"0001面に対して<11-20>方向または<1-100>方向のいずれかであるオフ角方向におけるオフ角が0.1°以上10°以下であり、単結晶炭化珪素からなるベース基板を準備する工程と、前記ベース基板の表面上に炭化珪素層を成長させる工程とを備え、前記炭化珪素層を成長させる工程では、前記オフ角方向において前記ベース基板の<0001>方向軸が前記ベース基板の前記表面に対して交差する交差角度を考えたときに当該交差角度が鋭角となる側である上流側の端部において、成長した前記炭化珪素層の表面に0001ファセット面を有する領域を形成する、炭化珪素インゴットの製造方法。前記炭化珪素層を成長させる工程後の前記炭化珪素層において、前記0001ファセット面を有する領域下に位置する部分は、前記炭化珪素層において前記0001ファセット面を有する領域下に位置する前記部分以外の部分より窒素濃度が高くなっている高濃度窒素領域である、請求項1に記載の炭化珪素インゴットの製造方法。前記高濃度窒素領域の前記オフ角方向における幅は、前記ベース基板の前記オフ角方向における幅の1/10以下である、請求項2に記載の炭化珪素インゴットの製造方法。前記高濃度窒素領域を除去する工程をさらに備える、請求項2または3に記載の炭化珪素インゴットの製造方法。前記高濃度窒素領域における単位厚さ当たりの、波長が450nm以上500nm以下である光の透過率は、前記炭化珪素層における前記高濃度窒素領域以外の部分における単位厚さ当りの、前記光の透過率より低い、請求項2~4のいずれか1項に記載の炭化珪素インゴットの製造方法。前記0001ファセット面を有する領域下に位置する部分のマイクロパイプ密度は、前記炭化珪素層において前記0001ファセット面を有する領域下に位置する前記部分以外の部分におけるマイクロパイプ密度より高い、請求項1~5のいずれか1項に記載の炭化珪素インゴットの製造方法。前記炭化珪素層を成長させる工程の後での前記炭化珪素層の表面における最大曲率半径は、前記ベース基板の平面形状に関する外接円の半径の3倍以上である、請求項1~6のいずれか1項に記載の炭化珪素インゴットの製造方法。請求項1に記載の炭化珪素インゴットの製造方法を用いて、炭化珪素インゴットを準備する工程を備え、前記炭化珪素インゴットを準備する工程では、前記炭化珪素層を成長させる工程後の前記炭化珪素層において、前記0001ファセット面を有する領域下に位置する部分が、前記炭化珪素層において前記0001ファセット面を有する領域下に位置する前記部分以外の部分より窒素濃度が高くなっている高濃度窒素領域となっており、さらに、前記炭化珪素インゴットから前記高濃度窒素領域を除去する工程と、前記高濃度窒素領域を除去する工程を実施した後、前記炭化珪素インゴットをスライスする工程とを備える、炭化珪素基板の製造方法。0001面に対して<11-20>方向または<1-100>方向のいずれかであるオフ角方向におけるオフ角が0.1°以上10°以下であり、単結晶炭化珪素からなるベース基板と、前記ベース基板の表面上に形成された炭化珪素層とを備え、前記オフ角方向において前記ベース基板の<0001>方向軸が前記ベース基板の前記表面に対して交差する交差角度を考えたときに当該交差角度が鋭角となる側である上流側の端部において、成長した前記炭化珪素層の表面に0001ファセット面を有する領域が形成されている、炭化珪素インゴット。前記炭化珪素層において、前記0001ファセット面を有する領域下に位置する部分は、前記炭化珪素層において前記0001ファセット面を有する領域下に位置する前記部分以外の部分より窒素濃度が高くなっている高濃度窒素領域である、請求項9に記載の炭化珪素インゴット。前記高濃度窒素領域の前記オフ角方向における幅は、前記ベース基板の前記オフ角方向における幅の1/10以下である、請求項10に記載の炭化珪素インゴット。前記高濃度窒素領域における単位厚さ当たりの、波長が450nm以上500nm以下である光の透過率は、前記炭化珪素層における前記高濃度窒素領域以外の部分における単位厚さ当りの、前記光の透過率より低い、請求項10または11に記載の炭化珪素インゴット。前記0001ファセット面を有する領域下に位置する部分のマイクロパイプ密度は、前記炭化珪素層において前記0001ファセット面を有する領域下に位置する前記部分以外の部分におけるマイクロパイプ密度より高い、請求項9~12のいずれか1項に記載の炭化珪素インゴット。前記炭化珪素層の表面における最大曲率半径は、前記ベース基板の平面形状に関する外接円の半径の3倍以上である、請求項9~13のいずれか1項に記載の炭化珪素インゴット。請求項9に記載の炭化珪素インゴットをスライスした炭化珪素基板。請求項10に記載の炭化珪素インゴットから、前記高濃度窒素領域を除去した後、前記炭化珪素インゴットをスライスした炭化珪素基板。窒素濃度の平均値に対するばらつきが10以下である、請求項16に記載の炭化珪素基板。転位密度の平均値に対するばらつきが80以下である、請求項16に記載の炭化珪素基板。<11-20>方向または<1-100>方向のいずれかの方向における一方の端部に、窒素濃度が他の部分より相対的に高くなっている高濃度窒素領域が形成されている、炭化珪素基板。