電極が上面に形成された下地基板を用意する工程と、前記下地基板上に、平面視で前記電極に重なる位置に第1の開口部を有する第1の層を形成する工程と、前記第1の層上に、平面視で前記第1の開口部に重なる位置に第2の開口部を有する第2の層を形成する工程と、前記第1および第2の開口部の内部に、前記電極と接触する配線層を形成する工程と、を含み、前記第2の層は、感光性材料からなり、前記第2の層を形成する工程は、前記第1の層上に、前記第2の層を構成する感光性材料の層を形成するサブ工程と、前記感光性材料の層上に、平面視で前記第2の開口部の形成予定部に重なる第1の領域とそれ以外の第2の領域とで光透過性が異なるフォトマスクを配置するサブ工程と、前記フォトマスクを介して前記第2の層を構成する感光性材料の層を露光するサブ工程と、を含み、平面視で、前記フォトマスクの前記第1の領域の面積が、前記第1の層の前記第1の開口部の面積よりも大きい、表示パネルの製造方法。前記第1の層の厚みが前記第2の層の厚みより厚い、請求項1に記載の表示パネルの製造方法。前記第1の層は、前記第1の開口部とは異なる位置に、機能性材料層を形成するための第3の開口部を有する隔壁層であり、前記第2の層は、前記第3の開口部に形成された機能性材料層を被覆するオーバーコート層である、請求項1または2に記載の表示パネルの製造方法。前記第1の層は、ゲート絶縁膜であり、前記第2の層は、前記第2の開口部とは異なる位置に、機能性材料層を形成するための第3の開口部を有する隔壁層である、請求項1に記載の表示パネルの製造方法。前記第1の層は、感光性材料からなり、前記第1の層を形成する工程は、前記下地基板上に、前記第1の層を構成する感光性材料の層を形成するサブ工程と、前記感光性材料の層上に、平面視で前記第1の開口部の形成予定部に重なる第1の領域とそれ以外の第2の領域とで光透過性が異なるフォトマスクを配置するサブ工程と、前記フォトマスクを介して前記感光性材料の層を露光するサブ工程と、を含み、前記第2の層を形成する工程で用いられるフォトマスクにおける前記第1の領域の平面視での面積が、前記第1の層を形成する工程で用いられるフォトマスクにおける前記第1の領域の平面視での面積よりも大きい、請求項1に記載の表示パネルの製造方法。電極が上面に形成された下地基板と、前記下地基板上に形成され、平面視で前記電極に重なる位置に第1の開口部を有する第1の層と、前記第1の層上に形成され、平面視で前記第1の開口部に重なる位置に第2の開口部を有する第2の層と、前記第1および第2の開口部の内部に形成された、前記電極と接触する配線層と、を備え、前記第2の開口部の平面視での面積が、前記第1の開口部の平面視での面積よりも大きい、表示パネル。特許文献1の技術は、第1の層を形成し、次いで、その上に第2の層を形成し、その後、第1および第2の層を一括してエッチングすることによりコンタクトホールとなる開口部を形成する技術である。これに対し、例えば、第1および第2の層に感光性材料を採用した場合など、第1の層の開口部と第2の層の開口部を別々の工程で形成するほうが都合のよい場合がある。この場合、第1の層に開口部を形成しておき、その第1の層の上に第2の層を構成する感光性材料を塗布して感光性材料層を形成し、フォトマスクを感光性材料層上に配置し、フォトマスクを介して感光性材料層を露光し、その後、感光性材料層を現像することにより第2の層を形成することとなる。フォトマスクを介して露光しておくと、現像時に感光性材料層が部分的に除去されて第2の層に開口部が形成される。ところで、感光性材料層は、下地の第1の層の形状に沿う形状となるので、感光性材料層が形成された段階では、感光性材料層の第1の層の開口部内に存在する部分は、第1の層上に存在する部分に対して凹入した形状となる。そのため、感光性材料層上にフォトマスクを配置すると、凹入部分とフォトマスクとの間に隙間が生じる。