"内部を真空状態で密封可能な反応容器と、前記反応容器内に被処理物を保持する保持部と、前記被処理物上に少なくとも実質的に微結晶シリコンゲルマニウムからなる真性半導体層を形成するための原料ガスを、前記反応容器内に供給する原料ガス供給部と、前記原料ガスの化学反応を促進し、化学気相成長法により前記真性半導体層を前記被処理物上に形成する化学反応促進手段とを備えた薄膜形成装置であって、前記原料ガス供給部に、前記真性半導体層中の酸素濃度を1020個/cm3未満とする酸素低減手段が設けられ、前記酸素低減手段が、前記原料ガス供給部と前記反応容器の間に設けられ、前記原料ガス中の酸素ガス及び酸素を生成し得るガスの少なくともいずれかを除去する精製器であることを特徴とする薄膜形成装置。前記酸素低減手段が、前記真性半導体層中の酸素濃度を1019個/cm3以下とすることを特徴とする請求項1に記載の薄膜形成装置。前記酸素低減手段が、前記原料ガス供給部に設けられ、酸素濃度0.1ppm以下の原料ガスを収容したガス蓄積部であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の薄膜形成装置。前記化学反応促進手段が、前記保持部からなる陽極と、前記反応容器内に設けられた陰極とから構成され、前記陽極と前記陰極の間に超高周波電圧を印加することにより前記原料ガスのプラズマを発生し、プラズマ化学気相成長法により前記真性半導体層を前記被処理物上に形成することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の薄膜形成装置。しかし、実際にこの微結晶SiGeを発電層として太陽電池を作製すると、期待されるような短絡電流を得られない。図12は、スーパーストレート型シングル構造を有し、発電層に微結晶SiGe膜を用いた従来の太陽電池における、微結晶SiGe膜中のGe濃度と短絡電流密度との関係を例示するグラフである。このグラフでは、微結晶SiGe中のGe濃度が14原子、31原子及び39原子における各短絡電流密度を、Ge濃度が14原子のときの短絡電流密度を1任意単位として相対的に示してあるなお、以下において、SiGeにおける各成分元素の濃度をで表記した場合は、特に断りのない限り原子を意味するものとする。図12に示すように、微結晶SiGe中のGe濃度が高いと、短絡電流密度は逆に減少した。この原因は主に800nm以下の短波長の光に対して、微結晶SiGeはGe濃度が高いほど分光感度が低くなることによる。一方、800nmより長波長の光に対して、微結晶SiGeはGe濃度が高いほど分光感度が向上する傾向が見られるが、このような長波長光に対しても期待されるほどの短絡電流密度の向上効果は得られていない。図13は、Ge濃度がそれぞれ14、31及び39の微結晶SiGeを発電層として有する上記太陽電池に関して、この太陽電池に入射する光の波長単位:nmと分光感度の関係を示したグラフである、各分光感度は、Ge濃度が14のときの各波長における分光感度を1任意単位として、相対的に示したものである。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、p型半導体層及びn型半導体層の間に微結晶シリコンゲルマニウムからなる真性半導体層を設けてなる光電変換層を有する光電変換素子であって、短絡電流密度が向上した光電変換素子を提供することを目的とする。また本発明は、上記特性を有する光電変換素子を製造するための製造方法及び薄膜形成装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明は、以下の手段を採用する。本発明の参考例とされる光電変換素子は、p型半導体層及びn型半導体層の間に真性半導体層を設けてなるpin接合またはnip接合からなる第1の光電変換層を有する光電変換素子であって、前記第1の光電変換層における前記真性半導体層が実質的に微結晶シリコンゲルマニウムからなり、該真性半導体層中の酸素濃度が、1020個/cm3未満、好ましくは1019個/cm3以下であることを特徴とする。上記構成の光電変換素子は、短絡電流密度が向上した光電変換素子となる。前記微結晶シリコンゲルマニウム中のゲルマニウム濃度は、5原子以上50原子以下、好ましくは15原子以上40原子以下とすることができる。上記ゲルマニウム濃度が5原子未満では、微結晶シリコンゲルマニウムも用いることによる光吸収率の向上効果が十分ではなく、好ましくない。また、上記ゲルマニウム濃度が50原子を超えると、バンドギャップが狭くなりすぎて開放電圧が低くなりすぎるため好ましくない。前記光電変換素子は、前記第1の光電変換層の、光電変換素子が起電する際に光が入射する側に、p型半導体層及びn型半導体層の間に真性半導体層を設けてなるpin接合またはnip接合からなる第2の光電変換層素子を積層し、いわゆるタンデム構造としてもよい。さらに、前記光電変換素子は、前記第2の光電変換層の、光電変換素子が起電する際に光が入射する側に、p型半導体層及びn型半導体層の間に真性半導体層を設けてなるpin接合またはnip接合からなる第3の光電変換層素子を積層し、いわゆるトリプル構造としてもよい。