"[A]下記式1で表される化合物、及び[B]酸解離性基を有する構造単位を含む重合体を含有する感放射線性樹脂組成物。式1中、R1及びR4は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基又は1価の有機基である。R2及びR3は、それぞれ独立して、水素原子又は1価の有機基である。X1及びX2は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、チオール基、スルホニル基又は1価の有機基である。但し、X1とX2とが結合して、-S-、-O-、-SO2-、炭素数1~10のアルカンジイル基又はこれらを組み合わせてなる基を形成していてもよい。Aは、エタンジイル基である。X1、X2及びAが有する水素原子の少なくとも1つは、-Y-SO3-Mで置換されている。Yは、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~10のアルカンジイル基である。Mは、1価のオニウムカチオンである。但し、-Y-SO3-Mが複数ある場合、複数のY及びMは、それぞれ同一でも異なっていてもよい。[A]化合物が下記式2で表される請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。式2中、R1~R4、Y及びMは、上記式1と同義である。Xは、-S-、-O-、-SO2-、炭素数1~10のアルカンジイル基又はこれらを組み合わせてなる基である。nは1~4の整数である。上記R1が-OR5、上記R4が-OR6であり、このR5及びR6がそれぞれ独立して炭素数1~10のアルキル基、炭素数3~10の脂環式基又は炭素数4~12のラクトン構造を有する基である請求項1又は請求項2に記載の感放射線性樹脂組成物。[B]重合体が、ラクトン構造又は環状カーボネート構造を有する構造単位、及び極性基を有する構造単位からなる群より選択される少なくとも1種の構造単位をさらに含む請求項1、請求項2又は請求項3に記載の感放射線性樹脂組成物。下記式1で表される化合物。式1中、R1及びR4は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基又は1価の有機基である。R2及びR3は、それぞれ独立して、水素原子又は1価の有機基である。X1及びX2は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、チオール基、スルホニル基又は1価の有機基である。但し、X1とX2とが結合して、-S-、-O-、-SO2-、炭素数1~10のアルカンジイル基又はこれらを組み合わせてなる基を形成していてもよい。Aは、エタンジイル基である。X1、X2及びAが有する水素原子の少なくとも1つは、-Y-SO3-Mで置換されている。Yは、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~10のアルカンジイル基である。Mは、1価のオニウムカチオンである。但し、-Y-SO3-Mが複数ある場合、複数のY及びMは、それぞれ同一でも異なっていてもよい。下記式2で表される請求項5に記載の化合物。式2中、R1~R4、Y及びMは、上記式1と同義である。Xは、-S-、-O-、-SO2-、炭素数1~10のアルカンジイル基又はこれらを組み合わせてなる基である。nは1~4の整数である。上記R1が-OR5、上記R4が-OR6であり、このR5及びR6がそれぞれ独立して炭素数1~10のアルキル基、炭素数3~10の脂環式基又は炭素数4~12のラクトン構造を有する基である請求項5又は請求項6に記載の化合物。請求項5に記載の化合物の合成に用いられる下記式3で表される化合物。式3中、R1’及びR4’は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基又は1価の有機基である。R2’及びR3’は、それぞれ独立して水素原子又は1価の有機基である。R11は、臭素原子、塩素原子又はヨウ素原子である。X1’及びX2’は、水素原子、水酸基、チオール基、スルホニル基又は1価の有機基である。但し、X1’とX2’とが結合して、-S-、-O-、-SO2-、炭素数1~10のアルカンジイル基又はこれらを組み合わせてなる基を形成していてもよい。Y’はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~10のアルカンジイル基である。n’は、1~4の整数である。但し、n’が2以上である場合、複数のY’及びR11は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。本発明は以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は感度、解像性といった基本特性だけではなく、MEEF性能をも十分に満足する感放射線性樹脂組成物、及びこの感放射線性組成物に好適な化合物を提供することを目的とする。上記課題を解決するためになされた発明は、[A]下記式1で表される化合物以下、[A]化合物ともいう、及び[B]酸解離性基を有する構造単位を含む重合体以下、[B]重合体ともいうを含有する感放射線性樹脂組成物である。式1中、R1及びR4は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基又は1価の有機基である。R2及びR3は、それぞれ独立して、水素原子又は1価の有機基である。X1及びX2は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、チオール基、スルホニル基又は1価の有機基である。但し、X1とX2とが結合して、-S-、-O-、-SO2-、炭素数1~10のアルカンジイル基又はこれらを組み合わせてなる基を形成していてもよい。Aは、エタンジイル基である。X1、X2及びAが有する水素原子の少なくとも1つは、-Y-SO3-Mで置換されている。Yは、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~10のアルカンジイル基である。Mは、1価のオニウムカチオンである。但し、-Y-SO3-Mが複数ある場合、複数のY及びMは、それぞれ同一でも異なっていてもよい。当該感放射線性樹脂組成物において、[A]化合物は、酸発生剤として好適に機能する。この[A]化合物は、極性基を複数有する上記特定構造を有することで、酸解離性基を有する[B]重合体との親和性が高まるため、上記酸の拡散が適度に制御される。その結果、当該感放射線性組成物は、感度、解像性等の基本特性だけではなくMEEF性能をも十分に満足することができる。[A]化合物は、下記式2で表される化合物であることが好ましい。当該感放射線性樹脂組成物は、[A]化合物が環状構造を含む下記特定構造を有することで、酸の拡散がより適度に制御され、MEEF性能がより向上する。式2中、R1~R4、Y及びMは、上記式1と同義である。Xは、-S-、-O-、-SO2-、炭素数1~10のアルカンジイル基又はこれらを組み合わせてなる基である。nは1~4の整数である。上記R1が-OR5、上記R4が-OR6であり、このR5及びR6がそれぞれ独立して炭素数1~10のアルキル基、炭素数3~10の脂環式基又は炭素数4~12のラクトン構造を有する基であることが好ましい。当該感放射線性樹脂組成物は、[A]化合物が上記ジエステル構造を有することで、極性がより高くなり、MEEF性能がさらに向上する。[B]重合体は、ラクトン構造又は環状カーボネート構造を有する構造単位、及び極性基を有する構造単位からなる群より選択される少なくとも1種の構造単位をさらに含むことが好ましい。当該感放射線性樹脂組成物は、[B]重合体が上記特定構造を有する構造単位をさらに含むことで、レジスト膜の基板への密着性等のレジストの基本特性を向上できる。また、当該感放射線性樹脂組成物は、[A]化合物と[B]重合体との親和性がより高まるため、結果としてMEEF性能を向上できる。本発明の化合物は、下記式1で表される。式1中、R1及びR4は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基又は1価の有機基である。R2及びR3は、それぞれ独立して、水素原子又は1価の有機基である。X1及びX2は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、チオール基、スルホニル基又は1価の有機基である。但し、X1とX2とが結合して、-S-、-O-、-SO2-、炭素数1~10のアルカンジイル基又はこれらを組み合わせてなる基を形成していてもよい。Aは、エタンジイル基である。X1、X2及びAが有する水素原子の少なくとも1つは、-Y-SO3-Mで置換されている。Yは、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~10のアルカンジイル基である。Mは、1価のオニウムカチオンである。但し、-Y-SO3-Mが複数ある場合、複数のY及びMは、それぞれ同一でも異なっていてもよい。当該化合物は、上記特定構造を含むことで、適度な極性を有し、酸解離性基を有する重合体との相溶性が高くなる。また、嵩高い構造であるため、当該感放射線性樹脂組成物の酸発生剤として用いた場合に酸の拡散が適度に制御され、解像性といった基本特性だけでなく、MEEF性能をも十分に満足することができる。このように本発明の化合物は、例えば当該感放射線性樹脂組成物における酸発生剤として好適に用いられる。さらに、[A]化合物は合成が比較的簡便であり生産性にも優れる。本発明の化合物は、下記式2で表されることが好ましい。式2中、R1~R4、Y及びMは、上記式1と同義である。Xは、-S-、-O-、-SO2-、炭素数1~10のアルカンジイル基又はこれらを組み合わせてなる基である。nは1~4の整数である。当該化合物が環状構造を含む上記特定構造を有することで、例えば当該感放射線性組成物の材料として使用した場合に、当該感放射線性組成物が有するMEEF性能をより向上することができる。上記R1が-OR5、上記R4が-OR6であり、このR5及びR6がそれぞれ独立して炭素数1~10のアルキル基、炭素数3~10の脂環式基又は炭素数4~12のラクトン構造を有する基であることが好ましい。当該化合物は、上記ジエステル構造を有することで極性が高くなるため、例えば、当該感放射線性樹脂組成物の材料として用いた場合に、MEEF性能をさらに向上することができる。本発明には、上記式1で表される化合物の合成に用いられる下記式3で表される化合物も含まれる。式3中、R1’及びR4’は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基又は1価の有機基である。R2’及びR3’は、それぞれ独立して水素原子又は1価の有機基である。R11は、臭素原子、塩素原子又はヨウ素原子である。X1’及びX2’は、水素原子、水酸基、チオール基、スルホニル基又は1価の有機基である。但し、X1’とX2’とが結合して、-S-、-O-、-SO2-、炭素数1~10のアルカンジイル基又はこれらを組み合わせてなる基を形成していてもよい。Y’はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~10のアルカンジイル基である。n’は、1~4の整数である。但し、n’が2以上である場合、複数のY’及びR11は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。上記式3で表される特定構造を有する化合物は、例えば当該感放射線性樹脂組成物における酸発生剤として好適に用いられる上記式1又は2で表される化合物の合成に用いることができる。なお、本明細書にいう感放射線性樹脂組成物の放射線とは、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等を含む概念である。また、有機基とは、少なくとも1つの炭素原子を含む基をいう。本発明によれば、感度、解像性といった基本特性だけではなく、MEEF性能をも十分に満足する感放射線性樹脂組成物、当該感放射線性樹脂組成物の材料として好適に用いることができる化合物、及びその合成中間体化合物を提供できる。<感放射線性樹脂組成物>本発明の感放射線性樹脂組成物は、[A]化合物及び[B]重合体を含有する。また、当該感放射線性樹脂組成物は、[A]化合物以外の酸発生剤、[C]フッ素原子を含有する重合体、[D]含窒素化合物、[E]溶媒をさらに含有することができる。また、本発明の効果を損なわない限り、その他の任意成分を含有してもよい。以下、各成分について詳述する。<[A]化合物>当該感放射線性樹脂組成物が含有する[A]化合物は上記式1で表され、露光により酸を発生する感放射線性酸発生剤として作用する。[A]化合物は上記特定構造を有することから、嵩高く、かつ極性が高いため、露光により発生する酸の拡散が適度に抑制される。その結果、[A]化合物を含有する当該感放射線性樹脂組成物は、MEEF性能に優れ、良好なレジストパターンを形成することができる。このような[A]化合物としては、上記式2で表されるものが好ましい。上記式1中、R1及びR4は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基又は1価の有機基である。R2及びR3は、それぞれ独立して、水素原子又は1価の有機基である。X1及びX2は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、チオール基、スルホニル基又は1価の有機基である。但し、X1とX2とが結合して、-S-、-O-、-SO2-、炭素数1~10のアルカンジイル基又はこれらを組み合わせてなる基を形成していてもよい。Aは、エタンジイル基である。X1、X2及びAが有する水素原子の少なくとも1つは、-Y-SO3-Mで置換されている。Yは、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~10のアルカンジイル基である。Mは、1価のオニウムカチオンである。但し、-Y-SO3-Mが複数ある場合、複数のY及びMは、それぞれ同一でも異なっていてもよい。