レーザシステムと共に用いられるチャンバ装置であって、前記レーザシステムから出力されるレーザ光を入射させるための少なくとも1つの入射口が設けられたチャンバと、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、前記所定の領域に磁場を生成する磁場生成部と、前記磁場の磁力線方向に配置され、前記チャンバ内で前記ターゲット物質に前記レーザ光が照射されることで生成され、前記磁力線に沿って移動する帯電粒子を回収する帯電粒子回収部と、を備えるチャンバ装置。前記磁場発生部は励起電源に接続され、前記励起電源によって電流が供給されることで磁場を生成する電磁石であり、前記磁力線に沿って移動する前記帯電粒子は、所定の拡散幅を有する粒子束を形成し、前記粒子束の前記帯電粒子回収部入射位置における断面が所定の範囲内に収まるように前記粒子束を収束させるよう、前記磁場発生部に供給される電流が制御される、請求項1記載のチャンバ装置。前記所定の領域における前記磁場の前記磁束密度は、約0.26T以上約3.4T以下である、請求項2記載のチャンバ装置。前記所定の範囲は、前記帯電粒子回収部の前記粒子束が入射する面の大きさである、請求項2記載のチャンバ装置。前記ターゲット物質はSnのドロップレットである、請求項1記載のチャンバ装置。前記ターゲット物質はSnの固体ターゲットである、請求項1記載のチャンバ装置。レーザシステムおよびオブスキュレーション領域を有する外部装置と共に用いられるチャンバ装置であって、前記レーザシステムから出力されるレーザ光を入射させるための少なくとも1つの入射口が設けられたチャンバと、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、前記所定の領域に磁場を生成する磁場生成部と、前記磁場の磁力線方向に配置され、前記チャンバ内で前記ターゲット物質に前記レーザ光が照射されることで生成され、前記磁力線に沿って移動する帯電粒子を回収する帯電粒子回収部と、前記チャンバ内に配置され、前記チャンバ内で前記ターゲット物質に前記レーザ光が照射されることで放射される極端紫外光を集光する集光ミラーと、を備えるチャンバ装置。前記帯電粒子回収部は、少なくともその一部が前記集光ミラーの前記オブスキュレーション領域に対応する範囲内に配置される、請求項7記載のチャンバ装置。前記ターゲット物質はSnのドロップレットである、請求項7記載のチャンバ装置。前記ターゲット物質はSnの固体ターゲットである、請求項7記載のチャンバ装置。請求項1~10いずれか一項記載のチャンバ装置と、レーザシステムと、を備える極端紫外光生成装置。実施の形態1まず、本開示の実施の形態1によるEUV光生成装置および露光装置を、図面を参照して詳細に説明する。図1は、本実施の形態1によるEUV光生成装置をEUV光の中心軸を含む面で切断した際の概略構成を示す模式断面図である。図2は、本実施の形態1によるEUV光生成装置をEUV光の中心軸を含む面であって図1に示す断面と垂直な面で切断した際の概略構成を示す模式断面図である。図3は、図1に示すEUV光生成装置をEUV光の中心軸と垂直な面であってプラズマ生成サイトを含む面で切断した際の概略構成を示す模式断面図である。図1に示すように、本実施の形態1によるEUV光生成装置100は、EUV光L2の発生源となるターゲット物質をプラズマ化するレーザ光L1を生成するレーザ装置10と、EUV光L2を生成するための空間を画定する高気密のチャンバ1と、チャンバ1内部の気密性を保ちつつ、レーザ装置10から出力されたレーザ光L1をチャンバ1内に導入するウィンドウ1aと、レーザ装置10から出力されたレーザ光L1をウィンドウ1aを介してチャンバ1内に設定されたプラズマ生成サイトP1に集光する軸外放物面ミラーM1と、を備える。また、EUV光生成装置100は、チャンバ1に接続された排気ポンプ16と、ターゲット物質である液体状の溶融錫Snを蓄える溶融Snタンク5と、溶融Snタンク5からチャンバ1内に突出し、プラズマ生成サイトP1を通過するようにチャンバ1内にターゲット物質をドロップレット7として出力するノズル6と、ノズル6から出力されたドロップレット7のうちレーザ光L1が照射されなかったドロップレット7やレーザ光L1によってプラズマ化しなかった残りのドロップレット7を回収するドロップレット回収部8と、プラズマ生成サイトP1においてレーザ光L1が照射されることでプラズマ化したドロップレット7から放射されたEUV光L2をたとえばチャンバ1外に設定されたEUV露光装置11内部の中間集光点P2に集光するように反射するEUV集光ミラー4と、チャンバ1内部の気密性を保ちつつ、EUV集光ミラー4で反射されたEUV光L2をチャンバ1外部のEUV露光装置11へ出力するための真空ゲートバルブ1bと、を備える。