"電子デバイスにおいて誘電体層と接触している中間層であって、ポリシクロオレフィンポリマーまたはポリシクロオレフィンポリマーを含むポリマー組成物を含む、前記中間層。ポリシクロオレフィンポリマーが、ノルボルネン系ポリマーである、請求項1に記載の中間層。ポリシクロオレフィンポリマーが、ペンダント架橋性基を有する第1タイプの繰り返し単位を含む、請求項1または2に記載の中間層。ペンダント架橋性基が、潜在性架橋性基である、請求項3に記載の中間層。ペンダント架橋性基が、マレイミド、3-モノアルキルマレイミド、3,4-ジアルキルマレイミド、エポキシ、ビニル、アセチル、インデニル、シンナマートもしくはクマリン基であるか、またはペンダント架橋性基が、置換または非置換のマレイミド部分、エポキシド部分、ビニル部分、シンナマート部分もしくはクマリン部分を含む、請求項3または4に記載の中間層。ペンダント架橋性基を有する第1タイプの繰り返し単位が、以下のモノマー:式中、nは1~8の整数であり、Q1およびQ2はそれぞれ互いに独立して-Hまたは-CH3であり、およびR’は-Hまたは-OCH3である、の1つに由来する、請求項3に記載の中間層。ポリシクロオレフィンポリマーが、第1タイプとは異なる第2タイプの繰り返し単位を含む、請求項1~6のいずれか一項に記載の中間層。ポリシクロオレフィンポリマーが、式I:式中、Zは-CH2-、-CH2-CH2-または-O-から選択され、mは0~5の整数であり、R1、R2、R3およびR4のそれぞれは独立してH、C1~C25ヒドロカルビル基、C1~C25ハロヒドロカルビル基またはC1~C25ペルハロカルビル基から選択される、で表される1または2以上のタイプの繰り返し単位を含む、請求項1~7のいずれか一項に記載の中間層。ポリシクロオレフィンポリマーが、式Iで表される1または2以上の繰り返し単位および式IIで表される1または2以上の繰り返し単位:式中、Zは-CH2-、-CH2-CH2-または-O-から選択され、mは0~5の整数であり、R1、R2、R3およびR4ならびにR5、R6、R7およびR8のそれぞれは独立して、H、C1~C25ヒドロカルビル基、C1~C25ハロヒドロカルビル基またはC1~C25ペルハロカルビル基から選択され、および式中、式Iで表される繰り返し単位は式IIで表される繰り返し単位とは異なる、を含む、請求項1~8のいずれか一項に記載の中間層。ポリシクロオレフィンポリマーが、式IおよびIIから選択される2、3または3より多い異なるタイプの繰り返し単位:式中、Zは-CH2-、-CH2-CH2-または-O-から選択され、mは0~5の整数であり、R1、R2、R3およびR4ならびにR5、R6、R7およびR8のそれぞれは、H、C1~C25ヒドロカルビル基、C1~C25ハロヒドロカルビル基またはC1~C25ペルハロカルビル基から選択され、および式Iで表される繰り返し単位は式IIで表される繰り返し単位とは異なるを含む、請求項1~9のいずれか一項に記載の中間層。請求項8~10のいずれか一項に記載の中間層であって、式Iおよび式IIで表される繰り返し単位が、互いに独立して以下の部分式:式中、Meはメチルを意味し、Etはエチルを意味し、OMe-Pはパラメトキシを意味し、PhおよびC6H5はフェニルを意味し、C6H4はフェニレンを意味し、C6F5はペンタフルオロフェニルを意味し、OAcはアセテートを意味し、PFAcは-OCO-C7F15を意味し、およびメチレン架橋基を有する上記の部分式のそれぞれに対し、該メチレン架橋基は共有結合または-CH2p-を含み、およびpは1~6の整数である、からなる群から選択されるノルボルネン系モノマーにより形成される、前記中間層。ポリマー組成物が、第1ポリシクロオレフィンポリマーと第2ポリシクロオレフィンポリマーのブレンドを含む、請求項1~11のいずれか一項に記載の中間層。