凹部が形成された主表面を有する基材と、前記凹部の周囲の前記基材の主表面に形成された配線層と、前記凹部に搭載された半導体素子と、前記配線層と前記半導体素子の上面に形成された素子電極とを電気的に接続する金属配線板と、を備え、前記金属配線板は、前記配線層に積層されており、前記配線層の上から前記半導体素子の上方に直線的に延在していることを特徴とする半導体モジュール。前記配線層と前記金属配線板との接触面と、前記半導体素子の上面とが面一である請求項1に記載の半導体モジュール。電流方向と直交する断面における前記配線層の断面積と前記金属配線板の断面積が同等であり、前記金属配線板の厚さが前記配線層の厚さより厚い請求項1または2に記載の半導体モジュール。前記配線層と前記金属配線板との接合、前記金属配線板と前記半導体素子の素子電極との接合の少なくとも一方が金属拡散接合である請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体モジュール。主表面に凹部が形成された基材を用意する工程と、前記凹部の周囲の前記基材の主表面に配線層を形成する工程と、前記凹部に半導体素子を搭載する工程と、前記配線層と前記半導体素子の上面に形成された素子電極とを電気的に接続する金属配線板であって、前記配線層の上から前記半導体素子の上方に直線的に延在する金属配線板を配置する工程と、前記配線層と前記金属配線板との接合および前記金属配線板と前記素子電極との接合を並行して実施する工程と、を備えることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。前記配線層と前記金属配線板との接合および前記金属配線板と前記素子電極との接合は、金属拡散接合により接合される請求項5に記載の半導体モジュールの製造方法。前記配線層を形成する工程は、前記凹部から前記凹部の周囲の前記基材の主表面に延在する他の配線層を形成する工程を含み、前記金属配線板を配置する工程は、前記凹部の周囲の領域において前記他の配線層の上に他の金属配線板を配置する工程を含み、前記接合を並行して実施する工程は、前記他の金属配線板と前記他の配線層との接合をさらに並行して実施する工程を含む、請求項5または6に記載の半導体モジュールの製造方法。従来の半導体モジュールの接続部に用いられる導電性リボンはループ状の形状を有している。このため、ループ部分がかさ高になることが避けられず、半導体モジュールの低背化が困難であった。本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体モジュールの低背化を図りつつ、低抵抗化を実現する技術の提供にある。本発明のある態様は、半導体モジュールである。当該半導体モジュールは、凹部が形成された主表面を有する基材と、凹部の周囲の基材の主表面に形成された配線層と、凹部に搭載された半導体素子と、配線層と半導体素子の上面に形成された素子電極とを電気的に接続する金属配線板と、を備え、金属配線板は、配線層に積層されており、配線層の上から半導体素子の上方に直線的に延在していることを特徴とする。上記態様の半導体モジュールによれば、低背化を図りつつ、低抵抗化を実現することができる。上記態様の半導体モジュールは、配線層と金属配線板との接触面と、半導体素子の上面とが面一であってもよい。電流方向と直交する断面における配線層の断面積と金属配線板の断面積が同等であり、金属配線板の厚さが配線層の厚さより厚くてもよい。配線層と金属配線板との接合、金属配線板と半導体素子の素子電極との接合の少なくとも一方が金属拡散接合であってもよい。本発明の他の態様は半導体モジュールの製造方法である。当該半導体モジュールの製造方法は、主表面に凹部が形成された基材を用意する工程と、凹部の周囲の基材の主表面に配線層を形成する工程と、凹部に半導体素子を搭載する工程と、配線層と半導体素子の上面に形成された素子電極とを電気的に接続する金属配線板であって、配線層の上から半導体素子の上方に直線的に延在する金属配線板を配置する工程と、配線層と金属配線板との接合および金属配線板と素子電極との接合を並行して実施する工程と、を備えることを特徴とする。