"下記一般式1で表される繰り返し単位を有するカルバゾールポリマー。式中Rは脂肪族の2価基もしくは環状脂肪族の2価基、Arは芳香族炭化水素もしくは複素環の2価基を表し、Ar1は芳香族炭化水素もしくは複素環の1価基を表す。下記一般式2で表されるジハロゲン化合物と下記一般式3で表されるボロン酸誘導体との反応により得られた請求項1記載のカルバゾールポリマー。式中Xはハロゲン原子を表し、Ar1は芳香族炭化水素もしくは複素環の1価基を表す。式中Rは脂肪族の2価基もしくは環状脂肪族の2価基、Arは芳香族炭化水素もしくは複素環の2価基を表し、Yはボロン酸またはそのエステルを表す。下記一般式4で表されることを特徴とする請求項1記載のカルバゾールポリマー。式中、Ar1は芳香族炭化水素もしくは複素環の1価基を表し、R1は水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基または芳香族炭化水素基を表しnは1以上の整数を表す。本発明は上記従来技術の現状に鑑みてなされたものであり、有機EL素子用材料として、特に耐久性が高く、高発光効率の有機EL素子を実現する新規なカルバゾールポリマーを提供することを目的とする。本発明者らは鋭意検討した結果、特定の構成単位を含有する新規カルバゾールポリマーにより上記課題が解決されることを見出し、本発明に到った。即ち、本発明は以下の1~3である。1下記一般式1で表される繰り返し単位を有するカルバゾールポリマー。式中Rは脂肪族の2価基もしくは環状脂肪族の2価基、Arは芳香族炭化水素もしくは複素環の2価基を表し、Ar1は芳香族炭化水素もしくは複素環の1価基を表す。2下記一般式2で表されるジハロゲン化合物と下記一般式3で表されるボロン酸誘導体との反応により得られた前記第1項記載のカルバゾールポリマー。式中Xはハロゲン原子を表し、Ar1は芳香族炭化水素もしくは複素環の1価基を表す。式中Rは脂肪族の2価基もしくは環状脂肪族の2価基、Arは芳香族炭化水素もしくは複素環の2価基を表し、Yはボロン酸またはそのエステルを表す。3下記一般式4で表されることを特徴とする前記第1項記載のカルバゾールポリマー。式中、Ar1は芳香族炭化水素もしくは複素環の1価基を表し、R1は水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基または芳香族炭化水素基を表しnは1以上の整数を表す。本発明によれば、有機EL素子、特に耐久性が高く、高発光効率の有機EL素子を実現するに有用な新規カルバゾールポリマー及びその製法が提供される。以下、本発明を詳細に説明する。本発明の一般式1で示されるカルバゾールポリマーは、例えば、下記方法で製造できる。すなわち、一般式2で表されるジハロゲン化合物と一般式3で表されるボロン酸誘導体とを反応させることにより一般式1で表されるカルバゾールポリマーが製造される。式中Xはハロゲン原子を表し、Ar1は芳香族炭化水素もしくは複素環の1価基を表す式中Rは脂肪族の2価基、環状脂肪族の2価基、Arは芳香族炭化水素もしくは複素環の2価基を表し、Yはボロン酸またはそのエステルを表す上記一般式2で表されるジハロゲン化合物と、一般式3で表されるボロン酸誘導体との反応は、パラジウム触媒を用いるアリールホウ素化合物と有機ハロゲン化物のクロスカップリング反応として知られているSuzuki-Miyaura反応により得られるMiyauraNSuzukiAChemRev952457。一般式2で表されるジハロゲン化合物におけるハロゲン原子としては反応性の点からヨウ素化物あるいは臭素化物が好ましい。また一般式3で表されるボロン酸誘導体としては、アリールボロン酸のほか、熱的に安定で空気中で容易に扱えるビスピナコラトジボロンを用いハロゲン化アリールから合成されるアリールボロン酸エステルを用いても良い。パラジウム触媒としてはPdPPh34、PdCl2PPh32,PdOAc2およびPdCl2など種々の触媒を用いることができるが、最も汎用的にはPdPPh34が用いられる。この反応には塩基が必ず必要であるが、Na2CO3、NaHCO3などの比較的弱い塩基が良好な結果を与える。立体障害等の影響を受ける場合には、BaOH2やK3PO4などの強塩基が有効である。その他苛性ソーダ、苛性カリ、金属アルコシド等、例えばカリウムt-ブトキシド、ナトリウムt-ブトキシド、リチウムt-ブトキシド、カリウム2-メチル-2-ブトキシド、ナトリウム2-メチル-2-ブトキシド、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムエトキシド、カリウムメトキシドなども用いることができる。また、トリエチルアミン等の有機塩基も用いることができる。