"第1の光電変換素子を備える第1の基板と、第2の光電変換素子を備える第2の基板と、第3の光電変換素子を備える第3の基板が、略コの字状に配置され、前記第1の基板及び前記第3の基板は、前記第3の基板と重畳する面状の第1の分光デバイスにより筋交い状に固定され、前記第2の基板及び前記第3の基板は、前記第3の基板と重畳する面状の第2の分光デバイスにより筋交い状に固定され、前記第1の光電変換素子は、前記第2の光電変換素子と対向して配置され、前記第1の分光デバイスは、入射光の一部の波長帯域の光を前記第2の光電変換素子に向けて反射し、前記第2の分光デバイスは、入射光の一部の波長帯域の光を前記第1の光電変換素子に向けて反射し、前記第3の光電変換素子は、前記第1の分光デバイス及び前記第2の分光デバイスの透過光を受光することを特徴とする、光電変換装置。請求項1に記載の光電変換装置において、前記第1の分光デバイスおよび前記第2の分光デバイスは、350nm以上2000nm以下の波長帯域において反射率が80以上となる波長帯域が異なることを特徴とする、光電変換装置。請求項1または請求項2に記載の光電変換装置において、前記第3の基板と重畳する領域に保護基板が設けられ、前記保護基板が前記第1の基板および前記第2の基板の上端部または上端部近傍に固定されることを特徴とする、光電変換装置。請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載の光電変換装置の第1の基板及び第2の基板の端面が、隣接する光電変換装置の一部に固定されていることを特徴とする、光電変換装置。請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の光電変換装置において、前記第1の基板と前記第1の分光デバイスと前記第2の分光デバイスに囲まれた第1の中空部と、前記第2の基板と前記第1の分光デバイスと前記第2の分光デバイスに囲まれた第2の中空部と、前記第3の基板と前記第1の分光デバイスと前記第2の分光デバイスに囲まれた第3の中空部と、を有し、前記第1乃至第3の中空部の少なくとも一以上に温度調整材料を導入することにより、前記第1乃至第3の光電変換素子のいずれか一以上を温度調整することを特徴とする、光電変換装置。請求項5に記載の光電変換装置を隣接して複数設置することで、前記光電変換装置の前記第1の中空部が連結された第1の貫通穴と、前記光電変換装置の前記第2の中空部が連結された第2の貫通穴と、前記光電変換装置の前記第3の中空部が連結された第3の貫通穴を形成し、前記第1乃至第3の貫通穴のいずれか一以上に選択的に温度調整材料を通過させることにより、前記第1乃至第3の基板のいずれか一以上を選択的に温度調整することを特徴とする、光電変換装置。上記のような環境下において、光電変換装置を安定して動作させるためには、装置自体の強度を高くする必要がある。本発明は、このような技術的背景のもとでなされたものである。したがって、本発明は、入射光を複数の波長帯域に分割して用いることにより高い発電量を備え、かつ、圧力や衝撃に対する耐性を備えた光電変換装置を提供することを課題とする。上記目的を達成するために、本発明は、分光デバイスの構造に着目した。具体的には、本発明の光電変換装置は、底面に設けた光電変換素子を備える基板及び側面に設けた光電変換素子を備える基板を、分光デバイスにより筋交い状に固定する構造とした。上記構造を形成することにより、入射光は分光デバイスにより複数の波長帯域に分割され、底面及び側面に設けた光電変換素子に入射される。したがって、高い発電量を備えた光電変換装置を提供できる。また、分光デバイスが、底面及び側面の基板に加わる圧力や衝撃を分散するため、圧力や衝撃に対する耐性を備えた光電変換装置を提供できる。すなわち、本発明の一態様は、第1の光電変換素子を備える第1の基板と、第2の光電変換素子を備える第2の基板と、第3の光電変換素子を備える第3の基板が、略コの字状に配置され、第1の基板及び第3の基板は、第3の基板と重畳する面状の第1の分光デバイスにより筋交い状に固定され、第2の基板及び第3の基板は、第3の基板と重畳する面状の第2の分光デバイスにより筋交い状に固定され、第1の光電変換素子は、第2の光電変換素子と対向して配置され、第1の分光デバイスは、入射光の一部の波長帯域の光を第2の光電変換素子に向けて反射し、第2の分光デバイスは、入射光の一部の波長帯域の光を第1の光電変換素子に向けて反射し、第3の光電変換素子は、第1の分光デバイス及び第2の分光デバイスの透過光を受光することを特徴とする光電変換装置である。