シリコンウエーハに双極電極を設けて形成した検出手段を、原料を溶融させる坩堝を内包する炉の底部一面に敷設し、前記検出手段の電極間の短絡及び/又は電流の変化を検出することを特徴とする漏洩検出方法。前記検出手段は、シリコンウエーハ間に薄板ゲルマニューム単結晶を挟んだ状態で、前記薄板ゲルマニューム単結晶の融点近傍まで昇温し、前記シリコンウェーハを前記薄板ゲルマニューム単結晶で接着し一体化したもので構成される請求項1に記載の漏洩検出方法。しかしながら、炉底部に複数の熱電対を設けたとしても、熱電対の各々は場所的にみれば点情報であり、他の場所における融液の漏洩の有無を示すものとはならないという問題があった。また、仮に熱電対の設置点を相対的に低くし、漏れた融液を熱電対の設置点まで導き、融液の漏れを検出したとしても、漏れ検出の応答が遅れる可能性が高くなる問題もあった。そこで、本発明は、単結晶や多結晶の結晶成長を行う際に、原料融液の漏れを即時に検知できる漏洩検出方法を提供することを目的とする。本発明に係る漏洩検出方法では、シリコンウエーハに双極電極を設けて形成した検出手段を、原料を溶融させる坩堝を内包する炉の底部一面に敷設し、前記検出手段の電極間の短絡及び/又は電流の変化を検出する。前記検出手段としては、例えば、導通検知の狭間隔電極や半導体センサ、或いは、シリコン基板やガラス基板表面に設けた電極間の短絡電流を検出するものがあげられる。また、シリコンウエーハ間に薄板ゲルマニューム単結晶を挟んだ状態で、前記薄板ゲルマニューム単結晶の融点近傍まで昇温し、前記シリコンウェーハを前記薄板ゲルマニューム単結晶で接着し一体化したもので構成されたものであってもよい。本発明に係る漏洩検出方法によれば、単結晶や多結晶の結晶成長を行う際に、炉底全体の一部に融液が滴下した場合であっても、瞬時に検出することができる。従って、生産性の向上や、大型結晶の成長時に伴う融液漏れを瞬時に検出し安全への回避作業や、フェイルセイフ制御を行うことが可能となり、結晶成長作業をより安全に行うことができる。なお、本発明に係る漏洩検出方法は、特に融液の量が多い大型結晶の成長や、追いチャージ、坩堝寿命に注意を要する複数回数のリチャージ法を用いる結晶成長法で必須技術となる。また、シリコンウエーハに双極電極を設けて形成した検出手段は、これを直列並列に配置し、安価に大面積の検出器を構成することができる。更に、レーザカッタを用いて炉底部の形状や構造に合わせて切断し、面取り加工すれば、炉底構造に適合した大面積の検出手段を容易に得ることができる。ただし、検出手段に制限はなく、その他の構造を適宜使用できる。例えば、大面積の検出手段を容易に得るためには、あらかじめシリコンウエーハどうしをゲルマニュームで接合または直接接合して、2極の電極を並列配列してもよい。この場合は、2極間の短絡や漏れ電流検出を行うことになる。一方、導通検知の狭間隔電極として、半導体ウエーハ、特に安価な太陽電池用ウエーハを用いて、狭い間隔で電極を配置したり、半導体センサを構成するウエーハ全体を多数枚接続してもよいし、また、太陽電池ウエーハを炉底部に敷き詰め、それぞれを直列、並列接続し、光量測定や、温度変化による電圧電流特性の変化をとらえてもよい。更にまた、シリコン基板やガラス基板表面に設けた電極構造の間の短絡電流を検出してもよい。図を参照しながら、本発明に係る漏洩検知方法が採用された結晶成長炉の実施形態について説明する。この結晶成長炉は、真空チャンバ内に坩堝を収容したもので、炉底には、坩堝の高さ位置を調整するための下軸シャフト5と、坩堝内の原料を溶融させる熱を与えるための電極4が突設されている。また、炉底盤保護のため、漏れた融液の溜めとなるスピルトレー1が設けられている。このスピルトレー1には、電極穴2及び下軸穴3や真空排気穴図示せずが設けられており、下軸シャフト5は下軸穴3に、電極4は電極穴2に挿通されている。これらスピルトレー1に下軸シャフト5及び電極4を挿通させた構成は、図6に示す従来のスピルトレーと同様であるが、このスピルトレー1は、その内面にセンサ部6が面在している点において、従来のスピルトレーと異なるものとなっている。なお、図6において、図2に示す構造と実質的に同一の部分には同符号が付されている。センサ部6は、本発明の検出手段に相当し、太陽電池セルを組み合わせて形成されている。太陽電池セルは、まず、直列並列に配置され電気的接合を施され、図3に示す状態とされた後、レーザトリミングによってスピルトレー1の形状に合わせて形成されている。そのため、安価にしかも容易に、炉底構造に適合した大面積のものとすることが可能となっている。また、太陽電池セルはシリコンウエーハに拡散を施し、大量生産されているものであるから、安価で入手できる。スピルトレー1の内面に配置されたセンサ部6は、信号線8aを介しセンサ電極8に接続されている。センサ電極8は真空チャンバの外側に設けられており、信号線8aは真空チャンバの壁材である水冷ジャケット10を貫通するスリーブ9を通し真空チャンバの外側まで導かれている。スリーブ9と信号線8aとの隙間は、真空シール材7で塞がれており真空チャンバ内の気密が保たれている。真空シール材7としては、ハーメチックシールを使用することが好ましい。この結晶成長炉によれば、坩堝から融液が漏れ出し、或いは溢れ出すと、その融液に起因する光量の変化により、センサ部6における発電量が増し、電圧又は電流の変化としてセンサ電極8に現れる。そのため、炉底全体の一部に融液が滴下するような場合であっても、それを瞬時に検出することができる。また、太陽電池セルは、PN接合を有する2極の半導体素子でもあるから、各電極間の順方向電流や逆方向電流の変化を検出しても容易に漏れを高感度で検出することができる。更に、シリコンウエーハ上に狭い間隔で電極を並べたものとすれば、これら電極間の導通を検知することによっても、融液が落下したことを、比較的容易に検出できる。この場合における電極間接続は、例えば、図3のシリコンウエーハ間に薄板状に成長させたゲルマニューム単結晶を挟み、ゲルマニュームの融点近傍まで昇温して接着することにより可能である。なお、センサ電極8の出力を制御装置に入力し、フェイルセイフ制御を行えば、結晶成長作業をより安全に行うことができる。センサ部6は、太陽電池パネルで構成されるものに制限されず、他の構成のものであってもよい。例えば、図4に示すような、短絡型電極で構成してもよい。この場合、センサ部6が、そこに落下した融液の熱により導通することで、融液の漏洩を検出することになる。または、電極間容量測定を行い、電気的容量の変化や、電極断線によるインピーダンス変化を検知信号とすることもできる。センサ部6は、その他、熱量により起電力の変化する素子で構成し、融液の漏出に起因する坩堝外の熱量変化により、融液の漏洩を検出することとしてもよい。その場合、センサ部6は、漏出した融液に直接面する必要もなく、接触する必要もない。そのため、図5に示すように、スピルトレー1下側の炉底板に配置することとしてもよい。