"基板を支持する基板支持部材と、前記基板支持部材を収容可能な処理室と、前記基板支持部材を回転させる回転機構と、前記基板支持部材を前記処理室から搬出する搬出機構と、前記処理室に原料ガスを供給する原料ガス供給系と、前記処理室に窒素含有ガスを供給する窒素含有ガス供給系と、前記原料ガスと前記窒素含有ガスを用いて前記基板に窒化膜を形成した後、前記処理室から前記基板を支持した前記基板支持部材を回転させながら搬出するよう前記原料ガス供給系、前記窒素含有ガス供給系、前記搬出機構および前記回転機構を制御する制御部と、を有する基板処理装置。前記制御部は、前記搬出機構および前記回転機構を制御して、前記基板に形成された前記窒化膜の自然酸化量が前記基板の面内で均一になるよう、前記処理室から前記基板を支持した前記基板支持部材を回転させながら搬出する際の前記基板支持部材の回転速度を制御する制御部である請求項1記載の基板処理装置。前記処理室に酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給系を更に有し、前記制御部は、前記基板に窒化膜を形成した後であって、前記処理室から前記基板支持部材を搬出する前に、前記処理室に前記酸素含有ガスを供給して前記窒化膜の表面を酸化するよう、前記原料ガス供給系、前記窒素含有ガス供給系、前記搬出機構、前記回転機構および前記酸素含有ガス供給系を制御する制御部である請求項1記載の基板処理装置。処理室に複数の基板を搬入する工程と、前記処理室に複数のガスを供給して前記複数の基板に膜を形成する工程と、前記膜が形成された前記複数の基板の前記膜の表面の自然酸化量が前記基板の面内で一定の値となるように前記処理室から前記複数の基板を搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法。基板を支持した基板支持部材を処理室に搬入する工程と、前記処理室に原料ガス及び窒素含有ガスを供給して前記基板に窒化膜を形成する工程と、前記処理室から前記窒化膜が形成された前記基板を支持した前記基板支持部材を回転させながら搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法。基板を処理室に搬入する工程と、前記処理室に原料ガス及び窒素含有ガスを供給して前記基板に窒化膜を形成する工程と、前記処理室に酸素含有ガスを供給して前記窒化膜の表面を酸化する工程と、その後、前記処理室から前記基板を搬出する工程と、その後、前記前記窒化膜の表面の酸化された膜を除去する工程と、を有する半導体装置の製造方法。しかしながら、このような装置を用いて半導体ウエハ等の基板上に窒化チタン膜等の窒化膜を処理室内で形成した後に、処理室から基板を搬出すると、窒化膜に不均一な自然酸化膜が形成され、窒化膜の特性が基板面内で不均一になるという問題があった。本発明の主な目的は、原料ガスおよび窒素含有ガスを用いて形成した窒化膜の特性の均一性を向上できる基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供することにある。本発明によれば、基板を支持する基板支持部材と、前記基板支持部材を収容可能な処理室と、前記基板支持部材を回転させる回転機構と、前記基板支持部材を前記処理室から搬出する搬出機構と、前記処理室に原料ガスを供給する原料ガス供給系と、前記処理室に窒素含有ガスを供給する窒素含有ガス供給系と、前記原料ガスと前記窒素含有ガスを用いて前記基板に窒化膜を形成した後、前記処理室から前記基板を支持した前記基板支持部材を回転させながら搬出するよう前記原料ガス供給系、前記窒素含有ガス供給系、前記搬出機構および前記回転機構を制御する制御部と、を有する基板処理装置が提供される。また、本発明によれば、基板を支持した基板支持部材を処理室に搬入する工程と、前記処理室に原料ガス及び窒素含有ガスを供給して前記基板に窒化膜を形成する工程と、前記処理室から前記窒化膜が形成された前記基板を支持した前記基板支持部材を回転させながら搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。本発明によれば、原料ガスおよび窒素含有ガスを用いて形成した窒化膜の特性の均一性を向上できる基板処理装置および半導体装置の製造方法が提供される。以下、本発明の好ましい実施の形態について図面を参照しながら説明する。まず、本発明の各好ましい実施の形態で好適に使用される基板処理装置について説明する。この基板処理装置は、半導体装置の製造に使用される半導体製造装置の一例として構成されているものである。下記の説明では、基板処理装置の一例として、基板に対し成膜処理等をおこなう縦型の装置を使用した場合について述べる。しかし、本発明は、縦型装置の使用を前提としたものでなく、例えば、枚葉装置を使用しても良い。図1を参照すれば、基板処理装置101では、基板の一例となるウエハ200を収納したカセット110が使用されており、ウエハ200は半導体シリコン等の材料から構成されている。基板処理装置101は筐体111を備えており、筐体111の内部にはカセットステージ114が設置されている。カセット110はカセットステージ114上に工程内搬送装置図示せずによって搬入されたり、カセットステージ114上から搬出されたりする。カセットステージ114上にはカセット110が、工程内搬送装置図示せずによって、カセット110内のウエハ200が垂直姿勢を保持しかつカセット110のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。カセットステージ114は、カセット110を筐体111の後方に右回り縦方向90°回転し、カセット110内のウエハ200が水平姿勢となり、カセット110のウエハ出し入れ口が筐体111の後方を向くように動作可能となるよう構成されている。筐体111内の前後方向の中央部より前方側にはカセット棚105が設置されており、カセット棚105は複数段複数列にて複数個のカセット110を保管するように構成されている。カセット棚105にはウエハ移載機構125の搬送対象となるカセット110が収納される移載棚123が設けられている。カセットステージ114の上方には予備カセット棚107が設けられ、予備的にカセット110を保管するように構成されている。カセットステージ114とカセット棚105との間には、カセット搬送装置118が設置されている。カセット搬送装置118は、カセット110を保持したまま昇降可能なカセットエレベータ118aと、搬送機構としてのカセット搬送機構118bとを備えている。カセット搬送装置118はカセットエレベータ118aとカセット搬送機構118bとの連動動作により、カセットステージ114とカセット棚105と予備カセット棚107との間で、カセット110を搬送するように構成されている。カセット棚105の後方には、ウエハ移載装置125が設置されている。ウエハ移載装置125は、ウエハ200を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載機構125aと、ウエハ移載機構125aを昇降させるためのウエハ移載機構エレベータ125bとを備えている。ウエハ移載機構125aにはウエハ200をピックアップするためのツイーザ125cが設けられている。ウエハ移載装置125はウエハ移載機構125aとウエハ移載機構エレベータ125bとの連動動作により、ツイーザ125cをウエハ200の載置部として、ウエハ200をボート217に対して装填チャージングしたり、ボート217から脱装ディスチャージングしたりするように構成されている。カセット棚105の上方には、清浄化した雰囲気であるクリーンエアを供給するクリーンユニット134aが設置されている。クリーンユニット134aは供給ファン図示せずおよび防塵フィルタ図示せずを備えている。当該クリーンエアは、筐体111の内部を流通し、その後、筐体111の外部に排気されるようになっている。筐体111の左側端部には、クリーンエアを供給するクリーンユニット134bが設置されている。クリーンユニット134bも供給ファン図示せずおよび防塵フィルタ図示せずを備えており、クリーンエアをウエハ移載機構125a等の近傍を流通させるように構成されている。当該クリーンエアは、ウエハ移載機構125a等の近傍を流通した後に、筐体111の外部に排気されるようになっている。筐体111の後部上方には、ウエハ200を熱処理する処理炉202が設けられている。処理炉202の下部には、大気圧未満の圧力以下、負圧というを維持可能な気密性能を有する筐体以下、耐圧筐体という711が設置されている。耐圧筐体711によりボート217を収容可能な容積を有するロードロック方式の待機室であるロードロック室710が形成されている。第1の実施の形態図1、2を参照すれば、処理炉202にはウエハ200を加熱するための加熱装置加熱手段であるヒータ207が設けられている。ヒータ207は上方が閉塞された円筒形状の断熱部材と複数本のヒータ素線とを備えており、断熱部材に対しヒータ素線が設けられたユニット構成を有している。ヒータ207の内側には、ウエハ200を処理するための石英製の反応管203がヒータ207と同心円状に設けられている。