"ガラス製のベース材の上下何れか一方の面に窪みを形成する工程と、前記窪みに金属粒子を充填する工程と、前記ガラスよりも融点の低い金属粒子を加熱して溶融させる工程と、少なくとも前記窪みの底面が外部へ露出するように前記ベース材を研磨することにより、研磨後のベース材に前記金属粒子に基づく貫通電極を備えたベースを形成する工程と、前記ベースの上下何れか一方の面に、前記貫通電極の一端と当接するように内部配線を形成する工程と、前記内部配線と電気的に導通するように前記ベースに電子部品を実装する工程と、を備えることを特徴とする電子デバイスの製造方法。前記金属粒子は複数種類の金属から構成されることを特徴とする請求項1に記載の電子デバイスの製造方法。前記金属粒子は複数種類の粒子径からなる粒子が混在してなることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子デバイスの製造方法。前記金属粒子は直径1~100ナノメートルの粒子径からなる粒子を含み、当該金属粒子を構成する金属は、前記ガラスよりも融点が高いことを特徴とする請求項3に記載の電子デバイスの製造方法。1つの前記ベース上に複数の電子デバイスを一括形成した後、前記電子デバイスを個片化する工程を備えることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。前記ベースと接合可能であり、接合した状態で前記ベースとともに外気と遮断された空洞部を形成するカバーを、前記ベースに接合して前記電子部品を前記空洞部に密封する工程と、前記ベースの前記内部配線が形成された面と対向する面に、前記貫通電極の他端と当接するように外部電極を形成する工程と、を備えることを特徴とする請求項1から5の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法。しかしながら、上記のパッケージには、以下の問題がある。まず、特許文献2記載のパッケージにおいて、金属ピン120が短い場合や、または、押し込み量が少ない場合には、金属ピン120が低融点ガラスに包まれてしまう。このため、工程dで形成する電極130と金属ピン120との電気的接続が十分に確保できないという問題がある。また、仮に設計通りに金属ピン120を押し込めたとしても、ベース110がガラスの軟化点以上の温度にさらされているため、ガラスが金属ピン120の先端をカバーする可能性がある。さらには、金属ピン120が約1000°Cの温度にさらされる結果、金属ピン120の周囲で酸化膜が成長し、電極130と電子部品140とが導通しなくなるという課題もある。また、特許文献3記載のパッケージでは、金属と無機材料からなる混合部材204a,204bを貫通電極206a,206bに用いているため、抵抗が高くなるという問題がある。そこで、本発明の課題は、これらの問題を解決することにある。上述した課題を解決するために、本発明は以下の手段を提供する。請求項1に記載の発明は、電子デバイスの製造方法であって、ガラス製のベース材の上下何れか一方の面に窪みを形成する工程と、前記窪みに金属粒子を充填する工程と、前記ガラスよりも融点の低い金属粒子を加熱して溶融させる工程と、少なくとも前記窪みの底面が外部へ露出するように前記ベース材を研磨することにより、研磨後のベース材に前記金属粒子に基づく貫通電極を備えたベースを形成する工程と、前記ベースの上下何れか一方の面に、前記貫通電極の一端と当接するように内部配線を形成する工程と、前記内部配線と電気的に導通するように前記ベースに電子部品を実装する工程と、を備えることを特徴とする。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の電子デバイスの製造方法であって、前記金属粒子は複数種類の金属から構成されることを特徴とする。請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載の電子デバイスの製造であって、前記金属粒子は複数種類の粒子径からなる粒子が混在してなることを特徴とする。請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の電子デバイスの製造方法であって、前記金属粒子は直径1~100ナノメートルの粒子径からなる粒子を含み、当該金属粒子を構成する金属は、前記ガラスよりも融点が高いことを特徴とする。請求項5に記載の発明は、請求項1から4のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法であって、1つの前記ベース上に複数の電子デバイスを一括形成した後、前記電子デバイスを個片化する工程を備えることを特徴とする。