スピントロニクス素子に適用されるスピントランスファー発振器STO構造であって、基体上に形成された下部タンタルTa層と、前記下部タンタル層と接するように形成された、fcc[111]またはhcp[001]結晶配向構造を有する金属層M1とを少なくとも含む複合シード層と、高垂直磁気異方性PMAを示す磁性層A1/磁性層A2xなる積層構造但し、x=5~50;A1の厚さt1<A2の厚さt2を含み、前記複合シード層の上面に接して形成されたスピン注入層SILと、前記スピン注入層の上に形成された非磁性スペーサ層と、前記非磁性スペーサ層の上に形成された高飽和磁束密度層高Bs層を含む磁界発生層FGLと、前記磁界発生層の上面に接するように形成されたキャップ層とを備えたSTO構造。前記磁性層A1は、Co、CoFeまたはCoFeR但し、Rは、Ru、Rh、Pd、Ti、Zr、Hf、Ni、Cr、Mg、MnまたはCuからなり、前記磁性層A2は、Ni、NiFeまたはNiCo但し、NiFeおよびNiCoにおけるNi含有量は50原子ないし100原子からなる請求項1に記載のSTO構造。前記磁界発生層は、FeCo、または、Al、Ge、Si、Ga、B、C、SeおよびSnのうちから選択される少なくとも1種の原子を含むFeCo合金を含む請求項2に記載のSTO構造。前記複合シード層において、前記下部タンタル層は0.5nmないし10nmの厚さを有し、前記金属層M1は1nmないし10nmの厚さを有する請求項1に記載のSTO構造。前記複合シード層において、前記金属層M1はRu、Cu、AuまたはNiCrからなり、前記複合シード層はTa/M1なる構成を有する請求項1に記載のSTO構造。前記複合シード層は、前記金属層M1とは異なる金属層M2但し、M2は、Cu、Ti、Pd、W、Rh、AuまたはAgを前記金属層M1の上にさらに含むことにより、Ta/M1/M2なる構造を有し、前記下部タンタル層の厚さは0.5nmないし10nmであり、前記金属層M1の厚さは1nmないし10nmであり、前記金属層M2の厚さは0.1nmないし10nmである請求項1に記載のSTO構造。前記磁性層A1の厚さt1は0.05nmないし0.5nmであり、前記磁性層A2の厚さt2は0.2nmないし1nmである請求項1に記載のSTO構造。前記磁界発生層は、高Bs層である前記FeCo層に加えて、さらに、前記非磁性スペーサ層の上面に接するように形成された高PMAのA1/A2Y積層体但し、Y=5~30;A1/A2は、Co/NiFe、Co/NiCo、CoFe/NiFe、CoFe/NiCo、CoFeR/Ni、CoFeR/NiFeまたはCoFeR/NiCo;Rは、Ru、Rh、Pd、Ti、Zr、Hf、Ni、Cr、Mg、MnまたはCuを含むことにより、A1/A2Y/FeCoなる複合FGL構造を有し、前記高Bs層であるFeCo層が前記高PMAのA1/A2Y積層体と交換結合することにより、前記高Bs層の内部に部分的なPMAが生成されている請求項3に記載のSTO構造。非磁性スペーサ層はCPP-GMR構造を与えるCuからなり、またはCPP-TMR構造を与えるAlOX、MgO、TiOX、TiAlOX、MgZnOXもしくはZnOXからなる請求項1に記載のSTO構造。前記スピン注入層は、前記非磁性スペーサ層の下面に接するFeCo層をさらに含むことにより、A1/A2x/FeCoなる複合SIL構造を有し、前記FeCo層が前記A1/A2x積層構造と交換結合することにより、より強固なSIL構造が形成されている請求項8に記載のSTO構造。前記基体が記録ヘッドにおける主磁極であり、前記キャップ層の上面が前記記録ヘッドのトレーリングシールドに接している請求項1に記載のSTO構造。スピントロニクス素子に適用されるスピントランスファー発振器STO構造であって、基体上に形成された下部タンタルTa層と、前記下部タンタル層と接するように形成された、fcc[111]またはhcp[001]結晶配向構造を有する金属層M1とを少なくとも含む複合シード層と、前記複合シード層の上に形成された高飽和磁束密度層高Bs層を含む磁界発生層FGLと、前記磁界発生層の上に形成された非磁性スペーサ層と、高垂直磁気異方性PMAを示す磁性層A1/磁性層A2xなる積層構造但し、x=5~50;A1の厚さt1<A2の厚さt2を含み、前記非磁性スペーサ層の上面に接して形成されたスピン注入層SILと、前記スピン注入層の上面に接するように形成されたキャップ層とを備えたSTO構造。前記磁性層A1は、Co、CoFeまたはCoFeR但し、Rは、Ru、Rh、Pd、Ti、Zr、Hf、Ni、Cr、Mg、MnまたはCuからなり、前記磁性層A2は、Ni、NiFeまたはNiCo但し、NiFeおよびNiCoにおけるNi含有量は50原子ないし100原子からなる請求項12に記載のSTO構造。前記磁界発生層は、FeCo、または、Al、Ge、Si、Ga、B、C、SeおよびSnのうちから選択される少なくとも1種の原子を含むFeCo合金を含む請求項13に記載のSTO構造。前記複合シード層において、前記下部タンタル層は0.5nmないし10nmの厚さを有し、前記金属層M1は1nmないし10nmの厚さを有する請求項12に記載のSTO構造。前記複合シード層において、前記金属層M1はRu、Cu、AuまたはNiCrからなり、前記複合シード層はTa/M1なる構成を有する請求項12に記載のSTO構造。前記複合シード層は、前記金属層M1とは異なる金属層M2但し、M2は、Cu、Ti、Pd、W、Rh、AuまたはAgを前記金属層M1の上にさらに含むことにより、Ta/M1/M2なる構造を有し、前記下部タンタル層の厚さは0.5nmないし10nmであり、前記金属層M1の厚さは1nmないし10nmであり、前記金属層M2の厚さは0.1nmないし10nmである請求項12に記載のSTO構造。前記磁性層A1の厚さt1は0.05nmないし0.5nmであり、前記磁性層A2の厚さt2は0.2nmないし1nmである請求項12に記載のSTO構造。前記磁界発生層は、高Bs層である前記FeCo層に加えて、さらに、前記複合シード層の上面に接するように形成された高PMAのA1/A2Y積層体但し、Y=5~30;A1/A2は、Co/NiFe、Co/NiCo、CoFe/NiFe、CoFe/NiCo、CoFeR/Ni、CoFeR/NiFeまたはCoFeR/NiCo;Rは、Ru、Rh、Pd、Ti、Zr、Hf、Ni、Cr、Mg、MnまたはCuを含むことにより、A1/A2Y/FeCoなる複合FGL構造を有し、前記高Bs層であるFeCo層が前記高PMAのA1/A2Y積層体と交換結合することにより、前記高Bs層の内部に部分的なPMAが生成されている請求項14に記載のSTO構造。