"基板又は基板を収容したトレイである対象物を収納するストック部と、前記ストック部から搬入される前記対象物の前記基板に対してプラズマ処理を実行するプラズマ処理部と、前記プラズマ処理部に搬入前の前記対象物に対して前処理を行うための前処理ステージと、前記前処理ステージの上方に配置されて前記プラズマ処理後の前記対象物が載置される仮置きステージとを有する前処理部と、前記対象物を搬送するための単一のアームを備える搬送装置と、前記プラズマ処理前の前記対象物が前記ストック部から前記前処理ステージを経て前記プラズマ処理部へ搬送され、前記プラズマ処理後の前記対象物が前記プラズマ処理部から前記仮置きステージを経て前記ストック部へ搬送されるように前記搬送装置を制御する制御部とを備える、プラズマ処理装置。前記制御部は、前記プラズマ処理部内で1個の前記対象物の前記基板について前記プラズマ処理を実行中に、前記仮置きステージに載置された別の1個の前記対象物の前記ストック部への搬送と、さらに別の1個の前記対象物の前記ストック部から前記前処理ステージへの搬送とを実行するように、前記搬送装置を制御する、請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記仮置きステージは、載置された前記対象物との間での熱伝導により前記対象物を冷却する機能を有する、請求項2に記載のプラズマ処理措置。前記前処理ステージは前記対象物が水平方向に移動可能に載置されるアラインメントステージであり、前記前処理部はアラインメントステージに載置された前記対象物に対してアラインメント処理を行うアラインメント部である、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置前記アラインメント部は、前記アラインメントステージに載置された前記対象物の水平面内の位置を前記アラインメントステージに対して位置合わせする直交位置合わせ機構を備える、請求項4に記載のプラズマ処理装置。前記対象物は外周縁に形成されたノッチを備え、前記アラインメントステージは、鉛直方向に沿って延びる回転軸周りに回転可能である、請求項4又は請求項5に記載のプラズマ処理装置。前記アラインメント部は、前記アラインメントステージに載置された前記対象物の前記ノッチを光学的に検出するノッチ検出センサーを備え、前記ノッチ検出センサーからの出力に応じて前記アラインメントステージを回転させることで前記アラインメントステージに載置された前記対象物の回転角度位置を調整する、請求項6に記載のプラズマ処理装置。前記対象物は、前記トレイと、前記トレイに設けられた厚み方向に貫通する基板収容孔に収容された前記基板とを備え、前記アラインメント部は、前記基板収容孔内の前記基板の有無を光学的に検出する基板検出センサを備える請求項7に記載のプラズマ処理装置。前記対象物は、前記トレイと、前記トレイに設けられた有底の基板収容孔に収容された前記基板とを備え、前記アラインメントステージは回転不可に固定されている請求項4から請求項7のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。基板又は基板を収容したトレイである対象物をストック部から前処理部が備える前処理ステージに搬送し、前記前処理ステージ上に配置された前記対象物に対する前処理を実行し、前記対象物を前記前処理ステージからプラズマ処理部内に搬送し前記プラズマ処理部で前記対象物の前記基板に対しプラズマ処理を実行し、前記プラズマ処理部から前記前処理部内の前記前処理ステージの上方に配置された仮置きステージに前記対象物を搬送し、前記仮置きステージから前記ストック部へ前記対象物を搬送する、プラズマ処理方法。前記対象物を搬送するための単一のアームを備える搬送装置により前記対象物が搬送され、前記プラズマ処理部内で1個の前記対象物について前記プラズマ処理を実行中に、前記仮置きステージに載置された別の1個の前記対象物の前記ストック部への搬送と、さらに別の1個の前記対象物の前記ストック部から前記前処理ステージへの搬送とを実行する、請求項10に記載のプラズマ処理方法。