共通電極を有する観察側の基板と、画素電極を有する非観察側の基板との間に電解液を封入し、前記各電極間の電位に応じて前記電解液中のデポジション材料を酸化還元反応させることにより、表示を行う電気化学表示素子であって、前記非観察側の基板は、電源バスからの電流を駆動トランジスタを介して前記画素電極に供給するための金属配線と、前記駆動トランジスタおよび前記金属配線を覆うように形成される第1の絶縁膜とを有しており、前記画素電極は、前記デポジション材料とイオン化傾向が同等または前記デポジション材料よりもイオン化傾向の大きい材料で構成され、前記第1の絶縁膜上に形成されているとともに、前記第1の絶縁膜に設けられるコンタクトホールを介して前記金属配線と接続されており、前記非観察側の基板は、さらに、前記コンタクトホールを覆うように前記画素電極上に形成される第2の絶縁膜を有していることを特徴とする電気化学表示素子。前記画素電極を第1の画素電極とすると、前記第2の絶縁膜の非形成領域で前記第1の画素電極と導通し、かつ前記第2の絶縁膜の少なくとも一部を覆うように形成される第2の画素電極をさらに有していることを特徴とする請求項1に記載の電気化学表示素子。前記第2の画素電極は、前記第1の画素電極の、前記第2の絶縁膜の非形成領域よりも面積が大きくなるように形成されていることを特徴とする請求項2に記載の電気化学表示素子。前記第2の画素電極は、前記第1の画素電極の、前記第2の絶縁膜の非形成領域を全て覆うように形成されていることを特徴とする請求項2に記載の電気化学表示素子。前記第2の画素電極は、前記第1の絶縁膜上の前記第1の画素電極の非形成領域まで延びるように形成されていることを特徴とする請求項2に記載の電気化学表示素子。前記第2の画素電極は、前記第1の絶縁膜上の前記第1の画素電極の非形成領域を覆うように形成されていることを特徴とする請求項2に記載の電気化学表示素子。前記第2の画素電極は、前記第1の画素電極よりも面積が大きくなるように形成されていることを特徴とする請求項2に記載の電気化学表示素子。該電気化学表示素子は、複数の画素を有するとともに、前記複数の画素に対応して前記画素電極を第1の画素電極として複数有しており、前記第2の絶縁膜は、各第1の画素電極に対応する各画素を囲むように設けられており、該電気化学表示素子は、前記第2の絶縁膜で区切られた領域に、前記第2の絶縁膜の非形成領域で前記第1の画素電極と導通するように形成される第2の画素電極をさらに有していることを特徴とする請求項1に記載の電気化学表示素子。前記第2の絶縁膜は、前記電解液中のイオンの隣接画素への移動を抑制する隔壁部を兼ねていることを特徴とする請求項8に記載の電気化学表示素子。前記第2の画素電極は、液体材料を塗布して乾燥させることによって形成されており、前記第2の絶縁膜の表面に対する前記液体材料の非親和性が、前記非観察側の基板上における前記第2の絶縁膜の非形成領域に比べて高くなるように、前記第2の絶縁膜の表面および前記非形成領域の少なくとも一方に表面処理がされていることを特徴とする請求項8に記載の電気化学表示素子。前記液体材料の前記第2の絶縁膜の表面に対する接触角が50°以上であり、前記液体材料の前記非形成領域に対する接触角が20°以下であることを特徴とする請求項10に記載の電気化学表示素子。各画素において、前記第2の画素電極は、前記第1の画素電極よりも面積が大きくなるように形成されていることを特徴とする請求項8に記載の電気化学表示素子。前記第2の画素電極は、多孔質金属酸化物で構成されていることを特徴とする請求項1から12のいずれかに記載の電気化学表示素子。EDにおいては、電解液中のデポジション材料として例えば銀を用いた場合、画素電極の構成材料としては、一般に、銀よりもイオン化傾向が大きい金属材料例えばITOまたは同じ銀が用いられる。これは、銀よりもイオン化傾向の小さい金属材料は、白金と金しかなく、非常に高価で使用し難いためである。ところが、デポジション材料よりもイオン化傾向が大きいまたは同等の金属材料で画素電極を構成した場合、EDの駆動時に電解液によって画素電極がエッチングされる溶解する。特に、コンタクトホールに位置する画素電極がエッチングされると、その画素の駆動が不可能になり、点欠陥となって表示不良が生じる。画素電極の材料としては、アモルファスITOを用いるのが、成膜プロセスの観点から有利であり、汎用装置で容易に作製することができるが、このような画素電極のエッチングは、アモルファスITOを用いたときに特に生じやすくなる。本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、画素電極と下層の金属配線および駆動トランジスタとを絶縁膜を介して別レイヤーとし、電解液中のデポジション材料よりもイオン化傾向の大きいまたは同等の材料で画素電極を構成した場合でも、上記絶縁膜のコンタクトホール部分の画素電極の溶解を抑えて、表示不良が生じるのを低減できる電気化学表示素子を提供することにある。本発明の電気化学表示素子は、共通電極を有する観察側の基板と、画素電極を有する非観察側の基板との間に電解液を封入し、前記各電極間の電位に応じて前記電解液中のデポジション材料を酸化還元反応させることにより、表示を行う電気化学表示素子であって、前記非観察側の基板は、電源バスからの電流を駆動トランジスタを介して前記画素電極に供給するための金属配線と、前記駆動トランジスタおよび前記金属配線を覆うように形成される第1の絶縁膜とを有しており、前記画素電極は、前記デポジション材料とイオン化傾向が同等または前記デポジション材料よりもイオン化傾向の大きい材料で構成され、前記第1の絶縁膜上に形成されているとともに、前記第1の絶縁膜に設けられるコンタクトホールを介して前記金属配線と接続されており、前記非観察側の基板は、さらに、前記コンタクトホールを覆うように前記画素電極上に形成される第2の絶縁膜を有していることを特徴としている。