"ジルコニアを含むセラミックスから成り、単斜晶率が1vol以下であることを特徴とするインプラントフィクスチャー。焼結体粒子径が0.3μm以下であることを特徴とする請求項1記載のインプラントフィクスチャー。イットリアの含有率が2~4molの範囲にあり、アルミナの含有率が0.05~1質量の範囲にあることを特徴とする請求項1又は2記載のインプラントフィクスチャー。実質的にアニール処理を施されていない表面を有することを特徴とする請求項1~3のいずれか1項記載のインプラントフィクスチャー。表面粗さRaが1~5μmの範囲にあることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項記載のインプラントフィクスチャー。表面粗さRzが5~40μmの範囲にあることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項記載のインプラントフィクスチャー。前記セラミックスを含むスラリーをインプラントフィクスチャーの反転型に注入し、前記反転型の中で前記セラミックスを硬化させて製造した請求項1~6のいずれか1項に記載のインプラントフィクスチャー。前記セラミックスを含むスラリーをインプラントフィクスチャーの反転型に注入し、前記反転型の中で前記セラミックスを硬化させることを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載のインプラントフィクスチャーの製造方法。セラミックス製のインプラントフィクスチャーは、まず、塊状のセラミックス焼結体を製造し、次に、その塊状のセラミックス焼結体から、所定のインプラントフィクスチャーの形状を削り出すという方法で製造される。この方法で製造されたセラミックス製のインプラントフィクスチャーでは、単斜晶が表面に露出してしまう。インプラントフィクスチャーは、口中で乳酸に曝され、オートクレーブで滅菌するときに熱水に曝される。単斜晶が表面に露出したセラミックス製のインプラントフィクスチャーは、乳酸や熱水に曝される環境では、耐久性が十分ではない。本発明は以上の点に鑑みなされたものであり、セラミックスから成る、耐久性に優れたインプラントフィクスチャー及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明のインプラントフィクスチャーは、ジルコニアを含むセラミックスから成り、単斜晶率が1vol以下であることを特徴とする。本発明のインプラントフィクスチャーは、単斜晶率が1vol以下より好ましくは0.5vol以下、特に好ましくは0volであることにより、乳酸等に対する耐久性において優れる。また、本発明のインプラントフィクスチャーは、生体親和性が高く、生体との適合性について格段に優れ、臨床試験の結果において他のインプラントフィクスチャーと比べ顕著に有意差を示すことができる。本発明のインプラントフィクスチャーにおける表面粗さRaは、1~5μmの範囲にあることが好ましい。また、本発明のインプラントフィクスチャーにおける表面粗さRzは、5~40μmの範囲にあることが好ましい。表面粗さRa、Rzが上記の範囲内であることにより、インプラントフィクスチャーと骨との結合が強固になる。本発明のインプラントフィクスチャーにおいて、焼結体粒子径は、0.3μm以下であることが好ましい。0.3μm以下であると、乳酸等に対する耐久性が一層優れる。なお、焼結体粒子径はプラニメトリック法によって測定する。本発明のインプラントフィクスチャーにおけるジルコニアの含有率は、88質量以上より好ましくは90質量以上、特に好ましくは92質量以上が好ましい。ジルコニアの含有率がこの範囲内であることにより、乳酸等に対する耐久性が一層優れる。本発明のインプラントフィクスチャーは、ジルコニアの他に、例えば、イットリア、アルミナのうちの一方、又は両方を含むことができる。イットリアを含むことにより、ジルコニアを正方晶の状態で安定させることができる。それによって、インプラントフィクスチャーの表面が単斜晶になることを抑制し、単斜晶率の低いインプラントフィクスチャーを得やすくなる。また、インプラントフィクスチャーが乳酸や熱水に曝された環境において単斜晶ができることを抑制できるため、インプラントフィクスチャーの耐久性が向上する。イットリアの含有率は、2~4molの範囲が好ましい。本発明のインプラントフィクスチャーは、アルミナを含むことにより、焼成温度が低くても緻密なセラミックスを得ることができる。アルミナを含まない場合、焼成温度を高くすれば緻密なセラミックスを得られるが、焼結体粒子径が大きくなってしまう。逆に、焼成温度を低くすれば焼結体粒子径は小さくなるが、緻密性が低下する。アルミナの含有率は、0.05~1質量より好ましくは0.1~0.5質量の範囲が好ましい。また、本発明のインプラントフィクスチャーは、イットリア、アルミナ以外の微量成分を含んでいてもよい。