"A分子中に架橋基もしくは架橋反応が生じる反応点を有する樹脂、B架橋剤、C波長190~500nmの光によって分解し、酸を発生する光酸発生剤、D溶剤、Eフッ素化アルキル基を有するアミン化合物の1種又は2種以上を含有することを特徴とする化学増幅ネガ型レジスト組成物。A成分の樹脂が、下記一般式1で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000~500,000のシリコーン骨格含有高分子化合物、式中、R1~R4は同一でも異なっていてもよい炭素数1~8の1価炭化水素基を示す。mは1~100の整数である。a、b、c、dは0又は正数であり、かつ、a、b、c、dは同時に0になることがない。但し、abcd=1である。更に、Xは下記一般式2、Yは下記一般式3で示される2価の有機基である。式中、Zはのいずれかより選ばれる2価の有機基であり、nは0又は1である。R5及びR6はそれぞれ炭素数1~4のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に異なっていても同一でもよい。kは0、1、2のいずれかである。式中、Vはのいずれかより選ばれる2価の有機基であり、pは0又は1である。R7及びR8はそれぞれ炭素数1~4のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に異なっていても同一でもよい。hは0、1、2のいずれかである。B成分が、ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド-アルコールにより変性されたアミノ縮合物、1分子中に平均して2個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、又は多価フェノールの水酸基をグリシドキシ基に置換した化合物から選ばれる1種又は2種以上の架橋剤であることを特徴とする請求項1記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。E成分のフッ素化アルキル基を有するアミン化合物が、フッ素化アルキル基及びモルホリン構造を有するアミン化合物の1種又は2種以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。E成分のフッ素化アルキル基を有するアミン化合物が、下記一般式4~10で示されるフッ素化アルキル基及びモルホリン構造を有するアミン化合物の1種又は2種以上であることを特徴とする請求項3記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。式中、Rfは水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表す。R9は水素原子又はメチル基を表す。R10は水素原子又は水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアシル基を表す。1請求項1乃至4のいずれか1項に記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物を基板上に塗布する工程、2次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長190~500nmの高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程、3加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。更に、4現像によりパターン形成された皮膜を、温度100~250°Cにおいて後硬化する工程を含むことを特徴とする請求項5記載のパターン形成方法。膜厚10~100μmである光硬化性樹脂層が、支持フィルム及び保護フィルムで挟まれた構造を有する光硬化性ドライフィルムであり、光硬化性樹脂層の形成に用いられる光硬化性樹脂組成物が請求項1乃至4のいずれか1項に記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物であることを特徴とする光硬化性ドライフィルム。開口幅が10~100μmであり、かつ、深さが10~120μmである溝及び/又は孔を有する基板に請求項7記載の光硬化性ドライフィルムによって形成された光硬化性樹脂組成物の硬化物層が積層されてなることを特徴とする積層体。i請求項1乃至4のいずれか1項に記載のA~E成分を含有するレジスト組成物である光硬化性樹脂組成物を支持フィルム上に塗布する工程、ii上記光硬化性樹脂組成物を乾燥させて、上記支持フィルム上に上記光硬化性樹脂層を形成する工程、iii上記光硬化性樹脂層上に保護フィルムを貼り合わせる工程を含むことを特徴とする光硬化性ドライフィルムの製造方法。i請求項7記載の光硬化性ドライフィルムから保護フィルムを剥離することにより露出した光硬化性樹脂層を基板に密着させる工程、ii支持フィルムを介してもしくは支持フィルムを剥離した状態で、フォトマスクを介して光硬化性樹脂層を波長190~500nmの光で露光する工程、iii露光後の加熱処理を行う工程、iv現像液にて現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。更に、v現像によりパターン形成された皮膜を、温度100~250°Cにおいて後硬化する工程を含むことを特徴とする請求項10記載のパターン形成方法。基板が、開口幅が10~100μmであり、かつ、深さが10~120μmである溝及び/又は孔を有するものであることを特徴とする請求項10又は11記載のパターン形成方法。請求項5、6、10、11又は12記載のパターン形成方法により得られた硬化皮膜から構成されたものであることを特徴とする電気電子部品保護用皮膜。本発明は上記事情に鑑みなされたもので、微細なパターンを形成することに相応しく、得られるホールパターンやスペースパターンのパターンの形状はパターン上部のサイズが下部のサイズより小さくなることを改善できる化学増幅ネガ型レジスト組成物を提供することを第1の目的とする。更に、該組成物をスピンコートすることによって簡便に基板上に塗布し微細なパターンを形成し得るパターン形成方法を提供することを第2の目的とする。更に、該組成物を用いた光硬化性ドライフィルム及びその製造方法並びに凹凸を持つ基板上であっても、該組成物を用いた光硬化性ドライフィルムを使用し、幅広い膜厚に亘るレジスト層を施すことができる微細なパターン形成方法の提供を第3の目的とする。また、上記パターン形成方法により得られたパターンを、低温で後硬化して得られる硬化皮膜を用いた配線、回路及び基板等の電気電子部品保護用皮膜を提供することを第4の目的とする。本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、A分子中に架橋基もしくは架橋反応が生じる反応点を有する樹脂、B架橋剤、C波長190~500nmの光によって分解し、酸を発生する光酸発生剤、D溶剤、Eフッ素化アルキル基を有するアミン化合物の1種又は2種以上を含有する化学増幅ネガ型レジスト組成物が、微細なパターンを形成可能で、得られるホールパターンやスペースパターンのパターンの形状はパターン上部のサイズが下部のサイズより大きくなるポジティブテーパー順テーパー形状で、もしくは上部パターンが極端に張り出すようなオーバーハング形状を改善できるネガ型レジスト組成物であり、電気電子部品に用いられるドライフィルムにも応用できることを見出し、本発明をなすに至った。従って、本発明は、下記の化学増幅ネガ型レジスト組成物を提供する。1A分子中に架橋基もしくは架橋反応が生じる反応点を有する樹脂、B架橋剤、C波長190~500nmの光によって分解し、酸を発生する光酸発生剤、D溶剤、Eフッ素化アルキル基を有するアミン化合物の1種又は2種以上を含有することを特徴とする化学増幅ネガ型レジスト組成物。2A成分の樹脂が、下記一般式1で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000~500,000のシリコーン骨格含有高分子化合物、式中、R1~R4は同一でも異なっていてもよい炭素数1~8の1価炭化水素基を示す。mは1~100の整数である。a、b、c、dは0又は正数であり、かつ、a、b、c、dは同時に0になることがない。但し、abcd=1である。更に、Xは下記一般式2、Yは下記一般式3で示される2価の有機基である。式中、Zはのいずれかより選ばれる2価の有機基であり、nは0又は1である。R5及びR6はそれぞれ炭素数1~4のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に異なっていても同一でもよい。kは0、1、2のいずれかである。式中、Vはのいずれかより選ばれる2価の有機基であり、pは0又は1である。R7及びR8はそれぞれ炭素数1~4のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に異なっていても同一でもよい。hは0、1、2のいずれかである。B成分が、ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド-アルコールにより変性されたアミノ縮合物、1分子中に平均して2個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、又は多価フェノールの水酸基をグリシドキシ基に置換した化合物から選ばれる1種又は2種以上の架橋剤であることを特徴とする1記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。3E成分のフッ素化アルキル基を有するアミン化合物が、フッ素化アルキル基及びモルホリン構造を有するアミン化合物の1種又は2種以上であることを特徴とする1又は2に記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。4E成分のフッ素化アルキル基を有するアミン化合物が、下記一般式4~10で示されるフッ素化アルキル基及びモルホリン構造を有するアミン化合物の1種又は2種以上であることを特徴とする3記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。式中、Rfは水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表す。R9は水素原子又はメチル基を表す。R10は水素原子又は水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアシル基を表す。また、本発明は、下記のパターン形成方法を提供する。511~4のいずれかに記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物を基板上に塗布する工程、2次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長190~500nmの高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程、3加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。6更に、4現像によりパターン形成された皮膜を、温度100~250°Cにおいて後硬化する工程を含むことを特徴とする5記載のパターン形成方法。更に、本発明は、下記の光硬化性ドライフィルム、その製造方法、積層体、パターン形成方法、及び電気電子部品保護用皮膜を提供する。7膜厚10~100μmである光硬化性樹脂層が、支持フィルム及び保護フィルムで挟まれた構造を有する光硬化性ドライフィルムであり、光硬化性樹脂層の形成に用いられる光硬化性樹脂組成物が1~4のいずれかに記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物であることを特徴とする光硬化性ドライフィルム。8開口幅が10~100μmであり、かつ、深さが10~120μmである溝及び/又は孔を有する基板に7記載の光硬化性ドライフィルムによって形成された光硬化性樹脂組成物の硬化物層が積層されてなることを特徴とする積層体。9i1~4のいずれかに記載のA~E成分を含有するレジスト組成物である光硬化性樹脂組成物を支持フィルム上に塗布する工程、ii上記光硬化性樹脂組成物を乾燥させて、上記支持フィルム上に上記光硬化性樹脂層を形成する工程、iii上記光硬化性樹脂層上に保護フィルムを貼り合わせる工程を含むことを特徴とする光硬化性ドライフィルムの製造方法。10i7記載の光硬化性ドライフィルムから保護フィルムを剥離することにより露出した光硬化性樹脂層を基板に密着させる工程、ii支持フィルムを介してもしくは支持フィルムを剥離した状態で、フォトマスクを介して光硬化性樹脂層を波長190~500nmの光で露光する工程、iii露光後の加熱処理を行う工程、iv現像液にて現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。11更に、v現像によりパターン形成された皮膜を、温度100~250°Cにおいて後硬化する工程を含むことを特徴とする10記載のパターン形成方法。12基板が、開口幅が10~100μmであり、かつ、深さが10~120μmである溝及び/又は孔を有するものであることを特徴とする10又は11記載のパターン形成方法。135、6、10、11又は12記載のパターン形成方法により得られた硬化皮膜から構成されたものであることを特徴とする電気電子部品保護用皮膜。本発明に係る化学増幅ネガ型レジスト組成物及びこの組成物を用いた光硬化性ドライフィルムが、微細なパターンを形成可能で、得られるホールパターンやスペースパターンのパターンの形状はパターン上部のサイズが下部のサイズより大きくなるポジティブテーパー順テーパー形状で、もしくは上部パターンが極端に張り出すようなオーバーハング形状を改善できるネガ型レジスト組成物である。