"光電池のためのA-B-C2吸収薄膜またはA2-Dx,E1-x-C4吸収薄膜を調製する方法であって、ここで0≦x≦1であり、Aは11族から選択された元素または元素の混合物であって、Bは13族から選択された元素または元素の混合物であって、Cは16族から選択された元素または元素の混合物であって、Dは12族から選択された元素または元素の混合物であって、Eは14族から選択された元素または元素の混合物であって、以下の一連のステップを包含している、方法:A-B-C2膜として、少なくとも一つの11族元素及び一つの13族元素、A2-Dx,E1-x-C4膜として、少なくとも一つの11族元素、及びx>0の場合には少なくとも一つの12族元素、x<1の場合には少なくとも一つの14族元素を含んでいる酸化物並びに/或いは水酸化物の混合物である薄膜を電着するステップ、還元性雰囲気下にて上記薄膜をアニールするステップ、並びに、A-B-C2薄膜または0≦x≦1のA2-Dx,E1-x-C4薄膜を形成するために、少なくとも一つの16族元素を供給するステップ。前記電着するステップが、低くても5°Cの温度、かつ95°C以下の温度にて行われる、請求項1に記載の方法。前記還元性雰囲気下にてアニールするステップが、低くても300°Cの温度、かつ650°C以下の温度にて行われる、請求項1または2に記載の方法。前記還元性雰囲気下にてアニールするステップが、少なくとも20秒間の所要時間、かつ15分間以下の所要時間を有する、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。前記薄膜を電着するステップの前に、少なくとも一つの酸素供与体種の存在下において、A-B-C2膜におけるA及びBの塩の混合物、或いはA2-Dx,E1-x-C4膜におけるA、D及び/またはEの塩の混合物を含む水溶液が調製される、請求項1~4のいずれか一項に記載の方法。前記酸素供与体種が、硝酸イオン、または二原子酸素、或いは過酸化水素、或いは次亜塩素酸イオンからなる、請求項5に記載の方法。前記Aが、銅または銀、或いは銅と銀との混合物であり、前記Cが、セレンまたは硫黄、或いはセレンと硫黄との混合物である、請求項1~6のいずれか一項に記載の方法。光電池のための前記吸収薄膜が、前記A-B-C2タイプであり、かつBが、インジウム、ガリウム、アルミニウム、またはこれらの混合物から選択される一つまたは複数の元素を含む、請求項1~7のいずれか一項に記載の方法。前記電着するステップが、モリブデン膜を用いて被覆された絶縁基板を含んでいる電極、及び飽和Hg/Hg2SO4/K2SO4参照電極に、1~30mAcm-2の電流密度または少なくとも-1.8Vの電圧、かつ-0.5V以下の電圧を印加することによって行われる、請求項8に記載の方法。電解質溶液中の前記元素A及びBの原子比率が、少なくとも0.2、かつ1.5以下である、請求項8または9に記載の方法。光電池のための前記吸収薄膜が前記A-B-C2タイプであり、かつBが、インジウムおよびガリウムの混合物を含み、並びに電解質溶液中の上記インジウム及びガリウムの濃度の原子比率が、少なくとも0.2、かつ1.5以下である、請求項1~10のいずれか一項に記載の方法。前記1~11のいずれか一項に記載の光電池のための吸収薄膜を調製する方法を含むことを特徴とする、太陽電池を製造する方法。"