ヒートシンク110と、前記ヒートシンク110の外周に設けられた端子電極120と、前記ヒートシンク110および前記端子電極120を封止するモールド樹脂130とを有し、前記モールド樹脂130の一面131にて前記ヒートシンク110の一面111および前記端子電極120の一面121が前記モールド樹脂130より露出してなるモールドパッケージ100と、一面201にソルダーレジスト230と、前記ソルダーレジスト230に設けられた開口部231を介して前記ソルダーレジスト230より露出するヒートシンク接続ランド210および端子電極接続ランド220とを有する基板200と、を備え、前記ヒートシンク110の一面111と前記ヒートシンク接続ランド210とが対向するとともに、前記端子電極120の一面121と前記端子電極接続ランド220とが対向した状態で、前記モールドパッケージ100が前記基板200の一面201に搭載されており、前記ヒートシンク110の一面111と前記ヒートシンク接続ランド210との間、および、前記端子電極120の一面121と前記端子電極接続ランド220との間が、はんだ300を介して接続されてなる電子装置において、前記ヒートシンク接続ランド210における周辺部に、前記ソルダーレジスト230がオーバーラップしており、前記ヒートシンク接続ランド210における前記ソルダーレジスト230よりも内側の部位に、前記はんだ300が存在しており、前記オーバーラップしたソルダーレジスト230を介して、前記モールドパッケージ100と前記ヒートシンク接続ランド210とが接触することで、前記モールドパッケージ100と前記基板200との間における前記はんだ300の厚さが規定されていることを特徴とする電子装置。前記ソルダーレジスト230の前記開口部231内にて、前記端子電極接続ランド220は、当該端子電極接続ランド220における前記端子電極120と対向する部位の一部が除去された形状とされており、この端子電極接続ランド220が除去されている部位においては、前記はんだ300は、前記端子電極120の一面121と前記端子電極接続ランド220との間からはみ出して、前記端子電極接続ランド220における厚さ方向の側面221まで回り込んでいることを特徴とする請求項1に記載の電子装置。前記端子電極接続ランド220における前記端子電極120と対向する部位の一部とは、前記端子電極接続ランド220における前記端子電極120の外側端部124と対向する部位であって、前記端子電極接続ランド220は、前記端子電極120の外側端部124と対向する部位が除去された形状とされたものであることを特徴とする請求項2に記載の電子装置。前記端子電極接続ランド220における前記端子電極120と対向する部位の一部とは、前記端子電極接続ランド220における前記端子電極120の内側端部125と対向する部位であって、前記端子電極接続ランド220は、前記端子電極120の内側端部125と対向する部位が除去された形状とされたものであることを特徴とする請求項2または3に記載の電子装置。前記端子電極接続ランド220における前記端子電極120と対向する部位の一部とは、前記端子電極接続ランド220における前記端子電極120の内側端部125と対向する部位であって、前記端子電極接続ランド220は、前記端子電極120の内側端部125と対向する部位の一部を除去し、残部を残した形状をなすものであり、さらに、前記端子電極接続ランド220は、前記端子電極120の内側端部125と対向する部位のうち除去されていない前記残部から、前記端子電極120の内側端部125よりも前記モールドパッケージ100の内側へ延長された部位223を有する形状とされており、この延長された部位223に前記ソルダーレジスト230がオーバーラップしており、当該オーバーラップした前記ソルダーレジスト230を介して、前記モールドパッケージ100と前記端子電極接続ランド220とが接触していることを特徴とする請求項4に記載の電子装置。前記ソルダーレジスト230の前記開口部231内における前記端子電極接続ランド220が除去されている部位は、前記端子電極接続ランド220に設けられた複数個の孔224として構成されていることを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1つに記載の電子装置。前記ヒートシンク110の一面111は矩形であり、前記ヒートシンク接続ランド210の平面形状は、前記ヒートシンク110の一面111に対応した矩形であり、前記ソルダーレジスト230は、前記ヒートシンク接続ランド210の周辺部のうち四隅部211を除く部位にてオーバーラップしており、前記四隅部211と前記ヒートシンク110の一面111における四隅部とが前記はんだ300を介して接続されていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の電子装置。