"製膜室と、前記製膜室内で基板を保持する基板保持手段と、前記基板上に作製する被膜の原料ガスを、前記製膜室内に供給する原料ガス供給手段と、前記基板上への前記被膜の形成によって前記製膜室内に付着した堆積物と反応して反応生成物を生成するクリーニングガスを前記製膜室内に供給するクリーニングガス供給手段と、前記反応生成物の構成元素と反応して気体を生成する元素を含む反応生成物除去ガスを前記製膜室内に供給する反応生成物除去ガス供給手段と、前記基板保持手段に対向して配置され、前記原料ガス供給手段から供給される前記原料ガスを前記基板保持手段に向けてシャワー状に吐出するガス吐出手段と、前記反応生成物および前記反応生成物除去ガスを解離可能なエネルギを有する光を放射する光源と、を備え、前記光源は、前記堆積物が付着する前記製膜室内の領域が照射されるように配置されることを特徴とする薄膜製造装置。前記光源は、前記基板保持手段の前記基板を保持する第1の面側の前記基板が載置される領域と、前記基板保持手段の前記第1の面に対向する第2の面側と、に設けられることを特徴とする請求項1に記載の薄膜製造装置。前記光源は、前記ガス吐出手段と、前記原料ガス供給手段に接続される原料ガス供給口と、の間の前記製膜室内の空間に設けられることを特徴とする請求項2に記載の薄膜製造装置。前記堆積物が付着する前記製膜室内の領域を構成する構成部材上に、前記光源からの光を散乱させる光拡散部材をさらに備えることを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の薄膜製造装置。前記原料ガスは、Siを含む原料ガスであり、前記クリーニングガスは、Fを含むクリーニングガスであり、前記反応生成物除去ガスは、H2を含む反応生成物除去ガスであり、前記光源は、200nm以下の波長の紫外線を放射する光源であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の薄膜製造装置。前記光拡散部材は、平均面粗さが0.5μmの凹凸が表面に形成されているアルミニウム板であることを特徴とする請求項4に記載の薄膜製造装置。製膜室内に原料ガスを供給し、前記製膜室内に配置された基板上に被膜を形成する薄膜の製造方法において、前記製膜室内にクリーニングガスを供給し、前記基板上への前記被膜の形成によって前記製膜室内に付着した堆積物と前記クリーニングガスとを反応させて反応生成物を生成するクリーニング工程と、前記反応生成物を解離可能なエネルギを有する光を前記製膜室内に放射して前記反応生成物を光分解し、前記製膜室外へと排気して、前記反応生成物を除去する反応生成物除去工程と、を含むことを特徴とする薄膜製造方法。前記反応生成物除去工程では、前記反応生成物の構成元素と反応し、気体を生成する元素を含む反応生成物除去ガスを前記製膜室内に供給しながら、前記反応生成物および前記反応生成物除去ガスを解離可能なエネルギを有する光を前記製膜室内に放射して前記反応生成物および前記反応生成物除去ガスを光分解し、前記反応生成物が解離した元素と前記反応生成物除去ガスが解離した元素とが反応して得られる気体を前記製膜室外へと排気することを特徴とする請求項7に記載の薄膜製造方法。前記反応生成物除去工程の後に、前記製膜室内に前記基板を搬入し、前記基板上に前記被膜を形成する被膜形成工程をさらに含むことを特徴とする請求項7または8に記載の薄膜製造方法。前記原料ガスは、Siを含む原料ガスであり、前記クリーニングガスは、Fを含むクリーニングガスであり、前記反応生成物除去ガスは、H2を含む反応生成物除去ガスであり、前記反応生成物除去工程では、200nm以下の波長の紫外線を放射することを特徴とする請求項7~9のいずれか1つに記載の薄膜製造方法。しかしながら、特許文献1のように、クリーニング処理後にプリ製膜を行う方法を採用する場合、プリ製膜に要する時間の分だけスループットが悪化し、生産性が低下してしまうという問題点があった。また、プリ製膜を行うことで原料ガスを余分に消費するため、その分だけ高コストになるという問題点もあった。