"光電変換による光の検出を行う複数の光検出部を備えた光検出装置であって、波長範囲λの光を吸収する光吸収半導体層を光電変換領域よりも受光面側に有する第1の光検出部と、光の吸収域がない透過膜を光電変換領域よりも受光面側に有する第2の光検出部とを少なくとも備え、前記第1の光検出部の信号と前記第2の光検出部の信号を演算することにより波長範囲λの光量を計測することを特徴とする光検出装置。前記光吸収半導体層はMgXZn1-XO0≦X<1であることを特徴とする請求項1に記載の光検出装置。前記透過膜は、誘電体により構成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の光検出装置。前記第1の光検出部及び第2の光検出部の光電変換領域は、紫外領域に受光感度を有することを特徴とする請求項1~請求項3のいずれか1項に記載の光検出装置。前記光吸収半導体層と透過膜との光路長が一致するように、かつ該光吸収半導体層と透過膜との透過率スペクトルの干渉フリンジが一致するように構成されていることを特徴とする請求項1~請求項4のいずれか1項に記載の光検出装置。前記光吸収半導体層を備えた光検出部は、前記第1の光検出部を含めて複数形成されており、前記光吸収半導体層は、これら光検出部毎に異なることを特徴とする請求項1~請求項5のいずれか1項に記載の光検出装置。前記光吸収半導体層を備えた光検出部は、前記第1の光検出部以外に該第1の光検出部とは異なる広さの光電変換領域を備えた第3の光検出部を少なくとも備え、前記第1の光検出部と第2の光検出部と第3の光検出部により、波長範囲λの光量を算出することを特徴とする請求項1~請求項6のいずれか1項に記載の光検出装置。前記第1の光検出部と第3の光検出部とで波長範囲λを除く光の単位受光面積当たりの光検出信号J0を算出する第1の算出手段、前記第2の光検出部の受光面積をSとした場合S×J0と該第2の光検出部の光検出信号との差を求めて波長範囲λの光量を算出する第2の算出手段とを備えたことを特徴とする請求項7に記載の光検出装置。前記光検出部のすべてが光電変換領域よりも受光面側に可視光を反射する反射フィルタを備えていることを特徴とする請求項1~請求項8のいずれか1項に記載の光検出装置。前記第1の光検出部には第1の光電変換領域よりも浅い深さに第2の光電変換領域が形成され、前記第2の光検出部には第3の光電変換領域よりも浅い深さに第4の光電変換領域が形成されており、前記第1の光電変換領域及び第3の光電変換領域は短絡されており、第2の光電変換領域からの光検出信号と第4の光電変換領域からの光検出信号との演算により、波長範囲λの光量を計測することを特徴とする請求項1~請求項9のいずれか1項に記載の光検出装置。光電変換による光の検出を行う複数の光検出部を備えた光検出装置であって、波長範囲λの光を吸収する第1の光学フィルターを光電変換領域よりも受光面側に有する第1の光検出部と、波長範囲λを含む波長範囲λ1の光を吸収する又は光の吸収域がない第2の光学フィルターを光電変換領域よりも受光面側に有する第2の光検出部とを少なくとも備え、前記第1の光学フィルター及び第2の光学フィルターは光の透過スペクトルにおいてフィルターの膜厚による干渉フリンジがないように構成されており、前記第1の光検出部の信号と前記第2の光検出部の信号を演算することにより波長範囲λの光量を計測することを特徴とする光検出装置。前記第1の光学フィルター及び第2の光学フィルターは、それぞれ前記波長範囲λに吸収がないペースト状材料と吸収端の異なる半導体の粉末との混合物であることを特徴とする請求項11に記載の光検出装置。前記第1の光学フィルターと同じ特性の第3の光学フィルターと前記第1の光検出部とは異なる広さの光電変換領域とを有する第3の光検出部を少なくとも備え、前記第1の光検出部と第2の光検出部と第3の光検出部により、波長範囲λの光量を算出することを特徴とする請求項11又は請求項12に記載の光検出装置。前記第1の光検出部と第3の光検出部とで波長範囲λを除く光の単位受光面積当たりの光検出信号J0を算出する第1の算出手段、前記第2の光検出部の受光面積をSとした場合S×J0と該第2の光検出部の光検出信号との差を求めて波長範囲λの光量を算出する第2の算出手段とを備えたことを特徴とする請求項13に記載の光検出装置。ペースト状の物質を硬化させた光学フィルターであって、前記ペースト状の物質には一定の波長範囲の光を吸収させるための半導体の粒子が含まれていることを特徴とする光学フィルター。前記半導体の粒子は、IV族の元素による半導体、II族の元素とVI族の元素による化合物半導体、III族の元素とV族の元素による化合物半導体、III族の元素とVI族の元素による化合物半導体のいずれかの半導体による粒子であることを特徴とする請求項15に記載の光学フィルター。前記ペースト状の物質の主成分は、ガラス系材料、アクリル樹脂、シリコン樹脂、非晶性フッ素樹脂のいずれか1つ以上の物質で構成されていることを特徴とする請求項15又は請求項16に記載の光学フィルター。前記ペースト状の物質は、前記ガラス系材料と半導体の粒子とを混合したペーストからなることを特徴とする請求項17に記載の光学フィルター。一方、上記干渉フィルターとSi光電変換素子との組み合わせで発生する問題を解決するために、pn接合面の深さを変えること、すなわち光電変換領域の深さを変えることにより、受光感度の波長領域を変えて光を検出することが提案されている。pn接合面を浅く形成して、比較的短い波長領域に感度特性がすぐれた光電変換領域により光を検出し、pn接合面を深く形成して長波長側の感度を良くした光電変換領域により光を検出する。この2つの検出信号の差分を算出することにより、短波長側の光を検出するものである例えば特許文献1~6。しかしながら、この場合でも、紫外領域の感度が悪く、かつ、紫外領域の検出したい波長毎に、pn接合の深さを調整する必要があり、極めて煩雑である。また、pn接合の深さをどのように調整しても、紫外領域の光のみを検出することは困難である。また、特許文献2のように、2つの光電変換領域のpn接合の深さを同一にして、一方のフォトダイオードに紫外線の一部を吸収する紫外線吸収膜を形成して、その差を取るように構成したものがある。しかし、この紫外線吸収膜は、紫外線の一部を吸収するフィルムのようなものだと考えられ、文献中の記載にあるように、一部の紫外線が吸収されて受光する紫外線が弱くなる程度のものである。したがって、紫外線吸収の度合いが弱いため、差分により算出した場合でも、その検出感度は弱い。さらに、特許文献2のように、光学フィルターを形成したフォトダイオードAと光学フィルターが設けられていないフォトダイオードBとの差を取った場合には、以下の問題が発生する。光学フィルターを形成したフォトダイオードAの方で、光学フィルターの表面からの反射光と光学フィルターと半導体層との界面からの反射光とが干渉を起こして、干渉縞を発生させる。光検出信号には、この干渉縞干渉フリンジによる信号が含まれてしまうために、正確な検出が行なえない。以上のように、測定対象となる特定の波長域の光を選択的に、高感度で検出することが困難であった。本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、特定の波長域の光を選択的に、高感度で検出できる光検出装置及びこれに用いる光学フィルターを提供することを目的としている。上記目的を達成するために、本発明の光検出装置は、光電変換による光の検出を行う複数の光検出部を備えた光検出装置であって、波長範囲λの光を吸収する光吸収半導体層を光電変換領域よりも受光面側に有する第1の光検出部と、光の吸収域がない透過膜を光電変換領域よりも受光面側に有する第2の光検出部とを少なくとも備え、前記第1の光検出部の信号と前記第2の光検出部の信号を演算することにより波長範囲λの光量を計測することを主要な特徴とする。また、本発明の光検出装置の他の構成では、光電変換による光の検出を行う複数の光検出部を備えた光検出装置であって、波長範囲λの光を吸収する第1の光学フィルターを光電変換領域よりも受光面側に有する第1の光検出部と、波長範囲λを含む波長範囲λ1の光を吸収する又は光の吸収域がない第2の光学フィルターを光電変換領域よりも受光面側に有する第2の光検出部とを少なくとも備え、前記第1の光学フィルター及び第2の光学フィルターは光の透過スペクトルにおいてフィルターの膜厚による干渉フリンジがないように構成されており、前記第1の光検出部の信号と前記第2の光検出部の信号を演算することにより波長範囲λの光量を計測することを主要な特徴とする。また、本発明の光学フィルターは、ペースト状の物質を硬化させた光学フィルターであって、前記ペースト状の物質には一定の波長範囲の光を吸収させるための半導体の粒子が含まれていることを主要な特徴とする。本発明の光検出装置は、波長範囲λの光を吸収する光吸収半導体層を光電変換領域よりも受光面側に有する第1の光検出部と、光の吸収域がない透過膜を光電変換領域よりも受光面側に有する第2の光検出部とを少なくとも備えているので、従来のように、2つの光電変換領域の深さの関係を調整することなく、波長範囲λの光を選択的に、かつ高感度に検出することができる。また、本発明の光検出装置では、一定の波長範囲λの光を吸収する第1の光学フィルターを有する第1の光検出部と、波長範囲λを含む波長範囲λ1の光を吸収する又は光の吸収域がない第2の光学フィルターを有する第2の光検出部とを少なくとも備えている。そして、第1の光学フィルター及び第2の光学フィルターは光の透過スペクトルにおいてフィルターの膜厚による干渉フリンジがないように構成されており、第1の光検出部の信号と前記第2の光検出部の信号を演算することにより波長範囲λの光量を計測するようにしている。このため、干渉フリンジによるノイズが全く除去され、所望の波長範囲の光を選択的に、かつ高感度に検出することができる。また、本発明の光学フィルターは、ペースト状の物質を硬化させた光学フィルターであって、ペースト状の物質には一定の波長範囲の光を吸収させるための半導体の粒子が含まれている。このため、光学フィルターは、特定の波長範囲の光を吸収するとともに、光の透過スペクトルにおいてフィルターの膜厚による干渉フリンジがないように構成することができる。以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。本発明の光検出装置は、半導体光電変換層をベースとした光電変換素子により構成される。ここで、半導体光電変換層とは、光を電流に変換する作用を持つ半導体層であり、例えば、pn接合やショットキー接合において空乏層を形成している半導体層が該当する。まず、光検出装置は、図1のように構成することができる。図1は、本発明の一実施形態に係る光検出装置の構造を示す断面図である。この光検出装置は、共通の支持基板1を備えている。支持基板1は、例えばシリコンを用いることができる。支持基板1には、1つの光検出部に相当する受光素子100、1つの光検出部に相当する受光素子200が形成されている。受光素子100、200は、図の上方から照射される光を検出する素子である。pnの極性は、図1と逆転していても良く、以下同様である。受光素子100では、p型層2が層間絶縁膜10を境界にして形成されている。p型層2の表層部には、平面視において、p型層2の周縁から間隔を隔てた内方の領域に、その表面からn型不純物をドーピングすることによって形成されたn型層3が埋設されている。これにより、受光素子100には、p型層2とn型層3とのpn接合からなる光電変換領域Aが形成される。一般に、受光素子では、受光面から入射する光は波長が短いものほど浅い位置で吸収される。p型層2の表面及びn型層3の表面は、SiO2またはSiN等からなる透明な保護膜7で覆われている。また、p型層2の側面は、層間絶縁膜10により覆われている。層間絶縁膜10は、保護膜7同様、SiO2またはSiN等からなる透明な膜で構成される。保護膜7上には、アノード電極5、カソード電極6が形成されている。アノード電極5は、保護膜7に形成された開口部を介して、p型層2に接続されている。カソード電極6は、保護膜7に形成された開口部を介して、n型層3に接続されている。これにより、p型層2とn型層3のpn接合領域での光電変換によって生じる光電流は、カソード電極6から光検出信号として出力される。一方、カソード電極6を覆うようにして、保護膜7上に紫外光吸収半導体層4が形成されている。紫外光吸収半導体層4は、波長範囲λの光を吸収する光吸収半導体層である。すなわち、紫外光を吸収し、紫外光よりも長い波長の光を透過させる光学フィルターの役割を果たす紫外光吸収層であり、半導体により形成された薄膜である。ここで、紫外領域は、400nm以下の波長で200nm程度までの波長をいうものとする。紫外領域は、さらに、紫外光A波長320nmより大きく、400nm以下、紫外光B波長280nmより大きく、320nm以下、紫外光C波長280nm以下に分類される。また、受光面側に設けられた紫外光吸収半導体層4は、p型層2とn型層3とのpn接合からなる光電変換領域Aの全体を覆う広さに形成されており、紫外光吸収半導体層4の面積は、光電変換領域Aの面積と同じか、あるいは光電変換領域Aの面積よりも大きく形成される。紫外光吸収半導体層4は、紫外光のみを選択的に吸収する材料を使用することが望ましい。この要求を満たすものとして、酸化物系材料としてZnO、MgZnO、TiO2、SrTiO2、InGaZnO等があげられる。また、InGaN、AlGaN、GaN等であっても良い。これらは、可視光領域の光を吸収しないバンドギャップを持つ材料であり、抵抗値が高い材料である。本実施例では、MgXZn1-XO0≦X<1を用いた。他方、受光素子200では、支持基板1上のp型層12の表層部には、平面視において、p型層12の周縁から間隔を隔てた内方の領域に、その表面からn型不純物をドーピングすることによって形成されたn型層13が埋設されている。これにより、受光素子200には、p型層12とn型層13とのpn接合からなる光電変換領域Bが形成されている。上記光電変換領域Aにおけるpn接合の深さと光電変換領域Bにおけるpn接合の深さは、同じに作製されるが、異なる深さに形成しても良い。また、pn接合面の深さは、赤外光の寄与をできるだけ減らすために、あまり深い位置には形成しないことが望ましい。p型層12の表面及びn型層13の表面は、SiO2またはSiN等からなる透明な保護膜17で覆われている。また、p型層12の側面は、層間絶縁膜10により覆われている。保護膜17上には、アノード電極15、カソード電極16が形成されている。アノード電極15は、保護膜17に形成された開口部を介して、p型層12に接続されている。カソード電極16は、保護膜17に形成された開口部を介して、n型層13に接続されている。これにより、p型層12とn型層13のpn接合領域での光電変換によって生じる光電流は、カソード電極16から光検出信号として出力される。一方、カソード電極16を覆うようにして、保護膜17上に透過膜14が形成されている。透過膜14は、光の吸収域がない光学フィルターとして用いられ、紫外光を吸収せずに、紫外光及び紫外光よりも長い波長の光に対して透明で、かつ絶縁体である誘電体が用いられる。透過膜14に用いられる誘電体は、SiO2、ZrO2、Al2O3、Si3N4等がある。これらの誘電体は、紫外光だけでなく可視光から赤外光まで非常に高い透過率を有する。また、保護膜7、17についても、透過膜14と同様、紫外光及び紫外光よりも長い波長の光に対して透明な膜が望ましい。したがって、透過膜14と同様、上記誘電体により構成することが望ましい。また、受光面側に設けられた透過膜14は、p型層12とn型層13とのpn接合からなる光電変換領域Bの全体を覆う広さに形成されており、透過膜14の面積は、光電変換領域Bの面積と同じか、あるいは光電変換領域Bの面積よりも大きく形成される。図1の紫外光検出装置の製造方法について説明する。既に良く知られた製造手法を用いて作製できるものであるため、製造手順の一例を簡単に説明する。支持基板1上にn型シリコン層を形成する。n型シリコン層の表面上面を酸化させて、保護膜7、17となる酸化被膜SiO2を形成する。この酸化被膜SiO2に穴を開けてイオン注入法等によりp型不純物を注入してp型層2、12を作製する。次に、酸化被膜SiO2に別の穴を開け、p型層2、12の一部の領域にイオン注入法等によりn型不純物を注入して、n型層3、13を作製する。上記酸化被膜SiO2に形成された穴の領域は、アノード電極5、15、カソード電極6、16の各電極が接触するp型層及びn型層の領域となるので、イオン注入法等により接触抵抗が低減するようにコンタクト領域を形成する。その後、シリコン層の中央部分や外側部分を酸化させて層間絶縁膜10となる酸化被膜SiO2を作製する。次に、アノード電極、カソード電極をスパッタ法又は蒸着法により形成した後、紫外光吸収半導体層4、透過膜14を形成する。最後に配線などを行う。次に、紫外光吸収半導体層4に、MgXZn1-XO0≦X<1を用いた場合に、紫外光のみを検出できることを示したのが、図4、5である。図4は、実験工程の様子を示す。市販のシリコンフォトダイオードを使用し、紫外光と可視光とを照射して、その光電流出力を比較した。まず、図4aのように、シリコンフォトダイオード41に波長365nmの紫外光のみを照射して光電流IUを計測した。次に、図4bのように、シリコンフォトダイオード41に可視光のみを照射して光電流IVを計測した。次に、図4cのように、シリコンフォトダイオード41に波長365nmの紫外光と可視光を照射して光電流IUVを計測した。