パワー半導体12の温度Tを決定するための方法であって、第1の制御コンタクト22aが、前記パワー半導体12に集積された直列抵抗器14の第1の極に接続され、前記直列抵抗器14の、前記パワー半導体12へ延びている第2の極が、第2の制御コンタクト22bに接続され、-第1の制御コンタクト22aおよび第2の制御コンタクト22bが、それぞれのボンディングワイヤ16を介して、第1の接続端子24aおよび第2の接続端子24bに接続され、-前記直列抵抗器14の抵抗値RVが、前記2つの接続端子24a、b間の電気測定によって決定され、-前記直列抵抗器14の前記抵抗値RVおよび温度-抵抗特性曲線26に基づいて、前記直列抵抗器14の温度Tが、前記パワー半導体12の温度として決定される方法。前記測定が、動作電流IBを用いた、前記第1の制御コンタクトの、動作上管理された通電中に行われる請求項1に記載の方法。前記測定が、前記2つの制御コンタクト22a、bを介して供給される測定電流IMを用いて行われる、請求項1または2に記載の方法。前記特性曲線26が、前記パワー半導体12における較正手順に基づいて決定される、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。前記パワー半導体12が、集積された温度センサ30を備えたキャリア回路基板28上に実装され、前記特性曲線26が、前記温度センサ30を用いて、前記パワー半導体12の無負荷動作中に決定される、請求項1~4のいずれか一項に記載の方法。前記パワー半導体12が、それぞれの制御コンタクト22a、bと共に複数の直列抵抗器14を有し、前記方法が、直列抵抗器14の中の、最大の熱ストレスにさらされる直列抵抗器上で実行される、請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。前記パワー半導体12が、それぞれの制御コンタクト22a、bと共に複数の直列抵抗器14を有し、前記方法が、直列抵抗器14のうちの複数または全てにおいて実行される、請求項1~6のいずれか一項に記載の方法。本発明の目的は、パワー半導体の温度を決定するための改善された方法を特定することである。この目的は、特許請求項1による方法によって達成される。本発明は、集積ゲート抵抗器が、特に空乏層の近くに位置し、かつ温度依存性であるという洞察に基づいている。したがって、前記ゲート抵抗器の抵抗値は、チップにおける実際の内部温度に依存する。本発明は、次の概念に基づいている。すなわち、チップとして具体化されたパワー半導体の場合には、第2の制御コンタクトがまた、両側において内部ゲート抵抗器への直接電気アクセスを提供するために、第1の制御コンタクトの接合とここで一緒に、ボンディングワイヤを用いて接続可能だという概念に基づいている。したがって、内部抵抗器の両方の接続部は、電気コンタクトによってアクセス可能にすることができる。内部ゲート抵抗器が温度依存性であるので、温度検出は、ここで前記ゲート抵抗器を介して間接的に行うことができる。チップ上のいわゆる補助窓は、第2の制御コンタクトを形成するが、一般に、そのジオメトリの点から、例えば75μmの直径を有するボンディングワイヤによって、十分に接合可能である。したがって、本発明によれば、チップの第1および第2の制御コンタクトは、それぞれのボンディングワイヤを介して、第1の接続端子および第2の接続端子に接続、すなわち接合される。次に、接続端子だけが、さらなる電気回路またはコンタクト接続部によって外部的にアクセス可能である。本発明によれば、直列抵抗器の抵抗値は、2つの接続端子間の電気測定によって決定される。直列抵抗器の抵抗値および温度-抵抗特性曲線に基づき、続いて、直列抵抗器の温度が、パワー半導体の温度として決定される。本発明によれば、両側における抵抗器への電気的アクセスは、接続ワイヤおよび接続端子を介して提供される。温度に対するオンチップ集積直列抵抗器の依存性は、電荷キャリアの相互の移動性に比例する。移動性は温度が上昇するにつれて減少し、その結果、抵抗は、温度が上昇するにつれて増加する。抵抗を評価するために、内部ゲート抵抗器における電流および電圧を測定することが必要である。次に、電流および電圧は、等価抵抗値に、および特性曲線を介して温度値に簡単な方法で変換することができる。測定可能な電流フローは、スイッチング電流が第1の制御コンタクトに供給されるか、またはそこから除去される場合にのみ、すなわち、例えば、IGBTのスイッチオンまたはスイッチオフ動作中にのみ、直列抵抗器に存在する。したがって、本発明の第1の実施形態において、測定は、動作電流を用いた、第1の制御コンタクトの、動作上管理された通電中に行われる。換言すれば、動作電流は、測定電流として用いられる。したがって、本発明の第1の実施形態において、動作電流が測定され、同時に直列抵抗の両端にわたる電圧が決定される。