インプリント装置により基板の上に形成されたレジストの凹凸パターンに光を入射させて前記凹凸パターンから得られる反射光の特性と前記凹凸パターンの複数の形状のそれぞれとの対応関係を示す対応関係情報を用いて前記凹凸パターンの凹部の厚さを計測する計測方法であって、前記凹凸パターンの凸部の厚さを走査プローブ顕微鏡で計測する第1ステップと、前記対応関係情報は、前記第1ステップで計測された前記厚さに対応する対応関係情報に限定され、前記凹凸パターンからの反射光の特性を光計測装置で計測した結果と、前記限定をされている対応関係情報とを用いて、前記凹部の厚さを求める第2ステップと、を有することを特徴とする計測方法。前記対応関係情報を生成する第3ステップを更に含み、前記第3ステップは、前記凹凸パターンの凸部の厚さと、前記凹凸パターンの形状を規定する他の寸法の値との複数の組合せのそれぞれに関して、凹凸パターンから得られる反射光の特性をシミュレーションで求めるステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の計測方法。前記第3ステップは、前記複数の組合せにおける前記凸部の厚さを前記第1ステップで計測された凸部の厚さに限定することを特徴とする請求項2に記載の計測方法。前記第2ステップは、前記第1ステップで計測された前記厚さに対応する対応関係情報を、それを含む対応関係情報の中から選択することを特徴とする請求項1に記載の計測方法。前記第1ステップは、前記走査プローブ顕微鏡による計測に必要なクリアランスをその周囲の中に有する凸部の厚さを前記走査プローブ顕微鏡で計測することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の計測方法。前記凹凸パターンに対して前記クリアランスを形成する工程を更に有することを特徴とする請求項5に記載の計測方法。基板の上のインプリント材を型により成形して前記基板の上に凹凸パターンを形成するインプリント処理を行うインプリント処理部と、請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載の計測方法で計測された前記凹凸パターンの凹部の厚さが目標の厚さとなるように、前記インプリント処理の処理条件を制御する制御部と、を有することを特徴とするインプリント装置。前記処理条件は、前記基板の上へのインプリント材の供給、及び、前記インプリント材に前記型により作用させる圧力の少なくとも一方に関する条件を含むことを特徴とする請求項7に記載のインプリント装置。請求項7又は8に記載のインプリント装置を用いて基板の上にパターンを形成する工程と、前記工程で前記パターンを形成された前記基板を加工する工程と、を有することを特徴とする物品の製造方法。しかしながら、スキャトロメトリ法を残膜厚の計測に適用した場合、レジストパターンの高さHT:Heightとレジストの残膜厚RLT:ResidualLayerThicknessとを分離して計測することが困難である。図10aは、インプリントプロセスで形成されたレジストパターンを示す図であって、1001は基板、1002は密着層、1003はレジストの残膜、1004はレジストパターンレジストの凸部である。ここで、レジストパターン1004の高さHTが変化した場合と残膜1003の残膜厚RLTが変化した場合とを考える。この場合、レジストパターン1004及び残膜1003のそれぞれを構成する材料の光学定数屈折率n、吸収係数kは同一であるため、レジストパターン1004をスキャトロメトリ法で計測した結果は、両者の間に大きな差異がないと想定される。従って、スキャトリメトリ法による計測結果から、HTが変化したのか、RLTが変化したのかを区別することは困難である。レジストパターンの形状のうち、RLTとHTとを様々に変化させて、ベクトル回折モデルの光学シミュレータRCWA:RigorousCoupledWaveAnalysisでシミュレーションした結果を用いて課題を更に説明する。図10bは、RLTを設計値から0.2nm変化させたときのS偏光の分光反射強度と、HTを設計値から0.3nm変化させたときのS偏光の分光反射強度とを示す図である。また、図10cは、図10bに示す分光反射強度の設計値からの差分を示す図である。