有機オプトエレクトロニックデバイス、例えば有機発光ユニットダイオードを使用するディスプレイ、照明または信号デバイス、であって、前記デバイスが、密封カプセル化多層構造で被覆した少なくとも一個の活性発光区域を有する発光ユニット、及び前記または各活性区域に隣接する電気的接続区域を含んでなり、前記カプセル化構造が、内部多層F1/C1を包含する、n個の無機フィルムF1、、Fn/感光性重合体層C1、、Cn多層を含んでなり、前記フィルムF1が、前記または各活性区域を覆い、液相で堆積した層C1が上に載っており、前記または各層C1、、Cnがパターン化され、隣接する前記接続区域の手前で途切れる少なくとも一個の構造化された包み込み部分において、前記または各活性区域の周縁部の周りに伸びることにより、前記フィルムF1、、Fnを覆い、n≧2の場合、前記または各層C2、、Cnが、すぐ下にある前記多層の前記層C1、、Cn-1を包み込む構造になっているので、前記または各層C1、、Cnが前記フィルムF1、、Fnを不動態化し、下方の前記または各活性区域の側部を、この層C1、、Cnのパターン化に使用する溶剤及び現像溶液から保護する、デバイス。前記または各層C1、、Cnが、ポジ型フォトリソグラフィーレジストに基づく、請求項1に記載のデバイス。前記または各フィルムF1、、Fnが、原子層堆積またはプラズマ強化化学蒸着により堆積され、式AlxOy、SiOx、SixNy、SiOxNy、ZnSe、Sb2O3の化合物及び所望により金属と組み合わせた透明導電性酸化物化合物からなる群から選択される少なくとも一種の無機化合物に基づく、請求項1または2に記載のデバイス。前記または各フィルムF1、、Fnが、ALDにより堆積され、所望により式SiOx、SixNyまたはSiOxNyの化合物と組み合わされる少なくとも一種の酸化アルミニウムAlxOyに基づき、前記または各層C1、、Cnの前記少なくとも一つの包み込み部分が、前記フィルムの周囲を越えて前記発光ユニットに伸びる、請求項3に記載のデバイス。前記または各フィルムが、ALDにより堆積され、少なくとも一種の透明導電性酸化物に基づき、所望により金属、例えば式ZnOの酸化亜鉛またはZnO:Alの薄膜と組み合わされ、前記または各層C1、、Cnの前記少なくとも一つの包み込み部分が、伸びてこのフィルムの周囲と接触する、請求項3に記載のデバイス。前記または各活性区域を分離している前記または各層C1、、Cnが、それ自体、前記または各活性区域の上に載り、かつ、その全てまたはその対応する最後の層C1、、Cn及びその隣接する接続区域を覆っている外部の無機誘電体バリヤーフィルムで覆われ、この層の前記少なくとも一つの包み込み部分を外部から分離する、請求項1~5のいずれか一項に記載のデバイス。保護プレートをさらに備え、前記プレートが、前記または各活性区域の上に載る前記カプセル化構造に接着剤により圧力下で接着し、前記または各活性区域を包み込む前記部分に刻み目を付け、例えば前記部分に規則正しい銃眼形状を与え、このユニットに対する包み込み部分の接着に悪影響を与えずに、前記接着剤と、前記発光ユニットの2個の隣接する包み込み部分の間に位置する区域との間の接触を最大にする、請求項1~6のいずれか一項に記載のデバイス。前記または各層C1、、Cnがパターン化され、この層が含む前記少なくとも一つの包み込み部分が、活性区域をカプセル化することにより、連続的に前記または各活性区域の前記縁部を越える突き出た周囲の包み込み部分、及びこの突き出た部分からある距離だけ離れた位置にあり、この部分を取り囲む少なくとも一つの補助的な周囲の包み込み部分を含んでなり、複数の補助部分の場合、互いに取り囲み、前記外側の無機誘電体バリヤーフィルムがこれらの補助部分を覆い、互いに平行にあり、基材の平面に対して直角な複数の表面を形成し、その表面が、前記または各活性区域に向かう水蒸気の横方向の浸透に対して多くの障害物を形成する、請求項6に記載のデバイス。