絶縁板と該絶縁板の主表面に設けられた配線層とを含む絶縁基板と、該配線層上に固定された半導体素子と、該絶縁板の主表面に略平行な接合面を有し、該接合面が該配線層上に半田層で接続された内部電極とを含み、該半田層で覆われた領域に、該内部電極が、該接合面と略平行な方向に突出したつば状の突起部を備えたことを特徴とするパワー半導体モジュール。電力用のパワー半導体モジュールでは、半導体素子から発熱があり、パワー半導体モジュールの内部に温度サイクルが発生し、電流が流れる部分に大きな熱ストレスが加わる。このため、材質の異なる部品が接合されている部分では、線膨張係数の違いから両者の間に熱応力が発生し、接合部分に亀裂が生じるという問題があった。特に、パワー半導体モジュールでは、内部電極等の接合には半田が用いられ、半田接合部の割れが、製品寿命を決める一つの要素となっていた。そこで、本発明は、温度サイクルが加わった場合の、半田接合部で発生した割れの広がりを防止したパワー半導体モジュールの提供を目的とする。また、半田接合部での割れの発生を防止したパワー半導体モジュールの提供を目的とする。本発明は、絶縁板と絶縁板の主表面に設けられた配線層とを含む絶縁基板と、配線層上に固定された半導体素子と、絶縁板の主表面に略平行な接合面を有し、接合面が配線層上に半田層で接続された内部電極とを含み、半田層で覆われた領域に、内部電極が、接合面と略平行な方向に突出したつば状の突起部を備えたことを特徴とするパワー半導体モジュールである。以上のように、本発明にかかるパワー半導体モジュールでは、温度サイクルが加わった場合に、半田接合部での割れを防止でき、また割れが発生してもその広がりを防止できるため、パワー半導体モジュールの製品寿命を長くし、信頼性を向上させることができる。実施の形態1.図1は、全体が100で表される、本発明の実施の形態1にかかるパワー半導体モジュールの断面図である。また、図2は、図1に符合Aで示す部分を拡大した断面図である。パワー半導体モジュール100は、例えば銅からなるベース板1を含む。ベース板1の上には、両面に金属配線層12、14が設けられた絶縁体13からなる絶縁基板2が接続されている。絶縁体13は、例えばアルミナからなり、金属配線層12、14は例えば銅からなる。絶縁基板2の上には、例えばIGBT絶縁ゲートバイポーラトランジスタやフリーホイールダイオードなどの半導体素子3が半田層10で接続されている。また、絶縁基板2の上には、同じく半田層10により内部電極9が接続されている。半田層10には、例えば、錫と鉛の合金が用いられる。半導体素子3同士の間や、半導体素子3と絶縁基板2に設けられた金属配線層12との間は、例えばアルミニウムからなるワイヤ4で接続されている。ベース板1はケース6で囲まれ、上部は蓋7で覆われている。ケース6の中にはシリコンゲル5が入れられ、半導体素子3等が封止されている。パワー半導体モジュール100では、内部電極9の周りの金属配線層12に突起部21が設けられている。より厳密に言えば、内部電極9の接合面と半田層10を挟んで対向する金属配線層12の領域を囲むように突起部21が形成されている。図2の断面では2箇所に見えられる突起部21は、実際には、内部電極9の周囲を囲むように連続して設けられている。図3は、従来のパワー半導体モジュールの、図1のAに相当する部分の断面図を示す。例えばアルミナからなる絶縁体13と、例えば銅からなる内部電極9との線膨張係数の違いから、半導体素子3の発熱で温度サイクルが加わった場合、図3に示すように、絶縁基板2の金属配線層12と半田層10との境界近傍や、内部電極9と半田層10との境界近傍に割れ20が発生する。発生した割れ20は、金属配線層12と半田層10との界面や、内部電極9と半田層10との界面に沿って、半田層10の内部に向かって進行する。本実施の形態1にかかるパワー半導体モジュール100では、金属配線層12に突起部21が設けられているため、絶縁基板2の金属配線層12と半田層10との境界近傍で発生し、内部に向かって進行する割れ20は、突起部21に到達した時点で、それ以上進行しなくなる。このように、パワー半導体モジュール100では、温度サイクルが加わった場合に、半田層10に割れ20が発生してもその広がりを防止できるため、パワー半導体モジュール100の製品寿命を長くし、信頼性を向上させることができる。