アノード側酸化性金属電極層と、カソード側耐酸化性金属電極層と、前記アノード側酸化性金属電極層と前記カソード側耐酸化性金属電極層との間に設けられた酸化絶縁層とを具備し、前記アノード側酸化性金属電極層と前記カソード側耐酸化性金属電極層との間に逆方向電圧が印加されたとき自己修復機能アンチヒューズとして作用し、前記アノード側酸化性金属電極層と前記カソード側耐酸化性金属電極層との間に順方向電圧が印加されたとき非自己修復機能アンチヒューズとして作用する自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子。前記酸化絶縁層は前記アノード側酸化性金属電極層を形成する金属の酸化物によって形成されている請求項1に記載の自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子。アノード電極端子と、カソード電極端子と、前記アノード電極端子と前記カソード電極端子との間に直列接続された複数の発光ダイオード素子と、前記各発光ダイオード素子に並列接続された複数の自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子とを具備し、前記アノード電極端子と前記カソード電極端子との間に逆方向電圧が印加されたとき前記自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子は自己修復機能アンチヒューズとして作用し、前記アノード電極端子と前記カソード電極端子との間に順方向電圧が印加されたとき前記自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子は非自己修復機能アンチヒューズとして作用する発光ダイオードユニット。前記各自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子は、アノード側酸化性金属電極層と、カソード側耐酸化性金属電極層と、前記アノード側酸化性金属電極層と前記カソード側耐酸化性金属電極層との間に設けられた酸化絶縁層とを具備する請求項3に記載の発光ダイオードユニット。前記各発光ダイオード素子及び前記各自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子は発光ダイオードパッケージに形成され、前記各自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子は前記発光ダイオードパッケージの埋め込み層内に形成された請求項3に記載の発光ダイオードユニット。図12は図9のLEDユニットの課題を説明するための回路図である。図12のAに示すごとく、逆方向の大きな静電気またはサージ電圧たとえば500V程度の逆方向電圧Vrがすべてが正常な1列のLED素子D11、D21、...、Dm1に印加された場合を想定する。この場合、各LED素子D11、D21、...、Dm1の逆方向電圧は大きいので、各LED素子D11、D21、...、Dm1にはほとんど逆方向電流Irは流れない。この結果、非自己修復型アンチヒューズ素子F11、F21、...、Fm1のいくつかたとえばF11、F31、Fm1の電圧が絶縁耐圧を超えて非自己修復型アンチヒューズ素子F11、F31、Fm1は絶縁破壊することがある。絶縁破壊した非自己修復型アンチヒューズ素子F11、F31、Fm1は自己修復しない。従って、逆方向の静電気またはサージ電圧がなくなった後に、図9のLEDユニット100を電源による順方向電圧Vf1で動作させると、順方向電流If1はアノード電極端子AからF11、D21、F31、...、Dm11、Fm1を介してカソード電極端子Cに流れる。従って、図12のBに示すごとく、非自己修復型アンチヒューズ素子F11、F31、Fm1に並列接続されたLED素子D11、D31、Dm1は点灯せず、LEDユニット100全体の輝度むらが発生し、製造歩留りの低下を招くという課題があった。上述の課題を解決するために、本発明に係る自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子は、アノード側酸化性金属電極層と、カソード側耐酸化性金属電極層と、アノード側酸化性金属電極層とカソード側耐酸化性金属電極層との間に設けられた酸化絶縁層とを具備し、アノード側酸化性金属電極層とカソード側耐酸化性金属電極層との間に逆方向電圧が印加されたとき自己修復機能アンチヒューズとして作用し、アノード側酸化性金属電極層とカソード側耐酸化性金属電極層との間に順方向電圧が印加されたとき非自己修復機能アンチヒューズとして作用するようにしたものである。これにより、逆方向の大きな静電気もしくはサージ電圧が印加されて酸化絶縁層が絶縁破壊しても、この絶縁破壊は自己修復する。