"少なくとも誘電体部材と、前記誘電体部材上に形成された金属薄膜と、前記金属薄膜上に形成された正または負に荷電した荷電層とを備える、局在場光センサーチップを使用するアナライトの検出方法であって、少なくとも、前記荷電層とは逆に荷電した荷電微粒子およびそれに結合したリガンドにより構成されているリガンド担持荷電微粒子と、アナライトとを媒質中で反応させ、リガンド担持荷電微粒子-アナライト複合体を形成させる工程、前記リガンド担持荷電微粒子-アナライト複合体を含む媒質を前記局在場光センサーチップの測定領域の荷電層に接触させる工程、および前記測定領域に測定光を照射し、前記金属薄膜で起きる表面プラズモン共鳴に基づくシグナルを観測する工程を含むことを特徴とする、アナライトの検出方法。前記荷電層がイオン性ポリマーからなる層である、請求項1に記載のアナライトの検出方法。前記イオン性ポリマーがカチオン性官能基を有するポリマーである、請求項2に記載のアナライトの検出方法。前記荷電層の表面電荷密度が50~200mC/m2の範囲にある、請求項1~3のいずれか一項に記載のアナライトの検出方法。前記荷電層の表面の算術平均粗さが1~50nmの範囲にある、請求項1~4のいずれか一項に記載のアナライトの検出方法。前記アナライトの検出方法が、SPFSSurfacePlasmonfieldenhancedFluorescenceSpectroscopy:表面プラズモン励起増強蛍光分光法またはSPRSurfacePlasmonResonance:表面プラズモン共鳴法である、請求項1~5のいずれか一項に記載のアナライトの検出方法。前記荷電微粒子が、SiO2、TiO2、イオン性ポリマー、またはリガンドを固定可能な金属からなるものである、請求項1~6のいずれか一項に記載のアナライトの検出方法。上述した特許文献1に記載されたような磁性粒子を用いた測定方法では、磁性粒子のサイズが小さい方が、単位体積中に含まれる磁性粒子の表面積の総和が大きくなる、すなわちそれらの磁性粒子の表面に担持されているリガンドの量が大きく、したがってアナライトとの反応効率が高いと考えられる。しかしながら、磁性粒子のサイズが一定以下たとえば1μm以下程度だと、うまく集磁できないという問題が起きる。本発明は、ホモジニアスのアッセイおよびヘテロジニアスのセンシング金属薄膜で起きる表面プラズモン共鳴を利用するアナライトの検出方法を組み合わせることの利点を活かしつつ、磁性粒子および磁力を用いた測定方法に見られるような課題を解決した、より高感度なアナライトの検出方法を提供することを目的とする。発明者らは、まず、局在場光センサーチップSPFS用等の表面に、イオン性ポリマーを塗布することなどによって、正または負の電荷を有するイオン性官能基を高密度で導入することができることを見いだした。その上で、上記イオン性官能基とは逆の電荷を有する荷電微粒子にリガンドを担持させたリガンド担持荷電微粒子と、アナライトとを、液相中で反応させてホモジニアスな反応系リガンド担持荷電微粒子-アナライト複合体を形成させたのち、この複合体を含む水溶液を上記のイオン性官能基で修飾されたセンサーチップに接触させ、静電相互作用により前記イオン性官能基と結合させることによって、前記複合体を均質かつ高密度でセンサーチップ表面で捕捉することができること、したがって従来よりも高感度かつ高精度でシグナルを観測することができることを見いだし、本発明を完成させるに至った。すなわち、本発明は下記の事項を包含する。[1]少なくとも誘電体部材と、前記誘電体部材上に形成された金属薄膜と、前記金属薄膜上に形成された正または負に荷電した荷電層とを備える、局在場光センサーチップを使用するアナライトの検出方法であって、少なくとも、前記荷電層とは逆に荷電した荷電微粒子およびそれに結合したリガンドにより構成されているリガンド担持荷電微粒子と、アナライトとを媒質中で反応させ、リガンド担持荷電微粒子-アナライト複合体を形成させる工程、前記リガンド担持荷電微粒子-アナライト複合体を含む媒質を前記局在場光センサーチップの測定領域の荷電層に接触させる工程、および前記測定領域に測定光を照射し、前記金属薄膜で起きる表面プラズモン共鳴に基づくシグナルを観測する工程を含むことを特徴とする、アナライトの検出方法。[2]前記荷電層がイオン性ポリマーからなる層である、[1]に記載のアナライトの検出方法。[3]前記イオン性ポリマーがカチオン性官能基を有するポリマーである、[2]に記載のアナライトの検出方法。[4]前記荷電層の表面電荷密度が50~200mC/m2の範囲にある、[1]~[3]のいずれか一項に記載のアナライトの検出方法。[5]前記荷電層の表面の算術平均粗さが1~50nmの範囲にある、請求項[1]~[4]のいずれか一項に記載のアナライトの検出方法。[6]前記アナライトの検出方法が、SPFSSurfacePlasmonfieldenhancedFluorescenceSpectroscopy:表面プラズモン励起増強蛍光分光法またはSPRSurfacePlasmonResonance:表面プラズモン共鳴法である、[1]~[5]のいずれか一項に記載のアナライトの検出方法。[7]前記荷電微粒子が、SiO2、TiO2、イオン性ポリマー、またはリガンドを固定可能な金属からなるものである、[1]~[6]のいずれか一項に記載のアナライトの検出方法。本発明によれば、センサーチップ表面に設けられたイオン性官能基が有する電荷により、逆の電荷を有するリガンド担持荷電微粒子-アナライト複合体を均質かつ高密度で最密充填状態で捕捉することができる。このような本発明によるアナライトの検出方法を使用することにより、従来よりも高感度かつ高精度でアナライトの検出や定量を行うことができる。本発明において局在場光センサーチップを使用するアナライトの検出方法とは、局在場光エバネッセント波が発生する測定部材センサーチップを用いて、その表面に固定化された所定の分子リガンドと、検出対象となる分子アナライトとの間の特異的結合に基づくシグナルを観測することによりアナライトを検出するないし定量的に測定する方法の総称である。そのようなアナライトの検出方法としては、代表的には、SPFSおよびSPRが挙げられ、エバネッセント全反射およびエバネッセント蛍光全反射蛍光による測定法も包含される。なお、本明細書において局在場光センサーチップを単にセンサーチップと称することもある。これらのアナライト測定方法はいずれも公知のものであるが、その概略は次の通りである。SPRSurfacePlasmonResonance:表面プラズモン共鳴法は次のような方法である。誘電体部材上に形成された金属薄膜に測定光を角度スキャンしながら照射すると、金属薄膜での表面プラズモン共鳴により反射光の強度が減衰し全反射減衰:ATR、ある入射角度で反射光の強度は極小となる。