シリコンの結晶化のためのるつぼの製造方法であって、固体および液体を含むスラリーを用意する段階を備え、前記固体は、シリコン金属粉末と、25w/w以下のSiC粉末と、10w/w以下のSiNと、0.5w/w以下の触媒と、1w/w以下のバインダと、から成り、前記製造方法はさらに、前記スラリーからるつぼ素地を形成する段階と、前記シリコンの少なくとも一部を反応させて窒化シリコンを生成するべく前記るつぼ素地を窒素雰囲気下で加熱する段階とを備え、前記窒素雰囲気は、任意で不活性ガスを含む製造方法。前記シリコン金属粉末の粒径は、0μmから100μmの範囲内であり、好ましくは0μmから45μmの範囲内である請求項1に記載の製造方法。前記固体の少なくとも75w/wは、シリコン金属粉末である請求項1または2に記載の製造方法。前記固体は、15w/w以下のSiC粉末を含む請求項1から3のいずれか一項に記載の製造方法。前記触媒はFeOである請求項1から4のいずれか一項に記載の製造方法。前記バインダは水性ポリマー分散である請求項1から5のいずれか一項に記載の製造方法。前記不活性ガスは、アルゴン、ヘリウムおよびこれらの組み合わせから選択される請求項1から6のいずれか一項に記載の製造方法。任意で不活性ガスを含む前記窒素雰囲気の圧力は、200mbarと1400mbarとの間である請求項1から7のいずれか一項に記載の製造方法。前記加熱する段階は、摂氏1050度を超える温度で、好ましくは摂氏1250度を超える温度で、より好ましくは摂氏1400度を超える温度で実行される請求項1から8のいずれか一項に記載の製造方法。前記加熱する段階は、3日間から14日間かけて摂氏1000度を超える温度で実行される請求項1から9のいずれか一項に記載の製造方法。前記シリコン金属粉末は、二峰性または多峰性の粒径分布を持つ請求項1から10のいずれか一項に記載の製造方法。請求項1から11のいずれか一項に記載の製造方法で得られるるつぼ。ASTMC-20に応じて測定される見掛け気孔率が、14から25である請求項12に記載のるつぼ。密度が2.3kg/dm3から2.6kg/dm3である請求項12または13に記載のるつぼ。シリコンの結晶化を行うための請求項11から請求項14のいずれか一項に記載のるつぼの使用。前記シリコンは単結晶シリコンである請求項15に記載の使用。前記シリコンは多結晶シリコンである請求項15に記載の使用。本発明は、先行技術の欠点のうち少なくとも一部を克服するるつぼ、特に、再利用可能なるつぼ、および/または、特性が向上したシリコンインゴットの製造が可能となるるつぼの製造を可能にすることを目的とする。上記の目的は、本発明に係る方法で実現される。本発明に係る方法は、るつぼの製造方法であり、固体および液体を含むスラリーを用意する段階と、スラリーからるつぼ素地を形成する段階と、るつぼ素地を窒素雰囲気下で加熱して、シリコンの少なくとも一部を反応させて窒化シリコンを発生させる段階とを備える製造方法である。固体は、シリコン金属粉末、25w/w以下のSiC粉末、10w/w以下のSiN、0.5w/w以下の触媒、および、1w/w以下のバインダから成る。窒素雰囲気は任意で、不活性ガスを含む。本発明によると、第1の段階においてスラリーを用意する。当該スラリーは、固体および液体を含む。固体のうち、少なくとも60重量はシリコン金属粉末粒子である。固体および液体の混合物のうち、固体は、開けた環境で、通常の圧力下で、摂氏250度の温度で、24時間にわたって当該混合物を加熱することによって、取り出すことができる。混合物からこのようにして得られた固体のうち、少なくとも60重量は、シリコン金属粉末である。本発明に係るシリコン金属粉末は、金属光沢を持つ銀白色または濃灰色の粉末である。多くの企業が製造しており、さまざまな粒径のものを購入可能である。本発明に係る粉末は、粒径が500μm以下の材料である。一部の実施形態によると、100μm未満または45μm未満の粒径のものが有用である。また、さまざまな粒径のシリコン粉末を利用することが可能であり、または、他の材料と共に利用することも可能である。本発明によると、シリコン金属粉末を液体と組み合わせる。好ましい液体は水であるが、有機溶媒、または、有機溶媒および水の混合物も同様に利用され得る。粒子は通常、例えば、0μmから100μm、または、0μmから45μmの範囲内の粒径のものが利用される。