半導体素子が、テープ基材の表面に形成された配線パターンと電気的に接続された状態で、当該テープ基材の表面に実装されているテープキャリア型半導体装置であって、前記テープ基材の表面を覆う表面側絶縁保護膜と、前記テープ基材の裏面を覆う裏面側絶縁保護膜とを備え、前記表面側絶縁保護膜には、前記テープ基材の表面における前記半導体素子との対向領域の少なくとも一部の領域が開口している表面側開口部が設けられているとともに、前記半導体素子との対向領域よりも外側に突出している突出開口部がさらに設けられており、前記裏面側絶縁保護膜には、前記表面側開口部の裏側となる部分が開口している裏面側開口部が設けられており、前記裏面側開口部は、前記テープ基材の表面における前記対向領域の大きさの1.00~8.50倍の大きさを有して開口しており、前記半導体素子と前記対向領域との間は、充填剤によって充填されていることを特徴とする半導体装置。前記半導体素子および前記表面側開口部は、それぞれ矩形状をなしており、前記表面側開口部がなす矩形状の各辺の長さは、前記半導体素子がなす矩形状の対応する辺の長さに0.50mmを加えた長さよりも短いことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記突出開口部は、前記半導体素子との対向領域の端部から外側に0.4~1.0mm突出していることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。前記テープ基材の表面の前記表面側開口部内には、前記半導体素子との接続部分から当該表面側開口部の中心部に向かって延伸しており、且つ0.05~0.20mm幅を有する、前記配線パターンの延長部が形成されていることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の半導体装置。前記表面側絶縁保護膜の表面上の、前記表面側開口部の端部から外側に2~3mm広がった部分である、前記表面側開口部の周辺部分には、厚さ5~30μmを有する薄膜が形成されていることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の半導体装置。半導体素子が、テープ基材の表面に形成された配線パターンと電気的に接続された状態で、当該テープ基材の表面に実装されているテープキャリア型半導体装置の製造方法であって、前記テープ基材の表面を覆う表面側絶縁保護膜を形成する表面側絶縁保護膜形成工程と、前記テープ基材の裏面を覆う裏面側絶縁保護膜を形成する裏面側絶縁保護膜形成工程とを含み、前記表面側絶縁保護膜形成工程では、当該表面における前記半導体素子との対向領域の少なくとも一部の領域が開口している表面側開口部が設けられているとともに、前記半導体素子との対向領域よりも外側に突出している突出開口部がさらに設けられている、前記表面側絶縁保護膜を形成し、前記裏面側絶縁保護膜形成工程では、前記表面側開口部の裏側となる部分が開口している裏面側開口部であって、前記テープ基材の表面における前記対向領域の大きさの1.00~8.50倍の大きさを有して開口している裏面側開口部が設けられている、前記裏面側絶縁保護膜を形成し、前記テープ基材の表面における前記半導体素子との対向領域に、充填剤を、前記突出開口部から充填する充填剤充填工程をさらに含むことを特徴とする製造方法。しかしながら、前記従来技術では、半導体素子と基板との間のすき間に対して、未充填や気泡等の不具合を生じさせることなく、樹脂を適切に充填することができない。例えば、前記従来技術では、基板の表面上に絶縁保護膜を形成しこれを硬化させる際に、絶縁保護膜において硬化収縮が生じる。前記従来技術では、基板の表面のみに絶縁保護膜が設けられているので、この絶縁保護膜に硬化収縮が生じると、基板に反りやうねりが生じてしまうこととなる。樹脂が注入される半導体素子と基板との間のすき間は、僅か10~30μm程度である。このため、基板に反りやうねりが生じていると、半導体素子と基板との間のすき間全体に対して、樹脂をうまく流入させることができない。この結果、半導体素子と基板との間のすき間に対して、未充填や気泡等の不具合が生じることとなる。このような不具合は、半導体素子と基板との接合強度が低下する等、半導体装置の信頼性の低下を招く。本発明の目的は、半導体素子とテープ基材との間のすき間に対して、未充填や気泡等の不具合を生じさせることなく適切に充填剤を充填させることができる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。本発明に係る半導体装置は、上述した課題を解決するために、半導体素子が、テープ基材の表面に形成された配線パターンと電気的に接続された状態で、当該テープ基材の表面に実装されているテープキャリア型半導体装置であって、前記テープ基材の表面を覆う表面側絶縁保護膜と、前記テープ基材の裏面を覆う裏面側絶縁保護膜とを備え、前記表面側絶縁保護膜には、前記テープ基材の表面における前記半導体素子との対向領域の少なくとも一部の領域が開口している表面側開口部が設けられているとともに、前記半導体素子との対向領域よりも外側に突出している突出開口部がさらに設けられており、前記裏面側絶縁保護膜には、前記表面側開口部の裏側となる部分が開口している裏面側開口部が設けられており、前記裏面側開口部は、前記テープ基材の表面における前記対向領域の大きさの1.00~8.50倍の大きさを有して開口しており、前記半導体素子と前記対向領域との間は、充填剤によって充填されていることを特徴とする。