"相互接続体エッジの近くの相互接続体側に相互接続体パッドを有する半導体ダイを備え、上記相互接続体側の少なくとも一部が、相似誘電コーティングにより被覆され、上記誘電コーティング上の相互接続体トレースが、上記誘電コーティングの表面と大きいインターフェース角を形成するアセンブリ。上記相互接続体トレースが硬化性相互接続体材料を含んで成る請求項1に記載のアセンブリ。積層され電気接続された複数の上記ダイを備える請求項1に記載のアセンブリ支持体上の回路上に取り付けられ電気接続されたダイの積層体を備える請求項1に記載のアセンブリ。上記相似コーティングがポリマー材料を含んで成る請求項1に記載のアセンブリ。上記相似コーティングのポリマー材料が、非有機ポリマーを含んで成る請求項5に記載のアセンブリ。上記相似コーティングの上記ポリマー材料が、有機ポリマーを含んで成る請求項5に記載のアセンブリ。上記相似コーティングの上記ポリマー材料が、ハイブリッドポリマーを含んで成る請求項5に記載のアセンブリ。上記相似コーティングの上記ポリマー材料が、パリレンを含んで成る請求項7に記載のアセンブリ。上記相似コーティングの上記ポリマー材料が、パリレンC、パリレンN、パリレンA、又はパリレンSRのうちの1つ又は組み合わせを含んで成る請求項9に記載のアセンブリ。上記相互接続体材料が、硬化性導電ポリマー又は導電インクを含んで成る請求項1に記載のアセンブリ。上記相互接続体材料が、導電ポリマーを含んで成る請求項1に記載のアセンブリ。上記相互接続体材料が、粒子状の導電材料が充填されたポリマーを含んで成る請求項1に記載のアセンブリ。上記相互接続体材料が、金属が充填されたポリマーを含んで成る請求項1に記載のアセンブリ。上記相互接続体材料が、金属が充填されたエポキシを含んで成る請求項1に記載のアセンブリ。上記相互接続体材料が、金属が充填された熱硬化性ポリマーを含んで成る請求項1に記載のアセンブリ。上記相互接続体材料が、金属が充填された熱可塑性ポリマーを含んで成る請求項1に記載のアセンブリ。上記接合材料が有機ポリマーを含んで成る請求項1に記載のアセンブリ。上記相互接続体材料が無機ポリマーを含んで成る請求項1に記載のアセンブリ。上記相互接続体材料がハイブリッド有機ー非有機ポリマーを含んで成る請求項1に記載のアセンブリ。相互接続体材料が導電インクを含んで成る請求項1に記載のアセンブリ。上記相互接続体材料が硬化性ポリマーを含んで成る請求項1に記載のアセンブリ。硬化性ポリマーが段階的に硬化性である請求項22に記載のアセンブリ。上記相互接続体材料が、導電充填材を含む母材を含んで成る請求項1に記載のアセンブリ。上記相互接続体材料が硬化性又は固化性材料を含んで成り、上記導電充填材が粒子状の導電金属を含んで成る請求項24に記載のアセンブリ。上記相互接続体材料が導電エポキシを含んで成る請求項1に記載のアセンブリ。上記相互接続体材料が、銀が充填されたエポキシを含んで成る請求項1に記載のアセンブリ。上記相互接続体材料が、60~90重量の銀を有する充填エポキシを含んで成る請求項1に記載のアセンブリ。上記相互接続体材料が、80~85重量の銀を有する充填エポキシを含んで成る請求項1に記載のアセンブリ。インターフェース角が約60 ゚と約120 ゚との間の範囲内にある請求項1に記載のアセンブリ。インターフェース角が約75 ゚と約105 ゚との間の範囲内にある請求項1に記載のアセンブリ。インターフェース角が約75 ゚と約90 ゚との間の範囲内にある請求項1に記載のアセンブリ。その表面に相互接続体形状体を有するダイを提供することと、上記ダイ上に相似電気絶縁コーティングを形成することと、上記相互接続体形状体のうちの選択された1つを露出する開口を形成することと、上記露出された相互接続体形状体に接触するように硬化性相互接続体材料を適用することと、上記相互接続体材料を硬化することとを含んで成るダイアセンブリを製造するための方法。