"以下のA、B、D及びEを含むレジスト組成物。A式a1[式a1中、Laは、-O-CH2k1-CO-O-k1は1~7の整数を表す。はカルボニル基-CO-との結合手である。で示される基又は酸素原子を表す。Ra1は、水素原子又はメチル基を表す。Ra2は、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。Wは、炭素数4~24の脂肪族環を表す。]で示される構造単位a1と、式a2-0[式a2-0中、R1は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。maは0~4の整数を表す。R2は、ハロゲン原子、水酸基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maが2以上の場合、複数のR2は、互いに同一又は相異なる。]で示される構造単位a2-0とを有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂B酸発生剤D溶剤E式aで示される化合物[式a中、nは1又は2を表し、mは1~4の整数を表し、nmは5以下である。R3は、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基、炭素数6~10の芳香族炭化水素基又は炭素数2~10のアシル基を表し、mが2以上の場合、複数のR3は、互いに同一又は相異なる。R4は、水素原子、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表し、nが2の場合、2つのR4は、互いに同一又は相異なる。]前記Eは、少なくとも1つのR4が水素原子の前記式aで示される化合物を含む請求項1記載のレジスト組成物。前記Eは、少なくとも1つのR3がフェノール性水酸基に対してオルト位に結合している前記式aで示される化合物を含む請求項1又は2記載のレジスト組成物。前記Eは、少なくとも1つのR3が分岐アルキル基又はシクロアルキル基の前記式aで示される化合物を含む請求項1~3のいずれか記載のレジスト組成物。前記Aは、Wがアダマンタン環又はシクロヘキサン環の前記式a1で表される構造単位を有する樹脂である請求項1~4のいずれか記載のレジスト組成物。前記Bが、式B1で示される酸発生剤である請求項1~5のいずれか記載のレジスト組成物。[式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1~17の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~36の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]前記Bは、Yが置換基を有していてもよい炭素数3~36の脂環式炭化水素基の前記式B1で示される酸発生剤を含む請求項6記載のレジスト組成物。さらに、以下のGを含む請求項1~7のいずれか記載のレジスト組成物。G式bで表される化合物式b中、Rg1、Rg2、Rg3及びRg4はそれぞれ独立に、炭素数1~6のアルキル基を表す。A1は、置換基を有していてもよい炭素数3~36の脂環式炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数6~20の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数5~20の複素環基を表す。電子線リソグラフィー又はEUVリソグラフィーに用いられる請求項1~8のいずれか記載のレジスト組成物。1請求項1~9のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、及び5加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。前記が、露光源として電子線又はEUV光を用い、前記組成物層を露光する工程である請求項10記載のレジストパターンの製造方法。本発明は、EUVリソグラフィー又は電子線リソグラフィーに用いられる高感度のレジスト組成物を提供する。本発明者は鋭意検討の結果、本発明に至った。すなわち、本発明は、以下の発明を含む。1以下のA、B、D及びEを含むレジスト組成物。A式a1[式a1中、Laは、-O-CH2k1-CO-O-k1は1~7の整数を表す。はカルボニル基-CO-との結合手である。で示される基又は酸素原子を表す。Ra1は、水素原子又はメチル基を表す。Ra2は、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。Wは、炭素数4~24の脂肪族環を表す。]で示される構造単位a1と、式a2-0[式a2-0中、R1は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。maは0~4の整数を表す。R2は、ハロゲン原子、水酸基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maが2以上の場合、複数のR2は、互いに同一又は相異なる。]で示される構造単位a2-0とを有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂B酸発生剤D溶剤E式aで示される化合物[式a中、nは1又は2を表し、mは1~4の整数を表し、nmは5以下である。R3は、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基、炭素数6~10の芳香族炭化水素基又は炭素数2~10のアシル基を表し、mが2以上の場合、複数のR3は、互いに同一又は相異なる。R4は、水素原子、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表し、nが2の場合、2つのR4は、互いに同一又は相異なる。]2前記Eは、少なくとも1つのR4が水素原子の前記式aで示される化合物を含む、前記1記載のレジスト組成物。3前記Eは、少なくとも1つのR3がフェノール性水酸基に対してオルト位に結合している前記式aで示される化合物を含む、前記1又は2記載のレジスト組成物。4前記Eは、少なくとも1つのR3が分岐アルキル基又はシクロアルキル基の前記式aで示される化合物を含む、前記1~3のいずれか記載のレジスト組成物。5前記Aは、Wがアダマンタン環又はシクロヘキサン環の前記式a1で表される構造単位を有する樹脂である、前記1~4のいずれか記載のレジスト組成物。6前記Bが、式B1で示される酸発生剤である、前記1~5のいずれか記載のレジスト組成物。[式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1~17の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~36の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]7前記Bは、Yが置換基を有していてもよい炭素数3~36の脂環式炭化水素基の前記式B1で示される酸発生剤を含む、前記6記載のレジスト組成物。8さらに、以下のGを含む、前記1~7のいずれか記載のレジスト組成物。G式bで表される化合物式b中、Rg1、Rg2、Rg3及びRg4はそれぞれ独立に、炭素数1~6のアルキル基を表す。A1は、置換基を有していてもよい炭素数3~36の脂環式炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数6~20の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数5~20の複素環基を表す。9電子線リソグラフィー又はEUVリソグラフィーに用いられる、前記1~8のいずれか記載のレジスト組成物。101前記1~9のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、及び5加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。11前記が、露光源として電子線又はEUV光を用い、前記組成物層を露光する工程である、前記10記載のレジストパターンの製造方法。本発明によれば、EUVリソグラフィー又は電子線リソグラフィーに好適に用いることができる高感度のレジスト組成物が提供される。本発明のレジスト組成物以下、場合により本レジスト組成物という。は、上述のA以下、場合により樹脂Aという。、B以下、場合により酸発生剤Bという。、D以下、場合により溶剤Dという。及びE以下、場合により化合物Eという。を必須の構成成分として含む。以下、これら本レジスト組成物の構成成分の各々について説明し、これらを含む本レジスト組成物の調製方法及び当該本レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法について説明する。本レジスト組成物の構成成分である化合物Eなどを説明するに当たり、本明細書に示す種々の化合物などにおいて、官能基基を例示することがあるが、ここで共通する基を定義しておく。このような定義において、Cに付して記載した数値は、各々の基の炭素数を示すものである。本明細書において、炭化水素基とは、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基をいう。該脂肪族炭化水素基はさらに鎖式及び脂環式に分類される。