素子分離領域と、前記素子分離領域に形成された開口部と、前記開口部上に設けられ、互いに平行に延伸した複数のゲート電極と、前記開口部の前記ゲート電極で覆われていない部分に形成された拡散領域と、を備える第1TEGパターンを備え、前記ゲート電極の一方の端部は、前記開口部の外縁よりも内側に配置され、前記一方の端部と前記外縁の間に位置して、前記拡散領域に接続する第1コンタクトと、前記ゲート電極に接続する第2コンタクトと、を備える半導体装置。請求項1に記載の半導体装置において、前記第2コンタクトは、前記開口部の外側で前記ゲート電極に接続する半導体装置。請求項1または2に記載の半導体装置において、前記複数のゲート電極を挟んだ位置に、前記複数のゲート電極と平行に設けられたダミーゲート電極を備える半導体装置。請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体装置において、第1の前記ゲート電極と第2の前記ゲート電極は、交互に設けられ、前記第1のゲート電極の一方の端部は、第1の前記外縁よりも内側に配置され、前記第2のゲート電極の一方の端部は、前記第1の外縁とは反対側の第2の前記外縁よりも内側に配置され、前記第1コンタクトは複数設けられ、前記第1コンタクトは、前記第1のゲート電極の一方の端部と前記第1の外縁の間、及び、前記第2のゲート電極の一方の端部と前記第2の外縁の間のぞれぞれに配置されている半導体装置。請求項1~4のいずれか一項に記載の半導体装置において、前記第1TEGパターンと、前記第1TEGパターンと前記ゲート電極の長さが異なる第2TEGパターンと、を備える半導体装置。請求項1~5のいずれか一項に記載の半導体装置において、前記第1TEGパターンと、前記第1TEGパターンと前記ゲート電極の間隔が異なる第2TEGパターンと、を備える半導体装置。請求項1~6のいずれか一項に記載の半導体装置において、前記複数のゲート電極間において、前記拡散領域のダミーコンタクトを備える半導体装置。素子分離領域と、前記素子分離領域に形成された開口部と、前記開口部上に設けられ、互いに平行に延伸した複数のゲート電極と、前記開口部の前記ゲート電極で覆われていない部分に形成された拡散領域と、を備える第1TEGパターンを備え、前記ゲート電極の一方の端部は、前記開口部の外縁よりも内側に配置され、前記一方の端部と前記外縁の間に位置して、前記拡散領域に接続する第1コンタクトと、前記ゲート電極に接続する第2コンタクトと、を備える半導体装置に対して、前記第1コンタクトと前記第2コンタクトとの間の容量を測定することにより、前記ゲート電極と前記拡散領域とのオーバーラップ容量を測定する半導体装置の検査方法。請求項8に記載の半導体装置の検査方法において、前記半導体装置は、前記第1TEGパターンと、前記第1TEGパターンと前記ゲート電極の長さが異なる第2TEGパターンと、を備え、前記第1TEGパターンと前記第2TEGパターンの前記オーバーラップ容量を測定することにより、下式1より、前記ゲート電極の単位長さあたりの前記オーバーラップ容量を求める半導体装置の検査方法。ただし、Covは前記ゲート電極の単位長さあたりの前記オーバーラップ容量、C1は前記第1TEGパターンの前記オーバーラップ容量の測定値、C2は前記第2TEGパターンの前記オーバーラップ容量の測定値、NFは前記ゲート電極の本数、W1は前記第1TEGパターンの前記ゲート電極の延伸方向における前記開口部の長さ、W2は前記第2TEGパターンの前記ゲート電極の延伸方向における前記開口部の長さ、WG1は前記第1TEGパターンの前記ゲート電極の端と前記外縁との距離、WG2は前記第2TEGパターンの前記ゲート電極の端と前記外縁との距離、である。しかし、特許文献1においても、オーバーラップ容量を実測する際には、必ずドレインまたはソースにもコンタクトが接続された状態で測定を行っていた。NAND、NOR回路のように、ゲート間隔が狭く、ドレインまたはソースにコンタクトを形成することができないような場合には、正確なオーバーラップ容量を測定することができなかった。本発明によれば、素子分離領域と、前記素子分離領域に形成された開口部と、前記開口部上に設けられ、互いに平行に延伸した複数のゲート電極と、前記開口部の前記ゲート電極で覆われていない部分に形成された拡散領域と、を備える第1TEGパターンを備え、前記ゲート電極の一方の端部は、前記開口部の外縁よりも内側に配置され、前記一方の端部と前記外縁の間に位置して、前記拡散領域に接続する第1コンタクトと、前記ゲート電極に接続する第2コンタクトと、を備える半導体装置、が提供される。