"オキシカルボン酸A、pH6.0における三価の鉄イオンに対するキレート安定度定数の対数値が7.0以上であって該オキシカルボン酸A以外のキレート剤B、及びアルカノールアミンCを必須成分として含有することを特徴とする磁気ディスク基板用洗浄剤。キレート剤BとアルカノールアミンCとの当量比[B]/[C]が0.1~5である請求項1記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。更に、アニオン性界面活性剤D1及び/又は非イオン性界面活性剤D2を含有する請求項1又は2記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。該アニオン性界面活性剤D1が高分子型アニオン性界面活性剤D11である請求項3記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。請求項1~4いずれか記載の磁気ディスク基板用洗浄剤を用いて洗浄した磁気ディスク基板。本発明の目的は、製造工程時に使用する装置から溶出する鉄イオンに代表される金属イオンに由来するパーティクルに対して優れた洗浄性を有するとともに、適度なエッチング性を有することで基板表面から脱離したパーティクルの分散性が良好であり、かつ再付着防止性に優れた磁気ディスク用基板洗浄剤を提供することにある。本発明者らは上記課題を解決する磁気ディスク基板用洗浄剤を得るべく鋭意検討した結果、本発明に到達した。すなわち本発明は、オキシカルボン酸A、pH6.0における三価の鉄イオンに対するキレート安定度定数の対数値が7.0以上であって該オキシカルボン酸以外のキレート剤B、及びアルカノールアミンCを必須成分として含有することを特徴とする磁気ディスク基板用洗浄剤である。本発明の洗浄剤は、磁気ディスクの製造工程において問題となる研磨剤や研磨屑などの微小なパーティクルの洗浄性にすぐれるとともに製造装置から溶出する鉄イオンに代表される金属イオン由来の微細なパーティクルの洗浄性に優れ、製造時の歩留まり向上や短時間かつ効率的な洗浄ができるという効果を有する。本発明の磁気ディスク基板用の洗浄剤は、オキシカルボン酸Aと、オキシカルボン酸の化学構造カルボキシル基と水酸基の両方を有するではないキレート剤B及びアルカノールアミンCの3成分を必須成分とし、このキレート剤BはpH6.0における三価の鉄イオンに対するキレート安定度定数の常用対数値が7.0以上であることを特徴とする。本発明の洗浄剤、またはこれを必要により水で希釈して得られる洗浄液は、磁気ディスク用基板の洗浄に好適に使用でき、磁気ディスク用アルミニウム基板及びガラス基板に好適に使用できる。本発明の洗浄剤は、オキシカルボン酸A、キレート剤B及びアルカノールアミンCを含有することで金属イオンに由来するパーティクルに対して優れた洗浄性を有するとともに、適度なエッチング性を有することで基板表面から脱離したパーティクルの分散性が良好であり、かつ再付着防止性に優れ効果を発揮することができる。本発明に用いられるオキシカルボン酸Aは、少なくとも1個の水酸基、及び少なくとも1個のカルボキシル基を分子内に有する化合物であり、乳酸、クエン酸、酒石酸、グルコン酸、サリチル酸、ヘプトン酸、リンゴ酸、没食子酸等;並びにこれらのアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アミン塩等である。磁気ディスク基板の製造装置等から溶出してくる鉄イオンは、水溶液中の水酸化物イオンと結合することで水酸化第一鉄を形成した後、水中の酸素と反応することで水酸化第二鉄として沈殿物を生じてしまう。オキシカルボン酸はこの水酸化第一鉄へ吸着することで水酸化第一鉄を安定化させ、水酸化第二鉄の析出を抑制することができる。この観点から使用時の洗浄液中のオキシカルボン酸Aの含有量は、0.0001重量~1重量である。好ましくは、0.0002重量~03重量、更に好ましくは0.0002重量~0.1重量である。