第1半導体層と、前記第1半導体層上の第1領域に形成された活性層と、前記第1半導体層上の第2領域に形成され、前記活性層から放出された光を導波する光導波層と、前記活性層および前記光導波層の近傍に配置され、前記活性層および前記光導波層を伝わる光を導波方向に反射させる回折格子と、前記活性層上および前記光導波層上に形成された第2半導体層と、前記光導波層上方で、前記第2半導体層上に形成された絶縁層と、前記第2半導体層上方に形成され、前記活性層上方から前記光導波層上方に延在し、前記活性層上方では前記第2半導体層に電気的に接続し、前記光導波層上方では前記第2半導体層との間に前記絶縁層が介在し、前記光導波層側に延在した部分に電圧が印加される電極とを有する半導体レーザ装置。前記電極の前記光導波層上方に配置された部分は、前記電極の前記活性層上方に配置された部分よりも抵抗が大きい請求項1に記載の半導体レーザ装置。前記電極の前記光導波層上方に配置された部分を形成する第1材料として、前記電極の前記活性層上方に配置された部分を形成する第2材料よりも電気抵抗率の大きい材料が用いられる請求項1または2に記載の半導体レーザ装置。さらに、前記第1半導体層上の、前記第1領域を挟んで前記第2領域と反対側の第3領域に形成され、前記活性層から放出された光を導波する他の光導波層を有し、前記第2半導体層は、前記他の光導波層上にも形成されている請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。前記絶縁層は、前記他の光導波層上方で、前記第2半導体層上にも形成され、前記電極は、前記活性層上方から前記他の光導波層上方にも延在し、前記他の光導波層上方で前記第2半導体層との間に前記絶縁層が介在し、前記他の光導波層側に延在した部分にも電圧が印加される請求項4に記載の半導体レーザ装置。前記電極は、前記活性層上方から前記光導波層上方に延在する第1電極と、前記活性層上方に形成され前記第1電極を形成する材料よりも電気抵抗率の小さい材料で形成された第2電極とを含む請求項1~5のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。本発明の一目的は、新規な構造の分布反射レーザ装置である半導体レーザ装置を提供することである。本発明の一観点によれば、第1半導体層と、前記第1半導体層上の第1領域に形成された活性層と、前記第1半導体層上の第2領域に形成され、前記活性層から放出された光を導波する光導波層と、前記活性層および前記光導波層の近傍に配置され、前記活性層および前記光導波層を伝わる光を導波方向に反射させる回折格子と、前記活性層上および前記光導波層上に形成された第2半導体層と、前記光導波層上方で、前記第2半導体層上に形成された絶縁層と、前記第2半導体層上方に形成され、前記活性層上方から前記光導波層上方に延在し、前記活性層上方では前記第2半導体層に電気的に接続し、前記光導波層上方では前記第2半導体層との間に前記絶縁層が介在し、前記光導波層側に延在した部分に電圧が印加される電極とを有する半導体レーザ装置が提供される。活性層への電流注入と同時に、光導波層上方の電極部分の発熱により光導波層を加熱することができる。本発明の実施例による分布反射DRレーザ装置について説明する前に、まず、比較例によるDRレーザ装置について説明する。図1Aは、比較例のDRレーザ装置の概略断面図である。n型半導体基板101の上面が、回折格子パターンにエッチングされて、回折格子102が形成されている。回折格子102を覆ってn型半導体基板101上に、n型半導体層103が形成されている。n型半導体層103上の一部領域に活性層104が形成され、n型半導体層103上の他の領域に、活性層104に隣接して光ガイド層105が形成されている。活性層104および光ガイド層105上に、p型半導体層106が形成されている。活性層104上方部分の、p型半導体層106上方に、p側電極107が形成されている。n型半導体基板101の裏面上に、n側電極108が形成されている。活性層104側端面上と、光ガイド層105側端面上に、それぞれ、反射防止膜109が形成されている。