これにより、本発明に係る電子デバイスを一括で製造することができ、電子デバイスの大量生産における製造時間及び工程の短縮及び低コスト化が図れる。請求項6に記載の発明は、請求項1から5の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法であって、前記ベースと接合可能であり、接合した状態で前記ベースとともに外気と遮断された空洞部を形成するカバーを、前記ベースに接合して前記電子部品を前記空洞部に密封する工程と、前記ベースの前記内部配線が形成された面と対向する面に、前記貫通電極の他端と当接するように外部電極を形成する工程と、を備えることを特徴とする。本発明によれば、貫通電極を形成する上で、ベース材に形成された窪みに金属粒子を充填した後、その金属粒子を加熱して溶融させる工程を用いており、金属ピンをはめ込む/押し込む工程を用いない。そのため、本発明では、金属ピンが低融点ガラスに包まれる事態や金属ピンの周囲に酸化膜が形成されるなどの事態を避けることができるので、電子部品と外部電極との電気的導通を安定して保つことができる。さらに、本発明では、金属粒子としてガラスよりも融点の低いものを用いているので、ガラス製のベース材がガラスの軟化点以上の温度にさらされることもない。加えて、本発明では、窪みに金属粒子を充填して溶融し、ベース材を研磨するだけで容易に貫通電極を形成することができる。したがって、本発明は、電子部品と外部電極との導通を安定して保ち、且つ、容易に貫通電極を形成できる電子デバイスの製造方法を提供できるという効果を奏する。以下、本発明に係る電子デバイスの製造方法の第1の実施形態を図に基づいて詳細に説明する。図1は本発明に係る電子デバイスの断面図である。電子デバイス1は、ガラス製のベース10及びカバー60で囲まれた、外気と遮断された空洞部に電子部品50が搭載されている。そして、電子部品50は、実装部40、内部配線30、貫通電極20を介して、基板に実装される端子である外部電極70と電気的に接続されている。ここで、カバー60としては、ガラス製に限らず、例えば、電子デバイス1が圧力センサなどのMEMSデバイスの場合はシリコン製のもの等を用いることができる。また、カバー60はアルミ製のものを用いることもできる。図1に示す電子デバイス1は、電子部品50として音叉型の水晶振動子片を搭載した水振動子、圧電素子、半導体回路、LED、各種センサなど、ベース10上に搭載可能な各種の電子部品を搭載したものを含む。また、電子デバイス1は、電子部品としてLEDなどを搭載する場合、カバー60を有しなくてもよい。貫通電極20は、例えば、AuSnなどの合金である。当該貫通電極20は、ベース10の高さ方向に亘って当該ベース10を上下に貫くように設けられ、両端部に連接された内部配線30と外部電極70とを電気的に接続する。内部配線30、外部電極70は、それぞれ金属膜で形成され、最表面が金、銀、白金等の貴金属を使用した層状からなる。ここで、貴金属は、イオン化傾向が小さく、耐腐食性があるため、内部配線30、外部電極70の長期的劣化を抑えることができるので、本願発明を用いた電子デバイス1の信頼性を向上させることができる。当該内部配線30、外部電極70は、各々ベース10及び貫通電極20の上下端部に配設される。なお、金属拡散を防ぐための拡散防止層として、貴金属で形成された表面層の下地にニッケル等の金属層を形成しても良い。また、内部配線30、外部電極70は、同一の材料を用いて形成することもできるが、異なる材料を用いて形成してもよい。ところで、内部配線30、外部電極70の形成方法には、スパッタ法が一般的である。ただし、内部配線30、外部電極70は、めっき法を用いて形成してもよい。また、内部配線30の上面に形成した、内部配線30と電子部品50とを接続する実装部40は、例えば銀ペースト等の導電接着剤を用いることができる。その場合、内部配線30と電子部品50とは、接続部である銀ペースト等の導電接着剤実装部40を焼成して接合される。しかし、電子部品50の構成によっては、接続部として導電接着剤を用いなくても良い。例えば、内部配線30の最表面に金の膜金膜を形成した場合、電子部品50上に形成した金バンプ図示しないを実装部40として用いることができる。その場合、電子部品50上に形成した金バンプと内部配線30の金膜とを熱圧着によって接合する金-金接合などを導電接着剤の代わりに用いて接合することができる。また、外部電極70は、基板実装時の応力を緩和する銀ペースト等の導電性接着剤で形成することもできる。電子デバイスの製造方法次に、本実施形態に係る電子デバイス1の製造方法を図2から図4を用いて説明する。