"通電されることによって発熱する発熱電子デバイスに断続的に通電し、そのオンオフの繰り返し動作による温度変移からの前記発熱電子デバイスの耐性を評価するための断続通電試験装置において、前記発熱電子デバイスに接触することによって、この発熱電子デバイスの放熱を行う放熱部材と、前記発熱電子デバイスの発熱状態に基づいて、前記発熱電子デバイスに対して前記放熱部材の少なくとも一部を接近離間させる間隔調整部とを備えることを特徴とする断続通電試験装置。前記間隔調整部は、加熱冷却に応じて変形する熱変形部材であって、前記発熱電子デバイスと前記放熱部材との間に、前記熱変形部材を配置したことを特徴とする請求項1に記載の断続通電試験装置。前記放熱部材には、前記熱変形部材に対応する箇所に、この熱変形部材を収容可能な凹部が形成されていることを特徴とする請求項2に記載の断続通電試験装置。前記熱変形部材は、バイメタル、および形状記憶合金の何れかであることを特徴とする請求項2に記載の断続通電試験装置。前記間隔調整部は、前記発熱電子デバイスと前記放熱部材とを接近離間させる駆動部と、前記発熱電子デバイスの発熱状態を検出する検出部と、前記検出部の検出結果に基づいて前記駆動部の駆動制御を行う制御部とを備えていることを特徴とする請求項1に記載の断続通電試験装置。前記検出部は、前記発熱電子デバイスの発熱温度を検出するものであって、前記制御部は、閾値温度を記憶する記憶部と、前記記憶部に記憶されている閾値温度と前記検出部により検出された検出温度とを比較する比較部と、前記比較部による比較結果に基づいて前記駆動部に駆動信号を出力する出力部とを有し、前記閾値温度は、前記発熱電子デバイスと前記放熱部材とを前記駆動部によって接近させる場合の第1温度と、前記発熱電子デバイスと前記放熱部材とを前記駆動部によって離間させる場合の第2温度とを有し、これら第1温度と第2温度は、互いに異なる温度に設定されていることを特徴とする請求項5に記載の断続通電試験装置。前記検出部は、前記発熱電子デバイスへの通電状態を検出するものであって、前記制御部は、前記発熱電子デバイスへの通電がオンで、前記発熱電子デバイスと前記放熱部材とを離間させる一方、前記発熱電子デバイスへの通電がオフで、前記発熱電子デバイスと前記放熱部材とを接触させるように前記駆動部の駆動制御を行うことを特徴とする請求項5に記載の断続通電試験装置。前記発熱電子デバイスと前記放熱部材との接触部に、グリスを塗布したことを特徴とする請求項1~請求項7の何れか1項に記載の断続通電試験装置。通電されることによって発熱する発熱電子デバイスに断続的に通電し、そのオンオフの繰り返し動作による温度変移からの前記発熱電子デバイスの耐性を評価する断続通電試験方法において、前記発熱電子デバイスへの通電をオフした際、前記発熱電子デバイスと、この発熱電子デバイスの放熱を行う放熱部材とを接触させる一方、前記発熱電子デバイスへの通電をオンした際、前記発熱電子デバイスと、この発熱電子デバイスとを離間させることを特徴とする断続通電試験方法。通電されることによって発熱する発熱電子デバイスにおいて、請求項9に記載の断続通電試験方法を用いて試験されたことを特徴とする発熱電子デバイス。しかしながら、上述の従来技術にあっては、発熱電子デバイスの温度を上昇させる際、評価に必要な温度に達するように、その発熱電子デバイス自身の熱抵抗と、使用される放熱部材の放熱能力を考慮して発熱電子デバイスに通電を行う必要がある。すなわち、断続通電試験を行うにあたって、発熱電子デバイス単体を温度上昇させる場合と比較して大きな電力が必要になり、電源と線材コストが嵩むという課題がある。そこで、この発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、電源と線材コストを抑え、かつ試験サイクルの時間を短縮することができる断続通電試験装置、断続通電試験方法、および発熱電子デバイスを提供するものである。上記の課題を解決するために、本発明に係る断続通電試験装置は、通電されることによって発熱する発熱電子デバイスに断続的に通電し、そのオンオフの繰り返し動作による温度変移からの前記発熱電子デバイスの耐性を評価するための断続通電試験装置において、前記発熱電子デバイスに接触することによって、この発熱電子デバイスの放熱を行う放熱部材と、前記発熱電子デバイスの発熱状態に基づいて、前記発熱電子デバイスに対して前記放熱部材の少なくとも一部を接近離間させる間隔調整部とを備えることを特徴とする。