"-n型導電領域12およびp型導電領域13を有する半導体ボディ1と、-単一のn型コンタクト要素2であって、該単一のn型コンタクト要素2を介することで、前記n型導電領域12との電気的接触接続を前記p型導電領域13を貫いて形成することができる、単一のn型コンタクト要素2と、を備えている、オプトエレクトロニクス半導体チップ100。前記n型コンタクト要素2が、前記p型導電領域13における切欠き部21を備えている、請求項1に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ100。前記n型コンタクト要素2、特に、前記切欠き部21が、前記p型導電領域13の横方向の境界の少なくとも一部分を形成している、請求項2に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ100。前記n型コンタクト要素2が、前記n型導電領域12の半導体材料によって形成されているn型接続パッド211を有し、前記n型接続パッド211が前記半導体ボディ1の成長方向Wに垂直に延在している、請求項1から請求項3のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ100。前記半導体ボディ1が活性ゾーン11を有し、前記n型コンタクト要素2の前記n型接続パッド211が、前記活性ゾーン11の横断面領域111の少なくとも1かつ最大で10である、請求項4に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ100。前記半導体ボディ1が、前記p型導電領域13とは反対側の前記n型導電領域12の面に配置されている放射取り出し領域10、を有する、請求項1から請求項5のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ100。前記n型コンタクト要素2がn型コンタクトメタライゼーション31を有し、前記n型コンタクトメタライゼーション31の少なくとも一部分が前記n型接続パッド211に直接隣接している、請求項4から請求項6のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ100。前記p型導電領域13が、前記放射取り出し領域10とは反対側に位置するp型接続パッド131を有し、前記p型接続パッド131がp型コンタクトメタライゼーション32に導電接続されている、請求項6または請求項7に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ100。前記n型コンタクトメタライゼーション31および前記p型コンタクトメタライゼーション32が、前記半導体ボディ1から横方向に引き出されており、垂直方向には互いに重なっていない、請求項8に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ100。前記p型導電領域13と前記n型コンタクトメタライゼーション31との間、前記切欠き部21の領域に、絶縁層7が配置されている、請求項8または請求項9に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ100。前記p型導電領域13の横方向の境界の一部分が、名目上ドープされていない半導体領域60によって形成されており、前記名目上ドープされていない半導体領域60および前記p型導電領域13が、切れ目のない連続的な半導体層によって形成されている、請求項1から請求項10のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ100。前記n型コンタクト要素2の少なくとも一部分が、前記p型導電領域13の過剰にドープされたn型導電性半導体材料によって形成されている、請求項1から請求項11のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ100。オプトエレクトロニクス半導体デバイス1000であって、-請求項1から請求項12のいずれに記載の、少なくとも2個のオプトエレクトロニクス半導体チップ100を備えており、-前記オプトエレクトロニクス半導体チップ100が直列回路として互いに電気的に接触接続されており、-半導体チップ100の前記n型導電領域12が、隣接する半導体チップ100の前記p型導電領域13に、連続的な中間メタライゼーション33によって電気的に接続されており、-前記中間メタライゼーション33の少なくとも一部分が、半導体チップ100の前記n型コンタクトメタライゼーション31と、隣接する半導体チップ100の前記p型コンタクトメタライゼーション32と、によって形成されている、オプトエレクトロニクス半導体デバイス1000。