a軟化点が100°C以下であり、且つ、エポキシ当量が140以上であるエポキシ樹脂または水酸基当量が140以上であるフェノール樹脂を20質量以上含む熱硬化性樹脂を100質量部、b架橋性官能基をモノマー比率で3~15有し、重量平均分子量が10万~80万であり、かつTgが-50~50°Cである高分子量成分を30~100質量部、c無機フィラーを10~60質量部、d硬化促進剤を0~0.07質量部含有することを特徴とするフィルム状接着剤。硬化前の80°Cでのずり粘度が200~11000Pas以下で、150°Cで1時間加熱した後の180°Cでの引っ張り弾性率が20MPa以下となることを特徴とする請求項1に記載のフィルム状接着剤。SiNの薄膜を形成させたチップへの接着力が1.0MPa以上である請求項1または2に記載のフィルム状接着剤。請求項1~3のいずれか一項に記載のフィルム状接着剤を、ワイヤを有する基板に80~180°C、0.01~0.50MPa、0.5~2.0秒の条件で圧着し、製造工程における熱履歴を150°C/1時間以下とし、170~180°C/6.0~10.0MPa/90秒の封止条件で封止することにより得られる半導体装置。請求項1~3にいずれか一項に記載のフィルム状接着剤と、基材フィルムとを有する接着シート。近年、更なるパッケージの高容量化高密度化を実現するため、極薄チップを使用したパッケージが開発されてきており、コレットの吸着穴に起因する空隙が特に発生しやすいことが問題となっている。特にワイヤ埋込型パッケージでは、深刻な問題となっている。上記特許文献1の接着シート等では、圧着時にワイヤを埋め込むため、高流動化を目的としてエポキシ樹脂等を多く含んでいる。このため、半導体素子製造工程中の熱により熱硬化が進行し、高弾性化してしまうため、封止時の高温高圧条件でもフィルムが変形せず、圧着時に形成された空隙が最終的に消失しない。一方、上記特許文献2の接着フィルム等は、弾性率が低いため封止工程で空隙を消失させることができるものの、粘度が高いため、そもそも圧着時にワイヤを埋め込むことができない。このように、ワイヤ埋込用のフィルム状接着剤を使用して極薄チップを圧着した場合には、圧着時に空隙が発生し、その後も消失しないため、十分な接続信頼性を得られないことがある。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、高流動で圧着時にワイヤを埋め込むことができ、半導体装置製造工程中の熱具体的には、150°C/1時間程度の加熱でも低弾性で、封止時に空隙を消失させることができるフィルム状接着剤を提供することを目的とする。また、本発明のフィルム状接着剤を用いた接着シート及び本発明のフィルム状接着剤を用いて製造される半導体装置を提供することを目的とする。本発明者等は、上記目的を達成すべく、フィルム状接着剤に使用する樹脂の選定と物性の調製に鋭意研究を重ねた。特に、未硬化のフィルムで高い流動性を発現させ、加熱により硬化が進行した後でも、フィルム状接着剤の引っ張り弾性率を低く、柔らかい状態に維持し、完全硬化後には高い接着力を発現させることが重要となるが、これは、熱硬化性成分と柔軟な高分子量成分の割合だけではなく、高分子量成分として分子量が低く、反応性の官能基をより多く含む樹脂を使用すること及び硬化促進剤の量を特定の範囲とすることにより解決できることを見出した。すなわち本発明は以下の通りである。1a軟化点が100°C以下であり、且つ、はエポキシ当量が140以上であるエポキシ樹脂または水酸基当量が140以上であるフェノール樹脂を20質量以上含む熱硬化性樹脂を100質量部、b架橋性官能基をモノマー比率で3~15有し、重量平均分子量が10万~80万であり、かつTgが-50~50°Cである高分子量成分を30~100質量部、c無機フィラーを10~60質量部、d硬化促進剤を0~0.07質量部含有することを特徴とするフィルム状接着剤。2硬化前の80°Cでのずり粘度が200~11000Pas以下で、150°Cで1時間加熱した後の180°Cでの引っ張り弾性率が20MPa以下となることを特徴とする上記1に記載のフィルム状接着剤。3SiNの薄膜を形成させたチップへの接着力が1.0MPa以上である上記1または2に記載のフィルム状接着剤。4上記1~3のいずれか一つに記載のフィルム状接着剤を、ワイヤを有する基板に80~180°C、0.01~0.50MPa、0.5~2.0秒の条件で圧着し、製造工程における熱履歴を150°C/1時間以下とし、170~180°C/6.0~10.0MPa/90秒の封止条件で封止することにより得られる半導体装置。5上記1~3のいずれか一つに記載のフィルム状接着剤と、基材フィルムとを有する接着シート。本発明によれば、極薄チップからなる半導体素子であっても、接着面に空隙を生じさせることなくワイヤ埋込構造での実装を可能とし、耐熱性、耐湿性及び耐リフロー性に優れたフィルム状接着剤、接着シート、及び、上記フィルム状接着剤を用いて製造される半導体装置を提供することができる。本発明のフィルム状接着剤は、SiNの薄膜を形成させたチップへの接着力を1.0MPa以上とすることができ、耐熱性、耐湿性及び耐リフロー性に優れたフィルム状接着剤を提供することができる。本発明のフィルム状接着剤は、圧着時に良好なワイヤ埋込性を確保しつつ、圧着時に生じた空隙をモールド時に消失させることができるため、圧着時に空隙が発生しないように気を配る必要は無く、半導体装置の製造工程をより容易にすることができる。そして、本発明のフィルム状接着剤を極薄チップを使用したワイヤ埋込型パッケージに用いることで、従来のワイヤ埋込用のフィルム状接着剤では達成が困難である接着面に空隙の無い半導体装置を得ることができる。