第1の電極と第2の電極の間に半導体層を有して放射線を電荷に変換する変換素子と、ソース及びドレイン電極の一方が前記第1の電極に接続され前記電荷に応じた電気信号を出力するための第1のトランジスタと、ソース及びドレイン電極の一方が前記の第1の電極に接続され前記変換素子を初期化するための第2のトランジスタと、を含む画素が行方向及び列方向に複数配列された変換部と、行方向の複数の前記第1のトランジスタのゲート電極に共通に接続された第1ゲート線が列方向に複数配列された複数の第1ゲート線と、行方向の複数の前記第2のトランジスタのゲート電極に共通に接続された第2のゲート線が列方向に複数配列された複数の第2ゲート線と、列方向の複数の第1のトランジスタのソース及びドレイン電極の他方が共通に接続された信号線が行方向に複数配列された複数の信号線と、複数の前記変換素子の前記第2の電極に共通に接続され、第1の電位を供給する第1電源と、複数の前記第2のトランジスタのソース及びドレイン電極の他方に共通に接続され、第2の電位を供給する第2の電源と、前記複数の信号線に共通に接続され、前記複数の信号線に第3の電位を供給可能な読み出し回路部と、前記複数の第1のゲート線に共通に接続され、前記第1のトランジスタを駆動する第1の駆動回路部と、前記複数の第2のゲート線に共通に接続され、前記第1のトランジスタを駆動する第2の駆動回路部と、前記第1及び第2駆動回路部をそれぞれ異なるタイミングで独立して制御する制御部と、を備えた放射線撮像装置であって、前記制御部は、所定の画素に対して、前記第1の駆動回路部が前記第1のトランジスタをオンし且つ前記第2の駆動回路部が前記第2のトランジスタをオフする第1の動作と、前記第1の動作の後に前記第1の駆動回路部が前記第1のトランジスタをオフする第2の動作と、前記第2の動作の後に前記第2の駆動回路部が前記第2のトランジスタをオンする第3の動作と、前記第2の動作の後に前記読み出し回路部が前記第3の電位を供給する間に前記第1の駆動回路部が前記第1のトランジスタをオンし且つ前記第2の駆動回路部が前記第2のトランジスタをオフする第4の動作と、を行うように、前記第1及び第2の駆動回路部を制御することを特徴とする放射線撮像装置。前記制御部は、前記複数の第1のゲート線及び前記複数の第2のゲート線に対して、前記第1から前記第4の動作の組を1本又は複数本ずつ繰り返すように、前記第1及び第2の駆動回路部を制御することを特徴とする請求項1に記載の放射線撮像装置。複数の動作モードを選択可能なモード選択部を更に備え、前記モード選択部で選択された動作モードが第1の動作モードであった場合、前記制御部は、前記第1の駆動回路部が前記複数の第1のトランジスタのうち1本の前記第1のゲート線に共通に接続された複数の第1のトランジスタを同時に駆動することを1行ごとに順次行い、且つ、前記第2の駆動回路部が前記複数の第2のトランジスタのうち1本の前記第2のゲート線に共通に接続された第2のトランジスタを同時に駆動することを1行ごとに順次行うように、前記第1及び第2の駆動回路部を制御し、前記モード選択部で選択された動作モードが前記第1の動作モードと異なる第2の動作モードであった場合、前記制御部は、前記第1の駆動回路部が前記複数の第1のトランジスタのうち少なくとも2本の前記第1のゲート線に共通に接続された複数の第1のトランジスタを同時に駆動することを前記少なくとも2行ごとに順次行い、且つ、前記第2の駆動回路部が前記複数の第2のトランジスタのうち少なくとも2本の前記第2のゲート線に共通に接続された複数の第2のトランジスタを同時に駆動することを前記少なくとも2行ごとに順次行うように、前記第1及び第2の駆動回路部を制御することを特徴とする請求項2に記載の放射線撮像装置。前記第1及び第2のトランジスタは、アモルファスシリコン、多結晶シリコン及び有機半導体のいずれかを用いて基板上に構成された薄膜トランジスタであり、前記変換素子は、複数の前記第1及び第2トランジスタを覆う絶縁層上に配置されており、前記絶縁層に埋め込まれたコンタクトプラグによって、前記第1のトランジスタのソース及びドレイン電極の一方と前記第2のトランジスタのソース及びドレイン電極の一方と前記変換素子の第1電極とが電気的に接続されることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。前記変換素子は、前記第1の電極と前記半導体層との間に配置された絶縁層と、前記第2の電極と前記半導体層との間に配置された不純物半導体層と、を含むMIS型センサを有し、前記第1の電位と前記第2の電位によって前記MIS型センサがリフレッシュ動作を行う電圧が前記変換素子に与えられ、前記第1の電位と前記第3の電位によって前記MIS型センサが光電変換動作を行う電圧が前記変換素子に与えられることを特徴とする請求項4に記載の放射線撮像装置。前記半導体層はアモルファスシリコンを用いて構成されており、前記変換素子は、放射線を可視光に変換する蛍光体層を更に有することを特徴とする請求項5に記載の放射線撮像装置。前記変換素子は、PIN型フォトダイオードからなることを特徴とする請求項4に記載の放射線撮像装置。請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の放射線撮像装置と、放射線発生装置と、を含む放射線撮像システム。第1の電極と第2の電極の間に半導体層を有して放射線を電荷に変換する変換素子と、ソース及びドレイン電極の一方が前記第1の電極に接続され前記電荷に応じた電気信号を出力するための第1のトランジスタと、ソース及びドレイン電極の一方が前記の第1の電極に接続され前記変換素子を初期化するための第2のトランジスタと、を含む画素が行方向及び列方向に複数配列された変換部と、行方向の複数の前記第1のトランジスタのゲート電極に共通に接続された第1ゲート線が列方向に複数配列された複数の第1ゲート線と、行方向の複数の前記第2のトランジスタのゲート電極に共通に接続された第2のゲート線が列方向に複数配列された複数の第2ゲート線と、列方向の複数の第1のトランジスタのソース及びドレイン電極の他方が共通に接続された信号線が行方向に複数配列された複数の信号線と、複数の前記変換素子の前記第2の電極に共通に接続され、第1の電位を供給する第1電源と、複数の前記第2のトランジスタのソース及びドレイン電極の他方に共通に接続され、第2の電位を供給する第2の電源と、前記複数の信号線に共通に接続され、前記複数の信号線に第3の電位を供給可能な読み出し回路部と、前記複数の第1のゲート線に共通に接続され、前記第1のトランジスタを駆動する第1の駆動回路部と、前記複数の第2のゲート線に共通に接続され、前記第1のトランジスタを駆動する第2の駆動回路部と、を備えた放射線撮像装置の制御方法であって、所定の画素に対して、前記第1の駆動回路部が前記第1のトランジスタをオンとし且つ前記第2の駆動回路部が前記第2のトランジスタをオフとする第1の動作と、前記所定の画素に対して、前記第1の動作の後に前記第1の駆動回路部が前記第1のトランジスタをオフとする第2の動作と、前記所定の画素に対して、前記第2の動作の後に前記第2の駆動回路部が前記第2のトランジスタをオンとする第3の動作と、前記所定の画素に対して、前記第2の動作の後で前記読み出し回路部が前記第3の電位を供給する間に前記第1の駆動回路部が前記第1のトランジスタをオンとし且つ前記第2の駆動回路部が前記第2のトランジスタをオフとする第4の動作と、を行うことを特徴とする放射線撮像装置の制御方法。