本明細書でいう脂肪族炭化水素基とは、特に定義しない限り、鎖式及び脂環式の脂肪族炭化水素基が組み合わさった脂肪族炭化水素基を含む。鎖式の脂肪族炭化水素基鎖式炭化水素基のうち1価のものは、典型的にはアルキル基である。当該アルキル基としては、メチル基C1、エチル基C2、プロピル基C3、ブチル基C4、ペンチル基C5、ヘキシル基C6、ヘプチル基C7、オクチル基C8、デシル基C10、ドデシル基C12、ヘキサデシル基C14、ペンタデシル基C15、ヘキシルデシル基C16、ヘプタデシル基C17及びオクタデシル基C18などが挙げられ、これらは直鎖でも分岐していてもよい。この鎖式炭化水素基は特に限定しない限り、ここに例示したアルキル基の一部に炭素炭素二重結合を含んでいてもよいが、このような炭素炭素二重結合などを有さない、飽和の鎖式炭化水素基、特に飽和のアルキル基が好ましい。2価の鎖式炭化水素基は、典型的には、ここに示したアルキル基から水素原子を1個取り去ったアルカンジイル基が該当する。脂環式の脂肪族炭化水素基脂環式炭化水素基のうち1価のものは、典型的には、脂環式炭化水素から水素原子1個を取り去った基である。当該脂環式炭化水素基には、炭素炭素不飽和結合1個程度を含む不飽和脂環式炭化水素基でもよく、このような炭素炭素不飽和結合を含まない飽和脂環式炭化水素基でもよいが、本明細書でいう脂環式炭化水素基は飽和であると好ましい。また、脂環式炭化水素基は単環式のものであっても、多環式のものであってもよい。ここでは、水素原子を取り去る前の脂環式炭化水素を例示することにより、脂環式炭化水素基を例示することにする。単環式の脂環式炭化水素は典型的にはシクロアルカンであり、その具体例を示すと、式KA-1で表されるシクロプロパンC3、式KA-2で表されるシクロブタンC4、式KA-3で表されるシクロペンタンC5、式KA-4で表されるシクロヘキサンC6、式KA-5で表されるシクロヘプタンC7、式KA-6で表されるシクロオクタンC8、及び、式KA-7で表されるシクロドデカンC12などが挙げられる。多環式の脂環式炭化水素は例えば、式KA-8で示されるノルボルネンC7、式KA-9で示されるアダマンタンC10、式KA-10で示される脂環式炭化水素C10、式KA-11で示される脂環式炭化水素C14、式KA-12で示される脂環式炭化水素C17、などが挙げられる。なお、ここに示した脂環式炭化水素を式KA-1~式KA-12の脂環式炭化水素ということがある。2価の脂環式炭化水素基とは、式KA-1~式KA-12の脂環式炭化水素から水素原子を2個取り去った基が該当する。本明細書において、芳香族炭化水素基は1価又は2価の芳香族炭化水素基であり、典型的にはアリール基又はアリーレン基である。具体的にいえば、1価の芳香族炭化水素基、すなわちアリール基としては、フェニル基C6、ナフチル基C10、アントニル基C14、ビフェニル基C12、フェナントリル基C14及びフルオレニル基C13などが挙げられる。2価の芳香族炭化水素基、すなわちアリーレン基は、ここに示すアリール基からさらに、水素原子を1個取り去ったものが該当する。脂肪族炭化水素基は置換基を有することがある。このような置換基はそのつど定義するが、ここで当該置換基の代表例を挙げておく。置換基としては、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基、アリール基、アラルキル基及びアリールオキシ基を挙げることができる。ハロゲン原子は特に限定のない限り、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子である。アルコキシ基としては、メトキシ基C1、エトキシ基C2、プロポキシ基C3、ブトキシ基C4、ペンチルオキシ基C5、ヘキシルオキシ基C6、ヘプチルオキシ基C7、オクチルオキシ基C8、デシルオキシ基C10及びドデシルオキシ基C12などであり、これらアルコキシ基は直鎖でも分岐していてもよい。アシル基の具体例は、アセチル基C2、プロピオニル基C3、ブチリル基C4、バレイル基C5、ヘキシルカルボニル基C6、ヘプチルカルボニル基C7、オクチルカルボニル基C8、デシルカルボニル基C10及びドデシルカルボニル基C12などのアルキル基とカルボニル基とが結合したものに加え、ベンゾイル基C7などのようにアリール基とカルボニル基とが結合したものを含む。これらアシル基のうち、アルキル基とカルボニル基とが結合したものの該アルキル基は直鎖でも分岐していてもよい。アリール基の具体例は、上述の芳香族炭化水素基のアリール基として例示したものと同じであり、アリールオキシ基の具体例は、当該アリール基と酸素原子とが結合したものである。アラルキル基の具体例は、ベンジル基C7、フェネチル基C8、フェニルプロピル基C9、ナフチルメチル基C11及びナフチルエチル基C12などである。芳香族炭化水素基も置換基を有することがある。このような置換基はそのつど定義するが、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基、アルキル基及びアリールオキシ基を挙げることができる。これらのうち、アルキル基は、鎖式脂肪族炭化水素基として例示したものと同じであり、芳香族炭化水素基に任意に有する置換基のうち、アルキル基以外のものは、脂肪族炭化水素基の置換基として例示したものと同じものを含む。<化合物E>化合物Eは前記式aで示される化合物フェノール誘導体である。なお、ここでいう化合物Eは、式aで示される化合物複数種の混合物である場合を含む概念である。式aのR3は、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基、炭素数6~10の芳香族炭化水素基又は炭素数2~10のアシル基を表す。R3の脂肪族炭化水素基の典型例は、アルキル基当該アルキル基は直鎖でも分岐していてもよい。及び脂環式炭化水素基である。これらアルキル基及び脂環式炭化水素基の具体例は、炭素数10以下である範囲において、すでに例示したものを含む。芳香族炭化水素基も、炭素数が10以下である範囲において、すでに例示したものを含むが、フェニル基が特に好ましい。アシル基も、炭素数が10以下である範囲において、すでに例示したものを含むが、アセチル基が特に好ましい。R3の置換数であるmは、1~4の範囲であり、1~3の範囲が好ましく、1又は2であるとさらに好ましい。なお、mが2以上の場合、複数のR3は、互いに同一又は相異なる。R4は、水素原子、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該芳香族炭化水素基の具体例は、上述のR3と同様である。nは、-OR4で示される基の置換数を表す。nは1又は2であり、好ましくは1である。nが2の場合、2つのR4は、互いに同一又は相異なる。R4は水素原子が好ましく、すなわち-OR4で示される基がフェノール性水酸基であると好ましい。nが2の場合には、2つのR4のうち、どちらが水素原子であれば好ましい。化合物Eは、少なくとも1つのR3と、少なくとも1つの-OR4で表される基をベンゼン環上に有する。さらに好ましい化合物Eは、少なくとも1つのR3がフェノール性水酸基に対して、オルト位に結合している。このような化合物Eを含む本レジスト組成物は、より一層高感度のものとなる。好ましい化合物Eを以下に例示する。これらはいずれも市場から容易に入手できる点からも好ましい。化合物Eは、少なくとも1つのR3が分岐アルキル基又はシクロアルキル基であるとさらに好ましい。このような化合物Eは、上述の具体例の中では、E-1、E-2、E-8、E-9及びE-12でそれぞれ示されるものが該当する。これらの中でも、2-tert-ブチルハイドロキノンE-1、2,5-ジ-tert-ブチルハイドロキノンE-2が特に好ましい。<樹脂A>樹脂Aは、構造単位a1と、構造単位a2-0とを有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる特性以下、場合により樹脂特性という。を備える。このような樹脂特性を備える樹脂Aは、後述する酸発生剤Bとの相互作用により、レジストパターンを製造できる。まず、構造単位a1及び構造単位a2-0について具体例を示しつつ説明する。<構造単位a1>構造単位a1は式a1で示される。繰り返しになるが、式a1を以下に示す。[式a1中、Laは、-O-CH2k1-CO-O-k1は1~7の整数を表す。はカルボニル基-CO-との結合手である。で示される基又は酸素原子を表す。Ra1は、水素原子又はメチル基を表す。Ra2は、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。Wは、炭素数4~24の脂肪族環を表す。]かかる構造単位a1において、式a1’で示される部分構造は、酸の作用により、Wに含まれる炭素原子と、該炭素原子に結合するLa中の酸素原子との間の結合が解裂し、結果として構造単位a1は、カルボキシ基を有する構造単位へと転化する。そのため、この構造単位a1を有する樹脂Aは、前記樹脂特性を有するものとなる。式a1において、Ra1は好ましくは、メチル基である。Laは、好ましくは、k1が1~4の-O-CH2k1-CO-O-で示される基又は酸素原子であり、より好ましくは、-O-CH2-CO-O-又は酸素原子であり、特に好ましくは酸素原子である。Ra2の脂肪族炭化水素基は典型的には、アルキル基当該アルキル基は直鎖でも分岐していてもよい。又は脂環式炭化水素基である。