"ポリイミド前駆体溶液あるいはポリイミド溶液と、金属捕捉剤と、導電性粒子と、を含み、前記金属捕捉剤は、下記一般式1で表されるチオール化合物または下記一般式2で表されるスルフィド化合物から選択される少なくともいずれか一種の化合物であることを特徴とする導電性ペースト。Ar-SH...1[式1中、Arはベンゼン環を示し、置換基を有していてもよい。]A-R’-O-R-S2...2[式2中、R’、Rはアルキレン基を示し、Aはフルオロアルキル基を示す。]前記一般式1で表されるチオール化合物が、下記式3で表される4-フルオロベンゼンチオールであることを特徴とする請求項1に記載の導電性ペースト。...3前記一般式2で表されるスルフィド化合物が、下記式4で表されるジチオビス1H、1H、2H、2H-パーフルオロデシルオキシ-ウンデカンであることを特徴とする請求項1または2に記載の導電性ペースト。...4前記金属捕捉剤は、前記ポリイミド前駆体溶液あるいは前記ポリイミド溶液の固形分に対して、0.01重量以上、10重量以下、添加されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の導電性ペースト。請求項1から4のいずれか1項に記載の前記導電性ペーストが熱処理されて形成されたことを特徴とする導電性薄膜。前記導電性粒子は前記金属捕捉剤に捕捉され、前記導電性粒子は前記ポリイミド樹脂に分散された状態にあることを特徴とする請求項5に記載の導電性薄膜。体積抵抗率が2×106Ωcm以上、1×102Ωcm以下、であることを特徴とする請求項5または6に記載の導電性薄膜。本発明は、上記課題に鑑み、厚みを厚く形成した場合であっても、耐屈曲性の低下が抑制され、さらにガス発生が抑制された導電性ペースト、およびこの導電ペーストを用いて形成された導電性薄膜を提供することにある。上記課題を解決するために、本発明では、ポリイミド前駆体溶液あるいはポリイミド溶液と、金属捕捉剤と、導電性粒子と、を含み、前記金属捕捉剤は、下記一般式1で表されるチオール化合物または下記一般式2で表されるスルフィド化合物から選択される少なくともいずれか一種の化合物であることを特徴とする導電性ペーストが提供される。Ar-SH...1[式1中、Arはベンゼン環を示し、置換基を有していてもよい。]A-R’-O-R-S2...2[式2中、R’、Rはアルキレン基を示し、Aはフルオロアルキル基を示す。]本発明によれば、厚みを厚く形成した場合であっても、耐屈曲性の低下が抑制され、さらにガス発生が抑制された導電性ペースト、およびこの導電ペーストを用いて形成された導電性薄膜が実現する。以下、本発明の実施形態を説明する。本発明は以下に説明する実施形態に限定されるものではない。導電性ペースト本発明に係る導電性ペーストは、ポリイミド前駆体溶液あるいはポリイミド溶液と、金属捕捉剤と、導電性粒子と、を含有する。導電性ペーストは、あらかじめポリイミド前駆体溶液あるいは可溶性ポリイミド溶液を製作した後、導電性微粒子を混合し、次いで溶媒に溶解させた金属捕捉剤を添加して製造される。また、本発明の導電性ペーストを製造する際に、本発明の本質を損なわない範囲内で、ポリアミドイミドやポリエーテルスルホンなどの樹脂が添加されてもかまわない。また、本発明の導電性ペーストの製造において、導電性微粒子の添加方法および金属捕捉剤の添加方法は、特に限定されない。また、本発明の導電性ペーストの製造において、本発明の本質を損なわない範囲内で、充填材、顔料、顔料分散剤、固体潤滑剤、沈降防止剤、レベリング剤、表面調節剤、水分吸収剤、ゲル化防止剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、可塑剤、色分かれ防止剤、皮張り防止剤、界面活性剤、帯電防止剤、消泡剤、抗菌剤、防カビ剤、防腐剤、増粘剤などの公知の添加剤が添加されてもよい。なお、導電性ペーストに化学量論以上の脱水剤およびイミド化触媒を加えてイミド化を進行させる化学的イミド化法を併用してもよい。本発明の導電性ペーストは、基材との接着性にも優れ、基材に塗布後イミド化を完結することによって強固に一体化した導電性塗膜あるいは導電性薄膜を成形することができる。導電性微粒子導電性微粒子は、白金、金、銀、ニッケル、パラジウム等の導電性の高い金属微粒子であるのが好ましい。導電性微粒子は、コア粒子に金属シェルが被覆されているほうがより好ましい。