インジウム、ガリウム、亜鉛、錫から選ばれた少なくとも2つの元素を有する酸窒化物の焼結体よりなるスパッタリングターゲット。前記酸窒化物の焼結体中の窒素の濃度が4原子以上であることを特徴とする請求項1記載のスパッタリングターゲット。前記酸窒化物の焼結体中の窒素の濃度が20原子以上であることを特徴とする請求項2記載のスパッタリングターゲット。前記酸窒化物の焼結体中のアルカリ金属濃度が5×1016atoms/cm3以下であることを特徴とする請求項1乃至3記載のスパッタリングターゲット。前記酸窒化物の焼結体中の水素濃度が1×1016atoms/cm3以下であることを特徴とする請求項1乃至4記載のスパッタリングターゲット。請求項1乃至5記載のスパッタリングターゲットを用いて、基板上に酸窒化物膜を形成する工程を有する半導体装置の作製方法。請求項6において、基板上に酸窒化物膜を形成する工程に用いるスパッタリングガスにおける、アルゴン、クリプトン、キセノンの合計の比率が80以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化亜鉛の少なくとも1つを原料の一とし、これと、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛の少なくとも1つと混合して窒素雰囲気中で焼結するインジウムとガリウムと亜鉛を有する酸窒化物よりなるスパッタリングターゲットの作製方法。しかしながら、これまで報告されているIn-Ga-Zn-O-N系化合物は、反応性スパッタリング法によって形成されている。これは、In-Ga-Zn-O系化合物を窒素を含む雰囲気中でスパッタリングする方法であるが、この方法では以下に説明するように、成膜レートが低下する。スパッタリングの効率は、雰囲気すなわちスパッタリングガスに重い原子を用いた方が高い。例えば、原子量40のアルゴンを用いる場合と、分子量28の窒素を用いる場合では、前者のほうが成膜レートが高く、生産性がよい。したがって、生産性を高めるためにはスパッタリングの際の雰囲気のアルゴンの比率を上げ、相対的に窒素の比率を低下させる必要がある。しかしながら、反応性スパッタリング法を用いる場合には、雰囲気中の窒素の比率が低下すると、得られるIn-Ga-Zn-O-N系化合物中の窒素濃度が低下し、必要とする窒素濃度の化合物が得られない場合がある。特に、窒素濃度が20原子以上のIn-Ga-Zn-O-N系化合物を反応性スパッタリング法で安定して得ることは困難である。上記の課題は、In-Ga-Zn-O-N系化合物に限らず、In-Sn-Ga-Zn-O-N系化合物、In-Sn-Zn-O-N系化合物、In-Al-Zn-O-N系化合物、Sn-Ga-Zn-O-N系化合物、Al-Ga-Zn-O-N系化合物、Sn-Al-Zn-O-N系化合物、In-Zn-O-N系化合物、Ga-Zn-O-N系化合物、Sn-Zn-O-N系化合物、Al-Zn-O-N系化合物にも共通するものである。特にガリウムやアルミニウムは酸素と結合しやすいため、ガリウムやアルミニウムを有する酸化物を用いて反応性スパッタリング法で酸窒化物膜を得ようとしても、ガリウムやアルミニウムと結合する酸素を窒素で置換することは非常に難しく、そのため、窒素濃度は低くなってしまう。本発明の一態様は、目的とする濃度の窒素を有する酸窒化物膜を安定して得る方法と手段、そのために必要な物品等を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、インジウム、ガリウム、亜鉛、錫から選ばれた少なくとも2つの元素を有する酸窒化物よりなるスパッタリングターゲットである。ここで、窒素の濃度は4原子以上であることが好ましく、20原子以上であることがより好ましい。また、上記のスパッタリングターゲットにおいては、アルカリ金属濃度が5×1016atoms/cm3以下であることが好ましい。さらに、上記のスパッタリングターゲットにおいては水素濃度が1×1019atoms/cm3以下、好ましくは1×1018atoms/cm3以下、さらに好ましくは1×1016atoms/cm3未満であることが好ましい。より詳細には、Naナトリウムの濃度を5×1016atoms/cm3以下、好ましくは1×1016atoms/cm3以下、さらに好ましくは1×1015atoms/cm3以下とするとよい。また、Liリチウムの濃度を5×1015atoms/cm3以下、好ましくは1×1015atoms/cm3以下とするとよい。また、Kカリウムの濃度を5×1015atoms/cm3以下、好ましくは1×1015atoms/cm3以下とするとよい。なお、上記の水素やアルカリ金属の濃度は、二次イオン質量分析法SIMS:SecondaryIonMassSpectroscopyによる測定値である。SIMS分析は、その原理上、試料表面近傍や、材質が異なる材料との積層界面近傍のデータを正確に得ることが困難であることが知られている。そこで、対象物における対象元素の濃度の厚さ方向の分布を測定する場合、対象物の存在する範囲において、極端な変動が無く、ほぼ一定の強度が得られる領域における最低値を採用する。また、測定の対象物の厚さが小さい場合、隣接する材料の影響を受けて、ほぼ一定の強度の得られる領域を見いだせない場合がある。この場合、対象物の存在する領域における、最低値を、対象元素の濃度として採用する。また、別の本発明の一態様は、上記のスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により、基板上に酸窒化物膜を形成する工程を有する半導体装置の作製方法である。その際、用いるスパッタリングガスにおける、アルゴン、クリプトン、キセノンの合計の比率が80以上となるようにするとよい。また、別の本発明の一態様は、窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化亜鉛の少なくとも1つを原料の一とし、これと、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛の少なくとも1つと混合して窒素雰囲気中で焼結するインジウムとガリウムと亜鉛を有する酸窒化物よりなるスパッタリングターゲットの作製方法である。上記の本発明の態様の少なくとも1つにより得られるスパッタリングターゲットでは、必要とする濃度の窒素を予めターゲット中に確保できる。そのため、スパッタリングガスのアルゴン等の重い希ガスの比率を高めて生産性を高めることができる。これは、特に窒素濃度が4原子以上、特に20原子以上の導電性の高い酸窒化物を効率よく得る上で好ましい。もちろん、スパッタの際の雰囲気に窒素を含ませてもよい。また、スパッタリングターゲット中の水素や、アルカリ金属や、アルカリ土類金属等の不純物濃度を低減することは得られる半導体装置の信頼性を高めることができる。特に、酸化物半導体を用いたトランジスタのしきい値は酸化物半導体膜に含まれるキャリア密度の影響を受ける。酸化物半導体膜に含まれるキャリアは、酸化物半導体膜に含まれる不純物からも発生する。例えば、成膜された酸化物半導体膜に含まれる水H2Oに代表される水素原子を含む化合物や、アルカリ金属を含む化合物、もしくはアルカリ土類金属を含む化合物等の不純物は、酸化物半導体膜のキャリア密度を高める。特にアルカリ金属のうち、Naが含まれる材料に酸化物酸化シリコン等が接する場合、その中に拡散し、Naとなる。また、酸化物半導体内において、金属と酸素の結合を分断し、あるいは結合中に割り込む。その結果、トランジスタ特性の劣化例えば、ノーマリーオン化しきい値の負へのシフト、移動度の低下等をもたらす。加えて、特性のばらつきの原因ともなる。このような問題は、特に酸化物半導体中の水素の濃度が十分に低い場合において顕著となる。したがって、酸化物半導体中の水素の濃度が5×1019atoms/cm3以下、特に5×1018atoms/cm3以下である場合には、酸化物半導体と近接する材料に含まれるアルカリ金属の濃度を5×1016atoms/cm3以下にすることが強く求められる。具体的には、酸化物半導体膜の作製に用いるスパッタリングターゲットの中の不純物であるアルカリ金属、アルカリ土類金属、及び水素を排除すれば、これらの不純物の含有量の少ない酸化物半導体膜を成膜することができる。さらには、酸化物半導体膜と近接するその他の材料の膜絶縁膜や導電膜からもそれらの不純物を排除することが求められる。