上記相似コーティングを形成することが、蒸着によるコーティングを形成することを含む請求項33に記載の方法。上記相似コーティングを形成することが、液相堆積によるコーティングを形成することを含んで成る請求項33に記載の方法。上記相似コーティングを形成することが、固相堆積によるコーティングを形成することを含んで成る請求項33に記載の方法。開口を形成することが、レーザアブレーションプロシージャーを行うことを含む請求項34に記載の方法。上記相互接続体材料が硬化性導電ポリマーを含み、上記相互接続体材料を適用することが、流動性の上記相互接続材料を適用することを含んで成る請求項33に記載の方法。上記相互接続体材料が導電インクを含み、上記相互接続体材料を適用することが、流動性の上記相互接続材料を適用することを含んで成る請求項33に記載の方法。上記相互接続体が、ダイ上の相互接続体パッドを含んで成る請求項33に記載の方法。支持体上に上記ダイを取り付けることをさらに含んで成る請求項33に記載の方法。上記相互接続体形状体が、上記支持体上の結合部位を含んで成る請求項41に記載の方法。CF4プラズマにより上記コーティングされたダイを処理することをさらに含んで成る請求項33に記載の方法。CF4プラズマにより上記コーティングされたダイを処理することが、上記開口を形成するより前に行われる請求項43に記載の方法。CF4プラズマにより上記コーティングされたダイを処理することが、上記開口を形成するのに続いて前に行われる請求項43に記載の方法。開口を形成するのに続いてプラズマ洗浄を行うことをさらに含んで成る請求項33に記載の方法。本発明の代替的な実施の形態を示す図を参照してさらに詳細に本発明を説明する。図面は概略的であり、本発明の形状体と、他の形状体及び構造とのそれらの関係とを示し、縮尺は正確でない。描写の明瞭さを改善するために、本発明の実施の形態を示す図では、他の図面に示されている素子に対応する素子はすべて、新たに番号を付けないが、それらは容易に識別できる。描写の明瞭さのために、本発明の理解のために必要でない形状体は示されていない。図1は、電気相互接続されたダイの積層体の一部を示す写真である。図示のダイ積層体では上部ダイ10が、下重ねの下部ダイ10’の上に積層されている。相互接続体パッド15が、上部ダイ10の相互接続体エッジ11に沿って配置され、相互接続体パッド15’が、下部ダイ10’の写真のフレームの外側の相互接続体エッジに沿って配置されている。図示の例では積層体中のダイはずれている、すなわち、上部ダイ10の相互接続体エッジ11は、下部ダイ10’の相互接続体エッジに対してずれており、したがって相互接続体パッド15’が見えている。積層体中のダイは、導電トレース18により電気相互接続されている。図2A及び2Bは、基板のダイ取り付け表面上に取り付けられ、相互接続体パッド上に形成された電気相互接続体パッドを有するダイの一部の断面図を示す。図2Aは写真であり、図2Bは、ある形状体を識別するのを支援するために写真をトレースして作られたスケッチである。従来のように、ダイのアクティブ側にある集積回路は、ダイの相互接続表面上の相互接続体パッドに電気接続されている。ダイの中及び上の回路のいくつかは写真フレームの外側にあり、ダイの中及び上の回路の詳細は、図に示されていない。ダイの相互接続表面は従来通り、ダイ表面を露出するために例えばマスク及び腐食プロシージャーによりパターン化された不活性化層により被覆され、相互接続体パッド及びそれらに通じる電気トレースは従来通り、ダイの不活性化相互接続表面上に金属層を形成し、次いで例えばマスク及び腐食プロシージャーにより金属層をパターン化することにより形成されている。ダイは、ダイの相互接続表面が基板の取り付け表面から背いて面するように基板に対して配向されている。