非磁性スペーサ層はCPP-GMR構造を与えるCuからなり、またはCPP-TMR構造を与えるAlOX、MgO、TiOX、TiAlOX、MgZnOXもしくはZnOXからなる請求項12に記載のSTO構造。前記スピン注入層は、前記キャップ層の下面に接するFeCo層をさらに含むことにより、A1/A2x/FeCoなる複合SIL構造を有し、前記FeCo層が前記A1/A2x積層構造と交換結合することにより、より強固なSIL構造が形成されている請求項19に記載のSTO構造。前記基体が記録ヘッドにおける主磁極であり、前記キャップ層の上面が前記記録ヘッドのトレーリングシールドに接している請求項12に記載のSTO構造。スピントロニクス素子に適用されるスピントランスファー発振器STO構造の製造方法であって、基体上に、下部タンタルTa層と、前記下部タンタル層と接するfcc[111]またはhcp[001]結晶配向を有する金属層M1とを少なくとも含む、fcc[111]結晶格子を有する複合シード層を形成する工程と、前記複合シード層の上に、所定の積層構造体を形成する工程とを含み、前記所定の積層構造体が、Co/Nix、Co/NiFex、Co/NiCox、CoFe/NiFex、CoFe/NiCox、CoFeR/Nix、CoFeR/NiFex、またはCoFeR/NiCoxなる積層構造但し、x=5~50であり、Rは、Ru、Rh、Pd、Ti、Zr、Hf、Ni、Cr、Mg、MnまたはCuであり、Ni、NiFeまたはNiCoの厚さt2はCo、CoFeまたはCoFeRの厚さt1よりも大きいを有する積層スピン注入層SILと、高飽和磁束密度層高Bs層を含む磁界発生層FGLと、前記積層スピン注入層と前記磁界発生層との間に形成された非磁性スペーサ層と、最上層としてのキャップ層とを有するSTO構造の製造方法。さらに、150°Cないし300°Cの温度の下で0.5時間ないし5時間にわたって前記STO構造をアニールする工程を含む請求項23に記載のSTO構造の製造方法。前記磁界発生層は、FeCo層またはFeCo合金層を含むと共に、高PMAのA1/A2Y積層体但し、Y=5~30を含む構造を有し、前記A1/A2Y積層体を前記FeCo層またはFeCo合金層と交換結合させることにより、前記高Bs層の内部に部分的なPMAを生成する請求項23に記載のSTO構造の製造方法。前記積層スピン注入層と、前記磁界発生層における前記A1/A2Y積層体とを、DCマグネトロンスパッタリングにより成膜する請求項25に記載のSTO構造の製造方法。前記金属層M1は、Ru、Cu、AuまたはNiCrを含む請求項23に記載のSTO構造の製造方法。前記金属層M1とは異なる金属層M2但し、M2は、Cu、Ti、Pd、W、Rh、AuまたはAgを前記金属層M1の上にさらに形成することにより、前記複合シード層がTa/M1/M2なる構造を有するようにし、前記下部タンタル層の厚さを0.5nmないし10nmとし、前記金属層M1の厚さを1nmないし10nmとし、前記金属層M2の厚さを0.1nmないし10nmとする請求項23に記載のSTO構造の製造方法。前記磁性層A1の厚さt1を0.05nmないし0.5nmとし、前記磁性層A2の厚さt2を0.2nmないし1nmとする請求項23に記載のSTO構造の製造方法。しかしながら、上記した各文献におけるシード層は、スピントロニクス素子におけるPMAを示すCo/Ni多層構造に適用するのに実用的なものではない。通常、先進的な素子においては、性能を最適化するために、スピンバルブ層面と直交する方向に空間的な制限が課される。シード層が約10nmよりも厚い場合には、スピンバルブ内の他の層を薄くして全体を一定の最小限の厚さに保たなければならないが、この場合には、スピンバルブの性能が低下しやすくなる。したがって、薄いシード層によってその上側の層におけるPMAの確立を促し、高いPMAを示す材料を用いて高い磁気モーメントの磁性層高Bs層の内部に部分的なPMAを誘導することにより高磁気モーメントの磁性層内におけるFGL発振を容易化し、これにより、MAMRの性能向上に必要なより大きな発振磁界Hacを生成することができるシステムの設計が強く望まれている。本発明はかかる課題を解決するためになされたもので、その第1の目的は、MAMR素子におけるスピン注入層SILの強固さrobustnessを向上させ得るSTO構造およびその製造方法を得ることにある。本発明の第2の目的は、MAMR素子において、FGL発振を容易化することによって、より大きな発振磁界Hacを生成することを可能とするSTO構造およびその製造方法を得ることにある。これらの目的は、本発明の第1の観点によるボトムSIL型のSTO構造により達成される。このSTO構造は、複合シード層と、[CoFet1/Nit2]Xという多層構造のリファレンス層であるSIL層x=約5~50、Fe含有量は0~90原子と、非磁性スペーサと、FeCoを含むFLGと、キャップ層とを、この順に基板上に形成してなるものである。シード層は、Ta/M1/M2、またはTa/M1という構成を有することが望ましい。ここで、M1は、NiCr等の金属、またはRu等のfcc[111]もしくはhcp六方最密充填[001]結晶方位を有する金属であり、M2は、Cu、Ti、Pd、W、Rh、Au、またはAgである。M2としてPd、AuまたはAgを用いる場合には、費用削減およびスピン偏極効果の最小化のうちの少なくとも一方を図るべく、M2層の厚さを最小限の厚さとすることが好ましい。複合シード層のTa層およびM1層は、その上方に形成される層の[111]結晶配向を増強するために重要である。SIL内の各CoFe層は、0.05nm~0.5nm程度の厚さt1を有し、各Ni層は、0.2nm~1nm程度の厚さt2を有する。スペーサは、CPP-GMR構造においてはCuが用いられ、CPP-TMR構造においては絶縁層が用いられる。その絶縁層としては、AlOX、MgO、TiOX、TiAlOX、MgZnOXおよびZnOXのうちのいずれか、または他の金属酸化物、または窒化物が用いられる。キャップ層は、例えば、Ru/Ta/Ruという構造を有する。他の態様として、ボトムSIL型のSTO構造におけるFGLは、FeCo層と交換結合する[CoFet1/Nit2]Yなる積層体をさらに含み、[CoFet1/Nit2]Y/FeCoなる構成を有するものであってもよいy=5~30。