また、内部電極9と絶縁基板2との半田層10による接合面積を小さくでき、パワー半導体モジュールの小型化に寄与することもできる。図4は、本実施の形態1にかかる他のパワー半導体モジュールの、Aに相当する部分の断面図である。図4では、突起部22が、内部電極9の絶縁基板2に対向する部分の周囲を囲むように設けられている。このような突起部22を設けることにより、内部電極9と半田層10との境界近傍に発生して内部に向かって進行する割れ20は、突起部22に到達した時点で、それ以上進行しなくなる。なお、パワー半導体モジュールは、突起部21と突起部22のいずれか一方だけでも良いが、双方を備えても構わない。実施の形態2.図5は、本発明の実施の形態2にかかるパワー半導体モジュールに用いる内部電極9の、絶縁基板2に半田層10で接続される部分の斜視図である。本実施の形態2にかかる内部電極9は、板状部19と縒り線部23とからなる。絶縁基板2と半田層10により接合される縒り線部23は、例えば複数の銅の細線を縒り合わせた構造からなる。銅の細線には、ニッケルメッキ等が施されている。縒り線部23は、例えば銅からなる板状部19にろう付けされている。本実施の形態2にかかる内部電極9では、絶縁基板2と半田層10による接合される部分が、板状部19に比較して変形しやすい縒り線部23からなる。このため、温度サイクルが加わった場合に、縒り線部23が容易に変形して、半田層10に割れ20が発生するのを防止できる。図6は、本発明の実施の形態2にかかる他のパワー半導体モジュールに用いる内部電極9の、絶縁基板2に半田層10で接続される部分の斜視図である。かかる内部電極9は、板状部29と編み線部24とからなる。絶縁基板2と半田層10により接合される編み線部24は、例えば複数の銅の細線をメッシュ状に編んだ構造からなる。銅の細線には、ニッケルメッキ等が施されている。編み線部24は、例えば銅からなる板状部29にろう付けされている。図6に示された内部電極9では、絶縁基板2と半田層10により接合される部分が、板状部29に比較して変形しやすい編み線部24からなる。このため、温度サイクルが加わった場合に、編み線部24が容易に変形して、半田層10に割れ20が発生するのを防止できる。実施の形態3.図7は、本発明の実施の形態3にかかるパワー半導体モジュールの、図1のAに相当する部分の断面図である。A以外の部分の構造は、図1と同じである以下の実施の形態においても同じ。本実施の形態3にかかるパワー半導体モジュールでは、内部電極9が、U字型に曲がったベント部18を有する。ベント部18の断面形状は、絶縁基板2の表面に垂直な方向に延びた2つの直線部の間を円弧部でつないだ構造となっている。このようなベント部18を設けることにより、内部電極9が横方向絶縁基板2の表面に平行な方向に弾性を有するようになる。このため、温度サイクルが加わった場合に、ベント部18が容易に変形して、半田層10に割れ20が発生するのを防止できる。特に、横方向の変形により発生する割れ20の防止に効果的である。実施の形態4.図8は、本発明の実施の形態4にかかるパワー半導体モジュールの、図1のAに相当する部分の断面図である。本実施の形態4にかかるパワー半導体モジュールでは、内部電極9と金属配線層12との、半田層10を挟んで対向する領域にそれぞれ凸部25、26が設けられている。凸部25と凸部26は、図8の紙面に垂直な方向に延びた、断面が略矩形のストライプ形状からなる。凸部25と凸部26の位置は、図8の紙面に平行な方向に交互に配置されている。かかる凸部25、26を設けることにより、半田層10に金属配線層12に沿った割れが発生した場合でも、半田層10の内部に向かって割れが進行する距離図8では、金属配線層12の表面に沿った横方向の距離が長くなるため、破断に至るまでの時間が長くなる。この結果、パワー半導体モジュールの製品寿命を長くすることができる。図9は、本実施の形態4にかかる他のパワー半導体モジュールの、図1のAに相当する部分の断面図である。図9では、内部電極9と金属配線層12のそれぞれに設けられた凸部27、28の断面が、略三角となっている。他は図8の構造と同様である。上述のように、かかる凸部27、28を設けることにより、半田層10に金属配線層12に沿った割れが発生した場合でも、半田層10の内部に向かって割れが進行する距離が長くなり、破断に至るまでの時間が長くなる。この結果、パワー半導体モジュールの製品寿命を長くすることができる。