本発明のインプラントフィクスチャーを形成するセラミックスは、緻密質であることが好ましい。セラミックスが緻密質であることによって、乳酸等に対する耐久性において優れる。また、インプラントフィクスチャーとして十分な強度も得られる。インプラントフィクスチャーを形成するセラミックスの相対密度は、95以上より好ましくは98以上、特に好ましくは99以上であることが好ましい。本発明のインプラントフィクスチャーは、実質的にアニール処理を施されていない表面を有することが好ましい。アニール処理とは、セラミックスの焼結体に対して、切断、研磨、ブラスト処理などの加工をした後に、800°C以上の高温で加熱する処理である。アニール処理をすることによって、加工面に発生した単斜晶を減少させることができるが、アニール処理によって単斜晶率を低下させた表面は、加工を施していない焼成面に比べて耐久性が劣る傾向がある。本発明のインプラントフィクスチャーは、例えば、以下の方法で製造できる。すなわち、ジルコニアを含むセラミックスのスラリーをインプラントフィクスチャーの反転型に注入し、その反転型の中でセラミックスを硬化させて製造することができる。この製造方法によれば、塊状のセラミックス焼結体からインプラントフィクスチャーの形状を削り出す必要が無いので、インプラントフィクスチャーにおける単斜晶率が大きくなり難い。その結果、製造したインプラントフィクスチャーの耐久性が高くなる。上記の製造方法においては、反転型の内面スラリーと接する面の表面粗さを所定の値にしておくことにより、インプラントフィクスチャーの表面粗さを設定できる。反転型の内面の表面粗さは、例えば、反転型の内面をブラスト処理することにより設定できる。また、母模型の表面をブラスト処理し、母模型の表面粗さを反転型の内面に転写する方法によって、反転型の内面の表面粗さを設定してもよい。ブラスト処理に用いるサンドブラスト材の平均粒径は50~500μmである。好ましくは80~300μmである。ブラスト材としては、アルミナ系、炭化珪素系、ジルコニア系などの材質のものを利用することができる。具体的にはスチールショットスチールグリット、マイクロショット、ピーニングショット、SB超硬ショット、アドバンスショット、ブライトショット、ステンレスショット、アルミカットワイヤー、アモビーズ、ガラスビーズ、ガラスパウダー、アランダム、カーボランダム、セラミックビーズ、ナイロンショット、ポリカーボネイト、メラミン、ユリア、クルミショット、アプリコット、ピーチなどを適宜利用できる。サンドブラスト処理器機としては、汎用吸引式サンドブラスター、汎用直圧式サンドブラスター、小型循環式サンドブラスター、バレル式小型循環式サンドブラスター、ペンタイプサンドブラスターなどを利用可能であるが、細部をブラスト処理する為にはペンタイプサンドブラスターが好ましく利用される。ブラスト圧は、例えば、02~12kgfcm2であり、ブラスト材の材質並びに粒径によって選択される。上記の製造方法で用いるスラリーは、例えば、セラミックス粉末、硬化用バインダーを含むものである。スラリーは、その他に、粘性調整用の水溶性高分子、各種溶媒、分散又は湿潤のための界面活性剤等を含んでいてもよい。硬化用バインダーとしては、熱硬化性を持つバインダー例えばエポキシ樹脂、ポリエステル、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ポリイミド、シアン酸エステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、イソシアネート樹脂もしくはこれらの変性樹脂等が挙げられる。また、これらの樹脂をエマルション化したものも用いることができる。また、硬化用バインダーとして、熱ゲル性を持つバインダータンパク質,デンプン等を用いてもよい。スラリーの溶媒としては、例えば、水、芳香族溶剤、脂肪族溶剤、エステル、ケトン系溶剤等が挙げられる。スラリーは、溶媒にセラミックス粉とバインダー等を混合し、ボールミル等を用い充分分散混練し、真空脱泡することで製造できる。上記の製造方法で用いる反転型は、弾性変形可能であり、伸縮可能な材料で構成することが好ましい。こうすることにより、仮に、インプラントフィクスチャーの形状が複雑なものであっても、反転型を変形させて、インプラントフィクスチャーを反転型から容易に取り出すことができる。反転型の材料としては、例えば、ワックス、発泡ポリスチレン、天然ゴム、スチレンブタジエンゴム、ニトリルブタジエンゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピレンゴム、シリコンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等がある。本発明の実施形態を説明する。1.