反応溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、2-メトキシエタノール、1,2-ジメトキシエタン、ビス2-メトキシエチルエーテル等のアルコールおよびエーテル系、ジオキサン、テトラヒドロフラン等の環状エーテル系の他ベンゼン、トルエン、キシレン、ジメチルスルホキシド、N,N-ジメチルホルムアミド、N-メチルピロリドン、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン等をあげることができる。重合反応は、一般式2で表されるジハロゲン化合物または一般式2で表されるボロン酸誘導体の反応性および溶解性に応じて、反応温度、反応時間および反応濃度等が設定される。また、以上の重合操作において分子量を調節するために分子量調節剤または、末端修飾基として重合体の末端を封止するための封止剤を反応途中または反応後に添加することも可能であり、反応開始時に添加しておくことも可能である。従って、本発明におけるカルバゾールポリマーの末端には停止剤に基づく置換基が結合してもよい。本発明の重合体の好ましい分子量はポリスチレン換算数平均分子量で1000~1000000であり、より好ましくは2000~500000である。分子量が小さすぎる場合にはクラックの発生等成膜性が悪化し実用性に乏しくなる。また分子量が大きすぎる場合には、一般の有機溶媒への溶解性が悪くなり、溶液の粘度が高くなって塗工が困難になり、やはり実用性上問題になる。また、反応に供するモノマー、すなわち一般式2で表されるジハロゲン化合物または一般式3で表されるボロン酸誘導体の溶解性によって重合度に差異が出るが、これは目的に応じて、使用する一般式2で表されるジハロゲン化合物または一般式3で表されるボロン酸誘導体を適切に選択する必要がある。以上のようにして得られたカルバゾールポリマーは、重合に使用した触媒、未反応モノマー、末端停止剤等の不純物を除去して使用される。これら精製操作は再沈澱、カラムクロマト法、吸着法、抽出、ソックスレー抽出、限外濾過、透析、触媒を除くためのスカベンジャーの使用等をはじめとする従来公知の方法を使用できる。上記製造方法により得られた本発明の重合体は、スピンコート法、キャスト法、ディップ法、インクジェット法、ドクターブレード法、スクリーン印刷法等の公知の成膜方法により、クラックのない強度、靭性、耐久性等に優れた良好な薄膜を作製することが可能であり、光電変換素子、薄膜トランジスタ素子、発光素子など種々の機能素子用材料として好適に用いることができる。このようにして得られる一般式1で表されるカルバゾールポリマーの具体例を以下に示す。前記一般式1中、Arが芳香族炭素水素あるいは複素環の2価基を表す場合、以下のものを挙げることができる。ベンゼン、ナフタレン、ビフェニル、ターフェニル、ピレン、フルオレン、9,9-ジメチルフルオレン、アズレン、アントラセン、トリフェニレン、クリセン、9-ベンジリデンフルオレン、5H-ジベンゾ[a,d]シクロヘプテン、[2,2]-パラシクロファン、トリフェニルアミン、チオフェン、ベンゾチオフェン、ジチエニルベンゼン、フラン、ベンゾフラン、カルバゾール、等の2価基が挙げられ、これらは置換もしくは無置換のアルキル基およびアルコキシ基、を置換基として有していてもよい。置換もしくは無置換のアルキル基としては、炭素数が1~25の直鎖、分岐鎖又は環状のアルキル基であり、これらのアルキル基は更にフッ素原子、シアノ基、フェニル基又はハロゲン原子もしくは直鎖又は分岐鎖のアルキル基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、t-ブチル基、s-ブチル基、n-ブチル基、i-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、2-エチルヘキシル基、トリフルオロメチル基、2-シアノエチル基、ベンジル基、4-クロロベンジル基、4-メチルベンジル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。また置換もしくは無置換のアルコキシ基である場合は、上記アルキル基の結合位に酸素原子を挿入してアルコキシ基としたものが具体例として挙げられる。一般式1中、Ar1が芳香族炭素水素あるいは複素環を表す場合は、前述のArで示した芳香族炭素水素あるいは複素環の1価基を表す。一般式1中のRが脂肪族の2価基もしくは環状脂肪族の2価基である場合は、前述した芳香族炭化水素あるいは複素環上の置換基として定義された置換もしくは無置換のアルキル基の2価基と同一である。一般式4中のR1は置換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基あるいは芳香族炭化水素基を表すが、置換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基の具体例は前述した芳香族炭化水素あるいは複素環上の置換基として定義されたものと同一である。