上記態様の半導体モジュールの製造方法において、配線層と金属配線板との接合および金属配線板と素子電極との接合は、金属拡散接合により接合されてもよい。また、配線層を形成する工程は、凹部から凹部の周囲の基材の主表面に延在する他の配線層を形成する工程を含み、金属配線板を配置する工程は、凹部の周囲の領域において他の配線層の上に他の金属配線板を配置する工程を含み、接合を並行して実施する工程は、他の金属配線板と他の配線層との接合をさらに並行して実施する工程を含んでもよい。なお、上述した各要素を適宜組み合わせたものも、本件特許出願によって特許による保護を求める発明の範囲に含まれうる。本発明によれば、半導体モジュールの低背化を図りつつ、低抵抗化を実現することができる。以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。図1Aは、実施の形態に係る半導体モジュール10の概略構成を示す断面図である。図1Bは、実施の形態に係る半導体モジュール10の概略構成を示す平面図である。なお、図1Bでは、後述する封止樹脂層70が省略されている。図1Aは、図1BのA-A線に沿った断面図である。実施の形態に係る半導体モジュール10は、金属板20、絶縁層30、配線層40、金属配線板50、半導体素子60および封止樹脂層70を備える。金属板20は、絶縁層30とともに基材の一部をなしている。金属板20は、放熱性が良好なアルミニウム、銅などの金属で形成されており、後述する半導体素子60で生じた熱を放熱する機能を担う。金属板20の厚さは、たとえば、1.5mmである。金属板20の一方の主表面素子搭載側の主表面、以下、素子搭載面というには凹部22が形成されている。この凹部22に後述する半導体素子60が収容されている。凹部22の深さは、半導体素子60の厚さにもよるが、たとえば、200μmである。絶縁層30は、金属板20の素子搭載面の全体を被覆しており、金属板20に形成された凹部22に追従して金属板20を覆っている。絶縁層30の材料は、絶縁性を有していれば特に限定されないが、エポキシ樹脂が挙げられる。絶縁層30の厚さは、必要となる絶縁耐圧にもよるが、たとえば、100μmである。配線層40は絶縁層30の上の所定領域に形成されている。配線層40の材料としては銅が挙げられる。配線層40の厚さは、たとえば70μmである。本実施の形態では、配線層40は配線層40a、配線層40bおよび配線層40cで構成されている。配線層40aはソース用の配線であり、凹部22の近傍の絶縁層30の上に形成されている。配線層40bはドレイン用の配線であり、凹部22内に形成された絶縁層30の上から凹部22の近傍の絶縁層30の上に延在して形成されている。また、配線層40cはゲート用の配線であり、凹部22の近傍の絶縁層30の上に形成されている。半導体素子60は、周知の構造を有する縦型パワーMOSFETである。半導体素子60の上面にはソース電極61およびゲート電極62が設けられている。また、半導体素子60の下面にはドレイン電極図示せずが設けられている。当該ドレイン電極は凹部22内に位置する配線層40bと電気的に接続されている。ドレイン電極と配線層40bとは、はんだ接合または後述する金属拡散接合により接続されている。金属配線板50は金属配線板50a、金属配線板50bおよび金属配線板50cで構成されている。金属配線板50aの一方の端部は、配線層40aの半導体素子60側の領域上に積層されている。金属配線板50aと配線層40aとは、はんだ接合または後述する金属拡散接合により接続されている。金属配線板50aは配線層40aと重畳する領域から半導体素子60の上方へ直線的に延在している。金属配線板50aの他方の端部は半導体素子60のソース電極61と電気的に接続されている。金属配線板50aの他方の端部とソース電極61とは、はんだ接合または後述する金属拡散接合により接続されている。金属配線板50bの一方の端部は、配線層40aの半導体素子60とは反対側の領域上に積層されている。金属配線板50bと配線層40aとは、はんだ接合または後述する金属拡散接合により接続されている。金属配線板50bの他方の端部はL字状に屈曲しており、屈曲した先がリード51bとして用いられる。また、金属配線板50cの一方の端部は、凹部22の近傍の配線層40bの領域上に積層されている。