p型結晶シリコンからなる基板と、前記基板の受光側の表面に形成されたn型拡散層と、前記基板の受光側の表面とは反対側の裏面に形成されたパッシベーション膜と、を備える太陽電池の製造方法であって、前記基板の前記裏面に前記パッシベーション膜を形成するパッシベーション膜形成工程と、前記基板の前記表面に前記n型拡散層を形成するn型拡散層形成工程と、をこの順で有する、太陽電池の製造方法。前記パッシベーション膜は窒化シリコン膜である、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記パッシベーション膜形成工程において、前記窒化シリコン膜をプラズマCVD法により形成する、請求項2に記載の太陽電池の製造方法。前記プラズマCVD法における成膜温度が400°C以上である、請求項3に記載の太陽電池の製造方法。前記n型拡散層形成工程において、ドーパントを含んだ塗布膜を熱処理して前記n型拡散層を形成する、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記熱処理により、前記n型拡散層の形成と同時に、前記n型拡散層の表面に反射防止膜を形成する、請求項5に記載の太陽電池の製造方法。しかしながら、非特許文献1および2に示されたような方法であっても、裏面にパッシベーション膜を有さない太陽電池の製造工程と比べると、付加的な工程が加わるために、相対的には高コストになってしまう。本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、工程数をより少なくして、裏面パッシベーション型太陽電池のより低コストの製造方法を提供することにある。本発明は、p型結晶シリコンからなる基板と、基板の受光側の表面に形成されたn型拡散層と、基板の受光側の表面とは反対側の裏面に形成されたパッシベーション膜と、を備える太陽電池の製造方法であって、基板の裏面にパッシベーション膜を形成するパッシベーション膜形成工程と、基板の表面にn型拡散層を形成するn型拡散層形成工程と、をこの順で有する。本発明において、パッシベーション膜は好ましくは窒化シリコン膜である。この場合、パッシベーション膜形成工程において、窒化シリコン膜をプラズマCVD法により形成することが好ましい。プラズマCVD法において、好ましくは成膜温度が400°C以上である。本発明のn型拡散層形成工程において、好ましくは、ドーパントを含んだ塗布膜を熱処理してn型拡散層を形成する。このような態様において、n型拡散層の形成と同時に、n型拡散層の表面に反射防止膜が形成される熱処理を採用することが好ましい。本発明によれば、従来の方法による裏面パッシベーション型太陽電池の製造方法よりも工程数を削減できるため、より低コストの製造方法を実現できる。以下、本発明の一実施形態を図面を用いて説明する。図面や以下の記述中で示す内容は、例示であって、本発明の範囲は、図面や以下の記述中で示すものに限定されない。図1~図3は、本発明の製造方法により製造された結晶シリコンを用いた太陽電池の構成の一例を示す。図1は太陽電池の断面図を、図2は太陽電池の受光側の上面図を、図3は太陽電池の裏面図を示す。図1に示す太陽電池は、上面に凹凸形状2が形成されているp型結晶シリコンからなる基板1を備え、基板1の受光側の表面には、n型拡散層3および反射防止膜4が堆積され、n型拡散層3に接続された受光面電極5を備える。基板1の受光側と反対側の面裏面には、パッシベーション膜9が形成され、パッシベーション膜9上に形成された裏面電極6は、パッシベーション膜9の間欠的に形成された開口部9aにおいて、裏面電界層8を介して基板1と接続されている。図2からわかるように、受光面電極5は、魚骨型のパターンで形成されており、ライン状のバスバー電極メイングリッド5aとバスバー電極5aより狭いライン状のフィンガー電極サブグリッド5bを備え、フィンガー電極5bが2本のバスバー電極5aに垂直に配置されている構成である。図3からわかるように、裏面電極6は、裏面全面に形成され、パッシベーション膜9の開口部9aにおいて裏面電界層8を介してp型結晶シリコン基板1と接続されている。太陽電池の製造方法図4a~gを用いて、本発明の一実施形態の太陽電池の製造方法について説明する。図4a~gは、本実施形態の太陽電池の製造工程を示す断面図である。以下、各工程を詳細に説明する。パッシベーション膜形成工程図4aのように、太陽電池の受光側となる表面上に微細な凹凸形状2が形成されたp型結晶シリコンからなる基板1を用いる。微細な凹凸形状2は基板1をアルカリ性または酸性の溶液で処理することにより形成することができる。基板1において、太陽電池の裏面上にパッシベーション膜9を形成して図4bの積層体を得る。