複数のセル構造を有する電力用半導体装置であって、炭化珪素および窒化ガリウムのいずれかから作られた半導体基板と、前記複数のセル構造の各々の電極として前記半導体基板上に設けられた共通電極と、前記半導体基板上に設けられ、前記複数のセル構造のそれぞれに設けられた複数のセル電極とを備え、前記複数のセル電極は、2以上の前記セル電極を含む複数のグループに分けられ、前記電力用半導体装置はさらに前記複数のグループのそれぞれに電気的に接続された複数の導電部材を備え、前記複数の導電部材は、互いに電気的に接続された2以上の前記導電部材を有する使用部と、前記複数の導電部材の少なくとも1つを有しかつ前記使用部と電気的に絶縁された非使用部とを含む、電力用半導体装置。前記使用部の前記複数の導電部材の各々に電気的に接続された端子部をさらに備える、請求項1に記載の電力用半導体装置。前記端子部と、前記使用部の前記複数の導電部材の各々とは、ワイヤボンディングによって接続されている、請求項2に記載の電力用半導体装置。前記端子部と、前記使用部の前記複数の導電部材の各々とは、はんだボールによって接続されている、請求項2に記載の電力用半導体装置。前記非使用部における前記複数の導電部材の前記少なくとも1つは絶縁体によって被覆されている、請求項4に記載の電力用半導体装置。前記複数のグループのそれぞれに対応して設けられた複数のゲート電極をさらに備え、前記複数のゲート電極は、互いに電気的に接続された2以上の前記ゲート電極を有する制御部と、前記複数のゲート電極の少なくとも1つを有しかつ前記制御部と電気的に絶縁された非制御部とを含む、請求項1~5のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。従来のセル構造を有する電力用半導体装置に対して上記米国特許明細書の技術が単に適用される場合、各セル構造のうち電気試験に合格したものが相互接続されると考えられる。しかしながら、セルの数が非常に多い場合や、各セルの大きさが非常に小さい場合、各セルごとに電気的接続を行うか否かを判別しそしてその接続を行うということは困難であった。本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板の欠陥に起因した歩留まりの低下を抑制しつつ、容易に製造することができる電力用半導体装置を提供することである。本発明の電力用半導体装置は、複数のセル構造を有するものであって、半導体基板と、共通電極と、複数のセル電極と、複数の導電部材とを有する。半導体基板は炭化珪素および窒化ガリウムのいずれかから作られている。共通電極は複数のセル構造の各々の電極として半導体基板上に設けられている。複数のセル電極は、半導体基板上に設けられており、複数のセル構造のそれぞれに設けられている。複数のセル電極は、2以上のセル電極を含む複数のグループに分けられている。複数の導電部材は複数のグループのそれぞれに電気的に接続されている。複数の導電部材は使用部および非使用部を有する。使用部は、互いに電気的に接続された2以上の導電部材を有する。非使用部は、複数の導電部材の少なくとも1つを有し、かつ使用部と電気的に絶縁されている。この電力用半導体装置によれば、使用部および非使用部が互いに電気的に絶縁されているので、使用部を用い、かつ非使用部を用いないことができる。これにより、非使用部が有する導電部材が接続されたグループに属するセル電極が半導体基板の欠陥に起因して不具合を有していても、この不具合の電力用半導体装置への影響を避けることができる。またこの電力用半導体装置によれば、複数の導電部材の各々が電気的に接続されているグループには2以上のセル電極が含まれている。これにより、各導電部材を使用部に含めるか否かの選択によって、2以上のセル電極についてグループごとに一括して、使用部に含めるか否かを選択することができる。よって各セル電極について個別に使用部に含めるか否かを選択する場合に比して、工程を簡素化することができる。好ましくは上記の電力用半導体装置は、使用部の複数の導電部材の各々に電気的に接続された端子部を有する。これにより、端子部を用いることで、使用部を用いかつ非使用部を用いないことができる。好ましくは上記の電力用半導体装置において、端子部材と、使用部の複数の導電部材の各々とは、ワイヤボンディングによって接続されている。これにより、各端子部材を使用部に含めるか否かを、ワイヤボンディングを行うか否かによって容易に定めることができる。好ましくは上記の電力用半導体装置において、端子部材と、使用部の複数の導電部材の各々とは、はんだボールによって接続されている。これにより、各端子部材を使用部に含めるか否かを、はんだボールを配置するか否かによって容易に定めることができる。好ましくは上記の電力用半導体装置において、非使用部における複数の導電部材の少なくとも1つは絶縁体によって被覆されている。これにより、非使用部と使用部との間の電気的絶縁をより確実にすることができる。