"固定された磁化方向を有して基準層2と称される第1の磁性層と、前記基準層2の磁化に対して平行または反平行に配向されることができる可変の磁化方向を有して記憶層3と称される第2の磁性層と、前記基準層2と前記記憶層3とを分離する第1のスペーサ5と、を備える磁気デバイスであって、前記磁気デバイスを読み出しモードから書き込みモードへ、およびその逆に変えることができるような可変の磁化方向を有して制御層4と称される第3の磁性層と、前記記憶層3と前記制御層4とを分離する第2のスペーサ6と、前記記憶層3の磁化の方向を変えることなく前記制御層4の磁化の方向を変えることができる前記制御層4の磁化の方向の制御手段11と、を有し、前記制御層4の磁化は、読み出しモードにおいては、前記基準層および前記制御層によって前記記憶層の磁化に及ぼされるスピントランファートルクを差し引くように、前記制御層は前記基準層の磁化方向に対して平行または反平行の磁化方向を有するように制御され、書き込みモードにおいては、前記制御層が読み出しモードにおいて前記基準層の磁化方向に対して反平行の磁化方向を有するときには、前記制御層は前記基準層の磁化方向に対して平行の磁化方向を有し、前記制御層が読み出しモードにおいて前記基準層の磁化方向に対して平行の磁化方向を有するときには、前記制御層は前記基準層の磁化方向に対して反平行の磁化方向を有するように制御される、ことを特徴とする磁気デバイス。前記記憶層3は、前記制御層4の保持力より大きい保持力を有することを特徴とする請求項1に記載の磁気デバイス。前記記憶層3は、非磁性導電体層10によって分離された2つの磁性層8、9から構成される第1のいわゆる合成反強磁性3層積層構造から形成されており、前記2つの磁性層は、前記非磁性導電体層を介して反平行に結合されていることを特徴とする請求項1または2に記載の磁気デバイス。前記記憶層3は、磁性材料の単一の層から形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の磁気デバイス。前記制御層4の磁化の方向の制御手段11は、前記基準層2の磁化の方向に対して平行または反平行の方向を有する磁界を生成する手段を備えることを特徴とする請求項3に記載の磁気デバイス。前記制御層の磁化の方向の制御手段11は、前記制御層へ、前記基準層2の磁化の方向に対して平行または反平行に偏極された電子を注入する手段25を備えることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の磁気デバイス。前記偏極された電子を前記制御層4へ注入する手段25は、第2の導体27と、合成反強磁性材料28と、固定された磁化を有する磁性層29と、第3の導体30と、を有して、前記制御層4の第1の端部26に接触する積層構造と、前記積層構造における一方向または反対方向に前記積層構造を通過するような電流を送信することができる電流発生器と、前記制御層4の第2の端部32に接触して配置されている第4の導体31と、を備えることを特徴とする請求項6に記載の磁気デバイス。前記制御層4に接して配置された反強磁性材料の層19と、前記反強磁性材料の層19の温度を制御する手段18と、を備えることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の磁気デバイス。前記基準層2、前記記憶層3および前記制御層4が長手方向に伸び、前記基準層2、前記記憶層3および前記制御層4の磁化が長手方向に整列されていることを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載の磁気デバイス。前記基準層2、前記記憶層3および前記制御層4が長手方向に伸び、前記基準層2、前記記憶層3および前記制御層4の磁化が長手方向に垂直であることを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載の磁気デバイス。前記記憶層へ情報を書き込む手段を備え、前記書き込む手段は、前記記憶層を介して一方向または反対方向に循環する第1の電流7を生成することができることを特徴とする請求項1から10のいずれかに記載の磁気デバイス。前記記憶層に含まれる情報の読み出し手段であって、前記記憶層を介して循環することができる第2の電流7’を生成することができる読み出し手段と、前記記憶層の末端で電圧を測定することができる手段と、を備えることを特徴とする請求項1から11のいずれかに記載の磁気デバイス。