時間領域分光法により物体の内部情報を可視化する装置であって、物体からのテラヘルツ波を検出する検出部と、前記検出部の出力よりテラヘルツ波の時間波形を構築する構築部と、物体内部にテラヘルツ波が浸透する方向に対して略垂直な方向の物体の画素に対応するテラヘルツ波について、前記検出部に至るまでの画素毎の伝搬距離を第1の変調パターンと第2の変調パターンで逐次空間変調し、第1のテラヘルツ波と第2のテラヘルツ波を出射する変調部と、前記変調パターンに対応する画素毎のテラヘルツ波の伝搬距離の変化量を時間量に換算し、前記時間量に基づいて、前記構築部からの第1のテラヘルツ波の第1の時間波形と第2のテラヘルツ波の第2の時間波形の時間軸上の位置を調整し、第3の時間波形と第4の時間波形を算出する調整部と、画素毎に、第3の時間波形と第4の時間波形を加算処理する加算部と、を有することを特徴とする画像形成装置。前記変調部は、物体と前記検出部の間に配置され、物体から前記検出部に至るテラヘルツ波の伝搬距離について空間変調を行うことを特徴とする請求項1に記載の画像形成装置。前記変調部の状態をモニタし、該変調部の状態より変調パターンを出力するモニタ部をさらに有し、前記調整部は、前記モニタ部から出力される変調パターンを参照してテラヘルツ波の時間波形の時間軸上の位置を調整することを特徴とする請求項1または2に記載の画像形成装置。前記変調部が用いる第1の変調パターンと第2の変調パターンを予め記憶しているパターン記憶部をさらに有し、前記調整部は、前記パターン記憶部が記憶する変調パターンを参照してテラヘルツ波の時間波形の時間軸上の位置を調整することを特徴とする請求項1または2に記載の画像形成装置。前記変調部は、画像を形成する画素毎にテラヘルツ波の伝搬距離が異なるテラヘルツ波透過部材を含むことを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の画像形成装置。前記変調部は、画像を形成する画素毎に物体からのテラヘルツ波の伝搬距離を調整するテラヘルツ波反射部材を含むことを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の画像形成装置。時間領域分光法により物体の内部情報を可視化する方法であって、物体からのテラヘルツ波を検出部により検出する検出ステップと、前記検出ステップにおける検出部の出力よりテラヘルツ波の時間波形を構築する波形構築ステップと、物体内部にテラヘルツ波が浸透する方向に対して略垂直な方向の物体の画素に対応するテラヘルツ波について、検出部に至るまでの伝搬距離を第1の変調パターンと第2の変調パターンで逐次空間変調し、第1のテラヘルツ波と第2のテラヘルツ波を出射する変調ステップと、前記変調パターンに対応する画素毎のテラヘルツ波の伝搬距離の変化量を時間量に換算し、前記時間量に基づいて、前記波形構築ステップで構築された第1のテラヘルツ波の時間波形と第2のテラヘルツ波の第2の時間波形の時間軸上の位置を調整し、第3の時間波形と第4の時間波形を算出する調整ステップと、画素毎に、第3の時間波形と第4の時間波形を加算する加算ステップと、を含むことを特徴とする画像形成方法。上記非特許文献1の技術に依れば、テラヘルツ波を空間変調する段階で金属の開口パターンを用いる。そのため、一部のテラヘルツ波の信号は、金属の開口パターンの遮蔽部分によって反射され、検出器に到達するテラヘルツ波の信号強度が小さくなる。上記課題に鑑み、時間領域分光法により物体の内部情報を可視化する本発明の装置は次の構成を有する。物体からのテラヘルツ波を検出する検出部と、検出部の出力よりテラヘルツ波の時間波形を構築する構築部を少なくとも有する。また、次の構成要素を有する。可視化する物体の水平方向の画素に対応するテラヘルツ波について、検出部に至るまでの伝搬距離を第1の変調パターンと第2の変調パターンで逐次空間変調し、第1のテラヘルツ波と第2のテラヘルツ波を出射する変調部。変調パターンに対応する画素毎のテラヘルツ波の伝搬距離の変化量を時間量に換算し、時間量に基づいて、構築部からの第1及び第2のテラヘルツ波の第1及び第2の時間波形の時間軸上の位置を調整し、第3及び第4の時間波形を生成する調整部。画素毎に、第3の時間波形と第4の時間波形を加算処理する加算部。また、上記課題に鑑み、時間領域分光法により物体の内部情報を可視化する本発明の方法は次のステップを含む。物体からのテラヘルツ波を検出部により検出する検出ステップと、検出ステップにおける検出部の出力よりテラヘルツ波の時間波形を構築する構築ステップを少なくとも含む。また、次のステップを有する。可視化する物体の水平方向の画素に対応するテラヘルツ波について、検出部に至るまでの伝搬距離を第1の変調パターンと第2の変調パターンで逐次空間変調し、第1のテラヘルツ波と第2のテラヘルツ波を出射する変調ステップ。変調パターンに対応する画素毎のテラヘルツ波の伝搬距離の変化量を時間量に換算し、時間量に基づいて、構築ステップで構築の第1及び第2のテラヘルツ波の第1及び第2の時間波形の時間軸上の位置を調整し、第3及び第4の時間波形を生成する調整ステップ。画素毎に、第3の時間波形と第4の時間波形を加算処理する加算ステップ。本発明の装置及び方法に依れば、テラヘルツ波の空間変調について、テラヘルツ波の存在の有無による空間分布を用いず、画素毎にテラヘルツ波の検出部への到達時間の変化させることで実現している。そのため、テラヘルツ波の空間変調時にテラヘルツ波が遮蔽されることがないため、テラヘルツ波の信号強度の減少を抑制することができ、テラヘルツ波の検出感度を維持しつつ、複数画素の時間波形を測定することが可能になる。本発明の特徴は、次の点にある。すなわち、可視化する物体の水平方向の画素に対応するテラヘルツ波について、テラヘルツ波の検出部に至るまでの伝搬距離を複数種の変調パターンで逐次空間変調して複数のテラヘルツ波を出射する。そして、各変調パターンに対応する画素毎のテラヘルツ波の伝搬距離の変化量を換算した時間量に基づき、検出部の出力による複数のテラヘルツ波の時間波形の時間軸上の位置を調整し、新たな複数の時間波形を生成し、画素毎にこれらの時間波形を加算処理する。以下、本発明の思想を実施し得る形態について、図面を参照して説明する。本発明の一実施形態を説明する図1によると、本実施形態の時間領域分光法により物体の内部情報を可視化する装置は、検出部101、波形構築部102、変調部103、調整部105、加算部106を少なくとも有する。以下、各要素について説明する。