本発明によれば、素子分離領域と、前記素子分離領域に形成された開口部と、前記開口部上に設けられ、互いに平行に延伸した複数のゲート電極と、前記開口部の前記ゲート電極で覆われていない部分に形成された拡散領域と、を備える第1TEGパターンを備え、前記ゲート電極の一方の端部は、前記開口部の外縁よりも内側に配置され、前記一方の端部と前記外縁の間に位置して、前記拡散領域に接続する第1コンタクトと、前記ゲート電極に接続する第2コンタクトと、を備える半導体装置に対して、前記第1コンタクトと前記第2コンタクトとの間の容量を測定することにより、前記ゲート電極と前記拡散領域とのオーバーラップ容量を測定する半導体装置の検査方法、が提供される。本発明によれば、第1TEGパターンにおける拡散領域は、開口部のゲート電極で覆われていない部分に形成されている。また、ゲート電極の一方の端部は、素子分離領域の開口部の外縁よりも内側に配置されている。すなわち、拡散領域は、ゲート電極の一方の端部と外縁の間においても形成されている。したがって、ゲート電極の一方の端部と外縁の間において、FETのソースドレイン領域が短絡したような構成になっている。また、拡散領域に接続する第1コンタクトは、ゲート電極間には配置されておらず、ゲート電極の一方の端部と外縁の間に位置している。このようなTEGパターンを備えることにより、狭いゲート電極間にコンタクトを配置することなく、オーバーラップ容量を測定することができる。本発明によれば、狭いゲート電極間にコンタクトを配置することなく、オーバーラップ容量を測定することができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る半導体装置の構成を示す図である。図1aは上面図であり、図1bは図1aのA-A断面図である。この半導体装置は、下記のような第1TEGパターン不図示を備えている。第1TEGパターンは、素子分離領域500と、素子分離領域500に形成された開口部不図示と、開口部上に設けられ、互いに平行に延伸した複数のゲート電極300と、開口部のゲート電極300で覆われていない部分に形成された拡散領域200と、を備えている。ここで、ゲート電極300の一方の端部は、開口部の外縁よりも内側に配置されている。また、第1コンタクト240は、ゲート電極300の一方の端部と、開口部の外縁の間に位置して、拡散領域200に接続している。一方、第2コンタクト340は、ゲート電極300に接続している。以下、詳細を説明する。この半導体装置は、多層配線層中に形成された第1TEGパターンを備える。図1は、第1TEGパターンのみを表しており、その他の領域にFET不図示などを備えたNAND、NORなどの回路パターン不図示を有している。図1bのように、半導体基板100には、素子分離領域500が形成されている。素子分離領域500には、開口部不図示が形成されている。図1bのように、半導体基板100上には、ゲート絶縁膜不図示が形成されている。そのゲート絶縁膜上のうち、素子分離領域500の開口部上には、互いに平行に延伸した複数のゲート電極300が形成されている。ここで、ゲート電極300は、前記したチップ領域に形成されているNAND、NOR回路などにおけるFETのゲート電極300と同一工程で形成されている。また、複数のゲート電極300は、SG1ごとに等間隔に配置されている。なお、このゲート電極300の間隔は、前記したチップ領域に形成されているFETのゲート電極300の間隔と等しい。また、このゲート電極300の幅は、前記したチップ領域に形成されているFETのゲート電極300の幅と等しい。なお、ここでいうゲート電極300の幅とは、チャネル方向のゲート電極300の長さをいい、一般にゲート長と呼ばれる長さのことをいう。複数のゲート電極300を挟んだ位置に、複数のゲート電極300と平行に設けられたダミーゲート電極フローティングゲート320を備えている。ここでいうダミーゲート電極フローティングゲート320とは、後述するゲート電極用端子360などに接続されていない電極のことをいう。フローティングゲート320を配置することにより、複数のゲート電極300は、これらに挟まれて正確な形状に形成されている。なお、ゲート電極300フローティングゲート320含むの側壁には、側壁絶縁膜不図示が形成されている。この第1TEGパターンにおける側壁絶縁膜も、前記したチップ領域に形成されているFETのゲート電極300の側壁における側壁絶縁膜と同一工程で形成されている。また、図1bのように、拡散領域200は、素子分離領域500の開口部のうち、ゲート電極300で覆われていない部分に形成されている。この拡散領域200には、前記したチップ領域に形成されているFETのソースドレイン領域不図示と同一工程でドーピングされている。ここで、p型FETのゲートのオーバーラップ容量を測定したい場合には、拡散領域200はP領域である。一方、n型FETのゲートのオーバーラップ容量を測定したい場合には、拡散領域200はN領域である。ただし、第1TEGパターンには、いずれか一方の拡散領域200しか形成することができない。p型、n型の両方を測定したい場合は、別途、もう一つTEGパターンを設ければよい。