基板上に複数のLED単位パターンを2次元的に繰り返し配置してなるLEDパターン付き基板を加工する方法であって、前記LEDパターン付き基板に格子状に定められた分割予定線に沿ってレーザー光を照射することにより、前記LEDパターン付き基板に格子状に分割起点を形成する分割起点形成工程と、前記LEDパターン付き基板を前記分割起点に沿ってブレイクすることにより個片化するブレイク工程と、を備え、前記分割起点形成工程においては、それぞれが円錐状、半楕円体状もしくはくさび形状あるいはこれらの複合した形状をなす多数の穴部を前記分割予定線上に離散的に形成することによって前記分割起点を形成する、ことを特徴とするLEDパターン付き基板の加工方法。請求項1に記載のLEDパターン付き基板の加工方法であって、前記分割起点形成工程においては、前記レーザー光の個々の単パルスがそれぞれに一の前記穴部を形成する、ことを特徴とするLEDパターン付き基板の加工方法。請求項1または請求項2に記載のLEDパターン付き基板の加工方法であって、前記分割起点形成工程においては、前記LEDパターン付き基板のLEDパターンが備わる側の主面に前記レーザー光を照射することによって前記主面に前記多数の穴部を形成する、ことを特徴とするLEDパターン付き基板の加工方法。請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のLEDパターン付き基板の加工方法であって、前記分割起点形成工程においては、前記レーザー光のビーム径をDb、前記レーザー光の繰り返し周波数をR、前記レーザー光と前記LEDパターン付き基板との相対移動速度をVとするときに、0.6μm≦Db≦9μm、25mm/sec≦V≦500mm/sec、かつ2≦V/R≦15をみたす条件にて前記レーザー光を照射することによって、前記多数の穴部を形成する、ことを特徴とするLEDパターン付き基板の加工方法。請求項4に記載のLEDパターン付き基板の加工方法であって、前記分割起点形成工程においては、前記LEDパターン付き基板の被照射面から内部への前記レーザー光の合焦位置のずらし量であるデフォーカス値を0μm以上30μm以下の範囲に設定し、前記レーザー光のパルスエネルギーを10μJ以上500μJ以下の範囲に設定する、ことを特徴とするLEDパターン付き基板の加工方法。請求項1ないし請求項5のいずれかに記載のLEDパターン付き基板の加工方法であって、前記分割起点形成工程に先立って前記LEDパターン付き基板のLEDパターンが備わる側の前記主面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記分割起点形成後に前記保護膜を除去する保護膜除去工程と、をさらに備え、前記分割起点形成工程においては、前記保護膜の上から前記レーザー光を照射することにより、前記分割起点を形成する、ことを特徴とするLEDパターン付き基板の加工方法。レーザースクライビングという加工手法によって分割起点を形成し、その後ブレイクを行う場合、アブレーション法を用いるにせよ、LMAレーザー融解改質法を用いるにせよ、レーザー光の照射後には基板表面に加工変質層が形成されたり、あるいは加工残渣が残存したりする。これら加工変質層や加工残渣が残存していると、LED素子の発光部分からの光が吸収されてしまい、光の取り出し効率つまりは輝度が低下するという問題がある。この加工変質層の形成容積を極力縮小することで輝度低下を抑える方法も提案されているが、一定程度の加工変質層が残存する限りは、多少の輝度の低下は避けられない。なお、特許文献3に開示されている手法は、原理的には発光効率を向上させることが可能であるが、加工残渣がブレイク後のLEDチップにおいて残存しやすいために、該LEDチップを用いたとしても、LED素子における発光効率向上の効果が十分に得られない。