ここで、アナライトがセンサー金属薄膜上に捕捉されると誘電率が変化し、それにより反射光の強度が極小となる入射角度が変化する。SPRでは、当該入射角度をシグナルとして測定することにより、アナライトを検出することができる。SPFSSurfacePlasmonfieldenhancedFluorescenceSpectroscopy:表面プラズモン励起増強蛍光分光法は、誘電体部材上に形成された金属薄膜に全反射減衰ATRが生じる角度で励起光を照射し、金属薄膜を透過したエバネッセント波局在場光が金属薄膜の表面プラズモンとの共鳴により数十倍~数百倍に増強されることを利用して、金属薄膜近傍に捕捉されたアナライトを標識している蛍光体を効率的に励起させ、その蛍光シグナルを測定する方法である。エバネッセント全反射は、可視光から赤外領域に透明な高屈折率媒質プリズムに試料を密着させ、全反射減衰ATR測定によりSPR同様に極小値を求め、アナライト捕捉による変化量で計測できる。SPRと違い、金属を用いないため電場増強度は大きくないが、センサー性能の安定性が高いという特徴がある。エバネッセント蛍光全反射蛍光は、誘電体部材上に形成された金属薄膜に全反射減衰ATRが生じる角度で励起光を照射し、金属薄膜を透過したエバネッセント波局在場光が数倍~十倍程度に増強されることを利用して、金属薄膜近傍に捕捉されたアナライトを標識している蛍光体を効率的に励起させ、その蛍光シグナルを測定する方法である。以下、SPFSおよびSPRの実施形態を中心として、本発明についてさらに詳細に説明する。しかしながら、本発明におけるアナライトの検出方法はSPFSおよびSPRに限定されるものではない。当業者であれば、本明細書の記載に基づき、本発明を、金属薄膜で起きる表面プラズモン共鳴を利用するその他のアナライトの検出方法において展開することが可能である。なお、センサーチップに関する以下の説明において、便宜上、最終的にリガンドが固定化される側を上または表、その反対側を下または裏と称する。また、ある物質の上に形成するは、その物質の直上に直接接して形成する場合の他、発明の実施に支障がない範囲において、他の物質を挟んで、その物質の上に直接は接さずに形成する場合も含まれる。-イオン性官能基修飾センサーチップ-本発明では、表面に正または負に荷電した層荷電層が形成されている、つまり表面がイオン性官能基によって修飾されている、イオン性官能基修飾センサーチップを使用する。本発明では、このイオン性官能基修飾センサーチップの表面に荷電微粒子-リガンド-アナライト複合体を含む媒質を接触させて、アナライトを検出するための測定に使用する。イオン性官能基荷電層が有するイオン性官能基には、カチオン性官能基およびアニオン性官能基が包含される。センサーチップが、アニオン性の荷電微粒子と組み合わせて使用される場合は、上記イオン性官能基としてカチオン性官能基が選択され、逆にカチオン性の荷電微粒子と組み合わせて使用される場合は、上記イオン性官能基としてアニオン性官能基が選択される。カチオン性官能基およびアニオン性官能基は、それぞれ、いずれか1種単独であっても、2種以上が混合していてもよい。なお、荷電層中には、通常はカチオン性官能基またはアニオン性官能基のいずれか一方のみを存在させるようにするが、荷電微粒子を捕捉する上で支障がない荷電状態を生み出すことができる場合は、これら両方が存在していてもよい。また、荷電層イオン性官能基の荷電状態およびそれと組み合わせて使用される荷電微粒子の荷電状態は、それらが置かれている周囲のpHによっても変化する場合があるので、使用時にはそのpHを適切な範囲に調節しておくべきである。カチオン性官能基カチオン性官能基としては、たとえば、グアニジウムイオン、-NH3、-NH2CH3、-NHCH32、-NCH33などの第4級アンモニウムカチオンが挙げられる。このようなカチオン性官能基は、分子内塩を形成しているものが好ましいが、塩素、臭素などのハロゲン陰イオン、硫酸陰イオン、スルホン酸陰イオン、燐酸陰イオン、カルボン酸陰イオンなどと結合して対塩を形成していてもよい。カチオン性官能基は、好ましくは表面電荷密度の観点から4級アンモニウムカチオンである。前記カチオン性官能基を含有させるポリマーとしては特に制限はないが、センサー性能の観点から、成膜性が良く、水溶性でないものが好ましい。アニオン性官能基アニオン性官能基としては、たとえば、-CO2カルボン酸基、-SO3スルホン酸基、-OSO3硫酸基、-OPO4リン酸基、-BOH2ボロン酸などが挙げられる。このようなアニオン性官能基は、分子内塩を形成しているものが好ましいが、金属陽イオンまたは有機陽イオンと結合していてもよい。その金属陽イオンとしては、たとえば、Naナトリウム陽イオン、Kカリウム陽イオン、Caカルシウム陽イオンなどのアルカリ金属が挙げられ、有機陽イオンとしては、Me3NHトリメチルアンモニウム陽イオン、Et3NHトリエチルアンモニウム陽イオン、Me2NH2ジメチルアンモニウム陽イオンなどが挙げられる。なお、上記のイオン性官能基Aは、主鎖となるポリマーに直接結合していてもよいし、他の結合基Rを介してポリマー主鎖に結合していてもよいA-R-ポリマー主鎖。結合基-R-としては、たとえば、炭素原子数1~6のアルキレン基、フェニレン基、エチレンオキシ基C2H4Onなどが挙げられる。荷電層の形成方法最表面に荷電層を備えたセンサーチップは、無修飾のセンサーチップの表面に、以下に述べるような方法により荷電層を形成することで、作製することができる。無修飾のセンサーチップは、アナライトの検出方法に応じたものを用意すればよい。SPFS用およびSPR用の無修飾のセンサーチップ以下センサー基板と称することもあるは、一般的には、少なくとも、誘電体部材たとえばSiO2からなる基板と、その表層側に形成された金属薄膜たとえばAuとを備える。全反射用および全反射蛍光用のセンサー基材は、一般的には、誘電体部材たとえば高屈折率ガラスまたは高屈折率樹脂チップにより構成される。荷電層の形成方法は特に限定されるものではないが、たとえば、表面電荷の強さ、耐久性の観点から、上述したようなイオン性官能基を側鎖に有するポリマーイオン性ポリマーからなる被膜をセンサーチップ表面に形成する方法が好適である。イオン性ポリマーイオン性ポリマーは、あらかじめイオン性官能基を有するモノマーを重合して得られたものでもよいし、イオン性官能基を誘導または導入しうる他の官能基を有するモノマーを重合した後、当該官能基にイオン性官能基を誘導または導入することによって得られたものでもよい。イオン性ポリマーの一つとして、炭化水素骨格を主鎖とするものが挙げられる。そのようなイオン性ポリマーを合成するために用いられるモノマーとしては、たとえば、ビニル基、アリル基、ジエンなどを有するモノマーが挙げられる。