ところで、このような電子装置においては、小型化、高密度化の目的で、QFNパッケージの端子電極の狭ピッチ化が要望されている。しかしながら、それに伴い、端子電極のサイズが小さくなり、基板側の端子電極接続ランドとのはんだを介した接続面積が減少することになり、その影響で、はんだ接続寿命が悪化するなどの問題が生じる。このような問題に対して、本発明者は、モールドパッケージと基板との間におけるはんだの厚さを厚くすること、すなわち、ヒートシンクとヒートシンク接続ランドとの間のはんだ、および、端子電極の一面と端子電極接続ランドとの間のはんだの厚さを厚くすることで、はんだ接続寿命を向上させることを考えた。一般に、はんだ厚さを増すと、はんだ層に生じる歪みが低減でき、従って、はんだ接続寿命を向上できるという関係があるためであり、この関係を利用して、電子装置において、はんだ厚さを大きくする構成を採用すればよいと考えた。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、QFNパッケージを、基板上にはんだ接続してなる電子装置において、はんだの厚さを厚く確保するのに適した新規な構成を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明においては、ヒートシンク接続ランド210における周辺部に、ソルダーレジスト230がオーバーラップしており、ヒートシンク接続ランド210におけるソルダーレジスト230よりも内側の部位に、はんだ300が存在しており、オーバーラップしたソルダーレジスト230を介して、モールドパッケージ100とヒートシンク接続ランド210とが接触することで、モールドパッケージ100と基板200との間におけるはんだ300の厚さが規定されていることを特徴とする。それによれば、ヒートシンク接続ランド210における周辺部にて、当該ヒートシンク接続ランド210とモールドパッケージ100とが、ソルダーレジスト230を介して接触することで、このソルダーレジスト230がスペーサの機能を果たし、モールドパッケージ100と基板200との間における、はんだ300の厚さが規定されるため、当該はんだ300の厚さを厚く確保することが可能となる。ここで、請求項2に記載の発明では、請求項1に記載の電子装置において、ソルダーレジスト230の開口部231内にて、端子電極接続ランド220は、当該端子電極接続ランド220における端子電極120と対向する部位の一部が除去された形状とされており、この端子電極接続ランド220が除去されている部位においては、はんだ300は、端子電極120の一面121と端子電極接続ランド220との間からはみ出して、端子電極接続ランド220における厚さ方向の側面221まで回り込んでいることを特徴とする図1、図4、図5等参照。それによれば、端子電極120と端子電極接続ランド220とを接続するはんだ300については、端子電極120の一面121と端子電極接続ランド220との間に位置する部分だけでなく、開口部231内にて端子電極接続ランド220が除去された部位に回り込んだ分も追加されて、はんだ300の量を多いものにできるから、はんだ300に生じる応力緩和効果が大きくなり、はんだ接続寿命を向上させることができる。また、請求項3に記載の発明では、請求項2に記載の電子装置において、端子電極接続ランド220における端子電極120と対向する部位の一部とは、端子電極接続ランド220における端子電極120の外側端部124と対向する部位であって、端子電極接続ランド220は、端子電極120の外側端部124と対向する部位が除去された形状とされたものであることを特徴とする図4参照。それによれば、応力が集中する端子電極120の外周端部124の下にて、端子電極接続ランド220を除去し、はんだ300の量を多くすることで、はんだ接続寿命を向上させることができる。また、請求項4に記載の発明のように、請求項2または請求項3に記載の電子装置においては、端子電極接続ランド220における端子電極120と対向する部位の一部とは、端子電極接続ランド220における端子電極120の内側端部125と対向する部位であって、端子電極接続ランド220は、端子電極120の内側端部125と対向する部位が除去された形状とされたものにできる図1、図5参照。ここで、請求項4の発明においては、端子電極接続ランド220における端子電極120と対向する部位の一部、すなわち上記除去されている部位とは、端子電極120の内側端部125と対向する部位のみでもよいし、端子電極120の内側端部125と対向する部位および外側端部124と対向する部位の両部位であってもよい。