また、本発明に係るLEDユニットは、アノード電極端子と、カソード電極端子と、アノード電極端子とカソード電極端子との間に直列接続された複数のLED素子と、各LED素子に並列接続された複数の自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子とを具備し、アノード電極端子とカソード電極端子との間に逆方向電圧が印加されたとき自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子は自己修復機能アンチヒューズとして作用し、アノード電極端子とカソード電極端子との間に順方向電圧が印加されたとき自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子は非自己修復機能アンチヒューズとして作用するようにしたものである。上述のLEDユニットにおいては、各LED素子及び各自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子はLEDパッケージに形成される。あるいは、各LED素子はLEDパッケージに形成され、各LEDパッケージ及び各自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子は1つの実装基板上に形成される。あるいは、各LED素子及び各自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子はLEDパッケージに形成され、その際、各自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子はLEDパッケージの埋め込み層内に形成される。本発明によれば、オープン不良のLED素子に応じて絶縁破壊したアンチヒューズ素子は自己修復しないが、逆方向の大きな静電気またはサージ電圧が印加されて絶縁破壊したアンチヒューズ素子は自己修復するので、逆方向電圧が印加されることで生じるLEDユニットの輝度むらを抑止でき、従って、製造歩留りを向上できる。図1は本発明に係る自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子の実施の形態を示す断面図である。図1において、1はアノード電極端子Aに接続された酸化性金属電極層、2はカソード電極端子Cに接続された耐酸化性金属電極層、3は酸化性金属層1と耐酸化性金属層2との間を電気的に絶縁する酸化絶縁層である。図1において、アノード電極端子Aとカソード電極端子Cとの間に順方向電圧Vf1あるいはVf2が印加された場合には、図1の自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子は非自己修復機能を有する。他方、アノード電極端子Aとカソード電極端子Cとの間に逆方向電圧Vrが印加された場合には、図1の非自己修復かつ自己修復型アンチヒューズ素子は自己修復機能を有する。たとえば、第1の例として、酸化性金属層1はAlよりなり、耐酸化性金属層2はPtあるいはAuよりなり、酸化絶縁層3はAl2O3よりなる。また、第2の例として、酸化性金属層1はTiよりなり、耐酸化性金属層2はPtあるいはAuよりなり、酸化絶縁層3はTiO2よりなる。さらに、第3の例として、酸化性金属層1はAlよりなり、耐酸化性金属層2はPtあるいはAuよりなり、酸化絶縁層3は強誘電体のペロブスカイト型酸化物たとえばSrTiO3、BaTiO3あるいはSrBaTiOよりなる。尚、アノード電極端子A及びカソード電極端子CはAuNiCuAuのめっき層によって構成できる。図1の自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子の非自己修復機能を図2を参照して説明する。図1においては、電極間の距離を数μm~数十μmとするために、酸化性金属層1、耐酸化性金属層2をアノード電極端子A、カソード電極端子Cから夫々水平方向に突出させている。すなわち、アノード電極端子Aとカソード電極端子Cとの間の順方向電圧Vf1あるいはVf2が絶縁耐圧以上になると、酸化絶縁層3が絶縁破壊し、その絶縁破壊部分に耐酸化性金属層2がエレクトロマイグレーションによりしみ出して耐酸化性金属部2aが形成される。この結果、酸化性金属層1と耐酸化性金属層2とは耐酸化性金属部2aによって電気的に短絡することになる。耐酸化性金属部2aは耐酸化性であるので、以後も、酸化絶縁層3の酸素成分によって酸化されることはない。従って、自己修復は行われずに、酸化性金属層1と耐酸化性金属層2との電気的短絡状態は耐酸化性金属部2aによって維持される。図1の自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子の自己修復機能を図3を参照して説明する。