"電極を含む半導体受光素子と、はんだにより前記電極に接合された電気配線、及び前記電気配線の接合面の周囲にはんだ濡れにより前記はんだを留めるトラップ領域を含むサブマウントと、を有することを特徴とする受信モジュール。請求項1に記載の受信モジュールであって、前記サブマウントは、前記接合面と前記トラップ領域との間に配置されるバリアメタルを更に含み、前記バリアメタルにより前記電気配線の接合面が囲まれていることを特徴とする受信モジュール。請求項1又は2に記載の受信モジュールであって、前記トラップ領域は、前記はんだと反応して合金化する金属を含むことを特徴とする受信モジュール。請求項3に記載の受信モジュールであって、前記電極の表面はAuを主成分とし、前記はんだはAuSn系はんだであり、かつ、前記トラップ領域の表面はAuであることを特徴とする受信モジュール。請求項2に記載の受信モジュールであって、前記バリアメタルの表面はPtまたはPdであることを特徴とする受信モジュール。請求項1~5の何れか一項に記載の受信モジュールであって、前記半導体受光素子は、複数の電極を含み、前記サブマウントは、複数の電気配線を含み、前記複数の電極の各々は、はんだにより前記複数の電気配線の何れかと接合され、前記トラップ領域は、前記複数の電気配線の各々の周囲に配置され、前記複数の電極と前記複数の電気配線とを接合させる際に融解したはんだを留めることによって、前記融解したはんだにより前記複数の電極間、及び前記複数の電気配線間が接合されることを防止する、ことを特徴とする受信モジュール。請求項2に記載の受信モジュールであって、前記バリアメタルは、前記電極と前記電気配線とを接合させる際に発生するはんだの偏析を防止することを特徴とする受信モジュール。電気配線を含むサブマウントと、はんだにより前記電気配線と接合された電極、及び前記電極の周囲にはんだ濡れにより前記はんだを留めるトラップ領域を含む半導体受光素子と、を有することを特徴とする受信モジュール。請求項8に記載の受信モジュールであって、前記電気配線の周囲には、はんだ濡れにより前記はんだを留めるトラップ領域を更に備えたことを特徴とする受信モジュール。Auを表面層に持つ電極を含む半導体受光素子と、AuSn系はんだにより前記電極に接合された電気配線、及び前記電気配線の接合面の周囲に設けられAuを表面層に持つトラップ領域を含むサブマウントと、を有することを特徴とする受信モジュール。請求項10に記載の受信モジュールであって、前記サブマウントは、前記接合面と前記トラップ領域との間に前記接合面を囲むように配置され、PtまたはPdを表面層に持つバリアメタルを更に有することを特徴とする受信モジュール。請求項1~11の何れか一項に記載の受信モジュールは更に、外部からの光を通過させる光ファイバと、前記光ファイバを通過した光を前記受信モジュールに入射させるレンズと、前記受信モジュールにより光電変換された信号を出力するリードピンと、を含むことを特徴とする受信モジュール。Auを表面層に持つ電極を含む素子と、AuSn系はんだにより前記電極に接合された電気配線、及び前記電気配線の接合面の周囲に設けられAuを表面層に持つトラップ領域を含む配線基板と、を有することを特徴とするはんだ接合デバイス。請求項13に記載のはんだ接合デバイスであって、前記配線基板は、前記接合面と前記トラップ領域との間に前記接合面を囲むように配置され、PtまたはPdを表面層に持つバリアメタルを更に有することを特徴とするはんだ接合デバイス。図8は、本願発明者等が本願に先立ち検討した先行検討技術の受信モジュールの概略図である。図8では、受信モジュール2のサブマウント300と半導体受光素子400とが、はんだを介して接合される様子を示している。図8に示すように、サブマウント300は、ダンピング抵抗305と、Au等の金属からなる電気配線306~308と、を含む。半導体受光素子400は、受光部401と、N型電極パッド402と、ダミー電極パッド403と、P型電極パッド404と、メサ部405~408とを含む。電気配線306~308上には、それぞれ、N型電極はんだ部302、ダミー電極はんだ部303、及びP型電極はんだ部304以降、これらをまとめて単にはんだ部ともいう。が配置される。これらはんだ部は、AuSn金錫等からなるはんだ材料を含んで構成される。