本発明によれば、画素電極上には、コンタクトホールを覆うように第2の絶縁膜が形成されているので、電解液中のデポジション材料よりもイオン化傾向が大きいまたは同等の材料で画素電極が構成されている場合でも、コンタクトホール内およびコンタクトホール上に位置する画素電極が電解液によって溶解するのを抑えることができ、画素電極の溶解による表示不良の発生を低減することができる。本発明の実施の一形態について、図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。表示素子の基本構成図1abは、本実施形態の表示素子1の1画素の概略の構成を模式的に示す説明図である。ただし、図1aは黒表示状態での画素を示し、図1bは白表示状態での画素を示している。表示素子1は、EDと呼ばれる電気化学表示素子で構成されており、観察側の基板10と非観察側の基板20との間に電解液30を封入して構成されている。電解液30には、デポジション材料としての銀が溶解しており、銀イオン31が存在している。なお、電解液30の詳細については後述する。観察側の基板10は、例えば透明なガラス基板で構成されるコモン基板11を有している。そして、コモン基板11上には、各画素1aに共通のコモン電極12共通電極が形成されている。一方、非観察側の基板20は、例えば透明なガラス基板で構成される駆動基板21を有している。なお、駆動基板21は非観察側に配置されるため、透明でなくてもよい。この駆動基板21上には、各画素1aに対応する画素電極25が形成されている。各基板1020は、コモン電極12および画素電極25が内側となるように電解液30を介して対向するように貼り合わされている。コモン電極12は、観察側の電極であるため、透明であることが必要である。このため、コモン電極12としては、通常、酸化インジウムスズ以下、ITOと言うなどの透明電極が用いられる。ここで、ITOは、電解液30によるエッチング耐性を高めるため、結晶性のものが望ましい。アモルファスのITOを用いる場合は、300°C以上の温度でアニールして結晶化させる必要があるが、観察側の基板10側には、熱によるダメージを受ける材料が形成されていないので、アモルファスITOを用いてコモン電極12を形成することが可能である。一方、画素電極25は、電解液30中のデポジション材料よりもイオン化傾向が大きい材料で構成されている。例えば、デポジション材料として銀を用いた場合、画素電極25としては、金属酸化物であるアモルファス状のITOを用いる場合が多い。なぜなら、アモルファスITOの場合は、約200°C程度で低温成膜通常はスパッタすることができるので、非観察側の駆動基板21上に形成されるトランジスタ例えばTFTやそれを覆う絶縁膜にダメージを与えることがないからである。また、フォトリソグラフィ技術によるパターニングが可能であるため、同様に、上記トランジスタ等にダメージを与えることがない。このように、アモルファスITOは、画素電極25の成膜プロセスの観点から有利であり、汎用装置で画素電極25を容易に形成することができる。なお、画素電極25は、電解液30中のデポジション材料とイオン化傾向が同等の材料例えば銀で構成されていてもよい。次に、表示素子1の表示原理について説明する。図1aにおいて、スイッチSW1が閉じられると、コモン電極12のコモン電圧Vcomとして、画素電極25に対して閾値以上の負の電圧Vbが印加され、コモン電極12から電解液30に電子が注入されてコモン電流Icomが流れ、コモン電極12の画素電極25に対向する位置に、銀イオン31が還元されて銀の層32が析出する。これをコモン電極12側から見ると、黒く見える。一方、図1bにおいて、同様にスイッチSW1が閉じられ、コモン電極12のコモン電圧Vcomとして、画素電極25に対して閾値以上の正の電圧Vwが印加されると、図1aで析出した銀の層32が酸化されて銀イオン31となり、電解液30の内部に分散される。銀の層32が銀イオン31に変化した状態は、コモン電極12側から見ると透明であるため、電解液30を白く着色しておく、あるいは画素電極25の上に拡散層を設ける等により、白く見える。このようにして白と黒の表示を切り替えることができる。図1abでは、スイッチSW1を用いて表示素子1の画素1aに電圧を印加しているが、スイッチSW1として1画素当たり2個の薄膜トランジスタTFTを用いれば、各画素1aをマトリクス状に配置して、各画素1aごとに電圧を印加して表示を行う、いわゆるアクティブマトリクス方式の表示素子1を構成することができる。画素の詳細な構成次に、表示素子1の1画素の詳細な構成について説明する。図2は、表示素子1の画素1aの等価回路を示す説明図である。画素1aには、2個の薄膜トランジスタQ1Q2が形成されている。薄膜トランジスタQ1は、駆動する画素1aを選択するための選択トランジスタスイッチングトランジスタであり、薄膜トランジスタQ2は、画素1aを駆動する駆動トランジスタである。薄膜トランジスタQ1は、ゲートバスGmの信号により駆動され、オンされたときのソースバスSnの信号を薄膜トランジスタQ2のゲート電極に印加する。薄膜トランジスタQ2は、薄膜トランジスタQ1によってゲート電位が高電位にされたときに、コモン電位Vcomと電源バスVDDによる駆動電位Vddとの差の電位、すなわち図1abで説明した電圧VbまたはVwを、コモン電極12と画素電極25との間に印加して、電解液30に電流を流す。コモン電極12と画素電極25との間の電位に応じて、電解液30中のデポジション材料である銀が酸化還元反応を起こし、これによって、画素1aを黒化させたり白化させたりすることができる。このように、EDとしての表示素子1は、電流駆動型の表示素子であるので、各画素1aには駆動時に瞬間的に比較的大きな電流が流れる。