図1b上には、図示されていない領域に、ビア不図示、配線層不図示などを有する多層配線層が形成されている。また、図1aのように、ゲート電極300の一方の端部は、素子分離領域500の開口部における外縁よりも内側に配置されている。なお、拡散領域200は、このゲート電極300の一方の端部と外縁の間の領域第1コンタクト形成領域220にも形成されている。これにより、一般的なFETにおけるソースドレイン領域が、この第1コンタクト形成領域220において短絡しているような構成となっている。拡散領域200に接続する第1コンタクト240は、ゲート電極300の一方の端部と外縁の間第1コンタクト形成領域220に形成されている。また、第1コンタクト240は、多層配線層のビア不図示を介して、最上層の拡散領域用端子260に接続されている。なお、複数の第1コンタクト240は、中間の配線層で短絡しており、一つの拡散領域用端子260に接続されている。一方、第2コンタクト340は、ゲート電極300に接続している。ここで、第2コンタクト340は、素子分離領域500の開口部の外側で、ゲート電極300に接続している。また、第2コンタクト340は、多層配線層のビア不図示を介して、最上層のゲート電極用端子360に接続されている。なお、複数の第2コンタクト340は、中間の配線層で短絡しており、一つのゲート電極用端子360に接続されている。次に、第1の実施形態における半導体装置の検査方法を説明する。第1コンタクト240と接続した拡散領域用端子260と、第2コンタクト340と接続したゲート電極用端子360との間の容量を測定することにより、ゲート電極300と拡散領域200とのオーバーラップ容量を測定する。以下、詳細を説明する。拡散領域用端子260とゲート電極用端子360の間に、交流バイアスを重畳させた直流バイアスを印加する。なお、拡散領域用端子260は、GNDに接続する。このとき、ゲート電極300下のチャネルに相当する部分が反転しないバイアス範囲で、直流バイアス成分を変化させて、拡散領域用端子260とゲート電極用端子360との間に流れる電流及び電圧を計測する。その計測結果に基づいて、オーバーラップ容量C1を求める。ただし、このオーバーラップ容量C1には、ゲート電極300の端部と拡散領域200との容量が重畳されている。次に、第1の実施形態の効果を説明する。第1TEGパターンにおける拡散領域200は、素子分離領域500の開口部のゲート電極300で覆われていない部分に形成されている。また、ゲート電極300の一方の端部は、素子分離領域500の開口部の外縁よりも内側に配置されている。すなわち、拡散領域200は、ゲート電極300の一方の端部と外縁の間第1コンタクト形成領域220においても形成されている。したがって、ゲート電極300の一方の端部と外縁の間第1コンタクト形成領域220において、FETのソースドレイン領域が短絡したような構成になっている。また、拡散領域200に接続する第1コンタクト240は、ゲート電極300間には配置されておらず、ゲート電極300の一方の端部と外縁の間に位置している。このような第1TEGパターンを備えていることにより、狭いゲート電極300間に第1コンタクト240を配置することなく、オーバーラップ容量C1を測定することができる。第2の実施形態図2は、第2の実施形態に係る半導体装置の構成を示す図である。第2の実施形態は、下記のような第2TEGパターンを備える点を除いて、第1の実施形態と同様である。第2の実施形態の半導体装置は、第1TEGパターン図2aと、第1TEGパターンとゲート電極300の長さが異なる第2TEGパターン図2bと、を備えている。ここでいうゲート電極300の長さとは、ゲート電極300の延伸方向の長さのことをいう。図2aは、第1の実施形態と同様の第1TEGパターンを示している。ここで、第1TEGパターンにおいて、ゲート電極300の延伸方向における素子分離領域500の開口部の長さをW1、ゲート電極300の端と外縁との距離をWG1とする。また、図2bは、第2TEGパターンを示している。第2TEGパターンは、第1TEGパターンとゲート電極300の長さが異なる。ここで、第2TEGパターンにおいて、ゲート電極300の延伸方向における素子分離領域500の開口部の長さをW2、ゲート電極300の端と外縁との距離をWG2とする。第2TEGパターンのゲート電極300は、たとえば、ゲート電極300の延伸方向において、第1TEGパターンのゲート電極300よりも長く、W2>W1である。以上のように、第2の実施形態における半導体装置は、上記した二つのTEGパターンを備える。次に、第2の実施形態における半導体装置の検査方法を説明する。第1TEGパターンと、第2TEGパターンのそれぞれの容量C1、C2を測定することにより、下記式1により、ゲート電極300の単位長さあたりのオーバーラップ容量Covを求めることができる。次に、第2の実施形態の効果について説明する。