"CuあるいはCu合金を含む通電部材上に、ピンホールを有する置換Snめっき皮膜と、電解Niめっき皮膜と、電解Pdめっき皮膜と、電解Auめっき皮膜と、がこの順に積層されていることを特徴とするはんだ接続用通電部材。前記置換Snめっき皮膜の膜厚が0.001~0.2μm、電解Niめっき皮膜の厚みが0.01~1.0μm、電解Pdめっき皮膜の厚みが0.005~0.2μm、電解Auめっき皮膜の厚みが0.002~0.1μmであることを特徴とする請求項1に記載のはんだ接続用通電部材。請求項1又は請求項2に記載のはんだ接続用通電部材を備えたことを特徴とする配線用基板。CuあるいはCu合金からなる通電部材上に、ピンホールを有する置換Snめっき皮膜を形成する工程と、電解Niめっき皮膜を形成する工程と、電解Pdめっき皮膜を形成する工程と、電解Auめっき皮膜を形成する工程と、を有するめっき皮膜の形成方法において、置換Snめっきは、塩化物、次亜りん酸塩、臭化物、硝酸塩から選ばれる添加剤の少なくとも一種類以上が添加された置換Snめっき浴中でなされることを特徴とするめっき皮膜の形成方法。本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、CuまたはCu合金からなる通電部材電極端子に、Cu成分を含有しないはんだを使用しても、通電部材側とはんだとが十分な接合強度を発現する通電部材の表面構造とそれを得るための表面処理方法とを提供することを課題とした。上記の課題を達成するための、請求項1に記載の発明は、CuあるいはCu合金を含む通電部材上に、ピンホールを有する置換Snめっき皮膜と、電解Niめっき皮膜と、電解Pdめっき皮膜と、電解Auめっき皮膜と、がこの順に積層されていることを特徴とするはんだ接続用通電部材としたものである。請求項2に記載の発明は、前記置換Snめっき皮膜の膜厚が0.001~0.2μm、電解Niめっき皮膜の厚みが0.01~1.0μm、電解Pdめっき皮膜の厚みが0.005~0.2μm、電解Auめっき皮膜の厚みが0.002~0.1μmであることを特徴とする請求項1に記載のはんだ接続用通電部材としたものである。請求項3に記載の発明は、請求項1又は請求項2に記載のはんだ接続用通電部材を備えたことを特徴とする配線用基板としたものである。請求項4に記載の発明は、CuあるいはCu合金からなる通電部材上に、ピンホールを有する置換Snめっき皮膜を形成する工程と、電解Niめっき皮膜を形成する工程と、電解Pdめっき皮膜を形成する工程と、電解Auめっき皮膜を形成する工程と、を有するめっき皮膜の形成方法において、置換Snめっきは、塩化物、次亜りん酸塩、臭化物、硝酸塩から選ばれる添加剤の少なくとも一種類以上が添加された置換Snめっき浴中でなされることを特徴とするめっき皮膜の形成方法としたものである。請求項1に記載の発明によれば、ピンホールを有する置換Snめっき皮膜と、電解Niめっき皮膜と、電解Pdめっき皮膜と、電解Auめっき皮膜と、を順次積層したCuまたはCu合金からなる電極表面に、はんだを加熱接合した場合、はんだ中の金属成分によらず、Cuがピンホールを介してCuまたはCu合金からなる電極から拡散してくるため、Cu電極とはんだ接合界面にCu、Ni、Snを含む金属間化合物層Cu,Ni6Sn5を形成することができる。この金属間化合物は、接合信頼性の高いはんだ接合を提供する。請求項2に記載の発明は、Ni3Sn4層の成長を抑制し、Cu,Ni6Sn5を成長させる効果をより増強する。請求項3に記載の発明は、上記構造のはんだ接続用通電部材の用途を配線用基板に特定したもので、具体的には半導体用インターポーザやプリント基板の接続用端子部である。十分なはんだ接合強度を有するには、接合界面に金属間化合物層Cu,Ni6Sn5の存在が不可欠であるが、はんだにCu成分が含まれないと通電部材側からはんだ側へCuが供給される必要があるが、このCu拡散は、通常は置換Snめっき層により阻害される。請求項4に記載のめっき浴組成は、置換Snめっき層に微細なピンホールを誘導するという効果を奏する。Cuはこのピンホールを拡散する結果、はんだ接合時にCu,Ni6Sn5層が形成される。本発明になる通電部材1は、図1に示すように、ピンホール7を有する置換Snめっき皮膜5と、電解Niめっき皮膜4と、電解Pdめっき皮膜3と、電解Auめっき皮膜2を、Cu、またはCu合金からなる電極6上に順次積層した通電部材である。この通電部材上の電極相当部分に、はんだを加熱接合した場合、はんだ中の金属成分によらず、前記CuまたはCu合金からなる電極とはんだとの接合界面に、Cu、Ni、Snを含む金属間化合物層を形成することができる。通常のめっき皮膜形成工程の場合、Cu電極上には置換Snめっき皮膜が緻密に形成されており、電極成分としてのCuは、該Snめっき皮膜にブロックされて拡散量が低減し、所望のCu,Ni6Sn5の合成に関与できず、接合界面にNi3Sn4が形成されてしまう。したがって、ピンホールがない場合、CuのCu,Ni6Sn5の合成への関与は、Cuを含む場合に、はんだ側からのみ行われる。一方、本発明においては、Cu成分のCu,Ni6Sn5金属間化合物への関与は、Cu、またはCu合金からなる電極側からも行われる。これは、置換Snめっき皮膜5中に形成されたピンホール7を介して、Cuのめっき皮膜中の拡散が促進されるからである。更に、電解Pdめっき皮膜3は、はんだ中への溶解速度が速く、めっき皮膜/はんだ接合界面での金属間化合物層形成において触媒核として機能する。電解Auめっき皮膜2も、はんだ中への拡散速度が速く電極の濡れ性を向上させる機能を有する。これらのめっき皮膜を積層することで、Ni3Sn4層の成長を抑制し、Cu,Ni6Sn5を成長させることができる。尚、金属間化合物層の成分は、一部Pdが溶解し、Cu,Ni,Pd6Sn5となることがある。以下、CuまたはCu合金からなる電極上に形成させる置換Snめっき、電解Niめっき、電解Pdめっき、電解Auめっき処理について詳細に述べる。本発明にかかる通電部材には、Cuのみ、あるいはCuをベースとして、Fe、Ni、Siなど一種以上の、金属元素あるいは無機物を含むCu合金材料を用いてもよい。また、そのような合金の場合には、薄いCuストライクめっき0.1~5μmを施してもよい。本発明にかかる置換Snめっき浴は、メタンスルホン酸Sn、メタンスルホン酸、チオ尿素などで構成された一般的なものを用いてもよい。置換Snめっき処理後に、電解Snめっき皮膜を施してもよい。はんだ接合時において、Cu,またはCu合金からなる通電部材上の電極上に施した置換Snめっき層は、積層された複数のめっき皮膜がはんだと反応して、接合界面で、Cu、Ni、Sn、Pdを含む合金層を形成する際に消費され、はんだ接合後は、皮膜状に残存しない。CuまたはCu合金からなる通電部材上の電極上に施す置換Snめっき皮膜は、ピンホールを有することが必要である。これは、はんだ接合時において、接合界面に形成される金属間化合物層に必要なCuの拡散を促すためである。Cuは、はんだ接合時の加熱により、Snのピンホールを介して熱拡散する。置換Snめっき皮膜中のピンホールは、置換Snめっき浴中への塩化物、あるいは次亜りん酸塩、臭化物、硝酸塩から選ばれる添加剤の少なくとも一種類以上の添加によって形成され、ピンホール量は、前記添加剤の添加量に応じて増加する。ピンホールは、金属間化合物層へのCuの関与を促す目的で形成される。ピンホールを有する置換Snめっき皮膜の厚みは、0.001μmから0.2μmであることが望ましい。ピンホールを有する置換Snめっき皮膜の厚みが0.001μmより薄い場合、前記置換Snめっき皮膜のピンホール径が大きくなるため、Cuの合金層への関与量が多くなり、例えば、数回通電部材をリフローした後に、はんだ付けをする場合、Auめっき皮膜上にCuが拡散して、はんだの濡れ性が低下するため望ましくない。一方、0.2μmより厚い場合、ピンホール径が小さくなり、はんだ接合時にCuの合金層への関与が減少するため、望ましくない。