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、従来よりも発光効率の優れたLED素子を実現可能なLEDパターン付き基板の加工方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、請求項1の発明は、基板上に複数のLED単位パターンを2次元的に繰り返し配置してなるLEDパターン付き基板を加工する方法であって、前記LEDパターン付き基板に格子状に定められた分割予定線に沿ってレーザー光を照射することにより、前記LEDパターン付き基板に格子状に分割起点を形成する分割起点形成工程と、前記LEDパターン付き基板を前記分割起点に沿ってブレイクすることにより個片化するブレイク工程と、を備え、前記分割起点形成工程においては、それぞれが円錐状、半楕円体状もしくはくさび形状あるいはこれらの複合した形状をなす多数の穴部を前記分割予定線上に離散的に形成することによって前記分割起点を形成する、ことを特徴とする。請求項2の発明は、請求項1に記載のLEDパターン付き基板の加工方法であって、前記分割起点形成工程においては、前記レーザー光の個々の単パルスがそれぞれに一の前記穴部を形成する、ことを特徴とする。請求項3の発明は、請求項1または請求項2に記載のLEDパターン付き基板の加工方法であって、前記分割起点形成工程においては、前記LEDパターン付き基板のLEDパターンが備わる側の主面に前記レーザー光を照射することによって前記主面に前記多数の穴部を形成する、ことを特徴とする。請求項4の発明は、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のLEDパターン付き基板の加工方法であって、前記分割起点形成工程においては、前記レーザー光のビーム径をDb、前記レーザー光の繰り返し周波数をR、前記レーザー光と前記LEDパターン付き基板との相対移動速度をVとするときに、0.6μm≦Db≦9μm、25mm/sec≦V≦500mm/sec、かつ2≦V/R≦15をみたす条件にて前記レーザー光を照射することによって、前記多数の穴部を形成する、ことを特徴とする。請求項5の発明は、請求項4に記載のLEDパターン付き基板の加工方法であって、前記分割起点形成工程においては、前記LEDパターン付き基板の被照射面から内部への前記レーザー光の合焦位置のずらし量であるデフォーカス値を0μm以上30μm以下の範囲に設定し、前記レーザー光のパルスエネルギーを10μJ以上500μJ以下の範囲に設定する、ことを特徴とする。請求項6の発明は、請求項1ないし請求項5のいずれかに記載のLEDパターン付き基板の加工方法であって、前記分割起点形成工程に先立って前記LEDパターン付き基板のLEDパターンが備わる側の前記主面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記分割起点形成後に前記保護膜を除去する保護膜除去工程と、をさらに備え、前記分割起点形成工程においては、前記保護膜の上から前記レーザー光を照射することにより、前記分割起点を形成する、ことを特徴とする。請求項1ないし請求項6の発明によれば、端部に凹凸構造を有し、かつ、加工残渣の少ないLEDチップを得ることができる。係るLEDチップを用いることで、従来よりも高い発光効率を有するLED素子を実現することが出来る。特に、請求項3の発明によれば、LEDパターンの発光部分のより近いところに凹凸構造が形成されるので、LED素子の発光効率をより向上させることが出来る。<加工対象>図1は、本実施の形態において個片化チップ化の対象となるLEDパターン付き基板以下、単に基板とも称する10の構成を示す概略断面図である。本実施の形態においては、サファイア基板サファイア単結晶基板101の一方主面上にLEDパターン102が設けられた基板10を個片化して、LEDチップを得る加工について説明する。図2は、基板10の上面図である。サファイア基板101としては、70μm~200μmの厚みを有するものを用いる。100μm厚のサファイア基板101を用いるのが好適な一例である。また、LEDパターン102は通常、数μm程度の厚みを有するように形成される。また、LEDパターン102は凹凸を有していてもよい。LEDパターン102は、個片化した後にそれぞれが1つのLEDチップをなす複数の単位パターンUPを2次元的に繰り返し配置した構成を有している。