第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の受光面に形成された第2導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層に接した第2導電型用の受光面第1電極と、前記半導体基板の裏面に形成された、第2導電型用の裏面第1電極と、前記半導体基板を貫通し、前記受光面第1電極と前記裏面第1電極を電気的に接続する貫通接続部と、前記貫通接続部の側壁に形成された第2導電型の第2半導体層と、前記半導体基板の裏面に形成された、第1導電型用の裏面第2電極とを有する光電変換装置の製造方法であって、前記半導体基板の受光面に前記第1半導体層を形成する第1工程と、前記半導体基板の受光面に、第2導電型の不純物を含む導電性ペーストをパターニングして塗布する第2工程と、前記半導体基板を熱処理することで、前記受光面第1電極と、前記半導体基板と前記不純物の合金層からなる前記貫通接続部と、前記不純物を含む前記第2半導体層を形成する第3工程と、前記裏面第1電極及び前記裏面第2電極を形成する第4工程と、前記裏面第1電極と前記裏面第2電極を電気的に分離する第5工程を有する光電変換装置の製造方法。前記半導体基板の厚さは、150μm以下である請求項1に記載の光電変換装置の製造方法。前記第2導電型は、p型である請求項1または2に記載の光電変換装置の製造方法。前記半導体基板は、シリコン基板であり、前記第2導電型の不純物は、アルミニウムである請求項3に記載の光電変換装置の製造方法。第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の受光面に形成された第2導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層上に接した第2導電型用の受光面第1電極と、前記半導体基板の裏面に形成された、第2導電型用の裏面第1電極と、前記半導体基板と第2導電型の不純物の合金層から形成され、前記受光面第1電極及び前記裏面第1電極に接する貫通接続部と、前記貫通接続部の側壁に形成され、前記第1半導体層と接する第2導電型の第2半導体層と、前記裏面第1電極と絶縁され、前記半導体基板の裏面に形成された、第1導電型用の裏面第2電極とを有する光電変換装置。前記半導体基板の厚さは、150μm以下である請求項5に記載の光電変換装置の製造方法。前記第2導電型は、p型である請求項5または6に記載の光電変換装置の製造方法。前記半導体基板は、シリコン基板であり、前記第2導電型の不純物は、アルミニウムである請求項7に記載の光電変換装置の製造方法。しかしながら、特許文献1に示されているように、光電変換装置の作製の初期の工程で、レーザ等により半導体基板に貫通孔を形成しているので、半導体基板が100μm前後になると、貫通孔形成後の製造工程において、貫通孔形成に起因する半導体基板の破損が発生する可能性が増大していた。本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、貫通孔の形成を行わず貫通孔電極を形成することで、光電変換装置の歩留りを向上させる光電変換装置の製造方法を提供することにある。本発明の光電変換装置の製造方法は、第1導電型の半導体基板と、半導体基板の受光面に形成された第2導電型の第1半導体層と、第1半導体層に接した第2導電型用の受光面第1電極と、半導体基板の裏面に形成された、第2導電型用の裏面第1電極と、半導体基板を貫通し、受光面第1電極と裏面第1電極を電気的に接続する貫通接続部と、貫通接続部の側壁に形成された第2導電型の第2半導体層と、半導体基板の裏面に形成された、第1導電型用の裏面第2電極とを有する光電変換装置の製造方法であって、半導体基板の受光面に第1半導体層を形成する第1工程と、半導体基板の受光面に、第2導電型の不純物を含む導電性ペーストをパターニングして塗布する第2工程と、半導体基板を熱処理することで、受光面第1電極と、半導体基板と不純物の合金層からなる貫通接続部と、不純物を含む第2半導体層を形成する第3工程と、裏面第1電極及び裏面第2電極を形成する第4工程と、裏面第1電極と裏面第2電極を電気的に分離する第5工程を有する。ここで、本発明の光電変換装置の製造方法は、半導体基板の厚さは、150μm以下であってもよい。また、本発明の光電変換装置の製造方法は、第2導電型は、p型であってもよい。また、本発明の光電変換装置の製造方法は、半導体基板は、シリコン基板であり、前記第2導電型の不純物は、アルミニウムであってもよい。本発明の光電変換装置は、第1導電型の半導体基板と、半導体基板の受光面に形成された第2導電型の第1半導体層と、第1半導体層上に接した第2導電型用の受光面第1電極と、半導体基板の裏面に形成された、第2導電型用の裏面第1電極と、半導体基板と第2導電型の不純物の合金層から形成され、受光面第1電極及び裏面第1電極に接する貫通接続部と、貫通接続部の側壁に形成され、第1半導体層と接する第2導電型の第2半導体層と、裏面第1電極と絶縁され、半導体基板の裏面に形成された、第1導電型用の裏面第2電極とを有する。