受光部及び電荷転送部を有する半導体基板と、前記電荷転送部上に配置された転送電極と、前記転送電極上に配置され、前記転送電極と接続する第1の金属膜とを有し、前記第1の金属膜は、グレインサイズの小さい金属層とグレインサイズの大きい金属層とをそれぞれ1層以上有することを特徴とする半導体装置。前記グレインサイズの大きい金属層の膜厚は、前記グレインサイズの小さい金属層の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記第1の金属膜の上には絶縁膜を介して第2の金属膜が配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。前記第2の金属膜は、グレインサイズの小さい金属層とグレインサイズの大きい金属層とをそれぞれ1層以上有することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。前記第2の金属膜はシャント配線として機能することを特徴とする請求項3又は4のいずれか1つに記載の半導体装置。前記受光部の上には、透明絶縁膜を介してカラーフィルター層が配置されていることを特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載の半導体装置。前記第1の金属膜は、グレインサイズの大きい金属層とグレインサイズの小さい金属層とがこの順番で積層していることを特徴とする請求項1~6のいずれか1つに記載の半導体装置。前記第1の金属膜は、グレインサイズの小さい金属層とグレインサイズの大きい金属層とがこの順番で積層していることを特徴とする請求項1~6のいずれか1つに記載の半導体装置。前記第1の金属膜は、グレインサイズの大きい金属層とグレインサイズの小さい金属層とグレインサイズの大きい金属層とがこの順番で積層していることを特徴とする請求項1~6のいずれか1つに記載の半導体装置。前記グレインサイズの大きい金属層に含まれるグレインのサイズは、100nm以上、250nm以下であり、前記グレインサイズの小さい金属層に含まれるグレインのサイズは、10nm以上、30nm以下であることを特徴とする請求項1~9のいずれか1つに記載の半導体装置。前記第1の金属膜はシャント配線として機能することを特徴とする請求項1~10のいずれか1つに記載の半導体装置。前記第1の金属膜はタングステンからなることを特徴とする請求項1~11のいずれか1つの記載の半導体装置。セルサイズが1.3×1.3μm2であることを特徴とする請求項1~12のいずれか1つに記載の半導体装置。受光部及び電荷転送部を有する半導体基板と、前記電荷転送部上に配置された転送電極と、前記転送電極上に配置され、前記転送電極と接続する第1の金属膜と、前記第1の金属膜の上に絶縁膜を介して配置された第2の金属膜とを有し、前記第1の金属膜と前記第2の金属膜は、異なるグレインサイズの金属層であることを特徴とする半導体装置。前記第1の金属膜は、前記第2の金属膜よりもグレインサイズが大きい金属層であることを特徴とする請求項14に記載の半導体装置。半導体基板に受光部及び電荷転送部を形成する工程aと、前記電荷転送部上に転送電極を形成する工程bと、前記転送電極上に、前記転送電極と接続する第1の金属膜を形成する工程cとを有し、前記第1の金属膜は、グレインサイズの小さい金属層とグレインサイズの大きい金属層とをそれぞれ1層以上有することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記工程cは、グレインサイズの小さい金属層よりもグレインサイズの大きい金属層の方が膜厚がを厚なるように形成する工程であることを特徴とする請求項16に記載の半導体装置の製造方法。前記工程cにおいて、グレインサイズの大きい金属層は、CVD法とALD法をこの順番で使用することにより形成されることを特徴とする請求項16又は請求項17に記載の半導体装置の製造方法。シャント配線の役割は、転送電極にパルス電圧を印加し、電荷転送を行うことにある。また、シャント配線を転送電極上に配置することにより、受光部へ入射される光が転送電極直下の電荷転送部に入射するのを遮光する役割も果たす。ここで、シャント配線として機能させるためには、シート抵抗の増大を防ぐことが必要である。そして、遮光機能を確保するためには、一定以上の膜厚が必要である。しかし、特許文献1に係るCCD固体撮像素子では、セルサイズが微細化されると、単位セルあたりの受光部の幅が狭まるため、受光部付近の入射光がシャント配線に阻害され、感度特性が低下するという問題がある。ここで、シャント配線の膜厚を薄くし、受光部上部に配置されるカラーフィルターから受光部までの距離を縮めると、感度特性は向上する。