"炭素数が1~6のアルコール類と、二酸化ケイ素と、イミダゾール及びイミダゾール誘導体から選ばれる少なくとも1種と、アルカリ化合物と、水とを含有する半導体基板のエッジ研磨用組成物。前記アルコール類が脂肪族飽和アルコールであることを特徴とする請求項1に記載のエッジ研磨用組成物。さらにキレート剤を含有することを特徴とする請求項1又は2に記載のエッジ研磨用組成物。請求項1~3のいずれか一項に記載のエッジ研磨用組成物を用いた半導体基板のエッジ研磨方法。表面欠陥の少ない半導体基板を得るために、エッジ研磨用組成物には、基板表面上に付着残留物を生じにくいこと、また、たとえ付着残留物が生じたとしても基板表面から容易に除去できることが要求される。しかしながら、特許文献1~3に開示のエッジ研磨用組成物は、そのような要求を十分に満足するものでなく、更なる改良の余地を残している。そこで、本発明の目的は、表面欠陥の少ない半導体基板を得るのにより適したエッジ研磨用組成物及びそれを用いたエッジ研磨方法を提供することにある。上記の目的を達成するために、本発明の一態様によれば、炭素数が1~6のアルコール類と、二酸化ケイ素と、イミダゾール及びイミダゾール誘導体から選ばれる少なくとも1種と、アルカリ化合物と、水とを含有する半導体基板のエッジ研磨用組成物を提供する。また、本発明の別の態様によれば、上記一態様のエッジ研磨用組成物を用いて半導体基板のエッジを研磨する方法を提供する。本発明によれば、半導体基板のエッジの研磨速度が高いことに加えて、基板表面上に付着残留物を生じにくい点、また、たとえ付着残留物が生じたとしても基板表面から容易に除去できる点で、表面欠陥の少ない半導体基板を得るのに適したエッジ研磨用組成物が提供される。また、半導体基板のエッジを高い研磨速度で研磨できることに加えて、基板表面上の付着残留物を少なくすることができるエッジ研磨方法が提供される。以下、本発明の一実施形態を説明する。エッジ研磨用組成物本実施形態のエッジ研磨用組成物は、アルコール類と、二酸化ケイ素と、イミダゾール又はイミダゾール誘導体と、アルカリ化合物と、水とを含有する。<アルコール類>本発明者らの検討によれば、炭素数が1~6のアルコール類を含有するエッジ研磨用組成物を用いて半導体基板のエッジ研磨を行った場合、研磨時及び研磨後の半導体基板の表面及びエッジがアルコール類の働きによって親水性に保たれることにより、基板表面上に付着残留物が生じにくいこと、また、たとえ付着残留物が生じたとしても基板表面から容易に除去できることがわかった。好ましいアルコール類は、炭素数が1~6の脂肪族飽和アルコール、より具体的には、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブタノール、tert-ブタノール、ペンタノール、ヘキサノールなどの直鎖又は分岐鎖状の脂肪族飽和アルコールのほか、グリセリンのようにアルキル部分に水酸基などの置換基を有する脂肪族飽和アルコールが挙げられる。これらの中でも、使用後のエッジ研磨用組成物を廃棄するときの便宜の観点から、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、グリセリンなどの炭素数が1~3の脂肪族飽和アルコールが好ましい。最も好ましいのはグリセリンである。アルコール類は1種を単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。エッジ研磨用組成物中のアルコール類の含有量は、0.005質量以上であることが好ましく、より好ましくは0.01質量以上であり、さらに好ましくは0.05質量以上である。アルコール類の含有量が多くなるにつれて、基板表面上に付着残留物が生じるおそれが低減する。エッジ研磨用組成物中のアルコール類の含有量はまた、0.5質量未満であることが好ましく、より好ましくは0.2質量未満である。アルコール類の含有量が少なくなるにつれて、エッジ研磨用組成物の分散安定性が向上する。<二酸化ケイ素>本実施形態のエッジ研磨用組成物中に含まれる二酸化ケイ素は、半導体基板のエッジを機械的に研磨する働きをする。使用する二酸化ケイ素は、コロイダルシリカ又はフュームドシリカであることが好ましく、より好ましくはコロイダルシリカである。コロイダルシリカ又はフュームドシリカ、特にコロイダルシリカを使用した場合には、研磨により半導体基板のエッジに発生する傷が減少する。