"拡散とイオン注入とのハイブリッドプロセスの使用によって、選択エミッタ太陽電池を形成する方法であって、ベース層を含む基板を提供することと、イオン注入によって、前記ベース層の前面の1つ又は2つ以上の選択領域にドーパントを導入することと、前記基板をアニールすることであって、該アニールは、前記アニール中に炉に導入される追加のドーパントを前記ベース層の前面に拡散させるために、及び前記ベース層の前面に選択エミッタ層を形成するために、前記炉のなかで、前記基板を或る温度に加熱することであって、前記ベース層の前面の前記1つ又は2つ以上の選択領域は、前記選択エミッタ層のその他の部分よりも高濃度にドープされる前記選択エミッタ層の1つ又は2つ以上の選択領域を画定する、ことと、を備える方法。請求項1に記載の方法であって、前記基板は、単結晶のチョクラルスキシリコン基板である、方法。請求項1ないし2のいずれか一項に記載の方法であって、前記ベース層と選択エミッタ層との間の界面にp-n接合が形成されるように、前記ベース層は、p型ドーパントをドープされ、前記選択エミッタ層は、n型ドーパントをドープされる、方法。請求項1ないし3のいずれか一項に記載の方法であって、前記イオン注入されるドーパントは、リンを含み、拡散のために導入される前記追加のドーパントは、オキシ塩化リンPOCl3の形態で導入される、方法。請求項1ないし4のいずれか一項に記載の方法であって、更に、前記選択エミッタ層の前面に非晶質窒化シリコン層を蒸着させ、それによって反射防止膜を形成することを備える方法。請求項5に記載の方法であって、更に、前記選択エミッタ層の前記1つ又は2つ以上の選択領域と位置合わせして、前記非晶質窒化シリコン層に1つ又は2つ以上の銀製前面接触をスクリーン印刷することを備える方法。請求項1ないし6のいずれか一項に記載の方法であって、更に、前記基板の裏面に1つ又は2つ以上のアルミニウム製裏面接触をスクリーン印刷することを備える方法。請求項7に記載の方法であって、更に、前記1つ又は2つ以上の前面接触が前記非晶質窒化シリコン層を通じて前記選択エミッタ層の前記1つ又は2つ以上の選択領域と電気通信関係にあるように、前記前面接触及び前記裏面接触を同時焼成することを備える方法。請求項8に記載の方法であって、更に、前記前面接触及び前記裏面接触の同時焼成中に、前記ベース層の裏面と前記1つ又は2つ以上の裏面接触との界面において液相エピタキシャル再成長によってアルミニウムドープpシリコン裏面フィールド層を形成することを備え、前記1つ又は2つ以上の裏面接触は、前記アルミニウムドープpシリコン裏面フィールド層と電気通信関係にある、方法。請求項1ないし9のいずれか一項に記載の方法であって、追加のドーパントを前記ベース層の前面に拡散させることは、更に、鉄のゲッタリングシンクを提供するために、前記選択エミッタ層のなかにミスフィット転位を形成することと、鉄を置換位置から格子間位置に追いやって、前記鉄が前記ゲッタリングシンクに急速に拡散するようにするために、シリコン格子間を前記基板に導入することと、を含む、方法。請求項1ないし10のいずれか一項に記載の方法であって、更に、前記選択エミッタ層の表面の一部を消費するための酸化物層を前記選択エミッタ層の表面に形成するために、前記アニール中に前記炉に酸素を導入することを備える方法。請求項11に記載の方法であって、更に、前記基板を希フッ酸浴に浸漬させることによって、前記酸化物層、及び前記選択エミッタ層の消費部分を除去することを備える方法。請求項5ないし12のいずれか一項に記載の方法であって、更に、前記ドーパントの拡散ゆえに前記アニール中に形成されるガラス層を、前記非晶質窒化シリコン層の蒸着に先立って前記選択エミッタ層の前面から除去することを備える方法。太陽電池であって、p型ベース層を含むシリコン基板と、前記p型ベース層の上に形成されるn型選択エミッタ層であって、注入されたドーパントを含む1つ又は2つ以上の第1のドープ領域と、拡散されたドーパントを含む1つ又は2つ以上の第2のドープ領域と、を含み、前記1つ又は2つ以上の第1のドープ領域は、前記1つ又は2つ以上の第2のドープ領域よりも高濃度にドープされる、n型選択エミッタ層と、前記ベース層と前記選択エミッタ層との界面におけるp-n接合であって、前記p-n接合及び前記選択エミッタ層は、ともに、単一のアニールサイクル中に形成される、p-n接合と、を備える太陽電池。請求項14に記載の太陽電池であって、更に、前記選択エミッタ層の前面に形成される非晶質窒化シリコン反射防止層を備える太陽電池。請求項15に記載の太陽電池であって、更に、前記反射防止層の前面に、前記反射防止層を通して前記選択エミッタ層と電気通信関係にあるように形成される1つ又は2つ以上のスクリーン印刷前面接触と、前記ベース層の裏面に形成される1つ又は2つ以上のスクリーン印刷裏面接触と、を備え、前記1つ又は2つ以上の前面接触は、スクリーン印刷銀ペーストから形成され、前記1つ又は2つ以上の裏面接触は、スクリーン印刷アルミニウムペーストから形成される、太陽電池。請求項16に記載の太陽電池であって、更に、前記ベース層と前記1つ又は2つ以上の裏面接触との界面において液相エピタキシャル再成長によって形成されるアルミニウムドープpシリコン裏面フィールド層を備え、前記1つ又は2つ以上の裏面接触は、前記アルミニウムドープpシリコン裏面フィールド層と電気通信関係にある、太陽電池。請求項16ないし17のいずれか一項に記載の太陽電池であって、前記1つ又は2つ以上の前面接触は、接触抵抗を減少させるために、前記選択エミッタ層の前記より高濃度にドープされる1つ又は2つ以上の第1のドープ領域と位置合わせされ、前記1つ又は2つ以上の前面接触は、前記選択エミッタ層の前記1つ又は2つ以上の第1のドープ領域と電気通信関係にある、太陽電池。拡散とイオン注入とのハイブリッドプロセスの使用によって選択エミッタ太陽電池を形成する方法であって、p型シリコンを含む基板を提供することと、前記基板をアニールすることであって、該アニールは、前記アニール中に炉に導入されるn型ドーパントを前記基板の前面に拡散させるために、中間均一エミッタ層を形成するために、及び前記中間均一エミッタ層の前面にガラス層を形成するために、前記炉のなかで、前記基板を比較的高温に加熱することを含む、ことと、前記基板を前記炉から取り出すことと、前記中間均一エミッタ層の前面から前記ガラス層を除去することと、イオン注入によって、前記中間均一エミッタ層の前面の1つ又は2つ以上の選択領域に追加のn型ドーパントを導入することと、前記基板をアニールすることであって、該アニールは、前記注入による損傷を癒すために、前記追加のn型注入ドーパントを活性化させるために、前記追加のn型注入ドーパントを望ましい接合深さへ追い立てるために、及び前記中間均一エミッタ層を選択エミッタ層に変換するために、前記炉のなかで、前記基板を比較的低温に加熱することを含む、ことであって、前記中間均一エミッタ層の前記1つ又は2つ以上の選択領域は、前記選択エミッタ層のその他の部分よりも高濃度にドープされる前記選択エミッタ層の1つ又は2つ以上の選択領域を画定する、ことと、を備える方法。