"基材の上に、結晶シリコンを有する少なくとも1層の光活性層を含む光電変換層を備えた薄膜太陽電池を製造する薄膜太陽電池の製造方法であって、アノード用の第1電極と、該第1電極に対向して配置されて高周波電力が印加されるカソード用の第2電極とを備えているチャンバー内に、前記第1電極と前記第2電極との間に前記基材を配置する基材準備工程と、前記チャンバー内のガス圧が1000Pa以上になるように、シリコンを含むシリコン系ガスと該シリコン系ガスの25倍以上58倍以下の流量比の加熱した水素ガスとを前記第1電極と前記第2電極との間に供給して、前記第2電極への前記高周波電力の印加によって前記第1電極と前記第2電極との間に発生させたプラズマでもって、前記光活性層を前記基材の上に形成する光活性層形成工程とを含むことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。前記シリコン系ガスとして、シラン、ジシラン、四フッ化珪素、六フッ化二珪素およびジクロロシランから選択される1種以上のガスを用いることを特徴とする請求項1に記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記基材準備工程において、前記基材の表面と該表面に対向させる前記第2電極の表面との距離が5mm以上15mm以下となるように前記基材を配置することを特徴とする請求項1または2に記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記光活性層形成工程において、前記水素ガスの流路に加熱体を配置して、該加熱体によって前記水素ガスを加熱することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記加熱体として、加熱触媒体または抵抗加熱ヒーターを用いることを特徴とする請求項4に記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記加熱体を800°C以上に加熱することを特徴とする請求項4または5に記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記光活性層形成工程において、前記高周波電力のパワー密度を0.5W/cm2以上1.7W/cm2以下に設定することを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記光活性層形成工程において、前記高周波電力の周波数を13.56MHz以上40.68MHz以下に設定することを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記光活性層形成工程において、前記シリコン系ガスに対する前記水素ガスの流量比が工程開始時よりも工程途中で小さくなるように、工程途中で前記流量比を調整することを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記水素ガスを前記シリコン系ガスよりも先に前記第1電極と前記第2電極との間に供給することを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記光活性層形成工程の後に、前記基材を180°C以上220°C以下の温度で加熱することを特徴とする請求項1乃至10のいずれかに記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記光活性層形成工程の後に、前記水素ガスおよび前記シリコン系ガスの供給を停止して、前記チャンバー内を排気する排気工程と、前記加熱体を冷却する冷却工程とをさらに有することを特徴とする請求項4乃至11のいずれかに記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記排気工程において、前記シリコン系ガスの供給の停止を前記水素ガスの供給の停止よりも先に行なうことを特徴とする請求項12に記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記冷却工程において、前記基材を前記チャンバーの外に出すことを特徴とする請求項12または13に記載の薄膜太陽電池の製造方法。しかしながら、通常、製膜速度の上限は1.1nm/秒未満であり、生産性を高めるためには高品質な膜を維持しつつ高速に製膜する必要がある。また、チャンバー内のガス圧力を高くすれば製膜速度が向上するものの、圧力を高くしすぎると、製膜の主成分となるSiH3よりも高次シランが多く生成するようになり、膜の品質が低下するおそれがある。また、高次シランの生成を低減するために水素の流量を大きくしても、シラン系ガスの絶対量が少なくなることから製膜速度が低下する。また、製膜速度を上げるために高い高周波電力を印加すれば、膜へのダメージが増加して膜の品質を低下させる。そこで本発明では、高速に製膜する場合であっても高品質な製膜が可能な薄膜太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。本発明に係る薄膜太陽電池の製造方法は、基材の上に、結晶シリコンを有する少なくとも1層の光活性層を含む光電変換層を備えた薄膜太陽電池を製造する薄膜太陽電池の製造方法であって、アノード用の第1電極と、該第1電極に対向して配置されて高周波電力が印加されるカソード用の第2電極とを備えているチャンバー内に、前記第1電極と前記第2電極との間に前記基材を配置する基材準備工程と、前記チャンバー内のガス圧が1000Pa以上になるように、シリコンを含むシリコン系ガスと該シリコン系ガスの25倍以上58倍以下の流量比の加熱した水素ガスとを前記第1電極と前記第2電極との間に供給して、前記第2電極への前記高周波電力の印加によって前記第1電極と前記第2電極との間に発生させたプラズマでもって、前記光活性層を前記基材の上に形成する光活性層形成工程とを含むことを特徴とする。上記の薄膜太陽電池の製造方法によれば、高速に製膜する場合であっても高品質な薄膜太陽電池を形成することができることによって、光電変換効率の高い薄膜太陽電池を提供することができる。以下、本発明に係る薄膜太陽電池の製造方法の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。<薄膜形成装置の基本構造>まず、本実施形態で使用する薄膜形成装置の基本構造について説明する。図1に示すように、薄膜形成装置Sは、チャンバー1と、チャンバー1内に位置している第1電極6と、チャンバー1内に第1電極6と離間して位置して、第1原料ガスを供給できる第1供給部4aおよび第2原料ガスを供給できる第2供給部4bを備えた第2電極2と、第1供給部4aに接続されて第1原料ガスが導入される導入経路と、この導入経路内に配置されている加熱体11と、第1供給部4aからのガス供給、第2供給部4bからのガス供給および加熱体11の加熱を制御する制御手段不図示とを備えている。ここで、第2電極2はシャワー電極として機能する。