炭化珪素基板の表面を研磨するための炭化珪素基板研磨用組成物であって、真比重が2.10以上2.30以下のコロイダルシリカ粒子と水とを含み、遊離しているアルカリ金属イオンの濃度が1ppm以上150ppm以下であることを特徴とする炭化珪素基板研磨用組成物。前記コロイダルシリカ粒子として、平均一次粒子径が20nm以上500nm以下のコロイダルシリカ粒子を含有することを特徴とする請求項1に記載する炭化珪素基板研磨用組成物。前記コロイダルシリカ粒子として、さらに平均一次粒子径が5nm以上20nm未満のコロイダルシリカ粒子を含有することを特徴とする請求項2に記載する炭化珪素基板研磨用組成物。平均一次粒子径が20nm以上500nm以下のコロイダルシリカ粒子の平均一次粒子径が5nm以上20nm未満のコロイダルシリカ粒子に対する割合が、質量比で50/50~90/10であることを特徴とする請求項3に記載する炭化珪素基板研磨用組成物。pHが4未満であることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載する炭化珪素基板研磨用組成物。酸化剤を含むことを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載する炭化珪素基板研磨用組成物。酸化剤と共に用いて炭化珪素基板を研磨する炭化珪素基板研磨用組成物であることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載する炭化珪素基板研磨用組成物。前記酸化剤が、過酸化水素、塩素酸、過塩素酸、過臭素酸、ヨウ素酸、過ヨウ素酸、過硫酸、過ホウ素酸、過マンガン酸、クロム酸、重クロム酸、バナジン酸、塩素化シアヌル酸及びこれらのアンモニウム塩からなる群から選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項6または7に記載する炭化珪素基板研磨用組成物。請求項1~8のいずれか一項に記載する炭化珪素基板研磨用組成物により、炭化珪素基板の表面を研磨することを特徴とする炭化珪素基板の研磨方法。しかしながら、上述した技術による表面平坦化では不十分であり、電子デバイスの微細化に伴い表面がより平坦な炭化珪素基板が求められている。本発明の課題は、上述の従来技術の問題点を解決することにあり、表面が平坦な炭化珪素基板を得ることができる炭化珪素基板研磨用組成物及び炭化珪素基板の研磨方法を提供することにある。上記課題を解決する本発明の炭化珪素基板研磨用組成物は、炭化珪素基板の表面を研磨するための炭化珪素基板研磨用組成物であって、真比重が2.10以上2.30以下のコロイダルシリカ粒子と水とを含み、遊離しているアルカリ金属イオンの濃度が1ppm以上150ppm以下であることを特徴とする。また、前記コロイダルシリカ粒子として、平均一次粒子径が20nm以上500nm以下のコロイダルシリカ粒子を含有することが好ましい。さらに、前記コロイダルシリカ粒子として、さらに平均一次粒子径が5nm以上20nm未満のコロイダルシリカ粒子を含有することが好ましく、平均一次粒子径が20nm以上500nm以下のコロイダルシリカ粒子の平均一次粒子径が5nm以上20nm未満のコロイダルシリカ粒子に対する割合が、質量比で50/50~90/10であることが好ましい。また、pHが4未満であることが好ましい。そして、酸化剤を含むことが好ましい。また、酸化剤と共に用いて炭化珪素基板を研磨する炭化珪素基板研磨用組成物であってもよい。前記酸化剤は、過酸化水素、塩素酸、過塩素酸、過臭素酸、ヨウ素酸、過ヨウ素酸、過硫酸、過ホウ素酸、過マンガン酸、クロム酸、重クロム酸、バナジン酸、塩素化シアヌル酸及びこれらのアンモニウム塩からなる群から選択される少なくとも1種であることが好ましい。本発明の他の態様は、上記炭化珪素基板研磨用組成物により、炭化珪素基板の表面を研磨することを特徴とする炭化珪素基板の研磨方法にある。