"溶液成長法によるSiC単結晶の製造装置であって、SiC種結晶が取り付けられる下端面を有するシードシャフトと、SiC溶液を収容する坩堝とを備え、前記坩堝は、第1筒部と、前記第1筒部の下端部に配置される底部とを含む本体と、前記本体内の前記SiC溶液の液面の上方であって前記第1筒部内に配置され、前記シードシャフトを通す第1貫通孔を有する中蓋と、前記中蓋の上方に配置され、前記シードシャフトを通す第2貫通孔を有する上蓋とを備える、製造装置。前記中蓋はさらに、前記中蓋の下面から下方に延び、内部に前記シードシャフトを通し、前記SiC溶液の液面から離れて配置される下端を有する第2筒部を備える、請求項1に記載の製造装置。前記中蓋の上面は、外周側から内周側へ下る、請求項1又は2に記載の製造装置。下端にSiC種結晶を取り付け可能なシードシャフトを備える溶液成長法用SiC単結晶の製造装置に用いられ、SiC溶液を収容可能な坩堝であって、第1筒部と、前記第1筒部の下端部に配置される底部とを含む本体と、前記筒部内に配置され、前記シードシャフトを通す第1貫通孔を有する中蓋と、前記中蓋の上方に配置され、前記シードシャフトを通す第2貫通孔を有する上蓋とを備える、坩堝。前記中蓋はさらに、前記中蓋の下面から下方に延び、内部に前記シードシャフトを通す第2筒部を備える、請求項4に記載の坩堝。前記中蓋の上面は、外周側から内周側に下る、請求項4又は請求項5に記載の坩堝。溶液成長法によるSiC単結晶の製造方法であって、上下方向に延びるシードシャフトを備える製造装置を準備する工程と、筒部と、前記筒部の下端部に配置される底部とを備える本体と、前記本体内部に配置され、前記シードシャフトを通す第1貫通孔を有する中蓋と、前記中蓋の上方に配置され、前記シードシャフトを通す第2貫通孔を有する上蓋とを備える坩堝を準備する工程と、前記シードシャフトの下端面にSiC種結晶を取り付ける工程と、原料が収納された前記坩堝を加熱し、前記SiC溶液を生成する工程と、前記シードシャフトの前記下端面に取り付けられた前記SiC種結晶を前記SiC溶液に浸漬する工程と、前記SiC種結晶上にSiC単結晶を育成する工程と、前記SiC溶液を生成する前に、生成されるSiC溶液の液面が前記中蓋の下方に配置されるように、SiC溶液の原料を前記坩堝に収納する工程とを備える、製造方法。確かに、特許文献1,2に記載の製造方法は、SiC溶液の周辺領域の温度がばらつくのを抑制できる。しかしながら、これらの文献では、坩堝内で溶液面の上方に配置された断熱性部材が、シードシャフトを囲む。そのため、シードシャフトが断熱部材により保温されてしまう。その結果、シードシャフトによる抜熱が阻害され、近傍領域が効率よく過冷却され難いことがある。本発明の目的は、SiC溶液の周辺領域の温度がばらつくのを抑制しつつ、SiC種結晶の近傍領域を効率良く冷却可能な、溶液成長法によるSiC単結晶の製造装置を提供することである。本発明の実施の形態によるSiC単結晶の製造装置は、シードシャフトと、坩堝とを備える。シードシャフトは、SiC種結晶が取り付けられる下端面を有する。坩堝は、SiC溶液を収容する。坩堝は、本体と、中蓋と、上蓋とを備える。本体は、第1筒部と、第1筒部の下端部に配置される底部とを備える。中蓋は、本体内のSiC溶液の液面の上方であって第1筒部内に配置される。中蓋は、シードシャフトを通す第1貫通孔を有する。上蓋は、中蓋の上方に配置される。上蓋は、シードシャフトを通す第2貫通孔を有する。本発明の実施の形態によるSiC単結晶の製造装置は、SiC溶液の周辺領域が過度に冷却されるのを抑制しつつ、SiC種結晶の近傍領域を冷却できる。本発明の実施の形態によるSiC単結晶の製造装置は、シードシャフトと、坩堝とを備える。シードシャフトは、SiC種結晶が取り付けられる下端面を有する。坩堝は、SiC溶液を収容する。坩堝は、本体と、中蓋と、上蓋とを備える。本体は、第1筒部と、第1筒部の下端部に配置される底部とを備える。