"照明光学系により四重極照明の照明光が照射され投影光学系を介して感光材に潜像を形成するのに用いられるマスクのデータを作成するマスクデータ作成方法であって、互いにy方向に並んだ第1のブロック領域及び第2のブロック領域のそれぞれについて、前記照明光学系から前記マスクへ入射する照明光がなす開口数NAiと前記投影光学系の物体側の開口数NApとの比NAi/NApをσとし、前記四重極照明の各輝点の光軸からのx方向、y方向の距離を前記σで正規化した値をそれぞれσx、σyとし、前記投影光学系の像側の開口数をNAとし、露光光の波長をλとするとき、ホールパターンをx方向にピッチPx=λ/2×NA×σxで繰り返し配置するとともに、y方向にピッチPy=λ/2×NA×σyで繰り返し配置し、前記第1のブロック領域における最も前記第2のブロック領域に近いホールパターンと前記第2のブロック領域における最も前記第1のブロック領域に近いホールパターンとの間のピッチPを特定し、前記Pが前記Pyの1.5倍以上2.0倍以下の大きさである場合、前記第1のブロック領域と前記第2のブロック領域との間のブロック間領域内の、前記第1のブロック領域及び前記第2のブロック領域におけるy方向に沿ったホールパターンの複数の列に対応した複数の第1の仮想線のそれぞれの上に補助パターンを配置し、前記Pが前記Pyの1.25倍以上1.5倍未満の大きさである場合、前記ブロック間領域内の、前記複数の第1の仮想線を前記Pxの0.5倍のピッチでx方向にシフトさせた複数の第2の仮想線のそれぞれの上に補助パターンを配置することを特徴とするマスクデータ作成方法。互いにy方向に並んだ第1のブロック領域及び第2のブロック領域のそれぞれについて、ホールパターンをx方向にピッチPx、y方向にピッチPyで繰り返し配置し、前記第1のブロック領域における最も前記第2のブロック領域に近いホールパターンと前記第2のブロック領域における最も前記第1のブロック領域に近いホールパターンとの間のピッチPを特定し、前記第1のブロック領域と前記第2のブロック領域との間のブロック間領域について、前記Pの前記Pyに対する相対的な大きさに応じて補助パターンの配置すべき位置を決定し、決定された位置に前記補助パターンを配置することを特徴とするマスクデータ作成方法。前記補助パターンの配置では、前記Pが前記Pyの1.5倍以上の大きさである場合、前記ブロック間領域内の、前記第1のブロック領域及び前記第2のブロック領域におけるy方向に沿ったホールパターンの複数の列に対応した複数の第1の仮想線のそれぞれの上に前記補助パターンを配置し、前記Pが前記Pyの1.5倍未満の大きさである場合、前記ブロック間領域内の、前記複数の第1の仮想線を前記Pxの0.5倍のピッチでx方向にシフトさせた複数の第2の仮想線のそれぞれの上に前記補助パターンを配置することを特徴とする請求項2に記載のマスクデータ作成方法。請求項1から3に記載のマスクデータ作成方法により作成されたマスクのデータを用いてマスクを作成することを特徴とするマスク作成方法。照明光学系により照明光が照射され投影光学系を介して感光材に潜像を形成するのに用いられるマスクのデータをコンピュータに作成させるマスクデータ作成プログラムであって、互いにy方向に並んだ第1のブロック領域及び第2のブロック領域のそれぞれについて、ホールパターンをx方向にピッチPx、y方向にピッチPyで繰り返し配置することと、前記第1のブロック領域における最も前記第2のブロック領域に近いホールパターンと前記第2のブロック領域における最も前記第1のブロック領域に近いホールパターンとの間のピッチPを特定することと、前記第1のブロック領域と前記第2のブロック領域との間のブロック間領域について、前記Pの前記Pyに対する相対的な大きさに応じて補助パターンの配置すべき位置を決定し、決定された位置に前記補助パターンを配置することとを前記コンピュータに行わせることを特徴とするマスクデータ作成プログラム。1つの実施形態は、例えば、露光マージンを向上できるマスクデータ作成方法、マスク作成方法、及びマスクデータ作成プログラムを提供することを目的とする。