この構成によれば、絶縁保護膜の硬化時に生じる収縮を、テープ基材の表面および裏面の双方に生じさせることにより、テープ基材の表面側に生じた反りを、テープ基材の裏面側へ生じさせた反りで相殺することができる。これは、テープキャリア型半導体装置の製造において非常に有意なことである。すなわち、テープキャリア型半導体装置の製造は、絶縁保護膜を形成した後に、半導体素子を絶縁保護膜が形成されていない表面側開口部インナーリード部に実装して、実装後に、半導体素子と表面側開口部との間に樹脂を充填する。すなわち、半導体素子の実装に必要である表面側開口部を設けるため、表面側開口部の形成領域においてテープ基材の反りを抑制する必要がある。したがって、仮に裏面開口部を設けずに裏面一面に絶縁保護膜を形成してしまうと、表面側開口部においてテープ基材が片側の面に反ってしまう。これに対して、上記の構成によれば、裏面側開口部を設けることによって、そのような事態を回避することができる。したがって、半導体素子とテープ基材との間のすき間全体に対して、充填剤をうまく流入させることができる。また、通常は、テープ基材の表面上であって、半導体素子と表面側開口部の縁部とのすき間部分には、半導体素子搭載時の位置合わせ用のマーク十字型、L字型等が設けられている。しかしながら、このマークの裏側となるテープ基材の裏面上の位置が裏面側絶縁保護膜に覆われてしまうと、半導体素子搭載時の位置合わせに不具合が生じてしまう。そこで、裏面側開口部の大きさを半導体素子の対向領域の大きさよりも少なくとも1.00倍としたことにより、上記マークの裏側となるテープ基材の裏面上の位置が裏面側絶縁保護膜に覆われてしまうことを回避することができるため、不具合を生じさせることなく、半導体素子搭載時の位置合わせを行なうことができる。また、上記のように、前記裏面側開口部が、前記テープ基材の表面における前記対向領域の大きさよりも1.00~8.50倍の大きさを有していることにより、半導体装置をその裏側で固定する際の装置治具と裏面側絶縁保護膜との干渉を回避しつつ、テープ基材の反りを防止することができる。また本発明に係る半導体装置は、前記の構成に加えて、前記半導体素子および前記表面側開口部は、それぞれ矩形状をなしており、前記表面側開口部がなす矩形状の各辺の長さは、前記半導体素子がなす矩形状の対応する辺の長さに0.50mmを加えた長さよりも短いことが好ましい。この構成によれば、表面側開口部がなす矩形状の各辺の長さを、半導体素子がなす矩形状の対応する辺の長さよりも0.50mm以上長くするよりも、充填剤を必要以上に消費する等、表面側開口部が大きすぎることによって生じる様々な問題の発生を防止することができる。また、本発明に係る半導体装置は、前記の構成に加えて、前記突出開口部は、前記半導体素子との対向領域の端部から外側に0.4~1.0mm突出していることが好ましい。この構成によれば、充填剤を注入する際には、突出開口部内であれば、どの位置からでも、充填剤110を注入することが可能となり、充填剤を注入するディスペンサー等の位置決めを容易に行なうことができる。また、充填剤を注入するディスペンサー等の位置決めに誤差が生じた場合であっても、この誤差を許容することができる。また、本発明に係る半導体装置は、前記の構成に加えて、前記テープ基材の表面の前記表面側開口部内には、前記半導体素子との接続部分から当該表面側開口部の中心部に向かって延伸しており、且つ0.05~0.20mm幅を有する、前記配線パターンの延長部が形成されていることが好ましい。この構成によれば、表面側開口部内に注入された液状の充填剤は、半導体素子とテープ基材との間のすき間において、表面張力の作用によって、延長部をつたって、表面側開口部の内側へと流入される。したがって、半導体素子とテープ基材との間のすき間において、充填剤を表面側開口部の内側へ流入し易くすることができる。特に、延長部の線幅を0.05~0.20mmとしたため、延長部104aの焼け焦げを防止しつつ、充填剤110の剥離防止効果を高めることができる。また、本発明に係る半導体装置において、前記表面側絶縁保護膜の表面上の、前記表面側開口部から外側に2~3mm広がった部分である、前記表面側開口部の周辺部分には、厚さ5~30μmを有する薄膜が形成されていることが好ましい。この構成によれば、前記表面側開口部の周辺部分の強度を高めることができるため、配線パターンに応力がかかった場合等に対する、配線パターンの耐断線性を高めることができる。なお、前記薄膜は、厚さが5~30μm程度でしかなく、テープキャリア型半導体装置としての屈曲性は維持されるため、使用上の問題を生じさせるようなことはない。