"a電気接触層で被覆された基板を提供するステップと、b前記基板の前記接触層上に第1のインクの初期層を堆積させるステップであって、前記第1のインクは、11族原子の数量が豊富である、第1のポリマー前駆体化合物を含有する、ステップと、c前記初期層を加熱するステップと、d前記初期層上に第2のインクの主要層を堆積させるステップであって、前記第2のインクは、11族原子の数量が不足している、第2のポリマー前駆体化合物を含有する、ステップと、e前記初期および主要層を加熱するステップとを含む、基板上に薄膜太陽電池を作製するための過程。前記第2のポリマー前駆体化合物は、CISまたはCIGS前駆体である、請求項1に記載の過程。前記第2のポリマー前駆体化合物は、銀原子を含有するCAIGS前駆体、またはアルミニウム原子を含有するCAIGAS前駆体である、請求項1に記載の過程。前記初期層は、前記第1のインクの1つ以上の個々の層でできている、請求項1に記載の過程。前記主要層は、前記第2のインクの1つ以上の個々の層でできている、請求項1に記載の過程。前記インクは、有機溶剤に溶解させられたポリマー前駆体化合物を含有する、請求項1に記載の過程。各加熱過程は、100°Cから400°Cの温度で前記層を変換するステップと、450°Cから650°Cの温度で前記層を焼鈍するステップとを含む、請求項1に記載の過程。各加熱過程は、170°Cから350°Cの温度で前記層を変換するステップと、450°Cから575°Cの温度で前記層を焼鈍するステップとを含む、請求項1に記載の過程。前記第1のインクまたは第2のインクは、0.01から2.0原子パーセントのナトリウムイオンを含有する、請求項1に記載の過程。前記第1のインクまたは第2のインクは、MalkMBER4またはMalkERを含有し、Malkは、Li、Na、またはKであり、MBは、In、Ga、またはAlであり、Eは、硫黄またはセレンであり、Rは、アルキルまたはアリールである、請求項1に記載の過程。前記第1のインクまたは第2のインクは、NaInSenBu4、NaInSesBu4、NaInSeiBu4、NaInSenPr4、NaInSenヘキシル4、NaGaSenBu4、NaGaSesBu4、NaGaSeiBu4、NaGaSenPr4、NaGaSenヘキシル4、NaSenBu、NaSesBu、NaSeiBu、NaSenPr、NaSenヘキシル、NaSenBu、NaSesBu、NaSeiBu、NaSenPr、またはNaSenヘキシルを含有する、請求項1に記載の過程。ステップeの後に、InSsBu3を含有するインクを堆積させるステップをさらに含む、請求項1に記載の過程。前記主要層をカルコゲン蒸気に暴露させるステップをさらに含む、請求項1に記載の過程。前記基板上に前記第2のインクを堆積させる前に、前記第2のインクに、熱、光、または放射線を印加するステップ、あるいは1つ以上の化学または架橋剤を添加するステップをさらに含む、請求項1に記載の過程。前記基板上に前記第1のインクを堆積させる前に、前記第1のインクに、熱、光、または放射線を印加するステップ、あるいは1つ以上の化学または架橋剤を添加するステップをさらに含む、請求項1に記載の過程。加熱後の前記初期および主要層の組み合わせた厚さは、1から3ミクロンである、請求項1に記載の過程。前記堆積は、噴霧、噴霧コーテング、噴霧堆積、噴霧熱分解、印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷、エアロゾールジェット印刷、インク印刷、ジェット印刷、スタンプ印刷、転写、パッド印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、密着印刷、反転印刷、熱印刷、リソグラフィ、電子写真印刷、電着、電気めっき、無電解めっき、浴堆積、コーテング、湿潤コーテング、浸漬コーテング、スピンコーテング、ナイフコーテング、ローラコーテング、ロッドコーテング、スロット金型コーテング、マイヤーバーコーテング、リップダイレークトコーテング、キャピラリコーテング、液体堆積、溶液堆積、層ごとの堆積、回転成形、溶液成形、または前述のものの任意の組み合わせによって行われる、請求項1に記載の過程。電気接触層で被覆された前記基板は、伝導性基板である、請求項1に記載の過程。前記基板は、半導体、ドープした半導体、シリコーン、ヒ化ガリウム、絶縁体、ガラス、モリブデンガラス、二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化亜鉛、窒化ケイ素、金属、金属箔、モリブデン、アルミニウム、ベリリウム、カドミウム、セリウム、クロム、コバルト、銅、ガリウム、金、鉛、マンガン、モリブデン、ニッケル、パラジウム、白金、レニウム、ロジウム、銀、ステンレス鋼、鋼鉄、鉄、ストロンチウム、スズ、チタン、タングステン、亜鉛、ジルコニウム、金属合金、金属シリサイド、金属炭化物、ポリマー、プラスチック、導電性ポリマー、共重合体、ポリマー混合物、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエステル膜、マイラー、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、アクリロニトリルブタジエンスチレンポリマー、シリコーン、エポキシ、紙、被覆した紙、または前述のもののうちのいずれかの組み合わせである、請求項1に記載の過程。請求項1-19のうちのいずれかに記載の過程によって作製される、太陽電池。a電気接触層で被覆された基板を提供するステップと、b前記基板の前記接触層上に第1のインクの底層を堆積させるステップであって、前記第1のインクは、1つ以上のポリマー前駆体化合物を含有する、ステップと、c前記底層を加熱するステップと、d前記底層上に第2のインクの最上層を堆積させるステップであって、前記第2のインクは、1つ以上の金属原子カルコゲン化物無機源化合物を含有する、ステップと、e前記最上および底層を加熱するステップとを含む、基板上に薄膜太陽電池を作製するための過程。前記ポリマー前駆体化合物のうちの1つ以上は、CISまたはCIGS前駆体である、請求項21に記載の過程。前記ポリマー前駆体化合物のうちの1つ以上は、銀原子を含有するCAIGS前駆体、またはアルミニウム原子を含有するCAIGAS前駆体である、請求項21に記載の過程。前記第2のインクは、セレン化インジウム、In2Se3、セレン化ガリウム、Ga2Se3、セレン化銅、CuSe、Cu2Se、InCl3、GaCl3、CuCl、Cu2Cl、InNO33、GaNO33、酸化インジウム、In2O3、酸化ガリウム、Ga2O3、酸化銅、CuO、Cu2O、または、前述のものの任意の混合物、錯体、またはナノ粒子形態から選択される、無機源化合物を含有する、請求項21に記載の過程。前記第1のインクは、11族原子の数量が豊富であるか、または不足している、請求項21に記載の過程。前記底層は、前記第1のインクの1つ以上の個々の層でできている、請求項21に記載の過程。前記最上層は、前記第2のインクの1つ以上の個々の層でできている、請求項21に記載の過程。各加熱過程は、100°Cから400°Cの温度で前記層を変換するステップと、450°Cから650°Cの温度で前記層を焼鈍するステップとを含む、請求項21に記載の過程。各加熱過程は、170°Cから350°Cの温度で前記層を変換するステップと、450°Cから575°Cの温度で前記層を焼鈍するステップとを含む、請求項21に記載の過程。前記第1のインクまたは第2のインクは、0.01から2.0原子パーセントのナトリウムアルカリイオンを含有する、請求項21に記載の過程。ステップeの後に、InSsBu3を含有するインクを堆積させるステップをさらに含む、請求項21に記載の過程。前記最上層上にカルコゲンインク層またはカルコゲン蒸気を堆積させるステップをさらに含む、請求項21に記載の過程。前記底層および前記最上層の組成物は、逆転させられる、請求項21に記載の過程。前記基板上に前記第2のインクを堆積させる前に、前記第2のインクに、熱、光、または放射線を印加するステップ、あるいは1つ以上の化学または架橋剤を添加するステップをさらに含む、請求項21に記載の過程。前記基板上に前記第1のインクを堆積させる前に、前記第1のインクに、熱、光、または放射線を印加するステップ、あるいは1つ以上の化学または架橋剤を添加するステップをさらに含む、請求項21に記載の過程。加熱後の前記初期および主要層の組み合わせた厚さは、1から3ミクロンである、請求項21に記載の過程。前記堆積は、噴霧、噴霧コーテング、噴霧堆積、噴霧熱分解、印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷、エアロゾールジェット印刷、インク印刷、ジェット印刷、スタンプ印刷、転写、パッド印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、密着印刷、反転印刷、熱印刷、リソグラフィ、電子写真印刷、電着、電気めっき、無電解めっき、浴堆積、コーテング、湿潤コーテング、浸漬コーテング、スピンコーテング、ナイフコーテング、ローラコーテング、ロッドコーテング、スロット金型コーテング、マイヤーバーコーテング、リップダイレークトコーテング、キャピラリコーテング、液体堆積、溶液堆積、層ごとの堆積、回転成形、溶液成形、または前述のものの任意の組み合わせによって行われる、請求項21に記載の過程。電気接触層で被覆された前記基板は、伝導性基板である、請求項21に記載の過程。前記基板は、半導体、ドープした半導体、シリコーン、ヒ化ガリウム、絶縁体、ガラス、モリブデンガラス、二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化亜鉛、窒化ケイ素、金属、金属箔、モリブデン、アルミニウム、ベリリウム、カドミウム、セリウム、クロム、コバルト、銅、ガリウム、金、鉛、マンガン、モリブデン、ニッケル、パラジウム、白金、レニウム、ロジウム、銀、ステンレス鋼、鋼鉄、鉄、ストロンチウム、スズ、チタン、タングステン、亜鉛、ジルコニウム、金属合金、金属シリサイド、金属炭化物、ポリマー、プラスチック、導電性ポリマー、共重合体、ポリマー混合物、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエステル膜、マイラー、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、アクリロニトリルブタジエンスチレンポリマー、シリコーン、エポキシ、紙、被覆した紙、または前述のもののうちのいずれかの組み合わせである、請求項21に記載の過程。請求項21-39のうちのいずれかに記載の過程によって作製される、太陽電池。a電気接触層で被覆された基板を提供するステップと、b前記基板上に一連のインクを順序通りに堆積させるステップとを含み、前記順序の中の各インクは、他のインクとは異なる化学量論のポリマー前駆体化合物を含有し、前記インクの順序は、1つ以上の金属原子の前記化学量論において勾配を有し、各インク層は、次のインク層を堆積させる前に、前記インクを材料に変換するように加熱され、それにより、1つ以上の金属原子の濃度勾配を有する最終材料層を前記基板上に形成する、基板上に薄膜太陽電池を作製するための過程。前記ポリマー前駆体化合物は、CIS、CIGS、AIS、AIGS、CAIS、CAIGS、CIGAS、AIGAS、またはCAIGAS前駆体の化学量論を有する、請求項41に記載の過程。前記太陽電池は、光起電吸収体層の中の銅原子の濃度の勾配を有し、前記勾配は、前記光起電吸収体層の後部における銅原子のより高い濃度から、前記光起電吸収体層の前部における銅原子のより低い濃度である、請求項41に記載の過程。前記太陽電池は、光起電吸収体層の中のMBの原子の濃度の勾配を有し、前記勾配は、前記光起電吸収体層の後部におけるMBの原子のより低い濃度から、前記光起電吸収体層の前部におけるMBの原子のより高い濃度であり、MBは、In、Ga、またはAlである、請求項41に記載の過程。前記太陽電池は、光起電吸収体層の中のMBの原子の濃度の勾配を有し、前記勾配は、前記光起電吸収体層の中央におけるMBの原子の濃度と比較して、前記光起電吸収体層の前部および後部におけるMBの原子のより高い濃度であり、MBは、In、Ga、またはAlである、請求項41に記載の過程。前記太陽電池は、光起電吸収体層の中のナトリウム原子の濃度の勾配を有し、前記勾配は、前記光起電吸収体層の後部におけるナトリウム原子のより高い濃度から、前記光起電吸収体層の前部におけるナトリウム原子のより低い濃度である、請求項41に記載の過程。前記太陽電池は、光起電吸収体層の中のナトリウム原子の濃度の勾配を有し、前記勾配は、前記光起電吸収体層の後部におけるナトリウム原子のより低い濃度から、前記光起電吸収体層の前部におけるナトリウム原子のより高い濃度である、請求項41に記載の過程。前記勾配は、階段状勾配である、請求項41に記載の過程。前記勾配は、連続勾配である、請求項41に記載の過程。前記一連のインクは、5つ以上のインクを含む、請求項41に記載の過程。前記インクは、有機溶剤を含む、請求項41に記載の過程。前記最終材料層は、CIS、CIGS、AIS、AIGS、CAIS、CAIGS、CIGAS、AIGAS、またはCAIGAS材料層である、請求項41に記載の過程。前記最終材料層は、光起電吸収体材料層である、請求項41に記載の過程。前記基板は、前記インクを材料に変換するように、約300°Cから約650°Cの温度で加熱される、請求項41に記載の過程。前記インク層を変換する任意のステップの前または後に、カルコゲン層を堆積させるステップをさらに含む、請求項41に記載の過程。加熱する任意のステップの前、間、または後に、セレン化または硫化の随意的なステップをさらに含む、請求項41に記載の過程。前記堆積は、噴霧、噴霧コーテング、噴霧堆積、噴霧熱分解、印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷、エアロゾールジェット印刷、インク印刷、ジェット印刷、スタンプ印刷、転写、パッド印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、密着印刷、反転印刷、熱印刷、リソグラフィ、電子写真印刷、電着、電気めっき、無電解めっき、浴堆積、コーテング、湿潤コーテング、浸漬コーテング、スピンコーテング、ナイフコーテング、ローラコーテング、ロッドコーテング、スロット金型コーテング、マイヤーバーコーテング、リップダイレークトコーテング、キャピラリコーテング、液体堆積、溶液堆積、層ごとの堆積、回転成形、溶液成形、または前述のもののうちの任意の組み合わせによって行われる、請求項41に記載の過程。電気接触層で被覆された前記基板は、伝導性基板である、請求項41に記載の過程。前記基板は、半導体、ドープした半導体、シリコーン、ヒ化ガリウム、絶縁体、ガラス、モリブデンガラス、二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化亜鉛、窒化ケイ素、金属、金属箔、モリブデン、アルミニウム、ベリリウム、カドミウム、セリウム、クロム、コバルト、銅、ガリウム、金、鉛、マンガン、モリブデン、ニッケル、パラジウム、白金、レニウム、ロジウム、銀、ステンレス鋼、鋼鉄、鉄、ストロンチウム、スズ、チタン、タングステン、亜鉛、ジルコニウム、金属合金、金属シリサイド、金属炭化物、ポリマー、プラスチック、導電性ポリマー、共重合体、ポリマー混合物、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエステル膜、マイラー、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、アクリロニトリルブタジエンスチレンポリマー、シリコーン、エポキシ、紙、被覆した紙、および前述のもののうちのいずれかの組み合わせの群から選択される、請求項41に記載の過程。請求項41-59のうちのいずれかに記載の過程によって作製される、太陽電池。本開示の実施形態は、以下を含む。a電気接触層で被覆された基板を提供するステップと、b基板の接触層上に第1のインクの初期層を堆積させるステップであって、第1のインクは、11族原子の数量が豊富である、第1のポリマー前駆体化合物を含有する、ステップと、c初期層を加熱するステップと、d初期層上に第2のインクの主要層を堆積させるステップであって、第2のインクは、11族原子の数量が不足している、第2のポリマー前駆体化合物を含有する、ステップと、e初期および主要層を加熱するステップとによる、基板上に薄膜太陽電池を作製するための過程。第2のポリマー前駆体化合物は、CISまたはCIGS前駆体、あるいは銀原子を含有するCAIGS前駆体、またはアルミニウム原子を含有するCAIGAS前駆体であり得る。初期層は、第1のインクの1つ以上の個々の層で作製することができ、主要層は、第2のインクの1つ以上の個々の層で作製することができる。インクは、有機溶剤に溶解させられたポリマー前駆体化合物を含有し得る。各加熱過程は、100°Cから400°Cの温度で層を変換し、450°Cから650°Cの温度で層を焼鈍するステップ、または170°Cから350°Cの温度で層を変換し、450°Cから575°Cの温度で層を焼鈍するステップとを含む、過程であり得る。第1のインクまたは第2のインクは、0.01から2.0原子パーセントのナトリウムイオンを含有し得る。第1のインクまたは第2のインクは、MalkMBER4またはMalkERを含有し得、Malkは、Li、Na、またはKであり、MBは、In、Ga、またはAlであり、Eは、硫黄またはセレンであり、Rは、アルキルまたはアリールである。第1のインクまたは第2のインクは、NaInSenBu4、NaInSesBu4、NaInSeiBu4、NaInSenPr4、NaInSenヘキシル4、NaGaSenBu4、NaGaSesBu4、NaGaSeiBu4、NaGaSenPr4、NaGaSenヘキシル4、NaSenBu、NaSesBu、NaSeiBu、NaSenPr、NaSenヘキシル、NaSenBu、NaSesBu、NaSeiBu、NaSenPr、またはNaSenヘキシルを含有し得る。いくつかの実施形態では、過程は、ステップeの後に、InSsBu3を含有するインクを堆積させるステップ、および/または主要層をカルコゲン蒸気に暴露させるステップを含む。ある実施形態では、過程は、基板上に第2のインクを堆積させる前に、第2のインクに,熱、光、または放射線を印加するステップ、あるいは1つ以上の化学または架橋剤を添加するステップを含む。加熱後の初期および主要層の組み合わせた厚さは、1から3ミクロンであり得、加熱後の初期および主要層は、光起電吸収体層である。堆積は、噴霧、噴霧コーテング、噴霧堆積、噴霧熱分解、印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷、エアロゾールジェット印刷、インク印刷、ジェット印刷、スタンプ印刷、転写、パッド印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、密着印刷、反転印刷、熱印刷、リソグラフィ、電子写真印刷、電着、電気めっき、無電解めっき、浴堆積、コーテング、湿潤コーテング、浸漬コーテング、スピンコーテング、ナイフコーテング、ローラコーテング、ロッドコーテング、スロット金型コーテング、マイヤーバーコーテング、リップダイレークトコーテング、キャピラリコーテング、液体堆積、溶液堆積、層ごとの堆積、回転成形、溶液成形、または前述のものの任意の組み合わせによって行われ得る。ある実施形態では、基板は、伝導性基板であり得る。基板は、半導体、ドープした半導体、シリコーン、ヒ化ガリウム、絶縁体、ガラス、モリブデンガラス、二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化亜鉛、窒化ケイ素、金属、金属箔、モリブデン、アルミニウム、ベリリウム、カドミウム、セリウム、クロム、コバルト、銅、ガリウム、金、鉛、マンガン、モリブデン、ニッケル、パラジウム、白金、レニウム、ロジウム、銀、ステンレス鋼、鋼鉄、鉄、ストロンチウム、スズ、チタン、タングステン、亜鉛、ジルコニウム、金属合金、金属シリサイド、金属炭化物、ポリマー、プラスチック、導電性ポリマー、共重合体、ポリマー混合物、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエステル膜、マイラー、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、アクリロニトリルブタジエンスチレンポリマー、シリコーン、エポキシ、紙、被覆した紙、または前述のもののうちのいずれかの組み合わせであり得る。本発明の実施形態はさらに、a電気接触層で被覆された基板を提供するステップと、b基板の接触層上に第1のインクの底層を堆積させるステップであって、第1のインクは、1つ以上のポリマー前駆体化合物を含有する、ステップと、c底層を加熱するステップと、d底層上に第2のインクの最上層を堆積させるステップであって、第2のインクは、1つ以上の金属原子カルコゲン化物無機源化合物を含有する、ステップと、e最上および底層を加熱するステップとによって、基板上に薄膜太陽電池を作製するための過程を提供し得る。第2のインクは、セレン化インジウム、In2Se3、セレン化ガリウム、Ga2Se3、セレン化銅、CuSe、Cu2Se、InCl3、GaCl3、CuCl、Cu2Cl、InNO33、GaNO33、酸化インジウム、In2O3、酸化ガリウム、Ga2O3、酸化銅、CuO、Cu2O、または、先述の物質の任意の混合物、錯体またはナノ粒子形態から選択される、1つ以上の無機源化合物を含有し得る。第1のインクは、11族原子の数量が豊富であり得るか、または不足し得る。底層は、第1のインクの1つ以上の個々の層で作製され得、最上層は、第2のインクの1つ以上の個々の層で作製され得る。いくつかの実施形態では、過程は、ステップeの後に、InSsBu3を含有するインクを堆積させるステップ、および/または最上層上にカルコゲンインク層またはカルコゲン蒸気を堆積させるステップを含み得る。ある実施形態では、底層および最上層の組成物は、逆転させることができる。電気接触層で被覆された基板は、伝導性基板であり得る。さらなる実施形態では、本開示は、a電気接触層で被覆された基板を提供するステップと、b基板上に一連のインクを順序通りに堆積させるステップであって、順序の中の各インクは、他のインクとは異なる化学量論のポリマー前駆体化合物を含有し、インクの順序は、1つ以上の金属原子の化学量論において勾配を有し、各インク層は、次のインク層を堆積させる前に、インクを材料に変換するように加熱され、それにより、1つ以上の金属原子の濃度勾配を有する、最終材料層を基板上に形成する、ステップとによって、基板上に薄膜太陽電池を作製するための過程を含む。ポリマー前駆体化合物は、CIS、CIGS、AIS、AIGS、CAIS、CAIGS、CIGAS、AIGAS、またはCAIGAS前駆体の化学量論を有することができる。太陽電池は、光起電吸収体層の中の銅原子の濃度の勾配を有し得、勾配は、光起電吸収体層の後部における銅原子のより高い濃度から、光起電吸収体層の前部における銅原子のより低い濃度である。いくつかの実施形態では、太陽電池は、光起電吸収体層の中のMBの原子の濃度の勾配を有することができ、勾配は、光起電吸収体層の後部におけるMBの原子のより低い濃度から、光起電吸収体層の前部におけるMBの原子のより高い濃度であり、MBは、In、Ga、またはAlである。ある実施形態では、太陽電池は、光起電吸収体層の中のMBの原子の濃度の勾配を有し得、勾配は、光起電吸収体層の中央におけるMBの原子の濃度と比較して、光起電吸収体層の前部および後部におけるMBの原子のより高い濃度であり、MBは、In、Ga、またはAlである。いくつかの変化例では、太陽電池は、光起電吸収体層の中のナトリウム原子の濃度の勾配を有することができ、勾配は、光起電吸収体層の後部におけるナトリウム原子のより高い濃度から、光起電吸収体層の前部におけるナトリウム原子のより低い濃度である。さらなる変化例では、太陽電池は、光起電吸収体層の中のナトリウム原子の濃度の勾配を有し得、勾配は、光起電吸収体層の後部におけるナトリウム原子のより低い濃度から、光起電吸収体層の前部におけるナトリウム原子のより高い濃度である。勾配は、階段状勾配または連続勾配であり得る。一連のインクは、5つ以上のインクを含むことができる。インクは、有機溶剤を含むことができる。最終材料層は、CIS、CIGS、AIS、AIGS、CAIS、CAIGS、CIGAS、AIGAS、またはCAIGAS材料層であり得る。最終材料層は、光起電吸収体材料層であり得る。基板は、インクを材料に変換するように、約300°Cから約650°Cの温度で加熱することができる。インク層を変換する任意のステップの前または後に、カルコゲン層を堆積させることができる。加熱する任意のステップの前、間、または後に、セレン化または硫化の随意的なステップを行うことができる。電気接触層で被覆された基板は、伝導性基板であり得る。本開示は、光起電および電気光学デバイス用の光起電吸収体層のための方法および組成物を提供する。一側面では、本開示は、基板上に構成要素の種々の層を形成し、組成物を薄膜材料等の材料に変換することによって、光起電吸収体層を作製する過程を提供する。構成要素は、元素、化合物、前駆体、ポリマー前駆体、または材料組成物であり得る。ある側面では、ポリマー前駆体化合物の層を使用して、光起電吸収体層が加工され得る。ポリマー前駆体化合物は、光起電吸収体材料組成物に必要とされる全ての元素を含有することができる。ポリマー前駆体化合物は、基板上に堆積させ、光起電材料に変換することができる。例えば、光起電材料用のポリマー前駆体は、そのそれぞれが、あらゆる目的でその全体において参照することにより、本明細書に組み込まれる、第PCT/US2010/044055号、第PCT/US2010/044056号、第PCT/US2010/044054号、第PCT/US2010/044035号、および第PCT/US2010/044057号で説明されている。さらなる側面では、本開示は、基板上の層の中の構成要素の組成を変化させることによって、光起電材料を作製するための過程を提供する。構成要素の層の化学量論の変動は、異なるが固定された化学量論を有する、異なる前駆体化合物の複数の層を使用することによって作製することができる。いくつかの実施形態では、層の化学量論は、恣意的な所定の化学量論を有することができる、1つ以上のポリマー前駆体化合物を使用することによって変化させることができる。ある実施形態では、基板上の前駆体の層の化学量論は、基板の表面からの距離または基板上の層の順序付けに関して、1つ以上の元素の組成物の勾配を表すことができる。基板上の前駆体の層は、エネルギーを層状基板部品に印加することによって、材料組成物に変換することができる。エネルギーは、熱、光、または放射線を使用して、または化学エネルギーを印加することによって、印加することができる。いくつかの実施形態では、層は、後続層の堆積の前に、個々に材料に変換され得る。ある実施形態では、一群の層を同時に変換することができる。いくつかの側面では、太陽電池等の光電子用途のための光起電吸収体層を作製する上での問題に解決法を提供する。問題は、光起電吸収体層を作製するための従来の源化合物および/または元素を使用する過程で、一般的に金属原子および13族の原子の化学量論的数量および比を正確に制御できないことである。本開示は、一連のポリマー前駆体を提供し、各前駆体は、それから任意の恣意的な所定の化学量論の光起電層または材料を作製することができる層を容易に調製するために、単独で使用することができる。本開示のポリマー前駆体化合物は、一連のポリマー鎖状分子のうちの1つである。一実施形態では、ポリマー前駆体化合物は、図1に示されるような鎖状分子である。図1は、有機溶剤の中で可溶性であるCIGSポリマー前駆体化合物の実施形態を示す。図1に示されるように、ポリマー前駆体化合物の構造は、{MAERER}であるA、および{MBERER}であるBといった、反復単位のポリマー鎖として表すことができ、MAは、11族原子であり、MBは、13族原子であり、Eは、カルコゲンであり、Rは、官能基である。ポリマーの構造は、鎖の中の原子および基の化学量論を集計する、図1に示される式によって表すことができる。本開示のポリマー前駆体は、任意の恣意的な所望の化学量論を有する光起電層または材料を作製するために使用され得、化学量論は、事前に選択することができ、したがって、特定的に制御または事前決定することができる。本開示の光起電材料は、ある原子の数量が豊富である、または不足している、材料を含む、CIGS、AIGS、CAIGS、CIGAS、AIGAS、およびCAIGAS材料を含み、CAIGASは、Cu/Ag/In/Ga/Al/S/Seを参照し、さらなる定義が以下で挙げられる。一般に、事前に所定の化学量論を選択する能力は、化学量論が制御可能であることを意味する。図2に示されるように、本発明の実施形態はさらに、光電子デバイスおよびエネルギー変換システムを提供し得る。ポリマー前駆体化合物の合成後に、化合物を基板上に噴霧し、堆積させ、または印刷して、吸収体材料および半導体層に形成することができる。吸収体材料は、光電子デバイスおよびエネルギー変換システムの基礎であり得る。基板上に所定の化学量論を有する光起電吸収体材料を作製するための過程は、一般に、所定の化学量論を有する前駆体を提供することを必要とし得る。光起電吸収体材料は、本明細書で開示される一連の過程のうちの1つによって、前駆体から調製される。光起電吸収体材料は、前駆体の金属原子の正確な所定の化学量論を保持することができる。したがって、本明細書で開示される過程は、本発明の前駆体を使用して、特定の標的の所定の化学量論を有する光起電吸収体材料または層が作製されることを可能にする。一般に、光起電吸収体材料を作製するための所定の化学量論を有する前駆体は、任意の前駆体であり得る。本開示は、半導体、光電子材料、および所定の組成または化学量論を有する薄膜太陽光発電および種々の半導体バンドギャップ材料を含むデバイスを作製するための、所定の化学量論を有する一連の前駆体を提供する。