基板と、前記基板上に形成されたn型窒化ガリウム層と、前記n型窒化ガリウム層上の所定領域に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたp型窒化ガリウム層と、前記活性層が形成されない前記n型窒化ガリウム層上に形成されたn型電極と、前記p型窒化ガリウム層、前記活性層及び前記n型窒化ガリウム層からなる発光構造物の表面のうち前記n型電極が形成されない領域に形成される透明層と、前記p型窒化ガリウム層上に位置するように前記透明層に形成されたp型電極と、を備え、前記透明層は、前記p型窒化ガリウム層上に形成された透明電極及び前記透明電極が形成された領域を除いた領域に前記p型電極と接触しないように形成され、前記透明電極を成す物質が酸化されて電気絶縁性を有する物質からなる保護膜を含み、前記透明電極は透明導電性金属酸化物からなり、前記保護膜は前記透明電極と同一の組成を有するが、酸素含有量がより高いことを特徴とする窒化ガリウム系発光ダイオード素子。前記保護膜は、前記透明電極と同じ層で形成されたことを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。前記透明層は、酸化インジウムに錫、亜鉛、マグネシウム、銅、銀及びアルミニウムからなるグループより選択された何れか1つ以上の元素を添加して形成された混合物であることを特徴とする請求項1又は2に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。前記添加元素は、全混合物の重量を基に1~30重量の量で添加されたことを特徴とする請求項3に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。前記透明電極と前記n型電極との間の結果物の表面と前記保護膜との間に形成された接着層をさらに備えることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。前記接着層は、酸化インジウムに錫、亜鉛、マグネシウム、銅、銀及びアルミニウムからなるグループより選択された何れか1つ以上の元素を添加して形成された混合物からなり、前記透明層と添加する元素を異にして形成されたことを特徴とする請求項5に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。前記接着層は、酸化インジウムに錫、亜鉛、マグネシウム、銅、銀及びアルミニウムからなるグループより選択された何れか1つ以上の元素を添加して形成された混合物からなり、前記透明層と添加する元素の添加量を異にして形成されたことを特徴とする請求項5又は6に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。前記基板と前記n型窒化ガリウム層との間に形成されたバッファ層をさらに備えることを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。基板と、前記基板上に形成されたn型窒化ガリウム層と、前記n型窒化ガリウム層上の所定領域に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたp型窒化ガリウム層と、前記活性層が形成されない前記n型窒化ガリウム層上に形成されたn型電極と、前記p型窒化ガリウム層、前記活性層及び前記n型窒化ガリウム層からなる発光構造物の表面のうち前記n型電極が形成されない領域に形成される透明層と、前記p型窒化ガリウム層上に位置するように前記透明層に形成されたp型電極と、を備え、前記透明層は、前記p型窒化ガリウム層上に形成された透明電極及び前記透明電極を除いた領域に前記p型電極と接触しないように形成され、前記透明電極を成す物質がアッシングされて電気絶縁性を有する物質からなる保護膜を含み、前記透明電極は透明導電性金属酸化物からなり、前記保護膜は前記透明電極と同一の組成を有するが、酸素含有量がより高いことを特徴とする窒化ガリウム系発光ダイオード素子。前記保護膜は、前記透明電極と同じ層で形成されたことを特徴とする請求項9に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。前記透明層は、酸化インジウムに錫、亜鉛、マグネシウム、銅、銀及びアルミニウムからなるグループより選択された何れか1つ以上の元素を添加して形成された混合物であることを特徴とする請求項9又は10に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。前記添加元素は、全混合物の重量を基に1~30重量の量で添加されたことを特徴とする請求項11に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。前記透明電極と前記n型電極との間の結果物の表面と前記保護膜との間に形成された接着層をさらに備えることを特徴とする請求項9~12のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。