R2T14BRは1種類以上の希土類元素を表し、TはFe又はFe及びCoを含む1種以上の遷移金属元素を表し、BはB又はB及びCを表す化合物を含む主相と、前記R2T14B化合物よりRを多く含む粒界相とを含む希土類焼結磁石を製造するにあたり、R2T14B相の組成を含む希土類焼結磁石体の表面に、重希土類化合物を含む希土類化合物含有液を付着させる重希土類化合物の付着工程と、前記重希土類化合物が付着した希土類焼結磁石体を熱処理する熱処理工程と、を有し、熱処理した希土類焼結磁石体の角形比は、熱処理して角形比が一番高くなる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体の角形比の0.8以上1.0未満であることを特徴とする希土類焼結磁石の製造方法。熱処理して角形比が一番高くなる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体の保磁力と熱処理した後の希土類焼結磁石体の保磁力との保磁力比が、0.8以上1.0以下である請求項1に記載の希土類焼結磁石の製造方法。前記希土類焼結磁石体の相対密度が、90以上である請求項1または2に記載の希土類焼結磁石の製造方法。前記希土類焼結磁石体が、R2T14B化合物及び不可避不純物を含む第1合金と、RFeMMは、Co、Cu、Al、Ga、Sn、Znの少なくとも1種類を表す化合物及び不可避不純物を含む第2合金とを用いて得られる請求項1から3の何れか1項に記載の希土類焼結磁石の製造方法。この希土類焼結磁石体の内部に重希土類を粒界拡散させる場合、スラリーに含まれていた重希土類元素の水素化物を所定量以上含めることで、熱処理した際、金属状態の重希土類が希土類焼結磁石体の内部への拡散が促進され、高い磁気特性を得ることができる。今後、更に高性能なモータなどの要求に対応するため、更に磁気特性が高い希土類焼結磁石が求められている。希土類焼結磁石の磁気特性を向上させるためには、希土類焼結磁石体の内部に金属状態の重希土類を更に効率よく吸収させる方法が求められている。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、希土類焼結磁石の磁気特性を向上させることができる希土類焼結磁石の製造方法を提供することを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る希土類焼結磁石の製造方法は、R2T14BRは1種類以上の希土類元素を表し、TはFe又はFe及びCoを含む1種以上の遷移金属元素を表し、BはB又はB及びCを表す化合物を含む主相と、前記R2T14B化合物よりRを多く含む粒界相とを含む希土類焼結磁石を製造するにあたり、R2T14B相の組成を含む希土類焼結磁石体の表面に、重希土類化合物を含む希土類化合物含有液を付着させる重希土類化合物の付着工程と、前記重希土類化合物が付着した希土類焼結磁石体を熱処理する熱処理工程と、を有し、熱処理した希土類焼結磁石体の角形比Hk/HcJは、熱処理して角形比Hk/HcJが一番高くなる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体の角形比Hk/HcJの0.8以上1.0未満であることを特徴とする。希土類焼結磁石体の表面に希土類化合物含有液を塗布した後、希土類焼結磁石体を熱処理することで、希土類化合物含有液に含まれる重希土類化合物は希土類焼結磁石体の内部に吸収され、希土類焼結磁石体の粒界相を通じて内部に拡散される。重希土類は希土類焼結磁石体の内部に拡散する際、粒界相の他に主相にも拡散する。このとき、主相は結晶状態であるため、希土類焼結磁石体を熱処理する際に、希土類焼結磁石体の熱処理温度が低いと、液相化している粒界相に比べ、重希土類は主相に入りに難く、その分、粒界相に拡散する割合が増加する傾向にある。そのため、粒界相の融点が低いほど、重希土類を主相の内部に拡散する割合を減らすことができるため、粒界相の内部に拡散させる重希土類の損失を小さくすることができる。これにより、得られる希土類焼結磁石は、残留磁束密度Brの低下を更に小さく抑えることができると共に、保磁力HcJを更に向上させることができる。角形比Hk/HcJは、保磁力HcJに対する磁化が残留磁束密度Brの90であるときの外部磁界の値Hkの比率であり、熱処理して角形比Hk/HcJが一番高くなる焼結条件は、角形比Hk/HcJが適正に取れた状態をいう。焼結条件とは、希土類焼結磁石体の焼結前の成形体を焼成する際の焼結温度、焼結時間などをいう。熱処理して角形比Hk/HcJが一番高くなる焼結条件角形比Hk/HcJが適正に取れた状態より所定範囲低い希土類焼結磁石体の粒界相中には、希土類焼結磁石の原料合金で主相に含めずに添加した低融点元素が主相内へ拡散せずに存在してるため、粒界相の融点は、熱処理して角形比Hk/HcJが一番高くなる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体の粒界相の融点より低い状態にできる。そのため、熱処理した希土類焼結磁石体の角形比Hk/HcJを、熱処理して適性な角形比Hk/HcJになる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体の角形比Hk/HcJに対して、上記範囲内にすることで、希土類焼結磁石体の粒界相の融点をより低くすることができる。