基板と、前記基板上に配設されたバッファ層と、前記バッファ層上に配設され、素子領域として機能する化合物半導体層と、を備え、前記バッファ層は、アルミニウム組成を有する第1の窒化物系化合物半導体層とそれよりも格子定数が大きい第2の窒化物系化合物半導体層とを積層した第1のバッファ領域と、この第1のバッファ領域に対して格子定数が大きい第3の窒化物系化合物半導体層を有する第2のバッファ領域とを交互に積層して構成され、前記バッファ層において前記第1のバッファ領域とそれに隣接する前記第2のバッファ領域との1組の全体のアルミニウム組成を、前記基板側に対して前記化合物半導体層側を大きく設定していることを特徴とする半導体装置。前記バッファ層において、前記1組の前記第2のバッファ領域の厚さが、前記基板側に対して前記化合物半導体層側を薄く設定していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記バッファ層において、前記第2のバッファ領域の厚さは前記第1のバッファ領域の厚さに比べて厚く設定されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。前記バッファ層において、前記第1のバッファ領域の厚さは50nm-150nmに設定され、前記第2のバッファ領域の厚さは100nm-400nmに設定されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の半導体装置。前記バッファ層において、前記1組の全体のアルミニウム組成は、前記基板側から前記化合物半導体層側に向かって徐々に大きく設定されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記バッファ層において、前記1組の第2のバッファ領域の厚さは、前記基板側から前記化合物半導体層側に向かって徐々に薄く設定されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記基板は、シリコン基板、シリコン化合物基板又は窒化物系化合物半導体基板であることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の半導体装置。しかしながら、前述の特許文献1に開示された半導体素子においては、超格子バッファ領域と単層構造のバッファ領域との組数ペア数を増加し、バッファ層並びに主半導体領域の厚さを稼ぎ、シリコン基板の厚さ方向において素子耐圧を向上することが難しかった。本発明は上記課題を解決するためになされたものである。従って、本発明は、基板の反りを抑制しつつ、バッファ層及び化合物半導体素子領域或いは主半導体領域の厚さを稼ぐことができ、素子耐圧を向上することができる半導体装置を提供することにある。上記課題を解決するために、本発明の実施例に係る第1の特徴は、半導体装置において、基板と、基板上に配設されたバッファ層と、バッファ層上に配設され、素子領域として機能する化合物半導体層とを備え、バッファ層は、アルミニウム組成を有する第1の窒化物系化合物半導体層とそれよりも格子定数が大きい第2の窒化物系化合物半導体層とを積層した第1のバッファ領域と、この第1のバッファ領域に対して格子定数が大きい第3の窒化物系化合物半導体層を有する第2のバッファ領域とを交互に積層して構成され、バッファ層において第1のバッファ領域とそれに隣接する第2のバッファ領域との1組の全体のアルミニウム組成を基板側に対して化合物半導体層側を大きく設定したことである。本発明の実施例に係る第2の特徴は、第1の特徴に係る半導体装置において、バッファ層の1組の第2のバッファ領域の厚さが、基板側に対して化合物半導体層側を薄く設定していることである。本発明の実施例に係る第3の特徴は、第1の特徴又は第2の特徴に係る半導体装置において、バッファ層の第2のバッファ領域の厚さは第1のバッファ領域の厚さに比べて厚く設定されていることである。本発明の実施例に係る第4の特徴は、第1の特徴乃至第3の特徴のいずれかに係る半導体装置において、バッファ層の第1のバッファ領域の厚さは50nm-150nmに設定され、第2のバッファ領域の厚さは100nm-400nmに設定されていることである。本発明の実施例に係る第5の特徴は、第1の特徴に係る半導体装置において、バッファ層の1組の全体のアルミニウム組成が基板側から化合物半導体層側に向かって徐々に大きく設定されていることである。このアルミニウム組成は、第5の特徴において、一定の変化量において直線的若しくは曲線的に変化してもよいし、又段階的に変化してもよい。本発明の実施例に係る第6の特徴は、第2の特徴に係る半導体装置において、バッファ層の1組の第2のバッファ領域の厚さが基板側から化合物半導体層側に向かって徐々に薄く設定されていることである。