本発明によれば、形成したホールパターンやスペースパターンがネガティブテーパー逆テーパー形状、もしくは上部の形状が極端に張り出したようなオーバーハング形状を観察する一般的なネガ型レジスト組成物の特徴を改善し、幅広い波長領域において微細なパターンの形成が可能で、かつ、チップの高密度化、高集積化に伴い、再配線技術におけるパターンの微細化が可能であって、電気電子部品保護用皮膜に有用な化学増幅ネガ型レジスト組成物、光硬化性ドライフィルム及びパターンの提供ができる。化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法本発明に係る化学増幅ネガ型レジスト組成物は、A分子中に架橋基もしくは架橋反応が生じる反応点を有する樹脂、B架橋剤、C波長190~500nmの光によって分解し、酸を発生する光酸発生剤、D溶剤、Eフッ素化アルキル基を有するアミン化合物の1種又は2種以上を含有してなるものである。この場合、上記A成分としては、下記一般式1で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000~500,000のシリコーン骨格含有高分子化合物が好ましい。式中、R1~R4は同一でも異なっていてもよい炭素数1~8、好ましくは1~6の1価炭化水素基を示す。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基、シクロヘキシル基等の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等の直鎖状、分岐状又は環状のアルケニル基、フェニル基、トリル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基等が挙げられる。また、後述する架橋剤及び光酸発生剤との相溶性及び光硬化性の観点から、mは1~100の整数、好ましくは1~80の整数である。また、基板に対する密着性、電気特性、信頼性の観点から、a、b、c、dは0又は正数であり、かつ、a、b、c、dは同時に0になることがない。この場合、好ましくは0≦a≦0.8、より好ましくは0.2≦a≦0.8、特に好ましくは0.3≦a≦0.7であり、好ましくは0≦b≦1.0、より好ましくは0.2≦b≦0.8、特に好ましくは0.2≦b≦0.5であり、好ましくは0≦c≦0.3、特に好ましくは0≦c≦0.2であり、好ましくは0≦d≦0.3、特に好ましくは0≦d≦0.2である。但し、abcd=1である。上記a、b、c、dについては、上記範囲が好ましいが、特にb=1のとき、a、c、dがそれぞれ0、0.2≦a≦0.8、0.2≦b≦0.8のとき、c、dがそれぞれ0、0.3≦a≦0.7、0.2≦b≦0.5、0<c≦0.2、0<d≦0.2であるものが好適である。Xは下記一般式2で示されるフェノール性水酸基、Yは下記一般式3で示されるグリシドキシ基を有する2価の芳香族基より選ばれる。式中、Zはのいずれかより選ばれる2価の有機基であり、nは0又は1である。R5及びR6はそれぞれ炭素数1~4のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に異なっていても同一でもよい。kは0、1、2のいずれかである。R5及びR6の具体例としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、tert-ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基等が挙げられる。式中、Vはのいずれかより選ばれる2価の有機基であり、pは0又は1である。R7及びR8はそれぞれ炭素数1~4のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に異なっていても同一でもよい。hは0、1、2のいずれかである。R7及びR8の具体例としては、R5又はR6と同様なものが挙げられる。本発明のシリコーン骨格含有高分子化合物の重量平均分子量は、これを用いた化学増幅ネガ型レジスト組成物から得られる硬化樹脂層の機械的特性の観点から、3,000~500,000、好ましくは5,000~300,000である。なお、本発明において、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算値である。本発明のシリコーン骨格含有高分子化合物は、下記式11のハイドロジェンシルフェニレン1,4-ビスジメチルシリルベンゼン式中、Meはメチル基である。と、あるいはこのハイドロジェンシルフェニレン及び下記一般式12のジヒドロオルガノシロキサン式中、Meはメチル基であり、R3、R4及びmは、上記と同一である。と、下記一般式13で示されるジアリル基を有する特定のエポキシ基含有化合物、式中、V、R7、R8、p、hは、上記と同一である。更に、下記一般式14で示されるジアリル基を有する特定のフェノール化合物式中、Z、R5、R6、n、kは、上記と同一である。とを、触媒の存在下に所謂ハイドロシリレーション重合反応を行うことにより、製造することができる。なお、本発明のシリコーン骨格含有高分子化合物の重量平均分子量は、上記式13で表されるジアリル基を有する特定のエポキシ基含有化合物並びに上記式14で表されるジアリル基を有する特定のフェノール化合物のアリル基総数、及び、上記式11で表されるハイドロジェンシルフェニレン並びに上記式12で表されるジヒドロオルガノシロキサンのヒドロシリル基総数との比アリル基総数/ヒドロシリル基総数を調整することにより、容易に制御することが可能である。あるいは、上記ジアリル基を有する特定のエポキシ基含有化合物並びにジアリル基を有する特定のフェノール化合物、及び、ハイドロジェンシルフェニレン並びにジヒドロオルガノシロキサンの重合時に、例えば、o-アリルフェノールのようなモノアリル化合物、又は、トリエチルヒドロシランのようなモノヒドロシランやモノヒドロシロキサンを分子量調整剤として使用することにより、上記重量平均分子量は容易に制御することが可能である。上記重合反応において、触媒としては、例えば白金白金黒を含む、ロジウム、パラジウム等の白金族金属単体;H2PtCl4xH2O、H2PtCl6xH2O、NaHPtCl6xH2O、KHPtCl6xH2O、Na2PtCl6xH2O、K2PtCl4xH2O、PtCl4xH2O、PtCl2、Na2HPtCl4xH2O式中、xは0~6の整数が好ましく、特に0又は6が好ましい。等の塩化白金、塩化白金酸及び塩化白金酸塩;アルコール変性塩化白金酸米国特許第3,220,972号明細書;塩化白金酸とオレフィンとの錯体米国特許第3,159,601号明細書、米国特許第3,159,662号明細書、米国特許第3,775,452号明細書;白金黒やパラジウム等の白金族金属をアルミナ、シリカ、カーボン等の担体に担持させたもの;ロジウム-オレフィン錯体;クロロトリストリフェニルホスフィンロジウム所謂ウィルキンソン触媒;塩化白金、塩化白金酸又は塩化白金酸塩とビニル基含有シロキサン特にビニル基含有環状シロキサンとの錯体等が挙げられる。その使用量は触媒量であり、通常、白金族金属として反応重合物の総量に対して0.001~0.1質量であることが好ましい。上記重合反応においては、必要に応じて溶剤を使用してもよい。溶剤としては、例えばトルエン、キシレン等の炭化水素系溶剤が好ましい。上記重合条件として、触媒が失活せず、かつ、短時間で重合の完結が可能という観点から、重合温度は、例えば40~150°C、特に60~120°Cが好ましい。重合時間は、重合物の種類及び量にもよるが、重合系中に湿気の介入を防ぐため、およそ0.5~100時間、特に0.5~30時間で終了するのが好ましい。このようにして重合反応を終了後、溶剤を使用した場合はこれを留去することにより、本発明の式1で示されるシリコーン骨格含有高分子化合物を得ることができる。なお、シリコーン骨格含有高分子化合物の重量平均分子量が低下すると、上記シリコーン骨格含有高分子化合物の粘度は低下する。そのため、上記シリコーン骨格含有高分子化合物を用いた化学増幅ネガ型レジスト組成物を用いて形成した樹脂層の粘性率も低下する。また、シリコーン骨格含有高分子化合物の分子内において、直鎖状ポリシロキサンを含む分子ユニットの割合[一般式1のb及びd]が増加すると、相対的にシルフェニレン等の芳香族化合物を含む分子ユニットの割合[一般式1のa及びc]が減少し、上記シリコーン骨格含有高分子化合物の粘度は低下する。そのため、上記シリコーン骨格含有高分子化合物を用いた化学増幅ネガ型レジスト組成物を用いて形成した樹脂層の粘性率も低下する。更に、シリコーン骨格含有高分子化合物の分子内において、直鎖状ポリシロキサンの分子鎖長が増加すると、即ち、一般式1のmの値が増加すると、上記シリコーン骨格含有高分子化合物の粘度は低下する。そのため、上記シリコーン骨格含有高分子化合物を用いた化学増幅ネガ型レジスト組成物を用いて形成した樹脂層の粘性率も低下する場合がある。B架橋剤としては、ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド-アルコールにより変性されたアミノ縮合物、1分子中に平均して2個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、又は多価フェノールの水酸基をグリシドキシ基に置換した化合物から選ばれる1種又は2種以上を用いることができる。上記ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド-アルコールにより変性されたアミノ縮合物としては、例えばホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド-アルコールにより変性されたメラミン縮合物、又はホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド-アルコールにより変性された尿素縮合物が挙げられる。上記ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド-アルコールにより変性されたメラミン縮合物の調製は、例えば、まず公知の方法に従ってメラミンモノマーをホルムアルデヒドでメチロール化して変性、又はこれを更にアルコールでアルコキシ化して変性して、下記一般式15で示される変性メラミンとする。なお、上記アルコールとしては、低級アルコール、例えば炭素数1~4のアルコールが好ましい。式中、R11は同一でも異なってもよく、メチロール基、炭素数1~4のアルコキシ基を含むアルコキシメチル基又は水素原子であるが、少なくとも一つはメチロール基又は上記アルコキシメチル基であり、例えば、メチロール基、メトキシメチル基、エトキシメチル基等のアルコキシメチル基及び水素原子等が挙げられる。上記一般式15の変性メラミンとして、具体的にはトリメトキシメチルモノメチロールメラミン、ジメトキシメチルモノメチロールメラミン、トリメチロールメラミン、ヘキサメチロールメラミン、ヘキサメトキシメチロールメラミン等が挙げられる。次いで、一般式15の変性メラミン又はこの多量体例えば二量体、三量体等のオリゴマー体を、常法に従って、ホルムアルデヒドと所望の分子量になるまで付加縮合重合させて、ホルマリン又はホルマリン-アルコールにより変性されたメラミン縮合物も使用可能である。また、上記ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド-アルコールにより変性された尿素縮合物の調製は、例えば公知の方法に従って、所望の分子量の尿素縮合物をホルムアルデヒドでメチロール化して変性し、又はこれを更にアルコールでアルコキシ化して変性する。上記ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド-アルコールにより変性された尿素縮合物の具体例としては、例えば、メトキシメチル化尿素縮合物、エトキシメチル化尿素縮合物、プロポキシメチル化尿素縮合物等が挙げられる。なお、これら変性メラミン縮合物及び変性尿素縮合物の1種又は2種以上を混合して使用することもできる。次いで、1分子中に平均して2個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物としては、例えば2-ヒドロキシ-5-メチル-1,3-ベンゼンジメタノール、2,2’,6,6’-テトラメトキシメチルビスフェノールA等が挙げられる。これらフェノール化合物の1種又は2種以上を、架橋剤として使用することができる。一方、多価フェノールの水酸基をグリシドキシ基に置換した化合物としては、ビスフェノールA、トリス4-ヒドロキシフェニルメタン、1,1,1-トリス4-ヒドロキシフェニルエタンの水酸基を塩基存在下エピクロロヒドリンと反応することで得られる1,1’-ジグリシドキシビスフェノールA、トリス4-グリシドキシフェニルメタン、1,1,1-トリス4-グリシドキシフェニルエタン等を挙げることができる。これら多価フェノールの水酸基をグリシドキシ基に置換した化合物の1種又は2種を、架橋剤として使用することができる。上記架橋剤は、上述したシリコーン骨格含有高分子化合物と硬化反応を起こし、パターンの形成を容易になし得るための成分であると共に、硬化物の強度を更に上げる成分である。そのような架橋剤の重量平均分子量は、光硬化性及び耐熱性の観点から、150~10,000、特に200~3,000のものが好ましい。上記架橋剤の配合量は、光硬化性及び後硬化を経た電気電子部品保護用皮膜としての信頼性の観点から、上記シリコーン骨格含有高分子化合物100質量部に対して0.5~50質量部、特に1~30質量部が好ましい。C光酸発生剤としては、190~500nmの波長の光照射により酸を発生し、これが硬化触媒となるものを用いることができる。本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物は光酸発生剤との相溶性に優れるため、様々な種類の光酸発生剤を使用することができる。上記光酸発生剤としては、例えば、オニウム塩、ジアゾメタン誘導体、グリオキシム誘導体、β-ケトスルホン誘導体、ジスルホン誘導体、ニトロベンジルスルホネート誘導体、スルホン酸エステル誘導体、イミド-イル-スルホネート誘導体、オキシムスルホネート誘導体、イミノスルホネート誘導体、トリアジン誘導体等が挙げられる。