"基板の表面と前記基板に形成された穴部とに下地導電部材を形成し、前記下地導電部材上の一部にレジストを形成し、前記レジストが形成されていない部分に導電材層を形成し、前記導電材層を形成した後、前記導電材層上にマスクメタルを形成し、前記レジストを除去し、前記マスクメタルをマスクとして前記下地導電部材をエッチングして、前記導電材層を所定の形状に形成する、半導体装置の製造方法。前記レジストが形成されていない部分に前記導電材層を形成するとき、前記基板に形成された前記穴部内の側壁及び底面にも前記導電材層を形成すると共に、前記導電材層上に前記マスクメタルを形成するとき、前記穴部内の前記側壁及び前記底面に形成された前記導電材層上にも前記マスクメタルを形成する、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記マスクメタルを形成するとき、前記導電材層により構成される電極パッド部にキャップメタルを形成する、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記マスクメタルが、Niの下地層と、前記下地層の上のAu層とで形成される、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記レジストが形成されていない部分に前記導電材層を形成した後、前記導電材層上に前記マスクメタルを形成する前に、前記レジストをその膜厚の途中まで除去し、途中まで除去された前記レジストにより前記下地導電部材の表面を保護した状態で前記マスクメタルを形成し、前記マスクメタルを形成した後、途中まで除去された前記レジストを除去する、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。穴部が形成された基板と、前記基板の表面と前記基板に形成された前記穴部とに形成された下地導電部材と、前記下地導電部材上に形成された導電材層と、前記導電材層上に形成されたマスクメタル用金属層と、を備える、半導体装置。前記マスクメタル用金属層が、Niの下地層と、前記下地層の上のAu層とで構成される、請求項6に記載の半導体装置。本発明が解決しようとする従来の課題は、新たな工程が増えることと、レジスト残渣が品質低下の要因となることである。本発明の目的は、新たな工程を追加することなく、かつレジスト残渣が品質低下の要因とならない半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することである。本発明は、上記目的を達成するため、以下のように構成している。本発明の1つの態様にかかる半導体装置の製造方法は、基板の表面と前記基板に形成された穴部とに下地導電部材を形成し、前記下地導電部材上の一部にレジストを形成し、前記レジストが形成されていない部分に導電材層を形成し、前記導電材層を形成した後、前記導電材層上にエッチング用マスクメタルを形成し、前記レジストを除去し、前記マスクメタルをマスクとして前記下地導電部材をエッチングして、前記導電材層を所定の形状に形成する。また、上記目的を達成するための本発明の別の態様にかかる半導体装置は、穴部が形成された基板と、前記基板の表面と前記基板に形成された前記穴部とに形成された下地導電部材と、前記下地導電部材上に形成された導電材層と、前記導電材層上に形成されたマスクメタル用金属層と、を備える。本発明によれば、半導体装置の製造方法において、新たな工程数を増やすことなく、かつ、レジストの残渣が無く品質低下を防止することができる。また、半導体装置において、導電材層の密着性及び導電性の改善を図ることができる。本発明の記述では、添付図面において同じ部品については同じ参照符号を付している。以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。第1実施形態図1は、本発明の第1実施形態における半導体装置の製造工程のフローチャートである。図2A~図2Rに示す各図は、本第1実施形態における各製造工程での半導体装置の状態を示す断面図又は平面図である。図2Aにおいて、基板201の裏面には、絶縁膜202が形成されている。絶縁膜202の裏面側図2Aの下面側に、導電部材203と該導電部材203を保護するための保護膜204とが形成されている。基板201は、一例としてSi基板を用いている。絶縁膜202は、一例としてSiO2膜を用いている。導電部材203は、一例としてCuを用いている。保護膜204は、一例としてポリイミドを用いている。