本発明によれば、表面が平坦な炭化珪素基板を得ることができる炭化珪素基板研磨用組成物を提供できる。そして、この炭化珪素基板研磨用組成物で炭化珪素基板の表面を研磨することにより、表面が平坦な炭化珪素基板を製造することができる。炭化珪素基板の表面を研磨するための本発明の炭化珪素基板研磨用組成物は、真比重が2.10以上2.30以下のコロイダルシリカ粒子と水とを含み、遊離しているアルカリ金属イオンが1ppm以上150ppm以下である。本発明の炭化珪素基板研磨用組成物が研磨する対象である炭化珪素基板の種類に特に限定はないが、例えば、六方晶型4H-SiC単結晶基板や6H-SiC単結晶基板が挙げられる。なお、炭化珪素基板は通常の製造方法、例えば、改良レーリー法等により結晶成長させ、得られた単結晶インゴットを切断することにより製造されるものである。コロイダルシリカ粒子は、真比重が2.10以上2.30以下のものを用いる。真比重が2.10以上2.30以下のコロイダルシリカ粒子とは、いわゆる水ガラス法で得られたコロイド状のシリカ粒子であり、メチルシリケート法とも呼ばれるゾルゲル法で得られ真比重が小さいシリカ粒子たとえば、真比重が1.70~2.00程度とは異なり、硬い粒子である。このように真比重が2.10以上2.30以下の硬いコロイダルシリカ粒子を用いることにより、硬度が9以上である炭化珪素基板であっても、酸化剤と共に用いることにより、ダイヤモンド等により凹凸が形成された炭化珪素基板の表面を良好に研磨することができる。なお、水ガラス法とは、珪酸ナトリウム等のアルカリ金属珪酸塩の水溶液を所望の濃度に希釈した後に脱陽イオン処理して得られる活性珪酸をアルカリ溶液中で加熱して粒子成長させてコロイダルシリカを得る方法やアルカリ金属珪酸塩の水溶液を鉱酸により中和して得られるシリカゲルをアルカリにより解膠してコロイダルシリカを得る方法である。ゾルゲル法とは塩基性触媒の存在下でアルコキシシランと水をアルコール溶液中で反応させてシリカ粒子を得る方法である。また、コロイダルシリカ粒子の粒子径は特に限定されないが、平均一次粒子径が20nm以上500nm以下のコロイダルシリカ粒子を主成分、例えば、コロイダルシリカ粒子全体に対して50質量以上とすることが好ましい。なお、平均一次粒子径は、窒素吸着法によって求めることができる。平均一次粒子径が20nm未満のコロイダルシリカ粒子のみを用いると、マイクロパイプや転移といった炭化珪素基板表面に形成された孔の角を削ってしまうことにより孔が広がり、深さ方向に深くしてしまう傾向があり、原子間力顕微鏡で孔を観察した際には探針が孔内部へ入り込むようになる。また、平均一次粒子径が500nmより大きいコロイダルシリカ粒子は、静定時に時間の経過と共にコロイダルシリカ粒子が自然沈降して層分離しやすいため取り扱いにくい。なお、コロイダルシリカ粒子として、平均一次粒子径の異なる2種類以上のコロイダルシリカ粒子群の混合物を用いてもよい。そして、コロイダルシリカ粒子として、平均一次粒子径が20nm以上500nm以下のものに加えて、平均一次粒子径が5nm以上20nm未満のコロイダルシリカ粒子をさらに含有することが好ましい。このように、コロイダルシリカ粒子として、平均一次粒子径が20nm以上500nm以下のものに加えて、さらに平均一次粒子径が5nm以上20nm未満のものを用いた炭化珪素基板研磨用組成物とすることにより、表面が平坦な炭化珪素基板を製造でき、且つ、研磨速度が速くなるため研磨時間を短時間にすることができる。コロイダルシリカ粒子群の混合割合は特に限定されないが、平均一次粒子径が20以上500nm以下のコロイダルシリカ粒子の、平均一次粒子径が5nm以上20nm未満のコロイダルシリカ粒子に対する割合、すなわち、平均一次粒子径が20nm以上500nm以下のコロイダルシリカ粒子/平均一次粒子径が5nm以上20nm未満のコロイダルシリカ粒子が、質量比で50/50~90/10であることが好ましい。