2層以上の有機膜を含む画素を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、第1のインクを配置し、第1の温度で焼成することにより第1の有機膜を成膜する工程と、欠陥のある画素を検出する工程と、前記欠陥のある画素の前記第1の有機膜を除去する工程と、第2のインクを前記欠陥のある画素に配置し、前記第1の温度以下の第2の温度で焼成することにより第2の有機膜を成膜する工程と、前記第1の有機膜および前記第2の有機膜上に、第3のインクを配置し、前記第2の温度以下の第3の温度で焼成することにより第3の有機膜を成膜する工程と、を備えた、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。前記第2の有機膜は前記第1の有機膜よりも膜厚が厚い、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。前記第1の有機膜は正孔注入層である、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。前記第2の有機膜は前記第1の有機膜よりも導電性が高い、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。前記第1~3の有機膜を成膜する工程では、インクジェットヘッドを用いて第1~3のインクを吐出する、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。2層以上の有機膜を含む画素を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置のリペア方法であって、第1のインクを配置し、第1の温度で焼成することにより第1の有機膜を成膜する工程と、欠陥のある画素を検出する工程と、前記欠陥のある画素の前記第1の有機膜を除去する工程と、第2のインクを前記欠陥のある画素に配置し、前記第1の温度以下の第2の温度で焼成することにより第2の有機膜を成膜する工程と、前記第1の有機膜および前記第2の有機膜上に、第3のインクを配置し、前記第2の温度以下の第3の温度で焼成することにより第3の有機膜を成膜する工程と、を備えた、有機エレクトロルミネッセンス表示装置のリペア方法。前記第2の有機膜は前記第1の有機膜よりも膜厚が厚い、請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置のリペア方法。前記第1の有機膜は正孔注入層である、請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置のリペア方法。前記第2の有機膜は前記第1の有機膜よりも導電性が高い、請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置のリペア方法。前記第1~3の有機膜を成膜する工程では、インクジェットヘッドを用いて第1~3のインクを吐出する、請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置のリペア方法。請求項1~5のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法で製造された有機エレクトロルミネッセンス表示装置を備えた電子機器。しかし、欠陥のある部分の有機層を修復するためには、再び焼成工程を行わなければならず、既に形成されている発光層が劣化してしまうという問題がある。また、同じ膜厚の構成で修復したとしても、突起やゴミが取り除かれていなければ電極間のショートの誘発は避けられない。本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、簡易な方法で欠陥のある画素を修復するとともに、正常に形成された画素の劣化を避けることである。本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、2層以上の有機膜を含む画素を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、第1のインクを配置し、第1の温度で焼成することにより第1の有機膜を成膜する工程と、欠陥のある画素を検出する工程と、前記欠陥のある画素の前記第1の有機膜を除去する工程と、第2のインクを前記欠陥のある画素に配置し、前記第1の温度以下の第2の温度で焼成することにより第2の有機膜を成膜する工程と、前記第1の有機膜および前記第2の有機膜上に、第3のインクを配置し、前記第2の温度以下の第3の温度で焼成することにより第3の有機膜を成膜する工程と、を備えたものである。上記構成により、簡易な方法で欠陥のある画素を修復するとともに、正常に形成された画素の劣化を避けることができる。また、第1の有機膜は正孔注入層とすることができる。また、前記第2の有機膜は前記第1の有機膜よりも膜厚が厚いことが望ましい。これにより、欠陥画素にゴミが残ったままの状態でもショートを防止する効果が高くなる。また、前記第2の有機膜は前記第1の有機膜よりも導電性が高いことが望ましい。これにより、前記第2の有機膜を第1の有機膜よりも厚くしたことによる発光効率の低下を補うことができる。前記第1~3の有機膜を成膜する工程では、インクジェットヘッドを用いて第1~3のインクを吐出することができる。