"透光性基板上に順に成膜された第1電極層、吸収層及び第2電極層を備えた太陽電池モジュールであって、前記第1電極層と前記第2電極層とは、それぞれ複数個に絶縁分離され、分離された一つの前記第1電極層と当該第1電極層と対向する前記第2電極層、当該第1電極層及び当該第2電極層に挟まれた前記吸収層からなる一つのセルが、隣接する他のセルと電気的に直列に接続され、前記吸収層は、IB族元素、IIIB族元素、VIB族元素を含む化合物半導体から構成され且つ当該吸収層の他の部分と比べ電気抵抗が低い短絡層を有することを特徴とする太陽電池モジュール。前記吸収層に含まれるIB族元素とIIIB族元素との比Ib/IIIbが0.9以下であり、当該吸収層の前記短絡層に含まれるIB族元素とIIIB族元素との比Ib/IIIbが1.15以上であることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池モジュール。前記吸収層の化合物半導体は、カルコパイライト構造を有するCu-In-Se系半導体であることを特徴とする請求項1又は2に記載の太陽電池モジュール。前記短絡層に含まれるIB族元素がCu又はAgであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。隣接する2個のセルにおいて、第1のセルの前記第1電極層と第2のセルの前記第2電極層とが、前記吸収層の前記短絡層を介して電気的に直列接続することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。透光性基板上に透光性の第1導電膜を成膜する第1導電膜成膜工程と、成膜された前記第1導電膜の一部を除去し絶縁分離された複数の第1電極層を形成する第1のパターニング工程と、分離形成された複数の前記第1電極層上にIB族元素、IIIB族元素、VIB族元素を含む化合物半導体層を成膜する化合物半導体層成膜工程と、成膜された前記化合物半導体層上の一部に少なくともIB族元素を含む導電性ペースト層を形成する導電性ペースト層形成工程と、成膜された前記化合物半導体層を加熱し、化合物半導体の結晶からなる吸収層を形成すると共に、前記導電性ペースト層に含まれるIB族元素を当該吸収層内に拡散させ、当該吸収層の他の部分と比べ電気抵抗が低い短絡層を形成する第1加熱工程と、成膜された前記吸収層上に第2導電膜を成膜し前記吸収層内の前記短絡層を介して前記第1導電膜と電気的に接続する当該第2導電膜を成膜する第2導電膜成膜工程と、成膜された前記第2導電膜と前記吸収層との一部を除去し絶縁分離された第2電極層を形成する第2のパターニング工程と、を有することを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。前記導電性ペースト層形成工程において、少なくともCu又はAgを含む導電性ペーストを前記化合物半導体層上に塗布することを特徴とする請求項6に記載の太陽電池モジュールの製造方法。図5は、従来のスーパーストレート構造の薄膜太陽電池の製造工程の一例を説明する図である。初めに、真空条件で透光性基板10上に成膜した透明電極層1をレーザスクライブ工程LSにより短冊状1a,1bに形成する図5a。次に、スパッタリング法等によりバッファー層2および発電層3を形成し図5b、続いて、メカニカルスクライブ工程MSにより発電層3の一部をストライプ状に除去し図5c、その後、裏面電極層4を形成し図5d、最後に、裏面電極層4をメカニカルスクライブ工程MSにより短冊状に分割する図5e。このように、従来のスーパーストレート構造の薄膜太陽電池の製造工程においても、集積型構造の形成には、長時間を要するメカニカルスクライブ工程が複数回必要である。メカニカルスクライブ工程は長時間を要し、製造コストを増大させるという問題がある。本発明の目的は、スーパーストレート構造を有する薄膜太陽電池の製造方法をさらに改善することにある。本発明によれば、下記請求項1乃至請求項7に係る発明が提供される。[1]請求項1に係る発明は、透光性基板上に順に成膜された第1電極層、吸収層及び第2電極層を備えた太陽電池モジュールであって、前記第1電極層と前記第2電極層とは、それぞれ複数個に絶縁分離され、分離された一つの前記第1電極層と当該第1電極層と対向する前記第2電極層、当該第1電極層及び当該第2電極層に挟まれた前記吸収層からなる一つのセルが、隣接する他のセルと電気的に直列に接続され、前記吸収層は、IB族元素、IIIB族元素、VIB族元素を含む化合物半導体から構成され且つ当該吸収層の他の部分と比べ電気抵抗が低い短絡層を有することを特徴とする太陽電池モジュールである。