"電子部品素体と、その表面に形成された外部電極とを備えた電子部品の製造方法であって、Agを主成分とする材料からなる外部電極本体を形成する電極形成工程と、前記外部電極本体の表面にNiめっき皮膜を形成し、その後に、前記Niめっき皮膜の表面にAuめっき皮膜を形成するめっき皮膜形成工程と、前記めっき皮膜形成工程の後に、Agを選択的に溶解するエッチング液を用いてエッチングを行うエッチング工程とを備えていることを特徴とする電子部品の製造方法。前記エッチング液として、鉄III塩、過酸化水素、およびペルオキソ2硫酸アンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種を含むエッチング液を用いることを特徴とする請求項1記載の電子部品の製造方法。前記エッチング液として、硫酸鉄IIIアンモニウムを含むエッチング液を用いることを特徴とする請求項1記載の電子部品の製造方法。前記エッチング液として、pHが1.0以上のものを用いることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の電子部品の製造方法。本発明は、上記課題を解決するものであり、電子部品素体の表面に配設されるAgを主成分とする外部電極本体と、その表面を被覆するNiめっき皮膜および該Niめっき皮膜上に形成されるAuめっき皮膜とを備えた外部電極を有する電子部品を製造するにあたって、Agのマイグレーションによる絶縁抵抗の劣化を抑制することが可能で、信頼性の高い電子部品を効率よく製造することができる電子部品の製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明の電子部品の製造方法は、電子部品素体と、その表面に形成された外部電極とを備えた電子部品の製造方法であって、前記外部電極として、Agを主成分とする材料からなる外部電極本体を形成する電極形成工程と、前記外部電極本体の表面にNiめっき皮膜を形成し、その後に、前記Niめっき皮膜の表面にAuめっき皮膜を形成するめっき皮膜形成工程と、前記めっき皮膜形成工程の後に、Agを選択的に溶解するエッチング液を用いてエッチングを行うエッチング工程とを備えていることを特徴としている。本発明においては、前記エッチング液として、鉄III塩、過酸化水素、およびペルオキソ2硫酸アンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種を含むエッチング液を用いることが好ましい。また、前記エッチング液として、硫酸鉄IIIアンモニウムを含むエッチング液を用いることが好ましい。また、前記エッチング液として、pHが1.0以上のものを用いることが好ましい。本発明の電子部品の製造方法は、Agを主成分とする材料からなる外部電極本体以下単にAg電極ともいうの表面に、Niめっき皮膜とAuめっき皮膜とを形成した後、Agを選択的に溶解するエッチング液を用いてエッチングを行うようにしているので、Niめっき皮膜およびAuめっき皮膜以下単にめっき皮膜ともいうを溶解させることなく、Agのみを効率よくエッチング除去して、Agマイグレーションの発生を抑制することができる。また、外部電極本体Ag電極の、上記めっき皮膜から露出した部分を除去することにより、外部電極間の距離を確保することが可能になり、Ag電極への電界集中を抑制して、マイグレーションの発生を抑えることが可能になる。その結果、外部電極間の絶縁抵抗の劣化を抑制することが可能で、信頼性の高い電子部品を効率よく製造することが可能になる。また、本発明においては、エッチング液として、鉄III塩、過酸化水素、およびペルオキソ2硫酸塩アンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種を含むエッチング液を用いることにより、めっき皮膜を溶解させることなく、Ag電極をより選択的にエッチングして、信頼性の高い外部電極を備えた電子部品を提供することができる。