"基板の上に六方晶系の窒化ホウ素からなる分離層を形成する工程と、前記分離層の上にアルミニウムを含む窒化物半導体からなる第1半導体層をc軸方向に結晶成長する工程と、c軸方向に結晶成長された窒化物半導体から構成されて主表面がIII族極性面とされた第2半導体層の主表面に、前記第1半導体層のIII族極性面を貼り合わせる工程と、前記第1半導体層と前記基板とを前記分離層で分離する工程とを少なくとも備えることを特徴とする半導体積層構造の製造方法。請求項1記載の半導体積層構造の製造方法において、基板の上に六方晶系の窒化ホウ素からなる分離層を形成する工程と、前記分離層の上にアルミニウムを含む窒化物半導体からなる第3半導体層をc軸方向に結晶成長する工程と、前記第3半導体層と前記基板とを前記分離層で分離する工程と、前記第2半導体層の主表面に貼り合わされた前記第1半導体層のN極性面に、前記第3半導体層の前記基板より剥離した側のN極性面を貼り合わせる工程とを少なくとも備えることと特徴とする半導体積層構造の製造方法。請求項1または2記載の半導体積層構造の製造方法において、前記結晶成長は、有機金属気相成長法により行うことを特徴とする半導体積層構造の製造方法。ところで、分極電界により誘起される2次元キャリアガスをチャネルとしているため、通常ノーマリーオンで動作するものとなる。ここで、窒化物半導体の特性を生かした電力応用を考えた場合、回路の信頼性向上のためにノーマリーオフ動作することが求められる。ところが、上述した特徴を有しているため、窒化物半導体を利用したトランジスタをノーマリーオフ動作させるためには、例えば、リセスゲート構造にするなどの複雑な製造プロセスが必要となる。また、窒化物半導体を、発光ダイオードLEDなどの発光素子に利用する場合、分極の存在による発光効率の低下という問題も生じる。上述した窒化物半導体の分極効果を回避するために、例えば、m面をはじめとする非極性面および半極性面へ結晶成長した窒化物半導体を利用する技術が提案されている非特許文献3参照。しかしながら、これらの非極性面、半極性面への窒化物半導体の結晶成長は容易ではなく、未だ研究室レベルを脱していないのが実情である。一方、C面の成長は容易であるが、分極が発生するため、これを回避するためには、隣接する層の分極の方向が異なるように各層を形成する必要がある。しかしながら、有機金属気相成長法などの一般的な結晶成長技術によるC面の成長では、窒化物半導体の層は、c軸方向にしか結晶成長せず、成長している表面はすべてIII族極性面となる。このため、製造が容易なC面の成長では、分極の発生を回避することができない。以上に説明したように、窒化物半導体の分極効果を抑制するなどの分極効果の状態を制御した状態で、窒化物半導体の層を積層することが容易ではないという問題があった。本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、一般的な結晶成長方法による窒化物半導体層の積層で、分極効果が制御できるようにすることを目的とする。本発明に係る半導体積層構造の製造方法は、基板の上に六方晶系の窒化ホウ素からなる分離層を形成する工程と、分離層の上にアルミニウムを含む窒化物半導体からなる第1半導体層をc軸方向に結晶成長する工程と、c軸方向に結晶成長された窒化物半導体から構成されて主表面がIII族極性面とされた第2半導体層の主表面に、第1半導体層のIII族極性面を貼り合わせる工程と、第1半導体層と基板とを分離層で分離する工程とを少なくとも備える。上記半導体積層構造の製造方法において、基板の上に六方晶系の窒化ホウ素からなる分離層を形成する工程と、分離層の上にアルミニウムを含む窒化物半導体からなる第3半導体層をc軸方向に結晶成長する工程と、第3半導体層と基板とを分離層で分離する工程と、第2半導体層の主表面に貼り合わされた第1半導体層のN極性面に、第3半導体層の基板より剥離した側のN極性面を貼り合わせる工程とを備えるようにしてもよい。なお、結晶成長は、有機金属気相成長法により行えばよい。以上説明したことにより、本発明によれば、一般的な結晶成長方法による窒化物半導体層の積層で、分極効果が制御できるようになるという優れた効果が得られる。