なお、本発明のフィルム状接着剤は、ワイヤ埋込用途に限定されず、配線等に起因する凹凸を有する基板、リードフレーム等の金属基板等へ半導体素子を接着する用途でも同様に使用可能である。以下、本発明の詳細について説明する。<フィルム状接着剤>本発明によるフィルム状接着剤は、半硬化Bステージ状態を経て、硬化処理後に完全硬化物Cステージ状態となり得る接着剤組成物から構成される。本発明のフィルム状接着剤は、硬化前の80°Cでのずり粘度が200~11000Pasで、150°Cで1時間加熱した後の180°Cでの引っ張り弾性率が20MPa以下となる特徴を有する。上記ずり粘度は、ARESレオメトリックサイエンティフィック社製を用い、フィルム状接着剤に5の歪みを与えながら5°C/分の昇温速度で昇温させながら測定した場合の測定値を意味する。80°Cでのずり粘度を200~11000Pasとすることにより、80~180°C、0.01~0.50MPa、0.5~2.0秒の圧着でワイヤ下の空隙または基板段差に由来する凹凸を埋め込むことができるようになる。一方、引っ張り弾性率は、動的粘弾性測定装置株UBM社製を用い、3°C/分の昇温速度で昇温させながら測定した場合の測定値を意味する。150°Cで1時間加熱した後の180°Cでの引っ張り弾性率を20MPa以下とすることにより、170~180°C/6.0~10.0MPa/90秒の封止条件で封止することで残存する空隙を消失させることができる。本発明のフィルム状接着剤が上記特性を有するには、a軟化点が100°C以下であり、且つ、エポキシ当量が140以上であるエポキシ樹脂または水酸基当量が140以上であるフェノール樹脂を20質量以上含む熱硬化性樹脂を100質量部、b架橋性官能基をモノマー比率で3~15有し、重量平均分子量が10万~80万であり、かつTgが-50~50°Cである高分子量成分を30~100質量部、c無機フィラーを10~60質量部、d硬化促進剤を0~0.07質量部含有する接着剤組成物をフィルム状に成形することにより作製することができる。より具体的には、80°Cでのずり粘度を200~11000Pasとするには、高分子量成分を少なくする、100°C以下で液状となる、または軟化点が100°C以下の熱硬化性樹脂の含有量を増やす、フィラー含有量を下げればよい。また、150°Cで1時間加熱した後の180°Cでの引っ張り弾性率を20MPa以下とするには、高分子量成分を増やす、高分子量成分の架橋性官能基のモノマー比率を下げる、フィラー含有量を下げる、エポキシ当量水酸基当量がより大きな熱硬化性樹脂を使用すればよい。本発明のフィルム状接着剤は、SiNの薄膜を形成させたチップへの接着力が1.0MPa以上であることが好ましい。フィルム状接着剤が上記接着力を有するには、接着剤組成物を上述の構成とすればよい。上記接着剤組成物は、十分な接着性を得るという観点から、eカップリング剤等の添加剤を更に含んでいてもよい。また、接着力は、後述のダイシェア強度を測定することで得られる。以下、各成分について説明する。a熱硬化性成分:a熱硬化性成分としては、熱硬化性樹脂が好ましく、半導体素子を実装する場合に要求される耐熱性及び耐湿性を有するエポキシ樹脂及びフェノール樹脂等が好ましい。封止時に残存する空隙を消失させるため、硬化途中及び硬化後の引っ張り弾性率を低くする必要があり、この目的で、上記熱硬化性樹脂は、軟化点が100°C以下であり、且つ、あるいはエポキシ当量が140以上であるエポキシ樹脂または水酸基当量が140以上であるフェノール樹脂を20質量以上含有することが必要である。このようなエポキシ樹脂の例としては、一般式1で表されるエポキシ樹脂が挙げられる。式1中、R1~R4はそれぞれ独立に、水素原子、直鎖、分岐または環状アルキル基、直鎖、分岐または環状アラルキル基、直鎖、分岐または環状アルケニル基、水酸基、アリール基、あるいはハロゲン原子を示し、k及びmは1~4の整数を示す。上記式1中、好ましいエポキシ樹脂として、R1~R4が水素原子で、k=4、m=4であるエポキシ樹脂市販品であれば、東都化成株製のYDF-8170C等や、上記式1中、R1~R2がメチル基で、R3~R4が水素原子、k=2、m=2であるエポキシ樹脂市販品であれば、東都化成株製のYSLV-80XY等等が挙げられる。上記制約にとらわれない上記一般式1に対応しないその他のエポキシ樹脂としては、軟化点100°C以下且つエポキシ当量140以上であり、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されず、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂等を変性させた二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂等を使用することができる。ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂等を変性させた二官能エポキシ樹脂の一例としては、株プリンテック製のR710液状、エポキシ当量170、R1710液状、エポキシ当量175、R2710液状、エポキシ当量180等が挙げられる下記一般式2参照。また、軟化点100°C以下且つエポキシ当量140以上のエポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂を熱硬化性樹脂として併用してもよい。そのようなエポキシ樹脂としては、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂等、一般に知られているものを用いることができる。また、いずれのエポキシ樹脂も、Bステージ状態でのフィルムの可撓性を高める観点から、重量平均分子量が1000以下であることが好ましく、さらに好ましくは500以下である。