好ましくは上記の電力用半導体装置は、複数のグループのそれぞれに対応して設けられた複数のゲート電極を有する。複数のゲート電極は制御部および非制御部を有する。制御部は、互いに電気的に接続された2以上のゲート電極を有する。非制御部は、複数のゲート電極の少なくとも1つを有し、かつ制御部と電気的に絶縁されている。これにより制御部および非制御部が互いに電気的に絶縁されているので、制御部を用い、かつ非制御部を用いないことができる。これにより、非制御部が有するゲート電極が半導体基板の欠陥に起因して不具合を有していても、この不具合の電力用半導体装置への影響を避けることができる。以上の説明から明らかなように、本発明によれば、基板の欠陥に起因した歩留まりの低下を抑制しつつ、電力用半導体装置を容易に製造することができる以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。実施の形態1図1および図2に示すように、本実施の形態の電力用半導体装置100は、各々がショットキーバリアダイオードとして機能する複数のセル構造CLを有する。複数のセル構造CLは互いに並列に電気的に接続されている。電力用半導体装置100は、半導体基板130と、カソード電極140共通電極と、複数のアノード電極150複数のセル電極と、導電部材160a~160cと、端子部170とを有する。半導体基板130は炭化珪素および窒化ガリウムのいずれかから作られている。なお半導体基板130は多層構造を有していてもよく、ショットキバリアが形成される側の不純物濃度が相対的に低くされていることが好ましい。カソード電極140はオーミック電極であり、複数のセル構造CLの各々の電極として半導体基板130上図1においては底面上に設けられている。複数のアノード電極150は、半導体基板130上図1においては上面上において、複数のセル構造CLのそれぞれに設けられている。複数のアノード電極150は、各々が2以上のアノード電極150を含むグループ150a~150cに分けられている。導電部材160a~160cはグループ150a~150cのそれぞれに電気的に接続されている。具体的には、導電部材160a~160cのそれぞれは、グループ150a~150cに属する複数のアノード電極150に接するように形成されている。導電部材160a~160cは使用部UDおよび非使用部NDを有する。使用部UDは、互いに電気的に接続された2以上の導電部材160aおよび160bを有する。非使用部NDは、導電部材160a~160cの少なくとも1つである導電部材160cを有する。使用部UDと非使用部NDとは互いに電気的に絶縁されている。端子部170は使用部UDの導電部材160aおよび160bの各々に電気的に接続されている。非使用部NDの導電部材160cは端子部170と電気的に絶縁されている。次に電力用半導体装置100の製造方法について説明する。まず半導体基板130上に、カソード電極140、アノード電極150、および導電部材160a~160cが形成される。この時点では、導電部材160a~160cの各々について、それが使用部UDに属するのか非使用部NDに属するのかはまだ決められていない。次に、導電部材160a~160cの各々と、カソード電極140との間の電気特性試験が行われる。たとえば導電部材160a~160cの各々と、カソード電極140との間に所定の逆電圧が印加された場合の漏れ電流の値が測定される。上記の試験の結果として、たとえば導電部材160cとカソード電極140との間の電気特性が規格を満たさなかったとすると、導電部材160cは非使用部NDに含められ、他の導電部材160aおよび160bが使用部UDに含められる。すなわち、導電部材160aおよび160bが互いに電気的に接続される一方、これらの導電部材160aおよび160bと、導電部材160cとは電気的に接続されない。以上により電力用半導体装置100が得られる。本実施の形態の電力用半導体装置100によれば、使用部UDおよび非使用部NDが互いに電気的に絶縁されているので、使用部UDを用い、かつ非使用部NDを用いないことができる。これにより、非使用部NDが有する導電部材160cが接続されたグループ150cに属するアノード電極150が半導体基板130の欠陥に起因して不具合を有していても、この不具合の電力用半導体装置100への影響を避けることができる。またこの電力用半導体装置100によれば、導電部材160a~160cの各々が電気的に接続されているグループグループ150a~150cの各々には2以上のアノード電極150が含まれている。これにより、各導電部材160a~160cを使用部UDに含めるか否かの選択によって、2以上のアノード電極150についてグループごとに一括して、使用部UDに含めるか否かを選択することができる。よって各アノード電極150について個別に使用部UDに含めるか否かを選択する場合に比して、工程を簡素化することができる。