"内部に側方に離隔されたn-領域及びp-領域を有する半導体部、前端及び後端を有する前記n-領域と前記p-領域との間の活性領域、前記n-領域に隣接し、その上部に配置されて前記活性領域内へ電流を導入するための第一の導入部を有する第一のメタライゼーション層、並びに前記第一のメタライゼーション層と対向し、前記p-領域に隣接し、その上部に配置されて前記活性領域内へ電流を導入するための第二の導入部を有する第二のメタライゼーション層を備え、少なくとも一つの前記メタライゼーション層の厚さ及び/または幅が、前記活性領域の少なくとも一端の近傍の活性領域の一部における電流導入を、前記活性領域の他の部分における電流導入と比較して制御できるように選択され、少なくとも一つの前記メタライゼーション層の幅が、前記活性領域の幅よりも大きい、半導体レーザーダイオード。少なくとも一つの前記メタライゼーション層が、前記活性領域の前端近傍に前端部を備え、前記前端部が、前記活性領域の前端近傍の電流導入が前記活性領域の他のどの領域における電流導入と比較しても実質的に減少されるように構成される、請求項1に記載のレーザーダイオード。少なくとも一つの前記メタライゼーション層の前端部の幅及び/または厚さが、少なくとも一つの前記メタライゼーション層の他のどの部分の厚さよりも薄い、請求項2に記載のレーザーダイオード。少なくとも一つの前記メタライゼーション層の前端部が、少なくとも一つの前記メタライゼーション層の抵抗が前記前端部において少なくとも一つの前記メタライゼーション層内の他のどの領域と比較しても増加されるように構成される、請求項2または3に記載のレーザーダイオード。少なくとも一つの前記メタライゼーション層が、前記活性領域の前端及び後端近傍の電流導入が前記活性領域の中間部における電流導入と比較して減少されるように構成される、請求項1から4のいずれか一項に記載のレーザーダイオード。少なくとも一つの前記メタライゼーション層が、前記活性領域の前端近傍でほぼ均一な電流密度を提供するように構成される、請求項1から5のいずれか一項に記載のレーザーダイオード。前記活性領域が、前記前端近傍で拡張部を備え、前記拡張部が、減少された幅及び/または厚さを有する少なくとも一つの前記メタライゼーション層の一部によって覆われる、請求項1から6のいずれか一項に記載のレーザーダイオード。前記導入部が、前記活性領域の少なくとも一端から離れた少なくとも一つの前記メタライゼーション層の一部の上に位置されたワイヤーボンドを備える、請求項1から7のいずれか一項に記載のレーザーダイオード。前記活性領域の前端において少なくとも一つの前記メタライゼーション層と前記半導体部との間に、前記活性領域の前端における電流導入を遮断するための絶縁層をさらに備え、前記絶縁層が、前記活性領域内において非ポンプ端部を形成する、請求項1から8のいずれか一項に記載のレーザーダイオード。少なくとも一つの前記メタライゼーション層が、第一の層及び第二の層を備え、前記第二の層が、前記第一の層よりも厚い、請求項1から9のいずれか一項に記載のレーザーダイオード。前記第二の層が、少なくとも一つの前記メタライゼーション層の後端部上で前記第一の層の少なくとも一部を覆う、請求項10に記載のレーザーダイオード。少なくとも一つの前記メタライゼーション層の前端部の幅及び/または厚さが、少なくとも一つの前記メタライゼーション層内に絶縁ギャップを提供することによって減少される、請求項1から11のいずれか一項に記載のレーザーダイオード。前記活性領域の前端近傍の実質的に減少された電流導入が、サブマウントプロファイリングまたは前記p-領域及び/または前記n-領域の材料最適化、または少なくとも一つの前記メタライゼーション層の材料最適化によって発生される、請求項1から12のいずれか一項に記載のレーザーダイオード。フレアリッジダイオード、非フレアリッジダイオード、及び広域シングルエミッタBASEダイオード、からなる群から選択される、請求項1から13のいずれか一項に記載のレーザーダイオード。前記半導体部の前記p-領域が、メタライズされたサブマウントと接合されるように構成される、請求項1から14のいずれか一項に記載のレーザーダイオード。