より具体的には、たとえば、メタアクリルアミドなどのアミド類;メタアクリル酸、または蟻酸ビニル、酢酸ビニル、酢酸アリル、アセト酢酸アリル、ビニルマレイン酸などのカルボン酸またはそのエステル類;スチレンスルホン酸、またはスチレンスルホン酸エステルなどのスルホン酸またはそのエステル類;この他、硫酸エステル、燐酸エステル、ホスホン酸エステルなども挙げられる。また、イオン性官能基が導入されたウレタン系樹脂、たとえばカチオン性水性ポリウレタン樹脂たとえばハイドラン登録商標CPシリーズ、DIC株式会社などとして公知の物質も、本発明で用いることのできるイオン性ポリマーとして挙げられる。さらに、ポリアミノ酸由来の骨格を主鎖とするイオン性ポリマーも挙げられる。そのようなイオン性ポリマーとしては、たとえば、側鎖にカルボキシル基を有するポリアスパラギン酸およびポリグルタミン酸、ならびに側鎖にアミノ基を有するポリリジンが挙げられる。上記の各種のイオン性ポリマーは、公知の方法によって合成することができ、市販品として入手することもできる。イオン性ポリマーの性状、たとえば一分子あたりのイオン性官能基の数や数平均分子量などは、目的とするセンサーチップ表面の荷電状態に応じて適宜調整することが可能である。イオン性ポリマーは、ディップコーティング、スピンコーティング、スプレーコーティング等、公知の手法を用いてセンサーチップの表面に塗布することができる。このようなコーティング方法を用いる場合は、イオン性ポリマーの種類に応じて、適切な溶媒に、適切な濃度たとえば0.1~1重量となるよう溶解させて塗布液を調製し、これを塗布するようにすればよい。一般的には、塗布液中のイオン性ポリマーの濃度は0.5~10重量、塗布膜厚として5nm~100nmの範囲で調整することにより、イオン性ポリマーからなる荷電層を形成することができる。また、必要であれば、センサーチップたとえば金薄膜が形成されているSPRまたはSPFS用のセンサーチップの表面にSAMSelfAssembledMonolayer:自己組織化単分子膜を予め形成しておき、その表層側にイオン性ポリマーを塗布ないし接触させて、両者の官能基間に結合を生じさせ、固定化する態様であってもよい。また、開始剤を基板に直接、あるいは前記SAMやシランカップリング剤で固定化し、逐次反応で分子長を制御可能なラジカルリビング重合法を用いてinsituでポリマー膜を形成したものであってもよい。表面電荷密度荷電層を備えたセンサーチップは、所望の密度で好ましくは最密充填でアナライトと複合体を形成していてもよいリガンド担持荷電微粒子を配置させるために、表面電荷密度が少なくとも一定の水準を満たす程度に高いことが好ましい。センサーチップと荷電微粒子とを接触させる工程における条件下、より具体的には当該工程に用いられるアナライトと複合体を形成したリガンド担持荷電微粒子を含む媒質水溶液のpH条件下において、センサーチップ荷電層の表面電荷密度は、たとえば10~500mC/m2、好ましくは50~200mC/m2で調整することができる。このような表面荷電密度は、ゼータポテンシャル測定装置例えば、ゼータ電位測定システムELSZ-2大塚電子株式会社製で平板試料用セルを用いて測定できる。など、公知の手段を用いて測定することができる。また、アナライトと複合体を形成したリガンド担持荷電微粒子の投影断面積あたりのイオン性官能基の数が少なくとも1となるような表面電荷密度であることが好ましい。イオン性薄膜を形成するために用いるイオン性ポリマーの一分子あたりに導入するイオン性官能基の数や、センサーチップ表面の単位体積あたりに塗布するイオン性ポリマーの量などの条件を調節することにより、表面電荷密度が所望の範囲に収まるようにすることができる。表面粗さ測定精度を高めるために、センサーチップが備える荷電層の表面は平滑であることが理想的である。このような平滑さは、代表的には、表面粗さを指標とすることができる。たとえば、イオン性官能基修飾センサーチップ表面の算術平均粗さRzは、1~50nmであることが好ましく、1~10nmであることがより好ましい。このような表面粗さは、表面粗さ測定装置や原子間力顕微鏡AFMなど、公知の手段を用いて測定することができる。センサー基材の構成SPFS用およびSPR用の無修飾のセンサーチップセンサー基材は、少なくとも、誘電体部材プリズムまたは透明平面基板と、当該誘電体部材上に形成された金属薄膜、必要に応じてさらにスペーサー層とにより構成されるものであり、本発明おいても公知の一般的なものを用いることができる。誘電体部材センサー基材を構成する誘電体部材は、プリズム形状であっても、平面基板状であってもよい。前者の場合、金属薄膜等は当該誘電体部材の水平面上に形成され、得られるセンサーチップは測定光を照射するプリズムと一体化したものとなる。後者の場合、金属薄膜等は当該誘電体部材の一方の側の平面に形成され、得られるセンサーチップは、測定光を照射するプリズムの水平面上に密着させて積載して用いる、プリズムとは分離したものとなる。誘電体部材の材料としては、ガラスや、ポリカーボネートPC、シクロオレフィンポリマーCOPなどのプラスチック、好ましくはd線588nmにおける屈折率ndが1.40~2.20の範囲にある物質を用いることができる。誘電体部材を透明平面基板として作製する場合、その厚さは、たとえば0.01~10mmの範囲で調整することができる。金属薄膜を形成する前に、誘電体部材の表面は酸またはプラズマによる洗浄処理がなされていることが好ましい。金属薄膜センサー基材を構成する金属薄膜は、酸化に対して安定であり、かつ表面プラズモンによる電場増強効果が大きい、金、銀、アルミニウム、銅、および白金からなる群から選ばれる少なくとも1種の金属からなる合金の形態であってもよいことが好ましく、特に金からなることが好ましい。誘電体部材上に金属薄膜を形成する方法としては、例えば、スパッタリング法、蒸着法抵抗加熱蒸着法、電子線蒸着法等、電解メッキ、無電解メッキ法などが挙げられる。薄膜形成条件の調整が容易なことから、スパッタリング法または蒸着法によりクロムの薄膜および金属薄膜を形成することが好ましい。ガラス製の誘電体部材を用いる場合には、ガラスと上記金属薄膜とをより強固に接着するため、あらかじめクロム、ニッケルクロム合金またはチタンの薄膜を形成することが好ましい。表面プラズモンが発生し易いよう、金、銀、アルミニウム、銅、白金、またはそれらの合金からなる金属薄膜の厚さはそれぞれ5~500nmが好ましく、クロム薄膜の厚さは1~20nmが好ましい。電場増強効果の観点からは、金:20~70nm、銀:20~70nm、アルミニウム:10~50nm、銅:20~70nm、白金:20~70nm、およびそれらの合金:10~70nmがより好ましく、クロム薄膜の厚さは1~3nmがより好ましい。