また、本発明に係る製造方法は、半導体素子が、テープ基材の表面に形成された配線パターンと電気的に接続された状態で、当該テープ基材の表面に実装されているテープキャリア型半導体装置の製造方法であって、前記テープ基材の表面を覆う表面側絶縁保護膜を形成する表面側絶縁保護膜形成工程と、前記テープ基材の裏面を覆う裏面側絶縁保護膜を形成する裏面側絶縁保護膜形成工程とを含み、前記表面側絶縁保護膜形成工程では、当該表面における前記半導体素子との対向領域の少なくとも一部の領域が開口している表面側開口部が設けられているとともに、前記半導体素子との対向領域よりも外側に突出している突出開口部がさらに設けられている、前記表面側絶縁保護膜を形成し、前記裏面側絶縁保護膜形成工程では、前記表面側開口部の裏側となる部分が開口している裏面側開口部であって、前記テープ基材の表面における前記対向領域の大きさよりも1.00~8.50倍の大きさを有して開口している裏面側開口部が設けられている、前記裏面側絶縁保護膜を形成し、前記テープ基材の表面における前記半導体素子との対向領域に、充填剤を、前記突出開口部から充填する充填剤充填工程をさらに含むことを特徴とする。この構成によれば、半導体装置の製造時において、上記した本発明に係る半導体装置と同様の効果を奏することができる。本発明に係る半導体装置およびその製造方法によれば、半導体素子とテープ基材との間のすき間に対して、未充填や気泡等の不具合を生じさせることなく適切に充填剤を充填させることができるという効果を奏する。本発明に係る実施形態について、図面を参照して以下に説明する。実施形態1図1は、本発明に係る第1の実施形態に係る半導体装置100の表面を示す図である。図2は、実施形態1に係る半導体装置100の側断面を示す図である。ここで、図1では、半導体装置100が一つだけ示されているが、実際には、テープ基材102には、その延伸する方向に対して、複数の半導体装置100が等間隔に形成されている。以降では、複数の半導体装置100のうちの一の半導体装置100について説明する。なお、複数の半導体装置100のうちの、他の半導体装置100については、ここで説明する一の半導体装置100と同様であるため、説明を省略する。<半導体装置の構成>実施形態1に係る半導体装置100は、テープキャリア型半導体装置であって、テープ基材102、配線パターン104、表面側絶縁保護膜106、半導体素子108、充填層110、および裏面側絶縁保護膜112を備えている。●テープ基材102テープ基材102は、柔軟性を有する、いわゆるフレキシブル基板である。テープ基材102には、柔軟性を有する絶縁体がその素材として用いられる。テープ基材102には、例えば、厚さ12~50μmのテープ状のポリイミド樹脂等の素材が採用され得る。●半導体素子108半導体素子108は、テープ基材102に実装される素子である。半導体素子108におけるテープ基材102との対向面には、電極108aが設けられており、電極108aと、テープ基材102に形成されている配線パターン104の端子とが、金属バンプ等を用いて電気的に接続される図3参照。半導体素子108は、従来周知のものを採用することができる。例えば、本発明に係る半導体装置108を、画像表示装置の駆動手段として用いるならば、半導体素子108として表示ドライバを採用することができる。●配線パターン104配線パターン104は、テープ基材102の表面に形成されており、半導体素子108と、図示しない外部装置とを電気的に接続するためにある。上述のように半導体素子108として表示ドライバを用いる場合、テープ基材102に形成された配線パターン104によって、表示ドライバと、前記外部装置に相当する表示手段とを、電気的に接続することができる。後述するように、配線パターン104の一部は、表面側絶縁保護膜106によって覆われている。具体的には、配線パターン104が半導体素子108の電極108aと電気的に接続される部分およびその近傍は表面側絶縁保護膜106によって覆われていない。この非被覆部分露出部分を、配線パターン104のインナーリード部と呼ぶことがある。さらに、配線パターン104における半導体素子108側とは反対側にある外部端子接続用の端部およびその近傍も、表面側絶縁保護膜106によって覆われていない。この非被覆部分露出部分を、配線パターン104のアウターリード部と呼ぶことがある。延長部104aさらに、配線パターン104のインナーリード部の一部は、半導体素子108との接続部分からさらに当該表面側開口部106aの中心部に向かって延長した延長部104aが形成されている。より具体的には、延長部104aは、半導体素子108の電極108aの位置から、概ね表面側開口部106aの中心まで延伸している。このように延長部104aを設けたことにより、表面側開口部106a内に注入される充填剤110が、延長部104aをつたって、表面側開口部106aの全体に流入する。すなわち、本実施形態1の半導体装置100は、半導体素子とテープ基材との間のすき間において、充填剤110が表面側開口部106aの内側へと流入し易くなっているのである。したがって、本実施形態1の半導体装置100によれば、半導体素子とテープ基材との間のすき間に対して、充填剤をより適切に充填することができる。なお、本実施形態1の半導体装置100においては、延長部104aの線幅を、0.05~0.20mmとしている。その理由は、以下のとおりである。本実施形態1の半導体装置100においては、この延長部104aを電源ラインとしても使用している。このため、この延長部104aの線幅が0.05mmよりも細いと、この延長部104aに電圧がかかる際、この延長部104aが電力に耐え切れず焼け焦げる恐れがある。