薬剤を投薬するためのディスペンサー装置であって、前記装置は、前記装置の保管又は使用中に前記薬剤と接触する、少なくとも1つの非金属の表面を有する少なくとも1つの金属の構成部分を含み、前記非金属の表面は、金属フッ化物及び又は金属炭化物部分を実質的に含む前記下層にある金属の構成部分との境界面を有することを特徴とするディスペンサー装置。前記非金属の表面は、前記境界面から本質的に構成され、前記境界面が、前記装置の保管又は使用中に、前記薬剤と接触することを特徴とする請求項1に記載のディスペンサー装置。前記非金属の表面は、前記境界面上に被覆するコーティングを含み、前記コーティングが、前記装置の保管又は使用中に前記薬剤と接触することを特徴とする請求項1に記載のディスペンサー装置。前記コーティングは、ポリマーコーティング又は無機のコーティングであることを特徴とする請求項3に記載のディスペンサー装置。前記コーティングは、プラズマに重合されたポリマーコーティングであることを特徴とする請求項4に記載のディスペンサー装置。前記境界面は、実質的に金属フッ化物部分を含み、前記ポリマーコーティングはフルオロカーボンポリマーであることを特徴とする請求項4または5に記載のディスペンサー装置。前記境界面は、実質的に金属炭化物部分を含み、前記ポリマーコーティングは炭化水素ポリマーであることを特徴とする請求項4または5に記載のディスペンサー装置。前記境界面は、約15At未満、好ましくは約10At未満、より好ましくは約7At未満、最も好ましくは約5At未満のXPSによって測定される酸素を含むことを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載のディスペンサー装置。分散媒中の前記薬剤を投薬する加圧されたディスペンサー装置の形態であることを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載のディスペンサー装置。金属の缶本体を含み、前記非金属の表面は前記缶本体の内部の表面であることを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載のディスペンサー装置。前記金属の構成部分はアルミニウムから形成されることを特徴とする請求項1から10のいずれかに記載のディスペンサー装置。薬剤を投薬するディスペンサー装置のための金属の構成部分であって、前記構成部分は、前記装置の保管又は使用中に、前記薬剤と接触する、少なくとも1つの非金属の表面を有し、前記表面は、金属フッ化物及び又は金属炭化物部分を実質的に含む、前記下層にある金属の構成部分との境界面を有することを特徴とするディスペンサー装置のための金属の構成部分。分散媒中の前記薬剤を投薬する、加圧されたディスペンサーで使用するために、金属の缶本体の形式であり、前記非金属の表面は、前記缶本体の内部の表面であることを特徴とする請求項12に記載のディスペンサー装置のための金属の構成部分。薬剤ディスペンサー装置の金属の構成部分を処理する方法であって、前記構成部分は、前記装置の保管又は使用中に、前記薬剤と接触する、少なくとも1つの非金属の表面を有し、前記方法は、前記構成部分を供給し、前記下層にある金属の構成部分との境界面を形成する、酸素の本質的な欠如を含む条件の下で、前駆物質を含むフッ素及び又は炭素を使用して、プラズマ処理ステップで前記表面を改質する、各ステップを含み、前記境界面は、実質的に金属フッ化物及び又は金属炭化物部分を含むことを特徴とする薬剤ディスペンサー装置の金属の構成部分を処理する方法。前記境界面上にコーティングを被覆させ、そのため前記コーティングが前記装置の保管又は使用中に前記薬剤と接触するステップをさらに含むことを特徴とする請求項14に記載の薬剤ディスペンサー装置の金属の構成部分を処理する方法。前記コーティングは、プラズマ重合によって被覆したポリマーコーティングであることを特徴とする請求項15に記載の薬剤ディスペンサー装置の金属の構成部分を処理する方法。