検出部101の説明検出部101は、テラヘルツ波を検出する部分である。検出部101における検出手法として、テラヘルツ波の電界強度の変化による電流の変化を検出する手法がある。この手法として、励起光照射時の光伝導性の変化より、テラヘルツ波の電界強度に対応した電流を検出する手法がある。この様な電流を検出する手段として、半導体膜上に金属電極でアンテナパターンを形成した素子本明細書では光伝導素子とも呼ぶが適用できる。また、電気光学効果を用いてテラヘルツ波の電場を検出する手法や磁気光学効果を用いてテラヘルツ波の磁場を検出する手法がある。電気光学効果を用いて電場を検出する手法として、偏光スプリッターと電気光学結晶を用いた手段が適用できる。磁気光学効果を用いて磁場を検出する手法として、偏光スプリッターと磁気光学結晶を用いた手法が適用できる。ここでは、検出部101として光伝導素子を用いた例を中心に説明する。波形構築部102の説明波形構築部102は、検出部101の出力を参照しテラヘルツ波の時間波形を構築する部分である。テラヘルツ波は多くの場合ピコ秒以下のパルス波形であるため、実時間での取得が困難である。そのため、多くの場合、テラヘルツ波のパルス幅よりも短いパルス幅を有するパルス光でサンプリング計測を行う。検出部101として光伝導素子を用いる場合、サンプリングに用いるパルス光は上述した励起光である。励起光は、フェムト秒のパルス幅を有するパルス光である。テラヘルツ波のサンプリング計測は、検出部101に到達するテラヘルツ波と検出部101に到達する励起光のタイミングを調整して行う。多くの場合、励起光が検出部101に到達する時間を調整する。励起光のタイミングの調整手法として、励起光を発生するレーザ光源について、励起光の発生するタイミングを調整する手法がある。例えば、変調信号を発生する信号源を用いて、レーザ光源の繰り返し周波数を変調する手段がある。また、励起光のタイミングの調整手法として、励起光の伝搬長を調整し、励起光が検出部101に到達するタイミングを調整する手法がある。例えば、レーザ光源の繰り返し周波数を固定し、折り返し光学系を有するステージ遅延光学部で励起光の伝搬長を機械的に調整する手段がある。これらの手段は、イメージングを行う際の画像取得時間や測定精度等、装置に求められる仕様に応じて適宜選択されるものである。波形構築部102では、検出部101に到達するテラヘルツ波と励起光の時間差をモニタし、この時間差に応じた検出部101の出力をプロットすることでテラヘルツ波の時間波形を構築する。変調部103の説明変調部103は、物体108からのテラヘルツ波109を空間変調する部分である。具体的には、情報を画像化する物体108の水平方向の画素情報について空間変調を行う。画像化する物体の情報としては、水平方向の情報と奥行方向の情報があり得る。奥行方向の情報とは、物体内部にテラヘルツ波が浸透する方向の情報であり、テラヘルツ波の時間波形の情報がこれに対応する。水平方向の情報とは、物体内部にテラヘルツ波が浸透する方向に対して略垂直な方向の情報である。言い換えると、テラヘルツ波の時間波形を構築する際の時間軸について、時間軸を或る時間に固定し、観察領域内のテラヘルツ波の強度分布をモニタした情報に相当する。また、空間変調とは、可視化される各画素について、物体108と検出部101の間の伝搬距離を各々変化させることをいう。言い換えると、画素毎にテラヘルツ波の伝搬時間を調整していることに相当する。変調部103は、物体からのテラヘルツ波109を空間変調するための変調領域112を有する。図1aは、物体108からのテラヘルツ波109が変調部103の変調領域112を透過する例を示している。この時、図1bの様に、変調領域112に照射される物体からのテラヘルツ波109の照射領域113は、可視化に用いる画素に対応する領域を9箇所含んでいる。当然ながら、画素領域の数はこれに限るものではない。物体108からのテラヘルツ波109の空間変調は、この画素に対応する領域の性状の組合せで実現する。本明細書では、この画素領域の性状の組合せを変調パターンと呼ぶ。ここで、テラヘルツ波の照射領域113に含まれる画素領域は、可視化に用いる画素領域を全て含んでいてもよいし、可視化に用いる画素領域のうちの一部の画素領域を含む構成でもよい。テラヘルツ波の照射領域113について、可視化される画素領域を全て含む場合、本装置は、検出部101の出力より物体108の可視化が可能になる。テラヘルツ波の照射領域113が、可視化したい領域よりも小さい場合、以下の構成が追加されることが望ましい。すなわち、物体108の可視化したい領域について、物体108とテラヘルツ波109の位置を面方向に相対的に変化させる構成が追加されることが望ましい。この構成によって、各位置にて可視化された情報より、可視化したい領域の情報を再構築する。位置を相対的に変化させる構成は、物体108の位置を変化させる構成や、物体からのテラヘルツ波109を走査する構成がある。図1aの例では物体108からのテラヘルツ波109は、1つの孤立パルスである。物体からのテラヘルツ波109は、変調部103の変調領域112を介し、テラヘルツ波のパルス列として出射する。このパルス列のパターンは、変調部103の変調パターンによって変化する。本明細書では、第1の変調パターンで出射したテラヘルツ波を第1のテラヘルツ波110と呼ぶ。また、第2の変調パターンで出射したテラヘルツ波を第2のテラヘルツ波111と呼ぶ。図1cは、第1のテラヘルツ波110と第2のテラヘルツ波111の例を示している。変調部103の変調パターンに応じて、各テラヘルツ波110、111を構成するパルス列の時間間隔は変化する。変調部103の変調領域112の特性によっては、パルス形状も変化する。図1aにおいて、変調部103の変調パターンが第1の変調パターンから第2の変調パターンに変化すると、検出部101に到達するテラヘルツ波は、第1のテラヘルツ波110から第2のテラヘルツ波111に変化する。ここで、各変調パターンの切り替え時に、可視化される各画素の位置が変動しないように位置合わせを行うことが望ましい。特に、機械的に変調パターンを切り替える場合、位置合わせ機構を有することが望ましい。例えば、エンコーダなどで位置を検知してこの位置情報を用いて位置合わせ状態をフィードバック制御する。この様な態様を有することで、可視化された物体の画像は、境界のボケが抑制され画像のコントラストが改善されるという効果を奏する。