本発明の参考例の光電変換素子は、その構造をタンデム構造やトリプル構造といった多接合構造とし、光電変換素子が起電する際に光が入射する側と反対側の光電変換層以下、ボトム層ともいうを、実質的に微結晶シリコンゲルマニウムからなり、上記特定の値まで削減された酸素濃度を有する真性半導体層を備えた前記第1の光電変換層とすることにより、優れた光吸収特性を有する光電変換素子とすることができる。本発明の参考例とされる光電変換素子の製造方法は、p型半導体層、真性半導体層及びn型半導体層を順にまたは逆順に成膜してpin接合またはnip接合からなる第1の光電変換層を形成する工程を含む光電変換素子の製造方法であって、前記第1の光電変換層の形成において、前記真性半導体層を化学気相成長法以下、CVD法というにより実質的に微結晶シリコンゲルマニウムからなる層として成膜し、該真性半導体層中の酸素濃度を1020個/cm3未満、好ましくは1019個/cm3以下とすることを特徴とする。この光電変換素子の製造方法によれば、短絡電流密度が向上した光電変換素子を製造することができる。前記CVD法としては、プラズマCVD法が好適に採用される。本発明の参考例の光電変換素子の製造方法において、前記微結晶シリコンゲルマニウム中のゲルマニウム濃度は、5原子以上50原子以下、好ましくは15原子以上40原子以下とされる。上記ゲルマニウム濃度が5原子未満では、微結晶シリコンゲルマニウムも用いることによる光吸収率の向上効果が十分な光電変換素子を製造することができないので好ましくない。また、上記ゲルマニウム濃度が50原子を超えると、バンドギャップが狭くなりすぎて開放電圧が低くなりすぎるため好ましくない。本発明の参考例の光電変換素子の製造方法において、前記第1の光電変換層の、光電変換素子が起電する際に光が入射する側に、p型半導体層、真性半導体層及びn型半導体層を順にまたは逆順に成膜してpin接合またはnip接合からなる第2の光電変換層を形成する工程を設けて、タンデム構造の光電変換素子を製造するようにしてもよい。また、前記第2の光電変換層の、光電変換素子が起電する際に光が入射する側に、p型半導体層、真性半導体層及びn型半導体層を順にまたは逆順に成膜してpin接合またはnip接合からなる第3の光電変換層を形成する工程を設け、トリプル構造の光電変換素子を製造するようにしてもよい。上記光電変換素子の製造方法によれば、実質的に微結晶シリコンゲルマニウムからなり、上記特定の値まで削減された酸素濃度を有する真性半導体層を備えた前記第1の光電変換層をボトム層とする、タンデム構造やトリプル構造といった多接合構造を有する光電変換素子を製造することにより、優れた光吸収特性を有する光電変換素子を製造することができる。本発明の薄膜形成装置は、内部を真空状態で密封可能な反応容器と、前記反応容器内に被処理物を保持する保持部と、前記被処理物上に少なくとも実質的に微結晶シリコンゲルマニウムからなる真性半導体層を形成するための原料ガスを、前記反応容器内に供給する原料ガス供給部と、前記原料ガスの化学反応を促進し、CVD法により前記真性半導体層を前記被処理物上に形成する化学反応促進手段とを備えた薄膜形成装置であって、前記原料ガス供給部に、前記真性半導体層中の酸素濃度を1020個/cm3未満、好ましくは1019個/cm3以下とする酸素低減手段を設けたことを特徴とする。この薄膜形成装置は、短絡電流密度が向上した光電変換素子を製造する際に好適に用いられる。上記本発明の薄膜形成装置において、前記酸素低減手段は、前記原料ガス供給部に設けられ、酸素濃度0.1ppm以下の原料ガスを収容したガス蓄積部であってもよい。上記構成の薄膜形成装置を用いることにより、前記真性半導体層中の酸素濃度を所定の値まで低減し、短絡電流密度が向上した光電変換素子を製造することができる。また、上記本発明の薄膜形成装置において、前記酸素低減手段は、前記原料ガス供給部と前記反応容器の間に設けられ、前記原料ガス中の酸素ガス及び酸素を生成し得るガスの少なくともいずれかを除去する精製器であってもよい。上記構成の薄膜形成装置を用いることにより、前記真性半導体層中の酸素濃度を所定の値まで低減し、短絡電流密度が向上した光電変換素子を製造することができる。上記本発明の薄膜形成装置において、前記化学反応促進手段は、前記保持部からなる陽極と、前記反応容器内に設けられた陰極とから構成され、前記陽極と前記陰極の間に超高周波電圧を印加することにより前記原料ガスのプラズマを発生し、プラズマCVD法により前記真性半導体層を前記被処理物上に形成するものであってもよい。上記構成の薄膜形成装置を用いることにより、優れた短絡電流密度を有する光電変換素子をプラズマCVD法により製造することができる。本発明の光電変換素子及びその製造方法並びに薄膜形成装置によれば、p型半導体層及びn型半導体層の間に微結晶シリコンゲルマニウムからなる真性半導体層を設けてなる光電変換層の短絡電流密度を向上することができる。以下に、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。