R-Te-Dの一般構造を有する重水素化された有機テルロールであって、式中、Rが、1~10個の炭素を直鎖、分枝又は環状の形態で有するアルキル基又はアルケニル基;C612の芳香族基;ジアルキルアミノ基;有機シリル基;及び有機ゲルミルからなる群より選択される重水素化された有機テルロールを含む、Te含有組成物。n-ブチルテルロール-D及びt-ブチルテルロール-Dからなる群より選択される、請求項1に記載のTe含有組成物。aR-Te-R’の一般構造を有する有機テルロールであって、式中、Rが、1~10個の炭素を直鎖、分枝又は環状の形態で有するアルキル基又はアルケニル基;C612の芳香族基;ジアルキルアミノ基;有機シリル基;及び有機ゲルミルからなる群より選択され、R’が水素及び重水素からなる群より選択される有機テルロールと、bR2Teの一般構造を有する組成物であって、式中、Rが水素及び重水素からなる群より選択される組成物と、c六フッ化テルルとからなる群より選択されるTe前駆体から合成された、Te含有カルコゲニドの相変化材料。R-Te-R’の一般構造を有する有機テルロールを含むTe前駆体であって、式中、Rが、1~10個の炭素を直鎖、分枝又は環状の形態で有するアルキル基又はアルケニル基;C612の芳香族基;ジアルキルアミノ基;有機シリル基;及び有機ゲルミルからなる群より選択され、R’が水素及び重水素からなる群より選択されるTe前駆体を堆積する工程;R1R2N4Geの一般構造を有するアミノゲルマンを含むGe前駆体であって、式中、R1及びR2が1~10個の炭素を直鎖、分枝又は環状の形態で有するアルキル基であるGe前駆体を堆積する工程;及びR1R2N3Sbの一般構造を有するアミノスチバンを含むSb前駆体であって、式中、R1及びR2が1~10個の炭素を直鎖、分枝又は環状の形態で有するアルキル基であるSb前駆体を堆積する工程を含む、Te含有カルコゲニドの相変化材料を基材上に堆積する方法。各堆積工程の後に水素又は水素プラズマを導入する工程をさらに含む、請求項4に記載の方法。前記3つの堆積工程の後に水素又は水素プラズマを導入する工程をさらに含む、請求項4に記載の方法。前記3つの堆積工程が連続して又は同時に実施される、請求項4に記載の方法。前記3つの堆積工程のうち任意の2つが同時に実施される、請求項4に記載の方法。前記の堆積が、ALD、CVD及びサイクリックCVDプロセスからなる群より選択されるプロセスによって実施される、請求項4に記載の方法。R2Teの一般構造を有するTe含有組成物を含むTe前駆体であって、式中、Rが水素及び重水素からなる群より選択されるTe前駆体を堆積する工程;R1R2N4Geの一般構造を有するアミノゲルマンを含むGe前駆体であって、式中、R1及びR2が1~10個の炭素を直鎖、分枝又は環状の形態で有するアルキル基であるGe前駆体を堆積する工程;及びR1R2N3Sbの一般構造を有するアミノスチバンを含むSb前駆体であって、式中、R1及びR2が1~10個の炭素を直鎖、分枝又は環状の形態で有するアルキル基であるSb前駆体を堆積する工程を含む、Te含有カルコゲニドの相変化材料を基材上に堆積する方法。各堆積工程の後に水素又は水素プラズマを導入する工程をさらに含む、請求項10に記載の方法。前記3つの堆積工程の後に水素又は水素プラズマを導入する工程をさらに含む、請求項10に記載の方法。前記3つの堆積工程が連続して又は同時に実施される、請求項10に記載の方法。前記3つの堆積工程のうち任意の2つが同時に実施される、請求項10に記載の方法。前記の堆積が、ALD、CVD及びサイクリックCVDプロセスからなる群より選択されるプロセスによって実施される、請求項10に記載の方法。六フッ化テルルをアンモニアと反応させることによってアミノテルルを含むTe前駆体を堆積する工程;R1R2N4Geの一般構造を有するアミノゲルマンを含むGe前駆体であって、式中、R1及びR2が1~10個の炭素を直鎖、分枝又は環状の形態で有するアルキル基であるGe前駆体を堆積する工程;及びR1R2N3Sbの一般構造を有するアミノスチバンを含むSb前駆体であって、式中、R1及びR2が1~10個の炭素を直鎖、分枝又は環状の形態で有するアルキル基であるSb前駆体を堆積する工程を含む、Te含有カルコゲニドの相変化材料を基材上に堆積する方法。