また、この延長部104aの線幅が0.20mmよりも太いと、この延長部104aの表面積が大きくなるため、半導体装置100の小型化の妨げとなる。さらに、この延長部104aの線幅が0.20mmよりも太いと、表面側開口部106aの内側における、テープ基材102の露出面積が少なくなる一方、この延長部104aの表面積が大きくなる。一般的に、半導体素子の封止に採用される充填剤は、配線パターンの表面に対してよりも、テープ基材の露出部分に対してのほうが密着性が高い。したがって、表面側開口部106aの内側において、延長部104aの表面積が大きくなるにしたがい、充填剤が剥離しやすくなってしまう。要するに、本実施形態1の半導体装置100においては、延長部104aの焼け焦げを防止しつつ、充填剤110の剥離防止効果を高めるため、延長部104aの線幅を、その最適な0.05~0.20mmとしているのである。但し、延長部104aの線幅は、0.05~0.20mmに限るものではなく、0.05mm未満であってもよく、0.20mmを超えるものであっても良い。また、延長部104aは、図1等で示すように、一端が電極108aに接し他端が途切れているものに限らず、両端が電極108aに接しているもの等、どのように配置されていてもよい。●表面側絶縁保護膜106表面側絶縁保護膜106は、配線パターン104が形成されたテープ基材102の表面の一部を覆っている。表面側絶縁保護膜106は、主に、配線パターン104同士の接触によるショートの発生を防止する等の役割を担う。したがって、表面側絶縁保護膜106には、絶縁性の素材が用いられる。表面側絶縁保護膜106は、いわゆるソルダーレジストである。表面側絶縁保護膜106には、例えば、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の素材が採用され得る。そして、表面側絶縁保護膜106には、テープ基材102の表面における半導体素子108との対向領域が開口している表面側開口部106aが設けられている。表面側開口部106aこの実施形態1では、表面側開口部106aは、半導体素子108の外形と概ね同形状を有する。具体的には、図1に示すように、半導体素子108の外形は、長方形をなしている。これに応じて、表面側開口部106aは、半導体素子108の外形と概ね同形状の長方形をなしている。表面側開口部106aが形成されていることによって、上述のように配線パターン104のインナーリード部が露出している。そのため、表面側開口部106aに設置される半導体素子108の電極バンプ108aと、配線パターン104のインナーリード部の端子とが電気的に接続する。本実施形態1の半導体装置100において、表面側開口部106aは、図1に示すように、半導体素子108よりも大きさが僅かに大きくなっている。具体的には、表面側開口部106aがなす長方形の各辺の長さは、半導体素子108の外形がなす長方形の対応する辺の長さよりも、僅かに長くなっている。特に、表面側開口部106aがなす長方形の各辺の長さは、半導体素子108の外形がなす長方形の対応する辺の長さよりも、0.50mmを超えない範囲で、長くなっている。これにより、表面側開口部106aの縁部と、半導体素子108の縁部とのすき間d2は、0.25mm以下となっている。その理由は、以下のとおりである。表面側開口部106aの大きさは、半導体素子108の大きさよりも、より小さくすることが好ましい。表面側開口部106aが大きくなるにしたがい、半導体素子108がテープ基材102の表面上に搭載されるまでの間、絶縁被服されていない配線領域も大きくなり、導電性異物付着によるショート等の不具合発生の可能性も大きくなるからである。但し、あえて、すき間d2を設けることにより、この隙間d2内に、半導体素子搭載時の位置合わせ用のマーク十字型、L字型等を設けることができる。これにより、半導体素子搭載時の位置合わせの精度を高めることができる。また、半導体素子108の側面を充填剤110で適度に覆うことができ、半導体素子108の接合強度をより良好なものとすることができる。上記の理由から、本実施形態1の半導体装置100は、すき間d2を設け、その幅を0.2mmまでとすることが好ましいとしており、さらに、表面側開口部106aの大きさの公差0.05mmを許容するため、すき間d2の幅を0.25mmまでとすることが好ましいとしている。このように、本実施形態1の半導体装置100は、半導体素子108の縁部とのすき間を非常に狭くしている。すなわち、表面側開口部106aの大きさを、半導体素子108の大きさよりも大きくしつつ、できる限り小さくした。これにより、本実施形態1の半導体装置100は、充填剤110を必要以上に消費する等、開口部が大きすぎることによって生じる様々な問題の発生を防止することができる。なお、上述したとおり、充填剤110の注入は突出開口部106bから行なわれる。したがって、半導体素子108の縁部とのすき間が非常に狭くなっていることにより、充填剤110の注入が困難になる等といった不具合は生じない。突出開口部106bまた、本実施形態1では、表面側絶縁保護膜106に設けられた表面側開口部106aの紙面左上角部分および紙面右上角部分のそれぞれに、表面側開口部106aの中心部分から外側に向けて局所的に突出している概ね円形状をなす突出開口部106bが形成されている。