すなわち、図3のAに示すごとく、アノード電極端子Aとカソード電極端子Cとの間の逆方向電圧Vrが絶縁耐圧以上になると、酸化絶縁層3が絶縁破壊し、その絶縁破壊部分に酸化性金属層1がエレクトロマイグレーションによりしみ出して酸化性金属部1aが形成される。この結果、酸化性金属層1と耐酸化性金属層2とは酸化性金属部1aによって電気的に短絡することになる。次に、図3のBに示すごとく、酸化性金属部1aを流れる電流により酸化性金属部1aが発熱する。このとき、酸化性金属部1aは酸化性であるので、酸化絶縁層3の酸素成分によって酸化されて酸化絶縁部3aとなる。従って、自己修復が行われ、酸化性金属層1と耐酸化性金属層2との電気的短絡状態は酸化絶縁部3aによって解除される。このとき、酸化絶縁層3が酸化性金属層1を形成する金属の酸化物で設けられていると、酸化性金属部1aが形成されても同じ組成となるため酸化絶縁層3と同化する。従って、逆方向の電圧が印加された後でも、順方向の電圧が印加されたときの非自己修復機能に影響を与えない。図4は本発明に係るLEDユニットを示す回路図である。図4のLEDユニット10においては、図10のLEDユニット100の非自己修復型アンチヒューズ素子F11、F21、...、Fmnの代りに、図1に示す自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子F11’、F21’、...、Fmn’を設けてある。順方向電圧Vf1あるいはVf2がアノード電極端子Aとカソード電極端子Cとの間に印加された場合には、図4の自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子F11’、F12’、...、Fmn’は非自己修復機能を有し、従って、図9のLEDユニットと同様に、図10、図11に示す動作を行う。他方、逆方向電圧Vrがアノード電極端子Aとカソード電極端子Cとの間に印加された場合には、図4の自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子F11’、F12’、...、Fmn’は自己修復機能を有する。つまり、図5のAに示すごとく、逆方向の大きな静電気またはサージ電圧たとえば500V程度の負電圧Vrがすべてが正常な1列のLED素子D11、D21、...、Dm1に印加された場合を想定する。この場合、各LED素子D11、D21、...、Dm1の逆方向電圧は大きいので、各LED素子D11、D21、...、Dm1にはほとんど逆方向電流Irは流れない。この結果、自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子F11’、F21’、...、Fm1’のいくつかたとえばF11’、F31’、Fm1’の電圧が絶縁耐圧を超えて自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子F11’、F31’、Fm1’は絶縁破壊する。しかしながら、図5のBに示すごとく、自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子F11’、F31’、Fm1’は、一旦、絶縁破壊しても、自己修復する。従って、逆方向の静電気またはサージ電圧がなくなった後に、図4のLEDユニット10を電源電圧Vf1で動作させると、図5のCに示すごとく、順方向電圧If1はアノード電極端子AからD11、D21、D31、...、Dm11、Dm1を介してカソード電極端子Cに流れる。従って、自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子F11’、F31’、Fm1’に並列接続されたLED素子D11、D31、Dm1も点灯し、LEDユニット10の輝度むらが発生せず、製造歩留りの向上に寄与する。図6は図4のLEDユニット10の第1の例を示し、Aは全体を示すブロック図、BはAのLEDパッケージ60-1の1つの平面図、CはBのCC線断面図である。図6のAに示すごとく、LEDユニット10はn個のLEDパッケージ60-1、60-2、...、60-nよりなり、各LEDパッケージ60-1、60-2、...、60-nは図4の1列分に相当する。また、各LEDパッケージ60-1、60-2、...、60-nはアノード電極端子Aに接続されたアノード電極端子A1、A2、...、An及びカソード電極端子Cに接続されたカソード電極端子C1、C2、...、Cnを有する。図6のB、Cに示すごとく、LEDパッケージ60-1は基板61及び基板61上に形成された導電パターン62を有する。基板61は、Si、SiC、ZnO等の半導体、AlN、Al2O3等のセラミック、ポリフタルアミド、ポリアミド、シリコーン系、エポキシ系の樹脂、Al、Cu、Mg等の金属のいずれかもしくは組合せよりなる。LED素子D11、D21、D31、...