金属回路の一部がはんだ付けのために基板表面に露出し、この金属回路の露出部が粘着性を有する防錆性皮膜で被覆されているはんだ付け用回路基板であって、該防錆性皮膜が、下記化合物群Iから選ばれた少なくとも一種の化合物と、前記の露出した金属回路中の金属との反応により形成されたものであり、その粘着性を保持したまま、その表層から取り込まれた、フラックス作用を示す有機ハロゲン化物を含有していることを特徴とする、はんだ付け用回路基板。化合物群I:ナフトトリアゾール系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ベンゾイミダゾール系化合物、メルカプトベンゾチアゾール系化合物及びベンゾチアゾールチオ脂肪酸系化合物前記金属回路がCu、Cu合金、Sn又はSn合金から形成されている、請求項1に記載の回路基板。前記防錆性皮膜が厚さ05μm以上、10μm以下である、請求項1または2に記載の回路基板。前記有機ハロゲン化物の水溶液を前記防錆性皮膜の表面に塗布した、請求項1ないし3のいずれかに記載の回路基板。前記有機ハロゲン化物が、23-ジブロモ-14-ブタンジオール、23-ジブロモ-2-ブテン-14-ジオール、23-ジブロモ-1-プロパノール、22-ビス-13-プロパンジオール、およびトリスイソシアヌレートよりなる群から選ばれた少なくとも1種である、請求項1ないし4のいずれかに記載の回路基板。金属回路の一部がはんだ付けのために基板表面に露出しているはんだ付け用回路基板を、該金属回路中の金属と反応して粘着性の防錆性皮膜を形成することができる、下記化合物群Iから選ばれた少なくとも一種の防錆剤化合物を含有する処理液で処理して、金属回路の露出部の表面に粘着性の防錆性皮膜を形成し、次いでこの粘着性の防錆性皮膜を、該防錆剤化合物と反応性を持たない、フラックス作用を示す化合物を含有する処理液と接触させることにより粘着性の防錆性皮膜中に該フラックス作用を示す、有機ハロゲン化物を取り込むことを特徴とする、はんだ付け用回路基板の処理方法。化合物群I:ナフトトリアゾール系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ベンゾイミダゾール系化合物、メルカプトベンゾチアゾール系化合物及びベンゾチアゾールチオ脂肪酸系化合物前記金属回路がCu、Cu合金、Sn又はSn合金から形成されている、請求項6に記載の方法。前記防錆性皮膜が厚さ05μm以上、10μm以下である、請求項6または7に記載の方法。前記有機ハロゲン化物が23-ジブロモ-14-ブタンジオール、23-ジブロモ-2-ブテン-14-ジオール、23-ジブロモ-1-プロパノール、22-ビス-13-プロパンジオール、およびトリスイソシアヌレートよりなる群から選ばれた少なくとも1種である、請求項8に記載の方法。請求項1または2に記載の回路基板における金属回路の露出部上に形成された粘着性を有する防錆性皮膜にはんだ粉末またははんだボールを付着させ、次いで、フラックスを塗布することなく、はんだの液相線温度以上の温度に加熱して、該露出部上にはんだ層またははんだバンプを形成することを特徴とする、はんだ層またははんだバンプの形成方法。はんだが鉛フリーはんだである、請求項10に記載の方法。以下では、回路基板が電子部品例、BGAまたはCSPを構成する基板、すなわち、半導体チップ搭載用のインターポーザ基板である場合を例にとって本発明を説明する。ただし、前述したように、本発明はこの態様に制限されるものではなく、他の種類の回路基板にも適用可能である。本発明によれば、インターポーザ基板の表面に露出した金属回路典型的には電極にのみ選択的に反応する防錆剤化合物を用いて基板を処理することにより、該露出部上に粘着性を有する防錆性皮膜を形成する。この処理は特許文献1、2にも記載されている。その後、この粘着性の防錆性皮膜を、使用した防錆剤化合物との反応性を有していない、フラックス作用のある化合物、例えば、有機ハロゲン化物を含有する水溶液と接触させて、有機ハロゲン化物を防錆性皮膜の少なくとも表層中に取り込む。それにより、防錆性皮膜の少なくとも表層は、粘着性を保持しつつ、フラックス性能を発揮できるようになる。