このような場合、粒子の粒径はそれぞれ、100μm以下、または、45μm以下という。一実施形態によると、粒径は、粒径中央値に基づいて決まる。この場合、ISO9276-5に応じて粒径分布を分析する。質量中央粒径によって、粒子は、2つのグループに分けられる。粒子の質量のうち50は大型に、粒子の質量のうち50は小型に分類される。これは、d50と呼ぶ。この場合、平均質量粒径は、15μmと75μmとの間であることが好ましい。別の実施形態によると、最も発生頻度が高い粒径範囲を用いて粒径分布の特徴とする。これは最頻値モードと呼ぶ。最頻粒径は15μmから75μmであることが好ましい。少なくとも2つの異なる粒径分布を混合することによって、総粒径分布は少なくとも二峰性となる。これが特に好ましい。二峰性の混合物の場合、近接する粒径よりも発生頻度が高い粒径が2つある。一部の実施形態では、るつぼ素地を形成するスラリーは、さらにSiC粉末を含む。SiC粉末が含まれている場合、固体のうち少なくとも1重量の量が含まれ、少なくとも5重量であることが好ましい。一部の実施形態によると、SiC粉末の量は、固体のうち10重量以下であり、または、20重量以下であり、または、25重量以下である。SiCが存在することで熱伝導性がさらに高くなる。一部の実施形態によると、当該混合物はさらに触媒を含む。固体のうち約0.5重量以下の量で充分であることが分かっている。好ましい触媒の一例としてFeOが挙げられる。他の実施形態によると、当該材料はバインダを含む。バインダは、るつぼ素地を安定化させる機能を持つとしてよい。バインダの量としては通常、混合物のうち1.0重量で充分である。適切なバインダは、例えば、水性ポリマー分散である。どの有機材料も、焼成処理の早い段階において材料から燃焼で除去され、最終製品であるるつぼ内には存在しない。るつぼ素地を形成する材料はさらに、窒化シリコンを含むことが可能である。るつぼ素地の製造には窒化シリコンを利用しないことが好ましい。窒化シリコンの量は、固体材料のうち10重量を超えないようにしなければならず、固体材料のうち、好ましくは5を超えないように、さらに好ましくは、1を超えないようにすることが好ましい。材料を混合させる際には、ボールミルを利用することが可能である。窒化シリコンボールを研削媒体として利用することが可能である。この材料は、シリコン結晶化のためのるつぼの素地を形成するために用いられる。るつぼとは、高温摂氏1000度を超える温度に耐えることが可能な容器である。るつぼは、大きな開口が1つあり、カップの形状を持つ。るつぼは、円形、矩形等、多くの異なる形状を持つとしてもよい。るつぼ素地を形成する実施形態は、スリップキャスティング、圧力鋳造、凍結鋳造、ゲル鋳込等である。素地は、本明細書で用いる場合、スラリーから得られる成形された物体を意味する。素地は、固体、液体、および、任意で有機材料を含み、展延性を持つ。一実施形態によると、スラリーはモールドを利用してるつぼへと形成される。るつぼの外形寸法を持つモールドに本発明に係る材料を充填し、内面はプランジャーを当該材料内に押し込むことによって形成される。他の実施形態では、平坦な構成要素を製造することによって、るつぼの部品を形成することも可能である。これらの構成要素は、所定の形状に形成または切断されるとしてよい。これによって、複数の構成要素を組み合わせて、るつぼの壁部および底部を得ることができる。るつぼの気密性を保証するべく、このように組み立てたるつぼ素地の端縁をスラリーでさらに充填することが可能である。好ましい一実施形態によると、成形後室温で短時間スラリーを乾燥させる。これによってるつぼ素地が安定化する。次の段階では、るつぼ素地を窒素雰囲気下で加熱する。加熱処理は、例えば、炉で行うことができる。炉の温度は、徐々に昇温させる。加熱処理は、窒素を含む雰囲気下で行う。当該雰囲気は、任意で不活性ガスを含む。通常の不活性ガスは、アルゴンまたはヘリウムである。炉の温度が約摂氏1000度に到達すると、金属シリコンが窒化シリコンに変化し始める。炉の種類によっては、炉内の圧力降下によってこの変化が観察され得る。好ましい実施形態によると、加熱段階の温度は、少なくとも約摂氏1050度まで昇温させる。好ましくは摂氏1250度を超える温度まで、より好ましくは摂氏1400度を超える温度まで昇温させる。