カレントミラー回路と定電流生成ブロック回路を備えた定電流回路において、ゲートとソースが接地端子に接続され、ドレインが前記定電流回路の出力に接続される第一のエンハンスメント型Nチャネルトランジスタで構成され、高温時に前記定電流生成ブロック回路に流れる余剰電流をシンクするオフリーク回路、を備えたことを特徴とする定電流回路。前記定電流生成ブロック回路は、ゲートとドレインが接続され、ソースが前記接地端子に接続された第二のエンハンスメント型Nチャネルトランジスタと、ゲートが前記第二のエンハンスメント型Nチャネルトランジスタのゲートに接続され、ソースと前記接地端子の間に第一の抵抗を接続された第三のエンハンスメント型Nチャネルトランジスタと、を備えたことを特徴とする請求項1に記載の定電流回路。前記定電流生成ブロック回路は、ゲートとドレインの間に第二の抵抗が接続され、ソースが前記接地端子に接続された第四のエンハンスメント型Nチャネルトランジスタと、ゲートが前記第四のエンハンスメント型Nチャネルトランジスタのドレインに接続され、ソースが前記接地端子に接続された第五のエンハンスメント型Nチャネルトランジスタと、を備えたことを特徴とする請求項1に記載の定電流回路。前記定電流生成ブロック回路と前記カレントミラー回路の間にカスコードトランジスタを接続したことを特徴とする請求項1に記載の定電流回路。前記オフリーク回路は、ドレインが前記カレントミラー回路と前記カスコードトランジスタの間に接続されたことを特徴とする請求項4に記載の定電流回路。請求項1から5のいずれかに記載の定電流回路と、前記定電流回路の出力端子にゲートが接続された第六のエンハンスメント型Nチャネルトランジスタと、前記第六のエンハンスメント型Nチャネルトランジスタに入力端子が接続された第二のカレントミラー回路と、前記第二のカレントミラー回路の出力端子に接続された第三の抵抗及びダイオードと、を備えたことを特徴とする基準電圧回路。しかしながら、従来の定電流回路では、高温時にドレイン-基板間またはソース-基板間に発生するジャンクション電流により、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ61、62のゲート-ソース間電圧差が増加して、弱反転状態で動作できないという課題があった。本発明は、上記の課題に鑑みてなされ、高温時でもエンハンスメント型Nチャネルトランジスタが弱反転状態で動作できる定電流回路を実現するものである。従来の課題を解決するために、本発明の定電流回路は以下のような構成とした。カレントミラー回路と定電流生成ブロック回路とオフリーク回路を備えた定電流回路において、オフリーク回路は、ゲートとソースが接地端子に接続され、ドレインが定電流回路の出力に接続される第一のエンハンスメント型Nチャネルトランジスタで構成される。本発明の定電流回路によれば、オフリーク回路を用いることで高温時に出力電圧の電位が上昇を抑えることができ、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタを弱反転状態で動作させることできる。以下、本発明について図面を参照して説明する。第一の実施形態図1に第一の実施形態の定電流回路の回路図を示す。第一の実施形態の定電流回路は、定電流生成ブロック回路111と、カレントミラー回路112と、オフリーク回路113と、接地端子100と、電源端子101、出力端子102で構成される。定電流生成ブロック回路111は、ゲート同士を接続したエンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11及び12と、抵抗16を備えている。カレントミラー回路112はゲート同士が接続されたエンハンスメント型Pチャネルトランジスタ13及び14を備えている。オフリーク回路113はエンハンスメント型Nチャネルトランジスタ15で構成される。接続について説明する。エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11は、ドレインがカレントミラー回路112のエンハンスメント型Pチャネルトランジスタ13のドレインとゲートに接続され、ソースが抵抗16を介して接地端子100に接続される。エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ12は、ゲートとドレインがカレントミラー回路112のエンハンスメント型Pチャネルトランジスタ13のドレイン及び出力端子102に接続され、ソースが接地端子100に接続される。エンハンスメント型Pチャネルトランジスタ13及び14のソースは電源端子101に接続される。オフリーク回路113のエンハンスメント型Nチャネルトランジスタ15は、ドレインが出力端子102に接続され、ソースとゲートが接地端子100に接続される。次に動作について説明する。一般に、ジャンクション電流が無視できるほど小さい温度範囲での動作では、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11に流れる電流は、エンハンスメント型Pチャネルトランジスタ13に流れる電流と等しい。エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ12に流れる電流は、エンハンスメント型Pチャネルトランジスタ14に流れる電流と等しい。また、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11のK値とエンハンスメント型Nチャネルトランジスタ12のK値は異なる。従って、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11のゲート-ソース間電圧とエンハンスメント型Nチャネルトランジスタ12のゲート-ソース間電圧の差電圧を抵抗に印加することでバイアス電流を生成し、下記の1式で表せる。Vgs11及びVgs12はトランジスタ11及び12のゲート-ソース間電圧、R15は抵抗、Ibiasはバイアス電流である。さらに、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11及び12が、閾値よりもゲート-ソース間電圧が低い場合、トランジスタは弱反転状態で動作し、ゲート-ソース間電圧Vgsとドレイン電流Idの関係は、下記の2式で表せる。Id0はプロセスによって定まる定数、Wはゲート幅、Lはゲート長、Vthは閾値である。従って、1、2の2式から、弱反転状態で動作した定電流回路のバイアス電流は、nkT/qに比例した電流が流れる。