本開示は、半導体、光電子材料、および薄膜太陽光発電および種々の半導体バンドギャップ材料を含むデバイスのための一連の新規のポリマー化合物、組成物、材料、および方法を提供する。いくつかある利点の中でも、本発明のポリマー化合物、組成物、材料、および方法は、太陽電池および他のデバイス用のCIS、CIGS、AIS、AIGS、CAIS、CAIGS、CIGAS、AIGAS、およびCAIGAS吸収体層を含む、半導体および光電子材料を作製するための前駆体化合物を提供することができる。いくつかの実施形態では、本発明の源前駆体化合物は、それからCIS、CIGS、AIS、AIGS、CAIS、CAIGS、CIGAS、AIGAS、およびCAIGAS、ならびに他の材料を作製することができる層を調製するために、他の化合物を伴わずに単独で使用することができる。ポリマー前駆体化合物はまた、層または材料の化学量論を制御するために、追加の化合物との混合物で使用され得る。本発明は、光起電用途のためのポリマー化合物および組成物、ならびに太陽電池を含むエネルギー変換のためのデバイスおよびシステムを提供する。図3に示されるように、本開示の太陽電池デバイスは、基板10と、電極層20と、吸収体層30と、緩衝層40と、透明導電層TCO50とを有し得る。本明細書で示されるように、変換は、1つ以上の前駆体化合物を半導体材料に変換する過程、例えば、加熱または熱過程をいう。本明細書で使用される場合、焼鈍は、半導体材料を1つの形態から別の形態に転換する過程、例えば、加熱または熱過程をいう。本開示のポリマー化合物および組成物は、新規の半導体および光起電材料、膜、および製品を調製するための材料用のポリマー前駆体化合物およびポリマー前駆体を含む。いくつかある利点の中でも、本開示は、太陽電池および他の用途のため等に、層状材料および太陽光発電を作製および使用するための安定したポリマー前駆体化合物を提供する。ポリマー前駆体は、薄い均一な膜を有利に形成することができる。いくつかの実施形態では、ポリマー前駆体は、基板上に均一な層で処理し、堆積させることができる油または液体である。本発明は、薄膜を作製するために巧妙に使用することができる、または基板上に堆積させるためのインク組成物で処理することができるポリマー前駆体を提供する。本発明のポリマー前駆体は、光起電吸収体層および太陽電池を作製するための薄膜を形成する優れた処理可能性を有することができる。一般に、本発明のポリマー化合物、組成物、および材料の構造および特性は、半導体またはデバイスの形態、構造、または加工の方式にかかわらず、光起電層、半導体、およびデバイスを作製することにおける利点を提供する。本発明のポリマー前駆体化合物は、半導体材料および組成物を調製するために望ましい。ポリマー前駆体は、カルコゲン含有部分の1つ以上のカルコゲン原子との相互作用または架橋を通して相互に結合され得る、2つ以上の異なる金属原子を含有する鎖状構造を有し得る。この構造を用いて、ポリマー前駆体が、基板または表面上の堆積、コーテング、または印刷等の過程と、焼鈍、焼結、熱分解と、他の半導体製造過程とを伴う過程で使用される場合に、ポリマー前駆体の使用は、半導体の形成およびその特性を強化することができる。前駆体形態の転換本開示のポリマー化合物および組成物は、カルコゲン化物形態およびカルコゲン化物粒子形態に転換され得る。カルコゲン化物形態は、有利に、M-E-M′結合またはカルコゲン化物結合を含むことができる。ある側面では、ポリマー前駆体化合物は、半導体材料を調製するために種々の方法で使用することができるナノ粒子を形成するために使用することができる。本発明の実施形態はさらに、半導体材料の形成および特性を強化するように、ポリマー前駆体でできているナノ粒子を使用する過程を提供し得る。ポリマー前駆体のカルコゲン化物形態およびカルコゲン化物粒子形態は、光起電吸収体層、膜、および太陽電池を調製するために使用することができる。いくつかの実施形態では、カルコゲン化物形態およびカルコゲン化物粒子形態は、1つ以上のポリマー前駆体と混合し、または組み合わせて、基板上に堆積させることができる。いくつかの側面では、ポリマー前駆体に、熱、光、または放射線を印加することによって、あるいは化学または架橋剤を添加することによって、ポリマー前駆体のカルコゲン化物形態を作製することができる。この過程では、ポリマー前駆体は、カルコゲン化物架橋、例えば、M-E-M′結合を含むように転換される構造を伴う可溶性ポリマー前駆体のままである。ポリマー前駆体の可溶性カルコゲン化物形態は、材料、半導体、または光起電吸収体を調製するために構成要素として使用することができる。ポリマー前駆体の可溶性カルコゲン化物形態はまた、材料、半導体、または光起電吸収体を調製するために、1つ以上のポリマー前駆体と組み合わせて使用することもできる。ある実施形態では、ポリマー前駆体の可溶性カルコゲン化物形態は、本明細書の以下で説明されるもの等の架橋剤を添加することによって作製することができる。本開示の実施形態はさらに、材料の粒子またはナノ粒子を提供し得、材料は、半導体または光起電層を調製する過程で使用するために好適である。材料粒子または材料ナノ粒子は、熱、光、または放射線を印加することにより、あるいは化学または架橋剤を添加することにより、1つまたは複数の構成要素を転換することによって形成することができる。いくつかの側面では、材料粒子または材料ナノ粒子は、ポリマー前駆体を転換することによって形成することができる。材料粒子または材料ナノ粒子への1つ以上のポリマー前駆体の転換は、固体形態、あるいは溶液またはインク形態のポリマー前駆体を用いて行うことができる。転換では、ポリマー前駆体は粒子になる。ポリマー前駆体から形成される粒子またはナノ粒子は、層に粒子またはナノ粒子を堆積させることによって、半導体または光起電層を調製する過程で使用することができる。粒子またはナノ粒子は、任意の好適な方法によって堆積させることができる。いくつかの実施形態では、粒子またはナノ粒子は、基板上に堆積させられる溶液またはインク形態の中で粒子を懸濁することによって、堆積させることができる。材料粒子または材料ナノ粒子を堆積させるために好適なインクは、例えば、1つ以上のポリマー前駆体を含む、他の構成要素を含有することができる。ポリマー前駆体から形成される粒子またはナノ粒子は、正確に制御された所定の化学量論を有することができる。ある実施形態では、少なくとも部分的にポリマー前駆体から成る粒子またはナノ粒子は、半導体または光起電層を調製する過程で使用するために形成することができる。ポリマー前駆体粒子は、熱、光、または放射線を印加することによって、あるいは化学エネルギーを印加することによって、1つ以上のポリマー前駆体を少なくとも部分的に転換することによって形成することができる。1つ以上のポリマー前駆体の部分的転換は、固体形態、あるいは溶液またはインク形態のポリマー前駆体を用いて行うことができる。ポリマー前駆体から形成される粒子は、層に粒子を堆積させることによって、半導体または光起電層を調製する過程で使用することができる。粒子は、任意の好適な方法によって堆積させることができる。いくつかの実施形態では、粒子は、基板上に堆積させられる溶液またはインク形態の中で粒子を懸濁することによって、堆積させることができる。粒子を堆積させるために好適なインクは、例えば、1つ以上のポリマー前駆体を含む、他の構成要素を含有することができる。ポリマー前駆体を少なくとも部分的に転換することによって形成される粒子は、少なくとも金属原子に関して、正確に制御された所定の化学量論を有することができる。半導体製造過程でのポリマー前駆体の使用は、カルコゲン含有半導体化合物および材料に必要とされるようなM-E-M′結合の形成を強化することができ、Mは、3族から12族のうちの1つの原子であり、M′は、13族の原子であり、Eは、カルコゲンである。いくつかの側面では、ポリマー前駆体は、M-E-M′結合を含有し、M-E-M′接続性は、半導体材料の形成において保持され得る。ポリマー前駆体化合物は、原子の間に連結を有利に含有し得、連結は、ポリマー前駆体またはポリマー前駆体の組み合わせから作製することができる、CIS、CIGS、AIS、AIGS、CAIS、CAIGS、CIGAS、AIGAS、およびCAIGAS材料等の関心の材料で見出される。本開示のポリマー前駆体化合物は、不活性雰囲気中で安定しており、半導体材料または層の中の原子、特に、金属原子および13族の原子の化学量論、構造、および比の制御を有利に可能にする。任意の特定の半導体製造過程でポリマー前駆体化合物を使用して、一価金属原子および13族の原子の化学量論を決定および制御することができる。ある印刷、噴霧、および堆積方法等の比較的低い温度で動作する過程について、ポリマー前駆体化合物は、所望の化学量論を維持することができる。半導体調製のための複数の供給源を伴う過程と比較して、本発明のポリマー前駆体は、半導体材料の均一性、化学量論、および特性の強化した制御を提供することができる。これらの有利な特徴は、本発明のポリマー前駆体化合物でできている半導体材料の構造の強化した制御を可能にする。本開示のポリマー前駆体は、半導体構造の原子レベルの制御を提供し得るので、半導体材料の優れた基礎的要素である。本開示のポリマー前駆体化合物、組成物、および方法は、金属原子の化学量論比の直接かつ正確な制御を可能にし得る。例えば、いくつかの実施形態では、ポリマー前駆体は、それから任意の恣意的な化学量論のCIS、CIGS、AIS、AIGS、CAIS、CAIGS、CIGAS、AIGAS、およびCAIGAS材料を作製することができる、層を容易に調製するために、他の化合物を伴わずに単独で使用することができる。本発明の側面では、化学的および物理的に均一な半導体層を、ポリマー前駆体化合物を用いて調製することができる。さらなる実施形態では、本開示のポリマー前駆体化合物および組成物を使用して、比較的低い温度で動作する過程で、太陽電池および他の製品を有利に作製することができる。本開示のポリマー前駆体化合物および組成物は、太陽電池生産のための強化した処理可能性を提供することができる。本開示のあるポリマー前駆体化合物および組成物は、比較的低い温度で処理される能力、ならびに太陽電池において可撓性ポリマーを含む種々の基板を使用する能力を提供する。アルカリイオンを制御する本発明の実施形態はさらに、制御された濃度で、アルカリイオンを太陽電池の種々の層および組成物に導入するための方法および組成物を提供し得る。アルカリイオンを種々の層の中に提供することができ、アルカリイオンの量は、太陽電池を作製する際に正確に制御することができる。いくつかの側面では、アルカリイオンの正確な量および場所を制御する能力は、太陽電池が、アルカリイオンを含有しない基板を用いて作製されることを有利に可能にする。例えば、とりわけ、ナトリウムを伴わない、または低ナトリウムを伴うガラス、セラミック、または金属基板、無機基板、ならびにアルカリイオンを伴わないポリマー基板を使用することができる。本開示は、有機溶剤の中で可溶性であり、アルカリイオン源として使用することができる化合物を提供する。いくつかの側面では、種々の層を堆積させるためのインク配合の中の構成要素として、アルカリイオンの有機可溶性源を使用することができる。アルカリイオンに有機可溶性源化合物を使用することは、層を堆積させるため、およびアルカリイオンの正確に制御された濃度を伴う光起電吸収体層を作製するために、インクの中のアルカリイオンの濃度の完全な制御を可能にする。いくつかの側面では、インク組成物は、アルカリ金属イオンを組み込むように有利に調製され得る。例えば、インク組成物は、ある量のNaERを使用して調製され得、Eは、SまたはSeであり、Rは、アルキルまたはアリールである。Rは、好ましくは、nBu、iBu、sBu、プロピル、またはヘキシルである。ある実施形態では、インク組成物は、ある量のNaInER4、NaGaER4、LiInER4、LiGaER4、KInER4、KGaER4、またはそれらの混合物を使用して調製され得、Eは、SまたはSeであり、Rは、アルキルまたはアリールである。Rは、好ましくは、nBu、iBu、sBu、プロピル、またはヘキシルである。これらの無機可溶性化合物は、インクまたは堆積層の中のアルカリ金属イオンのレベルを制御するために使用することができる。ある実施形態では、ナトリウムは、等価量のNaInSenBu4、NaGaSenBu4、またはNaSenBuを溶解させることによって、約0.01から5原子パーセント、または約0.01から2原子パーセント、または約0.01から1原子パーセントの濃度範囲で、インクの中に提供することができる。さらなる実施形態では、ナトリウムは、ナトリウムがポリマー前駆体化合物に組み込まれるように、ポリマー前駆体化合物を作製するための過程において提供することができる。光起電吸収体層のための方法および組成物いくつかの側面では、基板上にポリマー前駆体化合物の層を堆積させることによって、層状基板を作製することができる。ポリマー前駆体化合物の層は、化合物の単一の薄い層、または化合物の複数の層であり得る。図4に示されるように、層状基板を作製する過程は、基板100上に単一のポリマー前駆体の単一の前駆体層105を堆積させるステップを有することができる。前駆体層105の平均組成物は、13族原子の数量に対して、11族原子の数量が不足し得る。前駆体層105は、薄膜材料層図示せずを形成するように加熱することができる。前駆体層105は、随意で、ポリマー前駆体化合物の複数の層から成ることができる。複数の層のうちの各々は、ポリマー前駆体化合物の次の層の堆積の前に、薄膜材料層を形成するように加熱することができる。さらなる側面では、層状基板は、基板上に堆積される初期層を有することができ、その後に、主要層、随意で、カルコゲン層の堆積が続く。図5に示されるように、層状基板を作製する過程は、基板100上の初期層205、主要層210、およびカルコゲン層215を堆積させるステップを有することができる。初期層205は、1つ以上のポリマー前駆体化合物の単一の層または複数の層から成ることができる。初期層205の層のうちのいずれかは、次の層の堆積の前に、薄膜材料層を形成するように加熱することができる。初期層205は、11族原子の数量が豊富であり得る。主要層210は、初期層205から形成される材料層上に堆積させられ、1つ以上のポリマー前駆体化合物の複数の層から成ることができる。主要層210は、11族原子の数量が不足し得る。主要層210の層のうちのいずれかは、次の層の堆積の前に、薄膜材料層を形成するように加熱することができる。カルコゲン層215は、カルコゲン源化合物または元素源等の1つ以上のカルコゲン源の1つ以上の層から成ることができる。カルコゲン層215は、薄膜材料層を形成するように加熱することができる。いくつかの実施形態では、初期層205は、接着推進層であり得る。初期層205は、約20から5000nmの厚さを有し得る。主要層210は、約20から5000nmの厚さを有し得る。加熱する各ステップは、基板上に存在するありとあらゆる層を材料層に転換することができる。したがって、図4-8の概略図は、最終的に基板上の単一の薄膜材料層に転換され得る層状基板を作製するステップを表す。図4-8の概略図は、必ずしも、過程から形成された製品材料または基板部品を直接表すとは限らない。追加の側面では、層状基板は、基板上に堆積された基層を有することができ、その後に、随意的なカルコゲン層、平衡層、および追加的で随意的なカルコゲン層の堆積が続く。図6に示されるように、層状基板を作製する過程は、基板100上の基層305、追加のカルコゲン層310、平衡層315、および追加的で随意的なカルコゲン層320を堆積させるステップを有することができる。基層305は、1つ以上のポリマー前駆体化合物の単一の層または複数の層から成ることができる。基層305の層のうちのいずれかは、次の層の堆積の前に、薄膜材料層を形成するように加熱することができる。基層305の層のうちのいずれかは、11族原子の数量が豊富であり得る。平衡層315は、1つ以上のポリマー前駆体化合物の複数の層から成ることができる。平衡層315の層のうちのいずれかは、次の層の堆積の前に、薄膜材料層を形成するように加熱することができる。平衡層315の層のうちのいずれかは、11族原子の数量が不足し得る。カルコゲン層310および320は、カルコゲン源化合物または元素源等の1つ以上のカルコゲン源の1つ以上の層から成ることができる。カルコゲン層310および320は、薄膜材料層を形成するように加熱することができる。いくつかの実施形態では、基層305は、11族原子の数量が不足し得、平衡層315は、11族原子の数量が豊富であり得る。基層305は、約10から10,000nmの厚さを有し得る。平衡層315は、約10から5000nmの厚さを有し得る。ある実施形態では、平衡層315に対応する組成物が、基板に隣接し、基板と基層305の組成物を有する層との間にあり得るように、図6の基層305および平衡層315の順序は、逆転され得る。追加の側面では、層状基板は、基板上に堆積させられた11族および13族の原子ならびにカルコゲンの原子を含有する、第1の層を有することができ、その後に、13族の原子およびカルコゲンの原子を含有する、第2の層の堆積が続く。図7に示されるように、層状基板を作製する過程は、基板100上の第1の層405、および第2の層410を堆積させるステップを有することができる。第1の層405は、1つ以上のポリマー前駆体化合物、あるいは任意のCISまたはCIGS前駆体化合物の複数の層から成ることができる。第1の層405のうちのいずれかは、次の層の堆積の前に、薄膜材料層を形成するように加熱することができる。第1の層405の層のうちのいずれかは、11族原子の数量が豊富であり得る。随意的なカルコゲン層が、第1の層405上に堆積させられ得る。随意的なカルコゲン層は、薄膜材料層を形成するように加熱することができる。第1の層405は、随意で、1つ以上のAIGS、CAIGS、CIGAS、AIGAS、またはCAIGAS前駆体化合物の複数の層から成ることができる。第2の層410は、13族の原子およびカルコゲンの原子を含有する、1つ以上の化合物の単一の層または複数の層から成ることができる。第2の層410の層のうちのいずれかは、次の層の堆積の前に、薄膜材料層を形成するように加熱することができる。ある実施形態では、第2の層410に対応する組成物が、基板に隣接し、基板と第1の層405の組成物を有する層との間にあり得るように、図7の第2の層410および第1の層405の順序は、逆転され得る。いくつかの側面では、層状基板は、基板上に堆積させられた、n層である、いくつかの層を有することができる。図8に示されるように、層状基板を作製する過程は、基板100上に、最大でn層まで、いくつかの層502、504、506、508、510、512等を堆積させるステップを有することができる。最大でn層までの各層502、504、506、508、510、512等は、単一の層または複数の層から成ることができる。層のうちのいずれかは、次の層の堆積の前に、薄膜材料層を形成するように加熱することができる。層502、504、506、508、510、512等の各々は、1つ以上のポリマー前駆体化合物から成ることができる。ポリマー前駆体化合物は、恣意的に所定の化学量論を伴う11族および13族の原子の任意の組み合わせを含有することができる。層のうちのいずれかは、次の層の堆積の前に、薄膜材料層を形成するように加熱することができる。層のうちのいずれかは、11族原子の数量が不足し得、または豊富であり得る。随意的なカルコゲン層が、第2の層410上に堆積させられ得る。層502、504、506、508、510、512等のうちのいくつかは、カルコゲン層であり得る。カルコゲン層は、薄膜材料層を形成するように加熱することができる。いくつかの実施形態では、層502、504、506、508、510、512等は、1つ以上のポリマー前駆体化合物およびカルコゲン層の交互層である。層502、504、506、508、510、512等のうちのいくつかは、カルコゲン層の間にポリマー前駆体化合物の層を含み得る。層502、504、506、508、510、512等のうちのいくつかは、11族原子が豊富である層の間に、11族原子が不足しているポリマー前駆体化合物の層を含み得る。ある実施形態では、ナトリウムイオンが、層のうちのいずれかに導入され得る。光起電吸収体材料のための焼鈍過程いくつかの側面では、被覆した基板の焼鈍が、光起電吸収体の粒径を増加させるために行われ得る。例えば、CIGS光起電吸収体材料の粒径を増加させるために、被覆した基板の焼鈍を行うことができる。いくつかの実施形態では、CIGS粒径は、セレンの存在下で事前形成されたCIGS材料を焼鈍することによって増加させることができる。本発明の側面は、太陽電池を作製するための過程の間に、セレンの存在および濃度を制御するステップを含む。ある側面では、被覆した基板のための焼鈍過程は、カルコゲン、例えば、セレンの存在下で行うことができる。いくつかの実施形態では、被覆した基板を焼鈍するための過程は、セレン層と平行に、かつセレン層に対面して、基板上に薄膜光起電材料を配列することによって行われ得、薄膜光起電材料およびセレン層は離れている。基板およびセレン層を加熱することは、セレン蒸気の流束が、薄膜光起電材料の近くで急速に生成されるので、薄膜材料の焼鈍を強化することができる。ある実施形態では、アルカリイオンが、焼鈍する前に薄膜光起電材料の中に存在することができる。アルカリイオンがすでに存在していると、アルカリイオンが原位置において異なる場所または供給源から移動する必要なく、焼鈍は急速に進むことができる。セレン層は、セレンの原子を含有する任意の層であり得る。セレン層は、元素セレンから、またはセレン含有化合物から形成することができる。いくつかの実施形態では、基板がエンクロージャの中に配置され、セレン蒸気がエンクロージャの中で生成される。エンクロージャは、基板上の光起電吸収体材料の表面においてセレンの増加した濃度を提供する。ある実施形態では、エンクロージャは、注入器ヘッドを含む。セレン蒸気は、注入器ヘッドを通してエンクロージャの中へ注入することができる。注入器ヘッドは、随意で、セレン源を保持するための貯留部を含み得る。いくつかの実施形態では、セレン蒸気は、エンクロージャの中で生成することができる。エンクロージャは、光起電吸収体材料の表面の周囲の空間を取り囲む頂板を備え得る。基板に対面する表面である、頂板の内面は、光起電吸収体材料の表面とほぼ接触することができる。頂板の内面と光起電吸収体材料の表面との間の距離は、約10から3000マイクロメートル以上であり得る。頂板の内面と光起電吸収体材料の表面との間の距離は、約20から500マイクロメートル、または約20から100マイクロメートル、または約50から150マイクロメートルであり得る。頂板は、エンクロージャの壁と一体であり得る。一側面では、セレン蒸気は、頂板の内面上に堆積させられたカルコゲン含有層を蒸発させることによって、エンクロージャの中で生成することができる。カルコゲン含有層は、頂板の内面上に、カルコゲン蒸気、例えば、セレン蒸気を堆積させることによって生成され得る。堆積は、セレン蒸気を生成するようにセレン貯留部を加熱し、頂板の内面をセレン蒸気に暴露させることによって行うことができる。いくつかの実施形態では、セレン蒸気は、300°Cで生成することができる。さらなる側面では、セレン含有層は、頂板の内面上にセレンインクを堆積させることによって生成され得る。セレンインクを噴霧、被覆、または印刷することによって、セレンインクの層を堆積させることができる。セレン蒸気は、頂板と光起電吸収体材料との間の温度差を維持しながら、頂板の内面上に堆積させられたセレン含有層を蒸発させることによって、焼鈍中にエンクロージャの中で生成され得る。頂板の温度は、セレン含有層を蒸発させ、ならびに蒸気相を維持するほど十分高く維持することができる。光起電吸収体材料の温度は、光起電吸収体材料を焼鈍し、その粒径を増加させるために十分高く保つことができる。セレンの存在下での焼鈍は、ある範囲の時間および温度で行うことができる。いくつかの実施形態では、光起電吸収体材料の温度は、約450°Cで1分間保たれる。ある実施形態では、光起電吸収体材料の温度は、約252°Cで保たれる。焼鈍のための時間は、15秒から60分、または30秒から5分に及ぶことができる。焼鈍のための温度は、400°Cから650°C、または450°Cから55°Cに及ぶことができる。追加の側面では、焼鈍過程は、ナトリウムを含むことができる。上記で論議されるように、ナトリウムは、有機可溶性ナトリウム含有分子を使用することによって、インクまたは光起電吸収体材料に導入することができる。カルコゲン層を堆積させる本開示の種々の過程では、組成物またはステップは、随意で、カルコゲン層を含み得る。カルコゲンは、噴霧、コーテング、印刷、および接触転写過程、ならびに蒸発またはスパッタリング過程、溶解過程、または融解過程を含む、種々の過程によって導入することができる。いくつかの実施形態では、カルコゲン層は、カルコゲン含有インクを用いて堆積させられ得る。インクは、アルキルカルコゲン化物等の可溶化元素カルコゲン、または可溶性カルコゲン源化合物を含有し得る。元素カルコゲンおよびカルコゲン源化合物用の溶剤の実施例は、有機溶剤、アルコール、水、およびアミンを含む。いくつかの実施形態では、カルコゲンはまた、図4-8のうちのいずれか1つの場合のように、金属含有層を形成するために使用される、金属原子を含有するインクに添加され得る。カルコゲンは、溶剤の中でカルコゲン源化合物または元素カルコゲンを溶解させ、金属原子を含有するインクに溶剤の一部分を添加することによって、金属原子を含有するインクに添加され得る。カルコゲンは、金属原子を含有するインクの中でカルコゲン源化合物または元素カルコゲンを溶解させることによって、金属原子を含有するインクに添加され得る。カルコゲン源化合物の実施例は、有機セレン化物、RSeR、RSeSeR、RSeSeSeR、およびRSenRを含み、Rは、アルキルである。カルコゲン源化合物は、セレンを提供するように紫外線光で照射され得る。セレン源化合物の照射は、溶液の中で、またはインクの中で行われ得る。カルコゲン源化合物の照射は、基板上の化合物の堆積後にも行われ得る。元素カルコゲンは、可溶性セレン化物を提供するように還元剤で処理され得る。還元剤の実施例は、NaBH4、LiAlH4、AlBH43、ジイソブチルアルミニウム水素化物、アミン、ジアミン、アミンの混合物、アスコールビン酸、ギ酸、および前述のものの混合物を含む。追加の硫化またはセレン化本開示の種々の過程では、組成物または材料が、随意で、硫化またはセレン化のステップを受けてもよい。セレン化は、元素セレンまたはSe蒸気を用いて実行され得る。硫化は、元素硫黄を用いて実行され得る。H2Sを用いた硫化またはH2Seを用いたセレン化は、それぞれ、純H2SまたはH2Seを使用することによって実行され得、または窒素中の希釈によって行われ得る。硫化またはセレン化ステップは、約200°Cから約600°C、または約200°Cから約650°Cの任意の温度で、あるいは200°C以下の温度で行われ得る。硫化およびセレン化の1つ以上のステップは、同時に、または連続的に行われ得る。硫化剤の実施例は、硫化水素、水素で希釈した硫化水素、元素硫黄、硫黄粉末、二硫化炭素、ポリ硫化アルキル、硫化ジメチル、二硫化ジメチル、およびそれらの混合物を含む。セレン化剤の実施例は、セレン化水素、水素で希釈したセレン化水素、元素セレン、セレン粉末、二セレン化炭素、ポリセレン化アルキル、セレン化ジメチル、二セレン化ジメチル、およびそれらの混合物を含む。硫化またはセレン化ステップは、銅、インジウム、またはガリウム等の別の金属の共堆積とともに行うこともできる。化学量論的勾配のための方法および組成物本発明の実施形態はさらに、組成の勾配を有する薄膜材料を作製する能力を提供し得る。組成の勾配は、半導体または薄膜材料の中の原子のうちのいずれかの濃度または比の変動であり得る。図8に示される過程のステップは、11族または13族原子の化学量論の勾配を有する、層状基板を作製するために使用することができる。ある11族または13族原子の連続的に増加または減少する濃度または比を有する一連のポリマー前駆体化合物を使用して、組成の勾配を形成することができる。いくつかの実施形態では、組成の勾配は、インジウムまたはガリウムの濃度の勾配、あるいはガリウムに対するインジウムの原子の比の勾配であり得る。ある実施形態では、組成の勾配は、インジウムまたはガリウムに対する銅の原子の比の勾配であり得る。さらなる実施形態では、組成の勾配は、銀に対する銅の原子の比の勾配であり得る。いくつかの実施形態では、組成の勾配は、アルカリ金属イオンのレベルの勾配であり得る。いくつかの変化例では、組成の勾配は、硫黄に対するセレンの原子の比の勾配であり得る。勾配は、濃度の連続変動、または濃度の階段状変化の変動であり得る。組成の勾配は、式CuxIn1-yGayvS1-zSezwに従った、ガリウムに対するインジウムの原子の比の勾配であり得、yは、基板からの距離が増加するにつれて勾配にわたって約0から1.0まで増加し、xは、0.6から1.0であり、zは、0から1であり、vは、0.95から1.05であり、wは、1.8から2.2である。組成の勾配は、式CuxIn1-yGayvS1-zSezwに従った、ガリウムを加えたインジウムの原子に対する銅の原子の比の勾配であり得、xは、基板からの距離が増加するにつれて勾配にわたって約1.5から0.5まで減少し、yは、0から1であり、zは、0から1であり、vは、0.95から1.05であり、wは、1.8から2.2である。ポリマー前駆体は、組成の勾配を表す一連のインク配合として調製され得る。ポリマー前駆体の実験式本開示は、2つ以上の異なる金属原子およびカルコゲン原子を有する一連のポリマー前駆体化合物を提供する。ある側面では、ポリマー前駆体化合物は、ある金属原子および13族の原子を含有し得る。これらの原子のうちのいずれかは、15族の原子、S、Se、およびTeから選択される1つ以上の原子、ならびに1つ以上のリガンドに結合され得る。ポリマー前駆体化合物は、中性化合物、またはイオン型であり得、あるいは帯電錯体または対イオンを有し得る。いくつかの実施形態では、ポリマー前駆体化合物のイオン型は、二価金属原子、または対イオンとしての二価金属原子を含有し得る。