バイパス抵抗とスイッチング素子との直列回路からなり、バッテリを構成する複数の電池セルの各々に並列接続された放電回路と、前記電池セルの各々の電圧を検出する電圧検出回路と、前記電圧検出回路から得られる各電池セルの電圧検出結果に基づいて各電池セルの電圧が均一となるように各スイッチング素子を制御する制御部と、を備えたセルバランス制御装置において、前記制御部は、隣り合う電池セルに接続された放電回路のスイッチング素子をそれぞれ異なるデューティ比で制御すると共に、前記隣り合う電池セルの電位差に基づいて各電池セルの両端から引き出された配線の断線を検出する、ことを特徴とするセルバランス制御装置。前記制御部は、隣り合う電池セルに接続された放電回路の一方のスイッチング素子を第1のデューティ比で制御し、他方のスイッチング素子を第2のデューティ比で制御することを特徴とする請求項1に記載のセルバランス制御装置。前記制御部は、前記第1のデューティ比と前記第2のデューティ比の値を交互に入れ替えることを特徴とする請求項2に記載のセルバランス制御装置。上記特許文献1の技術では、断線の有無を検出するために、隣り合う電池セルに接続された放電回路のスイッチング素子が同時にオフ状態とならないように、奇数番目と偶数番目のスイッチング素子を交互にオフ状態とする必要があるので、本来のセルバランス制御に必要な放電期間を十分に確保することができず、適切なセルバランス制御が困難となるという問題があった。本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、本来必要な放電期間を確保して適切なセルバランス制御を実現可能なセルバランス制御装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明では、セルバランス制御装置に係る第1の解決手段として、バイパス抵抗とスイッチング素子との直列回路からなり、バッテリを構成する複数の電池セルの各々に並列接続された放電回路と、前記電池セルの各々の電圧を検出する電圧検出回路と、前記電圧検出回路から得られる各電池セルの電圧検出結果に基づいて各電池セルの電圧が均一となるように各スイッチング素子を制御する制御部とを備えたセルバランス制御装置において、前記制御部は、隣り合う電池セルに接続された放電回路のスイッチング素子をそれぞれ異なるデューティ比で制御すると共に、前記隣り合う電池セルの電位差に基づいて各電池セルの両端から引き出された配線の断線を検出することを特徴とする。また、本発明では、セルバランス制御装置に係る第2の解決手段として、上記第1の解決手段において、前記制御部は、隣り合う電池セルに接続された放電回路の一方のスイッチング素子を第1のデューティ比で制御し、他方のスイッチング素子を第2のデューティ比で制御することを特徴とする。また、本発明では、セルバランス制御装置に係る第3の解決手段として、上記第2の解決手段において、前記制御部は、前記第1のデューティ比と前記第2のデューティ比の値を交互に入れ替えることを特徴とする。本発明によれば、隣り合う電池セルに接続された放電回路のスイッチング素子をそれぞれ異なるデューティ比で制御すると共に、前記隣り合う電池セルの電位差に基づいて各電池セルの両端から引き出された配線の断線を検出するので、本来必要な放電期間を確保して適切なセルバランス制御を実現することができる。以下、本発明の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係るセルバランス制御装置1の概略構成図である。この図1に示すように、セルバランス制御装置1は、バッテリを構成する直列接続された12個の電池セルC1~C12の電圧を均一化するためのセルバランス制御を行うものであり、12個の放電回路B1~B12と、12個の電圧検出回路D1~D12と、温度センサTSと、マイクロコンピュータ以下、マイコンと略すMと、絶縁素子IRとを備えている。放電回路B1~B12は、それぞれバイパス抵抗とトランジスタ等のスイッチング素子との直列回路からなり、電池セルC1~C12のそれぞれに並列接続されている。なお、図1では、放電回路B1~B12のそれぞれに設けられているバイパス抵抗の符号をR1~R12とし、スイッチング素子の符号をT1~T12としている。電圧検出回路D1~D12は、電池セルC1~C12のそれぞれに並列接続されており、それぞれ自回路に接続された電池セルの電圧を検出し、その電圧検出結果をマイコンMに出力する。