"連続して位置する少なくとも2つの垂直のパターンを含む樹脂被膜基板上のパターンのネットワークについての電子線リソグラフィの方法において、前記連続するパターンを決定するステップと、少なくとも1つの補正パターンを生成するステップと、前記2つの連続するパターンの少なくとも一方をそれらの共通端部の周囲において通過する少なくとも一つの樹脂の非露光ゾーンを決定するステップと、前記補正パターンと前記連続するパターンとを組み合わせるステップとを含む方法。パターンの前記ネットワークの限界寸法が約35nmであり、前記樹脂の前記非露光ゾーンが、前記2つの連続するパターン間に約10nmの間隔を作る、請求項1に記載のリソグラフィ方法。前記補正パターンが、前記2つの連続するパターンのうち少なくとも1つに連続して付加する樹脂の露光ゾーンを決定する、請求項1に記載のリソグラフィ方法。パターンの前記ネットワークの前記限界寸法が約35nmであり、前記樹脂の前記露光ゾーンが前記2つの連続するパターンのうち前記少なくとも1つの、そのより大きな寸法である約5nmの延長部を作る、請求項3に記載のリソグラフィ方法。前記補正パターン、それらの寸法およびそれらの位置は、前記連続するパターンおよび前記補正パターンを含むターゲットデザインを自動的に決定するためのモデルにより決定する、請求項1に記載のリソグラフィ方法。少なくとも1つの前記連続するパターンの少なくとも1つの寸法を計算する少なくとも1つのステップと、前記パターン上の線量の調整を計算するステップとをさらに含み、前記計算ステップが、工程エネルギー自由度に関する関数関係によって関連している、請求項1に記載のリソグラフィ方法。前記補正パターンと前記連続するパターンとを組み合わせるステップが、非露光ゾーンにおけるネガティブ再スケーリングのための関数を用いる、請求項1に記載のリソグラフィ方法。少なくとも1つの補正パターンを生成するステップがeRIF関数を用いる、請求項1に記載のリソグラフィ方法。コンピュータプログラムをコンピュータ上で実行する時、連続して位置する少なくとも2つの垂直のパターンを含む樹脂被膜基板上のパターンのネットワークについての電子線リソグラフィの方法を実行するように構成されたプログラムコード命令を含むコンピュータプログラムにおいて、前記連続するパターンを決定するためのモジュールと、少なくとも1つの補正パターンを生成するためのモジュールと、前記2つの連続するパターン少なくとも一方をそれらの共通端部の周囲において通過する少なくとも一つの樹脂の非露光ゾーンを決定するためのモジュールと、前記補正パターンと前記連続するパターンとを組み合わせるためのモジュールとを含むコンピュータプログラム。前記連続するパターンおよび前記補正パターンを含むターゲットデザインを自動的に決定するためのモデルを適用するためのモジュールをさらに含み、前記補正パターンの寸法および位置が前記モデルによって決定される、請求項9に記載のコンピュータプログラム。少なくとも1つの前記連続するパターンの少なくとも1つの寸法を計算するための少なくとも1つのモジュールと、前記パターン上の線量の調整を計算するためのモジュールとをさらに含み、前記計算が、前記方法の工程エネルギー自由度に関する関数関係に関連している、請求項9に記載のコンピュータプログラム。本発明の目的および結果は、照射線量の感知できるほどの増加を伴わずして、特に約22nmの技術向けに、電子線リソグラフィの方法に適した方法で、パターンのコーナー部の丸まりによって起こる問題を解決することである。この目的のために、本発明は、連続して位置する少なくとも2つの垂直のパターンを含む樹脂被膜基板上のパターンのネットワークについての電子線リソグラフィの方法であって、前記連続するパターンを決定するステップと、少なくとも1つの補正パターンを生成するステップと、前記2つの連続するパターンの少なくとも一方をそれらの共通端部の周囲において通過する樹脂の非露光ゾーンを決定するステップと、前記補正パターンと前記連続するパターンとを組み合わせるステップとを含む方法を提供する。有利には、パターンのネットワークの限界寸法は約35nmであり、樹脂の前記非露光ゾーンは、前記2つの連続するパターン間に約10nmの間隔を作る。有利には、前記補正パターンは、前記2つの連続するパターンのうち少なくとも1つに連続して付加する樹脂の露光ゾーンを決定する。有利には、パターンのネットワークの限界寸法は約35nmであり、樹脂の前記露光ゾーンは、2つの連続するパターンのうち前記少なくとも1つの、そのより大きな寸法である約5nmの延長部を作る。