そのため、酸窒化物のスパッタリングターゲットも、十分に不純物濃度の低いものとすることが好ましい。なお、上記の議論は未だ一般的なものではない。例えば、非特許文献1では、酸化物半導体は不純物に対して鈍感であり、膜中にはかなりの金属不純物が含まれていても問題がなく、ナトリウムのようなアルカリ金属が多量に含まれる廉価なソーダ石灰ガラスも使えると指摘している。しかし、このような指摘は適切でない。本発明者の知見では、アルカリ金属、及びアルカリ土類金属は酸化物半導体層を用いたトランジスタにとっては悪性の不純物であり、少ないほうがよい。なお、本発明者の研究の結果、In-Ga-Zn-O-N系化合物では、電子親和力は、窒素濃度の増加とともに大きくなり、10原子以上では、5.6電子ボルト程度となることがわかっている。さらに、バンドギャップも窒素濃度の増加とともに小さくなり、2.8電子ボルト以下となり、さらに、条件によっては、2.3電子ボルト以下となる。また、窒素濃度に応じて、導体となったり、半導体となったりすることも明らかになった。これらのことから、窒素濃度が大きなIn-Ga-Zn-O-N系化合物の仕事関数は5.6電子ボルト程度であることがわかっている。このことは特に、In-Ga-Zn-O系化合物等の酸化物半導体を用いる半導体装置トランジスタ等を作製する上では好ましい。例えば、仕事関数が通常使用できる各種の金属よりも大きいことを利用して、トランジスタのしきい値を高くし、ノーマリーオフ特性を得ることができる。一般に酸化物半導体はPN接合によるソース/チャネル間やドレイン/チャネル間の分離ができない。そのため、酸化物半導体を用いてトランジスタを作製しても、特にチャネル長が1μm以下であると、ゲートの電位が0Vであってもソースドレイン間に相当の電流が流れるというノーマリーオン特性となる。このことを抑制するには、ゲートに用いる材料の仕事関数を高めることが必要で、In-Ga-Zn-O-N系化合物はこの目的に適している。また、窒素濃度が高くなると、優れた導電性を示すことからゲート以外に、ソース電極やドレイン電極としても用いることができる。特に、In-Ga-Zn-O系化合物の電子親和力が4.3電子ボルト程度であるのに対し、In-Ga-Zn-O-N系化合物の電子親和力実質的には仕事関数が上述のとおり、最大で5.6電子ボルト程度であるため、In-Ga-Zn-O系化合物とIn-Ga-Zn-O-N系化合物の接合部には1電子ボルト以上の段差が形成される。このような段差は、丁度、通常のシリコンMOSトランジスタのPN接合に相当するものであり、特に高濃度にドーピングされたシリコンMOSトランジスタのチャネルとエクステンション領域間の接合と同程度の段差であり、短チャネル効果を抑制する上で効果的である。酸化物半導体をチャネルに用いたチャネル長が20nm以下のトランジスタにおいては、チャネルに接する材料にIn-Ga-Zn-O-N系化合物を用いるとよい。また、窒素濃度によっては、ドーピングされた半導体としての特性を示すことから、そのようなIn-Ga-Zn-O-N系化合物膜をトランジスタのチャネルとソース電極やドレイン電極との間に形成することにより、チャネルとソース電極やドレイン電極との間の電界を緩和することができる。上記の効果は、In-Ga-Zn-O-N系化合物に限られず、In-Sn-Ga-Zn-O-N系化合物、In-Sn-Zn-O-N系化合物、In-Al-Zn-O-N系化合物、Sn-Ga-Zn-O-N系化合物、Al-Ga-Zn-O-N系化合物、Sn-Al-Zn-O-N系化合物、In-Zn-O-N系化合物、Ga-Zn-O-N系化合物、Sn-Zn-O-N系化合物、Al-Zn-O-N系化合物、In-O-N系化合物、Sn-O-N系化合物、Ga-O-N系化合物、Zn-O-N系化合物などの酸窒化物でも認められる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、以下の実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。なお、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いることがある。なお、同様のものを指す際にはハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。また、第1、第2として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順または積層順を示すものではない。また、本明細書において発明を特定するための事項として固有の名称を示すものではない。本明細書で酸化物とは、その物質化合物を含むに含まれる窒素、酸素、フッ素、硫黄、セレン、塩素、臭素、テルル、ヨウ素の占める割合が全体の25原子以上で、かつ、以上の元素に対する酸素の割合が70原子以上のものをいい、酸窒化物とは、その物質化合物を含むに含まれる窒素、酸素、フッ素、硫黄、セレン、塩素、臭素、テルル、ヨウ素の占める割合が全体の25原子以上で、かつ、以上の元素に対する酸素と窒素の合計の割合が70原子以上のものをいう。また、本明細書で金属元素とは、希ガス元素、水素、ホウ素、炭素、窒素、16族元素酸素等、17族元素フッ素等、シリコン、燐、ゲルマニウム、砒素、アンチモン以外の全ての元素のことである。さらに、本明細書において、ある1つの金属元素を主たる金属成分とする、とはその物質中に金属元素が1つあるいは複数ある中で、当該金属元素が金属元素全体の50原子を超える場合を言う。また、n種の金属元素M1、M2、、Mnを主たる金属成分とするとは、金属元素M1、M2、、Mnのそれぞれの占める比率の総和が金属元素全体の{1-2-n×100}[原子]を超える場合を言う。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様であるスパッタリングターゲットの製造方法について図1を参照して説明する。図1は、本実施の形態に係るスパッタリングターゲットの製造方法の一例を示すフローチャートである。以下では、In-Ga-Zn-O-N系化合物のスパッタリングターゲットの製造について説明するが、他の酸窒化物のスパッタリングターゲットでも同様に実施できる。ここでは、原料として、窒化インジウムと窒化ガリウム、酸化インジウムと酸化ガリウム、酸化亜鉛を焼成してスパッタリングターゲットとする場合について説明する。はじめに、亜鉛、インジウム、ガリウムをそれぞれ蒸留、昇華、または再結晶を繰り返して精製する。純度は、99.99以上、好ましくは99.9999以上とする。その後、それぞれ精製した金属を粉末状に加工するS1。このようにして高純度化した金属亜鉛、金属インジウム、金属ガリウムを高純度の酸素雰囲気下で焼成して酸化させ、酸化物原料を得るS2。用いる酸素雰囲気は、例えば6N99.9999以上、好ましくは7N99.99999以上、即ち不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下の純度とする。一方、一部の高純度化した金属インジウム、金属ガリウムを高純度の窒素雰囲気下あるいはアンモニア雰囲気下で焼成して窒化させ、窒化物原料を得るS3。用いる窒素雰囲気あるいはアンモニア雰囲気は、例えば6N99.9999以上、好ましくは7N99.99999以上の純度とする。なお、アンモニアを使用した場合は、その後で高純度の窒素あるいは希ガス雰囲気下で十分に加熱処理し、水素を脱離させることが好ましい。また、窒化インジウムは大気中の水分と反応して酸化インジウムに分解するので、その後の処理は密閉された環境でおこなうことが好ましい。その後、得られた各酸化物粉末、窒化物粉末の秤量を適宜おこない、秤量した各粉末を混合するS4。例えば、InN:In2O3:GaN:Ga2O3:ZnO=2:1:2:1:4モル比あるいは、In2O3:GaN:Ga2O3:ZnO=2:2:1:4モル比で混合する。混合物に含まれる金属元素の比率は、いずれの場合もIn:Ga:Zn=1:1:1原子比となるが、もちろん、この比率に限定されない。その後、混合物を6N99.9999以上、好ましくは7N99.99999以上の高純度窒素雰囲気下で焼成するS5。混合物を焼成することにより、混合物中から水素や水分やハイドロカーボン等を脱離せしめることができる。焼成は、真空中または減圧雰囲気中でもおこなうことができる。