バッチモードで複数のウエハを処理するための基板硬化チャンバであって、内部分割部材によって分離された第1の処理領域と第2の処理領域とを有する縦並び型のハウジングであって、前記第1の処理領域が前記第2の処理領域のすぐ上に位置決めされているハウジングと、前記第1の処理領域と前記第2の処理領域とをそれぞれ個別に加熱するために、前記ハウジングに動作可能に結合されたマルチゾーンヒータと、処理のために、前記第1の処理領域または前記第2の処理領域の内部に複数のウエハを保持するウエハ輸送装置と、前記第1の処理領域を通してプロセスガスを導入する第1のガス分散システム、および前記第2の処理領域を通してプロセスガスを導入する第2のガス分散システムと、前記第1および第2の処理領域内に導入されるプロセスガスを排気するガス排気システムと、前記複数のウエハが前記第2の処理領域内に位置決めされる上側位置と、前記複数のウエハが前記第1の処理領域内に位置決めされる下側位置とに前記ウエハ輸送装置を移動させるために、前記ウエハ輸送装置に動作可能に結合されたペデスタルと、ウエハを前記ウエハ輸送装置にロードする、および前記ウエハ輸送装置から取り外すことができる開いた位置と、閉じた封止位置との間で移動させることができるアクセスドアとを備えた基板硬化チャンバ。さらに、活性化された洗浄種を前記硬化チャンバ内に導入するように動作可能に結合された遠隔プラズマシステムを備えている、請求項1に記載の基板硬化チャンバ。前記ペデスタルが、基板処理中に前記ウエハ輸送装置を回転させるように動作可能に結合されている、請求項1に記載の基板硬化チャンバ。前記ウエハ輸送装置が複数のウエハを保持し、前記複数のウエハはそれぞれ、連続する水平位置で、それぞれのウエハの外周縁の周りに配置された支持ポスト上に支持される、請求項1に記載の基板硬化チャンバ。前記ウエハ輸送装置が、上側断熱プレートおよび下側断熱プレートを含み、前記上側断熱プレートおよび下側断熱プレートを移動させて、基板処理中に前記第1の処理領域と前記第2の処理領域との間の流体連絡を最小限にする前記分割部材と接触させることができる、請求項1に記載の基板硬化チャンバ。前記第1のガス分散システムが、前記第1の処理領域内に蒸気を導入して蒸気アニールを行うように構成されており、前記第2のガス分散システムが、前記第2の処理領域内にオゾンを導入してオゾン硬化を行うように構成されている、請求項1に記載の基板硬化チャンバ。さらに、前記第1の処理領域と前記第2の処理領域との境界の近くの位置に温度制御ガスを導入するための、1つまたは複数の専用ガス入口を備えている、請求項1に記載の基板硬化チャンバ。前記ウエハ輸送装置が、前記輸送装置内部に垂直に積層された30枚のウエハを保持する、請求項1に記載の基板硬化チャンバ。前記第2のガス分散システムが、前記チャンバの内周の一部分に巡らせて配置された複数のガス入口を備えており、前記ガス排気システムが、前記複数のガス入口の向かい側に、前記チャンバの内周の一部分に巡らせて配置された複数のガス排気出口を備えている、請求項1に記載の基板硬化チャンバ。前記ウエハ輸送装置が、前記輸送装置内部で垂直方向に位置合わせされた複数のウエハ位置に複数のウエハを保持しており、各ウエハ位置について、前記第2のガス分散システムが、対応するウエハ位置に位置合わせされた位置に、前記チャンバの前記内周の一部分に巡らせて配置された複数のガス入口を備えており、前記ガス排気システムが、前記対応するウエハ位置に位置合わせされた前記複数のガス入口の向かい側に、前記チャンバの前記内周の一部分に巡らせて配置された複数のガス排気出口を備えている、請求項1に記載の基板硬化チャンバ。前記アクセスドアが、前記第1の処理領域内で前記チャンバに動作可能に結合されている、請求項1に記載の基板硬化チャンバ。バッチモードで複数のウエハを処理するための基板処理チャンバであって、内部分割部材によって分離された第1の処理領域と第2の処理領域とを有する縦並び型のハウジングであって、前記第1の処理領域が前記第2の処理領域のすぐ上に位置決めされているハウジングと、前記第1の処理領域と前記第2の処理領域とをそれぞれ個別に加熱するために、前記ハウジングに動作可能に結合されたマルチゾーンヒータと、前記処理チャンバ内部で複数のウエハを保持し、前記第1の処理領域と前記第2の処理領域との間で垂直方向に移動するウエハ輸送装置と、前記第2の領域内にオゾンを導入し、前記第1の処理領域内に蒸気を導入するガス分散システムと、前記第1および第2の処理領域内に導入されたガスを排気するガス排気システムとを備えた基板処理チャンバ。