活性層104の形成部分が、分布帰還DFBレーザ110を形成し、光ガイド層105の形成部分が、分布ブラッグ反射器DBR111を形成し、DFBレーザ110にDBR111が組み合わされたDRレーザ構造が形成されている。DFBレーザ部110は、活性層104への電流注入により利得を持たせる領域である。DBR部111は、発振波長の光に対して透明で発光させない受動的な層である光ガイド層105を有する領域である。回折格子102は、DFBレーザ部110とDBR部111の双方に亘って設けられ、活性層104から放出されて活性層104および光ガイド層105を伝わる光を、導波方向に反射させる。DFBレーザ構造は単独でもレーザ発振器を形成できるが、DRレーザ装置では、反射鏡としてDBRが設けられている。図1Aは、DFBレーザ110の片側にDBR111が配置された構造例のDRレーザ装置を示す。図1Bは、他の比較例として、DFBレーザ110の両側にDBR111が配置された構造例のDRレーザ装置を示す。DRレーザ構造の最大の利点は、共振器長の小さなレーザが簡便かつ歩留まり良く作製可能な点にある。端面出射型の半導体レーザは、端面での光散乱を防ぐために、結晶面で劈開することで端面を形成する。一般に素子長が150μm以下の試料を劈開で作製するのは困難であるため、単純なDFBレーザを用いて共振器長の小さな素子を作製するのは難しい。DRレーザは、回折格子の光結合係数の調整によりDBR部の反射率を上げ、ほぼDFBレーザ部のみに共振器長を設定することができるため、素子長自体は長く例えば300μm程度しつつ、共振器長を非常に短く例えば10μm~100μm程度にできるため、容易に共振器長の小さな素子を形成できる。また、単純なDFBレーザの場合、回折格子の端面位相ばらつきが単一モード歩留まりの劣化を引き起こす。回折格子の格子間隔Λは、次式1で与えられる。1ここでmは回折の次数、λは真空中の波長、nrは導波路の有効屈折率である。ここでは高速変調用の短共振器レーザを考えている。短素子長で十分な回折効率を得るには1次の回折が使われるすなわちm=1。ごく一般的な、通信用の光波長1.55μm帯レーザをInP基板上に形成する場合を考えると、nrは3.2前後となるので、Λは240nm程度となる。劈開の位置精度は一般に数μm程度であり、よって素子端面に回折格子の山の部分が当たるか谷の部分が当たるかは制御困難である。この端面位相のばらつきはDFBレーザの発振スペクトルに影響を与え、発振モードが設計と異なってしまったり、注入電流量の変化によってモード飛びが発生したりする原因となる。この端面位相ばらつきの影響を抑制するために、端面への反射防止膜形成が行われるが、単純なDFBレーザでこれを行った場合には特に短い素子では、共振器としてのフィードバックが不十分になり発振が難しくなる。これに対してDRレーザであれば、素子が分布反射鏡を備えた構造であるから、端面に反射防止膜を形成しても十分なフィードバックを確保可能であり、端面位相ばらつきの影響を低減した高歩留まりの短共振器レーザが実現される。続いて、比較例のDRレーザ装置において生じる課題について説明する。図2Aおよび図2Bは、比較例のDRレーザ装置について、模式的に、その断面図と、DFBレーザ部の利得強度スペクトルおよびDBR部の反射強度スペクトルとを示したものである。ここに示すDRレーザ装置は、DFBレーザの片側にDBRを配置し、DFBレーザ部中央付近の回折格子に位相シフトを有する。図2Aは、発振閾値近傍の電流注入時を示す。この状況では、電流注入に伴う活性層104の温度上昇がまだ生じておらず、DFBレーザ部110の活性層104の温度と、DBR部111の光ガイド層105の温度とが同程度である。DFBレーザ部110ではブラッグモードで選択的に高い利得が得られ、これがDBR部111の高反射波長域と重なることで高いフィードバックが生じ、レーザ発振が起こる。図2Bは、高電流注入時を示す。注入電流の増加に伴って、活性層104では発熱により屈折率が変化し、DFBレーザ部110の利得スペクトルが全体的に長波長側へ変移する。