なお、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ15のK値は、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11のK値から、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ12のK値を引いた値以上が望ましい。エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ15は、オフリーク回路を構成する。エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ15は、ソース-ゲート間電圧が常に0であり、ドレインに流れる電流はドレイン-基板間の寄生ダイオードによる逆方向ダイオード電流である。高温になると、基板間に流れるジャンクション電流により、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11のドレイン電流が増加する。カレントミラー回路により、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11のドレイン電流と同量の電流が、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ12及び15に流れる。エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11のK値は、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ12のK値より大きいため、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11のジャンクション電流の増加量は、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ12のジャンクション電流の増加量より多い。エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ15のドレイン電流は、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11のジャンクション電流とエンハンスメント型Nチャネルトランジスタ12のジャンクション電流の差分を流す。これにより、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11のドレイン電流は、自身のジャンクション電流分以外は増加することがない。従って、出力端子102の電位の増加、つまり、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11及び12のゲート-ソース間電圧が増加を抑えることができる。また、定電流源を決定するエンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11及び12とオフリーク回路のエンハンスメント型Nチャネルトランジスタを同一のWell上に置くことで素子バラつきや温度変化による影響されることがなく、同一のジャンクション電流が流れる。これにより、プロセス依存による特性ばらつきにも、安定した特性を得られる。以上により、図1に示したオフリーク回路を備えたことにより、高温時においても、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11のジャンクション電流の余剰分の電流をシンクし、ジャンクション電流に伴う出力端子102の電位上昇を抑えることができ、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11及び12は、弱反転状態の動作を保つことが可能となる。第二の実施形態図2は、定電流生成ブロック回路111の第二の実施形態を示した定電流回路の回路図である。図1の定電流生成ブロック回路111との違いは、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ12のゲートがエンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11のドレインに接続され、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11のゲートとドレインの間に抵抗17を接続された点である。エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ12のK値はエンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11のK値よりも小さく、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ12とエンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11のゲート-ドレイン間電圧差が抵抗17に発生し、バイアス電流を生成する回路構成となる。このような定電流生成ブロック回路で在っても、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11のジャンクション電流とエンハンスメント型Nチャネルトランジスタ12のジャンクション電流の差分を流すオフリーク回路113を用いることで、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11及び12は、弱反転状態の動作を保つことが可能となる。従って、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタを弱反転状態で動作させ、nkT/qに比例した電流を流す定電流回路であれば、オフリーク回路を備えることにより、本発明の効果が得られる。なお、定電流生成ブロック回路を構成しているエンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11及び12は、複数のトランジスタを並列に接続して構成されてもよい。また、カレントミラー回路112は、Kの等しい2つ以上のゲート同士を接続されたトランジスタであれば、エンハンスメント型Pチャネルトランジスタでなくてもよい。第三の実施形態図3は、第三の実施形態を示した定電流回路の回路図である。