さらに、前記輸送装置が前記第1の処理領域内に位置決めされているときに、前記ウエハ輸送装置に、および前記ウエハ輸送装置から、ウエハを移送できるように、前記チャンバに動作可能に結合されたアクセスドアを備えている、請求項12に記載の基板処理チャンバ。図1は、本発明の一実施形態による硬化チャンバ10の簡略断面図である。本明細書で述べるように、チャンバ10は、縦型であり、第1のバッチ処理領域30と第2のバッチ処理領域40を含む。複数のウエハすなわち、ウエハのバッチを内部に保持するウエハ輸送装置20によって、ウエハが各バッチ処理領域30および40に送給される。一実施形態では、ウエハ輸送装置は回転ペデスタル22上に取り付けられ、回転ペデスタル22は、基板処理操作中にウエハのバッチが処理領域30および40内部で回転できるようにする。ペデスタル22は、さらに垂直アクチュエータ24に動作可能に結合され、垂直アクチュエータ24は、以下に述べるようにウエハ輸送装置20を処理領域40内に上昇させる、および処理領域40から引き戻す。スリットバルブ45により、ウエハ輸送装置20が領域40内部に位置決めされたときに、インデクサ図示せずに結合されたロボットこれも図示せずがウエハ輸送装置20から個々のウエハをロードおよびアンロードできるようになる。ウエハを輸送装置20内にロードするために、インデクサがロボットを所望の位置に上昇または下降させ、次いでロボットがスリットバルブ45を通って延び出て、個々のウエハを輸送装置20内部のウエハ支持体上に配置する。一実施形態では、ウエハは、ウエハ輸送装置20が満杯になるまで、1度に1枚ずつ、ウエハ輸送装置20内部の空のウエハ支持体上にロードおよびアンロードされる。別の実施形態では、ロボットは、それぞれ1枚のウエハを保持する複数の個別のアームを含み、複数のウエハを1度に輸送装置20内にロードおよびアンロードすることができる。チャンバ10は、処理領域30および40を取り囲む外壁12と、処理領域30と40の分離境界を印付ける内部分割部材14とを含む。分割部材14は内部間隙を有し、この内部間隙により、分割部材を通してウエハ輸送装置20を昇降させることができるようにする。後で論じるように、ウエハ輸送装置20の上部または底部が分割部材14と位置合わせされるとき、擬似シールが生成され、この擬似シールは、領域30から領域40への、および逆方向のガスの流れを抑制するが、しかし完全には妨げない。一実施形態では、垂直アクチュエータ24によってウエハ輸送装置が一方の処理領域から他方の処理領域に移動されるときに生じることがある圧力勾配によりウエハ輸送装置に対して誘発されることがある大きな力を防止するために、第1のバッチ処理領域と第2のバッチ処理領域の間に圧力平衡ライン図示せずが延在する。ガスは、ガスプレナム32を通してバッチ処理領域30内に導入することができ、排気プレナム34を通してバッチ処理領域30から排気することができる。同様に、ガスは、ガスプレナム42を通してバッチ処理領域40内に導入することができ、排気プレナム44を通してバッチ処理領域40から排気することができる。以下に論じるように、各ガスプレナム32および42は、水平方向と垂直方向の両方でチャンバ10の内面に沿って複数のガス入口を含む。同様に、各排気プレナム34および44は、水平方向と垂直方向の両方でチャンバ10の向かい側の内面に沿って複数の排気出口を含む。一実施形態では、バッチ処理領域30は、特にバッチオゾン硬化操作に適合され、オゾンO3、酸素O2、および窒素N2源がガスプレナム32に結合され、バッチ処理領域40は、特に蒸気アニール操作に適合され、分子窒素N2、酸素O2、および蒸気H2O源がガスプレナム42に結合される。真空ポンプ、およびチャンバ10の封止性が、各領域30および40内で行われる基板処理操作に基づいて選択される所望の圧力で、各領域30および40内部での真空処理を可能にする。