図9は、はんだにより半導体受光素子400がサブマウント300に接合された場合のI-I線断面図である。図9に示すように、サブマウント300と半導体受光素子400とは、融解されたはんだ材料を介して互いに圧着させることによって接合される。ここで、はんだ材料が融解する際には、はんだ材料が電気配線306~308と反応するため、はんだ部で金属の偏析部分が発生することがある。例えば、図9に示すように、N型電極はんだ部302及びダミー電極はんだ部303には、部分的にAuの割合が高いAuリッチ部分302a,303aが形成されることがある。Auリッチ部分302a,303aは、はんだ材料の他の部分よりも融点が高いため十分に融解せず、はんだの濡れ面積不足濡れ広がり不足が発生する可能性がある。この点、はんだ部と電気配線とが直接的に接触しないようにすることによって、はんだの濡れ面積不足を防止する技術も知られている。図10は、はんだ部と電気配線306~308とが直接的に接触しないようにした、本願発明者等が本願に先立ち検討した他の先行検討技術の受信モジュールの一例を示す図である。図10に示すように、電気配線306~308のうち半導体受光素子400との接合面を含む領域上には、はんだ部と直接的に接触しないように即ち、はんだ材料と電気配線とが反応しないように、それぞれ、バリアメタル部309~311が形成されている。このように、電気配線306~308をバリアメタル部309~311で覆うことによって、はんだ材料が電気配線306~308と直接的に接触しないためAuリッチになる部分の発生を防止することができ、はんだの濡れ面積不足を抑制することができる。しかしながら、先行検討技術では、半導体受光素子とサブマウントとを接合させるためのはんだ材料が接合面からあふれ出た場合、半導体受光素子の電極が短絡して動作不良になる可能性がある。特に、近年の受信モジュールでは、高速応答が可能な半導体受光素子が採用されており、このような半導体受光素子では、電極と受光部とを近接させて配線容量を低減させているため、あふれ出たはんだ材料により、半導体受光素子の電極が短絡する可能性が高まっているという課題があることを本願発明者等は発見した。例えば、上記のような半導体受光素子では、300マイクロメートル四方程度の大きさの素子外形に対して半導体受光素子の電極の直径が50~80マイクロメートル程度に設計されることが多い。これらの電極同士は互いに近接するため、はんだ部が融解する際に、あふれ出たはんだ材料により電極間が短絡する可能性が高くなる。図11は、先行検討技術の課題の一例を説明するための図10のII-II線断面図である。図11に示すように、例えば、N型電極パッド402とダミー電極パッド403とが近接しているため、あふれ出たはんだ材料によって、これら電極間が短絡してしまう可能性がある。更に、半導体受光素子400の外側にはんだ材料が漏れ出した場合は、はんだボール312が発生して配線短絡を引き起こす原因にもなる。この点、サブマウント及び半導体受光素子の厚みや各電極の表面積に応じてはんだ材料の量を規定することによって、はんだ材料のはみ出し量を制御することも考えられる。しかし、はんだ材料の量を少なくしすぎると、濡れ面積不足が発生する可能性があり、はんだ材料の量を調整するだけでは受信モジュールの短絡を防止することが困難であった。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、はんだによる短絡を確実に防止することが可能なはんだ接合デバイス及び受信モジュールを提供することである。上記の課題を解決するために、本発明に係る受信モジュールは、電極を含む半導体受光素子と、はんだにより前記電極に接合された電気配線、及び前記電気配線の接合面の周囲にはんだ濡れにより前記はんだを留めるトラップ領域を含むサブマウントと、を有することを特徴とする。また、本発明の一態様によれば、前記サブマウントは、前記接合面と前記トラップ領域との間に配置されるバリアメタルを更に含み、前記バリアメタルにより前記電気配線の接合面が囲まれていることを特徴とする。また、本発明の一態様によれば、前記トラップ領域は、前記はんだと反応して合金化する金属を含むことを特徴とする。また、本発明の一態様によれば、前記電極の表面はAuを主成分とし、前記はんだはAuSn系はんだであり、かつ、前記トラップ領域の表面はAuであることを特徴とする。