各堆積工程の後に水素又は水素プラズマを導入する工程をさらに含む、請求項16に記載の方法。前記3つの堆積工程の後に水素又は水素プラズマを導入する工程をさらに含む、請求項16に記載の方法。前記3つの堆積工程が連続して又は同時に実施される、請求項16に記載の方法。前記3つの堆積工程のうち任意の2つが同時に実施される、請求項16に記載の方法。前記の堆積が、ALD、CVD及びサイクリックCVDプロセスからなる群より選択されるプロセスによって実施される、請求項16に記載の方法。現在のところ、物理気相成長PVDプロセス又はスパッタリングが、書換型光ディスクの製造において、プラスチック基材上に相変化材料の薄層をコーティングするのに用いられている。しかしながら、PVDプロセスは、膜成長の制御及びその膜特性のために電子デバイスには適していない。PRAMを製造するため、化学気相成長CVD又は原子層堆積ALDの技術がシリコン基材上にGSTの薄膜を堆積するのに用いられている。相変化メモリデバイスの開発では、低温の堆積に適した前駆体によるALD/CVDプロセスに関してニーズがある。本発明は、低温のALD、CVD又はサイクリックCVDプロセスによる三元のゲルマニウム-アンチモン-テルル膜の堆積のためのTe前駆体としてテルル含有化合物を提供することで上記のニーズを満足させる。Te含有組成物が本明細書で開示される。このTe含有組成物は、R-Te-Dの一般構造を有する重水素化された有機テルロールであって、式中、Rが、1~10個の炭素を直鎖、分枝又は環状の形態で有するアルキル基又はアルケニル基;C612の芳香族基;ジアルキルアミノ基;有機シリル基;及び有機ゲルミルからなる群より選択される重水素化された有機テルロールを含む。Te含有カルコゲニドの相変化材料が本明細書で開示される。このTe含有カルコゲニドの相変化材料は、aR-Te-R’の一般構造を有する有機テルロールであって、式中、Rが、1~10個の炭素を直鎖、分枝又は環状の形態で有するアルキル基又はアルケニル基;C612の芳香族基;ジアルキルアミノ基;有機シリル基;及び有機ゲルミルからなる群より選択され、R’が水素及び重水素からなる群より選択される有機テルロールと、bR2Teの一般構造を有する組成物であって、式中、Rが水素及び重水素からなる群より選択される組成物と、c六フッ化テルルとからなる群より選択されるTe前駆体を堆積することによって調製される。Te含有カルコゲニドの相変化材料を基材上に堆積する方法もまた本明細書で開示される。この方法は、aR-Te-R’の一般構造を有する有機テルロールであって、式中、Rが、1~10個の炭素を直鎖、分枝又は環状の形態で有するアルキル基又はアルケニル基;C612の芳香族基;ジアルキルアミノ基;有機シリル基;及び有機ゲルミルからなる群より選択され、R’が水素及び重水素からなる群より選択される有機テルロールと、bR2Teの一般構造を有する組成物であって、式中、Rが水素及び重水素からなる群より選択される組成物と、cアンモニアと反応する六フッ化テルルとからなる群より選択されるTe含有組成物を含むTe前駆体を堆積する工程;R1R2N4Geの一般構造を有するアミノゲルマンを含むGe前駆体であって、式中、R1及びR2が1~10個の炭素を直鎖、分枝又は環状の形態で有するアルキル基であるGe前駆体を堆積する工程;及びR1R2N3Sbの一般構造を有するアミノスチバンを含むSb前駆体であって、式中、R1及びR2が1~10個の炭素を直鎖、分枝又は環状の形態で有するアルキル基であるSb前駆体を堆積する工程を含む。この方法における3つの堆積工程は、任意の順序で連続して又は同時に実施することができる。あるいは、3つの堆積工程のうち任意の2つを同時に実施することができる。この方法は、ALD、CVD又はサイクリックCVDプロセスによって100~400°Cで実施される。本発明は、Te前駆体としての選択されたテルル化合物に関し、当該選択されたテルル化合物を低温プロセスにおいてアミノゲルマニウム化合物及びアミノアンチモン化合物とともに用いてALD、CVD又はサイクリックCVDプロセスにより三元のゲルマニウム-アンチモン-テルル膜を製造することに関する。本発明の1つの実施態様においては、低温の堆積プロセスのためのTe前駆体はテルル化水素H2Teを含む。