スペーサー層センサー基材には、必要に応じて、金属薄膜による蛍光色素の金属消光を防止するため、金属薄膜の上に、誘電体からなるスペーサー層を形成してもよい。この場合、荷電層は当該スペーサー層上に形成される、つまりスペーサー層を挟んで金属薄膜上に形成されることになる。誘電体としては、光学的に透明な各種無機物や、天然または合成ポリマーを用いることができる。なかでも、化学的安定性、製造安定性および光学的透明性に優れていることから、二酸化ケイ素SiO2または二酸化チタンTiO2を用いることが好ましい。スペーサー層の厚さは、通常10nm~1mmであり、共鳴角安定性の観点からは、好ましくは30nm以下、より好ましくは10~20nmである。一方、電場増強効果の観点から、好ましくは200nm~1mmであり、さらに電場増強効果の安定性から、400nm~1,600nmがより好ましい。このようなスペーサー層は、スパッタリング法、電子線蒸着法、熱蒸着法、ポリシラザン等の材料を用いた化学反応を用いた方法、またはスピンコータによる塗布など、公知の手段によって形成することができる。-リガンド担持荷電微粒子-本発明では、液相中でアナライトと反応させて複合体を形成させるために、荷電微粒子およびそれに結合したリガンドによって構成される、リガンド担持荷電微粒子を使用する。荷電微粒子荷電微粒子としては、正または負に荷電した、通常、1~100nm程度のサイズを有する微粒子を用いることが、静電相互作用を利用した強固な固定化のために重要である。なお、このような荷電微粒子のサイズは、動的光散乱法により測定される体積平均粒子径、または商品の粒径等の公称値カタログ値によって表すことができる。荷電微粒子の分散形態としては、結合力が強い自己乳化型の方が好ましいが、自己乳化型でなくても利用可能である。本発明において用いることのできる荷電微粒子としては種々のものが知られており、後述するような適切な手段によりリガンドを担持することができるものであれば特に限定されるものではないが、代表的には、SiO2およびTiO2、イオン性ポリマー、ならびにリガンドを固定可能な金属からなるものを挙げることができる。SiO2またはTiO2からなる荷電微粒子は、いわゆるコロイダルシリカたとえばスノーテック登録商標シリーズ、日産化学工業株式会社や超微粒子酸化チタンたとえばSTT-65C-S、チタン工業株式会社などとして知られている物質である。これらの荷電微粒子は、酸性では正電荷を、アルカリ性では負電荷を帯びる。TiO2は、アナターゼ型であっても、ルチル型であってもよい。イオン性ポリマーからなる荷電微粒子としては、高分子コロイド、高分子ラテックスなどとして知られている物質を用いることができる。このような荷電微粒子は、イオン性ポリマーが有するイオン性官能基に応じて、水中で正または負に荷電する。このイオン性官能基としては、荷電層に関して前述したようなカチオン性官能基およびアニオン性官能基と同様のものが挙げられる。また、粒子状に凝集するものであれば、荷電層に関して前述したようなイオン性ポリマーと同様のものを荷電微粒子として用いることができる。金属としては、金、銀、銅、アルミニウム、鉄、等のナノ粒子、あるいは前記金属の酸化物を有する複合物等であってもよい。なお、これらの金属からなる微粒子典型的にはコロイド粒子は、通常正または負に荷電している。たとえば、金、銀等のコロイド粒子は通常負に荷電している。このような金属は、荷電微粒子の表面にリガンドを固定化するために、公知の手法たとえば後述するように、所定の化合物で処理して金属微粒子の表面に所定の修飾基を導入する手法を適用することができるものであればよい。また、あらかじめリガンドを固定化した金属微粒子例えば抗体固定金ナノ粒子は製品として入手することができる。リガンドリガンドは、アナライトと特異的に結合する物質であれば、特に限定されるものではない。たとえば、アナライトがタンパク質である場合は、その一部を認識して特異的に結合する抗体Fab、F2等を含むがリガンドとなり、アナライトが核酸である場合はそれと相補的な塩基配列を有する核酸がリガンドとなり、アナライトが糖鎖を有する分子である場合は、糖鎖を認識して結合するタンパク質であるレクチン等がリガンドとなる。また、アナライトをあらかじめ特定の物質たとえばビオチンで修飾しておいた場合には、当該特定の物質と特異的に結合する物質たとえばアビジンをリガンドとして用いればよい。リガンドがタンパク質抗体等である場合、それを構成するアミノ酸の末端または側鎖に、チオール基,アミノ基,カルボキシル基,ヒドロキシル基などの修飾基が存在するので、それらの修飾基を荷電微粒子との結合に利用することができる。一方、核酸は、それを構成する塩基中にアミノ基、ヒドロキシル基は存在するが、通常はカルボキシル基、チオール基は存在しないので、修飾基との関係において必要であれば、公知の手法を用いてそれらの反応基を核酸に導入しておいてもよい。作製方法リガンド担持荷電微粒子は、通常は液相中で、荷電微粒子とリガンドとを結合させる所定の反応を行うことにより作製することができる。荷電微粒子とリガンドとの結合の態様は特に限定されるものではなく、公知の手法を利用することができる。たとえば、荷電微粒子がSiO2からなるものである場合、当該荷電微粒子をシランカップリング剤で処理してその表面に所定の修飾基を導入しておき、一方で当該修飾基に対応した反応基を有するリガンドを用意しておき、これらの修飾基および反応基を反応させることにより、当該荷電微粒子にリガンドを結合させることができる。荷電微粒子がTiO2からなるものである場合にも、同様にシランカップリング剤を用いることが可能である。荷電微粒子が金属からなるものである場合も、その金属に応じて適切な化合物を選択して処理し、その表面に所定の修飾基を当該荷電微粒子に導入し、それ以後は上記と同様、リガンドが有する反応基と反応させればよい。たとえば金属が金であれば、一方の末端に金と結合するチオール基を有し、もう一方の末端にカルボキシル基、アミノ基等の修飾基を有するSAMを上記化合物として用いることができる。また、あらかじめ所定の修飾基が導入された荷電微粒子は製品としても入手可能である。また、荷電微粒子がイオン性ポリマーからなるものである場合は、当該イオン性ポリマーが有するイオン性官能基たとえばアニオン性官能基であるカルボキシル基の一部を、リガンドが有する反応基たとえばアミノ基と反応させるために利用することにより、当該荷電微粒子にリガンドを結合させることができる。荷電微粒子に担持させるリガンドの量は、荷電微粒子が有する修飾基の数や反応させるリガンドの量リガンド溶液の濃度などを調整することにより、所望の範囲とすることができるが、センサーチップへの荷電層との分子間相互作用が妨げられない範囲とすることが適切である。