錘部と当該錘部を揺動自在に支持するばね部とが形成されたセンサ基板と、前記センサ基板に接合されるとともに前記錘部と対向して配置される固定電極を有した支持基板と、を備え、前記支持基板には、当該支持基板の前記センサ基板と対向する側の面とその反対側の面とを貫通する貫通電極が埋設されているとともに、前記支持基板の貫通電極を当該支持基板の平面方向と垂直に切断することで、前記支持基板の側面に露出させた前記貫通電極の断面部を前記錘部および固定電極の電位取出口として利用可能とした第1のセンサと、前記第1のセンサに前記支持基板を介して積層されるセンサ基板を有した第2のセンサと、を備えることを特徴とするMEMSデバイス。前記貫通電極の断面部に、IC部を電気的に接続したことを特徴とする請求項1に記載のMEMSデバイス。前記貫通電極の断面部に、前記IC部をフリップチップ実装したことを特徴とする請求項2に記載のMEMSデバイス。ところで、近年では急速なIC技術の発達に伴い、複数のセンサ部品を小型集積化させることが求められている。そこで、本発明は、支持基板の側面から電位を取出可能としたセンサとその他のセンサとを小型集積化させることのできるMEMSデバイスを得ることを目的とする。上記目的を達成するために、本発明のMEMSデバイスにあっては、錘部と当該錘部を揺動自在に支持するばね部とが形成されたセンサ基板と、前記センサ基板に接合されるとともに前記錘部と対向して配置される固定電極を有した支持基板と、を備え、前記支持基板には、当該支持基板の前記センサ基板と対向する側の面とその反対側の面とを貫通する貫通電極が埋設されているとともに、前記支持基板の貫通電極を当該支持基板の平面方向と垂直に切断することで、前記支持基板の側面に露出させた前記貫通電極の断面部を前記錘部および固定電極の電位取出口として利用可能とした第1のセンサと、前記第1のセンサに前記支持基板を介して積層されるセンサ基板を有した第2のセンサと、を備えることを特徴とする。本発明によれば、支持基板の側面から電位を取出可能とした第1のセンサに対して第2のセンサを積層させるようにしたので、MEMSデバイスを小型集積化させることができる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、以下の複数の実施形態には、同様の構成要素が含まれている。よって、以下では、それら同様の構成要素には共通の符号を付与するとともに、重複する説明を省略する。[第1実施形態]本実施形態のMEMSデバイスD図5参照は、図1に示すように、第1のセンサとしての加速度センサS1を備えている。この加速度センサS1は、可動電極錘部4、5を有するセンサ基板1の上下面が、固定電極20a、20b、21a、21bを有する上部支持基板2aと、閉塞板となる下部支持基板2bとにより挟持されたセンサチップとして構成されている。なお、本実施形態を説明するにあたって、センサ基板1の長手方向をX方向、センサ基板1の短手方向をY方向、センサ基板1の厚さ方向をZ方向として説明する。センサ基板1は、シリコンSOI基板により形成されており、2つの矩形枠3a、3bを有するフレーム3と、矩形枠3a、3bの側壁に対して隙間G1、G2をあけた状態で矩形枠3a、3bに配置された矩形形状の2つの可動電極4、5とを備えている。可動電極4、5は、それぞれの側面の対向する二辺の略中央が、一対のビームばね部6a、6bおよび7a、7bによって矩形枠3a、3bの側壁に連結されている。そして、一方の可動電極4がビーム6a、6bによってフレーム3に対して揺動自在に支持されるとともに、他方の可動電極5がビーム7a、7bによってフレーム3に対して揺動自在に支持されている。上部支持基板2aは、本実施形態ではガラス基板により形成されており、図4に示すように、可動電極4、5の上面に対して所定間隔をあけて対向配置されている。そして、図1および図4に示すように、上部支持基板2aの一方の可動電極4と対向する面側には、平面視でビーム6aとビーム6bの中心を結ぶ直線を境界線とした場合に、境界線の一方側および他方側にそれぞれ固定電極20a、20bが設けられている。この固定電極20a、20bは、一方の可動電極4の上面に対して所定の間隔をあけて対向配置されている。また、図1および図4に示すように、上部支持基板2aの他方の可動電極5と対向する面にも、平面視でビーム7aとビーム7bの中心を結ぶ直線を境界線とした場合に、境界線の一方側および他方側にそれぞれ固定電極21a、21bが設けられている。