一方、フォトマスクを利用する技術では、本来遮光すべき領域が光の回り込みにより部分的に露光され、その結果、感光性材料層の除去しようとする部分が部分的に残存してしまうという問題がある。特に、フォトマスクと感光性材料層との間の隙間が大きいほど光の回り込みの距離が大きくなり、その問題が顕著となる。そのため、第2の層の開口部を形成する部分である感光性材料層の凹入部分では光の回り込みの距離が大きく、本来除去すべきなのに残存してしまう部分が大きくなり、コンタクトホールの面積を十分に確保できなくなる場合がある。そこで、本発明は、コンタクトホールの形成に際し、光の回り込みにより本来除去すべきなのに残存してしまう部分を小さくすることで、コンタクトホールの面積を確保しやすくする技術を提供することを目的とする。本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法は、電極が上面に形成された下地基板を用意する工程と、前記下地基板上に、平面視で前記電極に重なる位置に第1の開口部を有する第1の層を形成する工程と、前記第1の層上に、平面視で前記第1の開口部に重なる位置に第2の開口部を有する第2の層を形成する工程と、前記第1および第2の開口部の内部に、前記電極と接触する配線層を形成する工程と、を含み、前記第2の層は、感光性材料からなり、前記第2の層を形成する工程は、前記第1の層上に、前記第2の層を構成する感光性材料の層を形成するサブ工程と、前記感光性材料の層上に、平面視で前記第2の開口部の形成予定部に重なる第1の領域とそれ以外の第2の領域とで光透過性が異なるフォトマスクを配置するサブ工程と、前記フォトマスクを介して前記第2の層を構成する感光性材料の層を露光するサブ工程と、を含み、平面視で、前記フォトマスクの前記第1の領域の面積が、前記第1の層の前記第1の開口部の面積よりも大きい。上記構成によれば、フォトマスクの第1の領域の面積が第1の層の第1の開口部の面積よりも大きい。したがって、フォトマスクを感光性材料の層上に配置したとき、フォトマスクの光透過性が異なる第1および第2の領域の境界が感光性材料の層の第1の層上に存在する部分上に位置することになる。この位置ではフォトマスクと感光性材料の層との隙間が小さいので、光の回り込みの距離が小さく、本来除去すべきなのに残存してしまう部分を小さくすることができる。したがって、コンタクトホールの面積を確保しやすくすることができる。[本発明の一態様の概要]本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法は、電極が上面に形成された下地基板を用意する工程と、前記下地基板上に、平面視で前記電極に重なる位置に第1の開口部を有する第1の層を形成する工程と、前記第1の層上に、平面視で前記第1の開口部に重なる位置に第2の開口部を有する第2の層を形成する工程と、前記第1および第2の開口部の内部に、前記電極と接触する配線層を形成する工程と、を含み、前記第2の層は、感光性材料からなり、前記第2の層を形成する工程は、前記第1の層上に、前記第2の層を構成する感光性材料の層を形成するサブ工程と、前記感光性材料の層上に、平面視で前記第2の開口部の形成予定部に重なる第1の領域とそれ以外の第2の領域とで光透過性が異なるフォトマスクを配置するサブ工程と、前記フォトマスクを介して前記第2の層を構成する感光性材料の層を露光するサブ工程と、を含み、平面視で、前記フォトマスクの前記第1の領域の面積が、前記第1の層の前記第1の開口部の面積よりも大きい。上記構成によれば、フォトマスクの第1の領域の面積が第1の層の第1の開口部の面積よりも大きい。したがって、フォトマスクを感光性材料の層上に配置したとき、フォトマスクの光透過性が異なる第1および第2の領域の境界が感光性材料の層の第1の層上に存在する部分上に位置することになる。この位置ではフォトマスクと感光性材料の層との隙間が小さいので、光の回り込みの距離が小さく、本来除去すべきなのに残存してしまう部分を小さくすることができる。