半導体素子が搭載される搭載領域と、前記半導体素子と電気的に接続されるボンディング領域と、を一方の面に備えるリードフレームを有する半導体パッケージ用基板であって、前記搭載領域および前記ボンディング領域が露出するように前記リードフレームの前記一方の面を被覆するとともに前記搭載領域と前記ボンディング領域との隙間を充填する樹脂層を備え、前記樹脂層は液状樹脂が硬化して形成されることを特徴とする半導体パッケージ用基板。請求項1に記載の半導体パッケージ用基板において、前記リードフレームのもう一方の面に、剥離可能な支持フィルムを備えることを特徴とする半導体パッケージ用基板。請求項1または2に記載の半導体パッケージ用基板において、前記リードフレームの厚さが35μm以上100μm以下であることを特徴とする半導体パッケージ用基板。請求項1~3のいずれかに記載の半導体パッケージ用基板において、露出した前記搭載領域および前記ボンディング領域のみにメッキ層を備えることを特徴とする半導体パッケージ用基板。請求項1~4のいずれかに記載の半導体パッケージ用基板と、前記半導体パッケージ用基板に実装される半導体素子と、を備えることを特徴とする半導体パッケージ。半導体素子が搭載される搭載領域と、前記半導体素子と電気的に接続されるボンディング領域と、を一方の面に備えるリードフレームを有する半導体パッケージ用基板の製造方法であって、剥離可能な支持フィルムをもう一方の面に備えた前記リードフレームを準備する工程と、前記搭載領域および前記ボンディング領域が露出するように前記リードフレームの前記一方の面に液状樹脂を塗布するとともに前記搭載領域と前記ボンディング領域との隙間を充填する工程と、前記液状樹脂を硬化させて樹脂層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体パッケージ用基板の製造方法。請求項6に記載の半導体パッケージ用基板の製造方法において、前記樹脂層を形成する工程の後、露出した前記搭載領域および前記ボンディング領域にメッキ層を形成する工程を有することを特徴とする半導体パッケージ用基板の製造方法。請求項6または7に記載の半導体パッケージ用基板の製造方法において、前記液状樹脂をスクリーン印刷により塗布することを特徴とする半導体パッケージ用基板の製造方法。半導体素子が搭載される搭載領域と、前記半導体素子と電気的に接続されるボンディング領域と、を一方の面に備えるリードフレームを有する半導体パッケージの製造方法であって、剥離可能な支持フィルムをもう一方の面に備えた前記リードフレームを準備する工程と、前記搭載領域および前記ボンディング領域が露出するように前記リードフレームの前記一方の面に液状樹脂を塗布して、前記搭載領域と前記ボンディング領域との前記隙間を充填する工程と、前記液状樹脂を硬化させて樹脂層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。ところで、近年、携帯端末などにおいては薄型化が要求されており、携帯端末に用いられる半導体パッケージにおいても同様に薄型化が要求されている。しかしながら、特許文献1においては、モールド加工によって樹脂層を形成するため、用いるリードフレームは少なくとも150μmの厚さが必要とされ、パッケージの薄型化が困難となっている。150μmよりも薄くなるとリードフレームの機械的強度が不足するため、モールド加工の成型温度や注入圧力によって微細なリードパターンが浮き上がることになる。その結果、半導体チップやLEDチップの搭載領域の反対側の面、つまりリードフレームの、外部配線基板と接続する端子側の面に樹脂が染み出して、端子がフラッシュバリに被覆される問題が生じる。特に、リードフレームの厚さが薄くなるほど、樹脂の染み出しが生じやすくなる。フラッシュバリの問題は、デフラッシュ工程により除去する方法、または端子面に予めフィルムを貼り付けてモールド加工を行う方法によって解消することができるが、工程数が増加し複雑となる。また、端子面に予めフィルムを貼り付ける場合では、モールド加工における成型温度への耐性を備え、かつリードフレームに反りを生じさせないようなフィルムとしてポリイミド等の高価な材料を用いる必要があるため、製造コストがさらに増加することになる。一方、特許文献2においては、半導体素子をプリント基板に実装することで半導体パッケージを薄型化するとともに端子側への樹脂の染み出しを防止することができる。