さらに機械的な圧力を加えた後、あるいは機械的な圧力を加えながら焼成をおこなってもよい。このようにして焼結体を得る。なお、焼結体の充填率が90以上100以下、より好ましくは95以上99.9以下となるように圧力を調整するとよい。焼成法としては、上記に記載した方法以外に常圧焼成法、加圧焼成法等を適宜用いることができる。また、加圧焼成法としては、ホットプレス法、熱間等方加圧HIP;HotIsostaticPressing法、放電プラズマ焼結法、又は衝撃法を適用することが好ましい。焼成の最高温度は材料の組成にも依存するが、1000°C~2000°C程度とするのが好ましく、1200°C~1500°Cとするのがより好ましい。また、最高温度の保持時間は、材料の組成にも依存するが、0.5時間~3時間とするのが好ましい。次いで、所望の寸法、所望の形状、及び所望の表面粗さを有するスパッタリングターゲットに成形するために焼結体に機械加工を施すS6。加工手段としては、例えば機械的研磨、化学的機械研磨ChemicalMechanicalPolishingCMPを用いることができる。またはこれらを併用してもよい。機械加工によって発生する細かな塵や、研削液成分の除去のために洗浄をおこなってもよい。例えば、有機溶媒に浸漬させた超音波洗浄等によって加工した焼結体を洗浄してもよい。ただし、水を使用して洗浄することは避けることが好ましい。特に、本実施の形態のように亜鉛やインジウムを含有する酸窒化物は水と反応しやすいため注意が必要である。その後、焼結体に加熱処理を施すS7。加熱処理は、不活性ガス雰囲気窒素または希ガス雰囲気中でおこなうのが好ましく、加熱処理の温度は、焼結体の材料の組成に依存するが、材料が変性しない温度とする。具体的には、150°C以上750°C以下、好ましくは425°C以上750°C以下とする。また、加熱時間は、具体的には0.5時間以上、好ましくは1時間以上とする。なお、加熱処理は、真空中または高圧雰囲気中でおこなってもよい。その後、焼結体をバッキングプレートと呼ばれる金属板に貼り合わせボンディング、スパッタリングターゲットが完成するS8。バッキングプレートは、スパッタリングターゲットの冷却と電極としての役割を果たすため、熱伝導性および導電性に優れた銅を用いることが好ましい。また、銅以外にも、チタン、銅合金、ステンレス合金等を用いることも可能である。また、バッキングプレートに焼結体をボンディングする際、焼結体を分割して、あるいは複数の焼結体を一枚のバッキングプレートにボンディングしてもよい。図2ABに焼結体を分割して一枚のバッキングプレートにボンディングする例を示す。図2Aはバッキングプレート10に焼結体11を焼結体11a、11b、11c、11dと4分割してボンディングする例である。また、図2Bは1つの焼結体をより多数に分割し、バッキングプレートにボンディングする例であり、焼結体12を焼結体12a、12b、12c、12d、12e、12f、12g、12h、12iと9分割し、これらをバッキングプレート10にボンディングする。なお、焼結体の分割数及び焼結体やターゲットの形状は図2ABに限定されない。焼結体を分割するとバッキングプレートにボンディングする際や使用時の焼結体の変形反りやゆがみ、それらに起因する欠け、ひび割れを緩和することができる。このような分割した焼結体を有するスパッタリングターゲットは、大型のスパッタリング装置に特に好適に用いることができる。もちろん、一枚のバッキングプレートに一枚のスパッタリングターゲットをボンディングしてもよい。また、スパッタリングターゲットは、水分や水素やアルカリ金属などの不純物の再混入を防止するため、高純度の酸素ガス、高純度の窒素ガス、高純度のN2Oガス、又は超乾燥エア露点が-40°C以下、好ましくは-60°C以下雰囲気で搬送、保存等するのが好ましい。または、ステンレス合金等の透水性の低い材料で形成された保護材で覆ってもよく、またその保護材とターゲットの間隙に上述のガスを導入しても良い。酸素ガスまたはN2Oガスには、水、水素などが含まれないことが好ましい。または、酸素ガス、窒素ガスまたはN2Oガスの純度を、6N99.9999以上、好ましくは7N99.99999以上とすることが好ましい。以上により、本実施の形態のスパッタリングターゲットを製造することができる。本実施の形態で示すスパッタリングターゲットは、製造工程において、それぞれ精製した高純度の材料を用いることで不純物の含有量の少ないものとすることができる。また、当該ターゲットを用いて作製された酸化物半導体膜が含有する不純物の濃度も低減することができる。本実施の形態においては、In-Ga-Zn-O-N系化合物用スパッタリングターゲットの製造方法を説明したが、同様に、In-Sn-Ga-Zn-O-N系化合物用スパッタリングターゲット、In-Sn-Zn-O-N系化合物用スパッタリングターゲット、In-Al-Zn-O-N系化合物用スパッタリングターゲット、Sn-Ga-Zn-O-N系化合物用スパッタリングターゲット、Al-Ga-Zn-O-N系化合物用スパッタリングターゲット、Sn-Al-Zn-O-N系化合物用スパッタリングターゲット、In-Zn-O-N系化合物用スパッタリングターゲット、Sn-Zn-O-N系化合物用スパッタリングターゲット、Al-Zn-O-N系化合物用スパッタリングターゲットなどを製造することもできる。また、本実施の形態では、窒化物として、窒化インジウムと窒化ガリウムを用いたが、窒化亜鉛を用いることもできる。窒化亜鉛は亜鉛粉末をアンモニア雰囲気中で加熱することにより得られる。なお、窒化亜鉛も窒化インジウムと同様に水と反応して分解するので、取り扱いは不活性ガス中でおこなうことが好ましい。また、上記スパッタリングターゲットの製造においては、一連の工程は大気にさらさず高純度不活性ガス雰囲気窒素または希ガス雰囲気下あるいは高純度酸素雰囲気下、あるいは高純度不活性ガスと高純度酸素の混合雰囲気下でおこなうことが好ましい。なお、スパッタリングターゲットをスパッタリング装置に取り付ける際も、大気にさらさず不活性ガス雰囲気窒素または希ガス雰囲気下等でおこなうことで、スパッタリングターゲットに水素や水分やアルカリ金属等が付着することを防ぐことができる。さらに、スパッタリングターゲットをスパッタ装置に取り付けた後、ターゲット表面やターゲット材料中に残存している水素や水を除去するために加熱処理をおこなうことが好ましい。加熱処理としては成膜チャンバー内を減圧下で200°C~600°Cに加熱する方法や、加熱しながら窒素や不活性ガスの導入と排気を繰り返す方法等がある。また、スパッタリングターゲットを取り付けるスパッタリング装置は、リークレートが1×10-10Pam3/秒以下であり、排気手段としてクライオポンプを用いて、作製する膜への水の混入を減らし、逆流防止を図る装置を具備していることが好ましい。実施の形態2本実施の形態では、半導体装置及び半導体装置の作製方法の一形態を、図3乃至図5を用いて説明する。図3には、本発明の一態様の半導体装置の例として、トップゲートトップコンタクト型であるトランジスタ151の上面図及び断面図を示す。ここで、図3Aは上面図であり、図3B及び図3Cはそれぞれ、図3AにおけるA-B断面及びC-D断面における断面図である。なお、図3Aでは、煩雑になることを避けるため、トランジスタ151の構成要素の一部例えば、ゲート絶縁層112などを省略している。図3に示すトランジスタ151は、基板100上の、絶縁層102、酸化物半導体層106、ソース電極108a、ドレイン電極108b、ゲート絶縁層112、第1のゲート電極層114および第2のゲート電極層115を含む。第1のゲート電極層114はゲート絶縁層112と接し、インジウムと窒素を含むバンドギャップが2.8電子ボルト未満、好ましくは、2.3電子ボルト未満であるIn-Ga-Zn-O-N系化合物よりなり、その厚さは5nm以上200nm以下とする。上記In-Ga-Zn-O-N系化合物は金属に比べると導電性が劣るため、第1のゲート電極層114の上に、導電性の良好な金属あるいは金属窒化物等により第2のゲート電極層115を設けるとよい。もちろん、第1のゲート電極層114で十分な導電性が得られるのであれば、第2のゲート電極層115を設けなくてもよい。なお、第1のゲート電極層114の厚さを5nm未満とすると、トランジスタの特性が上記In-Ga-Zn-O-N系化合物の仕事関数ではなく、第2のゲート電極層115の仕事関数の影響を受けるため、第1のゲート電極層114の厚さを5nm未満とすることは好ましくない。