なお、リガンド担持荷電微粒子を作製した際の反応液は、そのまま、または適切な濃度に希釈して、後の複合体形成工程において、アナライトを含有する媒質と混合し、リガンド担持荷電微粒子-アナライト複合体を形成させるために用いることもできる。この反応液中にリガンドと結合していない荷電微粒子未反応の荷電微粒子が含まれていると、複合体形成工程においてもそのままの状態でアナライトと複合体を形成することなく存在し、さらに後の複合体接触工程において荷電層と結合するので、アナライトの定量の精度を低下させるおそれがある。そのため、反応させる荷電微粒子とリガンドとの量比を適切に調整する、通常はリガンドの量を荷電微粒子に対して十分に多くすることにより、未反応の荷電微粒子が極力残存しないようにすることが望ましい。あるいは、たとえばアフィニティクロマトグラフィーにより反応液中から未反応の荷電微粒子を除去してリガンド担持荷電微粒子を精製し、この精製物を、必要に応じて所定の濃度の水溶液等を調製した上で、その後の工程で用いるようにすることが望ましい。-アナライトの検出方法-本発明に係るアナライトの検出方法は、上述したような荷電層を備えたセンサーチップを使用し、これに別途形成されたリガンド担持荷電微粒子-アナライト複合体を接触させるようにする。このようなアナライトの検出方法は、一部の工程を除いて従来のアナライトの検出方法に準じた手順で、また従来のと同様の測定装置を用いて、実施することができる。アナライトアナライトは、リガンドと特異的に結合する物質である。たとえば、タンパク質ポリペプチド、オリゴペプチド等を含む,核酸DNA、RNA、ポリヌクレオチド、オリゴヌクレオチド、PNAペプチド核酸等を含む,脂質,糖などの生体分子や、薬剤物質,内分泌錯乱化学物質などの生体分子と結合する外来物質、その他の生体関連物質などがアナライトとなり得る。がんの診断等において重要な指標となる、血液中に存在する腫瘍マーカーたとえばα-フェトプロテインは、重要なアナライトの一例である。アナライトは、あらかじめ特定の物質たとえばビオチンで修飾しておくこともできる。このような修飾されたアナライトに対しては、前記特定の物質と特異的に結合する物質たとえばアビジンをリガンドとして用いればよい。また、このようなアナライトを含む、または含んでいる可能性のある物質として、一般的に、生体から採取した検体が用いられる。検体としては、たとえば、ヒトおよびヒト以外の動物たとえばほ乳類から採取される血液血清血漿、尿、鼻孔液、唾液、便、体腔液髄液、腹水、胸水等などが挙げられる。このような検体は、必要に応じて、アナライト以外の不純物を除去するための精製処理をした上で用いてもよい。測定部材の構築方法測定部材の構築方法は、SPFS、SPR等に共通する事項である。各種の媒質たとえばアナライトを含む試料溶液等を密閉流路を通じて送液して測定領域に接触させる流路型のシステムとする場合、上述したようなセンサーチップ本発明においてはリガンド固定化センサーチップの表層側に、密閉流路を形成するための部材であるフローセルを積載して固定することにより測定部材を構築する。一方、より広い領域において各種の媒質を測定領域に接触させるウェル型のシステムとする場合、上述したようなセンサーチップ本発明においてはリガンド固定化センサーチップの表層側に、貫通孔を有するウェル部材を積載して固定することにより測定部材を構築する。センサーチップ上にフローセルまたはウェル部材を固定する際には、誘電体部材と同じ光屈折率を有する接着剤マッチングオイル,透明粘着シートなどを用いることが好ましい。以下、金属薄膜で起きる表面プラズモン共鳴を利用するアナライトの検出方法として代表的な、SPFSおよびSPRそれぞれの実施形態に即して、アナライトの検出方法を説明する。<SPRの実施形態>SPR用の測定システムは、主に、測定部材と、当該測定部材の誘電体部材側に備えられ、測定領域の金属薄膜の裏面側から測定光入射光を照射する光源と、その測定光の反射光を受光する受光器とを備える。SPRに準じた場合、具体的には、上記のようなシステムを用いて、次のような工程を行うことによりアナライトを検出することができる。1複合体形成工程:荷電層とは逆に荷電した荷電微粒子およびそれに結合したリガンドにより構成されているリガンド担持荷電微粒子と、アナライトとを媒質中で反応させ、リガンド担持荷電微粒子-アナライト複合体を形成させる工程;2複合体接触工程:前述したようなイオン性官能基修飾センサーチップの、荷電層が形成されている測定領域に、アナライトを含む媒質を接触させる工程;3シグナル観測工程;上記工程を経た測定領域に測定光を照射し、金属薄膜で起きる表面プラズモン共鳴に基づくシグナルを観測する工程。複合体形成工程リガンド担持荷電微粒子とアナライトとを媒質中で反応させ、リガンド担持荷電微粒子-アナライト複合体を形成させるためには、一般的には、リガンド担持荷電微粒子を含有する媒質以下リガンド担持荷電微粒子溶液と称する。と、アナライトを含有する媒質以下アナライト溶液と称する。とを混合すればよい。これらの媒質としては、たとえばアナライトの測定方法において汎用されている水を用いること、つまりリガンド担持荷電微粒子またはアナライトの水溶液を調製することが好適である。この場合の水は、純水の他、緩衝液たとえばリン酸緩衝液生理食塩水や、その他の必要な試薬等の水溶液であってもよい。リガンド担持荷電微粒子およびアナライトの複合体の形成や、この後に行われる当該複合体とセンサーチップの荷電層との特異的吸着を妨げずに、所定の測定を適切に行うことが可能な媒質であれば、水以外の媒質を用いることも可能である。リガンド担持荷電微粒子溶液およびアナライト溶液それぞれの濃度および混合量は、相対的に適切な範囲に調整することができる。通常、アナライト溶液中に含まれる全てのアナライトを検出ないし定量するようにするため、少なくとも全てのアナライトが複合体を形成するのに十分な量のリガンド担持荷電微粒子が反応液中に存在することとなるよう、リガンド担持荷電微粒子溶液およびアナライト溶液それぞれの濃度および混合量を調整することとなる。なお、リガンド担持荷電微粒子溶液の調製には、リガンド担持荷電微粒子を作製するための反応液を利用することができる。リガンド担持荷電微粒子を作製する際の原料溶液を調整することにより、生成するリガンド担持荷電微粒子の量を調整し、複合体形成工程で用いるリガンド担持荷電微粒子溶液の濃度を調整することも可能である。また、実際に検体中のアナライトを測定する場合など、通常はアナライト溶液の濃度は未知なので、事前に別途サンプルを用いて、アナライト溶液の濃度の範囲を予想しておくことが好ましい。また、複合体形成工程においては、リガンド担持荷電微粒子-アナライト複合体の形成を促進するために、撹拌などを手段を組み合わせて用いてもよい。複合体接触工程リガンド担持荷電微粒子-アナライト複合体以下単に複合体と称することもある。