"下記一般式1で示されるスルホニウム塩。式1中のRa、RbおよびRcはそれぞれ式2または式3で表される1価の有機基である。式1中のR1~R3および式2、3中のR4~R7は互いに独立して、アルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールチオカルボニル基、アシロキシ基、アリールチオ基、アルキルチオ基、アリール基、複素環式炭化水素基、アリールオキシ基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、ヒドロキシポリアルキレンオキシ基、置換されていてよいアミノ基、シアノ基、ニトロ基又はハロゲン原子を表す。m1~m7はそれぞれR1~R7の個数を表し、m1~m4は0~5の整数、m5およびm6は0~4の整数、m7は0~3を表す。n1~n3はそれぞれRa~Rcの個数を表し、それぞれ0または1であり、n1~n3の合計数は2または3である。AはS硫黄またはO酸素を表し、X-は一価の多原子アニオンを表す。Ra、Rbの置換数n1およびn2がそれぞれ1であり、Rcの置換数n3が0である請求項1に記載のスルホニウム塩。R1、R2の個数m1、m2はそれぞれ0であり、R3がアルコキシ基またはフェノキシ基である請求項1または2に記載のスルホニウム塩。Ra、Rbがともに一般式2で示される有機基であり、AがS硫黄かつR4、R5の個数m4、m5が共に0である請求項1~3の何れかに記載のスルホニウム塩。X-がSbF6-、PF6-、BF4-、CF3CF23PF3-、C6F54B-、CF32C6H34B-、C6F54Ga-、CF32C6H34Ga-、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、ノナフルオロブタンスルホン酸アニオン、メタンスルホン酸アニオン、ブタンスルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオン、ベンゼンスルホン酸アニオン、p-トルエンスルホン酸アニオン、CF3SO23C-、及びCF3SO22N-で示されるアニオンよりなる群より選ばれるものである、請求項1~4の何れかに記載のスルホニウム塩。請求項1~5の何れかに記載のスルホニウム塩を含有することを特徴とする光酸発生剤。請求項6に記載の光酸発生剤とカチオン重合性化合物とを含んでなるエネルギー線硬化性組成物。請求項7に記載のエネルギー線硬化性組成物を硬化させて得られることを特徴とする硬化体。請求項6に記載の光酸発生剤を含んでなる成分Aと、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂である成分Bとを含んでなる、化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物。該成分Bがノボラック樹脂B1,ポリヒドロキシスチレン樹脂B2,及びアクリル樹脂B3からなる群より選ばれる少なくとも1種の樹脂を含んでなるものである,請求項9に記載の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物。アルカリ可溶性樹脂C及び酸拡散制御剤Dを更に含んでなる,請求項9又は10に記載の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物。請求項9~11の何れかに記載の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物からなる膜厚10~150μmのフォトレジスト層を支持体上に積層してフォトレジスト積層体を得る積層工程と,該フォトレジスト積層体に部位選択的に光又は放射線を照射する露光工程と,該露光工程後にフォトレジスト積層体を現像してレジストパターンを得る現像工程と,を含むことを特徴とするレジストパターンの作製方法。請求項6に記載の光酸発生剤を含んでなる成分Eと、フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂である成分Fと、架橋剤成分Gとを含んでなる、化学増幅型ネガ型フォトレジスト組成物。更に架橋微粒子成分Hを含んでなる、請求項13に記載の化学増幅型ネガ型フォトレジスト組成物。請求項13又は14に記載の化学増幅型ネガ型フォトレジスト組成物を硬化させて得られることを特徴とする硬化体。上記の背景において、本発明の第1の目的は、i線に高い光感応性を有する新たなスルホニウム塩を提供することである。本発明の第2の目的は、i線に高い光感応性を有し,かつエポキシ化合物等のカチオン重合性化合物への相溶性が高く,エポキシ化合物等のカチオン重合性化合物との配合物において貯蔵安定性の優れた,スルホニウム塩を含んでなる新たな光酸発生剤を提供することである。本発明の第3の目的は、上記光酸発生剤を利用したエネルギー線硬化性組成物及び硬化体を提供することである。本発明の第4の目的は、上記光酸発生剤を利用した化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物及びその製造方法を提供することである。本発明の第5の目的は、上記光酸発生剤を利用した化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物及びその硬化体を提供することである。本発明者は、下記の式1で示されるスルホニウム塩を合成し、それが上記の各目的に好適であることを見出した。すなわち、本発明は、下記一般式1で示されるスルホニウム塩を提供する。式1中のRa、RbおよびRcはそれぞれ式2または式3で表される1価の有機基である。式1中のR1~R3および式2、3中のR4~R7は互いに独立して、アルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールチオカルボニル基、アシロキシ基、アリールチオ基、アルキルチオ基、アリール基、複素環式炭化水素基、アリールオキシ基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、ヒドロキシポリアルキレンオキシ基、置換されていてよいアミノ基、シアノ基、ニトロ基又はハロゲン原子を表す。m1~m7はそれぞれR1~R7の個数を表し、m1~m4は0~5の整数、m5およびm6は0~4の整数、m7は0~3を表す。n1~n3はそれぞれRa~Rcの個数を表し、それぞれ0または1であり、n1~n3の合計数は2または3である。AはS硫黄またはO酸素を表し、X-は一価の多原子アニオンを表す。また本発明は、上記のスルホニウム塩を含有することを特徴とする光酸発生剤である。また本発明は、上記光酸発生剤とカチオン重合性化合物とを含有することを特徴とするエネルギー線硬化性組成物である。更に本発明は、上記エネルギー線硬化性組成物を硬化させて得られることを特徴とする硬化体である。更に本発明は、上記光酸発生剤と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂である成分Bとを含有することを特徴とする、化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物である。更に本発明は、上記のいずれかの化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物からなる膜厚5~150μmのフォトレジスト層を積層してフォトレジスト積層体を得る積層工程と、該フォトレジスト積層体に部位選択的に光又は放射線を照射する露光工程と、該露光工程後にフォトレジスト積層体を現像してレジストパターンを得る現像工程と、を含むことを特徴とするレジストパターンの作製方法である。更に本発明は、上記光酸発生剤と、フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂である成分Fと、架橋剤成分Gとを含有することを特徴とする、化学増幅型ネガ型フォトレジスト組成物である。更に本発明は、上記いずれかの化学増幅型ネガ型フォトレジスト組成物を硬化させて得られることを特徴とする硬化体である。本発明のスルホニウム塩は、可視光、紫外線、電子線及びX線等の活性エネルギー線に対する光感応性に優れ、エポキシ化合物等のカチオン重合性化合物への相溶性が高く、エポキシ化合物等のカチオン重合性化合物との配合物において貯蔵安定性が優れる。本発明の光酸発生剤は、カチオン重合性化合物の硬化に用いるとき、紫外光、特にi線の作用による硬化性に優れており、増感剤を用いなくても、カチオン重合性化合物を硬化させることができる。本発明の光酸発生剤はまた、厚膜硬化性にも優れている。本発明のエネルギー線硬化性組成物は、上記の光酸発生剤を含有するため、紫外光で硬化させることができる。また、本発明のエネルギー線硬化性組成物は、貯蔵安定性が高く、増感剤を用いる必要がないことから、コスト及び作業性に優れる。本発明の硬化体は、増感剤を用いずに得ることができるため、増感剤の残存に起因する着色や劣化という問題がない。本発明の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物および化学増幅型ネガ型フォトレジスト組成物は、上記の光酸発生剤を含有するため、i線に対して高感度なレジスト従来のものに比べ低露光量でパターン形成が可能を得ることが可能である。さらに、本発明の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物および化学増幅型ネガ型フォトレジスト組成物は、貯蔵安定性が高く、レジストパターン形状が良好である。以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。本発明のスルホニウム塩は、下記一般式1で表される。式1、2および3において、R1~R7のうち、アルキル基としては、炭素数1~18の直鎖アルキル基メチル、エチル、n-プロピル、n-ブチル、n-ペンチル、n-オクチル、n-デシル、n-ドデシル、n-テトラデシル、n-ヘキサデシル及びn-オクタデシル等、炭素数1~18の分枝鎖アルキル基イソプロピル、イソブチル、sec-ブチル、tert-ブチル、イソペンチル、ネオペンチル、tert-ペンチル、イソヘキシル及びイソオクタデシル、及び炭素数3~18のシクロアルキル基シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル及び4-デシルシクロヘキシル等等が挙げられる。式1、2および3において、R1~R7のうち、アルコキシ基としては、炭素数1~18の直鎖又は分枝鎖アルコキシ基メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、sec-ブトキシ、tert-ブトキシ、ヘキシルオキシ、デシルオキシ、ドデシルオキシ及びオクタデシルオキシ等等が挙げられる。式1、2および3において、R1~R7のうち、アルキルカルボニル基としては、炭素数2~18の直鎖又は分枝鎖アルキルカルボニル基アセチル、プロピオニル、ブタノイル、2-メチルプロピオニル、ヘプタノイル、2-メチルブタノイル、3-メチルブタノイル、オクタノイル、デカノイル、ドデカノイル及びオクタデカノイル等等が挙げられる。式1、2および3において、R1~R7のうち、アリールカルボニル基としては、炭素数7~11のアリールカルボニル基ベンゾイル及びナフトイル等等が挙げられる。式1、2および3において、R1~R7のうち、アルコキシカルボニル基としては、炭素数2~18の炭素数2~19の直鎖又は分枝鎖アルコキシカルボニル基メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、イソブトキシカルボニル、sec-ブトキシカルボニル、tert-ブトキシカルボニル、オクチロキシカルボニル、テトラデシルオキシカルボニル及びオクタデシロキシカルボニル等等が挙げられる。式1、2および3において、R1~R7のうち、アリールオキシカルボニル基としては、炭素数7~11のアリールオキシカルボニル基フェノキシカルボニル及びナフトキシカルボニル等等が挙げられる。式1、2および3において、R1~R7のうち、アリールチオカルボニル基としては、炭素数7~11のアリールチオカルボニル基フェニルチオカルボニル及びナフトキシチオカルボニル等等が挙げられる。式1、2および3において、R1~R7のうち、アシロキシ基としては、炭素数2~19の直鎖又は分枝鎖アシロキシ基アセトキシ、エチルカルボニルオキシ、プロピルカルボニルオキシ、イソプロピルカルボニルオキシ、ブチルカルボニルオキシ、イソブチルカルボニルオキシ、sec-ブチルカルボニルオキシ、tert-ブチルカルボニルオキシ、オクチルカルボニルオキシ、テトラデシルカルボニルオキシ及びオクタデシルカルボニルオキシ等等が挙げられる。