金属配線板50cと配線層40bとは、はんだ接合または後述する金属拡散接合により接続されている。金属配線板50cの他方の端部はL字状に屈曲しており、屈曲した先がリード51cとして用いられる。金属配線板50および配線層40a、40bには大電流が流れる。本明細書において、大電流とは、1A以上をいう。電流方向と直交する断面における配線層40aの断面積と金属配線板50aおよび金属配線板50bの断面積は同等、もしくは、金属配線板50aおよび金属配線板50bの断面積の方が配線層40aの断面積より大きく、たとえば、金属配線板50aおよび金属配線板50bに流れる電流が10Aの場合には、金属配線板50aおよび金属配線板50bの断面積は0.030mm2である。金属配線板50aおよび金属配線板50bの厚さは、0.3~0.5mmであり、配線層40aの厚さより厚くなっている。また、電流方向と直交する断面における配線層40bの断面積と金属配線板50cの断面積は同等、もしくは、金属配線板50cの断面積の方が配線層40bの断面積より大きく、たとえば、金属配線板50cに流れる電流が10Aの場合には、金属配線板50cの断面積は0.030mm2である。金属配線板50cの厚さは、0.1~0.3mmであり、配線層40bの厚さより厚くなっている。金線80により、半導体素子60のゲート電極62と配線層40cとが電気的に接続されている。ゲート電極62には大電流が流れないため、細線状の金線80をゲート電極62と配線層40cとの接続に用いることが可能である。エポキシ樹脂などの封止樹脂層70により、配線層40、金属配線板50および半導体素子60が封止されている。なお、リード51bおよびリード51cは、封止樹脂層70の外部に露出している。以上説明した半導体モジュール10によれば、たとえば10Aの電流を流す場合には0.03mm2程度の大断面積を有する金属配線板50を大電流が流れる接続部に用いることで、接続部の低抵抗化が図られている。また、金属配線板50は曲線を描かず、直線的に配線層40と半導体素子60上面のソース電極61とを接続しているため、半導体モジュール10の低背化を図ることができる。半導体モジュールの製造方法図2乃至図11は、実施の形態に係る半導体モジュール10の製造方法を示す工程図である。図2乃至図11の各図において、A図は、平面図BのA-A線に沿った断面図である。以下、図2乃至図11を参照して、実施の形態に係る半導体モジュール10の製造方法を説明する。まず、図2に示すように、アルミニウムや銅などの熱伝導性が良好な金属からなる金属板20を用意する。次に、図3に示すように、周知のフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いて、金属板20の一方の主表面の所定領域を選択的に除去し、凹部22を形成する。次に、図4に示すように、金属板20の一方の主表面全体に絶縁層30および銅箔41をこの順で積層する。具体的には、銅箔41と金属板20との間に絶縁層30を介在させた状態で、プレスにより銅箔41を金属板20の一方の主表面の形状に合わせて変形させ、絶縁層30および銅箔41を金属板20に固着する。次に、図5に示すように、周知のフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いて、銅箔41を選択的に除去し、配線層40を形成する。上述したように、配線層40は、ソース用の配線層40a、ドレイン用の配線層40bおよびゲート用の配線層40cを含む。次に、図6に示すように、凹部22に配置された配線層40bの上に、半導体素子60を搭載する。半導体素子60は、裏面にドレイン電極図示せずが形成され、上面にソース電極61およびゲート電極62が形成された構造を有する。ドレイン電極と配線層40bとを接合する方法としては、はんだ接合の他、後述する金属接合方法が挙げられる。一方、図7に示すように、枠部51、保持部52および金属配線板50からなる金属パターンを用意する。当該金属パターンは、保持部52により金属配線板50が枠部51に固定された形態を有する。このような金属パターンは、たとえば、金属板を打ち抜き加工することにより形成される。