高電圧発生回路と、前記高電圧発生回路の出力電圧を逆バイアス電圧として受ける光電気変換素子と、前記光電気変換素子に電気的に接続され、該光電気変換素子が発生する光電流のミラー電流を生成するカレントミラー回路と、前記カレントミラー回路に電気的に接続され、前記ミラー電流を受けて該ミラー電流に応じた電圧を生成する電圧変換回路と、を備え、前記高電圧発生回路は、前記電圧変換回路によって生成される前記電圧がフィードバックされる入力端子を有する誤差増幅器を含み、前記電圧変換回路によって生成される前記電圧の大きさに応じた大きさの前記出力電圧を発生する、光受信器。一般的なフォトダイオードでは、当該フォトダイオードへの光入力パワーが大きくなると、その出力電気波形におけるジッタが増大することがある。ジッタは、フォトダイオードの逆バイアス電圧を上昇させることによって低減され得る。フォトダイオードの逆バイアス電圧は、光トランシーバへの供給電源通常は、3.3Vに対して昇圧DC-DCコンバータを利用して、上昇され得る。しかしながら、オーバーロード入力を考慮して逆バイアス電圧を上昇させた状態を維持することにより、不要電力が常に生じ得る。したがって、当技術分野においては、電力を効率良く利用し得る光受信器が要請されている。本発明の一側面に係る光受信器は、高電圧発生回路、光電気変換素子、カレントミラー回路、及び、電圧変換回路を備え得る。高電圧発生回路は、例えば、DC-DCコンバータであり得る。光電気変換素子は、高電圧発生回路の出力電圧を逆バイアス電圧として受ける。カレントミラー回路は、光電気変換素子に電気的に接続されている。カレントミラー回路は、光電気変換素子が発生する光電流のミラー電流を生成する。電圧変換回路は、カレントミラー回路に電気的に接続されている。電圧変換回路は、ミラー電流を受けて当該ミラー電流に応じた電圧を生成する。高電圧発生回路は、電圧変換回路によって生成される電圧がフィードバックされる入力端子を有する誤差増幅器を含む。高電圧発生回路は、電圧変換回路によって生成される電圧の大きさに応じた大きさの出力電圧を発生する。かかる光受信器によれば、光電気変換素子が発生する電流のミラー電流に基づく電圧の大きさに応じた逆バイアス電圧が、当該光電気変換素子に与えられる。即ち、光電気変換素子への光入力パワーの大きさに応じた逆バイアス電圧が与えられる。したがって、光入力パワーが大きいときには逆バイアス電圧が上昇され、出力電気波形におけるジッタが低減され得る。また、光入力パワーが小さいときには逆バイアス電圧が抑えられ、電力が効率良く使用され得る。さらに、カレントミラー回路を用いて光入力パワーに応じた電圧を生成しているので、光入力パワーの変化に対する逆バイアス電圧の変化の追従速度が高められ得る。なお、特開2000-244418号公報には、アバランシェフォトダイオードを用いた光受信器が記載されているが、アバランシェフォトダイオードに対しては、光入力パワーの増大に対して逆バイアス電圧を下げる制御が行われる。したがって、このアバランシェフォトダイオードに対する逆バイアス電圧の制御は、本発明の光受信器における逆バイアス電圧の制御と逆方向の制御である。以上説明したように、本発明によれば、電力を効率良く利用し得る光受信器が提供され得る。以下、図面を参照して本発明の一実施形態について詳細に説明する。図1は、一実施形態に係る光受信器を示す図である。図1に示す光受信器10は、高電圧発生回路12、光電気変換回路14、カレントミラー回路16、及び、電圧変換回路20を備えている。高電圧発生回路12は、昇圧型のDC-DCコンバータを構成している。この高電圧発生回路12は、インダクタ22、ダイオード24、抵抗素子26、スイッチングトランジスタ28、コンデンサ30、発信器32、誤差増幅器34、及び、基準電圧発生器36を有し得る。インダクタ22の一端は、直流電圧源40に電気的に接続されている。インダクタ22の他端は、ダイオード24のアノード及びトランジスタ28の第1端子に電気的に接続されている。ダイオード24のカソードは、抵抗素子26の一端及びコンデンサ30の一端に電気的に接続されている。コンデンサ30の他端は、グランドに接続されている。トランジスタ28は、例えば、FETである。トランジスタ28は、第1端子ドレイン、第2端子ソース及び制御端子ゲートを有しており、制御端子に入力されるパルス信号に応じて第1端子と第2端子間の導通ON又は非導通OFFを切り替える。このトランジスタ28の制御端子には、発信器32が電気的に接続されている。発信器32は、パルス信号をトランジスタ28の制御端子に出力する。発信器32は、誤差増幅器34からの出力電気信号に応じてパルス信号のデューティ幅を変更する。高電圧発生回路12では、トランジスタ28がONとなっている間に、インダクタ22に電流エネルギーを蓄え、トランジスタ28がOFFになった直後に、抵抗素子26に電力を供給する。これにより、高電圧発生回路12は、昇圧動作を行う。高電圧発生回路12の出力電圧、即ち、抵抗素子26の一端における電圧は、発信器32のパルスのデューティ幅が大きい程、大きくなる。この高電圧発生回路12の出力電圧Vcは、光電気変換回路14の光電気変換素子42の逆バイアス電圧として使用される。光電気変換回路14は、光電気変換素子42、トランスインピーダンスアンプ44、及び、クロックデータ抽出部46を有し得る。