は、通常、当該複合体を含む媒質以下試料溶液と称することもある。を調製し、当該媒質を介して荷電層に接触させるようにする。リガンド担持荷電微粒子-アナライト複合体を含む媒質は、上記リガンド担持荷電微粒子を含有する媒質やアナライトを含有する媒質と同様のものを用いることができる。試料溶液は、前述した複合体形成工程において複合体を形成させた反応液をそのまま用いたものであってもよいし、必要に応じて当該反応液を精製したり、必要な試薬類を添加したり、その他の処理をしたものであってもよい。このような試料溶液中には通常、リガンド担持荷電微粒子-アナライト複合体と、リガンド担持荷電微粒子そのものアナライトと複合体を形成していない未反応物との両方が含まれており、これら両方が荷電層により捕捉され、薄膜を形成することになる。シグナル観測工程SPRの場合、金属薄膜で起きる表面プラズモン共鳴に基づくシグナルは、表面プラズモン共鳴により減衰する反射光の強度を反映したものである。すなわち、反射光の強度が極小となるときの入射光の入射角度θを測定値として取得する。一般的には、複合体接触工程の開始前の測定値θ1および当該工程の終了後の測定値θ1’の絶対値の差として、測定値の変化量Δθ1を算出し通常、θ1<θ1’であり、Δθ1=θ1’-θ1である、この変化量をアナライトの検出ないし定量のために用いるようにする。本発明による実際上の測定では、通常、複合体形成工程により生成した、リガンド担持荷電微粒子-アナライト複合体および未反応のリガンド担持荷電微粒子の両方が、センサーチップ表面の荷電層に捕捉されて薄膜を形成するが、誘電率の変化量、すなわち測定値の変化量Δθ1はそれらの混合割合を反映したものとなる。ある試料溶液に含まれるアナライトの量は、その試料溶液についてのθ1またはΔθ1を、濃度が既知の試料を用いて取得した基準値と対比することにより定量的に評価することもできるし、他の試料溶液についてのθ1またはθλ1と対比することにより相対的に評価することもできる。たとえば、前述した複合体形成工程と同様の手順において、リガンド担持荷電微粒子に対して、少なくとも二つの所定の基準量濃度のアナライトを添加して得られた反応液を利用することにより、アナライトの量と測定値ないし測定値の変化量との関係性、より具体的には関係式を取得することができる。この際、上記この基準量の一つをゼロとする、すなわちアナライトを全く添加せずに得られた反応液を調製することが好ましい。アナライトの基準量がゼロの場合、リガンド担持荷電微粒子-アナライト複合体を全く含有せず、リガンド担持荷電微粒子のみを含有する試験液が得られる。この試験液をセンサーチップに接触させると、荷電層の表層にはリガンド担持荷電微粒子のみからなる光学的薄膜が形成される。一方、アナライトの基準量がゼロ以外の場合、その基準量に応じて、一部のリガンド担持荷電微粒子はアナライトと複合体を形成し、残部のリガンド担持荷電微粒子は未反応のまま残存している試験液が得られる。この試験液をセンサーチップに接触させると、荷電層の表層にはリガンド担持荷電微粒子-アナライト複合体とリガンド担持荷電微粒子の両方からなる薄膜が形成される。このとき、前者の誘電率の変化と後者の誘電率の変化には差があるので、前者と後者の存在割合により、形成される薄膜全体による誘電率の変化、すなわち測定されるθ1に差が生じることになる。また、もしもアナライトの基準量がリガンド担持荷電微粒子に対して過剰である場合は、実質的に未反応のリガンド担持荷電微粒子を全く含有せず、リガンド担持荷電微粒子-アナライト複合体のみを含有する試験液が得られる。このような試験液から取得できる関係式に基づき、ある試料溶液中についての測定値ないし測定値の変化量から、その試料溶液中のアナライトの量濃度を推定することができる。θ1が実質的に変化しない、つまりΔθ1が0ないし十分に小さい測定誤差の範囲である場合、センサーチップに固定化されたリガンドと試料溶液中のアナライトとの特異的結合が起きなかった、つまり当溶試料溶液中にアナライトは存在しなかったと判断することができる。一方、θ1が変化した、つまりΔθ1が一定の値測定誤差の範囲より大きい場合、センサーチップに固定化されたリガンドと試料溶液中のアナライトとの分子間相互作用が起きたことが示され、当該試料溶液中にアナライトが存在すると判断することができる。さらに、その変化の程度、つまりΔθ1の大きさから、試料溶液中のアナライトを定量することができる。なお、SPRでは、上記のような複合体接触工程の前後にわたって、望ましくは当該工程の開始前、途中および終了後にわたって連続的に、所定の測定値を取得して、シグナルすなわち測定値の変化を観測することにより、センサーチップ表面に捕捉されるリガンド担持荷電微粒子-アナライト複合体をリアルタイムで定量することができる。一定時間経過後、測定値がそれ以上変動しなくなる、ないし変動が十分に小さくなると見込まれるようになった時点をもって、当該工程を終了させることができると判断することが適切である。<SPFSの実施形態>SPFS用の測定システムは、前述したSPR用の測定システムと同様、主に、測定部材と、当該測定部材の誘電体部材側金属薄膜裏面側に備えられ、測定領域の金属薄膜の裏面側から測定光入射光を照射する光源と、その測定光の反射光を受光する受光器とを備え、さらに、当該測定部材の固定化リガンド層側金属薄膜表面側に備えられ、測定領域で発せられる蛍光を受光する光検出器とを備える。SPFSに準じた場合、具体的には、上記のようなシステムを用いて、次のような工程を行うことによりアナライトを検出することができる。1複合体形成工程:荷電層とは逆に荷電した荷電微粒子およびそれに結合したリガンドにより構成されているリガンド担持荷電微粒子と、アナライトとを媒質中で反応させ、リガンド担持荷電微粒子-アナライト複合体を形成させる工程;2複合体接触工程:前述したようなイオン性官能基修飾センサーチップの、荷電層が形成されている測定領域に、アナライトを含む媒質を接触させる工程;3シグナル観測工程;上記工程を経た測定領域に測定光を照射し、金属薄膜で起きる表面プラズモン共鳴に基づくシグナルを観測する工程。ここで、SPFSにより測定するためには、次のいずれかの標識方法により、アナライトを蛍光標識する必要がある。第一の標識方法標識方法Aは、上記工程1において、前記アナライトを蛍光標識しておく、つまりアナライトと蛍光体との複合体標識化アナライトを用いて上記工程1を行うことである。このような標識化アナライトは、公知の方法により作製することができるが、一般的には液中でアナライトと蛍光体とを反応させるため、迅速にアナライトを標識化することができるため好ましい。通常は、上記工程1の前にあらかじめ標識化アナライトを作製しておくようにする。