1つの実施形態によれば、照明光学系により照明光が照射され投影光学系を介して感光材に潜像を形成するのに用いられるマスクのデータを作成するマスクデータ作成方法が提供される。マスクデータ作成方法では、第1のブロック領域及び第2のブロック領域のそれぞれについて、ホールパターンをx方向にピッチPx、y方向にピッチPyで繰り返し配置する。第1のブロック領域及び第2のブロック領域は、互いにy方向に並んでいる。マスクデータ作成方法では、第1のブロック領域における最も第2のブロック領域に近いホールパターンと第2のブロック領域における最も第1のブロック領域に近いホールパターンとの間のピッチPを特定する。マスクデータ作成方法では、第1のブロック領域と第2のブロック領域との間のブロック間領域について、PのPyに対する相対的な大きさに応じて補助パターンの配置すべき位置を決定し、決定された位置に補助パターンを配置する。以下に添付図面を参照して、実施形態にかかるマスクデータ作成方法、マスク作成方法、及びマスクデータ作成プログラムを詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。実施形態実施形態にかかるマスクデータ作成方法、マスク作成方法、及びマスクデータ作成プログラムは、例えば半導体装置の製造工程のリソグラフィ工程で用いられる。例えば、所定の層に対して形成すべきホールパターンのマスクデータを作成する際に、マスクデータ作成プログラムが実行され、マスクのデータが作成される。そして、作成されたマスクのデータを用いてマスクが作成される。次に、実施形態にかかるマスクデータ作成プログラムを実行するためのコンピュータの構成を、図1を用いて説明する。コンピュータ1は、バス配線10、制御部20、表示部30、記憶部40、入力部60及び媒体インターフェース70を備える。制御部20、表示部30、記憶部40、入力部60及び媒体インターフェース70は、バス配線10を介して相互に接続されている。媒体インターフェース70は、記録媒体80を接続可能に構成されている。記憶部40には、パターンデータ41、マスクのデータ42、σx情報43、σy情報44、λ情報45、NA情報46、及びマスクデータ作成プログラム47が記憶されている。パターンデータ41は、集積回路などの設計においてレイアウト設計されたパターン以下、レイアウトパターンと呼ぶのデータである。マスクのデータ42は、マスクMK図4参照にCr等のパターンが描画されるためのデータである。σx情報43は、四重極照明の各輝点の光軸からのx方向の距離を示すσx図3-1参照に関する情報である。σy情報44は、四重極照明の各輝点の光軸からのy方向の距離を示すσy図3-1参照に関する情報である。λ情報45は、露光装置201図4参照の露光光の波長λに関する情報である。NA情報46は、露光装置201の投影光学系215の像側の開口数NAに関する情報である。マスクデータ作成プログラム47は、マスクのデータ42を作成するためのプログラムである。なお、マスクMKは、露光装置201図4参照の照明光学系214により四重極照明の照明光が照射され投影光学系215を介して基板上の感光材に潜像を形成するのに用いられる。制御部20は、例えば、CPU,GPU,DSP又はマイコンなどであり、一時記憶のためのキャッシュメモリをさらに含む。表示部30は、例えば、CRTディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示デバイスである。記憶部40は、例えば、メモリやハードディスクなどである。入力部60は、例えば、キーボードやマウスなどである。媒体インターフェース70は、例えば、フレキシブルディスクドライブ、CD-ROMドライブやUSBインターフェースなどである。記録媒体80は、フレキシブルディスク、CD-ROMやUSBメモリなどである。次に、実施形態にかかるマスクデータ作成方法について図2及び図3-1~図3-3を用いて説明する。