磁気記録媒体に磁場を印加する補助磁極と、第1の周波数で発振し、当該第1の周波数に応じた周波数の高周波磁場を前記磁気記録媒体に印加する第1のスピントルク発振素子と、前記第1の周波数とは異なる第2の周波数で発振し、当該第2の周波数に応じた周波数の高周波磁場を前記磁気記録媒体に印加する第2のスピントルク発振素子と、を具備することを特徴とする磁気ヘッド。前記第1のスピントルク発振素子が出力する高周波電圧を検波して第1の検波出力を生成する第1の検波回路と、前記第2のスピントルク発振素子が出力する高周波電圧を検波して第2の検波出力を生成する第2の検波回路と、前記第1の検波出力と前記第2の検波出力との差分を計算して差分信号を生成する差動増幅器と、をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載の磁気ヘッド。前記第1の検波出力の信号レベルと前記第2の検波出力の信号レベルとが等しくなるように、前記第1のスピントルク発振素子及び前記第2のスピントルク発振素子が調整されていることを特徴とする請求項2に記載の磁気ヘッド。前記第1のスピントルク発振素子及び前記第2のスピントルク発振素子は、トンネル型磁気抵抗発振素子であることを特徴とする請求項1に記載の磁気ヘッド。磁気回転比をγ、前記補助磁極により印加される磁場の大きさをHpと表す場合、前記第1の周波数と前記第2の周波数の差2Δfが下記の関係を満たすことを特徴とする請求項1に記載の磁気ヘッド。1つの補助磁極と1つのスピントルク発振素子を用いて記録の読み出しを行う従来の3次元記録の方法では、読み出し電圧が小さく且つ読み出し電圧の極性が記録磁化の向きに依存しないため、ビット誤り率が大きくなる場合がある。本発明が解決しようとする課題は、読み出しのビット誤り率を低減することができる磁気ヘッドを提供することである。一実施形態に係る磁気ヘッドは、補助磁極、第1のスピントルク発振素子、及び第2のスピントルク発振素子を備える。補助磁極は、磁気記録媒体に磁場を印加する。第1のスピントルク発振素子は、第1の周波数で発振し、当該第1の周波数に応じた周波数の高周波磁場を前記磁気記録媒体に印加する。第2のスピントルク発振素子は、前記第1の周波数とは異なる第2の周波数で発振し、当該第2の周波数に応じた周波数の高周波磁場を前記磁気記録媒体に印加する。以下、必要に応じて図面を参照しながら、実施形態に係る磁気ヘッドを説明する。なお、以下の実施形態では、同一の番号を付した部分については同様の動作を行うものとして、重ねての説明を省略する。図1は、一実施形態に係る磁気ヘッド100を概略的に示している。この磁気ヘッド100は、磁気記録媒体110から情報を読み出す読み出しヘッドとして使用される。本実施形態では、磁気記録媒体110が、複数の記録層磁性層、例えば、4つの記録層111、112、113、114を含む三次元磁気記録媒体である例を説明する。磁気記録媒体110は、例えば円板状に形成され、回転駆動されることにより磁気ヘッド100に対して相対的に移動される。磁気記録媒体110の中心から半径方向に沿って等間隔に複数の円環状のトラックが記録層毎に形成されている。各トラックには、記録ビット磁性体ドットが等間隔に配列されている。図1には、トラック方向即ち、磁気記録媒体110の周方向に垂直な面における磁気記録媒体110の断面の一部分が示されている。記録層111、112、113、114の磁気共鳴周波数は、それぞれ異なっている。磁気共鳴周波数は、磁気ヘッド100に最も近い記録層111から最も遠い記録層114へ向かうに従って高くなる。即ち、記録層111、112、113、114の磁気共鳴周波数をそれぞれf1、f2、f3、f4と表すと、f1<f2<f3<f4である。磁気記録媒体110では、記録層111、112、113、114は、非磁性層115、116、117によって分離されている。具体的には、記録層111と記録層112との間に非磁性層115が配置され、記録層112と記録層113との間に非磁性層116が配置され、記録層113と記録層114との間に非磁性層117が配置されている。