"マグネシウムを含むアノード、マグネシウム参照に対する少なくとも3.2Vの電圧に対して安定であるカソード、及び、電解質、を含む、電気化学デバイスであって、該電解質は電気化学活性塩を含み、該電気化学活性塩は、式I:RMgXI、式II:R2MgII、またはそれらの混合物のマグネシウム塩を、式III:AlX3III、式IV:AlRX2IV、またはそれらの混合物のアルミニウム化合物とエーテル溶剤中で混合すること上式中、RはC1~C10アルキル、場合により置換されているフェニル、NR2、又はORであり、RはC1~C10アルキル、場合により置換されているフェニル、ポリ芳香族基、又はSiR3であり、Rは独立にC1~C10アルキル又は場合により置換されているフェニルであり、XはF、Cl、Br、又はIである、並びに形成された電気化学活性塩をエーテル溶剤混合物から分離すること、により得られる、電気化学デバイス。形成された活性塩が、式V:[Mg2X3]Vのマグネシウムイオンダイマーを含む溶媒和カチオン種を含む、請求項1記載の電気化学デバイス。XがClである、請求項1記載の電気化学デバイス。前記エーテル溶剤は、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、及びビス2-メトキシエチルエーテルからなる群より選ばれる、請求項1記載の電気化学デバイス。Rは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、及びフェニルからなる群より選ばれる少なくとも1つである、請求項1記載の電気化学デバイス。前記エーテル溶剤はテトラヒドロフランである、請求項4記載の電気化学デバイス。式Vのマグネシウムダイマーと結合するアニオンは式VI:[AlClbR]VI上式中、RはC1~C6アルキル、場合により置換されているフェニル、NR2、又はORであり、RはC1~C6アルキル、場合により置換されているフェニル、又はSiR3であり、Rは独立にC1~C6アルキル又は場合により置換されているフェニルであり、XはF、Cl、Br、又はIであり、bは1、2又は3であるで表される、請求項2記載の電気化学デバイス。式I、式II、又はそれらの混合物のマグネシウム塩と、式III、式IV、又はそれらの混合物のアルミニウム化合物とのエーテル溶剤中の混合物は、式I、式II、又はそれらの混合物のマグネシウム塩/式III、式IV、又はそれらの混合物のアルミニウム化合物が3/2~5/1のモル比で構成されている、請求項1記載の電気化学デバイス。XはClであり、前記エーテル溶剤はテトラヒドロフランであり、そして形成された電気化学活性塩は式VII:[Mg2Cl36C4H8O][AlClbR]VII上式中、R及びbは請求項7に規定されるとおりであるで表される、請求項7記載の電気化学デバイス。マグネシウム参照に対する少なくとも3.2Vの電圧に対して安定である前記カソードは硫黄を含む、請求項1記載の電気化学デバイス。前記硫黄を含むカソードが元素硫黄を含む、請求項10記載の電気化学デバイス。前記元素硫黄を含むカソードが、微細分割された炭素をさらに含む、請求項11記載の電気化学デバイス。マグネシウムを含むアノード、硫黄を含むカソード、及び、式V:[Mg2X3]V上式中、XはF、Cl、Br、又はIであるの溶媒和マグネシウムイオンダイマーを含む電解質、を含む、電気化学デバイス。XがClである、請求項13記載の電気化学デバイス。式Vのマグネシウムダイマーと結合するアニオンは式VI[AlClbR]VI上式中、RはC1~C10アルキル、場合により置換されているフェニル、NR2、又はORであり、RはC1~C10アルキル、場合により置換されているフェニル、又はSiR3であり、Rは独立にC1~C10アルキル又は場合により置換されているフェニルであり、XはF、Cl、Br、又はIであり、bは1、2又は3であるで表される、請求項13記載の電気化学デバイス。