"陽極体と、前記陽極体の表面に設けられた誘電体層と、前記誘電体層の上に設けられた第1の高分子膜と、前記第1の高分子膜の上に設けられ、前記第1の高分子膜を構成する第1の高分子とは異なる第2の高分子から構成される第2の高分子膜と、前記第2の高分子膜の上に設けられ、前記第2の高分子とは異なる導電性高分子から構成される導電性高分子層と、前記導電性高分子層の上に設けられた陰極層とを備え、前記第1の高分子膜の仕事関数が、前記導電性高分子層の仕事関数より大きいことを特徴とする固体電解コンデンサ。前記第2の高分子膜の仕事関数が、前記導電性高分子層の仕事関数より大きいことを特徴とする請求項1に記載の固体電解コンデンサ。前記第2の高分子膜の仕事関数が、前記導電性高分子層の仕事関数より0.2eV以上大きいことを特徴とする請求項2に記載の固体電解コンデンサ。前記第1の高分子膜の仕事関数が、6.0eV以上であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の固体電解コンデンサ。前記第1の高分子膜が水溶性高分子から形成され、前記第2の高分子膜が非水溶性高分子から形成されることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の固体電解コンデンサ。前記第1の高分子膜と前記第2の高分子膜の膜厚の比第1の高分子膜:第2の高分子膜が、3:7~7:3の範囲内であることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の固体電解コンデンサ。本発明の目的は、漏れ電流が小さく、信頼性の高い固体電解コンデンサを提供することにある。本発明の固体電解コンデンサは、陽極体と、陽極体の表面に設けられた誘電体層と、誘電体層の上に設けられた第1の高分子膜と、第1の高分子膜の上に設けられ、第1の高分子膜を構成する第1の高分子とは異なる第2の高分子から構成される第2の高分子膜と、第2の高分子膜の上に設けられ、第2の高分子とは異なる導電性高分子から構成される導電性高分子層と、導電性高分子層の上に設けられた陰極層とを備え、第1の高分子膜の仕事関数が、導電性高分子層の仕事関数より大きいことを特徴としている。本発明においては、誘電体層と導電性高分子層の間に、第1の高分子膜及び第2の高分子膜を設けている。第1の高分子膜の上に第2の高分子膜を設けているので、導電性高分子層を形成する際の溶媒によって、第1の高分子膜が再溶解するのを抑制することができる。さらに、本発明においては、第1の高分子膜の仕事関数が、導電性高分子膜の仕事関数よりも大きくなるように設定されている。これにより、漏れ電流を小さくすることができ、高温や負荷をかけた状態における信頼性を高めることができる。本発明において、第1の高分子膜の仕事関数は、導電性高分子層の仕事関数より0.3eV以上大きいことが好ましい。これにより、漏れ電流をさらに小さくすることができ、高温や負荷をかけた状態における信頼性をさらに高めることができる。本発明において、第2の高分子膜の仕事関数も、導電性高分子層の仕事関数より大きいことが好ましい。これにより、漏れ電流をさらに小さくすることができ、かつ高温や負荷をかけた状態での信頼性をさらに高めることができる。第2の高分子膜の仕事関数は、導電性高分子層の仕事関数より0.2eV以上大きいことが好ましい。本発明において、第1の高分子膜の仕事関数は、6.0eV以上であることが好ましい。また、第2の高分子膜の仕事関数は、5.1eV以上であることが好ましい。本発明において、第1の高分子膜が水溶性高分子から形成され、第2の高分子膜が非水溶性高分子から形成されることが好ましい。これにより、一般に水溶性である導電性高分子からなる導電性高分子層を形成する際の溶媒によって、第1の高分子膜が再溶解するのを防止することができる。また、一般に、水溶性高分子は、仕事関数が高いので、第1の高分子膜を形成する高分子として、水溶性高分子を用いることが好ましい。本発明において、第1の高分子膜及び第2の高分子膜の合計の膜厚は、それぞれ、5nm~50nmの範囲であることが好ましい。第1の高分子膜及び第2の高分子膜の合計の膜厚が薄すぎると、誘電体層を十分に覆うことができず、漏れ電流の低減効果が小さくなる場合がある。また、第1の高分子膜及び第2の高分子膜の合計の膜厚が厚すぎると、導電性高分子を内部まで形成できないため、静電容量が低くなる場合がある。