上記本発明の一態様によれば、入射光は分光デバイスにより複数の波長帯域に分割され、第1乃至第3の基板に設けた光電変換素子に入射されるため、高い発電量を備えた光電変換装置を提供できる。また、分光デバイスが筋交いとしての機能を果たすため、第1の基板又は/及び第2の基板に加わる圧力や衝撃を第3の基板に分散し、第3の基板に加わる圧力や衝撃を第1及び第2の基板に分散できるため、圧力や衝撃に対する耐性を備えた光電変換装置を提供できる。さらに、これらの効果を、第1乃至第3の基板を略コの字状に配置した状態において効果的に得られるため、装置面積の増加を抑制できる。また、本発明の一態様は、上記構成の光電変換装置において、第1の分光デバイス及び第2の分光デバイスは、350nm以上2000nm以下の波長帯域において、反射率が80以上となる波長帯域が異なることを特徴とする光電変換装置である。上記本発明の一態様によれば、第1及び第2の分光デバイスの両方に反射され、第1乃至第3の光電変換素子に到達できない光の発生を抑制できる。したがって、高い発電量を有する光電変換装置を提供できる。また、本発明の一態様は、上記構成の光電変換装置において、第3の基板と重畳する領域に保護基板が設けられ、保護基板が第1の基板及び第2の基板の上端部または上端部近傍に固定されることを特徴とする光電変換装置である。上記本発明の一態様によれば、第1の基板や第2の基板に加わる衝撃を、保護基板により対向する基板に分散できるため、圧力や衝撃に対する耐性を備えた光電変換装置を提供できる。また、保護基板は、飛来物による衝撃などから分光デバイスや光電変換素子を保護できるため、長期に渡って高い発電量を有する光電変換装置を提供できる。また、本発明の一態様は、上記構成の光電変換装置の第1の基板及び第2の基板の端面が、隣接する光電変換装置の一部に固定されていることを特徴とする、光電変換装置である。上記本発明の一態様によれば、一部の光電変換装置に加わる圧力や衝撃を、隣接する光電変換装置に分散することができる。したがって、上記構成の光電変換装置を複数設置した光電変換装置においても、圧力や衝撃に対する耐性を備えることができる。また、本発明の一態様は、上記構成の光電変換装置において、第1の基板と第1の分光デバイスと第2の分光デバイスに囲まれた第1の中空部と、第2の基板と第1の分光デバイスと第2の分光デバイスに囲まれた第2の中空部と、第3の基板と第1の分光デバイスと第2の分光デバイスに囲まれた第3の中空部と、を有し、第1乃至第3の中空部の少なくとも一以上に温度調整材料を導入することにより、第1乃至第3の光電変換素子のいずれか一以上を温度調整することを特徴とする光電変換装置である。上記本発明の一態様によれば、温度変化により発電能力の低下した光電変換素子の接する中空部に、温度調整材料を導入することができる。また、温度調整の必要がない光電変換素子においては、温度調整材料の導入による入射光の吸収や反射を抑制できる。したがって、光電変換素子の温度変化による発電量の低下や、温度調整材料による発電量の損失が抑制された光電変換装置を提供できる。また、本発明の一態様は、上記構成の光電変換装置を隣接して複数設置することで、光電変換装置の第1の中空部が連結された第1の貫通穴と、光電変換装置の第2の中空部が連結された第2の貫通穴と、光電変換装置の第3の中空部が連結された第3の貫通穴を形成し、第1乃至第3の貫通穴の少なくとも一以上に温度調整材料を導入することにより、第1乃至第3の光電変換素子のいずれか一以上を温度調整することを特徴とする光電変換装置である。上記本発明の一態様によれば、温度変化により発電能力の低下した光電変換素子の接する貫通穴に、温度調整材料を導入することができる。また、温度調整の必要がない光電変換素子においては、温度調整材料の導入による入射光の吸収や反射を抑制できる。したがって、光電変換素子の温度変化による発電量の低下や、温度調整材料による発電量の損失が抑制された光電変換装置を提供できる。なお、本明細書等において、Aの上にBが形成されている、あるいは、A上にBが形成されている、と明示的に記載する場合は、Aの上にBが直接接して形成されていることに限定されない。直接接してはいない場合、つまり、AとBとの間に別の対象物が介在する場合も含むものとする。ここで、A、Bは、対象物例えば装置、素子、回路、配線、電極、端子、膜、又は層などであるとする。したがって、例えば、層Aの上又は層A上に層Bが形成されていると明示的に記載されている場合は、層Aの上に直接接して層Bが形成されている場合と、層Aの上に直接接して別の層例えば層Cや層Dなどが形成されていて、その上に直接接して層Bが形成されている場合とを含むものとする。