この際の電圧降下を防止するために、電源バスVDDは太くする必要がある。ただ、画素サイズとの兼ね合いから、電源バスVDDはむやみに幅方向に太くすることはできないので、電源バスVDDを厚く形成することで対応するのが一般的である。次に、画素1aにおける非観察側の基板20の構成について、さらに詳しく説明する。図3は、画素1aの詳細な構成を示す断面図である。駆動基板21上には、走査バスGmと、薄膜トランジスタQ1Q2のゲート電極とが形成されている。薄膜トランジスタQ1のゲート電極は、走査バスGmと接続されている。そして、走査バスGmおよび各ゲート電極を覆うように、ゲート絶縁膜22が駆動基板21上に形成されている。ゲート絶縁膜22上には、薄膜トランジスタQ1Q2の半導体がパターニング形成されているとともに、ソースバスSn、電源バスVDD、薄膜トランジスタQ1Q2のソース/ドレイン電極および金属配線23が形成されている。薄膜トランジスタQ1のソース/ドレイン電極の一方の電極は、ソースバスSnと接続されており、他方の電極は、ゲート絶縁膜22に設けられるコンタクトホール22aを介して、薄膜トランジスタQ2のゲート電極と接続されている。また、薄膜トランジスタQ2のソース/ドレイン電極の一方の電極は、電源バスVDDと接続されており、他方の電極は、金属配線23と接続されている。なお、上記他方の電極は、金属配線23と一体形成されていてもよい。そして、薄膜トランジスタQ1Q2の半導体、ソースバスSn、電源バスVDD、薄膜トランジスタQ1Q2のソース/ドレイン電極および金属配線23を覆うように、層間絶縁膜24第1の絶縁膜が形成されており、この層間絶縁膜24上に画素電極25第1の画素電極が形成されている。画素電極25は、層間絶縁膜24に設けられるコンタクトホール24aを介して、金属配線23と接続されている。したがって、薄膜トランジスタQ2がオンされたときには、電源バスVDDからの電流が薄膜トランジスタQ2および金属配線23を介して画素電極25に供給されることになる。画素電極25上には、コンタクトホール24aを覆うようにコンタクトホール24aよりも大きいサイズで、絶縁膜26第2の絶縁膜が形成されている。そして、これらの画素電極25および絶縁膜26を覆うように、多孔質金属酸化物電極27第2の画素電極が画素1aごとに層間絶縁膜24上にパターニング形成されている。多孔質金属酸化物電極27は、画素電極25と絶縁膜26の非形成領域25aで導通している。なお、絶縁膜26および多孔質金属酸化物電極27の詳細材料、形成方法については後述する。上記のように、コンタクトホール24aを覆うように絶縁膜26が形成されているので、画素電極25が銀よりもイオン化傾向の小さいアモルファスITOで構成されている場合でも、コンタクトホール24a内およびコンタクトホール24a上に位置する画素電極25が電解液30によって溶解するのを抑えることができる。したがって、コンタクトホール24aの画素電極25の溶解により、電源バスVDDからの電流が画素1aに供給されなくなって欠陥画素となり、表示不良が生じるのを低減することができる。さらに、画素電極25と非形成領域25aで導通する多孔質金属酸化物電極27が、第2の画素電極として、画素電極25および絶縁膜26を覆うように設けられているので、画素電極25上に絶縁膜26が設けられることによって表示に寄与しなくなる領域を、多孔質金属酸化物電極27で覆うことによって表示に寄与させることができる。このことにより、画素電極25と薄膜トランジスタQ1Q2および金属配線23とを層間絶縁膜24を介して別レイヤーとして、高開口率の実現を図っているにもかかわらず、画素電極25上に絶縁膜26を設けることによって開口率が低下するのを回避することができる。また、図3のように、多孔質金属酸化物電極27を、絶縁膜24上の画素電極25の非形成領域にも形成すれば、画素1aの開口率をさらに広げることができる。なお、図3では、多孔質金属酸化物電極27が絶縁膜26全体を覆うように設けられているが、多孔質金属酸化物電極27は必ずしも絶縁膜26全体を覆う必要はなく、絶縁膜26の一部のみを覆っていてもよい。要は、多孔質金属酸化物電極27は、どこかで画素電極25と導通していればよい。このように多孔質酸化物電極27が絶縁膜26の一部を覆う構成であっても、多孔質金属酸化物電極27を、絶縁膜24上の画素電極25の非形成領域まで延びるように形成したり上記非形成領域の一部を覆うように形成したり、上記非形成領域を全て覆うように形成することで、開口率の低下をより軽減し、あるいは防止することができる。また、多孔質金属酸化物電極27を、画素電極25の非形成領域25aよりも大きく形成したり、該非形成領域25aを全て覆うように形成してもよい。また、開口率を維持または拡大するためには、多孔質金属酸化物電極27が、絶縁膜26を設けたことによる開口率の低下を補うだけの面積を有していればよく、この面積は、画素電極25が形成されていない領域で確保されてもよい。つまり、多孔質金属酸化物電極27は、層間絶縁膜24上の画素電極25の非形成領域を覆うように形成されていてもよい。以上のように、画素電極25第1の画素電極上に多孔質金属酸化物電極27第2の画素電極を設けることにより、開口率が維持、拡大される以外にも、電極全体の厚みが増大することによって電気の抵抗値が下がり、電気が流れやすくなるという利点も生まれる。なお、第2の画素電極として、多孔質金属酸化物からなる電極を設けることの利点については後述するが、多孔質金属酸化物電極27の代わりに、画素電極25と同じ金属材料アモルファスITOからなる電極を第2の画素電極として形成することも可能である。後者の場合でも、絶縁膜26による開口率の低下を回避する、または開口率を広げることができるという効果に変わりはない。画素の他の構成図4は、画素1aの他の構成を示す断面図である。