少なくとも溶融塩、第13族以外の金属元素である第一金属元素を含む窒化物、第一金属元素と異なる第13族以外の金属元素である第二金属元素を含む化合物、および第13族金属元素を含む融液中において第13族窒化物結晶を成長させる第13族窒化物結晶の製造方法であって、前記第13族窒化物結晶が成長する際に前記第一金属元素を含む窒化物と前記第二金属元素を含む化合物とが交換反応することを特徴とする、第13族窒化物結晶の製造方法。前記交換反応による反応生成物のうち、少なくとも一部の反応生成物を融液中から除去し、前記交換反応を進行させる、請求項1に記載の第13族窒化物結晶の製造方法。融液中から除去される反応生成物が、蒸発により融液から除去される、請求項2に記載の第13族窒化物結晶の製造方法。融液中から除去される反応生成物が、アルカリ金属を含む、請求項2または3に記載の第13族窒化物結晶の製造方法。前記融液を保持する反応容器において、該反応容器内の融液と接しない部分にアルカリ金属凝縮部を設けることを特徴とする、請求項4に記載の第13族窒化物結晶の製造方法。融液中から除去される反応生成物の除去速度が0.0001mg/h/cm3以上である、請求項2から5のいずれか1項に記載の第13族窒化物結晶の製造方法。少なくとも溶融塩、第13族以外の金属元素である第一金属元素を含む窒化物、第一金属元素と異なる第13族以外の金属元素である第二金属元素を含む化合物、および第13族金属元素を含む融液中において第13族窒化物結晶を成長させる第13族窒化物結晶の製造方法であって、前記第13族窒化物結晶が成長した後の融液中の前記第二金属元素を含む化合物の濃度が、前記第13族窒化物結晶が成長する前の融液中の前記第二金属元素を含む化合物の濃度よりも減少することを特徴とする、第13族窒化物結晶の製造方法。前記第13族窒化物結晶の成長前後における、融液中の前記第二金属元素を含む化合物の濃度が減少する速度が0.0001mg/h/cm3以上である、請求項7に記載の第13族窒化物結晶の製造方法。前記第一金属元素を含む窒化物が、第一金属元素および第13族金属元素を含む複合窒化物前である、請求項1から8のいずれか1項に記載の第13族窒化物結晶の製造方法。前記第一金属元素が、アルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素である、請求項1から9のいずれか1項に記載の第13族窒化物結晶の製造方法。前記第二金属元素が、アルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素である、請求項1から10のいずれか1項に記載の第13族窒化物結晶の製造方法。請求項1から11のいずれか1項に記載の第13族窒化物結晶の製造方法により得られる、第13族窒化物結晶。請求項1から12のいずれか1項に記載の第13族窒化物結晶の製造方法により、基板上に第13族窒化物結晶を製造する工程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。しかしながら、特許文献1や非特許文献4に記載の方法では、十分な大きさの結晶は得られていない。さらに、本発明者らが特許文献2に記載される方法を種々検討したところ、シード上への結晶成長速度を工業的に十分な速度で安定的かつ継続的に保つことが出来ないという課題を見出すに至った。本発明者らの検討から考察するに、非特許文献4に記載されている技術では、ガリウムと窒素の溶解を助けるため窒化リチウムを用いているが、この窒化リチウムを取り除くことができないためにGaN析出が促進できないという課題がある。特許文献2では窒化リチウムとGaNとの複合窒化物であるLi3GaN2を使用し、窒化リチウムを取り除くことによりGaNの結晶成長を行っているが、窒化リチウムを取り除く方法としては蒸発させる方法、金属と反応させる方法、反応性ガスと反応させる方法が示されている。しかし、これらの手法は、窒化リチウムの蒸気圧が低かったり、窒化リチウムが溶解している融液相と別の相との反応であったりすることにより、GaNの結晶成長速度やその継続性が十分に得られないという課題が生じた。そこで本発明者らは、このような従来技術の課題を解決し、シード上への結晶成長速度を工業的に十分な速度で安定的かつ継続的に保つために、GaN結晶などの第13族窒化物結晶を安定的かつ継続的に成長させることができる方法を提供することを本発明の目的として検討を進めた。本発明者らは、この課題を解決すべく鋭意検討した結果、第13族窒化物結晶の溶解を助ける化合物を、交換反応を利用して、融液中から除去することによって結晶成長速度を十分な速度で安定的にかつ継続的に保つことを可能にし、以下の本発明を提供するに至った。