"複数のインバータブリッジが出力側で直列に接続されたインバータブリッジ直列回路であって、各々のインバータブリッジの入力電源電圧のうち少なくとも一つが他の入力電源電圧と異なるインバータブリッジ直列回路と、前記インバータブリッジ直列回路の出力側に接続されたインダクタンス性負荷と、前記インバータブリッジ直列回路の出力電圧が、前記インダクタンス性負荷に所望の電流波形で電流が流れるような電圧となるよう、前記複数のインバータブリッジのそれぞれのオンデューティを制御する制御部と、を備えたインバータ装置であって、前記制御部は、前記所望の電流波形における電流値の正負および電流微分値の正負に基づいて、前記インバータブリッジ直列回路が前記インダクタンス性負荷に与える電力のインバータブリッジ間のバランスと、前記インダクタンス性負荷から前記インバータブリッジ直列回路に回生される電力のインバータブリッジ間のバランスとの不均衡を是正するよう、前記それぞれのオンデューティを制御するインバータ装置。前記インバータブリッジ直列回路は、入力電源電圧が相対的に高い第1のインバータブリッジと、入力電源電圧が相対的に低い第2のインバータブリッジとが出力側で直列に接続された回路である請求項1に記載のインバータ装置。前記制御部は、前記所望の電流波形における電流値が正であり、電流微分値が正であるとき、前記第1のインバータブリッジのオンデューティを下げ、前記第2のインバータブリッジのオンデューティを上げる制御を行う請求項2に記載のインバータ装置。前記制御部は、前記所望の電流波形における電流値が正であり、電流微分値が負であるとき、前記第1のインバータブリッジのオンデューティを上げ、前記第2のインバータブリッジのオンデューティを下げる制御を行う請求項2または請求項3に記載のインバータ装置。前記制御部は、前記所望の電流波形における電流値が負であり、電流微分値が負であるとき、前記第1のインバータブリッジのオンデューティを下げ、前記第2のインバータブリッジのオンデューティを上げる制御を行う請求項2から請求項3のいずれか一項に記載のインバータ装置。前記制御部は、前記所望の電流波形における電流値が負であり、電流微分値が正であるとき、前記第1のインバータブリッジのオンデューティを上げ、前記第2のインバータブリッジのオンデューティを下げる制御を行う請求項2から請求項4のいずれか一項に記載のインバータ装置。前記制御部は、前記所望の電流波形と前記インダクタンス性負荷の電流波形との差分が小さくなるよう、前記オンデューティをフィードバック制御する請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のインバータ装置。前記インバータブリッジを構成するスイッチング素子は、それぞれ、IGBT絶縁ゲートバイポーラトランジスタまたはGTOゲートターンオフサイリスタである請求項1から請求項7のいずれか一項に記載のインバータ装置。前記インダクタンス性負荷は、MR撮影用の勾配コイルであり、前記所望の電流波形は、MR撮影用の勾配パルスを発生させるための電流波形である請求項1から請求項8のいずれか一項に記載のインバータ装置。請求項9に記載のインバータ装置を備えたMR装置。しかしながら、このような勾配磁場発生装置では、勾配コイル30の電流波形によっては、インバータブリッジ直列回路25が勾配コイル30に電力を与えるときの、その電力のインバータブリッジ間のバランスと、勾配コイル30からインバータブリッジ直列回路25に電力が回生されるときの、その電力のインバータブリッジ間のバランスbalanceとが異なるという現象が起きる。例えば、図4に示すように、勾配コイル30に、電流値が比較的緩やかに上昇した後、急峻に下降するような三角波の電流波形で電流を流す場合を考える。電流Iを緩やかに上昇させるときは、出力電圧Voutを正側で比較的小さく保てばよいので、入力電源電圧が低い第2のインバータブリッジ22のみで、あるいは、これをメインmainとして駆動し、入力電源電圧が高い第1のインバータブリッジ21を休ませることができる。この場合は、勾配コイル30へ与える電力は、比較的小さく、第2のインバータブリッジ22が主に担うことになる。一方、電流Iを、上昇し切った後に急峻に下降させるときは、出力電圧Voutを、瞬間的に-負側で大きくする必要があるので、第1および第2のインバータブリッジ21,22の両方を駆動しなければならない。この場合は、勾配コイル30から回生される電力は、比較的大きく、より大きな電圧を出力する第1のインバータブリッジ21に、大きな割合で電力が回生されることになる。