マグネシウムを含むアノード、硫黄を含むカソード、及び、電解質、を含む、電気化学デバイスであって、該電解質は電気化学活性塩を含み、該電気化学活性塩は、式I:RMgXI、式II:R2MgII、またはそれらの混合物のマグネシウム塩を、式III:AlX3III、式IV:AlRX2IV、またはそれらの混合物のアルミニウム化合物とエーテル溶剤中で混合すること上式中、RはC1~C10アルキル、場合により置換されているフェニル、NR2、又はORであり、RはC1~C10アルキル、場合により置換されているフェニル、又はSiR3であり、Rは独立にC1~C10アルキル又は場合により置換されているフェニルであり、XはF、Cl、Br、又はIである、並びに形成された電気化学活性塩をエーテル溶剤混合物から分離すること、並びに場合により、分離された塩を溶剤で洗浄するか、分離された塩を再結晶化するか、又は分離された塩を洗浄及び再結晶化すること、及び、分離された電気化学活性塩であって、場合により、洗浄されるか、再結晶化されるか、又は洗浄及び再結晶化されたものを、新鮮なエーテル溶剤中に溶解させること、により得られる、電気化学デバイス。Rは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、及びフェニルからなる群より選ばれる少なくとも1つである、請求項16記載の電気化学デバイス。前記エーテル溶剤はテトラヒドロフランである、請求項16記載の電気化学デバイス。式I、式II、又はそれらの混合物のマグネシウム塩と、式III、式IV、又はそれらの混合物のアルミニウム化合物とのエーテル溶剤中の混合物は、式I、式II、又はそれらの混合物のマグネシウム塩/式III、式IV、又はそれらの混合物のアルミニウム化合物が3/2~5/1のモル比で構成されている、請求項16記載の電気化学デバイス。マグネシウムを含むアノード及びマグネシウム参照に対する少なくとも3.2Vの電圧に対して安定であるカソードを外部導電性構造により接続すること、並びに、前記アノード及びカソードと電気化学活性塩を含む電解質とを接触させること、を含む電気化学デバイスの調製方法であって、前記電気化学活性塩が、式I:RMgXI式II:R2MgII、またはそれらの混合物のマグネシウム塩を、式III:AlX3III、式IV:AlRX2IV、またはそれらの混合物のアルミニウム化合物とエーテル溶剤中で混合すること上式中、RはC1~C10アルキル、場合により置換されているフェニル、NR2、又はORであり、RはC1~C10アルキル、場合により置換されているフェニル、又はSiR3であり、Rは独立にC1~C10アルキル又は場合により置換されているフェニルであり、XはF、Cl、Br、又はIである、並びに形成された電気化学活性塩をエーテル溶剤混合物から分離すること、により得られる、電気化学デバイスの調製方法。マグネシウム参照に対する少なくとも3.2Vの電圧に対して安定である前記カソードが硫黄を含む、請求項20記載の方法。前記電解質が、式V:[Mg2X3]V上式中、XはF、Cl、Br、又はIであるのマグネシウムイオンダイマーを含む、請求項20記載の方法。XがClである、請求項22記載の方法。上記の書類のいずれも、マグネシウムを含むアノード、硫黄を含むカソード、及び、Mgイオン輸送のために効果的であり、Mg含有活性材料電極及び硫黄含有活性材料電極の両方に適合性である安定でかつ安全な電解質系を有する実用機能性電気化学デバイスを開示していない。本発明の1つの目的は、性能上適切であり、製造が容易であり、安全かつコスト効率がよく、このため、商用バッテリーにおける使用に適切である、マグネシウムアノードを有する電気化学デバイスのための電解質系を提供することである。本発明の第二の目的は、製造環境において安定で、安全でそして取り扱いが容易である、マグネシウムアノード及び硫黄を含むカソードを有する電気化学デバイスのための電解質系を提供することである。本発明の第三の目的は、優れた性能、低コストを有し、製造及び取り扱いが安全であるマグネシウム硫黄バッテリーを提供することである。本発明の第四の目的は、安定で、安全で、取り扱いが容易である、活性材料としてマグネシウムを含むアノード及び適合性の高性能非水電解質系を有する電気化学デバイスの製造方法を提供することである。この目的及びその他の目的は、個々に又はその組み合わせで、本発明により達成され、その第一の実施形態として下記のものが挙げられる。