アミノ金属化合物は加水分解に対して反応性である。水素カルコゲニドはすべて水よりも酸性である。アミノゲルマン及びアミノアンチモンとテルル化水素の反応により低温250°C未満で金属テルル化物が形成される。テトラキスジメチルアミノゲルマンMe2N4Ge及びトリスジメチルアミノアンチモンMe2N3Sbの堆積、続いてテルル化水素による処理は、相変化メモリの用途のためのGST膜を製造するALD又はCVDプロセスに適したアプローチである。テルル化水素は沸点が-4°Cのガス状化合物である。それは0°Cよりも高い温度で不安定であり、テルル元素と水素に分解する。この問題を克服するため、テルル化水素はその場生成によって製造して、直ちに反応チャンバーに導入することができる。本発明の別の実施態様においては、Te前駆体はテルル化重水素D2Teを含む。重水素は水素のより重い同位体である原子核に中性子が追加されている。テルル化重水素は、対応する通常のテルル化水素と比べて改善された熱安定性を有する。より熱的に安定なテルル化合物としては、有機テルロール及び重水素化された有機テルロールが、三元のゲルマニウム-アンチモン-テルル膜を堆積するためのより適したテルル前駆体として開示される。本発明の別の実施態様においては、低温の堆積プロセスのためのTe前駆体は有機テルロールを含む。有機テルロールは酸性のTe-H結合を有し、このTe-H結合は対応するアミノ金属化合物中のGe-N結合及びSb-N結合に対して非常に反応性である。Te-Ge結合及びTe-Sb結合が、残りの化合物としての揮発性アミンとともに比較的低い温度で形成される。この反応は以下のスキームで説明される。有機テルロールを含むTe前駆体は、R-Te-R’の一般式を有し、式中、Rは、1~10個の炭素を直鎖、分枝又は環状の形態で有するアルキル基又はアルケニル基、フェニルなどのC612の芳香族基、ジアルキルアミノ基、有機シリル基、又は有機ゲルミル基であり、R’は水素又は重水素である。アルキルテルロールは好ましいテルル前駆体である。それは揮発性の液体であり、ベーパードローvapordraw又は直接液体導入法によって供給することができる。t-ブチルテルロールは結合エネルギーが26kcal/molの弱いTe-C結合を有する。t-ブチル基は比較的低い温度で切断することができる。これは得られるGST膜中の炭素含有量の低減を助ける。重水素化された有機テルロールは、対応する通常の有機テルロールと比べて改善された熱安定性を有し、結果として、より長い寿命とより広いプロセスウィンドウが得られる。一次反応速度同位体効果により、Te-D結合はTe-H結合よりも安定である。それゆえ、重水素化された有機テルロールは貯蔵及び輸送の際に分解する傾向が小さく、一方で、テルル化物を形成するためのゲルマニウム及びアンチモンとの同様の化学反応性を維持する。重水素化された有機テルロールを含むTe前駆体の例は、n-ブチルテルロール-D及びt-ブチルテルロール-D式中Dは重水素である。本発明の別の実施態様においては、Te前駆体は、テトラキスジアルキルアミノテルルであって、アルキル基が、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル及びt-ブチルからなる群より独立して選択されるテトラキスジアルキルアミノテルルを含む。テトラキスジメチルアミノテルルを含むTe前駆体を、テトラキスジメチルアミノゲルマニウムMe2N4Ge及びトリスジメチルアミノスチルバンと混合して所望のモル比において均一な溶液を形成することができる。このような溶液は、直接液体導入法によって堆積チャンバーに導入される。化学物質が加熱された基材の表面に堆積される。水素又は水素プラズマによる以下の還元反応によってアミノ基が除去され、適切な元素比のGST層が形成される。これらの工程は、ALD又はサイクリックCVDプロセスのためのサイクルを形成する。本発明のさらに別の実施態様においては、Te前駆体は六フッ化テルルを含む。六フッ化テルルTeF6は沸点が-38°Cの無色の気体である。硫黄の類似体とは異なり、六フッ化テルルは化学的に不活性ではない。これはd軌道のより大きな利用可能性に起因し、おそらく硫黄もセレンもアクセスを持たないf軌道の利用可能性に起因している場合がある。