、Dm11、Dm1と自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子F11’、F21’、F31’、...、Fm11’、Fm1’の対が樹脂系のダイボン剤63で並列に実装され、この場合、LED素子D11、D21、D31、...、Dm11、Dm1は導電パターン62にボンディングワイヤ64によって直列になるように配線され、また、自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子F11’、F21’、F31’、...、Fm11’、Fm1’は半田65で導電パターン62に接合される。図7は図4のLEDユニット10の第2の例を示し、Aは全体を示すブロック図、BはAのサブLEDユニット70-1の1つの平面図、CはBのCC線断面図である。図7のAに示すごとく、LEDユニット10はn個のサブLEDユニット70-1、70-2、...、70-nよりなり、各サブLEDユニット70-1、70-2、...、70-nは図4の1列分に相当する。また、各サブLEDユニット70-1、70-2、...、70-nはアノード電極端子Aに接続されたアノード電極端子A1、A2、...、An及びカソード電極端子Cに接続されたカソード電極端子C1、C2、...、Cnを有する。図7のB、Cに示すごとく、サブLEDユニット70-1は基板71及び基板71上に形成された導電パターン72を有する。基板71は、Si、SiC、ZnO等の半導体、AlN、Al2O3等のセラミック、ポリフタルアミド、ポリアミド、シリコーン系、エポキシ系の樹脂、Al、Cu、Mg等の金属のいずれかもしくは組合せよりなる。各LED素子D11、D21、D31、...、Dm11、Dm1を内蔵するLEDパッケージD11’、D21’、D31’、...、Dm11’、Dm1’と自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子F11’、F21’、F31’、...、Fm11’、Fm1’の対が樹脂系のダイボン剤73で並列に実装され、この場合、LEDパッケージD11’、D21’、D31’、...、Dm11’、Dm1’は導電パターン72に半田74によって直列になるように配線され、また、自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子F11’、F21’、F31’、...、Fm11’、Fm1’は半田75で導電パターン72に接合される。図8は図4のLEDユニット10の第3の例を示し、Aは全体を示すブロック図、BはAの1つのLEDパッケージ80-1の1つの平面図、CはBのCC線断面図である。図8のAに示すごとく、LEDユニット10は4個のLEDパッケージ80-1、80-2、80-3、80-4よりなり、各LEDパッケージ80-1、80-2、80-3、80-4は図4の4個分に相当する。また、各LEDパッケージ80-1、80-2、80-3、80-4はアノード電極端子A1、A2、A3、A4及びカソード電極端子C1、C2、C3、C4を有し、アノード電極端子Aとカソード電極端子Cとの間に直列接続された2つのLEDパッケージ80-1、80-2及び直列接続された2つのLEDパッケージ80-3、80-4が並列に接続されている。図8のB、Cに示すごとく、LEDパッケージ80-1は基板81、埋め込み層82及びリフレクタ83を有する。基板81は、Si、SiC、ZnO等の半導体、AlN、Al2O3等のセラミック、ポリフタルアミド、ポリアミド、シリコーン系、エポキシ系の樹脂、Al、Cu、Mg等の金属のいずれかもしくは組合せよりなる。埋め込み層82は樹脂、ゾルゲルで形成されたセラミック等よりなる。埋め込み層82には、自己修復かつ非自己修復型アンチヒューズ素子F11’、F12’、...が形成され、その上に、LED素子D11、D12、...が形成される。すなわち、酸化性金属層1たとえばAlを蒸着し、次いで、その上に、酸化絶縁層3たとえばAl2O3を形成し、フォトリソグラフィ/エッチング法によりパターニングする。次いで、埋め込み層82を形成し、埋め込み層82にビアホールを形成して印刷等によりCuペーストを埋め込んでビア84を形成する。さらに、フォトリソグラフィ/エッチング法を用いてCuAuめっきにより導電パターン85を形成し、LED素子D11、D21、D31、...、Dm11、Dm1が樹脂系のダイボン剤86で実装され、さらに、ボンディングワイヤ87によって導電パターン85に配線される。尚、図6、図7、図8において、発光色を白色としたい場合には、LED素子の周囲に蛍光体入り樹脂等を注入する。また、導電パターンの表面を金めっきあるいは銀めっきで表面処理してもよい。本発明は、上述の直下型LEDユニット以外に、直列接続された複数のLED素子を有するサイドエッジ型LEDユニットにも適用される。