[1]少なくとも溶融塩、第13族以外の金属元素である第一金属元素を含む窒化物、第一金属元素と異なる第13族以外の金属元素である第二金属元素を含む化合物、および第13族金属元素を含む融液中において第13族窒化物結晶を成長させる第13族窒化物結晶の製造方法であって、前記第13族窒化物結晶が成長する際に前記第一金属元素を含む窒化物と前記第二金属元素を含む化合物とが交換反応することを特徴とする、第13族窒化物結晶の製造方法。[2]前記交換反応による反応生成物のうち、少なくとも一部の反応生成物を融液中から除去し、前記交換反応を進行させる、[1]に記載の第13族窒化物結晶の製造方法。[3]融液中から除去される反応生成物が、蒸発により融液から除去される、[2]に記載の第13族窒化物結晶の製造方法。[4]融液中から除去される反応生成物が、アルカリ金属を含む、[2]または[3]に記載の第13族窒化物結晶の製造方法。[5]前記融液を保持する反応容器において、該反応容器内の融液と接しない部分にアルカリ金属凝縮部を設けることを特徴とする、[4]に記載の第13族窒化物結晶の製造方法。[6]融液中から除去される反応生成物の除去速度が0.0001mg/h/cm3以上である、[2]から[5]のいずれか1項に記載の第13族窒化物結晶の製造方法。[7]少なくとも溶融塩、第13族以外の金属元素である第一金属元素を含む窒化物、第一金属元素と異なる第13族以外の金属元素である第二金属元素を含む化合物、および第13族金属元素を含む融液中において第13族窒化物結晶を成長させる第13族窒化物結晶の製造方法であって、前記第13族窒化物結晶が成長した後の融液中の前記第二金属元素を含む化合物の濃度が、前記第13族窒化物結晶が成長する前の融液中の前記第二金属元素を含む化合物の濃度よりも減少することを特徴とする、第13族窒化物結晶の製造方法。[8]前記第13族窒化物結晶の成長前後における、融液中の前記第二金属元素を含む化合物の濃度が減少する速度が0.0001mg/h/cm3以上である、[7]に記載の第13族窒化物結晶の製造方法。[9]前記第一金属元素を含む窒化物が、第一金属元素および第13族金属元素を含む複合窒化物前である、[1]から[8]のいずれか1項に記載の第13族窒化物結晶の製造方法。[10]前記第一金属元素が、アルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素である、[1]から[9]のいずれか1項に記載の第13族窒化物結晶の製造方法。[11]前記第二金属元素が、アルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素である、[1]から[10]のいずれか1項に記載の第13族窒化物結晶の製造方法。[12][1]から[11]のいずれか1項に記載の第13族窒化物結晶の製造方法により得られる、第13族窒化物結晶。[13][1]から[12]のいずれか1項に記載の第13族窒化物結晶の製造方法により、基板上に第13族窒化物結晶を製造する工程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。本発明の製造方法によれば、工業的に安価な方法で、結晶性の優れた第13族窒化物結晶を製造することができる。また、工業的に安価な方法で、本発明の半導体デバイスの製造方法によれば、パワーICや高周波に対応可能な良質の半導体デバイスを製造することが可能である。以下に、本発明の第13族窒化物結晶の製造方法、および半導体デバイスの製造方法について詳細に説明する。以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の代表例に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。なお、本明細書において~を用いて表される数値範囲は、~の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。また第13族元素は、周期表第13族元素を意味する。本発明の第13族窒化物結晶の製造方法は、少なくとも溶融塩、第13族以外の金属元素である第一金属元素を含む窒化物、第一金属元素と異なる第13族以外の金属元素である第二金属元素を含む化合物、および第13族金属元素を含む融液中において第13族窒化物結晶を成長させる第13族窒化物結晶の製造方法である。[溶融塩]本発明の製造方法では溶融塩を溶媒として用い、溶融塩中で第13族窒化物結晶を成長させる。