下記一般式1で表されるキラル化合物Iであることを特徴とする強誘電性液晶用応答速度向上剤。上記式1において、R31は、非キラルな基であり、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数4~18の飽和もしくは不飽和のアルキル基もしくはアルコキシアルキル基である。R32は、キラルな基であり、下記一般式2で表される基である。上記式2において、R33は、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1~4の飽和もしくは不飽和のアルキル基もしくはアルコキシアルキル基である。Y31は、-CH3またはフッ素原子を表す。印はキラル中心を示す。Z1~Z4は、それぞれ独立してハロゲン原子または水素原子を表す。ただし、Z1~Z4のうち1つ以上は、それぞれ独立してハロゲン原子である。下記一般式1で表されるキラル化合物Iと、下記一般式3で表されるキラル化合物Aおよび下記一般式4で表されるキラル化合物Bの少なくともいずれかのキラル化合物IIとを含有し、前記キラル化合物Iおよび前記キラル化合物IIの旋光性の方向が同一であることを特徴とする強誘電性液晶組成物。上記式1において、R31は、非キラルな基であり、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数4~18の飽和もしくは不飽和のアルキル基もしくはアルコキシアルキル基である。R32は、キラルな基であり、下記一般式2で表される基である。上記式2において、R33は、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1~4の飽和もしくは不飽和のアルキル基もしくはアルコキシアルキル基である。Y31は、-CH3またはフッ素原子を表す。印はキラル中心を示す。Z1~Z4は、それぞれ独立してハロゲン原子または水素原子を表す。ただし、Z1~Z4のうち1つ以上は、それぞれ独立してハロゲン原子である。上記式3において、R1は、非キラルな基であり、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数4~18の飽和もしくは不飽和のアルキル基もしくはアルコキシアルキル基である。R2は、キラルな基であり、下記一般式5で表される基である。上記式5において、R3は、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1~10の飽和もしくは不飽和のアルキル基もしくはアルコキシアルキル基である。Y1は、-CH3またはフッ素原子を表す。mは0または1である。nは0または1である。印はキラル中心を示す。X1~X8は、それぞれ独立して-CH3、-CF3、ハロゲン原子または水素原子を表す。ただし、X1~X8のうち1つ以上は、それぞれ独立して-CH3、-CF3またはハロゲン原子である。上記式4において、R4は、非キラルな基であり、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数4~18の飽和もしくは不飽和のアルキル基もしくはアルコキシアルキル基である。R5は、キラルな基であり、上記式5で表される基である。X9~X20は、それぞれ独立して-CH3、-CF3、ハロゲン原子または水素原子を表す。ただし、X9~X20のうち1つ以上は、それぞれ独立して-CH3、-CF3またはハロゲン原子である。Kは、単結合またはシクロヘキサン環を表す。第1基材、前記第1基材上に形成された第1電極層、および、前記第1電極層上に形成された第1配向膜を有する第1配向処理基板と、第2基材、前記第2基材上に形成された第2電極層、および、前記第2電極層上に形成された第2配向膜を有する第2配向処理基板と、前記第1配向膜および前記第2配向膜の間に形成され、強誘電性液晶組成物を含む液晶層とを有する液晶表示素子であって、前記強誘電性液晶組成物は、下記一般式1で表されるキラル化合物Iと、下記一般式3で表されるキラル化合物Aおよび下記一般式4で表されるキラル化合物Bの少なくともいずれかのキラル化合物IIとを含有し、前記キラル化合物Iおよび前記キラル化合物IIの旋光性の方向が同一であることを特徴とする液晶表示素子。上記式1において、R31は、非キラルな基であり、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数4~18の飽和もしくは不飽和のアルキル基もしくはアルコキシアルキル基である。R32は、キラルな基であり、下記一般式2で表される基である。上記式2において、R33は、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1~4の飽和もしくは不飽和のアルキル基もしくはアルコキシアルキル基である。Y31は、-CH3またはフッ素原子を表す。印はキラル中心を示す。Z1~Z4は、それぞれ独立してハロゲン原子または水素原子を表す。ただし、Z1~Z4のうち1つ以上は、それぞれ独立してハロゲン原子である。上記式3において、R1は、非キラルな基であり、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数4~18の飽和もしくは不飽和のアルキル基もしくはアルコキシアルキル基である。R2は、キラルな基であり、下記一般式5で表される基である。上記式5において、R3は、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1~10の飽和もしくは不飽和のアルキル基もしくはアルコキシアルキル基である。Y1は、-CH3またはフッ素原子を表す。mは0または1である。nは0または1である。印はキラル中心を示す。X1~X8は、それぞれ独立して-CH3、-CF3、ハロゲン原子または水素原子を表す。ただし、X1~X8のうち1つ以上は、それぞれ独立して-CH3、-CF3またはハロゲン原子である。上記式4において、R4は、非キラルな基であり、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数4~18の飽和もしくは不飽和のアルキル基もしくはアルコキシアルキル基である。R5は、キラルな基であり、上記式5で表される基である。X9~X20は、それぞれ独立して-CH3、-CF3、ハロゲン原子または水素原子を表す。ただし、X9~X20のうち1つ以上は、それぞれ独立して-CH3、-CF3またはハロゲン原子である。Kは、単結合またはシクロヘキサン環を表す。本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、耐衝撃性および高速応答性に優れる強誘電性液晶組成物、およびそれに用いられる強誘電性液晶用応答速度向上剤を提供することを主目的とするものである。本発明者らは、強誘電性液晶組成物の耐衝撃性および応答速度について種々検討を重ねた結果、複数個のベンゼン環が直接結合された特定の構造を有するキラル化合物を含有する強誘電性液晶組成物に、さらに特定の構造を有するキラル化合物を添加することで、耐衝撃性を保ちつつ応答速度を向上させることができることを見出し、このような知見に基づいて本発明を完成させるに至った。すなわち、本発明は、下記一般式1で表されるキラル化合物Iであることを特徴とする強誘電性液晶用応答速度向上剤を提供する。上記式1において、R31は、非キラルな基であり、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数4~18の飽和もしくは不飽和のアルキル基もしくはアルコキシアルキル基である。R32は、キラルな基であり、下記一般式2で表される基である。上記式2において、R33は、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1~4の飽和もしくは不飽和のアルキル基もしくはアルコキシアルキル基である。Y31は、-CH3またはフッ素原子を表す。印はキラル中心を示す。Z1~Z4は、それぞれ独立してハロゲン原子または水素原子を表す。ただし、Z1~Z4のうち1つ以上は、それぞれ独立してハロゲン原子である。本発明の強誘電性液晶用応答速度向上剤は、上記の特定の構造を有することにより、複数個のベンゼン環が直接結合された特定の構造を有するキラル化合物を含有する強誘電性液晶組成物に添加した場合に、耐衝撃性を保ちつつ応答速度を向上させることが可能である。また本発明は、上記式1で表されるキラル化合物Iと、下記一般式3で表されるキラル化合物Aおよび下記一般式4で表されるキラル化合物Bの少なくともいずれかのキラル化合物IIとを含有し、上記キラル化合物Iおよび上記キラル化合物IIの旋光性の方向が同一であることを特徴とする強誘電性液晶組成物を提供する。