保護層を形成した前面板と、前記前面板に対向配置した背面板とを備え、前記保護層は、酸化マグネシウムと酸化カルシウムからなる金属酸化物により形成され、前記保護層は、ストロンチウムを含み、前記保護層面におけるX線回折分析において、酸化マグネシウムの結晶方位面111ピークが発生する回折角と、当該ピークと同一方位の前記酸化カルシウムのピークが発生する回折角との間にピークが存在するとともに、前記保護層のカルシウムの濃度を3atom以上15atom以下である、プラズマディスプレイパネル。前記保護層のストロンチウムの濃度は、重量比率で0.1ppm以上10ppm以下である、請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。高精細化された画像を表示するためには、1フィールドの時間が一定であるにもかかわらず書き込みを行う画素の数が増えるため、サブフィールド中の書き込み期間において、アドレス電極へ印加するパルスの幅を狭くする必要が生じる。しかしながら、電圧パルスの立ち上がりから放電空間内で放電が発生するまでには放電遅れと呼ばれるタイムラグの存在があるため、パルスの幅が狭くなれば書き込み期間内で放電を終了できる確率が低くなってしまう。その結果、点灯不良が生じ、ちらつきといった画質性能の低下という問題も生じてしまう。また、消費電力低減のために放電による発光効率を向上させることを目的として、蛍光体の発光に寄与する放電ガスの一成分であるキセノンXeの放電ガス全体における含有率をあげると、やはり放電電圧が高くなるとともに、放電遅れが大きくなって点灯不良などの画質低下が発生するという問題が生じてしまう。このようにPDPの高精細化や低消費電力化を進めるにあたっては、放電電圧が高くならないようにすることと、さらに、点灯不良を低減して画質を向上させることを、同時に実現させなければならないという課題があった。保護層に不純物を混在させることで電子放出特性を改善しようとする試みが行われている。しかしながら、保護層に不純物を混在させて電子放出特性を改善した場合には、保護層表面に電荷を蓄積させてメモリー機能として使用しようとする際に、電荷が時間とともに減少する減衰率が大きくなってしまうため、これを抑えるための印加電圧を大きくするなどの対策が必要になる。一方、酸化マグネシウムMgOの保護層上に酸化マグネシウムMgO結晶粒子を形成する例では、放電遅れを小さくして点灯不良を低減することは可能であるが、放電電圧を低減することができないといった課題を有していた。また、保護層は、一般的に酸化マグネシウムMgOといった金属酸化物のペレット状固体を材料として、薄膜成膜方法によって形成されるが、成膜時に、材料の密度が低いと、材料の飛散スプラッシュ発生の程度に悪影響を及ぼすことが判明した。つまり、ペレット状固体材料の密度低下に従ってスプラッシュ発生数は増大し、スプラッシュ発生数の増大は点灯不良の原因となるため、点灯不良が発生するといった課題を有していた。さらに、保護層の材料となる金属酸化物のペレット状固体材料は、材料中に不純物ガスを持っており、この不純物ガスは成膜中の雰囲気に影響を与え、真空度悪化、成膜中不純物ガスの増大により、点灯不良の原因となる。またこの不純物ガスは成膜装置の真空排気時間の増大や材料脱ガス時間の増大により、成膜装置稼働率悪化の原因となっていた。そのため、材料中に元素を添加するなどして、材料の密度を増加させて、材料中の不純物ガスを減らす試みが行われているが、保護層形成時に、添加元素が材料中の金属酸化物と結合して複合酸化物を形成するなどして、保護層形成時の成膜レートが低下するといった課題があった。本発明はこのような課題に鑑みなされたもので、高輝度の表示性能を備え、かつ低電圧駆動が可能なPDPを実現し、さらに、歩留まり及び生産性が良好なPDPを実現することを目的としている。上記の目的を達成するために、本発明のPDPは、保護層を形成した前面板と、前記前面板に対向配置した背面板とを備え、前記保護層は、酸化マグネシウムと酸化カルシウムからなる金属酸化物により形成され、前記保護層は、ストロンチウムを含み、前記保護層面におけるX線回折分析において、酸化マグネシウムの結晶方位面111ピークが発生する回折角と、当該ピークと同一方位の前記酸化カルシウムのピークが発生する回折角との間にピークが存在するとともに、前記保護層のカルシウムの濃度を3atom以上15atom以下である。