一群の太陽電池パネルの直列接続体で構成された複数の太陽電池ストリングにそれぞれ接続され、前記太陽電池ストリングの出力電圧を所定の電圧に昇圧する複数の電圧変換回路と、前記複数の電圧変換回路から出力される直流電力を交流電力に変換する直流/交流変換回路を備えた太陽光発電用パワーコンディショナにおいて、前記電圧変換回路内の温度を検出する温度検出部と、前記温度検出部による検出結果に基づいて、前記電圧変換回路をスイッチング駆動するためのパルス信号のスイッチング周波数を決定する周波数決定部と、前記電圧変換回路毎に、前記周波数決定部によって決定された前記スイッチング周波数に応じたパルス信号を出力して個別に駆動制御する個別制御部をさらに備えることを特徴とする太陽光発電用パワーコンディショナ。前記電圧変換回路は、磁性部品を有し、前記温度検出部は、前記磁性部品の温度を検出し、前記周波数決定部は、前記温度検出部によって前記磁性部品の温度が第1閾値以上であると検出されると、前記スイッチング周波数を増加させることを特徴とする請求項1に記載の太陽光発電用パワーコンディショナ。前記電圧変換回路は、半導体素子をさらに有し、前記温度検出部は、前記半導体素子の温度をさらに検出し、前記周波数決定部は、前記温度検出部によって前記半導体素子の温度が第2閾値以上であると検出されると、前記スイッチング周波数を減少させることを特徴とする請求項2に記載の太陽光発電用パワーコンディショナ。前記個別制御部は、前記磁性部品の温度が第3閾値以上であり、かつ、前記半導体素子の温度が第4閾値以上のとき、前記太陽電池ストリングからの出力電力を減少させるように、前記電圧変換回路に前記パルス信号を出力することを特徴とする請求項2又は3に記載の太陽光発電用パワーコンディショナ。前記個別制御部は、前記スイッチング周波数の変更前後の前記パルス信号の時比率が同一となるように、前記電圧変換回路に該パルス信号を出力することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の太陽光発電用パワーコンディショナ。本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、複数の太陽電池ストリングの各々に接続された電圧変換回路昇圧チョッパ回路の電力の変換効率の低下を防ぐことが可能であると共に、温度制御による出力電力の減少を抑制することが可能な太陽光発電用パワーコンディショナを提供することを目的とする。上記目的を達成するために本発明に係る太陽光発電用パワーコンディショナは、一群の太陽電池パネルの直列接続体で構成された複数の太陽電池ストリングにそれぞれ接続され、前記太陽電池ストリングの出力電圧を所定の電圧に昇圧する複数の電圧変換回路と、前記複数の電圧変換回路から出力される直流電力を交流電力に変換する直流/交流変換回路を備えた太陽光発電用パワーコンディショナにおいて、前記電圧変換回路内の温度を検出する温度検出部と、前記温度検出部による検出結果に基づいて、前記電圧変換回路をスイッチング駆動するためのパルス信号のスイッチング周波数を決定する周波数決定部と、前記電圧変換回路毎に、前記周波数決定部によって決定された前記スイッチング周波数に応じたパルス信号を出力して個別に駆動制御する個別制御部をさらに備えることを特徴とする。この発明において、前記電圧変換回路は、磁性部品を有し、前記温度検出部は、前記磁性部品の温度を検出し、前記周波数決定部は、前記温度検出部によって前記磁性部品の温度が第1閾値以上であると検出されると、前記スイッチング周波数を増加させることが好ましい。この発明において、前記電圧変換回路は、半導体素子をさらに有し、前記温度検出部は、前記半導体素子の温度をさらに検出し、前記周波数決定部は、前記温度検出部によって前記半導体素子の温度が第2閾値以上であると検出されると、前記スイッチング周波数を減少させることが好ましい。この発明において、前記個別制御部は、前記磁性部品の温度が第3閾値以上であり、かつ、前記半導体素子の温度が第4閾値以上のとき、前記太陽電池ストリングからの出力電力を減少させるように、前記電圧変換回路に前記パルス信号を出力することが好ましい。