フォトダイオード領域とトランスファートランジスタとを含んで構成されたCMOSイメージセンサの製造方法において、基板上に形成されたエピタキシャル層の一定領域に活性領域とフィールド領域とを画定するフィールド絶縁膜を形成するフィールド絶縁膜形成ステップと、前記フィールド絶縁膜により画定された前記活性領域の前記エピタキシャル層上に前記トランスファートランジスタのゲート電極を形成するゲート電極形成ステップと、前記エピタキシャル層上に形成された前記ゲート電極の片側の前記活性領域における前記エピタキシャル層表層部に前記フォトダイオード領域を形成するフォトダイオード領域形成ステップと、前記エピタキシャル層、前記フィールド絶縁膜、及び前記ゲート電極を形成した後の全体構造の露出した表面に、酸化膜と窒化膜とを積層したスペーサ形成用絶縁膜を形成するスペーサ形成用絶縁膜形成ステップと、前記スペーサ形成用絶縁膜を形成した後、前記フォトダイオード領域における前記エピタキシャル層上面、及び前記フォトダイオード領域側の前記ゲート電極の端部上面を覆い、前記ゲート電極の反対側の端部上面を露出させるスペーサマスクを形成するスペーサマスク形成ステップと、前記スペーサマスクを利用して、前記スペーサマスク下に前記スペーサ形成用絶縁膜を残しつつ、前記スペーサ形成用絶縁膜をドライエッチングして、前記フォトダイオード領域と反対側の前記ゲート電極側壁にスペーサを形成するスペーサ形成ステップと、前記スペーサマスクを除去するスペーサマスク除去ステップと、前記スペーサを利用して、前記フォトダイオード領域と反対側の前記ゲート電極片側の前記エピタキシャル層表層部にフローティング拡散領域を形成するフローティング拡散領域形成ステップとを含むことを特徴とするCMOSイメージセンサの製造方法。前記スペーサ形成用絶縁膜形成ステップにおいて、前記全体構造の露出した表面に前記酸化膜を約200~約2000Åの厚さに形成した後、該酸化膜上に前記窒化膜を約200~約1000Åの厚さに積層して形成することを特徴とする請求項1記載のCMOSイメージセンサの製造方法。前記フォトダイオード領域形成ステップが、前記ゲート電極の片側の前記活性領域における前記エピタキシャル層上の領域に開口を有するフォトダイオード領域形成マスクを形成するステップと、該フォトダイオード領域形成マスクを用いて高エネルギーイオン注入を行い、n型イオン注入領域となる第1のフォトダイオード領域を、前記ゲート電極の片側と前記フィールド絶縁膜との間の前記エピタキシャル層表層部に形成するステップと、連続的に前記フォトダイオード領域形成マスクを用いて低エネルギーイオン注入を行い、p型イオン注入領域となる第2のフォトダイオード領域を、前記第1のフォトダイオード領域と前記エピタキシャル層上面と間に形成するステップとを含むことを特徴とする請求項1に記載のCMOSイメージセンサの製造方法。前記スペーサマスク形成ステップにおいて、前記フォトダイオード領域形成マスク形成時と同じレチクル、及び感光特性が逆のフォトレジストとを用いることを特徴とする請求項3に記載のCMOSイメージセンサの製造方法。フォトダイオード領域とトランスファートランジスタとを含んで構成されたCMOSイメージセンサの製造方法において、基板上に形成されたエピタキシャル層の一定領域に活性領域とフィールド領域とを画定するフィールド絶縁膜を形成するフィールド絶縁膜形成ステップと、前記フィールド絶縁膜により画定された前記活性領域の前記エピタキシャル層上に前記トランスファートランジスタのゲート電極を形成するゲート電極形成ステップと、前記エピタキシャル層上に形成された前記ゲート電極の片側の前記活性領域における前記エピタキシャル層上面にイオン注入用酸化膜を形成し、該イオン注入用酸化膜下方の前記エピタキシャル層表層部に、前記フォトダイオード領域を形成するフォトダイオード領域形成ステップと、前記エピタキシャル層、前記フィールド絶縁膜、前記ゲート電極、及び前記イオン注入用酸化膜を形成した後の全体構造の露出した表面に、窒化膜を形成し、該窒化膜上に酸化膜を形成して、前記窒化膜、前記酸化膜の順で積層したスペーサ形成用絶縁膜を形成するスペーサ形成用絶縁膜形成ステップと、前記窒化膜及び前記酸化膜を積層して形成した前記スペーサ形成用絶縁膜の前記酸化膜をドライエッチングして、前記ゲート電極の両側壁の前記窒化膜上に酸化膜スペーサを形成する酸化膜スペーサ形成ステップと、前記ドライエッチングによって露出された前記スペーサ形成用絶縁膜の前記窒化膜を、ウェットエッチングにより除去する窒化膜除去ステップと、前記ウェットエッチング後に残留する前記窒化膜及び前記酸化膜スペーサを利用して、前記フォトダイオード領域と反対側の前記ゲート電極片側の前記エピタキシャル層表層部にフローティング拡散領域を形成するフローティング拡散領域形成ステップとを含むことを特徴とするCMOSイメージセンサの製造方法。前記イオン注入酸化膜を約100~約500Åの厚さに形成し、前記スペーサ形成用絶縁膜の前記窒化膜を100~500Åの厚さに形成することを特徴とする請求項5に記載のCMOSイメージセンサの製造方法。前記フォトダイオード領域形成ステップが、前記ゲート電極の片側の前記活性領域における前記エピタキシャル層上の領域に開口を有するフォトダイオード領域形成マスクを形成するステップと、該フォトダイオード領域形成マスクを用いて高エネルギーイオン注入を行い、n型イオン注入領域となる第1のフォトダイオード領域を、前記ゲート電極の片側と前記フィールド絶縁膜との間の前記エピタキシャル層表層部に形成するステップと、連続的に前記フォトダイオード領域形成マスクを用いて低エネルギーイオン注入を行い、p型イオン注入領域となる第2のフォトダイオード領域を、前記第1のフォトダイオード領域と前記エピタキシャル層上面と間に形成するステップとを含むことを特徴とする請求項5に記載のCMOSイメージセンサの製造方法。フォトダイオード領域とトランスファートランジスタとを含んで構成されたCMOSイメージセンサの製造方法において、基板上に形成されたエピタキシャル層の一定領域に活性領域とフィールド領域とを画定するフィールド絶縁膜を形成するフィールド絶縁膜形成ステップと、前記フィールド絶縁膜により画定された前記活性領域の前記エピタキシャル層上に前記トランスファートランジスタのゲート電極を形成するゲート電極形成ステップと、前記エピタキシャル層上に形成された前記ゲート電極の片側の前記活性領域における前記エピタキシャル層上面にイオン注入用酸化膜を形成し、該イオン注入用酸化膜下方の前記エピタキシャル層表層部に、前記フォトダイオード領域を形成するフォトダイオード領域形成ステップと、前記エピタキシャル層、前記フィールド絶縁膜、前記ゲート電極、及び前記イオン注入用酸化膜を形成した後の全体構造の露出した表面に、窒化膜を形成し、該窒化膜上に酸化膜を形成して、前記窒化膜、前記酸化膜の順で積層したスペーサ形成用絶縁膜を形成するスペーサ形成用絶縁膜形成ステップと、前記窒化膜及び前記酸化膜を積層して形成した前記スペーサ形成用絶縁膜の前記酸化膜をドライエッチングして、前記ゲート電極の両側壁の前記窒化膜上に酸化膜スペーサを形成する酸化膜スペーサ形成ステップと、前記酸化膜スペーサを利用して、前記フォトダイオード領域と反対側の前記ゲート電極片側の前記エピタキシャル層表層部にフローティング拡散領域を形成するフローティング拡散領域形成ステップとを含むことを特徴とするCMOSイメージセンサの製造方法。しかしながら上記製造方法では、フォトダイオード領域の表面が上記全面ドライエッチング工程で損傷を受けて、結晶格子構造に欠陥が発生してしまい、このような欠陥は暗電流の発生源となる。暗電流とは、光が全く照射されていない状態でも、フォトダイオード等からフローティング拡散領域へ移動する電子により引き起こされるノイズ電流である。このような暗電流は、主に活性領域のエッジ部に存在する線欠陥、点欠陥などの各種欠陥やダングリングボンドによると報告されており、暗電流は低照度環境では深刻な問題をもたらし得る。上記のような製造方法では、スペーサ18形成のための上記ドライエッチングでフォトダイオードの表面が損傷されるため、損傷されたシリコン表面に存在するダングリングボンドなど、暗電流の発生源が多く発生してしまうという問題点があった。