可撓性に優れる重量平均分子量500以下のエポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型またはビスフェノールF型エポキシ樹脂等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂として、軟化点が100°C以下且つ水酸基当量が140以上であるフェノール樹脂の例としては、一般式3、4で表されるフェノール樹脂が挙げられる。式3中、R5はそれぞれ独立に、水素原子、直鎖、分岐または環状アルキル基、直鎖、分岐または環状アラルキル基、直鎖、分岐または環状アルケニル基、水酸基、アリール基、あるいはハロゲン原子を示し、nは1~4の整数を示し、pは1~50の範囲の整数を示す。式4中、qは1~50の範囲の整数を示す。上記一般式3で表されるフェノール樹脂として代表的なものに、三井化学株製のミレックスXLC-シリーズとXLシリーズ例えば、ミレックスXLC-LL上記一般式3中、R5が水素原子で、n=3である等がある。また、一般式4で表されるフェノール樹脂として代表的なものに、エアウォーター株製のHEシリーズ例えば、HE200C-10等がある。上記一般式3及び4で表される以外で、軟化点100°C以下且つ水酸基当量140以上のフェノール樹脂として、東都化成株製のナフトール樹脂SNシリーズ等を用いても良い。なお、軟化点100°C以下且つ水酸基当量140以上のフェノール樹脂以外のフェノール樹脂を熱硬化性樹脂として併用してもよい。その他のフェノール樹脂としては、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されない。具体的には、DIC株製のフェノライトLF、KA、TDシリーズ等が挙げられる。軟化点100°C以下且つ水酸基当量140以上のフェノール樹脂及びそれ以外のフェノール樹脂いずれも、耐熱性の観点から、85°C、85RHの恒温恒湿槽に48時間投入後の吸水率が2重量以下で、熱重量分析計TGAで測定した350°Cでの加熱質量減少率昇温速度:5°C/min、雰囲気:窒素が5質量未満のものが好ましい。フィルム状接着剤の接着剤組成物が熱硬化性成分としてエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の両方を含む場合、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の配合量は、それぞれエポキシ当量と水酸基当量の当量比で0.70/0.30~0.30/0.70となるのが好ましく、0.65/0.35~0.35/0.65となるのがより好ましく、0.60/0.40~0.40/0.60となるのがさらに好ましく、0.60/0.40~0.50/0.50となるのが特に好ましい。配合比が上記範囲を超えると、作製したフィルム状接着剤が硬化性に劣る、または未硬化フィルム状接着剤の粘度が高く、流動性に劣る可能性がある。なお、軟化点100°C以下且つエポキシ当量140以上であるエポキシ樹脂、その他のエポキシ樹脂、軟化点100°C以下且つ水酸基当量140以上であるフェノール樹脂、その他のフェノール樹脂以外に、a熱硬化性成分として、加熱により重合するメタアクリル基等の官能基を有する樹脂を用いることができる。b高分子量成分:b高分子量成分としては、架橋性官能基をモノマー比率で3~15含有し、Tgガラス転移温度が-50°C~50°Cで、重量平均分子量が10万~80万である高分子量成分が好ましい。本発明においては、アクリル系樹脂が好ましく、更に、Tgガラス転移温度が-50°C~50°Cで、重量平均分子量が10万~80万であり、グリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレート等のエポキシ基またはグリシジル基を架橋性官能基として有する官能性モノマーを重合して得たエポキシ基含有メタアクリル共重合体等のアクリル系樹脂がより好ましい。このような樹脂として、エポキシ基含有メタアクリル酸エステル共重合体、エポキシ基含有アクリルゴム等を使用することができ、エポキシ基含有アクリルゴムがより好ましい。エポキシ基含有アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体等からなるエポキシ基を有しているゴムである。なお、本発明において高分子量成分の架橋性官能基としては、エポキシ基だけでなく、アルコール性またはフェノール性水酸基、カルボキシル基等の架橋性官能基が挙げられる。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法GPCで標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。ガラス転移温度は、DSC熱示差走査熱量計例えば、株リガク製ThermoPlus2を用いて測定したものをいう。上記高分子量成分のTgが50°Cを超えると、フィルム状接着剤の柔軟性が低くなる場合があり、Tgが-50°C未満であると、フィルム状接着剤の柔軟性が高すぎるため、ウェハダイシング時にフィルム状接着剤が切断し難く、バリの発生によりダイシング性が悪化する場合がある。また、上記高分子量成分の重量平均分子量が10万未満であると、フィルム成膜性の悪化やフィルム状接着剤の接着力と耐熱性の低下を引き起こす場合があり、重量平均分子量が80万を超えると未硬化フィルム状接着剤の切削性と破断性が低下し、ダイシングの品質が悪化する場合がある。これらの点で、高分子量成分の重量平均分子量は、10万以上80万以下であることがより好ましい。