図2から図4は、ウェハーレベルで作製され、最後にダイシング等で切断されて得られる電子デバイスの製造方法を示す図である。なお、本実施形態に係る電子デバイス1は、これに限定されず、はじめから個別パッケージで形成されてもよい。図2は、本実施形態に係る電子デバイス1の製造工程を示す図である。図2aは、ベース材9に凹形状の窪みを形成する工程を説明するための図である。当該窪みは、サンドブラスト、レーザー加工、ドリル加工、熱プレス加工等で製造する。図2bは、上記凹形状の窪みに金属粒子21を充填する工程を説明するための図である。本工程では、金属粒子21として、AuとSnの2種の粒子を充填する。金属粒子21に使用する金属の種類としては、Au、Snに限らなく、例えば、Zn、In,Pb、Ge,Siなども用いることができる。また、充填する金属粒子21は2種に限らず3種以上であってもよい。また、金属粒子のサイズ粒子径は単一である必要は無く、複数サイズのものを用いてもよい。この場合、窪みは最密充填に近い構造をとれるので、次工程での金属粒子21の溶融時における体積減少を防ぐことができる。また、1~100nmサイズの金属粒子21を混在させることで、高融点金属からなる金属粒子21を用いた場合であっても、サイズ効果により金属粒子21が低融点化するため、窪みの充填に使用できる。図2cは、金属粒子21を加熱させて、合金22を得る工程を説明するための図である。本工程では、金属粒子21としてガラスの融点より低い金属を溶融することで合金22を得ている。この合金22は電子デバイス1の実装時の温度より高い融点であればよく、例として、AuSn合金があげられる。図2dは、ベース材9の研磨工程を説明するための図である。少なくとも窪みの底面が外部へ露出するように具体的には、ベース材9の上下の面と合金22の上下端面とが同じ高さ位置で且つ平行な面となるようにベース材9を研磨することにより、窪みに充填された合金22が、貫通電極20として機能する。また、貫通電極20を備えた研磨後のベース材9がベース10となる。ここで、図3、図4は、図2cの状態での貫通電極20となる部分を拡大した図である。具体的には、図3は、窪みに充填された合金22の一部がベース材9の上面よりも上方に突出した状態を示す図である。一方、図4は、窪みに充填された合金22の上端面がベース材9の上面に対して凹状に形成された状態を示す図である。そして、この図3又は図4に示す状態において、ベース材9の上下の面と合金22の上下端面とが同じ高さ位置で且つ平行な面となるように、図3又は図4に示す破線位置までベース材9を上下面から研磨することにより、合金22の状態窪みへの形成のされ方によらず、良好な貫通電極20を形成できる。図2eは、内部配線30を貫通電極20のベース10の一の面上下何れか一方の面であり、ここでは図2dに示すベース10を上下反転させた状態での上面側の端面上と、ベース10の上記一の面上とにスパッタ法を用いて形成し、電子部品50を設置し、内部配線30と電子部品50とを実装部40を介して接続する電子部品接続工程を説明するための図である。ここで、内部配線30と電子部品50とを接続する実装部40は、例えば銀ペースト等の導電接着剤を用いることができる。その場合、内部配線30と電子部品50とは、接続部である銀ペースト等の導電接着剤を焼成して接合される。また、電子部品50の構成によっては、接続部として導電接着剤を用いなくても良い。例えば、内部配線30の最表面に金を使用した場合、電子部品50上に形成した金バンプを実装部40として用いることができる。その場合、電子部品40上に形成した金バンプと内部配線30の金膜とを熱圧着によって接合する金-金接合などを導電接着剤の代わりに用いて接合することができる。図2fは、ベース10に搭載された電子部品50を保護するため、凹状に加工したカバー60をベース10と接合するキャップ接合工程を説明するための図である。この工程において、ベース10の上記一の面とカバー60の凹状箇所とで外気と遮断された空洞部を形成する。これにより、空洞部に電子部品を密封した状態で配設できる。また、カバー60の材質は、接合方法や、真空度やコスト等などの電子部品50に要求される仕様を考慮して、例えば、シリコン、ガラス、アルミニウム等を、適宜に選択すればよい。例えば、電子部品50が水晶振動子片であり、ベース10とカバー60との接合後に周波数調整をする場合には、カバー60にはガラス製の部材を選択することが望ましい。また、カバー60とベース10との接合方法としては、例えば、接着や陽極接合、金-金接合等を用いることができる。