この第2のバッファ領域の厚さは、第6の特徴において、一定の変化量において直線的若しくは曲線的に変化してもよいし、又段階的に変化してもよい。本発明の実施例に係る第7の特徴は、第1の特徴乃至第6の特徴に係るいずれかの半導体装置において、基板にシリコン基板、シリコン化合物基板又は窒化物系化合物半導体基板を使用することである。本発明によれば、基板の反りを抑制しつつ、バッファ層及び化合物半導体の厚さを稼ぐことができ、素子耐圧を向上することができる半導体装置を提供することができる。次に、図面を参照して、本発明の実施例を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、現実のものとは異なる。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。また、以下に示す実施例はこの発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は各構成部品の配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。実施例1本発明の実施例1は、HEMTを備えた半導体装置に本発明を適用した例を説明するものである。[半導体装置のHEMTの構成]図1に示すように、実施例1に係る半導体装置1は、基板2と、基板2上に配設されたバッファ層3と、バッファ層3上に配設され素子領域として使用される窒化物系化合物半導体主半導体領域4とを備え、窒化物系化合物半導体4にHEMT10を備えている。基板2には実施例1においてシリコンSi単結晶半導体基板が使用される。シリコン単結晶半導体基板は例えばサファイア基板等に対して安価である。シリコンの格子定数は0.384nmであり、熱膨張係数は2.4×106/K2.55×106/K~4.33×106/Kである。なお、基板2は、この例に限定されるものではなく、例えば炭化シリコン基板SiC基板等のシリコン化合物基板、又はGaN基板等の窒化物系化合物半導体基板を使用可能である。バッファ層3は基板2と窒化物系化合物半導体4との格子不整合を緩和する機能を有する。バッファ層3は、基板2上に配設されたアルミニウムAl組成を有する窒化物系化合物半導体層31と、この窒化物系化合物半導体31上に配設され第1のバッファ領域321と第2のバッファ領域322とを交互に複数積層した第1の多層構造バッファ領域32と、この第1の多層構造バッファ領域32上に配設された第1のバッファ領域331と第2のバッファ領域332とを交互に複数積層した第2の多層構造バッファ領域33とを備えている。バッファ層3の窒化物系化合物半導体31には下記式1において表されるAlN層が使用され、このAlN層の膜厚は例えば50nm-200nmに設定される。なお、バッファ層3の各層は有機金属気相成長MetalOrganicVaporPhaseEpitaxy装置を用いたエピタキシャル成長法によって成膜されている。AlxInyGa1-x-yN...1但し、x>0、y≧0、xy≦1である。AlNの格子定数は0.3112nmであり、熱膨張係数は4.15×106/Kである。図1及び図2Aに示すように、第1の多層構造バッファ領域32において、第1のバッファ領域321は、Al組成を有する第1の窒化物系化合物半導体層とそれよりも格子定数が大きい第2の窒化物系化合物半導体層とを積層した超格子バッファ領域である。第1の窒化物系化合物半導体には上記式1において表されるAlN層が使用され、このAlN層の膜厚は例えば4nm-6nmに設定される。第2の窒化物系化合物半導体層には下記式2において表されるGaN層が使用され、このGaN層の膜厚は例えば2nm-4nmに設定される。AlaInbGa1-a-bN...2但し、x>a≧0、b≧0、ab≦1である。GaNの格子定数は0.3189nmであり、熱膨張係数は5.59×106/Kである。第1のバッファ領域321は第1の窒化物系化合物半導体層と第2の窒化物系化合物半導体とを交互に複数積層して構成されている。実施例1において、第1の窒化物系化合物半導体層、第2の窒化物系化合物半導体層のそれぞれの積層数は5-15層に設定され、第1のバッファ領域321の膜厚は50nm-150nmに設定されている。第2のバッファ領域322は、第1のバッファ領域321に対して格子定数が大きい第3の窒化物系化合物半導体層を有する単層構造のバッファ領域である。第3の窒化物系化合物半導体には下記式3において表されるGaN層が使用され、このGaN層の膜厚は、基本的には第1のバッファ領域321の膜厚よりも厚く設定され、例えば150nm-250nm好ましくは190nm-210nmに設定される。AlmInnGa1-m-nN...3但し、a≧m≧0、n≧0、mn≦1である。第1の多層構造バッファ領域32において、第1のバッファ領域321と第2のバッファ領域322とは交互に複数積層されている。