"半導体光デバイスを駆動する半導体光デバイス駆動装置であって。伝送信号のパルスエッジ成分を抽出するフィルタ手段と、当該フィルタ手段により抽出されるパルスエッジ成分の内の正方向パルスエッジ成分の振幅を調整する第1のレベル調整手段と、当該フィルタ手段により抽出されるパルスエッジ成分の内の負方向パルスエッジ成分の振幅を調整する第2のレベル調整手段と、当該伝送信号に、当該第1のレベル調整手段の出力、当該第2のレベル調整手段の出力、及び当該半導体光デバイスのバイアスを加算する加算手段と、当該加算手段の出力により駆動されて当該半導体光デバイスから出力される光信号の信号品質を測定する品質測定手段と、当該品質測定手段の測定結果に従い、当該信号品質が改善する方向に当該フィルタ手段のカットオフ周波数、並びに、当該第1及び第2のレベル調整手段による当該正方向パルスエッジ成分及び当該負方向パルスエッジ成分の各振幅の調整量を制御する制御手段とを具備することを特徴とする半導体光デバイス駆動装置。当該第1のレベル調整手段が、当該フィルタ手段の出力を整流して当該正方向パルスエッジ成分を分離する第1の整流手段と、当該第1の整流手段で分離された当該正方向パルスエッジ成分を、当該制御手段により制御される利得で増幅する第1の増幅手段とを具備し、当該第2のレベル調整手段が、当該フィルタ手段の出力を整流して当該負方向パルスエッジ成分を分離する第2の整流手段と、当該第2の整流手段で分離された当該負方向パルスエッジ成分を、当該制御手段により制御される利得で増幅する第2の増幅手段とを具備することを特徴とする請求項1に記載の半導体光デバイス駆動装置。当該品質測定手段が、当該光信号を受信する受信装置に配置されることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体光デバイス駆動装置。一般的に、半導体光デバイスでは、半導体内部のキャリア応答速度τは、当該半導体内部のキャリア密度Nに依存し、近似的には、τ=1/ABNCN2で表される。A,B,Cは、材料等に依存して決定される定数である。駆動パルスの立ち上がり直前とパルスの立ち下り直前では、半導体内部のキャリア密度Nが異なるので、両者に対する半導体光デバイスの応答特性が異なってくる。ところが、特許文献1に記載の技術では、駆動パルス信号のパルス立ち上がり部分とパルス立ち下り部分に同一のプリエンファシスしか与えることができない。その結果、生成される光パルスの立ち上がり/立ち下がりは異なるスロープを持つことになり、ビットレートが高速になるほどアイパターンを改善することが難しい。特許文献2に記載の技術では、ドライバ出力強度が高周波側で低下するか、LD駆動回路の帯域制限があると、高周波成分の光信号強度が低下する。従って、前置増幅回路のスルーレートを改善するだけではアイパターンを改善することは難しい。本発明は、上述した実情に鑑みてなされたもので、キャリア応答速度よりも高速な伝送速度の信号による直接変調の場合でも良好なアイパターンを有する光信号を生成できる半導体光デバイス駆動装置を提示することを目的とする。本発明に係る半導体光デバイス駆動装置は、半導体光デバイスを駆動する半導体光デバイス駆動装置であって。伝送信号のパルスエッジ成分を抽出するフィルタ手段と、当該フィルタ手段により抽出されるパルスエッジ成分の内の正方向パルスエッジ成分の振幅を調整する第1のレベル調整手段と、当該フィルタ手段により抽出されるパルスエッジ成分の内の負方向パルスエッジ成分の振幅を調整する第2のレベル調整手段と、当該伝送信号に、当該第1のレベル調整手段の出力、当該第2のレベル調整手段の出力、及び当該半導体光デバイスのバイアスを加算する加算手段と、当該加算手段の出力により駆動されて当該半導体光デバイスから出力される光信号の信号品質を測定する品質測定手段と、当該品質測定手段の測定結果に従い、当該信号品質が改善する方向に当該フィルタ手段のカットオフ周波数、並びに、当該第1及び第2のレベル調整手段による当該正方向パルスエッジ成分及び当該負方向パルスエッジ成分の各振幅の調整量を制御する制御手段とを具備することを特徴とする。