"基板上に金属電極を成膜する工程と、前記金属電極上に酸化物電極を成膜する工程と、前記酸化物電極上に、前記酸化物電極の一部を露出する開口部を有する金属膜を形成する工程と、前記開口部内に露出する前記酸化物電極上に塗膜を形成する工程と、前記塗膜にレーザ光を照射して電気機械変換膜を形成する工程と、を有し、前記酸化物電極の前記レーザ光に対する光吸収率は、前記金属膜の前記レーザ光に対する光吸収率よりも高い電気機械変換素子の製造方法。基板上に金属電極を成膜する工程と、前記金属電極上に所定パターンの酸化物電極を成膜する工程と、前記金属電極上の前記酸化物電極が形成されていない領域に撥液膜を形成する工程と、前記酸化物電極上に塗膜を形成する工程と、前記塗膜にレーザ光を照射して電気機械変換膜を形成する工程と、を有し、前記酸化物電極の前記レーザ光に対する光吸収率は、前記金属電極の前記レーザ光に対する光吸収率よりも高い電気機械変換素子の製造方法。前記電気機械変換膜を形成する工程において、前記撥液膜が残存する請求項2記載の電気機械変換素子の製造方法。前記塗膜を形成する工程及び前記電気機械変換膜を形成する工程を繰り返し実行し、前記撥液膜が形成された前記金属電極上の前記酸化物電極上に塗膜を積層する請求項3記載の電気機械変換素子の製造方法。前記酸化物電極の前記レーザ光に対する光吸収率は、前記金属膜又は前記金属電極の前記レーザ光に対する光吸収率よりも20以上高い請求項1乃至4の何れか一項記載の電気機械変換素子の製造方法。前記電気機械変換膜を形成する工程において、前記塗膜は、乾燥、熱分解、及び結晶化して前記電気機械変換膜となる請求項1乃至5の何れか一項記載の電気機械変換素子の製造方法。前記レーザ光の照射領域の形状は、前記塗膜の形状と同等以上である請求項1乃至6の何れか一項記載の電気機械変換素子の製造方法。前記レーザ光の波長は400nm以上である請求項1乃至7の何れか一項記載の電気機械変換素子の製造方法。前記電気機械変換膜を形成する工程の後、前記電気機械変換膜上に他の電極を形成する工程を有する請求項1乃至8の何れか一項記載の電気機械変換素子の製造方法。前記塗膜を形成する工程では、インクジョット方式により前記塗膜を形成する請求項1乃至9の何れか一項記載の電気機械変換素子の製造方法。前記塗膜は金属の複合酸化物を含む請求項1乃至10の何れか一項記載の電気機械変換素子の製造方法。請求項1乃至11の何れか一項記載の電気機械変換素子の製造方法を用いて前記塗膜から製造された電気機械変換膜を備えた電気機械変換素子。請求項12記載の電気機械変換素子を備えた液体吐出ヘッド。請求項13記載の液体吐出ヘッドを備えたインクジェット記録装置。しかしながら、上記電気機械変換膜の製造方法において、工程2の熱処理にはホットプレートや電気炉、レーザ等が使用されるが、熱の拡散等により加熱対象物である前駆体塗膜の所望の領域のみを加熱することが困難であり、基板へダメージが生じたりする問題があった。本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、加熱対象物の所望の領域のみを選択的に加熱可能な電気機械変換素子の製造方法を提供することを課題とする。本電気機械変換素子の製造方法は、基板上に金属電極を成膜する工程と、前記金属電極上に酸化物電極を成膜する工程と、前記酸化物電極上に、前記酸化物電極の一部を露出する開口部を有する金属膜を形成する工程と、前記開口部内に露出する前記酸化物電極上に塗膜を形成する工程と、前記塗膜にレーザ光を照射して電気機械変換膜を形成する工程と、を有し、前記酸化物電極の前記レーザ光に対する光吸収率は、前記金属膜の前記レーザ光に対する光吸収率よりも高いことを要件とする。本発明によれば、加熱対象物の所望の領域のみを選択的に加熱可能な電気機械変換素子の製造方法を提供できる。以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。第1の実施の形態[薄膜]まず、第1の実施の形態に係る薄膜製造装置で製造される薄膜の一例として、電気機械変換素子を構成する電気機械変換膜について説明する。電気機械変換素子は、例えば、インクジェット記録装置において使用する液体吐出ヘッドの構成部品として用いられる。図1は、電気機械変換素子を用いた液体吐出ヘッドを例示する断面図である。図1を参照するに、液滴吐出ヘッド1は、ノズル板10と、圧力室基板20と、振動板30と、電気機械変換素子40とを有する。ノズル板10には、インク滴を吐出するノズル11が形成されている。ノズル板10、圧力室基板20、及び振動板30により、ノズル11に連通する圧力室21インク流路、加圧液室、加圧室、吐出室、液室等と称される場合もあるが形成されている。振動板30は、インク流路の壁面の一部を形成している。電気機械変換素子40は、密着層41と、下部電極となる金属電極42及び酸化物電極43と、電気機械変換膜44と、上部電極となる酸化物電極45及び金属電極46とを含んで構成され、圧力室21内のインクを加圧する機能を有する。密着層41は、例えばTi、TiO2、TiN、Ta、Ta2O5、Ta3N5等からなる層であり、金属電極42と振動板30との密着性を向上する機能を有する。但し、密着層41は、電気機械変換素子40の必須の構成要素ではない。