さらに、シード/SIL/スペーサ/FGL/キャップ層という構造のうち、CoFe/Niという積層部分について、その一方または双方を変更して、[Cot1/NiFet2]、[Cot1/NiCot2]、[CoFet1/NiFet2]、[CoFet1/NiCot2]、[CoFeRt1/NiFet2]、または[CoFeRt1/NiCot2]なる積層体によって置き換えてもよい。ここで、Rは、Ru、Rh、Pd、Ti、Zr、Hf、Ni、Cr、Mg、Mn、またはCuのうちの1つである。あるいは、FeCoからなるFGL層Fe含有量は50原子以上は、CoFe合金Fe含有量は50原子未満によって置き換えてもよい。本発明の第2の観点は、トップSIL型のSTO構造に関する。このSTO構造は、複合シード層と、FeCoを含むFGLと、非磁性スペーサと、[CoFet1/Nit2]Xという積層構造のSILと、キャップ層とを、この順に基板上に形成してなるものである。上記の各層は、ボトムSIL型のSTO構造の場合と同じ組成を有する。このSTO構造において、FGLは、[CoFet1/Nit2]Yという積層体をさらに含み、[CoFet1/Nit2]Y/FeCoなる構成を有するものであってもよい。さらに、FeCo層Fe含有量は50原子以上は、CoFe合金Fe含有量は50原子未満によって置き換えてもよい。他の態様として、トップSIL型のSTO構造は、シード/SIL/FeCo/スペーサ/FGL/FeCo/キャップ層という構造におけるSILおよびFGLの構成を変更し、シード層/{[CoFet1/Nit2]X/FeCo}/スペーサ/{[CoFet1/Nit2]Y/FeCo}/キャップ層という構造にしてもよい。この構造によって、高いPMAを有する多層積層体[CoFet1/Nit2]Xと、FeCo等の高モーメント材料のFeCo層との交換結合を最大限に活用することができる。なぜなら、SILの強固さを向上させると同時に、FGLがより容易に発振可能となるからである。SILにおいて高PMA多層積層体と交換結合するFeCo層の厚さは高PMA多層積層体の厚さよりも薄く、FGLにおいて高PMA多層積層体と交換結合するFeCo層の厚さは10nm~30nm程度であることが望ましい。さらに他の態様として、前述したCPP-GMR構成におけるCuスペーサは、Cuスペーサの上部と下部との間に電流路狭窄CCP:confiningcurrentpathナノ酸化物層NOL:nanooxidelayerを挿入するように変形してもよい。例えば、薄い金属経路を有するAlOX等のアモルファス酸化物を2つの銅スペーサの間に形成し、Cu/AlOX/Cuという構造を形成してもよい。このようなCCP-CPP方式では、電流路であるCu金属経路が絶縁体テンプレートを介して制限されるため、スピンバルブにおけるMR比を大幅に増強することができる。すべての実施の形態において、基板を主磁極層とし、キャップ層の上に書込シールドを形成するようにしてもよい。スピンバルブ積層構造は、0.5時間~5時間にわたって150°C~300°Cでアニールするのが好ましい。CoFe/NiXという積層構造におけるFeCo層およびNi層は、非常に低いRFパワーと高い不活性ガス圧力を採用して衝突イオンエネルギーを最小化することにより、新たに形成される層の形成が、その直前に形成されたCoFe層またはNi層に損傷を与えないようにすることが望ましい。これにより、隣接するCoFe層とNi層との間の界面が保たれ、PMA特性が最大化される。さらに、この方法によれば、非常に薄いシード層を用いながらも、CoFe/NiXおよびCoFe/NiYという積層体のPMAを保持することが可能となる。なお、本出願は、2009年6月19日に出願した整理番号HT08-045米国出願番号12/456621、および2009年10月26日に出願した整理番号HT09-015/050米国出願番号12/589614に関連するものである。これらの出願は、本出願人と同じ出願人によるものであり、それらの全体が本明細書にリファレンスとして組み込まれるべきものである。本発明のSTO構造およびその製造方法によれば、Ta層と、fcc[111]またはhcp[001]結晶配向構造を有する金属層M1とを含む複合シード層の上に、高い垂直磁気異方性PMAを示す磁性層A1/磁性層A2xなる多層構造を含むスピン注入層を形成するようにしたので、薄いシード層を有するSTO構造であっても、スピン注入層の強固さを向上させることができる。特に、高いPMAを呈する磁性層A1/磁性層A2xなる多層構造と高Bs層との磁気交換結合を含む複合SILを用いるようにすれば、スピン注入層をより強固なものとすることができる。特に、高いPMAを呈する磁性層A1/磁性層A2Yなる多層構造と高Bs層との磁気交換結合を含む複合FGLを用いるようにすれば、この交換結合を通して部分的なPMAを高Bs層内部に確立する高Bs層の異方性を膜面垂直方向に部分的に傾斜させることができ、低電流密度下において容易なFGL発振が可能になる結果、より大きい発振磁界が得られる。また、本発明におけるSTO構造の製造方法では、多層構造磁性層A1/磁性層A2xまたは磁性層A1/磁性層A2Yの形成工程において、磁性層A1および磁性層A2をそれぞれ形成する際に磁性層A1と磁性層A2との界面が良好に保存されてそこでのPMAが保たれるようにすれば、高いPMAを呈する多層構造磁性層A1/磁性層A2xまたは磁性層A1/磁性層A2Yを容易に得ることができる。以下に述べる実施の形態は、MAMR素子、STT‐MRAM素子、およびその他のスピントロニクス素子におけるスピントランスファー発振器STOの性能向上のためのCPPスピンバルブ構造に関するものであり、リファレンス層としてCoFe/NiXなる積層SILを含む。この積層SILは、下部Ta層と、fcc[111]またはhcp[001]結晶方位を備えた上側の金属層とを含む薄い複合シード層を用いて十分に確立された垂直磁気異方性を有する。フリー層、すなわちFGLは、FeCo、またはCoFe/NiY/FeCoという構造を有し、より容易なFGL発振が可能である。以下の実施の形態はまた、CoFe/Ni界面をよく保存できると共に薄いシード層を用いるだけで所望のfcc111配向の形成を可能とするような、CoFe/NiXまたはCoFe/NiYなる積層構造の形成方法も含む。