金属回路露出部は、防錆剤化合物と反応して錯体を形成できる金属から構成される。防錆剤化合物として、従来よりプリフラックスとして使用されてきたイミダゾール系化合物などの含窒素有機複素環化合物誘導体を使用する場合、この種の化合物との錯体形成力から、金属回路露出部はCu、Sn、Cu合金、又はSn合金から作製されていることが望ましい。さらに好ましくはCu又はCu合金である。周知の通り、Cuは基板の回路材料として最も一般的に使用されている。本発明に用いられる防錆剤化合物は、基板の洗浄を水で行うことができるようにするために、水溶性化合物であることが好ましい。防錆剤化合物は、回路基板の露出部の金属と反応して例、錯体形成反応により粘着性と防錆性を有する皮膜を形成できればよい。そのような金属と錯体形成能を有する防錆性皮膜形成性の化合物としては、特許文献1、2に記載されているナフトトリアゾール系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ベンゾイミダゾール系化合物、メルカプトベンゾチアゾール系化合物及びベンゾチアゾールチオ脂肪酸系化合物が挙げられる。これらの化合物の一般式を次に示す。式中、R1、R2、R3、R5、R8、R9及びR10はそれぞれ独立して水素原子またはアルキル基を意味し、R4はアルキル基を意味し、R6はアルキル基又はアルキルチオ基を意味し、R7は水素原子又は4位も5位に結合したアルキル基を意味する。中でもイミダゾール型化合物、すなわち、イミダゾール系化合物及びベンゾイミダゾール系化合物誘導体が特に好ましい防錆剤化合物である。防錆剤化合物を用いた回路基板の金属回路露出部上への粘着性の防錆性皮膜の形成についても、特許文献1、2に記載の方法を参照することができる。すなわち、使用する1種または2種以上の防錆剤化合物を水に溶かして処理液を調製し、この処理液を回路基板の金属回路露出部に塗布すればよい。塗布は浸漬又はスプレーにより実施することができる。処理前に、通常のプリフラックス処理で行われている前処理酸性水溶液による処理と水洗を実施することが好ましい。上記化合物はいずれも塩基性化合物であるので、処理液は、適当な有機酸又は無機酸を添加してpH3~5程度の弱酸性にすることが、化合物の溶解性を高めるために好ましい。処理液中の化合物の濃度は通常は005~20質量程度である。処理液の温度は室温よりやや高い温度とすると、成膜速度が高まる。好ましい温度は約30~60°Cである。また、回路基板がCu又はCu合金である場合には、処理液が微量例、100~1000ppmのCuイオンを含有していると、粘着性の防錆性皮膜の成膜速度が高まる。処理液を塗布した後、水洗と乾燥を行う。形成された乾燥皮膜が粘着性を有する。処理時間は他の条件により大幅に異なるが、長くても10分以下とすることが生産性の観点からは有利である。弱酸性で、場合により微量の銅イオウが添加されているイミダゾール又はベンゾイミダゾール系化合物を主剤とする水溶性プリフラックスが市販されているので、それをそのまま処理液として使用することもできる。市販の水溶性プリフラックスを使用する場合、指示条件に従って処理を行った場合には、02~03μmといった粘着性を示さない薄い防錆性皮膜しか形成できない。そのような皮膜でも、厚膜になると粘着性を示すようになるものがある。粘着性を示す防錆性皮膜を形成するための防錆性皮膜の膜厚は、特に制限されないが、一般には最低でも05μm以上、好ましくは1μm以上、より好ましくは2μm以上である。膜厚の上限は特に制限されないが、通常は10μm以下、好ましくは5μm以下である。防錆性皮膜の膜厚は、処理条件処理液組成、処理温度、処理時間を変更することにより調整可能である。例えば、処理液組成が決まっている市販の水溶性プリフラックスを使用する場合には、指示温度に比べて処理温度を高め、特に処理時間を大幅に長くすることにより、粘着性を有する防錆性皮膜を形成することができる。塗布前に、回路基板は、金属回路露出部以外の表面を、処理液と接触しないようにレジストなどで保護してもよい。