上記オニウム塩としては、例えば、下記一般式16で表される化合物が挙げられる。R12jMK16式中、R12は置換基を有してもよい炭素数1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~12のアリール基又は炭素数7~12のアラルキル基を表し、Mはヨードニウム又はスルホニウムを表し、Kは非求核性対向イオンを表し、jは2又は3を表す。上記R12において、アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロヘキシル基、2-オキソシクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。アリール基としては、例えば、フェニル基;o-、m-又はp-メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、m-又はp-tert-ブトキシフェニル基等のアルコキシフェニル基;2-、3-又は4-メチルフェニル基、エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-ブチルフェニル基、ジメチルフェニル基等のアルキルフェニル基等が挙げられる。アラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基等の各基が挙げられる。Kの非求核性対向イオンとしては、塩化物イオン、臭化物イオン等のハライドイオン;トリフレート、1,1,1-トリフルオロエタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート等のフルオロアルキルスルホネート;トシレート、ベンゼンスルホネート、4-フルオロベンゼンスルホネート、1,2,3,4,5-ペンタフルオロベンゼンスルホネート等のアリールスルホネート;メシレート、ブタンスルホネート等のアルキルスルホネート、テトラキスフェニルボレート、テトラキスペンタフルオロフェニルボレート等のボレート類を挙げることができる。ジアゾメタン誘導体としては、下記一般式17で表される化合物が挙げられる。式中、R13は同一でも異なってもよく、炭素数1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基、炭素数6~12のアリール基もしくはハロゲン化アリール基、又は炭素数7~12のアラルキル基を表す。上記R13において、アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、アミル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。ハロゲン化アルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、1,1,1-トリフルオロエチル基、1,1,1-トリクロロエチル基、ノナフルオロブチル基等が挙げられる。アリール基としては、例えば、フェニル基;o-、m-又はp-メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、m-又はp-tert-ブトキシフェニル基等のアルコキシフェニル基;2-、3-又は4-メチルフェニル基、エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-ブチルフェニル基、ジメチルフェニル基等のアルキルフェニル基等が挙げられる。ハロゲン化アリール基としては、例えば、フルオロフェニル基、クロロフェニル基、1,2,3,4,5-ペンタフルオロフェニル基等が挙げられる。アラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。具体的には、光酸発生剤として、例えば、トリフルオロメタンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、トリフルオロメタンスルホン酸p-tert-ブトキシフェニルフェニルヨードニウム、p-トルエンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、p-トルエンスルホン酸p-tert-ブトキシフェニルフェニルヨードニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸p-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ビスp-tert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリスp-tert-ブトキシフェニルスルホニウム、p-トルエンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、p-トルエンスルホン酸p-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、p-トルエンスルホン酸ビスp-tert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、p-トルエンスルホン酸トリスp-tert-ブトキシフェニルスルホニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリメチルスルホニウム、p-トルエンスルホン酸トリメチルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル2-オキソシクロヘキシルスルホニウム、p-トルエンスルホン酸シクロヘキシルメチル2-オキソシクロヘキシルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、p-トルエンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム、p-トルエンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム、ジフェニル4-チオフェノキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等のオニウム塩;ビスベンゼンスルホニルジアゾメタン、ビスp-トルエンスルホニルジアゾメタン、ビスキシレンスルホニルジアゾメタン、ビスシクロへキシルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロペンチルスルホニルジアゾメタン、ビスn-ブチルスルホニルジアゾメタン、ビスイソブチルスルホニルジアゾメタン、ビスsec-ブチルスルホニルジアゾメタン、ビスn-プロピルスルホニルジアゾメタン、ビスイソプロピルスルホニルジアゾメタン、ビスtert-ブチルスルホニルジアゾメタン、ビスn-アミルスルホニルジアゾメタン、ビスイソアミルスルホニルジアゾメタン、ビスsec-アミルスルホニルジアゾメタン、ビスtert-アミルスルホニルジアゾメタン、1-シクロへキシルスルホニル-1-tert-ブチルスルホニルジアゾメタン、1-シクロヘキシルスルホニル-1-tert-アミルスルホニルジアゾメタン、1-tert-アミルスルホニル-1-tert-ブチルスルホニルジアゾメタン等のジアゾメタン誘導体;ビス-o-p-トルエンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-o-p-トルエンスルホニル-α-ジフェニルグリオキシム、ビス-o-p-トルエンスルホニル-α-ジシクロへキシルグリオキシム、ビス-o-p-トルエンスルホニル-2,3-ペンタンジオングリオキシム、ビス-p-トルエンスルホニル-2-メチル-3,4-ペンタンジオングリオキシム、ビス-o-n-ブタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-o-n-ブタンスルホニル-α-ジフェニルグリオキシム、ビス-o-n-ブタンスルホニル-α-ジシクロへキシルグリオキシム、ビス-o-n-ブタンスルホニル-2,3-ペンタンジオングリオキシム、ビス-o-n-ブタンスルホニル-2-メチル-3,4-ペンタンジオングリオキシム、ビス-o-メタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-o-トリフルオロメタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-o-1,1,1-トリフルオロエタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-o-tert-ブタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-o-パーフルオロオクタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-o-シクロヘキサンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-o-ベンゼンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-o-p-フルオロベンゼンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-o-p-tert-ブチルベンゼンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-o-キシレンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-o-カンファースルホニル-α-ジメチルグリオキシム等のグリオキシム誘導体;α-ベンゼンスルホニウムオキシイミノ-4-メチルフェニルアセトニトリル等のオキシムスルホネート誘導体;2-シクロヘキシルカルボニル-2-p-トルエンスルホニルプロパン、2-イソプロピルカルボニル-2-p-トルエンスルホニルプロパン等のβ-ケトスルホン誘導体;ジフェニルジスルホン、ジシクロへキシルジスルホン等のジスルホン誘導体;p-トルエンスルホン酸2,6-ジニトロベンジル、p-トルエンスルホン酸2,4-ジニトロベンジル等のニトロベンジルスルホネート誘導体;1,2,3-トリスメタンスルホニルオキシベンゼン、1,2,3-トリストリフルオロメタンスルホニルオキシベンゼン、1,2,3-トリスp-トルエンスルホニルオキシベンゼン等のスルホン酸エステル誘導体;フタルイミド-イル-トリフレート、フタルイミド-イル-トシレート、5-ノルボルネン2,3-ジカルボキシイミド-イル-トリフレート、5-ノルボルネン2,3-ジカルボキシイミド-イル-トシレート、5-ノルボルネン2,3-ジカルボキシイミド-イル-n-ブチルスルホネート、n-トリフルオロメチルスルホニルオキシナフチルイミド等のイミド-イル-スルホネート誘導体;5-4-メチルフェニルスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン-2-メチルフェニルアセトニトリル、5-4-4-メチルフェニルスルホニルオキシフェニルスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン-2-メチルフェニル-アセトニトリル等のイミノスルホネート、2-メチル-2[4-メチルフェニルスルホニル]-1-[4-メチルチオフェニル]-1-プロパン等が挙げられる。これらの中でも、イミド-イル-スルホネート類、イミノスルホネート類、オキシムスルホネート類等が好適に用いられる。上記光酸発生剤は1種又は2種以上を用いることができる。上記光酸発生剤の配合量は、光酸発生剤自身の光吸収及び厚膜での光硬化性の観点から、シリコーン骨格含有高分子化合物100質量部に対して0.05~20質量部、特に0.2~5質量部が好ましい。D溶剤としては、上述したシリコーン骨格含有高分子化合物、架橋剤及び光酸発生剤が溶解可能であるものを用いることができる。例えば、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチル-2-n-アミルケトン等のケトン類;3-メトキシブタノール、3-メチル-3-メトキシブタノール、1-メトキシ-2-プロパノール、1-エトキシ-2-プロパノール等のアルコール類;プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert-ブチル、プロピオン酸tert-ブチル、プロピレングリコール-モノ-tert-ブチルエーテルアセテート、γ-ブチロラクトン等のエステル類等が挙げられ、これらの1種又は2種以上を用いることができる。特に、光酸発生剤の溶解性が最も優れている乳酸エチル、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ-ブチロラクトン又はそれらの混合溶剤が好ましい。上記溶剤の配合量は、化学増幅ネガ型レジスト組成物の相溶性、粘度及び塗布性の観点から、上述したシリコーン骨格含有高分子化合物、架橋剤及び光酸発生剤の配合量の合計100質量部に対して50~2,000質量部、特に100~l,000質量部が好ましい。本発明者らは、化学増幅ネガ型レジスト組成物への添加剤の配合検討により、ネガ型レジスト組成物を用いて形成するパターンの欠点である、パターンの上部が下部よりも狭かったり小さかったりするネガティブテーパー逆テーパー形状に、もしくは上部の形状が極端に張り出したようなオーバーハング形状を改善できる化合物について鋭意検討を重ねた。その結果、Eフッ素化アルキル基を有するアミン化合物、好ましくはフッ素化アルキル基及びモルホリン構造を有するアミン化合物、更により好ましくは下記一般式4~10で示されるフッ素化アルキル基及びモルホリン構造を有するアミン化合物の1種又は2種以上を配合して用いれば、微細なパターンを形成可能で、得られるホールパターンやスペースパターンのパターンの形状はパターン上部のサイズが下部のサイズより大きくなるポジティブテーパー順テーパー形状を形成することが可能となり、もしくは上部パターンが極端に張り出すようなオーバーハング形状を改善できることを見出した。