"支持体1の少なくとも1つの表面の上に堆積した透明導電性酸化物TCOから作製される少なくとも1つの散乱層2を具備する基体であって、TCOから作製される前記層2の下に、誘電体材料及び透明導電性酸化物から選択された材料から作製される球状粒子の層3であって、該球状粒子の直径が異なる直径の少なくとも2つの集団に属する、球状粒子の層を更に具備し、TCOから作製される前記層2は実質的に一定の厚さであることを特徴とする、基体。前記支持体1と前記球状粒子の層3との間に、前記層2を形成する透明導電性酸化物と同一であるか又は異なる透明導電性酸化物から作製される第2の層4を更に具備することを特徴とする、請求項1に記載の基体。前記第1のTCO層2及び前記第2のTCO層4は、前記球状粒子の層3をコーティングすることを特徴とする、請求項2に記載の基体。前記支持体1は、ガラス、pドープシリコン、nドープシリコン、水素化アモルファスシリコンa-Si:H、CuIn,GaSe2、単結晶シリコン若しくはポリシリコン、CdS又は有機電池の層から選択された材料から作製されることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一項に記載の基体。前記球状粒子は、直径が300nmと10μmとの間両端を含むであることを特徴とする、請求項1~4のいずれか一項に記載の基体。前記層3を形成する球状粒子の全集団において、球状粒子の総数に対して、前記粒子の数の少なくとも5は、前記球状粒子の数の少なくとも5の直径より500nmを越えて大きいか又は小さい直径を有していることを特徴とする、請求項1~5のいずれか一項に記載の基体。前記球状粒子は、SiO2、ZnO、ZnO:Al、ZnO:B、SnO2:F、ITO、フッ素ドープ酸化インジウム、In2O3:MoIMO及びZnO:Gaから選択された材料から作製されることを特徴とする、請求項1~6のいずれか一項に記載の基体。前記透明導電性酸化物は、ZnO:AlAZO、ZnO:BBZO、ZnO:GaGZO、SnO2:F、In2O3:SnITO、ITO:ZnO、ITO:Ti、In2O3、In2O3:ZnOIZO、In2O3:F、In2O3:MoIMO、In2O3:Ga、In2O3:Ti、In2O3:W、In2O3:Zr、In2O3:Nb、ZnOAl,F及びZnO:Ga,Bから選択されることを特徴とする、請求項1~7のいずれか一項に記載の基体。透明導電性酸化物TCOから作製される少なくとも1つの散乱層2を備える基体を製造する方法であって、a支持体1の少なくとも1つ表面の上に、誘電体材料及び透明導電性酸化物から選択された材料の球状粒子の層3を堆積させるステップであって、該球状粒子の直径が、異なる直径の少なくとも2つの集団に属する、堆積させるステップと、b前記層3の前記自由表面の上に、実質的に一定の厚さである透明導電性酸化物から作製される層2を堆積させるステップと、を含むことを特徴とする、方法。ステップaの前に、前記基体1と前記球状誘電体粒子の層3との間に、前記第1の層2を形成する前記透明導電性酸化物と同一であるか又は異なる透明導電性酸化物から作製される層4を堆積させるステップを更に含み、前記層3と接触する前記層4の表面は、該層4が接触する前記層3によって形成される表面と同じ形状を有していることを特徴とする、請求項9に記載の方法。前記透明導電性酸化物の1つ又は複数の層を、物理気相成長PVDによって堆積させることを特徴とする、請求項9又は10に記載の方法。前記透明導電性酸化物の1つ又は複数の層を、化学気相成長CVDによって堆積させることを特徴とする、請求項9又は10に記載の方法。前記支持体1は、ガラス、pドープシリコン、nドープシリコン、水素化アモルファスシリコンa-Si:H、CuInGaSe2、単結晶シリコン若しくはポリシリコン、CdS又は有機電池の層から選択された材料から作製されることを特徴とする、請求項9~12のいずれか一項に記載の方法。前記球状粒子は、直径が300nmと10μmとの間両端を含むであることを特徴とする、請求項9~13のいずれか一項に記載の方法。