"モーターを構成する円環状のステーターが構成する円環面に対して実装面が対向し、該円環面から所定距離を隔てて配置され、かつ、前記ステーター側の実装面に前記モーターのローターの回転位置を検出するホール素子が実装された基板と、前記基板のステーター側の実装面に実装され、前記ステーターに高周波電流を供給する半導体モジュールと、前記基板のステーター側の実装面に実装され、前記半導体モジュールの過熱状態を検知する過熱検知手段と、を備え、前記半導体モジュールは、前記過熱検知手段によって当該半導体モジュールの過熱状態が検知された場合、前記ステーターに供給する電流を制限又は停止することを特徴とする電力変換装置。前記半導体モジュールは、前記基板上に機械的に結合して配置されたヒートスプレッダーと、複数の半導体素子を有し、前記ヒートスプレッダー上にマウントされて熱的に結合した半導体チップと、を有したことを特徴とする請求項1記載の電力変換装置。前記半導体モジュールは、前記ヒートスプレッダーが前記半導体モジュールの電極に近接するように配置されて構成されたことを特徴とする請求項2記載の電力変換装置。前記ヒートスプレッダー、及び、前記半導体モジュールの電極は、熱伝導性樹脂によって熱的に結合され、該熱伝導性樹脂は、前記半導体モジュールの外形を形成したことを特徴とする請求項2又は請求項3記載の電力変換装置。前記半導体チップは、1チップで構成され、複数の前記半導体素子を形成したことを特徴とする請求項2~請求項4のいずれかに記載の電力変換装置。複数の前記各半導体素子は、前記半導体チップにおいて、絶縁分離層によって他の前記半導体素子から絶縁されたことを特徴とする請求項5記載の電力変換装置。複数の前記各半導体素子の電極は、前記半導体チップ表面に配置され、該半導体チップ表面に形成された酸化シリコン膜によって、互いに絶縁されたことを特徴とする請求項5又は請求項6記載の電力変換装置。前記半導体チップ表面に配置された前記各半導体素子の電極のうち、少なくとも一部は、金属配線によって、前記半導体モジュールの電極に電気的に接続されたことを特徴とする請求項7記載の電力変換装置。複数の前記各半導体素子のうち、少なくとも一部は、前記ステーターに高周波電流を供給するインバーターを構成するスイッチング素子であることを特徴とする請求項2~請求項8のいずれかに記載の電力変換装置。前記ヒートスプレッダーは、前記基板のステーター側の実装面に形成された金属パターンに熱的に結合したことを特徴とする請求項2~請求項9のいずれかに記載の電力変換装置。前記基板は、前記ステーター側の実装面から前記ステーターと反対側の実装面まで貫通し、内部に金属膜が形成されたスルーホールを有し、前記ヒートスプレッダーと熱的に結合された前記ステーター側の実装面に形成された金属パターンは、前記スルーホールを介して、前記ステーターと反対側の実装面に形成された金属パターンに熱的に結合したことを特徴とする請求項10記載の電力変換装置。前記半導体素子は、ワイドバンドギャップ半導体によって構成されたことを特徴とする請求項2~請求項11のいずれかに記載の電力変換装置。前記過熱検知手段は、前記基板上に、前記半導体モジュールの前記ヒートスプレッダーに近接して実装されたことを特徴とする請求項1~請求項12のいずれかに記載の電力変換装置。前記過熱検知手段は、前記基板のステーター側の実装面に形成された金属パターンを介して、前記半導体モジュールの電極と熱的に結合したことを特徴とする請求項13記載の電力変換装置。前記過熱検知手段、及び、前記半導体モジュールを含む半導体回路は、前記基板のステーター側の実装面に実装されたことを特徴とする請求項1~請求項14のいずれかに記載の電力変換装置。前記ヒートスプレッダーが結合される金属パターンと、前記過熱検知手段が結合される金属パターンが近接配置されることを特徴とする請求項1~請求項15のいずれかに記載の電力変換装置。前記ヒートスプレッダーおよび前記過熱検知手段が同一の金属パターンと結合されることを特徴とする請求項1~請求項15のいずれかに記載の電力変換装置。円環状のステーターと、前記ステーターの内側に配置されたローターと、請求項1~請求項17のいずれかに記載の電力変換装置と、を備え、前記ステーター及び前記電力変換装置は、モーターの外郭を形成するモールド樹脂によって一体化されたことを特徴とするモーター。前記過熱検知手段及び前記半導体モジュールは、前記モールド樹脂によって、熱的に結合されたことを特徴とする請求項18記載のモーター。前記ローターの主軸と勘合し、前記基板に対して、前記ステーター及び前記ローターが配置された側とは反対側に配置されたベアリングを備えたことを特徴とする請求項18又は請求項19記載のモーター。前記ステーターは、前記基板上において、その中性点の結線が実装されないことを特徴とする請求項18~請求項20のいずれかに記載のモーター。円環状のステーターが構成する円環面に対して実装面が対向し、該円環面から所定距離を隔てて配置され、かつ、前記ステーター側の実装面にローターの回転位置を検出するホール素子が実装された基板と、前記基板のステーター側の実装面に実装され、前記ステーターに電流を供給する半導体モジュールと、を備え、前記半導体モジュールは、前記基板上に機械的に結合して配置されたヒートスプレッダーと、半導体素子を有し、前記ヒートスプレッダー上にマウントされて機械的に結合した半導体チップと、を有し、前記ステーター、及び、前記ホール素子及び前記半導体モジュールが実装された前記基板は、モールド樹脂によって覆われて一体化されたことを特徴とするモーター。調和空気を設置室内に吹き出す室内機と、該室内機内に設置され、その吹出口から前記調和空気を送り出す室内送風機と、前記室内機と冷媒配管によって接続され、外気と熱交換を実施する室外機と、を備え、前記室内送風機は、請求項18~請求項22のいずれかに記載のモーターを搭載したことを特徴とする空気調和機。調和空気を設置室内に吹き出す室内機と、前記室内機と冷媒配管によって接続され、外気と熱交換を実施する室外機と、該室外機内に設置され、外気を該室外機内に送り込む室外送風機と、を備え、前記室外送風機は、請求項18~請求項22のいずれかに記載のモーターを搭載したことを特徴とする空気調和機。室内空気を室外に吹き出す換気送風機器であって、請求項18~請求項22のいずれかに記載のモーターを搭載したことを特徴とする換気送風機器。しかしながら、特許文献1で示される電力変換装置は、放熱用に板金部品を必要とし、さらに、プリント基板のGND端子と半田付けを実施する必要があり、基板作成時の半田作業とは、別に半田作業が必要となり、加工費が多くかかるという問題点があった。また、プリント基板上のICの配置位置は、金属板との位置関係を考慮する必要があり、実装位置に制約が出てしまい、ICの面実装化による電力変換回路基板、モーター及びそれを搭載した機器の小型化の効果が充分得られていないという問題点もあった。