第1の実施形態本発明の参考例に係る絶縁性基板側から光を入射するタイプの太陽電池光電変換素子の製造方法について図1及び図2を参照して説明する。製造装置図1は、本実施形態の太陽電池を製造するプラズマCVD装置の一例を示す概略図である。プラズマCVD装置30は、反応容器11と、超高周波電源17と、原料ガス供給部18とを具備する。また、図示していないが、反応容器11を真空排気するターボ分子ポンプやロータリーポンプ、並びに原料ガスを排気するドライポンプを具備する。さらに、図示していないが、p、i、n各層に対して製膜を行なうプラズマCVD装置30はそれぞれ異なり、各プラズマCVD装置30は、搬送室を経由して真空中で基板が輸送できるような構成となっている。超高周波電源17は、所望の特性の超高周波プラズマ励起周波数、例示:40~150MHz電力を反応容器11内の放電用の電極後述へ供給する。原料ガス供給部18は、ガス蓄積部16から、第1のガス流量制御装置15を介して所望の流量、流量比の原料ガス19を反応容器11内へ供給する。ガス蓄積部16は、複数の種類のガスSiH4、GeH4、H2、B2H6、PH3等のガスボンベに例示される。i型微結晶シリコンゲルマニウム層を形成する原料ガスを蓄積したガス蓄積部16においては、i型微結晶シリコンゲルマニウム層の膜中酸素濃度が1020個/cm3未満、好ましくは1019個/cm3以下となるように、原料ガス中の酸素ガス及び酸素を生成し得るガスの濃度が低減されている以下、この原料ガスを高純度原料ガスという。例えば、原料ガスとしてGeH4を蓄積したガス蓄積部16では、純度が99.999より高く、O2、H2O、CO及びCO2の濃度がいずれも0.1ppm未満の高純度原料ガスが用いられる。さらに、原料ガス供給部18のガス流量制御装置15と反応容器11の間には、上流側から順にH2Oを除去する精製器21と第2のガス流量制御装置25が設けられている。精製器21としては、例えばサエスゲッターズ社製、マイクロトールPS11-MC1標準フィルター0.003μmを用いることができ、精製器21の出口ガスの不純物濃度を1ppb未満とすることができる。なお、所望のi型微結晶シリコンゲルマニウム層の膜中酸素濃度が得られるのであれば、上記高純度原料ガスの使用及び精製器21の設置のいずれかを省略してもよい。第1のガス流量制御装置15及び第2のガス流量制御装置25は、複数のガスボンベの各々に対応して設けられたマスフローメータに例示される。i型微結晶シリコンゲルマニウム層におけるSi濃度及びGe濃度は、SiH4及びGeH4のそれぞれを蓄積したガス蓄積部16に対応して設けられた第1のガス流量制御装置15及び第2のガス流量制御装置25を制御することにより、任意に調節される。例えば、前記Ge濃度は、5以上50以下、好ましくは15以上40以下とされる。反応容器11では、供給される超高周波電力、及び、供給される一つ又は複数の種類のガスにより、薄膜Si系太陽電池の各層となる膜が基板1上に製膜される。反応容器11は、陽極保持部12と、放電用電極陰極13と、原料ガス導入部14とを備える。陽極12は、基板1を加熱するヒーターの機能を含もので、基板1を保持し、接地されている。放電用電極13は、超高周波電源17から所望の電力を供給され、陽極12との間で供給された原料ガス19のプラズマを生成する。放電用電極13は、基板1との距離がギャップ長dGだけ離れて、陽極12に対向している。ここでは、矩形状の棒で構成されるプラズマ電極を用いているが、平行平板型電極であっても構わない。原料ガス導入部14は、放電用電極13のラダーの隙間を通して、プラズマの形成される空間陽極12と放電用電極13との間へ原料ガス19を導入する。ただし、放電用電極13と原料ガス導入部14とが一体となり、いずれか一方が他方の機能を含んでいても良い。第1工程図2は、本発明の参考例に係る絶縁性基板側から光を入射するタイプの太陽電池の概略断面図である。透明絶縁性基板絶縁性基板111上に第1透明電極112を形成する。透明絶縁性基板111には、例えば光透過を示す白板ガラスが用いられる。第1透明電極112は、例えば酸化錫以下、SnO2というやガリウムまたはアルミニウムをドープした酸化亜鉛以下、それぞれGZO及びAZOという等の透明導電性酸化物以下、TCOというからなる。なお、後述する微結晶シリコン層及び微結晶シリコンゲルマニウム層の製造過程で用いる水素による第1透明電極112の還元を抑制するため、数十nmの厚さの酸化亜鉛膜を第1透明電極112上へ形成してもよい。第2工程次に、プラズマCVD装置30の陽極12に、第1透明電極112が形成された透明絶縁性基板111を被処理物として保持させた状態で、被処理物を反応容器11に収納した後、真空ポンプを作動して前記反応容器11内を真空排気する。つづいて、陽極12に内蔵された加熱ヒーターに通電し、前記被処理物の基板111を例えば160°C以上に加熱する。そして、原料ガス導入部14から反応容器11内に原料ガスであるSiH4、H2およびp型不純物ガスを導入し、反応容器11内を所定の圧力に制御する。