球状粒子の全集団の数の少なくとも10、好ましくは15は、200nmと4μmとの間両端を含むの直径を有し、球状粒子の全集団の数の少なくとも10、好ましくは15は、4.5μmと12μmとの間両端を含むの直径を有し、前記集団の残りは、中間の直径の粒子で構成されることを特徴とする、請求項9~14のいずれか一項に記載の方法。前記球状粒子は、SiO2、ZnO、ZnO:Al、ZnO:B、SnO2:F、ITO、フッ素ドープ酸化インジウム、In2O3:MoIMO及びZnO:Gaから選択された材料から作製されることを特徴とする、請求項9~15のいずれか一項に記載の方法。前記透明導電性酸化物は、ZnO:AlAZO、ZnO:BBZO、ZnO:GaGZO、SnO2:F、In2O3:SnITO、ITO:ZnO、ITO:Ti、In2O3、In2O3:ZnOIZO、In2O3:F、In2O3:MoIMO、In2O3:Ga、In2O3:Ti、In2O3:W、In2O3:Zr、In2O3:Nb、ZnOAl,F及びZnO:Ga,Bから選択されることを特徴とする、請求項9~16のいずれか一項に記載の方法。請求項1~8のいずれか一項に記載の基体、又は請求項9~17のいずれか一項に記載の方法によって得られた基体を具備することを特徴とする太陽電池。本発明は、透明導電性酸化物から作製される1つ又は複数の散乱層を含む基体を形成するプロセスの問題を、少なくとも1つの透明導電性酸化物散乱層を含む基体と、350nmと1500nmとの間両端を含むの波長の全てにわたって80を超える散乱係数すなわちヘイズ値が得られるのを可能にする、上記基体を製造するプロセスであって、わずかな数の製造ステップのみを必要とするプロセスとを提供することによって克服することを目的とする。このために、本発明は、支持体の少なくとも1つの表面の上に堆積した透明導電性酸化物TCOから作製される少なくとも第1の散乱層を具備する基体であって、TCOから作製される前記層の下に、誘電体材料及び透明導電性酸化物から選択された材料から作製される球状粒子の層であって、該球状粒子の直径が異なる直径の少なくとも2つの集団に属する、球状粒子の層を更に具備し、TCOから作製される前記層は実質的に一定の厚さである、すなわちコンフォーマル堆積であることが注目に値する、支持体の少なくとも1つの表面の上に堆積した透明導電性酸化物から作製される少なくとも第1の散乱層を具備する基体、に関する。実質的に一定の厚さという表現は、厚さのその層の平均厚さとの相違が、この平均厚さを中心にaboutプラスマイナス20以下、好ましくは約10以下であることを意味することが理解される。異なる直径の2つの集団という表現は、層3を形成する球状粒子の全集団において、球状粒子の総数に対して、前記粒子の数の少なくとも5が、前記球状粒子の数の少なくとも5の直径より500nmを越えて大きいか又は小さい直径を有することを意味することが理解される。好ましくは、本発明の基体は、前記支持体と前記球状粒子の層との間に、前記第1のTCO層を形成するものと同一であるか又は異なる透明導電性酸化物から作製される第2の層を更に具備する。有利には、前記第1のTCO層及び前記第2のTCO層は前記球状粒子の層を、前記粒子が前記TCO層と連続して接触するようにコーティングする。本発明の前記基体の前記支持体は、ガラス、pドープシリコン、nドープシリコン、水素化アモルファスシリコンa-Si:H、CuIn,GaSe2、単結晶シリコン若しくはポリシリコン、CdS又は有機電池の層から選択された材料から作製される。本発明によって採用される球状粒子の層では、粒子は、互いに規則正しく接触しない。好ましくは、その粒子は部分的にしか接触しない。前記球状粒子は、平均直径が300nmと10μmとの間両端を含むであることが好ましい。この直径を、透過電子顕微鏡によって測定することができる。好ましい実施の形態によれば、前記層3を形成する球状粒子の全集団において、球状粒子の数の100に対して、前記粒子の数の少なくとも15は、前記球状粒子の数の少なくとも15の直径より500nmを越えて大きいか又は小さい直径を有する。別の好ましい実施の形態において、球状粒子の集団全体の数の少なくとも10、好ましくは15は、200nmと4μmとの間両端を含むの直径を有し、球状粒子の集団全体の数の少なくとも10、好ましくは15は、4.5μmと12μmとの間両端を含むの直径を有し、前記集団の残りは、中間の直径の粒子を有する。