導電部を有した基板上に、バンプを有した半導体チップをフェースダウンボンディングする半導体装置の実装方法において、前記半導体チップのバンプ形成面に、感光性でかつ熱可塑性の樹脂、あるいはその前駆体からなる樹脂により、感光性でかつ接着性を有する樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層を露光し、さらに現像することで、前記バンプの直上部の樹脂を除去し、バンプの上面を露出させる工程と、前記樹脂層を加熱処理することにより、該樹脂層を構成する樹脂を、熱可塑性樹脂からなる樹脂膜とする工程と、前記樹脂層からなる樹脂膜を形成した半導体チップを前記基板にフェースダウンボンディングし、前記樹脂膜を接着剤として機能させることで前記半導体チップのバンプと前記基板の導電部とを電気的に導通させる工程と、を備え、前記樹脂膜を接着剤として機能させる際に、該樹脂膜の溶融開始温度を50°C以上400°C以下にすることを特徴とする半導体装置の実装方法。前記感光性でかつ熱可塑性の樹脂、あるいはその前駆体からなる樹脂材料には、熱硬化性樹脂もしくはその一部成分が含まれていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の実装方法。前記半導体チップがウエハに形成されていて個片化される前の状態にある場合に、前記バンプの直上部の樹脂を除去し、バンプの上面を露出させる工程においては、前記ウエハのダイシングラインの直上部の樹脂も同時に除去し、前記ダイシングラインを露出させることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の実装方法。前記半導体チップにマークが形成されている場合に、前記バンプの直上部の樹脂を除去し、バンプの上面を露出させる工程においては、前記半導体チップのマークの直上部の樹脂も同時に除去し、前記マークを露出させることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体装置の実装方法。前記樹脂膜を形成した半導体チップを前記基板にフェースダウンボンディングし、前記半導体チップのバンプと前記基板の導電部とを電気的に導通させる工程においては、ろう材を介して前記バンプと前記導電部とを電気的に導通させることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体装置の実装方法。しかしながら、このように基板側に樹脂を設け、これを接着剤として用いる方法では、例えばペースト状の樹脂の場合に専用の塗布装置が、またフィルム状の樹脂の場合に専用の塗布装置がそれぞれ必要となり、したがってこのような専用装置が必要になることにより、実装コストが高くなるといった課題がある。また、基板側に樹脂を設け、その上に半導体チップをフェースダウンボンディングする方式では、半導体チップのバンプが実装時に樹脂を掻き分け、側方に排出しながら基板上のランド導電部に接続するため、このランドと前記バンプとの間に必ず樹脂接着剤が残留してしまう。すると、ランドやバンプと残留した樹脂との間の熱膨張係数の差などから、ランドとバンプとの間が剥離するおそれが生じ、このため実装信頼性が低いといった課題がある。また、樹脂が残留することにより、ランドとバンプとの間の接続抵抗が大きくなるといった課題もある。さらに、半導体チップをフェースダウンボンディングすると、基板上の樹脂接着剤が半導体チップに押されて側方にはみ出てしまうことから、半導体チップに隣接する他の部品をこの半導体チップの直近には配置することができず、結果として基板上にデッドスペースが生じてしまい、これが高密度実装を損なう一因となっている。本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、特に専用の装置を必要とすることなくフェースダウンボンディングが可能になり、またランドとバンプとの間の導通が確実になって実装信頼性が向上し、さらに基板上のデッドスペースが無くなって高密度実装が可能となった、半導体装置の実装方法を提供することにある。前記目的を達成するため本発明の半導体装置の実装方法は、導電部を有した基板上に、バンプを有した半導体チップをフェースダウンボンディングする半導体装置の実装方法において、前記半導体チップのバンプ形成面に、感光性でかつ熱可塑性の樹脂、あるいはその前駆体からなる樹脂により、感光性でかつ接着性を有する樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層を露光し、さらに現像することで、前記バンプの直上部の樹脂を除去し、バンプの上面を露出させる工程と、前記樹脂層を加熱処理することにより、該樹脂層を構成する樹脂を、熱可塑性樹脂からなる樹脂膜とする工程と、前記樹脂層からなる樹脂膜を形成した半導体チップを前記基板にフェースダウンボンディングし、前記樹脂膜を接着剤として機能させることで前記半導体チップのバンプと前記基板の導電部とを電気的に導通させる工程と、を備え、前記樹脂膜を接着剤として機能させる際に、該樹脂膜の溶融開始温度を50°C以上400°C以下にすることを特徴としている。