さらに、EUV光生成装置100は、プラズマ生成サイトP1において正確にレーザ光L1がドロップレット7に照射されるようにドロップレット7の出力タイミングおよびレーザ光L1の照射タイミングを調整するための調整用カメラ14と、プラズマ生成サイトP1において放射されたEUV光L2の強度および波長などを測定するEUV光計測器13と、EUV集光ミラー4で集光および反射されたEUV光L2の一部を反射する波長純化フィルタSpectralPurityFilterSPFと、波長純化フィルタSPFで反射されたEUV光L2の強度や波長などを計測する反射集光EUV光計測器15と、を備える。排気ポンプ16は、たとえばターボ分子ポンプである。また、軸外放物面ミラーM1によって反射されたレーザ光L1のビーム軸と、EUV集光ミラー4で反射されたEUV光L2の中心軸A1とは、たとえば一致する。そこで、EUV集光ミラー4は、EUV集光ミラー4の背面側からドロップレット7へレーザ光L1を照射可能とするために、たとえば反射面の頂底部にレーザ光L1を通過させる貫通孔4aが形成されている。また、貫通孔4aの略中心とプラズマ生成サイトP1を結ぶ直線の延長線上には、ドロップレット7に照射されなかったレーザ光L1やドロップレット7で乱反射されたレーザ光L1がEUV露光装置11へ入射することを防止するためのダンパ12が設けられている。また、図2および図3に示すように、EUV光生成装置100は、プラズマ生成サイトP1付近で発生したSnイオンを含む帯電粒子以下、単にイオンというを特定領域内にトラップしつつ所定方向へ導くための磁場B1を形成する一対の電磁石コイル21および22と、電磁石コイル21および22に磁場B1を形成するための電流を供給する励起電源26と、磁場B1にトラップされたイオンを回収するイオン回収部24および25と、を備える。電磁石コイル21および22ならびに励起電源26は、たとえばターゲットであるドロップレット7にレーザ光L1を照射することで発生したイオンを収束させつつイオン流FLとして中心の磁力線以下、中心軸A3というに沿ってドリフトさせる磁場B1を形成する磁場形成部として機能する。また、イオン回収部24および25は、プラズマ生成サイトP1に対して中心軸A3に沿ったイオン流FLのドリフト方向に配置された帯電粒子回収部として機能する。磁場B1は、中心軸A3が一方の電磁石コイル21におけるマグネットボア21aの中心から他方の電磁石コイル22におけるマグネットボア22aの中心を通る磁場である。磁場B1にトラップされたイオンは、磁場B1によるローレンツ力を受けることで、磁場B1の磁束密度によって決まる範囲内に収束し且つプラズマ生成サイトP1から磁場B1の中心軸A3に沿ってドリフトするイオン流FLを形成する。このイオン流FLは、イオン回収部24または25の方向へドリフトする。そこで、電磁石コイル21および22ならびに励起電源26からなる磁場形成部は、イオン回収部24および25の入射面入射開口部に入射する際のイオン流FLの断面を、イオン回収部24および25の入射面入射開口部の大きさよりも実質的に小さくすることを可能にする磁束密度を有する磁場B1を形成する。これにより、プラズマ生成サイトP1付近で発生したイオンの略全てが、イオン回収部24または25によって回収される。イオン回収部24および25で回収されたイオンは、たとえばターゲット材料溶融または固体のSnとして再利用されるか、または、保存もしくは破棄されてもよい。なお、本実施の形態1によるEUV光生成装置は、図4に示すように、1つの電磁石コイル22のみを用いてプラズマ生成サイトP1にイオントラップ用の磁場を形成する構成であってもよい。なお、図4は、本実施の形態1の変形例によるEUV光生成装置の概略構成を示す模式図である。図4に示す変形例では、プラズマ生成サイトP1においてプラズマが生成されると、イオンは磁場にトラップされ、磁場の方向に移動する。プラズマ生成サイトP1に対して電磁石コイル22側では、磁束密度が高くなる。一方、プラズマ生成サイトP1に対して電磁石コイル22が配置されていない側では、磁束密度が低くなる。