第1の基板上に複数の第1の電極を形成する工程aと、前記複数の第1の電極のそれぞれの側壁上に第1の絶縁膜を形成する工程bとを備え、前記工程bにおいて、前記第1の絶縁膜は、前記複数の第1の電極の間のスペースが埋まらないように形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記複数の第1の電極のそれぞれは、第1の金属を含む第1の導電層と、前記第1の導電層上に形成され且つ前記第1の金属とは異なる第2の金属を含む第2の導電層とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項2に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1の絶縁膜は、前記第2の金属の融点よりも低い温度で形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項2又は3に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1の金属は銅であり、前記第2の金属はスズであることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項2~4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記工程aは、前記第1の基板上に、前記第1の導電層のシード層を形成する工程a1と、前記シード層上に、前記複数の第1の電極の形成領域に開口部を持つマスクパターンを形成する工程a2と、メッキ法を用いて、前記マスクパターンの前記開口部に露出する部分の前記シード層上に選択的に前記第1の導電層を形成する工程a3と、メッキ法を用いて、前記第1の導電層上に選択的に前記第2の導電層を形成する工程a4と、前記工程a4の後、前記マスクパターンを除去する工程a5と、前記工程a5の後、前記マスクパターンが除去された領域に位置する部分の前記シード層を除去する工程a6とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項5に記載の半導体装置の製造方法において、前記工程aは、前記工程a1の前に、前記第1の基板上にバリア層を形成する工程a7をさらに備え、前記工程a6では、前記マスクパターンが除去された領域に位置する部分の前記バリア層を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項6に記載の半導体装置の製造方法において、前記バリア層はチタンを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1~7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記工程bは、前記複数の第1の電極のそれぞれを覆うように、前記第1の基板上に前記第1の絶縁膜を形成する工程b1と、前記複数の第1の電極のそれぞれの少なくとも側壁の一部の上に前記第1の絶縁膜が残存するように、前記第1の絶縁膜を除去する工程b2とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項8に記載の半導体装置の製造方法において、前記工程b1において、CVD法又は塗布法を用いて前記第1の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項8又は9に記載の半導体装置の製造方法において、前記工程b2において、エッチバックを用いて前記第1の絶縁膜を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項8又は9に記載の半導体装置の製造方法において、前記工程b2において、機械研削を用いて前記第1の絶縁膜を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1~11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1の絶縁膜は酸化膜又は有機膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1~12のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、第2の基板上における前記第1の基板上の前