前記第1から前記第4の動作は、前記複数の第1のゲート線及び前記複数の第2のゲート線に対して1本又は複数本ずつ繰り返すことを特徴とする請求項9に記載の放射線撮像装置の制御方法。第1の電極と第2の電極の間に半導体層を有して放射線を電荷に変換する変換素子と、ソース及びドレイン電極の一方が前記第1の電極に接続され前記電荷に応じた電気信号を出力するための第1のトランジスタと、ソース及びドレイン電極の一方が前記の第1の電極に接続され前記変換素子を初期化するための第2のトランジスタと、を含む画素が行方向及び列方向に複数配列された変換部と、行方向の複数の前記第1のトランジスタのゲート電極に共通に接続された第1ゲート線が列方向に複数配列された複数の第1ゲート線と、行方向の複数の前記第2のトランジスタのゲート電極に共通に接続された第2のゲート線が列方向に複数配列された複数の第2ゲート線と、列方向の複数の第1のトランジスタのソース及びドレイン電極の他方が共通に接続された信号線が行方向に複数配列された複数の信号線と、複数の前記変換素子の前記第2の電極に共通に接続され、第1の電位を供給する第1電源と、複数の前記第2のトランジスタのソース及びドレイン電極の他方に共通に接続され、第2の電位を供給する第2の電源と、前記複数の信号線に共通に接続され、前記複数の信号線に第3の電位を供給可能な読み出し回路部と、前記複数の第1のゲート線に共通に接続され、前記第1のトランジスタを駆動する第1の駆動回路部と、前記複数の第2のゲート線に共通に接続され、前記第1のトランジスタを駆動する第2の駆動回路部と、前記第1及び第2駆動回路部をそれぞれ異なるタイミングで独立して制御する制御部と、を備えた放射線撮像装置であって、前記制御部は、所定の画素に対して、前記第1の駆動回路部が前記第1のトランジスタをオンとし且つ前記第2の駆動回路部が前記第2のトランジスタをオフとする第1の動作と、前記第1の動作の後に前記第1の駆動回路部が前記第1のトランジスタをオフとし且つ前記第2の駆動回路部が前記第2のトランジスタをオンとし且つ前記第2の電源が前記第2の電位を供給する第2の動作と、前記第2の動作の後に前記第1の駆動回路部が前記第1のトランジスタをオフとし且つ前記第2の駆動回路部が前記第2のトランジスタをオンとし且つ前記第2の電源が前記第3の電位を供給する第3の動作と、を行うように、且つ、前記複数の第1のゲート線及び前記複数の第2のゲート線に対して、前記第1から前記第3の動作の組を1本又は複数本ずつ繰り返すように、前記第2の電源と前記第1の駆動回路部と第2の駆動回路部とを制御することを特徴とする放射線撮像装置。複数の動作モードを選択可能なモード選択部を更に備え、前記モード選択部で選択された動作モードが第1の動作モードであった場合、前記制御部は、前記第1の駆動回路部が前記複数の第1のトランジスタのうち1本の前記第1のゲート線に共通に接続された複数の第1のトランジスタを同時に駆動することを1行ごとに順次行い、且つ、前記第2の駆動回路部が前記複数の第2のトランジスタのうち1本の前記第2のゲート線に共通に接続された第2のトランジスタを同時に駆動することを1行ごとに順次行うように、前記第1及び第2の駆動回路部を制御し、前記モード選択部で選択された動作モードが前記第1の動作モードと異なる第2の動作モードであった場合、前記制御部は、前記第1の駆動回路部が前記複数の第1のトランジスタのうち少なくとも2本の前記第1のゲート線に共通に接続された複数の第1のトランジスタを同時に駆動することを前記少なくとも2行ごとに順次行い、且つ、前記第2の駆動回路部が前記複数の第2のトランジスタのうち少なくとも2本の前記第2のゲート線に共通に接続された複数の第2のトランジスタを同時に駆動することを前記少なくとも2行ごとに順次行うように、前記前記第1及び第2の駆動回路部を制御することを特徴とする請求項11に記載の放射線撮像装置。前記第1及び第2のトランジスタは、アモルファスシリコン、多結晶シリコン及び有機半導体のいずれかを用いて基板上に構成された薄膜トランジスタであり、前記変換素子は、複数の前記第1及び第2のトランジスタを覆う絶縁層上に配置されており、前記絶縁層に埋め込まれたコンタクトプラグによって、前記第1のトランジスタのソース及びドレイン電極の一方と前記第2のトランジスタのソース及びドレイン電極の一方と前記変換素子の第1の電極とが電気的に接続されることを特徴とする請求項11に記載の放射線撮像装置。前記変換素子は、前記第1の電極と前記半導体層との間に配置された絶縁層と、前記第2の電極と前記半導体層との間に配置された不純物半導体層と、を含むMIS型センサを有し、前記第1の電位と前記第2の電位によって前記MIS型センサがリフレッシュ動作を行う電圧が前記変換素子に与えられ、前記第1の電位と前記第3の電位によって前記MIS型センサが光電変換動作を行う電圧が前記変換素子に与えられることを特徴とする請求項13に記載の放射線撮像装置。前記半導体層はアモルファスシリコンを用いて構成されており、前記変換素子は、放射線を可視光に変換する蛍光体層を更に有することを特徴とする請求項14に記載の放射線撮像装置。前記変換素子は、PIN型フォトダイオードからなることを特徴とする請求項13に記載の放射線撮像装置。請求項11乃至請求項16のいずれか1項に記載の放射線撮像装置と、放射線発生装置と、を含む放射線撮像システム。