前記境界面は、実質的に金属フッ化物部分を含み、前記前駆物質はフルオロカーボン、好ましくはパーフルオロカーボンであることを特徴とする請求項14から16のいずれかに記載の薬剤ディスペンサー装置の金属の構成部分を処理する方法。前記境界面は、実質的に金属炭化物部分を含み、前駆物質は炭化水素、好ましくはメタンまたはエタンであることを特徴とする請求項14から16のいずれかに記載の薬剤ディスペンサー装置の金属の構成部分を処理する方法。少なくとも前記プラズマ処理ステップの一部は、DCバイアス制御の下で実行されることを特徴とする請求項14から18のいずれかに記載の薬剤ディスペンサー装置の金属の構成部分を処理する方法。前記DCバイアス制御は、DCバイアス電圧を100~800ボルトの範囲で、好ましくは350~700ボルトの範囲で、最も好ましくは400~550ボルトの範囲で、使用して実行されることを特徴とする請求項19に記載の薬剤ディスペンサー装置の金属の構成部分を処理する方法。少なくともプラズマ処理ステップの一部は、最小限のDCバイアスを使用して実行されることを特徴とする請求項14から18のいずれかに記載の薬剤ディスペンサー装置の金属の構成部分を処理する方法。前記最小限のDCバイアスは、100~800ボルトの範囲、好ましくは350~700ボルトの範囲、最も好ましくは400~550ボルトの範囲であることを特徴とする請求項21に記載の薬剤ディスペンサー装置の金属の構成部分を処理する方法。前記プラズマ処理ステップは、前記構成部分にRF電位を印加することにより実行されることを特徴とする請求項14から22のいずれかに記載の薬剤ディスペンサー装置の金属の構成部分を処理する方法。前記構成部分は缶本体であり、前記表面を改質するステップは、実質的にフッ素部分を含む境界面を形成するために実行されることを特徴とする請求項23に記載の薬剤ディスペンサー装置の金属の構成部分を処理する方法。前記プラズマ処理ステップは、アースで前記構成部分をホールドすることにより実行されることを特徴とする請求項14から22のいずれかに記載の薬剤ディスペンサー装置の金属の構成部分を処理する方法。前記プラズマ処理ステップは、005から5Wcm2、好ましくは01~1Wcm2の範囲の出力密度を使用して実行されることを特徴とする請求項14から25のいずれかに記載の薬剤ディスペンサー装置の金属の構成部分を処理する方法。薬剤ディスペンサー装置を製造する方法であって、前記方法は、請求項14から26のいずれか1つによる方法の中の前記ディスペンサー装置の構成部分を処理し、前記装置の他の構成部分を供給し、組み立てられた薬剤ディスペンサー装置を提供するために前記構成部分を組み立てる、各ステップを含むことを特徴とする薬剤ディスペンサー装置を製造する方法。図1は、加圧薬剤収納配置14を収容するハウジング12を含む、10で概して示された、加圧されたディスペンサー装置を表す。ハウジング12は、中に加圧薬剤収納配置14が配置された開放端を有する円筒状の部分12aと、吹き口として役割を果たす開放端通路12bを含む。ハウジング12は、さらに、加圧薬剤収納配置のバルブステムを受け取る通路12eを有するソケット12dを支持する内壁12cを含む。通路12eは、開放端通路12bによって定義された出口通路と次に連通する開口12fと連通する。内壁12cは、開放端通路12bの中へのハウジング12の上部のエリアからエアーが流れることを可能にする、そこに形成された多数の開口12gを有する。加圧薬剤収納配置14の構造及び操作は、今より詳細に記述される。配置14は、フェルール18上でかしめられる缶本体16を含む。20で概して示された、測定弁機構が、フェルール18に搭載される。測定弁機構20は、バルブステム22を含み、その一部はバルブ部24に配置される。バルブステム22及びバルブ部24は両方ともバルブハウジング26に位置し、バルブステム22は、図1に示されるような閉鎖位置へバルブステム22にバイアスをかけるスプリング28の動作に対して軸方向に往復可能である。