"スパッタリング用チタンターゲットであって、ショア硬さがHs20以上であり、かつ基本Basal面配向率が70以下であることを特徴とするスパッタリング用チタンターゲット。ガス成分を除くチタンの純度が99.995質量以上であることを特徴とする請求項1記載のスパッタリング用チタンターゲット。ショア硬さがHs25以上であることを特徴とする請求項1記載のスパッタリング用チタンターゲット。基本Basal面配向率が55以下であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載のスパッタリング用チタンターゲット。室温23°Cにおける引張り試験の0.2耐力が330N/mm2以上であることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載のスパッタリング用チタンターゲット。500°Cにおける引張り試験の0.2耐力が36N/mm2以上であることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載のスパッタリング用チタンターゲット。本発明は、上記の諸問題点の解決、特にパーティクルや異常放電現象の原因となる不純物を低減させると同時に、ハイパワースパッタリング高速スパッタリング時においても亀裂や割れの発生がなく、スパッタリング特性を安定させ、成膜時のパーティクルの発生を効果的に抑えることのできる高品質のスパッタリング用チタンターゲットを提供することを目的とする。本発明は、1スパッタリング用チタンターゲットであって、ショア硬さがHs20以上であり、かつ基本Basal面配向率が70以下であることを特徴とするスパッタリング用チタンターゲット、を提供する。また、本発明は、2ガス成分を除くチタンの純度が99.995質量以上であることを特徴とする上記1記載のスパッタリング用チタンターゲット、3ショア硬さがHs25以上であることを特徴とする上記1記載のスパッタリング用チタンターゲット、4基本Basal面配向率が55以下であることを特徴とする上記1~3のいずれか一項に記載のスパッタリング用チタンターゲット、を提供する。さらに、本発明は、5室温23°Cにおける引張り試験の0.2耐力が330N/mm2以上であることを特徴とする上記1~4のいずれか一項に記載のスパッタリング用チタンターゲット、6500°Cにおける引張り試験の0.2耐力が36N/mm2以上であることを特徴とする上記1~5のいずれか一項に記載のスパッタリング用チタンターゲット、を提供する。スパッタリング用チタンターゲットは、ターゲット内の不純物を低減させることによりパーティクルや異常放電現象を抑制し、またハイパワースパッタリング高速スパッタリング時においても亀裂や割れの発生がなく、スパッタリング特性を安定させ、高品質の成膜ができるという優れた効果を有する。本発明の、スパッタリング用チタンターゲットは、ショア硬さがHs20以上であり、かつ基本Basal面配向率が70以下であるスパッタリング用チタンターゲットである。ショア硬さがHs20未満であると、チタンターゲット強度が十分でなく、特にハイパワースパッタリング高速スパッタリングにおいて、割れや亀裂を発生し、異常放電、パーティクルの発生を誘発する原因となる。ショア硬さがHs25以上であることがより望ましく、本願発明においては、これを達成できる。また、本発明のスパッタリング用チタンターゲットは、基本Basal面配向率を70以下とする。基本Basal面は、面指数が002、103、104、105である面から構成される。一般的にターゲットスパッタ面に冷間加工を加えることにより歪みが導入され、硬度は上昇する。また、この歪みが導入されると、TiのBasal面配向率は下がる傾向がある。すなわち、歪みの導入と配向には、ある程度相関が認められ、Basal面配向率は低下する。これはむしろ望ましい現象である。後述するように、スパッタリング時の熱は、結晶面配向にも影響を与え、変化する。TiのBasal面と云えども、特定の面配向率が70を超える場合には、スパッタリング時の熱による変化の度合いが大きくなり、成膜の速度及び膜の品質に影響を与える。このことから、Basal面配向率を70以下に、さらには55以下とするのが望ましい。また、本発明は、ガス成分を除くチタンの純度が99.995質量以上であるスパッタリング用チタンターゲットを提供する。一般に、ある程度の酸素、窒素、水素等のガス成分は他の不純物元素に比べて多く混入する。これらのガス成分の混入量は少ない方が望ましいが、通常混入する程度の量は、本願発明の目的を達成するためには、特に有害とならない。本発明は、さらにガス成分を除くチタンの純度が99.995質量以上であるスパッタリング用チタンターゲットを提供することができる。