本発明の洗浄剤は、キレート剤を含有することで平坦性を損ねることなく適度なエッチング性を有することで微細なパーティクルの再付着防止性に優れた効果を発揮することができる。なかでもpH6.0における三価の鉄イオンに対するキレート安定度定数の対数値が7.0以上であってオキシカルボン酸A以外の本発明のキレート剤Bを含有することにより、製造装置から溶出する金属イオン由来のパーティクルの再付着防止を抑制することができる。キレート効率の指標として一般的にキレート安定度定数の常用対数値が用いられ、この値が大きいほどキレート安定性は高いといえる。キレート安定度定数としては、以下の式で表される。[M]:金属イオン濃度、[L]:錯体濃度、[MLn]:キレート錯体n:金属イオンと反応する錯体の数キレート剤Bとしては三価の鉄イオンに対するキレート安定度定数の対数値が7.0以上のキレート剤であり、好ましくは9.0以上である。三価の鉄イオンに対するキレート安定度定数の対数値が小さすぎると、鉄イオンを充分に捕捉することができず、満足のいく安定性が得られない。なお、キレート安定度定数の対数値の上限値は特に制限されるものではないが、通常三価の鉄イオンでは30以下である。本発明に用いられるキレート剤Bとしては、pH6.0でキレート安定度定数の対数値が7.0以上のキレート剤のうち、カルボキシル基を分子内に含有するキレート剤B1、ホスホン酸基又はリン酸基を分子内に含有するキレート剤B2、その他のキレート剤B3が挙げられる。カルボキシル基を分子内に含有するキレート剤B1としては、エチレンジアミンテトラ酢酸EDTA塩、ジエチレントリアミンペンタ酢酸DTPA塩、1,2-ジアミノシクロヘキサンテトラ酢酸DCTA塩、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸TTHA塩、ニトリロ酸酢酸NTA塩、β-アラニンジ酢酸塩、アスパラギン酸ジ酢酸塩、メチルグリシンジ酢酸塩、イミノジコハク酸塩、セリンジ酢酸塩、アスパラギン酸塩及びグルタミン酸塩、ピロメリット酸塩、ベンゾポリカルボン酸塩、シクロペンタンテトラカルボン酸塩等、カルボキシメチルタルトロネート、カルボキシメチルオキシサクシネート、オキシジサクシネート、酒石酸モノサクシネート及び酒石酸ジサクシネート等、マレイン酸誘導体、シュウ酸塩、マロン酸塩、コハク酸塩、グルタル酸塩、アジピン酸塩等が挙げられる。ホスホン酸基又はリン酸基を分子内に含有するキレート剤B2としては、メチルジホスホン酸塩、アミノトリメチレンホスホン酸塩、1-ヒドロキシエチリデン-1、1-ジホスホン酸塩HEDP、ニトリロトリスメチレンホスホン酸塩NTMP、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸塩、ヘキサメチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸塩、プロピレンジアミンテトラメチレンホスホン酸塩、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸塩、トリエチレンテトラミンヘキサメチレンホスホン酸塩、トリアミノトリエチルアミンヘキサメチレンホスホン酸塩、トランス-1、2-シクロヘキサンジアミンテトラメチレンホスホン酸塩、グリコールエーテルジアミンテトラメチレンホスホン酸塩及びテトラエチレンペンタミンヘプタメチレンホスホン酸塩、メタリン酸塩、ピロリン酸塩、トリポリリン酸塩及びヘキサメタリン酸塩等その他のキレート剤B3としては、フッ酸塩、N,N’-ビスサリチリデン-1,2-エタンジアミン、N,N’-ビスサリチリデン-1,2-プロパンジアミン、N,N’-ビスサリチリデン-1,3-プロパンジアミン及びN,N’-ビスサリチリデン-1,4-ブタンジアミン等が挙げられる。キレート剤Bが塩を形成する場合、その塩としては、特に限定は無い。