"[A]下記式1で表される基を有する化合物を含有するレジスト下層膜形成用組成物。式1中、Rは、炭素数1~30の1価の有機基である。但し、この有機基は、隣接する硫黄原子側の末端に酸素原子を含まない。は、結合手を示す。[A]化合物が、芳香環及びヘテロ芳香環からなる群より選ばれる少なくとも1種の環を有し、上記式1で表される基ので示される結合手が、これらの環に直接又は酸素原子を介して結合している請求項1に記載のレジスト下層膜形成用組成物。上記式1におけるRが、置換基を有していてもよいアリール基、及び置換基を有していてもよいヘテロアリール基からなる群より選ばれる少なくとも1種の基である請求項1又は請求項2に記載のレジスト下層膜形成用組成物。[A]化合物が、下記式2で表される部分構造を有する請求項1、請求項2又は請求項3に記載のレジスト下層膜形成用組成物。式2中、Qは、芳香環又はヘテロ芳香環である。Rは、上記式1と同義である。Yは、単結合又は酸素原子である。n0は、1以上の整数である。R1は、1価の有機基である。m0は、0以上の整数である。但し、R、Y及びR1がそれぞれ複数の場合、複数のR、Y及びR1はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。[A]化合物が、重合体である請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成用組成物。上記重合体が、ノボラック樹脂、レゾール樹脂、スチレン樹脂、アセナフチレン樹脂及びポリアリーレン樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種の樹脂である請求項5に記載のレジスト下層膜形成用組成物。[A]化合物が、架橋性化合物である請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成用組成物。[B]溶媒をさらに含有する請求項1から請求項7のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成用組成物。請求項1から請求項8のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成用組成物から形成されるレジスト下層膜。1請求項1から請求項8のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成用組成物を、被加工基板上に塗布して塗膜を形成する工程、及び2上記塗膜を加熱して、レジスト下層膜を形成する工程を有するレジスト下層膜の形成方法。本発明はこれらの不都合に鑑みてなされたものであり、その目的は、曲がり耐性に優れ、パターン転写性能が高く、かつエッチング耐性にも優れるレジスト下層膜を形成することができ、さらにレジスト下層膜形成時のアウトガスの臭気を抑制できるレジスト下層膜形成用組成物を提供することである。上記課題を解決するためになされた発明は、[A]下記式1で表される基を有する化合物以下、[A]化合物ともいうを含有するレジスト下層膜形成用組成物である。式1中、Rは、炭素数1~30の1価の有機基である。但し、この有機基は、隣接する硫黄原子側の末端に酸素原子を含まない。は、結合手を示す。本発明のレジスト下層膜形成用組成物は、上記式1で表される基以下、有機スルホニル基ともいうを有する[A]化合物を含有することで、曲がり耐性及びエッチング耐性に優れるレジスト下層膜を形成することができる。また、その結果、被加工基板へのパターン転写性能を高めることができる。当該レジスト下層膜形成用組成物が、有機スルホニル基を有する[A]化合物を含有することで、上記特性を発揮する理由については、必ずしも明らかではないが、この有機スルホニル基の存在が、レジスト下層膜のエッチングガスに対する強度を向上させることがわかってきている。また、当該レジスト下層膜形成用組成物によれば、レジスト下層膜形成時のアウトガスの臭気を抑制することができる。これは、[A]重合体中に硫黄原子が酸素原子と結合したスルホニル基として含まれることで、揮発性の高い硫黄含有物質を生成しにくいためと考えられる。[A]化合物が、芳香環及びヘテロ芳香環からなる群より選ばれる少なくとも1種の環を有し、上記式1で表される基ので示される結合手が、これらの環に直接又は酸素原子を介して結合していることが好ましい。当該レジスト下層膜形成用組成物によれば、有機スルホニル基が上記特定の位置に結合していることで、得られるレジスト下層膜の曲がり耐性及びエッチング耐性がより向上する。また、上記構造を有する[A]化合物は、熱硬化性樹脂や架橋性化合物として広く用いられているフェノール性化合物等から簡便に合成することができる。上記式1におけるRは、置換基を有していてもよいアリール基、及び置換基を有していてもよいヘテロアリール基からなる群より選ばれる少なくとも1種の基であることが好ましい。当該レジスト下層膜形成用組成物によれば、[A]化合物が上記特定構造の基を含む有機スルホニル基を有することで、得られるレジスト下層膜の曲がり耐性及びエッチング耐性をさらに向上させることができる。また上記構造を有する[A]化合物は、入手容易な有機スルホニル化試薬を用いて簡便に合成することができる。[A]化合物は、下記式2で表される部分構造を有することが好ましい。式2中、Qは、芳香環又はヘテロ芳香環である。Rは、上記式1と同義である。Yは、単結合又は酸素原子である。n0は、1以上の整数である。R1は、1価の有機基である。m0は、0以上の整数である。但し、R、Y及びR1がそれぞれ複数の場合、複数のR、Y及びR1はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。当該レジスト下層膜形成用組成物によれば、[A]化合物が上記式2で表される部分構造を有することで、得られるレジスト下層膜の曲がり耐性及びエッチング耐性をさらに向上させることができる。[A]化合物は、重合体であることが好ましい。[A]化合物が重合体であると、得られるレジスト下層膜の曲がり耐性及びエッチング耐性がさらに向上する。上記重合体は、ノボラック樹脂、レゾール樹脂、スチレン樹脂、アセナフチレン樹脂及びポリアリーレン樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種の樹脂であることが好ましい。[A]化合物である重合体が上記特定の樹脂であることで、炭素含有率を高めることができ、曲がり耐性及びエッチング耐性をさらに向上させることができる。[A]化合物は、架橋性化合物であることも好ましい。[A]化合物が架橋性化合物であると、架橋反応によって、強度に優れるレジスト下層膜を形成することができ、その結果、レジスト下層膜の曲がり耐性及びエッチング耐性をさらに向上させることができる。当該レジスト下層膜形成用組成物は、[B]溶媒をさらに含有することが好ましい。当該レジスト下層膜形成用組成物は、[B]溶媒をさらに含有することで、レジスト下層膜形成の際の作業性を向上させることができる。本発明のレジスト下層膜は、当該レジスト下層膜形成用組成物から形成される。従って当該レジスト下層膜は、曲がり耐性及びエッチング耐性に優れ、その結果、被加工基板へのパターン転写性能にも優れる。本発明のレジスト下層膜の形成方法は、1当該レジスト下層膜形成用組成物を、被加工基板上に塗布して塗膜を形成する工程、及び2上記塗膜を加熱して、レジスト下層膜を形成する工程を有する。当該レジスト下層膜の形成方法によれば、曲がり耐性、エッチング耐性及びパターン転写性能に優れるレジスト下層膜を、下層膜形成時のアウトガスの臭気を抑制しつつ形成することができる。以上説明したように、本発明のレジスト下層膜形成用組成物によれば、曲がり耐性に優れ、パターン転写性能が高く、かつエッチング耐性にも優れるレジスト下層膜を、レジスト下層膜形成時のアウトガスの臭気を抑制しつつ形成することができる。以下、本発明のレジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びレジスト下層膜の形成方法の実施形態について、この順に説明する。<レジスト下層膜形成用組成物>当該レジスト下層膜形成用組成物は、[A]化合物を含有し、[B]溶媒を好適成分として含有し、さらに、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の任意成分を含有していてもよい。以下、各成分について説明する。<[A]化合物>[A]化合物は、上記式1で表される基を有する化合物である。当該レジスト下層膜形成用組成物は、上記式1で表される有機スルホニル基を有する[A]化合物を含有することで、曲がり耐性及びパターン転写性能に優れ、かつエッチング耐性にも優れるレジスト下層膜を形成することができる。また、レジスト下層膜の形成時に発生するアウトガス中の硫黄含有成分を低減でき、臭気を抑制することができる。当該レジスト下層膜形成用組成物が、[A]化合物を含有することで、上記特性を発揮する理由については、必ずしも明らかではないが、[A]化合物に含まれる有機スルホニル基の存在が、レジスト下層膜のエッチングガスに対する強度を向上させることがわかってきている。また、当該レジスト下層膜形成用組成物によれば、レジスト下層膜形成時のアウトガスの臭気を低減することができる。これは、[A]重合体が、硫黄分としてチオフェン骨格等を有する有機基ではなく、硫黄原子がスルホニル基として含まれるため、揮発性の高い硫黄含有物質を生成しにくいためと考えられる。