図2Bは、図1のステップS101において、基板201に穴部205を形成した後の半導体装置の断面形状を示す。穴部205は、基板201の表面から該基板201を貫通するように設けられた穴である。穴部205は、基板201の表面図2Aの上面にレジスト剤を塗布し、パターンニングしてレジストを形成図示せずした後に、ドライエッチング法を用いて形成される。穴部205は、その底面205aの開口に導電部材203が露出するように構成されている。そのため、穴部205の底面205aの開口の大きさは、導電部材203よりも小さくなるように形成している。レジストの材料の具体的な例としては、ノボラック系の樹脂を使用することができる。ノボラック系の樹脂の中には、感光剤を添加している。本第1実施形態の実施例では、穴径50μm~100μmの穴部205を形成し、厚み100μmの基板201を貫通するように形成している。図2C及び図2Dは、図1のステップS102において、穴部205の内部と基板201の表面とに絶縁膜を形成した後の半導体装置の断面形状を示す。絶縁膜206は、穴部205の底面205aの開口に露出した導電部材203と、穴部205の内壁205bと、基板201の表面とをそれぞれ覆うように形成された膜である。本第1実施形態の実施例では、絶縁膜206として、2μmの膜厚のSiO2膜を基板201の表面にCVD法によって形成している。また、SiO2膜の絶縁膜206を、穴部205の底面205aの開口に露出した導電部材203の表面に1μmの膜厚に形成すると共に、穴部205の内壁205bに0.5μmの膜厚に形成している。本第1実施形態の実施例では、絶縁膜206の形成を、絶縁膜の成膜速度の速いCVD法を用いて行った。なお、成膜速度は遅くなるが、CVD法に変えてスパッタ法を用いても同等の絶縁膜を形成することは可能である。図2Eは、図1のステップS103において、穴部205の底面205a側の絶縁膜206を除去した後の半導体装置の断面状態を示す。穴部205の底面205aの開口に露出した導電部材203の表面から絶縁膜206が除去される。このとき、本第1実施形態では、ドライエッチング法を用いて絶縁膜206を除去している。この除去の際、レジストを形成せずに除去するため、基板201の表面に形成された絶縁膜206の一部も同時に除去される。しかし、基板201の表面に形成された絶縁膜206は導電部材203の絶縁膜206よりも厚いため、本第1実施形態では、導電部材203の表面から絶縁膜206が除去された後でも、絶縁膜206が残る。一例として前記実施例では、導電部材203の表面には1μmの膜厚の絶縁膜206が残る。また、穴部205の内壁205bは、ドライエッチング法ではほとんどエッチングされず、内壁205bには、ドライエッチング工程前の膜厚の絶縁膜206がそのまま残る。一例として前記実施例では、内壁205bには0.5μmの膜厚の絶縁膜206が残る。図2Fは、図1のステップS104において、穴部205の内部と基板201の表面にそれぞれ下地導電部材207を形成した後の半導体装置の断面状態を示す。下地導電部材207は、穴部205の底面205aの導電部材203の表面と、穴部205の内壁205bと基板201の表面とに残った絶縁膜206をそれぞれ覆うように形成される。下地導電部材207の膜としては、Ti膜の上にCu膜を形成した2層構造を用いることができる。一例として前記実施例では、下地導電部材207の膜として、図2Qに拡大して示すように、スパッタ法によりTi膜207aの上にCu膜207bを形成して、2層構造とした膜を用いている。この図1のステップS104の工程は、本発明の1つの態様における、基板の表面と基板に形成された穴部とに下地導電部材を形成する工程に相当する。本第1実施形態では、2層の下地導電部材207の下側のTi膜207aは、基板201の表面に1μmの膜厚で形成され、穴部205の底面205aの導電部材203の表面に0.1μmの膜厚で形成され、穴部205の内壁205bに0.1μmの膜厚で形成されている。また、2層の下地導電部材207の上側のCu膜207bは、基板201の表面に1.5μmの膜厚で形成され、穴部205の底面205aの導電部材203の表面に0.1μmの膜厚で形成され、穴部205の内壁205bに0.1μmの膜厚で形成されている。なお、図2Qでは、下地導電部材207のTi膜207aとCu膜207bとを理解しやすくするため、厚みを大きくして図示している。