したがって、コンタクトホールの面積を確保しやすくすることができる。また、前記第1の層の厚みが前記第2の層の厚みより厚いこととしてもよい。また、前記第1の層は、前記第1の開口部とは異なる位置に、機能性材料層を形成するための第3の開口部を有する隔壁層であり、前記第2の層は、前記第3の開口部に形成された機能性材料層を被覆するオーバーコート層であることとしてもよい。また、前記第1の層は、ゲート絶縁膜であり、前記第2の層は、前記第2の開口部とは異なる位置に、機能性材料層を形成するための第3の開口部を有する隔壁層であることとしてもよい。また、前記第1の層は、感光性材料からなり、前記第1の層を形成する工程は、前記下地基板上に、前記第1の層を構成する感光性材料の層を形成するサブ工程と、前記感光性材料の層上に、平面視で前記第1の開口部の形成予定部に重なる第1の領域とそれ以外の第2の領域とで光透過性が異なるフォトマスクを配置するサブ工程と、前記フォトマスクを介して前記感光性材料の層を露光するサブ工程と、を含み、前記第2の層を形成する工程で用いられるフォトマスクにおける前記第1の領域の平面視での面積が、前記第1の層を形成する工程で用いられるフォトマスクにおける前記第1の領域の平面視での面積よりも大きいこととしてもよい。本発明の一態様に係る表示パネルは、電極が上面に形成された下地基板と、前記下地基板上に形成され、平面視で前記電極に重なる位置に第1の開口部を有する第1の層と、前記第1の層上に形成され、平面視で前記第1の開口部に重なる位置に第2の開口部を有する第2の層と、前記第1および第2の開口部の内部に形成された、前記電極に接触する配線層と、を備え、前記第2の開口部の平面視での面積が、前記第1の開口部の平面視での面積よりも大きい。本発明を実施するための形態を、図面を参照して詳細に説明する。[実施の形態1]<全体構成>図1は、本発明の実施の形態1に係る表示パネルの構造を示す断面図である。同図には1画素分が示されている。表示パネルは、基板1、ゲート電極2、ゲート絶縁膜3、ソースドレイン電極4、隔壁層5、半導体層6、オーバーコート層7、平坦化層8、画素電極9、隔壁層10、有機EL層11、共通電極12、および、封止層13を備える。駆動回路を構成するトランジスタは、ゲート電極2、ゲート絶縁膜3、ソースドレイン電極4および半導体層6から構成されている。トランジスタは、無機TFTThinFilmTransistorまたは有機TFTであり、本実施形態では、1画素当たり2個のトランジスタが用いられている。発光素子は、画素電極9、有機EL層11および共通電極12から構成されている。駆動回路と発光素子との間に介在する絶縁層は、隔壁層5、オーバーコート層7および平坦化層8からなる。図中A部において、隔壁層5、オーバーコート層7および平坦化層8は、平面視でソースドレイン電極4に重なる位置にそれぞれ開口部を有し、これらによりコンタクトホールが形成されている。そして、画素電極9の一部がコンタクトホールの内周面に沿って凹入し、コンタクトホールの底部に露出したソースドレイン電極4に接触している。画素電極9のコンタクトホール内に存在する部分がソースドレイン電極4に接触する配線層として機能する。<各層の構成>基板1は、樹脂またはガラスなどの公知の材料を用いて形成することができる。ゲート電極2、ゲート絶縁膜3、ソースドレイン電極4および半導体層6は、何れも無機TFTまたは有機TFTに用いられる公知の材料を用いて形成することができる。なお、本実施形態では、半導体層6に用いられる材料は、インクジェット方式等の塗布方式で形成可能な材料であるものとする。隔壁層5は、絶縁性および感光性を有する材料からなり、主に、半導体層6を塗布法式で形成する際に半導体層6の材料を含むインクが目的の位置以外に流出するのを防止する目的で設けられている。隔壁層5には、半導体層6を塗布方式で形成するための開口部とコンタクトホールを形成するための開口部とが形成されている。