本発明の別の実施態様においては、Te含有カルコゲニドの相変化材料は、先に開示した実施態様のいずれかから選択されるTe前駆体を、任意の公知の堆積法、例えば、ALD、CVD又はサイクリックCVDプロセスを介して堆積することにより調製される。本発明のさらに別の実施態様においては、Te含有カルコゲニドの相変化材料を製造する方法は、先に開示した実施態様のいずれかからのTe前駆体を、任意の公知の堆積法、例えば、ALD、CVD又はサイクリックCVDプロセスを介してGe前駆体及びSb前駆体とともに堆積することを用いることができる。Ge前駆体及びSb前駆体の例は、R1R2N4Ge及びR1R2N3Sbの一般構造を有するアミノゲルマン及びアミノスチバンであり、式中、R1及びR2は独立して1~10個の炭素を直鎖、分枝又は環状の形態で有するアルキル基である。例えば、テルル前駆体として、六フッ化テルルを堆積チャンバー中でアンモニアと反応させてアミノテルルを形成し、その後、アミノゲルマン及びアミノスチバンと反応させ、続いて水素還元して基材上にGST膜を生成することができる。TeF6NH3→[TeNH2n]NH4FGST薄膜を製造する方法では、3つの前駆体を連続して堆積することができる。3つの前駆体のうち任意の1つ、例えば、Ge前駆体は、化学反応に適した温度の加熱基材の表面に堆積される。不活性ガスを流す等によるパージ/洗浄工程の後、第2の前駆体、例えば、Sb前駆体がGeの薄層を有する基材の表面に堆積される。別のパージ/洗浄工程の後、最後の前駆体、例えば、Te前駆体がGe及びSbの薄層を有する基材上に堆積される。3つの前駆体の任意の1つが、この方法に関する第1、第2又は第3の前駆体であることができる。本発明の目的のために、基材上への堆積は、基材自体に直接堆積することだけでなく、基材上に既に堆積された3つの反応体のうちの一方又は他方の上に堆積することも含む。あるいはまた、堆積プロセスは、3つの前駆体のうち任意の2つを同時に堆積することができるか、又は3つの前駆体すべてを同時に堆積することができる。加えて、堆積プロセスを繰り返して多層膜を製造することができる。膜の堆積は100~400°Cで実施することができる。より低温の堆積のためのTe前駆体の調製では、任意の種々の公知の方法を使用することができる。公知の方法の中でも、本発明の実施例の実施態様に従ったTe前駆体の調製方法は以下のとおりである。[例1:n-ブチルテルロール-Dの合成]200メッシュのテルル粉末6.4g0.05mol、ジエチルエーテル100ml及びヘキサン中2.5Mのn-ブチルリチウム20mlを250mlのフラスコに添加した。0°Cで混合物を8時間撹拌した。テルルのすべての黒色粉末が見えなくなり、濁った色の沈殿を形成した。この混合物にトリメチルクロロシラン5.4g0.05molを添加した。混合物を室温まで温めた。2時間撹拌した後、重水素化されたメタノールMeOD2.0g0.06molをゆっくりと添加した。1時間撹拌した後、混合物を不活性雰囲気下で濾過した。溶媒及び副生成物のメトキシトリメチルシランを蒸留によって除去した。減圧蒸留によりn-ブチルテルロール-Dを得た。沸点は85°C/100mmHgである。[例2:t-ブチルテルロール-Dの合成]200メッシュのテルル粉末12.8g0.10mol、ジエチルエーテル250ml及びジエチルエーテル中2.0Mのt-ブチルマグネシウムクロリド溶液50mlを500mlのフラスコに添加した。室温で混合物を24時間撹拌した。テルルのすべての黒色粉末が見えなくなり、薄灰色の沈殿を形成した。混合物をドライアイスの浴で-50°Cに冷却した。この混合物に重水素化されたエタノールEtOD10.0g0.21molをゆっくりと添加した。混合物を室温まで温めた。2時間撹拌した後、混合物を不活性雰囲気下で濾過した。溶媒のエーテルを蒸留によって除去した。減圧蒸留によりt-ブチルテルロール-Dを得た。沸点は65°C/100mmHgである。実施例を含む上記の本発明の実施態様は、本発明から構成できる数々の実施態様のうちの例示である。本方法の多くの他の構成が使用でき、本方法において使用される材料は具体的に開示されたもの以外の多くの材料から選択できると解される。