"n型GaP基板上にAlxGa1-xyIn1-yPただし、0<x<1,0<y<1からなるn型クラッド層、活性層、p型クラッド層が順次積層された4元発光層を有し、該4元発光層の、前記n型GaP基板側の主表面第二主面の反対側となる主表面第一主面上に、電流拡散層であるp型GaP層が積層された化合物半導体基板であって、前記n型GaP基板と前記4元発光層との間に、前記n型クラッド層よりもキャリア濃度の高い、AlxGa1-xyIn1-yPただし、0<x≦1,0<y<1からなる高濃度キャリア層が形成されたものであることを特徴とする化合物半導体基板。前記高濃度キャリア層は、キャリア濃度が1.0×1018atoms/cm3以上であることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体基板。前記高濃度キャリア層は、膜厚が500Å以上であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の化合物半導体基板。前記請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の化合物半導体基板から製造されたことを特徴とする発光素子。n型GaAs基板上にAlxGa1-xyIn1-yPただし、0<x<1,0<y<1からなるn型クラッド層、活性層、p型クラッド層を順次積層した4元発光層をエピタキシャル成長させる工程と、前記4元発光層の、前記n型GaAs基板側と反対側となる主表面第一主面上に、電流拡散層としてp型GaP層をエピタキシャル成長させる工程と、前記4元発光層からn型GaAs基板を除去する工程と、該n型GaAs基板が除去された側の前記4元発光層の主表面第二主面側にn型GaP基板を貼り合わせる工程とを有する化合物半導体基板の製造方法において、前記n型GaAs基板上に、前記4元発光層をエピタキシャル成長させる前に前記n型クラッド層よりもキャリア濃度の高い、AlxGa1-xyIn1-yPただし、0<x≦1,0<y<1からなる高濃度キャリア層を積層し、その後該高濃度キャリア層上に前記4元発光層をエピタキシャル成長させるか、または前記4元発光層の第二主面側に、前記n型GaP基板を貼り合わせる前に前記高濃度キャリア層を積層することによって、前記貼り合わせ工程において、前記高濃度キャリア層とn型GaP基板を貼り合わせ、前記n型GaP基板と前記4元発光層との間に前記高濃度キャリア層が形成された化合物半導体基板を製造することを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。本発明者らが鋭意研究を重ねた結果、上記のような直接接合型発光素子は、4元発光層とGaP基板の接合界面における酸素、炭素等の不純物濃度が製造バッチ毎に一定とならずに安定していないことが判った。また、このような接合界面の酸素、炭素等の不純物は、通電を行うと4元発光層側へ拡散しキャリアを補償してしまう。これによって順方向電圧を上昇させ、製造された発光素子の順方向電圧に対する寿命特性を悪化させることが判った。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、4元発光層とGaP基板との接合界面において酸素、炭素等の不純物が発生したとしても、通電した際に順方向電圧が上昇することを抑制し、これによって製造された発光素子の順方向電圧に対する寿命特性の悪化を抑制することができる化合物半導体基板及びその製造方法、並びにこのような化合物半導体基板から製造された発光素子を提供する。上記目的を達成するために、本発明では、少なくともn型GaP基板上にAlxGa1-xyIn1-yPただし、0<x<1,0<y<1からなるn型クラッド層、活性層、p型クラッド層が順次積層された4元発光層を有し、該4元発光層の、前記n型GaP基板側の主表面以後、第二主面ともいうの反対側となる主表面以後、第一主面ともいう上に、電流拡散層であるp型GaP層が積層された化合物半導体基板であって、前記n型GaP基板と前記4元発光層との間に、前記n型クラッド層よりもキャリア濃度の高い、AlxGa1-xyIn1-yPただし、0<x≦1,0<y<1からなる高濃度キャリア層が形成されたものであることを特徴とする化合物半導体基板を提供する。