なお、別の層例えば層Cや層Dなどは、単層でもよいし、複層でもよい。また、本明細書等において用いられている分光層とは、特定の波長帯域の光を反射し、且つその他の波長帯域の光を透過する機能を持たせるように光学的計算を行い形成された、誘電体多層膜をいう。また、本明細書等において用いられている光電変換層とは、光電効果内部光電効果を発現する半導体の層を含む他、内部電界や半導体接合を形成するために接合された不純物半導体層を含めたものをいう。すなわち、光電変換層とは、pn接合を代表とする、キャリア種類正孔又は自由電子及びキャリア濃度が異なる複数の半導体層接合した半導体層をいう。また、本明細書等において用いられている光電変換効率とは、光電変換装置が太陽光のエネルギーを電力に変換する効率のことをいう。また、本明細書等において用いられている略コの字とは、表現を変えると、第1の基板と第2の基板が対向する状態にあり、且つ、第1の基板及び第2の基板がそれぞれ、第3の基板と略L字を成すように設けられた状態のことをいう。また、本明細書等において用いられている第1又は第2等の数詞の付く用語は、要素を区別するために便宜的に用いているものであり、数的に限定するものではなく、また配置及び段階の順序を限定するものでもない。本発明によれば、入射光は分光デバイスにより複数の波長帯域の光に分割され、底面及び側面に設けた光電変換素子に入射される。したがって、高い発電量を備えた光電変換装置を提供できる。また、分光デバイスが、底面及び側面の基板に加わる圧力や衝撃を分散するため、圧力や衝撃に対する耐性を備えた光電変換装置を提供できる。実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。実施の形態1本実施の形態では、開示する発明の一態様に係る光電変換装置について、図1乃至図3を用いて説明する。<本実施の形態における光電変換装置の構成>図1に本実施の形態における光電変換装置の構成図を示す。図1Aは本実施の形態における光電変換装置の斜視図、図1Bは図1Aの構成の一部抜粋図、図1Cは図1Aの側面図である。本実施の形態の光電変換装置は、図1Aに示すように、第1のベース基材101及び第1の光電変換素子102を有する第1の基板100と、第2のベース基材111及び第2の光電変換素子112を有する第2の基板110と、第3のベース基材121と第3の光電変換素子122を有する第3の基板120とが、第1の光電変換素子102と第2の光電変換素子112が対向する状態に略コの字状に配置され、第1の分光デバイス130が第1の基板100と第3の基板120を筋交い状に固定する状態に設けられ、第2の分光デバイス140が第2の基板110と第3の基板120を筋交い状に固定する状態に設けられている。第1の光電変換素子102としては、光電変換層として単結晶シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン又はアモルファスシリコンなどを単層又は積層して用いたシリコン型太陽電池、光電変換層としてInGaAs、GaAs、CdTe、CdS、カルコパイライト型三元化合物などを用いた化合物型太陽電池や、色素増感型太陽電池、有機薄膜太陽電池、量子ドット型太陽電池などを用いればよい。なお、上記にて記載した第1の光電変換素子102は、既知の技術を用いて作製できる太陽電池の一例であり、光電変換素子が上記記載内容のみを用いることに限定されるものではない。また、第2の光電変換素子112及び第3の光電変換素子122についても、上記と同様の材料及び構造を用いればよい。本発明の一態様では、複数の光電変換素子を異なる位置に設置するため、分光デバイスにより波長分割されて各々の光電変換素子に入射される光は、ほとんど損失無しに光電変換層に到達する。この点に於いて、積層型の光電変換素子と比較して大きなメリットを有していると言える。また、積層型の光電変換素子では、複数の光電変換層を直列に接続しており、光電変換素子全体の出力電流は、最も出力電流の小さい光電変換層により制限されてしまうため、電流のマッチングを行う必要がある。しかし、本明細書の技術では、積層構造を成さずに複数の光電変換層を用いる事が可能であるため、積層型の光電変換素子のような電流マッチングが不要という点も大きなメリットと言える。なお、本明細書等では、第1の基板100は、第1のベース基材101及び、第1の光電変換素子102から構成されているが、第1の光電変換素子102を第1の基板100として用い、第1のベース基材101を用いない構造としてもよい。