基板と、前記基板に配置される第1の導電型半導体層と、前記第1の導電型半導体層の第1の部分に配置され、前記第1の導電型半導体層の第2の部分を露出させる活性層と、前記活性層に配置され、前記第1の導電型半導体層の導電タイプと異なる導電タイプを有する第2の導電型半導体層とを含む発光エピタキシャル構造と、前記第1の導電型半導体層の第2の部分に配置される第1の導電型接触層と、前記第2の導電型半導体層に配置される第2の導電型接触層と、前記発光エピタキシャル構造、前記第1の導電型接触層、前記第2の導電型接触層を被覆し、且つ表面を有し、それぞれ前記第1の導電型接触層の一部及び前記第2の導電型接触層の一部を露出させる第1の接触孔及び第2の接触孔を含む透明絶縁層と、前記第1の接触孔及び前記透明絶縁層の表面の一部で延伸して、それらを被覆する第1の反射層と、前記第2の接触孔及び前記透明絶縁層の前記表面の他の部分で延伸して、それらを被覆する第2の反射層と、前記第1の反射層に配置され、前記第1の接触孔を充填する第1の導電型電極と、前記第2の反射層に配置され、前記第2の接触孔を充填する第2の導電型電極と、を備える、発光ダイオードLED構造。前記第1の反射層と前記第1の導電型電極との間に配置される第1の障壁層と、前記第2の反射層と前記第2の導電型電極との間に配置される第2の障壁層とを更に備える、請求項1に記載のLED構造。前記第1の導電型電極と前記第2の導電型電極が、同一の平面に配置される、請求項1に記載のLED構造。前記第1の接触孔の側壁及び前記第2の接触孔の側壁の両者とも、前記発光エピタキシャル構造に対して傾斜する、請求項1に記載のLED構造。前記透明絶縁層が、少なくとも1つのパターン構造を含む、請求項1に記載のLED構造。基板と、前記基板に配置される第1の導電型半導体層と、前記第1の導電型半導体層の第1の部分に配置され、前記第1の導電型半導体層の第2の部分を露出させる活性層と、前記活性層に配置され、前記第1の導電型半導体層の導電タイプと異なる導電タイプを有する第2の導電型半導体層とを含む発光エピタキシャル構造と、前記第1の導電型半導体層の第2の部分に配置される第1の導電型接触層と、前記第2の導電型半導体層に配置される第2の導電型接触層と、前記第1の導電型接触層に重ねられる第1の反射層と、前記第2の導電型接触層に重ねられる第2の反射層と、前記発光エピタキシャル構造、前記第1の反射層、前記第2の反射層を被覆し、且つ表面を有し、それぞれ前記第1の反射層の一部及び前記第2の反射層の一部を露出させる第1の接触孔及び第2の接触孔を含む透明絶縁層と、前記透明絶縁層に配置され、前記第1の接触孔を充填する第1の導電型電極と、前記透明絶縁層に配置され、前記第2の接触孔を充填する第2の導電型電極と、を備える、発光ダイオードLED構造。前記第1の接触孔及び前記透明絶縁層の表面の一部と前記第1の導電型電極との間に配置される第1の障壁層と、前記第2の接触孔及び前記透明絶縁層の表面の他の部分と前記第2の導電型電極との間に配置される第2の障壁層と、を更に備える、請求項6に記載のLED構造。前記第1の導電型電極と前記第2の導電型電極が、同一の平面に配置される、請求項6に記載のLED構造。前記第1の接触孔の側壁及び前記第2の接触孔の側壁の両者とも、前記発光エピタキシャル構造に対して傾斜する、請求項6に記載のLED構造。前記透明絶縁層が、少なくとも1つのパターン構造を含む、請求項6に記載のLED構造。基板に、前記基板に配置される第1の導電型半導体層と、前記第1の導電型半導体層の第1の部分に配置され、前記第1の導電型半導体層の第2の部分を露出させる活性層と、前記活性層に配置され、前記第1の導電型半導体層の導電タイプと異なる導電タイプを有する第2の導電型半導体層とを含む発光エピタキシャル構造を形成するステップと、前記第1の導電型半導体層の前記第2の部分に、第1の導電型接触層を形成するステップと、前記第2の導電型半導体層に、第2の導電型接触層を形成するステップと、前記発光エピタキシャル構造、前記第1の導電型接触層、前記第2の導電型接触層を被覆する透明絶縁層を形成するステップと、前記透明絶縁層に、それぞれ前記第1の導電型接触層の一部及び前記第2の導電型接触層の一部を露出させる第1の接触孔及び第2の接触孔を形成するステップと、前記第1の接触孔及び前記透明絶縁層の表面の一部で延伸して、それらを被覆する第1の反射層を形成するステップと、前記第2の接触孔及び前記透明絶縁層の前記表面の他の部分で延伸して、それらを被覆する第2の反射層を形成するステップと、それぞれ前記第1の反射層及び前記第2の反射層を被覆する第1の障壁層及び第2の障壁層を形成するステップと、前記第1の障壁層に、第1の導電型電極を形成し、前記第1の接触孔を充填するステップと、前記第2の障壁層に、第2の導電型電極を形成し、前記第2の接触孔を充填するステップと、を備える、発光ダイオードLED構造の製造方法。前記第1の導電型電極と前記第2の導電型電極が、同一の平面に配置される、請求項11に記載のLED構造の製造方法。