記複数の第1の電極のそれぞれと対応する位置に複数の第2の電極を形成する工程cと、前記複数の第2の電極のそれぞれの側壁上に第2の絶縁膜を形成する工程dと、前記工程b及び前記工程dの後に、前記複数の第1の電極のそれぞれと前記複数の第2の電極のそれぞれとが対向するように、前記第1の基板と前記第2の基板とを配置して、前記複数の第1の電極のそれぞれと前記複数の第2の電極のそれぞれとを接合する工程eとをさらに備え、前記工程dにおいて、前記第2の絶縁膜は、前記複数の第2の電極の間のスペースが埋まらないように形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項13に記載の半導体装置の製造方法において、前記工程eにおいて、前記第2の金属の融点以上の温度で加熱圧着を行うことにより、前記複数の第1の電極のそれぞれと前記複数の第2の電極のそれぞれとを接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項13又は14に記載の半導体装置の製造方法において、前記工程eの後において、前記複数の第1の電極及び前記複数の第2の電極は、スズを含む合金を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項15に記載の半導体装置の製造方法において、前記合金は銅を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。第1の基板と、前記第1の基板上に形成された複数の第1の電極と、前記複数の第1の電極のそれぞれの側壁上に形成された第1の絶縁膜とを備え、前記第1の絶縁膜は、前記複数の第1の電極の間のスペースが埋まらないように形成されていることを特徴とする半導体装置。請求項17に記載の半導体装置において、前記複数の第1の電極のそれぞれは、第1の金属を含む第1の導電層と、前記第1の導電層上に形成され且つ前記第1の金属とは異なる第2の金属を含む第2の導電層とを有することを特徴とする半導体装置。請求項18に記載の半導体装置において、前記第1の金属は銅であり、前記第2の金属はスズであることを特徴とする半導体装置。請求項18又は19に記載の半導体装置において、前記複数の第1の電極のそれぞれは、前記第1の導電層の下に形成されたバリア層をさらに有することを特徴とする半導体装置。請求項20に記載の半導体装置において、前記バリア層はチタンを含むことを特徴とする半導体装置。請求項17~21のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記第1の絶縁膜は酸化膜又は有機膜であることを特徴とする半導体装置。請求項17~22のいずれか1項に記載の半導体装置において、第2の基板と、前記第2の基板上における前記第1の基板上の前記複数の第1の電極のそれぞれと対応する位置に形成された複数の第2の電極と、前記複数の第2の電極のそれぞれの側壁上に形成された第2の絶縁膜とを備え、前記第2の絶縁膜は、前記複数の第2の電極の間のスペースが埋まらないように形成されており、前記第1の基板と前記第2の基板とは、前記複数の第1の電極のそれぞれと前記複数の第2の電極のそれぞれとが対向するように配置されていると共に、前記複数の第1の電極のそれぞれと前記複数の第2の電極のそれぞれとは接合されていることを特徴とする半導体装置。請求項23に記載の半導体装置において、前記複数の第1の電極及び前記複数の第2の電極は、スズを含む合金を含むことを特徴とする半導体装置。請求項24に記載の半導体装置において、前記合金は銅を含むことを特徴とする半導体装置。しかしながら、図3a及びbに示す従来技術では、基板11上の電極パッド12と基板21上の電極パッド22とを半田バンプ13を介して接合する際に、図4に示すように、溶融圧着に起因して半田バンプ13が横方向基板11、21の主面に沿った方向:以下同じに伸びるように変形してしまう。このため、基板11上における電極パッド12の配置間隔つまり基板21上における電極パッド22の配置間隔が狭い場合には、隣り合う半田バンプ13同士が接触し、その結果、短絡が発生してデバイス不良を生じるという問題がある。それに対して、例えば特許文献1においては、電極同士を加熱圧着させた後、半田バンプが溶融した状態で印加圧力を低下させて溶融した半田バンプを引き伸ばすことにより、圧着時における半田バンプの横方向への広がりを抑制して隣り合う半田バンプ同士の接触を防止する方法が提案されている。