この発明において、前記個別制御部は、前記スイッチング周波数の変更前後の前記パルス信号の時比率が同一となるように、前記電圧変換回路に該パルス信号を出力することが好ましい。本発明によれば、電圧変換回路内の温度に基づいて、各電圧変換回路をスイッチング駆動するためのパルス信号のスイッチング周波数が決定される。すなわち、電圧変換回路内の温度を低減させるように、スイッチング周波数を増減することができるため、電圧変換回路の電力の変換効率の低下を防ぐことができる。また、電圧変換回路内の温度制御による太陽電池ストリングの出力電力の減少を抑制できるため、太陽電池ストリングの出力電力をより効率的に引き出すことができる。本発明の一実施形態に係る太陽光発電用パワーコンディショナ以下、単にパワーコンディショナというを備えた太陽光発電システムについて図1乃至図3を参照して説明する。図1は、その太陽光発電システムにおいて、パワーコンディショナに接続される太陽電池パネルの配設例を示す。太陽光発電システム1の太陽電池パネル2は、戸建て住宅の寄棟屋根R1の東面、南面及び西面にそれぞれ設置されている。そして、各面の面積に応じて、各面の太陽電池パネル2の設置枚数は設定されている。各太陽電池パネル2の直列接続体は、それぞれ、太陽電池ストリング21A、21B、21Cを構成する。図2は、太陽光発電システム1の電気的構成を示す。太陽光発電システム1は、太陽電池ストリング21A、21B、21Cが接続されるパワーコンディショナ3と、パワーコンディショナ3と電力系統4及び負荷5との間を電気的に繋ぐ分電盤6を備える。なお、各太陽電池ストリング21A、21B、21Cは太陽電池パネルの直列接続枚数が異なり、それに伴って、各太陽電池ストリング21A、21B、21Cの開放電圧及び供給可能な最大電力も異なるものとして説明する。パワーコンディショナ3は、太陽電池ストリング21A~21Cから出力される電力を、分電盤6を介して、電力系統4及び負荷5に供給し、その供給に際して、電力を電力系統4及び負荷5への供給に適するように調整するものである。電力系統4は、交流で実効電圧が例えば200Vの電力を供給する商用の電力系統である。負荷5は、家電機器等の電気機器である。分電盤6には、電力系統4と負荷5とが並列に接続されている。パワーコンディショナ3は、太陽電池ストリング21A~21Cにそれぞれ個別に対応する昇圧チョッパ回路電圧変換回路30A~30Cと、各昇圧チョッパ回路30A~30Cを制御する各制御回路33A~33Cとを有する。また、パワーコンディショナ3は、昇圧チョッパ回路30A~30Cから出力される直流電力を交流電力に変換するインバータ直流/交流変換回路31と、各太陽電池ストリング21A~21Cからの出力電圧等を検出する出力検出回路32A~32Cとをさらに有する。昇圧チョッパ回路30Aは、図3に示すように、インダクタ磁性部品41と、スイッチング素子半導体素子42と、ダイオード半導体素子43と、キャパシタ44とを有する一般的な構成である。昇圧チョッパ回路30Aの入出力間にインダクタ41とダイオード43とが直列に接続される。スイッチング素子42は、インダクタ41とダイオード43との間で、回路に並列接続される。キャパシタ44は、昇圧チョッパ回路30Aの出力側で、回路に並列接続される。昇圧チョッパ回路30Aは、個別制御部35Aから出力されるパルス信号に応じて、スイッチング素子42をオン/オフ駆動させ、太陽電池ストリング21Aから出力される出力電圧を昇圧する。なお、図3では昇圧チョッパ回路30Aの構成について示したが、昇圧チョッパ回路30B、30Cについても同様の構成であり、その説明は省略する。また、昇圧チョッパ回路30A~30Cは、予め決められた定格電力や定格電流に合うように、自回路30A~30Cを動作させるための最適なスイッチング周波数が予め決められている。しかし、この定格電力や定格電流と、実際の出力電力や出力電流とが異なる状態において、昇圧チョッパ回路30A~30Cを上記予め決められたスイッチング周波数で動作させると、昇圧チョッパ回路30A~30C内の温度が上昇し、電力の変換効率が低下する。