ポリマー前駆体化合物は、3族から12族の遷移金属、B、Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、Pb、As、Sb、およびBiから選択される原子を含有し得る。これらの原子のうちのいずれかは、15族の原子、S、Se、およびTeから選択される1つ以上の原子、ならびに1つ以上のリガンドに結合され得る。ポリマー前駆体化合物は、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Hg、B、Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、Pb、およびBiから選択される原子を含有し得る。これらの原子のうちのいずれかは、15族の原子、S、Se、およびTeから選択される1つ以上の原子、ならびに1つ以上のリガンドに結合され得る。いくつかの実施形態では、ポリマー前駆体化合物は、Cu、Ag、Zn、Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、およびPbから選択される原子を含有し得る。これらの原子のうちのいずれかは、15族の原子、S、Se、およびTeから選択される1つ以上の原子、ならびに1つ以上のリガンドに結合され得る。いくつかの実施形態では、ポリマー前駆体化合物は、Cu、Ag、Zn、Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、およびPbから選択される原子を含有し得る。これらの原子のうちのいずれかは、1つ以上のカルコゲン原子、ならびに1つ以上のリガンドに結合され得る。いくつかの変化例では、ポリマー前駆体化合物は、Cu、Ag、In、Ga、およびAlから選択される原子を含有し得る。これらの原子のうちのいずれかは、S、Se、およびTeから選択される1つ以上の原子、ならびに1つ以上のリガンドに結合され得る。ポリマー前駆体構造および特性MPP本開示のポリマー前駆体化合物は、周囲温度で安定している。ポリマー前駆体は、層状材料、光電子材料、およびデバイスを作製するために使用することができる。ポリマー前駆体を使用することは、材料、層、または半導体の中の種々の原子の化学量論、構造、および比の制御を有利に可能にする。本発明のポリマー前駆体化合物は、周囲温度、または周囲から適度に上昇した温度において、固体、低い融解温度を伴う固体、半固体、流動性固体、粘性物質、またはゴム状固体、油性物質、または液体であり得る。周囲から適度に上昇した温度において流体である、本開示の実施形態は、太陽電池および他の製品の生産のための優れた処理可能性、ならびにフレキシブル基板を含む種々の基板上で処理される強化した能力を提供することができる。一般に、ポリマー前駆体化合物は、半導体材料を含む材料に変換されるように、熱、光、運動、機械、または他のエネルギーの印加を通して処理することができる。これらの過程では、ポリマー前駆体化合物は、遷移して材料になる。材料へのポリマー前駆体化合物の変換は、当技術分野で公知の過程、ならびに本開示の新規の過程で行うことができる。本発明の実施形態はさらに、光電子材料を作製するための過程を提供し得る。ポリマー前駆体化合物の合成後に、化合物は、種々の手段によって、基板上に堆積させ、噴霧し、または印刷することができる。材料へのポリマー前駆体化合物の変換は、基板上に化合物を堆積させる、噴霧する、または印刷する過程の間または後に行うことができる。本開示のポリマー前駆体化合物は、約400°C以下、または約300°C以下、または約280°C以下、または約260°C以下、または約240°C以下、または約220°C以下、または約200°C以下の遷移温度を有し得る。いくつかの側面では、本開示のポリマー前駆体は、約100°C以下の温度において流動性形態で処理可能である分子を含む。ある側面では、ポリマー前駆体は、比較的低い温度において、流体、液体、流動性、流動性溶解物、または半固体であり得、ニート固体neatsolid、半固体、ニート流動性液体neatflowableliquidまたは融解物、流動体固体、粘性物質、ゴム状固体、油性物質、または液体として処理することができる。ある実施形態では、ポリマー前駆体は、約200°C以下、または約180°C以下、または約160°C以下、または約140°C以下、または約120°C以下、または約100°C以下、または約80°C以下、または約60°C以下、または約40°C以下の温度において流動性液体または溶解物として処理可能である。本発明のポリマー前駆体化合物は、結晶性または非晶質であり得、種々の非水性溶剤の中で可溶性であり得る。ポリマー前駆体化合物は、比較的低い温度において、穏和な条件下で除去することができるリガンド、またはリガンド断片、またはリガンドの部分を含有し、したがって、ポリマー前駆体を材料または半導体に変換する簡易経路を提供し得る。リガンド、またはリガンドのいくつかの原子は、堆積させる、噴霧する、または印刷するためのある方法を含む、種々の過程で、ならびにエネルギーの印加によって除去可能であり得る。これらの有利な特徴は、本発明のポリマー前駆体化合物でできている半導体材料の構造の強化した制御を可能にする。半導体および光電子工学MPP用のポリマー前駆体本発明は、2つ以上の異なる金属原子を有する、一連のポリマー前駆体構造、組成物、および分子を提供する。いくつかの実施形態では、ポリマー前駆体化合物は、Al、Ga、In、Tl、およびそれらの任意の組み合わせから選択される13族の原子MBを含有する。原子MBは、Al、Ga、In、およびTlの原子の任意の組み合わせであり得る。原子MBは、全て同じ種類であり得、あるいは、Al、Ga、In、およびTlの原子のうちのいずれか2つ、または3つ、または4つの組み合わせであり得る。原子MBは、Al、Ga、In、およびTlの原子のうちのいずれか2つの組み合わせ、例えば、InおよびGa、InおよびTl、GaおよびTl、InおよびAl、GaおよびAl等の組み合わせであり得る。原子MBは、InおよびGaの組み合わせであり得る。これらのポリマー前駆体化合物はさらに、上記で説明されるように3族から12族の遷移金属から選択される、一価金属原子MAを含有する。原子MAは、Cu、Ag、およびAuの原子の任意の組み合わせであり得る。本開示のポリマー前駆体は、無機ポリマーまたは配位ポリマーと見なされ得る。本開示のポリマー前駆体は、同じ構造を表す異なる式を使用して、異なる方法で表され得る。いくつかの側面では、本開示のポリマー前駆体は、ポリマー分子または鎖の分布であり得る。分布は、ある範囲の鎖長または分子サイズを有する、分子または鎖を包含し得る。ポリマー前駆体は、ポリマー、ポリマー分子、または鎖の混合物であり得る。ポリマー前駆体の分布は、特定の分子量または鎖質量を中心とする、または、その周囲で重み付けされることができる。本発明の実施形態はさらに、AB交互追加共重合体として表すことができる、ポリマー前駆体を提供する。AB交互追加共重合体は、一般に、反復単位AおよびBから成る。反復単位AおよびBの各々は、単量体から導出される。反復単位AおよびBはまた、単量体であるとして見なされ得るが、単量体Aの実験式は、反復単位Aの実験式とは異なる。MAに対する単量体は、MAERであり得、MAは、上記で説明される通りである。MBに対する単量体は、MBER3であり得、MBは、Al、Ga、In、またはそれらの組み合わせである。ポリマー前駆体では、Bの単量体へのAの単量体の連結は、線形、環状、または分岐であろうと、または任意の他の形状であろうと、各々が式{MAER2}を有する反復単位Aと、各々が式{MBER2}を有する反復単位Bとを有するポリマー鎖を提供する。反復単位AおよびBは、鎖の中の交互の順序、例えば、ABABABABABで現れ得る。いくつかの実施形態では、ポリマー前駆体は、Al、Ga、In、またはそれらの任意の組み合わせから選択される、異なる原子MBを有し得、異なる原子は、構造の中のランダムな順序で現れる。本発明のポリマー前駆体化合物は、異なる金属原子および13族原子の数、およびそれらのそれぞれの化学量論的レベルまたは比に関する任意の所望の化学量論伴って作製され得る。ポリマー前駆体化合物の化学量論は、単量体の濃度、または前駆体のポリマー鎖の中の反復単位を通して制御され得る。ポリマー前駆体化合物は、異なる金属原子および13族原子の数に関する任意の所望の化学量論、およびそれらのそれぞれの化学量論的レベルまたは比を伴って作製され得る。いくつかの側面では、本開示は、以下の式1から13のうちの1つを有する無機AB交互追加共重合体であるポリマー前駆体を提供する。式1:RE2-[BABn]-式2:RE2-[BAnB]-式3:RE2-BBABn式4:RE2-BABnB式5:RE2-BABnBABm式6:RE2-BAnBB式7:RE2-BBAnB式8:RE2-BAnBBAmB式9:cyclicABn式10:cyclicBAn式11:RE2-BBAABBn式12:RE2-BBAABBnABm式13:RE2-BAABBnBABm式中、AおよびBは、上記で定義される通りであり、Eは、S、Se、またはTeであり、Rは、以下で定義される。式1および2は、示されていない1つまたは複数の対イオンを有する、イオン型を表す。対イオンの実施例は、アルカリ金属イオン、Na、Li、およびKを含む。式RE-BABnおよびRE-BAnBは、ある条件下での安定した分子を表し得る。例えば、式4のポリマー前駆体化合物の実施形態が、図9に示されている。図9に示されるように、化合物の構造は、式RE2BABABBによって表すことができ、Aは、反復単位{MAER2}であり、Bは、反復単位{MBER2}であり、Eは、カルコゲンであり、Rは、以下で定義される官能基である。別の実施例では、式5のポリマー前駆体化合物の実施形態が、図10に示されている。図10に示されるように、化合物の構造は、式RE2BABABBABABによって表すことができ、Aは、反復単位{MAER2}であり、Bは、反復単位{MBER2}であり、Eは、カルコゲンであり、Rは、以下で定義される官能基である。さらなる実施例では、式6のポリマー前駆体化合物の実施形態が、図11に示されている。図11に示されるように、化合物の構造は、式RE2BABAnBBによって表すことができ、Aは、反復単位{MAER2}であり、Bは、反復単位{MBER2}であり、Eは、カルコゲンであり、Rは、以下で定義される官能基である。別の実施例では、式8のポリマー前駆体化合物の実施形態が、図12に示されている。図12に示されるように、化合物の構造は、式RE2BABAnBBAmBによって表すことができ、Aは、反復単位{MAER2}であり、Bは、反復単位{MBER2}であり、Eは、カルコゲンであり、Rは、以下で定義される官能基である。さらなる実施例では、式10のポリマー前駆体化合物の実施形態が、図13に示されている。図13に示されるように、化合物の構造は、式cyclicBA4によって表すことができ、Aは、反復単位{MAER2}であり、Bは、反復単位{MBER2}であり、Eは、カルコゲンであり、Rは、以下で定義される官能基である。式1-8および11-13のうちの1つを有するポリマー前駆体は、任意の長さまたは分子サイズであり得る。nおよびmの値は、1以上であり得る。ある実施形態では、nおよびmの値は、2以上、または3以上、または4以上、または5以上、または6以上、または7以上、または8以上、または9以上、または10以上である。いくつかの実施形態では、nおよびmは、独立して、2から約100万、または2から約100,000、または2から約10,000、または2から約5000、または2から約1000、または2から約500、または2から約100、または2から約50である。式9または10のうちの1つを有する、環状ポリマー前駆体は、任意の分子サイズであり得る。nの値は、2以上であり得る。ある変化例では、nの値は、2以上、または3以上、または4以上、または5以上、または6以上、または7以上、または8以上、または9以上、または10以上である。いくつかの実施形態では、環状式9および8について、nは、2から約50、または2から約20、または2から約16、または2から約14、または2から約12、または2から約10、または2から約8である。ポリマー前駆体化合物の分子量は、約1000から50,000、または約10,000から100,000、または約5000から500,000以上であり得る。別の側面では、金属原子MAおよび13族原子MBが左側に現れる一方で、カルコゲン原子Eが右側に現れるため、反復単位{MBER2}および{MAER2}は、手があると見なされ得る。したがって、線形終端鎖が、一般に、構造を完成させるために、式1-8および11-13の場合のように、左末端上に1つまたは複数の追加のカルコゲン基を必要とする。式9および10によって表されるような環状鎖は、末端のために1つまたは複数の追加のカルコゲン基を必要としない。ある側面では、nおよびmが1である、式1-8および11-13の構造が、付加物として表され得る。例えば、付加物は、RE2-BBAB、RE2-BABB、およびRE2-BABBABを含む。いくつかの実施形態では、ポリマー前駆体は、AABB交互ブロック共重合体である構造を含み得る。例えば、ポリマー前駆体または前駆体構造の部分が、1つ以上の連続反復単位{AABB}を含有し得る。AABB交互ブロック共重合体を有するポリマー前駆体は、上記の式11によって表され得る。いくつかの側面では、本開示は、式14の反復単位を有する、無機AB追加共重合体である、ポリマー前駆体を提供する。式中、原子MBは、Al、Ga、In、およびTlから選択される13族の原子であり、Eは、S、Se、またはTeである。ある側面では、本発明は、式14の反復単位の数nを有するポリマー前駆体を提供し、nは、1以上、または2以上、または3以上、または4以上、または5以上、または6以上、または7以上、または8以上、または9以上、または10以上、または11以上、または12以上であり得る。式14のAB共重合体はまた、任意の鎖長のポリマーを表す、ABnまたはBAnとして表され得る。あるAB共重合体を表す別の方法は、式ABABである。さらなる変化例では、本発明は、式15によって表され得る、ポリマー前駆体を提供する。式中、原子MB1およびMB2は、Al、Ga、In、Tl、またはそれらの組み合わせから選択される13族の同じまたは異なる原子であり、Eは、S、Se、またはTeであり、pは、1以上である。さらなる実施形態では、本発明は、式16によって表され得る、ポリマー前駆体を提供する。式中、原子MB1およびMB2は、Al、Ga、In、Tl、またはそれらの組み合わせから選択される13族の同じまたは異なる原子であり、原子MA1およびMA2は、同じ、または異なり、Cu、Au、Ag、およびHgから選択される原子であり、Eは、S、Se、またはTeであり、pは、1以上である。別の側面では、本開示は、式17によって表され得る、無機AB交互共重合体を提供する。式中、B1、B2、およびB3は、それぞれ、Al、Ga、In、Tl、またはそれらの組み合わせの原子である原子MB1、MB2、およびMB3を含有する反復単位である。本発明の単量体およびポリマー前駆体に対するある実験式が、表1で要約される。表1では、代表的な構成鎖単位とは、ポリマー鎖の反復単位を指す。一般に、代表的な構成鎖反復単位の中の電子、リガンド、またはR基の数および出現は、必ずしも金属原子の酸化状態を反映するとは限らない。例えば、{MAER2}である鎖反復単位Aは、単量体MAERから生じ、MAは、上記で説明されるような一価の酸化状態1Iまたは1の金属原子、またはCu、Ag、およびAuの任意の組み合わせである。反復単位は、2つの他の反復単位に、または反復単位および鎖末端単位に結合されたポリマー鎖の中に存在することを理解されたい。同様に、{MBER2}である鎖反復単位Bは、単量体MBER3から生じ、MBは、Al、Ga、In、Tl、およびそれらの任意の組み合わせから選択される三価の酸化状態3IIIまたは3の13族原子であり、これらの原子のうちのいずれか1つ以上が存在しない場合を含む。一側面では、単量体MAERおよび単量体MBER3は、{MAER2MBER2}である、AB反復単位を形成するように合体する。いくつかの側面では、本開示は、同様にMAまたはMBに関して交互であり得る、AB交互共重合体を提供する。MAに関して交互であるポリマー前駆体は、交互原子MA1およびMA2を有する、鎖領域を含有し得る。MBに関して交互であるポリマー前駆体は、交互原子MB1およびMB2を有する、鎖領域を含有し得る。さらなる実施形態では、本開示は、AB1nまたはB1Anとして表される、n個の反復単位の1つ以上のブロックを含有し得るAB交互ブロック共重合体を提供し、反復単位のブロックは、13族から選択される一種類だけの原子MB1を含有する。ブロックはまた、A1BnまたはBA1nとして表される反復単位であり得、反復単位のブロックは、一種類だけの原子MA1を含有する。本開示のポリマー前駆体は、各ブロックの中の異なる13族原子、または各ブロックの中の異なる原子MAを有する、反復単位の1つ以上のブロックを含有し得る。例えば、ポリマー前駆体は、以下の式のうちの1つを有し得る。式18:RE2-BBAB1nAB2m式19:RE2-BBAB1nAB2mAB1p式20:RE2-BBAB1nAB2mAB3pまたはRE2-BBA1BnA2BmA3Bp式21:RE2-BBA1BnA2Bm式22:RE2-BBA1BnA2BmA1Bp式23:RE2-BBA1BnA2BmA3Bp式中、B1、B2、およびB3は、それぞれ、反復単位{MB1ER2}、{MB2ER2}、および{MB3ER2}を表し、MB1、MB2、およびMB3は、各々が他とは異なり、Al、In、Ga、Tl、またはそれらの組み合わせから独立選択される、13族の原子であり、A1、A2、およびA3は、それぞれ、反復単位{MA1ER2}、{MA2ER2}、および{MA3ER2}を表し、MA1、MA2、およびMA3は、各々が他とは異なり、MAについて上記で説明されるように識別される。式18から23では、n、m、およびpの値は、2以上、または3以上、または4以上、または5以上、または6以上、または7以上、または8以上、または9以上、または10以上、または11以上、または12以上であり得る。ある実施形態では、MB単量体は、例えば、式MBEREを有する、キレート基を含有することができる。いくつかの実施形態では、単量体は、周囲条件下で二量体形態、または三量体以上の形態で存在し得、そのような形態で試薬として使用することができる。単量体という用語は、周囲条件下で見出されようと、単量体からポリマー前駆体を合成するための過程中に見出されようと、全てのそのような形態を指すと理解されたい。式MAERおよびMBER3は、例えば、該当する場合、そのような二量体以上の形態の単量体を包含すると解釈されるべきである。二量体以上の形態の単量体は、試薬として使用される場合に、単量体形態を提供することができる。単量体MAERおよびMBER3を反応させることによって得られる、本発明のポリマー前駆体は、有機溶剤の中で有利に高度に可溶性であり得る一方で、単量体のうちの1つ以上は、不溶性であり得る。本明細書で使用される場合、ポリマーおよびポリマーのという用語は、重合部分、重合単量体、反復単位でできている反復鎖、あるいはポリマー鎖またはポリマー分子を指す。ポリマーまたはポリマー鎖は、その1つまたは複数の反復単位の列挙によって定義され得、線形、分岐、環状、およびデンドリマー等の種々の形状および接続性を有し得る。特に指定がない限り、ポリマーおよび高分子という用語は、ホモポリマー、共重合体、ブロック共重合体、交互ポリマー、ターポリマー、任意の数の異なる単量体を含有するポリマー、オリゴマー、ネットワーク、2次元ネットワーク、3次元ネットワーク、架橋ポリマー、短および長鎖、高および低分子量ポリマー鎖、マクロ分子、およびデンドリマー等の他の形態反復構造を含む。ポリマーは、線形、分岐、および環状ポリマー鎖を有するもの、および長または短分岐を有するポリマーを含む。本明細書で使用される場合、ポリマー構成要素とは、組成物の構成要素を指し、該構成要素は、ポリマーであるか、または重合によってポリマーを形成し得る。ポリマー構成要素という用語は、重合性単量体または重合性分子を含む。ポリマー構成要素は、本明細書で説明されるポリマー例のうちのいずれかを構成する、単量体またはポリマーの任意の組み合わせを有し得、あるいはポリマーの混合物であり得る。本発明の実施形態はさらに、反復単位を伴うポリマー鎖構造を有するポリマー前駆体を提供し得る。これらのポリマー前駆体の化学量論は、特定の原子の正確なレベルの任意の所望の恣意的な比を提供するように、正確に制御され得る。制御された化学量論を有する前駆体化合物は、制御された化学量論を有するバルク材料、層、および半導体材料を作製するために使用することができる。いくつかの側面では、ポリマー前駆体の化学量論を正確に制御することは、ポリマー前駆体を調製するために使用される、試薬、反応物、単量体、または化合物の化学量論を制御することによって達成され得る。本発明のポリマー前駆体については、上記の式またはその一部分の中の基Rは、高温で、またはエネルギーの印加時に、ポリマー前駆体化合物の遷移に関して良好な離脱基であり得る。上記の式の中および表1の中の官能基Rは、各々が、同じ、または他とは異なり得、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機および有機リガンドを含む、炭素または非炭素原子を通して付着した基である。いくつかの実施形態では、基Rは、各々が、同じ、または他とは異なり、炭素原子を通して付着したアルキル基である。いくつかの側面では、MBに対する単量体は、MBER13として表すことができ、MAに対する単量体は、MAER2として表すことができ、R1およびR2は、同じ、または異なり、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機および有機リガンドを含む、炭素または非炭素原子を通して付着した基である。いくつかの実施形態では、基R1およびR2は、各々が、同じ、または他とは異なり、炭素原子を通して付着したアルキル基である。ある変化例では、MBに対する単量体は、MBER1ER22であり得、R1およびR2は、異なり、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機および有機リガンドを含む、炭素または非炭素原子を通して付着した基である。いくつかの実施形態では、MBER1ER22の基R1およびR2は、異なり、炭素原子を通して付着したアルキル基である。いくつかの実施形態では、ポリマー前駆体化合物は、有利に、ホスフィンリガンド、あるいはリン、ヒ素、またはアンチモンを含有するリガンドまたは付着化合物、あるいはハロゲンリガンドを含有しない。さらなる実施形態では、基Rは、独立して、C1-22アルキル基であり得る。これらの実施形態では、アルキル基は、C1アルキルメチル、またはC2アルキルエチル、またはC3アルキル、またはC4アルキル、またはC5アルキル、またはC6アルキル、またはC7アルキル、またはC8アルキル、またはC9アルキル、またはC10アルキル、またはC11アルキル、またはC12アルキル、またはC13アルキル、またはC14アルキル、またはC15アルキル、またはC16アルキル、またはC17アルキル、またはC18アルキル、またはC19アルキル、またはC20アルキル、またはC21アルキル、またはC22アルキルであり得る。ある実施形態では、基Rは、独立して、C1-12アルキル基であり得る。これらの実施形態では、アルキル基は、C1アルキルメチル、またはC2アルキルエチル、またはC3アルキル、またはC4アルキル、またはC5アルキル、またはC6アルキル、またはC7アルキル、またはC8アルキル、またはC9アルキル、またはC10アルキル、またはC11アルキル、またはC12アルキルであり得る。ある実施形態では、基Rは、独立して、C1-6アルキル基であり得る。これらの実施形態では、アルキル基は、C1アルキルメチル、またはC2アルキルエチル、またはC3アルキル、またはC4アルキル、またはC5アルキル、またはC6アルキルであり得る。ポリマー前駆体化合物は、結晶性または非結晶性であり得る。いくつかの実施形態では、ポリマー前駆体は、反復単位{MBERER}および{MAERER}を含む化合物であり得、MAは、Cu、Au、Ag、またはそれらの組み合わせから選択される一価金属原子であり、MBは、13族の原子であり、Eは、S、Se、またはTeであり、Rは、各発生について、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機および有機リガンドから独立して選択される。ある実施形態では、反復単位{MBERER}の中の原子MBは、13族の原子からランダムに選択される。ある変化例では、MAは、Cu、Ag、またはCuおよびAgの混合物であり、原子MBは、インジウムおよびガリウムから選択される。Eは、ポリマー前駆体の中のセレンのみであり得、基Rは、各発生について、C1-6アルキルから独立して選択され得る。本発明の実施形態はさらに、線形、分岐、環状、または前述のもののうちのいずれかの混合物である、ポリマー前駆体を提供し得る。いくつかのポリマー前駆体は、約100°Cの温度において、流動性液体または溶解物であり得る。いくつかの側面では、ポリマー前駆体は、n個の反復単位{MBERER}と、n個の反復単位{MAERER}とを含有し得、nは、1以上であり、またはnは、2以上であり、またはnは、3以上であり、またはnは、4以上であり、またはnは、8以上である。いくつかの実施形態では、nは、1から10,000であり、またはnは、1から1,000であり、またはnは、1から500であり、またはnは、1から100であり、またはnは、1から50である。さらなる実施形態では、ポリマー前駆体の分子サイズは、約500ダルトンから約3000kDa、または約500ダルトンから約1000kDa、または約500ダルトンから約100kDa、または約500ダルトンから約50kDa、または約500ダルトンから約10kDaであり得る。いくつかの実施形態では、ポリマー前駆体の分子サイズは、約3000kDaより大きいことがある。反復単位{MBERER}および{MAERER}は、交互であり得る。ポリマー前駆体は、式ABnによって表され得、Aは、反復単位{MAERER}であり、Bは、反復単位{MBERER}であり、nは、1以上であり、またはnは、2以上であり、Rは、各発生について、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機および有機リガンドから独立して選択される。いくつかの変化例では、ポリマー前駆体は、式RE2-BBABn、RE2-BABnB、RE2-BABnBABm、RE2-BAnBB、RE2-BBAnB、RE2-BAnBBAmB、cyclicABn、cyclicBAn、RE2-BBAABBn、RE2-BBAABBnABm、RE2-BAABBnBABm、RE2-[BABn]-、およびRE2-[BAnB]-のうちのいずれか1つを有し得、Aは、反復単位{MAERER}であり、Bは、反復単位{MBERER}であり、nは、1以上であり、またはnは、2以上であり、mは、1以上である。さらなる実施形態では、ポリマー前駆体は、反復単位の1つ以上のブロックを含有するブロック共重合体であり得、各ブロックは、一種類だけの原子MBを含有する。本開示の前駆体化合物は、MA1ERのu1-x当量、MA2ERのux当量、MB1ER3のv1-y-t当量、MB2ER3のvy当量、MB3ER3のvt当量であり得、MA1は、Cuであり、MA2は、Agであり、MB1、MB2、およびMB3は、13族の異なる原子であり、化合物は、実験式MA11-xMA2xuMB11-y-tMB2yMB3tvS1-zSezRwを有し、xは、0から1であり、yは、0から1であり、tは、0から1であり、ytの合計は、0から1であり、zは、0から1であり、uは、0.5から1.5であり、vは、0.5から1.5であり、wは、2から6であり、Rは、R基を表し、その数はwであり、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機および有機リガンドから独立して選択される。これらの実施形態では、前駆体化合物は、11族原子の数量が不足している、または豊富である材料、例えば、Cuが不足している、または豊富である材料を含む、CAIGAS、CAIGS、CIGAS、CIGS、AIGAS、およびAIGS材料を調製するのに有用な化学量論を有することができる。いくつかの実施形態では、xは、0.001から0.999である。いくつかの実施形態では、tは、0.001から0.999である。さらなる実施形態では、前駆体化合物は、S、Se、およびTeを含有することができる。いくつかの実施形態では、前駆体化合物は、MA1ER1のw1-z当量、MA2ER2のwz当量、MB1ER33のx当量、MB2ER43のy当量、MB3ER53のt当量の組み合わせであり得、MA1は、Cuであり、MA2は、Agであり、MB1、MB2、およびMB3は、13族の異なる原子であり、化合物は、実験式Cu1-zAgzwInxGayAltER1w1-zER2wzER33xER43yER53tを有し、wは、0.5から1.5であり、zは、0から1であり、xは、0から1であり、yは、0から1であり、tは、0から1であり、xytは、1であり、R1、R2、R3、R4、およびR5は、同じ、または各々異なり、各発生について、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機および有機リガンドから独立して選択される。これらの実施形態では、前駆体化合物は、11族原子の数量が不足している、または豊富である材料を含む、CAIGAS、CAIGS、CIGAS、CIGS、AIGAS、およびAIGS材料を調製するのに有用な化学量論を有することができる。いくつかの実施形態では、zは、0.001から0.999である。いくつかの実施形態では、tは、0.001から0.999である。