"厚みが0.1mm以下のガラス板と、前記ガラス板の一主面の端部を除いた部分の少なくとも一部の上に配されている導電層とを備える導電層付ガラス基板の製造方法であって、前記ガラス板の一主面の上に導電膜を形成する工程と、前記導電膜を前記一主面の上に形成したガラス板を、前記ガラス板よりも大面積を有する基盤の一主面の上に固定した状態で、前記基盤と共に前記ガラス板を回転させながら、ポジ型のフォトレジストをスピンコートし、前記導電膜の一主面の全面上にフォトレジスト層を形成する工程と、前記フォトレジスト層の端部を除いた少なくとも一部を覆うマスクの上から前記フォトレジスト層の露光及び現像を行うことにより、レジストマスク層を形成する工程と、前記レジストマスク層の上から前記導電膜をエッチングすることにより前記導電層を得る工程と、を備える、導電層付ガラス基板の製造方法。厚みが0.1mm以下の基板を、前記基板よりも大面積を有する基盤の上に固定した状態で、前記基盤と共に前記基板を回転させながら、スピンコートし、前記基板の一主面の上に膜を形成する、膜の形成方法。しかしながら、スピンコート法により形成したレジストマスクを用いて、ガラス板の上に配された導電膜をパターニングし、ガラス板の一主面の端部を除いた部分の少なくとも一部の上に配された導電層を形成しようとすると、ガラス板の一主面の端部の上に配された導電膜が好適に除去されなくなる場合がある。本発明は、ガラス板の一主面の端部を除いた部分の少なくとも一部の上に配された導電層を備える導電層付ガラス基板を好適に製造し得る方法を提供することを主な目的とする。本発明の導電層付ガラス基板の製造方法は、ガラス板の一主面の上に導電膜を形成する工程と、導電膜を一主面の上に形成したガラス板を、ガラス板よりも大面積を有する基盤の一主面の上に固定した状態で、基盤と共にガラス板を回転させながら、ポジ型のフォトレジストをスピンコートし、導電膜の一主面の全面上にフォトレジスト層を形成する工程と、フォトレジスト層の端部を除いた少なくとも一部を覆うマスクの上からフォトレジスト層の露光及び現像を行うことにより、レジストマスク層を形成する工程と、レジストマスク層の上から導電膜をエッチングすることにより導電層を得る工程とを備える。導電層付ガラス基板は、ガラス板と導電層とを備える。ガラス板は、厚みが0.1mm以下である。導電層は、ガラス板の一主面の端部を除いた部分の少なくとも一部の上に配されている。本発明の膜の形成方法は、厚みが0.1mm以下の基板を、基板よりも大面積を有する基盤の上に固定した状態で、基盤と共に基板を回転させながら、スピンコートし、基板の一主面の上に膜を形成する。本発明によれば、ガラス板の一主面の端部を除いた部分の少なくとも一部の上に配された導電層を備える導電層付ガラス基板を好適に製造し得る方法を提供することができる。以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。また、実施形態などにおいて参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態などにおいて参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率などが異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率などは、以下の説明を参酌して判断されるべきである。図1は、本実施形態に係る製造方法によって製造される導電層付ガラス基板の略図的断面図である。導電層付ガラス基板1は、ガラス板2と導電層7とを備える。導電層7は、ガラス板2の主面2aの端部2bを除いた部分の少なくとも一部の上に配されている。本実施形態に係る製造方法においては、まず、図2に示されるように、ガラス板2を準備する。ガラス板2の厚みは、0.1mm以下である。ガラス板2の厚みは、0.07mm以下であることが好ましい。但し、ガラス板2の厚みが薄すぎると、取り扱いが困難であるため、ガラス板2の厚みは、通常0.03mm以上である。ガラス板2の主面2aの中心線平均粗さRaは、2.0nm以下であることが好ましく、1.0nm以下であることがより好ましい。主面2aの中心線平均粗さRaは、通常0.5nm以上である。ガラス板2の主面2aに対向する主面2dの中心線平均粗さRaは、2.0nm以下であることが好ましく、1.0nm以下であることがより好ましい。