金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記配線層上に形成された配線被覆層と、前記配線被覆層上に形成されたカバー層と、を有するサスペンション用基板であって、前記配線層は、前記カバー層側の表面に形成された段差部と、前記段差部から連続的に形成され、他の部分よりも薄い端子部とを有し、前記段差部によって前記端子部が前記カバー層から離間することにより、前記カバー層の前記配線層側の表面が露出し、前記端子部の表面に、前記カバー層の下端部を覆い、単一組成の端子めっき部が形成されていることを特徴とするサスペンション用基板。前記カバー層の下端部と前記端子めっき部の頂面との厚さ方向の差H1が、0.3μm以上であることを特徴とする請求項1に記載のサスペンション用基板。前記カバー層の材料が、感光性材料であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のサスペンション用基板。前記端子めっき部および前記配線被覆層が、同じ金属を含有することを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。前記金属がNiであることを特徴とする請求項4に記載のサスペンション用基板。前記端子めっき部上に、表面めっき部が形成されていることを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。請求項1から請求項6までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板と、前記サスペンション用基板の前記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンション。請求項7に記載のサスペンションと、前記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。請求項8に記載の素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブ。金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記配線層上に形成された配線被覆層と、前記配線被覆層上に形成されたカバー層と、を有するサスペンション用基板の製造方法であって、前記カバー層側の前記配線層の表面をエッチングすることにより、段差部、および、前記段差部から連続的に形成され他の部分よりも薄い端子部を形成し、かつ、前記段差部によって前記端子部を前記カバー層から離間させることにより、前記カバー層の前記配線層側の表面を露出させる端子部形成工程と、前記端子部の表面に、前記カバー層の下端部を覆い、単一組成の端子めっき部を形成する端子めっき部形成工程と、を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。特許文献1の図2に記載されているように、配線被覆層の端面に、端子被覆部を形成したとしても、配線被覆層自体の膜厚は薄く、通常、ポア小孔を有しているため、端子部を十分に保護することができないという問題がある。特に、長期使用において、徐々に端子部の腐食が生じる可能性が高い。本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、端子部の腐食を防止したサスペンション用基板を提供することを主目的とする。上記課題を解決するために、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層上に形成された配線被覆層と、上記配線被覆層上に形成されたカバー層と、を有するサスペンション用基板であって、上記配線層は、上記カバー層側の表面に形成された段差部と、上記段差部から連続的に形成され、他の部分よりも薄い端子部とを有し、上記段差部によって上記端子部が上記カバー層から離間することにより、上記カバー層の上記配線層側の表面が露出し、上記端子部の表面に、上記カバー層の下端部を覆い、単一組成の端子めっき部が形成されていることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。上記発明においては、上記カバー層の下端部と上記端子めっき部の頂面との厚さ方向の差H1が、0.3μm以上であることが好ましい。外気および液体が配線被覆層まで侵入すること、および、カバー層に由来する異物パーティクルが発生することを十分に抑制できるからである。本発明によれば、上記端子めっき部が形成されていることから、端子部の腐食を防止したサスペンション用基板とすることができる。上記発明においては、上記カバー層の材料が、感光性材料であることが好ましい。カバー層に由来する異物パーティクルの発生を効果的に抑制できるからである。カバー層の材料が感光性材料である場合、カバー層の下端部の角度θはより小さくなる傾向にある。これは、感光性材料とともに用いられる溶媒が、カバー層の配線層側の表面カバー層の底面に残留しやすいからである。上記溶媒は、感光性重合反応例えばポリイミド化を促進しやすいため、溶媒を除去しづらいカバー層の底面では感光性重合反応が進行しやすい。その結果、カバー層の下端部は非常に薄くなり例えばナノオーダーの裾引き部が形成され、異物の発生が生じやすくなるが、本発明は、この異物の発生を効果的に抑制できるという利点がある。上記発明においては、上記端子めっき部および上記配線被覆層が、同じ金属を含有することが好ましい。両者の密着性が向上し、端子部の腐食をさらに防止できるからである。