電気機械変換素子40において、下部電極となる金属電極42及び酸化物電極43と上部電極となる酸化物電極45及び金属電極46との間に電圧が印加されると、電気機械変換膜44が機械的に変位する。電気機械変換膜44の機械的変位にともなって、振動板30が例えば横方向d31方向に変形変位し、圧力室21内のインクを加圧する。これにより、ノズル11からインク滴を吐出させることができる。なお、図2に示すように、液滴吐出ヘッド1を複数個並設し、液滴吐出ヘッド2を構成することもできる。電気機械変換膜44の材料としては、例えば、PZTを用いることができる。PZTとはジルコン酸鉛PbZrO3とチタン酸鉛PbTiO3の固溶体である。例えば、PbZrO3とPbTiO3の比率が53:47の割合で、化学式で示すとPbZr0.53、Ti0.47O3、一般にはPZT53/47と示されるPZT等を使用することができる。PbZrO3とPbTiO3の比率によって、PZTの特性が異なる。電気機械変換膜44としてPZTを使用する場合、出発材料に酢酸鉛、ジルコニウムアルコキシド化合物、チタンアルコキシド化合物を使用し、共通溶媒としてメトキシエタノールに溶解させ、PZT前駆体溶液を作製する。酢酸鉛、ジルコニウムアルコキシド化合物、チタンアルコキシド化合物の混合量は、所望のPZTの組成PbZrO3とPbTiO3の比率に応じて、当業者が適宜選択できるものである。なお、金属アルコキシド化合物は、大気中の水分により容易に分解する。そのため、PZT前駆体溶液に、安定剤としてアセチルアセトン、酢酸、ジエタノールアミン等を添加してもよい。電気機械変換膜44の材料として、例えば、チタン酸バリウム等を用いても構わない。この場合は、バリウムアルコキシド、チタンアルコキシド化合物を出発材料にし、共通溶媒に溶解させることでチタン酸バリウム前駆体溶液を作製することが可能である。これら材料は一般式ABO3で記述され、A=Pb、Ba、SrB=Ti、Zr、Sn、Ni、Zn、Mg、Nbを主成分とする複合酸化物が該当する。その具体的な記述としてPb1-x、BaZr、TiO3、Pb1-x、SrZr、TiO3、と表され、これはAサイトのPbを一部BaやSrで置換した場合である。このような置換は2価の元素であれば可能であり、その効果は熱処理中の鉛の蒸発による特性劣化を低減させる作用を示す。金属電極42の材料としては、高い耐熱性を有し、下記に示すアルカンチオールとの反応により、SAM膜を形成する金属等を用いることができる。具体的には、低い反応性を有するルテニウムRu、ロジウムRh、パラジウムPd、オスミウムOs、イリジウムIr、プラチナPt等の白金族金属や、これら白金族金属を含む合金材料等を用いることができる。酸化物電極43の材料としては、導電性酸化物を用いることができる。導電性酸化物としては、具体的には、化学式ABO3で記述され、A=Sr、Ba、Ca、La、B=Ru、Co、Ni、を主成分とする複合酸化物があり、SrRuO3やCaRuO3、これらの固溶体であるSr1-xCaxO3のほか、LaNiO3やSrCoO3、更にはこれらの固溶体であるLa,SrNi1-yCoyO3y=1でも良いが挙げられる。それ以外の酸化物材料として、IrO2、RuO2も挙げられる。金属電極42及び酸化物電極43は、例えば、スパッタ法や真空蒸着等の真空成膜法等の方法により作製することができる。金属電極42及び酸化物電極43からなる下部電極は、電気機械変換素子40に信号入力する際の共通電極として電気的接続をするので、その下部にある振動板30は絶縁体又は表面が絶縁処理された導体を用いることができる。上部電極において、金属電極46の材料としては、金属電極42と同様の材料を用いることができる。又、酸化物電極45の材料としては、酸化物電極43と同様の材料を用いることができる。振動板30の具体的な材料としては、例えば、シリコンを用いることができる。又、振動板30の表面を絶縁処理する具体的な材料としては、例えば、厚さ約数百nm~数μm程度のシリコン酸化膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜又はこれらの膜を積層した膜等を用いることができる。又、熱膨張差を考慮し、酸化アルミニウム膜、ジルコニア膜等のセラミック膜を用いてもよい。振動板30の表面を絶縁処理するシリコン系絶縁膜は、CVD法やシリコンの熱酸化処理等により形成できる。又、振動板30の表面を絶縁処理する酸化アルミニウム膜等の金属酸化膜は、スパッタリング法等により形成できる。[薄膜製造装置]次に、第1の実施の形態に係る薄膜製造装置の構造について説明する。図3は、第1の実施の形態に係る薄膜製造装置を例示する斜視図である。図3を参照するに、薄膜製造装置3において、架台60上にはY軸駆動手段61が設置されている。Y軸駆動手段61上には、基板5を搭載するステージ62が、Y軸方向に駆動可能なように設置されている。なお、ステージ62には通常、真空又は静電気等を利用した図示しない吸着手段が付随されており、これにより基板5を固定することができる。又、ステージ62にZ軸を中心に回転する図示しない駆動手段を搭載し、後述するインクジェットヘッド67及びレーザ装置71と基板5との相対的な傾きを補正できる構成としても良い。又、架台60上には、X軸駆動手段63を支持するためのX軸支持部材64が設置されている。