同図に示すように、上記した絶縁膜26は、各画素電極25に対応する各画素1aを囲むように、各画素1aの周縁部に設けられていてもよい。つまり、絶縁膜26は、隣接する画素1a1aを区切るように設けられるバンクであってもよい。そして、各画素1aの多孔質金属酸化物電極27は、絶縁膜26で囲まれる領域全体に形成され、絶縁膜26で区切られていてもよい。この構成では、各画素1aにおいて、多孔質金属酸化物電極27は、絶縁膜26の一部を覆わないが、画素電極25よりも面積が大きくなることによって、開口率が向上する。また、図3の構成とは異なり、多孔質金属酸化物電極27の形成後、多孔質金属酸化物電極27を各画素1aごとにパターニングする必要がないので、製造工程を簡素化できる。また、図3のように多孔質金属酸化物電極27を画素1aごとにパターニング形成する場合には、エッジ角部などの先鋭部27aが多孔質金属酸化物電極27に現れるが、図4の構成では、多孔質金属酸化物電極27の端部は絶縁膜26と接触するので、多孔質金属酸化物電極27に上記の先鋭部が現れず、その先鋭部が電解液30で劣化するという事態を回避して耐久性を向上させることができる。また、図5は、画素1aのさらに他の構成を示す断面図である。同図に示すように、上記した絶縁膜26は、基板1020間のギャップとほぼ同じ高さに形成されて、電解液30中の銀イオンの隣接画素への移動を抑制する隔壁部26aを兼ねていてもよい。図6aに示すように、各画素1aの周囲に隔壁部が存在しない場合、黒表示を行う画素1a1がその隣接画素1a2の電位状態に影響され、画素1a1の銀イオンが本来移動すべきでない隣接画素1a2の方向に移動して黒表示となる。つまり、黒表示を行う画素1a1に形成されるべき銀の層32が隣接画素1a2にも広がって形成されて黒表示となる。この現象は、滲みとも呼ばれ、表示画像の精細度を落とす原因となるものである。これに対して、図6bに示すように、絶縁膜26が隔壁部26aとして機能する場合、電解液30に溶解している銀イオンが、黒表示を行う画素1a1から隣接画素1a2に移動するのを絶縁膜26隔壁部26aで抑えることができる。これにより、画素1a1に形成されるべき銀の層32が隣接画素1a2に広がるのを回避することができ、滲みによる表示品位の低下を回避することができる。また、絶縁膜26が隔壁部26aを兼ねるので、上記滲みを抑えるための隔壁部を別途形成する必要がなく、表示素子1の構成を簡素化することができる。なお、絶縁膜26は、基板1020間のギャップを完全に埋めるように形成されてもよい。この場合は、各画素1aの電極間距離を一定に保つことができるので、全ての画素1aを含む表示エリア全体での表示ムラを無くすことができる。電解液次に、上述した電解液30の詳細について説明する。電解液30は、銀または銀を化学構造中に含む化合物を含んでおり、電解液30に銀イオンが存在している。ここで、銀または銀を化学構造中に含む化合物とは、例えば、酸化銀、硫化銀、金属銀、銀コロイド粒子、ハロゲン化銀、銀錯体化合物、銀イオン等の化合物の総称である。このとき、固体状態や液体への可溶化状態や気体状態等の相の状態種、中性、アニオン性、カチオン性等の荷電状態種は、特に問わない。電解液30に含まれる銀イオン濃度は、0.2モル/kg≦[Ag]≦2.0モル/kgが好ましい。銀イオン濃度が0.2モル/kgよりも少ないと、希薄な銀溶液となって駆動速度が遅延し、逆に、2モル/kgよりも大きいと、溶解性が劣化し、低温保存時に析出が起きやすくなる傾向にあり、不利である。また、電解液30は、25°Cにおける粘度が、0.1mPas以上100mPas未満であることが好ましく、溶媒に対する高分子バインダーの量が、重量比で10未満であることが好ましい。さらに、電解液30は、有機溶媒、イオン性液体、酸化還元活性物質、支持電解質、錯化剤、白色散乱物、高分子バインダー等を必要に応じて選択して構成されてもよい。第2の絶縁膜次に、第2の絶縁膜としての絶縁膜26の詳細について説明する。絶縁膜26の材料としては、良好な絶縁性を有し、成膜時に、スイッチング素子薄膜トランジスタQ1Q2の半導体材料を劣化させないものが適用可能である。例えば、絶縁膜26として、酸化ケイ素等の無機酸化物や、窒化ケイ素等の無機窒化物、あるいは、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、アクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、シアノエチルプルラン、パリレン等の有機化合物が適用可能である。さらには、有機材料と無機材料の複数層の重ね合わせで絶縁膜26を構成してもよい。絶縁膜26の形成方法としては、例えば、全面塗布後、所定形状にパターニングする方法と、ダイレクトに所定形状でパターニング形成する方法とがある。前者の方法の場合、上記光硬化性樹脂を用いてスピンコート成膜し、パターン露光、現像の各工程を経て、コンタクトホール24aの形状よりも少し大きめにパターンを残すのが望ましい。なお、絶縁膜26の形成パターンが大きすぎると、多孔質金属酸化物電極27と画素電極25との接触面積が小さくなって導通時の抵抗が大きくなり、逆に小さすぎると、コンタクトホール24aの保護機能が失われる。なお、成膜材料の塗布方法は、上記のスピンコートに限定されるわけではなく、スプレーコート、スリットコート、ディッピングコート等でもよい。一方、後者の方法の場合、インクジェット法、ディスペンサ法、スクリーン印刷、などの塗布方法を適用することが可能である。多孔質金属酸化物電極次に、多孔質金属酸化物電極27の詳細について説明する。