ここで、溶融塩とは常温で固体である塩を、高温で融解させたものである。溶融塩の種類は、シード上での結晶のエピタキシャル成長を阻害しないものであれば良く、例えば、ハロゲン化物、炭酸塩、硝酸塩、イオウ化物等を挙げることができる。一般には、第13族元素を金属イオンとして安定に溶解させる能力が高いことから、ハロゲン化物を用いることが好ましい。具体的には、溶融塩がLiCl、KCl、NaCl、CsCl、MgCl2、CaCl2、SrCl2、BaCl2、AlCl3、GaCl3、LiBr、KBr、NaBr、CsBr、LiF、KF、NaF、AlF3、GaF3、LiI、NaI、KI、CsI、CaI2、BaI2などの金属ハロゲン化物であることが好ましく、LiCl、KCl、NaCl、CsCl、MgCl2、CaCl2、SrCl2、BaCl2およびそれらの混合塩のいずれかであると、融液の融点が下がるため好ましい。融液の融点が下がると、結晶成長を比較的低温で行うことが可能になるため、得られる結晶の結晶性や工業的な実施の面で好ましい。ここで、融液に含まれる溶融塩としては、後述する第二金属元素を含む化合物と同一の化合物であってもよく、この場合には第二金属元素を含む化合物が溶融塩として機能する。また、窒素元素を窒化物イオンとして溶解させる能力が高いことから、アルカリ金属元素および/またはアルカリ土類金属元素を含む塩を用いることが好ましい。具体的には、溶融塩がLi、Na、K等のアルカリ金属および/またはMg、Ca、Sr等のアルカリ土類金属を含む塩からなる溶融塩であることが好ましく、例えばLiCl、KCl、NaCl、CsCl、Li4NCl、MgCl2、CaCl2、SrCl2、BaCl2などが挙げられる。本発明で用いる溶融塩は1種の塩を単独で用いても、複数種の塩を適宜組み合わせて用いてもよいが、好ましくは複数種の塩を組み合わせて用いる。なかでも、ハロゲン化リチウムとこれ以外の塩を併用することがより好ましい。ハロゲン化リチウムの含有率は溶融塩の全体量に対して15~95が好ましく、40~85がさらに好ましい。例えば、溶融塩がハロゲン化リチウムと、ハロゲン化ナトリウム、ハロゲン化カリウムおよびハロゲン化セシウムからなる群より選択される1つ以上のハロゲン化物とからなるものであることが好ましく、ハロゲン化リチウムと、ハロゲン化ナトリウムまたはハロゲン化カリウムとからなるものであることがより好ましく、ハロゲン化リチウムとハロゲン化ナトリウムからなるものであることがさらに好ましい。この場合、ハロゲン化ナトリウム、ハロゲン化カリウムおよびハロゲン化セシウムからなる群より選択される1つまたは複数のハロゲン化物の合計含有率は溶融塩の全体量に対して5~85モルが好ましく、15~60モルがさらに好ましい。これらのハロゲン化物の含有率が5モル以上である場合には、結晶の成長速度が速い点で好ましい。また合計含有率が85モル以下であると、雑晶の発生が少なく、シード上での結晶の成長速度が速くなる点で好ましい。上記溶融塩に水等の不純物が含まれている場合は、予め溶融塩を精製しておくことが望ましい。精製方法は特に限定されないが、例えば溶融塩に反応性気体を吹き込むなどの方法が挙げられる。反応性気体としては、例えば、塩化水素、ヨウ化水素、臭化水素、塩化アンモニウム、臭化アンモニウム、ヨウ化アンモニウム、塩素、臭素、ヨウ素等を挙げることができ、塩化物の溶融塩に対しては、特に塩化水素を用いることが好ましい。[第一金属元素を含む窒化物]本発明で用いられる第一金属元素を含む窒化物は、第13族以外の金属元素を含む窒化物であり、ここでは該窒化物に含まれる第13族以外の金属元素を第一金属元素と称する。第一金属元素としては、アルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素であることが好ましく、具体的にはLi3N、Mg3N2、Ca3N2、Sr3N2、Ba3N2などが挙げられる。本発明で用いられる第一金属元素を含む窒化物は、前述のような第一金属元素を含む窒化物として供給してもよいし、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む複数の元素から成る複合窒化物の形で供給してもよい。具体的にはLiMgN、LiCaN、LiSrN、LiBaN、Li3GaN2、Ca3Ga2N4、Ba3Ga2N4、Mg3GaN3、CaGaNなどの複合窒化物が、溶融塩への溶解度が高いので好適に用いられる。後述する第13族金属元素の供給を考慮すると、効率の観点から、Li3GaN2など第一金属元素および第13族元素を含む複合窒化物として供給することが最も好ましい。