"複数の光学素子と、該光学素子を保持するホルダと、該ホルダを前記光学素子の光軸に垂直な方向に移動可能に支持する支持手段と、前記ホルダを前記光学素子の光軸に垂直な方向に移動させる駆動手段と、発光素子とを備え、前記発光素子からの光が前記光学素子を透過し、前記光学素子を移動させることにより、透過光を走査して照射する光走査装置において、前記支持手段が、複数の山と谷を有する波板状に形成されたバネ構造体であり、前記複数の山と谷の高さ方向が、前記ホルダの前記光学素子を搭載した面と平行になるように配置された第1のバネ構造体と、前記複数の山と谷の高さ方向が、前記ホルダの前記光学素子を搭載した面と垂直になるように配置された第2のバネ構造体とからなることを特徴とする光走査装置。前記複数の山と谷の形状が、前記第1のバネ構造体は曲面、前記第2のバネ構造体は平面であって、前記第1のバネ構造体と前記第2のバネ構造体のバネ定数が異なることを特徴とする請求項1に記載の光走査装置。前記光学素子と、前記ホルダと、前記支持手段とが、同一の材料からなることを特徴とする請求項1または2に記載の光走査装置。前記光学素子と、前記ホルダと、前記支持手段とが、シリコンからなることを特徴とする請求項3に記載の光走査装置。しかしながら、図8及び図9に示すようなMEMS素子では、高度に複雑な構造を作ることは困難であり、特許文献2に開示されているような技術を採用することはきわめて困難である。そこで、本発明は上記課題を鑑み、性能の劣化を生じることなく、走査光の走査量を正確に測定することが可能であり、かつ小型で安価な光走査装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明に係る光走査装置は、複数の光学素子と、該光学素子を保持するホルダと、該ホルダを前記光学素子の光軸に垂直な方向に移動可能に支持する支持手段と、前記ホルダを前記光学素子の光軸に垂直な方向に移動させる駆動手段と、発光素子とを備え、前記発光素子からの光が前記光学素子を透過し、前記光学素子を移動させることにより、透過光を走査して照射する光走査装置において、前記支持手段が、複数の山と谷を有する波板状に形成されたバネ構造体であり、前記複数の山と谷の高さ方向が、前記ホルダの前記光学素子を搭載した面と平行になるように配置された第1のバネ構造体と、前記複数の山と谷の高さ方向が、前記ホルダの前記光学素子を搭載した面と垂直になるように配置された第2のバネ構造体とからなることを特徴とする光走査装置である。本発明の光走査装置によれば、性能の劣化を生じることなく、走査光の走査量を正確に測定することが可能であり、かつ小型で安価な光走査装置を提供することができる。以下、本発明に係る光走査装置について図面を参照して説明する。なお、本発明は以下に示す実施例の実施形態に限定されるものではなく、他の実施形態、追加、修正、削除など、当業者が想到することができる範囲内で変更することができ、いずれの態様においても本発明の作用効果を奏する限り、本発明の範囲に含まれるものである。本発明の光走査装置の一例を図1~5に示す。図1は本発明の光走査装置の一例を示す正面図であり、図2は図1の反対側の面を示す正面図であり、図4は斜視図である。図1、図2及び図4に示すように、本発明の光走査装置は、複数の光学素子1a,1bと、該光学素子を保持するホルダ2と、ホルダ2を前記光学素子の光軸に垂直な方向に移動可能に支持する支持手段3,4,5,6と、ホルダ2を前記光学素子の光軸に垂直な方向に移動させる駆動手段図示せずと、発光素子図示せずとを備え、前記発光素子からの光が前記光学素子を透過し、前記光学素子を移動させることにより、透過光を走査して照射する。支持手段3,4,5,6は、複数の山と谷を有する波板状に形成されたバネ構造体である。ホルダ2は、支持手段3,4により内枠7に支持され、支持手段5,6により内枠8に支持されている。ホルダ2には、永久磁石13が埋設されており、駆動手段図示せずとして例えば電磁石により発生する磁力により、遥動できるようになっている。図3及び図5は、図2に示すA-A’の断面を示した図である。支持手段は、山と谷の高さ方向が互いに直交するように、異なる方向に配置された2種類のバネ構造体からなる。2種類のバネ構造体は、前記複数の山と谷の高さ方向が、ホルダ2の光学素子1a,1bを搭載した面と平行になるように配置された第1のバネ構造体3,5と、前記複数の山と谷の高さ方向が、ホルダ2の光学素子1a,1bを搭載した面と垂直になるように配置された第2のバネ構造体4,6とからなる。一般的に、波型の板バネは、波型の面と直交する方向には変位しにくいので、このように2種類の波板状のバネ構造体である支持手段を組み合わせることにより、バネ構造体3,4により構成される支持手段はY方向にのみ変位する支持構造とすることができ、バネ構造体5,6により構成される支持手段は、X方向のみに変位する支持構造とすることができる。このような構成とすることにより、簡易な構造で支持手段の主たる伸縮方向以外の方向への変位を抑制することが可能になり、容易にホルダ2の回転運動を抑制することが可能になる。また、前記複数の山と谷の形状が、第1のバネ構造体3,5は曲面、第2のバネ構造体は4,6平面であって、前記第1のバネ構造体と前記第2のバネ構造体のバネ定数が異なるように構成されている。前記複数の山と谷の形状が曲面である第1のバネ構造体3,5は、半導体加工の写真工程で自在な形状を形成できるため、図示されたような曲面で構成されたバネ構造体として作製することができる。第1の支持手段3,5のバネ定数を大きくすることにより、バネ構造体の剛性を高くすることができる。これに対し、前記複数の山と谷の形状が平面である第2のバネ構造体4,6は、水平面と垂直面でのみ構成された断面が矩形状のバネ構造体となるため、変位した場合に面の接合部分に応力が集中しやすく、そこから破断する可能性がある。第2のバネ構造体4,6のバネ定数を小さくすることにより、バネ構造体の剛性を低くすることができ、変形による応力の発生を抑制し、バネ構造体の破損を低くすることができる。このように構造的に脆弱になりやすいバネ構造体の波型を含む面が、ホルダ2の光学素子を搭載する面30と垂直になるバネ構造体に発生する応力を低く抑えることが可能になり、それにより支持構造の脆弱さを抑制することが可能になり、光走査装置の動作不良の発生を抑えることが可能になる。本発明の光走査装置において、少なくとも光学素子1a,1bと、ホルダ2と、支持手段3,4,5,6とが、同一の材料からなる部材とすることができ、さら内枠7、外枠8を含めてすべての部材を同一の材料から一体に作製することができる。例えば、光学素子1a,1b、ホルダ2、支持手段3,4,5,6、内枠7、外枠8は全てシリコンのウェハーから半導体加工プロセスで作製された一体構造とすることができる。このような構造は、一連の半導体加工プロセスのみで作製が可能なため、容易かつ安価に光走査装置を作製することが可能となる。"