マグネシウムを含むアノード、マグネシウム参照に対する少なくとも3.2Vの電圧に対して安定であるカソード、及び、電解質、を含み、その電解質は電気化学活性塩を含み、その電気化学活性塩は、式I:RMgXI式II:R2MgII、またはそれらの混合物のマグネシウム塩を、式III:AlX3III、式IV:AlRX2IV、またはそれらの混合物のアルミニウム化合物とエーテル溶剤中で混合すること上式中、RはC1~C10アルキル、場合により置換されているフェニル、NR2、又はORであり、RはC1~C10アルキル、場合により置換されているフェニル、ポリ芳香族基、又はSiR3であり、Rは独立にC1~C10アルキル又は場合により置換されているフェニルであり、XはF、Cl、Br又はIである、並びに形成された電気化学活性塩をエーテル溶剤混合物から分離すること、により得られる、電気化学デバイス。本発明の第二の実施形態は下記の電気化学デバイスを提供する。マグネシウムを含むアノード、硫黄を含むカソード、及び、式V:[Mg2X3]V上式中、XはF、Cl、Br又はIであるの溶媒和マグネシウムイオンダイマーを含む電解質、を含む、電気化学デバイス。本発明の第三の実施形態は下記の電気化学デバイスを提供する。マグネシウムを含むアノード、硫黄を含むカソード、及び、電解質、を含み、その電解質は電気化学活性塩を含み、その電気化学活性塩は、式I:RMgXI、式II:R2MgII、またはそれらの混合物のマグネシウム塩を、式III:AlX3III、式IV:AlRX2IV、またはそれらの混合物のアルミニウム化合物とエーテル溶剤中で混合すること上式中、RはC1~C10アルキル、場合により置換されているフェニル、NR2、又はORであり、RはC1~C10アルキル、場合により置換されているフェニル、又はSiR3であり、Rは独立にC1~C10アルキル又は場合により置換されているフェニルであり、XはF、Cl、Br又はIである、形成された電気化学活性塩をエーテル溶剤混合物から分離すること、並びに分離された電気化学活性塩を新鮮なエーテル溶剤中に溶解させること、により得られる、電気化学デバイス。本発明の第四の実施形態は、マグネシウムを含むアノード及びマグネシウム参照に対する少なくとも3.2Vの電圧に対して安定であるカソードを外部導電性構造により接続すること、並びに、電気化学活性塩を含む電解質とアノード及びカソードを接触させること、を含む、電気化学デバイスの調製方法であって、前記電気化学活性塩が、式I:RMgXI、式II:R2MgII、またはそれらの混合物のマグネシウム塩を、式III:AlX3III、式IV:AlRX2IV、またはそれらの混合物のアルミニウム化合物とエーテル溶剤中で混合すること上式中、RはC1~C10アルキル、場合により置換されているフェニル、NR2、又はORであり、RはC1~C10アルキル、場合により置換されているフェニル、又はSiR3であり、Rは独立にC1~C10アルキル又は場合により置換されているフェニルであり、XはF、Cl、Br又はIである、並びに形成された電気化学活性塩をエーテル溶剤混合物から分離すること、並びに場合により、分離された塩を溶剤で洗浄し、分離された塩を再結晶化し、又は、分離された塩を洗浄及び再結晶化すること、及び、分離された電気化学活性塩であって、場合により洗浄され、再結晶化され又は洗浄及び再結晶化されたものを新鮮なエーテル溶剤中に溶解させること、により得られる、電気化学デバイスの調製方法を提供する。上記のパラグラフは一般的なイントロダクションとして提供され、以下の特許請求の範囲を限定することが意図されない。さらなる利点とともに、現在好ましい実施形態は添付の図面との組み合わせで下記の詳細な説明を参照することにより最も良好に理解されるであろう。出願人は、マグネシウム-硫黄バッテリー又は電気化学デバイスをうまく調製するために、金属マグネシウム上での還元に対して安定であり、そして硫黄に対する求核反応性でない有効なマグネシウムイオン輸送電解質系が要求されることを認識している。マグネシウム上での還元に対する安定性はマグネシウムイオンの通過を阻害するマグネシウムの表面上での不動態化膜の形成を防止することを必要とする。さらに、商業上使用可能とするために、デバイスは、グリニャール化学をベースとする従来のMg電解質と比較して、安全性、安定性及び製造環境における取り扱い容易性が有意に改良されている電解質系を含むべきである。出願人はJP2004-265675に記載されるとおりのビストリフルオロメチルスルホニルマグネシウムクロリドのボルタンメトリ的挙動を調査し、そしてこの材料がマグネシウムと適合性でなく、実際、マグネシウムにより還元されることを発見した。