封止金型内で、第一の半導体素子が搭載された第一の金属基板の一部に、第二の半導体素子が搭載された第二の金属基板又は第二の半導体素子が搭載された第二の金属基板に接続された金属部材である接合対象金属部材の一部を、金属接合材料を介して押圧しつつ、前記封止金型内にモールド樹脂を充填させる充填工程と、前記モールド樹脂を硬化するとともに、前記金属接合材料を用いて前記第一の金属基板の一部と前記接合対象金属部材板の一部の間を接合する硬化接合工程とを備えた、半導体装置の製造方法。前記硬化接合工程は、前記封止金型内で、前記モールド樹脂を仮硬化するとともに、前記金属接合材料を用いて前記第一の金属基板の一部と前記接合対象金属部材の一部の間を仮接合する仮硬化接合工程と、前記モールド樹脂を本硬化するとともに、前記金属接合材料を用いて前記第一の金属基板の一部と前記接合対象金属部材の一部の間を本接合する本硬化接合工程とを有する、請求項1記載の半導体装置の製造方法。前記金属接合材料は、Sn-Bi合金膜である、請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記仮硬化接合工程において、前記第一の金属基板の一部と、前記接合対象金属部材の一部は、Cu合金によって形成されており、前記第一の金属基板の前記一部側に、金属間化合物であるCu6Sn5の仮第1接合層が形成され前記接合対象金属部材の前記一部側に、金属間化合物であるCu6Sn5の仮第2接合層が形成され、前記仮第1接合層と前記仮第2接合層の間に、マーブル状にSn-BiとBiが配置された仮第3接合層が形成され、前記本硬化接合工程において、前記第一の金属基板の前記一部側に、金属間化合物であるCu6Sn5の本第1接合層が形成され、前記接合対象金属部材の前記一部側に、金属間化合物であるCu6Sn5の本第2接合層が形成され、前記本第1接合層と前記本第2接合層の間に、Biの本第3接合層が形成される、請求項3に記載の半導体装置の製造方法。前記Sn―Bi合金は、Snが25atm~60atm含まれている、請求項3又は4に記載の半導体装置の製造方法。前記硬化接合工程は、170°C~180°Cで行われる、請求項1~5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。前記充填工程において、前記封止金型に配置された押圧ピンによって前記押圧が行われる、請求項1~6のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。前記充填工程において、前記封止樹脂が注入されている途中で、前記押圧ピンが前記封止金型内から引き抜かれる、請求項7記載の半導体装置の製造方法。前記金属接合材料は、前記第一の金属基板の一部と前記第二の金属基板の一部に、電解メッキによって、予め形成されている、請求項1~8のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。前記金属部材は、前記第二の金属基板に前記金属接合材料を介して接続されている、請求項1~9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。第一の半導体素子が搭載された第一の金属基板と、前記第一の金属基板の上側に配置され、第二の半導体素子が搭載された第二の金属基板とを備え、前記第一の金属基板の一部と、前記第二の金属基板又は前記第二の金属基板に接続された金属部材である接合対象金属部材の一部は接合部で接合されており、前記接合部は、前記第一の金属基板の前記一部側に形成された、金属間化合物であるCu6Sn5の第1接合層と、前記接合対象金属部材の前記一部側に形成された、金属間化合物であるCu6Sn5の第2接合層と、前記第1接合層と前記第2接合層の間に形成された、Biの第3接合層とを有している、半導体装置。しかしながら前記のような従来技術は、リードフレーム103とヒートシンク101を接続する際に以下のような課題を有している。図13a~dは、リードフレーム103とヒートシンク101を、かしめて接合する際の概略構成図である。通常かしめて接合する場合、まず図13aのようにリードフレーム103に対して下側に配置されるヒートシンク101の表面に突起が設けられる必要がある。通常この突起は裏面からの打ち抜きによって、その厚みの半分だけ突出させることで形成される。次に、図13bのようにリードフレーム103には突起に沿った穴を形成しておき、リードフレーム103とヒートシンク101は、接合の際にはその穴に突起を通して重ねられる。