800°Cから2000°Cの間の温度に加熱器を加熱するステップと、前記加熱器の中に放射性核種で汚染されたグラファイトを導入するステップと、前記加熱器の中に不活性ガスを導入するステップと、前記加熱器の中に還元ガスを導入するステップと、揮発した放射性核種を前記加熱器から除去するステップと、を備えた方法。5パーセント未満の前記グラファイトが気化する、請求項1に記載の方法。前記温度が1200°Cから1500°Cの間である、請求項1に記載の方法。前記放射性核種が炭素14を備え、少なくとも70パーセントの前記炭素14が前記グラファイトから除去される、請求項1に記載の方法。前記放射性核種が炭素14を備え、少なくとも90パーセントの前記炭素14が前記グラファイトから除去される、請求項1に記載の方法。前記パージガスが、窒素、ヘリウム、及びアルゴンのうちの少なくとも一つを備え、前記還元ガスが、水素、ヒドラジン、アンモニア、一酸化炭素、及び炭化水素蒸気のうちの少なくとも一つを備える、請求項1に記載の方法。前記パージガスが、自由水素、一酸化炭素CO、アンモニウム、又は有機蒸気を生成することができる一又は複数の還元ガスを備える、請求項1に記載の方法。前記加熱器の中に酸化ガスを追加するステップを更に備えた請求項1に記載の方法。前記酸化ガスが、水蒸気、二酸化炭素CO2、亜酸化窒素N2O、酸素O2、空気、アルコールOH基を有する、他の酸素化蒸気のうちの少なくとも一つを備える、請求項8に記載の方法。前記加熱器の中に不活性ガスを導入するステップ及び前記加熱器の中に還元ガスを導入するステップが、前記不活性ガス及び前記還元ガスを前記加熱器の底部付近の箇所において導入するステップを備え、前記不活性ガス及び前記還元ガスが前記グラファイトを通って流れる、請求項1に記載の方法。前記加熱器の中にグラファイトを導入するステップの前に、前記グラファイトのサイズを減少させるステップを更に備えた請求項1に記載の方法。前記加熱器が、垂直移動床の加熱器を備え、前記加熱器の中に放射性核種で汚染されたグラファイトを導入するステップが、前記加熱器の頂部付近で前記グラファイトを導入するステップを備え、前記加熱器の中に不活性ガスを導入するステップ及び前記加熱器の中に還元ガスを導入するステップが、前記加熱器の底部付近でガスを導入するステップを備える、請求項1に記載の方法。バルクグラファイトを気化せずに放射性核種を揮発させるのに十分な温度範囲にグラファイトを晒すことができるシステム及び方法、90パーセントを超える炭素14を除去するのと同時に5パーセント未満のバルクグラファイトを気化することができるシステム及び方法が必要とされている。本発明の例示的な実施形態は、バルクグラファイトを実質的に気化させずに、放射性核種を揮発させるのに十分な温度範囲にグラファイトを晒すことができる方法を提供する。本発明の一側面は、1800°Cから2000°Cの間の温度に加熱器を加熱するステップと、2加熱器の中に放射性核種で汚染されたグラファイトを導入するステップと、3加熱器の中に不活性ガスを導入するステップと、4加熱器の中に還元ガスを導入するステップと、5揮発した放射性核種を加熱器から除去するステップとを備えた方法を提供する。また、本方法は、以下の追加的ステップも含み得る:加熱器の中に酸化ガスを追加するステップ、及び/又は、加熱器の中にグラファイトを導入するステップの前にグラファイトのサイズを減少させるステップ。また、本方法は以下の点を特徴とし得る:5パーセント未満のグラファイトが気化されること;プロセスの温度が1200°Cから1500°Cの間であること;放射性核種が炭素14を備え、少なくとも70パーセントの炭素14がグラファイトから除去されること;放射性核種が炭素14を備え、少なくとも90パーセントの炭素14がグラファイトから除去されること;パージガスが、窒素、ヘリウム、及びアルゴンのうちの少なくとも一つを備え、還元ガスが、水素、ヒドラジン、アンモニア、一酸化炭素、及び炭化水素蒸気のうちの少なくとも一つを備えること;パージガスが、自由水素、一酸化炭素CO、アンモニウム、又は有機蒸気を生成することができる一又は複数の還元ガスを備えること;酸化ガスが、水蒸気、二酸化炭素CO2、亜酸化窒素N2O、酸素O2、空気、アルコールOH基を有する、他の酸素化蒸気のうちの少なくとも一つを備えること;加熱器の中に不活性ガスを導入するステップ及び加熱器の中に還元ガスを導入するステップが、加熱器の底部付近の箇所において不活性ガス及び還元ガスを導入するステップを備え、不活性ガス及び還元ガスがグラファイトを通って流れること;及び/又は、加熱器が垂直移動床の加熱器を備え、加熱器の中に放射性核種で汚染されたグラファイトを導入するステップが、加熱器の頂部付近でグラファイトを導入するステップを含み、前記加熱器の中に不活性ガスを導入するステップ及び前記加熱器の中に還元ガスを導入するステップが、加熱器の底部付近においてガスを導入するステップを含むこと。