また、ホール素子を用いてローターの回転位置を検出するために、そのホール素子をプリント基板のステーター側ローター側に実装している場合で、そのステーターに電流を供給するパワー素子ICを同じプリント基板に実装するとき、ステーターの発熱によるパワー素子ICの破壊を回避するため、反ステーター側に設置することになり、その結果、プリント基板の表裏の実装面に主要な素子が混載することになり、電力変換回路基板としての小型化が充分に実現できていないという問題点もあった。また、特許文献2で示される電力変換装置は、IC及び基板がリフロー半田によって結合されるため、DIPDualIn-linePackage又は手半田付けによる半田の機械強度と比較して弱くなる。また、電力変換回路基板上のパワー部品ICの場合、マイコン等のデバイスに比べて発熱量が大きく、パワー部品ICの周囲の温度上昇は高くなり、半田部の歪みも大きくなる。このとき、半田の機械強度の低下及び半田部の歪みの増加によって、ICリード部周辺の熱収縮による半田部の電気的接合寿命が、そのまま電力変換回路基板の寿命となるという問題点があった。また、面実装ICはパッケージサイズが小さくなるため、同一の発熱量に対し放熱をしない場合、素子の温度上昇が大きくなり、その温度上昇による素子破壊を回避するため電力変換装置としての運転範囲が狭くなる。このとき、金属の放熱フィンを用いることによって、素子の温度を下げようとした場合、高圧のリードと、放熱フィンとの絶縁距離が必要となり、そのためには、パッケージの厚みを厚くする必要が生じ、面実装ICの小型化に逆行することになるという問題点がある。また、放熱フィンの取り付けには、通常ねじ締め等の作業を必要とし、その加工のためのコストが上昇することになり、さらに、ICのパッケージ上にねじ締め用の穴が必要となるので、さらにパッケージサイズが大きくなってしまうという問題点もある。また、面実装ICをモーターによる放熱により周囲温度が高いステーター側に実装した場合、さらに、面実装ICの温度上昇による素子破壊を回避するため運転範囲が狭くなるといった問題点がある。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、半導体素子の温度上昇による素子破壊を抑制しつつ、モーターの運転範囲の低下を防ぎ、かつ、実装する基板を小型化することが可能な電力変換装置、それを内蔵したモーター及びそのモーターを搭載した空気調和機を得ることを目的とする。本発明に係る電力変換装置は、モーターを構成する円環状のステーターが構成する円環面に対して実装面が対向し、該円環面から所定距離を隔てて配置され、かつ、前記ステーター側の実装面に前記モーターのローターの回転位置を検出するホール素子が実装された基板と、前記基板のステーター側の実装面に実装され、前記ステーターに高周波電流を供給する半導体モジュールと、前記基板のステーター側の実装面に実装され、前記半導体モジュールの過熱状態を検知する過熱検知手段と、を備え、前記半導体モジュールは、前記過熱検知手段によって当該半導体モジュールの過熱状態が検知された場合、前記ステーターに供給する電流を制限又は停止するとを特徴とする。本発明によれば、半導体モジュール等をモーターのステーター側に実装し、その半導体モジュールの過熱状態を検知することによって、電力変換装置を小型化し、駆動するモーターの運転範囲の低下を防ぐことができる、という効果を奏する。以下に、本発明にかかる電力変換装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。実施の形態1.電力変換装置60及びモーター61の構成図1は、本発明の実施の形態1に係る電力変換装置60及びそれを内蔵したモーター61の側断面図及び上面透視図である。図1で示されるように、モーター61の内部に、そのモーター61を回転駆動させるための電力変換回路を実装したプリント基板1が内蔵されている。この電力変換回路のうち、モーター61の後述するステーター3の銅線又はアルミ線等である巻線に電圧を印加するための電圧型インバーターの主回路を内蔵するインバーターIC2が、プリント基板1に実装されている。また、モーター61の内部において、プリント基板1に対してインバーターIC2が実装された側には、ステーターコアに巻線を巻いた円環状のステーター3が配置されている。そして、モールド樹脂4によって、このステーター3及びプリント基板1を機械的に結合し、かつ、後述するベアリングハウジング9aを構成して、モーター61の外形が形成されている。また、プリント基板1及びステーター3は、プリント基板1からステーター3に電圧が印加されるように、半田付けによりモーター端子5によって電気的に接続されている。また、ステーター3に囲われるように配置された後述するローター16の回転位置を検出するホール素子6が、プリント基板1のステーター3側の実装面に実装されている。また、電力変換回路が実装されたプリント基板1とモーター61の外部とを電気的に結合するために、モーター外部接続リード7が、プリント基板1上に設置されている。このモーター外部接続リード7から、高圧入力線17及び低圧入力線18が延びている。また、円環状のステーター3の内部に位置し、モールド樹脂4によって充填されずに円筒状に中空となっているローター貫通用穴8には、モーター61の回転子であるローター16が配置されている。さらに、このローター貫通用穴8から連通し、ローター16の主軸図示せずがプリント基板1に対して略垂直にモールド樹脂4内をベアリングハウジング9aまで貫通するベアリング貫通穴10が形成されている。このベアリング貫通穴10には、ベアリング9が収納されており、このベアリング9は、ローター16の主軸と勘合している。さらに、インバーターIC2の過熱状態を検知する過熱検知素子14が、プリント基板1上のインバーターIC2近傍に設置されている。また、インバーターIC2のデュアルインライン電極として、一方を高圧電極11、そして、他方を低圧電極12として形成されている。高圧電極11は、モーター61外部で商用電源を全波整流あるいは倍電圧整流された直流電圧を入力し、その直流電圧をインバーターIC2内部で高周波電圧としてモーター端子5に出力する。高圧電極11は、モーター端子5側となるように配置され、プリント基板1上の配線量が短くなるようにしている。以上の構成のように、電力変換装置60は、少なくとも、プリント基板1、並びに、そのプリント基板1上に実装されたインバーターIC2、モーター端子5、ホール素子6、モーター外部接続リード7及び過熱検知素子14によって構成されている。そして、モーター61は、少なくとも、モールド樹脂4によって機械的に結合されたこの電力変換装置60及びステーター3、並びに、ローター16、ベアリング9、及び、このベアリング9とローター16とを結合する主軸図示せずによって構成されている。なお、インバーターIC2及び過熱検知素子14は、それぞれ本発明の半導体モジュール及び過熱検知手段に相当する。インバーターIC2の構成図2は、本発明の実施の形態1に係る電力変換装置60に実装されたインバーターIC2の構成図である。図2で示されるように、シリコン又はSiC等のワイドギャップ半導体によって構成されるICチップ20において、その上面に形成された金属電極図3によって後述するアルミ配線25と、金属リードフレーム22によって構成される高圧電極11及び低圧電極12とが、ボンディングワイヤー21によって電気的に結合されている。このボンディングワイヤー21は、金又はアルミニウム等の金属線材で構成され、超音波溶融によって、ICチップ20上の金属電極と、金属リードフレーム22との間の電気的接合がなされる。なお、金属リードフレーム22は、直接、半導体チップと接触して電気的接合をとるダイレクトボンディング結合によってICチップ20に接続される構成としてもよい。また、ICチップ20は、板厚の厚いヒートスプレッダー13上に半田付け又は銀ペーストによって、電気的、熱的及び機械的な結合がなされている。上記のICチップ20、ボンディングワイヤー21及び金属リードフレーム22は、高熱伝導性の樹脂で構成されるICパッケージ23によって覆われて、インバーターIC2の本体を形成している。そしてインバーターIC2の本体は、その本体から延びているデュアルインライン電極である高圧電極11及び低圧電極12、並びに、ヒートスプレッダー13と共に、インバーターIC2を形成している。以上の構成のように、インバーターIC2では、ICチップ20はヒートスプレッダー13にマウントされているので、ICチップ20の半導体チップからの発熱のうち過渡的なものは、ヒートスプレッダー13に蓄熱され、半導体チップの過渡的な温度上昇を抑制することができる。また、インバーターIC2では、ICチップ20と強い熱的結合を持つヒートスプレッダー13は、金属リードフレーム22に近接配置され、さらに、高熱伝導性の樹脂であるICパッケージ23によって熱的に結合されているので、ICチップ20の定常的な発熱については、金属リードフレーム22を介して、高圧電極11及び低圧電極12からICチップ20の外部に放熱される。なお、ICチップ20、ボンディングワイヤー21及びICパッケージ23は、それぞれ本発明の半導体チップ、金属配線及び熱伝導性樹脂に相当する。ICチップ20の構成図3は、本発明の実施の形態1に係る電力変換装置60のインバーターIC2におけるICチップ20の構造図である。また、図4は、同ICチップ20周辺の回路構成図である。図3で示されるように、ICチップ20上には、蒸着によってシリコン若しくはSiC等のワイドギャップ半導体チップ上に素子が形成され、その素子間、又は、その素子と外部電極とを電気的に結合するアルミ配線25が形成されている。さらに、ICチップ20上には、このアルミ配線25同士、又は、半導体チップ素子間の絶縁をとるための酸化シリコン膜26が形成されている。また、このICチップ20本体においては、PN接合等によりスイッチング素子等を形成する半導体単結晶島27が複数形成され、その周囲を覆う多結晶シリコン28、そして、半導体単結晶島27と多結晶シリコン28との電気的絶縁をとるための絶縁分離層29が形成されている。アルミ配線25は、前述のように、ボンディングワイヤー21によって、金属リードフレーム22と電気的に接続されている。また、ICチップ20における多結晶シリコン28は、前述のように、ヒートスプレッダー13と電気的、熱的及び機械的な結合がなされている。この絶縁分離層29は、薄膜でも絶縁性能が充分確保できる酸化シリコンSiO2によって構成されている。以上の構成のように、ICチップ20では、絶縁性の高い酸化シリコンによって構成された絶縁分離層29によって、スイッチング素子等の半導体素子を構成する半導体単結晶島27が、同一チップ上に島状に分離して配置することができ、高圧絶縁が必要なスイッチング素子を混載することが可能となる。また、通常の複数の半導体チップを所定の絶縁距離をとりながら、複数の金属リードフレームに実装するICと比較して、インバーターIC2本体を小型化することができる。さらに、ICチップ20では、低圧の回路も同一チップ上に構成できることから、外部に制御用低圧チップ、又は、高低圧分離のためのチップが不要となり、また、それらを金属リードフレーム22及びプリント基板1上の配線によって電気的に結合させる必要がない。これにより、電力変換回路、延いては、電力変換装置60全体を著しく小さくすることができる。また、外部電極との電気的結合を得るためのアルミ配線25は、ICチップ20上に構成された絶縁性能の高い酸化シリコン膜26によって絶縁できる。そのため、通常の複数の半導体チップを金属リードフレーム上に配置し、ボンディングワイヤーによって半導体チップ間の電気的結合をとるICと比較して、電極であるアルミ配線25の配置に自由度があり、高圧電極11と低圧電極12との分離も、非常に小さいスペースにおいて実現可能となる。なお、半導体単結晶島27は、本発明の半導体素子に相当する。つぎに、図4で示されるように、モーター61の外部において、高圧直流電源38が商用電源を全波整流又は倍電圧整流して生成した直流電圧は、高圧電極11を介して、ICチップ20に入力される。ICチップ20内では、前述の半導体単結晶島27によってそれぞれ形成され、上アーム駆動回路35a及び下アーム駆動回路35bによってON/OFF駆動される6個のIGBT34によって高周波電圧に変換され、その高周波電圧は、高圧電極11からモーター端子5を介して、ステーター3の巻線に印加される。各IGBT34には逆並列に還流ダイオードが接続されている。また、ホール素子6によって検出されたローター16の回転位置信号は、ICチップ20内部のロジック回路によって、低圧のパルス信号に変換され、回転数出力線31から外部に出力される。また、ICチップ20では、外部から出力電圧指令入力線32を介して入力される低圧のアナログ信号電圧に基づいて、高圧直流電源38から供給される直流電圧を、前述の6個のIGBT34のスイッチングパルス幅を変化させてインバーターの出力電圧を調整する。このとき、6個のIGBT34によって構成されるインバーターのうち、上アームのIGBT34を駆動させる上アーム駆動回路35aの電源は、チャージポンプダイオード33並びに外部コンデンサーC1及びC2によって生成される。また、モーター61における各相の入力端子であるモーター端子5と接続されるステーター3の巻線の反対側は、中性点結線39によって電気的に接続され、スター結線モーターを形成するものである。過熱検知素子14は、温度に対する抵抗特性が急峻な正特性の温度抵抗素子を用い、検出した温度を抵抗値に変換する。過熱検知素子14は、その抵抗値を出力として、ICチップ20の過電流保護端子RSに入力させ、過電流保護レベルに温度特性を持たせることによって、インバーターIC2の過熱状態を検知して、インバーターIC2及びステーター3が過熱状態になったことを検出する。この場合、インバーターIC2は、高圧電極11を介してステーター3に供給される電流を制限又は停止して、過熱によるインバーターIC2等の破壊を防止する。ここで、この温度特性に優れる正特性熱抵抗素子である過熱検知素子14は、セラミック材料によって構成されることから、ICチップ20上に構成することはできない。