本発明において、第1の高分子膜と第2の高分子膜の膜厚比第1の高分子膜:第2の高分子膜は、3:7~7:3の範囲内であることが好ましく、さらに好ましくは、4:6~6:4の範囲内である。このような範囲内にすることにより、漏れ電流をさらに小さくすることができ、高温や負荷をかけた状態における信頼性をさらに高めることができる。本発明によれば、漏れ電流が小さく、高い信頼性を得ることができる。図1は、本発明に従う一実施形態の固体電解コンデンサを示す模式的断面図である。図1に示すように、陽極体2には、陽極リード1が埋設されている。陽極体2は、弁作用金属または弁作用金属を主成分とする合金からなる粉末を成形し、この成形体を焼結することにより作製されている。従って、陽極体2は、多孔質体から形成されている。図1において図示されていないが、この多孔質体には、その内部から外部に連通する微細な孔が多数形成されている。このように作製された陽極体2は、本実施形態において、外形が略直方体になるように作製されている。陽極体2を形成する弁作用金属としては、固体電解コンデンサに用いることができるものであれば、特に限定されるものではないが、例えば、タンタル、ニオブ、チタン、アルミニウム、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモン等が挙げられる。これらの中でも、酸化物の誘電率が高く、原料の入手が容易な、タンタル、ニオブ、チタン、アルミニウムが特に好ましい。また、弁作用金属を主成分とする合金としては、例えば、タンタルとニオブ等の2種以上からなる弁作用金属同士の合金や、弁作用金属と他の金属との合金が挙げられる。弁作用金属と他の金属との合金を用いる場合には、弁作用金属の割合を50原子以上とすることが好ましい。また、陽極体としては、弁作用金属の金属箔または合金箔を用いてもよい。陽極体の表面積を大きくするため、金属箔または合金箔をエッチングしたもの、これらの箔を巻いたもの、これらの箔を重ねたものを用いてもよい。また、これらの箔と粉末とを焼結し、一体化したものを用いてもよい。陽極体2の表面には、誘電体層3が形成されている。誘電体層3は、陽極体2の孔の表面にも形成されている。図1においては、陽極体2の外周側に形成された誘電体層3を模式的に示しており、上述の多孔質体の孔の表面に形成された誘電体層は図示していない。誘電体層3は、陽極体2の表面を陽極酸化などで酸化することにより形成することができる。誘電体層3の表面には、第1の高分子膜4aが形成されている。図1においては、図示されていなが、第1の高分子膜4aは、陽極体2の孔の表面にも形成されている。第1の高分子膜4aの上には、第2の高分子膜4bが形成されている。図1においては、図示されていないが、第2の高分子膜4bも、陽極体2の孔の第1の高分子膜4aの表面上に形成されている。第2の高分子膜4bの表面には、導電性高分子層5が形成されている。導電性高分子層5も、陽極体2の内部の孔の表面上に形成されている。図1においては、第1の高分子膜4a、第2の高分子膜4b、及び導電性高分子層5を模式的に示しており、上述の多孔質内の孔の表面上に形成されたこれらの層は、図示していない。陽極体2の外周部の導電性高分子層5の上には、カーボン層6aが形成され、カーボン層6aの上には、銀層6bが形成されている。カーボン層6aは、カーボンペーストを塗布することにより形成することができる。銀層6bは、銀ペーストを塗布することにより形成することができる。カーボン層6aと銀層6bから陰極層6が構成されている。銀層6bの上には、導電性接着剤層7を介して陰極端子9が接続されている。また、陽極リード1には、陽極端子8が接続されている。陽極端子8及び陰極端子9の端部が外部に引き出されるようにモールド樹脂外装体10が形成されている。以上のようにして、本実施形態の固体電解コンデンサが形成されている。図2は、図1に示す固体電解コンデンサの陽極体2の表面近傍を拡大して示す模式的断面図である。図2に示すように、陽極体2は、多孔質体であり、その内部に微細な孔が形成されている。陽極体2の表面には、誘電体層3が形成されており、誘電体層3の上に、第1の高分子膜4a及び第2の高分子膜4bが形成されている。第1の高分子膜4aの仕事関数は、導電性高分子層5の仕事関数より大きくなるように、第1の高分子膜を形成する高分子が選択されている。