本発明は、高スループットかつ低コストのプラズマ処理を実現することを課題とする。本発明の第1の態様は、基板又は基板を収容したトレイである対象物を収納するストック部と、前記ストック部から搬入される前記対象物の前記基板に対してプラズマ処理を実行するプラズマ処理部と、前記プラズマ処理部に搬入前の前記対象物に対して前処理を行うための前処理ステージと、前記前処理ステージの上方に配置されて前記プラズマ処理後の前記対象物が載置される仮置きステージとを有する前処理部と、前記対象物を搬送するための単一のアームを備える搬送装置と、前記プラズマ処理前の前記対象物が前記ストック部から前記前処理ステージを経て前記プラズマ処理部へ搬送され、前記プラズマ処理後の前記対象物が前記プラズマ処理部から前記仮置きステージを経て前記ストック部へ搬送されるように前記搬送装置を制御する制御部とを備える、プラズマ処理装置を提供する。具体的には、前記制御部は、前記プラズマ処理部内で1個の前記対象物の前記基板について前記プラズマ処理を実行中に、前記仮置きステージに載置された別の1個の前記対象物の前記ストック部への搬送と、さらに別の1個の前記対象物の前記ストック部から前記前処理ステージへの搬送とを実行するように、前記搬送装置を制御する。1枚の対象物についてプラズマ処理を実行中に、仮置きステージからストック部への別の対象物の搬送と、ストック部から前処理ステージへのさらに別の対象物の搬送を実行することで、搬送装置は低コストのシングルアーム型であるにもかかわらずスループットを向上できる。仮置きステージは前処理部に設けられており、前処理ステージの上方に配置されている。かかる仮置きステージの配置により装置の小型化と構成の簡素化を図ることができる。好ましくは、前記仮置きステージは、載置された前記対象物との間での熱伝導により前記対象物を冷却する機能を有する。プラズマ処理部でのプラズマ処理後の対象物は、直ちにストック部に搬送されるのではなく、いったん仮置きステージに載置される。従って、仮置ステージが対象物を冷却する機能を有する場合、ストック部には仮置きステージで冷却済みで温度がある程度低下した対象物が回収される。従って、対象物が基板を収容したトレイである場合、ストック部への回収後にトレイの周囲が真空環境から大気環境に変わっても、トレイからの熱伝導による基板の温度上昇が生じず、熱に起因する基板の品質低下や損傷を防止できる。つまり、仮置きステージにトレイの冷却機能を付与することで、トレイ冷却による基板の温度上昇防止を確保しつつ、高スループットかつ低コストのプラズマ処理を実現できる。例えば、前記前処理ステージは前記対象物が水平方向に移動可能に載置されるアラインメントステージであり、前記前処理部はアラインメントステージに載置された前記対象物に対してアラインメント処理を行うアラインメント部である。前記アラインメント部は、前記アラインメントステージに載置された前記対象物の水平面内の位置を前記アラインメントステージに対して位置合わせする直交位置合わせ機構を備える。前記対象物は外周縁に形成されたノッチを備え、前記アラインメントステージは、鉛直方向に沿って延びる回転軸周りに回転可能であってもよい。また、この場合、前記アラインメント部は、前記アラインメントステージに載置された前記対象物のノッチを光学的に検出するノッチ検出センサーを備え、前記ノッチ検出センサーからの出力に応じて前記アラインメントステージを回転させることで前記アラインメントステージに載置された前記対象物の回転角度位置を調整する。前記対象物が、前記トレイと、前記トレイに設けられた厚み方向に貫通する基板収容孔に収容された前記基板とを備える場合、前記アラインメント部は、前記基板収容孔内の前記基板の有無を光学的に検出する基板検出センサを備えてもよい。前記対象物は、前記トレイと、前記トレイに設けられた有底の基板収容孔に収容された前記基板とを備える場合、前記アラインメントステージは回転不可に固定される。