"真空処理室、該真空処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給装置、前記真空処理室内に配置され試料を載置する試料台、該試料台に基板バイアス電圧を供給する基板バイアス電源、前記真空処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段、前記試料台の外周に配置したサセプタ、および真空搬送装置を備え、該真空搬送装置により未処理の試料を前記試料台上に載置し、処理の施された試料を前記処理台から搬出するプラズマ処理方法において、処理済みの試料における処理速度の分布を測定し、測定した処理速度の分布をもとに前記サセプタ位置に対する試料位置のずれを算出し、該算出結果をもとに前記真空搬送装置による搬送位置を調整することを特徴とするプラズマ処理方法。真空処理室、該真空処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給装置、前記真空処理室内に配置され試料を載置する試料台、該試料台に基板バイアス電圧を供給する基板バイアス電源、前記真空処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段、前記試料台の外周に配置したサセプタ、および真空搬送装置を備え、該真空搬送装置により未処理の試料を前記試料台上に載置し、処理の施された試料を前記処理台から搬出するプラズマ処理方法において、処理済みの試料の外周部における半径方向のエッチングレートの差の分布を測定し、測定したエッチングレートの差の分布をもとに前記サセプタ位置に対する試料位置のずれを算出し、算出結果をもとに前記ずれを解消するように前記真空搬送装置の搬送位置の指令値を調整することを特徴とするプラズマ処理方法。請求項1記載のプラズマ処理方法において、前記処理速度として、エッチングレート、成膜レート、デバイス素子の削れ量、デバイス素子の電気特性の変化量の少なくとも1を含むことを特徴とするプラズマ処理方法。真空処理室、該真空処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給装置、前記真空処理室内に配置され試料を載置する試料台、該試料台に基板バイアス電圧を供給する基板バイアス電源、前記真空処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段、前記試料台の外周に配置したサセプタ、真空搬送装置、および該真空搬送装置を制御する制御装置を備え、前記真空搬送装置により未処理の試料を前記試料台上に載置し、処理の施された試料を前記処理台から搬出するプラズマ処理装置において、前記制御装置は、処理済みの試料の外周部における半径方向のエッチングレートの差の分布を測定する測定部、および測定したエッチングレートの分布をもとに前記サセプタ位置に対する試料位置のずれを算出し、算出結果をもとに前記ずれを解消するように前記真空搬送装置の搬送位置の指令値を調整する調整部を備えたとを特徴とするプラズマ処理装置。しかしながら、従来の解決策1では、予め設定したウエハ位置の精度が所望の精度で得られていない場合、搬入されたウエハは搬入操作毎にずれた位置に設置されることになる。また、前記解決策2の目視による位置決め操作は、繰り返し精度あるいは個人差等にばらつきがあり、0.5mm以下の精度でウエハを配置することは難しい。また、前記解決策3では、サセプタを試料台に設置した後にサセプタがずれた場合に対処することができない。本発明は、前記問題に鑑みてなされたもので、試料台を取り囲むように配置されたサセプタとの距離が均等となるようにウエハを配置することのできる真空処理技術を提供するものである。本発明は上記課題を解決するため、次のような手段を採用した。真空処理室、該真空処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給装置、前記真空処理室内に配置され試料を載置する試料台、該試料台に基板バイアス電圧を供給する基板バイアス電源、前記真空処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段、前記試料台の外周に配置したサセプタ、および真空搬送装置を備え、該真空搬送装置により未処理の試料を前記試料台上に載置し、処理の施された試料を前記処理台から搬出するプラズマ処理方法において、処理済みの試料における処理速度の分布を測定し、測定した処理速度の分布をもとに前記サセプタ位置に対する試料位置のずれを算出し、該算出結果をもとに前記真空搬送装置による搬送位置を調整する。