前記透明絶縁層を形成する前記ステップが、前記透明絶縁層として、回転塗布によって透明酸化層を形成するステップを含む、請求項11に記載のLED構造の製造方法。前記第1の接触孔及び前記第2の接触孔を形成する前記ステップが、前記第1の接触孔の側壁及び前記第2の接触孔の側壁の両者とも、前記発光エピタキシャル構造に対して傾斜させるステップを更に含む、請求項11に記載のLED構造の製造方法。前記第1の接触孔及び前記第2の接触孔を形成するステップと前記第1の反射層を形成するステップとの間に、前記透明絶縁層の前記表面に、少なくとも1つのパターン構造を形成するステップを更に備える、請求項11に記載のLED構造の製造方法。基板に、前記基板に配置される第1の導電型半導体層と、前記第1の導電型半導体層の第1の部分に配置され、前記第1の導電型半導体層の第2の部分を露出させる活性層と、前記活性層に配置され、前記第1の導電型半導体層の導電タイプと異なる導電タイプを有する第2の導電型半導体層とを含む発光エピタキシャル構造を形成するステップと、前記第1の導電型半導体層の前記第2の部分に、第1の導電型接触層を形成するステップと、前記第2の導電型半導体層に、第2の導電型接触層を形成するステップと、前記第1の導電型接触層に、第1の反射層を形成するステップと、前記第2の導電型接触層に、第2の反射層を形成するステップと、前記発光エピタキシャル構造、前記第1の反射層、前記第2の反射層を被覆する透明絶縁層を形成するステップと、前記透明絶縁層に、それぞれ前記第1の反射層の一部及び前記第2の反射層の一部を露出させる第1の接触孔及び第2の接触孔を形成するステップと、前記第1の接触孔及び前記透明絶縁層の表面の一部で延伸して、それらを被覆する第1の障壁層を形成するステップと、前記第2の接触孔及び前記透明絶縁層の前記表面の他の部分で延伸して、それらを被覆する第2の障壁層を形成するステップと、前記第1の障壁層に、第1の導電型電極を形成し、前記第1の接触孔を充填するステップと、前記第2の障壁層に、第2の導電型電極を形成し、前記第2の接触孔を充填するステップと、を備える、発光ダイオードLED構造の製造方法。前記第1の導電型電極と前記第2の導電型電極が、同一の平面に配置される、請求項16に記載のLED構造の製造方法。前記透明絶縁層を形成する前記ステップが、前記透明絶縁層として、回転塗布によって透明酸化層を形成するステップを含む、請求項16に記載のLED構造の製造方法。前記第1の接触孔及び前記第2の接触孔を形成する前記ステップが、前記第1の接触孔の側壁及び前記第2の接触孔の側壁の両者とも、前記発光エピタキシャル構造に対して傾斜させるステップを更に含む、請求項16に記載のLED構造の製造方法。前記第1の接触孔及び前記第2の接触孔を形成するステップと前記第1の障壁層を形成するステップとの間に、前記透明絶縁層の前記表面に、少なくとも1つのパターン構造を形成するステップを更に備える、請求項16に記載のLED構造の製造方法。従来のLED構造124において、p型オーム接触層112は、反射層114と共に、p型半導体層108に直接に接触する。LED構造124が大電流で長時間操作されている場合、活性層106で発生した熱は、反射層114を損ないやすいので、装置の力率を減衰させるだけではなく、装置の発光効率に影響を与えることもある。なお、フリップチッププロセスには、n型電極118及びp型電極120が広い面積を有することが必要とする。しかしながら、従来のLED構造124のn型電極118が、n型オーム接触層116に直接に配置されるので、n型半導体層104が画定された場合、広い面積のn型オーム接触層116及びn型電極118を配置するために、広い面積を除去してn型半導体層104の露出部分110に広い面積を持たせる必要がある。また、図1に示すように、n型オーム接触層116及びn型電極118の面積を増加すれば、活性層108の発光面積を相対的に減少することになるので、LED構造124の発光効率を低下させる。そのため、本発明の一態様は、LED構造及びその製造方法に対するものである。透明絶縁層は、反射層と発光エピタキシャル構造とを隔てることに用いられ、高力率操作期間中において、発光エピタキシャル構造で発生した熱が反射層の安定性に与える影響を低下させる。本発明の他の態様は、LED構造及びその製造方法に対するものであり、2つの導電型電極の両者とも、透明絶縁層に配置されてよく、接触電極の面積を減少し、発光面積全体を増加することになり、更に、前記LED構造の発光効率を改良する。本発明のもう1つの態様は、LED構造及びその製造方法に対するものであり、透明絶縁層に、少なくとも1つのパターン構造を製造してよく、LED構造の光出力方向及び角度を制御して、光取り出し効率を改良する。本発明のまた他の態様は、LED構造及びその製造方法に対するものであり、2つの導電型電極は、接触層に延伸する接触プラグを有し、前記接触プラグは、発光エピタキシャル構造の熱流通路とされることができ、操作中に発生した熱がLED構造に与える影響を低下させる。