なお、ベース10が凹状に加工されている場合、カバー60は凹状に形成される必要はない。この場合、ベース10の凹状箇所とカバー60の一方の面下面とで空洞部が形成されるので、電子部品は当該空洞部に設けられていればよい。図2gは、外部配線70を貫通電極21のベース10の上記一の面側の端面と反対の端面上と、ベース10の一の面と反対の面下面上とにスパッタ法を用いて形成する工程を説明するための図である。ここで、内部配線30、外部電極70はそれぞれスパッタ法、蒸着法とフォトリソ法を組み合わせて形成してもよい。図2hは、パッケージを個片化する工程を説明するための図である。すなわち、図2hが示唆する工程は、1つのベース10上に複数の電子デバイスを一括形成した後、電子デバイスを個片化する工程である。この工程において、カバー60の材質によって.個片化する方法は変わるが、一例として、ダイシング、またはレーザーカットによって電子デバイスの個片化を行うことができる。以上により、本実施形態に係る電子デバイス1の製造方法によると、貫通電極20を形成する上で、ベース材9に形成された窪みに金属粒子21を充填した後、その金属粒子21を加熱して溶融させる工程を用いており、金属ピンをはめ込む/押し込む工程を用いない。そのため、電子デバイス1では、金属ピンが低融点ガラスに包まれる事態や金属ピンの周囲に酸化膜が形成されるなどの事態を避けることができるので、電子部品50と外部電極70との電気的導通を安定して保つことができる。さらに、電子デバイス1では、金属粒子21としてガラスよりも融点の低いものを用いているので、ガラス製のベース材9がガラスの軟化点以上の温度にさらされていることもない。さらに、電子デバイス1では、窪みに金属粒子21を充填して溶融し、ベース材9を研磨するだけで容易に貫通電極20を形成することができる。したがって、本発明は、電子部品と外部電極との導通を安定して保ち、且つ、容易に貫通電極を形成可能な電子デバイスの製造方法といえる。また、本実施形態に係る電子デバイス1の製造方法によると、金属粒子21はAuとSnのように複数種類の金属から構成できる。つまり、金の融点は1064°Cであるため、ベース材の融点より高く、金単体を溶融して使用することは難しいが、例えば、金80wt錫20wtの共晶温度は約280°Cであり、電子デバイス1の基板への実装時のリフロー温度約260°Cよりも高く、ベース材の融点よりも低い温度で溶融できるものとなるので、実用可能な電子デバイスを製造できる。また金錫の割合は金80wt錫20wtに限定されるものでなく、例えば、金50wt錫50wtでもよい。また、電子デバイス1において、金属粒子21は複数種類の粒子径からなるものを混在させることができる。この場合、窪みは最密充填に近い構造をとれるので、次工程での金属粒子21の溶融時における体積減少を防ぐことができる。また、本実施形態に係る電子デバイス1の製造方法によると、金属粒子は直径1~100ナノメートルの粒子径からなる粒子を含み、当該金属粒子21を構成する金属は、ガラスよりも融点が高いものを用いる。つまり、高融点金属からなる金属粒子21を用いた場合であっても、サイズ効果により金属粒子21が低融点化するため、窪みの充填に使用できる。また、本実施形態に係る電子デバイス1の製造方法によると、図2hに示したように、1つのベース10上に複数の電子デバイス1を一括形成した後、電子デバイス1を個片化することができる。そのため、本発明に係る電子デバイスを一括で製造することができ、電子デバイスの大量生産における製造時間及び工程の短縮及び低コスト化が図れる。第2の実施形態次に、本発明に係る電子デバイスの製造方法の第2の実施形態を図5を用いて説明する。なお、図5e以外の工程は、図2で述べた各工程と同一工程のため、以下ではその説明を省略し、図2と異なる工程のみを説明する。図5は、本実施形態に係る電子デバイスの製造工程を示す図である。図5eは、内部配線30を貫通電極20のベース10の一の面図2eと上下反対の面側の端面上と、ベース10の当該一の面上とにスパッタ法を用いて形成し、電子部品50を設置し、内部配線30と電子部品50とを実装部40を介して、接続する電子部品接続工程を説明するための図である。図5eが図2eと異なる点は、内部配線30を形成する面が相違すること上下逆転していることである。レイアウトや特性の関係から、内部配線30を形成する面は、図2e及び図5eのどちらの構成にしてもよい。本発明の電子デバイスは、例えば、本発明の電子デバイスを発振子として用いた発振器又は時計、本発明の電子デバイスを計時部に備えた携帯情報機器、本発明の電子デバイスを時刻情報などの電波を受信部に備えた電波時計等の電子機器に用いることができる。"