本発明は、以上の構成を備えるため、試料台を取り囲むように配置されたサセプタとウエハとの距離を均等に配置することができる。以下、実施形態を添付図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の実施形態にかかる真空処理装置100を説明する図である。図1において、半導体処理装置100は、複数4個の処理室101、102、103、104と、複数3個のカセット設置台105とを備え、これらの間でウエハを移送することができる。処理室101、102、103、104は、プラズマエッチング、層の堆積、あるいはスパッタリングを実行するための処理室である。処理室101、102、103、104は、所定の圧力真空圧に減圧可能な真空処理容器であり、その内部空間にはウエハ等の試料を載置する試料台を備える。処理室の内部空間には、処理用のガスを供給しつつ図示しない電界または磁界の供給手段から電界または磁界を供給する。これにより、処理室のウエハ上方の空間にプラズマを形成し、試料の表面を処理する。バッファ室110は、内部が前記処理室101等の内部と同等の圧力に調節可能な真空容器から構成され、バッファ室110にはウエハを真空側に導入するために実装された複数のロードロック室106、107が接続されている。なお、処理室101、102、103、104、バッファ室110、ロードロック室106、107は、減圧された条件で試料を搬送、処理を行う真空側ブロックを構成する。複数のロードロック室106、107は、大気ロボット108が内部の空間に配置された大気搬送室109に接続され、大気搬送室109は、ウエハが収納されるカセットがその上面に載置されるカセット載置台105を前面側に備える。ロードロック室106、107は、カセットが連結される大気搬送室109と真空側ブロックとの間でのウエハの取り出し、および受け渡しのための開閉機構であり、また、可変圧インタフェースとして機能する。大気ロボット108は、カセット戴置台105に戴置されたカセットからウエハを取り出して、大気搬送室109に運び、大気搬送室109内でウエハのセンタリング及びノッチ合わせを行った後、再び、ロードロック室106または107に搬入する。ロードドック室106または107に搬入されたウエハは、その内側に配置された試料台上に載置される。ロードロック室の内部が減圧された後、試料台内に配置された複数のピン形状のウエハプッシャーにウエハを持ち上げ、持ち上げられた状態のウエハの下方に、真空ロボット111のアーム先端部のハンドを移動させて、このハンドを持ち上げることによりウエハの受渡しが行われる。ウエハの受渡しが完了すると真空ロボット111のアームを縮め、ハンド上に載せられたウエハをバッファ室110内に運び込む。バッファ室110内での真空ロボット111の回転動作により、処理室101、102、103、104の何れかの方向にロボットの向きを変更する。さらに、真空ロボット111のアームの伸張動作すると、ウエハは、処理室101、102、103、104の何れかに移送される。ウエハには、処理室において、プラズマエッチング、層の堆積、あるいはスパッタリングなどの処理が施される。これらの処理は密封された処理室内で行われる。ここで、試料台312の側面でウエハが載置される面の外周側には、サセプタ329が配置される。サセプタ329はプラズマによるスパッタやエッチングから試料台312を保護する。また、試料台の内部には、ロードロック室106または107と同様に、ウエハを上下に移動させる複数のプッシャピンを備える。これらのプッシャピンは、上方に移動された状態で、その上方に位置する真空ロボット111のアーム先端のハンド上に載せられたウエハをアームの下降に伴って前記プッシャピン上に載せた後、アームをバッファ室110内に移動させる。これによりウエハの試料台への受渡しが行われる。なお、前記アームの移動後に、プッシャピンは下方に移動され試料台内に格納される。このとき、ウエハは試料台上のウエハ載置面に載置される。図2は、試料台上におけるウエハの位置関係を示す図である。真空ロボット111のアームはエッチング処理室101に伸張動作した後、ウエハを試料台上に載置する。真空ロボット111の伸張位置については、予めティーチングを行い、また、位置補正システムにより補正処理が施される。