すなわち、太陽電池ストリング21A~21Cの出力電力や出力電流は変動するので、昇圧チョッパ回路30A~30Cを上記スイッチング周波数で動作させると、電力の変換効率が低下することが多い。そのため、後述する温度低減動作によって、スイッチング周波数を増減させることにより、昇圧チョッパ回路30A~30Cの電力の変換効率の低下を防ぐことができる。前記図2に示すように、出力検出回路32A~32Cは、太陽電池ストリング21A~21Cと昇圧チョッパ回路30A~30Cとの間に配置されている。各出力検出回路32A~32Cは、太陽電池ストリング21A~21Cから昇圧チョッパ回路30A~30Cに出力される出力電圧、出力電流、及び出力電流を検出する。各出力検出回路32A~32Cは、検出結果を、各制御回路33A~33C内の周波数決定部37A~37Cと個別制御部35A~35Cに出力する。各制御回路33A~33Cは、各昇圧チョッパ回路30A~30Cを個別に最大出力点追従制御することにより、各太陽電池ストリング21A~21Cから供給可能な最大電力を引き出すことができる回路である。各制御回路33A~33Cは、昇圧チョッパ回路30A~30Cをスイッチング駆動させるためのパルス信号を出力して、これらを個別に駆動制御する個別制御部35A~35Cを有する。また、各制御回路33A~33Cは、昇圧チョッパ回路30A~30Cの内部の温度を検出する温度検出部36A~36Cと、パルス信号のスイッチング周波数を決定する周波数決定部37A~37Cをさらに有する。各温度検出部36A~36Cは、各昇圧チョッパ回路30A~30C内のインダクタ41、スイッチング素子32、及びダイオード43の温度を検出し、検出した結果を各周波数決定部37A~37Cと個別制御部35A~35Cに出力する。各周波数決定部37A~37Cは、各出力検出回路32A~32C及び各温度検出部36A~36Cから出力された検出結果に基づいて、スイッチング周波数を決定し、決定したスイッチング周波数の値を各個別制御部35A~35Cに出力する。例えば、各周波数決定部37A~37Cは、温度検出部36A~36Cによって検出された温度に基づいて、スイッチング周波数を決定する。すなわち、各周波数決定部37A~37Cは、各昇圧チョッパ回路30A~30C内の温度の上昇を防ぐように、スイッチング周波数を増減させて、太陽電池ストリング21A~21Cの出力電圧や出力電流に適合したスイッチング周波数を決定する。そして、昇圧チョッパ回路30A~30Cが、決定された太陽電池ストリング21A~21Cの出力電圧や出力電流に適合したスイッチング周波数で動作する。個別制御部35A~35Cは、周波数決定部37A~37Cから与えられるスイッチング周波数と時比率デューティ比というに従って、各昇圧チョッパ回路30A~30Cのスイッチング素子42をオン/オフ駆動するためのパルス信号を出力する。つまり、個別制御部35A~35Cは、各昇圧チョッパ回路30A~30Cにパルス信号を出力してPWMPulseWidthModulation制御する。これにより、各昇圧チョッパ回路30A~30Cの入力端の電圧、すなわち、各太陽電池ストリング21A~21Cの出力電圧を制御でき、結果として、それらの出力電力を制御できる。次に、パワーコンディショナ3の最大点追従制御動作について説明する。図4は、太陽電池ストリング21A~21Cのそれぞれの出力特性を示す。太陽電池パネル2の直列接続枚数が21B、21C、21Aの順に多く、図4に示すように、この直列接続枚数の多い順に応じて開放電圧が高いものとする。パワーコンディショナ3を動作させて太陽電池ストリング21A~21Cのそれぞれから供給可能な最大電力を出力させる場合を考える。この場合、個別制御部35A~35Cは、各出力検出回路32A~32cから検出される各太陽電池ストリング21A~21Cの出力電圧が、最大電力Pmax1~Pmax3が得られる最適動作電圧V1~V3と一致するようにデューティ比を変化させる。