中蓋は、本体内のSiC溶液の液面の上方であって第1筒部内に配置される。中蓋は、シードシャフトを通す第1貫通孔を有する。上蓋は、中蓋の上方に配置される。上蓋は、シードシャフトを通す第2貫通孔を有する。この場合、中蓋の上方に形成される空間中蓋と上蓋の間に形成される空間、以下、冷却空間というの温度が、中蓋の下方に形成される空間SiC溶液の液面と中蓋との間に形成される空間、以下、保温空間というの温度よりも低くなる。冷却空間により、シードシャフトが保温されるのを抑制できるため、シードシャフトがSiC溶液の近傍領域を有効に抜熱する。その結果、近傍領域のSiCが過飽和状態となり、SiC単結晶の成長が促進される。さらに、保温空間により、SiC溶液の近傍領域以外の領域周辺領域の温度にばらつきが生じるのを抑えることができる。その結果、自然核生成によりSiC多結晶が生成するのを抑制できる。好ましくは、中蓋はさらに、第2筒部を備える。第2筒部は、中蓋の下面から下方に延びる。第2筒部は、内部にシードシャフトを通す。第2筒部の下面は、SiC溶液の液面から離れて配置される。この場合、冷却空間と保温空間との温度差が更に大きくなる。好ましくは、中蓋の上面は、外周側から内周側へ下る。本実施の形態による製造装置では、SiC溶液の原料以下、SiC原料というを坩堝に収納する。そして、坩堝を加熱してSiC原料を溶解し、SiC溶液を生成する。本実施の形態による坩堝では、底部と中蓋との間にSiC原料が収納され、さらに、中蓋と上蓋との間にも、SiC原料が収納される。坩堝の中蓋の上面が外周側から内周側に下っていれば、中蓋と上蓋との間に収納されたSiC原料が加熱により溶解してSiC溶液となったとき、SiC溶液が第1貫通孔を通って下方に流れやすい。本発明による溶液成長法によるSiC単結晶の製造方法は、上下方向に延びるシードシャフトを備える製造装置を準備する工程と、筒部と、筒部の下端部に配置される底部とを備える本体と、本体内部に配置され、シードシャフトを通す第1貫通孔を有する中蓋と、中蓋の上方に配置され、シードシャフトを通す第2貫通孔を有する上蓋とを備える坩堝を準備する工程と、シードシャフトの下端面にSiC種結晶を取り付ける工程と、原料が収納された坩堝を加熱し、SiC溶液を生成する工程と、シードシャフトの下端面に取り付けられたSiC種結晶をSiC溶液に浸漬する工程と、SiC種結晶上にSiC単結晶を育成する工程と、SiC溶液を生成する前に、生成されるSiC溶液の液面が中蓋の下方に配置されるように、SiC溶液の原料を坩堝に収納する工程とを備える。この場合、SiC原料は、坩堝の底部と中蓋との間だけでなく、中蓋と上蓋との間にも収納されてもよい。SiC原料は複数の塊又は粉末からなる。そのため、複数の塊又は粉末が堆積すると、多数の隙間が形成される。隙間を含むSiC原料の体積見かけ上の体積は、SiC原料を溶解して生成されるSiC溶液の体積よりも大きい。したがって、坩堝の中蓋と上蓋との間にもSiC原料を収容した場合であっても、その収容量を調整することにより、SiC溶液とした場合の液面を中蓋の下面より下方とすることができる。この場合、坩堝の底部と中蓋との間だけにSiC原料を収納する場合と比べて、SiC溶液の液面を中蓋の下面に近づけることができ、保温空間を小さくすることができる。その結果、SiC溶液の周辺領域の温度のばらつきを抑制する効果が高まる。上述の本実施の形態によるSiC単結晶の製造装置について、図面を参照しながら詳述する。図中同一又は相当部分には、同一符号を付して、その説明は繰り返さない。[製造装置の構成]図1は、本発明の実施形態によるSiC単結晶の製造装置10の構成図である。図1を参照して、製造装置10は、チャンバ12を備える。チャンバ12は、坩堝14を収容する。SiC単結晶が製造されるとき、チャンバ12は水冷される。坩堝14は、SiC溶液16を収容する。SiC溶液16は、シリコンSiと炭素Cとを含有する。SiC溶液16は、SiC原料を加熱により溶解して生成される。