導体によって形成されるベース基板と、半導体素子を周回するように形成される枠体と、プリント基板のプリントパターンと前記半導体素子とを接続するリードと、前記プリント基板の端部と前記ベース基板の端部との間の空隙に係る範囲の前記リードの下層に設けられる誘電体層と、前記誘電体層の下層に設けられる接地導体層と、接地部と前記接地導体層とを電気的に接続する金属層と、を備える半導体素子収納用パッケージ。前記プリント基板の端部と前記ベース基板の端部との間の空隙に係る範囲の前記リードと、前記誘電体層と、前記接地導体層と、が湾曲するマイクロストリップラインをなす請求項1記載の半導体素子収納用パッケージ。前記接地部は、前記ベース基板である請求項2記載の半導体素子収納用パッケージ。前記接地部は、前記プリント基板の接地導体である請求項2記載の半導体素子収納用パッケージ。前記誘電体層は、弾性を有する誘電体によって形成される請求項3又は請求項4記載の半導体素子収納用パッケージ。前記枠体は、セラミックにより形成される請求項5記載の半導体素子収納用パッケージ。前記プリント基板の端部と前記ベース基板の端部との間の空隙に係る範囲の前記リードと、前記誘電体層と、前記接地導体層と、が前記ベース基板の下層のケースと平行なマイクロストリップラインをなす請求項1記載の半導体素子収納用パッケージ。導体によって形成されるベース基板と、半導体素子を周回するように形成され、気密封止に耐えるだけの硬さを有する枠体と、前記半導体素子と接続する第1のプリントパターンを有し、気密封止に耐えるだけの硬さを有する端子と、プリント基板の第2のプリントパターンと前記端子の第1のプリントパターンとを接続するリードと、前記プリント基板の端部と前記ベース基板の端部との間の空隙に係る範囲の前記リードの下層に設けられる誘電体層と、前記誘電体層の下層に設けられる接地導体層と、接地部と前記接地導体層とを電気的に接続する金属層と、を備える半導体素子収納用パッケージ。従って、プリント基板とパッケージとの間の空隙においてもインピーダンスの整合が取れる半導体素子収納用パッケージが求められている。上記の課題を解決するために、本発明の一実施形態は、導体によって形成されるベース基板と、半導体素子を周回するように形成される枠体と、プリント基板のプリントパターンと半導体素子とを接続するリードと、プリント基板の端部とベース基板の端部との間の空隙に係る範囲のリードの下層に設けられる誘電体層と、誘電体層の下層に設けられる接地導体層と、接地部と接地導体層とを電気的に接続する金属層と、を備える半導体素子収納用パッケージを提供する。以下、半導体素子収納用パッケージの一実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。本実施形態の半導体素子収納用パッケージは、導体によって形成されるベース基板と、半導体素子を周回するように形成される枠体と、プリント基板のプリントパターンと半導体素子とを接続するリードと、プリント基板の端部とベース基板の端部との間の空隙に係る範囲の前記リードの下層に設けられる誘電体層と、誘電体層の下層に設けられる接地導体層と、接地部と接地導体層とを電気的に接続する金属層と、を備える。図1は、本実施形態の半導体素子収納用パッケージ100の外観平面図、図2は、半導体素子収納用パッケージ100の図1におけるAの部分の拡大平面図、図3は半導体素子収納用パッケージ100の図2のBB線断面図である。図1乃至図3に示すように、半導体素子収納用パッケージ100は、金属などの導体によって形成されるベース基板101と、例えばセラミックによって形成される端子103と、端子103に形成される導体パターン103Aと、半導体素子を周回するように例えばセラミックにより形成される枠体102と、プリント基板201のプリントパターンと半導体素子とを接続するリード111と、プリント基板201の端部とベース基板101の端部との間の空隙300に係る範囲110のリード111の下層に設けられ、例えば弾性を有する誘電体によって形成される誘電体層112と、誘電体層112の下層に設けられる接地導体層113と、プリント基板201の接地導体106又はベース基板101と接地導体層113とを電気的に接続する金属層114と、を備える。半導体素子収納用パッケージ100は半導体素子を枠体102、端子103、及び枠体102の上部に設置されるカバーによって気密封止される。すなわち、枠体102、端子103、及びカバーは気密封止に耐えるだけの硬さを有している。従って、枠体102及び端子103はセラミックによって形成されることが望ましく、カバーは剛性を有する金属によって形成されることが望ましい。リード111は端子103の導体パターン103Aを介して半導体素子に接続される。従って、誘電体層112はパッケージ内から外へ貫通することはなく、気密封止が実現される。