一般に、多孔質構造の電極を構成する微粒子の主成分としては、Cu、Al、Ag、Pd等の金属や、ITO、SnO2、TiO2、ZnO等の金属酸化物、カーボンナノチューブ、グラッシーカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、窒素含有カーボン等の炭素電極等があげられるが、画素電極25の耐久性の面から、多孔質金属酸化物電極27としては、特に、ITO、SnO2およびZnO等の金属酸化物から選択されることが好ましい。ここで、多孔質構造とは、電極中にナノメートルサイズの孔が無数に存在する、いわゆるナノ多孔質構造の内部を、電解液中に含まれるイオン種が移動可能な構造を有することを言う。そのため、多孔質金属酸化物電極27を構成する微粒子の平均粒子径は、5nmから30nm程度が好ましい。上記微粒子としては、不定形、針状、球形等、任意の形状のものを用いることができる。このような多孔質構造を有する多孔質金属酸化物電極27を設けることにより、多孔質金属酸化物電極27中にデポジション材料である銀が担持され、この部分に電源バスVDDからの電流が画素電極25を介して供給されるので、電流供給時の酸化還元反応速度駆動速度を速めることができる。多孔質金属酸化物電極27の形成方法としては、絶縁膜26の場合と同様に、全面塗布後、所定形状にパターニングする方法と、ダイレクトに所定形状でパターニング形成する方法とがある。前者の方法の場合、多孔質状の金属酸化物を塗布した後、フォトリソグラフィ技術にてパターニングすることが望ましく、特に図3で示した表示素子1の作製に有効である。なお、金属酸化物の塗布方法としては、スピンコート、スプレーコート、スリットコート、ディッピングコート等を用いることができる。金属酸化物は、アルコールなどの溶媒に分散している含有物である。一方、後者の方法としては、インクジェット法、ディスペンサ法など、基板20に非接触で材料を飛翔させる方式が望ましく、特に、図4および図5で示した表示素子1の作製に有効である。つまり、バンクとなる絶縁膜26をセパレーターとして利用し、絶縁膜26に撥液処理を施すことで、多孔質状の金属酸化物を各画素ごとに良好にパターニングすることが可能となる。いずれの方法においても、塗布後は加熱により乾燥させることで溶媒が蒸発し、多孔質の金属酸化物電極が形成される。多孔質を生成するために必要な加熱温度150~200°Cは、ITOを結晶化させるために必要な加熱温度300~400°Cよりも低温であるため、非観察側の駆動基板上に形成されるトランジスタやそれを覆う絶縁膜にそれほどダメージを与えることなく、画素電極25上に多孔質金属酸化物電極27を形成することができる。なお、バンクを利用して液を塗布する方法は広く公知であり、特に有機ELディスプレイの発光材料の塗り分けや、液晶カラーフィルターの塗り分け方法によく用いられている。実施例次に、本実施形態の表示素子1の実施例について、実施例1~3として説明する。また、実施例1~3との比較のため、比較例1も併せて示す。実施例1実施例1では、図3の表示素子1を以下の手順で作製した。<電解液の作製>ジメチルスルホキシド以下、DMSOと言う2.5g中に、ヨウ化ナトリウム90mg、ヨウ化銀75mgを加えて完全に溶解させた後に、平均分子量約15000のポリビニルピロリドン150mgを加えて、120°Cに加熱しながら1時間攪拌し、溶液化した。この溶液に、さらに平均分子量が約10万のポリエチレングリコール以下、PEGと言うと、酸化チタンの粉末とを加えて混合し、ゲル状の白色の電解液30を作製した。このとき、PEGは電解液30の5wtとし、酸化チタンの粉末は電解液30の30wtとした。<観察側の基板の作製>コモン基板11としてガラス基板を用いた。そして、コモン基板11上に、透明導電膜である結晶性ITOをスパッタ法にて150nmの膜厚となるように成膜し、全面に各画素1aに共通のコモン電極12を形成し、観察側の基板10を作製した。<非観察側の基板の作製>[工程1:ベースの形成]駆動基板21としてガラス基板を用い、この駆動基板21上に、2次元マトリクス状に、1画素当たり2個のTFT薄膜トランジスタQ1Q2を有するTFTアレイを形成し、そのTFTアレイを覆うように層間絶縁層24を形成し、さらに層間絶縁膜24上に、アモルファスITOを用いて薄い画素電極25を各画素1aに対応して形成した。このとき、画素電極25は、層間絶縁膜24に設けられるコンタクトホール24aを介して、金属配線23および薄膜トランジスタQ2と接続される。駆動基板21上に画素電極25まで形成したものを、ここでは、基板20のベースと呼ぶことにする。なお、ベースの作製まで、すなわち画素電極25の形成までは、周知の技術により行うことができる。例えば、表示素子1と同じ電流駆動型素子であるECDや、有機EL表示素子等で広く公知となっている技術により、画素電極25までの形成が可能である。[工程2:第2の絶縁膜の形成]次に、工程1で形成されたベースの画素電極25上に、コンタクトホール24aを覆うように第2の絶縁膜としての絶縁膜26を形成した。より詳しくは、ベース上に塗布型感光性アクリル樹脂JSR社、型番:PC403をスピンコート3000rpmで成膜した。なお、上記樹脂の厚みは0.5μmとした。続いて、所定のフォトマスクを用い、照射光量200mJcm2で露光を行い、その後、現像、焼成を行った。なお、現像は、所定の現像液TMAHテトラメチルアンモニウムヒドロキシド0.238wt水溶液で1分間行った。焼成は、220°Cで1時間行った。[工程3:多孔質金属酸化物電極材料の塗布]次に、画素電極25および画素電極25上の絶縁膜26を覆うように、多孔質ITOを塗布し、平均膜厚0.5μmの多孔質ITO膜を形成した。塗布には、スプレー塗布装置株式会社ワイディーメカトロソリューションズ社製のSTS600を用いた。このときの塗布の条件は、以下の通りである。