上記発明においては、上記金属がNiであることが好ましい。上記発明においては、上記端子めっき部上に、表面めっき部が形成されていることが好ましい。また、本発明においては、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンションを提供する。本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、端子部の腐食を防止したサスペンションとすることができる。また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、端子部の腐食を防止した素子付サスペンションとすることができる。また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブを提供する。本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。また、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層上に形成された配線被覆層と、上記配線被覆層上に形成されたカバー層と、を有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記カバー層側の上記配線層の表面をエッチングすることにより、段差部、および、上記段差部から連続的に形成され他の部分よりも薄い端子部を形成し、かつ、上記段差部によって上記端子部を上記カバー層から離間させることにより、上記カバー層の上記配線層側の表面を露出させる端子部形成工程と、上記端子部の表面に、上記カバー層の下端部を覆い、単一組成の端子めっき部を形成する端子めっき部形成工程と、を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。本発明によれば、端子部形成工程および端子めっき部形成工程を行うことにより、端子部の腐食を防止したサスペンション用基板を得ることができる。本発明のサスペンション用基板は、端子部の腐食を防止できるという効果を奏する。以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、ハードディスクドライブ、およびサスペンション用基板の製造方法について詳細に説明する。A.サスペンション用基板本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層上に形成された配線被覆層と、上記配線被覆層上に形成されたカバー層と、を有するサスペンション用基板であって、上記配線層は、上記カバー層側の表面に形成された段差部と、上記段差部から連続的に形成され、他の部分よりも薄い端子部とを有し、上記段差部によって上記端子部が上記カバー層から離間することにより、上記カバー層の上記配線層側の表面が露出し、上記端子部の表面に、上記カバー層の下端部を覆い、単一組成の端子めっき部が形成されていることを特徴とするものである。図1は、本発明のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図1aはサスペンション用基板の概略平面図であり、図1bは図1aのA-A断面図である。なお、図1aでは、便宜上、カバー層および絶縁層の記載は省略している。図1aに示されるサスペンション用基板100は、一方の先端部分に形成された記録再生用素子実装領域101と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域102と、記録再生用素子実装領域101および外部回路基板接続領域102を電気的に接続する複数の配線層103a~103dとを有するものである。配線層103aおよび配線層103bは一対の配線層であり、同様に、配線層103cおよび配線層103dも一対の配線層である。これらの2つの配線層は、一方がライト用記録用、書込み用配線層であり、他方がリード用再生用、読取り用配線層である。一方、図1bに示すように、サスペンション用基板100は、金属支持基板1と、金属支持基板1上に形成された絶縁層2と、絶縁層2上に形成された配線層3と、配線層3上に形成されたカバー層4とを有する。図2は、図1aにおける記録再生用素子実装領域を拡大した拡大図である。図2において、4本の配線層103a~103dは、記録再生用素子実装領域101の近傍まで配置され、記録再生用素子図示せずと電気的に接続される。図3aは図2のA-A断面図であり、図3bは図3aの拡大図である。図3a、bに示すように、配線層3およびカバー層4の間には、配線被覆層5が形成されている。また、配線層3は、カバー層4側の表面に形成された段差部3aと、段差部3aから連続的に形成され、他の部分よりも薄い端子部3bとを有する。また、段差部3aによって端子部3bがカバー層4から離間することにより、カバー層4の配線層3側の表面4aが露出する。言い換えると、段差部3aの位置は、カバー層4の配線層3側の表面4aが露出する位置になる。また、端子部3bの表面に、カバー層4の下端部4bを覆う端子めっき部6が形成されている。なお、この端子めっき部6は単一組成のめっき部であり、端子めっき部6上に、Auめっき等から構成される表面めっき部7が形成されている。この端子めっき部6は、全体的に段差部3aの深さよりも厚いことが好ましい。また、段差部3aよりも端子部3b側には、配線被覆層5は形成されていない。本発明によれば、上記端子めっき部が形成されていることから、端子部の腐食を防止したサスペンション用基板とすることができる。