さらに、特許文献2のように、クリーニング処理後に製膜室内で還元ガスのプラズマを発生させた場合、製膜室の内壁表面にイオンが衝突してダメージが入り、内壁部材たとえば、防着板等の交換頻度が高くなり、メンテナンスサイクルが短くなって生産性が低下してしまうという問題点があった。また、特許文献3のように、製膜室内で加水分解または加アルコール分解を起こそうとした場合、製膜室内に水H2OやアルコールCxHyOHを導入するため、酸素Oや炭素Cが新たな不純物として残留し、製膜プロセスや膜物性に悪影響を及ぼす虞があった。この発明は、上記に鑑みてなされたもので、新たな不純物を発生させることなく、製膜室の内部にダメージを生じさせずにクリーニング処理時に残留した反応生成物の影響を除外し、良好な物性の薄膜を製造することができる薄膜製造装置および薄膜製造方法を得ることを目的とする。上記目的を達成するため、この発明にかかる薄膜製造装置は、製膜室と、前記製膜室内で基板を保持する基板保持手段と、前記基板上に作製する被膜の原料ガスを、前記製膜室内に供給する原料ガス供給手段と、前記基板上への前記被膜の形成によって前記製膜室内に付着した堆積物と反応して反応生成物を生成するクリーニングガスを前記製膜室内に供給するクリーニングガス供給手段と、前記反応生成物の構成元素と反応して気体を生成する元素を含む反応生成物除去ガスを前記製膜室内に供給する反応生成物除去ガス供給手段と、前記基板保持手段に対向して配置され、前記原料ガス供給手段から供給される前記原料ガスを前記基板保持手段に向けてシャワー状に吐出するガス吐出手段と、前記反応生成物および前記反応生成物除去ガスを解離可能なエネルギを有する光を放射する光源と、を備え、前記光源は、前記堆積物が付着する前記製膜室内の領域が照射されるように配置されることを特徴とする。この発明によれば、クリーニング処理の結果生じる反応生成物の構成元素と反応して気体を生成する元素を含む反応生成物除去ガスを製膜室内に供給する反応生成物除去ガス供給手段と、反応生成物および反応生成物除去ガスを解離可能なエネルギを有する光を放射する光源と、を備え、光源を堆積物が付着する製膜室内の領域が照射されるように配置したので、クリーニング処理時に製膜室の内壁などに残留した反応生成物を分解し、排気しやすい気体として、製膜室内壁への損傷や新たな不純物の生成を懸念することなく速やかに除去することができる。その結果、その後に作製される被膜中への残留フッ化物不純物の混入が大幅に抑制され、良好な物性を有する薄膜を安定に供給することができるという効果を有する。以下に添付図面を参照して、この発明の実施の形態にかかる薄膜製造装置および薄膜製造方法を詳細に説明する。なお、これらの実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。実施の形態1.図1は、実施の形態1による薄膜製造装置の概略構成を模式的に示す断面図である。薄膜製造装置は、たとえばアルミニウム製またはアルミニウム合金製の製膜室11を有している。製膜室11は、たとえば円筒形状を有している。製膜室11内部には、処理対象である基板を水平に支持する基板保持手段であるステージ12が配置されている。ステージ12は、製膜室11内の水平方向の中央部付近に配置され、製膜室11内部で支持部材13によって支持されている。また、ステージ12は、図示しないがヒータなどの基板加熱手段や、基板を真空吸着などの方法で保持する保持機構などを内蔵している。また、製膜室11の側壁には、図示しないが基板の搬入出口が設けられており、図示しないゲートバルブによって開閉可能な構成となっている。製膜室11内のステージ12の基板保持面に対向するように、ステージ12の上部にガス吐出部材であるシャワーヘッド14が設けられている。このシャワーヘッド14は、上部電極としても機能し、製膜室11の側壁に図示しない絶縁部材を介して支持されている。シャワーヘッド14には、厚さ方向に貫通する図示しない多数の吐出孔が設けられており、製膜室11上部から供給されるガスをシャワー状に製膜室11内の空間へと供給する。また、シャワーヘッド14には、高周波電力をシャワーヘッド14に供給する高周波電源供給部71が給電線72を介して接続されている。