光を発する半導体発光素子と、上面に前記半導体発光素子を実装して下面に一組の外部電極を対向して形成した素子基板と、前記半導体発光素子を覆う封止部とを備えた発光デバイスにおいて、前記外部電極間を通るとともに両側面に開口端を有する溝部を前記素子基板の下面に形成し、前記溝部の断面形状をU字状に形成したことを特徴とする発光デバイス。請求項1に記載の発光デバイスと、前記外部電極に半田付けされる一組の導体ランドを有する配線基板とを備え、前記発光デバイスを前記配線基板に実装したことを特徴とする発光デバイス装置。前記導体ランド間に前記配線基板を貫通する貫通孔を設けたことを特徴とする請求項2に記載の発光デバイス装置。前記導体ランドは前記外部電極に接して互いに導通する複数の接地部が連通路を介して並設され、前記連通路を介して前記溝部と前記発光デバイスの外側とを連通したことを特徴とする請求項2または請求項3に記載の発光デバイス装置。前記外部電極の内側の端縁に対して半田付け領域を外側に配し、前記導体ランドと前記外部電極との間に半田を介さない未接続領域を設けたことを特徴とする請求項2~請求項4のいずれかに記載の発光デバイス装置。前記半田付け領域の外縁を前記発光デバイスの外周縁よりも外側に配したことを特徴とする請求項5に記載の発光デバイス装置。請求項2~請求項6に記載の発光デバイス装置の製造方法であって、前記外部電極と前記導体ランドとを半田付けする半田付け工程と、前記配線基板の下面を加熱しながら前記溝部の一方の前記開口端に空気を吹き付けるとともに他方の前記開口端から空気を吸引するエアブロー工程とを備えたことを特徴とする発光デバイス装置の製造方法。光を発する半導体発光素子と、上面に前記半導体発光素子を実装して下面に一組の外部電極を対向して形成した素子基板と、前記半導体発光素子を覆う封止部とを有し、前記外部電極間を通るとともに両側面に開口端を有する溝部を前記素子基板の下面に形成した発光デバイスと、前記外部電極に半田付けされる一組の導体ランドを有する配線基板と、を備え、前記発光デバイスを前記配線基板に実装した発光デバイス装置の製造方法において、前記外部電極と前記導体ランドとを半田付けする半田付け工程と、前記配線基板の下面を加熱しながら前記溝部の一方の前記開口端に空気を吹き付けるとともに他方の前記開口端から空気を吸引するエアブロー工程とを備えたことを特徴とする発光デバイス装置の製造方法。しかしながら、発光デバイス110の素子基板112の下面に溝部を形成すると、素子基板112が薄いので溝部にかかる応力により素子基板112が変形する問題があった。また、溝部が浅いとフラックスの残渣を十分除去できない問題もあった。本発明は、フラックスの残渣を防止するとともに素子基板の変形を防止できる発光デバイス及び発光デバイス装置、また、フラックスの残渣をより確実に低減できる製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために本発明は、光を発する半導体発光素子と、上面に前記半導体発光素子を実装して下面に一組の外部電極を対向して形成した素子基板と、前記半導体発光素子を覆う封止部とを備えた発光デバイスにおいて、前記外部電極間を通るとともに両側面に開口端を有する溝部を前記素子基板の下面に形成し、前記溝部の断面形状をU字状に形成したことを特徴としている。この構成によると、発光デバイスの実装時に外部電極が半田付けされる両電極間に生じる半田付け時のフラックスの残渣は溝部を介して揮発される。また、溝部の断面形状がU字状に形成されており、溝部にかかる応力が分散される。また本発明は、上記構成の発光デバイスと、前記外部電極に半田付けされる一組の導体ランドを有する配線基板とを備える発光デバイス装置であって、前記発光デバイスを前記配線基板に実装したことを特徴としている。また本発明は、上記構成の発光デバイス装置において、前記導体ランド間に前記配線基板を貫通する貫通孔を設けたことを特徴としている。この構成によると、導体ランド間は貫通孔を介して発光デバイス装置の外部と通気して導体ランド間に生じるフラックスの残渣の揮発を促す。また本発明は、上記構成の発光デバイス装置において、前記導体ランドは前記外部電極に接して互いに導通する複数の接地部が連通路を介して並設され、前記連通路を介して前記溝部と前記発光デバイスの外側とを連通したことを特徴としている。