ここで、上述した炭化珪素単結晶の表面における0001ファセット面には、結晶成長時に当該表面の他の部分より窒素Nが相対的に取り込まれやすくなっている。そのため、上述した炭化珪素単結晶の成長時に、0001ファセット面が形成された表面下の部分には、窒素濃度が他の領域より高くなっている高濃度窒素領域が形成される。炭化珪素中の窒素濃度は、炭化珪素単結晶の導電性や光の透過性といった特性に影響を及ぼすため、インゴットおよび当該インゴットから形成される基板において極力均一であることが望まれる。しかし、従来の方法で形成された炭化珪素インゴットでは、当該窒素濃度の均一なインゴットおよび基板を得るために0001ファセット面の配置やサイズを調整することは特になされていなかった。そのため、得られた炭化珪素インゴットでは、0001ファセット面がインゴットの端部寄りの位置に配置される場合はあったものの、ある程度の大きさの高濃度窒素領域がインゴットの内部に形成される。このため、当該インゴットから切り出した基板において窒素濃度の均一な領域つまり高濃度窒素領域以外の領域の内部に高濃度窒素領域が配置される。つまり、従来は炭化珪素基板において基板中央部を含むまとまった領域として窒素濃度の均一な領域を形成することは難しかった。この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、特性の均一性に優れた炭化珪素基板、炭化珪素インゴットおよびそれらの製造方法を提供することである。発明者は、炭化珪素の結晶成長について鋭意研究を進めた結果、本発明を完成した。すなわち、発明者は、ベース基板種基板として、0001面に対して所定の方向オフ角方向でのオフ角が0.1°以上10°以下、より好ましくは1°以上10°以下である炭化珪素基板を用い、当該ベース基板の表面上に炭化珪素単結晶を成長させるときに、ベース基板のオフ角方向およびオフ角、さらに結晶成長工程のプロセス条件を調整することによって、成長する炭化珪素単結晶の成長面に形成される0001ファセット面を当該成長面の端部に形成し、さらに0001ファセット面をベース基板の平面サイズと比較して十分小さく形成できることを見出した。このようにすれば、形成された炭化珪素単結晶では、0001ファセット面下に位置する部分高濃度窒素領域の割合を小さくでき、結果的に窒素濃度の相対的に低い領域を大きくまとめて形成することができる。このような知見に基づき、本発明に従った炭化珪素インゴットの製造方法は、0001面に対して<11-20>方向または<1-100>方向のいずれかであるオフ角方向におけるオフ角が0.1°以上10°以下、より好ましくは1°以上10°以下であり、単結晶炭化珪素からなるベース基板を準備する工程と、ベース基板の表面上に炭化珪素層を成長させる工程とを備える。炭化珪素層を成長させる工程では、オフ角方向においてベース基板の<0001>方向軸がベース基板の表面に対して交差する交差角度を考えたときに当該交差角度が鋭角となる側である上流側の端部において、成長した炭化珪素層の表面に0001ファセット面を有する領域を形成する。このようにすれば、窒素が取り込まれ易い0001ファセット面をインゴットの端部に形成することで、相対的に窒素濃度の高い領域0001ファセット面下に位置する高濃度窒素領域を炭化珪素インゴットの端部に配置することができる。そのため、相対的に窒素濃度の低い領域高濃度窒素領域以外の領域を、炭化珪素インゴットの中心部を含むまとまった領域として形成できる。このため、当該インゴットから炭化珪素基板を切り出すときに、相対的に窒素濃度の低い領域が基板中央部を含む広い領域に形成された炭化珪素基板を容易に得ることができる。このように基板中央部を含む広い領域に、相対的に窒素濃度の低い領域窒素の取り込みなどがあまりなく窒素濃度の安定した領域を形成できるので、基板表面に半導体素子を形成する場合に、効率的に半導体素子を形成することができる。ここで、ある程度の大きさの高濃度窒素領域がたとえば中央部に形成された炭化珪素インゴットから炭化珪素基板を切り出した場合には、当該炭化珪素基板の表面では高濃度窒素領域の周囲を窒素濃度の低い領域低濃度窒素領域が囲んだような状態になる。そのため、炭化珪素基板の表面にデバイスを形成する場合、相対的に窒素濃度の低い領域にデバイスを形成しようとすると、当該高濃度窒素領域を避けてデバイスを形成することになるのでつまり高濃度窒素領域および当該高濃度窒素領域と窒素濃度の低い領域との境界領域を避けてデバイスを形成することになるので基板の利用効率が低下するといった問題があった。しかし、本発明によれば、炭化珪素基板の端部に高濃度窒素領域が配置されるので、炭化珪素基板の表面の中央部に低濃度窒素領域が形成される。そして、当該低濃度窒素領域にデバイスを集中して形成できるので、基板の有効利用を図ることができる。この発明に従った炭化珪素インゴットは、上記炭化珪素インゴットの製造方法を用いて製造されている。この場合、相対的に窒素濃度の低い領域高濃度窒素領域以外の領域を、炭化珪素インゴットの中心部を含むまとまった領域として形成できる。そのため、当該炭化珪素インゴットから炭化珪素基板を切り出すことにより、相対的に窒素濃度の低い領域が基板中央部を含む広い領域に形成された炭化珪素基板を容易に得ることができる。