具体的には、各アノード電極150が個別に端子部170に配線される場合に比して、配線を簡素化することができる。またこの配線の対象となる導電部材160aおよび160cの各々は各アノード電極150に比して大きく形成することができ、それにより配線が容易となる。なお本実施の形態においては導電部材160a~160cが3つの場合について説明したが、この場合、少なくとも基板の約1/3が実質的に使用されなくなる。この割合を低減するために導電部材の数がより多くされてもよい。また図1においてはグループ150a~150cの各々に3つのアノード電極150が示されているが、各グループにより多くのセル電極が属してもよい。また、電気特性の規格を満たす導電部材の数が、電力用半導体装置100の使用部UDの導電部材の設計上の数よりも多い場合、規格を満たす導電部材の一部が非使用部NDに含められてもよい。これにより、使用部UDが有する導電部材の数を所定の数とすることができる。実施の形態2図3に示すように、本実施の形態の電力用半導体装置101は、配線板171端子部と、はんだボール191と、絶縁体部199とを有する。配線板171は、実施の形態1における端子部170に対応しており、たとえば金属板である。使用部UDの導電部材160aおよび160bの各々の上には、はんだボール191が設けられている。これにより、配線板171と、使用部UDの導電部材160aおよび160bの各々とは、はんだボール191によって接続されている。また非使用部NDの導電部材160cの上には、はんだボール191が設けられていない。これにより、配線板171と、非使用部NDの導電部材160cとは、電気的に接続されていない。また非使用部NDにおける導電部材160c上には絶縁体部199が設けられている。これにより非使用部NDは絶縁体によって被覆されている。次に電力用半導体装置101の製造方法について説明する。図4に示すように、半導体基板130上に、カソード電極140、アノード電極150、および導電部材160a~160cが形成される。この時点では、導電部材160a~160cの各々について、それが使用部UDに属するのか非使用部NDに属するのかはまだ決められていない。次に、導電部材160a~160cの各々と、カソード電極140との間の電気特性試験が行われる。たとえば導電部材160a~160cの各々と、カソード電極140との間に所定の逆電圧が印加された場合の漏れ電流の値が測定される。上記の試験の結果として導電部材160cとカソード電極140との間の電気特性が規格を満たさなかったとすると、導電部材160cは非使用部NDに含められ、他の導電部材160aおよび160bが使用部UDに含められる。すなわち、導電部材160aおよび160bが互いに電気的に接続される一方、これらの導電部材160aおよび160bと、導電部材160cとは電気的に接続されない。図5に示すように、具体的には、導電部材160a~160cのうち、導電部材160aおよび160bの各々の上にはんだボールが載置され、導電部材160cの上にははんだボールが載置されない。また導電部材160c上に絶縁体部199が形成される。次にはんだボール191を介して配線板171が導電部材160aおよび160bの各々に接続される。以上により電力用半導体装置101が得られる。なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態1の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。本実施の形態によれば、実施の形態1と同様の作用効果が得られる。また各導電部材を使用部UDに含めるか否かを、はんだボール191を配置するか否かによって容易に定めることができる。また絶縁体部199により、非使用部NDと使用部UDとの間の電気的絶縁をより確実にすることができる。なおこの電気的絶縁が絶縁体部199がなくても十分に確保できる場合は、絶縁体部199は省略され得る。また図5の工程が行われる代わりに、図6に示すように、はんだボール191および絶縁体部199の少なくともいずれかが、まず配線板171上に形成されてもよい。その後、配線板171が導電部材160aおよび160b上に取り付けられることで、本実施の形態とほぼ同様の電力用半導体装置が得られる。実施の形態3図7に示すように、本実施の形態の電力用半導体装置102は配線パッド172端子部および複数のボンディングワイヤ192を有する。配線パッド172は、実施の形態1における端子部170に対応しており、たとえば、半導体基板130上に絶縁層図示せずを介して設けられている。ボンディングワイヤ192は、配線パッド172と、使用部UDの導電部材160aおよび160bの各々との間をワイヤボンディングによって接続するためのものである。次に電力用半導体装置102の製造方法について説明する。図8に示すように、半導体基板130上に、導電部材160a~160cおよび配線パッド172が形成される。