断面図に示すように、活性層104および光ガイド層105を伝わる光120の波長が、図2Aに示す場合よりも長波長化している。ところが、電流注入を受けないDBR部111では、光ガイド層105の温度が上昇せずに屈折率変化が起こらず、反射スペクトルが変化しないため、ブラッグモードが、DBR部111の高反射波長域から外れることになる。この状態が進行すると、光強度の低下が起こるのはもちろん、ついにはブラッグモードの発振が止まり別モードでの発振が起こるモード飛びなどが発生する。電流変調によって強度変調を行う直接変調レーザにおいて、高注入時の光強度減少は消光比劣化をもたらすし、モード飛びはデータ伝送用レーザとしては望ましくない現象である。次に、第1実施例によるDRレーザ装置について説明する。まず、第1実施例のDRレーザ装置の製造方法について説明する。図3A~図3Uは、第1実施例によるDRレーザ装置の製造方法における主要工程を示す概略断面図および概略上面図である。図3A~図3F、図3J、図3K、図3M、および図3Sは、レーザ装置側面から見た断面図であり、図3G、図3I、図3L、図3N~図3Q、図3R、および図3Uは、レーザ装置前面から見た断面図であり、図3Hおよび図3Tは、上面図である。図3Aを参照する。n型InP基板1上にフォトレジストを塗布した後、フォトレジストに電子線EB露光装置で回折格子パターンを露光し、レジストパターンRP1を形成する。レジストパターンRP1をマスクとしn型InP基板1をドライエッチングして、n型InP基板1に回折格子2を形成する。その後、レジストパターンRP1を除去する。図3Bを参照する。回折格子2を覆ってn型InP基板1上に、有機金属気相エピタキシmetalorganicvaporphaseepitaxy:MOVPEにより、n型InGaAsP層3を例えば厚さ100nm成長させる。以下、実施例による半導体層の成長方法としてMOVPEを用いる。n型InGaAsP層3上に、n型InP層4を例えば厚さ60nmを成長させる。図3Cを参照する。n型InP層4上に、i型多重量子井戸MQW活性層5を例えば厚さ160nm成長させる。活性層5上に、p型InPクラッド層6を例えば厚さ100nm成長させる。MQW活性層5は、例えば以下のように形成される。障壁層は、バンド間遷移波長が1100nmとなる組成で、厚さ10nmのInGaAsP層とし、井戸層は、バンド間遷移波長が1550nmとなる組成で、厚さ5nmのInGaAsP層とする。障壁層11層と井戸層10層とを交互に積層し、合計160nmの厚みとする。図3Dを参照する。p型InPクラッド層6上に、化学気相堆積CVDによりSiO2膜を堆積する。フォトリソグラフィーによって形成したレジストパターンの形状をウエットエッチングでSiO2膜に転写して、マスク膜7を形成する。マスク膜7は、DFBレーザ部を覆い、DBR部を露出させる。マスク膜7をマスクとしたエッチングにより、DBR部のp型InPクラッド層6および活性層5を除去する。図3Eを参照する。マスク膜7を形成した状態で、n型InP層4上の活性層5の隣接領域につまりDBR部に、MOVPEによりi型InGaAsP層を厚さ160nm成長させて、光ガイド層光導波層8を形成する。マスク膜7で被覆されたDFBレーザ部は、半導体層の成長が起こらない。光ガイド層8上に、p型InPクラッド層6を厚さ100nm成長させる。その後、マスク膜7を、例えばバッファードフッ酸BHFにより除去する。図3Fを参照する。p型InPクラッド層6の全面上に、p型InP層を例えば厚さ1.4μm成長させて、p型InPクラッド層6を厚くする。p型InPクラッド層6上に、p型InGaAsコンタクト層9を例えば厚さ300nm成長させる。図3Gおよび図3Hを参照する。p型InGaAsコンタクト層9上に、CVDによりSiO2膜を堆積する。フォトリソグラフィーによって形成したレジストパターンの形状をウエットエッチングでSiO2膜に転写して、メサストライプ形状のマスク膜10を形成する。マスク膜10をマスクとしたエッチングにより、メサストライプを形成する。