"回路基板上に、表面に保護フィルムが接着された半硬化状態の硬化性樹脂層を形成し、前記保護フィルム上よりレーザー光を照射して、前記半硬化状態の硬化性樹脂層にビアホールを形成し、前記ビアホール内のスミアを、プラズマを用いたデスミア処理により除去し、前記保護フィルムを剥離し、前記半硬化状態の硬化性樹脂層を硬化させることを特徴とするソルダーレジストの形成方法。前記半硬化状態の硬化性樹脂層は、回路基板上に、硬化性樹脂のドライフィルムを積層する、或いは、前記回路基板上に硬化性樹脂組成物を塗布乾燥して前記硬化性樹脂層を形成することにより形成されることを特徴とする請求項1に記載のソルダーレジストの形成方法。前記プラズマは、酸素プラズマであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のソルダーレジストの形成方法。回路基板上に形成され、表面に保護フィルムが接着された硬化性樹脂層を、硬化させ、前記保護フィルム上よりレーザー光を照射して、前記硬化性樹脂層にビアホールを形成し、前記ビアホール内のスミアを、酸素プラズマを用いたデスミア処理により除去し、前記保護フィルムを剥離することを特徴とするソルダーレジストの形成方法。前記デスミア処理後、超音波洗浄を行うことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のソルダーレジストの形成方法。このように保護フィルムを設けることにより、レーザー光の照射ダメージは抑えられるものの、その後のデスミア処理の際、KMnO4などの薬液を用いることにより、保護フィルムと硬化塗膜との界面に薬液が浸透し、ダメージを受けてしまうという問題がある。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、レーザー光の照射や、デスミア処理のダメージを抑え、信頼性を向上させることが可能なソルダーレジストの形成方法を提供するものである。本発明の一態様のソルダーレジストの形成方法は、回路基板上に、表面に保護フィルムが接着された半硬化状態の硬化性樹脂層を形成し、保護フィルム上よりレーザー光を照射して、半硬化状態の硬化性樹脂層にビアホールを形成し、ビアホール内のスミアを、プラズマを用いたデスミア処理により除去し、保護フィルムを剥離し、半硬化状態の硬化性樹脂層を硬化させることを特徴とする。このような構成により、レーザー光の照射や、デスミア処理のダメージを抑え、信頼性を向上させることが可能となる。さらに、半硬化状態でレーザー照射を行うため、低エネルギーで所望の径のビアホールを開口させることができるとともに、硬化前に保護フィルムを除去するため、保護フィルムの離型処理を不要とすることができる。本発明の一態様のソルダーレジストの形成方法において、半硬化状態の硬化性樹脂層は、回路基板上に、硬化性樹脂のドライフィルムを積層する、或いは、前記回路基板上に硬化性樹脂組成物を塗布乾燥して硬化性樹脂層を形成することにより形成されることが好ましい。このような構成により、簡易に硬化性樹脂層を形成することができる。このようなソルダーレジストの形成方法において、プラズマとして、酸素プラズマを用いることが好ましい。このような構成により、より短時間でスミアの除去を行うことが可能となる。本発明の一態様のソルダーレジストの形成方法は、回路基板上に形成され、表面に保護フィルムが接着された硬化性樹脂層を、硬化させ、保護フィルム上よりレーザー光を照射して、硬化性樹脂層にビアホールを形成し、ビアホール内のスミアを、酸素プラズマを用いたデスミア処理により除去し、保護フィルムを剥離することを特徴とする。このような構成により、より短時間でスミアの除去を行うことが可能となるとともに、レーザー光の照射や、デスミア処理のダメージを抑え、信頼性を向上させることが可能となる。このようなソルダーレジストの形成方法において、デスミア処理後、超音波洗浄を行うことが好ましい。このような構成により、残渣の無機成分の残存を抑制することが可能となる。本発明の一態様のソルダーレジストの形成方法により、レーザー光の照射や、デスミア処理のダメージを抑え、信頼性を向上させることが可能となる。