図1との違いは、エンハンスメント型Pチャネルトランジスタ13のドレインとエンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11の間にエンハンスメント型Nチャネルトランジスタ38が接続され、エンハンスメント型Pチャネルトランジスタ14のドレインと出力端子37の間にエンハンスメント型Nチャネルトランジスタ38が接続された点である。エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ38のゲートはNチャネルカスコード端子104に接続され、エンハンスメント型Pチャネルトランジスタ37のゲートはPチャネルカスコード端子103に接続される。動作について説明する。高温時にジャンクション電流が流れはじめると、図1の動作と同様にオフリーク回路113が、余剰のジャンクション電流をシンクするため、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11及び12を弱反転状態の動作を保とうとする。また、エンハンスメント型Pチャネルトランジスタ37のカスコード回路により、エンハンスメント型Pチャネルトランジスタ14のチャネル変調効果が抑えられ、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ38のカスコード回路によりエンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11のチャネル変調効果が抑えられる。従って、図1の定電流回路よりも、電源電位依存性が改善される。以上により、オフリーク回路113を用いることで、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11及び12は、弱反転状態の動作を保つことが可能となる。また、電源電位依存性を改善することができる。第四の実施形態図4は、第四の実施形態を示した定電流回路の回路図である。図3との違いは、オフリーク回路113を構成するエンハンスメント型Nチャネルトランジスタ15のドレインが、エンハンスメント型Pチャネルトランジスタ14のドレインとエンハンスメント型Pチャネルトランジスタ37のソースの間に接続されている点である。接続点を変更することで、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ15のドレインに掛かる電圧が、電源電位基準の電圧となり、ジャンクション電流をシンクできる電流が僅かに増加させることが可能である。このような定電流生成ブロック回路であっても、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11のジャンクション電流とエンハンスメント型Nチャネルトランジスタ12のジャンクション電流の差分を流すオフリーク回路113を用いることで、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11及び12は、弱反転状態の動作を保つことが可能となる。なお、定電流生成ブロック回路111のK値の低いエンハンスメント型Nチャネルトランジスタのドレインとカレントミラー回路112の間であれば、オフリーク回路のエンハンスメント型Nチャネルトランジスタのドレインをどこに接続してもよい。第五の実施形態図5は、本発明の定電流回路を用いた基準電圧回路を示す回路図である。図5の基準電圧回路は、定電流生成ブロック回路111を構成するエンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11、12及び抵抗16と、カレントミラー回路112を構成するエンハンスメント型Pチャネルトランジスタ13及び14と、オフリーク回路113を構成するエンハンスメント型Nチャネルトランジスタ15と、エンハンスメント型Pチャネルトランジスタ52及び53と、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ51と、抵抗54とダイオード55を備えている。定電流生成ブロック回路111、カレントミラー回路112及びオフリーク回路113は定電流回路501を構成し、図1と同じ構成である。エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ51は、ゲートを接続点210に接続され、ドレインはエンハンスメント型Pチャネルトランジスタ52のドレイン及びゲートに接続され、ソースと基板は接地端子100に接続される。エンハンスメント型Pチャネルトランジスタ52は、ゲートはエンハンスメント型Pチャネルトランジスタ53のゲート同士で接続され、ソースと基板は電源端子101に接続される。エンハンスメント型Pチャネルトランジスタ53は、ゲートを接続点253に接続され、ドレインは基準電圧出力端子105に接続され、ソースと基板は電源端子101に接続される。抵抗54は、一方の端子を基準電圧出力端子105に接続され、他方の端子をダイオード55のアノードに接続される。ダイオード55は、カソードは接地端子100に接続される。動作について説明する。定電流回路501の動作は、図1の説明と同様である。従って、オフリーク回路113を備えたことにより、高温時にエンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11のジャンクション電流の余剰分の電流をシンクし、ジャンクション電流に伴う接続点210の電位上昇を抑えることができる。そして、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ11及び12は、弱反転状態の動作を保つことが可能となる。定電流回路501のバイアス電流は、エンハンスメント型Nチャネルトランジスタ51で受け、エンハンスメント型Pチャネルトランジスタ52及び53で構成されたカレントミラー回路を介して、抵抗54とダイオード55に流れる。ここで、抵抗16を抵抗54と同種の抵抗で構成すると、抵抗の温度係数はキャンセルされる。従って、抵抗54の両端には、nkT/qに比例した正の温度係数を有する電圧が発生する。一方で、ダイオード40の両端の電圧は概ね-2mV程度の負の温度係数を有する。抵抗54の両端の電圧の温度係数とダイオード55の両端の電圧の温度係数が相殺されるように、抵抗16及び抵抗54の温度係数を設定することで、基準電圧出力端子105と接地端子100の両端からは、温度に依存しない基準電圧を得ることが可能となる。なお、定電流回路は他の例に示した回路であってもよい。以上により、定電流回路501を用いて基準電圧回路を構成することで温度に依存しない基準電圧を得ることが可能となる。