第二の標識方法標識方法Bは、上記工程2および3の間に、上記工程1を経た測定領域に標識リガンドを含む媒質を接触させる工程以下蛍光標識工程と称する。を設けることである。つまり、リガンド担持荷電微粒子-アナライト複合体をセンサーチップ表面に固定化してから、そのアナライトを蛍光標識する。通常は、蛍光標識工程の前にあらかじめ標識リガンドを作製しておくようにする。標識リガンドは公知の方法により作成することができる。蛍光体蛍光体は、所定の励起光を照射する、または電界効果を利用して励起することによって蛍光を発光する物質の総称である。本発明では、公知のSPFS等または蛍光標識法等で用いられている、公知の各種の蛍光体を用いることができる。代表的な蛍光体としては、蛍光色素および半導体ナノ粒子が挙げられる。蛍光色素としては、たとえば、フルオレセインファミリーの蛍光色素IntegratedDNATechnologies社製、たとえばFluoresceinIsothiocyanate:FITC、ポリハロフルオレセインファミリーの蛍光色素アプライドバイオシステムズジャパン製、ヘキサクロロフルオレセインファミリーの蛍光色素アプライドバイオシステムズジャパン製、クマリンファミリーの蛍光色素インビトロジェン製、たとえばAminomethylcoumarin:AMCA、ローダミンファミリーの蛍光色素GEヘルスケアバイオサイエンス製、たとえば、TetramethylRhodamineIsothiocyanate:TRITC、RhodamineRed-X:RRX、TexasRed:TR、シアニンファミリーの蛍光色素たとえば、Cy2登録商標、Cy5登録商標、AlexaFluor登録商標647、インドカルボシアニンファミリーの蛍光色素たとえばCy3登録商標、オキサジンファミリーの蛍光色素、チアジンファミリーの蛍光色素、スクアラインファミリーの蛍光色素、キレート化ランタニドファミリーの蛍光色素、BODIPY登録商標ファミリーの蛍光色素インビトロジェン製、ナフタレンスルホン酸ファミリーの蛍光色素、ピレンファミリーの蛍光色素、トリフェニルメタンファミリーの蛍光色素、AlexaFluor登録商標色素シリーズインビトロジェン製などが挙げられる。これらファミリーに含まれる代表的な蛍光色素の吸収波長nmおよび発光波長nmを表1に示す。また、上記のような有機蛍光色素以外に、Eu、Tb等の希土類錯体系の蛍光色素を用いることもできる。希土類錯体は、一般的に励起波長310~340nm程度と発光波長Eu錯体で615nm付近、Tb錯体で545nm付近との波長差が大きく、蛍光寿命が数百マイクロ秒以上と長い特徴がある。市販されている希土類錯体系の蛍光色素の一例としては、ATBTA-Eu3が挙げられる。一方、半導体ナノ粒子は、たとえばSi、Ge、InN、InP、GaAs、AlSe、CdSe、AlAs、GaP、ZnTe、CdTe、InAsなどの半導体又はこれらを形成する原料からなるものである。低毒性という観点からはInPやSiが好ましく、可視光の範囲における発光強度の観点からはCdTeやCdSeが好ましい。また、前記半導体ナノ粒子をコアとし、その外層にシェルを付加したコア/シェル構造の半導体ナノ粒子を用いてもよい。シェルを形成するための素材としては、公知のコア/シェル構造の半導体ナノ粒子と同様に、II-VI族、III-V族、IV族の無機半導体を用いることができる。例えば、Si、Ge、InN、InP、GaAs、AlSe、CdSe、AlAs、GaP、ZnTe、CdTe、InAsなどの各コア形成無機材料よりバンドギャップが大きく、毒性を有さない半導体又はこれらを形成する原料が好ましい。より具体的には、たとえば、InP、CdTe、及びCdSeをコアとする場合にはZnSが、Siをコアとする場合にはSiO2がシェルとして好適である。なお、コアが部分的に露出しても弊害を生じない限り、シェルはコアの全表面を完全に被覆するものでなくてもよい。コア/シェル構造でないコアのみからなる半導体ナノ粒子の体積平均粒径は、従来のものと同程度でよいが、1~15nmであることが好ましい。また、コア/シェル構造の半導体ナノ体粒子の体積平均粒径も、従来のものと同程度でよいが、1~20nmであることが好ましい。なお、上述した半導体ナノ粒子、及び以下に述べる蛍光増強微粒子金属コロイド粒子やナノ粒子集積体の粒径は、原則として体積平均粒径により表される。この体積平均粒径は、動的光散乱法DynamicLightScatteringDLSによる粒径測定装置たとえばMalvernInstruments社製、ZetasizerNanoSを用いて、上記各粒子の作製直後凝集前の粒径分布を測定することにより求められる値であり、粒径分布のピーク中心位置の粒径をその粒子の体積平均粒径とする。このような半導体ナノ粒子は、公知の方法により作製することができ、また製品として入手することもできる。複合体形成工程SPFSにおける複合体形成工程は、前述したSPRにおける複合体形成工程と同様であるため、ここでの記載は省略する。複合体接触工程SPFSにおける複合体接触工程は、前述したSPRにおける複合体接触工程と同様であるため、ここでの記載は省略する。蛍光標識工程前記標識方法Bによりアナライトを蛍光標識化する場合、上記工程を経た測定領域に標識リガンドを含む媒質を接触させる、すなわち、センサーチップ表面に捕捉されているリガンド担持荷電微粒子-アナライト複合体と標識リガンドとが接触するようにし、リガンド担持荷電微粒子-アナライト-標識リガンド複合体を形成させるようにする。標識リガンドセンサーチップ上に捕捉されたアナライトを蛍光標識化するために用いられる、蛍光体と結合したリガンドを標識リガンドリガンドが抗体であれば標識抗体、二次抗体などと呼ばれることもある。と称する。標識リガンドのリガンド以下第二リガンドと称することがある。とリガンド担持荷電微粒子のリガンド以下第一リガンドと称することがある。は、同じでもよいし、異なっていてもよい。ただし、第一リガンドがポリクローナル抗体である場合、第二リガンドはモノクローナル抗体であってもポリクローナル抗体であってもよいが、第一リガンドがモノクローナル抗体である場合、第二リガンドはその第一リガンドが認識しないエピトープを認識するモノクローナル抗体であるか、またはポリクローナル抗体であることが望ましい。SPFSにおける標識リガンドは、一般的な免疫染色法でも用いられているリガンドと蛍光体との複合体コンジュゲートと同様にして作製することができる。たとえば、リガンドとアビジンストレプトアビジン等を含むとの複合体、および蛍光体とビオチンとの複合体をそれぞれ作製し、これらを反応させることにより、アビジン/ビオチンを介してリガンドに蛍光体が結合した複合体1のアビジンに対し最大4のビオチンが結合しうるが得られる。