特定の例として、一実施形態では、真空ポンプは、オゾン硬化に関してはチャンバを約600Torrまで真空化し、チャンバ洗浄ステップに関しては1~5Torrの間まで真空化する。さらに、遠隔プラズマシステム50をチャンバ10の上面に取り付けて、1つまたは複数の洗浄ガス源例えば、三フッ化窒素源に動作可能に結合させることができる。遠隔プラズマシステムは、処理領域30および40に流体結合させることができ、チャンバ洗浄操作中、活性化された洗浄種を各処理領域30および40内に導入して、処理中にチャンバ10の内面に堆積することがある粒子を除去する。チャンバ洗浄操作は、例えば、それぞれ処理領域30および40内での1回または複数回のバッチ硬化ステップおよび/またはバッチアニーリングステップの後に、定期的に行うことができる。一実施形態では、洗浄ステップ中、遠隔プラズマシステム50内部でアルゴンおよびNF3のプラズマが生成され、活性化された洗浄種は、遠隔プラズマシステムから処理領域30内に直接流れることができる。また、ガスプレナム32内部のガスラインによって、追加の洗浄ガス例えば、より多くのNF3を領域30内に導入することもできる。硬化操作およびアニーリング操作のためにさらに望みであれば洗浄操作のために、チャンバ10を加熱するためにヒータ図示せずが動作可能に結合される。ヒータは、個別に制御される第1の加熱区域と第2の加熱区域を少なくとも含み、これらの加熱区域は、処理領域30内部の温度を処理領域40の温度とは異なる温度に設定できるようにする。各処理領域30および40内部の温度を感知するために個別の温度センサ図示せずが位置決めされ、これらの温度センサをコンピュータ制御システム図示せずが使用して、必要に応じて各領域30および40の温度を個別に調節することができる。一実施形態では、ヒータは、チャンバの上壁12aおよび底壁12bに結合された加熱要素と共に、外壁12に結合された円筒形バンドヒータを含む。当業者に理解されるように、他の実施形態では、他のタイプのヒータを使用することができる。また、いくつかの実施形態では、熱損失を最小限に抑えるために、チャンバ100およびその加熱要素の周りに熱ブランケットを巻き付けることができる。さらに、本発明のいくつかの実施形態は、処理領域30の底部および/または処理領域40の底部に専用ガスラインを提供し、この専用ガスラインを使用して、加熱された窒素N2をそれらの処理領域に提供して、それらの領域のすぐ下での温度の差を補償する。一例として、いくつかの例では、処理領域40内で実施される処理操作は、摂氏100度の温度で、または領域30内で実施される処理操作の設定温度よりも高い温度で行うことができる。分割部材14ならびにプレート26および28が2つの処理領域間の断熱を提供するにせよ、この温度差をより良く補償するために、分割部材14のすぐ上で、チャンバ10の内周縁に巡らせて複数の専用ガス入口が位置される。領域30内で、領域40の温度よりも高い温度でウエハが処理されているときに、チャンバのこの領域にさらなる熱を提供するために、ガスを加熱して、これらの入口を通して導入することができる。あるいは、領域40内で、領域30の温度よりも低い温度でウエハが処理されているときに、チャンバのこの領域で追加の冷却を提供するために、これらの入口を通して、室温のガスまたは冷却されたガスを導入することができる。別の実施形態では、ガス入口は、プレート26と28の一方または両方に位置させることができる。取り付けられたウエハ輸送装置20の上部の簡略断面図である図2を参照すると、複数の半導体ウエハ25をウエハ輸送装置内部に位置決めすることができる。個々のウエハ25は、一般に円形例えば、シリコン半導体ウエハであり、専用の最小接触ウエハ支持体21によって支持される。一実施形態では、ウエハ支持体21は、3つの支持レッジ21a、21b、および21cを含み、これらの支持レッジ21a、21b、および21cは、輸送装置20内部に保持することができる各ウエハを、ウエハの外縁部の近くで支持する。図3に示されるように、支持レッジ21a~21cは、ウエハ輸送装置20の周縁に、均等に間隔を空けて配置される。1つの特定の実施形態では、ウエハ輸送装置20が30枚のウエハを保持し、したがって30組のウエハ支持レッジ21a~21cを有する。