オーバーコート層7は、絶縁性および感光性を有する材料からなり、主に、半導体層6を被覆する目的で設けられている。オーバーコート層7には、コンタクトホールを形成するための開口部が形成されている。平坦化層8は、絶縁性および感光性を有する材料からなり、主に、上面を平坦化する目的で設けられている。平坦化層8には、コンタクトホールを形成するための開口部が形成されている。画素電極9、有機EL層11、共通電極12は、何れも有機EL素子に用いられる公知の材料を用いて形成することができる。有機EL層11は、発光層を有し、必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層および電子輸送層を有する。隔壁層10は、絶縁性および感光性を有する材料からなり、主に、有機EL層11を塗布法式で形成する際に有機EL層11の材料を含むインクが目的の位置以外に流出するのを防止する目的で設けられている。封止層13は、絶縁性および透光性を有する材料からなり、主に、発光素子および駆動回路に水分やガスが侵入するのを防止する目的で設けられている。<製造方法>図2乃至図7は、図1の表示パネルの製造工程を説明するための断面図である。まず、基板1を準備し、基板1上にゲート電極2およびゲート絶縁膜3を形成する図2a。ゲート電極2は、例えば、基板1上にゲート電極を形成する導電材料を積層し、その上にレジストパターンを形成し、レジストパターンを介して導電材料をエッチングし、レジストパターンを剥離する、という工程により形成することができる。ゲート絶縁膜3は、ゲート電極2とソースドレイン電極4を接触させるためのコンタクトホールを有し、例えば、ゲート電極2が形成された基板1上にゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁材料層を形成し、フォトマスクを配置し、フォトマスクを介してゲート絶縁材料層を露光し、その後、ゲート絶縁材料層を現像する工程により形成することができる。次に、ゲート絶縁膜3上にソースドレイン電極4を形成するSD材料層4aを積層し図2b、その上に開口部4cを有するレジストパターン4bを形成し図2c、レジストパターン4bを介してSD材料層4aをエッチングし図2d、レジストパターン4bを剥離する図2e。これにより、ソースドレイン電極4が上面に形成された下地基板を形成することができる。なお、ソースドレイン電極4は、単層構造でもよく多層構造でもよい。単層構造の場合は単一工程で成膜できるので製造工程が簡略化できる。また、多層構造の場合は、下層を下地との密着性の高い材料とし、上層を電気伝導性の高い材料とするなど、それぞれ必要な機能に応じて適切な材料を選択することができる。このような例として、例えば、下層の材料をチタンTiとして厚みを数nmとし、上層の材料を金Auとして厚みを50nm~100nmとすることが挙げられる。次に、ソースドレイン電極4が形成された下地基板上に隔壁層5を形成する隔壁材料層5aを形成し図3a、隔壁材料層5a上にフォトマスク5dを配置し、フォトマスク5dを介して隔壁材料層5aを露光し図3b、その後、隔壁材料層5aを現像する。この結果、半導体層6を形成するための開口部5eとコンタクトホールを形成するための開口部5fを有する隔壁層5を形成することができる図3c。なお、フォトマスク5dは、光透過性が極めて小さな遮光領域5bと光透過性が極めて大きな開口領域5cを有する。本実施形態では、隔壁層5の材料として、現像時に未露光部分が除去され露光部分が残留するタイプの感光性材料を用いている。そのため、フォトマスク5dは、遮光領域5bが平面視で隔壁材料層5aの開口予定部に重なり、開口領域5cがそれ以外の領域に重なるように形成されている。次に、隔壁層5の開口部5eに半導体層6を形成する図4a。