[2]請求項2に係る発明は、前記吸収層に含まれるIB族元素とIIIB族元素との比Ib/IIIbが0.9以下であり、当該吸収層の前記短絡層に含まれるIB族元素とIIIB族元素との比Ib/IIIbが1.15以上であることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池モジュールである。[3]請求項3に係る発明は、前記吸収層の化合物半導体は、カルコパイライト構造を有するCu-In-Se系半導体であることを特徴とする請求項1又は2に記載の太陽電池モジュールである。[4]請求項4に係る発明は、前記短絡層に含まれるIB族元素がCu又はAgであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の太陽電池モジュールである。[5]請求項5に係る発明は、隣接する2個のセルにおいて、第1のセルの前記第1電極層と第2のセルの前記第2電極層とが、前記吸収層の前記短絡層を介して電気的に直列接続することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の太陽電池モジュールである。[6]請求項6に係る発明は、透光性基板上に透光性の第1導電膜を成膜する第1導電膜成膜工程と、成膜された前記第1導電膜の一部を除去し絶縁分離された複数の第1電極層を形成する第1のパターニング工程と、分離形成された複数の前記第1電極層上にIB族元素、IIIB族元素、VIB族元素を含む化合物半導体層を成膜する化合物半導体層成膜工程と、成膜された前記化合物半導体層上の一部に少なくともIB族元素を含む導電性ペースト層を形成する導電性ペースト層形成工程と、成膜された前記化合物半導体層を加熱し、化合物半導体の結晶からなる吸収層を形成すると共に、前記導電性ペースト層に含まれるIB族元素を当該吸収層内に拡散させ、当該吸収層の他の部分と比べ電気抵抗が低い短絡層を形成する第1加熱工程と、成膜された前記吸収層上に第2導電膜を成膜し前記吸収層内の前記短絡層を介して前記第1導電膜と電気的に接続する当該第2導電膜を成膜する第2導電膜成膜工程と、成膜された前記第2導電膜と前記吸収層との一部を除去し絶縁分離された第2電極層を形成する第2のパターニング工程と、を有することを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法である。[7]請求項7に係る発明は、前記導電性ペースト層形成工程において、少なくともCu又はAgを含む導電性ペーストを前記化合物半導体層上に塗布することを特徴とする請求項6に記載の太陽電池モジュールの製造方法である。本発明によれば、スーパーストレート構造を有する薄膜太陽電池の製造方法において、メカニカルスクライブ工程を削減することにより量産性の低下を防ぐことができる。本発明の製造方法により製造した薄膜太陽電は、インターコネクト面積が拡大し、電気的に直列に接続した集積型構造モジュールの電気抵抗が低減する。以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することが出来る。また、使用する図面は本実施の形態を説明するためのものであり、実際の大きさを表すものではない。本実施の形態が適用される太陽電池モジュールは、一般に薄膜太陽電池として分類される太陽電池に適用することができる。このような薄膜太陽電池としては、例えば、水素化アモルファスシリコンを用いる薄膜シリコン型太陽電池、アモルファスと単結晶シリコンを組み合わせたHIT太陽電池、化合物半導体を用いる化合物太陽電池等が挙げられる。さらに、化合物太陽電池としては、GaAs系太陽電池、CIS系カルコパイライト系太陽電池、Cu2ZnSnS4CZTS太陽電池、CdTe-CdS系太陽電池等が挙げられる。これらの中でも、CIS系カルコパイライト系太陽電池は、光吸収層の材料として、シリコンの代わりに、Cu、In、Ga、Al、Se、S等から成るカルコパイライト系と呼ばれるIB-IIIB-VIB族化合物を用いる。代表的なものとしては、CuIn,GaSe2、CuIn,GaSe,S2、CuInS2等が挙げられ、それぞれCIGS、CIGSS、CISと略称される。CIS系カルコパイライト系太陽電池は、製造法や材料の組み合わせが豊富であり、また多結晶であるため、大面積化や量産化に好適であり、フレキシブルな製品が得られる。