図10b及び図10cを参照するに、RLTの変化による分光反射強度の変化とHTの変化による分光反射強度の変化とは同一の傾向を示しており、0.5μm以上の波長帯域においては、両者に差がないといえる。このように、1つの分光反射強度に対して、解の候補が複数存在すると、解を一意に決めることができない。本発明は、インプリント装置により形成された凹凸パターンの凹部の厚さの計測に有利な技術を提供することを例示的目的とする。上記目的を達成するために、本発明の一側面としての計測方法は、インプリント装置により基板の上に形成されたレジストの凹凸パターンに光を入射させて前記凹凸パターンから得られる反射光の特性と前記凹凸パターンの複数の形状のそれぞれとの対応関係を示す対応関係情報を用いて前記凹凸パターンの凹部の厚さを計測する計測方法であって、前記凹凸パターンの凸部の厚さを走査プローブ顕微鏡で計測する第1ステップと、前記対応関係情報は、前記第1ステップで計測された前記厚さに対応する対応関係情報に限定され、前記凹凸パターンからの反射光の特性を光計測装置で計測した結果と、前記限定をされている対応関係情報とを用いて、前記凹部の厚さを求める第2ステップと、を有することを特徴とする。本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。本発明によれば、例えば、インプリント装置により形成された凹凸パターンの凹部の厚さの計測に有利な技術を提供することができる。以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。<第1の実施形態>本発明の一側面としての計測方法について説明する。かかる計測方法は、光計測装置を用いて、インプリント装置により基板の上に形成されたレジストの凹凸パターンの凹部の厚さである残膜厚RLTを計測する方法である。図1を参照して、RLTの計測に用いる光計測装置100について説明する。光計測装置100は、スキャトロメトリ法を用いて被計測物である凹凸パターンの形状断面形状を計測する計測装置である。凹凸パターンの形状は、RLT、凸部の厚さであるレジストパターンの高さHT、パターンの線幅CD:CriticalDimension、側壁角度SWA:SideWallAngleなどで規定される。スキャトロメトリ法は、以下の2つの方法に大別される。第1の方法は、複数の波長の光を含むブロードバンド光を一定の入射角度で凹凸パターンに入射斜入射させ、複数の波長のそれぞれについて、凹凸パターンからの反射光の特性例えば、強度を計測する方法である。第2の方法は、単一波長の光を複数の入射角度で凹凸パターンに入射させ、複数の入射角度のそれぞれについて、凹凸パターンからの反射光の特性を計測する方法である。ここでは、スキャトロメトリ法として第1の方法を用いる場合を説明するが、第2の方法を用いることもできる。図1に示すように、光源102から射出された光Laは、回転可能なポラライザ104を通過して偏光面S偏光、P偏光が調整され、凹凸パターン周期パターンPTに入射する。凹凸パターンPTで反射された光Lbは、回転可能なアナライザ106を通過して偏光面が調整される。アナライザ106を通過した光Lcは、その波長に応じて、分光光学系108によって空間的に波長分離される。空間的に波長分離された光Ldは、光電変換素子がアレー状に配列された検出部110で検出され、その情報が計算機112に送られる。計算機112は、検出部110からの情報に基づいて、波長ごとのS偏光とP偏光との強度比や位相差を算出する。そして、計算機112は、かかる算出結果計測結果とライブラリ情報とを比較して凹凸パターンPTの形状を求め、その結果が凹凸パターンPTの形状として計算機112から出力される。図2は、本発明の一側面としての計測方法を説明するためのフローチャートである。また、図3は、基板31に形成されたレジストの凹凸パターン35を示す断面図である。凹凸パターン35は、残膜凹部33と、レジストパターン凸部34とを含み、基板31に積層された密着層32の上に、インプリント装置により形成される。図2aを参照して、本発明の一側面としての計測方法の全体的な処理を説明する。S1第1ステップでは、基板31に形成された凹凸パターン35のレジストパターン34の高さHTを走査プローブ顕微鏡SPM:ScanningProbeMicroscopeで計測する。