半導体層6は、例えば、半導体層6を形成する半導体材料と溶媒とを含むインクを開口部5eに塗布し、溶媒を蒸発させることにより半導体材料を残留させる工程により形成することができる。次に、半導体層6が形成された隔壁層5上にオーバーコート層7を形成するオーバーコート材料層7aを形成し図4b、オーバーコート材料層7a上にフォトマスク7dを配置し、フォトマスク7dを介してオーバーコート材料層7aを露光し図5a、その後、オーバーコート材料層7aを現像する。この結果、コンタクトホールを形成するための開口部7eを有するオーバーコート層7を形成することができる図5b。なお、フォトマスク7dは、光透過性が極めて小さな遮光領域7bと光透過性が極めて大きな開口領域7cを有する。本実施形態では、オーバーコート層7の材料として、隔壁層5と同じく、現像時に未露光部分が除去され露光部分が残留するタイプの感光性材料を用いている。そのため、フォトマスク7dは、遮光領域7bが平面視でオーバーコート材料層7aの開口予定部に重なり、開口領域7cがそれ以外の領域に重なるように形成されている。また、平面視でフォトマスク7dの遮光領域7bの面積は、隔壁層5の開口部5fの面積よりも大きい。即ち、図5aに示すように、フォトマスク7dの遮光領域7bの径D1が、隔壁層5の開口部の径D2よりも大きい。これにより、フォトマスク7dを用いて露光した際に光の回り込みが生じたとしても、コンタクトホールの面積を確保することができる。この効果を裏付ける実験結果は後に説明する。次に、開口部が形成されたオーバーコート層7上に平坦化層8を形成する平坦化材料層8aを形成し図6a、平坦化材料層8a上にフォトマスク8dを配置し、フォトマスク8dを介して平坦化材料層8aを露光し図6b、その後、平坦化材料層8aを現像する。この結果、コンタクトホール8eを有する平坦化層8を形成することができる図6c。なお、フォトマスク8dは、光透過性が極めて小さな遮光領域8bと光透過性が極めて大きな開口領域8cを有する。本実施形態では、平坦化層8の材料として、隔壁層5と異なり、現像時に露光部分が除去され未露光部分が残留するタイプの感光性材料を用いている。そのため、フォトマスク8dは、開口領域8cが平面視で平坦化材料層8aの開口予定部に重なり、遮光領域8bがそれ以外の領域に重なるように形成されている。その後、画素電極9、隔壁層10、有機EL層11、共通電極12および封止層13を順次形成することにより、表示パネルを形成することができる図7。<実験結果>発明者らは、基板、隔壁層、オーバーコート層、平坦化層の積層構造を作成し、平面視で観察した。図8aは平坦化層形成前の比較例の写真であり、図9aはそのトレース図と断面図である。図8bは平坦化層形成前の実施例の写真であり、図9bはそのトレース図と断面図である。図8cは平坦化層形成後の実施例の写真であり、図9cはそのトレース図と断面図である。比較例では、第1のフォトマスクを用いて隔壁層を形成し、第2のフォトマスクを用いてオーバーコート層を形成している。第2のフォトマスクの遮光領域開口部を形成する領域の面積は第1のフォトマスクの遮光領域開口部を形成する領域よりも小さい。そのため、比較例では、オーバーコート層の開口部の面積が隔壁層の開口部の面積よりも小さくなる。一方、実施例では、逆に、第2のフォトマスクを用いて隔壁層を形成し、第1のフォトマスクを用いてオーバーコート層を形成している。そのため、実施例では、オーバーコート層の開口部の面積が隔壁層の開口部の面積よりも大きくなる。光の回り込みの無い理想的な状況下では、比較例と実施例とで同じフォトマスクを利用しているので、同じ開口面積になると考えられる。しかしながら、実際には光の回り込みが生じるので、比較例と実施例では開口面積が異なる。比較例では、図9aの断面図に示すように、オーバーコート層の内周面の傾斜が下端に近づくほど緩くなり、その結果、開口面積が小さくなっている。これに対し、実施例では、図9bの断面図に示すように、隔壁層およびオーバーコート層の内周面の傾斜が一定であり、開口面積が大きくなっている。