上記式3において、R1は、非キラルな基であり、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数4~18の飽和もしくは不飽和のアルキル基もしくはアルコキシアルキル基である。R2は、キラルな基であり、下記一般式5で表される基である。上記式5において、R3は、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1~10の飽和もしくは不飽和のアルキル基もしくはアルコキシアルキル基である。Y1は、-CH3またはフッ素原子を表す。mは0または1である。nは0または1である。印はキラル中心を示す。X1~X8は、それぞれ独立して-CH3、-CF3、ハロゲン原子または水素原子を表す。ただし、X1~X8のうち1つ以上は、それぞれ独立して-CH3、-CF3またはハロゲン原子である。上記式4において、R4は、非キラルな基であり、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数4~18の飽和もしくは不飽和のアルキル基もしくはアルコキシアルキル基である。R5は、キラルな基であり、上記式5で表される基である。X9~X20は、それぞれ独立して-CH3、-CF3、ハロゲン原子または水素原子を表す。ただし、X9~X20のうち1つ以上は、それぞれ独立して-CH3、-CF3またはハロゲン原子である。Kは、単結合またはシクロヘキサン環を表す。本発明の強誘電性液晶組成物は、上記式3で表されるキラル化合物Aおよび上記式4で表されるキラル化合物Bの少なくともいずれかのキラル化合物IIを含有するので、高い耐衝撃性を達成することが可能である。さらに、本発明の強誘電性液晶組成物は、上記式1で表されるキラル化合物Iを含有し、上記キラル化合物Iおよび上記キラル化合物IIの旋光性の方向が同一であるので、耐衝撃性を保ちつつ応答速度を向上させることが可能である。さらに本発明は、第1基材、上記第1基材上に形成された第1電極層、および、上記第1電極層上に形成された第1配向膜を有する第1配向処理基板と、第2基材、上記第2基材上に形成された第2電極層、および、上記第2電極層上に形成された第2配向膜を有する第2配向処理基板と、上記第1配向膜および上記第2配向膜の間に形成され、強誘電性液晶組成物を含む液晶層とを有する液晶表示素子であって、上記強誘電性液晶組成物は、上記式1で表されるキラル化合物Iと、上記式3で表されるキラル化合物Aおよび上記式4で表されるキラル化合物Bの少なくともいずれかのキラル化合物IIとを含有し、上記キラル化合物Iおよび上記キラル化合物IIの旋光性の方向が同一であることを特徴とする液晶表示素子を提供する。本発明によれば、液晶層が上述の強誘電性液晶組成物を含有するので、耐衝撃性および高速応答性に優れる液晶表示素子とすることが可能である。本発明においては、強誘電性液晶組成物が2種類の特定の構造を有するキラル化合物を含有するので、耐衝撃性および応答速度を向上させることができるという効果を奏する。以下、本発明の強誘電性液晶用応答速度向上剤、強誘電性液晶組成物、および液晶表示素子について、詳細に説明する。A.強誘電性液晶用応答速度向上剤本発明の強誘電性液晶用応答速度向上剤は、下記一般式1で表されるキラル化合物Iであることを特徴とするものである。上記式1において、R31は、非キラルな基であり、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数4~18の飽和もしくは不飽和のアルキル基もしくはアルコキシアルキル基である。R32は、キラルな基であり、下記一般式2で表される基である。上記式2において、R33は、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1~4の飽和もしくは不飽和のアルキル基もしくはアルコキシアルキル基である。Y31は、-CH3またはフッ素原子を表す。印はキラル中心を示す。Z1~Z4は、それぞれ独立してハロゲン原子または水素原子を表す。ただし、Z1~Z4のうち1つ以上は、それぞれ独立してハロゲン原子である。本発明の強誘電性液晶用応答速度向上剤は、上記の特定の構造を有することにより、複数個のベンゼン環が直接結合された特定の構造を有するキラル化合物を含有する強誘電性液晶組成物に添加した場合に、耐衝撃性を保ちつつ応答速度を向上させることが可能である。なお、耐衝撃性を保つことができるのは、キラル部位において1位の炭素原子がキラル中心であることによると推量される。以下、本発明における上記式1で表されるキラル化合物Iについて説明する。上記式1において、R1は、非キラルな基であり、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数4~18の飽和もしくは不飽和のアルキル基もしくはアルコキシアルキル基である。炭素数は4~18であればよいが、中でも6~18が好ましく、6~12がさらに好ましい。炭素数が上記範囲よりも多いと、キラル化合物Iの合成が困難となり、コストが嵩むからである。一方、炭素数が上記範囲よりも少ないと、本発明の強誘電性液晶用応答速度向上剤を強誘電性液晶組成物に添加した場合にスメクチック相が発現しない場合があるからである。なお、アルキル基およびアルコシキアルキル基がハロゲン原子で置換されている場合には、炭素数が比較的少なくとも、スメクチック相が発現する場合がある。アルキル基またはアルコシキアルキル基は、ハロゲン原子で置換されていてもよく、ハロゲン原子で置換されていなくてもよいが、中でも、ハロゲン原子で置換されていないことが好ましい。アルキル基またはアルコキシアルキル基は、直鎖状または分岐状である。アルキル基またはアルコシキアルキル基は、飽和であっても不飽和であってもよいが、中でも飽和であることが好ましい。環状の不飽和アルカン以外の不飽和アルカンにおいては、不飽和アルカンは飽和アルカンに比べて反応性が高く、長期の保存駆動や温度変化により材質が変化し、表示品質が劣化するおそれがあるからである。R31はアルキル基であってもアルコキシアルキル基であってもよいが、中でもアルキル基であることが好ましい。上記式1において、R32は、キラルな基であり、上記式2で表される基である。上記式2において、R33は、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1~4の飽和もしくは不飽和のアルキル基もしくはアルコキシアルキル基である。なお、R33の炭素数以外の点については、上記のR31と同様であるので、ここでの説明は省略する。上記式2において、Y31は、-CH3またはフッ素原子を表す。-CH3の場合には、キラル化合物Iの合成が容易であるという利点を有する。一方、フッ素原子の場合、液晶分子の自発分極の大きさを大きくすることができ、応答速度をさらに速くすることができるという利点もある。Y31は-CH3であってもフッ素原子であってもよいが、中でも-CH3であることが好ましい。上述したようにキラル化合物Iの合成が容易であり、安定してキラル化合物Iを製造することができるからである。上記式1において、Z1~Z4は、それぞれ独立してハロゲン原子または水素原子を表す。ただし、Z1~Z4のうち1つ以上は、それぞれ独立してハロゲン原子である。Z1~Z4のすべてが水素原子である場合には、キラル化合物Iの溶解性が低下するため、キラル化合物Iの合成、精製が困難になり、コストが高くなるおそれがある。これに対し、本発明のようにZ1~Z4のうち1つ以上がハロゲン原子である場合には、キラル化合物Iの溶媒への溶解性が高くなり、大量合成、精製が可能になる。Z1~Z4が結合しているベンゼン環は、1~4個の置換基を有することができるが、中でも1個または2個の置換基を有することが好ましい。すなわち、Z1~Z4のうちいずれか1つまたは2つがハロゲン原子であることが好ましい。また、ベンゼン環が有する置換基は、ハロゲン原子の中でもフッ素原子であることが特に好ましい。上記式1で表されるキラル化合物Iの具体例としては、下記式で表されるキラル化合物Iを挙げることができる。なお、下記式において、右旋性を、左旋性を-で示す。本発明の強誘電性液晶用応答速度向上剤は、強誘電性液晶組成物に使用される添加剤であり、3個または4個のベンゼン環が直接結合された特定の構造を有するキラル化合物を含有する強誘電性液晶組成物に好適に用いられる。なお、強誘電性液晶組成物については、後述のB.強誘電性液晶組成物の項に詳しく記載するので、ここでの説明は省略する。上記式1で表されるキラル化合物Iは、例えば、下記の方法にて合成することができる。B.