この半導体装置の実装方法によれば、半導体チップ側に、接着剤として機能する樹脂膜を形成しておくので、この樹脂膜を形成するための樹脂層については、例えばスピンコートなどの汎用装置による方法で形成することができ、したがって専用の装置が不要となることにより、実装コストの低減化が可能になる。また、半導体チップのバンプの上面を露出させた状態で、基板に直接フェースダウンボンディングして基板の導電部に前記バンプを導通させるので、導電部とバンプとの間に樹脂が入り込むことがなく、したがって導電部とバンプとの間の剥離のおそれがなくなり、実装信頼性が向上するとともに、導電部とバンプとの間の接続抵抗も小さくなる。さらに、接着性を有する樹脂膜を接着剤として機能させ、すなわち、樹脂膜を加熱溶融した後冷却して再度固化させ、あるいは熱硬化させることで、半導体チップをフェースダウンボンディングするので、フェースダウンボンディング時に、樹脂膜を構成する樹脂が半導体チップの側方にはみ出ることがほとんどなく、したがって基板上にデッドスペースがほとんど生じないことから、高密度実装が可能になる。また、前記半導体装置の実装方法においては、前記樹脂は感光性でかつ熱可塑性の樹脂、あるいはその前駆体からなる樹脂であり、前記樹脂層を加熱処理することにより、該樹脂層を構成する樹脂を、熱可塑性樹脂からなる樹脂膜とする工程、を備えているのが好ましい。このようにすれば、樹脂膜が良好に接着性を発現し、接着剤として良好に機能するようになる。なお、この半導体装置の実装方法においては、前記感光性でかつ熱可塑性の樹脂、あるいはその前駆体からなる樹脂材料には、熱硬化性樹脂もしくはその一部成分が含まれているのが好ましい。このようにすれば、絶縁膜の耐熱性が高まり、信頼性が向上する。また、前記半導体装置の実装方法においては、前記樹脂層を、感光性熱硬化樹脂接着シートによって形成するようにしてもよい。このようにすれば、例えばこの感光性熱硬化樹脂接着シートからなる樹脂層がそのまま接着性を有する樹脂膜となることなどにより、工程が簡略化して生産性が向上する。また、前記半導体装置の実装方法においては、前記半導体チップがウエハに形成されていて個片化される前の状態にある場合に、前記バンプの直上部の樹脂を除去し、バンプの上面を露出させる工程においては、前記ウエハのダイシングラインの直上部の樹脂も同時に除去し、前記ダイシングラインを露出させるのが好ましい。樹脂とシリコンからなるウエハとを一緒にダイシングするのは非常に難しいものの、このようにダイシングラインを露出させておけば、既存のダイシングソーなどによってウエハを従来通り容易にダイシングすることができる。また、前記半導体装置の実装方法においては、前記半導体チップにマークが形成されている場合に、前記バンプの直上部の樹脂を除去し、バンプの上面を露出させる工程においては、前記半導体チップのマークの直上部の樹脂も同時に除去し、前記マークを露出させるのが好ましい。半導体チップに、ダイシング用のマークやボンディング用のマークなど各種のマークが形成されている場合に、これらマークを露出させておくことで、通常の半導体チップと同様のハンドリングが可能になる。また、前記半導体装置の実装方法においては、前記樹脂膜を形成した半導体チップを前記基板にフェースダウンボンディングし、前記半導体チップのバンプと前記基板の導電部とを電気的に導通させる工程においては、ろう材を介して前記バンプと前記導電部とを電気的に導通させるようにしてもよい。このようにすれば、基板の導電部と半導体チップのバンプとが、樹脂膜の接着力、すなわち樹脂膜が溶融し硬化する際の収縮力によって互いに引き寄せられ、接続しているのに対し、ろう材を介して接合することで、より強固な接合が得られる。また、樹脂膜を溶融させる際の加熱によってろう材を溶融させ、その後樹脂膜を再度硬化させるときの冷却自然冷却によってそのままろう材を硬化させることができるので、工程上、ろう材を加えることによる処理上の負荷の増加がほとんどない。本発明の半導体装置は、バンプを有した半導体チップを備えてなる半導体装置であって、前記バンプの形成面に、前記バンプの上面を露出した状態で、接着性樹脂からなる樹脂膜が設けられていることを特徴としている。この半導体装置によれば、接着性樹脂からなる樹脂膜を接着剤として機能させ、すなわち、樹脂膜を加熱溶融した後冷却して再度硬化させることで、半導体チップを基板上にフェースダウンボンディングすることができる。