さらに、請求項5に記載の発明では、請求項4に記載の電子装置において、端子電極接続ランド220における端子電極120と対向する部位の一部とは、端子電極接続ランド220における端子電極120の内側端部125と対向する部位であって、端子電極接続ランド220は、端子電極120の内側端部125と対向する部位の一部を除去し、残部を残した形状をなすものであり、さらに、端子電極接続ランド220は、端子電極120の内側端部125と対向する部位のうち除去されていない残部から、端子電極120の内側端部125よりもモールドパッケージ100の内側へ延長された部位223を有する形状とされており、この延長された部位223にソルダーレジスト230がオーバーラップしており、当該オーバーラップしたソルダーレジスト230を介して、モールドパッケージ100と端子電極接続ランド220とが接触していることを特徴とする図7参照。それによれば、ヒートシンク接続ランド210だけでなく、さらに、端子電極接続ランド220においても、ソルダーレジスト230によるスペーサ機能が発揮されるため、はんだ300厚さの確保の点で好ましい。また、請求項6に記載の発明のように、請求項2ないし請求項4のいずれか1つに記載の電子装置においては、ソルダーレジスト230の開口部231内における端子電極接続ランド220が除去されている部位は、端子電極接続ランド220に設けられた複数個の孔224として構成されているものとしてもよい図11参照。また、請求項7に記載の発明では、請求項1ないし請求項6のいずれか1つに記載の電子装置において、ヒートシンク110の一面111は矩形であり、ヒートシンク接続ランド210の平面形状は、ヒートシンク110の一面111に対応した矩形であり、ソルダーレジスト230は、ヒートシンク接続ランド210の周辺部のうち四隅部211を除く部位にてオーバーラップしており、四隅部211とヒートシンク110の一面111における四隅部とがはんだ300を介して接続されていることを特徴とする図9、図10参照。それによれば、応力集中の大きいヒートシンク110の四隅部がはんだ接続されるので、接続強度の向上が期待できる。なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。第1実施形態図1は、本発明の第1実施形態に係る電子装置S1の概略断面構成を示す図であり、図2は、図1中のモールドパッケージ100におけるモールド樹脂130の一面131側の概略平面図であり、図3は、図1中の基板200の一面201側の概略平面図である。なお、図1は、図2中の一点鎖線A-Aに沿った断面を示している。本実施形態の電子装置S1は、大きくは、QFNパッケージであるモールドパッケージ100におけるモールド樹脂130の一面131を、基板200におけるパッケージ搭載面である一面201に対向させた状態で、モールドパッケージ100を、はんだ300を介して基板200の一面201上に搭載し、はんだ接続してなるものである。ここで、はんだ300は、一般的な共晶はんだや鉛フリーはんだなどである。モールドパッケージ100は、ヒートシンク110と、ヒートシンク110の外周に設けられた端子電極120と、ヒートシンク110および端子電極120を封止するモールド樹脂130とを有している。そして、モールド樹脂130の一面131にて、ヒートシンク110の一面111および端子電極120の一面121が、モールド樹脂130より露出している。ここで、ヒートシンク110は、CuやFeあるいはAlなどの放熱性および導電性に優れた板状のものである。ここでは、ヒートシンク110は典型的なものと同様に、矩形板状をなしている。そして、図1に示されるように、このヒートシンク110において、一方の板面である一面111がモールド樹脂130より露出し、他方の板面である他面112には、モールド樹脂130内にてパワー素子などの半導体素子140が搭載されている。そして、この半導体素子140の熱は、ヒートシンク110の一面111側にて放熱されるようになっている。端子電極120は、ヒートシンク110よりも平面サイズが小さい板状のものであり、ヒートシンク110の外側に設けられている。この端子電極120、ヒートシンク110と同様、CuやFeあるいはAlなどの導電性材料よりなる。ここでは、これら端子電極120、ヒートシンク110は、一般的なリードフレーム素材におけるリード部、アイランド部に相当するものである。それ以外にも、ヒートシンク110は、当該リードフレーム素材とは別体のものであって、かしめなどにより、当該リードフレーム素材と一体化されたものであってもよい。そして、図1に示されるように、端子電極120は、一方の板面である一面121がモールド樹脂130より露出し、他方の板面である他面122には、モールド樹脂130内にてボンディングワイヤ141が接続されている。このボンディングワイヤ141は、一般的な金やアルミなどよりなるもので、これにより半導体素子140と端子電極120とが電気的に接続され、半導体素子140は端子電極120を介してパッケージ外部と電気的に接続されるようになっている。