ただし、特許文献2においては、プリント基板におけるベース基材の厚さの分だけパッケージが厚くなるため改善の余地がある。しかも、高価なセラミック基板やポリイミド基板を含むプリント基板を用いる必要性があるため、半導体パッケージのコストが増加することになる。本発明は、このような問題に鑑みて成されたもので、その目的は、薄型かつ安価な半導体パッケージ用基板、半導体パッケージ、およびそれらの製造方法を提供することにある。本発明の第1の態様は、半導体素子が搭載される搭載領域と、前記半導体素子と電気的に接続されるボンディング領域と、を一方の面に備えるリードフレームを有する半導体パッケージ用基板であって、前記搭載領域および前記ボンディング領域が露出するように前記リードフレームの前記一方の面を被覆するとともに前記搭載領域と前記ボンディング領域との隙間を充填する樹脂層を備え、前記樹脂層は液状樹脂が硬化して形成される半導体パッケージ用基板である。本発明の第2の態様は、第1の態様の半導体パッケージ用基板において、前記リードフレームのもう一方の面に、剥離可能な支持フィルムを備える半導体パッケージ用基板である。本発明の第3の態様は、第1の態様又は第2の態様の半導体パッケージ用基板において、前記リードフレームの厚さが35μm以上100μm以下の半導体パッケージ用基板である。本発明の第4の態様は、第1~第3の態様のいずれかの半導体パッケージ用基板において、露出した前記搭載領域および前記ボンディング領域のみにメッキ層を備える半導体パッケージ用基板である。本発明の第5の態様は、第1~第4の態様のいずれかの半導体パッケージ用基板と、前記半導体パッケージ用基板に実装される半導体素子と、を備える半導体パッケージである。本発明の第6の態様は、半導体素子が搭載される搭載領域と、前記半導体素子と電気的に接続されるボンディング領域と、を一方の面に備えるリードフレームを有する半導体パッケージ用基板の製造方法であって、剥離可能な支持フィルムをもう一方の面に備えた前記リードフレームを準備する工程と、前記搭載領域および前記ボンディング領域が露出するように前記リードフレームの前記一方の面に液状樹脂を塗布するとともに前記搭載領域と前記ボンディング領域との隙間を充填する工程と、前記液状樹脂を硬化させて樹脂層を形成する工程と、を有する半導体パッケージ用基板の製造方法である。本発明の第7の態様は、第6の態様の半導体パッケージ用基板の製造方法において、前記樹脂層を形成する工程の後、露出した前記搭載領域および前記ボンディング領域にメッキ層を形成する工程を有する半導体パッケージ用基板の製造方法である。本発明の第8の態様は、第6の態様または第7の態様のいずれかの半導体パッケージ用基板の製造方法において、前記液状樹脂をスクリーン印刷により塗布する半導体パッケージ用基板の製造方法である。本発明の第9の態様は、半導体素子が搭載される搭載領域と、前記半導体素子と電気的に接続されるボンディング領域と、を一方の面に備えるリードフレームを有する半導体パッケージの製造方法であって、剥離可能な支持フィルムをもう一方の面に備えた前記リードフレームを準備する工程と、前記搭載領域および前記ボンディング領域が露出するように前記リードフレームの前記一方の面に液状樹脂を塗布して、前記搭載領域と前記ボンディング領域との前記隙間を充填する工程と、前記液状樹脂を硬化させて樹脂層を形成する工程と、を有する半導体パッケージの製造方法である。本発明によれば、薄型かつ安価な半導体パッケージ用基板および半導体パッケージが得られる。以下に、本発明に係る半導体パッケージ用基板および半導体パッケージの実施形態について図を用いて説明する。具体的には、半導体パッケージとして、LEDチップを搭載するLEDパッケージ、および半導体チップを搭載するQFNパッケージについてそれぞれ説明する。図1および図2は半導体素子としてLEDチップを搭載した場合を示しており、図1は本発明の一実施形態に係るLEDパッケージ用基板の断面図を示し、図2は本発明の一実施形態に係るLEDパッケージの断面図を示す。