以下、本実施の形態が適用される太陽電池モジュールを、薄膜太陽電池の一つであるCIS系カルコパイライト系太陽電池に適用した例に基づき説明する。<太陽電池モジュールI0>図1は、本実施の形態が適用される太陽電池モジュールの一例を説明する図である。図1に示す太陽電池モジュールI0は、共通の透光性基板10上に形成された複数の単位素子セルIa,Ib,Ic,Id,を電気的に直列に接続した集積型構造モジュールの薄膜太陽電池である。太陽電池モジュールI0は、透光性基板10側の矢印X方向から発電層13に光が入射するスーパーストレート構造を有している。図1に示すように、太陽電池モジュールI0は、透光性基板10上に順に、複数個に絶縁分離された第1電極層としての透明電極層11a,11b,11c,11d,以下、まとめて透明電極層11と称することがある。、バッファー層12a,12b,12c,12d,以下、まとめてバッファー層12と称することがある。、化合物半導体からなる吸収層としての発電層13a,13b,13c,13d,以下、まとめて発電層13と称することがある。、第2電極層としての複数個に絶縁分離された裏面電極層14a,14b,14c,14d,以下、まとめて裏面電極層14と称することがある。を備えている。発電層13には、当該発電層13を構成する元素の一部を含み、且つ透明電極層11と隣接する他のセルの裏面電極層14とを電気的に短絡する短絡層15a,15b,15c,15d,以下、まとめて短絡層15と称することがある。が設けられている。後述するように、複数の単位セル素子Ia,Ib,Ic,Id,は、短絡層15により、それぞれ電気的に直列接続されている。太陽電池モジュールI0の構成要素透光性基板10透光性基板10を構成する材料としては、例えば、透光性プラスチック材料、ガラス等が挙げられる。透光性プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルサルホン、ポエイフェニレンスルフィド、フッ素樹脂等が挙げられる。透光性基板10の大きさは特に限定されない。本実施の形態では縦×横が8.5cm×8.5cmであり、厚さは、0.5mm程度である。透明電極層11透明電極層11は、本実施の形態では、ITOIndiumTinOxide、SnO2、ZnOから選択された少なくとも1つを含む金属材料を用い、スパッタリングまたは蒸着法により成膜することが好ましい。透明電極層11の厚さは、本実施の形態では、約0.6μmである。バッファー層12本実施の形態では、透明電極層11と発電層13との間にバッファー層12を設けている。バッファー層12を構成する材料は特に限定されないが、本実施の形態では、InS3、ZnS等の硫化物を使用している。透明電極層11と発電層13との間にバッファー層12を設けることにより、透明電極層11と発電層13との界面で発生する欠陥を抑制している。発電層13発電層13を構成する化合物半導体は、例えば、周期表IB族、IIIB族、VIB族の元素を含むカルコパイライト型化合物半導体が挙げられる。本実施の形態では、銅Cu、インジウムIn及びセレンSeを含むカルコパイライト構造を有するCu-In-Se系半導体材料により構成されることが好ましい。ここで、発電層13を構成する材料としてCu-In-Se系半導体材料を採用する場合、透明電極層11側に、n型半導体を形成しやすいInとSeとの混合物からなるn型半導体形成用前駆体層を成膜し、次に、裏面電極層14側に、p型半導体を形成しやすいCuとSeとの混合物からなるp型半導体形成用前駆体層を成膜することが好ましい。この場合、p型半導体形成用前駆体層とn型半導体形成用前駆体層とが相互に溶融拡散することにより、良好な結晶性を有する発電層13が生成し、pn接合を形成される。発電層13の厚さは、本実施の形態では、0.3μm~5μmの範囲内である。短絡層15短絡層15は、発電層13を構成する元素の一部を含み、且つ透明電極層11と隣接する他のセルの裏面電極層14とを電気的に短絡している。本実施の形態では、短絡層15には、発電層13を構成する化合物半導体の元素である周期表IB族、IIIB族、VIB族の元素が、発電層13とは異なる組成比で含まれている。ここで、短絡層15に含まれる元素の組成比と電気的な抵抗率ρΩcmとの関係について図4を用いて説明する。