このとき、図7Aの点線円で囲んだ領域を拡大した図7Cに示すように、打ち抜き加工により、打ち抜き部の周辺にバリが生じる。そのバリ53は、打ち抜き面とは反対側図7において上向きに突出した形状である。次に、図8に示すように、金属配線板50を含む金属パターンを金属板20の上面側に設置する。このとき、金属配線板50aの長手方向の一方の端部が半導体素子60のソース電極61と接し、金属配線板50aの長手方向の他方の端部が配線層40aに接するように位置決めする。また、金属配線板50bの長手方向の一方の端部が配線層40aに接し、金属配線板50cの長手方向の一方の端部が配線層40bに接するように位置決めする。この状態で、金属配線板50aの長手方向の一方の端部と半導体素子60のソース電極61との接合部、金属配線板50aの長手方向の他方の端部と配線層40aとの接合部、金属配線板50bの長手方向の一方の端部と配線層40aとの接合部、金属配線板50cの長手方向の一方の端部と配線層40bとの接合部を後述する金属接合方法により接合する。なお、打ち抜いた際に生じたバリ53を図8において上向きになるように金属パターンを半導体素子60の上に設置することにより、バリ53が半導体素子60のソース電極61やゲート電極62に押し付けられることなく、金属パターンと半導体素子60とを接合することができる。このため、半導体素子60へのダメージを抑制できるとともに、後に形成する封止樹脂層70にバリ53が突き刺さる状態になり、金属配線板50と封止樹脂層70との密着性を向上させることができる。次に、図9に示すように、保持部52図8参照と金属配線板50との境界部分を切断し、金属配線板50a、50bおよび50cを個片化する。次に、図10に示すように、金属配線板50bの他方の端部をL字状に折り曲げ、リード51bとする。同様に、金属配線板50cの他方の端部をL字状に折り曲げ、リード51cとする。また、ワイヤボンディング法により、半導体素子60のゲート電極62と配線層40cとを金線80を用いて電気的に接続する。なお、金属配線板50b、cの端部の折り曲げ加工とワイヤボンディングとは順不同である。次に、図11に示すように、ポッディング法、トランスファーモールド法、インジェクションモールド法などを用いて配線層40、金属配線板50および半導体素子60を封止樹脂層70で封止する。金属接合方法図12および図13は、実施の形態に係る半導体モジュール10の製造方法に適用される金属接合方法を示す工程図である。図12および図13を参照して半導体モジュール10の製造方法に適用される金属接合方法を説明する。以下に説明する第1の被接合部100と第2の被接合部200との金属拡散接合は、金属配線板50aとソース電極61との接合、金属配線板50aと配線層40aとの接合、金属配線板50bと配線層40aとの接合、ドレイン電極と配線層40bとの接合、および金属配線板50cと配線層40bとの接合に適用可能である。まず、図12Aに示すように、第1の被接合部100および第2の被接合部200を用意する。第1の被接合部100は、銅を主成分とする金属からなる第1の基材部120と、第1の基材部120の接合面側の表面を被覆する第1の被膜部140とを有する。また、第2の被接合部200は、銅を主成分とする金属からなる第2の基材部220と、第2の基材部220の接合面側の表面を被覆する第2の被膜部240とを有する。第1の被膜部140および第2の被膜部240はともに酸化銅を主成分とする酸化物で形成されている。ここで、銅を主成分とするおよび酸化銅を主成分とするという表現中、主成分とするは、銅または酸化銅の含有量が50よりも大きいことを意味する。第1の基材部120および第2の基材部220は、銅を主成分とする金属で形成されている。第1の被膜部140および第2の被膜部240は、具体的には、Cu2Oで形成された薄膜状の被膜であり、その厚さは、たとえば、10nmである。第1の被膜部140および第2の被膜部240は、意図的に形成された被膜であっても、意図せず形成された被膜であってもよい。本実施の形態では、第1の被膜部140および第2の被膜部240は、銅が大気中で酸化することにより形成される自然酸化膜である。