LEDパッケージ用基板半導体パッケージ用基板10としてのLEDパッケージ用基板10aは、図1に示すように半導体素子2としてのLEDチップ2aが搭載される搭載領域11aと、LEDチップ2aと電気的に接続されるボンディング領域11bと、を一方の面に有するリードフレーム11、並びに搭載領域11aおよびボンディング領域11bが露出するようにリードフレーム11の一方の面を被覆するとともに搭載領域11aとボンディング領域11bとの隙間16を充填する樹脂層12を備える。そして、樹脂層12は、液状樹脂が硬化して形成される。リードフレーム11は、金属箔例えば銅箔などがパンチング加工やエッチング加工されて所定パターンが形成されたものであり、一方の面図中の上面に搭載領域11aおよびボンディング領域11bを有する。搭載領域11aは、LEDチップ2aが搭載される領域を示し、ボンディング領域11bは、搭載されるLEDチップ2aの電極図示略と電気的に接続される領域を示す。搭載領域11aおよびボンディング領域11bは、リードフレーム11において、隙間16を介して離間しており、電気的に接続されていない状態となっている。また、搭載領域11aおよびボンディング領域11bには樹脂層12が被覆されておらず、表面が露出している。また、リードフレーム11のもう一方の面図中の下面は、表面が露出しており、搭載されるLEDチップ2aから生じる熱を放熱することができる。リードフレーム11の厚さとしては35μm以上100μm以下であることが好ましい。厚さが35μmよりも薄い場合、リードフレーム11の機械的強度が低く、取り扱い性が悪化するばかりか放熱性が低下することになる。一方、100μmよりも厚い場合、LEDパッケージ用基板10a自体の厚さが大きくなる。さらに、隙間16の深さが増し、隙間16への樹脂層12の充填が困難となる。リードフレーム11のうち、露出した搭載領域11aおよびボンディング領域11bには、メッキ層13を備えることが好ましい。リードフレーム11の露出する面のみにメッキ層13を備えることによって、メッキ層13に用いる貴金属の使用量を抑制し、LEDパッケージ用基板10aのコストを低減することができる。メッキ層13に用いる貴金属としては、光の反射率を向上する金または銀などがあげられる。上記リードフレーム11にLEDチップ2aが搭載される場合、発光する光の一部がリードフレーム11の隙間16から裏面側に透過して光の出力が低下することになるため、隙間16には光の反射部材としての樹脂層12が充填されることになる。樹脂層12は、反射部材として機能するうえに、LEDパッケージ用基板10aに所定の機械的強度を付与する。樹脂層12は、図2に示すように、搭載領域11aおよびボンディング領域11bを露出するようにリードフレーム11の一方の面を被覆するとともに、搭載領域11aとボンディング領域11bとの隙間16を充填している。そして、本実施形態において、樹脂層12は液状樹脂が硬化して形成されたものとなっている。ここで、樹脂層12の形成について説明する。上述したように、樹脂層12は、液状樹脂が硬化して形成されている。液状樹脂は、リードフレーム11の一方の面を被覆するとともに搭載領域11aとボンディング領域11bとの隙間16を充填するように塗布される。ただし、搭載領域11aおよびボンディング領域11bが露出するように塗布される。塗布された液状樹脂は硬化されて、所定の形状の樹脂層12が形成される。樹脂層12は、リードフレーム11の隙間16を充填し、薄い塗膜としてリードフレーム11の一方の面の一部を被覆している。液状樹脂は、塗布する際には樹脂を高温で加熱する必要性がなく、リードフレームの微細なパターン部分に対して熱的な負荷をかけない。さらに、塗布によって隙間16に流れ込むことが可能であるため、樹脂注入の圧力を必要とせず、パターン部分に対する機械的な負荷を低減することができる。したがって、液状樹脂を用いることで、微細なパターン部分に対する熱的および機械的な負荷を低減できるため、リードフレーム11の機械的強度に寄与する厚さが限定されない。すなわち、従来よりも薄いリードフレーム11であっても、隙間16を充填する樹脂層12を形成することができる。樹脂層12に用いる液状樹脂としては、特に限定されないが、熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。熱硬化性樹脂を用いることにより耐熱性に優れる樹脂層12とすることができる。熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン系樹脂やエポキシ系樹脂などがあげられる。