このように、n型GaP基板と4元発光層との間に高濃度キャリア層が形成された化合物半導体基板であれば、このような化合物半導体基板から製造された発光素子に通電した際に、n型GaP基板と4元発光層との間にある接合界面における酸素、炭素等の不純物が4元発光層へ拡散し、キャリアを補償したとしても、高濃度キャリア層により十分なキャリアが4元発光層へ供給される。このため、順方向電圧が上昇することを抑制し、これによって製造された発光素子の順方向電圧に対する寿命特性が悪化することを抑制することができる。またこのとき、前記高濃度キャリア層は、キャリア濃度が1.0×1018atoms/cm3以上であることが好ましい。また、前記高濃度キャリア層は、膜厚が500Å以上であることが好ましい。このように高濃度キャリア層が形成されれば、より確実に通電後の順方向電圧の上昇を抑制することができる。また本発明は、本発明の化合物半導体基板から製造されたことを特徴とする発光素子を提供する。このように製造された発光素子であれば、順方向電圧に対する寿命特性が非常に良好であるため、高輝度な状態で長期間使用することができる。また本発明は、少なくとも、n型GaAs基板上にAlxGa1-xyIn1-yPただし、0<x<1,0<y<1からなるn型クラッド層、活性層、p型クラッド層を順次積層した4元発光層をエピタキシャル成長させる工程と、前記4元発光層の、前記n型GaAs基板側と反対側となる主表面第一主面上に、電流拡散層としてp型GaP層をエピタキシャル成長させる工程と、前記4元発光層からn型GaAs基板を除去する工程と、該n型GaAs基板が除去された側の前記4元発光層の主表面第二主面側にn型GaP基板を貼り合わせる工程とを有する化合物半導体基板の製造方法において、前記n型GaAs基板上に、前記4元発光層をエピタキシャル成長させる前に前記n型クラッド層よりもキャリア濃度の高い、AlxGa1-xyIn1-yPただし、0<x≦1,0<y<1からなる高濃度キャリア層を積層し、その後該高濃度キャリア層上に前記4元発光層をエピタキシャル成長させるか、または前記4元発光層の第二主面側に、前記n型GaP基板を貼り合わせる前に前記高濃度キャリア層を積層することによって、前記貼り合わせ工程において、前記高濃度キャリア層とn型GaP基板を貼り合わせ、前記n型GaP基板と前記4元発光層との間に前記高濃度キャリア層が形成された化合物半導体基板を製造することを特徴とする化合物半導体基板の製造方法を提供する。このような製造方法であれば、n型GaP基板と4元発光層との間に確実に前記高濃度キャリア層を形成することができる。これによって、通電した際の順方向電圧の上昇が抑制され、順方向電圧に対する寿命特性の良好な発光素子の原料となる化合物半導体基板を製造することができる。以上説明したように、本発明の化合物半導体基板は、n型GaP基板と4元発光層との間に、n型クラッド層よりもキャリア濃度の高い、AlxGa1-xyIn1-yPからなる高濃度キャリア層が形成されているため、このような化合物半導体基板から製造された発光素子に通電した際に、n型GaP基板と4元発光層との間にある接合界面における酸素、炭素等の不純物が4元発光層へ拡散し、キャリアを補償したとしても、前記高濃度キャリア層により十分なキャリアが4元発光層へ供給されるため、順方向電圧の上昇を抑制することができる。またn型GaAs基板上に、4元発光層をエピタキシャル成長させる前に前記高濃度キャリア層を積層し、その後該高濃度キャリア層上に4元発光層をエピタキシャル成長させるか、または4元発光層の第二主面側に、n型GaP基板を貼り合わせる前に前記高濃度キャリア層を積層することとすれば、確実にn型GaP基板と4元発光層との間に前記高濃度キャリア層が形成された高品質の化合物半導体基板を製造することができる。