また、フォトダイオード領域に入射する光は、酸化膜を経てエピタキシャル層に入射するが、酸化膜のように反射係数の小さい物質からエピタキシャル層のように反射係数が大きい物質に入射する場合、青色光のような短波長の光は、多くの部分が反射されてしまい、光感度が落ちるという問題があった。本発明は、上述した従来の問題点に鑑みてなされたものであって、スペーサ形成用絶縁膜のドライエッチングによるフォトダイオード領域の損傷を抑え、駆動時の暗電流特性が改善されたCMOSイメージセンサを製造することができるCMOSイメージセンサの製造方法を提供することを目的としている。また、本発明は、青色光のような短波長の光に対する光感度を向上させることができるCMOSイメージセンサの製造方法を提供することを別の目的としている。本発明に係るCMOSイメージセンサの製造方法は、フォトダイオード領域とトランスファートランジスタとを含んで構成されたCMOSイメージセンサの製造方法において、基板上に形成されたエピタキシャル層の一定領域に活性領域とフィールド領域とを画定するフィールド絶縁膜を形成するフィールド絶縁膜形成ステップと、前記フィールド絶縁膜により画定された前記活性領域の前記エピタキシャル層上に前記トランスファートランジスタのゲート電極を形成するゲート電極形成ステップと、前記エピタキシャル層上に形成された前記ゲート電極の片側の前記活性領域における前記エピタキシャル層表層部に前記フォトダイオード領域を形成するフォトダイオード領域形成ステップと、前記エピタキシャル層、前記フィールド絶縁膜、及び前記ゲート電極を形成した後の全体構造の露出した表面に、酸化膜と窒化膜とを積層したスペーサ形成用絶縁膜を形成するスペーサ形成用絶縁膜形成ステップと、前記スペーサ形成用絶縁膜を形成した後、前記フォトダイオード領域における前記エピタキシャル層上面、及び前記フォトダイオード領域側の前記ゲート電極の端部上面を覆い、前記ゲート電極の反対側の端部上面を露出させるスペーサマスクを形成するスペーサマスク形成ステップと、前記スペーサマスクを利用して、前記スペーサマスク下に前記スペーサ形成用絶縁膜を残しつつ、前記スペーサ形成用絶縁膜をドライエッチングして、前記フォトダイオード領域と反対側の前記ゲート電極側壁にスペーサを形成するスペーサ形成ステップと、前記スペーサマスクを除去するスペーサマスク除去ステップと、前記スペーサを利用して、前記フォトダイオード領域と反対側の前記ゲート電極片側の前記エピタキシャル層表層部にフローティング拡散領域を形成するフローティング拡散領域形成ステップとを含むことを特徴としている発明1。ここで、前記スペーサ形成用絶縁膜形成ステップにおいて、前記全体構造の露出した表面に前記酸化膜を約200~約2000Åの厚さに形成した後、該酸化膜上に前記窒化膜を約200~約1000Åの厚さに積層して形成することが望ましい発明2。また、前記フォトダイオード領域形成ステップが、前記ゲート電極の片側の前記活性領域における前記エピタキシャル層上の領域に開口を有するフォトダイオード領域形成マスクを形成するステップと、該フォトダイオード領域形成マスクを用いて高エネルギーイオン注入を行い、n型イオン注入領域となる第1のフォトダイオード領域を、前記ゲート電極の片側と前記フィールド絶縁膜との間の前記エピタキシャル層表層部に形成するステップと、連続的に前記フォトダイオード領域形成マスクを用いて低エネルギーイオン注入を行い、p型イオン注入領域となる第2のフォトダイオード領域を、前記第1のフォトダイオード領域と前記エピタキシャル層上面と間に形成するステップとを含むことが望ましい発明3。また、前記スペーサマスク形成ステップにおいて、前記フォトダイオード領域形成マスク形成時と同じレチクル、及び感光特性が逆のフォトレジストとを用いることが望ましい発明4。