また、ピンホール径は0.1から0.3μm程度が望ましい。Cu,またはCu合金からなる通電部材上の電極上に対する置換Snめっき処理後の、電解Niめっき処理、電解Pdめっき処理は、Cuからなる前記電極とはんだとの接合界面において、高い接合強度が得られるNi、Cu、Snを含む金属間化合物層を形成する目的で行われる。電解Niめっき皮膜は、ワットニッケルめっき浴、スルファミン酸ニッケルめっき浴のいずれでもよく、また光沢めっき、半光沢めっき、無光沢めっきのいずれでも構わない。電解Niめっき皮膜は、めっき厚が1.0μm以下であることが望ましい。これは、前記電解Niめっき厚が1.0μmよりも厚く形成されると、該電解Niめっき皮膜がはんだの加熱接合時において、通電部材上のCu電極とはんだ接合界面に、皮膜状に残存して、はんだ接合信頼性を低下させるためである。電解Pdめっき皮膜は、めっき厚が、0.005から0.2μmであることが望ましい。該膜厚が0.2μmよりも厚い場合、Pdがはんだ中に溶解することなく、通電部材上のCu電極とはんだ接合界面に皮膜状に残存し、はんだ接合信頼性を低下させる恐れがある。また、該膜厚が0.005μmよりも薄い場合、接合界面において金属間化合物層形成時の触媒核として振舞うPdが減少し、その結果、Cu、Ni、Snを含む合金層の形成が、Cu、またはCu合金からなる通電部材上の電極とはんだ接合界面で不連続となり、はんだ接合性にばらつきが生じる恐れがある。電解Auめっき皮膜は、光沢、無光沢、半光沢のいずれでも構わない。該膜厚は、十分なはんだ濡れ性を確保するために0.002~0.1μmであることが望ましい。Auめっき厚が0.1μmより厚い場合、はんだ中に多量のAuが溶け込み、はんだ接合性が低下するため望ましくない。Sn、Ni、Pd、Au層は、はんだ中への拡散、あるいは、Cu、またはCu合金からなる通電部材上の電極/はんだ界面でのCu、Ni、Snからなる金属間化合物層の形成により、皮膜状には残存しない。また、前記金属間化合物層は、Cu、またはCu合金からなる通電部材上の電極とはんだ界面において、はんだ中への溶解速度が遅いNi層を境界とし、Ni/はんだ界面、Ni/Cu、またはCu合金からなる電極界面の両側から、徐々にCu、Ni、Snを含む金属間化合物層が形成される。更にNi層は、膜厚が薄いため、前記Ni層の両側に形成された金属間化合物層に拡散する。本発明は、Cu、Ni、Snを含む金属間化合物層が形成し、かつ脆い金属間化合物層であるNi3Sn4層の成長を制御することで、はんだ接合信頼性を向上させることができる。本発明に使用可能なはんだとしては、SnとCu、Ag、Bi、Inなどから1種類以上選択して構成されるものが挙げられ、例えば、Sn-3.5Ag、Sn-58Bi、Sn-8.0Zn-3.0Bi、Sn-3.5Ag-0.5Bi-3.0In、Sn-3.5Ag-0.5Bi-4.0In、Sn-3.5Ag-0.5Bi-8.0In、Sn-3Ag-0.5Cu、Sn-3.5Ag-0.75Cu、Sn-40Bi-0.1Cuなどが挙げられる。また、はんだには、Sn-37Pbを使用することもできる。電解Ni/Pd/Auめっき上にSn-37Pbはんだを接合した場合、はんだとめっき接合界面において、Pbの濃縮によるはんだ接合信頼性の低下が生じるが、本発明にかかる表面処理とSn-37Pbの接合界面においては、Pbの濃縮は生じず、はんだ接合性が向上する。以下に本発明を、実施例を用いて説明する。本実施形態においては、置換Snめっき、電解Niめっき、電解Pdめっき、電解Auめっきを順次積層したCuからなる電極電極径=φ500μmを有する通電部材を作製後、該電極上にφ=600μmのSn-3Ag-0.5Cu、Sn-3.5Ag-0.5Bi-8Inのはんだボールを加熱接合によって搭載し、はんだシェア試験により、接合強度を測定した。Cuからなる電極には、Cu板に、パッド径がφ500μmとなるようにソルダーレジストでパッド部以外を被覆したものを用いた。