強誘電性液晶組成物本発明の強誘電性液晶組成物は、上記式1で表されるキラル化合物Iと、下記一般式3で表されるキラル化合物Aおよび下記一般式4で表されるキラル化合物Bの少なくともいずれかのキラル化合物IIとを含有し、上記キラル化合物Iおよび上記キラル化合物IIの旋光性の方向が同一であることを特徴とするものである。上記式3において、R1は、非キラルな基であり、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数4~18の飽和もしくは不飽和のアルキル基もしくはアルコキシアルキル基である。R2は、キラルな基であり、下記一般式5で表される基である。上記式5において、R3は、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1~10の飽和もしくは不飽和のアルキル基もしくはアルコキシアルキル基である。Y1は、-CH3またはフッ素原子を表す。mは0または1である。nは0または1である。印はキラル中心を示す。X1~X8は、それぞれ独立して-CH3、-CF3、ハロゲン原子または水素原子を表す。ただし、X1~X8のうち1つ以上は、それぞれ独立して-CH3、-CF3またはハロゲン原子である。上記式4において、R4は、非キラルな基であり、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数4~18の飽和もしくは不飽和のアルキル基もしくはアルコキシアルキル基である。R5は、キラルな基であり、上記式5で表される基である。X9~X20は、それぞれ独立して-CH3、-CF3、ハロゲン原子または水素原子を表す。ただし、X9~X20のうち1つ以上は、それぞれ独立して-CH3、-CF3またはハロゲン原子である。Kは、単結合またはシクロヘキサン環を表す。本発明の強誘電性液晶組成物は、上記式3で表されるキラル化合物Aおよび上記式4で表されるキラル化合物Bの少なくともいずれかのキラル化合物IIを含有するので、高い耐衝撃性を達成することが可能である。さらに、本発明の強誘電性液晶組成物は、上記式1で表されるキラル化合物Iを含有し、上記キラル化合物Iおよび上記キラル化合物IIの旋光性の方向が同一であるので、耐衝撃性を保ちつつ応答速度を向上させることが可能である。以下、本発明の強誘電性液晶組成物における各成分について説明する。1.キラル化合物I本発明に用いられるキラル化合物Iは、上記式1で表されるキラル化合物である。なお、キラル化合物Iについては、上記A.強誘電性液晶用応答速度向上剤の項に記載したので、ここでの説明は省略する。強誘電性液晶組成物中のキラル化合物Iの含有量としては、応答速度向上の効果が得られれば特に限定されるものではないが、強誘電性液晶組成物中にて3質量~10質量の範囲内であることが好ましく、5質量~9質量の範囲内であることがより好ましい。キラル化合物Iの含有量が少ないと、応答速度向上の効果が得られない場合があるからである。またキラル化合物Iの含有量が多いと、強誘電性液晶組成物の粘度が高くなるために、応答速度が低下したり、耐衝撃性が劣化したりする場合があるからである。2.キラル化合物II本発明に用いられるキラル化合物IIは、上記式3で表されるキラル化合物Aおよび上記式4で表されるキラル化合物Bの少なくともいずれかのキラル化合物であり、上記キラル化合物Iに対して旋光性の方向が同一であるものである。以下、キラル化合物Aおよびキラル化合物Bに分けて説明する。1キラル化合物A本発明に用いられるキラル化合物Aは、上記式3で表される化合物であり、上記キラル化合物Iに対して旋光性の方向が同一であるものである。上記式3において、R1は、非キラルな基であり、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数4~18の飽和もしくは不飽和のアルキル基もしくはアルコキシアルキル基である。炭素数は4~18であればよいが、中でも6~18が好ましく、6~12がさらに好ましい。炭素数が上記範囲よりも多いと、キラル化合物Aの合成が困難となり、コストが嵩むからである。一方、炭素数が上記範囲よりも少ないと、強誘電性液晶組成物がスメクチック相を発現しない場合があるからである。なお、アルキル基およびアルコシキアルキル基がハロゲン原子で置換されている場合には、炭素数が比較的少なくとも、強誘電性液晶組成物がスメクチック相を発現する場合がある。アルキル基またはアルコシキアルキル基は、ハロゲン原子で置換されていてもよく、ハロゲン原子で置換されていなくてもよいが、中でも、ハロゲン原子で置換されていないことが好ましい。アルキル基またはアルコキシアルキル基は、直鎖状または分岐状である。アルキル基またはアルコシキアルキル基は、飽和であっても不飽和であってもよいが、中でも飽和であることが好ましい。環状の不飽和アルカン以外の不飽和アルカンにおいては、不飽和アルカンは飽和アルカンに比べて反応性が高く、長期の保存駆動や温度変化により材質が変化し、表示品質が劣化するおそれがあるからである。R1はアルキル基であってもアルコキシアルキル基であってもよいが、中でもアルキル基であることが好ましい。上記式3において、R2は、1個以上のキラル中心をもつキラルな基であり、上記式5で表される基である。上記式5において、R3は、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1~10の飽和もしくは不飽和のアルキル基もしくはアルコキシアルキル基である。アルキル基またはアルコキシアルキル基は、直鎖状、分岐状または環状である。R3はアルキル基であってもアルコキシアルキル基であってもよいが、中でもアルキル基であることが好ましい。上記式5において、Y1は、-CH3またはフッ素原子を表す。-CH3の場合には、キラル化合物Aの合成が容易であるという利点を有する。一方、フッ素原子の場合、液晶分子の自発分極の大きさを大きくすることができ、応答速度を速くすることができるという利点もある。Y1は-CH3であってもフッ素原子であってもよいが、中でも-CH3であることが好ましい。上述したようにキラル化合物Aの合成が容易であり、安定してキラル化合物Aを製造することができ、強誘電性液晶組成物を安価に得ることができるからである。上記式5において、mは0または1である。また、上記式5において、印はキラル中心を示す。m=0のとき、1位の炭素原子がキラル中心となり、m=1のとき、2位の炭素原子がキラル中心となる。上記式5において、nは0または1である。中でも、nは1であることが好ましい。すなわち、上記キラル化合物Iのキラル部位が-CCH3-COO-であり、キラル化合物Aのキラル部位が-CY1-COO-であり、キラル化合物Iとキラル化合物Aとでキラル部位の構造が類似していることが好ましい。応答速度をより速くすることができるからである。上記式3において、X1~X8は、それぞれ独立して-CH3、-CF3、ハロゲン原子または水素原子を表す。ただし、X1~X8のうち1つ以上は、それぞれ独立して-CH3、-CF3またはハロゲン原子である。X1~X8のすべてが水素原子である場合には、キラル化合物Aの溶解性が低下するため、キラル化合物Aの合成、精製が困難になり、コストが高くなったり、また強誘電性液晶組成物が結晶化しやすいものとなり、所望の耐衝撃性が得られなかったりするおそれがある。これに対し、本発明のようにX1~X8のうち1つ以上が-CH3、-CF3またはハロゲン原子である場合には、キラル化合物Aの溶媒への溶解性が高くなり、大量合成、精製が可能になる。また、キラル化合物Aの立体構造に歪みが生じ、この歪みによって強誘電性液晶組成物の結晶化が阻害されるので、高い耐衝撃性を得ることができると考えられる。中でも、X1~X3、X5~X7のいずれか1つ以上が、それぞれ独立して-CH3、-CF3またはハロゲン原子であることが好ましい。X1~X3、X5~X7の位置に置換基を有する場合はX4、X8の位置の場合よりもキラル化合物の溶解性が良いからである。これは、X4、X8の位置の場合は他の位置の場合に比べて置換基による歪みが少ないためであると考えられる。X1~X8が結合している2個のベンゼン環のうち、置換基を有するベンゼン環は、1~4個の置換基を有することができるが、中でも1個の置換基を有することが好ましい。すなわち、X1、X2、X5、X6が結合しているベンゼン環が置換基を有する場合には、X1、X2、X5、X6のうちいずれか1つが、-CH3、-CF3またはハロゲン原子であることが好ましい。またX3、X4、X7、X8が結合しているベンゼン環が置換基を有する場合には、X3、X4、X7、X8のうちいずれか1つが、-CH3、-CF3またはハロゲン原子であることが好ましい。特に、X1~X8のうちいずれか1つのみが、-CH3、-CF3またはハロゲン原子であることが好ましい。また、ベンゼン環が有する置換基は、-CH3または塩素原子であることが特に好ましい。