Ti膜207aの上に形成されたCu膜207bは、Ti膜207aが絶縁膜206及び基板201内に拡散することを防止するためのバリア膜として機能する。また、Cu膜207bは、次工程で第1導電材層209,第2導電材層210の膜を成長させるためのシード膜としても機能する。図2Gは、図1のステップS105において、下地導電部材207の表面にレジスト208を形成した後の半導体装置の断面状態を示す。レジスト208は、基板201の表面側に形成された下地導電部材207上において、次工程で第1導電材層209及び第2導電材層210を形成しない箇所に形成されたレジストである。レジスト208は、基板201の表面に塗布してパターンニングすることにより形成される。レジスト208の材料の具体的な例としては、ノボラック系の樹脂を使用することができる。このノボラック系の樹脂の中には、感光剤を添加している。また、第1導電材層209及び第2導電材層210の材料の具体的な例としては、Cuを使用することができる。この図1のステップS105の工程は、本発明の1つの態様における、下地導電部材上の一部にレジストを形成する工程に相当する。また、第1開口部209A,第2開口部210Aは、それぞれ、レジスト208と同時にパターンニングされて形成された開口部である。なお、以下の説明においては、第1導電材層209を電極パッド部として用いているため、電極パッド部209とする。すなわち、第1導電材層209と電極パッド部209は、同じものである。第1開口部209Aには、後工程においてバンプを形成する導電材の電極パッド部第1導電材層209が形成される。第2開口部210Aには、後述する第2導電材層210が形成される。レジスト208の膜厚は、次工程で形成する第1導電材層209,第2導電材層210の膜厚より厚くするため、一例として本第1実施形態の実施例では20μmとしている。図2Hは、図1のステップS106において、下地導電部材207の表面に第1導電材層209及び第2導電材層210を形成した後の半導体装置の断面状態を示す。第2導電材層210は、基板201の表面側における下地導電部材207上のレジスト208を形成していない部分すなわち、第1開口部209Aの部分及び第2開口部210Aの部分と、穴部205の底面205a及び内壁205bにおける下地導電部材207の表面にそれぞれ形成された導電材層である。レジスト208を形成していない部分には、第2開口部210Aの部分のみならず、第1開口部209Aの部分も含まれる。この第1開口部209Aの部分には、後工程においてバンプを形成して電極パッド部第1導電材層209を形成する。導電材層の電極パッド部第1導電材層209と第2導電材層210はメッキ法にて形成する。この図1のステップS106の工程は、本発明の1つの態様における、レジストが形成されていない部分に導電材層を形成する工程に相当する。本第1実施形態の実施例では、第2導電材層210は、基板201の表面側に10μmの膜厚で形成され、穴部205の内壁205bに5μmの膜厚で形成され、底面205aに2μmの膜厚で形成されている。なお、穴部205の直径が小さくなると、穴部205の底面205aと内壁205bとにそれぞれ形成された第2導電材層210の膜厚が、どちらも薄くなる傾向にある。このため、図2Hに示すように、穴部205内に形成された第2導電材層210の中央に凹部211が生じることがある。図2Iは、図1のステップS107において、第1導電材層209及び第2導電材層210の表面にエッチング用のマスクメタル212をそれぞれ形成した後の半導体装置の断面状態を示す。なお、マスクメタル212は、エッチング用のマスクメタルとして使用可能な金属層の一例として、Ni下地Auメッキを使用している。マスクメタル212は、第2導電材層210上に形成される。このマスクメタル212は、穴部205内の中央部に形成された凹部211、及び、後工程においてバンプを形成する電極パッド部第1導電材層209上にも形成される。この図1のステップS107の工程は、本発明の1つの態様における、導電材層を形成したのち、導電材層上にマスクメタルを形成する工程に相当する。本第1実施形態の実施例では、マスクメタル212はメッキ法にて形成する。マスクメタル212は、後工程においてバンプを形成する電極パッド部第1導電材層209のキャップメタル形成工程を兼ねているため、バンプとして使用する半田のヌレ性と、次工程でのレジスト剥離液及び次工程の下地導電部材207のエッチング液からの耐性とが要求される。このため、一例として、マスクメタル212をNi下地Auメッキにより形成することが好ましい。