複数のフィーチャを有するターゲットパターンを基板に転写するためのスペーサベースのマルチパターニングリソグラフィ工程を改良する方法であって、前記スペーサベースのマルチパターニングリソグラフィ工程のために前記ターゲットパターンの設計レイアウトを複数のサブレイアウトに分解するステップであって、前記複数のサブレイアウトのうち少なくとも1つが、前記基板への前記スペーサ-ターゲットサブレイアウトのパターニング後にスペーサ材料を追加するように構成されたフィーチャを有するスペーサ-ターゲットサブレイアウトであるステップと、前記スペーサ-ターゲットサブレイアウト以外のサブレイアウト内に含まれるフィーチャの少なくとも縁部を画定するように構成されたセルフアライメント型アシストパターンSAPを導出するステップと、改良型スペーサ-ターゲットサブレイアウトを生成するために前記スペーサ-ターゲットサブレイアウトに前記SAPを追加するステップと、リソグラフィマスク内で前記改良型スペーサ-ターゲットサブレイアウトを使用する前記スペーサベースのマルチパターニングリソグラフィ工程を介して前記基板に前記ターゲットパターンを転写するステップとを含む方法。単一のSAPフィーチャ又は複数のSAPフィーチャが、前記スペーサ-ターゲットサブレイアウト以外の前記サブレイアウトのフィーチャのセットを画定するように構成される、請求項1に記載の方法。前記単一のSAPフィーチャが、フィーチャの縁部に対してセルフアライメントを実行するように構成されるか、又は前記複数のSAPフィーチャが前記スペーサベースのマルチパターニングリソグラフィ工程内で複数のパターンのセルフアライメントを実行するように構成される、請求項2に記載の方法。前記スペーサ-ターゲットサブレイアウト以外の前記サブレイアウトの前記フィーチャの前記縁部の位置決めが、前記スペーサ-ターゲットサブレイアウトのフィーチャに対して比較的クリティカルである、請求項1に記載の方法。リソグラフィ装置を用いて基板上にターゲットパターンを転写する方法であって、a前記ターゲットパターンの設計レイアウトを少なくとも2つの設計サブレイアウトに分解するステップと、b前記設計レイアウトからセルフアライメント型アシストパターンSAPを導出するステップと、c前記導出されたSAPを、少なくとも1つのサブレイアウトのフィーチャと前記導出されたSAPとを含む前記改良型設計サブレイアウト内に、包含するステップと、d前記改良型設計サブレイアウトを用いてマスクレイアウトとしてマスクを生成するステップと、e前記マスクを用いて第1のサブレイアウトと、前記導出されたSAPとをリソグラフィによって前記基板上に転写するステップと、fスペーサを形成するステップと、g後続のサブレイアウトをリソグラフィによって前記基板上に転写して、前記転写された後続のサブレイアウトに前記転写された第1のサブレイアウトに対してセルフアライメントを実行させるステップとを含む方法。前記ターゲットパターン内に含まれる個別のフィーチャの間の少なくとも1つのクリティカル間隔と、前記ターゲットパターンの個別のフィーチャの少なくとも1つのクリティカルディメンションとのうち1つ以上が前記リソグラフィ装置の解像限界を下回る、請求項5に記載の方法。前記SAPを導出するステップが、前記ターゲットパターンの前記設計レイアウトの周縁を識別するステップと、前記サブレイアウトのうち少なくとも1つに含まれるフィーチャに隣接する周縁を調整するステップとを含む、請求項5に記載の方法。前記SAPを導出するステップが、前記ターゲットパターンの前記設計レイアウトの周縁を識別するステップと、幾何学的ブール演算を用いて1つ又は複数のSAPフィーチャを導出するステップであって、前記1つ又は複数のSAPフィーチャが、前記サブレイアウトの前記フィーチャのセルフアライメントを容易にするステップとをさらに含む、請求項5に記載の方法。前記スペーサを形成するステップが、スペーサ材料層を堆積させるステップと、前記スペーサ材料層をパターニングするステップとを含む、請求項5に記載の方法。ステップgの後にリソグラフィ後の処理を実行して前記基板上への前記ターゲットパターンの転写を完了する、請求項5に記載の方法。前記リソグラフィ後の処理が、前記スペーサの少なくとも一部を除去するステップを含む、請求項10に記載の方法。前記リソグラフィ後の処理が、ステップeの前記フィーチャ及びSAPの過剰な部分をリソグラフィによってトリミングして前記所望のターゲットパターンを描写するステップを含む、請求項10に記載の方法。ステップe又はgで使用したフォトレジストのトーンが前記リソグラフィ装置の解像限界を下回る間隔又は寸法に基づいて選択される、請求項5に記載の方法。SAPを用いて達成されるセルフアライメントがあるために複数のクリティカルディメンションに対処するように構成される、請求項5に記載の方法。コンピュータによって読み出されると、リソグラフィ装置を用いて基板上にターゲットパターンを転写する方法をコンピュータに実行させる命令を内部に記録したコンピュータ可読媒体であって、前記方法が、a前記ターゲットパターンの設計レイアウトを少なくとも2つの設計サブレイアウトに分解するステップと、b前記設計レイアウトからセルフアライメント型アシストパターンSAPを導出するステップと、c前記導出されたSAPを、少なくとも1つのサブレイアウトのフィーチャと前記導出されたSAPとを含む前記改良型設計サブレイアウト内に、包含するステップと、d前記改良型設計サブレイアウトを用いてマスクのレイアウトとしてマスクを生成するステップと、e前記マスクを用いて第1のサブレイアウトと前記導出されたSAPとをリソグラフィによって前記基板上に転写するステップと、fスペーサを形成するステップと、g後続のサブレイアウトをリソグラフィによって前記基板上に転写して、前記転写された後続のサブレイアウトに前記転写された第1のサブレイアウトに対してセルフアライメントを実行させるステップとを含むコンピュータ可読媒体。