第1の高分子膜の仕事関数は、上述のように、導電性高分子層の仕事関数より0.3eV以上大きいことが好ましい。一般には、第1の高分子膜4aの仕事関数と、導電性高分子層5の仕事関数の差は、0.3eV~2.0eVの範囲内とすることが好ましい。また、第1の高分子膜の仕事関数は、6.0eV以上であることが好ましく、さらに好ましくは、6.0eV~7.0eVの範囲である。また、第1の高分子膜4aを形成する高分子は、水溶性高分子であることが好ましい。このような水溶性高分子としては、ビニル系の高分子材料を用いることができる。ビニル系の高分子材料の具体例としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリルアミドなどが挙げられる。また、第1の高分子膜4aに用いることができる水溶性高分子として、ポリエチレングリコールPEGなどが挙げられる。第1の高分子膜4aを形成する高分子としては、ヒドロキシル基などの置換基がついた高分子が、水系溶媒への溶解性を高めることができるので好ましく用いられる。第2の高分子膜4bを形成する高分子は、その仕事関数が、導電性高分子層5の仕事関数より大きいことが好ましく、さらには0.2eV以上大きいことが好ましい。また、第2の高分子膜4bを形成する高分子は、その仕事関数が、第1の高分子膜4aの仕事関数と、導電性高分子層の仕事関数の間の範囲内であることが好ましい。第2の高分子膜4bの仕事関数は、第1の高分子膜4aの仕事関数より0.2eV以上小さいことが好ましい。第2の高分子膜4bの仕事関数を、上記のように設定することにより、漏れ電流をより小さくすることができ、かつ高温や負荷をかけた状態における信頼性を高めることができる。第2の高分子膜4bを形成する高分子は、非水溶性高分子であることが好ましい。第1の高分子膜4aを水溶性高分子から形成し、第2の高分子膜4bを非水溶性高分子から形成することにより、第2の高分子膜4bを形成する際、第2の高分子膜4bを形成するのに用いる溶媒によって、第1の高分子膜4aが再溶解するのを防止することができる。また、導電性高分子層5は、導電性高分子のモノマーを溶解した水溶液中で形成される場合が多い。従って、導電性高分子層5を形成する際に、非水溶性高分子から形成される第2の高分子膜4bは水溶液中に溶出しにくく、第2の高分子膜で覆われた第1の高分子膜が再溶解するのを防止することができる。第2の高分子膜4bを形成する高分子としては、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルフェノール、ポリフルオレン及びその誘導体、フルオレン共重合体、ポリフェニレン及びその誘導体、フェニレン共重合体、ポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、フェニレンビニレン共重合体、ポリピリジン及びその誘導体、ピリジン共重合体などが挙げられる。また、アルキル鎖やアルコキシ基などの置換基のついた誘導体であれば、有機溶剤への溶解性を高めることができ、加工性の観点から好ましい。仕事関数の観点からは、6員環、特に芳香族のベンゼンやピリジンの誘導体を主鎖に有している場合、6員環の電子的な安定性に基づき、仕事関数が大きくなるため、好ましい。フルオレンは、6員環と5員環が縮合した分子構造であるが、縮合環の電子的安定性により、仕事関数が大きくなる。従って、ポリフルオレンに可溶性の置換基がついた高分子や、フルオレンと他のアリール基が共重合した高分子は、有機溶剤への可溶性が高く、かつ5~6eVの間で適度に大きい仕事関数を有しており、第2の高分子膜4bを形成する高分子として適している。また、ポリパラフェニレンビニレン誘導体や、ポリフェニレンの誘導体及び共重合体などにおいても、有機溶剤への溶解性を高めるための置換基を有しているものは、加工性において良好であり、第2の高分子膜4bを形成するのに用いる高分子として適している。第1の高分子膜4a及び第2の高分子膜4bの合計の膜厚は、上述のように、5nm~50nmの範囲であることが好ましい。また、第1の高分子膜4aと第2の高分子膜4bの膜厚の比第1の高分子膜4a:第2の高分子膜4bは、3:7~7:3の範囲内であることが好ましく、さらに好ましくは、4:6~6:4の範囲内である。導電性高分子層5は、例えば、従来より固体電解コンデンサの導電性高分子層を形成する材料として用いられているものを用いることができる。