"ターンテーブルに支持され回転している研磨布に半導体基板上の被研磨膜を当接させる工程と、前記研磨布上における前記被研磨膜が当接する領域に、総量の0.01~20質量の研磨粒子および総量の0.1~10質量の泡形成保持剤を含む水系分散体が泡状とされた研磨フォームを供給して前記被研磨膜を研磨する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記研磨フォームは、室温で120秒静止した状態での体積減少率が5以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記研磨フォームは、室温で120秒静止した状態での体積減少率が1以下であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記泡形成保持剤は、直鎖アルキルベンゼンスルホン酸、直鎖アルキルベンゼンスルホン酸カリウム、および直鎖アルキルベンゼンスルホン酸アンモニウムからなる群から選択されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記研磨粒子は、酸化セリウム、および酸化珪素からなる群から選択されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記被研磨膜は、酸化膜であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。回転可能なターンテーブルに支持された研磨布と、半導体基板を保持して、前記半導体基板を前記研磨布に当接させる研磨ヘッドと、研磨粒子と泡形成保持剤とを含む水系分散体を収容し、網体を通して前記水系分散体を吐出することにより泡状として、前記研磨布上の前記半導体基板が当接する領域に研磨フォームを供給する泡発生器とを具備することを特徴とする研磨装置。本発明が解決しようとする課題は、CMPスラリーの使用量を削減しても、実用的な研磨速度で被研磨膜を研磨することが可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。実施形態の半導体装置の製造方法は、ターンテーブルに支持され回転している研磨布に半導体基板上の被研磨膜を当接させる工程と、前記研磨布上における前記被研磨膜が当接する領域に、研磨フォームを供給して前記被研磨膜を研磨する工程とを具備する。前記研磨フォームは、総量の0.01~20質量の研磨粒子および総量の0.01~1質量の泡形成保持剤を含む水系分散体を泡状として得られる。以下、図面を参照して実施形態を具体的に説明する。図1を参照して、一実施形態にかかる半導体装置の製造方法を説明する。図示するように、回転機構図示せずにより駆動されるターンテーブル11に支持された研磨布12には、回転機構図示せずにより駆動される研磨ヘッド13に保持された半導体基板14が当接される。ターンテーブル11および研磨ヘッド13を所定の速度で回転させながら、研磨布12上の所定の領域に研磨フォーム15を供給することによって、半導体基板14に設けられた被研磨膜10が研磨される。研磨フォーム15が供給される領域は、研磨布12上の表面のうち、半導体基板14が当接する領域である。研磨布12が回転するので、研磨フォーム15が供給される領域は、この研磨布12上における半導体基板14の軌道に沿った領域ということができる。研磨布12上に供給された研磨フォーム15は、半導体基板14の回転にしたがって、研磨布12と被研磨膜10との間に入り込んで、被研磨膜10を研磨する。被研磨膜の研磨に用いられる研磨フォーム15は、泡発生器16を用いて、研磨粒子と泡形成保持剤とを含む水系分散体を泡状とすることにより調製される。水系分散体に含有される研磨粒子は、被研磨膜の材質に応じて適宜選択することができる。例えば、熱酸化膜等の酸化膜を研磨する場合には、研磨粒子としては、酸化セリウムおよび酸化珪素などを用いることができる。水系分散体中における研磨粒子の含有量は、水系分散体の0.01~20質量である。0.01質量未満の場合には、実用的な研磨速度を達成することができない。一方、20質量を超えると、研磨フォームの体積を維持できず、コストも増加する。水系分散体中における研磨粒子の含有量は、0.1~10質量程度が好ましい。研磨粒子の平均粒子径は、通常10~1000nm程度である。平均粒子径は、例えば、透過型電子顕微鏡により撮影された一つの独立した研磨粒子の像を計測したり、流動式比表面積自動測定装置により、BET法を用いて測定した比表面積から求めることができる。泡形成保持剤は、網体を有する泡発生器を通過することにより水系分散体を泡状とし、その状態を保持する。