式1、2および3において、R1~R7のうち、アリールチオ基としては、炭素数6~20のアリールチオ基フェニルチオ、2-メチルフェニルチオ、3-メチルフェニルチオ、4-メチルフェニルチオ、2-クロロフェニルチオ、3-クロロフェニルチオ、4-クロロフェニルチオ、2-ブロモフェニルチオ、3-ブロモフェニルチオ、4-ブロモフェニルチオ、2-フルオロフェニルチオ、3-フルオロフェニルチオ、4-フルオロフェニルチオ、2-ヒドロキシフェニルチオ、4-ヒドロキシフェニルチオ、2-メトキシフェニルチオ、4-メトキシフェニルチオ、1-ナフチルチオ、2-ナフチルチオ、4-[4-フェニルチオベンゾイル]フェニルチオ、4-[4-フェニルチオフェノキシ]フェニルチオ、4-[4-フェニルチオフェニル]フェニルチオ、4-フェニルチオフェニルチオ、4-ベンゾイルフェニルチオ、4-ベンゾイル-2-クロロフェニルチオ、4-ベンゾイル-3-クロロフェニルチオ、4-ベンゾイル-3-メチルチオフェニルチオ、4-ベンゾイル-2-メチルチオフェニルチオ、4-4-メチルチオベンゾイルフェニルチオ、4-2-メチルチオベンゾイルフェニルチオ、4-p-メチルベンゾイルフェニルチオ、4-p-エチルベンゾイルフェニルチオ4-p-イソプロピルベンゾイルフェニルチオ及び4-p-tert-ブチルベンゾイルフェニルチオ等等が挙げられる。式1、2および3において、R1~R7のうち、アルキルチオ基としては、炭素数1~18の直鎖又は分枝鎖アルキルチオ基メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ、イソブチルチオ、sec-ブチルチオ、tert-ブチルチオ、ペンチルチオ、イソペンチルチオ、ネオペンチルチオ、tert-ペンチルチオ、オクチルチオ、デシルチオ、ドデシルチオ及びイソオクタデシルチオ等等が挙げられる。式1、2および3において、R1~R7のうち、アリール基としては、炭素数6~10のアリール基フェニル、トリル、ジメチルフェニル及びナフチル等等が挙げられる。式1、2および3において、R1~R7のうち、複素環式炭化水素基としては、炭素数4~20の複素環式炭化水素基チエニル、フラニル、ピラニル、ピロリル、オキサゾリル、チアゾリル、ピリジル、ピリミジル、ピラジニル、インドリル、ベンゾフラニル、ベンゾチエニル、キノリル、イソキノリル、キノキサリニル、キナゾリニル、カルバゾリル、アクリジニル、フェノチアジニル、フェナジニル、キサンテニル、チアントレニル、フェノキサジニル、フェノキサチイニル、クロマニル、イソクロマニル、ジベンゾチエニル、キサントニル、チオキサントニル及びジベンゾフラニル等等が挙げられる。式1、2および3において、R1~R7のうち、アリールオキシ基としては、炭素数6~10のアリールオキシ基フェノキシ及びナフチルオキシ等等が挙げられる。式1、2および3において、R1~R7のうち、アルキルスルフィニル基としては、炭素数1~18の直鎖又は分枝鎖スルフィニル基メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、プロピルスルフィニル、イソプロピルスルフィニル、ブチルスルフィニル、イソブチルスルフィニル、sec-ブチルスルフィニル、tert-ブチルスルフィニル、ペンチルスルフィニル、イソペンチルスルフィニル、ネオペンチルスルフィニル、tert-ペンチルスルフィニル、オクチルスルフィニル及びイソオクタデシルスルフィニル等等が挙げられる。式1、2および3において、R1~R7のうち、アリールスルフィニル基としては、炭素数6~10のアリールスルフィニル基フェニルスルフィニル、トリルスルフィニル及びナフチルスルフィニル等等が挙げられる。式1、2および3において、R1~R7のうち、アルキルスルホニル基としては、炭素数1~18の直鎖又は分枝鎖アルキルスルホニル基メチルスルホニル、エチルスルホニル、プロピルスルホニル、イソプロピルスルホニル、ブチルスルホニル、イソブチルスルホニル、sec-ブチルスルホニル、tert-ブチルスルホニル、ペンチルスルホニル、イソペンチルスルホニル、ネオペンチルスルホニル、tert-ペンチルスルホニル、オクチルスルホニル及びオクタデシルスルホニル等等が挙げられる。式1、2および3において、R1~R7のうち、アリールスルホニル基としては、炭素数6~10のアリールスルホニル基フェニルスルホニル、トリルスルホニルトシル基及びナフチルスルホニル等等が挙げられる。式1、2および3において、R1~R7のうち、ヒドロキシポリアルキレンオキシ基としては、式4で表されるヒドロキシポリアルキレンオキシ基等が挙げられる。HO-AOq-4AOはエチレンオキシ基及び/又はプロピレンオキシ基、qは1~5の整数を表す。式1、2および3において、R1~R7のうち、アミノ基としては、アミノ基-NH2及び炭素数1~15の置換アミノ基メチルアミノ、ジメチルアミノ、エチルアミノ、メチルエチルアミノ、ジエチルアミノ、n-プロピルアミノ、メチル-n-プロピルアミノ、エチル-n-プロピルアミノ、n-プロピルアミノ、イソプロピルアミノ、イソプロピルメチルアミノ、イソプロピルエチルアミノ、ジイソプロピルアミノ、フェニルアミノ、ジフェニルアミノ、メチルフェニルアミノ、エチルフェニルアミノ、n-プロピルフェニルアミノ及びイソプロピルフェニルアミノ等等が挙げられる。式1、2および3において、R1~R7のうち、ハロゲン原子基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。式1、2および3において、R1~R7は、相互に独立であり、従って、互いに同一でも異なっていてもよい。R1~R7のうち、好ましくはアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基及びハロゲン原子であり、特に好ましくはメチル基、メトキシ基、フェノキシ基、4-ブロモフェノキシ基及びハロゲン原子である。式1、2および3において、m1~m7は、R1~R7の個数をそれぞれ表し、m1~m4は0~5の整数であり、好ましくは0~2、更に好ましくは0又は1である。また、m5またはm6は0~4の整数であり、好ましくは0~2、更に特に好ましくは0又は1である。m7は0~3である。m1~m7がこれら好ましい範囲にあると、スルホニウム塩の光感応性および溶解性が良好となる。式1におけるRa、RbおよびRcはそれぞれ式2または式3に表される1価の有機基を表し、同一であっても異なっていてもよい。式2、3中のAはS硫黄またはO酸素を表す。n1~n3はそれぞれRa~Rcの個数を表し、それぞれ0または1であり、n1~n3の合計数は2または3である。式2の具体例は、4-ビフェニリルチオ基、3-ビフェニリルチオ基、2-ビフェニリルチオ基が挙げられ、置換基R4およびR5は前記の通りである。式3の具体例は、1-ナフチルチオ基、2-ナフチルチオ基が挙げられ、置換基R6およびR7は前記の通りである。式1におけるRa、RbおよびRcは、光感応性および原料入手のしやすさの観点から、4-ビフェニリルチオ基、2-ナフチルチオ基が好ましく、特に4-ビフェニリルチオ基が好ましい。また、Ra、RbおよびRcの置換数n1~n3はそれぞれ0または1であり、その合計数は、光感応性、溶解性、吸収特性の観点から、2が好ましい。式1で示されるスルホニウムのうち、好ましい具体例を下記に示す。式1で示されるスルホニウムのうち、下記の構造のものが光感応性の点で特に好ましい。式1において、X-は、スルホニウム塩に活性エネルギー線可視光、紫外線、電子線及びX線等を照射することにより発生する酸HXに対応するアニオンである。X-は、一価の多原子アニオンであるということ以外には制限がないが、MYa-、RfbPF6-b-、R8cBY4-c-、R8cGaY4-c-、R9SO3-、R9SO23C-又はR9SO22N-で表されるアニオンが好ましい。Mは、リン原子、ホウ素原子又はアンチモン原子を表す。Yはハロゲン原子フッ素原子が好ましい。を表す。Rfは、水素原子の80モル以上がフッ素原子で置換されたアルキル基炭素数1~8のアルキル基が好ましい。を表す。フッ素置換によりRfとするアルキル基としては、直鎖アルキル基メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル及びオクチル等、分枝鎖アルキル基イソプロピル、イソブチル、sec-ブチル及びtert-ブチル等及びシクロアルキル基シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル及びシクロヘキシル等等が挙げられる。Rfにおいてこれらのアルキル基の水素原子がフッ素原子に置換されている割合は、もとのアルキル基が有していた水素原子のモル数に基づいて、80モル以上が好ましく、さらに好ましくは90以上、特に好ましくは100である。フッ素原子による置換割合がこれら好ましい範囲にあると、スルホニウム塩の光感応性がさらに良好となる。特に好ましいRfとしては、CF3-、CF3CF2-、CF32CF-、CF3CF2CF2-、CF3CF2CF2CF2-、CF32CFCF2-、CF3CF2CF3CF-及びCF33C-が挙げられる。b個のRfは、相互に独立であり、従って、互いに同一でも異なっていてもよい。Pは、リン原子、Fは、フッ素原子を表す。R8は、水素原子の一部が少なくとも1個の元素又は電子求引基で置換されたフェニル基を表す。そのような1個の元素の例としては、ハロゲン原子が含まれ、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等が挙げられる。電子求引基としては、トリフルオロメチル基、ニトロ基及びシアノ基等が挙げられる。これらのうち、1個の水素原子がフッ素原子又はトリフルオロメチル基で置換されたフェニル基が好ましい。c個のR10は相互に独立であり、従って、互いに同一でも異なっていてもよい。Bは、ホウ素原子、Gaは、ガリウム原子を表す。R9は、炭素数1~20のアルキル基、炭素数1~20のパーフルオロアルキル基又は炭素数6~20のアリール基を表し、アルキル基及びパーフルオロアルキル基は直鎖、分枝鎖状又は環状のいずれでもよく、アリール基は無置換であっても、置換基を有していてもよい。Sはイオウ原子、Oは酸素原子、Cは炭素原子、Nは窒素原子を表す。aは4~6の整数を表す。bは、1~5の整数が好ましく、さらに好ましくは2~4、特に好ましくは2又は3である。cは、1~4の整数が好ましく、さらに好ましくは4である。MYa-で表されるアニオンとしては、SbF6-、PF6-及びBF4-で表されるアニオン等が挙げられる。RfbPF6-b-で表されるアニオンとしては、CF3CF22PF4-、CF3CF23PF3-、CF32CF2PF4-、CF32CF3PF3-、CF3CF2CF22PF4-、CF3CF2CF23PF3-、CF32CFCF22PF4-、CF32CFCF23PF3-、CF3CF2CF2CF22PF4-及びCF3CF2CF2CF23PF3-で表されるアニオン等が挙げられる。これらのうち、CF3CF23PF3-、CF3CF2CF23PF3-、CF32CF3PF3-、CF32CF2PF4-、CF32CFCF23PF3-及びCF32CFCF22PF4-で表されるアニオンが好ましい。R8cBY4-c-で表されるアニオンとしては、C6F54B-、CF32C6H34B-、CF3C6H44B-、C6F52BF2-、C6F5BF3-及びC6H3F24B-で表されるアニオン等が挙げられる。これらのうち、C6F54B-及びCF32C6H34B-で表されるアニオンが好ましい。R8cGaY4-c-で表されるアニオンとしては、C6F54Ga-、CF32C6H34Ga-、CF3C6H44Ga-、C6F52GaF2-、C6F5GaF3-及びC6H3F24Ga-で表されるアニオン等が挙げられる。これらのうち、C6F54Ga-及びCF32C6H34Ga-で表されるアニオンが好ましい。R9SO3-で表されるアニオンとしては、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、ペンタフルオロエタンスルホン酸アニオン、ヘプタフルオロプロパンスルホン酸アニオン、ノナフルオロブタンスルホン酸アニオン、ペンタフルオロフェニルスルホン酸アニオン、p-トルエンスルホン酸アニオン、ベンゼンスルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオン、メタンスルホン酸アニオン、エタンスルホン酸アニオン、プロパンスルホン酸アニオン及びブタンスルホン酸アニオン等が挙げられる。これらのうち、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、ノナフルオロブタンスルホン酸アニオン、メタンスルホン酸アニオン、ブタンスルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオン、ベンゼンスルホン酸アニオン及びp-トルエンスルホン酸アニオンが好ましい。R9SO23C-で表されるアニオンとしては、CF3SO23C-、C2F5SO23C-、C3F7SO23C-及びC4F9SO23C-で表されるアニオン等が挙げられる。R9SO22N-で表されるアニオンとしては、CF3SO22N-、C2F5SO22N-、C3F7SO22N-及びC4F9SO22N-で表されるアニオン等が挙げられる。一価の多原子アニオンとしては、MYa-、RfbPF6-b-、R8cBY4-c-、R8cGaY4-c-、R9SO3-、R9SO23C-又はR9SO22N-で表されるアニオン以外に、過ハロゲン酸イオンClO4-、BrO4-等、ハロゲン化スルホン酸イオンFSO3-、ClSO3-等、硫酸イオンCH3SO4-、CF3SO4-、HSO4-等、炭酸イオンHCO3-、CH3CO3-等、アルミン酸イオンAlCl4-、AlF4-等、ヘキサフルオロビスマス酸イオンBiF6-、カルボン酸イオンCH3COO-、CF3COO-、C6H5COO-、CH3C6H4COO-、C6F5COO-、CF3C6H4COO-等、アリールホウ酸イオンBC6H54-、CH3CH2CH2CH2BC6H53-等、チオシアン酸イオンSCN-及び硝酸イオンNO3-等が使用できる。