ところで、現在実用化されている半導体装置においては、基板上における電極の配置ピッチは40μm程度であるが、SoCのさらなる微細化、ウェハのさらなる大口径化及びチップのさらなる大面積化等に伴って、接合される電極の数がさらに増大するため、電極の微細化と共に電極配置ピッチのさらなる縮小将来的には10μmピッチが必要とされている。また、SoCのさらなる微細化、ウェハのさらなる大口径化及びチップのさらなる大面積化等が進んでいくと、チップ-チップ積層、チップ-ウェハ積層又はウェハ-ウェハ積層において接続される基板同士の平行度、つまり、対向する基板主面間の間隔を高精度に制御することが困難となってくる。一方、特許文献1に提案されている電極接合方法においては、対向する基板主面間の間隔を高精度に制御することが不可欠である。すなわち、SoCのさらなる微細化、ウェハのさらなる大口径化及びチップのさらなる大面積化等が進んでいくに従って、特許文献1に提案されている電極接合方法を実施するための製造装置が高価となってしまうという問題がある。前記に鑑み、本発明は、基板上における電極配置間隔が縮小されても、電極接合時の電極の変形に起因する隣り合う電極同士の短絡を低コストで確実に防止できる3次元集積化技術を提供することを目的とする。前記の目的を達成するために、本発明に係る半導体装置の製造方法は、第1の基板上に複数の第1の電極を形成する工程aと、前記複数の第1の電極のそれぞれの側壁上に第1の絶縁膜を形成する工程bとを備え、前記工程bにおいて、前記第1の絶縁膜は、前記複数の第1の電極の間のスペースが埋まらないように形成される。ここで、各第1の電極は突起状構造を有していてもよい。本発明に係る半導体装置の製造方法によると、第1の基板上の各第1の電極の側壁上に第1の絶縁膜を形成するため、当該第1の絶縁膜が各第1の電極の変形を防止する支持体として機能する。このため、チップ-チップ積層、チップ-ウェハ積層又はウェハ-ウェハ積層において例えば加熱溶融圧着により上下基板の電極同士の接合を行う場合において、第1の基板上における電極配置間隔が縮小されても、第1の電極の変形特に横方向に伸びる変形に起因する隣り合う第1の電極同士の短絡、つまりデバイス不良の発生を確実に防止することができる。また、特許文献1に提案されている従来の電極接合方法を実施する場合と比較して、高価な製造装置を用いることなく、前述の効果を得ることができる。本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記複数の第1の電極のそれぞれは、第1の金属を含む第1の導電層と、前記第1の導電層上に形成され且つ前記第1の金属とは異なる第2の金属を含む第2の導電層とを有していてもよい。このようにすると、例えば加熱圧着により上下基板の電極同士の接合を行うことによって、各第1の電極の少なくとも一部分が、第1の金属及び第2の金属を含む合金から構成されるようになる。ここで、第1の金属の融点は、第2の金属の融点よりも高くてもよい。また、前記第1の絶縁膜は、前記第2の金属の融点よりも低い温度で形成されると、工程bにおいてつまり、上下基板の電極同士の接合を行う前に、第2の金属を含む第2の導電層が溶融してしまう事態を回避することができる。また、前記第1の金属は銅であり、前記第2の金属はスズであると、例えば比較的低温の加熱圧着により上下基板の電極同士の接合を行うことができる。また、前記工程aは、前記第1の基板上に、前記第1の導電層のシード層を形成する工程a1と、前記シード層上に、前記複数の第1の電極の形成領域に開口部を持つマスクパターンを形成する工程a2と、メッキ法を用いて、前記マスクパターンの前記開口部に露出する部分の前記シード層上に選択的に前記第1の導電層を形成する工程a3と、メッキ法を用いて、前記第1の導電層上に選択的に前記第2の導電層を形成する工程a4と、前記工程a4の後、前記マスクパターンを除去する工程a5と、前記工程a5の後、前記マスクパターンが除去された領域に位置する部分の前記シード層を除去する工程a6とを備えていてもよい。このようにすると、第1の金属を含む第1の導電層と、第2の金属を含む第2の導電層との積層構造を持つ第1の電極を確実に形成することができる。尚、前記工程aは、前記工程a1の前に、前記第1の基板上にバリア層を形成する工程a7をさらに備え、前記工程a6では、前記マスクパターンが除去された領域に位置する部分の前記バリア層を除去すると、電極材料が第1の基板中に拡散する事態を阻止することができる。