これらアルキル基及び脂環式炭化水素基の具体例は、炭素数が10以下である範囲ですでに例示したものを含む。ただし、Ra2がアルキル基である場合、その炭素数は6以下であると好ましい。また、Ra2が脂環式炭化水素基、特にシクロアルキル基である場合、その炭素数は8以下であると好ましく、6以下であるとさらに好ましい。Wは、炭素数4~20の脂肪族環であると好ましく、シクロヘキサン環、ノルボルネン環及びアダマンタン環がより好ましく、シクロヘキサン環及びアダマンタン環がさらに好ましい。なお、ここでいうWの炭素数とは、環を構成している炭素原子の数をいう。好ましい構造単位a1としては、式a1-1で表される構造単位以下、場合により構造単位a1-1という。及び式a1-2で表される構造単位以下、場合により構造単位a1-2という。が挙げられる。式a1-1及び式a1-2中、m1は0~14の整数を表し、n1は0~10の整数を表す。その他の符号は前記と同義である。m1は、好ましくは0~3の整数であり、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数であり、より好ましくは0又は1である。前記構造単位a1-1の具体例は、例えば、以下のものが挙げられる。なお、これらの構造単位a1-1の具体例は、例えば、式a1-1-1で示される構造単位などを、その式番号に応じて、構造単位a1-1-1などという。ここに示す構造単位a1-1-1~構造単位a1-1-38において、以下に示す部分構造Mを、以下に示す部分構造Aに置き換えたものも構造単位a1-1の具体例として挙げることができる。以上、例示した構造単位a1-1の具体例の中でも、構造単位a1-11、構造単位a1-12、構造単位a1-13、構造単位a1-14、構造単位a1-15、構造単位a1-17、構造単位a1-121、構造単位a1-122及び構造単位a1-124が好ましく、構造単位a1-11、構造単位a1-12及び構造単位a1-13がより好ましい。または、構造単位a1-11、構造単位a1-12及び構造単位a1-13それぞれの部分構造Mを部分構造Aに置き換えた構造単位も好ましいものとして挙げられる。続いて、構造単位a1-2の具体例を示す。この具体例でも、例えば、式a1-2-1で示される構造単位などを、その式番号に応じて、構造単位a1-2-1などという。構造単位a1-2-1~構造単位a1-2-4において、構造単位a1-1の具体例と同様に、部分構造Mを部分構造Aに置き換えたものも構造単位a1-2の具体例として挙げることができる。以上、例示した構造単位a1-2の具体例の中でも、構造単位a1-22、及び、構造単位a1-22の部分構造Mを部分構造Aに置き換えた構造単位が好ましい。<構造単位a2-0>次に、構造単位a2-0について説明する。構造単位a2-0は式a2-0で示される。繰り返しになるが、式a2-0を以下に示す。[式a2-0中、R1は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。maは0~4の整数を表す。R2は、ハロゲン原子、水酸基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maが2以上の場合、複数のR2は、互いに同一又は相異なる。]R1及びR2のハロゲン原子は、すでに例示したもののいずれでもよい。ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基のアルキル基としては、炭素数6以下である範囲において、すでに例示したものを含む。ハロゲン原子を有する炭素数1~6のアルキル基とは、アルキル基に含まれる水素原子の一部又は全部が、ハロゲン原子に置換されたものを意味する。ここで、ハロゲン原子がフッ素原子である場合のハロゲン原子を有するアルキル基を例示すると、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基及びペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。当該アルキル基は、その炭素数が4以下であると好ましく、メチル基及びエチル基がさらに好ましく、メチル基が特に好ましい。炭素数1~6のアルコキシ基の具体例は、炭素数が6以下である範囲において、すでに例示したものを含む。中でも、該アルコキシ基は、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。炭素数2~4のアシル基としては例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基などが挙げられる。構造単位a2-0の具体例としては、以下のものが挙げられる。この具体例でも、式番号に応じて、式a2-0-1で示される構造単位などを、構造単位a2-0-1などという。構造単位a2-0-1~構造単位a2-0-10において、以下に示す部分構造Vを、以下に示す部分構造Pに置き換えたものも構造単位a2-0の具体例として挙げることができる。以上、例示した構造単位a2-0の具体例の中でも、特に好ましくは、4-ヒドロキシスチレンに由来する構造単位a2-0-1、及び4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンに由来する構造単位a2-0-1が好ましい。なお、樹脂A製造に際し、構造単位a2-0を誘導する製造用原料モノマーは、予めフェノール性水酸基が適当な保護基で保護されているモノマー保護フェノール性水酸基を有するモノマーを用いることもできる。ここでいう保護基としては例えば、アセチル基などである。アセチル基で保護されたフェノール性水酸基は、酸との接触により該アセチル基が脱保護されるため、フェノール性水酸基がアセチル基で保護されたモノマーに由来する構造単位からは、アセチル基を脱保護することにより、構造単位a2-0を形成することができる。ただし、樹脂Aは上述のとおり、構造単位a1を有しているので、構造単位a1に加えて、アセチル基を脱保護する際には、構造単位a1を著しく損なわないようにして、脱保護を実施する必要がある。<共重合比率>樹脂Aにおける構造単位a1及び構造単位a2-0の含有割合共重合比率は、すでに説明したとおり、構造単位a1に基づく樹脂特性が発現できる範囲で定められるが、構造単位a1/構造単位a2-0で表して、好ましくは10~90モル/10~85モルの範囲であり、さらに好ましくは20~85モル/15~80モルの範囲である。樹脂Aは、実質的に構造単位a1及び構造単位a2-0からなるものであると好ましいが、本発明の効果を著しく損なわない範囲で、構造単位a1及び構造単位a2-0以外の構造単位以下、場合により他の構造単位という。を有していてもよい。かかる他の構造単位の含有割合は、樹脂A中の構造単位a1及び構造単位a2-0の合計100モルに対して、50モル以下が好ましく、40モル以下がより好ましく、25モル以下がさらに好ましく、10モル以下が特に好ましい。なお、樹脂A中に、複数種の他の構造単位を有する場合は、それらの合計がこの範囲であればよい。樹脂Aの重量平均分子量は、好ましくは2,000以上20,000以下であり、より好ましくは2,500以上9,000以下である。なお、ここでいう重量平均分子量は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものであり、該分析の詳細な分析条件は、本願の実施例で詳述する。<酸発生剤B>レジスト組成物に用いられる酸発生剤は、非イオン系とイオン系とに分類される。本レジスト組成物に含まれる酸発生剤Bは、非イオン系酸発生剤であっても、イオン系酸発生剤であっても、それらの混合物であってもよい。非イオン系酸発生剤には、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類例えば2-ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、N-スルホニルオキシイミド、N-スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、DNQ4-スルホネート、スルホン類例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン等が含まれる。イオン系酸発生剤は、オニウムカチオンを含むオニウム塩例えば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩及びヨードニウム塩などが代表的である。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン及びスルホニルメチドアニオンなどがある。酸発生剤Bとしては、本発明の技術分野で使用される酸発生剤特に光酸発生剤だけでなく、光カチオン重合の光開始剤、色素類の光消色剤又は光変色剤等の放射線光によって酸を発生する公知化合物及びそれらの混合物も、適宜使用できる。例えば、特開昭63-26653号、特開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038号、特開昭63-163452号、特開昭62-153853号、特開昭63-146029号や、米国特許第3,779,778号、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、欧州特許第126,712号等に記載されている、放射線によって酸を発生する化合物を、酸発生剤Bとして使用できる。