例えば、第1の光電変換素子102が耐衝撃性の弱い材質例えば薄いシリコン基板や薄いガラス基板などを用いて作製されている場合、第1の光電変換素子102を第1の基板100として用いると、外部から衝撃が加わった際に、筋交いとして機能する第1の分光デバイス130に衝撃力を分散する前に破壊されてしまう可能性がある。このような場合は、本明細書に記載するように、第1の光電変換素子102に第1のベース基材101を設けることが好ましい。しかし、第1の光電変換素子102が外部からの衝撃で破壊されない程度の強度を有している場合は、第1のベース基材101を必ずしも設ける必要はない。第2の基板110及び第3の基板120についても、第1の基板100と同様である。したがって、第1のベース基材101、第2のベース基材111及び第3のベース基材121を用いるか否かは、光電変換素子の強度や光電変換装置の使用環境を考慮して実施者が適宜選択すればよい。このような観点から考え、第1のベース基材101、第2のベース基材111及び第3のベース基材121としては、金属基板、プラスチック基板、木製基板などの外部からの衝撃に対して耐性を有する材質を基材として用いることが好ましい。第1の分光デバイス130は、外部からの入射光の一部の波長帯域の光を第2の光電変換素子112に向けて反射する機能を有すると共に、第1の基板100と第3の基板120を固定し、第1の基板100に加わる圧力や衝撃を第3の基板120に、第3の基板120に加わる圧力や衝撃を第1の基板100に分散する機能を有している。第2の分光デバイス140も同様に、外部からの入射光の一部の波長帯域の光を第1の光電変換素子102に向けて反射する機能を有すると共に、第2の基板110と第3の基板120を固定し、第2の基板110に加わる圧力や衝撃を第3の基板120に、第3の基板120に加わる圧力や衝撃を第2の基板110に分散する機能を有している。このように、第1の分光デバイス130と第2の分光デバイス140は、入射光を複数の波長帯域の光に分割する分光デバイスとしての機能と、底面と側面の基板を固定して装置の強度を高める筋交いとしての機能を有している。なお、図1Aのように、第1の分光デバイス130と第2の分光デバイス140から構成される十字形状の分光デバイスを形成する方法としては、例えば、図1Bに示すように、第1の分光デバイス130及び第2の分光デバイス140の一部に溝を設け、第1の分光デバイス130の溝に第2の分光デバイス140の溝を差し込み、十字形状を形成すればよい。第1の分光デバイス130及び第2の分光デバイス140として、350nmから2000nmの波長帯域の光透過率が80以上の基板例えば、白板ガラス基板や石英基板やプラスチック基板上に誘電体膜を積層させた、ダイクロイックミラーなどを用いればよい。なお、第1の分光デバイス130と第3の基板120との固定部分角度図1Cのα部分を調整することにより、第1の分光デバイス130により反射された光を第2の光電変換素子112に向けて効率良く反射でき、第2の光電変換素子112の発電量を高めることができる。具体的には、第1の分光デバイス130と第3の基板120との固定部分角度は35°以上65°以下、より望ましくは40°以上55°以下となるように設置することが好ましい。例えば、図1Cのように第1の基板100、第2の基板110及び第3の基板120が略コの字状に配置されている場合、光電変換装置への入射光図2Bの入射光150を参照を第2の基板110に向けて効率良く反射するには、第1の分光デバイス130と第3の基板120との固定角度を、理想的には45°程度にすることが好ましい。第2の分光デバイス140も同様に、第2の分光デバイス140と第3の基板120との固定部分の角度図2Aのβ部分を、35°以上65°以下、より望ましくは40°以上55°以下となるように設置することが好ましい。なお、第1の分光デバイス130の反射波長帯域と第2の分光デバイスの反射波長帯域が重なり合うと、波長帯域の重なり合った光は、第1の分光デバイス130で反射した後、更に第2の分光デバイス140で反射されてしまい、光電変換素子に入射されない図2Bの光160参照。。このため、第1の分光デバイス130と第2の分光デバイス140の反射波長領域は、極力重ならないことが望ましく、具体的には、第1の分光デバイス130及び第2の分光デバイス140は、350nm以上2000nm以下の波長帯域において、反射率が80以上となる波長帯域が、それぞれ異なっていることが好ましい。