X軸駆動手段63には、Z軸駆動手段65が設置され、Z軸駆動手段65上にはヘッドベース66が取り付けられ、X軸及びZ軸方向に移動できるようにされている。Z軸駆動手段65は、後述するインクジェットヘッド67と基板5との距離を制御することができる。ヘッドベース66の上には、機能性インク例えば、PZT前駆体溶液を吐出させるインクジェットヘッド67が搭載されている。インクジェットヘッド67には、各インクタンク68から図示しないインク供給用パイプを介して機能性インクが供給される。X軸駆動手段63には、他のZ軸駆動手段69が取り付けられ、Z軸駆動手段69にはレーザ支持部材70が取り付けられている。レーザ支持部材70には、レーザ装置71が取り付けられている。Z軸駆動手段69は、レーザ装置71と基板5との距離を制御することができる。なお、図3は、ステージ62がY方向の1軸の自由度を有し、インクジェットヘッド67及びレーザ装置71がX方向の1軸の自由度を有する構成を示しているが、この形態には限定されない。例えば、ステージ62がX及びY方向の2軸の自由度を有し、インクジェットヘッド67及びレーザ装置71を固定する構成であっても良い。又、ステージ62がY方向の1軸の自由度を有し、インクジェットヘッド67及びレーザ装置71をY軸方向に一列に並べる構成であっても良い。又、基板5を固定し、インクジェットヘッド67及びレーザ装置71がX及びY方向の2軸の自由度を有する構成であっても良い。又、X軸及びY軸は、X軸及びY軸ベクトルにより、1平面を表現できれば直交する必要はなく、例えば、X軸ベクトルとY軸ベクトルは30度、45度、60度の角度を有しても良い。薄膜製造装置3は、図示しない装置制御部を有し、インクジェットヘッド67の機能性インクの吐出条件及びレーザ装置71のレーザ照射条件を制御することができる。又、装置制御部は図示しない記録部を有し、機能性インクの結晶状態やレーザの最適な照射条件等を記録部に記録することができる。[薄膜製造方法]次に、第1の実施の形態に係る薄膜製造方法について説明する。ここでは、薄膜として図1に示す電気機械変換膜44を製造する例を示す。まず、図4aに示す工程では、振動板30となる表面が絶縁膜で被覆されたシリコン基板図示せず上に、金属電極42を成膜する。金属電極42としては、前述の材料を用いることができる。次に、図4bに示す工程では、金属基板42上に、酸化物電極43を成膜する。酸化物電極43に好適な材料は前述の通りであるが、図5bに示す工程で照射するレーザ光71xに対する光吸収率が後述の金属膜49よりも高い材料を選択する。酸化物電極43のレーザ光71xに対する光吸収率は、金属膜49のレーザ光71xに対する光吸収率よりも20以上高いことが好ましく、50以上高いことがより好ましい。次に、図4cに示す工程では、酸化物電極43上に金属膜49を成膜する。金属膜49としては、例えば、白金族金属等を用いることができる。金属基板42、酸化物電極43、及び金属膜49は、例えば、スパッタ法や真空蒸着等の真空成膜法等の方法により成膜できる。次に、図4dに示す工程では、フォトリソグラフィ法やエッチング法等により金属膜49を部分的に除去し、酸化物電極43の一部を露出する開口部49xを形成する。開口部49xの内側面と開口部49x内に露出する酸化物電極43の表面で凹部が形成される。これにより、金属膜49は凹凸状となる。次に、図5aに示す工程では、薄膜製造装置3のステージ62上に、図4dに示す工程で作製した構造体図3の基板5に相当を載置する。そして、周知のアライメント装置CCDカメラやCMOSカメラ等等を用いて、図4dに示す工程で作製した構造体の位置や傾き等をアライメントする。そして、インクジェットヘッド67をX軸に駆動させ、図4dに示す工程で作製した構造体が載置されたステージ62をY軸に駆動させて、ステージ62上にインクジェットヘッド67を配置する。そして、金属膜49の開口部49x内凹部内に露出する酸化物電極43上に、インクジェットヘッド67から機能性インク44aを吐出させる。機能性インク44aとしては、例えば、PZT前駆体溶液を用いることができる。次に、図5bに示す工程では、レーザ装置71をX軸に駆動させ、必要な場合にはステージ62をY軸に駆動させて、ステージ62上にレーザ装置71を配置する。そして、レーザ装置71にて、機能性インク44aにレーザ光71xを照射して加熱する。なお、レーザ光71xの照射領域の形状は、機能性インク44aの形状と同等以上であることが好ましい。レーザ光71xが照射された機能性インク44aは、溶媒が蒸発し、熱分解され、更に結晶化されて機能性インク44bとなる。レーザ装置71としては、例えば、半導体レーザ装置やYAGレーザ装置等を用いることができる。レーザ光71xは連続照射光又はパルス光とすることができる。レーザ光71xとして連続照射光を照射後、更にパルス光を照射してもよい。前述のように、酸化物電極43のレーザ光71xに対する光吸収率は金属膜49のレーザ光71xに対する光吸収率よりも高い。そのため、レーザ光71xを照射すると、金属膜49はあまり加熱されず、機能性インク44bの底部の酸化物電極43が選択的に加熱される。これにより、加熱したい部分以外の領域に熱による損傷を与える虞を低減できる。なお、レーザ光71xの波長は、酸化物電極43の光吸収率が比較的高い領域である400nm以上例えば400nm~10000nm程度とすると好適である。