ここでは、図1、図2に示されるように、モールドパッケージ100は、モールド樹脂130によってヒートシンク110よりも一回り大きい矩形板状の本体が構成されているが、複数個の端子電極120は、ヒートシンク110の各辺の外側にてモールド樹脂130の各辺の端部に配置され、全体として矩形枠状に配列されている。また、ここでは端子電極120は、ヒートシンク110から離れる方向、つまりパッケージ内側から外側に向かう方向に沿って長辺が延びる矩形板状をなしている。そして、端子電極120におけるパッケージ内側に位置する内側端部125、パッケージ外側に位置する外側端部124は、端子電極120の短辺となっている。そして、ここでは、端子電極120の一面121だけでなく、端子電極120の外側端部124に位置する側面123も、モールド樹脂130の側面にてモールド樹脂130より露出している。そして、モールド樹脂130は、上記各ランド110、120の露出形態を採用しつつ、これらヒートシンク110、端子電極120、半導体素子140およびボンディングワイヤ141を封止し、これらを保護している。このモールド樹脂130は、エポキシ樹脂などの一般的なモールド材よりなり、パッケージ本体、ここでは矩形板状の本体を区画するものである。このように、本実施形態のモールドパッケージ100においては、本体を区画するモールド樹脂130の一面131の中央部側にてヒートシンク110が露出し、周辺部にて端子電極120が露出しており、典型的なQFNパッケージが構成されている。次に、本電子装置における基板200は、一般的なプリント基板より構成されるが、それ以外にも、セラミック基板などであってもかまわない。ここでは、図1、図3に示されるように、基板200は矩形板状をなしている。この基板200は、一面201にソルダーレジスト230、ヒートシンク接続ランド210および端子電極接続ランド220を有している。ヒートシンク接続ランド210は、Cuなどの導体材料よりなる板状をなすものである。ここでは、ヒートシンク接続ランド210はヒートシンク110に対応したサイズの矩形板状をなしている、このヒートシンク接続ランド210は、ヒートシンク110の一面111と正対して重なり合う位置に設けられ、はんだ300を介して、ヒートシンク110の一面111と電気的、機械的に接続されている。端子電極接続ランド220は、Cuなどの導体材料よりなる板状をなすものであり、必要に応じて、表面にはんだ用のめっきが施されたものである。ここでは、端子電極接続ランド220は、端子電極120に対応したサイズの長方形板状をなしている。この端子電極接続ランド220は、端子電極120の一面121と重なり合う位置に設けられ、はんだ300を介して、端子電極120の一面121と電気的、機械的に接続されている。ここでは、端子電極接続ランド220は、端子電極120の外側端部124よりもモールドパッケージ100の外方にはみ出しており、このはみ出した部分と、モールド樹脂130より露出する端子電極120の外側端部124の側面123との間に、はんだ300の良好なフィレットが形成されている。また、ソルダーレジスト230は、この種の装置に用いられる一般的なものであり、このソルダーレジスト230で被覆された基板200の部分に対して、はんだ300の付着防止、外部からの保護、電気絶縁特性の確保などの役割を果たすものである。このようなソルダーレジスト230は、一般的な感光性樹脂や熱硬化性樹脂よりなり、フォトリソグラフ法などによりパターニングされて形成されるものである。そして、ヒートシンク接続ランド210、端子電極接続ランド220は、このソルダーレジスト230に形成された開口部231にて露出しており、それぞれヒートシンク110、端子電極120とのはんだ付けが可能となっている。このような本実施形態の電子装置S1において、基板200の一面201側では、ヒートシンク接続ランド210における周辺部に、ソルダーレジスト230がオーバーラップしている。ここでは、図3に示されるように、矩形のヒートシンク接続ランド210における各辺の端部から所定領域を、ソルダーレジスト230が被覆しており、このオーバーラップしたソルダーレジスト230の内郭が矩形状の開口部231を構成している。そして、この開口部231を介して、ヒートシンク接続ランド210の中央部側は、矩形状に露出している。そして、図1に示されるように、このヒートシンク接続ランド210におけるソルダーレジスト230よりも内側の部位、すなわち、ヒートシンク接続ランド210のうちソルダーレジスト230で被覆されずに露出している部位に、はんだ300が存在している。そして、これにより、ヒートシンク接続ランド210とヒートシンク110の一面111とがはんだ接続されている。それとともに、本実施形態では、図1に示されるように、当該オーバーラップしたソルダーレジスト230を介して、ヒートシンク110とヒートシンク接続ランド210とが接触することで、モールドパッケージ100と基板200との間における、はんだ300の厚さが規定されている。