"反応領域群の外周縁部の温度を制御する温度制御部を備える反応処理装置。前記温度制御部が、前記反応領域群の外周縁部に配置される第一の温度制御部であり、該第一の温度制御部と、平面状の第二の温度制御部と、からなる反応温度制御部を備え、前記第一の温度制御部と前記第二の温度制御部とは、該反応領域群を介して対向して配置される、請求項1記載の反応処理装置。前記第一の温度制御部の形状が、ロ字状である請求項2記載の反応処理装置。前記反応領域群が基板内に配設され、前記第一の温度制御部及び前記第二の温度制御部が、該基板と接する請求項2記載の反応処理装置。前記第一の温度制御部の枠体部の外周部分及び/又は内周部分の各辺に、切欠部を単数又は複数配置する請求項4記載の反応処理装置。前記切欠部が、前記外周部分の隅に、及び/又は前記内周部分の各辺の中央部に、設けられている請求項5記載の反応処理装置。前記反応領域が、核酸増幅反応の反応場となるものであり、更に、該反応領域に光を照射する照射部と、該反応領域からの光を検出する検出部とを備える請求項2又は5記載の反応処理装置。前記温度制御部は、前記反応領域群にある各反応領域と対応する部分に光を通過する開口部を有する平板状である請求項1記載の反応処理装置。前記反応領域群が基板内に配設され、前記開口部を有する温度制御部が、該基板と接する請求項8記載の反応処理装置。前記開口部を有する温度制御部が、前記基板と、温度制御部からの熱の放出を抑制する断熱部との間に配置される請求項9記載の反応処理装置。前記開口部を有する温度制御部は、遮光体に前記開口部が形成されたものであり、更に、前記反応領域に光を照射する照射部と、該反応領域からの光を検出する検出部とを備える請求項10記載の反応処理装置。前記開口部を有する温度制御部を2つ備え、該2つの温度制御部は、前記反応領域群を介して対向して配置される、請求項11記載の反応処理装置。少なくとも反応領域群の外周縁部に配置される温度制御部にて、前記外周縁部の温度を制御することにより、前記反応領域群の温度制御を行う反応処理方法。前記温度制御部が、前記反応領域群の外周縁部に配置される第一の温度制御部であり、該第一の温度制御部と平面状の第二の温度制御部とが、反応領域を複数有する反応領域群を介して対向して配置され、該第一の温度制御部と該平面状の第二の温度制御部の協働により該反応領域群の温度制御を行う請求項13記載の反応処理方法。前記第一の温度制御部の枠体部の外周部分及び/又は内周部分に切欠部を単数又は複数設けて、局所加熱を抑える請求項14記載の反応処理方法。前記反応領域群にある各反応領域と対応する部分に光を通過する開口部を有する平板状の温度制御部にて、前記外周縁部の温度を制御しつつ、前記反応領域群の局所過熱を抑えることにより、反応領域群の温度制御を行う請求項13記載の反応処理方法。しかしながら、これら従来の反応処理装置では、温度分布が反応場周辺の設計によって大きく変わるため不完全である。また、反応場の形状が変わるたびにその形状にフィットしたヒーターを作製、セッティングする必要があるため電力量や制御関連のチューニングがその都度必要になり大変わずらわしい。すなわち、どの構成も熱分布を均一化させるには不十分であり、それらの構成では反応場の安定性を担保できないという実状がある。また、反応場ウェル数が多くなる場合はチップ設計ごとにヒーターの加工が必要となり、温度分布設計もその都度行う必要があるため汎用性に乏しいという実状がある。そこで、本開示は、温度制御を容易にかつ高精度で行うことができる反応処理装置及び反応処理方法を提供することを主目的とする。上記課題解決のため、本開示は、反応領域群の外周縁部の温度を制御する温度制御部を備える反応処理装置を提供する。前記温度制御部が、前記反応領域群の外周縁部に配置される第一の温度制御部であり、該第一の温度制御部と、平面状の第二の温度制御部と、からなる反応温度制御部を備え、前記第一の温度制御部と前記第二の温度制御部とは、該反応領域群を介して対向して配置されるのが好適である。前記第一の温度制御部の形状が、ロ字状であるのが好適である。前記反応領域群が基板内に配設され、前記第一の温度制御部及び前記第二の温度制御部が、該基板と接するのが好適である。前記第一の温度制御部の枠体部の外周部分及び/又は内周部分の各辺に、切欠部を単数又は複数配置するのが好適である。前記切欠部が、前記外周部分の隅に、及び/又は前記内周部分の各辺の中央部に、設けられているのが好適である。また、前記温度制御部は、前記反応領域群にある各反応領域と対応する部分に光を通過する開口部を有する平板状であることも好適である以下、この温度制御部を開口部を有する温度制御部ともいう。。前記反応領域群が基板内に配設され、前記開口部を有する温度制御部が、該基板と接するのが好適である。前記開口部を有する温度制御部は、前記基板と、温度制御部からの熱の放出を抑制する断熱部との間に配置されるのが好適である。前記開口部を有する温度制御部は、遮光体に前記開口部が形成されたものであり、更に、前記反応領域に光を照射する照射部と、該反応領域からの光を検出する検出部とを備えるのが好適である。前記開口部を有する温度制御部を2つ備え、該2つの温度制御部が、前記反応領域群を介して対向して配置されるのが好適である。また、本開示は、少なくとも反応領域群の外周縁部に配置される温度制御部を用いて、前記外周縁部の温度を制御することにより、前記反応領域群の温度制御を行う反応処理方法を提供する。前記温度制御部が、前記反応領域群の外周縁部に配置される第一の温度制御部であり、該第一の温度制御部と平面状の第二の温度制御部とが、反応領域を複数有する反応領域群を介して対向して配置され、該第一の温度制御部と該平面状の第二の温度制御部の協働により該反応領域群の温度制御を行うのが好適である。前記第一の温度制御部の枠体部の外周部分及び/又は内周部分に切欠部を単数又は複数設けて、局所加熱を抑えるのが好適である。また、前記反応領域群にある各反応領域と対応する部分に光を通過する開口部を有する平板状の温度制御部にて、前記外周縁部の温度を制御しつつ、前記反応領域群の局所過熱を抑えることにより、反応領域群の温度制御を行うのも好適である。本開示によれば、温度制御を容易にかつ高精度で行うことができる反応処理装置及び反応処理方法が提供される。以下、本開示を実施するための好適な形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施形態は、本開示の代表的な実施形態の一例を示したものであり、これにより本開示の範囲が狭く解釈されることはない。1.第1実施形態の反応処理装置1反応領域群1.1a基板2反応温度制御部1.2a第一の温度制御部1.2b第二の温度制御部3照射部4検出部2.核酸増幅反応装置1核酸増幅反応2核酸増幅産物の検出方法3.第1実施形態の反応処理装置の動作4.