本発明の例示的な実施形態は、原子炉の動作又は他の核プロセス中に発生する三重水素、炭素14、及び塩素36で汚染された放射性グラファイトを処理するためのシステム及び方法を提供する。本システム及び方法は、不活性ガス、任意で酸化ガス及び還元ガスで800°Cから2000°Cの範囲内の温度で動作する加熱器を含む。温度及びガスの組み合わせが、グラファイト内の90パーセントを超える炭素14の除去と同時に5パーセント未満のバルクグラファイトの気化を可能にする。図1は、本発明の例示的な実施形態に係る放射性グラファイトを処理するためのシステム100のブロック図を示す。図1を参照すると、マテリアルハンドリング部110が、システム100内で処理されるグラファイトを受け取る。典型的には、グラファイトは、原子炉の炉心の減速材として用いられたものである。他のグラファイトのソースとして、燃料要素スリーブ、固定具ブレース、炉の中性子束で照射された他の炉の構成要素が挙げられるが、これらの限定されるものではない。そのグラファイトは、典型的に、水素3三重水素、炭素14、塩素36、鉄55、コバルト60、等の放射性核種で汚染されていて、他の典型的な核分裂生成物及び放射化生成物も含み得る。マテリアルハンドリング部110のサイズは、グラファイトのサイズであり、そのグラファイトを加熱器120内に導入するのに備えてグラファイトを保持する。マテリアルハンドリング部110が受け取るグラファイトは、従来のプロセスで原子炉から除去されたものである。そうしたプロセスは、ウェットプロセス、ドライプロセス、又は両方の組み合わせを含み得る。本発明は、除去プロセスに起因するあらゆるサイズ又は形状のドライ又はウェットなグラファイトに適応することができる。更に、グラファイトは、マテリアルハンドリング部110で受け取られる前に、水又は他の溶液に浸漬され得る。グラファイトを、粒状又は粉末状に処理し得る。マテリアルハンドリング部110のサイズ減少サブ部112が、加熱器120に導入するために、受け取ったグラファイトのサイズを減少させる。この例示的な実施形態では、受け取ったグラファイトを20mm未満のサイズに減少させる。この小さなサイズが、グラファイトからの放射性核種の揮発を増強する。グラファイトのサイズを減少させるため、例示的なサイズ減少サブ部112は、ジョークラッシャー又は回転クラッシャーを含む。他のサイズ減少機も使用可能である。マテリアルハンドリング部110のホッパーサブ部114が、サイズの減少したグラファイトを受け取り、加熱器120内への導入待機中のグラファイトを保持する。例示的なサイズ減少サブ部112及びホッパーサブ部114の内部雰囲気は、アルゴン、窒素、二酸化炭素、又は他の同様の不活性ガス等の不活性ガスブランケットを含む。一部の放射性核種がサイズ減少プロセス中にグラファイトから放出され得るので、例示的なサイズ減少サブ部112及びホッパーサブ部114の内部雰囲気は、加熱器120の脱ガスシステムに接続される。代替実施形態では、サイズ減少の必要なく、グラファイトが加熱器120内への導入に適した形状及びサイズで受け取られ得る。同様に、連続プロセスが、ホッパーサブ部114を省き得る。加熱器120は、サイズ処理されたグラファイトを処理するのに用いられるベッセルを含む。加熱器120は、800°Cから2000°Cの間の温度範囲内で動作する。加熱器120の容量、形状、サイズは応用によって変更可能である。加熱器120は、高温動作に適した物質製であり、例えば、耐熱材で内張りされた鋼ベッセルである。動作圧力は、超真空から僅かな加圧まで変化し得る。流動床、移動床、バッチ又は固定床の加熱器を含むあらゆるタイプの加熱器又は装置を用いることができる。例示的な一加熱器は、垂直移動床の加熱器であり、パージガスがグラファイトパイルを通って上方に流れながら、新たなグラファイトをパイルの頂部に入れて、処理されたグラファイトをパイルの底部から出す後述の図3を参照。