拡散とイオン注入とのハイブリッドプロセスの使用によって形成される選択エミッタを有する太陽電池であって、ベース層を含む基板を提供する工程と、イオン注入によって、前記ベース層の前面の1つ又は2つ以上の選択領域にドーパントを導入する工程と、前記基板をアニールする工程であって、該アニールは、前記アニール中に炉に導入される追加のドーパントを前記ベース層の前面に拡散させるために、及び前記ベース層の前面に選択エミッタ層を形成するために、前記炉のなかで、前記基板を或る温度に加熱することを含み、前記ベース層の前面の前記1つ又は2つ以上の選択領域は、前記選択エミッタ層のその他の部分よりも高濃度にドープされる前記選択エミッタ層の1つ又は2つ以上の選択領域を画定する、工程と、によって製造される太陽電池。以下では、添付の図面を参照にして、本発明の幾つかの実施形態がより完全に説明される。添付の図面には、本発明の全部ではなく一部の実施形態が示されている。当業者ならば、本発明が、多くの異なる形態で具現化可能であり、本明細書に明記された実施形態に限定されると見なされるべきでないこと、及びむしろ、これらの実施形態は、本開示が法的適用要件を満たせるようにするために提供されていることを理解することができる。類似の参照符号は、全図面を通して類似の要素を示すとする。選択エミッタ構造は、実験室で作成される高効率で高価なシリコン太陽電池と、産業界で製造される低コストだが低効率の電池との間のギャップを埋めるのに役立つ。産業用シリコン太陽電池の大半は、低コストのスクリーン印刷金属接触を用いており、このような金属接触は、接触抵抗を例えば5mΩcm2未満などの許容レベルに減少させるために、高濃度にドープされたエミッタ層を必要とする。高濃度にドープされた均一なエミッタを伴うシリコン太陽電池は、しかしながら、エミッタ内及びエミッタ表面における電荷キャリアの再結合の増加に見舞われ、これは、太陽電池効率の損失を招く。再結合は、接触の下における高濃度のドープ及び接触と接触との間における低濃度のドープを特徴とする選択エミッタを用いて低減されると考えられる。前面再結合速度FRSVの、例えば500,000cm/sから100,000cm/sへの、又はひいては10,000cm/s以下への低下は、フィールド領域のシート抵抗が例えば100オーム/スクエアに増加されたときに、より高い太陽電池効率をもたらすと考えられる。選択エミッタを形成する現在の手法は、いずれも、様々な欠点に見舞われている。本発明は、しかしながら、僅か1回の高温工程で選択エミッタを形成する単純な手法を提供することによって、当該分野の現状からの改善を可能にしている。選択エミッタを形成する手法の1つは、例えばオキシ塩化リンPOCl3拡散によるなどの、2回の別々の拡散工程を伴う。この手法は、しかしながら、製造プロセスにおいて、追加の工程を必要とするだろう。例えば、2回の別々の拡散は、2回の別々の高温加熱工程を必要とするだろう。また、この手法は、拡散と拡散との間に、保護用窒化シリコン層を蒸着させるための、並びにそれを誘電性のエッチングペースト、レーザ除去によるエッチング、及び/又は高価なフォトリソグラフィ処理によってパターン化するための、追加の工程を必要とするだろう。これらの追加の工程は、太陽電池を作成する時間及びコストの増加を招く。選択エミッタを形成する代替の手法は、イオン注入による。イオン注入の使用は、POCl3拡散によって選択エミッタを形成するときに必要とされる、リンケイ酸塩ガラス除去の工程及びエッジ分離の工程の必要を排除するという点で有利である。しかしながら、電荷キャリア再結合の増加ゆえに鉄汚染が性能の不安定性及び電力の損失を招くアニールプロセス中に、イオン注入の潜在的欠点が生じる。汚染鉄は、基板のなかに存在する又はプロセス周囲から基板に進入すると考えられる。鉄-ホウ素対は、光の照射を受けて、格子間鉄に分裂することが知られ、これらは、鉄-ホウ素の場合の浅い捕獲準位~0.25eVに対してミッドギャップ捕獲準位~0.4eVを有する。鉄-ホウ素対のこの解離は、イオン注入エミッタを伴う太陽電池に見られる光によって誘発される不安定性を招く。発明者らの認識によると、POCl3拡散は、鉄の強力なゲッタリング剤として機能するので、拡散によって形成される選択エミッタは、鉄汚染の兆候を見せないと考えられる。POCl3拡散は、エミッタのなかに、鉄のゲッタリングシンクを提供するミスフィット転位を形成する。また、POCl3拡散は、シリコン格子間の導入をもたらし、これは、鉄を、置換位置から、エミッタのなかのゲッタリングシンクに急速に拡散可能な位置である格子間位置に追いやる。イオン注入エミッタを伴う太陽電池では、一般に、POCl3ではなく酸素及び窒素の雰囲気のなかで注入後アニールが成されるので、リンケイ酸塩ガラスの形成はなく、ミスフィット転位は少ない。したがって、鉄は、基板の大部分にとどまり、これは、バルク寿命を縮めて太陽電池効率の低下を招く可能性がある。発明者らは、上述された手法の欠点の幾つかを回避する手法であって、選択エミッタを形成する新しい手法を発見した。すなわち、選択エミッタを作成するために、イオン注入と拡散とのハイブリッドプロセスが使用される。具体的には、イオン注入によって、基板のベース層の前面の選択領域をドープすることができる。次いで、選択領域に注入されたドーパントを補充するために、及び選択領域と選択領域との間のフィールド領域を低濃度にドープするために、単一の高温アニールサイクル中に、拡散によってベース層の表面に追加のドーパントが導入される。結果得られる太陽電池は、拡散工程ゆえに、鉄汚染、及び鉄によって誘発される不安定性の低下を見せる。更には、アニールが注入イオンを活性化して基板のなかへ追い立てるのみならず、同じ加熱サイクル中に、追加のドーパントの拡散も生じるので、プロセスは、例えば摂氏800~1000度の、単一の高温アニールサイクルのみを必要とする。その結果、選択領域が、0.800以上のフィルファクタ及び約19の電池効率を与えるのに十分に高いドーパント濃度及び十分に深い接合をその表面及びその下に有するように、産業レベルの合理的なプロセスのみを使用して、単一の高温アニールサイクルで、選択エミッタを伴う大量生産可能で且つ交換可能な太陽電池の生産が可能である。これらの値は、更には、低コストでしかしながら高品質のスクリーン印刷接触を伴っても可能である。図1は、本発明にしたがって、太陽電池5の一実施形態を示している。太陽電池5は、半導体基板で形成することができる。