複数のワイヤとコネクタとを中継する伝送コネクタ用の中継基板であって、前記中継基板の端部の表面に配置された、前記ワイヤに接続する第一及び第二の表グランドパッドと、前記中継基板の端部の裏面であって前記第一及び第二の表グランドパッドのそれぞれの下方に配置された、前記ワイヤに接続する第一及び第二の裏グランドパッド又は内層グランドと、前記第一及び第二の表グランドパッドの間又は前記第一及び第二の裏グランドパッド間に配置された、前記ワイヤに接続するシグナルパッドと、前記第一の表グランドパッドと前記第一の裏グランドパッド又は前記内層グランドとを接続する第一のVIAホールと、前記第二の表グランドパッドと前記第二の裏グランドパッド又は前記内層グランドとを接続する第二のVIAホールと、を備え、前記第一のVIAホールと前記第二のVIAホールとが、前記シグナルパッドの両側に配置されていることを特徴とする、中継基板。前記第一及び第二のVIAホールは、前記第一及び第二の表グランドパッド、並びに前記第一及び第二の裏グランドパッドの端部であって前記中継基板の側部側に位置する端部に形成される、請求項1に記載の中継基板。前記ワイヤに電気的に接続する接続領域が、前記第一及び第二の表グランドパッド並びに/又は前記第一及び第二の裏グランドパッド上に形成されていると共に、前記第一及び第二のVIAホールはレジストを用いて穴埋めされている、請求項1又は2に記載の中継基板。伝送コネクタに適用される中継基板においては、VIAホールの穴埋め処理を行うと共に、高度なインピーダンス整合を得て、伝送特性を高めることが要求されている。本発明は、伝送コネクタ用の中継基板において、伝送特性や接地特性が高く、低コストな中継基板を提供するものである。本発明の一態様は、複数のワイヤとコネクタとを中継する伝送コネクタ用の中継基板であって、前記中継基板の端部の表面に配置された、前記ワイヤに接続する第一及び第二の表グランドパッドと、前記中継基板の端部の裏面であって前記第一及び第二の表グランドパッドのそれぞれの下方に配置された、前記ワイヤに接続する第一及び第二の裏グランドパッド又は内層グランドと、前記第一及び第二の表グランドパッドの間又は前記第一及び第二の裏グランドパッド間に配置された、前記ワイヤに接続するシグナルパッドと、前記第一の表グランドパッドと前記第一の裏グランドパッド又は前記内層グランドとを接続する第一のVIAホールと、前記第二の表グランドパッドと前記第二の裏グランドパッド又は前記内層グランドとを接続する第二のVIAホールとを備え、前記第一のVIAホールと前記第二のVIAホールとが、前記シグナルパッドの両側に配置されていることを特徴とする、中継基板を提供する。前記第一及び第二のVIAホールは、前記第一及び第二の表グランドパッド並びに前記第一及び第二の裏グランドパッドの端部であって前記中継基板の側部側に位置する端部に形成される構成とすることができる。前記ワイヤに電気的に接続する接続領域が、前記第一及び第二の表グランドパッド並びに/又は、前記第一及び第二の裏グランドパッド上に形成されていると共に、前記第一及び第二のVIAホールはレジストを用いて穴埋めされている構成とすることができる。本発明によれば、中継基板上のシグナルパッドの両側に、表面のグランドパッドと裏面のグランドパッドとを接続するVIAホールが配置されるので、高度なインピーダンス整合を得て、高い伝送特性を確保することが可能になる。また、中継基板がグランド層内層グランドを有する多層プリント配線板である場合、VIAホールが、中継基板の側面により近い位置にある、グランドパッドの端部に形成されることで、グランド層における伝送経路にスタブが発生することを防止することができ、良好な接地特性を得ることが可能になる。さらに具体的には、中継基板上のパッドに関し、例えば平衡伝送の場合、グランド、シグナル、シグナル-、グランド、シグナル、シグナル-、グランドの順で、シグナルパッドがグランドパッドで囲まれるように配置されることにより、伝送経路全長に渡りシグナル、グランドがインピーダンス整合される。そして、グランドパッドとグランド層とを接続するVIAホールがシグナルパッド近傍に配置されることにより、さらに高度なインピーダンス整合を得ることが可能になり、高い伝送特性を確保できる。