本発明に係る断続通電試験装置において、前記間隔調整部は、加熱冷却に応じて変形する熱変形部材であって、前記発熱電子デバイスと前記放熱部材との間に、前記熱変形部材を配置したことを特徴とする。本発明に係る断続通電試験装置において、前記放熱部材には、前記熱変形部材に対応する箇所に、この熱変形部材を収容可能な凹部が形成されていることを特徴とする。本発明に係る断続通電試験装置において、前記熱変形部材は、バイメタル、および形状記憶合金の何れかであることを特徴とする。本発明に係る断続通電試験装置において、前記間隔調整部は、前記発熱電子デバイスと前記放熱部材とを接近離間させる駆動部と、前記発熱電子デバイスの発熱状態を検出する検出部と、前記検出部の検出結果に基づいて前記駆動部の駆動制御を行う制御部とを備えていることを特徴とする。本発明に係る断続通電試験装置において、前記検出部は、前記発熱電子デバイスの発熱温度を検出するものであって、前記制御部は、閾値温度を記憶する記憶部と、前記記憶部に記憶されている閾値温度と前記検出部により検出された検出温度とを比較する比較部と、前記比較部による比較結果に基づいて前記駆動部に駆動信号を出力する出力部とを有し、前記閾値温度は、前記発熱電子デバイスと前記放熱部材とを前記駆動部によって接近させる場合の第1温度と、前記発熱電子デバイスと前記放熱部材とを前記駆動部によって離間させる場合の第2温度とを有し、これら第1温度と第2温度は、互いに異なる温度に設定されていることを特徴とする。本発明に係る断続通電試験装置において、前記検出部は、前記発熱電子デバイスへの通電状態を検出するものであって、前記制御部は、前記発熱電子デバイスへの通電がオンで、前記発熱電子デバイスと前記放熱部材とを離間させる一方、前記発熱電子デバイスへの通電がオフで、前記発熱電子デバイスと前記放熱部材とを接触させるように前記駆動部の駆動制御を行うことを特徴とする。本発明に係る断続通電試験装置は、前記発熱電子デバイスと前記放熱部材との接触部に、グリスを塗布したことを特徴とする。本発明に係る断続通電試験方法は、通電されることによって発熱する発熱電子デバイスに断続的に通電し、そのオンオフの繰り返し動作による温度変移からの前記発熱電子デバイスの耐性を評価する断続通電試験方法において、前記発熱電子デバイスへの通電をオフした際、前記発熱電子デバイスと、この発熱電子デバイスの放熱を行う放熱部材とを接触させる一方、前記発熱電子デバイスへの通電をオンした際、前記発熱電子デバイスと、この発熱電子デバイスとを離間させることを特徴とする。本発明に係る発熱電子デバイスは、通電されることによって発熱する発熱電子デバイスにおいて、請求項9に記載の断続通電試験方法を用いて試験されたことを特徴とする。本発明によれば、発熱電子デバイスに通電し、この発熱電子デバイスの温度を上昇させる際に発熱電子デバイスと放熱部材とを離間させることができる。このため、発熱電子デバイスの温度を上昇させる際、放熱部材の放熱能力を考慮する必要がなく、効率よく発熱電子デバイスの温度を上昇させることができる。よって、電源と線材コストを抑えた断続通電試験装置を提供することが可能になる。一方、発熱電子デバイスの温度を降下させる際に発熱電子デバイスと放熱部材とを接触させることができる。すなわち、発熱電子デバイスへの通電を遮断し、この発熱電子デバイスの温度を降下させる際、放熱部材を用いて効率よく発熱電子デバイスを冷却させることができる。このため、発熱電子デバイスの冷却時間を短縮することができ、試験サイクルの時間を短縮することが可能になる。第1実施形態断続通電試験装置次に、この発明の第1実施形態を図1~図3に基づいて説明する。図1は、断続通電試験装置の概略構成図である。同図に示すように、断続通電試験装置1は、半導体パッケージ2に断続的に通電を行う電源3と、半導体パッケージ2を不図示のボルト等を用いて締結固定可能な放熱ユニット4とを備えている。放熱ユニット4は、互いに接近離間可能な2つの放熱板5,6と、これら2つの放熱板5,6を連結する複数例えば、この第1実施形態では2つのバイメタル7とにより構成されている。