上記式1中、Rは、炭素数1~30の1価の有機基である。但し、この有機基は、隣接する硫黄原子側の末端に酸素原子を含まない。は、結合手を示す。上記Rで表される1価の有機基としては、例えば炭素数1~30のアルキル基、炭素数2~30のアルケニル基、炭素数2~30のアルキニル基、炭素数3~30のシクロアルキル基、炭素数3~30のシクロアルケニル基、炭素数8~30のシクロアルキニル基、炭素数6~30のアリール基、炭素数7~30のアラルキル基、炭素数3~30の複素環式基等が挙げられる。これらのアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、シクロアルキニル基、アリール基、アラルキル基及び複素環式基の水素原子の一部又は全部が置換基で置換されていてもよい。上記置換基としては、例えば、炭素数1~10のアルキル基、炭素数3~10のシクロアルキル基、炭素数6~15のアリール基、炭素数7~15のアラルキル基、炭素数3~15の複素環式基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールカルボキシ基、アリールオキシカルボニル基、アミド基、アルキルアミド基、アリールアミド基等が挙げられる。上記炭素数1~30のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、直鎖状又は分岐状のプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル基、イコシル基等が挙げられる。上記炭素数2~30のアルケニル基としては、例えば、エテニル基、直鎖状又は分岐状のプロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ドデセニル基、テトラデセニル基、ヘキサデセニル基、イコセニル基等が挙げられる。上記炭素数2~30のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、直鎖状又は分岐状のプロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基、ヘプチニル基、オクチニル基、ノニニル基、デシニル基、ドデシニル基、テトラデシニル基、ヘキサデシニル基、イコシニル基等が挙げられる。上記炭素数3~30のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基、シクロイコシル基等の単環式基、ジシクロペンチル基、ジシクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、トリシクロデシル基、テトラシクロドデシル等の多環式基が挙げられる。上記炭素数3~30のシクロアルケニル基としては、例えば、シクロプロペニル基、シクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘプテニル基、シクロオクテニル基、シクロデセニル基、シクロイコセニル基等の単環式基;ジシクロペンテニル基、ジシクロヘキセニル基、ノルボルネニル基、トリシクロデシニル基、テトラシクロドデカニル基等の多環式基が挙げられる。上記炭素数8~30のシクロアルキニル基としては、例えば、シクロオクチニル基、シクロデシニル基、シクロイコシニル基等の単環式基;テトラシクロドデシニル基等の多環式基が挙げられる。上記炭素数6~30のアリール基としては、例えば、フェニル基、o-トリル基、m-トリル基、p-トリル基、o-エチルフェニル基、m-エチルフェニル基、p-エチルフェニル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基等が挙げられる。上記炭素数7~30のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。上記炭素数3~30の複素環式基としては、例えば、フラニル基、フルフリル基、イソベンゾフラニル基、ピロリル基、インドリル基、イソインドリル基、イミダゾリル基、チオフェニル基、ホスホリル基、ピラゾリル基、ピリジニル基、キノリニル基、ピラニル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ベンゾホスホリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基等のヘテロアリール基;テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロフルフリル基、テトラヒドロピラニル基、ピラニルメチル基、テトラヒドロピラニルメチル基、テトラヒドロチオフェニル基、ピロリジニル基、ピペリジニル基等の非ヘテロ芳香族系複素環式基等が挙げられる。これらのRの中で、上述したレジスト下層膜のエッチングガスに対する強度が効果的に向上すると考えられ、得られるレジスト下層膜の曲がり耐性及びエッチング耐性が向上する観点から、置換基を有していてもよい炭素数6~30のアリール基、炭素数7~30のアラルキル基、炭素数3~30の複素環式基が好ましく、置換基を有していてもよい炭素数6~30のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数3~30のヘテロアリール基がより好ましく、[A]化合物の合成容易性の観点から、フェニル基、トリル基、ナフチル基、チオフェニル基がさらに好ましい。上記式1で表される有機スルホニル基の具体例としては、例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、プロピルスルホニル基、ブチルスルホニル基、プロピルスルホニル基、ヘキシルスルホニル基、オクチルスルホニル基、デシルスルホニル基、ヘキサデシルスルホニル基、イコシルスルホニル基等のアルキルスルホニル基;エテニルスルホニル基、プロペニルスルホニル基等のアルケニルスルホニル基;エチニルスルホニル基、プロピニルスルホニル基等のアルキニルスルホニル基;シクロブチルスルホニル基、シクロペンチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、シクロオクチルスルホニル基、ノルボルニルスルホニル基、アダマンチルスルホニル基等のシクロアルキルスルホニル基;シクロペンチニルスルホニル基、シクロオクチニルスルホニル基、ノルボルネニルスルホニル基等のシクロアルケニルスルホニル基;シクロドデシニルスルホニル基、シクロドデシニルスルホニル基等のシクロアルキニルスルホニル基;フェニルスルホニル基、o-トリルスルホニル基、m-トリルスルホニル基、p-トリルスルホニル基、エチルフェニルスルホニル基、キシリルスルホニル基、メシチルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、アントリルスルホニル基、フェナントリルスルホニル基等のアリールスルホニル基;ベンジルスルホニル基、フェネチルスルホニル基等のアラルキルスルホニル基;フラニルスルホニル基、フルフリルスルホニル基、イソベンゾフラニルスルホニル基、ピロリルスルホニル基、インドリルスルホニル基、イソインドリルスルホニル基、イミダゾリルスルホニル基、チオフェニルスルホニル基、ホスホリルスルホニル基、ピラゾリルスルホニル基、ピリジニルスルホニル基、キノリニルスルホニル基、ピラニルスルホニル基、オキサゾリルスルホニル基、イソオキサゾリルスルホニル基、チアゾリルスルホニル基、ベンゾフラニルスルホニル基、ベンゾチオフェニルスルホニル基、ベンゾホスホリルスルホニル基、ベンゾイミダゾリルスルホニル基、ベンゾオキサゾリルスルホニル基、ベンゾイソオキサゾリルスルホニル基、ベンゾチアゾリルスルホニル基等のヘテロアリールスルホニル基;テトラヒドロフラニルスルホニル基、テトラヒドロフルフリルスルホニル基、テトラヒドロピラニルスルホニル基、ピラニルメチルスルホニル基、テトラヒドロピラニルメチルスルホニル基、テトラヒドロチオフェニルスルホニル基、ピロリジニルスルホニル基、ピペリジニルスルホニル基等の非ヘテロアリールスルホニル基等の複素環式基置換スルホニル基等が挙げられる。これらの中で、アリールスルホニル基、アルケニルスルホニル基、ヘテロアリールスルホニル基が好ましく、アリールスルホニル基、ヘテロアリールスルホニル基がより好ましく、その中でもフェニルスルホニル基、p-トリルスルホニル基、ナフチルスルホニル基及びチオフェニルスルホニル基がさらに好ましい。[A]化合物中の上記有機スルホニル基の数は特に限定されず、1個でもよく、2個以上でもよい。曲がり耐性及びエッチング耐性をより向上させる観点からは、[A]化合物中の上記有機スルホニル基の存在割合の下限としては0.0005モル/gが好ましく、0.001モル/gがより好ましく、0.003モル/gがさらに好ましく、0.005モル/gが特に好ましい。[A]化合物の有する上記有機スルホニル基は、1種類でもよく、複数種でもよい。[A]化合物中、上記有機スルホニル基の結合する場所としては特に限定されないが、曲がり耐性、パターン転写性能及びエッチング耐性が向上する観点から、[A]化合物が芳香環及びヘテロ芳香環からなる群より選ばれる少なくとも1種の環を有し、上記式1で表される基ので示される結合手が、これらの環に直接又は酸素原子を介して結合していることが好ましい。