光学素子1、18を備えた半導体リソグラフィ用の投影露光装置11であって、前記光学素子1の少なくとも1つは、該光学素子1において電流を非接触で生成する手段2を有し、前記電流は、少なくとも領域毎に前記少なくとも1つの光学素子1を加熱するのに適していることを特徴とする投影露光装置。請求項1に記載の投影露光装置11において、前記電流を非接触で生成する手段2は誘導コイルであることを特徴とする投影露光装置。請求項1又は2に記載の投影露光装置11において、前記少なくとも1つの光学素子1は、反射光学素子、特に斜入射ミラー又は多層膜ミラーであることを特徴とする投影露光装置。請求項3に記載の投影露光装置11において、前記反射素子1は、基板102及びその上に配置された反射領域101を有し、時変電流を非接触で生成する前記手段2を前記基板の側に配置したことを特徴とする投影露光装置。請求項4に記載の投影露光装置11において、前記反射素子1は、反射領域を前記基板上に配置した斜入射ミラーであり、強磁性材料を前記反射領域と前記基板との間に設けたことを特徴とする投影露光装置。請求項4に記載の投影露光装置11において、前記反射素子1は、多層領域101を前記基板102上に配置した多層膜ミラーであり、強磁性材料21を前記多層領域101と前記基板102との間に設けたことを特徴とする投影露光装置。請求項5又は6に記載の投影露光装置11において、前記強磁性材料21を、100nm未満、好ましくは50nm未満、特に好ましくは5nm未満の厚さを有する層として具現したことを特徴とする投影露光装置。請求項5又は6に記載の投影露光装置11において、前記強磁性材料21を、前記反射領域又は前記多層領域101と前記基板102との間の全域にわたって配置しないことを特徴とする投影露光装置。請求項4~8のいずれか1項に記載の投影露光装置11において、前記強磁性材料21を、前記反射光学素子1の前記基板102と前記反射領域101との間の中間領域の外部に配置したことを特徴とする投影露光装置。請求項5~9のいずれか1項に記載の投影露光装置11において、前記強磁性材料21は、Co、Fe、Ni、CrO2、Gd、Dy、EuO、又はHoの群からの物質を含有することを特徴とする投影露光装置。請求項4~10のいずれか1項に記載の投影露光装置11において、前記反射素子1は、多層領域101を前記基板102上に配置した多層膜ミラー1であり、該多層膜ミラー1の前記多層領域101の少なくとも1つの層は、強磁性材料21を含むことを特徴とする投影露光装置。したがって、本発明の目的は、領域毎に的を絞って加熱標的加熱することができる投影露光装置を特定することである。この目的は、請求項1に記載の投影露光装置により達成される。従属請求項は、本発明の有利な実施形態及び変形例に関する。半導体リソグラフィ用の本発明による投影露光装置は、光学素子を備えexhibits、光学素子の少なくとも1つは、光学素子において電流を非接触で生成する手段を有し、この場合、電流は、少なくとも領域毎に少なくとも1つの光学素子を加熱するのに適している。換言すれば、温度調節されることを意図した光学素子において、渦電流等の局所電流を目標通りに生成し、この電流は、光学素子の材料のオーム抵抗により、光学素子における局所加熱につながり、ひいては最終的に光学素子における温度分布の均一化につながる。導入部で述べた光学素子の望ましくない変形及びそれに関連する結像誤差は、その結果として効果的に回避される。従来技術における従来の慣習とは異なり、外部からの放射線の入射の結果として加熱が生じるのではなく、光学素子自体の材料に直接加熱が生じることにより、他の素子の望ましくない加熱又はシェーディングshadingに関する上述の問題が効果的に回避される。光学素子において、非接触で、すなわち機械的接触を伴わずに電流が生成されることにより、電流の導入による光学素子の機械的応力を最小限に抑えられる。上述のような、非接触の電流生成の1つの有利な可能性は、電流を非接触で生成する手段が誘導コイルであることにある。