加熱手段で加熱される中空の環状部材を備え、環状部材は、ガスを噴出する噴出手段が接続される噴出側接続部と、ガスが供給される供給側接続部とを有する、ガス予備加熱筒。基板とガスとを反応させる処理室と、前記処理室の内部に設けられ、基板を保持する基板保持部材と、前記処理室を加熱する加熱手段と、前記処理室の内部に設けられ、ガスを噴出する噴出手段と、前記処理室の内部に設けられ、前記噴出手段にガスを供給すると共に前記加熱手段で加熱されるガス導入路と、前記ガス導入路にガスを供給するガス供給部材と、を有する基板処理装置。請求項2に記載された基板処理装置を用い、基板を保持した前記基板保持部材を前記処理室に下方より挿入して前記処理室を密閉し、前記加熱手段によって処理室を加熱すると共に前記ガス導入路と前記噴出手段を加熱し、噴出手段から噴出する加熱されたガスと基板とを高温雰囲気で反応させる基板処理方法。しかしながら、反応させる原料ガスが十分に加熱されていなければ、基板とガスとの温度差によって基板が局所的に冷却され、基板にスリップ等の欠陥が生じる虞がある。本発明は、上記の事実を考慮し、ノズルから処理室へ噴出するガスと基板とを同等の温度で反応させることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。本明細書に記載される主な発明の一つは、加熱手段で加熱される中空の環状部材を備え、環状部材は、ガスを噴出する噴出手段が接続される噴出側接続部と、ガスが供給される供給側接続部を有するガス予備加熱筒である。本明細書に記載される主な発明の一つは、基板とガスを反応させる処理室と、前記処理室の内部に設けられ、基板を保持する基板保持部材と、前記処理室を加熱する加熱手段と、前記処理室の内部に設けられ、ガスを噴出する噴出手段と、前記処理室の内部に設けられ、前記噴出手段にガスを供給すると共に前記加熱手段で加熱されるガス導入路と、前記ガス導入路にガスを供給するガス供給部材と、を有する基板処理装置である。本明細書に記載される主な発明の一つは、基板を保持した前記基板保持部材を前記処理室に下方より挿入して前記処理室を密閉し、前記加熱手段によって処理室を加熱すると共に前記ガス導入路と前記噴出手段を加熱し、噴出手段から噴出する加熱されたガスと基板とを高温雰囲気で反応させる基板処理方法である。本発明は、上記の構成としたので、ノズルから噴出するガスを従来と比較してガスを高い温度まで加熱することができる。基板処理装置図1に示すように、基板処理装置101は、ハウジングとして筐体111を備えている。111の中にはカセットステージ114が設置され、半導体シリコン等の材料からなる複数の基板200を収納したカセット110が複数収納されている。カセットステージ114に収納されたカセット110は、カセット搬送装置118によって、筐体111内の中央部より前方部に設けられたカセット棚105に搬送される。そして、カセット棚105で一時的に保管された後、カセット搬送装置118によって移載棚123へ搬送される。移載棚123に搬送されたカセット110に収容されている基板200は、基板移載装置125aに設けられたツイーザ125cによって一枚ずつ取り出される。ツイーザ125cに取り出された基板200は、基板移載装置エレベータ125bによって、基板保持部材の一例であるボート217へ搬送される。予め指定されていた枚数の基板200がボート217に搬送されると、処理炉202を密閉していた炉口シャッタ147が水平方向に開き、基板200を保持したボート217は、ボートエレベータ115によって上昇し、処理炉202に搬入される。搬入後は、処理炉202内で基板200に薄膜が形成され、上述した逆の手順で、基板200がカセット110へ収納され、筐体111の外部に搬出される。処理炉次に図2と図3を参照して、基板処理装置101を構成する第1実施形態の処理炉202について説明する。図2に示すように、処理炉202の外周部には、円筒形状の壁体810と、壁体810の内周壁に沿って水冷板820が設けられている。水冷板820は、銅等の金属から構成され、内部に冷却水が流通可能なように、全域に冷却媒体流路が形成されている。壁体810の上端には、その中央に開口部812が形成されており、処理炉202内の空気は、開口部812から基板処理装置101の外へ排気されている。壁体810と水冷板820の周壁とを貫通して、処理炉202内の温度を検出する温度計830が、4箇所に設置されている。この温度計830は、少なくとも一つ設置されていればよいが、複数の温度計830を設置することで温度制御性を向上させることができる。