内部に側方に離隔されたn-領域及びp-領域を有する半導体部、前端及び後端を有する前記n-領域と前記p-領域との間の活性領域、前記n-領域に隣接し、その上部に配置されて前記活性領域内へ電流を導入するための第一の導入部を有する第一のメタライゼーション層並びに、前記第一のメタライゼーション層と対向し、前記p-領域に隣接し、その上部に配置されて前記活性領域内へ電流を導入するための第二の導入部を有する第二のメタライゼーション層を備える高出力レーザーダイオードを製造する方法であって、少なくとも一つの前記メタライゼーション層の幅及び/または厚さをダイオードの長さに沿って、前記活性領域の少なくとも一端の近傍の前記活性領域の一部における電流導入を、前記活性領域の他の部分における電流導入と比較して制御できるように変更することを含み、少なくとも一つの前記メタライゼーション層の幅が、前記ダイオードの長さに沿った前記活性領域の幅よりも大きい、方法。少なくとも一つの前記メタライゼーション層を、選択的成膜及び成膜後の選択的除去またはエッチングを備える群から選択されたパターニングプロセスによって製造することを含む、請求項16に記載の方法。前記パターニングプロセスに用いられるマスクの形状を、前記メタライゼーション層の所定のパターンを得ることができるように選択することをさらに含む、請求項17に記載の方法。少なくとも一つの前記メタライゼーション層の前端部の幅及び/または厚さを、後端部と比較して減少させること、少なくとも一つの前記メタライゼーション層の前記後端部上にワイヤーボンドを備える少なくとも一つの前記導入部を位置させること、サブマウントの形状を形成すること、または前記p-領域及び/もしくは前記n-領域の材料を最適化すること、及び少なくとも一つの前記メタライゼーション層と前記半導体部との間の前記活性領域の前端に絶縁層を形成すること、の一つまたはすべてによって、前記前端における電流導入が減少される、請求項16から18のいずれか一項に記載の方法。均一な電流分布を提供するようなレーザーダイオードの単純な設計を提供することが、本発明の目的である。本発明の一側面に従えば、内部に側方に離隔されたn-領域及びp-領域を有する半導体部並びに前端及び後端を有する前記n-領域と前記p-領域との間の活性領域を備える半導体レーザーダイオードが提供される。前記レーザーダイオードが、前記n-領域に隣接し、その上部に配置されて前記活性領域内へ電流を導入するための第一の導入部を有する第一のメタライゼーション層及び前記第一のメタライゼーション層と対向し、前記p-領域に隣接し、その上部に配置されて前記活性領域内へ電流を導入するための第二の導入部を有する第二のメタライゼーション層をさらに備える。少なくとも一つの前記メタライゼーション層の厚さ及び/または幅が、前記活性領域の少なくとも一端の近傍の活性領域の一部における電流導入を、前記活性領域の他の部分における電流導入と比較して制御できるように選択され、少なくとも一つの前記メタライゼーション層の幅が、前記活性領域の幅よりも大きい。少なくとも一つの前記メタライゼーション層が、前記活性領域の前端近傍に前端部を備えてもよく、前記前端部が、前記活性領域の前端近傍の電流導入が前記活性領域の他のどの領域における電流導入と比較しても実質的に減少されるように構成される。少なくとも一つの前記メタライゼーション層の前端部の幅及び/または厚さが、前記メタライゼーション層の他のどの部分の厚さよりも薄くてもよい。少なくとも一つの前記メタライゼーション層の前端部が、少なくとも一つの前記メタライゼーション層の抵抗が前記前端部において前記メタライゼーション層内の他のどの領域と比較しても増加されるように構成されてもよい。少なくとも一つの前記メタライゼーション層が、前記活性領域の前端近傍でほぼ均一な電流密度を提供するように構成されてもよい。少なくとも一つの前記メタライゼーション層が、前記活性領域の前端及び後端近傍の電流導入が前記活性領域の中間部における電流導入と比較して減少されるように構成されてもよい。前記活性領域が、前記前端近傍で拡張部を備えてもよく、前記拡張部が、減少された幅及び/または厚さを有する少なくとも一つの前記メタライゼーション層の一部によって覆われる。前記導入部が、前記活性領域の少なくとも一端から離れた少なくとも一つの前記メタライゼーション層の一部の上に位置されたワイヤーボンドを備えてもよい。レーザーダイオードが、前記活性領域の前端において少なくとも一つの前記メタライゼーション層と前記半導体部との間に、前記活性領域の前端における電流導入を遮断するための絶縁層をさらに備えてもよい。前記絶縁層が、前記活性領域内において非ポンプ端部を形成してもよい。少なくとも一つの前記メタライゼーション層が、第一の層及び第二の層を備えてもよく、前記第二の層が、前記第一の層よりも厚い。前記第二の層が、少なくとも一つの前記メタライゼーション層の後端部上で前記第一の層の少なくとも一部を覆ってもよい。