ヒドリドシランをオリゴマー化する方法であって、-ヒドリドシランとして実質的に少なくとも1種のシリコン原子最大20個を有する非環状ヒドリドシランを包含する組成物を、-触媒の不在下で-235°Cより小さい温度で熱により反応させる、ヒドリドシランをオリゴマー化する方法。前記方法が液相法であることを特徴とする、請求項1記載の方法。前記少なくとも1種のヒドリドシランを包含する前記組成物が、Mw≦500g/モルの質量平均分子量を有するヒドリドシラン混合物を包含する組成物であることを特徴とする、請求項1又は2記載の方法。前記少なくとも1種のヒドリドシランを包含する前記組成物が、i一般式SinX2n2n≧3及びX=F、Cl、Br及び/若しくはIの少なくとも1種のハロゲンシランとii一般式NRRaRbYca=0若しくは1、b=0若しくは1、及びc=0若しくは1、及び[式中、aa-R、R及び/若しくはRは、-C1~C12-アルキル、-C1~C12-アリール、-C1~C12-アラルキル、-C1~C12-アミノアルキル、-C1~C12-アミノアリール、-C1~C12-アミノアラルキルであり、及び/又は-2つ若しくは3つの基R、R及びRは、c=0の場合に一緒になって、N含有の環式若しくは二環式のヘテロ脂肪族若しくはヘテロ芳香族の系を形成し、-ただし、少なくとも1つの基R、R若しくはRは-CH3ではなく、及び/又はbb-R及びR及び/若しくはRc=1の場合は、-C1~C12-アルキレン、-C1~C12-アリーレン、-C1~C12-アラルキレン、-C1~C12-ヘテロアルキレン、-C1~C12-ヘテロアリーレン、-C1~C12-ヘテロアラルキレン及び/若しくは-N=であり、又はcc-a=b=c=0の場合R=≡C-RR=-C1~C10-アルキル、-C1~C10-アリール及び/若しくは-C1~C10-アラルキルである]の少なくとも1種の触媒とを、一般式SimX2m2m>n及びX=F、Cl、Br及び/若しくはI及びSiX4X=F、Cl、Br及び/若しくはIの少なくとも1種のハロゲンシランを包含する混合物の形成下で反応させ、並びに一般式SimX2m2の少なくとも1種のハロゲンシランを、一般式SimH2m2のヒドリドシランの形成下で水素化する、ハロゲンシランからヒドリドシランを製造する方法により製造可能であることを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。前記組成物が、ヒドリドシランとして実質的にネオペンタシランを包含することを特徴とする、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。前記組成物が、直鎖状、分枝鎖状若しくは環状の飽和、不飽和若しくは芳香族の炭素原子1~12個を有する炭化水素、アルコール、エーテル、カルボン酸、エステル、ニトリル、アミン、アミド、スルホキシド及び水から成る群から選択された少なくとも1種の溶媒を有することを特徴とする、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。前記組成物が、少なくとも1種の溶媒を、前記組成物の全質量を基準として20~80質量の割合で有することを特徴とする、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。前記組成物が、-BHxR3xx=0~3及びR=C1~C10-アルキル基、不飽和の環状の、場合によりエーテルで錯体化された若しくはアミンで錯体化されたC2~C10-アルキル基、-Si5H9BR2R=H、Ph、C1~C10-アルキル基-Si4H9BR2R=H、Ph、C1~C10-アルキル基-赤リン、-白リンP4、-PHxR3xx=0~3及びR=Ph、SiMe3、C1~C10-アルキル基、-P7SiR33R=H、Ph、C1~C10-アルキル基-Si5H9PR2R=H、Ph、C1~C10-アルキル基並びに-Si4H9PR2R=H、Ph、C1~C10-アルキル基から成る群から選択された少なくとも1種のドーピング物質を有することを特徴とする、請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。前記組成物が、少なくとも1種のドーピング物質を、前記組成物の全質量を基準として0.01~20質量の割合で有することを特徴とする、請求項8記載の方法。-BHxR3xx=0~3及びR=C1~C10-アルキル基、不飽和の環状の、場合によりエーテルで錯体化された若しくはアミンで錯体化されたC2~C10-アルキル基、-Si5H9BR2R=H、Ph、C1~C10-アルキル基-Si4H9BR2R=H、Ph、C1~C10-アルキル基-赤リン、-白リンP4、-PHxR3xx=0~3及びR=Ph、SiMe3、C1~C10-アルキル基、-P7SiR33R=H、Ph、C1~C10-アルキル基-Si5H9PR2R=H、Ph、C1~C10-アルキル基並びに-Si4H9PR2R=H、Ph、C1~C10-アルキル基から成る群から選択された少なくとも1種のドーピング物質を、反応過程の間に又はその後に添加することを特徴とする、請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。前記方法を、70~220°C、有利には90~210°Cの温度で実施することを特徴とする、請求項1から10までのいずれか1項記載の方法。請求項1から11までのいずれか1項記載の方法に従って製造可能なヒドリドシランオリゴマー。光電子部品膜又は電子部品膜を作製するための、請求項12記載のヒドリドシランオリゴマーの使用。シリコン含有膜、好ましくはシリコン単体膜を作製するための、請求項12記載のヒドリドシランオリゴマーの使用。