これにより、本実施形態によれば、ヒートシンク接続ランド210における周辺部にて、当該ヒートシンク接続ランド210とモールドパッケージ100とが、オーバーラップしたソルダーレジスト230を介して接触することで、このソルダーレジスト230がスペーサの機能を果たす。そして、モールドパッケージ100と基板200との間における、はんだ300の厚さが規定されるため、当該はんだ300の厚さを厚く確保することができる。このような電子装置S1は、上記各ランド210、220を有する基板200に、フォトリソグラフ法などによりソルダーレジスト230を形成した後、この基板200の一面201上に、印刷などによって、はんだ300を配置し、上記モールドパッケージ100を搭載して、はんだ付けを行うことにより製造される。ここで、本実施形態では、ヒートシンク110とヒートシンク接続ランド210とで、当該オーバーラップしたソルダーレジスト230を挟み込むことにより、このオーバーラップしたソルダーレジスト230が、ヒートシンク接続ランド210上にてモールドパッケージ100を支持する。そうすると、モールドパッケージ100におけるモールド樹脂130の一面131とヒートシンク接続ランド210との距離は、実質的にオーバーラップしたソルダーレジスト230の厚さ寸法たとえば、数十μm程度となる。そのため、はんだ付けの際に、このオーバーラップしたソルダーレジスト230がスペーサとなり、モールドパッケージ100と基板200との間におけるはんだ300の厚さ、すなわち、ヒートシンク110とヒートシンク接続ランド210間のはんだ300の厚さ、および、端子電極120と端子電極接続ランド220間のはんだ300の厚さが、規定される。また、本実施形態では、図1に示されるように、ソルダーレジスト230の開口部231内にて、端子電極接続ランド220は、当該端子電極接続ランド220における端子電極120と対向する部位の一部が除去された形状とされている。つまり、基板200においては、開口部231にて端子電極120と正対し且つ端子電極接続ランド220が存在しない部位が設けられている。ここでは、端子電極接続ランド220における端子電極120と対向する部位の一部は、端子電極120の内側端部125と対向する部位であり、端子電極接続ランド220は、この端子電極120の内側端部125と対向する部位が除去された形状とされている。具体的に図1では、ソルダーレジスト230の開口部231内にて、端子電極接続ランド220は、当該端子電極接続ランド220の内側端部全体を端子電極120の内側端部125よりもパッケージ外側に位置させることにより、当該端子電極接続ランド220における上記形状を実現している。そして、図1に示されるように、この端子電極接続ランド220が除去されている部位においては、はんだ300は、端子電極120の一面121と端子電極接続ランド220との間からはみ出して、端子電極接続ランド220における厚さ方向の側面221まで回り込んでいる。つまり、開口部231内における端子電極接続ランド220が除去されている部位においては、はんだ300が端子電極接続ランド220における厚さ方向の側面221まで回り込んでいる。それにより、当該部位では、はんだ300が端子電極120と端子電極接続ランド220との距離よりも厚く形成されている。このような構成によれば、端子電極120と端子電極接続ランド220とを接続するはんだ300については、端子電極120の一面121と端子電極接続ランド220との間に位置する部分だけでなく、開口部231内にて端子電極接続ランド220が除去された部位に回り込んだ分も追加されて、はんだ300の全体量を多いものにできる。そのため、はんだ300に生じる応力緩和効果が大きくなり、はんだ接続寿命が向上する。第2実施形態図4aは、本発明の第2実施形態に係る電子装置S2の概略断面構成を示す図であり、図4bは、a中の端子電極接続ランド220の概略平面図である。なお、図4bにおいては、端子電極接続ランド220に対向する端子電極120の外側端部124の位置L1を一点鎖線L1で示し、内側端部125の位置L2を一点鎖線L2で示している。本実施形態では、上記第1実施形態との相違点を中心に述べることとする。図4においても、上記した図1の場合と同様、1個の開口部231に位置する端子電極接続ランド220は、端子電極120と対向する部位の一部が除去された形状とされている。しかし、本実施形態では、端子電極接続ランド220における端子電極120と対向する部位の一部は、端子電極接続ランド220における端子電極120の外側端部124と対向する部位であり、本実施形態の端子電極接続ランド220は、この端子電極120の外側端部124と対向する部位が除去された形状とされている。具体的には、端子電極接続ランド220の中間部における端子電極120の外側端部124と対向する部位にスリット222を入れて、当該部位を除去することにより、当該端子電極接続ランド220における上記形状を実現している。