この構成によると、導体ランドと外部電極とは接地部を介して電気的に接続される。また、溝部が連通路を介して発光デバイスの外側に連通して導体ランド間においてフラックスの揮発を促す。また本発明は、上記構成の発光デバイス装置において、前記外部電極の内側の端縁に対して半田付け領域を外側に配し、前記導体ランドと前記外部電極との間に半田を介さない未接続領域を設けたことを特徴としている。この構成によると、半田の溶融時に外部電極の内側の端縁より内側にフラックスが流出することが防止される。また、未接着領域に流出したフラックスは導体ランドに含まれる酸化銅と反応して揮発が促される。また本発明は、上記構成の発光デバイス装置において、前記半田付け領域の外縁を前記発光デバイスの外周縁よりも外側に配したことを特徴としている。この構成によると、発光デバイスの外周縁よりも外側に配した半田付け領域からフラックスの揮発が促される。また本発明は、上記構成の発光デバイス装置の製造方法であって、前記外部電極と前記導体ランドとを半田付けする半田付け工程と、前記配線基板の下面を加熱しながら前記溝部の一方の前記開口端に空気を吹き付けるとともに他方の前記開口端から空気を吸引するエアブロー工程とを備えたことを特徴としている。この構成によると、配線基板の下面を加熱することにより配線基板の上面におけるフラックスの残渣が溶融して流動性を有する。また、溝部の一方の開口端から空気を吹き付けることによって導体ランド間におけるフラックスが風圧で他方の開口端へ流れる。また、他方の開口端から空気を吸引することによって他方の開口端からフラックスが排出される。また本発明は、光を発する半導体発光素子と、上面に前記半導体発光素子を実装して下面に一組の外部電極を対向して形成した素子基板と、前記半導体発光素子を覆う封止部とを有し、前記外部電極間を通るとともに両側面に開口端を有する溝部を前記素子基板の下面に形成した発光デバイスと、前記外部電極に半田付けされる一組の導体ランドを有する配線基板と、を備え、前記発光デバイスを前記配線基板に実装した発光デバイス装置の製造方法において、前記外部電極と前記導体ランドとを半田付けする半田付け工程と、前記配線基板の下面を加熱しながら前記溝部の一方の前記開口端に空気を吹き付けるとともに他方の前記開口端から空気を吸引するエアブロー工程とを備えたことを特徴としている。この構成によると、配線基板の下面を加熱することにより配線基板の上面におけるフラックスが溶融して流動性を有する。また、溝部の一方の開口端から空気を吹き付けることによって導体ランド間においてフラックスが風圧で他方の開口端へ流れる。また、他方の開口端から空気を吸引することによって他方の開口端からフラックスが排出される。本発明によると、溝部の断面形状をU字状に形成することにより、溝部にかかる応力が分散されて基板の変形を防止することができる。また、発光デバイスの基板の両側面に開口端を有する溝部が通気路となり、この通気路がフラックスの揮発を促す。これにより、フラックスの残渣をより低減することができる。また、発光デバイス装置の製造方法において、配線基板の下面を加熱することにより配線基板の上面におけるフラックスが溶融して流動性を有する。また、溝部の一方の開口端から空気を吹き付けることによって導体ランド間においてフラックスが風圧で他方の開口端へ流れる。また、他方の開口端から空気を吸引することによって他方の開口端からフラックスが排出される。これにより、フラックスの残渣をより確実に低減することができる。[第1実施形態]以下に本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図1は本実施形態の発光デバイス装置1の断面図である。発光デバイス装置1は配線基板60の上面に発光デバイス10を半田実装して構成される。具体的には、配線基板60の上面には互いに絶縁分離する一組の導体ランド62a、62bと発光デバイス10の下面に形成された絶縁分離する一組の外部電極15a、15bとが半田層21a、21bを介して電気的に接続される。発光デバイス10は光を発する半導体素子11と、半導体素子11を上面に搭載する素子基板12とで構成される。素子基板12の上面には外部電極15a、15bと電気的に接続される端子不図示が複数形成されており、半導体発光素子11と端子とはワイヤボンディング13a、13bにより電気的に接続されている。