"放熱面を有し、前記放熱面とは逆側に前記放熱面に略平行な接合面を備え、該接合面に凹部を備えたヒートシンクと、前記ヒートシンクに接合され、前記ヒートシンクの接合側とは逆側に半導体素子が配置された基板であって、前記ヒートシンクよりも熱膨張係数が小さく、前記接合面に平行な方向で前記ヒートシンクの凹部内の側面に対して離間する態様で、前記ヒートシンクの凹部内に配置される基板と、前記凹部内に絶縁樹脂を充填して形成され、前記接合面に平行な方向で前記基板の側面と前記ヒートシンクの凹部内の側面との間に形成される絶縁樹脂部と、を備えることを特徴とする半導体装置。前記接合面に垂直方向の前記絶縁樹脂部の厚さは、前記接合面に垂直方向の前記基板の厚さの半分よりも大きい、請求項1に記載の半導体装置。前記接合面に平行な方向の前記基板の側面、及び、前記ヒートシンクの接合面、のうちの少なくともいずれか一方に、前記絶縁樹脂部が入り込むアンカー部を備える、請求項1又は2に記載の半導体装置。前記絶縁樹脂部は、前記接合面に対して垂直に視たときに前記基板を四方から囲む態様で設けられる、請求項1~3のうちのいずれか1項に記載の半導体装置。ところで、基板とヒートシンクが熱膨張係数の異なる異種材料で構成される場合、これらの異種材料間の熱膨張係数差に起因して、基板とヒートシンクの間の接合部の信頼性が損なわれる虞がある。例えば、基板を銅で構成し、ヒートシンクをアルミで構成した場合、アルミの熱膨張係数が銅の熱膨張係数よりも有意に大きいことに起因して、基板とヒートシンクの間の接合部に熱応力が生じることで、当該接合部に剥離が生じ、信頼性が損なわれる虞がある。これに対して、基板とヒートシンクの間の接合に使用する樹脂接着剤や樹脂シートの改良や、接着層の厚みの調整、接合表面の改質などにより接合信頼性を向上させることも可能である。しかしながら、このようなアプローチの対策では、接合部での熱抵抗が増加して熱伝導性が悪化することやサイズが大きくなる等の弊害が生じうる。そこで、本発明は、異種材料で構成された基板とヒートシンクの間の接合部の信頼性が向上された半導体装置の提供を目的とする。上記目的を達成するため、本発明の一局面によれば、放熱面を有し、前記放熱面とは逆側に前記放熱面に略平行な接合面を備え、該接合面に凹部を備えたヒートシンクと、前記ヒートシンクに接合され、前記ヒートシンクの接合側とは逆側に半導体素子が配置された基板であって、前記ヒートシンクよりも熱膨張係数が小さく、前記接合面に平行な方向で前記ヒートシンクの凹部内の側面に対して離間する態様で、前記ヒートシンクの凹部内に配置される基板と、前記凹部内に絶縁樹脂を充填して形成され、前記接合面に平行な方向で前記基板の側面と前記ヒートシンクの凹部内の側面との間に形成される絶縁樹脂部と、を備えることを特徴とする半導体装置が提供される。本発明によれば、異種材料で構成された基板とヒートシンクの間の接合部の信頼性が向上された半導体装置が得られる。以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態の説明を行う。図1は、本発明の一実施例実施例1による半導体装置1の要部を示す斜視図である。図2は、図1に示す半導体装置1のラインA-Aに沿った断面図である。図3は、ヒートシンク40の単品状態を示す斜視図である。尚、半導体装置1の上下方向は、半導体装置1の搭載状態に応じて上下方向が異なるが、以下では、便宜上、半導体装置1のヒートスプレッダ20に対してチップ10が存在する側を上方とする。半導体装置1は、例えば、ハイブリッド車又は電気自動車で使用されるモータ駆動用のインバータを構成するものであってよい。半導体装置1は、図1及び図2に示すように、チップ10と、ヒートスプレッダ20と、絶縁層30と、ヒートシンク40と、絶縁樹脂部70とを含む。チップ10は、パワー半導体素子を含み、本例ではIGBTInsulatedGateBipolarTransistorを含む。尚、チップ10が含むパワー半導体素子の種類や数は、任意である。チップ10は、IGBTに代えて、MOSFETMetalOxideSemiconductorField‐EffectTransistorのような他のスイッチング素子を含んでもよい。チップ10は、ヒートスプレッダ20上に半田50により接合される。図示の例では、チップ10は、1つのヒートスプレッダ20上に、IGBTとFWDFreeWheelingDiodeが1組設けられる。尚、IGBTは、上面にエミッタ電極を備え、下面にコレクタ電極を備え、FWDは、上面にアノード電極を備え、下面にカソード電極を備える。チップ10の各電極は、バスバ等の外部端子図示せずに接続されてよい。