有利には、前記補正パターン、それらの寸法およびそれらの位置は、連続するパターンおよび補正パターンを含むターゲットデザインを自動的に決定するためのモデルにより決定する。有利には、本発明の方法は、少なくとも1つの連続するパターンの少なくとも1つの寸法を計算する少なくとも1つのステップと、前記パターン上の線量の調整を計算するステップとをさらに含み、前記計算は、工程エネルギー自由度またはパターン端部の位置に関する関数関係によって関連している。有利には、前記補正パターンと前記連続するパターンとを組み合わせるステップは、非露光ゾーンにおけるネガティブ再スケーリングnegativerescalingのための関数を用いる。有利には、少なくとも1つの補正パターンを生成するステップは、eRIF関数を用いる。この方法を実施するために、本発明はまた、コンピュータプログラムをコンピュータ上で実行する時、本発明の方法による連続して位置する少なくとも2つの垂直のパターンを含む樹脂被膜基板上のパターンのネットワークについての電子線リソグラフィの方法を実行するように構成されたプログラムコード命令を含むコンピュータプログラムであって、前記連続するパターンを決定するモジュールと、少なくとも1つの補正パターンを生成するモジュールと、前記2つの連続するパターンの少なくとも一方をそれらの共通端部の周囲において通過する樹脂の非露光ゾーンを決定するモジュールと、前記補正パターンと前記連続するパターンとを組み合わせるモジュールとを含む前記コンピュータプログラムを提供する。有利には、本発明のプログラムは、連続するパターンおよび補正パターンを含むターゲットデザインを自動的に決定するためのモデルを適用するモジュールをさらに含み、補正パターンの寸法および位置は前記モデルによって決定する。有利には、本発明のプログラムは、少なくとも1つの連続するパターンの少なくとも1つの寸法を計算するための少なくとも1つのモジュールと、前記パターン上の線量の調整を計算するためのモジュールとをさらに含み、前記計算は工程エネルギー自由度に関する関数関係によって関連している。特に有利な実施形態では、本発明を、工程エネルギー自由度を最適化することによるパターンの寸法変更と合わせて、照射線量の調整の特定モードと組み合わる。それによって70nm未満の限界寸法の技術方法のための線形性の損失の制限が可能になり、またIDBIsolatedDenseBias、すなわち、孤立した構造と密集した構造との限界寸法の違いの増加の制限、線端部の後退LineEndShortening、すなわちLESの増加の制限、およびエネルギー自由度ELの減少の制限、これらの従来技術の線量調整機構が適用される時に生じるすべての効果が可能になる。米国特許第6,107,207号明細書に記載された機構などの近接効果補正機構のこれらの欠陥が、特にS.Manakliによる刊行物、NewElectronBeamProximityEffectCorrectionApproachfor45and32nmNodes,JapaneseJournalofAppliedPhysics,Vol.45,No.8A,pp.6462-6467に述べられている。さらに、補正を計算するための手順を考慮して、計算機援用設計ツールへ統合される方法で補正計算の自動化が達成でき、それによって本発明によるシステムおよび方法の使用者に、削減したコストで標準部品のそれらのライブラリの変換を提供するという計り知れない利点を与える。本発明はより深く理解され、その様々な特徴および利点は、いくつかの例示的実施形態およびその添付図についての以下の記述から明らかになる。図1は、本発明の補正方法を適用しない、エッチングすべきパターンのコーナー部の丸まりの効果を示す。これは、従来技術の線量調整方法を用いる電子線リソグラフィの方法によって行ったエッチングの図である。図でわかるように、丸まりの曲率半径、130はパターン幅の半分とほぼ等しいため、2つのコーナー部110、120は、かなり目に見えるほど丸まっている。コーナー部の丸まり、またはコーナーラウンディングは、以下、頭文字CRで示す。内側のCRもしくはICR、110、または内部コーナーラウンディングと、外側のCRもしくはOCR、120、または外部コーナーラウンディングとは区別する。線量の調整は、図2で示したものなどのフォトリソグラフィ方法におけるようなセリグラフのパターンを含めることと組み合わせてもよい。