以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。また、以下の実施形態においては、同一又は類似の構成要素には共通の参照符号を付して示している。図1は高速伝送コネクタ1に適用された本実施形態の中継基板10を示す斜視図、図2は中継基板10の一部を拡大した部分拡大斜視図である。図3は図1の線III-III線に沿った中継基板10の断面図、図4は図1の線IV-IV線に沿った中継基板10の断面図であり、中継基板10の端部の構造を示す図である。図1に示すように、中継基板10の表面には、ケーブル2と高速伝送コネクタ1とを連結する4本の導体パターン11aが配置されている。表面と同様に中継基板10の裏面には、4本の導体パターン11bが配置されている図4参照。表面の導体パターン11aのそれぞれの一方の端部には、ケーブル2から延びるワイヤ3に接続するワイヤ側のパッド12a、12b、14a、14bが形成されおり、また他方の端部には高速伝送コネクタ1に接続するコネクタ側のパッド16が形成されている。裏面の導体パターン11bも同様に、それぞれの一方の端部には、ワイヤ3に接続するワイヤ側のパッド13a、13b、15a、15bが形成されており図3参照、他方の端部には高速コネクタ1に接続するコネクタ側のパッドが形成されている図示しない。中継基板10は、図3及び図4に示すように、グランド層21内層グランドを有する多層プリント配線板であり、複数の絶縁基板20を挟んで表面層導体パターン11a、中間層グランド層21、裏面層導体パターン11bが積層されている。中継基板10の端部10bに配置されたパッド12a~15bについて詳述する。中継基板10の表面に配置された導体パターン11aには、中継基板10の端部10bにおいて、複数のケーブル2から延びるワイヤ3に電気的に接続する、第一の表グランドパッド12a及び第二の表グランドパッド12b、並びに、正方向プラス方向の信号が伝送される第一の表シグナルパッド14a及び逆方向マイナス方向の信号が伝送される第二の表シグナルパッド-14bが形成されている。図に示すように、第一の表シグナルパッド14a及び第二の表シグナルパッド14bは、第一の表グランドパッド12aと第二の表グランドパッド12bとの間に配置されている。また、中継基板10の裏面に配置された導体パターン11bには、中継基板10の端部10bにおいて、図3に示すように、第一の裏グランドパッド13a及び第二の裏グランドパッド13b、並びに、正方向の信号が伝送される第一の裏シグナルパッド15a及び逆方向の信号が伝送される第二の裏シグナルパッド-15bが配置されている。第一の裏シグナルパッド15a及び第二の裏シグナルパッド15bは、第一の裏グランドパッド13aと第二の裏グランドパッド13bとの間に配置されている。複数のケーブル2から延びるワイヤ3は、上述した第一及び第二の表グランドパッド12a、12b、第一及び第二の裏グランドパッド13a、13b、第一及び第二の表シグナルパッド14a、14b、及び第一及び第二の裏シグナルパッド15a、15bに半田付けによって接続されている図3及び図4を参照。なお、図1から図4は、中継基板10上の一組のグランドパッド及びシグナルパッドを示しているに過ぎず、実際にはこれらの組合せが複数並列して、中継基板10に配置されている。本実施形態の中継基板10は、図3及び図4に示すように絶縁基板20を挟んで、表面層導体パターン11a、中間層グランド層21、裏面層導体パターン11bが積層された多層プリント配線板である。絶縁基板20には、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等が用いられ、中継基板10の厚みHは0.5mm~2.5mm程度である。本実施形態の中継基板には、図3に示すように、第一のVIAホール17aが、表面層の第一の表グランドパッド12aから、グランド層21を経由して、裏面層の第一の裏グランドパッド13aまで延びるように形成されている。同様に、第二のVIAホール17bが、第二の表グランドパッド12bから、グランド層21を経由して、第二の裏グランドパッド13bまで延びるように形成されている。