ヒートスプレッダ20は、チップ10で発生する熱を吸収し拡散する部材である。ヒートスプレッダ20は、例えば銅、アルミなどの熱拡散性の優れた金属から形成される。本例では、一例として、ヒートスプレッダ20は、銅により形成される。銅としては、伝導率が銅材の中で最も高い無酸素銅が好適である。銅は、典型的には、17ppm/°Cの熱膨張係数を有する。図示の例では、ヒートスプレッダ20は、6つ設けられている。この場合、6つのヒートスプレッダ20上の各チップ10は、モータ駆動用のインバータのU相、V相、W相の各上アーム及び各下アームを構成するものであってよい。このように、1つの半導体装置1のモジュール内に任意の数のヒートスプレッダ20を含んでもよい。絶縁層30は、樹脂接着剤や樹脂シートから構成されてよい。絶縁層30は、例えばアルミナをフィラーとした樹脂で形成されてもよい。絶縁層30は、図2に示すように、ヒートスプレッダ20とヒートシンク40の間に設けられ、ヒートスプレッダ20とヒートシンク40に接合する。絶縁層30は、ヒートスプレッダ20とヒートシンク40との間の電気的な絶縁性を確保しつつ、ヒートスプレッダ20からヒートシンク40への高い熱伝導性を確保する。ヒートシンク40は、熱伝導性の良い材料から形成され、例えば、アルミなどの金属により形成される。本例では、ヒートシンク40は、アルミにより形成される。アルミは、典型的には、24ppm/°Cの熱膨張係数を有する。ヒートシンク40は、図2に示すように、上面側が接合面40aを画成し、上面側がヒートスプレッダ20に接合される。ヒートシンク40は、図2に示すように、下面側が放熱面40bを画成し、下面側にフィン42を備える。尚、接合面40aと放熱面40bは、後述の凹部46やフィン42が存在するが、略平行である。フィン42の数や配列態様は任意である。フィン42は、図示のようなストレートフィンであってもよいし、その他、ピンフィンの千鳥配置等で実現されてもよい。半導体装置1の実装状態では、フィン42は、冷却水や冷却油や空気のような冷却媒体と接触する。このようにして、半導体装置1の駆動時に生じるチップ10からの熱は、ヒートスプレッダ20、絶縁層30を介して、ヒートシンク40のフィン42から冷却媒体へと伝達され、半導体装置1の冷却が実現される。ヒートシンク40は、図2及び図3に示すように、接合面40aに凹部46を備える。凹部46は、例えばプレスや鋳造により形成されてもよい。凹部46は、ヒートスプレッダ20を内部に収容することができるように、上面視で、ヒートスプレッダ20の外形よりも大きい外形を有する。図示の例では、凹部46は、6つのヒートスプレッダ20の全体としての外形よりも大きい外形を有する。尚、凹部46は、ヒートシンク40上に配置されるヒートスプレッダ20毎に個別に形成されてもよい。6つのヒートスプレッダ20は、図2に示すように、互いに離間して凹部46内に配列される。また、ヒートスプレッダ20は、接合面40aに平行な方向でヒートシンク40の凹部46内の側面46aに対して離間する。具体的には、図2に示すように、ヒートスプレッダ20の側面20aは、ヒートシンク40の凹部46内の側面46aに対して所定距離離間される。凹部46は、典型的には、図示の例のように一定の深さD4を有しているが、深さが変化してもよい。例えば、凹部46内におけるヒートスプレッダ20の位置決め用の段差が凹部46の底面に形成されてもよい。また、凹部46の底面は、平滑な表面であってもよいし、微小な凹凸粗面化が形成されてもよい。絶縁樹脂部70は、図1及び図2に示すように、ヒートシンク40の凹部46内に形成される。具体的には、ヒートシンク40の凹部46は、上述のように絶縁層30を介して接合されたヒートスプレッダ20を内部に含む状態で、樹脂が充填される。樹脂は、好ましくは、ヒートシンク40の凹部46内のみに充填され、上面視でヒートシンク40の凹部46の外形よりも外側に広がらないように充填される。これにより、凹部46内に充填される樹脂により凹部46内に絶縁樹脂部70が形成される。このように、本実施例によれば、ヒートシンク40の凹部46内に樹脂を充填して絶縁樹脂部70を形成するので、樹脂の流動が凹部46内に規制され、凹部46以外のヒートシンク40の上面への樹脂の望ましくない流動広がりを防止することができ、作業性が良好となる。絶縁樹脂部70は、図2に示すように、接合面40aに平行な方向で、凹部46内の側面46aとヒートスプレッダ20の側面20aとの間や、各隣接するヒートスプレッダ20の側面20a間に形成される。これにより、凹部46内の側面46aとヒートスプレッダ20の側面20aとが絶縁樹脂部70を介して接合される。