この発明に従った炭化珪素基板の製造方法は、上記炭化珪素インゴットの製造方法を用いて、炭化珪素インゴットを準備する工程と、当該炭化珪素インゴットをスライスする工程とを備える。この場合、炭化珪素インゴットでは、相対的に窒素濃度の低い領域高濃度窒素領域以外の領域が、当該炭化珪素インゴットの中心部を含むまとまった領域として形成できる。そのため、上記スライスする工程において、当該炭化珪素インゴットから炭化珪素基板を切り出すことにより、相対的に窒素濃度の低い領域が基板中央部を含む広い領域に形成された炭化珪素基板を容易に得ることができる。この発明に従った炭化珪素基板は、上記炭化珪素基板の製造方法を用いて製造されている。このようにすれば、相対的に窒素濃度の低い領域が基板中央部を含む広い領域に形成された炭化珪素基板を容易に実現できる。この発明に従った炭化珪素インゴットの製造方法は、0001面に対して<11-20>方向または<1-100>方向のいずれかであるオフ角方向におけるオフ角が0.1°以上10°以下、より好ましくは1°以上10°以下であり、単結晶炭化珪素からなるベース基板を準備する工程と、ベース基板の表面上に炭化珪素層を成長させる工程とを備え、炭化珪素層を成長させる工程では、オフ角方向においてベース基板の<0001>方向軸がベース基板の表面に対して交差する交差角度を考えたときに当該交差角度が鋭角となる側である上流側の端部において、成長した炭化珪素層の表面に0001ファセット面を有する領域を形成する。炭化珪素層を成長させる工程後の炭化珪素層において、0001ファセット面を有する領域下に位置する部分は、炭化珪素層において0001ファセット面を有する領域下に位置する前記部分以外の部分より波長が450nm以上500nm以下である光の単位厚さ当たりの透過率が低くなっている。このようにすれば、窒素が取り込まれ易い0001ファセット面をインゴットの端部に形成することで、炭化珪素層の成長時に当該ファセット面から取り込まれた窒素に起因して光の透過率が低下した領域がインゴットの端部0001ファセット面の下の部分に配置されるので、炭化珪素インゴットの中心部を含む他の部分については光の透過率が相対的に高い領域とすることができる。このため、当該インゴットから炭化珪素基板を切り出すときに、相対的に光の透過率が高くなった領域が基板中央部を含む広い領域に形成された炭化珪素基板を容易に得ることができる。このように基板中央部を含む広い領域に、相対的に光の透過率の高い領域窒素の取り込みなどがあまりなく窒素濃度および透過率の安定した領域を形成できるので、基板表面に半導体素子を形成する場合に、効率的に半導体素子を形成することができる。この発明に従った炭化珪素インゴットは、0001面に対して<11-20>方向または<1-100>方向のいずれかであるオフ角方向におけるオフ角が0.1°以上10°以下であり、単結晶炭化珪素からなるベース基板と、当該ベース基板の表面上に形成された炭化珪素層とを備える。オフ角方向においてベース基板の<0001>方向軸がベース基板の表面に対して交差する交差角度を考えたときに交差角度が鋭角となる側である上流側の端部において、成長した炭化珪素層の表面に0001ファセット面を有する領域が形成されている。上記炭化珪素インゴットでは、炭化珪素層において、0001ファセット面を有する領域下に位置する部分は、炭化珪素層において0001ファセット面を有する領域下に位置する上記部分以外の部分より窒素濃度が高くなっている高濃度窒素領域であってもよい。このようにすれば、窒素が取り込まれ易い0001ファセット面をインゴットの端部に形成することで、相対的に窒素濃度の高い領域0001ファセット面下に位置する高濃度窒素領域を炭化珪素インゴットの端部に配置することができる。そのため、相対的に窒素濃度の低い領域高濃度窒素領域以外の領域を、炭化珪素インゴットの中心部を含むまとまった領域として形成できる。このため、当該インゴットから炭化珪素基板を切り出すときに、相対的に窒素濃度の低い領域が基板中央部を含む広い領域に形成された炭化珪素基板を容易に得ることができる。このように基板中央部を含む広い領域に、相対的に窒素濃度の低い領域窒素の取り込みなどがあまりなく窒素濃度の安定した領域を形成できるので、基板表面に半導体素子を形成する場合に、効率的に半導体素子を形成することができる。この発明に従った炭化珪素基板は、上記炭化珪素インゴットをスライスして得られたものである。このようにすれば、相対的に窒素濃度の低い領域または光の透過率が高い領域が基板中央部を含む広い領域に形成された炭化珪素基板を容易に得ることができる。また、この発明に従った炭化珪素基板は、上記炭化珪素インゴットから、高濃度窒素領域を除去した後、当該炭化珪素インゴットをスライスして得られたものである。このようにすれば、高濃度窒素領域光の透過率が低い領域があらかじめ除去されることにより、高濃度窒素領域より窒素濃度の低い領域光の透過率が高濃度窒素領域より高い領域のみとなった炭化珪素インゴットを用いて炭化珪素基板が形成される。このため、窒素濃度や光の透過率の変動が低減された炭化珪素基板を得ることができる。