この理由を、図10を用いて説明する。オーバーコート材料層7aは、下地の隔壁層5の形状に沿う形状となるので、オーバーコート材料層7aにおける隔壁層5の開口部内に存在する部分は、隔壁層5上に存在する部分に対して凹入した形状となる。そのため、オーバーコート材料層7a上にフォトマスク7dを配置すると、凹入部分とフォトマスク7dとの間に隙間が生じる。光の回り込みは、フォトマスク7dの遮光領域7bと開口領域7cの境界を起点として一定の角度で発生するので、フォトマスク7dとオーバーコート材料層7aとの隙間が大きいほど光の回り込む距離が大きくなる。図10aでは、フォトマスク7dの遮光領域7bの面積同図では径D1に対応するが隔壁層5の開口部の面積同図では径D2に対応するよりも小さいので、光の回り込む領域7fが広い。光の回り込む領域7fは、中途半端に露光されることとなるので、領域7f内のオーバーコート材料層7aは現像後に一部流動した形で残存してしまう。したがって、オーバーコート層7の下端7gが開口部の中央寄りに位置し、その分、開口面積が小さくなる。これに対し、図10bでは、フォトマスク7dの遮光領域7bの面積が隔壁層5の開口部の面積よりも大きいので、光の回り込む領域7fが狭い。したがって、中途半端に露光されることで一部残存する部分を低減することができ、オーバーコート層7の下端7hを適切な位置に留めて開口面積を確保することができる。この原理によると、フォトマスク7dの遮光領域7bの面積が隔壁層5の開口部の面積よりも大きければよい。また、フォトマスク7dとフォトマスク5dを比べると、多くの場合、フォトマスク7dの遮光領域7bの面積がフォトマスク5dの遮光領域5bの面積よりも大きくなる。したがって、フォトマスク7dの遮光領域7bの面積がフォトマスク5dの遮光領域5bの面積よりも大きくすることとしてもよい。なお、実際には、隔壁層5の厚みは約1μm、オーバーコート層7の厚みは約0.3μm~0.5μm、フォトマスク7dの厚みは約2mm~3mmである。このように、隔壁層5の厚みがオーバーコート層7の厚みよりも厚い場合に、特に光の回り込みの問題が発生しやすくなるので、本実施形態を適用する効果が高い。[実施の形態2]実施の形態1では、コンタクトホールを形成するための開口部を設ける層として、第1の層を隔壁層5とし、第1の層の上に存在する第2の層をオーバーコート層7として説明しているが、本発明はこれに限らず、第1の層の開口部と第2の層の開口部とを別の工程で形成する場合であれば、如何なる層の組み合わせでも適用可能である。実施の形態2では、コンタクトホールを形成するための開口部を設ける層として、第1の層をゲート絶縁膜3とし、第2の層を隔壁層5とする場合について説明する。なお、実施の形態1と同じ構成については説明を省略する。<全体構成>図11は、本発明の実施の形態2に係る表示パネルの構造を示す断面図である。表示パネルは、基板1、ゲート電極2、ゲート絶縁膜3、ソースドレイン電極4、隔壁層5、半導体層6、オーバーコート層7、平坦化層8、画素電極9、隔壁層10、有機EL層11、共通電極12、および、封止層13を備える。実施の形態1ではトランジスタの構造がボトムゲート-ボトムコンタクト型であり、そのため、ソースドレイン電極4が半導体層6の下部に位置している。これに対し、実施の形態2ではトランジスタの構造がボトムゲート-トップコンタクト型であり、そのため、ソースドレイン電極4が半導体層6の上部に位置している。図中A部において、ゲート絶縁膜3および隔壁層5は、平面視でゲート電極2に重なる位置にそれぞれ開口部を有し、これらによりコンタクトホールが形成されている。そして、ソースドレイン電極4の一部がコンタクトホールの内周面に沿って凹入し、コンタクトホールの底部に露出したゲート電極2に接触している。ソースドレイン電極4のコンタクトホール内に存在する部分がゲート電極2に接触する配線層として機能する。