図4dのように、ガラス基板42上にZnO層43を形成した積層体を、シリコンフォトダイオード41上に配置した。この状態で、上方から可視光のみを照射して光電流I1Vを計測した。次に、図4eに示すように、図4dと同じ構成のままで、波長365nmの紫外光と可視光の両方を照射して光電流I1UVを計測した。ここで、ZnO層43の表面における可視光の反射光を算出する。反射光分は、IV-I1Vと表わせる。一方、ZnO層43の表面における紫外光の反射があるかないのかを判断する。図4eの計測によるI1UVから図4bの計測によるIVを引き算し、図4dのZnO層43の表面における可視光の反射光分IV-I1Vを足しておけば、図4eの測定における紫外光分のみの検出値が算出される。すなわち、これは、{I1UV-IVIV-I1V}で表わされる。図4eの測定で、ZnO層43の表面における紫外光の反射成分がほぼなく、吸収されている場合には、IU={I1UV-IVIV-I1V}となるはずである。そこで、図4aの測定における光電流IUを縦軸にとり、横軸に{I1UV-IVIV-I1V}をとり、データをプロットしたのが、図5である。縦軸、横軸ともに単位は、ナノアンペアnAである。また、波長365nmの紫外光のパワーを42μW/cm2、125μW/cm2、187μW/cm2、300μW/cm2と変化させて上記と同様の測定、演算を行い、これらのデータをプロットした。図5からわかるように、正比例の直線となっている。すなわち、IU={I1UV-IVIV-I1V}であることがわかる。次に、紫外光吸収半導体層4となるMgXZn1-XO層が、紫外光をほぼ完全に吸収しており、透過成分は無視できることを示す。図6に示す41は市販されているシリコンPINフォトダイオードである。まず、図6aのように、シリコンPINフォトダイオードをパッケージし、受光窓46から紫外光と可視光の両方を照射して、光電流を測定した。測定に際しては、最初に紫外光の出力パワー密度を0にして測定したのち、順にパワー密度を上げていき、光電流と紫外光のパワー密度との関係を測定した。これを図7aのC1の曲線に示す。一方、図6bに示すように、C1の測定に使用されたものと同じパッケージに対して受光窓46の上面に膜厚500nmのZnO層43を配置して、C1の測定の場合と同様に紫外光と可視光の両方を照射した。紫外光については、最初は出力を0にして、C1のときと同じように、順次パワー密度を上げていき測定した。この測定結果を図7aのC2で示す。図7aに示すように、ZnO層のキャップがない場合には、C1のように、可視光の検出電流をベースとして、紫外光強度を強くするにしたがい、光電流は比例して上昇していることがわかる。一方、ZnO層のキャップがある場合には、C2のように、紫外光強度を上げた場合でも、紫外光出力を0とした状態、すなわち可視光のみを検出した光電流の値をほぼキープしていることがわかる。可視光の出力が異なることによる光電流の違いを調整し、C1からC2を差し引いてグラフを描いたのが、図7bである。図7bでは、ほぼ正比例の直線となっている。図7a、bにより、ZnO層43により、ほぼ完全に、紫外光が吸収されていることがわかる。次に、図10に、ZnOは、紫外領域の光のみを選択的にほぼ完全に吸収することを示す。サファイア基板上にZnO層を形成した積層体Aとサファイア基板上にSiO2膜を形成した積層体Bとに紫外光及び可視光から赤外光までを照射した場合の光の各波長に対する透過率スペクトルが示されている。サファイア基板及びSiO2は、紫外光~赤外光までの広範囲に渡り、透明であることが知られている。ここで、SiO2/サファイアの透過率スペクトルは、図10における曲線のように示される。一方、ZnO/サファイアの曲線は、波長400nm程度を境にして急激に透過率が低下し、透過率0まで急落しており、紫外光に対しては透過率0を維持していることがわかる。このような特性を持つZnOを用いて感度測定を行った。まず、図8aのように、シリコンピンフォトダイオードSiPIN-PD51上に、ZnO層52を形成した。これを受光素子1とする。次に、図8bのように、シリコンピンフォトダイオード51上にSiO2膜53を形成した。これを受光素子2とする。これらの受光素子に、それぞれ200nmから1200nmまでの光を照射して分光感度を測定した。図9は、受光素子1及び受光素子2の受光感度曲線を示す。図9の横軸は波長nmを、縦軸は受光感度A/Wを示す。受光感度は、素子に対する入射光量ワットと素子に流れる光電流アンペアとの比で表わされる。図9のSiO2と記載された曲線は、受光素子2図8bの受光素子によるものであり、ZnOと記載された曲線は、受光素子1図8aの受光素子によるものである。この分光感度曲線からわかるように、受光素子1では、紫外光がZnO層52によりほぼ完全に吸収されるため、紫外領域における感度は0である。一方、受光素子2では、紫外光もシリコンピンフォトダイオード51で受光されるため、紫外領域も光電流出力として検出される。図9における受光素子2の感度曲線から受光素子1の感度曲線を引き算した曲線が図11のRに示される。S1は、従来技術に示されるシリコンフォトダイオードのpn接合深さを変えて、各pn接合で検出された光電流を引き算することにより求めた分光感度曲線である。RとS1を比較してもわかるように、Rの計測結果では、紫外領域のみを選択的に、かつ極めて感度良く検出することができる。さて、上記の受光素子1と受光素子2を具体的に並べて構成したものが、図1である。図1では、受光素子100が上記受光素子1に相当し、受光素子200が上記受光素子2に相当する。また、紫外光吸収半導体層4が図8のZnO層52に相当し、紫外光吸収半導体層4より下側の素子がシリコンピンフォトダイオード51に相当する。また、透過膜14が図8のSiO2膜53に相当し、透過膜14より下側の素子がシリコンピンフォトダイオード51に相当する。以上のように、受光素子2の検出信号から受光素子1の検出信号を引き算すれば、紫外光成分に関する検出出力を極めて感度良く取出すことができる。ところで、紫外光吸収半導体層4に入射した光は、保護膜7との界面で反射波を生ずる。この反射波と進行波との干渉により干渉フリンジ干渉縞が受光素子100で発生する。また、透過膜14に入射した光は、保護膜7との界面で反射波を生ずる。この反射波と進行波との干渉により干渉フリンジが受光素子200で発生する。これらの干渉フリンジが分光感度特性に影響を与える。図12は、干渉フリンジに対応して発生した分光感度曲線を示している。このように、干渉フリンジに応じた形で感度曲線が波打っている。ここで、受光素子100と受光素子200とでは紫外光吸収半導体層4と透過膜14との構成材料が異なるため、屈折率が異なる。このため、干渉フリンジの間隔や大きさ等は、受光素子100と受光素子200とでは異なることになる。しかし、干渉フリンジの間隔や大きさが異なると、それは、感度曲線にも影響を与えることになり、正確な測定が行えなくなる。そこで、図12は、受光素子100の紫外光吸収半導体層4と受光素子200の透過膜14の光学膜厚を等しくすることにより、感度曲線の変動の凹凸を合わせるように構成したことを示している。ここで、光学膜厚は、膜厚×屈折率で表わされる。したがって、紫外光吸収半導体層4の屈折率N1、膜厚T1とし、透過膜14の屈折率n、膜厚tとすると、N1×T1=n×tとなるように、紫外光吸収半導体層4の膜厚T1と透過膜14の膜厚tを調整すれば良い。図12のように、受光素子100と受光素子200との干渉フリンジを一致させた場合には、分光感度曲線の400nmを超える波長の範囲については、一致するので、受光素子200の感度曲線P2から受光素子100の感度曲線P1を引き算すると、図13に示すように、波長400nm以下の紫外光に対する光電流を極めて感度良く検出することができる。なお、受光素子200の透過膜14上に紫外光吸収半導体層4と同じ材料の極薄い半導体層を形成して、受光素子100と表面反射特性を同じようにしても良い。図2は、図1の構成に加えて、受光素子100と同構成であるが、紫外光吸収半導体層の膜厚を異なるように形成した受光素子300が形成されている。光検出部としての受光素子300について、簡単に説明すると、支持基板1には、p型層22が層間絶縁膜10を境界にして形成されている。p型層22の表層部には、p型層22の周縁から間隔を隔てた内方の領域に、その表面からn型不純物をドーピングすることによって形成されたn型層23が埋設されている。これにより、受光素子300には、p型層22とn型層23とのpn接合からなる光電変換領域Cが形成されている。この光電変換領域Cで光を電流に変換して出力する。p型層22の表面及びn型層23の表面は、SiO2またはSiN等からなる透明な保護膜27で覆われている。また、p型層22の側面は、層間絶縁膜10により覆われている。保護膜27上には、アノード電極25、カソード電極26が形成されている。