その理由は、Ni下地Auメッキの構造は、穴部205の構造として強度が増すため、ウエハ処理又は後工程での熱応力に対して強い構造となるためである。また、Ni下地Auメッキを用いると、マスクメタル212の形成後のウェットエッチング工程において、マスクメタル212のNi下地Auメッキ層が穴部205をエッチング液から保護するため、穴部205の内部の腐食特に、エッチング液を起点とした腐食を防止することができ、電気的に安定した信頼性の高い回路を形成することもできる。本第1実施形態の実施例では、マスクメタル212をNi下地Auメッキにより形成し、一例として、Niの膜厚は2μm、Auの膜厚は0.5μmとしている。ここで、マスクメタル212をNi下地Auメッキにより形成しとは、図2Rのように、まず、Niメッキの下地層212aを形成した後、Niメッキの下地層212aの上にAuメッキのAu層212bを形成して、マスクメタル212を形成することを意味する。図2J及び図2Kは、図1のステップS108において、下地導電部材207の表面のレジスト208を除去した後の半導体装置の断面状態を示す。図2Kに示すように、下地導電部材207上に形成されたレジスト208を、除去する。この図1のステップS108の工程は、本発明の1つの態様における、レジストを除去する工程に相当する。本第1実施形態では、レジストの除去は、レジスト除去用の薬液を用いて行う。図2L及び図2Mは、図1のステップS109において、絶縁膜表面の下地導電部材207を除去した後の半導体装置の断面状態を示す。絶縁膜206上に形成された下地導電部材207を、マスクメタル212をマスクとして使用して、エッチングにて除去する。この図1のステップS109の工程は、本発明の1つの態様における、マスクメタルをマスクとして下地導電部材をエッチングして、導電材層を所定の形状に形成する工程に相当する。下地導電部材207の除去はウェットエッチングにて行う。この際、一般に、穴部205内の中央凹部211の上部角部213及び底面214は、特にウェットエッチング液による表面荒れが生じやすい。しかしながら、本第1実施形態では、穴部205内の中央凹部211の上部角部213及び底面214は、マスクメタル212により覆われているため、エッチングされず、表面荒れが生じにくい。図2Nは、図1のステップS110において、電極パッド部第1導電材層209以外の表面に保護膜215を形成した後の半導体装置の断面状態を示す。保護膜215は、バンプを形成する電極パッド部第1導電材層209以外の表面を覆う膜である。保護膜215の材料の具体的な例としては、ポリイミドを用いることができる。図2O及び図2Pは図1のステップS111において、電極パッド部第1導電材層209に半田バンプ216を形成した後の半導体装置の断面状態を示す。半田バンプ216は、電極パッド部第1導電材層209上に形成された半田バンプである。電極パッド部第1導電材層209の表面には、マスクメタル212がキャップメタル本第1実施形態ではNi下地Auメッキ層として存在するため、新たにキャップメタルを形成する必要がない。そのため、図2O及び図2Pに示す本第1実施形態では、半田のヌレ性が良好であって接合強度の高い半田バンプ216が形成される。本発明の第1実施形態によれば、基板201の表面及び穴部205に下地導電部材207を形成する第1工程と、下地導電部材207上にレジスト208を形成する第2工程と、第1導電材層209及び第2導電材層210を形成する第3工程と、第3工程で形成された第1導電材層209及び第2導電材層210上にマスクメタル212を形成する第4工程と、第2工程で形成されたレジスト208を除去する第5工程と、マスクメタル212をマスクとして下地導電部材207をエッチングして第1導電材層209及び第2導電材層210を所定の形状に形成する第6工程と、を有している。なお、第2工程は、下地導電部材207上で、かつ第1導電材層209,第2導電材層210を形成すべきでない箇所に、レジスト208を形成する工程である。第3工程は、レジスト208が形成された部位以外の部位に、第1導電材層209及び第2導電材層210を形成する工程である。このような構成によって、下地導電部材207をエッチングして第1導電材層209及び第2導電材層210を所定の形状に形成する際、ウェットエッチング液により第1導電材層209及び第2導電材層210が侵食されることがない。