本発明の第2の態様は、基板又は基板を収容したトレイである対象物をストック部から前処理部が備える前処理ステージに搬送し、前記前処理ステージ上に配置された前記対象物に対する前処理を実行し、前記対象物を前記前処理ステージからプラズマ処理部内に搬送し前記プラズマ処理部で前記対象物の前記基板に対しプラズマ処理を実行し、前記プラズマ処理部から前記前処理部内の前記前処理ステージの上方に配置された仮置きステージに前記対象物を搬送し、前記仮置きステージから前記ストック部へ前記対象物を搬送する、プラズマ処理方法を提供する。本発明に係るプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法によれば、プラズマ処理後の対象物基板又は基板を収容したトレイは、前処理ステージの上方に配置された仮置きステージに載置された後に、ストック部に回収される。また、シングルアーム型の搬送装置は、1個の対象物についてプラズマ処理中に、他の対象物の仮置きステージからストック部への搬送、及びさらに別の対象物のストック部から前処理ステージへ搬送を実行する。これらにより、高スループットかつ低コストのプラズマ処理を実現できる。また、仮置きステージが対象物をする機能を有する場合、特に対象物が基板を収容したトレイであれば、トレイ冷却による基板の温度上昇防止を確保しつつ、高スループットかつ低コストのプラズマ処理を実現できる。次に、添付図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。図1から図5は本発明の実施形態に係るICP誘導結合プラズマ型のドライエッチング装置1を示す。このドライエッチング装置1では、基板2を搬送するためのトレイ3対象物が使用される。図6を参照すると、トレイ3には上面3aから下面3bまで厚み方向に貫通する複数個本実施形態では6個の基板収容孔4が設けられている。トレイ3の中央に1個の基板収容孔4があり、その周囲に残りの5個の基板収容孔4が平面視で等角度間隔に配置されている。個々の基板収容孔4に1枚の基板2が収容される。個々の基板収容孔4の孔壁には基板収容孔4の中心に向けて突出する基板支持部5が設けられている。図13を併せて参照すると、基板支持部5の上面である基板支持面5aは、基板収容孔4に収容された基板2の下面の周縁付近を支持する。本実施形態では、基板支持部5は基板収容孔4の孔壁の全周に設けられており、平面視では幅一定の円環状である。前述のように基板収容孔4はトレイ3を厚み方向に貫通するように形成されているので、トレイ3の下面3b側から見ると、基板収容孔4基板支持部5の先端で囲まれた円形の領域により基板2の下面が露出している。基板支持部5は基板収容孔4の孔壁の周方向に間隔をあけて設けた複数個の突起状でもよい。トレイ3の外周縁には回転角度位置検出のためのノッチ3cが設けられている。図1から図5を参照すると、ドライエッチング装置1は、基板2に対するドライエッチングを実行するプラズマ処理部11と、プラズマ処理部11に隣接して設けられてシングルアーム型の基板搬送装置15を収容している搬送部12とを備える。また、トレイ3を供給及び回収するための供給回収部ストック部13が、搬送部12に隣接して設けられている。本実施形態では処理前のトレイ3の供給と処理後のトレイ3の回収を同じ供給回収部13で実行している。しかし、処理前のトレイ3を供給する供給部と、処理後のトレイ3を回収する回収部とを別個に設け、これらにストック部を構成してもよい。さらに、ドライエッチング前のトレイ3のアラインメント処理と、ドライエッチング後のトレイ3を仮置きのためのアラインメント部前処理部14が、搬送部12に隣接して設けられている。プラズマ処理部11と供給回収部13は、搬送部12を挟んで互いに反対側に配置されている。アラインメント部14は、プラズマ処理部11及び供給回収部13に対して搬送部12の側方図1において左側に配置されている。プラズマ処理部11内の処理室16、供給回収部13内の収容室17、及びアラインメント部14内のアラインメント室18と、搬送部12内の搬送室19との間には、それぞれ連通口20A,20B,20Cが設けられている。本実施形態では、搬送室19と処理室16の間の連通口20Aにゲートバルブ21が取り付けられている。図1から図3を参照して供給回収部13を説明する。