第1実施形態の反応処理装置を利用した核酸増幅反応装置の動作1変形例4.1aRT-LAMP装置の動作4.1bRT-PCR装置の動作5.第2実施形態の反応処理装置1温度制御部6.第2実施形態の反応処理装置の動作7.第2実施形態の反応処理装置を利用した核酸増幅反応装置の動作<1.第1実施形態の反応処理装置>図1は、本開示に係わる反応処理装置1の概念図である。また、図2は、本開示に係わる反応処理装置1の要部を示す分解斜視図である。図3は、第一の温度制御部4の枠体部及びその変形例の上面図である。なお、以下に説明する図面では、説明の便宜上、装置の構成等を簡略化して示している。図1に示すように、本開示に係わる反応処理装置1は、反応領域群2Aの外周縁部の温度を制御する温度制御部4を少なくとも備えている。この温度制御部4は、反応領域群2Aの外周縁部に配置される第一の温度制御部4であり、反応処理装置1は、該第一の温度制御部4と平面状の第二の温度制御部5とからなる反応温度制御部を備えている。この第一の温度制御部4と第二の温度制御部5とは、反応領域群2Aを介して対向して配置されている。なお、反応領域群2A基板3は脱着可能なものである。更に、本開示に係わる反応処理装置1は、光学検出装置や核酸増幅反応装置としても使用することができる。例えば、図1に示すように、更に、照射部8、励起フィルタ6、蛍光フィルタ7及び検出部9を備えるのが望ましい。具体的な一例として、反応領域2に光を照射する照射部8と、反応領域2からの光を検出する検出部9を少なくとも備える構成が挙げられる。また、図示しないが、反応領域2から生じた光散乱光や蛍光等を、例えば照射部8方向に検出部を配置し、検出部で光検出できるように、この検出部の方向に反射させる構成としてもよい。また、図示しないが、光量や光成分等を調整するためや各部を支持するため、ピンホール、各種フィルタ、集光レンズ、支持台を適宜配設してもよい。また、これら各種動作例えば、光制御、温度制御、核酸増幅反応、検出制御、検出光量算出やモニタリング等を制御する制御部図示せずが備えられているのが好適である。以下に、本開示の反応処理装置核酸増幅反応装置1の各構成について詳細に説明する。1反応領域群脱着可能な前記反応領域群エリア2Aは、各種反応の反応場となる反応領域2が単数又は複数配置されているもの領域である。反応領域2の形状は、特に限定されないが、円筒形状や四角錐形状等が挙げられる。前記反応領域群2Aは、反応領域2が複数配列されているものが、好適である。この反応領域数は、特に限定されないが、例えば、6数2:3等、25数5:5等、24数4:6等、96数8:12等や384数16:24等が挙げられる。多くの反応を同時に行っても、本開示によれば、反応領域群のエリア全体の温度分布がほとんど変化しない、言い換えるなら反応領域群全体をほぼ均一に加熱できる。すなわち、均一的な反応が可能となり、それにより検出精度や作業効率が向上するので、有利である。なお、前記反応領域2には、検出目的物質及びこの検出反応に必要なものを適宜配設すればよい。これらとしては、例えば、生体由来検出対象物、合成オリゴオリゴヌクレオチド、核酸様合成物質、蛍光色素等を修飾した合成オリゴ、酵素、緩衝溶液、塩類、ワックス等の固定化剤、抗原、抗体、水等の溶媒等が挙げられる。また、PCR法や等温増幅法等で使用されるdNTP類、色素や他の物質等も適宜配設してもよい。1.1a基板マイクロチップ単数又は複数の前記反応領域2が、マイクロチップ等の脱着可能な反応容器例えば、基板内に、前記反応領域群2Aとして形成されているのが、好適である。前記反応領域群2Aは、図1及び2に示すように、基板3の側面の外周部分から離れた位置に形成されているのが好適である。更に、基板3の対向する側面間の中央付近に形成されているのがより好適である。ここで、基板の光軸上にある面を光軸面といい、この周りの四角形を側面という。なお、前記反応領域群2Aが形成される基板3内の高さ位置は特に限定されない。前記反応領域群2A反応領域2を備える反応用マイクロチップ基板3は、単数又は複数の基板から形成することができる。基板3への単数又は複数の反応領域2の形成方法は、特に限定されないが、例えば、ガラス製基板層のウェットエッチングやドライエッチングによって、又はプラスチック製基板層のナノインプリントや射出形成、切削加工によって行うことが好適である。例えば、前記反応領域群2A前記反応領域2の形成方法としては、所望の形状の反応領域2を研磨切削加工や鋳型成形等にて1つの基板上に単数又は複数形成し、この基板の上面に他の基板を配置すること等が挙げられる。また、前記基板3の材料は、特に限定されず、検出方法や加工容易性、耐久性等を考慮して適宜選択するのが好適である。当該材料としては、光透過性のある素材で所望の検出方法に応じて適宜選択すればよく、例えば、ガラスや各種プラスチックポリプロピレン、ポリカーボネイト、シクロオレフィンポリマー、ポリジメチルシロキサン等が挙げられる。このようにして形成された反応領域群2Aのそれぞれの反応領域2には、目的の検出物質の反応に必要な試薬類を予め充填していてもよい。2反応温度制御部前記反応温度制御部は、反応領域群2Aの外周縁部に配置される温度制御部4以下、第一の温度制御部4ともいうと、平面状の温度制御部5以下、第二の温度制御部5ともいうとからなる。これら温度制御部は、反応の反応場となる反応領域2を有する反応領域群2Aを介して対向して配置される構成を採用している。これらの配置は、反応領域群2Aを介して対向していればよく、例えば、一方が反応領域群の上方向の場合他方は下方向になればよく、また左右方向も同様である。当該温度制御部は、本開示の装置の筺体との熱的伝導が絶縁されている構造が、作業効率の点から望ましい。更に、前記第一の温度制御部4及び前記第二の温度制御部5が、前記反応領域群2Aを有する基板3をサンドイッチ状に挟む構成が好適である。そして、前記第一の温度制御部4と前記第二の温度制御部5とが、それぞれ前記基板3と接するような構成で配設されているのが、より望ましい。このとき反応温度制御部の温度制御機構図示せずにて、少なくとも前記第一の温度制御部における温度制御を行うのが好適である。更に、該温度制御機構にて、前記第一の温度制御部4と前記平面状の第二の温度制御部5における温度制御を行うのが、より好適である。このとき温度感知センサーを設置するのが好適であり、例えば、熱電対センサー等が挙げられる。例えば、以下abのような手段が挙げられる。a前記第二の温度制御部5を設定温度で加熱する。前記第一の温度制御部4にて放熱する熱を補うように加熱し、設定温度と反応温度とのずれを調整する。b前記第一の温度制御部4を設定温度で加熱する。前記第二の温度制御部5にて加熱しながら、設定温度と反応温度のずれを調整する。更に、前記温度制御部にてPID制御等のフィードバック制御を採用すればより高精度となる。