絶縁層102の材料には、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウムまたはこれらの混合材料などを用いればよい。また、絶縁層102には、前述の材料と酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムまたはこれらの混合材料などを積層して用いてもよい。例えば、絶縁層102を窒化シリコン層と酸化シリコン層の積層構造とすると、基板100などからトランジスタ151への水分の混入を防ぐことができる。絶縁層102を積層構造で形成する場合、酸化物半導体層106と接する側を酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、これらの混合材料などの酸化物層とするとよい。なお、絶縁層102はトランジスタ151の下地層として機能する。絶縁層102は加熱により酸素放出可能であることが好ましい。酸素放出可能とは、O2の放出量が1×1018atoms/cm3以上、好ましくは3×1020atoms/cm3以上であることを指す。酸化物半導体層106に用いる材料としては、四元系金属酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn-O系化合物や、三元系金属酸化物であるIn-Ga-Zn-O系化合物、In-Sn-Zn-O系化合物、In-Al-Zn-O系化合物、Sn-Ga-Zn-O系化合物、Al-Ga-Zn-O系化合物、Sn-Al-Zn-O系化合物や、二元系金属酸化物であるIn-Zn-O系化合物、Sn-Zn-O系化合物、Al-Zn-O系化合物、Zn-Mg-O系化合物、Sn-Mg-O系化合物、In-Mg-O系化合物、In-Ga-O系化合物や、In-O系化合物、Sn-O系化合物、Zn-O系化合物などを用いることができる。また、上記の材料にシリコンを含ませてもよい。本実施の形態では、酸化物半導体として、In-Ga-Zn-O系化合物を採用する。すなわち、In-Ga-Zn-O系化合物をスパッタリングターゲットとしてスパッタリング法により形成する。酸化物半導体層106と下地である絶縁層102とが接することで、絶縁層102と酸化物半導体層106との界面準位及び酸化物半導体層106中の酸素欠損を低減することができる。上記界面準位の低減により、ゲート電極に高い電圧を印加した際のしきい値変動を小さくすることができる。ゲート絶縁層112は、絶縁層102と同様の構成とすることができ、加熱により酸素放出可能な絶縁層であることが好ましい。このとき、トランジスタのゲート絶縁層として機能することを考慮して、酸化ハフニウムや酸化アルミニウムなどの比誘電率が高い材料を採用してもよい。また、ゲート耐圧や酸化物半導体とゲート絶縁層112の間の界面状態などを考慮し、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコンに酸化ハフニウムや酸化アルミニウムなどの比誘電率の高い材料を積層してもよい。トランジスタ151上には、さらに保護絶縁層が設けられていてもよい。保護絶縁層は、絶縁層102と同様の構成とすることができる。例えば、厚さ200nm乃至500nmの酸化シリコンと厚さ10nm乃至50nmの酸化アルミニウムの積層とするとよい。また、ソース電極108aやドレイン電極108bと配線とを電気的に接続させるために、絶縁層102、ゲート絶縁層112などには開口部が形成されていてもよい。また、酸化物半導体層106の下方に、さらに、別のゲート電極を有していてもよい。なお、酸化物半導体層106は島状に加工されていることが好ましいが、島状に加工されていなくてもよい。図4A及びBには、トランジスタ151とは異なる構成のトランジスタの断面構造を示す。図4Aに示すトランジスタ152は、絶縁層102、酸化物半導体層106、ソース電極108a、ドレイン電極108b、ゲート絶縁層112、第1のゲート電極層114、第2のゲート電極層115を含む点で、トランジスタ151と共通している。トランジスタ152とトランジスタ151との相違は、酸化物半導体層106と、ソース電極108aやドレイン電極108bが接続する位置である。即ち、トランジスタ152では、酸化物半導体層106の下部において、酸化物半導体層106と、ソース電極108aやドレイン電極108bとが接している。その他の構成要素については、図3のトランジスタ151と同様である。図4Bに示すトランジスタ153は、絶縁層102、ゲート絶縁層112、第1のゲート電極層114、第2のゲート電極層115、ソース電極108a、ドレイン電極108bを含む点で、トランジスタ151及びトランジスタ152と共通している。トランジスタ153は、同一平面上の酸化物半導体層中にチャネル領域126、ソース領域122a、ドレイン領域122bを形成する点でトランジスタ151及びトランジスタ152との相違がある。ソース領域122a及びドレイン領域122bには、保護絶縁層124に設けられた開口部を介して、それぞれソース電極108a及びドレイン電極108bが接続される。下地である絶縁層102は、トランジスタ151と同様の構成とすることができる。酸化物半導体層が形成された後、ゲート絶縁層112及び第1のゲート電極層114、第2のゲート電極層115を形成する。第1のゲート電極層114、第2のゲート電極層115とゲート絶縁層112は同一のマスクを使用して加工することができる。あるいは、第1のゲート電極層114と第2のゲート電極層115を加工した後、第1のゲート電極層114と第2のゲート電極層115をマスクに用いてゲート絶縁層112を加工してもよい。また、ソース領域122a及びドレイン領域122bは第1のゲート電極層114、第2のゲート電極層115をマスクに用い、酸化物半導体層を低抵抗化して形成する。第1のゲート電極層114下の領域はチャネル領域126となる。以下、図5A乃至図5Eを用いて、図3に示すトランジスタ151の作製工程の一例について説明する。まず、基板100上に絶縁層102を形成する図5A参照。絶縁層102は、加熱により酸素放出可能であることが好ましい。基板100の材質などに大きな制限はないが、少なくとも、後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有している必要がある。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などを、基板100として用いることができる。また、シリコンや炭化シリコンなどの単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムなどの化合物半導体基板、SOI基板などを適用することも可能であり、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを、基板100として用いてもよい。また、基板にトランジスタにとって好ましくない不純物が含まれている場合には、それらをブロッキングする機能を有する絶縁性の材料例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化シリコン等の膜を表面に設けることが望ましい。絶縁層102の形成方法は、例えば、プラズマCVD法やスパッタリング法などを用いることができる。絶縁層102の材料には、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウムまたはこれらの混合材料などを用いればよい。また、絶縁層102には、前述の材料と酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムまたはこれらの混合材料などを積層して用いてもよい。絶縁層102を積層構造で形成する場合、酸化物半導体層106と接する側を酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、これらの混合材料などのような酸化物層とするとよい。絶縁層102の合計の膜厚は、好ましくは20nm以上、より好ましくは100nm以上とする。