第一及び第二のVIAホール17a、17bは、通常、中継基板10にドリル或いはレーザーによりスルーホールを形成した後、スルーホールの表面にめっき19を施すことで作製される。本実施形態の中継基板10に形成された第一及び第二のVIAホール17a、17bの位置について説明する。第一及び第二のVIAホール17a、17bは、高速伝送コネクタ1に接続するパッド16とは反対側に位置する、ワイヤ3に接続するグランドパッド第一及び第二の表グランドパッド12a、12b、第一及び第二の裏グランドパッド14a、14bに形成されている。通常、VIAホールを形成すると、その穴埋め処理がなされるが、その穴埋め処理によってパッド上に段差ができる場合がある。この段差により、コネクタとパッドとの間に接続不良が起きる可能性があり、本実施形態では、VIAホールをコネクタ側のパッド16に形成しないことで、高速伝送コネクタ1に接続する平坦な接続領域10c実装エリアとも呼ぶを確保している。その代わりとして、表面層、中間層及び裏面層を導通させて高い伝送特性を得るために、ワイヤ3に接続する側のグランドパッドに第一及び第二のVIAホール17a、17bを形成している。本実施形態の中継基板10では、上述のように、第一のVIAホール17aは、第一の表グランドパッド12aと、その下に位置する第一の裏グランドパッド13aとの間を接続するように形成されている。また、第二のVIAホール17bは、第二の表グランドパッド12bと、その下に位置する第二の裏グランドパッド13bとの間を接続するように形成されている。その結果として、一対のVIAホール17a、17bが第一及び第二の表シグナルパッド14a、14b、第一及び第二の裏シグナルパッド15a、15bの両側に配置されるようになっている。このようにVIAホールをシグナルパッドの両側に配置することで、VIAホール間にある程度の間隔をあけることができると共に、高度なインピーダンス整合を得て、中継基板10の高い伝送特性を確保することが可能になる。なお、本実施形態の中継基板10は、高速伝送コネクタ用の中継基板であり、平衡伝送をするために、グランドパッドの間に裏表合わせて四つのシグナルパッドが配置されている。しかしながら、シグナルパッドの配置はこれに限定されず、一つ以上のシグナルパッドが配置されてあればよく、また、シグナルパッドは中継基板10の表面側、又は裏側のみに配置されてあってもよい。また、図2及び図4から判るように、第一のVIAホール17aは、第一の表グランドパッド12a、第一の裏グランドパッド13aの端部であって、ワイヤ3に接続する側の中継基板10の側面10d側に位置する端部に形成されている。第一のVIAホール17aを、グランドパッド内において、中継基板10の側面10dにより近い位置に形成することで、例えばグランド層21において、伝送経路が枝分かれする状態スタブの範囲が狭くなり、より良好な接地特性を得ることが可能になる。また、図2からも判るように、第二のVIAホール17bも、第一のVIAホール17aと同様、第二の表グランドパッド12b上において、中継基板10の側面10d側に位置する端部、すなわち中継基板10の側面10dにより近い位置に形成されている。また、図4に示すように、上述のように第一のVIAホール17aが第一の表グランドパッド12a、第一の裏グランドパッド13a上において側面10dに近い位置に形成されると共に、第一の表グランドパッド12a、第一の裏グランドパッド13a上には、ワイヤ3と接続するための接続領域22a、23a実装エリアとも呼ぶが設けられている。そのため、ワイヤ3は、第一のVIAホール17aの上端又は下端を跨いで第一の表グランドパッド12a、第一の裏グランドパッド13aの接続領域22a、23aに半田付けされている。同様に、第二の表グランドパッド及び第二の裏グランドパッド13bにも、ワイヤ3に接続するための接続領域22b図2参照、23b図示しないが形成されており、ワイヤ3は第二のVIAホール17bの上端又は下端を跨いで第二の表グランドパッド12b、第二の裏グランドパッド13bの接続領域22b、23bに半田付けされている。次に、第一及び第二のVIAホール17a、17bの穴埋め処理について説明する。本実施形態では、図3及び図4に示すように、第一及び第二のVIAホール17a、17bを、レジスト18を用いて穴埋め処理を行っている。