このような形状は、フォトリソグラフ法などを用いたエッチングなどにより、容易に実現できる。そして、この端子電極接続ランド220が除去されている部位においては、はんだ300は、端子電極120の一面121と端子電極接続ランド220との間からはみ出して、端子電極接続ランド220における厚さ方向の側面221まで回り込んでいる。ここでは、端子電極接続ランド220が除去されている部位であるスリット222の全体もしくは一部を埋めるように、はんだ300が回り込んでいる。ここで、端子電極120の外側端部124は、端子電極120のうちで最も応力が集中しやすい部位であるが、本実施形態によれば、この端子電極120の外周端部124の下にて、端子電極接続ランド220を除去し、はんだ300の量を多くできるから、はんだ接続寿命の向上が期待できる。なお、上記図1に示した端子電極接続ランド220において、さらに、本実施形態のように、端子電極120の外側端部124と対向する部位が除去された形状としてもよい。第3実施形態図5aは、本発明の第3実施形態に係る電子装置S3の概略断面構成を示す図であり、図5bは、a中の端子電極接続ランド220の概略平面図である。なお、図5bにおいても、端子電極接続ランド220に対向する端子電極120の外側端部124の位置L1を一点鎖線L1で示し、内側端部125の位置L2を一点鎖線L2で示している。本実施形態では、上記第1実施形態との相違点を中心に述べることとする。図5に示されるように、本実施形態においても、上記した図1の場合と同様、1個の開口部231に位置する端子電極接続ランド220は、端子電極120と対向する部位の一部として、端子電極120の内側端部125と対向する部位が除去された形状とされている。しかし、本実施形態では、端子電極接続ランド220は、当該端子電極接続ランド220の内側端部が端子電極120の内側端部125よりもパッケージの内側に位置している。そして、この端子電極接続ランドにおける両端部124、125間に位置する中間部において、端子電極120の内側端部125と対向する部位にスリット222を入れて除去することにより、当該端子電極接続ランド220における上記形状を実現している。そして、本実施形態においても、端子電極接続ランド220における当該スリット222にて、はんだ300は、端子電極接続ランド220における厚さ方向の側面221まで回り込んでいる。この場合も、上記図1の場合と同様に、回り込んだはんだ300によって、はんだ量が増加し、応力緩和効果の増大、はんだ接続寿命の向上といった効果が期待できる。また、上記図1のものに比べて、本実施形態の方が、端子電極接続ランド220のサイズが大きく、全体として、はんだ接続面積が多くなるという利点がある。ここで、図6は、本第3実施形態の他の例としての端子電極接続ランド220を示す概略平面図である。図6に示されるように、上記図5に示した端子電極接続ランド220において、さらに、上第2実施形態図5参照のように、端子電極120の外側端部124と対向する部位が除去された形状としてもよい。つまり、この図6の場合、端子電極接続ランド220において端子電極120と対向する部位の一部、すなわち、除去されている部位とは、端子電極120の内側端部125と対向する部位、および、端子電極120の外側端部124と対向する部位とされる。第4実施形態図7は、本発明の第4実施形態に係る電子装置S4の概略構成を示す図である。この図7において、aは本電子装置S4中の端子電極接続ランド220およびその近傍を示す概略平面図であり、bはa中の一点鎖線B-Bに沿った本電子装置S4の全体概略断面図、cはa中の一点鎖線C-Cに沿った本電子装置S4の全体概略断面図である。なお、図7aにおいても、端子電極接続ランド220に対向する端子電極120の外側端部124の位置L1を一点鎖線L1で示し、内側端部125の位置L2を一点鎖線L2で示している。本実施形態は、上記第4実施形態を一部変形したものであり、上記第4実施形態との相違点を中心に述べることとする。本実施形態においても、上記した第3実施形態と同様、1個の開口部231に位置する端子電極接続ランド220は、端子電極120と対向する部位の一部として、端子電極120の内側端部125と対向する部位が除去された形状とされている。しかし、本実施形態では、図7に示されるように、端子電極接続ランド220は、この端子電極120の内側端部125と対向する部位の一部のみスリット222を入れて除去し、残部は残した形状をなしている。具体的に図7では、端子電極接続ランド220は、この端子電極120の内側端部125と対向する部位の中央部をスリット222によって除去し、両側部分を残部として残した形状とされている。そして、この端子電極接続ランド220における当該スリット222の部分では、はんだ300は、端子電極接続ランド220における厚さ方向の側面221まで回り込んでいる。