アノード電極25は、保護膜27に形成された開口部を介して、p型層22に接続されている。カソード電極26は、保護膜27に形成された開口部を介して、n型層23に接続されている。これにより、p型層22とn型層23のpn接合領域での光電変換によって生じる光電流は、カソード電極26から光検出信号として出力される。また、カソード電極26を覆うようにして、保護膜27上に紫外光吸収半導体層24が形成されている。紫外光吸収半導体層24は、p型層22とn型層23とのpn接合からなる光電変換領域Cの全体を覆う広さに形成されており、紫外光吸収半導体層24の面積は、光電変換領域Cの面積と同じか、あるいは光電変換領域Cの面積よりも大きく形成される。ここで、紫外光吸収半導体層4と紫外光吸収半導体層24の膜厚は異なるように形成されている。一方、受光素子100と受光素子300とで、紫外光吸収半導体層4と紫外光吸収半導体層24の成分が異なる場合がある。紫外光吸収半導体層の成分が異なると屈折率が異なるため、上述したように、干渉フリンジが受光素子100と受光素子300とでは異なる。干渉フリンジを受光素子200及び受光素子100に合わせようとすると、紫外光吸収半導体層4と紫外光吸収半導体層24の膜厚は異なってしまう。透過膜14を基準にして光学膜厚を決める場合、紫外光吸収半導体層24の屈折率N2、膜厚T2とすると、透過膜14の屈折率はn、膜厚はtであるから、N2×T2=n×tとなるように、紫外光吸収半導体層24の膜厚T2を調整すれば良い。以上のように、紫外光吸収半導体層の屈折率が異なる場合は、紫外光吸収半導体層の膜厚が異なる受光素子が複数存在することなる。次に、図3のように、紫外光検出装置を構成することができる。図3は、図1の構成に加えて、受光素子100と同構成であるが、受光素子100とは受光面積を異なるように構成した受光素子400が形成されている。光検出部としての受光素子400について、簡単に説明すると、支持基板1には、p型層32が層間絶縁膜10を境界にして形成される。p型層32の表層部には、p型層32の周縁から間隔を隔てた内方の領域に、その表面からn型不純物をドーピングすることによって形成されたn型層33が埋設されている。これにより、受光素子400には、p型層32とn型層33とのpn接合からなる光電変換領域Dが形成される。この光電変換領域Dで光を電流に変換して出力する。p型層32の表面及びn型層33の表面は、SiO2またはSiN等からなる透明な保護膜37で覆われている。また、p型層32の側面は、層間絶縁膜10により覆われている。保護膜37上には、アノード電極35、カソード電極36が形成されている。アノード電極35は、保護膜37に形成された開口部を介して、p型層32に接続されている。カソード電極36は、保護膜37に形成された開口部を介して、n型層33に接続されている。これにより、p型層32とn型層33のpn接合領域での光電変換によって生じる光電流は、カソード電極36から光検出信号として出力される。また、カソード電極36を覆うようにして、保護膜37上に紫外光吸収半導体層34が形成されている。紫外光吸収半導体層34は、p型層32とn型層33とのpn接合からなる光電変換領域Dの全体を覆う広さに形成されており、紫外光吸収半導体層34の面積は、光電変換領域Dの面積と同じか、あるいは光電変換領域Dの面積よりも大きく形成される。ここで、受光素子100の光電変換領域Aの広さ面積と受光素子400の光電変換領域Dの広さ面積は異なるように形成されている。受光素子100の光電変換領域Aの面積受光面積をS1、受光素子400の光電変換領域Dの面積受光面積をS4とする。受光面積は、本実施例ではpn接合面の面積となる。受光素子100と受光素子400との差分信号から紫外光より長い波長成分による検出信号を計測する。受光素子100と受光素子400は、それぞれ紫外光吸収半導体層4、34により紫外光はカットされている。したがって、受光素子100と受光素子400の検出光電流の差I1-I4は、紫外光よりも長い波長、すなわち可視光や赤外光の入光に基づくものである。紫外光よりも長い波長の光が受光面積S1の単位面積あたりに入射した場合の励起される光電流をJ0とすると、受光素子400における受光面積S4についても同様にJ0となり、以下のように表される。I1-I4=S1-S4×J0I1-I4は測定と計算によってわかり、S1-S4も設計により決まるものであるからその値はわかるため、J0は容易に求められる。J0が算出されると、紫外光吸収半導体層のない受光素子200の受光面積をS2とし、受光面積S2の単位面積あたりで示される光電流をJ2とすると、J2は紫外光、可視光、赤外光に至るまでの光を検出した結果によるものであるため、受光素子200の光電流量J2×S2からJ0×S2を引き算すれば、その差が紫外光量を表わすことになる。すなわち、紫外光量={J2×S2-J0×S2}である。S2は、S1と同じであっても良い。ただし、差分演算における数値有効数字の桁落ちをできるだけ防ぐため、上記受光素子100、200、400について、紫外光吸収半導体層を備えた受光素子の受光面積が異なる組み合わせを複数用意し、それぞれの組み合わせに全体の平均値と偏差を計算して最終的な紫外光量を算出するようにしても良い。また、紫外光に透明な材料で可視光カットフィルターを構成し、図1~図3における受光素子100、200、300、400の受光面に形成するようにしても良い。例えば、紫外光吸収半導体層4、24、34の上、及び透過膜14の上に可視光カットフィルターを形成する。信号強度の大きい可視光や赤外光をできるだけ少なくして差分演算の精度を上げるためである。可視光カットフィルターは、例えば、屈折率の違う誘電体膜等を交互に積み重ねた干渉フィルターを用いることができる。図14は、図1~図3とは異なる構成の光検出装置を示す。この光検出装置は、光検出部としての受光素子500、受光素子600とで構成されている。共通の支持基板61を備えている。支持基板61は、エピタキシャル成長用の基板でもあり、高抵抗の材料が望ましく、例えばガラスを用いることができる。受光素子500では、n型層62の表層部には、n型層62の周縁から所定幅を隔てた内方の領域に、その表面からp型不純物をドーピングすることによって、p型層63が埋設されている。これにより、受光素子500には、n型層62とp型層63とのpn接合からなる第1のフォトダイオードPD31第1の光電変換領域が形成されている。p型層63の表層部には、p型層63の周縁から間隔を隔てた内方の領域に、その表面からn型不純物をドーピングすることによって、n型層64が埋設されている。これにより、受光素子500には、第1のフォトダイオードPD31よりも受光面に近い位置に、p型層63とn型層64とのpn接合からなる第2のフォトダイオードPD32第2の光電変換領域が形成されている。一般に、フォトダイオード構造を有する受光素子では、受光面から入射する光は波長が短いものほど浅い位置で吸収されるので、第2のフォトダイオードPD32では、第1のフォトダイオードPD31よりも短い波長の光が最も効率よく光電変換されることになる。n型層62、p型層63、n型層64の表面は、SiO2またはSiNからなる透明な保護膜65で覆われている。この保護膜65上には、第1アノード電極68、第1カソード電極67、第2アノード電極70、第2カソード電極69が形成されている。第1カソード電極67は、保護膜65に形成された開口部を介して、n型層62に接続されている。第1アノード電極68は、保護膜65に形成された開口部を介して、p型層63に接続されている。ここで、第1アノード電極68と第1カソード電極67とは、保護膜65上に形成された配線により接続されている。また、第1アノード電極68は、例えば、グランドライン図示せずに接続されている。第2アノード電極70は、保護膜65に形成された開口部を介して、p型層63に接続されている。第2カソード電極69は、保護膜65に形成された開口部を介して、n型層64に接続されている。そして、また、第2アノード電極70は、例えば、グランドライン図示せずに接続されている。これにより、第2のフォトダイオードPD32での光電変換によって生じる光電流は、第2カソード電極69から光検出信号として出力される。第1アノード電極68から第2アノード電極70までの領域を覆うようにして、保護膜65上に紫外光吸収半導体層66が形成されている。紫外光吸収半導体層66は、図1~図3に示した紫外光吸収半導体層と同様の作用を有するもので、同様の材料で構成される。また、紫外光吸収半導体層66は、PD31第1の光電変換領域のpn接合領域全体を覆う広さに形成されており、紫外光吸収半導体層66の面積は、PD31のpn接合領域の面積と同じか、あるいはPD31のpn接合領域の面積よりも大きく形成される。