次に、図13cのように金型のパンチ106による潰し加工をすることで、ヒートシンク101とリードフレーム103のかしめ接合が達成される。図13dのように、加工後は潰した部分が横に広がって、リードフレーム103とヒートシンク101は機械的な引っかかりを利用して接合される。このように機械的な引っかかりを利用した接合が、かしめ接合である。しかしながら、かしめ接合は機械的な接合を目的とするため、ヒートシンクの代わりに放熱性を有する他のリードフレームを配置し、そのリードフレームとリードフレーム103を電気的に接続しなければならない場合、両者は接触しているのみであるため、電気的特性が不安定になるといった問題がある。一方、ヒートシンク101とリードフレーム103を接着によって接続する場合、一般的に接着剤は樹脂成分が大部分を占めるため、接合部の電気抵抗が高く、パワーモジュールのように数十アンペアの電流を使用する際には配線としての十分な特性を得ることが出来ないという懸念もある。本発明は、上記従来の課題を考慮し、電気的特性がより向上した半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、第1の本発明は、封止金型内で、第一の半導体素子が搭載された第一の金属基板の一部に、第二の半導体素子が搭載された第二の金属基板又は第二の半導体素子が搭載された第二の金属基板に接続された金属部材である接合対象金属部材の一部を、金属接合材料を介して押圧しつつ、前記封止金型内にモールド樹脂を充填させる充填工程と、前記モールド樹脂を硬化するとともに、前記金属接合材料を用いて前記第一の金属基板の一部と前記接合対象金属部材板の一部の間を接合する硬化接合工程とを備えた、半導体装置の製造方法である。第2の本発明は、前記硬化接合工程は、前記封止金型内で、前記モールド樹脂を仮硬化するとともに、前記金属接合材料を用いて前記第一の金属基板の一部と前記接合対象金属部材の一部の間を仮接合する仮硬化接合工程と、前記モールド樹脂を本硬化するとともに、前記金属接合材料を用いて前記第一の金属基板の一部と前記接合対象金属部材の一部の間を本接合する本硬化接合工程とを有する、第1の本発明の半導体装置の製造方法である。第3の本発明は、前記金属接合材料は、Sn-Bi合金膜である、第2の本発明の半導体装置の製造方法である。第4の本発明は、前記仮硬化接合工程において、前記第一の金属基板の一部と、前記接合対象金属部材の一部は、Cu合金によって形成されており、前記第一の金属基板の前記一部側に、金属間化合物であるCu6Sn5の仮第1接合層が形成され前記接合対象金属部材の前記一部側に、金属間化合物であるCu6Sn5の仮第2接合層が形成され、前記仮第1接合層と前記仮第2接合層の間に、マーブル状にSn-BiとBiが配置された仮第3接合層が形成され、前記本硬化接合工程において、前記第一の金属基板の前記一部側に、金属間化合物であるCu6Sn5の本第1接合層が形成され、前記接合対象金属部材の前記一部側に、金属間化合物であるCu6Sn5の本第2接合層が形成され、前記本第1接合層と前記本第2接合層の間に、Biの本第3接合層が形成される、第3の本発明の半導体装置の製造方法である。第5の本発明は、前記Sn―Bi合金は、Snが25atm~60atm含まれている、第3又は4の本発明の半導体装置の製造方法である。第6の本発明は、前記硬化接合工程は、170°C~180°Cで行われる、第1~5のいずれかの本発明の半導体装置の製造方法である。第7の本発明は、前記充填工程において、前記封止金型に配置された押圧ピンによって前記押圧が行われる、第1~6のいずれかの本発明の半導体装置の製造方法である。第8の本発明は、前記充填工程において、前記封止樹脂が注入されている途中で、前記押圧ピンが前記封止金型内から引き抜かれる、第7の本発明の半導体装置の製造方法である。第9の本発明は、前記金属接合材料は、前記第一の金属基板の一部と前記第二の金属基板の一部に、電解メッキによって、予め形成されている、第1~8のいずれかの本発明の半導体装置の製造方法である。第10の本発明は、前記金属部材は、前記第二の金属基板に前記金属接合材料を介して接続されている、第1~9のいずれかの本発明の半導体装置の製造方法である。