すなわち、[A]化合物は上記式2で表される部分構造を有することが好ましい。上記式2中、Qは、芳香環又はヘテロ芳香環である。Rは、上記式1と同義である。Yは、単結合又は酸素原子である。n0は、1以上の整数である。R1は、1価の有機基である。m0は、0以上の整数である。但し、R、Y及びR1がそれぞれ複数の場合、複数のR、Y及びR1はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。上記Qで表される芳香環としては、例えば、ベンゼン環が挙げられる。また、上記Qで表されるヘテロ芳香環としては、例えば、フラン環、ピロール環、チオフェン環、ホスホール環、ピラゾール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環等が挙げられる。上記n0としては、1~5の整数が好ましく、1~3の整数がより好ましく、1又は2がさらに好ましい。上記m0としては、0~5の整数が好ましく、0~3の整数がより好ましく、0~2の整数がさらに好ましい。上記R1で表される1価の有機基の例としては、例えば、上記式1のRで表される1価の有機基の例が挙げられる。上記式2で表される部分構造における芳香環及びヘテロ芳香環は、この部分構造以外の他の部分構造と共有結合を形成していてもよいし、他の部分構造中のベンゼン環又はヘテロ芳香環等と縮環していてもよい。[A]化合物としては、重合体以下、[A1]重合体ともいうであることが好ましい。また、架橋性化合物以下、[A2]架橋性化合物ともいうであることも好ましい。以下、[A1]重合体、[A2]架橋性化合物の順に説明する。<[A1]重合体>[A1]重合体は、上記式1で表される基を有する重合体である。[A1]重合体が上記有機スルホニル基を有することで、得られるレジスト下層膜の強度が向上し、その結果、曲がり耐性及びエッチング耐性がより向上する。[A1]重合体としては、有機スルホニル基を有する重合体であれば、特に限定されないが、炭素含有率を高めることができ、曲がり耐性及びエッチング耐性がより向上する観点から、芳香環を含む重合体が好ましい。上記芳香環を含む重合体としては、例えば、ノボラック樹脂、レゾール樹脂、スチレン樹脂、アセナフチレン樹脂、ポリアリーレン樹脂等が挙げられる。また、上記芳香環を含む重合体としては、具体的には、下記式aで表される構造単位を有する重合体等が挙げられる。上記式a中、Arは、mAnApA1価の芳香族基である。Y0は、それぞれ独立して、単結合、酸素原子又は-NR’-である。但し、R’は、水素原子又は1価の有機基である。R10は、上記式1のRと同義である。R20は、それぞれ独立して、ヒドロキシル基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~10のアルコキシカルボニル基、炭素数6~14のアリール基、グリシジルエーテル基又はアルキルグリシジルエーテル基である。このアルキルグリシジルエーテル基のアルキル部位の炭素数は1~6である。これらのアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アリール基、グリシジルエーテル基及びアルキルグリシジルエーテル基の水素原子の一部又は全部は置換基で置換されていてもよい。Z0は、単結合、メチレン基、炭素数2~20のアルキレン基、炭素数6~14のアリーレン基、又はオキシアルキレン基である。これらのメチレン基、アルキレン基、アリーレン基及びオキシアルキレン基の水素原子の一部又は全部は置換基で置換されていてもよい。pAは、Z0がArに結合している結合数を示し、1~6の整数である。mAは、0~6の整数である。nAは、1~6の整数である。は結合手を示す。Arで表されるmAnApA1価の芳香族基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、インデン環、フルオレニリデンビフェニル環等のベンゼン系芳香環、フラン環、ピロール環、チオフェン環、ホスホール環、ピラゾール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環等の複素芳香環等からmAnApA1個の水素原子を除いた基を挙げることができる。上記式aで表される構造単位を有する重合体としては、例えば、下記式a1で表される構造単位、式a2で表される構造単位を有する重合体等が挙げられる。上記式a1及びa2中、Y1及びY2は、それぞれ独立して、単結合、酸素原子又は-NR’-である。上記R’は、水素原子又は1価の有機基である。R11及びR12は、上記式1のRと同義である。n1は、1~6の整数である。n2は、1~4の整数である。n1及びn2がそれぞれ2以上の場合、複数のY1及びR11並びにY2及びR12はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。R21及びR22は、それぞれ独立して、ヒドロキシル基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~10のアルコキシカルボニル基、炭素数6~14のアリール基、グリシジルエーテル基又はアルキルグリシジルエーテル基である。このアルキルグリシジルエーテル基のアルキル部位の炭素数は1~6である。これらのアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アリール基、グリシジルエーテル基及びアルキルグリシジルエーテル基の水素原子の一部又は全部は置換基で置換されていてもよい。m1は、0~6の整数である。m2は、0~4の整数である。但し、m1及びm2がそれぞれ2以上の場合、複数のR21及びR22はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Z1及びZ2は、単結合、メチレン基、炭素数2~20のアルキレン基、炭素数6~14のアリーレン基、又はオキシアルキレン基である。これらのメチレン基、アルキレン基、アリーレン基及びオキシアルキレン基の水素原子の一部又は全部は置換基で置換されていてもよい。p1は、Z1が芳香環に結合している結合数を示し、1~8の整数である。p2は、Z2が芳香環に結合している結合数を示し、1~4の整数である。p1及びp2がそれぞれ2以上の場合、複数のZ1及びZ2はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。また、p1及びp2がそれぞれ2以上の場合、Z1及びZ2が芳香環に2つ以上結合していることを示し、芳香環を有する重合体が分岐構造又は網目構造を有することを表す。n1、m1及びp1は、1≦n1m1p1≦8を、n2、m2及びp2は1≦n2m2m2≦8をそれぞれ満たす。は結合手を示す。上記Y1及びY2の-NR’-におけるR’で表される1価の有機基としては、例えば炭素数1~10のアルキル基、炭素数3~10のシクロアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基等が挙げられる。上記R21及びR22で表される炭素数1~6のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等が挙げられる。上記R21及びR22で表される炭素数1~6のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基、2-プロピニルオキシ基等が挙げられる。上記R21及びR22で表される炭素数2~10のアルコキシカルボニル基としては、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチルプロポキシカルボニル基、1-メチルプロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基等が挙げられる。上記R21及びR22で表される炭素数6~14のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。上記R21及びR22で表されるアルキルグリシジルエーテル基としては、例えば、メチルグリシジルエーテル基、エチルグリシジルエーテル基、プロピルグリシジルエーテル基、ブチルグリシジルエーテル基等が挙げられる。上記Z1及びZ2で表される炭素数2~20のアルキレン基としては、例えば、エチレン基;1,3-プロピレン基、1,2-プロピレン基等のプロピレン基;テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、1-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチル-1,2-プロピレン基、1-メチル-1,4-ブチレン基、2-メチル-1,4-ブチレン基等が挙げられる。上記Z1及びZ2で表される炭素数6~14のアリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、フェナントリレン基等が挙げられる。上記Z1及びZ2で表されるオキシアルキレン基のアルキレン鎖の炭素数は2~20が好ましい。このようなオキシアルキレン基としては、例えば、オキシエチレン基;1,3-オキシプロピレン基、1,2-オキシプロピレン基等のオキシプロピレン基;オキシテトラメチレン基、オキシペンタメチレン基、オキシヘキサメチレン基等が挙げられる。