実施例1において、第1のバッファ領域321、第2のバッファ領域322のそれぞれの積層数は5層に設定されている。図1及び図2Bに示すように、第2の多層構造バッファ領域33において、第1のバッファ領域331は、第1のバッファ領域321と同様に、Al組成を有する第1の窒化物系化合物半導体層とそれよりも格子定数が大きい第2の窒化物系化合物半導体層とを積層した超格子バッファ領域である。第1の窒化物系化合物半導体には上記式1において表されるAlN層が使用され、このAlN層の膜厚は例えば4nm-6nmに設定される。第2の窒化物系化合物半導体層には上記式2において表されるGaN層が使用され、このGaN層の膜厚は例えば2nm-4nmに設定される。実施例1において、第1のバッファ領域331の第1の窒化物系化合物半導体層、第2の窒化物系化合物半導体層のそれぞれの積層数は10層に設定され、第1のバッファ領域331の膜厚は50nm-150nmに設定されている。第2のバッファ領域332は、第1のバッファ領域331に対して格子定数が大きい第3の窒化物系化合物半導体層を有する単層構造のバッファ領域である。第3の窒化物系化合物半導体には上記式3において表されるGaN層が使用され、このGaN層の膜厚は、第1のバッファ領域331の膜厚に比べて厚い例えば150nm-200nmに設定されるとともに、第2のバッファ領域321の膜厚に比べて薄い160nm-180nmに設定される。第2の多層構造バッファ領域33において、第1のバッファ領域331と第2のバッファ領域332とは交互に複数積層されている。実施例1において、第1のバッファ領域331、第2のバッファ領域332のそれぞれの積層数は5層に設定されている。バッファ層3においては、図2Aに示す、第2のバッファ領域322の厚さに対して、図2Bに示す、第2のバッファ領域332の厚さは薄く設定されている。つまり、第1のバッファ領域321とそれに隣接し積層された第2のバッファ領域322との1組の全体のAl組成に対して、第1のバッファ領域331とそれに隣接し積層された第2のバッファ領域332との1組の全体のAl組成は、大きく設定されている。実施例1において、基板2側の1組の全体のAl組成は21-22であるのに対して、窒化物系化合物半導体4側の1組の全体のAl組成は24-26である。第2のバッファ領域322、第2のバッファ領域332はいずれもGaN層であり、製造過程の成膜後の降温においてGaN層の収縮が、熱膨張係数の関係から基板2のシリコンや第1のバッファ領域321及び331に対して大きい。従って、バッファ層3の窒化物系化合物半導体4側において1組の全体のAl組成を高く設定することで、第2のバッファ領域332に発生する圧縮応力が小さくなるとともに、第1のバッファ領域331に発生する引張応力が小さくなる。バッファ層3上に窒化物系化合物半導体4をクラック抑制しつつ厚膜化するためには、各層の応力バランスからバッファ層3の平均Al組成を高くすることが有効である。シリコン基板2と窒化物半導体バッファ層3との熱膨張係数差に基づき、成膜終了後の降温において、窒化物半導体には引張応力が発生する。この引張応力が降伏条件に達すると、窒化物半導体にクラックが発生する。ここで、バッファ層3の平均Al組成を窒化物系化合物半導体4に対して高く設定すると、双方の格子定数の関係から、バッファ層3には引張応力が加わり、窒化物系化合物半導体4には圧縮応力が加わる。このような応力バランスの整合性を確保することによって、窒化物系化合物半導体4において引張応力の軽減がなされ、クラックの発生を抑制することができる。逆に、バッファ層3に加わる引張応力は増加するが、バッファ層3においては、第1の多層構造バッファ領域32の第1のバッファ領域321、第2の多層構造バッファ領域33の第1のバッファ領域331のそれぞれがAlN層とGaNとの多層構造超格子バッファ領域を採用しているので、応力を緩和することができ、クラックの発生を抑制することができる。この多層構造の採用による応力緩和は、転位の導入やヘテロ接合界面において発生する結晶欠陥によって行われる。つまり、バッファ層3の平均Al組成が高くなるに従い、窒化物系化合物半導体4に発生する引張応力を軽減することができ、バッファ層3、窒化物系化合物半導体4のそれぞれを厚膜化してもこれらにクラックが発生することを抑制することができる。バッファ層3において、第1の多層構造バッファ領域32は第2のバッファ領域322との格子定数差から第1のバッファ領域321に引張応力を生じる。同様に、第2の多層構造バッファ領域33は第2のバッファ領域332との格子定数差から第1のバッファ領域331に引張応力を生じる。また、いずれの層も弾性変形を生じ、歪みが内在されている。バッファ層3の窒化物系化合物半導体4側においては、第2の多層構造バッファ領域33が配設され、この第2の多層構造バッファ領域33の第2のバッファ領域332の膜厚が薄なればなるほど、それに隣接する第1のバッファ領域331の引張応力が小さくなる。