また、前記バリア層はチタンを含んでいてもよい。本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記工程bは、前記複数の第1の電極のそれぞれを覆うように、前記第1の基板上に前記第1の絶縁膜を形成する工程b1と、前記複数の第1の電極のそれぞれの少なくとも側壁の一部の上に前記第1の絶縁膜が残存するように、前記第1の絶縁膜を除去する工程b2とを備えていてもよい。ここで、前記工程b1において、CVD法又は塗布法を用いて前記第1の絶縁膜を形成してもよい。また、前記工程b2において、エッチバックを用いて前記第1の絶縁膜を除去してもよいし、又は機械研削を用いて前記第1の絶縁膜を除去してもよい。本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記第1の絶縁膜は酸化膜又は有機膜であってもよい。本発明に係る半導体装置の製造方法において、第2の基板上における前記第1の基板上の前記複数の第1の電極のそれぞれと対応する位置に複数の第2の電極を形成する工程cと、前記複数の第2の電極のそれぞれの側壁上に第2の絶縁膜を形成する工程dと、前記工程b及び前記工程dの後に、前記複数の第1の電極のそれぞれと前記複数の第2の電極のそれぞれとが対向するように、前記第1の基板と前記第2の基板とを配置して、前記複数の第1の電極のそれぞれと前記複数の第2の電極のそれぞれとを接合する工程eとをさらに備え、前記工程dにおいて、前記第2の絶縁膜は、前記複数の第2の電極の間のスペースが埋まらないように形成されてもよい。このようにすると、第2の基板上の各第2の電極の側壁上に第2の絶縁膜を形成するため、当該第2の絶縁膜が各第2の電極の変形を防止する支持体として機能する。このため、例えば加熱圧着により各第1の電極と各第2の電極とを接合する際に、第2の基板上における電極配置間隔が縮小されても、第2の電極の変形特に横方向に伸びる変形に起因する隣り合う第2の電極同士の短絡、つまりデバイス不良の発生を確実に防止することができる。また、特許文献1に提案されている従来の電極接合方法を実施する場合と比較して、高価な製造装置を用いることなく、前述の効果を得ることができる。ここで、各第2の電極は突起状構造を有していてもよい。また、前記工程eにおいて、前記第2の金属の融点以上の温度で加熱圧着を行うことにより、前記複数の第1の電極のそれぞれと前記複数の第2の電極のそれぞれとを接合してもよい。また、前記工程eの後において、前記複数の第1の電極及び前記複数の第2の電極は、スズを含む合金を含んでいてもよい。尚、前記合金は銅を含んでいてもよい。前記の目的を達成するために、本発明に係る半導体装置は、第1の基板と、前記第1の基板上に形成された複数の第1の電極と、前記複数の第1の電極のそれぞれの側壁上に形成された第1の絶縁膜とを備え、前記第1の絶縁膜は、前記複数の第1の電極の間のスペースが埋まらないように形成されている。ここで、各第1の電極は突起状構造を有していてもよい。本発明に係る半導体装置によると、第1の基板上の各第1の電極の側壁上に第1の絶縁膜が形成されているため、当該第1の絶縁膜が各第1の電極の変形を防止する支持体として機能する。このため、チップ-チップ積層、チップ-ウェハ積層又はウェハ-ウェハ積層において例えば加熱溶融圧着により上下基板の電極同士の接合を行う場合において、第1の基板上における電極配置間隔が縮小されても、第1の電極の変形特に横方向に伸びる変形に起因する隣り合う第1の電極同士の短絡、つまりデバイス不良の発生を確実に防止することができる。また、特許文献1に提案されている従来の半導体装置と比較して、高価な製造装置を用いることなく、前述の効果を得ることができる。本発明に係る半導体装置において、前記複数の第1の電極のそれぞれは、第1の金属を含む第1の導電層と、前記第1の導電層上に形成され且つ前記第1の金属とは異なる第2の金属を含む第2の導電層とを有していてもよい。このようにすると、例えば加熱圧着により上下基板の電極同士の接合を行うことによって、各第1の電極の少なくとも一部分が、第1の金属及び第2の金属を含む合金から構成されるようになる。ここで、第1の金属の融点は、第2の金属の融点よりも高くてもよい。また、前記第1の金属は銅であり、前記第2の金属はスズであると、例えば比較的低温の加熱圧着により上下基板の電極同士の接合を行うことができる。