また、本発明に係る別のCMOSイメージセンサの製造方法は、フォトダイオード領域とトランスファートランジスタとを含んで構成されたCMOSイメージセンサの製造方法において、基板上に形成されたエピタキシャル層の一定領域に活性領域とフィールド領域とを画定するフィールド絶縁膜を形成するフィールド絶縁膜形成ステップと、前記フィールド絶縁膜により画定された前記活性領域の前記エピタキシャル層上に前記トランスファートランジスタのゲート電極を形成するゲート電極形成ステップと、前記エピタキシャル層上に形成された前記ゲート電極の片側の前記活性領域における前記エピタキシャル層上面にイオン注入用酸化膜を形成し、該イオン注入用酸化膜下方の前記エピタキシャル層表層部に、前記フォトダイオード領域を形成するフォトダイオード領域形成ステップと、前記エピタキシャル層、前記フィールド絶縁膜、前記ゲート電極、及び前記イオン注入用酸化膜を形成した後の全体構造の露出した表面に、窒化膜を形成し、該窒化膜上に酸化膜を形成して、前記窒化膜、前記酸化膜の順で積層したスペーサ形成用絶縁膜を形成するスペーサ形成用絶縁膜形成ステップと、前記窒化膜及び前記酸化膜を積層して形成した前記スペーサ形成用絶縁膜の前記酸化膜をドライエッチングして、前記ゲート電極の両側壁の前記窒化膜上に酸化膜スペーサを形成する酸化膜スペーサ形成ステップと、前記ドライエッチングによって露出された前記スペーサ形成用絶縁膜の前記窒化膜を、ウェットエッチングにより除去する窒化膜除去ステップと、前記ウェットエッチング後に残留する前記窒化膜及び前記酸化膜スペーサを利用して、前記フォトダイオード領域と反対側の前記ゲート電極片側の前記エピタキシャル層表層部にフローティング拡散領域を形成するフローティング拡散領域形成ステップとを含むことを特徴としている発明5。ここで、前記イオン注入酸化膜を約100~約500Åの厚さに形成し、前記スペーサ形成用絶縁膜の前記窒化膜を100~500Åの厚さに形成することが望ましい発明6。また、前記フォトダイオード領域形成ステップが、前記ゲート電極の片側の前記活性領域における前記エピタキシャル層上の領域に開口を有するフォトダイオード領域形成マスクを形成するステップと、該フォトダイオード領域形成マスクを用いて高エネルギーイオン注入を行い、n型イオン注入領域となる第1のフォトダイオード領域を、前記ゲート電極の片側と前記フィールド絶縁膜との間の前記エピタキシャル層表層部に形成するステップと、連続的に前記フォトダイオード領域形成マスクを用いて低エネルギーイオン注入を行い、p型イオン注入領域となる第2のフォトダイオード領域を、前記第1のフォトダイオード領域と前記エピタキシャル層上面と間に形成するステップとを含むことが望ましい発明7。また、本発明に係るさらに別のCMOSイメージセンサの製造方法は、フォトダイオード領域とトランスファートランジスタとを含んで構成されたCMOSイメージセンサの製造方法において、基板上に形成されたエピタキシャル層の一定領域に活性領域とフィールド領域とを画定するフィールド絶縁膜を形成するフィールド絶縁膜形成ステップと、前記フィールド絶縁膜により画定された前記活性領域の前記エピタキシャル層上に前記トランスファートランジスタのゲート電極を形成するゲート電極形成ステップと、前記エピタキシャル層上に形成された前記ゲート電極の片側の前記活性領域における前記エピタキシャル層上面にイオン注入用酸化膜を形成し、該イオン注入用酸化膜下方の前記エピタキシャル層表層部に、前記フォトダイオード領域を形成するフォトダイオード領域形成ステップと、前記エピタキシャル層、前記フィールド絶縁膜、前記ゲート電極、及び前記イオン注入用酸化膜を形成した後の全体構造の露出した表面に、窒化膜を形成し、該窒化膜上に酸化膜を形成して、前記窒化膜、前記酸化膜の順で積層したスペーサ形成用絶縁膜を形成するスペーサ形成用絶縁膜形成ステップと、前記窒化膜及び前記酸化膜を積層して形成した前記スペーサ形成用絶縁膜の前記酸化膜をドライエッチングして、前記ゲート電極の両側壁の前記窒化膜上に酸化膜スペーサを形成する酸化膜スペーサ形成ステップと、前記酸化膜スペーサを利用して、前記フォトダイオード領域と反対側の前記ゲート電極片側の前記エピタキシャル層表層部にフローティング拡散領域を形成するフローティング拡散領域形成ステップとを含むことを特徴としている発明8。