そして、高周波電源17から高周波電力を放電用電極13に供給することにより前記放電用電極13と前記被処理物の間にプラズマを発生させ、前記被処理物の第1透明電極112上に微結晶のp型微結晶シリコン層113を成膜する。前記p型不純物ガスとしては、例えばB2H6等を用いることができる。第3工程p型微結晶シリコン層13を成膜した後、透明絶縁性基板111を被処理物としてプラズマCVD装置30の別の反応容器11に収納し、反応容器11内を真空排気する。つづいて、原料ガス導入部14から反応容器11内に原料ガスであるGeH4、SiH4及びH2を導入し、反応容器11内の所定の圧力に制御する。そして、超高周波電源17から周波数が40MHz以上の超高周波電力を放電用電極13に供給することにより、前記放電用電極13と前記被処理物の間にプラズマを発生させ、前記被処理物のp型微結晶シリコン層113の上に微結晶のi型シリコンゲルマニウム層真性半導体層114を成膜する。このとき、i型微結晶シリコンゲルマニウム層114を形成する原料ガスを蓄積したガス蓄積部16に蓄積された上記高純度原料ガスを用いて、かつ/または精製器21が用いられるので、i型微結晶シリコンゲルマニウム層114の膜中酸素濃度は、1020個/cm3未満、好ましくは1019個/cm3以下とされる。また、i型微結晶シリコンゲルマニウム層114中のGe濃度は、第1のガス流量制御装置15及び第2のガス流量制御装置25を制御することにより、5以上50以下、好ましくは15以上40以下とされる。また、反応容器11内にプラズマを発生させる際の圧力は、0.5~30Torr67Pa~4kPaの範囲、好ましくは1.0~20Torr133~2.7kPaの範囲に設定することが望ましい。第4工程i型シリコンゲルマニウム層114を成膜した後、透明絶縁性基板111を被処理物としてプラズマCVD装置30の別の反応容器11に収納し、反応容器11内を真空排気する。つづいて、原料ガス導入部14からこの反応容器11内に原料ガスであるSiH4、H2およびn型不純物ガスPH3等を導入し、反応容器11内の所定の圧力に制御する。そして、超高周波電源17から超高周波電力を放電用電極13に供給することにより放電用電極13と被処理物の間にプラズマを発生させ、i型シリコンゲルマニウム層114上にn型シリコン層115を成膜する。この後、前記被処理物をプラズマCVD装置30から取り出し、n型シリコン層115上に第2透明電極116および裏面電極117を順次形成して太陽電池を製造する。この太陽電池は、基板側から順にp層、i層、n層が形成された構造以下、pin接合というからなる光電変換層を1組だけ具備したいわゆるシングル構造を有している。また、この太陽電池は、透明絶縁性基板111側から太陽光のような光を入射させて前記pin接合の光電変換層で光電変換させることにより起電される。なお前記n型不純物ガスとしては、例えばPH3等を用いることができる。また第2透明電極116は、例えばITO、GZOまたはAZOから作られる。更に裏面電極117は、例えばAlあるいはAgから作られる。なお、太陽電池の製造において、上記光電変換層は、第1透明電極112側からp微結晶型シリコン層113、i型微結晶シリコンゲルマニウム層114、n型微結晶シリコン層115を順次成膜してpin接合としたが、n型シリコン層、i型シリコンゲルマニウム層、p型シリコン層を順次成膜した構造としてもよい以下、基板側から順にn層、i層、p層が形成された構造をnip接合という。また、第1透明電極112とpin接合またはnip接合を持つ光電変換層第1の光電変換層との間に、p、i、nの配列がこの第1の光電変換層と同様なpin接合またはnip接合を持つ第2の光電変換層を配置して、いわゆるタンデム構造の太陽電池としてもよい。この第2の光電変換層は、例えばアモルファスシリコン層、アモルファスシリコンゲルマニウム層または微結晶シリコン層から構成することができる。なお、タンデム構造において、各光電変換層は光の入射側から順にトップ層、ボトム層ともいう。更に、第1透明電極112と第2の光電変換層との間に、p、i、nの配列が第1の光電変換層及び第2の光電変換層と同様なpin接合またはnip接合を持つ第3の光電変換層を配置して、いわゆるトリプル構造の太陽電池としてもよい。この場合、第3の光電変換層/第2の光電変換層の組み合わせは、例えばアモルファスシリコン層/微結晶シリコン層、アモルファスシリコン層/アモルファスシリコンゲルマニウム層、アモルファスシリコン層/アモルファスシリコン層またはアモルファスシリコンゲルマニウム層/微結晶シリコン層とすることができる。なお、トリプル構造において、各光電変換層は光の入射側から順にトップ層、ミドル層、ボトム層ともいう。第2の実施形態本発明の参考例に係る第2透明電極側から光を入射するタイプの太陽電池の製造方法について、図3を参照して説明する。なお、製造装置は図1に示した第1の実施形態のプラズマCVD装置30と同様なので、その説明を省略する。第1工程図3は、本発明の参考例に係る第2透明電極側から光を入射するタイプの太陽電池の概略断面図である。