これらのX-のうち、MYa-、RfbPF6-b-、R8cBY4-c-、R8cGaY4-c-、R9SO3-、R9SO23C-又はR9SO22N-で示されるアニオンが好ましく、SbF6-、PF6-、CF3CF23PF3-、C6F54B-、CF32C6H34B-、C6F54Ga-、CF32C6H34Ga-、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、ノナフルオロブタンスルホン酸アニオン、メタンスルホン酸アニオン、ブタンスルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオン、ベンゼンスルホン酸アニオン、p-トルエンスルホン酸アニオン、CF3SO23C-及びCF3SO22N-がレジストの解像度、パターン形状がよくなる点で更に好ましく、CF3CF23PF3-、ノナフルオロブタンスルホン酸アニオン、C6F54B-及びCF32C6H34B-、CF3SO23C-は、更にレジスト組成物への相溶性が良いため特に好ましい。式1で示されるスルホニウム塩のうち、好ましい具体例としては、4-メトキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムトリスペンタフルオロエチルトリフルオロホスフェート、4-メトキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、4-メトキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムトリストリフルオロメタンスルホニルメチド、4-メトキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-メトキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4-メトキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-メトキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、4-メトキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムメタンスルホネート、4-メトキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムブタンスルホネート、4-メトキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムカンファースルホネート、4-メトキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムp-トルエンスルホネート及び、4-4-ブロモフェノキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムトリスペンタフルオロエチルトリフルオロホスフェート、4-4-ブロモフェノキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、4-4-ブロモフェノキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムトリストリフルオロメタンスルホニルメチド、4-4-ブロモフェノキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-4-ブロモフェノキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4-4-ブロモフェノキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-4-ブロモフェノキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、4-4-ブロモフェノキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムメタンスルホネート、4-4-ブロモフェノキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムブタンスルホネート、4-4-ブロモフェノキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムカンファースルホネート、4-4-ブロモフェノキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムp-トルエンスルホネートが挙げられる。スルホニウム塩は、以下に述べる製造方法で製造できる。上記の反応式中、R1~R7、Ra、Rb、Rc、A、X-、m1~m7、n1~n3は、式1における定義に同じである。Hは水素原子を、Halはハロゲン原子Cl、Brを表す。X’は、一価の多原子アニオンを表す。X’としてはメタンスルホン酸アニオン、パーフルオロアルキルスルホン酸アニオン、硫酸水素アニオンが挙げられる。アルカリとしてはチオールやアルコールから水素を引抜くことができるものであれば如何なるものでも良く、アルカリ金属の水酸化物KOH、NaOH等やt-ブチルアルコールのアルカリ金属塩、アルカリ金属の水素化物NaH、LiH等が挙げられる。一価の多原子アニオンX’-は、たとえば、上記のように複分解反応により、本発明の他のアニオンX-に交換することができる。MXは、アルカリ金属リチウム、ナトリウム及びカリウム等カチオンと本発明の他のアニオン例えば、MYa-、RfbPF6-b-、R8cBY4-c-、R8cGaY4-c-、R9SO3-、R9SO23C-、R9SO22N-等で示されるアニオンとの塩を表す。上記反応式中、第1段目の反応は、無溶剤下で行ってもよいし、必要により有機溶媒アセトニトリル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、DMF、DMAC等中で行ってもよい。反応温度は、使用する溶媒の沸点にもよるが40~150°C程度である。反応時間は、1~数十時間程度である。第2段目の反応は、第1段目の反応に引き続いて行ってもよいし、前駆体2を単離必要に応じて精製してから行ってもよい。前駆体23と、アルカリ金属カチオンと一価の多原子アニオンとの塩MXの水溶液とを混合撹拌して、複分解反応を行い、析出する固体をろ別するか、又は分離した油状物を有機溶媒で抽出して有機溶媒を除去することにより、本発明のスルホニウム塩が固体あるいは粘調な液体として得られる。得られる固体又は粘稠液体は必要に応じて適当な有機溶媒で洗浄するか、再結晶法もしくはカラムクロマトグラフィー法により精製することができる。本発明のスルホニウム塩の化学構造は、一般的な分析手法たとえば、1H-、11B-、13C-、19F-、31P-核磁気共鳴スペクトル、赤外吸収スペクトル及び/又は元素分析等によって同定することができる。本発明の式1で表される光酸発生剤以外にも従来公知の他の光酸発生剤を含有させて使用してもよい。他の光酸発生剤を含有する場合、他の光酸発生剤の含有量モルは、本発明の式1で表される光酸発生剤の総モル数に対して、0.1~100が好ましく、さらに好ましくは0.5~50である。他の光酸発生剤としては、オニウム塩スルホニウム、ヨードニウム、セレニウム、アンモニウム及びホスホニウム等並びに遷移金属錯体イオンと、アニオンとの塩等の従来公知のものが含まれる。式1で表される光酸発生剤を使用する場合は、カチオン重合性化合物や化学増幅型レジスト組成物への溶解を容易にするため、あらかじめ重合や架橋、脱保護反応等を阻害しない溶剤に溶かしておいてもよい。溶剤としては、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、1,2-ブチレンカーボネート、ジメチルカーボネート及びジエチルカーボネートなどのカーボネート類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、2-ヘプタノンなどのケトン類;エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコール及びジプロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及びその誘導体;ジオキサンのような環式エーテル類;蟻酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシプロピオン酸メチル、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシ-3-メチルブタン酸メチル、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテートなどのエステル類;トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類等が挙げられる。溶剤を使用する場合、溶剤の使用割合は、本発明の式1で表される光酸発生剤100重量部に対して、15~1000重量部が好ましく、さらに好ましくは30~500重量部である。使用する溶媒は、単独で使用してもよく、または2種以上を併用してもよい。本発明のエネルギー線硬化性組成物は、上記光酸発生剤とカチオン重合性化合物とを含んでなる。エネルギー線硬化性組成物の構成成分であるカチオン重合性化合物としては、環状エーテルエポキシド及びオキセタン等、エチレン性不飽和化合物ビニルエーテル及びスチレン等、ビシクロオルトエステル、スピロオルトカーボネート及びスピロオルトエステル等が挙げられる{特開平11-060996号、特開平09-302269号、特開2003-026993号、特開2002-206017号、特開平11-349895号、特開平10-212343号、特開2000-119306号、特開平10-67812号、特開2000-186071号、特開平08-85775号、特開平08-134405号、特開2008-20838、特開2008-20839、特開2008-20841、特開2008-26660、特開2008-26644、特開2007-277327、フォトポリマー懇話会編フォトポリマーハンドブック1989年、工業調査会、総合技術センター編UVEB硬化技術1982年、総合技術センター、ラドテック研究会編UVEB硬化材料1992年、シーエムシー、技術情報協会編UV硬化における硬化不良阻害原因とその対策2003年、技術情報協会、色材、68、5、286-2931995、ファインケミカル、29、19、5-142000等}。エポキシドとしては、公知のもの等が使用でき、芳香族エポキシド、脂環式エポキシド及び脂肪族エポキシドが含まれる。芳香族エポキシドとしては、少なくとも1個の芳香環を有する1価又は多価のフェノールフェノール、ビスフェノールA、フェノールノボラック及びこれらのこれらのアルキレンオキシド付加体した化合物のグリシジルエーテル等が挙げられる。脂環式エポキシドとしては、少なくとも1個のシクロヘキセンやシクロペンテン環を有する化合物を酸化剤でエポキシ化することによって得られる化合物3,4-エポキシシクロヘキシルメチル-3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、等が挙げられる。脂肪族エポキシドとしては、脂肪族多価アルコール又はこのアルキレンオキシド付加体のポリグリシジルエーテル1,4-ブタンジオールジグリシジルエーテル、1,6-ヘキサンジオールジグリシジルエーテル等、脂肪族多塩基酸のポリグリシジルエステルジグリシジルテトラヒドロフタレート等、長鎖不飽和化合物のエポキシ化物エポキシ化大豆油及びエポキシ化ポリブタジエン等が挙げられる。オキセタンとしては、公知のもの等が使用でき、例えば、3-エチル-3-ヒドロキシメチルオキセタン、2-エチルヘキシル3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、2-ヒドロキシエチル3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、2-ヒドロキシプロピル3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、1,4-ビス[3-エチル-3-オキセタニルメトキシメチル]ベンゼン、オキセタニルシルセスキオキセタン及びフェノールノボラックオキセタン等が挙げられる。エチレン性不飽和化合物としては、公知のカチオン重合性単量体等が使用でき、脂肪族モノビニルエーテル、芳香族モノビニルエーテル、多官能ビニルエーテル、スチレン及びカチオン重合性窒素含有モノマーが含まれる。脂肪族モノビニルエーテルとしては、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル及びシクロヘキシルビニルエーテル等が挙げられる。芳香族モノビニルエーテルとしては、2-フェノキシエチルビニルエーテル、フェニルビニルエーテル及びp-メトキシフェニルビニルエーテル等が挙げられる。多官能ビニルエーテルとしては、ブタンジオール-1,4-ジビニルエーテル及びトリエチレングリコールジビニルエーテル等が挙げられる。スチレンとしては、スチレン、α-メチルスチレン、p-メトキシスチレン及びp-tert-ブトキシスチレン等が挙げられる。カチオン重合性窒素含有モノマーとしては、N-ビニルカルバゾール及びN-ビニルピロリドン等が挙げられる。ビシクロオルトエステルとしては、1-フェニル-4-エチル-2,6,7-トリオキサビシクロ[2.2.2]オクタン及び1-エチル-4-ヒドロキシメチル-2,6,7-トリオキサビシクロ-[2.2.2]オクタン等が挙げられる。スピロオルトカーボネートとしては、1,5,7,11-テトラオキサスピロ[5.5]ウンデカン及び3,9-ジベンジル-1,5,7,11-テトラオキサスピロ[5.5]ウンデカン等が挙げられる。スピロオルトエステルとしては、1,4,6-トリオキサスピロ[4.4]ノナン、2-メチル-1,4,6-トリオキサスピロ[4.4]ノナン及び1,4,6-トリオキサスピロ[4.5]デカン等が挙げられる。さらに、1分子中に少なくとも1個のカチオン重合性基を有するポリオルガノシロキサンを使用することができる特開2001-348482号公報、特開2000-281965号公報、特開平7-242828号公報、特開2008-195931号公報、JournalofPolymSci、PartA、PolymChem、Vol284971990等に記載のもの。これらのポリオルガノシロキサンは、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、これらの混合物であってもよい。これらのカチオン重合性化合物のうち、エポキシド、オキセタン及びビニルエーテルが好ましく、さらに好ましくはエポキシド及びオキセタン、特に好ましくは脂環式エポキシド及びオキセタンである。また、これらのカチオン重合性化合物は単独で使用してもよく、または2種以上を併用してもよい。エネルギー線硬化性組成物中の本発明の式1で表される光酸発生剤の含有量は、カチオン重合性化合物100重量部に対し、0.05~20重量部が好ましく、さらに好ましくは0.1~10重量部である。この範囲であると、カチオン重合性化合物の重合がさらに十分となり、硬化体の物性がさらに良好となる。なお、この含有量は、カチオン重合性化合物の性質やエネルギー線の種類と照射量、温度、硬化時間、湿度、塗膜の厚み等のさまざまな要因を考慮することによって決定され、上記範囲に限定されない。本発明のエネルギー線硬化性組成物には、必要に応じて、公知の添加剤増感剤、顔料、充填剤、帯電防止剤、難燃剤、消泡剤、流動調整剤、光安定剤、酸化防止剤、密着性付与剤、イオン補足剤、着色防止剤、溶剤、非反応性の樹脂及びラジカル重合性化合物等を含有させることができる。増感剤としては、公知特開平11-279212号及び特開平09-183960号等の増感剤等が使用でき、アントラセン{アントラセン、9,10-ジブトキシアントラセン、9,10-ジメトキシアントラセン、9,10-ジエトキシアントラセン、2-エチル-9,10-ジメトキシアントラセン、9,10-ジプロポキシアントラセン等};ピレン;1,2-ベンズアントラセン;ペリレン;テトラセン;コロネン;チオキサントン{チオキサントン、2-メチルチオキサントン、2-エチルチオキサントン、2-クロロチオキサントン、2-イソプロピルチオキサントン及び2,4-ジエチルチオキサントン等};フェノチアジン{フェノチアジン、N-メチルフェノチアジン、N-エチルフェノチアジン、N-フェニルフェノチアジン等};キサントン;ナフタレン{1-ナフトール、2-ナフトール、1-メトキシナフタレン、2-メトキシナフタレン、1,4-ジヒドロキシナフタレン、及び4-メトキシ-1-ナフトール等};ケトン{ジメトキシアセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン、2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニルプロパン-1-オン、4’-イソプロピル-2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオフェノン及び4-ベンゾイル-4’-メチルジフェニルスルフィド等};カルバゾール{N-フェニルカルバゾール、N-エチルカルバゾール、ポリ-N-ビニルカルバゾール及びN-グリシジルカルバゾール等};クリセン{1,4-ジメトキシクリセン及び1,4-ジ-α-メチルベンジルオキシクリセン等};フェナントレン{9-ヒドロキシフェナントレン、9-メトキシフェナントレン、9-ヒドロキシ-10-メトキシフェナントレン及び9-ヒドロキシ-10-エトキシフェナントレン等}等が挙げられる。増感剤を含有する場合、増感剤の含有量は、光酸発生剤100部に対して、1~300重量部が好ましく、さらに好ましくは5~200重量部である。顔料としては、公知の顔料等が使用でき、無機顔料酸化チタン、酸化鉄及びカーボンブラック等及び有機顔料アゾ顔料、シアニン顔料、フタロシアニン顔料及びキナクリドン顔料等等が挙げられる。顔料を含有する場合、顔料の含有量は、光酸発生剤100部に対して、0.5~400000重量部が好ましく、さらに好ましくは10~150000重量部である。充填剤としては、公知の充填剤等が使用でき、溶融シリカ、結晶シリカ、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭酸マグネシウム、マイカ、タルク、ケイ酸カルシウム及びケイ酸リチウムアルミニウム等が挙げられる。充填剤を含有する場合、充填剤の含有量は、光酸発生剤100部に対して、50~600000重量部が好ましく、さらに好ましくは300~200000重量部である。帯電防止剤としては、公知の帯電防止剤等が使用でき、非イオン型帯電防止剤、アニオン型帯電防止剤、カチオン型帯電防止剤、両性型帯電防止剤及び高分子型帯電防止剤が挙げられる。帯電防止剤を含有する場合、帯電防止剤の含有量は、光酸発生剤100部に対して、0.1~20000重量部が好ましく、さらに好ましくは0.6~5000重量部である。難燃剤としては、公知の難燃剤等が使用でき、無機難燃剤{三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、酸化錫、水酸化錫、酸化モリブデン、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、赤燐、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム及びアルミン酸カルシウム等};臭素難燃剤{テトラブロモ無水フタル酸、ヘキサブロモベンゼン及びデカブロモビフェニルエーテル等};及びリン酸エステル難燃剤{トリストリブロモフェニルホスフェート等}等が挙げられる。難燃剤を含有する場合、難燃剤の含有量は、光酸発生剤100部に対して、0.5~40000重量部が好ましく、さらに好ましくは5~10000重量部である。消泡剤としては、公知の消泡剤等が使用でき、アルコール消泡剤、金属石鹸消泡剤、リン酸エステル消泡剤、脂肪酸エステル消泡剤、ポリエーテル消泡剤、シリコーン消泡剤及び鉱物油消泡剤等が挙げられる。流動調整剤としては、公知の流動性調整剤等が使用でき、水素添加ヒマシ油、酸化ポリエチレン、有機ベントナイト、コロイド状シリカ、アマイドワックス、金属石鹸及びアクリル酸エステルポリマー等が挙げられる。光安定剤としては、公知の光安定剤等が使用でき、紫外線吸収型安定剤{ベンゾトリアゾール、ベンゾフェノン、サリチレート、シアノアクリレート及びこれらの誘導体等};ラジカル補足型安定剤{ヒンダードアミン等};及び消光型安定剤{ニッケル錯体等}等が挙げられる。酸化防止剤としては、公知の酸化防止剤等が使用でき、フェノール系酸化防止剤モノフェノール系、ビスフェノール系及び高分子フェノール系等、硫黄系酸化防止剤及びリン系酸化防止剤等が挙げられる。密着性付与剤としては、公知の密着性付与剤等が使用でき、カップリング剤、シランカップリング剤及びチタンカップリング剤等が挙げられる。イオン補足剤としては、公知のイオン補足剤等が使用でき、有機アルミニウムアルコキシアルミニウム及びフェノキシアルミニウム等等が挙げられる。着色防止剤としては、公知の着色防止剤が使用でき、一般的には酸化防止剤が有効であり、フェノール系酸化防止剤モノフェノール系、ビスフェノール系及び高分子フェノール系等、硫黄系酸化防止剤及びリン系酸化防止剤等が挙げられるが、高温時の耐熱試験時の着色防止にはほとんど効力がない。消泡剤、流動調整剤、光安定剤、酸化防止剤、密着性付与剤、イオン補足剤又は、着色防止剤を含有する場合、各々の含有量は、光酸発生剤100部に対して、0.1~20000重量部が好ましく、さらに好ましくは0.5~5000重量部である。溶剤としては、カチオン重合性化合物の溶解やエネルギー線硬化性組成物の粘度調整のために使用できれば制限はなく、上記光酸発生剤の溶剤として挙げたものが使用できる。溶剤を含有する場合、溶剤の含有量は、光酸発生剤100部に対して、50~2000000重量部が好ましく、さらに好ましくは200~500000重量部である。非反応性の樹脂としては、ポリエステル、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル、ポリブタジエン、ポリカーボナート、ポリスチレン、ポリビニルエーテル、ポリビニルブチラール、ポリブテン、スチレンブタジエンブロックコポリマー水添物、メタアクリル酸エステルの共重合体及びポリウレタン等が挙げられる。これらの樹脂の数平均分子量は、1000~500000が好ましく、さらに好ましくは5000~100000である数平均分子量はGPC等の一般的な方法によって測定された値である。。非反応性の樹脂を含有する場合、非反応性の樹脂の含有量は、光酸発生剤100部に対して、5~400000重量部が好ましく、さらに好ましくは50~150000重量部である。非反応性の樹脂を含有させる場合、非反応性の樹脂をカチオン重合性化合物等と溶解しやすくするため、あらかじめ溶剤に溶かしておくことが望ましい。ラジカル重合性化合物としては、公知{フォトポリマー懇話会編フォトポリマーハンドブック1989年、工業調査会、総合技術センター編UVEB硬化技術1982年、総合技術センター、ラドテック研究会編UVEB硬化材料1992年、シーエムシー、技術情報協会編UV硬化における硬化不良阻害原因とその対策2003年、技術情報協会}のラジカル重合性化合物等が使用でき、単官能モノマー、2官能モノマー、多官能モノマー、エポキシメタアクリレート、ポリエステルメタアクリレート及びウレタンメタアクリレートが含まれる。ラジカル重合性化合物を含有する場合、ラジカル重合性化合物の含有量は、光酸発生剤100部に対して、5~400000重量部が好ましく、さらに好ましくは50~150000重量部である。ラジカル重合性化合物を含有する場合、これらをラジカル重合によって高分子量化するために、熱又は光によって重合を開始するラジカル重合開始剤を使用することが好ましい。ラジカル重合開始剤としては、公知のラジカル重合開始剤等が使用でき、熱ラジカル重合開始剤有機過酸化物、アゾ化合物等及び光ラジカル重合開始剤アセトフェノン系開始剤、ベンゾフェノン系開始剤、ミヒラーケトン系開始剤、ベンゾイン系開始剤、チオキサントン系開始剤、アシルホスフィン系開始剤等が含まれる。ラジカル重合開始剤を含有する場合、ラジカル重合開始剤の含有量は、ラジカル重合性化合物100部に対して、0.01~20重量部が好ましく、さらに好ましくは0.1~10重量部である。本発明のエネルギー線硬化性組成物は、カチオン重合性化合物、光酸発生剤及び必要により添加剤を、室温20~30°C程度又は必要により加熱40~90°C程度下で、均一に混合溶解するか、またはさらに、3本ロール等で混練して調製することができる。本発明のエネルギー線硬化性組成物は、エネルギー線を照射することにより硬化させて、硬化体を得ることができる。エネルギー線としては、本発明の光酸発生剤の分解を誘発するエネルギーを有する限りいかなるものでもよいが、低圧、中圧、高圧若しくは超高圧の水銀灯、メタルハライドランプ、LEDランプ、キセノンランプ、カーボンアークランプ、蛍光灯、半導体固体レーザ、アルゴンレーザ、He-Cdレーザ、KrFエキシマレーザ、ArFエキシマレーザ又はF2レーザ等から得られる紫外~可視光領域波長:約100~約800nmのエネルギー線が好ましい。なお、エネルギー線には、電子線又はX線等の高エネルギーを有する放射線を用いることもできる。エネルギー線の照射時間は、エネルギー線の強度やエネルギー線硬化性組成物に対するエネルギー線の透過性に影響を受けるが、常温で、0.1秒~10秒程度で十分である。しかしエネルギー線の透過性が低い場合やエネルギー線硬化性組成物の膜厚が厚い場合等にはそれ以上の時間をかけるのが好ましいことがある。エネルギー線照射後0.1秒~数分後には、ほとんどのエネルギー線硬化性組成物はカチオン重合により硬化するが、必要であればエネルギー線の照射後、室温20~30°C程度~200°Cで数秒~数時間加熱しアフターキュアーすることも可能である。