前記デバイスが、多数の活性区域、例えばマイクロディスプレイ、を含んでなり、前記区域は、全てフィルムF1、、Fn、及び層C1、、Cnが上に載っており、それぞれ下方の前記縁部を越えているが、各隣接活性区域の前記隣接する包み込み部分からある距離だけ離れており、外部の無機誘電体フィルムが所望により、活性区域の各層またはそれぞれの最後の層の上に載り、それらの隣接する接続区域も覆っている、請求項1~8のいずれか一項に記載のデバイス。前記デバイスが、前記または各活性区域により規定される少なくとも一個のカラーマイクロディスプレイを形成し、前記マイクロディスプレイの各画素に対応する反対色のドットに対するカラーフィルターまたは色変化手段を含んでなる、請求項9に記載のデバイス。デバイスの側部の少なくとも一方に、前記発光ユニットで被覆された基材を含んでなり、前記発光ユニットが、内部及び外部の少なくとも2個の電極を含んでなるOLEDユニットであり、前記電極の間に発光構造が挟まれており、少なくともその一方が、放射される光に対して透明であるデバイスであって、カプセル化構造が、前記外部電極を覆っている、請求項1~10のいずれか一項に記載のデバイス。請求項1~11のいずれか一項に記載のデバイスをカプセル化する方法であって、a内部無機フィルムF1を前記少なくとも一つの活性区域上に、例えば前記発光ユニットの外部電極上に、原子層堆積により、またはプラズマ強化化学蒸着により堆積させる工程であって、前記フィルムF1が、式AlxOy、SiOx、SixNy、SiOxNy、ZnSe、Sb2O3の化合物及び所望により金属と組み合わせた透明導電性酸化物からなる群から好ましくは選択される少なくとも一種の無機化合物に基づく工程、b前記発光ユニットを、液相で、例えばスピンコーティングにより、堆積させた内部の感光性重合体層C1で覆うことで、前記層が連続的に前記または各フィルムF1及び隣接する接続区域も覆う工程であって、接着促進剤、例えばシラン、を所望により、前記フィルムF1上に前もって堆積させる工程、c前記層C1を、発光ユニットの予め設定した領域で、前記層C1を露光放射線から選択的にマスキングして露光させ、一方で、前記露光に続いて、前記フィルムF1で覆われた前記または各活性区域の上、及び前記または各隣接活性区域の前記包み込み部分からある距離だけ離れて位置する前記少なくとも一つの包み込み部分の中で重合し、他方、前記または各接続区域を含む前記ユニットの前記区域の残り全体にわたって解重合し、前記重合した層C1が前記フィルムF1及び前記または各活性区域をカプセル化し、工程dの際にそれらを保護する工程、d前記重合した層C1を、浴中に、例えば水酸化テトラメチルアンモニウムの浴中に、浸漬することにより現像する工程であって、所望により、前記層C1を追加露光する工程、及び次いでe前記工程a~dを所望により少なくとも一回繰り返し、少なくとも一つの他の無機フィルムF2、、Fn/感光性重合体層C2、、Cn多層を堆積させる工程であって、前記または各フィルムF2、、Fnが、層C1、、Cn-1上に堆積し、前記または各重合層C2、、Cnが層C1、、Cn-1を包み込む工程を連続的に含んでなる、方法。前記層C1、、Cnには、ポジ型フォトリソグラフィーレジストに基づく層を使用し、工程cで、前記または各活性区域の上にある前記層C1、、Cnが、前記周縁部に面し、かつ、越えるマスクにより選択的にマスクされるので、この層が露光から保護され、前記少なくとも一つの対応する包み込み部分を含めて重合したままになり、これとは対照的に、この層C1、、Cnの残りの部分では、この露光により解重合し、溶解する、請求項12に記載の方法。式AlxOy、SiOx、SixNy、SiOxNy、ZnSe及びSb2O3の化合物からなる群から選択された少なくとも一種の誘電体無機化合物が、工程aで堆積される前記または各フィルムF1、、Fnに使用され、工程dに続いて、前記または各層C1、、Cnの前記少なくとも一つの包み込み部分が、発光ユニットの上で、このフィルムの周囲を越えて伸びる、請求項12または13に記載の方法。