0031当業者が本発明を実施することができるように、本発明の例示的な例として提供される図面を参照して以下に本発明を詳述する。特に、以下の図及び例は本発明の範囲を1つの実施形態に限定するものではなく、下記又は図示の要素の一部又は全部を入れ替えることで別の実施形態も可能である。さらに、周知のコンポーネントを用いて本発明の特定の要素を部分的に又は完全に実施することができる場合、本発明を分かりにくくしないように、本発明の理解に必要な周知のコンポーネントのそれらの部分のみを記述し、それら周知のコンポーネントのその他の部分の詳細な記述は省略する。ソフトウェアで実施される実施形態はそれに限定されてはならず、特に断りのない限り、当業者には明らかなように、ハードウェア、又はソフトウェアとハードウェアとの組合せで実施される実施形態を含むことができ、またその逆の場合も同様である。本明細書では、単一のコンポーネントを示す実施形態は限定的と考えてはならず、特に本明細書で断りのない限り、複数の同じコンポーネントを含む別の実施形態を包含し、またその逆の場合も同様である。さらに、特に断りのない限り、出願人らは明細書又は特許請求の範囲のいかなる用語にも一般的でない又は特殊な意味を与えることはない。さらに、本発明は、本明細書の図で参照する周知のコンポーネントの現在及び将来の周知の同等物を含む。0032本稿では、ICの製造における本発明の使用を特に参照できるが、本発明は、多数の他の可能な用途を有することを明確に理解されたい。例えば、磁気ドメインメモリ、液晶表示パネル、薄膜磁気ヘッド用の集積光学系、案内及び検出パターンの製造に採用することができる。当業者であれば、このような別の用途の場合、本明細書で用いるレチクル、ウェーハ、又はダイという用語のいかなる使用もより一般的な用語であるマスク、基板及びターゲット部分という用語にそれぞれ置き換えることができることを理解することができるだろう。本発明の例示的実施形態を実施するリソグラフィシステムの一般的な環境0033本発明を説明する前に、設計全体及び結像工程について簡潔に説明する。図1Aは、例示的リソグラフィ投影装置10を示す。主要なコンポーネントは、深紫外線エキシマレーザ放射源などの光源12と、部分的なコヒーレンスシグマとして示されるを定義し、また特定の光源整形光学系14、16a及び16bを含んでいてもよい照明光学系と、マスク又はレチクル18と、ウェーハ面22上にレチクルパターンの画像を生成する投影光学系16cである。瞳面の調整式フィルタ又はアパーチャ20はウェーハ面22に当たるビーム角度の範囲を制限することができ、可能な最大角度は投影光学系の開口数NA=sinΘmaxを定義する。0034リソグラフィシステムでは、これらの主要システムコンポーネントが図1Bに示すように別々の機能モジュールによって記述することができる。図1Bを参照すると、機能モジュールは、ターゲット設計を定義する設計レイアウトモジュール26と、結像工程で使用するマスクを定義するマスクレイアウトモジュール28と、シミュレーション工程中に使用するマスクのモデルを定義するマスクモデルモジュール30と、リソグラフィシステムの光学コンポーネントの性能を定義する光学モデルモジュール32と、所与の工程で使用されているレジストの性能を定義するレジストモデルモジュール34とを含む。周知のように、シミュレーション工程の結果は、例えば、結果モジュール36内に予測輪郭及びCDを生成する。0035より詳細には、照明及び投影光学系の特性が、NA-シグマσ設定と、任意の特定の照明源の形状例えば、環状、四重極、及び二重極などの軸外光源とを含む光学モデル32内で捕捉されるが、これらに限定されないことに留意されたい。基板上にコーティングされたフォトレジスト層の光学特性、すなわち、屈折率、膜厚、伝搬及び偏光効果も光学モデル32の一部として捕捉できる。マスクモデル30は、レチクルの設計フィーチャを捕捉し、マスクの詳細な物理特性の表現を含むこともできる。最後に、レジストモデル34は、例えば、基板ウェーハ上に形成されるレジストフィーチャの輪郭を予測するために、露光、PEB及び現像中に生起する化学工程の影響を説明する。0036本発明は、第一に図1Bに示す設計レイアウトモジュール26及びマスクレイアウトモジュール28に関連する。ターゲット設計は、一般に、GDSII又はOASISなどの標準化ディジタルファイルフォーマットで提供される。SAPは、ターゲット設計から導出され、マスクレイアウト内に含まれる。本発明の例示的方法0037図2は、本発明のある実施形態によるマルチパターニングリソグラフィ内でSAP及びスペーサを使用する方法を示す例示的フローチャートである。0038図2のフローチャート200は、1つの例示的実施形態によるマルチパターニングリソグラフィ内にSAP及びスペーサを組み込むことで基板上にターゲットパターンを転写する方法の幾つかの主要なステップを示す。0039フローチャート200は、ステップ202で開始し、ここでターゲットパターンの設計レイアウトが選択される。設計レイアウトは、GDS又はその他の任意の標準/カスタムディジタルフォーマットであってもよい。0040ステップ204で、設計レイアウトは、少なくとも2つのサブレイアウトに分解される。分解の一部はカラーリングと呼ばれる。カラーリングは、幾つかの事前定義された設計規則を用いて実行することができる。一例では、カラーリングは、異なるCDを有する幾何学構造の分離に基づいて実行される。すなわち、サブレイアウトの一方は第1のCDを有するフィーチャを収容し、他方のサブレイアウトは第2のCDを有するフィーチャを収容する。サブレイアウトの一方は、スペーサ層を追加するターゲットの生成を容易にするように構成される。そのサブレイアウトは、スペーサ-ターゲットサブレイアウトと呼ばれる。スペーサ-ターゲットサブレイアウトは、アドオンレイアウトフィーチャとしてのSAPを収容するように構成される。したがって、後続のリソグラフィマスクレイアウトは、サブレイアウトそれ自体の元のフィーチャと、SAPフィーチャとを含む。このマスクレイアウトは、改良型スペーサ-ターゲットサブレイアウトと呼ぶことができる。