シリコン表面をパッシベーションする方法であって、この方法は、aシリコン表面を洗浄する工程であって、最終工程が親水性のシリコン表面を得る化学的酸化工程である一連の工程に、シリコン表面を晒す工程を含む洗浄工程と、b進歩的な乾燥技術を用いて、洗浄したシリコン表面を乾燥させる工程と、cシリコン表面上に酸化物層を堆積する工程と、を含む方法。一連の工程は、化学的酸化工程および酸化物分解工程の交互のシーケンスを含む請求項1に記載の方法。化学的酸化工程は、水酸化アンモニウム、過酸化水素、および水の酸化混合物、または塩化水素、過酸化水素、および水の酸化混合物中で行われる請求項1または2に記載の方法。更に、洗浄工程aを行う前に、シリコン表面上に存在する酸化物層の除去を含む請求項1~3のいずれかに記載の方法。酸化物層の除去は、HF浸責で行われる請求項4に記載の方法。更に、堆積工程cの後に、約200°Cと500°Cの間の範囲、好適には約300°Cと400°Cの間、または約330°Cと370°Cの間の範囲の温度で行われる高温アニール工程を含む請求項1~5のいずれかに記載の方法。高温アニール工程は、窒素雰囲気中、またはフォーミングガス雰囲気中で行われる請求項6に記載の方法。シリコン表面上への酸化物層の堆積は、熱原子層堆積を用いて行われる請求項1~7のいずれかに記載の方法。熱原子層堆積は、150°Cと250°Cの間の範囲、好適には175°Cと225°Cの間に範囲の堆積温度で行われる請求項8に記載の方法。堆積された酸化物層は、金属酸化物層である請求項1~9のいずれかに記載の方法。金属酸化物層は、Al2O3層またはHfOx層である請求項10に記載の方法。金属酸化物層は、5nmと50nmの間の膜厚を有する請求項10または11に記載の方法。進歩的な乾燥技術は、マランゴニ乾燥技術である請求項1~12のいずれかに記載の方法。パッシベーションされたシリコン裏面を含む太陽電池デバイスであって、シリコン裏面は、請求項1~13のいずれかに記載の方法を用いてパッシベーションされるデバイス。太陽電池デバイスは、PERC型またはPERL型の電池である請求項14に記載のデバイス。以下の詳細な説明では、本発明の全体の理解、および特定の具体例でどのように実施するかを提供するために、多くの特定の細部が説明される。しかしながら、本発明は、それらの特定の細部無しに実施できることが理解されるであろう。他の例では、公知の方法、手順、および技術は、本発明を不明瞭にしないために、詳細には示されない。本発明は、特定の具体例について特定の図面を参照しながら説明されるが、本発明はこれに限定されるものでは無い。ここに含まれ記載された図面は模式的であり、本発明の範囲を限定しない。また図面において、図示目的で幾つかの要素の大きさは誇張され、それゆえに縮尺通りではない。更に、説明や請求の範囲中の、第1、第2、第3等の用語は、類似の要素の間で区別するために使用され、一時的、空間的、序列的、または他の方法のいずれかで順序を表す必要はない。そのように使用された用語は、適当な状況下で入替え可能であり、ここに記載された発明の具体例は、ここに記載や図示されたものと異なる順序によっても操作できることを理解すべきである。また、説明や請求の範囲中の、上、下、上に、下に等の用語は、記載目的のために使用され、相対的な位置を示すものではない。そのように使用された用語は、適当な状況下で入替え可能であり、ここに記載された発明の具体例は、ここに記載や図示されたものと異なる位置でも操作できることを理解すべきである。また、含むcomprisingの用語は、それ以降に示される要素に限定して解釈されることを排除するものであり、他の要素や工程を排除しない。このように、言及された特徴、数字、工程、または成分は、その通りに解釈され、1またはそれ以上の他の特徴、数字、工程、または成分、またはこれらの組み合わせの存在または追加を排除してはならない。