<製造方法>図12乃至図17は、図11の表示パネルの製造工程を説明するための断面図である。まず、基板1を準備し、基板1上にゲート電極2を形成する。これにより、ゲート電極2が上面に形成された下地基板を形成することができる。次に、ゲート電極2が形成された下地基板上にゲート絶縁膜3を形成するゲート絶縁材料層3aを形成し図12a、ゲート絶縁材料層3a上にフォトマスク3dを配置し、フォトマスク3dを介してゲート絶縁材料層3aを露光し図12b、その後、ゲート絶縁材料層3aを現像する。この結果、コンタクトホールを形成するための開口部3eを有するゲート絶縁膜3を形成することができる図12c。なお、フォトマスク3dは、光透過性が極めて小さな遮光領域3bと光透過性が極めて大きな開口領域3cを有する。本実施形態では、ゲート絶縁膜3の材料として、現像時に未露光部分が除去され露光部分が残留するタイプの感光性材料を用いている。そのため、フォトマスク3dは、遮光領域3bが平面視でゲート絶縁材料層3aの開口予定部に重なり、開口領域3cがそれ以外の領域に重なるように形成されている。次に、ゲート絶縁膜3上に隔壁層5を形成する隔壁材料層5aを形成し図13a、隔壁材料層5a上にフォトマスク5dを配置し、フォトマスク5dを介して隔壁材料層5aを露光し図13b、その後、隔壁材料層5aを現像する。この結果、半導体層6を形成するための開口部5eとコンタクトホールを形成するための開口部5fを有する隔壁層5を形成することができる図13c。なお、フォトマスク5dは、光透過性が極めて小さな遮光領域5bと光透過性が極めて大きな開口領域5cを有する。本実施形態では、隔壁層5の材料として、現像時に未露光部分が除去され露光部分が残留するタイプの感光性材料を用いている。そのため、フォトマスク5dは、遮光領域5bが平面視で隔壁材料層5aの開口予定部に重なり、開口領域5cがそれ以外の領域に重なるように形成されている。また、平面視でフォトマスク5dの遮光領域5bの面積は、ゲート絶縁膜3の開口部3eの面積よりも大きい。即ち、図13bに示すように、フォトマスク5dの遮光領域5bの径D1が、ゲート絶縁膜3の開口部の径D2よりも大きい。これにより、フォトマスク5dを用いて露光した際に光の回り込みが生じたとしても、コンタクトホールの面積を確保することができる。次に、隔壁層5の開口部5eに半導体層6を形成する図14a。次に、半導体層6が形成された隔壁層5上にソースドレイン電極4を形成するSD材料層4aを形成し図14b、エッチング工程を経て、ソースドレイン電極4を形成する図14c。なお、ソースドレイン電極4は、単層構造でもよく多層構造でもよい。単層構造の場合は単一工程で成膜できるので製造工程が簡略化できる。また、多層構造の場合は、半導体との層間抵抗を考慮して下層を電荷注入性の良い材料とし、基板の熱膨張率を考慮して上層を断線しにくい材料とするなど、それぞれ必要な機能に応じて適切な材料を選択することができる。このような例として、例えば、下層の材料を銅Cuとして厚みを数nmとし、上層の材料をモリブデンMoとして厚みを50nm~100nmとすることが挙げられる。次に、ソースドレイン電極4が形成された隔壁層5上にオーバーコート層7を形成するオーバーコート材料層7aを形成し図15a、フォトマスクを介してオーバーコート材料層7aを露光し、現像することにより、コンタクトホールを形成するための開口部7eを有するオーバーコート層7を形成する図15b。次に、開口部が形成されたオーバーコート層7上に平坦化層8を形成する平坦化材料層8aを形成し図16a、フォトマスクを介して平坦化材料層8aを露光し、現像することにより、コンタクトホール8eを有する平坦化層8を形成する図16b。その後、画素電極9、隔壁層10、有機EL層11、共通電極12および封止層13を順次形成することにより、表示パネルを形成することができる図17。