また、薄膜が形成される基材10がチャンバー1内の第1電極6と第2電極2との間に配置されている。なお、基材10は第1電極6と第2電極2との間に位置させるようにすればよく、必ずしも第1電極6の上に直接支持されていなくてもよい。チャンバー1は、少なくとも上壁、側壁および底壁によって構成される真空排気可能な反応空間を有する真空容器である。このようなチャンバー1の内部は、真空ポンプ7によって真空排気されて、圧力調整器不図示により内部の圧力が調整される。チャンバー1はステンレスまたはアルミニウム等の金属部材から構成される。第1電極6は、アノード電極の機能を有しており、基材10の温度を調整するヒーターを内蔵する。このように、第1電極6は基材10の温度調整機構としても機能し、これにより、基材10は例えば100~400°Cに、より好ましくは150~350°Cに調整される。第1電極6はステンレスまたはアルミニウム等の金属材料から構成される。基材10はガラス基板等からなる平板状のもの、または、金属材料もしくは樹脂等からなるフィルム状のもの等、上記温度に耐える各種材料を用いることができる。高周波電源5は第2電極2に接続されて、この第2電極2に高周波電力が印加される。高周波電源5から第2電極2に高周波電力を印加することにより、第2電極2と基材10の間に位置する空間8においてプラズマが形成される。第2電極2は第1電極6と対向して配置されており、カソード電極として機能する。この第2電極2には、導入経路3を通して導入されたガスをチャンバー1内に供給する複数の供給部4を有する。これら供給部4は基材10に向かって開口している。第1導入経路3aおよび第2導入経路3bは、それぞれ異なるガスを貯留する複数のガスボンベ不図示が連結されている。第1導入経路3aおよび第2導入経路3bから導入されたガスは、それぞれ第1供給部4aおよび第2供給部4bを通して空間8に達するまで基本的に混合しない。複数の供給部4に供給されるガスは、第1供給部4aに供給される第1原料ガスと、第2供給部4bに供給されるこの第1原料ガスよりも分解確率の高い第2原料ガスとを含む。ガスの総分解速度はexp-ΔEa/kTe×Ng×Ne×ve×σgの関係式で定義される。なお、この関係式中のΔEaは原料ガスの励起活性化エネルギー解離エネルギー、kはボルツマン定数、Teは電子温度、Ngは原料ガス濃度、Neは電子濃度、veは電子速度、σgは原料ガスの衝突断面積をそれぞれ示す。また、exp-ΔEa/kTeは分解確率を意味する。なお、exp-ΔEa/kTe×σgを衝突断面積とする場合もある。また、後述するように、第1導入経路3aを流れる第1原料ガスの流れを分けて、一部を第2導入経路3bに流す第2原料ガスと混合させる場合もある。第1原料ガスおよび第2原料ガスは薄膜の材質によって適宜選択される。例えば、a-Si:H水素化アモルファスシリコンまたはμc-Si:H水素化微結晶シリコン等のSi系薄膜を形成する場合は、第1原料ガスとしては非Si系ガスを用い、第2原料ガスとしてはSi系ガスをそれぞれ用いることができる。非Si系ガスとしてはH2水素ガス等が用いられる。シリコン系ガスとしてはSiH4シラン、Si2H6ジシラン、SiF4四フッ化珪素、Si2F6六フッ化二珪素およびSiH2Cl2ジクロロシランガス等から選択される1種以上のガスが用いられる。なお、ドーピングガスを導入する場合、p型Si系薄膜形成時はB2H6ジボランガス等を用い、n型Si系薄膜形成時はPH3ホスフィンガス等を用いる。ドーピングガスの導入経路としては、第1導入経路3aまたは第2導入経路3bのいずれかを必要に応じて選択することができる。ただし、後述するように、第1導入経路3a内に加熱用電源12に接続された加熱体11を設ける場合、ドーピングガスは第2導入経路3bを通して導入することが望ましい。第1導入経路3a内に設けられた、加熱体11は加熱触媒体heatedcatalyzerまたは抵抗加熱ヒーター等が用いられる。例えば、加熱触媒体は、媒体に電流を流して加熱高温化することで接触するガスを励起活性化分解させるものとして機能する。加熱触媒体は、少なくともその表面が金属材料からなる。この金属材料は好ましくは高融点金属材料であるTa、W、Re、Os、Ir、Nb、Mo、RuおよびPtのうちの少なくとも1種を含む金属材料または合金材料からなることが望ましい。また、加熱触媒体の形状は、例えば、上記のような金属材料をワイヤ状にしたもの、板状またはメッシュ状にしたものが用いられる。加熱触媒体の温度を400°C~2000°Cにすることで、第1原料ガスは加熱され活性化されるとともに、空間8においても活性化される。例えば図2aに示すように、加熱体11は、高温体となる発熱体21と、発熱体21の外周を覆う被覆部材22とから構成されていてもよい。このように構成することで、発熱体21と第1原料ガスとの接触が低減される。これにより、第1原料ガスの加熱活性化による高品質膜の高速製膜効果を保ちつつ、第1原料ガスを起因とした発熱体21への水素吸収および発熱体材料の水素化反応による水素脆化が大幅に低減されて、加熱体11の寿命を大幅に延ばすことができる。その結果として、装置の停止を伴うメンテナンスの頻度が減少して、生産性を向上させることができる。発熱体21としては、例えば、抵抗加熱を有する鉄-クロム-アルミニウム系合金もしくはニッケル-クロム系合金等の金属材料、または、高融点金属材料である白金、モリブデン、タンタルもしくはタングステン等の金属材料が用いられる。被覆部材22は耐熱性を有する部材であればよく、例えばステンレス等の金属部材、または、アルミナもしくは窒化珪素等のセラミックスを用いることができる。なお、金属部材を用いる際には、発熱体21と金属部材との間に酸化マグネシウム等の絶縁性材料を充填することによって、発熱体21と被覆部材22との絶縁性を図ることができる。このように、被覆部材22は多層構造であっても構わない。また、被覆部材22は伝熱性の高い部材で構成されることが好ましい。また、発熱体21として高温流体を用いてもよく、配管となる被覆部材に高温流体を流すことにより、第1原料ガスの加熱活性化によって高品質膜の高速製膜効果を保ちつつ、加熱体11の寿命を大幅に延ばすことができる。加熱体11の形状としては、図2bに示すように、複数個所を折り曲げた管状としてもよい。または、図2cに示すように、例えば貫通孔23を多数設けた平板状であってもよい。このように、加熱体11の表面積を増大させることにより、効率よく第1原料ガスを加熱することができる。また、図2cに示すように、貫通孔23を設けた平板状の加熱体11を採用した場合には、第1原料ガスが貫通孔23を通過することによって、第1原料ガスを分散させてガスの流れを均一化するとともに、第1原料ガスを効率よく加熱することができる。また、図3に示すように、加熱体11の上部に分散板13を設けることによって、第1原料ガスが均一に加熱体11と接触して、効率よく第1原料ガスを加熱することができる。