更に、ウェハダイシング時にフィルム状接着剤を切断しやすく樹脂くずが発生し難い点、接着力と耐熱性が高い点、また未硬化フィルム状接着剤の高い流動性を発現させるという点で、b高分子量成分は、Tgが-20°C~40°Cで、重量平均分子量が10万~70万である高分子量成分が好ましく、Tgが-10°C~30°Cで、重量平均分子量が15万~55万である高分子量成分がより好ましい。上記b高分子量成分は、a熱硬化性成分100質量部に対して、30~100質量部含有することが好ましい。30質量部を下回ると、フィルムの可とう性が低下するとともに、加熱後には高弾性化し、封止時に空隙を埋め込めなくなる傾向がある。一方、100質量部を上回ると、未硬化フィルムの流動性が低下し、硬化後の接着力が低下する傾向にある。また、高分子量成分としては、異なるモノマーから重合した高分子量成分を混合、あるいは異なる分子量をもつ高分子量成分を混合したものを用いても良い。特に、分子量が25万程度である重量平均分子量が低い高分子量成分のみを使用した場合、未硬化フィルムの流動性は高いものの、硬化後の接着力が低下する傾向にある。このため、重量平均分子量が80万程度のより分子量の高い高分子量成分を混合することは有効な手段となりうる。しかし、重量平均分子量の高い高分子量成分を添加しすぎると、未硬化フィルムの流動性が悪化してしまうため、重量平均分子量が80万程度の高分子量成分の含有量はb高分子量成分の内、10~40程度とすることが好ましい。更に、高い接着力を発現させるため、グリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレート等の官能性モノマーのモノマー比率は3~15が好ましく、150°C/1時間加熱後の引っ張り弾性率を低く維持する観点から、3~10がより好ましい。本発明で使用する高分子量成分は、市販品として入手することも可能である。例えば、帝国化学産業株製の商品名アクリルゴムHTR-860P等が挙げられる。この化合物は、架橋性官能基としてグリシジル部位を有し、アクリル酸誘導体からなるアクリルゴムをベース樹脂とする化合物であり、重量平均分子量が70万~80万、ガラス転移温度Tg-7°Cである。c無機フィラー:c無機フィラーとしては、Bステージ状態におけるフィルム状接着剤のダイシング性の向上、フィルム状接着剤の取扱い性の向上、熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、チクソトロピック性の付与、接着力の向上等の観点から、シリカフィラーを配合することが好ましい。本実施形態の接着剤組成物においては、未硬化フィルム状接着剤の流動性と、硬化後フィルム状接着剤の引っ張り弾性率と接着力を制御する観点から、a熱硬化性成分100質量部に対して、無機フィラーを10~60質量部配合することが好ましい。上記下限値を下回る無機フィラーを配合した場合、未硬化フィルム状接着剤のダイシング性が悪化し、硬化後の接着力の低下することがある。一方、上記上限値を超える無機フィラーを配合した場合、未硬化フィルム状接着剤の流動性が低下し、硬化後の引っ張り弾性率が高くなる傾向がある。無機フィラーは、異なる平均粒径のものを混合して使用することができるが、ダイシング性の向上という観点から、その80質量以上の割合を占める主たるフィラー成分としては、平均粒径が0.1~5μmの無機フィラーが好ましい。平均粒径が0.1μm未満である無機フィラーを主たるフィラー成分として使用した場合、比表面積の増加と含有粒子数の増加により未硬化フィルム状接着剤の流動性が低下する場合があり、平均粒径が5μmを超える無機フィラーを主たるフィラー成分として使用した場合、含有粒子の減少による接着力の低下、フィルム成膜性の悪化を引き起こす場合がある。また、主たるフィラー成分に添加する異なる平均粒径の無機フィラーとしては、作製するフィルム状接着剤の膜厚を超えないものであれば特に制限はないが、ダイシング性の向上と硬化後フィルムの低弾性化等を目的とする場合には、平均粒径が5μm以上のフィラーを添加し、粘度の極端な低下による半導体素子製造工程でのフィルム状接着剤の発泡や硬化後の接着強度の向上等を目的とする場合には、平均粒径が0.1μm以下であるものが好ましい。d硬化促進剤:d硬化促進剤としては、反応性の観点からイミダゾール系の化合物が好ましい。反応性が高すぎる硬化促進剤は、半導体素子の製造工程中でフィルム状接着剤の急激な硬化を引き起こし、150°C/1時間加熱後の引っ張り弾性率が高くなる傾向にある。一方、反応性が低すぎる硬化促進剤は、半導体素子の製造工程内の熱履歴ではフィルム状接着剤が完全には硬化することが困難となり、未硬化のまま製品内に搭載されることとなり、その後の素子不具合を誘発するおそれがある。硬化促進剤の添加量が少なすぎる場合には、半導体素子の製造工程内の熱履歴ではフィルム状接着剤が完全には硬化することが困難となり、未硬化のまま製品内に搭載されることとなり、その後の素子不具合を誘発するおそれがある。一方、硬化促進剤の添加量が多すぎる場合には、半導体素子の製造工程中でフィルム状接着剤の急激な硬化を引き起こし、150°C/1時間加熱後の引っ張り弾性率が高くなる傾向にある。このような観点から、硬化促進剤は熱硬化性樹脂100質量部に対して、0~0.07質量部含有することが好ましい。eその他の成分:本実施形態の接着剤組成物は、上記a~dの以外に、接着性向上の観点から、カップリング剤を含有することが好ましい。カップリング剤としては、γ-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3-フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、3-2-アミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。