このため、粒界相の融点が低い希土類焼結磁石体を熱処理すると、熱処理して角形比Hk/HcJが一番高くなる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体の粒界相よりも角形比Hk/HcJが所定範囲だけ低い希土類焼結磁石体の粒界相はより低温で液相化する。これにより、希土類焼結磁石体の表面に塗布した希土類化合物含有液に含まれる重希土類の希土類焼結磁石体の粒界相の内部への拡散効率は向上し、主相内への拡散を抑制しつつ、希土類焼結磁石体の深部にまで重希土類を効率よく拡散させることができる。この結果、希土類焼結磁石体の粒界相での重希土類の拡散領域が増大するため、得られる希土類焼結磁石の磁気特性は向上する。本発明においては、熱処理して角形比Hk/HcJが一番高くなる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体の保磁力と熱処理した後の希土類焼結磁石体の保磁力との保磁力比が、0.8以上1.0以下であることが好ましい。希土類焼結磁石体の保磁力比を上記範囲内とすることで、希土類焼結磁石体の焼結が不十分な状態で希土類焼結磁石体内にR2を拡散させても、得られる希土類焼結磁石の残留磁束密度Brの低下を抑制しつつ、保磁力HcJを向上させることができる。本発明においては、前記希土類焼結磁石体の相対密度が、90以上であることが好ましい。希土類焼結磁石体の相対密度を上記範囲内とすることで、希土類焼結磁石体の角形比が低い状態でも、高密度の希土類焼結磁石体であるため、得られる希土類焼結磁石のBrを十分に高く得ることができる。本発明においては、前記希土類焼結磁石体が、R2T14B化合物及び不可避不純物を含む第1合金と、RFeMMは、Co、Cu、Al、Ga、Sn、Znの少なくとも1種類を表す化合物及び不可避不純物を含む第2合金とを用いて得られることが好ましい。第2合金の合金組成を調整して希土類焼結磁石体を作製することで、希土類焼結磁石体の粒界相の融点を低くすることができるため、得られる希土類焼結磁石の磁気特性を更に向上させることができる。本発明によれば、希土類焼結磁石の磁気特性を向上させることができる。以下、本発明に係る希土類焼結磁石の実施の形態以下、実施形態という及び実施例を図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の発明を実施するための実施形態及び実施例により本発明が限定されるものではない。また、下記実施形態及び実施例における構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、下記実施形態及び実施例で開示した構成要素は適宜組み合わせても良いし、適宜選択して用いてもよい。<希土類焼結磁石>希土類焼結磁石は、R-T-B系合金を用いて形成される焼結体である。希土類焼結磁石は、結晶粒の組成がR2T14BRはNdを含む1種類以上の希土類元素を表し、TはFe又はFe及びCoを含む1種以上の遷移金属元素を表し、BはB又はB及びCを表すという組成式で表されるR2T14B化合物を含む主相と、R2T14B化合物よりRを多く含む粒界相とを有する。Rは、1種以上の希土類元素を表す。希土類元素とは、長周期型周期表の第3族に属するScとYとランタノイド元素とのことをいう。ランタノイド元素は、例えば、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等を含む。希土類元素は、軽希土類及び重希土類に分類され、重希土類元素とは、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luをいい、軽希土類元素はそれ以外の希土類元素である。製造コスト及び磁気特性の観点から、RはNdを含むものであることが好ましい。Tは、Fe又はFe及びCoを含む1種以上の遷移金属元素を示すものである。Tは、Fe単独であってもよく、Feの一部がCoで置換されていてもよい。Feの一部をCoに置換する場合、磁気特性を低下させることなく温度特性を向上させることができる。また、Coの含有量は、Feの含有量の20質量以下に抑えることが望ましい。これは、Coの含有量がFeの含有量の20質量より大きくなるようにFeの一部をCoに置換すると、磁気特性を低下させる虞があるからである。また、希土類焼結磁石が高価となってしまうからである。Tは、Fe、Co以外に、例えば、Al、Ga、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、Wなどの元素の少なくとも1種の元素を更に含んでいてもよい。本実施形態に係る希土類焼結磁石の粒界相には、結晶粒の組成がR2T14Bという組成式で表されるR2T14B相よりRが多いRリッチ相が含まれる。粒界相は、Rリッチ相の他に、ホウ素B原子の配合割合が高いBリッチ相が含まれていてもよい。また、結晶粒の粒径は、通常3μmから30μm程度である。希土類焼結磁石において、Bの一部を炭素Cに置換することができる。この場合、磁石の製造が容易となるほか、製造コストの低減も図れるようになる。また、Cは耐蝕性を有するため、Bの一部をCに置換することで、耐食性を向上させることができる。また、Cの置換量は、磁気特性に実質的に影響しない量とする。希土類焼結磁石は、保磁力HcJの向上や製造コストの低減等を図る観点から、上記構成に加え、Al、Bi、Sb、Ge、Sn、Si、Ga、Zr、Zn等の元素をさらに含んでいてもよい。これらの含有量も磁気特性に影響を及ぼさない範囲とすることが好ましく、それぞれ5質量以下とすることが好ましい。