なお、図2においては4つの単位パターンUPを示しているが、これは図示の都合に過ぎず、実際にはより多数の単位パターンUPが配置される。LEDパターン102は、例えばGaN窒化ガリウムを初めとするIII族窒化物半導体からなる、発光層その他の複数の薄膜層102aを、サファイア基板101の上にエピタキシャル形成し、さらに、該薄膜層102aの上に、LED素子LEDチップにおいて通電電極を構成する電極パターン102bを形成したものである。個々の単位パターンUPの境界部分は、基板10の分割予定位置であって後述する態様にてレーザー光が照射されるストリートSTとなっている。ストリートSTは通常、数十μm程度の幅で、LEDパターン102を平面視した場合に格子状をなすように設定される。なお、ストリートSTの部分においてサファイア基板101が露出している必要はなく、LEDパターン102をなす薄膜層102aが連続して形成されていてもよい。<加工処理の概略>次に、上述した基板10を個片化するために行う加工処理についての概略を説明する。基板10を個片化するための加工処理は、基板10のストリートSTにレーザー光を照射することによって分割起点を形成する分割起点形成工程と、分割起点形成工程を経た基板10をブレイク分割しLEDチップを得るブレイク工程とを含む。図3は、分割起点形成工程を経た後の基板10の上面図である。分割起点形成工程においては、レーザー光パルスレーザー光をストリートST上にその延在方向に沿って断続的に照射することにより、被照射位置およびその直下に存在する基板10の構成物質を溶融蒸発飛散などの態様で消失させ、円錐状、半楕円体状もしくはくさび形状あるいはこれらの複合した形状をなし、かつ、図3に示すように上面視で円形状の穴部103を、離散的に多数形成する。なお、穴部103の形状は、レーザー光の照射条件に応じて異なるものとなる。レーザー光源SLとしては、Nd:YAGレーザーを用いるのが好適な態様である。あるいは、Nd:YVO4レーザーやその他の固体レーザーを用いる態様であってもよい。本実施の形態においては、レーザー光を照射することによってストリートSTに図3に示すような穴部103の配列を形成する加工態様を、点線加工とも称する。また、係る点線加工によって得られる多数の穴部103が、次のブレイク工程においてブレイク分割の開始点となることから、図3に示すような穴部103の配列を分割起点104とも称する。なお、以上の分割起点形成工程に先立ち、LEDパターン102の上に保護膜を形成し、分割起点形成工程においては、保護膜の上からレーザー光を照射するようにしてもよい。例えば、樹脂などからなる保護膜を0.5~3μm程度の厚みに形成するのが好適である。これは例えば、保護膜形成成分を水等の媒体に分散、溶解等させた保護膜形成用の原液をスピンコータによる塗布およびその後の乾燥などによって実現される。保護膜形成用の原液としては、例えば、日化精工株式会社製のナノシェルター登録商標を使用することができる。分割起点形成後に残った保護膜は、ブレイク工程に先立ち、水洗浄高圧水洗浄、ブラシ洗浄、超音波洗浄などによって除去すればよい。係る場合、レーザー光の照射によって穴部103から飛散した物質デプリは保護膜上に付着するが、洗浄によって保護膜とともに除去されるので、基板10への残存が好適に抑制される。分割起点形成工程に続くブレイク工程においては、基板10を、ストリートSTに形成された分割起点104に沿ってブレイクする。基板10のブレイクは、三点支持の手法により、それぞれの穴部103からのクラック進展を生じさせることによって、実現される。基板10に形成された全ての分割起点104に対して係るブレイクを行うことにより、基板10は、個々のLEDチップに個片化チップ化される。図4は、ブレイク工程によって得られたLEDチップの側面の一部についてのSEM走査電子顕微鏡像である。図4においては、ブレイク工程によって得られたLEDチップの上端部近傍側面上部において、ブレイク工程の際に二分された穴部103が凹部となっている様子が観察される。