本発明の発明者らは、上記課題に対し鋭意検討した結果、ソルダーレジストの形成において、回路基板上に、表面に保護フィルムが接着された半硬化状態の硬化性樹脂層を形成し、保護フィルム上よりレーザー光を照射して、半硬化状態の硬化性樹脂層にビアホールを形成し、ビアホール内のスミアを、プラズマを用いたデスミア処理により除去し、保護フィルムを剥離し、半硬化状態の硬化性樹脂層を硬化させることにより、レーザー光の照射や、デスミア処理のダメージを抑え、ソルダーレジストの信頼性を向上させることができることを見出し、本発明を完成するに至った。上記方法によれば、基板上に形成した半硬化状態の硬化性樹脂層にレーザー光を照射するため、硬化状態の樹脂層よりも照射エネルギーを抑えることができ、また、そのレーザー光は、保護フィルムを介して樹脂層に照射されるため、ビアホール近傍の照射ダメージが抑えられる。さらに、デスミア処理をプラズマ処理とすることにより、薬液処理の際の保護フィルムと硬化性樹脂層との界面への浸透によるダメージを生じることなく、デスミア処理を行うことができる。従って、本実施形態により形成されたソルダーレジストにより、プリント配線板などとして用いられる際の信頼性を向上させることが可能となる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。実施形態1図1に本実施形態のソルダーレジストの形成工程図を示す。図1aに示すように、基材11a上に回路パターンなどの導電層11bが形成された回路基板11について、脱脂、ソフトエッチングなどの前処理を行う。そして、硬化性樹脂のドライフィルム12aを、真空ラミネーターなどを用いてラミネートする。ドライフィルムは、キャリアフィルム上に形成され、必要に応じてカバーフィルムが積層されたものであり、表面にいずれかのフィルムである保護フィルム13が接着した状態で、露出面側が回路基板に接着される。ここでラミネートする条件については特に限定されるものではないが、例えば温度60~140°C、真空度20mmHg以下、圧力1~15kgf/cm2で行うことができる。さらに好ましくは、ラミネート後の硬化性樹脂層をプレスにより平滑化する工程を行う。平滑化工程は常圧下で行われ、加熱、加圧条件は上記ラミネート工程を同様の条件を用いることができる。これらの工程に用いる真空ラミネーターとしては、例えばCVP-300ニチゴーモートン社製やMVLP-500名機製作所社製等があげられる。なお、回路基板上にドライフィルムをラミネートする代わりに、回路基板上に、硬化性樹脂組成物を塗布乾燥し、硬化性樹脂層12aを形成した後、保護フィルム13をラミネートしてもよい。ここで、回路基板としては、特に限定されるものではないが、プリプレグなどの絶縁性のコア材を用い、銅などの導電層が設けられた片面或いは両面プリント基板、ビルドアップ基板など多層プリント配線板や、フレキシブルプリント基板など、公知の回路基板が用いられる。硬化性樹脂層の形成に用いられる硬化性樹脂組成物としては、熱硬化性樹脂組成物、光硬化性樹脂組成物及び感光性樹脂組成物などを用いることができる。例えば、エポキシ樹脂、無機フィラー及び硬化剤を含む熱硬化性樹脂組成物が好適に用いられる。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールAのノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、リン含有エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂などが用いられる。これらは単独で又は2種以上を組合せて使用することができる。無機フィラーとしては、例えば、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、シリカ、クレー、タルク、水酸化アルミニウムなどを用いることができる。これらは後述する炭酸ガスレーザーの波長帯である波数900~1300cm1の範囲内に吸収ピークを持ち、レーザー加工時に昇華又は分解するため、レーザー加工後の残渣を抑制することができる。これらは単独で又は2種以上を組合せて使用することができる。