本レジスト組成物に含まれる酸発生剤Bは、以下の式B1で表される酸発生剤以下、場合により酸発生剤B1という。が好ましい。なお、以下の説明において、この酸発生剤B1のうち、正電荷を有するZは有機カチオンといい、該有機カチオンを除去してなる負電荷を有するものをスルホン酸アニオンということがある。式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、置換基を有していてもよい炭素数1~17の脂肪族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。Q1及びQ2のペルフルオロアルキル基の具体例は、すでに例示したアルキル基のうち、炭素数1~6のアルキル基において、該アルキル基を構成する水素原子の全部がフッ素原子に置き換わったものが該当する。本レジスト組成物に含有される酸発生剤B1としては、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子の酸発生剤B1が好ましく、Q1及びQ2がともにフッ素原子である酸発生剤B1がさらに好ましい。Lb1の脂肪族炭化水素基の具体例は、すでに例示したアルカンジイル基、及び、上述の式KA-1~式KA-19の脂環式炭化水素から水素原子を2個取り去った基などである。Lb1の脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基に置き換わったものとしては、例えば、以下の式b1-1、式b1-2、式b1-3、式b1-4、式b1-5及び式b1-6式b1-1~式b1-6のいずれかで示される基が挙げられる。なお、式b1-1~式b1-6は、その左右を式B1に合わせて記載しており、左側の結合手は、CQ1Q2と結合し、右側の結合手はYと結合している。以下の式b1-1~式b1-6の具体例も同様である。なお、は結合手を表し、一方はYと、他方はCQ1Q2の炭素原子と結合している。式b1-1~式b1-6中、Lb2は、単結合又は炭素数1~15の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は、飽和の脂肪族炭化水素基脂肪族飽和炭化水素基であると好ましい。Lb3は、単結合又は炭素数1~12の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は、脂肪族飽和炭化水素基であると好ましい。Lb4は、炭素数1~13の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は、脂肪族飽和炭化水素基であると好ましい。但しLb3及びLb4の合計炭素数の上限は13である。Lb5は、炭素数1~15の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は、脂肪族飽和炭化水素基であると好ましい。Lb6及びLb7は、それぞれ独立に、炭素数1~15の脂肪族炭化水素基を表し、これらの脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基であると好ましい。但しLb6及びLb7の合計炭素数の上限は16である。Lb8は、炭素数1~14の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基であると好ましい。Lb9及びLb10は、それぞれ独立に、炭素数1~11の脂肪族炭化水素基を表し、これらの脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基であると好ましい。但しLb9及びLb10の合計炭素数の上限は12である。本レジスト組成物に含まれる酸発生剤Bとしては、これらの中でも、式b1-1で表される2価の基をLb1として有する酸発生剤B1が好ましく、Lb2が単結合又はメチレン基である式b1-1で表される2価の基を、Lb1として有する酸発生剤B1がより好ましい。Lb1は、好ましくは式b1-1~式b1-4でそれぞれ表される基であり、さらに好ましくは式b1-1~式b1-3でそれぞれ表される基である。ここで、好ましい式b1-1~式b1-3でそれぞれ表される基の具体例を挙げる。なお、の定義はすでに説明したとおりである。式b1-1で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-2で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-3で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。Lb1の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。この置換基は例えば、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基及びグリシジルオキシ基などが挙げられる。芳香族炭化水素基、アラルキル基及びアシル基の具体例はすでに説明したとおりである。上述のとおり、Yは置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表す。この脂肪族炭化水素基のうち、Yはアルキル基及び脂環式炭化水素基が好ましく、炭素数1~6のアルキル基及び炭素数3~18の脂環式炭化水素基がより好ましく、炭素数3~18の脂環式炭化水素基がさらに好ましく、炭素数3~12の脂環式炭化水素基が特に好ましい。Yの脂肪族炭化水素基が置換基を有する場合、この置換基は例えば、ハロゲン原子但し、フッ素原子を除く、水酸基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基、グリシジルオキシ基又は-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基式中、Rb1は、炭素数1~16の炭化水素基を表す。j2は、0~4の整数を表す。などが挙げられる。ここでいう芳香族炭化水素基及びアラルキル基には、例えば、アルキル基、ハロゲン原子又はヒドロキシ基をさらに有していてもよい。Yの脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基及びカルボニル基からなる群より選ばれる基2価の基に置き換わっていてもよい。脂環式炭化水素基を構成するメチレン基が、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わった基としては例えば、環状エーテル基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基の1つ又は2つが酸素原子に置き換わった基、環状ケトン基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基の1つ又は2つがカルボニル基に置き換わった基、スルトン環基式aaにおけるT1と同義である。及びラクトン環基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びカルボニル基に置き換わった基などが挙げられる。Yの脂環式炭化水素基の好ましい基は、以下に示す式Y1、式Y2、式Y3、式Y4及び式Y5のいずれかで表される脂環式炭化水素基であり、これらのうち、式Y1、式Y2、式Y3及び式Y5のいずれかで表される脂環式炭化水素基が、さらに好ましく、式Y1及び式のいずれかで表される脂環式炭化水素基が特に好ましい。もちろん、これらの脂環式炭化水素基を構成する水素原子は、置換基に置換されていてもよい。置換基を有する脂環式炭化水素基の具体例は例えば、以下のものである。すでに説明したとおり、Yの脂環式炭化水素基は、式Y1及び式Y2で示したようにアダマンタン環を有する基であると好ましく、これらが置換基を有する場合、その置換きは水酸基ヒドロキシ基が好ましい。すなわち、置換基を有する脂環式炭化水素基としては、ヒドロキシアダマンチル基がYとして特に好ましい。スルホン酸アニオンの好適例を具体的に示すと、式b1-1-1、式b1-1-2、式b1-1-3、式b1-1-4、式b1-1-5、式b1-1-6、式b1-1-7、式b1-1-8及び式b1-1-9以下、式b1-1-1~式b1-1-1-9のように表記する。でそれぞれ表されるスルホン酸アニオンを挙げることができる。この式b1-1-1~式b1-1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンにおいて、Lb1は式b1-1で表される基が好ましい。また、Rb2及びRb3は、それぞれ独立に、Yの脂肪族炭化水素基に任意に有することもある置換基として定義したものであり、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチル基が特に好ましい。式b1-1-1~式b1-1-9でそれぞれ表されるスルホン酸アニオンの具体例は例えば、特開2010-204646号公報に記載されているスルホン酸アニオンを挙げることができる。以下、好ましいスルホン酸アニオンとして、Lb1が、式b1-1で表される基であり、Yが、式Y1又は式で表される脂環式炭化水素基である具体例を挙げる。Yが無置換の脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-1~式b1-s-9でそれぞれ表されるものが挙げられる。Yがヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-10~式b1-s-18でそれぞれ表されるものが挙げられる。Yが環状ケトン基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-19~式b1-s-29でそれぞれ表されるものが挙げられる。Yが芳香族基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-30~式b1-s-35でそれぞれ表されるものが挙げられる。Yが、前記ラクトン環基又は前記スルホン酸環基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-36~式b1-s-41でそれぞれ表されるものが挙げられる。また、Yはアルキル基であってもよい。このようなスルホン酸アニオンとしては例えば、以下の式b1-s-42で表されるものが挙げられる。酸発生剤B1中の有機カチオンZは例えば、オニウムカチオン、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン及びホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、さらに好ましくは、以下の式b2-1、式b2-2、式b2-3及び式b2-4式b2-1~式b2-4でそれぞれ表される有機カチオンである。式b2-1~式b2-4において、Rb4、Rb5及びRb6は、それぞれ独立に、炭素数1~30の炭化水素基を表し、この炭化水素基のうちでは、炭素数1~30のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基及び炭素数6~18の芳香族炭化水素基が好ましい。前記アルキル基は、水酸基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を有していてもよく、前記脂環式炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよく、前記芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、水酸基、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を有していてもよい。Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1~18のアルキル基又は炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。Rb9、Rb10及びRb11Rb9~Rb11は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基であり、この脂肪族炭化水素基がアルキル基である場合、その炭素数は1~12であると好ましく、この脂肪族炭化水素基が脂環式炭化水素基である場合、その炭素数は3~18であると好ましく、4~12であるとさらに好ましい。Rb12は、炭素数1~18の炭化水素基を表す。この炭化水素基のうち、芳香族炭化水素基は、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基を有していてもよい。Rb9とRb10との組み合わせ、及び/又は、Rb11とRb12との組み合わせは、それぞれ独立に、互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環を形成していてもよく、これらの3員環~12員環好ましくは3員環~7員環は脂肪族環又は、該脂肪族環を構成するメチレン基が、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっている環である。Rb13、Rb14、Rb15、Rb16、Rb17及びRb18Rb13~Rb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Lb11は、酸素原子又は硫黄原子を表す。o2、p2、s2及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2が2以上であるとき、複数のRb13は互いに同一又は相異なり、p2が2以上であるとき、複数のRb14は互いに同一又は相異なり、s2が2以上であるとき、複数のRb15は互いに同一又は相異なり、t2が2以上であるとき、複数のRb18は互いに同一又は相異なる。Rb12のアルキルカルボニルオキシ基としては、すでに例示したアシル基と酸素原子とが結合したものである。Rb9~Rb12のアルキル基の好適例は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基などである。Rb9~Rb11の脂環式炭化水素基の好適例は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2-アルキル-2-アダマンチル基、1-1-アダマンチル-1-アルキル基及びイソボルニル基などである。Rb12の芳香族炭化水素基の好適例は、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-シクロへキシルフェニル基、4-メトキシフェニル基、ビフェニリル基及びナフチル基などである。Rb12の芳香族炭化水素基とアルキル基が結合したものは、典型的にはアラルキル基である。Rb9とRb10との組み合わせが結合して形成する環としては例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環及び1,4-オキサチアン-4-イウム環などが挙げられる。Rb11とRb12との組み合わせが結合して形成する環としては例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環などが挙げられる。式b2-1~式b2-4で表される有機カチオンの具体例は、特開2010-204646号公報に記載されたものを挙げることができる。例示した有機カチオンの中でも、カチオンb2-1が好ましく、以下の式b2-1-1で表される有機カチオン以下、カチオンb2-1-1という。がより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0である。又はトリトリルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=1であり、Rb19、Rb20及びRb21がいずれもメチル基である。がさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。この脂肪族炭化水素基の炭素数は1~12であると好ましく、炭素数1~12のアルキル基及び炭素数4~18の脂環式炭化水素基がより好ましく、さらには置換基として、ハロゲン原子、水酸基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよい。v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2が2以上のとき、複数のRb19は互いに同一又は相異なり、w2が2以上のとき、複数のRb20は互いに同一又は相異なり、x2が2以上のとき、複数のRb21は互いに同一又は相異なる。なかでも、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、水酸基、炭素数1~12のアルキル基、又は炭素数1~12のアルコキシ基である。ここで、好適な有機カチオンであるカチオンb2-1-1の具体例を示す。また、有機カチオンとしては、式b2-3で表される有機カチオンのうち、以下の有機カチオンも好適なものとして挙げることができる。酸発生剤B1を、それを構成するスルホン酸アニオン及び有機カチオンの各々について説明したが、該酸発生剤B1は該スルホン酸アニオン及び該有機カチオンの組合せである。該スルホン酸アニオンと該有機カチオンとは任意に組み合わせることができる。該スルホン酸アニオン及び該有機カチオンの組み合わせを表1に示す。なお、表1において、式b1-s-1で表されるスルホン酸アニオンなどを、その式番号に応じて、b1-s-1などと表し、式b2-c-1で表される有機カチオンなどを、その式番号に応じて、b2-c-1などと表すことにする。さらに好ましい酸発生剤B1を具体的に示す。このような酸発生剤B1は、以下の式B1-1、式B1-2、式B1-3、式B1-4、式B1-5、式B1-6、式B1-7、式B1-8、式B1-9、式B1-10、式B1-11、式B1-12、式B1-13、式B1-14、式B1-15、式B1-16及び式B1-17でそれぞれ表されるものである。中でも、式B1-2、式B1-3、式B1-6、式B1-7、式B1-11、式B1-12、式B1-13及びB1-14でそれぞれ表されるものがより好ましい。また、すでに述べたように、Yが置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基が好ましいので、この点では、式B1-2、式B1-3、B1-6、式B1-7及び式B1-11でそれぞれ表されるものがより好ましい。<塩基性化合物以下、場合により塩基性化合物Cという。>本レジスト組成物は、化合物E、樹脂A及び酸発生剤B[好ましくは、酸発生剤B1]の他に、塩基性化合物Cを含んでいてもよい。