第一金属元素を含む窒化物は、全量が溶融塩に溶解する必要はなく、一部が溶解せずに反応容器内に存在し、結晶成長により消費された分が、随時、融液中に供給されるようにしてもよい。反応容器内における第一金属元素を含む窒化物の量は溶融塩に対して1~90重量が好ましいが、5~50重量にすると、連続生産のための効率性を上げる観点と反応容器内に第13族窒化物結晶を成長させる十分なスペースを得られる観点から、さらに好ましい。また、融液中の第13族金属元素に対する窒素元素の割合を1~20にするように、第一金属元素を含む窒化物の量を調節すると、窒素欠陥が少ない高品質の第13族窒化物が得られるため好ましい。[第二金属元素を含む化合物]本発明で用いられる第二金属元素を含む化合物は、第一金属元素と異なる第13族以外の金属元素を含む化合物であり、ここでは該化合物に含まれる、第一金属元素と異なっておりかつ第13族以外の金属元素を第二金属元素と称する。第二金属元素を含む化合物は特に限定されないが、後述する交換反応を効率的に進める点から溶融塩に溶解させるもしくはそれ自体が溶融塩となることが好ましい。この観点から、金属ハロゲン化物が好ましく、LiCl、KCl、NaCl、CsCl、MgCl2、CaCl2、SrCl2、BaCl2、LiBr、KBr、NaBr、CsBr、LiF、KF、NaF、BaF2、LiI、NaI、KI、CsI、CaI2、BaI2等のアルカリ金属またはアルカリ土類金属ハロゲン化物であることがさらに好ましい。第二金属元素としては、取り扱いやすさの観点からアルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素であることが好ましく、第二金属元素を含む化合物はLiCl、KCl、NaCl、CsClなどのアルカリ金属塩化物が最も好ましい。例として、第一金属元素を含む窒化物が、Li3N、Li3GaN2などのLiを含む窒化物であった場合、第二金属元素を含む化合物はKCl、NaCl、CsClが好適に用いられ、NaClが最も好ましい。反応容器内における第二金属元素を含む化合物の割合は、融液全体に対して5~90重量が好ましく、10~50重量にすると、効率的な製造に適した交換反応の反応速度が得られることから、さらに好ましい。本発明で用いられる第二金属元素を含む化合物は、交換反応により消費されるため、その融液中の濃度は、結晶成長開始時に比べ結晶成長終了時には減少している。つまり、前記第13族窒化物結晶が成長した後の融液中の前記第二金属元素を含む化合物の濃度が、前記第13族窒化物結晶が成長する前の融液中の前記第二金属元素を含む化合物の濃度よりも減少する。第二金属元素を含む化合物の濃度の減少速度は0.0001mg/h/cm3以上であることが好ましい。第二金属元素を含む化合物の濃度の減少速度とは、融液の単位体積からの、時間あたりの、第二金属元素を含む化合物が減少する速度である。第二金属元素を含む化合物の濃度の減少速度が0.0001mg/h/cm3未満であると結晶析出速度が遅すぎて、低コストでGaN結晶等の第13族窒化物結晶を安定して効率よく製造するために必要な結晶析出速度が得られない傾向がある。さらに、特に安定して十分な成長速度を保つためには0.001mg/h/cm3以上に制御することが好ましく、より好ましくは0.01mg/h/cm3以上、最も好ましくは0.1mg/h/cm3以上である。また、第二金属元素を含む化合物の濃度の減少速度が速すぎると、雑晶の析出が融液中で支配的になり、シード上へGaN結晶が析出しにくくなることから、通常40mg/h/cm3以下にすることが好ましく、より好ましくは20mg/h/cm3以下である。[第13族金属元素]本発明で融液中に含まれる第13族金属元素は、単体金属として反応容器内に供給してもよいし、または合金や化合物として供給してもよい。合金の例としてはNaGa合金、LiGa合金が挙げられる。化合物の例としてはGaCl3、GaF3、GaBr3、GaI3などのハロゲン化物、GaN、Li3GaN2、などの窒化物が挙げられる。前述のように前記第一金属元素を含む窒化物の供給を考慮すると、効率の観点からLi3GaN2、Ca3Ga2N4、Ba3Ga2N4、Mg3GaN3、CaGaNなどの第一金属元素および第13族金属元素を含む複合窒化物として供給することが好ましい。前記第13族金属元素は、全量が溶融塩に溶解する必要はなく、一部が溶解せずに反応容器内に存在し、結晶成長により消費された分が、随時、融液中に供給されるようにしてもよい。