より詳しく説明すると、機能性インク44aは波長400nm以上のレーザ光71xをほとんど透過し、ほとんど吸収しない。例えば、機能性インク44aがPZTである場合、波長1μmのレーザ光に対する光吸収率は約0である。又、前述のように、金属膜49の光吸収率は酸化物電極43よりも低い。そのため、機能性インク44aは直接加熱されず、機能性インク44aを搭載している酸化物電極43が加熱され、それにともなって間接的に機能性インク44aが加熱される。従って、レーザ光71xの波長を酸化物電極43の光吸収率が比較的高い領域である400nm以上とすると好適である。なお、直接加熱の手法を用いると、レーザ光のビームプロファイルのムラにより照射部に温度ムラが生じる虞があるが、間接加熱の手法を採用することにより、照射面内において均一に機能性インク44aを加熱することが可能となる。ステージ62の移動速度は10mm/s~1000mm/s程度、レーザ光71xのパワーは数W~数十W程度とすることができる。又、レーザ光71xのビーム径は数10μm~数100μm程度、ビームプロファイルは一般的なガウシアンプロファイルとすることができる。なお、レーザ光71xのビームプロファイルをトップハット形状にすることで、機能性インク44aをより均一に加熱することが可能となり好適である。図5bに示す工程で結晶化した機能性インク44b例えば、PZT薄膜の膜厚は、数10nm程度である。この膜厚では不十分であるため、図5bに示す工程の後、更に図5a及び図5bに示す工程を必要数繰り返す。これにより、図6aに示す工程のように、機能性インク44bが積層され、酸化物電極43上に任意のパターンと厚さ例えば、数μm程度の結晶化した機能性インク膜、すなわち電気機械変換膜44が作製される。次に、図6bに示す工程では、金属膜49上に電気機械変換膜44を覆うように、酸化物電極45を成膜する。酸化物電極45の材料や成膜方法は、図4bに示す工程と同様とすることができる。次に、図6cに示す工程では、酸化物電極45上に金属電極46を成膜する。金属電極46の材料や成膜方法は、図4aに示す工程と同様とすることができる。次に、図6dに示す工程では、図6cに示す構造体の電気機械変換膜44上にレジスト図示せずを形成し、レジスト図示せずが形成されていない領域の酸化物電極45、金属電極46、金属膜49をエッチングにより除去する。その後、レジスト図示せずを除去する。これにより、下部電極となる金属電極42及び酸化物電極43上に電気機械変換膜44が積層され、更に電気機械変換膜44上に上部電極となる酸化物電極45及び金属電極46が積層される。このように、第1の実施の形態では、酸化物電極上に、酸化物電極よりも照射するレーザ光に対する光吸収率が低い金属膜を選択的に形成し、金属膜が形成されていない酸化物電極上に機能性インクを吐出させる。そして、機能性インクにレーザ光を照射する。これにより、機能性インクの底部の酸化物電極が選択的に加熱されるため、加熱したい部分以外の領域に熱による損傷を与える虞を低減できる。なお、第1の実施の形態ではSAM膜後述を用いていないが、電気機械変換膜44の精密な成膜を行う場合には、図4dに示す工程の後、金属膜49上にSAM膜を形成してから図5aに示す工程を行うと好適である。第2の実施の形態第2の実施の形態では、第1の実施の形態とは異なる薄膜形成方法を例示する。なお、第2の実施の形態の説明において、第1の実施の形態と共通部分についての説明を省略する場合がある。SAM膜のパターニングまず、図7に示すように、金属電極42の表面に所定パターンのSAMSelfAssembledMonolayer膜50を形成する。具体的には、図7aに示す工程では、振動板30となる表面が絶縁膜で被覆されたシリコン基板図示せず上に、金属電極42を成膜する。金属電極42としては、前述の材料を用いることができる。次に、図7bに示す工程では、金属電極42をアルカンチオール等からなるSAM材料で浸漬処理する。これにより、金属電極42の表面には、SAM材料が反応しSAM膜50が付着し、金属電極42表面を撥水化することができる。アルカンチオールは、分子鎖長により反応性や疎水撥水性が異なるが、通常、炭素数6~18の分子を、アルコール、アセトン又はトルエン等の有機溶媒に溶解させて作製する。通常、アルカンチオールの濃度は数モル/リットル程度である。所定時間後に金属電極42を取り出し、余剰な分子を溶媒で置換洗浄し、乾燥する。次に、図7cに示す工程では、公知のフォトリソグラフィ法により、金属電極42の表面に形成されたSAM膜50上に、開口部51xを有するフォトレジスト51を形成する。次に、図7dに示す工程では、ドライエッチング等により開口部51x内に露出するSAM膜50を除去し、更にフォトレジスト51を除去する。これにより、金属電極42の表面に所定パターンのSAM膜50が形成される。金属電極42の表面のSAM膜50が形成されている領域は、疎水性となる。一方、SAM膜50が除去されて金属電極42の表面が露出している領域は、親水性となる。この表面エネルギーのコントラストを利用して、下記で詳述する溶液の塗り分けが可能となる。なお、図7aに示す工程の後、金属電極42の表面の所定領域図7cの開口部51x内に対応する領域にフォトレジストを形成し、フォトレジストが形成されていない領域にSAM処理を行い、フォトレジストを除去してもよい。