スプレーガンのノズル型番:アトマックスノズルAM25株式会社アトマックス社製霧化エア:窒素ガスN2霧化エアの流量:8L/min塗布液ITOインク型番:X806CN27S住友金属鉱山株式会社製塗布液流量:7mL/minノズル吐出速度:300mm/秒ノズル-駆動基板間距離:60mm[工程4:多孔質金属酸化物電極のパターニング形成]工程3で形成された多孔質ITO膜を、既存のフォトリソグラフィ技術によりパターニングし、複数の多孔質金属酸化物電極27に分割した。このとき、画素ピッチが200μmで、1画素あたりのサイズが150μm×150μmとなるように、複数の多孔質金属酸化物電極27を形成した。なお、パターニングについての詳細は、以下の通りである。東京応化工業社製のレジスト材型番:OFPR800LBを、スピンコート条件1000rpmで塗布した後、ホットプレート上で80°Cで5分間乾燥させた。そして、所定サイズのフォトマスクを用い、露光量120mJcm2でパターン露光した後、所定の現像液TMAHテトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.38wt水溶液で120秒現像を行った。その後、林純薬工業社製のエッチング第二塩鉄液を用い、200秒間エッチングを行った。レジスト材の剥離は、NaOH2wt水溶液を用い、剥離後、80°Cオーブンで1時間の乾燥を行った。<シール剤の塗布>次に、多孔質金属酸化物電極27が形成された基板20の周縁部に、電解液30の注入口を除いて、ディスペンサを用いて、熱硬化型のオレフィン系シール剤を塗布した。そして、シール剤中に30μmのビーズスペーサを配置することで、基板1020間のギャップが30μmとなるように設定した。<基板の貼り合わせ>基板1020を上記のシール剤を介して貼り合わせた後、加熱押圧してシール剤を硬化させ、内部が空の空セルを作製した。続いて、液晶パネルの製造等で用いられる真空注入法を用いて、空セルの内部に電解液30を注入し、電解液30の注入口を、紫外線硬化型接着剤にて封止し、実施例1の表示素子1を得た。実施例2実施例2では、図4の表示素子1を作製した。なお、実施例2では、実施例1で説明した<非観察側の基板の作製>の工程の一部を以下のように変更した以外は、実施例1と同様である。<非観察側の基板の作製>[工程2:第2の絶縁膜の形成]工程1で形成されたベースの画素電極25に対応する画素1aを囲むように、かつ、コンタクトホール24aを覆うように、第2の絶縁膜としての絶縁膜26を形成した。より詳しくは、ベース上に、塗布型感光性アクリル樹脂JSR社、型番:PC403をスピンコート700rpmで成膜した。なお、上記樹脂の厚みは2.0μmとした。続いて、所定のフォトマスクを用い、照射光量200mJcm2で露光を行い、その後、現像、焼成を行った。現像は、所定の現像液TMAHテトラメチルアンモニウムヒドロキシド0.238wt水溶液で2分間行った。焼成は、220°Cで1時間行った。なお、実施例2および後述する実施例3においては、絶縁膜26の表面に対する液体材料次に塗布する多孔質ITOの非親和性の程度はじきやすさが、基板上の絶縁膜26の非形成領域画素電極25上の非形成領域25aおよび層間絶縁膜24の表面を含むに比べて高くなるように、絶縁膜26の表面および絶縁膜26の非形成領域の少なくとも一方に表面処理を施しておくことが好ましい。つまり、基板上の絶縁膜26の非形成領域よりも絶縁膜26の表面のほうが、液体材料がはじくように、絶縁膜26の表面および上記非形成領域の少なくとも一方に表面処理がされていることが望ましい。このような表面処理により、次に多孔質金属酸化物電極27を形成すべく、薄膜層多孔質金属酸化物電極27の厚みに比べて多量の液体材料を吐出しても、その液体材料が絶縁膜26を乗り越えて隣りの画素1aに溢れ出ることがなく、各画素1aの所定の領域、すなわち、絶縁膜26の非形成領域にのみ液体材料を充填することができる。つまり、絶縁膜26をバンクとして機能させることができる。ここで、上記した表面処理としては、例えば導入ガスにフッ素またはフッ素化合物を含むガスを使用し、フッ素化合物および酸素を含む減圧雰囲気下あるいは大気圧雰囲気下でプラズマ照射をする減圧プラズマ処理や大気圧プラズマ処理が挙げられる。フッ素またはフッ素化合物を含むガスとしては、CF4、SF6、CHF3等が挙げられる。実施例2では、CF4プラズマ処理圧力:5Pa、出力:5W、CF4流量:7sccm、時間:1分間を行い、絶縁膜26と液体材料多孔質ITO材料との接触角を約60°とした。なお、上記の接触角とは、図7に示すように、固体の表面Sと液体の表面Lとの接点における、表面Sと表面Lとのなす角度α°を指す。接触角αが大きいほど、液体は固体に対して非親和性が高くなり、はじくことになる。上述した表面処理による効果を確実に得るためには、液体材料多孔質ITO材料の絶縁膜26の表面に対する接触角を50°以上とし、絶縁膜26の非形成領域に対する接触角を20°以下とすることが好ましい。[工程3:多孔質金属酸化物電極材料の塗布]工程2で形成した絶縁膜26で囲まれた領域内に、インクジェット法にて液体材料である多孔質ITOを滴下する。インクジェット法における吐出量は、多孔質ITOの塗布後の加熱処理により体積が減少したときに所望の厚みになるような量とする。なお、乾燥後に多孔質ITOを再度吐出して重ね合わせ処理を行うことにより、所望の厚みになるようにしてもよい。実施例2においては、吐出される液体材料の液滴の大きさに対して、絶縁膜26の大きさ高さ、幅を規定することにより、薄膜層多孔質金属酸化物電極27の厚さに比べて多量の液体材料を吐出しても、液体材料が絶縁膜26を乗り越えて溢れ出ることなく、所定の領域に液体材料が充填される。液体材料が溶媒を含む材料の場合は、液体材料を充填した後、加熱処理および/または減圧処理を行い、溶媒成分を除去することにより、液体材料の体積が減少し、絶縁膜26の非形成領域に薄膜層が形成される。