ここでいう塩基性化合物とは、酸を捕捉するという特性を有する化合物、特に、既に説明した酸発生剤Bから発生する酸を捕捉するという特性を有する化合物を意味する。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えばアミン及び、塩基性のアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンのいずれでもよい。脂肪族アミンとしては、1級アミン、2級アミン及び3級アミンが挙げられる。塩基性化合物Cとして、好ましくは、式C1で表される化合物~式C8で表される化合物が挙げられ、より好ましくは式C1-1で表される化合物が挙げられる。[式C1中、Rc1、Rc2及びRc3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~10の脂環式炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。][式C1-1中、Rc2及びRc3は、前記と同義である。Rc4は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表す。m3は0~3の整数を表し、m3が2以上のとき、複数のRc4は互いに同一又は相異なる。][式C2、式C3及び式C4中、Rc5、Rc6、Rc7及びRc8は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。Rc9は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数3~6の脂環式炭化水素基又は炭素数2~6のアルカノイル基を表す。n43は0~8の整数を表し、n43が2以上のとき、複数のRc9は、互いに同一又は相異なる。][式C5及び式C6中、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13及びRc16は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。Rc14、Rc15及びRc17は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。o3及びp3は、それぞれ独立に0~3の整数を表し、o3が2以上であるとき、複数のRc14は互いに同一又は相異なり、p3が2以上であるとき、複数のRc15は互いに同一又は相異なる。Lc1は、炭素数1~6のアルカンジイル基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。][式C7及び式C8中、Rc18、Rc19及びRc20は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。q3、r3及びs3は、それぞれ独立に0~3の整数を表し、q3が2以上であるとき、複数のRc18は互いに同一又は相異なり、r3が2以上であるとき、複数のRc19は互いに同一又は相異なり、s3が2以上であるとき、複数のRc20は互いに同一又は相異なる。Lc2は、単結合又は炭素数1~6のアルカンジイル基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。]式C1で表される化合物としては、1-ナフチルアミン、2-ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン及び4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタンなどが挙げられ、これらの中でも、ジイソプロピルアニリンが好ましく、2,6-ジイソプロピルアニリン特に好ましい。式C2で表される化合物としては、ピペラジンなどが挙げられる。式C3で表される化合物としては、モルホリンなどが挙げられる。式C4で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。式C5で表される化合物としては、2,2’-メチレンビスアニリンなどが挙げられる。式C6で表される化合物としては、イミダゾール、4-メチルイミダゾールなどが挙げられる。式C7で表される化合物としては、ピリジン、4-メチルピリジンなどが挙げられる。式C8で表される化合物としては、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン、2,2’-ジピコリルアミン及びビピリジンなどが挙げられる。アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3-トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド及びコリンなどが挙げられる。以上、塩基性化合物Cの具体例を示したが、本レジスト組成物に用いる塩基性化合物Cとしては、これらの中でもジイソプロピルアニリンが好ましく、2,6-ジイソプロピルアニリンが特に好ましい。さらに、本発明者らの検討の結果、本レジスト組成物には、以下のGを含有させることにより、より一層の高感度化ができることが明らかとなった。G式bで表される化合物以下、場合により化合物Gという。式b中、Rg1、Rg2、Rg3及びRg4はそれぞれ独立に、炭素数1~6のアルキル基を表す。A1は、置換基を有していてもよい炭素数3~36の脂環式炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数6~20の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数5~20の複素環基を表す。Rg1~Rg4のアルキル基は、炭素数が1~6の範囲においてすでに例示したものを含む。具体的に化合物Gのカチオン部アンモニウムイオンを例示すると、以下の式G-C1~式G-C6で表されるものが挙げられる。A1の脂環式炭化水素基は、炭素数3~20の範囲であると好ましく、炭素数3~12の範囲であると、より好ましく、アダマンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基又はノルボルネンジイル基であると、さらに好ましい。かかる脂環式炭化水素基は、炭素数がこのような範囲において、すでに例示したものを含む。A1の芳香族炭化水素基は、炭素数6~12の範囲であると好ましく、フェニレン基がさらに好ましい。かかる芳香族炭化水素基は、炭素数がこのような範囲において、すでに例示したものを含む。A1の複素環基は、炭素数5~20の範囲である範囲であれば、芳香族性であっても、非芳香族性であってもよい。芳香族性の複素環基としては、ピリジンジイル基及びビピリジンジイル基などが挙げられる。非芳香族性の複素環基としては、ピロリジンジイル基、ピラゾリンジイル基、イミダゾリンジイル基、イソオキサゾリンジイル基、イソチアゾリンジイル基、ピペリジンジイル基、ピペラジンジイル基、モルフォリンジイル基、チオモルフォリンジイル基、トリアゾールジイル基及びテトラゾールジイル基などが挙げられる。なお、A1の脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及び複素環基は、置換基を有していてもよく、当該置換基としてはアルキル基、アシル基などが挙げられるが、置換基を有さない脂環式炭化水素基、置換基を有さない芳香族炭化水素基及び置換基を有さない複素環基がより好ましい。以上、A1について説明したが、これらの中でも、A1は脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基であると好ましい。化合物Gのアニオン部カルボキルイオンを例示すると、以下の式G-A1~式G-A5で表されるものが挙げられる。好適な化合物Gを上述のカチオン部式G-C1~式G-C6で表されるアンモニウムイオンと、アニオン部式G-A1~式G-A5で表されるアカルボキルイオンとの組み合わせを表2に示す。なお、表2において、式G-C1で表されるカチオン部などを、その式番号に応じて、G-C1などと表し、式G-A1で表されるアニオン部などを、その式番号に応じて、G-A1などと表すことにする。<溶剤D>本レジスト組成物に含まれる溶剤Dは、用いる樹脂Aの種類及びその量、酸発生剤Bの種類及びその量などに応じ、さらに後述するレジストパターンの製造において、基板上に本レジスト組成物を塗布する際の塗布性が良好となるという点から適宜、最適なものを選ぶことができる。好適な溶剤Dの例としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルなどのエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノンなどのケトン類;γ-ブチロラクトンなどの環状エステル類を挙げることができる。溶剤Dは、1種のみを使用してもよく、2種以上を併用してもよい。<その他の成分>本レジスト組成物は、必要に応じて、化合物E、樹脂A、酸発生剤B、溶剤D及び必要に応じて用いられる塩基性化合物Cや化合物G以外の構成成分を含有していてもよい。この構成成分を成分Fという。かかる成分Fとしては、本技術分野で広く用いられている添加剤であり、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤及び染料などである。