式2中、R1~R4、Y及びMは、上記式1と同義である。Xは、-S-、-O-、-SO2-、炭素数1~10のアルカンジイル基又はこれらを組み合わせてなる基である。nは1~4の整数である。上記R1~R4が表す1価の有機基としては、例えば、炭化水素基、シアノ基、アルキルチオ基、アルケニル基、アルキルカルボニル基、アシル基、ヘテロ原子を含む炭化水素基等の有機基が挙げられる。上記ヘテロ原子としては、ハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原子等が挙げられる。上記R1及びR4が表す1価の有機基としては、-O-又は-NH-を含んでいてもよい炭素数1~20のアルキル基、炭素数3~20の脂環式炭化水素基、炭素数4~20のラクトン構造を有する基等が好ましい。なお、ここでAを含む含んでいてもよいB基とは、上記骨格鎖中にAを含む含んでいてもよいB基、及びB基が有する水素原子の一部又は全部がAで置換されてなるされていてもよい基の両方を意味する。上記炭素数1~20のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基等が挙げられる。上記炭素数3~20の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基等が挙げられる。上記R1及びR4が表す1価の有機基としては、-ZR5及び-ZR6で表される基がより好ましい。上記Zは-O-又は-NH-であり、R5及びR6は、炭素数1~10のアルキル基、炭素数3~10の脂環式炭化水素基又は炭素数4~12のラクトン構造を有する基である。上記Zとしては、-O-が好ましい。R5及びR6としては、炭素数1~5のアルキル基、炭素数3~10の脂環式炭化水素基及び炭素数6~10のラクトン構造を有する基が好ましく、メチル基、エチル基、シクロへキシル基、及びノルボルナンラクトン基がより好ましい。上記X1及びX2が表す1価の有機基としては、例えば、酸素原子又は硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1~10のアルキル基等が挙げられる。上記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、オクチル基等が挙げられる。上記X1とX2とが結合して形成する炭素数1~10のアルカンジイル基及び上記式2のXで表される炭素数1~10のアルカンジイル基としては、例えば、メタンジイル基、エタンジイル基、プロパンジイル基、ブタンジイル基、ヘキサンジイル基、オクタンジイル基等が挙げられる。上記X1とX2とが結合して形成する、これらを組み合わせてなる基としては、炭素数1~10のアルカンジイル基と、-S-、-O-及び-SO2-からなる群より選択される少なくとも1種の基とを組み合わせてなる基等が挙げられ、骨格鎖中に-S-、-O-、又は-SO2-を含む炭素数1~10のアルカンジイル基が好ましい。上記X1とX2とが結合して形成する基及び上記式2のXで表される基としては、-S-、-O-、-SO2-及び炭素数1~10のアルカンジイル基が好ましい。中でも炭素数1~10のアルカンジイル基がより好ましく、メタンジイル基及びエタンジイル基がさらに好ましい。上記X1、X2及びAが、置換基として少なくとも1つ有する-Y-SO3-Mにおいて、上記Yが表すフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~10のアルカンジイル基としては、上記X1とX2とが結合して形成してもよい炭素数1~10のアルカンジイル基として挙げた基と同様の基を挙げることができる。中でもフッ素原子で置換されていてもよいエタンジイル基が好ましく、パーフルオロエタンジイル基がさらに好ましい。上記Yが表す炭素数1~10のアルカンジイル基としては、フッ素原子で置換されているものが好ましく、特にSO3-に隣接する炭素原子にフッ素原子が結合しているものがより好ましい。-Y-SO3-Mの数上記式2におけるnは、1~4であることが好ましく、1~2がより好ましく、1がさらに好ましい。Mで表される1価のオニウムカチオンについては、後述する。上記式1で表される化合物の具体例としては、例えば、下記式1-1~1-43で表される化合物等が挙げられる。これらのうち、MEEF性能向上の観点から、上記式1-4、1-5、1-6、1-7、1-12及び1-13で表される化合物が好ましい。上記Mの1価のオニウムカチオンとしては、例えば、O、S、Se、N、P、As、Sb、Cl、Br、I等のオニウムカチオンが挙げられる。これらのなかでも、S及びIの各オニウムカチオンが好ましい。具体的なスルホニウムカチオンSのオニウムカチオンとしては、例えば、下記式4で表されるスルホニウムカチオン等が挙げられる。また、具体的なヨードニウムカチオンIのオニウムカチオンとしては、例えば、下記式5で表されるヨードニウムカチオン等が挙げられる。上記式4中、R7、R8及びR9は、それぞれ独立して、炭素数1~10のアルキル基、又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基である。上記アルキル基及び芳香族炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。但し、R7、R8及びR9のいずれか2つが互いに結合して、それぞれが結合する硫黄原子と共に環状構造を形成していてもよい。上記式5中、R10及びR11は、それぞれ独立して、炭素数1~10のアルキル基、又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基である。上記アルキル基及び芳香族炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。但し、R10及びR11が互いに結合して、それぞれが結合するヨウ素原子と共に環状構造を形成していてもよい。上記式4のR7~R9における炭素数1~10のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、i-ペンチル基、n-ヘキシル基、i-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、i-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、2-エチルヘキシル基等が挙げられる。また、上記アルキル基が有してもよい置換基としては、上記R2及びR3が表す1価の有機基として例示したものと同様の基を挙げることができる。上記R7~R9における炭素数6~18の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントリル基、1-フェナントリル基等が挙げられる。また、上記芳香族炭化水素基が有してもよい置換基としては、上記R2及びR3が表す1価の有機基として例示したものと同様の基を挙げることができる。上記式4で表されるオニウムカチオンのなかでも、下記式4-1又は4-2で表されるオニウムカチオンが好ましい。上記式4-1中、R12~R14は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~12のアルキル基、炭素数6~12の芳香族炭化水素基、-OSO2-R17、又は-SO2-R18である。但し、R12~R14のうちの2個以上が互いに結合して環を形成していてもよい。また、R12~R14が複数存在する場合、それぞれ同一でも異なっていてもよい。さらに、上記アルキル基及び芳香族炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。R17及びR18は、それぞれ独立して、炭素数1~12のアルキル基、炭素数5~25の脂環式炭化水素基、又は炭素数6~12の芳香族炭化水素基である。上記アルキル基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。q1~q3は、それぞれ独立して、0~5の整数である。上記式4-2中、R15は、水素原子、炭素数1~8のアルキル基、又は炭素数6~8の芳香族炭化水素基である。上記アルキル基及び芳香族炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。但し、R15が複数ある場合、それぞれのR15は同一でも異なっていてもよく、複数のR15が互いに結合して環を形成していてもよい。R16は、水素原子、炭素数1~7のアルキル基、又は炭素数6~7の芳香族炭化水素基である。上記アルキル基及び芳香族炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。但し、R16が複数ある場合、それぞれのR16は、同一でも異なっていてもよく、複数のR16が互いに結合して環を形成していてもよい。q4は、0~7の整数であり、q5は0~6の整数であり、q6は0~3の整数である。上記R12~R14で表される炭素数1~12のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、i-ペンチル基、n-ヘキシル基、i-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、i-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、2-エチルヘキシル基等が挙げられる。また、上記アルキル基が有してもよい置換基としては、上記R2及びR3が表す1価の有機基として例示したものと同様の基を挙げることができる。上記R12~R14で表される炭素数6~12の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。上記R17及びR18で表される炭素数1~12のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、i-ペンチル基、n-ヘキシル基、i-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、i-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、2-エチルヘキシル基等が挙げられる。上記R17及びR18で表される炭素数5~25の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、アダマンチル基、ノルボニル基等が挙げられる。上記R17及びR18で表される炭素数6~12の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。上記R15で表される炭素数1~8のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、i-ペンチル基、n-ヘキシル基、i-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、i-オクチル基、2-エチルヘキシル基等が挙げられる。上記R15で表される炭素数6~8の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基等が挙げられる。上記R16で表される炭素数1~7のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、i-ペンチル基、n-ヘキシル基、i-ヘキシル基、n-ヘプチル基等が挙げられる。上記R16で表される炭素数6~7の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基等が挙げられる。以上例示した上記式4-1及び4-2におけるアルキル基及び芳香族炭化水素基が有してもよい置換基としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、ヒドロキシル基、シアノ基、チオール基、芳香族炭化水素基、アルケニル基、ヘテロ原子例えば、ハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原子等を含むアルキル基、脂環式炭化水素基等の有機基等が挙げられる。さらに、上記アルキル基が有する置換基としては同一炭素上の2つの水素原子が1つの酸素原子で置換されたケト基を例示することができる。これらの置換基は、構造上可能な範囲内でいくつ存在していても良い。上記式4-1及び4-2で表されるスルホニウムカチオンのなかでも、下記式i-1~i-13で表されるものが好ましい。これらのうち、下記式i-1、i-6~i-13で表されるものがより好ましい。上記式5中のR10及びR11で表される炭素数1~10のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、i-ペンチル基、n-ヘキシル基、i-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、i-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、2-エチルヘキシル基等が挙げられる。上記R10及びR11で表される炭素数6~18の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントリル基、1-フェナントリル基等が挙げられる。上記式5におけるアルキル基及び芳香族炭化水素基が有してもよい置換基としては、上記式4-1及び4-2におけるアルキル基及び炭化水素基が有してもよい置換基として例示したものと同様のものを挙げることができる。上記式5で表されるオニウムカチオンのなかでも、下記式5-1で表されるオニウムカチオンが好ましい。上記式5-1中、R19及びR20は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~12のアルキル基、又は炭素数6~12の芳香族炭化水素基である。q7及びq8は、それぞれ独立して、0~5の整数である。R19及びR20が複数ある場合、複数のR19及びR20はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。