また、本発明の一態様によれば、前記バリアメタルの表面はPtまたはPdであることを特徴とする。また、本発明の一態様によれば、前記半導体受光素子は、複数の電極を含み、前記サブマウントは、複数の電気配線を含み、前記複数の電極の各々は、はんだにより前記複数の電気配線の何れかと接合され、前記トラップ領域は、前記複数の電気配線の各々の周囲に配置され、前記複数の電極と前記複数の電気配線とを接合させる際に融解したはんだを留めることによって、前記融解したはんだにより前記複数の電極間、及び前記複数の電気配線間が接合されることを防止する、ことを特徴とする。また、本発明の一態様によれば、前記バリアメタルは、前記電極と前記電気配線とを接合させる際に発生するはんだの偏析を防止することを特徴とする。また、本発明に係る受信モジュールは、電気配線を含むサブマウントと、はんだにより前記電気配線と接合された電極、及び前記電極の周囲にはんだ濡れにより前記はんだを留めるトラップ領域を含む半導体受光素子と、を有することを特徴とする。また、本発明の一態様によれば、前記電気配線の周囲には、はんだ濡れにより前記はんだを留めるトラップ領域を更に備えたことを特徴とする。また、本発明に係る受信モジュールは、Auを表面層に持つ電極を含む半導体受光素子と、AuSn系はんだにより前記電極に接合された電気配線、及び前記電気配線の接合面の周囲に設けられAuを表面層に持つトラップ領域を含むサブマウントと、を有することを特徴とする。また、本発明の一態様によれば、前記サブマウントは、前記接合面と前記トラップ領域との間に前記接合面を囲むように配置され、PtまたはPdを表面層に持つバリアメタルを更に有することを特徴とする。また、本発明に係る受信モジュールは、更に、外部からの光を通過させる光ファイバと、前記光ファイバを通過した光を前記受信モジュールに入射させるレンズと、前記受信モジュールにより光電変換された信号を出力するリードピンと、を含むことを特徴とする。また、本発明に係るはんだ接合デバイスは、Auを表面層に持つ電極を含む素子と、AuSn系はんだにより前記電極に接合された電気配線、及び前記電気配線の接合面の周囲に設けられAuを表面層に持つトラップ領域を含む配線基板と、を有することを特徴とする。また、本発明の一態様によれば、前記配線基板は、前記接合面と前記トラップ領域との間に前記接合面を囲むように配置され、PtまたはPdを表面層に持つバリアメタルを更に有することを特徴とする。本発明によれば、はんだによる短絡を確実に防止することが可能になる。以下、本発明に係るはんだ接合デバイスについて受信モジュールの実施形態を例にとり、図面に基づいて詳細に説明する。図1は、本発明に係る受信モジュールの概略構成の一例を示す概略断面図である。本実施形態に係る受信モジュール1は、全体収容部10と、外部からの光を通過させる光ファイバ21と、光ファイバ21を通過した光を半導体受光素子200に入射させるレンズ31と、半導体受光素子200により光電変換された信号を出力するリードピン40と、サブマウント100と、半導体受光素子200と、を備えている。全体収容部10は、受信モジュール1の各部材を格納するための金属製の部材であり、光ファイバ収容部20と、レンズ収容部30と、を含んで構成される。光ファイバ収容部20は、光ファイバ21を格納するための金属製の円筒形状の部材である。光ファイバ収容部20には、コネクタを備えた光ファイバ21が外部から挿入される。レンズ収容部30には、所定位置に形成された孔にレンズ31がはめ込まれており、レンズ収容部30はレンズ31を支持する。また、全体収容部10の底面リードピン40が接続されている面内部の中心軸からずれた位置に、高周波信号線が印刷された窒化アルミ等からなるサブマウント100が搭載されている。サブマウント100上には、光ファイバ21及びレンズ31を通る光を受光して、光に対応する光信号を電気信号に光電変換するフォトダイオード等からなる半導体受光素子200が搭載されている。なお、特に図示はしないが、全体収容部10の底面の内部には、プリアンプなどの搭載素子が搭載されている。搭載素子やサブマウント100及び半導体受光素子200は、リードピン40を介して、受信モジュール1の外部に存在するフレキシブル基板図示せずと電気的に接続されている。リードピン40は、全体収容部10の底面の外側から接続されている。