上記式3で表されるキラル化合物Aの具体例としては、下記一般式3-1および3-2で表されるキラル化合物Aが挙げられる。上記式3-1および3-2において、R11は炭素数1~10の飽和または不飽和のアルキル基であり、印はキラル中心を示し、mは0または1であり、pは4~18であり、X21およびX22はそれぞれ独立して-CH3、-CF3またはハロゲン原子を表し、jおよびkは一方が0、他方が1である。上記式3-1および3-2において、pは4~18であり、好ましくは6~18、より好ましくは6~12である。上述したように、炭素数が上記範囲よりも多いと、キラル化合物Aの合成が困難となるからである。一方、炭素数が上記範囲よりも少ないと、強誘電性液晶組成物がスメクチック相を発現しない場合があるからである。上記式3-1および3-2において、R11は炭素数1~10の飽和または不飽和のアルキル基である。アルキル基は、直鎖状、分岐状または環状である。中でも、R11は、直鎖状もしくは分岐状の飽和のアルキル基、またはフェニルアルキル基であることが好ましい。上記式3-2において、mは0または1である。また、上記式3-1および3-2において、印はキラル中心を示す。上記式3-1では、1位の炭素原子がキラル中心となる。上記式3-2では、m=0のとき、1位の炭素原子がキラル中心となり、m=1のとき、2位の炭素原子がキラル中心となる。上記式3-1および3-2において、X21およびX22は、それぞれ独立して-CH3、-CF3またはハロゲン原子を表す。中でも、-CH3または塩素原子が好ましい。X21およびX22の位置としては、上述のX1~X8の位置と同様である。また、上記式3-1および3-2において、jおよびkは、一方が0、他方が1である。上記式3-1および3-2で表されるキラル化合物Aの具体例としては、下記式で表されるキラル化合物Aを挙げることができる。なお、下記式において、右旋性を、左旋性を-で示す。上記式3-1および3-2で表されるキラル化合物Aのうち、中でも、上記式3-2で表されるキラル化合物Aが好ましい。上述したように、応答速度がより速くなることから、キラル化合物Iとキラル化合物Aとでキラル部位の構造が類似していることが好ましい。このようなキラル化合物Aとしては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。キラル化合物Aは、例えば、国際公開第2010/031431号パンフレットに記載の方法により合成することができる。2キラル化合物B本発明に用いられるキラル化合物Bは、上記式4で表される化合物であり、上記キラル化合物Iに対して旋光性の方向が同一であるものである。上記式4において、Kは、単結合またはシクロヘキサン環を表す。Kが単結合である場合、下記一般式4-1で表されるように、キラル化合物Bは4個のベンゼン環が直接結合されたものとなる。Kがシクロヘキサン環である場合、下記一般式4-2で表されるように、キラル化合物Bは4個のベンゼン環と1個のシクロヘキサン環とが直接結合されたものとなる。中でも、Kは単結合であることが好ましい。上記式4-1および4-2において、R4、R5、X9~X20は、上記式4と同様である。上記式4において、R4は、非キラルな基であり、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数4~18の飽和もしくは不飽和のアルキル基もしくはアルコキシアルキル基である。なお、R4については、上記式3で表されるキラル化合物AにおけるR1と同様であるので、ここでの説明は省略する。上記式4において、R5は、1個以上のキラル中心をもつキラルな基であり、上記式5で表される基である。なお、R5については、上記式3で表されるキラル化合物AにおけるR2と同様であるので、ここでの説明は省略する。上記式4において、X9~X20は、それぞれ独立して-CH3、-CF3、ハロゲン原子または水素原子を表す。ただし、X9~X20のうち1つ以上は、それぞれ独立して-CH3、-CF3またはハロゲン原子である。上記式3で表されるキラル化合物AにおけるX1~X8と同様に、X9~X20のうち1つ以上が-CH3、-CF3またはハロゲン原子である場合には、キラル化合物Bの溶媒への溶解性が高くなり、大量合成、精製が可能になる。また、キラル化合物Bの立体構造に歪みが生じ、この歪みによって強誘電性液晶組成物の結晶化が阻害されるので、高い耐衝撃性を得ることができると考えられる。中でも、X9~X13、X15~X19のいずれか1つ以上が、それぞれ独立して-CH3、-CF3またはハロゲン原子であることが好ましい。X9~X13、X15~X19の位置に置換基を有する場合はX14、X20の位置の場合よりもキラル化合物の溶解性が良いからである。これは、X14、X20の位置の場合は他の位置の場合に比べて置換基による歪みが少ないためであると考えられる。X9~X20が結合している3個のベンゼン環のうち、置換基を有するベンゼン環は、1~4個の置換基を有することができるが、中でも1個の置換基を有することが好ましい。すなわち、X9、X10、X15、X16が結合しているベンゼン環が置換基を有する場合には、X9、X10、X15、X16のうちいずれか1つが、-CH3、-CF3またはハロゲン原子であることが好ましい。X11、X12、X17、X18が結合しているベンゼン環が置換基を有する場合には、X11、X12、X17、X18のうちいずれか1つが、-CH3、-CF3またはハロゲン原子であることが好ましい。X13、X14、X19、X20が結合しているベンゼン環が置換基を有する場合には、X13、X14、X19、X20のうちいずれか1つが、-CH3、-CF3またはハロゲン原子であることが好ましい。特に、X9~X20が結合している3個のベンゼン環のうち、1個または2個のベンゼン環がそれぞれ1個の置換基を有することが好ましい。また、ベンゼン環が有する置換基は、-CH3または塩素原子であることが特に好ましい。上記式4で表されるキラル化合物Bの具体例としては、下記一般式4-3~4-6で表されるキラル化合物Bが挙げられる。上記式4-3~4-6において、R12は炭素数1~10の飽和または不飽和のアルキル基であり、印はキラル中心を示し、mは0または1であり、vは4~18であり、X31~X33はそれぞれ独立して-CH3、-CF3またはハロゲン原子を表し、r、sおよびtはいずれか1つまたは2つが1、残りが0である。上記式4-3~4-6において、vは4~18であり、好ましくは6~18、より好ましくは6~12である。上述したように、炭素数が上記範囲よりも多いと、キラル化合物Bの合成が困難となるからである。一方、炭素数が上記範囲よりも少ないと、強誘電性液晶組成物がスメクチック相を発現しない場合があるからである。上記式4-3~4-6において、R12は炭素数1~10の飽和または不飽和のアルキル基である。アルキル基は、直鎖状、分岐状または環状である。中でも、R12は、直鎖状もしくは分岐状の飽和のアルキル基、またはフェニルアルキル基であることが好ましい。上記式4-4、4-6において、mは0または1である。また、上記式4-3~4-6において、印はキラル中心を示す。上記式4-3、4-5では、1位の炭素原子がキラル中心となる。上記式4-4、4-6では、m=0のとき、1位の炭素原子がキラル中心となり、m=1のとき、2位の炭素原子がキラル中心となる。上記式4-3~4-6において、X31~X33は、それぞれ独立して-CH3、-CF3またはハロゲン原子を表す。中でも、-CH3または塩素原子が好ましい。X31~X33の位置としては、上述のX9~X20の位置と同様である。上記式4-3~4-6において、r、sおよびtはいずれか1つまたは2つが1、残りが0である。上記式4-3~4-6で表されるキラル化合物Bの具体例としては、下記式で表されるキラル化合物Bを挙げることができる。なお、下記式において、右旋性を、左旋性を-で示す。上記式4-3~4-6で表されるキラル化合物Bのうち、中でも、上記式4-3および4-5で表されるキラル化合物Bが好ましい。上述したように、応答速度がより速くなることから、キラル化合物Iとキラル化合物Bとでキラル部位の構造が類似していることが好ましい。このようなキラル化合物Bとしては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。例えば、強誘電性液晶組成物が、上記式4-1で表されるキラル化合物Bと上記式4-2で表されるキラル化合物Bとを含有していてもよい。キラル化合物Bは、例えば、国際公開第2010/031431号パンフレットに記載の方法により合成することができる。