以下、コア粒子に金属シェルが被覆されている導電性微粒子を、コア-シェル型導電性微粒子と称する。導電性微粒子がコア-シェル型導電性微粒子である場合、ペースト材料のコスト低減あるいは軽量化を図ることができるからである。コア-シェル型導電性微粒子において、コア粒子は特に限定されるものではない。コスト面および耐熱性等の特性の面から、カーボン、ガラス、セラミックスなどの無機微粒子であるのが好ましい。無機微粒子としては、鱗片状、針状、樹脂状など、任意の形状のものを用いることができる。また、この無機微粒子は、ポリイミド前駆体溶液あるいは可溶性ポリイミド溶液に混合したときの分散性、安定性および軽量化の面から、中空状、発泡状の微粒子であるのがより好ましい。コア-シェル型導電性微粒子において、金属シェルは、コア粒子である無機微粒子の表面積の80以上を金属例えば、銀で被覆しているのが好ましい。また、金属シェルは、コア粒子である無機微粒子の表面積の90以上を被覆しているのがより好ましく、95以上を被覆しているのがさらに好ましい。金属シェルのコア粒子被覆率が80未満であると、導電性が低くなるからである。金属シェルは、1層であってもよく、2層以上であってもよい。また、本発明の本質を損なわない範囲内で、コア粒子の残りの表面が他の導電性金属で被覆されていてもよい。銀以外の他の導電性金属としては、例えば、白金、金、パラジウムなどの貴金属、モリブデン、ニッケル、コバルト、鉄、銅、亜鉛、錫、アンチモン、タングステン、マンガン、チタン、バナジウム、クロムなどの卑金属が挙げられる。コア-シェル型導電性微粒子の平均粒子径は、1μm以上、50μm未満、であるのが好ましい。コア-シェル型導電性微粒子の平均粒子径が1μm未満であると、コア-シェル型導電性微粒子が凝集し易くなり分散し難くなるからである。また、コア-シェル型導電性微粒子の平均粒子径が50μm以上であると、得られる導電性薄膜の表面粗度が大きくなるからである。換言すれば、コア-シェル型導電性微粒子の平均粒子径が1μm以上であると、コア-シェル型導電性微粒子が凝集しにくい。また、コア-シェル型導電性微粒子の平均粒子径が50μm未満であると、得られる導電性薄膜の表面粗度がそれほど大きくならないのでよい。コア粒子である無機微粒子に金属シェルで形成する方法としては、特に限定されず、例えば、電解めっき、無電解めっき、真空蒸着、スパッタリングなどを挙げることができる。金属捕捉剤本発明において、好適に用いることのできる金属捕捉剤としては、下記化学式1で表されるチオール化合物、あるいは下記化学式2で表されるスルフィド化合物であるのが好ましい。Ar-SH...1[式1中、Arはベンゼン環を示し、置換基を有していてもよい。]置換基としては、ハロゲン原子などが挙げられる。A-R’-O-R-S2...2[式2中、R’、Rはアルキレン基を示し、Aはフルオロアルキル基を示す。]R’、Rとしては、C1~14のアルキレン基、Aとしては、C1~16のフルオロアルキル基などが挙げられる。なお、一般式1で表されるチオール化合物が、下記式3で表される4-フルオロベンゼンチオール、3あるいは、前記一般式2で表されるスルフィド化合物が、下記式4で表されるジチオビス1H、1H、2H、2H-パーフルオロデシルオキシ-ウンデカンから選択される少なくとも1つであるのが好ましい。4金属捕捉剤の添加量は、ポリイミド前駆体溶液あるいは可溶性ポリイミド溶液の固形分に対して、0.01重量以上、10重量以下、であるのが好ましい。0.01重量未満であると、金属捕捉剤が金属を捕捉することができないからである。また、10重量より多いと、導電性微粒子がまれに凝集することがあるからである。ポリイミド前駆体溶液あるいは可溶性ポリイミド溶液上記ポリイミド前駆体溶液としては、ジアミンあるいはその誘導体と、テトラカルボン酸二無水物あるいはその誘導体と、を極性溶媒中で反応させたものポリアミド酸溶液を用いることができる。また、可溶性ポリイミドは、上記極性溶媒に溶解可能である。本発明に好適に用いることのできるポリイミド前駆体溶液あるいは可溶性ポリイミド溶液としては、粘度が1000ポアズ未満のものが挙げられる。溶液の粘度が1000ポアズ以上であると、上記導電性微粒子を均一に分散させることが難しくなるからである。ポリイミド前駆体溶液あるいは可溶性ポリイミド溶液の製造方法は、特に限定されるものではないが、ジアミンと、テトラカルボン酸二無水物と、を極性溶媒中で反応させる方法が簡便でよい。