半導体受光素子200や搭載素子から出力される電気信号は、リードピン40を経由してフレキシブル基板に伝送されることになる。図2は、本発明に係る受信モジュールの概略図である。図2では、Auを表面層に持つ電極を含む半導体受光素子200と、はんだにより電極に接合された電気配線を含むサブマウント100実装部材と、が接合される前後の様子を示している。ここでは、電極の表面はAuを主成分とし、はんだはAuSn系はんだである。半導体受光素子200は、複数の電極受光部201を動作させるための電極。N型電極パッド202、ダミー電極パッド203、及びP型電極パッド204の3つの電極を示す。を含み、サブマウント100は、複数の電気配線106~108を含む。これら複数の電極の各々は、はんだにより複数の電気配線106~108の何れかと接合されることになる。ここでは、3つの電極に対応する3つの電気配線106~108が配置される。また、サブマウント100は、電極と電気配線とを接合させる際に発生するはんだの偏析を防止するバリアメタル109~111を含む。バリアメタル109~111は、はんだと電気配線106~108接合面との間に配置される。図2に示すように、バリアメタル109~111は、各電気配線106~108が、それぞれN型電極パッド202、ダミー電極パッド203、及びP型電極パッド204と接合する接合面に配置される。即ち、バリアメタル109~111により、各電気配線106~108の接合面が囲まれている。バリアメタル109~111と、N型電極パッド202、ダミー電極パッド203、及びP型電極パッド204との間には、AuSn系はんだから成るはんだ部例えば、N型電極はんだ部102、ダミー電極はんだ部103、及びP型電極はんだ部104が配置される。バリアメタル109~111の表面はPt白金又はPdパラジウムであり、ここでは、はんだ材料との反応が発生しにくいTi/Ptチタン/白金又はTi/Pdチタン/パラジウム等から成るバリアメタル109~111を配置することによって、はんだ材料と電気配線106~108とが直接的に接触しないので、金属の偏析部分の発生を抑制することができる。また、本発明に係る受信モジュール1では、電極と接合する複数の電気配線106~108の接合面の周囲には、はんだ濡れによりはんだを留めるトラップ領域が備えられている。トラップ領域は、複数の電極と複数の電気配線106~108とを接合させる際に融解したはんだを留めることによって、融解したはんだにより複数の電極間、及び複数の電気配線106~108間が接合短絡されることを防止する。ここでは、トラップ領域は、電気配線106~108がバリアメタル109~111に覆われている面の周囲に配置される。トラップ領域は、はんだと反応して合金化する金属を含み、表面はAuである。Auを表面層に持つトラップ領域は、例えば、Ti/Pt/Au又はTi/Pd/Au等の層から成る。図3は、はんだにより半導体受光素子200がサブマウント100に接合される前のIII-III線断面図である。図3に示すように、トラップ領域106a,107aは、複数の電極間例えば、N型電極パッド202とダミー電極パッド203との間に配置され、融解したはんだにより当該複数の電極及び複数の電気配線106,107が接合されることを防止する。図3に示すように、電気配線106,107とN型電極パッド202又はダミー電極パッド203とが接触する接触面を囲むようにして、トラップ領域106a,107aが設けられている。バリアメタル109は、電気配線106の接合面とトラップ領域106aとの間に配置され、バリアメタル110は、電気配線107の接合面とトラップ領域107aとの間に配置されることになる。ここでは、図3のように、バリアメタル109,110は、それぞれ電気配線106,107の接合面を囲むように配置される。トラップ領域106a,107aは、電気配線106,107のうちバリアメタル109,110に覆われていない領域露出した領域であり、はんだ材料と電気配線106,107の金属とが直接的に接触することによって、あふれ出た余剰分のはんだ材料をはんだ濡れにより留めておく領域である。別の言い方をすれば、バリアメタル109,110が半導体受光素子200に対向する側の面は、電気配線106,107が半導体受光素子200に対向する側の面よりも小さく、電気配線106,107のうちバリアメタル109,110に覆われている面の周囲にトラップ領域106a,107aが配置されることになる。