また、このとき、樹脂膜を構成する樹脂が半導体チップの側方にはみ出ることがほとんどないことから、基板上にデッドスペースがほとんど生じることがなく、したがってこの半導体装置を用いることで高密度実装が可能になる。また、前記樹脂膜を形成するための樹脂層については、例えばスピンコートなどの汎用装置による方法で形成することができ、したがってこの半導体装置を用いることで実装に専用の装置が不要となり、よって実装コストの低減化が可能になる。また、半導体チップのバンプの上面が露出しているので、基板に直接フェースダウンボンディングして基板の導電部に前記バンプを導通させることで、導電部とバンプとの間に樹脂が入り込むのを抑えることができる。その結果、導電部とバンプとの間の剥離を防止することができ、実装信頼性を向上することができるとともに、導電部とバンプとの間の接続抵抗も小さくすることができる。また、前記半導体装置においては、前記接着性樹脂は熱可塑性樹脂であるのが好ましい。このようにすれば、樹脂膜が良好に接着性を発現し、接着剤として良好に機能するようになる。なお、この半導体装置においては、前記熱可塑性樹脂には、熱硬化性樹脂もしくはその一部成分が含まれているのが好ましい。このようにすれば、絶縁膜の耐熱性が高まり、信頼性が向上する。また、前記半導体装置においては、前記半導体チップがウエハに形成されていて個片化される前の状態にあり、前記樹脂膜が、前記ウエハのダイシングラインを露出させた状態で設けられていてもよい。樹脂とシリコンからなるウエハとを一緒にダイシングするのは非常に難しいものの、このようにダイシングラインを露出させておけば、既存のダイシングソーなどによってウエハを従来通り容易にダイシングすることができる。また、前記半導体装置においては、前記半導体チップにマークが形成されており、前記樹脂膜が、前記マークを露出させた状態で設けられていてもよい。半導体チップに、ダイシング用のマークやボンディング用のマークなど各種のマークが形成されている場合に、これらマークを露出させておくことで、通常の半導体チップと同様のハンドリングが可能になる。本発明の半導体装置の実装構造は、導電部を有した基板上に、バンプを有した半導体チップがフェースダウンボンディングされてなる半導体装置の実装構造において、前記基板の導電部とチップのバンプとが、樹脂を介在することなく直接あるいは導電材料を介して間接的に接続していることを特徴としている。この半導体装置の実装構造によれば、導電部とバンプとの間に樹脂が介在していないので、導電部とバンプとの間の剥離のおそれがなくなり、実装信頼性が向上するとともに、導電部とバンプとの間の接続抵抗も小さくなる。また、前記半導体装置の実装構造においては、前記基板の導電部とチップのバンプ以外の前記半導体チップと前記基板の間には、樹脂が存在するのが好ましい。このようにすれば、前記基板と半導体チップとが前記樹脂によって接着されているので、半導体チップが剥離してしまうなどのおそれのない、信頼性の高い実装構造となる。本発明の別の半導体装置の実装構造は、前記半導体装置の実装方法によって形成されたことを特徴としている。この半導体装置の実装構造によれば、前記半導体装置の実装方法によって形成されたことにより、前述したように専用の装置が不要となることで実装コストが低減化され、また、導電部とバンプとの間に樹脂が入り込むことがないことから実装信頼性が向上するとともに、導電部とバンプとの間の接続抵抗も小さくなり、さらに、樹脂膜を構成する樹脂が半導体チップの側方にはみ出ることがほとんどないことから、高密度実装が可能なものとなる。以下、本発明を詳しく説明する。図1a~fは、本発明の半導体装置の実装方法の一実施形態を説明するための工程図である。本実施形態では、まず、図1aに示すようにシリコン製のウエハ1を用意する。このウエハ1は、各種素子を形成してなる半導体チップ2を多数形成したもので、各半導体チップ2には、それぞれの能動面側にバンプ3が複数形成されている。バンプ3は、例えば電界メッキ法による金で形成され、あるいは無電界メッキ法によるニッケルと金との積層構造で形成されたもので、高さが、例えば5~30μm程度に形成された円柱状または角柱状のものである。この他に金ワイヤーをボール状に加工するワイヤーバンプや、ハンダで形成されたハンダバンプなど、公知の他のバンプを適用することができる。ここで、このウエハ1は、もちろん各半導体チップ2を個片化する前のもので、各半導体チップ2間には、各半導体チップ2を個片化するために半導体チップの機能に関係する半導体素子の形成されていない領域であるダイシングライン4が形成されている。また、このウエハ1には、各半導体チップ2やその他の領域において、図示しないものの、ダイシング用のマークやボンディング用のマークなど各種のマークが形成されている。これらのマークは、半導体チップの回路形成に用いられているアルミや銅であることが多いが、これに限らず、視認できるものであればよい。