属防食剤の含有量は、研磨液の総質量に対して、0.001~10質量とすることが好ましく、0.005~5質量がより好ましく、0.01~2質量が更に好ましい。金属防食剤の含有量の下限としては、コバルト層のエッチングをより効果的に抑制する観点で、0.005質量以上がより好ましく、0.01質量以上が更に好ましい。また、金属防食剤の含有量の上限としては、配線金属及びコバルト層の研磨速度を、実用的な研磨速度に保つことができる点で、5質量以下がより好ましく、2質量以下が更に好ましい。前記特定の金属防食剤及びその他の金属防食剤の総含有量は、研磨液の総質量に対して、好ましくは0.001~10質量、より好ましくは0.005~5.0質量、更に好ましくは0.01~2.0質量である。前記特定の金属防食剤及びその他の金属防食剤の総含有量を前記範囲に調整することにより、コバルト元素を含む被研磨膜に対して良好な研磨速度を得ることができる。また、前記特定の金属防食剤と、前記その他の金属防食剤との含有比率は特に限定されないが、好ましくは特定の金属防食剤:その他の金属防食剤は、10:1~1:10、より好ましくは5:1~1:5、更に好ましくは2:1~1:2である。前記特定の金属防食剤及びその他の金属防食剤の総含有量を前記範囲に調整することにより、コバルト元素を含む被研磨膜に対して良好な研磨速度を得ることができる。<金属酸化剤>本発明で用いられる金属酸化剤は、特に制限はないが、例えば、過酸化水素、ペルオキソ硫酸塩、硝酸、過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸、オゾン水等が挙げられ、その中でも過酸化水素が特に好ましい。これら金属酸化剤は、1種類単独で又は2種類以上を混合して用いることができる。金属酸化剤の含有量は、研磨液の総質量に対して、0.01~50質量とすることが好ましく、0.02~30質量が好ましく、0.05~15質量以上が更に好ましい。含有量は、金属の酸化が不十分となり、研磨速度が低下することを防ぐ観点から、0.02質量以上が好ましく、0.05質量以上が更に好ましい。また、被研磨面に荒れが生じるのを防ぐことができる点で、30質量以下がより好ましく、15質量以下が更に好ましい。<金属溶解剤>本発明で用いられる金属溶解剤は、金属の溶解を促進し、金属防食剤と錯体形成する。水溶性のものであれば特に制限はなく、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、2-メチル酪酸、n-ヘキサン酸、3,3-ジメチル酪酸、2-エチル酪酸、4-メチルペンタン酸、n-ヘプタン酸、2-メチルヘキサン酸、n-オクタン酸、2-エチルヘキサン酸、安息香酸、グリコール酸、サリチル酸、グリセリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸等の有機酸、これらの有機酸エステル及びこれら有機酸のアンモニウム塩などが挙げられる。また、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸等の無機酸、これら無機酸のアンモニウム塩類例えば、過硫酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、塩化アンモニウム等、クロム酸アンモニウム等などが挙げられる。これらの中では、銅、銅合金及び銅若しくは銅合金の酸化物から選ばれた少なくとも1種の金属層を含む積層膜の研磨において、実用的な研磨速度を維持しつつ、エッチング速度を効果的に抑制できるという点で、ギ酸、マロン酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、コハク酸及びリン酸が好適である。これらは1種類を単独で、又は2種類以上を混合して用いることができる。金属溶解剤の含有量は、研磨液の総質量に対して、好ましくは0.001~10質量、より好ましくは0.01~1.0質量である。前記金属溶解剤の含有量を前記範囲に調整することにより、コバルト層の近傍に設けられたコバルト層以外の層例えば、導電性物質層5である銅層や、バリア層3などの良好な研磨速度を得ることができる。<溶剤>本発明の研磨液において溶剤は、コバルト層の近傍に設けられたコバルト層以外の層の濡れ性を向上させる。