本発明のエネルギー線硬化性組成物の具体的な用途としては、塗料、コーティング剤、各種被覆材料ハードコート、耐汚染被覆材、防曇被覆材、耐触被覆材、光ファイバー等、粘着テープの背面処理剤、粘着ラベル用剥離シート剥離紙、剥離プラスチックフィルム、剥離金属箔等の剥離コーティング材、印刷板、歯科用材料歯科用配合物、歯科用コンポジットインキ、インクジェットインキ、ポジ型レジスト回路基板、CSP、MEMS素子等の電子部品製造の接続端子や配線パターン形成等、レジストフィルム、液状レジスト、ネガ型レジスト半導体素子等の表面保護膜、層間絶縁膜、平坦化膜等の永久膜材料等、MEMS用レジスト、ポジ型感光性材料、ネガ型感光性材料、各種接着剤各種電子部品用仮固定剤、HDD用接着剤、ピックアップレンズ用接着剤、FPD用機能性フィルム偏向板、反射防止膜等用接着剤等、ホログラフ用樹脂、FPD材料カラーフィルター、ブラックマトリックス、隔壁材料、ホトスペーサー、リブ、液晶用配向膜、FPD用シール剤等、光学部材、成形材料建築材料用、光学部品、レンズ、注型材料、パテ、ガラス繊維含浸剤、目止め材、シーリング材、封止材、光半導体LED封止材、光導波路材料、ナノインプリント材料、光造用、及びマイクロ光造形用材料等が挙げられる。本発明の光酸発生剤は、光照射によって強酸が発生することから、公知特開2003-267968号公報、特開2003-261529号公報、特開2002-193925号公報等の化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤等としても使用できる。化学増幅型レジスト材料としては、1酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂及び光酸発生剤を必須成分とする2成分系化学増幅型ポジ型レジスト、2アルカリ現像液に可溶な樹脂、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる溶解阻害剤及び光酸発生剤を必須成分とする3成分系化学増幅型ポジ型レジスト、並びに3アルカリ現像液に可溶な樹脂、酸の存在下で加熱処理することにより樹脂を架橋しアルカリ現像液に不溶とする架橋剤及び光酸発生剤を必須成分とする化学増幅型ネガ型レジストが含まれる。本発明の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物は、光又は放射線照射により酸を発生する化合物である本発明の式1で表される光酸発生剤を含んでなる成分A及び酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂成分Bを含有することを特徴とする。本発明の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物において、成分Aは、従来公知の他の光酸発生剤と併用してもよい。他の光酸発生剤としては、例えば、オニウム塩化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、スルホンイミド化合物、ジスルホニルジアゾメタン化合物、ジスルホニルメタン化合物、オキシムスルホネート化合物、ヒドラジンスルホネート化合物、トリアジン化合物、ニトロベンジル化合物のほか、有機ハロゲン化物類、ジスルホン等を挙げることができる。従来公知の他の光酸発生剤として、好ましくは、オニウム化合物、スルホンイミド化合物、ジアゾメタン化合物及びオキシムスルホネート化合物の群の1種以上が好ましい。そのような従来公知の他の光酸発生剤を併用する場合、その使用割合は任意でよいが、通常、上記一般式1で表されるスルホニウム塩の合計重量100重量部に対し、他の光酸発生剤は10~900重量部、好ましくは25~400重量部である。上記成分Aの含有量は、化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物の固形分中、0.05~5重量とすることが好ましい。<酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂成分B>本発明の厚膜用化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物に用いられる、前記酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂B本明細書において、成分Bという。は、ノボラック樹脂B1、ポリヒドロキシスチレン樹脂B2、及びアクリル樹脂B3、からなる群より選ばれる少なくとも1種の樹脂、又はこれらの混合樹脂若しくは共重合体である。[ノボラック樹脂B1]ノボラック樹脂B1としては、下記一般式b1で表される樹脂を使用することができる。上記一般式b1中、R1bは、酸解離性溶解抑制基を表し、R2b、R3bは、それぞれ独立に水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表し、nは括弧内の構造の繰り返し単位数を表す。更に、上記R1bで表される酸解離性溶解抑制基としては、炭素数1~6の直鎖状アルキル基、炭素数3~6の分枝鎖状アルキル基、炭素数3~6の環状のアルキル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、又はトリアルキルシリル基が好ましい。ここで、上記R1bで表される酸解離性溶解抑制基の具体例としては、メトキシエチル基、エトキシエチル基、n-プロポキシエチル基、イソプロポキシエチル基、n-ブトキシエチル基、イソブトキシエチル基、tert-ブトキシエチル基、シクロヘキシロキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、1-メトキシ-1-メチル-エチル基1-エトキシ-1-メチルエチル基、tert-ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニルメチル基、トリメチルシリル基及びトリ-tert-ブチルジメチルシリル基などが挙げられる。[ポリヒドロキシスチレン樹脂B2]ポリヒドロキシスチレン樹脂B2としては、下記一般式b4で表される樹脂を使用することができる。上記一般式b4中、R8bは、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表し、R9bは、酸解離性溶解抑制基を表し、nは括弧内の構造の繰り返し単位数を表す。上記炭素数1~6のアルキル基は、炭素数1~6の直鎖状アルキル基又は炭素数3~6の分枝鎖状のアルキル基、炭素数3~6の環状のアルキル基であり、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などが挙げられ、環状のアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。上記R9bで表される酸解離性溶解抑制基としては、上記R1bに例示したものと同様の酸解離性溶解抑制基を用いることができる。更に、ポリヒドロキシスチレン樹脂B2には、物理的、化学的特性を適度にコントロールする目的で他の重合性化合物を構成単位として含むことができる。このような重合性化合物としては、公知のラジカル重合性化合物や、アニオン重合性化合物が挙げられる。例えば、アクリル酸などのモノカルボン酸類;マレイン酸、フマル酸、イタコン酸などのジカルボン酸類;2-メタクリロイルオキシエチルコハク酸などのカルボキシル基及びエステル結合を有するメタクリル酸誘導体類;メチルメタアクリレートなどのメタアクリル酸アルキルエステル類;2-ヒドロキシエチルメタアクリレートなどのメタアクリル酸ヒドロキシアルキルエステル類;マレイン酸ジエチルなどのジカルボン酸ジエステル類;スチレン、ビニルトルエンなどのビニル基含有芳香族化合物類;酢酸ビニルなどのビニル基含有脂肪族化合物類;ブタジエン、イソプレンなどの共役ジオレフィン類;アクリロニトリルなどのニトリル基含有重合性化合物類;塩化ビニルなどの塩素含有重合性化合物;アクリルアミドなどのアミド結合含有重合性化合物類などを挙げることができる。[アクリル樹脂B3]アクリル樹脂B3としては、下記一般式b5~b10で表される樹脂を使用することができる。上記一般式b5~b7中、R10b~R17bは、それぞれ独立して水素原子、炭素数1~6の直鎖状アルキル基、炭素数3~6の分枝鎖状のアルキル基、フッ素原子、又は炭素数1~6の直鎖状フッ素化アルキル基若しくは炭素数3~6の分枝鎖状フッ素化アルキル基を表し、Xbは、それが結合している炭素原子とともに炭素数5~20の炭化水素環を形成し、Ybは、置換基を有していてもよい脂肪族環式基又はアルキル基を表し、nは括弧内の構造の繰り返し単位数を表し、pは0~4の整数であり、qは0又は1である。一般式b8、一般式b9及び一般式b10において、R18b、R20b及びR21bは、相互に独立に、水素原子又はメチル基を示し、一般式b8において、各R19bは、相互に独立に、水素原子、ヒドロキシル基、シアノ基又はCOOR23b基但し、R23bは水素原子、炭素数1~4の直鎖状アルキル基若しくは炭素数3~4の分枝鎖状アルキル基又は炭素数3~20のシクロアルキル基を表す。を示し、一般式b10において、各R22bは、相互に独立に、炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体又は炭素数1~4の直鎖状アルキル基若しくは炭素数3~4の分枝鎖状のアルキル基を示し、かつR22bの少なくとも1つが該脂環式炭化水素基若しくはその誘導体であるか、あるいは何れか2つのR22bが相互に結合して、それぞれが結合している共通の炭素原子と共に炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成し、残りのR22bは、炭素数1~4の直鎖状アルキル基若しくは炭素数3~4の分枝鎖状のアルキル基又は炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体を表す。上記成分Bの中でも、アクリル樹脂B3を用いることが好ましい。また、成分Bのポリスチレン換算重量平均分子量は、好ましくは10,000~600,000であり、より好ましくは50,000~600,000であり、更に好ましくは230,000~550,000である。このような重量平均分子量とすることにより、レジストの樹脂物性が優れたものとなる。更に、成分Bは、分散度が1.05以上の樹脂であることが好ましい。ここで、分散度とは、重量平均分子量を数平均分子量で除した値のことである。このような分散度とすることにより、レジストのメッキ耐性及び樹脂物性が優れたものとなる。上記成分Bの含有量は、化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物の固形文中、5~60重量とすることが好ましい。<アルカリ可溶性樹脂C>本発明の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物には、レジストの樹脂物性を向上させるために、更にアルカリ可溶性樹脂本明細書において、成分Cという。を含有させることが好ましい。成分Cとしては、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン樹脂、アクリル樹脂及びポリビニル樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。上記成分Cの含有量は、上記成分B100重量部に対して、5~95重量部とすることが好ましく、より好ましくは10~90重量部とされる。5重量部以上とすることによりレジストの樹脂物性を向上させることができ、95重量部以下とすることにより現像時の膜減りを防ぐことができる傾向がある。<酸拡散制御剤D>本発明の厚膜用化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物には、レジストパターン形状、引き置き安定性などの向上のために、更に酸拡散制御剤D本明細書において、成分Dという。を含有させることが好ましい。成分Dとしては、含窒素化合物が好ましく、更に必要に応じて、有機カルボン酸又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体を含有させることができる。また、本発明の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物には、基板との接着性を向上させるために、接着助剤を更に含有させることもできる。使用される接着助剤としては、官能性シランカップリング剤が好ましい。また、本発明の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物には、塗布性、消泡性、レベリング性などを向上させるために、界面活性剤を更に含有させることもできる。また、本発明の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物には、アルカリ現像液に対する溶解性の微調整を行うために、酸、酸無水物、又は高沸点溶媒を更に含有させることもできる。また、本発明の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物には、基本的に増感剤の必要がないが、感度を補完するものとして、必要により、増感剤を含有できる。このような増感剤としては、従来公知のものが使用でき、具体的には、前記のものが挙げられる。これらの増感剤の使用量は、上記一般式1で表されるスルホニウム塩の合計重量100重量部に対し、5~500重量部、好ましくは10~300重量部である。また、本発明の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物には、粘度調整のため有機溶剤を適宜配合することができる。