ジアミン本発明に好適に用いることのできるジアミンとしては、例えば、パラフェニレンジアミンPPD、メタフェニレンジアミンMPDA、2,5-ジアミノトルエン、2,6-ジアミノトルエン、4,4-ジアミノビフェニル、3,3-ジメチル-4,4-ジアミノビフェニル、3,3-ジメトキシ-4,4-ジアミノビフェニル、2,2-ビストリフルオロメチル-4、4-ジアミノビフェニル、3,3-ジアミノジフェニルメタン、4,4-ジアミノジフェニルメタンMDA、2,2-ビス-4-アミノフェニルプロパン、3,3-ジアミノジフェニルスルホン33DDS、4,4-ジアミノジフェニルスルホン44DDS、3,3-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3-ジアミノジフェニルエーテル、3,4-ジアミノジフェニルエーテル34ODA、4,4-ジアミノジフェニルエーテルODA、1,5-ジアミノナフタレン、4,4-ジアミノジフェニルジエチルシラン、4,4-ジアミノジフェニルシラン、4,4-ジアミノジフェニルエチルホスフィンオキシド、1,3-ビス3-アミノフェノキシベンゼン133APB、1,3-ビス4-アミノフェノキシベンゼン134APB、1,4-ビス4-アミノフェノキシベンゼン、ビス[4-3-アミノフェノキシフェニル]スルホンBAPSM、ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]スルホンBAPS、2,2-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]プロパンBAPP、2,2-ビス3-アミノフェニル1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス4-アミノフェニル1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパン、9,9-ビス4-アミノフェニルフルオレン等の芳香族ジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等の脂肪族ジアミン、シクロヘキサンジアミン、イソホロンジアミン、ノルボルナンジアミン、ビス4-アミノシクロヘキシルメタン、ビス4-アミノ-3-メチルシクロヘキシルメタン等の脂環式ジアミンなどが挙げられる。なお、これらのジアミンは1種以上混合されて重合反応に用いられても何ら差し支えない。また、これらのジアミンの中でも特に好ましいジアミンとして、パラフェニレンジアミンPPD、メタフェニレンジアミンMPDA、4,4-ジアミノジフェニルメタンMDA、3,3-ジアミノジフェニルスルホン33DDS、4,4-ジアミノジフェニルスルホン44DDS、3,4-ジアミノジフェニルエーテル34ODA、4,4-ジアミノジフェニルエーテルODA、1,3-ビス3-アミノフェノキシベンゼン133APB、1,3-ビス4-アミノフェノキシベンゼン134APB、ビス[4-3-アミノフェノキシフェニル]スルホンBAPSM、ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]スルホンBAPS、2,2-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]プロパンBAPPが挙げられる。なお、これらジアミンの誘導体を用いてもよい。テトラカルボン酸二無水物また、本発明に好適に用いることのできるテトラカルボン酸二無水物としては、ピロメリット酸二無水物PMDA、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,2,3,3-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,34-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3,4,4-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物BPDA、2,2,3,3-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3,4-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3,4,4-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