基板は、シリコンSi、ゲルマニウムGe、シリコン-ゲルマニウムSiGe、若しくはその他の半導体材料で構成することができる、又はこのような材料の組み合わせであってよい。単結晶基板の場合は、半導体基板は、フローティングゾーンFZ技術又はチョクラルスキCz技術の使用によって、融液から成長させることができる。結果得られる単結晶ブールは、次いで、引き続き研磨によって基板に形成することが可能なウエハとして切り出すことができる。シリコン、ゲルマニウム、シリコン-ゲルマニウムで構成される基板の場合は、ウエハ表面の結晶方位は、例えば100又は110だと考えられる。或いは、基板は、多結晶であってもよく、これは、単結晶基板よりも安価だと考えられる。しかしながら、多結晶基板は、結晶粒界における電荷キャリアの再結合に見舞われ、効率損失を回避するために不動態化を必要とする。基板の前面及び裏面は、異方性エッチングプロセス中に水酸化カリウムKHOとイソプロピルアルコールIPAとの溶液によるその処理によって形成されるピラミッド構造を示すことができる。これらの構造の存在は、前面からの反射によって失われる光の量を減らすことによって、太陽電池5に入る光の量を増加させる。裏面のピラミッド構造は、裏面接触が形成される間に破壊することができる。図1の実施形態にしたがうと、基板は、p型ベース層10を形成するために、例えばp型不純物などの第1の伝導型の不純物でドープすることができる。もし、基板がシリコンSi、ゲルマニウムGe、又はシリコン-ゲルマニウムSi-Geで構成されるならば、p型ベース層10は、p型の伝導性を生じるために、ホウ素B、ガリウムGa、インジウムIn、アルミニウムAl、又は場合によっては別のIII族元素でドープすることができる。或いは基板は、n型の伝導性を誘発し、それによってn型ベース層を形成するために、リンP、アンチモンSb、砒素As、又はその他のV族元素でドープすることができる。p型ベース層10の前面には、例えば拡散とイオン注入とのハイブリッドプロセスを使用して、高濃度にドープされた領域15と、低濃度にドープされた領域20とで構成される選択エミッタ層を形成することができる。高濃度にドープされた領域15及び低濃度にドープされた領域20は、例えばn型不純物などの、第1の伝導型と反対の第2の伝導型の不純物でドープすることができる。p型ベース層10とドープ領域15、20との間の界面には、p-n接合25が形成されるだろう。p型ベース層10及びドープ領域15、20は、それらの伝導性が反対であるゆえに、p-n接合25を跨ぐ電場を発生させ、該電場は、光子の吸収の結果として生じる自由電子と空孔とを分離し、それらをそれぞれ前面接触30及び裏面接触35に向かって反対方向に移動させる。選択エミッタ層のドープ領域15、20の前面には、入射光の反射を減少させ、そうして太陽エネルギの損失を低減させるために、反射防止層40を形成することができる。反射防止層40は、その下の基板の屈折率よりも大きい屈折率を有してよく、これは、太陽電池5に入射する光が反射防止層40のなかへ屈折されて基板に到達し、そこで自由電荷キャリアに変換されることを可能にする傾向がある。例えば、反射防止層40は、波長632.8nmを有する入射レーザによって測定されたときに、1.9~2.4の範囲の屈折率を有するだろう。反射防止層40は、窒化シリコンSiNX、酸化アルミニウムAl2O3、酸化チタンTiO2、フッ化マグネシウムMg2F、酸化亜鉛ZnO、若しくは硫化亜鉛ZnS2、又はこれらの材料の組み合わせで構成することができる。一部の実施形態では、反射防止層40は、非晶質窒化シリコンa-SiNXなどの非晶質窒化物を含む。反射防止膜40は、10~100ナノメートルの厚さを有することができる。前面接触30及び裏面接触35、並びに前面接続及び裏面接続は、銀Ag、アルミニウムAl、又は銀とアルミニウムとの組み合わせなどの、導電性材料で形成することができる。総じて、シリコン基板及びその他の基板の場合は、選択エミッタ層のドープ領域15、20などのn型にドープされた基板の表面に接触させるために、銀を使用することができ、p型ベース層などのp型にドープされた基板の表面に接触させるためには、アルミニウム、銀、又はアルミニウムを添加された銀を使用することができる。半導体に対する金属の直接的接触は、電子と空孔との再結合率を増加させ、これは、太陽電池効率を大幅に低下させる可能性がある。この影響を減少させて、基板の表面を金属が覆う割合を制限するためには、前面接触30及び裏面接触35、並びに前面接続及び裏面接続を、点接触又は線接触局所接触と呼ばれることもあるとして構成すればよい。点接触又は線接触の間隔及び配置は、あたかも本明細書に全文を明記されるかのように参照によって本明細書に組み込まれる2009年1月29日公開の米国公開第2009/0025786号に記載のように決定することができる。前面接触30及び裏面接触35、並びに前面接続及び裏面接続は、反射防止層40の前面に銀を、p型ベース層10の裏面にアルミニウム、銀、又はアルミニウムを添加された銀をスクリーン印刷することによって形成することができる。前面接続及び裏面接続は、太陽電池5の前面及び裏面との電気的接続を促すための、はんだ付け可能なパッド又はバスバーを含むことができる。代表的な実施形態にしたがうと、前面接続のパターンは、裏面接続のパターンと位置合わせすることができる。また、前面接触30及び前面接続の場合は、太陽電池効率を低下させる可能性がある陰影作用を制限するために、その高い電気伝導性ゆえに銀を選択することができる。この目的には、HeraeusSOL953などの、様々な市販の銀ペーストが利用可能である。しかしながら、銀は、透明ではなく、したがって、この追加の理由ゆえに、前面接触30及び前面接続の寸法は、限られた面積の点接触又は線接触に限定されると望ましいと考えられる。前面接触30とその下の選択エミッタ層との間の接触抵抗を減少させるために、前面接触30は、選択エミッタ層の高濃度ドープ領域15と位置合わせされる。特定の実施形態において、前面接触30の幅は、前面接触30が完全に高濃度ドープ領域15内であることを保証するために、高濃度ドープ領域15の幅未満であることができる。これらの選択領域における高濃度のドープは、その下のp-n接合25の深さも増加させ、これは、前面接触30を形成するために使用される金属ペーストの成分によってp-n接合25を通って生じる分路形成又は焼成を阻止することができる。特定の実施形態にしたがうと、反射防止層40は、前面接触30及び前面接続55が形成される前に、選択エミッタ層のドープ領域15、20の前面に配することができる。この場合は、前面接触30及び前面接続は、下にある選択エミッタ層の領域との接触を成すために、反射防止層40を物理的に貫通することができる。