処理すべき基板に対し、真空雰囲気中で一貫して複数の処理を施す真空処理装置において、相互に隔絶可能に連結された複数の処理室と、各処理室間に対して基板を搬入または搬出する搬送手段と、少なくとも当該搬送手段の作動を制御する制御ユニットとを備え、前記複数の処理室のうち、同一の処理を施す少なくとも2つの処理室を、複数枚の基板を収容してこれら複数枚の基板に対して同時にストック処理を施すストック処理室とし、何れか一のストック処理室にてストック処理を施す間、他のストック処理室に対しては基板の搬入または搬出のみを行うように構成したことを特徴とする真空処理装置。前記制御ユニットにより、ストック処理室に搬入される基板の枚数が、ストック処理の処理時間をこのストック処理の前工程の処理時間で除算することで得られる数値以上に決定されることを特徴とする請求項1記載の真空処理装置。本発明は、以上の点に鑑み、設置面積を増大させることなく、処理能力を向上させることが可能な真空処理装置を提供することをその課題とする。上記課題を解決するために、本発明は、処理すべき基板に対し、真空雰囲気中で一貫して複数の処理を施す真空処理装置において、相互に隔絶可能に連結された複数の処理室と、各処理室間に対して基板を搬入または搬出する搬送手段と、少なくとも当該搬送手段の作動を制御する制御ユニットとを備え、前記複数の処理室のうち、同一の処理を施す少なくとも2つの処理室を、複数枚の基板を収容してこれら複数枚の基板に対して同時にストック処理を施すストック処理室とし、何れか一のストック処理室にてストック処理を施す間、他のストック処理室に対しては基板の搬入または搬出のみを行うように構成したことを特徴とする。本発明によれば、同一の処理を施す少なくとも2つの処理室をストック処理室とし、何れか一のストック処理室でストック処理が施されている間、他のストック処理室において基板の搬入または搬出のみを行うように構成したため、ストック処理室にて処理済みの基板を、搬送ロボットによりストック処理の後工程を行う処理室へと移送して当該処理室に搬入でき、ストック処理の前工程で処理済みの基板を、ストック処理を施さない当該ストック処理室に搬入することができ、前工程用の処理室に処理前の基板を搬入することができる。結果として、ストック処理の前後で所定の処理が施される処理室に対する基板の搬出や搬入が滞ることがなく、真空処理装置の処理能力を効果的に向上できる。また、ストック処理室は、搬送室への各処理室の装着方向に対して直行する方向を上下方向とし、上下複数段に複数枚の基板が収容し得るように上下方向に長手の形態とする構成を採用でき、このような構成では、真空処理装置の設置面積の増大を招くことがない。なお、本発明におけるストック処理としては、基板に付着した水分を除去する脱ガス処理、基板表面あるいは基板表面に形成された膜を酸化する酸化処理、または基板を加熱する加熱処理が挙げられる。本発明においては、前記制御ユニットにより、ストック処理室に搬入される基板の枚数が、ストック処理の処理時間をこのストック処理の前工程の処理時間で除算することで得られる数値以上に決定されるように構成することが望ましい。これにより、一のストック処理室でのストック処理が終了した直後に、他のストック処理室でのストック処理を開始できるため、処理能力を一層向上させることができる。以下、図面を参照して、本発明の実施形態の真空処理装置を説明する。図1中、Mは、本発明の実施形態の真空処理装置である。真空処理装置Mは、搬送ロボット1を有する中央の搬送室Tを備える。搬送ロボット1は、所謂フロッグレッグ式のものであり、図示省略のモータにより夫々回転駆動される、同心状に配置された2本の回転軸1a、1bと、回転軸1a、1bに夫々連結されたロボットアーム2と、ロボットアーム2の先端に取り付けられたロボットハンド3とから構成される。そして、回転軸1a、1bの回転角を適宜制御することで、ロボットアーム2が伸縮及び旋回自在となり、ロボットハンド3に保持された基板Sを後述するロードロック室Lや処理室A~Eに対して搬出又は搬入する。搬送室Tには図外の真空排気手段が接続され、搬送室T内を所定の真空度に保持できるようになっている。搬送室Tは、平面視略正七角形状に形成され、その周囲側面には、ロードロック室Lと各処理室A~Eとがゲートバルブ5を介在させて装着されている。なお、以下においては、搬送室Tへの各処理室A~Eの装着方向に対して直交する方向を上下方向として説明する。また、本実施形態では、1個のロードロック室L及び5個の処理室を備えるものを例に説明するが、これに限定されるものではなく、処理室の数は、基板に対して施す処理に応じて適宜設定される。処理室A、B、D、Eでは、基板が一枚ずつ処理されるようになっている。