第1の電極と第2の電極の間に半導体層を有して放射線を電荷に変換する変換素子と、ソース及びドレイン電極の一方が前記第1の電極に接続され前記電荷に応じた電気信号を出力するための第1のトランジスタと、ソース及びドレイン電極の一方が前記の第1の電極に接続され前記変換素子を初期化するための第2のトランジスタと、を含む画素が行方向及び列方向に複数配列された変換部と、行方向の複数の前記第1のトランジスタのゲート電極に共通に接続された第1ゲート線が列方向に複数配列された複数の第1ゲート線と、行方向の複数の前記第2のトランジスタのゲート電極に共通に接続された第2のゲート線が列方向に複数配列された複数の第2ゲート線と、列方向の複数の第1のトランジスタのソース及びドレイン電極の他方が共通に接続された信号線が行方向に複数配列された複数の信号線と、複数の前記変換素子の前記第2の電極に共通に接続され、第1の電位を供給する第1電源と、複数の前記第2のトランジスタのソース及びドレイン電極の他方に共通に接続され、第2の電位を供給する第2の電源と、前記複数の信号線に共通に接続され、前記複数の信号線に第3の電位を供給可能な読み出し回路部と、前記複数の第1のゲート線に共通に接続され、前記第1のトランジスタを駆動する第1の駆動回路部と、前記複数の第2のゲート線に共通に接続され、前記第1のトランジスタを駆動する第2の駆動回路部と、を備えた放射線撮像装置の制御方法であって、所定の画素に対して、前記第1の駆動回路部が前記第1のトランジスタをオンとし且つ前記第2の駆動回路部が前記第2のトランジスタをオフとする第1の動作と、前記第1の動作の後に前記第1の駆動回路部が前記第1のトランジスタをオフとし且つ前記第2の駆動回路部が前記第2のトランジスタをオンとし且つ前記第2の電源が前記第2の電位を供給する第2の動作と、前記第2の動作の後に前記第1の駆動回路部が前記第1のトランジスタをオフとし且つ前記第2の駆動回路部が前記第2のトランジスタをオンとし且つ前記第2の電源が前記第3の電位を供給する第3の動作と、を行い、前記複数の第1のゲート線及び前記複数の第2のゲート線に対して、前記第1から前記第3の動作の組を1本又は複数本ずつ繰り返すことを特徴とする放射線撮像装置の制御方法。本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、放射線撮影装置のフレームレートを高速化することを目的とする。本発明の第1の側面は、放射線撮像装置に係り、第1の電極と第2の電極の間に半導体層を有して放射線を電荷に変換する変換素子と、ソース及びドレイン電極の一方が前記第1の電極に接続され前記電荷に応じた電気信号を出力するための第1のトランジスタと、ソース及びドレイン電極の一方が前記の第1の電極に接続され前記変換素子を初期化するための第2のトランジスタと、を含む画素が行方向及び列方向に複数配列された変換部と、行方向の複数の前記第1のトランジスタのゲート電極に共通に接続された第1ゲート線が列方向に複数配列された複数の第1ゲート線と、行方向の複数の前記第2のトランジスタのゲート電極に共通に接続された第2のゲート線が列方向に複数配列された複数の第2ゲート線と、列方向の複数の第1のトランジスタのソース及びドレイン電極の他方が共通に接続された信号線が行方向に複数配列された複数の信号線と、複数の前記変換素子の前記第2の電極に共通に接続され、第1の電位を供給する第1電源と、複数の前記第2のトランジスタのソース及びドレイン電極の他方に共通に接続され、第2の電位を供給する第2の電源と、前記複数の信号線に共通に接続され、前記複数の信号線に第3の電位を供給可能な読み出し回路部と、前記複数の第1のゲート線に共通に接続され、前記第1のトランジスタを駆動する第1の駆動回路部と、前記複数の第2のゲート線に共通に接続され、前記第1のトランジスタを駆動する第2の駆動回路部と、前記第1及び第2駆動回路部をそれぞれ異なるタイミングで独立して制御する制御部と、を備えた放射線撮像装置であって、前記制御部は、所定の画素に対して、前記第1の駆動回路部が前記第1のトランジスタをオンし且つ前記第2の駆動回路部が前記第2のトランジスタをオフする第1の動作と、前記第1の動作の後に前記第1の駆動回路部が前記第1のトランジスタをオフする第2の動作と、前記第2の動作の後に前記第2の駆動回路部が前記第2のトランジスタをオンする第3の動作と、前記第2の動作の後に前記読み出し回路部が前記第3の電位を供給する間に前記第1の駆動回路部が前記第1のトランジスタをオンし且つ前記第2の駆動回路部が前記第2のトランジスタをオフする第4の動作と、を行うように、前記第1及び第2の駆動回路部を制御することを特徴とする。本発明の第2の側面は、放射線撮像装置に係り、第1の電極と第2の電極の間に半導体層を有して放射線を電荷に変換する変換素子と、ソース及びドレイン電極の一方が前記第1の電極に接続され前記電荷に応じた電気信号を出力するための第1のトランジスタと、ソース及びドレイン電極の一方が前記の第1の電極に接続され前記変換素子を初期化するための第2のトランジスタと、を含む画素が行方向及び列方向に複数配列された変換部と、行方向の複数の前記第1のトランジスタのゲート電極に共通に接続された第1ゲート線が列方向に複数配列された複数の第1ゲート線と、行方向の複数の前記第2のトランジスタのゲート電極に共通に接続された第2のゲート線が列方向に複数配列された複数の第2ゲート線と、列方向の複数の第1のトランジスタのソース及びドレイン電極の他方が共通に接続された信号線が行方向に複数配列された複数の信号線と、複数の前記変換素子の前記第2の電極に共通に接続され、第1の電位を供給する第1電源と、複数の前記第2のトランジスタのソース及びドレイン電極の他方に共通に接続され、第2の電位を供給する第2の電源と、前記複数の信号線に共通に接続され、前記複数の信号線に第3の電位を供給可能な読み出し回路部と、前記複数の第1のゲート線に共通に接続され、前記第1のトランジスタを駆動する第1の駆動回路部と、前記複数の第2のゲート線に共通に接続され、前記第1のトランジスタを駆動する第2の駆動回路部と、前記第1及び第2駆動回路部をそれぞれ異なるタイミングで独立して制御する制御部と、を備えた放射線撮像装置であって、前記制御部は、所定の画素に対して、前記第1の駆動回路部が前記第1のトランジスタをオンとし且つ前記第2の駆動回路部が前記第2のトランジスタをオフとする第1の動作と、前記第1の動作の後に前記第1の駆動回路部が前記第1のトランジスタをオフとし且つ前記第2の駆動回路部が前記第2のトランジスタをオンとし且つ前記第2の電源が前記第2の電位を供給する第2の動作と、前記第2の動作の後に前記第1の駆動回路部が前記第1のトランジスタをオフとし且つ前記第2の駆動回路部が前記第2のトランジスタをオンとし且つ前記第2の電源が前記第3の電位を供給する第3の動作と、を行うように、且つ、前記複数の第1のゲート線及び前記複数の第2のゲート線に対して、前記第1から前記第3の動作の組を1本又は複数本ずつ繰り返すように、前記第2の電源と前記第1の駆動回路部と第2の駆動回路部とを制御することを特徴とする。本発明の第3の側面は、放射線撮影システムに係り、放射線を発生する放射線発生装置と、上記の放射線撮影装置と、を備えることを特徴とする。