つまり、第1のインバータブリッジ21では、勾配コイル30に与える電力がほとんどない状態から、突如、大きな電力が回生されることになる。一方、第2のインバータブリッジ22では、勾配コイル30に比較的小さい電力を与えていた状態から、比較的小さい電力が回生されることになる。これは、すなわち、インバータブリッジ直列回路25が勾配コイル30に電力を与えるときの、その電力のインバータブリッジ間のバランスと、勾配コイル30からインバータブリッジ直列回路25に電力が回生されるときの、その電力のインバータブリッジ間のバランスとが異なることを意味する。こうなると、第1のインバータブリッジ21では、与える電力よりも回生される電力の方が大きく上回るので、第1のバス電源11は余った電力を吸収しきれず、電源電圧が上昇するなど不安定な動作をすることになる。このように、勾配コイル30に流す電流波形によっては、インバータブリッジにおける与える電力と回生される電力との不均衡が極端に増大することがある。そして、この不均衡が大きくなると、第1のバス電源11もしくは第2のバス電源12またはその両方がその不均衡を吸収できなり、出力電圧V1,V2が意図した電圧に制御できなくなる。その結果、バス電源そのものが不安定になり、勾配コイル30の電流波形にも歪が発生することになる。なお、このような現象は、MR装置の勾配磁場発生装置に限らず、直列に接続された複数のインバータブリッジを備えたインバータ装置で、インダクタンス性負荷を所望の電流波形で駆動しようとする際に発生するものである。このような事情により、直列に接続された複数のインバータブリッジを備えたインバータ装置において、インバータブリッジ間の利用率を変えて、インダクタンス性負荷を効率よく駆動する際に、インバータブリッジの入力電源電圧を安定させる技術が望まれている。第1の観点の発明は、複数のインバータブリッジが出力側で直列に接続されたインバータブリッジ直列回路であって、各々のインバータブリッジの入力電源電圧のうち少なくとも一つが他の入力電源電圧と異なるインバータブリッジ直列回路と、前記インバータブリッジ直列回路の出力側に接続されたインダクタンス性負荷と、前記インバータブリッジ直列回路の出力電圧が、前記インダクタンス性負荷に所望の電流波形で電流が流れるような電圧となるよう、前記複数のインバータブリッジのそれぞれのオンデューティを制御する制御部と、を備えたインバータ装置であって、前記制御部が、前記所望の電流波形における電流値の正負および電流微分値の正負に基づいて、前記インバータブリッジ直列回路が前記インダクタンス性負荷に与える電力のインバータブリッジ間のバランスと、前記インダクタンス性負荷から前記インバータブリッジ直列回路に回生される電力のインバータブリッジ間のバランスとの不均衡を是正するよう、前記それぞれのオンデューティを制御するインバータ装置を提供する。第2の観点の発明は、前記インバータブリッジ直列回路が、入力電源電圧が相対的に高い第1のインバータブリッジと、入力電源電圧が相対的に低い第2のインバータブリッジとが出力側で直列に接続された回路である上記第1の観点のインバータ装置を提供する。第3の観点の発明は、前記制御部が、前記所望の電流波形における電流値が正であり、電流微分値が正であるとき、前記第1のインバータブリッジのオンデューティを下げ、前記第2のインバータブリッジのオンデューティを上げる制御を行う上記第2の観点のインバータ装置を提供する。第4の観点の発明は、前記制御部が、前記所望の電流波形における電流値が正であり、電流微分値が負であるとき、前記第1のインバータブリッジのオンデューティを上げ、前記第2のインバータブリッジのオンデューティを下げる制御を行う上記第2の観点または第3の観点のインバータ装置を提供する。第5の観点の発明は、前記制御部が、前記所望の電流波形における電流値が負であり、電流微分値が負であるとき、前記第1のインバータブリッジのオンデューティを下げ、前記第2のインバータブリッジのオンデューティを上げる制御を行う上記第2の観点から第3の観点のいずれか一つの観点のインバータ装置を提供する。第6の観点の発明は、前記制御部が、前記所望の電流波形における電流値が負であり、電流微分値が正であるとき、前記第1のインバータブリッジのオンデューティを上げ、前記第2のインバータブリッジのオンデューティを下げる制御を行う上記第2の観点から第4の観点のいずれか一つの観点のインバータ装置を提供する。