また、R19及びR20のうちの2個以上が互いに結合して環を形成していてもよい。上記R19及びR20で表される炭素数1~12のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等が挙げられる。上記R19及びR20で表される炭素数6~12の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。上記式5-1で表されるヨードニウムカチオンのなかでも、下記式ii-1~ii-3で表されるものが好ましい。これらのうちii-1又はii-2で表されるものがより好ましい。[A]化合物においてMで表される1価のオニウムカチオンは、例えば、AdvancesinPolymerScience,Vol.62,p.1-481984に記載されている一般的な方法に準じて製造することができる。[A]化合物は、上記のアニオン及びカチオンの組合せで構成することができる。なお、[A]化合物は、単独で使用してもよいし、2種以上を混合して用いてもよい。当該感放射線性樹脂組成物は、[A]化合物以外の他の酸発生剤を併用してもよい。そのような他の酸発生剤としては、例えば、オニウム塩化合物[A]化合物を除く、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合物等が挙げられる。これらの他の酸発生剤は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。オニウム塩化合物としては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩等が挙げられる。ハロゲン含有化合物としては、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有複素環式化合物等が挙げられる。ジアゾケトン化合物としては、例えば、1,3-ジケト-2-ジアゾ化合物、ジアゾベンゾキノン化合物、ジアゾナフトキノン化合物等が挙げられる。スルホン化合物としては、例えば、β-ケトスルホン、β-スルホニルスルホン、これらの化合物のα-ジアゾ化合物等が挙げられる。スルホン酸化合物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、アルキルスルホン酸イミド、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート等が挙げられる。当該感放射線性樹脂組成物において、[A]化合物の使用割合としては、後述する[B]重合体100質量部に対して、1質量部~30質量部が好ましく、5質量部~20質量部がより好ましい。他の酸発生剤の使用割合としては、[A]化合物を含む全ての酸発生剤に対して、99質量以下が好ましく、75質量以下がより好ましい。[A]化合物及び他の酸発生剤の総使用量としては、レジストとしての感度及び現像性を確保する観点から、[B]重合体100質量部に対して、通常2質量部~35質量部であり、7質量部~25質量部が好ましい。総使用量が2質量部未満では、感度及び現像性が低下する傾向がある。一方、35質量部を超えると、放射線に対する透明性が低下して、良好なレジストパターンが得られ難くなる傾向がある。<[A]化合物の合成方法>[A]化合物は例えば下記に示す合成方法等により合成できる。上記式中、X1’、X2’、R1’、R2’、R3’、R4’、Y’及びR11は、上記式3と同義である。R5’、R6’は、1価の有機基である。Zは、-O-又は-NH-である。R11が塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子である場合には、上記反応式中のいずれかの段階、又は-5を合成した後に、スルフィン化反応に続く酸化反応を行い、-SO3―Mとすることが出来る。Mは、1価のオニウムカチオンである。また、必要に応じて、合成の途中で塩交換反応によりMの構造を他の構造へと変更してもよい。上記スルフィン化反応に用いられるスルフィン化剤としては、例えば、亜二チオン酸リチウム、亜二チオン酸ナトリウム、亜二チオン酸カリウム、亜二チオン酸アンモニウム、ヒドロキシメタンスルフィン酸リチウム、ヒドロキシメタンスルフィン酸ナトリウム、ヒドロキシメタンスルフィン酸カリウム、ヒドロキシメタンスルフィン酸アンモニウム、亜硫酸リチウム、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カリウム、亜硫酸アンモニウム、亜硫酸水素リチウム、亜硫酸水素ナトリウム、亜硫酸水素カリウム、亜硫酸水素アンモニウム等が挙げられる。これらのうち亜二チオン酸ナトリウム、亜二チオン酸カリウムが好ましく、亜二チオン酸ナトリウムがより好ましい。上記酸化反応に用いられる酸化剤としては、例えば、過酸化水素、メタクロロ過安息香酸、t-ブチルヒドロペルオキシド、ペルオキシ硫酸カリウム、過マンガン酸カリウム、過ホウ酸ナトリウム、メタヨウ素酸ナトリウム、クロム酸、二クロム酸ナトリウム、ハロゲン、ヨードベンゼンジクロリド、ヨードベンゼンジアセテート、酸化オスミウムVIII、酸化ルテニウムVIII、次亜塩素酸ナトリウム、亜塩素酸ナトリウム、酸素ガス、オゾンガス等が挙げられる。これらのうち、過酸化水素、メタクロロ過安息香酸、t-ブチルヒドロペルオキシドが好ましい。なお、酸化剤と共に、添加剤として遷移金属触媒を併用できる。遷移金属触媒としては、例えばタングステン酸二ナトリウム、塩化鉄III、塩化ルテニウムIII、酸化セレンIV等が挙げられる。これらのうち、タングステン酸二ナトリウムが好ましい。[化合物-3の合成方法]化合物-3は、例えば、化合物-1、化合物-2とのディースルアルダー反応により合成できる。この際、溶媒以下、α溶媒ともいうを用いてもよいし、用いなくても良い。反応を促進させるため、加熱や加圧、ルイス酸の添加を行っても良い。反応後、必要に応じて蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィ、液-液洗浄、固-液洗浄等で精製後、化合物-3を得ることが出来る。ここで得られる中間体化合物である化合物-3としては、上記式3で表される化合物が好ましい。上記式3中、R1’及びR4’は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基又は1価の有機基である。R2’及びR3’は、それぞれ独立して水素原子又は1価の有機基である。R11は、臭素原子、塩素原子又はヨウ素原子である。X1’及びX2’は、水素原子、水酸基、チオール基、スルホニル基又は1価の有機基である。但し、X1’とX2’とが結合して、-S-、-O-、-SO2-、炭素数1~10のアルカンジイル基又はこれらを組み合わせてなる基を形成していてもよい。Y’はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~10のアルカンジイル基である。n’は、1~4の整数である。但し、n’が2以上である場合、複数のY’及びR11は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。上記R1’及びR4’が表す1価の有機基としては、上記式1におけるR1及びR4が表す1価の有機基として挙げたものと同様の基を挙げることができ、好ましい基としても同様の基を挙げることができる。上記R2’及びR3’が表す1価の有機基としては、上記式1におけるR2及びR3が表す1価の有機基として挙げたものと同様の基を挙げることができる。上記X1及びX2が表す1価の有機基としては、上記式1におけるX1及びX2が表す1価の有機基として挙げたものと同様の基を挙げることができる。上記X1’とX2’とが結合して形成してもよい基としては、上記式1におけるX1とX2とが結合して形成してもよい基と同様の基を挙げることができ、好ましいものとしても同様の基を挙げることができる。上記Y’で表されるフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~10のアルカンジイル基における炭素数1~10のアルカンジイル基としては、上記式1におけるX1とX2とが結合して形成してもよい炭素数1~10のアルカンジイル基として挙げた基と同様の基を挙げることができる。また好ましいものとしても、同様の基を挙げることができる。n’としては、1~2が好ましく、1がより好ましい。上記式3で表される化合物としては、例えば、下記式3-1~3-12で表される化合物等が挙げられる。これらのうち、上記式3-1及び3-9~3-12で表される化合物が好ましい。α溶媒としては、例えば、ヘプタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラヒドロフラン、酢酸エチル、ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン、ジオキサン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、水等が挙げられる。なお、α溶媒としては、1種又は2種類以上を使用してもよい。[化合物-4-1及び化合物-4-2の合成方法]化合物-4-1及び化合物-4-2は、例えば、化合物-3のオレフィンの酸化開裂反応、又はオレフィンのジオール化に続くジオールの酸化開裂反応によって合成できる。R1’及びR2’が水素原子である場合は、化合物-4-1となり、1価の有機基である場合は、化合物-4-2となる。この際、α溶媒を用いてもよいし、用いなくてもよい。反応後、必要に応じて蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィ、液-液洗浄、固-液洗浄等で精製後、化合物-4-1及び化合物-4-2を得ることが出来る。オレフィンの酸化開裂反応を行う方法としては、例えば、四酸化ルテニウムを等量以上用いる方法、触媒量のルテニウム化合物と再酸化剤を用いる方法、オゾン酸化を用いる方法、過マンガン酸カリウム酸化を用いる方法等が挙げられる。上記ルテニウム化合物としては三塩化ルテニウムが好ましく、再酸化剤としては過ヨウ素酸ナトリウム、過ヨウ素酸、過酸化水素が好ましい。オレフィンのジオール化反応としては、例えば、過マンガン酸カリウム酸化を用いる方法、オスミウム酸化を用いる方法、エポキシドの加水分解を用いる方法などがある。ジオールの酸化開裂反応としては、例えば、過ヨウ素酸ナトリウム、過ヨウ素酸により酸化する方法や、過マンガン酸カリウム酸化を用いる方法、四酢酸鉛を用いる方法等がある。[化合物-5の合成方法]化合物-5は例えば、化合物-4-1のエステル化やアミド化により合成することが出来る。この際、α溶媒を用いてもよいし用いなくても良い。また、反応促進のため、塩基化合物以下、β塩基ともいうや酸性化合物以下、γ酸ともいうを添加してもよい。反応後必要に応じて蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィ、液-液洗浄、固-液洗浄等で精製後、化合物-5を得ることが出来る。β塩基としては、例えば、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ジイソプロピルアミン、ジシクロヘキシルアミン、1-メチルピペリジン、1-メチルピロリジン、キヌクリジン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン、ピリジン、4-ジメチルアミノピリジン、4-メチルピリジン、2,6-ジメチルピリジン、2,6-ジイソプロピルピリジン、2,6-ジ-t-ブチルピリジン、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化カルシウム、リチウムジイソプロピルアミド、n-ブチルリチウム、s-ブチルリチウム、t-ブチルリチウム、ナトリウム-t-ブトキシド、カリウム-t-ブトキシド等が挙げられる。なお、これらは2種以上を使用してもよい。γ酸としては、例えば、硫酸、塩酸、硝酸、亜硫酸、亜硝酸、過塩素酸、酢酸、シュウ酸、カンファースルホン酸、ベンゼンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸等が挙げられる。なお、これらは2種以上使用してもよい。上記エステル化反応としては、例えば、化合物-4-1とアルコール化合物を反応させ、化合物-4-1を酸ハロゲン化物とした後に、アルコール化合物と反応させる方法等が挙げられる。上記アミド化反応としては、例えば、化合物-4-1とアミン化合物を反応させ、化合物-4-1を酸ハロゲン化物とした後に、アミン化合物と反応させる方法等が挙げられる。<[B]重合体>当該感放射線性樹脂組成物が含有する[B]重合体は、b1酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する構造単位以下、b1構造単位ともいうを有する。即ち、[B]重合体は酸解離性基を有するアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性の樹脂であって、酸解離性基が解離した時にアルカリ可溶性となる。なお、本発明においてアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性であるとは、当該感放射線性樹脂組成物から形成されたレジスト被膜からレジストパターンを形成する際に採用されるアルカリ現像条件下で、レジスト被膜の代わりに[B]重合体のみを用いた被膜を現像した場合に、当該被膜の初期膜厚の50以上が現像後に残存する性質を有することを言う。また、[B]重合体は、さらにb2ラクトン構造又は環状カーボネート構造を有する構造単位及び/又はb3極性基を有する構造単位を含むことが好ましい。以下、各構造単位について詳述する。[b1構造単位]b1構造単位としては下記式6で示される構造単位が挙げられる。上記式6中、Rb1は、水素原子又はメチル基である。Rb2~Rb4は、それぞれ独立して、炭素数1~4のアルキル基又は炭素数4~20の脂環式炭化水素基である。但し、Rb3とRb4とは互いに結合して、それらが結合している炭素原子と共に、炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基を形成していてもよい。