ゲルマニウム基板と絶縁膜との間にゲルマニウム酸化膜を形成する方法であって、上面に絶縁膜が積層されたゲルマニウム基板の前記絶縁膜の表面上に、酸素原子含有ガスを含む処理ガスのプラズマを発生させて原子状酸素を生成し、前記絶縁膜表面に前記プラズマを照射することにより、前記原子状酸素を当該絶縁膜を透過させて前記ゲルマニウム基板へ到達させ、当該ゲルマニウムと原子状酸素と反応させて前記ゲルマニウム酸化膜を形成することを特徴とする、ゲルマニウム酸化膜の形成方法。前記絶縁膜はHigh-k膜であることを特徴とする、請求項1に記載のゲルマニウム酸化膜の形成方法。前記処理ガスは、希ガスと酸素ガスからなることを特徴とする、請求項1または2のいずれかに記載のゲルマニウム酸化膜の形成方法。前記プラズマの生成の圧力は、133Pa以上933Pa以下であることを特徴とする、請求項1から3のいずれか1項に記載のゲルマニウム酸化膜の形成方法。前記原子状酸素は、O1Dラジカルであることを特徴とする、請求項1から4のいずれか1項に記載のゲルマニウム酸化膜の形成方法。請求項1から5のいずれかに記載のゲルマニウム酸化膜の形成方法によりゲルマニウム酸化膜が形成されたことを特徴とする、電子デバイス用材料。上記のように、従来は、Ge酸化膜の形成とHigh-k膜の成膜を異なる装置で行っているため、Ge酸化膜の大気暴露が回避できず、揮発あるいは吸湿による問題を解決することが極めて困難であった。本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、ゲルマニウム基板と絶縁膜との界面に、良好なゲルマニウム酸化膜を形成することを目的としている。上記問題を解決するため、本発明は、ゲルマニウム基板と絶縁膜との間にゲルマニウム酸化膜を形成する方法であって、上面に絶縁膜が積層されたゲルマニウム基板の前記絶縁膜の表面から、酸素原子含有ガスを含む処理ガスのプラズマを照射することを特徴としている。上面に予め絶縁膜が積層されたゲルマニウム基板を、酸素ガスによってプラズマ処理することにより、ゲルマニウム基板と絶縁膜との間にゲルマニウム酸化膜を形成することができる。これにより、ゲルマニウム基板と絶縁膜との界面特性を良好なものとすることができる。そして、絶縁膜がゲルマニウム酸化膜に対して保護膜として機能し、形成されたゲルマニウム酸化膜の劣化を防ぐので、酸化膜を良好な状態に維持することができる。前記絶縁膜はHigh-k膜であってもよい。また、本発明によれば、前記ゲルマニウム酸化膜の形成方法によりゲルマニウム酸化膜が形成されたことを特徴とする、電子デバイス用材料が提供される。本発明によれば、High-k膜の上からゲルマニウム酸化膜を形成するため、不安定なゲルマニウム酸化膜の脱離が抑制され、High-k膜とゲルマニウム基板との良好な界面特性が得られる。以下、本発明の実施の形態の例について、図を参照して説明する。図1は、本発明の実施の形態に係るプラズマ処理装置10の概略構成を示す。プラズマ処理装置10は、被処理基板としてのGe基板Wを保持する基板保持台12が設けられた処理容器11を有し、処理容器11内の空気ガスは排気ポート11aを介して排気される。なお、基板保持台12の内部にはヒータ図示せずが設けられ、基板Wを所定の温度に加熱することができる。処理容器11の上方は、基板保持台12上の基板Wに対応して開口部が形成されている。この開口部は、石英やAl2O3などの誘電体からなるマイクロ波透過板13を、Oリング等図示せずでシールして支持する支持部材13aによってシールを介して塞がれている。誘電体マイクロ波透過板13の上外側には、アンテナとして機能するスロット板14が配置されている。このスロット板14は、導電性を有する材質、たとえば銅、アルミニウム、ニッケルなどの薄い円板からなり、表面が金または銀メッキされて多数の長孔14aが形成されている。これら長孔14aは、全体として同心円状、あるいは略渦巻状に配列されている。なお、本発明のプラズマ酸化処理を行うプラズマ処理装置は、図1に示すSPASlotPlaneAntenna方式のスロット板14に限らず、図2に示すRLSARadialLineSlotAntenna方式のスロット板29を備えたものでもよい。図2に示したように、このRLSAのスロット板29には、表面に複数のスロット29aが同心円状に形成されている。各スロット29aは略方形の貫通した溝であり、隣接するスロットどうしは互いに直交して略アルファベットのTの文字を形成するように配設されている。スロット29aの長さや配列間隔は、マイクロ波供給装置17より発生したマイクロ波の波長に応じて決定されている。スロット板14の上外側には、石英、アルミナ、窒化アルミニウム等からなる誘電体板15が配置されている。この誘電体板15は、遅波板として機能する。誘電体板15の上方には、金属性のプレート16が配置されている。プレート16の内部には、冷媒が流れる冷媒路16aが設けられている。また、処理容器11の上端中央には、マイクロ波供給装置17で発生させた例えば2.45GHzのマイクロ波を導入する同軸導波管18が設けられている。処理容器11内の基板保持台12の周囲には、例えば石英からなるガスバッフル板26が配置されている。石英のガスバッフル板26を支持する例えばアルミニウムの支持部材28が設けられている。処理容器11の内壁には、ガスを導入するためのガスノズル22が設けられている。ガスノズル22には、ガス配管23を介してガス供給源24が接続されている。ガスノズルから供給されるガスの流量は、ガス配管23に設けられたマスフローコントローラ25によって制御される。