3キラル化合物Aおよびキラル化合物B本発明の強誘電性液晶組成物は、キラル化合物IIとして、キラル化合物Aおよびキラル化合物Bの少なくともいずれかを含有していればよく、例えば、キラル化合物Aのみを含有していてもよく、キラル化合物Bのみを含有していてもよく、キラル化合物Aおよびキラル化合物Bを含有していてもよい。また、強誘電性液晶組成物がキラル化合物Aを含有する場合、1種類のキラル化合物Aを含有していてもよく、2種類以上のキラル化合物Aを含有していてもよい。同様に、強誘電性液晶組成物がキラル化合物Bを含有する場合、1種類のキラル化合物Bを含有していてもよく、2種類以上のキラル化合物Bを含有していてもよい。中でも、本発明の強誘電性液晶組成物は、キラル化合物Aを少なくとも含有することが好ましい。キラル化合物Aは、3個のベンゼン環および1個のシクロヘキサン環が直接結合されたものである。ベンゼン環は平面的な構造をとるのに対して、シクロヘキサン環は立体的な構造をとるため結晶化を阻害するものと推量される。強誘電性液晶組成物が結晶化しやすいものであると、衝撃が加わって液晶分子が移動したときに元の状態に戻りにくくなり、耐衝撃性が劣ってしまう。そのため、強誘電性液晶組成物がシクロヘキサン環を含むキラル化合物Aを含有する場合には、結晶化が阻害され、耐衝撃性を高めることができる。また、本発明の強誘電性液晶組成物は、上記式4-2で表される4個のベンゼン環および1個のシクロヘキサン環が直接結合されたキラル化合物B2を少なくとも含有することも好ましい。上述のように、強誘電性液晶組成物がシクロヘキサン環を含むキラル化合物B2を含有する場合には、結晶化が阻害され、耐衝撃性を高めることができる。特に、本発明の強誘電性液晶組成物は、キラル化合物Aとキラル化合物Bとを含有することが好ましい。また、本発明の強誘電性液晶組成物は、上記式4-1で表される4個のベンゼン環が直接結合されたキラル化合物B1と上記式4-2で表される4個のベンゼン環および1個のシクロヘキサン環が直接結合されたキラル化合物B2とを含有することも好ましい。このような2種類のキラル化合物が含有されていることにより、耐衝撃性を効果的に向上させることができるからである。本発明の強誘電性液晶組成物がキラル化合物Aのみを含有する場合、強誘電性液晶組成物中のキラル化合物Aの含有量としては、耐衝撃性の効果が得られる程度であれば特に限定されるものではない。上記キラル化合物Aを1種単独で用いる場合にはそのキラル化合物Aの含有量が、上記キラル化合物Aを2種以上混合する場合には2種以上のキラル化合物Aの各含有量が、強誘電性液晶組成物中にて5質量以上であることが好ましい。中でも、上記キラル化合物Aを1種単独で用いる場合にはそのキラル化合物Aの含有量が、上記キラル化合物Aを2種以上混合する場合には2種以上のキラル化合物Aの合計含有量が、強誘電性液晶組成物中で5質量~35質量の範囲内であることが好ましく、15質量~30質量の範囲内であることがより好ましい。キラル化合物Aの含有量が上記範囲よりも少ないと、所望の耐衝撃性が得られない場合があり、一方、キラル化合物Aの含有量が上記範囲よりも多いと、強誘電性液晶組成物が、粘度が高くなったり、結晶化しやすくなったりして、十分な耐衝撃性が得られない場合があり、また液晶表示素子を作製する際に液晶層の形成が困難となる場合があるからである。本発明の強誘電性液晶組成物がキラル化合物Bのみを含有する場合、強誘電性液晶組成物中のキラル化合物Bの含有量としては、耐衝撃性の効果が得られる程度であれば特に限定されるものではない。上記キラル化合物Bを1種単独で用いる場合にはそのキラル化合物Bの含有量が、上記キラル化合物Bを2種以上混合する場合には2種以上のキラル化合物Bの各含有量が、強誘電性液晶組成物中にて5質量以上であることが好ましい。中でも、上記キラル化合物Bを1種単独で用いる場合にはそのキラル化合物Bの含有量が、上記キラル化合物Bを2種以上混合する場合には2種以上のキラル化合物Bの合計含有量が、強誘電性液晶組成物中で5質量~35質量の範囲内であることが好ましく、15質量~30質量の範囲内であることがより好ましい。キラル化合物Bの含有量が上記範囲よりも少ないと、所望の耐衝撃性が得られない場合があり、一方、キラル化合物Bの含有量が上記範囲よりも多いと、強誘電性液晶組成物が、粘度が高くなったり、結晶化しやすくなったりして、十分な耐衝撃性が得られない場合があり、また液晶表示素子を作製する際に液晶層の形成が困難となる場合があるからである。また、本発明の強誘電性液晶組成物がキラル化合物Bのみを含有する場合であって、上記式4-1で表される4個のベンゼン環が直接結合されたキラル化合物B1と上記式4-2で表される4個のベンゼン環および1個のシクロヘキサン環が直接結合されたキラル化合物B2とを含有する場合、強誘電性液晶組成物中のキラル化合物B1の含有量は、キラル化合物B2の含有量以上であることが好ましい。キラル化合物B2はキラル化合物B1と比較して、電圧を印加したときの液晶分子のチルト角を小さくする傾向があるので、キラル化合物B1に比べてキラル化合物B2の含有量を多くすると、液晶分子のチルト角が小さくなり、明るさが十分得られないおそれがある。これに対し、キラル化合物B1がキラル化合物B2に比べて多く含有されていることにより、液晶分子のチルト角を大きくすることができ、駆動性能を向上させることができる。本発明の強誘電性液晶組成物がキラル化合物Aおよびキラル化合物Bを含有する場合、強誘電性液晶組成物中のキラル化合物Aおよびキラル化合物Bの合計含有量としては、耐衝撃性の効果が得られる程度であれば特に限定されるものではないが、5質量~35質量の範囲内であることが好ましく、15質量~30質量の範囲内であることがより好ましい。キラル化合物Aおよびキラル化合物Bの合計含有量上記範囲よりも少ないと、所望の耐衝撃性が得られない場合があり、一方、キラル化合物Aおよびキラル化合物Bの合計含有量が上記範囲よりも多いと、強誘電性液晶組成物が、粘度が高くなったり、結晶化しやすくなったりして、十分な耐衝撃性が得られない場合があり、また液晶表示素子を作製する際に液晶層の形成が困難となる場合があるからである。また、本発明の強誘電性液晶組成物がキラル化合物Aおよびキラル化合物Bを含有する場合、強誘電性液晶組成物中のキラル化合物Bの含有量は、キラル化合物Aの含有量以上であることが好ましい。キラル化合物Aはキラル化合物Bと比較して、電圧を印加したときの液晶分子のチルト角を小さくする傾向があるので、キラル化合物Bに比べてキラル化合物Aの含有量を多くすると、液晶分子のチルト角が小さくなり、明るさが十分得られないおそれがある。これに対し、キラル化合物Bがキラル化合物Aに比べて多く含まれていることにより、液晶分子のチルト角を大きくすることができ、駆動性能を向上させることができるからである。3.ホスト液晶本発明の強誘電性液晶組成物は、上記のキラル化合物Iおよびキラル化合物IIの他に、ホスト液晶を含有していてもよい。ホスト液晶としては、強誘電性液晶組成物のホスト液晶として一般的に用いられるものを使用することができ、例えば、フェニルピリミジン化合物を挙げることができる。ホスト液晶は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。中でも、ホスト液晶として用いられるフェニルピリミジン化合物は、フェニル基がフッ素原子で置換されたものであることが好ましく、フェニル基が1個または2個のフッ素原子で置換されたものであることがより好ましい。フェニル基がフッ素原子で置換されたフェニルピリミジン化合物では、強誘電性液晶組成物におけるスメクチック液晶の相転移温度が広がるので、低温および高温で安定して液晶表示素子を駆動することが可能となるからである。また、強誘電性液晶組成物の粘度が低くなるので、液晶表示素子の製造工程にて液晶層の形成が容易となるという利点を有する。さらには、フェニル基がフッ素原子で置換されているフェニルピリミジン化合物を用いることにより、液晶表示素子を製造する際に強誘電性液晶組成物を塗布または滴下する場合には、塗布跡および滴下跡が生じにくくなるので、塗布跡や滴下跡による液晶分子の配向乱れを防ぎ、配向欠陥の発生を抑制することができる。なお、これは、フッ素原子により強誘電性液晶組成物と配向膜との相互作用が弱まり、強誘電性液晶組成物を塗布もしくは滴下した際に液晶分子が配向していない状態で配向膜に固着されてしまうのが抑制されるためであると推量される。このようなフェニルピリミジン化合物としては、具体的には、下記一般式6-1~6-4で表されるものを挙げることができる。上記式6-1~6-4において、R21はアルキル基であり、R22はアルコキシ基またはカルボキシル基である。また、フェニルピリミジン化合物は、1個のピリミジン環と1個のベンゼン環とを有する二環化合物、1個のピリミジン環と2個のベンゼン環とを有する三環化合物、1個のピリミジン環と1個のベンゼン環と1個のシクロヘキサン環とを有する三環化合物等のいずれであってもよい。