上述のように、第一の表グランドパッド12aとワイヤ3とは半田付けにより接続されるが、第一のVIAホール17aを埋めない状態でこの半田付けを行うと、第一のVIAホール17aに半田が吸引されて、反対側の裏面層まで半田が流出する場合がある。このような現象は、半田の不足や、過多、半田量の不安定を招く。そのため、従来は、VIAホールの穴を樹脂を用いて埋めていた。そして、穴を埋めた樹脂によりVIAホールへの導通が妨げられることを防止するため、埋められたVIAホールの上端及び下端において、さらにめっきを施す処理を行っていた。しかしながら、従来の方法は、めっきの材料やその処理費用にコストがかかるので、製造コストを抑制するために、伝送特性を犠牲にしてパッド上にVIAホールを設けない場合があった。本実施形態では、図4に示すように、ワイヤ3は、第一のVIAホール17aの上端及び下端を跨いで、接続領域22a、23aに半田付けされることで、導通パターン11aとの電気的接続が確保されるため、従来のように埋められたVIAホールの上端及び下端にめっきを施さなくてよい。そのため、本実施形態では、レジスト18のみを用いてVIAホールの穴埋め処理を行っている。めっきを施さないため、穴埋め処理を低コストで行うことができ、安価にVIAホールを有する伝送特性の高い中継基板を作製することができる。また、ワイヤ3は第一のVIAホール17aの上端又は下端を跨いで接続領域22a、23aに半田付けされているので、特許文献1に開示された穴埋め方法のようにプリント基板の表面を均一面にしなくてもよい。なお、レジスト18を用いた同様の穴埋め処理が、第二の表グランドパッド12b及び第二の裏グランドパッド13bに形成された第二のVIAホール17bにも行われている。レジストは、例えばプリント基板に塗られている絶縁体であり、本実施形態では、VIAホールの穴埋め処理を自動的に行うため、光硬化性のソルダーレジストを用いている。このレジストによる穴埋め処理は、例えば次のように行う。まず、第一の表グランドパッド12aと第一の裏グランドパッド13aとを繋ぐよう、ドリルやレーザ等を用いてスルーホールを形成する。そして、そのスルーホールの表面にめっき19を施すことで第一のVIAホール17aを形成する。そして、第一のVIAホール17aの穴を塞ぐよう、レジスト18を中継基板10の端部10bに塗布する。その後、必要部分を紫外線照射して硬化させ、レジストの不要部分をアルカリで溶融して落とす。第一及び第二のVIAホール17a、17bは中継基板10の端部10bに配置されているので、中継基板10の全面にレジストを塗布しなくても、中継基板10の端部10bにレジストを塗布するだけで、第一及び第二のVIAホール17a、17bを一度に穴埋めできると共に、グランドパッド上にワイヤ3と接続する接続領域を確保することができる。穴埋め処理した第一及び第二のVIAホール17a、17bの表面にめっきを施さないので、めっきする場合と比較して安価に穴埋め処理を行うことが可能になる。なお、図2や図3に示すように、本実施形態では穴埋め処理を自動化するために、シグナルパッド14a、14b、15a、15bの一部にレジスト18が塗布されて残留しているが、シグナルパッド上のレジスト18はアルカリ等で落とされてもよい。以上、本実施形態について添付図を用いて説明した。本発明による中継基板のようにシグナルパッドの両側にVIAホールを形成すれば、高い伝送特性を確保することができる。グランドパッド上において、中継基板の側面側に位置する端部にVIAホールを形成すれば、スタブの発生を防ぎ、良好な接地特性を得ることが可能になる。また、グランドパッド上に接続領域を確保して、VIAホールをレジストにより穴埋め処理すれば、めっきを施す必要がなく中継基板を安価に製造することができ、延いては中継基板が適用された高速伝送コネクタ等の製品の製造コストを下げることが可能になる。また、本発明による中継基板のようにVIAホールを、コネクタに接続するパッドとは反対側に位置する、ワイヤ等に接続するパッドに形成すれば、コネクタに接続する接続領域を侵すことがない。なお、穴埋め処理を安価に行うため、めっき処理を省いているが、ケーブルとパッドとの導通をより確実にするために、VIAホールの上端又は下端にめっきを施しても構わない。