しかし、シャント配線の膜厚を薄くすることにより、シャント配線のシート抵抗が増加し、高速駆動時の電荷転送速度が低下するという問題がある。また、シャント配線の膜厚を薄くすることにより、シャント配線を入射光が透過し、転送電極直下にある電荷転送部において、擬似信号が発生するという問題がある。以上を鑑み、本発明の目的は、CCD固体撮像素子において、セルサイズが微細化しても高速駆動時の電荷転送特性を向上させることを目的とする。さらに、感度を向上させることを目的とする。上記目的を達成するために、本発明に係る半導体装置は、受光部及び電荷転送部を有する半導体基板と、電荷転送部上に配置された転送電極と、転送電極上に配置され、転送電極と接続する第1の金属膜とを有し、第1の金属膜は、グレインサイズの小さい金属層とグレインサイズの大きい金属層とをそれぞれ1層以上有することを特徴とする。また、本発明に係る半導体装置は、受光部及び電荷転送部を有する半導体基板と、電荷転送部上に配置された転送電極と、転送電極上に配置され、転送電極と接続する第1の金属膜と、第1の金属膜の上に絶縁膜を介して配置された第2の金属膜とを有し、第1の金属膜と第2の金属膜は、異なるグレインサイズの金属層であることを特徴とする。また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板に受光部及び電荷転送部を形成する工程aと、電荷転送部上に転送電極を形成する工程bと、転送電極上に、転送電極と接続する第1の金属膜を形成する工程cとを有し、第1の金属膜は、グレインサイズの小さい金属層とグレインサイズの大きい金属層とをそれぞれ1層以上有することを特徴とする。本発明に係る半導体装置、及びその製造方法によると、サイズの微細化とともに、シャント配線の高さを低くしても、高速駆動時の電荷転送特性を低下を抑制できる。さらに、遮光性を損なうことなく、デバイスの高感度化を実現することができる。以下に、本発明の実施形態に係る半導体装置について図面を参照しながら説明する。但し、実施形態に記載の材料及び数値等は、単に好ましい材料及び数値等を記載したに過ぎず、本発明は、これに限定されるものではない。即ち、本発明の実施形態は、本発明の効果を奏する範囲内において、種々の形態に変形可能である。また、本発明の実施形態に係る半導体装置の例として、固体撮像素子を使用して説明する。本実施形態に係る半導体装置の説明以下に、本発明の実施形態に係る半導体装置について、図1、図2を参照しながら説明する。図1に示すように、本発明の実施形態に係る固体撮像素子は、例えば、シリコンSi単結晶からなる半導体基板100内の上面に、入射光から電荷を生成する電荷は光電変換により生成受光部100aと受光部100aにおいて発生した電荷を転送するための電荷転送部102aを有する。また、電荷転送部102aの上にゲート絶縁膜101を介して転送電極102を有し、転送電極102の上に、例えばシリコン酸化膜などからなり、コンタクトホールを有する絶縁膜103aを有する。また、コンタクトホールの側面及び底面を覆うように高融点金属を有するバリアメタル膜105を1層以上有している。また、バリアメタル膜105の上にグレインサイズの大きい層106aとグレインサイズの小さい層106bがそれぞれ1層以上形成された金属膜106を有している。また、金属膜106の上には、例えばシリコン酸化膜などからなる絶縁膜103bを有する。また、絶縁膜103bの上には、金属膜107を有している。また、金属膜107及び受光部100aの上には透明絶縁膜108a、108bが順次形成されている。また、透明絶縁膜108bの上には複数のカラーフィルター層109a、109b、109cが形成されている。なお、金属膜106は、1層目のシャント配線として機能し、かつ、遮光膜としても機能することとなる。そして、金属膜107は、2層目のシャント配線として機能し、かつ、遮光膜としても機能することとなる。そして、金属膜106、107は、タングステンWなどの高融点金属であることが好ましい。なお、金属膜106、107の大部分がタングステンであれば、構わない。また、固体撮像素子のセルサイズは約1.3x1.3μm2程度よりも小さくなるようにすることが望ましい。ここでセルとは、1つの受光部と電荷転送部からなる領域を言い、固体撮像素子中において、複数個のセルがマトリクス状に配置されている。次に、図2a~図2cを用いて、金属膜106の構成を詳細に説明する。図2a~図2cは、図1における領域Aの拡大図である。なお、図2a~図2cは、概略図を示しており、各層の詳細は図3a、bに示すものとする。まず、図2aは、グレインサイズの大きい層106aの上にグレインサイズの小さい層106bが形成されている構成を示している。