具体的には、図3に示すように、SPMのプローブPrを走査経路Sc、即ち、レジストパターン34の長手方向Y軸方向に垂直な方向X軸方向に沿って走査することで、レジストパターン34の高さHTを計測する。なお、SPMは、原子間力顕微鏡AFM:AtomicForceMicroscopeや走査型トンネル顕微鏡ScanningTunnelingMicroscopeなどを含む。S2第3ステップでは、S1で計測したレジストパターン34の高さHTを用いて、光計測装置100で残膜厚RLTを計測するためのライブラリライブラリ情報を作成する。具体的には、凹凸パターン35の形状を規定するパラメータのうち、レジストパターン34の高さHTを表すパラメータの値をS1で計測したレジストパターン34の高さHTの値で固定限定する。次いで、レジストパターン34の高さHTを除くパラメータ例えば、RLT、CD、SWAなどの他の寸法の値を変化させることで凹凸パターン35の複数の形状を設定し、各形状に対応する凹凸パターン35からの反射光の強度をシミュレーションで算出する。そして、凹凸パターン35に光を入射させたときの凹凸パターン35からの反射光の強度と凹凸パターン35の形状との対応関係を示す情報対応関係情報を凹凸パターン35の形状ごとに生成して、かかる情報を含むライブラリを作成する。なお、シミュレーションには、例えば、周期性を有する構造における電場をフーリエ変換で表して固有値方程式を解くRCWARigorousCoupledWaveAnalysisなどを用いればよい。S3第2ステップでは、基板31に形成された凹凸パターン35の残膜33の残膜厚RLTを決定する。まず、基板31に形成された凹凸パターン35を光計測装置100で計測する。上述したように、光計測装置100において、光源102からの光を凹凸パターン35に入射させ、凹凸パターン35からの反射光を検出部110で検出する。そして、S2で作成したライブラリから、検出部110で検出した反射光の強度光計測装置100で計測した計測結果と最も一致する情報を特定し、かかる情報に対応する形状を凹凸パターン35の形状として求めることで残膜33の残膜厚RLTを決定する。このように、レジストパターン34の高さHTをSPMで計測し、その計測結果をライブラリに反映させている即ち、SPMで計測した高さHTを固定してライブラリを作成している。光計測装置100スキャトロメトリ法では、その計測結果からHTが変化したのか、RLTが変化したのかを区別することが困難である。そこで、SPMでHTを計測する決定することで、光計測装置100の計測結果がRLTの変化のみを反映するようにしている。これにより、本実施形態の計測方法は、インプリント装置により形成されたレジストの凹凸パターン35の残膜33の残膜厚RLTを高精度に計測することができる。図2bを参照して、ライブラリの作成S2の詳細を説明する。S21では、インプリント装置により基板31に形成される凹凸パターン35の形状を計算機112上に定義する。ここでは、S1で計測した高さHTのレジストパターン34を含む凹凸パターン35を定義する。S22では、計算機112上でシミュレータに入力する光学定数を決定する。ここで、光学定数とは、凹凸パターン35を構成する材料インプリント材の屈折率や吸収係数などを含む。本実施形態では、凹凸パターン35に入射させる光の入射角度を固定し、かかる光の波長を変化させながら凹凸パターン35からの反射光を波長ごとに検出する。従って、凹凸パターン35を構成する材料の波長ごとに光学定数を決定する。S23では、計算機112上でシミュレータに入力する光計測装置100の光学系条件を決定する。ここで、光計測装置100の光学系条件とは、凹凸パターン35に入射させる光の入射角度、波長及び偏光方向や凹凸パターン35からの反射光の偏光方向などを含む。S24では、S21又はS27で定義した凹凸パターン35の形状、S22で決定した光学定数、及び、S12で決定した光学系条件に基づいて、凹凸パターン35からの反射光の強度を計算機112上のシミュレータで算出する。S25では、S24で算出した凹凸パターン35からの反射光の強度と、S21又はS27で定義した凹凸パターン35の形状との対応関係を示す情報をライブラリに保存する。