改良型スペーサ-ターゲットサブレイアウトは、同じカラー又は複数のカラーの選択的なフィーチャを収容することができることに留意されたい。0041ステップ206で、元の設計レイアウトから単一のSAP又はSAPフィーチャのセットが導出される。7~9に関連して後で詳述するように、SAPは、設計レイアウトに含まれるフィーチャ及び特性に幾何学的ブール演算を適用することで自動生成できる。本明細書に示す例では具体的に説明してはいないが、すべての設計規則判定基準を満たすSAPフィーチャの最終セットが生成されるまでSAPフィーチャの最初のセットを用いてSAPフィーチャの後続のセットを微調整する反復工程でSAPフィーチャの最終セットが生成できることは当業者には明らかであろう。概して、ステップ208に示すように、SAPフィーチャは、第1のリソグラフィマスクレイアウトサブレイアウト自体の元のフィーチャと導出されたSAPフィーチャとを含む改良型スペーサ-ターゲットサブレイアウトから生成される内で導出され、そこに含まれる。第1のリソグラフィ工程のための物理マスクは、改良型スペーサ-ターゲットサブレイアウトを用いて作成される。オプションとして、改良型スペーサ-ターゲットサブレイアウト内に光近接効果補正OPCを適用してもよい。0042工程フローに応じて、トリムマスクとして周知の別の物理マスクもステップ205で平行にされ、オプションとして、OPCをトリムマスクパターンに適用できる。トリムマスクの使用はオプションであって、工程フロー内で後ほど使用してスペーサ-ターゲットサブレイアウトのフィーチャがリソグラフィによって基板上に転写された後で、スペーサ-ターゲットサブレイアウトによって収容されなかったフィーチャの転写を描写/微調整/完了することができる。0043ステップ210で、スペーサ-ターゲットサブレイアウトと、単一又は複数のSAPフィーチャとを含む改良型スペーサ-ターゲットサブレイアウトのフィーチャが標準のフォトリソグラフィ及びエッチング/平坦化工程を用いて基板上に転写される。これを図12A、図12C及び図12Dに関連して詳述する。オプションとして、この最初のリソグラフィ/エッチング工程でハードマスクを使用してもよい。採用するリソグラフィのトーンに応じて明視野又は暗視野マスクを使用することができる。0044ステップ212で、スペーサが形成される。スペーサは、リソグラフィによって転写された設計レイアウトフィーチャと基板上に印刷されたSAPフィーチャとの側壁の周囲に形成される。スペーサは、特定の工程フローの必要と適性とに応じて非晶質炭素又はその他の材料を含んでいてもよい。スペーサは、膜の堆積によって形成することができる。堆積したスペーサ膜の層を平坦化するためにいくらかの後処理が必要になることがある。平坦化は、化学機械研磨CMP又はエッチバックによって実行される。堆積したスペーサの全部又は大半をその後工程フロー内で除去できる。したがって、少なくともスペーサの一部が犠牲層として使用される。図12Eはリソグラフィによって転写された設計レイアウトフィーチャ及びSAPに隣接するスペーサの形成1214図12Eを参照を示す。スペーサは、ターゲットパターン全体の周縁とターゲットパターン内に含まれる個別のフィーチャの縁部とを画定する。特に、最初のリソグラフィで印刷されなかったサブレイアウトのフィーチャの縁部がスペーサによって画定される。0045ステップ214で、基板への設計サブレイアウトの転写が第2のリソグラフィ工程でトリムマスクステップ205からのを用いて完了し、その後、必要な膜の体積、トリミング及びスペーサ除去の後処理が実行される。ステップ214の第2のリソグラフィ及び後処理フローは様々な標準の方法で実行でき、トリムマスクの使用は、本明細書で説明する一例に過ぎないことは当業者には明らかであろう例示的方法を図3に示す。採用するリソグラフィのトーンに応じて明視野又は暗視野マスクを使用することができる。一実施形態では、明視野トリムマスクがライン印刷に使用される図11に示す。別の実施形態では、暗視野トリムマスクがスペース/トレンチの印刷に使用される図10に示す。0046ステップ216で、ターゲットパターン全体が基板上に再現される。元のターゲットレイアウトが3つ以上のサブレイアウトに分割されていた場合、フローチャート200のステップの少なくとも一部を繰り返す必要があり、3つ以上のリソグラフィステップが必要であり、3つ以上のマスクを使用する必要があったことを理解されたい。例えば、ステップ216でターゲットパターン全体を得られるまでステップ214を繰り返す必要があろう。0047図3Gのフローチャート300は、フローチャート200のステップ214が特に幾つかの主要なサブステップに分割される1つの可能な工程フローを示す。スペーサ-ターゲットサブレイアウトのフィーチャ及びSAPフィーチャが基板に転写され、スペーサが画定されると、ステップ314Aで膜のブランク堆積が実行される。このブランク堆積膜は、スペーサ間及び/又はフィーチャ間のギャップを充填する。ギャップは、スペーサ-ターゲットサブレイアウト以外のサブレイアウトからフィーチャの位置を画定できる。元の設計レイアウトから導出された自動生成SAPフィーチャがあるため、後続のサブレイアウトのフィーチャの配置は第1のサブレイアウト、すなわち、スペーサ-ターゲットサブレイアウトのフィーチャにすでにセルフアライメントされている。0048ステップ314Bで、ブランク堆積膜がCMP又はエッチバックによって、あるいはその他の平坦化方法を用いて平坦化される。図12Hは、スペース印刷のためのこのステップを示す。図13Cは、ライン印刷のためのこのステップを示す。0049ステップ314Cで、トリムマスクがSAPフィーチャ及びスペーサによって画定された転写済みの線及びスペースに整列する。ここでもトリムマスクの使用はオプションであり、このステップは幾分オーバレイの影響を受けるが、個別のサブレイアウトのセルフアライメントがステップ314Aより前のステップですなわち、図2のフローチャート200のステップ212まで達成されているため、オーバレイのクリティカリティは比較的緩和される。