これまでの説明では、物体108からのテラヘルツ波109は、変調部103を透過する構成で説明したが、これに限らない。物体からのテラヘルツ波109は、変調部103の変調領域112において反射する構成で実現することも可能である。図2と図3は、変調部103の構成例を示したものである。変調部103の構成は、これらに限るものではなく、物体からのテラヘルツ波109の伝搬距離を部分的に変化させ、空間変調させる目的を達成する構成であればよい。図2は、透過型の変調部103の構成例を示した図である。図2aの様に、変調部103は、樹脂シート201、ステージ202、ドライバ203で構成する。図2の樹脂シート201は、物体108からのテラヘルツ波109を空間変調するための変調領域112を有している。物体からのテラヘルツ波109はほぼ平行なビームである。そして、変調領域112は、可視化する際の画素サイズに、ほぼ賽の目状に区切られている。この1つの区切りを画素領域と呼ぶ。ここでは、テラヘルツ波の照射領域113について、9箇所の画素領域を含む構成になっている。物体からのテラヘルツ波109は、波面内の全ての要素画素の情報に相当が平行に伝搬するとしても、或る曲率をもって発散することが知られている。つまり、変調領域112にある各画素領域に含まれる情報は、各画素領域周辺の情報が重なっていると考えることができる。ここで、この隣接する画素領域間において許容するテラヘルツ波の重なり領域の割合をAとする。この時、物体108と変調領域112との実効的な距離は、測定者が設定する重なり領域の割合がA以下になる様に設定することが望ましい。ここでは、この距離をDmとする。例えば、物体からのテラヘルツ波109は、物体108の構造によって回折を受け伝搬する。物体からのテラヘルツ波109のビーム形状がガウシアンビームに近似できると仮定すると、変調領域112の各画素領域に到達するテラヘルツ波のビーム径は次式で近似することができる。wD=w0[1λD/πw022]1/2式1ここで、w0は、各画素領域に対応する物体108上の場所から出射した直後のテラヘルツ波について、1/e2の強度の等高線の半径である。wDは、ビーム径w0を有するテラヘルツ波が距離D伝搬し、各画素領域に入射するテラヘルツ波について、1/e2の強度の等高線の半径である。λは、テラヘルツ波の波長である。ここで、画素領域のサイズは、半径w0の円を内接する四角形状と仮定すると、画素領域には、半径wDのテラヘルツ波が入射する。この入射するテラヘルツ波のビーム径は、画素領域よりも大きく、この画素領域に収まらない領域を重なり領域と定義する。つまり、物体108から各画素領域に到達するテラヘルツ波のビーム径が、式1に従って広がるとすると、重なり領域の成分が隣接する画素領域に漏れ出し、画素領域間の情報が重なる。各画素領域について、隣接する画素領域からのテラヘルツ波の重なり領域の割合Aを定めると、wDは次式のように定義できる。wD=1001Aw0式2式1と式2より、望ましい画素領域のサイズ2w0は、重なり領域Aで定義される割合と物体108から変調部103の変調領域112までの実効的な距離Dによって次式のように求めることができる。そして、画素領域のサイズは、この2w0を包括する領域であればよい。w02=Dλ/{π[1001A2-1]1/2}式3例えば、波長λとして300μm、重なり領域Aとして20、距離Dとして25.4mmを適用すると、望まれる画素領域のサイズは約2mm×2mmとなる。ここで使用するテラヘルツ波の波長λは、テラヘルツ波が有する周波数スペクトルから任意に選択できる。例えば、波長λは、最大のパワーを有する波長付近の値に調整することが望ましい。最大の感度を有する波長に画素領域のサイズを調整することで、信号のSN比が高まり、形成される画像のコントラストが向上する。また、別の態様として、欲しい水平分解能に応じて波長λを選択してもよい。この時、各画素領域に収まらない波長成分は、空間変調時に隣接する画素領域によって意図しない伝搬距離によって変調を受ける。その結果、信号が拡散され、後述する調整部105による時間波形の調整において、この拡散された成分はノイズとして重畳される。そして、後述する加算部106の動作によって、拡散された成分が抑制され、結果的に、低周波数側の信号が抑制された微分画像が取得できる。式3からも明らかな様に、画素領域のサイズは、距離Dに依る。具体的には、物体108と変調領域112の距離が近い程、画素領域のサイズは小さくできる。理想的には、密着している態様がよい。ただし、必要とされる装置形態によっては、物体108と変調部103の変調領域112の距離を大きく離間させる必要がある。この時、図9の様に、物体108と変調部103の変調領域112の間にレンズのような集光部材を挿入し、集光部材に投影される物体108の像を再投影させる態様も可能である。集光部材は、物体からのテラヘルツ波109を包括するサイズで、上述した距離Dの位置に配置する。集光部材を介した物体からのテラヘルツ波109は、集光部材の光学特性に従って再投影される。変調部103は、この再投影される場所に配置する。この態様であると、集光部材によって再投影される距離分だけ、物体108と変調領域112の距離を離すことができる。そのため、装置の配置自由度が改善されるという効果を奏する。変調部103の各画素領域を介したテラヘルツ波は、検出部101に至る伝搬距離が各々変化している。言い換えると、伝搬時間が異なるテラヘルツ波パルスの集合体である。そのため、各画素領域を介したテラヘルツ波は、互いに伝搬領域が重なっても時間軸上の位置で分離できる。そのため、変調部103と検出部101の距離は、或る程度離れていてもよい。本発明では、テラヘルツ波は、検出部101に集光して入射する態様であるので、この光学系が成立する範囲であればよい。例えば、変調部103と検出部101は、数10から数100mmの距離に配置する。図2bは、樹脂シート201のAA’断面図を示したものである。図示の様に、樹脂シート201の変調領域112は、画素領域毎に部材の厚みが異なっている。大気と樹脂は屈折率が異なるため、部材の厚みにより、テラヘルツ波の伝搬距離が変化する。その結果、伝搬時間も変化する。図の様に、物体からのテラヘルツ波109が同じタイミングで各画素領域に到達すると仮定すると、変調部103は、伝搬時間が異なるテラヘルツ波204、205、206を出射する。その結果、パルス列が生成される。樹脂シート201は、テラヘルツ波に対して損失の少ない材料で構成することが望ましい。