反応容器内における第13族金属元素の量は溶融塩に対して1~90重量が好ましいが、5~50重量にすると、連続生産のための効率性を上げる観点と第13族窒化物を成長させる十分なスペースを得られる観点から、さらに好ましい。[交換反応]本発明の製造方法では、前記融液中において第13族窒化物結晶を成長させるが、結晶成長の際に第一金属元素を含む窒化物と第二金属元素を含む化合物とが交換反応する。例えば、第一金属元素Aを含む窒化物をANとし、第二金属元素Bを含む化合物をBXとすると、前記交換反応を式で表すと以下1のようになる。ANBX⇔AXBN1交換反応においては、次の式2、3のように、反応生成物の一方が分解してもよい。ANBX⇔AXBN2ANBX⇔AXBN3本発明においては、交換反応による反応生成物の少なくとも一部を溶融塩と同一相になるようにする、または融液中から取り除かれることで、結晶成長反応を効果的に継続させることができ、よって結晶成長速度を十分な速度で安定的かつ継続的に保つことが可能である。上述の交換反応において、イ反応生成物が溶媒として用いた溶融塩と同一の化合物となるように、第一金属元素を含む窒化物と第二金属元素を含む化合物とを選択する、ロ交換反応を進行させる程度に少なくとも一部の反応生成物を融液中から除去する、などの方法により、交換反応を安定的に進行させることができるため好ましい。前述のロの方法において、具体的には反応生成物の除去速度を0.0001mg/h/cm3以上とすることが好ましく、より好ましくは0.001mg/h/cm3以上、さらに好ましくは0.01mg/h/cm3以上である。反応生成物を融液中から除去する方法としては、反応生成物の一部を蒸発させて気相へ移行させる手法が挙げられる。ここで、融液中から除去される反応生成物としては、前記式2、3で示されるように分解したものも含まれる。この観点から、反応生成物の少なくとも一部は蒸気圧の高い生成物であることが好ましいが、反応生成物の除去速度を制御しやすいことから、アルカリ金属であることがより好ましく、Naであることが最も好ましい。以下に交換反応の具体例を挙げる。AN原料としてLi3GaN2を選んだ場合、Li3GaN2は溶融塩中でGaNとLi3Nとなり、Li3NがANとしてBXと交換反応を起こす。BXをNaClとした場合を挙げると、反応式は式4のように表される。3Li3NNaCl→LiCl3Na3/2N24式4の交換反応が進行することによりGaN生成反応の平衡が傾き、GaNの生成が促進し、さらに第一の反応生成物であるLiClは溶融塩と同化し、第二の反応生成物であるNa金属を溶融塩中から蒸発させ溶融塩中から除去し、第三の反応生成物である窒素が気体として溶融塩中から抜けていくことによってさらに安定的に交換反応を進行させることができる。また、前記第二の反応生成物であるNa金属の除去速度を制御することにより交換反応の速度を制御し、GaN結晶の成長速度を安定的に保つことができる。[アルカリ金属の除去速度]本発明では融液中から反応生成物を除去する速度は0.0001mg/h/cm3以上であることが好ましい。以下、除去される反応生成物がアルカリ金属である場合を例として説明するが、後述する好ましい様態については、除去される反応生成物がアルカリ金属以外の場合でも同様に考えることができる。本発明の製造方法においては、融液中からアルカリ金属を除去する速度以下、アルカリ金属除去速度と称するが0.0001mg/h/cm3以上であることが好ましい。アルカリ金属除去速度とは、溶融塩の単位体積からの時間あたりのアルカリ金属除去量である。溶融塩の単位体積中のアルカリ金属の含有量を計測し、その減少速度をアルカリ金属除去速度とする。アルカリ金属除去速度が0.0001mg/h/cm3未満であると結晶析出速度が遅すぎて、低コストでGaN結晶等の第13族窒化物結晶を安定して効率よく製造するために必要な結晶析出速度が得られない傾向がある。さらに、特に安定して十分な成長速度を保つためには0.001mg/h/cm3以上に制御することが好ましく、より好ましくは0.01mg/h/cm3以上である。また、アルカリ金属除去速度が速すぎると、雑晶の析出が融液中で支配的になり、シード上へGaN結晶が析出しにくくなることから、通常20mg/h/cm3以下にすることが好ましく、より好ましくは10mg/h/cm3以下である。また、結晶成長中のアルカリ金属除去速度は必ずしも一定である必要はなく、上記の速度範囲内で変化させることも好適に行われる。例えば、結晶成長開始時は急激な結晶核発生を抑えるためにアルカリ金属除去速度は遅くし、シードへの均一な結晶成長が開始したらアルカリ金属除去速度を速くする手法が挙げられる。