温度計830により検出された温度情報に基づき後述する電磁誘導コイル207への供給電力を調整し、処理炉202内の温度が所望の温度分布となるように構成されている。壁体810の内側には、上部がドーム状の円筒形状であるアウターチューブ203が設けられている。アウターチューブ203の内側には、加熱手段を構成する円筒形状のインナーチューブ350が同心状に設けられている。また、アウターチューブ203の外側には、加熱手段を構成する電磁誘導コイル207が螺旋状に設けられている。アウターチューブ203は耐熱性材料である石英等で構成されており、インナーチューブ350は導電性のカーボン等で構成され、アウターチューブ203およびインナーチューブ350は上端が閉塞し下端が開口している。電磁誘導コイル207は、図示しない高周波電源に接続されており、この高周波電源から電磁誘導コイル207へ高周波の電流を流して、インナーチューブ350を1000度~1100度に誘導加熱する。アウターチューブ203の下側には管状のインレットアダプタ209が設けられている。このインレットアダプタ209は図示しないフレームで支持されている。また、インレットアダプタ209の上部開口部の外周部には環状のフランジ205が形成されている。フランジ205には気密部材としてのOリング222が配置され、アウターチューブ203の下部開口部のフランジ204との間を気密にシールしている。これらのアウターチューブ203と、インレットアダプタ209と、後述するベース部材219とによって処理室201が形成されている。インレットアダプタ209からは内側へ環状の架台215が突設されている。架台215の上には管状の断熱部材352が固定されている。この断熱部材352の上端には、インナーチューブ350の下端部が固定されている。これにより断熱部材352が誘導加熱されたインナーチューブ350からインレットアダプタ209へ熱が伝わるのを抑制している。インレットアダプタ209の側壁208には、処理室201内のガスおよび空気を排気する排気口230が設けられている。処理室201内のガスおよび空気は、この排気口230から排気管231を経て基板処理装置101の外へ排気される。インレットアダプタ209の下方には、ボート217のベース部材219が配置されている。このベース部材219は、インレットアダプタ209の下端に垂直方向下側から当接されるようになっており、インレットアダプタ209の下部開口部に外側に設けられた環状のフランジ206と、ベース部材219との間には気密部材としてのOリング220が配置され、両者の間は気密にシールされている。ベース部材219は処理室201の外部に設けられたボートエレベータ115によって垂直方向にシャフト117を昇降して、基板200を保持したボート217が処理室201内に搬入搬出される。ベース部材219には、回転軸265が回転自在に支持されている。回転軸265の上端部には、ボート支持台218が固定されている。ボート支持台218は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料で構成されている。ボート支持台218上にボート217が設けられており、ボート217は例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料で構成されている。またボート217の底板210からは複数の支柱212が立設されている。支柱212の上部には天板211が固定されている。複数の支柱212には一定の間隔で複数の切込みが形成され、切り込みに基板200が水平に支持している。またボート217の下部には円盤状の断熱板380が一定の間隔で支柱212に支持されている。回転軸265の下端部にはボート回転機構267が設けられている。ボート回転機構267が回転軸265を回転させることで、ボート217に保持された基板200を回転させる。断熱部材352の内側には、ガス導入路の一例であるガス予備加熱筒360が同心状に架台215に固定されている。このガス予備加熱筒360は例えば石英等の耐熱性材料で形成された中空の環状部材であり、垂直方向断面形状は縦長の矩形になっている。また、ガス予備加熱筒360の上部は断熱部材352の上端より上に位置しており、インナーチューブ350と隣接するように配置されている。ガス予備加熱筒360の内側には、前述したボート217が配置されている。ガス予備加熱筒360の上端は、ボート217に支持された断熱板380の上部より下方に位置している。