このようなウエハ1を用意したら、図1bに示すようにこのウエハ1のバンプ3を形成した側の面に、感光性でかつ熱可塑性の樹脂、あるいはその前駆体からなる樹脂材料、もしくは感光性熱硬化樹脂接着シートを設けて樹脂層5を形成する。本実施形態では、感光性でかつ熱可塑性の樹脂材料を用いて樹脂層5を形成するものとする。この感光性でかつ熱可塑性の樹脂としては、例えばポリイミド樹脂を挙げることができる。このポリイミド樹脂を用いる場合、その使用形態としては、例えばこれを適宜な溶媒に溶解した状態で用いることができる。また、その前駆体としては、ポリアミック酸やアミドイミド等を挙げることができる。これらについても、その使用形態としては、適宜な溶媒に溶解した状態で使用することができる。ただし、このような樹脂材料については、その使用形態を液状でなくフィルム状としてもよく、その場合に、必要に応じて適宜な添加材を加えて前記樹脂材料を予めフィルム状またはシート状に成形しておくことで、使用に供することができる。さらに、使用する樹脂層5の種類はフォトパターニングでき、その後接着性を有する樹脂であれば何でもよく、例えば、熱可塑性を有するエポキシ系樹脂、熱可塑性を有するBCBベンゾシクロブテン、熱可塑性を有するアクリル系樹脂など他の公知の樹脂でもよい。また、耐熱性を向上させるために熱硬化性樹脂もしくはその一部成分が含まれていても良い。また、本発明において、前記樹脂材料についての感光性とは、露光処理と現像処理とによるフォトリソグラフィー技術により、パターニングが可能であることを意味しており、ポジ型である場合とネガ型である場合との両方を含んで表現している。前記樹脂材料の使用形態を液状とした場合には、このような樹脂あるいはその前駆体からなる樹脂材料を、スピンコート法、ロールコータ法、ディスペンス法等の公知の手法によってウエハ1半導体チップのバンプ3を形成した側の面に塗布し、樹脂層5を形成する。また、フィルム状またはシート状とした場合には、単に貼着することによって樹脂層5を形成することができる。ここで、この樹脂層5の形成については、後述するように硬化後の樹脂膜の厚さが、バンプ3の厚さとほぼ同じになるようにする。したがって、このようにして樹脂層5を形成することにより、バンプ3は樹脂層5に覆われることになる。なお、この樹脂層5は、特に樹脂材料が液状の形態であった場合にはその液分が自然乾燥により一部蒸発するものの、完全に3次元架橋し硬化した状態には至っておらず、樹脂材料がフィルム状またはシート状であった場合にも、単に貼着されただけなので硬化した状態には至っていない。このような状態のもとで、マスク図示せずを用いてこの樹脂層5を適宜な光源露光源により、選択的に露光する。このとき、前述したように樹脂層5を構成する樹脂材料の樹脂分の感光性は、ポジ型であってもネガ型であってもよい。ポジ型である場合には、バンプ3の直上部のみを選択的に光照射し、露光する。また、このとき、前記ダイシングライン4の直上部、さらにはダイシング用のマークやボンディング用のマークなど各種のマークの直上部についても同時に光照射し、露光する。そして、続いて現像処理を行うことにより、露光した部分の樹脂を選択的に除去し、図1cに示すようにバンプ3の上面を露出させ、さらにはダイシングライン4および前記の各種マーク図示せずを露出させる。なお、このようにポジ型の樹脂を用いた場合、現像後除去されずに残った部分は、基本的には露光前の樹脂層5と同じ状態である。したがって、特に現像時にこの樹脂層5が液状であると支障がある場合などでは、予め乾燥等の仮硬化処理を行っておき、その後、前記の露光処理を行うようにしてもよい。また、樹脂層5を構成する樹脂材料の樹脂分の感光性が、ネガ型である場合には、バンプ3の直上部以外を選択的に光照射して露光する。また、このとき、前記ダイシングライン4の直上部、さらにはダイシング用のマークやボンディング用のマークなど各種のマークの直上部についても、光照射を行うことなく、他の部分のみを選択的に光照射して露光する。そして、ポジ型である場合と同様に現像処理を行うことにより、非露光部分の樹脂を選択的に除去し、図1cに示すようにバンプ3の上面を露出させ、さらにはダイシングライン4および前記の各種マーク図示せずを露出させる。なお、このようにネガ型の樹脂を用いた場合、この樹脂が露光によって露光部分が仮硬化するようなものであるときには、ポジ型の場合で示したような仮硬化処理を行う必要はない。ただし、露光による仮硬化が起こるか否かにかかわらず、ポジ型の場合で示したような仮硬化処理を行ってもよいのはもちろんである。次いで、現像によって所望部分を除去した樹脂層5を加熱処理し完全に3次元架橋させ、該樹脂層5を構成する樹脂を、熱可塑性樹脂からなる樹脂膜6とする。すなわち、樹脂層5が感光性でかつ熱可塑性の樹脂からなっている場合には、加熱処理を行うことで、これを溶解している溶剤を蒸発させて除去し、主成分であった熱可塑性樹脂、例えばポリイミド樹脂の硬化体からなる樹脂膜6を形成する。