<本実施の形態における光電変換装置の作用原理及び効果>本実施の形態の構成を有する光電変換装置に対して、外部から光が入射された際の入射光の進行経路及び、外部から圧力や衝撃などの力が加わった際の力の分散状態についての作用原理を図2及び図3を用いて説明すると共に、その効果を記述する。<外部から光が入射された際の入射光の進行経路>図2Aは、図1Aで示した、本実施の形態の光電変換装置の側面図であり、図2Aのa部分への入射光の進行経路を図2Bに、図2Aのb部分への入射光の進行経路を図2Cに示す。図2Bに示すように、図2Aのa部分への入射光150太い実線は、まず第1の分光デバイス130により、一部の波長帯域の光152二点鎖線が第2の光電変換素子112に向かって反射され、第2の光電変換素子112にて光電変換が行われる。このため、第2の光電変換素子112は、光152の波長帯域において高い光電変換効率を示す光電変換素子を用いることが好ましい。具体的には、光152の波長帯域において、光電変換効率が最大値の80以上となる波長帯域が合計300nm以上存在する光電変換素子を用いることが好ましく、更に望ましくは、上記内容に加えて、光152の波長帯域において光電変換効率が最大となる光電変換素子を用いることが好ましい。そして、第1の分光デバイス130を透過した光図2Bの太点線は、第2の分光デバイス140により、一部の波長帯域の光151図2Bの一点鎖線が第1の光電変換素子102に向かって反射され、第1の光電変換素子102にて光電変換が行われる。このため、第1の光電変換素子102は、光151の波長帯域において高い光電変換効率を示す光電変換素子を用いることが好ましい。具体的には、光151の波長帯域において、光電変換効率が最大値の80以上となる波長帯域が合計300nm以上存在する光電変換素子を用いることが好ましく、更に望ましくは、上記内容に加えて、光151の波長帯域において光電変換効率が最大となる光電変換素子を用いることが好ましい。さらに、第2の分光デバイス140を透過した一部の波長帯域の光153図2Bの細点線が第3の光電変換素子122に入射し、第3の光電変換素子122にて光電変換が行われる。このため、第3の光電変換素子122は、光153の波長帯域において高い光電変換効率を示す光電変換素子を用いることが好ましい。具体的には、光153の波長帯域において、光電変換効率が最大値の80以上となる波長帯域が合計300nm以上存在する光電変換素子を用いることが好ましく、更に望ましくは、上記内容に加えて、光153の波長帯域において光電変換効率が最大となる光電変換素子を用いることが好ましい。また、図2Aのb部分に入射される光については、図2Cに示すように、b部分への入射光150図2Cの太実線は、まず第2の分光デバイス140により、一部の波長帯域の光151図2Cの一点鎖線が第1の光電変換素子102に向かって反射され、第1の光電変換素子102にて光電変換が行われる。そして、第2の分光デバイス140を透過した光図2Cの太点線は、第1の分光デバイス130により、一部の波長帯域の光152図2Cの二点鎖線が第2の光電変換素子112に向かって反射され、第2の光電変換素子112にて光電変換が行われる。さらに、第1の分光デバイス130を透過した一部の波長帯域の光153図2Cの細点線が第3の光電変換素子122に入射し、第3の光電変換素子122にて光電変換が行われる。入射光150は、以上の経路を経ることにより3つの波長帯域の光に分離され、それぞれの波長帯域に適した光電変換素子により光電変換が行われる。このため、本実施の形態に示す構成により、高い発電量を有する光電変換装置を提供できる。なお、第1の光電変換素子102、第2の光電変換素子112及び第3の光電変換素子122に用いる光電変換素子の種類については、第1の分光デバイス130および第2の分光デバイス140の反射波長帯域に応じて、実施者が適宜選択すればよい。例えば、第1の分光デバイス130が700nm以下の波長帯域の光を強く反射し、第2の分光デバイス140が1100nm以上の波長帯域の光を強く反射する場合、第1の光電変換素子102には、1100nm以上の波長帯域において高い光電変換効率を有する光電変換素子例えば、単結晶ゲルマニウム太陽電池を用い、第2の光電変換素子112には、700nm以下の波長帯域において高い光電変換効率を有する光電変換素子例えば、アモルファスシリコン太陽電池を用い、第3の光電変換素子122には、700nm超1100nm未満の波長帯域において高い光電変換効率を有する光電変換素子例えば、単結晶シリコン太陽電池を用いればよい。