また、ICチップ20上に半導体を用いた過熱検知素子を構成することも考えられるが、半導体を用いた素子では温度特性が悪く、ばらつきもあり、それを考慮した場合、保護レベルの設計値を低めに設定しなければならず、低い設計値においてはモーター61の出力範囲が著しく従来の構成と比較して狭くなる。さらに、本実施の形態に係る電力変換装置60において、インバーターIC2は、プリント基板1上において銅損及び鉄損を有する発熱源であるステーター3側に配置されており、ステーター3の逆側に配置されるよりも温度的に不利である。そこで、本実施の形態に係る電力変換装置60における過熱検知素子14は、インバーターIC2におけるIGBT34の熱的に強い結合をもつヒートスプレッダー13に近接配置される。また、図5において後述する銅箔50を介して低圧電極12と電気的及び熱的に結合される。また、図1で示されるように、熱抵抗が低いモールド樹脂4によってインバーターIC2と熱的に結合される。さらに、この低圧電極12である金属リードフレーム22は、ボンディングワイヤー21によってICチップ20と電気的及び熱的に結合された構成としている。このような構成によって、過熱検知素子14は、インバーターIC2のICチップ20において、回路損失のほとんどを発生し過熱による破壊に至る可能性の最も高いIGBT34の温度を、精度良く検出することが可能となる。また、インバーターを構成する6個のIGBT34は、同一のシリコンチップであるICチップ20上に絶縁分離層29に隔てられた態様で島状に配置され、さらに、このICチップ20はヒートスプレッダー13と強い熱的結合を有する。そのため、ICチップ20上の各素子における発熱にばらつきがあっても、各素子は同一固体上にあるため、ほぼ同一の温度となり温度分布を平滑化することができる。また、上記の構成によって、IGBT等が別チップで構成される場合におけるIGBT等の各素子における温度分布のばらつきによる温度検知性能の劣化を回避することができ、さらに、各素子における温度のばらつきを検知するために複数の過熱検知素子を配置する必要もなく、コストを低減することができる。以上のように、プリント基板1上のステーター3側に配置された過熱検知素子14による温度検知性能の向上によって、インバーターIC2は、プリント基板1上においてステーター3側に配置されることによる周囲温度の上昇によって招来するモーター61の運転範囲の低下をカバーすることができる。特に、インバーターIC2のような1チップICでは、単体のIGBT例えば、600V耐圧クラスで1.6VよりON電圧が高く同2.0V定常損失が大きいことから、IGBTの温度上昇による破壊防止のための運転範囲制限によるモーターの出力低下をカバーすることができる上記の効果は大きい。なお、ICチップ20におけるIGBT34を構成する半導体単結晶島27を、GaN窒化ガリウム、SiCシリコンカーバイド又はダイヤモンド等のワイドバンドギャップ半導体によって構成するものとしてもよい。ワイドバンドギャップ半導体は、耐熱性及び耐電圧が高く、許容電流密度も高いので、ICチップ20上に成形されるIGBT34を小型化することができ、インバーターIC2を小型化することができる。また、電力損失が小さいので高効率に動作が可能なIGBT34を構成することができる。電力変換装置60におけるプリント基板1上の各素子の配置構成図5は、本発明の実施の形態1に係る電力変換装置60の断面図である。図5で示されるように、電力変換装置60における銅箔50は、プリント基板1上の回路配線パターン、又は、プリント基板1と部品とを半田により電気的、熱的及び機械的に結合させるためのランドによって形成されるものである。プリント基板1上のステーター側には、この銅箔50を介して、ホール素子6、過熱検知素子14及びインバーターIC2が配置されている。また、インバーターIC2は、具体的には、そのデュアルインライン電極である高圧電極11及び低圧電極12が半田により銅箔50に結合している。また、前述したように、過熱検知素子14は、同一の銅箔50を介して低圧電極12と電気的及び熱的に結合されている。スルーホール51は、プリント基板1においてステーター3側から反ステーター3側に貫通している穴であり、その穴の表面は銅箔のメッキが施され、プリント基板1のステーター3側の面における銅箔50と、反ステーター3側の面の銅箔50との電気的及び熱的に結合するものである。モーター端子5は、プリント基板1上の反ステーター3側の銅箔50からスルーホール51を介して、糸状の半田を溶融してステーター3側のインバーターIC2の高圧電極11と電気的に接続されたものである。モーター外部接続リード7は、プリント基板1と、モーター61の外部とを電気的に結合するためのもので、プリント基板1上にコネクターではなくリード線として実装されている。これによって、例えば、モーター61が空気調和機等に搭載された場合、モーター61の外郭に水分が付着する可能性があり、コネクターの場合における高低圧電極間の水分付着によるショートを回避することができ、モーター61の信頼性を確保することができる。なお、銅箔50は、本発明の金属パターンに相当する。また、インバーターIC2におけるヒートスプレッダー13も、そのデュアルインライン電極である高圧電極11及び低圧電極12と同様に、半田によって銅箔50に電気的、熱的及び機械的に結合しており、さらに、スルーホール51の銅箔を介して、プリント基板1上の反ステーター3側の銅箔50と熱的に結合されている。ここで、面実装のインバーターIC2は、パッケージサイズがホール素子6及び過熱検知素子14と比較して大きいことから、周囲のモールド樹脂4の成形時及び成形後の熱収縮応力を大きく受けて半田切れが発生しやすい。しかしながら、インバーターIC2において、ヒートスプレッダー13を半田により銅箔50と機械的に強く結合したことによって、プリント基板1との機械的結合強度が、通常の回路電極高圧電極11及び低圧電極12等のみの半田による結合と比較して、飛躍的に向上させることができる。これによって、モールド樹脂4によって成形されたモーター61に電力変換装置60を内蔵させることを可能としている。また、プリント基板1上のステーター3側において、ヒートスプレッダー13は、銅箔50と半田によって熱的に結合され、さらに、スルーホール51を介して、反ステーター3側の銅箔50にも熱的に結合されている。これにより、インバーターIC2によって発生した熱を、プリント基板1の反ステーター3側に放熱することができる。また、従来のインバーターICは、反ステーター側のプリント基板上に実装されていたため、インバーターICの周囲温度については有利であったが、この場合、インバーターIC又はヒートスプレッダーがベアリングの近傍に配置されることになる。そのため、インバーターICの高周波スイッチング動作による高速の電流変化及び電圧変化による高周波ノイズによりベアリングの内外輪間に電圧が発生し、それによる放電によって軸受け損傷電食現象によるモーター騒音の発生という問題点があった。しかし、本実施の形態に係る電力変換装置60のインバーターIC2のように、ステーター3側に配置されることによって、インバーターIC2のヒートスプレッダー13が、ベアリング9から遠い位置に配置されるので、電食現象が発生しにくいモーター61を得ることができる。また、前述したように、本実施の形態1に係る電力変換装置60において、ローター16の磁極位置を検知するためにホール素子6を配置しなければならないプリント基板1のステーター3側の面に、過熱検知素子14及びインバーターIC2が面実装されている。このように、プリント基板1のステーター3側の面に部品を面実装させることによって、銅箔50に塗布されたクリーム半田の再溶融による結合リフロー半田によって、一度に電気的及び機械的に結合させることができる。また、上記のように、プリント基板1のステーター3側に部品を面実装することによって、図6において後述するプリント基板1の分割後に半田を施すモーター外部接続リード7及びモーター端子5の接続用ランドには、半田をメタルマスクにより塗布しないことが可能となる。また、半田の再溶融時にその半田によってスルーホール51が埋まってしまうことがなく、また、そのために別途スルーホール51が半田で埋まってしまわないようなマスキングテープの貼り付け及びはがしの工程を削減できるという利点がある。このように、基板上における半導体素子等の半田付け作業を容易にして加工費を削減することができ、かつ、基板と半導体素子等との強い結合を得る。また、前述のように、過熱検知素子14の温度検知性能の向上によって、プリント基板1の実装部品のうち、もっとも厚さのあるヒートスプレッダー13を伴ったインバーターIC2を、ステーター3側のプリント基板上に面実装させることが可能となっている。これによって、プリント基板1の反ステーター3側のモールド空間に余裕ができるので、その余裕分ステーター3を厚くし、出力の大きいモーター61を得ることができる。あるいは、その余裕分を薄肉化すれば、同一出力で薄いコンパクトなモーター61を得ることができる。なお、プリント基板1に対して、ホール素子6、過熱検知素子14及びインバーターIC2等の面実装部品をリフロー半田によって半田付けする場合を説明したが、フロー半田によって実装するものとしてもよい。プリント基板1の材料取りについて図6は、本発明の実施の形態1に係る電力変換装置60におけるプリント基板1の材料取りを示す図である。図6においては、1枚の基板上に8枚のプリント基板1を成形し、面実装部品を実装した場合の例を示している。図6で示されるプリント基板1上において、ステーター3における中性点結線39を実装しないこと、及び、1チップ半導体であるICチップ20上に複数の高圧素子を集積したインバーターIC2を用いてパッケージを小型化した。これによって、プリント基板1をステーター3の断面積の1/2以下とする円弧状の基板とすることができ、このとき、ベアリング貫通穴10も半円弧状に形成することができる。また、従来においては、ベアリング貫通穴10に対応する基板部分を廃棄していた。これに対し、本実施の形態においては、プリント基板1を成形する基板において、2枚のプリント基板1のそれぞれの半円弧状のベアリング貫通穴10をクロスさせて対向して配置する。これによって、複数のプリント基板1を効率よく配置することができ、プリント基板1を成形するための基板の利用効率を向上させることができる。また、従来のプリント基板のように円形のベアリング貫通穴を有する場合、フロー半田を用いてプリント基板に電子部品を結合させるとき、半田槽の半田がベアリング貫通穴を通して吹き上がる。この吹き上がりを防止するために、フロー半田工程前にベアリング貫通穴をふさぎ、そして、その半田工程後にはふさぐための板を外す工程が必要であった。これに対し、本実施の形態においては、フロー半田により半田付けする場合、円形のベアリング貫通穴ではなく、半円弧状のベアリング貫通穴10とすることができるので前述の工程が削減でき経済的である。本実施の形態1の効果以上の構成のように、インバーターIC2では、プリント基板1に実装されたインバーターIC2におけるICチップ20はヒートスプレッダー13にマウントされているので、ICチップ20の半導体チップからの発熱のうち過渡的なものは、ヒートスプレッダー13に蓄熱され、半導体チップの過渡的な温度上昇を抑制することができる。また、インバーターIC2では、ICチップ20と強い熱的結合を持つヒートスプレッダー13は、金属リードフレーム22に近接配置され、さらに、高熱伝導性の樹脂であるICパッケージ23によって熱的に結合されているので、ICチップ20の定常的な発熱については、金属リードフレーム22を介して、高圧電極11及び低圧電極12からICチップ20の外部に放熱させることができる。また、ICチップ20では、絶縁性の高い酸化シリコンによって構成された絶縁分離層29によって、スイッチング素子等の半導体素子を構成する半導体単結晶島27が、同一チップ上に島状に分離して配置することができるので、高圧絶縁が必要なスイッチング素子を混載することが可能となる。また、通常の複数の半導体チップを所定の絶縁距離をとりながら、複数の金属リードフレームに実装するICと比較して、インバーターIC2本体を小型化することができる。さらに、ICチップ20では、低圧の回路も同一チップ上に構成できることから、外部に制御用低圧チップ、又は、高低圧分離のためのチップが不要となり、また、それらを金属リードフレーム22及びプリント基板1上の配線によって電気的に結合させる必要がない。これにより、電力変換回路、延いては、電力変換装置60全体を著しく小さくすることができる。また、外部電極との電気的結合を得るためのアルミ配線25は、ICチップ20上に構成された絶縁性能の高い酸化シリコン膜26によって絶縁できる。そのため、通常の複数の半導体チップを金属リードフレーム上に配置し、ボンディングワイヤーによって半導体チップ間の電気的結合をとるICと比較して、電極であるアルミ配線25の配置に自由度があり、高圧電極11と低圧電極12との分離も、非常に小さいスペースにおいて実現可能となる。また、過熱検知素子14は、インバーターIC2におけるIGBT34の熱的に強い結合をもつヒートスプレッダー13に近接配置され、銅箔50を介して低圧電極12と電気的及び熱的に結合される。また、熱抵抗が低いモールド樹脂4によってインバーターIC2と熱的に結合される。さらに、この低圧電極12である金属リードフレーム22は、ボンディングワイヤー21によってICチップ20と電気的及び熱的に結合された構成としている。これにより、過熱検知素子14は、インバーターIC2のICチップ20において、回路損失のほとんどを発生し過熱による破壊に至る可能性の最も高いIGBT34の温度を、精度良く検出することが可能となる。このような、プリント基板1上のステーター3側に配置された過熱検知素子14による温度検知性能の向上によって、インバーターIC2は、プリント基板1上においてステーター3側に配置されることによる周囲温度の上昇によって招来するモーター61の運転範囲の低下をカバーすることができる。また、インバーターを構成する6個のIGBT34は、同一のシリコンチップであるICチップ20上に絶縁分離層29に隔てられた態様で島状に配置され、さらに、このICチップ20はヒートスプレッダー13と強い熱的結合を有する。