第2の多層構造バッファ領域33において、第2のバッファ領域332の膜厚を薄くすることは、第1のバッファ領域331とそれに隣接する第2のバッファ領域332との1組の全体のAl組成が高くなることを意味する。バッファ層3の窒化物系化合物半導体4側に第2の多層構造バッファ領域33を配設することによって、窒化物系化合物半導体4のクラックの発生を抑制することができる。一方、バッファ層3の基板2側においては、第1の多層構造バッファ領域32を配設し、この第1の多層構造バッファ領域32の第2のバッファ領域332の膜厚を厚くすることによってそれに隣接する第1のバッファ領域321に加わる引張応力が大きくなる。基板側においては、結晶欠陥が多く発生するので、応力緩和効果が高くなる。第1のバッファ領域331の膜厚を厚くすることは、この第1のバッファ領域331とそれに隣接する第2のバッファ領域332との1組の全体のAl組成が高くなることを意味する。実施例1に係る半導体装置1において、バッファ層3は、第1のバッファ領域321及び第2のバッファ領域322の1組の全体のAl組成が一定の第1の多層構造バッファ領域32と、第1のバッファ領域331及び第2のバッファ領域332の1組の全体のAl組成が一定の第2の多層構造バッファ領域33とを備え、Al組成を段階的に変化させ、基板2側から窒化物系化合物半導体4側に向かってAl組成を徐々に大きくなるように設定している。ここでのAl組成の段階的な変化は直線的な変化である。換言すれば、バッファ層3は、第1の多層構造バッファ領域32の第2のバッファ領域322の膜厚に対して、第2の多層構造バッファ領域331の第2のバッファ領域332の膜厚を段階的に薄くなるように変化させている。後述する実施例において説明するが、この数値に必ずしも限定されるものではないが、ここでの変化は2段階の変化である。なお、実施例1においては、第1の多層構造バッファ領域32の1組のAl組成は一律であり、第2の多層構造バッファ領域33の1組のAl組成は一律であって、Al組成の変化は直線的な変化において段階的に変化しているが、少なくとも第2の多層構造バッファ領域33において、窒化物系化合物半導体4に近づくに従い、1組毎にAl組成を徐々に小さくなるように変化させ、Al組成を曲線的に変化させることができる。このAl組成の曲線的な変化は、第2の多層構造バッファ領域33の第2のバッファ領域332の膜厚の曲線的な変化を意味する。窒化物系化合物半導体4は、請求項に係る化合物半導体であり、図1に示すように、バッファ層3上に配設された第1の半導体層41と、第1の半導体層41上に配設された第2の半導体層42とを備えている。第1の半導体層41は、窒化物系半導体層、具体的には下記式4において表されるアンドープGaN層により構成されている。第1の半導体層41の膜厚は例えば3μmに設定されている。AlxInyGa1-x-yN...4但し、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1である。この第1の半導体層41はキャリア走行層として機能する。実施例1において、HEMT10のキャリアは電子であり、第1の半導体層41は電子走行層として機能する。第2の半導体層42は、窒化物系半導体層、具体的には上記式4において表され、第1の半導体層41の格子定数よりも小さい格子定数を有し、かつ第1の半導体層41のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有するアンドープAlGaN層により構成されている。第2の半導体層32は、キャリア供給層として機能し、実施例1においては電子供給層として機能する。窒化物系化合物半導体4において、第1の半導体層41と第2の半導体層42とのヘテロ接合界面の近傍であって、第1の半導体層41には二次元キャリアガス層43具体的には二次元電子ガス2DEG層が生成される。二次元キャリアガス層43はHEMT10の電流又は電子若しくは正孔が流れるチャネル領域として機能する。HEMT10は、図1に示すように、窒化物系化合物半導体4に搭載され、二次元キャリアガス層43と、第1の主電極例えばソース電極5Aと、第2の主電極例えばドレイン電極5Bと、ゲート電極6とを備えている。第1の主電極5Aは、二実施例1において第2の半導体層42上に配設されている。第2の主電極5Bは、実施例1において第2の半導体層42上に配設されている。第1の主電極5A、第2の主電極5Bには、チタンTi層と、このTi層上に積層されるAl層との積層膜を使用することができる。ゲート電極6は、第1の主電極5Aと第2の主電極5Bとの間であって、第2の半導体層42の表面にショットキー接触をなして配設されている。ゲート電極6は、例えばNi層を使用することができる。