物BTDA、ビス3,4-ジカルボキシフェニルスルホン二無水物、ビス2,3-ジカルボキシフェニルメタン二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルメタン二無水物、1,1-ビス2,3-ジカルボキシフェニルエタン二無水物、1,1-ビス3,4-ジカルボキシフェニルエタン二無水物、2,2-ビス[3,4-ジカルボキシフェノキシフェニル]プロパン二無水物BPADA、4,4-ヘキサフルオロイソプロピリデンジフタル酸無水物、オキシジフタル酸無水物ODPA、ビス3,4-ジカルボキシフェニルスルホン二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルスルホキシド二無水物、チオジフタル酸二無水物、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-アントラセンテトラカルボン酸二無水物、1,2,7,8-フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、9,9-ビス3,4-ジカルボキシフェニルフルオレン二無水物や9,9-ビス[4-3,4-ジカルボキシフェノキシフェニル]フルオレン二無水物等の芳香族テトラカルボン酸二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4-シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、2,3,4,5-テトラヒドロフランテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5-シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、3,4-ジカルボキシ-1-シクロヘキシルコハク酸二無水物、3,4-ジカルボキシ-1,2,3,4-テトラヒドロ-1-ナフタレンコハク酸二無水物などが挙げられる。また、これらのテトラカルボン酸二無水物はメタノール、エタノールなどアルコール類と反応させられてエステル化合物とされてもよい。なお、これらのテトラカルボン酸二無水物は1種以上混合されて重合反応に用いられても何ら差し支えない。また、これらのテトラカルボン酸二無水物の中でも特に好ましいテトラカルボン酸二無水物として、ピロメリット酸二無水物PMDA、3,3,4,4-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物BPDA、3,3,4,4-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物BTDA、2,2-ビス[3,4-ジカルボキシフェノキシフェニル]プロパン二無水物BPADA、オキシジフタル酸無水物ODPAが挙げられる。なお、これらテトラカルボン酸二無水物の誘導体を用いてもよい。極性溶媒本発明に好適に用いることのできる極性溶媒としては、例えば、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジエチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、N-メチルカプロラクタム、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、1,2-ジメトキシエタン、ジグライム、トリグライム、ガンマブチルラクトン、シクロヘキサノンなどが挙げられる。また、これらの溶媒の中でも特に好ましい溶媒として、N,N-ジメチルアセトアミドDMAC、N-メチル-2-ピロリドンNMPが挙げられる。なお、これらの溶媒は単独で用いられてもよいし、混合物として用いられてもよいし、芳香族炭化水素などの他の溶媒、例えば、トルエン、キシレンなどと混合されて用いられてもよい。また粘度を調整するために、グリセロールなどのアルコール性OH基を多数含む材料と混合してもよい。なお、上記の方法でポリイミド前駆体溶液あるいは可溶性ポリイミドを製造するほか、市販のポリイミド前駆体溶液あるいは可溶性ポリイミド溶液を用いてもよい。導電性薄膜本発明の導電性薄膜は、本発明の導電性ペーストを基板上に塗布した後、熱処理されて形成される。なお、このように成形された導電性薄膜では、ポリイミド樹脂に、金属捕捉剤に捕捉された状態にある導電性粒子が分散している。