基材繊維basefiberと、前記基材繊維を囲む第1電極と、前記第1電極を囲み、放射方向radialdirectionにPIN接合PINjunctionが位置する光吸収層と、前記光吸収層を囲む第2電極とを含む光電繊維。前記光吸収層はシリコンを含む、請求項1に記載の光電繊維。前記光吸収層は多結晶シリコンまたはナノ結晶シリコンを含む、請求項2に記載の光電繊維。前記第2電極を囲む保護膜をさらに含む、請求項1に記載の光電繊維。前記保護膜は反射性材料を含む、請求項4に記載の光電繊維。前記保護膜は高分子材料を含む、請求項4に記載の光電繊維。前記光電繊維は孤立領域isolationregionを含み、前記孤立領域で前記基材繊維が露出する、請求項1に記載の光電繊維。前記孤立領域で前記第1電極及び前記第2電極のうちの少なくとも1つが露出する、請求項7に記載の光電繊維。製織weavingされている光電繊維を含み、前記光電繊維は、基材繊維と、前記基材繊維を囲む第1電極と、前記第1電極を囲み、放射方向にPIN接合が位置する光吸収層と、前記光吸収層を囲む第2電極とを含む光電織物。前記光吸収層はシリコンを含む、請求項9に記載の光電織物。前記光吸収層は多結晶シリコンまたはナノ結晶シリコンを含む、請求項10に記載の光電織物。前記光電織物は複数の孤立ブロックisolationblockを含み、前記孤立ブロックの周りに孤立領域が位置し、前記孤立領域に基材繊維が露出しており、前記孤立ブロックは、第1方向に延びる第1光電繊維及び第2方向に延びる第2光電繊維を含み、前記第1方向及び前記第2方向は互いに異なる、請求項9に記載の光電織物。前記複数の孤立ブロックは、直列または並列に互いに電気的に接続される、請求項12に記載の光電織物。前記第1光電繊維の端部と前記第2光電繊維の端部とは互いに接続される、請求項13に記載の光電織物。製織されている光電繊維を含み、光エネルギーを電気エネルギーに変換させる光電池部を含み、前記光電池部は複数の孤立ブロックを含み、前記孤立ブロックの周りに孤立領域が位置し、前記孤立領域に基材繊維が露出しており、前記孤立ブロックは、第1方向に延びる複数の第1光電繊維及び第2方向に延びる複数の第2光電繊維を含み、前記第1方向及び前記第2方向は互いに異なる光電池モジュール。前記光電繊維は、基材繊維と、前記基材繊維を囲む第1電極と、前記第1電極を囲み、放射方向にPIN接合またはPN接合が位置する光吸収層と、前記光吸収層を囲む第2電極とを含む、請求項15に記載の光電池モジュール。前記複数の孤立ブロックは直列または並列に互いに電気的に接続される、請求項15に記載の光電池モジュール。前記第1光電繊維の端部と前記第2光電繊維の端部とは互いに接続される、請求項17に記載の光電池モジュール。前記複数の孤立ブロックは接続電極を通じて互いに接続される、請求項17に記載の光電池モジュール。前記電気エネルギーを貯蔵する貯蔵部をさらに含む、請求項15に記載の光電池モジュール。前記貯蔵部は製織されているキャパシタ繊維を含む、請求項20に記載の光電池モジュール。前記キャパシタ繊維は、基材繊維と、前記基材繊維を囲む第1キャパシタ電極と、前記第1キャパシタ電極を囲むキャパシタ絶縁層と、前記キャパシタ絶縁層を囲む第2キャパシタ電極とを含む、請求項21に記載の光電池モジュール。前記電気エネルギーを管理するスイッチング部をさらに含む、請求項15に記載の光電池モジュール。前記スイッチング部は製織されているスイッチング繊維を含む、請求項22に記載の光電池モジュール。前記スイッチング繊維は、基材繊維と、前記基材繊維の上に位置する半導体層と、前記基材繊維の上に位置するゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極との間に位置するゲート絶縁層とを含む、請求項24に記載の光電池モジュール。ロールツーロールroll-to-roll方式で基材繊維の上に第1電極を形成する段階と、ロールツーロール方式で前記第1電極の上に光吸収層を形成する段階と、ロールツーロール方式で前記光吸収層の上に第2電極を形成する段階とを含む光電繊維の製造方法。前記第1電極、前記光吸収層、及び前記第2電極は、ガスジェット電子ビームプラズマ化学的気相蒸着gas-jetelectronbeamplasmachemicalvapordeposition装置または超臨界蒸着装置によって形成される、請求項26に記載の光電繊維の製造方法。前記第1電極、前記光吸収層、及び前記第2電極は、塗布工程及び自己整列印刷エッチングself-alignedimprintlithography方式によって形成される、請求項27に記載の光電繊維製造方法。