第11の本発明は、第一の半導体素子が搭載された第一の金属基板と、前記第一の金属基板の上側に配置され、第二の半導体素子が搭載された第二の金属基板とを備え、前記第一の金属基板の一部と、前記第二の金属基板又は前記第二の金属基板に接続された金属部材である接合対象金属部材の一部は接合部で接合されており、前記接合部は、前記第一の金属基板の前記一部側に形成された、金属間化合物であるCu6Sn5の第1接合層と、前記接合対象金属部材の前記一部側に形成された、金属間化合物であるCu6Sn5の第2接合層と、前記第1接合層と前記第2接合層の間に形成された、Biの第3接合層とを有している、半導体装置である。本発明によれば、電気的特性がより向上した半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することが出来る。以下、本発明にかかる実施の形態について、図面を参照しながら説明する。実施の形態1以下に、本発明にかかる実施の形態1における半導体装置について説明する。図1aは、本実施の形態1の半導体装置の断面構成図である。図1aに示すように、本実施の形態1の半導体装置は、第一の半導体素子1が搭載された第一の金属基板2と、第一の金属基板2の上方に配置され、第二の半導体素子3が搭載された第二の金属基板4とを備えている。第二の金属基板4には、下方に向かって形成され、第一の金属基板2にダウンセットされた接合用部分40が設けられている。そして、この接合用部分40の先端の裏側部分41と、第一の金属基板2の表側部分20が接合部8において接合されている。また、第一の金属基板2としては、例えば金属リードフレームを用いることが出来、パワーモジュールのような発熱量の大きい半導体装置には熱伝導性の良いCu系リードフレームが用いられる。第一の半導体素子1は、例えば半田材料31を用いて第一の金属基板2に接合されている。さらに第一の半導体素子1と第一の金属基板2及び第二の金属基板4は金属ワイヤー9で接続されている。この時金属ワイヤー9は通常Auワイヤーが用いられるが、電流の大きな半導体素子である場合はAuワイヤーよりも径を大きくし、大電流化に対応出来るAlワイヤーを用いることが出来る。第二の金属基板4としては、例えば金属リードフレームを用いることが出来、熱膨張係数を整合させ応力の発生を低減させる観点から第一の金属基板2と同じCu系リードフレームが用いられる。第二の金属基板4には、例えば導電性ペースト32を用いて第二の半導体素子3が接合されている。さらに第二の半導体素子3と第二の金属基板4は金属ワイヤー9で接続されている。この時金属ワイヤー9はAuワイヤーを用いることが出来る。上記第一の半導体素子1、第一の金属基板2、第二の半導体素子3、第二の金属基板4、金属ワイヤー9等がモールド樹脂10によって覆われている。尚、第一の金属基板2は、モールド樹脂10から露出した露出面21を有しており、第一の半導体素子1及び第二の半導体素子3の熱が、露出面21から放熱される。また、金属ワイヤー9と第一の金属基板2及び第二の金属基板4の接続パターンは回路によって異なり、本実施例のような接続パターンの限りではない。次に、接合部8について説明する。図1bは、接合部8の拡大構成図である。図1bに示すように、接合部8では、第二の金属基板4の裏側部分41側に金属間化合物100による金属間化合物層11aが形成されている。また、第一の金属基板2の表側部分20側に金属間化合物100による金属間化合物層11bが形成されている。そして、2つの金属間化合物層11a、11bに挟まれて、金属単相121から形成された単一金属層12が形成されている。この金属間化合物100は、例えばCu6Sn5である。又、金属単相121は、例えばBiである。又、本発明の第一の金属基板の一部の一例は、本実施の形態1の第一の金属基板2の表側部分20に対応し、本発明の第二の金属基板の一部の一例は、本実施の形態1の第二の金属基板4の裏側部分41に対応する。又、本発明の第1接合層の一例は、本実施の形態1の金属間化合物層11aに対応し、本発明の第2接合層の一例は、本実施の形態1の金属間化合物層11bに対応し、本発明の第3接合層の一例は、本実施の形態1の単一金属層12に対応する。また、本発明の接合対象金属部材の一例は、本実施の形態1の第二の金属基板4に対応する。以下に、本発明にかかる実施の形態1の半導体装置の製造方法について説明する。はじめに、封止金型内に半導体装置の構成を配置する配置工程について説明する。図2aは、本実施の形態1の半導体装置の製造方法の配置工程を説明するための断面構成図である。又、図2bは、接合部8を拡大した構成図である。図2aに示すように、第一の半導体素子1が搭載された第一の金属基板2と、第二の半導体素子3が搭載された第二の金属基板4が封止金型5内に配置されている。