尚、絶縁樹脂部70を構成する樹脂は、任意の樹脂材料であってよく、例えばエポキシ樹脂が使用されてもよい。絶縁樹脂部70の厚さD7は、凹部46の深さD4と同一又はそれ以下であってよい。また、絶縁樹脂部70の厚さD7は、好ましくは、凹部46内の側面46aとヒートスプレッダ20の側面20aとの間の絶縁樹脂部70を介した接合範囲を大きくするため、ヒートスプレッダ20の厚さD2の半分よりも大きく設定される。例えば、絶縁樹脂部70の厚さD7は、ヒートスプレッダ20の厚さD2の半分と絶縁層30の厚さとを足した合計厚さよりも大きく設定される。尚、図示の例では、ヒートスプレッダ20の上側の一部厚みD2の半分以下の部分が絶縁樹脂部70から露出しているが、絶縁樹脂部70の上面がヒートスプレッダ20の上面と面一になるように、又は、絶縁樹脂部70ヒートスプレッダ20の上面を覆うように、凹部46の深さD4を更に深くすると共に絶縁樹脂部70の厚さD7を更に厚くしてもよい。尚、凹部46以外のヒートシンク40の上面、絶縁樹脂部70の上面、チップ10、ヒートスプレッダ20等は、絶縁樹脂部70を構成する樹脂以外の樹脂で更に被覆されてもよい。例えば、シリコンゲルのようなゲル材料が、半導体装置1全体を封止するように付与されてもよい。絶縁樹脂部70は、絶縁層30をヒートシンク40の上面に上方から押さえつけることで、ヒートシンク40とヒートスプレッダ20との間の接合部の信頼性を高めると共に、以下で詳説するように、熱膨張又は熱収縮時のヒートシンク40とヒートスプレッダ20との間の接合部の熱応力を低減する機能を有する。図4は、熱膨張時のヒートシンク40とヒートスプレッダ20との間の接合部の応力分散原理の説明図である。尚、ここでは、熱膨張時の応力分散原理を説明するが、熱収縮時も同様である。ここでは、前提として、上述の如く、ヒートシンク40の熱膨張係数は、ヒートスプレッダ20の熱膨張係数よりも大きいものとする。従って、同じ温度上昇したとき、その膨張係数の差に起因して、ヒートシンク40の方がヒートスプレッダ20よりも大きく膨張しようとするので、ヒートシンク40とヒートスプレッダ20との間の接合部に熱応力が生じる。しかしながら、本実施例では、凹部46内の側面46aとヒートスプレッダ20の側面20aとが絶縁樹脂部70を介して接合されているので、図4に模式的に示すように、熱膨張時にヒートシンク40が方向Eに熱膨張すると、ヒートスプレッダ20とヒートシンク40の間の膨張係数の差に起因して、ヒートスプレッダ20には、絶縁樹脂部70を介して膨張方向に力Fがかかる。これにより、ヒートスプレッダ20には、自身の熱膨張による膨張に加えて、力Fより膨張方向に変形する。換言すると、ヒートシンク40は、力Fの反作用としてヒートスプレッダ20から絶縁樹脂部70を介して収縮方向に力を受け、熱膨張が抑制される。これにより、ヒートシンク40とヒートスプレッダ20との間の熱膨張差が抑制され、ヒートシンク40とヒートスプレッダ20との間の接合部の熱応力が緩和分散される。このようにして、本実施例によれば、ヒートスプレッダ20とヒートシンク40の間の膨張係数の差に起因したヒートシンク40とヒートスプレッダ20との間の接合部の熱応力を低減し、ヒートシンク40とヒートスプレッダ20との間の接合部の信頼性を高めることができる。図5は、本発明の他の一実施例実施例2による半導体装置2の断面図である。図5は、図1のラインA-Aに沿った断面図に対応する。本実施例による半導体装置2は、上述した実施例1による半導体装置1に対して、ヒートスプレッダ20’の側面の構成のみが異なる。本実施例2において、上述の実施例1と実質的に同一であってよい構成については、同一の参照符号を付して説明を省略する。本実施例2では、ヒートスプレッダ20’の側面には、アンカー部22が形成される。アンカー部22は、図5に示すように、ヒートスプレッダ20’の側面に凹部として形成されてもよい。アンカー部22は、ヒートスプレッダ20’の全周に亘って設けられてもよい。或いは、アンカー部22は、ヒートスプレッダ20’の全周に対して離散的に設けられてもよい。例えば、アンカー部22は、ヒートスプレッダ20’の対の対向する2辺の側面のみ設けられてもよい。アンカー部22の断面形状は、図5に示す例では矩形であるが、楔形等を含む任意の断面形状を有してよい。アンカー部22には、図5に示すように、絶縁樹脂部70が入り込む。即ち、絶縁樹脂部70は、アンカー部22内に充填された樹脂からなる部位を含む。本実施例2によれば、上述した実施例1と同様の効果に加えて以下のような効果が奏される。