しかし、皮膜は金属との反応により形成されるため、金属露出部以外には皮膜が形成されないので、この保護は必ずしも必要ない。基板が基板以外の部分はシールされているパッケージ型の電子部品である場合には、そのまま塗布を行うことができる。こうして形成された粘着性の防錆性皮膜を、使用した防錆剤化合物と反応性を有していない、フラックス作用を持つ化合物と接触させて、防錆性皮膜中、特に少なくともその表層に、フラックス作用を持つ化合物を取り込む。それにより、防錆性皮膜の粘着性を保持したまま、防錆性皮膜がフラックス機能も果たすことができるようになる。この時の接触も、水溶液又は水分散液を用いた処理により行うことが好ましい。使用する化合物として好ましいのは、有機ハロゲン化物、中でも特開2002-263885号公報にフラックスとして機能することが記載されている、共にハロゲンで置換されている隣接炭素原子を有する有機ハロゲン化物である。この公報には、ビススクシネート、ビス-o-フタレート、ビスp-フタレート、ビス-o-フタルアミド、ビス-p-フタルアミド、トリストリメリテート、トリストリメリトアミド、テトラピロメリテート、テトラピロメリトアミド、ビスグリセロール、トリメチロールプロパンビスエーテル、ビスタータミド、NN-ビススクシアミド、NNNN-テトラスクシアミド、NN-ビスウレア、NNNN-テトラウレア、22-ビス4--35-ジブロモフェニルプロパン、ααα-トリブロモメチルスルフォン、αβ-ジブロモエチルベンゼンが例示されている。有機ハロゲン化物は、電子吸引性のハロゲンが電子を有していて、わずかながら極性を示すので、一部の化合物は水に部分的に溶解あるいは分散可能である。本発明では、そのような化合物を使用することが好ましい。本発明での処理の目的に十分な量で水に溶解可能であり、従って本発明で使用するのに特に好ましい有機ハロゲン化物としては、23-ジブロモ-14-ブタンジオール、23-ジブロモ-2-ブテン-14-ジオール、23-ジブロモ-1-プロパノール、22-ビス-13-プロパンジオール、およびトリスイソシアヌレートを挙げることができる。有機ハロゲン化物には、エチルアミン塩酸塩などのアミンハロゲン化水素酸塩は含まれない。このようなハロゲン化水素酸塩は水中で強酸のハロゲン化水素酸を遊離し、防錆性皮膜を構成する塩基性の防錆剤化合物と反応してその粘着性を低下させるからである。すなわち、使用する処理液は、防錆性皮膜と反応性のある成分、例えば、酸成分、を実質的な量では含有しない。そのような成分は防錆性皮膜の粘着性を低下させてしまうからである。従って、例えば、有機酸もしくは無機酸系の水溶性フラックス、あるいは活性剤としてアミンハロゲン化水素酸塩を含むフラックスは、上記処理には使用できない。有機ハロゲン化物による処理も、上の防錆剤化合物による処理と同様に実施できる。すなわち、好ましくは有機ハロゲン化物の水溶液を調製し、この水溶液を用いて浸漬又はスプレーにより処理すればよい。処理温度は室温でよいが、若干加温例、約60°Cまでしてもよい。処理液中の有機ハロゲン化物の濃度は05質量以上であればよく、より好ましくは1質量以上である。濃度の上限はその化合物の溶解度により制限される。処理時間は通常は30~180秒程度とすることが好ましい。処理後に、水洗することが好ましい。防錆性皮膜の少なくとも表層に有機ハロゲン化物を取り込むことによって形成された、粘着性を有する防錆性皮膜は、その粘着性を利用して、はんだ粉末又ははんだボールを保持することができ、かつ保持したはんだ粉末又ははんだボールのリフロー時にはフラックスを塗布せずにリフローを行うことができる。防錆性皮膜のフラックス作用は長期的に保持される。すなわち、本発明により金属回路露出部がフラックス機能を有する粘着性の防錆性皮膜で被覆されている回路基板は、特許文献1、2に記載されているように、はんだ粉末を付着させてはんだ薄層はんだプリコートを形成するのに使用できるだけでなく、BGAやCSPなどに使用するインターポーザ基板のはんだバンプの形成に用いることもできる。使用するはんだは、従来のSn-Pb共晶はんだでもよいが、好ましくはSn-Ag-Cu系やSn-Cu系といった鉛フリーはんだである。