測定弁機構20は、さらには、内部及び外部のシール32、34と共にバルブ部24及びバルブステム22の一部によって定義される測定室30を含む。内部のシール32は、バルブハウジング26に対するバルブ部24を密閉するために作用し、バルブハウジング26の内部36から測定室30を分離する。外部のシール34はバルブ部24及びフェルール18に対するバルブハウジング26を密閉するために作用し、加圧された薬剤コンテナー配置14の外部から測定室30をさらに密閉する。さらに、シーリングは、同じくかしめるフェルール18に対する缶本体16を密閉するために作用する缶本体シール42によって提供される。バルブハウジング26は、バルブハウジング26の内部36が缶本体16の内部40と連通することを可能にする複数のスロット38を有する。バルブステム22は、2つのチャンネル44及び46を有する。各チャンネル、44と46は、縦の通路及び横の通路を含む。バルブステムチャンネル44の横の通路が配置され、それにより、加圧薬剤収納配置14が図1に示されるようなその閉鎖位置にある場合には、測定室30は、バルブハウジング26の内部36と連通し、したがって、さらに缶本体16の内部40と連通する。より詳細に下に説明されるように、測定室30の体積は、一回量で投与された流体を含む薬剤の体積に相当する。図1に示される閉鎖位置において、服用量は、測定室30に完全に含まれており、外部のシール34の作用のために、加圧薬剤収納配置14の外部へ漏れることができない。流体を含む薬剤の服用量を放出するために、バルブステム22は、スプリング28のバイアスをかける動作に対してバルブステムチャンネル44が測定室30ともはや連通しない程度までバルブハウジング26の内部36に押し込まれる。バルブステム22は、この投薬する位置において、バルブステム22のバルブステムチャンネル46は測定室30と連通し、それにより。バルブステム22を介して投薬される測定室30に、流体を含む薬剤の服用量を許可するよう設計される。その後、服用量は、装置を出るために、通路12e、開口12f、及び、開放端通路12bを通過する。バルブステム22が続いてリリースされる場合には、スプリング28のバイアスをかける動作は、図1に示される位置の方へ、バルブステム22を後ろに移動させる。したがって、バルブステムチャンネル46は位置を仮定し、それによって測定室30は、外部のものに対して密閉され、そして、バルブステムチャンネル44は位置を仮定し、それによって、バルブハウジング26の内部36は、測定室30と連通する。相対的に高圧の缶本体16の内部40と、相対的に低圧の測定室30との間の圧力差に起因して、測定室30は、流体を含む薬剤の別の服用量に補充される。図1に示される、加圧されたディスペンサー装置10はそのような装置の1つの例であり、それらの正確な動作モードの中の、より大きいかより小さい程度で異なる、他の多くの測定設備が知られている。本発明は、図1に示される装置、又は、他の加圧されたディスペンサー装置の動作モードに対するクレームを主張しない。もっと正確に言えば、装置の内面に対する薬剤の損失を抑制するように処理され、そのような装置及び構成部分の製造方法に関連する本発明は同じ装置と構成部分を提供する。本発明が適用される手法について読者の理解を支援するために、図1に示される装置が提供される。熟練した読者は、本発明は、図1に示されるものより加圧されたディスペンサー装置の他のデザインに適用することができ、実際は、加圧されたディスペンサー装置より異なるタイプの薬剤ディスペンサー装置に適用することができることを十分に理解するだろう。本発明は、加圧されたディスペンサー装置の内面に対する薬剤の損失を抑制する表面処理の方法を提供する。そのプロセスは、直接的に金属の基板を覆う従来技術の処理の代わりの金属の基板の表面改質を利用する。