例えば、ポリエチレンやポリカーボネート、シクロオレフィン類の材料が適用できる。この画素領域毎の部材の厚みの差は、テラヘルツ波のパルス列が分離できる程度の厚みであることが望ましい。好ましくは、画素領域毎の部材の厚みの差は、使用するテラヘルツ波のパルス幅について、パルスの半値幅程度の時間差をパルス間に生じさせる程度の厚みである。例えば、使用するテラヘルツ波パルスの半値幅が300フェムト秒で部材の屈折率を1.5と仮定すると、部材の厚みの差は約60μmとなる。ただし、部材の厚みの差は、テラヘルツ波パルスの半値幅以下の時間差をパルス間に生じさせる程度の厚みでもよい場合もある。こうした例として、使用するテラヘルツ波のパルス列に対して、参照波を用いて逆畳み込み演算を行いインパルスのパルス列を求める形態がある。ここでは、部材の厚みの差は、テラヘルツ波パルスの半値幅ではなく、上記演算の結果求められたインパルス信号の半値幅程度の時間差をパルス間に生じさせる程度の厚みになる。この時の部材の厚みの差は、数μmとなる。ステージ202は、樹脂シート201を保持し、テラヘルツ波の照射領域113の入射方向に対して変調領域112の位置を面方向に変える。変調領域112の移動によって、テラヘルツ波の照射領域113に含まれる部材の厚みの分布が変化する。その結果、変調領域112に照射されるテラヘルツ波の照射領域113の位置を調整することで、様々なパターンのパルス列が変調部103より出射する。ドライバ203は、ステージ202の位置を調整する部分である。ステージ202の位置と本装置が用いる変調パターンの対応が記憶されている場合、ドライバ203の制御量によって変調パターンを切り替えることができる。以上では、透過型の変調部103として、樹脂シート201とステージ202を組み合わせる構成を示したが、変調部103の構成はこれに限らない。物体108からのテラヘルツ波109が変調部103を透過し、その伝搬距離を部分的に変化させ、空間変調させる目的を達成する構成であればよい。例えば、樹脂シート201を、セラミックや半導体基板に置き換える構成も可能である。また、これまで説明した透過型の変調部103は、変調領域112の部材の厚みを調整することで物体からのテラヘルツ波109を空間変調させてきたが、部材の厚みは均一でもよい。テラヘルツ波の伝搬距離は、部材の屈折率によって変化するので、液晶材料の配向状態の制御や電気泳動による粒子の分布を制御することで、テラヘルツ波の照射領域113の屈折率分布を調整することが可能である。この場合、テラヘルツ波の照射領域113の屈折率分布を電気的に調整することができるので、変調パターンの切り替えに要する時間を短縮でき、可視化の速度が向上する。また、テラヘルツ波の照射領域113の屈折率分布を電気的に調整することができるので、変調パターンの切り替え用のステージ202も不要になり、装置の小型化が実現できる。これまで説明した透過型の変調部103は、物体からのテラヘルツ波に対する空間変調をテラヘルツ波の伝搬距離が異なる透過部材により行っている。この構成は、テラヘルツ波の伝搬経路に変調部103を挿入することで空間変調が実現できるため、空間変調を行うためのテラヘルツ波の伝搬経路の取り回しが最少で済む。そのため装置構成が簡単になるという効果を奏する。図3は、反射型の変調部103の構成例を示した図である。図3bの様に、変調部103は、ロッド301、アクチュエータ302、ドライバ303で構成する。図3のロッド301は、端部に物体108からのテラヘルツ波109を反射するための反射部材を備えている。この反射部材は、使用するテラヘルツ波の最短波長λに対し、およそ1/20λ以下の粗さを有する金属面であることが望ましい。また、この金属面には、金属面を保護するための誘電体保護膜や反射効率を改善するための多層膜構造を備えていてもよい。ロッド301の端部は、物体からのテラヘルツ波109の入射方向に対し、反射したい方向にカットされている。ロッド301の断面積は、透過型の変調部103で説明したように、重なり領域Aと変調部103の変調領域112までの距離Dによって定義される。図3では、ロッド301は円柱で表現されているが、これに限らず、多角形などでもよい。変調領域112は、このロッド301を複数備えることで構成する。変調領域112は、少なくともテラヘルツ波の照射領域113を包括する大きさである。図3aにおいて、物体からのテラヘルツ波109がロッド301の長手方向より入射し、反射されたテラヘルツ波が入射方向に対し90度の角度で出射する態様が示されている。出射角度はこれに限らず、装置の仕様によって適宜選択される。図3bは、変調部103のBB’断面図を示す。図の様に、変調領域112にあるロッド301は、反射されたテラヘルツ波の出射角度にロッド301の端部が略沿うように配置されている。ロッド301は、アクチュエータ302によって、ロッド301の長手方向に動かされる。ロッド301の位置によって、テラヘルツ波の伝搬距離が変化する。その結果、伝搬時間も変化する。図の様に、物体からのテラヘルツ波109が、テラヘルツ波の端面形状307に対し、同じタイミングで各画素領域を構成するロッド301に到達すると仮定する。この時、変調部103は、反射されたテラヘルツ波の端面形状308に対し、伝搬時間が異なるテラヘルツ波304、305、306を出射する。その結果、パルス列が生成される。上述した様に、アクチュエータ302は、変調領域112にあるロッド301の位置を、ロッド301の長手方向に変える。アクチュエータ302として、数μmからサブμmの位置決め精度を有するものが望ましく、例えばピエゾ素子やステッピングモータが適用できる。変調領域112にあるロッド301の位置を個別に調整することで、テラヘルツ波の照射領域113に含まれるロッド301の高さの分布が変化する。その結果、このロッド301の高さの分布を調整することで、様々なパターンのパルス列が変調部103より出射する。尚、調整されるロッド301の高さは、ロッド301から反射されるテラヘルツ波304、305、306を完全に遮蔽しない位置関係に調整することが望ましい。そして、透過型の変調部103でも説明したが、調整されるロッド301の高さの差は、テラヘルツ波のパルス列が分離できる程度であることが望ましい。例えば、使用するテラヘルツ波パルスの半値幅が300フェムト秒と仮定すると、ロッド301の高さの差は約90μmとなる。また、透過型の変調部103でも説明したが、使用するテラヘルツ波のパルス列に対して、参照波を用いて逆畳み込み演算を行いインパルスのパルス列を求める形態を適用してもよい。