このように、ステージ12とシャワーヘッド14とは、一対の平行平板電極を構成している。製膜室11の底部付近には、ガス排気口15が設けられている。ガス排気口15には、配管31を介して排気手段である真空ポンプ32が接続される。また、配管31上には真空ポンプ32による製膜室11内のガスの排気の度合いを切り替えるバルブ33を有する。製膜室11の上部付近には、原料ガス供給口16と、クリーニングガス供給口17と、反応生成物除去ガス供給口18と、が設けられている。原料ガス供給口16には、配管41が接続され、配管41に、図示しない原料ガス供給源と、原料ガス供給源から製膜室11内への原料ガスの供給のオン/オフを切り替えるガスバルブ42と、が設けられている。原料ガスとして、シリコン系膜を形成する場合には、たとえばSiH3ガス、H2ガス、Arガスなどを用いることができる。なお、図中では、1本の配管41が示されているが、原料ガス供給源ごとにガスバルブ42や配管41が設けられる。クリーニングガス供給口17には、配管51が接続され、配管51には、図示しないクリーニングガス供給源と、クリーニングガス供給源から製膜室11内へのクリーニングガスの供給のオン/オフを切り替えるガスバルブ52と、が設けられる。クリーニングガスとしては、シリコン系膜のクリーニングを行う場合には、F2,NF3,ClF3,CF4などのフッ素を含むガスまたはこれらを1種類以上含む混合ガスと、N2,Ar,He,Kr,Xe,Neなどの不活性ガスまたはこれらを1種類以上含む混合ガスと、を含むものを用いることができる。なお、図中では、1本の配管51が示されているが、クリーニングガス供給源ごとにガスバルブ52や配管51が設けられる。反応生成物除去ガス供給口18には、配管61が接続され、配管61には、図示しない反応生成物除去ガス供給源と、反応生成物除去ガス供給源から製膜室11内への反応生成物除去ガスの供給のオン/オフを切り替えるガスバルブ62と、が設けられる。シリコン系膜をフッ素系のガスでクリーニングする場合には、反応生成物除去ガスとして、H2ガスを用いることができる。なお、この明細書で反応生成物とは、製膜室11内の構成部材に堆積付着した膜とクリーニングガスとの反応によって生じる製膜室11内に残留したもののことをいう。この実施の形態1では、ステージ12の上面と下面および製膜室11上部付近にそれぞれ反応生成物と反応生成物除去ガスを解離させる解離手段である光源1919a~19cが設けられる。光源19は、被膜が堆積付着される可能性のある製膜室11内の領域、たとえば製膜室11の内壁、ステージ12、シャワーヘッド14の表面等の全体が照射されるように配置されることが望ましい。また、製膜時に光源19の表面への膜付着が起こり難い箇所に光源19が配置されることが望ましい。ステージ12の上面に設けられる光源19aは、製膜時に基板に隠れる位置、すなわち基板載置領域内に配置される。これによって、製膜中にステージ12上面に設けられた光源19aの表面への膜付着は防止される。光源19cは、製膜室11上部付近、具体的には、原料ガス供給口16が設けられる製膜室11上面とシャワーヘッド14との間の空間25に設けられる。製膜中には、ステージ12の下面や、製膜室11上面とシャワーヘッド14との間の空間25にラジカルが飛来することはほとんどないと考えられ、これらの位置に設けられる光源19b,19cの表面への膜付着も防止される。さらに、光源19として、クリーニングガスと製膜室11内に付着堆積した被膜との反応生成物と、反応生成物除去ガスと、を解離させることができるエネルギ振動数を有する光を放射することができる光源が用いられる。シリコン系膜を製膜する場合には、上記したようにクリーニングガスとしてフッ素系ガスが用いられる。シリコン膜のクリーニング処理時には、Siとフッ素系ガス中のFとが反応し、反応生成物としてSiFxが生成される。SiFxは製膜室11内に残留しやすく、真空ポンプ32による排気だけでは除去することが困難であるので、この実施の形態1では、SiFxからフッ化水素HFを生成し、製膜室11内のSiFxを除去するようにする。