このように、手段AおよびBを含むデバイスの表現の範囲は、構成要素AとBのみを含むデバイスに限定されるべきではない。本発明の第1の形態にかかる1の具体例は、シリコン表面の低温表面パッシベーション法を提供し、この方法は、酸化溶液を用いてパッシベーションされるシリコン表面を化学的に酸化する工程と、進歩的な乾燥技術を用いて表面を乾燥させる工程と、好適には約250°Cより低い堆積温度で、熱原子層堆積ALDによりシリコン表面上に、例えばAl2O3層のような、好適には金属酸化物層のような酸化物層を堆積する工程と、を含む。シリコン表面の化学的酸化の前に、例えばHF浸責を行うことにより、好適には、シリコン表面上に存在する自然酸化膜または先の洗浄工程の結果の酸化物層のような酸化物層が除去される。酸化物層の堆積後に、好適には熱処理が行われる。本発明の記載で使用される進歩的な乾燥技術は、良好な表面汚染制御のできる乾燥技術であり、即ち例えば水マーク、乾燥マーク、または有機物のような他の表面汚染要素のような汚染要素が表面に実質的に加えられず、または乾燥後に表面上に残らない。そのような進歩的な乾燥方法の一例は、マランゴニ乾燥AFMLeenaarsetalMarangonidryinganewextremelycleandryingprocessLangmuir1990617011708である。マランゴニ乾燥は、水リンス浴から試料を引き出すとともに、同時に少量のIPAのような有機物の蒸気とともに窒素ガスが表面に導かれる工程を含む。有機物の蒸気は水の中に溶解し、表面上のIPA:H2O液体ウエット膜中で表面張力勾配を形成し、重力によりウエハ表面からより容易に液体を完全に離れさせ、効果的に乾燥したウエハ表面を残す。温風乾燥のような進歩的でない乾燥技術とは対照的に、マランゴニ乾燥中に汚染が基板表面に加えられない。表1に示された異なる処理または洗浄後に、200°Cの堆積温度で熱ALDを用いて30nm膜厚のAl2O3層が堆積されて実験が行われた。キャリア密度画像CDIと準安定状態フォトコンダクティビティQSSPC測定が、Al2O3パッシベーション層のパッシベーション品質と均一性を試験するために用いられた。表1に示すように、試料aおよび試料bは、追加の酸化工程を伴う場合と伴わない場合のいわゆるRCA洗浄である進歩的な洗浄手順と、ALD堆積前の特にマランゴニ乾燥のような進歩的な乾燥技術とが行われた。試料cは、いわゆるピラニア洗浄である進歩的で無い洗浄と、これに続く温風乾燥工程とが行われた。試料aは、乾燥工程の直前に、NH4OH:H2O2:H2O中で酸化処理が行われ、-OHで終端されたシリコン表面となる。試料bと試料cは、乾燥工程直前にHF浸責が行われ、-H終端されたシリコン表面となる。図1は、6つの両面研磨の、710マイクロメータ膜厚のp型シリコン試料2cm×2cmであって、1.5Ohmcmの電気抵抗率を有し、200°Cで堆積された30nm膜厚の熱ALDAl2O3層で両面がパッシベーションされた試料で測定されたキャリア密度画像を示す。異なる試料は、金属酸化物の堆積前に異なる処理が行われ、金属酸化物の堆積後に異なる熱処理が行われた。試料a1と試料a2は、表1の試料aにかかる洗浄手順と乾燥工程を用いて前処理された。試料b1と試料b2は、表1の試料bにかかる洗浄手順と乾燥工程を用いて前処理された。試料c1と試料c2は、表1の試料cにかかる洗浄手順と乾燥工程を用いて前処理された。試料a1、b1、c1では、金属酸化物の堆積後に熱処理が行われない。試料a2、b2、c2では、金属酸化物層の堆積後に、350°Cでのフォーミングガスアニールを含む熱処理が行われる。