また、本発明の炭化珪素基板研磨用組成物は、遊離しているアルカリ金属イオンの濃度が1ppm以上150ppm以下、好ましくは、100ppm以下である。遊離しているアルカリ金属イオンの濃度が150ppmより高いと、本発明のように表面が平坦な炭化珪素基板を得ることはできない。ここで、炭化珪素基板は、その製造中に結晶成長機構に伴って発生する例えば平面視の直径が1~10μm程度の大きさの菅状の空隙であるマイクロパイプや、結晶構造の違いにより発生する直径0.5~10μm程度の転移結晶欠陥等の孔が、表面に形成される。そして、このマイクロパイプや転移等の孔が形成された炭化珪素基板に対して、ダイヤモンドでの研磨等により発生した凹凸を除去するために、シリカ粒子等を含有する研磨剤組成物が用いられている。しかしながら、従来の研磨剤組成物での研磨では、炭化珪素基板表面のマイクロパイプや転移等の孔がさらに広がり、深さ方向に深くなってしまい、原子間力顕微鏡で孔を観察した際には探針が孔内部へ入り込むようになること、及び、このように研磨剤組成物で研磨することにより孔が広がる原因は、研磨剤組成物が含有する遊離しているアルカリ金属イオンの濃度が高いことであることを、本発明において知見した。具体的には、マイクロパイプを有する炭化珪素基板の断面図である図1を用いて説明すると、マイクロパイプ2を有する炭化珪素基板1図1aを、遊離しているアルカリ金属イオン濃度が150ppm以下である本発明の炭化珪素基板研磨用組成物を用いて研磨しても、マイクロパイプ2は広がらない図1b。一方、遊離しているアルカリ金属イオン濃度が高い従来の研磨剤組成物を用いると、研磨によりマイクロパイプ2の表面側が広がり図1c、本発明の炭化珪素基板研磨用組成物を用いた場合と比較して表面の粗い炭化珪素基板となる。例えば、特許文献1の実施例に記載される研削剤Nalco1034Nalco社製等の水ガラス法で作製されたコロイダルシリカ粒子を用いる研磨剤組成物においては、コロイダルシリカ粒子の製造段階でアルカリ金属が混合されるため、遊離しているアルカリ金属イオン濃度を150ppm以下にするという操作を行わない限り、研磨剤組成物の遊離しているアルカリ金属イオン濃度は150ppmを超える。このように遊離しているアルカリ金属イオン濃度が150ppmを超える従来の研磨剤組成物を用いて炭化珪素基板表面を研磨すると、表面が平坦な炭化珪素基板を得ることはできず、むしろさらに孔を大きくしてしまう。一方、特許文献1に記載されるFusoPL-1扶桑化学工業株社製等のゾルゲル法により形成されたシリカ粒子を用いた研磨剤組成物では、上述したように、シリカ粒子の硬度が低く硬度が高い炭化珪素基板表面を研磨し難いため、ダイヤモンドでの研磨等で形成された凹凸を除去することはできず、炭化珪素基板研磨用組成物として使用できない。また、本発明の炭化珪素基板研磨用組成物のpHは特に限定されないが、pHが4未満であることが好ましく、さらに好ましくは2超4未満である。pHが2以下になると研磨機の腐食が大きくなる傾向がある。一方、pHが4以上になるとコロイダルシリカ粒子の分散安定性が低下する傾向がある。そして、本発明の炭化珪素基板研磨用組成物は、酸化剤を含有するものでもよく、また、酸化剤を含有せずに酸化剤と共に用いて炭化珪素基板を研磨するものでもよい。勿論、本発明の炭化珪素基板研磨用組成物は、酸化剤を含有するものであって、且つ、酸化剤と共に用いて炭化珪素基板を研磨するものでもよい。このような酸化剤により、炭化珪素基板の表面を酸化して炭化珪素基板の表面を酸化珪素とし、この酸化珪素をコロイダルシリカ粒子が研磨することにより、炭化珪素基板の表面がより平坦になると推定される。酸化剤に特に限定はないが、例えば、過酸化水素、塩素酸、過塩素酸、過臭素酸、ヨウ素酸、過ヨウ素酸、過硫酸、過ホウ素酸、過マンガン酸、クロム酸、重クロム酸、バナジン酸、塩素化シアヌル酸や、これらのアンモニウム塩が挙げられる。