ドライバ303は、アクチュエータ302の動作を制御し、ロッド301の高さを調整する部分である。アクチュエータ302の制御量と本装置が用いる変調パターンの対応が記憶されている場合、ドライバ303の制御量によって変調パターンを切り替えることができる。これまで説明した反射型の変調部103においては、物体からのテラヘルツ波に対する空間変調が、変調部103に備えられた複数の反射部材を用いて、変調部103で反射されるテラヘルツ波の伝搬距離を調整して行われる。空間変調を行うために部材内部を伝搬させる必要がないため、空間変調に伴うテラヘルツ波の損失を抑制できる。そのため、装置の検出感度が高まり形成される画像のコントラストが改善するという効果を奏する。調整部105の説明図1の説明に戻る。調整部105は、変調部103が使用した変調パターンを参照し、テラヘルツ波の時間波形の時間軸上の位置を調整する部分である。具体的には、使用した変調パターンに対応する画素毎のテラヘルツ波の伝搬距離の変化量を時間量に換算する。そして、この時、時間量に基づいて、波形構築部102に記憶された第1のテラヘルツ波の第1の時間波形と第2のテラヘルツ波の第2の時間波形の時間軸上の位置を調整する。本明細書では、調整された第1の時間波形を第3の時間波形と呼び、調整された第2の時間波形を第4の時間波形と呼ぶ。調整部105は、この第3の時間波形と第4の時間波形を出力する。図を用いて調整部105の動作を説明する。ここでは、図2で説明した透過型の変調部103を用いるものとして説明する。図4aは、説明に用いる変調部103の変調領域112の構成を示したものである。変調領域112は、18箇所の画素領域で構成される。各画素領域には、dt1、dt2、dt3、dt4、dt5、dt6、dt7、dt8、dt9という9種類の伝搬距離の変化量が割り当てられている。これらの伝搬距離の変化量は樹脂シート201の厚みで調整される。例えば、樹脂シート201として屈折率1.5のシクロオレフィンを用いると、1ピコ秒は200μmの厚みに相当する。図4aの様に、変調領域112は、これらの画素領域がランダムに配置して構成される。ここで、変調領域112に照射される物体108からのテラヘルツ波109の照射領域113は、3×3の画素領域に照射されるものとする。つまり、変調領域112に単一パルスのテラヘルツ波が照射されると、最大9つのパルス列が変調部103より出射する。以下に調整部105の動作を含めた装置の動作フローを示す。以下の動作フローでは、各変調パターンの中心画素領域に着目して説明する。1図4aにおいて変調部103の変調領域112の位置を調整し、第1の変調パターン401の位置にテラヘルツ波を照射する。2変調部103は図1aにおける第1のテラヘルツ波110を出射する。ここで、第1の変調パターン401は、dt1からdt9の画素領域を1つずつ含むため、9つのパルス列が出射する。3検出部101は第1のテラヘルツ波110を検出し、波形構築部102は第1の時間波形403を構築する。4調整部105は、使用した第1の変調パターン401を参照し、着目する画素領域について伝搬距離の変化量を取得する。ここでは、第1の変調パターンの中心画素領域に着目するため、中心画素領域を伝搬したテラヘルツ波の伝搬距離の変化量はdt7である。5調整部105は、取得した伝搬距離の変化量を時間量に換算する。透過型の変調部103を用いる場合、時間量への換算は、各画素領域の屈折率を加味して換算する。6調整部105はステップ5で求めた時間量に基づき、波形構築部102に記憶された第1の時間波形403の時間軸上の位置を調整し、第3の時間波形405を算出する。具体的には、ステップ5で求めた時間量分、第1の時間波形403の時間軸上の位置を時間軸の進む方向とは逆にシフトする。ここでは、変化量dt7に対応する時間量だけシフトする。7図4aにおいて変調部103の変調領域112の位置を調整し、第2の変調パターン402の位置にテラヘルツ波を照射する。8変調部103は図1aにおける第2のテラヘルツ波111を出射する。ここで、第2の変調パターン402は、dt1からdt9の画素領域を1つずつ含むため、9つのパルス列が出射する。9検出部101は第2のテラヘルツ波111を検出し、波形構築部102は第2の時間波形404を構築する。10調整部105は、使用した第2の変調パターン402を参照し、着目する画素領域について伝搬距離の変化量を取得する。ここでは、第2の変調パターンの中心画素領域に着目するため、中心画素領域を伝搬したテラヘルツ波の伝搬距離の変化量はdt2である。11調整部105は、取得した伝搬距離の変化量を時間量に換算する。透過型の変調部103を用いる場合、時間量への換算は、各画素領域の屈折率を加味して換算する。12調整部105はステップ11で求めた時間量に基づき、波形構築部102に記憶された第2の時間波形404の時間軸上の位置を調整し、第4の時間波形406を算出する。具体的には、ステップ12で求めた時間量分、第2の時間波形404の時間軸上の位置を時間軸の進む方向とは逆にシフトする。以上の様な動作を、各画素領域について行う。つまり、各画素領域について、第3の時間波形405と第4の時間波形406が求められる。これまでの説明では、使用する変調パターンは2つであるが、変調パターンは2つ以上でも構わない。また、この動作フローでは、装置が変調パターンを変更後、時間波形の調整を行っているが、動作フローの順番はこれに限るものではない。例えば、変調パターンの変更に伴うテラヘルツ波の時間波形構築の結果を逐次波形構築部102に記憶させ、変調パターンの変更が全て終了した段階で、調整部105で時間波形を調整してもよい。また、波形構築部102による時間波形の構築と、調整部105による時間波形の調整を並行して処理してもよい。ステップ6とステップ12の時間軸の調整では、時間波形の位置のみを調整していたが、画素領域を伝搬する際の画素領域の影響を補償する工程を有していてもよい。例えば、透過型の変調部103を用いた場合、画素領域の伝搬に伴う吸収や分散によるパルス形状の変化の補償を行う態様も可能である。また、部材内部でのテラヘルツ波の反射によるエコーパルスが発生する位置を予め把握し、これを除去する態様も可能である。反射型の変調部103を用いる場合でも、例えば、反射部材が備えた保護膜や多層膜によるパルス形状への影響やエコーパルスの除去を行う態様が可能である。これらの影響は予め分かるので、これを記憶しておいて記憶情報に基づいて、変化したパルス形状を元に戻す等の処理をすればよい。