上記R20、R21、R22、Z0、Z1及びZ2は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素数1~9のアルキル基、炭素数6~22のアリール基等が挙げられる。上記ハロゲン原子としては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。上記炭素数1~9のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等が挙げられる。上記炭素数6~22のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。ノボラック樹脂としては、例えば、フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシノール、ビスフェノールA、p-tert-ブチルフェノール、p-オクチルフェノール等のフェノール類、α-ナフトール、β-ナフトール、1,5-ジヒドロキシナフタレン、2,7-ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類からなる群より選ばれる1種又は2種以上のフェノール性化合物と、アルデヒド類またはジビニル化合物等とを酸性触媒等を用いて反応させて得られる樹脂が挙げられる。上記アルデヒド類としては、ホルムアルデヒド等のアルデヒド;パラホルムアルデヒド、トリオキサン等のアルデヒド源等が挙げられる。ジビニル化合物類としては、例えば、ジビニルベンゼン、ジシクロペンタジエン、テトラヒドロインデン、4-ビニルシクロヘキセン、5-ビニルノボルナ-2-エン、α-ピネン、β-ピネン、リモネン、5-ビニルノルボルナジエン等が挙げられる。レゾール樹脂としては、例えば、上記フェノール性化合物と、上記アルデヒド類とをアルカリ性触媒を用いて反応させて得られる重合体等が挙げられる。スチレン樹脂としては、例えば、下記式a3で表される構造単位を有する重合体等が挙げられる。上記式a3中、Y3は、単結合、酸素原子又は-NR’-である。R’は1価の有機基である。R13は、上記式1におけるRと同義である。n3は、1~5の整数である。n3が2以上の場合、複数のY3及びR13はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。R23は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基又はアリールオキシカルボニル基である。m3は、0~4の整数である。m3が2以上の場合、複数のR23は同一でも異なっていてもよい。n3及びm3は、1≦n3m3≦5を満たす。上記Y3の-NR’-におけるR’で表される1価の有機基の例としては、例えば、上記式a2におけるY1のR’と同じ基等が挙げられる。上記R23で表されるアルキル基としては、例えば、炭素数1~10のアルキル基が挙げられ、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等が挙げられる。上記R23で表されるアリール基としては、炭素数6~30のアリール基が挙げられ、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。上記スチレン樹脂は、上記式a3で表される構造単位以外に、他の構造単位を有していてもよい。また、他の構造単位が上記有機スルホニル基を有していてもよい。上記他の構造単位を与える単量体としては特に限定されず、種々の重合性不飽和結合を有する化合物が挙げられる。このような重合性不飽和結合を有する化合物としては、例えば、α-メチルスチレン等のスチレン系単量体、メタアクリロニトリル、メタアクリル酸、メタアクリル酸メチル等のメタアクリル酸エステル、メタアクリルアミド等のアクリル系単量体;エチルビニルエーテル等のビニルエーテル類、無水マレイン酸、酢酸ビニル、ビニルピリジン等が挙げられる。また、これらに有機スルホニル基が結合した単量体も好適に用いられる。上記スチレン樹脂中の他の構造単位の含有割合としては、スチレン樹脂を構成する全構造単位に対して、50モル未満が好ましく、40モル未満がさらに好ましい。上記スチレン樹脂の重合度、すなわち、上記式a3で表される構造単位及び他の構造単位の総数としては、5以上200以下が好ましく、10以上150以下がより好ましい。上記スチレン樹脂特にポリビニルフェノール系の重合体を形成するための前駆重合体としては、市販品を用いることもでき、例えば丸善石油化学製のマルカリンカーMポリ-p-ビニルフェノール、リンカーMB臭素化ポリ-p-ビニルフェノール、リンカーCMMp-ビニルフェノール/メタクリル酸メチル共重合体、リンカーCHMp-ビニルフェノール/メタクリル酸2-ヒドロキシエチル共重合体、リンカーCSTp-ビニルフェノール/スチレン共重合体等が挙げられる。アセナフチレン樹脂としては、例えば、下記式a4で表される構造単位を有する重合体等が挙げられる。上記式a4中、Y4は、単結合、酸素原子又は-NR’-である。R’は、1価の有機基である。R14は、上記式1におけるRと同義である。n4は、1~6の整数である。n4が2以上の場合、複数のY4及びR14はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。R24及びR25は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~10のアルコキシカルボニル基又は炭素数6~14のアリール基である。これらのアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基及びアリール基の水素原子の一部又は全部は置換基で置換されていてもよい。R26は、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~10のアルコキシカルボニル基又は炭素数6~14のアリール基である。これらのアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基及びアリール基の水素原子の一部又は全部は置換基で置換されていてもよい。m4は、0~5の整数である。m4が2以上の場合、複数のR26は、同一でも異なっていてもよい。上記R24~R26で表される炭素数1~6のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等が挙げられる。上記R24~R26で表される炭素数1~6のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基等が挙げられる。上記R24~R26で表される炭素数2~10のアルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチルプロポキシカルボニル基、1-メチルプロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基等が挙げられる。上記R24~R26で表される炭素数6~14のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。上記R24及びR25で表されるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。上記R24~R26が有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素数1~9のアルキル基、炭素数6~22のアリール基等が挙げられる。上記ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。上記炭素数1~9のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等が挙げられる。上記炭素数6~22のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。上記アセナフチレン樹脂は、アセナフチレン骨格を有する化合物をラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等により、塊状重合、溶液重合等の適宜の重合形態で重合することによって得ることができる。また、特開2002-296789号公報の段落[0008]~[0031]に記載されているように、アセナフチレン骨格を有する化合物の重合体に、酸性条件下でパラホルムアルデヒドを反応させる等して得ることもできる。上記ポリアリーレン樹脂としては、ポリアリーレンエーテル、ポリアリーレンスルフィド、ポリアリーレンエーテルスルホン、ポリアリーレンエーテルケトン等が挙げられる。[A1]重合体のポリスチレン換算重量平均分子量Mwとしては、500~100,000が好ましく、1,000~50,000がより好ましく、1,200~40,000がさらに好ましい。[A1]重合体のポリスチレン換算数平均分子量Mnとしては、400~80,000が好ましく、800~40,000がより好ましく、1,000~35,000がさらに好ましい。[A1]重合体のMwとMnとの比Mw/Mn比は、通常1~5であり、より好ましくは1~3である。なお、これらのMw及びMnの値は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCにより、単分散ポリスチレンを標準試料として測定することにより求めることができる。