本発明の第4の側面は、放射線撮像装置の制御方法に係り、第1の電極と第2の電極の間に半導体層を有して放射線を電荷に変換する変換素子と、ソース及びドレイン電極の一方が前記第1の電極に接続され前記電荷に応じた電気信号を出力するための第1のトランジスタと、ソース及びドレイン電極の一方が前記の第1の電極に接続され前記変換素子を初期化するための第2のトランジスタと、を含む画素が行方向及び列方向に複数配列された変換部と、行方向の複数の前記第1のトランジスタのゲート電極に共通に接続された第1ゲート線が列方向に複数配列された複数の第1ゲート線と、行方向の複数の前記第2のトランジスタのゲート電極に共通に接続された第2のゲート線が列方向に複数配列された複数の第2ゲート線と、列方向の複数の第1のトランジスタのソース及びドレイン電極の他方が共通に接続された信号線が行方向に複数配列された複数の信号線と、複数の前記変換素子の前記第2の電極に共通に接続され、第1の電位を供給する第1電源と、複数の前記第2のトランジスタのソース及びドレイン電極の他方に共通に接続され、第2の電位を供給する第2の電源と、前記複数の信号線に共通に接続され、前記複数の信号線に第3の電位を供給可能な読み出し回路部と、前記複数の第1のゲート線に共通に接続され、前記第1のトランジスタを駆動する第1の駆動回路部と、前記複数の第2のゲート線に共通に接続され、前記第1のトランジスタを駆動する第2の駆動回路部と、を備えた放射線撮像装置の制御方法であって、所定の画素に対して、前記第1の駆動回路部が前記第1のトランジスタをオンとし且つ前記第2の駆動回路部が前記第2のトランジスタをオフとする第1の動作と、前記所定の画素に対して、前記第1の動作の後に前記第1の駆動回路部が前記第1のトランジスタをオフとする第2の動作と、前記所定の画素に対して、前記第2の動作の後に前記第2の駆動回路部が前記第2のトランジスタをオンとする第3の動作と、前記所定の画素に対して、前記第2の動作の後で前記読み出し回路部が前記第3の電位を供給する間に前記第1の駆動回路部が前記第1のトランジスタをオンとし且つ前記第2の駆動回路部が前記第2のトランジスタをオフとする第4の動作と、を行うことを特徴とする。本発明の第5の側面は、放射線撮像装置の制御方法に係り、第1の電極と第2の電極の間に半導体層を有して放射線を電荷に変換する変換素子と、ソース及びドレイン電極の一方が前記第1の電極に接続され前記電荷に応じた電気信号を出力するための第1のトランジスタと、ソース及びドレイン電極の一方が前記の第1の電極に接続され前記変換素子を初期化するための第2のトランジスタと、を含む画素が行方向及び列方向に複数配列された変換部と、行方向の複数の前記第1のトランジスタのゲート電極に共通に接続された第1ゲート線が列方向に複数配列された複数の第1ゲート線と、行方向の複数の前記第2のトランジスタのゲート電極に共通に接続された第2のゲート線が列方向に複数配列された複数の第2ゲート線と、列方向の複数の第1のトランジスタのソース及びドレイン電極の他方が共通に接続された信号線が行方向に複数配列された複数の信号線と、複数の前記変換素子の前記第2の電極に共通に接続され、第1の電位を供給する第1電源と、複数の前記第2のトランジスタのソース及びドレイン電極の他方に共通に接続され、第2の電位を供給する第2の電源と、前記複数の信号線に共通に接続され、前記複数の信号線に第3の電位を供給可能な読み出し回路部と、前記複数の第1のゲート線に共通に接続され、前記第1のトランジスタを駆動する第1の駆動回路部と、前記複数の第2のゲート線に共通に接続され、前記第1のトランジスタを駆動する第2の駆動回路部と、を備えた放射線撮像装置の制御方法であって、所定の画素に対して、前記第1の駆動回路部が前記第1のトランジスタをオンとし且つ前記第2の駆動回路部が前記第2のトランジスタをオフとする第1の動作と、前記第1の動作の後に前記第1の駆動回路部が前記第1のトランジスタをオフとし且つ前記第2の駆動回路部が前記第2のトランジスタをオンとし且つ前記第2の電源が前記第2の電位を供給する第2の動作と、前記第2の動作の後に前記第1の駆動回路部が前記第1のトランジスタをオフとし且つ前記第2の駆動回路部が前記第2のトランジスタをオンとし且つ前記第2の電源が前記第3の電位を供給する第3の動作と、を行い、前記複数の第1のゲート線及び前記複数の第2のゲート線に対して、前記第1から前記第3の動作の組を1本又は複数本ずつ繰り返すことを特徴とする。以下の発明を実施するための形態の欄には、上記の発明のほか、放射線撮影装置に係り、放射線を電荷に変換する変換素子に接続された第1のスイッチ素子を駆動する第1の駆動回路部と、前記変換素子に接続された第2のスイッチ素子を駆動する第2の駆動回路部と、前記第1、第2の駆動回路部をそれぞれ異なるタイミングで独立して制御する制御部と、を備えることを特徴とする発明、放射線撮影システムに係り、放射線を発生する放射線発生装置と、上記の放射線撮影装置と、を備える発明、放射線を検出する放射線撮影装置の制御方法に係り、放射線を電荷に変換する変換素子に接続された第1のスイッチ素子を駆動する第1の駆動回路部を制御する第1の制御工程と、前記変換素子に接続された第2のスイッチ素子を駆動する第2の駆動回路部を制御する第2の制御工程と、を含み、前記第1、第2の制御工程では、前記第1、第2の駆動回路部をそれぞれ異なるタイミングで独立して制御することを特徴とする発明、プログラムに係り、上記の制御方法をコンピュータに実行させる発明、コンピュータ可読記憶媒体に係り、上記のプログラムを格納したことを特徴とする発明が記載されている。本発明によれば、放射線撮影装置のフレームレートを高速化することができる。以下、本発明の好適な実施の形態について図を用いて詳しく説明する。なお、本実施形態においては放射線としてX線を例にあげて説明するが、これに限定されず、α線、β線、γ線などが含まれうる。[第1の実施形態]図1は本発明の好適な第1の実施形態に係る放射線撮影装置の模式的回路図である。また、図2は第1の実施形態に係る制御部の動作を説明するフローチャートであり、更に、図3、図4、図5は図1の放射線撮影装置の各モードにおける動作を説明するタイミング図である。図1に示すように、本実施形態の放射線撮影装置は図19の従来技術と共通する構成を含む。すなわち、本実施形態に係る放射線撮影装置に用いられるセンサアレーは、変換素子としてのMIS型センサと、第1のスイッチ素子としての転送用TFTと、第2のスイッチ素子としてのリフレッシュ用TFTとを有する画素を二次元に配列して構成される。つまり、画素ごとに変換素子により変換された電荷を転送するための第1のスイッチ素子と、変換素子を初期の状態に近い変換可能な状態にするために変換素子を初期化するための第2のスイッチ素子と、を別に準備している。そして、二次元に配列された複数の画素により、変換部が構成されている。ここで、本実施形態に係る放射線撮影装置の構成において、従来技術と異なる点は以下のとおりである。1転送用ゲート駆動回路部、リフレッシュ用ゲート駆動回路部の2つの独立したゲート駆動回路部を有すること。つまり、変換素子により変換された電荷を転送するための第1のスイッチ素子を駆動するための第1の駆動回路部を有している。そして第1の駆動回路部とは別に、変換素子を初期の状態に近い変換可能な状態にするために変換素子を初期化するための第2のスイッチ素子を駆動する第2の駆動回路部を有している。2複数の動作モードを有し、これらの動作モードがモード選択部により選択可能であること。