ライブラリとは、被計測物である凹凸パターンの形状と、その凹凸パターンの形状からの反射光との情報強度や位相とが関連付けられて蓄積されたデータベースである。S26では、凹凸パターン35の全ての形状について、凹凸パターン35からの反射光の強度と凹凸パターン35の形状との対応関係を示す情報を保存したかどうかを判定する。ここで、凹凸パターン35の全ての形状とは、インプリント装置により形成される即ち、想定される範囲内の凹凸パターン35の全ての形状を意味する。凹凸パターン35の全ての形状について情報を保存した場合には、処理を終了する。一方、凹凸パターン35の全ての形状について情報を保存していない場合には、S27に移行する。S27では、凹凸パターン35からの反射光の強度と凹凸パターン35の形状との対応関係を示す情報を保存していない凹凸パターン35の形状を、新たな凹凸パターン35の形状として計算機112上に定義する。これにより、新たな凹凸パターン35からの反射光の強度が算出されS24、かかる反射光の強度と新たな凹凸パターン35の形状との対応関係を示す情報が保存されるS25。但し、新たな凹凸パターン35の形状を定義する際には、レジストパターン34の高さHTについては、S1でのSPMの計測結果に固定し、残膜厚RLT、パターンの線幅CD、側壁角度SWAを変化させることに注意されたい。このようにして、凹凸パターン35の凸部の厚さHTと、凹凸パターン35の形状を規定する他の寸法の値との複数の組合せのそれぞれに関して、凹凸パターン35からの反射光の強度をシミュレーションで求めることができる。<第2の実施形態>第1の実施形態では、S1において、SPMのプローブPrを走査経路Sc、即ち、レジストパターン34の長手方向Y軸方向に垂直な方向X軸方向に沿って走査することでレジストパターン34の高さHTを計測している図3参照。換言すれば、SPMによる計測に必要なクリアランスをその周囲の中に有するレジストパターン34の高さHTを計測している。しかしながら、レジストパターン34の線幅の間隔がSPMのプローブPrの径よりも微細である場合も考えられる。このような場合には、SPMのプローブPrをレジストパターン34の間内部に挿入することができないため、プローブPrを走査経路Scに沿って走査することは不可能である。そこで、本実施形態では、レジストパターン34の高さHTを計測する際に、レジストパターン34が形成されているパターン領域と、レジストパターン34が形成されていない非パターン領域との境界において、プローブPrを走査する。図4は、基板31に形成されたレジストの凹凸パターン35を示す断面図である。凹凸パターン35は、レジストパターン34が形成されている即ち、凸部が周期的に形成されているパターン領域αと、レジストパターン34が形成されていない即ち、凹部のみが形成されている非パターン領域βとを含む。図4を参照するに、SPMのプローブPrをレジストパターン34の間に挿入することができない場合には、上述したように、レジストパターン34の高さHTを計測することができない。そこで、図4に示すように、パターン領域αと非パターン領域βとの境界にSMPのプローブPrの走査経路Scを設定する。詳細には、非パターン領域βに隣接するパターン領域αに形成されたレジストパターン34のうち、非パターン領域βに最も近いレジストパターン34’がプローブPrで走査されるように、走査経路Scを設定する。これにより、SPMのプローブPrを走査経路Scに沿って走査することで、レジストパターン34’の高さHTを計測することができる。従って、レジストパターン34’の高さHTを用いて、光計測装置100で残膜厚RLTを計測するためのライブラリを作成することS2が可能となる。<第3の実施形態>第2の実施形態では、SPMのプローブPrをレジストパターン34の間に挿入することができない場合に、パターン領域αに形成されたレジストパターン34のうち、非パターン領域βに最も近いレジストパターン34’の高さを計測している。しかしながら、基板31に形成された凹凸パターン35が非パターン領域βを含まない場合には、レジストパターン34’の高さHTを計測することができない。そこで、本実施形態では、レジストパターン34の高さHTを計測する際に、パターン領域の一部の領域に形成されているレジストパターン34を除去して除去領域を形成し、パターン領域と除去領域との境界近傍において、プローブPrを走査する。