前記接着層は、酸化インジウムに錫、亜鉛、マグネシウム、銅、銀及びアルミニウムからなるグループより選択された何れか1つ以上の元素を添加して形成された混合物からなり、前記透明層と添加する元素を異にして形成されたことを特徴とする請求項13に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。前記接着層は、酸化インジウムに錫、亜鉛、マグネシウム、銅、銀及びアルミニウムからなるグループより選択された何れか1つ以上の元素を添加して形成された混合物からなり、前記透明層と添加する元素の添加量を異にして形成されたことを特徴とする請求項13又は14に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。前記基板と前記n型窒化ガリウム層との間に形成されたバッファ層をさらに備えることを特徴とする請求項9~15のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。上述のように、従来の技術に係る窒化ガリウム系LED素子の製造方法は、全般的なLED素子の製造工程が複雑であり、かつ、前記保護膜として主に利用されるSiO2またはSiN膜が電極、すなわち、透明電極120、p型電極140及びn型電極130との接着性能が落ちるため、膜が剥がれる剥離peeling現象のような接着不良が発生して、素子の特性及び信頼性を低下させるという問題があった。本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、酸化インジウムからなる透明層を利用して、透明電極と保護膜を別途のエッチング工程無しに同時に形成することによって、素子の全般的な製造工程を単純化させると共に、保護膜と電極との接着性能を良好にして、接着不良を防止することができる窒化ガリウム系LED素子を提供することにある。また、本発明の他の目的は、上記の窒化ガリウム系LED素子の製造方法を提供することにある。前記一の目的を達成するために、本発明に係る窒化ガリウム系LED素子によれば、基板と、前記基板上に形成されたn型窒化ガリウム層と、前記n型窒化ガリウム層上の所定領域に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたp型窒化ガリウム層と、前記p型窒化ガリウム層上に形成された透明電極と、前記透明電極上に形成されたp型電極と、前記活性層が形成されないn型窒化ガリウム層上に形成されたn型電極と、前記透明電極と前記n型電極との間の結果物上に形成され、プラズマ酸化処理された透明層からなる保護膜とを備える。また、前記本発明の窒化ガリウム系LED素子において、前記保護膜は、前記透明電極と前記n型電極との間の結果物上に形成され、アッシング処理された透明層からなることができる。また、前記本発明の窒化ガリウム系LED素子において、前記透明層は、酸化インジウムに錫、亜鉛、マグネシウム、銅、銀及びアルミニウムからなるグループより選択された何れか1つ以上の元素を添加して形成された混合物であることが好ましく、さらに詳細には、前記添加元素が、全混合物の重量を基に1~30重量の量で添加される。また、前記本発明の窒化ガリウム系LED素子において、前記透明電極と前記n型電極との間の結果物の表面と前記保護膜との間に形成された接着層をさらに備えることが好ましい。また、前記本発明の窒化ガリウム系LED素子において、前記接着層は、酸化インジウムに錫、亜鉛、マグネシウム、銅、銀及びアルミニウムからなるグループより選択された何れか1つ以上の元素を添加して形成された混合物からなり、前記透明層と添加する元素を異にして形成されることが好ましい。また、前記本発明の窒化ガリウム系LED素子において、前記接着層は、酸化インジウムに錫、亜鉛、マグネシウム、銅、銀及びアルミニウムからなるグループより選択された何れか1つ以上の元素を添加して形成された混合物からなり、前記透明層と添加する元素の添加量を異にして形成されることが好ましい。また、前記本発明の窒化ガリウム系LED素子は、前記基板と前記n型窒化ガリウム層との間に形成されたバッファ層をさらに備えることが好ましい。上記の目的を達成すべく、本発明に係る窒化ガリウム系LED素子の製造方法は、基板の上面にn型窒化ガリウム層、活性層及びp型窒化ガリウム層を順次形成するステップと、前記p型窒化ガリウム層、活性層及びn型窒化ガリウム層の一部をメサエッチングして、前記n型窒化ガリウム層の上面の一部を露出させるステップと、前記n型窒化ガリウム層の一部が露出した結果物の全面に透明層を形成するステップと、前記透明層の上面に透明電極形成領域を除いた残りの領域を開放するマスクを形成するステップと、前記マスクを介して露出した透明層にプラズマ酸化工程を行って保護膜を形成するステップとを含む。