3モード選択部に接続された制御部を有し、制御部は転送用ゲート駆動回路部、リフレッシュ用ゲート駆動回路部の動作を制御可能な構成であること。4第1の駆動回路部である転送用ゲート駆動回路部と、第2の駆動回路部であるリフレッシュ用ゲート駆動回路部は、変換部を挟んで対向した位置に配置され、制御部からの信号によりそれぞれを独立して動作の制御が可能な構成であること。図17、図18及び図19、図20で説明した従来の放射線撮影装置においては、速度や解像度が異なるモードを有するという概念がない。特に、垂直方向の走査速度や解像度を任意に設定するという概念がなく、構成としても単一のゲート駆動部でセンサアレーの各TFTのゲート電極を駆動しているため、当然ながら垂直方向の速度や解像度を任意に設定可能な構成にない。また、上記の従来の技術には、高速動作を実現しつつ、垂直方向の解像度と走査速度を任意に設定して変更するという概念がなく、これらを解決する手法は開示されていない。従って、垂直方向の解像度と速度を任意に設定、変更することが困難である。これに対し、本実施形態では、複数のゲート線を同時に走査することにより、垂直走査方向の解像度と、走査速度を任意に変更することができる。更に構成について詳細に説明する。各画素のMIS型センサS11~S63の共通電極上電極側には、センサバイアス電源からバイアス電圧Vsが印加されている。各画素のMIS型センサS11~S63の個別電極下電極側は、転送用TFTTT11~TT63及びリフレッシュ用TFTTR11~TR63のドレイン電極が接続されている。また、各画素の転送用TFTTT11~TT63のソース電極は共通信号線Sig1~Sig3に接続されており、共通信号線Sig1~Sig3は読み出し部101のプリアンプ102の入力に接続されている。プリアンプ102はRCパルスによって共通信号線Sig1~Sig3の電位をGNDにリセットすることができる。更に、各画素のリフレッシュ用TFTTR11~TR63のソース電極は、共通リフレッシュラインを介して、リフレッシュ用電源Vrに接続されている。各転送用TFTTT11~TT63のゲート電極は、それぞれ転送用ゲートラインVgT1~VgT6に接続されており、転送用ゲートラインVgT1~VgT6は図示しないシフトレジスタなどで構成される転送用ゲート駆動回路部103に接続されている。各リフレッシュ用TFTTR11~TR63のゲート電極は、それぞれリフレッシュ用ゲートラインVgR1~VgR6に接続されている。リフレッシュ用ゲートラインVgR1~VgR6は、図示しないシフトレジスタなどで構成されるリフレッシュ用ゲート駆動回路部104に接続されている。転送用ゲート駆動回路部103及びリフレッシュ用ゲート駆動回路部104は、制御部105からの信号により、独立に制御可能である。すなわち転送用ゲートラインVgT1~VgT6に印加されるパルスと、リフレッシュ用ゲートラインVgR1~VgR6に印加されるパルスを異なるパルス幅、タイミングで印加可能なように構成されている。続いて、本実施形態の放射線撮影装置の動作について、図2のフローチャート及び図3~図5のタイミング図を用いて詳細に説明する。本実施形態の放射線撮影装置は、垂直走査方向の解像度及び走査速度の異なる複数の動作モードを有することを特徴としている。具体的には、3つの動作モードを有し、モード選択部106は、放射線撮影装置の垂直走査方向の解像度及び走査速度を3通りに設定、変更することができる。モード選択部106は図示しないワークステーションなど構成される。ここで本実施形態の3つの動作モードを以下に記す。モード1:転送用ゲートラインVgT1~VgT6及びリフレッシュ用ゲートラインVgR1~VgR6を1本ずつ走査する高解像度かつ低速のモード。モード2:転送用ゲートラインVgT1~VgT6及びリフレッシュ用ゲートラインVgR1~VgR6を2本ずつ走査する中解像度かつ中速のモードモード3:転送用ゲートラインVgT1~VgT6及びリフレッシュ用ゲートラインVgR1~VgR6を3本ずつ走査する低解像度かつ高速モードモード選択部106と制御部105の動作について図2のフローチャートで説明する。ステップS201では、制御部105は、モード選択部106によりいずれのモードが選択されたかを判断する。モード選択部106でモード1が選択されたと判断した場合は、ステップS202に進み、制御部105は、転送用ゲート駆動回路部103に対して、転送用TFTTT11~TT63の垂直走査を1本ずつ行うように制御する。さらに、制御部105は、リフレッシュ用ゲート駆動回路部104に対してリフレッシュ用TFTTR11~TR63の垂直走査を1本ずつ行うように制御する。また、モード選択部106でモード2が選択されたと判断した場合は、ステップS203に進み、制御部105は、垂直走査を各2本ずつ行うよう制御する。モード3が選択されたと判断した場合は、ステップS204に進み、制御部105は、垂直走査を各3本ずつ行うように制御する。続いて、図3、図4、図5を用いて、本実施形態の動作について説明する。図4はモード1の動作を、図5はモード2の動作を、図6はモード3の動作をそれぞれ説明するタイミング図である。<モード1>図示しないワークステーションなどで構成されるモード選択部106により、モード1が選択されると、制御部105は、転送用ゲート駆動回路部103及びリフレッシュ用ゲート駆動回路部104に対して、垂直走査を1本ずつ行うように制御する。図3に示すように、まず、期間aでは、被写体を透過したX-rayパルスX線がセンサアレーに入射し、被写体情報に応じた電荷がMIS型センサS11~S63に蓄積される。続いて、期間bのRCパルスにより、各信号線Sig1~Sig3の電位がGND電位にリセットされる。その後、期間cで転送用TFTT11~T13のゲート電極が接続された転送用ゲートラインVgT1に転送用ゲート駆動回路部103からパルスが印加され、期間dで読み出し部101のサンプルホールドパルスSHでサンプリングされる。SHパルスでサンプリングされた、S11~S13の信号は、読み出し部101のアナログマルチプレクサなどでアナログ信号に変換される。この後、期間eで再度RCパルスを印加し、Sig1~Sig3の電位をGNDにした状態でリフレッシュ用TFTTR11~TR63がオンすると、MIS型センサS11~S13の個別電極側の電位はVrとなる。これにより、MIS型センサS11~S13がリフレッシュされる。続く、期間fでは、RCパルスが入った状態のまま、リフレッシュ用TFTTR11~13はオフし、転送用TFTTT11~13オンすることにより、MIS型センサS11~S63の個別電極側がGND電位となり、光電変換動作が可能となる。続いて、期間gでは、転送用TFTTT11~13がオフするが、MIS型センサS11~S63の電界は維持され、光電変換動作に備えることができる。期間c~期間gの動作をすべての転送用ゲートライン、リフレッシュ用ゲートラインに対して1本ずつ繰り返すことで、センサアレー全体が読み出され、またリフレッシュされる。