本発明によれば、高輝度の表示性能を備えた低電圧駆動が可能なPDPを実現し、さらには、歩留まり及び、生産性が良好なPDPを実現することができる。以下、本発明の実施の形態におけるPDPについて図面を用いて説明する。実施の形態図1は本発明の実施の形態におけるPDP1の構造を示す斜視図である。PDP1の基本構造は、一般的な交流面放電型PDPと同様である。図1に示すように、PDP1は前面ガラス基板3などよりなる前面板2と、背面ガラス基板11などよりなる背面板10とが対向して配置され、その外周部をガラスフリットなどからなる封着材によって気密封着されている。封着されたPDP1内部の放電空間16には、キセノンXeとネオンNeなどの放電ガスが所定の圧力で封入されている。前面板2の前面ガラス基板3上には、走査電極4及び維持電極5よりなる一対の帯状の表示電極6とブラックストライプ遮光層7が互いに平行にそれぞれ複数列配置されている。前面ガラス基板3上には表示電極6と遮光層7とを覆うように電荷を保持してコンデンサとしての働きをする誘電体層8が形成され、さらにその上に保護層9が形成されている。また、背面板10の背面ガラス基板11上には、前面板2の走査電極4及び維持電極5と直交する方向に、複数の帯状のアドレス電極12が互いに平行に配置され、これを下地誘電体層13が被覆している。さらに、アドレス電極12間の下地誘電体層13上には放電空間16を区切る所定の高さの隔壁14が形成されている。隔壁14間の溝ごとに、紫外線によって赤色、緑色及び青色にそれぞれ発光する蛍光体層15が順次塗布して形成されている。走査電極4及び維持電極5とアドレス電極12とが交差する位置に放電空間が形成され、表示電極6方向に並んだ赤色、緑色、青色の蛍光体層15を有する放電空間がカラー表示のための画素になる。図2は、本発明の実施の形態におけるPDP1の前面板2の構成を示す断面図であり、図2は図1と上下反転させて示している。図2に示すように、フロート法などにより製造された前面ガラス基板3に、走査電極4と維持電極5よりなる表示電極6と遮光層7がパターン形成されている。走査電極4と維持電極5はそれぞれインジウムスズ酸化物ITOや酸化スズSnO2などからなる透明電極4a、5aと、透明電極4a、5a上に形成された金属バス電極4b、5bとにより構成されている。金属バス電極4b、5bは透明電極4a、5aの長手方向に導電性を付与する目的として用いられ、銀Ag材料を主成分とする導電性材料によって形成されている。誘電体層8は、前面ガラス基板3上に形成されたこれらの透明電極4a、5aと金属バス電極4b、5bと遮光層7を覆って設けた第1誘電体層81と、第1誘電体層81上に形成された第2誘電体層82の少なくとも2層構成とし、さらに第2誘電体層82上に保護層9が形成されている。保護層9は酸化マグネシウムMgOと酸化カルシウムCaOからなる金属酸化物にアルミニウムを含有させた材料により形成している。さらに、その保護層9上に酸化マグネシウムMgOの結晶粒子92aが複数個凝集した凝集粒子92を付着形成してもよい。次に、このようなPDP1の製造方法について説明する。まず、前面ガラス基板3上に、走査電極4及び維持電極5と遮光層7とを形成する。走査電極4と維持電極5とを構成する透明電極4a、5aと金属バス電極4b、5bは、フォトリソグラフィ法などを用いてパターニングして形成される。透明電極4a、5aは薄膜プロセスなどを用いて形成され、金属バス電極4b、5bは銀Ag材料を含むペーストを所定の温度で焼成して固化している。また、遮光層7も同様に、黒色顔料を含むペーストをスクリーン印刷する方法や黒色顔料をガラス基板の全面に形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングし、焼成することにより形成される。次に、走査電極4、維持電極5及び遮光層7を覆うように前面ガラス基板3上に誘電体ペーストをダイコート法などにより塗布して誘電体ペースト誘電体材料層を形成する。誘電体ペーストを塗布した後、所定の時間放置することによって塗布された誘電体ペースト表面がレベリングされて平坦な表面になる。その後、誘電体ペースト層を焼成固化することにより、走査電極4、維持電極5及び遮光層7を覆う誘電体層8が形成される。なお、誘電体ペーストはガラス粉末などの誘電体材料、バインダ及び溶剤を含む塗料である。同図では誘電体層8を第1誘電体層81と第2誘電体層82の二層構造としたがこれに限らず単層構造でも良い。