本発明の1つの代替態様は、LED構造及びその製造方法に対するものであり、2つの導電型電極は、上げられて透明絶縁層に配置されてよいので、電極の面積が増加しただけではなく、2つの導電型電極が同一の平面に配置されることができ、これにより、フリップチップの難しさを大いに低下させ、フリップチッププロセスの信頼性を向上させた。本発明の一態様において、LED構造を提供する。一実施例において、前記LED構造は、基板と、発光エピタキシャル構造と、第1の導電型接触層と、第2の導電型接触層と、透明絶縁層と、第1の反射層と、第2の反射層と、第1の障壁層と、第2の障壁層と、第1の導電型電極と、第2の導電型電極とを備える。前記発光エピタキシャル構造は、基板に配置される第1の導電型半導体層と、第1の導電型半導体層の第1の部分に配置され、前記第1の導電型半導体層の第2の部分を露出させる活性層と、前記活性層に配置され、第1の導電型半導体層の導電タイプと異なる導電タイプを有する第2の導電型半導体層とを含む。第1の導電型接触層は、第1の導電型半導体層の第2の部分に配置される。第2の導電型接触層は、第2の導電型半導体層に配置される。透明絶縁層は、発光エピタキシャル構造、第1の導電型接触層、第2の導電型接触層を被覆し、且つ表面を有し、それぞれ前記第1の導電型接触層の一部及び前記第2の導電型接触層の一部を露出させる第1の接触孔及び第2の接触孔を含む。第1の反射層は、第1の接触孔及び透明絶縁層の表面の一部で延伸して、それらを被覆する。第2の反射層は、第2の接触孔及び透明絶縁層の表面の他の部分で延伸して、それらを被覆する。第1の障壁層及び第2の障壁層は、それぞれ第1の反射層及び第2の反射層を被覆する。第1の導電型電極は、第1の障壁層に配置され、第1の接触孔を充填する。第2の導電型電極は、第2の障壁層に配置され、第2の接触孔を充填する。本発明の他の態様において、更に、LED構造を提供する。一実施例において、前記LED構造は、基板と、発光エピタキシャル構造と、第1の導電型接触層と、第2の導電型接触層と、第1の反射層と、第2の反射層と、透明絶縁層と、第1の障壁層と、第2の障壁層と、第1の導電型電極と、第2の導電型電極とを備える。前記発光エピタキシャル構造は、基板に配置される第1の導電型半導体層と、第1の導電型半導体層の第1の部分に配置され、前記第1の導電型半導体層の第2の部分を露出させる活性層と、前記活性層に配置され、第1の導電型半導体層の導電タイプと異なる導電タイプを有する第2の導電型半導体層とを含む。第1の導電型接触層は、第1の導電型半導体層の第2の部分に配置される。第2の導電型接触層は、第2の導電型半導体層に配置される。第1の反射層は、第1の導電型接触層に重ねられる。第2の反射層は、第2の導電型接触層に重ねられる。透明絶縁層は、発光エピタキシャル構造、第1の反射層、第2の反射層を被覆し、且つ表面を有し、それぞれ前記第1の反射層の一部及び前記第2の反射層の一部を露出させる第1の接触孔及び第2の接触孔を含む。第1の障壁層は、第1の接触孔及び透明絶縁層の表面の一部で延伸して、それらを被覆する。第2の障壁層は、第2の接触孔及び透明絶縁層の表面の他の部分で延伸して、それらを被覆する。第1の導電型電極は、第1の障壁層に配置され、第1の接触孔を充填する。第2の導電型電極は、第2の障壁層に配置され、第2の接触孔を充填する。本発明の一実施例によると、第1の導電型電極及び第2の導電型電極は、同一の平面に配置される。本発明の他の実施例によると、第1の接触孔の側壁及び第2の接触孔の側壁の両者とも、発光エピタキシャル構造に対して傾斜する。本発明の他の態様において、LED構造の製造方法を提供する。一実施例において、前記方法は、基板に、基板に配置される第1の導電型半導体層と、第1の導電型半導体層の第1の部分に配置され、前記第1の導電型半導体層の第2の部分を露出させる活性層と、前記活性層に配置され、第1の導電型半導体層の導電タイプと異なる導電タイプを有する第2の導電型半導体層とを含む発光エピタキシャル構造を形成するステップと、第1の導電型半導体層の第2の部分に、第1の導電型接触層を形成するステップと、第2の導電型半導体層に、第2の導電型接触層を形成するステップと、発光エピタキシャル構造、第1の導電型接触層、第2の導電型接触層を被覆する透明絶縁層を形成するステップと、透明絶縁層に、それぞれ第1の導電型接触層の一部及び第2の導電型接触層の一部を露出させる第1の接触孔及び第2の接触孔を形成するステップと、第1の接触孔及び透明絶縁層の表面の一部で延伸して、それらを被覆する第1の反射層を形成するステップと、第2の接触孔及び透明絶縁層の表面の他の部分で延伸して、それらを被覆する第2の反射層を形成するステップと、それぞれ第1の反射層及び第2の反射層を被覆する第1の障壁層及び第2の障壁層を形成するステップと、第1の障壁層に、第1の導電型電極を形成し、第1の接触孔を充填するステップと、第2の障壁層に、第2の導電型電極を形成し、第2の接触孔を充填するステップと、を備える。本発明のもう1つの態様において、更に、LED構造の製造方法を提供する。