半導体発光素子11は蛍光体を含有する封止部14で覆われている。これにより、半導体発光素子11からの光と、該光のうち蛍光体を励起して波長変換された光とが混色されて封止部14から出射する。なお、蛍光体を含有しない封止部14を用いてもよい。発光デバイス10の基板12の下面側には溝部31が設けられている。溝部31は対向する外部電極15a、15bの間を通りながら基板12の両側面に開口端31a、31bを有する図3参照。また、溝部31の断面形状は円弧や楕円弧等のU字状に形成されている。溝部31の断面形状をU字状に形成することにより、溝部31にかかる応力を分散して素子基板12の変形を防止することができる。上記構成の発光デバイス装置1は半田付け工程及びエアブロー工程によって発光デバイス10が配線基板60に実装される。半田付け工程では配線基板60の導体ランド62a、62b上に半田を印刷した後、発光デバイス10が載置される。これにより、発光デバイス10の外部電極15a、15bと導体ランド62a、62bとが半田付けされ、半田層21a、21bが形成される。このとき、溝部31が通気路となり、半田に含有して導体ランド62a、62b間に流出するフラックスが通気路を介して揮発する。エアブロー工程は導体ランド62a、62b間に流出するフラックスをエアブローにより除去する。図2、図3はエアブロー工程を示す概略図である。エアブロー装置70は送風部71、吸引部72及び加熱部73を備えている。送風部71と吸引部72とは配線基板60上に対向配置され、水平方向にスライド自在になっている。送風部71の下部には送風口71aが開口し、吸引部72の下部には吸引口72aが開口する。加熱部73は配線基板60の下方に配され、上下移動可能に構成される。半田付け工程で発光デバイス10が半田付けされた配線基板60は所定位置に搬送されて停止すると、加熱部73が上昇して配線基板60の下面に当接する。これにより、配線基板60は加熱部73と基板押え部不図示とによって挟持される。次に、送風部71の送風口71aと吸引部72の吸引口72aが発光デバイス10の溝部31の開口端31a、31bと近接する位置に移動する。次に、配線基板60の下面を加熱しながら溝部31の一方の開口端31aに空気を吹き付けるとともに他方の開口端31bから空気を吸引する。加熱部73により配線基板60を加熱すると、配線基板60の上面におけるフラックスFの残渣が溶融して流動性を有する。なお、加熱部73の加熱温度はフラックスFが溶融し、半田が溶融しない100°C~170°Cの間に設定することが好ましい。図4~図6はエアブロー工程におけるフラックスFの状態を示す上面図である。図4に示すように、送風部71の送風口71aから開口端31aに空気を吹き付けると溝部31内の溶融したフラックスFが配線基板60の表面から剥離する。そして図5に示すように、発光デバイス10と配線基板60の間に発生したフラックスFが他方の開口端31bへ風圧により押し流される。更に図6に示すように、吸引部72の吸引口72aから空気を吸引することにより、開口端31bへ流れたフラックスFは開口端31bから排出されて吸引口72aに吸引される。フラックスFの除去処理が完了すると、加熱部73は下降するとともに送風部71及び吸引部72が開口端31a、31bから離れる。最後にフラックス除去処理が完了した配線基板60が搬出されて処理が完了する。なお、加熱部73により配線基板60上のフラックスFを加熱する代わりに送風部71から熱風を吹き付けてもよい。このとき、熱風の雰囲気温度はフラックスFが溶融可能で半田が溶融しない温度で行う必要がある。図7は発光デバイス装置1の製造方法の変形例を示す上面図である。送風部71及び吸引部72を複数並べてユニット化してもよい。これにより、配線基板60上に複数実装された発光デバイス10に対して同時にフラックス除去処理を行うことができる。本実施形態によると、溝部31の断面形状がU字状に形成されているため溝部31にかかる応力が分散されて素子基板12の変形を防止することができる。また、発光デバイス10を配線基板60に半田で実装したときに発光デバイス10と配線基板60の間に形成される空間が溝部31により拡大する。これにより、溝部31の開口端31a、31bにより発光デバイス10外部に連通する通気路が形成される。したがって、通気路を介して発光デバイス10と配線基板60との間におけるフラックスFの揮発が促される。