オプトエレクトロニクス半導体デバイス1000の製造方法であって、-成長キャリア1001を形成するステップと、-前記成長キャリア1001に、エピタキシャル成長させる半導体積層体1002を形成するステップであって、前記半導体積層体1002がn型導電領域12およびp型導電領域13を有する、ステップと、-前記半導体積層体1002に少なくとも2つのn型コンタクト要素2を形成するステップであって、前記n型コンタクト要素2が、前記p型導電領域13を貫いて前記n型導電領域12に達する、ステップと、-前記成長キャリア1001とは反対側に位置する前記半導体積層体1002の領域に、補助キャリア9を貼り付け、次いで、前記半導体積層体1002から前記成長キャリア1001を除去するステップと、-横方向に隣り合うn型コンタクト要素2の間に、前記n型導電領域12を貫く少なくとも1本の溝1003を入れることによって、個々の半導体ボディ1を形成するステップであって、前記溝1003の領域において、前記半導体積層体1002の少なくとも一部分が完全に除去される、ステップと、を含んでいる、方法。請求項13に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス1000が製造される、請求項14に記載の方法。例示的な実施形態および図面において、同じ構成部分または同じ機能の構成部分には、同じ参照記号を付してある。図示した要素は、正しい縮尺ではないものとみなされたい。むしろ、深く理解できるようにする目的で、個々の要素を誇張した大きさで示してある。図1Aは、本明細書に記載されている、半導体ボディ1を備えたオプトエレクトロニクス半導体チップ100を、概略的な断面図として示している。半導体ボディ1は、n型導電領域12、p型導電領域13、および活性ゾーン11を有し、活性ゾーン11は、半導体チップ100の動作時に電磁放射を放出する。活性ゾーン11は、n型導電領域12とp型導電領域13との間に配置されている。活性ゾーン11とは反対側に位置するn型導電領域12の領域12Aには、パッシベーション層6が直接形成されており、領域12Aの構造化の少なくとも一部分がパッシベーション層6の表面にも現れている。言い換えれば、半導体チップ100の放射取り出し領域10は、半導体ボディ1とは反対側のパッシベーション層6の領域によって形成されている。さらには、オプトエレクトロニクス半導体チップ100は、単一のn型コンタクト要素2を有する。n型導電領域12との電気的接触接続は、このn型コンタクト要素2を介して、p型導電領域13を貫いて形成されている。n型コンタクト要素2は、p型導電領域における切欠き部21を備えており、切欠き部21の一部分は、p型導電領域13の横方向の境界を形成している。さらには、n型コンタクト要素2はn型接続パッド211を有する。n型接続パッド211は、n型導電領域12の半導体材料のみによって形成されている。この実施形態の場合、切欠き部21は側面領域21Aおよび底面領域21Bを有する。側面領域21Aは、その全体がp型導電領域13の半導体材料によって形成されており、切欠き部21の最大垂直範囲は、少なくともp型導電領域13の垂直範囲すなわち厚さである。さらに、底面領域21Bは、その全体がn型導電領域の半導体材料によって形成されている。言い換えれば、n型接続パッド211は、その全体が底面領域21Bによって形成されている。n型コンタクト要素2のn型接続パッド211は、半導体ボディ1の成長方向Wに垂直に延在しており、n型接続パッド211は、活性ゾーン11の横断面領域111の少なくとも1かつ最大で10、好ましくは少なくとも2かつ最大で5である。n型コンタクトメタライゼーション31は、その一部分が切欠き部21に配置されており、一部分が切欠き部21の接続パッド211に直接接触している。さらには、n型導電領域12のn型横方向導電率に対する、活性ゾーン11の最大横方向範囲Lmaxの比率は、例えば4μm/Ω/sqである。n型コンタクトメタライゼーション31は、切欠き部21を起点として半導体ボディ1から横方向に引き出されている。言い換えれば、n型導電領域12と外部との電気的接触接続は、n型コンタクトメタライゼーション31によって側方において形成されている。n型コンタクトメタライゼーション31には、部分的に絶縁層7が形成されており、絶縁層7にはパッシベーション層6が直接形成されており、コンタクトメタライゼーション31の領域のうちパッシベーション層6および絶縁層7が存在しない領域が電気コンタクト領域5を形成している。このように形成されているコンタクト領域5は、n型コンタクト領域51である。p型コンタクトメタライゼーション32は、半導体ボディ1のp型導電領域13に、p型導電領域13のp型接続パッド131放射取り出し領域10とは反対側に位置しているを介して接触している。図1Aに示したように、p型コンタクトメタライゼーション32も、p型接続パッド131を起点として半導体ボディ1から横方向に引き出されており、n型コンタクトメタライゼーション31とp型コンタクトメタライゼーション32は垂直方向には互いに重なっていない。言い換えれば、2つのコンタクトメタライゼーション31,32は、半導体ボディ1から異なる方向に引き出されている。絶縁層7およびパッシベーション層6が存在しない領域は、さらなるコンタクト領域5としてのp型コンタクト領域52を形成している。したがって、オプトエレクトロニクス半導体チップ100と外部との電気的接触接続は、2つのコンタクト領域51,52によって側方おいて形成することができる。さらには、オプトエレクトロニクス半導体チップ100は補助キャリア9を備えており、補助キャリアは、特に、成長基板ではない。補助キャリア9は、ウェハまたはプレートとして具体化された半導体ウェハ、または機械的に安定した層、または例えば金属によって形成されているプレートとすることができる。