中でも、フェニルピリミジン化合物としては、上記二環化合物に上記三環化合物を混合させて用いることが好ましい。フェニルピリミジン化合物として、上記二環化合物のみを用いるよりも、上記二環化合物に上記三環化合物を混合して用いるほうが、強誘電性液晶組成物のカイラルスメクチックC相の相転移温度が広がり、液晶表示素子に用いた場合に使用可能範囲が広がるからである。さらには、上記三環化合物の中でも、1個のピリミジン環と1個のベンゼン環と1個のシクロヘキサン環とを有する三環化合物を用いることが好ましい。1個のピリミジン環と1個のベンゼン環と1個のシクロヘキサン環とを有する三環化合物を用いた場合には、1個のピリミジン環と2個のベンゼン環とを有する三環化合物を用いた場合と比較して、共役系が短くなるため、強誘電性液晶組成物の複屈折が小さくなるので、液晶表示素子に適用した場合により広いセルギャップで使用可能となるからである。強誘電性液晶組成物中のホスト液晶の含有量としては、上記キラル化合物の含有量を上記範囲とすることができれば特に限定されるものではない。中でも、フェニルピリミジン化合物が、フェニル基がフッ素原子で置換されたものである場合には、強誘電性液晶組成物中のフェニルピリミジン化合物の含有量は10質量~30質量の範囲内であることが好ましい。フェニルピリミジン化合物の含有量が少ないと、上述の効果が十分に得られない場合があるからである。一方、フェニルピリミジン化合物の含有量が多すぎると、強誘電性液晶組成物が結晶化しやすくなるため、保存安定性が悪くなり、強誘電性液晶組成物に含まれる化合物の析出が起こり、表示品質が低下するおそれがあるからである。4.強誘電性液晶組成物本発明の強誘電性液晶組成物としては、カイラルスメクチックCSmC相を発現するものであれば特に限定されるものではない。強誘電性液晶組成物の相系列としては、例えば、降温過程においてネマチックN相-コレステリックCh相-カイラルスメクチックCSmC相と相変化するもの、ネマチックN相-カイラルスメクチックCSmC相と相変化するもの、ネマチックN相-スメクチックASmA相-カイラルスメクチックCSmC相と相変化するもの、ネマチックN相-コレステリックCh相-スメクチックASmA相-カイラルスメクチックCSmC相と相変化するもの、などを挙げることができる。また、強誘電性液晶組成物としては、双安定性を示すものおよび単安定性を示すもののいずれも用いることができる。中でも、単安定性を示す強誘電性液晶組成物が好ましい。単安定性を示す強誘電性液晶組成物を用いた場合には、電圧変化により液晶のダイレクタ分子軸の傾きを連続的に変化させ、透過光度をアナログ変調することで、階調表示が可能となるからである。特に、液晶表示素子をフィールドシーケンシャルカラー方式により駆動させる場合には、単安定性を示す強誘電性液晶組成物を用いることが好ましい。単安定性を示す強誘電性液晶組成物を用いることにより、TFTを用いたアクティブマトリックス方式による駆動が可能になり、また、電圧変調により階調制御が可能になり、高精細で高品位の表示を実現することができるからである。なお、単安定性を示すとは、電圧無印加時の液晶分子の状態がひとつの状態で安定化している状態をいう。強誘電性液晶組成物は、図1に例示するように、液晶分子25が層法線zから傾いており、層法線zに垂直な底面を有する円錐コーンの稜線に沿って回転する。このような円錐コーンにおいて、液晶分子25の層法線zに対する傾き角をチルト角θという。このように、液晶分子25は層法線zに対しチルト角±θだけ傾く二つの状態間をコーン上に動作することができる。具体的に説明すると、単安定性を示すとは、電圧無印加時に液晶分子25がコーン上のいずれかひとつの状態で安定化している状態をいう。また、強誘電性液晶組成物としては、単安定性を示すものであればよく、正負いずれかの電圧を印加したときのみ液晶分子が動作するハーフV字型スイッチング特性を示すもの、正負いずれの電圧に対しても同程度液晶分子が動作するV字型スイッチング特性を示すもの、正負いずれかの電圧に対する液晶分子の動作が他方の極性の電圧に対する液晶分子の動作に比べて大きくなる非対称のスイッチング特性を示すもの、のいずれも使用することができる。このような強誘電性液晶組成物としては、一般に知られる液晶材料の中から要求特性に応じて種々選択することができる。特に、Ch相からSmA相を経由しないでSmC相を発現する強誘電性液晶組成物は、温度変化に対して、電圧に対する動作特性の変化が少ないことから好ましい。C.液晶表示素子本発明の液晶表示素子は、第1基材、上記第1基材上に形成された第1電極層、および、上記第1電極層上に形成された第1配向膜を有する第1配向処理基板と、第2基材、上記第2基材上に形成された第2電極層、および、上記第2電極層上に形成された第2配向膜を有する第2配向処理基板と、上記第1配向膜および上記第2配向膜の間に形成され、強誘電性液晶組成物を含む液晶層とを有する液晶表示素子であって、上記強誘電性液晶組成物は、上記式1で表されるキラル化合物Iと、上記式3で表されるキラル化合物Aおよび上記式4で表されるキラル化合物Bの少なくともいずれかのキラル化合物IIとを含有し、上記キラル化合物Iおよび上記キラル化合物IIの旋光性の方向が同一であることを特徴とするものである。本発明の液晶表示素子について図面を参照しながら説明する。図2は、本発明の液晶表示素子の一例を示す断面図である。図2に例示するように、液晶表示素子1は、第1基材2a、上記第1基材2a上に形成された第1電極層3a、および、上記第1電極層3a上に形成された第1配向膜4aを有する第1配向処理基板11aと、第2基材2b、第2基材2b上に形成された第2電極層3b、および、上記第2電極層3b上に形成された第2配向膜4bを有する第2配向処理基板11bと、上記第1配向膜4aおよび第2配向膜4bの間に形成された液晶層5とを有しており、上記液晶層5が上述の強誘電性液晶組成物を含有している。本発明によれば、液晶層が上述の強誘電性液晶組成物を含有することにより、耐衝撃性および応答速度に優れる液晶表示素子とすることが可能である。以下、本発明の液晶表示素子における各構成について説明する。1.液晶層本発明における液晶層は、第1配向処理基板の第1配向膜および第2配向処理基板の第2配向膜の間に形成され、上記式1で表されるキラル化合物Iと、上記式3で表されるキラル化合物Aおよび上記式4で表されるキラル化合物Bの少なくともいずれかのキラル化合物IIとを含有し、上記キラル化合物Iおよび上記キラル化合物IIの旋光性の方向が同一である強誘電性液晶組成物を含むものである。なお、強誘電性液晶組成物については、上記B.強誘電性液晶組成物の項に詳しく記載したので、ここでの説明は省略する。液晶層の厚みは、1.0μm~10.0μmの範囲内であることが好ましく、より好ましくは1.3μm~5.0μmの範囲内、さらに好ましくは1.4μm~3.5μmの範囲内である。液晶層の厚みが薄すぎるとコントラストが低下するおそれがあり、逆に液晶層の厚みが厚すぎると液晶分子が配向しにくくなる可能性があるからである。液晶層の厚みは、ビーズスペーサ、柱状スペーサ、隔壁等により調整することができる。液晶層の形成方法としては、一般に液晶セルの作製方法として用いられる方法を使用することができ、例えば真空注入方式、液晶滴下方式等を用いることができる。真空注入方式では、例えば、まず、あらかじめ第1配向処理基板および第2配向処理基板を用いて作製した液晶セルに、加温することによって等方性液体とした強誘電性液晶組成物を、キャピラリー効果を利用して注入する。次に、強誘電性液晶が注入された液晶セルを、接着剤で封鎖することにより液晶層を形成することができる。また液晶滴下方式では、例えば、まず、第2配向処理基板の第2配向膜上に、加温した強誘電性液晶組成物を滴下または塗布する。次いで、第1配向処理基板の周縁部にシール剤を塗布する。続いて、減圧下で第1配向処理基板および第2配向処理基板を重ね合わせ、シール剤を介して接着させることにより液晶層を形成することができる。強誘電性液晶組成物を配向させる際には、徐冷すればよく、液晶層に電圧を印加する必要はない。2.第1配向処理基板本発明に用いられる第1配向処理基板は、第1基材と、第1基材上に形成された第1電極層と、第1電極層上に形成された第1配向膜とを有するものである。以下、第1配向処理基板における各構成について説明する。1第1配向膜本発明に用いられる第1配向膜は、強誘電性液晶組成物の配向制御が可能なものであれば特に限定されるものではなく、例えば、光配向膜、ラビング配向膜、斜方蒸着配向膜等が挙げられる。以下、これらの配向膜について説明する。