はんだ粉末を付着させる場合には、はんだ粉末を付着させた後、フラックスの塗布が必要ないため、フラックス塗布の前処理として行われる加熱によるはんだ粉末の定着工程が不要となる。すなわち、はんだ粉末を散布して防錆性皮膜に付着させ、余分な粉末を除去した後、直ちにリフロー炉で加熱してはんだ粉末を溶融させると、はんだプリコートが金属回路露出部上に形成される。平均粒径が約1~100μmの鉛フリーはんだの粉末を使用することが好ましい。はんだバンプの形成に使用する場合には、防錆性皮膜が十分な粘着性を保持しているため、その粘着性によってはんだボールを保持することができる。はんだボールの所定位置への搭載は、公知の各種手段を利用して行うことができる。防錆性皮膜がフラックス機能を有するため、はんだボールの搭載後、フラックスを塗布せずに、直ちにリフロー加熱を行う。その融点液相線温度より高温に加熱されて溶融したはんだボールは、防錆性皮膜上で十分に広がることができ、所定のはんだバンプが金属回路露出部上に形成される。直径が約5μm~1mmのほぼ真球状の鉛フリーはんだのボールを使用することができる。より具体的には、フリップチップボンディング用のはんだバンプ例、インターポーザ基板の半導体チップ側を向く面の電極上に形成されるはんだバンプを形成する場合には、直径が約5~100μmのはんだボールが使用されることが多い。一方、実装用のはんだバンプ例、インターポーザ基板のプリント配線板側の面の電極上に形成されるはんだバンプの形成では、直径約03~076mmのはんだボールが通常使用される。インターポーザ基板にはんだボール搭載した後、フラックスを塗布してリフローする従来の方法と比較して、上述した本発明の方法では、フラックスを用いないため、フラックスから発生するガスの影響がなく、ボイドの発生がほとんどないという利点がある。以下の実施例は本発明の例示を目的とし、本発明を制限する意図はない。実施例中、は特に指定しない限り質量である。実施例1縦、横に60個ずつ格子状に並んだ、合計3600個の電極を有するBGA用回路基板すなわち、インターポーザ基板の電極上に本発明に従ってはんだバンプを形成した。この回路基板の電極ピッチは150μmであり、各電極は、25μm厚さのレジストの開口部底部にあった。従って電極部はレジスト表面から25μm引っ込んだ位置にあった。レジスト開口部の底部直径は80μmであった。この回路基板を、前処理として、10硫酸水溶液に1分間浸漬した後、水洗し、水切り乾燥した。次いで、基板を市販の水溶性プリフラックスからなる処理液四国化成工業株式会社製商品名グリコートT、主成分はアルキルイミダゾール系化合物に40°Cで3分間浸漬した。処理液から取り出した基板を次いで水洗し、水切り乾燥した。電極部表面には防錆性皮膜が約3μm厚で形成されていた。その皮膜は指触で粘着性を示した。なお、使用したプリフラックスグリコートTの製造業者が指示する処理条件は30°Cで15秒である。これに比べて、本実施例で使用した処理条件は、温度が10°C高く、処理時間は12倍も長かった。それにより防錆性皮膜は粘着性を呈するようになった。こうして粘着性の防錆性皮膜が電極上に形成された回路基板を、その後、フラックス機能のあるtrans-23-ジブロモ-2-ブテン-14-ジオールの3水溶液に室温で1分間浸漬し、液から取り出した後、水中で簡単にすすぎ洗いし、水切り乾燥させた。電極部の皮膜は引続き指触で粘着性を呈していた。次いで、錫965-銀30-銅05の組成を有する鉛フリーはんだからなる直径75μmのはんだボールを上記回路基板の電極上に搭載した。このはんだボールの搭載は、回路基板の電極パターンに対応する開口部パターンを有するメタルマスクを利用する公知技術により行った。使用したメタルマスクは、材質が磁性のあるニッケルーコバルト系であり、マスク厚みは50μm、開口部の直径は90μmであった。このマスクを基板上に位置合せして配置し、基板下に配置したマグネットによって仮固定した。次いで、前述のはんだボールを該マスク上に過剰に置き、帯電防止剤が練り込まれたポリエステルフィルムでボールを移動させてマスク開口部に落とし込んだところ、全ての開口部にはんだボールを配置することができた。