この発明に従った炭化珪素基板は、<11-20>方向または<1-100>方向のいずれかの方向における一方の端部に、窒素濃度が他の部分より相対的に高くなっている高濃度窒素領域が形成されている。また、高濃度窒素領域は、<11-20>方向または<1-100>方向のいずれかの方向オフ角方向において炭化珪素基板の<0001>方向軸が当該炭化珪素基板の表面に対して交差する交差角度を考えたときに当該交差角度が鋭角となる側である上流側の端部に形成されていてもよい。このようにすれば、炭化珪素基板を形成するための炭化珪素インゴットを成長させるときに、0001ファセット面の配置を制御することで高濃度窒素領域を容易に炭化珪素基板の端部に配置させることができる。本発明によれば、窒素濃度などの特性についての均一性に優れた炭化珪素インゴットおよび炭化珪素基板を得ることができる。以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。図1~図8を参照して、本発明による炭化珪素インゴットおよび炭化珪素基板の製造方法を説明する。図1に示すように、本発明による炭化珪素インゴット以下、インゴットとも呼ぶの製造方法では、まず準備工程S10を実施する。具体的には、インゴットを形成するための結晶成長装置の処理容器内において、図3に示すような支持部材2を配置し、当該支持部材2上にインゴットを形成するための種基板であるベース基板1を搭載する。ベース基板1の平面形状は円形状である。ここで、ベース基板1の主表面は、0001面に対するオフ角が0.1°以上10°以下、より好ましくは0.5°以上8°以下に設定された炭化珪素SiC基板である。なお、本明細書中においては、個別の面方位をhkilで表わし、hkilおよびそれに結晶幾何学的に等価な面方位を含む総称的な面方位を{hkil}で表わす。また、個別の方向を[hkil]で表わし、[hkil]およびそれに結晶幾何学的に等価な方向を含む方向を<hkil>で表わす。また、負の指数については、結晶幾何学上は-バーを指数を表す数字の上に付けて表わすのが一般的であるが、本明細書中では指数を表す数字の前に負の符号-を付けて表わす。次に、成膜工程S20を実施する。具体的には、結晶成長装置の処理容器内部の圧力および雰囲気を所定の条件に設定した後、ベース基板1を加熱しながらベース基板1の表面4上に昇華再析出法などを用いて炭化珪素単結晶を成長させる。このようにして、図3~図5に示すような炭化珪素のインゴット10を形成する。また、この成膜工程S20においては、インゴット10の表面に0001ファセット面5以下、ファセット面5とも呼ぶが形成されている。当該ファセット面5が、図4に示すようにインゴット10の上部表面から見た場合の一方の外周端部に配置されるように、成膜工程S20のプロセス条件は設定されている。なお、当該プロセス条件については後述する。また、ファセット面5の下に連なる領域は、当該ファセット面5からの窒素の取り込み量が他の領域での窒素の取り込み量より多いことに起因して、窒素濃度が他の領域よりも相対的に高くなっている高濃度窒素領域6となっている。すなわち、インゴット10を構成する炭化珪素の成長時に、成長した炭化珪素の表面におけるファセット面5から他の領域より相対的に多くの窒素が炭化珪素中に取り込まれることから、高濃度窒素領域6における窒素濃度は、他の領域である低濃度窒素領域7における窒素濃度よりも相対的に高くなっている。このファセット面5は、矢印26で示すオフ角方向における端部に位置している。このようにファセット面5をインゴット10の端部に配置する方法プロセス条件としては、任意の方法を用いることができる。たとえば、図7に示すように、坩堝11と加熱用のコイル12とを備える結晶成長装置において、ベース基板1の表面に成長するインゴット10の成長最表面図7のインゴット10においてベース基板1が位置する側と反対側の表面、あるいは図7の矢印13で示される原料ガスの供給方向に対向するインゴット10の表面が常に平坦になるベース基板1の表面とインゴット10の成長最表面が平行になるように、インゴット10を成長させる。また、種基板であるベース基板1については、その主表面インゴット10となる結晶が成長する面が、0001面に対し、<11-20>方向または、<1-100>方向に、1°以上10°以下傾いていることが好ましい。なお、上記主表面の傾斜角度は、0.1°以上10°以下であってもよい。このようなベース基板1を使うことによって、図7に示すようにインゴット10の端部にわずかだけ、0001ファセット面5が発生する。なお、図7に示した結晶成長装置では、図3に示した支持部材2は記載されておらず、坩堝11の内壁上に直接ベース基板1が配置されているが、図3に示したようにベース基板1に支持部材2を配置し、当該支持部材2を介してベース基板1を坩堝11の内壁上に固定してもよい。ここで、インゴット10の成長最表面をできるだけ平坦にするたとえば、結晶の成長方向に対して当該成長最表面が垂直な方向に延びるように形成されていることが、0001ファセット面5をインゴット10の端部に、且つ極小にする条件となる。