"下記式1:式中、R1は水素原子又はメチル基を表し、R2は炭素原子数1乃至3のアルキレン基又は置換基を有してもよいフェニレン基を表し、R3はヒドロキシ基又はカルボキシル基を表す。で表される構造単位を有するポリマー、置換基としてブロックイソシアネート基、メチロール基又は炭素原子数1乃至5のアルコキシメチル基を少なくとも2つ有する化合物、及び溶剤を含む、非感光性レジスト下層膜形成組成物。前記ポリマーは、下記式2:式中、R4は水素原子又はメチル基を表し、Yは-C=O-NH-基又は-C=O-O-基を表し、Xはラクトン環を含む基、アダマンタン環を含む基又はベンゼン環を含む基を表し、前記Yで表される連結基の炭素原子は前記ポリマーの主鎖と結合する。で表される構造単位をさらに有する、請求項1に記載の非感光性レジスト下層膜形成組成物。前記置換基を少なくとも2つ有する化合物は前記ポリマーに対して1質量乃至40質量含まれる、請求項1又は請求項2に記載の非感光性レジスト下層膜形成組成物。架橋触媒をさらに含む請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の非感光性レジスト下層膜形成組成物。さらに界面活性剤を含む請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の非感光性レジスト下層膜形成組成物。従来の、アルカリ現像液に溶解する非感光性レジスト下層膜は、当該レジスト下層膜上に形成するレジストパターンの断面形状を矩形状にすることが困難であった。本発明は、露光後にレジスト膜をアルカリ現像する際に、共にアルカリ現像されるレジスト下層膜を形成するための非感光性レジスト下層膜形成組成物であって、所望の断面形状を有するレジストパターンを形成できる、ポリマー、架橋剤、溶剤及びその他の任意成分からなる組成物を提供する。本発明の非感光性レジスト下層膜形成組成物は、アミド構造を含むアクリルポリマーに、特定の置換基を少なくとも2つ有する化合物が添加されたことにより、当該組成物から形成されるレジスト下層膜上に、断面形状が概略矩形状のレジストパターンを形成できることを見出したことに基づく。すなわち、本発明の第1態様は、下記式1:式中、R1は水素原子又はメチル基を表し、R2は炭素原子数1乃至3のアルキレン基又は置換基を有してもよいフェニレン基を表し、R3はヒドロキシ基又はカルボキシル基を表す。で表される構造単位を有するポリマー、置換基としてブロックイソシアネート基、メチロール基又は炭素原子数1乃至5のアルコキシメチル基を少なくとも2つ有する化合物、及び溶剤を含む、非感光性レジスト下層膜形成組成物である。本発明に係るレジスト下層膜形成組成物に含まれる前記ポリマーは、前記式1で表される構造単位以外の構造単位として、下記式2:式中、R4は水素原子又はメチル基を表し、Yは-C=O-NH-基又は-C=O-O-基を表し、Xはラクトン環を含む基、アダマンタン環を含む基又はベンゼン環を含む基を表し、前記Yで表される連結基の炭素原子は前記ポリマーの主鎖と結合する。で表される構造単位をさらに有してもよい。前記置換基を少なくとも2つ有する化合物は、例えば、エポキシ基を有さない、含窒素化合物、又はアリール基を少なくとも1つ有する化合物である。前記アリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基が挙げられる。本発明の非感光性レジスト下層膜形成組成物を用いたレジストパターンの形成方法は、半導体基板上に当該組成物を塗布しベークしてレジスト下層膜を形成し、前記レジスト下層膜上にレジスト膜を形成し、前記レジスト下層膜と前記レジスト膜で被覆された半導体基板を露光し、露光後に前記レジスト膜と前記レジスト下層膜を現像する工程を有する。本発明の組成物を用いることによって、1形成されるレジスト下層膜はレジスト溶剤に対する耐性を有するため、上層に形成されるレジスト膜とのインターミキシングが生じることがない、2形成されるレジスト下層膜はアルカリ現像液への溶解性を有するため、前記レジスト膜と共に現像除去することができる、3レジストパターン形成後の断面形状を概略矩形状とすることができる、4形成されるレジスト下層膜はドライエッチングを行うことなく除去可能であるため、イオン注入工程など、ドライエッチングによる基板表面の損傷に敏感な工程を含む半導体素子の製造に適用できる。本発明の非感光性レジスト下層膜形成組成物を構成するポリマーは、前記式1で表される構造単位を有する。