この場合にあっても固定電極21a、21bは、他方の可動電極5の上面に対して所定間隔をあけて対向配置されている。本実施形態では、図1に示すように、センサ基板1と上部支持基板2aとの間、センサ基板1と下部支持基板2bとの間のそれぞれに、センサ基板1の外周を象った矩形枠状の中間部材8a、8bを介在させている。中間部材8a、8bは、センサ基板1と同じ材質の部材が用いられ、可動電極4、5の周縁部に段差を形成するようになっている。これにより、可動電極4、5と上部支持基板2aの固定電極20a、20b、21a、21bとの間、ならびに可動電極4、5と下部支持基板2bとの間に隙間を設けて、可動電極4、5の厚さ方向Zへの変位を可能としている。さらに、図1に示すように、上部支持基板2aの短手方向Y一端側には、上部支持基板2aのセンサ基板1と対向する側の面とその反対側の面とを貫通する貫通電極22a~22eが埋設されている。このように上部支持基板2aの長手方向Xに並列された複数の貫通電極22a~22eは、固定電極20a、20b、21a、21bおよび可動電極4、5に電気的に接続され、貫通電極22a~22eを介してこれら電極部の電位を外部に取り出せるようにしている。なお、可動電極4、5と貫通電極22eとの接続は本実施形態では図示省略したが、例えばセンサ基板1の上面に接地電極を設けるとともに、この接地電極と貫通電極22eとを中間部材8aに埋め込んだ導体部を介して電気的に接続することで行うことができる。ここで、本実施形態では、上部支持基板2aの貫通電極22a~22eを当該上部支持基板2aの平面方向と垂直に切断することで、上部支持基板2aの側面2eに貫通電極22a~22eの断面部を露出させるようにしている。具体的には、図2および図3に示すように、上部支持基板2aの貫通電極22a~22eをダイシングラインLに沿ってダイシングする。これにより、上部支持基板2aの側面2eに露出させた貫通電極22a~22eの断面部を、可動電極4、5および固定電極20a、20b、21a、21bの電位取出口として利用可能としている。また、この状態においては、貫通電極22a~22eの上面部も上部支持基板2aの上面2dに露出しており、当該上面部においても電位を取出可能となっている。下部支持基板2bは、本実施形態ではガラス基板により形成されており、図4に示すように、中間部材8bを介して双方の可動電極4、5の下面に所定間隔をあけて対向するように配置されている。このように構成された加速度センサS1は、可動電極4にX方向の加速度が印加された場合、可動電極4と固定電極20a、20b間の静電容量C1、C2はそれぞれ以下に示す数式1、2のようになる。なお数式1、2中、パラメータC0は、可動電極4にX方向の加速度が印加されていない状態での可動電極4と固定電極20a、20b間の静電容量を示す。C1=C0-ΔC...1C2=C0ΔC...2また同様に、可動電極5にX方向の加速度が印加された場合、可動電極5と固定電極21a、21b間の静電容量C3、C4はそれぞれ以下に示す数式3、4のようになる。なお数式3、4中、パラメータC0は、可動電極5にX方向の加速度が印加されていない状態での可動電極5と固定電極21a、21b間の静電容量を示す。C3=C0-ΔC...3C4=C0ΔC...4したがって、貫通電極22a~22eを介して上記容量C1~C4を検出し、ASIC等を利用して容量C1と容量C2の差分値CA=C1-C2と容量C3と容量C4の差分値CB=C3-C4を算出する。そして、算出された差分値CAと差分値CBの和±4ΔCをX出力として出力することにより、静電容量の変化から可動電極4、5に加えられたX方向の加速度を検出できる。一方、可動電極4にZ方向の加速度が印加された場合、可動電極4と固定電極20a、20b間の静電容量C1、C2はそれぞれ以下に示す数式5、6のようになる。なお数式5、6中、パラメータC0は、可動電極4にZ方向の加速度が印加されていない状態での可動電極4と固定電極20a、20b間の静電容量を示す。C1=C0ΔC...5C2=C0-ΔC...6また同様に、可動電極5にZ方向の加速度が印加された場合、可動電極5と固定電極21a、21b間の静電容量C3、C4はそれぞれ以下に示す数式7、8のようになる。なお数式7、8中、パラメータC0は、可動電極5にZ方向の加速度が印加されていない状態での可動電極5と固定電極21a、21b間の静電容量を示す。