一方、樹脂層5が例えばポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミック酸やアミドイミド等からなっている場合には、ここでの加熱処理により、脱水縮合等の重合反応をなさせることで、例えばポリイミド樹脂の硬化体からなる樹脂膜6を形成する。したがって、この加熱処理での温度や時間等の条件については、樹脂層5の種類や形態等により、予め実験等を行うことで適宜に決定される。このようにして形成された樹脂膜6は、熱可塑性であることから室温では硬化体となっており、その組成等によって決まる溶融開始温度を越えると、軟化し、溶融するようになっている。溶融することで、後述する被着体である基板表面に濡れ広がり、接着能が発現する。溶融開始温度については、前述したように選択した熱可塑性樹脂の成分組成やその重合度、添加剤等によって変わるが、例えば50°C~400°C程度となるように材料を選択し、あるいは調整しておくのが好ましい。溶融開始温度が50°C未満であると、後述するように半導体チップ2を基板に実装した後、この実装体が使用状態において過酷な高温下に晒されると、部分的に溶融して接着力が低下してバンプ3と基板の導電部との間で導通不良を生じるおそれがあるからである。また、400°Cを越えると、後述するように半導体チップ2を基板に実装する際、樹脂膜6を溶融させる加熱処理によって半導体チップ2の素子部分にダメージを与えてしまうおそれがあるからである。このようにして、樹脂層5を熱可塑性樹脂の硬化体である樹脂膜6としたら、前記の露出させたダイシングライン4に沿ってダイシングを行い、図1dに示すように各半導体チップ2を個片化する。このとき、樹脂とシリコンウエハ1とを一緒にダイシングするのは非常に難しいものの、前述したように樹脂が除去されてダイシングライン4が露出していることにより、既存のダイシングソーなどによってウエハ1を従来通り容易にダイシングすることができる。また、ダイシングライン4が露出していて視認可能となっていることから、ダイシングに際しての位置合わせ等も従来通り容易になる。また、このとき、前述した各種マークのうちの、ダイシング用のマークを基準として用いることにより、ダイシングを容易にしかも精度良く行うことができる。前述したように、これらの認識に必要なマークは、樹脂膜を開口し除去しておくことができるため、これらは直接視認でき、それらを位置合わせの基準マークとすれば高精度な位置合わせすることができる。これらは、次の実装工程でも使用できる。次いで、個片化された半導体チップ2を、図1eに示すように予め用意しておいた基板7の上に配置し、位置あわせを行う。基板7は、ガラスやセラミックス、さらには樹脂製の硬質基板やフレキシブル基板など、種々のものが使用可能であるが、特に表面が平坦であるのが好ましく、したがってガラスやセラミックスなどが好適とされる。このような基板7には、予め実装する半導体チップ2のバンプ3の位置に対応してランド導電部8が形成されており、ランド8は配線8aに接続した状態で形成されている。したがって、半導体チップ2を基板7上に位置合わせする際には、半導体チップ2のバンプ3を、前記ランド8に当接するようにして行う。その際、前述したように露出させた各種マークのうちのボンディング用のマークを用いることにより、位置合わせを容易にかつ精度よく行うことができる。このようにして位置合わせを行い、基板7上に半導体チップ2を載置したら、これら基板7と半導体チップ2とをボンディングツールによって加熱加圧する。なお、ボンディングツールは、基板7等を載置するステージ図示せずと、図1fに示す加圧加熱体9とからなっている。このようなボンディングツールを用いてフェースダウンボンディングを行うには、位置合わせした基板7と半導体チップ2とをステージ上に載置し、その状態で半導体チップ2側を加圧加熱体9で押圧することで行う。なお、基板7に対する半導体チップ2の位置合わせを、前記ステージ上で行うようにしてもよい。ここで、前記ステージにヒータ等の加熱手段を設けておき、基板7側からも熱伝導により前記の樹脂膜6を加熱するようにしてもよい。また、加圧加熱体9は、その内部、または表面部にヒータ等の加熱手段を備えたもので、エアーシリンダや油圧シリンダ等に接続されて昇降可能とされ、これにより下降することで加圧力を発揮するようになっている。このような構成のもとに加圧加熱体9は、ステージ図示せず上に載置された基板7および半導体チップ2をステージとともに挟持し、その状態で半導体チップ2側を予め設定された適宜な圧力で加圧する。また、このとき、ステージおよび加圧加熱体9の加熱手段については、樹脂膜6が溶融し軟化する温度に加熱できる状態としておく。