また、前記本発明の窒化ガリウム系LED素子の製造方法において、前記保護膜は、マスクを介して露出した透明層にアッシング工程を行って形成することができる。また、前記本発明の窒化ガリウム系LED素子の製造方法において、前記透明層は、酸化インジウムに錫、亜鉛、マグネシウム、銅、銀及びアルミニウムからなるグループより選択された何れか1つ以上の元素を添加して形成された混合物であることが好ましく、さらに好ましくは、前記添加元素は、全混合物の重量を基に1~30重量の量で添加する。また、前記本発明の窒化ガリウム系LED素子の製造方法は、前記n型窒化ガリウム層の一部が露出した結果物の全面に透明層を形成するステップの前に、前記n型窒化ガリウム層の一部が露出した結果物の全面に接着層を形成するステップをさらに含むことが好ましい。また、前記本発明の窒化ガリウム系LED素子の製造方法において、前記接着層は、酸化インジウムに錫、亜鉛、マグネシウム、銅、銀及びアルミニウムからなるグループより選択された何れか1つ以上の元素を添加して形成された混合物からなり、前記透明層と添加する元素を異にして形成されることが好ましい。また、前記本発明の窒化ガリウム系LED素子の製造方法において、前記接着層は、酸化インジウムに錫、亜鉛、マグネシウム、銅、銀及びアルミニウムからなるグループより選択された何れか1つ以上の元素を添加して形成された混合物からなり、前記透明層と添加する元素の添加量を異にして形成されることが好ましい。また、前記本発明の窒化ガリウム系LED素子の製造方法は、前記マスクを介して露出した透明層にプラズマ酸化工程を行って保護膜を形成するステップの後に、前記マスクを除去するステップと、前記n型窒化ガリウム層上に形成された保護膜の一部を選択エッチングして、前記n型窒化ガリウム層の一部を露出させるステップと、前記露出したn型窒化ガリウム層上にn型電極を形成するステップと、前記透明層の透明電極形成領域上にp型電極を形成するステップとをさらに含むことが好ましい。また、前記本発明の窒化ガリウム系LED素子は、前記基板の上面にn型窒化ガリウム層を形成するステップの前に、前記基板上にバッファ層を形成するステップをさらに含むことが好ましい。本発明によれば、酸化インジウムからなる透明層を利用して透明電極と保護膜を別途のエッチング工程無しに同時に形成することによって、素子の全般的な製造工程を単純化させて、素子の製造歩留まりを向上させることができる。また、本発明は、保護膜を形成するためのエッチング工程を省略できるため、エッチング工程時に発生するエッチング不良要素を除去して、素子の特性及び信頼性を安定化させることができる。また、本発明は、保護膜を透明層を非導電性薄膜に変化させて形成することによって、保護膜と電極との接着性能を良好にして、接着不良を防止できる。以下、添付した図面を参照して、当業者が容易に実施できるように本発明の実施の形態について詳細に説明する。図面において多様な層及び領域を明確に表現するために、その厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似した部分には同じ図面符号を付してある。以下、本発明の一実施の形態に係る窒化ガリウム系LED素子及びその製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。窒化ガリウム系LED素子の構造図2を参考にして、本発明の一実施の形態に係る窒化ガリウム系LED素子の構造に対して詳細に説明する。図2に示すように、本発明の一実施の形態に係る窒化ガリウム系LED素子は、光透過成人基板100上にバッファ層図示せず、n型窒化ガリウム層111、活性層113、及びp型窒化ガリウム層115が順次積層されて、発光構造物をなしている。前記基板100は、窒化物半導体単結晶を成長させるのに適した基板であって、好ましくは、サファイアを含む透明な材料を利用して形成され、サファイアの他に、基板100は、ジンクオキサイドzincoxide、ZnO、ガリウムナイトライドgalliumnitride、GaN、シリコンカーバイドsiliconcarbide、SiC、及びアルミニウムナイトライドAlNで形成することができる。前記バッファ層図示せずは、前記基板100上にn型窒化ガリウム層111を成長させる前に、前記サファイアを含んで形成された基板100との格子整合を向上させるための層であって、一般にAlN/GaNで形成されている。前記n型窒化ガリウム層111、活性層113及びp型窒化ガリウム層115は、InXAlYGaNここで、0≦X、0≦Y、XY≦1組成式を有する半導体物質からなることができる。さらに具体的に、前記n型窒化ガリウム層111は、n型導電型不純物がドーピングされたGaN層またはGaN/AlGaN層からなることができ、n型導電型不純物としては、例えば、Si、Ge、Snなどを使用し、好ましくは、Siを主に使用する。