なお、これら電圧検出回路D1~D12は、電池セルC1~C12のそれぞれに並列接続されるコンデンサフライングキャパシタを備えている。つまり、各フライングキャパシタの端子間電圧が、各電池セルC1~C12の電圧検出結果としてマイコンMのA/D入力ポートに出力される。温度センサTSは、放電回路B1~B12、電圧検出回路D1~D12、絶縁素子IR及びマイコンMと共に回路基板図示省略上に実装されたサーミスタであり、当該回路基板の温度を検出し、その検出した値を示す信号をマイコンMに出力する。なお、この温度センサTSの回路基板上の実装位置に関して特に限定はないが、基板温度の上昇によって回路素子の破壊や誤動作が懸念される電圧検出回路D1~D12やマイコンMの近傍に実装することが望ましい。マイコンM制御部は、CPUやメモリ、入出力インターフェイス等が一体的に組み込まれたICチップであり、フォトカプラ等の絶縁素子IRを介して上位制御装置であるバッテリECUElectronicControlUnit2と通信可能に接続されている。このマイコンMは、A/D入力ポートの入力電圧、つまり各電圧検出回路D1~D12の出力電圧フライングキャパシタの端子間電圧をA/D変換することにより、各電池セルC1~C12の電圧検出結果をデジタルデータとして取得して内部メモリに保存或いはバッテリECU2へ送信する機能を有している。また、詳細は後述するが、マイコンMは、温度センサTSから検出される値基板温度及び各電池セルC1~C12の電圧検出結果に基づいて、各電池セルC1~C12の電圧が均一となるように各放電回路B1~B12のスイッチング素子T1~T12を制御する機能、すなわちセルバランス制御機能を有している。さらに、このマイコンMは、隣り合う電池セルに接続された放電回路のスイッチング素子をそれぞれ異なるデューティ比で制御すると共に、隣り合う電池セルの電位差に基づいて各電池セルの両端から引き出された配線の断線を検出する機能も有している。次に、上記のように構成されたセルバランス制御装置1の動作について、図2~図4を参照しながら詳細に説明する。なお、以下では、図1に示すように、電池セルC1とC2との接続点から引き出された配線に断線が発生した場合を想定して説明する。図2のタイミングチャートに示すように、マイコンMは、時刻t1-t2の断線検出期間例えば150msにおいて、隣り合う電池セルに接続された放電回路のスイッチング素子をそれぞれ異なるデューティ比で制御する。具体的には、マイコンMは、例えば奇数番目の電池セルC1、C3、...、C11に接続された放電回路B1、B3、...、B11のスイッチング素子T1、T3、...、T11を4のデューティ比第1のデューティ比で制御すると共に、偶数番目の電池セルC2、C4、...、C12に接続された放電回路B2、B4、...、B12のスイッチング素子T2、T4、...、T12を96のデューティ比第2のデューティ比で制御する。ここで、上記のように、電池セルC1とC2との接続点から引き出された配線に断線が生じていた場合、断線検出期間の開始時刻t1以降、電圧検出回路D1の出力電圧V1と電圧検出回路D2の出力電圧V2との電位差ΔV=|V1-V2|が徐々に大きくなるという現象が発生する図2参照。このような現象を利用すれば、隣り合う電池セルの電位差ΔVに基づいてどの配線に断線が生じているかを検出することができる。具体的には、マイコンMは、断線検出期間の開始時刻t1から一定時間の経過後に、各電圧検出回路D1~D12の出力電圧V1~V12を取り込んでデジタルデータ化した後、隣り合う電池セルの電位差ΔVを順次算出し、その中で閾値ΔVth以上のものを探索する。上記のように、電池セルC1とC2との接続点から引き出された配線に断線が生じていた場合、電池セルC1の電圧検出結果であるV1と電池セルC2の電圧検出結果であるV2との電位差ΔVが閾値ΔVth以上となる。従って、この場合、マイコンMは、電池セルC1とC2との接続点から引き出された配線に断線が生じていると判断する。なお、マイコンMは、閾値ΔVth以上の電位差ΔVが存在しない場合、各配線は正常であると判断する。マイコンMは、時刻t1-t2の断線検出期間において、上記のような断線検出処理を終了すると、次の時刻t2-t3の実放電期間例えば500msにおいて、温度センサTSから得られる基板温度Ta及び各電池セルC1~C12の電圧検出結果V1~V2に基づいて、各電池セルC1~C12の電圧が均一となるように各放電回路B1~B12のスイッチング素子T1~T12を制御する。