発光装置であって、キャリアと、前記キャリアの上に形成され、且つ、前記キャリアに面する第一表面と、前記第一表面に相対する第二表面と、前記第一表面と前記第二表面との間に介在する能動層とを有する発光構造と、前記第一表面から延伸して前記能動層を通過し、複数の発光素子を区分する複数の第一トレンチと、前記第二表面から延伸して前記複数の発光素子の前記能動層を通過する複数の第二トレンチと、を含む、発光装置。前記複数の発光素子と前記キャリアとの間に形成される接合層をさらに含む、請求項1に記載の発光装置。前記接合層は、前記キャリアに接続されるベース部と、前記複数の第一トレンチにそれぞれ対応する複数の突出部とを含む、請求項2に記載の発光装置。前記接合層と前記複数の発光素子との間に位置する絶縁層をさらに含む、請求項2に記載の発光装置。前記絶縁層と前記接合層との間に位置し、前記複数の発光素子に電気接続される導電構造をさらに含む、請求項4に記載の発光装置。前記複数の発光素子のうち何れか一つは、第一半導体層と、第二半導体層とを含み、前記導電構造は、前記複数の発光素子のうち、一つの第一半導体層と、もう一つの第二半導体層との間に接続される、請求項5に記載の発光装置。前記発光素子の前記第一表面に形成され、また前記導電構造に接触する接点をさらに含む、請求項6に記載の発光装置。前記複数の第二トレンチのうち何れか一つは、側壁に形成される絶縁層を含む、請求項1に記載の発光装置。前記第二トレンチに充填され、且つ前記第二トレンチの底部に接触する少なくとも一つの導電構造をさらに含む、請求項8に記載の発光装置。前記発光素子は、前記キャリアと前記能動層との間に介在する第一半導体層と、前記能動層の、前記第一半導体層に相対する他方側に位置する第二半導体層とを含み、前記第一トレンチは、前記第一半導体層から前記第二半導体層まで延伸し、且つ前記第二半導体層を露出させ、前記第二トレンチは、前記第二半導体層を通過し、且つ前記第一半導体層を露出させる、請求項1に記載の発光装置。発光装置の製造方法であって、基板を提供するステップと、前記基板に発光構造を形成するステップであって、前記発光構造は、第一表面と、前記基板に近接する第二表面とを含むステップと、前記発光構造の前記第一表面から延伸する複数の第一トレンチを形成し、複数の発光素子を区分するステップと、前記基板を除去して前記第二表面を露出させるステップと、前記第二表面から複数の第二トレンチを形成するステップと、を含む、製造方法。前記基板を除去する前に、前記複数の発光素子の前記第一表面にキャリアを付着するステップをさらに含む、請求項11に記載の製造方法。前記第一トレンチの側壁に誘電層を形成し、また、前記誘電層に前記複数の発光素子と接続される複数の導線を共形的に形成するステップをさらに含む、請求項12に記載の製造方法。前記複数の発光素子と前記キャリアとの間に接合層を形成するステップをさらに含む、請求項12に記載の製造方法。前記複数の第二トレンチを形成した後に、絶縁層を前記複数の第二トレンチに充填するステップをさらに含む、請求項11に記載の製造方法。前記第二トレンチ中に導電構造を形成するステップをさらに含み、前記導電構造は、前記絶縁層を以って前記発光素子と絶縁され、また、前記第二トレンチの底部に接触する、請求項11に記載の製造方法。前記発光構造は、前記基板に形成される第一半導体層と、前記第一半導体層に形成される能動層と、前記能動層に形成される第二半導体層と、を含み、一部の前記第二半導体層及び前記能動層を除去し、前記第一半導体層を露出させることにより、前記第一トレンチを形成し、一部の前記第一半導体層及び前記能動層を除去し、前記第二半導体層を露出させることにより、前記第二トレンチを形成する、請求項16に記載の製造方法。前記発光構造は、前記基板に形成される第一半導体層と、前記第一半導体層に形成される能動層と、前記能動層に形成される第二半導体層と、を含み、一部の前記第二半導体層及び前記能動層を除去し、前記第一半導体層を露出させることにより、前記第一トレンチを形成し、一部の前記第一半導体層を除去し、前記第一トレンチの底部の一部を露出させることにより、前記第二トレンチを形成する、請求項16に記載の製造方法。