また、前記p型窒化ガリウム層115は、p型導電型不純物がドーピングされたGaN層またはGaN/AlGaN層からなることができ、p型導電型不純物としては、例えば、Mg、Zn、Beなどを使用し、好ましくはMgを主に使用する。そして、前記活性層113は、多重量子井戸Multi-QuantumWell構造のInGaN/GaN層からなるものであってもよい。一方、前記活性層113は、1つの量子井戸層またはダブルヘテロ構造で構成することができる。前記p型窒化ガリウム層150上には、透明電極120と反射機能及び電極機能を同時に行うp型電極140が順次形成されている。このとき、前記透明電極120は、電流拡散効果を向上させるための層であって、ITOのような導電性金属酸化物からなる。さらに詳細には、前記透明電極120は、酸化インジウムに錫、亜鉛、マグネシウム、銅、銀及びアルミニウムからなるグループより選択された何れか1つ以上の元素を添加して形成された混合物からなることが好ましく、前記添加元素は、全混合物の重量を基に1~30重量の量で添加されることが好ましい。そして、前記活性層113とp型窒化ガリウム層115の一部は、メサエッチングmesaetchingで除去され、底面に形成されたn型窒化ガリウム層111の上面の一部を露出している。前記メサエッチングにより露出したn型窒化ガリウム層111上には、n型電極130が形成されている。また、前記透明電極120と前記n型電極130との間の結果物上には、前記透明電極120上に形成されたp型電極140と前記n型電極130とが互いに電気的に接続するのを防止するための保護膜150が形成されている。特に、本発明に係る前記保護膜150は、プラズマ酸化処理された透明層またはアッシング処理された透明層からなっている。すなわち、前記保護膜150は、前記透明電極120を形成する物質と同じ物質からなる透明層をプラズマ酸化処理またはアッシング処理して形成されたものであって、前記透明電極120と同じ層からなっている。さらに詳細に、前記プラズマ酸化処理された透明層からなる保護膜150は、層内の酸素含有量がp型窒化ガリウム層115上の透明電極120より相対的に高いため、1kΩ以上の抵抗を有することが好ましく、前記アッシング処理された透明層からなる保護膜150は、p型窒化ガリウム層115上の透明電極120より酸素量が相対的に多く、充分な酸素を含有しているから、金属と酸素原子との間の結合が化学的定量比で表現され得ることが好ましい。これにより、前記保護膜150をなす透明層は、前記透明電極120と同様に、酸化インジウムに錫、亜鉛、マグネシウム、銅、銀及びアルミニウムからなるグループより選択された何れか1つ以上の元素を添加して形成された混合物で形成されたことが好ましく、さらに好ましくは、前記添加元素が、全混合物の重量を基に1~30重量の量で添加されている。また、前記本発明に係る窒化ガリウム系LED素子は、図示していないが、前記透明電極120と前記n型電極130との間の結果物の表面と前記保護膜150との間に接着層がさらに形成されている。これは、前記保護膜150が前記透明電極120と前記n型電極130との間の結果物の表面から剥離されるのを防止する機能を果たす。このとき、前記接着層は、酸化インジウムに錫、亜鉛、マグネシウム、銅、銀及びアルミニウムからなるグループより選択された何れか1つ以上の元素を添加して形成された混合物からなり、前記透明層と添加する元素を異にして形成されるか、又は酸化インジウムに錫、亜鉛、マグネシウム、銅、銀及びアルミニウムからなるグループより選択された何れか1つ以上の元素を添加して形成された混合物からなり、前記透明層と添加する元素の添加量を異にして形成することできる。窒化ガリウム系LED素子の製造方法本発明の一実施の形態に係る窒化ガリウム系LED素子の製造方法について、図3a~図3g、及び上述の図2を参考にして詳細に説明する。図3a~図3gは、本発明の一実施の形態に係る窒化ガリウム系LED素子の製造方法を説明するために順次に示した工程断面図である。まず、図3aに示すように、基板100上にn型窒化ガリウム層111、活性層113及びp型窒化ガリウム層115を順次形成する。前記p型及びn型窒化ガリウム層111、115及び活性層113は、AlxInyGaNここで、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1である組成式を有する半導体物質であって、MOCVD及びMBE工程のような公知の窒化物成長工程により形成することができる。前記基板100は、窒化物半導体単結晶を成長させるのに適した基板であって、サファイア基板及びシリコンカーバイドSiC基板のような異種基板または窒化物基板のような同種基板であり得る。一方、図示していないが、前記基板100上にn型窒化ガリウム層111を形成するステップの前に、結晶成長性を良くするために、前記基板100上に窒化ガリウム層からなるバッファ層を形成するステップをさらに含むことができる。その後、図3bに示すように、前記n型窒化ガリウム層111の上面にn型電極図示せずを形成するために、メサmesa構造を形成する工程を行う。