なお、MAMR素子のFGL構成要素について説明する場合、磁界と磁束という用語は相互に置き換え可能なものとして使用する。関連する米国特許出願12/456621において、我々は、MRAM用途における、PMAを有するCo/Niの多層構造の利点について開示した。このCo/NiXなる積層構造の磁気異方性は、Co原子およびNi原子の3d電子および4s電子のスピン軌道相互作用によって生じる。そのような相互作用は、[111]配向の結晶軸を基準とした異方性を有する軌道モーメントを生じさせ、また、軌道モーメントとともにスピンモーメントの配列を生じさせる。Fe原子、Co原子、およびNi原子は、非常に似通った外殻電子配置を有する。すなわち、Feは[Ar]3d64s2という電子配置を有するが、これはCoの[Ar]3d74s2という電子配置と電子が1つ異なるだけである。また、Coの[Ar]3d74s2という電子配置は、Niの[Ar]3d84s2という電子配置よりも電子が1つ少ないだけである。したがって、基本的に、厚さとプロセスを最適化すれば、CoFe/Niなる積層構造がPMAを示すように振る舞う可能性がある。事実、我々は、関連する米国特許出願12/589614において、スピントロニクス素子のフリー層またはリファレンス層として、高いPMAを示すCoFe/Niなる積層構造を形成することの利点を述べた。図2~図6は、[CoFeZ]/Niなる積層zは0~70原子のMH曲線を表すものであり、特に、膜内の垂直成分PMA成分の大きさHcを示している。なお、各グラフの下側半分にある曲線における垂直部分間のx軸方向距離が、Hcに対応する大きさを示している。MH曲線は、試料振動型磁力計VSM:vibratingsamplemagnometerを用いて測定した。各図において、上側のグラフは各磁界の膜面内成分を示し、下側のグラフは垂直磁気異方性PMA:perpendicularmagneticanisotropy成分を示す。本実施の形態で開示するスピンバルブ構造においては、CoFe/Niまたはこれと同様の積層構造がFeCo等の高磁気モーメント材料と交換結合して、より強固なスピン注入層が形成され、その結果、MAMR素子や関連するスピントロニクス素子の磁界生成層において、より容易な発振が可能となる。この新しい構造は、CoFe/NiXという多層構造の積層数xが約5~50程度の十分大きな数に達すると、十分な数のCoFe価電子およびNi価電子が生じ、スピン軌道相互作用により、スピントロニクス用途に適した高いPMAを生成することができる、という我々の知見に基づいている。例えば、高PMA層は、隣接するFeCo等の磁性層と交換結合し、FeCo層に一定量のPMA特性を生じさせることが可能である。ある態様においては、Ta/M1によって表わされる複合シード層M1は、Ru、CuもしくはAu、またはNiCr合金等のfcc[111]もしくはhcp[001]結晶方位を有する上側の金属層は、その上方にあるスピンバルブ構造の[111]構造を強固なものにし、これにより、積層されたSILおよび磁界生成層のPMAが最適化されるというさらなる利点をもたらす。図7aは、一つの実施の形態に係るMAMR素子におけるボトムSIL型のSTO構造の断面を表すものである。基板20は、例えば、CoFe、NiFe、またはCoFeNiからなる主磁極層である。基板20の上には、層21~25を含むスピンバルブ積層構造以下、スピントランスファー発振器STO:spintransferoscillator60と称する。が形成されている。基板20の上には、Ta/Ru/Cuなる構成を有するfcc[111]格子構造の複合シード層21が形成されている。下部Ta層は、0.5nm~10nm程度の厚さを有し、基板20と接触する。中間Ru層は、約1nm~10nm程度の厚さを有し、下部Ta層の上に形成される。上部Cu層は、0.1nm~10nm程度の厚さを有し、中間Ru層の上に形成される。他の態様においては、上部Cu層を取り除き、Ta/M1M1はRu、CuもしくはAu、またはNiCr合金という2層構成の複合シード層21を用いてもよい。Ta/Ruの複合シード層21の場合、下部Ta層の厚さは0.5nm~10nm程度であり、上部Ru層の厚さは1nm~10nm程度である。必要に応じて、Ruは、fcc[111]またはhcp[001]格子構造を有する金属層M1によって置き換えてもよく、例えば、複合シード層21は、Ta/Cu、Ta/AuまたはTa/NiCrという構成を有してもよい。これらの構成において、Ta層の厚さは0.5nm~5nm程度であり、Cuの厚さは2nm~5nm程度であり、NiCrの厚さは4nm~10nm程度である。もう1つの実施の形態においては、3層構成の複合シード層21の場合、上部Cu層をTi、Pd、W、Rh、AuまたはAg等の金属M2M1とは異なる金属によって置き換えてTa/M1/M2なる構造にしてもよい。M2の厚さは、0.1nm~10nm程度とする。但し、複合シード層21の成膜に当たっては、下部Ta層の上にfcc[111]またはhcp[001]結晶方位を有する少なくとも1つの金属層を成膜することにより、下部Ta層の上方にある他のスピンバルブ構成層の[111]結晶構造を強固なものとし、それによって、その上方にあるCoFe/Nixなる多層構造を有するSIL22のPMAの程度を増加させることが重要である。もう1つの実施の形態においては、複合シード層は、NiCrと、TaおよびRuのうちの少なくとも一方とを用いて構成してもよい。複合シード層21の上には、A1/A2Xという多層構造を有する、リファレンス層としてのSIL22が形成されている。ここで、xは、磁気膜厚Mstの条件から、5~50である。このA1/A2Xという多層構造に含まれる複数の磁性層A1はそれぞれ、厚さが0.05nm~0.5nm程度であり、0.15nm~0.3nm程度が望ましい。A1/A2Xという多層構造に含まれる複数の磁性層A2はそれぞれ、厚さが0.2nm~1nm程度であり、0.35nm~0.8nm程度が望ましい。磁性層A2の厚さt2は、磁性層A1の厚さt1よりも大きいことが望ましく、隣り合う磁性層A1と磁性層A2との間のスピン軌道相互作用を最適化するために、t2をt1の2倍程度とすることがさらに望ましい。なお、後述するように、磁性層A1および磁性層A2は、A1/A2界面が保存されるような方法によって成膜する。