勿論、2種類以上の酸化剤を併用してもよい。また、本発明の炭化珪素基板研磨用組成物は、公知なpH調整剤、pH緩衝剤、界面活性剤、分散安定剤、ゲル化防止剤、消泡剤、キレート剤、殺生剤等の添加剤を含有していてもよい。なお、本発明の炭化珪素基板用研磨剤組成物は、アルカリ金属イオン濃度が150ppm以下なので、酸化剤や添加剤は、遊離するアルカリ金属イオン濃度が低いものを用いる必要がある。本発明の炭化珪素基板研磨用組成物が含有する各成分の含有率は特に限定されないが、たとえば、コロイダルシリカ粒子は炭化珪素基板研磨用組成物中に1~50質量程度とすることが好ましい。また、酸化剤の含有量は、炭化珪素基板研磨用組成物中に0.1~5質量程度とすることが好ましい。このような炭化珪素基板研磨用組成物の製造方法は特に限定されず、例えば、真比重が2.10以上2.30以下のコロイダルシリカ粒子、すなわち、水ガラス法で得られたコロイダルシリカ粒子を強酸性水素型陽イオン交換樹脂と接触させる等の処理をすることにより遊離したアルカリ金属イオンの量を低減した後、この遊離したアルカリ金属イオンの量を低減したコロイダルシリカ粒子と水とを混合すればよい。また、酸化剤を含有する炭化珪素基板研磨用組成物とする場合は、さらに酸化剤を混合すればよい。なお、上記では水等と混合する前にコロイダルシリカ粒子の遊離したアルカリ金属イオン濃度を低減する操作を行ったが、水ガラス法で得られたコロイダルシリカ粒子を水等と混合した後に、遊離するアルカリ金属イオンの量を低減する処理を行ってもよい。このように、本発明の炭化珪素基板研磨用組成物が含有するコロイダルシリカ粒子は、上述したように真比重が2.10以上2.30以下のもの、すなわち、水ガラス法で得られたものであるので、製造工程中にアルカリ金属が混合されるため、コロイダルシリカ粒子を混合する前でも後でもよいが、遊離したアルカリ金属イオンを除去するという操作が必要である。このような本発明の炭化珪素基板研磨用組成物を用いて、炭化珪素基板の表面を研磨することにより、従来の研磨剤組成物において内在していたマイクロパイプや転移等の孔が広がるという問題が生じないため、非常に平坦な表面を有する炭化珪素基板を得ることができる。そして、本発明の炭化珪素基板研磨用組成物は、水ガラス法により得られたコロイダルシリカ粒子を用いているため、ダイヤモンド等により形成された凹凸も十分除去できるものである。本発明の炭化珪素基板研磨用組成物を用いた研磨方法は特に限定されず、従来の研磨剤組成物と同様の操作により、炭化珪素基板表面を研磨すればよい。例えば、研磨対象の炭化珪素基板に炭化珪素基板研磨用組成物を塗布して、研磨パッド等で擦ることにより、研磨することができる。以下、実施例に基づいてさらに詳述するが、本発明はこの実施例により何ら限定されるものではない。実施例1水ガラス法で製造されたコロイダルシリカ粒子窒素吸着法により求めた平均一次粒子径:22nm、真比重:2.18が分散されたアルカリ性シリカゾルを、強酸性水素型陽イオン交換樹脂アンバーライト登録商標IR-120Bオルガノ株社製で処理してアルカリ金属イオンを除去した。このアルカリ金属イオンを除去する操作を行って得た酸性シリカゾルコロイダルシリカ粒子濃度40質量9000gに、純水2660gおよび35質量の過酸化水素水340gを混合し、炭化珪素基板研磨用組成物12000gを調製した。なお、得られた炭化珪素基板研磨用組成物は、コロイダルシリカ粒子の濃度は30質量、pH2.4、遊離アルカリ金属イオン濃度100ppmであった。以下にコロイダルシリカ粒子の真比重の測定方法、コロイダルシリカ粒子の平均一次粒子径の測定方法及び遊離アルカリ金属イオン濃度の測定方法を示す。