この様な工程を有することで、変調部103が介在することによる影響を抑制できるので、画像化におけるコントラストの低下やゴーストの発生を低減できるという効果を奏する。ここで使用する第1の変調パターン401と第2の変調パターン402は、予め定められた変調パターンを用いてもよいし、ランダムに選択されてもよい。予め定められた変調パターンを用いる場合、時間波形の調整に用いる変調パターンの情報を先読みすることができる。そのため、装置の動作速度の改善が容易になるという効果を奏する。変調パターンがランダムに選択される場合、後述するモニタ部によって変調パターンを特定することが望まれる。モニタ部104の説明再び図1の説明に戻る。モニタ部104は、上述した変調部103の状態をモニタし、使用している変調パターンを確定する部分である。例えば、モニタ部104は、これまで説明した透過型もしくは反射型の変調部103にあるドライバ203、303の制御状態から、使用している変調パターンを確定する。また、変調領域112の状態をカメラや3次元測定器で測定し、その結果より、使用している変調パターンを確定してもよい。この様に、ここでは、モニタ部104によって変調部103の状態をモニタし、モニタ結果より、調整部105が参照する変調パターンを確定している。常時、モニタ部104の状態より変調パターンを確定することで、使用した変調パターンとは異なる変調パターンで時間波形の時間軸上の位置を調整することを防止することができる。そのため、装置の動作が安定するという効果を奏する。このモニタ部104を使用しない態様も可能である。この場合、予め使用する変調パターンを記憶する部分本明細書ではパターン記憶部と呼ぶを有することが望ましい。変調部103は、このパターン記憶部に記憶された変調パターンに従って、物体108からのテラヘルツ波109を空間変調する。また、調整部105は、このパターン記憶部に記憶された変調パターンに従ってテラヘルツ波の時間波形を調整する。この様に、変調部103は、予め定められた変調パターンによって物体からのテラヘルツ波109を空間変調し、パターン記憶部は、この変調パターンを予め記憶している。調整部105は、このパターン記憶部に記憶された変調パターンを参照し、時間波形の時間軸上の位置の調整を行う。このことから、調整部105は、時間波形の調整に用いる変調パターンの情報を先読みすることができる。そのため、装置の動作速度の改善が容易になるという効果を奏する。加算部106の説明加算部106は、調整部105から得られた第3の時間波形405と第4の時間波形406を加算する部分である。装置構成によっては、これらの時間波形の加算平均を取得してもよい。本明細書では、単純な加算を含むこうした処理を加算処理と呼ぶ。ここでは、加算平均をする態様で説明する。この作業は、画像化する画素毎に行われる。具体的には、画素に対応する画素領域の第3の時間波形405と第4の時間波形406を取得し、これを加算平均する。複数の時間波形を加算平均すると、信号が重なる部分が強調され、ノイズのようなランダムに発生する信号は互いに打消しあって平坦化する。その結果、信号のSN比が、加算回数の平方根に比例して改善される。本装置では、調整部105によって、着目する画素領域の信号が同じ時間軸上の位置に出現するように調整されている。そのため、着目する画素領域以外の信号の時間軸上の位置は、調整部105の調整量に従って様々な位置に配置される。その結果、着目する画素領域の信号が強調されその他の信号が平坦化することで、着目する画素領域の信号を抽出する。この様子を図4cに示す。これまで説明した様に、図4では、変調パターンのうち、中心の画素領域の信号に着目している。図4bで算出された第3の時間波形405と第4の時間波形406を加算平均すると、加算平均後の時間波形407は、重なり合う部分の信号が強調される。画像構成部107の説明画像構成部107は、加算部106で求められた時間波形より、物体108の画像化を行う部分である。具体的には、画像構成部107は、各画素領域からの時間波形について、画像化を行う画素に配置する。そして、各時間波形の時間軸を距離に換算し、物体108の奥行方向の情報として、三次元像を構成する。ここで、画像構成部107で物体108を画像化する際、予め測定された装置の参照信号を用いて逆畳み込み演算を行い、奥行方向の分解を改善する工程を含んでいてもよい。例えば、この参照信号は、物体108を設置する位置に鏡を設置し、物体108がない場合のテラヘルツ波の時間波形とする。また、測定する物体108の外形に略等しい反射物を設置し、この時のテラヘルツ波の時間波形を参照信号としてもよい。参照信号を求める際、これまで説明した変調部103を用いて、各画素領域の参照信号を求めてもよい。また、時間波形の時間軸を距離に換算する際、物性の情報より屈折率を算出し、屈折率による波長短縮の効果を補償する構成も可能である。この物性の情報は、物体108内部の界面から反射するテラヘルツ波パルスの変化から求めることができる。また、実際に界面から反射するテラヘルツ波よりスペクトル情報を求めてもよい。予め、物体108の内部構造が分かっている場合、内部構造の情報からテラヘルツ波の波長短縮の効果を補償してもよい。これまで説明した様に、本実施形態の装置及び方法では、画素毎に物体から検出部に至るテラヘルツ波の伝搬距離を変化させ、物体からのテラヘルツ波を空間変調している。空間変調のパターンは、時間波形の測定毎に変化させ、画素数より少ない検出器などの検出部でこの時間波形を測定している。可視化の際には、各画素について、テラヘルツ波の伝搬距離が同じ値になるように、変調パターンを参照し画素毎にテラヘルツ波の時間波形の時間軸上の位置を調整している。測定された時間波形について、上述した処理を施し、各画素について、処理した時間波形を加算平均等することで、各画素の時間波形を抽出し可視化している。ここでは、テラヘルツ波の空間変調について、テラヘルツ波の存在の有無による空間分布を用いず、画素毎にテラヘルツ波の検出部への到達時間の変化させることで実現している。そのため、テラヘルツ波の空間変調時に、テラヘルツ波が遮蔽されることがないため、テラヘルツ波の信号強度の減少を抑制することができる。その結果、テラヘルツ波の検出感度を維持しつつ、複数画素の時間波形を測定することが可能になるという効果を奏する。尚、本装置ないし方法は、物体108の観察を行う際に、観察対象領域から伝搬する物体からのテラヘルツ波109を一括して取得しているが、これに限らない。