<フィルム状接着剤の製造方法>フィルム状接着剤は、上述した接着剤組成物のワニスから作製することができる。具体的には、まず、上記エポキシ樹脂及び上記フェノール樹脂を含むa熱硬化性樹脂、上記b高分子量成分、上記c無機フィラー、上記d硬化促進剤、必要に応じて上記カップリング剤等の他の添加成分を、有機溶媒中で混合、混練してワニスを調製する。次に、得られたワニスを基材フィルム上に塗布することによりワニスの層を形成する。次に、加熱乾燥によりワニス層から溶媒を除去した後、基材フィルムを除去することにより、フィルム状接着剤が得られる。上記の混合、混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を用い、これらを適宜組み合わせて行うことができる。上記の加熱乾燥は、使用した溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常60°C~200°Cで、0.1~90分間加熱して行うことができる。上記基材フィルムとしては、特に制限はなく、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルムOPPフィルム等、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム等が挙げられる。上記有機溶媒は、上記各成分を均一に溶解、混練または分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができる。このような溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Nメチルピロリドン、トルエン、キシレン等が挙げられる。乾燥速度が速く、価格が安い点でメチルエチルケトン、シクロヘキサノン等を使用することが好ましい。<本発明のフィルム状接着剤及び接着シートの実施形態>フィルム状接着剤の膜厚は、半導体素子接続用のワイヤや、基板の配線回路等の凹凸を十分に充填可能とするため、5~200μmであることが好ましい。膜厚が5μmより薄いと、接着力が乏しくなる傾向があり、200μmより厚いと、経済的でなくなる上に、半導体装置の小型化の要求に応えることが困難となる。なお、接着性が高く、また、半導体装置を薄型化できる点で、フィルム状接着剤の膜厚は10~100μmがより好ましく、20~75μmが更により好ましい。本発明のフィルム状接着剤は、基材フィルムに積層することで接着シートとして用いることができる。図1は、本発明に係る接着シートの一実施形態を示す模式断面図である。図1に示す接着シート100は、基材フィルム2と、これの一方面上に設けられた本発明のフィルム状接着剤1とから構成される。フィルム状接着剤1は、基材フィルム2に、予め得られた本発明に係るフィルム状接着剤を積層することにより設けることができる。また、より厚膜のフィルム状接着剤1を製造する方法の1つとして、予め得られたフィルム状接着剤1と接着シート100のフィルム状接着剤1との貼り合わせにより形成することもできる。図2は、本発明に係る接着シートの他の一実施形態を示す模式断面図である。図2に示す接着シート110は、基材フィルム2の上に設けられたフィルム状接着剤1の基材フィルム2とは反対側面上に、さらにカバーフィルム3を設けた構造を有する。また、カバーフィルム3としては、例えば、PETフィルム、PEフィルム、OPPフィルム等が挙げられる。本発明のフィルム状接着剤は、それ自体で用いても構わないが、一実施態様として、本発明のフィルム状接着剤を従来公知のダイシングテープ上に積層したダイシングダイボンディング一体型接着シートとして用いることもできる。この場合、ウェハへのラミネート工程が一回で済む点で、作業の効率化が可能である。ダイシングテープとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。また、ダイシングテープは、必要に応じて、プライマー塗布、UV処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理が行われていてもよい。更に、ダイシングテープは粘着性を有するものが好ましく、上述のプラスチックフィルムに粘着性を付与したものを用いてもよいし、上述のプラスチックフィルムの片面に粘着剤層を設けてもよい。このようなダイシングダイボンディング一体型接着シートとしては、例えば、図3及び4に示される構成を有するものが挙げられる。図3に示す接着シート120は、引張テンションを加えたときの伸び通称、エキスパンドを確保できる基材フィルム7上に粘着剤層6が設けられたダイシングテープを支持基材とし、該ダイシングテープの粘着剤層6上に、フィルム状接着剤1が設けられた構造を有している。図4に示す接着シート120は、図3に示す接着シートのフィルム状接着剤1の表面に基材フィルム2が設けられている。基材フィルム7としては、上述のダイシングテープで記載したプラスチックフィルムが挙げられる。また、粘着剤層6は、例えば、液状成分及び高分子量成分を含み適度なタック強度を有する樹脂組成物が挙げられる。粘着剤層6を基材フィルム7上に塗布し乾燥する、または、PETフィルム等の基材フィルムに塗布乾燥させた粘着剤層を基材フィルム7と貼り合せることでダイシングテープは形成可能である。タック強度は、例えば、液状成分の比率、高分子量成分のTgを調整することにより、所望の値に設定される。ダイシングダイボンディング一体型接着シートが半導体装置の製造に用いられる場合、ダイシング時には半導体素子が飛散しない粘着力を有し、その後のピックアップ時にはダイシングテープから容易に剥離できることが必要である。