これは、HFは、SiFxに比して真空ポンプ32を用いて速やかに製膜室11外へと排気することが可能であるからである。そのために、反応生成物除去ガスとしてH2ガスを用いる。まず、SiFxを下記1式のようにSiとFを解離させる。また、解離したFをHFとするために水素分子H2も下記2式のように解離させる。SiFx→SixF1H2→HH2ここで、SiFxの解離エネルギは6.2eVであり、水素分子の解離エネルギは4.7eVであるので、SiFxとH2とをともに光分解するには6.2eV以上のエネルギを有する光を照射する必要がある。6.2eVは光の波長に換算すると200nmであることから、光源19から放射される光は波長200nm以下の深紫外線となる。すなわち、SiFxとH2に波長200nm以下の紫外線を照射することによって、上記1、2式のように光分解反応を起こさせることが可能である。このような構造の薄膜製造装置でSi膜を形成する場合の処理について説明する。図2は、薄膜製造装置での処理手順の一例を示すフローチャートである。まず、薄膜製造装置で、製膜室11内のクリーニング処理を行うステップS11。具体的には、まず、製膜室11内を所定の真空度になるように真空ポンプ32で排気する。その後、クリーニングガスとしてNF3などのフッ素系ガスを製膜室11内に導入しながら、下部電極であるステージ12を接地した状態で、上部電極であるシャワーヘッド14に高周波電源供給部71から高周波電力を印加して、シャワーヘッド14とステージ12との間の空間にプラズマを発生させ、励起フッ素原子を形成する。そして、製膜室11の内壁、シャワーヘッド14およびステージ12の表面等に付着堆積したSi膜をエッチング除去する。このとき、製膜室11内の至る所でSiFxなどのフッ化物が反応生成物として生成される。ついで、フッ化物除去処理が行われるステップS12。具体的には、クリーニング処理が終了すると、クリーニングガス供給源と接続される配管51のガスバルブ52を閉じて、製膜室11内を真空ポンプ32で十分に真空引きした後、反応生成物除去ガス供給源と接続される配管61のガスバルブ62を開けて、製膜室11内に反応生成物除去ガスとしての水素ガスを供給する。その後、光源19a~19cから波長200nm以下の紫外線を製膜室11内に放射する。光源19a~19cから紫外線を放射する時間として、70秒以上2分以下であることが望ましい。これは、70秒未満の照射では、製膜室11内に残留するフッ化物量を、その後に行われる製膜処理で形成される被膜の特性を劣化させない程度のフッ化物量とすることができないからである。また、2分よりも長い時間の照射では、製膜室11内に残留するフッ化物の量に大きな変化はないからである。水素ガスを流しながら紫外線を照射することで、上記1、2式に示されるように光分解反応が進行する。すなわち、製膜室11の内壁などに付着したSiFxなどのフッ化物がSiとFに分解解離されるとともに、製膜室11内に供給された水素ガスもHに分解解離される。そして、分解されたFとHとが反応してHFが生成され、真空ポンプ32によって製膜室11の外部へと排気される。なお、分解されたSiはHと反応してシランSiH3となり、同じく真空ポンプ32によって製膜室11の外部へと排気される。光源19a~19cは、製膜室11内の被膜が堆積付着される領域の全体が照射されるように配置されているので、上記のような反応は製膜室11内のほぼ全体にわたって生じる。たとえば、ステージ12の上面に設置された光源19aから放射された光L1は、ステージ12とシャワーヘッド14との間に残留するフッ化物に照射されて、その光分解を行う。また、ステージ12の下面に設置された光源19bから放射された光L2は、ステージ12の下の空間に入り込んだ残留フッ化物に照射されて、その光分解を行う。さらに、製膜室11の上面とシャワーヘッド14との間の空間25に配置された光源19cから放射された光L3は、その空間25に入り込んだ残留フッ化物に照射されて、その光分解を行う。以上によって、製膜室11内の残留フッ化物が除去される。