また、本発明のレジスト下層膜形成用樹脂組成物は、[A1]重合体を1種のみ含有していてもよいし、2種以上含有していてもよい。<[A2]架橋性化合物>[A2]架橋性化合物は、上記式1で表される基を有する架橋性化合物である。[A2]架橋性化合物は、上記有機スルホニル基を有することで、得られるレジスト下層膜の強度が架橋反応により向上し、その結果、曲がり耐性及びエッチング耐性がより向上する。[A2]架橋性化合物は、上記有機スルホニル基を有し、架橋性官能基を少なくとも1個有する限り、特に限定されない。架橋性官能基とは、架橋性官能基同士、又は架橋性官能基と他の官能基との反応によって、架橋性化合物同士、又は架橋性化合物と他の化合物との間を架橋する架橋結合を形成可能な官能基を意味する。上記架橋性官能基としては、例えば、メチロール基、アルコキシメチル基及びアシロキシメチル基から選ばれる少なくとも1種の基が結合したアミノ基等の窒素原子含有基;エポキシ基、チオエポキシ基等の複素3員環及び複素4員環含有基;イソシアネート基、アジド基、アルケニルエーテル基等の不飽和結合を有する基;ヒドロキシアリール基等のヒドロキシル基含有基等が挙げられる。上記架橋性化合物としては、上記メチロール基等が窒素原子に結合したメラミン化合物、グアナミン化合物、グリコールウリル化合物及びウレア化合物、エポキシ化合物、チオエポキシ化合物、イソシアネート化合物、アジド化合物、アルケニルエーテル化合物、フェノール性化合物等が挙げられる。上記架橋性化合物は、低分子量の化合物であってもよいが、重合体の側鎖にペンダント基として架橋性官能基を導入したものであってもよい。[A2]架橋性化合物としては、例えば、下記式で表される化合物等が挙げられる。上記式中、Rは、上記式1と同義である。当該レジスト下層膜形成用樹脂組成物は、[A2]架橋性化合物を1種のみ含有していてもよいし、2種以上含有していてもよい。当該レジスト下層膜形成用組成物においては、[A1]重合体と[A2]架橋性化合物とを併用してもよい。当該レジスト下層膜形成用組成物における[A]化合物の含有量としては、得られるレジスト下層膜の強度を向上する観点から、当該レジスト下層膜形成用組成物中の全固形分すなわち後述する[B]溶媒以外の成分の合計含有量に対して、[A]化合物の含有量の割合が10質量以上が好ましく、30質量以上がより好ましい。<[A]化合物の合成方法>上記有機スルホニル基を有する[A]化合物は、例えば、ヒドロキシル基を有する化合物と、有機スルホニル化用化合物とを、ピリジン等の塩基の存在下に反応させることにより得ることができる。上記式r-1及びr-2中、Rは、上記式1と同義である。Xは、ハロゲン原子又はヒドロキシル基である。上記式r-1中、Rxは、重合体の構造単位を表す。nは1以上の整数である。na及びnbは、それぞれ独立して、0以上の整数である。na及びnbは、nanb=nを満たす。上記式r-2中、Ryは、1価の有機基である。[A1]重合体は、例えば、上記式r-1で表されるように、ヒドロキシル基を有する重合体にR-SO2-Xで表される有機スルホニル化試薬を反応させることにより得ることができる。また、[A2]架橋性化合物等は、例えば、上記式r-2で表されるように、ヒドロキシル基を有する化合物Ry-OHに、R-SO2-Xで表される有機スルホニル化試薬を反応させることにより得ることができる。上記ヒドロキシル基を有する化合物の代わりに、例えば、アミノ基、アルキルアミノ基、メチロール基又はアルコキシメチル基が結合したアミノ基等を有する化合物を用いることにより、窒素原子に有機スルホニル基が結合した[A]化合物を得ることができる。なお、[A1]重合体は、上記式r-2において、不飽和結合等の重合性官能基を含むRyを有するヒドロキシル化合物を用いて、有機スルホニル基含有単量体を得、それをラジカル重合等により重合させることにより合成することができる。<[B]溶媒>当該レジスト下層膜形成用組成物は、通常、溶媒を含有する。[B]溶媒としては、[A]化合物を溶解し得るものであれば特に限定されない。[B]溶媒としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ-n-プロピルエーテル、エチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類;エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ-n-プロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ-n-ブチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル等のジエチレングリコールジアルキルエーテル類;トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル等のトリエチレングリコールジアルキルエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ-n-プロピルエーテル、プロピレングリコールモノ-n-ブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類;プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジ-n-プロピルエーテル、プロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル等のプロピレングリコールジアルキルエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエテルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ-n-プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ-n-ブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-プロピル、乳酸i-プロピル、乳酸n-ブチル、乳酸i-ブチル等の乳酸エステル類;ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸n-プロピル、ギ酸i-プロピル、ギ酸n-ブチル、ギ酸i-ブチル、ギ酸n-アミル、ギ酸i-アミル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸i-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、酢酸n-アミル、酢酸i-アミル、酢酸n-ヘキシル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n-プロピル、プロピオン酸i-プロピル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸i-ブチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸n-プロピル、酪酸i-プロピル、酪酸n-ブチル、酪酸i-ブチル等の脂肪族カルボン酸エステル類;ヒドロキシ酢酸エチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、3-メトキシ-2-メチルプロピオン酸メチル、2-ヒドロキシ-3-メチル酪酸メチル、メトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-メトキシプロピルアセテート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルプロピオネート、3-メチル-3-メトキシブチルブチレート、アセト酢酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等の他のエステル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類;N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン等のアミド類;γ-ブチロラクトン等のラクトン類等が挙げられる。これらの[B]溶媒の中でも、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸エステル類、脂肪族カルボン酸エステル類、他のエステル類、ケトン類、ラクトン類が好ましく、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、酢酸n-ブチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、2-ヘプタノン、シクロヘキサノン、γ-ブチロラクトンがより好ましく、シクロヘキサノンがさらに好ましい。なお、[B]溶媒は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。当該レジスト下層膜形成用組成物における[B]溶媒の含有量としては、得られるレジスト下層膜形成用組成物の全固形分濃度が、通常1~80質量、好ましくは3~40質量、さらに好ましくは5~30質量となる範囲である。<その他の任意成分>当該レジスト下層膜形成用樹脂組成物には、本発明の効果を損なわない限り、必要に応じて、さらに、[C]その他の架橋剤、[D]酸発生剤、[E]促進剤、[F]添加剤等を含有させることができる。