このように、従来よりも大幅に厚い端子めっき部を形成することにより、外気および液体例えば環境試験に用いられる水が、配線被覆層まで侵入できなくなる。その結果、配線被覆層のポアに起因する端子部配線層の腐食を防止できる。特に、本発明は、長期使用における端子部の腐食を効果的に防止できるという利点がある。さらに、本発明によれば、端子めっき部がカバー層の下端部を覆うように形成されていることから、カバー層に由来する異物パーティクルの発生を抑制できる。例えば、カバー層の端部が非常に薄い場合、サスペンション用基板の製造時および使用時において、カバー層に由来する異物が発生するという問題がある。これに対して、本発明によれば、カバー層の下端部薄い部分を端子めっき部で覆うことから、異物の発生を抑制できるという利点がある。一方、特許文献1の図6には、第一の層6a例えばNiめっき部と、第二の層6b例えばAuめっき部から構成される端子被覆部6が形成されている。しかしながら、特許文献1における第二の層6bは、通常、Auめっき部を用いた薄い層であり、外気および液体が、容易に配線被覆層まで侵入してしまうという問題がある。同様に、第二の層6bは薄い層であることから、カバー層に由来する異物パーティクルの発生を抑制することは困難であるという問題がある。これに対して、本発明においては、従来よりも大幅に厚い端子めっき部を形成することにより、上記の問題を解決できるという利点がある。また、端子めっき部を厚くすると、端子部のファインピッチ化に対して不利になるため、端子めっき部特許文献1における第一の層6aを、本発明のように厚くすることは通常行われていない。これに対して、本発明においては、端子部のファインピッチ化に対して多少不利になるものの、敢えて端子めっき部を厚くすることで、上述した問題を解決できるという利点がある。また、端子めっき部を厚くすると、端子部の強度が向上し、素子との接続時あるいは再接続するための離脱時における端子部の変形を防止できるという利点がある。また、従来、端子部および素子の接続方法としてソルダーボールボンディング法が知られているが、近年、端子数増加に適した接続方法としてソルダーボールジェットボンディング法が採用されつつある。ソルダージェットボンディング法では、瞬間的に高熱が端子部に加わるため、配線層のバリアとして機能する端子めっき部と、半田との間に金属間化合物が形成されてしまう場合がある。そのため、端子めっき部が薄いと、端子めっき部のバリア性が低下し、配線層を構成する金属例えば銅の拡散を防止することが困難になる場合がある。これに対して、本発明のおいては、端子めっき部を厚くすることで、端子めっき部のバリア性を高く維持できるという利点がある。以下、本発明のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。1.サスペンション用基板の部材まず、本発明のサスペンション用基板の部材について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板、絶縁層および配線層を少なくとも有するものである。本発明における金属支持基板は、サスペンション用基板の支持体として機能するものである。金属支持基板の材料は、ばね性を有する金属であることが好ましく、具体的にはステンレス鋼等を挙げることができる。また、金属支持基板の厚さは、その材料の種類により異なるものであるが、例えば10μm~20μmの範囲内である。本発明における絶縁層は、金属支持基板上に形成されるものである。絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば樹脂を挙げることができる。上記樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびポリ塩化ビニル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。絶縁層の厚さは、例えば5μm~30μmの範囲内であることが好ましく、5μm~18μmの範囲内であることがより好ましく、5μm~12μmの範囲内であることがさらに好ましい。本発明における配線層は、絶縁層上に形成されるものである。配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、中でも銅Cuが好ましい。また、配線層の材料は、圧延銅であっても良く、電解銅であっても良い。配線層の厚さは、例えば5μm~18μmの範囲内であることが好ましく、9μm~12μmの範囲内であることがより好ましい。本発明における配線層としては、例えば、ライト用配線層、リード用配線層、熱アシスト用配線層、アクチュエータ用配線層、グランド用配線層、ノイズシールド用配線層、電源用配線層、フライトハイトコントロール用配線層、センサー用配線層等を挙げることができる。本発明における配線被覆層は、配線層上に形成されるものである。配線被覆層を設けることで、配線層を構成する金属がカバー層に拡散することを防止できる。さらには、配線層およびカバー層の密着性を向上させることもできる。配線被覆層の材料としては、特に限定されるものではないが、例えばNi、Sn等の金属、および、Sn-Cu、Sn-Bi、Sn-Ag等の合金を挙げることができる。また、配線被覆層は、めっきから構成されていることが好ましい。配線被覆層の厚さは、例えば50nm~500nmの範囲内であることが好ましく、100nm~300nmの範囲内であることがより好ましい。本発明におけるカバー層は、配線被覆層上に形成されるものである。カバー層を設けることにより、配線層の劣化腐食等を防止できる。