すなわち、前述したように樹脂膜6は予め溶融開始温度が決まっていることから、この溶融開始温度より高い温度となるように加熱手段を設定しておく。ただし、加圧加熱体9による加圧を開始した後、前記加熱手段による加熱を開始するようにしてもよいのはもちろんである。この時、ステージ表面、加圧加熱体の平行度、及び平坦度を厳密に管理することが重要である。このようにして加熱加圧を行うと、半導体チップ2のバンプ3形成面に形成された樹脂膜6は、前記の各加熱手段からの熱伝導によって加熱され、溶融軟化する。その間、半導体チップ2は加圧加熱体9によって加圧されていることから、バンプ3は基板7のランド8に当接してこれを押圧する状態に保持されている。そして、予め設定した時間加熱加圧処理を行ったら、加圧加熱体9による加圧はそのままに保持した状態で、この加圧加熱体9による加熱、さらにステージからの加熱を停止し、半導体チップ2を自然冷却させる。なお、加圧加熱体9やステージに冷却手段を設けておき、加熱停止後、この冷却手段による冷却を行うことで、半導体チップ2に対する冷却を速めるようにしてもよい。このようにして半導体チップ2への加熱を停止し、冷却を行うと、前記樹脂膜6は溶融した状態から再度固化する。このとき、樹脂膜6は溶融した状態から固化する際に基板表面に濡れ広がり接着力を発現し、半導体チップ2に対しての接着はもちろん、基板7に対して接着し、結果として基板7に対して半導体チップ2を接着させる、すなわち固着するようになる。すると、樹脂膜6は溶融した後、再度固化した際に収縮することから、この収縮力によって基板7と半導体チップ2とを互いに引き寄せるように作用する。したがって、基板7のランド8と半導体チップ2のバンプ3とは、前記の収縮力によって密着した状態に接合し、電気的導通が良好に確保されたものとなる。この際、バンプ3とランド8の間には、絶縁膜である樹脂膜6が存在しないので、バンプ3とランド8は弱く押し付けられるだけで容易に電気的な接続が得られ、かつ実装後においても良好な電気的接続が維持されつづける。この点が従来の樹脂を用いた接合と大きく異なる本発明の特徴となっている。その後、加圧加熱体9を上昇させ、ステージ上から基板7を移動させ、図2に示すように基板7上に半導体チップ2を実装してなる半導体装置の実装体実装構造10を得る。このような基板7への半導体チップ2の実装方法、すなわち半導体装置の実装方法にあっては、半導体チップ2側に、接着剤として機能する樹脂膜6を形成しておくので、この樹脂膜6を形成するための樹脂層5については、例えばスピンコートなどの汎用装置による方法で形成することができ、したがって専用の装置が不要となることにより、実装コストの低減化を図ることができる。また、半導体チップ2のバンプ3の上面を露出させた状態で、基板7に直接フェースダウンボンディングして基板7のランド8に前記バンプ3を導通させるので、ランド8とバンプ3との間に樹脂が入り込むことがなく、したがってランド8とバンプ3との間の剥離のおそれがなくなり、実装信頼性が向上するとともに、ランド8とバンプ3との間の接続抵抗も小さくなる。半導体チップと基板間で接着に寄与している樹脂は、いわゆるアンダーフィルとして機能しつづけ、半導体チップと基板の熱膨張差を吸収し、装置全体の信頼性向上に寄与する。このように、電気的な接続と同時にアンダーフィル工程も同時に達成することができる。この点も従来のハンダ接続工法によるフリップ実装に比較すると、工程の簡略化が達成された本発明の特徴のある工程になる。さらに、熱可塑性樹脂からなる樹脂膜6を接着剤として機能させることにより、半導体チップ2をフェースダウンボンディングするので、フェースダウンボンディング時に、樹脂膜6を構成する樹脂が半導体チップ2の側方にはみ出ることがほとんどなくもともと、樹脂膜6は半導体チップサイズ以下であるし、熱可塑性膜のためにTg点以上でも軟化流動量が少なく、側方にはみ出る接着剤体積も接着剤の厚さと面積をフォトリソプロセスで十分にコントロールできるので、したがって基板7上にデッドスペースがほとんど生じないことから、隣接する部品との距離を縮めることができるので、高密度実装を可能にすることができる。また、実装工程中、従来のように異方性導電ペーストACPや異方性導電フィルムACF、または非導電性ペーストNCPや非導電性フィルムNCFを用いないので、これら接着剤が不要になるとともに、これら接着剤の配置工程も不要になり、したがって実装工程についてのコストダウンを可能にすることができる。また、ACF等の接着剤に起因する不良をなくすことができるとともに、ACF等を用いた場合に比べ、ランド8とバンプ3との間の接続抵抗を低く抑えることができる。すなわち、ACF等を用いた場合、ランド8とバンプ3とが導電性微粒子を介して接続することにより、導電性微粒子の抵抗分、接続抵抗が大きくなってしまうものの、このような導電性微粒子が介在しないことにより、抵抗上昇を抑えることができる。