例えば、図8aの様に、テラヘルツ波による観察領域801を物体108に対して相対的に動かし、走査する手法も可能である。この時、画像構成部107は、観察している領域の位置をモニタすることで、観察領域801から得られた画像等をつなぎ合わせる。また、これまでの説明では、物体108と使用する検出部101は対になっていたが、図8bの様に、物体108に対して複数の検出器802を用い、観察領域801を分割して画像等を取得することもできる。この様に、物体108に対して観察領域801を制限することで、単位面積あたりのテラヘルツ波の強度を高めることや、不要な外来電磁波ノイズの混入を抑制することができる。その結果、信号のSN比が高まり、検出感度が改善するという効果を奏する。本発明の画像形成装置及び方法のより具体的な実施形態を図を用いて説明する。尚、これまでの説明と共通する部分の説明は省略する。実施形態1図5は、実施形態1の画像形成装置及び方法の概略構成図である。ここでは、これまで説明した装置構成に対し、発生部501、レーザ源502、遅延光学部503が加わる構成である。図5の様に、この画像形成装置は、物体108に対してテラヘルツ波が反射する反射型の装置構成となっている。発生部501は、テラヘルツ波を発生する部分である。発生部501から発生するテラヘルツ波はパルス波形状である。発生部501における発生原理として、瞬時電流を利用する手法と、キャリヤのバンド間遷移を利用する手法がある。瞬時電流を利用する手法としては、半導体や有機結晶の表面に励起光を照射してテラヘルツ波を発生する手法がある。この手法として、金属電極でアンテナパターンを半導体薄膜上に形成した素子光伝導素子に電界を印加した状態で励起光を照射する手法がある。また、PINダイオードが適用できる。また、利得構造におけるキャリヤのバンド間遷移を利用する手法としては、半導体量子井戸構造を用いる手法が適用できる。ここでは、発生部501として、光伝導素子を用いる例で説明する。レーザ源502は、超短パルスレーザを出力する部分である。多くの場合、レーザ源502から出力されるパルスレーザは、数10フェムト秒のパルス幅を有する。上述した発生部501と検出部101は、この超短パルスレーザの照射によりキャリヤを半導体薄膜に励起することで動作する。このことから、本明細書では、この超短パルスレーザを励起光とも呼ぶ。図5に示す様に、励起光は、L1とL2の2つの光路に分岐される。本実施形態では、光路L1を通る励起光は発生部501に照射される。光路L2を通る励起光は、後述する遅延光学部503を介して検出部101に照射される。レーザ源502の波長は、使用する発生部501と検出部101の半導体膜の吸収波長によって変化する。また、発生部502と検出部101の吸収波長によっては、光路L1またはL2の経路中に波長変換素子が挿入されていてもよい。レーザ源502の波長やパルス幅、パルスレーザの繰り返し周波数は、必要とされる装置仕様によって適宜選択される。遅延光学部503は、励起光の伝搬長を調整し、検出部101に照射する励起光のタイミングを調整する部分である。上述した様に、テラヘルツ波を実時間で検出することは難しいため、発生部501に入射する励起光と検出部101に入射する励起光の時間差を遅延光学部503で調整することで、テラヘルツ波のサンプリング計測を行う。遅延光学部503は、励起光が伝搬する光路長を直接調整する手法、実効的な光路長を調整する手法などを用いることができる。光路長を直接調整する手法は、励起光を折り返す折り返し光学系と、この光学系を折り返し方向に動かす可動部を用いる手法がある。実効的な光路長を調整する手法は、励起光が伝搬する光路中の時定数屈折率を変化させる手法がある。ただし、遅延光学部503の構成はこれに限らず、時間差を調整する目的を達成するものであればよい。ここでは、折り返し光学系を用いる例を示している。本実施形態の動作を説明する。レーザ源502は励起光を出力する。励起光はビームスプリッタを介し、光路L1とL2に分岐される。光路L1を伝搬する励起光は発生部501に照射される。発生部501は、励起光の照射によってテラヘルツ波を発生する。発生したテラヘルツ波は物体108に照射される。この時、物体108に入射するテラヘルツ波のビーム形状は、画像化に用いる画素領域を複数包括する程度に調整されている。テラヘルツ波は、物体108で反射し、物体からのテラヘルツ波109が発生する。物体からのテラヘルツ波109には、物体108の内部構造や物性による影響が反映されている。変調部103は、物体からのテラヘルツ波109について、第1の変調パターンと第2の変調パターンで空間変調し、第1のテラヘルツ波110と第2のテラヘルツ波111を出射する。説明の都合上、第1のテラヘルツ波110と第2のテラヘルツ波111という表現をしているが、当然ながら使用する変調パターンは、2つ以上あってもよい。光路L2を伝搬する励起光は、遅延光学部503によって、検出部101に入射するタイミングが調整される。検出部101には、励起光と第1のテラヘルツ波110または第2のテラヘルツ波111が入射される。検出部101では、励起光が入射された時点での第1のテラヘルツ波110または第2のテラヘルツ波111の電界強度が検出される。波形構築部102は、遅延光学部503による伝搬長の変化と検出部101の出力を参照し、第1のテラヘルツ波110の時間波形第1の時間波形403と第2のテラヘルツ波111の時間波形第2の時間波形404を構築する。上述した様に、この時に構築される時間波形は、各画素領域のパルスが混合したパルス列の形状を有している。モニタ部104は、変調部103が使用した変調パターンをモニタし出力する。調整部105は、この変調パターンと、波形構築部102から出力される第1の時間波形403または第2の時間波形404とを参照する。そして、使用する画素領域毎に、テラヘルツ波の時間軸上の位置を調整し、第3の時間波形405と第4の時間波形406を出力する。調整部105に入力する信号は、第1の時間波形403または第2の時間波形404といった1つのパルス列であるが、調整部105から出力される信号は、処理した画素数分のパルス列の時間波形が出力される。ここで、モニタ部104は、変調パターンの同定まで行っているが、変調パターンの同定は調整部105が行ってもよい。例えば、モニタ部104は変調部103の制御量をモニタし、調整部105はこの制御量から変調パターンを同定する。