具体的には、マイコンMは、基板温度Ta°C、回路基板の最大許容温度Tmax°C及び回路基板の熱抵抗Rth°C/Wからなる下記1式に基づいて放電所定電力値W1を算出する。なお、下記1式において、最大許容温度Tmax及び熱抵抗Rthは、予めマイコンMに設定された固定値である。W1=Tmax-Ta/Rth1そして、マイコンMは、各放電回路B1~B12に設けられたバイパス抵抗R1~R12の抵抗値r及び過充電状態の電池セルの電圧検出結果Viiは過充電状態の電池セルの識別番号からなる下記2式に基づいて過充電セル放電電力値W2を算出する。W2=ΣVi2/r2例えば、電池セルC1、C5、C10が過充電状態の電池セルである場合、マイコンMは、電池セルC1、C5、C10の電圧検出結果V1、V5、V10を上記2式に代入し、V12/rV52/rV102/rを計算することで過充電セル放電電力値W2を算出する。放電所定電力値W1は、基板温度Taを最大許容温度Tmaxまで上昇させるのに必要な電力値であり、また、過充電セル放電電力値W2は、過充電状態の電池セルに接続された放電回路のスイッチング素子を100のデューティ比で制御する時に放電回路で消費される放電電力値の総計である。ここで、過充電セル放電電力値W2が放電所定電力値W1以下であれば、過充電状態の電池セルに接続された放電回路のスイッチング素子を100のデューティ比で制御しても、基板温度Taが最大許容温度Tmaxを越えることはない回路部品が破損することはない。一方、過充電セル放電電力値W2が放電所定電力値W1を越えた場合、過充電セル放電電力値W2を放電所定電力値W1まで低下させれば、基板温度Taが最大許容温度Tmaxを越えることはない。言い換えれば、過充電セル放電電力値W2が放電所定電力値W1を越えた割合だけ、デューティ比を100より低く設定して放電回路を流れる電流を小さくすれば、基板温度Taが最大許容温度Tmaxを越えることはなくなる。従って、基板温度Taが最大許容温度Tmaxを越えないようにセルバランス制御を行うために必要なデューティ比は、放電所定電力値W1と過充電セル放電電力値W2の比率W1/W2で表される。つまり、マイコンMは、放電所定電力値W1及び過充電セル放電電力値W2からなる下記3式に基づいてデューティ比Dyを算出し、該算出したデューティ比Dyで過充電状態の電池セルに接続された放電回路のスイッチング素子を制御する。なお、下記3式からわかるように、過充電セル放電電力値W2が放電所定電力値W1より小さい場合、デューティ比Dyは100を越えるが、このような場合は常にデューティ比Dyを100に設定すれば良い。また、マイコンMは、過充電状態に該当しない電池セルに接続さえれた放電回路のスイッチング素子についてはデューティ比Dyを0に設定する。Dy=W1/W2×1003上記のようなマイコンMによるセルバランス制御によって、過充電状態の電池セルが放電して各セルC1~C12のセルバランスセル電圧の均一性が確保されると共に、基板温度Taは最大許容温度Tmax以下に抑制されて、温度上昇による回路部品の破損を防止することができる。マイコンMは、時刻t2-t3の実放電期間において、上記のようなセルバランス制御を終了すると、次の時刻t3-t4の断線検出期間において、隣り合う電池セルに接続された放電回路のスイッチング素子をそれぞれ異なるデューティ比で制御すると共に、隣り合う電池セルの電位差に基づいて各配線の断線の有無を検出する。ここで、前回の断線検出期間と異なる点は、奇数番目の電池セルC1、C3、...、C11に接続された放電回路B1、B3、...、B11のスイッチング素子T1、T3、...、T11を96のデューティ比第1のデューティ比で制御すると共に、偶数番目の電池セルC2、C4、...、C12に接続された放電回路B2、B4、...、B12のスイッチング素子T2、T4、...、T12を4のデューティ比第2のデューティ比で制御する点である。このように、断線検出期間が到来する毎に、第1のデューティ比と第2のデューティ比の値を交互に入れ替えることにより、隣り合う電池セルの一方が過放電状態となることを防止することができる。なお、図2に示すように、第1のデューティ比と第2のデューティ比の値を入れ替えても、電池セルC1の電圧検出結果V1と電池セルC2の電圧検出結果V2の挙動が逆転するだけであるので、両電圧の電位差ΔVと閾値ΔVthとの比較により、問題なく断線の有無を検出することができる。