図2Bを参照すると、ダイ10は、例えばダイ取り付けフィルムなどの生長剤12を使用して基板20上に取り付けられる。従来通り、基板は、ダイを基板回路と電気接続するためにダイ取り付け表面で露出されているパッドを備える。基板の中及び上の回路のいくつかは写真フレームの外側にあり、基板の中及び上の回路の詳細は、図に示されていない。基板20の図示の部分は、誘電材料の層と、パターン化金属層又は金属化物22とを含む。ダイ10は、ダイ表面に形成された相互接続体パッド15を有する。パッド15間のダイ表面は、不活性化物14により被覆され、電気絶縁相似コーティング16が、パッド15及び不活性化物passivation14の上に形成されている。不活性化物14は例えば、例えばポリイミド又はパリレンなどの有機誘電ポリマーであることもある。電気絶縁相似コーティング16は例えば、パリレンなどの有機誘電ポリマーであることもある。特定の例では相似誘電コーティングはパリレンである。絶縁相似コーティングを通過する開口が、後に形成されるトレースとの電気接触が望まれる形状体を露出するために例えばレーザアブレーションにより形成される。相似コーティングを通過する開口は、図2Aに現れないので図2Bに示されず、図示の特定のパッド内に開口は存在しないか、又はいかなる開口も写真フレームの外側にある。相互接続体ダイパッドは例えば金属を含み、特定の例では、例えばアルミニウム、銅又は金などの1以上の金属を含む。特定の実施の形態では金又はパラジウム接触表面が好ましく、そのような実施の形態ではダイパッドは、金又はパラジウム接触表面を有するように例えばメッキ又はスパッタリングプロシージャーにより処理された金又は別の金属であることもある。いくつかの実施の形態ではパラジウム接触表面は、ニッケル及び次いでパラジウムによりパッドをめっき又はスパッタリングすることにより形成される。特定の例ではダイパッドは、接触表面に金を含む。図示の例では相互接続体トレース18は、流動性の状態で適用される導電材料から形成され、次いで硬化させる又は硬化するのを許容してトレースを完成する。このような材料は例えば、硬化性有機ポリマー母材例えば導電例えば充填エポキシ又は導電インクに含まれる導電粒子例えば導電金属粒子を含む導電ポリマーを含み、例えば液体キャリアで供給される導電粒子を含む。特定の実施の形態では相互接続体材料は、硬化性導電ポリマー又は導電インクなどの導電ポリマーである。例えば、導電材料は、硬化性ポリマー母材に含ませた状態の導電粒子を含むことも可能である。特定の例では導電材料は、エポキシ母材に含ませた状態のビスマス、銅及びスズを含む。図1及び2Bに示されているようにそして図2Aに現れているように、トレースは概半円断面を有するにもかかわらず、これらの例でのパッド表面に隣接する相互接続体材料は、エッジで広がり、少なくともいくつかの例では隣接トレースのエッジは接触するか又は重なる。その結果、隣接トレースの間に電気漏洩が生じることもあり、これは許容できない状態である。我々は、トレース形成の前にCF4を使用して相似誘電コーティング表面をプラズマ処理すると、パッドに隣接する相互接続体材料がエッジで広がる傾向が緩和されることを発見した。その結果の構造の例が、図3、4A及び4Bに示されている。材料は、図1、2A及び2Bの例で使用される材料と実質的に同様であり、これらの例を実現するプロセスも、CF4プラズマ処理がトレース形成処理の前に行われる以外は同様である。図3の写真に示されている概観で、トレース48は、エッジ47でわずかに羽根状になっている以外は良好に閉じ込められている。8図4Aの写真の断面図で見られるように、そして図4Bにスケッチされているように、トレースは、トレース材料とパッド表面との交差箇所で大きいインターフェース角θを示し、パッド表面に隣接するエッジで相互接続体材料は非常にわずかしか流出あるいは浸出しない。