エッチング深さは例えば2.5μmとし、n型InP基板1の表層部までが削られるようにする。メサストライプの幅は例えば1.5μmとする。図3Iを参照する。マスク膜10を形成した状態でMOVPEにより半絶縁性のInPを成長させて、メサストライプ脇を半絶縁性InP層11で埋め込む。すなわち、ここではSemiInsulatingBuriedHeterostructureSIBH構造型のレーザ装置を形成している。その後、マスク膜10を、例えばBHFにより除去する。図3Jを参照する。フォトリソグラフィーにより、DFBレーザ部を覆いDBR部を露出するレジストパターンRP2を形成する。レジストパターンRP2をマスクとして、ウエットエッチングによりDBR部のp型InGaAsコンタクト層9を除去する。その後、レジストパターンRP2を除去する。図3Kを参照する。ウエハ全面に、CVDによりSiO2を例えば厚さ500nm堆積して、絶縁層12を形成する。図3Lおよび図3Mを参照する。絶縁層12上に、フォトリソグラフィーによりレジストパターンRP3を形成する。レジストパターンRP3は、活性層4の上方部分で開口し、他の領域を覆う。レジストパターンRP3をマスクとしたエッチングにより絶縁層12を除去して、p型InGaAsコンタクト層9を露出させる。図3Nを参照する。レジストパターンRP3を形成した状態で、全面に真空蒸着によりAuZnAu膜を形成して、導電膜13を形成する。図3Oを参照する。レジストパターンRP3を除去するリフトオフによって余分な導電膜13を除き、DFBレーザ部のメサ上のみに、p型InGaAsコンタクト層9に接続する電極13を残す。図3Pを参照する。ウエハ全面に、スパッタリングによりチタンタングステンTiWを例えば厚さ200nm堆積して、導電膜14を形成する。図3Qを参照する。フォトリソグラフィーによりレジストパターンRP4を形成する。レジストパターンRP4は、電極15に対応する形状の開口部を有する。メッキにより、レジストパターンRP4の開口内にAuを例えば厚さ1μm堆積して、電極15を形成する。その後、レジストパターンRP4を除去する。図3Rを参照する。再度レジストを塗布し、フォトリソグラフィーによりレジストパターンRP5を形成する。レジストパターンRP5をマスクとするドライエッチングにより、余分な部分のTiW膜14を除去し、電極14を残す。その後、レジストパターンRP5を除去する。図3Sおよび図3Tは、レジストパターンRP5除去後の構造を示す。TiW電極14は、活性層5上方DFBレーザ部16上から光ガイド層8上方DBR部17上に延在して形成されている。DBR部17上のTiW電極14の幅は例えば6μmとする。Au電極15は、活性層5上方DFBレーザ部16上に形成されている電流注入電極部15aと、パッド電極部15bとを有する。電流注入電極部15aの幅は例えば5μmとする。パッド電極部15bは、外部の電源と接続される主部15b1と、主部15b1からメサ上に延在する接続部15b2とを有する。なお、TiW電極14は、パッド電極部15b下方にも形成されている。主部15b1は、メサ外側の広い領域に配置されている。接続部15b2のメサ上の端部は、TiW電極14のDBR部17側端部上に配置されている。DFBレーザ部16の長さは例えば150μmとし、DBR部17の長さは例えば100μmとする。すなわち素子長は例えば250μmであり、この程度の長さであれば劈開は容易である。DBR部17上に配置されたTiW電極14のうち、Au電極15の接続部15b2が重なる端部の幅は、例えば20μmとする。すなわち、メサ上でTiW電極14のみに覆われる部分Au電極15に覆われない部分の長さは、例えば、DBR部17の長さ100μmのうちの80μmである。図3Uを参照する。その後、例えば厚さ100μm程度になるまで裏面から基板1を研磨し、裏面全面にAuGeAu膜18を蒸着し、さらにAuメッキを行ってAu膜19を形成する。最後に劈開や切断によって、各素子を分離する。素子分離後、両端面に反射防止膜が形成される。このようにして、第1実施例のDRレーザ装置が形成される。