式中、Rfは水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表す。R9は水素原子又はメチル基を表す。R10は水素原子又は水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアシル基を表す。一般式4~10中、Rfは水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、具体的にはフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、2,2,2-トリフルオロ-1-トリフルオロメチル-エチル基、パーフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロプロピル基、2,2,3,3-テトラフルオロプロピル基、2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル基、3,3,3-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-プロピル基、ノナフルオロブチル基、1H,1H,5H-オクタフルオロペンチル基、1H,1H-ノナフルオロペンチル基、パーフルオロペンチル基、1H,1H-4-トリフルオロメチルパーフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル基、4-ペンタフルオロエチルパーフルオロシクロヘキシル基、1H,1H,2H,2H-パーフルオロヘキシル基、パーフルオロシクロヘキシル基、1H,1H-パーフルオロヘプチル基、1H,1H,7H-パーフルオロヘプチル基、パーフルオロオクチル基、1H,1H,2H,2H-パーフルオロオクチル基、1H,1H-パーフルオロノニル基、パーフルオロデシル基、1H,1H,10H-パーフルオロデシル基、1H,1H,2H,2H-パーフルオロデシル基、1H,1H-パーフルオロウンデシル基、パーフルオロドデシル基、1H,1H,2H,2H-パーフルオロドデシル基、パーフルオロイコサニル基等を例示できるが、これらに限定されない。一般式5~7中、R9は水素原子又はメチル基である。一般式8~10中、R10は水素原子又は水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアシル基であり、具体的には、水素原子、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、ヘキサノイル基、シクロペンタンカルボニル基、シクロヘキサンカルボニル基、オクタノイル基、デカノイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロプロピオニル基、ヘプタフルオロブチリル基、4,4,4-トリフルオロ-3-トリフルオロメチル-ブチリル基、4,4,5,5,6,6,6-ヘプタフルオロヘキサノイル基等を例示できるが、これらに限定されない。一般式4で示されるアミン化合物を以下に具体的に例示するが、これらに限定されない。一般式5で示されるアミン化合物を以下に具体的に例示するが、これらに限定されない。一般式6で示されるアミン化合物を以下に具体的に例示するが、これらに限定されない。一般式7で示されるアミン化合物を以下に具体的に例示するが、これらに限定されない。一般式8で示されるアミン化合物を以下に具体的に例示するが、これらに限定されない。式中のAcはアセチル基を表し、以下同様である。一般式9で示されるアミン化合物を以下に具体的に例示するが、これらに限定されない。一般式10で示されるアミン化合物を以下に具体的に例示するが、これらに限定されない。本発明によれば、これらの分子内にフッ素化アルキル基とモルホリン構造を有するアミン化合物において、モルホリン構造及び近傍に位置するエステル、アミド、エーテル、アルコール等の官能基は酸との親和性が高く、光酸発生剤からの発生酸の速やかな捕捉を実現せしめ、化学増幅ネガ型レジスト組成物中の酸拡散を抑止し、発生酸を触媒として生じる架橋反応を制御し得ることで、高解像性を得、微細パターンの形成が可能となる。一方で、フッ素化アルキル基が本アミン化合物のレジスト膜中での分布に影響を及ぼしていると予想され、パターン形状を達成可能にするものと考えられる。また、本発明のフッ素化アルキル基とモルホリン構造を有するアミン化合物の可能な構造の中から適切なものを選ぶことにより、本発明のアミン化合物の揮発性、塩基性度、酸の捕捉速度、レジスト膜中での拡散速度等を、用いるレジストポリマー、酸発生剤、露光方法等に応じて適当に調節することができ、ひいてはパターン形状などのレジスト組成物の性質を最適に調整することができる。上記式4~10で示されるアミン化合物は、化合物の構造に応じた最適な方法を選択して製造される。以下、個々に製造法の一例を詳しく説明するが、これらの製造法に限定されるものではない。上記式4で示されるアミン化合物は、例えば、下式に示すモルホリン18のアクリレート化合物19へのMichael付加反応により製造可能である。本反応は2級アミン化合物のアクリレート化合物へのMichael付加反応の常法に従って行うことができる。式中、Rfは水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表す。上記式5で示されるアミン化合物は、例えば、下式に示す、アシル化剤21によるアルコール20のエステル化反応により製造可能である。本反応はアシル化剤を用いたアルコール化合物のエステル化反応の常法に従って行うことができる。式中、Rfは水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表す。R9は水素原子又はメチル基を表す。Qはハロゲン原子、アシル基、水酸基等の脱離基を表す。上記式6で示されるアミン化合物は、例えば、下式に示す、アシル化剤21を用いたアミン化合物22のアミド化反応により製造可能である。本反応はアシル化剤21を用いたアミン化合物22のアミド化反応の常法に従って行うことができる。式中、Rfは水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表す。R9は水素原子又はメチル基を表す。Qはハロゲン原子、アシル基、水酸基等の脱離基を表す。上記式7で示されるアミン化合物は、例えば、下式に示す、アルキルスルホニル化剤23を用いたアミン化合物22のアミド化反応により製造可能である。本反応はアルキルスルホニル化剤23を用いたアミン化合物22のアミド化反応の常法に従って行うことができる。式中、Rfは水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表す。R9は水素原子又はメチル基を表す。Qはハロゲン原子、アシル基、水酸基等の脱離基を表す。上記式8で示されるアミン化合物は、R10=Hの場合、例えば、下式に示すモルホリン18のエポキシ化合物24への付加反応により製造可能である。本反応は2級アミン化合物のエポキシ化合物への付加反応の常法に従って行うことができる。R10=アシル基の場合は、例えば、下式に示す、アシル化剤R10Qを用いたアルコール化合物8、R10=Hのエステル化反応により製造可能である。本反応はアシル化剤を用いたアルコール化合物のエステル化反応の常法に従って行うことができる。式中、Rfは水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表す。R10は水素原子又は水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアシル基を表す。Qはハロゲン原子、アシル基、水酸基等の脱離基を表す。上記式9で示されるアミン化合物は、R10=Hの場合、例えば、下式に示す2-モルホリノエタノール25のエポキシ化合物24への付加反応により製造可能である。本反応は1級アルコール化合物のエポキシ化合物への付加反応の常法に従って行うことができる。R10=アシル基の場合は、例えば、下式に示す、アシル化剤R10Qを用いたアルコール化合物9、R2=Hのエステル化反応により製造可能である。本反応はアシル化剤を用いたアルコール化合物のエステル化反応の常法に従って行うことができる。式中、Rfは水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表す。R10は水素原子又は水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアシル基を表す。Qはハロゲン原子、アシル基、水酸基等の脱離基を表す。上記式10で示されるアミン化合物は、R10=Hの場合、例えば、下式に示すモルホリン18のエポキシ化合物26への付加反応により製造可能である。本反応は2級アミン化合物のエポキシ化合物への付加反応の常法に従って行うことができる。R10=アシル基の場合は、例えば、下式に示す、アシル化剤R10Qを用いたアルコール化合物10、R10=Hのエステル化反応により製造可能である。本反応はアシル化剤を用いたアルコール化合物のエステル化反応の常法に従って行うことができる。式中、Rfは水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表す。R10は水素原子又は水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアシル基を表す。Qはハロゲン原子、アシル基、水酸基等の脱離基を表す。上記E成分のアミン化合物の配合量は、A成分100質量部に対し0.01~1.0質量部、特に0.05~0.5質量部が好ましい。アミン化合物が少なすぎると、フッ素化アルキル基を有したアミンを添加することでパターン形成の改善を達成することができないおそれがあり、多すぎると感度が悪くなり、パターン形成にかかる応力が大きくなる場合がある。また、本発明では必要に応じて、上記フッ素化アルキル基を有するアミン化合物とは別の塩基性化合物を添加することができる。その他の塩基性化合物としては、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシル基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、ヒドロキシル基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド誘導体、イミド誘導体、更に、下記一般式27で示される化合物等が挙げられる。Nαqβ3q27式中、q=1、2又は3である。側鎖αは同一でも異なっていてもよく、下記一般式28~30で表されるいずれかの置換基である。側鎖βは同一でも異なっていてもよく、水素原子、又は直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1~20のアルキル基を示し、エーテル結合もしくはヒドロキシル基を含んでもよい。また、側鎖α同士が結合して環を形成してもよい。ここで、R300、R302、R305は炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、R301、R304は水素原子又は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、ヒドロキシル基、エーテル結合、エステル結合、ラクトン環を1あるいは複数含んでいてもよい。R303は単結合又は炭素数1~4の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基であり、R306は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、ヒドロキシル基、エーテル結合、エステル結合、ラクトン環を1あるいは複数含んでいてもよい。具体的には、第一級の脂肪族アミン類として、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、n-プロピルアミン、イソプロピルアミン、n-ブチルアミン、イソブチルアミン、sec-ブチルアミン、tert-ブチルアミン、ペンチルアミン、tert-アミルアミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、セチルアミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラエチレンペンタミン等が例示される。第二級の脂肪族アミン類として、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ-n-ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジ-sec-ブチルアミン、ジペンチルアミン、ジシクロペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、ジドデシルアミン、ジセチルアミン、N,N-ジメチルメチレンジアミン、N,N-ジメチルエチレンジアミン、N,N-ジメチルテトラエチレンペンタミン等が例示される。第三級の脂肪族アミン類として、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリ-sec-ブチルアミン、トリペンチルアミン、トリシクロペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、トリドデシルアミン、トリセチルアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルメチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルテトラエチレンペンタミン等が例示される。混成アミン類としては、例えば、ジメチルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミン、ベンジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミン等が例示される。