第1ポリシクロオレフィンポリマーが式Iで表される1または2以上のタイプの繰り返し単位を含み、および第2ポリシクロオレフィンポリマーが式IIで表される1または2以上のタイプの繰り返し単位を含み:式中、Zは-CH2-、-CH2-CH2-または-O-から選択され、mは0~5の整数であり、R1、R2、R3およびR4ならびにR5、R6、R7およびR8のそれぞれは独立してH、C1~C25ヒドロカルビル基、C1~C25ハロヒドロカルビル基またはC1~C25ペルハロカルビル基から選択され、および式Iで表される繰り返し単位は式IIで表される繰り返し単位とは異なる、請求項12に記載の中間層。ポリマーまたはポリマー組成物が、さらに1または2以上の溶媒、架橋剤、任意の反応性溶媒、安定剤、UV増感剤および熱増感剤を含む、請求項1~13のいずれか一項に記載の中間層。ポリマーまたはポリマー組成物が、架橋性基を有する1または2以上の繰り返し単位を含有し、および中間層がさらに、表面活性官能基と、前記ポリマーまたはポリマー組成物の繰り返し単位の前記架橋性基と反応することができる架橋性官能基とを含む化合物である接着促進剤を含む、請求項1~14のいずれか一項に記載の中間層。接着促進剤が、式III:G-A’-PIII式中、Gは表面活性基であり、A’は単結合またはスペーサー基、結合基または架橋基であり、およびPは架橋性基である、で表される化合物である、請求項15に記載の中間層。接着促進剤の表面活性基が、シラン基、好ましくは式SiR12R13R14で表されるもの、またはシラザン基、好ましくは式-NH-SiR12R13R14で表されるものであり、式中R12、R13およびR14はそれぞれ独立して、ハロゲン、シラザン、C1~C12-アルコキシ、C1~C12-アルキルアミノ、任意に置換されたC5~C20-アリールオキシ、および任意に置換されたC2~C20-ヘテロアリールオキシから選択され、およびR12、R13およびR14の1または2はまた、C1~C12-アルキル、任意に置換されたC5~C20アリール、または任意に置換されたC2~C20ヘテロアリールを表してもよい、請求項15または16に記載の中間層。接着促進剤の架橋性基が、マレイミド、3-モノアルキル-マレイミド、3,4-ジアルキルマレイミド、エポキシ、ビニル、アセチル、インデニル、シンナマートもしくはクマリン基から選択されるか、または架橋性基が、置換または非置換のマレイミド部分、エポキシド部分、ビニル部分、シンナマート部分もしくはクマリン部分を含む、請求項15~17のいずれか一項に記載の中間層。接着促進剤が、以下の構造:式中、SiR12R13R14は請求項17に定義されるとおりであり、A’は請求項16に定義されるとおりであり、ならびにR10およびR11はそれぞれ独立して、HまたはC1~C6アルキル基である、を有する化合物である、請求項15~18のいずれか一項に記載の中間層。ポリマーまたはポリマー組成物が、架橋性基を有する1または2以上の繰り返し単位を含有し、および中間層がさらに、前記ポリマーまたはポリマー組成物の繰り返し単位の前記架橋性基と反応することができる2または3以上の架橋性官能基を含む化合物である架橋剤を含有する、請求項1~19のいずれか一項に記載の中間層。架橋剤が、式IV1またはIV2:P-X-PIV1H4-mCA-PmIV2式中、XはA-X’-Aであり、X’はO、S、NHまたは単結合であり、Aは単結合またはスペーサー基、結合基または架橋基であり、Pは請求項16の意味を有し、およびmは2、3または4である、で表される化合物である、請求項20に記載の中間層。架橋剤の架橋性基が、マレイミド、3-モノアルキル-マレイミド、3,4-ジアルキルマレイミド、エポキシ、ビニル、アセチル、インデニル、シンナマート、もしくはクマリン基から選択されるか、または、架橋性基が、置換または非置換のマレイミド部分、エポキシド部分、ビニル部分、シンナマート部分もしくはクマリン部分を含む、請求項20または21に記載の中間層。