反応管203の下側にはマニホールド209が設けられている。反応管203の下部開口部の外側には環状のフランジ204が設けられている。マニホールド209は、筒状の側壁208と、側壁208の上部開口部および下部開口部の外側にそれぞれ設けられた環状のフランジ205、206とを備えている。反応管203のフランジ204とマニホールド209の上側のフランジ205との間には気密部材としてのOリング222が配置され、両者の間は気密にシールされている。マニホールド209の下側にはゲートバルブ730が取り付けられている。マニホールド209の下側のフランジ206にゲートバルブ730が取り付けられ、マニホールド209の下端部がゲートバルブ730によって開閉されるように構成されている。ゲートバルブ730は、取付部材740を介して耐圧筐体711に取り付けられている。耐圧筐体711の天井壁720には貫通孔721が設けられ、貫通孔721には、取付部材740が取り付けられている。取付部材740は、筒状の側壁744と、側壁744の上部開口部および下部開口部の外側にそれぞれ設けられた環状のフランジ742、746とを備えている。取付部材740の側壁744に耐圧筐体711の天井壁720が取り付けられている。取付部材740の上側のフランジ742には、ゲートバルブ730が取り付けられている。耐圧筐体711で形成されるロードロック室710内には、反応管203に対しボート217を昇降させるボートエレベータ115が設けられている。ボートエレベータ115の昇降台にはアーム128が連結されている。アーム128には、取付部材740の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ219が水平に設けられている。シールキャップ219は取付部材740の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ219は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。取付部材740の下端開口端部に設けられた環状のフランジ746とシールキャップ219の上面との間には気密部材以下Oリング220が配置され、両者の間は気密にシールされている。少なくとも、反応管203、マニホールド209、取付部材740およびシールキャップ219により処理室201が形成されている。シールキャップ219上にはボート217を支持するボート支持台218が、後述する回転軸265を介して設けられている。ボート支持台218は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料で構成され断熱部として機能すると共にボートを支持する支持体となっている。ボート217は、ボート支持台218上に立設されている。ボート217は例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料で構成されている。ボート217はボート支持台218に固定された底板210とその上方に配置された天板211とを有しており、底板210と天板211との間に複数本の支柱212が架設された構成を有している。ボート217には複数枚のウエハ200が保持される。複数枚のウエハ200は、互いに一定の間隔をあけながら水平姿勢を保持しかつ互いに中心を揃えた状態で反応管203の管軸方向に多段に積載されボート217の支柱212に支持されている。シールキャップ219の処理室201と反対側にはボート217を回転させるボート回転機構267が設けられている。ボート回転機構267の回転軸265はシールキャップ219を貫通してボート支持台218に接続されており、回転機構267によって、ボート支持台218を介してボート217を回転させることでウエハ200を回転させる。シールキャップ219は反応管203の外部に設けられた昇降機構としてのボートエレベータ115によって垂直方向に昇降され、これによりボート217を処理室201内に対し搬入搬出することが可能となっている。なお、反応管203、ウエハ200、ボート217、ボート支持台218および回転軸265は同心円状に設けられている。耐圧筐体711の前壁714にはウエハ搬入搬出口712が開設されており、ウエハ搬入搬出口712はゲートバルブ770によって開閉されるようになっている。耐圧筐体711の左側の側壁716にはロードロック室710へ窒素ガス等の不活性ガスを供給するためのガス供給管750が接続され、右側の側壁718には、ロードロック室141内を負圧に排気するための排気管760が接続されている。ガス供給管750には、上流側から順に、流量制御装置であるマスフローコントローラ752および開閉弁であるバルブ754が設けられている。主に、ガス供給管750、マスフローコントローラ752およびバルブ754によりロードロック室710へのガス供給系751が構成されている。排気管760には、ロードロック室710内の圧力を検出する圧力検出器圧力検出部としての圧力センサ762および開閉弁であるバルブ764を介して真空排気装置としての真空ポンプ766が接続されており、ロードロック室710内の圧力が所定の圧力真空度となるよう真空排気し得るように構成されている。真空ポンプ764の下流側は排気管232に接続されている。主に、排気管760、圧力センサ762、バルブ764、真空ポンプ766によりロードロック室710の排気系761が構成される。以上の処理炉202およびロードロック室710では、ゲートバルブ770を開け、ウエハ搬入搬出口712を介して、カセット棚105の移載棚123に収納されたカセット110から、バッチ処理される複数枚のウエハ200が、ウエハ移載装置125によって、ボート217に多段に積層されるように搭載され、ゲートバルブ770が閉められ、ゲートバルブ730も閉められた状態で、排気系761によってロードロック室710内を排気し、その後、ガス供給系751によってロードロック室710内を窒素ガスによって大気圧とし、その後、ゲートバルブ730を開け、ボート217をヒータ207によって所定の温度に加熱されている処理室201内に挿入し、シールキャップ219によって、取付部材740の下端開口を気密に閉塞した後、処理室201内でウエハ100の処理を行い、ウエハ100の処理が終わると、ボート217を下降させて処理室201から搬出し、ゲートバルブ730を閉じ、ゲートバルブ770を開けて、ウエハ搬入搬出口712を介して、ウエハ移載装置125によってウエハ200をロードロック室710から搬出し、カセット棚105の移載棚123に収納されたカセット110に移載するようになっている。図2および図3を参照すれば、原料ガスを供給するための2本のガス供給管310、320が設けられている。ガス供給管310には、上流側から順に、開閉弁であるバルブ314、流量制御装置流量制御手段である液体マスフローコントローラ312、気化ユニット気化手段である気化器315および開閉弁であるバルブ313が設けられている。ガス供給管310の下流側の端部は、マニホールド209を貫通して設けられており、マニホールド209の内側でガス供給管310の先端部にノズル410の下端部が接続されている。ノズル410は、反応管203の内壁とウエハ200との間における円弧状の空間で、反応管203の内壁に沿った上下方向ウエハ200の積載方向に延在している。ノズル410の側面には原料ガスを供給する多数のガス供給孔411が設けられている。ガス供給孔411は、下部から上部にわたって同一または、大きさに傾斜をつけた開口面積を有し、同じピッチで設けられている。ガス供給孔411は反応管203の中心を向くように開口している。さらに、ガス供給管310には、気化器315とバルブ313との間に、後述の排気管232に接続されたベントライン610及びバルブ612が設けられている。主に、ガス供給管310、バルブ314、液体マスフローコントローラ312、気化器315、バルブ313、ノズル410、ベントライン610、バルブ612によりガス供給系ガス供給手段301が構成されている。また、ガス供給管310にはキャリアガスを供給するためのキャリアガス供給管510が、バルブ313の下流側で接続されている。キャリアガス供給管510にはマスフローコントローラ512及びバルブ513が設けられている。主に、キャリアガス供給管510、マスフローコントローラ512、バルブ513によりキャリアガス供給系不活性ガス供給系、不活性ガス供給手段501が構成されている。ガス供給管310では、液体原料が液体マスフローコントローラ312で流量調整されて気化器315に供給され気化されて原料ガスとなって供給される。原料ガスを処理室201に供給していない間は、バルブ313を閉じ、バルブ612を開けて、バルブ612を介して原料ガスをベントライン610に流しておく。そして、原料ガスを処理室201に供給する際には、バルブ612を閉じ、バルブ313を開けて、原料ガスをバルブ313の下流のガス供給管310に供給する。