また、液状樹脂の粘度は、リードフレーム11の隙間16を充填できるだけの粘度であれば良い。また、液状樹脂には、反射率の高い白色系の絶縁樹脂を用いることが好ましい。なお、樹脂層12のうち、リードフレーム11の表面を被覆する部分は薄い塗膜であるため、LEDパッケージ用基板10aの厚さを大きく増加させることはない。LEDパッケージ本実施形態のLEDパッケージ1aは、図2に示すように、LEDパッケージ用基板10aと、実装されるLEDチップ2aと、を備える。上述したLEDパッケージ用基板10aに実装されるLEDチップ2aは特に限定されず、上面と下面にそれぞれ電極を有するLEDチップ、または上面に2つ以上の電極を有するLEDチップなどを用いることができる。図1においては、上面と下面にそれぞれ電極図示略を有するLEDチップ2aが搭載されており、LEDチップ2aの上面の電極とボンディング領域11bとがワイヤ3により電気的に接続されている。封止樹脂4は、LEDチップ2aを封止するものであれば特に限定されない。LEDの場合、封止樹脂4は、発光される光に指向性を付与するもの、または分散性を付与するものなどが用いられる。封止樹脂4としては、例えばシリコーン樹脂などを用いることができる。また、その形状も特に限定されず、例えば図2に示すように表面を球状または曲面とすることができる。また、封止樹脂4には蛍光体が添加され、所定の色の光を発光させることができる。なお、上記LEDパッケージ1aにおいては、図1に示すLEDパッケージ用基板10aを用いた場合について説明したが、図3に示す、リードフレーム11のもう一方の面に剥離可能な支持フィルム14を備えるLEDパッケージ用基板10aを用いることもできる。支持フィルム14を備えることによって、LEDパッケージ用基板10aの製造中は、その機械的強度を向上し、取り扱い性を向上することができる。また、支持フィルム14は剥離可能であるため、LEDパッケージ用基板10aの製造後に残存せず、薄型化することができる。すなわち、薄型のリードフレーム11から形成されるLEDパッケージ用基板10aにおいては、支持フィルム14によって機械的強度が向上するだけで厚さは増加しない。LEDパッケージの製造方法次に、上述したLEDパッケージ1aの製造方法について図4を用いて説明する。図4は、本発明の一実施形態に係るLEDパッケージの製造方法における工程図を示す。本実施形態の製造方法にはLEDパッケージ用基板10aの製造工程が含まれている。本実施形態のLEDパッケージ1aは、LEDチップ2aが搭載される搭載領域11aと、LEDチップ2aと電気的に接続されるボンディング領域11bと、を一方の面に備えるリードフレーム11を用いて製造される。具体的には、剥離可能な支持フィルム14をもう一方の面に備えたリードフレーム11を準備する工程と、搭載領域11aおよびボンディング領域11bが露出するようにリードフレーム11の一方の面に液状樹脂12’を塗布するとともに搭載領域11aとボンディング領域11bとの隙間16を充填する工程と、液状樹脂12’を硬化させて樹脂層12を形成する工程と、樹脂層12を形成する工程の後、露出した搭載領域11aおよびボンディング領域11bにメッキ層13を形成する工程と、支持フィルム14を剥離する工程と、リードフレーム11にLEDチップ2aを実装する工程と、を有する。まず、LEDパッケージ用基板10aの製造方法について説明する。剥離可能な支持フィルム14をもう一方の面に備えたリードフレーム11を準備する。本実施形態においては、支持フィルム14に貼り合わされた銅箔15をフォトリソグラフィ技術によりエッチングして、所定パターンのリードフレーム11を形成する図4a、図4b。リードフレーム11は、搭載領域11aおよびボンディング領域11bを有しており、搭載領域11aおよびボンディング領域11bは隙間16を介して離間している。なお、支持フィルム14を備えたリードフレーム11としては、パンチング加工などによって予め形成されたリードフレーム11を支持フィルム14に貼り合わせたものでも良い。支持フィルム14は、リードフレーム11から剥離可能なフィルムであって、リードフレーム11に所定の機械的強度を付与するとともに、隙間16の底となって充填される液状樹脂12’の流れ出しを防止する部材である。