上記誘導コイルの複数の断片specimenを、光学素子の領域に空間的に分布して配置できることで、誘導コイルが生成した交番磁場が光学素子の特定の領域に作用でき、25Hz~50Hzの範囲の周波数を有する交流電流での誘導コイルの動作が、コイルの動作パラメータの有利な選択肢を構成する。選択した低周波数は、投影露光装置の光学素子が通常有する機械的固有周波数とは十分に異なるので特に有利である。代替的に、誘導コイルを数kHzの周波数範囲で動作させることもできるが、この場合も、用いる光学素子の機械的固有周波数から十分に異なる周波数範囲を選択することが有利である。特に、EUV半導体リソグラフィ用の投影露光装置に本発明を適用する場合、光学素子は、反射光学素子、特に斜入射ミラー又は多層膜ミラーであり得る。斜入射ミラーは、以下において、金属反射面を有するミラーを意味すると理解すべきである。短波スペクトル域でのこのようなミラーの動作中、ミラーの反射率は、入射角が浅くなる斜入射につれて高くなる。これに対して、多層膜ミラーは、ミラーリング金属層での反射に基づくのではなく、1方向に周期的に変わる反射率を有する空間的に広がった構造から入射電磁放射線を反射させることに基づく。上記周期構造は、特に、多層領域を基板に施すことにより生成する。多層領域は、特に、シリコン層及びモリブデン層の交互の繰り返しであり得る。反射光学素子は、基板及びその上に配置した反射領域を有し得る。続いて、時変電流を非接触で生成する手段を、特に反射光学素子の基板の側に配置することができる。露光に用いる光放射線は、通常は反射領域を設けた側から反射光学素子に照射されるので、時変電流を非接触で生成する手段の基板側へ配置した変形例では、上記手段の存在によって、光学素子、すなわち本例では少なくともミラーの光学機能性が損なわれる。本発明の単純な一実施形態では、1つ又は複数の誘導コイルを多層膜ミラーの基板側に配置する。交番磁場は、ミラーの多層領域において、特にモリブデン層で、上記層のオーム抵抗によるミラーの一定の加熱を早くも引き起こす渦電流を発生させる。この場合、10-6Ωcm~10-5Ωcmの範囲の抵抗率が多層領域で想定され得る。したがって、加熱の目的で、上記電流を非接触で生成する手段、すなわち例えば誘導コイルを有する未修正の多層膜ミラーを提供することも可能である。この変形例は、例えば、既に実用化されている、すなわち産業的に使用されている投影露光装置の後付けを可能にする。特に、強磁性材料を多層膜ミラーの多層領域と基板との間に設けることにより、加熱の効率の改善を達成することができる。この場合、強磁性材料は、100nm未満、好ましくは50nm未満、特に好ましくは5nm未満の厚さを有する層として具現することができる。強磁性材料は、多層領域と基板との間の領域全体で均一な厚さを有する層として配置することができる。代替的に、多層領域と基板との間の全域にわたって強磁性材料を配置しないことも可能であり、換言すれば、多層領域と基板との間に強磁性材料の島状領域を配置しても良く、他の領域では基板と多層領域とが直接接触し、適当であれば金属接着促進層を介して接触する。この場合、基板と多層領域との間に強磁性材料の個別領域が延在する実施形態では、光学素子を特定の領域で目標通りに加熱できるという効果がある。光学素子の加熱は、多層領域の優れた熱伝導性により支援される。本発明の一変形例では、強磁性材料層を1μm~数μmの範囲の厚さで形成し、この場合、上記層の厚さ方向における所望の熱誘導変形だけで、多層膜ミラーの表面幾何学的形状の補正にも大きく貢献できる。適当であれば、粗さを多層膜ミラーの要件に適合させるために、強磁性材料層に平滑化層又は研磨層を設けることができる。平滑化層はここでは厚さ数nm、研磨層は厚さ数μmであり得る。強磁性層自体を、研磨できるよう具現することもできる。隣接層への強磁性層の接着性を高めるために、例えば金属酸化物、特に酸化アルミニウム若しくは酸化ジルコニウム、又はCr若しくはTi等の金属を用いた接着促進層を採用することがさらに可能であり、層系として具現することもできるこの層は、例えば20nm~200nmの厚さを有し得る。