すなわち、個別制御部35A~35Cは、各周波数決定部37A~37Cによって増減されたスイッチング周波数と、変化させたデューティ比とに応じたパルス信号を各昇圧チョッパ回路30A~30Cに出力する。そして、個別制御部35A~35Cは、各太陽電池ストリング21A~21Cの出力電圧を確認しながら、最大電力が引き出せるまで、デューティ比を変化させてパルス信号を各昇圧チョッパ回路30A~30Cに出力する。このようにして、デューティ比を変化することにより、太陽電池ストリング21A~21Cの各々について最大点追従制御を独立して行うことができ、それらの各々から、供給可能な最大電力を引き出すことができる。次に、パワーコンディショナ3の各昇圧チョッパ回路30A~30Cの内部の温度低減動作について説明する。インダクタ41の温度が上昇した場合温度検出部36A~36Cによって、各昇圧チョッパ回路30A~30Cのインダクタ41の温度が、予め決められた一定値第1閾値以上であると検出された場合を考える。その場合に、各周波数決定部37A~37Cは、このような温度上昇が検出された昇圧チョッパ回路30A~30Cに対応するスイッチング周波数を増加させる。そして、個別制御部35A~35Cは、温度が第1閾値以上であるインダクタ41を有する昇圧チョッパ回路30A~30Cに対して、スイッチング周波数が増加されたパルス信号を出力する。これにより、インダクタ41のコア損失を低減でき、インダクタ41の温度を低減させることができるので、昇圧チョッパ回路30A~30Cによる電力の変換効率の低下を防ぐことができる。スイッチング素子42又はダイオード43の温度が上昇した場合また、温度検出部36A~36Cによって、各昇圧チョッパ回路30A~30Cのスイッチング素子42又はダイオード43の温度が予め決められた一定値第2閾値以上であると検出された場合を考える。その場合に、各周波数決定部37A~37Cは、この温度上昇が検出された昇圧チョッパ回路30A~30Cのスイッチング周波数を減少させる。そして、個別制御部35A~35Cは、温度が第2閾値以上であるスイッチング素子42又はダイオード43を有する昇圧チョッパ回路30A~30Cに対して、スイッチング周波数を減少させたパルス信号を出力する。これにより、スイッチング素子42又はダイオード43のスイッチング損失を低減でき、これらの温度を低減させることができるので、昇圧チョッパ回路30A~30Cによる電力の変換効率の低下を防ぐことができる。インダクタ41と、スイッチング素子42又はダイオード43の温度とが上昇した場合あるいは、温度検出部36A~36Cによって、各昇圧チョッパ回路30A~30Cのインダクタ41と、スイッチング素子42又はダイオード43の温度が以下の様に上昇した場合を考える。詳しくは、インダクタ41の温度が一定値第3閾値以上であり、かつ、このインダクタ41を有する昇圧チョッパ回路30A~30Cのスイッチング素子42又はダイオード43の温度が一定値第4閾値以上であるものとする。その場合に、上記温度上昇が検出された昇圧チョッパ回路30A~30Cに対応する太陽電池ストリング21A~21Cからの出力電力を減少させるように、個別制御部35A~35Cが動作してもよい。詳しくは、例えば、図5に示すように、太陽光ストリング21Bが最大電力Pmax2を供給しているとする。このときに、昇圧チョッパ回路30Bのインダクタ41の温度が第3閾値以上であり、かつ、スイッチング素子42又はダイオード43の温度が第4閾値以上であると温度検出部36Bによって検出されたと仮定する。この場合、個別制御部35Bは、太陽電池ストリング21Bからの出力電力Pmax2を減少させて、例えば出力電力P21になるように、パルス信号のデューティ比を変化させる。すなわち、個別制御部35Bは、パルス信号のデューティ比を変化させて、太陽電池ストリング21Bの出力電圧を、最大電力を供給可能な電圧V2から電圧V21になるようにデューティ比を変化させる。このように、インダクタ41の温度が第3閾値以上であり、かつ、スイッチング素子42又はダイオード43の温度が第4閾値以上である場合に、その昇圧チョッパ回路30A~30Cに対応する太陽電池ストリング21A~21Cからの出力電力を減少させる。