図2は、マスクデータ作成方法の流れを示すフローチャートである。図3-1は、本実施形態で用いられる照明光の形状を示す図である。図3-2、図3-3は、マスクデータ作成方法における主パターン及び補助パターンの配置の仕方を示す図である。なお、主パターンは、露光装置201の解像限界以上の寸法を有するパターンであり、補助パターンは、露光装置201の解像限界未満の寸法を有するパターンである。ステップS1では、コンピュータ1の制御部20が、主パターン例えば、ホールパターンを配置する。具体的には、入力部60には、ユーザにより、σx情報43、σy情報44、λ情報45、及びNA情報46が予め入力され、制御部20を介して記憶部40に記憶される。また、マスクデータ作成プログラム47が記録された記録媒体80が、媒体インターフェース70に接続される。そして、マスクデータ作成プログラム47は、インストールされ、制御部20を介して記憶部40に記憶される。入力部60には、利用者により、マスクデータ作成プログラム47の起動命令が入力される。制御部20は、マスクデータ作成プログラム47の起動命令を受け取り、その起動命令に基づいて、記憶部40を参照し、マスクデータ作成プログラム47を起動する。制御部20は、マスクデータ作成プログラム47に従い、記憶部40を参照し、パターンデータ41を表示部30に表示させる。入力部60には、パターンデータ41を閲覧したユーザにより、主パターンの配置命令が入力される。例えば、入力部60には、主パターンの配置命令として、例えば図3-2、図3-3に示すような第1のブロック領域BLR1及び第2のブロック領域BLR2の配置位置を指定する指定命令が入力される。制御部20は、第1のブロック領域BLR1及び第2のブロック領域BLR2の指定命令に従い、第1のブロック領域BLR1及び第2のブロック領域BLR2の配置位置を決定する。このとき、第1のブロック領域BLR1及び第2のブロック領域BLR2の配置位置が決定されたことに伴い、例えば図3-2、図3-3に示すように、ブロック間領域IBR1、IBR2の位置も決定される。ブロック間領域IBR1、IBR2は、第1のブロック領域BLR1及び第2のブロック領域BLR2の間の領域である。以下では、互いにy方向に並ぶ第1のブロック領域BLR1及び第2のブロック領域BLR2について例示的に説明するが、xとyとを入れ替えることにより、互いにx方向に並ぶ第1のブロック領域及び第2のブロック領域についても同様に適用できる。また、制御部20は、第1のブロック領域BLR1及び第2のブロック領域BLR2の指定命令に基づいて、記憶部40を参照し、σx情報43、σy情報44、λ情報45、及びNA情報46を取得する。制御部20は、σx情報43、σy情報44、λ情報45、及びNA情報46に基づいて、第1のブロック領域BLR1内及び第2のブロック領域BLR2内のそれぞれに、ホールパターンをx方向にピッチPx=λ/2×NA×σx数式1で繰り返し配置するとともに、y方向にピッチPy=λ/2×NA×σy数式2で繰り返し配置する。制御部20は、パターンデータ41に複数のホールパターンの情報を含めたものを新たにパターンデータ41として記憶部40に例えば上書きで記憶させるとともに、複数のホールパターンの情報をマスクのデータ42として生成して記憶部40に記憶させる。数式1におけるσxは、σx情報43により特定されたものであり、四重極照明の各輝点の光軸からのx方向の距離をσ=NAi/NAp数式3で正規化した値である。NAiは、露光装置201の照明光学系214からマスクMKへ入射する照明光がなす開口数である。NApは、露光装置201の投影光学系215の物体側の開口数である。数式2におけるσyは、σy情報44により特定されたものであり、四重極照明の各輝点の光軸からのy方向の距離を数式3のσで正規化した値である。数式1、2におけるλは、λ情報45により特定されたものであり、露光装置201図4参照の露光光の波長λである。数式1、2におけるNAは、NA情報46により特定されたものであり、露光装置201の投影光学系215の像側の開口数NAである。