さらにこのような化合物半導体基板から製造された発光素子は、順方向電圧に対する寿命特性が良好であるため、高輝度の状態で長期間使用することができる。以下に本発明の実施の形態を、図面を参照しながら具体的に説明するが、本発明はこれらのみに限定されるものではない。図1は、本発明の化合物半導体基板の一例を示す概略図である。図1に示す本発明の化合物半導体基板1は、n型GaP基板2上にAlxGa1-xyIn1-yPただし、0<x≦1,0<y<1からなるn型高濃度キャリア層3が形成され、該高濃度キャリア層3の上に発光層4が形成されている。そして該発光層4上に、MOVPE法によりp型GaP薄膜電流拡散層5が形成され、さらにその上にHVPE法によりp型GaP厚膜電流拡散層6が形成されている。前記発光層4としては、例えばノンドープAlxGa1-xyIn1-yPただし、0≦x≦1,0<y<1混晶からなる活性層42を、p型AlzGa1-zyIn1-yPただし、x<z≦1からなるp型クラッド層43と、n型AlzGa1-zyIn1-yPからなるn型クラッド層41とで挟んだ4元発光層4とすることができる。なお、ここでいうノンドープとは、ドーパントの積極添加を行わないという意味であり、化合物半導体基板の製造工程上、不可避的に混入するドーパント成分の含有例えば1.0×1013~1.0×1016atoms/cm3程度をも排除するものではない。このような化合物半導体基板1から製造された発光素子10に通電した際に、n型GaP基板2と4元発光層4との間にある接合界面における酸素、炭素等の不純物が4元発光層4へ拡散し、キャリアを補償して順方向電圧を上昇させ、順方向電圧に対する寿命特性を悪化させる可能性がある。しかし、本発明ではn型GaP基板2と4元発光層4との間に、前記高濃度キャリア層3が形成されているので、該高濃度キャリア層3により十分なキャリアが4元発光層4へ供給される。このため、順方向電圧が上昇することを抑制し、寿命特性を良好なものとすることができる。またこのとき、前記高濃度キャリア層3のキャリア濃度が1.0×1018atoms/cm3以上であり、膜厚が500Å以上であれば、より確実に順方向電圧の上昇を抑制することができるため好ましい。また、このような化合物半導体基板1を用いて、図2に示すような光学素子10を製造することができる。この光学素子10においては、図1に示した化合物半導体基板1の厚膜電流拡散層6上の略中央に、4元発光層4に発光駆動電圧を印加するための第一電極11が形成され、該第一電極11の周囲の領域が4元発光層4からの光取出領域とされている。また、n型GaP基板2の第二主面側には第二電極12が全面に形成されている。また、第一電極11の中央部に電極ワイヤを接合するためのAu等にて構成されたボンディングパッド13が配置されている。このように製造された発光素子10は、順方向電圧に対する寿命特性が良好であり、高輝度の状態で長期間使用することができる。尚、本発明における化合物半導体基板1の上記各層の間に、必要に応じて種々の層が挿入されても良い。以下、図1に示した化合物半導体基板1の製造方法について、図6に示したフロー図を参照しながら説明する。まず工程1に示すように、成長用基板としてn型GaAs基板を準備し、洗浄した後、MOVPEリアクターに入れ、前記n型GaAs基板上にn型GaAsバッファ層を0.1~1.0μmエピタキシャル成長させる。次いで、工程2に示すようにn型GaAsバッファ層上にAlGaInPからなるn型高濃度キャリア層3を、膜厚が0.05μm500Å以上となるように形成する。次に工程3に示すように前記高濃度キャリア層3上に、4元発光層4として各々AlGaInPからなる、厚さ0.8~4.0μmのn型クラッド層41、厚さ0.4~2.0μmの活性層42及び厚さ0.8~4.0μmのp型クラッド層43を、この順序にてエピタキシャル成長させる。尚、このとき高濃度キャリア層3のキャリア濃度を、例えば1.0×1018atoms/cm3以上とし、n型クラッド層41のキャリア濃度より高くなるようにする。尚、上記各層のエピタキシャル成長は、公知のMOVPE法により行なわれる。Al、Ga、In、Pの各成分源となる原料ガスとしては、これらに限定されるわけではないが、例えば以下のようなものを使用できる。Al源ガス:トリメチルアルミニウムTMAl、トリエチルアルミニウムTEAlなど。Ga源ガス:トリメチルガリウムTMGa、トリエチルガリウムTEGaなど。In源ガス:トリメチルインジウムTMIn、トリエチルインジウムTEInなど。P源ガス:トリメチルリンTMP、トリエチルリンTEP、ホスフィンPH3など。また、ドーパントガスとしては、以下のようなものを使用できる。p型ドーパントMg源:ビスシクロペンタジエニルマグネシウムCp2Mgなど。Zn源:ジメチル亜鉛DMZn、ジエチル亜鉛DEZnなど。n型ドーパントSi源:モノシランなどのシリコン水素化物など。次に工程4に進み、p型クラッド層43上に厚さ0.05~1.0μmのp型GaP薄膜電流拡散層5をMOVPE法によりヘテロエピタキシャル成長させ、MOエピタキシャルウエーハを得る。更に、前記MOエピタキシャルウエーハ上に厚さ5μm~200μmのp型GaP厚膜電流拡散層6を、HVPE法で気相成長する。HVPE法は、具体的には、容器内にてIII族元素である金属Gaを所定の温度に加熱保持しながら、その金属Ga上に塩化水素を導入することにより、下記1式の反応によりGaClを生成させ、キャリアガスであるH2ガスとともに基板上に供給する。Ga液体HCl気体→GaCl気体1/2H2気体....1成長温度は例えば640°C以上860°C以下に設定する。また、V族元素であるPは、例えばホスフィンPH3をキャリアガスであるH2ともに基板上に供給する。さらに、p型ドーパントであるZnは、ジメチル亜鉛DMZnの形で供給して、下記2式のような反応によってn型GaPエピタキシャル層を形成するものである。GaCl気体PH3気体→GaP固体HCl気体H2気体....2次に、工程5に示すようにエッチング等によりn型GaAs基板及びn型GaAsバッファ層を除去する。そして工程6に示すように、n型GaAs基板除去によって露出した高濃度キャリア層3にn型GaP基板2を貼り合せ、化合物半導体基板1を製造する。また、上記のようにn型GaAs基板と4元発光層4との間に高濃度キャリア層3を積層するのではなく、GaAs基板を除去した後、4元発光層4の第二主面側に、n型GaP基板2を貼り合わせる前に高濃度キャリア層3を積層することによって、高濃度キャリア層3とn型GaP基板2とを貼り合わせて化合物半導体基板1を製造することもできる。また、4元発光層の第二主面側とn型GaP基板との間にn型GaInP層を挟んでも良い。また、これに限定されるわけではないが、以上の工程が終了した後に以下のようにして発光素子10を製造することができる。真空蒸着法により第一電極11及び第二電極12を形成し、更に第一電極11上にボンディングパッド13を配置して、適当な温度で電極定着用のベーキングを施す。その後、ダイシングによりチップ化し、第二電極12をAgペースト等の導電性ペーストを用いて支持体を兼ねた図示しない端子電極に固着する一方、ボンディングパッド13と別の端子電極とにまたがる形態でAu製のワイヤをボンディングし、更に樹脂モールドを形成することによって、上記化合物半導体基板1から、図2に示したような発光素子10を製造することができる。以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。実施例まず、以下のようにして図1に示すような化合物半導体基板を製造した。MOVPE法により、厚さ280μmのn型GaAs基板上にn型GaAsバッファ層0.5μm、4元発光層3.0μm、p型GaP薄膜電流拡散層2.5μmを順次エピタキシャル成長させる。前記4元発光層は、キャリア濃度が0.8×1018atoms/cm3であって、Al0.85Ga0.150.45In0.55Pからなるn型クラッド層0.8μm、Al0.1Ga0.90.45In0.55Pからなる活性層0.6μm、Al0.85Ga0.150.45In0.55Pからなるp型クラッド層1.6μmを順次エピタキシャル成長させることにより構成される。