以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図1A~図1Dは、本発明の実施の形態における半導体積層構造の製造方法を説明するための各工程における状態を示す断面図である。まず、図1Aに示すように、基板101の上に六方晶系の窒化ホウ素からなる分離層102を形成する。例えば、サファイアコランダム:Al2O3からなる基板101の上に、よく知られた有機金属気相成長法により、トリエチルボロンおよびアンモニアをソースガスとして窒化ホウ素を堆積させればよい。このとき、基板温度条件は1080°Cとすればよい。なお、分離層102の形成前に、基板101の表面を、有機金属気相成長装置の反応炉内の圧力を39999.6Pa300Torrとした水素ガス雰囲気で、基板温度を1080°Cに加熱することによるサーマルクリーニングを行っておくとよい。次に、図1Bに示すように、分離層102の上に、アルミニウムを含む窒化物半導体からなる第1半導体層103を結晶成長する。例えば、有機金属気相成長法により、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、およびアンモニアをソースガスとしてAlGaNを結晶成長することで、第1半導体層103が形成できる。この有機金属気相成長法によれば、窒化物半導体の第1半導体層103は、c軸方向に結晶成長し、成長している表面がIII族極性面103aとなる。なお、窒化物半導体の0001面であるc面がIII族極性面であり、これに対向する-c面がN極性面である。次に、図1Cに示すように、c軸方向に結晶成長された窒化物半導体から構成されて主表面がIII族極性面104aとされた第2半導体層104の主表面に、第1半導体層103のIII族極性面103aを貼り合わせる。例えば、第1半導体層103のIII族極性面103a、および第2半導体層104のIII族極性面104aに大気中でプラズマを照射してこれらの表面を活性化し、この状態で各々のIII族極性面を当接させ、所定の熱処理を加えることで貼り合わせることができる。なお、第2半導体層104は、例えば、サファイアなどの結晶基板不図示の上に、結晶成長することで形成されたものである。また、第2半導体層104は、アルミニウムを含んでいる必要はない。例えば、第2半導体層104は、GaN層であってもよい。次に、図1Dに示すように、第1半導体層103と基板101とを、分離層102で分離する。六方晶系の窒化ホウ素は、グラファイトと同様に、六角形の頂点にホウ素と窒素とが交互に配置されて構成された六角網面の層が積層された構造を有し、各層間は、弱いファンデルワールス力で結合されている。このため、六方晶系の窒化ホウ素は、機械加工が容易であり、分離層102で分離が可能である。例えば、第2半導体層104が形成されている結晶基板不図示を基板101側より引き離すことで、第1半導体層103と基板101とが、分離層102で容易に分離する。このように分離層102で分離することで、第1半導体層103と第2半導体層104とが積層した半導体積層構造が得られる。この半導体積層構造においては、第1半導体層103のIII族極性面103aと、第2半導体層104のIII族極性面104aとが向き合った状態で積層されるので、窒化物半導体における分極効果を打ち消すことが可能となる。また、この半導体積層構造を構成する各窒化物半導体の層は、c面方向へ結晶成長したものであり、よく用いられている有機金属気相成長法などにより容易に形成することができる。次に、分離層として用いた六方晶系の窒化ホウ素について説明する。六方晶系の窒化ホウ素は、よく知られているように、グラファイトと同様の結晶構造を有している。発明者らの鋭意研究の結果、六方晶系の窒化ホウ素の層の上には、GaNは層として結晶成長させることができないが、Alを含む窒化物半導体であれば、層膜として結晶成長させることができることを見いだした。六方晶系の窒化ホウ素は、例えばサファイア基板の上に結晶成長させることができ、このように形成した窒化ホウ素層の上に、AlGaNの層であれば形成できるので、窒化ホウ素層の上に、AlGaN層を形成すれば、この上にGaN層が形成できる。