SiC原料はたとえば、Siのみ、又はSiと他の金属元素との混合物である。金属元素は例えば、チタンTi、マンガンMn、クロムCr、コバルトCo、バナジウムV、鉄Fe等である。これらの金属元素のうち、好ましい金属元素は、Ti及びMnである。更に好ましい金属元素は、Tiである。SiC原料は上述の金属元素の複数の塊フレーク又はチップ又は粉末からなる。SiC原料は、例えば、シリコンのチップと、スポンジチタンのチップである。SiC原料はさらに、炭素Cを含有してもよい。好ましくは、坩堝14は炭素を含有する。坩堝14は例えば、黒鉛製や、SiC製であってもよい。坩堝14の内表面がSiCで被覆されてもよい。これにより、坩堝14は、SiC溶液16への炭素供給源になる。チャンバ12は、断熱部材18を更に収容する。断熱部材18は、坩堝14を取り囲むように配置される。換言すれば、断熱部材18は、坩堝14を収容する。チャンバ12は、加熱装置20を更に収容する。加熱装置20は例えば、高周波コイルである。加熱装置20は、断熱部材18の側壁を取り囲むように配置される。換言すれば、断熱部材18及び坩堝14は、加熱装置20内に挿入される。SiC単結晶を製造する前に、上述のSiC原料が坩堝14に収納される。加熱装置20は、坩堝14を誘導加熱することでSiC原料を溶解し、SiC溶液16を生成する。加熱装置20は更に、SiC溶液16を結晶成長温度に維持する。結晶成長温度は、SiC溶液16の組成に依存する。一般的な結晶成長温度は、1600~2000°Cである。製造装置10は、回転装置22を更に備える。回転装置22は、回転軸24と、駆動源26とを備える。回転軸24は、上下方向に延びる。回転軸24の上端は、断熱部材18内に位置する。回転軸24の上端には、坩堝14が配置される。回転軸24の下端は、チャンバ12の外側に位置する。回転軸24は、駆動源26と連結される。駆動源26は、チャンバ12の下方に配置される。SiC単結晶を製造するとき、駆動源26は、回転軸24を、その中心軸線周りに回転させる。これにより、坩堝14が回転する。製造装置10は、昇降装置28を更に備える。昇降装置28は、シードシャフト30と、駆動源32とを備える。シードシャフト30は、上下方向に延びる。シードシャフト30の上端は、チャンバ12の外側に位置する。シードシャフト30は、駆動源32と連結される。駆動源32は、チャンバ12の上方に配置される。駆動源32は、シードシャフト30を昇降する。駆動源32は更に、シードシャフト30を、その中心軸線周りに回転する。SiC単結晶が製造されるときに、シードシャフト30は冷却される。具体的には、シードシャフト30の内部に冷却ガスを循環させる。冷却ガスは、例えば、ヘリウムガス等である。シードシャフト30の冷却方法は、ガス冷却に限定されない。例えば、シードシャフト30を上下に2分割し、シードシャフト30の下半分をガス冷却し、上半分を水冷してもよい。シードシャフト30の下端は、坩堝14内に位置する。シードシャフト30の下端面34には、SiC種結晶36が取り付けられる。SiC種結晶36は、板状である。本例では、SiC種結晶36は円板状である。しかしながら、SiC種結晶36の形状は円板状に特に限定されない。SiC種結晶36の形状は、例えば、六角形、矩形等の多角形であっても良い。SiC種結晶36の上面が、シードシャフト30への取付面になる。SiC種結晶36は、SiC単結晶からなる。好ましくは、SiC種結晶36の結晶構造は、製造しようとするSiC単結晶の結晶構造と同じである。例えば、4H多形のSiC単結晶を製造する場合、4H多形のSiC種結晶を利用する。4H多形のSiC種結晶36を利用する場合、SiC種結晶36の表面は、0001面であるか、又は、0001面から8°以下の角度で傾斜した面であることが好ましい。この場合、SiC単結晶が安定して成長する。[坩堝の構成]図2は、図1中の坩堝14の縦断面図である。図2に示すように、坩堝14は、本体140と、中蓋42と、上蓋44とを備える。