また、図3に示すように、本実施形態に係る受信モジュール1では、トラップ領域106a,107aを超えて半導体受光素子200が存在している。即ち、受信モジュール1を上面から見た場合接合面の垂線方向から見た場合に、トラップ領域106a,107aは、半導体受光素子200の内側に存在することになる。図4は、はんだにより半導体受光素子200がサブマウント100に接合された後のIII-III線断面図である。N型電極はんだ部102及びダミー電極はんだ部103のはんだ材料は、組立設備による加熱により溶融し、半導体受光素子200に加重することで押し広げられることになる。図4に示すように、当該押し広げられたはんだ材料は、N型電極パッド202及びダミー電極パッド203の接合面に濡れ広がる。N型電極パッド202及びダミー電極パッド203がサブマウント100に対向する側の面接合面は、バリアメタル109,110で覆われているため、はんだ材料と電気配線106,107とが直接的に接触しない。このため、はんだ材料と電気配線106,107との反応による偏析を防止することができる。はんだ材料のAuの偏析が発生しないため、融点が高くなる部分が発生せず、N型電極パッド202とダミー電極パッド203に満遍なくはんだ材料を濡れ広げることが可能になる。また、半導体受光素子200への加重が行われるため、余剰はんだ材料が接合箇所からあふれ出る可能性があるが、実施形態に係る受信モジュール1では、電気配線106,107の表面が完全にバリアメタル109,110に覆われているわけではなく、電気配線106,107のAu部分が露出したトラップ領域106a,107aが存在するので、あふれ出た余剰はんだ102a,103aをはんだ濡れにより留めることができる。即ち、余剰分のはんだ材料が、接合時の濡れ広がりによりトラップ領域106a,107aでトラップされるため、電気配線間の短絡を防止し、電極間の短絡を防ぐことができる。上記のように、実施形態に係る受信モジュール1は、トラップ領域106a,107aのAu部分電気配線106,107が露出した部分が、半導体受光素子200の下側に配置される。その結果、あふれ出た余剰分のはんだ材料がトラップ領域106a,107aに押し付けられることによって、確実に余剰分のはんだ材料をトラップすることができるので、電極の短絡の発生及びはんだボールの発生を抑制することができる。また、トラップ領域106a,107aでトラップしたはんだ材料はAuリッチ部分が発生する可能性はあるが、バリアメタル109,110で覆われた領域でN型電極パッド202及びダミー電極パッド203は接合されているため、濡れ面積不足が発生することを防止することもできる。なお、本発明は、以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、実施形態においては、サブマウント100側に余剰分のはんだ材料をトラップするためのトラップ領域を設けるようにしたが、半導体受光素子200側にもトラップ領域を設けるようにしてもよい。即ち、トラップ領域を半導体受光素子とサブマウントの両者に設けてもよい。図5は、変形例に係る受信モジュールの概略図である。図5に示す受信モジュール1のうち、図2において既に説明した構成と同一の符号を付された箇所については、説明を省略する。図5に示すように、変形例においては、半導体受光素子200は、はんだにより電気配線と接合された電極の周囲電極の端部から所定距離離れた位置にはんだ濡れによりはんだを留めるトラップ領域210~213を含む。これらトラップ領域210~213は、電極と電気配線とを接合させる際に融解したはんだを留めることによって、当該融解したはんだにより電極が電気配線以外の部材に接合されることを防止するトラップ領域210~213が備えられている。例えば、トラップ領域210~213は、Au等の金属を含んで構成される。トラップ領域210,213は、電極と半導体受光素子200の端部との間に配置され、半導体受光素子200の外部に向けてあふれ出す余剰分のはんだ材料をトラップして、はんだボールが発生することを防止する。一方、トラップ領域211,212は、電極間に配置され、接合すべき電極とは異なる電極に向けてあふれ出すはんだ材料をトラップし、電極間が短絡することを防止する。