本開示の前駆体化合物は、MA1ERのx当量、MB1ER3のv1-y-t当量、MB2ER3のvy当量、MB3ER3のvt当量の組み合わせであり得、MA1は、Cuであり、MA2は、Agであり、MB1、MB2、およびMB3は、13族の異なる原子であり、化合物は、実験式MA1xMB11-y-tMB2yMB3tvS1-zSezRwを有し、xは、0.5から1.5であり、yは、0から1であり、tは、0から1であり、ytの合計は、0から1であり、zは、0から1であり、uは、0.5から1.5であり、vは、0.5から1.5であり、wは、2から6であり、Rは、R基を表し、その数はwであり、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機および有機リガンドから独立して選択される。これらの実施形態では、前駆体化合物は、11族原子の数量が不足している、または豊富である材料を含む、CAIGAS、CAIGS、CIGAS、CIGS、AIGAS、およびAIGS材料を調製するのに有用な化学量論を有することができる。いくつかの実施形態では、tは、0.001から0.999である。いくつかの実施形態では、前駆体化合物は、MA1ER1のz当量、MB1ER33のx当量、MB2ER43のy当量、MB3ER53のt当量の組み合わせであり得、MA1は、Cuであり、MB1、MB2、およびMB3は、13族の異なる原子であり、化合物は、実験式CuzInxGayAltER1w1-zER2wzER33xER43yER53tを有し、zは、0.5から1.5であり、xは、0から1であり、yは、0から1であり、tは、0から1であり、xytは、1であり、R1、R2、R3、R4、およびR5は、同じ、または各々異なり、各発生について、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機および有機リガンドから独立して選択される。これらの実施形態では、前駆体化合物は、11族原子の数量が不足している材料を含む、CAIGAS、CAIGS、CIGAS、CIGS、AIGAS、およびAIGS材料を調製するのに有用な化学量論を有することができる。いくつかの実施形態では、tは、0.001から0.999である。本開示の前駆体化合物は、MA1ERのu1-x当量、MA2ERのux当量、MB1ER3のv1-y当量、MB2ER3のvy当量の組み合わせであり得、MA1は、Cuであり、MA2は、Agであり、MB1およびMB2は、13族の異なる原子であり、化合物は、実験式MA11-xMA2xuMB11-yMB2yvS1-zSezRwを有し、xは、0から1であり、yは、0から1であり、zは、0から1であり、uは、0.5から1.5であり、vは、0.5から1.5であり、wは、2から6であり、Rは、R基を表し、その数はwであり、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機および有機リガンドから独立して選択される。これらの実施形態では、前駆体化合物は、11族原子の数量が不足している材料を含む、CAIGAS、CAIGS、CIGAS、CIGS、AIGAS、およびAIGS材料を調製するのに有用な化学量論を有することができる。いくつかの実施形態では、xは、0.001から0.999である。いくつかの実施形態では、前駆体化合物は、MA1ER1のw1-z当量、MA2ER2のwz当量であり、MB1ER33のx当量であり、MB2ER43のy当量の組み合わせであり得、MA1は、Cuであり、MA2は、Agであり、MB1およびMB2は、13族の異なる原子であり、化合物は、実験式Cu1-zAgzwInxGayER1w1-zER2wzER33xER43yを有し、wは、0.5から1.5であり、zは、0から1であり、xは、0から1であり、yは、0から1であり、xyは、1であり、R1、R2、R3、R4、およびR5は、同じ、または各々異なり、各発生について、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機および有機リガンドから独立して選択される。これらの実施形態では、前駆体化合物は、11族原子の数量が不足している、または豊富である材料を含む、CAIGAS、CAIGS、CIGAS、CIGS、AIGAS、およびAIGS材料を調製するのに有用な化学量論を有することができる。いくつかの実施形態では、zは、0.001から0.999である。本開示の前駆体化合物は、MA1ERのx当量、MB1ER3のv1-y当量、MB2ER3のvy当量の組み合わせであり得、MA1は、Cuであり、MB1およびMB2は、13族の異なる原子であり、化合物は、実験式MA1xMB11-yMB2yvS1-zSezRwを有し、xは、0.5から1.5であり、yは、0から1であり、zは、0から1であり、vは、0.5から1.5であり、wは、2から6であり、Rは、R基を表し、その数はwであり、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機および有機リガンドから独立して選択される。これらの実施形態では、前駆体化合物は、11族原子の数量が不足している、または豊富である材料を含む、CAIGAS、CAIGS、CIGAS、CIGS、AIGAS、およびAIGS材料を調製するのに有用な化学量論を有することができる。いくつかの実施形態では、前駆体化合物は、MA1ER1のz当量、MB1ER23のx当量、MB2ER33のy当量の組み合わせであり得、MA1は、Cuであり、MB1およびMB2は、13族の異なる原子であり、化合物は、実験式CuzInxGayER1zER23xER33yを有し、zは、0.5から1.5であり、xは、0から1であり、yは、0から1であり、xyは、1であり、R1、R2、R3は、同じ、または各々異なり、各発生について、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機および有機リガンドから独立して選択される。これらの実施形態では、前駆体化合物は、11族原子の数量が不足している、または豊富である材料を含む、CIGS材料を調製するのに有用な化学量論を有することができる。本開示は、第1の単量体MBER13を第2の単量体MAER2と反応させることによって作製される、一連のポリマー前駆体化合物を提供し、MAは、一価金属原子であり、MBは、13族の原子であり、Eは、S、Se、またはTeであり、R1およびR2は、同じまたは異なり、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機および有機リガンドから独立して選択される。化合物は、n個の反復単位{MBERER}と、n個の反復単位{MAERER}とを含有し得、nは、1以上であり、またはnは、2以上であり、Rは、各発生について、R1およびR2と同じに定義される。ポリマー前駆体分子は、各々がポリマー前駆体ABnの{AB}反復単位を表すと理解される、式{MAERERMBERER}または{MAER2MBER2}によって表すことができる。この省略表現は、ポリマー前駆体のさらなる実施例を表すために、以下の段落で使用される。さらに、1種類よりも多くの原子MAまたはMBが存在する場合に、各種類の量は、表記xMA1,yMA2またはxMB1,yMB2によって、これらの実施例で特定され得る。例えば、ポリマー化合物{CuSenBu2In0.75,Ga0.25SenBu2}は、反復単位から成り、反復単位は、任意の順序で現れることができ、反復単位の75は、1つのインジウム原子を含有し、25は、1つのガリウム原子を含有する。本開示のポリマー前駆体化合物の実施例は、反復単位式{AgSesecBu4In}、{Ag0.6SesecBu3.6In}、{Ag0.9SesBu3.9In}、{Ag1.5SesBu4.5In}、{AgSesBu3SetBuIn}、{Cu0.5Ag0.5SesBu4In}、{AgSesBu4Ga}、{Ag0.8SesBu3.8In0.2Ga0.8}、{AgSesBu4In0.3Ga0.7}、{AgSesBu4In0.7Ga0.3}、{AgSesBu4In0.5Ga0.5}、{Cu0.7Ag0.1SesBu3.8Ga0.3In0.7}、{Cu0.8Ag0.2SesBu4In}、{Cu0.2Ag0.8SesBu4In}、{Cu0.5Ag0.5SesBu4Ga0.5In0.5}、{Cu0.85Ag0.1SesBu3.95Ga0.3In0.7}、{Cu0.5Ag0.5SesBu4Ga0.3In0.7}、{AgSesBu3SetBuGa0.3In0.7}、{Cu0.8Ag0.05SesBu3.85Ga0.3In0.7}のうちのいずれか1つを有する、化合物を含む。本開示のポリマー前駆体化合物の実施例は、反復単位式{Cu1.40Ag0.10SetBu1.5SenBuIn0.7Ga0.25Al0.05SenBu2}、{Cu1.30Ag0.10StBu1.4StBuIn0.85Ga0.1Al0.05StBu2}、{Cu1.20Ag0.10StBu1.3SnBuIn0.80Ga0.15Al0.05SnBu2}、{Cu1.10Ag0.10SetBu1.2SenBuIn0.75Ga0.20Al0.05SenBu2}、および{Cu1.05Ag0.05StBu1.1SetBuIn0.7Ga0.2Al0.1SetBu2}のうちのいずれか1つを有する、化合物を含む。本開示のポリマー前駆体化合物の実施例は、反復単位式{CuStBuSiPrInSiPr2}、{CuStBu2InStBu2}、{CuStBuSnBuInSnBu2}、{CuSetBuSenBuInSenBu2}、{CuStBuSetBuInSetBu2}、{CuSetBuStBuGaStBu2}、{CuSetBu2GaSetBu2}、{CuStBu2GaStBu2}、{CuSetBu2InSetBu2}、{CuSetBuSeiPrInSeiPr2}、{CuSetBuSsBuInSsBu2}、{CuSetBuSeiPrGaSeiPr2}、および{CuStBuSiPrGaSiPr2}のうちのいずれか1つを有する、化合物を含む。本開示のポリマー前駆体化合物の実施例は、反復単位式{CuSetBuSenBuInSenBu2}、{CuStBuSiPrInSiPr2}、{CuSnBuStBuInStBu2}、{CuSenBuSetBuInSetBu2}、{CuStBuSetBuInSetBu2}、{CuSetBuStBuGaStBu2}、{CuSnBuStBuGaStBu2}、{CuSesBuSetBuInSetBu2}、{CuSetBuSeiPrInSeiPr2}、{CuSetBuSsBuInSsBu2}、{CuSetBuSeiPrGaSeiPr2}、および{CuStBuSiPrGaSiPr2}のうちのいずれか1つを有する、化合物を含む。本開示のポリマー前駆体化合物の実施例は、反復単位式{CuStBuSiPrIn,GaSiPr2}、{CuStBu2In,GaStBu2}、{CuStBuSnBuIn,GaSnBu2}、{CuSetBuSenBuIn,GaSenBu2}、{CuStBuSetBuIn,GaSetBu2}、{CuSetBuStBuIn,GaStBu2}、{CuSetBu2In,GaSetBu2}、{CuStBu2In,GaStBu2}、{CuSetBu2In,GaSetBu2}、{CuSetBuSeiPrIn,GaSeiPr2}、{CuSetBuSsBuIn,GaSsBu2}、{CuSetBuSeiPrIn,GaSeiPr2}、および{CuStBuSiPrIn,GaSiPr2}のうちのいずれか1つを有する、化合物を含む。本開示のポリマー前駆体化合物の実施例は、反復単位式{CuSetBuSenBuIn,GaSenBu2}、{CuStBuSiPrIn,GaSiPr2}、{CuSnBuStBuIn,GaStBu2}、{CuSenBuSetBuIn,GaSetBu2}、{CuStBuSetBuIn,GaSetBu2}、{CuSetBuStBuIn,GaStBu2}、{CuSnBuStBuIn,GaStBu2}、{CuSesBuSetBuIn,GaSetBu2}、{CuSetBuSeiPrIn,GaSeiPr2}、{CuSetBuSsBuIn,TlSsBu2}、{CuSetBuSeiPrGa,TlSeiPr2、および{CuStBuSiPrIn,GaSiPr2}のうちのいずれか1つを有する、化合物を含む。本開示のポリマー前駆体化合物の実施例は、反復単位式{0.85Cu0.85SetBuSenBu0.7In,0.3GaSenBu2}、{0.9Cu0.9StBuStBu0.85In,0.15GaStBu2}、{0.75Cu0.75StBuSnBu0.80In,0.20GaSnBu2}、{0.8Cu0.8SetBuSenBu0.75In,0.25GaSenBu2}、{0.95Cu0.95StBuSetBu0.70In,0.30GaSetBu2}、{0.98Cu0.98SetBuStBu0.600In,0.400GaStBu2}、{0.835Cu0.835SetBu20.9In,0.1GaSetBu2}、{CuStBu20.8In,0.2GaStBu2}、{CuSetBu20.75In,0.25GaSetBu2}、{CuSetBuSeiPr0.67In,0.33GaSeiPr2}、{CuSetBuSsBu0.875In,0.125GaSsBu2}、{CuSetBuSeiPr0.99In,0.01GaSeiPr2}、および{CuStBuSiPr0.97In,0.030GaSiPr2}のうちのいずれか1つを有する、化合物を含む。本開示のポリマー前駆体化合物の実施例は、反復単位式{CuSesBu2InSesBu2}、{CuSesBu2GaSesBu2}、{CuStBu2InStBu2}、{CuStBu2InSnBu2}、{CuSetBu2GaSenBu2}、{CuSetBu2GaSetBu2}、{CuStBu2InStBu2}、{CuSenBuSetBuInSetBu2}、{CuStBu2GaStBu2}、および{CuSenBuSetBuGaSetBu2}のうちのいずれか1つを有する、化合物を含む。本開示のポリマー前駆体化合物の実施例は、反復単位式{CuSetBuSenBu0.5In,0.5GaSenBu2}、{CuSetBuSenBu0.75In,0.25GaSenBu2}、{CuStBu20.75In,0.25GaStBu2}、および{CuStBu20.9In,0.1GaStBu2}のうちのいずれか1つを有する、化合物を含む。本開示のポリマー前駆体化合物の実施例は、反復単位式{CuSen-ペンチルSenBu0.5In,0.5GaSenBu2}、{CuSen-ヘキシルSenBu0.75In,0.25GaSenBu2}、{CuSn-ヘプチルStBu0.75In,0.25GaStBu2}、および{CuSn-オクチルStBu0.9In,0.1GaStBu2}のうちのいずれか1つを有する、化合物を含む。本開示のポリマー前駆体化合物の実施例は、反復単位式{AgSetBuSenBuIn,GaSenBu2}、AgStBuSiPrIn,GaSiPr2}、{AuSetBuSenBuInSenBu2}、{HgStBuSiPrInSiPr2}、{AgStBuSiPrIn,GaSiPr2}、{AgStBu2In,GaStBu2}、{AuSetBuSenBuIn,GaSenBu2}、{HgStBuSiPrIn,GaSiPr2}、{AgStBuSiPr0.9In,0.1GaSiPr2}、{AgStBu20.85In,0.15GaStBu2}、{CuSetBuSenBu0.5In,0.5AlSenBu2}、{CuSetBuSenBu0.75In,0.25AlSenBu2}、{Cu,AgSetBuSenBuIn,GaSenBu2}、{Ag,AuStBuSiPrIn,GaSiPr2}、{Cu,AuSetBuSenBuInSenBu2}、および{Cu,HgStBuSiPrInSiPr2}のうちのいずれか1つを有する、化合物を含む。本開示のポリマー前駆体化合物の実施例は、反復単位式{0.95Cu,0.05AgSetBuSenBuIn,GaSenBu2}、{0.9Cu,0.1AgSetBuSenBuIn,GaSenBu2}、{0.85Cu,0.15AgSetBuSenBuIn,GaSenBu2}、{0.8Cu,0.2AgSetBuSenBuIn,GaSenBu2}、{0.75Cu,0.25AgSetBuSenBuIn,GaSenBu2}、{0.7Cu,0.3AgSetBuSenBuIn,GaSenBu2}、{0.65Cu,0.35AgSetBuSenBuIn,GaSenBu2}、{0.6Cu,0.4AgSetBuSenBuIn,GaSenBu2}、{0.55Cu,0.45AgSetBuSenBuIn,GaSenBu2}、および{0.5Cu,0.5AgSetBuSenBuIn,GaSenBu2}のうちのいずれか1つを有する、化合物を含む。ポリマー前駆体MPPの調製本発明の実施形態は、Al、Ga、In、Tl、またはそれらの組み合わせから選択される13族の原子MBを含有する化合物、および一価原子MAを含有する化合物から合成することができる、一群のポリマー前駆体分子および組成物を提供する。本発明のポリマー前駆体化合物の合成および単離のために有利な簡易経路が、以下で説明されるように発見されている。本開示は、半導体材料および半導体に転換することができる、一連のポリマー前駆体組成物を提供する。いくつかの側面では、ポリマー前駆体組成物は、半導体材料および半導体の形成のための前駆体である。一般に、本発明のポリマー前駆体組成物は、非酸化物カルコゲン組成物である。いくつかの実施形態では、ポリマー前駆体組成物は、CIS、CIGS、AIS、AIGS、CAIS、CAIGS、CIGAS、AIGAS、およびCAIGAS吸収体層を含む、太陽電池用の吸収体層の形成のための供給源または前駆体である。ポリマー前駆体化合物は、異なる金属原子および13族の原子の数に関する任意の所望の化学量論、ならびにそれらのそれぞれの化学量論的レベルおよび比を伴って作製され得る。以下で論議されるように、ポリマー前駆体化合物は、ポリマー鎖を産生するように単量体を反応させることによって作製され得る。ポリマー前駆体形成反応は、開始、伝播、および終端を含むことができる。ポリマー前駆体を作製するための方法は、化合物MBER3を化合物MAERと接触させるステップを含み得、MA、MB、E、およびRは、以下で定義される通りである。反応スキーム1で示されるように、ポリマー前駆体を作製するための方法は、化合物MBER13を化合物MAER2と接触させるステップを含み得、MA、MB、およびEは、上記で定義される通りであり、化合物の基R1およびR2は、同じであり得、または異なり得、上記で定義される通りである。反応スキームでは、MBER13およびMAER2は、、MAER2MBER2を形成する単量体である。反応スキーム1は、単量体の重合の開始を表す。一側面では、反応スキーム1は、中間付加物ABの形成を表す。一般に、いくつかあるステップの中でも、が、より長い鎖が最終的に産生されるときに観察されない短寿命分子であり得るように、単量体をに添加することによって、重合反応は、ポリマー鎖を形成し得る。追加の単量体がのいずれか一方の端部に結合されると、次いで、は、ポリマー鎖の中の反復単位ABになる。一般に、ポリマー前駆体を調製するために、化合物MBER3およびMAERは、種々の反応によって生成することができる。例えば、化合物MAERは、MAXをMERと反応させることによって調製することができる。MERは、LiERを提供するようにEをLiRと反応させることによって調製することができる。LiERは、NaERおよびKERを提供するように、NaORまたはKORと反応させることができる、HERを提供するように酸性にすることができる。これらの反応では、E、R、およびMAは、上記で定義される通りである。別の実施例では、化合物MAERは、MAXをRESiCH33と反応させることによって調製することができる。化合物RESiCH33は、MERをXSiCH33と反応させることによって作製することができ、Mは、Na、Li、またはKであり、Xは、ハロゲンである。別の実施例では、化合物MAERは、MA2OをHERと反応させることによって調製することができる。具体的には、CuERは、Cu2OをHERと反応させることによって調製することができる。例えば、化合物MBER3は、MBX3をMERと反応させることによって調製することができる。MERは、上記で説明されるように調製することができる。別の実施例では、化合物MBER3は、MBX3をRESiCH33と反応させることによって調製することができる。化合物RESiCH33は、上記で説明されるように作製することができる。別の実施例では、化合物MBER3は、MBR3をHERと反応させることによって調製することができる。また、ポリマー前駆体の調製では、化合物MBER3の代わりに、化合物MMBER4を、随意で使用することができる。例えば、化合物MMBER4は、MBX3をMERの4当量と反応させることによって調製することができ、Mは、Na、Li、またはKであり、Xは、ハロゲンである。化合物MERは、上記で説明されるように調製することができる。ポリマー前駆体の伝播は、部分的に、反応スキーム2の中の式によって表すことができる。反応スキーム2の中の式は、ポリマー前駆体の伝播において起こり得る反応および添加のうちのいくつかのみを表す。反応スキーム2では、への単量体MBER13またはMAER2の添加は、それぞれ、を産生し得る。一側面では、反応スキーム2は、付加物RE-BAB、ならびに付加物中間体AB-MAERの形成を表す。一般に、は、より長い鎖が最終的に産生されるときに観察されない短寿命部分であり得る。初期伝播ステップの生成物は、伝播において単量体を添加し続け得る。反応スキーム3で示されるように、は、単量体MBER13またはMAER2を添加し得る。一側面では、反応スキーム3は、、ならびにの形成を表す。一般に、は、より長い鎖が最終的に産生されるときに観察されない短寿命分子であり得る。起こり得る他の反応および添加は、ある他の伝播鎖へのある伝播鎖の添加を含む。例えば、反応スキーム4で示されるように、は、より長い鎖を形成するようにに添加し得る。一側面では、反応スキーム4は、の形成を表す。のうちのいずれかは、一過性であり得、より長い鎖が最終的に産生されるときに観察されなくてもよい。いくつかの変化例では、伝播ステップは、安定分子を提供し得る。例えば、は、安定分子であり得る。一般に、式18から23で説明されるようなAB交互ブロック共重合体は、重合または伝播中に、存在する場合に対応する単量体MB1ER3、MB2ER3、およびMB3ER3を順位添加すること、ならびに、存在する場合にMA1ER、MA2ER、およびMA3ERを順次添加することによって、調製され得る。ポリマー前駆体伝播のある反応または添加は、鎖の分岐の形成を含み得る。反応スキーム5で示されるように、への単量体MAER2の添加は、を産生し得る。ポリマー前駆体の伝播は、部分的に、反応スキーム2、3、4、および5の式によって表すことができる。反応スキーム2、3、4、および5の式は、ポリマー前駆体の伝播において起こり得る、いくつかの代表的な反応および添加のみを表す。伝播ポリマー鎖の終端は、いくつかの機構によって起こり得る。一般に、原子MAおよびMBの原子価により、完成したポリマー鎖は、MA単位ではなくMB単位で終端し得る。いくつかの側面では、鎖終端単位は、B単位またはER2B単位である。いくつかの側面では、ポリマー前駆体鎖の伝播は、単量体MBER3またはMAERのいずれか一方が枯渇した時に終了し得る。ある側面では、反応スキーム6で示されるように、ポリマー前駆体鎖の伝播は、式RE-BBによって表される成長鎖が、同じ末端RE-B単位を有する別の鎖と反応して、式BBBBを有する鎖を形成する場合に、終了し得る。反応スキーム6では、2つの鎖が組み合わせられ、ポリマー鎖の伝播が本質的に終了させられ、生成物の鎖RE2BBBBは、B単位である鎖終端単位を有する。さらなる実施形態では、ポリマー前駆体鎖の伝播は、成長鎖が環を形成する場合に終了し得る。反応スキーム7で示されるように、等の伝播鎖は、ポリマー鎖が環を形成する、環化によって終了し得る。ポリマー前駆体化合物は、単一の鎖、あるいは分岐、ネットワーク状、デンドリマー、および環状形状等の異なる長さ、構造、または形状を有する鎖の分布、ならびに前述のものの組み合わせであり得る。ポリマー前駆体化合物は、反応スキーム1から7において上記で説明される分子、付加物、および鎖の任意の組み合わせであり得る。本開示のポリマー前駆体は、式MBER13を有する第1の単量体化合物を提供し、式MAER2を有する、第2の単量体化合物を提供し、第1の単量体化合物を第2の単量体化合物と接触させる過程によって作製され得る。いくつかの実施形態では、第1の単量体化合物は、式MB1ER13およびMB2ER33を有する化合物の組み合わせであり得、MB1およびMB2は、13族の異なる原子であり、R1、R2、およびR3は、同じまたは異なり、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機および有機リガンドから独立して選択される。いくつかの変化例では、第1の単量体化合物は、式MB1ER13、MB2ER33、およびMB3ER43を有する化合物の組み合わせであり得、MB1、MB2、およびMB3は、各々が他とは異なる13族の原子であり、R3およびR4は、R1およびR2と同じに定義される。ある側面では、第2の単量体化合物は、式MA1ER2およびMA2ER3を有する、化合物の組み合わせであり得、MA1およびMA2は、Cu、Au、Ag、またはそれらの組み合わせから選択される、異なる原子であり、R3は、R1およびRと同じに定義される。さらなる実施形態では、ポリマー前駆体を作製するための方法は、MBの2つ以上の原子を含有する化合物の合成と、該化合物を化合物MAERと接触させるステップとを含み得、MA、MB、E、およびRは、上記で定義される通りである。例えば、ER2MB1ER2MB2ER2は、MAER2と反応させることができ、MB1およびMB2は、13族の同じまたは異なる原子である。ポリマー前駆体を作製するための方法は、第1の単量体化合物および第2の単量体化合物が、堆積、噴霧、コーテング、または印刷の過程で接触させられ得る実施形態を含む。ある実施形態では、第1の単量体化合物および第2の単量体化合物は、約-60°Cから約100°Cの温度で接触させられ得る。ポリマー前駆体の中の13族の原子の化学量論を制御するポリマー前駆体化合物は、異なる金属原子および13族の原子の数に関する任意の所望の化学量論、およびそれらのそれぞれの化学量論的レベルまたは比を伴って作製され得る。いくつかの実施形態では、ポリマー前駆体化合物の化学量論は、形成反応において、単量体の当量の数を通して制御され得る。いくつかの側面では、単量体MB1ER3、MB2ER13、MB3ER23、およびMB4ER33は、重合に使用することができる。これらの単量体の実施例は、InER3、GaER13、AlER23であり、基R、R1、およびR2は、同じまたは異なり、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機および有機リガンドを含む炭素または非炭素原子を通して付着した基である。いくつかの実施形態では、基R、R1、およびR2は、各々同じか、または他とは異なり、炭素原子を通して付着したアルキル基である。さらなる実施形態では、単量体MB1ERER12、MB2ER2ER32、およびMB3ER4ER52は、重合に使用することができ、基R、R1、R2、R3、R4、およびR5は、各々同じか、または他とは異なり、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機および有機リガンドを含む、炭素または非炭素原子を通して付着した基である。いくつかの実施形態では、基R、R1、R2、R3、R4、およびR5は、各々同じか、または他とは異なり、炭素原子を通して付着したアルキル基である。本発明の実施形態はさらに、ポリマー前駆体化合物の化学量論が、形成反応において提供される単量体のうちの各々の量の調整を通して、任意の所望のレベルに制御され得ることを提供し得る。反応スキーム8で示されるように、ポリマー前駆体を形成する重合は、化学量論の任意の恣意的な比を有する単量体MAER3、MB1ER13、およびMB2ER23の混合物を用いて開始され得る。反応スキーム8では、重合は、任意の所望の量で単量体の混合物を用いて行うことができる。ある変化例では、ポリマー前駆体を形成する重合は、上記で説明される単量体の任意の組み合わせの混合物を用いて開始され得、各単量体の当量の数は、任意の恣意的なレベルに調整される。いくつかの変化例では、ポリマー前駆体を形成する重合は、例えば、MA1対MA2対MA3の任意の恣意的な比を生成するように任意の所望の数量で接触させることができる単量体MA1ER1、MA2ER2、およびMA3ER3を使用して行うことができる。いくつかの側面では、単量体MAERおよびBER3の交互共重合体について、ポリマー前駆体の中のMBに対するMAの比は、例えば、単位BABの中の1:2ほども低い比から、交互ABnポリマー前駆体の中の1:1の比に、1.5:1の比に、またはそれより高く制御することができる。ポリマー前駆体の中のMBに対するMAの比は、0.5対1.5、または0.5対1、または1対1、または1対0.5、または1.5対0.5であり得る。上記で論議されるように、さらなる実施形態では、ポリマー前駆体化合物は、異なる金属原子および13族の原子の数の任意の所望の化学量論、およびそれらのそれぞれの濃度レベルまたは比を伴って作製され得る。ある側面では、ポリマー前駆体を形成する重合は、MBに対するMAの任意の比を有するポリマー前駆体を形成するように行うことができる。反応スキーム9で示されるように、組成{pMAER/mMB1ER3/nMB2ER3}を有するポリマー前駆体は、単量体の混合物mMB1ER3nMB2ER3pMAERを使用して形成され得る。ある変化例では、MAERの任意の数の単量体およびMBER3の任意の数の単量体を、形成反応で使用することができる。例えば、ポリマー前駆体は、単量体MA1ER、MA2ER、MA3ER、MB1ER3、MB2ER13、MB3ER23、およびMB4ER33で作製され得、各単量体の当量の数は、独立した恣意的な量である。例えば、ポリマー前駆体の中の原子の比MA:MBは、約0.5:1以上、または約0.6:1以上、または約0.7:1以上、または約0.8:1以上、または約0.9:1以上、または約0.95:1以上であり得る。