二酸化ケイ素は1種を単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。エッジ研磨用組成物中の二酸化ケイ素の含有量は、0.1質量以上であることが好ましく、より好ましくは0.4質量以上である。二酸化ケイ素の含有量が多くなるにつれて、半導体基板のエッジの研磨速度が向上する。エッジ研磨用組成物中の二酸化ケイ素の含有量はまた、10質量未満であることが好ましく、より好ましくは5質量未満である。二酸化ケイ素の含有量が少なくなるにつれて、エッジ研磨用組成物の分散安定性が向上する。<イミダゾール又はイミダゾール誘導体>本実施形態のエッジ研磨用組成物中に含まれるイミダゾール又はイミダゾール誘導体は、イミダゾール環の1位の窒素原子の非共有電子対が半導体基板に作用し、半導体基板のエッジの研磨速度を上昇させる働きを有する。イミダゾール誘導体は、例えば、イミダゾール環の1位の窒素原子、2位の炭素原子、4位の炭素原子、及び5位の炭素原子に結合している水素原子のうちの少なくとも一つがメチル基及びエチル基などのアルキル基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、又はアミノ基によって置き換えられたものであってもよい。エッジ研磨用組成物は、イミダゾール及びイミダゾール誘導体から選ばれる1種を単独で含有してもよいし、2種以上を組み合わせて含有してもよい。エッジ研磨用組成物中のイミダゾール及びイミダゾール誘導体から選ばれる少なくとも1種の化合物の含有量は、0.001質量以上であることが好ましく、より好ましくは0.004質量以上であり、さらに好ましくは0.01質量以上であり、最も好ましくは0.03質量以上である。この含有量が多くなるにつれて、半導体基板のエッジの研磨速度が向上する。エッジ研磨用組成物中のイミダゾール及びイミダゾール誘導体から選ばれる少なくとも1種の化合物の含有量は、1質量未満であることが好ましく、より好ましくは0.5質量未満であり、最も好ましくは0.1質量未満である。この含有量が少なくなるにつれて、エッジ研磨後の半導体基板の表面の荒れが抑制される。<アルカリ化合物>本実施形態のエッジ研磨用組成物中に含まれるアルカリ化合物は、半導体基板のエッジをエッチングする作用を有し、半導体基板のエッジを化学的に研磨する。使用可能なアルカリ化合物の例としては、例えばアンモニア、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、モノエタノールアミン、N-β-アミノエチルエタノールアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、無水ピペラジン、ピペラジン六水和物、1-2-アミノエチルピペラジン、及びN-メチルピペラジンが挙げられる。エッジ研磨後の半導体基板の金属汚染を抑える目的では、使用するアルカリ化合物は、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、アンモニア、炭酸水素アンモニウム、又は炭酸アンモニウムであることが好ましく、さらに好ましくは、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化カリウム、炭酸水素カリウム、又は炭酸カリウムである。アルカリ化合物は1種を単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。エッジ研磨用組成物中のアルカリ化合物の含有量は、0.01質量以上であることが好ましく、より好ましくは0.02質量以上であり、さらに好ましくは0.1質量以上であり、最も好ましくは0.2質量以上である。アルカリ化合物の含有量が多くなるにつれて、半導体基板のエッジの研磨速度が向上する。エッジ研磨用組成物中のアルカリ化合物の含有量は、2質量未満であることが好ましく、より好ましくは1質量未満である。アルカリ化合物の含有量が少なくなるにつれて、エッジ研磨後の半導体基板の表面の荒れが抑制される。<水>本実施形態のエッジ研磨用組成物中に含まれる水は、エッジ研磨用組成物中の他の成分を溶解又は分散させる働きをする。水は、他の成分の作用を阻害する不純物をできるだけ含有しないことが好ましい。具体的には、イオン交換樹脂を使って不純物イオンを除去した後にフィルタを通して異物を除去したイオン交換水、あるいは純水、超純水又は蒸留水が好ましい。