これにより、後述する製造過程で説明するように、充填剤110を注入する際には、突出開口部106bへ充填剤110を注入することが可能である。ここで、本実施形態1の半導体装置100においては、突出開口部106bは、半導体素子108から最も離れた位置で、半導体素子108との対向領域の端部から外側に0.4~1.0mm離れている。その理由は、以下のとおりである。図3に示すように、充填剤110を注入する際には、ディスペンサー300を用い、そのノズル部302から、充填剤110を突出開口部106b内に吐出させる。一般的に、充填剤110の注入に用いられるディスペンサーのノズル部の内径は0.25mm程度であり、本実施形態1のノズル部302も例外ではなく、その内径が0.25mm程度となっている。このため、上記離間値を0.4mm未満としてしまうと、充填剤110を注入する際のノズル部302の位置合わせが困難になる。また、ノズル部302が半導体素子108と接触してしまい、充填剤110の注入に不具合が生じてしまう。そこで、本実施形態1の半導体装置100においては、半導体素子108からの上記離間値を少なくとも0.4mmとしている。一方、上記離間値が1.0mmを超えてしまうと、絶縁被服されていない配線領域も大きくなるから、導電性異物付着によるショートや、配線部分の強度不足による断線等の不具合が発生する可能性が高くなる。そこで、本実施形態1の半導体装置100においては、上記離間値を1.0mm以下としている。要するに、本実施形態1の半導体装置100においては、充填剤110の注入の容易性を高めつつ、配線領域が大きくなることによる不具合の発生を防止するため、上記離間値を、その最適な値である0.4~1.0mmとしている。但し、上記離間値は、0.4~1.0mmに限定されるものではない。すなわち、上記離間値が0.4mm未満であったり、1.0mmを超えているものを、本発明の範囲から除外するものではない。要するに、突出開口部106bは、半導体素子108との間に、充填剤110を注入するために十分なすき間を形成するものであれば良い。ここでテープ基材102における半導体素子108との対向領域の端部とは、図1に示す半導体装置100の上面図における半導体素子108の外周と実質的同じ位置を示す。また、充填剤110を注入する際、ノズル部302の全部を突出開口部106b内に位置させる必要はなく、ノズル部302の内径の50以上が、突出開口部106b内に位置していれば良い。●充填剤110図1および図2に示した半導体装置100に対しては、図3に示すように、充填剤110が充填される。図3は、充填剤110が充填された後の、実施形態1に係る半導体装置100の側断面を拡大して示す図である。充填剤110は、テープ基材102の表面に半導体素子108が設置された後、テープ基材102の表面に形成されている表面側開口部106aに充填される。この充填剤110は、主に、半導体素子108aとテープ基材102との接合強度を高めたり、半導体素子108aの表面の保護や、半導体素子108とテープ基材102との間への異物の混入を防止する等の役割を担う。ここで、半導体素子108の電極108aは、半導体素子108の本体から下方すなわち、テープ基材102に近づく方向に僅かに突出している。このため、半導体素子108が設置された後、半導体素子108とテープ基材102との間には、非常に僅かなすき間が生じる。表面側開口部106aに充填された充填剤110は、この表面側開口部106a内において、毛細管現象により、半導体素子108とテープ基材102との間のすき間にも入り込むことで、このすき間を埋めるように充填される。また、表面側開口部106aの縁部によって、すなわち、テープ基材102と表面側絶縁保護膜106との段差によって、充填剤110がせき止められ、この縁部に沿って充填剤110が充填されるとともに、充填剤110が容易に表面側開口部106a外へ流出してしまうことが防止される。この際、表面側開口部106aとの半導体素子108とのすき間においては、充填剤110は、フィレット形状をなして、半導体素子108の側面を覆っている。充填剤110には、流動性および絶縁性を有する素材が用いられる。充填剤110には、例えば、エポキシ樹脂が採用され得る。充填剤110は、加熱もしくは紫外線等の光が照射されることにより、熱硬化もしくは光硬化する材料が好ましい。また、表面側絶縁保護膜106の表面上の、表面側開口部106aから外側に2~3mm広がった部分である、表面側開口部106aの周辺部分には、厚さ5~30μmを有する充填剤110からなる薄膜が形成されている。後述する充填剤充填工程において、表面側開口部106a全体に広がった充填剤110の一部は、表面側開口部106aの前記縁部を乗り越えて、表面側絶縁保護膜106の上部に充填剤110が及んでしまう場合がある。本実施形態1の半導体装置100においては、この現象を利用してこのような薄膜を形成している。これにより、上記表面側開口部106aの周辺部分の強度を高め、配線パターン104に応力がかかった場合等に対する耐断線性を高めている。半導体素子の封止に採用される充填剤の中には、表面側絶縁保護膜に弾かれるものと、表面側絶縁保護膜に馴染むものとがある。本実施形態1の半導体装置100においては、表面側絶縁保護膜106に馴染む充填剤110を採用している。