形成されたDRレーザは、金ワイヤ等の手段によってパッド電極の主部15b1に外部電源を電気的に接続し、電流を注入して動作させる。注入された電流は、光ガイド層8上方に延在するTiW電極14を経由して、活性層5上方に形成されているAu電極15aへ至り、ここから活性層5へ注入される。次に、第1実施例によるDRレーザ装置の動作について、さらに説明する。図4は、第1実施例によるDRレーザ装置の動作時を示す概略断面図である。矢印は、電流経路を示す。n型InGaAsP層3とn型InP層4とをまとめて、n型半導体層21と呼ぶ。p型InPクラッド層6とp型InGaAsコンタクト層9とをまとめて、p型半導体層22と呼ぶ。AuZnAu電極13、TiW電極14、およびAu電極15をまとめて、p側電極23と呼ぶ。AuGeAu電極18とAu電極19とをまとめて、n側電極24と呼ぶ。DFBレーザ部16側とDBR17側の両端面に、反射防止膜25が形成されている。TiW電極14を、Au電極15に対して高抵抗電極と呼び、Au電極15を、TiW電極14に対して低抵抗電極と呼ぶ。TiWの電気抵抗率は6.5×10-5Ωcmであり、Auの電気抵抗率は2.21×10-6Ωcmである。p側電極23とn側電極24との間に駆動電圧が印加される。p側電極23において、外部電源がパッド電極部15bに接続され、高抵抗電極14のDBR側端部に電圧が印加される。DBR部17では、つまり光ガイド層8の上方では、高抵抗電極14とp型半導体層22との間に絶縁層12が配置されている。これにより、DBR部17では、厚さ方向に電流が流れない。電流は、高抵抗電極14中を面内方向に、DBR側からDFBレーザ側に流れる。DFBレーザ部16では、つまり活性層5の上方では、高抵抗電極14に低抵抗電極15電流注入電極部15aが積層されている。DFBレーザ部16に到達した電流は、低抵抗の電流注入電極部15a中を流れ、電流注入電極部15aから厚さ方向に流れる。これにより、活性層5に電流が注入されて、レーザ発振が生じる。また同時に、DBR部17において高抵抗電極14を流れる電流により、発熱が生じる。この熱が厚さ方向に伝播して、光ガイド層8を加熱する。これにより、比較例のDRレーザ装置について図2Bを参照して説明したような、活性層と光ガイド層との温度差を補償することができる。従って、活性層5と光ガイド層8との温度差に起因する光強度劣化やモード飛び等を抑制することができる。p側電極23を全体として捉えると、p側電極23は、活性層5上方から光ガイド層8上方に延在して形成されており、光ガイド層8側の電極部分に電圧が印加されている。このような構造により、p側電極23の光ガイド層8上方部分を通って電流が流れるので、p側電極23の活性層5上方部分が活性層5への電流注入電極として働くとともに、p側電極23の光ガイド層8上方部分がヒータとして働く。p側電極23の光ガイド層8上方部分がヒータとして働くことにより、光ガイド層8を加熱することができる。p側電極23の光ガイド層8上方部分ヒータ部23Hは、発熱量を高める観点からは、高抵抗に形成されることが好ましい。一方、p側電極23の活性層5上方部分電流注入電極部23Iは、電流注入電極であり発熱させなくてよいので、低抵抗に形成されることが好ましい。本実施例では、ヒータ部23Hに、電流注入電極部23Iに比べて電気抵抗率の大きい材料を用いている。ヒータ部23Hの材料として、電流注入電極部23Iの材料に比べ電気抵抗率の大きいものを用いれば、ヒータ部23Hを相対的に高抵抗にすることが容易となる。なお、ヒータ部23Hと電流注入電極部23Iとに異なる材料を用いることは、必須でない。例えば、同じ材料を使っても、ヒータ部23Hは薄く幅狭に加工し、電流注入電極部23Iは厚く幅広に加工することにより、ヒータ部23Hを相対的に高抵抗とし、電流注入電極部23Iを相対的に低抵抗とすることができる。なお、本実施例の構造では、DFBレーザ部16において、低抵抗電極15下方に高抵抗電極14が形成されているが、高抵抗電極14が存在していても、電流は低抵抗電極15内を優先的に流れることになるため、高抵抗電極14による発熱は無視することができる。