受光素子500では、第1のフォトダイオードPD31のpn接合面の深さと、第2のフォトダイオードPD32のpn接合面の深さを異なるように形成している。受光素子500では、第1アノード電極68と第1カソード電極67とが接続されることにより、第1のフォトダイオードPD31が短絡されるので、受光面から入射する光のうち、第1のフォトダイオードPD31での光電変換により生成される光電流は、グランドラインに逃がされ、第2のフォトダイオードPD32での光電変換によって生じる光電流のみが第2カソード電極69から光検出信号として出力される。一方、受光素子600では、n型層72の表層部には、n型層72の周縁から所定幅を隔てた内方の領域に、その表面からp型不純物をドーピングすることによって、p型層73が埋設されている。これにより、受光素子600には、n型層72とp型層73とのpn接合からなる第3のフォトダイオードPD33第3の光電変換領域が形成されている。p型層73の表層部には、p型層73の周縁から間隔を隔てた内方の領域に、その表面からn型不純物をドーピングすることによって、n型層74が埋設されている。これにより、受光素子500には、第3のフォトダイオードPD33よりも受光面に近い位置に、p型層73とn型層74とのpn接合からなる第4のフォトダイオードPD34が形成されている。第4のフォトダイオードPD34第4の光電変換領域では、第3のフォトダイオードPD33よりも短い波長の光が最も効率よく光電変換される。n型層72、p型層73、n型層74の表面は、SiO2またはSiNからなる透明な保護膜75で覆われている。この保護膜75上には、第3アノード電極78、第3カソード電極77、第4アノード電極80、第4カソード電極79が形成されている。第3カソード電極77は、保護膜75に形成された開口部を介して、n型層72に接続されている。第3アノード電極78は、保護膜75に形成された開口部を介して、p型層73に接続されている。ここで、第3アノード電極78と第3カソード電極77とは、保護膜75上に形成された配線により接続されている。また、第3アノード電極78は、例えば、グランドライン図示せずに接続されている。第4アノード電極80は、保護膜75に形成された開口部を介して、p型層73に接続されている。第4カソード電極79は、保護膜75に形成された開口部を介して、n型層74に接続されている。そして、また、第4アノード電極80は、例えば、グランドライン図示せずに接続されている。これにより、第4のフォトダイオードPD34での光電変換によって生じる光電流は、第4カソード電極79から光検出信号として出力される。第3アノード電極78から第4アノード電極80までの領域を覆うようにして、保護膜75上に透過膜76が形成されている。透過膜76は、図1~図3に示した透過膜と同様の作用を有するもので、同様な材料で構成される。また、透過膜76は、PD33第3の光電変換領域のpn接合領域全体を覆う広さに形成されており、透過膜76の面積は、PD33のpn接合領域の面積と同じか、あるいはPD33のpn接合領域の面積よりも大きく形成される。この受光素子600では、第3アノード電極78と第3カソード電極77とが接続されることにより、第3のフォトダイオードPD33が短絡されるので、受光面から入射する光のうち、第3のフォトダイオードPD33での光電変換により生成される光電流は、グランドラインに逃がされ、第4のフォトダイオードPD34での光電変換によって生じる光電流のみが第4カソード電極79から光検出信号として出力される。受光素子600では、第3のフォトダイオードPD33のpn接合面の深さと、第4のフォトダイオードPD34のpn接合面の深さを異なるように形成している。また、受光素子500におけるPD31のpn接合面と受光素子600におけるPD33のpn接合面は同じ深さに形成されており、受光素子500におけるPD32のpn接合面と受光素子500におけるPD34のpn接合面は同じ深さに形成されている。第2のフォトダイオードPD32と第4のフォトダイオードPD34は、例えば、波長が400nm~600nmの範囲の光が最も効率よく光電変換される深さに形成されている。また、第1のフォトダイオードPD31と第3のフォトダイオードPD33は、例えば、波長が600nm~800nmの光が最も効率よく光電変換される深さに形成されている。図15は、図14の紫外光検出装置の受光感度分布曲線を示す。まず、受光素子600で第3のフォトダイオードPD33が短絡されていない状態で、紫外光から赤外光までを照射した場合の検出信号による受光感度曲線はR1となる。ここで、J1は、PD31、PD33のpn接合面の深さに依存して変化するものであり、その深さで最も効率よく光電変換される波長を示す。受光素子600の構成のように、第3のフォトダイオードPD33を短絡して測定すると、長波長側の出力SP1がなくなるため、R2のような感度曲線となる。次に、受光素子500では、紫外光から赤外光までを照射すると、第1のフォトダイオードPD31が短絡されているために、受光素子600と同様に、受光感度曲線はR2の形状になるのであるが、紫外光吸収半導体層66で紫外光は、ほぼ完全に吸収されているので、R2から紫外領域の感度ABSを除いたR3が感度曲線となる。したがって、受光素子500からはR3の受光感度曲線を得ることができ、受光素子600からはR2の受光感度曲線を得ることができる。受光素子500、600からそれぞれ得られた受光感度曲線の差を取ることにより、紫外領域の感度ABSを求めることができる。すなわち、ABS=R2-R3である。以上のようにして、紫外光を検出することができる。図16は、紫外光吸収半導体層にMgXZn1-XOを用いた場合に、MgXZn1-XOのXの値とMgの含有率に対するバンドギャップ相当波長nmとの関係を示す図である。バンドギャップ相当波長は、半導体の吸収波長点nmに関係するもので、Xの値が大きくなる程、MgXZn1-XOの吸収波長が短くなっている。この図からわかるように、MgXZn1-XOのMgの含有率Xを変化させることにより、受光素子の受光感度領域を変化させることができる。図17は、図16の対応関係に基づき、図1の構成で、紫外光吸収半導体層であるMgXZn1-XOのXの値を変えた場合の各感度曲線と、AlGaNを紫外光吸収半導体層に用いた場合の感度曲線を示すものである。Mgの含有率Xを大きくしていくと、図16からわかるように、バンドギャップ相当波長が短くなるため、受光感度曲線の領域が短波長側に移動していき、感度曲線幅が狭くなっていく。このように、Mgの含有率Xが異なるMgXZn1-XOを紫外光吸収半導体層に用いた受光素子を複数作製し、紫外光吸収半導体層ではなく透過膜を形成した受光素子を作製しておき、これらの差をとれば、紫外光A波長320nmより大きく、400nm以下、紫外光B波長280nmより大きく、320nm以下、紫外光C波長280nm以下の各波長領域毎の受光感度を算出することができる。S1、S2は、従来技術に示されるシリコンフォトダイオードのpn接合深さを変えて、各pn接合で検出された光電流を引き算することにより求めた分光感度曲線である。このように、従来より、受光感度は非常に良くなり、紫外光のみを検出することができる。また、図からわかるように、AlGaN等を使用しても良い。次に、本発明の光学フィルターについて説明する。図20のように、光学フィルター101Aと光学フィルター101Bとを除き、市販されている同じフォトダイオードを用いる。フォトダイオードは、いずれもシリコンSiにより構成されたpn接合型のフォトダイオードである。PD1は、n型Si半導体151上にp型Si半導体152が形成され、p型Si半導体152上に光学フィルター101Aが形成されている。一方、PD2は、n型Si半導体151上にp型Si半導体152が形成され、p型Si半導体152上に光学フィルター101Bが形成されている。光学フィルター101Aは、ペースト状の物質を硬化させて形成されており、図20の例では、ガラスペーストを用いた。ガラスペーストからなる光学フィルター101Aは、紫外光、可視光、赤外光等を透過させるもので、特定の波長の光吸収がない材料である。一方、光学フィルター101Bは、ペースト状の物質を硬化させて形成されており、ガラスペーストに特定の波長の光を吸収する半導体粒子を混ぜたものである。図20の例では、光学フィルター101Bは、ガラスペーストにZnO粒子が混ぜられている。ZnO酸化亜鉛は、紫外光を吸収し、紫外光よりも長い波長の光を透過させる光学フィルターの役割を果たす材料である。図20のPD1及びPD2に、上方向から紫外光を含む光を照射して、受光感度を測定した。測定結果を、図18に示す。図18は、PD1とPD2の分光感度曲線を示す。図18の横軸は、波長nmを、縦軸は受光感度を示す。受光感度は、通常は、素子に対する入射光量ワットと素子に流れる光電流アンペアとの比で表わされるが、図20では、感度の最大値等で正規化することにより任意単位としている。