係る穴部103の様子からは、ブレイクを行う前の穴部103が円錐状であったことがわかる。また、本実施の形態においては、点線加工を行った基板10を分割起点104に沿ってブレイクすることで、LEDチップの上端部近傍に、凹部と平坦部とが交互に存在する凹凸構造が形成される。係る凹凸構造は、当該LEDチップをLED素子として用いた場合の発光効率を向上させる効果がある。なぜならば、チップ端部に凹凸がある方が、端部が平坦な場合に比して、発光層からの光が全反射せず外部に透過しやすいからである。すなわち、LEDパターン付き基板10のストリートSTに点線加工を行った上で、該ストリートSTに沿ったブレイクを行うようにすることで、優れた発光効率のLED素子を実現可能なLEDチップを得ることが出来る。<レーザー光による点線加工>次に、上述した点線加工の詳細について説明する。図5は、点線加工におけるレーザー光の照射態様を説明するための図である。より詳細には、図5は、レーザー光の繰り返し周波数と、レーザー光の照射にあたって基板10を載置するステージの移動速度と、レーザー光のビームスポット中心間隔との関係を示している。なお、ここでは、後述するレーザー加工装置50のように、レーザー光の出射源は固定され、基板10が載置されたステージを移動させることによって、基板10に対するレーザー光の相対的な走査が実現されるものとする。図5に示すように、レーザー光の繰り返し周波数がRkHzである場合、1/Rmsecごとに1つのレーザーパルスがレーザー光源から発せられることになる。基板10が載置されたステージが速度Vmm/secで移動する場合、あるパルスが発せられてから次のレーザーパルスが発せられる間に、基板10はV×1/R=V/Rμmだけ移動することになるので、あるレーザーパルスのビーム中心位置と次に発せられるレーザーパルスのビーム中心位置との間隔、つまりはビームスポット中心間隔Δμmは、Δ=V/Rで定まる。このことから、基板10の表面におけるレーザー光LBのビーム径ビームウェスト径Dbとビームスポット中心間隔ΔとがΔ>Db式1をみたす場合には、レーザー光の走査に際して個々のレーザーパルスは重ならないことになる。本実施の形態に係る点線加工は、この関係を利用することによって実現される。すなわち、レーザー光源から次々と発せられたレーザーパルス単パルスが、ストリートSTに沿って順次にかつ離散的に照射されると、各々の被照射位置およびその直下に存在している基板10の構成物質が、照射されたレーザーパルスのエネルギーによって加熱され、溶融蒸発飛散などの態様にて消失する。これによって、多数の穴部103が順次に形成される。すなわち、各々の単パルスがその被照射位置において1つの穴部103を形成することで、穴部103の配列たる分割起点104が形成される。ただし、一般に、ビーム径Dbでレーザー光を照射した場合、基板10の表面における加工領域本実施の形態の場合は穴部103の径加工径Dhはビーム径Dbよりも大きくなる。そこで、本実施の形態においては、点線加工の際、少なくとも、Δ>Dh=Dbα式2なる関係をみたす態様にて、レーザー光を照射する。ここで、αはビーム径Dbの値と加工径Dhの値に応じて経験的に定まる正の実数である。具体的には予備実験等で、種々の値のビーム径Dbにてレーザー光を照射した場合に形成される加工径Dhとの差分値をあらかじめ特定しておき、係る差分値から実数αを定めるようにすればよい。一方で、穴部103のピッチに相当するビームスポット中心間隔Δがあまりに大きすぎると、LEDチップの端部における凹凸部分が少なくなるため、LED素子として用いた場合の発光効率が低下するほか、そもそも、ブレイク特性が悪くなってストリートSTに沿ったブレイクが実現されなくなり、LEDチップの歩留まりが低下するという不具合が生じる。すなわち、ビームスポット中心間隔Δは、この点をも考慮して定める必要がある。具体的には、ビームスポット中心間隔Δは、15μm以下となるように定められる。また、加工径Dhが小さいと、レーザー光の照射に際して被照射位置に存在している基板10の構成物質の一部が消失せず、穴部103に加工残渣として残存しやすくなり、好ましくない。