a光配向膜光配向膜は、光配向処理が非接触配向処理であることから静電気や塵の発生がなく、定量的な配向処理の制御ができる点で有用である。光配向膜に用いられる材料としては、大きく、光反応を生じることにより膜に異方性を付与する光反応型材料と、光異性化反応を生じることにより膜に異方性を付与する光異性化型材料とに分けることができる。以下、光反応型材料および光異性化型材料に分けて説明する。光反応型材料光反応型材料としては、光二量化反応を生じることにより膜に異方性を付与する光二量化型材料または光分解反応を生じることにより膜に異方性を付与する光分解型材料であることが好ましい。中でも、露光感度が高く、材料選択の幅が広いことから、光二量化型材料がより好ましい。光二量化型材料および光分解型材料としては、例えば、特開2006-350322号公報、特開2006-323214号公報、特開2005-258429号公報、特開2005-258428号公報等に記載のものを用いることができる。光二量化型材料に用いられる光二量化反応性化合物は、側鎖としてケイ皮酸エステル、クマリンまたはキノリンのいずれかを含む二量化反応性ポリマーであることが好ましい。光二量化反応性化合物としては、上記化合物の中から、要求特性に応じて光二量化反応部位や置換基を種々選択することができる。また、光二量化反応性化合物は、1種単独でも2種以上を組み合わせて用いることもできる。また、光二量化型材料は、上記光二量化反応性化合物のほか、配向膜の光配列性を妨げない範囲内で添加剤を含んでいてもよい。上記添加剤としては、重合開始剤、重合禁止剤などが挙げられる。光異性化型材料光異性化型材料としては、例えば、特開2006-350322号公報、特開2006-323214号公報、特開2005-258429号公報、特開2005-258428号公報等に記載のものを用いることができる。光異性化型材料が生じる光異性化反応は、シス-トランス異性化反応であることが好ましい。また、光異性化型材料に用いられる光異性化反応性化合物は、分子内にアゾベンゼン骨格を有する化合物であることが好ましい。光異性化反応性化合物としては、単分子化合物または重合性モノマーを挙げることができ、中でも、光照射により膜に異方性を付与した後、ポリマー化することにより、その異方性を安定化することができることから、重合性モノマーが好ましい。また、重合性モノマーの中でも、膜に異方性を付与した後、その異方性を良好な状態に維持したまま容易にポリマー化できることから、アクリレートモノマー、メタクリレートモノマーが好ましい。このような光異性化反応性化合物の中から、要求特性に応じて、シス-トランス異性化反応性骨格や置換基を種々選択することができる。なお、光異性化反応性化合物は、1種単独でも2種以上を組み合わせて用いることもできる。また、光異性化型材料は、上記光異性化反応性化合物のほか、配向膜の光配列性を妨げない範囲内で添加剤を含んでいてもよい。上記光異性化反応性化合物として重合性モノマーを用いる場合には、添加剤としては、重合開始剤、重合禁止剤などが挙げられる。光配向膜光配向膜に用いられる材料が光励起反応光二量化、光分解、光異性化を生じる光の波長領域は、紫外光域の範囲内、すなわち10nm~400nmの範囲内であることが好ましく、250nm~380nmの範囲内であることがより好ましい。光配向膜の形成方法としては、一般的な方法を用いることができる。光配向膜の厚みは、1nm~1000nmの範囲内であることが好ましく、より好ましくは3nm~100nmの範囲内である。光配向膜の厚みが上記範囲より薄いと十分な光配列性を得ることができない可能性があり、逆に光配向膜の厚みが上記範囲より厚いとコスト的に不利になる場合があるからである。bラビング配向膜ラビング配向膜は、比較的高いプレチルト角を実現することができる点で有用である。ラビング配向膜に用いられる材料および形成方法としては、一般的なものを適用することができる。ラビング配向膜の厚みは、1nm~1000nm程度で設定され、好ましくは50nm~100nmの範囲内である。c斜方蒸着配向膜斜方蒸着配向膜は、斜め蒸着法により形成されるものである。斜方蒸着配向膜は、比較的高いプレチルト角を実現することができる点で有用である。斜方蒸着配向膜に用いられる材料および形成方法としては、一般的なものを適用することができる。なお、斜方蒸着配向膜については、液晶便覧編集委員会編液晶便覧丸善株式会社平成12年10月30日p.229-230を参照することができる。斜方蒸着配向膜の厚みは、10nm~500nm程度で設定され、好ましくは30nm~200nmの範囲内である。d第1配向膜および第2配向膜の構成材料の組成本発明においては、第1配向膜および第2配向膜の構成材料が液晶層を挟んで互いに異なる組成を有することが好ましい。第1配向膜および第2配向膜を互いに異なる組成を有する材料を用いて形成することにより、それぞれの材料に応じて第1配向膜表面および第2配向膜表面の極性を異ならせることができる。これにより、強誘電性液晶組成物および第1配向膜の極性表面相互作用と、強誘電性液晶組成物および第2配向膜の極性表面相互作用とが異なるものとなるため、第1配向膜および第2配向膜の表面極性を考慮して材料を適宜選択することによって、ジグザグ欠陥、ヘアピン欠陥、電圧無印加時の液晶分子の安定状態が異なる2種類のドメイン等の配向欠陥の発生を抑制することができるからである。その結果、コントラストを向上させることができる。第1配向膜および第2配向膜の構成材料を液晶層を挟んで互いに異なる組成を有するものとするには、例えば、一方を光配向膜とし、他方をラビング配向膜とすればよい。また例えば、両方をラビング配向膜として、ラビング配向膜の構成材料の組成を異なるものとする;両方を光配向膜として、光配向膜の構成材料の組成を異なるものとする;両方を斜方蒸着配向膜として、斜方蒸着配向膜の構成材料の組成を異なるものとすればよい。第1配向膜および第2配向膜がラビング配向膜である場合、添加剤の添加量を変えることや、添加剤の有無によって、組成を変化させることもできる。また、第1配向膜および第2配向膜が光配向膜である場合、例えば一方の光配向膜に光異性化型材料を用い、他方の光配向膜に光反応型材料を用いることにより、光配向膜の構成材料の組成を異なるものとすることができる。さらに、第1配向膜および第2配向膜が光異性化型材料を用いた光配向膜である場合、光異性化反応性化合物の中から、要求特性に応じて、シス-トランス異性化反応性骨格や置換基を種々選択することにより、光配向膜の構成材料の組成を異なるものとすることができる。さらに、添加剤の添加量を変えることや、添加剤の有無によって、組成を変化させることもできる。またさらに、第1配向膜および第2配向膜が光二量化型材料を用いた光配向膜である場合、光二量化反応性化合物、例えば光二量化反応性ポリマーを種々選択することにより、光配向膜の構成材料の組成を異なるものとすることができる。さらに、添加剤の添加量を変えることや、添加剤の有無によって、組成を変化させることもできる。光二量化型材料を用いた光配向膜は、光異性化型材料を用いた光配向膜よりも相対的に正の極性が強い傾向にあるため、この組み合わせの場合には、極性表面相互作用によって、液晶分子の自発分極が、光異性化型材料を用いた光配向膜側を向く傾向にある。さらに、光二量化型材料を用いた光配向膜は、ラビング配向膜よりも相対的に正の極性が強い傾向にあるため、極性表面相互作用によって、液晶分子の自発分極が、ラビング配向膜側を向く傾向にある。また、ラビング配向膜は、光異性化型材料を用いた光配向膜よりも相対的に正の極性が強い傾向にあるため、極性表面相互作用によって、液晶分子の自発分極が、光異性化型材料を用いた光配向膜側を向く傾向にある。このような組み合わせの場合には、液晶分子の自発分極の向きを制御することができ、配向欠陥の発生を効果的に抑制することができる。2第1電極層本発明に用いられる第1電極層は、一般に液晶表示素子の電極として用いられているものであれば特に限定されるものではないが、第1配向処理基板の第1電極層および第2配向処理基板の第2電極層のうち少なくとも一方が透明導電体で形成されることが好ましい。透明導電体材料としては、酸化インジウム、酸化錫、酸化インジウム錫ITO等が好ましく挙げられる。本発明の液晶表示素子を、TFTを用いたアクティブマトリックス方式で駆動させる場合には、第1配向処理基板および第2配向処理基板のうち、一方に上記透明導電体で形成される全面共通電極を設け、他方にはゲート電極とソース電極をマトリックス状に配列し、ゲート電極とソース電極で囲まれた部分にTFT素子および画素電極を設ける。第1電極層の形成方法としては、化学蒸着CVD法や、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法等の物理蒸着PVD法などが挙げられる。