カバー層の材料としては、例えば、上述した絶縁層の材料として記載したものを挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。2.サスペンション用基板の構成次に、本発明のサスペンション用基板の構成について説明する。本発明のサスペンション用基板は、端子部の表面に、特定の端子めっき部が形成されていることを大きな特徴とする。端子めっき部としては、特に限定されるものではないが、例えば、Niめっき、Cuめっき等を挙げることができ、中でもNiめっきが好ましい。特に、本発明においては、端子めっき部および配線被覆層が、同じ金属を含有することが好ましい。両者の密着性が向上し、端子部の腐食をさらに防止できるからである。上記金属は、Niであることが好ましい。また、本発明においては、端子めっき部上に、表面めっき部が形成されていることが好ましい。端子部の電気化学的安定性をさらに高くすることができるからである。表面めっき部としては、例えば、Auめっき、Agめっき等を挙げることができ、中でもAuめっきが好ましい。図4に示すように、カバー層4の下端部4bと端子めっき部6の頂面との厚さ方向の差をH1とし、配線被覆層5とカバー層4の下端部4bとの長さをL1とし、段差部3aの深さをD1とし、配線被覆層5の厚さをT1とし、表面めっき層7の厚さをT2とし、カバー層4の下端部4bの角度底面に対する側面の角度をθとした場合、H1は、例えば0.3μm以上であることが好ましく、0.5μm以上であることがより好ましく、1.0μm以上であることがさらに好ましい。H1が小さすぎると、外気および液体が、容易に配線被覆層5まで侵入してしまう可能性やカバー層に由来する異物パーティクルの発生を抑制することは困難になる可能性があるからである。また、H1は、カバー層の厚さよりも大きくても良い。例えば、配線層の端子部と、素子の端子部との距離が離れている場合に、H1をカバー層よりも大きくすることで、端子めっき部に高さ調整機能を付与することができ、信頼性の高い接続を行うことができるからである。一方、H1の上限は、特に限定されるものではないが、例えば10μmである。また、L1は、例えば0.3μm~5μmの範囲内であることが好ましく、0.5μm~3μmの範囲内であることがより好ましい。L1が小さすぎると、配線被覆層5を十分に除去できない可能性があり、L1が大きすぎると、カバー層4が配線層3側に陥没する可能性があるからである。また、D1は、例えば0.5μm~8μmの範囲内であることが好ましく、1μm~4μmの範囲内であることがより好ましい。D1が小さすぎると、配線被覆層5を十分に除去できない可能性があり、D1が大きすぎると、端子部の機械的強度が不足する可能性があるからである。また、T1は、例えば50nm~500nmの範囲内であることが好ましく、100nm~300nmの範囲内であることがより好ましい。T1が小さすぎると、配線層を構成する金属がカバー層に拡散することを十分に防止できない可能性や配線層およびカバー層の密着性を十分に向上させることができない可能性があるからである。T1が大きすぎると、拡散防止機能や密着性向上機能は変わらず、厚みだけが大きくなるからである。また、T2は、例えば0.5μm~4.0μmの範囲内であることが好ましく、0.5μm~2.0μmの範囲内であることがより好ましい。また、θは、通常90°未満であり、70°以下であることが好ましく、15°~65°の範囲内であることがより好ましい。θが上記範囲内にあることにより、カバー層に由来する異物パーティクルの発生を抑制できるからである。また、カバー層の材料が感光性材料である場合、θはより小さくなる傾向にある。これは、感光性材料とともに用いられる溶媒が、カバー層の配線層側の表面カバー層の底面に残留しやすいからである。上記溶媒は、感光性重合反応例えばポリイミド化を促進しやすいため、溶媒を除去しづらいカバー層の底面では感光性重合反応が進行しやすい。その結果、カバー層の下端部は非常に薄くなり例えばナノオーダーの裾引き部が形成され、異物の発生が生じやすくなるが、本発明は、この異物の発生を効果的に抑制できるという利点がある。また、図4に示した段差部3aは、厚さ方向に対して平行な壁部から構成されるものであるが、本発明における段差部は、図5aに示すように、厚さ方向に対して所定の角度を有する壁部から構成される段差部3aであっても良く、図5bに示すように、曲面状の壁部から構成される段差部3aであっても良い。また、本発明における端子部は、素子記録再生用素子、熱アシスト用素子、アクチュエータ素子との接続に用いられる、ヘッド側の端子部であっても良く、外部回路基板との接続に用いられる、テール側の端子部であっても良い。図6aは、外部回路基板との接続に用いられる端子部の一例を示す概略平面図であり、図6bは図6aのA-A断面図である。図6a、bに示される端子部は、いわゆるフライングリード型の端子部であり、超音波接合等で、外部回路基板の端子部と電気的に接続される。また、本発明における配線層は、絶縁層上に形成されるものである。本発明において、絶縁層上に形成されるとは、絶縁層に接するように形成される場合のみならず、絶縁層との間に何らかの層を介して形成される場合をも含む概念である。図7aは、いわゆる配線積層型のサスペンション用基板であり、図7bは図7aのA-A断面図である。図7bに示すように、金属支持基板1、第一絶縁層2x、第一配線層3x、第二絶縁層2y、第二配線層3y、カバー層4がこの順に形成されている。本発明における配線層は、第一配線層3xであっても良く、第二配線層3yであっても良い。