モード1の特徴はゲートラインが1本ずつ走査されるため、解像度がもっとも高い点である。一方ですべてのゲートラインを走査するため、速度の面では時間を必要とする。<モード2>続いて、図4を用いてモード2の動作を説明する。まず、図示しないワークステーションなどで構成されるモード選択部106により、モード2が選択されると、これにより制御部105は転送用ゲート駆動回路部103及びリフレッシュ用ゲート駆動回路部104に対して、垂直走査を2本ずつ行うように制御する。まず、期間aで被写体を透過したX-rayパルスがセンサアレーに入射し、被写体情報に応じた電荷がMIS型センサS11~S63に蓄積される。続いて、期間bのRCパルスにより、各信号線Sig1~Sig3の電位がGND電位にリセットされる。その後、期間cで転送用TFTTT11~TT13及びTT21~TT23のゲート電極が接続された転送用ゲートラインVgT1及びVgT2に転送用ゲート駆動回路部103からパルスが印加されTFTTT11~TT13及びTT21~TT23がオンする。このときMIS型センサS11とS21、S12とS22、S13とS23の画素の信号が重畳される。期間dでは、読み出し部101のサンプルホールドパルスSHが印加されると、重畳された信号がサンプリングされ、読み出し部101のアナログマルチプレクサなどでアナログ信号に変換される。この後、期間eでは、再度RCパルスが印加され、Sig1~Sig3の電位をGNDにした状態でリフレッシュ用TFTTR11~TR13及びTR21~TR23がオンする。すると、MIS型センサS11~S13、S21~S23の個別電極側の電位はVrとなり、MIS型センサS11~S13、S12~S23がリフレッシュされる。続く期間fでは、RCパルスが印加された状態で、リフレッシュ用TFTTR11~TR13及びTR21~TR23はオフとなる。更に、転送用TFTTT11~TT13及びTT21~TT23が再度オンして、MIS型センサS11~S13、S21~S23の個別電極側の電位がGNDとなる。そして、MIS型センサS11~S13、S21~S23は次のX線照射に備えた状態となる。続いて、期間gでは、転送用TFTTT11~TT13及びTT21~TT23がオフとなるが、MIS型センサS11~S13、S21~S23の電界は維持され光電変換動作に備える。期間c~期間gの動作をすべての転送用ゲートラインVgT1~VgT6、リフレッシュ用ゲートラインVgR1~VgR6に対して、それぞれ2本ずつ繰り返すことによって、センサアレー全体が読み出され、またリフレッシュされる。モード2の特徴は、ゲートラインが2本ずつ走査されるため、解像度が多少低下する一方で、信号レベルが高くなりSNRが有利となり、かつ、垂直走査に必要な時間がモード1の1/2である点である。<モード3>図5に示すモード3は、モード2と比較して同時に3本ずつのゲートラインが走査される点が特徴である。すなわち、モード3の特徴は、ゲートラインが3本ずつ走査されるため、解像度が更に低下する一方で、信号レベルが更に高くなりSNRが更に有利となり、かつ、垂直走査に必要な時間がモード1の1/3である点である。図6aは本実施形態の放射線撮影装置の転送用ゲート駆動回路部103及びリフレッシュ用ゲート駆動回路部105に好適なシフトレジスタを例示的に示す回路図であり、図6bはそのタイミング図である。図6aに示すように、本実施形態に係るシフトレジスタは、DフリップフロップD-FF1~D-FF4と、ANDゲートAND1~AND4と、で構成される。ANDゲートAND1~AND4は、Dフリップフロップの各々の出力端子OUTからの信号及びイネーブル信号ENBを入力として、転送用ゲートラインVgT1~VgT6に出力信号を与える。DフリップフロップD-FF1は、スタートパルスSINが入力端子INに与えられ、シフトクロックSCLKに従って動作する。図6bに示すように、スタートパルスSINが論理Hであるときに、シフトクロックSCLKが論理Lから論理Hに遷移すると、DフリップフロップD-FF1の出力端子OUTが論理Hに活性化される。1クロック周期分遅れた次のシフトクロックSCLKが論理Lから論理Hに遷移すると、DフリップフロップD-FF1の出力端子OUTは論理Lに非活性化される。ANDゲートAND1は、イネーブル信号ENBとDフリップフロップD-FF1の出力端子OUTからの出力信号とを論理積演算して、転送用ゲートラインVgT1に出力信号を与える。同様にして、DフリップフロップD-FF2は、DフリップフロップD-FF1の出力端子OUTからの出力信号を入力として、シフトクロックSCLKに従って動作する。DフリップフロップD-FF1の出力端子OUTが論理Hであるときに、シフトクロックSCLKが論理Lから論理Hに遷移すると、DフリップフロップD-FF2の出力端子OUTが論理Hに活性化される。そして、次のシフトクロックSCLKが論理Lから論理Hに遷移するまで活性化される。ANDゲートAND2は、イネーブル信号ENBとDフリップフロップD-FF2の出力端子OUTからの出力信号とを論理積演算して、転送用ゲートラインVgT2に出力信号を与える。DフリップフロップD-FF3及びDフリップフロップD-FF4も同様にして、転送用ゲートラインVgT3及び転送用ゲートラインVgT4にそれぞれ出力信号を与える。本実施形態に係る制御部105は、SIN、SCLK、ENBの少なくとも1つをゲート駆動回路部103とゲート駆動回路部104との間で異なるタイミングで動作させるように構成されうる。転送用ゲート駆動回路部103とリフレッシュ用ゲート駆動回路部104が図6のシフトレジスタで構成される場合、制御部105は、それぞれのゲート駆動回路部103、104に対して異なるタイミングを持つSIN、SCLK、ENBを印加することができる。これによって、図3、図4、図5に示すように、転送用ゲートラインVgT1~VgT6及びリフレッシュ用ゲートラインVgR1~VgR6をそれぞれ異なるタイミングで制御することができる。上述のように、本発明の第1の実施形態では、モード設定部と制御部と転送用ゲートラインに接続された転送用ゲート駆動回路部と、リフレッシュ用ゲートラインに接続されたリフレッシュ用ゲート駆動回路部を有する。これによって、モードに応じて各ゲート駆動回路部を独立に制御可能であり、垂直方向の解像度、走査速度を変更して動作させることができる。この構成により、従来の技術の課題であった垂直走査方向の解像度、走査速度を変更して動作可能な放射線撮影装置が実現可能となる。更に、本実施形態の放射線撮影装置の制御部が、各ゲート駆動回路部を同時に走査する本数だけではなく、パルス長、タイミングなども制御可能であることがより望ましい。また、制御部が読み出し部の動作についても制御することが望ましい。更に、本実施形態では、各ゲート駆動回路部をセンサアレーの変換部を挟んで対向する辺に配置している。