適用する溶剤としては、特に制限はないが、水と混合できるものが好ましく、水100gに対して0.1g以上溶解するものがより好ましい。前記溶剤としては、例えば、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、メチルエチルカーボネート等の炭酸エステル類;ブチルラクトン、プロピルラクトン等のラクトン類;エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等のグリコール類;テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキリエタン、ポリエチレンオキサイト、エチレングリコールモノメチルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート類のエーテル類;メタノール、エタノール、プロパノール、n-ブタノール、n-ペンタノール、n-ヘキサノール、イソプロパノール、3-メトキシ-3-メチル-1-ブタノール等のアルコール類;アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類;、ジメチルホルムアミド、n-メチルピロリドン、酢酸エチル、乳酸エチル、スルホラン等のその他の溶剤などが挙げられる。また、グリコール類の誘導体であってもよく、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノプロピルエーテル、トリプロピレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル等のグリコールモノエーテル類、エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジプロピレングリコールジプロピルエーテル、トリエチレングリコールジプロピルエーテル、トリプロピレングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジブチルエーテル、トリプロピレングリコールジブチルエーテル等のグリコールエーテル類などが挙げられる。中でも、グリコール類、グリコール類誘導体、アルコール類及び炭酸エステル類から選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。前記溶剤の含有量は、研磨液の総質量に対して、0.1~95質量であることが好ましく、0.2~50質量がより好ましく、0.5~10質量が更に好ましい。含有量は、研磨液の基板に対する濡れ性が低くなるのを防ぐ点で、0.2質量以上がより好ましく、0.5質量以上が更に好ましい。また、引火の可能性が発現して製造プロセス上困難が生じるのを防ぐ点で、50質量以下がより好ましく、10質量以下が更に好ましい。<水溶性ポリマー>本発明の研磨液において腐食効果の抑制、膜表面の保護、ディフェクト発生を低減する等の目的で、水溶性ポリマーを使用することができる。前記水溶性ポリマーとしては、カルボン酸又はカルボン酸塩基を有する水溶性ポリマーが挙げられる。このような水溶性ポリマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸等のカルボン酸基を有するモノマーの単独重合体や、当該重合体のカルボン酸基の部分がアンモニウム塩等の単独重合体が挙げられる。また、カルボン酸基を有するモノマーと、カルボン酸塩基を有するモノマーとカルボン酸のアルキルエステル等の誘導体との共重合体も好ましい。更に具体的には、ポリアクリル酸、又はポリアクリル酸のカルボン酸基の一部が、カルボン酸アンモニウム塩基に置換されたポリマー以下、ポリアクリル酸アンモニウム塩という等が挙げられる。また、その他の水溶性ポリマーとしては、例えば、アルギン酸、ペクチン酸、カルボキシメチルセルロース、寒天、カードラン及びプルラン等の多糖類;ポリアスパラギン酸、ポリグルタミン酸、ポリリシン、ポリリンゴ酸、ポリアミド酸、ポリアミド酸アンモニウム塩、ポリアミド酸ナトリウム塩及びポリグリオキシル酸等のポリカルボン酸及びその塩;ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン及びポリアクロレイン等のビニル系ポリマー等が挙げられる。