係る特性は、上述したように粘着剤層のタック強度の調整、光反応等によるタック強度を変化させることによって得ることができるが、フィルム状接着剤の粘着性が高すぎるとピックアップが困難になることがある。そのため、本発明のフィルム状接着剤のタック強度を適宜調節することが好ましい。その方法としては、例えば、フィルム状接着剤の室温25°Cにおけるフローを上昇させると粘着強度及びタック強度も上昇する傾向があり、フローを低下させると粘着強度及びタック強度も低下する傾向があることを利用すればよい。例えば、フローを上昇させる場合には、可塑剤として機能する化合物の含有量の増加等の方法が挙げられる。フローを低下させる場合には、例えば、可塑剤として機能する化合物の含有量を減らす方法が挙げられる。上記可塑剤としては、例えば、単官能のアクリルモノマー、単官能エポキシ樹脂、液状エポキシ樹脂、アクリル系樹脂等が挙げられる。ダイシングテープ上に本発明のフィルム状接着剤を積層する方法としては、上述した接着剤組成物のワニスを全面に塗布し乾燥する、または印刷により部分的に塗工する方法のほか、予め作製した本発明のフィルム状接着剤をダイシングテープ上に、プレス、ホットロールラミネートにより積層する方法が挙げられる。本実施形態においては、連続的に製造でき、効率がよい点で、ホットロールラミネートによる方法が好ましい。ダイシングテープの膜厚は、特に制限はなく、フィルム状接着剤の膜厚やダイシングダイボンディング一体型接着シートの用途によって適宜、当業者の知識に基づいて定めることができる。ダイシングテープの厚みが60μmを下回ると、取扱い性が悪く、またダイシングにより小片化されたチップをダイシングテープから剥離する工程でのエキスパンドによりダイシングテープが破れる傾向が高い。一方、経済性と取扱い性の良さという観点から、180μm以下が望ましい。以上の観点から、ダイシングテープの膜厚は60~180μmが好ましい。<本発明のフィルム状接着剤または接着シートを用いて得た半導体装置>本発明のフィルム状接着剤及び接着シートは、好ましくは半導体装置の製造に用いられる。より好ましくはウェハ或いは既に小片化されているチップに、接着シート及びダイシングテープまたは、ダイシングダイボンディング一体型接着シートを0°C~90°Cで貼り合わせた後、回転刃、レーザーあるいは伸張による分断で接着剤付きチップを得、当該接着剤付きチップを、ワイヤで接続された半導体素子または凹凸を有する基板に圧着し、凹凸を充てんする工程、封止材により封止する工程を含む半導体装置の製造に用いられる。本発明の半導体装置の製造において、工程における熱履歴が150°C/1時間以下であることが重要である。熱履歴が150°C/1時間以下とは、圧着工程から封止工程の間において熱処理の温度が150°Cを超えず、熱処理時間が1時間未満であることを示す。例えば、150°C未満であっても1時間を超えることは好ましくない場合がある。本発明において、圧着条件における荷重は0.01~0.50MPaであることが好ましく、0.02~0.2MPaであることがより好ましい。荷重が0.01MPa未満であると未充填部位が過度に存在し、封止時の圧力によりチップが動いてしまい、半導体装置の品質を悪化させる危険性がある。一方、圧着荷重が0.50MPaを超えるとチップが破損する傾向がある。また、フィルム状接着剤付きチップを、凹凸を有する基板に圧着する際には、被着体あるいはフィルム状接着剤付きチップ、またはその両方を加熱することが望ましい。圧着条件における加熱温度は、80~180°Cであることが好ましく、80~160°Cであることがより好ましい。80°C未満であると凹凸の埋込性が低下する傾向があり、180°Cを超えると基板が変形し、反りが大きくなる傾向がある。加熱方法としては、基板を加熱した熱板に接触させる、赤外線またはマイクロ波を照射する、熱風を吹きかける等の方法が挙げられる。圧着時間は、0.5~2.0秒が好ましい。ウェハとしては、単結晶シリコンの他、多結晶シリコン、各種セラミック、ガリウム砒素等の化合物半導体等が挙げられる。本発明のフィルム状接着剤を単体で用いる場合には、ウェハにフィルム状接着剤を貼り合わせ、次いで、フィルム状接着剤面にダイシングテープを貼り合わせればよい。フィルム状接着剤をウェハに貼り付ける温度、即ちラミネート温度は、通常、0~90°Cであり、好ましくは15~80°Cであり、さらに好ましくは40~80°Cである。90°Cを超えるとフィルム状接着剤の過度な溶融による厚みの変化が顕著となる場合がある。ダイシングテープまたはダイシングダイボンディング一体型接着シートを貼り付ける際にも、上記温度で行うことが好ましい。封止工程における封止条件は、170~180°C/6.0~10.0MPa/90秒が好ましい。本発明のフィルム状接着剤の用途として、フィルム状接着剤を備える半導体装置について図面を用いて具体的に説明する。なお、近年は様々な構造の半導体装置が提案されており、本発明のフィルム状接着剤の用途は、以下に説明する構造の半導体装置に限定されるものではない。図5は、本発明の半導体装置の他の一実施形態を示す模式断面図である。図5に示す半導体装置210において、一段目の半導体素子9aは本発明のフィルム状接着剤の硬化物1’接着部材により、端子13が形成された半導体素子搭載用支持部材10に接着され、一段目の半導体素子9aの上に更に本発明のフィルム状接着剤の硬化物1’接着部材により二段目の半導体素子9bが接着されている。一段目の半導体素子9a及び二段目の半導体素子9bの接続端子図示せずは、ワイヤ11を介して外部接続端子と電気的に接続され、封止材12によって封止されている。このように、本発明のフィルム状接着剤は、半導体素子を複数重ねる構造の半導体装置にも好適に使用できる。