このタイプの方法は、セリグラフのパターンを付加することにより補正する方法を習得するのが特に難しいため、特にエッチングすべきパターンのLの内部の丸まりICR、110を完全には補正できないという欠点を顕著に示す。さらに、線量調整は、ショット数および露光時間の著しい増加を伴う。現在、ICRは、特に活性層上で、ほとんどの方法の設計ルールによって特に重要であると考えられている。20nmを超えるICRを完全に除去できることが特に重要である。以下の記述で示すように、本発明の方法により、この結果に到達することが可能になる。図2は、従来技術のフォトリソグラフィ方法における、コーナーラウンディングの補正のない再現すべきパターンおよび再現したパターン、ならびにコーナーラウンディングの補正のある再現すべきパターンおよび再現したパターンについての図を示す。再現すべきパターン210は変形画像220の形で樹脂へ転写する。特にこの画像は、パターンの末端でのコントラスト低減効果のために、線端後退LES、221、および222などのコーナーラウンディングCRを含む。再現すべきパターン230は、ハンマーヘッド、231、セリフ、233または1つもしくは複数の散乱バー、234などの十分に分解されていないsub-resolvedパターンの付加によって修正する。パターンは、マウスバイト、232などの材料の除去分subtractionでもありうる。これらの十分に分解されていないパターンと共に、特定の方法単一の中央ビーム、二極ビーム、四極ビームまたは環状ビームで成形した光線の影響により、コントラストを回復させ、付加/除去の前の最初のパターンと同一の画像240を有する樹脂の中へ、これらの付加分および除去分によって修正したパターンを転写する回折効果が生じる。図3a、3b、3cおよび3dは、それぞれ本発明の実施形態における、エッチングすべきコーナー部を有するパターン、補正のない照射線量の適用、補正のない前記適用の結果、および補正の適用の結果を概略的に示す。図3aは、再現すべき2つの垂直の連続するパターン、310aおよび320aを示す。図3bは、特定の補正のない再現すべき同じ2つの連続するパターンを示す。図3cは、従来技術の方法を用いることによる、樹脂被膜基板上の2つの垂直の連続するパターンのエッチングを示す。ICR、310c、OCR、320cは、図1と同様に図において明白である。図3dは、本記述でさらに説明する手順の補正を適用することによって、図3aのパターンをエッチングするための本発明の方法の適用の結果を示す。要約すると、限界寸法が約35nmであるパターンについては、その方法は、ICRを補正するために、約10nmの距離をとって2つの連続するパターン、310aおよび320aを離す、非露光ゾーンまたはアパーチャ、310dを挿入することと、OCRを補正するために、パターン320aの最大寸法による長さ約5nmの付加的な露光ゾーンまたは外部への拡張、320dによってパターン320aを延長することとにある。非露光ゾーンおよび付加的な露光ゾーン、310dおよび320dは、この目的のためにプログラムしたルールを適用することによって挿入してもよい。前記ルールはまた、CRを除去するのに必要な補正を実行するために除去すべき、または付加すべきパターンに対応するゾーンと同様に、エッチングすべきパターンを考慮して、補正するデザインを生成するためのモデルに含めることができる。図4は、本発明の実施形態における、コーナーラウンディングを補正するための方法のフローチャートを示す。当業者にとっての従来の方法では、本発明の方法はデザインを読むステップ、410から始まる。エッチングすべきパターンのレイアウトは従来、GDSIIGraphicDataSystemversion2またはOASISOpenArtworkSystemInterchangeStandardフォーマットの中のファイル内でコード化する。使用する機械およびソフトウェアは、例えばVISTEC登録商標またはADVANTEST登録商標のブランド名を有する機械である。その駆動ソフトウェアは、上述した様々なステップを実行することができるように適合している。その後、パターンをエッチングしなければならない層を、ステップ420の過程で選択する。その後、分割ステップ、430を実行し、その過程では、エッチングすべきパターンを、ショットで照射するゾーンに分ける。前記ショットは、照射プログラムにより決定した照射線量を有する。