第1基材面と当該第1基材面に基材表面処理を行う処理面を有する基材を備え、前記第1基材面の少なくとも外縁に沿って保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記第1基材面に形成した前記保護膜の内縁となる前記処理面を研削することで前記基材を薄板化する薄板化工程と、前記薄板化工程によって研削された前記処理面を、エッチングによって平滑化するエッチング工程と、を備えることを特徴とする基材表面処理方法。請求項1に記載の基材表面処理方法であって、前記保護膜形成工程によって形成される前記保護膜は、気相成長法で形成させることを特徴とする基材表面処理方法。請求項1に記載の基材表面処理方法であって、前記基材の全面に前記保護膜を形成する前記保護膜形成工程と、前記基材の前記第1基材面の外縁に沿って前記第1基材面の内縁となる前記処理面を研削する前記薄板化工程と、を備えることを特徴とする基材表面処理方法。しかしながら、研削をした基材の処理面をウエットエッチングによって平滑化を行う場合、研削をおこなった処理面以外の基材もエッチングされることから、平滑化を要しない未研削領域の基材もエッチングされることによって薄くなる。このことによって、基材の移動に必要な基材の強度が低下し、基材の搬送時に薄板化した基材を破損させる課題があった。特許文献1では、上述する課題については触れられていない。このため薄板化された基材の処理面に生じる研削キズの平滑化と、研削クズの溶解および除去とをエッチングする際に、処理面以外の基材がエッチングによって溶解されない基材表面処理方法が要望されていた。本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。適用例1本適用例に係る基材表面処理方法は、第1基材面と当該第1基材面に基材表面処理を行う処理面を有する基材を備え、第1基材面の少なくとも外縁に沿って保護膜を形成する保護膜形成工程と、第1基材面に形成した保護膜の内縁となる処理面を研削することで基材を薄板化する薄板化工程と、薄板化工程によって研削された処理面を、エッチングによって平滑化するエッチング工程とを備えることを特徴とする。このような基材表面処理方法によれば、第1基材面の外縁となる外縁部に保護膜形成工程によって保護膜を選択的に形成することで、形成された保護膜の内縁となる処理面を平滑化するエッチング工程によって外縁部の第1基材面が溶融されることを抑制することができる。従って、外縁部の第1基材面の形状を維持し、基材表面処理をすることができる。適用例2上記適用例に係る基材表面処理方法において、保護膜形成工程によって形成される保護膜は、気相成長法で形成させることが好ましい。このような基材表面処理方法によれば、保護膜形成工程は気相成長法を用いることで、保護膜の形成を要しない領域をマスク版等で覆うことによって、保護膜を選択的に外縁部に形成させることができる。適用例3上記適用例に係る基材表面処理方法において、基材の全面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、基材の第1基材面の外縁に沿って第1基材面の内縁となる処理面を研削する薄板化工程とを備えることが好ましい。このような基材表面処理方法によれば、保護膜形成工程によって基材の全面に保護膜を形成することで、保護膜が基材を補強し、基材を搬送する際の破損やキズが付着することを抑制することができる。以下、実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際の構成要素とは適宜に異ならせて記載をしている。第1実施形態図1は、本実施形態の基材表面処理方法を実施する工程と、基材表面処理される基材1を示す模式図である。図1を用いて基材表面処理方法を説明する。本実施形態の基材処理方法を実施する工程は、基材1の第1基材面10に保護膜201を形成する保護膜形成工程と、第1基材面10を研削する薄板化工程と、薄板化工程で研削された第1基材面10を平滑化するエッチング工程とを備える。図1aは、基材表面処理をおこなう基材1を示す模式図である。基材1は基材表面処理をおこなう第1基材面10を有する。本実施形態では、シリコン基板を基材1として用いている。図1bは、第1基材面10の外縁部10aに保護膜201を形成する保護膜形成工程を示す模式図である。図1bに示す保護膜形成工程は、気相成長法によって膜を構成する膜材200を第1基材面10に堆積させることで膜を形成させる。本実施形態では、プラズマCVDChemical-Vapor-Deposition法を用いて保護膜201の形成を行う。プラズマCVD法を用いて保護膜201を形成する方法は、保護膜201を形成する基材1を反応炉内不図示に設けた並行平板型電極不図示に載置する。基材1が載置された並行平板型電極に高周波を印加し、保護膜201の膜材200となるハロゲン化物からなる原料ガスと、水素や窒素等のキャリアガスとをシャワープレート120から反応炉内に導入し、プラズマ化して分解させる。分解させた原料ガスと、キャリアガスとが当該並行平板型電極上に載置した基材1の第1基材面10の表面に膜材200を析出させて保護膜201を形成する。ここで保護膜201の形成は、第1基材面10の外縁部10aに形成させるため、第1基材面10にて保護膜201の形成を要しない処理面10bをマスク版110で覆い選択的に外縁部10aに保護膜201を形成する。図1cは、第1基材面10に保護膜201が形成され、薄板化工程を開始する状態を示す模式図である。図1cに示す薄板化工程は、前述の保護膜形成工程によって保護膜201が形成された外縁部10aの内縁となる処理面10bを研削することで、外縁部10aとなる基材1を残し、処理面10bの基材1を薄板化する。