そして、薄膜製造装置内でSi膜の製膜処理が行われるステップS13。具体的には、フッ化物除去処理が終了すると、反応生成物除去ガス供給源と接続される配管61のガスバルブ62を閉じて、製膜室11内を真空ポンプ32を用いて十分に真空引きした後に、原料ガス供給源と接続される配管41のガスバルブ42を開けて、製膜室11内にSiH3ガス、H2ガス、Arガスなどの原料ガスを供給する。原料ガスはシャワーヘッド14の吐出口で分散され、シャワー状にステージ12の方向へと供給される。ついで、製膜室11内が所定の圧力に達すると、下部電極であるステージ12を接地した状態で、上部電極であるシャワーヘッド14に高周波電源供給部71から高周波電力を印加して、シャワーヘッド14とステージ12との間の空間にプラズマを生成させる。これによって、原料ガス供給源から供給される原料ガスが活性化され、基板上にSi膜が形成される。このとき、プラズマと接する製膜室11内の構成部材にも基板上と同様に膜が堆積される。なお、Si膜半導体膜の製膜中には、製膜時に発生するラジカルが飛来し難い領域に光源19a~19cが配置されているので、その表面への膜付着は抑えられ、光源19a~19cの表面が曇って紫外線の照射強度が低下してしまうことを防止している。その後、所定の厚さのSi膜が基板上に形成されると、高周波電源供給部71からの高周波電力の供給が停止され、ガスバルブ42を閉じ、製膜室11内を十分に排気した後、製膜室11内に窒素ガスや不活性ガスなどを供給して所定の圧力とし、基板の搬入出口からステージ12上の基板が製膜室11外へと搬出される。以上によって、薄膜製造装置での処理が終了する。なお、続けて製膜する場合には、ステップS11に戻り、上記した処理が繰り返し行われることになる。つぎに、実施の形態1による薄膜製造装置を用いてクリーニング処理後に紫外線を照射してフッ化物除去処理および製膜処理を行う具体例について説明する。図3は、薄膜製造装置の製膜室内の残留ガスを質量分析計で測定した際のマススペクトルを示す図である。図3aは、製膜室11をクリーニング処理した後で真空引きのみ実施した場合の質量分析結果を示し、図3bは、クリーニング処理後に水素ガスを供給しながら光源から紫外線を100秒間照射処理した後で測定した際のマススペクトルを示す。なお、図3a、bは、いずれも十分に真空引きを行った後で測定した結果である。これらの図で、横軸は質量数質量電荷比、m/eを示しており、縦軸はスペクトル強度任意単位を示している。図3aに示されるように、クリーニング処理後に真空引きのみ行った製膜室11からは、質量数m/e=85に比較的強いピークが検出された。これは残留フッ化物SiF3に相当するフラグメントピークと考えられる。これに対し、図3bに示されるように、実施の形態1によるクリーニング処理後に水素ガスを供給しながら100秒間紫外線を照射する残留フッ化物除去処理行った後のスペクトルでは、質量数m/e=85のスペクトルはほとんど消失している。このように、実施の形態1によるクリーニング処理後に水素ガスを供給しながら紫外線照射を行うことによって、製膜室11内の残留フッ化物を効果的に除去できることが分かる。図4は、フッ化物除去処理時の紫外線の照射時間を変化させた場合の質量数m/e=85のマススペクトル強度の変化を示す図である。この図で、横軸は紫外線の照射時間秒、secを示しており、縦軸はSiF3に相当する質量数m/e=85のマススペクトル強度任意単位を示している。この図に示されるように、質量数m/e=85のスペクトル強度は紫外線照射処理の時間が長くなるほど単調に減少し、70秒以上の照射でほぼゼロになっている。すなわち、70秒以上の紫外線照射処理を施すことで、製膜室11内で生成された残留フッ化物は、ほぼ製膜室11の外に除去できていることが分かる。そのため、光源を用いた紫外線の照射時間は、70秒以上であることが望ましい。図5は、薄膜製造装置で製造した半導体膜中のフッ素含有量を示す図である。この図で、横軸は基板上に製膜した半導体膜の表面からの深さμmを示し、縦軸は半導体膜中のフッ素含有量atom/ccを示している。