パッシベーション膜9は、パッシベーションpassivation;不活性化のために必要とされる膜、より具体的には基板1の裏面をパッシベーションする効果を有する膜である。パッシベーション膜9は、たとえば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、アモルファスシリコン、酸化アルミ、炭化シリコン、酸化チタン、などを使用することができる。また、これらの材料を組み合わせて、2層、あるいは3層構造にすることもできる。パッシベーション膜9を形成する方法としては、プラズマCVD法、原子層堆積ALD:AtomicLayerDeposition法、常圧CVD法などがよく使用される。パッシベーション膜9の厚さの最適値は、膜の材料、膜の屈折率や基板の表面凹凸の大きさ、あるいは後述する裏面電極6の形成方法によっても異なってくるが、10nm~200nmの範囲であることが望ましい。なお、基板1の表面に凹凸形状2を形成する工程は、裏面にパッシベーション膜9を形成する前に行っても後に行ってもよい。n型拡散層形成工程次に、基板1の受光側の表面に、n型拡散層3を形成して図4cに示す積層体を得る。これによりpn接合を形成することができる。n型拡散層3は、たとえば、基板1の受光側の表面にn型不純物たとえばリンのような5族元素をドーピングするか、基板1の表面上にCVD法等によって別途n型拡散層を形成することによって形成することができる。n型拡散層3のシート抵抗は、20~200Ω/□の範囲にあることが望ましい。n型不純物のドーピングは、特に限定されないが、たとえば、5族の化合物を含んだ溶液を700~1000°Cの高温炉中でガス状にして基板1に拡散させる方法気相拡散法がある。5族の化合物を含んだ溶液として、具体的にはオキシ塩化リンPOCl3が挙げられる。n型不純物のドーピングは、次の方法によってもよい。すなわち、5族元素の化合物を含んだ溶液たとえば、五酸化リンとイソプロピルアルコールとからなる混合溶液を基板1の表面に滴下し、スピン塗布法により均一に塗布する。その後、700~1000°Cの高温炉に投入し、表面に付着した5族元素を基板1に拡散する方法である。反射防止膜形成工程次に、n型拡散層3の上に太陽光を有効に取り込むために反射防止膜4を形成して図4dに示す積層体を得る。反射防止膜4の材料としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、アモルファスシリコン、酸化アルミ、炭化シリコン、酸化チタンなどを使用することができる。また、これらの材料を組み合わせて、2層、あるいは3層構造にすることもできる。反射防止膜4を形成する方法としては、プラズマCVD法、原子層堆積ALD:AtomicLayerDeposition法、常圧CVD法などがよく使用される。また、たとえばチタン系化合物やアルコールを含んだ溶液をスピン塗布法により均一に塗布した後にアニール処理をすることで酸化チタンによる反射防止膜を形成することも可能である。さらに、n型拡散層3の形成と反射防止膜4の形成を個別の工程ではなく、同時に形成してもよい。たとえば、上記チタン系化合物とアルコールを含んだ溶液に5族元素の化合物を加えた溶液を基板1上に滴下し、スピン塗布法により均一に塗布した後、700~1000°Cの高温炉で処理することで、基板1の表面にn型拡散層3と反射防止膜4を1つの工程で形成できる。反射防止膜4の厚さの最適値は、膜の材料、膜の屈折率や基板の凹凸形状の大きさによっても異なってくるが、60nm~100nmであることが望ましい。受光面電極および裏面電極の形成工程次に、図4dに示す積層体の受光側に受光面電極5を、裏面側に裏面電極6を形成し、図4eに示す積層体を得る。受光面電極5や裏面電極6は、p型シリコン基板1内で発生したキャリアを電流として取り出すために必要となる。受光面電極5や裏面電極6を形成する方法には、蒸着法や印刷法などがあるが、量産レベルにおいてはスクリーン印刷法がコストを低くできるため好ましい方法である。裏面電極6をスクリーン印刷法で形成する場合、アルミニウム粉末などを含んだ導電性ペーストを積層体の裏面全面に印刷し、その後100~400°Cで乾燥させる。受光面電極5をスクリーン印刷法で形成する場合、銀粉末などを含んだ導電性ペーストを反射防止膜4の上に印刷し、その後100~400°Cで乾燥させる。受光面電極5のパターンは魚骨型櫛形状とするが特に限定されず、一般に太陽電池に用いられるパターンであればどれでも実施できる。受光面電極5に使用する導電性ペーストにはさまざまな種類があるが、典型的には銀粉末と、ガラス粉末と、有機質ビヒクルと、有機溶媒とを主成分とする。受光面電極のファイアスルー工程次に、図4eの状態にある積層体を焼成することで、受光面電極5のファイアスルーを行い、図4fに示す構造を得る。