そのため、本第1実施形態によれば、工程数を増やすことなく、かつ、レジストの残渣が無く品質低下を防止することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することができる。また、第1実施形態によれば、第1導電材層209及び第2導電材層210が銅Cuで構成されている場合、導電材層形成後の工程での銅Cuの酸化をマスクメタル212で防止することができる。そのため、第1導電材層209及び第2導電材層210の導電性の改善を図ることができる。また、第1導電材層209及び第2導電材層210上にマスクメタル212が形成されていることにより、第1導電材層209及び第2導電材層210の密着性及び導電性の改善を図ることができる。また、本第1実施形態によれば、下地導電部材207を分離することなく、下地導電部材207が繋がったまま、Ni下地Auメッキ層のマスクメタル212を形成することができる。そのため、Ni下地Auメッキ層を形成するときは、無電解メッキの他に、電解メッキを使用することもできる。なお、従来は、穴部内の導電材層上にマスクメタルが形成されておらず、ウェットエッチングで配線形成後にマスクメタルを形成していたので、無電解メッキのみしか行うことができず、電解メッキは行うことができなかった。これに対して、本第1実施形態では、ウェットエッチングで配線形成する前配線する前にマスクメタル212を形成するので、無電解メッキのみならず、電解メッキも行うことができる。電解メッキは、無電解メッキよりも迅速に工程処理を行うことができる。第2実施形態図3は、本発明の第2実施形態における半導体装置の製造工程のフローチャートである。図4A~図4Iは、本第2実施形態における各製造工程での半導体装置の状態を示す断面図又は平面図である。本第2実施形態において、第3導電材層406及び第4導電材層401の形成までの工程は、図2A~図2Hにて説明した前記第1実施形態の第1導電材層209及び第2導電材層210の形成までの工程と同じ工程である。なお、第2実施形態において、第1実施形態と同じ部材については同じ符号を付けて説明を省略する。図4A及び図4Bは、図2Hと同じく、2つの導電材層を形成した後の半導体装置の状態を示す。図4Bは、図3のステップS306において、下地導電部材403の表面に第3導電材層406及び第4導電材層401を形成した後の半導体装置の断面状態を示す。なお、下地導電部材403は、第1実施形態の下地導電部材207に対応している。この図3のステップS306の工程は、本発明の別の態様における、レジストが形成されていない部分に導電材層を形成する工程に相当する。図4A及び図4Bにおいて、第4導電材層401は、基板201の表面側における下地導電部材403上のレジスト404を形成していない部分すなわち、図2Gの第1開口部209Aの部分及び第2開口部210Aの部分とに対応する部分と、穴部405の底面及び内壁図2Gの底面205a及び内壁205bにそれぞれ対応する部分における下地導電部材403の表面にそれぞれ形成された導電材層である。レジスト404,407の材料の具体的な例としては、ノボラック系の樹脂を使用することができる。このノボラック系の樹脂の中には、感光剤を添加している。また、第3導電材層406及び第4導電材層401の材料の具体的な例としては、Cuを使用することができる。なお、以下の説明においては、第3導電材層406を電極パッド部として用いているため、電極パッド部406とする。すなわち、第3導電材層406と電極パッド部406は、同じものである。レジスト404を形成していない部分には、図2Gの第2開口部210Aの部分に対応する部分のみならず、第1開口部209Aの部分に対応する部分も含まれる。この第1開口部209Aの部分に対応する部分には、後工程でバンプを形成する導電材の電極パッド部第3導電材層406も含まれる。第4導電材層401と導電材の電極パッド部第3導電材層406は、メッキ法にて形成する。図4Cは、図3のステップS307において、下地導電部材の表面のレジスト404を、全て除去するのではなく、その厚さの途中まで除去した後の半導体装置の断面状態を示す。レジスト407は、下地導電部材403の表面において膜状に残るように除去されたレジストである。レジスト407は、レジスト404の大部分をアッシング法によって除去することで、形成される。レジスト407の材料の具体的な例としては、レジスト404と同様である。この図3のステップS307の工程は、本発明の別の態様における、レジストが形成されていない部分に導電材層を形成したのち、導電材層上にマスクメタルを形成する前に、レジストをその厚さの途中まで除去する途中除去工程に相当する。