支持フィルム14としては、塗布する液状樹脂12’の加熱温度または乾燥温度において耐熱性を有するものであればよく、特に高い耐熱性は要求されない。支持フィルム14として、PETなどの安価なフィルムを用いることで、製造コストを削減することができる。ただし、耐熱性に優れるポリイミド樹脂を用いても良く、この場合は、LEDチップの実装工程まで貼り合わせておくことが可能となり、実装工程におけるLEDパッケージ用基板の取り扱い性を向上することができる。支持フィルム14の厚さとしては、貼り合わされるリードフレーム11に所定の機械的強度を付与できるものであれば限定されない。続いて、スクリーン印刷によりリードフレーム11の一方の面の所定領域に液状樹脂12’としての熱硬化性樹脂を塗布する図4c。液状樹脂12’は、支持フィルム14により受け止められて、隙間16に充填される。塗布された液状樹脂12’を加熱または乾燥することによって硬化して、樹脂層12を形成する。形成される樹脂層12は、搭載領域11aおよびボンディング領域11bが露出するように被覆されるとともに、隙間16を充填している。続いて、表面に露出する搭載領域11aおよびボンディング領域11bにメッキ処理を行い、メッキ層13を形成する図4d。メッキ処理においては、下地層となるニッケルメッキを行った後に、金メッキまたは銀メッキを施す。樹脂層12を形成する工程の後に、メッキ処理を行うことによって、リードフレーム11の一方の面における露出する面搭載領域11aおよびボンディング領域11bにのみ、メッキ層13を形成することができる。なお、本実施形態においては、リードフレーム11のメッキ処理を樹脂層12の形成後に設けているが、樹脂層12の形成前に、リードフレーム11の一方の面または両面にメッキ処理を施しても良い。続いて、リードフレーム11から支持フィルム14を剥離することで、リードフレーム11のもう一方の面を露出させる図4e。以上により、LEDパッケージ用基板10aが製造される。続いて、支持フィルム14の剥離後、搭載領域11aにLEDチップ2を搭載し、LEDチップ2aの電極図示略とボンディング領域11bとをワイヤ3により電気的に接続する図4f。なお、本実施形態においては、支持フィルム14を剥離する工程の後にLEDチップ2aを実装する工程を設けているが、工程の順序を変更して、実装する工程の後に、剥離する工程を設けてもよい。最後に、搭載されたLEDチップ2aを封止するように、蛍光液体を含む樹脂を塗布し封止樹脂4を形成して、本実施形態のLEDパッケージ1aを製造する図4g。QFNパッケージ用基板およびQFNパッケージ上記実施形態においては、半導体素子としてLEDチップを用いる場合について説明したが、半導体素子として半導体チップを用いることもできる。図5および図6は半導体素子として半導体チップを用いた場合を示しており、図5は本発明の一実施形態に係るQFNパッケージ用基板の断面図を示し、図6は本発明の一実施形態に係るQFNパッケージの断面図を示す。以下では、QFNパッケージ用基板およびQFNパッケージについて上記LEDパッケージと異なる点を主に説明する。QFNパッケージ用基板10bは、図5に示すように、上記LEDパッケージ用基板10aと同様に、搭載領域11aおよびボンディング領域11bを有するリードフレーム11を備えており、隙間16には液状樹脂が硬化した樹脂層12が形成されている。QFNパッケージ1bは、QFNパッケージ用基板10bの搭載領域11aに半導体素子2としての半導体チップ2bが搭載され、ボンディング領域11bとワイヤ3により電気的に接続されている。リードフレーム11のもう一方の面図中の下面は、外部配線基板に接続するための実装用の端子となる。また、リードフレーム11の表面に露出する面にはメッキ層13が形成されているが、メッキ層13に用いる貴金属としては、例えば、金、ニッケル、パラジウムを組み合わせて、または単体で使用することができる。QFNパッケージ1bの製造方法は図7に示す工程で製造される。本実施形態の製造方法には、QFNパッケージ用基板10bの製造工程が含まれている。まず、支持フィルム14に貼り合わされた銅箔15をフォトリソグラフィ技術によりエッチングして、支持フィルム14をもう一方の面に備えたリードフレーム11を形成する図7a、図7b。スクリーン印刷によりリードフレーム11の一方の面の所定領域に液状樹脂12’としての熱硬化性樹脂を塗布し、硬化することで樹脂層12を形成する図7c。