上記炭素数1~4のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等が挙げられる。上記炭素数4~20の脂環式炭化水素基、又はRb3とRb4が互いに結合して、それらが結合している炭素原子と共に形成する炭素数4~20の脂環式炭化水素基としては、例えば、アダマンタン骨格、ノルボルナン骨格等の有橋式骨格を有する多環の脂環式基;シクロペンタン、シクロヘキサン等のシクロアルカン骨格を有する単環の脂環式基が挙げられる。また、これらの基は、例えば炭素数1~10の飽和炭化水素基の1種以上で置換されていてもよい。b1構造単位としては、下記式で示される構造単位が好ましい。上記式中、Rb1は、上記式6と同義である。Rb5は、炭素数1~4のアルキル基である。mは、1~6の整数である。これらのうち、下記式6-1~6-20で示される構造単位がより好ましく、6-2、6-3、6-4、6-11、6-12、6-13で示される構造単位がさらに好ましい。上記式中、Rb1は、上記式6と同義である。[B]重合体における、b1構造単位の含有率としては、5モル~80モルが好ましく、10モル~80モルがより好ましく、20モル~70モルがさらに好ましい。構造単位b1の含有率が80モルを超えると、レジスト膜の密着性が低下し、パターン倒れやパターン剥れを起こすおそれがある。なお、[B]重合体はb1構造単位を1種、又は2種以上有してもよい。b1構造単位を与える単量体としては、例えば、メタアクリル酸-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエステル、メタアクリル酸-ビシクロ[2.2.2]オクタ-2-イルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[5.2.1.02,6]デカ-7-イルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[3.3.1.13,7]デカ-1-イルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[3.3.1.13,7]デカ-2-イルエステル等が挙げられる。[b2構造単位][B]重合体は、b2ラクトン構造又は環状カーボネート構造を有する構造単位をさらに含むことが好ましい。b2構造単位を含むことで、レジスト膜の基板への密着性を向上できる。b2構造単位としては、例えば下記式で示される構造単位等が挙げられる。上記式中、Rb6は、水素原子又はメチル基である。Rb7は、水素原子又はメチル基である。Rb8は、水素原子又はメトキシ基である。Zは、単結合又はメチレン基である。Bは、メチレン基又は酸素原子である。a及びbは、0又は1である。b2構造単位としては、下記式で示される構造単位が好ましい。上記式中、Rb6は、水素原子又はメチル基である。[B]重合体におけるb2構造単位の含有率としては、0モル~70モルが好ましく、10モル~60モルがより好ましい。このような含有率とすることによって、レジストとしての現像性及びLWRを向上させ、欠陥性及び低PEB温度依存性を改善することができる。一方、70モルを超えると、レジストとしての解像性やLWRが低下するおそれがある。b2構造単位を与える好ましい単量体としては、例えば国際公開2007/116664号パンフレットに記載の単量体が挙げられる。[b3構造単位][B]重合体は、下記式で示されるb3極性基を含む構造単位をさらに有することが好ましい。ここでいう極性基としては、水酸基、カルボキシル基、ケト基、スルホンアミド基、アミノ基、アミド基、シアノ基が挙げられる。b3構造単位としては、例えば下記式で示される構造単位等が挙げられる。上記式中、Rb9は、水素原子又はメチル基である。b3構造単位としては、下記式で示される構造単位が好ましい。上記式中、Rb9は、水素原子又はメチル基である。[B]重合体におけるb3構造単位の含有率としては、0モル~30モルが好ましく、5モル~20モルがより好ましい。なお、当該感放射線性樹脂組成物において、[B]重合体は1種又は2種以上用いてもよい。<[B]重合体の合成方法>[B]重合体は、ラジカル重合等の常法に従って合成できる。例えば、単量体及びラジカル開始剤を含有する溶液を、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法;単量体を含有する溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法;各々の単量体を含有する複数種の溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法等の方法で合成することが好ましい。なお、単量体溶液に対して、単量体溶液を滴下して反応させる場合、滴下される単量体溶液中の単量体量は、重合に用いられる単量体総量に対して30モル以上が好ましく、50モル以上がより好ましく、70モル以上がさらに好ましい。これらの方法における反応温度は開始剤種によって適宜決定すればよいが、通常30°C~180°Cであり、40°C~160°Cが好ましく、50°C~140°Cがより好ましい。滴下時間は、反応温度、開始剤の種類、反応させる単量体等の条件によって異なるが、通常、30分~8時間であり、45分~6時間が好ましく、1時間~5時間がより好ましい。また、滴下時間を含む全反応時間も、滴下時間と同様に条件により異なるが、通常、30分~8時間であり、45分~7時間が好ましく、1時間~6時間がより好ましい。上記重合に使用されるラジカル開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリルAIBN、2,2’-アゾビス4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス2-シクロプロピルプロピオニトリル、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル等が挙げられる。これらの開始剤は単独で又は2種以上を混合して使用できる。上記重合に使用される溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、4-メチル-2-ペンタノール等のアルコール類;アセトン、2-ブタノン、4-メチル-2-ペンタノン、2-ヘプタノン等のケトン類;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル類;n-ペンタン、n-ヘキサン、n-ヘプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン等のアルカン類;シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、デカリン、ノルボルナン等のシクロアルカン類;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素類;クロロブタン類、ブロモヘキサン類、ジクロロエタン類、ヘキサメチレンジブロミド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類;テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン類、ジエトキシエタン類等のエーテル類;等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。重合反応により得られた樹脂は、再沈殿法により回収することが好ましい。すなわち、重合反応終了後、重合液を再沈溶媒に投入することにより、目的の樹脂を粉体として回収する。再沈溶媒としては、アルコール類やアルカン類等を単独で又は2種以上を混合して使用することができる。再沈殿法の他に、分液操作やカラム操作、限外ろ過操作等により、単量体、オリゴマー等の低分子成分を除去して、樹脂を回収することもできる。[B]重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量Mwは、特に限定されないが、1,000以上500,000以下が好ましく、2,000以上400,000以下がより好ましく、3,000以上300,000以下がさらに好ましい。なお、[B]重合体のMwが1,000未満であると、レジストとしたときの耐熱性が低下する傾向がある。一方、[B]重合体のMwが500,000を超えると、レジストとしたときの現像性が低下する傾向がある。また、[B]重合体のGPCによるポリスチレン換算数平均分子量Mnに対するMwの比Mw/Mnは、通常、1以上5以下であり、1以上3以下が好ましく、1以上2以下がより好ましい。Mw/Mnをこのような範囲とすることで、フォトレジスト膜が解像性能に優れたものとなる。本明細書のMw及びMnは、GPCカラム東ソー社、G2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本を用い、流量1.0mL/分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度40°Cの分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするGPCにより測定した値をいう。<[C]重合体>当該感放射線性樹脂組成物は、好適成分として[C]フッ素原子を含有する重合体をさらに含有できる。当該感放射線性組成物が[C]重合体を含有することで、レジスト膜の疎水性が向上し液浸露光を行った場合においても物質溶出抑制に優れ、また、レジスト膜と液浸液との後退接触角を十分に高くでき、高速でスキャン露光した場合に水滴が残らない等の効果を奏する為、当該感放射線性組成物の液浸露光用としての有用性が高まる。[C]フッ素原子を含有する重合体の態様としては、例えば主鎖にフッ素化アルキル基が結合した構造;側鎖にフッ素化アルキル基が結合した構造;主鎖と側鎖とにフッ素化アルキル基が結合した構造が挙げられる。主鎖にフッ素化アルキル基が結合した構造を与える単量体としては、例えば、α-トリフルオロメチルアクリレート化合物、β-トリフルオロメチルアクリレート化合物、α,β-トリフルオロメチルアクリレート化合物、1種類以上のビニル部位の水素がトリフルオロメチル基等のフッ素化アルキル基で置換された化合物等が挙げられる。側鎖にフッ素化アルキル基が結合した構造を与える単量体としては、例えば、ノルボルネン等の脂環式オレフィン化合物の側鎖がフッ素化アルキル基やその誘導体であるもの、アクリル酸又はメタクリル酸の側鎖がフッ素化アルキル基やその誘導体のエステル化合物、1種類以上のオレフィンの側鎖二重結合を含まない部位がフッ素化アルキル基やその誘導体であるもの等が挙げられる。主鎖と側鎖とにフッ素化アルキル基が結合した構造を与える単量体としては、例えば、α-トリフルオロメチルアクリル酸、β-トリフルオロメチルアクリル酸、α,β-トリフルオロメチルアクリル酸等の側鎖がフッ素化アルキル基やその誘導体のエステル化合物、1種類以上のビニル部位の水素がトリフルオロメチル基等のフッ素化アルキル基で置換された化合物の側鎖をフッ素化アルキル基やその誘導体で置換したもの、1種類以上の脂環式オレフィン化合物の二重結合に結合している水素をトリフルオロメチル基等のフッ素化アルキル基で置換し、かつ側鎖がフッ素化アルキル基やその誘導体であるもの等が挙げられる。なお、脂環式オレフィン化合物とは、環の一部が二重結合である化合物を示す。[C]重合体は、下記式7で示されるc1構造単位及び/又は式8で示されるc2構造単位を含むことが好ましく、またc1構造単位及びc2構造単位以外の他の構造単位を含んでもよい。以下、各構造単位を詳述する。[c1構造単位]c1構造単位は下記式7で示される構造単位である。上記式7中、Rc1は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Rc2は、フッ素原子を有する炭素数1~6のアルキル基、又はフッ素原子を有する炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基である。但し、上記アルキル基及び脂環式炭化水素基は、水素原子の一部又は全部が置換されていてもよい。上記炭素数1~6のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロペンチルプロピル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロオクチルメチル基等が挙げられる。c1構造単位を与える単量体としては、例えば、トリフルオロメチルメタアクレート、2,2,2-トリフルオロエチルメタアクリレート、パーフルオロエチルメタアクリレート、パーフルオロn-プロピルメタアクリレート、パーフルオロi-プロピルメタアクリレート、パーフルオロn-ブチルメタアクリレート、パーフルオロi-ブチルメタアクリレート、パーフルオロt-ブチルメタアクリレート、パーフルオロシクロヘキシルメタアクリレート、2-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロピルメタアクリレート、1-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチルメタアクリレート、1-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロヘキシルメタアクリレート、パーフルオロシクロヘキシルメチルメタアクリレート、1-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルメタアクリレート、1-2,2,3,3,4,4,4-ヘプタフルオロペンタメタアクリレート、1-3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-ヘプタデカフルオロデシルメタアクリレート、1-5-トリフルオロメチル-3,3,4,4,5,6,6,6-オクタフルオロヘキシルメタアクリレート等が挙げられる。c1構造単位としては、例えば、下記式7-1及び7-2で示される構造単位等が挙げられる。式7-1及び7-2中、Rc1は上記式7と同義である。[C]重合体におけるc1構造単位の含有率としては、10モル~70モルが好ましく、20モル~60モルがより好ましい。なお、[C]重合体は、c1構造単位を1種又は2種以上を有してもよい。[c2構造単位]c2構造単位は、下記式8で示される構造単位である。式8中、Rc3は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Rc4は、k1価の連結基である。Xcは、フッ素原子を有する2価の連結基である。Rc5は、水素原子又は1価の有機基である。kは、1~3の整数である。但し、kが2又は3の場合、複数のX及びRc5はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。上記式8中、Rc4が示すk1価の連結基としては、例えば、炭素数1~30の鎖状炭化水素基、炭素数3~30の脂環式炭化水素基、炭素数6~30の芳香族炭化水素基、又はこれらの基と酸素原子、硫黄原子、エーテル基、エステル基、カルボニル基、イミノ基及びアミド基からなる群より選ばれる1種以上の基とを組み合わせた基等が挙げられる。また、上記k1価の連結基は置換基を有していてもよい。上記炭素数1~30の鎖状炭化水素基としては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、デカン、イコサン、トリアコンタン等の炭化水素基からk1個の水素原子を除いた基が挙げられる。上記炭素数3~30の脂環式炭化水素基としては、例えばシクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロデカン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン等の単環式飽和炭化水素;シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロデセン、シクロペンタジエン、シクロヘキサジエン、シクロオクタジエン、シクロデカジエン等の単環式不飽和炭化水素;ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、ビシクロ[2.2.2]オクタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン、アダマンタン等の多環式飽和炭化水素;ビシクロ[2.2.1]ヘプテン、ビシクロ[2.2.2]オクテン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デセン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デセン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデセン等の多環式炭化水素基からm1個の水素原子を除いた基が挙げられる。上記炭素数6~30の芳香族炭化水素基としては、例えばベンゼン、ナフタレン、フェナントレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ピレン、ピセン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、メシチレン、クメン等の芳香族炭化水素基からm1個の水素原子を除いた基が挙げられる。上記式8中、Xが示すフッ素原子を有する2価の連結基としては、フッ素原子を有する炭素数1~20の2価の直鎖状炭化水素基が挙げられる。Xcとしては、例えば下記式Xc-1~Xc-6で示される構造等が挙げられる。Xcとしては、上記式Xc-1及びXc-2で示される構造が好ましい。上記式5のR20が示す有機基としては、例えば、炭素数1~30の鎖状炭化水素基、炭素数3~30の脂環式炭化水素基、炭素数6~30の芳香族炭化水素基、又はこれらの基と酸素原子、硫黄原子、エーテル基、エステル基、カルボニル基、イミノ基及びアミド基からなる群より選ばれる1種以上の基とを組み合わせた基が挙げられる。上記c2構造単位としては、例えば、下記式8-1及び8-2で示される構造単位等が挙げられる。上記式8-1中、Rc4は、炭素数1~20の2価の炭化水素基である。Rc3、Xc及びRc5は、上記式8と同義である。式8-2中、Rc3、Xc、Rc5及びkは、上記式8と同義である。但し、kが2又は3の場合、複数のXc及びRc5はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。上記式8-1及び式8-2で示される構造単位としては、例えば下記式8-1-1、式8-1-2、式8-2-1で示される構造単位等が挙げられる。上記式8-1-1、8-1-2及び8-2-1中、Rc3は、上記式8と同義である。c2構造単位を与える単量体としては、例えば、メタアクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-3-プロピルエステル、メタアクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-4-ブチルエステル、メタアクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-5-ペンチルエステル、メタアクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-4-ペンチルエステル、メタアクリル酸2-{[5-1’,1’,1’-トリフルオロ-2’-トリフルオロメチル-2’-ヒドロキシプロピル]ビシクロ[2.2.1]ヘプチル}エステル等が挙げられる。[C]重合体におけるc2構造単位の含有率としては、20モル~80モルが好ましく、30モル~70モルがより好ましい。なお、[C]重合体は、c2構造単位を1種、又は2種以上を有してもよい。[他の構造単位][C]重合体は、さらに他の構造単位として、現像液への可溶性を高めるために、ラクトン構造又は環状カーボネート構造を有する構造単位、エッチング耐性を高めるために脂環式構造を含む構造単位等を1種以上有してもよい。かかるラクトン構造又は環状カーボネート構造を有する構造単位及び脂環式構造を含む構造単位としては、[B]重合体のb2ラクトン構造又は環状カーボネート構造を有する構造単位と同様の構造単位が挙げられる。[C]重合体における他の構造単位の含有率としては、通常90モル以下であり、10モル~80モルが好ましく、20モル~70モルがより好ましい。なお、[C]重合体は、他の構造単位を1種、又は2種以上を有してもよい。[C]重合体の配合量としては、[B]重合体100質量部に対して、0.1質量部~20質量部が好ましく、1質量部~10質量部がより好ましく、1質量部~7.5質量部がさらに好ましい。0.1質量部未満であると、[C]重合体を含有させる効果が十分ではない場合がある。一方、20質量部を超えると、レジスト表面の撥水性が高くなりすぎて現像不良が起こる場合がある。[C]重合体におけるフッ素原子の含有率としては、[B]重合体よりも大きいことが好ましい。[C]重合体におけるフッ素原子の含有率としては、[C]重合体全量を100質量として、通常5質量以上であり、好ましくは5質量~50質量であり、より好ましくは5質量~45質量である。なお、このフッ素原子含有率は13C-NMRにより測定することができる。[C]重合体におけるフッ素原子含有率が[B]重合体よりも大きいものであると、[C]重合体及び[B]重合体を含有する感放射線性樹脂組成物によって形成されたフォトレジスト膜表面の撥水性を高めることができ、液浸露光時に上層膜を別途形成する必要がなくなる。上記の効果を十分に発揮するためには、上記[B]重合体におけるフッ素原子の含有率と、上記[C]重合体におけるフッ素原子の含有率との差が1質量以上であることが好ましく、3質量以上であることがより好ましい。<[C]重合体の合成方法>[C]重合体は、例えば所定の各構造単位に対応する単量体を、ラジカル重合開始剤を使用し、適当な溶媒中で重合することにより製造できる。上記重合に使用されるラジカル重合開始剤及び溶媒としては、例えば[B]重合体の合成方法で挙げたものと同様の溶媒が挙げられる。上記重合における反応温度としては、通常40°C~150°C、50°C~120°Cが好ましい。反応時間としては、通常1時間~48時間、1時間~24時間が好ましい。[C]重合体のMwとしては、1,000~50,000が好ましく、1,000~40,000がより好ましく、1,000~30,000が特に好ましい。[C]重合体のMwが1,000未満の場合、十分な後退接触角を得ることができない。一方、Mwが50,000を超えると、レジストとした際の現像性が低下する傾向にある。[C]重合体のMwとGPC法によるポリスチレン換算数平均分子量Mnとの比Mw/Mnとしては、1~5が好ましく、1~4がより好ましい。<[D]含窒素化合物>[D]含窒素化合物は、露光により[A]化合物及び又は他の酸発生剤から生じる酸のレジスト被膜中における拡散現象を制御し、非露光領域における好ましくない化学反応を抑制する効果を奏し、レジストとしての解像度がより向上するとともに、得られる感放射線性樹脂組成物の貯蔵安定性が向上する。[D]含窒素化合物の当該感放射線性樹脂組成物における含有形態としては、遊離の化合物の形態でも、重合体の一部として組み込まれた形態でも、これらの両方の形態でもよい。[D]含窒素化合物としては、例えば下記式で表される化合物等が挙げられる。上記式中、Rd1~Rd5は、それぞれ独立して、水素原子、又は炭素数1~20の炭化水素基である。但し、これらの基は置換基を有していてもよい。また、Rd1とRd2とがそれぞれが結合する窒素原子と共に、及び/又はRd3とRd4とがそれぞれが結合する炭素原子と共に、互いに結合して、炭素数4~20の2価の飽和若しくは不飽和の炭化水素基又はその誘導体を形成してもよい。上記式で表される[D]含窒素化合物としては、例えば、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-オクチルアミン、N-t-アミロキシカルボニルジ-n-オクチルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-ノニルアミン、N-t-アミロキシカルボニルジ-n-ノニルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-デシルアミン、N-t-アミロキシカルボニルジ-n-デシルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、N-t-アミロキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N-t-アミロキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-2-アダマンチルアミン、N-t-アミロキシカルボニル-2-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-N-メチル-1-アダマンチルアミン、N-t-アミロキシカルボニル-N-メチル-1-アダマンチルアミン、S---1-t-ブトキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、S---1-t-アミロキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、R--1-t-ブトキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、R--1-t-アミロキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、N-t-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン、N-t-アミロキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン、N-t-ブトキシカルボニルピロリジン、N-t-アミロキシカルボニルピロリジン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニルピペラジン、N,N’-ジ-t-アミロキシカルボニルピペラジン、N,N-ジ-t-ブトキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N,N-ジ-t-アミロキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N-t-アミロキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N’-ジ-t-アミロキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラ-t-ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラ-t-アミロキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,7-ジアミノヘプタン、N,N’-ジ-t-アミロキシカルボニル-1,7-ジアミノヘプタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,8-ジアミノオクタン、N,N’-ジ-t-アミロキシカルボニル-1,8-ジアミノオクタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,9-ジアミノノナン、N,N’-ジ-t-アミロキシカルボニル-1,9-ジアミノノナン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,10-ジアミノデカン、N,N’-ジ-t-アミロキシカルボニル-1,10-ジアミノデカン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,12-ジアミノドデカン、N,N’-ジ-t-アミロキシカルボニル-1,12-ジアミノドデカン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N,N’-ジ-t-アミロキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N-t-ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N-t-アミロキシカルボニル-2-メチルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニル-2-フェニルベンズイミダゾール、N-t-アミロキシカルボニル-2-フェニルベンズイミダゾール等のN-t-アルキルアルコキシカルボニル基含有アミノ化合物等が挙げられる。