例えば光透過を示す白板ガラスの透明絶縁性基板111絶縁性基板上に例えばAlまたはAgからなる裏面電極118を形成した後、この裏面電極118上に例えばGZO、AZOまたはITOのような透明導電性酸化物TCOから作られる第1透明電極119を形成する。第2工程次に、プラズマCVD装置30の陽極12に、第1透明電極119が形成された透明絶縁性基板111を被処理物として保持させた状態で、被処理物を反応容器11に収納した後、真空ポンプを作動して前記反応容器11内を真空排気する。つづいて、陽極12に内蔵された加熱ヒーターに通電し、前記被処理物の基板111を例えば160°C以上に加熱する。そして、原料ガス導入部14から反応容器11内に原料ガスであるSiH4、H2およびn型不純物ガスを導入し、反応容器11内を所定の圧力に制御する。そして、超高周波電源17から超高周波電力を放電用電極13に供給することにより前記放電用電極13と前記被処理物の間にプラズマを発生させ、前記被処理物の第1透明電極119上に微結晶のn型シリコン層115を成膜する。前記n型不純物ガスとしては、例えばPH3等を用いることができる。第3工程n型シリコン層115を成膜した後、透明絶縁性基板111を被処理物としてプラズマCVD装置30の別の反応容器11に収納し、反応容器11内を真空排気する。つづいて、反応容器11内を真空排気した後、原料ガス導入部14から反応容器11内に原料ガスであるGeH4、SiH4及びH2を導入し、反応容器11内の所定の圧力に制御する。そして、超高周波電源17から周波数が40MHz以上の超高周波電力を放電用電極13に供給することにより、前記放電用電極13と前記被処理物の間にプラズマを発生させ、前記被処理物のn型シリコン層115の上にi型シリコンゲルマニウム層114を成膜する。このとき、i型微結晶シリコンゲルマニウム層114を形成する原料ガスを蓄積したガス蓄積部16に蓄積された上記高純度原料ガスを用いて、かつ/または精製器21が用いられるので、i型微結晶シリコンゲルマニウム層114の膜中酸素濃度は、1020個/cm3未満、好ましくは1019個/cm3以下とされる。また、i型微結晶シリコンゲルマニウム層114中のGe濃度は、第1のガス流量制御装置15及び第2のガス流量制御装置25を制御することにより、5以上50以下、好ましくは15以上40以下とされる。また、反応容器11内にプラズマを発生させる際の圧力は、0.5~30Torr67Pa~4kPaの範囲、好ましくは1.0~20Torr133~2.7kPaの範囲に設定することが望ましい。第4工程i型シリコンゲルマニウム層114を成膜した後、透明絶縁性基板111を被処理物としてプラズマCVD装置30の別の反応容器11に収納し、反応容器11内を真空排気する。つづいて、原料ガス導入部14からこの反応容器11内に原料ガスであるSiH4、H2およびp型不純物ガスB2H6等を導入し、反応容器11内の所定の圧力に制御する。そして、超高周波電源17から超高周波電力を放電用電極13に供給することにより放電用電極13と被処理物の間にプラズマを発生させ、i型シリコンゲルマニウム層114上にp型微結晶シリコン層113を成膜する。この後、前記被処理物をプラズマCVD装置30から取り出し、p型微結晶シリコン層113上に例えばGZO、AZOまたはITOのような透明導電性酸化物TCOからなる第2透明電極121を形成し、更に集電電極122を形成して太陽電池を製造する。この太陽電池は、nip接合からなる光電変換層を1組だけ具備したいわゆるシングル構造を有している。また、この太陽電池は、第2透明電極側から太陽光のような光を入射させて前記nip接合の光電変換層で光電変換させることにより起電される。なお、太陽電池の製造において、上記光電変換層は、第1透明電極119側からn型シリコン層115、i型シリコンゲルマニウム層114、p型微結晶シリコン層113を順次成膜してnip接合としたが、pin接合としてもよい。また、第2透明電極121とpin接合またはnip接合を持つ光電変換層第1の光電変換層との間に、p、i、nの配列がこの第1の光電変換層と同様なpin接合またはnip接合を持つ第2の光電変換層を配置して、いわゆるタンデム構造の太陽電池としてもよい。この第2の光電変換層は、例えばアモルファスシリコン層、アモルファスシリコンゲルマニウム層または微結晶シリコン層から構成することができる。更に、第2透明電極121と第2の光電変換層との間に、p、i、nの配列が第1の光電変換層及び第2の光電変換層と同様なpin接合またはnip接合を持つ第3の光電変換層を配置して、いわゆるトリプル構造の太陽電池としてもよい。この場合、第2の光電変換層/第3の光電変換層の組み合わせは、例えば微結晶シリコン層/アモルファスシリコン層、アモルファスシリコンゲルマニウム層/アモルファスシリコン層、アモルファスシリコン層/アモルファスシリコン層または微結晶シリコン層/アモルファスシリコンゲルマニウム層とすることができる。次に、本発明の参考例に係る太陽電池光電変換装置及びその製造方法について、下記参考例1~参考例6により更に詳細に説明する。