但し、研磨対象の基体が半導体集積回路用シリコン基板等の場合は、上記アルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン化物等による汚染は望ましくないため、上記水溶性ポリマーは、酸又はそのアンモニウム塩であることが望ましい。研磨対象の基体が、ガラス基板等である場合はその限りではない。前述した水溶性ポリマーの中でも、カルボン酸又はカルボン酸塩基を有する水溶性ポリマー、ペクチン酸、寒天、ポリリンゴ酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール及びポリビニルピロリドン、それらのエステル並びにそれらのアンモニウム塩が好ましく、ポリアクリル酸アンモニウム塩がより好ましい。これらは1種類を単独で又は2種類以上を混合して用いることができる。水溶性ポリマーの重量平均分子量は、好ましくは500~1,000,000、より好ましくは1,000~500,000、更に好ましくは2,000~200,000、最も好ましくは5,000~150,000である。本発明における重量平均分子量は、以下の方法に基づいて、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCにより測定し、標準ポリアクリル酸換算した値を使用したものである。条件試料:10μL標準ポリアクリル酸:日立化成テクノサービス株式会社製商品名:PMAA-32検出器:株式会社日立製作所社製、RI-モニター、商品名L-3000インテグレーター:株式会社日立製作所社製、GPCインテグレーター、商品名D-2200ポンプ:株式会社日立製作所社製、商品名L-6000デガス装置:昭和電工株式会社製、商品名ShodexDEGASカラム:日立化成工業株式会社製、商品名GL-R440、GL-R430、GL-R420をこの順番で連結して使用溶離液:テトラヒドロフランTHF測定温度:23°C流速:1.75mL/分測定時間:45分水溶性ポリマーの含有量は、研磨液の総質量に対して、好ましくは0.001~10質量、より好ましくは0.01~5.0質量、特に好ましくは0.02~1.0質量である。<砥粒>本発明で用いられる砥粒は、コバルト層の近傍に設けられたコバルト層以外の層の研磨速度を向上させる。主な砥粒としては、例えば、シリカ、アルミナ、ジルコニア、セリア、チタニア、ゲルマニア、炭化ケイ素等の無機物研磨粒子、ポリスチレン、ポリアクリル、ポリ塩化ビニル等の有機物研磨粒子が挙げられる。これらのなかでも、シリカ、アルミナ、ジルコニア、セリア、チタニア、又はゲルマニアの粒子が好ましく、特に、シリカ又はアルミナの粒子が特に好ましい。シリカ又はアルミナの粒子のなかでも、研磨液中での分散安定性が良く、CMPにより発生する研磨傷スクラッチの発生数の少ない、コロイダルシリカ又はコロイダルアルミナが好ましく、コロイダルシリカがより好ましい。これら砥粒は、1種類を単独で又は2種類以上を混合して用いることができる。コロイダルシリカは、シリコンアルコキシドの加水分解又は珪酸ナトリウムのイオン交換による公知の製造方法により製造することができ、粒径制御性やアルカリ金属不純物の点で、テトラメトキシシラン又はテトラエトキシシラン等のシリコンアルコキシドを加水分解する方法が最も利用される。また、コロイダルアルミナは硝酸アルミニウムの加水分解による公知の製造方法により製造することができる。砥粒の含有量は、研磨液の総質量に対して、好ましくは3.0質量以上、より好ましくは3.0~5.0質量である。前記砥粒の含有量を、前記範囲に設定することにより、良好な研磨速度を得ることができる。砥粒の平均粒径は、40nm~80nmであることが好ましく、この範囲に設定することにより、良好な研磨速度を得ることができる。砥粒の粒径は、光回折散乱式粒度分布計例えば、COULTERElectronics社製の商品名:COULTERN4SDで測定した値である。Coulterの測定条件は、測定温度20°C、溶媒屈折率1.333水、粒子屈折率Unknown設定、溶媒粘度1.005cp水、RunTime200sec、レーザ入射角90°であり、Intensity散乱強度、濁度に相当が5E04~4E05の範囲に入るように、4E05よりも高い場合には水で希釈して測定する。<水>本発明で用いられる水は、特に制限されるものではないが、純水を好ましく用いることができる。