そこで、この磁束密度の状態に応じて、プラズマ生成サイトP1に対して電磁石コイル22が配置されていない側のイオン回収部24の開口径を、プラズマ生成サイトP1に対して電磁石コイル22が配置されている側のイオン回収部25の開口径よりも大きくする。このように本変形例では、磁束密度の状態に応じて、イオン回収部24とイオン回収部25の開口を調節して構成される。また、本実施の形態1では、たとえば図3に示すように、ドロップレット7の出射軸A2と磁場B1の中心軸A3とがプラズマ生成サイトP1において垂直に交わる場合を例に挙げた。しかし、これに限定されず、たとえば出射軸A2と中心軸A3とがプラズマ生成サイトP1において30度またはそれ以下の鋭角に交わってもよい。これにより、たとえばイオン回収部25がドロップレット回収部を兼ねるように構成することが可能となる。この場合、図1および図3に示すドロップレット回収部8を省略することが可能である。また、EUV光L2の発生源となるターゲットには、Snのドロップレット7を例示したが、これに限らず、たとえば後述において説明する図5に示すようなSnの固体ターゲットSn板107であってもよい。イオンが磁場B1によってトラップされる範囲の断面の大きさ径は、磁場B1の磁束密度が小さいと大きくなり、磁束密度が大きいと小さくなる。そこで、電磁石コイルが形成する磁場の磁束密度と磁場にトラップされたSnイオンが形成するイオン流の径との関係を、以下に具体的な例を挙げて説明する。図5は、本実施の形態1における電磁石コイルが形成する磁場の磁束密度とイオン流の径との関係を計測した実験装置の模式図である。この実験装置では、磁場B1に相当する磁場を形成する超電導マグネット121電磁石コイル21および22に相当の1つの磁石で構成される。EUV光L2の発生源となるターゲットにはSn板107ドロップレット7に相当を使用した。このSn板107に集光されたレーザ光L101を照射することによって、プラズマ生成サイトP101にプラズマを生成し、EUV光を発生させた。この時に、プラズマから発生したイオンは超電導マグネット121による磁場にトラップされる。そして、この磁場によってトラップされたイオンは、イオン流FL101イオン流FLに相当を形成する。このイオン流FL101をイオンビームとして蛍光板PSに照射することで、蛍光板PSを発光させた。この際の蛍光エリアをCCDカメラ115により観測して、イオン流FL101のイオンスポット径Pionを計測した。一方、イオン流FL101のイオン量を測定する場合は蛍光板PSを取り除いてファラデーカップFCにイオンビームを直接入射させることによって計測した。また、図5に示す例において、プラズマ生成サイトP1からイオン回収部24または25までの距離に相当するSn板107から蛍光板PSまでの距離D101は、100mmとした。チャンバ内圧力チャンバ1内の圧力に相当は、1×10-4Pa未満とした。ファラデーカップFCによる捕集立体角は、0.15srステラジアンとした。この場合、図6に、プラズマ生成サイトP101とイオン量の計測に用いたファラデーカップFCとファラデーカップFCの検出可能な範囲の関係の模式図を示す。この測定においてはファラデーカップFCの検出エリアの範囲は補集可能範囲と同じとして説明する。捕集立体角を0.15srとした場合の捕集可能範囲Rtの磁気軸AM中心軸A3に相当からの拡がり角θは、±12.5deg216mradである。すなわち、プラズマ生成サイトP101が磁気軸AM上にあるとすると、ファラデーカップFCは、検出直径が44.2mmまで拡がったイオン流FL101の略全てを受けることができる。このような条件下で、超電導マグネット121がSn板107上のプラズマ生成サイトP101に形成する磁場の磁束密度を0~1.7Tまで変化させた。たとえばNd:YAGレーザを用いてパルス幅が5nsであって波長が1064nmのレーザ光L101をSn板107に照射すると、Sn板107から発生したイオンは、超電導マグネット121が形成する磁場にトラップされることで、Sn板107から磁気軸AMに沿ってファラデーカップFCへとドリフトするイオン流FL101を形成する。イオン流FL101の径を計測する際には、ファラデーカップFCの手前に蛍光板PSおよびこれを観測するCCDカメラ115が配置されているため、ドリフトするイオン流FL101は、ファラデーカップFCの手前に配置された蛍光板PSに入射して、蛍光するイオンスポットPionを形成する。イオン流FL101が蛍光板PSに形成したイオンスポットPionは、CCDカメラ115によって観測される。したがって、CCDカメラ115からの画像を解析することで、イオン流FL101の径を計測することができる。また、イオン量を計測する際には、蛍光板PSおよびCCDカメラ115が外される。したがって、イオン流FL101のイオン量は、ファラデーカップFCで流れた電流量を計測することで得ることができる。図7に、図5に示す具体例において超電導マグネット121が形成する磁場の磁束密度を0~1.7Tまで変化させた際に、ファラデーカップFCで計測されたイオン量を示す。なお、図7では、Nd:YAGレーザの光強度を5×108W/cm2、1×109W/cm2、2×109W/cm2、3×109W/cm2、4×109W/cm2、および5×109W/cm2とした場合のそれぞれで計測されたイオン量を示す。図7に示すように、Nd:YAGレーザのパワーを5×108W/cm2、1×109W/cm2、2×109W/cm2、3×109W/cm2、4×109W/cm2、および5×109W/cm2とした場合のいずれについても、磁場の磁束密度を0.25T以上とすることで、ファラデーカップFCで計測されたイオン量が略一定になった。これは、捕集可能範囲の中心線からの拡がり角θを±12.5degとした場合、磁束密度を0.25T以上とすることで、略全てのイオンがファラデーカップFCに入射することを意味する。したがって、図8に示すように、プラズマ生成サイトP1からイオン回収部24および25までの距離を100mmとし、イオン回収部24および25による捕集可能範囲Rtの中心線からの拡がり角θを±12.5degとした場合、プラズマ生成サイトP1における磁場B1の磁束密度を0.25T以上とすれば、プラズマ生成サイトP1付近で発生したイオンの略全てを、EUV集光ミラー4などの光学素子に入射させることなく、イオン回収部24および25で回収可能であることが分かる。言い換えれば、磁場B1の磁束密度の最適範囲は、0.25T以上であることが分かる。なお、図8は、本実施の形態1におけるイオン回収部とEUV集光ミラーとイオンの拡がり角との関係を示す模式図である。つづいて、磁場B1の磁束密度の最適範囲を、蛍光板PSおよびCCDカメラ115を用いた場合の結果に基づいて求める。図9に、図5に示す具体例において超電導マグネット121が形成する磁場の磁束密度を0~1.7Tまで変化させた際にCCDカメラで観測された蛍光板PSの蛍光観測の様子を示す。なお、図9は、磁場の磁束密度を0.25T、0.5Tおよび1.5Tとした場合における、それぞれの場合のイオン流FL101a、101bおよびFL101cが、イオン流の流れ方向DFLで蛍光板PSに入射した状態を示す。なお、図10は、図5に示す具体例において超電導マグネットが形成する磁場の磁束密度を0.25T、0.5Tおよび1.5Tとした際にCCDカメラで観測された蛍光板の蛍光上の発光部の直径を測定した結果の相関図である。磁束密度を0.25Tとした場合、イオン流FL101aの直径φは44mm程度となる。また、磁束密度を0.5Tとした場合、イオン流FL101bの直径φは12.5mm程度となる。さらに、磁束密度を1.5Tとした場合、イオン流FL101cの直径φは5mm程度となる。これらの結果を、縦軸がイオンの拡がり角θ、横軸がリニアスケールの磁束密度のグラフにプロットし、得られたグラフに対数関数を最小自乗法を用いてフィッティングすると、図10に示すグラフが得られる。図10は、図5に示す具体例において超電導マグネットが形成する磁場の磁束密度を変化させた場合のイオン流の直径と磁束密度との関係を示す相関図である。図10に示す相関図において、最小自乗法を用いたフィッティングにより得られた対数関数は、θ=337.6e-1.722Bである。そこで、図10から明らかなように、プラズマ生成サイトP1からイオン回収部24および25までの距離を100mmとし、イオン回収部24および25による捕集可能範囲Rtの中心線からの拡がり角θを±12.5deg216mradまたは立体角0.15srとした場合、プラズマ生成サイトP1における磁場B1の磁束密度を0.26T以上とすれば、プラズマ生成サイトP1付近で発生したイオンの略全てを、EUV集光ミラー4などの光学素子に入射させることなく、イオン回収部24および25で回収可能であることが分かる。言い換えれば、磁場B1の磁束密度の最適範囲の下限は、0.26Tであることが分かる。一方、イオン流FLの拡がり角θが1mrad±0.1deg以下となることを要求すると、3.4T以上の磁束密度が要求される。しかしながら、このように大きな磁束密度の磁場を要求すると、この磁場を形成する電磁石コイル21および22ならびにこれらに電流を流す装置が巨大化してしまうが、図10からも分かるように、それにより得られるイオン収束の効果はあまり変わらない。このため、磁場発生装置規模またはサイズの観点から、3.4T以上の磁束密度は好ましくない。これらのことから、プラズマ生成サイトP1からイオン回収部24および25までの距離を100mmとし、イオン回収部24および25による捕集可能範囲Rtの中心線からの拡がり角θを±12.5deg216mradとした場合、プラズマ生成サイトP1における磁場B1の磁束密度を0.26T以上3.4T以下とすれば、装置が巨大化しすぎることを回避しつつ、プラズマ生成サイトP1付近で発生したイオンの略全てをイオン回収部24および25で回収可能であることが分かる。以上から、本実施の形態1では、プラズマ生成サイトP1からイオン回収部24および25までの距離を100mmとし、イオン回収部24および25による捕集可能範囲Rtの中心線からの拡がり角θを±12.5deg216mradとした場合、プラズマ生成サイトP1における磁場B1の磁束密度を0.26T以上3.4T以下とすることにより、装置が巨大化しすぎることを回避しつつ、プラズマ生成サイトP1付近で発生したイオンの略全てをEUV集光ミラー4などの光学素子に入射させることなくイオン回収部24および25で回収可能になることが分かる。言い換えれば、装置規模の巨大化を回避しつつ、チャンバ1内に配置された光学素子の性能劣化を抑制することが可能となることが分かる。したがって、本実施の形態1では、プラズマ生成サイトP1における磁場B1の磁束密度を0.26T以上3.4T以下とすることが好ましい。実施の形態2つぎに、本開示の実施の形態2によるEUV光生成装置および露光装置を、図面を参照して詳細に説明する。上述の実施の形態1では、イオン回収部24および25をEUV集光ミラー4の反射面に対してこれよりも外側に配置していた。これに対し、本実施の形態2では、イオン回収部24および25の少なくとも先端側を、EUV光L2のオブスキュレーション領域内に配置する。なお、オブスキュレーション領域とは、EUV集光ミラーによって集光されるEUV光が露光装置において利用されない角度範囲に対応する領域のことをいう。すなわち、オブスキュレーション領域は、露光装置において利用されないEUV光の角度範囲に含まれる3次元的な領域である。図11に、本実施の形態2によるEUV光生成装置の概略構成を示す。図11と図2とを比較すると明らかなように、図11に示すEUV光生成装置200は、図2に示すEUV光生成装置100と同様の構成を備える。ただし、EUV光生成装置200では、イオン回収部24および25が、EUV集光ミラー4の反射面上の一部まで延在している。また、EUV光生成装置200では、プラズマ生成サイトP1付近に磁場B1を形成する一対の電磁石コイル21および22が、チャンバ1内に配置されている。また、図12に、図11における中間集光点P2より露光装置11側でのEUV光L2の通過空間を模式的に示す。図13に、図11のEUV露光装置におけるXIII-XIII面でのEUV光L2のファーフィールドパターンを示す。なお、図13では、説明の明確化のため、ファーフィールドパターンのオブスキュレーション領域の内部にイオン回収部24および25の投影領域を表示するが、これはXIII-XIII面にイオン回収部24および25が配置されることを意味するものではない。図12に示すように、EUV光L2の通過空間は、頂点を中間集光点P2とした円錐状の形状をしている。通過空間の中央部分には、円錐状の通過空間をEUV光L2の進行方向に沿って2つに分断する帯状の領域が存在する。この帯状の領域がオブスキュレーション領域E1である。そこで、図13のファーフィールドパターンに示すように、本実施の形態2では、イオン回収部24および25のそれぞれの投影領域先端を、オブスキュレーション領域E1にまで延在させる。具体的には、図14に示すように、イオン回収部24および25の先端部分を、EUV集光ミラー4の反射面上の一部にまで延在させる。なお、イオン回収部24および25の先端には、イオン回収部24または25内部にイオンを回収するために、開口が設けられている。この開口を、以下、回収口という。ここで、プラズマ生成サイトP1で発生したイオンの広がり角度θは、以下の式2で表すことができる。