ここで、ティーチングは、大気ロボット108側と真空ロボット111側とでそれぞれ行なわれる。真空ロボット111側で行なわれるのは、例えば真空ロボット111の動作原点半径方向距離R=0、回転角θ=0から各処理室までの回転角度θ、および搬入前の退避位置Rが最小から、各処理室R、θまでの伸縮距離Rの設定である。すなわち、ウエハを載置するハンドの位置を所定の範囲内で調節可能な真空ロボット111に対して、その動作の基準となる位置として、例えば搬送元位置あるいは搬送先位置の情報を設定する。次いで、このような基準の位置の情報に基づいて、真空ロボット111はθ軸方向の回転動作あるいはR軸方向の伸縮動作を行いハンドの位置を決める。尚、前記位置の調整は、例えば、治具を用いてハンド中心と各処理室の中心との差を計測し、これらが一致するようにロボットに対する指令値を変更して行う。上述のように、真空ロボットのアーム111aにより処理室101内に搬送されたウエハは、試料台312上に載置される。このとき、前記ティーチングの精度が高く、ウエハが載置電極の中央に置かれた場合は、ウエハ328とサセプタ329の隙間は図2に示すように、円周方向で均等な隙間334が得られる。ティーチングの精度が悪い場合には、図8に示す隙間335、隙間336のように円周方向に不均等な隙間が得られる。図3は、プラズマ処理装置を説明する図である。処理室101内に処理ガスを導入すると共に、処理室101内をターボ分子ポンプ320の動作により排気して所定の圧力真空圧に調節する。直流電源314からの直流電圧を試料台312上面に配置した図示しない吸着電極に印加することにより、試料台312に載置されたウエハ328を静電気で吸着し、保持する。この状態で、熱伝達性ガスHe供給源316から、試料台312上面の誘電体膜とウエハ328裏面との間にHeガスを供給してウエハ328を冷却する。また、処理ガスは、処理ガス供給源323から、処理ガス供給配管324を介して、シャワープレート302と石英プレート305間に形成された微小隙間303に導入され、さらに、シャワープレート302に形成された多数の小孔を通してプロセス処理室301内へ供給される。高周波電源310で発振された電磁波は、共振空間306を介して石英プレート305およびシャワープレート302を通過してプロセス処理室301に導入される。導入された電磁波は、ソレノイドコイル309による磁場との相互作用により、処理ガスをプラズマ化してウエハ328上方にプラズマを形成する。高周波バイアス電源317は、試料台に高周波電力を印加し、ウエハ328の上方にバイアス電位を形成する。このようにして形成されたバイアス電位とプラズマ電位との電位差によりプラズマ中のイオンはウエハ328上に引き込まれる。これにより、エッチング反応がアシストされつつ、処理が開始される。尚、処理中、排気ゲートプレート318は常に開いており、コンダクタンス可変バルブ319の開度を変えることで排気速度を変化させて、プロセス処理室301内の圧力を調整している。エッチング処理が終了すると、プラズマ生成用の高周波電源および高周波バイアスを停止する。さらに、直流電源314からの直流電圧の供給を停止して、静電吸着力を低下させた後、ウエハを搬出する。なお、プロセス処理室301内の反応生成物や残留した処理ガスは、前記コンダクタンス可変バルブ319、ターボ分子ポンプ320、および排気ポンプ322を介して排気される。その後、プロセス処理室301を密封しているゲートバルブ326を開放した後、真空ロボット111のアームを伸張して、先端側のハンドをウエハの下方に位置するように移動する。次に、プッシャピンを下方に移動させて、ウエハをハンド上の保持面に載せることで、ウエハはアームに受け渡される。なお、プッシャピンはその後、再び試料台内部に格納される。このように、処理室101、102、103、104内での処理の実行後、処理済のウエハは真空ロボット111に受け渡され、真空ロボット111のアームの収縮動作、真空ロボット111の回転動作、真空ロボット111のアームの伸張動作の組合せにより、ウエハは処理室間あるいは処理室とロードロック室間を移送される。図4は、真空ロボットを説明する図である。本実施形態では、真空ロボット111は、図4に示すように、バッファ室110の中央近傍にその中心軸403が配置され、この中心軸403の周りを所定の角度θ回転可能となっている。ここでは、中心軸403周りの真空ロボット111またはそのアームの回転動作をθ軸周りの回転動作という。