ここで、本発明の光電変換装置は、半導体基板の厚さは、150μm以下であってもよい。また、本発明の光電変換装置は、第2導電型は、p型であってもよい。また、本発明の光電変換装置は、半導体基板は、シリコン基板であり、第2導電型の不純物は、アルミニウムであってもよい。本発明によれば、第2導電型のドーパントを含む導電性ペーストを半導体基板の受光面に塗布して熱処理することで、第2導電型のドーパントが半導体基板と合金層を形成しながら貫通接続部を半導体基板の裏面まで形成するので、貫通孔を予め形成する必要がないため、光電変換装置の歩留りを向上させる光電変換装置の製造方法を提供することができる。図1は、本発明の光電変換装置の一例を表す模式図である。図1aは、光電変換装置10を入射光側である受光面側から見た図であり、図1bは、光電変換装置10を受光面の反対側の面である裏面側から見た図である。2は裏面第2電極、5は受光面第2電極であり、受光面第2電極5は、メイン電極5aとサブ電極5bで構成され、メイン電極5aとサブ電極5bは電気的に接続している。サブ電極5bはキャリアを収集する集電極であり、メイン電極5aはサブ電極5bで収集したキャリアをさらに収集する電極である。7は裏面第1電極、9は受光面第1電極、13は裏面第3電極、21は接合分離部であり環状に形成されている。23は反射防止膜である。裏面第1電極7と裏面第2電極2には、それぞれ、別のインターコネクタが接続される。インターコネクタは、複数の光電変換装置を用いて太陽電池モジュールを作製する際、光電変換装置同士を電気的に接続するもので、例えば、銅箔に半田を被覆したものである。また、予め配線が形成されている基板を用いて太陽電池モジュールを作製する場合は、裏面第1電極7及び裏面第2電極2を配線に接続させる。図2は、図1bで示したI-Iの断面を示す模式的な図である。第1導電型の半導体基板であるn型シリコン基板1を用いる。n型シリコン基板1の入射光側の面である受光面以下n型シリコン基板の受光面という。には、テクスチャ構造である凹凸構造図示せず、第2導電型の半導体層であるp型第1半導体層3が形成され、その上には反射防止膜23が形成されている。また、n型シリコン基板1の受光面には、受光面第2電極5が形成されている。図2に現れているのはメイン電極5aである。そして、受光面第1電極9は、メイン電極5aと接している。また、n型シリコン基板1の受光面の反対側の面である裏面以下n型シリコン基板の裏面という。には、第1導電型の半導体層であるn型半導体層15が形成されている。n型半導体層15のn型不純物濃度は、n型シリコン基板1のn型不純物濃度よりも高い。n型半導体層15の上には、裏面第2電極2及び裏面第3電極13が形成されている。裏面第1電極7は、裏面第2電極2及び裏面第3電極13と、接合分離部21で絶縁されている。接合分離部21は、n型半導体層15を貫通して、裏面第1電極7を囲むように環状に形成されている。そして、n型シリコン基板1には、貫通接続部91が形成され、貫通接続部91によって、受光面第1電極9と裏面第1電極7は電気的に接続している。また、受光面第1電極9はメイン電極5aと接しているので、メイン電極5aと裏面第1電極7は電気的に接続している。さらに、貫通接続部91の側壁には、第2導電型の半導体層であるp型第2半導体層31が形成されている。図3は、図1に示す本発明の光電変換装置の製造方法の一例である。まず、図3aに示すように、n型シリコン基板1の表面を酸やアルカリの溶液、または、反応性プラズマを用いてエッチングすることによって表面のダメージ層を除去すると共に、表面にテクスチャ構造である凹凸構造を形成する。なお、図3では、凹凸構造を省略している。次に、図3bに示すように、p型不純物を含む材料としてBBr3三臭化ホウ素を用い熱処理しp型第1半導体層3を形成する。次に、図3cに示すように、n型シリコン基板1の受光面に拡散防止マスクを形成し、n型不純物を含む材料としてPOCl3を用い熱処理し、n型シリコン基板1の裏面にn型半導体層15を形成する。その後、拡散防止マスクを除去する。ここで、n型シリコン基板1の裏面には、p型第1半導体層3のp型不純物であるホウ素よりも高い濃度で、n型不純物であるリンを熱処理により拡散させるので、n型半導体層15を形成することができる。次に、図3dに示すように、プラズマCVD法等を用いて、p型第1半導体層3の上に反射防止膜23である窒化シリコン膜を70nm程度形成する。次に、図3eに示すように、貫通接続部を形成する箇所の反射防止膜23をエッチングしパターニングする。パターニングの大きさは特に限定されないが、直径が100μmよりも大幅に大きくなると、後の貫通接続部91の形成工程で、n型シリコン基板1の裏面まで貫通接続部91が形成されない場合が生じる。これは、パターンを小さくすることによって、パターン部分に熱を集中させることができるので、シリコンとアルミニウムの合金層である貫通接続部がn型シリコン基板1の裏面まで達するように形成することができると考えられる。