記録層111、112、113、114は、面内磁化膜で形成され、記録層111、112、113、114に含まれる各記録ビットの磁化は、トラック方向に垂直であり且つ膜面に水平である方向を、即ち、磁気記録媒体110の径方向を向いている。記録ビットの磁化の向きは、記録ビットに記録されている情報に対応する。一例として、情報0が記録されている記録ビットの磁化は、磁気記録媒体110の中心に向かう方向を向いており、情報1が記録されている記録ビットの磁化は、中心から外側に向かう方向を向いている。このような磁気記録媒体110では、記録ビットからの磁束が面内に閉じ込められるので、磁気記録媒体110からの磁場の漏洩がほとんどない。このため、記録ビットからの磁場を検出することで読み出しを行う磁気記録方式では、磁気記録媒体110から情報を読み出すことはできない。磁気共鳴現象を利用する本実施形態の磁気記録方式では、磁気記録媒体110から情報を読み出すことが可能である。さらに、記録ビット間の静磁結合が弱いため、磁気記録媒体110の高密度化が可能であり、また、記録層からの磁場の漏洩がほとんどないため、記録層を多層化して各記録層に情報を記録する三次元記録が可能である。図1の磁気ヘッド100は、磁気センサとしてのスピントルク発振素子101及び102と、磁気記録媒体110に磁場を印加する補助磁極103とを備える。スピントルク発振素子101及び102は、発振周波数が互いに異なる。一例では、補助磁極103は、リング型磁極であり、磁気記録媒体110の中心から外側に向かう方向の磁場を印加する。補助磁極103の直下に位置する各記録層の記録ビットには、同じ記録層の他の記録ビットより強い磁場が印加される。記録ビットに磁場が印加されると、記録ビットの磁気共鳴周波数は、磁場の強さ、及び磁場の向きと記録ビットの磁化の向きとの間の関係に応じて変化する。記録層114の記録ビットについて具体的に説明すると、記録ビットの磁化の向きが補助磁極103の磁場の向きと平行である場合には、記録ビットの磁気共鳴周波数f4は、f4=f4Δf4に変化し、記録ビットの磁化の向きが補助磁極103の磁場の向きと反平行である場合には、記録ビットの磁気共鳴周波数f4は、f4=f4-Δf4に変化する。ここで、補助磁極103の直下に位置する記録層114の記録ビットに印加される磁場をH4、磁気回転比をγとすると、Δf4は、下記数式1で表される。このように、補助磁極103の直下に位置する各記録層の記録ビットの磁気共鳴周波数は、同じ記録層の他の記録ビットの磁気共鳴周波数とは異なる。スピントルク発振素子101は、図2に示すように、磁化固定層203、非磁性層204及び磁化フリー層205を順次積層した積層構造を基本としたナノメートルサイズの素子である。なお、スピントルク発振素子102は、図2に示されるスピントルク発振素子101と同様の構成を有するので、スピントルク発振素子102の構成についての説明は省略する。磁化固定層203は、垂直磁化を有する。即ち、磁化固定層203の磁化の向きは、膜面に対して実質的に垂直である。磁化固定層203の磁化は、固定されている。磁化固定層203は、コバルトCo、ニッケルNi、鉄Fe、又はCo、Ni及びFeの少なくとも1つを含む合金等の材料で形成される。なお、磁化固定層203は、強磁性層を含む積層膜で形成されてもよい。一例として、磁化固定層203は、強磁性層及び反強磁性層を積層した交換結合膜で形成されることができる。この例では、反強磁性層は、強磁性層との交換結合により、強磁性層の磁化の向き、即ち、磁化固定層203の磁化の向きを固定する。磁化固定層203と磁化フリー層205との間に配置される非磁性層204は、銅Cu等の非磁性金属、或いは、MgOマグネシウム酸化膜及びAl-Oアルミニウム酸化膜等の絶縁膜で形成される。磁気ヘッド100を読み出しヘッドとして用いる場合、非磁性層204は、大きな出力電圧を得るために、MgO及びAl-O等の絶縁膜で形成されることが好ましい。即ち、磁気ヘッド100は、トンネル型磁気抵抗TMR:tunnelingmagnetoresistive発振素子であることが好ましい。磁化フリー層205は、垂直磁化を有する。