熱処理を行った後に得られた図1に示された結果から、試料a2および試料b2で使用された洗浄手順と乾燥技術は、試料c2で使用された洗浄手順と乾燥技術に比較して、より均一なパッシベーション品質とより良好なパッシベーションに繋がることが結論付けられた。図2は、異なる過剰キャリア密度に対して規定された試料a2、b2、c2の実効少数キャリアライフタイムを示す。特に、図2は、1015cm-3の過剰キャリア密度破線、1016cm-3の過剰キャリア密度点線に対する測定された実効ライフタイム、および1015cm-3と1016cm-3との間の過剰キャリア密度の範囲で測定された最も高い実効ライフタイム実線を示す。それらの結果から、マランゴニ乾燥のような進歩的な乾燥技術の使用が、温風乾燥のような進歩的でない乾燥技術に比較して、より高い実効ライフタイムおよびそれによるより良好なパッシベーション品質に繋がることが結論づけられる。図3は、堆積温度200°Cの熱ALDで堆積され、350°Cでフォーミングガス中でアニールされた30nmAl2O3層でパッシベーションされた、2Ohmcmのp型FZ結晶シリコン基板の準安定状態フォトコンダクタンスQSSPCで測定されたmsでの実効ライフタイムを、注入レベルの関数として示す。ALD堆積前に、基板は、表1の試料aの洗浄、即ち化学的な酸化工程が行われ、続いてマランゴニ乾燥が行われることにより洗浄された。最大で2.2msの実効ライフタイム値と、最小で4.6cm/sの表面再結合速度が達成され、良好な表面パッシベーション品質を示した。第1の形態の1の具体例では、シリコン表面の化学的な酸化が、NH4OH:H2O2:H2OまたはHCl:H2O2:H2Oを含む酸化溶液中で行われる。化学的酸化溶液は、酸化溶液の跡が、例えばリンスにより容易に除去できるように、好適に選択される。それゆえに、好適には、高すぎない粘度を有する化学的酸化溶液が用いられる。リンスの後にH2O2:HSO4の跡が表面に残り、より低品質のより不均一な表面パッシベーションとなるために、H2O2:HSO4のような粘度の高い化学的酸化溶液は、好ましくは避けられことが示される。進歩的な乾燥技術を用いた表面の乾燥工程は、例えば上述のようにマランゴニ乾燥を含む。しかしながら、具体例はこれに限定されず、当業者に良く知られた他の進歩的な乾燥技術、例えば真空中での良く制御されたN2乾燥、超臨界CO2乾燥、またはSRDスピン、リンス、および乾燥を用いても良い。金属酸化物の堆積後の熱処理は、例えば窒素雰囲気中やフォーミングガス雰囲気中で、例えば約200°Cと500°Cの間の範囲、例えば約300°Cと400°Cの間、例えば約330°Cと370°Cの間の温度で行われても良い。太陽電池の表面パッシベーションのために使用する場合、例えば部分的なBSF太陽電池の裏面パッシベーションのために、1の具体例により堆積させた薄いALDパッシベーション層が、シリコン窒化物層やシリコン酸化物層のような他の誘電体層と組み合わせても良い。使用できるパッシベーションスタックの例は、例えばALDAl2O3/SiNx、ALDAl2O3/SiOx、ALDAl2O3/sol-gelAl2O3である。しかしながら、本発明はこれに限定されない。ALDAl2O3の代わりに、例えばALDHfOxのような他の材料が用いられても良い。図4は、例えばマランゴリ乾燥丸および温風乾燥四角のような異なる乾燥技術が洗浄手順後に使用された、200°Cの熱ALDで堆積され、350°Cでフォーミングガス中でアニールされた30nmAl2O3層でパッシベーションされた、1-3Ohmcmのp型シリコン基板の、アニール工程後に過剰キャリア密度の関数として測定された、実効表面再結合速度を示す。p型シリコン基板は、H2SO4:H2O2溶液中で、約85°Cで10分間洗浄され、続いてHF浸責される。