リードフレーム11から支持フィルム14を剥離することでリードフレーム11のもう一方の面を露出させる。露出した面は、外部基板に接続するための実装用の端子となる図7d。表面に露出する搭載領域11a、ボンディング領域11bおよびリードフレーム11の裏面側図中の下方にメッキ処理を行い、メッキ層13を形成する。メッキ処理においては、下地層となるニッケルメッキを行った後に、金メッキを施す。ニッケルメッキと金メッキとの間にパラジウムメッキを介在させてもよい図7e。メッキ処理後、搭載領域11aに半導体チップ2bを搭載し、半導体チップ2bの接続端子図示略とボンディング領域11bとをワイヤ3により電気的に接続する図7f。最後に、搭載された半導体チップ2bを封止するように、モールド樹脂を塗布し封止樹脂4を形成して、本実施形態のQFNパッケージ1bを製造する図7g。なお、上記実施形態においては、支持フィルム14を剥離する工程の後に半導体チップ2bを実装する工程を設けているが、工程の順序を変更して実装する工程後に剥離する工程を設けてもよい。また、実装用の装置構造に合わせて、長尺のQFNパッケージ用基板10bを搬送して半導体チップ2bを実装してもよいし、短冊状に切断したQFNパッケージ用基板10bを用いてもよい。本実施形態の効果本実施形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果を奏する。本実施形態において、リードフレームの隙間を充填する樹脂層は、液状樹脂が硬化して形成される。液状樹脂は、塗布する際には低い温度であり、リードフレームの微細なパターン部分に対する熱的負荷が小さい。また、液状樹脂は、隙間への充填の際に充填する圧力を必要としないので微細なパターン部分に余分な機械的負荷をかけない。このため、薄く機械的強度の低いリードフレームの場合であっても、変形を生じることなく、樹脂層を形成することができる。すなわち、リードフレームの厚さが限定されず、薄型の半導体パッケージ用基板とすることができる。また、本実施形態においては液状樹脂を硬化させて樹脂層を形成するため、従来のモールド加工により樹脂層を形成する場合と比較して、モールド加工により生じるバリなどの残留物を除去する工程を省略し、製造コストを低減することができる。しかも、モールド金型などの高価な治具を用いる必要性がなく、製造コストを低減することができる。また、半導体パッケージ用基板はリードフレームを有するため、高価なプリント基板を有するプリント基板パッケージと比較して、安価な半導体パッケージ用基板とすることができる。また、本実施形態において、リードフレームのもう一方の面に、剥離可能な支持フィルムを備えることが好ましい。この構成によれば、支持フィルムを備えるため、半導体パッケージ用基板の製造中の機械的強度を向上し、取り扱い性を向上することができる。また、液状樹脂の液漏れを防止し、塗布によって樹脂層を形成することができる。しかも、製造後には、支持フィルムを剥離することができるため、薄型の半導体パッケージ用基板とすることができる。また、本実施形態において、リードフレームの厚さが35μm以上100μm以下であることが好ましい。この構成によれば、薄型であるとともに、放熱性に優れる半導体パッケージとすることができる。また、本実施形態において、露出した搭載領域およびボンディング領域にメッキ層を備えることが好ましい。この構成によれば、リードフレーム全面にメッキ層を有さないため、メッキ層の形成領域が少なく、安価な半導体パッケージ用基板および半導体パッケージとすることができる。また、樹脂層を形成する工程の後にメッキ層の形成工程を設けることで、メッキ層の形成領域を少なくして、メッキに用いる貴金属の使用量を減少し製造コストを低減することができる。また、本実施形態において、スクリーン印刷によって液状樹脂が塗布されることが好ましい。スクリーン印刷によれば、バリなどの残留物を生じることなく、樹脂層を形成することができる。なお、上記実施形態においては、搭載領域およびボンディング領域を囲むリフレクタがない場合の半導体パッケージ用基板について説明したが、リフレクタを設けることも可能である。また、上記実施形態においてはQFNパッケージ用基板について説明したが、SONパッケージ用基板についても同様に製造可能である。