一方、キャリアガスがマスフローコントローラ512で流量調整されてバルブ513を介してキャリアガス供給管510から供給され、原料ガスはバルブ313の下流側でこのキャリアガスと合流し、ノズル410を介して処理室201に供給される。ガス供給管320には、上流側から順に流量制御装置流量制御手段であるマスフローコントローラ322および開閉弁であるバルブ323が設けられている。ガス供給管320の下流側の端部は、マニホールド209を貫通して設けられており、マニホールド209の内側でガス供給管320の先端部にノズル420の下端部が接続されている。ノズル420は、反応管203の内壁とウエハ200との間における円弧状の空間で、反応管203の内壁に沿った上下方向ウエハ200の積載方向に延在している。ノズル420の側面には原料ガスを供給する多数のガス供給孔421が設けられている。ガス供給孔421は、下部から上部にわたって同一または、大きさに傾斜をつけた開口面積を有し、同じピッチで設けられている。ガス供給孔421は反応管203の中心を向くように開口している。さらに、ガス供給管320には、マスフローコントローラ322とバルブ323との間に、後述の排気管232に接続されたベントライン620及びバルブ622が設けられている。主に、ガス供給管320、マスフローコントローラ322、バルブ323、ノズル420、ベントライン620、バルブ622によりガス供給系ガス供給手段302が構成されている。第1および第2の実施の形態では、ガス供給系302は、処理室201に窒素含有ガスを供給する窒素含有ガス供給系として用いられる。また、ガス供給管320にはキャリアガスを供給するためのキャリアガス供給管520が、バルブ323の下流側で接続されている。キャリアガス供給管520にはマスフローコントローラ522及びバルブ523が設けられている。主に、キャリアガス供給管520、マスフローコントローラ522、バルブ523によりキャリアガス供給系不活性ガス供給系、不活性ガス供給手段502が構成されている。ガス供給管320では、気体原料ガスがマスフローコントローラ322で流量調整されて供給される。原料ガスを処理室201に供給していない間は、バルブ323を閉じ、バルブ622を開けて、バルブ622を介して原料ガスをベントライン620に流しておく。そして、原料ガスを処理室201に供給する際には、バルブ622を閉じ、バルブ323を開けて、原料ガスをバルブ323の下流のガス供給管320に供給する。一方、キャリアガスがマスフローコントローラ522で流量調整されてバルブ523を介してキャリアガス供給管520から供給され、原料ガスはバルブ323の下流側でこのキャリアガスと合流し、ノズル420を介して処理室201に供給される。マニホールドに排気口230が設けられている。排気口230には、処理室201内の雰囲気を排気する排気管231が接続されている。排気管231には処理室201内の圧力を検出する圧力検出器圧力検出部としての圧力センサ245および圧力調整器圧力調整部としてのAPCAutoPressureControllerバルブ243を介して真空排気装置としての真空ポンプ246が接続されており、処理室201内の圧力が所定の圧力真空度となるよう真空排気し得るように構成されている。真空ポンプ246の下流側の排気管232は廃ガス処理装置図示せず等に接続されている。なお、APCバルブ243は、弁を開閉して処理室201内の真空排気真空排気停止ができ、更に弁開度を調節してコンダクタンスを調整して処理室201内の圧力調整をできるようになっている開閉弁である。主に、排気管231、APCバルブ243、真空ポンプ246、圧力センサ245により排気系233が構成される。反応管203内には温度検出器としての温度センサ263が設置されており、温度センサ263により検出された温度情報に基づきヒータ207への供給電力を調整することで、処理室201内の温度が所望の温度分布となるように構成されている。温度センサ263は、L字型に構成されており、マニホールド209を貫通して導入され、反応管203の内壁に沿って設けられている。ウエハ200を処理する際には、反応管203内にウエハを搭載したボート217を導入する。ボート217は、ボートエレベータ115により反応管203に対し昇降出入りすることができるようになっている。ボート217が反応管203内に導入されると、取付部材740の下端のフランジ746がOリング220を介してシールキャップ219で気密にシールされる。ボート217はボート支持台218に支持されている。処理の均一性を向上するために、ボート回転機構267を駆動し、ボート支持台218に支持されたボート217を回転させる。図4を参照すれば、コントローラ280は、操作メニュー等を表示するディスプレイ288と、複数のキーを含んで構成され、各種の情報や操作指示が入力される操作入力部290と、を備えている。また、コントローラ280は、基板処理装置101全体の動作を司るCPU281と、制御プログラムを含む各種プログラム等が予め記憶されたROM282と、各種データを一時的に記憶するRAM283と、各種データを記憶して保持するHDD284と、ディスプレイ288への各種情報の表示を制御すると共にディスプレイ288からの操作情報を受け付けるディスプレイドライバ287と、操作入力部290に対する操作状態を検出する操作入力検出部289と、カセットステージ114、カセット搬送装置118、ウエハ移載装置125、ロードロック室制御部772、後述する温度制御部291、後述する圧力制御部294、真空ポンプ246、ボート回転機構267、マスフローコントローラ312、322、512、522、後述するバルブ制御部299等の各部材と各種情報の送受信を行う通信インタフェースI/F部285と、を備えているCPU281、ROM282、RAM283、HDD284、ディスプレイドライバ287、操作入力検出部289および通信I/F部285は、システムバスBUS286を介して相互に接続されている。従って、CPU281は、ROM282、RAM283、HDD284へのアクセスを行うことができると共に、ディスプレイドライバ287を介したディスプレイ288への各種情報の表示の制御およびディスプレイ288からの操作情報の把握、通信I/F部285を介した各部材との各種情報の送受信の制御を行うことができる。また、CPU281は、操作入力検出部289を介して操作入力部290に対するユーザの操作状態を把握することができる。ロードロック室制御部772には、コントローラ280との間で、ゲートバルブ730、770の開閉情報、ボートエレベータ115の昇降情報、ロードロック室710の圧力設定情報等の各種情報を送受信する通信I/F部774が接続されている。通信I/F部774とコントローラ280の通信I/F部285はケーブル784で接続されている。ロードロック室制御部772は、受信したゲートバルブ730、770の開閉情報に基づいたゲートバルブ730、770の開閉動作等の制御、受信したボートエレベータ115の昇降情報に基づいたボートエレベータ115の昇降動作の制御、受信したロードロック室の圧力設定情報等と圧力センサ762からの圧力情報等に基づいた真空ポンプ766の起動停止制御、マスフローコントローラ752の流量制御、バルブ754、764の開閉動作制御等を行う。ロードロック室制御部772もコンピュータによって実現されている。温度制御部291は、ヒータ207と、ヒータ207に電力を供給する加熱用電源250と、温度センサ263と、コントローラ280との間で設定温度情報等の各種情報を送受信する通信I/F部293と、受信した設定温度情報と温度センサ263からの温度情報等に基づいて加熱用電源250からヒータ207への供給電力を制御するヒータ制御部292とを備えている。ヒータ制御部292もコンピュータによって実現されている。温度制御部291の通信I/F部293とコントローラ280の通信I/F部285はケーブル785で接続されている。圧力制御部294は、APCバルブ243と、圧力センサ245と、コントローラ280との間で設定圧力情報、APCバルブ243の開閉情報等の各種情報を送受信する通信I/F部296と、受信した設定圧力情報、APCバルブ243の開閉情報等と圧力センサ245からの圧力情報等に基づいてAPCバルブ243の開閉や開度を制御するAPCバルブ制御部295とを備えている。APCバルブ制御部295もコンピュータによって実現されている。圧力制御部294の通信I/F部296とコントローラ280の通信I/F部285はケーブル786で接続されている。カセットステージ114、カセット搬送装置118、ウエハ移載装置125、真空ポンプ246、ボート回転機構267、液体マスフローコントローラ312、マスフローコントローラ322、512、522とコントローラ280の通信I/F部285は、それぞれケーブル781、782、783、787、788、789、790、792、793で接続されている。バルブ制御部299は、バルブ313、314、323、513、523、612、622と、エアバルブであるバルブ313、314、323、513、523、612、622へのエアの供給を制御する電磁バルブ群298とを備えている。