ここで、グレインサイズの大きい層106a中には、サイズが大きいグレイン106aaが複数個配列しており、グレインサイズの小さい層106b中には、サイズが小さいグレイン106bbが複数個配列している。また、グレインサイズの大きい層106aの厚さは、グレインサイズの小さい層106bの厚さよりも厚い方が好ましい。ここで、金属膜106がタングステンWであるとして、膜厚と抵抗値の関係性を検討する。まず、グレインサイズが同じである金属膜106の膜厚が90nmのときには、抵抗値は1.88Ω程度であり、膜厚が80nmのときには、抵抗値は2.11Ω程度であり、膜厚を薄くすることにより、抵抗値が高くなってしまう。一方、グレインサイズが異なる金属膜106の膜厚が90nmグレインサイズが小さい層の膜厚は15nm、グレインサイズが大きい層の膜厚は75nmのときには、抵抗値は、1.69Ω程度であり、膜厚が80nmグレインサイズが小さい層の膜厚は15nm、グレインサイズが大きい層の膜厚は65nmのときには、抵抗値は、1.95Ω程度となり、膜厚を薄くしても、抵抗値の上昇を抑制することが可能となる。また、グレインサイズが異なる金属膜106の膜厚が90nmグレインサイズが小さい層の膜厚は5nm、グレインサイズが大きい層の膜厚は85nmのときには、抵抗値は、1.51Ω程度であり、膜厚が71nmグレインサイズが小さい層の膜厚は5nm、グレインサイズが大きい層の膜厚は66nmのときには、抵抗値は、1.95Ω程度となり、膜厚を薄くしても、抵抗値の上昇を抑制することが可能となる。以上のように、グレインサイズが大きい金属膜をシャント配線として用いることにより、膜厚を薄くしても、抵抗値を下げることが可能となる。一方、グレインサイズの小さい金属膜をシャント配線として用いると、遮光性が向上する。従って、グレインサイズが異なる金属膜をシャント配線として用いることにより、膜厚を薄くしても、抵抗値を下げることが可能となり、遮光性の低下を抑制することが可能となる。なお、図2bに示すように、グレインサイズの小さい層106bの上にグレインサイズの大きい層106aが形成されている構成でも構わない。このような構成としても、膜厚を薄くしても抵抗値を下げることができる。なお、図2cに示すように、グレインサイズの大きい層、グレインサイズの小さい層、グレインサイズの大きい層がこの順に積層されている構成でも構わない。このような構成としても、膜厚を薄くしても抵抗値を下げることができる。ここで、図3a、図3bを用いて、グレインサイズの異なる金属膜について説明する。なお、グレインサイズとは、グレインとグレインの境界間の最短距離図3a、図3bにおける四角部a1、b1の横幅の平均値で表されるものと定義している。図3aは、タングステンにおけるグレインサイズの小さい層のSEM写真である。図3aに示すように、約20nm程度10nm以上、30nm以下程度のグレインサイズを持つ層をグレインサイズの小さい層と呼んでいる。図3bは、タングステンにおけるグレインサイズの大きい層のSEM写真である。図3bに示すように、約150nm程度100nm以上、250nm以下程度のグレインサイズを持つ層をグレインサイズの大きい層と呼んでいる。以上で説明したように、本実施形態に係る固体撮像素子は、グレインサイズの異なる層を有する金属膜をシャント配線として利用することにより、規定の配線抵抗内で十分な薄膜化を図ることが可能となり、遮光性の低化を抑制することも可能となる。なお、第2の金属膜においても、第1の金属膜と同様の構成であっても構わない。また、当然ながら第1の金属膜において、図2aのような構成を取り、第2の金属膜において、図2bのような構成を取ることは可能であり、図2a~図2cの構成を自由に組み合わせることは可能である。本実施形態に係る半導体装置の製造方法の説明次に、本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図4a~図4fを参照しながら説明する。まず、図4aに示すように、例えばシリコンで還元することで成膜する。そして、成膜温度は、200°C程度以上500°C程度以下であることが望ましく、フッ化タングステンガスの流量を水素化シリコンガス流量よりも高流量とすることが望ましい。次に、グレインサイズの大きい金属膜を形成する方法について説明する。グレインサイズの大きい金属膜を形成するためには、CVD法、ALDAtomicLayerDeposition法、もしくはこれらの組み合わせを用いて金属膜を形成することが必要である。具体例としては、まず、フッ化タングステンガスを水素化シリコンガスもしくは水素化ボロン例えばジボランガスで還元してALD法により成膜する。