硬化剤としては、例えば、イミダゾール類、イミダゾールのAZINE化合物、イミダゾールのイソシアヌル酸塩、イミダゾールヒドロキシメチル体、ジシアンジアミドとその誘導体、メラミンとその誘導体、ジアミノマレオニトリルとその誘導体、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ビスヘキサメチレントリアミン、トリエタノーアミン、ジアミノジフェニルメタン、有機酸ジヒドラジッドなどのアミン類、1,8-ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデセン-7、3,9-ビス3-アミノプロピル-2,4,8,10-テトラオキサスピロ[5,5]ウンデカン、トリフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリブチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィンなどの有機ホスフィン化合物などが用いられる。これらは単独で又は2種以上を組合せて使用することができる。その他、硬化樹脂の造膜性を向上させ、硬化塗膜の機械的強度を向上させるために、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリイミド、ポリアミドイミド等を単独で、又は2種類以上を組み合わせて添加したり、濃度を調整し、塗付性を向上させるために、溶剤などを含有してもよい。保護フィルム13は、ビアホール周辺におけるレーザー照射のダメージを、硬化性樹脂層に到達させることなく抑えるために設けられる。具体的には、ポリエチレンテレフタレートPETが好適に用いられ、その他、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル、ポリプロピレンPP、ポリエチレンPE、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチルPMMA、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース、ポリエーテルサルファイド、ポリエーテルケトン、ポリイミドなどを用いることができる。保護フィルム13は、その厚さが8-60μmであることが好ましい。薄いほど後述するレーザー加工性は向上するが、厚さ8μm未満であると、ビアホール周辺のレーザー照射ダメージを抑えることが困難となる。一方、60μmを超えると、レーザー光の透過率が低下し、開口径が小さくなる。より好ましくは、10-50μmであり、さらに好ましくは12-38μmである。このように、ドライフィルムを回路基板上にラミネートする、或いは回路基板上に硬化性樹脂組成物を塗布、揮発乾燥させることにより、回路基板上に半硬化状態の硬化性樹脂層が形成される。半硬化状態とは、完全に硬化していない状態をいい、硬化率が20-80程度であることが好ましい。硬化率が20未満であると、室温で融着などが起き易くなり作業性が悪化する。一方80を超えると、レーザー加工性の低下、ラミネート時の回路への埋め込み性、平坦性が損なわれる。好ましくは硬化率が30-75であり、より好ましくは、硬化率が40-70である。ここで、硬化率は、硬化性樹脂組成物の溶液ドライフィルム作製前、回路基板上に塗布する前の溶液状態でのゲル化時間GT1と、ドライフィルムおよび回路基板上に塗布乾燥させた状態でのゲル化時間GT2としたとき、GT1-GT2/GT1×100により算出した。ゲル化時間硬化時間はJISC6521多層プリント配線板用プリプレグ試験方法の項目5.7硬化時間試験に準拠して、それぞれ硬化性樹脂組成物の溶液、ドライフィルム、回路基板上に塗布乾燥させた状態について、約0.3g溶液は0.3mlサンプリングし、170°Cの熱盤上にて測定した値とした。そして、図1bに示すように、得られた半硬化状態の硬化性樹脂層12aの所定位置に、保護フィルム13を介して、炭酸ガスレーザーなどのレーザー光を照射し、例えばトップ径でφ40-200μmのビアホール14を形成する。なお、レーザー光としては、炭酸ガスレーザー以外ではUV-YAGレーザー第三高調波=355nm、第四高調波=266nm、エキシマレーザーなどを用いることができる。