加熱体11の加熱温度を400~1000°Cにしてもよく、第1原料ガスは加熱され活性化されるとともに、さらに空間8においても活性化される。また、加熱温度を1000°C以下の低い温度にすることによって、チャンバー1または第2電極2を構成する周辺部材の反りを低減して、周辺部材等の機械的な寿命を向上させることができる。特に、加熱体11によって温度上昇した第1原料ガスが空間8に供給されるため、ガスヒーティング効果によって空間8で高次シラン生成反応が抑制される。ここで、高次シラン生成反応とは、1SiH4SiH2→Si2H62Si2H6SiH2→Si3H8以下、同様なSiH2挿入反応が続くといった、SiH2挿入反応によって高分子重合体が生成していく反応である。このSiH2は、SiH4がプラズマ中の電子と衝突することで製膜主成分となるSiH3とともに生成される。SiH2は特に製膜速度を上げるためにプラズマ励起電力を高めるほどより多く生成するようになり、その結果、高次シラン分子もより多く生成するようになる。このようにして生じた高次シラン分子は、製膜表面に付着すると、製膜表面での堆積反応膜成長反応を乱して膜質を悪化させ、また膜中に取り込まれることでも膜構造を乱して膜質を悪化させる。この高次シラン生成反応は発熱反応であり、反応によって生じる熱を空間に排出することで進む反応である。しかし、上記ガスヒーティング効果によって、反応熱が排出されるべき空間具体的には水素ガスが主成分の空間が既にあたためられていると、空間に反応熱が排出されにくくなる。すなわち発熱反応たる高次シラン生成反応が進みにくくなる。以上述べたように、加熱体11を用いることによって、プラズマ励起電力が大きい高速製膜条件下においても高品質のシリコン膜を製膜することができる。なお、加熱体11はガスを所定温度に加熱できるものであれば、特に限定されない。また、第1供給部4aおよび第2供給部4bは、それぞれ例えば整然と配置された点状の格子状パターンまたは千鳥状パターン等、種々のパターンで配列してもよい。また、第1供給部4aと第2供給部4bとの数が異なっていてもよい。第1原料ガスのガス流量と第2原料ガスのガス流量とが異なる場合、例えば、第2原料ガスよりも第1原料ガスのガス流量が多い場合には、第2供給部4bよりも第1供給部4aの数を多くすることによって、供給バランスが保たれて均一な膜厚膜質分布を有する堆積膜を形成することができる。また、第1導入経路3aおよび第2導入経路3bはガスの流量、流速および温度などを調整するガス調整部と連結されていてもよい。真空ポンプ7は排気系からの膜中への不純物混入を抑制するために、ターボ分子ポンプ等のドライ系の真空ポンプを用いることが望ましい。到達真空度は少なくとも1×10-3Pa以下、好適には1×10-4Pa以下とすることが好ましい。また、薄膜形成装置Sは、第1供給部4aからのガス供給、第2供給部4bからのガス供給、および加熱体11の加熱のタイミングを制御する制御手段不図示を備えている。制御手段によって加熱電源12が加熱体11に印加する電力を制御することにより、加熱体11が所定の温度に制御される。また、加熱体11の温度を検知して、第1供給部4aからのガス供給および第2供給部4bからのガス供給のタイミングが制御される。具体的には、この制御手段により、ガス供給を行なう供給弁の開閉制御、および直流電源を通じた加熱体11の加熱制御等を行なう。以上により、上述した薄膜形成装置Sの構造によれば、加熱体11の加熱によって、第1原料ガスの分解を促進させることができる。さらに、分解しなかった第1原料ガス、または分解後に、再度結合した第1原料ガスは、ガス温度自体が上昇しているため、空間8にてガス分解がより促進される。加えて、第2原料ガスを加熱体11に接触させずに第2供給部4bによって供給して、空間8にて励起活性化させることから、第2原料ガスを過剰に分解することなく、高速に製膜できると同時に高品質な薄膜を形成することができる。なお、薄膜形成装置Sは基材10を搬送させる機構を備えた前室不図示に複数の製膜室が原料ガスの流れを遮断する開閉弁体を介して接続された構成であってもよい。また、薄膜太陽電池を形成する場合、p型膜形成用製膜室、i型膜形成用製膜室およびn型膜形成用製膜室が含まれた装置を用いて、この装置において少なくとも1つの製膜室が上記構造を有するものとすればよい。特に、膜厚が厚く、高品質な膜が要求されるi型膜形成用製膜室に上記構造を有することにより、生産性を向上させ、例えば変換効率の高い薄膜太陽電池を形成することができる。<製造方法>次に、薄膜太陽電池の製造方法の一例について説明する。基材10の上に、シリコン結晶相を有する少なくとも1層の光活性層を含む光電変換層を備えた薄膜太陽電池を製造するには、以下に示す工程が必要である。まず、アノードとして機能する第1電極6と、第1電極6に対向して設けられて高周波電力が印加されるカソードとして機能する第2電極2とを備えたチャンバー1内において、第1電極6と第2電極2との間に基材10を配置する基材準備工程が必要である。この基材準備工程において、基材10の表面とこの表面に対向させる第2電極2の表面との距離が5mm以上15mm以下となるように基材10を配置するとよい。次に、シリコンを含むシリコン系ガス第2原料ガスと、このシリコン系ガスの25倍以上58倍以下の流量比の加熱した水素ガス第1原料ガスとを、第1電極6と第2電極2との間に供給した状態で、第2電極2に高周波電力を印加して第1電極6と第2電極2との間に発生させたプラズマにより、光活性層を基材10の上に形成する光活性層形成工程が必要である。上記光活性層形成工程は、上述した薄膜形成装置Sにおいて、チャンバー1内に配置した基材10の上に、第1原料ガスと、第1原料ガスとは異なる第2原料ガスとを供給して、空間8にて発生させたプラズマにより、基材10上に膜を形成するが、第1原料ガスの加熱に用いられる加熱体11を加熱する加熱工程と、第1原料ガスおよび第2原料ガスを供給するガス供給工程と、第1原料ガスおよび第2原料ガスを供給したチャンバー1内にプラズマを発生させて、チャンバー1内に配置した基材10に膜を形成する膜形成工程とを含む。上記光活性層形成工程において、チャンバー1内のガス圧を1000Pa以上にして光活性層を形成するとよい。また、上記光活性層形成工程において、第1原料ガスの流路に特に加熱体11として加熱触媒体または抵抗加熱ヒーター等を配置して、この加熱体11をその融点未満の温度に加熱することによって第1原料ガスを加熱するとよい。また、上記光活性層形成工程において、高周波電力のパワー密度を0.5W/cm2以上1.7W/cm2以下として、高周波電力を第2電極2に印加するとよい。また、上記光活性層形成工程において、高周波電力の周波数を13.56MHz以上40.68MHz以下に設定するとよい。また、上記光活性層形成工程において、第2原料ガスに対する第1原料ガスの流量比が工程開始時よりも工程途中で小さくなるように、工程途中で流量比を調整するとよい。さらに、上記光活性層形成工程の後に、基材10を180°C以上220°C以下の温度で加熱するとよい。