なお、導電性薄膜は、導電性ペーストを基板上に、例えば、バーコート法によりキャスト投入した後、乾燥炉において、熱処理温度80~120°C、15分、さらに温度200~300°C、60分を行う。さらに、基板から離型して、金枠に固定し、例えば、温度200~300°C、60分、加熱してもよい。導電性薄膜の膜厚は、任意に決定することができるが、通常、1μm~125μm程度である。本発明の導電性ペーストを用いると、膜厚が50μm~125μmとされても可撓性の高い導電性薄膜が得られる。本発明の導電性薄膜の体積抵抗率は、2×106Ωcm以上、1×102Ωcm以下、であるのが好ましい。導電性薄膜の体積抵抗率は、ポリイミド中の導電性微粒子の含有率5~40wt、導電性薄膜の膜厚10~30μm、種類等を変化させることにより、このような範囲に収まる。導電性薄膜の体積抵抗率がこの範囲であるとスクリーン印刷などで導電路を形成した場合、あるいは電気回路の給電端子接続部に塗膜として成形させ、積極的に電気を流す通電媒体、いわゆる電線あるいは電気回路を形成した場合にも優れた導電性を維持できるからである。基板必要に応じて導電性ペーストに脱泡、ろ過などの処理を行った後、基材例えば、耐熱性基板や、フレキシブルな耐熱性フィルムなど上にドクターブレード、スクリーン印刷、流延などの方法でその導電性ペーストを塗布する。そして、その導電ペーストを加熱乾燥し、徐々にあるいは段階的に200°C~450°Cまで加熱してイミド化を進行させる。あるいは溶媒を除去する。具体的な基板としては、プラスチック製、ガラス製あるいはセラミック製のフィルムや板を用いることができる。プラスチック製のフィルムおよび板に用いられる材料としては、ポリエステル類、ポリオレフィン類、ビニル系樹脂、その他の樹脂類が挙げられる。ポリエステル類としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPENなどが例示される。ポリオレフィン類としては、例えば、ポリプロピレンPP、ポリスチレン、ポリエチレンPE、EVAなどが例示される。ビニル系樹脂としては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどが例示される。その他の樹脂類としては、例えば、ポリカーボネートPC、ポリサルホンPSF、ポリエーテルサルホンPES、ポリエーテルエーテルケトンPEEK、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂、トリアセチルセルロースTACなどが例示される。セラミックとしては、例えば、アルミナ、シリカなどが例示される。なお、基板としてのフィルムや板は、上記材料を単層構成としたものでも、2層以上を組み合わせて多層構成としたものでも構わない。基板としてガラス板をディスプレイ用途に用いる場合、強化層を設けた強化ガラスを用いることが好ましい。強化ガラスは、通常のガラス板に比べて破損防止能力が高く、万一の破損においても破砕破片が小さく、かつ端面も鋭利になることはないため安全製が高い。ディスプレイ用途に用いる基板としては、PET、PEN、PE、PP、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンやTAC等のプラスチックフィルム、またはプラスチック板が好ましく、特に透光性電磁波遮蔽膜用には光透過性や加工性などの観点からPETが好ましい。プラスチックフィルムまたはプラスチック板を透明導電性薄膜として用いる場合、基板の透明性が高いことが好ましい。通常、プラスチックフィルムまたはプラスチック板の全可視光透過率は70~100が好ましく、さらに好ましくは85~100であり、特に好ましくは90~100である。また、本発明では、前記プラスチックフィルムおよびプラスチック板に本発明の目的を妨げない程度に着色したものを用いることもできる。以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、これらの実施例は本発明の範囲を何ら限定するものではない。導電性薄膜の可撓性は、カプトン登録商標フィルム、ユーピレックス登録商標フィルムなどのフレキシブル基板に形成した導電性薄膜導電性塗膜でもよい。を直径5mmの円柱に巻きつけ、その導電性塗膜あるいは導電性薄膜に割れやクラックが生じたりするなどの不具合があるか否かで評価した。