次に、図12Bに示すように、第1の被膜部140と第2の被膜部240との間に、第1の被膜部140の酸化銅および第2の被膜部240の酸化銅が溶出または溶解する溶液300を充填する。本実施の形態では、溶液300はアンモニア水である。第1の被膜部140と第2の被膜部240との間に溶液300を充填したときの、第1の被膜部140の露出面と第2の被膜部240の露出面との距離は、たとえば、1μmである。室温で1分程度放置すると、図12Cに示すように、第1の被膜部140を構成する酸化銅が溶液300中に溶出し、第1の被膜部140が消失する。また、第2の被膜部240を構成する酸化銅が溶液300中に溶出し、第2の被膜部240が消失する。第1の被膜部140および第2の被膜部240を構成する酸化銅が溶液300に溶出することにより、第1の被接合部100の最表面接合面側の露出面および第2の被接合部200の最表面接合面側の露出面にそれぞれ第1の基材部120および第2の基材部220を構成する銅が露出する。また、溶液300中では、配位子となるアンモニアイオンと銅イオンとにより銅錯体が形成される。本実施の形態では、銅錯体は、[CuNH34]2で表される加熱分解性のテトラアンミン銅錯イオンとして存在すると考えられる。なお、アンモニア水は銅に対して不活性であるため、第1の基材部120および第2の基材部220を構成する銅はアンモニア水と反応せずに残存している。次に、図13Aに示すように、第1の被接合部100と第2の被接合部200との間の距離を縮めるように、プレス機を用いて第1の被接合部100と第2の被接合部200とを加圧する。加圧時の圧力は、たとえば、1MPaである。次に、図13Bに示すように、第1の被接合部100と第2の被接合部200とを加圧した状態で200°C~300°Cの比較的低温な条件下で加熱することにより溶液300中の銅以外の成分を除去して銅を析出または再結晶化させる。本実施の形態では、加熱により水分が蒸発するとともに、テトラアンミン銅錯イオンが熱分解してアンモニア成分が蒸発する。これにより、溶液300において銅の割合が徐々に高まるとともに、プレス機による加圧により第1の被接合部100の最表面と第2の被接合部200の最表面との距離が徐々に近づく。次に、図13Cに示すように、溶液300中の銅以外の成分の除去が完了すると、第1の被接合部100の最表面と第2の被接合部200の最表面とが酸化銅由来の銅からなる析出銅500により接合される。この析出銅500は、配向性および安定性が優れている。最終的な析出銅500の厚さは、図1Aで用意した第1の被膜部140の厚さと、第2の被膜部240の厚さの和と同程度である。析出銅500により接合が完了した後、加熱を停止して析出銅500による接合部分を徐々に室温程度まで冷却する。なお、加熱開始から加熱停止までの時間は、たとえば、10分間である。冷却完了後、加圧を解除し、第1の被接合部100と第2の被接合部200との接合工程が完了する。以上説明した金属の接続方法によれば、真空装置などの大がかりな設備を用いることなく、比較的低温な条件下で銅同士を接合することができる。具体的には、第1の被膜部140および第2の被膜部240が溶液300中に溶出することにより、第1の被接合部100および第2の被接合部200の接合面にそれぞれ銅が露出する、言い換えると第1の被接合部100および第2の被接合部200の接合面が活性化される。第1の被接合部100の接合面と、第2の被接合部200の接合面とが活性化された後、析出銅500を介して接合される。これにより、第1の被接合部100の接合面と析出銅500との間および第2の被接合部200の接合面と析出銅500との間にボイドが発生したり副生成物が介在することが抑制されるため、第1の被接合部100と第2の被接合部200との接続信頼性を高めることができる。第1の被接合部100と第2の被接合部200との接合を担う析出銅500として、第1の被接合部100と第2の被接合部200の酸化被膜として存在していた酸化銅由来の銅が用いられているため、第1の被接合部100と第2の被接合部200とを接合するために、接合材料を別途用意する必要がない。このため、第1の被接合部100と第2の被接合部200との接続に要するコストを低減することができる。