供給回収部13は外部と収容室17の連通口20Dを開閉する扉23を備える。連通口20Dを介して収容室17に出し入れ可能なカセット24は、複数のトレイ3を多段配置された状態で収容している。個々のトレイ3は水平方向の開口24a図3参照を介してカセット24に対して出し入れ可能である。収容室17内でカセット24を保持するカセット保持機構25は、上下方向に移動可能である。本実施形態では、ドライエッチング装置1の稼動中は、カセット24の交換時を除いて、真空ポンプ26図5にのみ示すの真空排気によって搬送室19、収容室17、及びアラインメント室18が真空状態で保持される。図1から図3を参照して搬送部12を説明する。搬送室19内に収容されたシングルアーム型の基板搬送装置15は、トレイ3の下面3bの外周縁付近を支持することでトレイ3を保持可能な支持フォーク28を1個のみ備える。支持フォーク28は水平方向の直動のみが可能な上側水平移動機構29Aに装着され、この上側水平移動機構29Aは同様に水平方向の直動のみが可能な下側水平移動機構29Bに搭載されている。また、下側水平移動機構29Bは鉛直方向に延びる旋回軸30に搭載されている。旋回軸30はそれ自体の軸線回りの回転と上下方向移動が可能である。従って、支持フォーク28は水平面内での直動と旋回が可能であり、かつ昇降可能である。上側及び下側駆動機構29A,29Bと旋回軸30とは、搬送機構駆動部31により駆動される。図1、図2、図7から図9、図11、及び図14を参照してアラインメント部14について説明する。図7に最も明瞭に示すように、アラインメント室18内の底部側には回転ステージアラインメントステージ33とセンタリング機構34とが配置されている。また、アラインメント室18内には、回転ステージ33及びセンタリング機構34の上方に間隔をあけて仮置きステージ35が配置されている。仮置きステージ35は平面視で回転ステージ33と重なるように配置されている図1参照。仮置きステージ35を回転ステージ33に対して横並び配置するのではなく、回転ステージ33の上方に重ねて配置することで、アラインメント室18の平面視での面積を縮小でき、アラインメント部14の小型化と構成の簡素を図ることができる。図7に最も明瞭に示すように、回転ステージ33は鉛直方向に延びる回転軸36の上端に取り付けられている。この回転軸36は、回転ステージ駆動機構部37図2参照により回転駆動される。後に詳述するように、基板搬送装置15によって搬送されたトレイ3が回転ステージ33の上面33aに載置される。図7及び図8を参照すると、センタリング機構34はアラインメント室18の底壁上に配置された一対のL形アーム38A,38B備える。これらのL形アーム38A,38Bの一端側は開閉駆動部39に機械的に連結されている。開閉駆動部39は、図8において一点鎖線で示す互いに離れた開位置と実線で示す互いに近接した閉位置との間で、L形アーム38A,38Bを開閉動作させる。L形アーム38A,38Bには、当接部材40が鉛直方向上向きに突出するように設けられている。これらの当接部材40はL形アーム38A,38Bが閉位置となると回転ステージ33上に載置されたトレイ3の外周縁端面と当接する。仮置きステージ35は、アラインメント室18の側壁に固定された固定された基部35aと、この基部35aから水平方向に突出した本体35bとを備える。後に詳述するようにプラズマ処理後のトレイ3が仮置きステージ35の本体35bに載置される。つまり、仮置きステージ35は、プラズマ処理後のトレイ3をカセット24に戻す前に一時的に保持しておくことを必須の機能とする。この必須の機能を確保する観点からは、トレイ3を載置可能である限り、仮置きステージ35の形状、構造、材質等は特に限定されない。例えば、本実施形態のような単一の仮置きステージ35に代えて、互いに分離された複数の仮置きステージを設けてもよい。本実施形態における仮置きステージ35は、前述したトレイ3の一時的な保持という必須の機能に加え、載置されたトレイ3を冷却するという追加の機能も有している。具体的には、仮置きステージ35とその上に載置されたトレイ3との間の熱伝導により、トレイ3が冷却される。