ガス予備加熱筒360の下端部には、ガス導入口342が形成されており、ガス供給部材としてのガス供給管340が接続されている。ガス供給管340は架台215を貫通して、インレットアダプタ209の側壁208から処理室201の外へ延びている。ガス予備加熱筒360の上端部には、ガス導入口342と反対側、つまりガス導入口342から導入されたガスのガス流路374の長さが同じになる位置にガス導出口364が形成されている。このガス導出口364は、ガス予備加熱筒360の上部に立設した噴出手段の一例である円筒状のノズル管362に通じている。ノズル管362はボート217の天板211と同程度の高さであり、このノズル管362の周壁366には、複数のガス噴出孔368が形成されている。またノズル管362の下部には、ガス噴出孔368を形成していない無孔領域370が設けられている。ここで、処理室201の外部からガス供給管340を流れてきたガスは、図3に示すように、ガス導入口342からガス予備加熱筒360内のガス流路374に流入する。ガス流路374に流入したガスは二方向へ分岐して、ガス導出口364へ到達する。ガス予備加熱筒360は、電磁誘導コイル207が誘導加熱したインナーチューブ350によって加熱されているため、ガス流路374を分岐して流れているガスは、ガス導出口364に到達するまでに均一に加熱される。従って、ガス供給管340からノズル管362に直接ガスを供給する構成と比較して、ガス予備加熱筒360を設けた分、ガス流路374が長くなり、より高い温度まで加熱することが可能となる。また、ガス導入口342から導入されたガスのガス流路374の長さが同じになる位置にガス導出口364が形成されているため、ガス流路374を分岐して流れているガスは、ガス導出口364に到達するまでに均一に加熱することができる。また、ガス予備加熱筒360の垂直方向断面形状を縦長の矩形に形成したことにより、ガス流路374の表面積を大きくすることができ、より効率的にガスを加熱することが可能となる。ガス予備加熱筒360で加熱されたガスは、ガス導出口364からノズル管362へ流入する。ノズル管362へ流入したガスは、ガス噴出孔368に到達するまでの間に無孔領域370でさらに加熱され、その後ガス噴出孔368から処理室201内に噴出される。処理室201内に噴出されたガスは、同程度にインナーチューブ350で加熱された基板200と反応し、基板200の表面上に堆積膜を成膜する。反応後のガスは、ボート217の下部に支持された断熱板380によって冷却されながら処理室201の下部に設けられた排気口230に向かって下降する。排気口230に到達したガスは、図示しないポンプによって処理室201の外へ排気される。なお、本発明を特定の実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内にて他の種々の実施形態が可能であることは当業者にとって明らかである。例えば、上記実施形態では、複数の円盤状の断熱板380は一つの円柱体としてもよい。また、処理室の加熱方法については、処理室にヒーターを貼り付けてもよく、アウターチューブの外周部にヒーターを配置して加熱してもよい。さらに、噴出手段としては、ガス予備加熱筒360の上端にガス予備加熱筒360と同心状に円筒形状のガス噴出筒を設けてもよい。以上に説明した事項については、以下に記載する第2実施形態および第3実施形態についても同様である。次に、第2実施形態について説明する。なお、第1実施形態と同一部材については、同一符号を付してその説明を省略する。図4に示すように、ガス予備加熱筒361に設けられたガス導入口365およびガス導出口367は、仕切り壁372の近傍に仕切り壁372を挟んで形成されている。その他の処理炉201の構成は、第1実施形態で説明したとおりである。図4Bおよび図4Cに示すように、中空部のガス流路374の一部を仕切り壁372で遮断することで、ガス導入口365から供給されたガスが、分岐することなく一方向にガス導出口367へ流れる。従って、ガスがノズル管362へ到達するまでの間に、ガスをより長い時間加熱することができる。なお、本発明を特定の実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内にて他の種々の実施形態が可能であることは当業者にとって明らかである。例えば、仕切り壁372は、ガス流路374を一方向ガスが流れるのであれば、2箇所に設けられていてもよい。次に、第3実施形態について説明する。なお、第1実施形態と同一部材については、同一符号を付してその説明を省略する。