なお、融液中から除去される反応生成物がアルカリ金属である場合を例にして説明したが、上述の除去速度については、反応生成物がアルカリ金属以外の場合においても同様に考えられる。[アルカリ金属の除去方法]蒸発によるアルカリ金属除去速度を調整する方法は、特に限定されず、公知の手法などを用いて適宜調整すればよい。以下に、アルカリ金属除去速度を調整する具体的な方法を挙げるが、本発明においてはこれらの方法に限定されるわけではなく、また、複数の条件を適宜組み合わせて調整することによって、所望のアルカリ金属除去速度とすることが可能である。例えば、蒸発による液相中のアルカリ金属除去速度は、気液界面面積と液体積の比以下、S/V比と称するに比例するので、気液界面面積を大きくするか、または液体積を小さくしS/V比を大きくすることで、アルカリ金属除去速度を早くすることができる。逆に、S/V比が小さくしすぎるとアルカリ金属除去速度が遅すぎて、安定的に十分な結晶析出速度を保つことができない。安定して結晶析出するためのアルカリ金属除去速度を達成するためには、S/V比の値を0.01cm-1以上に制御することが望ましく、好ましくは10cm-1以下である。また、例えば溶液中のNaClの組成比を高くすることにより、液中のNa濃度が高くなるため、蒸発によるNa除去速度を大きくでき、結晶析出速度を速くすることができる。また、例えば溶液表面へガスを吹き付ける方法や溶液中へバブリングによりガスを吹き込む方法により、アルカリ金属蒸発を促進し、GaN結晶析出速度を向上することができる。また、液相を保持する反応容器内の液相と接しない部分にアルカリ金属凝縮部を設けると、蒸発したアルカリ金属を速やかに液相付近から取り除くことができ、気相へのアルカリ金属除去速度のコントロールが容易にできるため、さらに好ましい。さらに、効率よくアルカリ金属を凝縮させるために、液相からアルカリ金属凝縮部に向けてガス流路を設けることが好ましい。ガス流路を設ける方法は、外部からガスを吹き込んで流路を作る方法、温度が異なる領域を設けてガス循環を起こして流路を作る方法、バッフルを設ける方法、外部へとガスを引き込んで流路を作る方法などがある。液相からアルカリ金属凝縮部に向けたガス流路領域とガス流路以外の領域を壁や管により隔てる構造を設けることもできる。なお、融液中から除去する反応生成物がアルカリ金属である場合を例にして説明したが、上述の除去方法については、反応生成物がアルカリ金属以外の場合においても同様に考えられる。また、反応生成物を蒸発によって容易に行うことができるので、第二金属元素の単体での745°Cにおける蒸気圧が、第一金属元素の単体での蒸気圧よりも高いことが好ましい。[複合窒化物]本発明で用いることのできる第13族金属元素以外の金属元素と第13族金属元素とを含む複合窒化物は、第13族金属元素の窒化物粉体と第13族元素以外の元素の窒化物粉体例えばLi3N、Ca3N2とを混合した後、温度を上げて固相反応させる方法;第13族金属元素と第13族以外の金属元素とを含む合金をつくっておき、窒素雰囲気中で加熱する方法;などにより作成することができる。例えばLi3GaN2は、Ga-Li合金を窒素雰囲気中で300~800°Cで加熱処理することによって作製することができる。第13族金属元素としては、Ga、Al、In、GaAl、GaIn等を好ましい例として挙げることができる。また、第13族以外の金属元素としては、Li、Na、Ca、Sr、Ba、Mg等を挙げることができ、中でもLi、Ca、Ba、Mgを好ましい金属元素として挙げることができる。第13族金属元素、第13族以外の金属元素としては、それぞれ1種類の金属元素であってもよいし、複数種の金属元素が含まれていてもよい。好ましい複合窒化物の例としては、溶融塩への溶解度が高いことからLi3GaN2、Ca3Ga2N4、Ba3Ga2N4、Mg3GaN3、CaGaN等の第13族金属元素とアルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素との複合窒化物を挙げることができ、より好ましくはLi3GaN2である。第13族元素とアルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素との複合窒化物では、不純物として、複合窒化物に含まれるアルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素の窒化物を含んでもよい。例えば複合窒化物としてLi3GaN2を用いる場合には、Li3GaN2に含まれている不純物であるLi3Nを除去したり、逆にLi3Nを添加したりして、あらかじめLi3Nの含有量を調節しておくことが、窒素欠陥の少ない窒化物結晶を得る点で好ましい。