請求項3または5から10のいずれかに記載の磁気デバイスの前記記憶層の磁化の方向の変更方法であって、前記磁気デバイスが請求項3に従属するとき、前記記憶層3の磁化方向を変えるステップに先だって、前記制御層4の磁化の方向を前記基準層2の磁化方向に対して平行になるように制御することを特徴とする方法。請求項3または5から10のいずれかに記載の磁気デバイスの前記記憶層の磁化の方向の変更方法であって、前記磁気デバイスが請求項3に従属するとき、前記記憶層3の磁化方向の読み出しステップに先だって、前記制御層4の磁化の方向を前記基準層2の磁化方向に対して反平行になるように制御することを特徴とする方法。請求項4または6から10のいずれかに記載の磁気デバイスの前記記憶層の磁化の方向の変更方法であって、前記磁気デバイスが請求項4に従属するとき、前記記憶層3の磁化方向を変えるステップに先だって、前記制御層4の磁化の方向を前記基準層2の磁化方向に対して反平行になるように制御することを特徴とする方法。請求項4または6から10のいずれかに記載の磁気デバイスの前記記憶層の磁化の方向の変更方法であって、前記磁気デバイスが請求項4に従属するとき、前記記憶層3の磁化方向を変えるステップに先だって、前記制御層4の磁化の方向を前記基準層2の磁化方向に対して平行になるように制御することを特徴とする方法。より明瞭にするために、全ての図面において、同一または類似の要素は同一の符号によって示す。全ての図面において、Aで参照されて示される矢印は、種々の磁性層の磁化方向を示し、Iで参照されて示される矢印は、電流を示す。図1は、本発明の1実施形態による磁気デバイス1を示す。この磁気デバイス1は、以下の構成を備える。-基準層2と称される第1の磁性層;-記憶層3と称される第2の磁性層;-制御層4と称される第3の磁性層。基準層2および記憶層3は、第1のスペーサ5によって分離されている。制御層4および記憶層3は、第2のスペーサ6によって分離されている。この実施形態によれば、層2から6は、x軸に平行な長手方向1に延びる。本明細書の全体にわたって、長手方向とはx軸に平行な方向をいい、横断方向とはy軸に平行な方向をいう。この実施形態において、基準層2、記憶層3、および制御層4は、面内磁化を有している。すなわち、これらの層の磁化方向は長手方向である。基準層2は、図1および2の矢印によって表わされる固定された方向の磁化を有している。基準層2の磁化方向は、例えば、第1の反強磁性層に結合しながら交換されて固定されることができる。基準層2はまた、反強磁性層によって閉じ込められた合成反強磁性層であることもできる。記憶層および制御層は、種々の方向の磁化を有する。これらの記憶層3および制御層4の磁化は、基準層の磁化方向に対して平行または反平行のいずれかに配向されることができる。記憶層3は、例えば、コバルト-鉄-ボロンCoFeBの合金からなる磁性材料で製造された単一の層である。この磁性材料は勿論、単に例として与えられており、記憶層3を、例えば、コバルト-鉄CoFe、鉄Fe、または、ニッケルNi、鉄Fe、およびコバルトCoに基づく合金からなる他の磁性材料により製造することもできる。基準層2は、また、例えば、CoFeB、またはCoFeから製造された単一の層である。第1および第2のスペーサ5、6は、例えば、酸化マグネシウムMgOまたは酸化アルミニウムAl2O3の絶縁層または半導体層によって構成されている。磁気デバイス1は、書き込みモードおよび読み出しモードによって機能する。書き込みモードにおいては、図1で示されるように、制御層4の磁化は、基準層の磁化方向に対して反平行であるように選択される。基準層の磁化は、軸-xに向かっており、制御層の磁化は、軸xに向かっている。第1の電子流7が、層2から6を介して軸-yに沿って送られるとき、伝導電子は基準層を通過し、これらの電子のスピンはこの基準層を通過することで偏極する。偏極電子は、その際、記憶層の磁化にスピントランスファートルクを与える。加えて、電子は、制御層4によって、制御層の磁化に対して反平行にスピン偏極されて反射され、また、記憶層3の磁化にスピントランスファートルクを与える。このスピントランスファートルクは、従って、基準層2および制御層4による共同の働きによって強められる。なぜなら、これらの2つの層は、反平行の磁化方向を有するからである。