この挙動を図1に示す。上記に記載の要求を認識して、出願人は可能な適切な電解質系を探究し、関連米国出願第12/758,343号明細書中にマグネシウムイオンの輸送のための電解質系の成分としての使用のための窒素を含有する非求核性塩基のマグネシウム塩を記載した。ヘキサメチルジシラジドマグネシウムクロリドは可逆的にMgを析出しそして溶解することが知られている。LiebenowらElectrochem.Com.2000,641-645は、オルガノマグネシウムハロゲン化物及びアミドマグネシウムハロゲン化物の溶液から電着されたマグネシウムの高い再酸化効率を記載している。N-メチルアニリルマグネシウムブロミド、ピリルマグネシウムブロミド及びビストリメチルシリルマグネシウムクロリドヘキサメチルジシラジドマグネシウムクロリドのTHF中の導電率データを、ビストリメチルシリルマグネシウムクロリドについてのサイクリックボルタモグラムとともに報告した。しかしながら、ビストリメチルシリル-マグネシウムクロリドから析出されたマグネシウムの完全な再酸化は達成できず、電気化学活性マグネシウムの数パーセントはサイクルごとに失われることが報告された。本発明の発明者は、THF溶液中で従来のフェニルマグネシウムクロリド/AlCl3電解質と比較したビストリメチルシリルイミドマグネシウムクロリドの電解挙動を調査した。サイクリックボルタンメトリーデータの分析は、Mg析出/溶解のクーロン効率CEが3つの異なるスキャン速度5、25及び100mV/秒で100であることを示した。ヘキサメチルジシラジドマグネシウムクロリドHMDSMCは、従来のMg電解質と比較して高いMgの析出過電圧及び低い電流密度を有した。図2のはめ込み部分はMg析出過電圧がHMDSMCでは-0.40Vであり、従来の系では過電圧が-0.33Vであることを示す。意外なことに、本発明の発明者は、塩化アルミニウムをHMDSMCと混合したときに、系の性能が有意に改善されることを発見した。図2に示すように、AlCl3をHMDSMCに添加すると、Mg析出過電圧が-0.40から-0.29Vまで低下し、これにより、従来の系の値-0.33に匹敵するものとなった。したがって、HMDSMC/AlCl3電解質はHMDSMC又はPhMgClAlCl3系と比較して、高い電流密度及び低い過電圧を示した。本発明の発明者は、HMDSMC/AlCl3電解質は、実用的なバッテリー系に適応するとき、より高いセル電圧、したがって、より高いエネルギー密度をもたらしそうであると結論付けた。HMDSMC/AlCl3電解質のさらなる調査で、電気化学活性結晶性材料を分離し、そして式VIII:[Mg2Cl3-6C4H8O][AlCl3CH33Si2N]VIIIの化学構造を有するものと同定した。X-線回折分析は示されるとおりの対称ダイマーとしてマグネシウムカチオン種の構造を示した。結晶性材料を新鮮なTHF中に再溶解させたときに、可逆的なMg析出及び溶解が観測された。図3に示すとおりの電気化学セルを例6に記載されるとおりに作り、3-電極セルの電気化学性能を図4に示す。図4に示すように、硫黄電極の放電挙動は電解質系を含む機能性マグネシウム-硫黄バッテリーが使用可能であったことを示す。図2に示すように、特許請求される電解質系はマグネシウム参照に対する少なくとも3.2Vの電圧に対して安定である任意のカソード活性材料に適合性がある。Mgダイマーイオン種の潜在的な汎用的な重要性を認識して、本発明の発明者は電気化学活性を有する式VIIIのMgダイマーと同一又は同様のイオン種を生じることができるどうかを決定するために他の化学系を検討した。検討した一般系としては下記のものが挙げられる。1RMgClAlCl32RMgClRxAlClyxy=33R2MgA1C134R2MgRxAlClyxy=3例6に記載されるとおり、本発明の発明者は、驚くべきことに、電気化学活性塩はPhMgCl及びA1C13を2:1比でTHF中で混合し、少なくとも48時間攪拌し、その後、溶液をヘキサンで処理したときに得ることができることを発見した。このようにして得られた白色結晶性固形分をX-線結晶構造解析、NMR1H,13C,27Al及び電気化学分析により分析した。本発明の発明者は結晶塩が乾燥に対して安定であり、電気化学的に活性であるものと決定した図5。