本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置のリペア方法は、2層以上の有機膜を含む画素を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置のリペア方法であって、第1のインクを配置し、第1の温度で焼成することにより第1の有機膜を成膜する工程と、欠陥のある画素を検出する工程と、前記欠陥のある画素の前記第1の有機膜を除去する工程と、第2のインクを前記欠陥のある画素に配置し、前記第1の温度以下の第2の温度で焼成することにより第2の有機膜を成膜する工程と、前記第1の有機膜および前記第2の有機膜上に、第3のインクを配置し、前記第2の温度以下の第3の温度で焼成することにより第3の有機膜を成膜する工程と、を備えたものである。上記構成により、簡易な方法で欠陥のある画素を修復するとともに、正常に形成された画素の劣化を避けることができる。また、第1の有機膜は正孔注入層とすることができる。また、前記第2の有機膜は前記第1の有機膜よりも膜厚が厚いことが望ましい。これにより、欠陥画素にゴミが残ったままの状態でもショートを防止する効果が高くなる。また、前記第2の有機膜は前記第1の有機膜よりも導電性が高いことが望ましい。これにより、前記第2の有機膜を第1の有機膜よりも厚くしたことによる発光効率の低下を補うことができる。前記第1~3の有機膜を成膜する工程では、インクジェットヘッドを用いて第1~3のインクを吐出することができる。また、本発明の電子機器は、上述した有機EL表示装置を表示部として備える。ここで、電子機器は、有機EL表示装置を表示部として備えるあらゆる機器を含むもので、ディスプレイ装置、テレビジョン装置、電子ペーパ、時計、電卓、携帯電話、携帯情報端末等を含む。以下、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施形態による有機エレクトロルミネッセンス以下、有機EL表示装置100の製造工程を示す図である。図1Aは、ITO陽極101上に、正孔注入層HIL、第1の有機膜102を積層した状態を示している。各画素は、バンク106によって区切られている。正孔注入層HIL102は、例えばポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルフォン酸の混合体PEDOT/PSSを含む液体材料インクを液滴吐出装置インクジェットヘッドによりITO陽極101の上に配置し、例えば200度で焼成を行うことにより形成する。図1Aに示すように、画素Aにはゴミ200が含まれている。ゴミ200はITO陽極101からの突起や塵等であるが、ゴミ200が導電性を有する場合、画素内でショートが起こる原因となる。図1Aに示す状態で、光学的な検査法等を用いて欠陥画素を検出する。欠陥画素Aが見つかったら、画素AのHIL102のみを剥離して除去する。HIL102の剥離は、例えばレーザーアブレーションにより行うことができる。なお、この時ゴミ200が同時に除去できてもできなくてもよいものとする。次に、図1Bに示すように、画素AのHIL102を除去したあとに、リペア用インクをインクジェットヘッドにより配置し、例えば180度で焼成を行うことにより再生後HIL103第2の有機膜を形成する。リペア用のインクの沸点は、HIL102の形成に用いたインクの沸点以下であり、焼成に必要な温度も低くすることができる。このため、修復時の焼成によって他の画素のHIL102が劣化する心配はない。図1Cに示すように、再生後HIL103はHIL102よりも膜厚が厚くなるように形成する。例えば、HIL102は50nm、再生後HIL103は300nmとする。再生後HIL103をHIL102と同じ膜厚で形成すると、ゴミ200が取り除かれていない場合に、電極間のショートの原因となる場合がある。再生後HIL103を厚めに形成することにより、ショートを防止することができる。一方、一般に有機EL素子は、膜厚が厚くなると駆動電圧が高くなり、発光率が低下するので、再生後HIL103の膜厚を厚くする分、再生後HIL103の導電性は高くすることが望ましい。導電性を高めるためにはリペア用インクの組成を工夫する必要がある。具体的には、インクに含まれるPEDOT/PSSの比率や分子量を変えたり、添加する極性溶媒の種類を変えることにより実現できる。なお、リペアを行った画素Aの初期輝度は、他の正常画素の70以上であることが望ましい。欠陥画素Aの再生後HIL103を形成したら、図1Dに示すように、正常画素のHIL102、および欠陥画素Aの再生後HIL103の上に正孔輸送層HTL、第3の有機膜104を形成し、さらにその上に発光層EML、第3の有機膜105を積層する。正孔輸送層HTL104は、例えば熱架橋させるためにスチリル架橋基を数含むフルオレンとトリフェニルアミンのコポリマー誘導体を溶解させた液体材料インクをインクジェットヘッドによりHIL102および再生後HIL103の上に配置し、例えば180度で焼成を行うことにより形成する。なお、再生後HIL103の上のみ異なるインクを用いてもよい。発光層EML105は、例えばポリフルオレン系高分子材料を溶解させた液体材料インクをインクジェットヘッドによりHTL104の上に配置し、例えば160度で焼成を行うことにより形成する。HIL102、再生後HIL103、HTL104、EML105は有機膜層である。また、それぞれの層の形成に用いるインクの沸点は、前の工程で用いるインクの沸点を上回らないため、焼成に必要な温度は上層へ行くほど低くなっている。このため、後工程における焼成によって、既に成膜されている層が劣化する心配はない。次に、図1Eに示すように、LiF/Alの蒸着等により、EML105の上に陰極107を形成する。なお、必要に応じてEML105と陰極107の間に電子輸送層ETLを形成してもよい。