"基板表面上の触媒微粒子の作用で成長する複数の多層カーボンナノチューブの集合構造であって、上記多層カーボンナノチューブそれぞれが、形状の直線性と基板表面に対する垂直配向性とを備えて50mg/cm3以上の密度で集合しており、上記形状の直線性を表す指標を、基板表面とその垂線方向を標本x、yとする最小二乗法による直線近似式y=axbにおける決定係数R2であらわしたとき、上記複数の多層カーボンナノチューブのうち90以上の多層カーボンナノチューブの上記決定係数R2が0.970以上、1.0以下であり、かつ、上記垂直配向性を表す指標を、多層カーボンナノチューブの基板表面に沿う下部基端から上部先端までの水平方向差をP、多層カーボンナノチューブの下部基端から上部先端までの基板表面からの高さ寸法をQとして、V=Q/Pであらわしたとき、上記複数の多層カーボンナノチューブのうち90以上の多層カーボンナノチューブの垂直配向性V=Q/Pが8以上である、ことを特徴とする多層カーボンナノチューブの集合構造。上記多層カーボンナノチューブは、最内層の内径が3nm以上、8nm以下であり、かつ、最外層の外径が5nm以上、35nm以下である、ことを特徴とする請求項1に記載の多層カーボンナノチューブの集合構造。上記多層カーボンナノチューブは、層数が3以上、35以下である、ことを特徴とする請求項2に記載の多層カーボンナノチューブの集合構造。上記多層カーボンナノチューブは、空気中における熱分解開始温度が500°C以上である、ことを特徴とする請求項1に記載の多層カーボンナノチューブの集合構造。上記多層カーボンナノチューブは、空気中における900°C熱分解後の残渣が1以下である、ことを特徴とする請求項1に記載の多層カーボンナノチューブの集合構造。本発明により解決する課題は、形状の直線性と、基板表面上での垂直配向性とが共に高くして高密度でかつほぼ高さ均等な高さで多層カーボンナノチューブを集合させた構造を提供することである。本発明に係る多層カーボンナノチューブの集合構造は、基板表面上の触媒微粒子の作用で成長する複数の多層カーボンナノチューブの集合構造であって、基板表面上の触媒微粒子の作用で成長する複数の多層カーボンナノチューブの集合構造であって、上記多層カーボンナノチューブそれぞれが、形状の直線性と基板表面に対する垂直配向性とを備えて50mg/cm3以上の密度で集合しており、上記形状の直線性を表す指標を、基板表面とその垂線方向を標本x、yとする最小二乗法による直線近似式y=axbにおける決定係数R2であらわしたとき、上記複数の多層カーボンナノチューブのうち90以上の多層カーボンナノチューブの上記決定係数R2が0.970以上、1.0以下であり、かつ、上記垂直配向性を表す指標を、多層カーボンナノチューブの基板表面に沿う下部基端から上部先端までの水平方向差をP、多層カーボンナノチューブの下部基端から上部先端までの基板表面からの高さ寸法をQとして、V=Q/Pであらわしたとき、上記複数の多層カーボンナノチューブのうち90以上の多層カーボンナノチューブの垂直配向性V=Q/Pが8以上である。上記多層カーボンナノチューブの形状の直線性と垂直配向性を有して50mg/cm3以上の密度で集合しており、さらには、上記形状の直線性を表す指標を、基板表面とその垂線方向を標本x、yとする最小二乗法による直線近似式y=axbにおける決定係数R2であらわしたとき、上記複数の多層カーボンナノチューブのうち90以上の多層カーボンナノチューブの上記決定係数R2が0.970以上、1.0以下であり、かつ、上記垂直配向性を表す指標を、多層カーボンナノチューブの基板表面に沿う下部基端から上部先端までの水平方向差をP、多層カーボンナノチューブの下部基端から上部先端までの基板表面からの高さ寸法をQとして、V=Q/Pであらわしたとき、上記複数の多層カーボンナノチューブのうち90以上の多層カーボンナノチューブの垂直配向性V=Q/Pが8以上であるため、所定倍率例えば20kで拡大したSEM写真等の微細写真でも、さらに倍率を高くして100kで拡大したSEM写真等の微細写真でも形状の直線性と垂直配向性とを共に備えていることが観察できる。このSEM写真での形状の直線性と基板表面に対する垂直配向性の有無の判定は、低倍率観察で垂直方向に成長していることが確認されている多層カーボンナノチューブにおいて、多層カーボンナノチューブの垂直配向性が十分に確認できる倍率に拡大したSEM画面上で、例えば1μmの範囲において、例えば90以上の多層カーボンナノチューブに対して、実施する。好ましくは、上記多層カーボンナノチューブは、最内層の内径が3nm以上、8nm以下、より好ましくは4.5nm以上、7nm以下であり、かつ、最外層の外径が5nm以上、35nm以下、より好ましくは8nm以上、25nm以下である。