トレイ3を効果的に冷却するために、本実施形態における仮置きステージ35は、熱伝導性が良好な金属製例えばAlとし、載置されたトレイ3との接触面積を広くするために本体35bを平面視で概ね一定幅で先端が半円状の帯状としている。仮置きステージ35にトレイ3の冷却機能をもたせる場合、トレイ3の仮置きステージ35上に載置されている部分の面積が可能な限り広くなるように、仮置きステージ35の形状及び面積を設定することが好ましい。また、仮置きステージ35にトレイ3の冷却機能をもたせる場合、仮置きステージ35の上面トレイ3が載置される面を高い熱伝導性を有する弾性体で構成し、密着度を高めることでトレイ3の下面との接着面積を広くして熱伝達性を向上させてもよい。アラインメント室18の上端壁はアクリル等からなる透明天板42により構成されている。この透明天板42の上方には2個の基板検出センサー43A,43Bと1個のノッチ検出センサー44が配置されている。図1及び図7に示すように、基板検出センサー43Aは、回転ステージ33の中心の直上に位置している。基板検出センサー43Bは、平面視で回転ステージ33からは外れているが仮置きステージ35の本体35bの先端付近に重なる位置に位置している。ノッチ検出センサー44は、平面視で回転ステージ33に対して基板検出センサー43Bよりもさらに外側に位置している。回転ステージ33上には基板検出センサー43Aの直下の位置に光反射部材45Aが固定されている。同様に、アラインメント室18の底壁上には、基板検出センサー43Bとノッチ検出センサー44の直下の位置に、光反射部材45B,45Cがそれぞれ固定されている。仮置きステージ35には、基板検出センサー43Aと光反射部材45Aとの間の光学経路を確保するための貫通孔46Aと、基板検出センサー43Bと光反射部材45Bとの間の光学経路を確保するための貫通孔46Bとが設けられている。アラインメント室18の上端壁は、基板検出センサー43A,43Bとノッチ検出センサー44の視野に相当する部分のみをアクリル等の透明材料により構成し、他の部分は不透明としてもよい。基板検出センサー43A,43Bとノッチ検出センサー44は発光素子と受光素子が一体化された光学センサである。図9を参照すれば明らかなように、光反射部材45A,45Bからの反射光を基板検出センサー43A,43Bが受光することで、基板2が基板収容孔4に収容されていないことが検出できる。また、光反射部材45Cから反射光をノッチ検出センサー44が受光することでノッチ3cを検出できる。図1、図3、図12Aから図12Cを参照してプラズマ処理部11を説明する。減圧可能な処理室16の底部側には、下部電極としての機能と基板2及びトレイ3の保持台としての機能とを有する基板サセプタ48が配設されている。基板サセプタ48は上端側に静電チャックESC49を備える。ESC49の上面49aから扁平な円柱状の6個トレイ3の基板収容孔4と同数の基板保持部50が突出している。個々の基板保持部50の上端に基板2が保持される。処理室16の上端開口は石英等の誘電体からなる天板51で閉鎖されている。天板51上にはICPコイル52が配設されている。基板搬送装置15の支持フォーク28と基板サセプタ48との間でのトレイ3の受け渡しのために、昇降するロッド状部材であるトレイリフタ53が設けられている。ドライエッチング時には、真空排気した処理室16にエッチングガスを供給して所定圧力で維持した後、ICPコイル52と基板サセプタ48にそれぞれ高周波電圧を印加して処理室16内にプラズマを発生させる。エッチング中、基板サセプタ48中には温調された冷媒が循環され、基板2の下面と基板保持部50との間には伝熱ガスが供給される。図5にのみ示す制御部55は、プラズマ処理部11、搬送部12、供給回収部13、及びアラインメント部14を制御し、基板搬送装置15によるトレイ搬送処理や、アラインメント部14における基板有無確認処理とアラインメント処理を含むドライエッチング装置1の各種動作を実行する。制御部55には、オペーレータが必要な指令を入力するための操作入力部56と、運転状態等を表示するための表示部57が接続されている。