これらの中でも、[E]促進剤が配合されていることが好ましい。<[C]その他の架橋剤>当該レジスト下層膜形成用組成物は、上記[A2]架橋性化合物以外に、その他の架橋剤を含有することができる。[C]その他の架橋剤の例としては、例えば、上記[A2]架橋性化合物における例において、上記式1で表される有機スルホニル基を有さない化合物等が挙げられる。<[D]酸発生剤>[D]酸発生剤は、露光又は加熱により酸を発生する成分である。当該レジスト下層膜形成用組成物は、この[D]酸発生剤を含有することにより、常温を含む比較的低温で、[A]化合物の分子鎖間に、より有効に架橋反応を進行させることが可能となる。露光により酸を発生する酸発生剤以下、光酸発生剤ともいうとしては、例えば特開2004-168748号公報における段落[0077]~[0081]に記載のもの等が挙げられる。これらの光酸発生剤の中でも、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムピレンスルホネート、ジフェニルヨードニウムn-ドデシルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウムナフタレンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムn-ドデシルベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムナフタレンスルホネートが好ましい。なお、これらの光酸発生剤は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、加熱により酸を発生する酸発生剤以下、熱酸発生剤というとしては、例えば、2,4,4,6-テトラブロモシクロヘキサジエノン、ベンゾイントシレート、2-ニトロベンジルトシレート、アルキルスルホネート類等が挙げられる。なお、これらの熱酸発生剤は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、[D]酸発生剤としては、光酸発生剤と熱酸発生剤とを併用してもよい。当該レジスト下層膜形成用組成物における[D]酸発生剤の含有量としては、[A]化合物100質量部に対して、通常、5,000質量部以下、好ましくは0.1質量部~1,000質量部、さらに好ましくは0.1質量部~100質量部である。<[E]促進剤>[E]促進剤としては、酸化架橋に必要な脱水素反応を十分に引き起こすための1電子酸化剤等が挙げられる。1電子酸化剤とは、それ自身が1電子移動を受ける酸化剤を意味する。例えば、硝酸セリウムIVアンモニウムの場合、セリウムイオンIVが1電子を得てセリウムイオンIIIへと変化する。また、ハロゲン等のラジカル性の酸化剤は、1電子を得てアニオンへと転化する。このように、1電子を被酸化物基質や触媒等から奪うことにより、被酸化物を酸化する現象を1電子酸化と称し、この時1電子を受け取る成分を一電子酸化剤という。1電子酸化剤の例として、a金属化合物、b過酸化物、cジアゾ化合物、dハロゲン又はハロゲン酸等が挙げられる。上記a金属化合物としては、例えば、セリウム、鉛、銀、マンガン、オスミウム、ルテニウム、バナジウム、タリウム、銅、鉄、ビスマス、ニッケルを含む金属化合物等が挙げられる。このような金属化合物としては、例えば、a1硝酸セリウムIVアンモニウムCAN;ヘキサニトラトセリウムIV酸アンモニウム、酢酸セリウムIV、硝酸セリウムIV、硫酸セリウムIV等のセリウム塩例えば、四価のセリウム塩、a2四酢酸鉛、酸化鉛IV等の鉛化合物例えば、四価の鉛化合物、a3酸化銀I、酸化銀II、炭酸銀Fetizon試薬、硝酸銀等の銀化合物、a4過マンガン酸塩、活性二酸化マンガン、マンガンIII塩等のマンガン化合物、a5四酸化オスミウム等のオスミウム化合物、a6四酸化ルテニウム等のルテニウム化合物、a7VOCl3、VOF3、V2O5、NH4VO3、NaVO3等のバナジウム化合物、a8酢酸タリウムIII、トリフルオロ酢酸タリウムIII、硝酸タリウムIII等のタリウム化合物、a9酢酸銅II、銅IIトリフルオロメタンスルホネート、銅IIトリフルオロボレート、塩化銅II、酢酸銅I等の銅化合物、a10塩化鉄III、ヘキサシアノ鉄III酸カリウム等の鉄化合物、a11ビスマス酸ナトリウム等のビスマス化合物、a12過酸化ニッケル等のニッケル化合物等が挙げられる。上記b過酸化物としては、例えば、過酢酸、m-クロロ過安息香酸等の過酸;過酸化水素や、t-ブチルヒドロペルオキシド等のアルキルヒドロキシペルオキシド等のヒドロキシペルオキシド類;過酸化ジアシル、過酸エステル、過酸ケタール、ペルオキシ二炭酸塩、過酸化ジアルキル、過酸ケトン等が挙げられる。上記cジアゾ化合物としては、例えば、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル等が挙げられる。上記dハロゲン又はハロゲン酸としては、例えば、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン;過ハロゲン酸、ハロゲン酸、亜ハロゲン酸、次亜ハロゲン酸及びこれらの塩等が挙げられる。なお、ハロゲン酸におけるハロゲンとしては、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。また、ハロゲン酸若しくはその塩となる化合物としては、例えば、過塩素酸ナトリウム、臭素酸ナトリム等が挙げられる。これらの1電子酸化剤の中でも、b過酸化物、cジアゾ化合物が好ましく、特に、m-クロロ過安息香酸、t-ブチルヒドロペルオキシド、2,2’-アゾビスイソブチロニトリルが好ましい。これらを用いた場合には、基板上に金属残留物等が付着するおそれがないので好ましい。なお、[E]促進剤は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。当該レジスト下層膜形成用組成物における[E]促進剤の含有量としては、[A]化合物100質量部に対し、通常、1,000質量部以下、好ましくは0.01質量部~500質量部、より好ましくは0.1質量部~100質量部である。<[F]添加剤>[F]添加剤としては、例えば、特開2004-168748号公報における段落[0088]~[0093]に記載のもの等を用いることができる。[F]添加剤としては、例えば、バインダー樹脂、放射線吸収剤、界面活性剤、保存安定剤、消泡剤、接着助剤等が挙げられる。バインダー樹脂としては、種々の熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂[A1]重合体を除くを使用することができる。熱可塑性樹脂は、添加した熱可塑性樹脂の流動性や機械的特性等を下層膜に付与する作用を有する成分である。また、熱硬化性樹脂は、加熱により硬化して溶媒に不溶となり、得られるレジスト下層膜と、その上に形成されるレジスト被膜との間のインターミキシングを防止する作用を有する成分であり、バインダー樹脂として好ましく使用することができる。これらのなかでも、尿素樹脂類、メラミン樹脂類、芳香族炭化水素樹脂類等の熱硬化性樹脂が好ましい。これらのバインダー樹脂は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。バインダー樹脂の含有量としては、レジスト下層膜形成用組成物における[A]化合物100質量部に対し、通常、20質量部以下、好ましくは10質量部以下である。上記放射線吸収剤の含有量としては、レジスト下層膜形成用組成物の[A]化合物100質量部に対し、通常、100質量部以下、好ましくは50質量部以下である。上記界面活性剤は、塗布性、ストリエーション、ぬれ性、現像性等を改良する作用を有する成分である。これらの界面活性剤は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。界面活性剤の含有量としては、レジスト下層膜形成用樹脂組成物の[A]重合体100質量部当たり、通常、15質量部以下、好ましくは10質量部以下である。<レジスト下層膜形成用組成物の調製方法>当該レジスト下層膜形成用組成物は、例えば、[A]重合体及び必要に応じて任意成分を[B]溶媒に溶解させることにより調製することができる。溶解後、得られた溶液を孔径0.1μm程度のメンブランフィルター等でろ過することが好ましい。<レジスト下層膜>本発明のレジスト下層膜は、当該レジスト下層膜形成用組成物から形成される。当該レジスト下層膜は、曲がり耐性及びエッチング耐性に優れ、その結果、被加工基板へのパターン転写性能にも優れる。このレジスト下層膜は、多層レジストプロセスに好適に用いることができる。多層レジストプロセスは、被加工基板上にレジスト下層膜を形成し、レジスト下層膜上にレジストパターンを形成後、レジストパターンを一旦、レジスト下層膜に転写してレジスト下層膜パターンを形成した後、このレジスト下層膜パターンをエッチングマスクとして用いて被加工基板に転写するものである。レジスト下層膜の水素原子含量としては、0~50atomが好ましく、0~35atomがより好ましい。なお、レジスト下層膜における水素原子含量は、レジスト下層膜の炭素、水素及び窒素についての元素組成の測定によって求めることができる。