上記発明1によれば、前記フォトダイオードの表面に前記スペーサ形成用絶縁膜が残されるので、従来のようなスペーサ形成用絶縁膜のエッチングによるフォトダイオード領域の損傷を抑え、駆動時の暗電流特性が改善されたCMOSイメージセンサを製造することができる。また、青色光のような短波長の光に対する光感度を向上させることが可能となる。また、上記発明2によれば、青色光のような短波長の光に対する光感度を向上させることができる。また、上記発明3によれば、低電圧駆動に好適な埋め込みフォトダイオード領域を形成することができる。また、上記発明4によれば、一般的に高価となるレチクルの数を削減することができ、製造コストが高くなるのを抑えることができる。上記発明5によれば、スペーサ形成用絶縁膜のうち、前記酸化膜をドライエッチングで、前記窒化膜をウェットエッチングで除去するので、前記フォトダイオードの表面は、前記窒化膜及び前記イオン注入用酸化膜によってダメージの大きいドライエッチングスペーサ形成用絶縁膜のエッチングから保護される。これにより、該ドライエッチングによるフォトダイオード領域の損傷を抑え、駆動時の暗電流特性が改善されたCMOSイメージセンサを製造することができる。また、上記発明6によれば、前記窒化膜を上記ドライエッチング時のエッチングバッファとして好適に作用させ、前記ドライエッチング工程で或る程度のオーバエッチングが行われても、フォトダイオード領域の表面を十分に保護することができる。また、上記発明7によれば、低電圧駆動に好適な埋め込みフォトダイオード領域を形成することができる。また、上記発明8によれば、スペーサ形成用絶縁膜のうち、前記酸化膜をドライエッチングで、前記窒化膜をウェットエッチングで除去するので、前記フォトダイオードの表面は、前記窒化膜及び前記イオン注入用酸化膜によってダメージの大きいドライエッチングスペーサ形成用絶縁膜のエッチングから保護される。これにより、該ドライエッチングによるフォトダイオード領域の損傷を抑え、駆動時の暗電流特性が改善されたCMOSイメージセンサを製造することができる。また、前記フォトダイオードの表面に前記スペーサ形成用絶縁膜が残されるので、青色光のような短波長の光に対する光感度を向上させることが可能となる。以下、本発明の最も好ましい実施の形態を添付する図面を参照しながら説明する。図2Aないし図2Fは、本発明の第1の実施の形態に係るCMOSイメージセンサの製造工程におけるトランスファートランジスタ及びリセットトランジスタ周辺の断面構造を工程順に示した図である。尚、本発明の第1の実施の形態に係るCMOSイメージセンサの単位画素の概形は、図1Aに示したものと同様であるので、その詳細な説明を省略する。まず、図2Aに示すように、高濃度のp型基板30上に低濃度のp型エピタキシャル層31を形成する。このように低濃度のエピタキシャル層31を用いることにより、フォトダイオードの空乏層を深くして特性を向上させることができる。また、高濃度の基板30を用いることによって、単位画素間のクロストークを防止することができる。次いでフィールド絶縁膜形成ステップとして、基板30上に形成されたエピタキシャル層31の一定領域に活性領域とフィールド領域とを画定する素子分離膜を形成する。本実施の形態では、素子分離膜として熱酸化膜によりフィールド絶縁膜32を形成するが、トレンチ構造など別の構造の素子分離膜を用いることもできる。次いでゲート電極形成ステップとして、活性領域のエピタキシャル層31上にゲート絶縁膜図示せずとゲートポリシリコン層33とを連続的に成長させ、これをパターニングして、トランスファートランジスタのゲート電極33a及びリセットトランジスタのゲート電極33bを形成する。図示のように、これらのゲート電極33a、33bは、それぞれの上部に形成されたタングステンシリサイド層34を備えていることが好ましい。図2Aには示されていないが、ドライブトランジスタ及びセレクトトランジスタ等のゲート電極も共にパターニングしておくとよい。次いでフォトダイオード領域形成ステップとして、図2Bないし図2Dに示すように、フォトダイオード領域形成のためのイオン注入によって半導体基板の表面が損傷されるのを抑えるため、イオン注入前に、ゲート電極33aの片側の活性領域におけるエピタキシャル層31上面にイオン注入用酸化膜35を形成し、該イオン注入用酸化膜35下方のエピタキシャル層31表層部にフォトダイオード領域37、38を形成する。