前記第2電極の上に高分子物質を塗布する段階と、刻印部を含むローラによって前記高分子物質が刻印される段階とをさらに含む、請求項26に記載の光電繊維の製造方法。前記ロールツーロール方式はマルチチャンバを利用する、請求項26に記載の光電繊維の製造方法。前記第1電極は前記基材繊維を囲み、前記光吸収層は前記第1電極を囲み、前記第2電極は前記光吸収層を囲む、請求項26に記載の光電繊維の製造方法。本発明の一側面は、高効率で、軽く、可撓性を有して、織物の製造が容易な光電繊維を提供することを目的とする。また、本発明の他の側面は、服のように着られる携帯用電子製品mobileelectronicsの電源として使用することを目的とする。また、本発明の他の側面は、製造原価を安価にすることを目的とする。さらに、本発明の他の側面は、大面積の蒸着装置がなくても、大面積の光電池モジュールを製造することができる方法を提供することを目的とする。本発明の一側面に係る光電繊維は、平板基板の代わりに基材繊維basefiberの上に電極、光吸収層の形成のための物質を塗布し、放射方向radialdirectionにPIN接合PINjunctionまたはPN接合PNjunctionを形成することによって製造される。基材繊維は、ガラス繊維glassfiber、プラスチック繊維plasticfiber、高分子繊維polymerfiber、及び炭素繊維carbonfiberなどとすることができる。光吸収層として使用される物質は、非晶質シリコンamorphoussilicon、a-Si、多結晶シリコンmulti-crystalsilicon、mc-Si、ナノ結晶シリコンnanocrystallinesilicon、nc-Si、CIGSCuInGaSe2、及びCdTeなどの化合物半導体compoundsemiconductor、有機化合物、マルチ接合multi-junctionを有する物質などとすることができる。非晶質シリコンは水素化された非晶質シリコンhydrogenatedamorphoussilicon、a-SiHとすることができ、多結晶シリコンは水素化された多結晶シリコンhydrogenatedmulti-crystalsilicon、mc-SiHとすることができ、ナノ結晶シリコンは水素化されたナノ結晶シリコンhydrogenatednanocrystallinesilicon、nc-SiHとすることができる。本発明の一側面による光電織物photovoltaicfabricは、製織weavingされている光電繊維を含む。本発明の一側面による光電池モジュールは、光電池部photovoltaiccellunitを含む。光電池モジュールは、貯蔵部storageunit及びスイッチング部switchingunitうちの少なくとも1つを含むことができる。スイッチング部の代わりに伝導性繊維conductivefiberを使用することも可能である。光電池部は、光エネルギーを電気エネルギーに変換させ、製織されている光電繊維を含むことができる。貯蔵部は、変換された電気エネルギーを貯蔵し、製織されているキャパシタ繊維、キャパシタcapacitor、及びバッテリーのうちの少なくとも1つを含むことができる。スイッチング部は、変換された電気エネルギー及び貯蔵された電気エネルギーのうちの少なくとも1つを管理し、製織されているスイッチング繊維及び薄膜トランジスタのうちの少なくとも1つを含むことができる。本発明の一側面による光電繊維は、大面積の蒸着装置なしに、ロールツーロールroll-to-roll工程によって製造することができる。高効率で、軽く、可撓性を有して、織物の製造が容易であり、製造原価が安価であり、大面積の蒸着装置がなくても大面積で製造することができ、服のように着られる携帯用電子製品の電源として使用できる。以下、本発明の側面について詳細に説明する。ただし、これは例示として提示したもので、これによって本発明が制限されるわけではなく、本発明は後述する請求項の範囲によって定義される。図面において、本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略し、明細書の全体にわたって同一または類似する構成要素に対しては同一の図面符号を付けた。また、広く知られている公知技術の場合にその具体的な説明は省略する。図面において、種々の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の上にあるという時、これは他の部分のすぐ上にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。一方、ある部分が他の部分のすぐ上にあるという時には、中間に他の部分がないことを意味する。