その具体例を下記式1-1、式1-2、式1-3に示す。前記ポリマーの重量平均分子量は、例えば1000乃至200000、好ましくは3000乃至20000である。このポリマーの重量平均分子量が1000より小さいと、溶剤耐性が不十分になる場合がある。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCにより、標準試料としてポリスチレンを用いて得られる値である。前記ポリマーは、前記式2で表される構造単位をさらに有する共重合体でもよい。式2において、Xはラクトン環を含む基、アダマンタン環を含む基又はベンゼン環を含む基を表す。ラクトン環は、γ-ブチロラクトンのような5員環に限らず、δ-バレロラクトンのような6員環、ε-カプロラクトンのような7員環でもよい。当該式2で表される構造単位の具体例を下記式2-1乃至式2-9に示す。本発明の非感光性レジスト下層膜形成組成物を構成する前記置換基を少なくとも2つ有する化合物は、架橋剤としてはたらき、その含有量は、前記ポリマーに対し例えば1質量乃至40質量、好ましくは10質量乃至30質量である。前記置換基を少なくとも2つ有する化合物が、置換基としてブロックイソシアネート基を少なくとも2つ有する場合、その具体例としては、例えばタケネート登録商標B-830、同B-870N三井化学株製、VESTANAT登録商標B1358/100エボニックデグサ社製が挙げられる。前記ブロックイソシアネート基とは、イソシアネート基-N=C=Oが適当な保護基によりブロックされた化合物である。ブロック剤としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、n-ブタノール、2-エトキシヘキサノール、2-N,N-ジメチルアミノエタノール、2-エトキシエタノール、シクロヘキサノール等のアルコール類、フェノール、o-ニトロフェノール、p-クロロフェノール、o-クレゾール、m-クレゾール、p-クレゾール等のフェノール類、ε-カプロラクタム等のラクタム類、アセトンオキシム、メチルエチルケトンオキシム、メチルイソブチルケトンオキシム、シクロヘキサノンオキシム、アセトフェノンオキシム、ベンゾフェノンオキシム等のオキシム類、ピラゾール、3,5-ジメチルピラゾール、3-メチルピラゾール等のピラゾール類、ドデカンチオール、ベンゼンチオール等のチオール類が挙げられる。前記置換基を少なくとも2つ有する化合物が、置換基としてメチロール基又は炭素原子数1乃至5のアルコキシメチル基を少なくとも2つ有する場合、その具体例としては、例えばニカラック登録商標MX-280、同MX-270、同MX-290株三和ケミカル製、CYMEL登録商標303、同1123、POWDERLINK登録商標1174以上、日本サイテックインダストリーズ株製、TML-BPA-MF、TML-BPAF-MF以上、本州化学工業株製が挙げられる。前記置換基を少なくとも2つ有する化合物は、2種以上の化合物からなる混合物であってもよく、当該化合物が自己縮合してなるオリゴマーを含む混合物であってもよい。本発明の非感光性レジスト下層膜形成組成物は、架橋反応を促進する架橋触媒を任意成分として含むことができる。前記架橋触媒としては、例えば5-スルホサリチル酸、p-トルエンスルホン酸、ピリジニウム-p-トルエンスルホネート、トリフルオロメタンスルホン酸、カンファースルホン酸、4-クロロベンゼンスルホン酸、4-ヒドロキシベンゼンスルホン酸、ベンゼンジスルホン酸、1-ナフタレンスルホン酸、サリチル酸、クエン酸、安息香酸、ヒドロキシ安息香酸が挙げられる。これらの架橋触媒は単独で添加してもよいし、また2種以上の組合せで添加することもできる。本発明の非感光性レジスト下層膜形成組成物は、任意成分として、基板に対する塗布性を向上させるために界面活性剤を含むことができる。前記界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトップ登録商標EF301、同EF303、同EF352三菱マテリアル電子化成株式会社旧株ジェムコ製、メガファック登録商標F171、同F173、同R30DIC株式会社旧大日本インキ化学工業株製、フロラードFC430、同FC431住友スリーエム株製、アサヒガード登録商標AG710、サーフロン登録商標S-382、同SC101、同SC102、同SC103、同SC104、同SC105、同SC106旭硝子株製等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーKP341信越化学工業株製等を挙げることができる。これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また2種以上の組合せで添加することもできる。上記界面活性剤が使用される場合、当該界面活性剤の含有量は、本発明の非感光性レジスト下層膜形成組成物に含まれるポリマーに対し、例えば3質量以下、好ましくは1質量以下、より好ましくは0.5質量以下である。本発明の非感光性レジスト下層膜形成組成物は、必要に応じて、その他の添加剤を含有することができる。例えば、現像液に対する溶解性を調整する調整剤を含むことができ、当該調整剤としては、例えば1,1,1-トリス4-ヒドロキシフェニルエタンが挙げられる。本発明の非感光性レジスト下層膜形成組成物は、上記各成分を適当な溶剤に溶解させることによって調製でき、均一な溶液状態で用いられる。そのような溶剤としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2-ヒドロキシ-3-メチルブタン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、及びN-メチルピロリドン等を用いることができる。これらの溶剤は単独または2種以上の組合せで使用することができる。さらに、これらの溶剤に、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等の高沸点溶剤を混合して使用することもできる。調製した組成物は、孔径が例えば0.2μm程度のフィルタなどを用いてろ過した後、使用することが好ましい。本発明の非感光性レジスト下層膜形成組成物は、室温で長期間の貯蔵安定性にも優れる。以下、本発明の非感光性レジスト下層膜形成組成物の使用について説明する。基板例えば、酸化珪素膜で被覆されたシリコン等の半導体基板、窒化珪素膜又は酸化窒化珪素膜で被覆されたシリコン等の半導体基板、窒化珪素基板、石英基板、ガラス基板無アルカリガラス、低アルカリガラス、結晶化ガラスを含む、ITO膜が形成されたガラス基板等の上に、スピナー、コーター等の適当な塗布方法により本発明の組成物が塗布され、その後、ホットプレート等の加熱手段を用いてベークすることによりレジスト下層膜が形成される。ベーク条件としては、ベーク温度80°C乃至250°C、ベーク時間0.3分乃至10分間の中から適宜、選択される。好ましくは、ベーク温度120°C乃至250°C、ベーク時間0.5分乃至5分間である。ここで、レジスト下層膜の膜厚としては、0.005μm乃至3.0μm、例えば0.01μm乃至0.05μm、又は0.05μm乃至0.1μmである。ベーク時の温度が、上記範囲より低い場合には架橋が不十分となり、上層に形成されるレジスト膜とインターミキシングを起こすことがある。一方、ベーク時の温度が上記範囲より高い場合は現像性の低下や架橋の切断により、当該レジスト膜とのインターミキシングを起こすことがある。次いで前記レジスト下層膜の上に、レジスト膜を形成する。レジスト膜の形成は一般的な方法、すなわち、フォトレジスト溶液のレジスト下層膜上への塗布及びベークによって行なうことができる。前記レジスト膜の形成に使用するレジストとしては、露光に使用される光に感光するものであれば特に限定はなく、ネガ型、ポジ型いずれも使用できる。ノボラック樹脂と1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとからなるポジ型フォトレジスト、酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させる基を有するバインダーと光酸発生剤からなる化学増幅型フォトレジスト、酸により分解してフォトレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物とアルカリ可溶性バインダーと光酸発生剤とからなる化学増幅型フォトレジスト、酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させる基を有するバインダーと酸により分解してフォトレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物と光酸発生剤からなる化学増幅型フォトレジストなどがある。