軸周りに回転可能なシャントプレートと、前記シャントプレートに結合された、内側閉ループ磁極と、前記シャントプレートに結合された、外側閉ループ磁極と、を備え、前記外側閉ループ磁力と前記内側閉ループ磁極の磁力のアンバランス比が約1より小さい、マグネトロンアッセンブリ。アンバランス比が約0.57ないし約0.97である、請求項1に記載のマグネトロンアッセンブリ。アンバランス比が約0.57である、請求項1に記載のマグネトロンアッセンブリ。前記内側閉ループ磁極の複数の第1の磁極の極性が前記外側閉ループ磁極の複数の第2の磁極の極性とは反対の極性を有する、請求項1~3のいずれかに記載のマグネトロンアッセンブリ。前記内側閉ループ磁極がカージオイド形を有する、請求項1~3のいずれかに記載のマグネトロンアッセンブリ。前記内側閉ループ磁極はさらに、内側磁極プレートと、該内側磁極プレートと前記シャントプレートの間に配置された複数の第1のマグネットとを備え、又は前記外側閉ループ磁極はさらに、外側磁極プレートと、前記外側磁極プレートと前記シャントプレートの間に配置された複数の第2のマグネットとを備える構成の少なくとも1つを備える請求項1~3のいずれかに記載のマグネトロンアッセンブリ。前記内側閉ループ磁極は、複数の第1のマグネットを備え、前記外側閉ループ磁極は、複数の第2のマグネットを備える、請求項1~3のいずれかに記載のマグネトロンアッセンブリ。複数の前記第1及び第2のマグネットにおける各マグネットが均等な磁力を有する、請求項7に記載のマグネトロンアッセンブリ。複数の前記第1と第2のマグネットにおける少なくともいくつかのマグネットが異なる磁力を有する、請求項7に記載のマグネトロンアッセンブリ。複数の前記第1のマグネットにおけるマグネットの数が複数の前記第2のマグネットにおけるマグネットの数より多い、請求項7に記載のマグネトロンアッセンブリ。基板を物理蒸着PVDチャンバ内で処理する方法であって、少なくとも幾つかのイオン種を含む処理ガスをPVDチャンバに提供し、を基板の上方に配置されたターゲットにDC電力を印加して前記イオン種を前記ターゲットに指向させ、内側閉ループ磁極と外側閉ループ磁極とを有し、該外側閉ループ磁極の磁力と該内側閉ループ磁極の磁力のアンバランス比が約1より小さい構成のマグネトロンを前記ターゲットの上方で回転させ、前記イオン種を使用して前記ターゲットから金属原子をスパッタリングさせ、前記基板上に複数の第1の金属原子を堆積させ、堆積された該金属原子の少なくとも幾つかを再スパッタリングするために、RF電力を印加し、DC電力とRF電力を所望の期間供給して、前記基板上に層を形成する、ことかを含む理蒸着PVDチャンバ内で基板を処理する方法。基板の下方に配置した電極に前記RF電力を印加するか、前記ターゲットに前記RF電力を印加するか、又は前記ターゲットの近傍に配置した電極に前記RF電力を供給する、ことの少なくとも1つを備える請求項11に記載の方法。アンバランス比が約0.57ないし約0.97である、請求項11に記載の方法。前記ターゲットと前記層がタングステンWを含むものである、請求項11~13のいずれかに記載の方法。前記層が約2より小さいが厚みの均一性を有するが、前記層が約10μΩ/cmより小さい抵抗率を有する、ことの少なくとも1つを備える請求項11~13のいずれかに記載の方法。理解を助けるため、図面上に共通する同じ要素を示すときには、可能な限り、同じ参照番号を使用している。この図面は縮尺比に従っておらず、明瞭にするため単純化されている。一つの実施形態の要素や特性を、記載されていない他の実施形態と組み合わせることで有益となることも考えられる。厚さの均一性が高く、抵抗率が低い薄膜を形成する方法及び装置がここに記載されている。本発明の装置のいくつかの実施形態は、無線周波数RF方式の物理蒸着PVDに使用するためのマグネトロン設計に関する。この方法のいくつかの実施形態は、高い厚さの均一性例えば、約2より小さいと、低い抵抗率例えば約10μΩ/cmより低いを有する薄膜を形成することに関する。図1は、本発明の実施形態によるマグネトロンの構造を示している。本発明のマグネトロンは、一般的に、DC電力をターゲットに印加し、RF電力を1又は複数個の基板サポート又はPVDチャンバのターゲットに印加するようになったPVDチャンバ、例えば、以下に説明する図2に示されたPVDチャンバ200内で使用することができる。本発明のマグネトロンを使用することにより利点がもたらされる方法の非限定的な例としては、タングステンW蒸着処理その他の蒸着処理を挙げることができる。図1は、本発明の幾つかの実施形態によるマグネトロン100の底面斜視図である。このマグネトロン100は、シャントプレート102を備えており、これはマグネトロンアッセンブリの構造上の基部となる役割も果たしている。シャントプレート102は、回転軸104を含み、該シャントプレート102は、シャフトに接続された状態で該回転軸まわりに回転することができる。