このように成長最表面を平坦にするためには、図7に示したインゴット10の成長最表面における中央部14、端部15、最外周部16という各点の温度が重要となる。ここで、端部15は、インゴット10の端部域にあり、坩堝11の内壁からインゴット10の直径の10以内の距離である位置とする。中央部14の温度をTa、端部15の温度をTb、最外周部16の温度をTcとすると、その関係はTc>Tb≧Taという関係式を満足し、かつ温度Tbと温度Taとについては、温度勾配温度Taと温度Tbとの差の絶対値/中央部14と端部15との間の距離が10°C/cm以下という関係を満足することが好ましい。このような温度条件を実現するためには、ベース基板1の裏面側つまり図7の坩堝11上面側での温度分布を小さくする温度のばらつきを小さくする必要がある。具体的には、たとえば坩堝11の上面側に形成する放熱穴の直径をインゴット10の径より大きくする、といった構成を採用することがこのましい。これにより、インゴット10の表面における中央部14と端部15との間の曲率半径を、インゴット11の半径の3倍以上とすることができる。ここで、曲率半径は、たとえば以下のようにして算出する。まず、中央部14と端部15との間において5mmピッチでインゴット10の高さベース基板1の表面からインゴット10の表面までの距離を測定する。そして、各ピッチ間における上記高さの差から、当該ピッチ間でのインゴット10の表面に対応する円弧の半径を算出する。そして、中央部14と端部15との間の各ピッチ間について算出された円弧の半径のうち最小の半径を、上記曲率半径とする。また、上記インゴット10の表面の平坦性については、以下のような測定方法により測定してもよい。すなわち、インゴット10の表面の中心から5mmピッチで十字方向好ましくは、5mmピッチのマトリクス状に配置された複数の位置測定点で、基準面からのインゴット10の表面の高さを測定する。そして、隣り合う測定点間で、当該高さの差を測定する。さらに、当該高さの差と測定点間の距離とから決定できる正接tanから、隣り合う測定点間でのインゴット10の表面の傾斜に対応する角度を求める。このようにして求めた複数の角度について、その角度の平均が10°以下であることが好ましい。さらに、測定した角度がすべて10°以下であることが好ましい。ただし、測定点としては、インゴット10の最外周部から当該インゴット10の直径の10以内の距離となる領域は除く。また、温度Tcと温度Tbとの関係については、温度Tbと温度Tcとの差の絶対値が1°C以上50°C以下であることより具体的には温度Tbに対して温度Tcの方が高温であり、温度Tbと温度Tcとの差が1°C以上50°C以下であることが好ましい。ここで、当該差の絶対値が1°C未満の場合は、グラファイトからなる坩堝11の内周表面上に炭化珪素の多結晶が付着成長しやすくなり、結果的に単結晶インゴットの成長の妨げになる。また、当該差が50°C越えである場合は、坩堝11側からの輻射熱等の影響により、インゴット10の端面部の温度も上昇する。この結果、中央部14と端部15との間の温度差が大きくなり、インゴット10の表面における平坦性が保てなくなる。上記のような条件で成長することにより、インゴット10の表面が平坦になり、0001ファセット面5はインゴット10の端部にだけ発生するようになる。また、0001ファセット面5の幅ベース基板1のオフ方向における幅はインゴット10の直径の10以下であることが好ましい。なお、上記のように0001ファセット面5をインゴット10の端部に配置するためには、インゴット10の成長開始から終了まで、常に上記のようにインゴット10の径方向に温度分布がないような環境径方向における温度差が小さい状態にすることが好ましい。そのために、成長初期とは別に昇温工程、成長中後期のそれぞれにおいて、温度管理について以下のように注意が必要である。たとえば、一般的な高周波加熱炉を坩堝11の加熱に用いる場合、坩堝11の側面が加熱されるため、昇温工程では、インゴット10の径方向に温度分布が発生しやすい。したがって、常温から坩堝11の底面温度が2000°C以上になるまでの時間が1時間以下の場合は、40kPa以上100kPa以下の雰囲気圧力で、成長予定温度にて5分以上保持して、温度分布を均一化した後、雰囲気圧力を成長予定圧力まで減圧するのが好ましい。また、成長中後期になると、インゴット10が1cm以上の高さまで成長するため、成長最表面の温度が成長初期よりも上昇する。この結果、インゴット10の成長最表面と原料との温度勾配が小さくなる。そのため、端部15や最外周部16における温度環境が、成長初期の状態から変化し、場合によっては端部15の温度Tbと最外周部16の温度Tcとの大小関係が逆転する場合も考えられる。このような状態になると、インゴット10の形状が凹型になり、0001ファセット面5がインゴット10の端部から中央部側に移動する。したがって、成長中後期では、坩堝11の側面温度を成長初期より上げる、または、坩堝11の上部側からの放熱量を増加させることにより、常に温度Tc>温度Tbという条件を満足する環境を保持する必要がある。また、インゴット10の表面形状が凹型になるとクラック発生の可能性が高くなることから、インゴット10の表面形状は平坦から、やや凸形状になっていることが好ましい。