インプラントフィクスチャーの製造1母模型の製造SUSステンレス鋼の材料を、周知のインプラントフィクスチャーの形状に加工し、これを母模型とする。ただし、母模型の大きさは、最終的に得られるインプラントフィクスチャーの大きさに所定の係数1より大きい係数を乗じたものとする。係数を乗じて母模型を大きめにしておくのは、後述する焼成工程においてセラミックスが収縮するためである。上記の係数は、使用するセラミックススラリーの組成によって相違する。本実施形態においては、係数の値として1.3が好適である。次に、母模型の表面をブラストで処理する。ブラスト処理後における母模型の表面の粗さは、最終的に得られるインプラントフィクスチャーの表面粗さが、下記の値となる粗さとする。なお、Ra、RzはJISで規定するものである。Ra:1~5μmRz:5~40μm上記の条件を満たす母模型の表面粗さは、母模型の表面粗さを数種類変えてインプラントフィクスチャーを製造し、母模型の表面粗さと、インプラントフィクスチャーの表面粗さとの相関関係を把握することで、容易に設定することができる。母模型の表面粗さRa、Rzは、概ね、上述したインプラントフィクスチャーの表面粗さRa、Rzの1.3倍程度とすればよい。なお、インプラントフィクスチャーの形状すなわち母模型の形状は、図1に示すものである。インプラントフィクスチャー1は、全体として棒状の形状を有する。インプラントフィクスチャー1は、生体に埋設される埋設部1aと、生体から露出し、上部構造物図示略が装着される露出部1bとから成る。埋設部1aは、棒状先端にゆくほど直径が小さくなる円筒状の形状を有し、その外周面のうち、上端付近には、断面6角形のナット部3が形成されている。このナット部3にスパナ等を装着し、埋設部1aを回転させることにより、埋設部1aを生体にねじ込むことができる。また、埋設部1aの外周面のうち、ナット部3以外の部分には、突条対9及び溝11が形成されている。上記突条対9は、埋設部1aの外周面に螺旋状に形成されている。突条対9は、一定の間隔をおいて平行に配置された、第1の突条13と第2の突条15とから成る。溝11は、第1の突条13と第2の突条15とにより両側を挟まれた部分である。2反転型の製造反転型の製造方法を図2、及び図3に基づいて説明する。図2に示すように、前記1で製造した母模型21を、母模型21よりも広い水平面を有する台座23の上に載せる。なお、図2では、母模型21の形状は簡略化して表現している。次に、天板と底が開放された中空円筒形状を有する外型25を、母模型21及び台座23の上から被せる。母模型21及び台座23は、外型25の内部に収容される。また、台座23の外周面23aは、外型25の内周面に隙間無く密着する。次に、外型25の内部に、反応硬化型シリコンゴム液状を注入する。注入後、24時間経過してから、硬化した、反応硬化型シリコンゴムの反転型27図2参照を、外型25から抜き取る。反転型27は、母模型21の形状を反転した凹部27aを備えている。また、反転型27は、弾性及び伸縮性を有する材料から成るので、容易に変形及び伸縮することができる。3セラミックススラリーの調製以下の成分を混合して、セラミックススラリーを調整した。セラミックス粉末:100質量部水:30質量部エステル樹脂エマルションアクリル酸メチル:9質量部エステル系溶剤ブチルカルビトールアセテート:3質量部アンモニア水:適宜アンモニア水でセラミックスラリーのpHを9~10の範囲内に調整する上記セラミックス粉末は、東ソー株式会社製のTZ-3Y-E商品名である。このTZ-3Y-Eは、ジルコニアを主成分93~94.9質量とし、イットリア4.95~5.35質量とアルミナ0.15~0.35質量とを含む。4インプラントフィクスチャーの製造前記2で製造した反転型27の凹部27aに、前記3で調製したスラリーを流し込み、70°Cで加熱して硬化させる。硬化したもの未焼成体を反転型7から取り出し、常温で24時間静置して乾燥させる。その後、未焼成体を、1300°Cの焼成温度で焼成し、インプラントフィクスチャーを完成する。なお、焼成温度が1400°Cを越えると、インプラントフィクスチャーにおけるジルコニアの焼結体粒子径が大きくなる。焼結体粒子径が大きくなり過ぎると、インプラントフィクスチャーの耐久性が低下して、水、乳酸等によって劣化し易くなる。2.インプラントフィクスチャーの評価製造したインプラントフィクスチャーの緻密質、単斜晶率単斜晶割合、及び焼結体粒子径を評価した。その結果は以下のとおりであった。緻密質:相対密度99以上単斜晶率:0vol焼結体粒子径:0.15μmなお、緻密質は、JISR1634の方法で嵩密度を測定し、その嵩密度の値を理論密度で除する方法で評価した。また、単斜晶率は、X線解析を用いて評価した。また、焼結体粒子径は、プラニメトリック法で評価した。プラニメトリック法の詳細は以下のとおりである。