主面2dの中心線平均粗さRaは、通常0.5nm以上である。なお、本発明において、中心線平均粗さRaは、JISB0601に定義されるものである。ガラス板2の主面2aのGI値は、1000pcs/m2以下であることが好ましく、500pcs/m2以下であることがより好ましい。主面2aのGI値は、通常100pcs/m2以上である。ガラス板2の主面2dのGI値は、1000pcs/m2以下であることが好ましく、500pcs/m2以下であることがより好ましい。主面2dのGI値は、通常100pcs/m2以上である。なお、本発明において、GI値とは、1m2の領域内に存在する直径1μm以上の不純物粒子の個数pcsのことである。ガラス板2を構成するガラスとしては、例えば、無アルカリガラス、ソーダライムガラス、石英ガラスなどが挙げられる。なお、本発明において、無アルカリガラスとは、実質的にLi,Na,Kなどのアルカリ金属成分を含まないガラスをいい、具体的には、アルカリ金属成分の含有量が、酸化物換算で0.2質量以下であるガラスをいう。次に、ガラス板2の主面2aの全面上に導電膜3を形成する。導電層3は、スパッタ法、蒸着法などの成膜方法により形成することができる。導電膜3の厚みは、0.01μm~0.3μm程度とすることができる。ガラス板2の厚みと導電膜3の厚みの合計は、30μm~100μm程度であることが好ましく、50μm~70μm程度であることがより好ましい。導電膜3の種類は、導電層付ガラス基板1に要求される機能などに応じて、適宜設定することができる。導電膜3は、例えば、インジウムドープ酸化錫ITO、フッ素ドープ酸化錫FTO、インジウムドープ酸化亜鉛IZO、アルミニウムドープ酸化亜鉛AZO、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウムなどにより構成することができる。次に、導電膜3を主面2aの上に形成したガラス板2を、ガラス板2よりも大面積を有する基盤4の主面4aのうち端部4bを除いた部分の上に固定する。具体的には、基盤4の主面4aの上に、ガラス板2の主面2dが接触するようにガラス板2を配する。基盤4は、例えば、無アルカリガラスなどにより構成される。基盤4の主面4aは平坦である。基盤4の主面4aの中心線平均粗さRaは、2.0nm以下であることが好ましく、1.0nm以下であることがより好ましい。主面4aの中心線平均粗さRaは、通常0.5nm以上である。基盤4の主面4aの中心線平均粗さRaが、2.0nm以下であり、かつ、ガラス板2の主面2dの中心線平均粗さRaが、2.0nm以下であることにより、基盤4とガラス板2とが密着し、基盤4の上にガラス板2を強固に固定することができる。また、ガラス板2の厚みが0.1mm以下であるため、基盤4に配置する前のガラス板2が平坦でなくても、上記の中心線平均粗さRaを有するガラス板2を、平坦な上記の中心線平均粗さRaを有する基盤4の主面4aの上に配置すれば、ガラス板2は平坦となり基盤4の上により強固に固定される。基盤4の主面4aのGI値は、1000pcs/m2以下であることが好ましく、500pcs/m2以下であることがより好ましい。主面4aのGI値は、通常100pcs/m2以上である。基盤4の主面4aのGI値が、1000pcs/m2以下であり、ガラス板2の主面2dのGI値が、1000pcs/m2以下であることにより、基盤4とガラス板2とが密着し、基盤4の上にガラス板2をより強固に固定することができる。なお、基盤4の上にガラス板2を固定する方法としては、基盤4に設けられた穴からガラス板2を吸引する方法も考えられる。しかしながら、ガラス板2は、0.1mm以下と薄いため、ガラス板2を吸引すると、ガラス板2が曲げられ、ガラス板2の平坦度が低下してしまう。これに対して、本実施形態においては、基盤4の上にガラス板2を配すれば、固定されるので、ガラス板2の平坦度は高くなる。次に、ガラス板2を基盤4の上に固定した状態で、基盤4と共にガラス板2を回転させながら、ポジ型のフォトレジストをスピンコートし、図3に示されるように、導電膜3の主面3aの全面上にフォトレジスト層5を形成する。フォトレジストは、導電膜3の主面3aを超えて基盤4の上に拡がっている。フォトレジストは、基盤4の端部4bにまで拡がってもよい。このとき、フォトレジストの表面張力により、基盤4の端部4bには、フォトレジスト層5の厚い部分5aが形成される。