これにより、基板内の反応領域群全体各反応領域を均一に加熱や冷却することが可能となる。言い換えるなら、反応領域群全体の熱分布を均一化させることができ、反応領域中の反応の安定性を担保することも可能となる。すなわち、反応領域群全体の温度制御を容易にでき、しかも反応領域ごとの熱のばらつきも少なく、温度制御を高精度に行うことができる。そして、反応領域の配列方法に拠らずに、多くの試料を同時に反応処理しても、ほぼ同じ反応条件で行うことが可能となる。よって、反応の検出精度や作業効率も向上する。しかも、反応領域の配列方法を特段考慮しなくともよいので、基板内の反応領域群の設計自由度も高くなる。因みに、反応領域と対応する部分に穴を開けるヒーター構造も採用することができる。このヒーター構造では温度分布が穴周辺の設計により変わる可能性があるため設計に注意を要する。また、反応領域数が多くなった場合には、個々の反応領域に対応するように温度制御部を設けると、反応領域群の設計ごとに、これに対応するようにヒーターの加工が必要となり、温度分布設計もその都度行う必要がでてくる。この点を鑑みれば、第1実施形態における反応温度制御部の構成は、非常に優れた作用効果を奏するものであるといえる。1.2a第一の温度制御部前記第一の温度制御部4は、前記反応領域群2Aの外周縁部に配置されている。このように配置することによって、前記反応領域群2Aの外周縁部を主として加温又は冷却することが可能となる。更に後述する平面状温度制御部5と併用することにより、前記反応領域群の反応領域ごとの反応温度のばらつきを少なくして精度よく温度制御することが可能となる。前記第一の温度制御部4の形状は枠体状であるのが好適である。更に、当該枠体部の形状、例えばロ字状や額縁状等といった、内周部分41及び外周部分42を有するものが好適である図2及び3参照。更に、この枠体の形状としては、中央部反応領域群2A付近に非加熱部分のある形状が、好適である。これにより、反応領域群の中央部が周辺部に比べ放熱経路が少ないことによる局所的な加熱を防ぐことが可能となる。更に、当該第一の温度制御部4の中央付近を中空とするのが、平面ヒーターのみ及び平面ヒーターと平面ヒーターとを組み合わせた場合に生ずるような中央部分への異常な局所的な加熱中央部の異常加熱を容易に防ぐことができるので、好ましい図4参照。なお、当該枠体部の横幅及び奥行きは、前記基板3とほぼ同じとするのが好適である。また、前記第一の温度制御部4は、図3に示すように、前記枠体部の内周部分41及び/又は外周部分42に、切欠部43を単数又は複数設けるのが好適である。この切欠部の形状は、枠体部の一部が切り取られたような形状であれば特に限定されず、例えば、多角形状長方形状、正方形状、六角形状等、半楕円形状半円形状等等が挙げられる。前記切欠部43は、第一の温度制御部4の熱が集中して局所加熱され易い場所に設けるのが好適である。これにより、更に精度よく、反応領域群2A全体を概ね均一に温度制御することが可能となる図4参照。このとき、前記基板3の形状に合わせるのがコスト減や作業効率向上の点で、好適である。更に、前記切欠部43は、対向するように複数設けるのが好ましい。また、前記切欠部43は、この枠体部の内周部分41の各辺の中央部分に単数又は複数設けるのが好ましい。更に、前記切欠部43は、外周部分42の隅に単数又は複数設けるのが好ましい。これら切欠部43の配置は、適宜、組み合わせればよい。例えば、内周部分41において対向する各辺の中央部分に、切欠部43を2つ設けた枠体状の第一の温度制御部4aが挙げられる。また、外周部分42の4隅に切欠部43を4つ設けた枠体状の第一の温度制御部4bが挙げられる。また、内周部分41においてそれぞれ対向する各辺の中央部分に切欠部43を4つ設け、かつ外周部分42の4隅に切欠部43を4つ設けた枠体状の第一の温度制御部4cが挙げられる。なお、これらの例示に限定されるものではない。前記第一の温度制御部4は、前記基板3の面好ましくは反応領域群2Aの外周縁部に接するように配置されているのが好適である。このとき、熱伝導性の高い部材を介してもよい。これにより、精度よく温度制御ができる。なお、この基板の面としては、例えば、光軸上面、上面や下面、左面や右面等が挙げられる。また、前記第一の温度制御部4の温度制御機構は、特に限定されないが、例えば、セラミック製、電熱線、ペルチェ素子等のヒーター;光透過性のあるITOヒータ等の透明導電膜等が挙げられる。また、本開示においてこの温度制御部4は、枠体状を採用していることから、反応領域群2Aの中央部の放熱効率が高いため、冷却機構を有していない温度制御機構、例えばセラミック製や電熱線等のヒーターでも良好である。更に、本開示において光学系検出装置核酸増幅反応装置等である場合、反応領域群の外周縁部に配置する構成を採用しているので、この温度制御機構は、遮光性のある部材、言い換えるなら透過性の低い部材や透過性のない部材を用いてもよい。このように、温度制御部を枠体状とすることによって、コスト減や測定の簡易化でも有利である。1.2b第二の温度制御部前記第二の温度制御部5は、平面状にて配置されている。当該温度制御部を平面状平板部とすることによって、前記反応領域群2A付近を主として加温又は冷却することが可能となる。更に上述した第一の温度制御部4と併用することにより、前記反応領域群の反応領域ごとの反応温度のばらつきを少なくして精度よく温度制御することが可能である。この第二の温度制御部5の形状は平面状であり、前記反応領域群2Aの反応温度を制御することが可能であればよく、例えば、平面状の他、薄膜状、平板状等も含まれる図1及び2参照。このとき温度制御するエリアは、主として前記反応領域群2A全体とするのが好適である。この温度制御部5は、エリアごとに温度制御するための複数の温度制御機構を備えてもよいが、単数がコスト減及び温度制御の容易さの点で、好ましい。このような単数であっても、上述の第一の温度制御部4と協働することにより、反応領域群の反応温度を精度よく制御することが可能となる。前記第二の温度制御部5は、前記基板3の面好ましくは、少なくとも反応領域群2Aエリアに接するように配置されているのが好適である。このとき、熱伝導性の高い部材を介してもよい。これにより、精度よく温度制御ができる。なお、この基板の面としては、例えば、光軸上面、上面や下面、左面や右面等が挙げられる。因みに、前記第一の温度制御部4が前記反応領域群2Aの外周縁部に配置され、前記基板3と面で接し、かつ前記第二の温度制御部5の平面状平面部が前記基板3と面で接する構成が、温度制御を容易にかつ高精度で行うことができるので、好適である。このような構成を採用することによって、部品点数が少なくでき、電気配線の取り回しも簡便化できる。これらのメリットを最大限活かすことで反応部のコンパクト設計が可能となる。発熱部を小型化できることで全体の熱容量が少なくでき大幅な省電力化を行なえる。前記平面状の第二の温度制御部5は、前記第一の温度制御部4で述べた温度制御機構が挙げられる。また、透過性の高い部材、例えば透明伝導膜を用いるのが好適である。一方で、反応領域2から生じた光を反射させる機構を採用すれば、遮光性の高い部材、例えば、セラミック製や電熱線ヒーターを用いても、良好に測定することが可能となる。3照射部前記照射部8は、光源図示せずを備え、当該光源から出射される光Lが前記反応領域2に照射される構成であればよい。具体的には、前記照射部8は、光源から出射された光Lを、核酸増幅反応の進行に伴って生じる核酸増幅産生物を検出するために、前記反応領域2基板3の上面や下面等に照射できるものであればよい。例えば、前記光源を、前記反応領域2の上方や下方に配置してもよいし、また、前記光源から出射された光Lを前記反応領域2に導光する導光部材図示せずを配置してもよい。このうち、前記照射部8に、前記光源から発せられた光を反応領域2に照射する導光部材を備えるのが好適である。当該導光部材には、光入射端部が設けられており、当該光入射端部に、前記光源の単数又は複数から出射された光が入射される。当該入射された光Lを各反応領域に導光させるように部材例えばプリズム、反射板や凹凸等が、前記導光部材の内部には設けられている。前記導光部材を配設することにより、光源の数を減らすことができ、かつ基板3上の単数又は複数の反応領域2に均一な光の照射を行うことができる。よって、濁度検出における検出感度や検出精度も良好である。しかも、光源数を減らすこともできるので、装置全体の小型化、特に薄型化も可能となり、また低消費電力化も可能となる。前記光源は、特に限定されないが、目的とする核酸増幅物を良好に検出することができる所望の光を出射するものが好適である。前記光源としては、例えば、レーザー光源、白色又は単色の発光ダイオードLED、水銀灯、タングステンランプ等が挙げられる。このうち、LEDが、低消費電力化や低コスト化が可能となるので、好適である。また、当該LEDは、各種フィルタを用いれば所望の光成分を得ることも可能であるので有利である。なお、前記レーザー光源としては、レーザー光の種類によっては特に限定されないが、アルゴンイオンArレーザー、ヘリウム-ネオンHeNeレーザー、ダイdyeレーザー、クリプトンKrレーザー等を出射する光源であればよい。当該レーザー光源は、1種又は2種以上、自由に組み合わせて用いることができる。また、図1に示すように、前記照射部8からの光Lは反応領域2に到達し、反応領域内での反応の進行に伴って生成する核酸増幅産物によって光L3となる。そして、核酸増幅産物による光L3前方後方側方散乱光量、透過光量や蛍光量等を、適宜絞り、集光レンズ及び蛍光フィルタ等を通過して、検出部9光学検出器にて検出する。4検出部前記検出部9は、反応領域2の他端具体的には底面から出射する光の光量を検出することが可能な機構であればよい。当該検出部9には、光学検出器が少なくとも備えられている。前記光学検出器としては、特に限定されず、例えば、フォトダイオードPDアレイ、CCDイメージセンサやCMOSイメージセンサ等のエリア撮像素子、小型光センサ、ラインセンサースキャン、PMT光電子倍増管等が挙げられ、これらを適宜組み合わせてもよい。当該光学検出器で、核酸増幅産物等を検出する。なお、本開示の核酸増幅反応装置内に、励起フィルタ6や蛍光フィルタ7を適宜配設したり、増設したり、また外したりしてもよい。励起フィルタにより、核酸増幅反応の検出方法に応じて所望の特定波長の光成分とするか、或いは不要な光成分を除去できる。また、蛍光フィルタにより、検出に必要な光成分散乱光、透過光や蛍光にすることができる。これにより、検出感度や検出精度が向上する。<2.核酸増幅反応装置>本開示の反応処理装置1は、同型のマイクロチップならウェル数、マイクロウェル数の配置方法によらず温度部分が変化しないため、設計の自由度が高い。また、マイクロチップは熱容量が小さくとも、温度均一性を保つことができる。すなわち、マイクロウェルが並列に配置されたマイクロチップにおいて各々の反応場内の反応状態を光学的に検出するマイクロチップを均一に加熱することが可能である。本開示の反応処理装置1は、このように反応にばらつきが少ないため、高い検出精度が要望される核酸増幅反応装置として用いるのが、有利である。以下に核酸増幅反応を説明する。1核酸増幅反応本開示において、核酸増幅反応には、温度サイクルを実施する従来のPCRpolymerasechainreaction法や、温度サイクルを伴わない各種等温増幅法が含まれる。等温増幅法としては、例えば、LAMPLoopMediatedIsothermalAmplification法やSMAPSmartAmplificationProcess法、NASBANucleicAcidSequenceBasedAmplification法、ICANIsothermalandChimericprimerinitiatedAmplificationofNucleicacids法登録商標、TRCtranscriptionreversetranscriptionconcerted法、SDAstranddisplacementamplification法、TMAtranscriptionmediatedamplification法、RCArollingcircleamplification法等が挙げられる。この他、核酸増幅反応には、核酸の増幅を目的とする変温あるいは等温による核酸増幅反応が広く包含されるものとする。また、これらの核酸増幅反応には、リアルタイムPCRRT-PCR法やRT-LAMP法などの増幅核酸鎖の定量を伴う反応も包含される。また、試薬には、上記の核酸増幅反応において、増幅核酸鎖を得るために必要な試薬であって、具体的には、標的核酸鎖に相補的な塩基配列とされたオリゴヌクレオチドプライマー、核酸モノマーdNTP、酵素、反応緩衝液バッファー溶質などが含まれる。前記PCR法は、熱変性約95°C→プライマーのアニーリング約55~60°C→伸長反応約72°Cという増幅サイクルを連続的に行う。また、前記LAMP法とは、DNAのループ形成を利用して、一定温度でDNAやRNAからdsDNAを増幅産物として得る方法である。一例として、成分i、ii、iiiを加え、インナープライマーが鋳型核酸上の相補的配列に対して安定的な塩基対結合を形成することができ、かつ鎖置換型ポリメラーゼが酵素活性を維持しうる温度でインキュベートすることにより進行する。このときのインキュベート温度は50~70°C、時間は1分~10時間程度が好適である。成分iインナープライマー2種、又は更にアウタープライマー2種、又は更にループプライマー2種;成分ii鎖置換型ポリメラーゼ;成分iii基質ヌクレオチド。2核酸増幅産物の検出方法前記核酸増幅の検出方法としては、例えば、濁度物質、蛍光物質や化学発光物質等を用いる方法が挙げられる。