以下、i型の微結晶シリコン膜の製膜条件について説明する。微結晶シリコン膜はアモルファスシリコン膜に比べて、結晶シリコンと同様に波長感度が長波長域まで有するが、光吸収係数が小さいことから厚い膜を形成する必要があるため、より高速で高品質な膜が要求される。製膜条件として製膜時の圧力は1000Pa以上とする。なぜなら、高周波電力のパワー密度を高くして高速に製膜する場合であっても、この高圧条件とすることにより、電子温度が低下することからイオンダメージを低減して製膜することができるからである。また、加熱体11によって温度上昇した第1原料ガスが空間8に供給されるため、ガスヒーティング効果によって、高圧条件とした場合であっても、高次シラン生成反応が低減し、高速かつ高品質な膜を形成することができるからである。なお、圧力の上限は異常放電等の関係から2500Pa程度であればよい。製膜速度は1.1nm/秒以上、より好ましくは1.4nm/秒以上で製膜されることによって生産性が向上し、製造コストを低減することができる。シリコン系ガスである第2原料ガスに対する水素ガスである第1原料ガスの流量比は25倍以上58倍以下特に、25倍以上50倍未満とすることが好ましい。第1原料ガスによる第2原料ガスの希釈率を低くすることによって製膜速度を速くすることができ、第1原料ガスの供給量も低減することができるので、生産性を向上させつつ、製造コストも低減することができる。また、希釈率を小さくした場合、結晶化を抑制する方向となるが、加熱体11の加熱により原子状水素の再結合が低減され、チャンバー内の原子状水素の濃度を高く維持できるので必要な結晶化率を維持することができる。第2電極2に印加される高周波電力の周波数は13.56MHz~100MHz程度の周波数が用いられるが、例えば、1m2以上の大面積基材に製膜する場合には、60MHz程度以下の周波数が好適に用いられる。特に、周波数を40.68MHz以下とすることにより、大面積基材に製膜される膜の膜ムラをさらに低減することができる。好ましくは、13.56MHzまたは27.12MHzの周波数が用いられる。また、低い周波数の電源を用いることにより、製造コストを低減することができ、大面積化も容易となるので生産性も向上させることができる。高周波電力のパワー密度は0.5W/cm2以上2W/cm2以下とすることが好ましい。特に、0.5W/cm2以上1.7W/cm2以下とすることが好ましい。上記範囲であれば、膜へのイオンダメージを低減して、膜品質の低下を低減しつつ、高速に製膜することができる。また、ラダー電極等を用いずに平行平板型の薄膜形成装置を用いることにより、装置コストを低減することができ、さらに上記製膜条件により、高速で高品質な膜を製膜することが可能となる。基材10の表面と第2電極2の表面との距離は5mm以上15mm以下とすることによって、イオンダメージを低減して製膜することができる。また、上記製膜条件により製膜した微結晶シリコン膜において、ラマン散乱スペクトルにおけるラマンピーク強度比結晶相ピーク強度/非晶質相ピーク強度は2.5以上6以下となることが好ましい。なお、結晶相ピーク強度は520cm-1でのピーク強度とし、また、非晶質相ピーク強度は480cm-1でのピーク強度として定義するものとする。ここで、ラマンスペクトルの測定は、例えば励起光にHe-Neレーザー波長632.8nmを用いたRenishaw製RamanscopeSystem1000を使用する。また、上記ラマン強度比を有する場合、ラマンピーク面積比とラマンピーク強度比の関係から微結晶シリコン膜の結晶化率は50以上70以下となる。また、ガス圧力を1000Pa以上とすることにより、加熱体11の加熱温度を400°C以上1000°C以下と低くして、また、H2/SiH4のガス流量比を50/1以下とH2の流量を少なくしても、結晶化率を50~70程度にすることができる。また、上記製法を用いて形成される薄膜太陽電池は、高速に高品質な膜より形成されるため、生産性を高め変換効率の高い薄膜太陽電池を形成することができる。作製する薄膜太陽電池の一例について、図4を用いて説明する。ガラス、プラスチックまたは樹脂等の透光性を有する基材10にSnO2、ITOまたはZnO等の透光性を有する導電性材料をからなる第1導電層31を形成する。第1導電層21の膜厚は100nm~1μm程度とする。次に、第1導電層31の上にi型半導体層が光活性層として機能し、光活性層としてアモルファスシリコン等の非晶質半導体からなり、内部にpin接合を有する第1光電変換層32と、その上にi型半導体層が光活性層として機能し、光活性層として微結晶シリコン等の微結晶半導体からなり内部にpin接合を有する第2光電変換層33とを形成する。第1光電変換層32の第1のp層およびn層はそれぞれ5~30nm程度として、第1のi型半導体層の膜厚は200nm~1μm程度とする。また、第2光電変換層33の第2のp層およびn層はそれぞれ5~30nm程度として、第2のi型半導体層の膜厚は1~5μm程度とする。次に、第2光電変換層33の上にSnO2、ITOまたはZnO等の透光性を有する導電性材料をからなる第2導電層34を形成する。さらに、第2導電層34の上に光に対して反射率の高い銀などの材料からなる第3導電層35を形成する。第2導電層34の膜厚は5nm~2μm程度として、第3導電層35の膜厚は100~500nm程度とする。なお、第2導電層34および第3導電層35はいずれか一方を形成してもよく、例えば、第2導電層34を銀等の金属材料で形成してもよい。また、本実施形態では上記のようなタンデム構造だけではなく、アモルファスシリコン膜からなる半導体、アモルファスシリコンゲルマニウム膜からなる半導体および微結晶シリコン膜からなる半導体、または、アモルファスシリコン膜からなる半導体、微結晶シリコン膜からなる半導体および微結晶シリコンゲルマニウム膜からなる半導体が積層されてなるトリプル構造の薄膜太陽電池等にも適用することができる。このとき、少なくとも膜厚を厚く形成する必要のある微結晶シリコン膜は上記製法を用いて形成することにより、生産性を高め変換効率の高い薄膜太陽電池を作製することができる。また、上記製法において例えば製膜工程を二分して、その製膜前半時に比べて製膜後半時の第2原料ガスに対する第1原料ガスの流量を少なくしてもよい。第1原料ガスによる第2原料ガスの希釈率を低くすることにより、製膜速度を速くすることができるとともに、変換効率を高めることができる。これは、微結晶シリコン膜の結晶化率が常に一定ではなく、一定の希釈条件のままでは製膜後半において高くなる傾向にあることから、希釈率を意図的に低くすることによって製膜後半において結晶化率が高くなるのを低減したことによると考えることができる。製膜開始時に比べて製膜終了時の希釈率は製膜開始時の希釈率から3~15程度低くなるようにすればよい。また、基材に、第1導電層と、光電変換層と、第2導電層第3導電層とを形成した後に、180°C以上220°C以下で加熱してもよい。つまり、薄膜太陽電池を形成した後に加熱処理を行なう。