図6は、図5に示す半導体受光素子200がサブマウント100に接合される前のIV-IV線断面図である。図6に示すように、N型電極パッド202の周囲にはトラップ領域210,211が配置され、ダミー電極パッド203の周囲にはトラップ領域212,213が配置される。例えば、トラップ領域210,211は、サブマウント100側のトラップ領域106aと対向する位置に配置され、トラップ領域212,213は、サブマウント100側のトラップ領域107aと対向する位置に配置される。別の言い方をすれば、トラップ領域210,211は、電気配線106の端部から半導体受光素子200に向けて伸ばした直線上に配置され、トラップ領域212,213は、電気配線107の端部から半導体受光素子200に向けて伸ばした直線上に配置される。図7は、はんだにより半導体受光素子200がサブマウント100に接合された後のIV-IV線断面図である。実施形態と同様に、半導体受光素子200とサブマウント100とが接合される際には、組立設備による加熱によりはんだ材料が融解する。半導体受光素子200に加重が行われると、余剰分のはんだ材料が周囲に飛び散る場合があるが、サブマウント100側のトラップ領域又は半導体受光素子200側のトラップ領域少なくとも一方によって、余剰はんだをトラップすることができる。即ち、変形例においては、半導体受光素子200側にもトラップ領域210~213が配置されており、サブマウント100側のトラップ領域106a,106bでトラップしきれない余剰分のはんだ材料が発生したとしても、確実に余剰分のはんだ材料をトラップすることができる図7に示す余剰はんだ102b,103bので、電極間の短絡を防止することができる。また、トラップ領域210~213と電極とを切り離しておく両者を所定間隔だけ離すことによって、浮遊容量の増大を抑制することもできる。なお、変形例においては、サブマウント100と半導体受光素子200との両者にトラップ領域を設ける場合を説明したが、これらの何れか一方のみにトラップ領域を設けるようにしてもよい。また、実施形態及び変形例においては、はんだ部がAuSnにより構成され、電気配線がAuにより構成され、バリアメタルがTi/Pt又はTi/Pdにより構成される場合を説明したが、これら各部材の金属は、公知の種々の素材を適用可能である。また、トラップ領域の表面がAuを含んで構成される場合を説明したが、トラップ領域に配置される金属は、余剰分のはんだ材料をトラップ可能な金属即ち、はんだ材料と合金化反応する金属を適用すればよい。また、本発明は、はんだ部がAuSn系のはんだ全般に対して適用することができる。ここで、AuSn系はんだとは、AuとSnの合金だけでなく、AuとSnの層を交互に複数多層して形成されるはんだ層も含む意味である。また、バリアメタルは、表面がPtもしくはPdである場合について説明したが、AuSn系はんだと反応しない金属であれば、本発明に適用できる。上記では、AuSn系はんだを例としたが、他のはんだにおいても本発明の思想を適用することが可能である。また、N型電極パッド202とダミー電極パッド203との短絡を防止するためのトラップ領域について説明したが、他の電極についても実施形態及び変形例と同様であり、余剰分のはんだ材料をトラップするためのトラップ領域を設けておくことによって、電極の短絡を防止することができる。また、上記においては、受信モジュール1に含まれる電極が3つである場合を例に挙げて説明したが、電極の数は任意であってよい。電極の数に応じたトラップ領域を配置することによって、余剰はんだによる電極の短絡を防止するようにすればよい。また、上記実施形態及び変形例では、はんだ接合デバイスに含まれる素子として半導体受光素子200を一例に挙げ、はんだ接合デバイスの配線基板としてサブマウント100を一例に挙げて、半導体受光素子をチップキャリアにはんだ接合するはんだ接合デバイスを例として本願発明に係る技術を説明した。この本願発明の思想は半導体受光素子には限定されず、上記の実施形態及び変形例で説明したような課題を持つ素子をチップキャリアのような配線基板とはんだ接合する場合に適用して好適である。例えば、素子として高密度に配置された複数の電極パッドを有する高集積Si半導体素子をフリップチップ実装するような場合が考えられる。"