例えば、上記に例示した酸の1級アミンメチルアミン、エチルアミン及びブチルアミン等のアルキルアミン、モノエタノールアミン並びにグアニジン等塩;2級アミンジメチルアミン、ジエチルアミン及びジブチルアミン等のジアルキルアミン並びにジエタノールアミン等塩;3級アミン{トリメチルアミン、トリエチルアミン及びトリブチルアミン等のトリアルキルアミン、トリエタノールアミン、N-メチルジエタノールアミン並びに1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等}塩;アミジン{1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン以下、DBUと略記、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネン、1H-イミダゾール、2-メチル-1H-イミダゾール、2-エチル-1H-イミダゾール、4,5-ジヒドロ-1H-イミダゾール、2-メチル-4,5-ジヒドロ-1H-イミダゾール、1,4,5,6-テトラヒドロ-ピリミジン、1,64-ジヒドロピリミジン等}塩、アルカリ金属ナトリウムカチオン及びカリウムカチオン等塩、アンモニウム塩及び第4級アンモニウムテトラアルキルアンモニウム等塩が挙げられる。また、これらは単独で使用しても、2種以上を併用してもよい。キレート剤Bのうちで、パーティクル除去性の観点から好ましいのは、エチレンジアミンテトラ酢酸EDTA[18.9]、ジエチレントリアミンペンタ酢酸DTPA[21.5]、ニトリロ酸酢酸NTA[14.3]、ニトリロトリスメチレンホスホン酸NTMP[7.46]、1-ヒドロキシエチリデン-1、1-ジホスホン酸HEDP[9.79]、ピロリン酸[19.4]、N,N’-ビスサリチリデン-1,2-エタンジアミン[10.0以上]等;及びこれらの塩である。なお、[]内にpH6.0での三価の鉄イオンとのキレート安定度定数の対数値{ComplexationinAnalyticalChemistry1963AndersRingbom著、又はキレスト社カタログ値}を示した。更に好ましいのは、エチレンジアミンテトラ酢酸EDTA、ジエチレントリアミンペンタ酢酸DTPA、ニトリロ酸酢酸NTA、1-ヒドロキシエチリデン-1、1-ジホスホン酸HEDP及びこれらの塩である。本発明において、キレート剤Bは、pH6.0における三価の鉄イオンに対する安定度定数の対数値が7.0以上のキレート剤を併用することで装置由来の金属イオンの再析出防止に優れ、基板のエッチング性コントロール及び洗浄性能を発揮することができる。この観点から、使用時の洗浄液中のキレート剤Bの含有量は0.01重量~2重量である。好ましくは、0.02重量~1重量、更に好ましくは0.04重量~0.5重量である。また、洗浄性の観点からオキシカルボン酸Aとキレート剤Bを、A/Bの重量比で0.005~3.0含有することが好ましい。0.005未満では、装置から溶出する金属イオン由来のパーティクルの再析出が起こりやすい。一方、3.0を超える場合は、オキシカルボン酸が過剰であり、研磨剤由来のパーティクルの洗浄性が劣る傾向にある。本発明に用いられるアルカノールアミンCとしては、炭素数2~6の脂肪族アルカノールアミン[モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、ジエチルアミノエタノール、N-メチル-ジエタノールアミン、モノ-n-プロパノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジ-n-プロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリ-n-プロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、2-アミノ-2-メチル-1-プロパノール、及びN-アミノエチルエタノールアミン等]が挙げられる。原理は明確ではないが、アルカノールアミンCを添加することにより、水酸化第一鉄を安定化させ、水酸化鉄の析出を抑制する事ができるため、微細なパーティクルの洗浄性に優れる。