これにより、図7dに示す工程と同様に、金属電極42の表面に所定パターンのSAM膜50が形成される。又、図7bに示す工程の後、SAM膜50上に、SAM膜50を除去したい領域を露出する開口部を有するフォトマスクを配置し、フォトマスクを介して紫外線や酸素プラズマ等を金属電極42表面に照射し、露光部開口部内のSAM膜50を除去してもよい。これにより、図7dに示す工程と同様に、金属電極42の表面に所定パターンのSAM膜50が形成される。酸化物電極の形成次に、図8に示す工程では、酸化物電極43を形成する。酸化物電極43に好適な材料は前述の通りであるが、図9bに示す工程で照射するレーザ光71xに対する光吸収率が金属電極42よりも高い材料を選択する。酸化物電極43のレーザ光71xに対する光吸収率は、金属電極42のレーザ光71xに対する光吸収率よりも20以上高いことが好ましく、50以上高いことがより好ましい。具体的には、図8aに示す工程では、薄膜製造装置3のステージ62上に、表面に所定パターンのSAM膜50が形成された金属電極42図3の基板5に相当を載置する。そして、周知のアライメント装置CCDカメラやCMOSカメラ等等を用いて、金属電極42の位置や傾き等をアライメントする。そして、インクジェットヘッド67をX軸に駆動させ、金属電極42が載置されたステージ62をY軸に駆動させて、ステージ62上にインクジェットヘッド67を配置する。そして、インクジェットヘッド67から金属電極42の表面のSAM膜50が存在しない領域親水性の領域に機能性インク43aを吐出させる。この際、表面エネルギーのコントラストにより、機能性インク43aはSAM膜50が存在しない領域親水性の領域のみに濡れ広がる。このように、表面エネルギーのコントラストを利用して機能性インク43aをSAM膜50が存在しない領域親水性の領域のみに形成することにより、塗布する溶液の使用量をスピンコート法等のプロセスよりも減らすことができると共に、工程を簡略化することが可能となる。なお、機能性インク43aとしては、例えば、LaNiO3溶液を用いることができる。次に、図8bに示す工程では、レーザ装置71をX軸に駆動させ、必要な場合には金属電極42が載置されたステージ62をY軸に駆動させて、ステージ62上にレーザ装置71を配置する。そして、レーザ装置71にて、図8aに示す工程で濡れ広がった機能性インク43aにレーザ光71xを照射して加熱する。レーザ光71xが照射された機能性インク43aは、溶媒が蒸発し、熱分解され、更に結晶化されて、膜厚数10nm程度の機能性インク膜、すなわち酸化物電極43となる。なお、図8bに示す工程でSAM膜50は消失する。レーザ装置71としては、例えば、半導体レーザ装置やYAGレーザ装置等を用いることができる。但し、レーザ装置71に代えて、オーブンやランプアニール等を用いて機能性インク43aを加熱してもよい。なお、ここでは、機能性インク43aをインクジェット方式でパターニングする例を紹介したが、スパッタ法又はスピンコート法により全面に機能性インク43aを塗膜し、フォトリソグラフィ法やエッチング法により所望のパターンを得る方法を用いてもよい。電気機械変換膜の形成次に、図9に示すように、酸化物電極43の表面に電気機械変換膜44を形成する。具体的には、図9aに示す工程では、薄膜製造装置3のステージ62上に、表面に所定パターンのSAM膜50及び酸化物電極43が形成された金属電極42図3の基板5に相当を載置する。そして、周知のアライメント装置CCDカメラやCMOSカメラ等等を用いて、金属電極42の位置や傾き等をアライメントする。そして、インクジェットヘッド67をX軸に駆動させ、金属電極42が載置されたステージ62をY軸に駆動させて、ステージ62上にインクジェットヘッド67を配置する。そして、インクジェットヘッド67からSAM膜50が存在しない酸化物電極43の表面親水性の領域に機能性インク44aを吐出させる。この際、表面エネルギーのコントラストにより、機能性インク44aはSAM膜50が存在しない領域親水性の領域のみに濡れ広がる。このように、表面エネルギーのコントラストを利用して機能性インク44aをSAM膜50が存在しない領域親水性の領域のみに形成することにより、塗布する溶液の使用量をスピンコート法等のプロセスよりも減らすことができると共に、工程を簡略化することが可能となる。なお、機能性インク44aとしては、例えば、PZT前駆体溶液を用いることができる。次に、図9bに示す工程では、レーザ装置71をX軸に駆動させ、必要な場合には金属電極42が載置されたステージ62をY軸に駆動させて、ステージ62上にレーザ装置71を配置する。そして、レーザ装置71にて、図9aに示す工程で濡れ広がった機能性インク44aにレーザ光71xを照射して加熱する。レーザ光71xが照射された機能性インク44aは、溶媒が蒸発し、熱分解され、熱分解された機能性インク44bとなる。レーザ装置71としては、例えば、半導体レーザ装置やYAGレーザ装置等を用いることができる。レーザ光71xは連続照射光又はパルス光とすることができる。レーザ光71xとして連続照射光を照射後、更にパルス光を照射してもよい。前述のように、酸化物電極43のレーザ光71xに対する光吸収率は金属電極42のレーザ光71xに対する光吸収率よりも高い。