このようなものとして、例えば、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェンなどが挙げられ、これらにドーパントをドープしたものが好ましく用いられる。6員環のヘテロ環を有する分子を重合させた高分子は、電子供与性が高く、導電性高分子の中でも、仕事関数は小さい。これらの材料に、ドーパントを添加することにより、例えば、0.1~1000S/cm程度の高い導電率を実現することができる。コンデンサのESRを小さくするためには、より高い導電率を有する材料を用いることが好ましい。導電性高分子層5は、複数の層を積層した構造であってもよい。例えば、第2の高分子膜4bの上に、化学重合により第1の導電性高分子層を形成し、この第1の導電性高分子層を電極として、第1の導電性高分子層の上に電解重合により第2の導電性高分子層を形成してもよい。導電性高分子層5は、上述のように、陽極体2の内部の孔の表面上にも形成されていることが好ましい。本発明においては、誘電体層3と導電性高分子層5の間に、第1の高分子膜4a及び第2の高分子膜4bを設け、第1の高分子膜4aの仕事関数が、導電性高分子層5の仕事関数より大きくなるように設定している。第1の高分子膜4a及び第2の高分子膜4bを、誘電体層3と導電性高分子層5の間に設けることにより漏れ電流を小さくすることができ、高温や負荷をかけた状態における故障の発生を防止することができる理由については、詳細は明らかでないが、以下のように推測される。陽極体2と陰極層6の間に一定の電圧を印加した場合、誘電体層3が完全な絶縁体であれば、電流は一切流れない。しかしながら、実際には、少量の電流漏れ電流が流れる。漏れ電流が発生する原因については、従来より種々説明されており、誘電体層中を流れる漏れ電流と、誘電体層の外をバイパスにして流れる漏れ電流が知られている。さらに細かく分類すれば、誘電体層内の不純物準位を流れるもの、誘電体層をトンネル電流的に流れるもの、誘電体層の欠陥部分を流れるもの、誘電体層の外側のパスを流れるものなどが考えられる。誘電体層の膜厚が薄い場合、漏れ電流は流れやすくなる。特に、誘電体層を突き抜けて流れる電流は、誘電体層の膜厚が薄ければ大きくなる。導電性高分子層と誘電体層の間には、ショットキー障壁と呼ばれるエネルギー的な障壁があり、電子はこの障壁を簡単には超えることはできない。しかしながら、膜厚が薄く、かつ電圧が印加されている状態では、エネルギーバンドが曲がり、導電性高分子層から陽極体側へ電子が突き抜けて流れる確率が高くなる。実際には、不純物準位や欠陥の影響も大きいと思われるが、同様の原理で概ね説明することができる。誘電体層の厚みを単純に厚くすることで、漏れ電流は低減することができる。しかしながら、誘電体層の厚みを薄くすると、容量を高めることができない。本発明においては、誘電体層3と導電性高分子層5の間に、仕事関数の大きな第1の高分子膜4aを挿入している。仕事関数の大きな第1の高分子膜4aを挿入することにより、詳細は明らかではないが、誘電体層と導電性高分子層の間のエネルギー障壁を越えたり、誘電体層3中の不純物準位や欠陥などを通じたりして、電子が陽極側に流れるのを抑制することができる。なお、本発明において、仕事関数が大きいとは、仕事関数の絶対値が大きいことを意味している。実施形態においては、第1の高分子膜4aの仕事関数は、導電性高分子層5の仕事関数よりも大きくなっている。また、第2の高分子膜4bの仕事関数は、第1の高分子膜4aの仕事関数と、導電性高分子層5の仕事関数の間の範囲内の値となっている。このように、誘電体層3と接する第1の高分子膜4aの仕事関数が大きくなっているので、導電性高分子層5から、第1の高分子膜4a、誘電体層3を通り、陽極体2に流れる電子を抑制することができる。このため、本実施形態によれば、漏れ電流を少なくすることができる。また、高温や電圧が負荷された条件下においても、第1の高分子膜4aにより、誘電体層3のエネルギー障壁を越えて導電性高分子層5から陽極体2へと電子が流れることを抑制することができる。このため、高温時や電圧負荷印加時において、陽極体2と陰極層6との間で大きな電流が流れるのを防ぐことができ、雪崩的な電流発生によるショートなどの故障の発生を防止することができる。以下、本発明を具体的な実施例により説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、以下の実施例及び比較例において記載する仕事関数は、仕事関数の絶対値を表示している。