不純物の量は複合窒化物に対して0~20重量であることが好ましい。[第13族窒化物結晶]本発明の製造方法により得られる第13族窒化物結晶は、第13族金属元素を含むナイトライドであれば特に限定されず、例えば窒化ガリウムGaN、窒化アルミニウムAlN、窒化インジウムInNなどの単独金属のナイトライド、または窒化ガリウムインジウムGaInN、窒化ガリウムアルミニウムGaAlN等の固溶体組成のナイトライドが挙げられる。好ましくは第13族金属として少なくともガリウムGaを含む結晶、特に好ましくはGaN結晶の製造方法として好適に用いることができる。第13族窒化物結晶は、シード上に結晶成長させて得られたものが、結晶性が良好であり、十分なサイズを得やすいことから好ましい。[シード]本発明では工業的に十分なサイズの結晶を得るために、シードを用いることができ、シード上に第13族窒化物結晶を成長させることが好ましい。結晶性のよい第13族窒化物結晶を得るために、シードは単結晶であることが好ましい。シードの材質は、第13族窒化物、サファイア、シリコン、SiCなどが挙げられるが、本発明で成長させる第13族窒化物との格子定数の整合性から好ましいのは第13族窒化物であり、得られる第13族窒化物結晶と同組成の第13族窒化物であることがより好ましい。シード形状は塊状、棒状、板状など特に限定されないが、板状のシードを用いると面積の大きい第13族窒化物結晶が得られ、半導体デバイスの製造に適しているため好ましい。シード上に効率よく第13族窒化物結晶を成長させるためには、シード周辺に雑晶を成長させたり、付着させたりしないことが好ましい。雑晶とはシード上以外に成長する粒子径の小さい結晶であり、雑晶がシード付近に存在すると融液中の第13族窒化物成分をシード上の成長と雑晶の成長で分け合うことになり、シード上の第13族窒化物結晶の成長速度が十分に得られない。[反応容器]本発明で用いる融液を保持する反応容器は、本発明の製造方法における反応を阻害しないものであれば特に制限されないが、熱的および化学的に安定な金属、酸化物、窒化物、炭化物を主成分とする反応容器であることが好ましい。周期表第4族元素Ti、Zr、Hfを含む金属であることが好適であり、好ましくはTiを用いる場合である。また、90重量以上が前記第4族元素である金属を用いることが好ましい。さらに好ましくは、99重量以上が前記第4族元素である金属を用いることである。また、これらの反応容器の部材の表面は、前記周期表第4族元素の窒化物からなることが好ましく、後述する窒化処理方法によってあらかじめ窒化物を形成することが好適である。[窒化処理方法]本発明において、反応容器の窒化処理として前記反応容器の部材の少なくとも表面を窒化する工程を行ってもよい。結晶成長の前にあらかじめ部材を窒化処理しておき、融液と接触する部材の表面に強固かつ安定な窒化物を形成しておくことが好ましい。また、部材の割れにくさや機械的な強度を考慮して、窒化物を窒化膜の形態で形成してもよい。窒化処理方法は表面に形成される窒化物が安定であれば特に限定はないが、例えば前記反応容器の部材を700°C以上の窒素雰囲気下において加熱保持することで、前記部材表面に安定な窒化膜を形成することができる。更には、高温下でアルカリ金属窒化物やアルカリ土類金属窒化物を窒化剤として使用して前記部材表面を窒化することも可能であり、好ましくはアルカリ金属ハロゲン化物やアルカリ土類金属ハロゲン化物と前記アルカリ金属窒化物やアルカリ土類金属窒化物との混合融液中に保持することで、安定な窒化膜を形成することができる。また、実際に結晶成長を行なう条件と同様の条件下に部材を保持することで、簡便に窒化処理を行なうこともできる。[反応温度、反応圧力]反応容器内において第13族窒化物結晶を成長させる際の温度は、通常200~1000°Cであり、好ましくは400~850°C、より好ましくは600~800°Cである。また、第13族金属窒化物結晶を成長させる際の反応容器内の圧力は、条件によって適宜選択することができとくに限定されないが、製造装置が簡便になり工業的に有利に製造できることから、通常10MPa以下であり、好ましくは3MPa以下、さらに好ましくは0.3MPa以下、より好ましくは0.11MPa以下であって、通常0.01MPa以上、より好ましくは0.09MPa以上である。特に結晶成長速度を速くしたい場合には、0.09MPa以下とすることも好ましい。[半導体デバイスの製造方法]本発明の製造方法は、半導体デバイスの製造方法における第13族窒化物結晶を製造する工程に用いることができる。