これらの図では開口の例が、相似誘電コーティング内に示され、相互接続体材料がパッド表面と接触し、相互接続体材料とパッドとのインターフェースで金属間化合物42が形成される。図5は、改善された相互接続体を形成するためのプロセスにおける段階を示す。段階51では、相互接続体側で相互接続体パッドを有するダイが提供されるか、又は相互接続体側で相互接続体パッドを有するダイ積層体が提供される。種々のダイタイプのいかなるものも、本発明の実施の形態にしたがって処理でき、ダイ積層体が提供されるとダイは、種々の積層体形態のうちのいかなる形態にでも配置できる。種々の積層体形態の例が、例えば参照することにより本願明細書に組み込まれるものとする上述の米国特許出願番号第12/124,077号に記載されている。いくつかの積層体形態では各ダイが、少なくとも第1のダイエッジに沿って縁部内に位置する相互接続体パッドを有し、積層体内の後続のダイが、それらのそれぞれの第1のダイエッジ相互接続体ダイエッジが積層体の同一の面相互接続体積層体面へ向かって面するように配置されることもある。いくつかの積層体配置では相互接続体エッジはすべて、互いの上に概垂直に配置されている、すなわち、相互接続体積層体面は、概平面状であり、頂部及び底部積層体表面の平面水平な平面であってもよいに対して垂直である。別のそのような積層体配置では積層体内の上記ダイは、下重ねのダイに対してずれており、これにより下重ねのダイの相互接続体縁部の一部が露出されている。この形態ではダイ積層体は階段状であり、相互接続は、段の上で行うことができる。別の実施の形態では例えば、各ダイは少なくとも第1のダイエッジに沿って相互接続体縁部を有するが、しかし積層体内の後続のダイは、それらのそれぞれの第1のダイエッジが積層体の異なる例えば対向する面へ向かって面するように配置されている。第1のダイエッジが対向積層体面へ向かって面していると、この形態は食い違いダイ積層体の様相を呈し、積層体の底部から順次のダイに番号を付けた場合奇数のダイの第1のダイエッジがある1つの積層体面へ向かって面するとする、偶数のダイの第1のダイエッジは、対向する積層体面へ向かって面する。食い違い積層体では、奇数のダイの第1のダイエッジは、ある1つの積層体面は垂直に配置され、対応する上重ねのパッドは、別の垂直相互接続体により接続でき、偶数のダイは、対向する積層体面で垂直に配置され、対応する上重ねのパッドは、別の垂直相互接続体により接続できる。食い違い積層体形態では、偶数のダイは、奇数のダイの間のスペーサーとして働き、奇数のダイは、偶数のダイの間のスペーサーとして働く。ダイの間のスペースは比較的大きいおおよそ中間ダイの厚さので、相互接続体トレースは、相互接続体距離の一部を支持されずに横切るように形成される。別の実施の形態では例えば、Y寸法より大きいX寸法を有するダイが積層され、積層体内の後続のダイは、垂直に隣接する下又は上のダイに対して90 ゚に配向されている。このような実施の形態では各ダイは、少なくとも1つの狭幅のダイエッジに沿って典型的には双方の狭幅のダイエッジに沿って縁部内に位置する相互接続体パッドを有し、積層体の底部から順次にダイに番号を付けた場合偶数のダイの第1のダイエッジは、積層体のある1つの面へ向かって面するとすると、奇数のダイの第1のダイエッジは第1の積層体面に対して90 ゚で第1の積層体面へ向かって面する。これらの実施の形態のうちのいずれの実施の形態でも各ダイは、第1のダイエッジに加えて第2のダイエッジに沿って縁部内に位置する接続パッドを有し、第1のダイエッジは、対向するエッジ又は90 ゚で隣接するダイエッジであることもある。