このため、上記したように表面側絶縁保護膜106の上部に充填剤110が及んでしまった場合であっても、この充填剤110は、厚さが5~30μmの薄膜としかならない。このため、テープキャリア型半導体装置としての屈曲性は維持されるため、使用上は問題ない。●裏面側絶縁保護膜112図2に示すように、本実施形態1の半導体装置100は、裏面側絶縁保護膜112をさらに備えている。裏面側絶縁保護膜112は、テープ基材102の裏面を覆う。裏面側絶縁保護膜112は、主に、テープ基材102が片側の面に反ってしまうことを防止する役割を担う。テープ基材102の裏面に、配線パターンや金属端子などの導電性を有する部材が設けられている場合、裏面側絶縁保護膜112は、これら導電性を有する部材同士の接触によるショートの発生を防止する等の役割をも担う。したがって、裏面側絶縁保護膜112には、表面側絶縁保護膜106と同様に、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等、絶縁性の素材を用いることが好ましい。また、図1および図2に示すように、裏面側絶縁保護膜112は、表面側開口部106aの裏側となる部分に、裏面側開口部112aを有する。この実施形態1では、裏面側開口部112aは、半導体素子108の外形および表面側開口部106aの外形と概ね同形状を有する。具体的には、図1に示すように、半導体素子108の外形および表面側開口部106aの外形は、いずれも長方形をなしている。これに応じて、裏面側開口部112aは、長方形をなしている。このように、本実施形態1の半導体装置100は、テープ基材102の裏面にも、裏面側開口部112aを有する裏面側絶縁保護膜112を設けることとした。これにより、絶縁保護膜の硬化収縮を、テープ基材102の表面および裏面の双方に生じさせることにより、テープ基材の表面側に生じた反りを、テープ基材の裏面側へ生じさせた反りで相殺することができるので、テープ基材102が片側の面に反ってしまうことを防止することができる。特に、この裏面側開口部112aは、半導体素子108の対向領域の大きさよりも1.00~8.50倍大きく構成されている。その理由は、以下の通りである。通常、テープ基材の表面上であって、半導体素子と表面側開口部縁部とのすき間部分には、半導体素子搭載時の位置合わせ用のマーク十字型、L字型等が設けられている。しかしながら、このマークの裏側となるテープ基材の裏面上の位置が裏面側絶縁保護膜に覆われてしまうと、半導体素子搭載時の位置合わせに不具合が生じてしまう。そこで、本実施形態1の半導体装置100においては、裏面側開口部112aの大きさを半導体素子108の対向領域の大きさよりも少なくとも1.00倍としたことにより、上記マークの裏側となるテープ基材102の裏面上の位置が裏面側絶縁保護膜112に覆われてしまうことを回避することができるため、不具合を生じさせることなく、半導体素子搭載時の位置合わせを行なうことができる。また、裏面側開口部112aを、テープ基材102の表面における半導体素子108の対向領域の大きさよりも、大きくとも8.50倍とする。これにより、半導体装置をその裏側で固定する際の装置治具と裏面側絶縁保護膜との干渉を回避しつつ、テープ基材の反りを防止することができる。すなわち、8.50倍を超える大きさになると、表面側への反りを相殺する事が出来なくなる。また、8.50倍を超える大きさになると、半導体装置100の外形を金型で打ち抜いた領域と同等以上の開口領域となってしまい、打ち抜き後に反りが再発してしまう。したがって、裏面側開口部112aは、半導体素子108の対向領域の大きさよりも1.00~8.50倍大きく構成されている必要がある。<半導体装置の製造方法>以下、本実施形態1の半導体装置100の製造過程の一例を示す。●配線パターン形成工程まず、テープ基材102の表面に配線パターン104を形成する。配線パターン104は、例えば、テープ基材102に対して銅箔をラミネートまたはスパッタ形成した後、銅箔をエッチング加工することによって形成される。●表面側絶縁保護膜形成工程次に、配線パターン104が形成されたテープ基材102の表面に、さらに、表面側絶縁保護膜106を形成する。このとき、当該表面側絶縁保護膜106において半導体素子108との対向領域に表面側開口部106aが形成されるように、配線パターン104のインナーリード部およびアウターリード部を避けるように素材を塗布し、表面側絶縁保護膜106を形成する。その後、テープ基材102の表面に形成された表面側絶縁保護膜106は、熱硬化もしくは光硬化等、その素材に応じた硬化処理が施されることによって、硬化する。●裏面側絶縁保護膜形成工程そして、テープ基材102の裏面に、裏面側絶縁保護膜112を形成する。このとき、当該裏面側絶縁保護膜112において裏面側開口部112aが形成されるように、この領域をさけるよう素材を塗布し、裏面側絶縁保護膜112を形成する。その後、テープ基材102の裏面に形成された裏面側絶縁保護膜112は、熱硬化もしくは光硬化等、その素材に応じた硬化処理が施されることによって、硬化する。●半導体素子実装工程続いて、テープ基材102上に半導体素子108を実装して、配線パターン104と半導体素子108の電極108aとの電気的接続を行う。