電磁バルブ群298は、バルブ313、314、323、513、523、612、622にそれぞれ対応する電磁バルブ297を備えている。電磁バルブ群298とコントローラ280の通信I/F部285はケーブル795で接続されている。以上のようにして、カセットステージ114、カセット搬送装置118、ウエハ移載装置125、ゲートバルブ730、770、マスフローコントローラ752、バルブ754、764、真空ポンプ766、ボートエレベータ115、圧力センサ762、加熱用電源250、温度センサ263、APCバルブ243、圧力センサ245、真空ポンプ246、ボート回転機構267、液体マスフローコントローラ312、マスフローコントローラ322、512、522、バルブ313、314、323、513、523、612、622等の各部材はコントローラ280に接続されている。コントローラ280は、カセットステージ114によるカセット110の姿勢制御、カセット搬送装置118によるカセット110の搬送動作制御、ウエハ移載装置125によるウエハ200の移載動作制御、ゲートバルブ730、770の開閉動作制御、真空ポンプ766の起動停止制御、マスフローコントローラ752の流量制御、圧力センサ762からの圧力情報に基づくバルブ754、764の開閉動作制御を介したロードロック室710内の圧力制御、ボートエレベータ115の昇降動作制御を介したボート217の昇降動作制御、温度センサ263からの温度情報に基づく加熱用電源250からヒータ207への電力供給量調整動作を介した温度制御、APCバルブ243の開閉制御および圧力センサ245からの圧力情報に基づく開度調整動作を介した圧力制御、真空ポンプ246の起動停止制御、ボート回転機構267の回転速度調節制御を介したボート217の回転速度調節制御、液体マスフローコントローラ312、マスフローコントローラ322、512、522の流量制御、バルブ313、314、323、513、523、612、622の開閉動作制御等をそれぞれ行うようになっている。次に、上述の基板処理装置101を用いて大規模集積回路LSI:LargeScaleIntegrationを製造する半導体装置デバイスの製造工程の一例について説明する。尚、以下の説明において、基板処理装置101を構成する各部の動作はコントローラ280により制御される。LSIは、シリコンウエハ上に処理を施すウエハプロセスを行なった後、組立工程、試験工程、信頼性試験工程を経て製造される。ウエハプロセスは、シリコンウエハに酸化、拡散などの加工を施す基板工程と、その表面に配線を形成する配線工程とに区分され、配線工程では、リソグラフィ工程を中心に洗浄、熱処理、膜形成などが反復して行なわれる。リソグラフィ工程では、レジストパターンを形成し、該パターンをマスクとしてエッチングを行なうことにより該パターンの下層を加工する。次に、基板処理装置101を使用して,シリコンウエハ上に電極や拡散バリア等に使用される窒化チタンTiN膜を形成する工程を説明する。CVDChemicalVaporDeposition法やALDAtomicLayerDeposition法では、例えば、CVD法の場合、形成する膜を構成する複数の元素を含む複数種類のガス等を同時に供給し、また、ALD法の場合、形成する膜を構成する複数の元素を含む複数種類のガス等を交互に供給する。そして、供給時の供給流量、供給時間、プラズマパワーなどの処理条件を制御することにより、例えば、酸化シリコン膜SiO膜やシリコン窒化膜SiN膜を形成する。それらの技術では、例えばSiO膜を形成する場合、膜の組成比が化学量論組成であるO/Si≒2となるように、また例えばSiN膜を形成する場合、膜の組成比が化学量論組成であるN/Si≒1.33となるようにすることを目的として、供給条件を制御する。一方、ALD法とは異なり、形成する膜の組成比が化学量論組成とは異なる所定の組成比となるようにすることを目的として、供給条件を制御することも可能である。すなわち、形成する膜を構成する複数の元素のうち少なくとも一つの元素が他の元素よりも化学量論組成に対し過剰となるようにすることを目的として、供給条件を制御する。このように形成する膜を構成する複数の元素の比率、すなわち、膜の組成比を制御しつつ成膜を行うことも可能である。以下では、ALD法により、異なる種類の元素を含む複数種類のガスを交互に供給して化学量論組成を有する窒化チタン膜を形成するシーケンス例について説明する。ここでは第1の元素をチタンTi、第2の元素を窒素Nとし、第1の元素を含む原料としてチタン含有原料であって液体原料の四塩化チタンTiCl4を気化した四塩化チタンTiCl4ガスを、第2の元素を含む反応ガスとして窒素含有ガスであるアンモニアNH3ガスを用い、半導体シリコンウエハ200上に窒化チタン膜を形成する例について説明する。図1を参照すれば、工程内搬送装置図示略によってカセット110がカセットステージ114上に搬入されると、カセット110は、ウエハ200がカセットステージ114の上で垂直姿勢を保持し、カセット110のウエハ出し入れ口が上方向を向くようにカセットステージ114上に載置される。その後、カセット110は、カセットステージ114によって、カセット110内のウエハ200が水平姿勢となり、カセット110のウエハ出し入れ口が筐体111の後方を向くように、筐体111の後方に右周り縦方向90°回転させられる。その後、カセット110は、カセット棚105ないし予備カセット棚107の指定された棚位置へカセット搬送装置118によって自動的に搬送され受け渡され、一時的に保管された後、カセット棚105ないし予備カセット棚107からカセット搬送装置118によって移載棚123に移載されるか、もしくは直接移載棚123に搬送される。カセット110が移載棚123に移載されると、予め内部が大気圧状態とされていたロードロック室710のウエハ搬入搬出口712がゲートバルブ770の開動作により開放される。これ以後の工程は、図1、図2に加え、図5のフローチャートおよび図6のタイミングチャートも参照して説明するウエハ搬入搬出口712が開放されると、ウエハ200は、カセット棚105の移載棚123に収納されたカセット110からウエハ移載機構125aのツイーザ125cによってカセット110のウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ウエハ搬入搬出口712を通じてロードロック室710内に搬入され、ボート217へ移載されて装填ウエハチャージされるステップS201。ボート217にウエハ200を受け渡したウエハ移載機構125aはカセット110に戻り、次のウエハ110をボート217に装填する。なお、予め、ヒータ207に電力を供給する加熱用電源250を制御して処理室201内を、300~450°Cの範囲の温度であって、例えば、300°Cに保持しておく。また、処理室201は、ゲートバルブ730で閉じられている。処理室201内は、不活性ガスである窒素ガスによって大気圧に保たれている。予め指定された枚数のバッチ処理されるウエハ200がボート217に多段に積層されるように装填されると、ウエハ搬入搬出口712がゲートバルブ770によって閉じられる。真空ポンプ766を起動し、バルブ764を開けて、ロードロック室710を排気し、減圧にする。その後、バルブ764を閉じ、バルブ754を開けてマスフローコントローラ752で流量調整した窒素ガスをロードロック室710に供給し、ロードロック室710内の圧力を圧力センサ762で測定し、この測定された圧力に基づき、ロードロック室710内を窒素ガスによって大気圧とする。ロードロック室710内が大気圧になると、ゲートバルブ730を開ける。その後、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて、ヒータ207によって所定の温度に加熱されている処理室201内に搬入ボートロードされるステップS202。この状態で、シールキャップ219はOリング220を介して取付部材740の下端開口を気密にシールして、処理室201を気密にシールした状態とする。その後、ボート217をボート駆動機構267により回転させボート回転開始:ステップS203、ウエハ200を回転させる。その後、APCバルブ243を開いて真空ポンプ246により処理室201内が所望の圧力真空度となるように真空引きし、ウエハ200の温度が380°Cに達して温度等が安定したらステップS204、処理室201内の温度を380°Cに保持した状態で次のステップを順次実行する。この際、処理室201内の圧力は、圧力センサ245で測定され、この測定された圧力に基づきAPCバルブ243の開度がフィードバック制御される圧力調整。また、処理室201内が所望の温度となるようにヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づき加熱用電源250からヒータ207への電力供給具合がフィードバック制御される温度調整。次に、四塩化チタンTiCl4ガスとアンモニアNH3ガスを処理室201内に供給することにより窒化チタンTiN膜を成膜する窒化チタン膜形成工程を行う。窒化チタン膜形成工程では次の4つのステップS211~S214を順次繰り返して実行する。