さらに、インゴット10を形成するための原料の最表面は予め平坦にすることで、原料の装填深さにばらつきがないようにすることが好ましい。上述のような方法で形成された本発明によるインゴット10では、0001ファセット面5のサイズも小さく、かつ、インゴット10の表面の平坦性が高い。このため、転位発生確率はインゴット10の全面でほぼ均一であり、またインゴット10の成長に従って均一に減少していく。つまり、本発明に従ったインゴット10では、実質的に全領域において転位を低減することができる。また、インゴット10においてファセットを端部にだけ発生させる方法としては、ファセットを発生させる部分の温度を、他の部分の温度より高くする、という方法を用いることもできる。つまり、図7のファセット側端部17の温度Tdとファセット側最外周部18の温度Teとの関係はTe>Tdとし、且つファセット側端部17とファセット側最外周部18との温度差つまりTe-Tdを20°C以上100°C以下にすることが好ましい。また、中央部14と端部15との間の温度差が大きいと、ファセット領域が広がるため、中央部14と端部15との間については、温度勾配を20°C/cm以下とすることが好ましい。また、ファセット側端部17とファセット側最外周部18との間だけに相対的に大きな温度差を形成し、インゴット10の外周部の他の部分では、端部15と最外周部16との間の温度差を20°C以下にすることが好ましい。このようにするためには、たとえばファセット面5を形成する箇所だけ加熱することができる。当該加熱の方法として、例えば、坩堝11の加熱方法が誘導加熱方式の場合、坩堝11の中心線を、加熱に用いるコイル12の中心線から、0001ファセット面5を形成する側に所定の距離だけたとえば1mm以上5mm以下程度ずらす方法がある。また、加熱方式に問わず、坩堝11の周りにある断熱材の厚みを、ファセット面5が形成される領域付近だけ、他より厚くたとえば他の部分の断熱材の厚みより2mm以上10cm以下程度厚くしてもよい。あるいは、坩堝11上部において、放熱のために形成される穴放熱穴をファセット面5が形成される部分と対向する領域においては塞ぐ、という方法を用いることができる。また、たとえば図3に示すように支持部材2の内部に温度調節部材3を配置しておき、ファセット面5を形成したい領域ベース基板1の端部の加熱温度を他の部分の温度と比べて変化させるたとえば他の部分の温度よりも高くするといった方法により、ファセット面5の位置をインゴット10の端部に配置させてもよい。このような温度調節部材3としては、たとえば電熱ヒータなどの加熱部材を用いることができる。また、ファセット面5をインゴット10の端部に配置する方法としては、たとえばベース基板1上に炭化珪素を成長させるための原料ガスを、当該ファセット面5が形成されるべき領域に集中的に供給する、あるいは炭化珪素の成長に用いられた原料ガスを処理容器内部から排出するときの排出部の配置を調整し、ファセット面5が形成されるべき領域での炭化珪素の成長速度を他の領域より高める、といった方法を用いてもよい。次に後処理工程S30を実施する。具体的には、形成されたインゴット10を処理容器の内部から取出し、表面層を研削する、インゴット10の結晶方位を示すマークをインゴット10に形成する、さらにはインゴット10からベース基板1を分離する、といった必要な後処理を行なう。ここで、得られたインゴット10において炭化珪素が結晶成長した部分の最表面9図5参照について、図5に示した断面における最大曲率半径は、図4に示したインゴット10の平面形状の外接円図4に示したように平面形状が円形のインゴット10である場合には、インゴット10の平面形状の外周を構成する円の半径の3倍以上となっていることが好ましい。また、高濃度窒素領域6は、矢印26に示したオフ角方向の上流側に配置されている。ここで、オフ角方向とは、ベース基板1におけるオフ角を設定した方向であって、たとえば<11-20>方向または<1-100>方向のいずれかである。また、ベース基板1における<0001>方向軸とベース基板1の表面4とが交差している状態において、<0001>方向軸が表面4の垂線に対して傾斜している方向を上流側とし、当該上流側と反対方向を下流側と規定している。また、高濃度窒素領域6における窒素濃度は低濃度窒素領域7の窒素領域に対して1.1倍以上となっている。なお、当該窒素濃度はたとえばSIMSによって評価することができる。また、高濃度窒素領域6における単位厚さ当たりの、波長が450nm以上500nm以下である光の透過率は、インゴット10の高濃度窒素領域6以外の部分である低濃度窒素領域7における単位厚さ当りの、上記光の透過率より低くなっている。当該光の透過率は、たとえばFTIRフーリエ変換型赤外分光装置を用いて測定することができる。たとえば、基板20の厚みを400μmとし、当該基板20の高濃度窒素領域6における基板20の厚さ方向における上記波長の光の透過率と、当該基板20の低濃度窒素領域7における基板20の厚さ方向での上記波長の光の透過率を可視光の分光器を用いて測定する、といった方法を用いることができる。