また、窒素含有化合物としては、上記式で表される窒素含有化合物以外にも、例えば、3級アミン化合物、4級アンモニウムヒドロキシド化合物、光崩壊性塩基化合物、その他含窒素複素環化合物等が挙げられる。3級アミン化合物としては、例えばトリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリシクロヘキシルアミン等のトリシクロアルキルアミン類;アニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、2-メチルアニリン、3-メチルアニリン、4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、2,6-ジメチルアニリン、2,6-ジイソプロピルアニリン等の芳香族アミン類;トリエタノールアミン、N,N-ジヒドロキシエチルアニリン等のアルカノールアミン類;N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラキス2-ヒドロキシプロピルエチレンジアミン、1,3-ビス[1-4-アミノフェニル-1-メチルエチル]ベンゼンテトラメチレンジアミン、ビス2-ジメチルアミノエチルエーテル、ビス2-ジエチルアミノエチルエーテル等が挙げられる。4級アンモニウムヒドロキシド化合物としては、例えばテトラ-n-プロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。[D]含窒素化合物の使用量としては、[B]重合体100質量部に対して、10質量部以下が好ましく、8質量部以下がより好ましい。使用量が10質量部を超えると、レジストとしての感度が低下する傾向にある。[[E]溶媒]当該感放射線性樹脂組成物は、通常、[E]溶媒を含有する。[E]溶媒としては、例えば、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒及びその混合溶媒等が挙げられる。当該感放射線性樹脂組成物において、[E]溶媒は1種又は2種以上用いてもよい。アルコール系溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、n-プロパノール、iso-プロパノール、n-ブタノール、iso-ブタノール、sec-ブタノール、tert-ブタノール、n-ペンタノール、iso-ペンタノール、2-メチルブタノール、sec-ペンタノール、tert-ペンタノール、3-メトキシブタノール、n-ヘキサノール、2-メチルペンタノール、sec-ヘキサノール、2-エチルブタノール、sec-ヘプタノール、3-ヘプタノール、n-オクタノール、2-エチルヘキサノール、sec-オクタノール、n-ノニルアルコール、2,6-ジメチル-4-ヘプタノール、n-デカノール、sec-ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec-テトラデシルアルコール、sec-ヘプタデシルアルコール、フルフリルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5-トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等のモノアルコール系溶媒;エチレングリコール、1,2-プロピレングリコール、1,3-ブチレングリコール、2,4-ペンタンジオール、2-メチル-2,4-ペンタンジオール、2,5-ヘキサンジオール、2,4-ヘプタンジオール、2-エチル-1,3-ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等の多価アルコール系溶媒;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ-2-エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル等の多価アルコール部分エーテル系溶媒等が挙げられる。ケトン系溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル-iso-ブチルケトン、メチル-n-ペンチルケトン、エチル-n-ブチルケトン、メチル-n-ヘキシルケトン、ジ-iso-ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン、2,4-ペンタンジオン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコール、アセトフェノン等のケトン系溶媒が挙げられる。アミド系溶媒としては、例えばN,N’-ジメチルイミダゾリジノン、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルプロピオンアミド、N-メチルピロリドン等が挙げられる。エステル系溶媒としては、例えばジエチルカーボネート、プロピレンカーボネート、酢酸メチル、酢酸エチル、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、酢酸n-プロピル、酢酸iso-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸iso-ブチル、酢酸sec-ブチル、酢酸n-ペンチル、酢酸sec-ペンチル、酢酸3-メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2-エチルブチル、酢酸2-エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸n-ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸iso-アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ-n-ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-ブチル、乳酸n-アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル等が挙げられる。その他の溶媒としては、例えばn-ペンタン、iso-ペンタン、n-ヘキサン、iso-ヘキサン、n-ヘプタン、iso-ヘプタン、2,2,4-トリメチルペンタン、n-オクタン、iso-オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、n-プロピルベンゼン、iso-プロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、iso-ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ-iso-プロピルベンセン、n-アミルナフタレン等の芳香族炭化水素系溶媒;ジクロロメタン、クロロホルム、フロン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の含ハロゲン溶媒等が挙げられる。これらの溶媒のうち、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノンが好ましい。<その他の任意成分>当該感放射線性樹脂組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、[F]偏在化促進剤、脂環式骨格化合物、界面活性剤、増感剤等を含有できる。以下、これらのその他の任意成分について詳述する。これらのその他の任意成分は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。また、その他の任意成分の配合量は、その目的に応じて適宜決定することができる。[[F]偏在化促進剤]当該感放射線性樹脂組成物は、液浸露光法を使用しレジストパターンを形成する場合等に、[F]偏在化促進剤を配合することができる。[F]偏在化促進剤を配合することで、[C]重合体をさらに表層近傍に偏在化させることができる。[F]偏在化促進剤としては、例えばγ-ブチロラクトン、プロピレンカーボネート等が挙げられる。[脂環式骨格化合物]脂環式骨格化合物は、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接着性等をさらに改善する作用を示す成分である。[界面活性剤]界面活性剤は塗布性、ストリエーション、現像性等を改良する作用を示す成分である。[増感剤]増感剤は、放射線のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを[A]化合物に伝達しそれにより酸の生成量を増加する作用を示すものであり、当該感放射線性樹脂組成物のみかけの感度を向上させる効果を有する。<感放射線性組成物の調製>当該感放射線性樹脂組成物は、例えば上記[E]溶媒中で、上記[A]化合物、[B]重合体、必要に応じて加えられる[C]重合体、及びその他の任意成分を所定の割合で混合することにより調製できる。有機溶媒としては、上記の[E]溶媒として例示したものであって、[A]化合物、[B]重合体、[C]重合体、及びその他の任意成分を溶解又は分散可能であれば特に限定されない。当該感放射線性樹脂組成物は、通常、その使用に際して、全固形分濃度が1質量~50質量、好ましくは2質量~25質量となるように[E]溶媒に溶解した後、例えば孔径0.2μm程度のフィルターでろ過することによって、調製される。<パターン形成方法>本発明の感放射線性樹脂組成物を用いたパターン形成方法としては、例えば、当該感放射線性樹脂組成物を用い、基板上にレジスト膜を形成する工程以下、i工程ともいう、上記レジスト膜に露光する工程以下、ii工程ともいう、及び上記露光されたレジスト膜をアルカリ現像する工程以下、iii工程ともいうを含む方法等が挙げられる。以下、各工程を詳述する。[i工程]本工程では、感放射線性樹脂組成物又はこれを溶媒に溶解させて得られた組成物溶液を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の塗布手段によって、シリコンウエハー、二酸化シリコン、下層反射防止膜で被覆されたウエハー等の基板上に所定の膜厚となるように塗布し、次いでプレベークすることにより塗膜中の溶媒を揮発させ、レジスト膜を形成する。なお、上記下層反射防止膜は、例えば下層反射防止膜形成剤を用いて、上記基板表面に形成することができる。[ii工程]本工程では、工程iで形成されたレジスト膜に場合によっては、水等の液浸媒体を介して、放射線を照射し露光させる。なお、この際所定のパターンを有するマスクを通して放射線を照射する。放射線としては、目的とするパターンの線幅に応じて、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等から適宜選択して照射する。ArFエキシマレーザー波長193nm、KrFエキシマレーザー波長248nmに代表される遠紫外線が好ましく、ArFエキシマレーザーがより好ましい。次いで、露光されたフォトレジスト膜をポストエクスポージャーベークPEBすることで、レジスト膜の露光された部分において[A]化合物から発生した酸により重合体が脱保護される。PEBは、通常50°C~180°Cの範囲で適宜選択して実施される。[iii工程]本工程では、露光されたレジスト膜を、現像液で現像することにより、所定のフォトレジストパターンを形成する。現像後は、水で洗浄し、乾燥することが一般的である。現像液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8-ジアザビシクロ-[5.4.0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ-[4.3.0]-5-ノネン等のアルカリ性化合物の少なくとも1種を溶解したアルカリ水溶液が好ましい。また、液浸露光を行う場合は、ii工程の前に、液浸液とレジスト膜との直接の接触を保護するために、液浸液不溶性の液浸用保護膜をレジスト膜上に設けてもよい。液浸用保護膜としては、iii工程の前に溶媒により剥離する溶剤剥離型保護膜例えば、特開2006-227632号公報参照、ii工程の現像と同時に剥離する現像液剥離型保護膜例えば、WO2005-069076号公報、WO2006-035790号公報参照のいずれを用いてもよい。但し、スループットの観点からは、現像液剥離型液浸用保護膜を用いることが好ましい。本発明の感放射線性樹脂組成物を用いた上記レジストパターン形成方法によると、パターン形状に優れる微細パターンを形成することができるため、リソグラフィー技術を応用した微細加工に好適である。<化合物>本発明の化合物は、上記式1で表される。当該化合物としては、これらのうち、上記式2で表される化合物が好ましい。また、上記式1及び2中、R1が-OR5、R4が-OR6であり、このR5及びR6がそれぞれ独立して炭素数1~10のアルキル基、炭素数3~10の脂環式基又は炭素数4~12のラクトン構造を有する基である化合物が好ましい。当該化合物はレジスト膜形成用の感放射線性樹脂組成物等に含まれる酸発生剤として好適に使用することができる。当該化合物の詳細な説明については、当該感放射線性樹脂組成物に含有される[A]化合物の説明を適用できる。本発明は、上記式3で表される化合物も含む。当該化合物は、上記式1で表される化合物の合成に用いられる。