水は残部として配合されていればよく、含有量は特に制限はない。<その他>本発明の研磨液には、上述した材料の他に、界面活性剤、ビクトリアピュアブルー等の染料、フタロシアニングリーン等の顔料等の着色剤を含有させてもよい。本発明の研磨液のpHは、4以下であり、2~4であることが好ましい。pHが4以下である場合、配線金属、及び、コバルト層の研磨速度に優れる。更に、pHが2以上の場合には、徐々に配線金属を腐食することが抑制され、また、酸性が強いことによる取り扱い難さも解決できる。pHは、酸の添加量により調整することができる。また、アンモニア、水酸化ナトリウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH等のアルカリ成分の添加によっても調整可能である。本発明の研磨液のpHの測定は、pHメータ例えば、HORIBA社製のModelF-51で測定される。標準緩衝液フタル酸塩pH緩衝液pH:4.2125°C、中性リン酸塩pH緩衝液pH6.8625°C、ホウ酸塩pH緩衝液pH:9.0425°Cを用いて、3点校正した後、電極を研磨液に入れて、3分以上経過して安定した後の値を測定する。本発明の研磨液は、金属溶解剤、金属防食剤及び水を含有してなる研磨液前調整液として保管し、研磨時にこの研磨液と、他の構成材料及び水を適宜配合して使用してもよい。または、金属溶解剤、金属防食剤及び水に、その他の構成材料を適宜配合した研磨液の状態で保管し使用してもよい。金属溶解剤、金属防食材及び水を含有してなる研磨液前調整液において、金属溶解剤の含有量は、研磨液の総質量に対して、好ましくは0.01~5質量、より好ましくは0.1~1.0質量であり、金属防食剤の含有量は研磨液材料質量に対して、好ましくは0.01~5.0質量、より好ましくは0.05~0.5質量である。前記金属溶解剤及び金属防食剤の含有量を前記範囲に調整することにより、コバルト層のより良好な研磨速度を得ることできる。本発明の研磨液は、半導体デバイスにおける配線層の形成に適用できる。研磨対象である被研磨膜は、少なくともコバルト元素を含む層が含まれていればよく、更に、コバルト層の近傍に設けられた導電性物質層、バリア層、又は層間絶縁膜が含まれていてもよい。<基板の研磨方法>本発明の基板の研磨方法は、研磨定盤の研磨布上に、前述した研磨液を供給しながら、被研磨膜を有する基板を研磨布に押圧した状態で、研磨定盤と基板とを、相対的に動かすことによって被研磨膜を研磨する研磨方法である。以下、本発明の基板の研磨方法を用いる、半導体デバイスにおける配線層形成の一連の工程を説明する。研磨前の基板は、図1aに示すように、シリコン基板1の上に、所定パターンの凹部を有する層間絶縁膜2、この層間絶縁膜2の表面の凸凹に沿って層間絶縁膜2を被覆するバリア層3、バリア層3を被覆するコバルト層4を有し、コバルト層4上と前記凹部に導電性物質層5が形成されている。層間絶縁膜2としては、シリコン系被膜、有機ポリマー膜等が挙げられる。シリコン系被膜としては、二酸化ケイ素、フルオロシリケートグラス、トリメチルシランやジメトキシジメチルシランを出発原料として得られるオルガノシリケートグラス、シリコンオキシナイトライド、水素化シルセスキオキサン等のシリカ系被膜や、シリコンカーバイド及びシリコンナイトライド等が挙げられる。また、有機ポリマー膜としては、全芳香族系低誘電率層間絶縁膜が挙げられる。これらの中でも特に、二酸化ケイ素膜が好ましい。層間絶縁膜2は、CVD化学気相成長法、スピンコート法、ディップコート法、又はスプレー法によって成膜される。層間絶縁膜2の具体例としては、LSI製造工程、特に多層配線形成工程における層間絶縁膜等が挙げられる。バリア層3は、層間絶縁膜中への導電性物質が拡散するのを防止するため、及び、層間絶縁膜2と導電性物質層5との密着性向上のために形成される。バリア層3の組成は、タンタル、窒化タンタル、タンタル合金等のタンタル化合物、チタン、窒化チタン、チタン合金等のチタン化合物、タングステン、窒化タングステン、タングステン合金等のタングステン化合物、ルテニウム等のルテニウム化合物から選ばれるのが好ましい。バリア層は、これらの1種からなる単層構造であっても、2種以上からなる積層構造であってもよい。バリア層3は、蒸着又はCVD化学気相成長等によって成膜される。