ある態様において、t1が0.2nm以下の場合には、磁性層A1は最密層であると考えられ、必ずしも111結晶方位を有さない。ある実施の形態において、磁性層A1はCoFeからなり、磁性層A2はNiからなる。この場合、CoFe/NiX積層構造内の各CoFe層は、[CoFeZ]なる構成を有する但し、zは0~90原子。他の実施の形態においては、SIL22のCoFe/NiXなる積層構造は、[Cot1/NiFet2]X、[Cot1/NiCot2]X、[CoFet1/NiFet2]X、または[CoFet1/NiCot2]Xのうちの1つによって置き換えてもよい。なお、NiFe層およびNiCo層を用いる場合、そのNi含有量は50原子~100原子である。また、磁性層A1として厚さt1のCoFeR層を用い、SIL22を、[CoFeRt1/Nit2]X、[CoFeRt1/NiFet2]X、または[CoFeRt1/NiCot2]Xという構成にしてもよい。ここで、Rは、Ru、Rh、Pd、Ti、Zr、Hf、Ni、Cr、Mg、Mn、またはCu等の金属であり、CoFeR合金におけるR含有量は10原子未満であることが望ましい。上記列挙例は、SIL22におけるA1/A2の組み合わせ例の一部を示すものに過ぎず、より一般化すると、磁性層A1は、Co、CoFeまたはCoFeRRは、Ru、Rh、Pd、Ti、Zr、Hf、Ni、Cr、Mg、MnまたはCuから選択され、磁性層A2は、Ni、NiFeまたはNiCoNiFeおよびNiCoにおけるNi含有量は50原子ないし100原子から選択される。SIL22の上には、非磁性スペーサ23が形成されている。この非磁性スペーサ23は、CPP-GMRの構成においてはCuにより構成され、CPP-TMRの構成においては、AlOX、MgO、TiOX、TiAlOX、MgZnOX、ZnOX、もしくはその他の金属酸化物等の誘電体、または、一般に絶縁層として用いられる金属窒化物によって構成される。CPP-TMRの構成では、他の金属酸化物よりも高いMR比を得ることができるMgOが非磁性スペーサとして特に好ましい。CPP-TMRの構成の場合、金属酸化物は、次のような工程によって好適に形成される。まず、スパッタ成膜法によって金属を堆積したのち、ラジカル酸化ROX:radicaloxidation処理または自然酸化NOX:naturaloxidation処理を施し、この処理により形成された酸化金属層の上に第2の金属層を形成する。これにより、非磁性スペーサのプロセスが完了する。CPP-GMRの構成の場合には、金属スペーサが用いられるが、通常はCuが選択される。Cuスペーサは、再生または記録の際に、電流をSTO構造の層21~25に対して膜面垂直方向にCPP:currentperpendiculartoplane流すことができる優れた伝導性を有するからである。Cuスペーサ23は、SIL22とFGL24との結合を防ぐために十分な厚さを有することが好ましく、例えば1.5nm~15nm程度、より好ましくは2nm~6nm程度の厚さを有することが望ましい。非磁性スペーサ23の上には、FGL24が形成されている。このFGL24は、スピントロニクス素子において、スピントランスファー磁化スイッチングを可能とするために、高いスピン偏極と、小さい磁気減衰係数とを有することが望ましい。FGL24は、FeCo、またはAl、Ge、Si、Ga、B、C、SeおよびSnのうちから選択される少なくとも1つの原子を含むFeCo合金からなり、容易軸方向に沿って配向される大きな磁気モーメント高飽和磁束密度Bsを有する磁性強磁性層である。ここで、容易軸方向とは、十分な大きさのスピントルクが印加されたときに磁化が逆方向に切り替わるような軸の方向である。好適な実施の形態において、FGL24としては、Fe含有量が50原子以上であり、厚さが5nm~30nmのFeCo層が採用されるが、Fe含有量が50原子未満であるCoFe層であってもよい。一実施の形態によると、STO60の最上部層は、記録シールド26と接触する複合キャップ層25である。ある態様において、キャップ層25は、Ru/Ta/Ruなる構成を有する。これらのうち、上部Ru層は耐酸化性をもたせるために用いられ、優れた電気的接点として作用する。キャップ層として薄いRu層を用いると、Ruの強いスピン散乱効果のために、臨界電流密度Jcが大幅に減少する。臨界電流密度Jcは、90nm技術ノード以上におけるスピントランスファー磁化スイッチングを実現すべく、約106A/cm2とすることが望ましい。値が高すぎると、CPP-TMRにおいて用いられるAlOXまたはMgO等の薄いトンネルバリアが破壊される可能性がある。複合キャップ層25は、後に続く処理工程においてエッチング耐性を備えるために、Ta層を含む。必要に応じて、従来用いられているキャップ層をキャップ層25として用いてもよい。望ましいMAMR素子を得るためには、FGLによって大きな交流磁界Hacを生成しなければならない。このことは、FGL材料において高い飽和磁束密度Bsが必要であることを意味する。飽和磁界が大きくなれば、Hacも大きくなるからである。しかしながら、飽和磁界が増加しすぎると、臨界電流密度が大きくなりすぎ、信頼性に深刻な懸念が生じる。前述の参照文献におけるSlonczewskiのモデルによると、FGLがいったんPMAまたは部分的PMAを得ると、スピントランスファーのための臨界電流密度が大幅に小さくなる。そこで我々は、後述のように、例えばCoFe/NiのようなPMAを示す積層構造を採用し、これとの交換結合によって、例えばFeCoのような高BsのFGLに部分的PMAを誘導するようにした。理論的には、高いPMAと高いBsとを有する材料からなる積層構造を有する複合FGLは、高いモーメントと部分的PMAとを生じさせ、これにより、FGL発振を強くアシストして交流磁界Hacを増加させることができる。図8aは、図7aに示したボトムSIL型のSTO構造の変形例を表すもので、高Bs層であるFeCoを含む磁界生成層24に所定の多層積層体を追加することにより、A1/A2Y/FeCoなる構成を有するFGL28としたものである。そのような構造のFGL28として、例えば、[CoFet1/Nit2]Y/FeCoy=5~30が挙げられる。この場合、磁性層A1は、厚さがt1のCoFe層であり、磁性層A2は厚さがt2のNi層である。その結果、本変形例におけるSTO構造の全体構成は、シード/{A1/A2xなる構造の複合SIL}/スペーサ/{[A1/A2Y/FeCo]なる構造の複合FGL}/キャップ層という形になる。