一実施例において、前記方法は、基板に、基板に配置される第1の導電型半導体層と、第1の導電型半導体層の第1の部分に配置され、前記第1の導電型半導体層の第2の部分を露出させる活性層と、前記活性層に配置され、第1の導電型半導体層の導電タイプと異なる導電タイプを有する第2の導電型半導体層とを含む発光エピタキシャル構造を形成するステップと、第1の導電型半導体層の第2の部分に、第1の導電型接触層を形成するステップと、第2の導電型半導体層に、第2の導電型接触層を形成するステップと、第1の導電型接触層に、第1の反射層を形成するステップと、第2の導電型接触層に、第2の反射層を形成するステップと、発光エピタキシャル構造、第1の反射層、第2の反射層を被覆する透明絶縁層を形成するステップと、透明絶縁層に、それぞれ第1の反射層の一部及び第2の反射層の一部を露出させる第1の接触孔及び第2の接触孔を形成するステップと、第1の接触孔及び透明絶縁層の表面の一部で延伸して、それらを被覆する第1の障壁層を形成するステップと、第2の接触孔及び透明絶縁層の表面の他の部分で延伸して、それらを被覆する第2の障壁層を形成するステップと、第1の障壁層に、第1の導電型電極を形成し、第1の接触孔を充填するステップと、第2の障壁層に、第2の導電型電極を形成し、第2の接触孔を充填するステップと、を備える。本発明の一実施例によると、第1の接触孔及び第2の接触孔を形成するステップは、第1の接触孔の側壁及び第2の接触孔の側壁の両者とも、発光エピタキシャル構造に対して傾斜させるステップを更に備える。本発明の他の実施例によると、LED構造の製造方法は、第1の接触孔及び第2の接触孔を形成するステップと第1の障壁層を形成するステップとの間に、透明絶縁層の表面に、少なくとも1つのパターン構造を形成するステップを更に備える。本発明の実施例によると、透明絶縁層は、反射層と発光エピタキシャル構造とを隔てることに用いられ、高力率操作期間中において発生した熱がLED装置に与える影響を効果的に低下させた。なお、2つの導電型電極の両者とも、上げられて透明絶縁層に配置されてよいので、発光面積全体を増加し、電極の面積を広めた。前記2つの導電型電極は、同一の平面に配置されてよく、これにより、フリップチッププロセスの難しさを低下させることに有利であり、フリップチッププロセスの信頼性を改良した。なお、少なくとも1つのパターン構造は、透明絶縁層に配置されてLED構造の発光方向を制御することができ、装置の光取り出し効率を改良した。同時に、前記2つの導電型電極は、接触層に延伸する接触プラグを有する。接触プラグは、発光エピタキシャル構造の熱流通路とされることができるので、操作中に発生した熱がLED構造に与える影響を低下させることができる。以下、本発明の例示的な実施例を示す添付図面を参照して、本発明をより十分に説明する。しかしながら、本発明は、様々な形式によって実施できるので、本文に記載の特定な実施例に限定されると理解すべきではない。逆に、これらの実施例を提供する目的は、本開示を徹底的且つ完全なり、本開示によって本発明の範囲を当業者に十分に伝えることにある。同一の符号は、終始同一の素子を表す。本文では、例示的な実施例である好ましい実施例及び中間構造の模式図の断面図を参照して、例示的な実施例を説明する。そのため、例えば、製造技術及び/又は許容範囲の結果による図面の形状の変化は、予想できる。そのため、例示的な実施例は、本文に示す領域の形状に限定されると理解すべきではなく、例えば、製造で発生した形状偏差を含むべきである。例えば、一般に、長方形に示す植え込み領域は、円形又は曲線の構造特徴を有し、及び/又は、その縁に、植え込み領域implantedregionから非植え込み領域までは、2成分からなる変化binarychangeではなく徐々に変化するgradient植え込み濃度を有する。同様に、植え込みによって形成された埋め込み領域buriedregionは、埋め込み領域とそれを介して植え込みが発生した表面の間の領域で、植え込みが発生することができる。そのため、各図に示す領域は、本質上、模式的なものであり、その形状は、装置の領域の実際な形状を示すものではなく、例示的な実施例の範囲を限定することを図っているものでもない。素子又は層が、他の素子又は層にある、に接続される、に結合される又はを被覆するといわれる場合、前記素子又は層は、他の素子又は層に、直接に乗らせたり、接続されたり、結合されたりすること、又は他の素子又は層を直接に被覆すること、或は、中間素子又は中間層が存在することとなる可能性があることは理解すべきである。逆に、素子が、直接に他の素子にあるといわれる場合、中間素子は存在しない。本文で使用するように、用語及び/又はは、1つ又は複数の関連する列挙事項のいずれ又は全ての組み合わせを含む。本文では、第1の、第2の、第3の等の用語を用いて、各種の素子、ユニット、領域、層及び/又は部分を説明することができるが、前記素子、ユニット、領域、層及び/又は部分は、前記用語に限定されるものではないことは理解すべきである。前記用語は、素子、ユニット、領域、層又は部分を、他の素子、ユニット、領域、層又は部分と区別するためのものだけである。そのため、本発明の示唆から逸脱しない限り、下記で説明する第1の素子、第1のユニット、第1の領域、第1の層又は第1の部分は、第2の素子、第2のユニット、第2の領域、第2の層又は第2の部分といわれてもよい。