C3=C0-ΔC...7C4=C0ΔC...8したがって、貫通電極22a~22eを介して上記容量C1~C4を検出し、ASIC等を利用して容量C1と容量C2の差分値CA=C1-C2と容量C3と容量C4の差分値CB=C3-C4を算出する。そして、算出された差分値CAと差分値CBの和±4ΔCをZ出力として出力することにより、静電容量値の変化から可動電極4、5に加えられたZ方向の加速度を検出できる。ところで、本実施形態の加速度センサS1は、図1に示すように、一方の可動電極4を備えた第1の加速度センサ単体Saと、他方の可動電極5を備えた第2の加速度センサ単体Sbとが同一チップ面内に配置されている。そして、例えば一方の可動電極4の下面と他方の可動電極5の下面とに凹部図示せずを設けるとともに、それぞれの加速度センサ単体Sa、Sbが相対的に180度回転した状態で配置されるようにしている。このように、第1の加速度センサ単体Saの可動電極4と、第2の加速度センサ単体Sbの可動電極5との重心位置を、境界線に対して互いに反対側に位置するように配置することで、X方向およびZ方向の加速度を検出できるようにしている。ここで、本実施形態のMEMSデバイスDは、図5に示すように、上記加速度センサS1に上部支持基板2aを介して積層されるセンサ基板1Aを有した第2のセンサとしての圧力センサS2を備えている。すなわち、本実施形態のMEMSデバイスDは、機能の異なる2つのセンサを上部支持基板2aを介して積層させることで、加速度センサS1と圧力センサS2とを集積化させたものである。圧力センサS2は、シリコンSOI基板により形成されたセンサ基板1Aと、このセンサ基板1Aに接合されるとともに上記加速度センサS1と共有する上部支持基板2aとにより構成されている。センサ基板1Aには、エッチング等によってダイヤフラム11が形成されており、このダイヤフラム11の上部支持基板2aと対向する面には帯板状の可動電極14が設けられている。本実施形態では、この可動電極14が上部支持基板2aの貫通電極22eと電気的に接続されるようにしている。一方、上部支持基板2aの上面2dには、図1では図示省略したが図5に示すように、センサ基板1Aの可動電極14と対向するようにして帯板状の固定電極24が設けられている。本実施形態では、この固定電極24が上部支持基板2aの貫通電極22a~22dと電気的に接続されるようにしている。そして、センサ基板1Aの可動電極14よりも上部支持基板2a側に突出した外周接合部12を、上部支持基板2aの上面2dに陽極接合などによって気密状態で接合する。その結果、センサ基板1Aのダイヤフラム11および外周接合部12と上部支持基板2aの上面2dとで囲まれた気密空間部15が形成される。上記気密空間部15には、所定の圧力にて気体が封入されているとともに、ダイアフラム11の上部支持基板2aと対向しない面は、外部に曝されるようになっている。したがって、ダイヤフラム11は、気密空間部15内の圧力と外部の空気圧との圧力差によって撓む。そして、ダイヤフラム11が撓むと上部支持基板2aに設けられた固定電極24とダイヤフラム11に設けられた可動電極14との距離が変化し、その変化に応じて静電容量値が変化するようになっている。したがって、貫通電極部22a~22eを介して固定電極24と可動電極14との間の静電容量値を測定することで、固定電極24と可動電極14との距離、即ちダイヤフラム11の撓み量が測定できる。そして、ダイヤフラム11は、外部の空気圧と気密空間部15内の気体圧力との差に応じて撓む。したがって、気密空間部15内の気体圧力を所望の値に設定し、この状態で静電容量値を測定することにより外部の空気圧が得られる。このような構成の本実施形態のMEMSデバイスDにあっては、例えば自動車のタイヤ内の空気圧を監視する装置に用いることができる。以上の構成により、本実施形態のMEMSデバイスDは、支持基板2aの側面2eに露出させた貫通電極22a~22eの断面部を、可動電極4、5および固定電極20a~21bの電位取出口として利用可能とした第1のセンサS1を備えている。そして、この第1のセンサとしての加速度センサS1に支持基板2aを介して積層されるセンサ基板1Aを有した第2のセンサとしての圧力センサS2を備えている。このように、本実施形態では、支持基板2aの側面から電位を取出可能とした加速度センサS1に対して圧力センサS2を積層させるようにしたので、MEMSデバイスDを小型集積化させることができるようになる。