また、前記濁度物質を用いる方法としては、例えば核酸増幅反応の結果生じるピロリン酸とこれに結合可能な金属イオンにより生じた析出物質を用いる方法等が挙げられる。当該金属イオンは、一価又は二価の金属イオンであり、ピロリン酸と結合すると水に不溶又は難溶性の塩を形成して濁度物質となる。当該金属イオンとしては、具体的には、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン及び二価遷移金属イオン等が挙げられる。このうち、例えば、マグネシウムII、カルシウムII及びバリウムII等のアルカリ土類金属イオン;亜鉛II、鉛II、マンガンII、ニッケルII及び鉄II等の二価遷移金属イオン等から選ばれる1種又は2以上が好ましい。更に好ましくは、マグネシウムII、マンガンII、ニッケルII及び鉄IIである。当該金属イオンを添加するときの濃度は、0.01~100mMの範囲であれば好適である。検出波長は、300~800nmとするのが好適である。また、前記蛍光物質や化学発光物質を用いる方法としては、例えば、二本鎖核酸に特異的に挿入されて蛍光を発する蛍光色素誘導体を用いるインターカレート方法、増幅する核酸配列に特異的なオリゴヌクレオチドに蛍光色素を結合させたプローブを用いる標識プローブ方法等が挙げられる。前記標識プローブ法としては、例えばハイブリダイゼーションHybプローブ法、加水分解TaqManプローブ法等が挙げられる。前記Hybプローブ法は、予め2種のプローブが近接するようにデザインされたドナー色素でラベルされたプローブとアクセプター色素でラベルされたプローブという2種のプローブを用いる方法である。そして、当該2種のプローブが標的核酸にハイブリダイズするとドナー色素により励起されたアクセプター色素が蛍光を発する。また、前記TaqManプローブ法は、レポーター色素とクエンチャー色素の2つが近接するようにラベルされているプローブを用いる方法である。そして、当該プローブが核酸伸長の際に加水分解され、このときクエンチャー色素とレポーター色素とが離れ、レポーター色素が励起されると蛍光を発する。前記蛍光物質を用いる方法に使用する蛍光色素誘導体としては、SYBR登録商標GreenI、SYBR登録商標GreenII、SYBR登録商標Gold、YO、TO、PG、臭化エチジウム等が挙げられる。前記化学発光物質を用いる方法に使用する有機化合物としては、ルミノール、ロフィン、ルシゲニン、シュウ酸エステル等が挙げられる。<3.第1実施形態の反応処理装置1の動作>以下に、上述した反応処理装置1の動作について、説明する。各種反応の反応場となる反応領域2を配置する反応領域群2Aを、前記第一の温度制御部4と前記第二の温度制御部5とでサンドイッチ状に挟む構成について説明する。前記第一の温度制御部4にて反応領域群2Aの外周縁部の基板温度を制御し、かつ前記平面状の第二の温度制御部5にて基板3少なくとも反応領域群2Aの基板温度を制御する。この協働によって、前記反応領域群2Aにある反応領域2の反応温度を制御する。そして、フィードバック制御等の制御により、必要に応じて基板3を加熱又は冷却しながら、反応領域2の反応を調整する。このように、一方の温度制御部を反応領域群の外周縁部に配置することで、反応領域群の中央部分が容易に放熱できるので、この部分の集中加熱を防止でき、しかも第二の温度制御部5と協働することによって、反応領域群全体の温度分布を均一化することも可能となる。これによって、温度制御を容易にかつ高精度で行うことができると共に、これにより反応領域内での反応生成物を安定的に提供することも可能となる。しかも、上述の如く反応部のコンパクト設計が可能となる。また、発熱部を小型化できることで全体の熱容量が少なくでき大幅な省電力化を行なえる。更に、前記第一の温度制御部4の枠体部の外周部分42及び/又は内周部分41に切欠部43を単数又は複数設けて、更に局所加熱を抑えるのが好適である。熱が集中して局所加熱され易い箇所に切欠部を設けることで、更により精度が高く、かつ更に容易に温度制御が可能となる。因みに、反応領域2内の反応が、核酸増幅反応の場合、上述の核酸増幅反応に準じて温度制御を行えばよい。<4.反応処理装置1を利用した核酸増幅反応装置の動作>以下に、上述した核酸増幅反応装置の動作について、説明する。なお、核酸増幅反応における温度制御については上述のとおりであるので、省略する。また、温度制御を行いながら、リアルタイムに核酸増幅を検出してもよい。前記光源8から、光L1が出射され、励起フィルタ6にて光L2となる。この光L2は、核酸の増幅反応の反応場となる反応領域2の一端上面に照射され、ウェル内に入射される。このとき、核酸増幅産物によって生じる光L3蛍光、散乱光、透過光等が、反応領域2から発せられ、反応領域2の他端底面から出射される。この光L3は、蛍光フィルタ7によって所望の光成分L4例えば、特定の蛍光成分、散乱光成分、透過光成分等となる。この光L4は、検出部9光学検出器にて、出射された前記光の光量を検出し、増幅反応の進行に伴って生じる核酸増幅物を測定できる。なお、濁度検出の場合には、励起フィルタ6及び蛍光フィルタ7を適宜省略してもよい。1変形例上述した本開示の核酸増幅反応装置は、LAMP装置やPCR装置として用い、蛍光物質検出や濁度物質検出にて核酸を定量することも可能である。以下に、濁度物質検出を示すが、上述の如き蛍光検出方法に準じて、蛍光物質検出を行うことも可能である。4.1aRT-LAMP装置の動作以下に、RT-LAMP装置において、ステップSl1の手順での核酸の検出方法について説明する。温度制御ステップステップSl1にて、反応領域2内が一定温度60~65°Cになるように設定することで、各反応領域2内の核酸が増幅されてゆく。尚、このLAMP法では、一本鎖から二本鎖への熱変性が必要なく、この等温条件下、プライマーのアニーリングと核酸伸長とが繰り返り行われる。この核酸増幅反応の結果、ピロリン酸が生成され、このピロリン酸に金属イオンが結合して不溶性又は難溶性の塩が形成され、この塩が濁度物質となる測定波長300~800nm。この濁度物質に入射光光Lが照射されることで、散乱光となる。この散乱光の散乱光量をリアルタイムに検出部9で測定し、定量化する。また、透過光量からも定量化することは可能である。4.1bRT-PCR装置の動作ここで、RT―PCR装置において、ステップSp1熱変性、ステップSp2プライマーのアニーリング、ステップSp3DNA伸長の手順での核酸の検出方法について説明する。熱変性ステップステップSp1では、反応領域2内が95°Cになるように前記温度制御部にて制御し、二本鎖DNAを変性させ一本鎖DNAとする。続くアニーリングステップステップSp2では、反応領域2内が55°Cとなるように設定することで、プライマーが当該一本鎖DNAと相補的な塩基配列と結合させる。