各ゲート駆動回路部をセンサアレーの同一の辺に設けても良いが、配線レイアウトの複雑化や実装の複雑化を招く。また、各ゲート駆動回路部を1つの駆動回路部にまとめてしまうと、駆動回路部の設計及び動作の複雑化を招き、装置のコストアップを招いてしまう。その点を考慮すると本発明においては各ゲート駆動回路部をセンサアレーの変換部を挟んで対向する辺に設けることが望ましい。本実施形態では、モード設定は上記の3とおりに設定可能であるが、本発明においてはより多くの種類で設定可能としてもよい。また、TFT及びMIS型センサは、アモルファスシリコンを用いて形成されてもよいし、ポリシリコンや有機材料を用いて形成されてもよい。更に、変換素子とTFTをそれぞれ異なる材料で形成してもよい。また、変換素子としては、例えば、結晶シリコン、ガリウム砒素、アモルファスセレン、ガリウムリン、ヨウ化鉛、ヨウ化水銀、CdTe、CdZnTeなど、X線などの放射線を吸収して直接電荷に変換する半導体材料を用いることができる。また、変換素子として用いる光電変換素子は、MIS型センサに限定されず、pn型やpin型のフォトダイオードを用いてもよい。pn型やpin型のフォトダイオードにおいては、MIS型センサのようなリフレッシュ動作を行う必要はない。しかしながらフォトダイオード中に残留した電荷を除去するために、電荷転送のための第1のスイッチ素子とは別に電荷除去用の第2のスイッチ素子を画素毎に設ける。そして第2のスイッチ素子を用いて残留した電荷を除去してフォトダイオードを初期の状態に近い状態にするための初期化をする際に、本発明を適応してもよい。[第2の実施形態]以下で本発明の好適な第2の実施形態について図を用いて詳しく説明する。図7は本発明の好適な第2の実施形態に係る放射線撮影装置の模式的回路図である。また図8、図9、図10は図7の放射線撮影装置の各モードにおける動作を説明するタイミング図である。図7に示すように、本実施形態に係る放射線撮影装置は、図1で説明した第1の実施形態に係る放射線撮影装置とは、以下の点で相違する。すなわち、第1の実施形態の放射線撮影装置の構成に加えて、各リフレッシュ用TFTの共通リフレッシュラインに接続されたリフレッシュ用電源が、制御部からの信号により、リフレッシュ電位VrとGNDを切り替え可能な構成である点で相違する。その他の構成については、第1の実施形態と同様である。またモード選択部で選択される動作モードについても、図2と同様であり、本実施形態の放射線撮影装置は、垂直走査方向の解像度及び走査速度の異なる3つの動作モードを有する。モード選択部は、放射線撮影装置の垂直走査方向の解像度及び走査速度を3通りに設定したり、変更したりすることができる。モード選択部は図示しないワークステーションなど構成される。続いて図8、図9、図10を用いて本実施形態の動作について説明する。ただし第1の実施形態と同様の部分については説明を省略する。図8はモード1の動作を、図9はモード2の動作を、図10はモード3の動作をそれぞれ説明するタイミング図である。<モード1>モード選択部106により、モード1が選択されると、制御部105は、転送用ゲート駆動回路部103及びリフレッシュ用ゲート駆動回路部104に対して、垂直走査を1本ずつ行うように制御する。図8に示すように、まず、期間aでは、被写体を透過したX-rayパルスX線がセンサアレーに入射し、被写体情報に応じた電荷がMIS型センサS11~S63に蓄積される。続いて、期間bのRCパルスにより、各信号線Sig1~Sig3の電位がGND電位にリセットされる。その後、期間cで転送用TFTT11~T13のゲート電極が接続された転送用ゲートラインVgT1に転送用ゲート駆動回路部103からパルスが印加され、期間dで読み出し部101のサンプルホールドパルスSHでサンプリングされる。SHパルスでサンプリングされた、S11~S13の信号は、読み出し部101のアナログマルチプレクサなどでアナログ信号に変換される。ここまでの動作は図3で説明した第1の実施形態と同じである。この後、期間eで再度RCパルスが印加され、Sig1~Sig3の電位をGNDにした状態でリフレッシュ用TFTTR11~TR13がオンする。このときリフレッシュ用電源104は、制御部105によりVr電位に設定される。従って、MIS型センサS11~S63の個別電極側の電位はVrとなり、MIS型センサS11~S13がリフレッシュされる。続く期間fでは、RCパルスが入力されてSig1~Sig3の電位がGNDとなり、かつ、リフレッシュ用TFTTR11~TR13がオンの状態のままでリフレッシュ用電源の電位が制御部によりGNDに戻される。これにより、MIS型センサS11~S63の個別電極側がGND電位となり、光電変換動作が可能となる。続いて、期間gでリフレッシュ用TFTTR11~13がオフされるが、MIS型センサS11~S63の電界は維持され、光電変換動作に備えることができる。第1の実施形態では、リフレッシュ動作の後に、個別電極を転送用TFTを介してGND電位としたが、第2の実施形態ではリフレッシュ用TFTを介してGND電位としている。期間c~期間gの動作をすべての転送用ゲートライン、リフレッシュ用ゲートラインに対して1本ずつ繰り返すことで、センサアレー全体が読み出され、またリフレッシュされる。モード1の特徴はゲートラインが1本ずつ走査されるため、解像度がもっとも高い点である。一方ですべてのゲートラインを走査するため、速度の面では時間を必要とする。<モード2>図9に示すモード2は、モード1と比較して同時に2本ずつのゲートラインが走査される点が特徴である。すなわち、モード2の特徴はゲートラインが2本ずつ走査されるため、解像度が低下する一方で、信号レベルが高くなりSNRが有利となり、かつ垂直走査に必要な時間がモード1の1/2である点である。<モード3>図10に示すモード3は、モード2と比較して同時に3本ずつのゲートラインが走査される点が特徴である。すなわち、モード3の特徴はゲートラインが3本ずつ走査されるため、解像度が更に低下する一方で、信号レベルが更に高くなりSNRが有利となり、かつ垂直走査に必要な時間がモード1の1/3である点である。本実施形態においても、転送用ゲート駆動回路部及びリフレッシュ用ゲート駆動回路部に図6に示す構成のシフトレジスタを用いることが望ましい。上述したように、本発明の第2の実施形態に係る放射線撮影装置では、制御部が転送用ゲート駆動回路部、リフレッシュ用ゲート駆動回路部に加えてリフレッシュ用電源が制御可能なように構成される。そして、複数の動作モードに応じて各ゲート駆動回路部及びリフレッシュ用電源を制御し、垂直方向の解像度、走査速度を変更して動作可能であることを特徴としている。[第3の実施形態]図11は本発明の好適な第3の実施形態に係る放射線撮影装置を構成するセンサアレーの画素断面図である。図11を用いて、本実施形態に係る放射線撮影装置に用いられるセンサアレー1100の画素の断面構造について説明する。