光電気変換素子42は、例えば、PIN型のフォトダイオードである。フォトダイオード42のカソードは、上述した高電圧発生回路12の出力に、カレントミラー回路16を介して電気的に接続され得る。また、フォトダイオード42のアノードは、トランスインピーダンスアンプ44の入力に接続されている。トランスインピーダンスアンプ44は、フォトダイオード42が発生する光電流Ipdを受けて、当該光電流Ipdに応じた電圧を発生する。トランスインピーダンスアンプ44の出力には、クロックデータ抽出部46が接続されている。クロックデータ抽出部46は、トランスインピーダンスアンプ44の出力信号から、クロック成分とデータ成分を分離する。光受信器10では、フォトダイオード42の光電流Ipdのミラー電流を得るために、カレントミラー回路16が設けられている。このカレントミラー回路16は、二つのトランジスタ50及び52を有している。トランジスタ52及び52の第1端子エミッタは、高電圧発生回路12の出力に電気的に接続されている。トランジスタ50の第2端子コレクタは、フォトダイオード42のカソードに電気的に接続されている。トランジスタ50の制御端子ベースは、トランジスタ52の制御端子ベース及びトランジスタ50の第2端子コレクタに電気的に接続されている。また、トランジスタ52の第2端子は、電圧変換回路20に電気的に接続されている。かかる構成のカレントミラー回路16は、フォトダイオード42の光電流Ipdのミラー電流Iを、トランジスタ52から電圧変換回路20に供給する。電圧変換回路20は、ミラー電流Iを電圧に変換する。電圧変換回路20は、トランジスタ60、抵抗素子62、及び抵抗素子64を有し得る。トランジスタ60の第1端子コレクタは、抵抗素子26の他端に電気的に接続されている。トランジスタ60の第2端子エミッタは、抵抗素子62の一端に接続されている。この抵抗素子62の他端は、グランドに接続されている。また、トランジスタ60の制御端子ベースは、抵抗素子64の一端に接続されている。抵抗素子64の一端は、トランジスタ52の第2端子に接続されている。抵抗素子64の他端は、グランドに接続されている。電圧変換回路20においては、ミラー電流Iが抵抗素子64に供給される。抵抗素子64は、その抵抗値をR3とすると、その両端にV=I×R3の電圧を発生する。また、トランジスタ60の制御端子ベースと第2端子エミッタとの間の電圧を0.6[V]とすると、抵抗素子62の両端間には、V-0.6の電圧が発生する。また、抵抗素子26の両端間の電圧は、抵抗素子26の抵抗値をR1、抵抗素子62の抵抗値をR2とすると、R1/R2×V-0.6となる。したがって、抵抗素子26の他端とトランジスタ60の第1端子コレクタとの間のノードの電圧Vaは、次式1により定義される。Va=Vc-R1/R2V-0.6...1また、この電圧Vaは、式1にV=I×R3を代入することにより、次式2のように定義される。Va=0.6×R1/R2Vc-R1/R2×R3I...2図1に戻り、誤差増幅器34は、基準電圧発生器36に電気的に接続された非反転入力端子と、抵抗素子26の他端とトランジスタ60の第1端子コレクタとの間のノードに電気的に接続された反転入力端子と、を備えている。誤差増幅器34の反転入力端子には電圧Vaが与えられる。したがって、上述した式1と図1からわかるように、誤差増幅器34の一入力端子には電圧Vがフィードバックされる。また、誤差増幅器34の出力は、上述した発信器32に接続されている。この誤差増幅器34は、基準電圧発生器36によって発生される基準電圧Vrefと電圧Vaとの間の誤差を増幅した出力電気信号を発生する。誤差増幅器34からの出力電気信号は、発信器32に与えられる。発信器32は、上述したように、誤差増幅器34からの出力電気信号に応じてデューティ幅を調整したパルス信号をトランジスタ28の制御端子に与える。即ち、発信器32は、電圧Vaが基準電圧Vrefと等しくなるように、パルス信号のデューティ幅を調整する。これにより、高電圧発生回路12では、電圧Vaが基準電圧Vrefに等しくなるように、即ち、電圧Vaが一定値となるように出力電圧Vcを変更する。したがって、式2から分かるように、ミラー電流I即ち、光入力パワーが大きくなる程、高電圧発生回路12の出力電圧Vcは大きくなる。故に、光受信器10によれば、光入力パワーが大きくなる程、フォトダイオード42に与えられる逆バイアス電圧が大きくなる。その結果、光入力パワーが大きい場合には、出力電気波形におけるジッタが低減され得る。一方、光入力パワーが小さい場合には逆バイアス電圧が小さくなるので、電力が効率良く利用され得る。また、カレントミラー回路16を用いて光入力パワーをモニターしているので、光入力パワーの変化に対する逆バイアス電圧の変化の追従速度が高められ得る。以上、一実施形態に係る光受信器について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。例えば、上述したカレントミラー回路16は、光電流とミラー電流の比を1:1とするものであるが、この比をN:1とするカレントミラー回路が採用されてもよい。この場合には、トランジスタ50及び52の第1端子エミッタ側に適切な大きさの抵抗値を有する抵抗素子が接続され得る。