加熱処理を行なうことにより、変換効率をさらに高めることができる。これは、光電変換層のp型半導体層およびn型半導体層の導電率が向上し、活性化エネルギーが増加することによって、開放電圧が向上するためである。また、加熱処理によって膜中の水素が安定サイトに移ることによって、i型半導体層を含めた膜中の水素誘起欠陥が低減したことによるものと推察される。加熱処理時間は15~90分間程度行なえばよい。例えば、上記製法で作製し、加熱処理前の変換効率が11~11.2程度の薄膜太陽電池に対して、上記温度範囲、加熱処理時間で加熱処理を行なうことにより、加熱処理後の変換効率は12~13程度に向上する。次に、製造方法のさらに好適な例について説明する。なお、上述した内容と重複する工程については省略する。ガス供給工程において、第1原料ガスを第2原料ガスよりも先に供給するとよい。また、加熱体11の加熱工程において、基材10をチャンバー1内に配置するとよい。また、膜形成工程の後に、加熱した第1原料ガスおよび第2原料ガスの供給を停止し、チャンバー1内を排気する排気工程と、加熱体11を冷却する冷却工程とを有するとよい。また、排気工程において、第2原料ガスの供給の停止を第1原料ガスの供給の停止よりも先に行なうとよい。また、冷却工程において、基材10をチャンバー1の外に出すとよい。また、加熱工程において、加熱体11が加熱触媒体からなる場合には、加熱体11を800°C以上に加熱するとよい。また、排気工程において、加熱体11が加熱触媒体からなる場合には、加熱体11を800°C以上に加熱するとよい。具体的には、図1に示す薄膜形成装置Sにおいて、第1電極6と第2電極2との間に薄膜形成のためのプラズマを発生させる前に、下記の工程1,2を順次行なうとよい。工程1加熱工程:チャンバー1内を真空排気1Pa以下、好適には0.1Pa以下した状態で、加熱触媒体からなる加熱体11を800°C以上に加熱する。工程2ガス供給工程:第1供給部4aから第1原料ガス水素ガスおよび第2供給部4bから第2原料ガス例えば、シランがチャンバー1内に供給され、チャンバー1内の圧力が所定値に調整される。このとき、加熱体11の温度が薄膜形成に必要な所定の値に達していない場合には、加熱体11はさらに加熱される。また、第2原料ガスにシラン等のシリコン系ガスを用いた場合、工程2において第1原料ガスが第2原料ガスよりも先にチャンバー1内に供給されることにより、第2原料ガスが第1供給経路3aに逆流することを低減できるため、第2原料ガスとの接触に伴う加熱体11の劣化を低減することができる。チャンバー1内を所定の圧力に調整した状態で、高周波電力を第2電極2に印加して発生したプラズマにより原料ガスを励起活性化し、第1電極6に載置された基材10に所定の膜厚の薄膜を形成する。その後、下記の工程3~4を順次行なう。工程3排気工程:加熱触媒体からなる加熱体11を800°C以上に加熱した状態で、第1原料ガスおよび第2原料ガスの供給を停止し、チャンバー1内の原料ガスを十分に排気する。工程4冷却工程:チャンバー1内を真空にした状態で加熱体11を冷却する。加熱体11として、例えばTaタンタルまたはWタングステン等からなる加熱触媒体を用いた場合は、加熱触媒体が原料ガス中の水素分子、水素原子等の水素成分を吸収し、その水素成分が結晶粒界において水素化物を形成するため、結晶粒界で破断しやすくなる現象、すなわち水素脆化が起こると考えられる。上記工程1,2によると、加熱触媒体が加熱された状態で第1原料ガスの水素ガスがチャンバー1内に供給されるため、加熱触媒体への水素吸収が低減される。特に、加熱触媒体が800°C以上に加熱された状態で、水素ガスが供給されることにより、加熱触媒体への水素吸収はほとんど起こらず、加えて水素化物生成反応が起こりにくい温度領域となっている。このため、水素脆化による加熱触媒体の劣化が大きく低減される。工程3,4においても、同様に水素脆化が効率的に回避される。また、第2原料ガスとしてシラン等のシリコン系ガスを用いた場合、工程3において第2原料ガスの供給が第1原料ガスの供給よりも先に停止されることにより、第2原料ガスが第1供給経路3aに逆流することを低減できる。これによって、第2原料ガスとの接触に伴う加熱触媒体の劣化を低減することができる。薄膜形成装置Sはチャンバー1に接続された前室不図示を備えることにより、チャンバー1内を大気圧にすることなく基材10を搬入搬出することが可能である。基材10に薄膜形成する場合、前室内と図1におけるチャンバー1内とが真空状態になった後、基材10が前室からチャンバー1内に搬入される。また、薄膜形成を完了した基材10は、前室内とチャンバー1内とが真空状態になった後、基材10がチャンバー1から前室に搬出される。このとき、工程1は、基材10がチャンバー1内に搬入される動作と時間的に重複するように加熱体11が加熱されることが好ましい。また、工程4は、基材10がチャンバー1から搬出される動作と時間的に重複するように加熱体11が冷却されることが好ましい。これによって、プロセスが時間短縮されるため、生産性をより向上させることができる。チャンバー1内が真空状態による加熱体11の加熱、冷却時間が新たに加わることで、薄膜形成に要する処理時間が長くなるが、上述したように前室との基材10の搬入搬出動作と加熱体11の加熱冷却工程とを時間的に重複して行なうことにより、実質的な薄膜の形成に要する時間が短縮されて、生産性を維持することができる。なお、加熱体11は、必ずしも加熱冷却させる必要はなく、常に800°C以上を維持させてもよい。次に、水素化アモルファスシリコン膜を形成する場合の好適例について説明する。水素化アモルファスシリコン膜を形成する場合は、H2ガスを第1導入経路3aに、SiH4ガスを第2供給経路5にそれぞれ供給する。また、ガス圧力を50~700Paに設定し、H2/SiH4のガス流量比を2/1~40/1とし、高周波電力密度を0.02~0.2W/cm2とすればよい。本実施形態の製造方法では、加熱体11によって温度の上昇した第1原料ガスが空間8に供給される。このため、ガスヒーティング効果によって空間8での高次シラン生成反応が抑制され、微結晶シリコン膜の結晶化を促進することができ、高速に製膜することができる。また、SiH4ガスの流量がH2ガスに比べて非常に少ない場合、第1供給経路3aに供給していたH2ガス第1原料ガスの一部を第2供給経路3bに分割供給することにより、第2供給部4bから供給されるガスの総流量を大きくすることもできる。これにより、第2供給経路3b内のガス圧力全圧が大きくなるので、SiH4ガスを複数の第2供給部4bから均一に噴出でき、均一な製膜を実現できる。<製造方法の変形例>次に、製造方法の変形例について説明する。図5に示すように、薄膜形成装置Sにおいて、加熱体11が占有する領域A1を基材10の薄膜形成領域A2よりも広くしてもよい。上記構成とすることによって、加熱体11で加熱された第1原料ガスがその温度を維持しつつ基材10上に均一に供給される。