特に、オキシカルボン酸A、キレート剤B及びアルカノールアミンCを併用することで、再析出防止性に大きな効果が発揮される。この観点から、使用時の洗浄液中のアルカノールアミンCの含有量は0.01重量~2重量である。好ましくは、0.02重量~1重量、更に好ましくは0.04重量~0.5重量である。キレート剤Bの当量に対するアルカノールアミンCの当量比率[B]/[C]は、再析出防止性の観点から好ましくは0.1~5であり、更に好ましくは、0.2~3である。アルカノールアミンは中和塩の状態になっていないことが洗浄性の観点から好ましく、洗浄剤を調製する際には、オキシカルボン酸やキレート剤Bの中和には後述するpH調整剤Eを用い、最後にアルカノールアミンを配合することが好ましい。本発明の洗浄剤は、オキシカルボン酸A、キレート剤B、及びアルカノールアミンCを必須成分とするが、これらにさらに界面活性剤Dを含有することで、平坦性を損ねることなく微細なパーティクルの再付着防止性に優れた効果を発揮することができる。このような目的で併用する界面活性剤Dとしては、アニオン性界面活性剤D1、非イオン性界面活性剤D2カチオン性界面活性剤D3及び両性界面活性剤D4が挙げられる。アニオン性界面活性剤D1としては、高分子型アニオン性界面活性剤D11、スルホン酸系界面活性剤D12、硫酸エステル系界面活性剤D13、脂肪酸系界面活性剤D14及びリン酸エステル系界面活性剤D15等が挙げられる。高分子型アニオン性界面活性剤D11としては、スルホン酸塩基、硫酸エステル塩基、ホスホン酸塩基、リン酸エステル塩基及びカルボン酸塩基からなる群から選ばれる少なくとも1種の基を有し、300~800,000の重量平均分子量以下、Mwと略記する。を有する高分子型アニオン性界面活性剤が挙げられる。なお、本発明におけるMwは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって、ポリエチレンオキサイドを基準物質として40°Cで測定される。[例えば、装置本体:HLC-8120東ソー株式会社製、カラム:東ソー株式会社製TSKgelα6000、G3000PWXL、検出器:装置本体内蔵の示差屈折計検出器、溶離液:0.5酢酸ソーダ水/メタノール体積比70/30、溶離液流量:1.0ml/分、カラム温度:40°C、試料:0.25の溶離液溶液、注入量:200μl、標準物質:東ソー株製TSKSTANDARDPOLYETHYLENEOXIDE、データ処理ソフト:GPC-8020modelII東ソー株式会社製]。高分子型アニオン性界面活性剤は、通常、1分子中に少なくとも2個の繰り返し単位を有する。高分子型アニオン性界面活性剤D11の具体例としては、以下のD111~D115が挙げられる。スルホン酸塩基を有する高分子型アニオン性界面活性剤D111:ポリスチレンスルホン酸、スチレン/スチレンスルホン酸共重合体、ポリ{2-メタアクリロイルアミノ-2,2-ジメチルエタンスルホン酸}、2-メタアクリロイルアミノ-2,2-ジメチルエタンスルホン酸/スチレン共重合体、2-メタアクリロイルアミノ-2,2-ジメチルエタンスルホン酸/アクリルアミド共重合体、2-メタアクリロイルアミノ-2,2-ジメチルエタンスルホン酸/メタアクリル酸共重合体、2-メタアクリロイルアミノ-2,2-ジメチルエタンスルホン酸/メタアクリル酸/アクリルアミド共重合体、2-メタアクリロイルアミノ-2,2-ジメチルエタンスルホン酸/スチレン/アクリルアミド共重合体、2-メタアクリロイルアミノ-2,2-ジメチルエタンスルホン酸/スチレン/メタアクリル酸共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアニリンスルホン酸-フェノール-ホルムアルデヒド縮合物等並びにこれらの塩等硫酸エステル塩基を有する高分子型アニオン性界面活性剤D112:ポリ{2-ヒドロキシエチルメタアクリレート硫酸エステル}、2-ヒドロキシエチルメタアクリレート/2-ヒドロキシエチルメタアクリレート硫酸エステル共重合体、ポリ{2-ヒドロキシエチルメタアクリレート}の硫酸エステル化物、ポリ{メタアクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル}、メタアクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル/アクリル酸共重合体及びセルロース、メチルセルロース又はエチルセルロースの硫酸エステル化物等並びにこれらの塩等ホスホン酸塩基を有する高分子型アニオン性界面活性剤D113:ポリ{メタアクリロイルオキシエチルホスホン酸}、2-ヒドロキシエチルメタアクリレート/メタアクリロイルオキシエチルホスホン酸共重合体、ナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアニリンホスホン酸-フェノール-ホルムアルデヒド縮合物、ポリエチレンイミンポリメチレンホスホン酸及びポリアリルアミンポリメチレンホスホン酸等並びにこれらの塩等リン酸エステル塩基を有する高分子型アニオン性界面活性剤D114:ポリ{2-ヒドロキシエチルメタアクリレートリン酸エステル}、2-ヒドロキシエチルメタアクリレート/2-ヒドロキシエチルメタアクリレートリン酸エステル共重合体、ポリ{2-ヒドロキシエチルメタアクリレート}のリン酸エステル化物、ポリ{メタアクリロイルオキシポリオキシアルキレンリン酸エステル}、メタアクリロイルオキシポリオキシアルキレンリン酸エステル/アクリル酸共重合体及びセルロース、メチルセルロース又はエチルセルロースのリン酸エステル化物並びにこれらの塩等カルボン酸塩基を有する高分子型アニオン性界面活性剤D115:ポリメタアクリル酸、メタアクリル酸-マレイン酸共重合体、メタアクリル酸-イタコン酸共重合体、メタアクリル酸-フマル酸共重合体、メタアクリル酸/酢酸ビニル共重合体及び2-ヒドロキシエチルメタクリレート/メタアクリル酸共重合体、ポリ{2-ヒドロキシエチルメタアクリレート}のカルボキシメチル化物、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルメチルセルロース、カルボキシメチルエチルセルロース、安息香酸ホルムアルデヒド縮合物、安息香酸-フェノール-ホルムアルデヒド縮合物及びこれらの塩等高分子型アニオン性界面活性剤D11が塩を形成する場合の塩としては、特に限定は無いが、例えば、上記のキレート剤Bで例示した対カチオンとの塩が挙げられる。これらの塩の中で、基板への金属汚染防止の観点から、好ましいのは1級アミン塩、2級アミン塩、3級アミン塩、アミジン塩、アンモニウム塩及び第4級アンモニウム塩であり、特に好ましいのは3級アミン塩、アミジン塩及び第4級アンモニウム塩である。高分子型アニオン性界面活性剤D11のMwは、パーティクルの再付着防止性及び低泡性の観点等から、通常300~800,000、好ましくは600~400,000、更に好ましくは1,000~80,000、特に好ましくは2,000~40,000である。アニオン性界面活性剤の内のスルホン酸系界面活性剤D12としては、炭素数6~24のアルコールのスルホコハク酸モノ又はジエステル塩、炭素数8~24のα-オレフィンのスルホン酸化物塩、炭素数8~14のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸塩及び石油スルホネート塩等が挙げられる。硫酸エステル系界面活性剤D13としては、炭素数8~18の脂肪族アルコールの硫酸エステル塩、炭素数8~18の脂肪族アルコールのAO1~10モル付加物の硫酸エステル塩、硫酸化油塩、硫酸化脂肪酸エステル塩及び硫酸化オレフィン塩等が挙げられる。脂肪酸系界面活性剤D14としては、炭素数8~18の脂肪酸塩及び炭素数8~18の脂肪族アルコールのエーテルカルボン酸塩等が挙げられる。リン酸エステル系界面活性剤D15としては、炭素数8~24の高級アルコールの燐酸モノ又はジエステル塩及び炭素数8~24の高級アルコールのAO付加物の燐酸モノ又はジエステル塩等が挙げられる。