そのため、ICチップ20上の各素子における発熱にばらつきがあっても、各素子は同一固体上にあるため、ほぼ同一の温度となり温度分布を平滑化することができる。また、上記の構成によって、IGBT等が別チップで構成される場合におけるIGBT等の各素子における温度分布のばらつきによる温度検知性能の劣化を回避することができ、さらに、各素子における温度のばらつきを検知するために複数の過熱検知素子を配置する必要もなく、コストを低減することができる。モーター外部接続リード7は、プリント基板1上にコネクターではなくリード線として実装されているので、例えば、モーター61が空気調和機等に搭載された場合、モーター61の外郭に水分が付着する可能性があり、コネクターの場合における高低圧電極間の水分付着によるショートを回避することができ、モーター61の信頼性を確保することができる。また、インバーターIC2におけるヒートスプレッダー13も、そのデュアルインライン電極である高圧電極11及び低圧電極12と同様に、半田によって銅箔50に電気的、熱的及び機械的に結合しており、さらに、スルーホール51の銅箔を介して、プリント基板1上の反ステーター3側の銅箔50と熱的に結合されている。そのため、パッケージサイズが大きく、周囲のモールド樹脂4の成形時及び成形後の熱収縮応力を大きく受けて半田切れが発生しやすい面実装のインバーターIC2について、プリント基板1との機械的結合強度が、通常の回路電極高圧電極11及び低圧電極12等のみの半田による結合と比較して、飛躍的に向上させることができる。これによって、モールド樹脂4によって成形されたモーター61に電力変換装置60を内蔵させることが可能となる。また、プリント基板1上のステーター3側において、ヒートスプレッダー13は、銅箔50と半田によって熱的に結合され、さらに、スルーホール51を介して、反ステーター3側の銅箔50にも熱的に結合されている。これにより、インバーターIC2によって発生した熱を、プリント基板1の反ステーター3側に放熱することができる。また、インバーターIC2がステーター3側のプリント基板1上に配置されることによって、ヒートスプレッダー13が、ベアリング9から遠い位置に配置されるので、電食現象が発生しにくいモーター61を得ることができる。また、ローター16の磁極位置を検知するためにホール素子6を配置しなければならないプリント基板1のステーター3側の面に、過熱検知素子14及びインバーターIC2が面実装されていることによって、銅箔50に塗布されたクリーム半田の再溶融による結合リフロー半田によって、一度に電気的及び機械的に結合させることができる。また、上記のように、プリント基板1のステーター3側に部品を面実装することによって、プリント基板1の分割後に半田を施すモーター外部接続リード7及びモーター端子5の接続用ランドには、半田をメタルマスクにより塗布しないことが可能となる。また、半田の再溶融時にその半田によってスルーホール51が埋まってしまうことがなく、また、そのために別途スルーホール51が半田で埋まってしまわないようなマスキングテープの貼り付け及びはがしの工程を削減できるという利点がある。このように、基板上における半導体素子等の半田付け作業を容易にして加工費を削減することができ、かつ、基板と半導体素子等との強い結合を得る。また、過熱検知素子14の温度検知性能の向上によって、プリント基板1の実装部品のうち、もっとも厚さのあるヒートスプレッダー13を伴ったインバーターIC2を、ステーター3側のプリント基板上に面実装させることが可能なので、プリント基板1の反ステーター3側のモールド空間に余裕ができる。その余裕分ステーター3を厚くし、出力の大きいモーター61を得ることができ、あるいは、その余裕分を薄肉化すれば、同一出力で薄いコンパクトなモーター61を得ることができる。また、プリント基板1上において、ステーター3における中性点結線39を実装しないこと、及び、1チップ半導体であるICチップ20上に複数の高圧素子を集積したインバーターIC2を用いてパッケージを小型化した。これによって、プリント基板1をステーター3の外径断面積の1/2以下とする円弧状の基板とすることができ、ベアリング貫通穴10も半円弧状に形成することができる。また、これによって、プリント基板1を成形する基板において、2枚のプリント基板1のそれぞれの半円弧状のベアリング貫通穴10をクロスさせて対向配置させることができるので、複数のプリント基板1を効率よく配置することができ、プリント基板1を成形するための基板の利用効率を向上させることができる。実施の形態2.空気調和機100の構成図7は、本発明の実施の形態2に係る空気調和機100の全体外観図であり、図8は、同空気調和機100における室内機70の横断面図である。図7で示される空気調和機100において、室内の壁に掛けられた室内機70は冷媒配管90を介して、屋外に設置された室外機80に接続されている。また、室内機70には、後述する室内送風機71が内蔵されており、室外機80には、室外送風機81が設置されている。また、図8で示されるように、室内機70の内部には、室内空気と冷媒との間で熱交換を実施する室内熱交換器72、及び、室内機70の上面に備えられた吸込口73から室内空気を室内機70内部に吸込み室内熱交換器72を通過させて熱交換した調和空気とし、その調和空気を室内に吹出す室内送風機71が固定されている。室内熱交換器72は、折り曲げられた構成となっており、室内送風機71を囲うように設置されている。室内送風機71は、室内機70の長手方向に延びる態様で固定されているラインフローファンである。そして、室内送風機71には、その回転駆動をさせるため実施の形態1に係る電力変換装置60が内蔵されたモーター61が連結されている。また、室内送風機71の下部は、前述した調和空気が流通する吹出風路74が形成されており、その吹出風路74を流通してきた調和空気を外部に排出するための吹出口75が、室内機70の下部に備えられている。空気調和機100の室内機70の基本動作次に、室内機70の基本的な動作について説明する。使用者がリモコン等を操作することによって空気調和機100が運転開始されると、室内送風機71に連結されたモーター61が回転駆動し、その回転に連動して室内送風機71が回転駆動する。この室内送風機71の回転によって室内空気が吸込口73から吸い込まれる。吸い込まれた室内空気は、室内送風機71の連続的な回転によってさらに室内熱交換器72を通過し、この室内熱交換器72内部を流通する冷媒と熱交換される。この室内熱交換器72は、空気調和機100が冷房運転を実施している場合は蒸発器として機能し、室内熱交換器72の内部の冷媒が蒸発するため、通過する室内空気は冷却される。一方、空気調和機100が暖房運転を実施している場合は、凝縮器として機能し、通過する室内空気は加熱される。このように、室内機70に吸い込まれた室内空気は、室内熱交換器72を通過する際に、室内熱交換器72によって熱交換され、使用者が要求する調和空気となる。室内熱交換器72を通過した調和空気は、室内送風機71の連続的な回転によって、吹出風路74を通過して吹出口75から室内に吹き出される。