本実施の形態では、ALD法を用いて窒化チタン膜を形成する。以下、図2、3、5、6を参照して、窒化チタン膜形成工程を説明する。TiCl4供給:ステップS211ステップS211では、ガス供給系301のガス供給管310、ノズル410よりTiCl4を処理室201内に供給する。バルブ313を閉じておき、バルブ314、612を開ける。TiCl4は常温で液体であり、液体のTiCl4が液体マスフローコントローラ312で流量調整されて気化器315に供給され気化器315で気化される。TiCl4を処理室201に供給する前は、バルブ313を閉じ、バルブ612を開けて、バルブ612を介してTiCl4をベントライン610に流しておく。そして、TiCl4を処理室201に供給する際には、バルブ612を閉じ、バルブ313を開けて、TiCl4をバルブ313の下流のガス供給管310に供給すると共に、バルブ513を開けて、キャリアガスN2をキャリアガス供給管510から供給する。キャリアガスN2の流量はマスフローコントローラ512で調整する。TiCl4はキャリアガスN2とバルブ313の下流側で合流し混合され、ノズル410のガス供給孔411を介して処理室201に供給されつつ排気管231から排気される。この時、APCバルブ243を適正に調整して処理室201内の圧力を30~100Paの範囲であって、例えば35Paに維持する。液体マスフローコントローラ312で制御するTiCl4の供給量は1~2g/minの範囲であって、例えば1.5g/minにする。TiCl4にウエハ200を晒す時間は3~60秒間で範囲であって、例えば5秒間である。また、ヒータ207に電力を供給する加熱用電源250を制御して処理室201内を、例えば380°Cとなるような温度に保持しておく。このとき、処理室201内に流しているガスは、TiCl4と不活性ガスであるN2のみであり、NH3は存在しない。したがって、TiCl4は気相反応を起こすことはなく、ウエハ200の表面や下地膜と表面反応化学吸着して、原料TiCl4の吸着層以下、Ti含有層を形成する。TiCl4の化学吸着層とは、TiCl4分子の連続的な吸着層の他、不連続な化学吸着層をも含む。同時に、ガス供給管320の途中につながっているキャリアガス供給管520から、バルブ523を開けてN2不活性ガスを流すと、NH3側のノズル420やガス供給管320にTiCl4が回り込むことを防ぐことができる。なお、TiCl4が回り込むのを防止するためなので、マスフローコントローラ522で制御するN2不活性ガスの流量は少なくてよい。残留ガス除去:ステップS212ステップS212では、残留TiCl4等の残留ガスを処理室201内から除去する。ガス供給管310のバルブ313を閉めて処理室201へのTiCl4の供給を停止し、バルブ612を開けてベントライン610へTiCl4を流す。このとき排気管231のAPCバルブ243を全開として、真空ポンプ246により処理室201内を20Pa以下となるまで排気し、処理室201内に残留する残留TiCl4等の残留ガスを処理室201内から排除する。このときN2等の不活性ガスを、TiCl4供給ラインであるガス供給管310から、さらには、ガス供給管320から、処理室201内へ供給すると、さらに残留TiCl4等の残留ガスを排除する効果が高まる。NH3供給:ステップS213ステップS213では、NH3をガス供給系302のガス供給管320よりノズル420のガス供給孔421を介して処理室201内に供給する。NH3はマスフローコントローラ322で流量調整されてガス供給管320より処理室201内に供給される。NH3は、処理室201内に供給する前は、バルブ323を閉じ、バルブ622を開けて、バルブ622を介してベントライン620に流しておく。そして、NH3を処理室201内に供給する際には、バルブ622を閉じ、バルブ323を開けて、NH3をバルブ323の下流のガス供給管320に供給すると共に、バルブ523を開けて、キャリアガスN2をキャリアガス供給管520から供給する。キャリアガスN2の流量はマスフローコントローラ522で調整する。NH3はキャリアガスN2とバルブ323の下流側で合流し混合され、ノズル420のガス供給孔421を介して処理室201に供給されつつ排気管231から排気される。この時、APCバルブ243を適正に調整して処理室201内の圧力を30~1000Paの範囲であって、例えば70Paに維持する。マスフローコントローラ322で制御するNH3の供給量は5000~10000sccmの範囲であって、例えば7500sccmにする。NH3にウエハ200を晒す時間は10~120秒間で範囲であって、例えば15秒間である。また、ヒータ207に電力を供給する加熱用電源250を制御して処理室201内を、例えば380°Cとなるような温度に保持しておく。なお、温度変更には時間がかかるためTiCl4ガスを供給する際の温度と同一とすることが好ましい。このとき、処理室201内に流しているガスはNH3ガスであり、処理室201内にはTiCl4ガスは流していない。したがって、NH3ガスは気相反応を起こすことはなく、ステップS211でウエハ200上に形成された第1の層としてのチタン含有層と反応する。これによりチタン含有層は窒化されて、チタン第1の元素及び窒素第2の元素を含む第2の層、すなわち、窒化チタン層TiN層へと改質される。同時に、ガス供給管310の途中につながっているキャリアガス供給管510から、バルブ513を開けてN2不活性ガスを流すと、TiCl4側のノズル410やガス供給管310にNH3が回り込むことを防ぐことができる。なお、NH3が回り込むのを防止するためなので、マスフローコントローラ512で制御するN2不活性ガスの流量は少なくてよい。残留ガス除去:ステップS214ステップS214では、未反応もしくは窒化に寄与した後の残留NH3等の残留ガスを処理室201内から除去する。ガス供給管320のバルブ323を閉めて処理室201へのNH3の供給を停止し、バルブ622を開けてベントライン620へNH3を流す。このとき排気管231のAPCバルブ243を全開として、真空ポンプ246により処理室201内を20Pa以下となるまで排気し、処理室201内に残留する残留NH3等の残留ガスを処理室201内から排除する。このときN2等の不活性ガスを、NH3供給ラインであるガス供給管320から、さらには、ガス供給管310から、処理室201内へ供給すると、さらに残留NH3等の残留ガスを排除する効果が高まる。上記ステップS211~S214を1サイクルとし、少なくとも1回以上行なうステップS215ことによりウエハ200上にALD法を用いて所定膜厚の窒化チタン膜を成膜する。所定膜厚の窒化チタン膜を形成する成膜処理がなされると、N2等の不活性ガスを処理室201内へ供給しつつ排気することで処理室201内を不活性ガスでパージするガスパージ:ステップS222。なお、ガスパージは、残留ガスを除去したのち、APCバルブ243を閉じ、バルブ513、523を開いて行うN2等の不活性ガスの処理室201内への供給と、その後、バルブ513、523を閉じてN2等の不活性ガスの処理室201内への供給を停止すると共に、APCバルブ243を開いて行う処理室201内の真空引きとを繰り返して行うことが好ましい。その後、APCバルブ243を閉じておき、バルブ513、523を開いて処理室201内の雰囲気をN2等の不活性ガスで置換し不活性ガス置換、処理室201内の圧力を大気圧に復帰する大気圧復帰:ステップS223。その後、真空ポンプ246を止める。その後、処理室201内で、所定の温度、例えば、350°Cまでウエハ200を冷却する。その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219を下降して、取付部材740の下端を開口するとともに、処理済ウエハ200をボート217に搭載した状態で、ボート217を下降して、処理室201から、窒素置換されたロードロック室710に搬出ボートアンロード:ステップS224する。その後、ゲートバルブ730を閉じる。ボート217を下降する際には、ボート回転機構267によってボート217を回転させたままとしておく。ボート217の下降が終了しウエハ200が所定温度まで冷却ウエハ冷却:ステップS225された後、ボート回転機構267を止め、ボート217の回転を止めるボート回転停止:ステップS226。なお、ボート217は、ステップ203で回転を開始してからステップ226で回転を止めるまでは回転させたままにしておく。その後、ゲートバルブ770を開け、ウエハ搬入搬出口712を開放する。その後、図1を参照すれば、ウエハ200は、ウエハ移載機構125aのツイーザ125cによって、ロードロック室710内のボート217から順次搬出され、カセット棚105の移載棚123に収納されたカセット110に移載されるウエハディスチャージ:ステップS227。これにより1回の成膜処理バッチ処理が終了する。その後は、ウエハ200およびカセット110は、上述の逆の手順で、適宜、筐体111の外部に搬出される。本実施の形態では、TiN膜形成後、処理室201内において、所望の温度、例えば、350°Cまでウエハ200を冷却し、冷却後、ウエハ200の充填されたボート217をロードロック室710に移動する。