ここで、A1/A2XおよびA1/A2Yの一方または双方におけるA1/A2の部分を、以下に列挙する積層構造のうちの1つによって置き換えてもよい。[Cot1/NiFet2][Cot1/NiCot2][CoFet1/NiFet2][CoFet1/NiCot2][CoFeRt1/Nit2][CoFeRt1/NiFet2][CoFeRt1/NiCot2]また、複合FGL内の5nm~30nm程度の厚さを有する高Bs層であるFeCo層を、Al、Ge、Si、Ga、B、C、Se、およびSnより選択された少なくとも1つの原子を含有するFeCo合金またはCoFe合金によって置き換えてもよい。なお、FeCo合金という表記はFe含有量が50原子以上であることを示し、CoFe合金という表記はFe含有量が50原子未満であることを示す。図7bは、トップSIL型のSTO構造の一実施の形態を表すものである。これは、図7aの場合と同様の層からなるSIL22の位置とFGL24の位置とを入れ替えたものである。その結果、基板20の上に形成されるSTO60は、シード層/FGL/非磁性スペーサ/SIL/キャップ層という構造になる。シード層21は基板20と接し、キャップ層25は最上層である。CPP-GMR構造の場合、STO60は、例えば、Ta/Ru/Cu/FeCo/Cu/[CoFet1/Nit2]Y/Ru/Ta/Ruという構成を有する。ここで、Ta/Ru/Cuなるシード層、FeCoからなるFGL、CoFe/NiYなる複合SIL、およびキャップ層は、ボトムSIL型のSTO構造図7aの実施の形態において説明した、他の適切な材料によって置き換えてもよい。さらに、Cuスペーサに代えて、AlOX、MgO、TiOX、TiAlOX、MgZnOXもしくはZnOX等の他の金属酸化物または金属窒化物からなる誘電層を用いることにより、CPP-TMR構造を形成するようにしてもよい。基板20は下部電極として機能し、書込シールド26は、キャップ層25の上に形成されてスピントロニクス素子の上部電極として機能するように構成可能である。図8bは、図7bに示したトップSIL型のSTO構造の変形例を表すもので、高Bs層であるFeCoを含む磁界生成層24に所定の多層積層体を追加することにより、A1/A2Y、またはA1/A2Y/FeCoなる構成を有するFGL28としたものである。そのような構造のFGL28として、例えば、[CoFet1/Nit2]Y/FeCoy=5~30が挙げられる。その結果、本変形例におけるSTO構造の全体構成は、シード/{[A1/A2Y/FeCo]なる構造の複合FGL}/スペーサ/{A1/A2xなる構造の複合SIL}/キャップ層という形になる。ここで、A1/A2XおよびA1/A2Yの一方または双方におけるA1/A2の部分を、以下に列挙する積層構造のうちの1つによって置き換えてもよい。[Cot1/NiFet2][Cot1/NiCot2][CoFet1/NiFet2][CoFet1/NiCot2][CoFeRt1/Nit2][CoFeRt1/NiFet2][CoFeRt1/NiCot2]また、複合FGL内の高Bs層であるFeCo層は、Al、Ge、Si、Ga、B、C、Se、およびSnより選択された少なくとも1つの原子を含有するFeCo合金またはCoFe合金によって置き換えてもよい。さらに別の実施の形態として、SIL22およびFGL28のそれぞれを、高Bs層であるFeCo層またはその合金層と、高Bs層と交換結合するCoFe/Niの多層積層体とからなる複合構造体によって構成し、FeCo層またはその合金層に部分的PMAが生成されるようにしてもよい。この場合、例えば、SIL22はA1/A2X/FeCo、FGL28はA1/A2Y/FeCoという構成となる。したがって、基板20の上のSTO60は、以下のようなCPP‐GMR構成を有することになる。Ta/Ru/Cu/{[CoFet1/Nit2]x/FeCo}/Cu/{[CoFet1/Nit2]Y/FeCo}/Ru/Ta/RuまたはTa/Ru/Cu/{[CoFet1/Nit2]Y/FeCo}/Cu/{[CoFet1/Nit2]x/FeCo}/Ru/Ta/Ruこの場合、[CoFet1/Nit2]xなる構造のSILと結合するFeCo層は、厚さが約5nm~10nm程度であり、SILの厚さよりも薄いことが望ましい。また、上記したように、Cuスペーサに代えて、AlOX、MgO、TiOX、TiAlOX、MgZnOXまたはZnOX等の他の金属酸化物または金属窒化物からなる誘電層を用いることにより、CPP-TMR構造を形成するようにしてもよい。さらに、Ta/Ru/Cuシード層、FGLおよびSILの一方もしくは双方におけるFeCo層、CoFe/Niなる積層のうちの一方もしくは双方の構成層、ならびにキャップ層は、前述した他の好適な材料によって置き換えてもよい。図9は、Ta1.0/Ru2.0/Cu2.0なるシード層の上に形成された、10nmの厚さを有するFeCo層を含む比較例の構造のMH曲線を表す。その結果は、FeCo層にPMAが確立されていないことを示した。これは、スピンバルブ積層面と平行な容易軸方向に沿って長手方向に配向した磁気モーメントを有する一般的磁性材料から推測されたことである。一方、本実施の形態において、Ta1.0/Ru2.0/Cu2.0という構造のシード層の上に、CoFe0.2/Ni0.510/FeCo10という構造の複合FGLを形成したところ、図10に示すようなMH曲線が結果として得られた。この結果から、CoFe/NiYという積層部分と高BsのFeCo層との間の交換結合によって、1600[Oe]=約1.6×106/4π[A/m]という相当な量のPMAが生成されたことがわかる。なお、図9および図10の双方において、FeCo10という層におけるFe含有量は70原子であり、アニーリングを、220°Cにて、2時間行った。ここで述べた他のA1/A2Yなる積層構造もまた、[A1/A2Y/FeCo10]という構造の複合FGLにおけるPMA特性と同様のPMA特性をもたらすと推測される。本実施の形態の変形例として、ボトムSIL型またはトップSIL型のいずれかを有するCPP-GMR構成において、Cuスペーサを電流路狭窄CCP:confiningcurrentpathスペーサに置き換え、CCP-CPP型のGMRセンサとして構成してもよいと考えられる。