図1dは、処理面10bの研削を行い薄板化した処理面10bの平滑化をおこなうエッチング工程を示す模式図である。図1dに示すエッチング工程は、基材1を溶解させる有効な成分を含む水溶液130によって薄板化工程の研削によって生じた処理面10b上の研削キズや研削クズを溶融以下、エッチングと称する。するウエットエッチング法を用いて平滑化をおこなう。エッチング工程は、基材1を第1基材面10に相対して水平に回転させながら、水溶液130を処理面10bの中心部に滴下し、基材1の回転によって生じる遠心力で水溶液130が外縁部10a方向に流動しながら処理面10bのエッチングを行う。流動した水溶液130は、外縁部10a上に形成された保護膜201を超えて基材1から流出する。本実施形態のエッチング工程に用いる水溶液130は、フッ化水素酸を含む水溶液130を用いている。図1eは、本実施形態の基材表面処理方法が完了した基材1を示す模式図である。図1eに示す基材1は、保護膜形成工程で外縁部10aとなる部分に保護膜201が形成され、薄板化工程によって処理面10bを研削し、エッチング工程によって処理面10bが平滑化されることで一連の基材表面処理が完了する。基材表面処理が完了した基材1は、保護膜201が形成された外縁部10aの第1基材面10の形状を維持している。上述した第1実施形態によれば、以下の効果が得られる。本実施形態の基材表面処理方法は、気相成長法を用いて保護膜201の形成をおこなうことで、保護膜201を選択的に第1基材面10の外縁部10aに形成することができる。このことによって、処理面10bを平滑化するエッチング工程によって、外縁部10aを構成する基材1がエッチングされることを抑制し、外縁部10aの第1基材面10の形状を維持することができる。従って、薄板化された基材1を、外縁部10aを構成する基材1で補強することができ、当該基材1を搬送する際に基材1が破損することを抑制することができる基材表面処理方法が実現できる。第2実施形態図2は、本実施形態に係る基材表面処理方法を示す模式図である。図2を参照して本実施形態の基材表面処理方法を説明する。本実施形態の基材表面処理方法において、保護膜301の構成が第1実施形態と異なっている。その他、第1実施形態と同様であるため、同様の構成および工程は同様の符号を付して説明は簡略または省略とする。本実施形態の基材表面処理方法は、基材1に保護膜を形成する保護膜形成工程と、以下第1実施形態と同様に、第1基材面10を研削する薄板化工程と、薄板化工程で研削された処理面10bを平滑化するエッチング工程とを備える。図2aは、基材表面処理を行う基材1を示す模式図である。第1実施形態と同様に第1基材面10に対して基材表面処理をおこなう。なお、シリコン基板を基材1として用いている。図2bは、保護膜形成工程によって、基材1に保護膜301が形成された状態を示す模式図である。図2bに示す保護膜形成工程は、基材1の第1基材面10と、第2基材面20とを含む基材1の表面となる部分に保護膜301を形成する。本実施形態の保護膜形成工程は、熱酸化法を用いて基材1に保護膜301として熱酸化膜を形成する。ここで保護膜301となる熱酸化膜は、熱酸化装置不図示を用い、加熱された雰囲気中に基材1を載置し、当該雰囲気を酸素または水蒸気などで充満し、基材1を構成するシリコンと、雰囲気中に内在する酸素とが反応し、基材1の表面に熱酸化膜からなる保護膜301を形成する。図2cは、第1基材面10の処理面10bを薄板化する薄板化工程が完了し、処理面10bの平滑化をするエッチング工程を示す模式図である。先ず本実施形態の薄板化工程は、第1実施形態と同様に第1基材面10の外縁部10aの内縁となる処理面10bの研削をおこなう。次に、エッチング工程は、水溶液130を処理面10bに滴下し、第1実施形態と同様に薄板化工程によって処理面10b上に生じた研削キズや研削クズをエッチングによって溶解させることで平滑化するエッチング工程をおこなう。図2dは、本実施形態の基材表面処理方法が完了した基材1を示す模式図である。図2dに示す基材1は、保護膜形成工程によって第1基材面10と、第2基材面20とを含む基材1の表面に保護膜301が形成され、薄板化工程によって処理面10bを研削し、エッチング工程によって処理面10bが平滑化されることで一連の基材表面処理が完了する。基材表面処理が完了した基材1は、保護膜301が形成された外縁部10aの第1基材面10の形状を維持している。上述した第2実施形態によれば、以下の効果が得られる。本実施形態の基材表面処理方法は、基材1の全面に熱酸化膜からなる保護膜301を形成することで、保護膜301が薄板化した基材1をさらに補強し、基材1を搬送する際の破損やキズが付着することを抑制することができる。本実施形態の基材表面処理方法は、気相成長法を用いて形成された保護膜201と比べて、熱酸化膜からなる保護膜301は硬質な膜質となり、基材1を搬送する際に破損やキズが付着することをさらに抑制することができる。また、保護膜301として熱酸化膜を用いることで、気相成長法を用いて形成された保護膜201と比べて、保護膜301の形成する原材料費等の形成費及び形成に係るエネルギーを抑制することができる。なお、上述した実施形態に限定されず、その要旨を逸脱しない範囲において種々の変更や改良等を加えて実施することが可能である。変形例を以下に述べる。変形例1第1実施形態の保護膜形成工程は、CVD法によって第1基材面10の外縁部10aに保護膜201が形成される。しかし、これに限定されずに蒸着法によって保護膜201となる物質を蒸着させ保護膜201を形成させても良い。変形例2第2実施形態の保護膜形成工程は、熱酸化法によって第1基材面10と、第2基材面20とを含む基材1の全面に保護膜301が形成される。しかし、これに限定されずに、CVD法や蒸着法などの気相成長法を用いて保護膜301を形成させても良い。