イオン注入用酸化膜35を、約100~約500Åの厚さに形成することが望ましい。本実施の形態では、ゲート電極33aの片側の前記活性領域におけるエピタキシャル層31上、即ちイオン注入用酸化膜35上の領域に開口を有するフォトダイオード領域形成マスク36を形成した後、該フォトダイオード領域形成マスク36を用いて高エネルギーイオン注入を行い、n型イオン注入領域となる第1のフォトダイオード領域37を、ゲート電極33aの片側とフィールド絶縁膜32との間のエピタキシャル層31表層部に形成する。次いで、連続的にフォトダイオード領域形成マスク36を用いて低エネルギーイオン注入を行い、p型イオン注入領域となる第2のフォトダイオード領域38を、第1のフォトダイオード領域37とエピタキシャル層31上面との間に形成する。このようにして、第1のフォトダイオード領域37と第2のフォトダイオード領域38とを含む、低電圧駆動に好適な埋め込みフォトダイオード領域を形成することができる。次いでスペーサ形成用絶縁膜形成ステップとして、図2Dに示すように、エピタキシャル層31、フィールド絶縁膜32、ゲート電極33a、33b、及びイオン注入用酸化膜35を含む全体構造の露出した表面に、窒化膜39を形成し、該窒化膜39上に酸化膜40を形成して、窒化膜39、酸化膜40の順で積層したスペーサ形成用絶縁膜を形成する。窒化膜39は、後述するドライエッチング時にエッチングバッファとして機能するものであり、窒化膜39を約100~約500Åの厚さに形成することが望ましい。次いで酸化膜スペーサ形成ステップとして、図2Eに示すように、スペーサ形成用絶縁膜の酸化膜40をドライエッチングして、ゲート電極33a及びゲート電極33bの両側壁の窒化膜39上に酸化膜スペーサ41aを形成する。窒化膜39は、酸化膜40に対して高いエッチング選択比が得られるので、このドライエッチングからフォトダイオード領域の表面を保護することができ、前記ドライエッチング工程で或る程度のオーバエッチングが行われても、窒化膜39が、フォトダイオード領域の表面を十分に保護することができる。次いで窒化膜除去ステップとして、図2Fに示すように、前記ドライエッチングによって露出されたスペーサ形成用絶縁膜の窒化膜39を、ウェットエッチングにより除去する。これにより、酸化膜スペーサ41aとフィールド絶縁膜32との間の、又は隣接する酸化膜スペーサ41a間のイオン注入用酸化膜35及びエピタキシャル層31上面が露出される。窒化膜39のうち、酸化膜スペーサ41aに覆われた部分は、該ウェットエッチングから保護されて残留し、窒化膜スペーサ41bとなる。これにより酸化膜スペーサ41aと窒化膜スペーサ41bとを含むスペーサ41が形成される。次いで、フローティング拡散領域形成ステップとして、図2Fに示すように、フォトダイオード領域37、38と反対側のゲート電極33a片側のエピタキシャル層31、及びゲート電極33b両側のエピタキシャル層31上の領域に開口を有するフローティング拡散領域形成マスク42を形成した後、n型イオン注入を行って、フォトダイオード領域37、38と反対側のゲート電極33a片側のエピタキシャル層31表層部にフローティング拡散領域43を形成し、及びゲート電極33b両側のエピタキシャル層51表層部にソース/ドレイン領域44を形成する。次いで、一般的な後続工程を行ってCMOSイメージセンサの製造工程を終了する。本実施の形態では、エッチングバッファとなる窒化膜39を用いてフォトダイオード領域56、57の表面をドライエッチング工程から保護し、また、窒化膜39の除去にウェットエッチングを用いることにより、スペーサ形成用絶縁膜のエッチングによるフォトダイオード領域の損傷を抑え、駆動時の暗電流を減少させることができるCMOSイメージセンサの製造方法が提供される。本発明の別の実施の形態では、上記窒化膜除去ステップを省略して、フォトダイオード領域56、57上の窒化膜39を除去せず残留させる。