この場合、処理室A、B、D、Eには、基板Sに対して行う処理に応じた部品ステージ6を含むが組み込まれ、ロータリポンプやターボ分子ポンプから構成される真空排気手段が設けられており、スパッタリングやCVDのような成膜処理、エッチング処理等の各種処理を実施し得る。尚、これらの部品は公知のものを利用できるため、ここでは詳細な説明を省略する。他方、酸化処理や加熱処理や脱ガス処理などの処理を行う処理室C1、C2は、複数枚の基板を収容し、収容した複数枚の基板に対して同時に処理を行うストック処理室として構成されている。ストック処理室C1、C2には、図2及び図3に示すように、所定間隔を存して上下複数段で基板Sを収容可能なマガジン10と、マガジン10を昇降させる昇降機構11とが設けられている。このため、ストック処理室C1、C2は、他の処理室A、B、D、Eとは異なり、上下方向に長手の形態を有する。昇降機構11は、マガジン10を支持する支持部材11aを有し、この支持部材11aに設けたナット部11bには送りねじ11cが螺合している。そして、図外のモータを回転させるとマガジン10がストック処理室C内で昇降する。マガジン10の周囲には断熱材12が配置され、断熱材12の内側には加熱手段13が設けられ、各基板Sを所定温度に加熱して保持できる。加熱手段13としては、抵抗加熱式のヒータや赤外線ランプ等を用いることができる。ストック処理室C1、C2の上壁には、バルブ14が介設されたガス導入管15が接続され、ガス導入管15は酸素ガスのような酸化性ガスのガス源図示せずに連通し、このガス導入管15を介して酸化性ガスをストック処理室C1、C2内に導入できる。また、ストック処理室C1、C2のゲートバルブ5とは反対側の側壁の下部には排気管16が接続され、排気管16はターボ分子ポンプやロータリポンプのような真空ポンプPに通じており、ストック処理室C1、C2内を所定圧力に制御できる。上述した搬送ロボット1の作動、処理室A、B、D、Eに組み込まれた部品、ストック処理室C1、C2の昇降機構11や作動部品等は、コンピュータ、シーケンサーやドライバー等を備えた制御手段7たる制御ユニットにより統括制御されるようになっている。次に、上記真空処理装置Mを用いた処理について、図4に示す磁気デバイスMDの製造を例に説明する。磁気デバイスMDは、基板21の表面に、下地膜22と、ピニング層23a及びピン層23bからなる固定磁性層23と、トンネルバリア層24と、自由磁性層25と、保護層26とを順次積層してなる。基板21は、例えばシリコン酸化膜が表面に形成されたSi基板であり、下地膜22は例えば膜厚が5nmのTa層である。ピニング層23aは例えば膜厚が15nmのPtMn層であり、ピン層23bは例えば膜厚が2.5nm/0.85nm/3nmのCoFe層/Ru層/CoFeB層の積層膜であり、トンネルバリア層24は例えば膜厚が1.2nmのMgO層であり、自由磁性層25は例えば膜厚が3nmのCoFeB層であり、保護層26は例えば膜厚が5nmのTa層である。この場合、処理室A、B、D、Eでの処理時間は5分とし、ストック処理室C1、C2での処理時間は20分とする。尚、各処理室A~Eでの具体的な処理内容は公知であるため、本実施形態では説明を省略する。先ず、基板Sとして、シリコン酸化膜付きのSi基板21の表面にTa層22とPtMn層23aが積層されたものを用意する。この基板Sを24枚ロードロック室Lのカセット4に収容し、ロードロック室L内を真空引きする。そして、搬送ロボット1によりロードロック室Lから1枚目の基板S1を搬出して、処理室Aに搬入し、例えばスパッタリングによるCoFe層/Ru層/CoFeB層23bの成膜処理第1工程が施される。第1工程が終了すると、搬送ロボット1により処理室Aから基板S1を搬出して、処理室Bに搬入し、例えばスパッタリングによるMg層の成膜処理第2工程が施される。このとき、基板S1が搬出された処理室Aには、ロードロック室Lから搬出した2枚目の基板S2が搬入されて、第1工程が施される。第2工程が終了すると、搬送ロボット1により処理室Bから基板S1を搬出して、ストック処理室C1またはストック処理室C2に搬入する。基板S1が搬出された処理室Bには、第1工程にて処理済みの基板S2が搬入されて、第2工程が施される。ストック処理室C1では、マガジン10に所定枚数の基板Sが収容された後に、複数枚の基板に対して同時に酸化処理第3工程が施される。所定枚数は、制御ユニット7によって、ストック処理室C1で施される第3工程の処理時間をその前工程である第2工程の処理時間で除算することにより得られる数値以上に決定される。ここで、第2工程の処理時間を5分、第3工程の処理時間を20分とすると、所定枚数は4枚以上例えば4枚に決定される。この場合、ストック処理室C1のマガジン10に4枚目の基板S4が収容されると、ヒータ13により基板Sが加熱され、ガス導入管15を介して酸化性ガスがストック処理室C1内に導入されてストック処理室C1内に酸化雰囲気が形成され、4枚の基板に対して第3工程が同時に施される。