本発明により、信号の伝送速度を高速とした場合でも、半導体光デバイスの直接変調で良好な品質を有する光信号を生成できる。これにより、小型および低消費電力の光送信装置及び光通信システムを実現できる。以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳細に説明する。図1は、本発明の一実施例の概略構成ブロック図を示し、図2は、送信データ010110に対する各部の波形例を示す。入力端子10には、RZReturnZero形式又はNRZNoneReturnZero形式の伝送信号が入力する。図2bは、図2aに示す送信データに対応する伝送信号波形を示す。入力端子10に入力した伝送信号は、ハイパスフィルタHPF12と、加算器18に入力する。HPF12は、入力する伝送信号のパルスエッジ成分を分離抽出する。HPF12のカットオフ周波数は、伝送信号の高域成分を抽出するように設定され、外部制御可能である。図2cは、HPF12の出力波形例を示す。HPF12の代わりに、伝送信号のパルスエッジ成分又はエッジ成分を代表する高周波成分を抽出するエッジ抽出回路又は微分回路を採用してもよい。整流回路14Aは、HPF12の出力から正方向パルスエッジ成分を抽出し、整流回路14Bは、HPF12の出力から負方向パルスエッジ成分を抽出する。図2dは、整流回路14Aの出力波形例を示し、図2eは、整流回路14Bの出力波形例を示す。増幅器16A,16Bはそれぞれ、整流回路14A,14Bの出力を増幅する。詳細は後述するが、増幅器16A,16Bの利得、即ち振幅の調整量は一般には異なり、最終的な光信号の品質に応じて帰還制御される。増幅器16A,16Bは整流回路14A,14Bの出力の振幅を調整するレベル調整手段の一例であり、一方又は両方を可変減衰器としてもよい。加算器18は、入力端子10からの伝送信号に、増幅器16A,16Bの出力を加算する。図2fは、加算器18の出力波形例を示す。図2fから明らかなように、加算器18の出力は、伝送信号の立ち上がり部分にそのエッジ成分を重畳し、伝送信号の立ち下がり部分にそのエッジ成分を重畳することで、伝送信号の立ち上がり部分と立ち下がり部分の両方について高域を強調したものになっている。バイアス電流源20は、伝送信号で直接変調された光信号を生成する半導体光デバイス24のためのバイアス電流を発生する。半導体光デバイス24がレーザダイオードである場合、バイアス電流は、レーザダイオードをレーザ発振させるのに必要な電流量である。加算器22は、バイアス電流源20からのバイアス電流を加算器18の出力電流に加算し、加算結果で半導体光デバイス24を駆動する。図2gは加算器22の出力電流波形例を示す。加算器22の出力波形が、バイアス電流源20の出力するバイアス電流量だけかさ上げされる。半導体光デバイス24は加算器22の出力電流により駆動されて、光信号を発生する。図3は、図2に示す送信データ例に対する半導体光デバイス24のキャリア密度変化と光出力信号波形の例を示す。図3aは送信データを示し、図3bは、図2gに示したのと同じ、加算器22の出力電流駆動信号の波形例を示す。図3cは半導体光デバイス24のキャリア密度変化を示し、図3dは半導体光デバイス24から出力される光信号の波形例を示す。参考のために、変調信号のみで半導体光デバイス24を駆動した場合の波形例を図4に示す。図4aは送信データを示し、図4bは、図4aに示す送信データを示す駆動信号の波形例を示す。図4cは図4bに示す駆動信号で駆動された場合の半導体光デバイス24のキャリア密度変化を示し、図4dは半導体光デバイス24から出力される光信号の波形例を示す。図3及び図4から容易に理解できるように、本実施例では、駆動信号のパルス立ち上がりを強調することで、キャリア密度の立ち上がりが良くなり、光信号のパルス立ち上がりが改善する。他方、駆動信号のパルス立ち下がりを強調することで、送信データのスペース部分に対してキャリア密度を下げることができ、光信号のスペース部分のレベルをより下げることができる。