ウエハ輸送装置20は、さらに、上側断熱プレート26と下側断熱プレート28を含む。各断熱プレート26および28は、輸送装置内部に位置決めされるウエハの直径よりもわずかに大きい直径を有する。図1は、ウエハを輸送装置にロードすることおよび輸送装置からアンロードすることができる下側位置でウエハ輸送装置20を示し、ここで、ウエハのバッチが完全に輸送装置内に位置決めされると、下側処理領域40内部で処理することができる。図1に示されるように、この下側位置では、上側断熱プレート26の下面が分割部材14と接触して、ウエハ25が領域40内部で処理されている間に下側処理領域40内部の環境を上側処理領域30からほぼ断熱する。同様に、ペデスタル22および垂直アクチュエータによって、上側処理領域30内でウエハ25を処理するための位置にウエハ輸送装置20を上昇させると、下側断熱プレート28の上面が分割部材14と接触して、上側処理領域30内部の環境を下側処理領域40からほぼ断熱する。さらに、各断熱プレート26および28は、低い熱伝導率を有する材料例えば、熱可塑性材料またはステンレス鋼から形成することができ、チャンバ壁の上面12aおよび底面12bにあるヒータからウエハ25を断熱する。また、分割部材14も、同様の低い熱伝導率の材料から形成される。したがって、分割部材14と上側または下側断熱プレート26、28との組合せが、処理領域30および40を断熱する助けとなり、それにより、処理領域30と処理領域40を異なる動作温度で維持することができる。図1に示される線B-B’に沿って取られた硬化チャンバ10の簡略断面図である図4、およびガスプレナム32の簡略断面図である図5を参照すると、ガスは、入口35を通ってプレナム32に入り、チャンバの内壁に形成された複数のガス入口36を通して処理領域30内に循環される。一実施形態では、ライナ38が、プレナムのすべての点での圧力を平衡させる助けとなり、ガス流は、すべての入口36で処理領域30内に均等に導入される。ガスプレナム32の向かい側で、複数のガス排気口37が排気プレナム34の内壁に形成され、ガス出口39を使用してガスをチャンバ10から真空フォアラインに排気する。同様のガス分散構成が、ガスプレナム42および排気プレナム44に関しても形成される。ガスプレナムと排気プレナムとの向かい合わせの関係が、ウエハ輸送装置20に配置された各ウエハにわたる、ガスプレナムから排気プレナムへのガスの流れを生成する。輸送装置20内の各ウエハの表面にわたる均一なガス分散を保証するために、一実施形態では、図4に示される複数の入口36およびガス排気口37は、輸送装置20が保持するように構成されているウエハの数と同数だけ、垂直方向に並べて設けられる。したがって、輸送装置20が30枚のウエハを保持する実施形態では、30組のガス入口36およびガス排気口37が存在し、ガス入口36およびガス排気口37は、各バッチ処理領域30および40内に間隔を空けて設けられ、ウエハ輸送装置20の特定の位置に位置されたウエハの表面にわたって均一なガス流を生成するように位置決めされる。前述したように、本発明の実施形態は、オゾン硬化操作を行うのに特によく適している。ウエハは、膜堆積または形成チャンバ例えば、このチャンバ内で、硬化する必要がある炭素がドープされた酸化物または他の膜が堆積されるからバッチ処理領域40に直接移送させることができる。90秒ごとに1度に1枚ずつウエハが処理領域内に移送され、輸送装置が30枚のウエハを保持する場合、輸送装置を満杯にするために30分以上かかる。いくつかの例では、膜堆積の直後には依然として脱ガスが生じていることがあり、したがって、処理領域40は、輸送装置20に移送された最後のウエハからの脱ガスの量が、最後のウエハよりも30分前に堆積された層を有していることがある最初のウエハからの脱ガスの量に非常に近くなるまたは同じになるほどに脱ガスが安定化されるまで、ウエハが留まる保持領域としても働くことができる。他の実施形態では、ウエハは、脱ガスを平衡させるために別の保持領域内に保持され、その後、処理領域40内に移送される。ウエハの準備が完了すると、輸送装置20は、次いで、プレート28が分割部材14と擬似シールを形成するまで処理領域40に向けて上昇する。