発光装置であって、キャリアと、前記キャリアの上に形成され、且つ、前記キャリアに面する第一表面と、前記第一表面に相対する第二表面と、前記第一表面と前記第二表面との間に介在する能動層とを有する発光構造と、前記第一表面から延伸して前記能動層を通過する複数の第一トレンチと、前記発光構造の前記第二表面から延伸する複数の第二トレンチと、を含み、前記第二トレンチは、前記第一トレンチの底部の一部を露出させる、発光装置。本発明の目的は、発光装置及びその製造方法を提供することにある。一実施例による発光装置は、キャリアと、キャリアの上に形成され、且つ第一表面と、第二表面と、第一表面と第二表面との間に介在する能動層とを有する発光構造であって、第一表面はキャリアに面し、第二表面は第一表面に相対する発光構造と、第一表面から延伸して能動層を通過し、複数の発光素子を定義区分する複数の第一トレンチと、第二表面から延伸して各発光素子の能動層を通過する複数の第二トレンチとを含む。一実施例による発光装置の製造方法は、基板を提供するステップと、基板に発光構造を形成するステップであって、発光構造は、第一表面と、基板に位置する第二表面とを含むステップと、発光構造の第一表面から延伸する複数の第一トレンチを形成することにより、複数の発光素子を定義区分するステップと、基板を除去して第二表面を露出させるステップと、第二表面から延伸する複数の第二トレンチを形成するステップとを含む。一実施例による発光装置が、キャリアと、キャリアに形成され、且つ第一表面と、第二表面と、第一表面と第二表面との間に介在する能動層とを含む発光構造であって、第一表面はキャリアに面し、第二表面は第一表面に相対する発光構造と、第一表面から延伸して能動層を通過する複数の第一トレンチと、発光構造の第二表面から延伸する複数の第二トレンチとを含む、第二トレンチは第一トレンチの低部の一部を露出させる。本発明の実施例によると、発光装置及びその製造方法を提供することができる。次に、添付した図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。図2A~図2Hは、本発明の一実施例によるLED構造の形成方法を示す図である。図2Aを参照する。基板201を提供し、この基板201の材料は、透明材料、例えば、サファイア、ダイヤモンド、ガラス、エポキシ、石英、又はアクリルであっても良く、或いは、電気絶縁材料、例えば、サファイア、ダイヤモンド、ガラス、エポキシ、石英、アクリル、ZnO、又はAlNであっても良い。また、この基板201の材料は、高反射材料、例えば、Cu、Al、Mo、Cu-Sn、Cu-Zn、Cu-Cd、Ni-Sn、Ni-Co、又はAu合金であっても良く、或いは、高放熱材料、例えば、DLC、グラファイト石墨、カーボンファイバー、複合材料、MMC金属基複合材料、CMCセラミックス基複合材料、PMC高分子複合材料、Si、ZnSe、GaAs、SiC、GaP、GaAsP、InP、LiGaO2、又はLiAlO2であっても良い。次に、第一極性を有するエピタキシャル層の第一半導体層202と、能動層204と、第二極性を有するエピタキシャル層の第二半導体層206とが基板に形成される。第一半導体202と、能動層204と、第二半導体層206とは基板201の上に発光構造208を形成し、この発光構造208は、露出した第一表面208aと、第二表面208bとを有する。第一半導体層202及び第二半導体層206の材料は、インジウム元素を含む窒化物半導体、アルミニウム元素を含む窒化物半導体、又はガリウム元素を含む窒化物半導体を含む。能動層204の材料は、窒化ガリウムをベースとした材料、例えば、窒化インジウムガリウム、リン化インジウムガリウムアルミニウム、窒化アルミニウムガリウム、砒化アルミニウムガリウム、又は砒化インジウムガリウムを含む。図2Bを参照する。パターン化プロセスを局所的に実施することにより、第一半導体層202の表面を露出させ、又は、第一半導体層202の一部を除去させるまでに、第二半導体層206及び能動層204の一部をエッチングにより除去する。これにより、第二半導体層206の表面から第一半導体層202までの複数の第一トレンチ210を形成し、複数の発光素子212を定義区分する。このパターン化プロセスは、フォトリソグラフィー、エッチング、及び/又は、ICPを含む。