光カプラ26は半導体光デバイス24の出力光のほとんどを光出力信号として光伝送路に出力し、残りを光/電気変換器である受光素子28に供給する。受光素子28は入力する光信号を電気信号に変換し、品質測定装置30は、受光素子28の出力電気信号から信号品質、例えば、アイ開口、ビット誤り率、Q値又はジッタ等を測定する。制御装置32は、品質測定装置30により計測された信号品質に従い、HPF12のカットオフ周波数及び増幅器16A,16Bの利得を帰還制御する。具体的には、制御装置32のカットオフ周波数制御部34が、品質測定装置30により計測された信号品質に従い、HPF12のカットオフ周波数を制御する。また、制御装置32の利得制御部36が、品質測定装置30により計測された信号品質に従い、増幅器16A,16Bの利得を制御する。制御装置32は、HPF12のカットオフ周波数及び増幅器16A,16Bの利得を制御する前後の、品質測定装置30により測定された信号品質の変化に従い、当該信号品質が好ましい方向に変化するように、HPF12のカットオフ周波数及び増幅器16A,16Bの利得を逐次的に制御する。制御装置32による制御は、インサービス中でも、アウトオブサービス中でも良いし、間欠的に行っても良い。図5は、本実施例により生成される駆動信号の波形を示す。本実施例では、伝送信号の立ち上がり部分に、時間軸方向の強調幅Tuと振幅の正方向の立ち上がり強調量Auの強調が付加され、立ち下がり部分には、時間軸方向の強調幅Tdと振幅の負方向の立ち下がり強調量Adの強調が付加される。強調幅Tu,TdはHPF12のカットオフ周波数により制御可能であり、強調量Au,Adはそれぞれ増幅器16A,16Bの利得により制御可能である。本実施例では、半導体光デバイス24から出力される光信号の品質に応じて、当該品質が良くなる方向にHPF12のカットオフ周波数及び増幅器16A,16Bの利得を帰還制御することにより、光信号をより好ましい信号品質の波形に制御できる。例えば、光信号品質が良くなる方向に、立ち上り強調量、立ち下り強調量及び強調幅を循環的に微調整することで、これら3つのパラメータに関して光信号品質を最も良い値に制御できる。アイ開口の場合はそれが最大になるように、また、ビット誤り率の場合はそれが最小になるように、これら3つのパラメータを制御する。特に、半導体光デバイス24の駆動信号の立ち上がりの強調度とパルス立ち下がりの強調度とを増幅器16A,16Bにより個別に制御するので、キャリア応答速度が活性層内のキャリア密度依存性を有する半導体光デバイスにおいても、パルスの立ち上がり部分と立ち下がり部分の応答特性を個別に調整可能となり、伝送信号と光出力信号の波形がほぼ一致するよう制御できる。しかも、信号品質が良くなる方向に増幅器16A,16Bにより個別に制御するので、入力端子10に印加される伝送信号が歪みを有している場合や、立ち上がり部分と立ち下がり部分がそれぞれ異なるスロープを持つ場合であっても、より好ましい信号品質の光信号を生成できる。また、カットオフ周波数を制御することにより、半導体光デバイス24の活性層内のキャリア密度の変化速度が、駆動信号の瞬時変化量に依存する特性を有する場合であっても、駆動信号とバイアス電流との差に対する積分値に依存する特性を有する場合であっても、いずれの場合も光信号をより好ましい信号品質の波形に制御できる。図6、図7及び図8は、半導体光デバイス24の構成例を示す。図6に示す構成では、半導体光デバイス24は半導体レーザ40からなり、加算器22の出力信号が駆動信号として半導体レーザ40に印加される。図7に示す構成では、半導体光デバイス24は、CWレーザ光源42と、CWレーザ光源42の出力CW光の強度又は光位相を加算器22の出力する変調信号に従って変調する半導体光増幅器44からなる。図8に示す構成では、半導体光デバイス24は、CWレーザ光源46と、光サーキュレータ48及び反射型半導体光増幅器50からなる。光サーキュレータ48は、CWレーザ光源42の出力CW光を反射型半導体光増幅器50の一面に供給する。反射型半導体光増幅器50の他面は反射面となっている。