マイコンMは、時刻t3-t4の断線検出期間において、第1のデューティ比と第2のデューティ比の値を入れ替えて断線検出処理を終了すると、次の時刻t4-t5の実放電期間において、前回の実放電期間と同様に、温度センサTSから得られる基板温度Ta及び各電池セルC1~C12の電圧検出結果V1~V2に基づいて、セルバランス制御を実施する。このように、マイコンMは、上述した断線検出処理とセルバランス制御とを交互に繰り返しながら、断線の有無の検出及び各電池セルC1~C12の電圧均一化をリアルタイムで実施している。図3は、時刻t1-t5の期間1300ms内での平均デューティ比と基板温度Taとの関係を示している。この図3に示すように、基板温度Taが、ある温度Ta1に達するまで過充電セル放電電力値W2が放電所定電力値W1を越えることはなく、実放電期間でのデューティ比は100に設定断線検出期間でのデューティ比は4と96に固定されるので、平均デューティ比は88.46となる。基板温度TaがTa1より高くなり、過充電セル放電電力値W2が放電所定電力値W1を越え始めると、実放電期間でのデューティ比は100より小さく設定断線検出期間でのデューティ比は4と96に固定されるので、平均デューティ比は88.46より小さくなる。ここで、基板温度TaがTa2に達した時に、実放電期間でのデューティ比が0平均デューティ比は11.54に達したとすると、これ以上基板温度Taが上昇しても実放電期間でのデューティ比を下げることはできない。そこで、マイコンMは、実放電期間でのデューティ比を0に設定した以降は、基板温度Taの上昇に合わせて断線検出期間でのデューティ比特に96を下げることにより、平均デューティ比を0に近づける。この場合、上記のように、電池セルC1とC2との接続点から引き出された配線に断線が生じていたとしても、断線検出期間において、電池セルC1の電圧検出結果V1と電池セルC2の電圧検出結果V2との電位差ΔVが小さくなるので、閾値ΔVthを越えない可能性がある。そこで、マイコンMは、図4に示すように、実放電期間でのデューティ比を0に設定した以降、基板温度Taの上昇に合わせて断線検出期間でのデューティ比を下げると共に、実放電期間中に得られた各電池セルC1~C12の電圧検出結果V1~V12に基づいて、断線の有無を検出する。この場合、実放電期間での電池セルC1の電圧検出結果V1と電池セルC2の電圧検出結果V2との電位差ΔVは閾値ΔVthを越える程度に大きくなるので、確実に断線の有無を検出することができる。以上説明したように、本実施形態によれば、隣り合う電池セルに接続された放電回路のスイッチング素子をそれぞれ異なるデューティ比で制御すると共に、隣り合う電池セルの電位差に基づいて各電池セルの両端から引き出された配線の断線を検出するので、本来必要な放電期間を確保して適切なセルバランス制御を実現することができる。また、本実施形態によれば、セルバランス制御しながら基板温度Taを最大許容温度Tmax以下に抑制することができるため、基板温度Taの上昇に起因する回路素子の破壊や誤動作を防ぎ、以って適切なセルバランス制御を維持することが可能となる。なお、本発明は上記実施形態に限定されず、以下のような変形例が挙げられる。1上記実施形態では、12個のセルC1~C12についてセルバランス制御を行うセルバランス制御装置1を例示したが、制御対象のセル数は12個に限定されない。また、例えばバッテリが45個のセルの直列接続によって構成されている場合には、セルバランス制御装置1を4台使用することで、バッテリを構成する全てのセルについてセルバランス制御を行うことができる。2上記実施形態では、温度センサTSによって検出された基板温度Taをそのまま放電所定電力値W1の算出に使用したが、温度補正が必要な場合には補正後の基板温度Taを用いて放電所定電力値W1を算出しても良い。また、上記実施形態では、上記3式によって得られたデューティ比Dyをそのまま使用して、スイッチング素子のデューティ制御を行ったが、放電所定電力値W1と過充電セル放電電力値W2との非線形性を補正するための補正係数をデューティ比Dyに乗算することが望ましい。3上記実施形態では、断線検出期間での第1のデューティ比と第2のデューティ比との割合を固定とする場合を例示したが、第1のデューティ比と第2のデューティ比との割合を可変としても良い。この場合、第1のデューティ比と第2のデューティ比との割合に応じて閾値ΔVthを調整する必要がある。また、放電量の過不足分に応じて実放電期間におけるデューティ比を調整してもい良い。