要するに、坩堝14は、上下に配置された2つの蓋中蓋42及び上蓋44を備える。本体140は上端が開口した筐体である。本体140は、筒部38と底部40とを備える。筒部38は、上下方向に延びる。筒部38は例えば円筒である。筒部38の内径寸法は、シードシャフト30の外径寸法よりも十分に大きい。底部40は、筒部38の下端部に配置される。底部40は例えば、筒部38に一体形成されている。中蓋42は、底部40から離れて、底部40の上方に配置される。中蓋42は、板状であり、中央部に貫通孔48を有する。貫通孔48は、中蓋42の厚さ方向に延び、中蓋24の上面46から下面461に至る。貫通孔48は、シードシャフト30を通す。したがって、SiC単結晶を製造するとき、シードシャフト30の下端は中蓋42よりも下方に配置される。中蓋42はさらに、筒部50を備える。筒部50は、中蓋42の下面461から下方に延びる。図2では、筒部50は、貫通孔48と同軸に配置され、筒部50の内周面は、貫通孔48の表面となめらかに段差なくつながる。筒部50は、貫通孔48と同様に、シードシャフト30を通す。シードシャフト30の下端は、筒部50の下端よりも下方に配置される。筒部50の内周面と貫通孔48の表面との間に段差が形成されてもよい。筒部50がシードシャフト30を通せれば、筒部50の内周面の形状は特に限定されない。中蓋42は、筒部38内に配置され、その外周は筒部38の内周面に取り付けられる。中蓋42は筒部38と一体的に形成されていてもよいし、筒部38とは別体であってもよい。好ましくは、中蓋42の下面461は底部40の表面と略平行である。上蓋44は、中蓋42よりも上方に配置される。図2では、上蓋44は、筒部38の上端に配置される。上蓋44は板状であり、中央部に貫通孔52を有する。貫通孔52は、貫通孔48と同軸に配置される。貫通孔52は、貫通孔48と同様に、シードシャフト30を通す。上蓋44は、筒部38の上端に取り付けられる。図2では、上蓋44の外周面に形成されたねじ山54と、筒部38の上端内周面に形成されたねじ溝56とにより、上蓋44が筒部38に取り付けられる。ただし、他の方法により、上蓋44が筒部38に取り付けられても良い。図2に示すとおり、上蓋部44の上面に、断熱部材58が配置されてもよい。断熱部材58は、断熱部材18の一部であっても良いし、断熱部材18の他に別途設けられたものであっても良い。断熱部材58は、円柱状であり、中央部に貫通孔60を有する。貫通孔60は、貫通孔48,52と同軸に配置され、シードシャフト30を通す。断熱部材58はなくてもよい。SiC単結晶を製造するとき、坩堝14内のSiC溶液16のうち、SiC種結晶36の近傍領域以外の領域周辺領域の温度がばらつけば、周辺領域でSiC多結晶が自然核生成し、成長する。SiC多結晶は、SiC種結晶36上に形成されたSiC単結晶の成長を阻害する。製造装置10は、周辺領域での温度のばらつきを抑え、SiC多結晶の生成及び成長を抑制する。坩堝14は、中蓋42及び上蓋44を備えることにより、保温空間64と、冷却空間62とを有する。保温空間64は、SiC溶液16と中蓋42との間に形成される。冷却空間62は、中蓋42と上蓋44との間に形成される。SiC単結晶を製造するとき、SiC溶液16の放射熱が保温空間64に蓄えられる。これにより、保温空間64が保温される。その結果、SiC溶液16の周辺領域の温度のばらつきが抑制され、SiC多結晶の生成が抑制される。製造装置10はさらに、SiC溶液16のうち、SiC単結晶36の近傍領域を有効に冷却し、近傍領域を過冷却状態にする。上述のとおり、坩堝14は、保温空間64の上方に、冷却空間62を備える。冷却空間62は、中蓋42により、保温空間64から仕切られている。そのため、冷却空間62の温度は、保温空間64の温度よりも低い。そのため、冷却空間62は、シードシャフト30の温度が上昇するのを抑える。要するに、冷却空間62は、シードシャフト30による抜熱作用を維持する。