また、この室内送風機71に連結されたモーター61の回転数が変化することによって、吹き出される調和空気の風量が調整される。実施の形態2の効果以上の構成のように、空気調和機100、特に室内機70における室内送風機71に実施の形態1に係る電力変換装置60を内蔵し小型化されたモーター61を連結し搭載することによって、室内熱交換器72のサイズを大きくすることができ、省エネ性能が高い空気調和機を得ることができる。また、空気調和機100、特に室内機70における室内送風機71に実施の形態1に係る電力変換装置60を内蔵し高出力化したモーター61を連結し搭載することによって、立ち上がり時の熱交換性能を高く取ることができ、短時間で設定温度に到達し、使用者の快適性をより向上することができる。また、モーター61の高出力化によって風速が上げられるので、室内の温度ムラを解消でき、使用者の快適性をより向上することができる。なお、上記で説明した図7及び図8で示されるモーター61を搭載した空気調和機100、特に室内機70の構成は、例示であり、これらによってその構成が限定されるものではない。また、上記の説明において、実施の形態1に係る電力変換装置60を内蔵したモーター61は、室内機70における室内送風機71に連結される構成を説明したが、これに限定されるものではなく、室外機80における室外送風機81に連結され使用される構成としてもよい。実施の形態3.図9は、本発明の実施の形態3に係るモーターに内蔵される駆動回路の過熱保護回路30およびシャント抵抗RSの周辺回路図である。また、図10は、本発明の実施の形態3に係る電力変換装置60のインバーターIC2におけるICチップ20周辺の回路構成図である。図10に示す回路構成図は、図4に示す回路構成図の過熱検知素子14を過熱保護回路30に置き換えたものであり、他の構成は同一である。図9において、インバーターIC2と接続する母線電源ライン839は、抵抗R13および抵抗R14が並列に接続されて構成される電流検出用抵抗841と接続されている。電流検出用抵抗841は、他端が接地されており、図10に示すシャント抵抗RSに相当する。電流検出用抵抗841と電源ライン839との間の電位V1は、抵抗R15809を介して電位V0となり、比較回路836に接続される。電位V0の地点はコンデンサーC15812を介して接地されている。感温抵抗素子RT1842は、一端が基準電圧VB802と接続され、他端が電位V3であって、分圧抵抗R17801およびコンデンサーC18811と接続されている。感温抵抗素子RT1842は、面実装タイプの正特性の感温抵抗素子であり、図1に示す過熱検知素子14に相当する。抵抗内蔵トランジスタディジタルトランジスタQ7805は、ベース側は感温抵抗素子RT1842を介して基準電圧VB802と接続され、コレクタ側は抵抗R16804を介して基準電圧VB803と接続され、エミッタ側は接地されている。なお、基準電圧VB802と基準電圧VB803は同電圧である。このとき、基準電圧VB803は、抵抗R16804および抵抗R12807を介して電位V0に接続され、電位V0が比較回路836に取り込まれる。また、比較回路836の他方の入力端子には、基準電位Vrefの基準電源837が接続されている。なお、比較回路836および基準電源837は、インバーターIC2に内蔵されている。図11は、本発明の実施の形態3に係るモーターに内蔵される駆動回路の基板の断面図である。図9および図10で説明した過熱保護回路30等を含むものであり、各部の名称は図5と同一である。図11では、過熱検知素子14の実装面と反対側に、銅箔50およびスルーホール51を介してインバーターIC2のヒートスプレッダー13と熱的に強く結合された銅箔50が配置される。さらに、過熱検知素子14の実装面と反対側の銅箔50から、スルーホール51を介して熱的に強く結合された銅箔50を、過熱検知素子14と同面の側にも配置している。図12は、本発明の実施の形態3に係るモーターに内蔵される駆動回路の基板のインバーターIC2および過熱検知素子14周辺の上面図である。図9および図10で説明した過熱保護回路30等を含むものである。インバーターIC2のヒートスプレッダー13は、リフロー半田図示せずにより銅箔50と熱的および電気的に強い結合を持つ。また、過熱検知素子14を取り囲むように銅箔50が配置される。さらに、スルーホール51→背面の銅箔50図11に図示、本図には図示せず→スルーホール51の経路により熱的および電気的にインバーターIC2のヒートスプレッダー13と強い結合をもつ銅箔50図12において過熱検知素子14の左側にある銅箔50が過熱検知素子14の側面に配置される。以上の構成のように、図11、図12で示すとおり、面実装のインバーターIC2のヒートスプレッダー13と強い熱的結合を持つ銅箔50およびスルーホール51によって、温度特性が対数的な特性をもつ正特性感温抵抗素子を用いた過熱検知素子14を取り囲む構成とする。さらに、過熱検知素子14の出力を、ディジタルトランジスタQ7805を用いて増幅する。これにより、検出時間差や検出温度誤差なく温度保護がかけられ、パッケージやヒートスプレッダー13が小さな面実装パッケージを用いた高耐圧のインバーターIC2を、プリント基板1上で発熱体であるステーター3側に実装でき、従来の反ステーター3側の面にリードタイプのインバーターを配置しステーター3側の面に過熱検知素子14を配置した場合と同等のモーターおよび機器の運転範囲を得ることができる。また、インバーターIC2のICチップ20に対し、モールド樹脂4が薄くなりがちな反ステーター3側において、ヒートスプレッダー13および銅箔50で二重の金属バリアを構成することとした。これにより、ICチップ20破壊時のエネルギーで薄い反ステーター3側のモールド樹脂4が破れることがなくなり、使用者が安心感を得られる。なお、本実施の形態では、スルーホールタイプのプリント基板1を使用したことで、同一箔厚の基材を用いたノンスルー基板に比べ、スルーホール時メッキにより銅箔が厚くなるため、より強い熱的結合および金属バリアが得られる。また、スルーホール51が存在することで、より強い熱的結合および金属バリアが得られる。また、銅箔を厚くするほど、その効果が高いことは言うまでもない。また、スルーホールが単数よりも複数、サイズが小さいよりも大きいほうが、効果が高いことはいうまでもない。実施の形態4.図13は、本発明の実施の形態4に係るモーターに内蔵される駆動回路の過熱保護回路30およびシャント抵抗RSの周辺回路図である。実施の形態3で説明したものとは異なるが、本発明の実施の形態4に係る電力変換装置60のインバーターIC2におけるICチップ20周辺の回路構成図は、図10と同一である。インバーターIC2と接続する母線電源ライン839は、抵抗値Rの電流検出用抵抗841と接続されている。電流検出用抵抗841は、他端が接地されており、図10に示すシャント抵抗RSに相当する。また、電流検出用抵抗841と並列に抵抗値R0の感温抵抗素子842が配置されている。