このようにして、窒化ホウ素層の上にAlGaN層を介して形成したGaNの層は、図2の写真に示すように、極めて平坦な表面状態で形成できる。なお、図2は、光学顕微鏡による観察結果である。また、この状態をX線回折分析すると、図3に示すように、GaN層の0002からの回折、およびAlGaN層の0002からの回折が、各々明瞭に観察された。GaN層のc軸格子定数は、0.5187nmであり、無歪みのGaNのc軸格子定数0.51855nmに近く、形成されたGaN層のc軸格子歪みは、0.0289と求められた。また、AlGaN層のc軸格子定数は、0.5154nmであり、Al016Ga084Nの組成となっていることがわかった。なお、AlGaNに限らず、AlNも六方晶系の窒化ホウ素の上に結晶成長できることがわかっている。発明者らの検討により、AlxGa1xN0.1≦x≦1であれば、六方晶系の窒化ホウ素の層の上に結晶成長できることが判明している。以上のことより、サファイア基板の上に、六方晶系の窒化ホウ素の層を形成し、この上にAlGaNなどのAlを含む窒化物半導体の層を介することで、結晶性のよいGaN層が結晶成長できることがわかる。上述したように、窒化ホウ素層およびAlGaN層を介してサファイア基板の上に形成したGaN層は、窒化ホウ素層の部分で、サファイア基板より容易に分離できる。例えば、剥離用基板を用意し、この剥離用基板に導電性両面粘着テープを用いてGaN層を貼り付ける。この状態では、サファイア基板、AlGaN層、GaN層、および剥離基板の順に積層された状態となっている。この状態より、サファイア基板の側より剥離基板を離間させると、AlGaN層,GaN層からなる積層構造が、窒化ホウ素層の部分でサファイア基板より分離する。前述したように、六方晶系の窒化ホウ素は、積層されている六角網面の各層間は、弱いファンデルワールス力で結合されており、この層間の結合力は、粘着テープの粘着力より弱い。このため、上述したようにすることで、上記積層構造は、窒化ホウ素層の部分でサファイア基板より容易に分離させることができる。このように分離して剥離基板の上に転写されたGaN層およびAlGaN層をX線回折分析すると、図4に示すように、転写前のX線回折同様に、GaN層の0002からの回折およびAlGaN層の0002からの回折が、各々明瞭に観測された。転写されたGaN層のc軸格子定数は、0.51855nmであり、無歪みのGaNのc軸格子定数0.51855nmに近く、転写することにより、GaN層は無歪みとなっていることがわかった。次に、剥離基板の上に転写されたGaN層のラマン散乱スペクトルを図5に示す。GaN層のE2モードが567cm1に明瞭に観測され、また、GaN層のA1モードが733cm1に明瞭に観測された。この結果は、無歪みのGaNのE2モード567cm1、A1モード733cm1とほぼ一致している。これらのことより、GaN層は、転写により無歪みとなることがわかった。次に、分離して剥離基板の上に転写されたGaN層およびAlGaN層のカソードルミネッセンススペクトルを図6に示す。カソードルミネッセンスの測定は、室温23°C程度で、加速電圧は10kVである。AlGaN層からの発光が、332nmに明瞭に観測され、またGaN層からの発光も、363nm付近に観測される。以上に説明したことから明らかなように、六方晶系の窒化ホウ素層およびこの上に結晶成長させることが可能なAlを含む窒化物半導体の層を利用することで形成したGaN層は、高品質な結晶性を保持した状態で、成長基板より分離させることができることがわかる。なお、分離のために用いた剥離基板は、サファイア基板を用いてもよく、また、ガラスなどの透明な絶縁性基板、シリコン、シリコンカーバイト、GaN、AlNなどの半導体基板、銅、銀などの高い熱伝導率を有する金属、プラスチック、紙などの折り曲げ可能な基板であってもよいことはいうまでもない。また、上述では、導電性両面粘着テープにより剥離基板に貼り付けるようにしたが、これに限るものではなく、金属シート、低温はんだ、また、導電性接着材を用いて剥離基板に貼り付けるようにしてもよい。例えば、金属シートや低温はんだを用いる場合、これら材料の融点近傍まで加熱することで、剥離基板に融着させることができる。