ただし、泡形成保持剤は、被研磨膜の研磨には何等悪影響を及ぼしてはならず、これらを考慮して選択される。酸化膜を研磨する場合には、泡形成保持剤としては、例えばアニオン性界面活性剤等を用いることができる。一般的な硫酸ドデシルナトリウムSDSなど用いてもよい。特に、アルキルベンゼンスルホン酸、および、アルキルベンゼンスルホン酸とその塩が好適である。アルキル鎖の炭素数は、8~16が好ましい。研磨フォームの体積を維持するとともに、被研磨基板の研磨速度への影響を考慮すると、アルキル基の炭素数は10~14が好ましい。生分解性の観点から、アルキル基は直鎖であることが好ましい。塩としては、カリウム塩およびアンモニウムが好ましい。具体的には、直鎖ドデシルベンゼンスルホン酸、直鎖ドデシルベンゼンスルホン酸カリウム、および直鎖ドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウム等が挙げられる。水系分散体中における泡形成保持剤の含有量は、0.1~10質量である。泡形成保持剤が0.1質量未満の場合には、研磨速度向上の効果は得られるものの十分ではない。また、所望される状態の泡を形成することができない。一方、泡形成保持剤が10質量を超えると、被研磨基板に吸着して、研磨速度が低下するという不都合が生じる。なお、所望される状態とは、室温で120秒静止した状態での泡の体積減少率が5以下であることをさす。室温で120秒静止した状態での泡の体積減少率は、1以下であることが好ましい。0.5~5質量程度の泡形成保持剤が含有された場合には、これを達成することができる。泡の体積減少率および泡形成については、後述する。場合によっては、陰イオン性官能基を表面に有する樹脂粒子を併用してもよい。陰イオン性官能基は、単体では泡形成剤として性能未達であるが、泡形成保持剤と併用することによって、研磨フォームの体積減少を抑制する効果が得られる。この場合には、泡形成保持剤の減量が可能となる。樹脂粒子の材質は、例えば、ポリスチレンおよびポリメタクリルレート等から選択することができる。陰イオン性官能基としては、例えば、カルボキシル基およびスルホニル基等が挙げられる。表面に陰イオン性官能基を有する樹脂粒子は、例えば特開2000-204353号公報の製造例4に記載されている調合方法などを採用して、得ることができる。所定量の研磨粒子および泡形成保持剤を水に加えて、水系分散体が得られる。水としては、例えば純水を用いることができる。得られた水系分散体は、泡形成保持剤と研磨粒子とを含み、泡発生器を通過させることにより泡状とすることができる。泡発生器16は、例えば図2の概略図に示すような構成である。円筒状の樹脂製シリンダ-ブロック17内には、混合室20が設けられ、供給経路18が混合室20に連通している。研磨粒子および泡形成保持剤を含む水系分散体は、供給経路18を介して混合室20内に供給して収容することができる。この供給経路18から混合室20内に空気を供給することにより、水系分散体により攪拌された後、網体19を通過して泡状の研磨フォームとなる。研磨フォームは、泡発生器16の吐出口21から吐出される。網体19の目開きは、100~500メッシュ程度であれば、所望の状態の泡を形成することができる。網体19の材質は特に限定されず、例えば、ナイロン、ポリエステル、およびポリエチレンなどが挙げられる。空気の供給量は、例えば電空レギュレーターにより調整することができる。所定の量で研磨粒子および泡形成保持剤が含有された水系分散体に、適切な条件で空気を吹き込むことによって、所望の状態の泡が得られる。所望の状態の泡を得るためには、水系分散体の温度が18~30°Cの範囲内であることが好ましい。空気は、水系分散体の体積の2~10倍程度の体積となるように供給されることが望まれる。さらに、フィルターを介して不純物の少ない空気を供給するように制御することも、所望の状態の泡を得るために有効である。こうして泡発生器を通して形成された泡状の研磨フォームは、120秒後における体積減少率が5以下である。120秒後における泡の体積減少率は、1以下であることが好ましい。泡の体積減少率は、次のように定義される。まず、前述の泡発生器を用いて水系分散体を泡状とし、メッシリンダーに収容して泡の初期体積V0を求める。これを、無風、室温の条件下で静置して、120秒後の泡の体積V120を測定する。100×V0-V120/V0から、泡の体積減少率が得られる。通常の研磨工程においては、半導体基板に設けられた被研磨膜の研磨に要する時間は、120秒以内である。水系分散体を泡状として得られた研磨フォームの状態が保たれていれば、研磨フォームは研磨布上に留まって被研磨膜の研磨に寄与することができる。研磨フォームは、被研磨膜の研磨に確実に用いられるので、実用的な研磨速度が補償される。