前面接触30及び前面接続は、選択エミッタ層との接触を成すために反射防止層40を通って生じるそれらの焼成を促すために、金属に加えてガラスフリットを含有することができる。裏面接触35及び裏面接続は、スクリーン印刷ペーストを使用して、p型ベース層10の裏面に形成することができる。裏面接触35を形成するために使用されるペーストは、MonocrystalAnalog12Dなどのアルミニウムペーストを含むことができる。また、裏面接続を形成するために使用されるペーストは、MonocrystalPPAS-7-1などのアルミニウム-銀ペーストを含むことができる。代表的な実施形態にしたがうと、裏面接続は、裏面接触35が施される前に、p型ベース層10の裏面に施すことができる。裏面接触35は、裏面接続の一部を露出させつつ裏面接続のエッジに重なるように印刷することができる。一部の実施形態では、裏面接触35及び裏面接続は、p型ベース層10の裏面のほぼ全面を覆うことができる。或いは、裏面接触35及び裏面接続は、p型ベース層10の裏面の一部分のみを覆うことができる。裏面接触35の焼成ゆえに、p型ベース層10の裏面と裏面接触35との間の界面には、液相エピタキシャル再成長によって、アルミニウムドープpシリコン裏面フィールド層45を形成することができる。これらの実施形態では、裏面接触35は、アルミニウムドープpシリコン裏面フィールド層45の裏面と電気的接触を成すことができる。裏面接触35は、アルミニウム-シリコン共晶組成で構成することができる。裏面接触35は、また、太陽電池5のための裏面反射層としても機能することができる。裏面反射層の存在は、裏面に到達する入射光を基板に戻らせて、そこで自由電荷キャリアを生成することを可能にするための、反射表面を提供する。裏面接触35の厚さは、厚さにして10~40マイクロメータであってよく、適切な反射性を提供することができる。図2a、図2b、及び図2cは、本発明の代表的な一実施形態にしたがった、イオン注入と拡散とのハイブリッドプロセスによって形成される選択エミッタを伴う別の代表的な太陽電池を製造するための、代表的な一方法にしたがったフローチャートを示している。図2a、図2b、及び図2cは、したがって、本発明にしたがったその製造の方法を開示している。図2a、図2b、及び図2cを参照すると、動作200では、基板が提供される。基板は、図1に関連して上述されたものであってよい。通常、基板は、指定の大きさのp型又はn型の伝導性を伴うものを、サプライヤから注文することができる。様々な実施形態にしたがうと、基板は、p型ベース層10を形成するためにはp型のドーパントでドープすることができる。ドーパント濃度は、1015~1017原子毎立方センチメートル原子/cm3の範囲であってよい。基板の厚さは、50~500μmの範囲であってよいが、50μmから200μm未満までの厚さの基板を使用することによって、現在の標準的な基板と比べて半導体材料の節約を実現することができる。基板の抵抗性は、1~100オーム-cmの範囲であってよく、1~3オーム-cmを使用すると、優れた結果が得られる。単結晶若しくは多結晶、又は場合によってはストリングリボン法による薄膜タイプ若しくはその他のタイプの基板が使用可能である。動作200では、基板を洗浄して処理に備えることができる。洗浄は、例えば約1~10の濃度を有する水酸化カリウムKOH浴に基板を浸漬させ、基板の表面上の切り出しによる損傷をエッチング除去することによって達成することができる。幾つかの代表的な実施形態にしたがうと、エッチングは、摂氏約60~90度の温度で実施することができる。動作205では、基板をテクスチャ加工することができる。例えば、基板は、水酸化カリウム-イソプロピルアルコールKOH-IPA浴に基板を浸漬させ、それを異方性エッチングすることによってテクスチャ加工することができる。幾つかの代表的な実施形態にしたがうと、水酸化カリウム濃度は、約1~10の濃度であってよく、イソプロピルアルコールは、約2~20の濃度であってよい。KOH-IPA浴の温度は、摂氏約65~90度であってよい。KOH-IPAは、基板の表面をエッチングして、結晶方位に面を有するピラミッド構造を形成する。結果得られるピラミッド構造は、前面における反射性を低減させるのに、及び光を基板内に閉じ込めて、そこで電気エネルギへの変換のために吸収されることを可能にするのに役立つ。動作210では、例えばドーパント原子又はドーパントイオンなどのドーパントを、選択領域15におけるベース層10の前面に導入することができる。様々な実施形態にしたがうと、ドーパントは、イオン注入によって導入することができる。ドーパントは、ベース層10の伝導型とは反対の伝導型を有することができる。したがって、もし、ベース層10がp型の伝導性を有するならば、動作210で導入されるドーパントは、n型の伝導性を有することができる。反対に、もし、ベース層10がn型の伝導性を有するならば、ドーパントは、p型の伝道性を有することができる。特定の実施形態において、n型ドーパントは、例えばP31などのリンイオンであってよい。選択領域15のパターン化は、例えばグラファイトマスクなどのマスクを通してイオン注入を実施することによって達成することができる。グラファイトマスクは、幅が50~500マイクロメートルで長さが例えば156mmなどの基板の幅以上である開口を有することができる。動作210におけるイオン注入中は、基準エッジとして知られる基板の一エッジを、重力によってマスクのエッジと位置合わせすることができる。また、例えばレーザツールを使用して、基準エッジ上に、位置合わせを伴う下流のプロセス工程において基準にすることができるフィデューシャルを作成することができる。一部の実施形態にしたがうと、ドーパントイオンの注入は、0.7×1015cm-2~1.0×1016cm-2の線量で実施することができる。ビーム加速は、5~30キロ電子ボルトkeVの範囲で実施することができる。動作215では、p-n接合25及び選択エミッタを形成するために、注入された基板を加熱工程に通すことができる。一部の実施形態にしたがうと、基板は、例えば自動化された石英管炉などの、アニール用の炉に導入することができる。石英管の内径は、156ミリメートルの角加工基板に適応するために、約290ミリメートルであってよい。アニール動作215は、幾つかの目的を一度に達成するために使用することができる。第1に、アニール動作215は、注入されたドーパントイオンを活性化することができる。すなわち、アニール動作の加熱エネルギは、シリコン格子のなかに、ドーパントイオンが満たすための空孔を形成する。第2に、アニールは、p-n接合25を形成するために、ドーパントイオンを例えば望ましい接合深さなどの、基板のなかのより深くへ追い立てることができる。第3に、アニール動作215は、イオン注入によって生じた基板の結晶格子の損傷を修復することができる。