次に、誘電体層8上に保護層9を形成する。本発明の実施の形態においては、保護層9を酸化マグネシウムMgOと酸化カルシウムCaOからなる金属酸化物にアルミニウムを含有させ形成している。保護層9は、酸化マグネシウムMgOと酸化カルシウムCaOを混合し、アルミニウムを含有させたペレット状の固体の材料を用いて薄膜成膜方法によって形成される。薄膜成膜方法としては、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの公知の方法を適用できる。一例として、スパッタリング法では1Pa、蒸着法の一例である電子ビーム蒸着法では0.1Paが実際上取り得る圧力の上限と考えられる。また、保護層9の成膜時の雰囲気としては、水分付着や不純物の吸着を防止するために外部と遮断された密閉状態とし、成膜時の雰囲気を調整することにより、所定の電子放出特性を有する金属酸化物よりなる保護層9を形成することができる。次に、保護層9上に付着形成する酸化マグネシウムMgOの結晶粒子92aの凝集粒子92について述べる。これらの結晶粒子92aは、以下に示す気相合成法または前駆体焼成法のいずれかで製造することができる。気相合成法では、不活性ガスが満たされた雰囲気下で純度が99.9以上のマグネシウム金属材料を加熱し、さらに、雰囲気に酸素を少量導入することによって、マグネシウムを直接酸化させ、酸化マグネシウムMgOの結晶粒子92aを作製することができる。一方、前駆体焼成法では、以下の方法によって結晶粒子92aを作製することができる。前駆体焼成法では、酸化マグネシウムMgOの前駆体を700°C以上の高温で均一に焼成し、これを徐冷して酸化マグネシウムMgOの結晶粒子92aを得ることができる。前駆体としては、例えば、マグネシウムアルコキシドMgOR2、マグネシウムアセチルアセトンMgacac2、水酸化マグネシウムMgOH2、炭酸マグネシウムMgCO2、塩化マグネシウムMgCl2、硫酸マグネシウムMgSO4、硝酸マグネシウムMgNO32、シュウ酸マグネシウムMgC2O4のうちのいずれか1種以上の化合物を選ぶことができる。なお選択した化合物によっては、通常、水和物の形態をとることもあるがこのような水和物を用いてもよい。これらの化合物は、焼成後に得られる酸化マグネシウムMgOの純度が9995以上、望ましくは9998以上になるように調整する。これらの化合物中に、各種アルカリ金属、硼素B、硅素Si、鉄Fe、アルミニウムAlなどの不純物元素が一定量以上混じっていると、熱処理時に不要な粒子間癒着や焼結を生じ、高結晶性の酸化マグネシウムMgOの結晶粒子92aを得にくいためである。このため、不純物元素を除去することなどにより予め前駆体を調整することが必要となる。上記いずれかの方法で得られた酸化マグネシウムMgOの結晶粒子92aを、溶媒に分散させ、その分散液をスプレー法やスクリーン印刷法、静電塗布法などによって保護層9の表面に分散散布させる。その後、乾燥焼成工程を経て溶媒除去を図り、酸化マグネシウムMgOの結晶粒子92aを保護層9の表面に定着させることができる。このような一連の工程により前面ガラス基板3上に所定の構成物走査電極4、維持電極5、遮光層7、誘電体層8、保護層9が形成されて前面板2が完成する。一方、背面板10は次のようにして形成される。まず、背面ガラス基板11上に、銀Ag材料を含むペーストをスクリーン印刷する方法や、金属膜を全面に形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングする方法などによりアドレス電極12用の構成物となる材料層を形成する。その後、所定の温度で焼成することによりアドレス電極12を形成する。次に、アドレス電極12が形成された背面ガラス基板11上にダイコート法などにより、アドレス電極12を覆うように誘電体ペーストを塗布して誘電体ペースト層を形成する。その後、誘電体ペースト層を焼成することにより下地誘電体層13を形成する。なお、誘電体ペーストはガラス粉末などの誘電体材料とバインダ及び溶剤を含んだ塗料である。次に、下地誘電体層13上に隔壁材料を含む隔壁形成用ペーストを塗布し、所定の形状にパターニングすることにより隔壁材料層を形成する。その後、所定の温度で焼成することにより隔壁14を形成する。ここで、下地誘電体層13上に塗布した隔壁用ペーストをパターニングする方法としては、フォトリソグラフィ法やサンドブラスト法を用いることができる。