2つの放熱板5,6は、例えばアルミにより板状に形成されたものであって、2つの放熱板5,6のうちの一方の放熱板5に、半導体パッケージ2が締結固定されている。また、各放熱板5,6の合わせ面5a,6aは、それぞれ平坦に形成されており、各合わせ面5a,6aに、それぞれ放熱グリス8が塗布されている。バイメタル7は、熱膨張率が異なる異種金属板を貼り合わせ、断面略Z状に形成されたものであって、温度変化に応じて伸縮変形するようになっている。すなわち、バイメタル7は、温度が所定値以上例えば、約75°C以上になると伸長変形する一方、温度が所定値を下回ると収縮変形する。半導体パッケージ半導体パッケージ2は、板状のヒートシンク9上に基板10を載置し、さらに基板10上に半導体チップ11を実装したものを封止樹脂12に樹脂封止したものである。半導体チップ11は、例えばダイオードやトランジスタ等の半導体素子であって、平面視略矩形状に形成されている。そして、その上面に電極を有しており、この電極と封止樹脂12から外部に突出するリード13とが接続子14を介して電気的に接続されている。リード13に、電源3から延びるハーネス3aが接続されるようになっている。ヒートシンク9は、半導体パッケージ2半導体チップ11で生じた熱を、効率よく放熱板5に伝達するためのものであって、ヒートシンク9を放熱板5側に向けた状態で、この放熱板5に半導体パッケージ2が固定される。断続通電試験方法、および断続通電試験装置の動作次に、図1、図2に基づいて、断続通電試験装置1を用いた断続通電試験方法について説明する。図2は、断続通電試験装置の概略構成図であって、バイメタルが収縮変形している状態を示す。ここで、断続通電試験方法では、半導体パッケージ2に電流を供給する通電状態と、半導体パッケージ2への電流の供給を停止する非通電状態とを1つのサイクルとし、これを例えば1万回まで実施する。そして、通電状態時の半導体パッケージ2の所望の温度を例えば約110°C程度に設定する。すなわち、断続通電試験方法は、電源3により半導体パッケージ2に電流を供給した後通電状態、半導体パッケージ2が所望の温度例えば、約110°Cに達すると、半導体パッケージ2への電流の供給を停止する非通電状態。そして、半導体パッケージ2の温度が所定値例えば、約25°Cまで冷却された後、再び通電状態とし、これを繰り返すことにより行われる。次に、断続通電試験における断続通電試験装置1の挙動について説明する。図2に示すように、半導体パッケージ2に電流を供給する前は、半導体パッケージ2が冷却されており、バイメタル7が収縮変形した状態になっている。バイメタル7が収縮変形した状態では、2つの放熱板5,6が互いに接近し、重ね合わさった状態になっている。このとき、各放熱板5,6の合わせ面5a,6aには、それぞれ放熱グリス8が塗布されているので、互いの放熱板5,6の密接性が高まり、この放熱板5,6間において、良好に熱伝達が行われる。この状態から、電源3によって半導体パッケージ2に電流を供給すると、半導体パッケージ2が発熱する。すると、この半導体パッケージ2の温度がヒートシンク9を介して一方の放熱板5に伝達され、さらにバイメタル7に伝達される。バイメタル7は、例えば、温度が約75°C以上に上昇すると伸長変形するようになっている。このため、バイメタル7の伸長変形により、図1に示すように、2つの放熱板5,6が離間する。互いの放熱板5,6が離間すると、この間の熱伝達が行われなくなるので、放熱ユニット4の放熱能力が低下する。放熱能力が低下することにより、一方の放熱板5に取り付けられている半導体パッケージ2の温度上昇速度が速まる。この後、半導体パッケージ2が所望の温度例えば、約110°C程度に達すると、半導体パッケージ2への電流の供給を停止する。そして、半導体パッケージ2がヒートシンク9、および一方の放熱板5を介して放熱される。ここで、半導体パッケージ2が冷却されるのと同時に、バイメタル7も冷却される。バイメタル7が冷却されて所定の温度例えば、約75°C程度を下回ると、バイメタル7が再び収縮変形する。すると、図2に示すように、2つの放熱板5,6が互いに接近して重ね合わさり、半導体チップ11に対する放熱面積が増大する。このため、半導体パッケージ2の冷却が促進される。