好ましくは上記多層カーボンナノチューブは、層数が3以上、35以下、より好ましくは5以上、25以下である。好ましくは、得られた多層カーボンナノチューブは、空気中加熱酸化による重量減開始温度耐熱性が500°C以上である。さらに、空気中における900°C熱分解後の残渣不純物が1以下と非常に少なくなっている。本発明の多層カーボンナノチューブの集合構造では、基板表面上に複数の多層カーボンナノチューブが互いの形状の直線性と垂直配向性とが共に高いために高密度で集合することができ優れた電子放出用材料を提供することができる。以下、添付した図面を参照して、本発明の実施の形態に係る多層カーボンナノチューブの集合構造を詳細に説明する。図1は、実施の形態の多層カーボンナノチューブの集合を示す。図1を参照して、シリコン基板等の基板1上に触媒作用が無い金属例えばアルミニウムからなる下地膜2を介して触媒作用が有る金属例えば鉄からなる触媒微粒子41,42,...,4nが形成されている。この基板1上の触媒微粒子41,42,...,4n上には、成長高さがほぼ均等でかつ形状の直線性と基板1への垂直配向性とを持つ多層カーボンナノチューブ51,52,...,5nが成長している。なお、多層カーボンナノチューブ51,52,...,5nは総称するときは説明の都合で多層カーボンナノチューブ5と言う場合がある。なお、この多層カーボンナノチューブ5は、上記した触媒構造を備えた基板1をアセチレン、エチレン、メタン、プロパン、プロピレン等のガス雰囲気中で所定温度例えば700°C、所定時間例えば10分間、例えば200Paの減圧下で加熱する熱CVD法を実施したとき、基板1上の触媒微粒子41,42,...,4nの触媒作用により、成長したものである。ここで図2を参照して上記多層カーボンナノチューブ5の形状の直線性と垂直配向性とを説明する。図2aで示すように、実施の形態で定義する多層カーボンナノチューブ5の形状の直線性は、最小二乗法による直線近似式y=axbで決めることができる。ここで、aは傾き、bは切片であり、これらは実験データから求めることができる。この場合、ばらつき誤差の2乗の和が最小となるよう直線を当てはめる。なお、実験条件を変えて得られた様々なyの値の変化のうち、どれだけの割合がy=axbの直線式で説明できているかを表す指標決定係数R2があり、このR2の値が1に近づくほど多層カーボンナノチューブ5の形状がより直線性を有するようになる。また、図2bを参照して多層カーボンナノチューブ5の垂直配向性は多層カーボンナノチューブ5の下部基端5aの位置と上部先端5bの位置との基板1表面に沿う水平方向差Pと、多層カーボンナノチューブ5の上記下部基端5aから上部先端5bまでの基板1表面からの高さ寸法Qとして、V=Q/Pを垂直配向性Vとすることができる。多層カーボンナノチューブ5の下部基端5aの基板表面からの高さはゼロである。そして、上記水平方向差Pがゼロに近づくほど多層カーボンナノチューブ5は基板表面に対して垂直配向性をより有するようになる。図2cを参照して実際のSEM写真等で多層カーボンナノチューブの形状の直線性と垂直配向性の有無を判定する指標を説明する。図2cは多層カーボンナノチューブの集合構造の倍率30kのSEM写真である。ただし、この判定の指標の説明に用いるSEM写真の倍率は一例である。また、このSEM写真中で垂直配向性の判定対象とする多層カーボンナノチューブを分かりやすくするうえでSEM写真中に記入した点線で示す。まず、形状の直線性の指標の場合、低倍率観察で垂直方向に成長していることが確認されている多層カーボンナノチューブを対象とし、その直線性が十分に確認できる倍率例えば30kに拡大した例えば図2cのSEM写真上の1μmの範囲において、90以上の多層カーボンナノチューブが、決定係数R2が、0.970以上、1.0以下、好ましくは0.980超、1.0以下の条件を満たす場合、その多層カーボンナノチューブは形状の直線性を有すると判定することができる。ここで、R2とは、上記図2aで説明した、最小二乗法による直線近似式y=axbにおける決定係数である。垂直配向性の指標の場合、形状の直線性と同様、低倍率観察で垂直方向に成長していることが確認されている多層カーボンナノチューブを対象とし、その垂直配向性が十分に確認できる倍率例えば30kに拡大した例えば図2cのSEM写真上の1μmの範囲において、90以上の多層カーボンナノチューブが、垂直配向性を示すVが8以上、好ましくは9超の条件を満たす場合、その多層カーボンナノチューブは垂直配向性を有すると判定することができる。また、図2bでは理論的には多層カーボンナノチューブ5の下部基端5aと上部先端5bで垂直配向性V=Q/Pとなるが、SEM写真を用いた実測での垂直配向性を示すVにおいては、図2cのSEM写真中において例えば点線で示す多層カーボンナノチューブ5は、上記1μmの範囲の下限を示す水平方向ラインL1と交わる位置aと、上記1μmの範囲の上限を示す水平方向ラインL2と交わる位置bとの水平方向の差がPであり、多層カーボンナノチューブの両ラインL1,L2の垂直方向の長さが多層カーボンナノチューブの高さ寸法Qとなる。