これにより、残留した窒化膜39の反射防止効果により、青色光のような短波長の光に対する光特性を向上させることができる。図3Aないし図3Fは、本発明の第2の実施の形態に係るCMOSイメージセンサの製造工程におけるトランスファートランジスタ及びリセットトランジスタ周辺の断面構造を工程順に示した図である。尚、本発明の第2の実施の形態に係るCMOSイメージセンサの単位画素の概形も、図1Aに示したものと同様であるので、その詳細な説明を省略する。まず、図3Aに示すように、高濃度のp型基板50上に低濃度のp型エピタキシャル層51を形成する。このように低濃度のエピタキシャル層51を用いることにより、フォトダイオードの空乏層を深くして特性を向上させることができる。また、高濃度の基板50を用いることによって、単位画素間のクロストークを防止することができる。次いで、フィールド絶縁膜形成ステップとして、基板50上に形成されたエピタキシャル層51の一定領域に活性領域とフィールド領域とを画定する素子分離膜を形成する。本実施の形態では、素子分離膜として熱酸化膜によりフィールド絶縁膜52を形成するが、トレンチ構造など別の構造の素子分離膜を用いることもできる。次いでゲート電極形成ステップとして、活性領域のエピタキシャル層51上にゲート絶縁膜図示せずとゲートポリシリコン53とを連続的に成長させ、これをパターニングして、トランスファートランジスタのゲート電極53a及びリセットトランジスタのゲート電極53bを形成する。図示のように、これらのゲート電極53a、53bは、それぞれの上部に形成されたタングステンシリサイド層54を備えていることが好ましい。図3Aには示されていないが、ドライブトランジスタ及びセレクトトランジスタ等のゲート電極も共にパターニングしておくとよい。次いでフォトダイオード領域形成ステップとして、図3Bないし図3Dに示すように、ゲート電極53aの片側の前記活性領域におけるエピタキシャル層51表層部にフォトダイオード領域56、57を形成する。本実施の形態では、ゲート電極53aの片側の前記活性領域におけるエピタキシャル層51上の領域に開口を有するフォトダイオード領域形成マスク55を形成した後、該フォトダイオード領域形成マスク55を用いて高エネルギーイオン注入を行い、n型イオン注入領域となる第1のフォトダイオード領域56を、ゲート電極53aの片側とフィールド絶縁膜52との間のエピタキシャル層51表層部に形成する。次いで、連続的にフォトダイオード領域形成マスク55を用いて低エネルギーイオン注入を行い、p型イオン注入領域となる第2のフォトダイオード領域57を、第1のフォトダイオード領域56とエピタキシャル層上面と間に形成する。このようにして、第1のフォトダイオード領域56と第2のフォトダイオード領域57とを含む低電圧埋め込みフォトダイオード領域を形成する。次いでスペーサ形成用絶縁膜形成ステップとして、図3Dないし図3Eに示すように、エピタキシャル層51、フィールド絶縁膜52、及びゲート電極53a、53bを含む全体構造の露出した表面に、酸化膜と窒化膜とを積層したスペーサ形成用絶縁膜58を形成する。図では、スペーサ形成用絶縁膜58を単層で示しているが、本実施の形態では、スペーサ形成用絶縁膜58は、酸化膜と窒化膜とを積層したものである。好ましくは、まず前記全体構造の露出した表面に前記酸化膜を約200~約2000Åの厚さに形成した後、該酸化膜上に前記窒化膜を約200~約1000Åの厚さに積層して形成する。これにより、青色光のような短波長の光に対するフォトダイオード領域の光特性を向上させることができる。別の実施の形態では、酸化膜、窒化膜、酸窒化膜、又は、これらの膜の積層構造とすることもできる。次いでスペーサマスク形成ステップとして、図3Dに示すように、フォトダイオード領域56、57におけるエピタキシャル層51上面、及びフォトダイオード領域56、57側のゲート電極53aの端部上面を覆い、ゲート電極53aの反対側の端部上面、及びゲート電極53b上面を露出させるスペーサマスク59を形成する。スペーサマスク59を、上記フォトダイオード領域形成マスク55の反転マスクとする場合、フォトダイオード領域形成マスク55形成時と同じレチクル、及び感光特性が逆のフォトレジストを用いて容易に形成することもできる。