このとき、前記n型GaAsバッファ層と4元発光層n型クラッド層との間に、膜厚が0.3μm3000Åであって、キャリア濃度が1.0×1018atoms/cm3のAl0.85Ga0.150.45In0.55Pからなるn型高濃度キャリア層を積層する。その後、HVPE法により厚さ150μmのp型GaP厚膜電流拡散層を前記p型GaP薄膜電流拡散層上にエピタキシャル成長させ、n型GaAs基板の除去を行い、該n型GaAs基板が除去された4元発光層の第二主面側、すなわち高濃度キャリア層のn型クラッド層と反対側の主表面に厚さ200μmのn型GaP基板を接合させる。尚、上記エピタキシャル成長の原料ガスとしては、トリメチルガリウムTMGa、トリメチルインジウムTMIn、トリメチルアルミニウムTMAl、ホスフィンPH3及びアルシンAsH3を使用した。このときの高濃度キャリア層とn型GaP基板との接合界面の不純物として、酸素6.0×1019atoms/cm3、炭素4.0×1017atoms/cm3が存在した。このように製造された化合物半導体基板2枚のそれぞれから作成されたランプのうち7個ずつを選んで、該各ランプに温度85°Cで100時間、50mAの電流を流した。このとき、前記各ランプにおける順方向電圧の上昇は全く発生しなかった。図5に、2枚の基板それぞれから製造された7個ずつのランプの順方向電圧変化率の平均値、最大値及び最小値を示す。比較例1n型GaAs基板の除去を行わず、n型GaP基板も接合させず、さらに高濃度キャリア層も積層させなかったこと以外は実施例1と同様にして、図3に示すような化合物半導体基板を作成した。このように製造された化合物半導体基板2枚のそれぞれから作成されたランプのうち7個ずつを選んで、該各ランプに温度85°Cで100時間、50mAの電流を流した。このとき用いられた化合物半導体基板は、n型GaAs基板を除去せず、n型GaP基板と4元発光層を接合していないため、酸素、炭素等の不純物がこれらの接合界面に含まれておらず、前記各ランプにおける順方向電圧の上昇は全く発生しなかった。このときの結果を図5に示す。比較例2高濃度キャリア層を積層させなかったこと以外は実施例1と同様にして、図4に示すような化合物半導体基板を作成した。このように製造された化合物半導体基板2枚のそれぞれから作成されたランプのうち7個ずつを選んで、該各ランプに温度85°Cで100時間、50mAの電流を流した。このとき、最大で約17、平均すると約2~3順方向電圧が上昇してしまった。このときの結果を図5に示す。比較例1では、n型GaP基板と4元発光層とを接合していないため、順方向電圧の上昇は発生しないが、n型GaAs基板を用いているため、輝度の低い発光素子となってしまう。比較例2では、n型GaP基板と4元発光層との接合界面に酸素、炭素等の不純物が含まれており、このような化合物半導体基板から製造されたランプ等の発光素子に通電した際に、これら不純物が4元発光層側へ拡散してn型キャリアを補償することにより、順方向電圧を上昇させ、順方向電圧寿命特性を悪化させてしまう。しかし実施例では、高濃度キャリア層と4元発光層とを接合しているため、接合界面に酸素、炭素等の不純物が含まれており、比較例2と同様にこのような化合物半導体基板から製造されたランプ等の発光素子に通電した際に、これら不純物が4元発光層側へ拡散してn型キャリアが補償してしまうが、高濃度キャリア層から十分にキャリアが供給されるため、順方向電圧の変化は無く寿命特性が安定した高輝度の発光素子となった。なお、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではない。上述の実施の形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様の効果を奏するものはいかなるものであっても、本発明の技術的範囲に包含されることは無論である。"