ここで、導電性塗膜とは、基板上に導電性ペーストが塗布された、加熱前の状態の膜である。下記表中、可撓性の評価欄において○の記号が付されているものは割れやクラックが生じなかったものであり、×の記号が付されているものはそもそも導電性塗膜あるいは導電性薄膜が形成されなかったものである。また、導電性薄膜の体積抵抗率は四短針法にて測定した。本発明において可撓性が高いとは、上記フレキシブル基板に形成した導電性塗膜あるいは導電性薄膜を直径5mmの円柱に巻きつけても、割れたり、クラックが生じたりするなどの不具合のないことを意味する。実施例140gのポリイミド前駆体溶液商品名CT4112:京セラケミカル社製、固形分17.5重量に8.77gの銀被覆カーボン粉商品名AG/GCM-10:三菱マテリアル社製、平均粒子径10μmを加え15分間攪拌した。次いで、この銀被覆カーボン粉を含有したポリイミド前駆体溶液に、10gのN-メチル-2-ピロリドン溶液に0.018gの4-フルオロベンゼンチオール商品名4-フルオロベンゼンチオール:東京化成社製を溶解させた溶液を加え8時間攪拌して導電性ペーストを得た。ここで、4-フルオロベンゼンチオールは、金属捕捉剤である。4-フルオロベンゼンチオールは、ポリイミド前駆体溶液の固形分に対して0.25重量添加されている。そして、この導電性ペーストを上記の方法によって基板上に塗布して、さらに乾燥炉において、例えば、120°Cで30分間、さらに、200°Cで30分間、加熱して、可撓性の高い導電性薄膜を得た。導電性薄膜の膜厚は、15μmであった。結果を表1に示す。実施例240gのポリイミド前駆体溶液商品名CT4200H:京セラケミカル社製、固形分15.5重量に実施例1の銀被覆カーボン粉7.77gを加え15分間攪拌した。次いで、この銀被覆カーボン粉を含有したポリイミド前駆体溶液に、実施例1の10gのN-メチル-2-ピロリドンに、実施例1の0.018gの4-フルオロベンゼンチオールを溶解させた溶液を加え8時間攪拌して導電性ペーストを得た。4-フルオロベンゼンチオールは、ポリイミド前駆体溶液の固形分に対して0.25重量添加されている。そして、この導電性ペーストを上記の方法によって基板上に塗布して、さらに乾燥炉において、例えば、120°Cで30分間、さらに、200°Cで30分間、加熱して、可撓性の高い導電性薄膜を得た。導電性薄膜の膜厚は、16μmであった。結果を表1に示す。実施例340gのポリイミド前駆体溶液商品名CT4112:京セラケミカル社製、固形分17.5重量に実施例1の銀被覆カーボン粉8.77gを加え15分間攪拌した。次いで、この銀被覆カーボン粉を含有させたポリイミド前駆体溶液に、10gのN-メチル-2-ピロリドンに0.0035gのジチオビス1H、1H、2H、2H-パーフルオロデシルオキシ-ウンデカン[Dithibis1H1H2H2Hperfluorodecyloxyundecane略称:DFU]同仁化学社製を溶解させた溶液を加え、8時間攪拌して導電性ペーストを得た。ここで、ジチオビスは、金属捕捉剤である。ジチオビス1H、1H、2H、2H-パーフルオロデシルオキシ-ウンデカンは、ポリイミド前駆体溶液の固形分に対して0.25重量添加されている。そして、この導電性ペーストを上記の方法によって基板上に塗布して、さらに乾燥炉において、例えば、120°Cで30分間、さらに、200°Cで30分間、加熱して、可撓性の高い導電性薄膜を得た。導電性薄膜の膜厚は、16μmであった。結果を表1に示す。実施例440gのポリイミド前駆体溶液商品名CT4200H:京セラケミカル社製、固形分15.5重量に実施例1の銀被覆カーボン粉7.77gを加え15分間攪拌した。次いで、この銀被覆カーボン粉を含有させたポリイミド前駆体溶液に、10gのN-メチル-2-ピロリドンに0.0031gのジチオビス1H、1H、2H、2H-パーフルオロデシルオキシ-ウンデカン[Dithibis1H1H2H2Hperfluorodecyloxyundecane略称:DFU]同仁化学社製を溶解させた溶液を加え8時間攪拌して導電性ペーストを得た。ジチオビス1H、1H、2H、2H-パーフルオロデシルオキシ-ウンデカンは、ポリイミド前駆体溶液の固形分に対して0.25重量添加されている。そして、この導電性ペーストを上記の方法によって基板上に塗布して、さらに乾燥炉において、例えば、120°Cで30分間、さらに、200°Cで30分間、加熱して、可撓性の高い導電性薄膜を得た。導電性薄膜の膜厚は、17μmであった。