<レジスト下層膜の形成方法>本発明のレジスト下層膜の形成方法は、1当該レジスト下層膜形成用組成物を、被加工基板上に塗布して塗膜を形成する工程、及び2上記塗膜を加熱して、レジスト下層膜を形成する工程を有する。上記被加工基板としては、例えば、シリコンウェハー、アルミニウムで被覆したウェハー等を使用することができる。また、被加工基板へのレジスト下層膜形成用組成物の塗布方法は特に限定されず、例えば、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の方法で実施することができる。上記塗膜の加熱は、通常、大気下で行われる。加熱温度としては、通常、300°C~500°Cであり、好ましくは350°C~450°C程度である。加熱温度が300°C未満である場合、酸化架橋が十分に進行せず、レジスト下層膜として必要な特性が発現しないおそれがある。加熱時間は通常、30秒~1200秒であり、好ましくは60秒~600秒である。塗膜硬化時の酸素濃度は5容量以上であることが好ましい。塗膜形成時の酸素濃度が低い場合、レジスト下層膜の酸化架橋が十分に進行せず、レジスト下層膜として必要な特性が発現できないおそれがある。上記塗膜を300°C~500°Cの温度で加熱する前に、60°C~250°Cの温度で予備加熱しておいてもよい。予備加熱における加熱時間は特に限定されないが、10秒~300秒であることが好ましく、より好ましくは30秒~180秒である。この予備加熱を行うことにより、溶媒を予め気化させて、膜を緻密にしておくことで、脱水素反応を効率良く進めることができる。当該レジスト下層膜の形成方法においては、通常、上記塗膜の加熱により塗膜が硬化され、レジスト下層膜が形成されるが、レジスト下層膜形成用組成物に所定の光硬化剤架橋剤を含有させることにより、加熱された塗膜に対する光照射工程を設けて、光硬化させ、レジスト下層膜を形成することもできる。この際に露光される放射線は、レジスト下層膜形成用組成物に配合されている[D]酸発生剤の種類等に応じて、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、電子線、γ線、分子線、イオンビーム等から適宜選択される。<パターン形成方法>当該レジスト下層膜形成用組成物を用いるパターン形成方法は、1当該レジスト下層膜形成用組成物を用いて、被加工基板の上側にレジスト下層膜を形成するレジスト下層膜形成工程以下、工程1ともいう、2上記レジスト下層膜上に、レジスト組成物を塗布してレジスト被膜を形成するレジスト被膜形成工程以下、工程2ともいう、3上記レジスト被膜に、選択的に放射線を照射してレジスト被膜を露光する露光工程以下、工程3ともいう、4露光された上記レジスト被膜を現像してレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程以下、工程4ともいう、及び5上記レジストパターンをマスクとして用い、上記レジスト下層膜及び上記被加工基板を順次ドライエッチングして、上記被加工基板に所定のパターンを形成するパターン形成工程以下、工程5ともいうを有する。工程1では、被加工基板の上側に、レジスト下層膜形成用組成物を用いてレジスト下層膜を形成する。なお、このレジスト下層膜の形成方法については、上述の説明をそのまま適用することができる。この工程1で形成されるレジスト下層膜の膜厚は、通常、0.05μm~5μmである。また、このパターン形成方法においては、工程1の後に、必要に応じて、レジスト下層膜上に中間層中間被膜を形成する工程1’をさらに有していてもよい。この中間層は、レジストパターン形成において、レジスト下層膜及び/又はレジスト被膜が有する機能をさらに補ったり、これらが有していない機能をこれらに与えたりするためにこれらの機能が付与された層のことである。例えば、反射防止膜を中間層として形成した場合、レジスト下層膜の反射防止機能をさらに補うことができる。この中間層は、有機化合物や無機酸化物により形成することができる。上記有機化合物としては、市販品として、例えば、DUV-42、DUV-44、ARC-28、ARC-29以上、BrewerScience製;AR-3、AR-19以上、ロームアンドハース製等が挙げられる。上記無機酸化物としては、市販品として、例えば、NFCSOG01、NFCSOG04、NFCSOG080以上、JSR製等が挙げられる。また、CVD法により形成されるポリシロキサン、酸化チタン、酸化アルミナ、酸化タングステン等を用いることができる。中間層を形成するための方法は特に限定されないが、例えば、塗布法やCVD法等を用いることができる。これらの中でも、塗布法が好ましい。塗布法を用いた場合、レジスト下層膜を形成後、中間層を連続して形成することができる。また、中間層の膜厚としては特に限定されず、中間層に求められる機能に応じて適宜選択されるが、10nm~3,000nmが好ましく、さらに好ましくは20nm~300nmである。工程2では、レジスト下層膜上に、レジスト組成物を塗布してレジスト被膜を形成する。具体的には、得られるレジスト被膜が所定の膜厚となるようにレジスト組成物を塗布した後、プレベークすることによって塗膜中の溶媒を揮発させることにより、レジスト被膜が形成される。上記レジスト組成物としては、例えば、光酸発生剤を含有するポジ型又はネガ型の化学増幅型レジスト組成物、アルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド系感光剤とからなるポジ型レジスト組成物、アルカリ可溶性樹脂と架橋剤とからなるネガ型レジスト組成物等が挙げられる。上記レジスト組成物の全固形分濃度としては、通常、1~50質量程度である。また、上記レジスト組成物は、一般に、例えば、孔径0.2μm程度のフィルターでろ過して、レジスト被膜の形成に供される。なお、この工程では、市販のレジスト組成物をそのまま使用することもできる。レジスト組成物の塗布方法としては特に限定されず、例えば、スピンコート法等が挙げられる。また、プレベークの温度としては、使用されるレジスト組成物の種類等に応じて適宜調整されるが、通常、30°C~200°C程度、好ましくは50°C~150°Cである。工程3では、上記レジスト被膜に、選択的に放射線を照射してレジスト被膜を露光する。露光に用いられる放射線としては、レジスト組成物に使用される光酸発生剤の種類に応じて、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、電子線、γ線、分子線、イオンビーム等から適切に選択される。これらの中で、遠紫外線が好ましく、KrFエキシマレーザー光248nm、ArFエキシマレーザー光193nm、F2エキシマレーザー光波長157nm、Kr2エキシマレーザー光波長147nm、ArKrエキシマレーザー光波長134nm、極紫外線波長13nm等等がより好ましい。なお、上記レジストパターン形成方法は、ナノインプリント法等の現像工程を経ないものであってもよい。上記露光後、解像度、パターンプロファイル、現像性等を向上させるため、ポストベークを行うことができる。このポストベークの温度は、使用されるレジスト組成物の種類等に応じて適宜調整されるが、通常、50°C~200°C程度、好ましくは70°C~150°Cである。工程4では、露光された上記レジスト被膜を現像してレジストパターンを形成する。この工程で用いられる現像液は、使用されるレジスト組成物の種類に応じて適宜選択される。現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネン等のアルカリ性水溶液が挙げられる。これらのアルカリ性水溶液には、例えば、メタノール、エタノール等のアルコール類などの水溶性有機溶媒、界面活性剤等を適量添加することもできる。上記現像液での現像後、洗浄し、乾燥することによって、所定のレジストパターンが形成される。工程5では、上記レジストパターンをマスクとして用い、上記レジスト下層膜及び上記被加工基板を順次ドライエッチングして、上記被加工基板に所定のパターンを形成する。このドライエッチングには、例えば、酸素プラズマ等のガスプラズマ等が用いられる。レジスト下層膜のドライエッチングの後、上記被加工基板をドライエッチングすることにより、所定のパターンを有する被加工基板が得られる。さらに、当該レジスト下層膜形成用組成物を用いるパターン形成方法としては、上述のパターン形成方法以外にも、例えば、ナノインプリント法等を用いたパターン形成方法等が挙げられる。以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。本実施例における物性値の測定は、下記方法に従い行った。[重量平均分子量Mw]重合体のMwは、GPCカラムG2000HXL:2本、G3000HXL:1本東ソー製を用い、流量1.0mL/分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度40°C、検出器:示差屈折計の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフにより測定した。<[A]化合物の合成>[合成例1]コンデンサー、温度計及び攪拌装置を備えた反応装置に、2,7-ジヒドロキシナフタレン100質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200質量部、及びパラホルムアルデヒド50質量部を仕込み、シュウ酸2質量部を添加し、脱水しながら120°Cに昇温した後、5時間反応させることにより、重合体a1-1を得た。