次いでスペーサ形成ステップとして、図3Eに示すように、スペーサマスク59下にスペーサ形成用絶縁膜58を残しつつ、スペーサ形成用絶縁膜58をドライエッチングして、フォトダイオード領域56、57と反対側のゲート電極53a側壁、及びゲート電極53bの両側壁にスペーサ60を形成し、その後、スペーサマスク除去ステップとして、スペーサマスク59を除去する。このドライエッチングでは、スペーサブロックマスク59のため、フォトダイオード領域56、57上面にスペーサ形成用絶縁膜58が残される。次いでフローティング拡散領域形成ステップとして、図3Fに示すように、フォトダイオード領域56、57と反対側のゲート電極53a片側のエピタキシャル層51表層部にフローティング拡散領域62、及びゲート電極53b両側のエピタキシャル層51表層部にソース/ドレイン領域63をそれぞれ形成する。本実施の形態では、フォトダイオード領域56、57と反対側のゲート電極53a片側のエピタキシャル層51、及びゲート電極53b両側のエピタキシャル層51上の領域に開口を有するフローティング拡散領域形成マスク61を形成した後、n型イオン注入を行って、フローティング拡散領域62及びソース/ドレイン領域63を形成する。次いで、フローティング拡散領域形成マスク61を除去し一般的な後続工程を行って、CMOSイメージセンサの製造工程を終了する。本実施の形態に係るCMOSイメージセンサの製造方法によれば、フォトダイオード56、57の表面にスペーサ形成用絶縁膜58が残されるので、従来のようなスペーサ形成用絶縁膜のエッチングによるフォトダイオード領域の損傷を抑え、駆動時の暗電流特性が改善されたCMOSイメージセンサを製造することができる。以上、本発明を上記実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態として開示した範囲に限定されるものではない。本発明に係る技術的思想から逸脱しない範囲内で多くの改良、変更が可能であり、それらも本発明の技術的範囲に属する。上記実施の形態のように、窒化膜と酸化膜とを積層したスペーサ形成用絶縁膜をフォトダイオード領域上面に形成した。図4Aないし図4Cは、この場合のフォトダイオード領域に入射する光の波長に対する透過率を示すグラフであって、該グラフの横軸はμm単位の波長、縦軸は透過率を示している。図4Aにおいては、フォトダイオード領域上面に約200Åの厚さを有する酸化膜と、約360~約480Åの厚さを有する窒化膜とを積層した場合の実施例黒丸付き実線、及び白丸付き破線と、従来の技術を用いた比較例点線との透過率の波長依存性に関する比較を示している。黒丸の実施例では、光源に0.45μmの波長の光を用い、白丸の実施例では、0.55μmの波長の光を用いた。図中の太い実線、破線、及び点線は、それぞれ、黒丸の実施例、白丸の実施例、及び比較例での透過率の平均値を示している。図示のように、青色光のような短波長領域において、窒化膜と酸化膜とを積層した実施例では、比較例より光透過率が高くなっていることが分かる。図4Bにおいては、フォトダイオード領域上面に約300Åの厚さを有する酸化膜と、約260~約380Åの厚さを有する窒化膜とを積層した場合の実施例黒丸付き実線、及び白丸付き破線と、従来の技術を用いた比較例点線との透過率の波長依存性に関する比較を示している。また、図4Cにおいては、フォトダイオード領域上面に厚さ約500Åの酸化膜と、厚さ約180Åの窒化膜とを積層した場合の実施例黒丸付き実線と、従来の技術を用いた比較例点線とを比較している。図4Bないし図4Cにおいても、図4Aと同様に光源に0.45μm、または0.55μmの波長の光を用い、それぞれの平均値を太線で示した。図示のように、青色光のような短波長領域において、窒化膜と酸化膜とを積層した実施例では、比較例より光透過率が高くなっていることが分かる。したがって、スペーサマスク下にスペーサ形成用絶縁膜を残す本発明に係るCMOSイメージセンサの製造方法によれば、青色光のような短波長の光に対する感度を向上させることができる。