そのため、シードシャフト30はSiC溶液16の近傍領域を有効に冷却し、近傍領域を過冷却する。近傍領域では、SiCが過飽和状態になるため、SiC単結晶の成長が促進される。その結果、SiC単結晶の結晶成長速度が向上する。以下、本実施の形態によるSiC単結晶の製造方法について詳述する。[SiC単結晶の製造方法]本実施の形態によるSiC単結晶の製造方法は、上記製造装置10を利用する。初めに、製造装置10を準備し、シードシャフト30にSiC種結晶36を取り付ける準備工程。次に、チャンバ12内に坩堝14を配置し、SiC溶液16を生成するSiC溶液生成工程。次に、SiC種結晶36を坩堝14内のSiC溶液16に浸漬する浸漬工程。次に、SiC単結晶を育成する育成工程。以下、各工程の詳細を説明する。[準備工程]初めに、製造装置10を準備する。そして、シードシャフト30の下端面34にSiC種結晶36を取り付ける。[SiC溶液生成工程]次に、坩堝14内に、SiC原料を収容する。このとき、生成されるSiC溶液の液面が、中蓋42の下面461よりも下方に配置されるように、SiC原料の量を調整する。好ましくは、保温空間64が小さくなるように、SiC原料量を調整する。保温空間64がより小さくなるように、SiC原料を、底部40と中蓋42との間だけでなく、中蓋42と上蓋44との間にも収納するのが好ましい。次に、坩堝14内のSiC原料を溶解してSiC溶液16を生成する。先ず、チャンバ12内に不活性ガスを充填する。そして、加熱装置20により、坩堝14内のSiC原料を融点以上に加熱する。中蓋42に積み上げられたSiC原料は、溶解すると、貫通孔48から落下する。以上のとおり、坩堝14は冷却空間62を有するため、底部40と中蓋42との間に原料を収容するだけでなく、冷却空間62にもSiC原料を収容できる。そのため、生成されたSiC溶液16の液面を中蓋42の下面に近づけることができる。要するに、保温空間64の容量を小さくできる。そのため、SiC溶液16の液面を保温でき、周辺領域の温度ばらつきを低減できる。特に本実施形態では、図2に示すように、中蓋42の上面46は、その外周側から内周側へ下っている。これにより、冷却空間62に収容したSiC原料が溶解したときに、溶解したSiC原料つまり、生成されたSiC溶液が貫通孔48を通じて底部40に向かって流れ易くなる。坩堝14が黒鉛からなる場合、坩堝14を加熱すると、坩堝14から炭素がSiC原料の融液に溶け込み、SiC溶液16が生成される。坩堝14の炭素がSiC溶液16に溶け込むと、SiC溶液16内の炭素濃度は飽和濃度に近づく。SiC溶液16が生成されたとき、SiC溶液16の液面と筒部50の下面との間には、隙間が形成される。換言すれば、筒部50の下面がSiC溶液16から離れて配置されるように、SiC原料の量が調整される。SiC溶液16の液面と筒部50の下面との間に形成される隙間の大きさは、好ましくは、5mm以上である。[浸漬工程]次に、SiC種結晶36をSiC溶液16に浸漬する。具体的には、駆動源32により、シードシャフト30を降下し、SiC種結晶36をSiC溶液16に浸漬する。このとき、シードシャフト30が貫通孔52及び貫通孔48に挿入されるので、冷却空間62及び保温空間64は、実質的に、閉鎖空間となる。[育成工程]SiC種結晶36をSiC溶液16に浸漬した後、加熱装置20により、SiC溶液16を結晶成長温度に保持する。さらに、SiC溶液16のうち、SiC種結晶36の近傍領域を過冷却して、SiCを過飽和状態にする。SiC溶液16の液面の上方に中蓋42が位置しているので、SiC単結晶を育成しているとき、SiC溶液16からの放射熱が保温空間64に蓄えられる。これにより、冷却空間62の温度が、保温空間64の温度よりも低くなる。加熱装置20がSiC溶液16を結晶成長温度に保持し、かつ、シードシャフト30は冷却されている。そのため、冷却空間62では、筒部38側のほうが、シードシャフト30側よりも、温度が高い。