また、前記複数の第1の電極のそれぞれは、前記第1の導電層の下に形成されたバリア層をさらに有すると、電極材料が第1の基板中に拡散する事態を阻止することができる。尚、前記バリア層はチタンを含んでいてもよい。本発明に係る半導体装置において、前記第1の絶縁膜は酸化膜又は有機膜であってもよい。本発明に係る半導体装置において、第2の基板と、前記第2の基板上における前記第1の基板上の前記複数の第1の電極のそれぞれと対応する位置に形成された複数の第2の電極と、前記複数の第2の電極のそれぞれの側壁上に形成された第2の絶縁膜とを備え、前記第2の絶縁膜は、前記複数の第2の電極の間のスペースが埋まらないように形成されており、前記第1の基板と前記第2の基板とは、前記複数の第1の電極のそれぞれと前記複数の第2の電極のそれぞれとが対向するように配置されていると共に、前記複数の第1の電極のそれぞれと前記複数の第2の電極のそれぞれとは接合されていてもよい。このようにすると、第2の基板上の各第2の電極の側壁上に第2の絶縁膜が形成されているため、当該第2の絶縁膜が各第2の電極の変形を防止する支持体として機能する。このため、例えば加熱圧着により各第1の電極と各第2の電極とを接合する際に、第2の基板上における電極配置間隔が縮小されても、第2の電極の変形特に横方向に伸びる変形に起因する隣り合う第2の電極同士の短絡、つまりデバイス不良の発生を確実に防止することができる。また、特許文献1に提案されている半導体装置と比較して、高価な製造装置を用いることなく、前述の効果を得ることができる。ここで、各第2の電極は突起状構造を有していてもよい。また、前記複数の第1の電極及び前記複数の第2の電極は、スズを含む合金を含んでいてもよい。尚、前記合金は銅を含んでいてもよい。本発明によると、基板上における電極配置間隔が縮小されても、電極接合時の電極の変形に起因する隣り合う電極同士の短絡を低コストで確実に防止できる3次元集積化技術を提供することができる。以下、本発明の一実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について、図面を参照しながら説明する。図1a~e及び図2a~dは、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図である。まず、図1aに示すように、例えばシリコンからなる第1の基板101を準備する。図示は省略しているが、第1の基板101の表面側には、例えばトランジスタ等の素子と、当該素子と電気的に接続する配線を有し且つ当該素子を覆う層間絶縁膜以下、配線層というとが設けられている。また、当該配線層上には、例えばシリコン酸化膜からなる厚さ500nm程度の絶縁膜が形成されていると共に、当該絶縁膜には、例えばドライエッチングにより、前記配線層の一部と接続する接続孔が形成されている。次に、当該接続孔を含む前記絶縁膜の表面を覆うように、厚さ100nm程度のバリア層102を形成する。バリア層102の材料としては、後述する電極材料の第1の基板101中への拡散を阻止できる材料、例えばチタンTiを用いてもよい。続いて、バリア層102上に、例えばスパッタ法により、例えば銅Cuからなる厚さ100nm程度のシード層103を形成する。次に、シード層103上に、電極形成領域に開口部複数を持つレジストパターン104を形成する。ここで、レジストパターン104に代えて、ハードマスクを形成してもよい。次に、図1bに示すように、レジストパターン104の開口部に露出する部分のシード層103上に、例えば電界メッキ法により、例えばCuからなる厚さ1μm程度の導電層105を選択的に形成する。次に、図1cに示すように、導電層105上に、例えばスズSnからなる厚さ100nm程度のシード層図示省略を形成した後、例えば電界メッキ法により、例えばSnからなる厚さ5μm程度の導電層106を選択的に形成する。次に、図1dに示すように、レジストパターン104を除去した後、図1eに示すように、図1a~cに示す工程でレジストパターン104により覆われていた部分のバリア層102及びシード層103を例えばウェットエッチング法により除去する。これにより、Cuからなる導電層105とSnからなる導電層106との積層構造を有する突起状の複数の第1の電極107が第1の基板101上に形成される。ここで、各第1の電極107の形状は、例えば円筒形又は角柱形であってもよいが、これらの形状に特に限定されるものではない。