このときの位置合わせは、テープ基材102上に設けられているアライメントマークに従って行なわれる。配線パターン104の表面において、少なくとも半導体素子108と電気的に接続される部分には、錫メッキまたは金メッキが施されている。そこで、テープ基材102の裏面側から配線パターン104を加熱した後、半導体素子108の電極108aを配線パターン104に対して加圧する。これにより、金-錫の共晶合金形成、または金-金の熱圧着により、電極108aとこれに対応する配線パターン104とが、電気的に接続された状態で固着する。すなわち、半導体素子108と配線パターン104とが電気的に接続されるとともに、テープ基材102に対して半導体素子108が固定されることとなる。●充填剤充填工程続いて、充填剤110の充填を行う。充填には、従来周知のディスペンサー300を用いる。ディスペンサー300には、予め十分な量の充填剤110が充填されている。充填剤110を充填する際、まず、ディスペンサー300のノズル部302を、突出開口部106b内のある位置例えば、図1中に示す位置P2に位置させる。そして、ノズル部302の先端から、充填剤110を吐出させることにより、充填剤110を、突出開口部106b内へ注入する。本実施形態1では、突出開口部106bは、半導体素子108から最も離れた位置で、半導体素子108から、0.4~1.0mm離れている。これにより、充填剤110を注入する際には、突出開口部106bから充填剤110を注入することが可能である。この場合、ディスペンサー300のノズル部302を少なくとも突出開口部106b内に位置させれば良いため、ディスペンサー300のノズル部302の位置決めを容易に行なうことができる。また、ディスペンサー300のノズル部302の位置決めに誤差が生じた場合であっても、この誤差を許容することができる。既に説明したとおり、充填剤110は流動性を有する。このため、充填剤110は、突出開口部106bから表面側開口部106a内へと進入すると、毛細管現象によって、半導体素子108とテープ基材102との間を広がり、表面側開口部106a全体に広がる。実施形態2以下に説明する本実施形態2では、上述した実施形態1の異なる点のみを説明する。したがって、説明の便宜上、実施の形態1で用いたものと同じ機能を有する部材には同じ参照符号を付して、その説明を省略する。図4は、実施形態2に係る半導体装置100の表面を示す図である。図4に示す半導体装置100は、図4に示すように、表面側開口部106aの大きさが半導体素子108のテープ基材102との対向面の大きさよりも小さくなっている点で、実施形態1の半導体装置100と相違する。具体的には、表面側開口部106aがなす長方形の各辺の長さは、半導体素子108の外形がなす長方形の対応する辺の長さよりも、僅かに短くなっている。表面側開口部106aの大きさは、半導体素子108の電極108aと、配線パターン104のインナーリード部の端子との接続に支障がない程度に小さくすることができる。このように、表面側開口部106aの大きさを半導体素子108のテープ基材102との対向面の大きさよりも小さくしたことにより、本実施形態2の半導体装置100は、充填剤110を必要以上に消費する等、開口部が大きいことによって生じる様々な問題の発生をより防止することができる。ここで、表面側開口部106aの大きさが半導体素子108の対向面の大きさよりも小さくなっていることにより、半導体素子108の縁部と表面側開口部106aの縁部との間のすき間が無くなっている。しかしながら、本実施形態2の半導体装置100においても、実施形態1の半導体装置100と同様に、突出開口部106bが半導体素子108よりも外側に露出していることから、充填剤110の注入は突出開口部106bから不具合なく実施することができる。変形例表面側開口部106aの形状及び設置位置は、実施形態1および2で説明したものに限らない。表面側開口部106aは、少なくとも、この表面側開口部106aに充填された充填剤110によって半導体素子108とテープ基材102とを適度な強度で接合することができるように構成されていれば、どのような形状を有していても良く、どのような位置に設けられていても良い。また、突出開口部106bの形状及び設置位置は、実施形態1および2で説明したものに限らない。突出開口部106bは、少なくとも半導体素子108から離れた位置に充填剤110を注入するために十分なすき間を形成するものであれば、どのような形状を有していても良く、どのような位置に設けられていても良い。但し、突出開口部106bは、実施形態1および2で例示されているように、部分的に、充填剤110を注入するために十分な大きさを有する円形、矩形、多角形、またはその他形状をなしていることが好ましい。以下、表面側開口部106aおよび突出開口部106bの変形例を実施形態3として説明する。実施形態3図5は、実施形態3に係る半導体装置100の表面を示す図である。図5に示すように、本実施形態3の半導体装置100は、半導体素子108の左上角部の近傍に突出開口部106b設けられている点では、実施形態2の半導体装置100と同様である。しかしながら、本実施形態3の半導体装置100は、表面側開口部106aの大きさが半導体素子108よりもさらに小さくなっている点で、実施形態2の半導体装置100と相違する。