ところで、前述した実施の形態の説明では、第1半導体層103と第2半導体層104とを貼り合わせる場合について説明したが、これに限るものではない。次に示すように、新たに、第3半導体層を、第1半導体層103に、互いのN極性面で貼り合わせるようにしてもよい。まず、図7Aに示すように、基板701の上に六方晶系の窒化ホウ素からなる分離層702を形成する。分離層702の形成は、前述した分離層102の形成と同様である。次に、分離層702の上に、アルミニウムを含む窒化物半導体からなる第3半導体層703を結晶成長する。例えば、有機金属気相成長法により、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、およびアンモニアをソースガスとしてAlGaNを結晶成長することで、第3半導体層703が形成できる。この有機金属気相成長法によれば、窒化物半導体の第3半導体層703は、c軸方向に結晶成長し、成長している表面がIII族極性面703aとなる。第3半導体層703についても、前述した第1半導体層103の形成と同様である。なお、第3半導体層703は、AlGaNに限らず、他のアルミニウムを含む窒化物半導体から構成してもよい。次に、図7Cに示すように、第3半導体層703と基板701とを、分離層702で分離する。前述したように、六方晶系の窒化ホウ素は、機械加工が容易であり、分離層702で分離が可能である。例えば、剥離用の基板不図示を第3半導体層703のIII族極性面703aに貼り付け、剥離用の基板を基板701側より引き離すことで、第3半導体層703と基板701とが、分離層702で容易に分離する。次に、上述したように第3半導体層703と基板701とを分離し、第3半導体層703に残る分離層702を除去した後、図7Dに示すように、第3半導体層703のN極性面703bを、前述したように作製した第2半導体層104に貼り合わされている第1半導体層103のN極性面103bに貼り合わせる。例えば、各々のN極性面に大気中でプラズマを照射してこれらの表面を活性化し、この状態で各々のN極性面を当接させ、所定の熱処理を加えることで貼り合わせることができる。この貼り合わせは、第3半導体層703が、前述した剥離用の基板不図示に貼り合わされている状態で行えばよい。以上のように第3半導体層703を第1半導体層103に貼り合わせることで、第2半導体層104,第1半導体層103,および第3半導体層703の積層構造は、III族極性面とN極性面とを交互に積層した状態となる。また、さらに、第3半導体層703のIII族極性面703aに、アルミニウムを含む窒化物半導体からなる第4半導体層704のIII族極性面704aを貼り合わせてもよい。この場合も、基板の上に六方晶系の窒化ホウ素からなる分離層を形成し、この上に第4半導体層704を結晶成長すればよい。また、例えば、前述した剥離用の基板を第3半導体層703より除去した後、第4半導体層704を貼り合わせる。このように貼り合わせれば、互いのIII族極性面で貼り合わされる。この後、第4半導体層704と基板とを分離層で分離すればよい。以上に説明したように、本発明によれば、III族極性面とN極性面とを交互に積層した半導体積層構造が、一般的な結晶成長方法により形成した窒化物半導体層により容易に製造できる。このため、目的とするデバイスに応じて所望とする分極面を使い分けて積層構造が形成できる。また、このようにIII族極性面とN極性面とを交互に積層することで、分極効果を打ち消すなど分極効果が制御できるようになる。例えば、各層の層厚,組成,組成比などにより、積層構造全体で分極がない状態とし、また、ある程度の分極が発生している状態とすることもできる。これらにより、例えば、異なる窒化物半導体層を積層したヘテロ接合界面に発生する2次元電子ガス濃度や、窒化物半導体層内に発生する内部電界の大きさを制御することが可能となる。なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。例えば、III族極性面とN極性面とを交互に積層する各層は、n型もしくはp型としてもよい。また、III族極性面の貼り合わせで形成した窒化物半導体層のN極性面の上に、新たに窒化物半導体を結晶成長エピタキシャル成長させるようにしてもよい。"