例えば、シャントプレート102をシャフト例えば図2に示したシャフト216に取り付ける取付板図示されていないをシャントプレート102に接続し、使用中にマグネトロン100が回転できるようにすることができる。いくつかの実施形態では、図で示したように、シャントプレート102はカージオイド形とすることができる。しかし、シャントプレート102は、他の形状とすることもできる。マグネトロン100は、少なくとも2個の磁極、例えば内側磁極106と外側磁極108とを含む。内側磁極106及び外側磁極108の各々は、閉ループ磁場を形成することができる。ここで使用されている閉ループ磁場とは、区別できる始まりと終わりがなく、ループを形成している磁極のことを言う。任意の磁極内における極性は同じ例えばS極又はN極であるが、各々の磁極106と108の間の極性は互いに反対となる例えば、内側がS極で外側がN極、あるいは内側がN極で外側がS極。各磁極は、磁極プレートとシャントプレート102との間に配置された複数個のマグネットを含むものとすることができる。例えば、内側磁極106は、磁極プレート110とシャントプレート102の間に配置された複数個の第1のマグネット112を有する磁極プレート110を含む。同様に、外側磁極108は、磁極プレート114とシャントプレート102の間に配置された複数個の第2のマグネット112を有する磁極プレート114を含む。磁極プレート110、114は、強磁性物質、例えば非限定的な例として400シリーズステンレス鋼その他適切な物質から作ることができる。磁極プレート110、114は、適切な閉ループの形のいずれかとすることができる。磁極プレート110、114の形は、磁極プレート110、114の間の距離が磁極プレート110、114のループに沿って全体として等しくなるように、相似形にすることができる。図に示したように、いくつかの実施形態では、磁極プレート114は、カージオイド形とすることができる。いくつかの実施形態では、磁極プレート114は、シャントプレート102の外周にほぼ沿うようにすることができる。複数のマグネットの各々におけるマグネットは、完全に均等に分布されている必要はない。例えば、図1に示したようにいくつかの実施形態では、複数の第2のマグネット116におけるマグネットのうちの少なくともいくつかは、対に配置することができる。図1Aに示したように、複数のマグネットは多数の列に配置することができる。例えば、複数の第1のマグネット112は、2列で配置されたものとして示されている。図1に戻ると、いくつかの実施形態では、複数の第1のマグネット112と複数の第2のマグネット116における各々のマグネットの磁力は同じにすることができる。また、複数の第1のマグネット112及び複数の第2のマグネット116における1つまたは複数のマグネットの磁力を異ならせることもできる。いくつかの実施形態では、内側磁極106で形成された磁力は、外側磁極108で形成された磁力より強くすることができる。その場合、いくつかの実施形態では、複数の第1のマグネット112におけるマグネットは、複数の第2のマグネット116におけるマグネットよりも高い密度でパックすることができる。代わりに、或いはこれと組み合わせて、いくつかの実施形態では、複数の第1のマグネット112におけるマグネットの数は、複数の第2のマグネット116におけるマグネットの数よりも多くすることができる。内側磁極106と外側磁極108の間の磁場の強度の差は、内側磁極106磁力と外側磁極108の磁力のアンバランス比によって定義することができる。例えば、複数の第1のマグネット112と複数の第2のマグネット116の各々のマグネットが均等な磁力を有する均等なマグネットである実施形態では、磁力が等しくなり、アンバランス比は、単純に、複数の第1のマグネット112におけるマグネットの数と複数の第2のマグネット116におけるマグネットの数との比まで減少する。本明細書に記載されている、本発明のマグネトロンについては、アンバランス比を約1より小さくすること、例えば、外側磁極108の磁力を内側磁極106の磁力より低くすること、及び/又は複数の第2のマグネット116におけるマグネットの数を複数の第1のマグネット112におけるマグネットの数よりも少なくすることによって、上述したように厚みの均一性が高く、抵抗率が低い層を形成できることを発明者らは見出した。例えば、いくつかの実施形態では、望ましいアンバランス比は、約0.57となる場合がある。いくつかの応用例では、異なるアンバランス比を用いることも考慮されている。図3及び4について後述するように、本発明者らは、このアンバランス比を選択し、変更することで、形成される膜の厚み形状を制御できることを発見した。図2は、本発明のいくつかの実施形態による処理チャンバ200の概略側断面図である。この処理チャンバ200は、DC電力及び任意にはRF電力を使用するように構成された適当なPVDチャンバとすることができる。