次のDNA伸長ステップステップSp3では、反応領域2内が72°Cとなるように制御することで、プライマーをDNA合成の開始点として、ポリメラーゼ反応を進行させてcDNAを伸長させる。このようなステップSp1~Sp3の温度サイクルを繰り返すことによって、各反応領域2内のDNAは増幅されてゆく。この核酸増幅反応の結果、ピロリン酸が生成され、上述のようにして濁度物質を検出し、核酸量を定量化する。<5.第2実施形態の反応処理装置>図7は、本開示に係わる反応処理装置1aの概念図である。また、図8aは、本開示に係わる温度制御部4dの上面図であり、図8bは図8aのA-A線断面図である。図9は、本開示に係わる温度制御部4dを用いた際の光源からの光の進行を表す概念図である。図7に示すように、第2実施形態の反応処理装置1aは、反応領域群2Aの外周縁部の温度を制御する温度制御部4d又は4eを少なくとも備えている。更に、本開示に係わる反応処理装置1aは、光学検出装置や核酸増幅反応装置としても使用することができる。例えば、図7に示すように、更に、照射部8光源81、励起フィルタ14、検出フィルタ15、16、絞り17及び検出部9を備えるのが望ましい。具体的な一例として、反応領域2に光を照射する照射部8光源81と、反応領域2からの光を検出する検出部9を少なくとも備える構成が挙げられる。なお、照射部8光源81は支持体13上に配置されている。また、図示しないが、反応領域2から生じた光散乱光や蛍光等を、例えば照射部8光源81方向に検出部9を配置し、検出部9で光検出できるように、この検出部9の方向に反射させる構成としてもよい。また、各種動作例えば、光制御、温度制御、核酸増幅反応、検出制御、検出光量算出やモニタリング等を制御する制御部図示せずが備えられているのが好適である。以下に、本開示の反応処理装置核酸増幅反応装置1aにおける温度制御部4dについて詳細に説明する。なお、反応領域群2A反応領域2、基板3、照射部8光源81、検出部9については、それぞれ、第1実施形態で述べたとおりであるので、省略する。1温度制御部温度制御部4dは、反応領域群2Aの外周縁部に重なる大きさを有する平板状である。なおかつ、その平板状の平面内において、反応領域群2Aにある各反応領域2に対応する位置に、光を通過する開口部44dを有する。この構成により、外周縁部を主として加温又は冷却することが可能であり、開口部44dの周辺も加温又は冷却することが可能となる。更に、開口部44dが放熱経路となることで、反応領域群2Aのエリア内の局所的な加熱を防ぐことが可能となる。また、開口部44dを有する温度制御部4dは、前記基板3と接するような構成で配置されているのが好適である。これにより、基板3内に配設された反応領域群2Aを効率的に加温又は冷却することが可能となる。この効率的な温度制御の観点から、前記開口部を有する温度制御部を2つ備え、その温度制御部4dと温度制御部4eとが、前記反応領域群2A基板3を介して対向して配置されるのが好適である図7参照なお、開口部44dを有する温度制御部4dの温度制御機構は、第1実施形態で述べた温度制御機構と同様のものを用いることができる。図8では、金属板に電熱線45が巻きつけられた温度制御部4dを例示している。金属板としては、アルミニウム、ステンレス、銅、ニッケルNi等が挙げられる。金属板に電熱線45を巻きつけ易いように、金属板には溝や突起が形成されていることが好ましい。開口部44dの形状は、特に限定されず、各反応領域2の形状に対応する形状とすることが好適である。各反応領域2に対応する形状であれば、円形状に限らず、方形状や多角形状でもよい。開口部44dの形状の面は、反応領域2と略平行に設けられているのが好適である。開口部44dの立体形状は、円柱状、角柱形状、多面体形状等が挙げられる。例えば、この内部にテーパが付いていてもよい。前記開口部44dは、反応領域2のそれぞれに対向する領域に、遮光体を貫通した部分穴や孔等を単数又は複数形成するのが、コスト的に好適である。前記開口部44dを有する温度制御部4dは、前記金属板に、例えば、打ち抜き加工、切削加工、フォトエッチング加工等の手法にて、単数又は複数の開口部をパターン形成することにより作製することが可能である。前記開口部44dを有する温度制御部4dには、図8に示すように、該温度制御部4dからの熱の放出を抑制する断熱部46を設けるのが好適である。そして、その温度制御部4dは、前記基板3と前記断熱部46との間に配置されるのが好適である。断熱部46は、開口部44dを有する温度制御部4dに接して配置されるのが好適である。また、断熱部46は、温度制御部4dにおける基板3側とは反対側照射部8側に配置されるのが好適である。こうした断熱部46により、開口部44dを有する温度制御部4dからの熱を効率的に基板3反応領域群2A側へ伝導させることが可能となる。断熱部46は、図8bで示すように、反応領域群2Aのエリア全体に対応する部分が開口されていると、各反応領域2に光が通過し易い点で好適である。また、図示しないが、断熱部46は、反応領域群2Aの各反応領域2に対応する位置に孔設されたものであってもよい。更に、図示しないが、反応領域群2Aのエリア全体に対応する部分にも断熱部を有していると、温度制御部4dからの熱がより放出され難い点で好ましい。この場合、反応領域群2Aのエリア全体に対応する部分に光が透過する透明部材を用いるのが好適である。断熱部46は、開口部44dを有する温度制御部4dに一体として、その温度制御部4dと断熱部46とからなる温度制御ユニットとしてもよい。これにより、本開示の装置を組み立て製造する際に、部品点数が削減され、組み立て製造を簡易化することが可能となる。断熱部46の材質としては、例えば、ポリカーボネイト、ポリエチレンテレフタレート、ポリメタアクリレート、ポリウレタン、ポリスチレン等の合成樹脂やその発泡体等が挙げられる。前記開口部44dを有する温度制御部4dは、遮光体であることが好適である。この温度制御部4dを遮光体とすることにより、前記開口部44dのみから光の通過を許容し、前記開口部44dを除く残余の部分からの光の通過を防ぐことが可能となる図9参照。そのため、この温度制御部4dを照射部8側に配置すれば、照射部8の光源81から各反応領域2への光の入射方向を制限することが可能となる。また、この温度制御部4eを検出部9側に配置すれば、各反応領域2内からの光の出射方向を制限することが可能となる。こうした温度制御部により、誤検出の原因となる周辺の反応領域特に隣接する反応領域からの迷光クロストークを抑制でき、このことで検出精度が向上する図9参照。この検出精度を向上させる観点から、前記温度制御部を2つ備え、温度制御部4dと温度制御部4eとが、前記反応領域群2A基板3を介して対向して配置されるのが好適である図7参照。2つの温度制御部4d、4eは同一のものとするのがコスト的に好適である。