しかしながら、本発明は、表面改質された金属基板の上のポリマーコーティングの被覆を包含する。本発明の第1の実施形態は今、フッ素化プロセスに関して記述され、そこで表面処理は缶本体の表面で金属フッ化物部分を生成する。適正なプラズマ条件の下では、フルオロカーボンのガスの前駆物質は、その原子の要素に完全に分解することが可能である。前駆物質ガスの圧力、力及び滞在時間のような処理条件の適切な制御の下で、重合は生じず、また、プラズマにさらされた表面は覆われない。代わりに、表面はフッ素及び炭素原子イオンで衝突させられる。CF4は、最も適切なガスのフルオロカーボン前駆物質であると分かり、任意の特別の理論によって制限されることなく、これは、CF4分子が、炭素に対するフッ素の最も高い比率を備えるためと考えられる。他の適切な前駆物質は、C2F6、C3F8、C4F8、CF5F10、HFA134a及びHFA227を含む。図2は、本発明に従って缶本体50が表面改質された配置を示す。配置において、缶本体50は、RF電位でそれ自体ホールドされる平面テーブル52に缶50を置くことにより、RF電位で維持される。缶50及びテーブル52は、アース電極として作用するプラズマ反応槽54の内部に位置する。アース電極はプラズマ室又は付加的な電極自体になりえる。プラズマ反応槽54は、ガスフィード入口56及びガスを放出するための出口58を有する。プラズマ反応槽54は、ポンピング機構を含む適切なガス放出源及び適切な排気装置に接続される。これらの追加のアイテムは図2に示されない。しかしながら、適切な機構は熟練した読者にそれら自身を容易に提案するだろう。前駆物質フロン系ガスは、一般的に1以上のマスフローコントローラを含む放出源からガスフィード入口56を介してプラズマ反応槽54へ配達される。ガスのフルオロカーボン前駆物質がプラズマ反応槽54へ流れる場合に表面改質が生じ、適切なプラズマが生成される。一般的に、1356MHzのRFパワーは缶50に加えられ、プラズマは当技術においてよく知られている技術を使用して衝突する。他のRF周波数は等しい効果に使用されてよく、また、4kHzから20MHz以内の範囲の周波数が、連続的かパルス化されたモードで利用されてよい。プロセス中に、フッ素は、缶50の金属酸化膜表層に反応し、優先的に酸素を置き換えて、それによって、金属フッ化物を形成する。好ましい実施形態において、缶はアルミニウムから形成され、処理の前に、在来か、又は、処理された酸化アルミニウムの表層を有する。本発明に従う表面改質は、フッ化アルミニウムの表層を提供する。それは、非常に安定しており、また、それは、多数の薬品製剤に、自動触媒作用を及ぼさず劣化させず、腐食にそれ自体それほど敏感ではない基板を提供する。強いプラズマを発現させることができるから、プロセスの間、RF電位で缶50をホールドすることが好ましい。特に、RF電極は、前パワー制御において、DCバイアスを採用する。このDCバイアスのレベルは、プラズマの中で生成され、入って来るイオンの衝撃エネルギーに比例する。DCバイアスが約350ボルトを超過する場合には、衝撃のレベルは重要であり、そして、フッ素イオンは、それらが缶表面に容易に埋め込まれるようになる程度まで加速され、そして、炭素、在来の酸化物及び他の有害物は、スパッターされる。そのプロセスは、500ボルト以上で特に効率的である。缶50に対する電力供給がDCバイアス制御の下で駆動される場合には、それは特に有利であり、すなわち、パワーは、一定の高いDCバイアスを駆動する間に変動することを許容される。このように、プロセスの間の衝撃及び処理のレベルは一定に保たれる。プラズマは実質的に密閉されたエリア内に成長させられる缶本体50のような構成部分を処理する場合に、さらなる利点は観察される。この場合、中空陰極に似た効果が観察され、そして、缶本体50のRF電位で放出された電子が、缶本体50の物理的な拘束を回避することができないことが分かる。