第4に、アニール動作215は、選択領域15の間のフィールド領域20を低濃度にドープするために使用することができる。代表的な実施形態にしたがうと、アニール動作215は、1~400枚の基板を摂氏700~900度の範囲の温度の炉に装填することによって開始することができる。一部の実施形態では、多数の基板を同時に炉に装填することができ、例えば、単一の炉サイクル中に最多で400枚もの基板を装填することができる。基板が炉に装填されたら、10~30分の時間をかけて、温度を摂氏800~900度の範囲の温度に一定比率で上昇させることができる。この温度は、次いで、30~100分にわたって維持することができる。次に、3~30分の時間をかけて、温度を摂氏700~900度の温度に一定比率で低下させることができる。基板は、次いで、炉から取り出すことができる。温度が維持されている期間の一部では、p型ベース層10の前面に拡散させるために、追加のドーパント原子を路に導入することができる。追加のドーパントは、イオン注入工程中に注入されたものと同じタイプの原子、或いは同じ伝導性の、別のタイプのドーパント原子を含むことができる。特定の実施形態では、追加のドーパント原子は、もし、p型ベース層10の裏面も露出されるならば、そこにも拡散させることができる。例えば、液状ドーパントを内包するバブラに、窒素キャリアガスを通すことができる。液状ドーパントは、オキシ塩化リンPOCl3を含むことができる。その際に、窒素ガスは、POCl3の分子を収集して炉に運ぶことができる。炉のなかで、POCl3からのリンドーパント原子は、p型ベース層10の前面及び裏面に拡散することができる。一部の実施形態にしたがうと、ドーパント原子は、p型ベース層10の裏面、並びにp型ベース層10の前面のフィールド領域20及び選択領域15の両方に拡散することができる。拡散は、選択領域15の間のフィールド領域20を低濃度にドープして、70~120オーム/スクエアのシート抵抗にすることができる。また、拡散は、選択領域15が選択領域15の間のフィールド領域20よりも高濃度にドープされ、それによってp型ベース層10の前面に選択エミッタ層が形成されるように、選択領域15を補うことができる。或いは、選択領域15を覆うためにマスク又はマスク層が重ねられる場合は、拡散は、フィールド領域20のみで生じることができる。これらの実施形態において、もし、動作210における選択領域15のイオン注入工程が、より高い線量で実施される場合も、やはり、選択領域15を、フィールド領域20よりも高濃度にドープすることが可能である。したがって、拡散とイオン注入とのハイブリッドプロセスによって形成される選択エミッタ層は、単一の高温アニール工程で形成することができる。様々な実施形態にしたがうと、選択エミッタ層の選択領域15におけるシート抵抗は、30~50オーム/スクエアの範囲であることができる。また、選択エミッタ層のフィールド領域20におけるシート抵抗は、80~120オーム/スクエアの範囲、好ましくは100オーム/スクエアであることができる。エミッタフィールド領域20におけるこのような高いシート抵抗は、単一の炉サイクルにおいて多数の基板が導入されるときに、高度な均一性でもって実現するのは厳しいと考えられる。フィールド領域20における、並びにひいては選択領域15における、シート抵抗及びドーププロフィールは、拡散時間、キャリアガス流量、ドライブイン時間すなわち、炉にキャリアガスが流入していないピーク温度の時間、及びプロセス温度によって制御することができる。これらのプロセスパラメータは、シート抵抗の均一性を向上させるために及びそれぞれの領域におけるシート抵抗を増加又は減少させるために、変更することができる。様々な実施形態では、拡散プロセスによって、選択エミッタ層のドープ領域15、20の前面に、例えばリンケイ酸塩ガラスなどのガラス層も形成されることがある。一部の実施形態にしたがうと、ガラス層は、以下の動作220における反射防止層40の形成に先立って、除去される必要がある。ガラス層を除去する代表的な一方法は、基板を希フッ酸浴に浸漬させることを含み、該希フッ酸浴は、約1~20の濃度を有してよく、10の場合に優れた結果を得られる。動作220では、選択エミッタ層のドープ領域15、20の前面に、反射防止層40を形成することができる。反射防止層40は、その下の基板よりも高い屈折率を有してよく、そうして、より多くの光が反射防止層40を通過して基板の内部に到達し、太陽電池5の前側からの光反射を低減させることを可能にすることができる。反射防止層40は、窒化シリコンSiNX、酸化アルミニウムAl2O3、酸化チタンTiO2、フッ化マグネシウムMg2F、若しくは硫化亜鉛ZnS2、又はこれらの材料の組み合わせで構成することができる。特定の実施形態では、反射防止層40は、非晶質窒化シリコンa-SiNXなどの非晶質窒化物を含むことができる。反射防止層40は、プラズマ助長化学蒸着PECVDによって形成することができる。PECVDプロセスに代わるものとして、低圧化学蒸着LPCVDやスパッタリングなどが挙げられる。PECVDプロセスは、基板を摂氏300~500度の範囲の温度に加熱することを含むことができる。また、PECVDプロセスは、反応性のシランガス及びアンモニアガスを使用することを含むことができる。反射防止層40は、60~70ナノメートルの厚さと、約2.00の屈折率とを有することができる。反射防止層40の厚さ及び屈折率は、蒸着時間、プラズマ出力、反応性ガスの流量、及び蒸着圧力などのパラメータによって決定することができる。動作225では、反射防止層40の前面に、太陽電池5の前面接触30及び前面接続のための材料を施すことができる。様々な実施形態にしたがうと、前面接触30及び前面接続は、光学的位置合わせを伴う半自動のスクリーン印刷器を使用してスクリーン印刷することができる。前面接触30及び前面接続は、例えばHeraeusSOL953などの銀ペーストを使用して施すことができる。一部の実施形態では、銀ペーストは、接触の焼成中に反射防止層40を貫通することを助けるために、フリット銀ペーストであることができる。銀ペーストは、特に、低濃度でリンをドープされたエミッタへの接触を形成する用に、最適化することができる。前面接触30及び前面接続の構成及び間隔は、スクリーンの接触パターンによって定めることができる。特定の実施形態では、前面接触30は、幅が50~150マイクロメートルであってよく、1.5~2.5ミリメートルの距離で隔てることができる。前面接触30及び前面接続のためのペーストは、引き続き、ベルト炉によって乾燥させることができる。或いは、前面接触30及び前面接続は、以下の動作230で説明されるように、裏面接触35及び裏面接続と同時に乾燥させることができる。様々な代表的な実施形態では、特に、上述された方法によって形成される選択エミッタ層用に、格子パターンや線パターンなどのスクリーンパターンを設計することができる。