換言すれば、レジストパターン34に対してSPMによる計測に必要なクリアランスを形成する。図5は、基板31に形成されたレジストの凹凸パターン35を示す断面図である。凹凸パターン35は、レジストパターン34が形成されているパターン領域αのみを含み、レジストパターン34が形成されていない非パターン領域βを含んでいない。図5aを参照するに、凹凸パターン35が非パターン領域βを含まず、SPMのプローブPrをレジストパターン34の間に挿入することができない場合には、上述したように、レジストパターン34の高さHTを計測することができない。そこで、図5bに示すように、パターン領域αの一部の領域に形成されているレジストパターン34’’、その下の残膜33及び密着層32を除去して即ち、基板31を露出させて除去領域γを形成する。但し、基板31を露出させるのではなく、レジストパターン34’’及びその下の残膜33を除去して密着層32を露出させてもよい。レジストパターン34’’、残膜33や密着層32を除去する際には、収束イオンビームFIB:FocusedIonBeam、電子ビーム、レーザなどを発生する発生源を備えた微細加工装置を用いることが可能である。また、レジストパターン34’’、残膜33や密着層32を除去する際には、基板面において加工除去を停止させる必要があるため、密着層32と基板31とのエッチング選択比の差が大きい方がよい。レジストパターン34’’、残膜33や密着層32が除去されたかどうかの判断は、例えば、加工時間とエッチング選択比とから推測することができる。具体的には、凹凸パターン35及び密着層32のそれぞれを構成する材料について、加工時間とエッチング選択比との相関関係を取得し、かかる相関関係に基づいて、レジストパターン34’’、残膜33や密着層32が除去されたかどうかの判断を行う。除去領域γを形成することによって、図5cに示すように、パターン領域αと除去領域γとの境界近傍にSMPのプローブPrの走査経路Scを設定することが可能となる。詳細には、除去領域γに隣接するパターン領域αに形成されたレジストパターン34のうち、除去領域γに最も近いレジストパターン34’がプローブPrで走査されるように、走査経路Scを設定する。これにより、SPMのプローブPrを走査経路Scに沿って走査することで、レジストパターン34’の高さHTを計測することができる。従って、レジストパターン34’の高さHTを用いて、光計測装置100で残膜厚RLTを計測するためのライブラリを作成することS2が可能となる。<第4の実施形態>第1の実施形態乃至第3の実施形態では、SPMでレジストパターンの高さHTを計測し、その計測結果をライブラリに反映させることで、レジストパターンの高さHTを高精度に計測することを実現している。第1の実施形態乃至第3の実施形態では、基板上の各ショット領域に形成される凹凸パターンにおけるレジストパターンの高さHTがばらついていないことを前提としている。しかしながら、ショット領域間でレジストパターンの高さHTがばらついている場合もある。このような場合、1つのショット領域におけるレジストパターンの高さHTを計測し、その計測結果をライブラリに反映させるだけでは、各ショット領域におけるレジストパターンの高さHTを高精度に計測することができない。各ショット領域でレジストパターンの高さHTを計測し、その計測結果をショット領域ごとに反映させたライブラリを作成することも考えられるが、ライブラリの作成に膨大な時間を要してしまう。そこで、本実施形態では、凹凸パターン35からの反射光の強度と凹凸パターン35の複数の形状のそれぞれとの関係を示す複数の情報を含むライブラリから、各ショット領域におけるSMPの計測結果に対応する情報を選択する。ここで、凹凸パターン35の複数の形状とは、レジストパターン34の高さHTを表すパラメータの値を想定される範囲内で変化させると共に、残膜厚RLT、パターンの線幅CD及び側壁角度SWAを表すパラメータを変化させることで定義される形状である。図6aを参照して、本実施形態における計測方法を説明する。ここでは、凹凸パターン35からの反射光の強度と凹凸パターン35の複数の形状のそれぞれとの関係を示す複数の情報を含むライブラリは予め作成されているものとする。