この場合、より好ましくは、直径が200nmと4μmとの間両端を含むである集団の間では、粒子の総数に対して粒子の数の少なくとも5が、300nmと3.5μmとの間両端を含むの直径を有し、直径が4.5μmと12μmとの間両端を含むである集団の間では、全ての集団全体を考慮して、粒子の総数に対する数の5が、4.5μmより大きくかつ6μmより小さい直径を有する。前記球状粒子は、SiO2、SnO2、ZnO、ZnO:Al、ZnO:B、SnO2:F、ITO、フッ素ドープ酸化インジウム、In2O3:MoIMO及びZnO:Gaから選択された材料から作製される。前記透明導電性酸化物に関して、該透明導電性酸化物は、ZnO:AlAZO、ZnO:BBZO、ZnO:GaGZO、SnO2:F、In2O3:SnITO、ITO:ZnO、ITO:Ti、In2O3、In2O3:ZnOIZO、In2O3:F、In2O3:MoIMO、In2O3:Ga、In2O3:Ti、In2O3:W、In2O3:Zr、In2O3:Nb、ZnOAl,F及びZnO:Ga,Bから選択される。本発明は、透明導電性酸化物TCOから作製される少なくとも1つの散乱層を備える基体を製造する方法であって、a支持体の少なくとも1つ表面の上に、誘電体材料及び透明導電性酸化物から選択された材料の球状粒子の層を堆積させるステップであって、該球状粒子の直径が、異なる直径の少なくとも2つの集団に属する、堆積させるステップと、b前記球状粒子の層の前記自由表面の上に、コンフォーマル透明導電性酸化物から作製される層を堆積させるステップと、を含むことを特徴とする、方法も提供する。好ましい実施の形態において、本発明の方法は、ステップaの前に、前記支持体上に堆積された前記球状誘電体粒子の層の上に、前記第1のTCO層を形成する前記透明導電性酸化物と同一であるか又は異なる透明導電性酸化物から作製される層を堆積させるステップを更に含み、前記層と接触するこの層の表面は、該層が接触する前記層によって形成される表面と同じ形状を有する。第1の変形例によれば、前記透明導電性酸化物の1つ又は複数の層を、物理気相成長PVDによって堆積させる。好ましくは、第2の変形例によれば、前記透明導電性酸化物の1つ又は複数の層を、化学気相成長CVDによって堆積させる。本発明の方法の全ての変形形態において、前記支持体は、ガラス、pドープシリコン、nドープシリコン、水素化アモルファスシリコンa-Si:H、CuIn,GaSe2、単結晶シリコン若しくはポリシリコン、CdS又は有機電池の層から選択された材料から作製される。また好ましくは、前記球状粒子は、直径が300nmと10μmとの間両端を含むである。最も好ましくは、球状粒子の全集団の数の少なくとも10、好ましくは15は、200nmと4μmとの間両端を含むの直径を有し、球状粒子の全集団の数の少なくとも10、好ましくは15は、4.5μmと12μmとの間両端を含むの直径を有し、前記集団の残りは、中間の直径の粒子で構成される。加えて、好ましくは、前記球状粒子は、SiO2、ZnO、ZnO:Al、ZnO:B、SnO2:F、ITO、フッ素ドープ酸化インジウム、In2O3:MoIMO及びZnO:Gaから選択された材料からなる。前記透明導電性酸化物に関して、該透明導電性酸化物は、好ましくは、ZnO:AlAZO、ZnO:BBZO、ZnO:GaGZO、SnO2:F、In2O3:SnITO、ITO:ZnO、ITO:Ti、In2O3、In2O3:ZnOIZO、In2O3:F、In2O3:MoIMO、In2O3:Ga、In2O3:Ti、In2O3:W、In2O3:Zr、In2O3:Nb、ZnOAl,F及びZnO:Ga,Bから選択される。本発明は、本発明による基体又は本発明による方法によって得られた基体を具備する太陽電池にも関する。添付の図面を参照して以下の説明目的の記載を読むことにより、本発明がより十分に理解され、その他の本発明の特徴及び利点がより明らかとなるだろう。凹凸形成された透明導電性酸化物層の光学的応答は、一般に、そのヘイズ値、すなわち光の散乱係数によって定量化される。