構造分析は塩がTHF溶媒和された式V:[Mg2X3]V上式中、XはClであるのMgダイマーカチオンを含むことを示す。対イオンは式VI:[AlClbR]VI上式中、Rはフェニルであり、bは1、2又は3であるの構造であることができる。分離された塩の主要構造成分の結晶構造を図11に示し、式[Mg2Cl3-6THF][A1C6H52C12]を有する。同様の電気化学活性材料はBu2MgEtAl2のエーテル混合物から分離されうる。図10に示すとおりの電気化学活性の比較はこれらの系における活性種が同一であるか又は非常に似ている可能性があることを示す。この結果は同様の化学系からの結晶塩の分離を記載し、そして分離した塩は電気化学的に活性でないことの示唆を記載している以前の報告[Aurbachら,J.ElectrochemicalSoc,1492Al15-1212002]から考えて特に驚くべきことでありそして予期しないことである。この調査の結果として、出願人は添付の特許請求の範囲に記載されそして下記に示すとおりの本発明を発見した。本発明の第一の実施形態として下記のものが挙げられる。マグネシウムを含むアノード、マグネシウム参照に対する少なくとも3.2Vの電圧に対して安定であるカソード、及び、電解質、を含み、その電解質は電気化学活性塩を含み、その電気化学活性塩は、式I:RMgXI、式II:R2MgII、またはそれらの混合物のマグネシウム塩を、式III:AlX3III、式IV:AlRX2IV、またはそれらの混合物のアルミニウム化合物とエーテル溶剤中で混合すること上式中、RはC1~C10アルキル、場合により置換されているフェニル、NR2、又はORであり、RはC1~C10アルキル、場合により置換されているフェニル、ポリ芳香族基、又はSiR3であり、Rは独立にC1~C10アルキル又は場合により置換されているフェニルであり、XはF、Cl、Br又はIである、並びに形成された電気化学活性塩をエーテル溶剤混合物から分離すること、により得られる、電気化学デバイス。本発明の第二の実施形態は下記の電気化学デバイスを提供する。マグネシウムを含むアノード、硫黄を含むカソード、及び、式V:[Mg2X3]V上式中、XはF、Cl、Br、又はIであるの溶媒和マグネシウムイオンダイマーを含む電解質、を含む、電気化学デバイス。本発明の第三の実施形態は下記の電気化学デバイスを提供する。マグネシウムを含むアノード、硫黄を含むカソード、及び、電解質、を含み、その電解質は電気化学活性塩を含み、その電気化学活性塩は、式I:RMgXI、式II:R2MgII、またはそれらの混合物のマグネシウム塩を、式III:AlX3III、式IV:AlRX2IV、またはそれらの混合物のアルミニウム化合物とエーテル溶剤中で混合すること上式中、RはC1~C10アルキル、場合により置換されているフェニル、NR2、又はORであり、RはC1~C10アルキル、場合により置換されているフェニル、又はSiR3であり、Rは独立にC1~C10アルキル又は場合により置換されているフェニルであり、XはF、Cl、Br又はIである、形成された電気化学活性塩をエーテル溶剤混合物から分離すること、並びに分離された電気化学活性塩を新鮮なエーテル溶剤中に溶解させること、により得られる、電気化学デバイス。本発明の第四の実施形態は、マグネシウムを含むアノード及びマグネシウム参照に対する少なくとも3.2Vの電圧に対して安定であるカソードを外部導電性構造により接続すること、並びに電気化学活性塩を含む電解質とアノード及びカソードを接触させることを含む、電気化学デバイスの調製方法であって、前記電気化学活性塩が、式I:RMgXI、式II:R2MgII、またはそれらの混合物のマグネシウム塩を、式III:AlX3III、式IV:AlRX2IV、またはそれらの混合物のアルミニウム化合物とエーテル溶剤中で混合すること上式中、RはC1~C6アルキル、場合により置換されているフェニル、NR2H、又はORであり、RはC1~C6アルキル、場合により置換されているフェニル又はSiR3であり、Rは独立にC1~C6アルキル又は場合により置換されているフェニルであり、XはF、Cl、Br又はIであり、aは1又は2である、並びに形成された電気化学活性塩をエーテル溶剤混合物から分離すること、により得られる、電気化学デバイスの調製方法を提供する。