反射型半導体光増幅器50は、一面に入射した光サーキュレータ48からのCWレーザ光を他面で反射して再度、光サーキュレータ48に向けて出力する間に、そのCWレーザ光の強度又は光位相を、加算器22の出力する変調信号に従って変調する。反射型半導体光増幅器50から出力される光信号は、駆動信号により変調されており、光サーキュレータ48は、反射型半導体光増幅器50で反射された光信号を外部に出力する。図1に示す実施例では、光送信側のみで強調量を制御したが、受信側で品質を測定し、その測定結果を送信側に伝送して、強調量を制御するようにしてもよい。図9は、そのような実施例の概略構成ブロック図を示す。光送受信装置100は、双方向伝送媒体である光ファイバ140を介して光送受信装置150と通信する。ここでは、光送受信装置100から光送受信装置150への信号を下り信号と呼び、逆方向の信号を上り信号と呼ぶことにする。光送受信装置100の入力端子110には、外部から下り伝送信号が入力する。入力端子110~半導体光デバイス124、制御装置132、カットオフ周波数制御部134及び利得制御部136の機能はそれぞれ、図1に示す実施例の、入力端子10~半導体光デバイス24、制御装置32、カットオフ周波数制御部34及び利得制御部36と同様の機能を果たすので、これらの機能の詳細な説明は省略する。合分波器126は、半導体光デバイス124から出力される光信号下り光信号を光ファイバ140に出力する。この下り光信号は、光ファイバ140を伝搬して光送受信装置150の合分波器152に入射する。光送受信装置150では、合分波器152は、光ファイバ140からの下り光信号を受信装置154に供給する。受信装置154は、入射する下り光信号を電気信号に変換し、下り光信号で搬送された下り伝送信号を図示しない端末に出力すると共に、品質測定のために品質測定装置にも供給する。品質測定装置156は、品質測定装置30と同様の機能からなり、受信装置154から出力される下り伝送信号の信号品質を測定し、測定結果を信号重畳装置158に出力する。信号重畳装置158は、図示しない端末からの上り伝送信号に品質測定装置156からの測定結果を重畳し、送信装置160に供給する。送信装置160は、信号重畳装置からの信号を光信号上り光信号に変換し、合分波器152に供給する。合分波器152は、送信装置160からの上り光信号を光ファイバ140に転送する。下り光信号と上り光信号の波長を異ならせると、合分波器126,152として波長分割多重WDM光フィルタを使用できる。各所での反射を無視できる場合、合分波器126,152として光サーキュレータを使用することも可能である。光ファイバ140を伝搬する上り光信号は、光送受信装置100の合分波器126に入射する。合分波器126は、光ファイバ140からの上り光信号を受信装置128に供給する。受信装置128は、入射する上り光信号を電気信号に変換し、信号分離装置130は、受信装置128からの上り信号のうち、信号品質の測定結果を示す信号を制御装置に132に、上り伝送信号を出力端子138に供給する。制御装置132のカットオフ周波数制御部134は、カットオフ周波数制御部34と同様に、品質測定結果に従いHPF112のカットオフ周波数を制御し、利得制御部136は、利得制御部36と同様に、品質測定結果に従い増幅器116A,116Bの利得を制御する。図9に示す実施例では、単一の光ファイバ140を双方向に使用したが、上り用の伝送路と下り用の伝送路を別々に用意しても良いことは明らかである。また、双方向の信号伝送システムでなく、片方向の信号伝送システムにおいて、受信側での信号品質の測定結果を送信側に伝送する伝送系を設けても、伝送後の光信号の品質に応じた強調度カットオフ周波数と利得の制御を実現できる。特定の説明用の実施例を参照して本発明を説明したが、特許請求の範囲に規定される本発明の技術的範囲を逸脱しないで、上述の実施例に種々の変更修整を施しうることは、本発明の属する分野の技術者にとって自明であり、このような変更修整も本発明の技術的範囲に含まれる。"