次に、整列したトリムマスクを用いて第2のリソグラフィが実行される。図12Gは、スペース印刷のためのこのステップを示す。図13Bは、ライン印刷のためのこのステップを示す。0050ステップ314Dで、スペーサは、化学エッチング工程又はその他の方法を用いて除去され、セルフアライメントの形で互いに交錯した転写済みサブレイアウトを含む元の設計レイアウトだけが残される。図12Iは、スペース印刷のためのこのステップを示す。図13Dは、ライン印刷のためのこのステップを示す。0051図2~図3に示す方法は、例示的なステップだけを示していることは当業者には明らかであろう。各実施形態はすべてのステップを含む必要はなく、追加の中間/最終ステップを適宜上記方法に含めることができる。ステップのシーケンスを変更してもよい。0052従来のダブルパターニングリソグラフィの最も重要な問題の1つは2つのリソグラフィステップ間のオーバレイ制御である。設計レイアウト全体を忠実に再現するために、第1のリソグラフィステップで基板上に転写済みの第1のサブレイアウトに対して後続のサブレイアウトを最大精度で配置するオーバレイすることが極めて重要である。オーバレイエラーが大きくなると、CDの均一性が悪化し、設計レイアウトの個別のフィーチャ例えば、線及び/又はその間のスペースのCDのエラーが発生する。例えば、第1のサブレイアウトのフィーチャの線幅は所期の幅より広くてもよく、後続のサブレイアウトのフィーチャの線幅は所期の幅より狭くてもよい。同時に、フィーチャの間の間隔は所期の値から外れてもよい。本発明のスペーサベースのマルチパターニングリソグラフィでは、SAPが後続のサブレイアウトの位置決めを考慮に入れて導出されているので、後続のサブレイアウトフィーチャの位置が第1のリソグラフィステップ中に画定されている。後続のサブレイアウト内の個別のフィーチャの幅及び/又はフィーチャの間のスペースの幅は、スペーサの堆積及びエッチング後に正確に画定される。したがって、オーバレイ制御の必要は解消され、セルフアライメントの態様のためのマルチパターニングリソグラフィ工程フロー内に構築された付随する利益としてCDの均一性が自動的に達成される。リソグラフィ技術者は、各々が独自のCDを有する複数の部分/サブレイアウトに設計レイアウトを分解するよう選択できる。本発明は、CDの均一性問題に対処するいかなる特別の技術も採用する必要がない。したがって、本発明は、複数のCDを有するフィーチャを取り扱うのに特に適している。SAP及びスペーサを用いて再現されたSAP及びターゲットパターンの例0053背景及び概要の節で説明したように、SAPフィーチャは、マルチパターニングリソグラフィ内のオーバレイ関連エラーの克服を支援する元の設計レイアウトから導出された自動生成のフィーチャである。0054図4は、既存のダブルパターニング方法に関連付けられたオーバレイ問題を概略的に示す。この方法では、最初にクリティカルフィーチャ、すなわち、密な間隔の線402のパターニング、次にノンクリティカルフィーチャ、例えば、対応する線402へのパッド404のスティッチングが必要である。追加のノンクリティカルアライメント棒406をダブルパターニング中にアシストフィーチャとして組み込むことができる。ノンクリティカルパッド404がクリティカル線402に整列した円形の輪郭408内の領域はセルフアライメント機構を使用していないためオーバレイエラーに対して極めて脆弱である。本発明の利点の1つは、工程フローが上記のようにクリティカルオーバレイ制御の必要を自動的に解消するという点である。上記のように、また下記のように、特にオプションのトリムマスクが使用される時には、後続の工程フローに応じて、ノンクリティカルオーバレイは必要であってもよく、又はなくてもよい。0055図5Aは、フラッシュメモリ回路内の例示的ターゲットパターンレイアウト500を示す。このレイアウト500は、密集配置の線502とそれに対応するパッド504とを有する。本発明の実施形態では、線502とパッド504は、クリティカル及びノンクリティカルフィーチャとして区別されない。図5Bに示すように、レイアウト500全体は、2つのカラーに分解される。一方のカラーは暗い陰影のフィーチャを含み、他方の補完的カラーは明るい陰影のフィーチャを含む。この例のスペーサ-ターゲットサブレイアウトは、両方のカラーのフィーチャを有していてもよく又は有していなくてもよい。上記のように、レイアウトは、適宜3つ以上のサブレイアウトに分解できる。個別のサブレイアウトは、互いに同じ又は異なるCDを有していてもよい。特定のCDを有するフィーチャのセットを単一又は複数のサブレイアウト内にグループ化してもよい。一般に、単一のサブレイアウト内のフィーチャの間のクリティカル間隔はリソグラフィ装置の解像限界を超えた値であるため、サブレイアウト全体が1回のリソグラフィ露光で印刷可能である。0056図5Bの破線の輪郭510内の領域は図5Cでは拡大表示になっており、明るい陰影のフィーチャが網掛けで示されている。SAP512は、レイアウト500全体の周縁を識別し、円形の輪郭514内に示す第2のカラーのフィーチャに隣接する縁部を調整し、幾何学的ブール規則を適用することで生成される。導出されたSAPは連続的なフィーチャ例えば、単一の棒、環などである単一のSAPフィーチャを含んでいてもよく、又は導出されたSAPは複数のSAPフィーチャ例えば、複数の棒、複数の環などを含んでいてもよいことに留意されたい。複数のSAPフィーチャは互いに接続していてもよいが、不連続であってもよい。0057図6A~図6Hは、図5のレイアウト500を用いた本発明の一例による工程フローの様々なシーケンシャルな結果上図を示す。この例では、設計レイアウト500から2つの環、すなわち、内側の環612と内側の環612からギャップ613だけ離間した外側の環614とが生成される。