補助キャリア9と半導体ボディ1との間には、補助キャリア9の上に結合層8が配置されている。結合層8は、一例として、導電性材料例:はんだである。補助キャリア9とは反対側の結合層8の領域の上には、キャリア絶縁層4が配置されている。キャリア絶縁層4および結合層8は、コンタクトメタライゼーション31,32および半導体ボディ1と、補助キャリア9とを、機械的に固定された状態に結合している。さらに、キャリア絶縁層4は、n型コンタクトメタライゼーション31およびp型コンタクトメタライゼーション32の両方を互いに完全に絶縁しており、さらに、結合層8もしくは補助キャリア9またはその両方からも絶縁している。さらに、キャリア絶縁層4の一部分は、n型コンタクト要素2の切欠き部21にも配置されている。言い換えれば、キャリア絶縁層4は、放射取り出し領域10とは反対側に位置する半導体ボディ1およびコンタクトメタライゼーション31,32の領域全体に直接形成されている。図1Bは、図1Aによる例示的な実施形態を概略的な平面図として示している。この平面図から理解できるように、オプトエレクトロニクス半導体チップ100は長方形の基本形状を有し、切欠き部21は、長方形の帯状領域を形成しており、一方の側面に沿ってp型導電領域の横方向の境界を形成している。半導体チップ100は、図1Bとは異なる基本形状を有することも考えられ、一例として、半導体チップ100は、平面視において円形、長円形、または楕円形の形状とすることができる。切欠き部21は、図1Bとは異なる形状を有することも考えられる。図2は、本明細書に記載されているオプトエレクトロニクス半導体デバイス1000の例示的な実施形態を概略的な側面図として示している。オプトエレクトロニクス半導体デバイス1000は、本明細書に記載されている実施形態の少なくとも1つによるオプトエレクトロニクス半導体チップ100を2個備えている。理解を容易にする目的で、左側に示したオプトエレクトロニクス半導体チップ100を、以下ではオプトエレクトロニクス半導体チップ100Aと称し、右側に示したオプトエレクトロニクス半導体チップ100を、以下ではオプトエレクトロニクス半導体チップ100Bと称する。2個のオプトエレクトロニクス半導体チップ100A,100Bは、直列回路として互いに電気的に接触接続されており、溝1003によって互いに隔てられている。半導体チップ100Aのn型導電領域12は、連続的な中間メタライゼーション33を介して半導体チップ100Bのp型導電領域13に電気的に接続されている。この実施形態の場合、中間メタライゼーションは、その全体が、半導体チップ100Aのn型コンタクトメタライゼーション31によってと、半導体チップ100Bのp型コンタクトメタライゼーション32によって、形成されている。言い換えれば、2つのコンタクトメタライゼーション31,32が互いに結合されて共通の中間メタライゼーション33が形成されている。n型コンタクトメタライゼーション31と、p型コンタクトメタライゼーション32と、中間メタライゼーション33は、垂直方向には互いに重なっていない。溝1003は、2つの側面領域1003Cと底面領域1003Aとによって形成されている。さらに、溝1003は、底面領域1003Aに対向する開口部1003Dを有する。溝1003の底面領域1003Aは、半導体チップ100Aと半導体チップ100Bとの間に延在する中間メタライゼーション33によって形成されている。溝1003の底面領域1003Aには、部分的に絶縁層7が直接形成されている。さらに、半導体ボディ1、溝1003、および絶縁層7の露出している領域には、n型コンタクト領域51およびp型コンタクト領域52を除いて、パッシベーション層6が直接形成されている。図3は、本明細書に記載されているオプトエレクトロニクス半導体デバイス1000のさらなる例示的な実施形態を示している。図2に示した例示的な実施形態とは異なり、半導体チップ100Aおよび半導体チップ100Bの両方の切欠き部21が、p型導電領域13の周囲を横方向に囲んでおり、p型導電領域13のすべての側面において横方向の境界を形成している。活性ゾーン11は、切欠き部21によって、すべての側面においてn型導電領域12と比較して横方向に後退している。メタライゼーション31,32,33と、n型導電領域12およびp型導電領域13との間には、電気的短絡を回避するため、切欠き部21の領域の一部分に絶縁層7が配置されている。さらに、絶縁層7は活性ゾーン11の酸化も防止し、結果として、例えば、活性ゾーンの領域にパッシベーション層6を形成するステップを省くことが可能であり、これは有利である。さらには、図3に示した例示的な実施形態の場合、放射取り出し領域10の全体が、n型導電領域12の領域12Aによって形成されており、放射取り出し領域10は、この例示的な実施形態においても構造化されている。図4は、本明細書に記載されているオプトエレクトロニクス半導体デバイス1000のさらなる例示的な実施形態を示している。図2に示した例示的な実施形態とは異なり、このオプトエレクトロニクス半導体チップ1000は、n型ミラー層30およびp型ミラー層40を有する。これら2つのミラー層30,40は、一例として、導電性材料によって形成されている。