例えば、図3-2、図3-3に示すように、第1のブロック領域BLR1内に、ホールパターンをx方向にピッチPxでy方向にピッチPyで繰り返し配置することにより、複数のホールパターンHP1,1~HP4,3を配置する。同様に、第2のブロック領域BLR2内に、ホールパターンをx方向にピッチPxでy方向にピッチPyで繰り返し配置することにより、複数のホールパターンHP5,1~HP8,3を配置する。制御部20は、パターンデータ41に複数のホールパターンHP1,1~HP8,3の情報を含めたものを新たにパターンデータ41として記憶部40に例えば上書きで記憶させるとともに、複数のホールパターンHP1,1~HP8,3の情報をマスクのデータ42として生成して記憶部40に記憶させる。ステップS2では、コンピュータ1の制御部20が、ブロック間領域IBR1、IBR2をまたぐピッチP図3-2、図3-3参照を特定する。具体的には、入力部60には、ユーザにより、ブロック間領域IBR1、IBR2をまたぐピッチPの特定命令が入力される。制御部20は、ピッチPの特定命令を受け取り、ピッチPの特定命令に基づいて、記憶部40を参照し、マスクのデータ42を取得する。制御部20は、マスクのデータ42に基づいて、第1のブロック領域BLR1における最も第2のブロック領域BLR2に近いホールパターン例えば、ホールパターンHP4,3と第2のブロック領域BLR2における最も第1のブロック領域BLR1に近いホールパターン例えば、ホールパターンHP5,3との間のピッチPを計算する。例えば、制御部20は、マスクのデータ42に基づいて、チップ全面からブロック間領域IBR1、IBR2とその大きさを抽出することで、補助パターンを配置すべきブロック間領域IBR1、IBR2を特定する。なお、ブロック間領域IBRは、例えばホールパターンの配置の周期性を局所的に乱させるための領域として捉えることもできる。このようなブロック間領域IBRは、例えば図7に示すようなBiCS型の不揮発性半導体記憶装置において、不必要なパターンの接触を防ぐことなどのために設けられる。BiCS型の不揮発性半導体記憶装置では、例えば、U字状の半導体部材MHが板状のワード線WLのホールパターンHPを貫通する構造がそれぞれ繰り返し設けられたブロック領域BLR1とブロック領域BLR2との間に、ブロック間領域IBRが設けられる。ブロック間領域IBRの幅は、例えば、1/4Py~Pyである。このとき、ピッチPは、例えば、1.25Py~2Pyである。仮に、ピッチPが1.25Pyより小さくなると、不必要なパターンの接触が発生する可能性がある。あるいは、仮に、ピッチPが2Pyより大きくなると、ホールパターンHPの配置密度が低下し、メモリセルの配置密度も低下する可能性がある。ステップS3~ステップS5では、コンピュータ1の制御部20が、ステップS2で特定されたピッチPの数式2で示すピッチPyに対する相対的な大きさに応じて、補助パターンの配置様態を判断して、補助パターンの配置様態を選択する。すなわち、コンピュータ1の制御部20は、ピッチPのピッチPyに対する相対的な大きさに応じて、補助パターンの配置すべき位置を決定し、決定された位置に補助パターンを配置する。具体的には、ステップS3では、コンピュータ1の制御部20が、ステップS2で特定されたピッチPが、数式2で示すピッチPyの1.5倍以上であるか否かを判断する。制御部20は、ピッチPがピッチPyの1.5倍以上であるステップS3でYesの場合、処理をステップS4へ進め、ピッチPがピッチPyの1.5倍未満であるステップS3でNoの場合、処理をステップS5へ進める。例えば、図3-2に示す場合、ピッチPがピッチPyの1.5倍以上であるとして、処理がステップS4へ進められ、図3-3に示す場合、ピッチPがピッチPyの1.5倍未満であるとして、処理がステップS5へ進められる。ステップS4では、コンピュータ1の制御部20が、ブロック間領域内に直列状に補助パターンを配置する。