このタイプのGMRセンサでは、電流路狭窄スペーサを通る電流が、分結金属路および酸化物によって制限される。CCP-CPP方式を用いると、Cu金属経路電流経路が、絶縁体テンプレートすなわちナノ酸化物層NOL:nanooxidelayerによって制限されるため、MR比を大幅に高めることができる。NOL層図示せずは、よく知られた方法によって形成される。例えば、下部Cu層の上にAlCu層を形成したのち、このAlCu層を、プレイオン処理PIT:preiontreatmentおよびイオンアシスト酸化IAO:ionassistedoxidation処理によって、分結Cu路電流狭窄路を内部に有するAlOXマトリクスへと変換し、その後、NOLCCP層の上に上部Cu層を形成する。これにより、電流路狭窄スペーサが得られる。ここに説明したSTO構造を有するすべての実施の形態における重要な特徴は、Ta/M1またはTa/M1/M2なる構成を有する複合シード層21は、ボトム側に設けられる積層SIL22における[111]格子構造およびPMA、またはボトム側に設けられる積層FGL28における[111]格子構造およびPMAを強化促進するという点である。また、積層構造を有するSIL22および積層構造を有するFGL28を、それらの各内部にCoFe/NiA1/A2X界面またはA1/A2Y界面が保存されるような方法によって形成する、という点も重要である。図11は、記録ヘッドを備えた記録再生一体型ヘッドの一実施の形態を表すものである。この記録再生一体型ヘッドは、STO60が作り込まれたMAMR構造の記録ヘッド80を備えている。この図で、記録ヘッド80は、上部シールド74aと、下部シールド74bと、これらのシールド間に配置されたセンサ73とを含む再生ヘッド75を備えた記録再生一体型ヘッドの一部として図示されている。記録ヘッド80は、第1の電極としてのトレーリングシールド77と、第2の電極としての主磁極76と、STO60と、このSTO60に電流を注入する導線78とを含んで構成されている。STO60は、トップFGL/ボトムSIL型の構造を有する。上記のように、リファレンス層としてのボトムSIL22は、FeCo等の高Bs層と交換結合するCoFe/NiX等の積層構造を有することが望ましく、図示しないシード層によって主磁極76から分離されている。CoFe/NiXという積層構造は、媒体移動方向と同じ方向に配向されたPMAを呈する。FGL24は、SIL22よりもトレーリングシールド77側に形成され、2本の矢印および破線円によって示されるように、磁化方向が自由に回転するようになっている。図12は、記録ヘッドを備えた記録再生一体型ヘッドの他の実施の形態を表すものである。この実施の形態においては、図11と比べてFGL24の位置とSIL22の位置とが入れ替わり、ボトムFGL/トップSIL型の構造のSTO60を有する記録ヘッド80を構成している。FGL24は、図示しないシード層によって主磁極76から分離され、SIL22はキャップ層によってトレーリングシールド77から分離されている。記録再生一体型ヘッドは、媒体トラック72が形成された基板71の上のエアベアリング面に保持されながら、基板71に対して相対移動するようになっている。次に、本実施の形態にかかるSTO構造の製造方法について説明する。上記した実施の形態にかかる様々なスピンバルブ構造の形成プロセスにおいて、CPPスピンバルブ積層内のすべての層は、スパッタ成膜システムによって形成可能である。CPP積層は、例えば、それぞれが5つのターゲットを有する3つの物理気相成長PVD:physicalvapordepositionチャンバと、酸化チャンバと、スパッタエッチングチャンバとを含むAnelva社のC-7100薄膜スパッタリングシステム等を用いて形成される。PVDチャンバのうち、少なくとも1つは、同時スパッタリングが可能である。通常、スパッタ成膜プロセスは、超高真空中にアルゴンスパッタガスを導入する工程を含む。スパッタリングターゲットは、基板上に成膜すべき金属または合金によって構成される。スループットを向上させるために、スパッタシステムにおける1度のポンプダウンの後にすべてのCPP層を形成する。本プロセスは、CPPスピンバルブ構造のすべての層を形成した後に行われるアニーリング工程をも含む。STO60は、150°C~300°C、好ましくは180°C~250°Cの温度で、0.5時間~5時間にわたって加熱することによってアニールされる。複合シード層21における[111]構造と、SIL22およびFGL28におけるCoFeーNiスピン軌道相互作用とによってPMAが確立されることから、アニーリング工程の間、磁界を印加する必要はない。但し、STO構造におけるPMAをさらに増加させるため、アニーリングの間、磁界を印加してもよい。本実施の形態における重要な特徴の一つは、A1/A2Xという積層構造のSIL22と、A1/A2Yという積層構造のFGL28の形成方法にある。なお、ここで説明するものと同じ形成プロセスを、Co/NiFeX、Co/NiCoX、CoFe/NiFeX、CoFe/NiCoX、CoFeR/NiX、CoFeR/NiFeXおよびCoFeR/NiCoX等の他の積層構造に適用することも可能である。本実施の形態の形成プロセスでは、より低いRFパワーと高いAr圧力とを用いて、基板の損傷を回避するようにする。その基板の上には、形成されたCoFe/Ni界面が保存されてPMA特性が強化されるように、CoFe層およびNi層をそれぞれ形成する。すなわち、直前に形成されたCoFe表面やNi表面に衝突するイオンのエネルギーを、それに続くCoFe層およびNi層のスパッタ成膜期間にわたって最小化することにより、スパッタリングプロセス中におけるイオン衝撃による損傷を減少させる。一つの例として、SIL22およびFGL28における磁性層A1および磁性層A2はそれぞれ、直流マグネトロンスパッタ成膜チャンバ内において、200ワット未満の低いRFパワーを用い、15立方センチメートル毎分sccm:standardcubiccentimetersperminuteを越える流量のArガスを導入して形成する。磁性層A1および磁性層A2のそれぞれの形成に必要な時間は1分未満であり、A1/A220という多層構造の形成に要する時間全体は約1時間未満である。STO60のすべての層を形成した後、STO60を、周知のフォトレジストパターニングと反応性イオンエッチングとを含む一連のシーケエンスによって媒体移動方向に沿ってパターニングする。