また、その他、不可避的に混入する成分としては、酸素O、窒素N、C、Ca等が考えられる。これらはそれぞれ0.5質量程度以下の量で含有されていてもよい。次に希土類焼結磁石の化学組成について言及する。希土類焼結磁石における希土類元素の含有量は25質量以上35質量以下であり、好ましく28質量以上33質量以下であり、より好ましいはRの量は27質量以上32質量以下である。Rの含有量が25質量未満では、R-T-B系焼結磁石の主相となるR2T14B化合物の生成が十分ではない。このため、軟磁性を持つα-Feなどが析出し、磁気特性が低下する虞がある。Bの含有量は0.5質量以上1.5質量以下であり、好ましく0.8質量以上1.2質量以下であり、より好ましいBの量は0.5質量以上1.3質量以下である。Bの含有量が0.5質量未満となると保磁力HcJが低下する。また、Bの含有量が1.5質量を超えると、残留磁束密度が低下する傾向がある。また、Feの一部をCoに置換してCoを含める場合、Coの含有量は4質量以下の範囲が好ましく、0.1質量以上2質量以下とすることがより好ましく、0.3質量以上1.5質量以下とすることが更に好ましい。Al、Cuの何れか一方又は両方を0.02質量以上0.6質量以下の範囲で含有することができる。この範囲でAl及びCuの1種又は2種を含有させることにより、得られる磁石の高保磁力化、高耐食性化が可能となる。Alの含有量は0.03質量以上0.4質量以下であるのが好ましく、0.05質量以上0.25質量以下がより好ましい。また、Cuの含有量は0.3質量以下が好ましく但し、0を含まず、0.2質量以下ただし、0を含まないとすることがより好ましく、0.03質量以上0.15質量以下とすることが更に好ましい。本実施形態においては、磁気特性の観点から、酸素量を5000ppm以下とすることが好ましく、より好ましくは3000ppm以下、特に好ましくは1500ppm以下とする。また、炭素量を3000ppm以下とすることが好ましく、より好ましくは2500ppm以下、特に好ましくは2000ppm以下とする。さらに、窒素量を1000ppm以下とすることが好ましく、より好ましくは800ppm以下、特に好ましくは600ppm以下とする。希土類焼結磁石は、例えばプレス成形などにより目的とする所定形状に成形されて得られる。希土類焼結磁石の形状は特に限定されるものではなく、用いる金型の形状に応じて、例えば平板状、柱状、断面形状がリング状等、希土類焼結磁石の形状に応じて変更することができる。希土類焼結磁石は、希土類焼結磁石体希土類焼結磁石基材の表面にR2の希土類化合物を付着させ、R2の希土類化合物を存在させた状態で希土類焼結磁石体を熱処理することで、R2を希土類焼結磁石体の内部に吸収させた希土類焼結磁石である。希土類焼結磁石体は、以下の方法で製造される。まず、所望の組成の希土類焼結磁石を得ることができる合金を作製する。次いで、得られた合金を粉砕して微粉末とし、原料粉末とする。磁石の主相を形成する第1合金主相系合金と、主に粒界を形成する第2合金粒界系合金とを作製した場合には、第1合金及び第2合金をそれぞれ粉砕して微粉末とし、これらを所望の割合で混合して原料粉末とする。得られた原料粉末を、磁場を印加しながら成型して、成型体を得る。次いで得られた成型体を加熱して焼結を行い、次いで酸溶液に浸漬して表面処理を行って、希土類焼結磁石体を得る。希土類焼結磁石体の酸素O2含有量は、0.30質量以下であることが好ましく、より好ましくは0.15質量以下である。希土類焼結磁石体の炭素C含有量は、0.25質量以下であることが好ましく、より好ましくは0.20質量以下である。希土類焼結磁石体の窒素N2含有量は、0.08質量以下であることが好ましく、より好ましくは0.06質量以下である。希土類焼結磁石体の相対密度は、90以上であることが好ましく、より好ましくは95以上である。希土類焼結磁石体の相対密度を上記範囲内とすることで、希土類焼結磁石体の焼結が不十分な状態でも、高密度の希土類焼結磁石体であるため、得られる希土類焼結磁石のBrを高く得ることができる。なお、相対密度は、例えば、焼結体の組成から計算される真密度と希土類焼結磁石体の実測密度の比より計算できる。希土類焼結磁石体の表面にR2の希土類化合物を付着させる方法は、特に限定されるものではなく、例えば、希土類焼結磁石体の表面にR2の希土類化合物を含む希土類化合物含有液を塗布する方法、R2の希土類化合物を含む合金粉末を塗布する方法、希土類焼結磁石体の表面にR2の希土類化合物を含む合金をスパッタリング法により付着させる方法などが用いられる。希土類化合物含有液に含有させるR2の希土類化合物としては、希土類化合物:希土類元素R2R2は、Dy、Tbどちらか一方又は両方を含む重希土類元素、R2水素化物、R2酸化物、R2フッ化物、R2T合金Tは遷移金属元素、R2T水素化物、R2T酸化物、R2TB合金Bはボロン、R2TB水素化物、R2TB酸化物を用いることができる。また、R2は、Hoを更に含んでもよい。この場合、重希土類元素は、希土類焼結磁石の異方性磁界を大きくする作用があり、磁石の保磁力HcJを向上させることが可能である。また希土類化合物含有液中には樹脂を含むことが好ましい。これにより、希土類化合物の焼結体への密着性を上げることができる。使用する樹脂は特に限定はなく、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ブチラール樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、セルロース樹脂等が用いられる。