ロードロック室710は、窒素置換され、20ppm以下の酸化成分酸素、水分など濃度に雰囲気制御されているが、TiN膜はその微量な酸化成分でも自然酸化がおきる。自然酸化がおきた場合、局所的に電気的に絶縁性である酸化チタンが形成されるため、導電膜であるTiN膜をトータルで見た際に、電気抵抗の上昇が発生する。また、ロードロック室710内の酸化性成分分布、及び温度分布にはロードロック室710内で偏りがあるため、通常その偏りの影響がTiN膜の自然酸化量に影響し、その自然酸化量のウエハ200内の面内分布に偏りが生じ、ウエハ面内電気抵抗分布を不均一なものとして、半導体装置デバイスの歩留まりに影響を及ぼす場合がある。本実施の形態においては、その偏りの影響を抑制するため、ボート217を回転させながら、すなわち、ウエハ200を回転させながら、ウエハ200の充填されたボート217を処理室201からロードロック室710に移動する。このようにすることにより、TiN膜の自然酸化量のウエハ200内の面内分布を均一化して、ウエハ200の面内電気抵抗分布を均一化することができる。なお、ボート217を処理室201からロードロック室710に移動する際のボート217の回転数は、1~10rpmであることが好ましい。ロードロック室内でのウエハ実温の低下は速いため、最低でも1rpm以上の回転速度が必要だからである。第2の実施の形態上記第1の実施の形態では、TiN膜形成後、処理室201内において、所望の温度、例えば、350°Cまでウエハ200を冷却し、冷却後、ウエハ200の充填されたボート217を回転させながら、ロードロック室710に移動することにより、TiN膜の自然酸化量のウエハ200内の面内分布を均一化して、ウエハ200の面内電気抵抗分布を均一化させたが、本実施の形態では、TiN膜形成後、処理室201内において、in-situで予めTiN膜に酸化を施し、ロードロック室710に移動する際の自然酸化の影響を抑制する。本実施の形態の基板処理装置101は、図7、図8に示すように、第1の実施の形態の基板処理装置101に対して、ガス供給系303、キャリアガス供給系不活性ガス供給系503、ノズル430を追加し、この追加に伴って、コントローラ280によって制御されるマスフローコントローラ332、532およびバルブ333、533が追加されているが他の構成は第1の実施の形態と同じである。図7および図8を参照すれば、3つのガス供給系ガス供給手段301、302、303が設けられ、3つのキャリアガス供給系不活性ガス供給系501、502、503が設けられている。ガス供給系ガス供給手段301、302およびキャリアガス供給系不活性ガス供給系501、502は第1の実施の形態と同じなので、説明は省略する。本実施の形態で追加されたガス供給系303は、処理室201に酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給系として用いられる。ガス供給系303は、ガス供給管330を備えている。ガス供給管330には、上流側から順に流量制御装置流量制御手段であるマスフローコントローラ332および開閉弁であるバルブ333が設けられている。ガス供給管330の下流側の端部は、マニホールド209を貫通して設けられており、マニホールド209の内側でガス供給管330の先端部にノズル430の下端部が接続されている。ノズル430は、反応管203の内壁とウエハ200との間における円弧状の空間で、反応管203の内壁に沿った上下方向ウエハ200の積載方向に延在している。ノズル430の側面には原料ガスを供給する多数のガス供給孔431が設けられている。ガス供給孔431は、下部から上部にわたって同一または、大きさに傾斜をつけた開口面積を有し、同じピッチで設けられている。ガス供給孔431は反応管203の中心を向くように開口している。さらに、ガス供給管330には、マスフローコントローラ332とバルブ333との間に、後述の排気管232に接続されたベントライン630及びバルブ632が設けられている。主に、ガス供給管330、マスフローコントローラ332、バルブ333、ノズル430、ベントライン630、バルブ632によりガス供給系ガス供給手段303が構成されている。また、ガス供給管330にはキャリアガスを供給するためのキャリアガス供給管530が、バルブ333の下流側で接続されている。キャリアガス供給管530にはマスフローコントローラ532及びバルブ533が設けられている。主に、キャリアガス供給管530、マスフローコントローラ532、バルブ533によりキャリアガス供給系不活性ガス供給系、不活性ガス供給手段503が構成されている。ガス供給管330では、気体原料ガスがマスフローコントローラ332で流量調整されて供給される。原料ガスを処理室201に供給していない間は、バルブ333を閉じ、バルブ632を開けて、バルブ632を介して原料ガスをベントライン630に流しておく。そして、原料ガスを処理室201に供給する際には、バルブ632を閉じ、バルブ333を開けて、原料ガスをバルブ333の下流のガス供給管330に供給する。一方、キャリアガスがマスフローコントローラ532で流量調整されてバルブ533を介してキャリアガス供給管530から供給され、原料ガスはバルブ333の下流側でこのキャリアガスと合流し、ノズル430を介して処理室201に供給される。図9を参照すれば、上記のように、ガス供給系303、キャリアガス供給系不活性ガス供給系503が追加され、この追加に伴って、コントローラ280によって制御されるマスフローコントローラ332、532およびバルブ333、533、632が追加されたことにより、マスフローコントローラ332、532とコントローラ280の通信I/F部285をそれぞれ接続するケーブル791、794が追加され、バルブ制御部299の電磁バルブ群298には、追加されたエアバルブであるバルブ333、533、632へのエアの供給をそれぞれ制御する電磁バルブ297が3個追加されているが、他の構成は第1の実施の形態と同じである。コントローラ280は、第1の実施の形態の各制御に加えて、追加されたマスフローコントローラ332、532の流量制御、バルブ333、533、632の開閉動作制御も行うようになっている。次に、基板処理装置101を使用して,本実施の形態によりシリコンウエハ200上に窒化チタンTiN膜を形成する工程を、図1、7、10、11を参照して説明する。本実施の形態は、ステップS211~S214を1サイクルとし、少なくとも1回以上行なうステップS215ことによりウエハ200上にALD法を用いて所定膜厚の窒化チタン膜を成膜するまでは第1の実施の形態と同じである。所定膜厚の窒化チタン膜を形成する成膜処理がなされると、酸素含有ガスとして、例えば、O2をガス供給系303のガス供給管330よりノズル430のガス供給孔431を介して処理室201内に供給する酸素含有ガス供給:ステップS221。O2はマスフローコントローラ332で流量調整されてガス供給管330より処理室201内に供給される。O2は、処理室201内に供給する前は、バルブ333を閉じ、バルブ632を開けて、バルブ632を介してベントライン630に流しておく。そして、O2を処理室201内に供給する際には、バルブ632を閉じ、バルブ333を開けて、O2をバルブ333の下流のガス供給管330に供給すると共に、バルブ533を開けて、キャリアガスN2をキャリアガス供給管530から供給する。キャリアガスN2の流量はマスフローコントローラ532で調整する。O2はキャリアガスN2とバルブ333の下流側で合流し混合され、ノズル430のガス供給孔431を介して処理室201に供給されつつ排気管231から排気される。この時、APCバルブ243を適正に調整して処理室201内の圧力を50~100000Paの範囲であって、例えば100Paに維持する。マスフローコントローラ332で制御するO2の供給量は500~2000sccmの範囲であって、例えば1000sccmにする。O2にウエハ200を晒す時間は10~60秒間で範囲であって、例えば20秒間である。また、ヒータ207に電力を供給する加熱用電源250を制御して処理室201内を、例えば320°Cとなるような温度にする。同時に、ガス供給管310の途中につながっているキャリアガス供給管510から、バルブ513を開けてN2不活性ガスを流し、ガス供給管320の途中につながっているキャリアガス供給管520から、バルブ523を開けてN2不活性ガスを流すと、TiCl4側のノズル410およびガス供給管310ならびにNH3側のノズル420およびガス供給管320にO2が回り込むことを防ぐことができる。なお、O2が回り込むのを防止するためなので、マスフローコントローラ512、522で制御するN2不活性ガスの流量は少なくてよい。その後の、ステップS222のガスパージ以後の工程は、第1の実施の形態と同じなので、説明は省略する。本実施の形態では、所定膜厚の窒化チタン膜を形成した後、酸素含有ガスとして、例えば、O2を処理室201内に供給ステップS221して、窒化チタン膜の表面をin-situで予め酸化する。