このとき、絶縁膜26の非形成領域の表面、すなわち基板表面は、前述のように親和性親液性を示すように表面処理されているので、薄膜層が好適に密着する。なお、インクジェット方式としては、ピエゾジェット方式や、熱による気泡発生により吐出する方式のいずれであってもよいが、加熱による流動体の変質がない点で、ピエゾジェット方式が好ましい。実施例2では、コニカミノルタIJ株式会社製ピエゾヘッドKM512Mを有するインクジェット装置を用い、膜厚1.2μmの多孔質ITOを形成し、多孔質金属酸化物電極27とした。なお、実施例2では、絶縁膜26がバンクとなり、多孔質金属酸化物電極27の形成と同時に、多孔質金属酸化物電極27が絶縁膜26で区切られるので、実施例1の[工程4:多孔質金属酸化物電極のパターニング形成]は不要となる。実施例3実施例3では、図5の表示素子1を作製した。なお、実施例3では、実施例2で説明した<非観察側の基板の作製>の工程の一部を以下のように変更した以外は、実施例2と同様である。<非観察側の基板の作製>[工程2:第2の絶縁膜の形成]工程1で形成されたベースの画素電極25に対応する画素1aを囲むように、かつ、コンタクトホール24aを覆うように、第2の絶縁膜としての絶縁膜26を形成した。より詳しくは、ベース上に、ネガ型感光性フォトレジスト材料であるSU-83050化薬マイクロケム社製を回転数1000rpmでスピンコートし、100°Cのホットプレート上にて30分間プリベーク処理を行った。プリベーク後、平行光露光機にて、隔壁形状パターンが形成されたフォトマスクを介して、照射光量400mJcm2で紫外線を照射し、続いて100°Cのホットプレート上で10分間熱処理を行った。熱処理後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA液を用いて現像処理を行い、紫外線の照射されていないフォトレジスト材料を除去し、イソプロピルアルコールIPA液にてリンス処理を行った後、液を乾燥させることにより、高さ25μmの隔壁構造絶縁膜26、隔壁部26aを得ることができた。隔壁構造の幅は、フォトマスクパターンにより、15μmとした。比較例1比較例1は、実施例1で説明した<非観察側の基板の作製>の工程の一部、すなわち、[工程2:第2の絶縁膜の形成]を省略して表示素子を作製した以外は、実施例1と同様である。駆動検査次に、実施例1~3および比較例1の各表示素子を用いて、駆動検査を実施した。検査の手順は、以下の通りである。なお、実施例1~3および比較例1では、各表示素子の画素ピッチを0.2mmとし、図8に示すように、有効画素エリアRを70mm×50mmとした。したがって、有効画素エリアRの画素数は、70/0.2×50/0.2=350×250=87500個となる。また、ここでは、有効画素エリアRを8分割して、以下の検査を行った。したがって、1エリアあたりの検査画素数は、87500/8≒10000個である。まず、各エリアの画素全体に対して、電圧の印加、無印加を繰り返し、白/黒の表示を交互に繰り返し行った。なお、電圧印加による黒表示は、コントラストが10となるように行った。なお、コントラスト10とは、白と黒との視感反射率Y値比が10:1であることを示す。次に、駆動回数黒の表示回数が1000回に達したところで、各エリアごとに表示画像をスキャナで取り込むとともに、取り込み画像をデジタルデータに変換し、コントラストが10に満たない画素数をカウントした。例えば、取り込み画像の画像データ輝度データが、8ビットで0黒~255白であるとする。そして、電圧無印加時の白表示状態において、白表示の画素の画像データが240であり、白表示の画素の画像データ240に対して、黒表示の画素の画像データ50が、コントラスト10に対応しているものとする。この場合に、画像データ51以上の画素がコントラスト10に満たない画素黒が出ていない画素となるので、このような画素の数をカウントする。次に、各エリアごとに画素欠陥発生率を計算する。この画素欠陥発生率は、以下の式によって表わされる。画素欠陥発生率={1エリアの欠陥画素数/1エリアの検査画素数}×100そして、最後に、画素欠陥発生率の全エリアの平均値を算出する。このような処理を、駆動回数が1万回、10万回に達するごとに行った。図9は、実施例1~3、比較例1の各表示素子の駆動回数ごとの画素欠陥発生率平均値を示している。同図に示すように、実施例1~3の表示素子では、駆動回数が10万回に達しても、画素欠陥発生率が1以下であったが、比較例1の表示素子では、駆動回数が1000回、1万回、10万回と増大するにつれて画素欠陥発生率が上昇し、10万回駆動時には画素欠陥発生率90以上を示した。確認のため、比較例1の表示素子を分解し、コンタクトホール部分を観察したところ、画素電極であるITOが消失しており、画素電極とコンタクトホールを介して接続されていた金属配線との導通が取れなくなっていることが明らかとなった。したがって、実施例1~3のように、コンタクトホールを覆うように絶縁膜を形成する構成は、コンタクトホール部分の画素電極の保護を図る上で非常に有効であると言える。以上の実施形態で説明した電気化学表示素子は、以下のように表現することもでき、これによって以下の作用効果を奏する。本実施形態の電気化学表示素子は、共通電極を有する観察側の基板と、画素電極を有する非観察側の基板との間に電解液を封入し、前記各電極間の電位に応じて前記電解液中のデポジション材料を酸化還元反応させることにより、表示を行う電気化学表示素子であって、前記非観察側の基板は、電源バスからの電流を駆動トランジスタを介して前記画素電極に供給するための金属配線と、前記駆動トランジスタおよび前記金属配線を覆うように形成される第1の絶縁膜とを有しており、前記画素電極は、前記デポジション材料とイオン化傾向が同等または前記デポジション材料よりもイオン化傾向の大きい材料で構成され、前記第1の絶縁膜上に形成されているとともに、前記第1の絶縁膜に設けられるコンタクトホールを介して前記金属配線と接続されており、前記非観察側の基板は、さらに、前記コンタクトホールを覆うように前記画素電極上に形成される第2の絶縁膜を有している構成である。