ある変化例では、ポリマー前駆体の中の原子の比MA:MBは、約1:1以上、または約1.1:1以上であり得る。さらなる実施例では、ポリマー前駆体の中の原子の比MA:MBは、約0.5から約1.2、または約0.6から約1.2、または約0.7から約1.1、または約0.8から約1.1、または約0.8から約1、または約0.9から約1であり得る。いくつかの実施例では、ポリマー前駆体の中の原子の比MA:MBは、約0.80、または約0.82、または約0.84、または約0.86、または約0.88、または約0.90、または約0.92、または約0.94、または約0.96、または約0.98、または約1.00、または約1.02、または約1.1、または約1.2、または約1.3、または約1.5であり得る。前述の比MA:MBでは、比は、MA1およびMA2、ならびにMB1およびMB2等の1種類よりも多くのMAまたはMBがある場合、それぞれ、MAまたはMBの全ての原子の合計を指す。反応スキーム10で示されるように、反復単位組成{MAER2mMB1,nMB2ER2}を有するポリマー前駆体化合物は、単量体の混合物mMB1ER3nMB2ER3MAERを使用して形成され得る。反応スキーム10では、mおよびnの合計は1である。本発明の実施形態はさらに、MAERおよびMBER3の単量体でできているポリマー前駆体を提供し得、MAERの単量体の当量の総数は、MBER3の単量体の当量の総数よりも少ない。ある実施形態では、MBの原子に対して、MAの原子が化学量論以下である、または不足しているポリマー前駆体が作製され得る。本明細書で使用される場合、式MAが不足している、またはMAがMBに対して不足していることは、MBよりも少ないMAの原子がある組成または式を指す。本明細書で使用される場合、式MAが豊富である、またはMAがMBに対して豊富であることは、MBよりも多くのMAの原子がある組成または式を指す。反応スキーム11で示されるように、実験式MAxMB11-yMB2yvS1-zSezRwを有するポリマー前駆体は、単量体MB1ER3、MB2ER3、およびMAERの混合物を使用して形成され得る。式中、wは、3vxであり得る。いくつかの実施形態では、前駆体化合物は、MA1ERのu1-x当量、MA2ERのux当量、MB1ER3のv1-y-t当量、MB2ER3のvy当量、MB3ER3のvt当量の組み合わせであり得、MA1は、Cuであり、MA2は、Agであり、MB1、MB2、およびMB3は、13族の異なる原子であり、化合物は、実験式MA11-xMA2xuMB11-y-tMB2yMB3tvS1-zSezRwを有し、xは、0から1であり、yは、0から1であり、tは、0から1であり、ytの合計は、0から1であり、zは、0から1であり、uは、0.5から1.5であり、vは、0.5から1.5であり、wは、2から6であり、Rは、R基を表し、その数はwであり、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機および有機リガンドから独立して選択される。いくつかの実施形態では、xは、0.001から0.999である。いくつかの実施形態では、tは、0.001から0.999である。いくつかの実施形態では、前駆体化合物は、実験式Cu1-xAgxuIn1-y-tGayAltvS1-zSezRwを有し得、xは、0から1であり、yは、0から1であり、tは、0から1であり、ytの合計は、0から1であり、zは、0から1であり、uは、0.5から1.5であり、vは、0.5から1.5であり、wは、2から6であり、Rは、R基を表し、その数は、上記で定義されるようにwである。いくつかの実施形態では、xは、0.001から0.999である。いくつかの実施形態では、tは、0.001から0.999である。いくつかの実施形態では、前駆体化合物は、実験式Cu1-xAgxuIn1-y-tGayAltvS1-zSezRwを有し得、xは、0から1であり、yは、0から1であり、tは、0から1であり、ytの合計は、0から1であり、zは、0から1であり、uは、0.7から1.25であり、vは、0.7から1.25であり、wは、2から6であり、Rは、R基を表し、その数は、上記で定義されるようにwである。いくつかの実施形態では、xは、0.001から0.999である。いくつかの実施形態では、tは、0.001から0.999である。いくつかの実施形態では、前駆体化合物は、実験式Cu1-xAgxuIn1-y-tGayAltvS1-zSezRwを有し得、xは、0から1であり、yは、0から1であり、tは、0から1であり、ytの合計は、0から1であり、zは、0から1であり、uは、0.8から0.95であり、vは、0.9から1.1であり、wは、3.6から4.4であり、Rは、R基を表し、その数は、上記で定義されるようにwである。いくつかの実施形態では、xは、0.001から0.999である。いくつかの実施形態では、tは、0.001から0.999である。いくつかの実施形態では、前駆体化合物は、MA1ER1のw1-z当量、MA2ER2のwz当量、MB1ER33のx当量、MB2ER43のy当量、MB3ER53のt当量の組み合わせであり得、MA1は、Cuであり、MA2は、Agであり、MB1、MB2、およびMB3は、13族の異なる原子であり、化合物は、実験式Cu1-zAgzwInxGayAltER1w1-zER2wzER33xER43yER53tを有し、wは、0.5から1.5であり、zは、0から1であり、xは、0から1であり、yは、0から1であり、tは、0から1であり、xytは、1であり、R1、R2、R3、R4、およびR5は、同じ、または各々異なり、各発生について、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機および有機リガンドから独立して選択される。いくつかの実施形態では、zは、0.001から0.999である。いくつかの実施形態では、tは、0.001から0.999である。いくつかの実施形態では、前駆体化合物は、実験式Cu1-zAgzwInxGayAltER1w1-zER2wzER33xER43yER53tを有し得、wは、0.5から1.5であり、zは、0から1であり、xは、0から1であり、yは、0から1であり、tは、0から1であり、xytは、1であり、R1、R2、R3、R4、およびR5は、上記で定義される通りである。いくつかの実施形態では、zは、0.001から0.999である。いくつかの実施形態では、tは、0.001から0.999である。いくつかの実施形態では、前駆体化合物は、実験式Cu1-zAgzwInxGayAltER1w1-zER2wzER33xER43yER53tを有し得、wは、0.7から1.25であり、zは、0から1であり、xは、0から1であり、yは、0から1であり、tは、0から1であり、xytは、1であり、R1、R2、R3、R4、およびR5は、上記で定義される通りである。いくつかの実施形態では、zは、0.001から0.999である。いくつかの実施形態では、tは、0.001から0.999である。いくつかの実施形態では、前駆体化合物は、実験式Cu1-zAgzwInxGayAltER1w1-zER2wzER33xER43yER53tを有し得、wは、0.8から0.95であり、zは、0から1であり、xは、0から1であり、yは、0から1であり、tは、0から1であり、xytは、1であり、R1、R2、R3、R4、およびR5は、上記で定義される通りである。いくつかの実施形態では、zは、0.001から0.999である。いくつかの実施形態では、tは、0.001から0.999である。さらなる実施形態では、ポリマー前駆体化合物の混合物は、異なる金属原子および13族の原子の数の任意の所望の化学量論、およびそれらのそれぞれの化学量論的レベルまたは比を伴って有利に調整され得る。反応スキーム12で示されるように、ポリマー前駆体化合物は、MB1ER13のx当量、MB2ER23のy当量、およびMAER3のz当量を接触させることによって調製され得、MB1およびMB2は、13族の異なる原子であり、xは、0.5から1.5であり、yは、0.5から1.5であり、zは、0.5から1.5である。例えば、MB1は、Inであり得、MB2は、Gaであり得る。ポリマー前駆体化合物は、実験式CuxInyGazER1xER23yER33zを有し得、R1、R2、およびR3は、同じ、または各々が他とは異なる。この種類のポリマー前駆体化合物は、Gaに対するInの比を制御し、比In:Gaを所定の値にするために使用することができる。一価金属原子MAの化学量論を制御するいくつかの側面では、ポリマー前駆体組成物は、一価金属原子MAの任意の所望の化学量論を用いて、有利に調製され得る。本発明の実施形態は、異なる一価金属元素の数に対する任意の所望の化学量論およびそれらのそれぞれの比を用いて、有利に調製され得る、ポリマー前駆体化合物を提供することができる。所定の化学量論を有するポリマー前駆体化合物は、基板上に同じ所定の化学量論を有する光起電吸収体層を作製するための過程で使用され得る。基板上に所定の化学量論を有する光起電吸収体層を作製するための過程は、基板上に所定の化学量論を有する前駆体を堆積させるステップと、堆積させられた前駆体を光起電吸収体材料に変換するステップとを含む。いくつかの実施形態では、ポリマー前駆体は、Cu原子の所定の化学量論を伴って作製することができる。13族の原子に対するCuの量は、Cu/In、Cu/Ga、Cu/InGa、またはCu/InGaAlの比が、1未満である、銅の不足であり得る。13族の原子に対するCuの量は、Cu/In、Cu/Ga、Cu/InGa、またはCu/InGaAlの比が、1よりも大きい、銅の濃縮を反映することができる。いくつかの実施形態では、ポリマー前駆体は、Ag原子の所定の化学量論を伴って作製することができる。13族の原子に対するAgの量は、Ag/In、Ag/Ga、Ag/InGa、またはAg/InGaAlの比が、1未満である、銀の不足であり得る。13族の原子に対するAgの量は、Ag/In、Ag/Ga、Ag/InGa、またはAg/InGaAlの比が、1よりも大きい、銀の濃縮を反映することができる。いくつかの実施形態では、ポリマー前駆体は、CuおよびAg原子の所定の化学量論を伴って作製することができる。13族の原子に対するCuおよびAgの量は、CuAg/In、CuAg/Ga、CuAg/InGa、またはCuAg/InGaAlの比が、1未満である、銅および銀の不足であり得る。いくつかの実施形態では、13族の原子に対するCuおよびAgの量は、CuAg/In、CuAg/Ga、CuAg/InGa、またはCuAg/InGaAlの比が、1よりも大きい、銅および銀の濃縮を反映することができる。さらなる実施形態では、ポリマー前駆体は、前駆体がAgに対するCuの任意の比を有する、Cu対Ag原子の所定の化学量論を伴って作製することができる。Agに対するCuの比は、前駆体が銅をほとんどまたは全く含有しない、約0から、前駆体が銀をほとんどまたは全く含有しない、非常に高い比であり得る。いくつかの側面では、所定の化学量論を有する本発明のポリマー前駆体化合物は、CIS、CIGS、AIS、AIGS、CAIS、CAIGS、またはCAIGASの化学量論を有する、光起電材料を作製するために使用することができる。本開示の前駆体化合物は、MA1ERのu1-x当量、MA2ERのux当量、MB1ER3のv1-y当量、MB2ER3のvy当量の組み合わせであり得、MA1は、Cuであり、MA2は、Agであり、MB1およびMB2は、13族の異なる原子であり、化合物は、実験式MA11-xMA2xuMB11-yMB2yvS1-zSezRwであり、xは、0から1であり、yは、0から1であり、tは、0から1であり、uは、0.5から1.5であり、vは、0.5から1.5であり、wは、2から6であり、Rは、R基を表し、その数はwであり、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機および有機リガンドから独立して選択される。これらの実施形態では、前駆体化合物は、11族原子の数量が不足している材料を含む、CAIGS、CIGS、およびAIGS材料を調製するのに有用な化学量論を有することができる。いくつかの実施形態では、xは、0.001から0.999である。いくつかの実施形態では、前駆体化合物は、MA1ER1のw1-z当量、MA2ER2のwz当量、MB1ER33のx当量、MB2ER43のy当量の組み合わせであり得、MA1は、Cuであり、MA2は、Agであり、MB1およびMB2は、13族の異なる原子であり、化合物は、実験式Cu1-zAgzwInxGayER1w1-zER2wzER33xER43yを有し、wは、0.5から1.5であり、zは、0から1であり、xは、0から1であり、yは、0から1であり、xyは、1であり、R1、R2、R3、R4は、同じ、または各々異なり、各発生について、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機および有機リガンドから独立して選択される。これらの実施形態では、前駆体化合物は、11族原子の数量が不足している材料を含む、CAIGS、CIGS、およびAIGS材料を調製するのに有用な化学量論を有することができる。いくつかの実施形態では、zは、0.001から0.999である。本開示の前駆体化合物は、MA1ERのx当量、MB1ER3のv1-y当量、MB2ER3のvy当量の組み合わせであり得、MA1は、Cuであり、MB1およびMB2は、13族の異なる原子であり、化合物は、実験式MA1xMB11-yMB2yvS1-zSezRwを有し、xは、0.5から1.5であり、yは、0から1であり、tは、0から1であり、vは、0.5から1.5であり、wは、2から6であり、Rは、R基を表し、その数はwであり、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機および有機リガンドから独立して選択される。これらの実施形態では、前駆体化合物は、11族原子の数量が不足している、または豊富である材料を含む、CISまたはCIGS材料を調製するのに有用な化学量論を有することができる。いくつかの実施形態では、前駆体化合物は、MA1ER1のz当量、MB1ER23のx当量、MB2ER33のy当量の組み合わせであり得、MA1は、Cuであり、MB1およびMB2は、13族の異なる原子であり、化合物は、実験式CuzInxGayER1zER23xER33yを有し、zは、0.5から1.5であり、xは、0から1であり、yは、0から1であり、xyは、1であり、R1、R2、R3は、同じ、または各々異なり、各発生について、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機および有機リガンドから独立して選択される。これらの実施形態では、前駆体化合物は、11族原子の数量が不足している、または豊富である材料を含む、CISまたはCIGS材料を調製するのに有用な化学量論を有することができる。反応スキーム13で示されるように、ポリマー前駆体化合物は、MA1ER1のx当量、MA2ER2のy当量、およびMBER33のz当量を接触させることによって調製され得、MA1およびMA2は、異なる一価金属原子であり、xは、0.5から1.5であり、yは、0.5から1.5であり、zは、0.5から1.5である。例えば、MA1は、Cuであり得、MA2は、Agであり得る。ポリマー前駆体化合物は、実験式CuxAgyInzER1xER2yER33zを有し得、R1、R2、およびR3は、同じ、または各々が他とは異なる。この種類のポリマー前駆体化合物は、Agに対するCuの比を制御し、比Cu:Agを所定の値にするために使用することができる。ポリマー前駆体で作製された薄膜材料の中の13族の原子の化学量論を制御する本発明の実施形態は、異なる13族元素の数に対する任意の所望の化学量論およびそれらのそれぞれの比を用いて、有利に調製され得る、ポリマー前駆体化合物を提供することができる。所定の化学量論を有するポリマー前駆体化合物は、基板上に同じ所定の化学量論を有する光起電吸収体層を作製するための過程で使用され得る。基板上に所定の化学量論を有する光起電吸収体層を作製するための過程は、基板上に所定の化学量論を有する前駆体を堆積させるステップと、堆積させられた前駆体を光起電吸収体材料に変換するステップとを含む。いくつかの側面では、所定の化学量論を有する、発明のポリマー前駆体化合物は、CIGS、AIGS、CAIGS、CIGAS、AIGAS、およびCAIGASの化学量論を有する、光起電材料を作製するために使用することができる。ある実施形態では、前駆体は、実験式MA11-xMA2xuMB11-y-tMB2yMB3tvS1-zSezRwに従った所定の化学量論を有し得、xは、0から1であり、yは、0から1であり、tは、0から1であり、ytの合計は、0から1であり、zは、0から1であり、uは、0.5から1.5であり、vは、0.5から1.5であり、wは、2から6であり、Rは、R基を表し、その数はwであり、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機および有機リガンドから独立して選択される。いくつかの実施形態では、xは、0.001から0.999である。いくつかの実施形態では、tは、0.001から0.999である。さらなる変化例では、前駆体は、実験式Cu1-xAgxuIn1-y-tGayAltvS1-zSezRwに従った所定の化学量論を有することができ、xは、0から1であり、yは、0から1であり、tは、0から1であり、ytの合計は、0から1であり、zは、0から1であり、uは、0.5から1.5であり、vは、0.5から1.5であり、wは、2から6であり、Rは、R基を表し、その数はwであり、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機および有機リガンドから独立して選択される。いくつかの実施形態では、xは、0.001から0.999である。いくつかの実施形態では、tは、0.001から0.999である。いくつかの側面では、所定の化学量論を有するポリマー前駆体は、CuGaS2、AgGaS2、AuGaS2、CuInS2、AgInS2、AuInS2、CuGaSe2、AgGaSe2、AuGaSe2、CuInSe2、AgInSe2、AuInSe2、CuGaTe2、AgGaTe2、AuGaTe2、CuInTe2、AgInTe2、AuInTe2、CuInGaSSe、AgInGaSSe、AuInGaSSe、CuInGaSSe、AgInGaSeTe、AuInGaSeTe、CuInGaSTe、AgInGaSTe、AuInGaSTeを含む、光起電材料を作製するために使用することができる。ポリマー前駆体用の架橋および化学試薬本発明の実施形態は、ポリマー前駆体および組成物を架橋するための方法および組成物を包含する。いくつかの側面では、架橋ポリマー前駆体は、前駆体組成物、またはポリマー前駆体インク組成物の粘度を制御するために使用することができる。ポリマー前駆体の架橋は、その分子量を増加させることができる。ポリマー前駆体の分子量は、前駆体の調製に架橋を組み込むことによって、広い範囲にわたって変化させることができる。インク組成物の粘度は、インク組成物を調製するために架橋前駆体を使用することによって、広い範囲にわたって変化させることができる。いくつかの実施形態では、ポリマー前駆体組成物の架橋は、組成物、またはポリマー前駆体インク組成物の粘度を制御するために使用され得る。組成物のポリマー前駆体構成要素は、架橋剤を組成物に添加することによって架橋することができる。インク組成物の粘度は、架橋剤をインク組成物に添加することによって、広い範囲にわたって変化させられ得る。さらなる実施形態では、ポリマー前駆体組成物の架橋は、前駆体で作製された薄膜の特性の変動を制御するために使用され得る。架橋剤の実施例は、ESiCH332を含み、Eは、上記で定義される通りである。架橋剤の実施例は、H2Eを含み、Eは、上記で定義される通りである。架橋剤の実施例は、HEREH、MAEREH、およびMAEREMAを含み、MA、E、およびRは、上記で定義される通りである。架橋剤の実施例は、RE2In-E-InER2を含み、Eは、上記で定義される通りであり、Rは、アルキルである。架橋剤は、CuEREHまたはCuERECuを形成するようにCu2OをHEREHと反応させることによって、作製され得る。架橋剤の実施例は、ジチオールおよびジセレノール、例えば、HER’EHを含み、EおよびRは、上記で定義される通りである。ジセレノールは、鎖を一緒に連結するように、異なるポリマー前駆体鎖の2つのER基と反応することができる。別の実施例では、CuER’ECuは、架橋を形成するために、ポリマー前駆体の合成中に使用することができる。本発明の実施形態はさらに、式RE2M13ER’EM13ER2を有する架橋剤を提供し得、M13、E、R’、およびRは、上記で定義される通りである。この種類の架橋剤は、架橋を形成するポリマー前駆体の合成中に、あるいはインクまたは他の組成物の形成で使用され得る。いくつかの実施形態では、ポリマー前駆体は、架橋性官能基を組み込み得る。架橋性官能基は、ポリマー前駆体の中の1つ以上の種類のR基の一部分に付着し得る。架橋性官能基の実施例は、ビニル、ビニルアクリルレート、エポキシ、ならびに付加環化およびディールスアルダー反応ペアを含む。架橋は、熱、光、または触媒の使用を含む、当技術分野で公知の方法によって、ならびに元素硫黄を用いた加硫によって行われ得る。ドーパントいくつかの実施形態では、ポリマー前駆体組成物は、ドーパントを含み得る。ドーパントは、前駆体の合成においてポリマー前駆体に導入され得、または代替として、ポリマー前駆体を含有する組成物またはインクに添加することができる。ポリマー前駆体でできている本開示の半導体材料または薄膜は、1つ以上のドーパントの原子を含有し得る。ドーパントを光起電吸収体層に導入するための方法は、ドーパントを含有する本発明のポリマー前駆体を用いて吸収体層を調製するステップを含む。本開示の実施形態におけるドーパントの数量は、最も豊富な11族原子に対する約1×10-7原子パーセントから約5原子パーセント以上であり得る。いくつかの実施形態では、ドーパントは、約1×1016cm-3から約1×1021cm-3のレベルで含むことができる。ドーパントは、約1ppmから約10,000ppmのレベルで含むことができる。いくつかの実施形態では、ドーパントは、Li、Na、K、Rb、および前述の原子のうちのいずれかの混合物を含む、アルカリ金属原子であり得る。本発明の実施形態はさらに、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、および前述の原子のうちのいずれかの混合物を含む、アルカリ土類金属原子である、ドーパントを含み得る。いくつかの実施形態では、ドーパントは、3族から12族の遷移金属原子であり得る。いくつかの実施形態では、ドーパントは、V、Nb、Ta、および前述の原子のうちのいずれかの混合物を含む、5族からの遷移金属原子であり得る。いくつかの実施形態では、ドーパントは、Cr、Mo、W、および前述の原子のうちのいずれかの混合物を含む、6族からの遷移金属原子であり得る。いくつかの実施形態では、ドーパントは、Ni、Pd、Pt、および前述の原子のうちのいずれかの混合物を含む、10族からの遷移金属原子であり得る。いくつかの実施形態では、ドーパントは、Zn、Cd、Hg、および前述の原子のうちのいずれかの混合物を含む、12族からの遷移金属原子であり得る。いくつかの実施形態では、ドーパントは、C、Si、Ge、Sn、Pb、および前述の原子のうちのいずれかの混合物を含む、14族からの原子であり得る。いくつかの実施形態では、ドーパントは、P、As、Sb、Bi、および前述の原子のうちのいずれかの混合物を含む、15族からの原子であり得る。例えば、ポリマー前駆体組成物は、ある量のSbER3、BiER3、またはそれらの混合物を使用して調製され得、Eは、SまたはSeであり、Rは、アルキルまたはアリールである。ドーパントは、本明細書で説明される堆積方法のうちのいずれかによって、対イオンとして前駆体の中に提供され、または薄膜に導入され得る。ドーパントはまた、イオン注入を含む、当技術分野で公知の方法によって、薄膜に導入され得る。本開示のドーパントは、p型またはn型であり得る。前述のドーパントのうちのいずれかは、本発明のインクで使用され得る。キャッピング化合物いくつかの実施形態では、ポリマー前駆体組成物は、反応スキーム1から6で示されるように形成され得、1つ以上のキャッピング化合物が反応に添加される。キャッピング化合物は、ポリマー鎖形成の程度を制御し得る。キャッピング化合物は、ポリマー前駆体化合物または組成物を含有するインクの粘度、ならびにその可溶性および懸濁を形成する能力を制御するためにも使用され得る。キャッピング化合物の実施例は、反復単位AまたはB、あるいは両方に結合し、さらなる鎖伝播を防止する無機または有機金属錯体を含む。キャッピング化合物の実施例は、R2MBER、およびRMBER2を含む。リガンド本明細書で使用される場合、リガンドという用語は、結合または配位において電子密度を寄付することができる、任意の原子または化学部分を指す。リガンドは、単座、二座、または多座であり得る。本明細書で使用される場合、リガンドという用語は、ルイス塩基リガンドを含む。本明細書で使用される場合、有機リガンドという用語は、1から22個の炭素原子を有し、随意で、酸素、窒素、硫黄、または他の原子を含有する、炭素および水素の原子から成る有機化学基を指し、該有機化学基は、炭素原子を通して別の原子または分子に結合することができる。有機リガンドは、分岐または非分岐、置換または非置換であり得る。本明細書で使用される場合、無機リガンドという用語は、非炭素分子を通して別の原子または分子に結合することができる、無機化学基を指す。リガンドの実施例は、ハロゲン、水、アルコール、エーテル、ヒドロキシル、アミド、カルボン酸塩、カルコゲニレート、チオカルボキシレート、炭酸塩、硝酸塩、リン酸塩、硫酸塩、過塩素酸塩、シュウ酸塩、およびアミンを含む。本明細書で使用される場合、カルコゲニレートという用語は、EがS、Se、またはTeである、式RCE2-を有する、チオカルボキシレート、セレノカルボキシレート、およびテルロカルボキシレートを指す。本明細書で使用される場合、カルコカルバメートという用語は、EがS、Se、またはTeであり、R1およびR2が同じまたは異なり、水素、アルキル、アリール、または有機リガンドである、式R1R2NCE2-を有する、チオカルバメート、セレノカルバメート、およびテルロカルバメートを指す。リガンドの実施例は、F-、Cl-、H2O、ROH、R2O、OH-、RO-、NR2-、RCO2-、RCE2-、CO32-、NO3-、PO43-、SO42-、ClO4-、C2O42-、NH3、NR3、R2NH、およびRNH2を含み、Rは、アルキルであり、Eは、カルコゲンである。リガンドの実施例は、アジド、ヘテロアリール、チオシアン酸塩、アリールアミン、アリールアルキルアミン、亜硝酸塩、および亜硫酸塩を含む。リガンドの実施例は、Br-、N3-、ピリジン、[SCN-]-、ArNH2、NO2-、およびSO32-を含み、Arは、アリールである。リガンドの実施例は、シアン化物またはニトリル、イソシアン化物またはイソニトリル、シアン化アルキル、アルキルニトリル、イソシアン化アルキル、アルキルイソニトリル、シアン化アリール、アリールニトリル、イソシアン化アリール、およびアリールイソニトリルを含む。リガンドの実施例は、水素化物、カルベン、一酸化炭素、イソシアン酸塩、イソニトリル、チオレート、アルキルチオレート、ジアルキルチオレート、チオエーテル、チオカルバメート、ホスフィン、アルキルホスフィン、アリールホスフィン、アリールアルキルホスフィン、ヒ化物、ヒ化アルキル、ヒ化アリール、ヒ化アリールアルキル、スチルベン、アルキルスチルベン、アリールスチルベン、およびアリールアルキルスチルベンを含む。リガンドの実施例は、I-、H-、R-、-CN-、-CO、RNC、RSH、R2S、RS-、-SCN-、R3P、R3As、R3Sb、アルケン、およびアリールを含み、各Rは、独立して、アルキル、アリール、またはヘテロアリールである。リガンドの実施例は、トリオクチルホスフィン、トリメチルビニルシラン、およびヘキサフルオロアセチルアセトネートを含む。リガンドの実施例は、酸化窒素、シリル、アルキルゲルミル、アリールゲルミル、アリールアルキルゲルミル、アルキルスタンニル、アリールスタンニル、アリールアルキルスタンニル、セレノシアネート、セレノレート、アルキルセレノレート、ジアルキルセレノレート、セレノエーテル、セレノカルバメート、テルロシアネート、テルル酸塩、アルキルテルロレート、ジアルキルテルロレート、テルロエーテル、およびテルロカルバメートを含む。リガンドの実施例は、カルコゲン酸塩、チオチオレオート、セレノチオレオート、チオセレノレート、セレノセレノレート、アルキルチオチオレオート、アルキルセレノチオレオート、アルキルチオセレノレート、アルキルセレノセレノレート、アリールチオチオレオート、アリールセレノチオレオート、アリールチオセレノレート、アリールセレノセレノレート、アリールアルキルチオチオレオート、アリールアルキルセレノチオレート。アリールアルキルチオセレノレート、およびアリールアルキルセレノセレノレートを含む。リガンドの実施例は、セレノエーテルおよびテルロエーテルを含む。リガンドの実施例は、NO、O2-、NHnR3-n、PHnR3-n、SiR3-、GeR3-、SnR3-、-SR、-SeR、-TeR、-SSR、-SeSR、-SSeR、-SeSeR、およびRCNを含み、nは、1から3であり、各Rは、独立してアルキルまたはアリールである。本明細書で使用される場合、遷移金属という用語は、CommissionontheNomenclatureofInorganicChemistryによって推薦され、IUPACNomenclatureofInorganicChemistry,Recommendations2005で公開された、元素周期表の3族から12族の原子を指す。光起電吸収体層の組成ポリマー前駆体は、半導体製品を開発する際に使用するための材料を調製するために使用され得る。