続いて、図2Cに示すように、絶縁層214を堆積することにより、第二半導体層206の表面及び第一トレンチ210の表面を部分的に覆い、そのうち、露出した部分は、第一半導体層202の一部を露出させた表面202a、及び、第二半導体層206の一部を露出させた表面206aである。露出した部分は、第一半導体層202に対応する第一接続部表面202a、及び、第二半導体層206に対応する第二接続部表面206aを含み、この二つの接続部は、後続のステップで、電気接続のために用いられる。また、絶縁層214は、誘電材料、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸化アルミニウム、又はこれらの材料の組合せによる化合物からなる。図2Dを参照する。露出した二つの接続部に導電構造216を形成し、発光素子212の第一半導体層202と、もう一つの発光素子212の第二半導体層206とを電気接続させる。なお、半導体層は、後続のステップで、複数の発光ダイオードに仕切られ、且つこれらの仕切られた発光ダイオードは、所定の接続部を以って電気接続される。また、導電構造216を形成する前に、第二半導体206上に接点217を形成し且つ導電構造216と接続させ、これにより、導電構造216と第二半導体層206との間の導電性を向上させることができる。図2Eを参照する。接合層223により発光構造208をキャリア218に結合させる。断面図から分かるように、接合層223は、キャリア218に付着するベース部223a、及び、各第一トレンチ210に対応する複数の突出部223bを含む。一実施例では、接合層223は、有機絶縁材料、例えば、PIポリイミド、BCBベンゾシクロブテン、PFCBパーフルオロシクロブタン、Su8、エポキシ、アクリル樹脂、COC環状オレフィンコポリマー、PMMAポリメタクリル酸メチル樹脂、PETポリエチレンテレフタレート、PCポリカーボネート、ポリエーテルイミド、又はフルオロカーボンポリマーであっても良い。他の一実施例では、接合層223は、無機絶縁材料、例えば、シリコーン、ガラス、MgO、Al2O3、SiO2、TiO2、SiNX、又はSOGSpinonGlass:塗布ガラスであっても良い。また、接合層223は、導電材料、例えば、ITO、InO、SnO、CTO、ATO、AZO、ZTO、ZnO、AlGaAs、GaN、GaP、GaAs、GaAsP、IZO、Ta2O5、DLC、Cu、Al、In、Sn、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Ni、Pb、Pd、Ge、Ni、Cr、Cd、Co、Mn、Sb、Bi、Ga、Tl、Po、Ir、Re、Rh、Os、W、Li、Na、K、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zr、Mo、La、Ag-Ti、Cu-Sn、Cu-Zn、Cu-Cd、Sn-Pb-Sb、Sn-Pb-Zn、Ni-Sn、Ni-Co、又はAu合金等であっても良い。キャリア218の材料は、透明材料、例えば、サファイア、ダイヤモンド、ガラス、エポキシ、石英、又はアクリルであっても良く、或いは、電気絶縁材料、例えば、サファイア、ダイヤモンド、ガラス、エポキシ、石英、アクリル、ZnO、又はAlNであっても良い。キャリア218の材料は、高反射率を有する材料、例えば、Cu、Al、Mo、Cu-Sn、Cu-Zn、Cu-Cd、Ni-Sn、Ni-Co、又はAu合金であっても良く、或いは、高放熱性を有する材料、例えば、複合材料、MMC、CMC、PMC、カーボンファイバー、DLC、石墨、Si、ZnSe、GaAs、SiC、GaP、GaAsP、InP、LiGaO2、又はLiAlO2であっても良い。続いて、図2Fに示すように、発光構造208の基板201は、研磨、レーザー剥離laserliftoff、及び/又は、エッチングなどの方法で除去される。図2Gに示すように、第二パターン化プロセスを実施して複数の第二トレンチ220を形成し、発光構造208を複数の発光素子212に区分する。具体的にいえば、第一半導体層202及び能動層204を局所的に除去することにより、第二半導体層206の表面を露出させ、又は、第二半導体層206の一部を除去する。同様に、この第二パターン化プロセスは、フォトリソグラフィー、エッチング、及び/又は、ICPを含む。