また、開口部を有する温度制御部4d,4eは、基板3の表面に接触して配置されるのが好適である。これにより、周辺反応領域からの迷光の侵入が更に良好に低減できる。なお、温度制御部4eにも前記断熱部を設けることができる。この場合、開口部44eを有する温度制御部4eは、基板3と断熱部との間に配置されるのが好適である。断熱部は、開口部44eの温度制御部4eにおける基板3側とは反対側検出部9側に配置されるのが好適である。前記開口部44d、44eは、光の出射方向や入射方向を制限するために、所定の深さ厚みを有しているのが好適である。この深さを調整することで、前記反応領域2内からの光の出射方向や照射部8光源81からの光の入射方向を制限することが可能である。この観点から、開口部の厚みb温度制御部の厚みは0.2mm~1.5mmの範囲が好適であり、より好ましくは0.5mm~1.0mmの範囲である。また、例えば、開口部内部の幅a縦横の辺又は径や開口部の厚みbを調整することで、各反応領域2への光の入射角度や、検出フィルタ15への光の入射角度を調整することも可能である。このように光の入射角度の調整が可能であることから、開口部内部の幅aや開口部の厚みbを調整することで種々の検出フィルタに対応することも可能である。開口部内部の幅aが短く、かつ開口部の厚みbが長いと、より良好に迷光を抑制することができる。従来、迷光による誤検出を回避するため、反応領域のそれぞれに時分割に励起/光検出を行っていた。そのため1つの反応領域に対して1つの光源及び1つの検出器を配置する必要があった。また、検出の1サイクルに要する時間が反応領域の数に比例するため、例えば96穴プレート等を使用するように、多数の検体を測定する場合には、スループットの点において問題となっていた。しかしながら、前記開口部を有する温度制御部を採用することによって、周辺の反応領域からの迷光を抑制することが可能となる。そして、従来、時分割で行っていた励起/光検出を一括で行うことも可能となる。さらに導光部材を採用することで、面での一括励起も可能となり、均一的な光で検出することが可能となり、また複数の反応領域の検出に要する時間も大幅に短縮することが可能となる。以上の第2実施形態の反応処理装置1aでは、開口部44dを有する温度制御部4dを第1実施形態で述べた第一の温度制御部又は第二の温度制御部に替えて構成することも可能である。また、第2実施形態の反応処理装置1aでは、開口部44eを有する温度制御部4eを第1実施形態で述べた第一の温度制御部又は第二の温度制御部に替えて構成することも可能である。なお、第2実施形態の反応処理装置1aは、第1実施形態の反応処理装置1で述べた理由と同様、核酸増幅反応装置として用いるのが有利である。<6.第2実施形態の反応処理装置1aの動作>以下に、上述した反応処理装置1aの動作について、説明する。1つの温度制御部4d又は4eを備える場合まず、各種反応の反応場となる反応領域2を内設する基板3の照射部8側又は検出部9側に、温度制御部4d又は4eを配置する構成について説明する。温度制御部4d又は4eにて、照射部8側又は検出部9側から、反応領域群2Aの外周縁部の基板温度を主として制御する。同時に、照射部8側又は検出部9側から、開口部44d又は44eの周囲各反応領域2の周囲の基板温度を制御する。これによって、前記反応領域群2Aにある反応領域2の反応温度を制御する。そして、フィードバック制御等の制御により、必要に応じて基板3を加温又は冷却しながら、反応領域2の反応を調整する。このように、温度制御部4d又は4eが少なくとも反応領域群2Aの外周縁部に配置され、各反応領域2に対応する部分に開口部44d又は44eを有することで、反応領域群2Aが容易に放熱される。そのため、反応領域群2Aのエリア内の局所加熱を防止でき、各反応領域2の温度分布を均一化することも可能となる。2つの温度制御部4d及び4eを備える場合前記基板3を、2つの温度制御部4d、4eで挟む構成について説明する図7参照。前記温度制御部4d、4eにて、照射部8側及び検出部9側から、反応領域群2Aの外周縁部の基板温度を主として制御する。同時に、照射部8側及び検出部9側から、温度制御部4d、4eの開口部44d、44eの周囲各反応領域2の周囲の基板温度も制御する。これによって、前記反応領域群2Aにある反応領域2の反応温度を制御する。そして、フィードバック制御等の制御により、必要に応じて基板3を加温又は冷却しながら、反応領域2の反応を調整する。このように、温度制御部4d、4eが少なくとも反応領域群2Aの外周縁部に配置され、各反応領域2に対応する位置に開口部44d、44eを有することで、反応領域群2Aが容易に放熱される。そのため、反応領域群2Aのエリア内の局所加熱を防止でき、各反応領域2の温度分布を均一化することも可能となる。2つの温度制御部4d、4eで基板3を挟む構成により、1つの温度制御部4d又は4eのみの場合に比べて、より高精度な温度制御が可能となる。これによって、温度制御を容易にかつ高精度で行うことができると共に、反応領域内での反応生成物を安定的に提供することも可能となる。しかも、上述の如く反応部のコンパクト設計が可能となる。また、反応部のコンパクト設計により、発熱部を小型化できることで全体の熱容量が少なくでき大幅な省電力化を行なえる。因みに、反応領域2内の反応が、核酸増幅反応の場合、上述の核酸増幅反応に準じて温度制御を行えばよい。<7.第2実施形態の反応処理装置1aを利用した核酸増幅反応装置の動作>以下に、上述した核酸増幅反応装置の動作について、説明する。なお、核酸増幅反応における温度制御については上述のとおりであるので、省略する。また、温度制御を行いながら、リアルタイムに核酸増幅を検出してもよい。照射部8の光源81からの光Lが検体を含む反応領域2に出射される。このとき、導光部材を使用して各反応領域2に光Lを照射してもよい。そして、励起された光Lは、温度制御部4dの開口部44dを通過して、各反応領域2に照射される。このようにして、光Lの入射方向が、温度制御部4dにある各開口部44dを経ることで制限されることとなる。各反応領域2内から出射される光成分蛍光、透過光、散乱光等Lは、温度制御部4eの各開口部44eを通過する。このようにして、該光成分Lの出射方向が、温度制御部4eにある各開口部44eを経ることで制限されることとなる。これにより誤検出の原因となる周辺の反応領域特に隣接する反応領域からの迷光を抑制することが可能となる。そして、この出射方向の制限された光成分Lは、検出フィルタ15、集光レンズ11、検出フィルタ16及び集光レンズ12を経て所望の光成分Lとなる。該光成分Lを検出部9の光検出器にて検出する。このとき周辺の反応領域からの迷光が抑制されることから、各反応領域の検体の検出精度が向上する。