感温抵抗素子842は、面実装タイプの正特性の感温抵抗素子であり、図1に示す過熱検知素子14に相当する。電流検出用抵抗841と電源ライン839との間の電位V1は、抵抗値R0の感温抵抗素子842を介して電位V0となり、比較回路836に接続される。また、電位V0の地点は、抵抗値R1の抵抗843を介して基準電位Eの共通電源844に接続される。また、比較回路836の他方の入力端子には、基準電位Vrefの基準電源837が接続されている。なお、比較回路836および基準電源837は、インバーターIC2に内蔵されている。本実施の形態では、インバーターIC2の金属のヒートスプレッダー13は、クリーム半田もしくはフロー半田を用い図示せず、母線電源ライン839と熱的および電気的に強い結合をもつ。図14は、本発明の実施の形態4に係るモーターに内蔵される駆動回路の基板のインバーターIC2および過熱検知素子14周辺の上面図である。インバーターIC2のヒートスプレッダー13は、クリーム半田もしくはフロー半田図示せずにより銅箔50と熱的および電気的に強い結合を持つ。また、過熱検知素子14の一方の端子は、ヒートスプレッダー13と同電位の銅箔50と半田図示せずにより熱的および電気的に結合される。さらに、銅箔50の一部は、過熱検知素子14の下部に配置される。以上の構成のように、図14に示される面実装のインバーターIC2のヒートスプレッダー13と強い熱的結合を持つ銅箔50やスルーホール51と、図13に示される温度特性が対数的な特性をもつ正特性感温抵抗素子を用いた過熱検知素子14を熱的および電気的に直接強く結合する。これにより、検出時間差や検出温度誤差なく温度保護がかけられ、パッケージやヒートスプレッダー13が小さな面実装パッケージを用いた高耐圧のインバーターIC2を、プリント基板1上で発熱体であるステーター3側に実装でき、従来の反ステーター3側の面にリードタイプのインバーターを配置しステーター3側の面に過熱検知素子14を配置した場合と同等のモーターおよび機器の運転範囲を得ることができる。また、本発明の高圧直流電源38は、先に述べたように、商用電源を全波整流もしくは倍電圧整流した高圧系の電源を用いる。そのため、降圧電源を用いた30V以下の低圧電源を用いた回路内蔵モーターと比較して、Si素子チップの短絡故障の時の破壊エネルギーは桁違いに大きい。短絡故障時の抵抗値をR、直流電源電圧をVとすると、破壊時の発生熱量はV2/Rとなる。短絡故障時の抵抗はチップ断面積の大きな高圧パワー素子の方が小さくなる方向であり、仮に同じとしても電源電圧は5~10倍以上の差があり、破壊のエネルギーは25~100倍以上となる。その結果、モーターや機器の外部で発煙発光発音しやすく、使用者に不安を与えやすい。そのため、まず、熱破壊を起こさないことが求められる。また、万が一素子破壊が発生した場合にも、機器の外部にいる使用者が発煙発光発音を認知されないことが、より安心な機器である。また、本実施の形態では、インバーターIC2のICチップ20に対し、モールド樹脂4が薄くなりがちな反ステーター3側において、ヒートスプレッダー13および銅箔50で二重の金属バリアを構成することとした。これにより、商用電源を整流した高圧直流電圧38で用いられる高耐圧のICチップ20破壊時のエネルギーで薄い反ステーター3側のモールド樹脂4が破れて外部に発煙発光発音することがなくなり、使用者が安心な機器が得られる。前記の金属バリアによる効果は、プリント基板1の銅箔50とインバーターIC2内部の金属が機械的に結合していればよく、熱的または電気的に結合していなくても得られることはいうまでもない。また、本実施の形態では、スルーホールタイプのプリント基板1を使用したことで、同一箔厚の基材を用いたノンスルー基板に比べ、スルーホール時メッキにより銅箔が厚くなるため、より強い熱的結合および金属バリアが得られる。また、スルーホール51が存在することで、より強い熱的結合および金属バリアが得られる。また、銅箔を厚くするほど、その効果が高いことは言うまでもない。また、スルーホールが単数よりも複数、サイズが小さいよりも大きいほうが、効果が高いことはいうまでもない。また、本実施の形態では、増幅用のトランジスタを省略できる分、実施の形態3より安価に回路モーター機器を構成することができる。なお、実施の形態3では、ヒートスプレッダー13は、他の回路パターンと電気的結合を持たないため、実施の形態4と比較してパワー素子と低圧回路との絶縁性能が向上する。また、実施の形態3,4では、インバーターの主回路に1チップインバータICを用いているが、高圧面実装タイプのマルチチップのインバーターICおよびディスクリート主素子を用いても同様の効果が得られることはいうまでもない。また、実施の形態3,4において、主素子に耐熱温度の高いSiCやC等の高耐熱低損失のワイドバンドギャップ半導体を用いた場合、検知温度差や検知時間遅れに対し従来のSiを用いた主素子に対し余裕ができ、過熱検知素子14に温度抵抗特性変化の小さな負特性感温抵抗素子サーミスタ等を用いても良い。また、正特性感温抵抗素子を用いる場合は、銅箔やスルーホールによる熱的結合度合いを図示したより小さくしても同一の効果が得られる。また、ワイドバンドギャップ半導体としては、例えば、炭化珪素、窒化ガリウム系材料又はダイヤモンドがある。このようなワイドバンドギャップ半導体によって形成されたスイッチング素子やダイオード素子は、耐電圧性が高く、許容電流密度も高いため、スイッチング素子やダイオード素子の小型化が可能であり、これら小型化されたスイッチング素子やダイオード素子を用いることにより、これらの素子を組み込んだ半導体モジュールの小型化が可能となる。また、耐熱性も高いため、ヒートスプレッダー13の小型化が可能である。また、例えば、水冷による冷却方式を空冷化することが可能であるので、半導体モジュールの一層の小型化が可能になる。さらに、電力損失が低いため、スイッチング素子やダイオード素子の高効率化が可能であり、延いては半導体モジュールの高効率化が可能になる。なお、スイッチング素子やダイオード素子の両方がワイドバンドギャップ半導体によって形成されていることが望ましいが、いずれか一方の素子がワイドバンドギャップ半導体によって形成されていてもよく、この実施の形態に記載の効果を得ることができる。これまでの実施の形態において、素子と各金属との熱的電気的機械的結合を半田により行う場合について説明したが、他の金属や導電性樹脂等の素材を用いても同様の効果が得られることはいうまでもない。また、これまでの実施の形態において、プリント基板1に銅箔50を用いた両面スルーホール基板を用いたが、素子と各金属との熱的電気的機械的結合を、他金属や絶縁素材で構成された基材やエッチング等により回路を構成しない基板を用いても同様の効果が得られることはいうまでもない。また、これまでの実施の形態において、モーター搭載機器として空気調和機について説明したが、換気用送風機に搭載しても、機器の薄型化や送風性能の向上等について同様の効果が得られることはいうまでもない。前記送風性能の向上は、浴室やトイレ等で使用され、特に、短時間で湿気や臭気を排出したい場合等に特に有効である。"