これにより、受光面電極5がp型シリコン基板1およびn型拡散層3で発生したキャリアを取り出すことができるようになる。ファイアスルーとは、p型シリコン基板1を焼成する際に、受光面電極5に添加されているガラス粉末の作用で反射防止膜4が破られることによって起こる現象である。これにより受光面電極5をn型拡散層3に接続させることができる。積層体の焼成は600~900°Cの範囲で1~300秒間程度行うことが好ましい。裏面電極の導通工程次に、図4fの状態にある裏面電極6を部分的に基板1と導通させることで、図4gに示す積層体を得る。これにより、本発明の製造方法による太陽電池が完成する。裏面電極6を基板1に導通させる方法としては、たとえば裏面電極6への部分的なレーザ照射がある。レーザの種類としては、たとえばNd:YAGレーザの基本波波長1064nmあるいは第2高調波波長532nmを使うことができる。これらのレーザを裏面電極6に0.2~1.5mmの間隔で照射することで、レーザ照射部分の裏面電極6が基板1と導通し、そこから発生したキャリアを取り出すことができるようになる。本発明を実施例および比較例によりさらに具体的に説明するが、実施例により本発明が限定されるものではない。実施例1本実施例では、一辺の長さが15cmの略正方形、厚さ150μm、p型多結晶シリコンからなる抵抗率1.0Ωcmの基板を用いて、図4a~gに示される製造工程により太陽電池を作製した。まず、p型多結晶シリコンからなる基板1をHNO3/HF混合溶液で処理して、両面合わせて10μm程度をエッチングして、表面の洗浄を行なった図示せず。続いて、インラインの片面エッチング装置を用いて、基板1の受光側の表面のみをNaOH水溶液による異方性エッチングを行ない、表面に凹凸形状2を形成した。次に、基板1の裏面に窒化シリコン膜からなるパッシベーション膜9を形成した。パッシベーション膜9の形成はプラズマCVD装置を用い、成膜時の温度は350°Cとした。また、原料ガスとしてはモノシラン:アンモニア:窒素=1:2:12の比率で使用した。このときの窒化シリコン膜の膜厚は約120nmであった。これにより図4bに示す積層体を得た。次に、図4bに示す積層体を、ガス状のオキシ塩化リンPOCl3を含んだ雰囲気中でピーク温度850°Cにて10分間処理することによりn型拡散層3を形成し、図4cに示すようなpn接合を得た。このときに形成されたn型拡散層3のシート抵抗は60Ω/□であった。次いで、図4cに示す積層体の受光側の表面に窒化シリコン膜からなる反射防止膜4を形成した。反射防止膜4の形成はプラズマCVD装置を用い、成膜時の温度は350°Cとした。また、原料ガスとしてはモノシラン:アンモニア:窒素=1:2:12の比率で使用した。このときの窒化シリコン膜の膜厚は約80nmであった。これにより図4dに示す積層体を得た。次いで、受光面電極5および裏面電極6をスクリーン印刷法により形成した。受光面電極5としては、銀粉末、ガラス粉末、有機質ビヒクルおよび有機溶媒を主成分とする銀ペーストを用いた。受光面電極5の形状は魚骨型のパターン図2に示すパターンを採用し、印刷後に150°Cで十分に乾燥させたところ、厚さ30μmの銀の電極を得た。裏面電極6は、積層体の裏面側のほぼ全面にアルミニウムペーストを印刷して形成した。印刷後、150°Cで十分に乾燥させたところ、裏面電極6の厚さは40μmであった。以上の工程により図4eの積層体を得た。次いで、近赤外線炉を用いて基板1を温度850°Cで20秒間焼成して、図4fに示すように、受光面電極5をファイアスルーさせた。最後に、裏面電極6に0.1mm間隔でレーザ照射することで、裏面電極6とp型シリコン基板1を導通させると同時に裏面電界層LocalBackSurfaceField:LBSF8を形成することで図4gの積層体を得て、太陽電池を完成させた。このとき、Nd:YAGレーザの基本波波長1064nmを用い、パルス幅は0.1μsとした。以上の工程によって作製した太陽電池について、ソーラーシミュレータを用いてAM1.5、100mW/cm2、25°Cで特性測定を行なった結果を表1に示す。実施例2実施例2における太陽電池の製造方法が実施例1と異なる点は、パッシベーション膜9の成膜温度である。実施例2における成膜時の温度は400°Cとした。その他の工程についてはすべて実施例1と同様の工程を採用した。作製した太陽電池について、実施例1と同様の方法で特性測定を行なった結果を表1に示す。実施例3実施例3における太陽電池の製造方法が実施例1と異なる点は2点ある。1点目は、パッシベーション膜9の成膜温度である。実施例3における成膜時の温度は400°Cとした。2点目は、n型拡散層3と反射防止膜4の形成方法である。実施例3では次に示す方法を採用した。