次に、図2aに示すように、各第1の電極107を覆うように第1の基板101上に、例えばCVDchemicalvapordeposition法により、導電層106に含まれるSnの融点約232°Cよりも低い温度、例えば200°C以下の成膜温度で、例えばシリコン酸化膜からなる厚さ500nm程度の第1の絶縁膜108を形成する。このように、第1の絶縁膜108を低温度で形成することにより、Snを含む導電層106が溶融してしまう事態を回避することができる。すなわち、本実施形態の特徴の1つは、各第1の電極107の下層の導電層105に含まれる金属例えばCuの融点と比較して、各第1の電極107の上層の導電層106に含まれる金属例えばSnの融点の方が低く、且つ、導電層106に含まれる金属の融点よりも低い温度で第1の絶縁膜108が形成されることである。次に、図2bに示すように、第1の基板101上に形成された第1の絶縁膜108の全面に対して、異方性ドライエッチングを用いてエッチバックを行うことにより、各第1の電極107の少なくとも側壁の一部の上に第1の絶縁膜108が残存するように、第1の絶縁膜108を除去する。これにより、各第1の電極107の頂部が露出すると共に、各第1の電極107の間のスペースから第1の絶縁膜108が除去される。ここで、各第1の電極107の側壁のうち頂部近傍部分には第1の絶縁膜108が残存していなくてもよい。次に、例えばシリコンからなる第2の基板201を準備し、当該第2の基板201に対して、図1a~e及び図2a、bに示す工程と同様の工程を実施する。これにより、図2cに示すように、複数の第2の電極207が表面上に形成された第2の基板201を得ることができる。ここで、各第2の電極207は、各第1の電極107を構成するバリア層102、シード層103、導電層105及び導電層106のそれぞれと対応するバリア層202、シード層203、導電層205及び導電層206が順次積層された構造を持つ。また、各第2の電極207の側壁上には、各第1の電極107の側壁上に形成された第1の絶縁膜108と対応する第2の絶縁膜208が形成されている。尚、各第2の電極207は、第2の基板201上における第1の基板101上の各第1の電極107と対応する位置に形成されている。次に、図2cに示すように、各第1の電極107と各第2の電極207とが対向するように、第1の基板101と第2の基板201とを配置した後、図2dに示すように、各第1の電極107と各第2の電極207とを接合する。具体的には、各第1の電極107と各第2の電極207とを互いに接触させた後、例えば導電層106及び導電層206に含まれるSnの融点約232°C以上の温度で加熱圧着を行うことにより、各第1の電極107と各第2の電極207とを接合する。これにより、導電層106及び導電層206に含まれるSnが溶融し、その結果、導電層106と導電層206とが一体化する。また、このとき、導電層105シード層103も含む及び導電層205シード層203も含むに含まれるCuが部分的に溶融し、その結果、各第1の電極107及び各第2の電極207の少なくとも一部分がSn-Cu合金から構成されるようになってもよい。以上に説明した本実施形態によると、図2dに示す工程で各第1の電極107と各第2の電極207とを接合する際に、各第1の電極107の側壁上に形成した第1の絶縁膜108が各第1の電極107の変形を防止する支持体として機能すると共に、各第2の電極207の側壁上に形成した第2の絶縁膜208が各第2の電極207の変形を防止する支持体として機能する。これにより、各第1の電極107と各第2の電極207とが圧着された際に溶融した電極材料の横方向への変形を抑制することが可能となる。具体的には、隣り合う第1の電極107同士の間隔つまり隣り合う第2の電極207同士の間隔が例えば10μm程度以下であっても、隣り合う第1の電極107同士の短絡及び隣り合う第2の電極207同士の短絡を防止してデバイス不良の発生を確実に防止することができる。また、特許文献1に提案されている従来の電極接合方法を実施する場合と比較して、高価な製造装置を用いることなく、前述の効果を得ることができる。また、本実施形態によると、各第1の電極107の高さ及び/又は各第2の電極207の高さが第1の基板101上及び/又は第2の基板201上でばらついている場合においても、各第1の電極107の側壁上に及び/又は各第2の電極207の側壁上に第1の絶縁膜108及び/又は第2の絶縁膜208が形成されていることにより、隣り合う第1の電極107同士の短絡及び/又は隣り合う第2の電極207同士の短絡を防止しつつ、圧着可能なストロークを増加させることが可能となる。