少なくとも一つの前記メタライゼーション層の前端部の幅及び/または厚さが、少なくとも一つの前記メタライゼーション層内に絶縁ギャップを提供することによって減少されたものであってもよい。前記活性領域の前端近傍の実質的に減少された電流導入が、サブマウントプロファイリングまたは前記p-領域及び/または前記n-領域の材料最適化、または少なくとも一つの前記メタライゼーション層の材料最適化によって発生されてもよい。前記レーザーダイオードが、フレアリッジダイオード、非フレアリッジダイオード、及び広域シングルエミッタBASEダイオードからなる群から選択されてもよい。前記半導体部の前記p-領域が、メタライズされたサブマウントと接合されるように構成されてもよい。前記レーザーダイオードが、熱導波バランスを保つように、左右対称であってもよい。本発明の他の一側面に従えば、内部に側方に離隔されたn-領域及びp-領域を有する半導体部、前端及び後端を有する前記n-領域と前記p-領域との間の活性領域、前記n-領域に隣接し、その上部に配置されて前記活性領域内へ電流を導入するための第一の導入部を有する第一のメタライゼーション層並びに、前記第一のメタライゼーション層と対向し、前記p-領域に隣接し、その上部に配置されて前記活性領域内へ電流を導入するための第二の導入部を有する第二のメタライゼーション層を備える高出力レーザーダイオードを製造する方法が提供される。前記方法が、少なくとも一つの前記メタライゼーション層の前記ダイオードの長さに沿った幅及び/または厚さを、前記活性領域の少なくとも一端の近傍の前記活性領域の一部における電流導入を、前記活性領域の他の部分における電流導入と比較して制御できるように変更することを含み、少なくとも一つの前記メタライゼーション層の幅が、前記ダイオードの長さに沿った前記活性領域の幅よりも大きい。前記方法が、少なくとも一つの前記メタライゼーション層を、選択的成膜及び成膜後の選択的除去またはエッチングを備える群から選択されたパターニングプロセスによって製造することを含んでもよい。前記方法が、前記パターニングプロセスに用いられるマスクの形状を、前記メタライゼーション層の所定のパターンを得ることができるように選択することをさらに含んでもよい。本発明がより完全に理解されうるように、本発明の多数の実施形態が、添付した図面を参照して、例としてここで開示される。発明者は、高出力レーザーダイオード内の抵抗の意図的な増加が、副作用を有する可能性があることを認識しており、この副作用は、熱、順電圧及び散逸を増大させる。これらの全ては、結果的に電気―光学性能及び信頼性を低下させることになる可能性がある。しかしながら、極端な性能や信頼性が求められる場合には、均一な電流密度を確保する利点が、散逸によるどのような欠点をもはるかに上回る。レーザーダイオードの信頼性はダイオード内の最も弱い点によって決定される傾向にあるので、電流密度を低く均一に保つことは有益である。最も弱い領域の故障率は、電流密度に対して概略指数的な関係J3-6にあるため、これを制御することは特に有益である。例えば、デバイスの最も弱い領域における過剰な電流密度が15である場合、J5のとき故障率は2倍となる。有利には、本発明の第二のメタライゼーション層のパターニングまたは形状形成は、電流分布における必要な均一性を達成することが可能である。図3は、p-半導体クラッド層305、n-半導体クラッド層304、半導体層304と305との間に挟まれた活性領域303、n-半導体層304に接続されたn-メタライゼーション層301、及びp-半導体層305に接続されたp-メタライゼーション層302を含む高出力レーザーダイオード300の概略断面図である。p-メタライゼーション層302は、n-メタライゼーション層304と比較してp-メタライゼーション層302内に形成された追加的な抵抗が存在するように形状を形成される。p-半導体層305に対する電圧は、レーザーダイオードの軸に沿ってp-メタライゼーション層302を通してある有限な抵抗率で印加される。そのような電圧が印加されると、追加的な電圧降下がp-メタライゼーション層302内で発生し、その結果レーザーダイオード300の前端306の近傍で電圧がより低くなる。p-メタライゼーション層302の抵抗は、図4aから4dを参照して議論されるように、p-メタライゼーション層302の幅及び/または厚さを変更することによって制御できることは了解されるであろう。p-メタライゼーション層の設計は、レーザーダイオードの前端近傍で均一な電流分布を達成することができるように変更することが可能である。図4aは、活性領域403を覆うp-メタライゼーション層402を含む図3に示されたタイプの高出力レーザーダイオード400aの概略平面図スケールどおりではないである。