次に、本実施形態のドライエッチング装置1の動作を説明する。図10A及び図10Bを参照すると、1枚のトレイ3に着目した場合、まずトレイ3は基板搬送装置15により供給回収部13の収容室17内のカセット24から搬送部12の搬送室19を介してアラインメント部14のアラインメント室18に搬入され、回転ステージ33の上面33aに載置される。次に、回転ステージ33に載置されたトレイ3に対してセンタリング機構34によるセンタリング水平面内での回転ステージ33に対する位置合わせと、回転ステージ33の回転による回転角度位置の調整とが実行される図10A,10Bではセンタリングと回転角度調整を併せてアラインメント処理と呼んでいる。その後、トレイ3は基板搬送装置15によりアラインメント室18から搬送室19を介してプラズマ処理部11の処理室16内に搬入されて、基板サセプタ48上に載置される。次に、トレイ3と共に基板サセプタ48に載置された基板2に対するプラズマ処理が実行される。プラズマ処理後、トレイ3は基板搬送装置15により処理室16から搬送室19を介してアラインメント室18に搬入され、仮置きステージ35内に配置されて冷却される。その後、トレイ3はアラインメント室18から搬送室19を介して収容室17へ搬送されてカセット24で回収される。以下、1枚のトレイ1に着目した場合のドライエッチング装置1の動作をより具体的に説明する。旋回軸30による旋回によって収容室17に向けられた支持フォーク28が、上側及び下側移動機構29A,29Bによる直動によって連通口20Bを通って搬送室19から収容室17内に進入し、カセット24に収容されたトレイ36枚の未処理の基板2を収容しているを支持する。トレイ3を支持した支持フォーク28は、連通口20Bを通って収容室17から搬送室19に戻り、処理室17内で旋回してアラインメント室18に向けられる。図11に示すように、支持フォーク28は連通口20Cを通ってアラインメント室18内に進入し図11において左向きの直動、トレイ3が回転ステージ33の上方に位置される。続いて、旋回軸30の下向移動により支持フォーク28が回転ステージ33よりも下方に降下し、トレイ3は回転ステージ33の上面33aに載置される。回転ステージ33へのトレイ3の載置を完了した支持フォーク28は、連通口20Cを通って搬送室19に戻る図11において右向きの直動。図8を参照すると、開閉駆動部39によってL形アーム38A,38Bが開位置一点鎖線から閉位置実線の移動する。L形アーム38A,38Bが閉位置となると、回転ステージ33の上面33aに載置されているトレイ3の外周端面が当接部材40により両側図8において上下方向から挟み込まれる。この当接部材40での挟み込みによるセンタリングで、トレイ3はその中心が回転ステージ33の中心回転軸36の回転中心と一致するように水平面内での位置が調整される。続いて、図9において破線の矢印で示すように、回転軸36によって回転ステージ33を回転させることで回転ステージ33に配置されたトレイ3の回転角度位置が調整される。この回転角度位置の調整の際には、ノッチ検出センサー44から出力でノッチ3cが検出し、それに応じて回転ステージ33を回転させる。また、回転軸36によって回転ステージ33を回転させつつ基板検出センサー43A,43Bの出力を監視することで、トレイ3の基板収容孔4に基板2が収容されていることを確認する。基板検出センサー43Aからの出力によりトレイ3の中央の基板収容孔4における基板2の有無を確認でき、基板検出センサー43Bからの出力によりトレイ3の残りの5個の基板収容孔4における基板2の有無を確認できる。次に、図11を参照して説明した回転ステージ33へのトレイ3の載置時と逆の動作を実行することで、支持フォーク28は回転ステージ33からトレイ3を受け取って搬送室19に戻る。トレイ3を支持している支持フォーク28は搬送室19内で旋回してプラズマ処理部11の処理室16に向けられる。その後、ゲートバルブ21が閉弁状態から開弁状態に切り換えられ、図12Aに示すように連通口20Aが開放される。また、トレイリフタ53が上昇してその上端が基板サセプタ48よりも上方に位置する。