また使用される溶剤としては、樹脂を溶解できれば特に規定はない。本実施形態に係る希土類焼結磁石は、熱処理した希土類焼結磁石体の角形比を、熱処理して角形比Hk/HcJが一番高くなる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体の0.8以上1.0未満とし、好ましくは0.8以上0.96以下であり、より好ましくは0.82以上0.90以下である。希土類焼結磁石体の表面に希土類化合物含有液を塗布した後、希土類焼結磁石体を熱処理することで、希土類化合物含有液に含まれるR2の希土類化合物は希土類焼結磁石体の内部に吸収され、希土類焼結磁石体の粒界相を通じて内部に拡散される。R2は希土類焼結磁石体の内部に拡散する際、粒界相の他に主相にも拡散する。このとき、主相は結晶状態であるため、希土類焼結磁石体を熱処理する際に、希土類焼結磁石体の熱処理温度が低いと、液相化している粒界相に比べ、R2は主相に入りに難く、その分、粒界相に拡散する割合が増加する傾向にある。そのため、粒界相の融点が低いほど、低温で熱処理することで、R2が主相の内部へ拡散することを抑制して、粒界相の内部に拡散させるR2の損失を小さくすることができる。これにより、得られる希土類焼結磁石は、残留磁束密度Brの低下を更に小さく抑えることができると共に、保磁力HcJを更に向上させることができる。角形比Hk/HcJは、保磁力HcJに対する磁化が残留磁束密度Brの90であるときの外部磁界の値Hkの比率であり、熱処理して角形比Hk/HcJが一番高くなる焼結条件は、角形比Hk/HcJが適正に取れた状態をいう。焼結条件とは、希土類焼結磁石体の焼結前の成形体を焼成する際の焼結温度、焼結時間などをいう。熱処理して角形比Hk/HcJが一番高くなる焼結条件角形比Hk/HcJが適正に取れた状態より所定範囲低い希土類焼結磁石体の粒界相中には、希土類焼結磁石の原料合金で主相に含めずに添加した低融点元素が主相内へ拡散せずに存在してるため、粒界相の融点は熱処理して角形比Hk/HcJが一番高くなる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体の粒界相の融点より低くなる。そのため、熱処理した希土類焼結磁石体の角形比Hk/HcJを、熱処理して適性な角形比Hk/HcJが得られる焼結条件の希土類焼結磁石体の角形比Hk/HcJに対し上記範囲内にすることで、希土類焼結磁石体の粒界相の融点を低くすることができる。このため、粒界相の融点が低い希土類焼結磁石体を熱処理すると、焼結した際に角形比Hk/HcJが一番高くなる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体の粒界相よりも低温で液相化する。これにより、希土類焼結磁石体の表面に塗布した希土類化合物含有液に含まれるR2の希土類焼結磁石体の粒界相の内部への拡散効率は向上し、希土類焼結磁石体の深部にまでR2を効率よく拡散させることができる。この結果、希土類焼結磁石体の粒界相でのR2の拡散領域が増大するため、得られる希土類焼結磁石の残留磁束密度Brの低下の抑制を更に小さく抑えることができると共に、保磁力HcJを更に向上させるなど磁気特性を向上させることができる。また、本実施形態に係る希土類焼結磁石は、熱処理して角形比Hk/HcJが一番高くなる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体の保磁力と熱処理した後の希土類焼結磁石体の保磁力との保磁力比HcJ比は、0.8以上1.0以下であることが好ましく、より好ましくは0.9以上1.0以下であり、さらに好ましくは0.95以上1.0以下である。希土類焼結磁石体のHcJ比を上記範囲内では、希土類焼結磁石体の保磁力HcJは焼結条件に因らず高い特性を維持できているため、希土類焼結磁石体にR2の希土類化合物を塗布し、希土類焼結磁石体内にR2を拡散させた場合、得られる希土類焼結磁石は残留磁束密度Brの低下を抑制しつつ、高い保磁力HcJを得ることができる。また、本実施形態に係る希土類焼結磁石は、熱処理した希土類焼結磁石の相対密度は、90以上であることが好ましく、より好ましくは95以上である。希土類焼結磁石体の相対密度を上記範囲内とすることで、希土類焼結磁石体の焼結が不十分な状態でも、高密度の希土類焼結磁石体であるため、得られる希土類焼結磁石のBrを十分に高くすることができる。このように、本実施形態に係る希土類焼結磁石によれば、希土類焼結磁石体の焼結を積極的に不十分な状態としておくことで、希土類焼結磁石体の内部に、表面に付着させた希土類元素を更に効率よく吸収させることができるため、得られる希土類焼結磁石の残留磁束密度Brの低下を更に抑制しつつ、保磁力HcJを更に向上させることができ、磁気特性を向上させることができる。<希土類焼結磁石の製造方法>上述したような構成を有する本実施形態に係る希土類焼結磁石の製造方法について図面を用いて説明する。図1は、本発明の実施形態に係る希土類焼結磁石の製造方法を示すフローチャートである。図1に示すように、本実施形態に係る希土類焼結磁石の製造方法は、以下の工程を有する。