本発明のポリマー前駆体は、材料の中の金属原子の制御された、または所定の化学量論比を用いて材料を調製するために、混合物の中で有利に使用され得る。いくつかの側面では、追加の硫化またはセレン化ステップを回避する太陽電池のための過程は、本発明のポリマー前駆体化合物および組成物を有利に使用し得る。ポリマー前駆体は、太陽電池製品用の吸収体材料を調製するために使用され得る。吸収体材料は、実験式MAxMB1-yMCyvE11-zE2zwを有し得、MAは、Cu、Ag、およびAuから選択される11族原子であり、MBおよびMCは、Al、Ga、In、Tl、またはそれらの組み合わせから選択される、異なる13族原子であり、E1は、SまたはSeであり、E2は、SeまたはTeであり、E1およびE2は、異なり、xは、0.5から1.5であり、yは、0から1であり、zは、0から1であり、vは、0.5から1.5であり、wは、1.5から2.5である。吸収体材料は、そのような化合物が存在することが分かっている場合に、n型またはp型半導体のいずれか一方であり得る。いくつかの実施形態では、1つ以上のポリマー前駆体化合物は、基板上にCIS層を調製するために使用され得、層は、実験式CuxInyS1-zSezwを有し得、xは、0.5から1.5であり、yは、0.5から1.5であり、zは、0から1であり、wは、1.5から2.5である。いくつかの側面では、1つ以上のポリマー前駆体化合物は、基板上にCIS層を調製するために使用され得、層は、実験式CuxInyS1-zSezwを有し、xは、0.7から1.2であり、yは、0.7から1.2であり、zは、0から1であり、wは、1.5から2.5である。いくつかの変化例では、1つ以上のポリマー前駆体化合物は、基板上にCIS層を調製するために使用され得、層は、実験式CuxInyS1-zSezwを有し、xは、0.7から1.1であり、yは、0.7から1.1であり、zは、0から1であり、wは、1.5から2.5である。ある実施形態では、1つ以上のポリマー前駆体化合物は、基板上にCIS層を調製するために使用され得、層は、実験式CuxInyS1-zSezwを有し、xは、0.8から0.95であり、yは、0.95から1.05であり、zは、0から1であり、wは、1.8から2.2である。ある実施形態では、1つ以上のポリマー前駆体化合物は、基板上にCIS層を調製するために使用され得、層は、実験式CuxInyS1-zSezwを有し、xは、0.8から0.95であり、yは、0.95から1.05であり、zは、0から1であり、wは、2.0から2.2である。いくつかの実施形態では、1つ以上のポリマー前駆体化合物は、基板上にCIGS層を調製するために使用され得、層は、実験式CuxIn1-yGayvS1-zSezwを有し、xは、0.5から1.5であり、yは、0から1であり、zは、0から1であり、vは、0.5から1.5であり、wは、1.5から2.5である。いくつかの側面では、1つ以上のポリマー前駆体化合物は、基板上にCIGS層を調製するために使用され得、層は、実験式CuxIn1-yGayvS1-zSezwを有し、xは、0.7から1.2であり、yは、0から1であり、zは、0から1であり、vは、0.7から1.2であり、wは、1.5から2.5である。いくつかの変化例では、1つ以上のポリマー前駆体化合物は、基板上にCIGS層を調製するために使用され得、層は、実験式CuxIn1-yGayvS1-zSezwを有し、xは、0.7から1.1であり、yは、0から1であり、zは、0から1であり、vは、0.7から1.1であり、wは、1.5から2.5である。ある実施形態では、1つ以上のポリマー前駆体化合物は、基板上にCIGS層を調製するために使用され得、層は、実験式CuxIn1-yGayvS1-zSezwを有し、xは、0.7から1.1であり、yは、0から1であり、zは、0から1であり、vは、0.7から1.1であり、wは、1.5から2.5である。ある実施形態では、1つ以上のポリマー前駆体化合物は、基板上にCIGS層を調製するために使用され得、層は、実験式CuxIn1-yGayvS1-zSezwを有し、xは、0.8から0.95であり、yは、0から0.5であり、zは、0から1であり、vは、0.95から1.05であり、wは、1.8から2.2である。ある実施形態では、1つ以上のポリマー前駆体化合物は、基板上にCIGS層を調製するために使用され得、層は、実験式CuxIn1-yGayvS1-zSezwを有し、xは、0.8から0.95であり、yは、0から0.5であり、zは、0から1であり、vは、0.95から1.05であり、wは、2.0から2.2である。いくつかの実施形態では、1つ以上のポリマー前駆体化合物は、基板上にCAIGS層を調製するために使用され得、層は、実験式Cu1-xAgxuIn1-yGayvS1-zSezwを有し、xは、0.001から0.999であり、yは、0から1であり、zは、0から1であり、uは、0.5から1.5であり、vは、0.5から1.5であり、wは、1.5から2.5である。いくつかの実施形態では、1つ以上のポリマー前駆体化合物は、基板上にCAIGS層を調製するために使用され得、層は、実験式Cu1-xAgxuIn1-yGayvS1-zSezwを有し、xは、0.001から0.999であり、yは、0から1であり、zは、0.7から1.2であり、vは、0.7から1.2であり、wは、1.5から2.5である。いくつかの実施形態では、1つ以上のポリマー前駆体化合物は、基板上にCAIGS層を調製するために使用され得、層は、実験式Cu1-xAgxuIn1-yGayvS1-zSezwを有し、xは、0.001から0.999であり、yは、0から1であり、zは、0から1であり、uは、0.7から1.1であり、vは、0.7から1.1であり、wは、1.5から2.5である。いくつかの実施形態では、1つ以上のポリマー前駆体化合物は、基板上にCAIGS層を調製するために使用され得、層は、実験式Cu1-xAgxuIn1-yGayvS1-zSezwを有し、xは、0.001から0.999であり、yは、0から1であり、zは、0.5から1であり、uは、0.7から1.1であり、vは、0.7から1.1であり、wは、1.5から2.5である。いくつかの実施形態では、1つ以上のポリマー前駆体化合物は、基板上にCAIGS層を調製するために使用され得、層は、実験式Cu1-xAgxuIn1-yGayvS1-zSezwを有し、xは、0.001から0.999であり、yは、0から1であり、zは、0.5から1であり、uは、0.8から0.95であり、vは、0.7から1.1であり、wは、1.5から2.5である。本発明の実施形態はさらに、太陽電池製品用のCIS、CIGS、AIS、AIGS、CAIS、CAIGS、CIGAS、AIGAS、またはCAIGAS材料を調製するために使用することができる、ポリマー前駆体を提供し得る。いくつかの側面では、1つ以上のポリマー前駆体は、化学的および物理的に均一な層として、CIS、CIGS、AIS、AIGS、CAIS、CAIGS、CIGAS、AIGAS、またはCAIGAS材料を調製するために使用され得る。いくつかの変化例では、1つ以上のポリマー前駆体は、CIS、CIGS、AIS、AIGS、CAIS、CAIGS、CIGAS、AIGAS、またはCAIGAS材料を調製するために使用され得、材料の金属原子の化学量論を制御することができる。ある変化例では、1つ以上のポリマー前駆体は、ポリマー前駆体を用いて調製されたナノ粒子を使用して、CIS、CIGS、AIS、AIGS、CAIS、CAIGS、CIGAS、AIGAS、またはCAIGAS材料を調製するために使用され得る。ある実施形態では、1つ以上のポリマー前駆体は、太陽電池を達成するように比較的低い温度で処理され得る層として、CIS、CIGS、AIS、AIGS、CAIS、CAIGS、CIGAS、AIGAS、またはCAIGAS材料を調製するために使用され得る。いくつかの側面では、1つ以上のポリマー前駆体は、光起電層として、CIS、CIGS、AIS、AIGS、CAIS、CAIGS、CIGAS、AIGAS、またはCAIGAS材料を調製するために使用され得る。いくつかの変化例では、1つ以上のポリマー前駆体は、フレキシブル基板を含む、種々の基板上に化学的および物理的に均一な半導体CIS、CIGS、AIS、AIGS、CAIS、CAIGS、CIGAS、AIGAS、またはCAIGAS層を調製するために使用され得る。吸収体材料の実施例は、CuGaS2、AgGaS2、AuGaS2、CuInS2、AgInS2、AuInS2、CuTlS2、AgTlS2、AuTlS2、CuGaSe2、AgGaSe2、AuGaSe2、CuInSe2、AgInSe2、AuInSe2、CuTlSe2、AgTlSe2、AuTlSe2、CuGaTe2、AgGaTe2、AuGaTe2、CuInTe2、AgInTe2、AuInTe2、CuTlTe2、AgTlTe2、およびAuTlTe2を含む。吸収体材料の実施例は、CuInGaSSe、AgInGaSSe、AuInGaSSe、CuInTlSSe、AgInTlSSe、AuInTlSSe、CuGaTlSSe、AgGaTlSSe、AuGaTlSSe、CuInGaSSe、AgInGaSeTe、AuInGaSeTe、CuInTlSeTe、AgInTlSeTe、AuInTlSeTe、CuGaTlSeTe、AgGaTlSeTe、AuGaTlSeTe、CuInGaSTe、AgInGaSTe、AuInGaSTe、CuInTlSTe、AgInTlSTe、AuInTlSTe、CuGaTlSTe、AgGaTlSTe、およびAuGaTlSTeを含む。CIS、CIGS、AIS、AIGS、CAIS、CAIGS、CIGAS、AIGAS、またはCAIGAS層は、太陽電池を生産するために、種々の接合パートナーとともに使用され得る。接合パートナー層の実施例は、当技術分野で知られており、CdS、ZnS、ZnSe、およびCdZnSを含む。例えば、MartinGreen,SolarCells:OperatingPrinciples,TechnologyandSystemApplications1986、RichardH.Bube,PhotovoltaicMaterials1998、AntonioLuqueandStevenHegedus,HandbookofPhotovoltaicScienceandEngineering2003を参照されたい。いくつかの側面では、吸収体層の厚さは、約0.01から約100マイクロメートル、または約0.01から約20マイクロメートル、または約0.01から約10マイクロメートル、または約0.05から約5マイクロメートル、または約0.1から約4マイクロメートル、または約0.1から約3.5マイクロメートル、または約0.1から約3マイクロメートル、または約0.1から約2.5マイクロメートルであり得る。基板本発明のポリマー前駆体は、基板上に層を形成するために使用することができる。基板は、任意の形状を有することができる。ポリマー前駆体の基板層は、光起電層またはデバイスを作成するために使用することができる。基板は、電気接触層を有し得る。電気接触層は、基板の表面上にあり得る。基板上の電気接触層は、太陽電池または光起電デバイス用のバック接点であり得る。電気接触層の実施例は、金属の層または金属箔、ならびにモリブデン、アルミニウム、銅、金、白金、銀、窒化チタン、ステンレス鋼、金属合金、および前述の金属のうちのいずれかの組み合わせの層を含む。その上に本開示のポリマー前駆体を堆積させる、または印刷することができる、基板の実施例は、半導体、ドープした半導体、シリコーン、ヒ化ガリウム、絶縁体、ガラス、モリブデンガラス、二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化亜鉛、窒化ケイ素、およびその組み合わせを含む。基板は、モリブデンまたはモリブデン含有化合物で被覆され得る。いくつかの実施形態では、基板は、モリブデン含有化合物、またはモリブデンおよびセレンを含有する1つ以上の化合物で前処理され得る。その上に本開示のポリマー前駆体を堆積させる、または印刷することができる、基板の実施例は、金属、金属箔、モリブデン、アルミニウム、ベリリウム、カドミウム、セリウム、クロム、コバルト、銅、金、マンガン、ニッケル、パラジウム、白金、レニウム、ロジウム、銀、ステンレス鋼、鋼鉄、鉄、ストロンチウム、スズ、チタン、タングステン、亜鉛、ジルコニウム、金属合金、金属シリサイド、金属炭化物、およびそれらの組み合わせを含む。その上に本開示のポリマー前駆体を堆積させる、または印刷することができる、基板の実施例は、ポリマー、プラスチック、導電性ポリマー、共重合体、ポリマー混合物、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエステル膜、マイラー、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、アクリロニトリルブタジエンスチレンポリマー、シリコーン、エポキシ、およびそれらの組み合わせを含む。その上に本開示のポリマー前駆体を堆積させる、または印刷することができる、基板の実施例は、屋根材料を含む。その上に本開示のポリマー前駆体を堆積させる、または印刷することができる、基板の実施例は、紙および被覆した紙を含む。本開示の基板は、任意の形状であり得る。その上に本開示のポリマー前駆体を堆積させることができる、基板の実施例は、管、円筒、ローラ、ロッド、ピン、シャフト、平面、板、ブレード、羽根、曲面、または回転楕円体を含む、成形基板を含む。基板は、本発明のポリマー前駆体の層の堆積、コーテング、または印刷前に、接着促進剤で層状にされ得る。接着促進剤の実施例は、ガラス層、金属層、チタン含有層、タングステン含有層、タンタル含有層、窒化タングステン、窒化タンタル、窒化チタン、ケイ化窒化チタン、ケイ化窒化タンタル、クロム含有層、バナジウム含有層、窒化物層、酸化物層、炭化物層、およびそれらの組み合わせを含む。接着促進剤の実施例は、有機官能シラン結合剤、シラン、ヘキサメチルジシラザン、酢酸グリコールエーテル、エチレングリコールビスチオグリコレート、アクリレート、アクリル、メルカプタン、チオール、セレノール、テルロール、カルボン酸、有機リン酸、トリアゾール、およびそれらの混合物等の有機接着促進剤を含む。基板は、本発明のポリマー前駆体層の印刷の堆積前に、障壁層で層状にされ得る。障壁層の実施例は、ガラス層、金属層、チタン含有層、タングステン含有層、タンタル含有層、窒化タングステン、窒化タンタル、窒化チタン、ケイ化窒化チタン、ケイ化窒化タンタル、およびそれらの組み合わせを含む。基板は、任意の厚さであり得、厚さが約20マイクロメートルから約20,000マイクロメートル以上であり得る。インク組成物本発明の実施形態はさらに、1つ以上のポリマー前駆体化合物を含有する、インク組成物を提供する。本発明のポリマー前駆体は、基板上にインクを印刷することによって、光起電材料を作製するために使用され得る。インクがポリマー前駆体の混合物から成ることができるため、本開示のインクは、インクの中のある原子の化学量論比の正確な制御を有利に可能にする。本開示のインクは、当技術分野で公知である任意の方法によって作製することができる。いくつかの実施形態では、インクは、ポリマー前駆体を1つ以上の担体と混合することによって作製することができる。インクは、有機担体中のポリマー前駆体の懸濁であり得る。いくつかの変化例では、インクは、有機担体中のポリマー前駆体の溶液である。担体は、1つ以上の有機液体または溶剤を含むことができ、水性構成要素を含有し得る。担体は、有機溶剤であり得る。インクは、1つ以上のポリマー前駆体化合物を提供し、1つ以上の担体とともに化合物を可溶化し、溶解させ、溶媒和し、または分散させることによって作製することができる。担体中に分散させられた化合物は、ナノ結晶、ナノ粒子、微小粒子、非晶質、または溶解分子であり得る。本開示のインクの中のポリマー前駆体の濃度は、約0.001から約99w/w、または約0.001から約90、または約0.1から約90であり得る。ポリマー前駆体は、堆積、コーテング、または印刷に使用される温度および条件下で、液または流動性相で存在し得る。本発明のいくつかの変化例では、部分的に可溶性である、または特定の担体中で不溶性であるポリマー前駆体を、高剪断混合によって担体中で分散させることができる。本明細書で使用される場合、分散という用語は、可溶化、溶解、および溶媒和という用語を包含する。本開示のインク用の担体は、有機液体または溶剤であり得る。本開示のインク用の担体の実施例は、水性構成要素を含有し得る、1つ以上の有機溶剤を含む。本発明の実施形態はさらに、インクを調製するための1つ以上の担体の中で強化した溶解度を有するポリマー前駆体化合物を提供する。ポリマー前駆体化合物の溶解度は、化合物に付着した1つ以上の有機リガンドの性質および分子の大きさおよび分子量の変動によって、選択することができる。本発明のインク組成物は、本明細書で開示されるドーパントのうちのいずれか、または当技術分野で公知のドーパントを含有し得る。本開示のインク組成物は、当技術分野で公知の方法、ならびに本明細書で開示される方法によって作製することができる。本開示のインク用の担体の実施例は、アルコール、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、チオール、ブタノール、ブタンジオール、グリセロール、アルコキシアルコール、グリコール、1-メートキシ-2-プロパノール、アセトン、エチレングリコーループロピレングリコール、ラウリン酸プロピレングリコール、エチレングリコールエーテル、ジエチレングリコール、トリエチレングリコールモノブチルエーテループロピレングリコールモノメチルエーテル、1,2-ヘキサンジオール、エーテル、ジエチルエーテル、死亡族炭化水素、芳香族炭化水素、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、イソオクタン、デカン、シクロヘキサン、p-キシレン、m-キシレン、o-キシレン、ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、2-メチルテトラヒドロフラン、シロキサン、シクロシロキサン、シリコーン溶液、ハロゲン化炭化水素、ジブロモメタン、ジクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタンクロロホルム、塩化メチレン、アセトニトリル、エステル、酢酸塩、酢酸エチル、酢酸ブチル、アクリレート、イソボルニルアクリレート、1,6-ヘキサンジオールジアクレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ケトン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ブチルカルビトール、シクロペンタノン、ラクタム、N-メチルピロリドン、N-2-ヒドロキシエチル-ピロリドン、環状アセタール、環状ケタール、アルデヒド、ジアミン、アミド、ジメチルホルムアミド、乳酸メチル、油、天然油、テルペン、およびそれらの混合物を含む。本開示のインクはさらに、表面活性剤、分散剤、乳化剤、消泡剤、乾燥剤、充填剤、樹脂結合剤、増粘剤、粘度調整剤、酸化防止剤、流動剤、可塑剤、伝導度剤、結晶化促進剤、増量剤、膜調節剤、接着促進剤、および染料等の構成要素を含み得る。これらの構成要素のうちの各々は、インク組成物の約0.001から約10以上のレベルにおいて、本開示のインクで使用され得る。表面活性剤の実施例は、シロキサン、ポリアルキレンオキサイドシロキサン、ポリアルキレンオキサイドポリジメチルシロキサン、ポリエステルポリジメチルシロキサン、エトキシ化ノニルフェノール、ノニルフェノキシポリエチレンオキシエタノール、フッ化炭素エステル、フッ化脂肪族ポリマーエステル、フッ素化エステル、アルキルフェノキシアルキレンオキサイド、セチルトリメチル塩化アンモニウム、カルボキシメチルアミロース、エトキシ化アセチレングリコール、ベタイン、N-n-ドデシル-N,N-ジメチルベタイン、ジアルキルスルホコハク酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、脂肪酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロック共重合体、アルキルアミン塩、第4級アンモニウム塩、およびそれらの組み合わせを含む。界面活性剤の実施例は、アニオン性、カチオン性、両性、および非イオン性界面活性剤を含む。界面活性剤の実施例は、SURFYNOL、DYNOL、ZONYL、FLUORAD、およびSILWET界面活性剤を含む。界面活性剤は、インク組成物の約0.001から約2のレベルにおいて、本開示のインクで使用され得る。分散剤の実施例は、ポリマー分散剤、界面活性剤、親水性疎水性ブロック共重合体、アクリルブロック共重合体、アクリレートブロック共重合体、グラフトポリマー、およびそれらの混合物を含む。乳化剤の実施例は、脂肪酸誘導体、エチレンステアラミド、酸化ポリエチレンワックス、鉱物油、ポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテル、ポリオキシエチレングリコールエーテルブロック共重合体、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ソルビタン、アルキルシロキサンポリエーテルポリマー、モノステアリン酸ポリオキシエチレン、モノラウリン酸ポリオキシエチレン、モノオレイン酸ポリオキシエチレン、およびそれらの混合物を含む。消泡剤の実施例は、ポリシロキサン、ジメチルポリシロキサン、ジメチルシロキサン、シリコーン、ポリエーテル、オクチルアルコール、有機エステル、酸化エチレン酸化プロピレン共重合体、およびそれらの混合物を含む。乾燥剤の実施例は、芳香族スルホン酸、芳香族カルボン酸、フタル酸、ヒドロキシイソフタル酸、N-フタロイルグリシン、2-ピロリドン5-カルボン酸、およびそれらの混合物を含む。充填剤の実施例は、金属充填剤、銀粉末、銀フレーク、金属被覆ガラス球、黒鉛粉末、カーボンブラック、伝導性金属酸化物、エチレン酢酸ビニルポリマー、およびそれらの混合物を含む。樹脂結合剤の実施例は、アクリル樹脂、アルキド樹脂、ビニル樹脂、ポリビニルピロリドン、フェノール樹脂、ケトン樹脂、アルデヒド樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、アミド樹脂、アミノ樹脂、アクリロニトリル樹脂、セルロース樹脂、ニトロセルロース樹脂、ゴム、脂肪酸、エポキシ樹脂、エチレンアクリル共重合体、フッ素重合体、ゲル、グリコール、炭化水素、マレイン酸樹脂、尿素樹脂、天然ゴム、天然ガム、フェノール樹脂、クレゾール、ポリアミド、ポリブタジエン、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリウレタン、イソシアネート、ポリオール、熱可塑性物質、ケイ酸塩、シリコーン、ポリスチレン、およびそれらの混合物を含む。増粘剤および粘度調整剤の実施例は、伝導性ポリマー、セルロース、ウレタン、ポリウレタン、スチレン無水マレイン酸共重合体、ポリアクリレート、ポリカルボン酸、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、メチルセルロース、メチルヒドロキシエチルセルロース、メチルヒドロキシプロピルセルロース、シリカ、ゲル化剤、アルミン酸塩、チタン酸塩、粘性物質、粘度、ワックス、多糖類、澱粉、およびそれらの混合物を含む。酸化防止剤の実施例は、フェノール類、亜リン酸塩、亜ホスホン酸塩、チオエステル、ステアリン酸、アスコールビン酸、カテキン、コリン、およびそれらの混合物を含む。流動剤の実施例は、ワックス、セルロース、酪酸塩、界面活性剤、ポリアクリレート、およびシリコーンを含む。可塑剤の実施例は、フタル酸アルキルベンジル、フタル酸ブチルベンジル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジメチル、アジピン酸ジ-2-エチルヘキシル、フタル酸ジイソブチル、アジピン酸ジイソブチル、フタル酸ジシクロヘキシル、三安息香酸グリセロール、安息香酸スクロース、ポリプロピレングリコールジベンゾアート、ネオペンチルグリコールジベンゾアート、イソフタル酸ジメチル、フタル酸ジブチル、セバシン酸ジブチル、トリ-n-ヘキシルトリメリテート、およびそれらの混合物を含む。伝導度剤の実施例は、リチウム塩、トリフルオロメタンスルホン酸リチウム、硝酸リチウム、塩酸ジメチルアミン、塩酸ジエチルアミン、塩酸ヒドロキシアミン、およびそれらの混合物を含む。結晶化促進剤の実施例は、銅カルコゲン化物、アルカリ金属カルコゲン化物、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、カルコゲン酸ナトリウム、カドミウム塩、硫酸カドミウム、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、テルル化カドミウム、硫化インジウム、セレン化インジウム、テルル化インジウム、硫化ガリウム、セレン化ガリウム、テルル化ガリウム、モリブデン、硫化モリブデン、セレン化モリブデン、テルル化モリブデン、モリブデン含有化合物、およびそれらの混合物を含む。インクは、伝導性ポリマー、銀金属、セレン化銀、硫化銀、銅金属、インジウム金属、ガリウム金属、亜鉛金属、アルカリ金属、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、カルコゲン塩ナトリウム、カルコゲン酸カルシウム、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、テルル化カドミウム、硫化インジウム、セレン化インジウム、テルル化インジウム、硫化ガリウム、セレン化ガリウム、テルル化ガリウム、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、テルル化亜鉛、硫化銅、セレン化銅、テルル化銅、硫化モリブデン、セレン化モリブデン、テルル化モリブデン、および前述の物質のうちのいずれかの混合物の群から選択される、1つ以上の構成要素を含有し得る。本開示のインクは、金属の粒子、導電性金属、または酸化物を含有し得る。金属および酸化物粒子の実施例は、シリカ、アルミナ、チタニア、銅、鉄、鋼鉄、アルミニウム、およびそれらの混合物を含む。ある変化例では、インクは、殺生物剤、封鎖剤、キレート剤、保湿剤、癒着剤、または粘度調整剤を含有し得る。ある側面では、本開示のインクは、溶液、懸濁、スラリー、あるいは半固体ゲルまたはペーストとして形成され得る。インクは、担体中に可溶化された1つ以上のポリマー前駆体を含み得、またはポリマー前駆体の溶液であり得る。ある変化例では、ポリマー前駆体は、担体中に懸濁することができる粒子またはナノ粒子を含み得、ポリマー前駆体の懸濁または塗料であり得る。ある実施形態では、ポリマー前駆体は、最小量の担体と混合することができ、ポリマー前駆体のスラリーあるいは半固体ゲルまたはペーストであり得る。本開示のインクの粘度は、約0.5センチポイズcPから約50cP、または約0.6から約30cP、または約1から約15cP、または約2から約12cPであり得る。本開示のインクの粘度は、約20cPから約2×106cP以上であり得る。本開示のインクの粘度は、約20cPから約1×106cP、または約200cPから約200,000cP、または約200cPから約100,000cP、または約200cPから約40,000cP、または約200cPから約20,000cPであり得る。本開示のインクの粘度は、約1cP、または約2cP、または5cP、または約20cP、または約100cP、または約500cP、または約1,000cP、または約5,000cP、または約10,000cP、または約20,000cP、または約30,000cP、または約40,000cPであり得る。いくつかの実施形態では、インクは、表面活性剤、分散剤、乳化剤、消泡剤、乾燥剤、充填剤、樹脂結合剤、増粘剤、粘度調整剤、酸化防止剤、流動剤、可塑剤、伝導度剤、結晶化促進剤、増量剤、膜調節剤、接着促進剤、および染料の群からの1つ以上の構成要素を含有し得る。ある変化例では、インクは、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、テルル化カドミウム、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、テルル化亜鉛、硫化銅、セレン化銅、およびテルル化銅の群からの1つ以上の化合物を含有し得る。いくつかの側面では、インクは、金属、導電性金属、または酸化物の粒子を含有し得る。インクは、分散または溶液を形成するように、1つ以上の担体中に本開示の1つ以上のポリマー前駆体化合物を分散させることによって作製され得る。ポリマー前駆体インク組成物は、溶剤中に1つ以上のポリマー前駆体を分散させ、ポリマー前駆体を溶解または分散させるように溶剤を加熱することによって調製され得る。ポリマー前駆体は、溶液または分散中で、約0.001から約99w/w、または約0.001から約90、または約0.1から約90、または約0.1から約50、または約0.1から約40、または約0.1から約30、または約0.1から約20、または約0.1から約10の濃度を有し得る。インク組成物はさらに、追加のインジウム含有化合物、または追加のガリウム含有化合物を含有し得る。追加のインジウム含有化合物の実施例は、InSeR3を含み、Rは、アルキルまたはアリールである。追加のガリウム含有化合物の実施例は、GaSeR3であり、Rは、アルキルまたはアリールである。例えば、インクはさらに、InSenBu3またはGaSenBu3、あるいはそれらの混合物を含有し得る。いくつかの実施形態では、インクは、NaERを含有し得、Eは、SまたはSeであり、Rは、アルキルまたはアリールである。ある実施形態では、インクは、NaInER4、NaGaER4、LiInER4、LiGaER4、KInER4、またはKGaER4を含有し得、Eは、SまたはSeであり、Rは、アルキルまたはアリールである。ある実施形態では、インクは、CuERを含有し得る。