これにより、フラックスFの残渣をより低減することができる。また、エアブロー工程において、配線基板60の下面を加熱することにより配線基板60の上面におけるフラックスFが溶融して流動性を有する。このとき、溝部31の一方の開口端31aから空気を吹き付けることによって導体ランド間62a、62bの間におけるフラックスFが風圧で他方の開口端31bへ流れる。他方の開口端31bから空気を吸引することによって他方の開口端31bからフラックスFが排出される。これにより、発光デバイス10と配線基板60の間においてフラックスFの残渣をより確実に低減することができる。第2実施形態図8は第2実施形態に係る発光デバイス装置1の断面図であり、図9は発光デバイス装置1に係る配線基板60の上面図である。なお、第1実施形態と同一部分は同一符号を付して説明を省略する。第1実施形態に対して第2実施形態では導体ランド62a、62b間に配線基板60を貫通する貫通孔61が設けられている。本実施形態によると、発光デバイス10を配線基板60に半田で実装したときに貫通孔61を介して配線基板60の下面側にフラックスFが抜ける。これにより、導体ランド62a、62b間にフラックスFの残渣が発生し難い。また、導体ランド62a、62b間においてフラックスFは発光デバイス装置1の外部と通気する貫通孔61により揮発が促される。これにより、フラックスFの残渣をより低減することができる。第3実施形態図10は第3実施形態に係る発光デバイス装置1に係る配線基板60の上面図である。なお、第1実施形態と同一部分は同一符号を付して説明を省略する。本実施形態は第1実施形態に対して導体ランド62a、62bの平面形状が異なっている。その他の部分は第1実施形態と同様である。導体ランド62aの内縁は平面視コ字状に形成され、溝部31が延びる方向に複数の接地部62c、62dが並設される。接地部62c、62dは発光デバイス10の外側に配される接続部62gを介して導通する。接地部62c、62d間には配線基板60上に連通路63aが形成され、連通路63aを介して溝部31と発光デバイス10の外側とが連通する。同様に、導体ランド62bの内縁は平面視コ字状に形成され、溝部31が延びる方向に複数の接地部62e、62fが並設される。接地部62e、62fは発光デバイス10の外側に配される接続部62hを介して導通する。接地部62e、62f間には配線基板60上に連通路63bが形成され、連通路63bを介して溝部31と発光デバイス10の外側とが連通する。外部電極15aは接地部62c、62dに接して導体ランド62aと導通し、外部電極15bは接地部62e、62fに接して導体ランド62bと導通する。導体ランド62a、62b間に生じるフラックスF図4参照の残渣は溝部31及び連通路63a、63bを介して揮発される。本実施形態によると、導体ランド62a、62bが連通路63a、63bを介して複数の接地部を並設して形成される。これにより、フラックスFの残渣が溝部31及び連通路63a、63bを介して揮発され、フラックスFの残渣をより低減することができる。第4実施形態図11は第4実施形態に係る発光デバイス装置1の断面図である。なお、第1実施形態と同一部分は同一符号を付して説明を省略する。本実施形態は第1実施形態に対して導体ランド62a、62bの平面形状及び半田層21a、21bの配置が異なっている。その他の部分は第1実施形態と同様である。導体ランド62a、62bは発光デバイス10の外側に延びて形成される。また、半田層21a、21bは半田印刷の位置を第1実施形態に対して外側にずらし、外部電極15a、15bの内側の端縁に対して外側に配される。これにより、外部電極15a、15b及び導体ランド62a、62bの内側には半田を介さない未接続領域64a、64bが形成される。本実施形態によると、外部電極15a、15bの内側の端縁に対して半田層21a、21bを外側に配すことにより、半田の溶融時に外部電極15a、15bの内側の端縁より内側にフラックスFが流出するのを防止することができる。また、未接着領域64a、64bに流出したフラックスFは導体ランド62a、62bに含まれる酸化銅と反応してフラックスFの揮発が促される。また、発光デバイス10の外周縁よりも外側に配された半田層21a、21bからフラックスFの揮発が促される。これにより、フラックスFの残渣をより低減することができる。