図18のX1と記載された曲線は、受光素子PD1によるものであり、X2と記載された曲線は、受光素子PD2によるものである。この分光感度曲線からわかるように、PD2では、紫外光がZnO入りガラスペースからなる光学フィルター101Bによりほぼ完全に吸収されるため、紫外領域における感度は0である。一方、PD1では、紫外光も光学フィルター101Aを透過し、フォトダイオードのpn接合部で受光されるため、紫外領域も光電流出力として検出される。ここで、曲線X1及びX2のいずれにおいても、干渉フリンジ干渉縞による受光感度の変動は見られない。これにより、X1の感度曲線からX2の感度曲線を引き算すると、図19に示される差分信号となるX3の感度曲線が得られる。すなわち、X3=X1-X2である。図19からわかるように、X3の感度曲線は、紫外光領域に感度を有し、他の波長域では、感度が略0となっている。また、干渉フリンジによる検出信号は現れていない。干渉フリンジに関する問題を比較するために、図21aでは、図20と同様のフォトダイオードを用い、フォトダイオード上に光学フィルターを形成しない受光素子PD3と、フォトダイオード上に、スパッタにより形成されたZnO膜からなる光学フィルター153が形成された受光素子PD4と用いて受光感度を測定した。測定は、PD3とPD4の上側から紫外光を含む光を照射して行なった。図22に測定結果を示す。図22の横軸は、波長nmを、縦軸は受光感度任意単位を示す。図22のF1と記載された曲線点線は、受光素子PD3によるものであり、F2と記載された曲線実線は、受光素子PD4によるものである。この分光感度曲線からわかるように、PD3では紫外光を含め可視光領域、赤外光領域まで検出されており、干渉フリンジによると思われるような信号の周期的な変動は、発生していない。一方、PD4では、紫外光がZnO膜からなる光学フィルター153で吸収されるため、紫外領域における感度は0である。しかし、曲線F2では、広範囲にわたって、受光感度スペクトルに周期的な変動が見られ、干渉フリンジの影響を受けていることがわかる。これは、図21bにより説明することができる。紫外光を含む光が、ZnO膜からなる光学フィルター153に入射すると、大気と光学フィルター153との境界で反射波を生じる。また、光学フィルター153に進入した光は、光学フィルター153とp型Si半導体層152と界面で反射波を生ずる。この2つの反射波が干渉し、干渉フリンジ干渉縞が発生する。この干渉フリンジが分光感度特性に影響を与える。干渉フリンジは、一定の周期で発生するため、分光感度曲線にも周期的に変動が現れる。このように、干渉フリンジに応じた形で感度曲線F2が波打っている。図23は、差分信号となる曲線F1から曲線F2を引き算した感度曲線F1-F2を示す。この差分信号からわかるように、干渉フリンジの周期的な変動に対応して、正方向及び負方向に振動していることがわかる。また、図23では、紫外光の検出信号よりも、干渉フリンジによる変動信号の方が非常に大きいために、正確に紫外光を検出することは全くできない。次に、図21の受光素子PD3に、PD4の光学フィルター153と同じ光学膜厚を持つZrO2膜を光学フィルター154として積層して受光感度を測定した。すなわち、図24に示すように、フォトダイオード上に、スパッタにより形成されたZrO2膜からなる光学フィルター154を積層した受光素子PD5を用いた。このZrO2膜は、紫外光から可視光、赤外光までも透過させる。また、PD6は、図21のPD4と同じものである。ここで、光学膜厚は、膜厚×屈折率で表わされる。すなわち、ZnO膜からなる光学フィルター153の屈折率N1、膜厚T1とし、ZrO2膜からなる光学フィルター154の屈折率n、膜厚tとすると、N1×T1=n×tとなるように、光学フィルター153と光学フィルター154を作製した。作製されたPD5とPD6に上側から紫外光を含む光を照射して受光感度を測定した。図25に測定結果を示す。図25の横軸は、波長nmを、縦軸は受光感度任意単位を示す。図25のX3と記載された曲線点線は、受光素子PD5によるものであり、X4と記載された曲線実線は、受光素子PD6によるものである。PD5では紫外光を含め可視光領域、赤外光領域まで検出され、一方、PD6では紫外光の吸収が発生しており、紫外光の感度は0である。また、これらの分光感度曲線からわかるように、曲線X3及び曲線X4ともに、干渉フリンジによる周期的な変動が発生している。光学フィルター153と光学フィルター154は、光学的膜厚を等しくしているため、可視光領域の干渉フリンジによる変動の周期や大きさは近いものとなっている。しかし、赤外光領域では、Dの領域に示されるように、X3とX4の受光感度の大きさにずれが発生し、感度を合わせることができない。これは、光学フィルターを作製する材料によって、屈折率の波長分散が異なるため、全波長領域で感度を合わせることができないためである。例えば、光の青色領域の干渉フリンジを一致させようとすれば、赤外光領域の感度にずれが生じる。図26は、差分信号となる曲線X3から曲線X4を引き算した感度曲線X3-X4を示す。この差分信号からわかるように、紫外光領域の検出信号は、比較的大きく現れているが、赤外光領域での検出信号もかなり大きい。このため、正確に紫外光を検出することができない。以上のように、光学フィルターをフォトダイオードに形成して用いようとすると、干渉フリンジの問題が発生し、精度良く特定の波長の光を検出することが困難である。しかしながら、図20の光学フィルター101A及び101Bを用いた場合には、図19の信号に示されるように、干渉フリンジによるノイズが全くない信号を得ることができ、特定の波長の光を精度良く、高感度で検出することができる。干渉フリンジをなくするためには、光学フィルターの中で、光散乱させることが必要であると考えられる。そこで、ペースト状物質を硬化させた光学フィルターを用いた。特にガラスペーストは、簡単に厚膜化が可能である。また、ペースト状の物質を用いることで、光散乱を発生させることができ、干渉フリンジを防止することができる。また、ペースト状物質にZnO粉体が添加されていても、干渉フリンジの発生を防止することができる。また、ガラスペーストの散乱よりもZnOの散乱が小さいことが望ましい。ここで、ペースト状の物質として、紫外光から赤外光まで幅広く光を透過させる材料であれば何でも良く、例えば、アクリル樹脂、非晶性フッ素樹脂アモルファスフルオロポリマー、シリコン樹脂、フッ素系樹脂、ガラス等を用いることができる。特に、ペースト状物質の熱膨張係数が、光学フィルター101A及び101Bが積層される半導体又は基板の熱膨張係数と近いと、剥がれにくくなるので好ましい。また、光学フィルター101A及び101Bの膜厚は、特に限定されるものではないが、光学フィルター101A及び101Bが積層される半導体又は基板の熱膨張係数との差が大きい場合は、0.1μm~5μm程度に形成することが望ましい。さらに、半導体又は基板上にペースト状物質を塗布して、光学フィルターを形成する場合には、半導体又は基板のダメージを低減させるために、低融点の材料を用いることが望ましい。上記のように、熱膨張係数及び融点の観点から、例えば、ガラス系材料をペーストの主成分とすることが望ましい。また、光学フィルターは、ペースト状物質を主成分として半導体の粒子が添加された材料を硬化させて作製されている。この場合、半導体の粒子は、ペースト状物質に添加したときに白濁するような粒径の大きさを持つような半導体の粉体は、望ましくない。これは、紫外光だけでなく、可視光等も光学フィルターを透過しにくくなることになり、p型Si半導体152とn型Si半導体151の界面に形成されている空乏層に到達する光が減少し、光を検出することができなくなるためである。次に、光学フィルター101Bの製造方法を説明する。ZnO粉末は、粒径100nmのものを9g用いた。ペーストの主成分には、ガラスペースト85gを用いた。これらのZnO粉末とガラスペーストに希釈オイル15gを混合してZnO粉末入りのガラスペーストを作製した。このときの粘度は、通常の範囲であり、例えば、0.1~500000mPasである。希釈オイルは粘度調整のために使用したが、最終的に所望の透過率が得られれば、これらの割合は任意で良い。このZnO粉末入りのガラスペーストをp型Si半導体152上にスクリーン印刷して、受光素子PD2を形成した。光学フィルター101A又は101Bの形成方法には、上記スクリーン印刷の他に、スピンコート法、ディップ法等により形成することもできる。一方、光学フィルター101Aについては、ガラスペーストのみをp型Si半導体152上にスクリーン印刷して、ZnO粉体を含まないようにする。