<外部から圧力や衝撃などの力が加わった際の力の分散状態>図3Aは、側面基板である第1の基板100に外部からの圧力や衝撃が加わった際の力の分散状況を示す図であり、図3Bは、底面基板である第3の基板120に外部からの圧力や衝撃が加わった際の力の分散状況を示す図である。図3Aに示すように、第1の基板100に外部からの圧力や衝撃図3Aの白矢印が加わった場合、第1の分光デバイス130は、第1の基板に加わった力の一部を、第1の基板100と第1の分光デバイス130の固定部図3Aの点線丸部分を介して、底面である第3の基板120に分散することができる図3A黒矢印参照。また、本実施の形態の光電変換装置において、図1Bに示すように、第1の分光デバイス130に設けた溝と第2の分光デバイス140に設けた溝が組み合わされて形成されている場合、第1の分光デバイス130に加わる力の一部は、第1の分光デバイス130と第2の分光デバイス140の組み合わせ部分図3A点線四角部を介して第2の分光デバイス140に分散され、第2の基板110にも分散することができる。この場合、第1の分光デバイス130及び第2の分光デバイス140の溝部分に強い力が加わっても、第1の分光デバイス130及び第2の分光デバイス140が破壊されないように、第1の分光デバイス130及び第2の分光デバイス140としては、プラスチック基板などの柔軟性を有する材料が好ましい。なお、本実施の形態では、第1の分光デバイス130は第1の光電変換素子102に接して固定されているが、これに限定されることはない。例えば、第1のベース基板101に接して分光デバイス130が固定されていてもよい。同様に、第1の分光デバイス130は第3の光電変換素子122上に接して固定されているが、第3のベース基材121に接して固定されていてもよい。また、第1の分光デバイス130は、第1の基板100と第3の基板120の端部に固定されているが、これに限定されることはなく端部近傍でもよい。なお、第1の基板100と第1の分光デバイス130、及び、第3の基板120と第1の分光デバイス130を固定する方法としては、例えば、各種接着剤、熱可塑性樹脂、固定部材例えば、金属やプラスチックで作製されたL型の金具などを用いればよい。また、第1の基板100と第1の分光デバイス130、及び、第3の基板120と第1の分光デバイス130が直接溶着することが可能な材質であれば、溶着にて固定してもよい。また、第2の基板110と第2の分光デバイス140、及び、第3の基板120と第2の分光デバイス140を固定する方法も、同様の方法で行えばよい。以上のように、第1の基板100と第3の基板120を、第1の分光デバイス130により筋交い状に固定することにより、第1の基板100に加わった圧力や衝撃を、第1の分光デバイス130により、底面である第3の基板120に分散することができる。また、第1の基板100に対向する状態に設置された第2の基板110においても上述と同様に、外部からの圧力や衝撃が加わった際、その力を第2の基板110と第2の分光デバイス140の固定部を介して、第3の基板120に分散することができる。なお、第2の分光デバイス140は図3Aのように、第2の光電変換素子112に接して固定されているが、これに限定されることはない。例えば、分光デバイス140が第2のベース基板111に接して固定されていてもよい。同様に、第2の分光デバイス140は第3の光電変換素子122に接して固定されているが、第3のベース基材121に接して固定されてもよい。また、第2の分光デバイス140は、第2の基板110と第3の基板120の端部に固定されているが、これに限定されることはなく端部近傍でもよい。以上のように、第2の基板110と第3の基板120を、第2の分光デバイス140により筋交い状に固定することにより、第2の基板110に加わった圧力や衝撃を、第2の分光デバイス140により、底面である第3の基板120に分散することができる。また、第3の基板120に外部からの圧力や衝撃が加わった場合においては、図3Bに示すように、第3の基板120に加わった力図3B白矢印は第1の分光デバイス130および第2の分光デバイス140により、第1の基板100および第2の基板110に分散することができる図3B黒矢印。このように、第1の分光デバイス130及び第2の分光デバイス140は、図2B及び図2Cに示すような分光デバイスとしての機能を果たすだけでなく、図3A及び図3Bに示すような、外部からの圧力や衝撃を分散する機能を果たす。したがって、圧力や衝撃に対する耐性を備えた光電変換装置を提供できる。