このようなインゴット10によれば、相対的に窒素濃度の高い高濃度窒素領域6をインゴット10の端部に配置しているので、相対的に窒素濃度の低い領域である低濃度窒素領域7を、インゴット10の中心部を含むまとまった領域として形成できる。このため、当該インゴット10から炭化珪素基板20を切り出すときに、相対的に低濃度窒素領域7が基板中央部を含む広い領域に形成された炭化珪素基板20を容易に得ることができる。次に、上述のようにして得られたインゴット10を用い、図2に示したプロセスを用いて図6に示す炭化珪素基板20を製造する。炭化珪素基板20の製造方法を、図2を参照しながら具体的に説明する。本発明に従った炭化珪素基板の製造方法では、まず図2に示すように、インゴット準備工程S40を実施する。当該工程S40においては、図1に示した工程を実施することにより得られた炭化珪素からなるインゴット10を準備する。次に、スライス工程S50を実施する。具体的には、工程S50においては、インゴット10を任意の方法でスライスする。スライスする方法としては、たとえばワイヤソーを用いる方法、あるいはダイヤモンドなどの硬質の砥粒が表面に配置された切断部材たとえば内周刃ブレードを用いる方法などを用いることができる。インゴット10をスライスする方向としては、任意の方向を採用できるが、たとえばベース基板1の表面4に沿った方向図5に示した直線8に沿った方向にインゴット10をスライスしてもよい。この場合、切り出された炭化珪素基板20において高濃度窒素領域6を炭化珪素基板20の端部に配置することができる。あるいは、ベース基板1のオフ角方向とベース基板1の表面4に対する垂線とにより規定される平面に沿ってつまり図5に示すインゴット10の断面が炭化珪素基板20の主表面となるようにインゴット10をスライスしてもよい。次に、後処理工程S60を実施する。具体的には、スライスした基板の表面および/または裏面を研削研磨することにより、鏡面状態は任意の表面状態に仕上げ加工する。このようにして、図6に示すような炭化珪素基板20を得る。炭化珪素基板20においては、主表面の中央部を含む大部分が低濃度窒素領域7となっており、端部に高濃度窒素領域6が配置されている。また、図8に示すように、高濃度窒素領域6を研削加工などによって除去することにより、炭化珪素基板20の外周に凹部21が形成された状態としてもよい。この場合、炭化珪素基板20のほぼ全面が低濃度窒素領域7となり、特性の均一な炭化珪素基板20を得ることができる。また、このような炭化珪素基板20によれば、当該炭化珪素基板20の表面上に特性の均一性に優れた炭化珪素エピタキシャル層を容易に形成することができる。なお、図1に示した後処理工程S30において、インゴット10から高濃度窒素領域6を研削などの方法により除去した上で、図2に示した炭化珪素基板の製造方法を実施すれば、図8に示すように高濃度窒素領域の無い、つまり全面が低濃度窒素領域となっている炭化珪素基板20を得ることができる。図8に示した炭化珪素基板20は、基本的には図6に示した炭化珪素基板20と同様の構成を備えるが、図6に示した高濃度窒素領域6が除去されている。そのため、図8に示した炭化珪素基板20では、高濃度窒素領域6が位置していた領域である外周端部の一部に凹部21が形成されている。当該炭化珪素基板20が、図5の直線8に沿った方向にインゴット10をスライスして得られている場合、当該凹部21は、炭化珪素基板20のオフ角方向における端部に位置する。また、上述したインゴット10および炭化珪素基板20の製造方法では、ベース基板1として平面形状が円形状の基板を用いたが、他の任意の形状の基板をベース基板1として用いることができる。たとえば、ベース基板1として平面形状が四角形状の基板を用いた場合には、図9に示したように平面形状が実質的に四角形状のインゴット10を得ることができる。この場合も、図1に示した成膜工程S20におけるプロセス条件を制御することにより、インゴット10を平面視したときの端部にファセット面5を配置することができる。なお、図9の線分V-Vにおける断面は、図5に示した断面と同様である。そして、得られたインゴット10の最表面における最大曲率半径に配置された複数の位置測定点で、インゴット10の表面の上記高さを測定する。そして、隣り合う測定点間で、当該高さの差を算出する。さらに、当該高さの差と測定点間の距離とから決定できる正接tanから、隣り合う測定点間でのインゴットの表面の傾斜に対応する角度傾斜角度を求める。基板の製造:上述した実施例および比較例のインゴットを、上記のように表面形状の測定を行なった後、円柱状に成形加工した。そして、ワイヤソーを用いてベース基板の表面に沿った方向において当該インゴットをスライスすることで、炭化珪素基板を製造した。基板の厚みは400μm~500μmとした。さらに、スライス後は、当該炭化珪素基板に対して両面鏡面研磨処理を施した。その結果、炭化珪素基板の厚みは350μm~420μmの範囲となった。窒素濃度の測定:作成した基板について、インゴットの0001ファセット面下に位置する領域であって窒素濃度の相対的に高い領域高濃度窒素領域と、その他の領域とについて、窒素濃度を測定した。