内側の環612は、第2のカラーのフィーチャ中実のフィーチャ622とは対照的な中空のフィーチャ620として示すに隣接する縁部の微調整に関してより重要である。第1のリソグラフィマスクレイアウトは、元のスペーサ-ターゲットサブレイアウト622を含む改良型スペーサ-ターゲットサブレイアウトと、SAPフィーチャ612及び614とを含む。マスクレイアウトの一部は、暗い陰影の中実のフィーチャを用いて図6Aに示されている。0058図6Bは、OPC技術を適用して図6Aのレイアウト610から生成された例示的OPC後の明視野マスクレイアウト630を示す。OPCステップはオプションであって、本発明の方法によって達成可能な数値を超えた高解像度化に使用される。0059図6Cは、第1のリソグラフィ後、スペーサ堆積前の輪郭640を示す。0060図6Dは、スペーサ堆積及びエッチング後のパターンを示す。スペーサ膜は暗いフィーチャ650によって示されている。0061図6Eは、トリムマスクのレイアウト660を示す。0062図6Fは、OPC技術を適用して図6Eのレイアウト660から生成されたOPC後の暗視野マスクレイアウト670を示す。OPCステップはオプションであって、高解像度化に使用される。0063図6Gは、トリムマスクを使用した第1のリソグラフィ後の基板上のパターンを示す。0064図6Hは、ターゲットレイアウト500が第1のリソグラフィの過剰部分がトリミングされた後に基板パターン690として再現される様子を示す。0065図7は、各々のサブレイアウトが1つのカラーのフィーチャを有する本発明の例示的実施形態による複数のサブレイアウトへのターゲットパターンレイアウトの分解の別の例を示す。ターゲット設計レイアウト700は、フィーチャを2つのカラーに分割するカラーリングを施し、サブレイアウト702及び704が生成される。サブレイアウト702は、第1のリソグラフィステップで印刷され、サブレイアウト704は、第2のリソグラフィステップで印刷される。サブレイアウト702又は704のいずれを用いても第1のリソグラフィマスクのためのSAPフィーチャを導出できる。0066図8A~図8Bは、幾何学的ブール演算を用いてSAPフィーチャを導出する様子を示す。図8Aは、周辺の環がないSAPフィーチャの生成を示し、図8Bは、周辺の環を備えた周辺のSAPフィーチャの生成を示す。ターゲットレイアウトの全幅及び/又は、全長とターゲットレイアウトの個別の部分の幅/長さが調整されてSAPが生成される。例えば、図8Aでは、中間パターン802がターゲットレイアウト700の全幅及び/又は全長から生成され、中間パターン804がブールOR演算を用いたサブレイアウト702及び704の部分の幅/長さの調整から生成される。次に、最終のSAPパターン806様々なSAPフィーチャ808を含むがパターン802及び804からブールNOT演算を用いて生成される。0067図8Bは、図8Aと比較して幅/長さ調整パラメータの調整又は拡大縮小が異なる可能性はあるとしても、中間パターン810及び812を生成する同様のブール演算を示す。追加のブールNOT又はOR演算で環814が生成される。次に、パターン810、812、及び814からブールNOT関数を用いて環を備えた最終SAPパターン818様々なSAPフィーチャ816を含むが生成される。0068図9は、パターン818内のSAPフィーチャと、第1のサブレイアウト702のフィーチャとを含む改良型スペーサ-ターゲットサブレイアウト900の生成を示す。円形の輪郭902内に示すように、線の端部の幾つかは拡張されて、パターン702をSAPフィーチャに融合させている。0069図10は、スペース/トレンチ印刷のためのレイアウトターゲット設計700から設計された暗視野トリムマスク1000を示す。スペーサの堆積とブランケット膜の堆積後に例えば、図3のステップ314A後に、このレイアウトは、基板上のパターン1002に類似する。トリムマスク1000は第2のリソグラフィに使用され、後続のトリミング及びスペーサ除去後に、ターゲットパターン1006が基板上に再現される。0070図11は、ライン印刷のためのレイアウトターゲット設計700から設計された暗視野トリムマスク1100を示す。スペーサの堆積とブランケット膜の堆積後に例えば、図3のステップ314A後に、このレイアウトは基板上のパターン1102に類似する。トリムマスク1100は第2のリソグラフィに使用され、後続のトリミング及びスペーサ除去後に、ターゲットパターン1106が基板上に再現される。0071図10及び図11で、トリムマスク1000又は1100のアライメントは、ある程度までオーバレイの影響を受ける。しかし、このオーバレイは、トリムマスクが工程フロー内に持ち込まれる前の工程ステップでセルフアライメントされているサブレイアウトの個別のフィーチャの相対アライメントほどクリティカルではない。0072図12Aは、第1のリソグラフィ後の例示的工程フローの上面図を示す。この工程で、ターゲット-スペーサレイアウトのフィーチャ1202とSAPフィーチャ1210が印刷され、網掛けパターンで示す第2のサブレイアウトのフィーチャ1204はSAPの導出に使用される。断面C1に沿った図12Aの側面図が図12Cに示されている。ここで層1206は、SAPと後続のエッチングのためのターゲット-スペーササブレイアウトのフィーチャとを模倣し、層1208は、基板層1212の上面に載った誘電体の基層である。エッチング後、SAPフィーチャ1210とターゲット-スペーサレイアウトフィーチャ1202とは、図12Dに示すように、基板上に画定される。図12Bは、スペーサ堆積及び後処理後の上面図を示す。図12Eの側面図に示すように、スペーサ1214はセルフアセンブルされるか、又はリソグラフィによってパターニングされてフィーチャ1202及び1210に隣接して局所化され、膜の後続のブランク堆積によって充填されるスペース/トレンチを中間に作成してもよい。0073図12Fは、膜1216のブランク堆積後の上面図を示す。図12Hの側面図に線C1に沿った断面図が示されている。