また、この時第一の金属基板2の表側部分20と、第二の金属基板4の接合用部分40の先端の裏側部分41は、接合材料6を介して接触しており、封止金型5が型締めされた時に、押圧ピン7が裏側部分41をその上部から押すことによって、裏側部分41が接合材料6を介して第一の金属基板2の表側部分20を押圧している。尚、図2bに示すように、接合材料6が溶融した状態で第一の金属基板2の表側部分20と第二の金属基板4の裏側部分41に挟まれている。この接合材料6は、例えば第一の金属基板2と第二の金属基板4にそれぞれあらかじめ電解めっきによって形成されたSn-Bi合金膜を使用することが出来、封止金型5の中で溶融された状態となる。通常、封止金型5の設定温度は樹脂の成形性に合わせて170°Cから180°Cで使用されるのが一般的であるため、接合材料6であるSn-Bi合金膜は、融点がその温度域以下になるようSnが25atm~60atmの間で含有するように調整されている。またこの時は接合が完了していない状態であるため、封止金型5にあらかじめ設けられた押圧ピン7で接合部8が保持されている。尚、本発明の金属接合材料の一例は、本実施の形態の接合材料に対応する。次に、充填工程について説明する。図3aは、本実施の形態1の半導体装置の製造方法における充填工程を説明するための図である。又、図3bは、接合部8を拡大した構成図である。図3aに示すように、封止金型5内にモールド樹脂10が注入され、成型が行われる。この時、押圧ピン7は樹脂流動が完了する前に封止金型5内から引き戻される。この充填工程において、接合部8が注入されたモールド樹脂10で覆われ、そのモールド樹脂10で接合部8が保持された状態になった後に、押圧ピン7が引き戻されるように調整しておくと、接合部8が溶融している状態であってもずれが生じないので好ましい。そして、図3bに示すように、接合部8では、接合材料6のSn-Bi合金中のSnが、第一の金属基板2及び第二の金属基板4中のCuへ拡散し、反応し始め、金属間化合物100が形成される。この金属間化合物100は、封止金型5の設定温度である170°C~180°Cよりも融点が高いため、金属間化合物100の固相としてリードフレーム第一の金属基板2と第二の金属基板4とSn-Bi合金接合材料6の間に、金属間化合物層1111a、1111bとして層状に析出してくる。具体的には、第一の金属基板2の表側部分20と接合材料6の間から金属間化合物100が析出し、金属間化合物層1111aが形成され、第二の金属基板4の裏側部分41と接合材料6の間から金属間化合物100が析出し、金属間化合物層1111bが形成される。尚、この金属間化合物100は例えばCu6Sn5である。ここで、金属間化合物層1111a、1111bは、図1bで述べた金属間化合物層11a、11bが形成される途中の状態を示しているものであり、金属間化合物層11a、11bよりも幅が狭いものである。次に、仮硬化接合工程について説明する。図4aは本実施の形態1の半導体装置の製造方法における仮硬化接合工程を説明するための図である。又、図4bは、接合部8の拡大構成図である。図4aに示すように、この仮硬化接合工程では、封止金型5内へのモールド樹脂10の充填が完了し、注入圧がかけられた状態である。そして、押圧ピン7は完全に上がりきった状態であり、モールド樹脂10が仮硬化するのを待ってから成型が完了する。尚、仮硬化接合工程において、封止金型5の設定温度は、170°C~180°Cである。一方、図3bに示した状態から接合部8はさらに反応が進み、図4bに示すように、金属間化合物層1111a、1111bから層の厚みが増した金属間化合物層111a、111bが形成される。又、金属間化合物層111a、111bの間の層35では、Sn-Bi合金である接合材料6と金属単相121がマーブル模様を形成した状態で混在した状態となっている。この金属単相121は例えばBiである。この仮硬化接合工程において、モールド樹脂10の硬化時間はその組成に寄与するが、一般的に70secから120secの間で仮硬化接合が完了する。また接合部8では、この時金属単相121が固相として現れ、上下の金属間化合物層111a、111bと繋がることで第一の金属基板2と第二の金属基板4を接合することが出来る。尚、本発明の仮第1接合層の一例は、本実施の形態1の金属間化合物層111aに対応する。又、本発明の仮第2接合層の一例は、本実施の形態1の金属間化合物層111bに対応する。