効果したがって、上述の第1実施形態によれば、半導体パッケージ2を冷却するための放熱ユニット4を、互いに接近離間可能な2つの放熱板5,6と、これら2つの放熱板5,6を連結する複数例えば、この第1実施形態では2つのバイメタル7とにより構成し、通電状態にして半導体パッケージ2を加熱する際、2つの放熱板5,6を離間させ、放熱ユニット4の放熱能力を低下させて半導体パッケージ2の発熱を促進させることができる。このため、効率よく半導体パッケージ2の温度を上昇させることができ、電源3のコストや、この電源3から延びるハーネス3a、およびリード13等の線材のコストを抑えた断続通電試験装置1を提供することが可能になる。一方、非通電状態にして半導体パッケージ2を冷却する際、2つの放熱板5,6を重ね合わせ、放熱ユニット4の放熱能力を高めて半導体パッケージ2の冷却を促進させることができる。このため、効率よく半導体パッケージ2の温度を下降させることができる。よって、半導体パッケージ2の冷却時間を短縮することができ、断続通電試験サイクルの時間を短縮することが可能になる。より詳しく、図3に基づいて説明する。図3は、縦軸を半導体パッケージ2の温度Tjとし、横軸を時間とした場合の半導体パッケージの温度変化を従来と第1実施形態とで比較したグラフである。ここで、図3中、破線は、半導体パッケージ2に放熱板等の放熱部材を取り付けずに通電状態、および非通電状態とした場合を示す以下、放熱板未使用の場合という。また、図3中、2点鎖線は、2つの放熱板5,6を、バイメタル7を介さずに重ね合わせたものを半導体パッケージ2に取り付け、この半導体パッケージ2を通電状態、および非通電状態とした場合を示す以下、バイメタル未使用の場合という。同図に示すように、放熱板未使用の場合、半導体パッケージ2単体分の放熱能力しかないので、半導体パッケージ2に電流を供給すると、速やかに半導体パッケージ2の温度が上昇していくことが確認できる。そして、半導体パッケージ2の温度が所望の温度例えば、約110°C以上に達し、半導体パッケージ2への電流の供給を停止した後は、放熱板が取り付けられていない分、放熱能力が低いので、半導体パッケージ2を所定の温度例えば、約25°Cまで冷却させるために時間がかかってしまうことが確認できる。また、バイメタル未使用の場合、2つの放熱板5,6による放熱能力が高いので、速やかに半導体パッケージ2が冷却されることが確認できる。しかしながら、2つの放熱板5,6による放熱能力が高いために、通電状態において、半導体パッケージ2を所望の温度まで上昇させることが困難であることが確認できる。これに対し、本第1実施形態では、半導体パッケージ2に電流を供給し始めた時点では、この半導体パッケージ2の温度上昇がバイメタル未使用とほぼ同じような推移をたどるが、バイメタル7が所定の温度以上例えば、75°C以上に上昇すると、伸長変形し、2つの放熱板5,6が離間して放熱ユニット4の放熱能力が低下する。このため、半導体パッケージ2の温度が所定値以上例えば、75°C以上に達すると、その後、バイメタル未使用の場合と比較して半導体パッケージ2の温度上昇が促進されることが確認できる図3中SO1参照。よって、必要以上に電源3のサイズを大きく設定する必要がなく、また、電源3から延びるハーネス3aやリード13等の線材の線径を太くする等の必要がなくなる。さらに、半導体パッケージ2への電流の供給を停止し、半導体パッケージ2の放熱を開始し始めた時点では、2つの放熱板5,6が離間した状態のままなので、半導体パッケージ2の温度下降は放熱板未使用の場合とほぼ同じような推移をたどる。しかしながら、バイメタル7が冷却されて所定の温度例えば、約75°C程度を下回ると、バイメタル7が再び収縮変形し、放熱ユニット4の放熱能力が高まる。すると、半導体パッケージ2の冷却が促進される図3中SO2参照。このため、結果的に放熱板未使用の場合と比較して半導体パッケージ2の冷却時間を短縮することができる。なお、上述の第1実施形態では、放熱ユニット4を構成する2つの放熱板5,6の合わせ面5a,6aがそれぞれ平坦に形成されている場合について説明した。しかしながら、これに限られるものではなく、例えば、図4に示すように、2つの放熱板5,6のうち、他方の放熱板6のバイメタル7に対応する箇所に、このバイメタル7を収納可能な凹部15を形成してもよい。