レジスト407の残膜の厚みは、次工程のマスクメタル形成工程において下地導電部材403の表面を保護してマスクメタルが形成されない程度であればよい。このレジスト407の残膜の厚みは、可能な限り薄い方が良い。一例としての第2実施形態の実施例では、レジスト404を初期膜厚20μmから膜厚19μmまでアッシングすることにより、膜厚1μmのレジスト407を形成している。図4D及び図4Eは、図3のステップS308において、第3導電材層406及び第4導電材層401の表面と側面の端面409に、エッチング用のマスクメタル408を形成した後の半導体装置の断面状態を示す。なお、マスクメタル408は、エッチング用のマスクメタルとして使用可能な金属層の一例として、Ni下地Auメッキを使用している。マスクメタル408は、第3導電材層406及び第4導電材層401上にそれぞれ形成されたマスクメタルである。このマスクメタル408は、穴部405内の中央部に形成された凹部411、及び、後工程においてバンプを形成する電極パッド部第3導電材層406上、及び、途中除去工程のレジスト除去で露出した導電材からなる電極パッド部第3導電材層406の側部の端面409にも、形成される。この図3のステップS308の工程は、本発明の別の態様における、導電材層を形成したのち、導電材層上にマスクメタルを形成する工程に相当する。本第2実施形態では、マスクメタル408はメッキ法にて形成する。マスクメタル408は、後工程においてバンプを形成する導電材層の電極パッド部第3導電材層406のキャップメタル形成工程を兼ねている。そこで、マスクメタル408には、バンプとして使用する半田のヌレ性と、次工程におけるレジスト剥離液及び次工程における下地導電部材403のエッチング液からの耐性とが要求される。このため、マスクメタル408をNi下地Auメッキにより形成することが好ましい。その理由は、Ni下地Auメッキの構造は、穴部405の構造として強度が増すため、ウエハ処理又は後工程での熱応力に対して強い構造となるためである。また、Ni下地Auメッキを用いると、マスクメタル408の形成後のウェットエッチング工程において、マスクメタル408のNi下地Auメッキ層が穴部405をエッチング液から保護するため、穴部405の内部の腐食特に、エッチング液を起点とした腐食を防止することができ、電気的に安定した信頼性の高い回路を形成することもできる。本第2実施形態の実施例では、マスクメタル408としてNi下地Auメッキを形成し、一例として、Niの膜厚は2μm、Auの膜厚は0.5μmとしている。ここで、マスクメタル408としてNi下地Auメッキを形成しとは、図4Jのように、まず、Niメッキの下地層408aを形成した後、Niメッキの下地層408aの上にAuメッキのAu層408bを形成して、マスクメタル408を形成することを意味する。図4Fは、図3のステップS309において、下地導電部材403の表面のレジスト407を除去した後の半導体装置の断面状態を示す。図4Fでは、下地導電部材403上に残されたレジスト407を、全て除去している。この図3のステップS309の工程は、本発明の別の態様における、レジストを除去する工程に相当する。本第2実施形態では、レジスト407の除去は、レジスト除去用の薬液を用いて行う。図4Gは、図3のステップS310において、絶縁膜表面の下地導電部材403を除去した後の半導体装置の断面形状を示す。マスクメタル408をマスクとして使用して、絶縁膜206上の下地導電部材403をエッチングにて除去する。この図3のステップS310の工程は、本発明の別の態様における、マスクメタルをマスクとして下地導電部材をエッチングして、導電材層を所定の形状に形成する工程に相当する。下地導電部材403の除去はウェットエッチングにて行う。この際、一般に、穴部405内の中央凹部411の上部角部412及び底面413は、特にウェットエッチング液による表面荒れが生じやすい。しかしながら、本第2実施形態では、穴部405内の中央の凹部411の上部角部412と底面413、及び、電極パッド部第3導電材層406の側部の端面409がマスクメタル408で覆われているため、エッチングされず、表面荒れが生じにくい。図4Hは、図3のステップS311において、電極パッド部第3導電材層406以外の表面に保護膜414を形成した後の半導体装置の断面状態を示す。保護膜414は、バンプを形成する電極パッド部第3導電材層406以外の表面を覆う保護膜である。