[変形例]以上、本発明を実施の形態に基づいて説明したが、本発明は上記実施の形態に限られるものではない。例えば、以下のような変形例が考えられる。1層数実施の形態では、2層構造の各層で開口部を形成しているが、本発明はこれに限られず、3層構造以上でも適用可能である。この場合、N番目の層を形成するためのフォトマスクの遮光領域の面積が、N-1番目の層の開口部の面積よりも大きければよいNは2以上の整数。図18は、本発明の実施の形態1の変形例に係る表示パネルの構造を示す断面図である。この例では、オーバーコート層7上にさらに別のオーバーコート層14が形成されている。これ以外の構成は実施の形態と同様である。オーバーコート層14は、絶縁性および感光性を有する材料からなり、主に、オーバーコート層7を被覆する目的で設けられている。オーバーコート層14には、コンタクトホールを形成するための開口部が形成されている。図19および図20は、図18の表示パネルの製造工程を説明するための断面図である。オーバーコート層7に開口部を形成し図19a、その上にオーバーコート層14を形成するオーバーコート材料層14aを形成し図19b、オーバーコート材料層14a上にフォトマスク14dを配置し、フォトマスク14dを介してオーバーコート材料層14aを露光し図20a、その後、オーバーコート材料層14aを現像する。この結果、コンタクトホールを形成するための開口部14eを有するオーバーコート層14を形成することができる図20b。フォトマスク14dは、光透過性が極めて小さな遮光領域14bと光透過性が極めて大きな開口領域14cを有する。本変形例では、オーバーコート層14の材料として、現像時に未露光部分が除去され露光部分が残留するタイプの感光性材料を用いている。そのため、フォトマスク14dは、遮光領域14bが平面視でオーバーコート材料層14aの開口予定部に重なり、開口領域14cがそれ以外の領域に重なるように形成されている。また、平面視でフォトマスク14dの遮光領域14bの面積は、オーバーコート層7の開口部7eの面積よりも大きい。即ち、図20aに示すように、フォトマスク14dの遮光領域14bの径D3が、オーバーコート層7の開口部7eの径D4よりも大きい。これにより、光の回り込みが生じたとしても、コンタクトホールの面積を確保することができる。2開口部の形状実施の形態では、隔壁層5の開口部の平面形状四角形とオーバーコート層7の開口部の平面形状四角形とが同じであるが、本発明はこれに限らず、フォトマスク7dの遮光領域の面積が隔壁層5の開口部の面積よりも大きいという条件さえ満たしていれば、隔壁層5の開口部の平面形状とオーバーコート層7の開口部の平面形状が異なることとしてもよい。また、実施の形態では、隔壁層5の開口部およびオーバーコート層7の開口部の平面形状が四角形であるが、これ以外の形状でもよい。例えば、円形、楕円形、多角形などでもよい。3感光性材料のタイプ実施の形態では、第2の層実施の形態1ではオーバーコート層7、実施の形態2では隔壁層5の材料として、現像時に未露光部分が除去され露光部分が残留するタイプの感光性材料を用いているが、本発明はこれに限られず、逆のタイプの感光性材料を用いてもよい。例えば、実施の形態1で逆のタイプを用いた場合、図21に示すように、フォトマスク7uは、開口領域7tが平面視でオーバーコート材料層7rの開口予定部に重なり、遮光領域7sがそれ以外の領域に重なるように形成される。そして、フォトマスク7uの開口領域7tの面積が、オーバーコート層7の開口部の面積よりも大きくなるように設計される。実施の形態2で逆のタイプを用いた場合も同様である。4表示装置への適用例図22は、図1の表示パネルを表示装置に適用した場合の機能ブロックを示す図である。図23は、図22の表示装置の外観を例示する図である。表示装置20は、表示パネル21と、これに電気的に接続された駆動制御部22とを備える。駆動制御部22は、駆動回路23と、駆動回路23の動作を制御する制御回路24とからなる。