また、前記エッチング液として、硫酸鉄IIIアンモニウムを含むエッチング液を用いるようにした場合、さらに確実に、めっき皮膜を溶解させることなく、Ag電極を選択的にエッチングして、信頼性の高い外部電極を備えた電子部品を提供することができる。また、エッチング液として、pHが1.0以上のものを用いることにより、さらに確実に、めっき皮膜を溶解させることなく、Ag電極を選択的にエッチングして、信頼性の高い外部電極を備えた電子部品を提供することができる。以下に本発明の実施の形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。この実施例1では、図1,に示すような、電子部品セラミック多層基板20を製造する場合を例にとって説明する。このセラミック多層基板20は、低温焼結セラミックを用いたセラミック多層基板であって、複数のセラミック層5が積層されてなるセラミック多層基板本体10と、セラミック多層基板本体セラミック素体10の内部に配設された配線1aやビアホール導体1bなどの内部導体1と、セラミック基板本体10の表面上下両主面に配設された外部電極2とを備えている。そして、この実施例1にかかるセラミック多層基板20においては、外部電極2は、Agペーストを塗布して焼き付けることにより形成された厚膜電極からなる外部電極本体2aと、その表面に形成されたNiめっき皮膜2bと、Niめっき皮膜の表面を覆うように形成されたAuめっき皮膜2cとを備えている。この実施例1では、上述のセラミック多層基板20を製造するにあたって、ビアホール用貫通孔に電極ペーストが充填され、かつ、所定の内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層、圧着し、個々の電子部品素子に切断した後、焼成する工程を経て、セラミック多層基板本体セラミック素体10を形成する。それから、セラミック多層基板本体セラミック素体10の表面の、外部電極を形成すべき所定の位置にAgペーストを塗布して焼き付けることにより、例えば、厚みが約10μmの外部電極本体Ag電極2aを形成する。次に、Niめっきを行って、外部電極本体Ag電極2aの表面に、厚みが約1μmのNiめっき皮膜2bを形成し、さらにAuめっきを行って、Niめっき皮膜2b上に、厚みが約0.05μmのAuめっき皮膜2cを形成する。それから、外部電極本体Ag電極2aが形成され、その表面にNiめっき皮膜2bおよびAuめっき皮膜2cが形成された、めっき済みのセラミック基板本体セラミック素体10に対して、表1に示すようなAgを選択的に溶解するエッチング液を用いて、表1の条件1および条件2の条件でエッチングを行った。なお、条件1では、硫酸鉄IIIアンモニウムを表1に示すように50g/lとなるように水に溶解したエッチング液を用い、条件2では、硝酸鉄IIIを表1に示すように10g/lとなるように水に溶解したエッチング液を用いてエッチングを行った。そして、エッチングの終了後に、各試料を水洗、乾燥して、図1,に示すような、外部電極本体Ag電極2aの表面にNiめっき皮膜2bおよびAuめっき皮膜2cが形成された構造を有する外部電極2を備えた電子部品セラミック多層基板20を得た。それから、エッチング後の各試料について、表2に示すような条件で、水中電圧印加試験を実施して、絶縁抵抗が劣化するまでの時間を調べ、マイグレーション特性を評価した。また、比較のため、エッチングを行わない試料を作製して、同様の方法で、絶縁抵抗が劣化するまでの時間を調べ、マイグレーション特性を評価した。その結果を図2に示す。図2に示すように、水中電圧印加試験による評価において、エッチングを行わなかった比較例の試料の場合、試験開始後短時間で絶縁抵抗の劣化が認められたが、この比較例に比べて、上述のエッチング液を用いてエッチングを行った本発明の実施例にかかる試料の場合には、絶縁抵抗が劣化するまでの時間が大幅に伸びており、十分な延命効果が得られることが確認された。めっき被膜の形成後にエッチングを行わない場合には、図3に示すように、Ag電極外部電極本体2aの先端部周縁部が、Niめっき皮膜2b、Auめっき皮膜2cにより被覆されず、外部に露出しているため、Agのマイグレーションにより絶縁抵抗の劣化を招いたものと考えられる。