"温度調整機構を有する電極支持体に釣支された天井電極板であって、前記電極支持体にクーリングプレートを介して当接されており、該クーリングプレートとの当接面に伝熱シートが形成されていることを特徴とする天井電極板。前記天井電極板には多数のガス孔が設けられており、前記伝熱シートは、前記ガス孔の近傍の所定領域を避けるように形成されていることを特徴とする請求項1記載の天井電極板。前記伝熱シートは、前記ガス孔の中心を中心として半径1.5mm乃至2.5mmの円形領域を避けるように形成されていることを特徴とする請求項2記載の天井電極板。前記伝熱シートの膜厚は、100μm以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の天井電極板。前記伝熱シートの膜厚は、30μm乃至80μmであることを特徴とする請求項4記載の天井電極板。前記天井電極板は、処理空間を隔てて基板載置台と対向するように配置され、前記伝熱シートは、前記基板載置台の中心部に対向する位置と、前記基板載置台の周辺部に対向する位置とでは、その膜厚が異なっていることを特徴とする請求項4又は5記載の天井電極板。前記クーリングプレートの前記伝熱シートとの当接面に離型材が塗布されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の天井電極板。前記電極支持体と前記クーリングプレートとの当接面に前記伝熱シートが介在されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の天井電極板。前記伝熱シートの熱伝導率は、0.5~2.0W/mKであることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の天井電極板。天井電極板と、該天井電極板とは処理空間を隔てて対向するように配置された基板載置台とを有し、該基板載置台に載置された基板に対して所定の処理を施す基板処理装置であって、前記天井電極板として、請求項1乃至9のいずれか1項に記載の天井電極板を有することを特徴とする基板処理装置。しかしながら、上記従来技術における伝熱シートは、その適用技術が必ずしも確立されておらず、特に、プラズマの熱を直接受けて加熱される天井電極板に適用するための技術は十分に確立されていないという問題がある。本発明の課題は、プラズマ発生当初から天井電極板の温度を安定させることができ、複数のウエハに対して均一なエッチング処理を施すことができる天井電極板及び基板処理装置を提供することにある。上記課題を解決するために、請求項1記載の天井電極板は、温度調整機構を有する電極支持体に釣支された天井電極板であって、前記電極支持体にクーリングプレートを介して当接されており、該クーリングプレートとの当接面に伝熱シートが形成されていることを特徴とする。請求項2記載の天井電極板は、請求項1記載の天井電極板において、前記天井電極板には多数のガス孔が設けられており、前記伝熱シートは、前記ガス孔の近傍の所定領域を避けるように形成されていることを特徴とする。請求項3記載の天井電極板は、請求項2記載の天井電極板において、前記伝熱シートは、前記ガス孔の中心を中心として半径1.5mm乃至2.5mmの円形領域を避けるように形成されていることを特徴とする。請求項4記載の天井電極板は、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の天井電極板において、前記伝熱シートの膜厚は、100μm以下であることを特徴とする。請求項5記載の天井電極板は、請求項4記載の天井電極板において、前記伝熱シートの膜厚は、30μm乃至80μmであることを特徴とする。請求項6記載の天井電極板は、請求項4又は5記載の天井電極板において、前記天井電極板は、処理空間を隔てて基板載置台と対向するように配置され、前記伝熱シートは、前記基板載置台の中心部に対向する位置と、前記基板載置台の周辺部に対向する位置とでは、その膜厚が異なっていることを特徴とする。請求項7記載の天井電極板は、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の天井電極板において、前記クーリングプレートの前記伝熱シートとの当接面に離型材が塗布されていることを特徴とする。請求項8記載の天井電極板は、請求項1乃至7のいずれか1項に記載の天井電極板において、前記クーリングプレートと前記電極支持体との当接面に前記伝熱シートが介在されていることを特徴とする。請求項9記載の天井電極板は、請求項1乃至8のいずれか1項に記載の天井電極板において、前記伝熱シートの熱伝導率は、0.5~2.0W/mKであることを特徴とする。