続いて、図12Bに示すように、支持フォーク28は連通口20Aを通って処理室16内に進入し図12Bにおい左向きの直動、トレイ3がトレイリフタ53の上端よりも上方に位置される。続いて、支持フォーク28がトレイリフタ53の上端よりも下方に降下し、トレイ3がトレイリフタ53の上端に載置される。トレイリフタ53へのトレイ3の載置を完了した支持フォーク28が連通口20Aを通って搬送室19に戻ると、図12Cに示すようにゲートバルブ21が閉弁状態に切り換えられて連通口20Aが閉鎖される。また、トレイリフタ35が降下することで、図13に示すようにトレイ3と基板2が基板サセプタ48のESC49に向けて降下する。トレイ3がESC49の上面49aに向けて降下すると、トレイ3の下面3b側から基板保持部50が基板収容孔4へ進入する。トレイ3がESC49の上面49aに載置されると、個々の基板収容孔4内の基板2は基板支持部5の基板支持面5aから持ち上げられて基板保持部50の上端に載置される。基板サセプタ48へのトレイ3の配置完了後、前述したようにプラズマによる基板2のエッチング処理が実行される。エッチング処理後、図12Aから図12Cを参照して説明した基板サセプタ48への載置時と逆の動作を実行することで、支持フォーク28は基板サセプタ48からトレイ3を受け取って搬送室19に戻る。トレイ3を支持している支持フォーク28は搬送室19内で旋回してアラインメント室18に向けられる。図14に示すように、支持フォーク28は連通口20Cを通ってアラインメント室18内に進入し図14において左向きの直動、トレイ3が仮置きステージ35の上方に位置される。続いて、支持フォーク28が仮置きステージ35よりも下方に降下し、トレイ3は仮置きステージ35の本体35bの上面35cに載置される。仮置きステージ35へのトレイ3の載置を完了した支持フォーク28は、連通口20Cを通って搬送室19に戻る図14において右向きの直動。プラズマ処理部11の処理室16内でのエッチング処理の際にプラズマから熱吸収によりトレイ3の温度が上昇する。しかし、エッチング処理後のトレイ3を仮置きステージ35の本体35bに載置してその上面35cにトレイ3の下面3bを直接接触させることで、トレイ3から仮置きステージ35への熱伝導によりトレイ3が冷却される。次に、図14を参照して説明した仮置きステージ35への載置時と逆の動作を実行することで、支持フォーク28は仮置きステージ35からトレイ3を受け取って搬送室19に戻る。また、支持フォーク28は搬送室19内で旋回して供給回収部13の収容室17に向けられる。さらに、支持フォーク28は連通口20Bを通って搬送室19から収容室17内に進入し、カセット24にトレイ13を受け渡す。以上のように、本実施形態のドライエッチング装置1では、プラズマ処理部11でドライエッチング後のトレイ3は、直ちに供給回収部13のカセット24に回収されるのではなく、いったんアラインメント部18の仮置きステージ35に載置されることで冷却され、カセット24には冷却済みで温度がある程度低下したトレイ3が回収される。従って、カセット24への回収後にトレイの周囲が真空環境から大気環境に変わっても、トレイ3からの熱伝導による基板2の温度上昇が生じず、熱に起因する基板2の品質低下や損傷を防止できる。例えば、エッチング終了時の約200°Cであるトレイ3を、所定温度例えば100°C以下まで温度を低下した後にトレイ3をカセット24に回収する必要がある場合、冷却機能をもたせた仮置きステージ35に載置することで所定温度まで速やかトレイ3の温度を低下させてカセット24に回収できる。その結果、エッチング終了からトレイ3をカセット24に回収するまでの時間を短縮でき、スループットの向上を図ることができる。図10A及び図10Bに示すように、本実施形態のドライエッチング装置1では前述の1枚のトレイ3に対する動作を複数のトレイ3に対して連続して実行する。そして、N枚目Nは2以上の整数のトレイ3について基板2のドライエッチングがプラズマ処理室16内で実行されている間に、まず、ドライエッチングが完了してアラインメント室18の仮置きステージ35に配置されているN-1枚目のトレイ3を、仮置きステージ35から取り上げて供給回収部13へ搬送してカセット24に回収する。