セラミックスの焼結面、或いは鏡面研磨した面をSEM走査型電子顕微鏡で撮影し、得られた写真上に面積がAの円を描き、その円内の粒子数円周にかからない粒子の粒子数Na、円周にかかる粒子数Nb、及びSEMの倍率Mを基に、以下のように算出した平均粒子径Dを焼結体粒子径とする。円内の粒子数Nc=Na1/2×Nb単位面積当たりの粒子数Ng=Nc/A/M2平均粒子径D=√1/Ngこの方法では、粒子1個が占める面積1/Ngから、粒子の断面形状を正方形と見なして計算する。なお、Mは8千倍以上とし、円はNc≧100となる大きさとする。写真上にNc≧100となる円が描けないときは、SEMの倍率を下げて再度撮影した写真を用いる。Mを8千倍としても、Nc≧100となる円が描けないときは、複数の写真互いに重複しないを撮影し、複数の写真にそれぞれ円を描き、各円におけるNcの合計Nctが、Nct≧100となるようにして、Ngを以下の式によって求める。単位面積当たりの粒子数Ng=Nct/At/M2ここで、Nctは、各円におけるNcの合計であり、Atは各円の面積Aの合計である。3.インプラントフィクスチャーが奏する効果耐久性を確認するための試験1試験体の作成試験体A上述したインプラントフィクスチャーと同様の方法で、試験体Aを作成した。ただし、試験体Aの形状は、大きさが30mm×5mm×2mmである板状とした。この試験体Aの緻密質相対密度は99以上であり、焼結体粒子径は0.15μmであった。試験体B基本的には試験体Aと同様の方法であるが、焼成温度を1300°Cではなく、1400°Cとして、試験体Bを作成した。この試験体Bの緻密質相対密度は99以上であり、焼結体粒子径は0.28μmであった。試験体C基本的には試験体Aと同様の方法であるが、焼成温度を1300°Cではなく、1550°Cとして、試験体Cを作成した。この試験体Cの緻密質相対密度は99以上であり、焼結体粒子径は0.41μmであった。試験体Rまず、試験体Aと同様の方法で、大きさが30.1mm×5.1mm×2.1mmである板状の前駆体を作成した。次に、この前駆体の片面後に単斜晶率を測定する面を平面研磨板で研磨した後、ブラスト処理して、大きさが30mm×5mm×2mmである板状の試験体Rを作成した。ブラスト処理においては、サンドブラスト材として、セラミックビーズ平均粒径は280μmを使用し、ブラスト圧は05kgfcm2とした。サンドブラスト処理器機としては、ペンタイプサンドブラスターを用いた。上記のようにして作成した試験体Rの緻密質相対密度は99以上であり、焼結体粒子径は0.15μmであった。試験体Xまず、試験体Rを作製し、この試験体Rをアニール処理することによって単斜晶率を下げたものを試験体Xとした。アニール処理の条件は、焼成温度1000°Cにおける2時間焼成である。試験体Xの相対密度は99以上であり、結晶体粒子径は0.15μmであった。2試験方法まず、各試験体の単斜晶率を測定する。次に、各試験体を、濃度1のL-乳酸水溶液温度:35°Cに浸漬し、浸漬開始から1日後、10日後、1ヶ月後、3ヵ月後、6ヵ月後における単斜晶率をそれぞれ測定する。3試験結果試験結果を表1に示す。表1から明らかなように、試験体A、B、Cでは、試験体Rに比べて、単斜晶率が遥かに小さく、乳酸水溶液に長時間浸漬しても、単斜晶率が上昇し難かった。特に、焼成温度が1400°C以下であり、焼結体粒子径が0.3μm以下である試験体A、Bでは、単斜晶率が一層上昇し難かった。それに対し、表面を研磨し、単斜晶率が初期から大きかった試験体Rでは、乳酸水溶液に浸漬すると、単斜晶率が急激に上昇し、6ヵ月後には表面が崩壊した。この結果から、初期の単斜晶率が小さい試験体A、B、Cは、乳酸水溶液に浸漬しても単斜晶率が上昇し難く、耐久性に優れることが確認できた。また、インプラントフィクスチャー1を実際に生体に挿入し、使用したところ、乳酸等に対する耐久性において優れていた。また、インプラントフィクスチャー1は、生体親和性が高く、生体との適合性において優れていた。尚、本発明は前記実施の形態になんら限定されるものではなく、本発明を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。例えば、母模型の材質はSUSには限定されず、他の金属例えば真鍮等であってもよい。また、インプラントフィクスチャーの形状は、図1に示すものには限定されず、任意の形状とすることができる。また、インプラントフィクスチャー1の製造方法は、他の方法であってもよい。例えば、まず、セラミックスの焼結体を研削することにより、図1に示す形状を作り、次に、アニール処理を行う方法であってもよい。この製造方法では、研削直後は、セラミックスの焼結体の単斜晶率が高くなっているが、アニール処理により、単斜晶率を低下させることができる。ただし、乳酸等に対する耐久性は、この製造方法で製造したインプラントフィクスチャーよりも、前記実施形態で製造したものの方が高い。"