また、図6aに示す計測方法は、上述したように、基板上のショット領域間でレジストパターンの高さHTがばらついている場合に有効である。従って、図6aに示す計測方法を行う前に、基板上のショット領域間でレジストパターンの高さHTがばらついているかどうかを判定するとよい。例えば、図7に示すように、基板上に複数のショット領域が配置されている場合を考えると、かかる複数のショット領域のそれぞれにおけるレジストパターンの高さHTをSPMで計測する。そして、SPMの計測結果を3σなどで評価することで、ショット領域間でレジストパターンの高さHTがばらついているかどうかを判定する。ここで、ショット領域間でレジストパターンの高さHTがばらついていない場合には、各ショット領域におけるレジストパターンの高さHTの平均を、レジストパターンの高さHTの代表値としてライブラリを作成して残膜厚RLTを計測すればよい。なお、基板上のショット領域間でレジストパターンの高さHTがばらついているかどうかを判定する際には、基板上の全てのショット領域におけるレジストパターンの高さHTを計測する必要はない。例えば、基板上に複数のショット領域のうち特定のショット領域S1乃至S16におけるレジストパターンの高さHTを計測し、その計測結果からショット領域間でレジストパターンの高さHTがばらついているかどうかを判定してもよい。S61では、基板上の対象ショット領域に形成された凹凸パターン35のレジストパターン34の高さHTをSPMで計測する。S62では、基板上の対象ショット領域に形成された凹凸パターン35の残膜33の残膜厚RLTを決定する。具体的には、まず、ライブラリに含まれている複数の情報から、S61で計測したレジストパターン34の高さHTの値を有する情報を選択する。換言すれば、S61で計測した高さHTのレジストパターン34で形状が定義される凹凸パターン35の形状と、かかる凹凸パターン35からの反射光の強度との関係を示す情報を選択する。次いで、基板上の対象ショット領域に形成された凹凸パターン35を光計測装置100で計測する。上述したように、光計測装置100において、光源102からの光を凹凸パターン35に入射させ、凹凸パターン35からの反射光を検出部110で検出する。そして、上述の選択した情報から、検出部110で検出した反射光の強度光計測装置100で計測した計測結果と最も一致する情報を特定し、かかる情報に対応する形状を凹凸パターン35の形状として求めることで残膜33の残膜厚RLTを決定する。S63では、基板上の全てのショット領域を対象ショット領域としたかどうかを判定する。基板上の全てのショット領域を対象ショット領域としていない場合には、S61に移行して、次のショット領域を対象ショット領域として、レジストパターン34の高さHTを計測する。一方、基板上の全てのショット領域を対象ショット領域とした場合には、処理を終了する。このように、本実施形態では、各ショット領域におけるレジストパターン34の高さHTをSPMで計測し、その計測結果に対応する情報をショット領域ごとにライブラリから選択している。これにより、本実施形態の計測方法は、基板上のショット領域間でレジストパターンの高さHTがばらついていたとしても、各ショット領域に形成された凹凸パターン35の残膜33の残膜厚RLTを高精度に計測することができる。また、図6aでは、凹凸パターン35からの反射光の強度と凹凸パターン35の複数の形状のそれぞれとの対応関係を示す複数の情報を含むライブラリは予め作成されている場合について説明した。但し、図6bに示すように、基板上の対象ショット領域に形成された凹凸パターン35のレジストパターン34の高さHTをSPMで計測するS61前に、S60第3ステップにおいて、ライブラリを作成するようにしてもよい。具体的には、まず、基板上の複数のショット領域のうち、1つのショット領域に形成された凹凸パターン35のレジストパターン34の高さHTをSPMで計測する計測ステップ。次いで、凹凸パターン35の形状を規定するパラメータのうち、レジストパターン34の高さHTを表すパラメータの値をSPMの計測結果実際に計測されたレジストパターン34の高さHTの値を含む所定の範囲内想定される範囲内の値で変化させる。この際、レジストパターン34の高さHTを除くパラメータ例えば、RLT、CD、SWAなどの他の寸法の値も変化させることで凹凸パターン35の複数の形状を設定する。