なお、本実施例の構造では、通常の半導体レーザが示すダイオードとしての抵抗に加え、高抵抗電極の抵抗が直列接続されるため、抵抗増加に伴う消費電力量増加や高速応答特性劣化が懸念される。だが実際には、以下に記す理由により特に問題とはならない。現在一般に用いられている高周波電流源は50Ω程度のインピーダンスを有するのに対し、端面出射型半導体レーザ自体の抵抗は高々10Ω程度であるため、通常はインピーダンス整合のためにキャリア上へ40Ω程度のチップ抵抗を付与して直列接続する形の実装が行われている。よって、このチップ抵抗の代わりにヒータ電極部の抵抗が接続されていると考えれば、特性の劣化は生じないわけである。むしろ、キャリア上にチップ抵抗の必要が無くなる点において、従来のDRレーザに比べて有利であると言える。図5は、電極に使用可能と考えられる材料例と、それらの電気抵抗率をまとめた表である。これらの金属のうち、例えば、抵抗率3×10-6Ωcm以下のAg、Cu、Au、およびAlを抵抗率の小さい材料と捉え、抵抗率5×10-6Ωcm以上のW、Ni、Pt、Ti、およびTiWを抵抗率の大きい材料と捉えることができる。抵抗率の大きい材料は、抵抗率1×10-5Ωcm以上であることがさらに好ましい。なお、TiとPtをこの順に積層した材料も用いることができる。第1実施例のDRレーザ装置における熱伝達についてさらに考察する。DBR部17上でAu電極15に覆われていない部分のTiW電極14を、発熱体ヒータ部23Hと捉えることができる。この部分を、TiW電極発熱部とも呼ぶこととする。一般に、導電部材の抵抗Rは、抵抗率をρ、長さをL、断面積をSとして、次式2により表される。2TiWの抵抗率は6.5×10-5Ωcm0.65Ωμmである。TiW電極発熱部の長さを80μmとし、厚さと幅をそれぞれ0.2μm、6μmとすると、TiW電極発熱部の抵抗Rは、R=0.65×80÷0.2×6=43Ωとなる。DFBレーザ部のダイオードとしての抵抗は、印加電圧で変化するが、動作時に約5~10Ωであるので、当該素子は全体として約50Ωの抵抗を有し、インピーダンス50Ωの高周波電源系で駆動するのに好適である。TiW電極発熱部での発熱量は、例えば100mAの電流注入時に0.43Wattとなる。上記の発熱が光ガイド層8の温度上昇に寄与することは、以下の通り確認することができる。実際の素子設計の際には熱拡散方程式による3次元のシミュレーションを行うことになるが、ここでは単純化したモデルを用いて考察する。単位時間に単位面積を流れる熱流束Jは、次式3で表される。3ここで、λは熱伝導率、gradTは温度勾配である。ここでは1次元の単純モデルで考えることにし、大まかな見積もりを得るために、次式4のように、gradTを近似する。4熱流束を伝える導体の面積をSとすれば、伝わる熱量Qは、式3および式4を用いて次式5のように表される。5すなわち、熱源から伝わる熱量Qは、導体の熱伝導率λ、断面積S、および温度差ΔTに比例し、熱源からの距離Δxに反比例する。このモデルに従い、TiW電極発熱部で発生した熱が、DFBレーザ部上のAu電流注入電極15aへ伝導する割合と、DBR部の半導体部材へ伝導する割合とを比較する。Au電流注入電極へ伝導した熱は、その下方に接する半導体部材に速やかに伝導されるとみなせるので、この両者の比較が、DBR部の半導体部材への熱伝播と、DFBレーザ部の半導体部材への熱伝播との比較とみなせる。Auの熱伝導率は317W/mK3.17×10-4W/μmKである。Au電流注入電極の断面積は、厚さと幅をそれぞれ1μm、5μmとして、5μm2となる。DFBレーザ部中央までを伝導距離として考えると、DFBレーザ部の長さを150μmとして、伝導距離は75μmとなる。従って、Au電流注入電極へ伝わる熱量Q1は、次式6で表される以下ではΔTを正の値に変換して負号を省略する。6一方、DBR部の半導体部材へは、厚さ500nmのSiO2絶縁層12を介して熱が伝播する。SiO2の熱伝導率は約1.1W/mK1.1×10-6W/μmKである。