有機溶剤としての具体例は前記のものが挙げられる。これらの有機溶剤の使用量は、本発明の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を例えば、スピンコート法使用して得られるフォトレジスト層の膜厚が5μm以上となるよう、固形分濃度が30重量以上となる範囲が好ましい。本発明の厚膜用化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物の調製は、例えば、上記各成分を通常の方法で混合、攪拌するだけでよく、必要に応じ、ディゾルバー、ホモジナイザー、3本ロールミルなどの分散機を用いて分散、混合させてもよい。また、混合した後で、更にメッシュ、メンブレンフィルターなどを用いて濾過してもよい。本発明の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物は、支持体上に、通常5~150μm、より好ましくは10~120μm、更に好ましくは10~100μmの膜厚のフォトレジスト層を形成するのに適している。このフォトレジスト積層体は、支持体上に本発明の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物からなるフォトレジスト層が積層されているものである。支持体としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたものなどを例示することができる。この基板としては、例えば、シリコン、窒化シリコン、チタン、タンタル、パラジウム、チタンタングステン、銅、クロム、鉄、アルミニウムなどの金属製の基板やガラス基板などが挙げられる。特に、本発明の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物は、銅基板上においても良好にレジストパターンを形成することができる。配線パターンの材料としては、例えば銅、ハンダ、クロム、アルミニウム、ニッケル、金などが用いられる。上記フォトレジスト積層体は、例えば以下のようにして製造することができる。すなわち、上述したように調製した化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物の溶液を支持体上に塗布し、加熱により溶媒を除去することによって所望の塗膜を形成する。支持体上への塗布方法としては、スピンコート法、スリットコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法、アプリケーター法などの方法を採用することができる。本発明の組成物の塗膜のプレベーク条件は、組成物中の各成分の種類、配合割合、塗布膜厚などによって異なるが、通常は70~150°C、好ましくは80~140°Cで、2~60分間程度とすればよい。フォトレジスト層の膜厚は、通常5~150μm、好ましくは10~120μm、より好ましくは10~100μmの範囲とすればよい。このようにして得られたフォトレジスト積層体を用いてレジストパターンを形成するには、得られたフォトレジスト層に、所定のパターンのマスクを介して、光又は放射線、例えば波長が300~500nmの紫外線又は可視光線を部位選択的に照射露光すればよい。ここに、光は、酸を発生するために光酸発生剤を活性化させる光であればよく、紫外線、可視光線、遠紫外線を包含し、また放射線は、X線、電子線、イオン線等を意味する。光又は放射線の線源としては、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドランプ、アルゴンガスレーザー、LEDランプなどを用いることができる。また、放射線照射量は、組成物中の各成分の種類、配合量、塗膜の膜厚などによって異なるが、例えば超高圧水銀灯使用の場合、50~10,000mJ/cm2である。そして、露光後、公知の方法を用いて加熱することにより酸の拡散を促進させて、この露光部分のフォトレジスト層のアルカリ溶解性を変化させる。ついで、例えば、所定のアルカリ性水溶液を現像液として用いて、不要な部分を溶解、除去して所定のレジストパターンを得る。現像時間は、組成物各成分の種類、配合割合、組成物の乾燥膜厚によって異なるが、通常1~30分間であり、また現像の方法は液盛り法、ディッピング法、パドル法、スプレー現像法などのいずれでもよい。現像後は、流水洗浄を30~90秒間行い、エアーガンや、オーブンなどを用いて乾燥させる。このようにして得られたレジストパターンの非レジスト部アルカリ現像液で除去された部分に、例えばメッキなどによって金属などの導体を埋め込むことにより、メタルポストやバンプなどの接続端子を形成することができる。なお、メッキ処理方法は特に制限されず、従来から公知の各種方法を採用することができる。メッキ液としては、特にハンダメッキ、銅メッキ、金メッキ、ニッケルメッキ液が好適に用いられる。残っているレジストパターンは、最後に、定法に従って、剥離液などを用いて除去する。本発明の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物はドライフィルムとしても使用できる。このドライフィルムは、本発明の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物からなる層の両面に保護膜が形成されたものである。化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物からなる層の膜厚は、通常10~150μm、好ましくは20~120μm、より好ましくは20~80μmの範囲とすればよい。また、保護膜は、特に限定されるものではなく、従来ドライフィルムに用いられている樹脂フィルムを用いることができる。一例としては、一方をポリエチレンテレフタレートフィルムとし、他方をポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム、及びポリエチレンフィルムからなる群より選ばれる1種とすることができる。上記のような化学増幅型ポジ型ドライフィルムは、例えば以下のようにして製造することができる。すなわち、上述したように調製した化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物の溶液を一方の保護膜上に塗布し、加熱により溶媒を除去することによって所望の塗膜を形成する。乾燥条件は、組成物中の各成分の種類、配合割合、塗布膜厚などによって異なるが、通常は60~100°Cで、5~20分間程度でよい。このようにして得られた化学増幅型ドライフィルムを用いてレジストパターンを形成するには、化学増幅型ポジ型ドライフィルムの一方の保護膜を剥離し、露出面を上記した支持体側に向けた状態で支持体上にラミネートし、フォトレジスト層を得、その後、プレベークを行ってレジストを乾燥させた後に、他方の保護膜を剥離すればよい。このようにして支持体上に得られたフォトレジスト層には、支持体上に直接に塗布することにより形成したフォトレジスト層に関して上記したのと同様の方法で、レジストパターンを形成することができる。本発明の化学増幅型ネガ型フォトレジスト組成物は、光又は放射線照射により酸を発生する化合物である本発明の一般式1で表される光酸発生剤を含んでなる成分Eと、フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂Fと、架橋剤Gとを含有することを特徴とする。フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂F本発明におけるフェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂以下、フェノール樹脂Fという。としては、例えば、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン、ポリヒドロキシスチレンの共重合体、ヒドロキシスチレンとスチレンの共重合体、ヒドロキシスチレン、スチレン及びメタアクリル酸誘導体の共重合体、フェノール-キシリレングリコール縮合樹脂、クレゾール-キシリレングリコール縮合樹脂、フェノール-ジシクロペンタジエン縮合樹脂等が用いられる。これらのなかでも、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン、ポリヒドロキシスチレンの共重合体、ヒドロキシスチレンとスチレンの共重合体、ヒドロキシスチレン、スチレン及びメタアクリル酸誘導体の共重合体、フェノール-キシリレングリコール縮合樹脂が好ましい。尚、これらのフェノール樹脂Fは、1種単独で用いてもよいし、2種以上を混合して用いてもよい。また、上記フェノール樹脂Fには、成分の一部としてフェノール性低分子化合物が含有されていてもよい。上記フェノール性低分子化合物としては、例えば、4,4’-ジヒドロキシジフェニルメタン、4,4’-ジヒドロキシジフェニルエーテル等が挙げられる。架橋剤G本発明における架橋剤以下、架橋剤Gともいう。は、前記フェノール樹脂Fと反応する架橋成分硬化成分として作用するものであれば、特に限定されない。上記架橋剤Gとしては、例えば、分子中に少なくとも2つ以上のアルキルエーテル化されたアミノ基を有する化合物、分子中に少なくとも2つ以上のアルキルエーテル化されたベンゼンを骨格とする化合物、オキシラン環含有化合物、チイラン環含有化合物、オキセタニル基含有化合物、イソシアネート基含有化合物ブロック化されたものを含む等を挙げることができる。これらの架橋剤Gのなかでも、分子中に少なくとも2つ以上のアルキルエーテル化されたアミノ基を有する化合物、オキシラン環含有化合物が好ましい。更には、分子中に少なくとも2つ以上のアルキルエーテル化されたアミノ基を有する化合物及びオキシラン環含有化合物を併用することがより好ましい。本発明における架橋剤Gの配合量は、前記フェノール樹脂F100重量部に対して、1~100重量部であることが好ましく、より好ましくは5~50重量部である。この架橋剤Gの配合量が1~100重量部である場合には、硬化反応が十分に進行し、得られる硬化物は高解像度で良好なパターン形状を有し、耐熱性、電気絶縁性に優れるため好ましい。また、アルキルエーテル化されたアミノ基を有する化合物及びオキシラン環含有化合物を併用する際、オキシラン環含有化合物の含有割合は、アルキルエーテル化されたアミノ基を有する化合物及びオキシラン環含有化合物の合計を100重量とした場合に、50重量以下であることが好ましく、より好ましくは5~40重量、特に好ましくは5~30重量である。この場合、得られる硬化膜は、高解像性を損なうことなく耐薬品性にも優れるため好ましい。架橋微粒子H本発明の化学増幅型ネガ型フォトレジスト組成物には、得られる硬化物の耐久性や熱衝撃性を向上させるために架橋微粒子以下、架橋微粒子Hともいう。を更に含有させることができる。架橋微粒子Hの平均粒径は、通常30~500nmであり、好ましくは40~200nm、更に好ましくは50~120nmである。この架橋微粒子Hの粒径のコントロール方法は特に限定されないが、例えば、乳化重合により架橋微粒子を合成する場合、使用する乳化剤の量により乳化重合中のミセルの数を制御し、粒径をコントロールすることができる。尚、架橋微粒子Hの平均粒径とは、光散乱流動分布測定装置等を用い、架橋微粒子の分散液を常法に従って希釈して測定した値である。架橋微粒子Hの配合量は、前記フェノール樹脂F100重量部に対して、0.5~50重量部であることが好ましく、より好ましくは1~30重量部である。この架橋微粒子Hの配合量が0.5~50重量部である場合には、他の成分との相溶性又は分散性に優れ、得られる硬化膜の熱衝撃性及び耐熱性を向上させることができる。密着助剤また、本発明の化学増幅型ネガ型フォトレジスト組成物には、基材との密着性を向上させるために、密着助剤を含有させることができる。上記密着助剤としては、例えば、カルボキシル基、メタクリロイル基、イソシアネート基、エポキシ基等の反応性置換基を有する官能性シランカップリング剤等が挙げられる。密着助剤の配合量は、前記フェノール樹脂F100重量部に対して、0.2~10重量部であることが好ましく、より好ましくは0.5~8重量部である。この密着助剤の配合量が0.2~10重量部である場合には、貯蔵安定性に優れ、且つ良好な密着性を得ることができるため好ましい。溶剤また、本発明の化学増幅型ネガ型フォトレジスト組成物には、樹脂組成物の取り扱い性を向上させたり、粘度や保存安定性を調節するために溶剤を含有させることができる。上記溶剤は、特に制限されないが、具体例は前記載のものが挙げられる。また、本発明の化学増幅型ネガ型フォトレジスト組成物には、必要により、増感剤を含有できる。このような増感剤としては、従来公知のものが使用でき、具体的には、前記のものが挙げられる。これらの増感剤の使用量は、上記一般式1で表される光酸発生剤の合計重量100重量部に対し、5~500重量部、好ましくは10~300重量部である。他の添加剤また、本発明の化学増幅型ネガ型フォトレジスト組成物には、必要に応じて他の添加剤を本発明の特性を損なわない程度に含有させることができる。このような他の添加剤としては、無機フィラー、クエンチャー、レベリング剤界面活性剤等が挙げられる。本発明の化学増幅型ネガ型フォトレジスト組成物の調製方法は特に限定されず、公知の方法により調製することができる。また、各成分を中に入れ完全に栓をしたサンプル瓶を、ウェーブローターの上で攪拌することによっても調製することができる。