D12、D13、D14及びD15が塩を形成する場合の対イオンとしては、特に限定は無いが、例えば、上記のキレート剤Bで例示したカチオンが挙げられる。アニオン性界面活性剤D1の内、好ましいのは、再付着防止性の観点から高分子型アニオン性界面活性剤D11である。高分子型アニオン性界面活性剤D11を使用する場合は、必要によりさらにスルホン酸系界面活性剤D12、硫酸エステル系界面活性剤D13及び脂肪酸系界面活性剤D14から選ばれる1種以上を併用してもよい。本発明の洗浄剤に用いる非イオン性界面活性剤D2としては、アルキレンオキサイド付加型非イオン性界面活性剤D21及び多価アルコール型非イオン界面活性剤D22等が挙げられる。カチオン性界面活性剤D3としては、4級アンモニウム塩型の界面活性剤、アミン系界面活性剤等が挙げられる。両性界面活性剤D4としては、ベタイン型両性界面活性剤、アミノ酸型両性界面活性剤、アミノスルホン酸塩型両性界面活性剤等が挙げられる。界面活性剤Dのうち、パーティクルの再付着防止性の観点から好ましいのは、アニオン性界面活性剤D1、非イオン性界面活性剤D2及びD1とD2の併用であり、更に好ましいのは高分子型アニオン性界面活性剤D11である。使用時の洗浄液中の界面活性剤Dの含有量は1重量以下である。好ましくは、0.3重量以下、更に好ましくは0.1重量以下である。本洗浄剤は、洗浄剤の効果を損なわない範囲において、さらにpH調整剤E、分散剤F、3価以上の多価アルコールG、水溶性有機溶剤H、その他の添加剤の成分を含有することができる。本発明の洗浄剤を水を除く配合組成物の濃度を0.01~15重量になるように希釈水で調整した場合の25°CでのpHは、洗浄性の観点から通常は8.5~14.0であり、好ましくは8.5~13.5、更に好ましくは8.5~13.0である。pHがこの範囲にあると、基板の平坦性を損ねることなく、適度なエッチング性を有し、また微細なパーティクルの再付着防止性に優れた効果を発揮し易くなる。このようなpH調整剤Eとしては、アルカノールアミンC以外の有機アルカリE1および無機アルカリE2が挙げられる。有機アルカリE1としては、第4級アンモニウム塩[テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド以下、TMAHと略記、トリメチルエチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロキサイド、トリエチルメチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラプロピルアンモニウムハイドロキサイド、テトラブチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラペンチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラヘキシルアンモニウムハイドロキサイド等];炭素数1~8のアルキル基を有する1~3級のアルキルアミン[メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン等];炭素数2~6のアルキレン基を1個以上有するポリアルキレンポリアミン[エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン等];環式アミジン化合物1,8-ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデセン-7、1,6-ジアザビシクロ[4,3,0]ノネン-5等等が挙げられる。無機アルカリE2としては、アンモニア、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウム等が挙げられる。pH調整剤Eのうち、洗浄性の観点から、第4級アンモニウム塩、及び無機アルカリが好ましく、更に好ましいのは、TMAH、トリメチルエチルアンモニウムハイドロキサイド、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム及びこれらの併用である。