尚、図4は、平成元年度新エネルギー産業技術総合開発機構委託業務成果報告書新型太陽電池の実用化解析に関する調査研究II-化合物薄膜太陽電池-第50頁から引用した。図4は、化合物半導体に含まれるIB族元素/IIIB族元素組成と抵抗率との関係を示すグラフである。図4において、横軸は、IB族元素のCu銅とIIIB族元素のInインジウムとの組成比Cu/Inを表し、縦軸は、抵抗率ρΩcmを表す。図4に示すように、化合物半導体に含まれるCu元素とIn元素との組成比Cu/Inが0.9以下の場合は、抵抗率ρΩcmが104Ωcm以上の高抵抗率を示す発電領域Aとなる。一方、Cu元素とIn元素との組成比Cu/Inが1.15以上の場合は、抵抗率ρΩcmが約10-1Ωcm以下の低抵抗率を示す短絡領域Bとなるケミカルシャント。この結果に従えば、IIIB族元素に対するIB族元素の割合を調整することにより、化合物半導体の抵抗率ρΩcmを化学的に調整することが可能となる。具体的には、本実施の形態では、短絡層15に含まれるIB族元素CuとIIIB族元素Inとの比Ib/IIIbが1.15以上、好ましくは1.2以上となるように構成されている。短絡層15の製造方法については後述する。尚、本実施の形態では、IB族元素として、Cu元素以外に銀Ag元素を使用することができる。周期表においてCu元素と同族IB族に属するAg元素は、Cu元素と同じ数の最外殻電子を有することから、Cu元素とIn元素との組成比Cu/Inと同様に、Ag元素とIn元素との組成比Ag/Inを調整することにより、化合物半導体の抵抗率ρΩcmを短絡領域Bにおける低抵抗率ρΩcmの範囲に調整することが可能となる。裏面電極層14裏面電極層14を構成する材料としては、金属が好ましく、例えば、Mo、Ti、Cr、Al、Ag、Au、CuおよびPtから選択された少なくとも1つの金属またはこれらの合金が挙げられる。裏面電極層14は、本実施の形態では厚さ0.3μm程度の金属薄膜である。裏面電極層14は、例えば、蒸着法、スパッタ法、CVD法化学気相成長法:ChemicalVaporDeposition等によって透光性基板10上に成膜された後、後述するようにパターニングにより分割形成される。尚、裏面電極層14は、上述した金属元素の粒子を含む金属分散液を調製し、例えば、スクリーン印刷等の湿式成膜方法により、発電層13上に塗布し成膜することもできる。金属分散液に含まれる金属元素の粒径は、通常、数nm~数μmの範囲から選択され、特に限定されない。本実施の形態では10μm以下が好ましい。また、例えば、厚さ1μm×長さ10μm程度の板状金属粉も使用可能である。スーパーストレート構造を有する太陽電池モジュールI0では、発電層13において発生した電子は、透光性基板10上に分割形成された透明電極層1111a,11b,11c,11d,を流れ、発電層13の一部に形成された短絡層1515b,15c,15d,を介して発電層13上に分離形成された裏面電極層14,14b,14c,14d,に流れる。この場合、分離溝16によって各セルの電子の流れが遮断される。前述したように、本実施の形態では、発電層13の一部に形成された短絡層15の抵抗率ρΩcmが約10-1Ωcm以下化学的抵抗低下による短絡:ケミカルシャントとなるように調整されている。一方、発電層13の短絡層15以外の部分は、その抵抗率ρΩcmが104Ωcm以上発電領域となっている。このため、本実施の形態が適用される太陽電池モジュールI0では、透明電極層11と裏面電極層14との接触部を形成することなく、透明電極層11内を流れる電子は、発電層13の一部に形成された短絡層15から隣接するセル中に流れる。これにより、従来のスーパーストレート構造の太陽電池の製法にように、バッファー層12上に連続的な発電層13を成膜後に当該発電層13を分割するメカニカルスクライブ工程が不要となる。このように、本実施の形態では、ケミカルシャントの原理を応用し、発電層13をメカニカルスクライブ工程により分割することなく、その一部に短絡層15を設けている。これにより、電子が裏面電極層14から透明電極層11内に流れるインターコネクト面積が拡大し、電気的に直列に接続した集積型構造モジュールの電気抵抗が低減する。また、発電層13をメカニカルスクライブ工程により分割する必要がなく、金属刃等頻繁の頻繁な交換や長時間のプロセスが不要となり、量産性が向上する。<太陽電池モジュールI0の製造方法>次に、太陽電池モジュールI0の製造方法を、図2及び図3を用いて説明する。図2は、太陽電池モジュールI0の製造方法を説明するフローチャートである。