そして、各形状に対応する凹凸パターン35からの反射光の強度をシミュレーションで算出する。そして、凹凸パターン35に光を入射させたときの凹凸パターン35からの反射光の強度と凹凸パターン35の形状との対応関係を示す情報を凹凸パターン35の形状ごとに生成して、かかる情報を含むライブラリを作成する。<第5の実施形態>第5の実施形態では、本発明の一側面としてのインプリント装置について説明する。図8は、インプリント装置1の構成を示す概略図である。図8を参照するに、基板ウエハ11は、チャック12に保持されている。微動ステージ13は、基板11のZ軸回りの回転を補正する機能、基板11のZ軸方向の位置を補正する機能及び基板11の傾きを補正する機能を有する。微動ステージ13は、基板11をX軸方向及びY軸方向の所定の位置に位置決めするためのXYステージ14に配置されている。微動ステージ13には、チャック12が載置されると共に、微動ステージ13のX軸方向及びY軸方向の位置を計測するレーザ干渉計からの光を反射する参照ミラー不図示が取り付けられている。また、XYステージ14は、ベース定盤15に載置されている。微動ステージ13及びXYステージ14は、本実施形態において、基板ステージを構成する。基板11に転写すべきパターンが表面に形成されたモールド型16は、モールドチャック17に固定されている。モールドチャック17は、モールド16のZ軸回りの傾きを補正する機能を有するモールドステージ18に載置されている。モールドチャック17のX軸方向及びY軸方向の位置は、アライメント棚19に支持されたレーザ干渉計によって計測される。モールドチャック17及びモールドステージ18のそれぞれは、紫外光源20からコリメータレンズを介して照射される紫外光をモールド16へと通過させる開口不図示を有する。また、モールドチャック17又はモールドステージ18には、モールド16の押し付け力押印力を検出する機能を有するロードセル不図示が配置されている。ガイドバープレート21は、その一端がモールドステージ18に固定され、天板22を貫通するガイドバー23の他端を固定する。モールド昇降用リニアアクチュエータ24は、エアシリンダ又はリニアモータで構成され、ガイドバー23をZ軸方向に駆動して、モールドチャック17に保持されたモールド16を基板11に押し付けたり、基板11から引き離したりする。アライメント棚19は、支柱25を介して天板22に懸架されている。アライメント棚19には、ガイドバー23が貫通している。ダイバイダイアライメント用のTTMスルーザモールドアライメントスコープ26は、基板11及びモールド16に設けられたアライメントマークを観察するための光学系と撮像系とを有する。TTMアライメントスコープ26は、基板11とモールド16とのX軸方向及びY軸方向の位置ずれを計測する。また、アライメント棚19には、例えば、斜入射像ずれ方式を用いて、チャック12に保持された基板11の高さ平坦度を計測するための高さ計測系不図示が配置されている。ディスペンサヘッド27は、基板11の表面に液状の光硬化型の樹脂インプリント材を滴下するノズルを含み、基板11に樹脂を供給塗布する機能を有する。制御部28は、CPUやメモリなどを含み、インプリント装置1の全体動作を制御する。例えば、制御部28は、光計測装置100の計測結果凹凸パターンの残膜の残膜厚RLTに基づいて、インプリント処理部の処理条件をフィードバック制御する。具体的には、制御部28は、光計測装置100の計測結果に基づいて、凹凸パターンの残膜の残膜厚が目標の厚さとなるように、インプリント処理の処理条件を制御する。ここで、インプリント処理部は、インプリント装置1の各部を含む総称である。インプリント処理部は、基板11の上の樹脂をモールド16により成形して硬化させ、硬化した樹脂からモールド16を剥離離型することで基板11の上に凹凸パターンを形成するインプリント処理を行う。光計測装置100は、図1に示すような構成を有し、基板11の上に形成された凹凸パターンの残膜の残膜厚RLTを計測する。また、光計測装置100は、本実施形態では、凹凸パターンのレジストパターンの高さHTを計測する走査プローブ顕微鏡SPMを含むものとする。但し、光計測装置100と走査プローブ顕微鏡とを別々に設けてもよい。