これらの追加の化合物について、Rは、好ましくは、nBu、iBu、sBu、またはPrである。基板上のポリマー前駆体の膜のための過程本発明のポリマー前駆体は、基板上に層を堆積させることによって光起電材料を作製するために使用することができ、層は、1つ以上のポリマー前駆体を含有する。堆積層は、膜または薄膜であり得る。基板は、上記で説明される。本明細書で使用される場合、堆積させる、堆積させるステップ、および堆積という用語は、噴霧、コーテング、および印刷を含む、表面または基板上に化合物または組成物を配置するための任意の方法を指す。本明細書で使用される場合、薄膜とは、約300マイクロメートル未満の厚さを有する、基板上の原子または分子の層、あるいは組成物層を指す。本開示の堆積層は、層がポリマー前駆体の混合物から成ることができるので、層の中のある原子の化学量論比の正確な制御を有利に可能にする。本発明のポリマー前駆体、およびポリマー前駆体を含有する組成物は、当技術分野で公知である方法、ならびに本明細書で開示される方法を使用して、基板上に堆積させることができる。表面または基板上にポリマー前駆体を堆積させるための方法の実施例は、全ての形態の噴霧、コーテング、および印刷を含む。太陽電池層は、高スループットロール過程で、フレキシブル基板上に本開示の1つ以上のポリマー前駆体を堆積させることによって作製することができる。高スループットロール過程でのポリマー前駆体の堆積は、1つ以上のポリマー前駆体を含有する組成物を噴霧または被覆することによって、あるいは本開示の1つ以上のポリマー前駆体を含有するインクを印刷することによって行うことができる。噴霧による化合物の堆積は、毎分約10nmから3マイクロメートル、または毎分100nmから2マイクロメートルの速度で行うことができる。表面または基板上にポリマー前駆体を堆積させるための方法の実施例は、噴霧、噴霧コーテング、噴霧堆積、噴霧熱分解、およびそれらの組み合わせを含む。本開示のインクを使用して印刷するための方法の実施例は、印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷、エアロゾールジェット印刷、インク印刷、ジェット印刷、スタンプ/パッド印刷、転写、パッド印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、密着印刷、反転印刷、熱印刷、リソグラフィ、電子写真印刷、およびそれらの組み合わせを含む。表面または基板上にポリマー前駆体を堆積させるための方法の実施例は、電着、電気めっき、無電解めっき、浴堆積、コーテング、浸漬コーテング、湿潤コーテング、スピンコーテング、ナイフコーテング、ローラコーテング、ロッドコーテング、スロット金型コーテング、マイヤーバーコーテング、リップダイレークトコーテング、キャピラリコーテング、液体堆積、溶液堆積、層ごとの堆積、回転成形、および溶液成形を含む。本発明のポリマー前駆体、およびポリマー前駆体を含有する組成物は、当技術分野で公知である方法、ならびに本明細書で開示される方法を使用して、基板上に堆積させることができる。本開示の堆積層は、層がポリマー前駆体の混合物から成ることができるので、層の中のある原子の化学量論比の正確な制御を有利に可能にする。表面または基板上にポリマー前駆体を堆積させるための方法の実施例は、全ての形態の噴霧、コーテング、および印刷を含む。いくつかの実施形態では、ナイフギャップコーテングのための過程を行うことができる。ギャップは、50から200μm以上であり得、ナイフ速度は、約5から100mm/sであり得る。基板は、窒素ガスガンからの流れを使用して不要物を取り除くことができる。インクは、間隙を充填し、基板と接触するようにブレードに塗布され得る。次いで、インクは、単一の通過で被覆され、裏面は、トルエンまたは有機溶剤で払拭または洗浄される。被覆した基板は、材料に変換するためにホットプレートに移動させることができる。変換時間は、40秒から5分以上に及ぶことができる。コーテングおよび変換ステップは、所望の膜厚さを蓄積するように繰り返される。1回の通過あたりの厚さは、75から150nm、または10から3000nmであり得る。次いで、被覆した基板は、焼鈍される。ある実施形態では、1回の通過あたり500nm以上の厚さを伴う亀裂のない膜が達成される。表面または基板上にポリマー前駆体を堆積させるための方法の実施例は、化学蒸着、エアロゾール化学蒸着、金属有機化学蒸着、有機金属化学蒸着、プラズマ化学蒸着、およびそれらの組み合わせを含む。ある実施形態では、第1のポリマー前駆体が、基板上に堆積させられ、後に、第2のポリマー前駆体が、基板上に堆積させられ得る。ある実施形態では、いくつかの異なるポリマー前駆体が、層を生成するように基板上に堆積させられ得る。ある変化例では、異なるポリマー前駆体が、噴霧、コーテング、印刷によってであろうと、または他の方法によってであろうと、同時に、または連続的に、基板上に堆積させられ得る。異なるポリマー前駆体は、堆積ステップの前に、堆積ステップ中に、または堆積ステップの後に、接触または混合させられ得る。ポリマー前駆体は、基板表面にポリマー前駆体を輸送するステップの前、間、または後に接触させることができる。噴霧、コーテング、および印刷によるものを含む、ポリマー前駆体の堆積は、乾燥窒素および他の不活性ガス雰囲気中等の制御された、または不活性雰囲気中で、ならびに部分真空雰囲気中で行うことができる。ポリマー前駆体を堆積させる、噴霧する、被覆する、または印刷するための過程は、約-20°Cから約650°C、または約-20°Cから約600°C、または約-20°Cから約400°C、または約20°Cから約360°C、または約20°Cから約300°C、または約2°Cから約250°Cを含む、種々の温度で行うことができる。ポリマー前駆体化合物を材料または半導体に転換するステップを伴う、太陽電池を作製するための過程は、約100°Cから約650°C、または約150°Cから約650°C、または約250°Cから約650°C、または約300°Cから約650°C、または約400°Cから約650°C、または約300°Cから約600°C、または約300°Cから約550°C、または約300°Cから約500°C、または約300°Cから約450°Cを含む、種々の温度で行うことができる。ある側面では、基板上のポリマー前駆体の堆積は、基板が加熱されている間に行うことができる。これらの変化例では、薄膜材料が基板上に堆積させられ、または形成され得る。いくつかの実施形態では、前駆体を材料に変換するステップ、および焼鈍するステップは、同時に行うことができる。一般に、前駆体を加熱するステップは、前駆体を堆積させるステップの前、間、または後に行うことができる。いくつかの変化例では、基板は、加熱するステップの後に冷却することができる。ある実施形態では、基板は、前駆体を堆積させるステップの前、間、または後に冷却することができる。基板は、基板をより低い温度に、または室温に、または堆積ユニットの動作温度に戻すように、冷却され得る。基板を冷却するように、種々の冷却剤または冷却方法を適用することができる。基板上のポリマー前駆体の堆積は、当技術分野で公知の種々の装置およびデバイス、ならびに本明細書で説明されるデバイスを用いて行われ得る。いくつかの変化例では、ポリマー前駆体の堆積は、均一な噴霧組成物および分布を提供するように、調整可能なノズル寸法を伴う噴霧ノズルを使用して行うことができる。本開示の実施形態はさらに、基板上に層を堆積させることによって作製される部品を検討し、層は、1つ以上のポリマー前駆体を含有する。部品は、基板上に堆積させられ、噴霧され、被覆され、または印刷される、膜の層または薄膜を有する、基板であり得る。ある変化例では、部品は、ポリマー前駆体インクで印刷された基板を有し得、インクは、基板上にパターンで印刷される。スピンコーテングについては、不活性雰囲気グローブボックスの中の溶剤中でポリマー前駆体を溶解させることによって、インクを作製することができる。インクは、シリンジフィルタを通過させ、基板表面全体を覆うのに十分な数量でMo被覆ガラス基板上に堆積させることができる。次いで、基板は、約60秒間に1200rpmで回転させることができる。被覆した基板は、典型的には1~2分間、室温で乾燥させることができる。被覆した基板は、半導体薄膜材料への高分子前駆体の変換のために炉の中で加熱することができる。被覆した基板の変換後に、上記の手順を繰り返すことによって、別の前駆体コーテングが基板上の薄膜材料に塗布され得る。この過程は、基板上に追加の薄膜材料層を調製するように繰り返すことができる。最後の薄膜材料層が基板上に調製された後に、基板を焼鈍することができる。焼鈍過程は、基板上のコーテングを薄膜光起電材料に変換するのに十分な温度で、被覆した基板を加熱するステップを含み得る。焼鈍過程は、400°Cで60分間30°C/分傾斜、または500°Cで30分間30°C/分傾斜、または550°Cで60分間10°C/分傾斜、または550°Cで20分間30°C/分傾斜、被覆した基板を加熱するステップを含み得る。焼鈍過程は、550°Cで10分間30°C/分傾斜、または525°Cで10分間20°C/秒傾斜、または400°Cで5分間40°C/秒傾斜、被覆した基板を加熱する追加のステップを含み得る。光起電吸収体層のための方法および組成物分子前駆体およびポリマー前駆体インクは、異なる組成物を伴う複数のインクを使用することによって、光起電吸収体層または他の材料を成長させるために使用され得る。いくつかの実施形態では、複数のインクを使用することによって、大きい粒を達成することができる。複数のインクの使用は、制御された様式で、広範囲の組成物が製造されることを可能にする。例えば、多くの種類のCIGS組成物を作製することができる、CIGS相空間の中の多くの組成物を作製することができる。いくつかの実施形態では、2インクシステムが使用される。さらなる実施形態では、任意の数のインクを使用することができる。ある実施形態では、第1のインクは、所定の組成物を伴う分子前駆体またはポリマー前駆体を含有し得る。例えば、第1のインクは、Cuが豊富である、所定の組成物を有することができる。Cuが豊富なインクで作製された材料の実施例は、Cu>1.0InxGa1-xSe~2.0-2.4を含み、x=0~1であり、Cuは、1.05~1.30であり得る。いくつかの実施形態では、第1のインクは、化学量論Cu>1.0InxGa1-xSe~2.0-2.4を有することができ、x=0~1であり、Cuは、1.05~1.30であり得る。第1のインクは、単独で使用される場合に、Cuが豊富であるCIS、CGS、またはCIGS材料を生成するために使用することができる。第2のインクまたは平衡インクは、第2のインクが第1のインクと組み合わせられた場合に、組み合わせが、所望の量である全組成および化学量論を提供するように、十分な数量および化学量論の原子を含有し得る。例えば、第2のインクは、所定の組成物を伴う分子前駆体またはポリマー前駆体を含有し得る。例えば、第2のインクは、Cuが不足している所定の組成物を有することができる。いくつかの実施形態では、第2のインクは、Cu含有分子、In含有分子、またはGa含有分子を含有し得る。例えば、第2のインクは、Cu0.5Ga1.0Se<2、Ga2.0Se~3、In2.0Se~3、In1.4Ga0.6Se~3、Cu0.3In1.0Se<2、またはCu0.5In0.7Ga0.3Se<2を含有することができる。第2のインクで作製された材料の実施例は、Cu<1.0InxGa1-xSe~2.0-2.4を含み、x=0~1であり、Cuは、0~0.75であり得る。いくつかの実施形態では、第2のインクは、化学量論Cu<1.0InxGa1-xSe~2.0-2.4を有し得、x=0~1であり、Cuは、0~0.75であり得る。本開示の方法によって作製することができる材料または組成物の実施例は、Cu1.05In1.0Se~2.0-2.4、Cu1.1In0.9Ga0.1Se~2.0-2.4、Cu1.3In1.0Se~2.0-2.4、Cu1.05In1.0Ga0.15Se~2.0-2.4、Cu1.1In0.85Ga0.15Se~2.0-2.4、Cu1.1In1.0Se~2.0-2.4、Cu1.1In0.7Ga0.3Se~2.0-2.4、およびCu1.2In0.80Ga0.10Se~2.0-2.4を含む。太陽電池のための最終加工段階太陽電池デバイスは、種々の最終加工ステップを実行することによって、基板上の光起電吸収体層から作製することができる。いくつかの実施形態では、最終加工ステップは、化学浴処理ステップを含む。化学浴処理ステップでは、光起電吸収体層は、緩衝化合物に暴露させることができる。緩衝化合物の実施例は、In2S3を含む。追加の最終加工ステップは、緩衝層の堆積である。CdSの緩衝層は、化学浴堆積によって作製することができる。別の最終加工ステップは、TCO層の堆積である。TCO層は、Al:ZnOAZOから作製することができる。TCO層形成ステップは、ZnO固有iZOを含むことができる。さらなる最終加工ステップは、TCO層上の金属接点の堆積である。太陽電池は、空気中、または不活性雰囲気中で焼鈍することによって完成することができる。本明細書で使用される場合、太陽電池または光起電吸収体層の後部という用語は、太陽電池のバック接点により近い光起電吸収体層の表面を指す。太陽電池または光起電吸収体層の前部という用語は、太陽電池のTCO層により近い光起電吸収体層の表面を指す。光起電デバイス本発明のポリマー前駆体は、高効率の光起電材料および太陽電池を作製するために使用することができる。いくつかの実施形態では、太陽電池は、基板上に堆積させられた、または印刷されたCIS、CIGS、AIS、AIGS、CAIS、CAIGS、CIGAS、AIGAS、またはCAIGAS吸収体層を有する、薄層太陽電池である。本発明の実施形態は、光電気変換に使用される太陽電池の向上した効率を提供し得る。いくつかの実施形態では、本開示の太陽電池は、CIS、CIGS、AIS、AIGS、CAIS、CAIGS、CIGAS、AIGAS、またはCAIGASセルで作製されたヘテロ接合デバイスである。CIS、CIGS、AIS、AIGS、CAIS、CAIGS、CIGAS、AIGAS、またはCAIGAS層は、例えば、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、テルル化カドミウム、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、またはテルル化亜鉛の層とともに、接合パートナーとして使用され得る。吸収体層は、MgS、MgSe、MgTe、HgS、HgSe、HgTe、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、またはそれらの組み合わせの層に隣接し得る。ある変化例では、本開示の太陽電池は、1つ以上の積層太陽電池で作製された多重接合デバイスである。図3に示されるように、本開示の太陽電池デバイスは、基板10と、電極層20と、吸収体層30と、緩衝層40と、透明導電層TCO50とを有し得る。基板10は、金属、プラスチック、ガラス、またはセラミックであり得る。電極層20は、モリブデン含有層であり得る。吸収体層30は、CIS、CIGS、AIS、AIGS、CAIS、CAIGS、CIGAS、AIGAS、またはCAIGAS層であり得る。緩衝層40は、硫化カドミウム層であり得る。透明導電層50は、インジウムスズ酸化物層またはドープした酸化亜鉛層であり得る。本開示の太陽電池デバイスは、基板、電極層、吸収体層、緩衝層、接着促進層、接合パートナー層、透明層、透明電極層、透明導電酸化物層、透明導電ポリマー層、ドープした導電性ポリマー層、封入層、反射防止層、保護層、または保護ポリマー層を有し得る。ある変化例では、吸収体層は、複数の吸収体層を含む。ある変化例では、太陽電池は、追加の硫化またはセレン化ステップを有利に回避する、本発明のポリマー前駆体化合物および組成物を使用する過程によって作製され得る。ある変化例では、太陽電池デバイスは、モリブデン含有層、または界面モリブデン含有層を有し得る。保護ポリマーの実施例は、シリコーンゴム、ブチループラスチック、エチレン酢酸ビニル、およびそれらの組み合わせを含む。基板は、ロールで取り扱うことができる可撓性材料で作製することができる。電極層は、薄いロールであり得る。本開示の吸収体層は、基板上にナノ粒子を含有する組成物を堆積させること、または印刷することによって作製することができ、ナノ粒子は、本発明のポリマー前駆体化合物で作製することができる。いくつかの過程では、ナノ粒子は、ポリマー前駆体化合物で作製し、基板上に堆積させることができる。堆積させられたナノ粒子は、後に、熱またはエネルギーの印加によって転換することができる。いくつかの実施形態では、吸収体層は、基板上に堆積させられ、後に、熱またはエネルギーによって転換させられている、ナノ粒子または半導体ナノ粒子から形成され得る。いくつかの実施形態では、薄膜光起電デバイスは、透明導体層と、緩衝層、p型吸収体層と、電極層と、基板とを有し得る。透明導体層は、酸化亜鉛層、またはアルミニウムでドープした酸化亜鉛層、またはカーボンナノチュ-ブ、または酸化スズ層、またはフッ素でドープした酸化スズ層、インジウムスズ酸化物層、またはフッ素でドープしたインジウムスズ酸化物層等の透明導電酸化物TCO層であり得る一方で、緩衝層は、硫化カドミウム、または硫化カドミウムおよび高抵抗酸化亜鉛であり得る。p型吸収体層は、CIGS層であり得、電極層は、モリブデンであり得る。透明導体層は、厚さが最大で約0.5マイクロメートルであり得る。緩衝層はまた、硫化カドミウムn型接合パートナー層であり得る。いくつかの実施形態では、緩衝層は、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、二酸化チタン、または酸化ホウ素であり得る。透明導電酸化物のいくつかの実施例が、K.Ellmeretal.,TransparentConductiveZincOxide,Vol.104,SpringerSeriesinMaterialsScience2008で挙げられている。いくつかの側面では、太陽電池は、印刷用のインクに添加する、または基板上に堆積させることができる、種々のモリブデン含有およびセレン含有化合物を使用して形成され得る、セレン化モリブデン界面層を含むことができる。薄膜材料光起電吸収体層は、本発明の1つ以上のポリマー前駆体で作製することができる。例えば、ポリマー前駆体インクは、不活性雰囲気中のグローブボックスの中で噴霧熱分解ユニットを使用して、ステンレス鋼基板上に噴霧することができる。噴霧熱分解ユニットは、超音波ネブライザーと、不活性ガス担体用の精密流量計と、炉の中の管状石英リアクタとを有し得る。噴霧被覆した基板は、不活性雰囲気中で約25°Cから約650°Cの温度において加熱することができ、それにより、薄膜材料光起電吸収体層を産生する。さらなる実施例では、薄膜材料光起電吸収体層は、0.45ミクロンフィルタまたは0.3ミクロンフィルタを用いて濾過される、ポリマー前駆体インクを提供することによって作製することができる。インクは、不活性雰囲気中のグローブボックスの中でインクジェットプリンターを使用して、ポリエチレンテレフタレート基板上に印刷され得る。約0.1から5ミクロンの厚さの膜を、基板上に堆積させることができる。基板は、不活性雰囲気中で、約100°Cから約600°C、または約100°Cから約650°Cの温度において除去および加熱することができ、それにより、薄膜材料光起電吸収体層を産生する。いくつかの実施例では、太陽電池は、ポリエチレンテレフタレート基板上に電極層を提供することによって作製することができる。薄膜材料光起電吸収体層は、上記で説明されるように電極層上に被覆することができる。緩衝層を、吸収体層上に堆積させることができる。透明導電酸化物層を、緩衝層上に堆積させることができ、それにより、太陽電池の実施形態を形成する。基板上に光起電吸収体層を作製するための方法は、1つ以上のポリマー前駆体化合物を提供するステップと、基板を提供するステップと、基板上に化合物を噴霧するステップと、不活性雰囲気中で、約100°Cから約600°C、または約100°Cから約650°Cの温度において基板を加熱し、それにより、0.01から100マイクロメートルの厚さを有する光起電吸収体層を産生するステップとを含む。噴霧は、噴霧コーテング、噴霧堆積、ジェット堆積、または噴霧熱分解で行うことができる。基板は、ガラス、金属、ポリマー、プラスチック、またはシリコーンであり得る。本開示の方法によって作製される光起電吸収体層は、実験式CuxIn1-yGayvS1-zSezwを有し得、xは、0.8から0.95であり、yは、0から0.5であり、zは、0から1であり、vは、0.95から1.05であり、wは、1.8から2.2である。いくつかの実施形態では、wは、2.0から2.2である。本開示の方法によって作製される光起電吸収体層は、実験式CuxInyS1-zSezwを有し得、xは、0.8から0.95であり、yは、0.95から1.05であり、zは、0から1であり、wは、1.8から2.2である。光起電吸収体層を作製するための方法は、硫化またはセレン化のステップを含むことができる。ある変化例では、光起電吸収体層を作製するための方法は、基板上に化合物を堆積させ、噴霧し、被覆し、または印刷しながら、約20°Cから約400°Cの温度まで化合物を加熱するステップを含み得る。基板上に光起電吸収体層を作製するための方法は、1つ以上のポリマー前駆体化合物を提供するステップと、基板を提供するステップと、基板上に化合物を堆積させるステップと、不活性雰囲気中で、約100°Cから約650°C、または約100°Cから約600°C、または約100°Cから約400°C、または約100°Cから約300°Cの温度において基板を加熱し、それにより、0.01から100マイクロメートルの厚さを有する光起電吸収体層を産生するステップとを含む。堆積は、電着、電気めっき、無電解めっき、浴堆積、液体堆積、溶液堆積、層ごとの堆積、回転成形、または溶液成形で行うことができる。基板は、ガラス、金属、ポリマー、プラスチック、またはシリコーンであり得る。基板上に光起電吸収体層を作製するための方法は、1つ以上のポリマー前駆体インクを提供するステップと、基板を提供するステップと、基板上にインクを印刷するステップと、不活性雰囲気中で、約100°Cから約600°C、または約100°Cから約650°Cの温度において基板を加熱し、それにより、0.01から100マイクロメートルの厚さを有する光起電吸収体層を産生するステップとを含む。印刷は、スクリーン印刷、インクジェット印刷、転写、フレキソ印刷、またはグラビア印刷で行うことができる。基板は、ガラス、金属、ポリマー、プラスチック、またはシリコーンであり得る。方法はさらに、インクにInSeR3等の追加のインジウム含有化合物を添加するステップを含み得、Rは、アルキルまたはアリールである。一般に、堆積、噴霧、または印刷のためのインク組成物は、追加のインジウム含有化合物、または追加のガリウム含有化合物を含有し得る。追加のインジウム含有化合物の実施例は、InSeR3を含み、Rは、アルキルまたはアリールである。追加のガリウム含有化合物の実施例は、GaSeR3を含み、Rは、アルキルまたはアリールである。例えば、インクはさらに、InSenBu3またはGaSenBu3、あるいはそれらの混合物を含有し得る。いくつかの実施形態では、インクは、NaERを含有し得、Eは、SまたはSeであり、Rは、アルキルまたはアリールである。ある実施形態では、インクは、NaInER4、NaGaER4、LiInER4、LiGaER4、KInER4、またはKGaER4を含有し得、Eは、SまたはSeであり、Rは、アルキルまたはアリールである。発電および送電本開示は、電力を産生し、送達するための方法を検討する。本発明の光起電デバイスは、例えば、太陽光を商業用電力網に提供することができる電力に変換するために、使用することができる。本明細書で使用される場合、太陽電池という用語は、個々の太陽電池、ならびにいくつかの太陽電池を組み合わせることができる太陽電池アレイを指す。本開示の太陽電池デバイスは、モジュール式パネルで製造することができる。本開示の電力システムは、個人利用のための電力を含んで、大規模または小規模で、ならびに公共利用のためのメガワット規模で作製され得る。本開示の太陽電池デバイスおよび電力システムの重要な特徴は、低い環境影響を伴って製造および使用できることである。本開示の電力システムは、光に向かって太陽電池を対面させるように電動式であり得る、可動台上の太陽電池を利用し得る。代替として、太陽電池は、最適な配向で固定した物体上に載置され得る。太陽電池は、セルの種々のグループが、好適な電圧および電流特性を提供するように、直列および並列で電気的に接続される、パネルの中で取り付けることができる。太陽電池は、屋根の上に、ならびにあらゆる種類の屋外の日光が当たる表面に設置することができる。太陽電池は、屋根瓦または屋根板等の種々の種類の屋根材料と組み合わせることができる。電力システムは、太陽電池アレイと、バッテリ貯蔵システムとを含むことができる。電力システムは、バッテリ貯蔵システムが太陽電池を通して流出すること、または過充電されることを防止するように、ダイオードを含む回路および電圧調節回路を有し得る。電力システムは、照明、電気自動車、電気バス、電気飛行機、水を送出すること、水の脱塩、冷蔵、製品、製造、および他の用途のための電力を提供するために使用することができる。元素源銀源は、銀金属、AgI、硝酸銀、ハロゲン化銀、塩化銀、酢酸銀、銀アルコキシド、およびそれらの混合物を含む。アルカリ金属イオン源は、アルカリ金属、アルカリ金属塩、ハロゲン化アルカリ金属、アルカリ金属硝酸塩、Na2Se、Li2Se、およびK2Seを含むセレン化物、ならびにアルキルリチウム化合物等の有機金属化合物を含む。銅源は、銅金属、CuI、CuII、ハロゲン化銅、塩化銅、酢酸銅、銅アルコキシド、銅アルキル、銅ジケトナ-ト、銅2,2,6,6,-テトラメチル-3,5,-ヘプタンジオネート、銅2,4-ペンタンジオネート、銅ヘキサフルオロアセチルアセトネート、銅アセチルアセトネート、銅ジメチルアミノエトキシド、銅ケトエステル、およびそれらの混合物を含む。インジウム源は、インジウム金属、トリアルキルインジウム、トリジアルキルアミンインジウム、ハロゲン化インジウム、塩化インジウム、塩化ジメチルインジウム、トリメチルインジウム、インジウムアセチルアセトネート、インジウムヘキサフルオロアセチルアセトネート、インジウムメートキシエトキシド、インジウムメチルトリメチルアセチルアセトネート、インジウムトリフルオロペンタンジオネート、およびそれらの混合物を含む。ガリウム源は、ガリウム金属、トリアルキルガリウム、トリジアルキルアミンガリウム、ハロゲン化ガリウム、フッ化ガリウム、塩化ガリウム、ヨウ化ガリウム、塩化ジエチルガリウム、酢酸ガリウム、ガリウム2,4-ペンタンジオネート、ガリウムエトキシド、ガリウム2,2,6,6,-テトラメチルヘプタンジオネート、トリスジメチルアミノリウム、およびそれらの混合物を含む。アルミニウム源は、アルミニウム金属、トリアルキルアルミニウム、トリスジアルキルアミンアルミニウム、ハロゲン化アルミニウム、フッ化アルミニウム、塩化アルミニウム、ヨウ化アルミニウム、塩化ジエチルアルミニウム、酢酸アルミニウム、アルミニウム2,4-ペンタンジオネート、アルミニウムエトキシド、アルミニウム2,2,6,6,テトラメチルヘプタンジオネート、トリスジメチルアミノアルミニウム、およびそれらの混合物を含む。ガリウムおよびインジウム源は、国際公開WO2008057119号で説明されている。化学定義本明細書で使用される場合、原子パーセント、原子、またはatという用語は、原子が組み込まれる最終材料に対する原子の量を指す。例えば、CIGS中の0.5atNaは、CIGS材料中の原子の0.5原子パーセントと等価であるナトリウム原子の量を指す。本明細書で使用される場合、化合物または原子を指す場合のX,Yという用語は、XまたはYのいずれか一方、あるいはそれらの組み合わせが、式で見出され得ることを示す。例えば、S,Seは、硫黄またはセレンのいずれか一方の原子、あるいはそれらの任意の組み合わせが見出され得ることを示す。さらに、この表記を使用して、各原子の量を特定することができる。例えば、分子の化学式に現れるときに、表記0.75In,0.25Gaは、化合物の中の任意の他の原子の識別にもかかわらず、丸括弧の中の記号によって特定される原子が、化合物の75のインジウム、および化合物の残りの25のガリウムであることを示す。特定量がない場合、X,Yという用語は、ほぼ等しい量のXおよびYを指す。16族の原子S、Se、およびTeは、カルコゲンと呼ばれる。本明細書で使用される場合、CIGS、AIGS、CAIGS、CIGAS、AIGAS、およびCAIGASの中の文字Sは、硫黄またはセレン、あるいは両方を指す。CIGS、CAIGS、CIGAS、およびCAIGASの中の文字Cは、銅を指す。文字IおよびGの前に現れる、AIGS、CAIGS、AIGAS、およびCAIGASの中の文字Aは、銀を指す。CIGS、AIGS、CAIGS、CIGAS、AIGAS、およびCAIGASの中の文字Iは、インジウムを指す。CIGS、AIGS、CAIGS、CIGAS、AIGAS、およびCAIGASの中の文字Gは、ガリウムを指す。文字IおよびGの後に現れる、CIGAS、AIGAS、およびCAIGASの中の文字Aは、アルミニウムを指す。したがって、CAIGASはまた、Cu/Ag/In/Ga/Al/S/Seとして表すこともできる。本明細書で使用される場合、CIGS、AIGS、およびCAIGSという用語は、特に指定がない限り、それぞれ、変化例CI,GS、AI,GS、およびCAI,GS、ならびに、それぞれ、CIS、AIS、およびCAIS、ならびに、それぞれ、CGS、AGS、およびCAGSを含む。CIGAS、AIGAS、およびCAIGASという用語は、特に指定がない限り、それぞれ、変化例CI,G,AS、AI,G,AS、およびCAI,G,AS、ならびに、それぞれ、CIGS、AIGS、およびCAIGS、ならびに、それぞれ、CGAS、AGAS、およびCAGASを含む。CAIGASという用語は、Cまたは銀のいずれか一方がゼロである変化例、例えば、それぞれ、AIGASおよびCIGAS、ならびにアルミニウムがゼロである変化例、例えば、CAIGS、AIGS、およびCIGSを含む。