参考例1~参考例3は透明絶縁基板側から光を入射させる太陽電池スーパーストレート型であり、参考例4~参考例6は基板と反対側第2透明電極側から光を入射させる太陽電池サブストレート型である。参考例1参考例1では、pin接合を有する1組の光電変換層を具備してなるシングル構造のスーパーストレート型太陽電池について、図2を参照して説明する。まず、光透過性を有する白板ガラスからなる透明絶縁性基板111上にTCOからなる第1透明電極112を形成した。次いで、プラズマCVD装置30の反応容器11内に、第1透明電極112が形成された透明絶縁性基板111を被処理物として収納し、真空ポンプを作動して真空雰囲気とした。つづいて、前記被処理物を160°Cに加熱した。加熱温度が十分安定した後、原料ガス導入部14から原料ガスであるSiH4、H2およびB2H6をそれぞれ3sccm、300sccm、0.016sccmの流量で反応容器11に導入し、反応容器11内を500mTorrの圧力に制御した。温度および圧力が十分安定した後、周波数100MHz、出力75Wの高周波電力を放電用電極13に供給することにより前記放電用電極13と前記被処理物の間にプラズマを発生させ、前記被処理物の第1透明電極112上に厚さ20nmのp型微結晶シリコン層113を成膜した。次いで、p型シリコン層13が形成された透明絶縁性基板111を被処理物として別の反応容器11に収納して、真空雰囲気とした。つづいて、前記被処理物を180°Cに加熱した。加熱温度が十分安定した後、原料ガス導入部14から原料ガスであるSiH4、GeH4、H2を反応容器11に導入し、反応容器11内を2.0Torrの圧力に制御した。温度および圧力が十分安定した後、周波数100MHz、出力30Wの高周波電力を放電用電極13に供給することにより前記放電用電極13と前記被処理物の間にプラズマを発生させ、前記被処理物のp型微結晶シリコン層113上にi型シリコンゲルマニウム層114を1μm厚成膜した。それぞれの原料ガスの流量を制御し、i型シリコンゲルマニウム層114中のGe濃度が14、31及び38のサンプルを作製した。また、原料ガスとして前記高純度原料ガスを用い、さらに原料ガスを精製器21に通すことにより、i型シリコンゲルマニウム層114中の酸素濃度を1019個/cm3台とした。酸素濃度の計測は、SIMSSecondaryIonMassSpectrometry、二次イオン質量分析により行なった。一次イオン源としてCsを用いて試料をスパッタリングし、四重極型質量分析装置により対象元素の量を評価した。本計測ではSIMS装置として四重極型SIMS型式PhysicalElectronics6650を用いた以下、他の参考例においても同様の方法で酸素濃度を計測した。なお、本参考例に対応した比較例として、従来の原料ガスを用いて、かつ精製器21は用いずに、i型シリコンゲルマニウム層114中の酸素濃度を1020個/cm3台としたサンプルも作製した。さらに別の反応容器11に被処理物を収納して、真空雰囲気とし、つづいて、前記被処理物を170°Cに加熱した。加熱温度が十分安定した後、原料ガス導入部14から原料ガスであるSiH4、H2及びPH3をそれぞれ3sccm、300sccm、0.1sccmの流量で反応容器11に導入し、反応容器11内を700mTorrの圧力に制御した。温度および圧力が十分安定した後、周波数60MHz、出力15Wの高周波電力を放電用電極13に供給することにより前記放電用電極13と前記被処理物の間にプラズマを発生させ、前記被処理物のi型シリコンゲルマニウム層114上に厚さ30nmのn型シリコン層115を成膜した。この後、前記被処理物をプラズマCVD装置30の反応容器11から取り出し、前記n型シリコン層115にGZOからなる第2透明電極116およびAgからなる裏面電極117を順次形成して図2に示す太陽電池を製造した。図4に、本参考例及び比較例で得られた各太陽電池の短絡電流密度を、i型シリコンゲルマニウム層114中のGe濃度が14、酸素濃度が1020個/cm3のときの短絡電流密度を1任意単位として、相対的に示す。光電変換層中のi層が微結晶シリコンゲルマニウム層であるシングル構造のスーパーストレート型太陽電池においては、微結晶シリコンゲルマニウム層中の酸素濃度を1020個/cm3台から1019個/cm3台に低減することで、短絡電流が増加した。すなわち、微結晶シリコンゲルマニウム層中のGe濃度が同じであっても、酸素濃度を減らしただけで、短絡電流密度が上がることが分かる。従来は、微結晶シリコンゲルマニウム層中のGe濃度を上げたいという要請があったが、従来の酸素濃度1020個/cm3台ではGe濃度を上げるとかえって短絡電流密度が下がってしまっていた。本参考例の結果から、酸素濃度を下げることにより1019個/cm3、Ge濃度を上げると短絡電流密度も上がる効果が得られることが分かった。なお、本参考例においてはpin接合の光電変換層を有する太陽電池について述べたが、nip接合の光電変換層を有する太陽電池についても同様に製造することが可能であり、また同様の効果が得られる。