代替実施形態において、測定は、2つの制御コンタクトを介して明示的に供給される測定電流によって実行される。この目的のために、例えば、一般により高い抵抗を有するさらなる抵抗器を、例えば補助窓にコンタクト接続される対応する抵抗器用の第2の制御コンタクトに接続することがまた可能である。次に、小さな電位差によって、小さな補助電流または測定電流が、直列抵抗器において任意の所望の時点で生成可能であり、現在の抵抗値の測定は、ここで行うことができる。次に、温度測定は、例えば、IGBTにおけるスイッチング動作とは結合されない。本発明のさらなる実施形態において、特性曲線は、パワー半導体における較正手順に基づいて決定される。これは、例えば、各個別チップ、チップ列またはチップタイプ用に行うことができる。例として、パワー半導体の最初の起動前に、自動較正を行うことができ、その間に、特定の特性曲線が決定される。次に、特性曲線は、方法において前記特性曲線を用いることができるように、前記チップ用に固定して永久に記憶することができる。好ましい一実施形態において、チップは、キャリア回路基板DCB、直接銅接合に実装されるが、このキャリア回路基板は、上記の専用温度センサをさらに有する。次に、特性曲線を、温度センサを用いて、パワー半導体の無負荷動作中に決定することができる。較正手順の文脈において、チップと温度センサとの間の温度平衡を保証することができるか、またはこの場合には周知の差温が、ここにおいてある状況下で支配的であるので、正確な温度較正を、キャリア回路基板の温度センサによって行うことができる。特に、チップが無負荷動作中なので、例えばチップの動作中などの局所的な熱擾乱は生じない。すなわち、たとえチップが、例えば負荷電流の結果として廃熱を発生しても、前記廃熱は、チップにおいてのみ局所的に反映され、温度センサでは反映されない。換言すれば、チップが回路基板に実装され、かつ回路基板が従来の温度センサ、例えば上記のNTCを有する場合には、NTC温度は、チップの無負荷動作中の基準として、実際の抵抗器温度用に使用することができる。今日、IGBTの形態をした周知のチップは、単一の内部ゲート抵抗器または直列抵抗器を有する。しかしながら、最近の開発に関連して、複数の内部直列抵抗器を有するチップがまた考えられる。代替として、複数のIGBTによって形成された並列回路が考えられる。複数の内部直列抵抗器を有する構成がまた、このようにして現れる。これらおよび他の類似の状況において、互いに熱的に結合された複数の直列抵抗器であって、その各個別の抵抗器が、本発明に従って温度測定用に使用できる複数の直列抵抗器を有する構造が現れる。有利な一実施形態において、言及した1つまたは複数のパワー半導体またはチップが、2つのそれぞれの制御コンタクトと共に複数の直列抵抗器を有する。次に、方法は、所望の測定用に最良の初期位置を提供することが分かっている、直列抵抗器の1つにおいて実行される。例として、耐用年数を決定するために、そのポジショニングゆえに最大の熱ストレスにさらされることが分かっている直列抵抗器が選択される。したがって、換言すれば、複数の直列抵抗器を有するチップ用に、最大熱負荷にさらされる直列抵抗器だけが、このようにチップの最大温度負荷を決定するために評価される。したがって、例えば、耐用年数推定等に関して、温度の最悪事態の評価が可能になる。説明したようなパワー半導体が、同様に、制御コンタクトをそれぞれ備えた複数の直列抵抗器を有する代替実施形態において、方法は、直列抵抗器のうちの複数または全てにおいて実行される。例として、直列抵抗器のうちの複数または全てによって形成された直列回路によって、全ての対応する測定位置の平均温度を決定することが可能である。代替としては、例として、それぞれの個々の測定を行うこと、および続いて、個々の直列抵抗器の様々な決定温度の選択または平均化を行うことがまた可能である。本発明のさらなる説明のために、いずれの場合も基本的な概略図の図面における例示的な実施形態に言及する。図1は、チップ2として集積して具体化された、IGBT形態のパワー半導体を示す。図1は、チップ2を平面図で、すなわち前記チップの上面4からの一部を示す。上面4において、処理されたシリコン基板上に配置された金属化表面の形態でコンタクト接続される窓、すなわち、4つのエミッタ窓6およびまた1つのゲート窓8および1つの補助窓10を見ることができる。オンチップ回路は、図1において破線によって示されている。実際のパワー半導体12、すなわち集積半導体構造としてのIGBTは、そのエミッタEによって、4つのエミッタ窓6と並列に接続される。コレクタCは、コレクタ接続部11図3を参照として全エリア金属化の形態をしたチップ裏面図1では見えないに通じる。パワー半導体12のゲートGは、補助窓10に直接コンタクト接続される。