また、図6は、本発明の半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図6に示す半導体装置200において、半導体素子9は本発明のフィルム状接着剤の硬化物1’接着部材により半導体素子搭載用支持部材10に接着され、半導体素子9の接続端子図示せずはワイヤ11を介して外部接続端子図示せずと電気的に接続され、封止材12によって封止されている。図6及び図7に示す半導体装置半導体パッケージは、例えば、上述のフィルム状接着剤付きチップを半導体素子搭載用支持部材または半導体素子に加熱圧着して接着させ、その後、ワイヤボンディング工程と封止材による封止工程等の工程を経ることにより得ることができる。本発明のフィルム状接着剤または接着シートを用いて半導体装置を製造することで、圧着時にワイヤ下の空隙または基板段差に由来する凹凸を埋め込むことができ、また圧着後に空隙が残っても、製造工程における熱履歴が150°C/1時間以下であれば、フィルム状接着剤は低弾性であることから、封止時に空隙が消失される。以下、実施例を挙げて本発明についてより具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。実施例1~5及び比較例1~2表1または表2に示す品名及び組成比単位:質量部のa熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂及びフェノール樹脂、c無機フィラーからなる組成物にシクロヘキサノンを加え、撹拌混合した。これに、表1または表2に同様に示す、b高分子量成分としてのアクリルゴムを加えて撹拌し、更に表1または表2に同様に示すカップリング剤及びd硬化促進剤を加えて各成分が均一になるまで撹拌してワニスを得た。なお、表1及び表2中の各成分の記号は下記のものを意味する。エポキシ樹脂R2710:商品名、株プリンテック製、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、エポキシ当量181、常温で液状、重量分子量約360。なお、上記一般式2で表されるエポキシ樹脂である。YDF-8170C:商品名、東都化成株製、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、エポキシ当量159、常温で液体、重量分子量約310。なお、上記一般式1中、R1~R4が水素原子で、k=4、m=4で表されるエポキシ樹脂である。YDCN-700-10:商品名、東都化成株製、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量210、軟化点75~85°C。フェノール樹脂LF-4871:商品名、DIC株製、水酸基当量118、吸水率1質量、加熱質量減少率4質量。下記、式5で表されるフェノール樹脂である。ミレックスXLC-LL:商品名、三井化学株製、フェノール樹脂、水酸基当量175、軟化点77°C、吸水率1質量、加熱質量減少率4質量。なお、上記一般式3中、R5が水素原子で、n=3であるフェノール樹脂である。HE200C-10:商品名、エアウォーター株製、フェノール樹脂、水酸基当量200、軟化点65~76°C、吸水率1質量、加熱質量減少率4質量。なお、上記一般式4で表されるフェノール樹脂である。HE910-10:商品名、エアウォーター株製、フェノール樹脂、水酸基当量101、軟化点83°C、吸水率1質量、加熱質量減少率3質量。下記、一般式6で表されるフェノール樹脂である。無機フィラーSC2050-HLG:商品名、アドマテックス株製、シリカフィラー分散液、平均粒径0.50μm。SC1030-HJA:商品名、アドマテックス株製、シリカフィラー分散液、平均粒径0.25μm。アエロジルR972:商品名、日本アエロジル株製、シリカ、平均粒径0.016μm。高分子量成分アクリルゴムHTR-試作品24:サンプル名、帝国化学産業株製、重量平均分子量23万、グリシジル官能基モノマー比率8、Tg:-7°C。アクリルゴムHTR-860P:サンプル名、帝国化学産業株製、重量平均分子量80万、グリシジル官能基モノマー比率3、Tg:-7°C。カップリング剤NUCA-1160:商品名、GE東芝株製、γ-ウレイドプロピルトリエトキシシラン。NUCA-189:商品名、GE東芝株製、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン。硬化促進剤キュアゾール2PZ-CN:商品名、四国化成工業株製、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール。次に、得られたワニスを100メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡した。真空脱泡後のワニスを、基材フィルムとしての、厚さ38μmの離型処理を施したポリエチレンテレフタレートPETフィルム上に塗布した。塗布したワニスを、90°Cで5分間、続いて140°Cで5分間の2段階で加熱乾燥した。こうして、基材フィルムとしてのPETフィルム上に、Bステージ状態にある厚み60μmのフィルム状接着剤を備えた接着シートを得た。<各種物性の評価>得られた接着シートのフィルム状接着剤について、80°Cでのずり粘度、ワイヤ埋込性、150°C/1時間熱処理後の引っ張り弾性率、モールド埋込性、接着強度の測定、並びに、耐リフロー性の評価を行った。[ずり粘度測定]フィルム状接着剤の80°Cでのずり粘度は下記の方法により評価した。上記接着シート3枚から、基材フィルムを剥離除去した後、3枚のフィルム状接着剤を70°Cで3枚貼り合わせて厚み180μmの積層体を得た。次いで、その積層体を、厚み方向に10mm角に打ち抜き、10mm角、厚み180μmの四角形の積層体を得た。