<本レジスト組成物及びその調製方法>本レジスト組成物は、R1樹脂A、酸発生剤B、化合物E及び溶剤Dの組み合わせR2樹脂A、酸発生剤B、化合物E、塩基性化合物C及び溶剤Dの組み合わせR3樹脂A、酸発生剤B、化合物E、化合物G及び溶剤Dの組み合わせR4樹脂A、酸発生剤B、化合物E、塩基性化合物C、化合物G及び溶剤Dの組み合わせのいずれかの組み合わせを混合することで調製することができる。さらに、必要に応じて成分Fを混合することもある。かかる混合において、その混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10~40°Cの範囲から、用いる樹脂Aなどの種類や樹脂Aの溶剤Dに対する溶解度などに応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、0.5~24時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合などを用いることができる。次に、本レジスト組成物において、化合物E、樹脂A、酸発生剤B及び溶剤D、並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物Cや化合物Gの好ましい含有割合について説明する。なお、以下の説明において、本レジスト組成物から、溶剤Dを除去したものを、本レジスト組成物の固形分ということがある。溶剤Dの含有割合は、上述のとおり、樹脂Aの種類などに応じて適宜調節できるが、本レジスト組成物総質量に対して90質量以上であると好ましい。なお、溶剤Dの含有割合が90質量である本レジスト組成物では、該本レジスト組成物総質量に対する固形分の含有量は10質量に該当する。このような含有割合で溶剤Dを含む本レジスト組成物は、例えば後述するレジストパターンの製造方法において、厚み30~300nm程度の組成物層を形成可能な薄膜レジストとして適している。この観点からは、本レジスト組成物総質量に対する溶剤Dの含有量は、より好ましくは92質量以上であり、さらに好ましくは94質量以上である。該溶剤Dの含有量の上限は例えば、99.9質量以下であり、好ましくは99質量以下である。この溶剤Dの含有量は、本レジスト組成物を調製する際の溶剤Dの使用量により制御可能であり、本レジスト組成物を調製した後には、該本レジスト組成物を、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段に供して求めることもできる。樹脂Aの本レジスト組成物に対する含有割合は、該本レジスト組成物の固形分の総質量に対して、好ましい範囲が選択される。具体的にいうと、該固形分の総質量に対する樹脂Aの含有割合は、80質量以上であると好ましい。本レジスト組成物に対する酸発生剤Bの含有量は、本レジスト組成物に含まれる樹脂Aの総質量に対して、好ましい範囲が選択される。具体的には、樹脂A100質量部に対して、酸発生剤Bが好ましくは1質量部以上であり、より好ましくは3質量部以上である。また、樹脂A100質量部に対して、酸発生剤Bが好ましくは30質量部以下であり、より好ましくは25質量部以下である。本レジスト組成物に対する化合物Eの含有量は、本レジスト組成物に含まれる樹脂Aの総質量に対して、好ましい範囲が選択される。具体的には、樹脂A100質量部に対して、化合物Eが好ましくは1質量部以上であり、より好ましくは3質量部以上である。また、樹脂A100質量部に対して、化合物Eが好ましくは30質量部以下であり、より好ましくは25質量部以下である。本レジスト組成物に塩基性化合物Cを用いる場合、その含有割合も本レジスト組成物の固形分の総質量に対して、好ましい範囲が選択される。具体的にいうと、該固形分の総質量に対する塩基性化合物Cの含有量は、0.01~1質量程度であると好ましい。本レジスト組成物に化合物Gを用いる場合、その含有割合は、本レジスト組成物の固形分の総質量に対して、好ましい範囲が選択される。具体的にいうと、該固形分の総質量に対する化合物Gの含有量は、0.01~5質量程度であると好ましい。これら樹脂A、酸発生剤B、化合物E並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物Cや化合物Gの各々の好適な含有割合も、本レジスト組成物を調製する際の各々の使用量により制御可能である。本レジスト組成物を調製した後には、該本レジスト組成物を、例えばガスクロマトグラフィー、液体クロマトグラフィー等の公知の分析手段に供して求めることもできる。なお、成分Fを本レジスト組成物に用いる場合には、当該成分Fの種類に応じて、適切な含有量を調節することもできる。このように、化合物E、樹脂A、酸発生剤B及び溶剤D、並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物C、化合物G及び/又は成分Fの各々を好ましい含有量で混合した後は、孔径0.2μm程度のフィルターを用いてろ過等することにより、本レジスト組成物は調製できる。<レジストパターンの製造方法>続いて、本レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法について説明する。本発明のレジストパターンの製造方法は、1本レジスト組成物を基板上に塗布する工程、2基板上に塗布された本レジスト組成物から溶剤を除去することにより、該基板上に組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、及び5加熱後の組成物層を現像する工程を含むものである。以下、ここに示す工程の各々を、工程1~工程5のようにいう。工程1における本レジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーターなど、半導体の微細加工のレジスト材料塗布用として広く用いられている塗布装置によって行うことができる。かくして基板上にレジスト組成物からなる塗布膜が形成される。当該塗布装置の条件塗布条件を種々調節することで、該塗布膜の膜厚は調整可能であり、適切な予備実験等を行うことにより、所望の膜厚の塗布膜になるように塗布条件を選ぶことができる。本レジスト組成物を塗布する前の基板は、微細加工を実施しようとする種々のものを選ぶことができる。なお、本レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、反射防止膜を形成しておいたりすることもできる。この反射防止膜の形成には例えば、市販の有機反射防止膜用組成物を用いることができる。工程2においては、基板上に塗布された本レジスト組成物、すなわち塗布膜から溶剤溶剤Dを除去する。このような溶剤除去は、例えば、ホットプレートなどの加熱装置を用いた加熱手段、又は減圧装置を用いた減圧手段により、或いはこれらの手段を組み合わせて、該塗布膜から溶剤を蒸発させることにより行われる。加熱手段や減圧手段の条件は、本レジスト組成物に含まれる溶剤Dの種類などに応じて調整されるが、例えばホットプレートを用いる加熱手段ホットプレート加熱では、該ホットプレートの表面温度を50~200°C程度の範囲にしておけばよい。また、減圧手段では、適当な減圧機の中に、塗布膜が形成された基板を封入した後、該減圧機の内部圧力を1~1.0×105Pa程度にすればよい。かくして塗布膜から溶剤を除去することにより、該基板上には組成物層が形成される。工程3は該組成物層を露光する工程であり、好ましくは、露光機を用いて該組成物層を露光するものである。この際には、微細加工を実施しようとする所望のパターンに応じたマスクを介して露光が行われる。本レジスト組成物は、特に電子線リソグラフィー又はEUVリソグラフィーによるレジストパターンの製造に極めて有用である。そのため、露光機の露光光源としては、電子線ビーム又はEUV光であることが好ましい。上述のとおり、EUV光を用い、マスクを介して露光すること、や電子線ビームで直接描画することにより、該組成物層には露光された部分露光部及び露光されていない部分未露光部が生じる。露光部の組成物層では該組成物層に含まれる酸発生剤Bが露光エネルギーを受けて酸を発生し、さらに発生した酸との作用により、樹脂Aにある酸不安定基が脱保護反応を生じ、結果として露光部の組成物層にある樹脂Aはアルカリ水溶液に可溶なものとなる。一方、未露光部では露光エネルギーを受けていないため、樹脂Aはアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶のままとなる。かくして、露光部にある組成物層と未露光部にある組成物層とは、アルカリ水溶液に対する溶解性が著しく相違することとなる。本レジスト組成物は高感度でレジストパターンを製造できるため、たとえ、電子線リソグラフィー又はEUVリソグラフィーに係わる工程3で、露光を真空減圧状態で行うために時間がかかったとしても、実用的なスループットでレジストパターンの製造ができる。工程4においては、露光部で生じうる脱保護基反応を、さらにその進行を促進するための加熱処理が行われる。かかる加熱処理は前記工程2で示したホットプレートを用いる加熱手段等が採用される。なお、工程4におけるホットプレート加熱では、該ホットプレートの表面温度は50~200°C程度が好ましく、70~150°C程度がさらに好ましい。工程5は、加熱後の組成物層を現像する工程であり、好ましくは、加熱後の組成物層を現像装置により現像するものである。