芳香族アミン類及び複素環アミン類としては、アニリン誘導体例えば、アニリン、N-メチルアニリン、N-エチルアニリン、N-プロピルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、2-メチルアニリン、3-メチルアニリン、4-メチルアニリン、エチルアニリン、プロピルアニリン、トリメチルアニリン、2-ニトロアニリン、3-ニトロアニリン、4-ニトロアニリン、2,4-ジニトロアニリン、2,6-ジニトロアニリン、3,5-ジニトロアニリン、N,N-ジメチルトルイジン等、ジフェニルp-トリルアミン、メチルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、フェニレンジアミン、ナフチルアミン、ジアミノナフタレン、ピロール誘導体例えば、ピロール、2H-ピロール、1-メチルピロール、2,4-ジメチルピロール、2,5-ジメチルピロール、N-メチルピロール等、オキサゾール誘導体例えば、オキサゾール、イソオキサゾール等、チアゾール誘導体例えば、チアゾール、イソチアゾール等、イミダゾール誘導体例えば、イミダゾール、4-メチルイミダゾール、4-メチル-2-フェニルイミダゾール等、ピラゾール誘導体、フラザン誘導体、ピロリン誘導体例えば、ピロリン、2-メチル-1-ピロリン等、ピロリジン誘導体例えば、ピロリジン、N-メチルピロリジン、ピロリジノン、N-メチルピロリドン等、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ピリジン誘導体例えば、ピリジン、メチルピリジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピリジン、4-1-ブチルペンチルピリジン、ジメチルピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジン、フェニルピリジン、3-メチル-2-フェニルピリジン、4-tert-ブチルピリジン、ジフェニルピリジン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシピリジン、ジメトキシピリジン、1-メチル-2-ピリジン、4-ピロリジノピリジン、1-メチル-4-フェニルピリジン、2-1-エチルプロピルピリジン、アミノピリジン、ジメチルアミノピリジン等、ピリダジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール誘導体、イソインドール誘導体、1H-インダゾール誘導体、インドリン誘導体、キノリン誘導体例えば、キノリン、3-キノリンカルボニトリル等、イソキノリン誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキサリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテリジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、1,10-フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノシン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラシル誘導体、ウリジン誘導体等が例示される。カルボキシル基を有する含窒素化合物としては、例えば、アミノ安息香酸、インドールカルボン酸、アミノ酸誘導体例えば、ニコチン酸、アラニン、アルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、グリシン、ヒスチジン、イソロイシン、グリシルロイシン、ロイシン、メチオニン、フェニルアラニン、スレオニン、リジン、3-アミノピラジン-2-カルボン酸、メトキシアラニン等等が例示される。スルホニル基を有する含窒素化合物としては、3-ピリジンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸ピリジニウム等が例示される。ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物としては、2-ヒドロキシピリジン、アミノクレゾール、2,4-キノリンジオール、3-インドールメタノールヒドレート、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N-エチルジエタノールアミン、N,N-ジエチルエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、2,2’-イミノジエタノール、2-アミノエタノール、3-アミノ-1-プロパノール、4-アミノ-1-ブタノール、4-2-ヒドロキシエチルモルホリン、2-2-ヒドロキシエチルピリジン、1-2-ヒドロキシエチルピペラジン、1-[2-2-ヒドロキシエトキシエチル]ピペラジン、ピペリジンエタノール、1-2-ヒドロキシエチルピロリジン、1-2-ヒドロキシエチル-2-ピロリジノン、3-ピペリジノ-1,2-プロパンジオール、3-ピロリジノ-1,2-プロパンジオール、8-ヒドロキシユロリジン、3-クイヌクリジノール、3-トロパノール、1-メチル-2-ピロリジンエタノール、1-アジリジンエタノール、N-2-ヒドロキシエチルフタルイミド、N-2-ヒドロキシエチルイソニコチンアミド等が例示される。アミド誘導体としては、ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド等が例示される。イミド誘導体としては、フタルイミド、サクシンイミド、マレイミド等が例示される。上記一般式26で表される化合物としては、トリス[2-メトキシメトキシエチル]アミン、トリス[2-2-メトキシエトキシエチル]アミン、トリス[2-2-メトキシエトキシメトキシエチル]アミン、トリス[2-1-メトキシエトキシエチル]アミン、トリス[2-1-エトキシエトキシエチル]アミン、トリス[2-1-エトキシプロポキシエチル]アミン、トリス[2-{2-2-ヒドロキシエトキシエトキシ}エチル]アミン、4,7,13,16,21,24-ヘキサオキサ-1,10-ジアザビシクロ[8.8.8]ヘキサコサン、4,7,13,18-テトラオキサ-1,10-ジアザビシクロ[8.5.5]エイコサン、1,4,10,13-テトラオキサ-7,16-ジアザビシクロオクタデカン、1-アザ-12-クラウン-4、1-アザ-15-クラウン-5、1-アザ-18-クラウン-6、トリス2-ホルミルオキシエチルアミン、トリス2-アセトキシエチルアミン、トリス2-プロピオニルオキシエチルアミン、トリス2-ブチリルオキシエチルアミン、トリス2-イソブチリルオキシエチルアミン、トリス2-バレリルオキシエチルアミン、トリス2-ピバロイルオキシエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-アセトキシアセトキシエチルアミン、トリス2-メトキシカルボニルオキシエチルアミン、トリス2-tert-ブトキシカルボニルオキシエチルアミン、トリス[2-2-オキソプロポキシエチル]アミン、トリス[2-メトキシカルボニルメチルオキシエチル]アミン、トリス[2-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシエチル]アミン、トリス[2-シクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシエチル]アミン、トリス2-メトキシカルボニルエチルアミン、トリス2-エトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-メトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-メトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-エトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-エトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-2-メトキシエトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-2-メトキシエトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-2-ヒドロキシエトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-2-アセトキシエトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-[メトキシカルボニルメトキシカルボニル]エチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-[メトキシカルボニルメトキシカルボニル]エチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-2-オキソプロポキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-2-オキソプロポキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-テトラヒドロフルフリルオキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-テトラヒドロフルフリルオキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-[2-オキソテトラヒドロフラン-3-イルオキシカルボニル]エチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-[2-オキソテトラヒドロフラン-3-イルオキシカルボニル]エチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-4-ヒドロキシブトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ホルミルオキシエチル2-4-ホルミルオキシブトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ホルミルオキシエチル2-2-ホルミルオキシエトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-メトキシエチル2-メトキシカルボニルエチルアミン、N-2-ヒドロキシエチルビス[2-メトキシカルボニルエチル]アミン、N-2-アセトキシエチルビス[2-メトキシカルボニルエチル]アミン、N-2-ヒドロキシエチルビス[2-エトキシカルボニルエチル]アミン、N-2-アセトキシエチルビス[2-エトキシカルボニルエチル]アミン、N-3-ヒドロキシ-1-プロピルビス[2-メトキシカルボニルエチル]アミン、N-3-アセトキシ-1-プロピルビス[2-メトキシカルボニルエチル]アミン、N-2-メトキシエチルビス[2-メトキシカルボニルエチル]アミン、N-ブチルビス[2-メトキシカルボニルエチル]アミン、N-ブチルビス[2-2-メトキシエトキシカルボニルエチル]アミン、N-メチルビス2-アセトキシエチルアミン、N-エチルビス2-アセトキシエチルアミン、N-メチルビス2-ピバロイルオキシエチルアミン、N-エチルビス[2-メトキシカルボニルオキシエチル]アミン、N-エチルビス[2-tert-ブトキシカルボニルオキシエチル]アミン、トリスメトキシカルボニルメチルアミン、トリスエトキシカルボニルメチルアミン、N-ブチルビスメトキシカルボニルメチルアミン、N-ヘキシルビスメトキシカルボニルメチルアミン、β-ジエチルアミノ-δ-バレロラクトンが例示できるが、これらに制限されない。上記塩基性化合物は1種又は2種以上を用いることができる。別に添加される塩基性化合物の配合量は、感度の観点から、上記シリコーン骨格含有高分子化合物100質量部に対して0~3質量部、特に0.01~1質量部が好ましい。その他、本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物において、光硬化性樹脂層を形成する際に用いられる光硬化性樹脂組成物には、上記各成分の他に、更に添加成分を配合してもよい。上記添加成分としては、例えば塗布性を向上させるために慣用されている界面活性剤及び光酸発生剤等の光吸収効率を向上させるために慣用されている吸光剤が挙げられる。上記界面活性剤としては、非イオン性のものが好ましく、例えばフッ素系界面活性剤、具体的にはパーフルオロアルキルポリオキシエチレンエタノール、フッ素化アルキルエステル、パーフルオロアルキルアミンオキサイド、含フッ素オルガノシロキサン系化合物等が挙げられる。これらは、市販されているものを用いることができ、例えば、フロラードFC-4430住友スリーエム株製、サーフロンS-141及びS-145いずれも旭硝子株製、ユニダインDS-401、DS-4031及びDS-451いずれもダイキン工業株製、メガファックF-8151DIC株製、X-70-093信越化学工業株製等が挙げられる。これらの中でも好ましくは、フロラードFC-4430住友スリーエム株製及びX-70-093信越化学工業株製である。上記吸光剤としては、例えばジアリールスルホキシド、ジアリールスルホン、9,10-ジメチルアントラセン、9-フルオレノン等が挙げられる。本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物において、その調製は通常の方法で行われる。上述した各成分を撹拌混合し、その後フィルター等により濾過することにより、上記化学増幅ネガ型レジスト組成物を調製できる。