以下に記載するように、いくつかの実施形態では、この処理チャンバ200は、DC電力とRF電力の両方を使用するように構成されたものとすることができる。例えば、処理チャンバ200は、基板204が配置された基板サポート202を備えている。基板サポート202内には、RF電力を処理チャンバ200へ供給するための電極206が配置されている。RF電力は、RF電力供給部208から電極208にと供給することができる。RF電力供給部208は、整合ネットワーク図示されていないにより電極206に結合することができる。代わりに、或いはこれと組み合わせて、図示されていないRF電力供給部208または他のRF電力供給部を、基板サポート202の上方、例えば、処理チャンバ200の天井に配置されたターゲット210又はターゲットの裏側近傍接に配置された電極に結合することができる。ターゲット210は、基板204上に層を形成するのに適切なものであれば、どのような金属及び/又は金属合金で構成することができる。例えば、いくつかの実施形態では、ターゲットは、タングステンWにより構成することができる。当てるために、DC電力供給212をターゲット210に結合して、バイアス電圧をターゲット210に提供し、チャンバ200内に形成されたプラズマをターゲット210に指向させるようにすることができる。このプラズマは、ガス源213からチャンバ200に供給される処理ガス、例えばアルゴンAr又は同様のものから形成される。マグネトロン100と該マグネトロン100を回転させるシャフト216とを備えたマグネトロンアッセンブリ214が、ターゲット210の上方に配置されている。このマグネトロンアッセンブリ214は、例えば、ターゲット210からの金属原子の均一なスパッタリング、及び/又は上述のように厚みの均一性が高く、抵抗率の低い金属原子の層を基板204上に均一に堆積することを助長するものとなる。コントローラ218が設けられ、処理チャンバ200の様々な部品に結合されて、これら部品の作動を制御する。コントローラ218は、中央処理装置CPU、メモリ、及びサポート回路を備えている。コントローラ218は、直接、或いは特殊な処理チャンバ、及び/又はサポートシステム部品と組み合わせたコンピューター又はコントローラを介して、処理チャンバ200を制御することができる。コントローラ218は、種々のチャンバ及びサブプロセッサを制御するための工業多岐な設定に使用することができるいずれかの形態の汎用コンピュータープロセッサであればよい。コントローラ218のメモリ又はコンピュータ可読媒体は、例えば、ランダムアクセスメモリRAM、読み取り専用メモリROM、フロッピー登録商標ディスク、ハードディスク、光学式記憶メモリ例えばコンパクトディスクやデジタルビデオディスク、フラッシュドライブ、その他ローカルまたはリモートのデジタル格納装置といった、入手が容易なメモリの1つあるいは複数のものとすることができる。プロセッサを補助するためのサポート回路が、従来の方法でCPUに接続されている。これらの回路は、キャッシュ、電力供給、クロック回路、入力/出力回路、サブシステム、その他同様のものを備えている。本明細書に記載されている本発明の方法は、ソフトウェアルーチンとしてメモリに保存され、ここに述べられている方法で実行され、すなわち起動されて、処理チャンバ200の運転を制御するようにすることができる。このソフトウェアルーチンは、CPUで制御されるハードウェアから遠隔場所に配置された第2のCPU図に示されていないに保存し、実行することもできる。作動においては、アルゴンArまたは同様の処理ガスが、ガス源213から処理チャンバ200に導入される。このガスは、少なくともガスの一部がArイオンのようなイオン種を含むものとなるように、十分な圧力で供給される。DC電力供給部212からターゲット210に印加されるDC電圧により、イオン種がターゲット210に向けられる。イオン種がターゲット210に衝突すると、ターゲット210から金属原子が放出される。金属原子、例えば中性の電荷を持つ金属原子が、基板204に向かって落下して基板表面に堆積する。同時に、ターゲット210にイオン種が衝突し、それに続いて金属原子が放出されることにより、マグネトロン100がシャフト216周りにターゲット210の上方で回転する。マグネトロン100は、チャンバ200内において、ターゲット210の表面にほぼ平行で、該表面に近接する位置に、磁場を生成して電子を捕獲し、この電子がターゲット210近傍のガス分子に衝突してイオン化し、これによって、ターゲット210の表面近傍のイオン種の局部密度及びスパッタリング率を増加させる。さらに、ターゲット210からの金属原子のスパッタリング中に、RF電力供給208によって、RF電力を基板サポート202に供給することができる。RF電力を使うと、基板204上に堆積された金属原子にイオン種の一部が向けられ、基板204上に形成される層からの、堆積された金属原子の少なくとも幾らかの再スパッタリングを促進することができるようになる。堆積された金属原子の再スパッタリングは、堆積された層の抵抗率を減少させ、総の緻密化を促進する。