n型ミラー層30それぞれは、一部分がn型コンタクト要素2の切欠き部21の中に配置されており、少なくとも一部分がn型接続パッド211に直接接触している。p型ミラー層40は、少なくとも一部分がp型接続パッド131に直接形成されている。活性ゾーン11によってp型接続パッド131の方向に放出される電磁放射を、n型ミラー層30およびp型ミラー層40によって反射して放射取り出し領域10の方向に戻すことができ、これは有利である。したがって、ミラー層30およびミラー層40によって個々の半導体チップ100の取り出し効率が高まり、これは有利である。この場合、取り出し効率とは、半導体チップ100Aおよび半導体チップ100Bにおいて一次的に生成される光エネルギluminousenergyと、半導体チップ100Aおよび半導体チップ100Bから取り出される光エネルギとの比率を意味する。図5に示した、本明細書に記載されているオプトエレクトロニクス半導体デバイス1000の例示的な実施形態においては、図4に示した例示的な実施形態とは異なり、p型導電領域のすべての側面において、横方向の境界が、名目上ドープされていない半導体領域60によって形成されている。名目上ドープされていない半導体領域60とp型導電領域13は、切れ目のない連続的な半導体層によって形成されている。この実施形態の場合、名目上ドープされていない半導体領域60は、電気絶縁性である。したがって、特に、メタライゼーション31,32,33と、n型導電領域12およびp型導電領域13との間の領域における絶縁層7を省くことが可能であり、これは有利である。この場合、n型コンタクト要素2の少なくとも一部分を、p型導電領域13の、対応的に過剰にドープされた半導体材料によって形成することも考えられる。言い換えれば、対応的に過剰にドープされた半導体材料は、n型導電領域との電気的接触を形成することができ、したがって、切欠き部の領域におけるn型コンタクトメタライゼーション31を部分的に省くことができ、これは有利である。図6A~図6Eは、本明細書に記載されているオプトエレクトロニクス半導体デバイス1000を製造するための個々の製造ステップを示している。図6Aでは、第1のステップにおいて、最初に、成長キャリア1001を形成する。成長キャリアは、一例として、ウェハまたはプレートとして具体化された半導体ウェハである。この成長キャリア1001の上に半導体積層体1002をエピタキシャル堆積させる。半導体積層体1002は、n型導電領域12およびp型導電領域13を有する。さらに、成長キャリア1とは反対側のn型導電領域13の領域全体に、絶縁層7を形成する。図6Bは次のステップを示しており、半導体積層体1002の中に2つのn型コンタクト要素2を形成する。これを目的として最初に、少なくとも、後からn型コンタクト要素2となる領域において、絶縁層7を除去する。次いで、例えば乾式または湿式化学エッチング工程によって、p型導電領域13に切欠き部21を形成し、切欠き部21はp型導電領域13を貫いてn型導電領域12に達している。次のステップにおいて、p型導電領域13から絶縁層7を部分的に除去し、結果として露出した領域に、n型コンタクトメタライゼーション31、p型コンタクトメタライゼーション32、および中間メタライゼーション33を形成する。次のステップにおいて、メタライゼーション31,32,33の露出している領域、絶縁層7の露出している領域、および半導体ボディ1の露出している領域に、全体にわたりキャリア絶縁層4を形成する。さらなるステップにおいて、半導体積層体1002とは反対側のキャリア絶縁層4の領域に、結合層8例えば金属はんだを塗布する。次のステップにおいて、成長キャリア1001とは反対側に位置する結合層8の領域に、補助キャリア9を貼り付ける。次いで、半導体積層体1002から成長キャリア1001を除去する図6Cも参照。図6Dは、個々の半導体ボディ1を形成する次のステップにおいて、横方向に隣り合うn型コンタクト要素2の間に、n型導電領域12を貫いて半導体積層体1002に溝1003を入れる方法を示している。溝1003は、例えば乾式または湿式化学エッチング工程によって形成する。この実施形態の場合、溝1003の底面領域1003Aは、一部分が絶縁層7によって形成されており、溝1003の側面領域1003Cは、一部分が半導体積層体1002によって形成されている。言い換えれば、半導体積層体1002は、溝1003の領域において完全に除去されている。図6Eは、領域B1および領域B2において半導体積層体1002を部分的に除去する方法を示している。言い換えれば、半導体ボディ1は、p型接続パッド131から放射取り出し領域10の方向に先細り台形形状をなしている。一例として、半導体ボディ1、絶縁層7、コンタクトメタライゼーション31,32,33、のうちの少なくとも1つの露出した領域に、1層または複数のパッシベーション層6を形成することができ、この場合、コンタクトメタライゼーション31,32の一部の領域には、外部との電気的接触接続を目的として、絶縁層7およびパッシベーション層6のいずれも存在しない。一例として、コンタクトメタライゼーション31,32のこれらの領域は、n型コンタクト領域51およびp型コンタクト領域52を形成している。ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。"