なお、本実施の形態に示す光電変換装置は、第1の光電変換素子102を備える第1の基板100と、第2の光電変換素子112を備える第2の基板110と、第3の光電変換素子122を備える第3の基板120を略コの字状に配置した状態において、1分光デバイスを用いて入射光を複数の波長帯域に分割することで高い発電量を得る、2外部から加わる圧力や衝撃に対する耐性を備える、という2つの長所を効果的に得ることができる。そして、上述のように第1の基板100、第2の基板110および第3の基板120を略コの字状に配置することにより、光電変換素子を備える基板を平面的に設置する例えば、図3Aにおいて、底面基板である第3の基板120のみを設置する場合と同程度の面積で設置できるため、装置面積の増加を抑制できる。なお、前述した光電変換装置について、外部から加わる圧力や衝撃に対する耐性を更に高める方法としては、図3Cに示すように、第3の基板120と重畳する領域において、第1の基板100及び第2の基板110の上端部または上端部近傍に保護基板310を固定する方法がある。図3Cのように保護基板310を設置することにより、側面基板である第1の基板100及び第2の基板110に外部からの圧力や衝撃図3Cの白矢印が加わった場合、第1の分光デバイス130及び第2の分光デバイス140だけでなく保護基板310を介して、力の一部図3Cの黒矢印を対向する基板に分散することができる。また、保護基板310は、第1の分光デバイス130及び第2の分光デバイス140を覆うように設置されており、飛来物による衝撃から第1の分光デバイス130及び第2の分光デバイス140を保護する機能を有するため、長期に渡って高い発電量を有する光電変換装置を提供できる。実施の形態2本実施の形態では、実施の形態1にて記載した本発明の一態様である光電変換装置とは異なる機能についての説明を、図4を用いて説明する。<本実施の形態における光電変換装置の構成>図4Aは、図2Aと同じ光電変換装置の側面図である。本実施の形態に示す光電変換装置は、図4Aに示すように、基板と分光デバイスの固定箇所図4Aの丸点線部分を固定することにより、第1の基板100、第1の分光デバイス130及び第2の分光デバイス140に囲まれた第1の中空部510と、第2の基板110、第1の分光デバイス130及び第2の分光デバイス140に囲まれた第2の中空部520と、第3の基板120、第1の分光デバイス130及び第2の分光デバイス140に囲まれた第3の中空部530が形成された構造である。<本実施の形態における光電変換装置の作用原理及び効果>光電変換装置を図4Aの構造とすることにより、第1の中空部510、第2の中空部520及び第3の中空部530の少なくとも1つ以上に温度調整材料を導入することで、第1の光電変換素子102、第2の光電変換素子112及び第3の光電変換素子122のいずれか一以上の温度調整を行うことができる。例えば、図4Aにおいて、第1の光電変換素子102の温度が上昇して発電能力が低下し、第2の光電変換素子112及び第3の光電変換素子122では発電能力の低下が見られない場合、図4Bに示すように、第1の中空部510のみに温度調整材料550として、例えば冷却液を流す、空気を強制的に通過させることにより、第1の光電変換素子102を選択的に冷却できる。これにより、光電変換素子102の温度は低下して発電能力が回復する。この際、第2の中空部520及び第3の中空部530には温度調整材料550が導入されないため、第2の光電変換素子112に入射される光は、温度調整材料550による光の吸収や反射による損失が無い。また、第3の光電変換素子122に入射される光も、温度調整材料550による光の吸収や反射による損失を抑制することができる。したがって、光電変換素子の温度変化による発電量の低下や、温度調整材料による発電量の損失が抑制された光電変換装置を提供できる。なお、温度調整材料550としては、第1の中空部510、第2の中空部520及び第3の中空部530を通過することのできる材料であれば、材料の様態固体、液体、気体、形状および材質などに特に限定はなく、光電変換装置の各構成要素に、化学反応による劣化、変形、破壊などのダメージを与えない材料であり、使用温度範囲が光電変換装置の各構成要素に変形を生じない範囲であれば、どのような材料を用いてもよい。温度調整材料550は、前述の一例のように光電変換素子を冷却できる材料だけでなく、光電変換装置を加熱できる材料を用いてもよい。また、温度調整材料550として、例えば液体や気体、又は非常にサイズの小さな固体などを用いる場合は、第1の中空部510は、第1の基板100と第1の分光デバイス130と第2の分光デバイス140に隙間無く囲まれることが好ましい。