例えば、石英好ましくは合成石英をスパッタリングターゲットに用い、基板温度30°C以上450°C以下好ましくは70°C以上200°C以下、基板とスパッタリングターゲットの間の距離を20mm以上400mm以下好ましくは40mm以上200mm以下、圧力を0.1Pa以上4Pa以下好ましくは0.2Pa以上1.2Pa以下、高周波電源を0.5kW以上12kW以下好ましくは1kW以上5kW以下、成膜ガス中のO2/O2Ar割合を1以上100以下好ましくは6以上100以下として、RFスパッタリング法により酸化シリコン膜を形成する。次に、絶縁層102上に酸化物半導体層を形成し、当該酸化物半導体層を加工して島状の酸化物半導体層106を形成する図5B参照。なお、絶縁層102及び酸化物半導体層106は、大気に触れさせることなく連続して成膜するのが好ましい。酸化物半導体層は、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、パルスレーザ堆積法、CVD法などを用いて形成することができる。本実施の形態では、酸化物半導体層を、In-Ga-Zn-O系化合物のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により形成する。また、酸化物半導体層の厚さは、3nm以上50nm以下とすることが好ましい。In-Ga-Zn-O系化合物のスパッタリングターゲットとしては、例えば、組成比として、In:Ga:Zn=1:1:1[mol数比]の酸化物スパッタリングターゲットを用いることができる。なお、スパッタリングターゲットの材料及び組成を上述したものに限定する必要はない。例えば、In:Ga:Zn=2:2:1[mol数比]の組成比の酸化物スパッタリングターゲットを用いることもできる。スパッタリングターゲットの相対密度は、90以上100以下、好ましくは95以上99.9以下とする。相対密度の高いスパッタリングターゲットを用いることにより、成膜した酸化物半導体層を緻密な層とすることができるためである。成膜の雰囲気は、希ガス代表的にはアルゴン雰囲気下、酸素雰囲気下または希ガスと酸素の混合雰囲気下などとすればよい。また、酸化物半導体層への水素、水、水酸基、水素化物などの混入を防ぐために、水素、水、水酸基、水素化物などの不純物が十分に除去された高純度ガスを用いた雰囲気とすることが好ましい。例えば、成膜条件の一例として、基板とスパッタリングターゲットの間との距離を60mm、圧力を0.4Pa、直流DC電源を0.5kW、成膜雰囲気をアルゴンと酸素の混合雰囲気酸素流量比率33とすることができる。なお、パルスDCスパッタリング法を用いると、成膜時に発生する粉状物質パーティクル、ごみともいうが軽減でき、厚さの分布も均一となるため好ましい。このとき、基板温度を100°C以上450°C以下、好ましくは150°C以上350°C以下とすることで絶縁層102から酸素が放出され、酸化物半導体層中の酸素欠損及び絶縁層102と酸化物半導体層との界面準位を低減することができる。なお、酸化物半導体層106をスパッタリング法により形成する前には、アルゴンガスを導入してプラズマを発生させる逆スパッタを行い、形成表面例えば絶縁層102の表面の付着物を除去してもよい。ここで、逆スパッタとは、通常のスパッタリングにおいては、スパッタターゲットにイオンを衝突させるところを、逆に、処理表面にイオンを衝突させることによってその表面を改質する方法のことをいう。処理表面にイオンを衝突させる方法としては、アルゴン雰囲気下で処理表面側に高周波電圧を印加して、被処理物付近にプラズマを生成する方法などがある。なお、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウム、酸素などによる雰囲気を適用してもよい。酸化物半導体層106の加工は、所望の形状のマスクを酸化物半導体層上に形成した後、当該酸化物半導体層をエッチングすることによって行うことができる。上述のマスクは、フォトリソグラフィなどの方法を用いて形成することができる。または、インクジェット法などの方法を用いてマスクを形成してもよい。なお、酸化物半導体層のエッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよい。もちろん、これらを組み合わせて用いてもよい。その後、酸化物半導体層106に対して、熱処理第1の熱処理を行うことが好ましい。この第1の熱処理によって酸化物半導体層106中の、過剰な水素水や水酸基を含むを除去し、かつ酸化物半導体の構造を整えることができる。第1の熱処理の温度は、100°C以上650°C以下または基板の歪み点未満、好ましくは250°C以上600°C以下とする。第1の熱処理の雰囲気は、酸化性ガス雰囲気下、もしくは不活性ガス雰囲気下とする。なお、不活性ガスとは、窒素または希ガスヘリウム、ネオン、アルゴンなどを主成分とする雰囲気であって、水、水素などが含まれないことが好ましい。例えば、熱処理装置に導入する窒素や、ヘリウム、ネオン、アルゴンなどの希ガスの純度を、6N99.9999以上、好ましくは7N99.99999以上即ち、不純物濃度が1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とする。不活性ガス雰囲気とは、不活性ガスを主成分とする雰囲気で、反応性ガスが10ppm未満である雰囲気のことである。なお、酸化性ガスとは、酸素、オゾンまたは二酸化窒素などであって、水、水素などが含まれないことが好ましい。例えば、熱処理装置に導入する酸素、オゾン、二酸化窒素の純度を、6N99.9999以上、好ましくは7N99.99999以上即ち、不純物濃度が1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とする。酸化性ガス雰囲気には、酸化性ガスを不活性ガスと混合して用いてもよく、酸化性ガスが少なくとも10ppm以上含まれるものとする。この第1の熱処理によって、絶縁層102から酸素が放出され、絶縁層102と酸化物半導体層106との界面準位及び酸化物半導体層106中の酸素欠損を低減することができる。上記界面準位の低減により、ゲートに高い電圧が印加された際のしきい値電圧変動を小さくし、信頼性の高いトランジスタを得られる。また、一般に、酸化物半導体中の酸素欠損はドナーとなり、キャリアである電子の発生源となることが知られている。酸化物半導体層106中の酸素欠損が埋められることで、ドナー濃度を低減できる。熱処理は、例えば、抵抗発熱体などを用いた電気炉に被処理物を導入し、窒素雰囲気下で、350°C、1時間の条件で行うことができる。この間、酸化物半導体層は大気に触れさせず、水や水素の混入が生じないようにする。熱処理装置は電気炉に限られず、加熱されたガスなどの媒体からの熱伝導または熱輻射によって、被処理物を加熱する装置を用いてもよい。例えば、GRTAGasRapidThermalAnneal装置、LRTALampRapidThermalAnneal装置などのRTARapidThermalAnneal装置を用いることができる。LRTA装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光電磁波の輻射により、被処理物を加熱する装置である。GRTA装置は、高温のガスを用いて熱処理を行う装置である。ガスとしては、アルゴンなどの希ガスまたは窒素のような、熱処理によって被処理物と反応しない不活性ガスが用いられる。例えば、第1の熱処理として、熱せられた不活性ガス雰囲気中に被処理物を投入し、数分間熱した後、当該不活性ガス雰囲気から被処理物を取り出すGRTA処理を行ってもよい。GRTA処理を用いると短時間での高温熱処理が可能となる。また、被処理物の耐熱温度を超える温度条件であっても適用が可能となる。なお、処理中に、不活性ガス雰囲気を、酸化性ガスを含む雰囲気に切り替えてもよい。酸化性ガスを含む雰囲気において第1の熱処理を行うことで、酸化物半導体層106中の酸素欠損を埋めることができるとともに、酸素欠損に起因するエネルギーギャップ中の欠陥準位を低減することができるためである。このような熱処理は、一回に限らず複数回行ってもよい。なお、ここでは、酸化物半導体層106を島状に加工した後に、第1の熱処理を行う構成について説明したが、これに限定されず、酸化物半導体層に第1の熱処理を行った後に、これをエッチングして、酸化物半導体層106を形成してもよい。