また、ここでは、測定対象の半導体膜として、薄膜製造装置で基板上に微結晶シリコン膜を堆積させたものを用いている。図中のプロファイルP1は、図2に示した実施の形態1による処理フローで微結晶シリコン膜を製膜した場合であり、プロファイルP2は、従来の薄膜製造装置でプリ製膜工程を抜いて微結晶シリコン膜を製膜した比較例の場合、すなわちクリーニング処理を行った直後に微結晶シリコン膜を製膜した場合である。これらのプロファイルP1,P2は、二次イオン質量分析計SecondaryIonMassSpectrometer:以下、SIMSというで測定した際の信号強度膜厚方向のフッ素含有量プロファイルである。プロファイルP1,P2に示されるように、実施の形態1によるフッ化物除去処理を行った後に製膜する場合には、実施の形態1によるフッ化物除去処理を行わないで製膜する場合に比して、微結晶シリコン膜中のフッ素含有量が約1桁低くなっている。図6は、薄膜製造装置で作製したi型微結晶シリコン膜を発電層とする薄膜シリコン太陽電池セルの電圧-電流特性J-V特性を示す図である。この図で、横軸は、薄膜太陽電池の両端に現れる電圧Voltage、Vを示し、縦軸は太陽電池に流れる電流密度Currentdensity、A/cm2を示している。ここでは、擬似太陽光100mW/cm2を照射しながらJ-V特性を測定する。図7は、薄膜シリコン太陽電池セルの構造の一例を模式的に示す断面図である。薄膜シリコン太陽電池セル100は、基板101上に、第1電極層102、微結晶シリコン膜を含む光電変換層103および第2電極層107が順に積層された構造を有する。基板101としては、たとえばガラスなどの透光性絶縁基板を用いることができ、第1電極層102としては、ITOIndiumTinOxideなどの透明導電性材料を用いることができる。光電変換層103は、p-i-n構造の微結晶シリコン膜を用いることができ、たとえば、p型微結晶シリコン膜104、i型微結晶シリコン膜105およびn型微結晶シリコン膜106が積層された構造のものを用いることができる。第2電極層107としては、たとえばAlなどの光を反射する金属材料などを用いることができる。なお、この断面図は模式的なものであり、層の厚みと幅との関係や各層の厚みの比率などは現実のものとは異なる。このような構造の薄膜シリコン太陽電池セル100では、基板101側から光が入射される。図6中の曲線S1は、図1に示される薄膜製造装置を用いて、図2に示される処理フローにしたがってi型微結晶シリコン膜105を製膜した薄膜シリコン太陽電池セル100についてのJ-V特性である。また、曲線S2は、従来の薄膜製造装置でプリ製膜工程を抜いて製造したi型微結晶シリコン膜を有する比較例の薄膜シリコン太陽電池セル100についてのJ-V特性である。図8は、図6のJ-V特性から求めた短絡電流密度Jsc、開放端電圧Voc、曲線因子FFの値を示す図である。図6と図8に示されるように、比較例による方法で製造した薄膜シリコン太陽電池セル100に比べて、実施の形態1による方法で製造した薄膜シリコン太陽電池セル100の方が、短絡電流密度Jsc、開放端電圧Vocおよび曲線因子FFの全ての点で勝っている。これは、光電変換層103を構成するi型微結晶シリコン膜105中の不純物量膜中フッ素含有量が、実施の形態1による薄膜製造装置のクリーニング方法を適用することで、比較例に比して大きく低減できることによるものと考えられる。図9は、一回あたりのプロセスフローで薄膜シリコン太陽電池の光電変換層を製膜する際の所要時間の関係を示す図である。この図で、横軸は所要時間を示している。また、上段は、フッ化物除去処理として特許文献1による方法を用いる場合を示し、下段は、フッ化物除去処理として実施の形態1による方法を用いる場合を示している。上記したように、フッ化物除去処理として特許文献1によるプリ製膜を行う場合には、原料ガスの導入、製膜および残留ガスの排気の各工程を行うため、合計で少なくとも10分以上を要する。一方、実施の形態1によるフッ化物除去処理では、製膜室11内に水素ガスを導入しながら紫外線照射を行うだけであり、紫外線照射時間は少なくとも70秒行えばよいため、処理に要する時間は2分以下とすることができる。