しかも、研磨布上の研磨フォームは、遠心力ターンテーブルの回転速度は、通常10~150rmpによっても研磨布上から排出されることはなく、利用効率が高められる。研磨フォームの状態は、泡体積減少率によって評価され、120秒後の泡の体積減少率が5以下であれば、所望の効果が得られることが本発明者らによって見いだされた。以下に、半導体製造装置の製造方法の具体例を示す。<実施形態1>研磨粒子を分散媒に加えて、0.5質量の水系分散体を得た。研磨粒子としては、平均粒子径0.1μm程度の酸化セリウムを用い、溶媒としては純水を用いた。得られた水系分散体を、サンプル1とした。サンプル1は、従来用いられていたCMPスラリーに相当する。このサンプル1に、泡形成保持剤としての直鎖ドデシルベンゼンスルホン酸カリウムを所定の量で加えて、サンプル2~8を得た。直鎖ドデシルベンゼンスルホン酸カリウムの量は、サンプルを泡状として研磨フォームを得、これを室温で120秒静置した後の泡体積減少率が所定の値となるように調製した。研磨フォームの形成には、図2に示した構成の泡発生器を用いた。混合室20の容積は50cc程度であり、網体19は300メッシュのポリエチレン製とした。吐出口21の径は5mm程度であり、電空レギュレーターにより元圧を0.5MPaとして空気を供給した。泡体積減少率と泡形成保持剤の含有量とを、下記表1にまとめる。また、図3のグラフには、泡形成保持剤の含有量と泡体積減少率との関係をプロットした。さらに、サンプル9として、体積減少率が0.5のサンプルを得た。このサンプル6は、陰イオン性の表面官能基を有する樹脂粒子を含有する。サンプル6中における樹脂粒子の含有量は、0.1質量程度とした。表面官能基はカルボキシル基であり、樹脂粒子は、平均粒子径50nm程度のスチレン/メタクリル共重合体製である。サンプル1を用いて、半導体基板上に形成された熱酸化膜の研磨を行なった。熱酸化膜の膜厚は300nmであり、半導体基板の直径は200mmである。熱酸化膜の研磨に当たっては、図4に示すように、研磨布12が貼付されたターンテーブル11を100rpmで回転させつつ、半導体基板14を保持した研磨ヘッド13を300hPaの研磨荷重で当接させた。研磨ヘッド13の回転数は103rpmとし、研磨布12の中央領域に、従来の供給方法によりスラリー25としてのサンプル1を、スラリー供給ノズル26から供給した。スラリー25の流量は、100cc/minとした。これは、従来の一般的なスラリー流量である。研磨布12の中央領域に滴下されたスラリー25は、遠心力により研磨布12の外側に向けて広がって、熱酸化膜の研磨に用いられる。研磨布としてはIC1000RODEL社を用いて、60秒間の研磨を行なった。スラリー供給ノズル26から供給されるスラリー25の流量を、50cc/minおよび25cc/minに変化させる以外は前述同様の条件で熱酸化膜を研磨し、熱酸化膜の削り量から研磨速度を見積もった。サンプル1の流量と研磨速度とを、下記表2にまとめる。上記表2に示されるように、スラリーの流量が100cc/minの場合には、研磨速度は158nm/minであり、実用的な速度で熱酸化膜を研磨できる。流量が減少すると研磨速度も低下し、25cc/minの流量では、研磨速度は102nm/minまで低下する。熱酸化膜の研磨速度は、少なくとも150nm/min以上であることが要求されるので、これは実用的ではない。次に、図2に示した泡発生器16を用いて、No.1~9の各サンプルを研磨布12上における半導体基板の軌道領域のみに供給した。いずれの場合も、25ccのサンプルを供給した。それ以外は前述と同様の条件で、前述と同様の熱酸化膜を研磨した。No.2~9のサンプルを供給した場合には、図1に示されるように研磨フォーム15が研磨布12上の所定の領域に形成された。No.4~9のサンプルを用いて形成された研磨フォーム15は、ほとんど流動性を有さず、研磨布12上の所定の領域に留まっていた。こうした研磨フォーム15は、研磨が終了するまで被研磨膜の研磨に寄与したものと推測される。No.2,3のサンプルを用いて形成された研磨フォーム15は、流動しやすく研磨布12上に安定に保持されない。No.1のサンプルは泡状とならず、図5に示すように研磨布の外に排出される部分27もあった。前述と同様にして、熱酸化膜の削り量から研磨速度を見積もった。各サンプルについての研磨速度を下記表3にまとめる。サンプル1は水系分散体であるので、研磨布上における半導体基板の軌道上に、泡発生器を用いて供給したところで、研磨布上に留まることができない。供給されたサンプル1は、遠心力により研磨布の外に排出されるため、被研磨膜の研磨に寄与する割合は極めて少なくなる。このため、熱酸化膜の研磨速度は39nm/minと著しく低い。