金属、例えば式ZnOの酸化亜鉛またはZnO:Alの薄膜と所望により組み合わされた少なくとも一種の透明導電性酸化物が、工程aで堆積されるべき前記または各フィルムに使用され、工程dに続いて、このフィルムが、前記または各活性区域の上に載る突き出た重合層C1、、Cnをマスクとして使用し、湿式エッチングされ、この層の前記少なくとも一つの包み込み部分が伸びてこのフィルムの周囲と接触し、このフィルムがその他の所では前記ユニットから除去される、請求項12または13に記載の方法。工程dに続いて、前記または各重合層C1、、Cnを乾式エッチング操作、例えば反応性イオンエッチング法または酸素プラズマ、を使用してエッチングし、前記層の厚さを減少させる、請求項12~15のいずれか一項に記載の方法。工程dに続いて、低温で外部無機バリヤーフィルムを一致するように堆積させ、前記フィルムが、前記または各活性区域の上に載り、前記対応する層C1、、Cnの全て及びその隣接接続区域を覆い、この層の前記少なくとも一つ包み込み部分を外部から分離し、この一致する堆積が、少なくとも一種の誘電体化合物の原子層堆積またはプラズマ強化化学蒸着により好ましくは製造される、請求項12~16のいずれか一項に記載の方法。これらの図に例示された多層カプセル化構造1、101、201は、例えば、発光オプトエレクトロニックデバイス2の外部放射表面を覆い、デバイスの敏感な構成部品を、周囲の空気中にある水分及び酸素から保護する。例示されたオプトエレクトロニックデバイス2は、例えば、OLEDマイクロディスプレイであり、知られているように、活性区域5及び電気的接続区域6を含んでなる発光ユニット4で被覆した、シリコンから典型的に製造される基材3を含んでなる。発光ユニット4は、2個の内部及び外部電極を有し、それらの間に発光構造が挟まれており、電極の少なくとも一方は、放射される光に対して透明であるか、または半透明であり、該光を、活性区域5を経由してデバイス2の外側に向けて放射させる。外部電極は、好ましくは金属、例えば銀、アルミニウムまたはサマリウム、からなるが、これは、これらの材料の可視領域における透明性、及び小さな厚さにおける導電性による。一般的にキャッピング層と呼ばれる追加層を外部電極上に配置するのが有利であるが、このインデックスブレーキングindexbreaking層は、OLED放射構造の光取り出し係数を改良するように作用する。例えば、外部電極と同じ様式で、ディスプレイの寸法を有するマスクを通して蒸発したSiOx層でよい。OLED放射構造は、例えば電極から到達する電子及び正孔を移動させるように設計された有機フィルム多層からなり、その電子及び正孔は、再結合して励起子を発生、そして発光する。特に図6で分かるように、カプセル化構造1は、本発明の第一態様により、下記のものを含むことができる。-例えば酸化物Al2O3に基づき、有利には温度110°C未満で堆積させ、OLED構造を劣化から保護し、典型的には85°Cで、厚さ10nm~30nmに堆積させ、所望によりPECVDSi3N4またはSiO2と組み合わされるか、または一種以上のAl2O3/ZnO多層の多層に基づく、好ましくはALDによりOLEDユニットの各活性区域5の上に堆積した、予備カプセル化の内部、無機誘電体フィルムF1;-例えばTELRP002またはJSR420を基剤とし、フィルムF1で覆われた各活性区域5を包み込み、このフィルムF1の周囲を連続的に越えるが、隣接する接続区域6及び隣接する活性区域5を包み込む他の重合体層C1からある距離だけ離れている、重合体層C1、例えばポジ型フォトレジスト;-OLEDユニット全体を連続的に覆い、例えば、好ましくはAl2O3、Si3N4、Al2O3/Si3N4、またはSiO2から製造される、外部の無機誘電体バリヤーフィルムFe;-内側で、各マイクロディスプレイ画素の対応するカラードットに面して配置されたR、G、B光学カラーフィルターを備えており、UV硬化性接着剤8を使用して圧力下でマイクロディスプレイに接合している、保護キャップ7。図1は、接続区域6を含めて、スピンコーティングによる、OLEDユニット全体に対するポジ型レジストの層C1の堆積を例示するが、マイクロディスプレイ活性区域5は、前もって無機フィルムF1で被覆しておき、HMDS接着促進剤を、所望によりスピンコーティングの前に堆積させる。