加算部106は、調整部105から出力される第3の時間波形405のパルス列と、第4の時間波形406のパルス列を加算し、平均化する。その結果、物体108からのテラヘルツ波について、各画素領域に対応するテラヘルツ波の応答信号が抽出される。この作業は、使用する画素領域毎に行う。上述した様に、加算平均を行う回数が多いほど、抽出される信号の精度SN比が上がる。加算部106は、処理した画素領域の数に従ったテラヘルツ波の応答信号を出力する。加算部106から出力された各テラヘルツ波の応答信号は、画像構成部107によって画像化される。各テラヘルツ波の応答信号は、各画素領域の位置に配置され、テラヘルツ波の時間軸は距離に換算される。距離の換算について、光速によって換算する場合、得られる画像は、物体108の物性が重畳された3次元画像となる。言い換えると、材料の物性を識別している。画像化の方法として、識別した材料毎に色分けする等のインターフェースを構築してもよい。また、画像構成部107は、3次元画像ではなく、トモグラフィ像を出力する形態でもよい。尚、本実施形態では、物体108に対してテラヘルツ波が反射する反射型の配置で説明したが、物体108に対してテラヘルツ波が透過する透過型の配置も可能である。また、変調部103は検出部101と物体108の間にあるが、発生部501と物体108の間にある態様も可能である。この時、変調部103は、発生部501から物体108に至るテラヘルツ波の伝搬距離を変調する。本実施形態では、変調部103は検出部101と物体108の間にある態様である。この場合、発生部501と物体108の間に変調部103を配置するする態様に比較して、変調部103と検出部101の距離を短くすることが容易になる。上述した様に、変調部103と検出部101の距離を短くすることにより、検出部101に到達するテラヘルツ波のビーム径の広がりを抑制することができるので、画素領域を小さくすることができるという効果を奏する。以上の様な構成によって、本実施形態は、物体108内部の画像化を行う。実施形態2実施形態2を説明する。本実施形態では、変調部103が用いる変調パターンの同定を行う部分が異なる。尚、これまでの説明と共通する部分の説明は省略する。図6は、本実施形態の画像形成装置の概略構成図である。実施形態1との違いは、モニタ部104の替わりにパターン記憶部601が用いられている点である。パターン記憶部601には、変調部103が使用する変調パターンと予め定められた変調パターンの順番が記憶されている。変調部103は、この予め定められた変調パターンの順番に従って、物体からのテラヘルツ波109を空間変調する。調整部105は、波形構築部102から出力される時間波形について、パターン記憶部601に記憶された変調パターンとその順番を参照して調整を行う。つまり、変調部103と調整部105は、予め定められた変調パターンと順番によって個々に処理を行っている。ここで、変調部103と調整部105の同期を取るために、トリガ部を新たに備え、トリガ部のトリガ信号に従って変調パターンを変える構成でもよい。この場合、変調部103と調整部105が異なる変調パターンで処理を行うことを防止できるので、システムの信頼性が高まるという効果を奏する。ここでも、物体108に対してテラヘルツ波が反射する反射型の配置で説明したが、物体108をテラヘルツ波が透過する透過型の配置も可能である。以上の様な構成によって、本実施形態は、物体108内部の画像化を行う。実施形態3実施形態3を説明する。本実施形態では、発生部と検出部を共通化している。尚、これまでの説明と共通する部分の説明は省略する。図7は、本実施形態の画像形成装置の概略構成図である。これまでの実施形態との違いは、発生部と検出部を共通化し発生検出部701としている点である。発生検出部701は、テラヘルツ波を発生し検出する部分である。いわゆるトランシーバとして発生検出部701は機能する。これまで説明した発生部501と検出部101は、同じデバイス構造を有する素子で構成することも可能なので、駆動方法を調整することで発生と検出を兼ねることが可能である。例えば、発生検出部701として光伝導素子を用いる場合、テラヘルツ波の発生に用いた電界の存在下で、テラヘルツ波の電界による電流を検出するための回路を構築する。図の様に、レーザ源502から発生した励起光は、ビームスプリッタを介し光路L1とL2に分岐される。光路L1の励起光は、テラヘルツ波の発生用に用いる。光路L2の励起光は、テラヘルツ波の検出用に用いる。光路L2の励起光は遅延光学部503によって伝搬長が調整され、ビームスプリッタによって光路L1の励起光と再び混合される。発生検出部701に入射する光路L1の励起光と光路L2の励起光の時間差によって、発生検出部701に入射するテラヘルツ波をサンプリング計測する。発生検出部701から発生したテラヘルツ波702は、変調部103を介してテラヘルツ波703になる。テラヘルツ波703は、物体108に照射される前に変調部103で空間変調され、パルス列となる。テラヘルツ波703は、物体108に照射され、物体からのテラヘルツ波109がテラヘルツ波703の入射伝搬経路に沿って伝搬する。物体からのテラヘルツ波109は、変調部103に入射する。そして、変調部103は、使用した変調パターンに従って第1のテラヘルツ波110と第2のテラヘルツ波111を出射する。本実施形態では、変調部103で使用する変調パターンはモニタ部104によってモニタされている。そして、調整部105は、モニタ部104を参照し、テラヘルツ波の時間波形の調整に用いる変調パターンを取得する。ただし、上述した様に、モニタ部104は、パターン記憶部601に置き換えることも可能である。以上の様な構成によって、本実施形態の画像形成装置は、物体108内部の画像化を行う。この様な構成によれば、テラヘルツ波を物体108の表面に対して法線方向に入射することができる。そのため、画像化の際に、テラヘルツ波の物体108に対する角度依存性の影響が軽減できるという効果を奏する。例えば、物体108に入射するテラヘルツ波と出射するテラヘルツ波が異なる経路を伝搬することによる、隣接する画素間の信号の重なり状態が軽減できる。また、画像化において、物体108に対してテラヘルツ波が斜めに入射することによって変化したテラヘルツ波の時間軸を補正する工程を必要とする場合、この工程が省略できる。さらに、使用するテラヘルツ波発生、検出用の素子が減らせることで、画像形成装置の小型化、低価格化が容易となるという効果を奏する。