当該化合物を用いた上記式1で表される化合物の合成方法としては、当該感放射線性樹脂組成物に含有される[A]化合物の説明の項で記載した方法と同様の方法を用いることができる。また、上記式3で表される化合物としては、[A]化合物の合成方法の説明の項において、合成中間体化合物-3として例示した化合物と同様の化合物を挙げることができる。以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。重合体のMw及びMnは、GPCカラム東ソー社、G2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本を用い、以下の条件により測定した。カラム温度:40°C溶出溶媒:テトラヒドロフラン和光純薬工業社流速:1.0mL/分試料濃度:1.0質量試料注入量:100μL検出器:示差屈折計標準物質:単分散ポリスチレン19F-NMR分析及び13C-NMR分析は、核磁気共鳴装置日本電子社、JNM-GX400を使用し測定した。<中間体化合物の合成>[実施例1]ジシクロペンタジエン108.5g及び1-ブロモ-1,1,2,2-テトラフルオロ-3-ブテン322.4gをオートクレーブに入れ、重合禁止剤として4-メトキシフェノール0.3gをトルエン5mLに溶解した溶液を加えて、170°Cで5時間攪拌した後、85°C、25mmHgにて減圧蒸留して精製することにより、下記式a-1で表される無色液状の1-ブロモ-1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボル-5―エン-2-イルエタン中間体化合物a-1326gを得た。19F-NMRCDCl3δppm:-62.56~-64.24m、-107.02d、-108.80d、-111.56d、-112.56d<[A]化合物の合成>[実施例2]化合物A-1の合成前駆体化合物a-2の合成温度計、コンデンサーを備えたガラスのフラスコに、実施例1で得た中間体化合物a-115.0g54.9ミリモル、水165g、アセトニトリル110g、酢酸エチル110g、三塩化ルテニウム228mg1.10ミリモルを投入し、氷浴で15分攪拌した。その後、過ヨウ素酸ナトリウム48.2g225ミリモルを、系内が20°Cを超えないように注意しながら投入し、30分攪拌を続けた。その後、さらに室温で2時間反応を行い、TLCで原料消失を確認し、反応終了とした。反応終了後、析出した塩をろ過で取り除き、ろ液を150mLの酢酸エチルで2回抽出後、有機層を0.5Mの塩酸100mLで6回、100mLの飽和食塩水で1回洗浄を行い、溶媒を留去することで下記式a-2で表される4-2-ブロモ-1,1,2,2-テトラフルオロエチルシクロペンタン-1,3-ジカルボン酸前駆体化合物a-217.9gを得た収率97。19F-NMRCDCl3δppm:-63.18、-63.57、-106.67、-109.71、-114.41、-116.39前駆体化合物a-3の合成ガラスのフラスコに、4-2-ブロモ-1,1,2,2-テトラフルオロエチルシクロペンタン-1,3-ジカルボン酸3.00g8.90ミリモル、メタノール50g、p-トルエンスルホン酸0.300gを投入し、ディーンスターク装置を用いて10時間還流させた。その後、溶媒を留去し、酢酸エチル100mLを加え、有機層を炭酸水素ナトリウム水溶液50mLで3回、飽和食塩水50mLで1回洗浄した。洗浄した後、有機層の溶媒を留去し、カラムクロマトグラフィーにより精製を行い、下記式a-3で表されるジメチル4-2-ブロモ-1,1,2,2-テトラフルオロエチルシクロペンタン-1,3-ジカルボキシレート前駆体化合物a-32.05gを得た収率63。19F-NMRCDCl3δppm:-63.41~-63.58m、-107.23d、-110.04d、-115.33d、-116.41d前駆体化合物a-4の合成温度計、コンデンサーを備えたガラスのフラスコに、ジメチル4-2-ブロモ-1,1,2,2-テトラフルオロエチルシクロペンタン-1,3-ジカルボキシレート2.00g5.49ミリモル、炭酸水素ナトリウム0.920g11.0ミリモル、亜ジチオン酸ナトリウム1.62g9.30ミリモル、アセトニトリル15mL、水15mLを投入し、50°Cで8時間攪拌した。19F-NMRにて原料消失を確認し、反応終了とした。その後、アセトニトリルを減圧留去し、これ以上の精製をせずに下記式a-4で表される2-2,4-ビスメトキシカルボニルシクロペンチル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルフィン酸ナトリウム前駆体化合物a-4粗生成物の水溶液を得て、次の反応に用いた。前駆体化合物a-5の合成温度計、コンデンサーを備えたガラスのフラスコに、上記で得られた2-2,4-ビスメトキシカルボニルシクロペンチル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルフィン酸ナトリウム粗生成物の水溶液、タングステン酸IVナトリウム2水和物を触媒量を投入し、35質量過酸化水素水3.00gを滴下した。室温にて5時間攪拌後、19F-NMRにて原料消失を確認し反応終了とした。反応終了後、さらに水を20mL加え、水層を30mLのジクロロメタンで5回洗浄し、下記式a-5で表される2-2,4-ビスメトキシカルボニルシクロペンチル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホン酸ナトリウム水溶液前駆体化合物a-5を得て、次の反応に用いた。温度計、コンデンサーを備えたガラスのフラスコに、上記で得られた2-2,4-ビスメトキシカルボニルシクロペンチル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホン酸ナトリウム水溶液および、トリフェニルスルホニウムクロライド1.31g4.38ミリモルを投入し、室温で6時間攪拌した。その後、反応液を30mLのジクロロメタンで3回抽出し、得られた有機層を100mLの水で6回洗浄した。ジクロロメタンを減圧留去することで、下記式A-1で表されるトリフェニルスルホニウム2-2,4-ビスメトキシカルボニルシクロペンチル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート化合物A-1を1.51g得た。19F-NMRCDCl3δppm:-108.98、-109.16、-109.72、-109.85、-112.80、-113.49、-114.03、-114.70、-115.21、-115.90、-117.37、-117.85、-118.07、-118.47、-120.46、-120.78[実施例3]化合物A-2の合成ガラスのフラスコに、4-2-ブロモ-1,1,2,2-テトラフルオロエチルシクロペンタン-1,3-ジカルボン酸3.00g8.90ミリモル、イソプロパノール25g、シクロヘキサン25g、p-トルエンスルホン酸0.300gを投入し、ディーンスターク装置を用いて10時間還流させた。その後、溶媒を留去し、酢酸エチル100mLを加え、有機層を炭酸水素ナトリウム水溶液50mLで3回、飽和食塩水50mLで1回洗浄した。洗浄した後、有機層の溶媒を留去し、カラムクロマトグラフィーにより精製を行い、下記式a-6で表されるジイソプロピル4-2-ブロモ-1,1,2,2-テトラフルオロエチルシクロペンタン-1,3-ジカルボキシレート前駆体化合物a-61.54gを得た収率41。ジメチル4-2-ブロモ-1,1,2,2-テトラフルオロエチルシクロペンタン-1,3-ジカルボキシレートの代わりに、ジイソプロピル4-2-ブロモ-1,1,2,2-テトラフルオロエチルシクロペンタン-1,3-ジカルボキシレートを用いたこと以外は、A-1の合成方法と同様の手順を用いて、下記式A-2で表されるトリフェニルスルホニウム2-2,4-ビスイソプロポキシカルボニルシクロペンチル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート化合物A-2を得た。[実施例4]化合物A-3の合成前駆体化合物a-7の合成ガラスのフラスコに、4-2-ブロモ-1,1,2,2-テトラフルオロエチルシクロペンタン-1,3-ジカルボン酸3.00g8.90ミリモル、4-オキサ-5-オキソトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン-2-オール13.7g89.0ミリモル、トルエン50g、p-トルエンスルホン酸0.300gを投入し、ディーンスターク装置を用いて26時間還流させた。その後、溶媒を留去し、ジクロロメタン100mLを加え、有機層を炭酸水素ナトリウム水溶液50mLで3回、水50mLで5回、飽和食塩水50mLで1回洗浄した。洗浄した後、有機層の溶媒を留去し、カラムクロマトグラフィーにより精製を行い、下記式a-7で表されるビス4-オキサ-5-オキソトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン-2-イル4-2-ブロモ-1,1,2,2-テトラフルオロエチルシクロペンタン-1,3-ジカルボキシレート前駆体化合物a-72.33gを得た収率43。ジメチル4-2-ブロモ-1,1,2,2-テトラフルオロエチルシクロペンタン-1,3-ジカルボキシレートの代わりに、ビス4-オキサ-5-オキソトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン-2-イル4-2-ブロモ-1,1,2,2-テトラフルオロエチルシクロペンタン-1,3-ジカルボキシレートを用いたこと以外は、A-1の合成方法と同様の手順を用いて、下記式A-3で表されるトリフェニルスルホニウム2-2,4-ビス4-オキサ-5-オキソトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン-2-イロキシシクロペンチル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート化合物A-3を得た。19F-NMRCDCl3δppm:-108.01~-109.89m、-113.15~-114.31m、-116.51~-118.23m、-120.72~-122.80m[実施例5]化合物A-4の合成前駆体化合物a-8の合成ガラスのフラスコに、4-2-ブロモ-1,1,2,2-テトラフルオロエチルシクロペンタン-1,3-ジカルボン酸3.00g8.90ミリモル、シクロヘキシルアミン8.83g89.0ミリモル、トルエン50gを投入し、ディーンスターク装置を用いて10時間還流させた。その後、溶媒を留去し、ジクロロメタン100mLを加え、有機層を1M塩酸水50mLで4回、炭酸水素ナトリウム水溶液50mLで3回、飽和食塩水50mLで1回洗浄した。洗浄した後、有機層の溶媒を留去し、カラムクロマトグラフィーにより精製を行い、下記式a-8で表される4-2-ブロモ-1,1,2,2-テトラフルオロエチル-N1、N3-ジシクロヘキシルシクロペンタン-1,3-ジカルボキサミド前駆体化合物a-83.38gを得た収率76。ジメチル4-2-ブロモ-1,1,2,2-テトラフルオロエチルシクロペンタン-1,3-ジカルボキシレートの代わりに、4-2-ブロモ-1,1,2,2-テトラフルオロエチル-N1、N3-ジシクロヘキシルシクロペンタン-1,3-ジカルボキサミドを用いたこと以外は、A-1の合成方法と同様の手順を用いて、下記式A-4で表されるトリフェニルスルホニウム2-2,4-ビスシクロヘキシルカルバモイルシクロペンチル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート化合物A-4を得た。実施例及び比較例で使用した他の酸発生剤としてのA’-1及びA’-2は下記式で示される。A’-1:下記式A’-1で示される化合物。A’-2:下記式A’-2で示される化合物。<[B]重合体の合成>[B]重合体、後述する[C]重合体及び上層膜用重合体の合成に使用した単量体を下記に示す。[合成例1]化合物M-121.54g50モル、化合物M-928.46g50モルを、2-ブタノン100gに溶解し、さらにアゾビスイソブチロニトリル2.13gを投入した単量体溶液を準備した。50gの2-ブタノンを投入した500mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、反応器を攪拌しながら80°Cに加熱し、上述のように準備した単量体溶液を、滴下漏斗を用いて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合溶液を水冷することにより30°C以下に冷却し、1,000gのメタノールへ投入して析出した白色粉末をろ別した。ろ別した白色粉末を200gのメタノールに分散させてスラリー状にして洗浄した後、ろ別する操作を2回行った。50°Cにて17時間乾燥して白色粉末の重合体B-1を得た収量31g、収率62。この重合体は、Mwが6,100であり、Mw/Mnが1.4であり、フッ素原子含有率は0.0であった。13C-NMR分析の結果、M-1及びM-9の含有率はそれぞれ48モル、52モルであった。[合成例2]化合物M-114.20g35モル、化合物M-926.81g50モルを、2-ブタノン100gに溶解し、更にアゾビスイソブチロニトリル1.98gを投入した単量体溶液を準備した。50gの2-ブタノン及び化合物M-58.99g15モルを投入した500mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、反応器を攪拌しながら80°Cに加熱し、上述のように準備した単量体溶液を、滴下漏斗を用いて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合溶液を水冷することにより30°C以下に冷却し、1,000gのメタノールへ投入して析出した白色粉末をろ別した。ろ別した白色粉末を200gのメタノールに分散させてスラリー状にして洗浄した後、ろ別する操作を2回行った。50°Cにて17時間乾燥して白色粉末の重合体B-2を得た収量35g、収率70。この重合体は、Mwが6,300であり、Mw/Mnが1.4であり、フッ素原子含有率は0.0であった。