<コロイダルシリカ粒子の真比重の測定>炭化珪素基板研磨用組成物を100°Cで12時間乾燥させ、さらに150°Cで1時間乾燥させたものを1g秤量し、乾式自動密度計アキュピック1330株島津製作所製にて測定した。<コロイダルシリカ粒子の平均一次粒子径の測定>コロイダルシリカ粒子の水分散液を乾燥させて得られる粒子について、MONOSORBシスメックス株社製を用いてBET法で比表面積を測定し、この比表面積値から等価球換算粒径として算出した。<遊離アルカリ金属イオン濃度の測定>炭化珪素基板研磨用組成物をコロイダルシリカ粒子濃度が3質量になるように純水で希釈した後、分画分子量1万の遠心分離式限外ろ過器セントリカットU-10倉敷紡績株製に9g秤量し、遠心分離機SRX-201株トミー精工製で440G、30分間処理して回収したろ液を必要に応じて適宜希釈し、ICP発光分光分析装置SPS-7800エスアイアイナノテクノロジー株製を用いて測定した。実施例2水ガラス法で製造されたコロイダルシリカ粒子窒素吸着法により求めた平均一次粒子径:22nm、真比重:2.18が分散されたアルカリ性シリカゾルの代わりに、水ガラス法で製造されたコロイダルシリカ粒子窒素吸着法により求めた平均一次粒子径:35nm、真比重:2.19が分散されたアルカリ性シリカゾル9000gを用いた以外は実施例1と同様の操作を行った。なお、得られた炭化珪素基板研磨用組成物は、コロイダルシリカ粒子の濃度30質量、pH2.0、遊離アルカリ金属イオン濃度53ppmであった。実施例3水ガラス法で製造されたコロイダルシリカ粒子窒素吸着法により求めた平均一次粒子径:22nm、真比重:2.18が分散されたアルカリ性シリカゾルの代わりに、水ガラス法で製造されたコロイダルシリカ粒子窒素吸着法により求めた平均一次粒子径:45nm、真比重:2.21が分散されたアルカリ性シリカゾル9000gを用いた以外は実施例1と同様の操作を行った。なお、得られた炭化珪素基板研磨用組成物は、コロイダルシリカ粒子の濃度は30質量、pH2.4、遊離アルカリ金属イオン濃度17ppmであった。実施例4水ガラス法で製造されたコロイダルシリカ粒子窒素吸着法により求めた平均一次粒子径:85nm、真比重:2.19が分散されたアルカリ性シリカゾルを、強酸性水素型陽イオン交換樹脂アンバーライトIR-120Bオルガノ株社製で処理してアルカリ金属イオンを除去した。このアルカリ金属イオンを除去する操作を行って得た酸性シリカゾルコロイダルシリカ粒子濃度35質量6857gに、純水4802gおよび35質量の過酸化水素水340gを混合し、炭化珪素基板研磨用組成物12000gを調製した。得られた炭化珪素基板研磨用組成物は、コロイダルシリカ粒子の濃度20質量、pH1.9、遊離アルカリ金属イオン濃度81ppmであった。なお、コロイダルシリカ粒子の真比重及び平均一次粒子径や遊離アルカリ金属イオン濃度の測定方法は実施例1と同様である。実施例5水ガラス法で製造されたコロイダルシリカ粒子窒素吸着法により求めた平均一次粒子径:160nm、真比重:2.20が分散されたアルカリ性シリカゾルを、強酸性水素型陽イオン交換樹脂アンバーライトIR-120Bオルガノ株社製で処理してアルカリ金属イオンを除去した。このアルカリ金属イオンを除去する操作を行って得た酸性シリカゾルコロイダルシリカ粒子濃度40質量11660gに、35質量の過酸化水素水340gを混合し、炭化珪素基板研磨用組成物12000gを調製した。得られた炭化珪素基板研磨用組成物は、コロイダルシリカ粒子の濃度39質量、pH1.9、遊離アルカリ金属イオン濃度100ppmであった。なお、コロイダルシリカ粒子の真比重及び平均一次粒子径や遊離アルカリ金属イオン濃度の測定方法は実施例1と同様である。実施例6水ガラス法で製造されたコロイダルシリカ粒子窒素吸着法により求めた平均一次粒子径:160nm、真比重:2.20が分散されたアルカリ性シリカゾルの代わりに、水ガラス法で製造されたコロイダルシリカ粒子窒素吸着法により求めた平均一次粒子径:310nm、真比重:2.21が分散されたアルカリ性シリカゾルを用いた以外は、実施例5と同様の操作を行った。なお、得られた炭化珪素基板研磨用組成物は、コロイダルシリカ粒子の濃度39質量、pH3.2、遊離アルカリ金属イオン濃度14ppmであった。実施例7水ガラス法で製造されたコロイダルシリカ粒子窒素吸着法により求めた平均一次粒子径:85nm、真比重:2.20が分散されたアルカリ性シリカゾル5485gと、水ガラス法で製造されたコロイダルシリカ粒子窒素吸着法により求めた平均一次粒子径:22nm、真比重:2.18が分散されたアルカリ性シリカゾル1200gとを混合したアルカリ性シリカゾルを、強酸性水素型陽イオン交換樹脂アンバーライトIR-120Bオルガノ株社製で処理してアルカリ金属イオンを除去した。このアルカリ金属イオンを除去する操作を行って得た酸性シリカゾルコロイダルシリカ粒子濃度36質量に、純水4975gおよび35質量の過酸化水素水340gを混合し、炭化珪素基板研磨用組成物12000gを調製した。得られた炭化珪素基板研磨用組成物は、コロイダルシリカ粒子の濃度20質量、pH2.1、遊離アルカリ金属イオン濃度78ppm、真比重2.19であり、平均一次粒子径85nmのコロイダルシリカ粒子の平均一次粒子径22nmのコロイダルシリカ粒子に対する割合は、質量比で80/20であった。なお、コロイダルシリカ粒子の真比重及び平均一次粒子径や遊離アルカリ金属イオン濃度の測定方法は実施例1と同様である。実施例8水ガラス法で製造されたコロイダルシリカ粒子窒素吸着法により求めた平均一次粒子径:35nm、真比重:2.19が分散されたアルカリ性シリカゾル5400gと、水ガラス法で製造されたコロイダルシリカ粒子窒素吸着法により求めた平均一次粒子径:12nm、真比重:2.18が分散されたアルカリ性シリカゾル960gとを混合したアルカリ性シリカゾルを、強酸性水素型陽イオン交換樹脂アンバーライトIR-120Bオルガノ株社製で処理してアルカリ金属イオンを除去した。このアルカリ金属イオンを除去する操作を行って得た酸性シリカゾルコロイダルシリカ粒子濃度38質量に、純水5300gおよび35質量の過酸化水素水340gを混合し、炭化珪素基板研磨用組成物12000gを調製した。得られた炭化珪素基板研磨用組成物は、コロイダルシリカ粒子の濃度20質量、pH2.2、遊離アルカリ金属イオン濃度37ppm、真比重2.19であり、平均一次粒子径35nmのコロイダルシリカ粒子の平均一次粒子径12nmのコロイダルシリカ粒子に対する割合は、質量比で90/10であった。なお、コロイダルシリカ粒子の真比重及び平均一次粒子径や遊離アルカリ金属イオン濃度の測定方法は実施例1と同様である。比較例1水ガラス法で製造されたコロイダルシリカ粒子窒素吸着法により求めた平均一次粒子径:12nm、真比重:2.18が分散されたアルカリ性シリカゾルコロイダルシリカ粒子濃度40質量6000gに、純水5660gおよび35質量の過酸化水素水340gを混合し、炭化珪素基板研磨用組成物12000gを調製した。得られた炭化珪素基板研磨用組成物は、コロイダルシリカ粒子の濃度20質量、pH10.3、遊離アルカリ金属イオン濃度1700ppmであった。なお、コロイダルシリカ粒子の真比重及び平均一次粒子径や遊離アルカリ金属イオン濃度の測定方法は実施例1と同様である。比較例2水ガラス法で製造されたコロイダルシリカ粒子窒素吸着法により求めた平均一次粒子径:12nm、真比重:2.18が分散されたアルカリ性シリカゾルの代わりに、水ガラス法で製造されたコロイダルシリカ粒子窒素吸着法により求めた平均一次粒子径:35nm、真比重:2.18が分散されたアルカリ性シリカゾル6000gを用いた以外は比較例1と同様の操作を行った。得られた炭化珪素基板研磨用組成物は、コロイダルシリカ粒子の濃度20質量、pH9.5、遊離アルカリ金属イオン濃度450ppmであった。