本文で使用する用語は、特定な実施例を説明するためのものであり、本発明を限定することを図っているものではない。本文で使用する単数形式一及び前記は、前後に明確に指示されていない限り、複数形式を同時に含むことを図っている。用語の備え及び/又は備える、含み及び/又は含む、有し及び/又は有するが本明細書に使用される場合、前記用語は、前記構造特徴、領域、整数、ステップ、操作、素子及び/又はユニットの存在を指定するが、1つの又は複数のその他の構造特徴、領域、整数、ステップ、操作、素子、ユニット及び/又は群の存在又は添加を排除しないことは更に理解すべきである。なお、下部又は底部及び上部又は頂部のような相対的な用語は、本文で、各図に示す1つの素子と他の素子との関係を説明することに用いられる。相対な用語は、各図に示す方位以外の装置の異なる方位を含もうとすることは理解すべきである。例えば、複数の図の中の1枚での装置を反転すれば、その他の素子の下側にあると説明された素子は、他の素子の上側に位置するようになる。そのため、例示的な用語の下部は、各図の特定な方位によって決めた上部及び下部の方位の両者を含む。同様に、複数の図の中の1枚での装置を反転すれば、その他の素子の下又は下方にあると説明された素子は、他の素子の上に位置するようになる。そのため、例示的な用語~の下にある又は~の下方にあるは、上下の方位の両者を含む。特に定義されていない限り、本文で使用する用語の全て技術用語及び科学用語は、当業者が一般的に理解するような意味と同様である。本文で、常用の辞書で定義される用語は、本関係技術及び本開示の内容の前後に適する意味で解釈すべきであり、理想的又は過正式な意味で解釈すべきことではなく、なお、明確にそのように定義されている場合を除くことは、更に理解すべきである。図2A~図2Eは、本発明の一実施例によるLED構造の製造プロセスを示す断面図である。この実施例において、まず、透明基板200を提供する。基板200の材料は、例えば、サファイアであってよい。そして、緩衝層202は、例えば、有機金属化学気相成長法Metal-OrganicChemicalVaporDeposition:MOCVDのようなエピタキシー法によって、基板200に選択的に形成される。緩衝層202の材料は、例えば、非ドープGaN系材料のような非ドープ半導体であってよい。そして、発光エピタキシャル構造は、エピタキシー法例えば、MOCVDによって、緩衝層202に成長する。この実施例において、前記発光エピタキシャル構造は、緩衝層202に順番に重ねられた第1の導電型半導体層204、活性層210、第2の導電型半導体層212を含んでよい。第1の導電型半導体層204と第2の導電型半導体層212は、異なる導電タイプを有する。例えば、第1の導電型半導体層204及び第2の導電型半導体層212の中の一方はn型であり、他方はp型である。発光エピタキシャル構造の材料は、例えば、GaN系材料であってよい。活性層210は、例えば、多量子井戸multiplequantumwell:MQW構造であってよい。図2Aに示すように、発光エピタキシャル構造が成長した後、発光エピタキシャル構造は、例えば、リソグラフィー及びエッチングによって、第2の導電型半導体層212の一部、活性層210の一部、第1の導電型半導体層204の一部を除去することによって画定され、メサを形成する。メサが画定された後、第1の導電型半導体層204は、第1の部分206と第2の部分208を有するようになり、第2の導電型半導体層212及び活性層210は、第1の導電型半導体層204の第1の部分206に配置され、第2の部分208が露出される。そして、第1の導電型接触層214及び第2の導電型接触層216は、例えば、蒸着によって形成される。図2Bに示すように、第1の導電型接触層214及び第2の導電型接触層216は、それぞれ第1の導電型半導体層204の第2の部分208及び第2の導電型半導体層212の一部に配置される。第1の導電型接触層214及び第2の導電型接触層216は、オーム接触層であってよい。第1の導電タイプがn型である場合、第1の導電型接触層214の材料は、例えば、インジウムスズ酸化物indiumtinoxide:ITO、TiAl合金、Cr/Pt/Au又はCr/Auであってよい。第2の導電タイプがp型である場合、第2の導電型接触層216は、例えば、単層又は多層構造のITO、ZnO、AZO、GZO、In2O3、SnO2のような透明酸化物構造であってよい。他の実施例において、第2の導電型接触層216の材料は、Ni/Au又はNi/Agであってよい。その後、図2Cに示すように、透明絶縁層218は、沈積又は塗布例えば、回転塗布によって形成されてよく、発光エピタキシャル構造の第1の導電型半導体層204、活性層210、第2の導電型半導体層212、及び第1の導電型接触層214、第2の導電型接触層216を被覆する。透明絶縁層218は、平坦化表面220を有し、且つ表面220が前記発光エピタキシャル構造と対して配置されることが好ましい。