転送用TFT1101及びリフレッシュ用TFT1102では、ガラス基板1103上に、下電極1104、絶縁層1105、アモルファスシリコン半導体層1106、アモルファスシリコンn層1107、ソース電極層1108及び上電極1109が積層される。配線部1121も転送用TFT1101及びリフレッシュ用TFT1102と同様にして構成される。転送用TFT1101及びリフレッシュ用TFT1102の上部は、絶縁層1110により全体が覆われる。本構成によれば、転送用TFT1101及びリフレッシュ用TFT1102は層構成が同一であり、同1の製造方法により作製することができる。絶縁層1110にはコンタクトホールが形成され、ドレイン電極層1109の一部が露出され、絶縁層1110に形成されたコンタクトホールにコンタクトプラグ1111が埋め込まれる。TFT1302のドレイン電極層1311は、配線部1303や不図示のコンタクトホールなどで接続される。絶縁層1110及びコンタクトプラグ1111の上部には、下電極層1113と絶縁層1114、半導体層1115、ホールブロッキング層1116、上電極層1117が積層された構成が形成され、各画素のMIS型センサ1112を構成する。MIS型センサ1112の上部では、アモルファスシリコン窒化膜やポリイミドなどの保護層1118が全体を覆っている。図11は、X線撮影装置を構成した場合の例を示しているため、保護層1118の上に接着層1119を介して蛍光体層1120を配置している。一般的に、アモルファスシリコンのMIS型センサ1112は、X線に対する感度がほとんどない。このため、保護層1118上に接着層1119を介してX線を可視光に変換するための蛍光体層1120が接着することが望ましい。蛍光体層1120としては、ガドリニウム系あるいはCsIヨウ化セシウムを柱状に成長させたものなどを用いることができる。本実施形態では、転送用TFT1101及びリフレッシュ用TFT1102が、MIS型センサ1112の下部に設けられている。すなわち、TFT部と光電変換部は積層構造を有している。画素に転送用TFT1101とリフレッシュ用TFT1102の二つのTFTを用いる場合では、本実施形態のように、TFT部と光電変換部とを積層構造で形成することにより、開口率すなわち光電変換部の面積を大きくすることができるという利点がある。X線は、被写体を透過した後、蛍光体層1120に入射して可視光に変換され、MIS型センサ1112に入射する。MIS型センサ1112の半導体層1115で発生した電荷は、転送用TFT1101により順次読み出し部101に転送され、読み出され、またリフレッシュされる。[第4の実施形態]図12は本発明の好適な実施の形態に係る放射線撮影装置を放射線撮影システムに応用したシステム図である。本放射線撮影システムの特徴は、以下の点である。すなわち、X線発生源としてのX線チューブ1250で発生したX線1260は、患者あるいは被検体1261の胸部などの観察部分1262を透過し、イメージセンサ1240に入射する。この入射したX線には被検体1261の内部の情報が含まれている。X線の入射に対応してイメージセンサ1240は電気的情報を得る。この情報はデジタル信号に変換され、イメージプロセッサ1270により画像処理され制御室コントロールルームにあるディスプレイ1280で観察可能となる。また、このようにして画像処理された情報は、電話回線や無線1290等の伝送部により遠隔地などへ転送可能である。そして、ディスプレイ1281に表示されたり、フィルムなどに出力されたりして、コントロールルームとは別の場所のドクタールームなどの遠隔地にいる医師が診断することも可能である。このようにして、ドクタールームで得られた情報は、フィルムプロセッサなどの記録部1200により光ディスク、光磁気ディスク、磁気ディスクなどの各種記録材料を用いた記録媒体、フィルム、又は紙などの記録媒体1210に記録や保存することもできる。本発明の好適な実施の形態に係る放射線撮影装置は、イメージセンサ1240内部に設けられており、A/D変換されたデジタル出力は、イメージプロセッサ1270で目的に応じた画像処理などが施される。モード選択部106は図示しないワークステーションなどで構成され、イメージプロセッサ1270には制御部105が設けられており、制御部105は放射線撮影装置の各構成要素の動作だけでなく、放射線発生装置1250を制御することができる。なお、本実施形態において、X線をパルス状に被写体に照射するように放射線発生装置を制御可能であることが望ましい。また、制御部105がディスプレイ部12801281を制御可能であることが更に望ましい。本発明の放射線撮影装置は、垂直走査における解像度と速度を任意に設定、変更して動作可能であるため、図12に示す放射線撮影システムに好適である。[他の実施の形態]なお、本発明の好適な実施の形態は、複数の機器例えばホストコンピュータ、インタフェイス機器などから構成されるシステムに適用しても、一つの機器からなる装置に適用してもよい。また、本発明の目的は、前述した実施形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記録した記憶媒体を次のようにしても達成されうる。すなわち、この記録媒体をシステムあるいは装置に供給し、そのシステムあるいは装置のコンピュータまたはCPUやMPUが記憶媒体に格納されたプログラムコードを読出し実行することによっても、達成されうる。この場合、記憶媒体から読出されたプログラムコード自体が前述した実施形態の機能を実現することになり、そのプログラムコードを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、例えば、フロッピ登録商標ディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、CD-ROM、CD-R、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ROMなどを用いることができる。また、コンピュータが読出したプログラムコードを実行することにより、前述した実施形態の機能が実現されるだけではない。そのプログラムコードの指示に基づき、コンピュータ上で稼働しているOSオペレーティングシステムなどが実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって前述した実施形態の機能が実現される場合も含まれる。さらに、記憶媒体から読出されたプログラムコードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書込まれる。その後、そのプログラムコードの指示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるCPUなどが実際の処理の一部または全部を行う。このような処理によって前述した実施形態の機能が実現される場合も含まれる。