例えば、制御部20は、図3-2に示すように、ブロック間領域IBR1内における複数の第1の仮想線VL1-1~VL1-3のそれぞれの上に補助パターンSRAF1,1~SRAF1,3を配置する。複数の第1の仮想線VL1-1~VL1-3は、第1のブロック領域BLR1及び第2のブロック領域BLR2におけるy方向に沿ったホールパターンの複数の列に対応している。例えば、第1の仮想線VL1-1は、第1のブロック領域BLR1及び第2のブロック領域BLR2におけるy方向に沿ったホールパターンHP1,1~HP8,1の列に対応している。なお、ブロック間領域IBR1内における例えば補助パターンSRAF1,1のy方向の配置位置は、両側のホールパターンHP4,1、HP5,1と重ならない位置であれば特に限定されないが、例えば両側のホールパターンHP4,1、HP5,1の中心を結ぶ線分の中点位置とすることができる。また、図3-2では、ブロック間領域IBR1内における補助パターンのy方向の配置個数が1個の場合が例示されているが、ブロック間領域IBR1内における補助パターンのy方向の配置個数は複数であっても良い。そして、制御部20は、マスクのデータ42に複数の補助パターンSRAF1,1~SRAF1,3の情報を含めたものを新たにマスクのデータ42として記憶部40に例えば上書きで記憶させる。ステップS5では、コンピュータ1の制御部20が、ブロック間領域内に千鳥状に補助パターンを配置する。例えば、制御部20は、図3-3に示すように、ブロック間領域IBR2内における複数の第2の仮想線VL2-1~VL2-2のそれぞれの上に補助パターンSRAF1,12~SRAF1,23を配置する。複数の第2の仮想線VL2-1~VL2-2は、第1の仮想線VL1-1、VL1-2を数式1で示すピッチPxの0.5倍のピッチでx方向にシフトさせたものである。例えば、第2の仮想線VL2-1は、第1の仮想線VL1-1をピッチPxの0.5倍のピッチでx方向にシフトさせたものである。なお、ブロック間領域IBR2内における例えば補助パターンSRAF1,12のy方向の配置位置は、両側のホールパターンHP4,1、HP4,2、HP5,1、HP5,2と重ならない位置であれば特に限定されないが、例えば両側のホールパターンHP4,1、HP5,2の中心を結ぶ線分の中点位置とすることができる。また、図3-3では、ブロック間領域IBR2内における補助パターンのy方向の配置個数が1個の場合が例示されているが、ブロック間領域IBR2内における補助パターンのy方向の配置個数は複数であっても良い。そして、制御部20は、マスクのデータ42に複数の補助パターンSRAF1,12~SRAF1,23の情報を含めたものを新たにマスクのデータ42として記憶部40に例えば上書きで記憶させる。ステップS6では、コンピュータ1の制御部20が、主パターンと補助パターンとの近接しすぎや重なりなどの問題がないか否かを判断する。例えば、制御部20が、主パターンと補助パターンとの間隔がデザインルール等から決められる所定の閾値より小さい場合、近接しすぎや重なりなどの問題があるステップS6でNGものとして、処理をステップS7へ進め、主パターンと補助パターンとの間隔が所定の閾値以上である場合、近接しすぎや重なりなどの問題がないステップS6でOKものとして、処理をステップS8へ進める。なお、ステップS6では、制御部20が、補助パターン同士の近接しすぎや重なりなどの問題がないか否かをさらに判断しても良い。この場合、制御部20は、主パターンと補助パターンとの近接しすぎや重なりなどの問題と、補助パターン同士の近接しすぎや重なりなどの問題との少なくとも一方があるステップS6でNG場合、処理をステップS7へ進め、両者の問題がないステップS6でOK場合、処理をステップS8へ進める。ステップS7では、コンピュータ1の制御部20が、補助パターンの大きさや位置の調整を行う。制御部20は、マスクのデータ42に調整結果を反映させたものを新たにマスクのデータ42として記憶部40に例えば上書きで記憶させる。