B.サスペンション次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、サスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするものである。図8は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図8に示されるサスペンション300は、上述したサスペンション用基板100と、サスペンション用基板100の金属支持基板側の表面に設けられたロードビーム200とを有するものである。本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、端子部の腐食を防止したサスペンションとすることができる。本発明のサスペンションは、少なくともサスペンション用基板およびロードビームを有する。本発明におけるサスペンション用基板については、上記A.サスペンション用基板に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。一方、本発明におけるロードビームは、サスペンション用基板の金属支持基板側の表面に設けられるものである。ロードビームの材料は、特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、ステンレス鋼であることが好ましい。C.素子付サスペンション次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とするものである。図9は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図9に示される素子付サスペンション400は、上述したサスペンション300と、サスペンション300サスペンション用基板100の記録再生用素子実装領域101に実装された記録再生用素子301とを有するものである。本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、端子部の腐食を防止した素子付サスペンションとすることができる。本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンションおよび記録再生用素子を有する。本発明におけるサスペンションについては、上記B.サスペンションに記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、記録再生用素子は、特に限定されるものではないが、磁気発生素子を有するものが好ましい。具体的には、磁気ヘッドスライダを挙げることができる。D.ハードディスクドライブ次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするものである。図10は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図10に示されるハードディスクドライブ500は、上述した素子付サスペンション400と、素子付サスペンション400がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク401と、ディスク401を回転させるスピンドルモータ402と、素子付サスペンション400の素子を移動させるアーム403およびボイスコイルモータ404と、上記の部材を密閉するケース405とを有するものである。本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記C.素子付サスペンションに記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。E.サスペンション用基板の製造方法次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層上に形成された配線被覆層と、上記配線被覆層上に形成されたカバー層と、を有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記カバー層側の上記配線層の表面をエッチングすることにより、段差部、および、上記段差部から連続的に形成され他の部分よりも薄い端子部を形成し、かつ、上記段差部によって上記端子部を上記カバー層から離間させることにより、上記カバー層の上記配線層側の表面を露出させる端子部形成工程と、上記端子部の表面に、上記カバー層の下端部を覆い、単一組成の端子めっき部を形成する端子めっき部形成工程と、を有することを特徴とするものである。本発明によれば、端子部形成工程および端子めっき部形成工程を行うことにより、端子部の腐食を防止したサスペンション用基板を得ることができる。また、本発明のサスペンション用基板の製造方法は、サブトラクティブ法による製造方法と、アディティブ法による製造方法とに大別することができる。1.サブトラクティブ法まず、サブトラクティブ法による製造方法について説明する。