例として、研磨層は、非晶質シリコン、微結晶シリコン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化チタン、酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウム、クロム、及び/又はそれらの組み合わせから成り得るか、又は上記材料の1つ又は複数を含み得る。研磨層は、1μm~10μm、好ましくは3μm~6μmの厚さを有し得る。例えば強磁性層の厚さ、磁気特性、又は組成に関して局所的に変化させることにより、多層膜ミラーの所望の温度分布を設定することが可能である。代替的又は付加的に、特定の温度分布を、電流を非接触で生成する手段の空間的配置により設定することもできる。さらに、強磁性材料を、斜入射ミラーの反射領域とその基板との間に配置することもできる。さらに、強磁性材料は、必ずしも多層膜ミラーの多層領域と基板との間にのみ配置する必要はない。多層領域とミラー基板との間の配置の代替として、又はそれに加えて、多層膜ミラーの基板と多層領域との間の中間領域の外部の領域に強磁性材料を設けることも同様に考えられ、特に、光学素子の縁部領域がここでは考慮される。これに対応して、斜入射ミラーの用途にもこれが当てはまる。強磁性材料は、特に、Co、Fe、Ni、CrO2、Gd、Dy、EuO、又はHoの群からの物質を含有し得る。本発明のさらに別の有利な変形例は、多層膜ミラーの多層領域の少なくとも1つの層が強磁性材料を含有することにある。これにより、第1に、多層領域の上記層が光学的作用に、すなわち多層膜ミラーの反射率にまず寄与し、第2に、例えばミラーの裏側から入射作用する交番磁場によりミラーの加熱を支援するので、有利な二重の効果を達成することができる。特に、2種類の層から成る多層領域の構成の場合、一方の種類の層が強磁性材料を完全に含有することができる。妨害的な磁歪効果を回避するために、例えば、露光が行われない時間に限って電流を非接触で生成する手段の動作させるようにすることができる。同様に、使用する交番磁場の周波数を、投影に用いる光源の動作周波数よりも顕著に高くすることにより、平均化効果により十分な結像特性を維持するという効果を達成することが可能である。添付図面を参照して本発明をさらに詳細に後述する。図1は、本発明による概念を実現したEUV投影露光装置11を純粋に概略的に示す。投影露光装置11は、光源12と、マスクパターン構造を有するマスク以下、構造担持マスクともいうを配置した物体平面14の視野を照明するEUV照明系13と、ハウジング16及び物体平面14の構造担持マスクを半導体コンポーネントの製造用の感光基板17に結像する放射線ビーム20を有する投影対物系15とを備える。照明系13は、ビーム整形又はビーム誘導用の光学素子も有する。しかしながら、図1には光学素子をより詳細に示さない。本発明によれば、ミラー1が電流2を非接触で生成する手段、この場合は誘導コイルを備えることが、図1から容易に認識可能である。さらに他のミラー18に電流を非接触で生成する手段を設けることも考えられる。図2は、光学素子を多層膜ミラー1として具現した本発明の第1実施形態を示す。この場合、多層膜ミラー1は、基板102と、その上に配置した多層領域101とを備える。基板102は、特に、例えばZerodur又はULE等の熱膨張率の低い材料であり得る。これは、多層膜ミラー1を機械的に安定化する役割を果たす。多層領域101は、基板102上に配置され、交互に変わる材料層、例えばそれぞれシリコン及びモリブデンを交互に有する。本例では、上記層をそれぞれ3つだけ示す。実際には、約30個~100個の上記層を多層膜ミラー1に配置する。強磁性材料21の層を、多層領域101と基板102との間に配置する。上記強磁性材料では、電流、特に渦電流を時変磁場により特に効果的に生成することができる。材料Co、Fe、Ni、CrO2、Gd、Dy、EuO、又はHoの1つ又は複数が、強磁性材料として適している。多層膜ミラー1の基板側に、特に強磁性材料21で電流を非接触で生成する手段として2つのコイル2を配置する。動作中、約25Hz~50Hzの範囲の交流電流をコイル2に印加する結果として、時変磁場が生じ、これが強磁性材料21の領域にすぐに入る。交番磁場により、電流が強磁性材料21で誘導され、この電流は、強磁性材料21のオーム抵抗により、その加熱及び多層膜ミラー1における周囲の領域の加熱につながる。