一実例において、透明絶縁層218の材料は、例えば、スピンオンガラスspinonglass:SOG、高重合体、SiO2又はTiO2であってよい。透明絶縁層218の厚さは、0.5μm~100μmであることが好ましい。一実施例において、透明酸化層は、回転塗布によって形成され、透明絶縁層218にされる。そして、透明絶縁層218の一部は、例えば、エッチングによって除去されて、透明絶縁層218に接触孔222、接触孔224を形成する。図2Dに示すように、接触孔222、接触孔224は、それぞれ第1の導電型接触層214の一部及び第2の導電型接触層216の一部を露出させる。LED構造は、少なくとも1つの第1の導電型接触層214及び少なくとも1つの第2の導電型接触層216を備えてよく、すなわち、第1の導電型接触層214及び第2の導電型接触層216の数は、それぞれ1又は複数であってよい。図2Fは、本発明の一実施例によるLED構造の第1の導電型接触層、第2の導電型接触層及び対応する接触孔の分布の模式上面図である。各第1の導電型接触層214に、接触孔プリセット領域222aが設けられ、各第2の導電型接触層216に、接触孔プリセット領域224aが設けられる。接触孔222は、第1の導電型接触層214の接触孔プリセット領域222aに形成され、接触孔224は、第2の導電型接触層216の接触孔プリセット領域224aに形成される。そして、図2Eを参照して、反射層226、反射層230を形成する。反射層226は、接触孔222及び透明絶縁層218の表面220の一部で延伸して、それらを被覆する。反射層230は、接触孔224及び透明絶縁層218の表面220の他の部分で延伸して、それらを被覆する。反射層226と反射層230とは、接触しない。一実施例において、反射層226、反射層230は、少なくとも二重の構造を有することが好ましい。すなわち、まず、少なくとも1枚の付着フィルムを形成し、そして、前記付着フィルムに、反射フィルムを形成する。付着フィルムの材料は、例えば、Ti、Ni又はTiW合金であってよく、反射フィルムの材料は、例えば、Al又はAgであってよい。そして、それぞれ反射層226、反射層230を被覆する障壁層228、障壁層232を選択的に形成する。障壁層228と障壁層232とは、接触しない。障壁層228、障壁層232の材料は、例えば、Ti、TiW合金、W、Pt、Ni又はそれらの任意の組み合わせであってよい。障壁層228、障壁層232は、それぞれ反射層226と以下のプロセスで形成される第1の導電型電極234との間の拡散、及び反射層230と以下のプロセスで形成される第2の導電型電極236との間の拡散を防止することができる。その後、例えば、蒸着、スパッタリング、電気メッキ又は化学めっきによって、第1の導電型電極234及び第2の導電型電極236を形成して、LED構造242の製造を完成した。第1の導電型電極234は、障壁層228に配置され、第1の接触孔222を充填する。第2の導電型電極236は、障壁層232に配置され、接触孔224を充填する。接触孔222に配置される第1の導電型電極234の一部は、接触プラグ238といわれてよく、接触孔224に配置される第2の導電型電極236の一部は、接触プラグ240といわれてよい。一実施例において、第1の導電型電極234及び第2の導電型電極236は、例えば、Au又はNi及びAu又はNiに配置される共晶金属AuSn又はAgSnCuのような多層構造を含んでよい。一実施例において、図2Eに示すように、接触プラグ238、接触プラグ240の他に、第1の導電型電極234と第2の導電型電極236とは、同一の平面に配置されることが好ましい。LED構造242の製造を完成した後、LED構造242のパッケージングプロセスを行ってよい。この実施例において、LED構造242は、フリップチップパッケージングプロセスに適する。LED構造242のフリップチップパッケージングプロセスの期間中、半田バンプ254、半田バンプ256のそれぞれは、まず、第1の導電型電極234及び第2の導電型電極236に形成されてよい。同時に、パッケージ基板258が提供される。そして、図2Gに示すように、LED構造242は、反転されてパッケージ基板258のプリセット領域を被覆して、LED構造242のフリップチップパッケージングを大体完成した。LED構造242の第1の導電型電極234及び第2の導電型電極236は、それぞれ半田バンプ254、半田バンプ256を介して、パッケージ基板258上のプリセット回路に電気的に接続される。第1の導電型電極234及び第2の導電型電極236は、同一の平面に配置されるので、LED構造242のフリップチップの難しさを大いに低下させ、フリップチッププロセスの信頼性を改良した。本発明において、LED構造の光出力方向を制御するように、LED構造の透明絶縁層に、パターン構造を製造してもよい。図3は、本発明の他の実施例によるLED構造の断面図である。LED構造252のアーキテクチャは、前記実施例におけるLED構造242のアーキテクチャと大体同一である。