このスピントランスファーは、層2から6を流れる電子流が軸-yまたはyのいずれかを向いているかによって、記憶層の磁化方向を基準層の磁化方向に対して平行または反平行のいずれかに向けることができる。制御層の存在によって、このように記憶層への情報の書き込みを促進することができる。読み出しモードにおいては、図2に示されるように、制御層4の磁化は、基準層2の磁化に対して平行であるように選択される。記憶層に蓄えられた情報を読み出すために、第2の電子流7’が積層構造の層2から6を介して、層2から6を横断して送られる。この第2の電子流7’は、磁気デバイス1の抵抗を測定することができる。記憶層および基準層が反平行磁化であるとき、デバイスの抵抗は上がる。他方、記憶層および基準層が平行磁化であるとき、デバイスの抵抗は低い。第2の電子流7’は、従って記憶層に含まれる情報を変えることなく記憶層から情報を読み出すことを可能にするに違いない。この目的のために、基準層および制御層は、平行磁化を有しており、それら双方は、記憶層の磁化を反対の方向に配向させる傾向を有しているので、記憶層に対して反対の働きを与える。従って、第2の電子流がこれらの層を流れるにもかかわらず、記憶層の磁化方向は変わらない。本発明による磁気デバイスは、このように読み出しモードにおいて記憶層に含まれる情報を変えることなく、読み出しモードおよび書き込みモードに相当する電圧の電流を送ることができる。図3および4は、別の実施形態を示す。ここで、記憶層3は合成反強磁性3層積層構造から構成されており、磁性材料からなる2つの層8および9は、非磁性導電体材料の層10によって分離されている。磁性材料からなる2つの層は、例えば、コバルト-鉄-ボロンCoFeBまたはCoFeの合金によって構成されている。非磁性導電体材料の層10は、例えば、0.5nmから0.9nmの間の厚さを有するルテニウムRuによって構成されている。磁性材料からなる2つの層8および9は、それらの磁化が反平行磁化方向を有するように、非磁性導電体材料の層10を介して磁気的に結合している。磁性材料からなる2つの層8および9は、好ましくは同じ磁気モーメントを有している。すなわち、それらの磁気モーメントが釣り合い、3層積層構造が全体として実質的にゼロの磁気モーメントを有するように、磁化と厚さの積が同じである。記憶層が、合成反強磁性3層積層構造によって形成されているとき、記憶層の磁化方向すなわち記憶層を磁化する方向とは、基準層に最も近接して設置されている記憶層に属する磁性層の磁化の方向をいう。基準層2、第1のスペーサ5、制御層4および第2のスペーサ6は、図1および2を参照して述べられたものと同一であることができる。この実施形態における、図3に示される書き込みモードにおいては、制御層は、基準層の磁化に対して平行の磁化を有していなければならない。書き込みモードにおいては、電流が積層構造を通過するとき、基準層2は、事実、磁性材料8の層の磁化を一方向へ配向する傾向がある。書き込みを促進するため、制御層4は従って磁性材料9の層の磁化を反対方向に配向する傾向が必要である。なぜなら、磁性材料8および9の層は反平行結合しているからである。その一方、図4に示される読み出しモードにおいては、磁性材料8および9の層の磁化の配向が変わるのを防止することが望ましい。この目的のために、制御層4は、基準層2の磁化方向に対して反平行の磁化を有していなければならない。従って、第2の電流7’がこれらの層を通過するとき、基準層は磁性材料8の層の磁化を一方向へ配向する傾向があり、制御層は磁性材料9の層の磁化を同じ方向へ配向する傾向がある。このことにより、これら2つの層は反平行に結合しているので、磁性材料8および9の層の磁化方向における変化を無力化する傾向がある。読み出し中における記憶層の磁化方向の誤反転は、このようにして防止される。記憶層が3層積層構造から構成されているこの実施形態は、記憶層の磁化がより均一であるので好ましい。記憶層が3層積層構造により構成されている場合においては、事実、2つの磁性層8および9の間の磁束近接効果がある。加えて、記憶層の体積がより大きいので、記憶層の熱的安定性は増大する。図5および6は、別の実施形態における磁気デバイスを示す。ここで、記憶層3は、非磁性導電体材料10の層を介して反平行に結合した2つの磁性層8および9を備える第1の3層積層構造から構成されている。記憶層を構成する2つの磁性層の磁化方向は、変えることができる。この実施形態においては、基準層2もまた、非磁性導電体層16を介して反平行に結合した2つの磁性層14および15を備える3層積層構造から構成されている。