金属接合に用いる溶液上述した金属の接合方法では、金属接合に用いる溶液としてアンモニア水が用いられているが、銅と錯体を形成する配位子を含む溶液であれば、これに限られず、たとえば、カルボン酸水溶液であってもよい。カルボン酸水溶液の調製に用いられるカルボン酸としては、酢酸などのモノカルボン酸、また、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、フタル酸、マレイン酸などのジカルボン酸、さらに、酒石酸、クエン酸、乳酸、サリチル酸などのオキシカルボン酸が挙げられる。このうち、カルボン酸水溶液は多座配位子となるカルボン酸を有することが好ましい。多座配位子となるカルボン酸を有するカルボン酸水溶液では、カルボン酸と銅がキレートを形成することにより銅錯体の安定性が非常に大きくなる。この結果、接合に必要な温度をより低温化させることができる。なお、酒石酸がキレートを形成することについては、理化学辞典第4版岩波書店の第593頁に記載されている。また、酒石酸、シュウ酸などがキレートを形成することはヘスロップジョーンズ無機化学下齋藤喜彦訳の第666頁に記載されている。ここで、キレート化とは、多座配位子によって環が形成されることによって錯体の安定度が非常に大きくなることをいう。以上説明した金属拡散接合を、金属配線板50aとソース電極61との接合、金属配線板50aと配線層40aとの接合、金属配線板50bと配線層40aとの接合、ドレイン電極と配線層40bとの接合、および金属配線板50cと配線層40bとの接合全てに用いることで、これらの接合を一度のプレス加工で済ますことができる。この結果、半導体モジュール10の製造時間の短縮および製造コストの低減を図ることができる。なお、これらの接合のうち、金属配線板50aとソース電極61との接合、ドレイン電極と配線層40bとの接合については、はんだによる接合を採用してもよい。この場合、はんだ接合のためのリフロー工程は、他の接合箇所を金属拡散接合するためのプレス加工の後に実施してもよいが、プレス加工時の温度をリフローに必要な温度とすることで、プレス加工とリフロー工程とを同時に行ってもよい。これによれば、接合に要する時間を短縮することができる。なお、その金属配線板50が配線層40から半導体素子60の上方に直線的に延在していることから、金属拡散接合以外の接合においても一度の接合によって複数箇所の接合が可能である。図14は、変形例に係る半導体モジュール10の概略構成を示す断面図である。変形例に係る半導体モジュール10は、基材が絶縁層30のみで形成されている点を除き、上述した実施の形態に係る半導体モジュール10と同様な構成を有する。変形例に係る半導体モジュール10では、絶縁層30がベースとなる絶縁層30aと、凹部22を形成するための絶縁層30bとを有する。言い換えると、絶縁層30aに積層された絶縁層30bには凹部22に対応する開口部が設けられている。この形態によれば、実施の形態の半導体モジュール10で得られる低背化および低抵抗化という効果の他に半導体モジュール10の軽量化という効果を得ることができる。図15A乃至図15Dは、変形例に係る半導体モジュール10を構成する絶縁層30および配線層40の製造方法を示す工程図である。図15A乃至図15Dを参照して、変形例に係る半導体モジュール10を構成する絶縁層30および配線層40の製造方法を説明する。まず、図15Aに示すように、ベースとなる絶縁層30aに開口部を有するようにパターニングされた絶縁層30bを貼り付ける。次に、図15Bに示すように、無電解めっき法により絶縁層30aおよび絶縁層30bの露出面にシード層400を形成する。次に、図15Cに示すように、電解めっき法によりシード層400の上にめっきアップ層402を形成する。なお、めっきアップ層402はレジスト図示せずを用いたパターニングにより、配線層形成領域に選択的に形成される。次に、図15Dに示すように、全面エッチングを行うことにより、露出しているシード層400図15C参照を除去し、配線層40を形成する。本発明は、上述の各実施の形態に限定されるものではなく、当業者の知識に基づいて各種の設計変更等の変形を加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれうるものである。