"低温ポリシリコン薄膜の製造方法であって、基板を予備する工程と、前記基板にバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層に第1の非結晶シリコン形成を堆積する工程と、前記第1の非結晶シリコン薄膜に触媒の粒子を形成する工程と、第2の非結晶シリコン薄膜で前記第1の非結晶シリコン薄膜及び触媒の粒子を覆うように第2の非結晶シリコン薄膜を形成する工程と、前記触媒の粒子を利用して前記第1の非結晶シリコン薄膜及び第2の非結晶シリコン薄膜に対して結晶化することで低温ポリシリコン薄膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする低温ポリシリコン薄膜の製造方法。前記基板に形成されたバッファ層はケイ素の酸化物層であることを特徴とする請求項1に記載の低温ポリシリコン薄膜の製造方法。前記触媒の粒子はNi、Cu、Al、Er、又はCr粒子を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の低温ポリシリコン薄膜の製造方法。前記結晶化は高速のアニール熱処理であることを特徴とする請求項1又は2に記載の低温ポリシリコン薄膜の製造方法。前記結晶化は高速のアニール熱処理であることを特徴とする請求項3に記載の低温ポリシリコン薄膜の製造方法。請求項1に記載の低温ポリシリコン薄膜の製造方法により得られた低温ポリシリコン薄膜である。低温ポリシリコン薄膜トランジスタであって、基板と、請求項5に記載の低温ポリシリコン薄膜を備えて前記基板の上方に形成されるとともに、ソースの領域、ドレインの領域と、前記ソース領域及びドレイン領域間に位置するチャンネル領域とを含む半導体層と、前記半導体領域の上に順次形成されるゲート絶縁層及び前記チャンネル領域の位置に対応するゲートと、前記ゲート及びゲート絶縁層の上方に形成されるとともに、その中に第1のビアーホール及び第2のビアーホールが形成されている誘電層と、前記第1のビアーホールを介して前記ソース領域と接続されているソース電極と、前記第2のビアーホールを介して前記ドレイン領域と接続されているドレイン電極と、を含むことを特徴とする低温ポリシリコン薄膜トランジスタ。アレイ基板を備えている表示装置であって、前記アレイ基板に請求項7に記載の前記低温ポリシリコン薄膜トランジスタが形成されていることを特徴とする表示装置。前記表示装置はアクティブマトリックス型の有機発光ダイオード又は液晶表示装置であることを特徴とする請求項8に記載の表示装置。本発明の一実施例に係る低温ポリシリコン薄膜の製造方法は、基板を予備する工程と、前記基板にバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層に第1の非結晶シリコン薄膜を形成する工程と、前記第1の非結晶シリコン薄膜に触媒の粒子を形成する工程と、第2の非結晶シリコン薄膜で前記第1の非結晶シリコン薄膜及び触媒の粒子を覆うように第2の非結晶シリコン薄膜を形成する工程と、前記触媒の粒子を利用して前記第1の非結晶シリコン薄膜及び第2の非結晶シリコン薄膜に対して結晶化することで低温ポリシリコン薄膜を形成する工程と、を含む。本発明の他の実施例に係る低温ポリシリコン薄膜は、上記の低温ポリシリコン薄膜の製造方法により得られるものである。本発明のもう一つの実施例に係る低温ポリシリコン薄膜トランジスタであって、基板と、上記低温ポリシリコン薄膜より構成され、前記基板の上方に形成されるとともに、ソースの領域、ドレインの領域と、前記ソース領域及びドレイン領域間に位置するチャンネル領域とを含む半導体層と、前記半導体領域の上に順次形成されるゲート絶縁層及び前記チャンネル領域の位置に対応するゲートと、前記ゲート及びゲート絶縁層の上方に形成されるとともに、その中に第1のビアーホール及び第2のビアーホールが形成されている誘電層と、前記第1のビアーホールを介して前記ソース領域と接続されているソース電極と、前記第2のビアーホールを介して前記ドレイン領域と接続されているドレイン電極と、を含む。半発明のさらに他の実施例に係る表示装置はアレイ基板を備え、前記アレイ基板に上記低温ポリシリコン薄膜トランジスタが形成されている。本発明の実施例又は従来技術における技術案をさらに明瞭に説明するため、実施例又は従来技術の記載に必要な図面に対して紹介する。