効果は、缶本体50内に生成されたプラズマが、缶の外側の体積より何倍もエネルギッシュであるということである。これは、予想より著しく低いパワーレベルで反応的なフッ素が強く衝突させられた表面をもたらし、それは、プロセスがより効率的である効果を有する。処理条件の代表的だが制限しない例として、プラズマ反応槽中の圧力は、1x102から10mbarの範囲にあればよく、好ましい範囲は、7x102から3x101mbarである。005から5Wcm2の間の出力密度は利用することができる。DCバイアスは100~800ボルトの範囲でよいが、上に言及されるように、350ボルト以上のDCバイアスが好ましい。DCバイアスは一般的に700ボルト未満で、有利には400~550ボルトの範囲にある。バッチ処理過程を提供するために。複数の缶本体は、テーブル52に置かれればよい。プロセスはさらにハイドロフルオロカーボンに働くが、処理の速度及び又は有効性に対するいくらかの妥協にもかかわらず、パーフルオロカーボンの使用が好ましい。XPSは、このように処理されたアルミニウム缶本体のフッ素で処理された表面を特徴づけるために使用された。プレスと洗浄の後に、収容されるような缶の表面は、高度の酸化物と、引抜油又は大気からの一般的な吸着からの20~30Atの炭素を含む。本発明に従うフッ素処理の後に、別個の化学シフトは、残余アルミニウム、及びその合金元素とともに、XPSによって測定される45Atのフッ素、酸化アルミニウムから約5At酸素のフッ化物まで観察される。2番目のピークは、本発明に従って、処理の前にアルミニウム缶本体のXPSスペクトルの中で観察される。任意の特別の理論又は推測によって拘束されずに、第2のピークは、反応しない金属イオンに相当すると考えられる。処理なしで、約30Atの金属イオンは表面に存在すると考えられる。処理の後、反応しない金属イオン内容物は、実質的に減衰し、また、1At未満に、金属イオン内容物を減らすことが可能である。図3は、表面改質が実行されるさらなる実施形態を表し、続いて、ポリマーコーティングは缶本体60に被覆させられる。この実施形態において、缶本体60はアースされ、また、細長いRF電極62は、缶本体の縦の軸に沿って缶本体60の内部に実質的に配置される。缶本体60は、ガスの前駆物質フィード入口66とガスを排気するための出口68を有するプラズマ反応槽64に存在する。図2に示される実施形態のように、適切なガス放出源及び排気装置は、図3に示される機構と共に使用される。RF電極62は、ピンかコイルの構造のような任意の適切な形態になりえる。洗浄のような任意の最初の工程段階の後に、プロセス前駆物質ガスは、マスフロー制御の下でプラズマ反応槽64へ導入される。プラズマ反応槽64中の圧力は、作業条件で安定することを可能にし、マスフローコントローラを使用して、排気する出口68上で、又は、ガスフローによってスロットル弁バルブのような適切な機構を介して制御される。電力はRF電極62に供給され、相対的に極度のプラズマは表面改質を提供するために生成される。金属フッ素部分及び続くフルオロカーボンポリマーコーティングを有するフッ素で処理された表面を生成するため、前駆物質ガスはパーフルオロカーボン、あるいは、金属炭化物部分及び続く炭化水素ポリマーコーティングを有する改質された表面を提供するために使用される炭化水素前駆物質でよい。コーティングは任意の重合された層になりえる。代表的な作業条件の下では、缶本体60の内部の表面の中の酸素含有量は、処理の開始の2分以内のXPSによって測定された場合、40~44Atから5~10Atにまで、減衰するのが見られる。プロセスの残りについては、電源は、DCバイアスモードに維持されるか、スイッチされ、改質された表面はプラズマ重合層で覆われる。プラズマ重合層は代わりに、前パワーモードを使用して被覆してよい。図3に示される配置で、アースされた缶本体60に位置したRF電極62では、缶が次第に覆われるにつれて、缶の有効な電気抵抗は増加する。