そして、Vは、SEM写真中のQ、Pを実測し、その実測した値からQ/Pを演算することにより得ることができる。実施の形態では複数の多層カーボンナノチューブ5が、形状の直線性と、基板表面に対する成長方向の垂直配向性とを備えることにより高密度に集合して成長し電子放出用材料として優れた多層カーボンナノチューブを提供することができる。図3aに、基板1をシリコン基板、下地膜2をアルミニウム膜、触媒微粒子41,42,...,4nを鉄微粒子とし、アセチレンガス雰囲気中で700°C、10分間、200Paの減圧下で加熱する熱CVD法の実施により成長した多層カーボンナノチューブ5の倍率20kkは1000のSEM走査型電子顕微鏡写真を示し、図3bに、さらに拡大した倍率100kのSEM写真を示す。これらSEM写真では、多層カーボンナノチューブ5は図3aのSEM写真での観察ではその形状に直線性を有しかつ基板1表面に対する垂直配向性を有していることが示されている。図3aのSEM写真で示す多層カーボンナノチューブに符号を付けると、符号5Aは形状の直線性と垂直配向性とが有る多層カーボンナノチューブであり、符号5Bは直線性が無い多層カーボンナノチューブであり、符号5Cは垂直配向性が無い多層カーボンナノチューブである。図3aのSEM写真中で上記多層カーボンナノチューブ5B,5Cは垂直配向性が無いと見られるがこれは写真撮影時に際して垂直配向性が無くなったものであり実施の形態から除外されるものである。実施の形態では、多層カーボンナノチューブ5Aの形状の直線性と垂直配向性とを共に有する。この場合、多層カーボンナノチューブ5Aの形状はその全体が直線に近似することができる。また、垂直配向性は基板表面に概ね垂直配向している。さらに図3aのSEM写真を拡大した図3bのSEM写真でも多層カーボンナノチューブ5Aは形状の直線性、垂直配向性とを共に有していることが示されている。図3bのSEM写真で示す多層カーボンナノチューブにも上記と同様の符号を付け、多層カーボンナノチューブ5B,5Cは実施の形態から除外する。この多層カーボンナノチューブ5の密度を測定すると、90mg/cm3というように高密度であった。これは、SEM写真で示す多層カーボンナノチューブ5は形状の直線性と垂直配向性とを共に有する多層カーボンナノチューブが多いからと考えられる。図4aに上記SEM写真で示した多層カーボンナノチューブ5の断面構造のTEM透過型電子顕微鏡写真、図4bに図4aのSEM写真で示す多層カーボンナノチューブ5の素面構造を示す。このTEM写真で示すようにこの多層カーボンナノチューブ5は最内層の内径が3nm以上、8nm以下であり、かつ、最外層の外径が5nm以上、35nm以下であり、層数が3以上、35以下、であった。SEM写真で示した多層カーボンナノチューブ5に対して図5に示すTGThermoGravimetry曲線による熱分析測定を実施した。図5に関して、熱分析測定に用いた装置はエスアイアイナノテクノロジー株式会社製のEXSTAR6000TG/DTAであり、熱分析測定条件は空気100ml/分雰囲気下、10°C/分にて900°Cまで昇温後10分間保持する。一般にカーボンは結晶性が低いと加熱に弱く、結晶性が高いと加熱に強くなる。図5において横軸は温度T:°C、縦軸は熱重量変化TG:である。これは温度を上昇させていきつつ空気雰囲気下で多層カーボンナノチューブ5の重量変化を測定している。図5でAは従来の多層カーボンナノチューブのTG曲線であり、Bは本発明の多層カーボンナノチューブのTG曲線である。従来の多層カーボンナノチューブは結晶性が低いため、TG曲線Aで示すように温度が450°C付近から分解開始し、630°C付近で分解終了した。さらに従来の多層カーボンナノチューブでは残渣C629.1°Cで、TG=6.7残った。これは従来の多層カーボンナノチューブが低純度であることを示している。これに対して本発明の多層カーボンナノチューブ5は、TG曲線Bで示すように温度が600°C付近から分解開始し、760~780°C付近で分解終了して残渣768.3°CでTG=-0.2が残らなかった。これは本発明の多層カーボンナノチューブ5が加熱に強く高結晶性であることを示している。また、分解終了して残渣が残らなかったことから高純度であることを示している。以上から本発明のカーボンナノチューブ5は高結晶性であることに加えて高純度であることが分かる。本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内で、種々な変更ないしは変形を含むものである。"