第1TEGパターン、及び第2TEGパターンにおいて、ゲート電極300の端部は、拡散領域200上に形成されている。このため、第1TEGパターン、第2TEGパターンのそれぞれの容量C1、C2は、ゲート電極300の端部と拡散領域200との容量も重畳された値が測定される。一方、実際のFETにおいては、ゲート電極300の端部が拡散領域200上に形成されているようなことはなく、ゲート電極300は素子分離領域500の外側まで形成されている。したがって、実際のFETにおいては、上記したゲート電極300の端部と拡散領域200との容量成分が検出されることはない。よって、上記式1により、第1TEGパターンと第2TEGパターンの測定結果から、ゲート電極300の端部と拡散領域200との容量成分を相殺することにより、実際のFETに相当するゲート電極300の単位長さあたりのオーバーラップ容量Covを求めることができる。なお、第1TEGパターンのゲート電極300の端と外縁との距離WG1と、ゲート電極300の端と外縁との距離WG2とが等しい場合は、下記式2に簡略化することができる。第3の実施形態図3は、第3の実施形態に係る半導体装置の構成を示す図である。図3aは上面図であり、図3bは図3aのA-A断面図である。第3の実施形態は、下記の点を除いて、第1の実施形態と同様である。第1のゲート電極302と第2のゲート電極304は、第1TEGパターン内に、交互に設けられている。ここで、第1のゲート電極302の一方の端部は、第1の外縁よりも内側に配置されている。一方、第2のゲート電極304の一方の端部は、第1の外縁とは反対側の第2の外縁よりも内側に配置されている。第1コンタクト240は複数設けられている。また、第1コンタクト240は、複数の第1のゲート電極302の一方の端部と第1の外縁の間、及び、第2のゲート電極304の一方の端部と第2の外縁の間のぞれぞれに配置されている。第3の実施形態におけるオーバーラップ容量と、第1の実施形態におけるオーバーラップ容量と比較することにより、オーバーラップ容量におけるゲート電極300の配置依存性を把握することができる。また、第2の実施形態と同様に、図3に示す第1TEGパターンに対して、ゲート電極300の長さが異なる第2TEGパターンを設けても良い。この場合も、第2の実施形態と同様の式1により、ゲート電極300の端部と拡散領域200との容量成分を相殺することにより、実際のFETに相当するゲート電極300の単位長さあたりのオーバーラップ容量Covを求めることができる。第4の実施形態図4は、第4の実施形態に係る半導体装置の構成を示す図である。第4の実施形態は、下記のような第2TEGパターンを備える点を除いて、第1の実施形態と同様である。第4の実施形態の半導体装置は、第1TEGパターン図4aと、第1TEGパターンとゲート電極300の間隔が異なる第2TEGパターン図4bと、を備えている。図4aは、第1の実施形態と同様の第1TEGパターンを示している。ここで、第1TEGパターンのゲート電極の間隔をSG1とする。また、図4bは、第2TEGパターンを示している。ここで、第2TEGパターンのゲート電極の間隔をSG2とする。第2TEGパターンは、たとえば、ゲート電極の間隔が第1TEGパターンよりも広く、SG1<SG2である。このように、第4の実施形態における第1TEGパターンのオーバーラップ容量と、ゲート電極300の間隔が異なる第2TEGパターンとのオーバーラップ容量とを比較することにより、オーバーラップ容量におけるゲート電極300の間隔依存性を把握することができる。第5の実施形態図5は、第5の実施形態に係る半導体装置の構成を示す図である。第5の実施形態は、下記の点を除いて、第1の実施形態と同様である。第5の実施形態における半導体装置は、複数のゲート電極300間において、拡散領域200のダミーコンタクト242を備えている。ここでいうダミーコンタクト242とは、拡散領域用端子260などに接続されていないコンタクトのことをいう。次に、第5の実施形態の効果について説明する。実際の半導体装置において、ゲート電極間隔は非常に狭くなっており、そのゲート電極間においてコンタクトを形成すると、側壁絶縁膜まで削られる可能性が出てくる。この場合、本実施形態のようにゲート電極300間以外の領域に第1コンタクト240を形成しないと、実際のFETとは異なったオーバーラップ容量が測定されてしまう。このため、第5の実施形態のように、複数のゲート電極300間において、拡散領域200のダミーコンタクト242を設けることにより、そのダミーコンタクト242を形成することによる影響を把握することができる。以上、第1から第5の実施形態では、TEGパターンの他に、回路パターンを有するチップ領域を備える場合を説明したが、半導体基板100にTEGパターンのみを形成した半導体装置であっても構わない。以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。