そのため、レーザ光71xを照射すると、金属電極42はあまり加熱されず、機能性インク44bの底部の酸化物電極43が選択的に加熱される。これにより、加熱したい部分以外の領域に熱による損傷を与える虞を低減できる。なお、金属電極42はほとんど加熱されないため、金属電極42上に形成されたSAM膜50は消失しない。図9bに示す工程で結晶化した機能性インク43b例えば、PZT薄膜の膜厚は、数10nm程度であり、この膜厚では不十分である。そのため、図9bに示す工程の後、再び図9a及び図9bに示す工程を必要数繰り返す。これにより、機能性インク44bが積層され、酸化物電極43上に任意のパターンと厚さ例えば、数μm程度の結晶化した機能性インク膜、すなわち電気機械変換膜44が作製される。なお、前述のように、図9bに示す工程でSAM膜50は消失しないため、上記繰り返し工程において図8cと同様な工程を実施する必要はない。つまり、電気機械変換膜の形成に際し、SAM膜は初めに1回だけ塗布すれば、最後まで除去されることはなく、大幅な工数の削減が図れる。このように、第2の実施の形態では、酸化物電極を、酸化物電極よりも照射するレーザ光に対する光吸収率が低い金属電極上に選択的に形成し、酸化物電極上に機能性インクを吐出させる。そして、機能性インクにレーザ光を照射する。これにより、機能性インクの底部の酸化物電極が選択的に加熱されるため、加熱したい部分以外の領域に熱による損傷を与える虞を低減できる。第3の実施の形態第3の実施の形態では、薄膜製造装置3で製造した液体吐出ヘッド2図2参照を搭載したインクジェット記録装置の例を示す。図10は、インクジェット記録装置を例示する斜視図である。図11は、インクジェット記録装置の機構部を例示する側面図である。図10及び図11を参照するに、インクジェット記録装置4は、記録装置本体81の内部に主走査方向に移動可能なキャリッジ93、キャリッジ93に搭載した液体吐出ヘッド2の一実施形態であるインクジェット記録ヘッド94、インクジェット記録ヘッド94へインクを供給するインクカートリッジ95等で構成される印字機構部82等を収納する。記録装置本体81の下方部には、多数枚の用紙83を積載可能な給紙カセット84或いは給紙トレイでもよいを抜き差し自在に装着することができる。又、用紙83を手差しで給紙するための手差しトレイ85を開倒することができる。給紙カセット84或いは手差しトレイ85から給送される用紙83を取り込み、印字機構部82によって所要の画像を記録した後、後面側に装着された排紙トレイ86に排紙する。印字機構部82は、図示しない左右の側板に横架したガイド部材である主ガイドロッド91と従ガイドロッド92とでキャリッジ93を主走査方向に摺動自在に保持する。キャリッジ93にはイエローY、シアンC、マゼンタM、ブラックBkの各色のインク滴を吐出するインクジェット記録ヘッド94を、複数のインク吐出口ノズルを主走査方向と交差する方向に配列し、インク滴吐出方向を下方に向けて装着している。又、キャリッジ93は、インクジェット記録ヘッド94に各色のインクを供給するための各インクカートリッジ95を交換可能に装着している。インクカートリッジ95は、上方に大気と連通する図示しない大気口、下方にはインクジェット記録ヘッド94へインクを供給する図示しない供給口を、内部にはインクが充填された図示しない多孔質体を有している。多孔質体の毛管力によりインクジェット記録ヘッド94へ供給されるインクをわずかな負圧に維持している。又、インクジェット記録ヘッド94としてここでは各色のヘッドを用いているが、各色のインク滴を吐出するノズルを有する1個のヘッドを用いてもよい。キャリッジ93は、用紙搬送方向下流側を主ガイドロッド91に摺動自在に嵌装し、用紙搬送方向上流側を従ガイドロッド92に摺動自在に載置している。そして、このキャリッジ93を主走査方向に移動走査するため、主走査モータ97で回転駆動される駆動プーリ98と従動プーリ99との間にタイミングベルト100を張装し、主走査モータ97の正逆回転によりキャリッジ93が往復駆動される。タイミングベルト100は、キャリッジ93に固定されている。又、インクジェット記録装置4は、給紙カセット84から用紙83を分離給装する給紙ローラ101、フリクションパッド102、用紙83を案内するガイド部材103、給紙された用紙83を反転させて搬送する搬送ローラ104、この搬送ローラ104の周面に押し付けられる搬送コロ105、搬送ローラ104からの用紙83の送り出し角度を規定する先端コロ106、を設けている。これにより、給紙カセット84にセットした用紙83を、インクジェット記録ヘッド94の下方側に搬送される。搬送ローラ104は副走査モータ107によってギヤ列を介して回転駆動される。用紙ガイド部材である印写受け部材109は、キャリッジ93の主走査方向の移動範囲に対応して搬送ローラ104から送り出された用紙83をインクジェット記録ヘッド94の下方側で案内する。この印写受け部材109の用紙搬送方向下流側には、用紙83を排紙方向へ送り出すために回転駆動される搬送コロ111、拍車112を設けている。更に、用紙83を排紙トレイ86に送り出す排紙ローラ113及び拍車114と、排紙経路を形成するガイド部材115、116とを配設している。