なお、処理時間には、成膜時間や酸化時間等に加えて、ステージ6に設けられた図示外のリフターの移動時間や、マガジン10の昇降時間を含んでもよい。ストック処理室C1にて基板S1~S4に対し第3工程が施されている間、第2工程にて処理済みの5~8枚目の基板S5~S8が第3工程を施していないストック処理室C2に順次搬入される。本実施形態では、ストック処理室C1に搬入される基板の枚数を4枚に設定しているため、ストック処理室C1での第3工程の終了時期と、ストック処理室C2への8枚目の基板S8の搬入の完了時期とが略一致する。このため、ストック処理室C1での第3工程が終了した直後に、ストック処理室C2において基板S5~S8に対して施される第3工程が開始される。ストック処理室C2にて基板S5~S8に対し第3工程が施されている間、ストック処理室C1から処理済みの基板S1を搬出して、処理室Dに搬入し、例えばスパッタリングによるCoFeB層25の成膜処理第4工程が施される。このとき、基板S1が搬出されたストック処理室C1には、第2工程にて処理済みの9枚目の基板S9が搬入される。さらに、基板S9が搬出された処理室Bには、第1工程にて処理済みの10枚目の基板S10が搬入されて、第2工程が施される。第4工程が終了すると、搬送ロボット1により処理室Dから基板S1を搬出して、処理室Eに搬入し、例えばスパッタリングによりTa層26の成膜処理第5工程が施される。このとき、基板S1が搬出された処理室Dには、第3工程にて処理済みの基板S2が搬入されて、第5工程が施される。最終の第5工程が終了すると、搬送ロボット1により処理室Eから基板S1を搬出して、ロードロック室Lのカセット4に戻す。このように、搬送ロボット1により各処理室A、B、C1もしくはC2、D、Eに対して、処理前または処理済みの基板の搬入や搬出を繰り返して、1枚の基板に対して第1~第5工程が施されることにより、上記磁気デバイスMDを製造することができる。以上説明した実施形態では、律速処理である第3工程をストック処理室C1、C2にて施すようにし、一のストック処理室C1C2で第3工程が施されている間、他のストック処理室C2C1に対しては基板Sの搬入又は搬出のみを行うようにしたため、ストック処理室C2C1にて処理済みの基板を、搬送ロボット1により後工程第4工程が施される処理室Dに搬入でき、前工程第2工程で処理済みの基板を第3工程を行わないストック処理室C2C1に搬入することができ、第2工程用の処理室に処理前の基板を搬入することができる。結果として、第3工程の前後で処理室B、Dに対する基板の搬出や搬入が滞ることがなく、真空処理装置Mの処理能力を効果的に向上できる。また、ストック処理室C1、C2は、上下複数段に複数枚の基板Sが収容し得るように上下方向に長手の形態とする構成を採用した。このため、真空処理装置Mの高さは増大するものの、これらのストック処理室C1、C2の平面視の面積は増大しないため、ストック処理室C1、C2を既存の搬送室Tに連結でき、真空処理装置Mの設置面積の増大を招くことがない。また、本実施形態では、ストック処理室C1、C2に搬入される基板の枚数が、第3工程の処理時間を前工程である第2工程の処理時間で除算することにより得られる数値以上に決定したため、一のストック処理室C1C2での第3工程が終了するまでに、他のストック処理室C2C1に対する基板の搬出又は搬入が終了する。これによれば、一のストック処理室での第3工程が終了した直後に、他のストック処理室での第3工程を開始できるため、処理能力を一層向上させることができる。次に、本発明の真空処理装置Mの処理能力を確認した。この場合、処理室A、B、D、Eでの処理時間を5分とし、ストック処理室C1、C2の処理時間を20分とした。24枚の基板の処理に要する時間は、215分であり、基板1枚当たりの処理時間は215/24=8.95分であった。また、比較実験として、ストック処理室C1、C2に代えて1個の枚様式処理室を配置して第3工程を行うようにした真空処理装置を用いた場合の処理能力を求めた。24枚の基板の処理に要する時間は、500分であり、基板1枚当たりの処理時間は500/24=20.8分であった。この結果から、本発明の真空処理装置Mが従来技術より高い処理能力を有することが判った。なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、真空処理装置Mを磁気デバイスMDの製造に適用する場合について説明したが、例えば半導体デバイスのように複数の層を順次積層してなる積層構造を形成する場合に適用することができる。また、上記実施形態では、本発明をクラスタツールに適用した場合について説明したが、コンベア等の搬送手段を用いて基板を処理室間に順次搬送して基板に各種の処理を施すインライン型の真空処理装置に本発明を適用することができる。