このように、窒化チタン膜の表面を予め酸化しておくことにより、ウエハ200の充填されたボート217を処理室201からロードロック室710に移動する際のTiN膜の自然酸化量を抑制することができる。O2等の酸素含有ガスを処理室201内に供給して窒化チタン膜の表面を予め酸化することにより、制御された状態で窒化チタン膜の表面を酸化することができ、その後の処理室201からロードロック室710に移動する際に生じる制御困難なTiN膜の自然酸化を抑制することができる。その結果、窒化チタン膜の表面を、ウエハ200の面内にわたってより均一に酸化することができ、ウエハ200の面内電気抵抗分布をより均一化することができる。なお、このようにしてTiN膜を形成した後に、希フッ酸DHF等で後処理することにより、表面の酸化チタンが除去され、電気抵抗を回復することができる。本実施の形態は、O2等の酸素含有ガスを処理室201内に供給して窒化チタン膜の表面を予め酸化することにより、制御された状態で窒化チタン膜の表面を酸化することができるので、複数、例えば、100~150枚のウエハ200をボート217に搭載して一度に処理するバッチ処理型の装置では、ウエハ200間の窒化チタン膜の表面の酸化量を均一化することができる。なお、窒化チタン膜の表面を予め酸化しておくことにより、ウエハ200の充填されたボート217を処理室201からロードロック室710に移動する際のTiN膜の自然酸化量を抑制することができるので、ボート217を回転させずに、ウエハ200の充填されたボート217を処理室201からロードロック室710に移動させても、窒化チタン膜の表面酸化の均一性は、本実施の形態よりも劣るが、ウエハ200の面内にわたって均一なものとすることができる。本実施の形態では、酸素含有ガスとして、O2を使用したが、O2に限らず、酸素原子を含むガスであれば使用可能であり、O2以外に、例えば、O3、H2O,H2O2等が使用可能である。なお、上記第1および第2の実施の形態では、液体原料を気化するのに、気化器315を使用したが、気化器に代えてバブラーを使用してもよい。また、ガス供給系301から供給される原料が気体の場合には、液体マスフローコントローラ312を気体用のマスフローコントローラに交換し、気化器315は不要となる。上記第1および第2の実施の形態では、Ti含有原料として、四塩化チタンTiCl4を使用したが、四塩化チタンTiCl4に代えて、テトラキスジメチルアミノチタンTDMAT、Ti[NCH324、テトラキスジエチルアミノチタンTDEAT、Ti[NCH2CH32]4等を使用することもできる。また、窒素含有ガスとして、アンモニアNH3を使用したが、アンモニアNH3に代えて、窒素N2、亜酸化窒素N2O、モノメチルヒドラジンCH6N2等を使用することもできる。また、Ti含有原料ガスや、窒素含有ガス等の原料ガスに、プラズマ印加、光照射、マイクロウェーブ照射することで、反応を促進させても良い。上記第1および第2の実施の形態では、四塩化チタンTiCl4とアンモニアNH3とを使用して、ウエハ200上に窒化チタンTiN膜を形成する場合に、窒化チタンTiN膜形成後の自然酸化膜の均一性を向上させたが、他の窒化膜や、その他の薄膜形成後の表面自然酸化の均一性向上にも適用可能である。尚、上記では複数のガスを互いに混合させず交互に供給するALD法により窒化チタン膜を形成する例について述べたが、これに限らず、他のガス供給方法でも適用可能である。例えば、複数種類のガスを用いる場合、各ガスをパルス状に同時に供給しても良い例えばチタン含有ガスと窒素含有ガスを所定時間同時に供給する第1の工程と、処理室内の雰囲気を除去する第2の工程を交互に行う。ここで、同時とは各ガスが少なくとも混合する時間帯があればよく、供給が始まるタイミング及び停止するタイミングが必ずしも一致する必要はない。また、少なくとも1種のガスを連続的に供給しつつ、他のガスをパルス状に供給しても良い例えば窒素含有ガスを連続的に供給しつつ、チタン含有ガスの供給と、停止及び処理室の排気を繰り返す。なお、例えば、複数種類のガスを用いる場合、各ガスをパルス状に同時に供給するのではなく、複数種類のガスを成膜の最初から最後まで同時に供給してよいCVD法。また、上記実施の形態では、キャリアガスとして、N2窒素を使用したが、窒素に代えて、Heヘリウム、Neネオン、Arアルゴン等を使用してもよい。なお、上記第1および第2の実施の形態において、Tiを成分に含んだ無機金属化合物または有機金属化合物のいずれか以下、Ti源をガス供給系301から供給し、Nを成分に含んだ無機金属化合物または有機金属化合物のいずれか以下、N源をガス供給系301から供給し、反応させることにより、導体膜、絶縁膜、または絶縁膜によって隔離された導体パターンが露出したウエハ200上に窒化チタンを形成する場合に、処理室201に隣接したロードロック室、またはN2パージ室等、雰囲気制御を具備した装置を使用して、ウエハ200を処理室201から搬出した際に生じる自然酸化量とその均一性を制御してもよい。そして、窒化チタン膜を成膜後に処理室201からウエハ200を搬出し、クーリングステージに移動する際に、ウエハ200を回転させながら搬出することにより、窒化チタン膜の自然酸化量をウエハ面内で均一化する。また、窒化チタン膜成膜後、in-situで、予め極表面のみ積極的に酸化することにより、処理室201からウエハ200を搬出した際に生じる自然酸化量を制御することができる。また、複数のウエハ200を同時に処理することが可能であるバッチ炉を使用すれば、1枚単独あるいは2枚程度の少数のウエハ200を同時に処理する場合に比べて、同等の膜質をより高い生産性で達成するか、あるいは同等の生産性を確保した上でより品質の良い薄膜を提供することが可能となる。また、処理炉202を、その形態がウエハ200を縦方向に複数枚重ねて処理を行う縦型炉体であり、かつその反応管203内部にウエハ200と概ね同じ直径を有する内部管がさらに存在しており、内部管の内側に位置するウエハ200の間に側方からガスを導入排気する構造のものとすることも好ましい。また、処理炉202を、ウエハ200を1枚ずつ処理する枚葉炉とすることも好ましい。本発明の好ましい態様以下に、本発明の好ましい態様について付記する。付記1本発明の好ましい一態様によれば、基板を支持する基板支持部材と、前記基板支持部材を収容可能な処理室と、前記基板支持部材を回転させる回転機構と、前記基板支持部材を前記処理室から搬出する搬出機構と、前記処理室に原料ガスを供給する原料ガス供給系と、前記処理室に窒素含有ガスを供給する窒素含有ガス供給系と、前記原料ガスと前記窒素含有ガスを用いて前記基板に窒化膜を形成した後、前記処理室から前記基板を支持した前記基板支持部材を回転させながら搬出するよう前記原料ガス供給系、前記窒素含有ガス供給系、前記搬出機構および前記回転機構を制御する制御部と、を有する基板処理装置が提供される。付記2付記1の基板処理装置であって、好ましくは、前記制御部は、前記搬出機構および前記回転機構を制御して、前記基板に形成された前記窒化膜の自然酸化量が前記基板の面内で均一になるよう、前記処理室から前記基板を支持した前記基板支持部材を回転させながら搬出する際の前記基板支持部材の回転速度を制御する制御部である。付記3付記1または2の基板処理装置であって、好ましくは、前記処理室に酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給系を更に有し、前記制御部は、前記基板に窒化膜を形成した後であって、前記処理室から前記基板支持部材を搬出する前に、前記処理室に前記酸素含有ガスを供給して前記窒化膜の表面を酸化するよう、前記原料ガス供給系、前記窒素含有ガス供給系、前記搬出機構、前記回転機構および前記酸素含有ガス供給系を制御する制御部である。付記4付記1~3のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、前記処理室に隣接し、前記搬出機構によって、前記処理室から搬出した前記基板支持部材を搬入するロードロック室をさらに備える。付記5付記4の基板処理装置であって、好ましくは、前記ロードロック室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、前記ロードロック室を排気する排気手段と、をさらに備え、前記制御部は、前記処理室から前記ロードロック室に前記基板支持部材を搬出する前に、前記ロードロック室内を前記不活性ガス雰囲気にするよう、前記原料ガス供給系、前記窒素含有ガス供給系、前記搬出機構、前記回転機構、前記不活性ガス供給手段および前記排気手段を制御する制御部である。付記6付記5の基板処理装置であって、好ましくは、前記処理室内に前記基板支持部材が収容された際には、前記処理室と前記ロードロック室とを気密に遮断し、前記基板支持部材を前記処理室から搬出する際には、前記処理室と前記ロードロック室とを連通させる遮断部材であって、前記搬出機構と連動して移動する前記遮断部材をさらに備え、前記制御部は、前記基板に窒化膜を形成する前に、前記遮断部材によって前記処理室と前記ロードロック室とを気密に遮断し、前記処理室から前記ロードロック室に前記基板支持部材を搬出する前に、前記遮断部材によって前記処理室と前記ロードロック室とを気密に遮断した状態で、前記ロードロック室内を前記不活性ガス雰囲気にするよう、前記原料ガス供給系、前記窒素含有ガス供給系、前記搬出機構、前記回転機構、前記不活性ガス供給手段および前記排気手段を制御する制御部である。