両者の差異は、LED構造242の2つの接触孔222、224の側壁が、発光エピタキシャル構造に対して大体垂直するが、LED構造252の接触孔244の側壁246及び接触孔248の側壁250の両者とも、発光エピタキシャル構造に対して傾斜することにある。この実施例において、透明絶縁層218に、接触孔244、接触孔248を形成する場合、接触孔244の側壁246及び接触孔248の側壁250を発光エピタキシャル構造に対して傾斜させることによって、反射層226、反射層230に発射される光の反射方向を変えることができ、LED構造252の光出力方向及び角度を制御する。その他の実施例において、接触孔の側壁の発光エピタキシャル構造に対する傾斜角を変える他に、透明絶縁層218の表面220に、例えば、規則なパターン構造又は不規則なパターン構造のような1つ又は複数のパターン構造を持たせるために、透明絶縁層218の表面220をパターン化してよい。透明絶縁層218に、接触孔222、224又は接触孔244、248を形成するステップと反射層226、反射層230を形成するステップとの間に、少なくとも1つのパターン構造を透明絶縁層218の表面220に配置することによって、LED構造242又は252の光出力方向及び角度を制御することができる。図4A~図4Eは、本発明のもう1つの実施例によるLED構造の製造プロセスを示す断面図である。この実施例において、まず、透明基板300を提供し、基板300の材料は、例えば、サファイアであってよい。そして、緩衝層302は、エピタキシー法例えば、MOCVDによって、基板300に選択的に成長する。緩衝層302の材料は、例えば、非ドープGaN系材料のような非ドープ半導体であってよい。そして、発光エピタキシャル構造は、エピタキシー法例えば、MOCVDによって、緩衝層302に成長する。この実施例において、前記発光エピタキシャル構造は、緩衝層302に順番に重ねられる第1の導電型半導体層304、活性層310、第2の導電型半導体層312を含んでよい。第1の導電型半導体層304と第2の導電型半導体層312は、異なる導電タイプを有する。例えば、第1の導電型半導体層304及び第2の導電型半導体層312の中の一方はn型であり、他方はp型である。発光エピタキシャル構造の材料は、例えば、GaN系材料であってよい。活性層310は、例えば、MQW構造であってよい。そして、図4Aに示すように、発光エピタキシャル構造は、例えば、リソグラフィー及びエッチングによって、第2の導電型半導体層312の一部、活性層310の一部、第1の導電型半導体層304の一部を除去することによって画定され、メサを形成する。発光エピタキシャル構造が画定された後、第1の導電型半導体層304は、第1の部分306及び第2の部分308を有するようになった。第2の導電型半導体層312及び活性層310は、第1の導電型半導体層304の第1の部分306に配置され、第2の部分308が露出される。その後、第1の導電型接触層314及び第2の導電型接触層318のそれぞれは、例えば、蒸着によって、第1の導電型半導体層304の第2の部分308及び第2の導電型半導体層312の一部に形成される。同様に、LED構造は、少なくとも1つの第1の導電型接触層314及び少なくとも1つの第2の導電型接触層318を備えてよい。すなわち、第1の導電型接触層314の数及び第2の導電型接触層318の数の両者とも、少なくとも1つである。第1の導電型接触層314及び第2の導電型接触層318は、例えば、オーム接触層であることが好ましい。第1の導電タイプがn型である場合、第1の導電型接触層314の材料は、例えば、ITO、TiAl合金、Cr/Pt/Au又はCr/Auであってよい。第2の導電タイプがp型である場合、第2の導電型接触層318は、例えば、単層又は多層構造のITO、ZnO、AZO、GZO、In2O3、SnO2のような透明酸化物構造であってよい。他の実施例において、第2の導電型接触層318の材料は、Ni/Au又はNi/Agであってよい。その後、図4Bに示すように、反射層316、反射層320は、それぞれ第1の導電型接触層314及び第2の導電型接触層318に形成される。一実施例において、反射層316、反射層320は、少なくとも二重の構造を有することが好ましく、反射層316、反射層320のそれぞれは、順番に重ねられる少なくとも一枚の付着フィルムと一枚の反射フィルムを含む。付着フィルムの材料は、例えば、Ti、Ni又はTiW合金であってよく、反射フィルムの材料は、例えば、Al又はAgであってよい。そして、図4Cに示すように、透明絶縁層322は、沈積又は塗布例えば、回転塗布によって形成され、発光エピタキシャル構造の第1の導電型半導体層304、活性層310、第2の導電型半導体層312、及び第1の導電型接触層314、第2の導電型接触層318、反射層316、反射層320を被覆する。透明絶縁層322は、平坦化表面324を有し、且つ表面324が前記発光エピタキシャル構造に対して配置されることが好ましい。一実例において、透明絶縁層322の材料は、透明酸化層例えば、SOG、高重合体、SiO2又はTiO2であってよい。透明絶縁層322の厚さは、0.5μm~100μmであることが好ましい。