参考例2参考例2では、pin接合を有する2組の光電変換層を具備してなるタンデム構造のスーパーストレート型太陽電池について図5を参照して説明する。図5に示すように、白板ガラスからなる透明絶縁性基板111上にTCOからなる第1透明電極112を形成した。続いて、この第1透明電極112上にp型アモルファスシリコンカーバイド層131,i型アモルファスシリコン層132、n型微結晶シリコン層133を積層してpin接合のアモルファスシリコン層からなるトップ層を形成した。なお、アモルファスシリコン層の形成は、主としてシランの水素希釈率、ガス圧、超高周波電力を低下させた製膜条件にて行った。つづいて、このトップ層上に参考例1と同様な方法によりp型微結晶シリコン層113、i型微結晶シリコンゲルマニウム層114、n型微結晶シリコン層115を積層してボトム層を形成した。なお、i型シリコンゲルマニウム層114中のGe濃度は14とした。また、原料ガスとして前記高純度原料ガスを用い、さらに原料ガスを精製器21に通すことにより、i型シリコンゲルマニウム層114中の酸素濃度を1019個/cm3台とした。なお、本参考例に対応した比較例として、従来の原料ガスを用いて、かつ精製器21は用いずに、i型シリコンゲルマニウム層114中の酸素濃度を1020個/cm3台としたサンプルも作製した。ひきつづき、ボトム層上にGZOからなる第2透明電極116およびAgからなる裏面電極17を順次形成して図5に示す太陽電池を製造した。図6に、本参考例及び比較例で得られた各太陽電池に関し、短絡電流密度一定の場合において、ボトム層のi型シリコンゲルマニウム層114の膜厚を示す。各膜厚は、i型シリコンゲルマニウム層114中のGe濃度が14、酸素濃度が1020個/cm3のときの膜厚を1任意単位として、相対的に示す。ボトム層中のi層が微結晶シリコンゲルマニウム層であるタンデム構造のスーパーストレート型太陽電池においては、微結晶シリコンゲルマニウム層中の酸素濃度を1020個台/cm3から1019個台/cm3へ低減することで、短絡電流密度を増加でき、同一の電流密度を得るためのボトム層膜厚を薄膜化することが出来た。なお、トップ層の材料としてはアモルファスシリコン、アモルファスシリコンゲルマニウム、微結晶シリコンのいずれも使用することが可能である。また、本参考例においてはpin接合の光電変換層を有する太陽電池について述べたが、nip接合の光電変換層を有する太陽電池についても同様に製造することが可能であり、また同様の効果が得られる。参考例3参考例3では、pin接合を有する3組の光電変換層を具備してなるトリプル構造のスーパーストレート型太陽電池について図7を参照して説明する。図7に示すように、白板ガラスからなる透明絶縁性基板111上にTCOからなる第1透明電極112を形成した。続いて、この第1透明電極112上にp型アモルファスシリコンカーバイド層131,i型アモルファスシリコン層132、n型微結晶シリコン層133を積層してpin接合のアモルファスシリコン層からなるトップ層を形成した。つづいて、このトップ層上にp型微結晶シリコン層143,i型微結晶シリコン層144、n型微結晶シリコン層145を積層してpin接合の微結晶シリコン層からなるミドル層を形成した。つづいて、このミドル層上に参考例1と同様な方法によりp型微結晶シリコン層113,i型微結晶シリコンゲルマニウム層114、n型微結晶シリコン層115を積層してボトム層を形成した。なお、i型シリコンゲルマニウム層114中のGe濃度は14とした。また、原料ガスとして前記高純度原料ガスを用い、さらに原料ガスを精製器21に通すことにより、i型シリコンゲルマニウム層114中の酸素濃度を1019個/cm3台とした。なお、本参考例に対応した比較例として、従来の原料ガスを用いて、かつ精製器21は用いずに、i型シリコンゲルマニウム層114中の酸素濃度を1020個/cm3台としたサンプルも作製した。ひきつづき、GZOからなる第2透明電極116およびAgからなる裏面電極117を順次形成して図7に示す太陽電池を製造した。図8に、本参考例及び比較例で得られた太陽電池に関し、短絡電流密度一定の場合におて、ボトム層のi型シリコンゲルマニウム層114の膜厚を示す。各膜厚は、i型シリコンゲルマニウム層114中のGe濃度が14、酸素濃度が1020個/cm3のときの膜厚を1任意単位として、相対的に示す。ボトム層中のi層が微結晶シリコンゲルマニウム層であるトリプル構造のスーパーストレート型太陽電池においては、微結晶シリコンゲルマニウム層中の酸素濃度を1020個台/cm3から1019個台/cm3へ低減することで、短絡電流密度を増加でき、同一の電流密度を得るためのボトム層膜厚を薄膜化することが出来た。なお、トップ層の材料としてはアモルファスシリコン、アモルファスシリコンゲルマニウムのどちらでも使用することが可能である。ミドル層の材料としては、微結晶シリコン、アモルファスシリコンゲルマニウム、アモルファスシリコンのいずれも使用することが可能である。