例えば、前面接触30のパターンは、選択エミッタ層の選択領域15と位置合わせされてそれらの選択領域15内に印刷されるように、設計することができる。特定の実施形態では、前面接触30の幅は、前面接触30が完全に選択領域15内であることを保証するために、選択領域15の幅未満であることができる。これらの選択領域15における高濃度のドープは、その下のp-n接合25の深さも増加させ、これは、前面接触30を形成するために使用される金属ペーストの成分によってp-n接合25を通って生じる分路形成又は焼成を阻止することができる。代表的な実施形態にしたがうと、選択エミッタ層の選択領域15に対する前面接触30の位置合わせは、動作210で上述された基準エッジ若しくは位置を合わせる対象位置を示すために太陽電池5上に形成された別のフィデューシャルマークを使用した光学的位置合わせ、2つのポストに突き合わせるバット-エッジ位置合わせ、基板の中心若しくはエッジに対するカメラによる位置合わせなどを含む、当業者に知られる多岐にわたる技術を通じて達成することができる。動作230では、p型ベース層10の裏面に、裏面接触35及び裏面接続のための材料を施すことができる。特定の実施形態では、裏面接触35及び裏面接続は、p型ベース層10の裏面にスクリーン印刷することができる。裏面接触35は、例えばMonocrystalAnalog12Dなどのアルミニウムペーストを使用して施すことができる。また、裏面接続は、例えばMonocrystalPPAS-7-1などのアルミニウム-銀ペーストを使用して施すことができる。代表的な実施形態にしたがうと、はんだ付け可能なパッド及びバスバーなどの裏面接続は、裏面接触35が施される前に、p型ベース層10の裏面に施すことができる。裏面接触35は、裏面接続の一部を露出させつつ裏面接続のエッジに重なるように印刷することができる。代表的な実施形態では、裏面接触35及び裏面接続は、p型ベース層10の裏面のほぼ全面にスクリーン印刷することができる。これらの実施形態では、裏面接続35のアルミニウムペーストは、ウエハのエッジの近くのおおよそ1mm幅の狭い縁部分にはプリントされなくてよい。或いは、裏面接触35及び裏面接続は、p型ベース層10の裏面の一部分のみにプリントすることができる。太陽電池5は、プリントされたペーストを乾燥させるために、随意として、30~300秒にわたり、周囲空気のなかで摂氏150~350度の温度のベルト炉に置くことができる。動作235では、接触30、35及び接続を施された基板を、インライン式ベルト炉などのベルト炉のなかで、加熱又は同時焼成するこができる。構造を同時焼成するプロセスにおいて、前面接触30及び前面接続は、反射防止層40を通って焼成し、選択エミッタ層のドープ領域15、20との物理的接続を形成することができる。様々な実施形態において、前面接触30は、選択エミッタ層の選択領域15のみと物理的接触を成すことができる。反射防止層40を通る焼成を促すために、前面接触30及び前面接続は、ガラスフリットなどのフリットを含有することができる。前面接触30及び前面接続を形成するために使用されるペーストのなかのガラスフリットは、摂氏500度近くの温度で溶融し、その下の反射防止層40を溶解させる。焼成温度は、前面接触ペーストのなかの銀などの金属粒子がエミッタの深さよりも下に移行することなく選択エミッタ層とのオーム接触を形成するように、選択することができる。動作235における同時焼成中に、裏面接触35及び裏面接続の材料は、p型ベース層10の裏面との物理的接触を形成することができる。特定の実施形態では、裏面接触35及び裏面接続の焼成は、摂氏577度のアルミニウム-シリコン共晶温度を上回る温度で生じることができる。同時焼成に続いて基板が冷却するときは、液相エピタキシャル再成長によって、p型ベース層10の裏面に、アルミニウムドープpシリコン裏面フィールド層45が形成することができる。これらの実施形態では、裏面接触35は、裏面フィールド層45と電気通信関係にあることができる。温度プロフィールは、p型ベース層10のテクスチャード加工裏面と裏面フィールド層45との間の均一なp-p界面の形成を促す摂氏20度毎秒から摂氏150度毎秒の範囲の高い加熱速度を特徴とすることができる。また、冷却中は、裏面フィールド層45の裏面に、アルミニウム製裏面接触35も形成することができる。前面接続及び裏面接続は、前面接触30及び裏面接触35のそれぞれと一体になって太陽電池5の前側及び裏側のそれぞれと優れた電気的接続を形成するために、前面接触30及び裏面接触35のそれぞれと焼結又は接合することもできる。太陽電池が光の照射を受けたときに負荷に対して出力を提供するために、接続は、太陽電池モジュールのなかで、隣接する太陽電池に及び最終的には負荷に、はんだ付けワイヤを通じてつなぐことができる。動作240では、接合分離工程が実施される。一部の実施形態にしたがうと、エッジ分離を実施するために、レーザを使用することができる。レーザは、1064nm赤外線レーザであってよい。様々な実施形態において、接合分離工程は、深さがおおよそ30μmの、おおよそ100μm幅の溝50を形成することができる。溝は、太陽電池5の側縁からおおよそ100~200μmに位置付けることができる。図3は、本発明の一実施形態にしたがった、イオン注入と拡散とのハイブリッドプロセスによって形成される選択エミッタを伴う太陽電池を製造するための、代替の一方法にしたがったフローチャートを示している。動作300及び動作305は、図2a、図2b、及び図2cに関連して上述された動作200及び動作205と同一である。動作310では、基板は、ベース層10の前面にドーパントを拡散させるために、例えば自動化された石英管炉などの炉に導入することができる。例えば、液状ドーパントを内包するバブラに、窒素キャリアガスを通すことができる。液状ドーパントは、オキシ塩化リンPOCl3を含むことができる。その際に、窒素ガスは、POCl3の分子を収集して炉に運ぶことができる。炉のなかでは、POCl3からのリンドーパント原子が、p型ベース層10の前面に拡散することができる。一部の実施形態にしたがうと、ドーパント原子は、前面全体すなわち、フィールド領域20及び選択領域15の両方に拡散することができる。或いは、選択領域15を覆うために、マスク又はマスク層が基板に重ねられる場合は、拡散は、フィールド領域20のみで生じることができる。導入されるドーパントの量は、フィールド領域をドープして70~120オーム/スクエアのシート抵抗にするのに十分であってよい。ドーパントの層は、ベース層10の伝導性と反対の伝導性を有することができる。したがって、もし、ベース層10がp型の伝導性を有するならば、動作210で導入されるドーパントの層は、n型の伝導性を有することができる。