pH調整剤Eを含有する場合、洗浄性の観点等から、使用時の洗浄液中の含有量は0.01重量~3重量である。好ましくは、0.05重量~1重量、更に好ましくは0.1重量~0.7重量である。分散剤Fとしては、従来から微粒子の分散剤として使用されているもの、多糖類及びその誘導体ヒドロキシエチルセルロース、カチオン化セルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、グァーガム、カチオン化グァーガム、キサンタンガム、アルギン酸塩、カチオン化デンプン等;ポバール等が挙げられる。なお前記D11も分散剤としての効果を有する。本発明の洗浄剤は、3価以上の多価アルコールGを含有することにより基板の腐食を防止する効果が向上する。3価以上の多価アルコールGとしては、脂肪族多価アルコール、脂肪族多価アルコールの脱水縮合物、糖類、糖アルコール、トリスフェノール、これらのアルキレンオキシド炭素数2~4付加物付加モル数1~7モル等が挙げられる。本発明の洗浄剤は、水溶性有機溶剤Hを含有することにより洗浄剤中の成分が基板表面に残留することを防止することで洗浄性が更に向上する。水溶性有機溶剤Hとしては、20°Cにおける水に対する溶解度g/100gH2Oが3以上、好ましくは10以上の有機溶剤が挙げられる。一価アルコール、多価アルコール、アルコール以外の水溶性有機溶媒が挙げられる。本発明の洗浄剤は、その他の添加剤として、酸化防止剤[フェノール系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤等];防錆剤[ベンゾトリアゾール等];緩衝剤[有機酸、無機酸及びこれらの塩等];消泡剤[シリコーン消泡剤等];防腐剤[トリアジン誘導体、イソチアゾリン誘導体等]、ハイドロトロープ剤[トルエンスルホン酸塩、キシレンスルホン酸塩等]等を適宜添加することができる。本発明の洗浄剤の水を除く組成物の含量は、運搬効率の観点からは、通常は洗浄剤全量に対して、0.1~100重量であり、好ましくは0.2~90重量、更に好ましくは0.5~70重量、特に好ましくは1.0~50重量である。また、本発明の電子材料用洗浄剤に使用される水としては、超純水、NiP基板のエッチング性[Niイオン含量ppb]を評価した。その結果を表1に示す。また、実施例8~15および比較例7~12の洗浄剤は、超純水で20倍希釈して性能評価のための洗浄液とし、以下の方法で、pH、水酸化鉄再析出防止性洗浄性-4、シリカ洗浄性洗浄性-5、酸化セリウムの洗浄性洗浄性-6、ガラス基板のエッチング性[Si含量ppb]を評価した。その結果を表2に示す。<pHの測定方法>洗浄液のpHを25°CでpHメーター東亜ディーケーケー社製HM-30Rで測定した。<水酸化第二鉄の再析出防止性洗浄性-1の評価方法>硫酸第一鉄一水和物3.0gをイオン交換水17gで溶解させ、5Feイオン水溶液を撹拌しながら80mg添加した。Feイオン水溶液を添加する前のpHになるように水酸化ナトリウム水溶液で調製した後、25°Cで1時間静置し、液の外観を観察した。1時間静置後、混合液を観察し、固形物の析出がないか目視で確認した。固形物が析出する場合は沈殿が見られる。固形物の析出がない場合は、80mgの5Feイオン水溶液を追加し1時間静置後に同様に観察した。固形物の析出が見られるまで上記操作を繰り返し、固形物の析出が見られた重量mgを、再析出防止性として下記評価基準で評価した。水酸化第二鉄の再析出防止性の評価基準4:320mg添加で析出あり3:240mg添加で析出あり2:160mg添加で析出あり1:80mg添加で析出あり<シリカの洗浄性洗浄性-2の評価方法>研磨剤として市販のコロイダルシリカスラリー粒径約30nm100部及び発泡ウレタン製の研磨シートを用いて、3.5インチのNi-Pメッキされた磁気ディスク用基板を研磨した。超純水で表面をすすぎ、窒素でブローして乾燥させることにより、試験用の汚染基板を作製した。