TiW電極発熱部下方の絶縁層12の面積は、長さと幅をそれぞれ80μm、6μmとして、480μm2となる。従って、DBR部の半導体部材へ伝導する熱量Q2は、次式7で表される。7式6および式7より、TiW電極発熱部で生じた熱のうちDFBレーザ部側に伝わる熱量は2以下に過ぎず、ほとんどがDBR部側に伝わることが分かる。発熱がDBR部の光ガイド層に有効に伝わることは、概略的には以下のように理解される。TiW電極発熱部から光ガイド層までの距離は、高々数μm例えば2μm程度であるのに対し、DFBレーザ部の中心までは、100μm近い例えば75μm程度の距離がある。熱伝導の断面積を比較すると、TiW電極発熱部が下方側に接している面積例えば長さ80μmで幅6μmとして480μm2に対し、Au電流注入電極の断面積例えば厚さ1μmで幅5μmとして5μm2は小さい。このように、DBR部側の光ガイド層への熱伝達の方が、伝達距離が短く熱伝導の断面積が広いので、絶縁層12の熱伝導率が低くともそれを補って、DFBレーザ部側への熱伝達よりも大きくなる。なお、絶縁層12の材料として、第1実施例ではSiO2を用いたが、その他例えばSiN等を用いることもできる。式7より、絶縁層12の熱伝導率が高いほど、光ガイド層8の加熱性能が高まることがわかる。なお、図6A~図6Cに例示するように、電極14のヒータ部23Hの抵抗は、DBR部の長さや導波路メサ幅等に応じて、形状的に調整することもできる。具体的には、ヒータ部23Hの膜厚、幅、長さにより、抵抗を調整することができる。図6Aは、ヒータ部23Hで電極14の幅を絞り断面積を狭くして抵抗を高めた構造である。図6Bは、電極14の長さの変化により抵抗を調整した構造で、ここに示したものは、電極を短くして抵抗を低くした例である。用いる電極材料やDBR部の長さによって、抵抗が高くなりすぎる場合には、抵抗を低くするように調整することもできる。図6Cは、ヒータ部23Hで電極14を蛇行させ長さを延ばして抵抗を高めた構造である。次に、第2実施例によるDRレーザ装置について説明する。図7Aおよび図7Bは、それぞれ、第2実施例のDRレーザ装置の、側方から見た概略断面図および概略上面図である。第1実施例では、DFBレーザ部16の片側のみにDBR部17を形成した。第2実施例では、DFBレーザ部16の両側にDBR部17を形成している。高抵抗電極14は両側の光ガイド層8上方に延在して形成され、高抵抗電極14の両端上にパッド電極15bが形成され、両方のDBR部17側から外部電源が印加される。両側のパッド電極部15bと電流注入電極部15aとの間に配置された部分の高抵抗電極14が、ヒータ部23Hを形成し、両側のDBR部17で、光ガイド層8を加熱することができる。なお、第2実施例のように、両側にDBR部を形成する場合、つまり活性層5の両側に光ガイド層8を形成する場合、光ガイド層8上方の電極は、片側のみに少なくとも片側に形成する構造とすることもできる。以上説明したように、DRレーザ装置において、活性層上方から光ガイド層上方に延在する電極を形成し、光ガイド層側の電極部分から電圧を印加することにより、電極の光ガイド層上方部分をヒータとして働かせることができる。活性層へ電流注入するとともに光ガイド層を加熱することができ、活性層と光ガイド層との温度差を補償することができる。光ガイド層上方のヒータ部の抵抗を、活性層上方の電流注入電極部の抵抗よりも高くすることにより、ヒータ性能を高めることが容易になる。なお、上記実施例ではプロセスを簡略化するために、電流注入電極部の金メッキ下にあって金の半導体への拡散を防ぐバリアメタル層と、ヒータとして作用する低抵抗金属層とを同一材料で形成しているが、これらを異なる材料を用いて作製することも可能である。例えば、ヒータ部の電極材料にTiWを用い、電流注入電極部の金メッキの下にはTi/Ptを用いてもよい。なお、回折格子の形成態様は、上記実施例に限定されない。回折格子は、活性層及び光ガイド層を伝播する光の波動関数が及ぶ範囲に活性層及び光ガイド層の近傍に配置することができる。例えば、回折格子を活性層及び光ガイド層の上方に形成すること等もできる。