また、第2の中空部520及び第3の中空部530においても同様に、周囲を囲む基板および分光デバイスにより隙間無く囲まれることが好ましい。これにより、特定の中空部に導入した温度調整材料が他の中空部に流入することを抑制できる。実施の形態3本実施の形態では、上述の実施の形態にて記載した光電変換装置を複数用いた光電変換装置について、図5及び図6を用いて説明する。なお、図5及び図6では、複数設置された光電変換装置の中から、1つの光電変換装置を指定する場合、座標を用いて表現する。例えば、図5Aの中心に設置された光電変換装置は、X2及びY2の範囲にある光電変換装置と表現し、図5Aの手前に設置された3つの光電変換装置はX1-X2-X3及びY1の範囲にある光電変換装置と表現する。<本実施の形態における光電変換装置の構成>図5Aは、実施の形態1にて説明した図1Aの構造を有する光電変換装置が、分光デバイスの向きが同方向となるように複数設置された光電変換装置を示す図であり、図5Bは、図5AのX1-X2-X3及びY1の範囲にある3つの光電変換装置の側面図であり,図5Cは、図5AのX3及びY1-Y2-Y3の範囲にある3つの光電変換装置の上面図である。また、図6Aは、複数の光電変換装置が、図5とは異なる状態で設置された光電変換装置を示す図であり、図6Bは、図6AのX3及びY1-Y2-Y3の範囲にある3つの光電変換装置の上面図である。本実施の形態に示す光電変換装置は、図5及び図6に示すように、光電変換装置の第1の基板100及び第2の基板110の端面が、隣接する光電変換装置の一部に固定されている構造である。なお、光電変換装置の第1の基板100及び第2の基板110の端面を、隣接する光電変換装置の一部に固定する方法としては、例えば、各種接着剤、熱可塑性樹脂などを用いればよい。また、直接溶着することが可能な材質であれば、溶着にて固定してもよい。<本実施の形態における光電変換装置の作用原理及び効果>図5Aのような構造を用いることにより、例えば、図5AのX3及びY2の範囲にある光電変換装置の第2の基板110に圧力や衝撃などの力が加わった場合においても図5A及び図5Cの白矢印、固定部図5A及び図5Cの点線丸部を介して、図5AのX3及びY1の範囲にある光電変換装置の第2の基板110、並びに図5AのX3及びY3の範囲にある光電変換装置の第2の基板110に、一部の力が分散される図5A、図5B及び図5Cの黒矢印。分散された力の一部は、更に分光デバイス140を介して第3の基板120に分散される。また、図6Aのような構造を用いることにより、例えば、図6AのX3及びY2の範囲にある光電変換装置の第1の基板100に圧力や衝撃などの力が加わった場合においても図6A及び図6Bの白矢印、固定部図6A及び図6Bの点線丸部を介して、図6AのX3及びY1の範囲にある光電変換装置の第1の基板100、及び図6AのX3及びY3の範囲にある光電変換装置の第2の基板110に、一部の力が分散される図6A及び図6Bの黒矢印。したがって、実施の形態1にて説明した光電変換装置を複数設置した光電変換装置においても、圧力や衝撃に対する耐性を備えることができる。実施の形態4本実施の形態では、実施の形態3にて記載した本発明の一態様である光電変換装置とは異なる機能についての説明を、図7を用いて説明する。なお、図7において、複数設置された光電変換装置の中から、1つの光電変換装置を指定する場合は、実施の形態3と同じ表現方法にて表す。<本実施の形態における光電変換装置の構成>図7Aは、実施の形態3にて記載した図5Aと同様に、分光デバイスの向きが同方向になるように複数設置された、光電変換装置図である。本実施の形態の光電変換装置は、図7Aに示すように、図4Aにて示した光電変換装置の第1の中空部510が連結された第1の貫通穴810と、第2の中空部520が連結された第2の貫通穴820と、第3の中空部530が連結された第3の貫通穴830を有する構造である。<本実施の形態における光電変換装置の作用原理及び効果>図7Aのように、それぞれが独立した、第1の貫通穴810、第2の貫通穴820及び第3の貫通穴830を有する構造とすることにより、第1の貫通穴810、第2の貫通穴820及び第3の貫通穴830の少なくとも1つ以上に温度調整材料550を導入することで、第1の貫通穴810、第2の貫通穴820及び第3の貫通穴830に隣接する光電変換素子を温度調整することができる。したがって、実施の形態2と同様に、光電変換素子の温度上昇による発電量の低下や、温度調整材料による発電量の損失が抑制された光電変換装置を提供できる。"