これに対し、めっき被膜の形成後にエッチングを行った場合には、めっき被膜2b,2cの形成後の段階では、図3に示すように、めっき皮膜2b,2cにより被覆されずに外部に露出していたAg電極外部電極本体2aの先端部周縁部が、エッチングにより、図3および図1に示すように除去されて、Agのマイグレーションが起こりにくくなったことによるものと考えられる。表3A、表3Bに示すような組成を有するエッチング液1~19を用意した。また、エッチング特性を調べるためのエッチング対象物試料として、Cu箔の表面にNiめっき皮膜を形成し、さらにNiめっき皮膜上にAuめっき皮膜を形成しためっき被膜付きCu箔と、無垢のAg箔とを用意した。そして、上述のめっき被膜付きCu箔と、Ag箔とを、表3A、表3Bのエッチング液1~19に浸漬し、めっき被膜付きCu箔におけるめっき被膜Niめっき皮膜とAuめっき皮膜の腐食の進行の状態を観察するとともに、Ag箔のエッチング溶解の進行状態を調べ、その結果から各エッチング液のAg選択エッチング性を評価した。その結果を表3A、表3Bに併せて示す。なお、Ag選択エッチング性を評価するにあたっては、めっき皮膜に腐食が認められず、Ag箔のエッチングが進行したAg箔が溶解したエッチング液を、Ag選択エッチング性が良好○であると評価した。すなわち、めっき皮膜に腐食が認められたエッチング液は、Ag箔のエッチングの進行の程度を問わず、Ag選択エッチング性が不良×であると評価した。また、Ag箔のエッチングが進行しないAg箔が溶解しないか、Ag箔のエッチングは進行するが、進行が遅いAg箔は溶解するが、溶解が遅いエッチング液は、めっき皮膜の腐食の程度を問わず、Ag選択エッチング性が不良×であると評価した。表3A、3Bに示すように、エッチング液番号11および12のペルオキソ2硫酸アンモニウムの水溶液、エッチング液番号14のアンモニアと過酸化水素の水溶液、エッチング液番号15,16の硫酸鉄IIIアンモニウムの水溶液、および、エッチング液番号17の硝酸鉄IIIの水溶液をエッチング液として用いた場合、Ag選択エッチング性が良好○であることが確認された。また、Ag選択エッチング性が良好○である上記のエッチング液番号11,12,14,15,16,17の各エッチング液は、いずれも、pHが1.0以上でのエッチング液である。このように、pHが1.0以上のエッチング液を用いることにより、Niめっき皮膜やAuめっき皮膜を腐食させることなく、Ag電極を効率よく選択エッチングすることができて望ましい。上記の要件を満たす、本発明において用いることが可能なエッチング液の構成成分としては、表3Bのエッチング液番号11,12,14,15,16,17のエッチング液を構成する成分構成材以外にも、クエン酸鉄III、アセチルアセトナート鉄III、エチレンジアミン四酢酸-ナトリウム鉄III、リン酸鉄III、三シュウ酸三アンモニウム鉄III、次亜リン酸鉄III、二リン酸鉄III、シュウ酸鉄III、アクリル酸鉄IIIなどが例示され、これらの成分を含むエッチング液を用いた場合も、上述の実施例の場合と同様の効果が得られるものと考えられる。上記実施例では、電子部品としてセラミック多層基板を製造する場合を例にとって説明したが、本発明は、電子部品素体の表面に、外部電極本体Ag電極と、その表面に形成されたNiめっき皮膜とAuめっき皮膜とを備えた外部電極を有する種々の電子部品を製造する場合に広く適用することが可能である。また、本発明においては、Ag電極のエッチングに用いられるエッチング液に種々の添加物を含有させることも可能であり、また、エッチング条件についても、上記実施例の条件に限定されるものではなく、電子部品に要求される特性などを考慮して、適切なエッチング条件を定めることが可能である。本願発明は、さらにその他の点においても上記実施例に限定されるものではなく、外部電極本体の形成条件、NiめっきやAuめっきの具体的な方法や条件などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。"