サブトラクティブ法による製造方法の一例としては、金属支持部材、絶縁部材および導体部材がこの順に積層された積層部材を準備する積層部材準備工程と、上記導体部材をエッチングし、配線層を形成する配線層形成工程と、上記配線層上に配線被覆層を形成する配線被覆層形成工程と、上記配線被覆層上にカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記絶縁部材をエッチングし、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記カバー層側の上記配線層の表面をエッチングすることにより、段差部、および、上記段差部から連続的に形成され他の部分よりも薄い端子部を形成し、かつ、上記段差部によって上記端子部を上記カバー層から離間させることにより、上記カバー層の上記配線層側の表面を露出させる端子部形成工程と、上記端子部の表面に、上記カバー層の下端部を覆い、単一組成の端子めっき部を形成する端子めっき部形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程と、を有する製造方法を挙げることができる。図11は、サブトラクティブ法によるサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図11においては、まず、金属支持部材1A、絶縁部材2Aおよび導体部材3Aがこの順に積層された積層部材を準備する図11a。次に、導体部材3Aに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、配線層3を形成する図11b。次に、配線層3上に配線被覆層5を形成する図11c。次に、配線被覆層5上にカバー層4を形成する図11d。次に、金属支持部材1Aに開口部を設けるためにウェットエッチングする図11e。その後、絶縁部材2Aに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、絶縁層2を形成する図11f。カバー層4側の配線層3の表面をエッチングすることにより、段差部3a、および、段差部3aから連続的に形成され他の部分よりも薄い端子部3bを形成し、かつ、段差部3aによって端子部3bをカバー層4から離間させることにより、カバー層4の配線層3側の表面4aを露出させる図11g。次に、端子部3bの表面に、カバー層4の下端部4bを覆い、単一組成の端子めっき部6を形成し、その端子めっき部6上に表面めっき部7を形成する図11g。次に、金属支持部材1Aの外形加工を行い金属支持基板1を形成し、サスペンション用基板を得る。以下、サブトラクティブ法によるサスペンション用基板の製造方法について、工程ごとに説明する。1積層部材準備工程積層部材準備工程は、金属支持部材と、上記金属支持部材上に形成された絶縁部材と、上記絶縁部材上に形成された導体部材とを有する積層部材を準備する工程である。サブトラクティブ法においては、積層部材の金属支持部材をエッチングすることにより金属支持基板が得られ、積層部材の絶縁部材をエッチングすることにより絶縁層が得られ、積層体の導体部材をエッチングすることにより配線層が得られる。積層部材は、市販の三層材であっても良く、金属支持部材に対して絶縁部材および導体部材を順次形成して得られたものであっても良い。2配線層形成工程配線層形成工程は、上記導体部材をエッチングし、配線層を形成する工程である。配線層の形成方法としては、例えば、積層部材の導体部材上に、ドライフィルムレジストDFR等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する導体部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液の種類は、導体部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば導体部材の材料がCuである場合には、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。また、サブトラクティブ法においては、導体部材のエッチングと同時に、金属支持部材のエッチングを行っても良い。金属支持部材のエッチングは、例えば、開口部や治具孔の形成のためのエッチングを挙げることができる。また、必要であれば、後述する金属支持基板形成工程で行う加工の少なくとも一部を、導体部材のエッチングと同時に行っても良い。3配線被覆層形成工程配線被覆層形成工程は、上記配線層上に配線被覆層を形成する工程である。配線被覆層の形成方法は、特に限定されるものではないが、例えば、配線層上に、ドライフィルムレジストDFR等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する配線層上に、無電解めっきまたはストライクめっきを行う方法を挙げることができる。4カバー層形成工程カバー層形成工程は、上記配線層上にカバー層を形成する工程である。カバー層の形成方法は、特に限定されるものではなく、カバー層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、カバー層の材料が感光性材料である場合には、全面形成したカバー層に露光現像を行うことによりパターン状のカバー層を得ることができる。また、カバー層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成したカバー層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状のカバー層を得ることができる。5絶縁層形成工程絶縁層形成工程は、上記絶縁部材をエッチングし、絶縁層を形成する工程である。絶縁層の形成方法としては、例えば、絶縁部材に対して、ドライフィルムレジストDFR等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する絶縁部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、絶縁部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば絶縁部材の材料がポリイミド樹脂である場合は、アルカリ系エッチング液等を用いることができる。