架橋剤が以下の式:式中、R10およびR11は互いに独立してH、またはC1~C6アルキル基であり、Aは請求項21の意味を有し、および好ましくはCZ2n、CH2n-CH=CHp-CH2n、CH2n-O、CH2n-O-CH2n、CH2n-C6Q10-CH2n、およびCO-Oから選択され、ここでnは独立して0~12の整数であり、pは1~6の整数であり、Zは独立してHまたはFであり、C6Q10はQで置換されたシクロヘキシルであり、Qは独立してH、F、CH3、CF3またはOCH3である、で表される化合物である、請求項20~22のいずれか一項に記載の中間層。誘電体層が、フルオロポリマーを含む、請求項1~23のいずれか一項に記載の中間層。誘電体層が、ゲート誘電体層またはゲート誘電体層の一部である、請求項1~24のいずれか一項に記載の中間層。誘電体層が不活性化層である、請求項1~24のいずれか一項に記載の中間層。電子デバイスが、さらに有機半導体材料を含む有機電子デバイスであり、およびポリシクロオレフィンポリマー組成物が、有機半導体材料に対して直交溶解特性を有する溶媒をさらに含む、請求項1~26のいずれか一項に記載の中間層。ポリマーが、架橋性基を有する1または2以上の繰り返し単位を含有し、請求項15~19のいずれか一項で定義される接着促進剤を含む、ポリシクロオレフィンポリマーまたはポリシクロオレフィンポリマーを含むポリマー組成物。ポリマーが、架橋性基を有する1または2以上の繰り返し単位を含有し、請求項20~23のいずれか一項で定義される架橋剤を含む、ポリシクロオレフィンポリマーまたはポリシクロオレフィンポリマーを含むポリマー組成物。ポリシクロオレフィンポリマーが、請求項3~6のいずれか一項で定義されるものである、請求項28または29に記載のポリシクロオレフィンポリマーまたはポリマー組成物。フッ素化繰り返し単位から選択される第1タイプの繰り返し単位および架橋性繰り返し単位から選択される第2タイプの繰り返し単位を含有するポリシクロオレフィンポリマーを含む、請求項1~30のいずれか一項に記載の中間層、ポリマーまたはポリマー組成物。NBCH2C6F5、NBC6F5、NBCH2C6F2、NBCH2C6H4CF3およびNBアルキルC6F5から選択されるノルボルネン系モノマーに由来する繰り返し単位、および、DMMIMeNB、DMMIEtNB、DMMIPrNB、DMMIBuNBおよびDMMIHxNBから選択されるノルボルネン系モノマーに由来する繰り返し単位を含有するポリシクロオレフィンポリマーを含む、請求項31に記載の中間層またはポリマー組成物。電子デバイスにおいて絶縁層と接触する中間層を形成するための、請求項1~32のいずれか一項に定義されたポリシクロオレフィンポリマーまたはポリシクロオレフィンポリマーを含むポリマー組成物の使用。絶縁層と接触する中間層を含む電子デバイスであって、該中間層が、請求項1~32のいずれか一項に定義されたポリシクロオレフィンポリマーまたはポリマー組成物から形成される、前記電子デバイス。電界効果トランジスタFET、薄膜トランジスタTFT、集積回路ICまたは無線自動識別RFIDタグである、請求項34に記載の電子デバイス。トップゲートまたはボトムゲートFETである、請求項34または35に記載の電子デバイス。請求項34~36のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法であって、以下のステップ:a基板10上に、ソース電極およびドレイン電極20を堆積すること、b基板10ならびにソース電極およびドレイン電極20の上に、半導体材料の層30を堆積すること、c半導体層30の上に、誘電材料の層40を堆積すること、d誘電体層40の上に、請求項1~32のいずれか一項で定義される、ポリシクロオレフィンポリマーを含む、またはポリシクロオレフィンポリマーを含むポリマー組成物を含む中間層70を堆積すること、e中間層70の少なくとも一部の上に、ゲート電極50を堆積すること、f、ゲート電極50および中間層70の上に、任意に別の層60、例えば絶縁層および/または保護層および/または安定化層および/または接着層を堆積すること、を含む、前記方法。ゲート電極50が、中間層70の前に誘電体層40の上に堆積される、請求項37に記載の方法。"