るつぼの壁部の厚みに応じて、シリコン金属から窒化シリコンへの変化は、十分な時間を必要とする。この変化は通常、数日間かけて行われる。好ましい実施形態によると、加熱処理は、少なくとも3日間にわたって、摂氏1000度を超える温度で行われる。通常は、摂氏1000度を超える温度で10日間以下の期間で加熱する処理が十分といえる。シリコンから窒化シリコンへの変化は発熱反応であるので、加熱しすぎてシリコンが融解してしまわないように、窒素の圧力および温度を制御することが重要である。窒化シリコンへと変化させる場合には、加熱段階において窒素雰囲気を維持することが重要である。通常は、任意で不活性ガスを含む窒素含有雰囲気の圧力は、200mbarと1400mbarとの間である。加熱段階において、窒素の分圧は少なくとも100mbarであることが好ましい。驚くべきことに、本発明に係る製造方法で得られるるつぼは、優れた特性を持つ。当該るつぼは、他のるつぼに比べて、気孔率が14から25の範囲内と非常に低いASTMC-20に応じて見掛け気孔率として測定される。これは、気孔率が40から60であると開示している国際公開広報2004/016835とは明らかに差がある。また、密度が2.3kg/lから2.6kg/lの範囲内と高く、先行技術に係る窒化シリコン製のるつぼよりも高くなる。密度は、2.4kg/l以上、2.45kg/l以上または2.5kg/以上であることが好ましい。国際公開広報2004/016835A1号が開示しているるつぼは、密度が1.85kg/lと低い。本発明に係るるつぼを利用すると高品質のインゴットが製造できることが分かった。ある材料の耐熱衝撃性は、以下の式に応じて推定され得る。Rs=λσf/aE式中、Rs=耐熱衝撃性λ=熱伝導率σf=曲げ強さa=熱拡張係数E=弾性係数本発明に係るるつぼは、曲げ強さおよび熱伝導率が高くなっているので、寿命が改善され、複数回にわたって再利用が可能である。本発明の別の実施形態は、るつぼの製造方法である。当該製造方法は、固体および液体を含むスラリーを用意する段階と、当該スラリーからるつぼ素地を形成する段階と、当該るつぼ素地を窒素雰囲気下で加熱して、シリコンの少なくとも一部を反応させて窒化シリコンに変化させる段階とを備え、固体のうち少なくとも60w/wはシリコン金属粉末であり、窒素雰囲気は任意で不活性ガスを含む。本発明によると、最終製品は、有機材料を含んでおらず、実質的に無機酸素含有材料を含んでいない。つまり、SiO2、Al2O3等の物質が無い。液体およびバインダ等の有機材料に起因して、スラリーに酸素が含まれている可能性がある。るつぼに含まれる酸素含有無機化合物は、全く無いか、または、非常に少量<0.5w/wである。本発明は、以下に記載する例に限定されないが、以下の例を参照することでより詳細に説明される。<例1>10μm未満の粒径および45μm未満の粒径1:1、重量比のシリコン粉末、および、固体の約25重量の水、および、水性ポリマー分散をバインダとするのから混合物を用意する。プレート構成要素は、当該混合物から形成し、室温で約24時間にわたって乾燥させる。水噴射カッターで必要な寸法に切断されて、るつぼの側壁および底部用の構成要素を形成する。これらの構成要素は、一例に係るスラリーを用いて組み合わせて固定される。るつぼ素地は、6時間にわたって約摂氏600度まで加熱された後、温度を徐々に約摂氏1050度まで昇温させて、炉の圧力が降下するまで昇温させる。約500mbarの窒素雰囲気を用いて焼成を行う。この温度は、さらなる加熱処理において、徐々に摂氏1250度まで昇温させて、最終的には、続く4日間で摂氏1400度まで昇温させる。るつぼはこの後、残り24時間にわたって、摂氏1400度の温度で保持する。この期間中、窒素の分圧を徐々に昇圧させて、反応速度を制御する。<例2>粒径が45μm未満のシリコン金属粉末と、20重量の100μm未満の粒径および10μm未満の粒径のSiC粉末1:3、重量比とを混合する。25固体の重量のうちの水を追加して、混合物をモールド内に充填する。当該モールドが、るつぼの外面となる。内面は、プランジャーを材料内に押し込むことによって形成される。30分間にわたって室温で乾燥させた後、るつぼ素地をモールドおよびプランジャーから取り外して、例1の条件で焼成する。