この時点では、導電部材160a~160cの各々について、それが使用部UDに属するのか非使用部NDに属するのかはまだ決められていない。次に、導電部材160a~160cの各々と、カソード電極140図8において図示せずとの間の電気特性試験が行われる。たとえば導電部材160a~160cの各々と、カソード電極140との間に所定の逆電圧が印加された場合の漏れ電流の値が測定される。上記の試験の結果として導電部材160cとカソード電極140との間の電気特性が規格を満たさなかったとすると、導電部材160cは非使用部NDに含められ、他の導電部材160aおよび160bが使用部UDに含められる。すなわち、導電部材160aおよび160bが互いに電気的に接続される一方、これらの導電部材160aおよび160bと、導電部材160cとは電気的に接続されない。具体的には、導電部材160a~160cのうち、導電部材160aおよび160bの各々の上にはボンディングワイヤ192が接合され、導電部材160cの上にはボンディングワイヤ192が接合されない。以上により電力用半導体装置102が得られる。なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態1の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。本実施の形態によれば、実施の形態1と同様の作用効果が得られる。また各導電部材を使用部UDに含めるか否かを、ボンディングワイヤ192を接合するか否かによって容易に定めることができる。実施の形態4図9に示すように、本実施の形態の電力用半導体装置200はMISFETMetalInsulatorSemiconductorFieldEffectTransistorである。電力用半導体装置200は、各々がMISFETとして機能する複数のセル構造CLを有する。複数のセル構造CLは互いに並列に電気的に接続されている。なお電力用半導体装置200はそのゲート絶縁膜として酸化膜を用いることができ、その場合は電力用半導体装置200はMOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistorである。また本実施の形態においては、電力用半導体装置200は縦型DiMOSFETDoubleImplantedMOSFETである。さらに図10~図13に示すように、本実施の形態においては、セル構造CLは平面視において略正六角形の形状を有する。電力用半導体装置200は、半導体基板230と、ドレイン電極240共通電極と、複数のソース電極250と、導電部材260a~260cと、ゲート電極360a~360cと、端子部270と、端子部370と、ゲート絶縁膜226と、層間絶縁膜227とを有する。ドレイン電極240図12はオーミック電極であり、複数のセル構造CLの各々の電極として半導体基板230上図12においては底面上に設けられている。複数のソース電極250は、半導体基板230上図12においては上面上において、複数のセル構造CL図10のそれぞれに設けられている。複数のソース電極250は、各々が2以上のソース電極250を含むグループ250a~250cに分けられている。導電部材260a~260cはグループ250a~250cのそれぞれに電気的に接続されている。具体的には、導電部材260a~260cのそれぞれは、グループ250a~250cに属する複数のソース電極250に接するように形成されている。導電部材260a~260cは使用部UDおよび非使用部NDを有する。使用部UDは、互いに電気的に接続された2以上の導電部材260aおよび260bを有する。非使用部NDは、導電部材260a~260cの少なくとも1つである導電部材260cを有する。使用部UDと非使用部NDとは互いに電気的に絶縁されている。端子部270は、使用部UDの導電部材260aおよび260bの各々に電気的に接続されている。非使用部NDの導電部材260cは端子部270と電気的に絶縁されている。ゲート電極360a~360cはグループ250a~250cのそれぞれに対応して設けられている。ゲート電極360a~360cは互いに分離されている。ゲート電極360a~360cは制御部UCおよび非制御部NCを有する。制御部UCは、互いに電気的に接続された2以上のゲート電極360aおよび360bを有する。非制御部NCは、ゲート電極360a~360cの少なくとも1つであるゲート電極360cを有する。制御部UCと非制御部NCとは互いに電気的に絶縁されている。端子部370は、制御部UCの導電部材260aおよび260bの各々に電気的に接続されている。非制御部NCの導電部材260cは端子部370と電気的に絶縁されている。半導体基板230図12は炭化珪素および窒化ガリウムのいずれかから作られている。半導体基板230は、単結晶基板280、バッファ層221、耐圧保持層222、p領域223、n領域224、およびp領域225を有する。