第7の観点の発明は、前記制御部が、前記所望の電流波形と前記インダクタンス性負荷の電流波形との差分が小さくなるよう、前記オンデューティをフィードバック制御する上記第1の観点から第6の観点のいずれか一つの観点のインバータ装置を提供する。第8の観点の発明は、前記インバータブリッジを構成するスイッチング素子が、それぞれ、IGBT絶縁ゲートバイポーラトランジスタまたはGTOゲートターンオフサイリスタである上記第1の観点から第7の観点のいずれか一つの観点のインバータ装置を提供する。第9の観点の発明は、前記インダクタンス性負荷が、MR撮影用の勾配コイルであり、前記所望の電流波形が、MR撮影用の勾配パルスを発生させるための電流波形である上記第1の観点から第8の観点のいずれか一つの観点のインバータ装置を提供する。第10の観点の発明は、上記第9の観点のインバータ装置を備えたMR装置を提供する。上記観点の発明によれば、制御部が、複数のインバータブリッジが直列に接続されたインバータブリッジ直列回路からインダクタンス性負荷に与えられる電力のインバータブリッジ間のバランスと、インダクタンス性負荷からインバータブリッジ直列回路に回生される電力のインバータブリッジ間のバランスとの不均衡が是正されるように、それぞれのインバータブリッジのオンデューティを制御するので、各インバータブリッジの上記不均衡による不安定動作を抑制することができ、それぞれのインバータブリッジの入力電源電圧をより安定させることができる。以下、発明の実施形態について説明する。なお、これにより発明が限定されるものではない。図5は、本実施形態に係る勾配磁場発生装置インバータ装置の構成を概略的に示す図である。図5に示すように、勾配磁場発生装置100は、インバータブリッジ直列回路25と、勾配コイル30と、電流センサ40と、制御部52とを備えている。インバータブリッジ直列回路25は、第1のインバータブリッジ21と第2のインバータブリッジ22とが出力側で直列に接続された回路である。本例では、第1および第2のインバータブリッジ21,22は、いずれもフルブリッジ型である。第1のインバータブリッジ21の入力側には、相対的に高い電圧Vbus1を電源電圧とする第1のバス電源11が接続されている。第2のインバータブリッジ22の入力側には、相対的に低い電圧Vbus2を電源電圧とする第2のバス電源12が接続されている。第1および第2のインバータブリッジ21は、それぞれ、複数のスイッチング素子により構成されている。高い電圧Vbus1は、例えば700Vであり、低い電圧Vbus2は、例えば100Vである。スイッチング素子としては、例えば、IGBT絶縁ゲートバイポーラトランジスタやGTOゲートターンオフサイリスタ、パワーMOSFET電界効果トランジスタ、パワーバイポーラトランジスタなどが考えられる。インバータブリッジのスイッチング周波数は、例えば、50~100kHz程度である。インバータブリッジ直列回路25の出力側には、インダクタンス性負荷である勾配コイル30が接続されている。勾配コイル30は、勾配コイル30の電流波形に応じた勾配パルスpulse磁場を発生させる。電流センサ40は、勾配コイル30に流れる電流を検出する。電流センサ40としては、例えば、非接触型のホール素子などが考えられる。制御部52は、基本的に、インバータブリッジ直列回路25の出力電圧Voutが、勾配コイル30に所望の電流波形で電流が流れるような電圧となるよう、第1および第2のインバータブリッジ21,22において、スイッチング素子の選択と、選択されたスイッチング素子に対するスイッチングのオンデューティの調整とを行う。所望の電流波形とは、すなわち、勾配コイル30に目的の勾配パルス磁場を発生させるための電流波形である。また、制御部52は、インバータブリッジ直列回路25の出力電圧Voutを変化させないことを前提に、所望の電流波形における電流値の正負および電流微分値の正負に基づいて、インバータブリッジ直列回路25が勾配コイル30に電力を与えるときのその電力のインバータブリッジ間のバランスと、勾配コイル30からインバータブリッジ直列回路25に電力が回生されるときのその電力のインバータブリッジ間のバランスとの不均衡を是正するよう、それぞれのインバータブリッジのオンデューティを調整する。本例では、インバータブリッジのオンデューティをメイン因子とサブsub因子との積とし、制御部52は、第1のインバータブリッジ21に対するメイン因子αおよびサブ因子Aと、第2のインバータブリッジ22に対するメイン因子βおよびサブ因子Bとを略リアルタイムで決定して、オンデューティを調整するものとする。なお、サブ因子A,Bは、いずれも1を基準値として大小に振られるパラメータparameterである。