本発明のネガ型レジスト組成物を使用してパターンを形成するには、公知のリソグラフィー技術を採用して行うことができ、例えばシリコンウエハーあるいはSiO2基板、SiN基板、もしくは銅配線などのパターンが形成されている基板又はAl等の電極を形成した基板にスピンコーティング等の公知の手法で塗布し、80~130°C、50~600秒間程度の条件でプリベークし、厚さ1~50μm、好ましくは1~30μm、更に好ましくは5~20μmのレジスト膜を形成する。次いで、目的のパターンを形成するためのマスクを上記のレジスト膜上にかざし、i線、g線等の波長190~500nmの高エネルギー線を露光量1~5,000mJ/cm2程度、好ましくは100~2,000mJ/cm2程度となるように照射する。次に必要に応じ、ホットプレート上で60~150°C、1~10分間、好ましくは80~120°C、1~5分間ポストエクスポージャベークPEBしてもよい。このように露光することで、露光部分が架橋して現像液である下記溶剤に不溶な不溶化パターンが形成される。その後、現像液にて現像する。上記現像液は、本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物を調製した際に用いた上述の溶剤を使用することができる。例えば、イソプロピルアルコールIPA等のアルコール類やシクロヘキサノン等のケトン類、更には、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコール等が好ましい。現像は、通常の方法、例えばパターンが形成された基板を上記現像液に浸漬すること等により行うことができる。その後、必要に応じて洗浄、リンス、乾燥等を行い、所望のパターンを有する光硬化性樹脂層の皮膜が得られる。なお、パターンを形成する必要のない場合、例えば単なる均一皮膜を形成したい場合は、上記フォトマスクを使用しない以外は上記パターン形成方法で述べた内容と同様の方法で行えばよい。また、得られたパターンをオーブンやホットプレートを用いて、温度100~250°C、好ましくは150~220°C、更に好ましくは170~190°Cで後硬化する。後硬化温度が100~250°Cであれば、光硬化性樹脂組成物の皮膜の架橋密度を上げ、残存する揮発成分を除去でき、基板に対する密着力、耐熱性や強度、更に電気特性の観点から好ましい。そして、後硬化時間は10分間~10時間とすることができる。このようにして得られた硬化皮膜は、可撓性、基板との密着性、耐熱性、電気特性、機械的強度及びソルダーフラックス液に対する薬品耐性に優れ、それを保護用皮膜とした半導体素子の信頼性にも優れ、特に温度サイクル試験の際のクラック発生を防止でき、電気電子部品、半導体素子等の保護用皮膜として好適に用いられる。光硬化性ドライフィルム及びパターン形成方法本発明に係る光硬化性ドライフィルムは、膜厚10~100μmである光硬化性樹脂層が支持フィルム及び保護フィルム間に介在してなるもので、この場合、光硬化性樹脂層は上記ネガ型レジスト組成物からなる光硬化性樹脂組成物から形成される。まず、本発明の光硬化性ドライフィルムが有する構造について説明する。上記光硬化性ドライフィルムは、光硬化性樹脂層が支持フィルム及び保護フィルムに挟まれた構造を有する。そして、幅広い膜厚及び波長領域において微細なパターン形成が可能であり、低温の後硬化により可撓性、耐熱性、電気特性、密着性、信頼性及び薬品耐性に優れる。本発明において、光硬化性ドライフィルムは固体であり、光硬化性樹脂層が硬化後、揮発による気泡が上記光硬化性樹脂層の内部及び凹凸のある基板との間に残留するおそれがない。そして、半導体素子の小型化薄型化多層化が進み、本発明が適用範囲とする層間絶縁層は薄くなる傾向にあるが、凹凸のある基板上での平坦性と段差被覆性を考慮すると、適切な膜厚範囲は存在する。従って、上記光硬化性樹脂層の膜厚は、その平坦性及び段差被覆性の観点から、10~100μmであり、好ましくは10~70μm、特に好ましくは10~50μmである。また、一般的に光硬化性ドライフィルムは、加熱により特定の温度を超えると、たとえ光照射がなくても光硬化性樹脂層の架橋反応が始まりこれを暗反応という、硬化する性質がある。しかしながら、本発明において見出された特定の温度範囲において、上記暗反応はほとんど起こらず、光硬化性樹脂層の流動性に悪い影響を与えない。更に、光硬化性樹脂層の粘性率と流動性は密接に関係しており、本発明の光硬化性樹脂層は適切な粘性率範囲において適切な流動性を発揮でき、狭い隙間の奥まで入っていくことができる。従って、本発明の光硬化性ドライフィルムは、凹凸を持つ基板に密着させる際に、光硬化性樹脂層が上記凹凸に追随して被覆され、高い平坦性を達成できる。特に、本発明の光硬化性樹脂層の主成分が光硬化性シリコーン組成物であることから、低い表面張力が特徴であるため、より高い平坦性を達成できる。更に、上記光硬化性樹脂層を真空環境下で上記基板に密着させると、それらの隙間の発生をより効果的に防止できる。次に、本発明の光硬化性ドライフィルムの製造方法とそのドライフィルムを用いたパターン形成方法に関して述べる。本発明の光硬化性ドライフィルムにおいて、光硬化性樹脂層を形成する際に用いられる光硬化性樹脂組成物の調製は、上述の化学増幅ネガ型レジスト組成物を用いて、該レジスト組成物調製と同様に、各成分を撹拌混合し、その後フィルター等により濾過することにより、光硬化性樹脂組成物を調製することができる。本発明の光硬化性ドライフィルムにおいて使用される支持フィルムは、単一でも複数の重合体フィルムを積層した多層フィルムでもよい。材質としてはポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムがあるが、適度の可撓性、機械的強度及び耐熱性を有するポリエチレンテレフタレートが好ましい。また、これらのフィルムについては、コロナ処理や剥離剤が塗布されたような各種処理が行われたものでもよい。これらは市販品を使用することができ、例えばセラピールWZRX、セラピールBX8R以上、東レフィルム加工株製、E7302、E7304以上、東洋紡績株製、ピューレックスG31、ピューレックスG71T1以上、帝人デュポンフィルム株製、PET38×1-A3、PET38×1-V8、PET38×1-X08以上、ニッパ株製等が挙げられる。本発明の光硬化性ドライフィルムにおいて使用される保護フィルムは、上述した支持フィルムと同様のものを用いることができるが、適度の可撓性を有するポリエチレンテレフタレート及びポリエチレンが好ましい。これらは市販品を使用することができ、ポリエチレンテレフタレートとしてはすでに例示したもの、ポリエチレンとしては、例えばGF-8タマポリ株製、PEフィルム0タイプニッパ株製が挙げられる。上記支持フィルム及び保護フィルムの厚みは、光硬化性ドライフィルム製造の安定性及び巻き芯に対する巻き癖、所謂カール防止の観点から、いずれも好ましくは10~100μm、特に好ましくは25~50μmである。次に、本発明における光硬化性ドライフィルムの製造方法について説明する。上記光硬化性ドライフィルムの製造装置は、一般的に粘着剤製品を製造するためのフィルムコーターが使用できる。上記フィルムコーターとしては、例えば、コンマコーター、コンマリバースコーター、マルチコーター、ダイコーター、リップコーター、リップリバースコーター、ダイレクトグラビアコーター、オフセットグラビアコーター、3本ボトムリバースコーター、4本ボトムリバースコーター等が挙げられる。支持フィルムを上記フィルムコーターの巻出軸から巻き出し、上記フィルムコーターのコーターヘッドを通過させるとき、上記支持フィルム上に光硬化性樹脂組成物を所定の厚みで塗布した後、所定の温度と所定の時間で熱風循環オーブンを通過させ、上記支持フィルム上で乾燥させた光硬化性樹脂層を上記フィルムコーターの別の巻出軸から巻き出された保護フィルムと共に、所定の圧力でラミネートロールを通過させて上記支持フィルム上の上記光硬化性樹脂層と貼り合わせた後、上記フィルムコーターの巻取軸に巻き取ることによって製造される。この場合、上記温度としては25~150°Cが好ましく、上記時間としては1~100分間が好ましく、上記圧力としては0.01~5MPaが好ましい。更に、本発明における光硬化性ドライフィルムのパターン形成方法について説明する。本発明の光硬化性ドライフィルムから保護フィルムを剥離し、光硬化性樹脂層を基板に密着させ、露光し、露光後加熱処理ポストエクスポージャベークPEBを行い、現像し、更に、必要に応じて後硬化してパターンを形成し、最終目的の電気電子部品保護用皮膜が得られる。まず、光硬化性ドライフィルムを、フィルム貼り付け装置を用いて基板に密着させる。上記基板としては、例えばシリコンウエハー、TSV用シリコンウエハー、プラスチック、セラミック及び各種金属製回路基板等があり、特に開口幅が10~100μmかつ深さが10~120μmである溝や孔を有する基板が挙げられる。上記フィルム貼り付け装置としては、真空ラミネーターが好ましい。上記光硬化性ドライフィルムを上記フィルム貼り付け装置に取り付け、上記光硬化性ドライフィルムの保護フィルムを剥離し露出した上記光硬化性樹脂層を、所定真空度の真空チャンバー内において、所定の圧力の貼り付けロールを用いて、所定の温度のテーブル上で上記基板に密着させる。なお、上記温度としては60~120°Cが好ましく、上記圧力としては0~5.0MPaが好ましく、上記真空度としては50~500Paが好ましい。上記密着後、公知のリソグラフィー技術を用いてパターンの形成を行うことができる。ここで、上記光硬化性樹脂層の光硬化反応を効率的に行うため又は光硬化性樹脂層と基板との密着性を向上させるため、必要に応じて予備加熱プリベークを行ってもよい。プリベークは、例えば40~140°Cで1分間~1時間程度行うことができる。次いで、支持フィルムを介して、もしくは上記支持フィルムを剥離した状態で、フォトマスクを介して波長190~500nmの光で露光して、硬化させる。上記フォトマスクは、例えば所望のパターンをくり貫いたものであってもよい。なお、フォトマスクの材質は上記波長190~500nmの光を遮蔽するものが好ましく、例えばクロム等が好適に用いられるがこれに限定されるものではない。上記波長190~500nmの光としては、例えば放射線発生装置により発生させた種々の波長の光、例えば、g線、i線等の紫外線光、遠紫外線光193nm、248nm等が挙げられる。そして、上記波長は好ましくは248~436nmである。露光量は、例えば10~3,000mJ/cm2が好ましい。このように露光することで、露光部分が架橋して現像液である下記溶剤に不溶な不溶化パターンが形成される。更に、現像感度を高めるために、露光後加熱処理PEBを行う。上記露光後の加熱処理は、例えば40~140°Cで0.5~10分間とすることができる。その後、現像液にて現像する。上記現像液は、本発明の光硬化性ドライフィルムにおいて光硬化性樹脂層の形成に用いられる光硬化性樹脂組成物の溶剤を使用することができる。例えば、イソプロピルアルコールIPA等のアルコール類やシクロヘキサノン等のケトン類、更には、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコール等が好ましい。現像は、通常の方法、例えばパターンが形成された基板を上記現像液に浸漬すること等により行うことができる。その後、必要に応じて洗浄、リンス、乾燥等を行い、所望のパターンを有する光硬化性樹脂層の皮膜が得られる。なお、パターンを形成する必要のない場合、例えば単なる均一皮膜を形成したい場合は、上記フォトマスクを使用しない以外は上記パターン形成方法で述べた内容と同様の方法で行えばよい。また、得られたパターンをオーブンやホットプレートを用いて、温度100~250°C、好ましくは150~220°C、更に好ましくは170~190°Cで後硬化する。後硬化温度が100~250°Cであれば、光硬化性樹脂組成物の皮膜の架橋密度を上げ、残存する揮発成分を除去でき、基板に対する密着力、耐熱性や強度、更に電気特性の観点から好ましい。そして、後硬化時間は10分間~10時間とすることができる。このようにして得られた硬化皮膜も、可撓性、基板との密着性、耐熱性、電気特性、機械的強度及びソルダーフラックス液に対する薬品耐性に優れ、それを保護用皮膜とした半導体素子の信頼性にも優れ、特に温度サイクル試験の際のクラック発生を防止でき、電気電子部品、半導体素子等の保護用皮膜として好適に用いられる。以下、合成例、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記例に制限されるものではない。I.ネガ型レジスト組成物の調製下記合成例において使用する化合物M-1~M-6の化学構造式を示した。[合成例1]撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した5Lフラスコ内に化合物M-1396.5gをトルエン1,668gに溶解後、化合物M-4859.2gを加え、60°Cに加温した。その後、カーボン担持白金触媒5質量2.2gを投入し、内部反応温度が65~67°Cに昇温したのを確認後、更に、3時間、90°Cまで加温し、再び60°Cまで冷却して、カーボン担持白金触媒5質量2.2gを投入し、化合物M-578.3gを1時間掛けてフラスコ内に滴下した。このときフラスコ内温度は、79°Cまで上昇した。滴下終了後、更に、90°Cで3時間熟成し、室温まで冷却し、メチルイソブチルケトン1,550gを加え、本反応溶液をフィルターにて加圧濾過することで白金触媒を取り除いた。更に、得られたシリコーン骨格含有高分子化合物溶液に純水700gを加え、撹拌、静置分液を行い、下層の水層を除去した。この分液水洗操作を6回繰り返し、シリコーン骨格含有高分子化合物溶液中の微量酸成分を取り除いた。このシリコーン骨格含有高分子化合物溶液中の溶剤を減圧留去すると共に、シクロペンタノンを2,000g添加して、樹脂換算60質量のシクロペンタノンを主溶剤とするシリコーン骨格含有高分子化合物溶液A-1を得た。このシリコーン骨格含有高分子化合物溶液中のシリコーン骨格含有高分子化合物の分子量をGPCにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量42,000であり、式1におけるa、b、c、dは、原料M-1、M-4及びM-5の使用量から求めたモル比で、aは0、bは1、cは0、dは0であった。