なお、上記実施例では、n型半導体層を基板側に形成しp型半導体層を上面側に形成したが、必要に応じ、導電型を反転させることもできる。なお、上記実施例では、導電性半導体基板を用い、p側電極及びn側電極の一方の電極を上面側から取り、他方の電極を基板裏面側から取る構造とした。基板として高抵抗半導体基板を用いることもでき、この場合は、電極形成のため半導体層の一部領域を掘り込んで、p側電極とn側電極の両方を上面側から取ることができる。以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。以上説明した第1実施例および第2実施例を含む実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。付記1第1半導体層と、前記第1半導体層上の第1領域に形成された活性層と、前記第1半導体層上の第2領域に形成され、前記活性層から放出された光を導波する光導波層と、前記活性層および前記光導波層の近傍に配置され、前記活性層および前記光導波層を伝わる光を導波方向に反射させる回折格子と、前記活性層上および前記光導波層上に形成された第2半導体層と、前記光導波層上方で、前記第2半導体層上に形成された絶縁層と、前記第2半導体層上方に形成され、前記活性層上方から前記光導波層上方に延在し、前記活性層上方では前記第2半導体層に電気的に接続し、前記光導波層上方では前記第2半導体層との間に前記絶縁層が介在し、前記光導波層側に延在した部分に電圧が印加される電極とを有する半導体レーザ装置。付記2前記電極の前記光導波層上方に配置された部分は、前記電極の前記活性層上方に配置された部分よりも抵抗が大きい付記1に記載の半導体レーザ装置。付記3前記電極の前記光導波層上方に配置された部分を形成する第1材料として、前記電極の前記活性層上方に配置された部分を形成する第2材料よりも電気抵抗率の大きい材料が用いられる付記1または2に記載の半導体レーザ装置。付記4さらに、前記第1半導体層上の、前記第1領域を挟んで前記第2領域と反対側の第3領域に形成され、前記活性層から放出された光を導波する他の光導波層を有し、前記第2半導体層は、前記他の光導波層上にも形成されている付記1~3のいずれか1つに記載の半導体レーザ装置。付記5前記絶縁層は、前記他の光導波層上方で、前記第2半導体層上にも形成され、前記電極は、前記活性層上方から前記他の光導波層上方にも延在し、前記他の光導波層上方で前記第2半導体層との間に前記絶縁層が介在し、前記他の光導波層側に延在した部分にも電圧が印加される付記4に記載の半導体レーザ装置。付記6前記第1材料は、電気抵抗率5×10-6Ωcm以上である付記3に記載の半導体レーザ装置。付記7前記第2材料は、電気抵抗率3×10-6Ωcm以下である付記3または付記6に記載の半導体レーザ装置。付記8前記第1材料は、W、Ni、Pt、Ti、およびTiWのうちのいずれかを含む付記3に記載の半導体レーザ装置。付記9前記第2材料は、Ag、Cu、Au、およびAlのうちのいずれかを含む付記3または付記6に記載の半導体レーザ装置。付記10前記電極の前記光導波層上方に配置された部分は、前記電極の前記活性層上方に配置された部分よりも、幅が狭いかまたは薄く形成されている付記1~9のいずれか1つに記載の半導体レーザ装置。付記11前記電極の前記光導波層上方に配置された部分は、蛇行する形状で形成されている付記1~10のいずれか1つに記載の半導体レーザ装置。付記12前記電極は、前記光導波層上方に配置された部分の、前記活性層上方に配置された部分と反対側の端部に電圧が印加される付記1~11のいずれか1つに記載の半導体レーザ装置。付記13前記電極は、前記活性層上方から前記光導波層上方に延在する第1電極と、前記活性層上方に形成され前記第1電極を形成する材料よりも電気抵抗率の小さい材料で形成された第2電極とを含む付記1~12のいずれか1つに記載の半導体レーザ装置。付記14前記電極は、前記光導波層上方に接続されたパッド電極部を含む付記1~13のいずれか1つに記載の半導体レーザ装置。