制御部52には、目的の勾配パルス磁場を発生させるのに必要な勾配コイル30の所望の電流波形と、電流センサ40によって実測された勾配コイル30の電流波形とが入力される。制御部52は、所望の電流波形と実測された電流波形との差分が小さくなるよう、所定のルールruleに従って、メイン因子α,βを調整する。例えば、目標電流波形の電流Itなどから想定されるインバータブリッジ直列回路25の出力電圧Voutを電圧Vout1として、条件a:100V≧Vout1>0Vであるときは、スイッチング素子Q1,Q2、Q5,Q6を、スイッチング対象に選択し、そのオンデューティのメイン因子α,βを、その比をα:β=1:9に保持しながら調整する。条件b:800V≧Vout1>100Vであるときは、スイッチング素子Q1,Q2、Q5,Q6を、スイッチング対象に選択し、そのオンデューティのメイン因子α,βを、β=0.8に固定しながら調整する。条件c:0>Vout1≧-100Vであるときは、スイッチング素子Q3,Q4、Q7,Q8を、スイッチング対象に選択し、そのオンデューティのメイン因子α,βを、その比をα:β=1:9に保持しながら調整する。条件d:-100V>Vout1>-800Vであるときは、スイッチング素子Q3,Q4、Q7,Q8を、スイッチング対象に選択し、そのオンデューティのメイン因子α,βを、β=0.8に固定しながら調整する。また、制御部52は、所望の電流波形における電流値Itの正負の別と、その電流微分値dIt/dtすなわち電流波形を数式で表したときの傾き係数の正負の別との組合せに応じて、第1のインバータブリッジ21のオンデューティを構成するサブ因子Aと、第2のインバータブリッジ22のオンデューティを構成するサブ因子Bとを決定する。例えば、条件1:電流値It>0であり、かつ、電流微分値dIt/dt>0のときは、電流Iと電圧Voutとの極性が同じになり、インバータブリッジ直列回路25から勾配コイル30に電力が与えられるので、サブ因子Aを下げて、サブ因子Bを上げる。条件2:電流値It>0であり、かつ、電流微分値dIt/dt<0のときは、電流Iと電圧Voutとの極性が逆になり、勾配コイル30からインバータブリッジ直列回路25に電力が回生されるので、サブ因子Aを上げて、サブ因子Bを下げる。条件3:電流値It<0であり、かつ、電流微分値dIt/dt<0のときは、電流Iと電圧Voutとの極性が同じになり、インバータブリッジ直列回路25から勾配コイル30に電力が与えられるので、サブ因子Aを下げて、サブ因子Bを上げる。条件4:電流値It<0であり、かつ、電流微分値dIt/dt>0のときは、電流Iと電圧Voutとの極性が逆になり、勾配コイル30からインバータブリッジ直列回路25に電力が回生されるので、サブ因子Aを上げて、サブ因子Bを下げる。これにより、インバータブリッジ直列回路25が勾配コイル30に電力を与えるとき、すなわち上記の条件1、3を満たすときは、入力電源電圧が高い第1のインバータブリッジ21の寄与率が上がる傾向が強いので、この寄与率を下げる制御が行われる。また、インバータブリッジ直列回路25が勾配コイル30から電力の回生を受けるとき、すなわち上記の条件2、4を満たすときは、入力電源電圧が低い第2のインバータブリッジ22に回生される率が上がる傾向が強いので、この回生される率を下げる制御が行われる。なお、制御部52としては、例えば、PLDやASICなどのICが考えられる。このような構成の勾配磁場発生装置100によれば、インバータブリッジ直列回路25が勾配コイル30に与える電力のインバータブリッジ間のバランスと、勾配コイル30からインバータブリッジ直列回路25に回生される電力のインバータブリッジ間のバランスとの不均衡を是正し、各インバータブリッジの上記不均衡による不安定動作を抑制することができ、それぞれのインバータブリッジの入力電源電圧をより安定させることができる。また、このような勾配磁場発生装置100によれば、上記不均衡の是正を制御部52によりアクティブactiveに行うので、安定化のためのダミー負荷を不要あるいはより小さいものにすることができ、省スペースspace化、コストcost削減が可能になる。なお、上記実施形態は、発明であるインバータ装置をMR撮影用の勾配磁場発生装置に適用した例であるが、このような勾配磁場発生装置を備えたMR装置もまた、発明の実施形態の一例である。また、発明の実施形態は、その発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、種々の変形が可能である。"