また、陰極107を形成する前に、再度光学的な検査法等による欠陥検査を行ってもよい。以上のように、本実施形態によれば、簡易な方法で欠陥のある画素を修復することができるとともに、再生後HIL103の形成に使うインクはHIL102のインクよりも沸点が低く、焼成温度を低くすることができるので、修復の際、正常に形成された他の画素を劣化させることを避けることができる。また、再生後HIL103の膜厚がHIL102よりも厚いため、欠陥画素にゴミが残ったままの状態でもショートを防止する効果が高くなる。さらに、再生後HIL103の導電性をHIL102よりも高くすることにより、再生後HIL103の膜厚を厚くしたことによる発光効率の低下を補うことができる。本発明は、有機ELテレビのような、表示面積が比較的大きい有機EL表示装置に適しているが、その他の有機EL素子を利用した表示装置、回路、素子等にも適用できる。また、本実施形態では、有機膜の形成にインクジェットヘッド方式を用いているが、ディスペンサーなどを用いて材料を配置する場合にも適用できる。以下に、本発明の具体的な実施例を示すが、本発明はこれに限られるものではない。実施例1.HIL102の形成には、下記の組成のインクを用いる。水分散の80CLEVIOS商標PCH6000Heraeus社製に対し、IPAイソプロピルアルコールおよびDMFNNジメチルフォルムアミドを、それぞれ15、5となるように添加する。HIL102の焼成の条件は、大気中で200°C、5分間の加熱とする。また、膜厚は50nmとする。欠陥画素のHIL102の剥離は、レーザー照射で欠陥画素内のHIL102をアブレーションすることにより行う。再生後HIL103の形成には、下記の組成のリペア用インクを用いる。水分散の80CLEVIOS商標PAI4083Heraeus社製に対し、IPAイソプロピルアルコールおよびDMFNNジメチルフォルムアミドを、それぞれ15、5となるように添加する。再生後HIL103の焼成の条件は、大気中で180°C、5分間の加熱とする。また、膜厚は300nmとする。なお、HTL104、EML105の形成については、焼成温度が180度以下であれば、公知の組成のインクを用いて行うことができる。本実施例の条件で修復したリペア画素の素子性能は、同じ電流量を流した場合の正常画素と比較すると、輝度が20低下し、発光半減寿命も20短くなった。このように、リペア画素は正常画素と全く同じ性能を発揮するわけではないが、不良画素として視認しにくい程度のものであり、従来のように完全に黒欠陥としてしまうよりは、はるかに改善される。なお、再生後HIL103の導電性は、HIL102の100倍であった。また、実施例1の比較例として、欠陥画素において、再生後HIL103の形成に上記のリペア用インクを用いず、HIL102用のインクを用いたところ、同じ電流量を流した場合の正常画素と比較すると、輝度が60低下し、発光半減寿命は50短くなった。このように、再生後HIL103の形成にリペア用インクを用いることにより、欠陥画素を正常画素の性能に近づけることができる。実施例2.HIL102の形成には、下記の組成のインクを用いる。95CLEVIOS商標HIL1.3Heraeus社製に対し、DMSOジメチルスルフォン酸5となるように添加する。HIL102の焼成の条件は、大気中で200°C、5分間の加熱とする。また、膜厚は50nmとする。実施例2では、欠陥画素のHIL102の剥離はあえて行わず、欠陥画素においては、HIL102の上に再生後HIL103を積層する。再生後HIL103の形成には、下記の組成のリペア用インクを用いる。95CLEVIOS商標HIL1.1Heraeus社製に対し、DMSOジメチルスルフォン酸5となるように添加する。再生後HIL103の焼成の条件は、大気中で190°C、5分間の加熱とする。また、膜厚は500nmとする。なお、HTL104、EML105の形成については、焼成温度が190度以下であれば、公知の組成のインクを用いて行うことができる。本実施例の条件で修復したリペア画素の素子性能は、同じ電流量を流した場合の正常画素と比較すると、輝度が30低下し、発光半減寿命は20短くなった。このように、リペア画素は正常画素と全く同じ性能を発揮するわけではないが、不良画素として視認しにくい程度のものであり、従来のように完全に黒欠陥としてしまうよりは、はるかに改善される。なお、再生後HIL103の導電性は、HIL102の100倍であった。また、実施例2の比較例として、欠陥画素において、再生後HIL103の膜厚を50nmで形成したところ、上下ショートが発生し、不良画素は発光しなかった。このように、再生後HIL103の膜厚を厚くすることで、ショートを防止することができる。電子機器次に、本発明による有機EL表示装置100を備えた電子機器の具体例について説明する。図2は、有機EL表示装置100を備えた電子機器の具体例を示す斜視図である。図2Aは、電子機器の一例である携帯電話機を示す斜視図である。この携帯電話機1000は、本発明にかかる有機EL表示装置100を用いて構成された表示部1001を備えている。図2Bは、電子機器の一例であるテレビジョン装置を示す斜視図である。このテレビジョン装置1100は、本発明にかかる有機EL表示装置100を用いて構成された表示部1101を備えている。図2Cは、電子機器の一例である情報処理装置1200を示す斜視図である。この情報処理装置1200は、キーボード等の入力部1201、演算手段や記憶手段などが格納された本体部1202、および本発明にかかる有機EL表示装置100を用いて構成された表示部1203を備えている。