また、このようにして形成された樹脂膜6が付いた半導体チップ2を基板7にフェースダウンボンディングする工程では、特に新規な実装装置や実装プロセスを必要とせず、従来の実装装置や実装プロセスをそのまま用いることができることから、新規投資が不要となり、したがってコストアップを回避することができる。また、バンプ3を形成するプロセスを従来通りそのまま採用することができ、さらに、ウエハ1のダイシングや半導体チップ2の検査も従来通りに行うことができる。また、このようにして得られた実装体実装構造10にあっては、前述したように専用の装置が不要となることで実装コストが低減化され、また、樹脂膜6を構成する樹脂が半導体チップ2の側方にはみ出ることがほとんどないことから、高密度実装が可能なものとなる。さらに、ランド8とバンプ3との間に樹脂が介在していないので、ランド8とバンプ3との間の剥離のおそれがなくなり、実装信頼性が向上するとともに、ランド8とバンプとの間の接続抵抗、例えば初期的抵抗値なども小さくなる。なお、前記の樹脂膜6については、基板7の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有しているのが好ましく、このような熱膨張係数であることにより、熱膨張係数の差に起因する基板7からの半導体チップ2の剥離を防止し、実装信頼性を高めることができる。また、前記実施形態では、基板7への半導体チップ2の実装、およびランド8とバンプ3との接続電気的導通を樹脂膜6によって行ったが、本発明はこれに限定されることなく、例えば鉛フリーハンダなどのろう材軟ろう材を用い、これをランド8とバンプ3との介在させるようにしてもよい。すなわち、前記樹脂膜6を形成した半導体チップ2を前記基板7にフェースダウンボンディングし、半導体チップ2のバンプ3と基板7のランド8とを電気的に導通させる際、鉛フリーハンダなどのろう材を予めランド8およびバンプ3の少なくとも一方に設けておくことにより、ろう材を介してバンプ3とランド8とを電気的に導通させるようにしてもよい。図1a~fに示した実施形態では、基板7のランド8と半導体チップ2のバンプ3とが、樹脂膜6の接着力、すなわち樹脂膜6が溶融し硬化する際の収縮力によって互いに引き寄せられ、圧接状態で接続しているのに対し、ろう材を介して接合する本例では、より強固な接合金属接合が得られる。また、樹脂膜6を溶融させる際の加熱によってろう材を溶融させ、その後樹脂膜6を再度硬化させるときの冷却自然冷却によってそのままろう材を硬化させることができるので、工程上、ろう材を加えることによる処理上の負荷がほとんど増加せず、したがって生産性の低下やコストアップを回避して前記効果を得ることができる。なお、前記ろう材としては、樹脂膜6の溶融温度以下で溶融するような金属、例えばビスマス系のものやインジウム系のものなど、比較的その融点が低いものを用いるのが好ましく、特に融点が樹脂膜6の溶融開始温度に近いものを用いるのが、前記の加熱による溶融、および再硬化処理をより簡略化させることができ、好ましい。また、前記ろう材としては、バンプに金、基板のランドに錫メッキしたものを用いたり、バンプに金、基板のランドにも金メッキしたもの金-金接合を用いたり、金-ITOインジウムスズ酸化物接合を使用する形態のものであってもよい。樹脂膜6の溶融温度以下で溶融するような金属が用いられない上述のような場合は、プラズマによる表面活性化接合技術や、超音波接合技術を併用しても良い。これは、バンプと基板のランドの接合に留まらず、樹脂膜と基板表面の接着性を向上させる手段としても有効である。また、特に図1cに示したウエハ1、すなわち図3に示すように本発明における半導体装置11にあっては、前述したように樹脂膜6が、前記ウエハ1のダイシングラインを露出させた状態で設けられているので、既存のダイシングソーなどによってウエハ1を従来通り容易にダイシングすることができる。前述したように、これらの認識に必要なマークは、樹脂膜を開口し除去しておくことができるため、これらは直接視認でき、それらを位置合わせの基準マークとすれば高精度な位置合わせすることができる。これらは、次の実装工程でも使用できる。また、図1dに示した個片化後の半導体チップ2、すなわち図4に示すように本発明における半導体装置12にあっては、前述したように熱可塑性樹脂からなる樹脂膜6を接着剤として機能させ、すなわち、樹脂膜6を加熱溶融した後冷却して再度硬化させることで、半導体チップ2を基板7上にフェースダウンボンディングすることができる。また、このとき、樹脂膜6を構成する樹脂が半導体チップ2の側方にはみ出ることがほとんどないことから、基板7上にデッドスペースがほとんど生じることがなく、したがってこの半導体装置12を用いることで高密度実装を可能にすることができる。