また、スパッタリング時にターゲット最表面は700°C程度、表面近傍は500°C程度まで加熱されるが、本発明のチタンターゲットは、このような高温の熱を受けても、割れや亀裂を抑制することができる。ターゲットの割れや亀裂はスパッタリング時の反り又はスパッタリングパワーのON/OFFによる周期変形の結果としての低サイクル疲労破壊がその主因であり、材料の強度0.2耐力を高くすることにより、割れや亀裂を生じないスパッタリング用チタンターゲットを提供することができる。特にターゲットが高温にさらされるハイパワースパッタでのターゲットの割れや亀裂を防止するためには、特に500°Cに置ける引張試験の0.2耐力を36N/mm2以上とすることが望ましく、そのためにガス成分を除くチタンの純度99.995質量以上を保ったまま、Al、Si、S、Cl、Cr、Fe、Ni、As、Zr、Sn、Sb、B、Laの不純物元素を合計で50質量ppm以下添加することにより、500°Cに置ける引張試験の0.2耐力が36N/mm2以上を達成することが可能となる。また、スパッタリング時の熱は、結晶面配向にも影響を与えるが、結晶面配向の変化は、成膜の速度及び膜の品質に影響を与えるので好ましくない。しかしながら、本願発明の上記の結晶配向であれば、特定の結晶配向に偏ることがなく、結晶面配向の変化を抑制できる、成膜の品質を一定に維持できる効果を有する。以上の効果は、チタンターゲット自体が高純度であり、かつショア硬さがHs20以上であり、かつ基本Basal面配向率が70以下であり、また室温23°Cにおける引張り試験の0.2耐力が330N/mm2以上であり、さらに500°Cにおける引張り試験の0.2耐力が36N/mm2以上であることにより、達成できるものであり、これらの数値範囲は、本願発明の有効性を実現できる範囲を示すものである。下限値未満では本願発明の目的を達成できず、また限定値の範囲外のものは高純度ターゲットとしての特性を損なうので上記の範囲とする。高純度チタンを製造するには、既に知られた溶融塩電解法を使用できる。雰囲気は不活性雰囲気とするのが望ましい。電解時には、初期カソード電流密度を低電流密度である0.6A/cm2以下にして行うのが望ましい。さらに、電解温度を600~800°Cとするのが良い。このようにして得た電析TiをEB電子ビーム溶解し、これを冷却凝固させてインゴットを作製し、800~950°Cで熱間鍛造又は熱間押出し等の熱間塑性加工を施してビレットを作製する。これらの加工により、インゴットの不均一かつ粗大化した鋳造組織を破壊し均一微細化することができる。次に、このビレットを切断し、ターゲット体積に相当するプリフォームを作製する。このプリフォームに冷間鍛造又は冷間圧延等の冷間塑性加工を行い、高歪を付与しかつ円板形状等のターゲット材に加工する。さらに、このように高い歪を蓄えた加工組織をもつターゲット材を、流動床炉等を用いて急速昇温し、400~500°Cで短時間の熱処理を行う。これによって、20μm以下の微細な再結晶組織をもつターゲット材を得る。従来は、これで終了していたのであるが、これをさらに冷間加工通常、圧下率10~30し、これを、さらに研磨等の仕上げ加工によりチタンターゲットとする。すなわち、本願発明は、基本的には冷間加工上がり材となる。以上の工程は、本願発明のチタンターゲットを得るための方法の一例を示すものであって、ショア硬さがHs20以上であり、かつ基本Basal面配向率が70以下であり、また室温23°Cにおける引張り試験の0.2耐力が330N/mm2以上であり、さらに500°Cにおける引張り試験の0.2耐力が36N/mm2以上である本願発明のチタンターゲットを得ることができるものであれば、上記製造工程に特に限定されるものではない。次に、本発明の実施例について説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例に制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想の範囲に含まれる実施例以外の態様あるいは変形を全て包含するものである。実施例1-3上記の製造方法に基づいて製造した純度99.995質量の高純度チタンを、電子ビーム溶解し、上記段落[0023]~[0026]の製造条件を適宜使用して、3例のTiインゴットを作成し、これをターゲット形状に加工した。表1には、製作したターゲットの表面を任意に3点採り、その平均値のショア硬さを示す。また、XRDにより測定した基本Basal面配向率を表2に示す。