そのため、上記温度上昇が検出された昇圧チョッパ回路30A~30Cに入力される電力を減少させることができるので、昇圧チョッパ回路30A~30C内の温度を低減させることができる。従って、昇圧チョッパ回路30A~30Cによる電力の変換効率の低下を防ぐことができる。次に、パワーコンディショナ3の個別制御部35A~35Cから出力されるパルス信号のデューティ比について説明する。各個別制御部35A~35Cは、スイッチング周波数の変更前後において、パルス信号のデューティ比が同一となるように、昇圧チョッパ回路30A~30Cにパルス信号を出力するものである。図6abは、スイッチング周波数の変更前後における各個別制御部35A~35Cから出力されるパルス信号の変化の一例を示す。図6aに示すように、パルス信号が周期T1のスイッチング周波数であるとき、このパルス信号のデューティ比は50である。そして、図6bに示すように、パルス信号を周期T2のスイッチング周波数に変更した場合であっても、パルス信号のデューティ比は50のままであり、デューティ比は同一である。このように、スイッチング周波数の変更前後において、デューティ比を同一とすると、スイッチング周波数の変更によって各太陽電池ストリング21A~21Cの動作点が変化しない。従って、最大電力点追従制御に影響を与えることなく、スイッチング周波数を変更することができる。上述したように、本実施形態に係るパワーコンディショナ3では、各昇圧チョッパ回路30A~30C内の温度に基づいて、各昇圧チョッパ回路30A~30C内をスイッチング駆動するためのパルス信号のスイッチング周波数が決定される。すなわち、各昇圧チョッパ回路30A~30Cのインダクタ41と、スイッチング素子42、及びダイオード43の温度に基づいて、各昇圧チョッパ回路30A~30Cをスイッチング駆動するためのパルス信号のスイッチング周波数が決定される。そして、決定されたスイッチング周波数に基いて、各昇圧チョッパ回路30A~30Cが動作する。そのため、昇圧チョッパ回路30A~30C内の温度に基づいて、スイッチング周波数を増減することができるため、昇圧チョッパ回路30A~30Cの温度を低減させるように、スイッチング周波数を決定することができる。従って、スイッチング周波数を増減させることにより、昇圧チョッパ回路30A~30C内の温度を低減させることができるので、昇圧チョッパ回路30A~30Cにおける電力の変換効率の低下を防ぐことができる。また、パワーコンディショナ3では、各昇圧チョッパ回路30A~30C内の温度を低減させる際に、太陽電池ストリング21A~21Cの出力電力を必ず減少させるものではない。そのため、各昇圧チョッパ回路30A~30C内の温度制御による太陽電池ストリング21A~21Cの出力電力の減少を抑制できるため、太陽電池ストリング21A~21Cの出力電力をより効率的に引き出すことができる。なお、本発明は、上記実施形態の記載に限定されるものではなく、使用目的に応じて、様々な変形が可能である。例えば、図2において、全ての昇圧チョッパ回路のそれぞれに、周波数決定部と個別制御部を設けているが、1つの周波数決定部と制御部によって時分割的に制御してもよい。また、各昇圧チョッパ回路の内部の温度低減動作は、以下であってもよい。すなわち、インダクタの温度が一定値第5閾値以上であるときに、スイッチング素子又はダイオードの温度が一定値第6閾値以上になるまで、スイッチング周波数を増加させ続ける。そして、スイッチング素子又はダイオードの温度が第6閾値以上になると、インダクタの温度が第6閾値以上になるまで、スイッチング周波数を減少させ続けるという一連の処理を繰り返し行うものであってもよい。また、各昇圧チョッパ回路の内部の温度低減動作は、以下であってもよい。すなわち、一般的に、コア損失よりも、スイッチング損失の方が大きいため、インダクタの温度に応じてスイッチング周波数を増減し、スイッチング素子又はダイオードの温度が一定値以上になったときに、スイッチング周波数を減少させるものであってもよい。