即ち、磁化フリー層205の磁化206の向きは、膜面に対して実質的に垂直である。さらに、磁化フリー層205は、一軸磁気異方性を有する。一軸磁気異方性は、一様磁場中において結晶磁気異方性の高い材料を成膜することにより、又は、成膜後に一様磁場中でアニールすることにより発生させることができる。さらに、スピントルク発振素子101は、膜面に対して垂直に電流を流すための1対の電極201及び202を備える。スピントルク発振素子101では、電流源210から直流電流Iが供給されると、この電流Iが膜面に対して垂直に流れ、即ち、磁化固定層203から非磁性層204を介して磁化フリー層205へ通電される。ある電流Iが通電されると、磁化フリー層205の磁化206の歳差運動が誘起され、即ち、磁化フリー層205の磁化206が定常振動する。ここで、ある電流Iとは、閾値電流密度より大きい電流密度を有する電流を指す。磁化フリー層205の磁化206が定常振動する振動数をωと表すと、スピントルク発振素子101の発振周波数は、ω/2πである。スピントルク発振素子101の発振周波数は、磁化フリー層205のサイズ及び膜厚、磁化206を定常振動させるための直流電流I、磁化206に作用する外部磁場の大きさ等に依存する。これらを適宜調節することにより、スピントルク発振素子101の発振周波数を数GHzから数十GHzの任意の値に設定することが可能である。歳差運動する磁化フリー層205の磁化206と磁化固定層203の磁化との間の磁気抵抗効果巨大磁気抵抗GMR:giantmagnetoresistive効果又はトンネル磁気抵抗TMR効果により、電極201及び202間には、スピントルク発振素子101の発振周波数に応じた数GHzから数十GHzの高周波電圧が発生する。この高周波電圧は、負荷211に出力される。さらに、スピントルク発振素子101の近傍には、磁化フリー層205の磁化206の歳差運動に伴って、スピントルク発振素子101の発振周波数に応じた周波数数GHzから数十GHzの高周波回転磁場220が発生する。磁気ヘッド100は、スピントルク発振素子101及び102の各々から発生する高周波電圧電力及び高周波磁場の両方を利用して、磁気記録媒体110に記録されている情報を読み出す。スピントルク発振素子101の磁化フリー層205内の磁化が歳差運動することにより発生した高周波磁場220は、スピントルク発振素子101の近傍に位置する記録ビットに作用する。スピントルク発振素子101の発振周波数が記録ビットの磁気共鳴周波数に一致している場合、高周波磁場220と記録ビットとの間に磁気共鳴が起こる。磁気共鳴時には、記録ビットは、高周波磁場220のエネルギーを吸収する。一方で、スピントルク発振素子101は、記録ビットの共鳴吸収によりエネルギーを損失する。その結果、一定電流の通電下においては、磁気共鳴が起こると、スピントルク発振素子101の出力電圧読み出し電圧の振幅が小さくなる。後述するように、磁気ヘッド100は、磁気共鳴現象によって生じるスピントルク発振素子101及び102の出力電圧の振幅の変化を検出することにより、磁気記録媒体110から情報を読み出すことができる。なお、出力電圧の変化に伴って電圧の位相も変化するので、電圧変化に代えて位相の変化を検出することにより、磁気記録媒体110に記録されている情報を読み出すことも可能である。なお、補助磁極103を備える磁気ヘッド100では、スピントルク発振素子101及び102を読み出す対象の記録ビットの直上に設置することができない場合がある。しかしながら、共鳴状態にある磁性体の高周波透磁率は、非共鳴状態のものに比べて1桁以上大きいので、スピントルク発振素子101及び102が読み出す対象の記録ビットの直上に設置されない場合でも、高周波磁場の磁束が読み出す対象の記録ビットに集中し、この記録ビットに十分強い高周波磁場が印加される。次に、磁気記録媒体110から情報を読み出す方法について具体的に説明する。ここでは、第4層の記録層114の記録ビット118に記録されている情報を読み出す場合を想定する。