領域A1が領域A2より狭い場合、加熱体11の外周領域においては加熱体11の空間占有密度が小さいため、第1原料ガスの効率的な加熱が難しい。さらに、温度上昇した第1原料ガスが加熱体11の領域外にある第1原料ガスおよび第1導入経路3aの内壁に接触することよって熱を奪われ、温度が低下することから、十分なガスヒーティング効果が加熱体11の外周領域に近くなるほど得られにくい。しかしながら、上記構成のように、加熱体11が占有する領域A1よりも基材10の薄膜形成領域A2が狭い場合は、第1原料ガスは十分に温度が高く維持されたまま基材10上に均一に供給されることから、基材10面内に形成された薄膜の品質が均一となり、均一な光電変換特性分布を有する薄膜太陽電池を形成することができる。また、第1供給部4aが占有する領域A3を加熱体11が占有する領域A1と同等かそれよりも狭く、基材10の薄膜形成領域A2よりも広くしてもよい。上記構成とすることによって、加熱体11の外周領域およびその近傍の温度の低い第1原料ガスが空間8に供給されにくくなることから、基材10面内に供給される第1原料ガスの温度の均一性がさらに向上して薄膜の品質が均一となる。これにより、均一な光電変換特性分布を有する太陽電池を形成することができる。また、加熱体11の上流側に分散板13を設けることにより、加熱体11に第1原料ガスを均一に接触させることができて、効率よく均一に第1原料ガスを加熱することができる。このとき、図6に示すように、分散板13に第1原料ガスが通過するための第1開口部13aを設けて、第1開口部13aが占有する領域A4を加熱体11が占有する領域A1よりも狭く、第1供給部4aが占有する領域A3よりも広くしてもよい。上記構成とすることによって、第1開口部13aから導入された第1原料ガスは加熱体11で効率的に加熱され、また第1原料ガスが第1導入経路3aの内壁側へ流れる際に、第1原料ガスは加熱体11と接触する時間が長くなり、第1原料ガスの温度を高く維持できる確率が高くなる。また、加熱体11から照射される輻射熱が直接、基材10に達しないように、加熱体1の下流側に第1供給部4aを覆うように輻射遮断部材14を設けることが好ましい。このとき、輻射遮断部材14は加熱体11から照射される輻射を反射させる反射板としての機能を備えることが好ましい。また、図6に示すように、輻射遮断部材14には第1原料ガスが通過するための第2開口部14aが設けられる。また、第2開口部14aが占有する領域A5を加熱体11が占有する領域A1と同等かそれよりも狭く、第1供給部4aが占有する領域A3よりも広くしてもよい。上記構成によって、同じく加熱体11の外周領域およびその近傍の温度の低い第1原料ガスが空間8に供給されにくくなることから、さらに基材10面内に形成された薄膜の品質が均一となり、均一な光電変換特性分布を有する薄膜太陽電池を形成することができる。また、図7に示すように、加熱体11が設けられる第1導入経路3aの外周部に端部加熱体19を設けてもよい。第1導入経路3aの内壁の温度を上昇させることによって、第1加熱体11で温度上昇した第1原料ガスが第1導入経路3aの内壁で温度低下する際の温度低下量を低減することができて、同じく温度の低い第1原料ガスが空間8に供給されにくくなることから、さらに基材10面内に形成された薄膜の品質が均一となり、均一な光電変換特性分布を有する太陽電池を形成することができる。端部加熱体19としては、シーズヒータ等の発熱体を用いたり、気体または液体等の高温流体を循環させた熱交換配管を用いてもよい。なお、端部加熱体19の温度としては200°C以上500°C以下が好ましい。また、図8に示すように、分散板13および輻射遮断部材14は、各部材が有している平面方向に対して垂直に第1導入経路3aに取り付けられる支持部材15を複数有することが好ましい。特に、分散板13および輻射遮断部材14の中央領域に支持部材15を設けることにより、加熱体11の高温化に伴う分散板13および輻射遮断部材14の反りを低減することができ、分散板13および輻射遮断部材14を通過するガスの流れを均一に維持することができる。また、分散板13および輻射遮断部材14を複数枚に細分化して、支持部材15によって固定するようにしても構わない。このように分散板13および輻射遮断部材14を細分化することにより、加熱体11の高温化に伴う分散板13および輻射遮断部材14の1枚当たりの反り量を小さくすることができ、分散板13および輻射遮断部材14を通過するガスの流れを均一に維持することができる。また、図9に示すように加熱体11がワイヤ状の加熱触媒体からなる場合、一端から他端へと設置された加熱体11の間に加熱体11を支える補助部材16を設けても構わない。特に、一端から他端へと設置された加熱体11の中央部に補助部材16を設けることによって、図10に示す補助部材16のない加熱体11に比べて繰り返しの使用に伴って熱の影響を受けて伸びた加熱体11が第1導入経路3aに接触する、または、隣り合う加熱体11同士が接触する可能性を低減することができるため、加熱体11の交換頻度を低減することができて、生産性を向上させることができる。また、加熱体11が伸びて変形することにより第1原料ガスの加熱に分布が生じ、基材10の面内に形成された薄膜の品質が不均一になる可能性を低減することができる。また、図9においては1本の加熱体11を端部で折り曲げて一定領域に加熱体11が配置されるようにしているが、図11に示すように、端部で折り曲げずに、一端から他端へと複数本の加熱体11を配置するようにしてもよい。また、図12aに示すように、一端から伸びた加熱体11を中央部に設けられた補助部材16において加熱体11を折り曲げて再度一端に向かうようにして、また他端から伸びた加熱体11を中央部に設けられた補助部材16において折り曲げて、再度他端に向かうようにしてもよい。さらに、図12bに示すように、補助部材16を複数設けるようにしても構わない。また、図13に示すように、水平方向に移動可能な支持枠18に設けた加熱体11を有する加熱機構17を設けてもよい。また、図14に示すように、加熱機構17を薄膜形成装置Sの側部から装置内外へ移動できるようにしても構わない。これにより、加熱体11の交換作業を単純化することができて、生産性を向上させることができる。このとき、加熱体11への電力供給は支持枠18内に電力線を通して加熱体11に電力を供給すればよい。また、複数の加熱体機構17を設ける場合であっても、支持枠18に結合部18aを設けて互いの加熱体機構17を結合させて、結合部18aに通電機能を持たせることによって、加熱電源12に接続された加熱体機構17から別の加熱体機構17に電力を供給することができる。さらに、図15に示すように、製膜領域を垂直方向に複数設ける場合において、下段に位置する加熱体11の交換は水平方向に移動可能な加熱体機構17を用いることにより、加熱体11の交換作業を単純化することができ、生産性を向上させることができる。次に、本実施形態をより具体化した実施例について説明する。ガラス基板の上に厚さ800nmのSnO2膜からなる第1導電層を熱CVD法に形成した。