プリント基板201及び半導体素子収納用パッケージ100は金属製のケース105に載置される。プリント基板201は、下層から上方に向かって、金属製のベース基板106と、誘電体層107と、プリント基板201に配置される電子部品を電気的に接続するプリントパターンを備え、パッケージ100のリード111とこのプリントパターンがハンダ付けなどの方法で電気的に接続される。プリント基板201と半導体素子収納用パッケージ100との間には空隙300が存在する。リード111の空隙300に係る範囲110は、リード111の下層に設けられる誘電体層112と、誘電体層112の下層に設けられる接地導体層113と、によりマイクロストリップライン115が形成される。プリント基板201の接地導体106の端部又は半導体素子収納用パッケージ100のベース基板101の端部には金属層114が設けられる。金属層114は金などの導体のメッキによって形成することができる。リード111の誘電体層112の下層に設けられる接地導体層113は、この金属層114に電気的に接続し、接地する。従って、気密封止が確保できるとともに、接地が容易となる。リード111、誘電体層112、及び接地導体層113は柔軟性のある材質によって形成される。リード111と接地導体層113とは、例えば金のような柔軟性のある金属によって形成される。誘電体層112は、ポリ四フッ化エチレンなどのフッ素樹脂、ポリイミド樹脂などを用いることができる。マイクロストリップライン115は湾曲して形成される。この湾曲により熱による膨張収縮を吸収することができる。図4は、マイクロストリップライン115の図2におけるCC線断面図である。図4に示すように、誘電体層112と接地導体層113の幅W1は等しく、リード111の幅wの3倍から5倍の幅を有する。リード111の厚さをt、誘電体層112の厚さをh、誘電体層112の比誘電率をεrとすると、インピーダンスZ0は以下の1式によって求められる。従って、インピーダンスZ0が定まれば、1式を満たすようにw、t、hを求めることができる。図5は、応用例に係る半導体素子収納用パッケージ100の図2のBB線断面図である。図5に示すように、応用例に係る半導体素子収納用パッケージ100は、金属などの導体によって形成されるベース基板101と、例えばセラミックによって形成される端子103と、端子103に形成される導体パターン103Aと、半導体素子を周回するように例えばセラミックにより形成される枠体102と、プリント基板201のプリントパターンと半導体素子とを接続するリード111と、プリント基板201の端部とベース基板101の端部との間の空隙300に係る範囲110Aのリード111の下層に設けられ、例えば弾性を有する誘電体によって形成される誘電体層112と、誘電体層112の下層に設けられる接地導体層113と、プリント基板201の接地導体106又はベース基板101と接地導体層113とを電気的に接続する金属層114と、を備え、空隙300に係る範囲110Aのリード111、誘電体層112、及び接地導体層113はケース105と平行に設置される。温度管理が徹底される場合、本応用例の半導体素子収納用パッケージ100によれば、組立が容易であるという効果がある。図6は、本実施形態の半導体素子収納用パッケージ100と従来技術との反射量のシミュレーション結果を示す図である。図6において、縦軸は反射量dB、横軸は周波数GHzを示し、グラフ601は従来技術、グラフ602は本実施形態の半導体素子収納用パッケージ100を示す。図6に示すように、本実施形態の半導体素子収納用パッケージ100によれば周波数が高くなるにつれて反射量を低く抑えることができる。以上述べたように、本実施形態の半導体素子収納用パッケージ100は、金属などの導体によって形成されるベース基板101と、セラミックによって形成される端子103と、半導体素子を周回するように形成される枠体102と、プリント基板201のプリントパターンと半導体素子とを接続するリード111と、プリント基板201の端部とベース基板101の端部との間の空隙300に係る範囲110のリード111の下層に設けられる誘電体層112と、誘電体層112の下層に設けられる接地導体層113と、プリント基板201の接地導体106又はベース基板101と接地導体層113とを電気的に接続する金属層114と、を備える。従って、プリント基板201と半導体素子収納用パッケージ100との間の空隙300の部分においてもインピーダンスの整合が取れ、気密封止を実現するとともに、プリント基板201上の伝送路から半導体素子収納用パッケージ100内の半導体素子に無駄なく高周波エネルギーを伝達することができるという効果がある。いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。