実施例1~7および比較例1~6の洗浄液1,000gを1Lガラス製ビーカーにとり、作製した汚染基板を浸漬し、超音波洗浄機200kHz内で、30°C、5分間洗浄を行った。洗浄後、基板を取り出し、超純水で再び1分間リンスを行った後、窒素ガスでブローして乾燥し、アルミ基板表面を表面検査装置ビジョンサイテック社製Micro-MaxVMX-6100で観察し、パーティクル付着数を数えた。また、洗浄液の代わりにブランクとして超純水で同様に試験した。その際のブランクのパーティクル付着数は350個であった。以下の評価基準で洗浄性試験を評価し、評価結果を表1に示した。なお、本評価は大気からの汚染を防ぐため、クラス1,000HED-STD-209D、米国連邦規格、1988年のクリーンルーム内で実施した。洗浄性試験の評価基準5:パーティクル付着数がブランクの1/100未満4:パーティクル付着数がブランクの1/100~1/203:パーティクル付着数がブランクの1/20~1/52:パーティクル付着数がブランクの1/5~1/21:パーティクル付着数がブランクの1/2以上<アルミナの洗浄性洗浄性-3の評価方法>洗浄性-2の評価方法において、研磨剤としてコロイダルシリカスラリーを市販のアルミナスラリーフジミインコーポレーティド社製、CEPOL-120に変更した以外は洗浄性-2と同様にして評価した。<NiP基板のエッチング性>50mlのポリプロピレン製容器に実施例1~7および比較例1~6の洗浄液10gをとり、23°Cに温調した後、NiPニッケルリンめっき基板を入れ、20分静置した。試験溶液を2ml採取し、ICP発光分析装置VARIAN社製、Varian730-ESで洗浄剤中のNiイオン含量を測定した。なお、予め試験前の洗浄液についても同様にNiイオン含量を測定しておき、その差を求めることで試験溶液中に溶出したNiイオン含量ppbを求めた。この溶出したNiイオン含量が多いほど、エッチング性は高い。<水酸化第二鉄の再析出防止性洗浄性-4の評価方法>洗浄性-1の評価方法において、洗浄液を実施例8~15および比較例7~12の洗浄液に変更した以外は洗浄性-1と同様にして評価した。判定基準も洗浄性-1と同様である。<シリカの洗浄性洗浄性-5の評価方法>洗浄性-2の評価方法において、基板を3.5インチのNi-Pメッキされた磁気ディスク基板を2.5インチの磁気ディスク用ガラス基板に変更し洗浄液を実施例8~15および比較例7~12の洗浄液に変更した以外は洗浄性-2と同様にして評価した。<酸化セリウムの洗浄性洗浄性-6の評価方法>洗浄性-5の評価方法において、研磨剤としてコロイダルシリカスラリーを市販の酸化セリウムフジミインコーポレーティド社製、CEPOL-120に変更し洗浄液を実施例8~15および比較例7~12の洗浄液に変更した以外は洗浄性-5と同様にして評価した。<ガラス基板のエッチング性>50mlのポリプロピレン製容器に実施例8~15および比較例7~12の洗浄液10gをとり、23°Cに温調した後、ガラス基板を入れ、20分静置した。試験溶液を2ml採取し、ICP発光分析装置VARIAN社製、Varian730-ESで洗浄剤中のSiイオン含量を測定した。なお、予め試験前の洗浄液についても同様にSiイオン含量を測定しておき、その差を求めることで試験溶液中に溶出したSiイオン含量ppbを求めた。この溶出したSiイオン含量が多いほど、エッチング性は高い。表1、2で明らかなように、本発明のオキシカルボン酸A、キレート剤B及びアルカノールアミンCを含有する実施例1~15はいずれも、装置から溶出する金属イオン等に由来するパーティクルの洗浄性が優れていることがわかる。一方、オキシカルボン酸A、キレート剤B、及びアルカノールアミンCを併用しない比較例1、2、4~8、10~12は、装置から溶出する金属イオン等に由来するパーティクルの再析出防止性が十分でない。またpH6.0における三価の鉄イオンに対する安定度定数の対数値が7.0よりも小さい比較例3、9は鉄イオン由来パーティクルの洗浄性が劣る。"