光学フィルター101Aと101Bは両方ともに同じように作製、焼成して、透明度を同じにすることで、散乱による光の透過率の違いがないようにし、受光感度が異ならないようにする。ここで、紫外領域は、400nm以下の波長で200nm程度までの波長をいうものとする。紫外領域は、さらに、紫外光A波長320nmより大きく、400nm以下、紫外光B波長280nmより大きく、320nm以下、紫外光C波長280nm以下に分類される。上記のように、ペースト状物質の主成分にガラスペーストを用いた場合、ガラスペーストは紫外光B以下の領域の波長を吸収し、ZnOは紫外光の全領域を吸収するので、受光素子PD1と受光素子PD2とで差分を取った場合、図19のように、紫外光Aのみを検出する光検出器を構成することができる。上記の光学フィルターを用いて、光検出装置を構成した例を図27に示す。この光検出装置は、図1に示される光検出装置と基本的には同じ構造である。図1と同じ符号を付しているのは、図27においても同じ構成を示すので、これらについては、説明を省略する。なお、共通の支持基板40は、図1の支持基板1と同様の役割を有するもので、例えば、シリコンにより構成される。図1と異なるのは、保護膜7上に光学フィルター4Aが形成され、保護膜17上に光学フィルター14Aが形成されていることである。光学フィルター4Aは、半導体粒子を含まないペースト状物質又は半導体粒子を含むペースト状物質を硬化させて形成されており、特定の波長域の光を吸収する光吸収層に相当するものである。また、光学フィルター4Aは、特定の波長域における光の吸収がないダミー層であっても良い。一例として、図20の光学フィルター101Aを光学フィルター4Aとすることができる。また、受光面側に設けられた光学フィルター4Aは、p型層2とn型層3とのpn接合からなる光電変換領域Aの全体を覆う広さに形成されており、光学フィルター4Aの面積は、光電変換領域Aの面積と同じか、あるいは光電変換領域Aの面積よりも大きく形成される。一方、光学フィルター14Aは、半導体粒子を含まないペースト状物質又は半導体粒子を含むペースト状物質を硬化させて形成されており、特定の波長域の光を吸収する光吸収層に相当するものである。また、光学フィルター14Aは、特定の波長域における光の吸収がないダミー層であっても良い。一例として、図20の光学フィルター101Bを光学フィルター14Aとすることができる。また、受光面側に設けられた光学フィルター14Aは、p型層12とn型層13とのpn接合からなる光電変換領域Bの全体を覆う広さに形成されており、光学フィルター14Aの面積は、光電変換領域Bの面積と同じか、あるいは光電変換領域Bの面積よりも大きく形成される。図27の光検出装置の製造方法について説明する。既に良く知られた製造手法を用いて作製できるものであるため、製造手順の一例を簡単に説明する。支持基板40上にn型シリコン層を形成する。n型シリコン層の表面上面を酸化させて、保護膜7、17となる酸化被膜SiO2を形成する。この酸化被膜SiO2に穴を開けてイオン注入法等によりp型不純物を注入してp型層2、12を作製する。次に、酸化被膜SiO2に別の穴を開け、p型層2、12の一部の領域にイオン注入法等によりn型不純物を注入して、n型層3、13を作製する。上記酸化被膜SiO2に形成された穴の領域は、アノード電極5、15、カソード電極6、16の各電極が接触するp型層及びn型層の領域となるので、イオン注入法等により接触抵抗が低減するようにコンタクト領域を形成する。その後、シリコン層の中央部分や外側部分を酸化させて層間絶縁膜10となる酸化被膜SiO2を作製する。次に、アノード電極、カソード電極をスパッタ法又は蒸着法により形成した後、光学フィルター4A、14Aを形成する。最後に配線などを行う。次に、図29のように、光検出装置を構成することができる。図29は、図27の構成に加えて、受光素子100と同構成であるが、受光素子100とは受光面積を異なるように構成した受光素子400が形成されている。光検出部としての受光素子400について、簡単に説明すると、支持基板40には、p型層32が層間絶縁膜10を境界にして形成される。p型層32の表層部には、p型層32の周縁から間隔を隔てた内方の領域に、その表面からn型不純物をドーピングすることによって形成されたn型層33が埋設されている。これにより、受光素子400には、p型層32とn型層33とのpn接合からなる光電変換領域Dが形成される。この光電変換領域Dで光を電流に変換して出力する。p型層32の表面及びn型層33の表面は、SiO2またはSiN等からなる透明な保護膜37で覆われている。また、p型層32の側面は、層間絶縁膜10により覆われている。保護膜37上には、アノード電極35、カソード電極36が形成されている。アノード電極35は、保護膜37に形成された開口部を介して、p型層32に接続されている。カソード電極36は、保護膜37に形成された開口部を介して、n型層33に接続されている。これにより、p型層32とn型層33のpn接合領域での光電変換によって生じる光電流は、カソード電極36から光検出信号として出力される。また、カソード電極36を覆うようにして、保護膜37上に光学フィルター34Aが形成されている。光学フィルター34Aは、半導体粒子を含まないペースト状物質又は半導体粒子を含むペースト状物質を硬化させて形成されており、特定の波長域の光を吸収する光吸収層に相当するものである。また、光学フィルター34Aは、受光素子100の光学フィルター4Aと同じ材料で構成されており、一定の波長範囲λ下限波長λL~上限波長λUの範囲の光を吸収する光吸収層で構成される。したがって、光学フィルター4Aも、同様に、波長範囲λ下限波長λL~上限波長λUの範囲の光を吸収する光吸収層で構成されている。一方、受光素子200の光学フィルター14Aは、紫外光だけでなく可視光から赤外光まで非常に高い透過率を有する非晶性フッ素樹脂等のペーストを硬化させて形成されている。ここで、可視光を含む、紫外光から赤外光までの範囲とは、図18等に示されるように、波長200nmから1200nmまでの範囲を想定している。光学フィルター34Aは、p型層32とn型層33とのpn接合からなる光電変換領域Dの全体を覆う広さに形成されており、光学フィルター34Aの面積は、光電変換領域Dの面積と同じか、あるいは光電変換領域Dの面積よりも大きく形成される。ここで、受光素子100の光電変換領域Aの広さ面積と受光素子400の光電変換領域Dの広さ面積は異なるように形成されている。受光素子100の光電変換領域Aの面積受光面積をS1、受光素子400の光電変換領域Dの面積受光面積をS4とする。受光面積は、本実施例ではpn接合面の面積となる。受光素子100と受光素子400との差分信号より、紫外光から赤外光までの波長範囲から波長範囲λを除いた波長範囲λ0の検出信号を計測する。受光素子100と受光素子400は、それぞれ光学フィルター4A、34Aにより波長範囲λ0の光はカットされている。したがって、受光素子100と受光素子400の検出光電流の差I1-I4は、紫外光~赤外光の波長範囲から波長範囲λを除いた波長範囲λ0の光に基づくものである。波長範囲λ0の光が受光面積S1の単位面積あたりに入射した場合の励起される光電流をJ0とすると、受光素子400における受光面積S4についても同様にJ0となり、以下のように表される。I1-I4=S1-S4×J0I1-I4は測定と計算によってわかり、S1-S4も設計により決まるものであるからその値はわかるため、J0は容易に求められる。J0が算出されると、紫外光~赤外光の範囲で吸収域を持たない受光素子200の受光面積をS2とし、受光面積S2の単位面積あたりで示される光電流をJ2とすると、J2は紫外光、可視光、赤外光に至るまでの光を検出した結果によるものであるため、受光素子200の光電流量J2×S2からJ0×S2を引き算すれば、その差が波長範囲λ0の光量を表わすことになる。すなわち、波長範囲λ0の光量={J2×S2-J0×S2}である。S2は、S1と同じであっても良い。ただし、差分演算における数値有効数字の桁落ちをできるだけ防ぐため、上記受光素子100、200、400について、波長範囲λの光吸収を行なう光学フィルターを備えた受光素子の受光面積が異なる組み合わせを複数用意し、それぞれの組み合わせに全体の平均値と偏差を計算して最終的な波長範囲λ0の光量を算出するようにしても良い。次に、図28のように、光検出装置を構成することができる。図28は、図27の構成に、受光素子100、200と同様な構成の受光素子300、500が加えられて4つの受光素子により構成された光検出装置を示す。ただし、受光素子300、500の光学フィルター24、44は、受光素子100、200の光学フィルター4A、14Aとは、光の吸収波長範囲が異なるように形成されている。光検出部としての受光素子300について、簡単に説明すると、支持基板40には、p型層22が層間絶縁膜10を境界にして形成される。