半導体基板を用いて光学出力を検出する光検出器を備えた光学装置であって、前記光検出器は、光検出器活性領域が形成された基板上面の一部を加工して形成され、前記基板内に光ビームを入射させる入口面と、前記基板上面の別の一部を加工して形成され、前記入口面から入射させた光ビームの少なくとも一部を前記基板内にて内部反射させる反射面と、前記基板上面に形成されており、前記反射面により内部反射させた光ビームの少なくとも一部が衝突するよう位置決めされた光検出器活性領域と、を、前記基板上面に有し、前記入口面及び前記反射面は、前記基板上面及び基板下面を横切らないように形成されており、前記光検出器活性領域が形成されている基板上面に対して前記入口面が鈍角を成しており、前記光検出器活性領域が形成されている基板上面に対して実質的に平行に伝搬する光ビームが前記入口面を通る際、前記光ビームが前記光検出器活性領域から離反する方向に屈折するよう、前記入口面が位置決めされており、前記光検出器活性領域が形成されている基板上面に対して前記反射面が鋭角を成しており、前記光検出器活性領域から離反する方向に屈折した光ビームの少なくとも一部が、前記反射面から前記光検出器活性領域が形成されている基板上面に向かって内部反射されるように、前記反射面が前記入口面に対して位置決めされており、前記光検出器は、光導波路を備えた導波路基板上に、上下を反転させてフリップチップとして載置され、前記光導波路から射出された光を前記入口面から受容することを特徴とする、光学装置。前記基板上面において、前記入口面と共に形成され、前記光検出器活性領域が形成されている基板上面とは異なる高さを有する基板上面領域であって、前記光検出器活性領域が形成されている基板上面から前記入口面によって分離された基板上面領域が、完成された光検出器から排除されていることを特徴とする、請求項1に記載の光学装置。前記光検出器活性領域がp-i-nフォトダイオードまたはアバランシェフォトダイオードを含む、請求項1に記載の光学装置。前記光検出器活性領域が形成されている基板上面に対して前記入口面が90°を上回り120°以下の角度を成しており、また前記光検出器活性領域が形成されている基板上面に対して前記反射面が40°以上70°以下の角度を成している、請求項1に記載の光学装置。前記光検出器活性領域が形成されている基板上面に対して前記入口面が90°を上回り105°以下の角度を成しており、また前記光検出器活性領域が形成されている基板上面に対して前記反射面が51°以上60°以下の角度を成している、請求項1に記載の光学装置。前記光検出器活性領域が形成されている基板上面に対して平行な光軸を有し、前記入口面を通って前記基板内に伝搬される光ビームが、前記反射面から全内部反射させられる、請求項4または5に記載の光学装置。前記光検出器活性領域と前記反射面とが、前記基板上面にて約5μmを上回る分だけ隔離されている、請求項1に記載の光学装置。前記光検出器活性領域と前記反射面とが、前記基板上面にて50μm超~約250μm未満だけ隔離されている、請求項1に記載の光学装置。さらに、前記基板上面に形成された2つ以上の電気的な接点を含み、前記接点が前記光検出器活性領域に接続されている、請求項1に記載の光学装置。前記入口面及び前記反射面の少なくとも一方が湾曲されている、請求項1に記載の光学装置。前記光導波路が、前記導波路基板上に形成されたプレーナー型導波路または前記導波路基板上の溝内に載置された光ファイバーである、請求項1に記載の光学装置。前記光ビームが、前記光検出器活性領域のレベルよりも約2.5μm~約50μmだけ下方で、前記入口面上にセンタリングされる、請求項11に記載の光学装置。