レジストは、有機OLEDデバイスと相容性がある焼き付け温度で焼き付け、その温度は、小分子OLEDには110°C未満であり、重合体OLEDには140°C未満にすべきである。図2は、マイクロディスプレイの活性区域5を越えるが、隣接する導体パッドを含んでなる接続区域6が不足している点から層C1を露光し、接続区域6を後に続くバックエンドの接続に自由に残して置くが、これは、この活性区域5の上に載り、それを越え、それによってUV放射線に対する露光により引き起こされるレジストの解重合を防止するフォトリソグラフィーマスク9によるものであることを示す。図7に例示するように、許容される最大面積は、露光層C1の構造化された突き出た部分10のそれぞれについて確実に限定されていることに注意し、その部分は、各マイクロディスプレイ活性区域5の周縁部5aとマスク9の周縁部との間の距離によって示される。特に、距離xiは、水蒸気が拡散によりデバイス中に横方向で浸透するのを防止する重要な役割を果たし、この浸透を遅らせるためにできるだけ大きくなければならない。この距離xiは、同じステッパーフィールド及び隣接するフィールドに含まれる他のマイクロディスプレイの位置に応じても選択する必要がある。従って、様々な距離xiは異なっていてよい。さらに、特定のフィールドを鋸でさいの目に切ることができ、図7に示すこの例では、このさいの目に切ることは、4個のマイクロディスプレイ間で行うことができ、すなわち、この場合、距離xiは、鋸引きの幅を考慮しなければならない有利には、フィールドあたり4個のディスプレイを含んでなる設計の場合、これらの距離に対する下記の寸法上の制約が考慮され得る。図3は、現像工程の結果を示すが、層C1は、このように活性区域5から離れた予め設定された距離で選択的に溶解し、活性区域5で重合状態を維持し、活性区域5を包み込み、この活性区域5の構成部品を現像液の浴から保護する。この現像液は、特に接続区域6の導体パッドを自由にする効果がある。この現像工程に続いて、層C1は焼き付けることができ、所望により、様々な状態におけるレジストの長期間安定性に応じて、層C1の追加の露光を行うことができる。この段階で、または次に記載するエッチング工程の後で、残留するポジ型レジストの全てを露光する新しい工程を行うことができる。露光線量は、例えば60mW~100mWでよく、レジスト厚さに応じて調節することができる。これは、そのような工程が、表面ブリスターが現れるのを制限することにより、デバイスの耐久性を改良できることが観察されているためである。図4は、反応性イオンエッチング法または有利には酸素プラズマを使用して残留層C1を乾式エッチングし、この層の全体的な厚さを減少させ、該厚さをマイクロディスプレイの規格に合うようにする工程を示す。感光性層C1が最初にこれらの規格にとって厚すぎるように選択されている場合、例えば初期厚さが1μm以上である場合、この工程により、現在のマイクロディスプレイの世代に対して、この乾式エッチング工程により、この厚さを約05μmに下げることができる。この乾式エッチング工程を使用してカプセル化による厚さを制御することにより、吸収性を制御することもできることが分かる。TELRP002レジストを厚さ300nm~400nmにスピンコーティングした場合、この層をエッチングにより厚さ150nm~250nmにできることが立証されている。重合体厚さを下げることにより、このレジストを焼き付ける所望により行う工程で、より容易に脱気することにより、デバイスの耐久性を改良することもできるが、この工程は以下に記載する。従って、2枚の無機フィルム及び中間の重合体層により形成されたバリヤーアセンブリーは、総厚400nm未満、または300nm未満、さらには200未満に製造することができ、それでも非常に効果的である。そのような厚さにより、放射構造とカラーフィルターとの間の距離を最少に抑え、それによって異なった色の隣接する画素間のクロストークを防止することができる。エッチング工程は、所望により2つの分離したエッチング工程を含んでなり、より等方性の高い、従ってより均質な重合体層を得ることができる。