θ=tan-1{D/2L}...2D:回収口の直径L:プラズマ生成サイトP1から回収口までの距離また、実験による知見により、プラズマ生成サイトP1で発生したイオンの広がり角度と、プラズマ生成サイトP1付近に形成された磁場B1との関係より以下の式3が得られている。θ=337.6e-1.722B...3B:磁場B1の磁束密度式2および式3を利用して、電磁石コイル21および22、ならびにイオン回収部24および25を配置することで、イオンの広がり角度θが大きな場合でも、発生イオン数に対する回収イオン数の比率回収率を大きくすることが可能となる。たとえば、電磁石コイルを小型化することに伴って、磁場B1の磁場強度が小さくなってしまう場合がある。この場合、イオンの広がり角度θが大きくなる。このような場合でも、式2および式3を利用することによって、高い回収率でイオンを回収し、EUV集光ミラー4等の光学要素に付着するデブリの量を低減することができる。このように本発明者らの実験によって得られた関係式により、電磁石コイルおよびイオン回収部の設計および配置自由度を向上させることができる。また、図11のようにイオン回収部24および25の先端をオブスキュレーション領域E1内に位置させることで、更に設計および配置自由度を向上可能である。図11に示した本実施の形態2では、図2に示すイオン回収部24および25の長さに比べて、図11に示すイオン回収部24および25の長さを長くした。ただし、これに限定されるものではない。すなわち、イオン回収部24および25の先端がオブスキュレーション領域E1内に位置していればよい。また、図2および図11に示すイオン回収部24および25はいずれも、磁心となる材料を母材として構成されているとよい。イオン回収部24および25が磁心となる材料で構成されていると、電磁石コイルによって発生した磁力線を磁心によって誘導することができる。本実施の形態2のようにイオン回収部24および25の先端がオブスキュレーション領域E1内に位置し、なおかつイオン回収部24および25が磁心材料で構成されている場合、プラズマ生成サイトP1付近に局所的に強力な磁場を形成できる。これにより、たとえば電磁石コイル21および22を小型化することが可能である。なお、磁心となる材料には、たとえば鉄、コバルト、ニッケルなどの金属、またはその合金などが存在する。また、イオン回収部24および25の少なくとも表面部分は、ターゲット物質ここではSnに対して濡れ性が悪く、且つ、イオンスパッタリングに対して耐性が高い材料で形成されているとよい。さらには、イオン回収部24および25の表面に、ターゲット物質に対して濡れ性が悪く、且つ、スパッタリングに対して耐性が高い材料をコーティングしてもよい。ターゲット物質に対して濡れ性が悪く、且つ、スパッタリングに対して耐性が高い材料には、たとえばCVDChemicalVaporDeposition-SiCやカーボンなどが挙げられる。このようにすることで、オブスキュレーション領域内に配置されてプラズマ生成サイトに接近したイオン回収部24および25が、ターゲット物質やプラズマからの飛散物から受けるダメージを抑制できる。その他の構成および効果は、上述の実施の形態1またはその変形例と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。また、上記実施の形態およびその変形例は本開示を実施するための例にすぎず、本開示はこれらに限定されるものではなく、仕様等に応じて種々変形することは本開示の範囲内であり、更に本開示の範囲内において、他の様々な実施の形態が可能であることは上記記載から自明である。例えば各実施の形態に対して適宜例示した変形例は、他の実施の形態に対して適用することも可能であることは言うまでもない。1チャンバ1aウィンドウ1b真空ゲートバルブ3集光レンズ4EUV集光ミラー4a貫通孔5溶融Snタンク6ノズル7ドロップレット8ドロップレット回収部10レーザ装置11EUV露光装置12ダンパ13EUV光計測器14調整用カメラ15反射集光EUV光計測器16排気ポンプ21、22電磁石コイル24、25イオン回収部26励起電源100EUV光生成装置107Sn板115CCDカメラ121超電導マグネットA1中心軸A2出射軸A3中心軸AM磁気軸B1磁場DFLイオン流の流れ方向E1オブスキュレーション領域FCファラデーカップFL、FL101、FL101a、FL101b、FL101cイオン流L1、L101レーザ光L2EUV光M1軸外放物面ミラーP1、P101プラズマ生成サイトP2中間集光点PS蛍光板PionイオンスポットRt捕集可能範囲SPF波長純化フィルタ