例えば、ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ社製,商品名:APEX-E、住友化学株製,商品名:PAR710、及び信越化学工業株製,商品名:R430等が挙げられる。レジストパターンを形成する際、所定のパターンを形成するためのマスクレチクルを通して露光が行なわれる。露光には、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー等を使用することができる。露光後、必要に応じて露光後加熱PostExposureBakeが行なわれる。露光後加熱の条件としては、加熱温度80°C乃至150°C、加熱時間0.3分乃至10分間の中から適宜、選択される。その後、アルカリ現像液で現像する工程を経て、レジストパターンが形成される。本発明の組成物から形成されたレジスト下層膜は、アルカリ現像液に可溶であるため、露光を行った後、アルカリ現像液でレジスト膜及びレジスト下層膜両層の一括現像が可能である。前記アルカリ現像液としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムなどのアルカリ金属水酸化物の水溶液、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、コリンなどの水酸化四級アンモニウムの水溶液、エタノールアミン、プロピルアミン、エチレンジアミンなどのアミン水溶液等のアルカリ性水溶液を例として挙げることができる。さらに、これらの現像液に界面活性剤などを加えることもできる。現像の条件としては、現像温度5°C乃至50°C、現像時間10秒乃至300秒から適宜選択される。本発明のレジスト下層膜形成組成物から形成されるレジスト下層膜は、フォトレジストの現像に汎用されている2.38質量の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて、室温で容易に現像を行なうことができる。以下、本発明の非感光性レジスト下層膜形成組成物の具体例を、下記実施例を用いて説明するが、これによって本発明が限定されるものではない。下記合成例で得られたポリマーの重量平均分子量の測定に用いた装置等を示す。装置:送液ポンプ東ソー株製DP-8020、デガッサー同社製SD-8022、カラムオーブン同社製CO-8020、示差屈折率検出器同社製RI-8020、オートサンプラー同社製AS-8020GPCカラム:Asahipak登録商標GF-310HQ、同GF-510HQ、同GF-710HQカラム温度:40°C流量:0.6ml/分溶離液:10mmol/lLiBr/DMF<合成例1>4-ヒドロキシフェニルメタクリルアミド8.0g、γブチロラクトンメタクリレート3.3g、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル0.8gをプロピレングリコールモノメチルエーテル150gに溶解させた後、この溶液をプロピレングリコールモノメチルエーテル180gが加熱還流されているフラスコ中に2時間かけて滴下した。その後、酢酸エチルを用いてポリマーを沈殿させ、ポリマーを減圧下で乾燥し、下記式3で表される構造単位を有するポリマーを10g得た。得られたポリマーの重量平均分子量は標準ポリスチレン換算で9000であった。<合成例2>4-ヒドロキシフェニルメタクリルアミド5.0g、N-フェニルメタクリルアミド0.8g、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル0.6gをプロピレングリコールモノメチルエーテル17gに溶解させた後、この溶液を80°Cの加熱下で15時間攪拌した。その後、酢酸エチルを用いてポリマーを沈殿させ、ポリマーを減圧下で乾燥し、下記式5で表される構造単位を有するポリマーを5g得た。得られたポリマーの重量平均分子量は標準ポリスチレン換算で11000であった。<合成例3>4-ヒドロキシフェニルメタクリレート昭和高分子株5.0g、γ-ブチロラクトンメタクリレート2.0g、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル0.5gをプロピレングリコールモノメチルエーテル30gに溶解させた後、この溶液をプロピレングリコールモノメチルエーテル113gが加熱還流されているフラスコ中に2時間かけて滴下した。