図4に示されたように、得られた表面パッシベーションの品質は、進歩的な乾燥技術を使用した場合に特徴的に優秀であった。図5は、図4の試料の、マランゴニ乾燥丸と温風乾燥技術四角に対してAl2O3堆積直後における、過剰キャリア密度を関数としたQSSPCで測定された実効表面再結合速度を示す。PERC型太陽電池は、異なる方法が裏面パッシベーションのために使用されて作製された。基板として、チョクラルスキプロセスを用いて成長させた、0.5から3Ohmcmの抵抗率を有する125mm×125mmの略四角形のp型シリコンウエハが使用された。表面のテクスチャ後、基板の裏側が研磨され、160マイクロメータの基板膜厚となる。次に、表側のリン拡散工程POCl3拡散が、60Ohm/squareのシート抵抗を有するエミッタ領域を形成するために行われた。続いて、ウエハが洗浄され、本発明の具体例による進歩的な乾燥技術を用いて乾燥された。ウエハの第1部分について、疎水性表面Si-Hに繋がる洗浄手順が用いられた。特に、ウエハは、1:4のH2O2:H2SO4溶液中で85°Cで10分間洗浄され、続いてHF浸責脱イオン水中の2HFとマランゴリ乾燥が行われた。ウエハの第2部分について、本発明に従って親水性表面Si-OHに繋がる洗浄手順が用いられた。特に、それらのウエハは、1:4のH2O2:H2SO4溶液中で85°Cで10分間洗浄され、続いてHF浸責脱イオン水中の2HFと、NH4OH:H2O2:H2O1:1:5中で10分間、環境温度での化学的酸化と、最後のマランゴニ乾燥が行われた。薄いAl2O3層5nmまたは10nmが続いて、200°Cの熱ALDを用いて裏面に堆積され、窒素雰囲気中でのアニール工程が400°Cで行われた。PECVDSiNxキャップ層が、続いてAl2O3層上に堆積された。電池の裏側に、レーザ切除を用いてコンタクト開口部が、Al2O3/SiNxスタックを通って形成された。これに続いて、裏側コンタクトを形成するための、裏側のAlスパッタと、表側コンタクトを形成するための、表側のAgスクリーン印刷とが行われ、860°Cのピーク温度を用いて金属コンタクトの同時焼成cofiringが行われた。プロセス条件洗浄のタイプ、Al2O3層の膜厚のそれぞれに対して、5つの電池が作製された。開回路電圧opencircuitvoltageVocが測定され、それぞれのプロセス条件に対する平均Vocが表2にまとめられた。電池レベルのそれらの結果から、高温での焼成工程を含む完全な太陽電池のプロセス後に、本発明の方法に従って形成されたAl2O3層は、良好な表面パッシベーション品質を提供することが結論づけられる。結果は、Al2O3層が疎水性表面上と親水性表面上に堆積された電池の間の十分な違いを示していない。参照として、太陽電池が、上述の同じプロセス手順を用いて、5nm膜厚のAl2O3層を有し、Al2O3堆積前のマランゴニ乾燥に代わる温風乾燥を用いて作製された。それらの電池では、627mVの平均開回路電圧が測定された。この結果を表2で報告された値と比較すると、本発明のかかる進歩的な乾燥技術を用いる長所が明確に示される。先の記載は、本発明の所定の具体理を詳述する。しかしながら、テキスト中でいかに詳細に前述のものがあらわされようとも、本発明は多くの方法で実施できることが認められるであろう。本発明の所定の特徴や形態を記載する場合の、特定の用語の使用は、その用語が関連する本発明の特色や形態の特定の特徴を含むように、その用語がここで再定義されて限定されることを意味するものと取るべきでないことは留意すべきである。上記詳細な説明は、様々な具体例に適用されるような、本発明の新規な特徴を示し、記載し、指摘したが、記載されたデバイスまたはプロセスの形態や細部において、様々な省略、代替え、および変形が、本発明の精神から離れることなく当業者が行えることは理解すべきである。