反対に、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の下にあるという時、これは他の部分のすぐ下にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。一方、ある部分が他の部分のすぐ下にあるという時には、中間に他の部分がないことを意味する。本発明の一側面による光電繊維は、平板基板の代わりに基材繊維の上に、電極、光吸収層を形成するための物質を塗布し、放射方向にPIN接合またはPN接合を形成することによって製造される。また、光電繊維には必要によって電極物質、絶縁物質などを少なくとも1つ以上塗布することができる。光吸収層として使用される物質は、非晶質シリコン、多結晶シリコン、ナノ結晶シリコン、CIGS、CdTeなどの化合物半導体、有機化合物、マルチ接合を有する物質などとすることができる。非晶質シリコンは水素化された非晶質シリコンとすることができ、多結晶シリコンは水素化された多結晶シリコンとすることができ、ナノ結晶シリコンは水素化されたナノ結晶シリコンとすることができる。電極物質としては、ITO、AZOなどの透明導電性物質、不透明導電性物質、炭素ナノチューブcarbonnanotube、CNT、及びグラフェンgrapheneを少なくとも1つ以上用いることができる。炭素ナノチューブ及びグラフェンは柔軟性に優れている。絶縁物質としては、有機絶縁物質、SiOx、SiNxなどの無機絶縁物質などを用いることができる。基材繊維は、ガラス繊維、プラスチック繊維、高分子繊維、炭素繊維などとすることができる。これら基材繊維は、柔軟で、入射した光の損失が少なく、直径を数マイクロメーターから数十マイクロメーター程度に製作可能である。また、ガラス繊維、高分子繊維など安価の材料を利用することによって原価が節減できる。また、基材繊維は、平板基板またはウエハーとは異なって、軽くて、壊れ難い。本発明の一側面による光電繊維を形成する時、ロールツーロール工程を利用することができる。例えば、繊維の上に物質を塗布する時、ガスジェット電子ビームプラズマ化学的気相蒸着gas-jetelectronbeamplasmachemicalvapordeposition、GJEBPCVD装置、超臨界蒸着装置などを利用すれば、繊維の上に物質を均一に塗布することができ、大面積の蒸着装置がなくても、ロールツーロール工程によって光電繊維は、安価で、効率的で、容易に、高い生産性で製造できる。同時に、これら装置はマルチチャンバを利用でき、低温で高速に多様な種類の物質を繊維に塗布することができる。例えば、光吸収層物質、電極物質、絶縁物質などを均一に塗布することができる。反面、通常平板基板の蒸着に使用されるPECVDなどの装置は、繊維の上に均一に蒸着するのが難しく、大面積の蒸着装置なので、高くて複雑である。また、繊維の上に塗布された物質をエッチングする時、自己整列印刷エッチングself-alignedimprintlithography、SAIL工程などを利用すれば、別途の整列工程alignprocessがないため、ロールツーロール工程によって光電繊維を効率的に、かつ容易に形成することができる。反面、通常使用されるフォトエッチングphoto-lithograyphy工程は、工程が複雑で、かつ生産性が低い。図1乃至図12は、本発明の一側面による光電繊維を製造する工程を概略的に示す図面である。図1及び図2を参照すると、基材繊維の上にGJEBPCVD装置、超臨界蒸着装置などを利用して、ロールツーロール方式で絶縁物質と電極物質を順次に塗布して、絶縁層図示せずと第1電極11を順次に形成する。第1電極11はコア電極coreelectrodeともいう。ここで、絶縁物質の塗布工程は省略可能である。図3を参照すると、第1電極11をレーザースクライビングlaserscribing方法などでエッチングして、セルの間を孤立isolationさせることができ、この領域を孤立領域isolationregionという。その他にも、図3に示したのとは異なって、第1電極11は以降に行われるSAIL工程でエッチングすることも可能である。図4乃至図6を参照すると、第1電極11の上にGJEBPCVD装置、超臨界蒸着装置などを利用して、ロールツーロール方式で、光吸収層物質、電極物質、及び保護膜物質を順次に塗布して、光吸収層12、第2電極13、及び保護膜14を順次に形成することができる。光吸収層は、PIN接合またはPN接合を形成することができる。PIN接合は、P、I、及びNの順序に形成するか、またはN、I、及びPの順序に形成することができる。