上述のようなビオチンとアビジンの反応以外にも、蛍光標識法で用いられている一次抗体-二次抗体の反応様式や、カルボキシル基とアミノ基、イソチオシアネートとアミノ基、スルホニルハライドとアミノ基、ヨードアセトアミドおよびチオール基などの反応を用いてもよい。なお、上記リガンドをアナライトに置き換えることにより、同様の反応方法で標識化アナライトを作製することができる。シグナル観測工程SPFSの場合、金属薄膜で起きる表面プラズモン共鳴に基づくシグナルは、前記蛍光標識工程により形成された複合体中の蛍光体が発する蛍光を反映したものである。すなわち、上記工程を経た測定領域に測定光蛍光体に対応した励起光を照射し、測定領域から発せられる蛍光の強度アッセイシグナルS、単位はたとえばa.u.を測定値として取得する。通常は、ノイズ等の影響を排除するため、シグナル観測工程前の所定の段階で測定領域から発せられる蛍光の強度ブランクシグナルN、いわゆるノイズも測定値として取得しておき、下記式により算出されるS/N比をアナライトの検出ないし定量のために用いる。S/N比=|アッセイシグナル|/|ブランクシグナル|このようなS/N比は、センサーチップ表面に形成された複合体中に含まれる蛍光体の数、すなわちそれらの蛍光体から発せられる蛍光の強度を反映している。ある試料溶液に含まれるアナライトの量は、その試料溶液についてのS/N比を、濃度が既知の試料を用いて取得した基準値と対比することにより定量的に評価することもできるし、他の試料溶液についてのS/N比と対比することにより相対的に評価することもできる。たとえば、S/N比が1前後ないし一定の値に達しない測定誤差の範囲である場合、センサーチップ表面に形成された複合体中にアナライトを標識する蛍光体が含まれていない、つまり当溶試料溶液中にアナライトは存在しなかったと判断することができる。一方、S/N比が一定の値測定誤差の範囲より大きい場合、センサーチップ表面に形成された複合体中にアナライトを標識する蛍光体が含まれており、当該試料溶液中にアナライトが存在すると判断することができる。さらに、そのS/N比の大きさから、試料溶液中のアナライトを定量することができる。[実施例1]ガラス製の誘電体部材の平面上に、スパッタリング法により形成されたクロム薄膜厚さは1~3nmと、その上にさらにスパッタリング法により形成された金薄膜厚さは44~52nmとを備えるセンサーチップを用意した。荷電層形成工程カチオン性水性ポリウレタン樹脂ハイドランCP-7610DIC株式会社製、体積平均粒径8nmを水で希釈し、濃度1wtの塗布液を調製した。この塗布液を、スピンコーター回転数:3000rpmを用いて、前記センサーチップの表面に塗布した。塗布後70°Cで30分間乾燥して、上記カチオン性ポリウレタンからなる被膜が形成された、カチオン性修飾センサーチップを作製した。参考のため、上記と同様の方法で別途作製したカチオン性修飾センサーチップ表面の原子間力顕微鏡AFM像を図2に示す。複合体形成工程ImmunogoldconjugateEMGMHL10BBinternational社製をリガンド担持荷電アニオン微粒子とし、これを1体積に希釈した水溶液を調製した。一方、IgGをアナライトとし、これをAlexaFluor647登録商標、Invitrogen社で標識して、標識化アナライトを作製した後標識率2.4、この標識化アナライトを5ng/mLの濃度で含有する試料溶液を調製した。上記リガンド担持荷電アニオン微粒子の1体積希釈水溶液1mLと、上記標識化アナライトの5ng/mL溶液1mLとを混合し、10分間振盪した。複合体接触工程直径φ5mmの円形の貫通穴を有するウェル部材を用意した。このウェル部材を、作製例1により作製したカチオン性修飾センサーチップの表面上に、マッチングオイルを介して固定し、ウェル型の測定部材を作製した。複合体形成工程により得られた反応液を、前記工程で作製した荷電層を備えるセンサーチップを底面とするウェルに添加し、5分間振盪した。センサーチップ測定部材をSPFS用測定装置に装着し、入射角度を変化させながら測定光を照射して、SPR法におけるシグナルに相当する反射強度およびSPFS法におけるシグナルに相当する蛍光強度の両方を測定した。比較のため、上記アナライトと反応させず、複合体を形成していない、リガンド担持荷電アニオン微粒子のみを荷電層に接触させた場合についても測定を行った。結果を図3および図4に示す。図3から金ナノ粒子に固定化したantiIgGとIgG標識体アナライトとの反応が高効率で行われていることが分かる。このことはホモジニアス系の反応が早く、かつ高効率であることを示している。図4からSPFSにおける超高感度検出が本発明の方法で達成可能であることが分かる。[実施例2]リガンド担持荷電微粒子作製工程アニオン性ポリマー微粒子として、ハイドランWLS202DIC株式会社製を用い、また、リガンドとして、抗αフェトプロテインAFPマウスモノクローナル抗体clone:1D5;ミクリ免疫研究所株を用いた。ハイドランWLS202の10溶液を20mL採取し、25mMMES2-モルホリノエタンスルホン酸バッファーpH5.51.5mL、100当量の1-エチル-3-3-ジメチルアミノプロピルカルボジイミド塩酸塩EDC:株同人化学研究所製およびN-ヒドロキシコハク酸イミドNHS:ThermoScientific社製を加え、カルボキシル基を活性化させた。上記溶液に1mg/mLのAFP抗体1D5を1mL添加し、室温で30分間反応させて1D5を微粒子に反応させた。スピンカラムを利用して未反応の抗体を除去した。実施例1の固定化リガンド層形成工程、アナライト接触工程、標識抗体接触工程を以下に変更してアッセイを行った。複合体形成工程上記工程で作製したリガンド担持荷電微粒子アニオン性ポリマーを1重量の濃度で含有する水溶液と、アナライトとしてα-フェトプロテインAFPAcrisAntibodiesGmbH製を1μg/mL、10μgml、100μgmlの濃度で含有するPBSpH7.4;ナカライテスク製溶液とを混合し、リガンド担持荷電微粒子-アナライト複合体を形成させた。複合体接触工程直径φ5mmの円形の貫通穴を有するウェル部材を用意した。このウェル部材を、作製例1により作製したカチオン性修飾センサーチップの表面上に、マッチングオイルを介して固定し、ウェル型の測定部材を作製した。複合体形成工程により得られた反応液を、前記工程で作製した荷電層を備えるセンサーチップを底面とするウェルに添加し、5分間振盪した。センサーチップ測定部材をSPFS用測定装置に装着し、入射角度を変化させながら測定光を照射して、SPR法におけるシグナルに相当する反射強度およびSPFS法におけるシグナルに相当する蛍光強度の両方を測定した。結果を表1に示す。下記表の結果からAFPのアッセイが定量的にかつ高感度で行われていることが分かる。"