これに応じて、本実施形態3の半導体装置100においては、表面側絶縁保護膜106に対し、表面側開口部106aと突出開口部106bとを連結し、充填剤110の流入通路の役割を担う開口部106cが設けられている。その他の点については、実施形態2の半導体装置100と同様であるため、説明を省略する。このように、本実施形態3の半導体装置100においては、表面側開口部106aの大きさが半導体素子108よりもより小さくなっている。これにより、本実施形態3の半導体装置100は、充填剤110を必要以上に消費する等、開口部が大きいことによって生じる様々な問題の発生をより防止することができる。また、この実施形態3の半導体装置100と、実施形態2の半導体装置100とでは、開口部の形状が異なるが、充填剤110を注入するために十分なすき間を形成する突出開口部106bを有している点で変わりはない。したがって、この実施形態3の半導体装置100においても、充填剤110を注入する際には、突出開口部106b内であれば、どの位置からでも、充填剤110を注入することが可能である。なお、本実施形態3の半導体装置100においても、実施形態1の半導体装置100と同様に、充填剤110の注入は突出開口部106bから行なわれる。したがって、表面側開口部106aの大きさがより小さくなっていることにより、充填剤110の注入が困難になる等といった不具合は生じない。なお、図5に示す本実施形態3の半導体装置100においては、表面側開口部106aの大きさを小さくしたことにより、配線パターン104上の、半導体素子108の電極108aと接続される部分が、表面側絶縁保護膜106に覆われている。したがって、実施形態3の半導体装置100において、半導体素子108を設置する際には、電極108aが表面側絶縁保護膜106を突き抜けるように、適度に半導体素子108を加圧する。これにより、電極108aおよび/または配線パターン104が表面側絶縁保護膜106を突き破って、両者の電気的に接続を実現することができる。本実施形態3の半導体装置100においては、表面側絶縁保護膜106の厚さが10μm程度であるのに対し、電極108aの突出量が15~20μm程度であるから、前記方法により、電極108aと配線パターン104とを電気的に接続することが可能となっている。実施形態4図6は、実施形態4に係る半導体装置100の表面を示す図である。図6に示すように、本実施形態4の半導体装置100は、表面側開口部106全体が概ね円形状をなしており、そのうちの一部が、突出開口部106bとして、半導体素子108の下辺の中央部分から外側に突出して設けられている点で、実施形態3の半導体装置100と相違する。その他の点については、実施形態3の半導体装置100と同様であるため、説明を省略する。このように、本実施形態4の半導体装置100は、表面側開口部106全体が概ね円形状をなしており、そのうちの一部が、突出開口部106bとして、半導体素子108の下辺の中央部分から突出して設けられており、結果的に、表面側開口部106の全体の大きさが小さくなっている。これにより、本実施形態4の半導体装置100は、充填剤110を必要以上に消費する等、開口部が大きいことによって生じる様々な問題の発生をより防止することができる。また、本実施形態4の半導体装置100においては、半導体素子108が設置される位置の中央近傍に開口部を有する表面側絶縁保護膜106を用いているので、半導体素子の外形が異なる様々な半導体装置100に対して、この表面側絶縁保護膜106を流用することができる。また、この実施形態4の半導体装置100と、実施形態3の半導体装置100とでは、突出開口部106bの形状が異なるが、充填剤110を注入するために十分なすき間を形成する突出開口部106bを有している点で変わりはない。したがって、この実施形態4の半導体装置100においても、充填剤110を注入する際には、突出開口部106b内であれば、どの位置からでも、充填剤110を注入することが可能である。なお、本実施形態4の半導体装置100においても、実施形態3の半導体装置100と同様に、充填剤110の注入は突出開口部106bから行なわれる。したがって、表面側開口部106全体の大きさが小さくなっていることにより、充填剤110の注入が困難になる等といった不具合は生じない。また、実施形態3と同様に、本実施形態4の半導体装置100においても、表面側開口部106aの大きさを小さくしたことにより、配線パターン104上の、半導体素子108の電極108aと接続される部分が、表面側絶縁保護膜106に覆われている。したがって、本実施形態4の半導体装置100においても、半導体素子108を設置する際には、電極108aが表面側絶縁保護膜106を突き抜けるように、適度に半導体素子108を加圧する。これにより、電極108aおよび/または配線パターン104が表面側絶縁保護膜106を突き破って、両者の電気的に接続を実現することができる。本実施形態4の半導体装置100においても、表面側絶縁保護膜106の厚さが10μm程度であるのに対し、電極108aの突出量が15~20μm程度であるから、前記方法により、電極108aと配線パターン104とを電気的に接続することが可能となっている。なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。