この量は、透過光の全体量に対する散乱透過光の比である。この量は、透明導電性酸化物TCO層に凹凸形成される場合に改善されることが広く論証されてきた。以下、凹凸形成という用語は、生成される粗さ、すなわちTCO層に又はそれによって形成される一続きの凹部及び突出部を意味するように理解される。図4及び図5に示すように、本発明による基体は、図1、図2及び図3に示す従来技術の堆積した基体と同様に、図4及び図5において参照番号1が付されている支持体の上に、図4及び図5において参照番号2が付されている透明導電性酸化物から作製される、少なくとも1つの散乱層を備えている。しかしながら、図1、図2及び図3に示す従来技術の基体とは異なり、本発明の基体は、さらに、誘電体材料及び透明導電性酸化物から選択された材料から作製される球状粒子の、図4及び図5において参照番号3が付されている層を備えている。特に、例えばSiO2、ZnO、インジウムドープ酸化錫等の材料から作製される球状粒子が、支持体1と層2との間に堆積している。これらの球状粒子のサイズは、少なくとも2つの直径の集団にグループ化される。言い換えれば、層3を形成する球状粒子は、全て同じ直径であるとは限らない。これらの粒子の可変サイズによって、散乱光が透過される効率は、広い波長範囲にわたり、すなわち350nmから1500nmまで最適化される。これらの粒子のサイズは、300nmと10μmとの間で変化する。したがって、種々の高さ及び幅の突出部及び凹部が得られ、それは、特許文献1の方法では可能ではなかった。当然ながら、正確な波長範囲を選択するために、誘電体粒子のサイズ直径を選択することができる。好ましい実施形態において、350nmと1500nmとの間の広い波長範囲にわたり、最適な効率を得るために、球状粒子の全集団の数の少なくとも10、好ましくは15は、200nmと4μmとの間両端を含むの直径を有し、球状粒子の全集団の数の少なくとも10、好ましくは15は、4.5μmと12μmとの間両端を含むの直径を有し、残りは、中間の直径の粒子で構成される。本発明の改善によれば、上述した15のうち、全集団に対して数の少なくとも5が300nmと3.5μmとの間両端を含むの直径を有し、全集団に対して数の5が4.5μmとμmとの間両端を含むの直径を有している。拡散透過効率を更に改善するために、特定の好ましい実施形態では、球状粒子は全てが互いに接触するとは限らず、好ましくは、全て互いから分離されている。これは、図4及び図5において見てとることができるように、これらの球状粒子が単層を形成する、すなわち球状粒子が互いの上に積層されないことを意味する。球状粒子を、好ましくは、広い面積が安価に処理されるのを可能にするという利点があるLangmuirBlodgett型堆積により、又は更には、ゾルゲルを用いるスピンコーティング、ディップコーティングによって堆積させ、それにより、球状粒子のサイズ及び面積密度を正確に制御する。液体ポリマー/球状粒子ナノコンポジットが好ましくは使用され、その粒子濃度により、処理される基体の表面の最終的な密度が決まる。そして、高分子溶媒は、熱処理によって蒸発する。粒子の優れた分散を促進するために、界面活性剤を使用することができる。そして、球状粒子のこの層3は、透明導電性酸化物層によってコーティングされる。図4及び図5において見てとることができるように、透明導電性酸化物層2の形状は、球状粒子の層3の表面と反対である。透明導電性酸化物層2は、全ての箇所において厚さが同じである。これは、コンフォーマル堆積である。透明導電性酸化物として、当業者には既知であるあらゆる透明導電性酸化物を使用することができる。例として、ZnO:Al、インジウムドープ酸化錫ITO、モリブデンドープ酸化錫IMO、ドープされていないか又はフッ素ドープSnO2SnO2:F、SnO2、ZnO:B、SnO2:F、ITO、フッ素ドープ酸化インジウム、In2O3:MoIMO、ZnO:Gaを言及することができる。本発明の好ましい変形では、本発明の装置は、基板1と球状粒子の層3との間に、層2と同一であるか又は異なる透明導電性酸化物から作製される、図4及び図5において参照番号4が付されている第2の層を更に備えている。層4の透明導電性酸化物は、図2に関して上述したものと同じ材料から選択される。