次に、未処理の基板2が収容されている新たなN1枚目の基板3を供給回収部13のカセット24から取り出してアラインメント室18に搬送して回転ステージ33に載置する。また、回転ステージ33に載置されているトレイ3について基板検出センサー43A,43Bを使用した基板2の有無の検出を実行する。さらに、センタリング機構34によるトレイ3のセンタリングと回転ステージ33の回転によるトレイ3の回転角度位置の調整を実行するアラインメント処理。このように、N枚目のトレイ3のドライエッチング中にN-1枚目及びN1枚目のトレイ3の搬送を実行することで、低コストであるがダブルアーム型と比較して搬送効率の低いシングルアーム型の基板搬送装置15を採用しているにもかかわらずスループットを向上できる。つまり、本実施形態のドライエッチング装置1は、高いスループットかつ低コストのプラズマ処理を実現できる。本発明は実施形態に限定されず種々の変形が可能である。例えば、図1を参照すると、搬送室19と処理室16の間の連通口20Aに設けられたゲートバルブ21と同様のゲートバルブを、収容室17と搬送室19との間の連通口20Bと、アラインメント室18と搬送室19との間の連通口20Cにも設けてもよい。この場合、処理室16とアラインメント室18は常時真空状態減圧状態、収容室17は常に大気開放状態であり、搬送室19が真空状態と大気開放状態を繰り返すロードロック室として機能するいわゆるオープンカセット式の構成。具体的には、収容室17内のカセット24に対するトレイ3の搬入出の際には、連通口20Bのゲートバルブを開弁することで搬送室19は大気開放される。この搬送室19の大気開放時には、搬送室19と処理室16の間のゲートバルブ21と、搬送室19とアラインメント室18との間のゲートバルブはいずれも閉弁され、それによって処理室16とアラインメント室18の真空状態が維持される。一方、カセット24に対するトレイ3の搬入出時以外は、連通口20Bのゲートバルブは閉鎖されて真空ポンプ26の真空排気により搬送室19が真空状態とされ、搬送室19と処理室16やアラインメント室18との間でのトレイの搬入出の際にゲートバルブ21や連通口20Cのゲートバルブが開弁される。図15に示す変形例のドライエッチング装置1は、供給回収部13に隣接して設けられた移載部71を備える。供給回収部13内の収容室17と移載部71内の移載室72は連通口20Eを介して互いに連通している。移載部72は外部と移載室72の連通口20Fを開閉する扉73を備える。供給回収部13内にはカセット24例えば図1参照は収容されていない。移載部71から供給回収部13に処理前の基板2を収容したトレイ3が供給され、これらのトレイ3は基板2の処理後に供給回収部13から移載部71に戻される。移載部71内の移載室72には移載ロボット74が収容されている。この移載ロボット74は、図15において矢印D1で概念的に示すように、トレイ3の基板収容孔4にドライエッチング前の基板2を収容する作業、つまりトレイ3へ基板2を移載する作業を実行する。また、移載ロボット72は、図15において矢印D2で概念的に示すように、ドライエッチング済みの基板2をトレイ3から移載する作業を実行する。さらに、移載ロボット72は、処理前の基板2を収容したトレイ3を移載部71から供給回収部13に搬入する作業図15の矢印E1と、処理後の基板2を収容したトレイ3をトレイストック部13から移載部71に搬出する作業図15の矢印E2とを実行する。トレイは有底の基板収容孔を有するものでもよい。この場合はトレイの回転角度位置の調整は必要ないので、前述の実施形態における回転ステージ33に代えて、トレイを載置可能であるが回転不可に固定されたアラインメントステージをアラインメント部に設ける。また、基板を収容したトレイに限定されず、基板自体に本発明を適用できる。例えば、前述の実施形態におけるトレイ3を大型の基板に置換した構成が考えられる。本発明はドライエッチング装置に限定されずCVD装置等の他のプラズマ処理装置における基板の搬送にも適用できる。"