画像記録時には、キャリッジ93を移動させながら画像信号に応じてインクジェット記録ヘッド94を駆動することにより、停止している用紙83にインクを吐出して1行分を記録し、用紙83を所定量搬送後次の行の記録を行う。記録終了信号又は用紙83の後端が記録領域に到達した信号を受けることにより、記録動作を終了させ用紙83を排紙する。キャリッジ93の移動方向右端側の記録領域を外れた位置には、インクジェット記録ヘッド94の吐出不良を回復するための回復装置117を有する。回復装置117はキャップ手段と吸引手段とクリーニング手段を有する。キャリッジ93は、印字待機中に回復装置117側に移動されてキャッピング手段でインクジェット記録ヘッド94をキャッピングされ、吐出口部を湿潤状態に保つことによりインク乾燥による吐出不良を防止する。又、記録途中等に、記録と関係しないインクを吐出することにより、全ての吐出口のインク粘度を一定にし、安定した吐出性能を維持する。吐出不良が発生した場合等には、キャッピング手段でインクジェット記録ヘッド94の吐出口を密封し、チューブを通して吸引手段で吐出口からインクとともに気泡等を吸い出す。又、吐出口面に付着したインクやゴミ等はクリーニング手段により除去され吐出不良が回復される。更に、吸引されたインクは、本体下部に設置された図示しない廃インク溜に排出され、廃インク溜内部のインク吸収体に吸収保持される。このように、インクジェット記録装置4においては、薄膜製造装置3で製造した液体吐出ヘッド2の一実施形態であるインクジェット記録ヘッド94を搭載しているので、振動板駆動不良によるインク滴吐出不良がなく、安定したインク滴吐出特性が得られるため、画像品質を向上できる。[実施例1]まず、スパッタ法を用いてシリコン基板上に金属電極となる白金系金属、酸化物電極となるLaNiO3、白金系金属からなる金属膜をこの順番に成膜した。そして、フォトリソグラフィ法やエッチング法等により金属膜を部分的に除去して開口部を形成し、開口部の内側面と開口部内に露出する酸化物電極の表面で凹部を形成した。なお、LaNiO3の波長980nmのレーザ光に対する光吸収率は約70であり、白金の波長980nmのレーザ光に対する光吸収率は約20である。次に、ディッピングにより凹部へPZT前駆体のゾルゲル液を流し込む。そのゾルゲル液が溜まった領域に対して、ゾルゲル液が透過する波長980nmのレーザ光を照射することにより、ゾルゲル液の底部の酸化物電極LaNiO3が加熱され、ゾルゲル液が乾燥結晶化され、PZT膜が形成された。これを繰り返すことにより、膜厚5μmのPZT膜を得ることができた。[実施例2]この実施例では、シリコンウェハに熱酸化膜膜厚1μmを形成し、密着層としてチタン膜膜厚50nmをスパッタ成膜した。引続き金属電極として白金膜膜厚200nmをスパッタ成膜した。次いで、アルカンチオールにCH3CH26-SHを用い、濃度0.01モル/l溶媒:イソプロピルアルコール溶液に浸漬させ、SAM処理を行った。その後、イソプロピルアルコールで洗浄乾燥後、パターニングの工程に移る。SAM膜処理後、SAM膜形成部位SAM膜上において水の接触角を測定したところ、SAM膜上での水の接触角は92.2°であった図12参照。一方、SAM処理前の白金スパッタ膜上において水の接触角を測定したところ、白金スパッタ膜上での水の接触角は5°以下完全濡れであった。この結果から、SAM膜処理が適切になされたことがわかる。次に、東京応化社製フォトレジストTSMR8800をスピンコート法で成膜し、通常のフォトリソグラフィ法でレジストパターンを形成した後、酸素プラズマ処理を行い露出部のSAM膜を除去した。処理後の残渣レジストはアセトンにて溶解除去し、同様の接触角評価を行ったところ、SAM膜除去部位において水の接触角は5°以下完全濡れであり図13参照、レジストでカバーされていた部位のそれは92.4°の値を示した。この結果から、SAM膜のパターン化が適切になされたことが確認できる。他方式のパターニングとして、同様のレジストワークによりあらかじめレジストパターンを形成し、同様のSAM膜処理を実施後、アセトンにてレジストを除去し、接触角を測定した。レジストカバーされた白金膜上の接触角は5°以下完全濡れ、他の部位のそれは92.0°となり、SAM膜のパターン化が適切になされたことを確認した。もう1つの他方式として、シャドウマスクを用いた紫外線照射を行った。具体的には、エキシマランプによる波長176nmの真空紫外光を用いて10分間照射した。照射部の接触角は5°以下完全濡れ、未照射部のそれは92.2°でありSAM膜のパターン化が適切になされたことを確認した。次にLaNiO3溶液を先のパターン化SAM膜上にインクジェット法で塗布し、オーブン、レーザ、ランプアニール等で乾燥、熱分解、及び結晶化を行った。なお、ここでは、LaNiO3溶液をインクジェット方式でパターニングする例を紹介したが、スパッタ法若しくはスピンコート法によりLaNiO3溶液を全面に塗膜し、フォトリソグラフィ法やエッチング法により所望のパターンを得る方法を用いてもよい。次に、LaNiO3溶液を塗布した手順と同じように、PZT前駆体を形成するためのSAM膜を形成する。なお、LaNiO3は酸化物でありSAM膜が形成されないため、フォトリソグラフィやエッチングの工程は省略できる。