この図は、スペーサ1214の中間のギャップを充填する膜1216を示す。最終的に、図12Gの上面図に示す暗視野トリムマスク1218が第2のリソグラフィ工程に使用され、図12Iの側面図に示すように、スペーサが除去されてスペース/トレンチが画定される。0074図13A~図13Dは、図12F~図12Iの工程フローの代替形態の工程フローを示す。両方の工程フローで図12B及び図12Eまでの工程フローは同じであることに留意されたい。0075図13Aは、膜1216のブランク堆積後の上面図を示す。図13Cの側面図に線C1に沿った断面図が示されている。この図は、スペーサ1214の中間のギャップを充填する膜1216を示す。最終的に、図13Bの上面図に示す明視野トリムマスク1318が第2のリソグラフィ工程に使用され、図13Dの側面図に示すように、スペーサが除去されてセルフアライメント型サブレイアウトから分散した線が画定される。0076図12及び図13の工程フローは、選択したリソグラフィのトーンに応じて容易に修正できることは当業者には明らかであろう。本発明の実施形態を実施するコンピュータシステムの詳細0077図14は、本明細書に開示するSAP導出方法の実施を支援することができるコンピュータシステム100を示すブロック図である。コンピュータシステム100は、情報を送受信するバス102又はその他の通信機構と、情報を処理するバス102に結合されたプロセッサ104とを含む。コンピュータシステム100は、また情報及びプロセッサ104によって実行される命令を記憶するためのバス102に結合されたランダムアクセスメモリRAM又はその他のダイナミックストレージデバイスなどのメインメモリ106を含む。メインメモリ106は、またプロセッサ104によって実行される命令の実行中に、一時的変数又はその他の中間情報を記憶するために使用することができる。コンピュータシステム100は、さらにプロセッサ104のために静的情報及び命令を記憶するバス102に結合された読出し専用メモリROM108又はその他のスタティックストレージデバイスを含む。磁気ディスク又は光ディスクなどのストレージデバイス110が提供され、バス102に結合され、情報及び命令を記憶する。0078コンピュータシステム100は、バス102を介してコンピュータユーザに対して情報を表示する陰極管CRT又はフラットパネル又はタッチパネルディスプレイなどのディスプレイ112に結合することができる。英数字キー及びその他のキーを含む入力デバイス114がバス102に結合され、プロセッサ104へ情報と選択したコマンドを送信する。別のタイプのユーザ入力デバイスがプロセッサ104へ方向情報と選択したコマンドを送信し、ディスプレイ112上でのカーソルの動きを制御するマウス、トラックボール、又はカーソル方向キーなどのカーソル制御装置116である。この入力デバイスは、通常、第1軸例えば、xと第2軸例えば、yの2軸で自由度2を有し、これによってデバイスは平面内の位置を指定することができる。入力デバイスとしてタッチパネル画面ディスプレイも使用することができる。0079本発明の一実施形態によれば、プロセッサ104によるメインメモリ106に含まれる1つ又は複数の命令の1つ又は複数のシーケンスの実行に応答してコンピュータシステム100によってSAP導出及び画像転写工程の一部を実行することができる。そのような命令は、ストレージデバイス110などの別のコンピュータ可読媒体からメインメモリ106に読み込むことができる。メインメモリ106内に含まれる命令シーケンスを実行すると、プロセッサ104は本明細書に記載する各ステップを実行する。マルチ処理装置内の1つ又は複数のプロセッサを使用してメインメモリ106内に含まれる命令シーケンスを実行することができる。代替実施形態では、ソフトウェア命令の代わりに、又はそれと組み合わせてハードワイヤード回路を使用することができる。したがって、本発明の実施形態は、ハードウェア回路とソフトウェアとの特定の組合せに限定されない。0080本明細書で使用するコンピュータ可読媒体という用語は、実行のためにプロセッサ104に命令を提供するステップに参加する任意の媒体を指す。そのような媒体は、これに限定はされないが、不揮発性媒体、揮発性媒体、及び伝送媒体を含む多数の形態をとることができる。不揮発性媒体は、例えば、ストレージデバイス110などの光又は磁気ディスクを含む。揮発性媒体は、メインメモリ106などのダイナミックメモリを含む。伝送媒体は、バス102を構成するワイヤを含む同軸ケーブル、銅線及び光ファイバを含む。また伝送媒体は、無線周波数RF及び赤外線IRデータ通信中に生成された音波又は光波の形態をとることができる。コンピュータ可読媒体の一般形態は、例えば、フロッピー登録商標ディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、その他の任意の磁気媒体、CD-ROM、DVD、穴のパターンを備えたその他の任意の物理媒体、RAM、PROM、及びEPROM、フラッシュEPROM、その他の任意のメモリチップ又はカートリッジ、以下に記載する搬送波、コンピュータが読み出し可能な又はその他の任意の媒体を含む。0081様々な形態のコンピュータ可読媒体がプロセッサ104へ1つ又は複数の命令の1つ又は複数のシーケンスを搬送して実行するステップに参加できる。例えば、命令は、最初リモートコンピュータの磁気ディスク上に記憶されていてもよい。リモートコンピュータは、命令をダイナミックメモリにロードし、モデムを用いて電話回線上で命令を送信することができる。コンピュータシステム100側のモデムは電話回線上でデータを受信し、赤外線送信機を用いてデータを赤外線信号に変換する。バス102に結合された赤外線検出器が赤外線信号に載せて搬送されたデータを受信し、データをバス102上に配置することができる。バス102はデータをメインメモリ106へ搬送し、そこからプロセッサ104が命令を取り出して実行する。オプションとして、メインメモリ106によって受信された命令は、プロセッサ104による実行前又は後にストレージデバイス110に記憶することができる。