PN接合は、P及びNの順序に形成するか、またはN及びPの順序に形成することができる。構造的な特徴により、PIN接合は、光捕獲lighttrappingがうまく行われて高効率が可能であり、多結晶シリコンまたはナノ結晶シリコンのI層I-layerは、厚さが薄くても、高効率が可能である。第2電極はシェル電極shellelectrodeともいう。保護膜物質は、酸化アルミニウムAlOxなどの無機物質、高分子物質などの有機物質とすることができる。光電繊維が光を受けると、光吸収層12で電流が発生し、第1電極11と第2電極13を通じて電流が流れる。保護膜としてアルミニウム薄膜などの反射性材料を塗布するとき、光電池を通過する光量が減少でき、そのために光電効率が改善可能である。図7乃至図12を参照すると、ロールツーロール工程によってSAIL工程を行うことが分かり、蒸着工程に続いてエッチング工程においてもロールツーロール工程が適用されるので、高い生産性で必要な構造を有する光電繊維1が製造できる。図10を参照すると、光吸収層、電極などが形成されている光電繊維1に高分子物質をコーティングして、上下方向に設置されているローラ2の間に光電繊維1を通過させる。ここで、第1電極11が既にエッチングされている場合には、複数の光電繊維1をパターニングされた第1電極11を基準として整列した後、ローラ2の間に複数の光電繊維1を通過させる。例えば、高分子物質はエチレンビニルアセテートethylenevinylacetate、EVAの単独重合体homo-polymerまたは共重合体copolymerとすることができる。図8乃至図10を参照すると、ローラ2は刻印部imprintingunit21を含む。刻印部21は、本体body210、第1突出部firstprotrusionportion215、及び第2突出部secondprotrusionportion216を含むことができる。必要によって刻印部は3つ以上の突出部を含むことができる。ローラ2の間に位置した刻印部21によって一定の間隔で高分子が刻印できる。また、複数の刻印部21は互いに一定の間隔で離れていることができる。図11は、エッチング前の光電繊維1を示したものであり、図12は、エッチング後の光電繊維1を示したものである。図11及び図12を参照すると、GJEBPCVDでアッシングashingとマスクエッチング工程によって高分子フォトレジスト15の最も薄い部分が露出するようにする。続いて、光電繊維1の本体に対するエッチング工程によって基材繊維10を露出させることにより、第1電極11を孤立させる。次に、アッシングを通じたマスクエッチング工程及び光電繊維1の本体に対するエッチング工程によって第1電極11を露出させる。次に、アッシングを通じたマスクエッチング工程及び光電繊維1の本体に対するエッチング工程によって第2電極13を露出させる。光電繊維1の本体に対するエッチングは、GJEBPCVDの代わりにウェットエッチングwetetchで行うことも可能である。図13を参照すると、製織機weavingapparatusを利用して光電繊維を製織すれば、列方向に延びている光電繊維と行方向に延びている光電繊維とが互いに交差するようになっている光電織物photovoltaicfabricを製造することができる。光電繊維は多様な方向で延びることができる。ここで、複数の光電繊維の第1電極11、光吸収層12、または第2電極13は、互いに整列されている。光電繊維の長さが増加するほど、抵抗が増加するので、出力電力を最適化するために、最も小さい長さを有する1つの孤立セルisolationcellを一辺とする1つの孤立ブロックisolationblockに基づいて光電モジュールを管理することができる。さらに、孤立ブロックを利用して直列接続回路、並列接続回路などが構成でき、このような回路はインクジェット印刷方法によって形成できる。また、光電モジュールは大面積で製造することも可能である。具体的に、図13において、1つの孤立ブロックの底辺と右辺には光吸収層12または第2電極13が整列されており、上辺と左辺には第1電極11、光吸収層12または第2電極13が整列されている。露出している第1電極11、光吸収層12または第2電極13の長さは、複数の光電繊維の直径の合計と類似することができる。図14に示したように、複数の光電繊維1を製織して光電織物を形成することができる。図15に示したように、製織されている複数の光電繊維1は多層光電セルmulti-layeredphotovoltaiccellの構造を有することができ、そのために光を効率的に吸収することができるので、高効率の太陽電池の製造が可能である。図14において、点線で表示された円は、第1電極11、光吸収層12または第2電極13が接続電極と接触できる領域を表わしたものである。