本実施の形態にかかるプラズマ処理装置10は以上のように構成されており、次に、プラズマ処理装置10で行われるGe基板上の絶縁膜形成方法について説明する。図3a、bは、図1のプラズマ処理装置10を使ったGe基板の処理プロセスを示す。本発明において使用可能なHigh-k材料は特に制限されないが、実用レベルのMOSトランジスタにおいて、k比誘電率の値が8以上、更には10以上のものが好ましい。このようなHigh-k材料の例としては、Al2O3、ZrO2、HfO2、Ta2O5、Dr2O3およびZrSiO、HfSiO等のシリケート、あるいはZrAlO等のアルミネートからなる群から選択される1又は2以上のものが好適に使用できる。まず、Ge基板31上記の基板Wに対応の上に予めHigh-k膜32を積層し、処理容器11図1参照中に導入する。High-k膜32の膜厚は、1.5~4.0nmである。次いで、排気ポート11aを介して真空ポンプ図示してないにより処理容器11内部の排気が行われ、処理容器11が10~1333Paの所定の圧力に設定される。好ましくは133以上1333Pa以下が好ましく、133Pa以上933Pa以下がより好ましい。その後、ガスノズル22からAr、Kr等の不活性ガスと共にO2ガスが導入される。このとき、例えばArガスの流量が100~2000ml/minSCCM、O2ガスの流量が5~500ml/minSCCMである。好ましくは、Arガス流量が1000~2000ml/minSCCM、O2ガスの流量が10~300ml/minSCCMである。また、Ge基板31の温度は常温~500°Cの間、好ましくは、100°Cから400°Cであり、例えば300°Cに加熱される。また、マイクロ波は、マイクロ波供給装置17から同軸導波管18を伝播してスロットアンテナへ供給されて処理容器内導入される、マイクロ波の周波数としては、数GHz、1.9GHzから10GHzが好ましく、例えば2.45GHzが用いられる。マイクロ波の出力は0.5wcm2~2.57wcm2が好ましく、1.0wcm2~2.0wcm2がより好ましい。例えば、300mmウエハの場合、2000~4000Wのマイクロ波を、誘電体板15、スロット板14、マイクロ波透過板13を介して処理容器11中に導入する。処理容器11内の酸素ガスは、Ge基材31のHigh-k膜32の表面上に形成された高密度マイクロ波プラズマにより励起されて、原子状酸素酸素ラジカルおよび酸素イオン等が形成される。そして、この高密度のマイクロ波プラズマを照射することにより、かかる原子状酸素Oは、図3aに示すように、High-k膜32の表面に達する。さらに、原子状酸素Oは、High-k膜32の表面側からHigh-k膜32を改質するとともに一部は透過し、High-k膜32とGe基板31との界面に到達してGe基板31と反応、即ちGe基板31を酸化する。これにより、図3bに示すように、High-k膜32とGe基材31との界面に、例えば厚さが0.5nmのGeO2によるGe酸化膜33が形成される。このように、High-k膜32の上からプラズマ酸化処理によりGe基板31の酸化を行うことで、High-k/GeO2/Ge構造の電子デバイス用材料40が形成される。図4は、ゲルマニウムの結合エネルギーと、プラズマ中に存在する酸素活性種のエネルギーの比較を示す。図4より、酸素活性種O1Dラジカル及びO2イオンは、Geの結合エネルギーと同等もしくはそれ以上のエネルギーを持つので、酸素ガスのプラズマにより生成した酸素活性種O1Dラジカル及びO2イオンによりGeは十分酸化されてGeO2を形成することが出来る。また、基底状態のO3PはGeに比べてエネルギーが低いものの、Geとのエネルギー差が小さいため、O3PラジカルもGeとの反応が可能であると考えられる。以上のように、本実施の形態においては、予めHigh-k膜32を積層したGe基板31上に、酸素原子含有ガスを含む処理ガスに基づくプラズマをHigh-k膜32の表面側から照射し、High-k膜32越しにHigh-k膜32とGe基材31との界面にGe酸化膜33を形成する。これにより、Ge基板と絶縁膜との界面特性界面ラフネス等を良好なものとすることができる。また、High-k膜32がGeO2のキャッピング効果を発揮し、不安定なGe酸化膜33が大気暴露されて吸湿したり揮発したりすることを抑制する。したがって、適切にGe酸化膜33が形成され、良好な界面特性が得られる。しかも、複雑な構成の装置を必要とせず、従来のプラズマ処理装置を用いることができる。以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。High-k膜としてAl2O3を用い、Ge基板上にこのHigh-k膜を、たとえばALD法により積層した後、High-k膜の上からSPAプラズマ酸化処理を行った。処理容器の圧力は、133Paと667Paの低圧および高圧の2条件で、その他の処理条件は同一とした。すなわち、ArガスとO2ガスの流量がそれぞれ1980SCCM/20SCCM、マイクロ波の出力が4000W、Ge基板の温度が300°Cとした。この条件で処理した結果を図5に示す。なお、Ge酸化膜の膜厚は、X線光電子分光分析XPSを用いて測定した。図5に示すように、処理時間が長いほどGe酸化膜の膜厚が増加することが確認された。すなわち、本発明のGe酸化膜の形成方法により、High-k膜とGe基板との界面にGe酸化膜が形成されることが確認された。また、処理圧力が133Paよりも高圧の667Paの場合に膜厚が大きくなり、成膜速度が速くなることが確認された。なお、High-k膜として用いるAl2O3の膜厚は1.5~4.0nmが好ましく、Ge酸化膜の膜厚は0.5~1.5nmが好ましい。