上記課題を解決するために、請求項10記載の基板処理装置は、天井電極板と、該天井電極板とは処理空間を隔てて対向するように配置された基板載置台とを有し、該基板載置台に載置された基板に対して所定の処理を施す基板処理装置であって、前記天井電極板として、請求項1乃至9のいずれか1項に記載の天井電極板を有することを特徴とする。本発明によれば、天井電極板がクーリングプレートを介して電極支持体に当接されており、天井電極板のクーリングプレートとの当接面に伝熱シートが形成されているので、天井電極板とクーリングプレートとの間の熱伝達効率が向上して電極支持体による天井電極板の温度調整機能が良好に発現され、これによって、天井電極板の温度が早期に安定し、プラズマ発生当初から天井電極板の温度を安定させることができ、複数のウエハに対して均一なエッチング処理を施すことができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本実施の形態に係る天井電極板を備えるプラズマ処理装置の構成を概略的に示す断面図である。本プラズマ処理装置は、基板としての半導体デバイス用のウエハ以下、単にウエハという。にプラズマエッチング処理を施す。図1において、基板処理装置としてのプラズマ処理装置10は、例えば、直径が300mmのウエハWを収容するチャンバ11を有し、該チャンバ11内には半導体デバイス用のウエハWを載置する円柱状のサセプタ12が配置されている。プラズマ処理装置10では、チャンバ11の内側壁とサセプタ12の側面とによって側方排気路13が形成される。この側方排気路13の途中には排気プレート14が配置される。排気プレート14は多数の貫通孔を有する板状部材であり、チャンバ11内部を上部と下部に仕切る仕切り板として機能する。排気プレート14によって仕切られたチャンバ11内部の上部以下、処理室という。15には後述するようにプラズマが発生する。また、チャンバ11内部の下部以下、排気室マニホールドという。16にはチャンバ11内のガスを排出する排気管17が接続されている。排気プレート14は処理室15に発生するプラズマを捕捉又は反射してマニホールド16への漏洩を防止する。排気管17にはTMPTurboMolecularPump及びDPDryPumpともに図示省略が接続され、これらのポンプはチャンバ11内を真空引きして減圧する。具体的には、DPはチャンバ11内を大気圧から中真空状態例えば、1.3×10Pa0.1Torr以下まで減圧し、TMPはDPと協働してチャンバ11内を中真空状態より低い圧力である高真空状態例えば、1.3×10-3Pa1.0×10-5Torr以下まで減圧する。なお、チャンバ11内の圧力はAPCバルブ図示省略によって制御される。チャンバ11内のサセプタ12には第1の高周波電源18が第1の整合器19を介して接続され、且つ第2の高周波電源20が第2の整合器21を介して接続されており、第1の高周波電源18は比較的低い周波数、例えば、2MHzのイオン引き込み用の高周波電力をサセプタ12に印加し、第2の高周波電源20は比較的高い周波数、例えば、60MHzのプラズマ生成用の高周波電力をサセプタ12に印加する。これにより、サセプタ12は電極として機能する。また、第1の整合器19及び第2の整合器21は、サセプタ12からの高周波電力の反射を低減して高周波電力のサセプタ12への印加効率を最大にする。サセプタ12の上部には静電電極板22を内部に有するセラミックスからなる静電チャック23が配置されている。静電電極板22には直流電源24が接続されており、静電電極板22に正の直流電圧が印加されると、ウエハWにおける静電チャック側の面以下、裏面という。には負電位が発生して静電電極板22及びウエハWの裏面の間に電界が生じ、該電界に起因するクーロン力又はジョンソンラーベック力により、ウエハWは静電チャック23に吸着保持される。また、サセプタ12の上には、静電チャック23に吸着保持されたウエハWを囲うように、フォーカスリング25が載置されている。フォーカスリング25はシリコンSiや炭化硅素SiC等によって構成される。すなわち、フォーカスリング25は半導電体からなるので、プラズマの分布域をウエハW上だけでなく該フォーカスリング25上まで拡大してウエハWの周縁部上におけるプラズマの密度を該ウエハWの中央部上におけるプラズマの密度と同程度に維持する。これにより、ウエハWの全面に施されるプラズマエッチング処理の均一性を確保する。サセプタ12の内部には、例えば、円周方向に延在する環状の冷媒室26が設けられている。