凹部15を形成することにより、バイメタル7が収縮変形した際の2つの放熱板5,6の密接性を高めることができる。第2実施形態次に、この発明の第2実施形態を図5、図6に基づいて説明する。なお、第1実施形態と同一態様には、同一符号を付して説明する。図5、図6は、この第2実施形態における断続通電試験装置の概略構成図である。図5、図6に示すように、この第2実施形態の断続通電試験装置21と前述の第1実施形態の断続通電試験装置1との相違点は、前述の第1実施形態の断続通電試験装置1の放熱ユニット4と、この第2実施形態の断続通電試験装置21の放熱ユニット24との構成が異なる点にある以下の実施形態についても同様。すなわち、放熱ユニット24は、放熱板25と、この放熱板25上に設けられた平板状のバイメタル27とにより構成され、このバイメタル27上に半導体パッケージ2が取り付けられるようになっている。放熱板25は、例えばアルミにより板状に形成されたものである。図5に示すように、バイメタル27は、温度が所定値以上例えば、約75°C以上になると、中央部の大部分が膨出するように湾曲変形する一方、図6に示すように、温度が所定値を下回ると平坦になるように変形する。このような構成のもと、電源3によって半導体パッケージ2に電流が供給されると、半導体パッケージ2が発熱し、この熱がバイメタル27へと伝達される。そして、バイメタル27の温度が所定値例えば、約75°C程度以上に上昇すると、バイメタル27が湾曲変形する。すると、図5に示すように、放熱板25から半導体パッケージ2が離間する。一方、半導体パッケージ2が所望の温度例えば、約110°C程度に達すると、半導体パッケージ2への電流の供給を停止し、半導体パッケージ2の放熱が開始される。このとき、バイメタル27も放熱されるので、このバイメタル27の温度が所定値例えば、約75°C程度を下回ると、バイメタル27が再び平坦になるように変形する図6参照。ここで、バイメタル27が平坦に変形すると、このバイメタル27と半導体パッケージ2との接触面積が増大すると共に、バイメタル27と放熱板25との接触面積が増大する。このため、半導体パッケージ2の熱が、バイメタル27を介して放熱板25に効率よく伝達される。なお、半導体パッケージ2とバイメタル27との各接触面2a,27a、およびバイメタル27と放熱板25との各接触面27b,25aに、それぞれ不図示の放熱グリスを塗布することが望ましい。このように構成することで、半導体パッケージ2からバイメタル27への熱伝達、およびバイメタル27から放熱板25への熱伝達を効率よく行うことが可能になる。したがって、上述の第2実施形態によれば、前述の第1実施形態と同様の効果を奏することができる。また、前述の第1実施形態の断続通電試験装置1と比較して、さらに断続通電試験装置21の構造を簡素化できる。このため、装置の製造コストを低減することが可能になる。なお、上述の第1実施形態では、2つの放熱板5,6を接近離間させるためにバイメタル7を使用し、第2実施形態では、半導体パッケージ2と放熱板25とを接近離間させるためにバイメタル27を使用した場合について説明した。しかしながら、これに限られるものではなく、温度に応じて変形する素材を採用すればよい。例えば、バイメタル7,27に代わって、形状記憶合金を用いてもよい。第3実施形態次に、この発明の第3実施形態を図7に基づいて説明する。図7は、この第3実施形態における断続通電試験装置の概略構成図である。同図に示すように、断続通電試験装置31の放熱ユニット34は、互いに接近離間可能な2つの放熱板5,6と、これら2つの放熱板5,6を連結する駆動部45と、半導体パッケージ2の温度を検出する温度センサ46と、この温度センサ46の検出結果に基づいて、駆動部45の駆動制御を行う制御部47とを備えている。2つの放熱板5,6のうちの一方の放熱板5には、半導体パッケージ2が締結固定されている。また、各放熱板5,6の合わせ面5a,6aは、それぞれ平坦に形成されており、各合わせ面5a,6aに、それぞれ放熱グリス8が塗布されている。駆動部45は、不図示のアクチュエータを備えており、このアクチュエータが動作することにより、2つの放熱板5,6が互いに接近したり、離間したりするようになっている。