6端子部形成工程端子部形成工程は、上記カバー層側の上記配線層の表面をエッチングすることにより、段差部、および、上記段差部から連続的に形成され他の部分よりも薄い端子部を形成し、かつ、上記段差部によって上記端子部を上記カバー層から離間させることにより、上記カバー層の上記配線層側の表面を露出させる工程である。端子部の形成方法としては、例えば、配線被覆層上にドライフィルムレジストDFR等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する配線被覆層をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液の種類は、配線被覆層および導体部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば配線被覆層の材料がNiである場合には、フェリシアン化カリウムまたは過マンガン酸塩を含むアルカリ性エッチング液、硝酸第二セリウムアンモニウムおよび過塩素酸を含む酸性エッチング液等を用いることができる。7端子めっき部形成工程端子めっき部形成工程は、上記端子部の表面に、上記カバー層の下端部を覆い、単一組成の端子めっき部を形成する工程である。端子めっき部の形成方法としては、所望のめっき部を得ることができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば電解めっき法を挙げることができる。例えば、Niめっきから構成される端子めっき部を形成する場合、用いられる電解Niめっき浴としては、例えば、ワット浴およびスルファミン酸浴等を挙げることができる。また、めっき条件は、特に限定されるものではなく、所望の条件めっき時間、印加電圧等を選択すれば良い。さらに、本発明においては、端子めっき部上に、表面めっき部を形成する表面めっき形成工程を行うことが好ましい。8金属支持基板形成工程金属支持基板形成工程は、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する工程である。本工程において、通常は、金属支持基板の外形加工を行う。金属支持部材をエッチングする方法は特に限定されるものでないが、具体的には、ウェットエッチング等を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、金属支持部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば金属支持部材の材料がステンレス鋼である場合は、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。2.アディティブ法次に、アディティブ法による製造方法について説明する。アディティブ法による製造方法の一例としては、金属支持部材を準備する金属支持部材準備工程と、上記金属支持部材上に、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層上に、配線層を形成する配線層形成工程と、上記配線層上に配線被覆層を形成する配線被覆層形成工程と、上記配線被覆層上にカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記カバー層側の上記配線層の表面をエッチングすることにより、段差部、および、上記段差部から連続的に形成され他の部分よりも薄い端子部を形成し、かつ、上記段差部によって上記端子部を上記カバー層から離間させることにより、上記カバー層の上記配線層側の表面を露出させる端子部形成工程と、上記端子部の表面に、上記カバー層の下端部を覆い、単一組成の端子めっき部を形成する端子めっき部形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程と、を有する製造方法を挙げることができる。図12は、アディティブ法によるサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図12においては、まず、金属支持部材1Aを準備する図12a。次に、金属支持部材1Aの表面上に、パターン状の絶縁層2を形成する図12b。次に、絶縁層2上に配線層3を形成する図12c。次に、配線層3上に配線被覆層5を形成する図12d。次に、配線被覆層5上にカバー層4を形成する図12e。次に、金属支持部材1Aに開口部を設けるためにウェットエッチングし図12f、同様に、絶縁層2に開口部を設けるためにウェットエッチングする図12g。その後、カバー層4側の配線層3の表面をエッチングすることにより、段差部3a、および、段差部3aから連続的に形成され他の部分よりも薄い端子部3bを形成し、かつ、段差部3aによって端子部3bをカバー層4から離間させることにより、カバー層4の配線層3側の表面4aを露出させる図12h。次に、端子部3bの表面に、カバー層4の下端部4bを覆い、単一組成の端子めっき部6を形成し、その端子めっき部6上に表面めっき部7を形成する図12i。次に、金属支持部材1Aの外形加工を行い金属支持基板1を形成し、サスペンション用基板を得る。以下、アディティブ法によるサスペンション用基板の製造方法について、工程ごとに説明する。1金属支持部材準備工程金属支持部材準備工程は、金属支持部材を準備する工程である。金属支持部材には、例えば市販の金属支持部材を用いることができる。