0082また、コンピュータシステム100は、バス102に結合された通信インターフェイス118を含むことが好ましい。通信インターフェイス118は、ローカルネットワーク122に接続されたネットワークリンク120への双方向データ通信接続を提供する。例えば、通信インターフェイス118は、対応するタイプの電話回線にデータ通信接続を提供する総合サービスデジタル網ISDNカード又はモデムであってもよい。別の例として、通信インターフェイス118は、互換LANにデータ通信接続を提供するローカルエリアネットワークLANであってもよい。無線リンクも実施することができる。そのような任意の実施態様で、通信インターフェイス118は、様々なタイプの情報を表すデジタルデータストリームを搬送する電気信号、電磁信号又は光信号を送受信する。0083ネットワークリンク120は、通常、1つ又は複数のネットワークを通してデータ通信を他のデータデバイスに提供する。例えば、ネットワークリンク120は、ローカルネットワーク122を通してインターネットサービスプロバイダISP126が運用するホストコンピュータ124又はデータ装置に接続を提供することができる。次いでISP126は、ワールドワイドパケットデータ通信ネットワーク、現在の通称はインターネット128を通してデータ通信サービスを提供する。ローカルネットワーク122とインターネット128は共に、デジタルデータストリームを搬送する電気信号、電磁信号又は光信号を使用する。デジタルデータをコンピュータシステム100との間で送受信する様々なネットワークを介した信号及びネットワークリンク120上の信号及び通信インターフェイス118を介した信号は情報を伝送する搬送波の例示的形態である。0084コンピュータシステム100は、ネットワーク、ネットワークリンク120、及び通信インターフェイス118を通してメッセージとプログラムコードを含むデータとを送信することができる。インターネットの例では、インターネット128、ISP126、ローカルネットワーク122及び通信インターフェイス118を通してサーバ130がアプリケーションプログラムのために要求されたコードを送信することができる。本発明によれば、そのような1つのダウンロードされたアプリケーションは、例えばこの実施形態のSAP導出及び配置ルールに備える。受信されたコードは受信されると直ちにプロセッサ104によって実行することができ、及び/又はストレージデバイス110又はその他の不揮発性記憶装置に記憶して後で実行することができる。こうして、コンピュータシステム100は搬送波の形式でアプリケーションコードを入手することができる。リソグラフィツールの例0085図15は、本発明のリソグラフィ画像転写工程を実行する例示的リソグラフィ投影装置を概略的に示す。この装置は、以下のコンポーネントを含む。-放射投影ビームPBを供給する放射システムEx、IL。この例では、放射システムは放射源LAをさらに含む。-マスクMA例えば、レチクルを保持するマスクホルダを備え、部品PLに対してマスクを正確に位置決めする第1の位置決め手段に接続された第1のオブジェクトテーブルマスクテーブルMT。-基板W例えば、レジストコートシリコンウェーハを保持する基板ホルダを備え、部品PLに対して基板を正確に位置決めする第2の位置決め手段に接続された第2のオブジェクトテーブル基板テーブルWT。-基板Wのターゲット部分C例えば、1つ又は複数のダイを含む上にマスクMAの照射部分を結像する投影システムレンズPL例えば、屈折、光反射、又は反射屈折光学システム。0086本明細書に記載するように、装置は透過型であるすなわち、透過マスクを有する。しかし、一般に、装置は例えば反射型反射マスクを備えたであってもよい。あるいは、装置は、マスクの使用に代えて別の種類のパターニング手段を使用してもよい。その例として、プログラマブルミラーアレイ又はLCDマトリクスがある。0087放射源LA例えば、水銀ランプ又はエキシマレーザは、放射ビームを生成する。このビームは、直接、又はビームエキスパンダExなどの調整手段を通った後で、照明システムイルミネータILに供給される。イルミネータILは、ビーム内の強度分散の外側及び/又は内側半径範囲それぞれ一般にσ-outer、σ-innerと呼ばれるを設定する調整手段AMを備えていてもよい。さらに、イルミネータILは、一般に、インテグレータIN及び集光器COなどの様々なコンポーネントを備える。こうして、マスクMAに当たるビームPBは、断面に所望の均一性と強度とを有する。0088図15に関して、放射源LAはリソグラフィ投影装置のハウジング内にあってもよい例えば、多くの場合、放射源LAが水銀ランプの場合にあてはまるが、リソグラフィ投影装置から離れていてもよく、生成する放射ビームを装置内に誘導する例えば、好適な誘導ミラーにより構成であってもよいことに留意されたい。この後者のシナリオは、多くの場合、放射源LAがエキシマレーザKrF、ArF又はF2レージングに基づくの時にあてはまる。本発明は、少なくともこれらの両方のシナリオを包含する。0089その後、ビームPBは、マスクテーブルMT上に保持されたマスクMAに達する。マスクMAを横断したビームPBは、レンズPLを通過し、レンズPLは基板Wのターゲット部分C上にビームPBを合焦させる。第2の位置決め手段及び干渉測定手段IFにより、基板テーブルWTを正確に移動させて様々なターゲット部分CをビームPBの経路内に位置決めすることができる。同様に、第1の位置決め手段を用いて、例えば、マスクライブラリからマスクMAを機械的に取り出した後で、又はスキャン中に、ビームPBの経路に対してマスクMAを正確に位置決めすることができる。一般に、オブジェクトテーブルMT、WTの移動は、図15には明示していないロングストロークモジュール粗動位置決めとショートストロークモジュール微動位置決めにより実現する。