上記の構成によれば、非観察側の基板では、電源バスからの電流が駆動トランジスタおよび金属配線を介して画素電極第1の画素電極に供給される。したがって、観察側の共通電極と非観察側の画素電極との間の電位に応じた電流が電解液に流れ、負極となる電極側では、還元反応により電解液中のデポジション材料例えば銀が析出し、正極となる電極側では、酸化反応により、デポジション材料が溶解する。このようなデポジション材料の析出/溶解により、黒/白の表示およびその切り替えを行うことができる。上記の駆動トランジスタおよび金属配線は、第1の絶縁膜で覆われており、画素電極は、第1の絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して上記金属配線と接続されている。このように、画素電極と駆動トランジスタおよび金属配線とは、第1の絶縁膜を介して別レイヤーとなっている。このような構成において、画素電極上には、コンタクトホールを覆うように第2の絶縁膜が形成されているので、電解液中のデポジション材料よりもイオン化傾向が大きいまたは同等の材料で画素電極が構成されている場合でも、コンタクトホール内およびコンタクトホール上に位置する画素電極が電解液によって溶解するのを抑えることができ、画素電極の溶解による表示不良の発生を低減することができる。本実施形態の電気化学表示素子において、前記画素電極を第1の画素電極とすると、前記第2の絶縁膜の非形成領域で前記第1の画素電極と導通し、かつ前記第2の絶縁膜の少なくとも一部を覆うように形成される第2の画素電極をさらに有していてもよい。この場合、第1の画素電極上に第2の絶縁膜を設けることによって、第1の画素電極に対応する画素の開口率が低下することを、第2の画素電極を設けることによって少なくとも軽減または防止し、さらには開口率を拡大することができる。本実施形態の電気化学表示素子において、前記第2の画素電極は、前記第1の画素電極の、前記第2の絶縁膜の非形成領域よりも面積が大きくなるように形成されていてもよいし、前記第1の画素電極の、前記第2の絶縁膜の非形成領域を全て覆うように形成されていてもよい。また、前記第2の画素電極は、前記第1の絶縁膜上の前記第1の画素電極の非形成領域まで延びるように前記非形成領域の一部を覆うように形成されていてもよいし、前記第1の絶縁膜上の前記第1の画素電極の非形成領域の全てを覆うように形成されていてもよい。さらに、前記第2の画素電極は、前記第1の画素電極よりも面積が大きくなるように形成されていてもよい。このように第2の画素電極が形成されていることにより、第1の画素電極上に第2の絶縁膜を設けることによって、第1の画素電極に対応する画素の開口率が低下することを、第2の画素電極を設けることによって少なくとも軽減または防止し、さらには開口率を拡大することができる。本実施形態の電気化学表示素子は、複数の画素を有するとともに、前記複数の画素に対応して前記画素電極を第1の画素電極として複数有しており、前記第2の絶縁膜は、各第1の画素電極に対応する各画素を囲むように設けられていてもよい。そして、該電気化学表示素子は、前記第2の絶縁膜で区切られた領域に、前記第2の絶縁膜の非形成領域で前記第1の画素電極と導通するように形成される第2の画素電極をさらに有していてもよい。この構成では、第2の画素電極の形成後、第2の画素電極を各画素ごとにパターニングすることが不要となり、製造工程を簡素化できる。また、第2の画素電極の端部は第2の絶縁膜と接触し、第2の画素電極のエッジ角部が現れないので、そのエッジが電解液で劣化するのを回避することができ、耐久性を向上させることができる。本実施形態の電気化学表示素子において、前記第2の絶縁膜は、前記電解液中のイオンの隣接画素への移動を抑制する隔壁部を兼ねていてもよい。この構成では、電解液中のイオンが隣接画素に移動するのを第2の絶縁膜隔壁部で抑えることができ、滲みによる表示品位の低下を回避することができる。また、第2の絶縁膜を形成することで、隔壁部を別途形成しなくても済むので、表示装置の構成を簡素化することもできる。本実施形態の電気化学表示素子において、前記第2の画素電極は、液体材料を塗布して乾燥させることによって形成されており、前記第2の絶縁膜の表面に対する前記液体材料の非親和性が、前記非観察側の基板上における前記第2の絶縁膜の非形成領域に比べて高くなるように、前記第2の絶縁膜の表面および前記非形成領域の少なくとも一方に表面処理がされていてもよい。このような表面処理により、第2の画素電極を形成すべく、第2の画素電極の厚みに比べて多量の液体材料を吐出しても、その液体材料が第2の絶縁膜を乗り越えて隣りの画素に溢れ出ることがなく、各画素の所定の領域、すなわち、第2の絶縁膜の非形成領域にのみ液体材料を充填することができる。特に、前記液体材料の前記第2の絶縁膜の表面に対する接触角が50°以上であり、前記液体材料の前記非形成領域に対する接触角が20°以下であれば、上述した表面処理による効果を確実に得ることができる。本実施形態の電気化学表示素子の各画素において、前記第2の画素電極は、前記第1の画素電極よりも面積が大きくなるように形成されていてもよい。このように第2の画素電極が形成されていることにより、高開口率を確実に実現することができる。本実施形態の電気化学表示素子において、前記第2の画素電極は、多孔質金属酸化物で構成されていてもよい。多孔質金属酸化物中にデポジション材料が担持され、この部分に電源バスからの電流が第1の画素電極を介して供給されるので、電流供給時の酸化還元反応速度駆動速度を速めることができる。