p-メタライゼーション層402の幅は、活性領域403の幅よりも広い。レーザーダイオード400aの後端412に近いp-メタライゼーション層402は、そこを通ってメタライゼーション層402内へ、そして活性領域403内へ電流が導入されることができるワイヤーボンド413を含む。レーザーダイオード400aの前端411に近いメタライゼーション層402の領域にはワイヤーボンドは存在しない。p-メタライゼーション層402は、前端411に近いこの層の幅が後端412に近い側と比べて減少されるように構成される。しかしながら、前端411に近いp-メタライゼーション層402の減少された幅もまた、活性領域403の幅よりも大きい。前端411に近いp-メタライゼーション層402の形状が、p-メタライゼーション層の幅を減少させることによって後端412に近い側と比較して改善されるので、前端411に近い電流パスに沿った抵抗が増加し、そのため前端411に近い活性領域403内の電流導入が減少する。図4bは、代替的なレーザーダイオード400bの概略的な平面図である。図4bのレーザーダイオードの多くの特徴は、同じ参照番号を付した図4aのレーザーダイオードの特徴、つまりp-メタライゼーション層402、活性領域403、ダイオードの前端及び後端411、412、並びにダイオードの後端412側のメタライゼーション層402上のワイヤーボンド413に類似している。しかしながら、前端411側では、p-メタライゼーション層402は、絶縁ギャップ415を含む。結果として、前端411側のp-メタライゼーション層402の有効幅は、後端の幅と比較して減少される。このことは、結果的に前端411に向かう電流パスに沿った抵抗を増加させる。前端411側のp-メタライゼーション層402の幅もまた、活性領域403の幅よりも大きい。図4bのレーザーダイオードは、図4aのレーザーダイオードと電気的に等価であることは了解されるであろう。図4cは、代替的なレーザーダイオード400cの概略的な平面図である。図4cのレーザーダイオードは、図4a及び4bのレーザーダイオードの特徴と類似した特徴、つまり、p-メタライゼーション層402、活性領域403、レーザーダイオードの前端及び後端411、412、並びに後端412側のメタライゼーション層402上のワイヤーボンド413を有する。しかしながら、この実施形態においては、p-メタライゼーション層402の厚さは、互いの上部に成膜された二つの層402a及び402bを独立に成膜することによって改善される。p-メタライゼーション層402は、厚い金属層402b及び薄い金属層402aを含み、厚い金属層402bは、後端412に面する薄い金属層402aの一部を覆うようにパターニングされる。p-メタライゼーション層の厚さは、前端411側で相対的に薄く、結果的にレーザーダイオードの前端411に向かう電流パスに沿った抵抗を増加させる。図4dは、代替的なレーザーダイオード400dの概略的な平面図である。図4dの多くの特徴は、図4cの特徴、つまり、薄い層402a及び薄い層402aの上部の厚い層402bを含むp-メタライゼーション層402、活性領域403、レーザーダイオードの前端及び後端411、412、並びに後端412側のメタライゼーション層402上のワイヤーボンド413と類似している。しかしながら、活性領域403は、前端411側において拡張構造相対的に大きな幅を有するを有している。前端411側における薄いメタライゼーション層402bの幅は、後端412側におけるそれと比較して減少している。しかしながら、前端411側における薄いメタライゼーション層402aの幅は、活性領域403の拡張構造の幅よりもさらに大きい。前端411側におけるメタライゼーション層402aは、活性領域403内の電流導入に関するいかなるワイヤーボンドも含まない。ダイオードの前端411において、薄いメタライゼーション層402aと半導体クラッド層図示されないとの間に、任意選択の絶縁層421が存在してもよい。この絶縁層421は、活性領域403内の電流導入を遮断し、非ポンプ端部UnpumpedEndSection,UESが、ダイオードの前端411において形成される。電流導入は、後端412側において一定であるが、前端411における非ポンプ端部の近傍で、メタライゼーション層の厚さを減少させることにより薄いメタライゼーション層402bの使用により、及びメタライゼーション層の幅を減少させることにより、制御される。結果として、レーザーダイオードの前端411に向かう電流パスに沿った抵抗が増加し、そのため前端411側において電流導入が減少し、そこでは、絶縁層421が電流導入を完全に遮断するために提供される。