置換Snめっき、電解Niめっき、電解Pdめっき、電解Auめっき処理に用いた浴組成は以下の通りである。置換Snめっきメタンスルホン酸Sn:10g/Lメタンスルホン酸:20g/Lチオ尿素:50g/L塩化ナトリウム:5g/L液温:55°C塩化物の一例として塩化ナトリウムを使用した。電解Niめっき硫酸ニッケル:280g/L塩化ニッケル:45g/Lほう酸:40g/L温度:60°CpH:4.0電流密度:3ASD電解PdめっきPd:2g/LジアミンジクロロPdとして添加硫酸アンモン:30g/L塩化カリウム:15g/Lアンモニア:8mL/Lベンズアルデヒドoナトリウムスルフォン酸:2g/LpH:6.0液温:50°C電流密度:1ASD電解AuめっきAu:3g/Lシアン化第一Auカリウムとして添加りん酸一水素カリウム:1mg/Lクエン酸:25g/Lりん酸:10g/LpH:6.0液温:70°C電流密度:0.5ASD実施例1φ=500μmのCuからなる電極上に、置換Snめっき浴、電解Niめっき浴、電解Pdめっき浴、電解Auめっき浴を用いて、ピンホールを有する置換Snめっき、電解Niめっき、電解Pdめっき、電解Auめっき皮膜の各厚みが表1記載の数値となるように、サンプルを作製後、該電極上にφ=600μmのSn-3Ag-0.5Cu、Sn-3.5Ag-0.5Bi-8Inのはんだボールを加熱接合によって搭載し、はんだシェア試験により、はんだ付け性を評価し、結果を表1に示した。比較例1実施例1と同様の方法であるが、置換Snめっき皮膜を形成することなく、電解Niめっき皮膜、電解Pdめっき皮膜、電解Auめっき皮膜を表1記載の値となるように順次積層しためっきサンプルを作製して、はんだ接合性を評価し、結果を表1に示した。比較例2皮膜中にピンホールを有することのない置換Snめっき皮膜、電解Niめっき皮膜、電解Pdめっき皮膜、電解Auめっき皮膜を表1記載の値となるように順次積層しためっきサンプルを作製して、はんだ接合性を評価し、結果を表1に示した。ピンホールを有することのない置換Snめっき皮膜は、前記置換Snめっき浴の構成成分のうち、塩化ナトリウムを除いた浴を用いて処理した。実施例1と比較例1~2より、Cuからなる電極表面にピンホールを有する置換Snめっき皮膜、電解Niめっき皮膜、電解Pdめっき皮膜、電解Auめっき皮膜を順次積層した方が、Cuからなる電極上に、ピンホールのない置換Snめっき皮膜、電解Niめっき皮膜、電解Pdめっき皮膜、電解Auめっき皮膜を順次積層する表面処理方法よりも、優れたはんだ接合強度を示した。これより、より高いはんだ接合強度を得るためには、Cuからなる電極上に、ピンホールを有する置換Snめっき層を設ける必要があることが確認された。ピンホールの有無はScannningelectronmicroscopeSEMにより確認した図2。図2より、NaClの添加により、実施例1で形成したSnめっき皮膜に0.1から0.3μm程度のピンホールが形成されていることを確認した。比較例3~4実施例1に対し、一般的な電解Ni/Auめっき、電解Ni/Pd/Auめっきサンプルを作製して、はんだ接合性を評価し、結果を表1に示した。実施例1と比較例3~4の比較から、従来、実装時の最終表面処理として用いられてきた電解Ni/Auめっき、電解Ni/Pd/Auめっきなどの一般的な表面処理よりも実施例1の本発明にかかる表面処理の方が、はんだ接合性に優れていることが示された。比較例5~15実施例1に対し、置換Snめっき厚を0.0005、0.25μm、電解Niめっき厚を0、0.5、1.5μm、電解Pdめっき厚を0、0.1、0.3μm、電解Auめっき厚を0、0.05、0.2μmに変化させたサンプルを作製し、はんだ接合性を評価し、結果を表1に示した。表1より、実施例1のように置換Snめっき、電解Niめっき、電解Auめっき皮膜の各厚みが本発明にかかる請求の範囲内にある場合において、はんだ接合強度が、比較例1-5~1-15よりも良好な結果を示した。"