コバルト層4としては、コバルト、コバルト合金、コバルトの酸化物、コバルト合金の酸化物等の層が挙げられる。コバルト層は、公知のスパッタ法等により成膜される。導電性物質層5としては、銅、銅合金、銅の酸化物又は銅合金の酸化物、タングステン、タングステン合金、銀、金等の金属が主成分の物質からなる層が挙げられ、銅、銅合金、銅の酸化物、銅合金の酸化物等の銅を主成分とするものが好ましい。導電性物質層5は、公知のスパッタ法、メッキ法等によって成膜される。層間絶縁膜2の厚さは、0.01μm~2.0μm程度、バリア層3の厚さは、0.01μm~2.5μm程度、コバルト層4の厚さは、0.01μm~2.5μm程度、導電性物質層の厚さは、0.01μm~2.5μm程度が好ましい。図1aに示される状態から図1bに示される状態まで電性物質層5を研磨する第1の研磨工程では、この基板の表面の導電性物質層5を、例えば、導電性物質層5/コバルト層4の研磨速度比が十分大きい導電性物質用の研磨液を用いて、CMPにより研磨する。これにより、基板上の凸部のコバルト層4が表面に露出し、凹部に前記導電性物質層5が残された導体パターンが得られる。前記導電性物質層5/バリア層4の研磨速度比が十分大きい前記導電性物質用の研磨液としては、例えば、特許第3337464号公報に記載の研磨液を用いることができる。第1の研磨工程では、導電性物質層5とともに凸部のコバルト層4の一部が研磨されてもよい。引き続く第2の研磨工程では、第1の研磨工程により得られた導体パターンを、第2の研磨工程用の被研磨材として、本発明の研磨液を用いて研磨する。第2の研磨工程では、研磨定盤の研磨布上に基板を押圧した状態で、前記研磨布と基板との間に、本発明の研磨液を供給しながら、研磨定盤と基板とを相対的に動かすことにより、第1の研磨工程により露出したコバルト層4を研磨する。研磨する装置としては、研磨される基板を保持するホルダと、回転数が変更可能なモータ等と接続し、研磨布を貼り付けた研磨定盤とを有する一般的な研磨装置が使用できる。研磨布としては、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等が使用でき、特に制限はない。研磨条件は、特に制限がないが、研磨定盤の回転速度は基板が飛び出さないように、200rpm以下の低回転が好ましい。被研磨膜を有する基板の研磨布への押し付け圧力は、1~100KPaであることが好ましく、研磨速度の被研磨面内均一性及びパターンの平坦性を満足するためには、5~50KPaであることがより好ましい。研磨している間、研磨布には、本発明の研磨液をポンプ等で連続的に供給する。この供給量に制限はないが、研磨布の表面が常に研磨液で覆われていることが好ましい。研磨終了後の基板は、流水中でよく洗浄後、スピンドライ等を用いて基板上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させることが好ましい。第2の研磨工程では、少なくとも、前記露出しているコバルト層4を研磨する。したがって、第2の研磨工程では、コバルト層4を研磨して、バリア層3が露出したら研磨を終了し、別途、バリア層研磨用の研磨液によりバリア層3を研磨してもよい。または、図1bからcに示されるように、第2の研磨工程において一連でコバルト層4からバリア層3までを研磨してもよい。更に、凹部に埋め込まれた導電物質層5がコバルト層4及びバリア層3とともに研磨されてもよい。凸部のバリア層3の下の層間絶縁膜2が全て露出し、凹部に配線層となる前記導電性物質層5が残され、凸部と凹部との境界にバリア層の断面が露出した所望のパターンが得られた時点で研磨を終了する。研磨終了時のより優れた平坦性を確保するために、さらに、図2に示すように、オーバー研磨例えば、第2の研磨工程で所望のパターンを得られるまでの時間が100秒の場合、この100秒の研磨に加えて50秒追加して研磨することをオーバー研磨50という。してもよい。オーバー研磨する場合には、層間絶縁膜2の一部も研磨される。このようにして形成された金属配線の上に、更に、第2層目の層間絶縁膜及び金属配線を形成した後、研磨して半導体基板全面に渡って平滑な面とする。この工程を所定数繰り返すことにより、所望の配線層数を有する半導体デバイスを製造することができる。