しかし、以下に記載するように、発明者らは、RF電力のみでは、抵抗率は適切になるが、層の断面の中心は厚く端部は薄くなるということを発見した。従って、本発明のマグネトロン100は、以上に記載されたような望ましいアンバランス比を持つものとして、これを単独で、又はRF電力と組み合わせて利用することで、望ましい堆積断面形状、例えば厚みの均一性が高く、抵抗率が低い堆積断面形状を提供する。図3は本発明の幾つかの実施形態に基づき、DC電力のみを使用したマグネトロンにおける外側磁極と内側磁極のアンバランス比の関数として、ウエハー表面に沿った層の厚みを示す図である。例えばアンバランス比が、約2.7といったように1よりも実質的に大きい場合には、プロット302が示すように、層断面の中心は厚く端部は薄くなる。アンバランス比が約1よりも大きいマグネトロンを使用すると、基板上でのイオン衝突を制御でき、及び/又は堆積収縮限定により、金属イオン化を増大させることができる。例えば、約1より小さいアンバランス比を使用して、堆積形状を変調することができる。例えば、図3に示したように、1より小さいアンバランス比による堆積断面形状は、プロット304例えばアンバランス比約0.97のものとプロット306例えばアンバランス比約0.57のものに示すように、中心は薄く端部は厚い形状となる。いくつかの実施形態では、アンバランス比が低いほど、中心の堆積が少なくなり、端部の堆積が大きくなるプロット304と306に示すように。しかし、RF電力を加えるとRF電力のみでは、上述したように、中心は厚く端部は薄くなる、次の図4に示したような望ましい堆積断面形状が達成される。図4は、本発明のいくつかの実施形態による、DC電力とRF電力の両方を使用したマグネトロンの外側磁極と内側磁極のアンバランス比の関数として、ウエハー表面に沿った堆積層の厚みを示した図である。これまでに述べたように、例えばRF電力とDC電力を組み合わせで、1より小さいアンバランス比を使用すると、厚みの均一性が高く、抵抗率が低い層を堆積させることができる。RF電力は、ウエハーの中心においてESCを通して結合されたため、RF電力が寄与したフィルムの堆積は、中心が厚く端部は薄いものとなる。本発明のマグネトロン100においてアンバランス比を低くすると、DC電力によるPVD蒸着では、磁場の境界及びウエハーの端部へのプラズマの拡散が弱くなるため、ウエハーの中心が厚く端部は薄い蒸着断面形状となる。RF電力とDC電力を組み合わせることで、基板全面に渡って厚みが均一な断面を達成することができる。DC電力とRF電力を使用して薄い膜を形成する場合において、例えば図4に示したように、アンバランス比が大きい例えば約1から約2.72にわたると、プロット406で示したように中心は厚く端部は薄い層にとなる。しかし、アンバランス比が低い実施形態の場合、例えば約0.57例えばプロット402から約0.93例えばプロット404に及ぶ範囲では、図4に示したように、より均一な断面形状の層が堆積される。さらに、これまでに述べたように、RF電力は堆積された層の抵抗率を改善することができるが、残念ながら、単独で供給すると中心が厚く端部は薄い蒸着断面となる。このため、本発明のマグネトロン100を使用してRF電力とDC電力を組み合わせることで、厚みの均一性が高く、抵抗率の低い層の堆積を達成することができる。図5に示したように、このマグネトロン100を使用すると、堆積層の抵抗率は従来のPVD処理を使用した蒸着膜の抵抗率よりも大幅に低くなる。図5に示したように、マグネトロン100のアンバランス比を変えても、プロット504が示すように、堆積層の抵抗率への実質的な影響はほとんどない。しかし、図5に示したように、アンバランス比が減少すると、プロット502が示すように堆積層の厚みの均一性は大幅に高くなる。例えば、いくつかの実施形態では、ここに記載された本発明の方法と装置を使用すると、500オングストロームのタングステンWの膜の抵抗率は約9.4μΩ/cmで、厚みの均一性は約1.5である。この結果は、従来のDC電力でのマグネトロンを使用したタングステンWの堆積より、大幅に改善されたことを表している。従来の方法では、抵抗率が約11μΩ/cmで、厚みの均一性は約2.5である。以上のように、本明細書には、厚みの均一性が高く、抵抗率の低い薄いフィルム形成のための方法及び装置について記載されている。本発明の装置のいくつかの実施形態は、無線周波数RF物理蒸着PVD処理で使用されるために設計されたマグネトロンに関する。本方法のいくつかの実施形態は、厚みの均一性が高く約2未満、抵抗率の低い約10μΩ/cm未満の薄いフィルムを形成するための、RF電力とDC電力の使用に関する。以上の記載は、本発明の実施形態を対象としているが、その他の及びそれ以上の本発明の実施形態については、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく考案できるものである。