また、特許文献1によるクリーニング時間を20分とし、プリ製膜時間を5分とし、製膜時間を40分とし、実施の形態1によるクリーニング時間を15分とし、紫外線照射時間を120秒とし、製膜時間を40分とした場合には、実施の形態1によるフッ化物除去処理を用いた1回のプロセスに要する時間以下、総プロセス時間というは3420秒であり、特許文献1によるフッ化物除去処理を用いた総プロセス時間である3900秒に比較して12程度短縮することができる。なお、実施の形態1では、プリ製膜を省いた分だけ製膜室11内に付着する膜の厚さが薄くなるため、特許文献1に比してクリーニング時間を短くすることができる。実施の形態1では、製膜室11内に200nm以下の波長の紫外線を放射する光源を設け、クリーニング処理後に製膜室11内に水素ガスを供給しながら紫外線を照射した。これによって、クリーニング処理時に製膜室11の内壁などに残留したフッ化物を分解し、真空ポンプ32で排気しやすいフッ化水素として速やかに除去することができる。また、従来技術特許文献2,3に比べ、製膜室11内壁への損傷や新たな不純物の生成を懸念することなく残留フッ化物を製膜室11外に排出することが可能である。その結果、その後に作製される被膜中への残留フッ化物不純物の混入が大幅に抑制され、良好な物性を有する薄膜を安定に供給することができるという効果を有する。また、製膜室11内への光放射の工程の後、すぐに被膜半導体膜の製膜工程を開始することができる。すなわち、従来技術特許文献1に対してプリ製膜の工程を省くことが可能となるので、製膜室11内のクリーニング処理後にプリ製膜を行って残留フッ化物を除去する場合に比して、プロセスに要する時間と原料ガスの使用量が削減され、スループットの向上生産性の向上とコスト削減を図ることができるという効果も有する。実施の形態2.図10は、実施の形態2による薄膜製造装置の概略構成を模式的に示す断面図である。この薄膜製造装置は、実施の形態1の図1の薄膜製造装置の構成に加えて、製膜室11の内壁と、シャワーヘッド14の表面と、ステージ12および支持部材13の表面と、に光拡散反射部材21を設けた構造となっている。これによって、光源19から放射された光は、製膜室11の内壁と、シャワーヘッド14の表面と、ステージ12および支持部材13の表面とに設けられた光拡散反射部材21で乱反射し、高い強度を維持したまま、製膜室11内の隅々まで到達することが可能となる。なお、実施の形態1と同一の構成要素には同一の符号を付してその説明を省略している。ここで、光源19として紫外線を放射するランプを用いる場合には、光拡散反射部材21として紫外線拡散反射板を用いることができる。紫外線拡散反射板として、表面に平均面粗さRa=0.5μmの微細な凹凸形状を加工したアルミニウム板を用いるのが望ましい。図11は、アルミニウム板の平均面粗さを変化させた場合の拡散反射率の変化を示す図である。この図で、横軸はアルミニウム板の表面の平均面粗さRaμmを示し、縦軸は拡散反射率を示している。ここでは、平均面粗さRaを0.3μmから2.0μmの範囲で変化させたアルミニウム板に波長350nmの紫外線を入射させた場合の拡散反射率を測定している。図11から明らかなように、平均面粗さRaを0.5μmとしたアルミニウム板において、紫外線拡散反射率は最も高くなっている。図12は、アルミニウム板の拡散反射率の入射光の波長依存性を示す図である。この図において、横軸はアルミニウム板に入射する紫外線の波長nmを示し、縦軸は拡散反射率を示している。また、この図で、曲線R1は、平均面粗さRaを0.5μmに固定して粗面加工したアルミニウム板を用いる場合を示しており、曲線R2は、表面未処理のアルミニウム板従来装置での部材における平均面粗さRaは約5μmを用いる場合を示している。この図12から、波長250-400nmの紫外線領域において、平均面粗さRaを0.5μmに加工したアルミニウム板の表面で、表面未処理のアルミニウム板を用いる場合に比べてより高い拡散反射率が得られるのが分かる。