本発明の研磨液は、前記のような半導体基板に形成された金属膜の研磨だけでなく、磁気ヘッド等の基板を研磨するためにも使用することができる。以下、本発明の好適な実施例について、詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。<コバルトに対するエッチング量の評価>[実施例1~9、比較例1~5]研磨液作製方法容器に、表1に示す種類と量の金属防食剤と、金属溶解剤としてリンゴ酸を0.4質量部と、水溶性ポリマーとしてポリアクリル酸アンモニウム塩日立化成テクノサービス製、分子量80000.02質量部と、溶剤として3-メトキシ-3-メチル-1-ブタノール1.4質量部とを入れ、そこに超純水を注ぎ、攪拌混合して、全成分を溶解させた。次に、コロイダルシリカ扶桑化学工業株式会社製、粒径60nmを、シリカ粒子として4.0質量部に相当する量添加し、再度超純水を注ぎ、全体を100質量部としてスラリを得た。前記スラリ100質量部に対し、30質量の過酸化水素水を0.2質量部添加し、研磨液を得た。得られた研磨液のpHを測定し、表1に示す。コバルトに対するエッチング量評価シリコン基板に厚さ0.3μmのコバルト層を形成したブランケット基板aを用意した。上記ブランケットa基板を、20mm角のチップに切り出して評価用チップaを用意した。前記研磨液50gを入れたビーカの中に前記評価用チップaを入れ、40°Cの恒温槽に1分間浸漬した。浸漬後の評価用チップaを取り出し、純水で十分に洗浄した後、窒素ガスを吹きかけてチップ上の水分を乾燥させた。乾燥後の評価用チップaの抵抗を抵抗率計にて測定し、下記式にてエッチング後のコバルト層の膜厚に換算した。エッチング後のコバルト層の膜厚=コバルトの比抵抗値14.84μΩcm/評価用チップaの抵抗値mΩそして、得られたエッチング後のコバルト層の膜厚とエッチング前のコバルト層の厚みから、コバルト層のエッチング速度を求めた。コバルト層のエッチング速度=エッチング前のコバルト層の膜厚―エッチング後のコバルト層の膜厚/1分結果を表1に示す。表1中、HBTAは、1-ヒドロキシベンゾトリアゾールを表す。表1から明らかなように、3-ニトロフタル酸、ヘキサメチレンテトラミン、3,4-ジヒドロ-3-ヒドロキシ-4-オキソ-1,2,4-トリアジン、3H-1,2,3-トリアゾロ[4,5-b]ピリジン-3-オール、5-アミノ-1H-テトラゾール、3-ヒドロキシピリジン、及びベンズイミダゾールから選択される少なくとも一種を含む研磨液は、コバルトに対するエッチングが顕著に抑制されている。また、ヒドロキシベンゾトリアゾールと3-ニトロフタル酸とを併用した実施例2は、3-ニトロフタル酸のみを使用した実施例1と比較して、コバルトに対するエッチング抑制の効果が向上することがわかった。<銅及びコバルトに対するエッチング速度>[実施例1~3及び比較例1]実施例1~3及び比較例1の研磨液について、銅に対するエッチング速度と、コバルトに対する研磨速度を求めた。銅に対するエッチング量評価シリコン基板に厚さ0.5μmの銅層を形成したブランケット基板bを用意した。上記ブランケット基板bを、20mm角のチップに切り出して評価用チップbを用意した。前記研磨液50g中を入れたビーカの中に前記評価用チップbを入れ、40°Cの恒温槽に10分浸漬した。浸漬後の評価用チップbを取り出し、純水で十分に洗浄した後、窒素ガスを吹きかけてチップ上の水分を乾燥させた。乾燥後の評価用チップbの抵抗を抵抗率計にて測定し、下記式にてエッチング後の銅層の膜厚に換算した。コバルトに対するエッチング速度と合わせて結果を表2に示す。エッチング後の銅層の膜厚=銅の比抵抗値1.83μΩcm/評価用チップbの抵抗値mΩそして、得られたエッチング後の銅層の膜厚とエッチング前の銅層の厚みから、コバルト層のエッチング速度を求めた。銅層のエッチング速度=エッチング前の銅層の膜厚-エッチング後の銅層の膜厚/10分コバルトに対する研磨速度評価前記実験1における実施例1~3及び比較例1の研磨液を用いて、下記条件で、前記評価用チップaを研磨した。結果を表2に示す。研磨条件研磨布:IC1000ロデ-ル社製研磨圧力:2psi13.7MPa基体と研磨定盤との相対速度:36m/分研磨液の供給量:200mL/分本発明の研磨液は、コバルト層のエッチング速度を効果的に抑制しつつ、コバルト層を適切な速度で研磨することができる。"