その後、塩化パラトルエンスルホニル300質量部及びピリジン50質量部を加えることにより、縮合反応物である下記式A1-1で表される構造を有する重合体A1-1を得た。この重合体A1-1のMwは、3,000であった。[合成例2]コンデンサー、温度計及び攪拌装置を備えた反応装置に、2-ヒドロキシナフタレン100質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200質量部、及びパラホルムアルデヒド50質量部を仕込み、シュウ酸2質量部を添加し、脱水しながら120°Cに昇温した後、5時間反応させた。その後、塩化パラトルエンスルホニル300質量部及びピリジンを50質量部を加えることにより、縮合反応物である下記式A1-2で表される構造を有する重合体A1-2を得た。この重合体A1-2のMwは、3,000であった。[合成例3]コンデンサー、温度計及び攪拌装置を備えた反応装置に、フェノール100質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200質量部、及びパラホルムアルデヒド50質量部を仕込み、シュウ酸2質量部を添加し、脱水しながら120°Cに昇温した後、5時間反応させることにより、重合体a1-2を得た。その後、塩化パラトルエンスルホニル300質量部及びピリジンを50質量部を加えることにより、縮合反応物である下記式A1-3で表される構造を有する重合体A1-3を得た。この重合体A1-3のMwは、5,000であった。[合成例4]コンデンサー、温度計及び攪拌装置を備えた反応装置に、フェノール100質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200質量部、及びパラホルムアルデヒド50質量部を仕込み、シュウ酸2質量部を添加し、脱水しながら120°Cに昇温した後、5時間反応させた。その後、2-チオフェンスルホニルクロリド300質量部及びピリジン50質量部を加えることにより、縮合反応物である下記式A1-4で表される構造を有する重合体A1-4を得た。この重合体A1-4のMwは、5,000であった。[合成例5]コンデンサー、温度計及び攪拌装置を備えた反応装置に、p-ヒドロキシスチレン100質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテル200質量部、及びパラホルムアルデヒド50質量部を仕込み、シュウ酸2質量部を添加し、脱水しながら120°Cに昇温した後、5時間反応させた。その後、2-チオフェンスルホニルクロリド300質量部及びピリジン50質量部を加えることにより、縮合反応物である下記式A1-5で表される構造を有する重合体A1-5を得た。この重合体A1-5のMwは、5,000であった。[合成例6]コンデンサー、温度計及び攪拌装置を備えた反応装置に、4,4’-[1-[4-[2-4-ヒドロキシフェニルプロパン-2-イル]フェニル]エチリデン]ジフェノールフェノール100質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200質量部、及びパラホルムアルデヒド50質量部を仕込み、シュウ酸2質量部を添加し、脱水しながら120°Cに昇温後、5時間反応させた。その後、2-チオフェンスルホニルクロリド300質量部及びピリジン50質量部を加えることにより、下記式A2-1で表される構造を有する化合物A2-1を得た。[合成例7]コンデンサー、温度計及び攪拌装置を備えた反応装置に、合成例1における中間体として得られた重合体a1-1125質量部、チオフェンメタノール25質量部、p-トルエンスルホン酸20質量部、及びメチルイソブチルケトン150質量部を仕込み、100°Cに昇温した後、4時間反応させることにより、下記式a1-3で表される構造を有する重合体a1-3を得た。この重合体a1-3のMwは、3,000であった。<レジスト下層膜形成用組成物の調製>[実施例1][A]化合物としての重合体A1-1100質量部及び界面活性剤0.005質量部を、[B]溶媒としてのシクロヘキサノン450質量部に溶解した。その後、この溶液を孔径0.1μmのメンブランフィルターでろ過することにより、実施例1のレジスト下層膜形成用組成物を調製した。[実施例2~7及び比較例1~3]実施例1において、[A]化合物の種類及び配合量を下記表1に記載の通りとした以外は、実施例1と同様にして、各実施例及び比較例のレジスト下層膜形成用組成物を調製した。なお、実施例6及び比較例1で用いた重合体a1-1は、合成例1における中間体として示したものであり、実施例7及び比較例2で用いた重合体a1-2は、合成例3において中間体として示したものである。<評価>上記実施例及び比較例で得られた各レジスト下層膜形成用組成物を用い、下記方法にてレジスト下層膜を形成し、元素組成、パターン転写性能、エッチング耐性及び硫黄含有アウトガス抑制性を、下記の方法にて測定し評価した。得られた評価結果を表1に示す。[レジスト下層膜の形成]直径8インチのシリコンウエハ上に、上記得られたレジスト下層膜形成用組成物をスピンコート法により塗布した。その後、酸素濃度20容量のホットプレート内にて、180°Cで60秒間加熱した。引き続き、350°Cで120秒間加熱して、膜厚0.3μmのレジスト下層膜を形成した。[曲がり耐性]上記形成したレジスト下層膜上に、3層レジストプロセス用ケイ素含有中間層形成組成物NFCSOG080、JSR製をスピンコートし、300°Cのホットプレート上で60秒間加熱して、膜厚0.05μmの中間層被膜を形成した。その後、この中間層被膜上に、ArF用レジスト組成物ARFAR2772JN、JSR製をスピンコートし、130°Cのホットプレート上で90秒間プレベークして、膜厚0.2μmのレジスト被膜を形成した。その後、ArFエキシマレーザー露光装置NSR-S610C、NIKON製、レンズ開口数:1.30、露光波長:193nmを用い、所定のマスクパターンが形成されたフォトマスクを介して、レジスト被膜を露光した。その後、130°Cのホットプレート上で90秒間ポストベークした。次に、2.38濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、25°Cで1分間現像した。その後、水洗し乾燥して、ポジ型レジストパターン線幅40nmのラインアンドスペースパターン1L/1Sを得た。このレジストパターンをマスクとして、エッチング装置TeliusSCCM、東京エレクトロン製、条件:エッチングガスCF4/ArCF4:200mL/分、RFパワー:300Wを用いてドライエッチングを行い、中間層被膜にレジストパターンを転写した。次に、上記レジストパターンが転写された中間被膜をマスクとして、上記エッチング装置を用い、エッチングガスO2/N2O2:50mL/分、N2:50mL/分、RFパワー:700Wの条件でエッチング処理を行い、レジスト下層膜にパターンを転写した。続いて、このパターンを転写したレジスト下層膜をマスクとして用い、上記エッチング装置を用い、エッチングガスCF4/ArCF4:200mL/分、Ar:400mL/分、RFパワー:1000Wの条件でエッチング処理を行い、SiO2基板直径8インチのシリコンウエハにパターンを転写した。SiO2基板に対するエッチング操作の前後それぞれにおいて、レジスト下層膜のパターン形状を、上方向から走査型電子顕微鏡SEMCG-4000、日立ハイテクノロジー製により観察した。それぞれのパターンにおける線幅を任意のポイント10点で測定し、その線幅のばらつきを3シグマで表現した値をLWRLineWidthRoughnessとした。レジスト下層膜の曲がり耐性について、以下の基準にて評価した。○:SiO2基板に対するエッチング前に比較して、エッチング後におけるレジスト下層膜パターンのLWRが同等または良化した×:SiO2基板に対するエッチング前に比較して、エッチング後におけるレジスト下層膜パターンのLWRが悪化した[エッチング耐性]上記形成したレジスト下層膜を、エッチング装置EXAM、神鋼精機製を使用してCF4/ArCF4:40mL/分、Ar:20mL/分;RFパワー:200Wの条件でエッチング処理を行った。このときのエッチング処理前後の膜厚の測定値から、エッチングレート単位:nm/分を算出し、エッチング耐性を評価した。[硫黄含有アウトガス抑制性]直径8インチのシリコンウエハ上に、レジスト下層膜形成用組成物をスピンコート法により塗布した。このレジスト下層膜形成用組成物が塗布されたウェハーを、ヘッドスペースガスクロマトグラフィーHS-GCを用い、250°Cまで加熱しながら、レジスト下層膜形成の際に発生するアウトガス中の臭気成分であるスルフィド類又はチオール類として含有されている硫黄含有量質量を測定した。上記得られたアウトガス中の硫黄含有量に基づき、硫黄含有アウトガス抑制性を、以下の基準にて評価した。○:比較例3に比べてアウトガス中の硫黄含有量が少ない×:比較例3に比べてアウトガス中の硫黄含有量が同等又は多い上記評価で得られた結果を下記表1に示す。上記実施例及び比較例の結果から、本発明の下層膜形成用組成物が、RIEにおける曲がり耐性及びパターン転写性能に優れ、かつ、エッチング耐性にも優れるレジスト下層膜を形成できることが示された。また、比較例3のチオフェン系下層膜材料に比較して、下層膜形成時のアウトガスの臭気を抑制できていることも示された。"