実施例4-6上記の製造方法に基づいて製造した純度99.995質量以上の高純度チタンに、次の添加元素を、Al:1.6質量ppm以下、質量を省略、Si:0.2ppm、S:4.3ppm、Cl:0ppm、Cr:0.3ppm、Fe:0.6ppm、Ni:0ppm、As:0ppm、Zr:0.1ppm、Sn:0.1ppm、Sb:0ppm、B:0ppm、La:0ppm添加し、合計で7.2質量ppm、添加し、かつ全体としては純度99.995質量を維持した高純度チタン以下、微量不純物添加チタンを、電子ビーム溶解し、上記段落[0023]~[0026]の製造条件を適宜使用して、3例のTiインゴットを作成し、これをターゲット形状に加工した。表1には、製作したターゲットの表面を任意に3点採り、その平均値のショア硬さを示す。また、XRDにより測定した基本Basal面配向率を表2に示す。比較例1-3上記の段落[0023]~[0026]の製造条件に基づいて製造した純度99.995質量のTiインゴットを、最終的に圧延加工を行わずに熱処理上がり材作製した3例のチタンターゲット直径300mmのショア硬さを表1に示す。表1には、製作したターゲットの表面を任意に3点採り、その平均値のショア硬さを示す。また、XRDにより測定した基本Basal面配向率を表2に示す。実施例1-6のターゲットのショア硬さと基本Basal面配向率表1に示すように、実施例1-3については、次の平均ショア硬さHsが得られた。また、表2に示すように、次の基本Basal面配向率が得られた。実施例1:熱処理後冷間加工度10、Hs28.9、基本Basal面配向率47.3実施例2:熱処理後冷間加工度20、Hs27.0、基本Basal面配向率46.0実施例3:熱処理後冷間加工度30、Hs27.2、基本Basal面配向率51.4実施例4:微量不純物添加チタン熱処理後冷間加工度10、Hs29.5、基本Basal面配向率55.5実施例5:微量不純物添加チタン熱処理後冷間加工度20、Hs30.1、基本Basal面配向率60.7実施例6:微量不純物添加チタン熱処理後冷間加工度30、Hs28.8、基本Basal面配向率53.6これらの実施例1-6及び比較例1-2の各ターゲットについて、実生産機を用いてスパッタリングし、パーティクルの発生状況を観察した。発生したパーティクルの個数を表3に示す。表3のグラフを図2に示す。この場合のパーティクルは、0.2μm以上のパーティクルである。実施例1-6については、スパッタリング初期の段階から積算電力量400kWhに至るまで、パーティクルの発生がやや増えるものの、パーティクルの発生が低く抑えられ殆ど変わらない状態で推移していた。すなわち、実施例1-6についてはパーティクルの発生を効果的に抑制できた。比較例1-3のターゲットのショア硬さと基本Basal面配向率比較例1:熱処理後冷間加工なし、Hs18.0、基本Basal面配向率72.2比較例2:熱処理後冷間加工度5、Hs18.9、基本Basal面配向率65.1比較例3:熱処理後冷間加工度40、加工中の反りが大きいため加工できず、ターゲットの製作ができなかった。一方、比較例1-2について、同様のパーティクルの発生状況を観察したところ、表3及び図2に示すようになった。なお、上記の通り、比較例3はターゲットに作製できなかったので、表3及び図2には掲載されない。表3及び図2に示すように、スパッタリング初期の段階から積算電力量800kWhに至るまでは比較的パーティクルは低く抑えられているが、数箇所突発的なパーティクル発生が観察された。その後2000kWhに至るまでにパーティクルの発生が急速に増大し、またスパッタリングが不安定になった。実施例1~6および比較例1,2,3の引張試験による0.2耐力を表4に示す。なお、引張試験片は、円形ターゲットの径方向が長手方向となるように作製したものである。各試験片は、各実施例および比較例に従い作製した円形のスパッタリングターゲットの、中心、1/2R、外周の3点から作製し、その3点の平均値を各例における0.2耐力として採用した。高温引張り試験の条件は、次の通りである。試験片形状:JIS形状G0567II-6試験方法:JISG0567に準拠試験機:100kN高温引張り試験機試験条件:室温23°C、500°C標点距離:30mm試験速度:変位制御0.3/min、耐力以降7.5/min昇温速度:45°C/min、保持15分温度測定:試験体中央熱電対括り付け適切な冷間加工量を導入した実施例1~6では、比較例に対し、室温での0.2耐力が大幅に向上している。さらに微量不純物添加チタンを用いた実施例4~6では室温での0.2耐力が実施例1~3と比較しても向上していることに加え、500°Cでの0.2耐力が比較例1,2および実施例1~3に対し倍増しており、高温にさらされるハイパワースパッタにおいての耐割れ性をさらに向上したチタンターゲットである。"