結果を表1に示す。実施例540gのポリイミド溶液商品名SN-20:新日本理化社製、固形分濃度10に実施例1の銀被覆カーボン粉8.52gを加え15分間攪拌した。次いで、この銀被覆カーボン粉を含有させたポリイミド前駆体溶液に、10gのN-メチル-2-ピロリドンに0.017gのジチオビス1H、1H、2H、2H-パーフルオロデシルオキシ-ウンデカン[Dithibis1H1H2H2Hperfluorodecyloxyundecane略称:DFU]商品名同仁化学社製を溶解させた溶液を加え8時間攪拌して導電性ペーストを得た。ジチオビス1H、1H、2H、2H-パーフルオロデシルオキシ-ウンデカンは、ポリイミド前駆体溶液の固形分に対して0.25重量添加されている。そして、この導電性ペーストを上記の方法によって基板上に塗布して、さらに乾燥炉において、例えば、120°Cで30分間、さらに、200°Cで30分間、加熱して、可撓性の高い導電性薄膜を得た。導電性薄膜の膜厚は、18μmであった。結果を表1に示す。比較例140gのポリイミド前駆体溶液商品名CT4112:京セラケミカル社製、固形分17.5重量に実施例1の銀被覆カーボン粉8.77gを加え15分間攪拌した。次いで、この銀被覆カーボン粉を含有させたポリイミド前駆体溶液に、10gのN-メチル-2-ピロリドンを加え8時間攪拌して導電性ペーストを得た。そして、この導電性ペーストを上記の方法によって基板上に塗布して、さらに乾燥炉において、例えば、120°Cで30分間、さらに、200°Cで30分間、加熱して、導電性薄膜の作製を試みた。しかし、綿状の粉末となり導電性薄膜を得ることができなかった。結果を表1に示す。比較例240gのポリイミド前駆体溶液商品名CT4200H:京セラケミカル社製、固形分15.5重量に実施例1の銀被覆カーボン粉7.77gを加え15分間攪拌した。次いで、この銀被覆カーボン粉を含有させたポリイミド前駆体溶液に、10gのN-メチル-2-ピロリドンを加え8時間攪拌して導電性ペーストを得た。そして、この導電性ペーストを上記の方法によって基板上に塗布して、さらに乾燥炉において、例えば、120°Cで30分間、さらに、200°Cで30分間、加熱して、導電性薄膜の作製を試みた。しかし、綿状の粉末となり導電性薄膜を得ることができなかった。結果を表1に示す。比較例340gのポリイミド溶液商品名SN-20:新日本理化社製、固形分濃度10に実施例1の銀被覆カーボン粉8.52gを加え15分間攪拌した。次いで、この銀被覆カーボン粉を含有させたポリイミド前駆体溶液に、10gのN-メチル-2-ピロリドンを加え8時間攪拌して導電性ペーストを得た。そして、この導電性ペーストを上記の方法上記の方法によって基板上に塗布して、さらに乾燥炉において、例えば、120°Cで30分間、さらに、200°Cで30分間、加熱して、導電性薄膜の作製を試みた。しかし、ひどく脆弱な膜しか得られなかった。結果を表1に示す。注体積導電率計測:四短針法比較例1~3のように、ポリイミド前駆体溶液あるいはポリイミド溶液をバインダ樹脂として用い、含銀導電性ペーストを試作した場合、これらの導電性ペーストは、イミド化を進行させると綿状等の粉末となり、導電性薄膜はおろか導電性塗膜にもならない結果になった。これに対し、実施例1~5の導電性ペーストを用いれば、厚みが厚く具体的には50μm~125μmの厚膜柔軟で可撓性の高い導電性塗膜あるいは導電性薄膜が得られる。これらの導電性ペーストではバインダ樹脂として、ポリイミド前駆体溶液あるいはポリイミド溶液が用いられている。このため、この導電性ペーストを原料とすれば、耐熱性、機械的特性および他の材料との接着性に優れ、平滑で強靭な導電性薄膜を成形することができる。また、実施例1~5では、導電性ペーストを加熱処理している間に、炭化水素ガスや炭酸ガスが放出することもない。従って、導電性薄膜内にボイドや欠陥が形成され難い。これにより、本発明に係る導電性薄膜は良好な導電性、耐久性を示す。また、実施例1~5では、導電性薄膜の厚みを厚く形成することができるので、導電性薄膜の抵抗を下げたり、導電性薄膜の設計自由度を向上させたりすることができる。以上、実施形態を説明してきたが、実施形態は図面に示した実施形態に限定されるものではない。他の実施形態、追加、変更、削除など、当業者が想到することができる範囲内で変更することができる。いずれの態様においても実施形態の作用効果を奏する限り、本発明の範囲に含まれるものである。"