そして、隣接する隔壁14間の下地誘電体層13上及び隔壁14の側面に蛍光体材料を含む蛍光体ペーストを塗布し、焼成することにより蛍光体層15が形成される。以上の工程により、背面ガラス基板11上に所定の構成部材を有する背面板10が完成する。所定の構成部材を備えた前面板2と背面板10とを走査電極4とアドレス電極12とが直交するように対向配置し、その周囲をガラスフリットで封着して放電空間16にキセノンXeとネオンNeなどを含む放電ガスを封入してPDP1が完成する。次に本発明の実施の形態における保護層9の詳細について説明する。本発明の実施の形態では、保護層9を、酸化マグネシウムMgOと酸化カルシウムCaOにアルミニウムを含有させたペレット状固体を原材料として電子ビーム蒸着法で形成した金属酸化物で構成している。さらに、金属酸化物は、保護層9面におけるX線回折分析において、酸化マグネシウムMgOのピークが発生する回折角と、そのピークと同一方位の酸化カルシウムCaOのピークが発生する回折角との間にピークが存在するとともに、カルシウムCaの濃度を1atm以上21atm以下とし、かつ、結晶方位面111のピークを有している。図3は、本発明の実施の形態におけるPDP1の保護層9におけるX線回折結果と、酸化マグネシウムMgO単体と酸化カルシウムCaO単体のX線回折分析の結果を示す図である。図3において、横軸はブラッグの回折角2θであり、縦軸はX線回折波の強度である。回折角の単位は1周を360度とする度で示し、強度は任意単位arbitraryunitで示している。また、図3中にはそれぞれの結晶方位面を括弧付けで示している。図3に示すように、結晶方位面111を例にとると、酸化カルシウムCaO単体の回折角は32.2度にピークを有し、また、酸化マグネシウムMgO単体の回折角は36.9度にピークを有していることがわかる。同様に、結晶方位面200では、酸化カルシウムCaO単体は37.3度にピークを有し、酸化マグネシウムMgO単体は42.8度にピークを有していることがわかる。一方、酸化マグネシウムMgOや酸化カルシウムCaOの単独材料のペレットや、それらの材料を混合したペレットを用いて薄膜成膜方法によって形成した本発明の実施の形態における保護層9のX線回折結果の特徴は、結晶方位面111のA点にそのピークを有しているものである。すなわち、本発明の実施の形態である保護層9を構成する金属酸化物は、少なくとも結晶方位面111に配向した金属酸化物であり、そのX線回折結果は、酸化カルシウムCaO単体と酸化マグネシウムMgO単体の回折角の間の回折角36.1度にピークが存在している。また、図3に示すように、保護層9を構成する金属酸化物のX線回折結果が、ピークとしてA点36.1度とB点41.9度を有していてもよい。すなわち、金属酸化物が結晶方位面111と結晶方位面200の両方に配向してもよい。その場合には、金属酸化物としては、結晶方位面111のピークA点の強度Daが、結晶方位面200のピークB点の強度Dbよりも大きくなるようにしている。すなわち、本発明の実施の形態である保護層9を構成する金属酸化物のX線回折結果は、結晶方位面111のそれぞれ単体の回折角の間のA点である回折角36.1度にピークが存在し、結晶方位面200では、それぞれ単体の回折角の間のB点である回折角41.9度にピークが存在している。したがって、このような特性を有する金属酸化物のエネルギー準位も酸化マグネシウムMgO単体と酸化カルシウムCaO単体との間に存在する。その結果、保護層9では、酸化マグネシウムMgO単体と比較して、良好な二次電子放出特性を発揮する。そのため、特に輝度を高めるために放電ガスとしてのキセノンXe分圧を高めた場合でも、放電電圧を低減して低電圧で高輝度のPDP1を実現することが可能となる。図4は、本発明の実施の形態におけるPDP1において、酸化マグネシウムMgOと酸化カルシウムCaOよりなる保護層9である金属酸化物中のカルシウムCaの濃度と、放電維持電圧との関係を示す図である。なお、カルシウムCaの濃度は、金属酸化物中のカルシウムCaとマグネシウムMg成分をXRDのピークシフト幅から見積もり、それらからカルシウムCaの濃度をatmで表示している。なお、縦軸の放電維持電圧は、保護層9として酸化マグネシウムMgOのみで構成した場合の放電維持電圧を基準として示している。放電維持電圧の測定はキセノンXeとネオンNeの混合ガス中キセノンXe分圧は15で実施した。