そして、図4Dに示すように、透明絶縁層322の一部は、例えば、エッチングによって除去されて、透明絶縁層322に、接触孔326、接触孔328を形成する。接触孔326、接触孔328は、それぞれ反射層316の一部及び反射層320の一部を露出させる。その後、図4Eを参照して、障壁層330、障壁層332を選択的に形成する。障壁層330は、接触孔326及び透明絶縁層322の表面324の一部で延伸して、それらを被覆する。障壁層332は、接触孔328及び透明絶縁層322の表面324の他の部分で延伸して、それらを被覆する。障壁層330と障壁層332とは、接触しない。障壁層330、障壁層332の材料は、例えば、Ti、TiW合金、W、Pt、Ni又はそれらの任意の組み合わせであってよい。障壁層330、障壁層332は、それぞれ反射層316と以下のプロセスで形成される第1の導電型電極334との間の拡散、及び反射層320と以下のプロセスで形成される第2の導電型電極336との間の拡散を防止することができる。そして、図4Eに示すように、第1の導電型電極334及び第2の導電型電極336は、例えば、蒸着、スパッタリング、電気メッキ又は化学めっきによって形成されて、LED構造342の製造を完成した。第1の導電型電極334は、障壁層330に配置され、接触孔326を充填する。第2の導電型電極336は、障壁層332に配置され、接触孔328を充填する。LED構造342において、接触孔326に配置される第1の導電型電極334の一部は、接触プラグ338といわれてよく、接触孔328に配置される第2の導電型電極336の一部は、接触プラグ340といわれてよい。一実施例において、第1の導電型電極334及び第2の導電型電極336は、例えば、Au又はNi及びAu又はNiに配置される共晶金属AuSn又はAgSnCuのような多層構造を含んでよい。一実施例において、図4Eに示すように、接触プラグ338、接触プラグ340の他に、第1の導電型電極334と第2の導電型電極336とは、同一の平面に配置されることが好ましい。LED構造342の製造を完成した後、パッケージングプロセスを行ってよい。この実施例において、LED構造342は、フリップチップパッケージングプロセスに適する。第1の導電型電極338及び第2の導電型電極340は、同一の平面に配置されるので、LED構造342のフリップチップの難しさを大いに低下させ、フリップチッププロセスの信頼性を改良した。この実施例において、図3の実施例と類似するように、LED構造342の2つの接触孔326、328の側壁の両者とも、発光エピタキシャル構造に対して傾斜し、LED構造342の光出力方向及び角度を制御する。なお、少なくとも1つのパターン構造例えば、規則なパターン構造又は不規則なパターン構造は、透明絶縁層322に、接触孔326、接触孔328を形成するステップと障壁層330、障壁層332を形成するステップとの間に、透明絶縁層322の表面324に配置されてもよく、LED構造342の光出力方向及び角度を変える。以上の実施例から、本発明は、透明絶縁層で、反射層と発光エピタキシャル構造とを隔て、高力率操作期間中において発光エピタキシャル構造で発生した熱が反射層の安定性に与える影響を低下させることを長所とすることが見られる。以上の実施例から、本発明は、本発明のLED構造の2つの導電型電極の両者とも、透明絶縁層に配置されてよいため、接触電極の面積を減少し、発光面積全体を増加し、更に、前記LED構造の発光効率を改良したことを他の長所とすることが見られる。以上の実施例から、本発明は、本発明のLED構造の製造方法において、透明絶縁層に、少なくとも1つのパターン構造を製造してよく、LED構造の光出力方向及び角度を制御して、光取り出し効率を改良したことをもう1つの長所とすることが見られる。以上の実施例から、本発明は、本発明の2つの導電型電極が、接触層に延伸する接触プラグ有し、前記接触プラグが、発光エピタキシャル構造の熱流通路とされてよいため、操作中に発生した熱がLED構造に与える影響を低下させたことを更に1つの長所とすることが見られる。以上の実施例から、本発明は、本発明の2つの導電型電極が、上げられて透明絶縁層に配置されてよく、電極の面積が広がられるようになり、2つの導電型電極が、同一の平面に配置されてよく、これによりフリップチップの難しさを大いに低下させ、フリップチッププロセスの信頼性を改良したことを代替的な長所とすることが見られる。説明及び叙述のために、本発明の例示的な実施例に対する前記叙述を提出しており、網羅的に挙げたり本発明を開示した精確な形式に限定したりすることを図るものではない。前記示唆に鑑みて、多くの修正又は変化は、可能である。本発明の原則及びその実際の応用を説明するために、前記実施例を選択してそれを説明する目的は、他の当業者が本発明及び多様な修正を行われた多様な実施例を利用できるようにすることにあり、前記多様な修正は、同時に、予期される特定な用途に適する。本発明の精神と範囲から逸脱しない場合、代替実施例は当業者に明らかである。そのため、本発明の範囲は、前記叙述又は前記で説明した例示的な実施例によって限定されるものではなく、付加の特許請求の範囲によって限定される。