これにより、図3に示すように、冷却空間62内の不活性ガスが流動する。具体的には、筒部38の内周面に沿って上昇した不活性ガスは、上蓋44の下面に沿って、上蓋44の外周側から内周側へ流れる。上蓋44の内周側に流れてきた不活性ガスは、シードシャフト30の外周面に沿って下降した後、中蓋42の上面46に沿って、シードシャフト30側から筒部38側へ流れる。不活性ガスは、冷却空間62内を外周側から内周側へ流れるときに、上蓋44に接触することで、冷却される。冷却された不活性ガスは、下降しながらシードシャフト30に接触する。そのため、SiC溶液16からの放射熱によりシードシャフト30の温度が上がるのを抑制できる。つまり、冷却空間62は、シードシャフト30の抜熱機能が阻害されるのを抑制する。したがって、SiC溶液16の近傍領域は、シードシャフト30により抜熱され、過冷却状態になり、近傍領域のSiCが過飽和状態になる。SiC種結晶36の近傍領域のSiCを過飽和状態にしたまま、SiC種結晶36とSiC溶液16とを回転する。シードシャフト30を回転することにより、SiC種結晶36が回転する。回転軸24を回転することにより、坩堝14が回転する。SiC種結晶36の回転方向は、坩堝14の回転方向と逆方向でも良いし、同じ方向でも良い。また、回転速度は一定であっても良いし、変動しても良い。シードシャフト30は、回転しながら、徐々に上昇する。このとき、SiC溶液16に浸漬されたSiC種結晶36の表面にSiC単結晶が生成し、成長する。なお、シードシャフト30は、上昇せずに回転しても良い。さらに、シードシャフト30は、上昇も回転もしなくても良い。このような場合、成長速度は低下するものの、SiC単結晶は成長する。SiC溶液16からの放射熱が保温空間64に蓄えられるので、SiC溶液16内の周辺領域の温度のばらつきは抑制される。その結果、SiC多結晶の自然核形成が抑制される。加熱装置20はSiC溶液16を結晶成長温度に保持する。そのため、保温空間64においても、冷却空間62と同様に、筒部38側のほうが、シードシャフト30側よりも、温度が高い。これにより、図3に示すように、保温空間64内の不活性ガスが流動する。具体的には、筒部38の内周面に沿って上昇した不活性ガスは、中蓋42の下面461に沿って、中蓋42の外周側から内周側へ流れる。中蓋42の内周側へ流れてきた不活性ガスは、筒部50の外周面に沿って下降した後、シードシャフト30の外周面に沿って下降する。シードシャフト30の外周面に沿って下降した不活性ガスは、SiC溶液16の液面に沿って、シードシャフト30側から筒部38側へ流れる。中蓋42が筒部50を備えるので、保温空間64内を流動する不活性ガスがシードシャフト30に当たるのを妨げる。これにより、不活性ガスの温度が下がり難くなる。その結果、保温空間64の保温効果がさらに高められる。本実施形態で採用可能な坩堝14は、図2に示す構造に限定されない。例えば、図4に示すように、中蓋42が筒部50を備えていなくても良い。また、図4に示すように、中蓋42の上面46は、平坦でも良い。このような構成であっても、冷却空間62と保温空間64とが中蓋42を挟んで坩堝14内に形成される。その結果、冷却空間62は、シードシャフト30の抜熱機能が阻害されるのを抑制する。そして、保温空間64は、SiC溶液16からの放射熱を蓄え、SiC溶液16内の周辺領域の温度のばらつきを抑制する。この場合、SiC溶液16の液面と中蓋42の下面との間の距離は、好ましくは、50mm以上であり、80mm以下である。50mm以上とすることにより、保温空間64内で不活性ガスの対流が十分に生じ、SiC溶液16の周辺領域の均熱化を促進することができる。80mm以下とすることにより、シードシャフト30の上部が十分に冷却され、SiC単結晶の成長速度が向上する。種々の構成を有する坩堝を用いたSiC単結晶の製造を想定した。想定された各坩堝内の温度分布を、シミュレーションにより調査した。