基準層が3層積層構造から構成されているとき、基準層の磁化方向または磁化の方向とは、3層積層構造の磁性層のうち、記憶層に最も近接して配置されている磁性層の磁化方向をいう。この実施形態による磁気デバイスは、また、例えば、12nmから20nmの間の厚さを有するプラチナおよびマンガンの合金PtMnからなる反強磁性材料12の第1の層を備える。この層は基準層2に接触して配置されており、基準層2を構成する磁性層14および15の磁化方向を固定するように意図されている。基準層2は、0.5nmから0.9nmの間の厚さを有するルテニウムRuからなる薄い層を介して反平行結合されたCoFeBまたはCoFeからなる2つ層によって構成された合成反強磁性3層積層構造であることができる。この合成反強磁性層の典型的な構成は、厚さ2nmのCoFeの層、0.6nmの厚さのルテニウムRuの層、および2.5nmの厚さのCoFeBの層であってもよい。磁性層8,9、14および15は、例えばコバルト-鉄-ボロンの合金で製造することができ、非磁性導電体層10および16は、例えばルテニウムRuで製造することができる。磁性層8および9は、好ましくは磁化と厚さの積が同じであるのでそれらの磁気モーメントが釣り合う。同様に、磁性層14および15は、好ましくは磁化と厚さの積が同じであるのでそれらの磁気モーメントが釣り合う。これらそれぞれの磁性層の厚さは、典型的には1.5nmから4nmの間である。基準層はまた、前述の実施形態で述べたように、単一の磁性層から形成されることもできる。制御層4は、CoFeBまたはCoFeの合金またはFeを用いて、典型的には4nmから8nmの厚さを有して製造される。磁性層4,8、9、14および15の磁化は、磁性層4,8、9、14、および15がx軸に沿って延びる方向に対して平行または反平行である。磁気デバイスは、また、トランジスタ13を備える。磁気デバイスは、また、記憶層3の磁化の方向を変えることなく制御層の磁化の方向を変えることができる制御層4の磁化方向の制御手段11を備える。この実施形態において、制御手段11は、z軸に沿って延び、横断方向yに沿って制御層に整列されている導体17を備える。制御手段11は、また、導体17に電流を送る手段図示せずを備える。電流が導体17を通過するとき、基準層2の磁化方向に対して平行または反平行の磁界18を生成する。この磁界は、従って、制御層の磁化を基準層の磁化方向に対して平行または反平行に配向することができる。この実施形態においては、磁界は、記憶層を構成する磁性層8および9の磁化の配向に大きな影響を与えない。なぜならば、磁性層8および9の磁気モーメントは、相殺offsetしているまたはほとんど相殺しているからである。2つの磁性層8および9は反平行に結合しており、事実、逆の磁気モーメントを有しているので記憶層の全磁気モーメントは実質的にゼロである。制御手段11によって生成された磁界は、従って記憶層にいかなる影響も与えない。その一方で、これ磁界は、制御層の磁化方向を変えることができ、他のいかなる層とも磁気的に結合していない。従って、記憶層に含まれている情報を読み出すことに先だって図5参照、電流が導体17を介して軸zに沿って送られる。この電流は、基準層の層14の磁化に対して反平行の磁界を生成する。この磁界は、記憶層に含まれる情報を読み出すために、基準層、記憶層、および制御層を介したその層層14の磁化方向に対して反平行の制御層の磁化の整列を生じさせる。このため、制御層によって生成されたスピントランスファーおよび基準層によって生成されたスピントランスファーは補償しているので、記憶層を構成する磁性層8および9の磁化方向を変えるリスクを制限することができる。その一方、記憶層に含まれている情報を変えることに先だって図6参照、すなわち、記憶層へ情報を書き込むことに先だって、基準層2の磁性層14の磁化に対して平行な制御層の磁化の整列を生じさせる磁界を生成するために、電流が導体17を介して軸-zに沿って送られる。図7は、次に、記憶層に0を書き込む方法を示す。この目的のために、電流が基準層、記憶層、および制御層を介して、これらの層に対して垂直に通過するように送られる。この電流は、軸-yに沿って送られなければならない。基準層2、より正確には基準層2の磁性層14は、その際、磁性層14の磁化方向に対して平行に磁性層8の磁化を配向する傾向がある。制御層4は、制御層の磁化方向に対して反平行に磁性層9の磁化を配向する傾向がある。