[合成例2]撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した5Lフラスコ内に化合物M-1352.8g、化合物M-390.0gをトルエン1,875gに溶解後、化合物M-4949.6g、化合物M-56.1gを加え、60°Cに加温した。その後、カーボン担持白金触媒5質量2.2gを投入し、内部反応温度が65~67°Cに昇温したのを確認後、更に、3時間、90°Cまで加温し、再び60°Cまで冷却して、カーボン担持白金触媒5質量2.2gを投入し、化合物M-6107.3gを1時間かけてフラスコ内に滴下した。このときフラスコ内温度は、79°Cまで上昇した。滴下終了後、更に、90°Cで3時間熟成し、室温まで冷却し、メチルイソブチルケトン1,700gを加え、本反応溶液をフィルターにて加圧濾過することで白金触媒を取り除いた。更に、得られたシリコーン骨格含有高分子化合物溶液に純水760gを加えて撹拌、静置分液を行い、下層の水層を除去した。この分液水洗操作を6回繰り返し、シリコーン骨格含有高分子化合物溶液中の微量酸成分を取り除いた。このシリコーン骨格含有高分子化合物溶液中の溶剤を減圧留去すると共に、シクロペンタノンを980g添加して、樹脂換算60質量のシクロペンタノンを主溶剤とするシリコーン骨格含有高分子化合物溶液A-2を得た。このシリコーン骨格含有高分子化合物溶液中のシリコーン骨格含有高分子化合物の分子量をGPCにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量64,000であり、式1におけるaは0.480、bは0.320、cは0.120、dは0.080であった。[合成例3]撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した5Lフラスコ内に化合物M-1352.8g、化合物M-2116.1gをトルエン1,875gに溶解後、化合物M-4949.6g、化合物M-56.1gを加え60°Cに加温した。その後、カーボン担持白金触媒5質量2.2gを投入し、内部反応温度が65~67°Cに昇温したのを確認後、更に、3時間、90°Cまで加温し、再び60°Cまで冷却してカーボン担持白金触媒5質量2.2gを投入し、化合物M-6107.3gを1時間掛けてフラスコ内に滴下した。このとき、フラスコ内温度は、73°Cまで上昇した。滴下終了後、更に、90°Cで3時間熟成し、室温まで冷却し、メチルイソブチルケトン1,700gを加え、本反応溶液をフィルターにて加圧濾過することで白金触媒を取り除いた。更に、得られたシリコーン骨格含有高分子化合物溶液に純水760gを加え、撹拌、静置分液を行い、下層の水層を除去した。この分液水洗操作を6回繰り返し、ポリマー溶液中の微量酸成分を取り除いた。このシリコーン骨格含有高分子化合物溶液中の溶剤を減圧留去すると共に、シクロペンタノンを2,250g添加して、樹脂換算60質量のシクロペンタノンを主溶剤とするシリコーン骨格含有高分子化合物溶液A-3を得た。このシリコーン骨格含有高分子化合物溶液中のシリコーン骨格含有高分子化合物の分子量をGPCにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量55,000であり、式1におけるaは0.486、bは0.314、cは0.114、dは0.086であった。[合成例4]撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した5Lフラスコ内に化合物M-1396.5gをトルエン1,550gに溶解後、化合物M-4859.2gを加え60°Cに加温した。その後、カーボン担持白金触媒5質量2.2gを投入し、内部反応温度が65~67°Cに昇温したのを確認後、更に、3時間、90°Cまで加温し、再び60°Cまで冷却してカーボン担持白金触媒5質量2.2gを投入し、化合物M-6115.2gを1時間掛けてフラスコ内に滴下した。このとき、フラスコ内温度は、78°Cまで上昇した。滴下終了後、更に、90°Cで10時間熟成し、室温まで冷却し、メチルイソブチルケトン1,700gを加え、本反応溶液をフィルターにて加圧濾過することで白金触媒を取り除いた。更に、得られたシリコーン骨格含有高分子化合物溶液に純水700gを加え、撹拌、静置分液を行い、下層の水層を除去した。この分液水洗操作を6回繰り返し、ポリマー溶液中の微量酸成分を取り除いた。このシリコーン骨格含有高分子化合物溶液中の溶剤を減圧留去すると共に、シクロペンタノンを832g添加して、樹脂換算60質量のシクロペンタノンを主溶剤とするシリコーン骨格含有高分子化合物溶液A-4を得た。このシリコーン骨格含有高分子化合物溶液中のシリコーン骨格含有高分子化合物の分子量をGPCにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量80,000であり、式1におけるaは0.670、bは0.330、cは0、dは0であった。[合成例5]E成分の合成3-モルホリノプロピオン酸2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチルamine1の合成アクリル酸2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチル28.6gに氷冷、撹拌下、モルホリン9.6gを滴下した。室温で1時間撹拌後、反応混合物を直接蒸留精製し、3-モルホリノプロピオン酸2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチル36.2gを得た沸点:84°C/13Pa、収率97。IRKBr:ν=2964,2898,2859,2817,2694,1760,1459,1405,1361,1295,1249,1172,1118,1070,1010,973,904,806,763cm11H-NMR600MHzinCDCl3:δ=2.474H,m,2.602H,t,J=7.2Hz,2.692H,t,J=7.2Hz,3.674H,t,J=4.6Hz,4.592H,t,J=13.7Hz,6.041H,tt,J=52.1,5.3Hz.19F-NMR565MHzinCDCl3,トリフルオロ酢酸標準:δ=-137.92F,m,-130.62F,m,-126.02F,m,-120.42F,m.[合成例6]E成分の合成2,2-ビストリフルオロメチルプロピオン酸2-モルホリノエチルamine2の合成2-モルホリノエタノール26.2g、2,2-ビストリフルオロメチルプロピオン酸フルオリド21.2g、トリエチルアミン20.2g、アセトニトリル100gの混合物を60°Cで20時間撹拌した。通常の水系後処理aqueouswork-upの後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製を行い、2,2-ビストリフルオロメチルプロピオン酸2-モルホリノエチル22.6gを得た収率70。[合成例7]E成分の合成N-メチル-N-2-モルホリノエチル-2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7-ドデカフルオロヘプタンアミドamine3の合成4-2-メチルアミノエチルモルホリン17.3g、テトラヒドロフラン100gの混合物に氷冷、撹拌下、7H-ドデカフルオロヘプタン酸クロリド36.5gと10水酸化ナトリウム水溶液40.0gを別々にそれぞれ1時間かけて滴下し、その後室温で1時間撹拌した。通常の水系後処理aqueouswork-upの後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製を行い、N-メチル-N-2-モルホリノエチル-2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7-ドデカフルオロヘプタンアミド38.7gを得た収率82。[合成例8]E成分の合成N-メチル-N-2-モルホリノエチル-1,1,2,2,3,3,4,4,4-ノナフルオロ-1-ブタンスルホンアミドamine4の合成4-2-メチルアミノエチルモルホリン17.3g、テトラヒドロフラン100gの混合物に氷冷、撹拌下、パーフルオロ-1-ブタンスルホン酸フルオリド30.2gと10水酸化ナトリウム水溶液40.0gを別々にそれぞれ1時間かけて滴下し、その後室温で2時間撹拌した。通常の水系後処理aqueouswork-upの後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製を行い、N-メチル-N-2-モルホリノエチル-1,1,2,2,3,3,4,4,4-ノナフルオロ-1-ブタンスルホンアミド26.4gを得た収率62。[合成例9]E成分の合成1-モルホリノ-4,4,5,5,6,6,7,7,7-ノナフルオロ-2-ヘプタノールamine5の合成モルホリン8.7gに1,2-エポキシ-4,4,5,5,6,6,7,7,7-ノナフルオロヘプタン27.6gを滴下し、その後80°Cで10時間撹拌した。反応混合物を直接シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、1-モルホリノ-4,4,5,5,6,6,7,7,7-ノナフルオロ-2-ヘプタノール33.8gを得た収率93。[合成例10]E成分の合成1-モルホリノ-4,4,5,5,6,6,7,7,7-ノナフルオロ-2-ヘプチル=アセタートamine6の合成1-モルホリノ-4,4,5,5,6,6,7,7,7-ノナフルオロ-2-ヘプタノール36.3gに無水酢酸11.2gを加え、50°Cで10時間撹拌した。通常の水系後処理aqueouswork-upの後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製を行い、1-モルホリノ-4,4,5,5,6,6,7,7,7-ノナフルオロ-2-ヘプチル=アセタート38.5gを得た収率95。[合成例11]E成分の合成1-2-モルホリノエトキシ-4,4,5,5,6,6,7,7,7-ノナフルオロ-2-ヘプタノールamine7の合成2-モルホリノエタノール13.1gと1,2-エポキシ-4,4,5,5,6,6,7,7,7-ノナフルオロヘプタン27.6gとの混合物を80°Cで10時間撹拌した。反応混合物を直接シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、1-2-モルホリノエトキシ-4,4,5,5,6,6,7,7,7-ノナフルオロ-2-ヘプタノール29.7gを得た収率73。[合成例12]E成分の合成1-2-モルホリノエトキシ-4,4,5,5,6,6,7,7,7-ノナフルオロ-2-ヘプチル=アセタートamine8の合成1-2-モルホリノエトキシ-4,4,5,5,6,6,7,7,7-ノナフルオロ-2-ヘプタノール40.7gに無水酢酸11.2gを加え、50°Cで10時間撹拌した。通常の水系後処理aqueouswork-upの後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製を行い、1-2-モルホリノエトキシ-4,4,5,5,6,6,7,7,7-ノナフルオロ-2-ヘプチル=アセタート42.7gを得た収率95。[合成例13]E成分の合成1-モルホリノ-3-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチルオキシ-2-プロパノールamine9の合成モルホリン8.7gにグリシジル2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチルエーテル28.8gを滴下し、その後80°Cで10時間撹拌した。反応混合物を直接シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、1-モルホリノ-3-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチルオキシ-2-プロパノール33.4gを得た収率89。[合成例14]E成分の合成2-モルホリノ-1-{2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチルオキシメチル}エチル=アセタートamine10の合成1-モルホリノ-3-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチルオキシ-2-プロパノール37.5gに無水酢酸11.2gを加え、50°Cで10時間撹拌した。通常の水系後処理aqueouswork-upの後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製を行い、2-モルホリノ-1-{2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチルオキシメチル}エチル=アセタート39.6gを得た収率95。[実施例1~32及び比較例1~7]上記合成例1~4で合成した樹脂溶液を使用して、表1に記載した組成内質量部で架橋剤、光酸発生剤、更に合成例5~14で得たフッ素化アルキル基を有するアミン化合物、追加する溶媒としてシクロペンタノンを配合して、樹脂換算45質量のレジスト組成物を調製した。その後、撹拌、混合、溶解した後、テフロン登録商標製0.5μmフィルターで精密濾過を行ってレジスト組成物を得た。また、下記に示すフッ素化アルキル基を含有しないアミン化合物のamineAを比較例として用い、同じように上記合成例1~4で合成した樹脂溶液、架橋剤、光酸発生剤を配合し、撹拌、混合、溶解した後、テフロン登録商標製0.5μmフィルターで精密濾過を行ってレジスト組成物を得た。なお、表1に記載した光酸発生剤は以下の通りである。次に、表1に記載した架橋剤は以下の通りである。また、比較に用いた表1に記載したamineAは以下の通りである。II.露光、パターン形成上記レジスト組成物をシリコン基板上へ5mLディスペンスした後に基板を回転するスピンコート法によって、基板上へレジスト組成物を塗布することができる。回転速度を調整することで容易に基板上のレジスト膜の膜厚を調整することが可能である。