本発明に係るカソード活性材料の例として、硫黄、Mn02及び式MgxMo6Tnxは0~4の数であり、Tは硫黄、セレン又はテルルであり、nは8であるを有するシェブレル化合物を挙げることができる。Mn02カソードは当業界において知られており、例えば、JP2007-233134に記載されている。式MgxMo6Tnxは0~4の数であり、Tは硫黄、セレン又はテルルであるを有するシェブレル化合物はNATURE,407,October12,2000,724-726に記載されている。活性成分として硫黄を含むカソードは当該技術分野において知られており、そして、例えば、米国特許第6,733,924号明細書、同第7,029,796号明細書及び米国特許公開第2009/0226809号明細書に記載されている。重要なことには、硫黄はこのようなカソード活性材料であり、それゆえ、カソードの活性成分として硫黄を有する電気化学デバイスの製造が可能になる。同時に、本発明の電解質系は活性成分としてマグネシウムを含むアノードとともに用いるMgイオン電解質として従来の系と同等である。したがって、機能Mg/S電気化学デバイスは本発明により製造されうる。それゆえ、本発明はマグネシウムを含むアノード、マグネシウム参照に対する少なくとも3.2Vの電圧に対して安定であるカソード、式I及びIIによるマグネシウム塩と式III及びIVのアルミニウム化合物のエーテル溶剤中での混合により得られる電解質を含む電気化学デバイスを提供する。特定の反応成分によって決まることができる時間にわたる混合の後に、電気化学活性塩を反応混合物から分離する。分離された塩は反応混合物から洗い落とされ、及び/又は、再結晶されることができる。出願人は分離された塩が安定であることを意外にも見いだした。さらに、それはジアルキルマグネシウム化合物、例えば、ジブチルマグネシウムなどの化合物を含んでいないので、取り扱いがずっと容易である。式I及びIIのR置換基はC1~C6アルキル、場合により置換されたフェニル、NR2又はORであることができ、ここで、RはC1~C6アルキル、場合により置換されたフェニル、又は、SiR3であり、Rは独立にC1~C6アルキル又は場合により置換されているフェニルである。置換基NR2において、aは1又は2であることができる。好ましくは、Rはフェニル、エチル又はN[SiCH33]であり、最も好ましくは、Rはフェニル又はN[SiCH33]である。式Iにおいて、XはF、Cl、Br又はIであり、好ましくはCl又はBrであり、最も好ましくはClである。塩化マグネシウムは入手可能性、コスト及び取り扱いの容易さを考慮して最も好ましい。エーテル溶剤は安全性及び取り扱いの容易さを考慮して、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル及びビス2-メトキシエチルエーテルの1種以上であることができる。テトラヒドロフランが最も好ましいことがあるが、他の反応の要件が異なる物理的性質を有するエーテルの必要性を要求することがある。活性成分としてマグネシウムを含むアノードは、本発明に係る電気化学デバイスに適している、当業者に既知の任意の形態であってよい。特に好ましい実施形態において、本発明は、活性成分として硫黄を含むカソード、活性成分としてマグネシウムを含むアノード、及び、式V:[Mg2X3]V上式中、XはF、Cl、Br又はIであり、最も好ましくはClであるの活性溶媒和カチオン種を含む電解質を含む電解質系を有する電気化学デバイスを提供する。本発明のさらに特に好ましい実施形態において、電気化学デバイスは活性成分として硫黄を含むカソード、活性成分としてマグネシウムを含むアノード、及び、式Vのカチオン種が式VI:[AlClbR]VI上式中、RはC1~C6アルキル、場合により置換されているフェニル、NR2又はORであり、RはC1~C6アルキル、場合により置換されているフェニル又はSiR3であり、Rは独立にC1~C6アルキル又は場合により置換されているフェニルであり、XはF、Cl、Br又はIであり、bは1、2又は3であるのアニオンと結合する電解質を有することができる。本発明に係る電気化学デバイスは、従来から知られている方法により製造されうる。