基準層および制御層は、従って、記憶層の磁化を同じ方向に配向するように協働する。この書き込みプロセスの間、制御層は、制御層の磁化を他の磁性層によって及ぼされたスピントランスファートルクの影響下で切り替えられることがないのは重要である。この目的のためには、制御層の磁化が記憶層の磁化方向を変えることができるスピントランスファートルクに耐えることができるのに十分な厚さの制御層を選択すれば十分であり、典型的には4nmを超える厚さである。スピントランスファートルクが本質的に界面に存在することは事実知られている。制御層の磁化を切り替えるために必要な臨界電流密度は、この層制御層の厚さに比例して変わる。制御層の厚さを増加させることによってスピントランスファートルクの制御層へのインパクトは、その切り換えをより困難にすることなく最小化できる。なぜならば、印加される磁界がその層の全体積に働くからである。図8は、記憶層に1を書き込む方法を示す。この目的のために、電流が、基準層、記憶層、および制御層を、これらの層に対して垂直に通過するように送られる。この電流は、軸yに沿って送られなければならない。基準層2、より正確には、基準層2の磁性層14は、その後、磁性層14の磁化方向に対して反平行に磁性層8の磁化を配向する傾向がある。制御層4は、その部分で、制御層の磁化方向に対して平行に磁性層9の磁化を配向する傾向がある。基準層および制御層は、従って、記憶層の磁化を同じ方向に配向するように協働する。この実施形態において、導体17は、同時に以下のことを許容する。-制御層の磁化方向を変えることを許容する磁界を生成することができる電流を伝導すること。-記憶層における情報の読み出しまたは書き込みのために、基準層2、制御層4、および記憶層3を通過する電流を供給すること。しかしながら、これらの2つの機能を行なわせるために2つの分離された導体を使用することもできる。図9は、別の実施形態による磁気デバイスを示す。この実施形態においては、磁気デバイスは、第1の導体17と制御層4との間に以下を備えることを除いては、図5から8に示されたものと同様である。-電流が流れたときに熱を生成する第5の導体18。第5の導体18は、例えば、タンタルまたはタングステンから構成されている。または第5の導体18は、導体17と同様な材料から形成することもできるが、この際、単位当たりの長さに対してより高い抵抗を局部的に示すように、より小さい厚さを有することができる。-制御層4および第5の導体18に接触している第2の反強磁性層19。この実施形態によれば、第5の導体18は、電流が第1の導体17を通過するときには第5の導体18をも通過するように、第1の導体17と接触している。第5の導体18を通過する電流がないときには、制御層の磁化方向は、強磁性材料19の第2の層の存在により、固定されている。制御層の磁化方向は、基準層の磁性層14の磁化方向に平行に、または、この磁化方向に反平行に固定することができる。従って、制御層の磁化方向を変えることなく、記憶層の磁化方向を変えることができる。その一方で、制御層の磁化方向を変えることを目的として磁界を生成するために、電流が第1の導体17を通過するとき、この電流は、また、第5の導体18にも流れる。第5の導体18は、そのときジュール効果により熱を生成し、反強磁性材料の第2の層を加熱する。この理由は、この反強磁性材料の第2の層が常磁性体になるように、および制御層の磁化方向が導体17への電流の通過によって生成される磁界の影響により変えることができるようするためである。この電流が遮断されたとき、反強磁性材料の第2の層は再び反強磁性になり、制御層の磁化方向を固定する。反強磁性材料の第2の層の加熱、および第1の導体17による磁界の生成を独立的に制御することができるように、第1の導体17および第5の導体18が接触していない状態で使用することも可能である。他の外部加熱手段による第2の反強磁性材料層の加熱もまた、行うことができる。反強磁性層19は、鉄-マンガンFeMnまたは、イリジウム-マンガンIrMnまたは、イリジウム-マンガン-クロムIrMnCrを用いて、典型的には180°Cから250°Cの間のブロッキング温度で製造することができる。さらに、基準層は、3層積層構造によって形成することに代えて、単一の層によって構成することができる。同様に、記憶層は、合成反強磁性3層積層構造によって形成することに変えて、単一の層によって形成することができる。