すなわち、各第1の電極107と各第2の電極207との圧着時に適用可能な圧力範囲を拡大させることが可能となる。尚、本実施形態においては、第1の基板101及び第2の基板201のそれぞれの上に、前述の突起状電極バンプである第1の電極107及び第2の電極207を形成した。しかし、第1の電極107及び第2の電極207の一方を前述の突起状電極として形成し、他方については、他の構造を持つ電極、例えば貫通電極の露出端部又は基板最表面と実質的に面一な表面を持つ電極パッド等として形成してもよい。すなわち、第1の基板101及び第2の基板201の少なくとも一方の基板上に形成される電極に前述の突起状電極を用いることにより、前述の効果を得ることができる。また、本実施形態においては、第1の絶縁膜108を形成した後、各第1の電極107の頂部を露出させるために、異方性ドライエッチングによるエッチバックを行った。しかし、これに代えて、例えばCMPchemicalmechanicalpolishing法等の機械研削法により、各第1の電極107の少なくとも側壁の一部の上に第1の絶縁膜108が残存するように、第1の絶縁膜108を除去してもよい。第2の絶縁膜208についても同様である。尚、機械研削法を用いた場合に、各第1の電極107の間や各第2の電極207の間のスペースに第1の絶縁膜108や第2の絶縁膜208が部分的に残ってもよい。また、本実施形態においては、比較的低温度でCVD法を用いることにより、各第1の電極107の側壁を覆うように酸化膜からなる第1の絶縁膜108を形成した。しかし、第1の絶縁膜108の製法及び膜種は特に限定されるものではない。具体的には、CVD法に代えて、例えば塗布法等を用いてもよい。また、酸化膜に代えて、例えば、ガラス転移温度Tgの高いポリイミド系樹脂等からなる有機膜等を、例えばCVD法又は塗布法等を用いて形成してもよい。第2の絶縁膜208についても同様である。但し、各第1の電極107や各第2の電極207の変形を防止するという観点からは、第1の絶縁膜108や第2の絶縁膜208として、比較的硬い絶縁材料、例えばシリコン酸化膜又はシリコン酸窒化膜等を用いることが好ましい。また、本実施形態においては、図1a~cに示す工程で、レジストパターン104をマスクとして、電界メッキ法を用いて導電層105及び106を選択的に形成した。しかし、導電層105及び106の製法は特に限定されるものではない。具体的には、電界メッキ法に代えて、他のメッキ法を用いてよい。或いは、選択的メッキ成長に代えて、例えばスパッタ法等による成膜と、リソグラフィ及びドライエッチングによるパターニングとを組み合わせて実施してもよい。導電層205及び206についても同様である。また、本実施形態においては、導電層105の材料としてCuを、導電層106の材料としてSnを用いた。しかし、導電層105及び106の材料は、比較的低温の加熱圧着により上下基板の電極同士の接合を行うことができる材料であれば、特に限定されるものではない。具体的には、導電層105の材料としてAlアルミニウムを、導電層106の材料としてAu金を用いてもよい。導電層205及び206についても同様である。また、本実施形態においては、図2dに示す工程で、各第1の電極107の側壁上に形成された第1の絶縁膜108と、各第2の電極207の側壁上に形成された第2の絶縁膜208とが接触するように、各第1の電極107と各第2の電極207とを接合することが好ましい。このようにすると、各第1の電極107と各第2の電極207とが圧着された際に溶融した電極材料の横方向への変形を確実に防止することができる。但し、各第1の電極107と各第2の電極207との接合時に、各第1の電極107の側壁上に形成された第1の絶縁膜108と、各第2の電極207の側壁上に形成された第2の絶縁膜208との間に若干の隙間が生じても、電極材料の横方向への変形を抑制する効果は実質的に失われることはない。また、本実施形態に係る半導体装置及びその製造方法は、チップ-チップ積層ウェハダイシングにより得られたチップ状態の半導体装置同士の積層、チップ-ウェハ積層チップ状態の半導体装置と、ダイシング前のウェハ状態の半導体装置との積層、又はウェハ-ウェハ積層ウェハ状態の半導体装置同士の積層のいずれにも適用可能である。