動的粘弾性装置ARESレオメトリックサイエンティフィック社製に直径8mmの円形アルミプレート治具をセットし、更にここに打ち抜いたフィルム状接着剤の積層体をセットした。その後、35°Cで5の歪みを与えながら5°C/分の昇温速度で昇温させながら測定し、80°Cのずり粘度の値を測定値として記録した。[ワイヤ埋込性の評価]フィルム状接着剤のワイヤ埋込性を下記の方法により評価した。上記で得られた接着シートのフィルム状接着剤厚み60μmを、厚み50μmの半導体ウェハ8インチに70°Cで貼り付けた。次に、それらを7.5mm角にダイシングしてチップを得た。個片化したチップの接着剤を、図7に示す評価用基板300に120°C、0.10MPa、1秒間の条件で圧着してサンプル図8を得た。なお、図7に示す評価用基板300は、一段目の半導体素子9aが、一般的な半導体用フィルム状接着剤1a日立化成工業株製のFH-900-20により、半導体素子搭載用支持部材10に接着されている。なお、半導体素子9aには、ワイヤ11が接続されている。図8に示すサンプルは、評価用基板300に、個片化したチップ二段目の半導体素子9bフィルム状接着剤1硬化前を圧着したものである。得られたサンプルについて、全てのワイヤの下部を図9のようにSEMにより観察した。全ワイヤ本数合計64本の内90以上のワイヤで、その下部がフィルム状接着剤で良好に充填されている場合にワイヤ埋込性が良好として○とし、良好に充填されているワイヤが90に満たない場合は×とした。[150°C/1時間加熱後の引っ張り弾性率の測定]フィルム状接着剤の150°C/1時間加熱後の引っ張り弾性率は下記の方法により評価した。上記接着シート2枚から、基材フィルムを剥離除去した後、2枚のフィルム状接着剤を70°Cで2枚貼り合わせて厚み120μmの積層体を得た。次いで、その積層体を、厚み方向に4mm幅、長さ30mmに切り出し、150°Cのオーブンで1時間加熱した。得られたサンプルを動的粘弾性装置製品名:Rheogel-E4000、株UMB製にセットし、引張り荷重をかけて、周波数10Hz、昇温速度3°C/分で測定し、180°Cでの測定値を150°C/1時間加熱後の引っ張り弾性率として記録した。[モールド埋込性の評価]フィルム状接着剤のモールド埋込性を下記の方法により評価した。上記[ワイヤ埋込性の評価]で得たサンプルと同様に、上記で得られた接着シートのフィルム状接着剤60μmを厚み50μmの半導体ウェハに70°Cで貼り付けた。次に、それらを7.5mm角にダイシングしてチップを得た。個片化したチップの接着剤を、図7に記載の評価用基板に120°C、0.10MPa、1秒間の条件で圧着してサンプル図8を得た。得られたサンプルを125°Cで60分間加熱し、更にホットプレートを用いて、ワイヤボンディングと同等の熱履歴150°C、1時間をサンプルに与えた。次いで、モールド用封止材日立化成工業株、商品名CEL-9750ZHF10を用いて、175°C/6.7MPa/90秒の条件で樹脂封止し、175°C、5時間の条件で封止材を硬化させてパッケージを得た。得られたパッケージの一部を超音波映像装置SAT日立建機製、品番FS200II、プローブ:120MHzにて分析し、封止後の埋込性を確認した。埋め込み性の評価基準は以下の通りである。○:ボイドの割合が15未満。×:ボイドの割合が15以上。[接着強度の測定]フィルム状接着剤のダイシェア強度接着強度を下記の方法により測定した。まず、上記で得られた接着シートのフィルム状接着剤60μmを厚み400μmの半導体ウェハに70°Cで貼り付けた。次に、それらを5.0mm角にダイシングしてチップを得た。個片化したチップのフィルム状接着剤側をSiNで表面処理した厚み625μmの半導体チップ上に120°C、0.1MPa、5秒間の条件で熱圧着してサンプルを得た。その後、得られたサンプルの接着剤を125°Cで1時間、150°Cで1時間、170°Cで3時間の順のステップキュアにより硬化した。更に、接着剤硬化後のサンプルを85°C、60RH条件の下、168時間放置した。その後、サンプルを25°C、50RH条件下で30分間放置し、250°Cでダイシェア強度を測定し、これを接着強度とした。[耐リフロー性の評価]フィルム状接着剤の耐リフロー性を下記の方法により評価した。上記[ワイヤ埋込性の評価]で得たサンプルと同様に、上記で得られた接着シートのフィルム状接着剤60μmを厚み50μmの半導体ウェハに70°Cで貼り付けた。次に、それらを7.5mm角にダイシングしてチップを得た。個片化したチップの接着剤を、図7に記載の評価用基板に120°C、0.10MPa、1秒間の条件で圧着してサンプル図8を得た。得られたサンプルを125°Cで60分間加熱し、更にホットプレートを用いて、ワイヤボンディングと同等の熱履歴150°C、1時間をサンプルに与えた。次いで、モールド用封止材日立化成工業株製、商品名CEL-9750ZHF10を用いて、175°C/6.7MPa/90秒の条件で樹脂封止し、175°C、5時間の条件で封止材を硬化させてパッケージを得た。上記のパッケージを24個準備し、これらをJEDECで定めた環境下レベル3、30°C、60RH、192時間に曝して吸湿させた。続いて、IRリフロー炉260°C、最高温度265°Cに吸湿後のパッケージを3回通過させた。パッケージの破損や厚みの変化、フィルム状接着剤と半導体素子との界面での剥離等が1個も観察されない場合を○、1個でも観察された場合を×と評価した。結果を表3及び4に示す。表3に示した結果から明らかなように、実施例1~5の接着シートは、比較例1~2の接着シートと比較して、ワイヤ埋込性に優れ、150°C/1時間以下の熱履歴後でも、175°C/6.7MPa/90秒の封止条件で封止することにより空隙が消失し、耐リフロー性にも優れることが確認された。