しかし、ウェーハステッパステップアンドスキャンツールとは対照的にの場合、マスクテーブルMTをショートストロークアクチュエータに接続するだけでよく、又は固定してもよい。0090図のツールは、下記の2つの異なるモードで使用することができる。-ステップモードでは、マスクテーブルMTは、基本的に固定状態に維持され、全マスク画像は、1回ですなわち、1回のフラッシュでターゲット部分C上に投影される。次に、異なるターゲット部分CをビームPBで照射することができるように、基板テーブルWTがx及び/又はy方向にシフトされる。-スキャンモードでは、所与のターゲット部分Cが1回のフラッシュで露光されない点を除けば、基本的には同じシナリオが適用される。代わりに、マスクテーブルMTを、速度vで所与の方向例えば、y方向のような、いわゆるスキャン方向に移動することができ、その結果、投影ビームPBはマスク画像上をスキャンする。同時に、基板テーブルWTは、速度V=Mvで同じ方向又は反対方向に同時に移動する。ここで、Mは、レンズPLの倍率通常、M=1/4又は1/5であるである。このようにして、解像度を犠牲にしないで比較的広いターゲット部分Cを露光することができる。0091本明細書に開示する概念は、密集フィーチャを結像する任意の汎用の結像システムを表すことができ、特にますます微細化するサイズの波長を生成することができる台頭しつつある結像技術で有用である。すでに普及している新興技術は、ArFレーザを用いて193nmの波長を生成することができ、さらにフッ素レーザを用いて157nmの波長を生成することができるEUV極端紫外線リソグラフィを含む。さらに、EUVリソグラフィは、シンクロトロンを用いて、又は高エネルギーの電子を材料固体又はプラズマに衝突させて20~5nmの範囲に光子を生成してこの範囲内の波長を生成することができる。この範囲内では大半の材料が光を吸収するため、モリブデンとシリコンのマルチスタックを備えた反射ミラーによって照明を生成することができる。マルチスタックミラーは、各層の厚さが波長の4分の1であるモリブデンとシリコンの40個のペアの層を有する。X線リソグラフィでさらに小さい波長を生成することができる。通常、シンクロトロンを用いてX線波長が生成される。X線波長では大半の材料が光を吸収するため、光吸収性材料の薄片によってどこにフィーチャを印刷し正レジスト、どこに印刷しないか負レジストを定義することができる。0092本明細書に開示する概念はシリコンウェーハなどの基板上の結像に使用することができるが、開示された概念は任意のタイプのリソグラフィ結像システム、例えば、シリコンウェーハ以外の基板上の結像に使用される任意のタイプのリソグラフィ結像システムと共に使用することができることを理解されたい。0093本発明について、下記の条項を用いてさらに説明する。1.複数のフィーチャを有するターゲットパターンを基板に転写するためのスペーサベースのマルチパターニングリソグラフィ工程を改良する方法であって、前記スペーサベースのマルチパターニングリソグラフィ工程のために前記ターゲットパターンの設計レイアウトを複数のサブレイアウトに分解するステップであって、前記複数のサブレイアウトのうち少なくとも1つが、前記基板への前記スペーサ-ターゲットサブレイアウトのパターニング後にスペーサ材料を追加するように構成されたフィーチャを有するスペーサ-ターゲットサブレイアウトであるステップと、前記スペーサ-ターゲットサブレイアウト以外のサブレイアウト内に含まれるフィーチャの少なくとも縁部を画定するように構成されたセルフアライメント型アシストパターンSAPを導出するステップと、改良型スペーサ-ターゲットサブレイアウトを生成するために前記スペーサ-ターゲットサブレイアウトに前記SAPを追加するステップと、リソグラフィマスク内で前記改良型スペーサ-ターゲットサブレイアウトを使用する前記スペーサベースのマルチパターニングリソグラフィ工程を介して前記基板に前記ターゲットパターンを転写するステップとを含み、前記スペーサベースのマルチパターニングリソグラフィが、複数のクリティカルディメンションに対処するように構成される方法。2.リソグラフィ装置を用いて基板上にターゲットパターンを転写する方法であって、a前記ターゲットパターンの設計レイアウトを少なくとも2つの設計サブレイアウトに分解するステップと、b前記設計レイアウトからセルフアライメント型アシストパターンSAPを導出するステップと、c前記導出されたSAPを少なくとも1つのサブレイアウトのフィーチャと、前記導出されたSAPとを含む前記改良型設計サブレイアウト内に包含するステップと、d前記改良型設計サブレイアウトを用いてマスクレイアウトとしてマスクを生成するステップと、e前記マスクを用いて第1のサブレイアウトと、前記導出されたSAPとをリソグラフィによって前記基板上に転写するステップと、fスペーサを形成するステップと、g後続のサブレイアウトをリソグラフィによって前記基板上に転写して、前記転写された後続のサブレイアウトに前記転写された第1のサブレイアウトに対してセルフアライメントを実行させるステップとを含む方法。3.前記スペーサを形成するステップが、スペーサ材料層を堆積させるステップと、前記スペーサ材料層をパターニングするステップとを含む、条項2に記載の方法。4.前記堆積したスペーサ材料が、化学機械研磨又はエッチバックによって平坦化される、条項3に記載の方法。5.ターゲットパターンの後続の前記サブレイアウトをリソグラフィによって前記基板上に転写するステップが、前記基板上に膜の層をブランク堆積するステップを含む、条項2に記載の方法。6.前記堆積した膜の層が、化学機械研磨又はエッチバックによって平坦化される、条項5に記載の方法。7.前記サブレイアウトが、クリティカルフィーチャとノンクリティカルフィーチャとを区別しない、条項2に記載の方法。0094上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、下記に示す請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。