θ軸周りの回転動作はθ軸センサ41により検出可能である。さらに、真空ロボット111は、所定のθ軸周りの回転角度位置で、アームを中心軸403側とバッファ室110の外周側処理室側とを結ぶ方向に伸縮可能であり、アーム先端部に配置したウエハ載置用のハンドの位置を、バッファ室110内と処理室内とで往復移動可能としている。この伸縮の動作をR軸半径方向動作という。R軸半径方向の位置はR軸センサ40により検出可能である。本実施形態においては、このように構成された真空処理装置100においてウエハ328とサセプタ329の距離が均等となるように補正する。図5、6は、ウエハ処理中における試料台312、サセプタ329およびウエハ328の位置関係を説明する図である。ここで図5はウエハ328とサセプタ329の距離が近い状態を示し、図6はウエハ328とサセプタ329の距離が離れている状態を示している。図5に示すように、ウエハ328とサセプタ329の距離が接近している場合においては、ウエハ328の外周部とサセプタ329の間に形成されるシース501はなだらかな形状になる。このため、イオン502はシース501に対して垂直に入射し、ウエハ328あるいはサセプタ329に衝突する。図6に示すように、ウエハ328とサセプタ329の距離が離れている場合、ウエハ328の外周部とサセプタ329の間に形成されるシース501には凹部が形成される。このため、ウエハ328近傍に存在するイオン502、およびウエハ328とサセプタ329との間に存在するイオン503はウエハ328の外周部に入射する。このため、ウエハ328の外周部の削れ量は図5に比べ図6の方が多くなると考えられる。このことから、ウエハ328の外周部の削れ量、すなわちプロセス性能は、シースの形状を決めるウエハ328とサセプタ329の距離が重要であることがわかる。すなわち、ウエハ328の外周部の削れ量を測定することにより、ウエハ328とサセプタ329間に形成される隙間の距離を算出することができる。なお、例えば、300mm径のウエハにおいては、エッチングレートは半径140mm以上の領域でイオンのエネルギーの影響を受ける。本発明における外周部はこの影響を受ける範囲を指している。本実施形態では、サセプタ上に載置されたウエハ328の位置ずれウエハ328とサセプタ329間に形成される不均等な隙間を補正するため、単位時間あたりの削れ量以下、エッチングレートというを測定し、この測定値をもとにウエハのずれ量、ずれ角度を算出する。図7は、ウエハ701上に設定したエッチングレートの測定点702、および各測定点におけるエッチングレートの値を示す。本実施形態で使用したウエハ701はシリコンウエハ上に酸化膜を形成したものであり、ウエハ701の外周上に均等設定した16点についてエッチングレートを算出した。次にウエハ701の中心からみて同じ角度θ位置にある2点におけるエッチングレートの差を計算する。本実施形態では、ウエハ中心から同じ角度位置にある半径148mmの測定点のエッチングレートから半径145mmの測定点のエッチングレートを差し引いた値差分を計算し、この差分をその測定点半径148mmの地点におけるエッチングレート変化量とした式。ΔE=ΔE148-ΔE145図8は、各測定点におけるエッチングレート変化量と、ウエハの最外周とサセプ間の隙間の関係を示す図である。なお、隙間は0.05mm単位の測定ができる隙間ゲージを使用して測定した。図8を参照すると、エッチングレート変化量が低い測定点の近傍では、ウエハ701の最外周とサセプタ329間の隙間が小さい状態図5に示す状態にあることがわかる。すなわち、シースの形状前記隙間の寸法に応じてウエハ701の外周に入射するイオンのエネルギーおよびイオンの個数の分布が変化してエッチングレートが変化する。従って、この現象を利用して、ウエハ701の最外周とサセプタ329との間のずれ隙間寸法を算出することができる。図8に示す各測定のエッチングレートの変化量801から回帰分析を使用し平面方程式を求める。平面方程式は下記のように表わされる。z=axbyc2回帰分析より、式2の各パラメータとして、a=0.0047、b=-0.0084、c=-0.6750が算出される。ウエハ701がずれている方向を求めるには、平面方程式2とxy平面との交線と,平面方程式2とxy平面の交線で原点0,0,0を通る法線との交点-c/b、-c/aより求めることができる。