即ち、ヒートスプレッダ20’のアンカー部22が形成されるので、アンカー効果によりヒートスプレッダ20’と絶縁樹脂部70との間の密着性を高めることができ、ひいてはヒートシンク40とヒートスプレッダ20との間の接合部の信頼性を高めることができる。図6は、本発明の他の一実施例実施例3による半導体装置3の断面図である。図6は、図1のラインA-Aに沿った断面図に対応する。本実施例による半導体装置3は、上述した実施例2による半導体装置2に対して、ヒートシンク40’の構成のみが異なる。本実施例3において、上述の実施例1又は実施例2と実質的に同一であってよい構成については、同一の参照符号を付して説明を省略する。本実施例3では、ヒートシンク40’の上面接合面には、図6に示すように、アンカー部48が形成される。アンカー部48は、上面視で、絶縁層30よりも外周側に形成される。例えば、アンカー部48は、図6に示すように、凹部46の底面の外周縁に形成されてもよい。アンカー部48は、凹部46の底面の外周縁の全周に亘って形成されてもよいし、凹部46の底面の外周縁の全周に対して離散的に形成されてもよい。同様に、アンカー部48の断面形状は、図6に示す例では矩形であるが、楔形等を含む任意の断面形状を有してよい。アンカー部48には、図6に示すように、絶縁樹脂部70が入り込む。即ち、絶縁樹脂部70は、アンカー部48内に充填された樹脂からなる部位を含む。本実施例3によれば、上述した実施例2と同様の効果に加えて以下のような効果が奏される。即ち、ヒートシンク40’のアンカー部48が形成されるので、アンカー効果によりヒートシンク40’と絶縁樹脂部70との間の密着性を更に高めることができ、ひいてはヒートシンク40とヒートスプレッダ20との間の接合部の信頼性を更に高めることができる。以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。例えば、上述の実施例では、ヒートシンク40は、一部材で構成されていたが、2つ以上の部材で構成されてもよい。例えば、ヒートシンク40は、第1の金属板と、フィン42を備えた第2の金属板とを結合して構成されてもよい。この場合、第1の金属板に凹部46を形成し、凹部46内にヒートスプレッダ20を配置して同様の絶縁樹脂部70を形成すればよい。また、上述の実施例において、ヒートスプレッダ20とヒートシンク40の間の接合に使用する樹脂接着剤や樹脂シートの改良や、接着層の厚みの調整、接合表面の改質などによって、ヒートスプレッダ20とヒートシンク40の間の接合部の信頼性を向上させることも可能である。即ち、本発明は、これらのアプローチと相容れない関係ではなく、必要な効果を得るために組み合わせることは可能である。また、上述の実施例では、ヒートスプレッダ20の材料が銅であり、ヒートシンク40の材料がアルミであったが、本発明は、ヒートシンク40の熱膨張係数がヒートスプレッダ20基板の熱膨張係数よりも大きい限り、他の任意の材料で構成された組み合わせに対しても適用可能である。また、ヒートスプレッダ20は、溶射によりヒートシンク40の凹部46内に直接形成接合されてもよい。また、上述の実施例では、チップ10が配置される基板は、ヒートスプレッダ20、20’であったが、ヒートシンク40,40’の熱膨張係数が基板の熱膨張係数よりも大きい限り、本発明は、他の任意の基板にも適用可能である。例えば、チップ10が配置される基板は、高い熱伝導性を有するセラミック基板の両面にアルミ板を備えたDBADirectBrazedAluminum基板や、セラミック基板の両面に銅板を備えたDBCDirectBrazedCopper基板により構成されてもよい。この場合、チップ10が配置される基板は、ヒートシンク40,40’に半田により接合されてもよい。この場合も、DBAやDBCの熱膨張係数とヒートシンク40,40’の熱膨張係数の差に起因して熱応力が生じることで、接合部半田にクラック等が発生し、基板とヒートシンク40,40’の間の接合部の信頼性が損なわれる虞があるためである。また、上述の実施例1では、半導体装置1は、他の構成例えば、走行モータ駆動用のDC/DC昇圧コンバータの素子の一部を含んでよいし、また、半導体装置1は、チップ10と共に、他の素子コンデンサ、リアクトル等を含んでもよい。また、半導体装置1は、車両用のインバータに適用されるものであったが、半導体装置1は、他の用途鉄道、エアコン、エレベータ、冷蔵庫等で使用されるインバータに使用されてもよい。更に、半導体装置1は、インバータ以外の装置、例えば、コンピューター用のMPUMicroprocessorUnitや、無線通信機の送信部の電力増幅回路に使用される高周波パワーモジュールに使用されてもよい。これらは、上述の実施例2,3においても同様である。"