例えば、複数の第1電極11に導電性物質を塗布して互いに接続でき、複数の光吸収層12に導電性物質を塗布して互いに接続でき、複数の第2電極13に導電性物質を塗布して互いに接続できる。そのために、図16及び図17に示したように、孤立ブロック間の直列接続または並列接続が実現でき、または図18及び図20に示したように、孤立ブロック内での直列接続または並列接続が実現できる。さらに、このような接続関係を多様に組み合せることにより、図21~図24に示したように、多様な接続関係を有する光電モジュールの設計が可能である。図16を参照すると、2つの孤立ブロックが互いに直列接続されている光電モジュールが示されている。1つの孤立ブロックの光吸収層12または第2電極13は、接続電極3によって他の孤立ブロックの第1電極11と互いに接続されている。発生した電流はから-に流れる。接続電極3は、印刷、蒸着、スピンコーティング、スリットコーティングなど多様な方式で形成できる。図17を参照すると、2つの孤立ブロックが互いに並列接続されている光電モジュールが示されている。1つの孤立ブロックの光吸収層12または第2電極13は、接続電極3によって他の孤立ブロックの光吸収層12または第2電極13と接続されている。また、1つの孤立ブロックの第1電極11は、接続電極4によって他の孤立ブロックの第1電極11と接続されている。発生した電流はから-に流れる。この場合、互いに並列接続されている孤立ブロックのいずれか1つの孤立ブロックが不良であっても、それ以外の孤立ブロックが正常に作動できる。接続電極3、4は、第1電極11、光吸収層12または第2電極13の前面に位置することもでき、裏面に位置することも可能である。また、接続電極3、4は、印刷、蒸着、スピンコーティング、スリットコーティングなど多様な方式で形成することができる。図18を参照すると、1つの孤立ブロック内で列方向に延びている光電繊維と行方向に延びている光電繊維とが互いに直列接続されている。例えば、列方向に延びている複数の光電繊維の第1電極11は、1つの接続電極42によって互いに接続されており、列方向に延びている複数の光電繊維の光吸収層12または第2電極13は、1つの接続電極41によって互いに接続されている。また、行方向に延びている複数の光電繊維の第1電極11は1個の接続電極32によって互いに接続されており、行方向に延びている複数の光電繊維の光吸収層12または第2電極13は、1つの接続電極31によって互いに接続されている。接続電極31、32、41、42は、第1電極11、光吸収層12または第2電極13の前面に位置することもでき、裏面に位置することも可能である。また、接続電極31、32、41、42は印刷、蒸着、スピンコーティング、スリットコーティングなど多様な方式で形成できる。2つの接続電極31、42は接続部材5によって互いに接続できる。例えば、図19を参照すると、接続繊維51に固定されており、導電性物質を含む接続環52によって互いに接続されており、そのために、列方向に延びている光電繊維と行方向に延びている光電繊維とが互いに直列に接続できる。その他にも、多様な方式で光電繊維が互いに直列に接続できる。図18を参照すると、発生した電流はから-に矢印方向に沿って流れる。図20を参照すると、1つの孤立ブロック内で列方向に延びている光電繊維と行方向に延びている光電繊維とが互いに並列接続されている。例えば、列方向に延びている複数の光電繊維の第1電極11と行方向に延びている光電繊維の第1電極11は1個の接続電極43によって互いに接続されている。また、列方向に延びている複数の光電繊維の光吸収層12、または第2電極13と行方向に延びている光電繊維の光吸収層12、または第2電極13は、1つの接続電極33によって互いに接続されている。接続電極33、43は、第1電極11、光吸収層12、または第2電極13の前面に位置することもでき、裏面に位置することも可能である。また、接続電極33、43は、印刷、蒸着、スピンコーティング、スリットコーティングなど多様な方式で形成できる。発生した電流はから-に矢印方向に沿って流れる。図21~図24を参照すると、2つの孤立ブロックの間の直列接続または並列接続、1つの孤立ブロック内での直列接続または並列接続を組み合わせた光電モジュールが示されており、その他にも多様な接続関係を有する光電モジュールが設計できる。接続電極34、35、36、37、44、45、46、47は、第1電極11、光吸収層12または第2電極13の前面に位置することもでき、裏面に位置することも可能である。