さらに詳細に、前記メサ構造形成工程は、前記p型窒化ガリウム層115の上面にエッチングされる領域を除いた一部領域に第1フォトレジストPR1を形成するステップと、前記第1フォトレジストPR1をエッチングマスクとして、前記n型窒化ガリウム層111の上面の一部が露出するように、前記p型窒化ガリウム層115と活性層113の一部領域をエッチングして除去するするステップからなる。次に、前記第1フォトレジストPR1を除去した後、図3cに示すように、前記n型窒化ガリウム層111の上面の一部が露出した結果物の全面に透明層200を形成する。前記透明層200は、酸化インジウムに錫、亜鉛、マグネシウム、銅、銀及びアルミニウムからなるグループより選択された何れか1つ以上の元素を添加して形成された混合物を使用して形成することが好ましく、前記添加元素は、全混合物の重量を基に1~30重量の量で添加することが好ましい。また、本発明は、前記n型窒化ガリウム層111の一部が露出した結果物と前記透明層200との接着力を良好にするために、前記透明層200を形成するステップの前に、前記n型窒化ガリウム層111の一部が露出した結果物の全面に接着層図示せずを形成できる。このとき、前記接着層は、酸化インジウムに錫、亜鉛、マグネシウム、銅、銀及びアルミニウムからなるグループより選択された何れか1つ以上の元素を添加して形成された混合物からなり、前記透明層と添加する元素を異にして形成するか、又は前記透明層と添加する元素の添加量を異にして形成されることが好ましい。その後、図3dに示すように、透明電極形成領域、すなわち、前記p型窒化ガリウム層115と対応する前記透明層200の一部領域上に第2フォトレジストPR2を形成する。その後、前記第2フォトレジストPR2により透明電極形成領域が隠された透明層200にプラズマ酸化工程を行う。すると、図3eに示すように、前記第2フォトレジストPR2を介して露出した透明層200が酸化されて、非導電性薄膜に変化され、透明電極120と保護膜150が同時に形成される。一方、本発明は、前記保護膜150を形成するための方法であって、前記プラズマ酸化工程ではないアッシングashing工程を使用することができ、これも、前記透明層を非導電性薄膜に変化させることによって、プラズマ酸化工程を介して形成された保護膜と同じ性能の保護膜としての機能を果たす。すなわち、本発明によって製造された前記保護膜150は、透明電極を形成するための透明層を選択的に非導電性薄膜に変化させて、透明電極120と保護膜150を同時に形成することによって、透明電極を形成してから別途のSiO2防止膜を蒸着した後、これをエッチングして保護膜を形成する従来の技術に比べて、保護膜を形成する製造工程を単純化できる。また、本発明は、前記保護膜150を形成する際、エッチング工程ではないプラズマ酸化工程またはアッシング工程を使用しているため、エッチング工程時に発生するエッチング不良要素を除去することにより、素子の特性及び信頼性を安定化させることができる。また、本発明に係る保護膜150は、酸化インジウムに錫、亜鉛、マグネシウム、銅、銀及びアルミニウムからなるグループより選択された何れか1つ以上の元素を添加して形成された混合物からなる透明層を非導電性薄膜に変化させて形成することによって、従来SiO2からなる保護膜の問題点、すなわち、保護膜が剥がれる剥離peeling現象のような接着不良を防止できる。その後、前記透明電極120及び前記n型窒化ガリウム層111上にp型電極140及びn型電極130をそれぞれ形成する。前記p型電極140とn型電極130は、公知の電極形成技術を利用して形成することができる。すると、以下、図3f~図3hを参考にして、p型電極とn型電極の形成方法を詳細に説明する。まず、図3fに示すように、前記透明電極120と保護膜150が形成された結果物上に前記n型窒化ガリウム層111の一部を露出させるための第3フォトレジストPR3を形成する。その後、前記第3フォトレジストPR3をエッチングマスクとして、前記保護膜150を選択的エッチングして、下部のn型窒化ガリウム層111の上面の一部を露出させる。その後、図3gに示すように、前記第3フォトレジストPR3を利用して前記露出したn型窒化ガリウム層111上にn型電極130を形成した後、前記第3フォトレジストPR3を除去する。その後、前記n型電極130が形成された結果物上にp型電極形成領域を画定する第4フォトレジストPR4を形成する。その後、図2に示すように、前記第4フォトレジストPR4を利用して、前記p型電極形成領域、すなわち透明電極120上にp型電極140を形成する。そして、前記第4フォトレジストPR4を除去する。上述した本発明の好ましい実施の形態は、例示の目的のために開示されたものであり、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形、及び変更が可能であり、このような置換、変更などは、特許請求の範囲に属するものである。