一般に、その方法は、マグネシウムを含むアノード及びマグネシウム参照に対する少なくとも3.2Vの電圧に対して安定であるカソードを外部導電性構造により接続すること、及び、電気化学活性塩を含む電解質とアノード及びカソードを接触させること、を含む、電気化学デバイスの調製方法であって、前記電気化学活性塩が、式I:RMgXI、式II:R2MgII、またはそれらの混合物のマグネシウム塩を、式III:AlX3III、式IV:AlRX2IV、またはそれらの混合物のアルミニウム化合物とエーテル溶剤中で混合すること上式中、RはC1~C10アルキル、場合により置換されているフェニル、NR2、又はORであり、RはC1~C10アルキル、場合により置換されているフェニル、又はSiR3であり、Rは独立にC1~C10アルキル又は場合により置換されているフェニルであり、XはF、Cl、Br又はIである、並びに形成された電気化学活性塩をエーテル溶剤混合物から分離すること、により得られる、電気化学デバイスの調製方法を包含する。本発明の好ましい実施形態において、エーテル溶剤はテトラヒドロフランであり、さらに好ましい実施形態において、XはClである。分離された電気化学活性塩は従来から知られている溶剤で洗浄され、及び/又は、従来から知られている溶剤から再結晶化されうる。本発明を概略的に記載してきたが、さらなる理解はある特定の実施例を参照することにより得ることができ、その実施例は本明細書中に例示の目的のみで提供され、そして特に指示がないかぎり、限定することが意図されない。当業者は本発明のデバイスのバッテリーとしての利用性、ならびに、本明細書中に記載される電解質系の一般利用性を認識するであろう。例例1-グローブボックスにおいて、ヘキサメチルジシラジドマグネシウムクロリドhexamethyldisalazidemagnesiumchlorideのTHF中の1.27M溶液1.574mlを、スクリュー蓋付きバイアル中の1.426mlの乾燥THFに添加した。得られた混合物を急速に攪拌した。その後、溶液を数分間放置し、放置の後に、THF中の0.5MのAlCl30.5当量2mlを添加した。この混合物を48時間攪拌した。例2-グローブボックスにおいて、ビスヘキサメチルジシラジドマグネシウムbishexamethyldisalazidemagnesiumのTHF中の1.27M溶液3.17mlを、スクリュー蓋付きバイアル中の1.426mlの乾燥THFに添加した。得られた混合物を急速に攪拌した。その後、溶液を数分間放置し、放置の後に、THF中の0.5MのAlCl30.5当量2mlを添加した。この混合物を48時間攪拌した。例3-下記のTHF溶液を調製した。0.40MのPhMgCl/0.2MのAlCl3、0.40MのCH33Si2NMgCl0.40MのCH33Si2NMgCl/0.2MのAlCl3作用電極としてPtディスクを用い、Mgワイヤを参照電極として用い、Mgリボンを対電極として用い、スキャン速度25mV/秒で、各溶液のサイクリックボルタモグラムを得た。3つのサイクリックボルタモグラムを図2に示す。このように、特許請求される電解質の組み合わせは従来のグリニャール電解質に匹敵する性能である。例4-ドライボックスにおいて、THF中の三塩化アルミニウム7.5ミリモルの0.5M溶液15mlを50mlフラスコに添加した。三塩化アルミニウム溶液を、2当量のヘキサメチルジシラジドHMDSMgCl10.417ml、15ミリモルSynthonix,Inc.の1.44MのTHF溶液で処理した。フラスコに蓋をし、48時間急速に攪拌した。溶液を125mlのコニカルフラスコに移し、THF溶液を乾燥ヘキサンAldrich,80mlで層状化した。3日後に、白色結晶をろ過し、ヘキサン30mlで洗浄し、そして真空乾燥し、4.3gの白色結晶性材料を提供した。新鮮なTHF中に再溶解したときに、可逆的なMg析出及び溶解を観測した。例5-Mg2Cl36THFPh2AlCl2電解質PhMgCl及びAlCl3を2:1の比でTHF中に混合し、そして48時間攪拌した。溶液をヘキサンの層状化により結晶させた。得られた白色結晶性固形分をX-線、NMR1H、13C、27Al及び電気化学分析により分析した。白色固形分を新鮮なTHF中に溶解して、0.2M溶液を製造した。図5は、電解質の電気化学活性を示す。可逆的なMg析出及び溶解を電解質から観測することができる。興味深いことに、電解質はバルク溶液の酸化が開始する前に2つの小さい酸化ピークを示す3.1V及び3.6V。