本発明における硬化物は、前記化学増幅型ネガ型フォトレジスト組成物が硬化されてなることを特徴とする。前述の本発明にかかる化学増幅型ネガ型フォトレジスト組成物は、残膜率が高く、解像性に優れていると共に、その硬化物は電気絶縁性、熱衝撃性等に優れているため、その硬化物は、半導体素子、半導体パッケージ等の電子部品の表面保護膜、平坦化膜、層間絶縁膜材料等として好適に使用することができる。本発明の硬化物を形成するには、まず前述の本発明にかかる化学増幅型ネガ型フォトレジスト組成物を支持体樹脂付き銅箔、銅張り積層板や金属スパッタ膜を付けたシリコンウエハーやアルミナ基板等に塗工し、乾燥して溶剤等を揮発させて塗膜を形成する。その後、所望のマスクパターンを介して露光し、加熱処理以下、この加熱処理をPEBという。を行い、フェノール樹脂Fと架橋剤Gとの反応を促進させる。次いで、アルカリ性現像液により現像して、未露光部を溶解、除去することにより所望のパターンを得ることができる。更に、絶縁膜特性を発現させるために加熱処理を行うことにより、硬化膜を得ることができる。樹脂組成物を支持体に塗工する方法としては、例えば、ディッピング法、スプレー法、バーコート法、ロールコート法、又はスピンコート法等の塗布方法を用いることができる。また、塗布膜の厚さは、塗布手段、組成物溶液の固形分濃度や粘度を調節することにより、適宜制御することができる。露光に用いられる放射線としては、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、g線ステッパー、h線ステッパー、i線ステッパー、gh線ステッパー、ghi線ステッパー等の紫外線や電子線、レーザー光線等が挙げられる。また、露光量としては使用する光源や樹脂膜厚等によって適宜選定されるが、例えば、高圧水銀灯からの紫外線照射の場合、樹脂膜厚1~50μmでは、100~50000J/m2程度である。露光後は、発生した酸によるフェノール樹脂Fと架橋剤Gの硬化反応を促進させるために上記PEB処理を行う。PEB条件は樹脂組成物の配合量や使用膜厚等によって異なるが、通常、70~150°C、好ましくは80~120°Cで、1~60分程度である。その後、アルカリ性現像液により現像して、未露光部を溶解、除去することによって所望のパターンを形成する。この場合の現像方法としては、シャワー現像法、スプレー現像法、浸漬現像法、パドル現像法等を挙げることができる。現像条件としては通常、20~40°Cで1~10分程度である。更に、現像後に絶縁膜としての特性を十分に発現させるために、加熱処理を行うことによって十分に硬化させることができる。このような硬化条件は特に制限されるものではないが、硬化物の用途に応じて、50~250°Cの温度で、30分~10時間程度加熱し、組成物を硬化させることができる。また、硬化を十分に進行させたり、得られたパターン形状の変形を防止するために二段階で加熱することもでき、例えば、第一段階では、50~120°Cの温度で、5分~2時間程度加熱し、更に80~250°Cの温度で、10分~10時間程度加熱して硬化させることもできる。このような硬化条件であれば、加熱設備として一般的なオーブンや、赤外線炉等を使用することができる。以下、実施例および比較例をあげて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。なお、各例中の部は重量部を示す。製造例14-メトキシフェニルビス4-クロロフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートP1-TFの合成4-メトキシフェニルビス4-クロロフェニルスルホニウムハイドロゲンサルフェート88.5部、水/メタノール溶液400部、トリフルオロメタンスルホン酸カリウム38部を含む水200部、ジクロロメタン180部を混合し、室温で3時間攪拌し静置した。水層を分液ロートで除去し、有機層を水200部で4回水洗した後、ロータリーエバポレーターにて減圧下溶剤を除去することにより、褐色液状物を得た。引き続きトルエン/ヘキサン溶液で溶剤洗浄後、不純物を除去し、50°Cで減圧下乾燥することにより褐色粘調物として4-メトキシフェニルビス4-クロロフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート88.7部を得た収率90。生成物は1H-NMR、赤外吸光分光分析IRにて同定した。{1H-NMR:d6-ジメチルスルホキシド;δppm7.8~7.910H、m、7.3~7.42H、d、3.83H、s。IRKBr錠剤法:C-F結合特性吸収;1200cm-1付近。}製造例24-メトキシフェニルビス4-クロロフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネートP1-NFの合成トリフルオロメタンスルホン酸カリウム38部をノナフルオロブタンスルホン酸カリウム68.3部に変更した以外は製造例1と同様にして、4-メトキシフェニルビス4-クロロフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート127.3部を得た収率90。生成物は1H-NMR、赤外吸光分光分析IRにて同定した。{1H-NMR:d6-ジメチルスルホキシド;δppm7.8~7.910H、m、7.3~7.42H、d、3.83H、s。IRKBr錠剤法:C-F結合特性吸収;1200cm-1付近。}製造例34-メトキシフェニルビス4-クロロフェニルスルホニウムビストリフルオロメタンスルホニルイミドP1-Nの合成トリフルオロメタンスルホン酸カリウム38部をビストリフルオロメタンスルホニルイミドリチウム58.0部に変更した以外は製造例1と同様にして、4-メトキシフェニルビス4-クロロフェニルスルホニウムビストリフルオロメタンスルホニルイミド123.6部を得た収率90。生成物は1H-NMR、赤外吸光分光分析IRにて同定した。{1H-NMR:d6-ジメチルスルホキシド;δppm7.8~7.910H、m、7.3~7.42H、d、3.83H、s。IRKBr錠剤法:C-F結合特性吸収;1200cm-1付近。}製造例44-メトキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムトリフルオロメタンスルホネートS1-TFの合成4-メトキシフェニルビス4-クロロフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートP1-TF68.6部と4-フェニルベンゼンチオール53.8部をDMF365部に溶解した後、水酸化カリウム18.2部を分割投入して70°Cで2時間反応させた。反応後の反応液を水330部に投入し、析出固体を酢酸エチル330部で抽出して、有機層を分取した後、水300部で水洗を3回行った。水洗後の有機層を減圧下脱溶剤し、エーテル300部で溶剤洗浄を3回行った後、ロータリーエバポレーターで残存溶剤を脱溶剤、乾燥して黄土色粉末状の4-メトキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート68.7部を得た収率63。生成物は1H-NMR,赤外吸光分光分析IRにて同定した。{1H-NMR:d6-ジメチルスルホキシド;δppm7.86H、m、7.6~7.712H、m、7.410H、m、7.32H、d、3.93H、s。IRKBr錠剤法:C-F結合特性吸収;1200cm-1付近。}製造例54-メトキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムノナフルオロブタンスルホネートS1-NFの合成4-メトキシフェニルビス4-クロロフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートP1-TF68.6部を4-メトキシフェニルビス4-クロロフェニルスルホニウムノナフルオロブタンメタンスルホネート88.7部に変更した以外は製造例4と同じにして黄土色粉末状の4-メトキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムノナフルオロブタンスルホネートを収率63で得た。生成物は1H-NMR,赤外吸光分光分析IRにて同定した。{1H-NMR:d6-ジメチルスルホキシド;δppm7.86H、m、7.6~7.712H、m、7.410H、m、7.32H、d、3.93H、s。IRKBr錠剤法:C-F結合特性吸収;1200cm-1付近。}製造例64-メトキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムビストリフルオロメタンスルホニルイミドS1-Nの合成4-メトキシフェニルビス4-クロロフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートP1-TF68.6部を4-メトキシフェニルビス4-クロロフェニルスルホニウムビストリフルオロメタンスルホニルイミド86.1部に変更した以外は製造例4と同じにして黄土色粉末状の4-メトキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムビストリフルオロメタンスルホニルイミドを収率64で得た。生成物は1H-NMR,赤外吸光分光分析IRにて同定した。{1H-NMR:d6-ジメチルスルホキシド;δppm7.86H、m、7.6~7.712H、m、7.410H、m、7.32H、d、3.93H、s。IRKBr錠剤法:C-F結合特性吸収;1200cm-1付近。}製造例74-メトキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムトリスヘキサフルオロエチルトリフルオロホスフェートS1-FPの合成4-メトキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート68.7部、トリスヘキサフルオロエチルトリフルオロリン酸カリウムの10水溶液430.3部、ジクロロメタン250部を室温で3時間混合、攪拌して静置した。有機層を分液ロートで分取し、水250部で有機層を4回洗浄した後、有機層をロータリーエバポレーターにて40°C、減圧下脱溶剤して、黄土色粘調物の4-メトキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムトリスヘキサフルオロエチルトリフルオロホスフェート84.3部を得た収率90。生成物は1H-NMR,赤外吸光分光分析IRにて同定した。{1H-NMR:d6-ジメチルスルホキシド;δppm7.86H、m、7.6~7.712H、m、7.410H、m、7.32H、d、3.93H、s。IRKBr錠剤法:C-F結合特性吸収;1200cm-1付近。}製造例84-メトキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレートS1-FBの合成トリスヘキサフルオロエチルトリフルオロリン酸カリウムの10水溶液430.3部をテトラキスペンタフルオロフェニルホウ酸リチウムの10水溶液609.8部に変更した以外は製造例7と同様にして黄土色粘調物の4-メトキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレートを収率90で得た。生成物は1H-NMR,赤外吸光分光分析IRにて同定した。{1H-NMR:d6-ジメチルスルホキシド;δppm7.86H、m、7.6~7.712H、m、7.410H、m、7.32H、d、3.93H、s。IRKBr錠剤法:B-C結合特性吸収;980cm-1付近。}製造例94-メトキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムトリストリフルオロメタンスルホニルメチドS1-Cの合成トリスヘキサフルオロエチルトリフルオロリン酸カリウムの10水溶液430.3部をトリストリフルオロメタンスルホニルメチドリチウムの10水溶液371.7部に変更した以外は製造例7と同様にして黄土色粘調物の4-メトキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムトリストリフルオロメタンスルホニルメチドを収率89で得た。生成物は1H-NMR,赤外吸光分光分析IRにて同定した。{1H-NMR:d6-ジメチルスルホキシド;δppm7.86H、m、7.6~7.712H、m、7.410H、m、7.32H、d、3.93H、s。IRKBr錠剤法:C-F結合特性吸収;1200cm-1付近。}製造例104-メトキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムヘキサフルオロアンチモネートS1-Sbの合成トリスヘキサフルオロエチルトリフルオロリン酸カリウムの10水溶液430.3部をヘキサフルオロアンチモン酸カリウムの5水溶液488.6部に変更した以外は製造例7と同様にして黄土色粘調物の4-メトキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムヘキサフルオロアンチモネートを収率93で得た。生成物は1H-NMR,赤外吸光分光分析IRにて同定した。{1H-NMR:d6-ジメチルスルホキシド;δppm7.86H、m、7.6~7.712H、m、7.410H、m、7.32H、d、3.93H、s。