なお、以下の図面は本発明の一実施例の例示に過ぎないことはもちろんのことである。また、当業者は創造的労働をしなくてもそれらの図面によって他の図面を獲得することは勿論のことである。以下、本発明の実施例の目的、技術案及びメリットをさらに明確にするため、図面を結合して本発明の実施例に係る技術案に対して詳細に説明する。なお、記載した実施例は本発明に係る実施例の一部のみであり、実施例の全部ではない。また、当業者は本発明の実施例に基づき、創造的労働をしない状況で獲得できるあらゆる他の実施例も本発明に含まれる。本発明の実施例は、重要な技術案として中間層結晶粒子成長シリコンInterlayerGrainGrowthSilicon,以下IGSと略称するによる低温ポリシリコン薄膜の製作工程を提供する。後で成長する金属シリコン酸化物、例えばNisilicideも形成されたポリシリコン層の中間部位に位置させるように、ニッケルなどの触媒層を非結晶シリコン層の中間位置に配置させることで、Nisilicideが形成された非結晶シリコン層による薄膜トランジスタのゲート酸化境界面に形成されるのを防止する。これによって、トランジスタのオフ状態電流を有効に抑制し、リークを防止する。以下、図面と具体的実施例に基づき、本発明の実施例に係る技術案に対して、さらに詳しく説明する。第1の実施例図4は本発明による低温ポリシリコン薄膜の製造方法に係る実施例の製造工程の断面概略図1であり、図5は本発明による低温ポリシリコン薄膜の製造方法に係る実施例の製造工程の断面概略図2であり、図6は本発明による低温ポリシリコン薄膜の製造方法に係る実施例の製造工程の断面概略図3であり、図7は本発明による低温ポリシリコン薄膜の製造方法に係る実施例の製造工程の断面概略図4であり、図8は本発明による低温ポリシリコン薄膜の製造方法に係る実施例の製造工程の断面概略図5である。上記の各図面によると、本実施例の方法は以下の工程を含む。即ち、工程101:基板にバッファ層を形成する。図4を参照して、まず、基板11が提供され、当該基板11はガラス基板又はプラスチック基板であってもよい。当該基板11にバッファ層12を形成する。当該バッファ層12は酸化物層、例えばシリコン酸化物層であってもよい。基板11内の物質が後の工程において拡散して、製作された低温ポリシリコン薄膜の品質に影響するのを防止することができる。工程102:バッファ層の上に第1の非結晶シリコン層を堆積する。図5を参照して、バッファ層12に第1の非結晶シリコン薄膜層21を堆積し、当該第1の非結晶シリコン薄膜層21はプラズマ強化化学的気相蒸着法などにより形成される。工程103:第1の非結晶シリコン薄膜層に触媒粒子を塗布する。図6を参照して、続いて、第1の非結晶シリコン薄膜層21に触媒粒子22を塗布する。例えば、極めて微小なニッケル粒子であってもよい。また、当該触媒はニッケル以外に、Cu、Al、Er、Crなどの多種金属、又はそれらのいずれか混合物であってもよい。工程104:第2の非結晶シリコン薄膜層を堆積する。図7を参照して、第1の非結晶シリコン薄膜層21及び複数の触媒粒子22に第2の非結晶シリコン薄膜層23を形成する。当該第2の非結晶シリコン薄膜層23は上記の複数の触媒粒子22を完全に覆う。当該第2の非結晶シリコン薄膜層23の形成方法は上記の第1の非結晶シリコン薄膜層21の形成方法と同じであってもよい。工程105:上記の非結晶シリコン薄膜層に対して、非結晶シリコン薄膜が結晶して低温温ポリシリコン薄膜が形成されるように結晶化する。本工程において、高速のアニール熱処理Rapidthermalannealing,以下RTAと略称する、又はポリシリコン熔融炉中において熱処理した後結晶化する。図8を参照して、結晶化工程の後、非結晶シリコン薄膜がポリシリコン薄膜を形成する。当該ポリシリコン薄膜には、第1のポリシリコン薄膜層21‘及び第2のポリシリコン薄膜層23’が含まれ、その中、いずれも複数の触媒粒子22を核として成長して形成されたポリシリコン粒子24を含む。また、当該工程において、触媒粒子22は第1のポリシリコン薄膜層21’と第2のポリシリコン層23’との境界面に位置されるため、触媒粒子22と非結晶シリコン薄膜中の物質が反応して得られた金属シリコン酸化物例えばNisilicideも当該境界面に位置する。