次いで、絶縁層102及び酸化物半導体層106上に、ソース電極及びドレイン電極これと同じ層で形成される配線を含むを形成するための導電層を形成し、当該導電層を加工して、ソース電極108a及びドレイン電極108bを形成する図5C参照。なお、ここで形成されるソース電極108aの端部とドレイン電極108bの端部との間隔によって、トランジスタのチャネル長Lが決定されることになる。ソース電極108a及びドレイン電極108bに用いる導電層としては、例えば、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた元素を含む金属層または上述した元素を成分とする金属窒化物層窒化チタン層、窒化モリブデン層、窒化タングステン層などを用いることができる。また、アルミニウム、銅などの金属層の下側または上側の一方または双方にチタン、モリブデン、タングステンなどの高融点金属層またはこれらの金属窒化物層窒化チタン層、窒化モリブデン層、窒化タングステン層を積層させた構成を用いてもよい。また、ソース電極108a及びドレイン電極108bに用いる導電層は、導電性の金属酸化物あるいは金属酸窒化物で形成してもよい。導電性の金属酸化物としては酸化インジウムIn2O3、酸化スズSnO2、酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム酸化スズ合金In2O3―SnO2、ITOと略記する、酸化インジウム酸化亜鉛合金In2O3―ZnOまたはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。なお、導電層のエッチングの際に、酸化物半導体層106の一部がエッチングされ、溝部凹部を有する酸化物半導体層となることもある。その後、酸素、オゾン、二酸化窒素などのガスを用いたプラズマ処理を行い、露出している酸化物半導体層106の表面を酸化し、酸素欠損を埋めてもよい。プラズマ処理を行った場合、当該プラズマ処理に続けて大気に触れさせることなく、酸化物半導体層106の一部に接するゲート絶縁層112を形成することが好ましい。次に、ソース電極108a及びドレイン電極108bを覆い、かつ、酸化物半導体層106の一部と接するように、ゲート絶縁層112を形成する図5D参照。ゲート絶縁層112は、絶縁層102と同様の構成とすることができる。ただし、トランジスタのゲート絶縁層として機能することを考慮して、酸化ハフニウムや酸化アルミニウムなどの比誘電率が高い材料を採用してもよい。また、ゲート耐圧や酸化物半導体とゲート絶縁層112の間の界面状態などを考慮し、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコンに酸化ハフニウムや酸化アルミニウムなどの比誘電率の高い材料を積層してもよい。ゲート絶縁層112の合計の膜厚は、好ましくは1nm以上300nm以下、より好ましくは5nm以上50nm以下とする。ゲート絶縁層が厚いほどゲート電極に高い電圧を印加できるが、一方で短チャネル効果が顕著となり、しきい値電圧がマイナス側へシフトしやすい傾向となる。また、ゲート絶縁層が5nm以下となるとトンネル電流によるリークが増大することがわかっている。ゲート絶縁層112の形成後には、第2の熱処理を行うのが好ましい。第2の熱処理の温度は、250°C以上700°C以下、好ましくは350°C以上600°C以下とする。もちろん、温度は基板や成膜された材料の特性を考慮して変更してもよい。第2の熱処理は、酸化性ガス雰囲気下または不活性ガス雰囲気下で行えばよいが、雰囲気中に水、水素などが含まれないことが好ましい。また、熱処理装置に導入するガスの純度を、6N99.9999以上好ましくは7N99.99999以上即ち不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とすることが好ましい。第2の熱処理においては、酸化物半導体層106と、ゲート絶縁層112が接した状態で加熱される。したがって、酸化物半導体を構成する主成分材料の一つである酸素を、酸素を含むゲート絶縁層112より酸化物半導体層106へ供給することができる。これによって、酸化物半導体層106の酸素欠損及び酸化物半導体層とゲート絶縁層112との界面準位を低減することができる。また、同時にゲート絶縁層112中の欠陥も低減することができる。なお、第2の熱処理のタイミングは、ゲート絶縁層112の形成後であれば特に限定されない。例えば、第2のゲート電極層115の形成後に第2の熱処理を行ってもよい。その後、第1のゲート電極層114および第2のゲート電極層115を形成する図5E参照。第1のゲート電極層の材料としては、実施の形態1で作製したIn-Ga-Zn-O-N系化合物をスパッタリングターゲットとして得られるIn-Ga-Zn-O-N系化合物膜を用いる。In-Ga-Zn-O-N系化合物膜の厚さは、10nm以上50nm以下とすることが好ましい。In-Ga-Zn-O-N系化合物のスパッタリングターゲットとしては、例えば、組成比として、In:Ga:Zn=1:1:1[mol数比]で、酸素と窒素の比率が7:1のものを用いることができる。なお、スパッタリングターゲットの組成を上述したものに限定する必要はない。例えば、In:Ga:Zn=1:1:2[mol数比]の組成比のスパッタリングターゲットを用いることもできる。成膜の雰囲気は、希ガス代表的にはアルゴンのみ、あるいは希ガスと窒素の混合雰囲気とするとよく、成膜レートを挙げるために、雰囲気中のアルゴン、クリプトン、キセノンの合計の比率を80以上含む雰囲気とするとよい。また、雰囲気中の酸素の濃度は5以下とすることが好ましい。例えば、成膜条件の一例として、基板とスパッタリングターゲットの間との距離を60mm、圧力を0.4Pa、直流DC電源を0.5kW、成膜雰囲気をアルゴンと窒素の混合雰囲気窒素流量比率12.5とすることができる。第2のゲート電極層115は、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウムなどの金属材料、これらの窒化物、またはこれらを主成分とする合金材料を用いて形成することができる。なお、第2のゲート電極層115は、単層構造としてもよいし、積層構造としてもよい。これらの金属をIn-Ga-Zn-O-N系化合物膜上にスパッタリング法等の方法で堆積する。そして、所望の形状にエッチングして、第1のゲート電極層114および第2のゲート電極層115を形成する。以上の工程でトランジスタ151が作製される。本実施の形態では、第1のゲート電極層114として、In-Ga-Zn-O-N系化合物を用いたが、これに限られず、In-Sn-Ga-Zn-O-N系化合物、In-Sn-Zn-O-N系化合物、In-Al-Zn-O-N系化合物、Sn-Ga-Zn-O-N系化合物、Al-Ga-Zn-O-N系化合物、Sn-Al-Zn-O-N系化合物、In-Zn-O-N系化合物、Ga-Zn-O-N系化合物、Sn-Zn-O-N系化合物、Al-Zn-O-N系化合物、In-O-N系化合物、Sn-O-N系化合物、Ga-O-N系化合物、Zn-O-N系化合物などの酸窒化物を用いてもよい。また、そのために、それらの酸窒化物をスパッタリングターゲットとして用いることができる。また、本実施の形態では、酸化物半導体層にIn-Ga-Zn-O系化合物を用いたが、これに限られず、少なくともインジウムInあるいは亜鉛Znを含む酸化物半導体を用いればよい。特にInとZn双方を含む酸化物半導体を用いることが好ましい。また、酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすためのスタビライザーとして、それらに加えてガリウムGaを有することが好ましい。また、スタビライザーとしてスズSnを有することが好ましい。また、スタビライザーとしてハフニウムHfを有することが好ましい。また、スタビライザーとしてアルミニウムAlを有することが好ましい。また、スタビライザーとしてチタンTiを有することが好ましい。また、スタビライザーとしてジルコニウムZrを有することが好ましい。また、他のスタビライザーとして、ランタノイドである、ランタンLa、セリウムCe、プラセオジムPr、ネオジムNd、サマリウムSm、ユウロピウムEu、ガドリニウムGd、テルビウムTb、ジスプロシウムDy、ホルミウムHo、エルビウムEr、ツリウムTm、イッテルビウムYb、ルテチウムLuのいずれか一種あるいは複数種を有してもよい。