また、前記樹脂膜6を形成するための樹脂層5については、例えばスピンコートなどの汎用装置による方法で形成することができ、したがってこの半導体装置12を用いることで実装に専用の装置が不要となり、よって実装コストの低減化を図ることができる。また、半導体チップ2のバンプ3の上面が露出しているので、基板7に直接フェースダウンボンディングして基板7のランド8に前記バンプ3を導通させることで、ランド8とバンプ3との間に樹脂が入り込むのを抑えることができる。その結果、ランド8とバンプ3との間の剥離を防止することができ、実装信頼性を向上することができるとともに、ランド8とバンプ3との間の接続抵抗も小さくすることができる。なお、この半導体装置12においては、特に半導体チップ2にマークが形成されている場合に、前記樹脂膜6が、前記マークを露出させた状態で設けられているのが好ましい。半導体チップ2に、ダイシング用のマークやボンディング用のマークなど各種のマークが形成されている場合に、これらマークを露出させておくことで、通常の半導体チップ2と同様にハンドリングを行うことができ、したがってその取り扱いを容易にすることができる。また、この半導体装置12において、前記樹脂膜6の厚さ高さについては、前述したようにバンプ3の高さとほぼ同じとされる。バンプ3より僅かに厚い高い場合には、この半導体装置12半導体チップ2を基板7上に実装した際、樹脂膜6の接着面に存在していた気泡が確実に排出されるようになり、したがって基板7と樹脂膜6との間がより良好に接着し、実装の信頼性が向上する。また、バンプ3より僅かに薄い低い場合には、バンプ3が樹脂膜6から十分に露出するようになり、したがって実装時に、バンプ3の周囲の樹脂膜6がバンプ3とランド8との間に入り込んでしまうといった不都合が確実に防止され、これによりバンプ3とランド8との間の電気的導通がより確かになるとともに、これらの間の電気抵抗の上昇も確実に抑えられる。なお、特に基板7として樹脂等によるフレキシブル基板を採用した場合には、加圧加熱時に基板7がある程度撓んでしまうことから、このようにバンプ3を十分に露出させておくことで、バンプ3とランド8との間の電気的導通をより確かにしておくのが好ましい。また、前記樹脂膜6の厚さ高さを、バンプ3の高さに一致させた場合には、前記の僅かに高くした場合の効果と、僅かに低くした場合の効果とを、共に期待することができる。どちらを選択するかは、どの特性を重視するかで決定すればよい。なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない限り種々の変更が可能である。例えば、前記実施形態では感光性でかつ熱可塑性の樹脂材料を用いて樹脂層5を形成したが、これに代えて、感光性熱硬化樹脂接着シートを用いて樹脂層5を形成するようにしてもよい。この感光性熱硬化樹脂接着シートは、チップに対し低温例えば50~100°Cの範囲内で貼着が可能であり、また感光性であることからフォトリソグラフィー技術によってパターニングが可能であり、さらにパターニング後、接着性を有するとともに熱硬化性も有するものである。このような感光性熱硬化樹脂接着シートを用いて樹脂層5を形成するには、図5aに示すようにシリコン製のウエハ1を用意し、続いてこのウエハ1のバンプ3を形成した側の面に、図5bに示すように感光性熱硬化樹脂接着シート20を、熱ロールラミネータ等を用いて貼着する。ここで、この感光性熱硬化樹脂接着シート20は、一方の面が剥離シート図示せずによって覆われたもので、他方の面がウエハ1に貼着された後、剥離シートが除去されることで樹脂層5とされる。ここで、この樹脂層5は、単に貼着されただけであるので硬化した状態には至っていない。このようにして感光性熱硬化樹脂接着シート20によって樹脂層5を形成したら、図1に示した場合と同様して、マスク図示せずを用いて適宜な光源露光源により選択的に露光する。このようにして露光を行ったら、必要に応じて予備加熱を行い、仮硬化させた後、メチルエチルケトンMEKなどによって現像を行い、図5cに示すようにバンプ3の上面を露出させ、さらにはダイシングライン4および各種マーク図示せずを露出させる。なお、この感光性熱硬化樹脂接着シート20を用いた例では、現像後に得られたパターニング後の樹脂層5が、本発明における接着性を有する樹脂膜6となる。以下、図1に示した場合と同様にして、前記樹脂膜6を用い、これを接着剤として機能させることにより、個片化後の半導体チップ2を基板7上にフェースダウンボンディングする。具体的には、前述したボンディングツールによって例えば150°Cで1時間程度加熱加圧することにより、前記樹脂膜感光性熱硬化樹脂接着シート206を熱硬化させる。このように、感光性熱硬化樹脂接着シート20を用いて樹脂層5を形成すれば、これがそのまま接着性を有する樹脂膜6となることなどにより、図1に示した例に比べ工程を簡略化することができる。