上述したように、補助磁極103の直下に位置する記録層114の記録ビット118には、記録層114の他の記録ビットに比べてより強い磁場が補助磁極103により印加され、これにより、この記録ビット118の磁気共鳴周波数は、磁化の向きに応じて変化されている。具体的には、記録ビット118の磁化の向きが補助磁極103の磁場の向きと平行である場合には、記録ビット118の磁気共鳴周波数は、f4Δf4に変化され、記録ビット118の磁化の向きが補助磁極103の磁場の向きと反平行である場合には、記録ビット118の磁気共鳴周波数は、f4-Δf4に変化される。第4層の記録層114に記録されている情報を読み出す場合、図1に示されるように、スピントルク発振素子101の発振周波数は、f4Δf4に設定され、スピントルク発振素子102の発振周波数は、f4-Δf4に設定される。スピントルク発振素子101の発振周波数とスピントルク発振素子102の発振周波数の差は、2Δf4である。これにより、スピントルク発振素子101は、補助磁極103の磁場の向きと平行な向きの磁化を有する記録ビット118に選択的に磁気共鳴を生じさせることができ、スピントルク発振素子102は、補助磁極103の磁場の向きと反平行な向きの磁化を有する記録ビット118に選択的に磁気共鳴を生じさせることができる。磁気記録媒体110が磁気ヘッド100に対して相対的に移動されると、スピントルク発振素子101及び102の出力電圧の振幅は、時々刻々と変化される。具体的には、磁気ヘッド100の直下を通過する記録ビット118の磁化の向きが補助磁極103の磁場の向きと平行である場合、共鳴吸収によりスピントルク発振素子101のエネルギー損失が増大し、スピントルク発振素子101の出力電圧の振幅が小さくなる。また、磁気ヘッド100の直下を通過する記録ビット118の磁化の向きが補助磁極103の磁場の向きと反平行である場合、共鳴吸収によりスピントルク発振素子102のエネルギー損失が増大し、スピントルク発振素子102の出力電圧の振幅が小さくなる。図3に示すように、スピントルク発振素子101から出力される高周波電圧は、振幅変調AM:amplitudemodulation検波回路301へ送られる。AM検波回路301は、スピントルク発振素子101からの高周波電圧に対してAM検波を行い、高周波電圧の振幅値を出力する。同様に、スピントルク発振素子101から出力される高周波電圧は、AM検波回路302によってAM検波を施される。差動増幅器303は、引き算回路として用いられ、AM検波回路301の検波出力V1とAM検波回路302の検波出力V2との差を計算して電圧信号読み出し電圧を生成する。図4は、差動増幅器303から出力される電圧信号の一例を示している。図4では、縦軸は、電圧信号の信号レベルを示し、横軸は、時間を示す。また、図4に示される矢印は、記録ビット118の磁化の向きを示している。図4に示されるように、電圧信号の極性は、記録ビット118の磁化の向き、即ち、記録ビット118に記録されている情報0又は1に依存して変化する。従って、電圧信号の極性を判定することで記録ビット118に記録されている情報を読み出すことができる。磁気ヘッド100では、スピントルク発振素子101及び102の一方のみを利用して、磁気記録媒体110から情報を読み出すこともできる。図5は、スピントルク発振素子101の出力電圧を検波した後の電圧信号を示している。図5に示されるように、1つのスピントルク発振素子を利用する場合、電圧信号の極性は、記録ビットの磁化の向きに依存しない。このため、電圧信号の信号レベルを判定することで記録ビットに記録されている情報を読み出すことになる。電圧信号の極性を判定する本実施形態の方式は、電圧信号の信号レベルを判定する方式より容易に実行することができる。さらに、1対のスピントルク発振素子101及び102を利用する場合、電圧信号の変化量ΔVがより大きくなり、電圧信号における雑音等の影響を低減することができる。従って、1対のスピントルク発振素子101及び102を利用する本実施形態の磁気ヘッド100においては、磁気記録媒体110に記録されている情報をより正確に読み出すことができ、ビット誤り率を低減することができる。