また、本実施形態では、加速度センサS1の電位と圧力センサS2の電位とを支持基板2aの側面に露出させた貫通電極22a~22eの断面部から取り出せるようにしたので、取り出し作業を容易に行うことができる。また、このような構成により、ASIC等を支持基板2aの側面2dにフリップチップ実装することができるようになり、電位の取出方法としてワイヤーボンディングの他に選択肢を増やすことができるので、利便性に優れたMEMSデバイスDを得ることができる。さらにまた、本実施形態では、2つのセンサ加速度センサS1と圧力センサS2を積層させる際に、支持基板2aを共有させてMEMSデバイスDを形成するようにしている。そのため、多機能なMEMSデバイスDを提供することができるにも関わらず、さらなる小型軽量化に繋がる。なお、本実施形態では、機能の異なる2つのセンサ加速度センサS1と圧力センサS2を積層させるようにしたが、これに限定されない。例えば、加速度センサS1と、当該加速度センサS1の可動電極4、5を90度回転させた第2の加速度センサとを積層させることにより、X方向とZ方向の加速度に加えてY方向の加速度を検出できるようにしたMEMSデバイスを形成するようにしてもよい。[第2実施形態]次に、本発明の第2実施形態について図面を参照して説明する。図6は、本実施形態にかかるMEMSデバイスD1を示した図である。本実施形態のMEMSデバイスD1は、上部支持基板2aの側面から電位を取出可能とした第1のセンサS3と、この第1のセンサS3に積層される第2のセンサS6との他に、第3のセンサS4と第4のセンサS5とを備えている。具体的には、本実施形態では、第1のセンサS3が下部支持基板2bの側面からも電位を取出可能となっている。そして、この第1のセンサS3と同様の構成の第3のセンサS4を、第1のセンサS3の長手方向X図1参照に並設し、第1のセンサS3および第3のセンサS4の上部支持基板2a、2Aに第2のセンサS6を積層させている。また、同様にして第1のセンサS3および第3のセンサS4の下部支持基板2b、2Bに第4のセンサS5を積層させている。この場合、例えば第1のセンサS3としてX、Z方向の加速度を検出する加速度センサを用いるとともに、第3のセンサS4としてY、Z方向の加速度を検出する加速度センサを用いる。そして、第2のセンサS6として圧力センサを用いるとともに、第4のセンサS5として、その他のセンサを用いることで小型集積化させた多機能なMEMSデバイスD1を形成することができる。ここで、本実施形態では、図6に示すように、第1のセンサS3と第3のセンサS4の貫通電極22a~22e、122a~122eの断面部に、ASIC等のIC部30を電気的に接続させている。詳細には、本実施形態では、貫通電極22a~22e、122a~122eの断面部に、前記IC部30をフリップチップ実装するようにしている。以上の構成により、本実施形態では、貫通電極22a~22e、122a~122eの断面部に、IC部30を電気的に接続させたので、電位の取り出しを容易に行うことができる。また、取出方法としてフリップチップ実装やワイヤーボンディング等を選択することができ、利便性に優れたMEMSデバイスDを得ることができる。また、本実施形態では、貫通電極22a~22e、122a~122eの断面部に、前記IC部30をフリップチップ実装している。そのため、IC部をワイヤーボンディングして接続させる構成と比べて、取付作業を容易に行うことができるとともに、MEMSデバイスD1を小型化することができる。なお、本実実施形態のMEMSデバイスD1では、第2のセンサまたは第4のセンサの代わりに、発電機などを集積化させるようにしてもよい。こうすれば、MEMSデバイスD1を駆動するための電池が不要となるので好適である。以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態には限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記各実施形態では、上部支持基板と下部支持基板とをガラス基板により形成したが、シリコン基板により形成してもよい。また、上記各実施形態では、MEMSデバイスを構成するセンサとして加速度センサと圧力センサを例示したが、これに限定されず、例えば角速度センサや振動センサ等を用いるようにしてもよい。また、錘部や固定電極その他細部のスペック形状、大きさ、レイアウト等も適宜に変更可能である。