3第1基材本発明に用いられる第1基材は、一般に液晶表示素子の基材として用いられるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、ガラス板、プラスチック板などが好ましく挙げられる。4その他の構成本発明おける第1配向処理基板においては、第1基材上に隔壁または柱状スペーサが形成されていてもよい。第2配向処理基板において第2基材上に隔壁または柱状スペーサが形成されている場合には、第1配向処理基板において第1基材上には隔壁または柱状スペーサが形成されない。すなわち、第1配向処理基板に隔壁または柱状スペーサが形成されていてもよく、第2配向処理基板に隔壁または柱状スペーサが形成されていてもよい。隔壁および柱状スペーサとしては、一般的な隔壁および柱状スペーサを適用することができる。また、本発明における第1配向処理基板おいては、第1基材上に着色層が形成されていてもよい。第2配向処理基板において第2基材上に着色層が形成されている場合には、第1配向処理基板において第1基材上には着色層が形成されない。すなわち、第1配向処理基板に着色層が形成されていてもよく、第2配向処理基板に着色層が形成されていてもよい。着色層が形成されている場合には、着色層によってカラー表示を実現することができるカラーフィルタ方式の液晶表示素子を得ることができる。着色層の形成方法としては、一般的なカラーフィルタにおける着色層を形成する方法を用いることができ、例えば、顔料分散法カラーレジスト法、エッチング法、印刷法、インクジェット法などを用いることができる。3.第2配向処理基板本発明に用いられる第2配向処理基板は、第2基材と、第2基材上に形成された第2電極層と、第2電極層上に形成された第2配向膜とを有するものである。なお、第2基材、第2電極層、第2配向膜およびその他の構成については、上記第1配向処理基板における第1基材、第1電極層、第1配向膜およびその他の構成とそれぞれ同様であるので、ここでの説明は省略する。4.その他の構成本発明の液晶表示素子は、偏光板を有していてもよい。本発明に用いられる偏光板としては、光の波動のうち特定方向のみを透過させるものであれば特に限定されるものではなく、一般に液晶表示素子の偏光板として用いられているものを使用することができる。5.液晶表示素子の駆動方法本発明の液晶表示素子の駆動方法としては、強誘電性液晶組成物の高速応答性を利用することができるので、1画素を時間分割し、良好な動画表示特性を得るために高速応答性を特に必要とするフィールドシーケンシャルカラー方式にも好適に用いることができる。また、本発明の液晶表示素子の駆動方法は、フィールドシーケンシャル方式に限定されるものではなく、着色層を用いてカラー表示を行う、カラーフィルタ方式であってもよい。本発明の液晶表示素子の駆動方法としては、薄膜トランジスタTFTを用いたアクティブマトリックス方式が好ましい。TFTを用いたアクティブマトリックス方式を採用することにより、目的の画素を確実に点灯、消灯できるため高品質なディスプレイが可能となるからである。本発明においては、第1配向処理基板がTFT基板、第2配向処理基板が共通電極基板であってもよく、第1配向処理基板が共通電極基板、第2配向処理基板がTFT基板であってもよい。中でも、第1配向膜と第2配向膜とで、第2配向膜の方が相対的に正の極性が強い傾向にある場合、第1配向処理基板がTFT基板、第2配向処理基板が共通電極基板であることが好ましい。例えば図3に示す液晶表示素子1において、ゲート電極26xを30V程度の高電位にするとTFT素子27のスイッチがオンになり、ソース電極26yによって信号電圧が強誘電性液晶組成物に加えられ、ゲート電極26xを-10V程度の低電位にするとTFT素子27のスイッチがオフになる。スイッチオフ状態では、図4に例示するように、共通電極第2電極層3bおよびゲート電極26x間には、共通電極第2電極層3b側が正になるように電圧が印加される。このスイッチオフ状態のとき、液晶分子は動作しないので、その画素は暗状態となる。第1配向膜と第2配向膜とで、第2配向膜の方が相対的に正の極性が強い傾向にある場合、電圧無印加状態では、極性表面相互作用によって液晶分子の自発分極が第1配向膜側を向く傾向にある。すなわち、スイッチオフ状態のとき、図4に例示するように、液晶分子25の自発分極PsがTFT基板第1配向処理基板11a側を向く。したがって、自発分極の向きは、共通電極第2電極層3bおよびゲート電極26x間に印加された電圧の影響を受けることがない。よって、自発分極の向きを制御し、第1配向処理基板をTFT基板、第2配向処理基板を共通電極基板とすることにより、ゲート電極付近の光漏れを防止することができる。また、本発明の液晶表示素子の駆動方法は、セグメント方式であってもよい。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。[実施例1]強誘電性液晶組成物下記に示すキラル化合物の1~4およびzを用い、下記表1に示すように強誘電性液晶組成物を準備した。液晶表示素子の作製まず、ITOコーティングされたガラス基板1上にΦ5.0μmの円状で、高さ2.5μmの樹脂スペーサを0.1mmピッチで形成した。次いで、その上にラビング配向膜材料SE610:日産化学工業株式会社を回転数1500rpmで30秒間スピンコーティングした。その後、オーブンで180°C、30分間乾燥後、ラビング処理を行った。また、ITOコーティングされたガラス基板2上に光異性化型の光配向膜材料LIA03:DIC株式会社の溶液を1500rpmで30秒間スピンコーティングした。その後、オーブンで100°C、3分間乾燥後、偏光露光機で2J偏光露光処理を行った。次に、基板上に四角い枠状にシール材を塗布した。その基板上に、上述の強誘電性液晶組成物を点状に塗布し、二つの基板をラビング処理の方向と偏光処理の方向が垂直になるように組み立て熱圧着を行った。その後、液晶セルを冷却し、強誘電性液晶組成物を配向させた。評価1耐衝撃性得られた液晶表示素子について、耐衝撃性のテストを行った。耐衝撃性のテストは、プッシュアップスケールFB-30N:イマダ製を用い、押し面積1.3cm2で5Nの荷重をかけたときの液晶配向の変化を観察した。5Nの荷重をかけた後に液晶配向が変化しなかった場合は○、5Nの荷重をかけた際に配向が変化して戻らなかった場合は×と評価した。2応答速度応答速度については、波形発生装置で±2.5V、60Hzの矩形波を入れた際の液晶表示素子の透過光量の振幅を100とし、振幅が10に達した点を変化の開始点、振幅が90に達した点を変化の終了点とした時、その開始点から終了点までの時間を応答速度と規定し、測定した。耐衝撃性および応答速度の評価結果を表2に示す。本発明の強誘電性液晶用応答速度向上剤が添加されているNo.1-2は、強誘電性液晶用応答速度向上剤が添加されていないNo.1-1と比較して応答速度が大幅に向上しており、耐衝撃性および応答速度のいずれにも優れていた。一方、No.1-3、1-4は、応答速度は速くなるものの耐衝撃性が劣化した。耐衝撃性に劣るのは、キラル化合物1ではキラル中心が1位の炭素原子であるのに対して、キラル化合物2ではキラル中心が2位の炭素電子であり、キラル化合物3ではキラル中心が3位の炭素原子であることによるものと推量される。No.1-5は、耐衝撃性および応答速度のいずれにも劣っていた。耐衝撃性が低くなるのは、キラル化合物4では2位の炭素原子がキラル中心であるためと考えられる。また、応答速度が遅くなるのは、2種類のキラル化合物の旋光性が逆方向であることによるものと推量される。[実施例2]強誘電性液晶組成物上記に示すキラル化合物の1およびz、ならびに上記表1に示すホスト液晶を用い、下記表3に示すように強誘電性液晶組成物を準備した。液晶表示素子の作製実施例1と同様に液晶表示素子を作製した。評価実施例1と同様に耐衝撃性および応答速度の評価を行った。評価結果を表4に示す。本発明の強誘電性液晶用応答速度向上剤の添加量と応答速度には相関があることがわかった。[実施例3]強誘電性液晶組成物上記に示すキラル化合物の1、下記に示すキラル化合物のa~g、および上記表1に示すホスト液晶を用い、上記表3のNo.2-1、2-4に示す組成比にて、強誘電性液晶組成物を準備した。液晶表示素子の作製実施例1と同様に液晶表示素子を作製した。評価実施例1と同様に耐衝撃性および応答速度の評価を行った。評価結果を表5に示す。キラル化合物のa~gの種類にかかわらず、本発明の強誘電性液晶用応答速度向上剤を添加することで、応答速度が向上した。また、No.3-2、10、12と比較して、No.3-4、6、8、14は、応答速度が速くなった。これは、2種類のキラル化合物のキラル部位の構造が同一であることによるものと推量される。