上記レジスト組成物をシリコン基板上へ回転数を変えて塗布した。実際評価したレジスト組成物と膜厚を表2へ実施例と比較例としてまとめた。基板上へ上記レジスト組成物をディスペンス、スピンコートした後に、ホットプレート上100°C、2分間のプリベークを施した。次に、ズースマイクロテック株製のマスクアライナー製品名:MA-8を使い、縦横1:1配列の20μmのホールが形成できるマスクを装着して、ブロードバンド光の露光365nmを施した。次いで、上記基板を110°Cで2分間露光後加熱PEBして冷却した。その後、イソプロピルアルコールIPAを用いて1分間パドル現像を3回行い、パターニングを行った。次いで、得られた基板上パターンをオーブンを用いて180°Cで2時間窒素パージしながら後硬化した。次に、得られたホールパターンの形状が観察できるように、基板を切り出し、走査型電子顕微鏡SEMを用いてホールパターン形状を観察した。ホールの口径がマスク寸法20μmと同じサイズにホールパターンの口径が仕上がる最適露光量365nm光換算の露光量を表2に併せて示した。また、その観察されたパターン断面の形状を表2に記載した。表2が示すように、本発明のフッ素化アルキル基を有さないアミン化合物を用いた組成を用いてパターニングした場合、そのパターン形状は断面観察においてホールの上部の寸法が下部の寸法より狭く、ネガティブテーパー形状となり著しいオーバーハング形状を観察した。一方、本発明のフッ素化アルキル基を有するアミン化合物を用いた組成を用いたパターン形成の場合、そのパターン形状はホール上部の寸法が下部よりも広く、ポジティブテーパー形状となった。また、オーバーハング形状を示すものはなかった。従って、本発明のフッ素化アルキル基を有するアミン化合物は、光硬化性ドライフィルムのパターニングにおいて一般的に観察されるネガティブテーパー形状やオーバーハング形状を改善できる。[実施例33~56及び比較例8~13]次に、光硬化性ドライフィルム用として、上記と同じように合成例1~4で合成した樹脂溶液を使用して、再び表1に記載した組成内質量部で架橋剤、光酸発生剤、更に合成例5~14で得たフッ素化アルキル基を有するアミン化合物を配合して溶媒としてシクロペンタノンをこれ以上配合しない、その後、撹拌、混合、溶解した後、テフロン登録商標製1.0μmフィルターで精密濾過を行って光硬化性樹脂組成物を得た。また、フッ素化アルキル基を含有しないアミン化合物のamineAを比較例として用い、同じように上記合成例1~4で合成した樹脂溶液、架橋剤、光酸発生剤を配合し、撹拌、混合、溶解した後、テフロン登録商標製1.0μmフィルターで精密濾過を行って光硬化性樹脂組成物を得た。III.光硬化性ドライフィルムの作製フィルムコーターとしてダイコーター、支持フィルムとしてポリエチレンテレフタレートフィルム厚さ38μmを用いて、表1に示した光硬化性樹脂組成物1~24を支持フィルム上に表2に示した塗布厚みで塗布した。次いで、100°Cに設定された熱風循環オーブン長さ4mを5分間で通過させることにより、支持フィルム上に光硬化性樹脂層を形成した。更に、上記光硬化性樹脂層の上から、保護フィルムとしてポリエチレンフィルム厚さ50μmを、ラミネートロールを用いて圧力1MPaにて貼り合わせて、光硬化性ドライフィルムを作製した。なお、上記光硬化性樹脂層と膜厚のフィルムの例を表3に実施例と比較例としてまとめて示す。IV.露光、パターン形成次に表2にまとめたように、実施例、比較例に挙げた上記光硬化性樹脂組成物を用いた光硬化性ドライフィルムのそれぞれを、その保護フィルムを剥離し、株タカトリ製の真空ラミネーター製品名:TEAM-100RFを用いて、真空チャンバー内を真空度100Paに設定し、温度条件100°Cにおいて支持フィルム上の光硬化性樹脂層をシリコン基板に密着させた。常圧に戻した後、上記基板を25°Cに冷却して上記真空ラミネーターから取り出し、支持フィルムを剥離した。次に、支持フィルムを剥離後、ホットプレート上100°C、5分間のプリベークを施した。次に、ズースマイクロテック株製のマスクアライナー製品名:MA-8を使い、縦横1:1配列の40μmのホールが形成できるマスクを装着して、ブロードバンド光の露光を施した。次いで、上記基板を130°Cで5分間露光後加熱PEBして冷却した。その後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAを用いて5分間スプレー現像を行い、パターニングを行った。次いで、オーブンを用いて180°Cで2時間窒素パージしながら後硬化した。次に、得られたホールパターンの形状が観察できるように、基板を切り出し、走査型電子顕微鏡SEMを用いてホールパターン形状を観察した。ホールの口径がマスク寸法40μmと同じサイズにホールパターンの口径が仕上がる最適露光量365nm光換算の露光量を表3に併せて示した。また、その観察されたパターン断面の形状を表3に記載した。表3が示すように、本発明のフッ素化アルキル基を有さないアミン化合物を用いた組成の光硬化性ドライフィルムを用いてパターニングした場合、そのパターン形状は断面観察においてホールの上部の寸法が下部の寸法より狭く、ネガティブテーパー形状となり著しいオーバーハング形状を観察するものもあった。一方、本発明のフッ素化アルキル基を有するアミン化合物を用いた組成の光硬化性ドライフィルムを用いたパターン形成の場合、そのパターン形状はホール上部の寸法が下部よりも広く、ポジティブテーパー形状となった。また、オーバーハング形状を示すものはなかった。従って、本発明のフッ素化アルキル基を有するアミン化合物は、光硬化性ドライフィルムのパターニングにおいて一般的に観察されるネガティブテーパー形状やオーバーハング形状を改善できる。V.埋め込み性能開口径が10~100μm10μm刻み及び深さが10~120μm10μm刻みの円形孔がそれぞれ200個形成された、6インチシリコンウエハーを用意した。上記表3の中の実施例33、36、46、47、56の光硬化性ドライフィルムについて、その保護フィルムを剥離し、株タカトリ製の真空ラミネーター製品名:TEAM-100RFを用いて、真空チャンバー内を真空度100Paに設定し、温度条件100°Cにおいて支持フィルム上の光硬化性樹脂層を上記基板に密着させた。常圧に戻した後、上記基板を25°Cに冷却して上記真空ラミネーターから取り出し、支持フィルムを剥離した。次に、支持フィルムを剥離後、ホットプレート上100°C、5分間のプリベークを施した。次に、ズースマイクロテック株製のマスクアライナー製品名:MA-8を使って、表4記載の露光量波長365nmでブロードバンド光を上記基板に照射した。次いで、上記基板を110°Cで5分間露光後加熱PEBして冷却した。その後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAを用いて5分間スプレー現像を行った。次いで、オーブンを用いて180°Cで2時間窒素パージしながら後硬化した。そして、得られた基板をダイシングして円形孔の断面を出し、走査型電子顕微鏡SEMを用いて上記円形孔の断面を観察し、欠陥の有無を評価した。その結果を表4に示す。表4に示す通り、すべて欠陥なく充填されており、電気電子部品保護用皮膜としての埋め込み性能は良好であると判断できる。VI.電気特性絶縁破壊強さ上記表3の中の実施例33、36、47、56の膜厚50μmの光硬化性ドライフィルムについて、その保護フィルムを剥離し、支持フィルム上の光硬化性樹脂層を、100°Cの温度条件で、JISK6249に規定される基板に密着させた。そして、上記基板を室温に冷却して、支持フィルムを剥離した。次に支持フィルムを剥離後、ホットプレート上100°C、5分間のプリベークを施した。更に、上記マスクアライナーを使って、露光量1,000mJ/cm2波長365nmであるブロードバンド光を、石英製フォトマスクを介して、上記基板に照射した。次いで、上記基板を110°Cで5分間PEBを施し、冷却した。その後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAを用いて5分間スプレー現像を行った。次いで、オーブンを用いて180°Cで2時間窒素パージしながら後硬化し、絶縁破壊強さ測定用の基板を作製した。そして、JISK6249に規定される測定方法に準じて、絶縁破壊強さを測定した。その結果を表5に示す。表5に示す通り、電気電子部品保護用皮膜としての電気特性はすべて良好であった。VII.密着性上記表3の中の実施例33、36、47、56の膜厚50μmの光硬化性ドライフィルムについて、その保護フィルムを剥離し、上記真空ラミネーターを用いて、真空チャンバー内を真空度100Paに設定し、100°Cの温度条件で支持フィルム上の光硬化性樹脂層を無処理の6インチシリコンウエハーに密着させた。常圧に戻した後、上記基板を25°Cに冷却して上記真空ラミネーターから取り出し、支持フィルムを剥離した。次に支持フィルムを剥離後、ホットプレート上100°C、5分間のプリベークを施した。更に、上記マスクアライナーを使って、露光量1,000mJ/cm2波長365nmであるブロードバンド光を、石英製フォトマスクを介して、上記基板に照射した。次いで、上記基板を110°Cで5分間PEBを施し、冷却した。その後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAを用いて5分間スプレー現像を行った。次いで、オーブンを用いて180°Cで2時間窒素パージしながら後硬化し、直径300μm、高さ50μmのポストパターン硬化皮膜を得た。上記ポストパターン硬化皮膜を、イギリスDage製ボンドテスター製品名:Dageseries4000-PXYを用いて、基板からのパターン硬化皮膜剥離時にかかる抵抗力により、初期の密着性を評価した。測定条件は、測定スピード50.0μm/sec及び測定高さ3.0μmであった。図1は密着性測定方法を示す説明図である。なお、図中1はシリコンSi基板、2はポストパターン硬化皮膜、3はボンドテスターの測定治具であり、4は測定治具の移動方向を示す。得られた数値は15点測定の平均値であり、数値が高いほどポストパターン硬化皮膜の基板に対する密着性が高い。更に、基板上のポストパターン硬化皮膜にソルダーフラックス液を塗布し、220°Cで30秒間加熱し、冷却後純水で洗浄し、室温で2時間乾燥したポストパターン硬化皮膜について、上記ボンドテスターを用いて、上記基板からのパターン剥離時にかかる抵抗力により、初期と同様に劣化後の密着性を評価した。なお、4種類の光硬化性ドライフィルムについて、初期の数値を比較することにより密着性を評価し、初期から劣化後へ数値が低下する挙動をそれぞれ比較することにより、密着性と共にソルダーフラックス液に対する薬品耐性も評価した。その結果を表5に示す。表5に示す通り、電気電子部品保護用皮膜としての密着性は良好であった。VIII.クラック耐性上記表3の中の実施例33、36、47、56の膜厚50μmの光硬化性ドライフィルムについて、その保護フィルムを剥離し、上記真空ラミネーターを用いて、真空チャンバー内を真空度100Paに設定し、100°Cの温度条件で支持フィルム上の光硬化性樹脂層を、上記埋め込み特性に用いた基板に密着させた。常圧に戻した後、上記基板を25°Cに冷却して上記真空ラミネーターから取り出し、支持フィルムを剥離した。次に、支持フィルムを剥離後、ホットプレート上100°C、5分間のプリベークを施した。次に、上記マスクアライナーを使って、露光量1,000mJ/cm2波長365nmであるブロードバンド光を、石英製フォトマスクを介して、上記基板に照射した。次いで、上記基板を110°Cで5分間PEBを施し、冷却した。その後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAを用いて5分間スプレー現像を行った。次いで、オーブンを用いて180°Cで2時間窒素パージしながら後硬化した。この硬化皮膜が形成された基板を、-55°C~150°Cを1サイクルとする温度サイクル試験機に投入し、上記硬化皮膜中のクラック発生の有無について1,000サイクルまで調査した。その結果を表5に示す。表5に示す通り、電気電子部品保護用皮膜としてのクラック耐性は良好であった。IX.剥離液耐性上記表3の中の実施例33、36、47、56の膜厚50μmの光硬化性ドライフィルムについて、その保護フィルムを剥離し、上記真空ラミネーターを用いて、真空チャンバー内を真空度100Paに設定し、100°Cの温度条件で支持フィルム上の光硬化性樹脂層を無処理の6インチシリコンウエハーに密着させた。常圧に戻した後、上記基板を25°Cに冷却して上記真空ラミネーターから取り出し、支持フィルムを剥離した。次に、支持フィルムを剥離後、ホットプレート上100°C、5分間のプリベークを施した。次に、上記マスクアライナーを使って、露光量1,000mJ/cm2波長365nmであるブロードバンド光を、石英製フォトマスクを介して、上記基板に照射した。次いで、上記基板を110°Cで5分間PEBを施し、冷却した。その後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAを用いて5分間スプレー現像を行った。次いで、オーブンを用いて180°Cで2時間窒素パージしながら後硬化し、15mm×15mmの正方形パターン硬化皮膜を得た。そして、上記基板をNMPN-メチルピロリドン中に室温で1時間浸漬した後、膜厚変化、外観を調査し、剥離液耐性を評価した。その結果を表5に示す。表5に示す通り、電気電子部品保護用皮膜としての剥離液耐性はすべて良好であった。本発明によれば、光硬化性ドライフィルムを用いて形成したホールパターンやスペースパターンがネガティブテーパー逆テーパー形状、もしくは上部の形状が極端に張り出したようなオーバーハング形状を観察する一般的なネガ型レジスト組成物の特徴を改善し、幅広い膜厚に対応することが可能でかつ幅広い波長領域において微細なパターンの形成が可能であって、チップの高密度化、高集積化に伴い、再配線技術におけるパターンの微細化が可能であって、電気電子部品保護用皮膜に有用な化学増幅ネガ型レジスト組成物及び光硬化性ドライフィルムの提供ができる。"