また芳香族炭化水素基としては前述の芳香族炭化水素の1価基として定義されたものと同一である。以下に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、これら実施例によって制限されるものではない。なお実施例中で使用されるボロン酸エステル誘導体は特開2010-37509号公報に記載のものを用いた。3,6-ジブロモ―N-フェニルカルバゾール0.80g、次の構造式のボロン酸エステル1.21g、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム11.6mgおよびトリカプリルメチルアンモニウムクロライドAliquat336;アルドリッチ製20mgを採り窒素置換したのち、これに脱気したトルエン12mlおよび2M炭酸ナトリウム水溶液5.2mlを加え13時間加熱還流した。停止反応としてフェニルボロン酸97mgを加え5時間ついでブロモベンゼン0.10mlを加え3時間加熱還流した。室温まで放冷したのち有機層をメタノール/水に滴下して粗ポリマーを得た。これを塩化メチレンに溶解し、パラジウムスカベンジャー3-メルカプトプロピル基で修飾されたシリカゲル1gを加え1時間攪拌後ろ別した。ついで塩化メチレン溶液をイオン交換水で、洗浄液の伝導度がイオン交換水と同等になるまで水洗を繰り返した後メタノールに滴下して、沈殿物をろ取、加熱乾燥して下式で示される白色の本発明ポリマー1.02gを得た。元素分析値計算値;C84.6084.94、H7.307.31、N1.922.36。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算分子量数平均分子量Mn6972、重量平均分子量Mw16509赤外吸収スペクトルNaClキャスト膜を図1に示した。実施例1において用いたボロン酸エステルをつぎの構造式に示すボロン酸エステルに変えるほかは実施例1と同様に操作して、下記本発明のポリマーを得た。元素分析値計算値;C84.7984.87、H6.606.57、N2.202.61。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算分子量数平均分子量3130、重量平均分子量6697実施例1において用いたボロン酸エステルを下図に示すボロン酸エステルに変えるほかは実施例1と同様に操作して、下記本発明のポリマーを得た。元素分析値計算値;C84.6084.83、H6.006.14、N2.422.75。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算分子量THFに不溶のため測定はできなかった。実施例1における3,6-ジブロモ―N-フェニルカルバゾールの代わりに3,6-ジブロモ―N-p-n-ブチルフェニルカルバゾールを用い、表1のボロン酸エステルを用いるほかは実施例1と同様に操作して表2に示す本発明のポリマーを得た。実施例4で得られたポリマーの赤外吸収スペクトルNaClキャスト膜を図2に示した。実施例1における3,6-ジブロモ―N-フェニルカルバゾールの代わりに3,6-ジブロモ―N-p-n-ブチルフェニルカルバゾールを用い、表1のボロン酸エステルを用いるほかは実施例1と同様に操作して表2に示す本発明のポリマーを得た。実施例1における3,6-ジブロモ―N-フェニルカルバゾールの代わりに3,6-ジブロモ―N-p-n-ブチルフェニルカルバゾールを用い、表1のボロン酸エステルを用いるほかは実施例1と同様に操作して表2に示す本発明のポリマーを得た。実施例1における3,6-ジブロモ―N-フェニルカルバゾールの代わりに3,6-ジブロモ―N-p-n-ブチルフェニルカルバゾールを用い、表1のボロン酸エステルを用いるほかは実施例1と同様に操作して表2に示す本発明のポリマーを得た。<キャリア移動度の測定>アルミニウム基板上に、下式で表される実施例4で得られた本発明のポリマー10wtのトルエン溶液をブレード塗工し、120°Cで30分乾燥し、膜厚が約7μmの有機半導体膜を形成した後、この半導体フィルムに金電極を蒸着し、評価用試料とした。キャリア移動度はTimeofFlightTOF法により求めた。TOF法によるキャリア移動度測定は、キャリアが有機半導体材料の膜厚中を横切る時間から求める測定である。すなわち、この試料の片面に、窒素レーザーを用いてパルス光を照射して、光キャリアを生成させ、二つの金電極間に電界を与えた際の変位電流を抵抗で電圧に変換し、これをオシロスコープで記録した。電極間距離Lを走行する時間Trを光電流の波形より求めた。ついで、キャリアの速度はV=L/Trで表され、印加電圧Vが電極間で均一とした時、電界E=V/Lより、キャリア移動度の算出には、以下の式を用いた。μ=L^2/VTrただし、μはTOFキャリア移動度、Vは電極間の印加電圧、Trはキャリアの膜厚走行時間。実施例4で得られた本発明のポリマーのホール移動度を図3に示す。"