13C-NMR分析の結果、M-1、M-5および、M-9に由来する構造単位の含有率はそれぞれ34モル、14モル、52モルであった。[合成例3]化合物M-319.18g40モル、化合物M-83.18g10モル、化合物M-924.43g45モルを、2-ブタノン100gに溶解し、更にアゾビスイソブチロニトリル2.00gを投入した単量体溶液を準備した。50gの2-ブタノン及び化合物M-63.21g5モルを投入した500mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、反応器を攪拌しながら80°Cに加熱し、上述のように準備した単量体溶液を、滴下漏斗を用いて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合溶液を水冷することにより30°C以下に冷却し、1,000gのメタノールへ投入して析出した白色粉末をろ別した。ろ別した白色粉末を200gのメタノールに分散させてスラリー状にして洗浄した後、ろ別する操作を2回行った。50°Cにて17時間乾燥して白色粉末の重合体B-3を得た収量37g、収率74。この重合体は、Mwが6,100であり、Mw/Mnが1.3であり、フッ素原子含有率は0.0であった。13C-NMR分析の結果、M-3、M-6、M-8および、M-9に由来する構造単位の含有率はそれぞれ39モル、5モル、10モル、46モルであった。<[C]重合体の合成>[合成例4]重合体C-1の合成化合物M-221.50g70モル、化合物M-138.50g30モルを、2-ブタノン60gに溶解し、更にアゾビスイソブチロニトリル1.38gを投入した単量体溶液を準備した。30gの2-ブタノンを投入した300mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、反応器を攪拌しながら80°Cに加熱し、上述のように準備した単量体溶液を、滴下漏斗を用いて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合溶液を水冷することにより30°C以下に冷却し、600gのメタノール:水=8:2の溶液へ投入して樹脂を沈殿させた。上澄みの溶液を除いた後、沈殿した樹脂にメタノール120gを加え、樹脂を洗浄した。上澄み液を除いた後に、50°Cにて17時間乾燥して、上記化合物M-2、及びM-13の重合体C-1を得た収量18g、収率60。この重合体は、Mwが5,800であり、Mw/Mnが1.4、フッ素原子含有率が9.6質量であった。[合成例5]重合体C-2の合成化合物M-711.22g40モル、化合物M-1118.78g60モルを、2-ブタノン60gに溶解し、更にアゾビスイソブチロニトリル1.03gを投入した単量体溶液を準備した。30gの2-ブタノンを投入した300mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、反応器を攪拌しながら80°Cに加熱し、上述のように準備した単量体溶液を、滴下漏斗を用いて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合溶液を水冷することにより30°C以下に冷却し、600gのメタノール:水=8:2の溶液へ投入して樹脂を沈殿させた。上澄みの溶液を除いた後、沈殿した樹脂にメタノール120gを加え、樹脂を洗浄した。上澄み液を除いた後に、50°Cにて17時間乾燥して、上記化合物M-7、及びM-11の重合体C-2を得た収量19g、収率62。この重合体は、Mwが5,700であり、Mw/Mnが1.4、フッ素原子含有率が9.5質量であった。[合成例6]重合体C-3の合成化合物M-412.24g40モル、化合物M-1217.76g60モルを、2-ブタノン60gに溶解し、更にアゾビスイソブチロニトリル1.03gを投入した単量体溶液を準備した。30gの2-ブタノンを投入した300mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、反応器を攪拌しながら80°Cに加熱し、上述のように準備した単量体溶液を、滴下漏斗を用いて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合溶液を水冷することにより30°C以下に冷却し、600gのメタノール:水=8:2の溶液へ投入して樹脂を沈殿させた。上澄みの溶液を除いた後、沈殿した樹脂にメタノール120gを加え、樹脂を洗浄した。上澄み液を除いた後に、50°Cにて17時間乾燥して、上記化合物M-4、及びM-12の重合体C-3を得た収量20g、収率67。この重合体は、Mwが5,900であり、Mw/Mnが1.4、フッ素原子含有率が9.5質量であった。<上層膜用組成物の調製>[合成例7]上層膜用重合体1の調製化合物M-1022.26gと2,2-アゾビス2-メチルイソプロピオン酸メチル4.64gをメチルエチルケトン25gに予め溶解させた単量体溶液i、及び化合物M-1427.74gをメチルエチルケトン25gに予め溶解させた単量体溶液iiをそれぞれ準備した。一方、温度計及び滴下漏斗を備えた500mLの三口フラスコにメチルエチルケトン100gを投入し、30分間窒素パージした。窒素パージ後、フラスコ内をマグネティックスターラーで撹拌しながら80°Cになるように加熱した。滴下漏斗を使用し、予め準備しておいた単量体溶液iを20分かけて滴下し、20分間熟成させた後、続いて単量体溶液iiを20分かけて滴下した。その後、更に1時間反応を行い、30°C以下に冷却して共重合液を得た。得られた共重合液を150gに濃縮した後、分液漏斗に移した。この分液漏斗にメタノール50g、及びn-ヘキサン400gを投入し、分離精製を実施した。分離後、下層液を回収した。回収した下層液を4-メチル-2-ペンタノールに置換して樹脂溶液とした。得られた樹脂溶液に含有されている重合体の、Mwは5730であり、Mw/Mnは1.23であり、収率は26質量であった。また、化合物M-10及び化合物M-14に由来する構造単位の含有率モルはそれぞれ、50.3:49.7であり、フッ素原子含有率が43.6質量であった。この重合体を上層膜用重合体1とする。[合成例8]上層膜用重合体2の調製化合物M-1446.95g85モルと、2,2’-アゾビス-2-メチルプロピオン酸メチル6.91gをイソプロピルアルコール100gに溶解した単量体溶液を準備した。一方、温度計及び滴下漏斗を備えた500mLの三つ口フラスコにイソプロピルアルコール50gを投入し、30分間窒素パージした。窒素パージの後、フラスコ内をマグネティックスターラーで攪拌しながら80°Cになるように加熱した。滴下漏斗を用い、予め準備しておいた単量体溶液を2時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに1時間反応を行い、化合物M-153.05g15モルのイソプロピルアルコール溶液10gを30分かけて滴下し、その後、更に1時間反応を行った。30°C以下に冷却して、重合反応溶液を得た。得られた重合反応溶液を150gに濃縮した後、分液漏斗に移した。この分液漏斗にメタノール50gとn-ヘキサン600gを投入し、分離精製を実施した。分離後、下層液を回収した。この下層液をイソプロピルアルコールで希釈して100gとし、再度、分液漏斗に移した。メタノール50gとn-ヘキサン600gを分液漏斗に投入して、分離精製を実施し、分離後、下層液を回収した。回収した下層液を4-メチル-2-ペンタノールに置換し、全量を250gに調整した。調整後、水250gを加えて分離精製を実施し、分離後、上層液を回収した。回収した上層液は、4-メチル-2-ペンタノールに置換して樹脂溶液とした。得られた樹脂溶液に含有されている重合体の、Mwは9,760であり、Mw/Mnは1.51であり、収率は65質量であった。また、化合物M-14及び化合物M-15に由来する構造単位の含有率モルはそれぞれ、95:5であり、フッ素原子含有率が36.8質量であった。この重合体を上層膜用重合体2とする。上層膜形成組成物Gの調製合成例7で調製した上層膜用重合体17質量部、合成例8で調製した上層膜用重合体293部、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート10質量部、4-メチル-2-ヘキサノール以下、MIBCともいう10質量部、及びジイソアミルエーテル以下、DIAEともいう90質量部を混合することで上層膜形成組成物Gを調製した。<感放射線性樹脂組成物の調製>[実施例6][B]重合体としてのB-1を100質量部、[A]化合物としてのA-1を8.1質量部、[D]含窒素化合物としてのD-1を0.9質量部、[F]偏在化促進剤としてのγ-ブチロラクトンF-1を30質量部加え、さらに[E]溶媒として酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテルE-11,250質量部及びシクロヘキサノンE-2520質量部を混合し、フィルターを通してろ過し、感放射線性樹脂組成物を調製した。[実施例7~23及び比較例1~13]表1及び表2に示す種類、量の各成分を使用した以外は実施例6と同様に操作して、感放射線性樹脂組成物を調製した。なお、表1中の-は、該当する成分を使用しなかったことを示す。実施例及び比較例で用いた各成分の詳細を示す。<[D]含窒素化合物>D-1:4-ヒドロキシ-N-t-アミロキシカルボニルピペリジンD-2:2,6-ジイソプロピルアニリンD-3:2-フェニルベンゾイミダゾールD-4:トリフェニルスルホニウムサリチレートD-5:トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート<パターン形成方法>[パターン形成方法P-1]8インチのシリコンウエハー表面に、下層反射防止膜形成剤商品名ARC29A、日産化学社製を用いて、膜厚77nmの下層反射防止膜を形成した。この基板の表面に、感放射線性樹脂組成物をスピンコートにより塗布し、ホットプレート上にて、120°Cで60秒間SBSoftBakeを行い、膜厚120nmのフォトレジスト膜を形成した。このフォトレジスト膜を、フルフィールド縮小投影露光装置フルフィールド縮小投影露光装置商品名NSRS306C、NIKON社製を用い、マスクパターンを介して露光した。その後、90°Cで60秒間PEBを行った後、2.38テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液以下、TMAH水溶液ともいうにより、25°Cで30秒現像し、水洗し、乾燥して、ポジ型のレジストパターンを形成した。このとき、90nmライン180nmピッチのパターン形成用のマスクを介して線幅90nmの1:1のラインアンドスペースを形成する露光量を最適露光量とした。なお、測長には走査型電子顕微鏡S-9380、日立ハイテクノロジーズ社を用いた。このパターン形成方法をP-1とする。[パターン形成方法P-2]パターン形成方法P-1と同様に下層反射防止膜を形成した12インチシリコンウェハ上に、感放射線性樹脂組成物によって、膜厚75nmのフォトレジスト膜を形成し、120°Cで60秒間ソフトベークSBを行った。次に、形成したフォトレジスト膜上に、上層膜形成用組成物Gをスピンコートし、PB90°C、60秒を行うことにより膜厚90nmの上層膜を形成した。その後、ArFエキシマレーザー液浸露光装置商品名NSRS610C、NIKON社製を用い、NA=1.3、ratio=0.800、Annularの条件により、マスクパターンを介して露光した。露光後、90°Cで60秒間ポストベークPEBを行った。その後、2.38のTMAH水溶液により現像し、水洗し、乾燥して、ポジ型のレジストパターンを形成した。このとき、50nmライン100nmピッチのパターン形成用のマスクを介して線幅50nmの1:1のラインアンドスペースを形成する露光量を最適露光量とした。なお、測長には走査型電子顕微鏡CG-4000、日立ハイテクノロジーズ社を用いた。このパターン形成方法をP-2とする。[パターン形成方法P-3]パターン形成方法P-1と同様に下層反射防止膜を形成した12インチシリコンウェハ上に、感放射線性樹脂組成物によって、膜厚75nmのフォトレジスト膜を形成し、120°Cで60秒間ソフトベークSBを行った。次に、このフォトレジスト膜を、前記ArFエキシマレーザー液浸露光装置を用い、NA=1.3、ratio=0.800、Annularの条件により、マスクパターンを介して露光した。露光後、90°Cで60秒間ポストベークPEBを行った。その後、2.38のTMAH水溶液により現像し、水洗し、乾燥して、ポジ型のレジストパターンを形成した。このとき、50nmライン100nmピッチのマスクを介して線幅50nmの1:1のラインアンドスペースを形成する露光量を最適露光量とした。なお、測長には走査型電子顕微鏡CG-4000、日立ハイテクノロジーズ社を用いた。このパターン形成方法をP-3とする。<MEEFの評価>上記最適露光量にてパターン形成方法がP-1の場合には、86nmライン180nmピッチ、88nmライン180nmピッチ、90nmライン180nmピッチ、92nmライン180nmピッチ、94nmライン180nmピッチとするパターン形成用のマスクパターンをそれぞれ介してLSパターンを形成し、パターン形成方法がP-2、P-3の場合には48nmライン100nm、49nmライン100nmピッチ、50nmライン100nmピッチ、51nmライン100nmピッチ、52nmライン100nmピッチとするパターン形成用のマスクパターンをそれぞれ介してLSパターンを形成した。このとき、マスクのラインサイズnmを横軸に、各マスクパターンを用いてレジスト膜に形成されたライン幅nmを縦軸にプロットしたときの直線の傾きをMEEFとして算出した。MEEF直線の傾きは、その値が1に近いほどマスク再現性が良好である。結果を表1及び表2に合わせて示す。表1の実施例、表2の比較例においては、実施例6と比較例1とが対応しており酸発生剤成分が異なる、同様に実施例7~23についても[A]成分酸発生剤成分の違いに着目して比較例と対応させることができる。各実施例とそれに対応する比較例を対比すると、当該感放射線性樹脂組成物を用いて形成したレジストパターンはMEEFを低減できることが明らかとなった。"