図4aから4dを参照して説明されたレーザーダイオードのp-メタライゼーション層が、図4aから4dに示された設計を組み合わせることによってパターニングされまたは形状形成されることが可能であることは了解されるであろう。図4dの非ポンプ端部を形成する絶縁層421もまた図4aから4cのどの構成の前端411においても提供されうることも了解されるであろう。図5aは、パターニングされ、形状形成された厚さ及び/または幅を減少させることによってp-メタライゼーション層を有するレーザーダイオードと、標準的なレーザーダイオードとの間の、電流密度の比較シミュレーションの結果を示す。形状形成されたメタライゼーションの異なる寸法によって達成される二つの異なる電流分布は、例えばメタライゼーション層の幅及び厚さを減少させることにより、設計の柔軟性を実証する。図に示すように、形状形成され及び/またはパターニングされたメタライゼーション層を有するレーザーダイオードの電流密度は曲線501及び502によって示される、標準的なデバイスのそれ曲線503によって示されると比較してより均一長手方向軸の全体を通してである。電流均一性におけるさらなる改善が、p-メタライゼーション層の適切な形状形成によって達成されうることは了解されるであろう。図5bは、図5aに示されたレーザーダイオードに関する電圧分布511、512及び513のシミュレーションの結果を示す。前端への電流パスに沿った、より高い抵抗は、結果的に前端近傍X軸<1800μmのより低い残留電圧をもたらし、そのために、図5aに示される、より均一な電流分布となる。図4aから4dを参照して説明されたデバイスのp-メタライゼーション層は、選択的成膜または成膜後の選択的除去エッチングのような周知の技術によって通常のようにパターニングされることが可能である。追加的なパターニング段階を導入する必要なく、p-メタライゼーション層をパターニングする一つの可能な方法は、これらの成膜または除去技術において用いられるマスクの形状を改善することである。設計の一つの可能性のある結果は、電流密度を均一にすることであるが、より具体的な特性が有利になるような状況がありうることが了解されるであろう。例えば、出力を最大化することまたは出力を妥協することによりさらに信頼性を増すことが必要でありうる。この場合、p-メタライゼーション層のパターニングの柔軟性が、準独立に光学的特性及び電流密度特性の両方を調整する。多くの応用例において、半導体部のp-領域をメタライズされたサブマウントにはんだによって接合することにより、さらなる有利な点が達成されうる。しかしながら、そのような状況においては、電流特性の特徴は、ショートとなるであろう。これを克服できるように、誘電体層及びメタライゼーションの第2層を提供することができる。図4aから4dを参照して説明されたレーザーダイオードの特徴が、非ポンプ端部およびE2ファセットコーティングのような、高出力ポンプデバイスに用いられるその他すべての特徴と両立できることは了解されるであろう。前述の説明が、幅及び/または厚さが前端側における個々の段階で減少されるようなp-メタライゼーション層を有する構成に向けられており、区別できる前方及び後方領域を生じさせることは、注意されるであろう。しかしながら、p-メタライゼーション層がまた、より連続的に、つまり個々の領域に分割されることなく、幅を変化させうることは了解されるであろう。原理的に、長手方向の電流特性を制御するのに用いられることができる追加的な方法が、背部を部分的に覆う側方に配置される誘電体層を延設することにより、レーザーの背部の上部におけるメタライゼーションの幅を制限することであることは、さらに了解されるであろう。本発明は、実際に、これが誘電体の応力及び制御の点で不利な点を有するという理解された事実を有している。抵抗及び側方電流拡張効果は、非線形であり、局所的な材料特性に非常に依存する。加えて、応力の増大は誘電体材料から明らかとなり、追加的な信頼性の危険性をもたらす。本発明が、前述したように好適な実施形態に関して説明されたが、これらの実施形態は単に例示的なものであり、特許請求の範囲はこれらの実施形態に限定されるものではないことは理解されるべきである。当業者であれば、添付された特許請求の範囲内において考えられる開示の観点において、改善及び代替を行うことが可能である。本明細書に開示されまたは例示された各特徴は、単一でまたは本明細書に開示されまたは例示された他のどのような特徴とも任意の適切な組み合わせで、本発明に組み込んでもよい。"