即ち、図3に示した形成されたポリシリコン層と下面のバッファ層との間接触面16に形成されることなく、形成されたポリシリコン薄膜層の中間部位に位置される。よって、金属シリコン酸化物例えばNisilicideは後の工程で得られた低温ポリシリコン薄膜トランジスタの電気特性に影響することなく、トランジスタのリークが有効に抑制される。本実施例の低温ポリシリコン薄膜の製造方法によると、ニッケルなどの触媒層を非結晶シリコン層の中間位置に配置することで、後で形成される金属シリコン酸化物例えばNisilicideも形成されたポリシリコン層の中間部位に位置させる。これによって、当該方法により形成された低温ポリシリコン薄膜を利用して製作したトランジスタは、Vthの良好な分布特性を具備するとともに、オフ状態電流を有効に抑制する。第2の実施例本実施例は低温ポリシリコン薄膜を提供する。当該低温ポリシリコン薄膜は上記第1の実施例に記載の低温ポリシリコン薄膜の製造方法により得られる。第3の実施例本実施例は低温ポリシリコン薄膜トランジスタを提供する。当該トランジスタは第2の実施例に記載の低温ポリシリコン薄膜より得られる。具体的に、図9に示したように、本実施例の低温ポリシリコン薄膜トランジスタは、基板100と、半導体層110と、ゲート絶縁層120と、ゲート130と、誘電層140、ソース電極151と、ドレイン電極152とを含む。基板100はガラス基板又はプラスチック基板などであってもよい。半導体層110は基板100の上方に形成され、第3の実施例に記載の低温ポリシリコン薄膜からなり、ソース領域111と、ドレイン領域112と、前記ソース領域及びドレイン領域の間に位置するチャンネル領域113とを含む。ゲート絶縁層120及びゲート130は前記半導体層110の上層に順次形成され、前記ゲート130は前記チャンネル領域113の位置に対応する。誘電層140は前記ゲート130及びゲート絶縁層120の上方に形成されるとともに、前記誘電層140に第1のビアーホールV1及び第2のビアーホールV2が形成されている。ソース電極は前記第1のビアーホールV1を介して前記ソース領域111と接続され、ドレイン電極は前記第2のビアーホールV2を介して前記ドレイン領域112と接続される。ソース電極151及びドレイン電極152は金属材料より製作できる。当該低温ポリシリコン薄膜トランジスタはTFT-LCDの画素のスイッチング素子として用いられる。図9に示したように、誘電層140に画素電極160が形成され、画素電極160はドレイン電極152と電気的に接続される。画素電極160として、例えば酸化インジウムスズITO又は酸化インジウム亜鉛IZOの透明導電材料が採用される。前記低温ポリシリコン薄膜トランジスタは、例えば有機発光ダイオードOLEDの画素のスイッチング素子としても用いられ、この場合、ドレイン電極は画素の陰極に接続される。本実施例の低温ポリシリコン薄膜トランジスタは、その製作に採用される低温ポリシリコン薄膜中のNisilicideをポリシリコン層の中間位置に位置させるため、当該トランジスタのチャンネル領域は良好な閾値電圧分布を備えるとともに、オフ状態電流を有効に抑制できる。第4の実施例本発明の実施例はさらに表示装置を提供する。当該表示装置はアレイ基板と、前記アレイ基板に形成された低温ポリシリコン薄膜トランジスタとを含む。前記低温ポリシリコン薄膜は上記第3の実施例に記載の低温ポリシリコン薄膜トランジスタを採用してスイッチング素子とする。本実施例の表示装置は有機発光ダイオードであるOLED、又は液晶表示装置Liquidcrystaldisplay,以下LCDと略称するなどであってもよい。当該表示装置に採用される低温ポリシリコン薄膜トランジスタの電気特性は安定であるため、オフ状態電流の発生を有効に防止し、従って、当該表示装置の表示品質を向上させることができる。最後に、上述した実施例は本発明の技術案に関して説明しただけであり、これらに限ったものではない。上記の実施例を参考して本発明に関して詳しく説明しましたが、当業者は、上記の各実施例に記載の技術案に対して変形又は変更することができ、その中の部分技術特徴に対して対等な取替えができ、このような変形又は取替えが、対応する技術案の実質を本発明の各実施例の技術案の主旨と範囲から逸脱させないことに理解すべきである。"