図3は、太陽電池モジュールI0の製造方法の一例を説明する図である。図1と同じ構成については同じ符号を用い、その説明を省略する。先ず、図3aに示すように、透光性基板10上に第1導電膜を連続的に成膜しステップ100:透明電極層成膜第1導電膜成膜工程、成膜した第1導電膜の一部をパターニングにより除去しステップ200:レーザスクライブ第1のパターニング工程、複数の分離溝160によって分割された透明電極層11を形成する。第1導電膜の成膜方法は、スパッタリング法、MOCVD法等が挙げられる。本実施の形態では、スパッタリング法を採用している。本実施の形態では、第1のパターニング工程は、例えば、ネオジウムYAGレーザ等の赤外領域1,064nmのビームを使用するレーザスクライブ法LSを採用している。次に、図3bに示すように、分割形成した透明電極層11上にバッファー層12を成膜し、さらに、バッファー層12上に、IB族元素、IIIB族元素、VIB族元素を含む化合物半導体層130を成膜するステップ300:化合物半導体層成膜化合物半導体層成膜工程。バッファー層12の成膜方法としては、スパッタリング法、化学溶液成長法等が挙げられる。本実施の形態では、化学溶液成長法等の湿式成膜を採用している。本実施の形態では、化合物半導体層130は、複数のp型半導体形成用前駆体層とn型半導体形成用前駆体層とを積層させて成膜する。即ち、本実施の形態では、化合物半導体としてCu-In-Se系半導体材料を採用し、透明電極層1111a,11b側にn型半導体を形成しやすいInとSeとの混合物からなるn型半導体形成用前駆体層を成膜し、後述する裏面電極層14側にp型半導体を形成しやすいCuとSeとの混合物からなるp型半導体形成用前駆体層を成膜する。p型半導体形成用前駆体層とn型半導体形成用前駆体層とは、後述する加熱工程において相互に溶融拡散することにより、良好な結晶性を有する半導体からなる発電層13が生成し、pn接合を形成させることができる。化合物半導体層130の成膜方法としては、例えば、真空蒸着法、気相セレン化法、スパッタリング法、ハイブリッドスパッタ法、湿式成膜法等が挙げられる。本実施の形態では、湿式成膜法を採用している。即ち、予め、化合物半導体であるp型半導体形成用前駆体とn型半導体形成用前駆体を含む所定の半導体分散液をそれぞれ調製し、塗布又は印刷等の手法によりバッファー層12上に前述した2種類の半導体形成用前駆体層を積層し、化合物半導体層130を成膜する。あるいは、2種類の前駆体粒子例えば、Cu-Se粒子、およびIn-Se粒子を混合した半導体分散液を1層以上成膜しても良い。各前駆体粒子のサイズは1μm以下、好ましくは200nm以下が良い。次に、図3cに示すように、化合物半導体層130の一部に、スクリーン印刷法により、少なくともIB族元素を含む導電性ペースト層150を形成するステップ400:導電性ペースト塗布導電性ペースト層形成工程。ここで、導電性ペースト層150を構成する導電性ペーストとしては、通常、熱可塑性ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂をバインダとし、これに銀、銅、アルミニウム等の金属の微粉末やカーボンブラック等の導電性微粉末を添加し、種々の有機溶媒にこれらバインダ、導電性微粒子を溶解、分散させて調製されたものとして定義される。導電性ペーストに含有される金属の微粉末としては、例えば、銅粒子、ニッケル粒子、アルミニウム粒子等の表面の一部が、例えば、銀、金等の他の金属で被覆された複合金属粉も使用される。また、中でも銀については、例えば、酸化第1銀、酸化第2銀、炭酸銀、酢酸銀、アセチルアセトン銀錯体等の粒子状銀化合物が好ましい。このような導電性ペーストとしては、市販されている従来公知のものを使用することができる。本実施の形態では、例えば、藤倉化成株式会社製Agペースト:ドータイトXA-9053を使用している。続いて、図3dに示すように、導電性ペースト層150が形成された化合物半導体層130を加熱し、化合物半導体の結晶からなる発電層13を形成すると共に、導電性ペースト層150に含まれるIB族元素を化合物半導体層130に拡散させ、後述する裏面電極層14と透明電極層11とを短絡する短絡層1515a,15b,15c,15dを形成するステップ500:化合物半導体加熱加熱工程。化合物半導体層130を加熱する温度は、本実施の形態では300°C以上、好ましくは350°C、さらに好ましくは600°C以下、特に好ましくは550°C以下である。