交流電圧の周波数を上述のように選択することで、周囲のコンポーネント、特にミラー1の機械的固有周波数からの十分に大きな分離がそれにより確保され、時変磁場による機械的振動の励起が効果的に回避されるという利点がある。すでに述べたように、使用コンポーネントの機械的固有周波数からの十分な分離が確保される限り、高周波交流電圧を用いることもできる。熱膨張により、局所密度、したがって厚さ変動が材料21内で、また多層膜ミラー1における隣接の同様に加熱された領域でもさらに生じる結果として、多層膜ミラー1の表面形態の補正を達成することができる。したがって、ミラー1の表面形態は能動的に導出可能である。しかしながら、所望の局所的温度変化を設定するためにコイル2を駆動する場合、ミラー1が入射結像光によっても加熱されることを考慮すべきである。これは、例えば投影露光装置の動作中に結像収差すなわち波面収差を測定することにより、またコイル2を駆動するための制御信号をそこから生成することにより、補償することができる。これには、投影対物系の動作中にのみ生じる結像収差を補正できるというさらなる利点がある。例えば、反射屈折投影対物系の場合、レンズ素子の加熱により波面収差が生じる。結像光が屈折素子を通過する際、放射線の一部も常に吸収されて素子の局所加熱を招き、これがさらに表面をある程度変形させ得る。動作中に生じるこのような結像収差も、表面形態の能動駆動を用いる本発明によるミラー1により補償できる。この場合、例えば安定化及び接着促進用のさらに他の中間層を設けることが有利であり得る。さらに、例として、全ての実施形態において、必要な平滑度を達成するために、材料21と多層領域101との間に追加の中間層を配置することも可能である。例として、ポリイミド層をこの目的で用いることができる。代替的又は補助的に、追加の中間層を多層領域101の下に設けることも可能であり、この層は特によく研磨され得る。したがって、例として、実際の表面形態を特に良好に設定することができる。この場合、多層膜ミラー1の幾何学的形状の変化は必ずしも可逆である必要はない。材料の選択が適切であれば、例えば、動作中に生じた製造不良又は変形を補正するために、多層膜ミラー1の作製直後又は特定の動作期間後に補正措置として適当な材料層を誘導加熱することにより、不可逆的な密度の、したがって厚さの変更を行うことも同様に考えられる。図3は、他の構成が図2と事実上同一であるとして、強磁性材料21を有する領域を連続的に具現していない本発明の変形例を示す。強磁性材料21は、多層領域101と基板102との間の領域で島状に分配して配置する。この配置には、光学素子1に作用する交番磁場による光学素子1の加熱が、光学素子1のうち強磁性材料21に隣接した領域で主に生じるという利点がある。したがって、図3に示す例では、特に、多層領域101における場所依存性の高い温度分布を補償することが可能である。図4は、層のうち1種類が強磁性材料21から成るか又は層のうち1種類に強磁性材料21を設けるよう多層領域101’を具現した、本発明の実施形態を示す。図2及び図3に示すように、強磁性材料21の追加層をこうして不要にすることができ、コイル2の交番磁場の作用が、多層膜ミラー1の多層領域101’に所望の加熱を直接もたらす。特に、Co、Fe、Ni、CrO2、Gd、Dy、EuO、又はHoの群からのすでに述べた物質は、強磁性材料を設けた層として有利な材料であることが分かっている。図5は、強磁性材料21を多層領域101と基板102との間の領域の外部にも設けた本発明の変形例を示す。図5に示すように、強磁性材料21の付加的な領域を基板102の側部区域に配置し、当該側部区域に隣接して追加の誘導コイル2を装着する結果として、ミラー基板の、したがって多層膜ミラー1の特に高速且つ大面積の加熱を達成することが可能である。強磁性材料21を多層膜ミラー1の側部区域のみに設けて、基板102と多層領域101との間の強磁性材料21の層を不要にするようにした変形例も考えられる。しかしながら、この場合、多層膜ミラー1の縁部領域を加熱することが好ましく、これは特定の用途及び特定の照明設定で同様に有利であり得る。