a第1合金と第2合金とを準備する合金準備工程ステップS11b第1合金と第2合金とを粉砕する粉砕工程ステップS12c第1合金粉末と第2合金粉末とを混合する混合工程ステップS13d混合した混合粉末を成形する成形工程ステップS14e成形体を焼結する焼結工程ステップS15f希土類焼結磁石を加工する加工工程ステップS16g焼結体の表面を表面処理する表面処理工程ステップS17h希土類焼結磁石体の端面希土類化合物含有液を塗布する塗布工程ステップS18i希土類焼結磁石体を熱処理する熱処理工程ステップS19<合金準備工程:ステップS11>希土類焼結磁石における主相を構成する組成の合金第1合金と粒界相を構成する組成の合金第2合金とを準備する合金準備工程ステップS11。合金準備工程ステップS11では、希土類焼結磁石の組成に対応する原料金属を、真空又はArガスなどの不活性ガスの不活性ガス雰囲気中で溶解した後、これを用いて鋳造を行うことによって所望の組成を有する第1合金及び第2合金を得る。本実施の形態では、第1合金は、R2Fe14B化合物及び不可避不純物を含むものである。第2合金は、R-T-MMは、Co、Cu、Al、Ga、Sn、Znの少なくとも1種類を表す化合物及び不可避不純物を含むものである。原料金属としては、例えば、希土類金属あるいは希土類合金、純鉄、フェロボロン、さらにはこれらの合金や化合物等を使用することができる。原料金属を鋳造する鋳造方法は、例えばインゴット鋳造法やストリップキャスト法やブックモールド法や遠心鋳造法などである。得られた原料合金は、凝固偏析がある場合は必要に応じて均質化処理を行う。原料合金の均質化処理を行う際は、真空又は不活性ガス雰囲気の下、700°C以上1500°C以下の温度で1時間以上保持して行う。これにより、希土類磁石用合金は少量形成された異相が主相やRリッチ相およびR2T17相に取り込まれて消失することで均質化される。<粉砕工程:ステップS12>第1合金及び第2合金が作製された後、これらの第1合金及び第2合金を別々に粉砕して粉末とする粉砕工程ステップS12。なお、第1合金及び第2合金は共に粉砕してもよいが、組成ズレをより小さくするには別々に粉砕することが好ましい。粉砕工程ステップS12は、粒径が数百μm~数mm程度になるまで粉砕する粗粉砕工程ステップS12-1と、粒径が数μm程度になるまで微粉砕する微粉砕工程ステップS12-2とがある。粗粉砕工程:ステップS12-1第1合金及び第2合金を各々粒径が数百μm~数mm程度になるまで粗粉砕する粗粉砕工程ステップS12-1。これにより、第1合金及び第2合金の粗粉砕粉末を得る。粗粉砕は、第1合金及び第2合金に水素を吸蔵させた後、異なる相間の水素吸蔵量の相違に基づいて水素を放出させ、脱水素を行なうことで自己崩壊的な粉砕を生じさせる水素吸蔵粉砕ことによって行うことができる。また、不活性ガス雰囲気中にて、スタンプミル、ジョークラッシャー、ブラウンミル等の粗粉砕機を用いて行うようにしてもよい。また、高い磁気特性を得るために、粉砕工程ステップS12から焼結工程ステップS15までの各工程の雰囲気は低酸素濃度とすることが好ましい。酸素含有量は、各製造工程における雰囲気の制御、原料に含有される酸素量の制御等により調節される。後述する焼結工程ステップS15で得られる焼結体の酸素含有量を5000ppm以下とする場合には、各工程の酸素の濃度を3000ppm以下とし、焼結体の酸素含有量を3000ppm以下とする場合には、各工程の酸素の濃度を100ppm以下とすることが好ましい。微粉砕工程:ステップS12-2第1合金及び第2合金を粗粉砕した後、得られた第1合金及び第2合金の粗粉砕粉末を粒径が数μm程度になるまで微粉砕する微粉砕工程ステップS12-2。これにより、第1合金及び第2合金の微粉砕粉末を得る。粗粉砕した粉末を更に微粉砕することで、好ましくは3μm以上10μm以下、より好ましくは3μm以上8μm以下の粒径を有する希土類磁石体の混合粉末以下、単に混合粉末というを得ることができる。微粉砕は、粉砕時間等の条件を適宜調整しながら、ジェットミル、ボールミル、振動ミル、湿式アトライター等の微粉砕機を用いて粗粉砕した粉末の更なる粉砕を行なうことで実施される。ジェットミルは、高圧の不活性ガス例えば、N2ガスを狭いノズルより開放して高速のガス流を発生させ、この高速のガス流により第1合金及び第2合金の粗粉砕粉末を加速して第1合金及び第2合金の粗粉砕粉末同士の衝突やターゲット又は容器壁との衝突を発生させて粉砕する方法である。第1合金及び第2合金の粗粉砕粉末を微粉砕する際、ステアリン酸亜鉛、オレイン酸アミド等の粉砕助剤を添加することにより、成形時に配向性の高い微粉砕粉末を得ることができる。<混合工程:ステップS13>主相系合金及び粒界相系合金を微粉砕した後、各々の微粉砕粉末を低酸素雰囲気で混合する混合工程ステップS13。これにより、混合粉末が得られる。低酸素雰囲気は、例えば、N2ガス、Arガス雰囲気など不活性ガス雰囲気として形成する。第1合金粉末及び第2合金粉末の混合比率は、質量比で80対20以上97対3以下とするのが好ましく、より好ましくは質量比で90対10以上97対3以下であり、更に好ましくは質量比で95対5程度である。また、粉砕工程ステップS12において、第1合金及び第2合金を一緒に粉砕する場合の混合比率も、第1合金及び第2合金を別々に粉砕する場合と同様に、第1合金粉末及び第2合金粉末の混合比率は、質量比で80対20以上97対3以下とするのが好ましく、より好ましくは質量比で90対10以上97対3以下であり、更に好ましくは質量比で95対5程度である。<成形工程:ステップS14>第1合金粉末と第2合金粉末とを混合した後、混合粉末を目的の形状に成形する成形工程ステップS14。成形工程ステップS14では、第1合金粉末及び第2合金粉末の混合粉末を、電磁石に抱かれた金型内に充填し、磁場印加しながら加圧することによってその結晶軸を配向させた状態で磁場中成形する。