測定方法としては、SIMS二次イオン質量分析法を用いた。なお、測定ばらつきを抑制するため、測定厚みは10μmとした。透過率の測定:作成した基板について、上記高濃度窒素領域と、その他の領域とについて、光の透過率を測定した。測定方法としては、可視光分光器を用いて、波長が400nmから500nmという範囲の光の透過率を測定した。転位密度の測定:作成した基板について、表面における転位密度の測定を行なった。具体的には以下のような方法を用いた。まず、500°Cに加熱した溶融塩KOH溶液に炭化珪素基板を1~10分浸漬した。その後、ノマルスキー微分干渉顕微鏡で炭化珪素基板の表面を観察し、形成されたピットの個数をカウントした。個数のカウントは、全面マッピング写真を取ったのち、ピットの全数をカウントし、単位面積当たりの平均密度を計算するのが好ましい。しかし、たとえば直径が2インチの炭化珪素基板の場合は、基板の中央部とそこから十字方向に18mm程度離れた位置の計5点について、単位面積当たりのピット数をカウントし、その平均を取る、といったように、5点以上の測定箇所におけるピットの平均密度をピットの密度としてもよい。また、評価した炭化珪素基板は、作製したインゴットのベース基板最表面から20mm離れた位置の基板を選択し、ベース基板のデータと比較した。結果インゴットについて:実施例のインゴットでは、ベース基板のオフ角方向における端部上流側の端部における最表面に0001ファセット面が配置されていた。平面視における当該0001ファセット面のオフ角方向における幅は、インゴット径163mmの時:12.5mm、インゴット径115mmの時:11mm、インゴット径63mmの時:5.5mm、となっていた。また、インゴット高さも平均値でインゴット径163mmの時:13mm、インゴット径115mmの時:8mm、インゴット径63mmの時:4mmであった。そして、表面の平坦性を示す傾斜角度はいずれも平均で10°以下であり、十分な平坦性があった。一方、比較例のインゴットでは、インゴットの最表面の中央部に0001ファセット面が発生していた。当該0001ファセット面のオフ角方向における幅はインゴット径の12から45の範囲となっていた。また、表面の平坦性を示す傾斜角度は平均で10°を超えていた。基板について:実施例のインゴットから切り出した基板について、0001ファセット面の下に位置する領域基板の端部に位置する領域には相対的に窒素濃度の高い高濃度窒素領域が形成されていた。高濃度窒素領域の配置は、ファセットの位置とほぼ一致していた。また、インゴットの高さ方向において分布はあるが、高濃度窒素領域の幅は概してインゴット径に対して3~9.5の範囲であった。一方、比較例のインゴットから切り出した基板についても、0001ファセット面の下に位置する領域基板の中央部に位置する領域には高濃度窒素領域が形成されていた。比較例の高濃度窒素領域もファセットの位置とほぼ一致はしていた。また、インゴットの高さ方向において、高濃度窒素領域のサイズの分布は存在しており、高濃度窒素領域の幅はインゴット径に対し5~45の範囲であった。比較例でも高濃度領域の幅サイズがインゴット径に対し10以下となった部分があったが、これは、ベース基板の表面位置から5mm以下の領域であった。これは、当該範囲では、まだ炭化珪素の成長総量が小さいために成長した炭化珪素の表面における平坦性が比較的保たれているからであり、結晶成長中において常に平坦性が保たれている実施例とは異なる結果である。窒素濃度について:実施例の基板について、高濃度窒素領域における窒素濃度は1.2E19cm3であり、他の領域の窒素濃度は8E18~1E19cm-3であった。また高濃度窒素領域以外の領域の任意の5点の窒素濃度は、当該5点での平均濃度に対し、20の範囲に入っていた。比較例の基板について、高濃度窒素領域における窒素濃度は1.2E19cm-3であり、他の領域の窒素濃度は8E18~1E19cm-3であった。透過率について:実施例及び比較例の基板について、波長が400~500nmである光の透過率は、高濃度窒素領域では、10~20であった。また、当該基板におけるその他の領域では、上記透過率は25~35であった。また、本実験とは違う低窒素ドープのインゴットから切り出した炭化珪素基板に関しては、高濃度窒素領域での上記透過率は35~45、その他の領域では上記透過率が45~65であった。また、上記透過率の波長特性から計算して得られる、炭化珪素基板の屈折率はいずれも2.5~2.8であった。転位密度について:インゴットにおいてベース基板から20mmの距離にある位置でスライスして得られた基板について測定を行なった。ここで、ベース基板の転位密度について、マイクロパイプ密度MPD:10~100/cm-2、エッチピット密度EPD:1~5E4cm-2である時、実施例の基板において、高濃度窒素領域以外では、ベース基板に対し、1/2~1/20までMPD、EPDともに減少させることができた。一方、比較例の基板の場合はベース基板に対し、上記MPD,EPDが1/2~2.5と、減少したものもあるが、逆に増加した場合もあった。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"