反対に、もし、ベース層10がn型の伝導性を有するならば、ドーパント原子は、p型の伝道性を有することができる。特定の実施形態において、n型ドーパントは、例えばP31などのリンイオンであってよい。動作310では、p-n接合25及び中間均一エミッタ層を形成するために、基板を加熱工程に通すことができる。代表的な実施形態にしたがうと、加熱工程は、摂氏700~900度の範囲の温度の炉に基板を装填することによって開始することができる。一部の実施形態では、多数の基板を同時に炉に装填することができ、例えば、単一の炉サイクル中に最多で400枚もの基板を装填することができる。基板が炉に装填されたら、10~30分の時間をかけて、温度を摂氏800~900度の範囲の温度に一定比率で上昇させることができる。この温度は、次いで、30~100分にわたって維持することができる。次に、3~30分の時間をかけて、温度を摂氏700~900度の温度に一定比率で低下させることができる。基板は、次いで、炉から取り出すことができる。したがって、拡散とイオン注入とのハイブリッドプロセスによって形成される選択エミッタ層は、単一の高温アニール工程で形成することができる。動作315は、新しく形成されたガラスを基板から除去することを含む。動作310における拡散工程中は、中間均一エミッタ層の前面全体及びp型ベース層10の裏面に、例えばリンケイ酸ガラスなどのガラスが形成されることがある。したがって、ガラス層は、後続の工程に先立って、除去する必要がある。ガラス層を除去する代表的な一方法は、基板を希フッ酸浴に浸漬させることを含み、該希フッ酸浴は、約1~20の濃度を有してよく、10の場合に優れた結果を得られる。動作325では、選択領域15における中間均一エミッタ層の前面に、追加のドーパント原子を導入することができる。様々な実施形態にしたがうと、ドーパント原子は、イオン注入によって導入することができる。選択領域15のパターン化は、例えばグラファイトマスクなどのマスクを通してイオン注入を実施することによって達成することができる。グラファイトマスクは、幅が300~500マイクロメートルで長さが例えば156mm以上などの基板の幅以上である開口を有することができる。動作325におけるイオン注入中は、基板の一エッジを、重力によってマスクのエッジと位置合わせすることができる。この基準エッジは、前面接触を形成する後の工程において基準にしてエッジの位置合わせを実現するために、例えばダイヤモンドペンなどによってマークすることができる。一部の実施形態にしたがうと、ドーパントイオンの注入は、1.0×1015cm-2~1.0×1016cm-2の線量で実施することができる。ビーム加速は、10~30キロ電子ボルトの範囲で実施することができる。拡散プロセス後にイオン注入を実施すれば、注入されたイオンが高温アニールを経ることがないので、注入ドーパントの投入を表面近くに留めることが可能であると考えられる。動作325では、基板を、短時間で比較的低温のアニールに通すことができる。様々な実施形態にしたがうと、低温アニールの長さは、1~20分であってよく、好ましくは5分である。この期間中、温度は、摂氏400~600度の範囲にあってよい。低温アニールは、選択領域15がフィールド領域20よりも高濃度にドープされているという事実ゆえに、中間均一エミッタ層を選択エミッタ層に変換することができる。残りの動作330~350は、図2a、図2b、及び図2cに関連して上述された動作220~240と同一である。様々な実施形態にしたがうと、上述のように、イオン注入及び拡散の両方を伴うハイブリッドプロセスによって形成される選択エミッタ層を伴う太陽電池を形成することができる。本明細書で説明されるように選択エミッタ層を形成することによって、多くの利点を実現することができる。例えば、様々な実施形態にしたがうと、単一の高温アニール工程で選択エミッタ層を形成することができる。また、特定の実施形態にしたがうと、イオン注入/拡散ハイブリッドプロセスによって、イオン注入選択エミッタに付随する、鉄汚染によって誘発される寿命の低下及び不安定性の問題を解決することができる。更に、様々な実施形態にしたがうと、0.800以上のフィルファクタ及び約19の電池効率を与えるのに十分に高い濃度及び十分に深い接合をその表面及びその下に有する選択領域を有する選択エミッタ層を伴う太陽電池を、更には、低コストでしかしながら高品質のスクリーン印刷接触を伴って、作成することが可能である。更に、これらの改善は、太陽電池の作成に必要とされる時間、機器、及びコストを大幅に低減させ、製造プロセスのスループットを大きく向上させる。本発明の一態様は、拡散とイオン注入とのハイブリッドプロセスの使用によって選択エミッタ太陽電池を形成する方法であって、ベース層を含む基板を提供することと、イオン注入によって、ベース層の前面の1つ又は2つ以上の選択領域にドーパントを導入することと、基板をアニールすることであって、該アニールは、アニール中に炉に導入される追加のドーパントをベース層の前面に拡散させるために、及びベース層の前面に選択エミッタ層を形成するために、炉のなかで、基板を或る温度に加熱することであって、ベース層の前面の1つ又は2つ以上の選択領域は、選択エミッタ層のその他の部分よりも高濃度にドープされる選択エミッタ層の1つ又は2つ以上の選択領域を画定する、ことと、を含む方法に関するものである。本発明の上記態様にしたがった方法の一実施形態にしたがうと、基板は、単結晶のチョクラルスキシリコン基板である。本発明の上記態様にしたがった方法の一実施形態にしたがうと、ベース層と選択エミッタ層との間の界面にp-n接合が形成されるように、ベース層は、p型ドーパントをドープされ、選択エミッタ層は、n型ドーパントをドープされる。本発明の上記態様にしたがった方法の一実施形態にしたがうと、イオン注入されるドーパントは、リンを含み、拡散のために導入される追加のドーパントは、オキシ塩化リンPOCl3の形態で導入される。本発明の上記態様にしたがった方法の一実施形態にしたがうと、方法は、更に、選択エミッタ層の前面に非晶質窒化シリコン層を蒸着させ、それによって反射防止膜を形成することを含む。本発明の上記態様にしたがった方法の一実施形態にしたがうと、方法は、更に、選択エミッタ層の1つ又は2つ以上の選択領域と位置合わせして、非晶質窒化シリコン層に1つ又は2つ以上の銀製前面接触をスクリーン印刷することを含む。本発明の上記態様にしたがった方法の一実施形態にしたがうと、方法は、更に、基板の裏面に1つ又は2つ以上のアルミニウム製裏面接触をスクリーン印刷することを含む。本発明の上記態様にしたがった方法の一実施形態にしたがうと、方法は、更に、1つ又は2つ以上の前面接触が非晶質窒化シリコン層を通じて選択エミッタ層の1つ又は2つ以上の選択領域と電気通信関係にあるように、前面接触及び裏面接触を同時焼成することを含む。