前駆体塗布液の合成は、出発材料に酢酸鉛三水和物、イソプロポキシドチタン、イソプロポキシドジルコニウムを用いた。酢酸鉛の結晶水はメトキシエタノールに溶解後、脱水した。化学両論組成に対し鉛量を10モル過剰にしてある。これは熱処理中の所謂鉛抜けによる結晶性低下を防ぐためである。イソプロポキシドチタン、イソプロポキシドジルコニウムをメトキシエタノールに溶解し、アルコール交換反応、エステル化反応を進め、先記の酢酸鉛を溶解したメトキシエタノール溶液と混合することでPZT前駆体溶液を合成した。このPZT濃度は0.1モル/lにした。一度のゾルゲル成膜で得られる膜厚は100nmが好ましく、前駆体濃度は成膜面積と前駆体塗布量の関係から適正化される従って0.1モル/lに限定されるものではない。この前駆体溶液を先のパターン化SAM膜上にインクジェット法で塗布した図9a参照。インクジェット法によりSAM膜上には液滴を吐出せず親水部のみ吐出することで接触角のコントラストにより親水部上にのみ塗膜ができた。これを第一の加熱溶媒乾燥としてレーザ光の照射により120°C処理後、有機物の熱分解を行い90nmの膜厚を得た。ここで用いたレーザ光は、波長980nmの半導体レーザで、PZTを形成する幅よりも広いスポット径を持つ。引き続きインクジェット塗布装置によりPZT前駆体を塗布する。このときの膜厚は180nmであった。次に、レーザ照射によりLaNiO3膜を加熱し、間接的にPZT前駆体を乾燥させる。ここで、波長980nmに対するLaNiO3溶液の光吸収率は約70であり、白金の光吸収率はおよそ20であるため、白金はほとんど温度上昇することがない。そのため、白金上に形成されたSAM膜も除去されない。乾燥後のPZT前駆体の膜厚は90nmであった。先記工程を6回繰り返し540nmの電気機械変換膜を得たのち、熱分解処理を行った。電気機械変換膜にクラック等の不良は生じなかった。更に6回のPZT前駆体の選択塗布及び乾燥を行い、レーザ照射により結晶化処理をした。電気機械変換膜にクラック等の不良は生じなかった。電気機械変換膜の膜厚は1000nmに達した。これらのレーザ光照射による加熱工程において、SAM膜は除去されることなく、最後まで水に対する接触角は90°以上を保っていた。次に、SAM膜をホットプレート加熱により除去し、このパターン化された電気機械変換膜に上部電極白金を成膜して電気機械変換素子を作製し、電気特性、電気-機械変換能圧電定数の評価を行った。図14は、本実施例で作製した電気機械変換素子のP-Eヒステリシス曲線を示すグラフである。電気機械変換膜の比誘電率は1220、誘電損失は0.02、残留分極は19.3uC/cm2、抗電界は36.5kV/cmであり、通常のセラミック焼結体と同等の特性を持つことがわかった。電気機械変換素子の電気-機械変換能は、電界印加による変形量をレーザドップラー振動計で計測し、シミュレーションによる合わせ込みから算出した。その圧電定数d31は、-120pm/Vとなり、こちらもセラミック焼結体と同等の値であった。これは液滴吐出ヘッドとして十分設計できうる特性値である。上記とは別に、上部電極を配置せずに、更なる厚膜化を試みた。すなわち、6回までの熱分解アニールのたびに結晶化処理を行い、これを10回繰り返したところ5μmのパターン化PZT膜がクラック等の欠陥を伴わずに得られた。一般には、ホットプレートやオーブンによってPZT前駆体の乾燥、熱分解、及び結晶化が行われるが、加熱の工程を全てレーザ光の照射で行うことにより、PZT膜のみが加熱され、SAM膜は加熱されない。そのため、SAM膜は初めに1回だけ塗布すれば、最後まで除去されることはなく、大幅な工数の削減が図れる。[実施例3]実施例2において、図3に示す薄膜形成装置3を用いて、PZT膜上の必要な部分のみに白金を塗布し、上部電極を形成した。塗布するときにはPZT前駆体を塗布したときと同様に接触角のコントラストを利用して塗布領域を規定した。上部電極は短絡を防止するためにPZT膜パターンより小さい領域に塗布する必要があるため、PZT膜上にも撥水部を設けることが好ましい。本実施例では白金を形成しない領域にレジストをパターニングした後、レジストが形成されていない領域に液状の白金を塗布した。そして、120°Cで白金を乾燥処理し、その後にレジストを剥離して、最終的に250°Cで焼結した。焼成後の膜厚は0.5μmであり、比抵抗は5×10-6オームセンチであり、良好な結果が得られた。[実施例4]他の白金族元素の電極膜としてルテニウム、イリジウム、ロジウムを各々のチタン密着層を配置した熱酸化膜付きシリコンウェハ上にスパッタリング成膜した。SAM分子、処理方法は実施例2と同じである。又、白金族合金として白金-ロジウムロジウム濃度は15wtも行った。又、イリジウム酸化膜の上にイリジウム金属、又は白金膜を配置した試料についても行った。SAM膜除去部位の水の接触角は5°以下完全濡れであり、一方、SAM膜配置部位のそれは全ての試料において90.0°を示した。つまり、何れの金属についても、良好な結果が得られた。以上、好ましい実施の形態及び実施例について詳説したが、上述した実施の形態及び実施例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及び実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。"