又、本発明の仮第3接合層の一例は、本実施の形態1の層35に対応する。次に、本硬化接合工程について説明する。図5は、実施の形態1における半導体装置の製造方法における本硬化接合工程を説明するための図である。図5に示すように、成型が完了した後、モールド樹脂10を本硬化するため熱処理が行われるとともに、接合部8においても本接合が行われる。上記仮硬化接合工程が終了した後、成型が完了した半導体装置が封止金型5から取り出され、オーブン30に入れられ、本硬化接合工程が行われる。この本硬化接合工程において、モールド樹脂10の本硬化は充填工程及び仮硬化接合工程と同一温度である170°C~180°Cの範囲で5時間以上行うことが望ましい。また接合部8は仮硬化接合工程からさらに反応が進み、金属間化合物層111a、111bの状態から、Sn-Bi合金層中のSnが全てリードフレーム第一の金属基板2と第二の金属基板4のCuと反応し金属間化合物層11a、11bの形成が完了する。またその間にはSnが全てCuと反応しているため、単一の金属で形成された単一金属層12が残ることになる。すなわち、図1bに示すように、接合部8はSn-Bi合金層が消失し、金属単相によって形成された単一金属層12が金属間化合物層11a、11bに挟まれた状態になる。尚、この本硬化接合工程では、半導体装置は一般的にバッチ処理される。又、本発明の本第1接合層の一例は、本実施の形態1の金属間化合物層11aに対応する。又、本発明の本第2接合層の一例は、本実施の形態1の金属間化合物層11bに対応する。又、本発明の本第3接合層の一例は、本実施の形態1の単一金属層12に対応する。その後は、モールド樹脂10から突出している第一の金属基板2及び第二の金属基板4を必要に応じてカット、外装めっき処理、フォーミングして半導体装置が完成する。尚、金属間化合物層11a、11bを形成する金属間化合物100と単一金属層12を形成する金属単相121は、それぞれCu6Sn5、Biである場合、融点が415°C、270°Cである。一般的に半導体装置は使用される際に、その他の電子部品とプリント基板へ実装されるが、その場合はんだ材料を用い、リフロー処理で一括実装されることが多い。接合部8の金属間化合物100と金属単相121は一般的なリフロー温度である260°Cよりも融点が高いため、半導体装置がリフロー処理されたとしても、接合部8が溶融しないといった利点も合わせ持つ。以上のように、本実施の形態1の半導体装置の製造方法によれば、金属接合材料を用いて、第一の金属基板2と第二の金属基板4を金属的に接続することが出来るため、電気的に安定し、且つ電気抵抗を低くすることが出来、電気的特性を向上させることが可能となる。又、金属間の拡散反応を用いたはんだ接合技術によって、耐熱性が要求されるパワーモジュールのような複数の部品が搭載される半導体装置で、内部のリードフレーム同士の接合部を高耐熱化し、さらに半導体装置のサイズを効果的に小型化することが出来る。又、従来の樹脂成分を含んだ接着剤を用いた場合、パワーモジュール等に対する使用に適さないとともに、接着剤を塗布し、硬化させるという工程を導入する必要があったが、本実施の形態では、樹脂の硬化とともに、接合部8の硬化も行うことが出来る。すなわち、接合部8の仮接合と本接合の二段階接合を従来工程のプロセスを利用して実施しているため、リードタイムを保持することが出来る。さらに金属の拡散現象によって融点を上昇させることで、リフロー温度に対する耐熱性を付与し、金属接合によって接合部の電気抵抗も低いという品質的な効果もある。又、従来のように、かしめ接合する場合、ヒートシンク101の厚みをリードフレーム103よりも2倍程度厚くしておかなければ、ヒートシンク101側の突起がリードフレーム103側の穴を通らない。このように放熱目的であるヒートシンク101が必要以上に厚くなるため、半導体素子から半導体装置外部までの距離が長くなり、半導体装置としての熱抵抗が上昇する。Si系パワー素子であれば一般的に半導体素子が125°C~150°Cを超えないように設計されており、熱抵抗が上昇すると半導体素子から発生する熱を十分に外部へ逃がすことが出来ず、自身からの発熱で半導体素子の特性を保つ事が出来なくなるという懸念があった。しかしながら、以上のように本発明の半導体装置の製造方法によれば、放熱板として機能するリードフレーム第一の金属基板2の厚みを不必要に増やすことなく、リードフレーム同士第一の金属基板2と第二の金属基板4を接合することが出来、熱抵抗の増加なく半導体装置の小型化が達成される。