なお、一つの第二トレンチ220は、後続のステップで、接合パッドを形成するために用いられる。最後に、図2Hに示すように、上述のステップと類似に、第二トレンチ220の内側壁に絶縁層222を堆積する。続いて、一つの第二トレンチ220中に導電構造224を形成し、また、該導電構造224に接続する接合パッド226を形成し、これにより、発光構造208中の発光素子212の第二半導体層206を、もう一つの発光構造の第一半導体層又は第二半導体層に電気接続させるころができる。接合パッド226は、導電構造224の延伸部であっても良く、また、同じ材質を有しても良い。他の一実施例では、接合パッド226の材質は、導電構造224の材質と異なっても良い。また、もう一つの発光構造への接続が不要の場合は、第二トレンチ220に絶縁層222が充填されても良い。さらに、導電構造224を形成するときに、第二半導体層206に電気接続される第一接合パッド226と、第一半導体層202に形成される第二接合パッド227とが、同じ又は異なるステップで形成されても良い。図3を参照する。発光装置200は、第一トレンチ210、第二トレンチ220、及び第三トレンチ230を以って区分される複数の発光素子212を含む。上述の発光構造を区分するプロセスでは、第一トレンチ210及び第二トレンチ220により第一方向d1に沿って発光構造が区分され、第二トレンチ230により第一方向d1に垂直である第二方向d2に沿って発光構造が区分される。第一トレンチ210及び第二トレンチ220とは違い、第三トレンチ230は、発光構造を完全に区分し、且つ、発光装置200は、それぞれ、発光素子212が第二方向d2に沿って接続して形成される複数の接続部を有する。なお、他の一実施例では、第三トレンチ230がトレンチ構造により置換されても良く、このトレンチ構造は、第一トレンチ及び第二トレンチに類似する。上述の説明によれば、第一接合パッド226及び第二接合パッド227は半導体層の異なる極性にそれぞれ接続されるので、第二接合パッド227及び一つの第一接合パッド226は共に電源図示せずに接続されても良い。図4Aを参照する。発光装置300は、キャリア318と、キャリア318に形成され、且つ第一半導体層302、第二半導体層306、及び第一半導体層302と第二半導体層306との間に介在する能動層304を含む発光構造308と、一部の第二半導体層306及び能動層304を除去して第一半導体層302を露出させた後に形成される複数の第一トレンチ310と、一部の第一半導体層302を除去して第一トレンチ310の低部の一部を露出させた後に形成させる複数の第二トレンチ320と、発光構造308の一方側から第一半導体層302及び能動層304を通過する孔330と、を含む。孔330は、孔330の内側壁に形成させる絶縁層322と、孔330を充填し且つ孔330の底部と接触する導電構造324とを含み、そのうち、導電構造324は、絶縁層322を以って孔330の側壁と電気絶縁される。発光装置300は、導電構造324に電気接続される第一接合パッド326と、一つの発光素子312の第一半導体層302に位置する第二接合パッド327とを含んでも良い。第一接合バッド326と第二接合パッド327とは同時に形成されてもよい。第一接合パッド326は、導電構造324の延伸部であっても良く、また、同じ材質を有しても良い。他の一実施例では、第一接合パッド326の材質は、導電構造324の材質とは異なってもよい。図4Bを参照する。発光構造308は、第一トレンチ310及び第二トレンチ320により第一方向d1に沿って、及び、第一トレンチ310′及び第二トレンチ320′により第二方向d2に沿って、複数の発光素子312に区分される。発光素子312は、第一接合パッド326を有し、交流AC電源が印加される時に、整流回路例えばホイートストンブリッジ回路として用いられ得る。第一接合パッド326を有する発光素子312は、ホイートストンブリッジ回路の共有部分にともに接続される2組の整流回路をなすことができる以上、本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明はこの実施形態に限定されず、本発明の趣旨を離脱しない限り、本発明に対するあらゆる変更は本発明の範囲に属する。