保護膜414の材料の具体的な例としては、ポリイミドを用いることができる。図4Iは、図3のステップS312において、電極パッド部第3導電材層406に半田バンプ415を形成した後の半導体装置の断面状態を示す。半田バンプ415は、電極パッド部第3導電材層406上に形成される。電極パッド部第3導電材層406の表面に、マスクメタル408がキャップメタル本第2実施形態ではNi下地Auメタル層として存在するため、新たにキャップメタルを形成する必要がない。そのため、本第2実施形態では、半田のヌレ性が良好であって接合強度の高い半田バンプ415が形成される。本第2実施形態では、第1実施形態における第3工程と第4工程の間に、レジスト404をその厚さの途中まで除去してその一部をレジスト407として残す途中除去工程を含む。この途中除去工程を含むことにより、第4導電材層401と第3導電材層電極パッド部406の表面に加えて、それらの第3導電材層406及び第4導電材層401の各端面409までマスクメタル408で覆うことが可能となる。このため、第3導電材層406及び第4導電材層401の膜厚が厚い場合例えば、第3導電材層406及び第4導電材層401の膜厚が、通常の厚さである5~10μmの2倍程度の厚さの場合においても、下地導電部材403をエッチングして第3導電材層406及び第4導電材層401を所定の形状に形成する際、ウェットエッチング液により第3導電材層406及び第4導電材層401が侵食されることがない。このため、工程数を増やすことなく、かつ、レジストの残渣が無く品質低下を防止することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することができる。また、保護膜414を形成するとき、例えば、200°Cまで加熱して硬化させるため、第3導電材層406及び第4導電材層401を構成する一例としてのCuが再結晶化され、その際、収縮が発生して、第3導電材層406及び第4導電材層401の下の層との間に残留応力が発生してしまう可能性がある。これに対して、第3導電材層406及び第4導電材層401の表面側及び側部がマスクメタル408で覆われていると、保護膜414を形成するために200°Cまで加熱して硬化させるとき、マスクメタル408で熱を反射して第3導電材層406及び第4導電材層401に対して熱がそのまま伝わるのを抑制することができる。第3導電材層406及び第4導電材層401に対して熱がそのまま伝わるのを抑制することで、Cuが再結晶化が幾分抑制されて、第3導電材層406及び第4導電材層401の下の層との間に発生する残留応力を減少させることができる。また、本第2実施形態によれば、第3導電材層406及び第4導電材層401が銅Cuで構成されている場合、導電材層形成後の工程での銅Cuの酸化をマスクメタル408で防止することができて、第3導電材層406及び第4導電材層401の導電性の改善を図ることができる。また、第3導電材層406及び第4導電材層401上にマスクメタル408が形成されていることにより、第3導電材層406及び第4導電材層401の密着性及び導電性の改善を図ることができる。また、本第2実施形態においても、下地導電部材403を分離することなく、下地導電部材403が繋がったまま、Ni下地Auメッキ層のマスクメタル408を形成することができる。そのため、Ni下地Auメッキ層を形成するとき、無電解メッキの他に、電解メッキを使用することもできる。なお、従来は、穴部内の導電材層上にマスクメタルが形成されておらず、ウェットエッチングで配線形成後にマスクメタルを形成したので、無電解メッキのみしか行うことができず、電解メッキは行うことができなかった。これに対して、第2実施形態では、ウェットエッチングで配線形成する前配線する前にマスクメタル408を形成するので、無電解メッキのみならず、電解メッキも行うことができる。電解メッキは、無電解メッキよりも迅速に工程処理を行うことができる。なお、上記様々な実施形態又は変形例のうちの任意の実施形態又は変形例を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。本発明は、添付図面を参照しながら好ましい実施形態に関連して充分に記載されているが、この技術の熟練した人々にとっては種々の変形又は修正は明白である。そのような変形又は修正は、添付した請求の範囲による本発明の範囲から外れない限りにおいて、その中に含まれると理解されるべきである。"