軸対称RZ系を用いて、熱流動解析を差分法により計算した。シミュレーションでは、図1と同じ構成を有する製造装置を想定し、製造装置内の加熱装置を高周波コイルと想定した。初めに、高周波コイルに印加する電流を6kHzの360Aとして、電磁場解析により、坩堝内のジュール熱密度を算出した。次に、算出したジュール熱密度分布を用いて、坩堝内の熱流動解析を行った。熱流動解析では、坩堝とシードシャフトとを同じカーボン材質に設定した。また、不活性ガスをHeに設定し、SiC溶液の成分をSiに設定した。この熱流動解析では定常計算を行った。熱流動解析ではさらに、形状が異なる4つの坩堝マーク1~マーク4を計算モデルに設定した。マーク1の坩堝は、図4に示す構造を有した。マーク2及びマーク3の坩堝は、図5に示す構造を有した。図5の坩堝は、図2の坩堝14と比較して、中蓋42の上面46が下面461と平行であった。マーク4の坩堝は、図6に示すように、中蓋42を備えない構造を有した。マーク1~マーク4の坩堝では、筒部38の内径D38図4参照は140mmであった。筒部38の肉厚T38は10mmであった。シードシャフト30の外径D30は50mmであった。上蓋44の内周面とシードシャフト30の外周面との距離G44は5mmであった。上蓋44の厚さT44は5mmであった。マーク1~マーク3の坩堝では、中蓋42の厚さT42は10mmであった。中蓋42とSiC溶液16の液面との距離L64は50mmであった。中蓋42と上蓋62との間の距離L62は40mmであった。中蓋42の内周面とシードシャフト30の外周面との距離G42は2.5mmであった。マーク2及びマーク3の坩堝では、筒部50の肉厚T50図5参照は10mmであった。マーク2の坩堝では、筒部50の高さH50筒部50の下端と中蓋42の下面461との距離、図5参照は20mmであった。マーク3の坩堝では、高さH50は30mmであった。マーク4の坩堝では、SiC溶液16の液面と上蓋44の下面との距離L44図6参照は100mmであった。各マークの坩堝の温度の測定点を図5に示す。測定点1は、SiC溶液16内において、シードシャフト30の下端面34の近くに位置した。測定点2は、保温空間64内において、測定点1の直ぐ上に位置した。測定点3は、保温空間64内において、測定点2の直ぐ上に位置した。測定点4は、冷却空間内62において、シードシャフト30の近くに位置した。測定点5は、SiC溶液16内において、筒部38の内周面の直ぐ近くに位置した。上記の設定条件で、シミュレートした結果を表1に示す。測定点3と測定点4の温度差は、マーク1の坩堝では145°Cであった。マーク2の坩堝では151°Cであった。マーク3の坩堝では158°Cであった。マーク4の坩堝では104°Cであった。中蓋42を備える坩堝マーク1~マーク3の坩堝では、中蓋42を備えない坩堝マーク4の坩堝よりも、保温空間64と冷却空間62の温度差測定点3と測定点4の温度差が大きくなるのを確認できた。また、中蓋42が筒部50を備える坩堝マーク2及びマーク3の坩堝では、筒部50の高さが大きくなるにつれて、保温空間64と冷却空間62の温度差が大きくなるのを確認できた。測定点1と測定点5の温度差は、マーク1~マーク3の坩堝では4°Cであった。マーク4の坩堝では8°Cであった。中蓋42を備える坩堝マーク1~マーク3の坩堝では、中蓋42を備えない坩堝マーク4の坩堝よりも、SiC溶液16の周辺領域での温度のばらつきが抑えられるのを確認できた。以上、本発明の実施形態について、詳述してきたが、これらはあくまでも例示であって、本発明は、上述の実施形態によって、何等、限定されない。例えば、前記実施形態において、ブロック形状を有するSiC種結晶36を採用しても良い。これにより、シードシャフト30の下端面34がSiC溶液16に接触するのを防ぐことができる。また、坩堝は、上下に配置された3つ以上の蓋を備えていてもよい。例えば、前記実施形態において、上蓋44と中蓋42の間に、中蓋42をさらに設けてもよい。"