なお、他の記録層に記録されている情報を読み出す場合、スピントルク発振素子101及び102の発振周波数は、読み出し対象の記録層の磁気共鳴周波数に応じて設定される。或いは、磁気ヘッド100には、磁気記録媒体110の記録層に対応する複数対のスピントルク発振素子が設けられてもよい。また、差動増幅器303から出力される電圧信号が取り得る2つの電圧値V及びV-の絶対値が略等しくなることが望ましく、即ち、出力電圧が略等しい1対のスピントルク発振素子101及び102を用いることが望ましい。さらに、磁気記録媒体110は、図1に示されるような複数の記録層を含む3次元磁気記録媒体の例に限らず、1層の磁気記録媒体であってもよい。さらに、磁気記録媒体110は、面内磁化を有する磁気記録媒体面内磁化媒体の例に限らず、図6に示すように、記録ビットが垂直磁化601を有する磁気記録媒体垂直磁化媒体600であってもよい。図1の磁気ヘッド100は、磁気記録媒体110に情報を書き込むアシスト型記録ヘッドとして使用することもできる。記録ヘッドとして用いる場合、磁気ヘッド100は、補助磁極103を記録磁極として用い、スピントルク発振素子101及び102をアシスト用発振素子として用いる。記録と読み出しとにおける違いは、記録の場合には、記録ビットの磁化を反転させるために、記録磁極補助磁極103による磁場、及び発振素子101又は102による高周波磁場をともに読み出しの場合より強く印加することである。磁気ヘッド100を記録ヘッドとして用いる場合には、スピントルク発振素子101及び102は、大電流を通電することで強い高周波磁場マイクロ波磁場ともいうを発生することができる膜面垂直通電CPP:currentperpendiculartoplane型発振素子であることが好ましい。次に、図7及び図8を参照して、上述した磁気ヘッド100を搭載した磁気記録再生装置の一例を説明する。図7は、一実施形態に係る磁気記録再生装置700を概略的に示している。磁気記録再生装置700は、磁気ディスク磁気記録媒体701を備える。この磁気ディスク701は、スピンドル702に装着されスピンドルモータにより矢印Aの方向に回転される。磁気ディスク701の近傍に設けられたピボット703には、アクチュエータアーム704が保持されている。アクチュエータアーム704の先端にはサスペンション705が取り付けられている。サスペンション705の下面にはヘッドスライダ706が支持されている。ヘッドスライダ706には、例えば、図1に示される磁気ヘッド100が搭載されている。アクチュエータアーム704の基端部にはボイスコイルモータ707が形成されている。磁気ディスク701を回転させ、ボイスコイルモータ707によりアクチュエータアーム704を回動させてヘッドスライダ706を磁気ディスク701上にロードすると、磁気ヘッドを搭載したヘッドスライダ706の媒体対向面ABSが磁気ディスク701の表面から所定の浮上量をもって保持される。なお、ヘッドスライダ706は、磁気ディスク701と接触するいわゆる接触走行型のものであってもよい。この状態で、磁気ディスク701に記録された情報を読み出すことができる。図8は、アクチュエータアーム704から先の磁気ヘッドアセンブリ800を磁気ディスク側から見た拡大斜視図である。磁気ヘッドアセンブリ800は、アクチュエータアーム704を含み、アクチュエータアーム704の一端にはサスペンション705が接続されている。サスペンション705の先端部には、図1に示される磁気ヘッド100を有するヘッドスライダ706が取り付けられている。サスペンション705には信号の書き込み及び読み取り用のリード線801が配線され、このリード線801とヘッドスライダ706に組み込まれた磁気ヘッドの各電極とが電気的に接続されている。リード線801は、磁気ヘッドアセンブリ800の電極パッド802に接続されている。以上のように、本実施形態に係る磁気ヘッドにおいては、発振周波数が互いに異なる2つのスピントルク発振素子を磁気センサとして用いることにより、磁気記録媒体の記録ビットに記録されている情報に応じて極性が変化し且つ信号レベルが高い電圧信号を得ることができ、その結果、ビット誤り率を低減することができる。