ステップ440の過程では、全体のパターンの端部に関する、エッチングすべきパターンの位置決めの関数としての線量調整によって、または、パターンの寸法変更を含む本発明の変形例を適用することによって、近接効果の補正を実行する。前記変形例は、図7の説明として本記述の中でさらに説明する。ステップ450の過程では、限界ゾーン、すなわち、CRを生成する傾向にあるエッチングすべき垂直の連続するパターンを含むゾーンを特定する。この選択ステップは、パターンのネットワークに適用される方法の限界寸法に依存する。ステップ460の過程では、前のステップの過程で特定したゾーンでCRを検出する。その後、ステップ470の過程では、図5および図6の説明としてさらに詳述するルールに従って、補正ショットを生成する。この生成ステップは、ICRとOCRとのどちらを補正するかに応じて異なる。第1の場合では、2つの垂直の連続するパターン間に非露光ゾーンを生成する。第2の場合では、エッチングすべき垂直の連続するパターンのうちの1つを延長する露光ゾーンを生成する。ステップ480の過程では、その後、元のパターンおよび補正パターンを含むデザインを行う。ステップ490、4A0および4B0の過程では、前のステップの過程で生成した指示をマシンフォーマットへ変換して、それらを前記マシンに送り、次いで照射を行うことにより、電子線リソグラフィ装置のための命令を終了する。図5a、5bおよび5cは、それぞれ本発明の実施形態における、エッチングすべきコーナー部を有するパターン、内部のコーナー部の丸まりの補正の適用、およびこの補正の適用の効果を示す。図5aは、2つの垂直の連続するパターン、510aおよび520aを示す。本発明の特定の実施形態では、これらの2つのパターンは約35nmの限界寸法を有する。図5bは、予想されるICR、530bのための補正パターンと同様、同じ2つの垂直の連続するパターンを示す。前記補正パターンは、エッチングしないように意図されており、そのため、前記補正を実行するためにエッチングすべきパターン520aからの除去分を構成する。このパターンは、2つの連続するパターン間に嵌め込み、前記パターン520aと同じ幅を有し、520bになる。パターン520aの最大寸法方向のその寸法は、図4で示した方法のステップ470で計算する。この寸法は、パターン520aの限界寸法が約35nmである例示的実施形態において約10nmになる。図5cは、エッチングすべき2つの元のパターン、それぞれ510a、520aを含むデザインのエッチングの結果を示す。エッチングを実行した後、パターン520aは、補正パターン530cの寸法だけ実質的に縮小した長さの520cである。図6a、6bおよび6cは、それぞれ本発明の実施形態における、エッチングすべきコーナー部を有するパターン、外部のコーナー部の丸まりの補正の適用、およびこの補正の適用の効果を示す。図6aは、2つの垂直の連続するパターン、610aおよび620aを示す。本発明の特定の実施形態では、これらの2つのパターンは約35nmの限界寸法を有する。図6bは、予想されるOCRのための補正パターン、630bとともに、同じ2つの垂直の連続するパターンを示す。前記補正パターンは、エッチングされるように意図されており、そのため、前記補正を実行するためにエッチングすべきパターン610aへの付加分を構成する。このパターンは、2つの連続するパターンのうちの1つ図で示した場合、パターン610aの延長を行うように嵌め込まれ、前記パターン610aと同じ幅を有し、610bになっている。パターン610aの最大寸法方向のその寸法は、図4で示した方法のステップ470で計算する。この寸法は、パターン610aの限界寸法が約35nmである場合、約5nmである。図6cは、エッチングすべき2つの元のパターン、それぞれ610a、620aを含むデザインのエッチングの結果を示す。エッチングを実行した後、パターン610aは、補正パターン630cの寸法だけ実質的に増加した長さの610cになる。変形例の実施形態によって、ステップ440の過程では、CIFおよびラインの形状と、番号1052862の本願の出願人が出願した特許出願によって開示された方法によって照射された線量の調整とを組み合わせた最適化の方法を用いることにより、ターゲットデザインの寸法変更を行うことが可能である。50nm未満の形状向けのリソグラフィ方法に固有の近接効果の補正を狙いとする本特許出願で記述された方法によれば、最初のパターンから付加/除去すべきパターンに対応するショットに適用すべき線量は、照射線量とエッチングすべきパターンとの畳み込みにより、またはパラメータの表を用いることにより計算する。