図4より明らかなように、保護層9中である金属酸化物のカルシウムCaの濃度によって、PDP1の放電維持電圧が変化することがわかる。すなわち、カルシウムCaの濃度を増加させると、酸化マグネシウムMgOのみで構成した保護層9の場合に比べて、放電維持電圧は低下する傾向となり、所定の濃度を超えると増加する傾向となる。図4より明らかなように、カルシウムCa濃度を1atm~21atmの範囲となるようにすると、酸化マグネシウムMgO単体の保護層9を用いたPDPに比べて、放電維持電圧の値を約5以上低減することができる。一方、カルシウムCa濃度を3atm~15atmの範囲となるようにすると、放電維持電圧をさらに低減することが可能となり、酸化マグネシウムMgO単体の保護層9を用いたPDPに比べて、放電維持電圧の値を約10以上低くすることができる。したがって、例えば、放電ガスとしてキセノンXeとネオンNeの混合ガスを用いた場合に、キセノンXeの分圧を高めて輝度を上昇させ、その際の放電維持電圧の上昇を本発明の実施の形態における保護層9によって低減することができる。その結果、高輝度で低電圧駆動の可能なPDP1を実現することが可能となる。また、図5は、本発明の実施の形態におけるPDP1において、酸化マグネシウムMgOと酸化カルシウムCaOよりなる保護層9である金属酸化物中のカルシウムCaの濃度と、放電開始電圧との関係を示す図である。図5より明らかなように、放電開始電圧も放電維持電圧と同様の傾向を示し、カルシウムCa濃度を1atm~21atmの範囲となるようにすると、酸化マグネシウムMgO単体の保護層9を用いたPDPに比べて、放電開始電圧の値を約5以上低減することができる。また、カルシウムCa濃度を3atm~15atmの範囲となるようにすると、放電開始電圧をさらに低減することが可能となり、酸化マグネシウムMgO単体の保護層9を用いたPDPに比べて、約10以上低くすることができる。次に、本発明の実施の形態におけるPDP1において、保護層9形成前の酸化マグネシウムMgOと酸化カルシウムCaOからなる金属酸化物にストロンチウムSrを重量比率で0.1ppm以上10ppm以下含有させた。その理由について説明する。図6は、本発明の実施の形態におけるPDP1において、保護層9形成前の酸化マグネシウムMgOと酸化カルシウムCaOからなる金属酸化物に含有させたストロンチウムSrの濃度と電子放出性能との関係を示す図である。図6より、ストロンチウムSrを含有させると、ストロンチウムSrを含有させない時と比べ、電子放出性能が高くなる事がわかる。一般的にはPDPの保護層の電子放出能力と電荷保持能力は相反する。電子放出性能を向上することが可能である一方、電荷保持能力が低下してしまう。電荷保持性能は、PDPとして作製した場合に電荷放出現象を抑えるために必要とする走査電極に印加する電圧以下、Vscn点灯電圧と呼称するの電圧値を用いた。すなわち、Vscn点灯電圧の低い方が電荷保持能力の高いことを示す。このことは、PDPを設計する上で、電源や各電気部品として、耐圧及び容量の小さい部品を使用することが可能となる。現状の製品においては、Vscn点灯電圧を順次印加するためのMOSFETなどの半導体スイッチング素子には、耐圧150V程度の素子が使用されており、Vscn点灯電圧としては、温度による変動を考慮して120V以下に抑えるのが望ましい。図7は、本発明の実施の形態におけるPDP1において、保護層9形成前の酸化マグネシウムMgOと酸化カルシウムCaOからなる金属酸化物に含有させたストロンチウムSrの濃度とVscn点灯電圧との関係を示す図である。図7より、ストロンチウムSrを含有させることにより、Vscn点灯電圧が上昇し、Vscn点灯電圧を120V以下に抑制するのに、ストロンチウムSr濃度を10ppm以下にする必要があることがわかる。以上の結果より、本発明の実施の形態におけるPDP1において、保護層9形成前の酸化マグネシウムMgOと酸化カルシウムCaOからなる金属酸化物に含有させたストロンチウムSrの濃度が10ppm以下であれば、ストロンチウムSrによって、電子放出性能を向上させることが可能であるとともに、電荷保持性能の評価において、Vscn点灯電圧を120V以下にすることができる。したがって、高精細化により走査線数が増加し、かつセルサイズが小さくなる傾向にあるPDPに対しては、電子放出能力と電荷保持能力の両方を満足させることができる。