このとき、上から見て例えば長方形、楕円形、円形、または他の形状になるようにパターニングを行う。続いて、絶縁層図示せずを基板20の上に形成した後、平坦化工程を施し、絶縁層をキャップ層25と同一平面状に形成する。次に、当業者によって理解されるように、STO60および絶縁層の上にトレーリングシールド77を形成する。例1第1の実施例における、ボトムSILを有する一連のSTO構造を製造した。このボトムSILの構成は、Ta1/Ru2/Cu2/[CoFeZ0.2/Ni0.5]X/スペーサ/FeCo10/Ru1/Ta4/Ru3という構造によって表される。各層の後ろの数値は、その層の厚みをナノメートルによって表す。Ta/Ru/Cuはシード層として用いられ、FeCo10はFGLであり、CoFe0.2/Ni0.5X積層はSILである。SILのCoFe層はそれぞれ、2nmの厚さを有し、Ni層はそれぞれ0.5nmの厚さを有し、xは5~50である。CoFe積層におけるFe含有量は0~90原子である。CPP‐GMR用途においてはCuスペーサ、または他の金属スペーサを用い、CPP-TMR構造においては、AlOX、MgO、TiOX、TiAlOX、MgZnOX、またはZnOXからなるスペーサを用いる。キャップ層は、Ru1/Ta4/Ru3なる複合層である。この実施例では、トルク計測に基づき、CoFe/NiXなる積層それぞれのHkが15000[Oe]=1.5×107/4π[A/m]を越えると推定された。例2好適なボトムSILを製造した。このボトムSIL構造は、Ta1/Ru2/Cu2/[CoFeZ0.2/Ni0.5]X/スペーサ/[CoFeZ0.2/Ni0.5]Y/FeCo10/Ru1/Ta4/Ru3という構造によって表される。この構造は、第1の実施の形態の変形例であり、非金属製スペーサと、FeCo10なる層との間にCoFe/NiYなる積層を挿入し、複合FGLを形成するyは5以上30以下である。この例の[CoFeZ0.2/Ni0.5]Yという積層構造は、FeCo10なる層と強く磁気結合しているため、[CoFeZ0.2/Ni0.5]Yという積層構造の大きなPMAによって、FeCoの異方性は、局所的に膜面垂直方向に傾斜する。それにより、FGL全体は低電流密度下において容易に発振可能となる。例3他の実施例における、トップSILを有する一連のSTO構造を製造した。このトップSILの構成は、Ta1/Ru2/Cu2/FeCo10/スペーサ/[CoFeZ0.2/Ni0.5]X/Ru1/Ta4/Ru3という構造によって表される。各層の後ろの番号は、その層の厚みをナノメートルによって表す。Ta/Ru/Cuをシード層として用い、FeCo10はFGLであり、CoFe0.2/Ni0.5Xなる積層はSILである。CoFe層はそれぞれ、2nmの厚さを有し、Ni層はそれぞれ0.5nmの厚さを有し、xは5以上50以下とする。CoFe積層におけるFe含有量は0原子以上90原子以上とする。CPP‐GMR構造を有する実施の形態においては、Cuスペーサ、または他の金属スペーサを用い、CPP‐TMR構造においては、AlOX、MgO、TiOX、TiAlOX、MgZnOX、またはZnOXスペーサを用いる。キャップ層は、Ru1/Ta4/Ru3なる複合層である。この実施例では、トルク計測に基づき、CoFe/NiX積層それぞれのHkが、15000[Oe]=1.5×107/4π[A/m]を越えると推定された。例4好適なトップSILを製造した。このトップSIL構造は、Ta1/Ru2/Cu2/[CoFeZ0.2/Ni0.5]Y/FeCo10/スペーサ/[CoFeZ0.2/Ni0.5]X/Ru1/Ta4/Ru3という構造によって表される。この構造は、例3におけるトップSIL構造を有する実施例の変形例であり、シード層とFeCo10層との間にCoFe/NiYという積層構造を挿入することにより、複合FGLを形成しているy=5~30。この例の[CoFeZ0.2/Ni0.5]Yという積層構造は、FeCo10層と強く磁気結合しているため、[CoFeZ0.2/Ni0.5]Yという積層構造の大きなPMAによって、FeCoの異方性は、局所的に膜面垂直方向に傾斜する。それにより、FGL全体は低電流密度下において容易に発振可能となる。例5他の好適な実施例として、例4に示すトップSIL構成をさらに変形し、[CoFeZ0.2/Ni0.5]Xという構造と交換結合するFeCo層を含むように複合SILを形成してもよい。その構造は、Ta1/Ru2/Cu2/{[CoFeZ0.2/Ni0.5]Y/FeCo}/スペーサ/{[CoFeZ0.2/Ni0.5]X/FeCo}/Ru1/Ta4/Ru3という構造によって表される。この例において、多層積層体CoFe/NiYと結合する下部FeCo層は、5nm~30nmの厚さを有し、SILと結合する上部FeCo層は、5nm~10nmの厚さを有する。複合SILは、SILの強固さ安定性を高めるために採用され、複合FGLは、上記のようにFeCoのFGL発振を補助するために採用される。すなわち、FeCo等の高Bs層とFeCo/NiX等のPMA積層構造との間の交換結合をうまく利用して、STO素子におけるリファレンス層としてのSILの磁化方向を保持するようにしている。スペーサは、Cuまたは上記例に示す金属酸化物である。以上、STO素子におけるボトムSIL型のSTO構造およびトップSIL型のSTO構造について、様々な実施の形態を説明した。これらの構成においては、高いPMAを呈する積層構造と高Bs層との間の磁気結合を用いて、高Bs層の異方性を膜面垂直方向に部分的に傾斜させるようにしている。それにより、低電流密度下において容易なFGL発振が可能になり、より大きい発振磁界Hacが生成されることから、より優れた性能が実現可能となる。さらに、高いPMAを呈する積層構造と高Bs層との間の磁気結合を含む複合SILを用いることにより、スピン注入層をより強固なものとすることができ、性能が向上する。積層構造における高いPMAは、CoFe膜およびNi膜の形成の際に、CoFe/Ni界面が保存されてそこでのPMAが保たれるように工夫することにより得られる。これにより、薄いシード層を備えている場合であっても優れた性能を得ることができる。好適な実施の形態を挙げて、本発明を具体的に示し、説明したが、当業者であれば、本発明は、その精神と範囲から離れることなく、形式および細部について様々な変更が可能であることがわかるであろう。