温度センサ46は、検出した半導体パッケージ2の温度を信号として制御部47に出力する。制御部47は、温度センサ46からの出力信号が入力される入力部48と、予め閾値温度Tが記憶されている記憶部49と、記憶部49に記憶された閾値温度Tと入力部48に入力された半導体パッケージ2の温度とを比較する比較部50と、この比較部50の比較結果に基づいて駆動部45に制御信号を出力する出力部51とを有している。ここで、記憶部49に記憶されている閾値温度Tは、例えば、約75°C程度に設定されている。そして、入力部48に入力された半導体パッケージ2の温度が閾値温度T以上の場合、出力部51から駆動部45に、2つの放熱板5,6を離間させる制御信号を出力するようになっている。一方、入力部48に入力された半導体パッケージ2の温度が閾値温度Tを下回る場合、出力部51から駆動部45に、2つの放熱板5,6を接近させる制御信号を出力するようになっている。より詳しく、断続通電試験装置31の動作について説明する。ここで、まず、電源3によって、半導体パッケージ2に電流を供給する前は、半導体パッケージ2が冷却されており、制御部47の出力部51から駆動部45に2つの放熱板5,6が接近するように制御信号が出力される。そして、2つの放熱板5,6が互いに接近して重ね合わさった状態になる。この状態から、電源3によって半導体パッケージ2に電流を供給すると、半導体パッケージ2が発熱する。そして、比較部50において、半導体パッケージ2の温度が記憶部49の閾値温度T以上に達したと判断された場合、出力部51から駆動部45に2つの放熱板5,6を互いに離間させる制御信号が出力される。そして、2つの放熱板5,6が互いに離間される。この後、半導体パッケージ2が所望の温度例えば、約110°C程度に達すると、半導体パッケージ2への電流の供給を停止し、半導体パッケージ2の放熱が開始される。そして、半導体パッケージ2が冷却され、比較部50において、半導体パッケージ2の温度が記憶部49の閾値温度Tを下回ったと判断された場合、出力部51から駆動部45に、再び2つの放熱板5,6を互いに接近するように制御信号が出力される。すると、2つの放熱板5,6が互いに接近して重ね合わさり、半導体チップ11に対する放熱面積が増大し、半導体チップ11の冷却が促進される。したがって、上述の第3実施形態によれば、前述の第1実施形態と同様の効果を奏することができる。また、断続通電試験装置31に、2つの放熱板5,6を接近離間させる駆動部45と、温度センサ46の検出結果に基づいて、駆動部45の駆動制御を行う制御部47とを設けることにより、2つの放熱板5,6を接近離間させるタイミングを決定するための半導体チップ11の設定温度を容易に変更することができる。このため、半導体チップ11を発熱させるために要する時間や放熱させるために要する時間をより細かく制御することが可能になり、さらに断続通電試験サイクルの時間を短縮することが可能になる。なお、上述の第3実施形態では、制御部47の記憶部49に予め閾値温度Tが記憶されており、温度センサ46により検出された半導体パッケージ2の温度が、閾値温度T以上になると2つの放熱板5,6が互いに離間する一方、閾値温度Tを下回ると2つの放熱板5,6が互いに接近する場合について説明した。しかしながら、これに限られるものではなく、記憶部49に、2つの放熱板5,6を互いに接近させる第1閾値温度T1と、2つの放熱板5,6を離間させる第2閾値温度T2とをそれぞれ別々に設定してもよい図7における2点鎖線参照。このように構成することで、半導体チップ11を発熱させるために要する時間や放熱させるために要する時間をより細かく制御することが可能になり、さらに断続通電試験サイクルの時間を短縮することが可能になる。例えば、第1閾値温度T1を第2閾値温度T2よりも低く設定すると、断続通電試験において、半導体パッケージ2に電流を供給する通電状態時に、2つの放熱板5,6を離間させるタイミングが上述の第3実施形態のタイミングと比較して速くなる。このため、半導体チップ11の発熱がさらに促進され、半導体チップ11を所望の温度まで上昇させる時間を短縮することができる。