その結果、コーティング厚さが増加するにつれて、アースされた缶に対する正常な電子経路は低減される。前パワー操作は、薬剤ディスペンサー装置のための缶本体のような、構成部分を覆うための従来技術のプラズマ重合プロセスの中で一般的に使用される。しかしながら、正常な前パワー操作の下では、処理が進むにつれて、電源からの電子放出が削減され、自己DCバイアスが低減し、そして、プラズマ強度は減衰し、その結果、その後の段階で、弱い多孔性のコーティングにつながる。対照的に、かなりの割合又はコーティングサイクルのすべてのためのDCバイアス制御の操作によって、DCバイアスは固定され、今度は一定のプラズマ密度を維持する一定の電子放出が維持される。これは、コーティングの横の範囲の点、及び、コーティングの深さの点の両方から、一定の沈着速度及び高品質の均一のコーティングを提供する。所要の厚さが得られるまで、コーティングのこの安定した比率は維持される。一般的に、所要の厚さは、15~200nmの範囲である。しかしながら、本発明はこの点に関して制限されない。重合中に、DCバイアスは、好ましくは50~500Vの範囲、さらに好ましくは50~350Vの範囲にある。プロセスの終わりに、コーティングのプラズマ重合のDCバイアス制御のさらなる利点に遭遇する。それは、1~7日のために蓄えられるコーティングされた構成部分のための従来技術において典型的であり、コーティング上の反応的な表面サイトが飽和させることを可能にされる。図3に関して記述されたプロセスで、電源及びDCバイアスモードのスイッチは単に切ることができ、ガスのモノマーの供給は、一般的に、5秒から10分の範囲、好ましくは、30秒から1分の範囲である期間の間その後流れることが可能になる、容量性の貯蔵所の中の電子が使い果たされるにつれて、プラズマの強度は徐々に減衰し、表面がきれいで脱イオン化されたモノマーで洗い流すまで、表面が、相対的により少数のイオン化された種を含むプラズマで洗い流すことを可能にする。効果は、続く休み時間の要求なしで、コーティングされた構成部分が、プラズマ反応槽64から取り出されることを可能にする反応しない種及びモノマーを有するコーティングを完了することである。処理される構成部分がアースされ、別のRF電極が使用される、図3に示される配置は、ポリマーコーティングを重合するプラズマのための好ましい配置である。さらに、配置は前の表面改質ステップに適する。表面改質ステップ及び続くプラズマ重合ステップの両方で同じ配置を使用する利点は、一連の作業の一部として2つのステップを実行できることである。表面改質ステップに対する前駆物質、及び、さらにプラズマコーティングステップのモノマーガスの両方として、ガスモノマーを使用することができるので、それは特に有利である。構成部分の表面が金属フッ化物部分に変換される場合には、前駆物質モノマーが、CF4、C2F6、C3F8、C4F8、HFA134a又はHFA224のうちの1つあることが好ましい。構成部分表面の変更は金属炭化物層を生成することが意図される場合には、前駆物質モノマーがメタン又はエタンであることが好ましいが、C5までの他のアルカン、アルケン及びアルキンが使用されてもよい。本発明によって処理された構成部分は、表面改質ステップに先立って前処理ステップにさらされてよい。酸素を利用する前処理ステップを使用することは、従来技術において一般的である。本発明者は、前処理ステップ、又は、他のところでの構成部分の処理で酸素の使用は、非常に不利であることを理解した。本発明者は、酸素の存在がポリマーコーティングの蓄積及び付着に不利益なことを見出した。例えば、プラズマ反応槽の壁及び他の部分に吸収された酸素は、コーティング及び又はモノマーを分離するために外に浸出することができ、それは、ポリマーに有害であり、処理時間を増加させる。したがって、いかなる前処理ステップも酸素を除外するべきである。特に有用な前処理ステップは、表面改質ステップに先立って構成部分を清掃するためにアルゴンプラズマを使用する。