また、接続電極34、35、36、37、44、45、46、47は、接続部材5によって互いに接続でき、接続部材5は、図19に示したように、接続繊維51及び接続環52を含むことができる。また、接続電極34、35、36、37、44、45、46、47及び接続部材5は、印刷、蒸着、スピンコーティング、スリットコーティングなど多様な方式で形成することができる。光電繊維を製造する時、列方向に延びている光電繊維と行方向に延びている光電繊維との上に互いに異なる種類のフォトレジストphotoresistを塗布した後、列方向に延びている光電繊維と行方向に延びている光電繊維に対して独立的にまたは一括的にフォトエッチング工程を進行することができる。例えば、列方向に延びている光電繊維にはネガティブフォトレジストnegativephotoresistを塗布し、行方向に延びている光電繊維にはポジティブフォトレジストpositivephotoresistを塗布することができる。このようなフォトエッチング工程を利用して、2つの孤立ブロックを接続するための接続電極を形成する時、列方向に延びている光電繊維と行方向に延びている光電繊維との間の干渉現象を減少させることができる。図25は、本発明の一側面によるスイッチング部を概略的に示す図面である。スイッチング部の一例として、スイッチング繊維switchingfiber6はトップゲートtop-gate構造を有する。その他にも、ボトムゲートbottom-gate構造を有することも可能である。基材繊維60の上に絶縁層insulatinglayer61が形成されている。基材繊維60は、ガラス繊維、プラスチック繊維、高分子繊維、炭素繊維などとすることができる。このような基材繊維は、柔軟で、入射した光の損失が少なく、直径を数マイクロメーターから数十マイクロメーター程度に製作可能である。絶縁層61は、有機絶縁物質、SiOx、SiNxなどの無機絶縁物質などを含むことができる。絶縁層61の上に半導体層62が形成されている。半導体層62は、多結晶シリコン、ナノ結晶シリコン、非晶質シリコン、GIZOなどの化合物半導体、グラフェンgrapheneなどとすることができる。シリコンは水素化処理されたシリコンとすることができる。半導体層62の上にゲート絶縁層gateinsulatinglayer64が形成されている。ゲート絶縁層64は、有機絶縁物質、SiOx、SiNxなどの無機絶縁物質などを含むことができる。ゲート絶縁層64の上にゲート電極gateelectrode65が形成されている。ゲート電極65は、金属物質、多結晶シリコンなどを含むことができる。ゲート電極65の上に層間絶縁膜interlayerinsulatinglayer66が形成されている。層間絶縁膜66は、有機絶縁物質、SiOx、SiNxなどの無機絶縁物質などを含むことができる。スイッチング繊維6を形成する時、光電繊維の形成工程のように、マルチチャンバを有するロールツーロール工程を利用することができる。GJEBPCVD装置及び超臨界蒸着装置などを利用して塗布工程を行うことができ、SAIL工程を利用してパターニング工程を行うことができる。そのために、スイッチング繊維6は、基材繊維の上に均一に塗布でき、大面積の蒸着装置がなくても、安価で、効率的で、容易に、高い生産性で製造することができる。ソース電極とドレイン電極は、イオンシャワーionshower、ショットキーバリア接合Schottkybarrierjunction、インプラントimplantなどの方法を利用して、半導体層62またはオーミックコンタクト層ohmiccontactlayer図示せずを定義defineすることができる。また、スペーサspacer工程によってLDD領域lightlydopeddrainregionが半導体層62またはオーミックコンタクト層を定義することができる。図26及び図27を参照すると、製織機を利用して列方向に延びているスイッチング繊維6と行方向に延びているスイッチング繊維6とが互いに交差できる。その他にも、列方向に延びているスイッチング繊維6と行方向に延びている通常の繊維typicalfiberを製織することができ、列方向に延びている通常の繊維と行方向に延びているスイッチング繊維6を製織することも可能である。また、一方向に延びている複数のスイッチング繊維6の間に、それと同一の方向に延びている通常の繊維が1つ以上位置することもできる。ゲート電極線gateelectrodeline39、ソース電極線sourceelectrodeline49、及びドレイン電極線drainelectrodeline49のうちの少なくとも1つは、スイッチング繊維6の上面に位置してもよく、下面に位置してもよい。