その他の工程における原料、製造条件および装置は一般的な半導体デバイスの製造方法で用いられる原料、条件および装置をそのまま適用できる。本発明の製造方法によれば、パワーIC、高周波対応可能な半導体デバイス等を製造することができる。以下に実施例と比較例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。実施例1固体のLi3GaN21.4gを外径31mm、内径25mm、高さ200mmのチタンTi製の反応容器5に入れ、次いで溶媒としてLiCl10.0gとNaCl4.0gとを、炭化タングステン製乳鉢でよく粉砕混合してから反応容器に入れた。固体のLi3GaN2は、篩を使用して2μm未満の粒径のものを除外し、2μm以上の粒径のものを選んで使用した。次に反応容器5を石英製の反応管4内にセットし、反応管のガス導入口1およびガス排気口2を閉状態にした。これらの操作は全てArボックス中で行った。次に、反応管4をArボックスから取り出し、電気炉3にセットした。反応管4にガス導入管をつなぎ、導入管中を減圧にした後、さらに反応管のガス導入口1を開いて反応管4内を減圧してからN2で復圧し、反応管4内をN2雰囲気とした。その後、反応管のガス排気口2を開き、N2を流量計設定値100cm3/min標準条件20°C、1atmにおける値で流通させた。次に、電気炉の加熱を開始し、反応容器5の内部が室温から745°Cになるまで1時間で昇温し、塩であるLiCl及びNaClを溶融させた溶融塩を溶媒とした。前処理として745°Cで7時間保持した後、シード保持棒8の先端に取り付けたシード6を反応容器中の溶液融液9中に投入し、結晶成長を開始した。GaN結晶成長中は交換反応によりNaが発生し、溶液9中から蒸発して反応容器内上部に凝縮した。これにより、Li3NとNaClとが交換反応していることが確認される。溶液9の底には原料7であるLi3GaN2が固体状で存在している。シードには10-10面を主面とするGaN基板を用いた。745°Cで45時間成長させた後、シード6を溶液9から引き上げてから炉の加熱を止め、石英製反応管4を急冷した。冷却後、反応管4からシードを取り出し、シードに付着した塩を水に溶かし、シードの重量を重量計で測定した。その結果、シードの重量増加は4.8mgであった。シードの重量増加分を成長時間で割ってシード成長速度を算出した結果、シード成長速度は、0.107mg/hであった。融液中のNaCl濃度は29.9重量から26.9重量に減少していた。NaClの減少速度は0.782mg/h/cm3であった。実施例2成長時間が196時間であることを除き、実施例1と同様の方法で実施した。結晶成長中は交換反応によりNaが発生し、溶液9中から蒸発して反応容器内上部に凝縮した。シードの重量増加は29.4mgであった。成長時間が45時間までは実施例1と同様に成長していると仮定し、45時間から196時間までの間のシードの重量増加分を成長時間で割ってシード成長速度を算出した結果、シード成長速度は、0.163mg/hであった。45時間から196時間までの間に融液中のNaCl濃度は26.9重量から20.0重量に減少していた。45時間から196時間までの間のNaClの減少速度は0.619mg/h/cm3であった。比較例1外径29mm、内径25mm、高さ180mmのイットリアY2O3製反応容器5を使用したことと、Li3GaN20.52gを使用したこと、溶媒としてLiCl5.0gとNaCl0.2gを使用したこと、前処理時間が38時間であること、前処理時と成長時の温度が750°Cであること、成長時間が24時間であることを除き、実施例1と同様の方法で実施した。結晶成長中は交換反応が起こらず、反応容器内上部にNaの凝縮が確認されなかった。その結果、シードの重量増加は2.1mgであった。シードの重量増加分を成長時間で割ってシード成長速度を算出した結果、シード成長速度は、0.088mg/hであった。比較例2成長時間が90時間であることを除き、比較例1と同様の方法で実施した。結晶成長中は交換反応が起こらず、反応容器内上部にNaの凝縮が確認されなかった。シードの重量増加は2.1mgであった。成長時間が24時間までは比較例1と同様に成長していると仮定すると、24時間から90時間までのシード成長速度は0mg/hとなり、成長が停止していたと考えられた。上記の結果から明らかなように、本発明において、結晶成長中に交換反応が起こる場合は、長時間安定して効率よくGaN製造を行うことができる。特に、交換反応の生成物であるNaを融液から除去すると安定して高い成長速度で長時間安定してGaN製造を行うことができる。