この場合、記憶層は、制御層の磁化方向が変わるときに記憶層の磁化方向が変わらないために、制御層の保持力coercivityより大きな保持力を有しなければならない。例えば、記憶層を製造するためにコバルト-クロムcobaltchromium合金を用い、制御層としてコバルト-鉄-ボロンの層を用いることによりこれが可能になる。図10は、別の実施形態を示す。ここで、磁気デバイスの磁性層は、面外磁化を有する。従って、この磁気デバイスは3層積層構造を有する基準層2を備える。この3層積層構造は、第1の磁性層14、第2の磁性層15を有し、第1および第2の磁性層14および15が、層14と層15との間に反平行結合を提供する非磁性導電体層16によって分離されている。第1および第2の磁性層14および15は、コバルト-パラジウムCo/Pdの多層または合金、コバルト-プラチナの多層または合金、コバルト-ニッケルの多層または合金、または、希土類rareearths/遷移金属の合金例えば、テルビウム-鉄TbFeによって構成されることができる。第1および第2の磁性層を分離する非磁性導電体層16は、例えば、厚さ0.5nmから0.9nmの間のルテニウムから構成されることができる。磁気デバイスは、本実施形態の場合は、合成反強磁性3層積層構造を有する記憶層3を備える。この合成反強磁性3層積層構造は、非磁性導電体層10によって分離された第1および第2の磁性層8および9を有し、非磁性導電体層は層8と層9との間に反平行結合を提供している。第1および第2の磁性層8および9は、コバルト-パラジウムCo/Pdの多層または合金、コバルト-プラチナの多層または合金、または、コバルト-ニッケルの多層または合金によって構成されることができる。第1および第2の磁性層を分離する非磁性導電体層10は、例えば、厚さ0.5nmから0.9nmの間のルテニウムから構成されることができる。磁気デバイスはまた、例えばCoFeBから構成された制御層4を備える。磁気デバイスは、面外配向を有している。すなわち、基準層2、記憶層3および制御層は長手方向xに沿って伸びているが、磁性層8、9、14、15の磁化はyまたは-yの横断方向に沿って伸びている。面外磁化を有するこの磁気デバイスは、面内磁化を有する磁気デバイスに比べて熱的安定性が改善されているので特に好ましい。事実、面外磁化を有する材料は、面内磁化を有する材料に比べて界面に由来する異方性がより大きい。磁気デバイスは、また、それぞれ、基準層と記憶層との間、記憶層と制御層との間に配置された第1のスペーサ5および第2のスペーサ6を備える。2つのスペーサは、例えば、酸化マグネシウムMgOまたは、酸化アルミニウムから構成されることができる。磁気デバイスはまた、バッファ層12を備える。これは、構造全体の良好な成長を促進することができる。このバッファ層は、例えば、タンタルTa、プラチナPt、窒化銅CuNから作ることができる。磁気デバイスはまた、トランジスタ13を備える。この実施形態によれば、基準層2はまた、好ましくは第1の遷移層transitionlayer21を備え、これ遷移層21は、3層積層構造14-15-16と第1のスペーサ5との間に配置されている。この遷移層21は、スペーサ5がMgOのトンネル障壁であるときには、好ましくは、体心立方結晶構造を有している。この遷移層21は、例えば、CoFeBから構成されており、250°Cから350°CでアニールされてMgOと接触して体心立方で結晶化される。基準層を構成する層14-15-16は、事実、六方晶系または面心立方の結晶構造を有している。その一方で、MgOからなる第1のスペーサ5は、体心立方結晶構造を有している。遷移層21は、従って、基準層2と第1のスペーサ5との間の構造的な遷移を形成し、これにより、第1のスペーサ5で磁気抵抗が増大することができる。同様に、記憶層3は、好ましくは、第1のスペーサ5に接触して配置された第2の遷移層22を備える。この第2の遷移層22は体心立方結晶構造を有し、六方晶系または面心立方の結晶構造を有している記憶層の3層積層構造と、体心立方結晶構造を有している第1のスペーサ5との間の構造的な遷移が出来るようにしている。遷移層22は、たとえば、CoFeBから構成されている。各遷移層21、22は、それぞれ、それが接触して配置されている磁性層14、8の磁化に対して平行な磁化を有しなければならない。この配向は、特に、これらの遷移層の磁化とこれらがそれぞれ接触している磁性層の磁化との間の交換相互作用によって獲得される。