以下、図9を参照して、インプリント装置1の動作を説明する。ここでは、半導体デバイスの量産に先立って行われるインプリント処理の処理条件の最適化を含む動作について説明する。また、ディスペンサヘッド27によって基板11に供給する樹脂の体積や分布密度即ち、基板11に供給する樹脂の供給量を処理条件とする。S200では、1つのロットに含まれる基板例えば、25枚の基板をインプリント装置1に搬入する。S210では、インプリント装置1に搬入された基板のそれぞれ即ち、ロット内の全ての基板に対してインプリント処理を行う基板の上に凹凸パターンを形成する。インプリント処理には、各基板のアライメント処理、樹脂の供給処理、モールドの押印処理、樹脂の硬化処理、モールドの離型処理が含まれる。S220では、インプリント処理が行われた基板ロット内の基板から特定数の基板複数の基板を選択し、かかる基板の上に形成された凹凸パターンの残膜の残膜厚RLTを計測する。RLTの計測は、上述した実施形態で説明したように、光計測装置100が行う。但し、凹凸パターンは、基板上の複数のショット領域図7参照のそれぞれに形成されているため、光計測装置100は、各ショット領域に形成された凹凸パターンのRLTを計測する。S230では、S220での計測結果に基づいて、ショット領域間のRLTのばらつき3σなどを算出する。S240では、ショット領域間のRLTのばらつきが閾値を超えているかどうかを判定する。ショット領域間のRLTのばらつきが閾値を超えている場合には、S250に移行する。一方、ショット領域間のRLTのばらつきが閾値を超えていない場合には、S260に移行する。S250では、インプリント処理の処理条件を最適化する。具体的には、ショット領域間のRLTのばらつきが閾値を超えないように、即ち、各ショット領域に形成される凹凸パターンのRLTが目標の厚さとなるように、基板に供給する樹脂の供給量を最適化決定する。例えば、RLTが厚いショット領域に関しては、樹脂の供給量を少なくし、RLTが薄いショット領域に関しては、樹脂の供給量を多くして、ショット領域間のRLTのばらつきを低減させる。このように、基板に供給する樹脂の供給量を最適化することができる理由は、SPMでレジストパターンの高さHTを計測することで、光計測装置100がRLTを高精度に計測することができるからである。S260では、全てのロットに対してインプリント処理を行ったかどうかを判定する。全てのロットに対してインプリント処理を行っていない場合には、S200に移行して、次のロットに含まれる基板をインプリント装置1に搬入する。一方、全てのロットに対してインプリント処理を行った場合には、動作を終了する。このように、本実施形態では、基板に供給する樹脂の供給量処理条件を最適な状態に制御することができ、基板の各ショット領域におけるRLTのばらつきを低減することができる。また、本実施形態では、基板に供給する樹脂の供給量を処理条件としているが、モールド16を樹脂に作用させる圧力を処理条件としてもよい。モールド16を樹脂に作用させる圧力は、モールド昇降用リニアアクチュエータ24や基板ステージを用いて調整することが可能である。例えば、RLTが厚いショット領域に関しては、モールドの圧力を大きくし、RLTが薄いショット領域に関しては、モールドの圧力を小さくして、ショット領域間のRLTのばらつきを低減させる。また、基板に供給する樹脂の供給量及びモールドを押し付ける際の押し付け力の両方を制御することも可能である。物品としてのデバイス半導体集積回路素子、液晶表示素子等の製造方法は、上述したインプリント装置1を用いて基板ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等にパターンを形成する工程を含む。更に、かかる製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含む。なお、パターンドメディア記録媒体や光学素子などの他の物品を製造する場合には、かかる製造方法は、エッチングの代わりに、パターンを形成された基板を加工する他の処理を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能品質生産性生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。