例えば、酸化物半導体として、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、二元系金属の酸化物であるIn-Zn-O系化合物、Sn-Zn-O系化合物、Al-Zn-O系化合物、Zn-Mg-O系化合物、Sn-Mg-O系化合物、In-Mg-O系化合物、In-Ga-O系化合物、三元系金属の酸化物であるIn-Al-Zn-O系化合物、In-Sn-Zn-O系化合物、Sn-Ga-Zn-O系化合物、Al-Ga-Zn-O系化合物、Sn-Al-Zn-O系化合物、In-Hf-Zn-O系化合物、In-Ti-Zn-O系化合物、In-Zr-Zn-O系化合物、In-La-Zn-O系化合物、In-Ce-Zn-O系化合物、In-Pr-Zn-O系化合物、In-Nd-Zn-O系化合物、In-Sm-Zn-O系化合物、In-Eu-Zn-O系化合物、In-Gd-Zn-O系化合物、In-Tb-Zn-O系化合物、In-Dy-Zn-O系化合物、In-Ho-Zn-O系化合物、In-Er-Zn-O系化合物、In-Tm-Zn-O系化合物、In-Yb-Zn-O系化合物、In-Lu-Zn-O系化合物、四元系金属の酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn-O系化合物、In-Hf-Ga-Zn-O系化合物、In-Al-Ga-Zn-O系化合物、In-Ti-Ga-Zn-O系化合物、In-Zr-Ga-Zn-O系化合物、In-Sn-Al-Zn-O系化合物、In-Sn-Hf-Zn-O系化合物、In-Hf-Al-Zn-O系化合物を用いることができる。また、酸化物半導体として、InMO3ZnOmm>0、且つ、mは整数でないで表記される材料を用いてもよい。なお、Mは、Ga、Fe、Mn及びCoから選ばれた一の金属元素または複数の金属元素を示す。また、酸化物半導体として、In2SnO5ZnOnn>0、且つ、nは整数で表記される材料を用いてもよい。また、In:Ga:Zn=2:2:1=2/5:2/5:1/5の原子数比のIn-Ga-Zn-O系化合物やその組成の近傍の化合物を用いることができる。あるいは、In:Sn:Zn=1:1:1=1/3:1/3:1/3、In:Sn:Zn=2:1:3=1/3:1/6:1/2あるいはIn:Sn:Zn=2:1:5=1/4:1/8:5/8の原子数比のIn-Sn-Zn系化合物やその組成の近傍の化合物を用いるとよい。また、酸化物半導体としてIn-Zn-O系の材料を用いる場合、用いるターゲットの組成比は、原子数比で、In:Zn=50:1~1:2、好ましくはIn:Zn=20:1~1:1、さらに好ましくはIn:Zn=15:1~3:2とするとよい。さらに、In-Zn-O系酸化物半導体の形成に用いるターゲットは、原子数比がIn:Zn:O=1:1:Xのとき、X>1、好ましくはX>1.5とすることができる。しかし、これらに限られず、必要とする半導体特性移動度、しきい値、ばらつき等に応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とする半導体特性を得るために、キャリア密度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間結合距離、密度等を適切なものとすることが好ましい。例えば、In-Sn-Zn-O系化合物では比較的容易に高い移動度が得られる。しかしながら、In-Ga-Zn-O系化合物でも、バルク内欠陥密度を下げることにより移動度を上げることができる。なお、例えば、In、Ga、Znの原子数比がIn:Ga:Zn=a:b:cabc=1であるIn-Sn-Zn-O系化合物の組成が、原子数比がIn:Ga:Zn=A:B:CABC=1のIn-Sn-Zn-O系化合物の組成の近傍であるとは、a、b、cが、a―A2b―B2c―C2≦r2を満たすことをいい、rは、例えば、0.05とすればよい。他の化合物でも同様である。酸化物半導体は単結晶でも、非単結晶でもよい。後者の場合、アモルファスでも、多結晶でもよい。また、アモルファス中に結晶性を有する部分を含む構造でも、非アモルファスでもよい。アモルファス状態の酸化物半導体は、比較的容易に平坦な表面を得ることができるため、これを用いてトランジスタを作製した際の界面散乱を低減でき、比較的容易に、比較的高い移動度を得ることができる。また、結晶性を有する酸化物半導体では、よりバルク内欠陥を低減することができ、酸化物半導体の表面の平坦性を高めればアモルファス状態の酸化物半導体以上の移動度を得ることができる。表面の平坦性を高めるためには、平坦な表面上に酸化物半導体を形成することが好ましく、具体的には、本実施の形態では絶縁層102の表面の平均面粗さRaが1nm以下、好ましくは0.3nm以下、より好ましくは0.1nm以下の表面上に形成するとよい。なお、Raは、JISB0601で定義されている中心線平均粗さを面に対して適用できるよう三次元に拡張したものであり、基準面から指定面までの偏差の絶対値を平均した値と表現できる。実施の形態3本実施の形態では、図6A乃至図6Eを用いて、図4Aに示すトランジスタ152の作製工程の一例について説明する。まず、基板100上に絶縁層102を形成する図6A参照。次に、絶縁層102上に、ソース電極及びドレイン電極これと同じ層で形成される配線を含むを形成するための導電層を形成し、当該導電層を加工して、ソース電極108a及びドレイン電極108bを形成する図6B参照。次に、絶縁層102上に、ソース電極108a及びドレイン電極108bと接続する酸化物半導体層を形成し、当該酸化物半導体層を加工して島状の酸化物半導体層106を形成する図6C参照。その後、トランジスタ151と同様に第1の熱処理を行ってもよい。次に、ソース電極108a及びドレイン電極108bを覆い、かつ、酸化物半導体層106の一部と接するように、ゲート絶縁層112を形成する図6D参照。その後、第1のゲート電極層114および第2のゲート電極層115を形成する図6E参照。第1のゲート電極層114としては、実施の形態1に示したIn-Ga-Zn-O-N系化合物のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法により形成すればよい。以上の工程でトランジスタ152が形成される。本実施の形態では、第1のゲート電極層114として、In-Ga-Zn-O-N系化合物を用いたが、これに限られず、In-Sn-Ga-Zn-O-N系化合物、In-Sn-Zn-O-N系化合物、In-Al-Zn-O-N系化合物、Sn-Ga-Zn-O-N系化合物、Al-Ga-Zn-O-N系化合物、Sn-Al-Zn-O-N系化合物、In-Zn-O-N系化合物、Ga-Zn-O-N系化合物、Sn-Zn-O-N系化合物、Al-Zn-O-N系化合物、In-O-N系化合物、Sn-O-N系化合物、Ga-O-N系化合物、Zn-O-N系化合物などの酸窒化物を用いてもよい。また、そのために、それらの酸窒化物をスパッタリングターゲットとして用いることができる。実施の形態4本実施の形態では、図7A乃至図7Eを用いて、図4Bに示すトランジスタ153の作製工程の一例について説明する。まず、基板100上に絶縁層102を形成する図7A参照。次に、絶縁層102上に、酸化物半導体層を形成し、当該酸化物半導体層を加工して島状の酸化物半導体層106を形成する図7B参照。次に、ゲート絶縁層112となるべき絶縁層および第1のゲート電極層114となるべきIn-Ga-Zn-O-N系化合物膜と第2のゲート電極層115となるべき導電体膜を形成し、フォトリソグラフィにより同様のパターンに加工して、ゲート絶縁層112、第1のゲート電極層114、第2のゲート電極層115を得る図7C参照。In-Ga-Zn-O-N系化合物膜は、実施の形態1に示したIn-Ga-Zn-O-N系化合物のスパッタリングターゲットを用いて窒素を含む雰囲気中でスパッタリング法により形成すればよい。次に、第1のゲート電極層114と第2のゲート電極層115をマスクに用いて酸化物半導体層106を低抵抗化し、ソース領域122a及びドレイン領域122bを形成する。低抵抗化されない第1のゲート電極層114と第2のゲート電極層115下の領域はチャネル領域126となる図7D参照。低抵抗化の方法としては、アルゴンプラズマ処理、水素プラズマ処理またはアンモニアプラズマ処理などが挙げられる。