過剰のボールはマスク外に集めた。その後、マスクを基板と仮固定しているマグネットの吸引力を上回る力で垂直方向に引き上げたところ、マスクのみ引き上げられ、基板上のはんだボールは100残留し、こうして全電極上にはんだボールが搭載できた。このはんだボールが搭載された回路基板を窒素雰囲気のリフロー炉を、ピーク温度250°Cで通過させたところ、該基板の電極部は溶融はんだで濡れて、全電極上に平均バンプ高さ50μm、標準偏差15の良好なはんだバンプが形成された。比較例1実施例1と同様にして、回路基板の電極上に防錆性皮膜の形成とはんだボールの搭載及びリフローを行った。防錆性皮膜を形成した後の、フラックス機能のある水溶液での処理は行わなかった。形成された防錆性皮膜は粘着性があったので、メタルマスクを利用したはんだボールの搭載により全ての電極上にはんだボールが搭載できた。次いでマスクを垂直方向に引き上げて基板から外したが、実施例1と同様に100のはんだボールが基板上に残った。その後、実施例1と同様の条件でリフロー炉を通過させたところ、はんだボールは元のボール形状のままであった。フラックスが存在しないため、リフロー時に溶融したはんだボールが広がらなかったことが原因である。比較例2比較例1を繰り返したが、比較例1ではんだバンプが形成されなかった原因がフラックスの不存在であると考えられたため、はんだボールの搭載後に、フラックスを塗布してからリフローを行った。すなわち、比較例1と同様の方法で全電極上にはんだボールが搭載された回路基板に、市販の水溶性ポストフラックス千住金属工業株式会社製商品名WF-2050をスプレーコーティングしてから、実施例1と同様の条件でリフロー炉を通過させてはんだバンプを形成した。その結果、はんだが形成できていない電極が少なくとも約50あり、ブリッジも多発していた。フラックス塗布によって電極上のはんだボールが移動したことが原因である。このボールの移動は、フラックス塗布により防錆性皮膜の粘着性が低下したためと考えられる。実施例2本例では、本発明に係る処理法により形成された粘着性の防錆性皮膜のフラックス効果を例証する。大きさ30×30mm、厚さ03mmの銅板を、市販のソフトエッチ剤メック株式会社製、商品名CB-801を4倍に希釈した液中に30秒間浸漬し、水洗後、水切り乾燥することにより前処理を行った。この銅板を、実施例1で使用したのと同じ市販の水溶性プリフラックス処理液に40°Cで3分間浸漬し、水洗した後、水切り乾燥すると、指触で粘着性の防錆性皮膜が約3μm厚さで形成された。その後、この銅板を、フラックス機能を有する薬剤であるtrans-23-ジブロモ-2-ブテン-14-ジオールの3水溶液に1分間浸漬し、水で軽くすすいだ後、水切り乾燥させた。皮膜はなお指触粘着性を保持していた。こうしてフラックス付与された粘着性の防錆性皮膜を形成した銅板の表面に錫965-銀30-銅05の組成を有する直径16mmのはんだ線を、直径34mmのリング状にして載せた。このはんだ線を載せた銅板を、温度250°Cのホットプレート上に置いたところ、約16秒ではんだが溶け出し、銅板上に濡れ広がった。その時のはんだ広がり率JISZ319781311に準じて計算は90以上であった。上と同様にしてフラックス機能が付与された粘着性の防錆性皮膜を形成した銅板を、室温で3ヶ月経過した後に、上記のはんだ線によるはんだ濡れ性試験を実施したところ、はんだ広がり率は低下しなかった。比較例3実施例2を繰り返したが、プリフラックス処理により粘着性の防錆性皮膜を形成した後、フラックス機能を有する化合物での処理は行わなかった。実施例2と同様のはんだ濡れ性試験では、250°Cホットプレート上で1分経過後も溶融したはんだ線はほとんど広がらず、当初のはんだ線の形状をほぼ保持していた。はんだ広がり率は50以下であった。このように、本発明によれば、本来はフラックス機能を有していない粘着性の防錆性皮膜を、その粘着性を保持したままフラックス機能のある皮膜に改質できる。従って、本発明は、リフロー前のフラックス塗布を不要にするという、技術上極めて有利な効果を達成する。