このような第1加熱工程において、化合物半導体層130のp型半導体形成用前駆体層とn型半導体形成用前駆体層とは相互に相互拡散することにより、良好な結晶性を有する半導体からなる発電層13が生成する。また、複数の前駆体粒子を混合した半導体分散液の塗膜を加熱することにより、複数の前駆体粒子が相互拡散し、良好な結晶性を有する半導体からなる発電層13が得られる。この場合、半導体層はp型となるが、バッファー層12から、化合物半導体層130中に、化合物半導体層130をn型に変えるZn、Cd等のIIB族元素が拡散し、pn接合が形成される。この際、バッファー層12から化合物半導体層130中にIIB族元素が過度に拡散しないように、予めIIB族元素の遊離しやすさを制御する必要がある。例えば、バッファー層12に一般的に使用されるIIB族元素の主要化合物としては、硫化物が挙げられる。また、硫化物より結合が強くIIB族元素の熱的安定性が高い酸化物を用いることができる。さらに、酸化物と硫化物の複合金属カルコゲナイドを使用しても良い。さらに、導電性ペースト層150に含まれるCu元素やAg元素等のIB族元素が金属イオンとして化合物半導体層130に拡散することにより、化合物半導体層130に導電性ペーストが拡散した部分のみ、IB族元素の組成比が増大する。その結果、化合物半導体層130に含まれるIB族元素とIIIB族元素との組成IB族元素/IIIB族元素が、低抵抗率を得る範囲図4に示す短絡領域Bにシフトし、抵抗率ρΩcmが約10-1Ωcm以下ケミカルシャントの短絡層15が形成される。続いて、図3eに示すように、電気抵抗が低い短絡層15が設けられている発電層13上に、スパッタリング等の真空成膜法により連続膜としての裏面電極層14を成膜するステップ600:裏面電極層成膜第2導電膜成膜工程。最後に、図3fに示すように、形成された裏面電極層14と発電層13とバッファー層12の一部をパターニングにより除去し、複数の分離溝16によって分割された複数の単位セル素子Ia,Ib,Ic,Id,を形成し、太陽電池モジュールI0を得るステップ700:メカニカルスクライブ第2のパターニング工程。本実施の形態では、第2のパターニング工程は、例えば、金属刃、カッターナイフ、金属針又はニードル等を用いて発電層13と裏面電極層14との一部を短冊状に切り分けるメカニカルスクライブ法を採用している。スーパーストレート構造に形成された太陽電池モジュールI0は、通常、裏面電極層14側に、例えば、エチレン-酢酸ビニル樹脂EVA樹脂を塗布し、さらにバックシートを載せて加熱圧着して使用される。上述したように、本実施の形態では、短絡層15は発電層13とバッファー層12に拡散し透明電極層11に達することにより、裏面電極層14と透明電極層11とを電気的に短絡させている。本実施の形態が適用される太陽電池モジュールI0の製造方法は、従来から行われているスーパーストレート構造のCIS薄膜太陽電池の製造工程と比べ、通常、長時間を要するメカニカルスクライブ工程が削減される。また、本実施の形態が適用される太陽電池モジュールI0は、裏面電極層14と透明電極層11とを電気的に短絡させる短絡層15を設けることにより、透明電極層11の厚さを薄くすることが可能となり、製造コストの低減と共に、光透過率の向上及び発電効率の増大が期待できる。即ち、従来の集積型の太陽電池モジュールでは、インターコネクトの抵抗を低下させるために、変換効率の低下をある程度犠牲にして、透明電極層を厚く形成する必要があった。しかし、本実施の形態における太陽電池モジュールI0のように、化合物半導体層130の導電性ペーストが塗布された部分のみに、IB族元素とIIIB族元素との組成が、低抵抗率が得られる範囲にシフトした短絡層15を設けることにより、上述した問題が解決される。尚、以上の説明は、本発明の実施の形態を説明するための一例に過ぎず、本発明は本実施の形態に限定されるものではない。本発明は複数の元素から構成される半導体層と、これを挟む2つの電極層を備える太陽電池モジュールや、このような構造を有する太陽電池モジュールの製造方法に応用することができる。例えば、Cd-Te系に代表されるIII-V族半導体、Cu-In-Se系に代表されるI-III-VI族半導体、Cu-Zn-Sn-S系化合物に代表されるI-II-IV-VI族半導体、II-IV-V族半導体、Si-Ge系等の2種類以上の元素からなるIV族半導体に適用することも可能である。"