同様に、基準層および記憶層を、3層積層構造に代えて単一の層で製造することもできる。磁気デバイスはまた、制御層の磁化の方向のための制御手段11を備える。この制御手段は、記憶層の磁化の方向を変えることなく制御層の磁化の方向を変えることができる。制御層4は、y軸に対して平行または反平行の磁化方向を有する。従って、制御手段11は、y軸に対して平行または反平行な磁界を生成することができる。この目的のため、制御手段11は、例えば、少なくとも2つの電流導体23および24を備える。これらの電流導体はz軸に沿って伸び、制御層4に対して横方向にオフセットしている。電流導体23および24は一方がx軸に沿って動くとき、制御層4のそれぞれの側にこのように横方向にオフセットされて配置される。電流Iは、2つの導体23および24を通過して流れる。前記電流は、それぞれの導体をお互いに反対方向に流れている。制御手段11は、制御層に対してx軸に沿ってオフセットされた単一の導体を備えることもできる。図11および12は、別の実施形態を示す。ここで、制御手段11は、長手方向の磁壁伝播によって制御層の磁化方向を変えることができる。図11および12は、本発明による2つの磁気デバイスを示す。それらは、制御層4を2つの磁気デバイスが共有しているが、本発明の要旨から逸脱しないで、それぞれそれら自身の制御層を備えることができる。これら2つの磁気デバイスは、基準層2、記憶層3、および2つのスペーサ5および6を図5から9で参照するものと同様に備える。しかし、3層積層構造を単一の層で代えることも本発明の要旨から逸脱しないで行える。制御層4は、長手方向xに伸びる。制御手段11は、制御層4に、基準層の磁化の方向に対して平行または反平行に編極された電子を注入する注入手段25を備える。この注入手段25は、制御層4の第1の端部26に接触して配置されている積層構造を備える。この積層構造は以下を備える。-例えば、銅からなる第2の導体27;-反強磁性材料28;-例えば、CoFeの層からなる固定された磁化29を有する磁性材料の層;-例えば、銅からなる第3の導体30。注入手段11はまた、一方向からまたは反対方向からその積層構造を横断して通過するように電流を送ることができる電流生成器図示せずを備える。注入手段25は、また、制御層の第2の端部32に接触している第4の導体31を備える。注入手段25は、このように、制御層を通って長手方向に循環するための、長手方向に対して平行または反平行にスピン偏極された電子の流れを生成することができる。制御層は磁気導体線であり、スピン偏極されている電流Iは、この制御層を通って長手方向に送られる。この目的のために、電子は、固定された磁化29を有する磁性材料の層を通過するが、ここの磁化方向は反強磁性材料28によって固定されている。固定された磁化29を有する磁性材料の層は、基準層の磁化方向に対して平行または反平行の磁化方向を有しなければならない。電子が制御層の第1の端部26に注入されたとき、それらは電子は、従ってスピン偏極される。これらの電子は、制御層の第1の端部の内側の磁区で核となる。この磁区は、所望の偏極の磁化を有している。電流Iが制御層を通って長手方向に送られてくるとき、この磁区の磁壁は、これらの磁壁が制御層の第2の端部32に到達するまで制御層の全体に渡って押し戻され、制御層の全体はその際、所望の磁化を有する。制御層の磁化方向を変えるためには、制御層を通して電流Iの伝播方向を変えることで十分である。導体27、30および31は、制御層4を介した電流の循環を促進する。図11は、読み出しモードにおける磁気デバイスを示し、図12は、書き込みモードにおける同じ磁気デバイスを示す。図13は、それが、面外磁化を有するという事実を除いて、図11および図12と同じ磁気デバイスを示す。それぞれの磁気デバイスは、図10により説明されたような、2つの遷移層21、22を有する。面外磁化の場合、磁性層は固定された磁化29を有しており、この固定された磁化は、基準層の磁化方向に対して平行または反平行の磁化方向を有しなければならない。磁性材料の層は、面外磁化を有する固定された磁化29を有していなければならない。本発明は、勿論図面を参照して述べた実施形態に限定されることはなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で変えることができる。特に、基準層、記憶層、および制御層を製造するために選択された材料は、単に例として示しており、他の材料も使用できる。"