なお、コロイダルシリカ粒子の真比重及び平均一次粒子径や遊離アルカリ金属イオン濃度の測定方法は実施例1と同様である。比較例3水ガラス法で製造されたコロイダルシリカ粒子窒素吸着法により求めた平均一次粒子径:12nm、真比重:2.18が分散されたアルカリ性シリカゾルの代わりに、水ガラス法で製造されたコロイダルシリカ粒子窒素吸着法により求めた平均一次粒子径:85nm、真比重:2.19が分散されたアルカリ性シリカゾル6000gを用いた以外は比較例1と同様の操作を行った。得られた炭化珪素基板研磨用組成物は、コロイダルシリカ粒子の濃度20質量、pH9.5、遊離アルカリ金属イオン濃度320ppmであった。なお、コロイダルシリカ粒子の真比重及び平均一次粒子径や遊離アルカリ金属イオン濃度の測定方法は実施例1と同様である。比較例4水ガラス法で製造されたコロイダルシリカ粒子窒素吸着法により求めた平均一次粒子径:40nm、真比重:2.16が分散されたアルカリ性シリカゾルコロイダルシリカ粒子濃度40質量9000gに、純水2660gおよび35質量の過酸化水素水340gを混合し、炭化珪素基板研磨用組成物12000gを調製した。得られた炭化珪素基板研磨用組成物は、コロイダルシリカ粒子の濃度30質量、pH10.0、遊離アルカリ金属イオン濃度1000ppmであった。なお、コロイダルシリカ粒子の真比重及び平均一次粒子径や遊離アルカリ金属イオン濃度の測定方法は実施例1と同様である。比較例5メチルシリケート法で製造されたコロイダルシリカ粒子窒素吸着法により求めた平均一次粒子径:35nm、真比重:2.00が分散された中性シリカゾルコロイダルシリカ粒子濃度35質量10286gに、純水1250g、10質量の硫酸124gおよび35質量の過酸化水素水340gを混合し、炭化珪素基板研磨用組成物12000gを調製した。得られた炭化珪素基板研磨用組成物は、コロイダルシリカ粒子の濃度30質量、pH2.1、遊離アルカリ金属イオン濃度1ppm未満であった。なお、コロイダルシリカ粒子の真比重及び平均一次粒子径や遊離アルカリ金属イオン濃度の測定方法は実施例1と同様である。試験例実施例1~8及び比較例1~5で得られた炭化珪素基板研磨用組成物をそれぞれ用いて、以下の研磨条件にて炭化珪素基板を研磨した。研磨前及び研磨後の炭化珪素基板の表面を原子間力顕微鏡AFM:Dimension3100VeecoInstruments製で観察し、炭化珪素基板表面に形成されているマイクロパイプ部分の深さを3箇所測定し、その平均値をRmaxとして求めた。結果を表1に示す。また、研磨後、炭化珪素基板を純水で洗浄した後に乾燥し、重量減少から研磨速度を求めた。結果を表1に示す。<研磨条件>研磨対象物:直径2インチ、Off角4°のn型4H-SiC単結晶基板0001Si面研磨試験機:ラップマスターLM18S研磨機ラップマスターSFT株製研磨パッド:18インチΦSuba600ニッタハース株製炭化珪素基板研磨用組成物の供給速度:20ml/分1pass定盤回転数:60rpmヘッド回転数:60rpm加工圧力:300g/cm2研磨時間:8時間この結果、遊離アルカリ金属イオン濃度が150ppm以下である実施例1~8では、マイクロパイプ部分のRmaxの値は研磨前後で変わらず、マイクロパイプの孔は広がらなかった。一方、遊離アルカリ金属イオン濃度が高い比較例1~4では、研磨後にマイクロパイプ部分のRmaxの値が大きくなり、マイクロパイプの孔が広がっていた。即ちマイクロパイプ近辺では、研磨前よりも炭化珪素基板の表面が粗くなっていた。また、本発明の炭化珪素基板研磨用組成物は、ダイヤモンドでの研磨等で形成された凹凸を除去することができるものであった。比較例5では、マイクロパイプ部分のRmaxの値は研磨前後で変わらず、マイクロパイプの孔は広がらなかったが、研磨速度が低く、ダイヤモンドでの研磨等で形成された凹凸を除去することができなかった。