本発明の上記態様にしたがった方法の一実施形態にしたがうと、方法は、更に、前面接触及び裏面接触の同時焼成中に、ベース層の裏面と1つ又は2つ以上の裏面接触との界面において液相エピタキシャル再成長によってアルミニウムドープpシリコン裏面フィールド層を形成することを含み、1つ又は2つ以上の裏面接触は、アルミニウムドープpシリコン裏面フィールド層と電気通信関係にある。本発明の上記態様にしたがった方法の一実施形態にしたがうと、追加のドーパントをベース層の前面に拡散させることは、更に、鉄のゲッタリングシンクを提供するために、選択エミッタ層のなかにミスフィット転位を形成することと、鉄を置換位置から格子間位置に追いやって、鉄がゲッタリングシンクに急速に拡散するようにするために、シリコン格子間を基板に導入することと、を含む。本発明の上記態様にしたがった方法の一実施形態にしたがうと、方法は、更に、選択エミッタ層の表面の一部を消費するための酸化物層を選択エミッタ層の表面に形成するために、アニール中に炉に酸素を導入することを含む。本発明の上記態様にしたがった方法の一実施形態にしたがうと、方法は、更に、基板を希フッ酸浴に浸漬させることによって、酸化物層、及び選択エミッタ層の消費部分を除去することを含む。本発明の上記態様にしたがった方法の一実施形態にしたがうと、方法は、更に、ドーパントの拡散ゆえにアニール中に形成されるガラス層を、非晶質窒化シリコン層の蒸着に先立って選択エミッタ層の前面から除去することを含む。本発明の一態様は、太陽電池であって、p型ベース層を含むシリコン基板と、p型ベース層の上に形成されるn型選択エミッタ層であって、注入されたドーパントを含む1つ又は2つ以上の第1のドープ領域と、拡散されたドーパントを含む1つ又は2つ以上の第2のドープ領域とを含み、1つ又は2つ以上の第1のドープ領域は、1つ又は2つ以上の第2のドープ領域よりも高濃度にドープされる、n型選択エミッタ層と、ベース層と選択エミッタ層との界面におけるp-n接合であって、p-n接合及び選択エミッタ層は、ともに、単一のアニールサイクル中に形成される、p-n接合と、を含む太陽電池に関するものである。本発明の上記態様にしたがった太陽電池の一実施形態にしたがうと、太陽電池は、更に、選択エミッタ層の前面に形成される非晶質窒化シリコン反射防止層を含む。本発明の上記態様にしたがった太陽電池の一実施形態にしたがうと、太陽電池は、更に、反射防止層の前面に、該反射防止層を通して選択エミッタ層と電気通信関係にあるように形成される1つ又は2つ以上のスクリーン印刷前面接触と、ベース層の裏面に形成される1つ又は2つ以上のスクリーン印刷裏面接触とを含み、1つ又は2つ以上の前面接触は、スクリーン印刷銀ペーストから形成され、1つ又は2つ以上の裏面接触は、スクリーン印刷アルミニウムペーストから形成される。本発明の上記態様にしたがった太陽電池の一実施形態にしたがうと、太陽電池は、更に、ベース層と1つ又は2つ以上の裏面接触との界面において液相エピタキシャル再成長によって形成されるアルミニウムドープpシリコン裏面フィールド層を含み、1つ又は2つ以上の裏面接触は、アルミニウムドープpシリコン裏面フィールド層と電気通信関係にある。本発明の上記態様にしたがった太陽電池の一実施形態にしたがうと、1つ又は2つ以上の前面接触は、接触抵抗を減少させるために、選択エミッタ層の、より高濃度にドープされる1つ又は2つ以上の第1のドープ領域と位置合わせされ、1つ又は2つ以上の前面接触は、選択エミッタ層の、1つ又は2つ以上の第1のドープ領域と電気通信関係にある。本発明の一態様は、拡散とイオン注入とのハイブリッドプロセスの使用によって選択エミッタ太陽電池を形成する方法であって、p型シリコンを含む基板を提供することと、基板をアニールすることであって、該アニールは、アニール中に炉に導入されるn型ドーパントを基板の前面に拡散させるために、中間均一エミッタ層を形成するために、及び該中間均一エミッタ層の前面にガラス層を形成するために、炉のなかで、基板を比較的高温に加熱することを含む、ことと、基板を炉から取り出すことと、中間均一エミッタ層の前面からガラス層を除去することと、イオン注入によって、中間均一エミッタ層の前面の1つ又は2つ以上の選択領域に追加のn型ドーパントを導入することと、基板をアニールすることであって、該アニールは、注入による損傷を癒すために、追加のn型注入ドーパントを活性化させるために、追加のn型注入ドーパントを望ましい接合深さへ追い立てるために、及び中間均一エミッタ層を選択エミッタ層に変換するために、炉のなかで、基板を比較的低温に加熱することを含む、ことであって、中間均一エミッタ層の1つ又は2つ以上の選択領域は、選択エミッタ層のその他の部分よりも高濃度にドープされる選択エミッタ層の1つ又は2つ以上の選択領域を画定する、ことと、を含む方法に関するものである。本発明の一態様は、拡散とイオン注入とのハイブリッドプロセスの使用によって形成される選択エミッタを有する太陽電池であって、ベース層を含む基板を提供する工程と、イオン注入によって、ベース層の前面の1つ又は2つ以上の選択領域にドーパントを導入する工程と、基板をアニールする工程であって、該アニールは、アニール中に炉に導入される追加のドーパントをベース層の前面に拡散させるために、及びベース層の前面に選択エミッタ層を形成するために、炉のなかで、基板を或る温度に加熱することを含み、ベース層の前面の1つ又は2つ以上の選択領域は、選択エミッタ層のその他の部分よりも高濃度にドープされる選択エミッタ層の1つ又は2つ以上の選択領域を画定する、工程と、によって製造される太陽電池に関するものである。以上の説明及び関連の図面に提示された教示内容のおかげで、本発明が属する分野の当業者ならば、本明細書に明記された本発明の多くの変更形態及びその他の実施形態を思い付くことができる。したがって、本発明の実施形態は、開示された特定の実施形態に限定されないこと、並びに変更形態及びその他の実施形態は、添付の特許請求の範囲の範囲内に含まれることを意図されることが理解される。更に、以上の説明及び関連の図面は、要素及び/又は機能の幾つかの代表的な組み合わせに照らして代表的な実施形態を説明しているが、代替の実施形態によって、添付の特許請求の範囲の範囲から逸脱することなく要素及び/又は機能の異なる組み合わせが提供可能であることがわかる。この関連において、例えば、添付の特許請求の範囲の一部に明記されるように、明確に上述されたものと異なる工程、要素、及び/又は材料の組み合わせもまた、考えられる。したがって、明細書及び図面は、限定的な意味ではなく例示的なものと見なされる。本明細書では、具体的な用語が用いられているが、それらは、一般的な説明の意味で使用されており、制限することを目的としていない。"