まず、図4bの状態にある積層体の受光側の表面に、五酸化リンP2O5とTi系化合物とアルコールの混合溶液を滴下し、スピン塗布法により3000rpmで3秒間回転させた後、拡散炉にて870°Cで10分間処理した。これにより、図4dに示す積層体が得られた。この方法によると、n型拡散層3と反射防止膜4を1つの工程で形成できるため、実施例1や実施例2に比べて、より低コストの製造方法となっている。以上の2点以外の工程については、すべて実施例1と同様の工程を採用した。作製した太陽電池について、実施例1と同様の方法で特性測定を行なった結果を表1に示す。比較例1比較例1として、非特許文献1および2に示されているような従来の方法により太陽電池を作製した。比較例1の製造方法と本発明の製造方法との最も大きな違いは、比較例1の製造方法では裏面にパッシベーション膜を形成する工程が、n型拡散層形成工程よりも後に行なわれる。一方、本発明では裏面にパッシベーション膜を形成する工程が、n型拡散層形成工程よりも前に行なわれる。本比較例では、一辺の長さが15cmの略正方形、厚さ150μm、抵抗率1.0Ωcmのp型多結晶シリコンからなる基板を用いて、図5a~hに示される製造工程により太陽電池を作製した。本比較例では、図5a~hの工程のとおりに太陽電池を作製した。まず、多結晶シリコンからなる実施例1と同様の基板101を用いて、同様の処理方法により凹凸構造102を形成した。次に、n型拡散層103を形成し、図5bに示す積層体を得た。n型拡散層103の形成は実施例1と同様の方法により行なった。次に、図5bに示す積層体の受光側の表面に反射防止膜104を形成して図5cに示す積層体を得た。反射防止膜104の形成方法は実施例1と同様の方法を用いた。次に、p型シリコン基板101の裏面に形成されたn型拡散層を除去し、図5dに示す積層体を得た。n型拡散層の除去にはインライン方式の片面エッチング装置を用いた。エッチングにはHNO3/HF混合溶液を用いた。次に、図5dに示す積層体の裏面側にパッシベーション膜109を形成し、図5eに示す積層体を得た。パッシベーション膜109の形成方法は実施例1と同様の方法を用いた。以降、受光面電極105、裏面電極106、および裏面電界層108の形成工程に関しては、実施例1と同様の方法で行ない、最終的に図5hに示す構成の太陽電池を完成させた。作製した太陽電池について、実施例1と同様の方法で特性測定を行なった結果を表1に示す。比較例1の方法のように、n型拡散層103を形成した後にパッシベーション膜109を形成する場合、n型拡散層形成工程において基板101の裏側にもn型拡散層103が形成されてしまう図5bを参照。したがって、その後の工程として基板101の裏側に形成されたn型拡散層103をエッチングなどの方法で除去する工程が必要となっている。本発明による製造方法においては、n型拡散層3を形成する際には、すでに基板1の裏面にパッシベーション膜9が形成されているため、裏面のパッシベーション膜9がn型拡散層形成時のマスクの役割をはたし、n型拡散層形成工程により基板1の裏面にn型拡散層103が形成されることはない。したがって、比較例1の方法のように裏側に形成されたn型拡散層を除去する工程は必要ない。まず、実施例1~3と比較例1を比べると、実施例1~3は図4a~gに示した工程を採用しており、比較例1は図5a~hに示した工程を採用している。図4に示す工程は、図5に示す工程よりも工程数が少ないのでより低コストになっていることがわかる。これは、本発明においてはパッシベーション膜形成工程が、n型拡散層形成工程よりも前に行われるため、n型拡散層形成工程の際に、裏面に形成されたパッシベーション膜がn型拡散層形成時のマスクの役割をはたし、n型拡散層形成工程の後に基板裏面のn型拡散層を除去する工程が必要ないためである。さらに実施例1~3の中で比較すると、実施例1よりも実施例2の方が変換効率が高い。この原因は裏面のパッシベーション膜の成膜温度の違いに起因すると考えられる。本発明においては、裏面のパッシベーション膜を形成した後に、n型拡散層形成が行われる。一般に、n型拡散層形成工程は900°C近い高温処理をする必要がある。そのため、本発明において、裏面のパッシベーション膜はこのような高温処理でも劣化しないことが重要である。本発明者らが鋭意検討した結果、裏面のパッシベーション膜を400°C以上とすることで、裏面パッシベーション膜は高温処理に対して、より一層耐性が高くなることがわかった。したがって、裏面パッシベーション膜を400°Cで成膜した実施例2は、350°Cで成膜した実施例1よりも変換効率が高くなったと考えられる。さらに、実施例3では、n型拡散層形成と反射防止膜形成という2つの工程を、1つ工程で行うことができ、実施例1や実施例2よりも低コストな製造方法である。