成膜温度は、200°C程度以上500°C程度以下であることが望ましく、フッ化タングステンガスの流量を水素化シランガス流量もしくは水素化ボロンガスよりも低流量とすることが望ましく、膜厚は1nm程度以上10nm程度以下とすることが望ましい。その後、水素化シランガスもしくは水素化ボロンガスを5sから120s程度の間暴露する。その後、フッ化タングステンガスを水素ガスで還元してCVD法により成膜する。成膜温度としては、200°C程度以上500°C程度以下であることが望ましく、フッ化タングステンガスの流量を水素ガス流量よりも低流量とし、膜厚は30nm程度以上200nm程度以下とすることが望ましい。以上のように、グレインサイズの小さい金属膜を形成する方法とグレインサイズの大きい金属膜を形成する方法とを組み合わせることにより、シャント配線として機能し、かつ、遮光膜として機能する金属膜を形成することができる。なお、グレインサイズの小さい金属層とグレインサイズの大きい金属層を形成する工程の間に、必要に応じ、大気暴露や、水素化シリコンガスもしくは水素化ボロンガスを暴露させてもよい。このようにすると、グレインサイズの制御がしやすくなる。比較例についての説明ここで、グレインサイズの同じ金属膜をシャント配線として使用する場合を、比較例として説明する。図5aは、セルサイズが微細化される前の固体撮像素子の断面図を示す。図5aに示すように、セルサイズが小さくないと、受光部に十分な量の光が到達する。図5bは、セルサイズが微細化された後の固体撮像素子の断面図を示す。図5bに示すように、セルサイズが小さいと、受光部上の間隔が狭くなるため、受光部付近の入射光がシャント配線により遮光されてしまう。その結果、感度の低下の問題が発生する。図5cは、シャント配線を薄くして、固体撮像素子全体の高さを低くした固体撮像素子の断面図を示す。図5cに示すように、カラーフィルター層から受光部までの距離が縮まるため、受光部付近の入射光がシャント配線によって遮光されにくくなる。そのため、感度特性は向上する。しかし、シャント配線が薄くなることにより、シート抵抗が増大するという問題が発生する。グレインサイズの異なる金属膜を形成することによる効果一方、本実施形態に係る固体撮像素子のように、グレインサイズの小さい金属膜とグレインサイズの大きい金属膜をそれぞれ1層以上堆積することでシャント配線を形成すると、電荷転送効率特性を損なうことなく、数十パーセント程度の薄膜化が可能となる。そのため、図5cに示したように、シャント配線を薄くしたとしても、シャント配線のシート抵抗の上昇を抑制することができる。また、遮光性能の低下を抑制することも可能となる。さらに、カラーフィルター層から受光部までの距離が縮めることができるので、受光部付近の入射光がシャント配線によって遮光されにくくなり、感度特性が大幅に上昇することが期待される。本実施形態に係る半導体装置の変形例の説明以下に、本発明の実施形態に係る半導体装置の変形例について、図6、図7を参照しながら説明する。図1と図6との相違点は、図6においては、金属膜106をシャント配線として利用し、金属膜107を遮光膜として使用している点にある。より具体的には、図7aに示すように、金属膜106にはグレインサイズの大きな層を使用し、金属膜107にはグレインサイズの小さい層を使用している。別の言い方をすると、金属膜106の方が、金属膜107よりもグレインサイズが大きい。図1においては、一つのシャント配線において、低抵抗機能と遮光機能を備えるようにしたが、別々の金属膜にそれぞれ低抵抗機能と遮光機能を持たせるようにしても構わない。なお、金属膜106の膜厚は金属膜107の膜厚よりも厚い方が好ましい。グレインサイズが大きい金属膜の方が厚く形成しやすいので、製法面でメリットがある。また、図7bに示すように、金属膜106を遮光膜として利用し、金属膜107のみをシャント配線として使用しても構わない。より具体的には、金属膜106にはグレインサイズの小さな層を使用し、金属膜107にはグレインサイズの大きい層を使用している。本実施形態に係る半導体装置の製造方法の変形例の説明また、本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法の変形例について図8a~図8fを参照しながら説明する。図8a、図8b、図8d、図8fの形成方法は、図4a、図4b、図4d、図4fの形成方法と同様なので説明を省略する。ここでは、図8c、図8eの形成方法における要点を簡潔に説明する。まず、図8cにおいては、グレインサイズが略同等でグレインサイズの大きい金属膜106を形成している。また、図8eにおいて、グレインサイズが略同等でグレインサイズの小さい金属膜107を形成している。なお、本変形例の構成を図1の構成に矛盾の無い範囲で適用することは可能である。