グラファイトのバッチ処理は、典型的に、流動床法を用いた粉末グラファイトを含む。粉末よりも大きなグラファイトに対しては、連続移動床の加熱器が好ましい。例示的な実施形態では、加熱器120が電気的に加熱されるが、他のタイプの加熱も使用可能である。電気的加熱は、バルクグラファイトを気化させる可能性のある酸化ガスをベッセル内に導入する必要性を減らし、温度制御及びエネルギー効率を向上させるので、好ましい。加熱器120は、マテリアル入口117からグラファイトを受け取る。多様な機械的方法を用いて、マテリアルハンドリング部110からマテリアル入口117を通って加熱器120に物質を移動させることができる。例示的なシステムでは、二重バルブ気密法を用いて、加熱器内部からのガスが、加熱器から出て行くことを防止して、不活性ガス以外のガスがグラファイトを有する加熱器内に導入されることを制限する。加熱器120は、一又は複数の不活性パージガス、一又は複数の還元ガス、任意で一又は複数の酸化ガスを受け取るガス入口130、140、150を含む。勿論、ガス入口130、140、150は、三つの異なるガス源に接続された単一の入口でもあり得て、第一の源が不活性パージガスを提供し、第二の源が還元ガスを提供し、第三の源が酸化ガスを提供する。典型的には、ガス入口は、加熱器120の底部付近に配置されて、ガスが、ベッセルに入り、加熱器120内に存在しているグラファイトを通って上方に伝わるようにする。グラファイトのボリュームを通ってガスを分布させる流れ分配器又は分布器を通して、ガスを導入することもできるが、これは必須ではない。加熱器は、揮発した放射性核種用の出口122を含み、揮発した放射性核種は、不活性パージガスによって出口122の外に運ばれる。また、加熱器120は、処理されたグラファイト用の出口124も含む。揮発性の放射性核種は、パージガス流によって加熱器の外に運ばれて、放射性核種を処理するための適切な方法を用いて、処理サブシステム160において安定化される。処理されたグラファイトを、処理サブシステム170において更に処理して、クリーンな非放射性廃棄物としての最終処分用にまとめられて、又は再利用される。炭素14は、グラファイトマトリクス中のバルク炭素12よりも反応性が高く、移動性が高い。少量存在している酸素が、炭素14を一酸化炭素に変換するのに必要な酸素を提供する。還元ガスが、グラファイトマトリクス中の炭素12の酸化を抑制する。還元ガスを追加することの例示的な一つの利点は、グラファイト中の炭素14化合物がシアン化物を含む可能性によるものである。加熱器への水素の導入は、水素原子をシアン化物に結合させて揮発性のシアン化水素を生じさせるので、水素を含む還元ガスの存在によって、一部の炭素14を除去することができる。図2は、本発明の例示的な実施形態に係る放射性グラファイトを処理するためのプロセス200の流れ図を示す。図1及び図2を参照すると、ステップ210において、加熱器内へのグラファイトの機械的な移送によって、マテリアルハンドリング部110のホッパーサブ部114から、グラファイトが加熱器120内に導入される。この例示的な実施形態では、プロセスはバッチ式で行われる。代わりに、グラファイトを連続プロセスで処理することもでき、例えば、グラファイトが加熱器120の頂部に入り、加熱器120の底部から出て行き、反応ガスが加熱器120の底部に入り、加熱器の頂部から出て行く。ホッパーサブ部114は省き得る。グラファイトを加熱器120内に導入する前に、加熱器120を処理温度にする。この温度は、800°Cから2000°Cの範囲である。この例示的な実施形態では、還元ガスが用いられているので、好ましい温度範囲は1200°Cから1500°Cである。グラファイトから炭素14を除去するための以前のグラファイト処理プロセスでは、1200°Cを超えて酸素含有ガスを有する加熱器を動作させることの結果として、グラファイトの高い気化が生じるため、略1200°Cの温度に制限されていた。還元ガスを処理プロセスに導入することによって、加熱器120が、1200°Cを超える温度で動作することができる。こうした高い動作温度は、実質的に全ての三重水素、実質的に全て90パーセントを超えるの塩素36、及び大半の70パーセントを超える炭素14をグラファイトから放出することを可能にする。ステップ220において、反応ガスを加熱器120内に導入する。