一方、第2閾値温度T2は第1閾値温度T1よりも高く設定されているので、半導体パッケージ2への電流の供給を停止する非通電状態において、2つの放熱板5,6を互いに接近させるタイミングが上述の第3実施形態のタイミングと比較して速くなる。このため、半導体チップ11の放熱が促進され、半導体チップ11の放熱時間をさらに短縮することができる。第4実施形態次に、この発明の第4実施形態を図8に基づいて説明する。図8は、この第4実施形態における断続通電試験装置の概略構成図である。同図に示すように、この第4実施形態の断続通電試験装置61と前述の第3実施形態の断続通電試験装置31との相違点は、第3実施形態の断続通電試験装置31が半導体パッケージ2の温度に基づいて2つの放熱板5,6を接近離間させるのに対し、第4実施形態の断続通電試験装置61は、半導体パッケージ2への通電状態に基づいて2つの放熱板5,6を接近離間させる点にある。すなわち、断続通電試験装置61の放熱ユニット64は、互いに接近離間可能な2つの放熱板5,6と、これら2つの放熱板5,6を連結する駆動部45と、電源3のオンオフを検出する通電検出センサ66と、この通電検出センサ66の検出結果に基づいて、駆動部45の駆動制御を行う制御部67とを備えている。通電検出センサ66は、例えば電源3に取り付けられており、電源3のオンオフ状態を検出した後、この検出結果を信号として制御部67に出力するようになっている。制御部67は、通電検出センサ66からの出力信号が入力される入力部48と、この入力部48に入力された信号に基づいて駆動部45に駆動信号を出力する出力部69とを有している。出力部69は、電源3がオンのとき、2つの放熱板5,6を離間させる制御信号を、駆動部45に出力する。また、電源3がオフのとき、2つの放熱板5,6を接近させる制御信号を出力する。したがって、上述の第4実施形態によれば、前述の第1実施形態と同様の効果を奏することができる。また、電源3のオンオフに基づいて2つの放熱板5,6を接近離間させるので、断続通電試験において、通電状態にして半導体パッケージ2の温度を上昇させる場合、通電状態開始時から放熱ユニット64の放熱能力を低下させることができる。一方、非通電状態にして半導体パッケージ2を冷却する場合、非通電状態開始時から放熱ユニット64の放熱能力を高めることができる。このため、半導体パッケージ2の温度を速やかに上昇させたり、速やかに下降させたりすることができるので、さらに断続通電試験サイクルの時間を短縮することが可能になる。なお、上述の第3実施形態、および第4実施形態では、2つの放熱板5,6の間に駆動部45を設け、2つの放熱板5,6を接近離間させる場合について説明した。しかしながら、これに限られるものではなく、一体化された放熱板5,6のうちの放熱板5と半導体パッケージ2との間に駆動部45を設け、放熱板5と半導体パッケージ2とを接近離間させるように構成してもよい。この場合、放熱板5に半導体パッケージ2が接近した状態で、この半導体パッケージ2と放熱板5とが互いに接触するように構成する。例えば、前述の第2実施形態に、第3実施形態の断続通電試験装置31、または第4実施形態の断続通電試験装置61を採用してもよい。すなわち、図5、図6に示す第2実施形態のバイメタル27に代わって、駆動部45を設けるように構成してもよい。また、本発明は上述の実施形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述の実施形態に種々の変更を加えたものを含む。例えば、上述の実施形態では、断続通電試験装置1,21,31,61によって試験を行うための被試験モジュールが半導体パッケージ2であり、この半導体パッケージ2は、ヒートシンク9上に基板10を載置し、さらに基板10上に半導体チップ11を実装したものを封止樹脂12に樹脂封止したものである場合について説明した。しかしながら、これに限られるものではなく、被試験モジュールは、通電されることによって発熱する電子デバイスであればよい。さらに、上述の実施形態では、放熱板5,6,25は、例えばアルミにより板状に形成されたものである場合について説明した。しかしながら、これに限られるものではなく、放熱板5,6,25は、半導体パッケージ2の発熱を放熱可能な部材で形成されていればよい。例えば、アルミに代わって銅などで放熱板5,6,25を形成してもよい。"