例えば、制御部20は、補助パターンが主パターンに重ならないように補助パターンを縮小する。あるいは、例えば、制御部20は、補助パターンが主パターンに重ならないように、補助パターンを縮小するとともに配置個数を減らすようにしても良い。ステップS8では、描画装置図示せずが、マスクのデータ42を取得し、マスクのデータ42に従って、マスクMK図4参照にCr等のパターンを描画する。次に、このように作成されたマスクMKを用いて露光処理を行う露光装置201の構成について図4を用いて説明する。露光装置201は、露光装置本体202及び制御装置205を有する。制御装置205は、入力部252、主制御部253、記憶部251、及び駆動制御部250を有している。主制御部253は、入力部252を介して露光パラメータ例えば、露光量やフォーカス値などの入力を受け、記憶部251に露光パラメータ情報254として記憶させる。また、主制御部253は、露光パラメータ情報254に基づいて、駆動制御部250を介して露光装置本体202の各部を制御する。露光装置本体202は、光源210と、開口絞り211と、フィルタ212と、偏光フィルタ213と、照明光学系214と、投影光学系215と、を有している。開口絞り211は、例えば、概略円板状をなしており、発光領域照明領域と、非発光領域照明遮蔽領域と、を備えている。非発光領域は、光源210から出射した露光光210aを遮蔽する領域であり、発光領域は、光源210から出射した露光光210aを透過させる領域である。すなわち、開口絞り211は、照明形状を四重極照明図3-1参照にする。これに応じて、マスクMKは、照明光学系214により四重極照明の照明光が照射され、投影光学系215を介して基板207上の感光材例えば、レジスト208に潜像を形成する。このとき、投影光学系215の瞳面2152には、四重極照明図3-1参照に対応した有効光源の強度分布が形成される。評価装置204は、例えば、基板207上に形成されたパターンの仕上り寸法を測定するとともに、その露光処理に使用された露光パラメータ例えば、露光量やフォーカス値などを制御装置205から取得する。評価装置204は、露光パラメータ露光量やフォーカス値ごとに、形成されたパターンの仕上り寸法が要求されるスペックを満たしているか否かを評価する。そして、評価装置204は、例えば図5に示すように、露光量を横軸とし、フォーカス値を縦軸とする散布図上に評価結果をプロットしていき、露光量裕度EL:ExposureLatitude及び焦点深度DOF:DepthOfFocusを含む露光マージンEM:ExposureMarginの大きさを求める。例えば、露光マージンの大きさは、散布図上におけるスペックを満たす領域の面積として求めても良い。例えば、露光量裕度がEL1であり焦点深度がDOF1である場合、露光マージンEM1の大きさは、EL1×DOF1である。例えば、露光量裕度がEL2であり焦点深度がDOF2である場合、露光マージンEM2の大きさは、EL2×DOF2である。あるいは、例えば、露光マージンの大きさは、散布図上におけるスペックを満たす領域の縦横の平均幅として求めても良い。例えば、露光量裕度がEL1であり焦点深度がDOF1である場合、露光マージンEM1の大きさは、EL1DOF1/2である。例えば、露光量裕度がEL2であり焦点深度がDOF2である場合、露光マージンEM2の大きさは、EL2DOF2/2である。このようにして補助パターンなしの場合とありの場合とについて評価した結果を図6に示す。図6は、ブロック間領域をまたぐピッチPのピッチPyに対する相対的な大きさを横軸にとり、縦軸に露光マージンの大きさ任意単位をとる。露光マージンが大きいほどフォーカス値の変動や露光量の変動に対してパターンの寸法がロバストであり、半導体製造が容易になる。ピッチPを2Pyから減少させて露光マージンの変化を見ると、補助パターンなしの場合についてx方向の露光マージンが0になっており、1.5Py程度から徐々に上がり、全くブロック間領域のないPyの部分では11程度の露光マージンを示す。