基盤4の主面4aの面積に対するガラス板2の主面2aの面積の割合ガラス板2の主面2aの面積/基盤4の主面4aの面積は、4倍以下であることが好ましく、2倍以下であることがより好ましい。ガラス板2の端から基盤4の端までの最短距離が、20mm以上であることが好ましく、10mm以上であることがより好ましい。次に、図4に示されるように、フォトレジスト層5の端部5bを除いた少なくとも一部を覆うマスク層6の上からフォトレジスト層5の露光及び現像を行うことにより、図5に示されるようなレジストマスク層5eを形成する。このとき、基盤4の端部4bの上には、フォトレジスト層5の厚い部分5aから形成されたフォトレジスト層5の残部5fが残っていてもよい。次に、図5~図7に示されるように、レジストマスク層5eの上から導電膜3をエッチングにより除去することにより、導電層7のパターンを形成する。次に、レジストマスク層5eを除去することにより、導電層付ガラス基板1を得る。ところで、図8に示されるように、スピンコート法によってガラス板21の上にレジストを塗布する場合、一般に、ガラス板21が配された基盤41にレジストが付着しないようするために、基盤41の主面41aの面積を、ガラス板21の主面21aの面積と同じか、それよりも小さくする。ところが、このような場合、図9に示されるように、レジストの表面張力により、導電膜31の端部31bの上に、フォトレジスト層51の厚い部分51bが形成される。厚い部分51bが形成されると、図10~図12に示される、その後の露光及び現像においても、導電膜31の端部31bの上にフォトレジスト層51の残部51fが残り、導電膜31の端部31bをエッチングできない場合がある。導電膜31の端部31bをエッチングできないと、図13に示されるように、ガラス板21の端部21bの上に導電層71が残った導電層付ガラス基板11が得られてしまう。また、ガラス板よりも大面積を有する基盤を用いる場合においても、ガラス板の厚みが厚いと、レジストの表面張力により、導電膜の端部の上に、フォトレジスト層の厚い部分が形成されやすい。これに対して、導電層付ガラス基板1の製造方法においては、厚みが0.1mm以下のガラス板2の主面2aの上に導電膜3を形成し、ガラス板2よりも大面積を有する基盤4の上に固定した状態で、基盤4と共にガラス板2を回転させながら、フォトレジストをスピンコートし、導電膜3の主面3aの全面上にフォトレジスト層5を形成する。ガラス板2の厚みが0.1mm以下と薄いため、フォトレジストは導電膜3の端部3bを超えて拡がる。このため、基盤4の端部4bにおいては、フォトレジスト層の厚い部分5aが形成されるが、導電膜3の端部3bには、フォトレジスト層5の厚い部分5aが形成されず、導電層3の主面3a上には厚みの均一なフォトレジスト層5が形成される。従って、その後の露光、現像、エッチングによって、ガラス板2の端部2bの導電膜3を除去することができる。以上の方法によって、ガラス板の上の導電膜にフォトレジスト層を形成し、導電膜の端部の上のフォトレジスト層が露光及び現像されるようにして、導電膜の上にレジストマスク層を形成する実験を行った。具体的な実験の条件は、以下の通りである。ガラス板の厚みと、導電膜の端部の上におけるフォトレジスト層の残部の厚みとの関係を表1及び図14に示す。基盤の種類と面積:無アルカリガラス、100cm2ガラス板の種類:無アルカリガラスガラス板の厚み:それぞれ0.05mm、0.1mm、0.2mm、0.3mm、0.5mm、0.7mm導電膜の種類と厚み:ITO膜、150nmレジストの種類と粘度:TOK社製PMER-P7130、粘度30cP基盤の回転速度;400rpm5sec1750rpm30sec表1及び図14に示されるように、ガラス板の厚みが0.1mm以下である場合には、導電膜の端部の上には、フォトレジスト層の残部は存在しなかった。一方、ガラス板の厚みが0.2mm以上である場合には、導電膜の端部の上には、フォトレジスト層の残部が存在していた。以上のように、導電層付ガラス基板1の製造方法においては、ガラス板2の上にフォトレジスト層5を形成する場合について説明したが、本実施形態の方法は、基板の端部を含んだ部分の上に膜を形成する場合一般に用いられる。本実施形態の方法によれば、基板の上に膜を均一に形成でき、基板の端部において膜が厚くならないように膜を形成することができる。"