これは、電解質が異なる酸化安定性を有する少なくとも3つの異なる成分から構成されていることを示唆する。3つの成分のうちの1つはX-線により同定され、図9に示すとおりの[Mg2Cl36THF][AlC6H52Cl2]の構造を有する。特定の構造に限定せずに、これらの結果及び我々の以前の分析米国特許出願第12/758,343号明細書に基づいて、我々は3つの製品は[Mg2Cl36THF][AlC6H52Cl2]主要製品、[Mg2Cl36THF][AlC6H5Cl3]二次製品及び[Mg2Cl36THF][AlC6H53Cl]少量であると考える。データの任意球arbitrarysphereを0.5°のω-及びψ-スキャンの組み合わせを用いてBrukerAPEX-IIディフラクトメータで約0.21×0.16×0.10mmの寸法の無色のブロック状結晶に対して回収した。データを吸収効果及び分極効果に関して補正し、スペース基定量分析を行った。構造を直接法により解明し、そしてルーチン作業で拡張した。モデルをすべての反射に対してF2のフルマトリックス最小二乗法分析により精査した。すべての非水素原子を、異方性熱変位パラメータにより精査した。特に注記しないかぎり、水素原子を計算位置に含んだ。水素の熱パラメータは水素が結合している原子の異方性熱パラメータに関係していた芳香族及びメチレンについて1.2×。Mg2Cl36THFPh2AlCl2の結晶学的詳細を表1に要約する。これは27Al及び13CNMR結果とも一致している図7及び8。13CNMRにおいて、約130ppmでの主要な広いピークに加えて、2つの追加のピークは117ppm及び105ppmで観察される。58ppmでの広いピークは測定に使用されるプローブ中のAl成分から生じる。主要製品及び二次製品は図8中の13CNMRスペクトルからも同定できる。主要製品のピークは138.179、127.141、126.889及び126.850ppmに現れる。二次製品のピークは138.971、137.534、129.073及び126.925ppmにある。少量製品のピークはおそらく比較的に少量であるためにこのスペクトルでは現れない。例6-すべての試薬をSynthonixから購入した。ドライボックス中において、三塩化アルミニウム7.5ミリモルのTHF中の0.5M溶液15mlを50mLフラスコに添加した。三塩化アルミニウム溶液を2当量のヘキサメチルジシラジドHMDSMgCl10.417ml、15ミリモルの1.44MのTHF溶液で処理した。フラスコに蓋をし、48時間急速に攪拌した。溶液を125mlのコニカルフラスコに移し、THF溶液を乾燥ヘキサンAldrich,80mlで層状化した。3日後に、白色結晶をろ過し、ヘキサン30mlで洗浄し、そして真空乾燥し、4.3gのMg2Cl36THF[AlCl3HMDS]を提供した。白色結晶をTHF中に再溶解し、0.2M溶液を提供し、図3に示す3-電極セル中の電解質として用いた。この3-電極セルの作用電極は元素硫黄及び微細分割された炭素を含むペーストから製造した。参照電極及び対電極はMg金属から製造した。このセルを用いて、Mg2Cl36THF[AlCl3HMDS]中の硫黄電極の電気化学性能は図4に示すとおりに得られた。図4に示すMg2Cl36THF[AlCl3HMDS]電解質中の硫黄電極の放電挙動は、Mg2Cl36THF[AlCl3HMDS]電解質を用いたマグネシウム硫黄バッテリーの使用可能性を示す。例7-ドライボックスにおいて、THF中の三塩化アルミニウム2.5ミリモルの0.5M溶液6mlを50mlフラスコに添加した。三塩化アルミニウム溶液を、2当量のフェニルマグネシウムクロリド3ml、2.5ミリモルの2MのTHF溶液で処理した。フラスコに蓋をし、48時間急速に攪拌した。THF溶液を乾燥ヘキサンAldrich,20mlで層状化した。3日後に、白色結晶をろ過し、ヘキサン10mlで洗浄し、そして真空乾燥し、4.3gの[Mg2Cl36THF][AlPhaCl4a]a=1,2,3を提供した。分離された塩の1HNMRスペクトルを図6に示す。サイクリックボルタモグラムを図10に示す。例8-例7の手順に従ったが、フェニルマグネシウムクロリドの代わりにBu2Mgを用い、AlCl3の代わりにEtAlCl2を用いた。サイクリックボルタモグラムを図10に示す。"