この冷媒室26には、チラーユニットから冷媒用配管図示省略を介して低温の冷媒、例えば、冷却水やガルデン登録商標が循環供給される。該低温の冷媒によって冷却されたサセプタ12はウエハW及びフォーカスリング25を冷却する。静電チャック23は、静電吸着しているウエハWに向けて開口する複数の伝熱ガス供給孔図示省略を有する。これら複数の伝熱ガス供給孔は、伝熱ガス供給ラインを介して伝熱ガス供給部ともに図示省略に接続され、該伝熱ガス供給部は伝熱ガスとしてのHeヘリウムガスを、伝熱ガス供給孔を介して吸着面及びウエハWの裏面の間隙に供給する。吸着面及びウエハWの裏面の間隙に供給されたヘリウムガスはウエハWの熱をサセプタ12に効果的に伝達する。チャンバ11の天井部には、処理空間Sを介してサセプタ12と対向するようにシャワーヘッド30が配置されている。シャワーヘッド30は、天井電極板31と、該天井電極板31を着脱可能に釣支する電極支持体33と、該電極支持体33と天井電極板31との間に挟持されるように配置されたクーリングプレート32とを有する。クーリングプレート32及び天井電極板31は厚み方向に貫通する多数のガス孔34を有する円板状部材からなり、例えば半導電体であるシリコン、SiC炭化珪素、石英等によって構成される。また、電極支持体33の内部には温度調整用の冷媒流路図示省略及びバッファ室35が設けられており、バッファ室35には処理ガス導入管図示省略が接続されている。また、シャワーヘッド30の天井電極板31には直流電源37が接続され、天井電極板31へ負の直流電圧が印加される。このとき、天井電極板31は二次電子を放出して処理室15内部の電子密度が低下するのを防止する。また、天井電極板31とクーリングプレート32との当接面及びクーリングプレート32と電極支持体33との当接面には、後述する伝熱シート38が介在されている。伝熱シート38は天井電極板31とクーリングプレート32との当接面及びクーリングプレート32と電極支持体33との当接面に生じる微小な隙間を充填すると共に各当接面における熱伝達効率を改善し、天井電極板31の熱をクーリングプレート32を介して電極支持体33に効果的に伝達する。プラズマ処理装置10では、処理ガス導入管からバッファ室35へ供給された処理ガスがガス孔34を介して処理室15内部の処理空間Sへ導入され、該導入された処理ガスは、第2の高周波電源20からサセプタ12を介して処理室15内部へ印加されたプラズマ生成用の高周波電力によって励起されてプラズマとなる。該プラズマ中のイオンは、第1の高周波電源18がサセプタ12に印加するイオン引き込み用の高周波電力によってウエハWに向けて引きこまれ、該ウエハWにプラズマエッチング処理を施す。上述したプラズマ処理装置10の各構成部品の動作は、プラズマ処理装置10が備える制御部図示省略のCPUがプラズマエッチング処理に対応するプログラムに応じて制御する。図2は、図1のプラズマ装置における天井電極板のクーリングプレートとの当接面を示す図、図3は図2の天井電極板の部分拡大平面図、図4は図2の天井電極板の側面図である。図2において、天井電極板31は円形板状体を呈しており、その径は、例えばウエハWを載置するサセプタ12の径とほぼ同様である。また、その厚さは、例えば、5~20mmである。天井電極板31のクーリングプレート32との当接面には伝熱シート38が塗布、形成されている。伝熱シート38は、例えば、ポリオルガノシロキサンとしてXE14-B8530Aモメンティブパフォーマンスマテリアルズ製とXE14-B8530Bモメンティブパフォーマンスマテリアルズ製を用い、両者を重量比1:1で混合した液この液を以下、混合液Aという。を調製し、続いて混合液AにアルミナフィラーとしてDAM5電気化学工業製、平均粒径5μmを、混合液A:アルミナフィラー=60:40体積比となるように添加し、さらに、架橋性ポリオルガノシロキサン系硬化剤であるRD-1東レダウコーニングシリコーン製を、混合液Aとアルミナフィラーの重量の合計に対して0.04重量となるように添加し、得られた液この液を以下、混合液Bという。を、後述するガス孔34に対応する開口部41を形成するための所定のマスキング材を介して、且つ所望の膜厚になるように天井電極板31のクーリングプレート32との当接面31aに、例えばスクリーン印刷し、その後、例えば150°Cで30時間加熱し、硬化することによって形成されている。なお伝熱シート38の熱伝導率は、混合液Bのみを硬化させた試験片を用いてレーザーフラッシュ法で測定した結果、1.2W/mKであった。図3及び図4において、天井電極板31には多数のガス孔34が設けられており、天井電極板31のクーリングプレート32との当接面31aに形成された伝熱シート38にもガス孔34に対応する開口部41が設けられている。