[実施例1の特徴]以上説明したように、実施例1に係る半導体装置1においては、基板2側の第1の多層構造バッファ領域32のAl組成が低く設定され、窒化物系化合物半導体4側の第2の多層構造バッファ領域33のAl組成が前者に対して高く設定されている。また、換言すれば、基板2側の第2のバッファ領域322の膜厚は厚く設定し、窒化物系化合物半導体4側のバッファ領域332の膜厚は前者に対して薄く設定されている。このような構成を備えたバッファ層3を備えたことによって、バッファ層3の基板2側の引張応力を増大し、基板2の反りを抑制することができるとともに、バッファ層3の窒化物系化合物半導体4側の引張応力を軽減し、窒化物系化合物半導体4にクラックが発生することを抑制することができる。従って、基板2製造過程においては半導体ウエーハの反りを抑制しつつ、バッファ層3、窒化物系化合物半導体4のそれぞれの膜厚を稼ぐことができるので、素子耐圧を向上することができる。[変形例1]実施例1の変形例1に係る半導体装置1は、前述の実施例1に係る半導体装置1のバッファ層3の変形例を説明するものである。図3に示すように、変形例1に係る半導体装置1は、バッファ層3に基板2から窒化物系化合物半導体4に向かって3以上の複数の多層構造バッファ領域32~3nを備えている。第1の多層構造バッファ領域32は、第1の窒化物系化合物半導体AlN層と第2の窒化物系化合物半導体GaN層とを積層した第1のバッファ領域321と、第3の窒化物系化合物半導体GaN層を有する第2のバッファ領域322とを交互に複数積層して構成されている。以下、同様に、第2の多層構造バッファ領域33は、第1の窒化物系化合物半導体AlN層と第2の窒化物系化合物半導体GaN層とを積層した第1のバッファ領域331と、第3の窒化物系化合物半導体GaN層を有する第2のバッファ領域332とを交互に複数積層して構成されている。そして、第nの多層構造バッファ領域3nは、第1の窒化物系化合物半導体AlN層と第2の窒化物系化合物半導体GaN層とを積層した第1のバッファ領域3n1と、第3の窒化物系化合物半導体GaN層を有する第2のバッファ領域3n2とを交互に複数積層して構成されている。例えば、前述の実施例1に係る半導体装置1に従い、第1の多層構造バッファ領域32の第2のバッファ領域322の膜厚を200nmに設定し、順次膜厚を10nmずつ減じ合計10層の多層構造バッファ領域n=10に設定したとき、第2の多層構造バッファ領域33の第2のバッファ領域332の膜厚は190nmに設定され、第3の多層構造バッファ領域34の第2のバッファ領域342の膜厚は180nmに設定され、...第nの多層構造バッファ領域3nの第2のバッファ領域3n2の膜厚は110nmに設定される。実施例1に係る半導体装置1と同様に、バッファ層3の基板2側の第1の多層構造バッファ領域32の1組の全体のAl組成は低く、窒化物系化合物半導体4側の第nの多層構造バッファ領域3nの1組の全体のAl組成は高くなる。また、バッファ層3の基板2側の第1の多層構造バッファ領域32の第2のバッファ領域321の膜厚に対して、窒化物系化合物半導体4側の第nの多層構造バッファ領域3nの第2のバッファ領域3n2の膜厚は薄くなる。バッファ層3のAl組成は、基板2から窒化物系化合物半導体4に向かって、徐々に、段階的に、かつ直線的に大きくなるように変化する。また、バッファ層3の第2のバッファ領域322~3n2の膜厚は徐々に、段階的に、かつ直線的に薄くなるように変化する。なお、変形例1に係る半導体装置1は、バッファ層3の複数の多層構造バッファ領域毎にAl組成や第2のバッファ領域322~3n2の膜厚を変化させてもよい。例えば、第1の多層構造バッファ領域32及び第2の多層構造バッファ領域33を同一のAl組成とすることができ、第3の多層構造バッファ領域34及び第4の多層構造バッファ領域35を同一かつ高いAl組成とすることができる。以下、同様に、2層の多層構造バッファ領域毎にAl組成は徐々に変化する。同様に、第2のバッファ領域322~3n2の膜厚を徐々に変化することができる。このように構成される変形例1に係る半導体装置1においては、実施例1に係る半導体装置1によって得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。[変形例2]実施例1の変形例2に係る半導体装置1は、前述の実施例1に係る半導体装置1のバッファ層3の変形例を説明するものである。変形例2に係る半導体装置1は、図4Aに示す第1のバッファ領域321の膜厚に対して、図4Bに示す第1のバッファ領域331の膜厚を薄く設定している。つまり、第1のバッファ領域321の膜厚を第2のバッファ領域331の膜厚に対して同一に設定する必要はなく、異なっていてもよい。ここでは、第2の多層構造バッファ領域33の第2のバッファ領域332の膜厚が薄く設定されるので、それに併せて第1のバッファ領域331の膜厚が薄く設定されている。