水系分散体からなるスラリーを用いる場合には、従来の方法で供給しなければ、実用的な速度で被研磨膜を研磨することができない。サンプル2,3の場合には、泡状となったものの、研磨速度は120nm/min以下と低く、不十分である。これは、泡の体積減少率が大きいために、被研磨膜の研磨に十分に寄与できないことが原因であると推測される。サンプル4~7、9の研磨速度は、いずれもサンプル1を100cc/minで供給した場合と同等以上である。これらのサンプルの供給量は25ccであるので、サンプル1の1/4の量で、実用的な研磨速度が得られた。サンプル8の場合には、泡の体積が維持されたものの、研磨速度は135nm/minと低い。泡体積保持剤の含有量が15質量と多いために、泡が被研磨基板に吸着して研磨速度が低下したものと推測される。スラリーとして泡の体積減少率が5以下の研磨フォームを用い、本実施形態の方法を採用することによって、スラリーの使用量を削減しても実用的な研磨速度で被研磨膜を研磨することが可能となった。<実施形態2>図6を参照して、STIShallowTrenchIsolationの製造方法について説明する。まず、図6aに示されるようなシリコン窒化膜31を表面に有し、STIパターンBが設けられた半導体基板30を準備する。シリコン窒化膜31はストッパー膜として作用し、その膜厚は例えば50nmである。半導体基板30とシリコン窒化膜31との間に、例えばシリコン酸化膜等が設けられていてもよい。シリコン酸化膜等をエッチングマスクとして半導体基板30をシリコン窒化膜31とともに加工して、STIパターンBが形成される。このSTIパターンBの幅および間隔は、いずれも1μmであるライン/スペース:1/1μm。また、STIパターンBの深さは、例えば200nmである。シリコン窒化膜31上には、図6bに示すように、シリコン酸化膜32を、例えば高密度プラズマCVD法HDP-CVD等により形成する。シリコン酸化膜32の膜厚は280nmであり、全面にわたってSTIパターンB外にも形成される。次に、全面のCMPを行なって、図6cに示すようにSTIパターンB外のシリコン酸化膜32を除去する。STIパターンB内にシリコン酸化膜32が埋め込まれ、STIパターンB外においてはシリコン窒化膜31の表面が露出される。CMPにあたっては、まず、従来の条件でシリコン酸化膜を研磨した。具体的には、前述のサンプル1を100cc/minで供給し、前述と同様の条件で研磨を行なった。研磨速度は158nm/minである。さらに、前述のサンプル5を用いて、前述と同様の条件でシリコン酸化膜を研磨した。すなわち、泡発生器を用いて25ccのサンプル5を泡状とし、研磨布上における半導体基板の軌道領域のみに供給した。研磨速度は161nm/minである。シリコン窒化膜31の表面を露出するまでに要した時間、STIパターンB内に残置されたシリコン酸化膜32の表面におけるディッシング深さ、および欠陥数を調べ、その結果を下記表4にまとめる。ディッシングは、30nm以下であれば合格である。実施形態1の場合と同様、スラリーの使用量を1/4に削減しても同等のCMP性能が得られることが、上記表4に示されている。<実施形態3>研磨粒子として、平均粒子径25nm程度の酸化珪素を用意した。この酸化珪素を分散媒としての純水に加えて、10質量の水系分散体を得た。得られた水系分散体を、サンプル10とした。サンプル10は、従来用いられていたCMPスラリーに相当する。このサンプル10に、泡形成保持剤としての直鎖ドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウムを所定の量で加えて、泡状研磨フォームとしてサンプル11を得た。このサンプル11は、室温で120秒静置した後の泡体積減少率が4であった。サンプル10を用いた場合には、実施形態1に示した従来の条件でシリコン酸化膜を研磨した。具体的には、サンプル10を10cc/minで供給し、前述と同様の条件で研磨を行なった。研磨速度は108nm/minであった。一方、サンプル11を用いた場合には、泡発生器を用いて25ccのサンプルを泡状とし、研磨布上における半導体基板の軌道領域のみに供給した。研磨速度は121nm/minであった。酸化セリウムと比較すると、酸化珪素は研磨速度が遅いものの、流量が1/4に低減されても研磨速度が低下することはない。研磨粒子として酸化珪素を用いた場合も、酸化セリウムの場合と同様の効果が得られることが確認された。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行なうことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"