又、第二の金属基板4と、ヒートシンクとしての機能も有する第一の金属基板2との接合部8はリフローにおいても溶融しない耐熱性を有しているため、接合品質が良い。尚、本実施の形態1では、仮硬化接合工程が終了した後に、封止金型5から取り出して、オーブン30で本硬化接合工程を行っているが、封止金型5内で本硬化接合工程を行っても良い。但し、生産効率の観点からはオーブン30によるバッチ処理を行った方が望ましい。実施の形態2以下に、本発明にかかる実施の形態2における半導体装置について説明する。本実施の形態2の半導体装置は、実施の形態1と基本的な構造は同じであるが、放熱板が設けられている点等が異なっている。そのため、本相違点を中心に説明する。尚、実施の形態1と同様の構成については、同一の符号が付されている。図6は本発明の実施の形態2における半導体装置の概略構成図である。上記実施の形態1では、第一の金属基板2の裏面を半導体装置から露出させて放熱構造をとっており、第一の金属基板2にも電流が流れる構成となっている。しかしながら放熱板13を電気的に絶縁しておきたい場合には、本実施の形態2のような構成をとることによって実現出来る。つまり、第一の半導体素子1が搭載された第一の金属基板2が、絶縁シート14と接着しており、その絶縁シート14を介して放熱板13が配置され、放熱板13の裏面が露出した構造となっている。この絶縁シート14を適切な厚みにすることで、放熱板13を電気的に絶縁すると共に、放熱する構造をとることが可能となる。絶縁シート14は熱伝導率を高めるためフィラーとしてAl2O3酸化アルミニウムやBN窒化ホウ素を使用したものが好ましい。第一の金属基板2と第二の金属基板4を接続する方法は実施の形態1と同様である。以上のように、本実施の形態2の構成では、放熱板13は従来技術とは異なり、かしめて接合する必要がないので薄く出来る。また、従来技術のように、本実施の形態2において、放熱板13と第二の金属基板4の接合用部分40の先端を、かしめようとすると、かしめ部に絶縁シートが介在するため非常に困難となり、構造の面でも本発明は有効である。実施の形態3以下に、本発明にかかる実施の形態3における半導体装置について説明する。本実施の形態3の半導体装置は、実施の形態1と基本的な構成は同じであるが、金属クリップを介して第一の金属基板と第二の金属基板が接続されている点が異なっている。そのため、本相違点を中心に説明する。尚、実施の形態3と同様の構成については実施の形態1と同じ符号が付されている。図7aは、本発明の実施の形態3における半導体装置の概略構成図である。図7aに示すように、本実施の形態3の半導体装置には、実施の形態1で説明した第二の金属基板4の代わりに、第二の金属基板400が設けられている。この第二の金属基板400には、第二の金属基板4に設けられていた接合用部分40が設けられていない。そして、上記実施の形態1では第一の金属基板2と第二の金属基板4は直接接合されていたが、本実施の形態3においては金属クリップ15を用いて第一の金属基板2と第二の金属基板400が接合されている。この金属クリップ15は、例えばCu合金によって形成されており、その両端のうち一方の端の裏側部分151で、接合部33において第一の金属基板2と接合されており、他方の端の裏側部分152で接合部34において第二の金属基板400と接合されている。この接合部33及び接合部34における構造は、実施の形態1と同様である。図7bは、接合部33の拡大構成図である。例えば、接合部33では、図7bに示すように、第一の金属基板2の表側部分20側に金属間化合物層11aが形成されており、金属クリップ15の一端の裏側部分151側に金属間化合物層11bが形成されており、これら2つの金属間化合物層11a、11bの間に金属単相121による単一金属層12が形成されている。この金属間化合物層11a、11bを形成する金属化合物は、例えばCu6Sn5であり、単一金属層12を形成する金属単相121は、例えばBiである。また、本発明の接合対象金属部材及び金属部材の一例は、本実施の形態1の金属クリップ15に対応する。次に、本実施の形態3の半導体装置の製造方法について説明する。図8は、本実施の形態3の半導体装置の製造方法の配置工程を説明するための断面構成図である。図8に示すように、実施の形態1と異なり、第二の金属基板4の代わりに、下方に向かって形成されている接合用部分40が設けられていない第二の金属基板400が、第一の金属基板2の上方に配置されている。