<キレート剤>本実施形態のエッジ研磨用組成物は、キレート剤をさらに含有してもよい。キレート剤を含有する場合、エッジ研磨用組成物による半導体基板の金属汚染を抑えることができる。使用可能なキレート剤の例としては、例えば、アミノカルボン酸系キレート剤及び有機ホスホン酸系キレート剤が挙げられる。アミノカルボン酸系キレート剤の具体例としては、ニトリロ三酢酸、エチレンジアミン四酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸及びトリエチレンテトラミン六酢酸、並びにこれら酸のアンモニウム塩、カリウム塩、ナトリウム塩及びリチウム塩が挙げられる。有機ホスホン酸系キレート剤の具体例としては、2-アミノエチルホスホン酸、1-ヒドロキシエチリデン-1,1-ジホスホン酸、アミノトリメチレンホスホン酸、エチレンジアミンテトラキスメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、トリエチレンテトラミンヘキサメチレンホスホン酸、エタン-1,1,-ジホスホン酸、エタン-1,1,2-トリホスホン酸、エタン-1-ヒドロキシ-1,1-ジホスホン酸、エタン-1-ヒドロキシ-1,1,2-トリホスホン酸、エタン-1,2-ジカルボキシ-1,2-ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、2-ホスホノブタン-1,2-ジカルボン酸、1-ホスホノブタン-2,3,4-トリカルボン酸及びα-メチルホスホノコハク酸、並びにこれら酸のアンモニウム塩、カリウム塩、ナトリウム塩及びリチウム塩が挙げられる。中でも好ましいキレート剤は、アミノカルボン酸系キレート剤では、ジエチレントリアミン五酢酸及びトリエチレンテトラミン六酢酸、並びにそれら酸のアンモニウム塩、カリウム塩、ナトリウム塩及びリチウム塩であり、有機ホスホン酸系キレート剤では、エチレンジアミンテトラキスメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸及びトリエチレンテトラミンヘキサメチレンホスホン酸、並びにそれら酸のアンモニウム塩、カリウム塩、ナトリウム塩及びリチウム塩である。最も好ましく使用されるキレート剤はエチレンジアミンテトラキスメチレンホスホン酸である。エッジ研磨方法本実施形態のエッジ研磨用組成物は、半導体基板のエッジの研磨で通常に用いられるのと同じ装置及び条件で使用することができる。一般的には、半導体基板を保持具によって保持し、基板表面に対して垂直又は斜めに配置した研磨パッドを基板のエッジに押し付けた状態で、エッジ研磨用組成物を研磨パッドに供給しながら、半導体基板及び研磨パッドをエッジの円周方向に回転させる。このとき、研磨パッド及びエッジ研磨用組成物中の二酸化ケイ素が半導体基板のエッジに摩擦することによる物理的作用と、エッジ研磨用組成物中のイミダゾール又はイミダゾール誘導体とアルカリ化合物の組み合わせが半導体基板のエッジに与える化学的作用によって半導体基板のエッジは研磨される。前記実施形態は次のように変更されてもよい。前記実施形態のエッジ研磨用組成物は、水溶性高分子をさらに含有してもよい。この場合、半導体基板の表面及びエッジが水溶性高分子の働きによってより親水性に保たれることにより、研磨後の半導体基板の表面上に付着残留物が生じるおそれはさらに低減する。使用可能な水溶性高分子の例としては、例えば、ヒドロキシエチルセルロースやヒドロキシプロピルセルロースなどのヒドロキシアルキルセルロース、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキサイド、ポリエチレングリコール、プルランが挙げられる。中でも好ましい水溶性高分子はヒドロキシエチルセルロース又はポリビニルアルコール、最も好ましいのはヒドロキシエチルセルロースである。前記実施形態のエッジ研磨用組成物は、防腐剤、界面活性剤のような公知の添加剤を必要に応じてさらに含有してもよい。前記実施形態のエッジ研磨用組成物は、一剤型であってもよいし、二剤型を始めとする多剤型であってもよい。前記実施形態のエッジ研磨用組成物は、研磨装置内で循環使用されてもよい。その場合、エッジ研磨用組成物中のアルコール類、二酸化ケイ素、イミダゾール又はイミダゾール誘導体、アルカリ化合物、キレート剤の各含有量に減少が生じたときには適宜、循環使用中に減少分を補充するようにしてもよい。