天井電極板31に設けられたガス孔34は、例えばφ0.5mmの貫通孔であり、伝熱シート38に設けられた開口部41は、例えば、φ3mm~φ5mmの円形の孔である。ガス孔34が開口部41の中心部に位置するように伝熱シート38が形成されている。従って、伝熱シート38の開口部41は、ガス孔34と同心状に形成されており、ガス孔34の近傍の所定領域、すなわち、ガス孔34の中心を中心として、例えば半径1.5mm乃至2.5mmの円形領域は、伝熱シート38が存在しない領域となっている。図5は、天井電極板31とクーリングプレート32との当接部を示す部分拡大断面図である。図5において、天井電極板31及びクーリングプレート32には、それぞれガス孔34が、例えば等間隔で、且つそれぞれ連通するように設けられている。天井電極板31のクーリングプレート32との当接面には伝熱シート38が形成されており、該伝熱シート38のガス孔34に対応する位置には開口部41が形成されている。すなわち、伝熱シート38の開口部41と天井電極板31のガス孔34とはそれぞれ連通するように、且つガス孔34が開口部41のほぼ中央に接続するように配置されている。これによって、ガス孔34から進入したプラズマの伝熱シート38までの到達経路はラビリンス状になる。従って、ガス孔34からプラズマが進入しても伝熱シート38まで到達することは困難であり、伝熱シート38のプラズマに対する曝露を防止して伝熱シート38の損傷及びパーティクルの発生等の不都合を回避することができる。天井電極板31には、該天井電極板31をクーリングプレート32に当接、固定するためのボルト用の孔40が設けられており図2,図3参照、伝熱シート38はボルト用の孔40を避けるように形成されている。なお、ボルト用の孔40にはプラズマが進入する虞がないので、ボルト用の孔40に対応する伝熱シート38の開口部の大きさは、ボルト用の孔40とほぼ同じ大きさとなっている。このような構成の天井電極板31は、クーリングプレート32を介して電極支持体33に釣支され、チャンバ内の所定位置に固定される図1参照。本実施の形態によれば、天井電極板31のクーリングプレート32との当接面31aに伝熱シート38を形成したので、天井電極板31とクーリングプレート32との当接面に生じる微小な隙間を充填すると共に、天井電極板31とクーリングプレート32との間の熱伝達効率が改善されて天井電極板31の熱がクーリングプレート32を介して電極支持体33に効果的に伝達される。従って、天井電極板31が電極支持体33によって効果的に冷却されてその温度が安定し、例えば同一ロットにおける1枚目のウエハ処理時と5枚目のウエハ処理時における天井電極板31の温度を安定させることができる。また、これによって、天井電極板31が対向する処理空間S内のラジカルの活性が安定し、ウエハ毎のエッチングレートの平均値も安定する。また、例えばチャンバ内温度が200°C又はそれ以上になっても、天井電極板31の温度を100°C程度に維持することができ、これによって、天井電極板31の熱膨張を抑制して、部材相互のクリアランスを考慮しない設計が可能になる。また、プラズマがチャンバ内部品の隙間に進入することによる異常放電、ひいてはパーティクルの発生等の不都合を抑制することもできる。さらに、本実施の形態によれば、天井電極板31のクーリングプレート32との当接面31aに伝熱シート38を形成したことにより、天井電極板31とクーリングプレート32との間の熱伝達効率が改善されて、天井電極板31はクーリングプレート32を介して熱を拡散させることができ、天井電極板31における熱分布の均一化を図ることができる。本実施の形態によれば、伝熱シート38の有機材料は、例えばシリコンを成分に含む耐熱性の粘着剤やゴムであるので、伝熱シート38は柔軟に変形し、天井電極板31におけるクーリングプレート32との接触面が多少うねっていても確実に密着することができる。また、伝熱シート38の伝熱材は酸化物、窒化物または炭化物のセラミックスフィラーであり、フィラーが上記耐熱性の粘着剤やゴム中に例えば、25~60体積で含有されているので、伝熱シートは全域に亘ってほぼ均一に熱を伝達することができ、その結果、天井電極板31全体をほぼ均一に温度調整することができる。伝熱シート38の熱伝導率は、例えば、0.5~2.0W/mKである。熱伝導率がこの範囲内であれば、上述のように、伝熱シート38の全域に亘ってほぼ均一に熱を伝達することができ、天井電極板31全体をほぼ均一温度に調整することができる。