測定に際し、反応領域2を反応場として使用することで、リアルタイムに検出することが可能であり、反応と検出が連続して可能であるので、利便性も高い。因みに、光源がレーザ光源の場合には、励起フィルタを使用しなくともよく、これからの励起光が反応領域2に照射される。また、光源がLED等の場合には、励起フィルタ14を経た励起光が反応領域2に照射される。また、励起フィルタはマルチバンドパスフィルタでもよく、このマルチバンドパスフィルタにより異なる複数の励起光が反応領域2に照射することが可能となる。このとき検出フィルタは、これに対応したマルチバンドパスフィルタを適宜使用すればよい。これにより、複数の光分析が可能となり、時分割に光検出が可能となる。また、励起フィルタ、検出フィルタ、集光レンズは適宜必要に応じた個数や種類を使用すればよく、上述に限定されない。なお、反応処理装置1aを利用した核酸増幅反応装置についても、LAMP装置やPCR装置として用い、蛍光物質検出や濁度物質検出にて核酸を定量することが可能である。なお、本開示は以下のような構成を取ることができる。1反応領域群の外周縁部の温度を制御する温度制御部を備える反応処理装置。2前記温度制御部が、前記反応領域群の外周縁部に配置される第一の温度制御部であり、該第一の温度制御部と、平面状の第二の温度制御部と、からなる反応温度制御部を備え、前記第一の温度制御部と前記第二の温度制御部とは、該反応領域群を介して対向して配置される、前記1に記載の反応処理装置。3前記第一の温度制御部の形状が、ロ字状である前記2に記載の反応処理装置。4前記反応領域群が基板内に配設され、前記第一の温度制御部及び前記第二の温度制御部が、該基板と接する前記2又は3に記載の反応処理装置。5前記第一の温度制御部の枠体部の外周部分及び/又は内周部分の各辺に、切欠部を単数又は複数配置する前記2から4のいずれかに記載の反応処理装置。6前記切欠部が、前記外周部分の隅に、及び/又は前記内周部分の各辺の中央部に、設けられている前記5に記載の反応処理装置。7前記反応領域が、核酸増幅反応の反応場となるものであり、更に、該反応領域に光を照射する照射部と、該反応領域からの光を検出する検出部とを備える前記1から6のいずれかに記載の反応処理装置。8前記温度制御部は、前記反応領域群にある各反応領域と対応する部分に光を通過する開口部を有する平板状である前記1に記載の反応処理装置。9前記反応領域群が基板内に配設され、前記開口部を有する温度制御部が、該基板と接する前記8に記載の反応処理装置。10前記開口部を有する温度制御部が、前記基板と、温度制御部からの熱の放出を抑制する断熱部との間に配置される前記8又は9に記載の反応処理装置。11前記開口部を有する温度制御部は、遮光体に前記開口部が形成されたものであり、更に、前記反応領域に光を照射する照射部と、該反応領域からの光を検出する検出部とを備える前記8から10のいずれかに記載の反応処理装置。12前記開口部を有する温度制御部を2つ備え、該2つの温度制御部は、前記反応領域群を介して対向して配置される、前記8から11のいずれかに記載の反応処理装置。13少なくとも反応領域群の外周縁部に配置される温度制御部にて、前記外周縁部の温度を制御することにより、前記反応領域群の温度制御を行う反応処理方法。14前記温度制御部が、前記反応領域群の外周縁部に配置される第一の温度制御部であり、該第一の温度制御部と平面状の第二の温度制御部とが、反応領域を複数有する反応領域群を介して対向して配置され、該第一の温度制御部と該平面状の第二の温度制御部の協働により該反応領域群の温度制御を行う前記13に記載の反応処理方法。15前記第一の温度制御部の枠体部の外周部分及び/又は内周部分に切欠部を単数又は複数設けて、局所加熱を抑える前記14に記載の反応処理方法。16前記反応領域群にある各反応領域と対応する部分に光を通過する開口部を有する平板状の温度制御部にて、前記外周縁部の温度を制御しつつ、前記反応領域群の局所過熱を抑えることにより、反応領域群の温度制御を行う前記13に記載の反応処理方法。実験例1図4及び図5に示すような各解析モデルを構築した。具体的には、平面状のITOヒーター下部とロ字状ヒーター上部にて、マイクロ流路チップを挟む。発熱部は筐体との熱的伝導が絶縁されている構造とする。ロ字状ヒーターはアルミの成型にて中央部角状に座繰りが掘ってあり外周部にボビンのように切り込みが入れてある。この切り込み部分にニクロム線を巻く構造になっている。ニクロム線とニクロム線が入っている切り込みを熱伝導接着剤にて封止し、巻き方の差による熱分布が発生しないようにした。固定出力で発熱させてチップ上面から放熱する熱を補う役目を担っており、チップの温度をコントロールするのはチップ下面と接している下部ITOヒーターである。ITOヒーターはITOスパッタ成膜基板の両端に短冊状のCr/Au電極がスパッタされておりAu上に電線をはんだ付けし接続している図6参照。ITOヒーターには光学系に干渉しないように熱電対センサーが配置されている。上部ヒーターにも熱電対センサーが埋め込み配置されておりマイクロチップ内部が均一加熱できるように両センサーからのフィードバックによりPID制御にて出力をコントロールする。各解析モデルにおけるマイクロチップ反応場ウェル内の温度差シミュレーションは、株ソフトウェアクレイドルのSTREAM計算方式は非定常の3次元熱伝導解析にて、行い、その結果を表1に示す。表1に示すように、上部ヒーターがロ字状になることで、マイクロチップの中央部が周辺部に比べ放熱経路が少ないため局所的に加熱されてしまうのを防ぐことが確認できた図4参照。また、上部ヒーターに切欠を入れて局所加熱する部分にヒーターが接触しないようにすることで、チップ周辺部の局所的加熱を更に防ぐことが確認できた図4参照。実験例2また、図10に示すような各解析モデルを構築した。具体的には、下部ヒーターを用いず、上部ヒーターのみをマイクロ流路チップ上に配置した。上部ヒーターとしては、実験例1で用いた上部ヒーターBと、さらに上部ヒーターE及びFを用いた。上部ヒーターEは、各反応領域と対応する部分に開口部を有する平板状とした。この上部ヒーターEは、実験例1で述べたように、反応領域群2Aの外周縁部にニクロム線が巻かれたアルミの成型にて作製した。上部ヒーターFは、上部ヒーターEの上面に断熱部としてポリカーボネイトを配置して作製した。各解析モデルにおけるマイクロチップ反応場ウェル内の温度差シミュレーションを実験例1と同様に行い、その結果を表2に示す。表2に示すように、上部ヒーターのみの場合、上部ヒーターに各反応領域に対応する開口部を有することで、マイクロチップの中央部が局所的に加熱されてしまうのを抑制することが確認できた図10参照。また、開口部を有する上部ヒーターに断熱部を備える上部ヒーターFとすることで、マイクロチップの中央部が局所的に加熱されてしまうのを更に防ぎ、反応場ウェル内の最大温度差を小さくすることが確認できた図10参照。"