ゲートGは、抵抗値RVを有するオンチップ直列抵抗器14を介して、ゲート窓8に接続される。チップ2自体は、直接コンタクト接続すること、例えばはんだ付けすることはできない。この目的のために、最初に、いわゆる接合を行わなければならない。パワー半導体12をコンタクト接続するために、エミッタ窓6は、ボンディングワイヤ16を用いて、エミッタ接続端子20に接続される。コレクタCは、コレクタ接続部11を介して直接はんだ付けすることができる。例として、チップ裏面は、平面状にはんだ付けされる。チップ2の第1の制御コンタクト22aとしてのゲート窓8は、ボンディングワイヤ16を介して第1のゲート接続端子24aに同様に接続される。したがって、動作中に、パワー半導体12の回路相互接続または電気的な駆動は、コレクタ接続部11ならびにまた接続端子20および24aを介して達成される。補助窓10は、先行技術に従っては用いられない。本発明によれば、第2の制御コンタクト22bとしての補助窓10は、第2のゲート接続端子24bに接続される。本発明によれば、次に、直列抵抗器14の両端にわたって降下された電圧UR、および直列抵抗器14を流れる電流IRが、接続端子24a、bにおいて測定される。直列抵抗器14の値RVは、これら2つの変数から決定することができる。図2は、特性曲線26を示すが、特性曲線26は、直列抵抗器14に適用可能であり、かつ直列抵抗器14のオームにおける抵抗値RVと、°Cにおける温度との関係を再現する。この場合に、直列抵抗器14の温度は、チップ2またはパワー半導体12の温度と、特にIGBTの場合にはその接合部温度と等しくすることができる。なぜなら、直列抵抗器14が、同様に、同じ半導体基板に集積されて位置しており、したがって、チップ2におけるこれらのそれぞれのコンポーネント間の熱的な均一性を仮定することが事実上可能であるからである。したがって、本発明によれば、パワー半導体12の温度は、特性曲線26、ならびに電圧URおよび電流IRから決定された抵抗値RVによって決定される。この場合に、第1の実施形態において、電流IRは、パワー半導体12においてスイッチング動作中に流れる動作電流IBである。したがって、電流IRは、接続端子24aを介して直列抵抗器14へ、かつそこからパワー半導体12のゲートGへともっぱら流れる。接続端子24bにおいて、電流フローは測定されず、より正確に言えば、可能な最小測定装置電流は別として電流なしに電圧URだけが測定される。対照的に、代替実施形態では、電流は、パワー半導体12のゲートGへは流れない。なぜなら、パワー半導体12が、現在、スイッチング動作中ではないからである。次に、上記の代替として、電気回路が、接続端子24a、直列抵抗器14、および接続端子24bを介して形成され、電流IRが、前記電気回路を通って流れる。上記のスイッチング電流とは対照的に、そのときIRは、純粋な測定電流IMである。この場合に、電圧URは、接続端子24a、b間で同じ方法で決定される。さらなる実施形態では、特性曲線26は、較正手順において前もって決定されるが、この場合に、チップ2は、例えば熱キャビネットにおいて特定の温度に、例えば熱キャビネットにおける測定ゆえに周知の温度Tに加熱され、次に、電気抵抗値RVが、周知の温度Tに関連して決定される。図3は代替実施形態を示す。この場合に、チップ2は、キャリア回路基板28上に、前記キャリア回路基板にはんだ付けされる前記チップのコレクタ接続部11によって実装される。チップと直に並んで、温度センサ30が、さらに、キャリア回路基板28に実装される。一方で次に、特性曲線26は、キャリア回路基板28およびチップ2から構成された機構全体が加熱され、温度が、各場合に温度センサ30によって決定されるようなやり方で、決定される。次に、関連する抵抗RVが、電圧URおよび電流IRの上記の測定によって再び決定される。この測定は、特にパワー半導体12の無負荷動作中に、すなわちそのコレクタCおよびエミッタEが電圧を印加されず、電圧がないときに行われる。これによって、追加的に発生される廃熱がチップ2内で生じず、かつ温度センサ30の温度測定が正確な結果をもたらすことが保証される。図3は、チップ2またはパワー半導体12の実施形態をさらに示すが、このチップ2またはパワー半導体12は、複数の直列抵抗器14と、アクセス可能な、それぞれ互いに接続された複数の制御コンタクト22a、b一部は図示せずおよびまた接続端子24a、b一部は図示せずと、を内部に有する。第1の実施形態において、上記の方法は、図示の直列抵抗器14の中の直列抵抗器であって、最大の熱ストレスにさらされる直列抵抗器上でのみ実行される。方法の代替実施形態では、パワー半導体12のそれぞれの温度をできるだけ正確に決定するために、方法は、直列抵抗器14のうちの複数または全てにおいて実行され、起こり得る異なる温度のそれぞれの選択または伝達が行われる。