また、燐イオンやホウ素イオン等酸化されやすい元素のイオンを注入してもよい。このとき、第1のゲート電極層114と第2のゲート電極層115の幅によってトランジスタのチャネル長Lが決定されることになる。このように、第1のゲート電極層114と第2のゲート電極層115をマスクに用いてパターニングすることで、第1のゲート電極層114と第2のゲート電極層115とソース領域122a、ドレイン領域122bの重なりが生じず、この領域における寄生容量が生じないため、トランジスタ動作を速くすることができる。次に、保護絶縁層124を形成し、ソース領域122a及びドレイン領域122bと重畳する部分の保護絶縁層124に開口部を設ける。ソース電極及びドレイン電極これと同じ層で形成される配線を含むを形成するための導電層を形成し、当該導電層を加工して、ソース電極108a及びドレイン電極108bを形成する図7E参照。以上の工程でトランジスタ153が作製される。本実施の形態では、第1のゲート電極層114として、In-Ga-Zn-O-N系化合物を用いたが、これに限られず、In-Sn-Ga-Zn-O-N系化合物、In-Sn-Zn-O-N系化合物、In-Al-Zn-O-N系化合物、Sn-Ga-Zn-O-N系化合物、Al-Ga-Zn-O-N系化合物、Sn-Al-Zn-O-N系化合物、In-Zn-O-N系化合物、Ga-Zn-O-N系化合物、Sn-Zn-O-N系化合物、Al-Zn-O-N系化合物、In-O-N系化合物、Sn-O-N系化合物、Ga-O-N系化合物、Zn-O-N系化合物などの酸窒化物を用いてもよい。また、そのために、それらの酸窒化物をスパッタリングターゲットとして用いることができる。実施の形態5本発明の一態様である半導体装置は、さまざまな電子機器遊技機も含むに適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置テレビまたはテレビジョン受信機ともいう、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラなどのカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。上記実施の形態で説明した半導体装置を具備する電子機器の例について説明する。図8Aは、ノート型のパーソナルコンピュータであり、本体301、筐体302、表示部303、キーボード304などによって構成されている。実施の形態2乃至4で示した半導体装置を適用することにより、特性が優れ、また、信頼性の高いノート型のパーソナルコンピュータとすることができる。図8Bは、携帯情報端末PDAであり、本体311には表示部313と、外部インターフェイス315と、操作ボタン314などが設けられている。また操作用の付属品としてスタイラス312がある。実施の形態2乃至4で示した半導体装置を適用することにより、より特性が優れ、また、信頼性の高い携帯情報端末PDAとすることができる。図8Cは、電子書籍の一例を示している。例えば、電子書籍320は、筐体321及び筐体322の2つの筐体で構成されている。筐体321及び筐体322は、軸部325により一体とされており、該軸部325を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。筐体321には表示部323が組み込まれ、筐体322には表示部324が組み込まれている。表示部323及び表示部324は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右側の表示部図8Cでは表示部323に文章を表示し、左側の表示部図8Cでは表示部324に画像を表示することができる。実施の形態2乃至4で示した半導体装置を適用することにより、特性が優れ、また、信頼性の高い電子書籍とすることができる。また、図8Cでは、筐体321に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体321において、電源326、操作キー327、スピーカー328などを備えている。操作キー327により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子イヤホン端子、USB端子など、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。さらに、電子書籍320は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。また、電子書籍320は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。図8Dは、携帯電話であり、筐体330及び筐体331の二つの筐体で構成されている。筐体331には、表示パネル332、スピーカー333、マイクロフォン334、ポインティングデバイス336、カメラ用レンズ337、外部接続端子338などを備えている。また、筐体330には、携帯電話の充電を行う太陽電池セル340、外部メモリスロット341などを備えている。また、アンテナは筐体331内部に内蔵されている。実施の形態2乃至4で示した半導体装置を適用することにより、特性が優れ、また、信頼性の高い携帯電話とすることができる。また、表示パネル332はタッチパネルを備えており、図8Dには映像表示されている複数の操作キー335を点線で示している。なお、太陽電池セル340で出力される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路も実装している。表示パネル332は、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。また、表示パネル332と同一面上にカメラ用レンズ337を備えているため、テレビ電話が可能である。スピーカー333及びマイクロフォン334は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生などが可能である。さらに、筐体330と筐体331は、スライドし、図8Dのように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適した小型化が可能である。外部接続端子338はACアダプタ及びUSBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能であり、充電及びパーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。また、外部メモリスロット341に記録媒体を挿入し、より大量のデータ保存及び移動に対応できる。また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能などを備えたものであってもよい。図8Eは、デジタルビデオカメラであり、本体351、第1表示部355、接眼部353、操作スイッチ354、第2表示部357、バッテリー356などによって構成されている。実施の形態2乃至4で示した半導体装置を適用することにより、特性が優れ、また、信頼性の高いデジタルビデオカメラとすることができる。図8Fは、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置360は、筐体361に表示部363が組み込まれている。表示部363により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド365により筐体361を支持した構成を示している。実施の形態2乃至4で示した半導体装置を適用することにより、特性が優れ、また、信頼性の高いテレビジョン装置360とすることができる。テレビジョン装置360の操作は、筐体361が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機により行うことができる。また、リモコン操作機に、当該リモコン操作機から出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。なお、テレビジョン装置360は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向送信者から受信者または双方向送信者と受信者間、あるいは受信者間同士などの情報通信を行うことも可能である。