そして、図1に示す薄膜形成装置Sを用いて、第1導電層の上に第1光電変換層を形成した。第1光電変換層はp型、i型およびn型のアモルファスシリコン膜を順次積層して、その上にn型の微結晶シリコン膜を積層した。ここで、i型のアモルファスシリコン膜の膜厚は250nmとした。次に、第1光電変換層の上に第2光電変換層を形成した。第2光電変換層はp型およびi型の微結晶シリコン膜を順次積層して、その上にn型のアモルファスシリコン膜を積層した。ここで、i型の微結晶シリコン膜の膜厚は2.5μmとした。なお、原料ガスにはシランガスと水素ガスとを用いた。また、ドーピングガスとしてp型半導体層にはB2H6ジボランを用いて、n型半導体層にはPH3ホスフィンを用いた。さらに、スパッタリング法によって第2光電変換層の上に厚さ10nmのZnO膜からなる第2導電層と厚さ300nmの銀からなる第3導電層とを積層した。ここで、i型の微結晶シリコン膜を製膜する際にのみタンタル製のワイヤからなる加熱触媒体を1500°Cに加熱して水素ガスを加熱し、それ以外の膜においては加熱触媒体の加熱は行なわなかった。比較例である表1のNo.14~21においては、いずれも加熱体11の加熱は行なわなかった。表1に示す製膜条件によって、i型の微結晶シリコン膜を製膜した。なお、ガラス基板の温度は190°Cに調整した。また、ガラス基板と第2電極との距離は6mmとした。そして、各条件により作製した薄膜太陽電池において光電変換効率を測定して、その結果を表1に示すとともに、表1のNo.1~13と比較例であるNo.14~21とについて製膜速度と変換効率との関係を図16に示す。表1および図16の結果から、加熱体11により原料ガスを加熱するとともに1000Pa以上の高圧条件で製膜することによって、高速かつ変換効率の高い薄膜太陽電池を形成することが確認できた。また、周波数が40.68MHz以下であっても1.1nm/秒以上の製膜速度で変換効率の高い薄膜太陽電池を形成することが確認できた。さらに、加熱体11により原料ガスを加熱することによって、比較例のNo.14~21に比べて水素ガスによるシリコン系ガスの希釈率を低くしても、高速かつ変換効率の高い薄膜太陽電池を形成することが確認できた。また、表1のNo.6およびNo.8~10の条件で作製した薄膜太陽電池について、微結晶シリコン膜のラマン散乱スペクトルにおける結晶相ピーク強度/非晶質相ピーク強度よりなるラマンピーク強度比を測定した。その結果を表2に示す。表2に示すように、ラマンピーク強度比は2.85以上5.32以下であり、2.5以上6以下となることが確認できた。次に、表1のNo.9および10の条件で作製した薄膜太陽電池において、ガラス基板と第2電極との距離を6mmから8mmおよび10mmに変えたときにおける製膜速度について確認した。その結果を図17に示す。図17に示すように、基材と第2電極との距離を広くしても製膜速度が速く、1.1nm/秒以上の製膜速度で製膜できることを確認した。次に、第1光電変換層のi型微結晶シリコン膜において、膜厚が2μmまでは表1のNo.5の条件で製膜を行ない、残り0.5μmにおいてシランガスに対する水素ガスの流量を42倍から40倍に変更して製膜を行なった。その結果、製膜速度が1.6nm/秒となり変更効率も12.72に向上した。次に、図18に示すグラフおよび表3を参照しながら、水素化微結晶シリコン膜を製膜する場合の加熱触媒体である加熱体11の温度変化と劣化状況についての結果について説明する。図1に示す薄膜形成装置Sを用いて、第1原料ガスである水素ガスを第1供給部4aから供給して、第2原料ガスであるシランガスを第2供給部4bからチャンバー1内に供給した。そして、薄膜形成時における加熱触媒体である加熱体11の温度を1500°Cに固定して、白板ガラス製の基材10上に水素化微結晶シリコン膜の製膜を行なった。なお、図18に示した製造工程中における加熱体11の表面の温度変化E1~E5は、表3のNo.22~26に対応する。加熱体11は太さφ0.5mmのタンタル製からなるワイヤをジグザグ状に成形したものを用いた。チャンバー1内の空間8に水素ガスを供給する前の真空排気した状態で、加熱体11の温度を、25°C温度変化E1:試験22比較例、400°C温度変化E2:No.23、600°C温度変化E3:No.24、800°C温度変化E4:No.25、1500°C温度変化E5:No.26のそれぞれの温度に予め加熱しておき、その温度を保持したままチャンバー1内に水素ガスを供給した。ここで、加熱体11の温度は、加熱体11に印加した直流電力の電圧V、電流Iおよび熱触媒体11の断面積S、全長Lから抵抗率ρをρ=R×S/L=V/I×S/Lを用いて算出し、熱触媒体材料ここではタンタルの抵抗率と温度の関係より求めた。水素ガスをチャンバー1内の空間8に導入し、チャンバー1内の圧力を1300Paに調圧した後に、表3のNo.22~25については、加熱体11の温度を薄膜形成時の加熱温度1500°Cまでさらに加熱した。その後、シランガスをチャンバー1内の空間8へ供給して、第2電極2へ高周波電力を450Wで印加してプラズマ励起させた。そして、基材10上に水素化微結晶シリコン膜を製膜した。所定時間製膜後、高周波電力の印加を停止して、シランガスの供給を停止した。その後、水素ガスを供給したまま、表3のNo.22~25については、熱触媒体11の温度を25°C温度変化E1:No.22比較例、400°C温度変化E2:No.23、600°C温度変化E3:No.24、800°C温度変化E4:No.25のそれぞれの温度まで冷却して、その後水素ガスの供給を停止した。表3のNo.26温度変化E5の場合は、水素ガスの供給中は1500°Cの温度を維持し続けた。図18に加熱体11の温度変化に伴う原料ガスの供給および停止の関係についても示す。各例において、加熱工程→ガス供給工程→製膜工程→排気工程→冷却工程の一連の工程を50サイクル、100サイクルおよび150サイクルで行ない、各サイクルの経過後において、加熱体11の劣化状況について確認した。この劣化状況は、各サイクルの経過後の加熱体11を単純に手で折り曲げた際の破断の有無により評価した。表3にこの結果を示す。なお、表3において、NGは熱触媒体11を折り曲げた際に破断したことを意味し、Gは破断しなかったことを意味する。また、NAは加熱体11の折り曲げによる評価を実施していないことを意味する。比較例である表3のNo.22では、前記一連の工程を50サイクル経過した時点において、加熱体11を折り曲げると既に延性がなく容易に破断した。表3のNo.23およびNo.24温度変化E2およびE3では、前記一連の工程を100サイクル行なった時点で、破断を確認した。表3のNo.25および26温度変化E5および温度変化E6では、一連の工程を150サイクル行なった後でも、加熱体11は破断せず延性を維持し、さらに使用することが可能な状態であった。上記結果より、加熱体11の温度を800°C以上とし、前記温度を維持した状態で水素ガスを供給することによって、加熱体11の劣化を低減することが確認できた。