電気的抵抗素子1であって、半導体材料によって形成されている基体2と、前記基体2と導電的に接続されている第1のコンタクト要素5と、前記基体2と導電的に接続されている第2のコンタクト要素6とを備え、前記基体2は、第1の主要面2aを有しており、該第1の主要面2a内には凹部3が設けられており、前記第1のコンタクト要素5は、前記凹部3内で少なくとも部分的に前記基体2と導電的に接続されており、前記基体2は、第2の主要面2bを有しており、該第2の主要面2bは前記第1の主要面2aに対向的に設けられており、前記第2のコンタクト要素6は、前記第2の主要面2bにおいて少なくとも部分的に前記基体2と導電的に接続されていることを特徴とする電気的抵抗素子。前記第1の主要面2aと第1のコンタクト要素5との間に電気的に絶縁性の不動態化要素4が設けられている、請求項1記載の電気的抵抗素子。前記第1のコンタクト要素5と基体は、前記凹部3の領域内でのみ相互に導電的に接続されている、請求項1または2記載の電気的抵抗素子。前記凹部は少なくとも1つの側面3aと少なくとも1つの底面3bとを有し、前記少なくとも1つの側面3aと少なくとも1つの底面3bは、前記凹部を基体2方向で限定し、前記少なくとも1つの側面3aと少なくとも1つの底面3bは、前記第1のコンタクト要素5と完全に直接接触している、請求項1から3いずれか1項記載の電気的抵抗素子。前記凹部は、ピラミッドの形状に形成されており、その先端は、第2の主表面2bに向いている、請求項1から4いずれか1項記載の電気的抵抗素子。前記凹部は、その少なくとも1つの側面3aとその少なくとも1つの底面3bとにおいて、エッチングプロセスの形跡を有している、請求項1から5いずれか1項記載の電気的抵抗素子。前記抵抗素子は、正の温度係数を有している請求項1から6いずれか1項記載の電気的抵抗素子。前記基体2は、ドーピングされた珪素からなっており、この場合のドーピング濃度は、少なくとも1015cm3から最大で1017cm3である、請求項1から7いずれか1項記載の電気的抵抗素子。前記基体2は、少なくとも100μmの厚さを有している、請求項1から8いずれか1項記載の電気的抵抗素子。前記第1の主要面2a及び/又は第2の主表面2bは、最大で1mm2の基準面積を有している、請求項1から9いずれか1項記載の電気的抵抗素子。請求項1から10いずれか1項記載による電気的抵抗素子1を大量生産するための方法において、半導体材料からなるウエハ20を準備するステップと、前記ウエハ20の第1の主要面2aに不動態化要素4を被着するステップと、前記不動態化要素4において、開口部を部位毎に形成し、当該開口部内でそれぞれ半導体材料を露出させるステップと、複数の凹部3を形成するために、前記開口部内で露出する半導体材料に湿式エッチング法を施すステップと、前記複数の凹部の少なくともいくつかに第1のコンタクト要素5を設けるステップとを有していることを特徴とする方法。前記複数の凹部の少なくとも2つに、相互に異なる最大直径Dを持たせる、請求項11記載の方法。少なくとも1つの第1態様の発光ダイオード7aを含む、第1の発光ダイオード装置7と、少なくとも1つの第2態様の発光ダイオード8aを含む、第2の発光ダイオード装置7と、請求項1から10いずれか1項記載の電気的抵抗素子1とを有する照明装置において、前記第1態様の発光ダイオード7aが、第2態様の発光ダイオード8aとは別の温度依存性を有し、前記抵抗素子1と前記第2の発光ダイオード装置8とが直列回路10を形成し、さらに、前記直列回路10と前記第1の発光ダイオード装置7とが並列回路を形成していることを特徴とする照明装置。