これによって、波長200nm以下の紫外線を用いる場合でも、0.5μm程度の平均面粗さRaを有するアルミニウム板を用いることによって、照射された紫外線を効率的に反射することが可能であることが類推される。図13は、フッ化物除去処理時の紫外線の照射時間を変化させた場合の質量数m/e=85のマススペクトル強度の変化を示す図である。この図で、横軸は紫外線の照射時間秒、secを示しており、縦軸はSiF3に相当する質量数m/e=85のマススペクトル強度任意単位を示している。また、曲線SP1は、実施の形態1による紫外線拡散反射板を用いない構造の薄膜製造装置の場合のマススペクトル強度を示し、曲線SP2は、実施の形態2による平均面粗さRa=0.5μmの紫外線拡散反射板を用いる構造の薄膜製造装置の場合のマススペクトル強度を示している。曲線SP2に示される実施の形態2によるマススペクトルでは、実施の形態1の曲線SP1に比べてより短い時間で、残留フッ化物によるスペクトル強度が減少している。具体的には、実施の形態1では、約70秒の紫外線照射でマススペクトル強度がほぼゼロになっているのに対し、実施の形態2では、約20秒の紫外線照射でマススペクトル強度がほぼゼロに至っている。すなわち、実施の形態2による薄膜製造装置を用いることで、実施の形態1に比べて、製膜室11内に残留するフッ化物を約0.3倍の時間で分解し、より速やかに製膜室11外に除去することが可能となる。図14は、一回あたりのプロセスフローで薄膜シリコン太陽電池の光電変換層を製膜する際の所要時間の関係を示す図である。この図で、横軸は所要時間を示している。また、上段は、フッ化物除去処理として特許文献1による方法を用いる場合を示し、中段は、フッ化物除去処理として実施の形態1による方法を用いる場合を示し、下段は、フッ化物除去処理として実施の形態2による方法を用いる場合を示している。なお、上段と中段に示される図は、実施の形態1の図9に示されるものと同様であるので、その詳細な説明については省略する。実施の形態2では、平均面粗さRa=0.5μmの凹凸を有する紫外線拡散反射板を製膜室11内に備える薄膜製造装置でフッ化物除去処理を行っているため、光源19から放射された紫外線が、製膜室11内の構成部材で高い強度で乱反射され、乱反射された紫外線がさらに製膜室11内の他の構成部材に照射される。これによって、実施の形態1に比して製膜室11内の残留フッ化物に紫外線が効果的に照射され、残留フッ化物の光分解反応が促進される。その結果、実施の形態2による総プロセス時間は、実施の形態1による総プロセス時間よりもさらに短くなる。たとえば、実施の形態2によるクリーニング時間を15分とし、紫外線照射時間を20秒とし、製膜時間を40分とした場合には、実施の形態2によるフッ化物除去処理を用いた総プロセス時間は3320秒であり、特許文献1によるフッ化物除去処理を用いた総プロセス時間である3900秒に比較して15程度短縮することができる。実施の形態2では、製膜室11内の製膜時に被膜が形成される虞のある領域に平均面粗さRa=0.5μm程度の凹凸を有する光拡散反射部材21を設けた。これによって、フッ化物除去処理時に光源19から照射される光が製膜室11内の構成部材表面で高い強度を保ったまま乱反射され、製膜室11内の隅々にまで光が到達するので、製膜室11内の構成部材表面に残留した反応生成物を効率よく光分解し、除去することができるという効果を有する。その結果、製膜室11内のクリーニング処理後にプリ製膜を行って残留した反応生成物を除去する場合に比して、プロセスに要する時間と原料ガスの使用量が削減され、スループットの向上生産性の向上とコスト削減を図ることができるという効果を有する。なお、上述した説明では、薄膜製造装置でSi膜を形成し、薄膜製造装置内に堆積付着したSi膜をフッ素系ガスを用いてクリーニング処理を行った後、フッ化物除去処理を行う場合について説明したが、これに限定されるものではない。薄膜製造装置内に堆積付着した被膜をクリーニング処理した際に薄膜製造装置内に残留する反応生成物を解離し、それを真空ポンプ32で排気可能な気体とすることができれば、この発明を適用することができる。"