2絶縁層形成工程絶縁層形成工程は、上記金属支持部材上に、絶縁層を形成する工程である。絶縁層の形成方法は、特に限定されるものではなく、絶縁層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、絶縁層の材料が感光性材料である場合には、全面形成した絶縁層に露光現像を行うことによりパターン状の絶縁層を得ることができる。また、絶縁層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成した絶縁層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状の絶縁層を得ることができる。3配線層形成工程配線層形成工程は、上記絶縁層上に、配線層を形成する工程である。配線層の形成方法としては、例えば電解めっき法等を挙げることができる。電解めっき法を用いる場合、配線層の形成前に、スパッタリング法等により絶縁層の表面にシード層を形成することが好ましい。4その他の工程その他の工程については、上述したサブトラクティブ法による製造方法で記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。[実施例1]厚さ18μmのSUS304である金属支持部材上に、絶縁部材形成材料として第1の非感光性ポリイミドを用い、厚さ10μmの絶縁部材を塗工方法にて形成した。さらに、その絶縁部材上にシード層となるNi-Cr-Cuをスパッタリングで約300nmコーティングし、それを導通媒体としCuめっきにて厚さ9μmのCuめっき層である導体部材を形成し、積層部材を得た図11a。次に、SUS側で位置精度が重要な治具孔と、Cuめっき層側で目的とする配線層を形成できるように、ドライフィルムを用いて同時にパターニングし、レジストパターンを得た。その後、塩化第二鉄液を用いてウェットエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った。これにより、導体部材から配線層を形成し、金属支持部材に治具孔を形成した図11b。その後、還元剤として次亜リン酸ナトリウムを含有する酸性のめっき浴にて、無電解Niめっきを行い、配線層の表面に配線被覆層を形成した図11c。次に、配線被覆層上に、感光性ポリイミド前駆体を塗布し、乾燥後、マスクを介して所望のパターン形状に高圧水銀灯を光源に用い500~2000mJ/cm2の露光量で露光を行った。その後、最高到達温度が280°C~350°Cの範囲になり、最高到達温度の保持時間が0.1分~60分の範囲になるような条件で加熱を行い、アルカリ水溶液で現像し、ネガ型のパターン像を形成した。次に、窒素雰囲気下で加熱を行い、カバー層を形成した図11d。次に、金属支持部材に開口部を設けるためにウェットエッチングを行った図11e。その後、絶縁部材2Aに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、絶縁層2を形成した図11f。次に、端子部を形成するためにレジスト製版を行い、ウェットエッチングにより、段差部および端子部を形成した図11g。次に、電解Niめっきを行い、端子部上に端子めっき部を形成し、その後、電解Auめっきを行い、表面めっき部を形成した図11h。最後に、金属支持基板の外形加工を行った。これにより、サスペンション用基板を得た。得られたサスペンション用基板の端子部の断面寸法を、図4における寸法で示すと、H1=0.765μmであり、L1=2.021μmであり、D1=2.023μmであり、T1=145.1nmであり、T2=748.1nmであった。[実施例2]厚さ18μmのSUS304である金属支持部材を用意した図12a。金属支持部材に感光性ポリイミド前駆体を塗布し、乾燥後、マスクを介して所望のパターン形状に高圧水銀灯を光源に用い500~2000mJ/cm2の露光量で露光を行った。その後、最高到達温度が160°C~190°Cの範囲になり、最高到達温度の保持時間が0.1分~60分の範囲になるような条件で加熱を行い、アルカリ水溶液で現像し、ネガ型のパターン像を形成した。その後、窒素雰囲気下で加熱を行い、絶縁層を形成した。金属支持部材上に形成された絶縁層の厚さは10μmであった図12b。次に、スパッタリング法により、絶縁層側の表面に、Cr単層のシード層を35~45nm形成した。次に、レジスト製版を行い、レジストパターンから露出する表面に、配線層を形成した図12c。その後、Niストライクめっきにより、配線層の表面に配線被覆層を形成した図12d。次に、配線被覆層上に、感光性ポリイミド前駆体を塗布し、乾燥後、マスクを介して所望のパターン形状に高圧水銀灯を光源に用い500~2000mJ/cm2の露光量で露光を行った。その後、最高到達温度が280°C~350°Cの範囲になり、最高到達温度の保持時間が0.1分~60分の範囲になるような条件で加熱を行い、アルカリ水溶液で現像し、ネガ型のパターン像を形成した。次に、窒素雰囲気下で加熱を行い、カバー層を形成した図12e。次に、金属支持部材に開口部を設けるためにウェットエッチングを行った図12f。次に、絶縁層に開口部を設けるためにウェットエッチングを行った図12g。その後、端子部を形成するためにレジスト製版を行い、ウェットエッチングにより、段差部および端子部を形成した図12h。次に、電解Niめっきを行い、端子部上に端子めっき部を形成し、その後、電解Auめっきを行い、端子めっき部上に表面めっき部を形成した図12i。最後に、金属支持基板の外形加工を行った。これにより、サスペンション用基板を得た。