これにより、混合粉末を目的とする任意の形状に成形し、結晶軸を配向させた成形体が得られる。得られる成形体は特定方向に配向するので、より磁化の強い異方性を有する希土類焼結磁石が得られる。成形時の加圧は、0.5ton/cm2以上1.5ton/cm2以下で行うことが好ましい。印加する磁場は、0.7Tesla以上1.5Tesla以下の圧力で行なうことが好ましい。印加する磁場は静磁場に限定されず、パルス状磁場とすることもできる。また、静磁場とパルス状磁場を併用することもできる。なお、成形方法としては、上記のように混合粉末をそのまま成形する乾式成形のほか、原料粉末を油等の溶媒に分散させたスラリーを成形する湿式成形を適用することもできる。混合粉末を成形して得られる成形体の形状は特に限定されるものではなく、用いる金型の形状に応じて、例えば直方体、平板状、柱状、リング状等、所望とする希土類磁石体の形状に応じて任意の形状とすることができる。<焼結工程:ステップS15>磁場中で成形し、目的の形状に成形して得られた成形体を真空又は不活性ガス雰囲気中で焼結する焼成工程ステップS15。焼結温度は、組成、粉砕方法、粒度と粒度分布の違い等、諸条件により調整する必要があるが、成形体に対して、例えば、真空中又は不活性ガスの存在下、900°C以上1130°C以下で1時間以上10時間以下で加熱する処理を行うことにより焼成する。これにより、混合粉末が液相焼結を生じ、主相の体積比率が向上した焼結体希土類磁石体の焼結体が得られる。<加工工程:ステップS16>得られた希土類焼結磁石体は、例えばプレス成形、打ち抜き、切削などにより、所望のサイズに切断したり表面を平滑化して、更に任意の形状の希土類焼結磁石に加工する加工工程:ステップS16。<表面処理工程:ステップS17>さらに、適宜所望の大きさや形状に加工した後、焼結体の表面を例えば酸溶液によって表面処理する表面処理工程ステップS17。焼結体の表面処理に用いる酸溶液としては、硝酸、塩酸等の水溶液と、アルコールとの混合溶液が好適である。この表面処理は、例えば、焼結体を酸溶液に浸漬したり、焼結体に酸溶液を噴霧したりすることによって行うことができる。かかる表面処理によって、焼結体に付着していた汚れや酸化層等を除去して清浄な表面を得ることができ、後述するR2の希土類化合物の付着及び拡散が有利となる。汚れや酸化層等の除去を更に良好に行う観点からは、酸溶液に超音波を印加しながら表面処理を行ってもよい。このようにして得られた希土類焼結磁石体は、R2T14BRはDy、Tbの何れか一方又は両方を少なくとも含む希土類元素であり、TはFe又はFe及びCoを含む1種以上の遷移金属元素を表す相の組成を含む。本実施形態においては、希土類焼結磁石体の酸素O2含有量は、0.3質量以下であることが好ましく、より好ましくは0.15質量以下である。本実施形態においては、希土類焼結磁石体の炭素C含有量は、0.25質量以下であることが好ましく、より好ましくは0.20質量以下である。希土類焼結磁石体の相対密度は、90以上であることが好ましく、より好ましくは95以上である。<塗布工程:ステップS18>焼結体の表面処理を行い、得られた希土類焼結磁石体の表面に、予め作製したR2の希土類化合物を含む希土類化合物含有液を塗布する塗布工程ステップS18。R2としては、Dy、Tbの何れか一方又は両方を少なくとも含む重希土類元素が用いられる。希土類化合物含有液は、例えば、以下のように作製される。まず、R2の希土類化合物を含むR2原料を、上述の合金準備工程ステップS11と同様にして作製して準備する。次いで、R2原料を、上述の粉砕工程ステップS12と同様にして粉砕し、微粉砕したR2原料微粉砕粉末を得る。次いで、微粉砕したR2原料微粉砕粉末をアルコール溶媒に混合し、アルコール溶媒中に分散させて、塗料化し、R2の希土類化合物を含む希土類化合物含有液を作製する。このようにして得られた希土類化合物含有液を、表面処理工程ステップS17において焼結体の表面処理を行って得られた希土類焼結磁石体に塗布するステップS18。本実施形態においては、希土類化合物含有液の塗布方法として、希土類焼結磁石体の表面に希土類化合物含有液を塗布する方法を用いているが、本実施形態はこれに限定されるものではなく、例えば、R2の希土類化合物を含む合金粉末を塗布する方法、希土類焼結磁石体の表面にR2の希土類化合物を含む合金をスパッタリング法により付着させる方法などが用いられる。<熱処理工程ステップS19>希土類化合物含有液を希土類焼結磁石体の表面に塗布した後、希土類焼結磁石体を所定の時間、所定の温度で熱処理する熱処理化工程ステップS19。熱処理を施すことにより、希土類焼結磁石体の表面に存在するR2の希土類化合物は結晶粒界を通じて希土類焼結磁石体の内部に取り込まれ、主に結晶粒界を経由して主相の各結晶粒の内部に拡散し、結晶粒の粒界近傍にR2は拡散する。また、熱処理を施して、希土類化合物含有液に含まれていたR2の希土類化合物を希土類焼結磁石体に吸収させる際、真空又は不活性ガス雰囲気として減圧して熱処理を行なうようにする。不活性ガスとしては、Ar、He等が用いられる。真空又は不活性ガス雰囲気として減圧して熱処理することでR2の希土類化合物は焼結磁石体の表面から内部に供給し易くなる。熱処理温度は、希土類焼結磁石体の焼結温度以下の温度とする。希土類焼結磁石体の焼結温度以上の温度で熱処理すると、希土類焼結磁石の組織が変成する虞があるからである。