次に、本実施形態の具体的な実施例を挙げて説明する。ただし、本実施形態は、以下の実施例に限定されるものでない。実施例次に、実施例に係る磁気ヘッドについて説明する。図9は、本実施例に係る磁気ヘッドの発振素子部900を概略的に示している。図9の発振素子部900は、スパッタ法によりガラス基板901上に磁性積層膜を成膜し、電子線及び光リソグラフィーを用いて磁性積層膜を加工して作製した。発振素子部900には、2つのスピントルク発振素子910及び920が並列に設けられている。これらスピントルク発振素子910及び920は、同じ構造を有する1対の発振素子である。スピントルク発振素子910及び920のサイズはそれぞれ40nm×80nmとした。スピントルク発振素子910及び920の磁化フリー層915及び925は、CoFeB膜で形成し、その膜厚は2nmとした。非磁性層914及び924は、MgOのトンネル絶縁膜で形成し、その膜厚は1nmとした。磁化固定層915及び925は、CoFeB/Ru/CoFeの積層膜で形成し、CoFeb膜の膜厚は4nm、Ru膜の膜厚は0.92nm、CoFe膜は膜厚を4nmとした。電極911、912、921、922はCuで形成した。スピントルク発振素子910及び920の上方には、絶縁層としてのSiO2層を介してCoFe2膜903、Cu膜904及びCoFe1膜905を順次積層したCoFe膜磁性膜を形成した。このCoFe膜は、コプレナーガイドの中心導体の一部となっている。CoFe膜の保磁力Hcは、520Oeであり、450Oeの外部磁場の下でのCoFe膜の磁気共鳴周波数は、外部磁場がCoFe膜の磁化と平行である場合には8.1GHzであり、外部磁場がCoFe膜の磁化と反平行である場合には4.3GHzであった。ケース1:スピントルク発振素子910を単独で用いる場合スピントルク発振素子910に流す電流を調節し、外部磁場450Oeが印加されている状況下でのスピントルク発振素子910の発振周波数を8.1GHzに設定した。CoFe膜の磁化と平行又は反平行になるように外部磁場の向きを1秒毎に変更して、スピントルク発振素子910の検波出力V1を測定した結果を図10に示す。図10からは、CoFe膜の磁化が外部磁場と平行な場合には、共鳴吸収により発振素子のエネルギー損失が増大し、出力電圧が低下することがわかる。即ち、磁化の向きに応じた出力が得られ、情報の読み出しがなされている。ケース2:スピントルク発振素子910及び920を用いる場合スピントルク発振素子910及び920に流す電流を調節し、外部磁場450Oeが印加されている状況下でのスピントルク発振素子910及び920の発振周波数をそれぞれ8.1GHz及び4.3GHzに設定した。CoFe膜の磁化と平行又は反平行になるように外部磁場の向きを1秒毎に変更して、スピントルク発振素子910及び920の検波後の出力電圧の差V1-V2を測定した結果を図11に示す。CoFe膜の磁化が外部磁場と平行である場合には、共鳴吸収によりスピントルク発振素子910のエネルギー損失が増大し、スピントルク発振素子910の出力電圧V1が低下する。これに対し、CoFe膜の磁化が外部磁場と反平行である場合には、共鳴吸収によりスピントルク発振素子920のエネルギー損失が増大し、スピントルク発振素子920の出力電圧V2が低下する。図11に示されるように、2つのスピントルク発振素子910及び920を用いる場合にも、磁化の向きに応じた電圧信号が得られ、情報の読み出しがなされている。ケース1とケース2を比較すると、ケース2では、CoFe膜の磁化が外部磁場と平行である場合の信号レベルと、CoFe膜の磁化が外部磁場と反平行である場合の信号レベルとの差が、ケース1より2倍に増大し、且つ、CoFe膜の磁化の向きに応じて電圧信号の極性が変化している。従って、本実施形態のように発振周波数が互いに異なる2つのスピントルク発振素子を用いることにより、磁気記録媒体の記録ビットに記録されている情報に応じて極性が変化し且つ信号レベルの変化が大きい電圧信号を得ることができることがわかる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。