また、ゲート電極線gateelectrodeline39、ソース電極線sourceelectrodeline49、及びドレイン電極線drainelectrodeline49のうちの少なくとも1つはインクジェット印刷方法によって形成でき、ソース電極とドレイン電極を定義する工程やSAIL工程で一括的に形成することも可能である。図28は、本発明の一側面による貯蔵部を概略的に示す図面である。貯蔵部の一例として、キャパシタ繊維capacitorfiber7は、繊維の形状に合わせてキャパシタが形成されているものである。基材繊維70の上に絶縁層71が形成されている。基材繊維70は、ガラス繊維、プラスチック繊維、高分子繊維、炭素繊維などとすることができる。このような基材繊維は、柔軟で、入射した光の損失が少なく、直径を数マイクロメーターから数十マイクロメーター程度に製作可能である。絶縁層71は、有機絶縁物質、SiOx、SiNxなどの無機絶縁物質などを含むことができる。また、絶縁層71は省略可能である。基材繊維70の上に第1キャパシタ電極72が形成されている。第1キャパシタ電極72は金属物質及び多結晶シリコンなどを含むことができる。第1キャパシタ電極72の上にキャパシタ絶縁層73が形成されている。絶縁層73は、セラミック物質、高分子などの有機絶縁物質、無機絶縁物質などを含むことができる。キャパシタ絶縁層73の上に第2キャパシタ電極74が形成されており、第2キャパシタ電極74は金属物質及び多結晶シリコンなどを含むことができる。第2キャパシタ電極74の上に層間絶縁膜75が形成されている。層間絶縁膜75は、有機絶縁物質、SiOx、SiNxなどの無機絶縁物質などを含むことができる。キャパシタ繊維74を形成する時、光電繊維の形成工程と同様に、マルチチャンバを有するロールツーロール工程を利用することができる。GJEBPCVD装置、超臨界蒸着装置などを利用して塗布工程を行うことができ、SAIL工程を利用してパターニング工程を行うことができる。これにより、キャパシタ繊維7は繊維の上に均一に塗布され、大面積の蒸着装置がなくても、安価で、効率的で、容易に、高い生産性で製造することができる。光電繊維1の製織と関連した図13~図24及び関連説明はキャパシタ繊維7にも適用できる。例えば、キャパシタ繊維7は、光電繊維1の製織と同様の方法で製織でき、同一種類の孤立ブロックと同一種類の接続関係を有することができる。光電繊維1を通じて出力された電力はキャパシタ繊維7に保存される。図29は、本発明の一側面による光電池モジュールのブロック図である。光電池モジュールは一体式織物構造monolithictextilestructureを有し、光電池部100、貯蔵部700、及びスイッチング部600のうちの少なくとも1つを含むことができる。スイッチング部600の代わりに伝導性繊維を用いることも可能である。光電池部100は、光エネルギーを電気エネルギーに変換させ、製織されている光電繊維1を含むことができる。貯蔵部700は、変換された電気エネルギーを貯蔵し、製織されているキャパシタ繊維7、キャパシタ、及びバッテリーのうちの少なくとも1つを含むことができる。また、キャパシタはスーパーキャパシタsupercapacitorとすることができる。スイッチング部600は、変換された電気エネルギー及び充電された電気エネルギーのうちの少なくとも1つを管理し、スイッチング繊維6及び薄膜トランジスタのうちの少なくとも1つを含むことができる。図29に示されている光電池モジュールは、選択的に光電池部100、貯蔵部700、及びスイッチング部600のうちの少なくとも1つを垂直に積み重ねてstack、互いに異なる平面に位置することもできる。図30は、本発明の他側面による光電池モジュールのブロック図である。光電池モジュールは、選択的に光電池部100、貯蔵部700、及びスイッチング部600のうちの少なくとも1つを、1つの平面に配置するarrangeことも可能である。光電繊維は製織されて人の身体によく合う服に作ることができ、このような光電繊維が製織されている光電池モジュールは、季節に無関係に適切な温度を維持することができる。また、光電繊維は、服のように着られる携帯用電子製品の電源として用いることができる。その他にも、光電繊維とこれを利用した光電池モジュールは、船舶の帆や宇宙航空船などに用いることができる。また、光電池モジュールは、電子製品のケースを構成する材料にエンベデッドembeddedされることができる。以上、本発明について好ましい実施形態を挙げて詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の技術的な思想の範囲内で当該分野における通常の知識を有する者によって種々の変形が可能である。