また、本参考例においてはpin接合の光電変換層を有する太陽電池について述べたが、nip接合の光電変換層を有する太陽電池についても同様に製造することが可能であり、また同様の効果が得られる。参考例4参考例4では、nip接合を有する1組の光電変換層を具備してなるシングル構造のサブストレート型太陽電池について、図3を参照して説明する。まず、光透過を有する白板ガラスからなる透明絶縁性基板111上にAgからなる裏面電極118およびGZOからなる第1透明電極119を形成した。つづいて、第1透明電極119上に参考例1と同様な方法によりn型微結晶シリコン層115,i型微結晶シリコンゲルマニウム層114、p型微結晶シリコン層113を積層した。ひきつづき、p型微結晶シリコン層113上にITOからなる第2透明電極121を形成し、さらに第2透明電極121上に集電電極122を形成して図3に示す太陽電池を製造した。なお、上記透明絶縁性基板111に代えてステンレス板等を基板に用いてもよい。また、本参考例においてはnip接合の光電変換層を有する太陽電池について述べたが、pin接合の光電変換層を有する太陽電池についても同様に製造することが可能であり、また同様の効果が得られる。参考例5参考例5では、nip接合を有する2組の光電変換層を具備してなるタンデム構造のサブストレート型太陽電池について図9を参照して説明する。まず、光透過を有する白板ガラスからなる透明絶縁性基板111上にAgからなる裏面電極118およびGZOからなる第1透明電極119を形成した。つづいて、第1透明電極119上に参考例1と同様な方法によりn型微結晶シリコン層115、i型微結晶シリコンゲルマニウム層114、p型微結晶シリコン層113を積層してnip接合のボトム層を形成した。次に、このボトム層上に、n型微結晶シリコン層133,i型アモルファスシリコン層132、p型アモルファスシリコンカーバイド層131を積層してnip接合のアモルファスシリコン層からなるトップ層を形成した。アモルファスシリコン層の形成は、主としてシランの水素希釈率、ガス圧、超高周波電力を低下させた製膜条件にて行った。ひきつづき、このトップ層上にITOからなる第2透明電極121を形成し、さらに第2透明電極121上に集電電極122を形成して図9に示す太陽電池を製造した。なお、トップ層の材料としてはアモルファスシリコン、アモルファスシリコンゲルマニウム、微結晶シリコンのいずれも使用することが可能である。また、上記透明絶縁性基板111に代えてステンレス板等を基板に用いてもよい。また、本参考例においてはnip接合の光電変換層を有する太陽電池について述べたが、pin接合の光電変換層を有する太陽電池についても同様に製造することが可能であり、また同様の効果が得られる。参考例6参考例6では、nip接合を有する3組の光電変換層を具備してなるトリプル構造のサブストレート型太陽電池について図10を参照して説明する。まず、光透過を有する白板ガラスからなる透明絶縁性基板111上にAgからなる裏面電極118およびGZOからなる第1透明電極119を形成した。つづいて、第1透明電極119上に参考例1と同様な方法により微結晶のn型シリコン層115,i型シリコンゲルマニウム層114、p型微結晶シリコン層113を積層してnip接合のボトム層を形成した。つづいて、このボトム層上にn型微結晶シリコン層145,i型微結晶シリコン層144、p型微結晶シリコン層143を積層してnip接合の微結晶シリコン層からなるミドル層を形成した。更に、このミドル層上に、n型微結晶シリコン層133,i型アモルファスシリコン層132、p型アモルファスシリコンカーバイド層131を積層してnip接合のアモルファスシリコン層からなるトップ層を形成した。ひきつづき、このトップ層上にITOからなる第2透明電極121を形成し、さらに第2透明電極121上に集電電極122を形成して図10に示す太陽電池を製造した。なお、トップ層の材料としてはアモルファスシリコン、アモルファスシリコンゲルマニウムのどちらでも使用することが可能である。ミドル層の材料としては、微結晶シリコン、アモルファスシリコンゲルマニウム、アモルファスシリコンのいずれも使用することが可能である。また、上記透明絶縁性基板111に代えてステンレス板等を基板に用いてもよい。また、本参考例においてはnip接合の光電変換層を有する太陽電池について述べたが、pin接合の光電変換層を有する太陽電池についても同様に製造することが可能であり、また同様の効果が得られる。参考例7プラズマCVD装置30を用いて、従来の原料ガスを用いて、かつ精製器21は用いずに、ガラス基板上に微結晶シリコンゲルマニウム層を形成した。微結晶シリコンゲルマニウム層中のGe濃度が30、34及び40のサンプルを作製した。同様にガラス基板上に微結晶シリコン層Ge濃度0のサンプルも作製した。各サンプルについて、微結晶シリコンゲルマニウム層または微結晶シリコン層中の酸素濃度単位:個/cm3を測定した。結果を図11に示す。図11に示した結果から、Ge濃度が高い微結晶シリコンゲルマニウム層ほど酸素濃度が高いことが分かった。従って、微結晶シリコンゲルマニウム層中のGe濃度を低減することにより、酸素濃度も低減できることが分かる。"