第1のバッファ領域331においては、第1の窒化物系化合物半導体AlN層と第2の窒化物系化合物半導体GaN層との積層数を減らして、膜厚が薄くなるように設定されている。例えば、前述の実施例1に係る半導体装置1においては、第1の窒化物系化合物半導体層と第2の窒化物系化合物半導体層との積層数は10であったものを、変形例2に係る半導体装置1においては、第1の窒化物系化合物半導体層と第2の窒化物系化合物半導体層との積層数は9に設定される。この場合、バッファ層3の基板2側のAl組成は21-22であるが、窒化物系化合物半導体4側のAl組成は22.5-23.5である。このように構成される変形例2に係る半導体装置1においては、実施例1に係る半導体装置1によって得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。なお、変形例2に係る半導体装置1と変形例1に係る半導体装置1と組み合わせることができる。[変形例3]実施例1の変形例3に係る半導体装置1は、前述の実施例1、又はその変形例1、変形例2のいずれかに係る半導体装置1において、基板2の反りをより一層抑制することができる例を説明するものである。変形例3に係る半導体装置1は、図5に示すように、基板2とバッファ層3との間に、基板2の反りを調整するための反り調整層30を備えている。この反り調整層30は、バッファ層3のエピタキシャル成長膜の下地となるように、例えばAlGaN層、AlN層とGaN層との複合膜等を用いて形成される。この反り調整層30は基板2の反りの調整を目的としているので、この反り調整層30のAl組成は、バッファ層3のAl組成の対比には使用されない。このように構成される変形例3に係る半導体装置1においては、実施例1、変形例1、変形例2のいずれかに係る半導体装置1によって得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができるとともに、基板2半導体ウエーハの反りの発生をより一層抑制することができる。実施例2本発明の実施例2は、LEDを搭載した半導体装置に本発明を適用した例を説明するものである。[半導体装置のLEDの構成]図6に示すように、実施例2に係る半導体装置1は、基板2と、基板2上に配設されたバッファ層3と、バッファ層3上に配設され素子領域として使用される窒化物系化合物半導体主半導体領域4とを備え、窒化物系化合物半導体4にLED11を備えている。LED10は半導体発光素子として使用される。実施例2に係る半導体装置1の基板2、バッファ層3のそれぞれの構造は前述の実施例1に係る半導体装置1の基板2、バッファ層3のそれぞれの構造と基本的には同一である。窒化物系化合物半導体4は、バッファ層3上に順次配設されたn型クラッド層45、活性層46及びp型クラッド層47を備えている。n型クラッド層45には例えばシリコンドープGaN層か使用され、このGaN層の膜厚は例えば1.8μm-2.2μmに設定されている。p型クラッド層47には例えばマグネシウムドープAlGaN層、マグネシウムドープGaN層の積層膜が使用されている。LED11はこの窒化物系化合物半導体4のn型クラッド層45、活性層46及びp型クラッド層47を備え構築されている。窒化物系化合物半導体4のn型クラッド層47上にはアノード電極p型電極7が配設されている。基板2の裏面上にはカソード電極n型電極8が配設されている。なお、カソード電極8は、窒化物系化合物半導体4の表面からn型クラッド層45まで掘り下げたこのn型クラッド層45の表面上に配設してもよい。[実施例2の特徴]以上説明したように、実施例2に係る半導体装置1においては、実施例1に係る半導体装置1によって得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。また、実施例2に係る半導体装置1は、前述の実施例1の変形例1、変形例2のそれぞれに係るバッファ層3を使用可能であり、変形例3に係る反り調整層30を使用可能である。その他の実施例上記のように、本発明は複数の実施例によって記載されているが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものでない。本発明は様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術に適用することができる。例えば、前述の実施例1、実施例2に係る半導体装置1に使用されるバッファ層3は、窒化物系化合物半導体4にSBDを構築するときに使用可能である。また、実施例1、実施例2に係る半導体装置1において、窒化物系化合物半導体4の膜厚が1μm以上の例を説明しているが、1μm以下の膜厚を有する窒化物系化合物半導体4であっても前述のバッファ層3が使用可能である。