前記実施形態のエッジ研磨用組成物は、製造時及び販売時には濃縮された状態であってもよい。すなわち、前記実施形態のエッジ研磨用組成物は、エッジ研磨用組成物の原液の形で製造及び販売してもよい。前記実施形態のエッジ研磨用組成物は、エッジ研磨用組成物の原液を水で希釈することにより調製されてもよい。前記実施形態のエッジ研磨用組成物を用いたエッジ研磨方法で使用される研磨パッドは、特に限定されないが、不織布タイプ、スウェードタイプなどのいずれの種類の研磨パッドを使用してもよく、また、砥粒を含むものであっても、砥粒を含まないものであってもよい。次に、本発明の実施例及び比較例を説明する。二酸化ケイ素、イミダゾール又はイミダゾール誘導体、アルカリ化合物及びアルコール類を、必要に応じてキレート剤とともにイオン交換水に混合して実施例1~30のエッジ研磨用組成物を調製した。二酸化ケイ素、イミダゾール又はイミダゾール誘導体、アルカリ化合物、アルコール類、キレート剤及びその他の化合物から選ばれる成分の一部又は全部をイオン交換水に混合して比較例1~8のエッジ研磨用組成物を調製した。実施例1~30及び比較例1~8の各エッジ研磨用組成物中の成分の詳細を表1に示す。表1の二酸化ケイ素欄において、Aは平均一次粒子経が45nmで平均二次粒子径が104nmのコロイダルシリカを表し、Bは平均一次粒子径が80nmで平均二次粒子径が97nmのコロイダルシリカを表す。表1のアルカリ化合物欄において、KOHは水酸化カリウムを表し、K2CO3は炭酸カリウムを表し、TMAHは水酸化テトラメチルアンモニウムを表す。表1のアルコール類欄において、IPAは2-プロパノール別名イソプロピルアルコールを表す。表1のキレート剤欄において、TTHAはトリエチレンテトラミン六酢酸を表し、DTPAはジエチレントリアミン五酢酸を表し、EDTPOはエチレンジアミンテトラキスメチレンホスホン酸を表す。表1のその他の化合物欄において、HECはヒドロキシエチルセルロースを表し、PEGはポリエチレングリコールを表す。実施例1~30及び比較例1~8の各エッジ研磨用組成物を用いて、シリコンウェーハのエッジを表2に記載の条件で研磨した。使用したシリコンウェーハは、直径が300mm、伝導型がP型、結晶方位が<100>、抵抗率が0.1Ωcm以上100Ωcm未満であった。このとき、電子天秤を用いて計測される研磨前後のシリコンウェーハの重量の差から求められるエッジの研磨速度について評価した結果を表1の研磨速度欄に示す。同欄中、A特優は研磨速度が17.5mg/分以上であったことを示し、B優はそれが15mg/分以上17.5mg/分未満であったこと、C良は12.5mg/分以上15mg/分未満であったこと、D可は10mg/分以上12.5mg/分未満であったこと、Eやや不良は7.5mg/分以上10mg/分未満であったこと、F不良は7.5mg/分未満であったことを示す。実施例1~30及び比較例1~8の各エッジ研磨用組成物を用いてエッジを研磨した後のシリコンウェーハを純水でスクラブ洗浄した後、シリコンウェーハの表面を目視にて観察して、ウェーハ表面上の付着残留物の量について評価した結果を表1の付着残留物欄に示す。同欄中、A優はシリコンウェーハの表面に付着残留物が全く認められなかったことを示し、B良はそれがほとんど認められなかったこと、C可はごく僅かにしか認められなかったこと、Dやや不良はウェーハ表面の全体に亘り少量認められたこと、E不良はウェーハ表面の全体に亘り大量に認められたことを示す。実施例1~30及び比較例1~8の各エッジ研磨用組成物について、調製直後と調製から1ヵ月経過後で、シリコンウェーハのエッジの研磨速度を上記と同様にして測定し、両者を比較することにより各エッジ研磨用組成物の保存安定性を評価した。その結果を表1の安定性欄に示す。同欄中、A特優は調製から1ヶ月経過後の研磨速度と調製直後の研磨速度との差が3未満であったことを示し、B優はそれが3以上5未満であったこと、C良は5以上10未満であったこと、D可は10以上15未満であったこと、Eやや不良は15以上20未満であったこと、F不良は20以上であったことを示す。表1に示すように、実施例1~30においては、研磨速度及び安定性の評価がA~Dで、付着残留物の評価がA~Cであり、実用上満足できる結果が得られた。それに対し、比較例1~8においては、研磨速度及び安定性のいずれかの評価がE又はFであるか、あるいは付着残留物の評価がD又はEであり、実用上満足できる結果が得られなかった。"