ずれの方向を求めると、θWAF=119度となるθWAF=119度は、図7において148、0を0度として反時計方向に119度の回転した方向を示す。本結果はθWAF=119度の方向にウエハがズレて、隙間が小さくなっていることを示している。ウエハ701を所望の位置に配置するためには、反対の方向に移動させれば良いことがわかる。本実施形態の効果を確認するために、ウエハ701の最外周とサセプタ329間の隙間を測定した。図8に示すようにθWAF=119度の方向が隙間が狭く、θWAF=289度の方向の隙間が大きいことがわかり、θWAF=289度の方向にウエハを補正すれば良いことがわかる。中心のずれ量RWAFは、8個の測定点のエッチングレートの変動量の最大値と最小値の差ΔEWAFから式4、式5を用いて求めることができる。ΔEWAF=ΔEMAX-ΔEMIN/24ΔEMAX:エッチングレートの変動量の最大値ΔEMIN:エッチングレートの変動量の最小値=0.9--2.4/2=1.65RWAF=√ΔEWAF/k5k:定数5.05=√1.65/5.05=0.57すなわち、ウエハ701をθWAF=289度の角度の方向に0.57mm移動すると、ウエハ701の最外周とサセプタ329との隙間が均等になるという結果が求得られた。なお、式5における定数kは、事前に1度だけエッチングレート、およびウエハ701とサセプタ329の隙間を測定し、除算した値エッチングレート/隙間である。定数kに関しては、本実施形態を適用することにより精度を向上することができる。中心のずれ量RWAF=0.57の妥当性は、図8に示すウエハ701とサセプタ329の実測の隙間の測定値より0.55mmずれている。隙間ゲージの精度である0.05mmを考慮にいれると十分な値である。更に本実施形態の効果を確認するために、前記θWAF=289度、RWAF=0.57の結果にしたがって真空ロボット111の搬送先位置の指定値θ、Rを変更して、再度、エッチングレートの処理を行った。図9は、ウエハ701上のエッチングレートの測定点702、および各測定点における測定値を示す図である。図10は、各測定点におけるエッチングレート変化量を示す。図10を参照すると、エッチングレート変化量の均一性が向上したことがわかる。式4、式5を用いてθWAF、RWAFを求めると、θWAF=22.5度、RWAF=0.01mmが得られる。本実施形態の効果を確認するために、ウエハ701の最外周とサセプタ329間の隙間を測定した。図10に示すように隙間の均一性が向上したことがわかる。図11は、実際の量産に適用する場合の処理を説明する図である。例えば1ロットの製品処理が開始され、それが終了するとステップS1101、1102、エッチングレートの処理を実施するステップS1103。まず、エッチングレートを測定しステップS1104、測定結果をもとにサセプタとウエハの距離を算出し、補正量を算出するステップS1105。次に算出した補正量をもとに真空ロボットの搬送先位置を変更するステップS1106。その後、製品処理を開始するステップS1107。この処理を継続することにより、ウエハ外周部におけるプロセス性能を所望の値に再現性良く得ることができる。なお、本実施形態においては、ECRElectronCyclotronResonance方式のプラズマ処理装置を用いたが、本発明はこの装置に限定されるものではなく、例えば、ICPInductivelyCoupledPlasma方式、CCPCapacitivelyCoupledPlasma方式など他のプラズマの発生方式を用いた装置にも適用可能である。以上説明したように、本実施例によれば、ウエハ外周部におけるエッチングレートを測定して比較することにより、試料台を取り囲むように配置されたサセプタとウエハとの距離を算出し、算出した距離をもとに、ウエハを所望の位置にウエハを搬送することができる。また、以上の説明では、ウエハ外周部における径方向2カ所のエッチングレートを測定して比較することにより、試料台を取り囲むように配置されたサセプタとウエハとの距離を算出したが、前記エッチングレートの外に、成膜レート、ウエハ温度、デバイス素子の寸法、デバイス素子の削れ量、デバイス素子の角度、あるいはデバイスの電気特性を測定して得られた結果をもとにウエハとサセプタとの距離を把握して、真空ロボットに対する補正量を求めて、ウエハを所望の位置に搬送することができる。また、補正量が許容値を越えていた場合には、位置ずれエラーを出力することができる。これにより、ウエハ面内において所望のプロセス性能を得ることできる。"