また、R2の希土類化合物が希土類焼結磁石体の結晶粒界だけでなく結晶粒の内部にまで拡散し、希土類焼結磁石体の表面における残留磁束密度Brが低下する虞があるからである。熱処理温度は、例えば、650°C以上1000°C以下、好ましくは650°C以上800°C以下である。熱処理時間は、例えば、1時間以上9時間以下、好ましくは3時間以上6時間以下である。また、熱処理の後に時効処理を施すことができる。時効処理を施すことで保磁力HcJが向上する。時効処理温度としては、400°C以上650°C以下、より好ましくは450°C以上600°C以下である。時効処理時間は、例えば、1時間以上4時間以下、好ましくは2時間以上4時間以下である。このように、希土類焼結磁石体の表面に希土類化合物含有液を塗布して熱処理を施し、希土類焼結磁石体の表面にR2の希土類化合物を拡散させて、本実施形態に係る希土類焼結磁石を製造し、処理を終了する。また、着磁させることで、磁石製品が得られる。以上のように、本発明の実施形態に係る希土類焼結磁石の製造方法を用いれば、希土類焼結磁石体の焼結を積極的に不十分な状態としておき、希土類焼結磁石体の表面にR2の希土類化合物を付着させて熱処理することで、希土類焼結磁石体の内部に金属状態のR2を更に効率よく吸収させることができるため、高い磁気特性を有する希土類焼結磁石を製造することができる。希土類焼結磁石に含有されるCの量は、製造工程で用いられる粉砕助剤の種類及び添加量等により調節する。さらに、希土類焼結磁石に含有されるNの量は、原料合金の種類及び量や、原料合金を窒素雰囲気で粉砕する場合の粉砕条件等により調節する。このようにして得られる希土類焼結磁石は、例えばロータ表面に磁石を取り付けた表面磁石型SurfacePermanentMagnet:SPMモータ、インナーロータ型のブラシレスモータのような内部磁石埋込型InteriorPermanentMagnet:IPMモータ、PRMPermanentmagnetReluctanceMotorなどの磁石として好適に用いられる。特に、IPMモータは、コギングトルクが小さい等の利点を有することから、ハードディスクドライブのハードディスク回転駆動用スピンドルモータやボイスコイルモータ、電気自動車やハイブリッドカー用モータ、自動車の電動パワーステアリング用モータ、工作機械のサーボモータ、携帯電話のバイブレータ用モータ、プリンタ用モータ等の用途として好適に用いられる。以上、本実施形態に係る希土類焼結磁石の製造方法の好適な実施形態について説明したが、本実施形態に希土類焼結磁石の製造方法はこれに制限されるものではない。本実施形態に希土類焼結磁石の製造方法は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形、種々の組み合わせが可能であり、永久磁石以外についても同様に適用することができる。本発明の内容を実施例及び比較例を用いて以下に詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。<実施例1>希土類焼結磁石基材希土類焼結磁石体の作製ストリップキャスト法により下記表1に示す組成を有する焼結体用合金原料合金を作製した。原料合金は、第1合金及び第2合金を作製し、所定の混合比で配合することにより得られる。表1に示す組成を有する原料合金を室温で水素を吸蔵させた後、不活性ガス雰囲気中で600°Cで1時間、脱水素処理を行って、原料合金を水素粉砕粗粉砕した。尚、水素粉砕して焼結させるまでの工程においては、酸素濃度を4000ppm以下の雰囲気として行なった。次いで、水素粉砕後の原料合金の粉末に、粉砕助剤として、オレイン酸アミドを0.1wt添加し、ジェットミルを用いて微粉砕を行い、平均粒径が4.0μm程度の合金粉末を得た。得られた合金粉末を、印加磁場が1.5Tesla、成形圧力が1.2ton/cm2として磁場中で成形し、成形体を得た。得られた成形体は、真空中において1030°Cで2時間保持して焼成し、希土類焼結磁石基材希土類焼結磁石体を得た。得られた焼結体を14mm×10mm×5mmに加工し、加工品を得た。重希土類化合物の付着上記の工程で得られた焼結体をエタノール100質量に対し硝酸3質量とした硝酸とエタノールとの混合溶液に3分間浸漬させた後、エタノールに1分間浸漬する処理を2回行い、焼結体の表面処理を行った。次いで、表面処理後の焼結体を、超音波を印加しながら、DyH2をエタノールに分散させたスラリーDyH2含有率:50質量に浸漬した後、スラリーが付着した焼結体を窒素雰囲気下で乾燥させた。このときのDy付着量は0.3程度であった。その後、焼結体を800°Cで2時間、熱処理した。その後、焼結体を不活性ガス雰囲気中で540°Cで1時間保持して、時効処理を行った。これにより希土類焼結磁石を得た。本実施例の焼結時間、Dy付着量を表2に示す。<実施例2、3、比較例1~3>実施例2、3、比較例1~3は、実施例1に用いた成形体の焼結時間を変更したこと以外は、実施例1と同様にして行なって、希土類焼結磁石を得た。実施例2、3、比較例1~3の焼結時間、Dy付着量を表2に示す。<評価>製造した希土類焼結磁石体の相対密度と、製造した希土類焼結磁石体および希土類焼結磁石の磁石特性を評価した。磁気特性として、希土類焼結磁石体の保磁力HcJ、比較例1の保磁力HcJに対する保磁力比HcJ比、角形比Hk/HcJ、比較例1の希土類焼結磁石体の角形比Hk/HcJに対する希土類焼結磁石体の角形比比率Hk/HcJ比率、希土類焼結磁石の残留磁束密度Br、保磁力HcJ、角形比Hk/HcJを測定した。