付記7付記1~6のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、前記処理室内の温度を制御する温度制御手段をさらに備え、前記制御部は、第1の所定の温度に前記基板を加熱して前記原料ガスと前記窒素含有ガスを用いて前記基板に窒化膜を形成した後、前記処理室内で前記基板の温度を前記第1の所定の温度より低い第2の所定の温度にした後、前記処理室から前記基板を支持した前記基板支持部材を回転させながら搬出するよう前記原料ガス供給系、前記窒素含有ガス供給系、前記搬出機構、前記回転機構および温度制御手段を制御する制御部である。付記8本発明の好ましい他の態様によれば、基板を支持する基板支持部材と、前記基板支持部材を収容可能な処理室と、前記基板支持部材を前記処理室から搬出する搬出機構と、前記処理室に原料ガスを供給する原料ガス供給系と、前記処理室に窒素含有ガスを供給する窒素含有ガス供給系と、前記処理室に酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給系と、前記原料ガスと前記窒素含有ガスを用いて前記基板に窒化膜を形成した後、前記処理室に前記酸素含有ガスを供給して前記窒化膜の表面を酸化し、その後、前記処理室から前記基板を支持した前記基板支持部材を搬出するよう前記原料ガス供給系、前記窒素含有ガス供給系、前記酸素含有ガス供給系および前記搬出機構を制御する制御部と、を有する基板処理装置が提供される。付記9付記1~8のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、前記原料ガスは、Ti含有原料ガスである。付記10付記9の基板処理装置であって、好ましくは、前記原料ガスは、液体Ti含有原料を気化したガスである。付記11付記10の基板処理装置であって、好ましくは、前記原料ガスは、TiCl4を気化したガスである。付記12付記1~11のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、前記窒素含有ガスは、NH3である。付記13本発明の好ましい他の態様によれば、処理室に複数の基板を搬入する工程と、前記処理室に複数のガスを供給して前記複数の基板に膜を形成する工程と、前記膜が形成された前記複数の基板の前記膜の表面の自然酸化量が前記基板の面内で一定の値となるように前記処理室から前記複数の基板を搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。付記14本発明の好ましい他の態様によれば、基板を支持した基板支持部材を処理室に搬入する工程と、前記処理室に原料ガス及び窒素含有ガスを供給して前記基板に窒化膜を形成する工程と、前記処理室から前記窒化膜が形成された前記基板を支持した前記基板支持部材を回転させながら搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。付記15付記14の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、前記基板に窒化膜を形成する工程の後であって、前記処理室から前記基板支持部材を搬出する工程の前に、前記処理室に酸素含有ガスを供給して前記窒化膜を酸化する工程をさらに備える。付記16本発明の好ましい他の態様によれば、基板を支持した基板支持部材を処理室に搬入する工程と、前記処理室に原料ガス及び窒素含有ガスを供給して前記基板に窒化膜を形成する工程と、前記処理室に酸素含有ガスを供給して前記窒化膜の表面を酸化する工程と、前記処理室から前記窒化膜の表面が酸化された前記基板を支持した前記基板支持部材を搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。付記17本発明の好ましい他の態様によれば、基板を処理室に搬入する工程と、前記処理室に原料ガス及び窒素含有ガスを供給して前記基板に窒化膜を形成する工程と、前記処理室に酸素含有ガスを供給して前記窒化膜の表面を酸化する工程と、その後、前記処理室から前記基板を搬出する工程と、その後、前記前記窒化膜の表面の酸化された膜を除去する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。付記18本発明の好ましい他の態様によれば、基板を支持した基板支持部材を収容する処理室に、前記処理室に原料ガスを供給する原料ガス供給系と、前記処理室に窒素含有ガスを供給する窒素含有ガス供給系とを制御して、前記原料ガス及び前記窒素含有ガスを供給して前記基板に窒化膜を形成する工程と、前記基板支持部材を回転させる回転機構と、前記基板支持部材を前記処理室から搬出する搬出機構とを制御して、前記窒化膜が形成された前記基板を支持した前記基板支持部材を回転させながら前記処理室から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。付記19本発明の好ましいさらに他の態様によれば、付記13~18のいずれか一つの半導体デバイスの製造方法により形成された半導体装置が提供される。付記20本発明の好ましい他の態様によれば、コンピュータを、基板を支持した基板支持部材を収容する処理室に、前記処理室に原料ガスを供給する原料ガス供給系と、前記処理室に窒素含有ガスを供給する窒素含有ガス供給系とを制御して、前記原料ガス及び前記窒素含有ガスを供給して前記基板に窒化膜を形成し、前記基板支持部材を回転させる回転機構と、前記基板支持部材を前記処理室から搬出する搬出機構とを制御して、前記窒化膜を形成後、前記基板を支持した前記基板支持部材を回転させながら前記処理室から搬出するように制御する、制御手段として機能させるプログラムが提供される。付記21本発明の好ましいさらに他の態様によれば、付記20のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。付記22本発明の好ましいさらに他の態様によれば、付記21の記録媒体を備える基板処理装置が提供される。付記23本発明の好ましいさらに他の態様によれば、Tiを成分に含んだ無機金属化合物または有機金属化合物のいずれか以下、Ti源と、Nを成分に含んだ無機金属化合物または有機金属化合物のいずれか以下、N源を反応させることにより、導体膜、絶縁膜、または絶縁膜によって隔離された導体パターンが露出した被処理基板上に窒化チタンを形成する成膜装置であり、処理室に隣接したロードロック室、またはN2パージ室等、雰囲気制御室を具備し、被処理基板を処理室から雰囲気制御室に搬出した際に生じる自然酸化量とその均一性を制御する成膜装置が提供される。付記24付記23の成膜装置であって、好ましくは、成膜後に処理室から搬出しクーリングステージに移動する際に、被処理基板を回転させながら搬出することにより、窒化チタン膜の自然酸化量を被処理基板面内で均一化する。付記25付記23の成膜装置であって、好ましくは、窒化チタン膜成膜後、in-situで、予め極表面のみ積極的に酸化することにより、処理室から搬出した際に生じる自然酸化量を制御する。付記26付記23~25のいずれかの成膜装置であって、好ましくは、Ti源が四塩化チタンである。付記27付記23~26のいずれかの成膜装置であって、好ましくは、N源がアンモニアである。付記28付記23~27のいずれかの成膜装置であって、好ましくは、成膜装置は、複数の被処理基板を同時に処理することが可能であるバッチ炉である付記29付記28の成膜装置であって、好ましくは、成膜装置は、その形態が被処理基板を縦方向に複数枚重ねて処理を行う縦型炉体であり、かつその反応管内部に被処理基板と概ね同じ直径を有する内部管が存在しており、内部管の内側に位置する被処理基板の間に側方からガスを導入排気する構造である。付記30付記23~27のいずれかの成膜装置であって、好ましくは、成膜装置は、被処理基板を1枚ずつ処理する枚葉炉である。付記31本発明の好ましいさらに他の態様によれば、Tiを成分に含んだ無機金属化合物または有機金属化合物のいずれか以下、Ti源と、Nを成分に含んだ無機金属化合物または有機金属化合物のいずれか以下、N源を反応させることにより、導体膜、絶縁膜、または絶縁膜によって隔離された導体パターンが露出した被処理基板上に窒化チタンを形成する成膜方法であり、処理室に隣接したロードロック室、またはN2パージ室等、雰囲気制御室を具備した成膜装置を使用し、被処理基板を処理室から雰囲気制御室に搬出した際に生じる自然酸化量とその均一性を制御する成膜方法が提供される。以上、本発明の種々の典型的な実施の形態を説明してきたが、本発明はそれらの実施の形態に限定されない。従って、本発明の範囲は、次の特許請求の範囲によってのみ限定されるものである。"