さらに、図7に示される端子電極接続ランド220は、端子電極120の内側端部125と対向する部位のうち除去されていない残部から、端子電極120の内側端部125よりもモールドパッケージ100の内側へ延長された部位である延長部223を有する形状とされている。そして、図7に示されるように、この延長部223にソルダーレジスト230がオーバーラップしており、当該オーバーラップしたソルダーレジスト230を介して、モールドパッケージ100と端子電極接続ランド220とが接触している。本実施形態によれば、ヒートシンク接続ランド210だけでなく、さらに、端子電極接続ランド220においても、オーバーラップしたソルダーレジスト230によるスペーサ機能が発揮されるため、はんだ300厚さの確保の点で好ましい。ここで、図8は、本第4実施形態の他の例としての端子電極接続ランド220を示す概略平面図である。上記スリット222と、延長部223を含む残部との位置関係は、上記図7に限定されるものではなく、たとえば図8に示される配置形態でもよい。図8aでは、端子電極接続ランド220において、端子電極120の内側端部125と対向する部位の中央部を残部として残し、その両側部分を除去した形状としている。また、図8bでは、端子電極接続ランド220において、端子電極120の内側端部125と対向する部位の一側を除去し、他側を残部として残した形状としている。なお、上記図7、図8に示される端子電極接続ランド220において、さらに、上第2実施形態図5参照のように、端子電極120の外側端部124と対向する部位が除去された形状としてもよい。第5実施形態図9は、本発明の第5実施形態に係る電子装置S5の概略断面構成を示す図であり、図10は、図9中の基板200の一面201側の概略平面図である。なお、図9は、図10中の一点鎖線D-Dに沿った断面を示している。本実施形態は、上記各実施形態において、ヒートシンク110とヒートシンク接続ランド210とのはんだ接続形態を変形したものであり、この変形した部分を中心に述べることとする。図9、図10に示されるように、本実施形態においても、ヒートシンク110の一面111は矩形であり、ヒートシンク接続ランド210の平面形状は、ヒートシンク110の一面111に対応した矩形である。ここで、上記各実施形態では、ソルダーレジスト230は、矩形のヒートシンク接続ランド210の周辺部にて矩形の額縁状にオーバーラップしたものであったが、ここでは、ソルダーレジスト230は、ヒートシンク接続ランド210の周辺部のうち四隅部211を除く部位にてオーバーラップしたものとされている。つまり、本実施形態では、ヒートシンク接続ランド210の周辺部のうち四隅部211は露出し、その四隅部211間に位置する辺部はソルダーレジスト230に被覆された状態となっている。そして、ヒートシンク110-ヒートシンク接続ランド210間の中央部に加えて、この四隅部211とヒートシンク110の一面111における四隅部とが、はんだ300を介して接続されている。本実施形態によれば、応力集中の大きいヒートシンク110の四隅部がはんだ接続されるので、接続強度がさらに向上する。第6実施形態図11aは、本発明の第6実施形態に係る電子装置の要部としての端子電極接続ランド220を示す概略平面図であり、図11bは、同端子電極接続ランド220の概略断面図である。図11に示されるように、端子電極接続ランド220が除去されている部位は、端子電極接続ランド220に設けられた複数個の孔224として構成されていてもよい。このような孔224は、たとえば基板200に対してレーザ加工によりビアを形成する工程において、端子電極接続ランド220にも同様にレーザによる穴開けを行えば、当該工程において当該ビアと孔224の形成が同時に行える。なお、ここでは孔224は、端子電極接続ランド220を厚さ方向に貫通していないが、当該厚さ方向の全体に貫通するものであってもよい。また、この孔224は、端子電極接続ランド220における端子電極120と対向する部位の一部に設けられていればよく、具体的には、端子電極120の外側端部124と対向する部位や、端子電極120の内側端部125と対向する部位に設けてもよい。他の実施形態なお、上記各実施形態では、ソルダーレジスト230の開口部231内にて、端子電極接続ランド220は、当該端子電極接続ランド220における端子電極120と対向する部位の一部が除去された形状とされていたが、端子電極接続ランド220は、一般のものと同様に、基板200における端子電極120と対向する部位の全体に存在するものであってもよい。また、ヒートシンク110、端子電極120、各ランド210、220の形状等については、上記図面に示したものに限定されるものではなく、QFNパッケージおよびそれを搭載する基板において適用可能なものであれば適宜設計変更してもよいことはもちろんである。