本実施の形態において、伝熱シート38を構成するシリコンを成分に含む耐熱性の粘着剤やゴムは、シリコンを含有するものであれば特に制限はないが、好ましくは主鎖骨格がシロキサンユニットから構成されるポリオルガノシロキサンであって、架橋構造を有するものが挙げられる。ポリオルガノシロキサンの内では熱硬化のものが好ましく、主材のポリオルガノシロキサンに加えて、硬化剤架橋性ポリオルガノシロキサンを用いることが好ましい。ポリオルガノシロキサンの繰り返し単位構造は、ジメチルシロキサンユニット、フェニルメチルシロキサンユニット、ジフェニルシロキサンユニット等が挙げられる。また、ビニル基、エポキシ基等の官能基を有する変性ポリオルガノシロキサンを用いてもよい。本実施の形態において、伝熱シート38中のフィラーとしての伝熱材は酸化物、窒化物または炭化物のセラミックスフィラーであるが、具体的に例示すると、酸化物としてはアルミナ、マグネシア、酸化亜鉛、シリカ等、窒化物としては窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素等、炭化物としては炭化ケイ素等が挙げられる。当該セラミックスフィラーは球形の構造を持つものが好ましく、形状に異方性があるものは伝熱特性を最大にするように配向させることが好ましい。特に好ましいセラミックスフィラーとしては、アルミナ、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素等が挙げられる。本実施の形態において、伝熱シート38の膜厚は100μm以下、好ましくは30μm~80μmである。天井電極板31とクーリングプレート32との当接面には、形成加工に起因するある程度のうねり又は面粗さが残る。従って、伝熱シート38が薄すぎると、該伝熱シート38は天井電極板31及びクーリングプレート32の当接面の隙間を充填して熱的一体性を確保できなくなる。一方、伝熱シート38の膜厚が厚くなると、天井電極板31と伝熱シート38の合成熱容量が大きくなり、プラズマエッチング処理中における天井電極板31の昇温形態が該プラズマエッチング処理に適したものにならない虞がある。伝熱シート38の膜厚が30μm~80μm範囲内であれば、伝熱シート38を天井電極板31へ確実に密着させて天井電極板31を熱的に安定させることができる。本実施の形態において、天井電極板31のクーリングプレートとの当接面31aに形成される伝熱シート38は、天井電極板31が処理空間を隔てて対向するように配置された基板載置台の中心部に対向する位置と、周辺部に対向する位置とで、その膜厚を異ならせることができる。すなわち、サセプタ12の中心部と対向する天井電極板31の中心部はプラズマ密度が高い処理空間Sに対向するので、高温になり易い。従って、天井電極板31の中心部の伝熱シート38の膜厚を、それ以外の部分の膜厚よりも薄くして熱抵抗を低く抑えると共に、熱伝達効率を調整し、これによって、天井電極板31の面内温度の均一化及びエッチングレートの均一化を図ることもできる。なお、本実施の形態において、天井電極板31の中心部分には、伝熱シート38が形成されていなくてもよい。本実施の形態において、電極支持体33とクーリングプレート32との当接面にも伝熱シート38を介在させることが好ましい。これによって、電極支持体33及びクーリングプレート32相互間の熱伝達効率が向上し、電極支持体33によるクーリングプレート32を介した天井電極板31の冷却効果が向上し、天井電極板31の温度がより安定する。また、チャンバ内の熱分布が改善され、省エネルギーを実現することもできる。本実施の形態において、クーリングプレート32における天井電極板31との当接面、より詳しくは、クーリングプレート32における伝熱シート38との当接面に離型材を塗布することが好ましい。天井電極板31は消耗部品であり、所定時間使用後には新品に交換されるが、クーリングプレート32は継続使用されるので、寿命に到達した天井電極板31を取り除いた後のクーリングプレート32の表面を清浄に保持するためである。離型剤としては、例えば、フッ素コート、熱伝導性の良好なパウダー、例えばカーボン、ボロンナイトライド等を主成分にする離型剤が好適に用いられる。以上、本発明を実施の形態を用いて詳細に説明したが、本発明は、これらの実施の形態に限定されるものではない。また、上述した実施の形態においてプラズマエッチング処理が施される基板は半導体デバイス用のウエハに限られず、LCDLiquidCrystalDisplay等を含むFPDFlatPanelDisplay等に用いる各種基板や、フォトマスク、CD基板、プリント基板等であってもよい。"