又、実施の形態2と同様に、第一のリードフレーム基板2の下面に絶縁シート14を介して放熱板13が設けられている。そして、金属クリップ15が、第一の金属基板2と第二の金属基板400の間を繋ぐように配置されている。図9は、金属クリップ15の構成図である。この図9に示すように、金属クリップ15の両端の裏側部分151、152に、電解めっきによって接合材料6としてSn-Bi合金膜が成膜されており、第一の金属基板2の表側部分20及び第二の金属基板400の表側部分410には、Sn―Bi合金膜は形成されていない。そして、金属クリップ15の両端が、それぞれ押圧ピン7によって、第一の金属基板2の表側部分20と、第二の金属基板400の表側部分410に押圧されている。図10は、本実施の形態3の半導体装置の製造方法における充填工程を説明するための断面構成図である。図10に示すように、封止金型50内にモールド樹脂10を注入し、2つの押圧ピン7は、樹脂流動が完了する前に封止金型50から引き戻される。ここで、それぞれ接合部33、34がモールド樹脂10で覆われ、そのモールド樹脂10で接合部33、34が保持されて状態で、押圧ピン7が引き戻されるように調整する方が、接合部33、34が溶融している状態であってもずれが発生しないのでより好ましい。以降の、仮硬化接合工程及び本硬化接合工程は、実施の形態1と同様であるため、説明を省略する。上述した実施の形態1及び実施の形態2では第一の金属基板2と第二の金属基板4にあらかじめSn-Bi合金膜を電解めっきによって成膜していたが、封止金型5内に配置する前工程であるダイボンディング工程、ワイヤーボンディング工程では熱を使用する場合が多いため、第一の金属基板2及び第二の金属基板4上のSn-Bi合金膜が溶融し、接合する前に拡散を起こし接合品質が若干低下する可能性がある。まず、ダイボンディング工程は、第一の金属基板2及び第二の金属基板4にそれぞれ第一の半導体素子1及び第二の半導体素子3を搭載する工程であり、材料としてはんだを使用する場合には250°C以上、導電性ペーストを使用する場合には150°C~200°C程度の熱履歴がかかる。さらにワイヤーボンディング工程は第一の半導体素子1及び第二の半導体素子3と、第一の金属基板2及び第二の金属基板4とを金属ワイヤー9にて電気的に接続する工程であり、一般的に熱と超音波を利用した接合工法であるため150°C~250°C程度の熱履歴がかかる。これらの工程は品種によって要するプロセス時間が異なるため印加される熱量も異なり、Sn-Bi合金膜に与える影響も一様ではない。そのような場合に、本実施の形態3は有効であり、金属クリップ15にのみSn-Bi合金膜を成膜しておくことで、ダイボンディング工程、ワイヤーボンディング工程の熱の影響を低減することが出来る。上述したように、第一の金属基板2と第二の金属基板4にはSn-Bi合金膜を成膜せず、ダイボンディング、ワイヤーボンディングを実施する。そして、第一の金属基板2と第二の金属基板4を封止金型5に配置した後、第一の金属基板2及び第二の金属基板4と接する部分に、金属クリップ15のSn-Bi合金膜が形成された部分を配置し、上記のように充填工程、仮硬化接合工程、及び本硬化接合工程が実施される。本実施の形態では、封止金型5内に配置してからSn-Bi合金膜が初めて溶融するため、前工程のプロセス条件に関わらず安定して第一の金属基板2と第二の金属基板4を接合することが可能となる。尚、実施の形態3では、金属クリップ15が設けられており、実施の形態1では、第二の金属基板4に下方に延びた接合用部分40が設けられているが、このような構成に限らず、図11に示すような構成の半導体装置であってもよい。図11に示す半導体装置では、下方に延びた接合用部分40が設けられていない第二の金属基板400の裏側部分420と第一の金属基板2の表側部分20が、2つの金属間化合物層11a、11bとその間の単一金属層12によって接合されている。この場合、本発明の第二の金属基板の一部の一例は、本実施の形態の第二の金属基板400の裏側部分420に対応する。以上のように、本発明の半導体装置の製造方法は、2枚の金属基板を立体的に配置したパワーモジュール等において、接合部における電気的接続が安定し、抵抗を下げることが出来る。更に、ヒートシンクの厚みを不必要に厚くすること無く、また工程を増やす事無く2枚の金属基板を接合することが出来、半導体装置の小型化に対して有効である。尚、上記実施の形態では、上下に配置された2枚の金属基板を接合していたが、2枚に限らなくても良く、3枚以上であっても良い。