この時点で、重合体層の少なくとも部分的な脱気を可能にして、デバイスの耐久性を改良するために、焼き付け工程を行うことができる。この焼き付けの温度は、上記のように、OLED構造と相容れる必要がある。焼き付けは、例えば、温度80°C~100°Cで、1分間~24時間の長さ、例えば2時間、で行うことができる。図5は、後に続く、層C1上の外部誘電体バリヤーフィルムFeの、低温における一致した堆積工程の結果を示し、層C1の突き出た部分10を密封し、それによってこの層C1を通る水の横方向拡散を防止する。図6は、上記のように、マイクロディスプレイ用の保護パッケージの例を示し、キャップ7がR、G、Bカラーフィルターを備えている。図8は、本発明によるマイクロディスプレイを包み込む感光性層C1の突き出た周囲部分10に可能な幾何学的構造を示し、この突き出た部分10は、一定幅を有する長方形の輪郭を有する一方で、図9における変形は、例えば切手のような銃眼構造を有する長方形の包み込み部分110を示し、さいの目切りにより分離されるべき個別のマイクロディスプレイ間の、その後に続くキャップ7の接着剤8の所定の区域における接着を最適化し、そこで、マイクロディスプレイの活性区域5を包み込む層C1が水蒸気の拡散を十分に遅延させ、OLEDユニット4に十分に接着させるのに十分な幅の突出部分を残しながら、層C1が除去される。その製作を図10~12に示す、本発明の第二態様によるマイクロディスプレイカプセル化構造101と、図1~6に例示する構造との実質的な差は、無機誘電体フィルムF1の代わりに、透明な別の無機フィルムF1’をALDにより堆積させる点であるが、このフィルムは、好ましくはZnOまたはZnO:Alから製造されるので、導電性である。そのようなALDにより堆積させた透明導電性酸化物に基づくこのフィルムF1’は、特に下記の3つの利点を有する。-このフィルムは、LEDユニットの構成部品を劣化させないように、100°C未満の温度で堆積させることができ、-図13に示すように、光学定数n及びkのグラフは、このフィルムF1’が、特にその定数nが可視領域で高いので、優れた下層を形成することを示し、さらに-ALD堆積は、高品質のカプセル化を行うのに貢献する。図10から分かるように、このフィルムF1’は、OLEDユニット4の表面全体を覆うように堆積させてから、感光性層C1の被覆、露光及び現像をおこない、その層C1は、本発明の第一態様における層C1と同様に、活性区域5に対して突き出る。この最初の導電性フィルムF1’被覆は、フィールドと接続区域6を短絡させる効果があることが分かる。次に、図11で分かるように、フィルムF1’を湿式エッチングする後続の工程を行い、重合した層C1を越える区域からフィルムF1’を選択的に除去し、この湿式エッチングは、該層C1をマスクとして使用する。次に、図12で分かるように、無機バリヤーフィルムFeを、層C1上で、OLEDユニット全体の上に、本発明の第一態様と同様に堆積させる。図14及び15に例示する、本発明の変形によるカプセル化構造201の感光性層C1は、マイクロディスプレイの活性区域5を覆い、活性区域5を連続的に越える中央包み込み部分210から、好適なフォトリソグラフィーマスクにより、ある距離だけ離れて、およびその周りに、周方向に形成された2個の補助的包み込み部分211及び212を有する。より詳しくは、図15で、これらの補助的部分211及び212は、同じ高さのレリーフを形成し、中央部分210と同じ高さを有し、これらの補助的部分211及び212は、それらの上部211a、212a、及びそれらの側壁211b、212bの両方を被覆する、外部誘電体バリヤーフィルムFeにより、それらの基底部で、一つに接続されている。さらに、図15に例示するように、透明保護キャップ7が、層C1の上に載る外部無機バリヤーフィルムFeに接着しており、フォトリソグラフィーにより得られるこれらの2つの補助的包み込み部分211及び212が、補助的部分211及び212の側壁211b及び212bを覆う外部フィルムFeのバリヤー界面の数が増加することにより、外部水蒸気の拡散による横方向浸透をさらに最少に抑える。