p型層22の表層部には、p型層22の周縁から間隔を隔てた内方の領域に、その表面からn型不純物をドーピングすることによって形成されたn型層23が埋設されている。これにより、受光素子300には、p型層22とn型層23とのpn接合からなる光電変換領域Cが形成される。この光電変換領域Cで光を電流に変換して出力する。p型層22の表面及びn型層23の表面は、SiO2またはSiN等からなる透明な保護膜27で覆われている。また、p型層22の側面は、層間絶縁膜10により覆われている。保護膜27上には、アノード電極25、カソード電極26が形成されている。アノード電極25は、保護膜27に形成された開口部を介して、p型層22に接続されている。カソード電極26は、保護膜27に形成された開口部を介して、n型層23に接続されている。これにより、p型層22とn型層23のpn接合領域での光電変換によって生じる光電流は、カソード電極26から光検出信号として出力される。また、カソード電極26を覆うようにして、保護膜27上に光学フィルター24が形成されている。光学フィルター24は、半導体粒子を含まないペースト状物質又は半導体粒子を含むペースト状物質を硬化させて形成されており、特定の波長域の光を吸収する光吸収層に相当するものである。一方、同様に、光検出部としての受光素子500について、簡単に説明すると、支持基板40には、p型層42が層間絶縁膜10を境界にして形成される。p型層42の表層部には、p型層42の周縁から間隔を隔てた内方の領域に、その表面からn型不純物をドーピングすることによって形成されたn型層43が埋設されている。これにより、受光素子500には、p型層42とn型層43とのpn接合からなる光電変換領域Eが形成される。この光電変換領域Eで光を電流に変換して出力する。p型層42の表面及びn型層43の表面は、SiO2またはSiN等からなる透明な保護膜47で覆われている。また、p型層42の側面は、層間絶縁膜10により覆われている。保護膜47上には、アノード電極45、カソード電極46が形成されている。アノード電極45は、保護膜47に形成された開口部を介して、p型層42に接続されている。カソード電極46は、保護膜47に形成された開口部を介して、n型層43に接続されている。これにより、p型層42とn型層43のpn接合領域での光電変換によって生じる光電流は、カソード電極46から光検出信号として出力される。また、カソード電極46を覆うようにして、保護膜47上に光学フィルター44が形成されている。光学フィルター44は、半導体粒子を含まないペースト状物質又は半導体粒子を含むペースト状物質を硬化させて形成されており、特定の波長域の光を吸収する光吸収層に相当するものである。ここで、光学フィルター4A、14A、24、44を以下のように構成する。光学フィルター4Aは、非晶性フッ素樹脂アモルファスフルオロポリマーのみによるペーストを硬化させて形成する。光学フィルター14Aは、Ga2O3粒子が含まれた非晶性フッ素樹脂のペーストを硬化させて形成する。光学フィルター24は、MgZnO粒子が含まれた非晶性フッ素樹脂のペーストを硬化させて形成する。光学フィルター44は、ZnO粒子が含まれた非晶性フッ素樹脂のペーストを硬化させて形成する。図35は、光学フィルターに用いることができる半導体粒子の吸収端波長nmを示す。横軸は、光学フィルターに添加される半導体の元素、又は化合物を、縦軸は吸収端波長、すなわちバンドギャップ相当波長nmを示す。この図からわかるように、Ga2O3は、紫外光C波長280nm以下以下の波長を吸収することがわかる。ZnOは紫外光全体紫外光A紫外光B紫外光C:400nm以下を吸収することがわかる。また、MgXZn1-XO0≦X<1は、Mgの含有率Xが大きくなるほど、吸収端波長が紫外光領域内の短波長側に移動することが知られている。したがって、MgXZn1-XOのMgの含有率Xを変化させることにより、受光素子の受光感度領域を変化させることができる。本実施例では、X=0.3とし、光学フィルター24は、Mg0.3Zn0.7Oの粒子が含まれた非晶性フッ素樹脂で構成し、紫外光Bと紫外光C320nm以下を吸収するようにした。図28の光検出装置の上側から、200nm~1200nmまでの光を照射して分光感度を測定した。図30は、受光素子100PD11、受光素子200PD12、受光素子300PD13、受光素子500PD14の受光感度分布曲線を示す。横軸は波長nmを、縦軸は受光感度任意単位を示す。受光素子100の光学フィルター4Aは、紫外光~赤外光までを透過させるため、PD11の感度曲線は、200nm~1200nmにかけて、感度を有している。一方、受光素子200の光学フィルター14Aは、紫外光Cの波長を吸収するため、PD12の感度曲線は、紫外光Cの波長に対しては感度がない曲線となっている。他方、受光素子300の光学フィルター24は、紫外光Bと紫外光Cの波長を吸収するため、PD13の感度曲線は、紫外光Bと紫外光Cの波長に対しては感度がない曲線となっている。また、受光素子500の光学フィルター44は、紫外光全体を吸収するため、PD14の感度曲線は、ほぼ紫外光全体に対しては感度がない曲線となっている。図31は、図30の感度曲線PD11、PD12、PD13、PD14に基づいて差分による信号を示す。横軸は波長nmを、縦軸は差分信号任意単位を示す。また、図32は、図31の拡大図を示す。図31、32に示されるように、受光素子100と受光素子200との受光感度曲線の差を取ることにより、紫外光Cの感度P3を求めることができる。すなわち、P3=PD11-PD12である。また、受光素子100と受光素子300との受光感度曲線の差を取ることにより、紫外光Bと紫外光Cの感度P2を求めることができる。すなわち、P2=PD11-PD13である。また、受光素子100と受光素子500との受光感度曲線の差を取ることにより、紫外光Aと紫外光Bと紫外光Cの感度P1を求めることができる。すなわち、P1=PD11-PD14である。図31の差分信号P1、P2、P3から、最終的に、紫外光A,B,Cの各領域の感度のみを求めたのが図33である。図34は、図33を拡大した図である。図31の差分信号のP3は、紫外光Cの感度のみを表わしているので、P3=P4とした。すなわち、P4=PD11-PD12である。したがって、受光素子100の感度曲線から受光素子200の感度曲線を引けば良い。紫外光Bの感度のみを求めるためには、P2とP3との差を取れば良い。すなわち、紫外光Bの感度曲線P5=P2-P3=PD12-PD13である。したがって、受光素子200の感度曲線から受光素子300の感度曲線を引けば良い。また、紫外光Aの感度のみを求めるためには、P1とP2との差を取れば良い。すなわち、紫外光Aの感度曲線P6=P1-P2=PD13-PD14である。したがって、受光素子300の感度曲線から受光素子500の感度曲線を引けば良い。以上のように、4つの受光素子のうち、2つの受光素子を組み合わせて、その感度曲線の差分を取ることにより、紫外光A、紫外光B、紫外光Cの各領域の感度を別個に検出することができる。また、上記の実施例では、紫外光A、紫外光B、紫外光Cの各領域の感度を別個に検出することができるように、光学フィルター4A、14A、24、44を構成したが、この例に限定されるものではなく、他の半導体粒子を含むようにペースト状物質を形成しても良い。図35には、光学フィルターに用いることができる半導体粒子の種類が記載されているが、例えば、図27の構成において、光学フィルター4AにGaAsの粒子が添加されたフィルターを、光学フィルター14AにCdSeの粒子が添加されたフィルターを用いると、CdSeの吸収端波長710nmからGaAsの吸収端波長870nmの範囲のみに感度を有する光検出装置を構成することができる。また、他の例では、図35に示したように、例えば、図27の構成において、光学フィルター4AにSnO2の粒子が添加されたフィルターを、光学フィルター14AにZnSeの粒子が添加されたフィルターを用いると、SnO2の吸収端波長380nmからZnSeの吸収端波長500nmの範囲のみに感度を有する青色センサとなる光検出装置を構成することができる。さらには、MgZnO等のような三元混晶系のAlGaAs、InGaAs、InGaN等を用い、組成比率を調整してバンドギャップを調整すれば、任意の波長範囲の光を検出することができる光検出装置を構成することができる。しかも、誘電体多層膜ミラーのような干渉フィルターを用いる必要がなく、極めて簡単に光学フィルターを作製することができる。以上説明したように、光学フィルターを構成するペースト状物質に含まれている半導体粒子は、IV族の元素による半導体、II族の元素とVI族の元素による化合物半導体、III族の元素とV族の元素による化合物半導体、III族の元素とVI族の元素による化合物半導体等を用いることができる。"