IRKBr錠剤法:Sb-F結合特性吸収;650cm-1付近。}製造例114-メトキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムヘキサフルオロホスフェートS1-Pの合成トリスヘキサフルオロエチルトリフルオロリン酸カリウムの10水溶液430.3部をヘキサフルオロリン酸カリウムの5水溶液327.3部に変更した以外は製造例7と同様にして黄土色粘調物の4-メトキシフェニルビス[4-4-ビフェニリルチオフェニル]スルホニウムヘキサフルオロホスフェートを収率92で得た。生成物は1H-NMR,赤外吸光分光分析IRにて同定した。{1H-NMR:d6-ジメチルスルホキシド;δppm7.86H、m、7.6~7.712H、m、7.410H、m、7.32H、d、3.93H、s。IRKBr錠剤法:P-F結合特性吸収;840cm-1付近。}比較例14-フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムトリスペンタフルオロエチルトリフルオロホスフェートRS-1FPの合成ジフェニルスルホキシド12.1部、ジフェニルスルフィド9.3部及びメタンスルホン酸43.0部を撹拌しながら、これに無水酢酸7.9部を滴下し、40~50°Cで5時間反応させた後、室温まで冷却し、この反応溶液を20トリスペンタフルオロエチルトリフルオロリン酸カリウム水溶液121部中に投入し、室温で1時間撹拌して、黄色のやや粘調な油状物が析出した。この油状物を酢酸エチルにて抽出し、有機層を水で数回洗浄した後、有機層から溶剤を留去し、得られた残渣にトルエンを加えて溶解した後、ヘキサンを加え、10°Cで1時間よく撹拌した後静置した。1時間後、溶液は2層に分離したため、上層を分液によって除いた。残った下層にヘキサンを加え、室温でよく混合すると淡黄色の結晶が析出した。これをろ別し、減圧乾燥して、4-フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムトリスペンタフルオロエチルトリフルオロホスフェートを収率60で得た。生成物は1H-NMRにて同定した{d6-ジメチルスルホキシド、δppm7.72~7.8712H、m、7.54~7.635H、m、7.422H、d}。また、赤外吸光分光分析KBr錠剤法により、840cm-1付近にP-F結合の吸収を確認した。比較例2ジフェニル-2-チオキサントニルスルホニウムトリスペンタフルオロエチルトリフルオロホスフェートRS2-FPの合成2-フェニルチオチオキサントン15.0部、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート41.9部、安息香酸銅II0.4部及びクロロベンゼン300部を均一混合し、120~125°Cで3時間反応させた後、反応溶液を室温まで冷却し、蒸留水300部中に投入し、生成物を析出させた。これをろ過し、残渣を水で濾液のpHが中性になるまで洗浄し、残渣を減圧乾燥した後、ジエチルエーテル100部を加えて超音波洗浄器でジエチルエーテル中に分散し約15分間静置してから上澄みを除く操作を3回繰り返して、生成した固体を洗浄した。ついで、固体をロータリーエバポレーターに移して、溶媒を留去することにより、黄色固体を得た。この黄色固体をジクロロメタン770部に溶かし、10トリスペンタフルオロエチルトリフルオロリン酸カリウム水溶液342部中に投入した後、室温で2時間撹拌し、有機層を水で数回洗浄し、減圧乾燥することにより、ジフェニル-2-チオキサントニルスルホニウムトリスペンタフルオロエチルトリフルオロホスフェートを収率98で得た。生成物は1H-NMRにて同定した{d6-ジメチルスルホキシド、δppm8.721H、s、8.471H、d、8.301H、d、8.132H、d、7.78~7.9811H、m、7.701H、t}。また、赤外吸光分析KBr錠剤法により、840cm-1付近にP-F結合の吸収を確認した。比較例34-フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレートRS1-FBの合成20トリスペンタフルオロエチルトリフルオロリン酸カリウム水溶液121部を10テトラキスペンタフルオロフェニルホウ酸リチウム342.9部に変更したこと以外、比較例1と同様にして、4-フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレートを収率60で得た。生成物は1H-NMRにて同定した{d6-ジメチルスルホキシド、δppm7.72~7.8712H、m、7.54~7.635H、m、7.422H、d}。また、赤外吸光分光分析KBr錠剤法により、980cm-1付近にB-C結合の吸収を確認した。比較例4CPI-110A{4-フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、サンアプロ株式会社製}を比較用のスルホニウム塩とした。比較例5CPI-110P{4-フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、サンアプロ株式会社製}を比較用のスルホニウム塩とした。エネルギー線硬化性組成物の調製及びこの評価本発明の光酸発生剤および比較例の化合物を、表1に示した配合量で溶媒-1プロピレンカーボネートに溶解した後、カチオン重合性化合物であるエポキシド3,4-エポキシシクロヘキシルメチル-3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ダイセル化学工業株式会社製、セロキサイド2021Pに表1の配合量重量部で均一混合して、エネルギー線硬化性組成物実施例C1~C5、比較例C1~C5を調製した。なお、製造例11と比較例5で得たスルホニウム塩は、ヘキサフルオロリン酸塩であり、製造例7~10や比較例1~4のトリスペンタフルオロエチルトリフルオロリン酸塩、テトラキスペンタフルオロフェニルホウ酸塩、トリストリフルオロメタンスルホニルメチド酸塩およびヘキサフルオロアンチモン酸塩よりも、発生する酸の強度が弱く、カチオン重合に対する活性が低いため、スルホニウム塩の配合量を多くした。また、それに伴い、溶媒の配合量も多くした。<光感応性光硬化性>上記で得たエネルギー線硬化性組成物をアプリケーター25μmでポリエチレンテレフタレートPETフィルムに塗布した。PETフィルムに紫外線照射装置を用いて、フィルターによって波長を限定した紫外光を照射した。なお、フィルターはIRCF02フィルターアイグラフィックス株式会社製、340nm未満の光をカットするフィルターを使用した。照射後、40分後の塗膜硬度を鉛筆硬度JISK5600-5-4:1999にて測定し、以下の基準により評価し硬化後の塗膜厚は約25μm、これらの結果を表2に示した。鉛筆硬度が高いほど、エネルギー線硬化性組成物の光硬化性が良好であること、すなわちスルホニウム塩のカチオン重合性化合物に対する重合開始能スルホニウム塩の光感応性が優れていることを示す。◎:鉛筆硬度が2H以上○:鉛筆硬度がH~B△:鉛筆硬度が2B~4B×:液状~タックがあり、鉛筆硬度を測定できない紫外光の照射条件紫外線照射装置:ベルトコンベア式UV照射装置アイグラフィックス株式会社製ランプ:1.5kW高圧水銀灯フィルター:IRCF02フィルターアイグラフィックス株式会社製照度365nmヘッド照度計で測定:145mW/cm2積算光量365nmヘッド照度計で測定:条件-1:100mJ/cm2条件-2:120mJ/cm2条件-3:150mJ/cm2<貯蔵安定性>上記で得たエネルギー線硬化性組成物を遮光下80°Cで加熱して、1ヶ月保存した後、加熱前後の配合試料の粘度を測定し、下記基準により評価した。粘度の上昇がないものほど貯蔵安定性が良い。評価基準×:加熱後の粘度変化が1.5倍以上。○:加熱後の粘度変化が1.5倍未満。表2の結果からわかるように、本発明のスルホニウム塩は比較用のスルホニウム塩に比べて365nm以上の紫外光でのカチオン重合性化合物の硬化性能光感応性が優れていることがわかった。ポジ型フォトレジスト組成物の評価<評価用試料の調製>表3に示す通り、光酸発生剤である成分A1重量部、樹脂成分Bとして、下記化学式Resin1で示される樹脂40重量部、及び樹脂成分Cとして、m-クレゾールとp-クレゾールとをホルムアルデヒド及び酸触媒の存在下で付加縮合して得たノボラック樹脂60重量部を、溶媒-2プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに均一に溶解させ、孔径1μmのメンブレンフィルターを通して濾過し、固形分濃度40重量のポジ型フォトレジスト組成物実施例P1~P6を調製した。また比較例も表3に示した配合量で同様に行い、ポジ型フォトレジスト組成物比較例P1~P4を調製した。<感度評価>シリコンウェハー基板上に、上記実施例P1~P6および比較例P1~P4で調製したポジ型レジスト組成物をスピンコートした後、乾燥して約20μmの膜厚を有するフォトレジスト層を得た。このレジスト層をホットプレートにより130°Cで6分間プレベークした。プレベーク後、TME-150RSCトプコン社製を用いてパターン露光i線を行い、ホットプレートにより75°Cで5分間の露光後加熱PEBを行った。その後、2.38重量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いた浸漬法により、5分間の現像処理を行い、流水洗浄し、窒素でブローして10μmのラインアンドスペースLSパターンを得た。更に、それ以下ではこのパターンの残渣が認められなくなる最低限の露光量、すなわちレジストパターンを形成するのに必要な最低必須露光量感度に対応するを測定した。<貯蔵安定性評価>また、上記で調製した化学増幅型ポジ型レジスト組成物を用いて、調製直後と40°Cで1ヶ月保存後の感光性感度評価を上記の通りに行い、貯蔵安定性を次の基準で判断した。○:40°Cで1ヶ月保存後の感度変化が調製直後の感度の5未満×:40°Cで1ヶ月保存後の感度変化が調製直後の感度の5以上<パターン形状評価>上記操作により、シリコンウエハー基板上に形成した10μmのLSパターンの形状断面の下辺の寸法Laと上辺の寸法Lbを、走査型電子顕微鏡を用いて測定し、パターン形状を次の基準で判断した。結果を表4に示す。◎:0.90≦Lb/La≦1○:0.85≦Lb/La<0.90×:Lb/La<0.85表4に示される通り、実施例P1~P6の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物は、比較例P1~P4のように従来の光酸発生剤を用いた場合よりも高感度であり、貯蔵安定性やパターン形状に優れることが分かる。[ネガ型フォトレジスト組成物の評価]<評価用試料の調製>表5に示す通り、光酸発生剤である成分E1重量部、フェノール樹脂である成分Fとして、p-ヒドロキシスチレン/スチレン=80/20モル比からなる共重合体Mw=10,000を100重量部、架橋剤である成分Gとして、ヘキサメトキシメチルメラミン三和ケミカル社製、商品名ニカラックMW-390を20重量部、架橋微粒子である成分Hとして、ブタジエン/アクリロニトリル/ヒドロキシブチルメタクリレート/メタクリル酸/ジビニルベンゼン=64/20/8/6/2重量からなる共重合体平均粒径=65nm、Tg=-38°Cを10重量部、密着助剤である成分Iとして、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシランチッソ社製、商品名S5105重量部を、溶剤-3乳酸エチル145重量部に均一に溶解して、本発明のネガ型フォトレジスト組成物実施例N1~N6を調製した。また比較例も表5に示した配合量で同様に行い、ネガ型フォトレジスト組成物比較例N1~N4を調製した。<感度評価>シリコンウェハー基板上に、各組成物をスピンコートした後、ホットプレートを用いて110°Cで3分間加熱乾燥して約20μmの膜厚を有する樹脂塗膜を得た。その後、TME-150RSCトプコン社製を用いてパターン露光i線を行い、ホットプレートにより110°Cで3分間の露光後加熱PEBを行った。その後、2.38重量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いた浸漬法により、2分間の現像処理を行い、流水洗浄し、窒素でブローして10μmのラインアンドスペースパターンを得た。更に、現像前後の残膜の比率を示す残膜率が95以上のパターンを形成するのに必要な最低必須露光量感度に対応するを測定した。<貯蔵安定性評価>また、上記で調製した化学増幅型ネガ型レジスト組成物を用いて、調製直後と40°Cで1ヶ月保存後の感光性感度評価を上記の通りに行い、貯蔵安定性を次の基準で判断した。○:40°Cで1ヶ月保存後の感度変化が調製直後の感度の5未満×:40°Cで1ヶ月保存後の感度変化が調製直後の感度の5以上<パターン形状評価>上記操作により、シリコンウエハー基板上に形成した20μmのLSパターンの形状断面の下辺の寸法Laと上辺の寸法Lbを、走査型電子顕微鏡を用いて測定し、パターン形状を次の基準で判断した。結果を表6に示す。◎:0.90≦La/Lb≦1○:0.85≦La/Lb<0.90×:La/Lb<0.85表6に示される通り、実施例N1~N6の化学増幅型ネガ型フォトレジスト組成物は、比較例N1~N4のように従来の光酸発生剤を用いた場合よりも高感度であり、貯蔵安定性やパターン形状に優れることが分かる。"