また、上記評価において、破断した加熱体11と破断しなかった加熱体11とに吸収された水素、または水素化物として取り込まれた水素について、昇温脱離分析法TDSThermalDesorptionSpectroscopy法を用いて確認したところ、破断した加熱体11においては、大量の水素が確認されたが、破断しなかった加熱体11においては、ほとんど水素は確認されなかった。このように、TDS法によっても加熱体11を予め加熱することによる水素吸収、または水素化物形成反応の抑制による加熱体11の劣化低減を確認できた。このように、加熱触媒体を800°C以上にあらかじめ加熱し、その後水素ガスを供給することで、製膜パラメータの変更や加熱触媒体の材質あるいは構造の変更を加えることなく加熱触媒体の劣化を抑制することが可能であり、膜品質および製膜速度に何ら影響を及ぼすことなくメンテナンスサイクルの長期化による生産性の向上を可能とすることがわかった。次に、水素化微結晶シリコン膜の結晶化率を評価した結果について説明する。図1の薄膜形成装置Sを用いて第1原料ガスである水素ガスを第1供給部4aからチャンバー1内に供給した。また、第2原料ガスであるシランガスを第2供給部4bからチャンバー1内に供給した。このとき、H2/SiH4のガス流量比を45/1として、高周波電力密度周波数:27MHzを0.96W/cm2とした。また、ガス圧力を300Paまたは1300Paの場合に分けて、薄膜形成時の加熱体11の温度を変化させて白板ガラス製の基材10上に水素化微結晶シリコン膜を製膜した。具体的には表4に示すNo.27~38において、表4に示すチャンバー1内の圧力および加熱体11の温度の条件で製膜した水素化微結晶シリコン膜について結晶化率を評価した。結晶化率はラマン散乱スペクトルにおけるラマンピーク強度比結晶相ピーク強度/非晶質相ピーク強度を確認し、ラマンピーク面積比とラマンピーク強度比との関係市川幸美他著プラズマ半導体プロセス工学内田老鶴圃出版2003,p178を参照から結晶化率を算出した。なお、結晶相ピーク強度は520cm-1でのピーク強度とし、また、非晶質相ピーク強度は480cm-1でのピーク強度として定義した。また、ラマンスペクトルの測定は、励起光にHe-Neレーザー波長632.8nmを用いたRenishaw製RamanscopeSystem1000を使用した。その結果を表4に示す。表4の結果から、チャンバー1内のガス圧力が300Paの低圧条件で製膜した水素化微結晶シリコン膜では、加熱体11の温度が1000°C以下の場合、結晶化率が5以下であり、加熱体の温度が400°C以下では結晶化を確認できなかった。一方、チャンバー1内のガス圧力が1300Paの高圧条件で製膜した水素化微結晶シリコン膜では、加熱体11の温度が1000°C以下ただし、非加熱を除くの場合、結晶化率が53以上であり結晶化を確認することができた。次に、上述した製造方法の変形例の実施例について説明する。図6に示すような薄膜形成装置Sを用いて薄膜太陽電池を形成した。まず、ガラス基板の基材10の上に厚さ800nmのSnO2膜からなる第1導電層を熱CVD法にて形成した。次に、第1導電層の上に第1光電変換層を形成した。第1光電変換層はp型、i型およびn型のアモルファスシリコン膜を順次積層した層の上にn型の微結晶シリコン膜を積層した。ここで、i型のアモルファスシリコン膜の膜厚は250nmとした。そして、第1光電変換層の上に第2光電変換層を形成した。第2光電変換層はp型およびi型の微結晶シリコン膜を順次積層した層の上にn型のアモルファスシリコン膜を積層した。ここで、i型の微結晶シリコン膜の膜厚は2.5μmとした。なお、原料ガスにはシランガスと水素ガスを用い、ドーピングガスとしてp型半導体層にはB2H6を用いて、n型半導体層にはPH3を用いた。そして、第2光電変換層の上に厚さ10nmのZnO膜からなる第2導電層と厚さ300nmの銀からなる第3導電層を形成した。この実施例においては、i型の微結晶シリコン膜を製膜する際にのみ加熱触媒体である加熱体11を1500°Cに加熱して水素ガスを加熱し、それ以外の膜においては熱触媒体の加熱は行なわなかった。なお、加熱体11は実施例1と同様な材質および形状のものを使用した。表5のNo.39,40は、加熱体11の占有する領域A1は基材の領域A2よりもそれぞれ20mm外側、40mm外側に広い領域とし、比較例である表5のNo.41,42は、熱触媒体の占有する領域A1が基材の領域A2よりそれぞれ20mm内側、40mm内側に狭い領域とした。なお、第1供給部の占有する領域A3は基材の領域A2よりも30mm外側に広い領域とした。またφ0.5mmの複数個のガス噴出孔を設けた分散板13および輻射防止部材14をそれぞれ加熱体11の上流および加熱体11の下流に、領域A2よりも30mm外側に広い領域となるように設置した。そして、各条件によって作製した薄膜太陽電池において変換効率を測定し、基材10の中央部における平均変換効率と基材10の四隅における平均変換効率との差を比較した。その結果を表5に示す。表5の結果からわかるように、領域A1<領域A2の場合、基材10の四隅では好適な結晶状態の膜を形成できずに、アモルファスとなったために平均変換効率は5以下となった。一方、領域A1>領域A2の場合は膜の面内の結晶化率分布は良好となり、変換効率の面内均一性は向上した。また、表5のNo.39とNo.40とを比較すると、加熱体11の占有する領域A1>分散板13のガス噴出孔領域A4としたことで、ガスヒーティング効果を弱めることなく基材10の四隅の平均変換効率が向上することを確認した。次に、加熱触媒体である加熱体の保持方法を変更した具体例について説明する。方法1では、加熱体支持枠のみで加熱体を保持して、実施例2と同様にジグザグ状に形成した加熱体を用いた。一方、方法2では支持枠に石英からなる補助部材を取り付け、支持枠に加えて補助部材においても加熱体を保持した。そして実施例1と同様にして、i型アモルファスシリコン膜を有する第1光電変換層およびi型微結晶シリコン膜を有する第2光電変換層を順次積層して薄膜太陽電池を作製した。ここで、i型微結晶シリコン膜形成時に加熱体を1500°Cの温度に加熱して膜の形成を行なった。そして、100回繰り返して薄膜太陽電池の作製を行なった。各条件により作製した薄膜太陽電池を16分割して、それぞれの領域において変換効率を測定した。そして、1回目に作製した薄膜太陽電池における面内領域の最低の変換効率と100回目に作製した薄膜太陽電池における面内領域の最低の変換効率とを比較した。その結果、方法1では、100回目に作製した薄膜太陽電池は1回目に作製した薄膜太陽電池に比べて光電変換効率が22低下したのに対して、方法2では5の低下に止まった。方法1の光電変換効率の低下率の高さは加熱体の変形によるものと考えられる。つまり、隣接する加熱体が変形して密集したことで作製された薄膜太陽電池において結晶化率が著しく高くなり、光電変換効率に好適な結晶化率を超えたため特性が悪化したと考えられる。"