層2又は層4を形成するのに用いられる透明導電性酸化物を、物理気相成長PVD又は化学気相成長CVDによって堆積させることができる。これらの技法により、誘電体材料から作製される球状粒子を、TCO薄膜に入れることができる。球状粒子はコーティングされる。堆積がPVDによって行われる場合、TCO層2及び/又は層4における凹部及び突出部の表面には凹凸形成がなく、すなわち、それは完全に平滑である。しかしながら、球状粒子が形成する面においてそれら球状粒子の形状に完全に一致し、かつ全ての箇所において厚さが同じであるTCO層2を得るために、CVD法を用いることが好ましい。この場合、凹部及び突出部の表面が球状粒子の層3の形状に一致するので、それら自体に粗さ凹凸形成があることになる。本発明の基体を製造する方法は、以下のステップ、すなわち、a支持体1の少なくとも1つ表面の上に、誘電体材料及び透明導電性酸化物から選択された材料の球状粒子の層3を堆積させるステップであって、球状粒子の直径が、異なる直径の少なくとも2つの集団に属する、堆積させるステップと、b層3の自由表面の上に、透明導電性酸化物から作製される層を堆積させるステップと、を含む。好ましい実施形態では、本発明の方法は、ステップaの前に、層2を形成する層と同一であるか又は異なる透明導電性酸化物から作製される層4を堆積させるステップを更に含む。層2及び/又は層4並びに球状粒子を堆積させるために用いられる方法についてはすでに上述しており、層2及び/又は層4並びに層3を形成する材料の特質についてもすでに上述している。球状粒子のサイズについても上述した。本発明の基体又は本発明の方法によって得られる基体は、太陽電池用のTCOから作製される散乱層を形成するのに特に適している。したがって、本発明の別の主題は、こうした基体を備える太陽電池である。次に、本発明をより理解するために、単に例示的かつ非限定的な例として、本発明の幾つかの実施形態を説明する。実施例1:球状シリカ粒子に基づくTCOから作製される散乱層の製造:本発明による基体の製造。第1のステップで、マグネトロンスパッタリングによって、ガラス支持体の上に2.5wtアルミニウムがドープされたZnOの100nm厚さの層を堆積させた。次に、図6に粒径分布を示す球状シリカ粒子を、LangmuirBlodgettプロセスを用いて堆積させた。次に、球状粒子の層を、マグネトロンスパッタリングによって堆積させた、2.5AlでドープされたZnOの層で覆った。この層は、厚さが400nmであった。実施例2:この実施例では、2.5AlでドープされたZnOの第1の層を、マグネトロンスパッタリング技法を用いて堆積させた。使用した堆積パラメータをすぐ下に示す。次に、直径が1μmの単一サイズのシリカ粒子を堆積させた。これらの粒子を、LangmuirBlodgett技法を用いて堆積させた。次に、シリカ粒子の単層の上に、それを完全に覆うように、2.5AlでドープされたZnOのコンフォーマルな200nm厚さの第2の層を堆積させた。この堆積を、マグネトロンスパッタリングによって行った。この堆積中に使用したパラメータは、実施例1で使用したものと同一であった。結果:次に、実施例1で得られた基体を通過した入射光に対して、分光測光法によってヘイズ値を測定し、比較のために、AsahiHU構造で得られたヘイズ値、ガラス基板の上に直接堆積させた2.5アルミニウムでドープされたZnOの凹凸形成のない層のみを含む構造で得られたヘイズ値、及び本発明による構造であるが、実施例2で得られたように球状粒子が単一サイズであった構造で得られたヘイズ値を測定した。得られたグラフを図7に示す。図7に示すように、ガラスの上に2.5AlがドープされたZnO層のみによって形成される構造には、ヘイズ値がなかった。これは基準構造であった。AsahiHU構造に関して、350nmと550nmとの間の波長範囲でのみ80を超えるヘイズ値があり、500nmで最大値であったことが観察されよう。同等に、単一サイズの球体を使用することによって、ヘイズ値は向上しなかった。対照的に、本発明による基体では、310nmと2300nmとの間の広い波長範囲にわたって、ヘイズ値が80を超えた。"