好ましくはビアホールの加工処理速度、コスト面から炭酸ガスレーザーである。次いで、図1cに示すように、ビアホール14の底に残留した硬化性樹脂の残渣であるスミア15を除去するためのデスミア処理を行う。このとき、KMnO4などを用いた薬液処理ではなく、プラズマ処理が用いられる。このようなプラズマ処理において、例えば、真空プラズマ装置や、常圧プラズマ装置などを用いることができる。そして、プラズマとしては、酸素プラズマなどの反応性のガスを用いたプラズマや、アルゴンプラズマ、ヘリウムプラズマなどの不活性ガスを用いたプラズマ、これらの混合ガスのプラズマなど、公知のプラズマを用いることができる。このうち、特に酸素プラズマを用いることが好ましい。通常、ソルダーレジストにおけるビアホール形成の際には、内層ビアの形成の際に用いられる反応性の高い酸素プラズマは、表面が粗化されるため、用いることができない。しかしながら、保護フィルムが設けられているため、表面の粗化を生じることなく、より効果的にビアホール内のスミアを除去することができる。なお、このようなデスミア処理における酸素プラズマ処理は、保護フィルムが接着された硬化性樹脂を硬化させた後に、レーザー照射を行う際にも有効である。その際、保護フィルムには予め離型処理を施すことが好ましい。このようにしてプラズマによるデスミア処理を行った後、さらに超音波洗浄を行うことが好ましい。プラズマ処理により、有機成分は除去されるものの、フィラーなどの無機成分に対しては、十分な反応性が得られず、残存する恐れがあるが、超音波洗浄を行うことにより、無機成分を除去することができる。このようにして、デスミア処理、必要に応じて超音波洗浄を行った後、保護フィルム13を剥離し、図1dに示すように、例えば130~180°Cで15~90分間加熱することにより、半硬化状態の硬化性樹脂層を硬化させ、ソルダーレジスト12bを形成する。硬化方法としては、熱風循環式乾燥炉、IR炉、ホットプレート、コンベクションオーブンなど、蒸気による空気加熱方式の熱源を備えたものを用い、乾燥機内の熱風を向流接触させる方法、およびノズルより支持体に吹き付ける方法を用いることができる。このようにして、回路基板上にビアホールを有するソルダーレジストが形成される。以下に実施例及び比較例を示して具体的に説明するが、本発明は、これら実施例に限定されるものではない。尚、以下において部及びとあるのは、特に断りのない限り全て質量基準である。硬化性樹脂組成物の調製硬化性樹脂組成物として、表1に示す組成、配合比となるように配合し、攪拌機にて予備混合した後、3本ロールミルを用いて混練して、処方の熱硬化性樹脂組成物を調製した。1:エポキシ当量184-194Bis-A型液状エポキシ樹脂三菱化学社製2:エポキシ当量135-165ナフトール型エポキシ樹脂DIC社製3:エポキシ当量200-230クレゾールノボラック型エポキシ樹脂DIC社製の固形分60シクロヘキサノン溶液4:フェノキシ樹脂三菱化学社製の固形分30のシクロヘキサノン溶液5:エポキシ当量105フェノールノボラック型エポキシ樹脂エポキシ:OH≒1:0.5住友ベークライト社製の固形分60シクロヘキサノン溶液6:球状シリカアドマテックス社製7:硫酸バリウム堺化学社製8:イミダゾール四国化成社製9:溶剤評価基板の作製1:回路基板ドライフィルム得られた熱硬化性樹脂組成物を、離型剤アルキッド系で処理された厚さ38μmのPETフィルムAL-5リンテック社製上に、アプリケーターを用いて、乾燥後膜厚が回路上で20μmとなるように、リバースコーターにより均一に塗布した。そして、設定温度が115°Cの乾燥炉にて、5分間乾燥させ、半硬化状態の硬化性樹脂層を形成した。得られた硬化性樹脂層において、残留溶剤量は1で、170°Cでのゲル化時間は60秒であった。次いで、厚さ15μmのポリプロピレンフィルムを張り合わせながら、ロール状に巻き取った。さらに、幅400mmのスリット加工を行い、3層構造のドライフィルムを作製した。そして、回路基板として、銅厚18μmの導電層が形成された400mm×300mm×0.8mmtの両面銅張積層板MCL-E-679FGR日立化成工業社製を用い、前処理CZ-8100CL-8300MEC社製により、銅エッチング量1μm相当のプロファイルを形成した。