ここでいう現像とは、加熱後の組成物層をアルカリ水溶液と接触させることにより、露光部の組成物層を該アルカリ水溶液に溶解させ、未露光部の組成物層を基板上に残すことにより、当該基板上にレジストパターンが製造される。ここで用いられるアルカリ水溶液は、アルカリ現像液と称されて、本技術分野で用いられるものを用いることができる。該アルカリ水溶液としては例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液や2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液などが挙げられる。以上により基板上に製造されたレジストパターンは、好ましくは超純水等でリンス処理を行い、さらに基板及びレジストパターン上に残存している水分を除去する。かくして基板上にレジストパターンが製造される。以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。実施例及び比較例中、含有量及び使用量を表す及び部は、特記ないかぎり質量基準である。重量平均分子量は、以下の条件でポリスチレンを標準品として、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー東ソー株式会社製HLC-8120GPC型により求めた値である。カラム:TSKgelMultiporeHXL-Mx3guardcolumn東ソー社製溶離液:テトラヒドロフラン流量:1.0mL/min検出器:RI検出器カラム温度:40°C注入量:100μL分子量標準:標準ポリスチレン東ソー社製また、化合物の構造はNMRECA-500型;日本電子製、質量分析LC;Agilent製1100型、MASS;Agilent製LC/MSD型又はLC/MSDTOF型で確認した。合成例1樹脂A1の合成モノマーB10.54部、モノマーA14.60部及びモノマーD3.55部を混合し、この混合物に、1,4-ジオキサン47.09部を加えて溶液とした。この溶液を87°C程度まで昇温した後、アゾビスイソブチロニトリル2.96部を添加し、同温度で6時間保温した。冷却後、反応液をメタノール285.67部及びイオン交換水122.43部の混合液に注いで重合物を沈殿させ、沈殿した重合物をろ過した。得られた重合物の全量と、4-ジメチルアミノピリジン2.93部とを、重合物と同質量のメタノールに加えて15時間加熱還流した。冷却後、得られた反応液に氷酢酸2.16部を加え中和した後、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別した。得られた重合物をアセトンに溶解させた後、大量の水に注いで、重合物を沈殿させ、これをろ過するという操作を3回繰り返して精製し、重量平均分子量が約3.7×103の樹脂28.15部を得た。これを樹脂A1とする。合成例2樹脂A2の合成モノマーB14.06部、モノマーA27.26部及びモノマーD4.73部を混合し、この混合物に、1,4-ジオキサン62.78部を加えて溶液とした。この溶液を87°C程度まで昇温した後、アゾビスイソブチロニトリル2.96部を添加し、同温度で6時間保温した。冷却後、反応液をメタノール389.89部及びイオン交換水163.24部の混合液に注いで重合物を沈殿させ、沈殿した重合物をろ過した。得られた重合物の全量と、4-ジメチルアミノピリジン4.10部とを、重合物と同質量のメタノールに加えて15時間加熱還流した。冷却後、得られた反応液に氷酢酸2.16部を加え中和した後、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別した。得られた重合物をアセトンに溶解させた後、大量の水に注いで沈殿させ、これをろ過するという操作を3回繰り返して精製し、乾燥することで重量平均分子量4.8×103の共重合体32.15部を得た。これを樹脂A2とする。合成例3樹脂A3の合成冷却管、攪拌機を備えた四つ口フラスコに1,4-ジオキサンを19.21部仕込み、窒素置換後82°Cまで昇温した。そこへモノマーA17.30部、モノマーC11.17部、モノマーD3.54部及びアゾビスイソブチロニトリル1.97部を1,4-ジオキサン28.82部に溶解した溶液を1時間かけて滴下した。その後82°Cを保ったまま6時間攪拌を継続した。冷却したメタノール291部及びイオン交換水125部の混合溶液に、得られた反応液を注ぎ樹脂を再沈させた。ろ過後得られた樹脂をメチルイソブチルケトン96部に溶解し、p-トルエンスルホン酸0.64部をイオン交換水64部に溶かした溶液を加え6時間撹拌した。分液後、有機層をイオン交換水64部で3度洗浄後、メチルイソブチルケトン64部を加え、128部になるまで濃縮した。この溶液をn-ヘプタン416部に注ぎ樹脂を析出させた。析出した樹脂を濾取し減圧乾燥して、重量平均分子量約5.10×103の共重合体を24.20部得た。これを樹脂A3とする。合成例4樹脂A4の合成フラスコに1,4-ジオキサン17.44部を加え、窒素置換し87°Cまで昇温した。モノマーA10.12部、モノマーB10.97部、モノマーD1.84部、モノマーE0.81部、モノマーF5.31部、アゾビスイソブチロニトリル2.31部に1,4-ジオキサン25.86部を加えて溶液とし、フラスコに1時間かけて滴下した。その後87°Cで6時間保温した。冷却後反応液をメタノール302部とイオン交換水76部の混合液に注いで重合物を沈殿ろ過した。得られたろ過物及び4-ジメチルアミノピリジン2.9部を、得られたろ過物とアセトン90部に加えて15時間加熱還流した。冷却後、得られた反応液に氷酢酸2.16部を加え中和した後、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解させた後、大量の水に注いで沈殿させる操作を3回繰り返して精製し、重量平均分子量が約5.0×103の共重合体23.06部を得た。この共重合体を樹脂A4とする。実施例1~4及び参考例1以下の表3に示す各成分を混合して溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。<樹脂>合成例1~2で得られた樹脂A1、樹脂A2、樹脂A3、樹脂A4<酸発生剤B>酸発生剤B111<化合物G>G-14:テトラブチルアンモニウムサリチラート東京化成工業製<塩基性化合物C>塩基性化合物C:ジイソプロピルアニリン<化合物E>E-1:2-tert-ブチルハイドロキノンE-2:2,5-ジ-tert-ブチルハイドロキノン<溶剤D>D1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート400.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル150.0部γ-ブチロラクトン5.0部レジスト組成物の電子線露光評価シリコンウェハーを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて90°Cで60秒処理した上で、表3記載のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が0.04μmとなるようにスピンコートした。レジスト組成物塗布後は、ダイレクトホットプレート上にて、表3のPB欄に示す温度で60秒間プリベークPBした。こうしてレジスト膜組成物層を形成したそれぞれのウェハーに、電子線描画機株日立製作所製のHL-800D50keVを用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。露光後は、ホットプレート上にて表3のPEB欄に示す温度で60秒間ポストエキスポジャーベークPEBを行い、さらに2.38重量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行ったなお、PB及びPEBの温度も表3に示す。感度評価各レジスト膜において、100nmのラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量を感度とした。これらの結果を表4に示す。実施例4~5、参考例2以下の表5に示す各成分を混合して溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。レジスト組成物のEUV露光評価シリコンウェハーを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて90°Cで60秒処理した上で、表5のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が0.06μmとなるようにスピンコートした。その後、ダイレクトホットプレート上にて、表5のPB欄に示す温度で60秒間プリベークした。レジスト膜組成物層を形成したウェハに、EUV露光機を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。露光後、ホットプレート上にて表5のPEB欄に示す温度で60秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに2.38重量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。感度評価各レジスト膜において、30nmのラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量を感度とした。これらの結果を表6に示す。"