一方、補助パターンありの場合、図6に示すような補助パターンなしの場合で露光マージンが低い、ピッチPの大きさが2Pyから1.33Pyまでの露光マージンを改善することができる。すなわち、図3-2に示す補助パターンSRAF1,1~SRAF1,3に対応した直列補助パターンと、図3-3に示す補助パターンSRAF1,12~SRAF1,23に対応した千鳥補助パターンとのいずれにおいても、補助パターンなしの場合に比べて露光マージンを改善できることが確認された。また、図6に示されるように、ピッチPの大きさが1.5Pyから1.33Pyまでは千鳥補助パターンが直列補助パターンより露光マージンの向上に有効であり、ピッチPの大きさが1.5Py以上の場合は直列補助パターンが千鳥補助パターンより露光マージンの向上に有効であることが確認された。ここで、仮に、第1のブロック領域と第2のブロック領域との間のブロック間領域内に補助パターンを配置しない場合について考える。この場合、第1のブロック領域及び第2のブロック領域のそれぞれにおけるブロック間領域近傍のホールパターンの露光マージンが低下する傾向にある。また、この傾向は、第1のブロック領域と第2のブロック領域とを離すようにブロック間領域の幅を広くしても改善されない傾向にある。このように、ブロック間領域近傍のホールパターンの露光マージンが低下すると、露光処理により製造される半導体装置の生産性が低下する可能性がある。それに対して、実施形態では、第1のブロック領域と第2のブロック領域との間のブロック間領域内に補助パターンを配置する。これにより、ブロック間領域内に補助パターンを配置しない場合に比べて、露光マージンを向上できる図6参照。例えば、図5に示すように、補助パターンを配置しない場合の露光マージンEM1に比べて、露光マージンEM2を向上できる。また、実施形態では、ブロック間領域をy方向にまたぐホールパターン間のピッチPが各ブロック領域内のy方向の配列ピッチPyに対して相対的にどれだけの大きさであるのかに応じて補助パターンの配置態様を変更する。すなわち、ピッチPのピッチPyに対する相対的な大きさに応じて補助パターンの配置すべき位置を決定し、決定された位置に補助パターンを配置する。これにより、ピッチPのピッチPyに対する相対的な大きさに適した位置配置態様に補助パターンを配置できるので、露光マージンを効率的に向上できる。具体的には、ピッチPがピッチPyの1.5倍以上の大きさである場合、例えば図3-2に示すように、直列状に、すなわちブロック間領域IBR1内における複数の第1の仮想線VL1-1~VL1-3のそれぞれの上に補助パターンSRAF1,1~SRAF1,3を配置する。ピッチPがピッチPyの1.5倍未満の大きさである場合、例えば図3-3に示すように、千鳥状に、すなわちブロック間領域IBR2内における複数の第2の仮想線VL2-1~VL2-2のそれぞれの上に補助パターンSRAF1,12~SRAF1,23を配置する。これにより、露光マージンを効率的に向上できる図6参照。なお、図2に示すステップS3では、コンピュータ1の制御部20が、ピッチPがピッチPyの1.5倍以上2倍以下の場合に、処理をステップS4へ進め、ピッチPがピッチPyの1.25倍以上1.5倍未満の場合に、処理をステップS5へ進め、それ以外の場合に、処理をステップS1へ戻しても良い。この場合、ピッチPがピッチPyの2倍より大きくなったときに、処理をステップS4へ進めることなく、ステップS1における第1のブロック領域BLR1及び第2のブロック領域BLR2の配置位置の決定からやり直すことができるので、ホールパターンの配置密度の低下を抑制できる。また、ピッチPがピッチPyの1.25倍より小さくなったときに、処理をステップS5へ進めることなく、ステップS1における第1のブロック領域BLR1及び第2のブロック領域BLR2の配置位置の決定からやり直すことができるので、不必要なパターン間の接触を抑制できる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"