前処理の施された銅張積層板に、ポリプロピレンフィルムを剥離したドライフィルムを、2チャンバー式真空ラミネーターCVP-300ニチゴーモートン社製により、ラミネート温度:100°C、真空度:5mmHg以下、圧力:5kg/cm2の条件でラミネートした。さらに、プレス温度:100°C、圧力:5kg/cm2でプレス成型することにより、銅張積層板の両面に、それぞれ表面にPETフィルム保護フィルムが接着された硬化性樹脂層回路上で約20μm厚が形成された評価基板を得た。評価基板の作製2:回路基板上に塗工保護フィルム得られた熱硬化性樹脂組成物溶液の170°Cでのゲル化時間120秒を、同様に前処理CZ-8100CL-8300MEC社製により、回路基板である銅エッチング量1μm相当のプロファイルが形成された銅厚18μmの400mm×300mm×0.8mmtの両面銅張積層板MCL-E-679FGR日立化成工業社製上に、乾燥後膜厚が回路上で20μmとなるように、ロールコーターファーネス社製を用いて均一に塗布した。なお、その他スクリーン印刷法、ダイコート法などを用いて塗布してもよい。そして、設定温度が115°Cの乾燥炉にて、5分間乾燥させ、半硬化状態の硬化性樹脂層を形成した。得られた硬化性樹脂層において、同様に残留溶剤量は1で、170°Cでのゲル化時間は60秒であった。次いで、半硬化状態の硬化性樹脂層表面に、ロールラミネーターにより、保護フィルムとしてPETフィルムAL-5リンテック社製をラミネートした。このとき、上述の2チャンバー式真空ラミネーターを用いてもよく、プレス工程によりフラットな基板の作製を行うことができる。硬化性樹脂層のレーザー加工ビアホール形成保護フィルムPETフィルムを剥離することなく、保護フィルム上より、炭酸ガスレーザーLC-2K2日立ビアメカニクス社製を用いて、波長9.3μmのレーザー光を照射して、硬化性樹脂層にビアホールを形成した。照射条件は、保護フィルムなしの状態の基板でトップの開口径が65μmとなる条件とし、アパチャー:1.9mm、出力:1.5W、パルス幅:20μsec、バーストモード:3shotとした。比較例として、保護膜を剥離して同様の加工を行った。硬化性樹脂層の硬化レーザー加工ビアホール形成の前又はデスミア後に、評価基板を熱風循環式乾燥炉DF610ヤマト科学社製において、170°Cで60分間加熱し、硬化性樹脂層を硬化させた。デスミア処理1:プラズマ処理乾式ビアホール形成後の評価基板について、保護フィルムを剥離することなく、プラズマ処理装置AP-1000マーチ社製を用いて、プラズマ処理を行った。プラズマ処理条件は、プラズマガス:酸素ガス、アルゴンガス、真空度:200mtorr、出力:500W、処理時間:5分とした。比較例として、保護フィルムを剥離して同様の処理を行った。デスミア処理2:KMnO4処理湿式比較例として、ビアホール形成後の評価基板について、保護フィルムを設けたものと剥離したものについて、KMnO4水溶液ロームハース社製を用いて薬液処理を行った。処理条件は、膨潤薬液:MLB-211、80°C/10分→粗化薬液:MLB-213,80°C/15分→還元MLB-216、50°C/5分とした。超音波洗浄デスミア処理後の評価基板について、超音波洗浄ラインIUS24石井表記社製を用いて、速度1.6m/min、出力約800Wの条件で超音波洗浄を行った。表2に、各実施例、比較例の処理内容を示す。なお、比較例1は、一般的な内層ビア形成工程を示している。このような処理が行われた実施例1-6、比較例1-6の評価基板について、以下のように評価を行った。走査型電子顕微鏡による観察評価基板の表面状態、ビアホール内の状態を、走査型電子顕微鏡SEM:JSM-6610V日本電子社製により観察し、SEI二次電子像により、ビアホールの形状の確認を行うとともに、表層部のダメージの有無を評価した。評価結果を表3に示す。なお、評価基準は以下の通りである。○:表層部のダメージが認められない。×:表層部がダメージを受けている。××:ビアホール周辺部に顕著なダメージを受けている。また、BEC像反射電子像により、ビアホール底残渣の有無を評価した。