その後、酢酸エチル:ヘキサン=6:4混合溶液を用いてポリマーを沈殿させ、ポリマーを減圧下で乾燥し、下記式4で表される構造単位を有するポリマーを5g得た。得られたポリマーの重量平均分子量は標準ポリスチレン換算で13000であった。<合成例4>ポリアミド酸の合成4,4’-ヘキサフルオロイソプロピリデンビスフタル酸二無水物17.8g、3,5-ジアミノ安息香酸3.12g、ビス4-アミノフェニルスルホン4.92gをプロピレングリコールモノメチルエーテル145.6g中、80°Cで20時間反応させることによって、ポリアミド酸を含む溶液[A]を得た。得られたポリアミド酸は、下記式6及び式7で表される構造単位を有する。<合成例5>吸光性化合物の合成3,7-ジヒドロキシ-2-ナフトエ酸19.0g、トリス2,3-エポキシプロピルイソシアヌレート10g及びベンジルトリエチルアンモニウムクロリド0.552gをシクロヘキサノン118g中130°Cで24時間反応させることで吸光性化合物下記式8で表される化合物を含む溶液[a]を得た。<実施例1>レジスト下層膜形成組成物の調製合成例1で得られた式3で表されるポリマー0.2gに、イソシアネート系架橋剤三井化学株製、商品名:タケネート登録商標B-8300.04gを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル15.8gに溶解させ溶液とした。その後、孔径0.2μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、レジスト下層膜形成組成物溶液を調製した。<実施例2>レジスト下層形成組成物の調製合成例1で得られた式3で表されるポリマー0.1gに、アミノプラスト系架橋剤株三和ケミカル製、商品名:ニカラック登録商標MX-2800.01g、及び架橋触媒として5-スルホサリチル酸二水和物0.002gを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル7.4gに溶解させ溶液とした。その後、孔径0.2μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、レジスト下層膜形成組成物溶液を調製した。<実施例3>レジスト下層膜形成組成物の調製合成例2で得られた式4で表されるポリマー0.1gに、イソシアネート系架橋剤三井化学株製、商品名:タケネート登録商標B-8300.02gを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル8.5gに溶解させ溶液とした。その後、孔径0.2μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、レジスト下層膜形成組成物溶液を調製した。<比較例1>レジスト下層膜形成組成物の調製合成例3で得られた式5で表されるポリマー0.2gに、イソシアネート系架橋剤三井化学株製、商品名:タケネート登録商標B-8300.04gを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル15.8gに溶解させ溶液とした。その後、孔径0.2μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、レジスト下層膜形成組成物溶液を調製した。<比較例2>レジスト下層膜形成組成物の調製合成例3で得られた式5で表されるポリマー0.1gに、アミノプラスト系架橋剤株三和ケミカル製、商品名:ニカラック登録商標MX-2800.01g、5-スルホサリチル酸二水和物0.002gを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル7.4gに溶解させ溶液とした。その後、孔径0.2μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、レジスト下層膜形成組成物溶液を調製した。<比較例3>レジスト下層膜形成組成物の調製合成例4で得られたポリアミド酸を含む溶液[A]20gに、合成例5で得られた吸光性化合物を含む溶液[a]6.5g、トリスヒドロキシフェニルエタン0.3g、エポキシ系架橋剤東都化成株製、商品名:YH434L1.1g、プロピレングリコールモノメチルエーテル121g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート154g、シクロヘキサノン11gを添加し、室温で30分間攪拌することによりレジスト下層膜形成組成物溶液を調製した。