次いで、ウエハにオゾン硬化プロセスを施すことができる。一実施形態では、摂氏105度~200度の間の所望の温度にウエハを加熱するために、まず窒素が領域40に導入される。次いで、オゾンが導入されて、200~700Torrの間1つの特定の実施形態では600Torrの圧力でオゾン硬化を行う。硬化ステップが完了したとき、ウエハ輸送装置を下降させて処理領域30に戻すことができ、より低い温度での蒸気アニールまたは他の硬化後処理プロセスをウエハに施すことができる。あるいは、ウエハがチャンバ10から別のチャンバにまとめて移送されることもある。硬化チャンバ10は、AppliedMaterialsが製造しているCentura商標またはProducer商標システムなどのマルチチャンバ基板処理システムに動作可能に結合させることができる。そのようなシステムでは、アクセスドア45例えばスリットバルブが、マルチチャンバシステムの内部チャンバに対して開くことがある。ウエハは、ロボットによって、アクセスドア45を通してチャンバ10の内外に移動させることができる。図6は、チャンバ10をシステムのフープFOUP;frontopeningunifiedpodsの1つに組み込むことができるそのようなシステムの一例を示す。フープ402が基板例えば直径30mmのウエハを供給し、これらの基板は、ロボットアーム404によって受け取られ、低圧保持領域406内に配置され、その後、ウエハ処理チャンバ408a~fの1つに配置される。第2のロボットアーム410を使用して、基板ウエハを保持領域406から処理チャンバ408a~fに輸送する、また逆に戻すことができる。処理チャンバ408a~fは、基板ウエハ上に誘電体膜を堆積するため、または各チャンバ408a~f内部で他の基板処理を実施するための1つまたは複数のシステム構成要素を含むことがある。図1~図5のいずれにも図示されていないが、本発明のいくつかの実施形態は、チャンバ壁12の一部分の内部にガス流入チャネルまたは管を含み、このガス流入チャネルまたは管は、加熱または冷却された非反応性ガス例えば、N2を分割部材14の周囲の領域に送給する。ガスは、これらの領域で、チャンバ壁内部においてチャネル内で循環させることができ、領域30内と領域40内で行われるプロセスが異なる温度で行われるときに温度の不均一性を補償する。そのような例では、この温度制御ガスの流れを使用して、例えば、処理領域40内でのチャンバの上部の温度が処理領域40内でのチャンバの下部の温度により近くなるように下側チャンバの上部を冷却することができる。チャンバ10内でウエハの1つまたは複数のバッチを処理した後、遠隔プラズマシステム50内で生成された活性化されたフッ素ラジカルをチャンバ10内に流すことによってチャンバを洗浄することができる。ウエハ輸送装置20は、概して中間の位置に配置され、洗浄段階中に上側断熱プレート26も下側断熱プレート28も分割部材14に接触しないようにする。そのような位置では、ウエハ輸送装置の上部は処理領域30内にあり、輸送装置の下部は処理領域40内にあり、洗浄ガスは、領域30から上側プレート26の周りを通って領域40内に自由に流れて、チャンバ10の上部と下部の両方で洗浄を行う。いくつかの実施形態を説明してきたが、本発明の精神から逸脱することなく、様々な修正形態、代替構成、および均等形態を使用することができることを当業者は理解されよう。さらに、本発明が不要に曖昧にならないように、いくつかのよく知られているプロセスおよび要素は説明していない。したがって、上記の説明は、本発明の範囲を限定するものとみなすべきではない。本明細書で使用するとき、および添付の特許請求の範囲において、文脈上そうでないことが明らかな場合を除き、単数形は、複数の対象物も含む。したがって、例えば、プロセスへの言及は、複数のそのようなプロセスを含み、前駆体への言及は、1つまたは複数の前駆体、および当業者に知られているそれらの前駆体の均等物への言及を含む。また、本明細書および添付の特許請求の範囲で使用するとき、用語備えるおよび含むならびにそれらの活用形は、指定される特徴、整数、構成要素、またはステップの存在を特定することを意図されているが、1つまたは複数の他の特徴、整数、構成要素、ステップ、作用、またはグループの存在または追加も排除しない。