実施例1ステップ1弁作用金属の粉末として、タンタル金属粉末を用い、タンタルからなる陽極リードを内部に埋め込むようにして成形し、真空中において1200°C程度で焼結して、陽極体としてのタンタル焼結体素子を作製した。タンタル焼結体素子を、0.05重量リン酸水溶液中で10Vの定電圧で焼結体素子の表面を陽極酸化し、誘電体層を形成した。ステップ2次に、ポリビニルアルコールPVAを濃度が0.1重量となるように純水に溶解させた溶液に素子を浸漬させた。その後、乾燥させ、溶媒を十分に除去して、第1の高分子膜を形成した。光電子分光装置を用いてポリビニルアルコールの仕事関数を測定した結果、6.2eVであった。また、濃度と素子の空隙率から算出した第1の高分子膜の厚みは、10nmであった。ステップ3さらに、ポリビニルカルバゾールPVCzを濃度が0.1重量となるように、トルエンに溶解させた溶液に素子を浸漬させた。その後、乾燥させ、溶媒を十分に除去し、第2の高分子膜を形成した。光電子分光装置を用いてポリビニルカルバゾールの仕事関数を測定した結果、5.6eVであった。また、濃度と素子の空隙率から算出した第2の高分子膜の厚みは10nmであった。ステップ4次に、化学重合、続いて電解重合等により、導電性高分子層としてのポリピロール層を第2の高分子膜上に形成した。なお、光電子分光装置を用いてポリピロールの仕事関数を測定した結果、5.0eVであった。さらに、カーボンペースト、銀ペーストを塗布し、陰極層を形成し、コンデンサ素子を作製した。ステップ5リードフレーム端子にコンデンサ素子を載せた後、コンデンサの陽極リード及び陰極層をそれぞれフレーム端子と接着した。ステップ6次に、エポキシ系のモールド樹脂でコンデンサ素子及びリードフレームをモールドした後、コンデンサ素子単位に切り分けて、タンタル固体電解コンデンサを作製した。実施例2実施例1のステップ3において、9,9-オクチルフルオレン-スチルベン-トリフェニルアミン共重合体を濃度が0.1重量となるようにトルエンに溶解させた溶液に素子を浸漬させた。その後、乾燥させ、溶媒を十分に除去し、第2の高分子膜を形成した後に、ステップ4~6を行った以外は、同様にして固体電解コンデンサを作製した。光電子分光装置を用いて、9,9-オクチルフルオレン-スチルベン-トリフェニルアミン共重合体の仕事関数を測定した結果、5.4eVであった。また、濃度と素子の空隙率から算出した9,9-オクチルフルオレン-スチルベン-トリフェニルアミン共重合体の膜の厚みは10nmであった。実施例3実施例1のステップ2において、ポリエチレングリコールPEGを濃度が0.1重量となるように純水に溶解させた溶液に素子を浸漬させた。その後、乾燥させ、溶媒を十分に除去して、第1の高分子膜を形成した。光電子分光装置を用いて、ポリエチレングリコールの仕事関数を測定した結果、6.0eVであった。また、濃度と素子の空隙率から算出したポリエチレングリコールPEGの膜の厚みは10nmであった。その後、ステップ3~6を行った以外は、同様にして固体電解コンデンサを作製した。実施例4実施例1のステップ3において、ポリアセチレンを濃度が0.1重量となるようにトルエンに溶解させた溶液に素子を浸漬させた。その後、乾燥させ、溶媒を十分に除去して、第1の高分子膜を形成した以外は同様にして作製した。光電子分光装置を用いてポリアセチレンの仕事関数を測定した結果、5.1eVであった。また、濃度と素子の空隙率から算出したポリアセチレンの膜の厚みは10nmであった。実施例5実施例1のステップ3において、ポリジアセチレンを濃度が0.1重量となるようにトルエンに溶解させた溶液に素子を浸漬させた。その後、乾燥させ、溶媒を十分に除去して、第1の高分子膜を形成した以外は同様にして作製した。光電子分光装置を用いてポリジアセチレンの仕事関数を測定した結果、5.2eVであった。また、濃度と素子の空隙率から算出したポリジアセチレンの膜の厚みは10nmであった。比較例1実施例1において、ステップ2,3の工程を行わなかった以外は同様にして作製した。比較例2実施例1において、ステップ3の工程を行わなかった以外は同様にして作製した。比較例3実施例1において、ステップ2の工程を行わなかった以外は同様にして作製した。コンデンサの評価上記実施例及び比較例で作製した固体電解コンデンサの静電容量、及び漏れ電流値を測定し、それぞれの100個の平均値を求めた。