単結晶基板280およびバッファ層221はn型の導電型を有する。バッファ層221におけるn型の導電性不純物の濃度は、たとえば5×1017cm3である。またバッファ層221の厚さは、たとえば0.5μmである。耐圧保持層222は、バッファ層221上に形成されており、また導電型がn型の炭化珪素からなる。たとえば、耐圧保持層222の厚さは10μmであり、そのn型の導電性不純物の濃度は5×1015cm3である。半導体基板230の上面には、導電型がp型である複数のp領域223が互いに間隔を隔てて形成されている。また上面には、各p領域223の内部に位置するようにn領域224が形成されている。またp領域225は、上面からp領域223へn領域224を貫くように形成されている。上面上においてp領域223は、n領域224および耐圧保持層222の間に挟まれ、かつゲート絶縁膜226を介してゲート電極360a~360cに覆われたチャネル領域を有する。半導体基板230の上面上において複数のp領域223の間から露出する耐圧保持層222上にはゲート絶縁膜226が形成されている。具体的には、ゲート絶縁膜226は、一方のp領域223におけるn領域224上から、p領域223、2つのp領域223の間において露出する耐圧保持層222、他方のp領域223および当該他方のp領域223におけるn領域224上にまで延在するように形成されている。ゲート絶縁膜226上にはゲート電極360a~360cが形成されている。また、n領域224およびp領域225上にはソース電極250が形成されている。各ソース電極250上には導電部材260a~260cのいずれかが形成されている。導電部材260a~260cのそれぞれは半導体基板230の領域230a~230c図10の上に配置されている。本実施の形態の電力用半導体装置200によれば、使用部UDおよび非使用部NDが互いに電気的に絶縁されているので、使用部UDを用い、かつ非使用部NDを用いないことができる。これにより、非使用部NDが有する導電部材260cが接続されたグループ250cに属するソース電極250が半導体基板230の欠陥に起因して不具合を有していても、この不具合の電力用半導体装置200への影響を避けることができる。またこの電力用半導体装置200によれば、導電部材260a~260cの各々が電気的に接続されているグループグループ250a~250cの各々には2以上のソース電極250が含まれている。これにより、各導電部材260a~260cを使用部UDに含めるか否かの選択によって、2以上のソース電極250についてグループごとに一括して、使用部UDに含めるか否かを選択することができる。よって各ソース電極250について個別に使用部UDに含めるか否かを選択する場合に比して、工程を簡素化することができる。具体的には、各ソース電極250が個別に端子部270に配線される場合に比して、配線を簡素化することができる。またこの配線の対象となる導電部材260aおよび260cの各々は各ソース電極250に比して大きく形成することができ、それにより配線が容易となる。また制御部UCおよび非制御部NCが互いに電気的に絶縁されているので、制御部UCを用い、かつ非制御部NCを用いないことができる。これにより、非制御部NCが有するゲート電極360cが半導体基板230の欠陥に起因して不具合を有していても、この不具合の電力用半導体装置200への影響を避けることができる。なお本実施の形態においてはセル構造CLが略正六角形の形状を有するが、セル構造の形状は他の形状を有してもよく、たとえば長方形または正方形であってもよい。実施の形態5図14に示すように、本実施の形態の電力用半導体装置においては、半導体基板230の上面側において、半導体基板230の領域230a~230c図10および図11の境界に、素子間分離構造290が設けられている。素子間分離構造290は、具体的には絶縁体が埋め込まれた溝部である。なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態4の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。本実施の形態によれば、たとえば領域230c内の欠陥を経由した漏れ電流経路が形成されたとしても、その影響が領域230cに隣接する領域230bにまで及ぶことを抑制することができる。なお上記においては電力用半導体装置としてダイオードおよびMOSFETについて説明したが、電力用半導体装置はこれらに限定されるわけではなく、たとえばJFETJunctionFETであってもよい。また上記においては電力用半導体装置として縦型のものについて説明したが、電力用半導体装置はこれらに限定されるわけではなく、横型であってもよい。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。