[相対密度の測定]相対密度は、焼結体の組成から計算される真密度と希土類焼結磁石体の実測密度の比より計算した。[保磁力HcJ、残留磁束密度Br、角形比Hk/HcJの測定]得られた希土類焼結磁石体および希土類焼結磁石をB-Hトレーサーを用いて希土類焼結磁石体の保磁力HcJと、希土類焼結磁石の残留磁束密度Brと保磁力HcJとを測定した。また、角形比Hk/HcJは、減磁曲線で磁化が残留磁化の値から10低下したときの外部磁場の絶対値をHkとしたとき、磁化が0になる外部磁場の絶対値である保磁力HcJに対するHkのパーセント比率の数値である。[HcJ比の算出]実施例1~3、比較例2、3で得られた希土類焼結磁石体の保磁力HcJの比較例1の希土類焼結磁石体の保磁力HcJに対する保磁力比HcJ比を算出した。[Hk/HcJ比率の算出]実施例1~3、比較例2、3で得られた希土類焼結磁石体の角形比Hk/HcJの比較例1の希土類焼結磁石体の角形比Hk/HcJに対する角形比比率Hk/HcJ比率を算出した。希土類焼結磁石体の相対密度、保磁力HcJ、比較例1の保磁力HcJに対する保磁力比HcJ比、希土類焼結磁石体の角形比Hk/HcJ、比較例1の希土類焼結磁石体の角形比Hk/HcJに対する希土類焼結磁石体の角形比比率Hk/HcJ比率、希土類焼結磁石の残留磁束密度Br、保磁力HcJおよび角形比Hk/HcJの測定結果を表2に示す。また、測定された希土類焼結磁石体のHk/HcJ比率と希土類焼結磁石の保磁力HcJとの関係を図2に示す。表2に示すように、実施例1~3の希土類焼結磁石の残留磁束密度Brは、比較例1の希土類焼結磁石の残留磁束密度Brとほぼ同等であったが、比較例2の希土類焼結磁石の残留磁束密度Brは、比較例1の希土類焼結磁石の残留磁束密度Brよりも大幅に低下した。また、実施例1~3の希土類焼結磁石の保磁力HcJおよび角形比Hk/HcJは、比較例1の希土類焼結磁石の保磁力HcJおよび角形比Hk/HcJよりも高くなった。一方、比較例2、3の希土類焼結磁石の保磁力HcJおよび角形比Hk/HcJは、比較例1の希土類焼結磁石の保磁力HcJおよび角形比Hk/HcJよりも大幅に低下した。実施例1~3、比較例2、3の希土類焼結磁石体の角形比Hk/HcJは、いずれも比較例1の希土類焼結磁石体の角形比Hk/HcJよりも低いが、実施例1~3の希土類焼結磁石体のように、比較例1の希土類焼結磁石体の角形比Hk/HcJを基準としたとき、希土類焼結磁石体のHk/HcJ比率を0.8よりも大きく1.0未満とすることで、得られる希土類焼結磁石の残留磁束密度Brの低下を軽減できると共に、保磁力HcJおよび角形比Hk/HcJを向上させることができるといえる。また、図2に示すように、希土類焼結磁石体のHk/HcJ比率が0.8よりも大きく1.0未満の場合には、希土類焼結磁石の保磁力HcJは高い状態で維持できたことが確認されたが、希土類焼結磁石体のHk/HcJ比率が0.8以下の場合には、希土類焼結磁石の保磁力HcJは大幅に低下したことが判明した。成型体を焼成する際、成型体を焼結して角形比Hk/HcJが適正に取れる状態の希土類焼結磁石体になる前の段階で成型体の焼結を不十分な状態に留めておくことで、得られる希土類焼結磁石体の粒界相の融点は、熱処理して角形比Hk/HcJが一番高くなる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体の粒界相の融点より低くなることが考えられる。そのため、実施例1~3のように、熱処理した希土類焼結磁石体の角形比Hk/HcJが、比較例1のように、熱処理して角形比Hk/HcJが一番高くなる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体の角形比Hk/HcJよりも所定の範囲だけ低い場合には、希土類焼結磁石体の粒界相の融点は低いため、この希土類焼結磁石体を熱処理すると、比較例1のように熱処理して角形比Hk/HcJが一番高くなる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体よりも粒界相は低温で液相化する。そして、希土類焼結磁石体の表面に塗布した希土類化合物含有液に含まれる重希土類は、希土類焼結磁石体の粒界相への拡散を効率よく行うことができると共に、粒界相の深部にまで効率よく拡散させることができるといえる。一方、比較例2、3のように、熱処理して得られる希土類焼結磁石体の角形比Hk/HcJが、熱処理して角形比Hk/HcJが一番高くなる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体に比べて低すぎると、希土類焼結磁石体自体の保磁力HcJ等が低いため、希土類焼結磁石体の粒界相を通じて内部に重希土類を拡散させても保磁力HcJおよび角形比Hk/HcJを十分向上させることはできないといえる。よって、実施例1~3の希土類焼結磁石のように、希土類焼結磁石体の角形比Hk/HcJを、比較例1のような熱処理した希土類焼結磁石体の角形比Hk/HcJが一番高くなる焼結条件において得られる状態に対して所定の範囲内で低くし、希土類焼結磁石体の焼結が不十分な状態としておくことで、希土類焼結磁石体の内部に金属状態の希土類を更に効率よく吸収させることができる。このため、焼結が不十分な状態の希土類焼結磁石体を用いて得られる希土類焼結磁石は、残留磁束密度Brの低下を更に抑制し、保磁力HcJを更に向上させることができ、従来より磁気特性を向上させることができることが判明した。