本明細書で使用される場合、CIGSという用語は、CIGSSeおよびCIGSeという用語を含み、これらの用語は、銅/インジウム/ガリウム/硫黄/セレンを含有する化合物または材料を指し、硫黄またはセレン、あるいは両方を含有し得る。AIGSという用語は、AIGSSeおよびAIGSeという用語を含み、これらの用語は、銀/インジウム/ガリウム/硫黄/セレンを含有する化合物または材料を指し、硫黄またはセレン、あるいは両方を含有し得る。CAIGSという用語は、CAIGSSeおよびCAIGSeという用語を含み、これらの用語は、銅/銀/インジウム/ガリウム/硫黄/セレンを含有する化合物または材料を指し、硫黄またはセレン、あるいは両方を含有し得る。本明細書で使用される場合、カルコゲン化物という用語は、1つ以上の金属原子に結合された1つ以上のカルコゲン原子を含有する化合物を指す。本明細書で使用される場合アルキルという用語は、1から22個の炭素原子を含有する、分岐または非分岐、置換または非置換脂肪族基であり得る、飽和脂肪族基のヒドロカルビルラジカルを指す。この定義は、例えば、シクロアルキル、アルコキシ、アルカノイル、アラールキル、および以下で定義される他の基等の、他の基のアルキル部分に適用される。本明細書で使用される場合シクロアルキルという用語は、3から12個の炭素原子を含有する、飽和、置換、または非置換環状アルキル環を指す。本明細書で使用される場合、C1-5アルキルという用語は、C1アルキル、C2アルキル、C3アルキル、C4アルキル、およびC5アルキルを含む。同様に、C3ー22アルキルという用語は、C1アルキル、C2アルキル、C3アルキル、C4アルキル、C5アルキル、C6アルキル、C7アルキル、C8アルキル、C9アルキル、C10アルキル、C11アルキル、C12アルキル、C13アルキル、C14アルキル、C15アルキル、C16アルキル、C17アルキル、C18アルキル、C19アルキル、C20アルキル、C21アルキル、およびC22アルキルを含む。本明細書で使用される場合、アルキル基は、Meメチル、Etエチル、Pr任意のプロピル基、nPrn-Pr、n-プロピル、iPri-Pr、イソプロピル、Bu任意のブチル基、nBun-Bu、n-ブチル、iBui-Bu、イソブチル、sBus-Bu、sec-ブチル、およびtBut-Bu、tert-ブチル等の用語によって指定され得る。本明細書で使用される場合アルケニルという用語は、2から22個の炭素原子、および少なくとも1つの炭素炭素二重結合を有する、不飽和、分岐または非分岐、置換または非置換アルキルまたはシクロアルキルを指す。本明細書で使用される場合アルキニルという用語は、2から22個の炭素原子、および少なくとも1つの炭素炭素三重結合を有する、不飽和、分岐または非分岐、置換または非置換アルキルまたはシクロアルキルを指す。本明細書で使用される場合アルコキシという用語は、酸素原子に共有結合された、アルキル、シクロアルキル、アルケニル、またはアルキニル基を指す。本明細書で使用される場合アルカノイルという用語は、代替としてアシルと呼ばれ得る、-C=O-アルキルを指す。本明細書で使用される場合アルカノイルオキシという用語は、-O-C=O-アルキル基を指す。本明細書で使用される場合アルキルアミノという用語は、基-NRR’を指し、RおよびR’は、各々、水素またはアルキルのいずれか一方であり、RおよびR’のうちの少なくとも1つは、アルキルである。アルキルアミノは、ピペリジノ等の基を含み、RおよびR’は、環を形成する。アルキルアミノアルキルという用語は、-アルキル-NRR’を指す。本明細書で使用される場合アリールという用語は、各環の中の4から12個の原子の任意の安定した単環、二環、または多環炭素環系を指し、少なくとも1つの環は、芳香族である。アリールのいくつかの実施例は、フェニル、ナフチル、テトラヒドロナフチル、インダニル、およびビフェニルを含む。アリール置換基が二環式であり、1つの環が芳香族ではない場合、付着が芳香族環に対するものであると理解される。アリールは、置換または非置換であり得る。本明細書で使用される場合ヘテロアリールという用語は、各環の中の4から12個の原子の任意の安定した単環、二環、または多環炭素環系を指し、少なくとも1つの環は、芳香族であり、酸素、窒素、および硫黄から選択される、1から4個のヘテロ原子を含有する。リンおよびセレンは、ヘテロ原子であり得る。ヘテロアリールのいくつかの実施例は、アクリジニル、キノキサリニル、ピラゾリル、インドリル、ベンゾトリアゾリル、フラニル、チエニル、ベンゾチエニル、ベンゾフラニル、キノリニル、イソキノリニル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、ピラジニル、ピリダジニル、ピリジニル、ピリミジニル、ピロリル、およびテトラヒドロキノリルを含む。ヘテロアリールは、窒素含有ヘテロアリールのN酸化物誘導体を含む。本明細書で使用される場合複素環またはヘテロシクリルという用語は、5から22個の原子の芳香族または非芳香族環系を指し、環原子のうちの1つから4つは、酸素、窒素、および硫黄から選択されるヘテロ原子である。リンおよびセレンは、ヘテロ原子であり得る。したがって、複素環は、ヘテロアリール、あるいはそのジヒドロまたはテトラヒドロバージョンであり得る。本明細書で使用される場合アロイルという用語は、置換安息香酸等の芳香族カルボン酸から導出されるアリールラジカルを指す。本明細書で使用される場合アラールキルという用語は、アルキル基、例えば、ベンジル基に結合されたアリール基を指す。本明細書で使用される場合カルボキシルという用語は、式-C=OOHまたは-C=OO-の基を表す。本明細書で使用される場合カルボニルおよびアシルという用語は、酸素原子が炭素原子に二重結合される基、>C=Oを指す。本明細書で使用される場合ヒドロキシルという用語は、-OHまたは-O-を指す。本明細書で使用される場合ニトリルまたはシアノという用語は、-CNを指す。本明細書で使用される場合ハロゲンまたはハロという用語は、フルオロ-F、クロロ-Cl、ブロモ-Br、およびヨード-Iを指す。本明細書で使用される場合置換という用語は、同じであり得る、または異なり得る、かつ水素置換基を含み得る、1つ以上の置換または換基を有する原子を指す。したがって、本明細書で使用されるようなアルキル、シクロアルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルカノイル、アルカノイルオキシ、アルキルアミノ、アルキルアミノアルキル、アリール、ヘテロアリール、複素環、アロイル、およびアラールキルという用語は、置換変化例を含む基を指す。置換変化例は、線形、分岐、および環状変化例、ならびに基の任意の炭素原子に付着した1つ以上の水素に取って代わる、1つまたは複数の置換基を有する基を含む。基の炭素原子に付着され得る、置換基は、アルキル、シクロアルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルカノイル、アルカノイルオキシ、アルキルアミノ、アルキルアミノアルキル、アリール、ヘテロアリール、複素環、アロイル、アラールキル、アシル、ヒドロキシル、シアノ、ハロ、ハロアルキル、アミノ、アミノアシル、アルキルアミノアシル、アシルオキシ、アリールオキシ、アリールオキシアルキル、メルカプト、ニトロ、カルバミル、カルバモイル、および複素環を含む。例えば、エチルという用語は、限定するものではないが、-CH2CH3、-CHFCH3、-CF2CH3、-CHFCH2F、-CHFCHF2、-CHFCF3、-CF2CH2F、-CF2CHF2、-CF2CF3、および上記で説明されるような他の変化例を含む。一般に、置換基は、それ自体が、任意の原子または原子群とさらに置換され得る。置換アルキル用の置換基のいくつかの実施例は、ハロゲン、ヒドロキシル、カルボニル、カルボキシル、エステル、アルデヒド、カルボン酸塩、ホルミル、ケトン、チオカルボニル、チオエステル、チオアセテート、チオホルメート、セレノカルボニル、セレノエステル、セレノアセテート、セレノホルメート、アルコキシル、ホスホリル、ホスホン酸塩、ホスフィン酸塩、アミノ、アミド、アミジン、イミノ、シアノ、ニトロ、アジド、カルバメート、スルフィドリル、アルキルチオ、硫酸塩、スルホン酸塩、スルファモイル、スルホンアミド、スルホニル、シリル、ヘテロシクリル、アリール、アラールキル、芳香族、およびヘテロアリールを含む。置換またはと置換されたとは、置換原子および置換基の許容される価数に従った、そのような置換を表すと理解される。本明細書で使用される場合、置換という用語は、全ての許容置換基を含む。一般に、化合物は、1つ以上のキラール中心を含有し得る。1つ以上のキラール中心を含有する化合物は、異性体、立体異性体、ジアステレオマー、エナンチオマー、光学異性体として、またはラセミ混合物として表される物を含み得る。立体化学的命名のための変換、例えば、Cahn、Ingold、およびPrelogの立体異性体命名規則、ならびに立体化学の決定および立体異性体の分離のための方法が、当技術分野で公知である。例えば、MichaelB.SmithandJerryMarch,March’sAdvancedOrganicChemistry,5thedition,2001を参照されたい。本開示の化合物および構造は、それらの任意の混合物、ラセミ化合物、またはその他を含む、特定化合物または構造に対して存在すると理解される、全ての考えられる異性体、立体異性体、ジアステレオマー、エナンチオマー、および/または光学異性体を包含するように意図されている。本発明は、ありとあらゆる互変異性、溶媒和または非溶媒和、水和または未水和形態、ならびに本明細書で開示される化合物および組成物の任意の原子同位体形態を包含する。本発明は、本明細書で開示される化合物および組成物のありとあらゆる結晶多形または異なる結晶形態を包含する。追加の実施形態本明細書で引用される全ての出版物、参考文献、特許、特許公報、および特許出願は、それぞれ、あらゆる目的で、それらの全体で参照することにより本明細書に特異的に組み込まれる。本発明は、ある実施形態、側面、または変化例に関して説明され、多くの詳細が例証目的で記載されているが、本発明は、追加の実施形態、側面、または変化例を含むこと、および本明細書で説明される詳細のうちのいくつかは、本発明から逸脱することなく大幅に変化させられ得ることが、当業者に明白となるであろう。本発明は、そのような追加の実施形態、側面、および変化例と、それらの任意の修正および同等物とを含む。具体的には、本発明は、種々の例証的構成要素および実施例の特徴、用語、または要素の任意の組み合わせを含む。本発明の説明および請求項の中のa、an、theという用語および同様の用語の本明細書での使用は、単数および複数の両方を含むと解釈されるものである。を備える、を有する、含む、を含む、およびを含有するという用語は、例えば、を含むが、それに限定されないを意味する、制約のない用語として解釈されるものである。したがって、を備える、を有する、含む、を含む、およびを含有する等の用語は、排他的ではなく包括的であるものとして解釈されるものである。本明細書の一連の値の記載は、範囲内の値のうちのいくつかが明示的に記載されているか否かにかかわらず、本明細書で個別に記載されたかのように、範囲内に入るそれぞれの任意の別個の値を個別に指す。例えば、4から12の範囲は、当業者によって理解されるように、制限なく、4以上であり、12以下である、任意の整数、整数値、小数、または有理数値を含む。本明細書で採用される具体的な値は、例示的として理解され、本発明の範囲を限定するものではない。本明細書の一連のいくつかの原子の記載は、範囲内の値のうちのいくつかが明示的に記載されているか否かにかかわらず、本明細書で個別に記載されたかのように、範囲内に入るそれぞれの任意の別個の値を個別に指す。例えば、C1-8という用語は、制限なく、C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、およびC8という種を含む。本明細書で提供される技術用語の定義は、制限なく、当業者に公知である、これらの用語と関連付けられる意味を含むと解釈されるべきであり、本発明の範囲を限定することを目的としていない。本明細書で提供される技術用語の定義は、代替的な定義が本明細書で提供される定義と対立する限りにおいて、当技術分野の代替的な定義、または参照することにより本明細書に組み込まれる定義に優越すると解釈されるべきである。本明細書で挙げられる実施例、および本明細書で使用される例示的な用語は、例証目的のためだけであり、本発明の範囲を限定することを目的としていない。全ての実施例および実施例のリストは、非限定的であることが理解される。本発明に好適な化合物、分子、または組成物のリスト等の実施例のリストが挙げられる時に、記載された化合物、分子、または組成物の混合物もまた、好適であり得ることが当業者に明白となるであろう。Q50熱重量分析器TAInstruments,NewCastle,Del.を使用して、熱重量分析TGAを行った。Varian400MHz分光計を使用して、NMRデータを記録した。実施例1以下の過程によって、太陽電池を作製した。重量で50ポリマー前駆体含有量のヘプタン中でNaInSenBu4を介して供給された0.5atNaを伴うCuが豊富なCIGSポリマー前駆体化合物{Cu1.1In0.7Ga0.3SetBu1.1SenBu3.0}を溶解させ、その後に続いて、不活性雰囲気グローブボックスの中で、重量で約25ポリマー前駆体含有量までシクロヘキサンで希釈することによって、第1のインクを調製した。結果として生じたインクを、使用前に0.2μmPTFEシリンジフィルタを通して濾過した。重量で25ポリマー前駆体含有量のヘプタン中でNaInSenBu4を介して供給された0.5atNaを伴うCuが不足したCIGSポリマー前駆体化合物{Cu0.85In0.7Ga0.3SetBu0.85SenBu3.0}を溶解させることによって、第2のインクを調製した。結果として生じたインクを、使用前に0.2μmPTFEシリンジフィルタを通して濾過した。10mm/sのナイフ速度で、不活性窒素雰囲気グローブボックスの中でナイフ塗装機RKInstrumentsを使用して、Mo被覆ソ-ダ石灰ガラス基板の2インチ×2インチ平方の断片上に、第1のインクの0.04mLアリコートを堆積させた。乾燥させて、ポリマー前駆体をCuが豊富なCIGS材料に変換するように、湿潤基板を予熱した300°Cホットプレートに5分間移動させた。結果として生じたCuが豊富なCIGS膜を、予熱した炉の中で15分間、550°Cで焼鈍した。同じ条件下でナイフ塗装機を使用して、第2のインクの0.04mLアリコートを、基板上のCuが豊富なCIGS膜上に堆積させた。乾燥させて、ポリマー前駆体をCuが不足したCIGS材料に変換するように、湿潤基板を予熱した300°Cホットプレートに5分間移動させた。この後に、第2のインクの20層を堆積させ、類似方式で変換させた。次いで、基板上のCuが不足したCIGS薄膜がSe蒸気に暴露されている間に、基板を550°Cで5分間、予熱した炉の中で加熱した。エンクロージャの中に基板の表面を配置し、炉内のエンクロージャの中でSe蒸気を生成することによって、Cuが不足したCIGS薄膜をSe蒸気に暴露させた。基板上の結果として生じたCuが不足したCIGS薄膜は、約1.5μmの厚さを有した。最初にIn2Se3の化学浴堆積CBDで基板を処理することによって、太陽電池を完成させた。100mLの0.025MInCl3の水性原液、および100mLの0.5Mチオアセトアミドの水性原液を、300mL脱イオン水の中で希釈し、予熱した65°Cの500mLCBD容器へ迅速に移動させた。基板を、CBD容器へ迅速に移動させ、65°Cで15分間浸漬した。次いで、基板を水で3回洗浄した。その直後に、化学浴堆積によって、CdSの緩衝層を作製した。基板を500mLCBD容器の中に配置し、65°Cまで予熱した。366mL脱イオン水および62.5mL水酸化アンモニウムを容器に添加した。50mLの0.015MCdSO4の原液、および25mLの1.5Mチオ尿素の原液を、撹拌とともに添加した。基板を65°Cで16分間浸漬した。次いで、基板を脱イオン水および2-プロパノールですすぎ、窒素で送風乾燥させた。次に、真空中のスパッタリングによって、Al:ZnOAZOのTCO層を堆積させた。ZnOiZO層も使用した。スパッタリングによって、金属接点をTCO層上に堆積させた。図14は、太陽電池のCIGS薄膜の上面図の顕微鏡写真を示す。図14は、優れた粒径、形態、ならびに全体的密度および分散を図示する。図15は、完成した太陽電池の実施形態の断面図の顕微鏡写真を示す。太陽電池の電流電圧曲線が図16に示されている。太陽電池の効率は12.5であり、I-V性能パラメータが表2で示される。測定は、1000W/m2および25°CにおけるシミュレートしたAM1.5G日光の下で行われた。実施例2以下の過程によって、太陽電池を作製した。重量で50ポリマー含有量のヘプタン中でNaInSenBu4を介して供給された0.5atNaを伴うCuが豊富なCIGSポリマー前駆体化合物{{Cu1.1In0.7Ga0.3SetBu1.1SenBu3.0}を溶解させ、その後に続いて、不活性雰囲気グローブボックスの中で、重量で約25ポリマー含有量までシクロヘキサンで希釈することによって、第1のインクを調製した。結果として生じたインクを、使用前に0.2μmPTFEシリンジフィルタを通して濾過した。重量で25ポリマー含有量のヘプタン中でNaInSenBu4を介して供給された0.5atNaを伴うCuが不足したCIGSポリマー前駆体化合物{Cu0.85In0.7Ga0.3SetBu0.85SenBu3.0}を溶解させることによって、第2のインクを調製した。結果として生じたインクを、使用前に0.2μmPTFEシリンジフィルタを通して濾過した。5mm/sのナイフ速度で、不活性窒素雰囲気グローブボックスの中でナイフ塗装機GlobalInstrumentを使用して、Mo被覆ソ-ダ石灰ガラス基板の2インチ×2インチ平方の断片上に、第1のインクの0.04mLアリコートを堆積させた。乾燥させて、ポリマーをCuが豊富なCIGS薄膜に変換するように、湿潤基板を予熱した300°Cホットプレートに5分間移動させた。基板を、予熱した炉の中で15分間、550°Cで加熱した。20mm/sのナイフ速度で、第2のインクの0.04mLアリコートを、Cuが豊富なCIGS薄膜上に堆積させた。乾燥させて、ポリマーをCuが不足したCIGS薄膜材料に変換するように、湿潤ポリマー膜を予熱した300°Cホットプレートに5分間移動させた。この後に、第2のインクの追加の13層を堆積させ、類似方式で変換させた。次いで、基板上のCuが不足したCIGS薄膜がSe蒸気に暴露されている間に、基板を550°Cで5分間、予熱した炉の中で加熱した。エンクロージャで基板の表面を取り囲み、炉内のエンクロージャの中でSe蒸気を生成することによって、Cuが不足したCIGS薄膜をSe蒸気に暴露させた。基板上の結果として生じたCuが不足したCIGS薄膜は、約1.5μmの厚さを有した。前の実施例の場合のように、太陽電池を完成させた。実施例3以下の過程によって、太陽電池を作製した。不活性雰囲気グローブボックスの中で、重量で25ポリマー含有量のヘプタン中でNaInSenBu4を介して供給された0.5atNaを伴う{Cu1.1In0.7Ga0.3SetBu1.1SenBu3.0}を溶解させることによって、第1のインクを調製した。結果として生じたインクを、使用前に0.2μmPTFEシリンジフィルタを通して濾過した。不活性雰囲気グローブボックスの中で、重量で25ポリマー含有量のヘプタン中でNaInSenBu4を介して供給された0.5atNaを伴う{Cu0.85In0.7Ga0.3SetBu0.85SenBu3.0}を溶解させることによって、第2のインクを調製した。結果として生じたインクを、使用前に0.2μmPTFEシリンジフィルタを通して濾過した。20mm/sのナイフ速度で、不活性窒素雰囲気グローブボックスの中でナイフ塗装機RKInstrumentsを使用して、Mo被覆ソ-ダ石灰ガラス基板の2インチ×2インチ平方の断片上に、第1のインクの0.04mLアリコートを堆積させた。乾燥させて、ポリマーをCuが豊富なCIGS材料に変換するように、基板上の湿潤ポリマー膜を予熱した300°Cホットプレートに5分間移動させた。結果として生じたCuが豊富なCIGS膜を、予熱した炉の中で15分間、550°Cで焼鈍した。同じ条件下でナイフ塗装機を使用して、Cuが豊富な被覆Mo/ガラス基板の2インチ×2インチ平方の上記の断片上に、第2のインクの0.04mLアリコートを堆積させた。乾燥させて、ポリマーをCuが不足したCIGS材料に変換するように、基板上の湿潤ポリマー膜を予熱した300°Cホットプレートに3分間移動させた。第2のインクの合計13層、および全体的なCuが不足した化学量論を伴うCIGS材料をもたらすように、この堆積過程被覆/変換を繰り返した。最終堆積/変換の後に、Se蒸気の存在下で、550°Cで5分間、予熱した炉の中で焼鈍することが続いた。エンクロージャで基板の表面を取り囲み、炉内のエンクロージャの中でSe蒸気を生成することによって、薄膜をSe蒸気に暴露させた。基板上の結果として生じたCuが不足したCIGS薄膜は、約1.5μmの厚さを有した。前の実施例の場合のように、太陽電池を完成させた。実施例4薄膜太陽電池を作製するための過程例1-52が、以下の表3-6で示される。最初に表3、第2に表4、第3に表5、最後に表6という順序で、層を堆積させ、処理した。これらの実施例では、ナイフコーテングによって層を積層させた。ナイフコーテングギャップは、5から500ミクロンに及び、時には100ミクロンであった。ナイフコーテング速度は、1から100mm/sに及び、時には5から20mm/sに及んだ。ナイフコーテングは、不活性雰囲気グローブボックス中で室温にて行われた。ナイフコーテングによって堆積させられた層の数は、1から30以上であり得る。表3に示される、実施例1-8、11、13-42、44、および48-52については、Cuが豊富であったCIGSポリマー前駆体化合物を含有するインクの1つ以上の層を、最初にMo/ガラス基板の25cm2の四角い断片上に直接堆積させ、処理した。CIGSポリマー前駆体化合物を、溶剤ヘプタンまたはシクロヘキサン/ヘプタンを伴うインク中で溶解させた。インク中のCIGSポリマー前駆体化合物の濃度は、20から30重量パーセントであった。表3に示されるような、実施例9-10、12、43、および45-47については、Cuが不足したCIGSポリマー前駆体化合物を含有するインクの1つ以上の層を、最初にMo/ガラス基板の25cm2の四角い断片上に直接堆積させ、処理した。ナトリウムイオンを、表4に示される実施例1-52のあるインクの中に提供した。以下に記載される実施例を除いて、ナトリウムイオンの濃度は、0.5原子パーセントであった。インク中でNaInSenBu4の等価量を溶解させることによって、ナトリウムイオンを提供した。表4に示される、実施例4、21、27、36、37、および50については、ナトリウムイオンの濃度は、それぞれ、1.0、0.1、3.0、0.1、1.0、および7.0原子パーセントであった。次の層を堆積させる前に、基板上に堆積させられたCIGSポリマー前駆体化合物の各層を材料に変換および焼鈍した。焼鈍は、予熱した炉の中に基板を配置することによって、不活性雰囲気中で行われた。表4に示されるように、次に、Cuが不足したCIGSポリマー前駆体化合物の1つ以上の層を、表3からの対応する基板上に直接堆積させ、処理した。表4に示される、実施例9、10、12、43、および45-47については、焼鈍は、エンクロージャ中のセレン蒸気の存在下で行われた。表5に示されるように、場合によっては、表4からの対応する基板を、エンクロージャの中のセレンの存在下で焼鈍するか、または、Cuが不足したCIGSポリマー前駆体化合物の1つ以上の層を、表4からの対応する基板上に堆積させ、処理した。表6に示されるように、場合によっては、表5からの対応する基板を、エンクロージャの中のセレンの存在下で焼鈍するか、または、Cuが不足したCIGSポリマー前駆体化合物の1つ以上の層を、表5からの対応する基板上に堆積させ、処理した。表6に示されるような実施例32については、InSsBu3の層を堆積させ、処理した。実施例5光起電吸収体層薄膜1-63を、表7-10で以下に示されるように調製した。表7-10で説明される層をナイフコーテングすることによって、吸収体層を構築した。薄膜1-63を構築するように層が基板に塗布された順序は、第1に表7の中の層、第2に表8の中の層、第3に表9の中の層、および第4に表10の中の層であった。ナイフコーテングギャップは、5から500ミクロンに及び、時には100ミクロンであった。ナイフコーテング速度は、1から50mm/sに及び、時には5から10mm/sに及んだ。ナイフコーテングは、グローブボックス中で室温にて行われた。表7に示されるような、膜1-23、26-53、55、56、および58-63については、CIGSポリマー前駆体の1つ以上の層を、最初にMo/ガラス基板の26cm2の四角い断片上に直接堆積させ、処理した。CIGSポリマー前駆体を、溶剤シクロヘキサン/ヘプタンを伴うインクを使用して堆積させた。インク中のCIGSポリマー前駆体の濃度は、約20から30重量パーセントであった。存在する場合、NaInSenBu4の等価量を溶解させることによって、約0.5原子パーセントの濃度でナトリウムをインクの中に提供した。次の層を堆積させる前に、堆積させたポリマー前駆体の各層を材料に変換した。ホットプレート上で基板を加熱することによって、ポリマー前駆体層を材料に変換した。場合によっては、最終層を焼鈍した。表7に示される、膜24、25、54、および57については、GaSenBu3またはInSesBu3の6層を、最初にMo/ガラス基板の26cm2の四角い断片上に直接堆積させ、処理した。次の層を堆積させる前に、堆積させたGaSenBu3またはInSesBu3の各層を、材料に変換した。ホットプレート上で基板を加熱することによって、層を材料に変換した。表7では、全ての層が堆積させられ、材料に変換された後に、場合によっては、予熱した炉の中に基板を配置することによって、または急速熱処理システムSolaris75RTA,SurfaceScienceIntegration,ElMirage,Arizonaを使用することによって、不活性雰囲気中で材料を焼鈍した。表8に示される膜1-17、36、54、および60-63については、次に、CIGSポリマー前駆体の1つ以上の層を、表7からの対応する基板上に直接堆積させ、処理した。表8では、全ての層が堆積させられ、材料に変換された後に、材料を焼鈍した。実施例6単量体化合物の調製以下の手順を使用して、式GaSenBu3によって表される単量体化合物を合成した。不活性雰囲気グローブボックスの中の500mL丸底シュレンクフラスコに、NaSenBu28g、176mmolおよびTHF200mLを添加した。次いで、フラスコをシュレンクラインに移動させ、次いで、20mLのベンゼン中のGaCl310.3g、59mmolの溶液を添加した。反応混合物を12時間撹拌し、減圧下で揮発物を除去した。残留物をトルエンを用いて抽出し、濾過した。次いで、ろ液からの揮発物を減圧下で除去し、無色の油23g、48mmol、83収率を残した。NMR:1H;C6D6:0.85t,JHH=7.2Hz,9H,CH3;1.40m,6H,-CH2-;1.77m,6H,-CH2-;3.03brs,6H,SeCH2-.実施例7以下の手順を使用して、式InSenBu3によって表される単量体化合物を合成した。不活性雰囲気グローブボックスの中の500mL丸底シュレンクフラスコに、NaInCl36.95g、31mmol、NaSenBu15g、94mmol、およびTHF200mLを添加した。反応混合物をシュレンクラインに移動させ、12時間撹拌した。後に、揮発物を減圧下で除去した。残りの固体残留物を高温トルエン中で溶解させ、濾過した。次いで、ろ液からの揮発物を減圧下で除去し、結果として生じた固体をペンタンで洗浄した。最終無色固体を減圧下で乾燥させ、単離した15g、29mmol、92収率。NMR:1H;C6D6:0.913t,JHH=7.2Hz,9H,CH3;1.43m,6H,-CH2-;1.72m,6H,-CH2-;2.90t,JHH=7.2Hz,6H,SeCH2-.実施例8以下の一般手順に従って、表11に示される一連の高分子前駆体を不活性雰囲気中で合成した。不活性雰囲気グローブボックスの中で、シュレンク管をMBER3およびCuERで充填した。次いで、溶剤、典型的には、トルエンまたはベンゼンを添加した。シュレンク管をシュレンクラインに移動させ、反応混合物を25°Cで1時間撹拌した。場合によっては、反応混合物を約80°Cで最大12時間撹拌した。溶剤を減圧下で除去し、生成物をペンタンで抽出した。ペンタン抽出物を濾過し、黄色から橙黄色の生成物を得るように、溶剤を減圧下で除去した。生成物は、油であることから、半固体であること、固体であることに及んだ。90以上の収率が典型的であった。実施例9光起電吸収体の化学量論を標的にする本開示のポリマー前駆体を使用して、薄膜CIGS光起電吸収体の化学量論を正確に制御することができる。図17は、バルク結晶CIGS材料の組成物の化学量論を制御するための方法の結果を示す。これらの結果では、ガリウムに対するインジウムの比が制御された。図17は、種々のポリマー前駆体で作製されたバルクCIGS材料の結晶相の構造のX線回折による分析を示す。CIGS材料の結晶中のガリウムに対するインジウムの比は、X線回折パターンの中の2-シータ-112ピークの相対的位置によって検出された。CIGS材料は、各々、x軸上の値に対応するインジウム率を有するポリマー前駆体から作製され、インジウム率は、100In/InGaである。言い換えれば、データは、ポリマー前駆体から直接調製される、結果として生じたCIGS材料の化学量論を制御するために、ポリマー前駆体の化学量論を使用できることを示す。したがって、ポリマー前駆体を用いて、CIGS薄膜太陽電池吸収体の化学量論を標的にすることができる。"