適用すべき線量の調整と、新しいパターンの寸法とを組み合わせた計算は、図7の説明として例を以下に挙げる計算に従って、工程エネルギー自由度を保存するように行う。図7は、本発明の変形例による、エッチングすべき形状を寸法変更する方法を示す。パターンの形状は、工程エネルギー自由度を最適化するように少なくとも1つの寸法で修正する。さらに正確には、この寸法に沿って行うべき変位750は、受けた線量が樹脂の感度しきい値0.5と等しいポイントで、受けた線量の曲線720に接する直線740と前記感度しきい値の限界を示す直線730との交点を求めることによって、次いで直線730と照射線量のプロフィール710との交点のポイントへの変位を行うことにより計算する。組み合わせた線量/パターンの計算は二回または三回繰り返してもよい。パターンに適用すべき線量の調整はまた、特に調整がパターンの外側のショットにのみ適用され、他のショットが工程の標準化された値、または標準化された値より低い約30である値で適用される場合、いかなる畳み込み計算もすることなくパラメータの表に基づいて計算することができる。図8a、8b、8c、8dおよび8eは、本発明の実施形態における、ネガティブ再スケーリングのための関数を用いる押し出し技術の適用を示す。本発明の好ましい実施形態によれば、2つの垂直パターン、810a、820aからなる、図8aに示したパターンについて、押し出し部からなる補正パターン、830bを、エッチングすべき垂直のパターンのうち少なくとも1つ、820aの中に作る。押し出し部の寸法p、Lは、補正パターンを生成するステップで決定する。押し出しは、例えばツールのライブラリにある関数を用いて実行することができる。幅Lおよび高さpの、ライン810aを拡張するためのパターンをまず生成する。次に、820aと830bとの間のブール関数マイナスを用いて、押し出し部を生成する。ネガティブ再スケーリングのための関数例えば、ツールの関数についてのライブラリの中のインスケールInscaleマイナス投影するデザインを図8cに示す。CDの差を図8dおよび8eに示す。元のパターンの投影を補正なしで行う場合、CDは2つの垂直のパターンのコーナー部で広がる図8d。本発明の方法による押し出しによって補正が適用される場合、その実施形態のうちの1つでは、CDはエッチングされたラインの至る所で一定である。図9aおよび9bは、本発明の実施形態における、eRIF関数を用いて補正パターンを生成するための技術の適用を示す。eRIF電子解像度向上機能向けは、本方法の解像度または自由度を改善することができる、印刷すべきパターンより小さい寸法の余分なパターンである。その寸法とその位置はこの目的で調節してもよい。多重露光を可能にする照射ツールについては、それらは一般に元のパターンと重ね合わせる。図9bでは、上述した押し出し部とeRIF関数とを組み合わせている。図10aから16dは、エッチングすべきいくつかの特定のタイプのパターンについて、押し出しせずに露光を実行することと比較して、補正パターンの押し出しの技術における本発明のいくつかの例示的実施形態を示す。aが付いた図は、エッチングすべきパターンを示す。bが付いた図は、本発明による補正を適用していない、このパターンのエッチングの結果を示す。cが付いた図は、本発明による押し出しを適用した後に実際に投影したパターンを示す。dが付いた図は、本発明の方法による押し出しで補正したパターンのエッチングの結果を示す。様々な場合は、垂直のパターンのそれぞれの寸法、図13aからdおよび図14aから14dの場合のような3つ以上のセグメントを含んでもよいそれらの形状、不連続の押し出し部図13cの場合の2つの実行、図14cの場合のような複合であってもよい実行する押し出し部の形状により区別される。すべての場合において、実行される分割は修正せず、そのことによって本発明の利点になっている。また、図15dの2つの写真を比較することにより、凹状のコーナー部が非常により弱い丸まりを示していることがわかる。パターンの左上のコーナー部などの残る欠陥は、eRIF関数を適用することにより補正してもよい。本発明の機構は、直接描画による電子線リソグラフィの方法への例示的適用例で述べた。本発明の機構はまた、マスクを使用する電子線リソグラフィの別の方法に適用することができる。したがって、上記実施例は本発明の特定の実施形態を示すために挙げている。上記実施例は、以下の請求項によって定義される本発明の分野を全く限定しない。"