ガスが加熱されたグラファイトを通って流れる際に、ガスが加熱されたグラファイトに接触する。反応ガスは、少なくとも不活性パージガス及び還元ガスを含む。パージガスは、窒素、アルゴン、同様の非反応性ガスのうちの一つ又は複数を含む。二酸化炭素等の不活性ガスは、バルク炭素を気化させる可能性がある酸素源を提供するので、使うべきではない。ステップ220においては、還元ガスも導入され、例えば、水素、ヒドラジン、アンモニア、一酸化炭素、炭化水素蒸気等が挙げられ、また、自由水素、一酸化炭素、アンモニウム、又は有機蒸気を生成することができる他の還元ガスが挙げられる。導入される還元ガスの量は、導入される全ガスの100ppmから50パーセントの間であり、好ましくは、2パーセントから20パーセントの範囲内、より好ましくは、2パーセントから10パーセントの間である。この不活性パージガス及び還元ガスの混合物は、加熱器120の底部付近において加熱器120内に導入される。ガスはグラファイトを通って上昇し、揮発した放射性核種を出口124において加熱器120の外に運び出す。酸化ガスを含む場合であっても、還元ガスを含むことが、バルクグラファイトの気化を大幅に減らし、5パーセント未満のバルクグラファイトが気化されるようになる。更に、略1200°Cの温度での動作並びに不活性パージガス、酸化ガス及び還元ガスの混合物が、大半から実質的に全ての炭素14の除去をもたらす。代替実施形態では、反応ガスは酸化剤も含む。酸素の存在が、固体炭素14を二酸化炭素又はCOガスに変換して、グラファイトマトリクスからの拡散を促進する。不活性パージガス好ましくは窒素を、限られた量の酸素含有ガス、水蒸気、二酸化炭素CO2、亜酸化窒素N2O、酸素O2、空気、アルコールOH基、又は他の酸素化蒸気等、並びに、水素等の還元ガスと組み合わせると、全ての従来技術の方法と比較して炭素14放射性核種の除去が増強される一方で、バルクグラファイトの気化が制限される。好ましい酸化ガスは、水蒸気であり、全投入反応ガスの略1から50パーセント好ましくは2から10パーセントを占める。二酸化炭素又は亜酸化窒素のいずれかを酸化ガスとして用いる場合、全投入反応ガスの略1から10パーセントを占める。還元ガスを含むことは、酸化剤の存在下におけるバルクグラファイトの気化を大幅に減らし、5パーセント未満のバルクグラファイトが気化されるようになる。還元ガスは、バルクグラファイトとの酸素の反応平衡を、酸素含有ガスの反応速度を実質的に抑制するようにシフトさせて、酸化剤がバルクグラファイトと反応することを防止する。ステップ230において、パージガスが処理サブシステム160に収集されて、放射性核種が既知の方法を用いて安定化される。ステップ240において、グラファイトを、加熱器120から取り出して、処理サブシステム170において処理する。典型的には、処理されたグラファイトを、埋め立て地に捨てるか、又は、再利用して、中レベル放射性廃棄物ではなくて、低レベル放射性廃棄物として取り扱う。プロセスは250で終了する。必要であれば、プロセスを繰り返してもよい。図3は、例示的な加熱器300の概略図を示す。グラファイトは、不活性ガスブランケットの下の入口310において、ホッパー等の供給システム図示せずを通して導入される。反応バスが入口370において導入されて、グラファイトがベッセル330下っていくにつれて、反応ガスがグラファイトを通って上方に流れ、脱ガス出口320から出て行く。グラファイトは、ベッセル330セラミック管であり得るを移動していくにつれて加熱される加熱グラファイト340として示される。ベッセル330は、電熱コイル等の熱源350によって取り囲まれる。ベッセル330及び熱源350は外側ベッセル360耐熱材で内張りされた金属シェル等内に収容される。処理されたグラファイトを出口ポート380を通してベッセル330から除去する。当業者は、本発明が、三重水素、炭素14及び塩素36、並びに、原子炉の動作中又は他の核プロセスにおいて発生する他の放射性核種で汚染された放射性グラファイトを処理するための方法を提供することを理解されたい。本方法は、不活性ガス、任意の酸化ガス及び還元ガスで800°Cから2000°Cの範囲内の温度で動作する加熱器を含む。温度及びガスの組み合わせが、グラファイト内の大抵の又は実質的に全ての炭素14を除去する一方で、バルクグラファイトの気化を実質的に制限することを可能にする。