この際、n型シリコン基板1の厚さは、150μm以下である必要がある。ここで、パターニングの方法は、特に限定しなくてよい。エッチングペーストによるパターニング、フォトリソグラフィによるパターニング等、各種方法を用いることができる。その後、パターニングした箇所を覆うように、アルミニウム粉末、ガラス粉末及び有機樹脂を溶媒で混合した導電性ペーストであるアルミニウムペースト25を、スクリーン印刷等でパターニングして塗布する。次に、図3fに示すように、n型シリコン基板1を約750°Cで熱処理することで、パターニングされたアルミニウムペースト25は、受光面第1電極9であるアルミニウム電極を形成する。この際、反射防止膜23上にあるアルミニウムペースト25は、反射防止膜23を貫通してアルミニウム電極を形成する。さらに、上記熱処理で、シリコンとアルミニウムの合金層である貫通接続部91をn型シリコン基板1の裏面まで形成する。この際、貫通接続部91の側壁には、p型不純物となるアルミニウムが拡散することにより、p型第2半導体層31が形成される。n型シリコン基板に形成したシリコンとアルミニウムの合金層の直径が100μmであれば、10μm程度の厚みのp型第2半導体層31が形成される。これによって、pn接合面積を大きくすることができる。また、p型第2半導体層31は、p型第1半導体層3と接する。さらに、別工程でp型第2半導体層31を形成する必要はない。次に、図3gに示すように、反射防止膜23及び受光面第1電極9上に、アルミニウム粉末、ガラス粉末及び有機樹脂を溶媒で混合したアルミニウムペーストをスクリーン印刷等でパターニングして塗布する。その後、熱処理することで、アルミニウムペーストは反射防止膜23を貫通してp型第1半導体層3と接し受光面第2電極5であるアルミニウム電極を形成する。図3に現れているのはメイン電極5aである。この際、メイン電極5a、サブ電極5b、それぞれ異なるアルミニウムペーストを使用したとしても、少なくともサブ電極5bは、p型第1半導体層3と接する必要がある。なお、受光面第2電極5は、銀粉末、ガラス粉末及び有機樹脂を溶媒で混合した導電性ペーストである銀ペーストを用いた銀電極でもよい。次に、n型シリコン基板1の裏面に、銀ペーストをスクリーン印刷等でパターニングして塗布する。その後、熱処理することで、裏面第1電極7と裏面第2電極2を形成する。裏面第1電極7は貫通接続部91に接し、裏面第2電極2はn型半導体層15に接している。なお、裏面第1電極7はp型第2半導体層31に接してもよい。次に、図3hに示すように、n型シリコン基板1の裏面にアルミニウムを蒸着法により蒸着することで、裏面第3電極13を形成する。裏面第3電極13は、裏面第2電極2及びn型半導体層15に接する。次に、図3iに示すように、裏面第1電極7を、裏面第2電極2及び裏面第3電極13と電気的に分離するために、レーザを用いて、環状に裏面第3電極13を除去しつつ、n型半導体層15を除去して接合分離部21を形成する。このようにして、光電変換装置10を作製する。これから、貫通孔を形成することなく、貫通接続部を形成することで光電変換装置を形成することができる。外形155mm×155mm、厚さ120μmのn型シリコン基板を用いて、光電変換装置10を作製した。図1に示すように、受光面第1電極9であるアルミニウム電極を4×8の計32個形成した。パターニングの際のパターンの直径は100μmとしたが、受光面第1電極9形成時の熱処理後、150μmになった。また、受光面第2電極5は、メイン電極5aを幅1.0mm4本形成し、サブ電極5bを幅80μm~100μmで73本形成した。ここで、n型シリコン基板を用いて特許文献1に開示されているように、最初に貫通孔を形成して作製した光電変換装置を比較例とした。表1に光電変換装置の特性結果を示す。表1は、実施例、比較例、それぞれ30サンプルについて測定を行い、その平均値を求め、比較例を1.000とした場合の値である。表1のJscは短絡電流密度、Vocは開放電圧、FFは曲線因子、Effは光電変換効率である。また、歩留りは、各々50枚のn型シリコン基板を投入し光電変換装置を作製することができた数を示す。表1の結果から、実施例の光電変換装置の特性は、比較例と同程度であることがわかった。しかしながら、歩留りは、比較例よりも実施例が良い結果となった。表1に示した比較例での不良12枚のうち、9枚は貫通孔形成起因による、後の工程でのn型シリコン基板の破損であった。したがって、本願のように貫通孔を形成することなく、アルミニウムペースト等の導電性ペーストを用いて貫通接続部を形成することで、歩留りを向上させることができた。また、導電性ペーストを塗布した箇所に貫通接続部を形成することができるので、貫通接続部の個数を増やすことも可能である。さらに、貫通孔を形成することなく貫通接続部を形成することで、MWT構造を有する光電変換装置を作製することができる。今回、n型シリコン基板について記載したが、p型シリコン基板を用いることも可能である。その場合は、n型のドーパントを含む導電性ペーストを用いて貫通接続部を形成する。