漏れ電流の測定は、室温下で3.0Vを印加した後の5分後の電流値を測定した。結果を表1に示す。比較例1の静電容量及び漏れ電流を100とした指数で示す。表1から明らかなように、比較例1に比べ、実施例1のコンデンサは漏れ電流が小さい。これは、ポリピロールより大きな仕事関数をもつ第1の高分子膜と第2の高分子膜を誘電体層と陰極層との界面に形成することにより、電子が誘電体層と導電性高分子層との間のエネルギー障壁を越えたり、誘電体層中の不純物準位や欠陥などを通じて、陽極側に流れたりすることを抑制することができたためと考えられる。また、実施例1及び2と実施例4及び5との比較から、第2の高分子膜に用いる材料は、導電性高分子の仕事関数より0.2eV以上大きい材料を用いると漏れ電流をより低減できることがわかる。また、実施例1は、比較例2,3に比べて漏れ電流が小さいことから、高分子膜として2層構造を形成することで、より漏れ電流が低減されることがわかる。温度負荷試験上記実施例1~5及び比較例1~3で作製したコンデンサに温度負荷試験を行った。コンデンサ素子数は各々100個である。温度150°C中で3.0Vを印加し、漏れ電流の測定を行い、平均値を求めた。比較例1の漏れ電流を100とし、測定電圧を印加した後の30分後の漏れ電流を表2に示す。表2に示すように、温度負荷試験後においても、本発明に従う実施例は、漏れ電流が低減されていた。従って、高温や負荷をかけた状態においても、高い信頼性が得られることがわかる。<第1の高分子膜及び第2の高分子膜の合計の膜厚の検討>実施例6上記実施例1において、第1の高分子膜と第2の高分子膜のそれぞれの厚さが等しく、かつ合計の厚さが5nmとなるようにPVCz及びPVAの濃度を調整して作製した。実施例7上記実施例1において、第1の高分子膜と第2の高分子膜のそれぞれの厚さが等しく、かつ合計の厚さが50nmとなるようにPVCz及びPVAの濃度を調整して作製した。実施例8上記実施例1において、第1の高分子膜と第2の高分子膜のそれぞれの厚さが等しく、かつ合計の厚さが1nmとなるようにPVCz及びPVAの濃度を調整して作製した。実施例9上記実施例1において、第1の高分子膜と第2の高分子膜のそれぞれの厚さが等しく、かつ合計の厚さが100nmとなるようにPVCz及びPVAの濃度を調整して作製した。評価上記実施例で作製した固体電解コンデンサの静電容量、及び漏れ電流値を測定し、100個の平均値を求めた。漏れ電流は、室温下で3.0Vを印加した後の5分後の電流値を測定した。結果を表3に示す。比較例1の静電容量及び漏れ電流を100とした指数で示す。表3より、実施例1,6,7では、比較例1及び実施例8に比べて漏れ電流が低い。一方、実施例9は、比較例1及び実施例8に比べて漏れ電流は低いものの静電容量は小さい。以上のことから、2層の高分子膜第1の高分子膜及び第2の高分子膜の合計の厚さが大きい場合、漏れ電流の低減効果はあるものの、静電容量は小さくなってしまうことがわかる。従って、2層の高分子膜第1の高分子膜及び第2の高分子膜の合計の厚さは、5~50nmの範囲にあることが好ましく、さらに10~30nmの範囲が最も好ましいことがわかる。<第1の高分子膜と第2の高分子膜の膜厚の比の検討>実施例10上記実施例1において、PVAの厚みが2nm、PVCzの厚みが18nmとなるようにPVCz及びPVAの濃度を調整して作製した。実施例11上記実施例1において、PVAの厚みが6nm、PVCzの厚みが14nmとなるようにPVCz及びPVAの濃度を調整して作製した。実施例12上記実施例1において、PVAの厚みが14nm、PVCzの厚みが6nmとなるようにPVCz及びPVAの濃度を調整して作製した。実施例13上記実施例1において、PVAの厚みが18nm、PVCzの厚みが2nmとなるようにPVCz及びPVAの濃度を調整して作製した。評価上記実施例で作製した固体電解コンデンサの静電容量、及び漏れ電流値を測定し、100個の平均値を求めた。漏れ電流の測定は、室温下で定格電圧を印加した後の5分後の電流値を測定した。結果を表4に示す。比較例1の静電容量及び漏れ電流を100とした指数で示す。表4より、実施例1,10~13は、比較例1に比べ漏れ電流が低い。表4の結果から、第1の高分子膜:第2の高分子膜の膜厚の比は、3:7~7:3の範囲内が好ましく、さらに好ましくは、4:6~6:4の範囲内であることがわかる。"