レジスト下層膜の現像性評価及びフォトレジスト溶剤への溶出試験現像液東京応化工業株製、商品名:NMD-3に対する溶解性を評価した。実施例1及至実施例3並びに比較例1及至比較例3で調製された各レジスト下層膜形成組成物を、スピナーにより、半導体基板シリコンウェハー上に塗布した。その後、ホットプレート上で130°Cから195°Cまで5°C刻みの温度で1分間半導体基板をベークし、レジスト下層膜膜厚0.04μmを形成した。形成した膜付きシリコンウェハーを現像液へ1分間浸漬し、現像液への溶解性を確認した。浸漬後に水ですすぎ、窒素ブローにより乾燥させ、残膜を確認した。下記表1に、現像液へ浸漬した際の現像液への溶解性及び、現像後に残膜が確認されなかったベーク温度を示す。表1において、現像時に膜が均一に溶解し、かつ現像後にレジスト下層膜の残膜が確認できなかった場合を現像液溶解性が良好と評価し、一方、前記レジスト下層膜が現像時に均一に溶解せず、半導体基板から溶解しなかった膜の剥離が観察される剥離現像場合、または現像後に残膜が確認された場合を不良と評価した。続いてフォトレジスト溶剤への溶出試験を行った。実施例1及至実施例3、並びに比較例1及至比較例3で調製された各レジスト下層膜形成組成物をスピナーにより、半導体基板シリコンウェハー上に塗布した。その後、ホットプレート上で1分間、表1に記載の現像後に残膜が確認されないベーク温度にてベークし、レジスト下層膜膜厚0.04μmを形成した。このレジスト下層膜をフォトレジストに使用する溶剤であるプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに1分間浸漬した。評価の結果を下記表1に併せて示す。表1において、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに浸漬する前後でレジスト下層膜の膜厚変化が1未満の場合を溶剤耐性がありと評価し、前記膜厚変化が1以上の場合をなしと評価した。光学パラメーターの試験実施例1及至実施例3、並びに比較例3で調製された各レジスト下層膜形成組成物をスピナーにより、半導体基板シリコンウェハー上に塗布した。その後、実施例1及び比較例3は185°C、実施例2は130°C、実施例3は195°Cのホットプレート上で1分間ベークし、レジスト下層膜膜厚0.05μmを形成した。そして、これらのレジスト下層膜を光エリプソメーターJ.A.Woollam社製、VUV-VASEVU-302を用い、波長248nm及び193nmでの屈折率n値及び減衰係数k値を測定した。評価の結果を下記表2に示す。パターン形状の評価実施例1及び実施例3、並びに比較例3で調製された各レジスト下層膜形成組成物をスピナーにより、半導体基板シリコンウェハー上に塗布した。その後、実施例1は185°C、実施例3は195°C、比較例3は185°Cのホットプレート上で1分間ベークし、レジスト下層膜膜厚0.04μmを形成した。このレジスト下層膜の上に、市販のフォトレジスト溶液東京応化工業株製、商品名:TDUR-P3435LPをスピナーにより塗布し、90°Cのホットプレート上で1分間加熱してフォトレジスト膜膜厚0.265μmを形成した。次いで、株ニコン製NSR-S205Cレンズスキャニング方式ステッパー波長248nm、NA:0.75、σ:0.85CONVENTIONALを用い、現像後にフォトレジストパターンのライン幅及びそのライン間の幅が0.20μmになるよう設定されたマスクを通して、露光を行った。その後、110°Cのホットプレート上で1分間露光後加熱を行なった。冷却後、現像液として0.26規定のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて現像した。現像後、得られた各フォトレジストパターンの、基板と垂直方向の断面を走査型電子顕微鏡SEMで観察した。その結果、実施例1及び実施例3で調製されたレジスト下層膜形成組成物を用いた場合、得られたフォトレジストパターンの断面形状は、図1及び図2に示すように概略矩形状であった。一方、比較例3で調製されたレジスト下層膜形成組成物を用いた場合、得られたフォトレジストパターンの断面形状はレジスト下層膜との界面近傍において瘤状となり、図3に示すように矩形状とはならなかった。"