なお、ビアホール底残渣は、BEC像において、原子番号の大きな原子ほど光沢のある画像を得ることができることから、ビアホール底のCuの露出程度により判断した。評価結果を表3に示す。なお、評価基準は以下の通りである。◎:ビアホール底残渣が認められない。○:ビアホール底残渣がわずかに認められる。△:ビアホール底残渣が少し認められる。×:硬化性樹脂が溶出し、デスミア液の浸透も激しい光学顕微鏡による観察評価基板の表面状態を、光学顕微鏡ECLIPSELV-100ニコン社製により観察し、ビアホールの形状と、ビアホール周辺部のダメージの有無を評価するとともに、レーザー加工後と、デスミア後のビアホールのトップ径を測長した。そして、トップ径のレーザー加工後とデスミア後の値を比較し、変化の有無により、ビアホールの形状を評価した。評価結果を表3に示す。実施例1について、図2にレーザー加工後の、図3にデスミア処理超音波洗浄後のaSEI、bの□部の部分拡大像、cBEC像をそれぞれ示す。また、比較例2について、図4にレーザー加工後の、図5にデスミア処理後のaSEI、bの□部の部分拡大像、cBEC像をそれぞれ示す。図2-4に示すように、KMnO4によるデスミア処理を行ったものは、ビアホール周辺に大きなダメージが認められ、表面も荒れている。さらに、ビアホール径が大きくなっている。一方、酸素プラズマによるデスミア処理を行ったものは、ビアホール周辺のダメージが認められず、ビアホール径も変わっていない。さらに、実施例1について、図6にレーザー加工後の、図7にプラズマ処理後のaBEC像、b光学顕微鏡写真を、図8に超音波洗浄後のBEC像をそれぞれ示す。また、比較例5について、図9にレーザー加工後の、図10にプラズマ処理後のaBEC像、b光学顕微鏡写真を、図11に超音波洗浄後のBEC像をそれぞれ示す。なお、プラズマ処理時間は同じとした。図6-11に示すように、いずれもプラズマ処理後のビアホール径の拡大は認められないものの、アルゴンプラズマ処理をおこなったものについては、光学顕微鏡写真においては金属光沢が認められるものの、BEC像において、金属光沢Cuが認められず、酸素プラズマ処理と同じ処理時間では、スミアが残ることがわかる。このように、酸素プラズマを用いることにより、効率的にデスミア処理を行うことができる。また、プラズマ処理を行ったものについて、さらに超音波洗浄を行うことにより、より金属光沢が増加している。このように、超音波洗浄により、プラズマ処理で残った無機分などの残渣を除去できることがわかる。また、実施例1について、図12にレーザー加工後、図13にデスミア後の保護フィルム上の光学顕微鏡写真を示す。また、図14に比較例2のデスミア後の保護フィルム上の光学顕微鏡写真を示す。なお、比較例2のレーザー加工後の状態は、実施例1と同様である。図12-14に示すように、実施例1においては、穴周辺部のダメージは認められず、表層は良好な状態である。一方、比較例2においては、保護フィルムとしたPETフィルム自体にはデスミア液耐性があるものの、水圧に対する耐性が十分でないため、保護フィルムにズレが生じている。また、保護フィルムと硬化性樹脂層との界面に、薬液が浸透するため、ビアホール周辺に大きなダメージが生じていることがわかる。さらに、実施例3について、図15にレーザー加工後、図16にデスミア後の保護フィルム上の光学顕微鏡写真を示す。また、図17に実施例6のデスミア後の保護フィルム上の光学顕微鏡写真を示す。なお、実施例4、実施例6のレーザー加工後の状態は、実施例1と同様であり、実施例4のデスミア後の状態は図3と同様である図15-17に示すように、未硬化状態の硬化性樹脂層をレーザー加工するものであるため、ビアホール径は、保護フィルムを設けないでレーザー加工したものに近づく。また、わずかに、ビアホール周辺にダメージが認められるものの、比較例2と比べるとはるかに良好な状態が得られていることがわかる。また、図16と図17に有意差は認められないことから、超音波洗浄は、硬化性樹脂層の硬化の前でも後でもよいことがわかる。なお、比較例3について、図18にレーザー加工後、図19に薬液によるデスミア処理後の、光学顕微鏡写真を示す。これらの図に示すように、半硬化状態で薬液によるデスミア処理を行うことにより、硬化性樹脂層が全て溶出してしまうことがわかる。"