いくつかの積層体形態は、積層体内のダイが同一の長さ及び幅寸法を有する配置及び/又は積層体内のすべてのダイが同一の長さ又は同一の幅寸法を有するのではない配置を含む。いくつかのずれダイ積層体では少なくとも1つのダイが、下重ねのダイに比してより小さい長さ又は幅寸法を有し、それらは、積層体面の少なくとも2つの対向する積層体面へ向かって見て、ピラミッドの様相を呈する。相互接続体材料が、それが配置されている表面と実質的に相似であるかぎり、いかなるそのような表面も、表面が電気絶縁されている場合以外、導電トレースと電気接触できる。したがって、相互接続体トレースと接触するが電気接触が望まれないダイの表面は、電気絶縁されなければならない。これは例えば、段階52におけるように表面上に相似誘電フィルムを適用し、次いで、段階53におけるように電気接触が望まれるフィルム内に開口を形成することにより達成される。いくつかの実施の形態では相似コーティングの材料は、例えばパリレンC又はパリレンN又はパリレンA又はパリレンSRなどのポリキシレンポリマーなどのp-キシレンのポリマー又はその誘導体などの有機ポリマーのフィルムを含む。いくつかの実施の形態では相似コーティングは、例えば蒸着、液相堆積又は固相堆積などの付着により形成される。特に適切な誘電フィルムはパリレンフィルムであり、このフィルムは、積層体内での組み立て前にダイに適用するか、又は組み立て後しかし相互接続体トレースのうちの1つ以上を形成される前に適用することも可能である。誘電相似コーティングは、ピンホールなしの連続コーティングを提供するのに十分であり、下重ねの回路の要件に会うか越える誘電強度を有する電気絶縁を提供するのに十分である厚さに形成される。例えば約1μm~約5μmの範囲内のパリレンコーティング厚さが適切である。パリレンコーティングは、標準のパリレン装置を使用して行うことも可能である。コーティングが完成すると、パリレンチャンバから水が除去され、レーザアブレーションを使用して、例えば電気相互接続する相互接続体ダイパッドなどの選択された形状体からコーティングを除去する。理解できるように、レーザは、パリレンが300~800ナノメーターの可視範囲内で実質的に透明であることに鑑みてコーティング層内でかなりのエネルギー吸収が生じる波長で動作させなければならない。1つの選択肢として、パッドからのコーティング材料の除去は後の段階で、ダイの電気接続を行う時までのいずれかの時に行うことも可能である。レーザアブレーションプロシージャーには典型的には、従来採用されるようにArプラズマ処理などの段階54でのプラズマ洗浄が続く。続いて段階55でCF4プラズマ処理が行われる。次のパラメータが適切である。CF4:約5~約100の範囲内、電力:約100~約800ワットの範囲内、圧力:約50ミリトル~約500ミリトルの範囲内、時間:約10秒~約30分の範囲内、流量:約100sccm~2000sccm。特定実施の形態でのパラメータは、100CF4、400ワット、200ミリトルの圧力、60秒間、250sccmの流量であった。CF4処理は、次のようにステップで行うことができる。2ステッププロシージャーではArプラズマ洗浄にCF4処理が続く。1つの選択肢として3ステッププロシージャーでArプラズマ洗浄にNプラズマ処理が続き、Nプラズマ処理にCF4処理が続く。代替的な3ステッププロシージャーではArプラズマ洗浄にCF4処理が続き、CF4処理にCF4処理の結果をある程度減じるために第2のArプラズマ処理が続く。理解できるように、パラメータが、特定の相互接続材料及び相似誘電材料のために最適化され、そのような最適化は、過度の実験を行わずに容易に行うことができる。CF4処理に相互接続材料を配置するプロシージャー56が続き、次いで段階57で相互接続体材料は硬化させるか又は硬化するのを許容して相互接続体トレースを形成する。別の実施の形態が請求の範囲内にある。"