図5に示すように、ガス予備加熱筒363はC字型の環状部材で構成されている。その他の処理炉201の構成は、第1実施形態で説明したとおりである。第2実施形態ではガス予備加熱筒361の内部に仕切り壁372を設けることでガスが一方向に流れる構造としたが、本実施形態では環状であるガス予備加熱筒363を分断して、図5Bに示すように上面図がアルファベットのCを模した形状となっている。このガス予備加熱筒363の一端にガス導入口369を形成し、他端にガス導出口371を形成することでガスが一方向に流れる構造となっている。本実施形態では、ガス導入口369から供給されたガスが、ガス流路374を分岐することなく一方向にガス導出口371へ流れるため、第1実施形態と比べて、ガス流路374が長いため、より長い時間加熱することができる。また、ガス予備加熱筒360を分断してガス流路を形成するため、ガス導入口342およびガス導出口364を形成する手間が省け、製作コストを低減することができる。なお、ガス導入口369へガス供給管340を接続し、またガス導出口371へノズル管362を接続した後、ガス導入口369とガス導出口371とは図示しないプレートで閉じられる。本発明の好ましい態様以下に、本発明の好ましい態様について付記する。付記1本発明の好ましい一態様によれば、加熱手段で加熱される中空の環状部材を備え、環状部材は、ガスを噴出する噴出手段が接続される噴出側接続部と、ガスが供給される供給側接続部を有する、ガス予備加熱筒が提供される。付記2本発明の好ましい一態様によれば、基板とガスとを反応させる処理室と、前記処理室の内部に設けられ、基板を保持する基板保持部材と、前記処理室を加熱する加熱手段と、前記処理室の内部に設けられ、ガスを噴出する噴出手段と、前記処理室の内部に設けられ、前記噴出手段にガスを供給すると共に前記加熱手段で加熱されるガス導入路と、前記ガス導入路にガスを供給するガス供給部材と、を有する基板処理装置が提供される。付記3付記2に記載のガス導入路であって、中空の環状部材で構成されている。付記4付記3に記載のガス導入路であって、垂直方向断面形状が縦長の矩形である。付記5付記4に記載のガス導入路であって、前記ガス供給部材から供給されたガスが、分岐して噴出手段まで至るガス流路の距離が等しくなるように、前記ガス供給部材の接続口と前記噴出手段の接続口が形成されている。付記6付記4に記載のガス導入路であって、前記ガス流路に仕切り壁を設け、前記ガス供給部材から供給されたガスが一方向へガス流路を流れるように、前記ガス供給部材の接続口と前記噴出手段の接続口が形成されている。付記7付記4に記載のガス導入路であって、前記ガス導入路を分断し、ガスが前記ガス導入路の一端から前記ガス導入路の他端まで一方向へガス流路を流れるように、前記ガス供給部材の接続口と前記噴出手段の接続口が形成されている。付記8付記4~7の何れか1に記載のガス導入路を有する基板処理装置であって、前記処理室は、下端が開口している円筒体と、前記円筒体の下端に設けられ、前記円筒体を密閉する密閉手段と、を備え、前記加熱手段は、前記円筒体の内部に設けられ、下端が開口した導電性の筒状部材と、前記円筒体の外側に設けられ、前記筒状部材を誘導加熱する電磁誘導コイルと、を備え、前記噴出手段は、前記筒状部材の内部に直立し、側面に複数の噴出孔を有すると共に、下部に噴出孔のない領域を設けたノズル管であって、前記ガス導入路は、前記ノズル管の下部が接続され、前記筒状部材の内周壁に沿って配置された環状部材であり、前記基板保持部材は、前記筒状部材の中央に位置し、基板を隙間を空けて段状に保持する棚材である。付記9付記8の基板処理装置であって、前記筒状部材の下端と前記密閉手段とを接続する第1の断熱部材が形成され、前記環状部材の上部が、前記筒状部材の下部より上方に位置し、前記環状部材の下部が、前記筒状部材の下部より下方に位置している。付記10付記9の基板処理装置であって、前記棚材の下部に設けられると共に、前記環状部材の上部より上方に配置された第2の断熱部材を有する。付記11付記2~9に記載された基板処理装置を用い、基板を保持した前記基板保持部材を前記処理室に下方より挿入して前記処理室を密閉し、前記加熱手段によって処理室を加熱すると共に前記ガス導入路と前記噴出手段を加熱し、噴出手段から噴出する加熱されたガスと基板とを高温雰囲気で反応させる基板処理方法。なお、本発明はこうした実施形態に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々なる態様で実施し得ることは勿論である。