一方、加工径Dhが大きすぎると、穴部103を設けることによる凹凸形成効果が十分に得られず、やはり好ましくない。加工径Dhのサイズを左右するビーム径Dbのサイズは、この点を考慮して定められる必要がある。本実施の形態においては、以上の点を鑑み、0.6μm≦Db≦9μm、25mm/sec≦V≦500mm/sec、かつ2≦V/R≦15なる範囲でレーザー光の照射条件およびステージの駆動条件を設定する。なお、本実施の形態においては、分割起点104を形成するための点線加工を、基板10のLEDパターン102が形成されている側の主面に対して行う態様であってもよいし、その反対面に対して行う態様であってもよい。ただし、前者の方が後者よりも、LEDパターン102の発光部分のより近いところに凹凸構造が形成されるので、LED素子の発光効率の向上という観点からはより好ましい。また、LEDパターン102を構成する物質はサファイア基板101を構成する物質よりもレーザー光の照射によって消失しやすいことから、サファイアが加工残渣として残存することが十分に抑制された条件のもとで点線加工を行うようにすれば、LEDパターン102を構成する物質が加工残渣として残ることはない。<加工残渣の抑制>上述したように、本実施の形態では、分割起点形成工程においてストリートSTに点線加工を行ったうえでブレイク工程を行うことで、チップ端部に凹凸構造が形成されるようにし、これによってLED素子における発光効率の向上を実現している。一方で、特許文献3には、単パルスごとの被加工領域を連接させる態様でのレーザー加工とその後のブレイクとによって、チップ端部に凹部が隣接し合う形態の凹凸構造を設けることで、LED素子の発光効率を向上させる技術が開示されている。両者を比較すると、一見、特許文献3の凹凸構造の方が平坦部が少なく、全反射抑制を抑制する効果が高いことから発光効率向上の効果が高いように思われる。しかしながら、特許文献3に開示された凹凸構造を形成するべくレーザー加工を行った場合、個々の単パルスの照射によって本来は凹部の外へと飛散等すべき被照射領域の物質が、直前の単パルスの照射によって形成されていた隣接する凹部へと飛散し、そこで加工残渣として付着するという現象が生じやすいため、LED素子において、想定されたような発光効率向上の効果が得られないことが、本発明の発明者によって確認されている。これに比して、本実施の形態の点線加工の場合、穴部103はそれぞれ単独に存在するのみであるので、個々の単パルスが照射された際に被照射領域から物質が穴部103の側方へと飛散等することは起こり得ず、物質の消失が起こるとすれば、それは、基板10の表面から上方への飛散等によるものに限られる。それゆえ、本実施の形態の場合、被照射位置およびその直下に存在する物質の上方への飛散等をより確実に生じさせる態様にてレーザー光を照射すれば、穴部103における加工残渣の発生を最小限に抑制することができる。係る態様での加工は、ビーム径Dbや繰り返し周波数Rやステージの移動速度Vを上述した範囲に設定するとともに、基板10の表面からのレーザー光の合焦位置のずらし量であるデフォーカス値や、レーザー光のパルスエネルギーなどを適宜に調整することで実現される。すなわち、これらの条件を好適に設定したうえで、本実施の形態に係る加工方法を行った場合、特許文献3に開示された加工方法を適用した場合に比して、より発光効率の優れたLED素子を得ることが可能となる。具体的には、デフォーカス値は、基板表面から内部に向かう向きを正とするときに、0μm以上30μm以下の範囲に設定するのが好ましい。また、パルスエネルギーは10μJ以上500μJ以下の範囲に設定するのが好ましい。<レーザー加工装置>図6は、上述した点線加工を実行可能なレーザー加工装置の一態様であるレーザー加工装置50の構成を概略的に示す模式図である。レーザー加工装置50は、基板10をその上に載置するステージ7と、レーザー加工装置50の種々の動作観察動作、アライメント動作、加工動作などを行うコントローラ1とを主として備え、ステージ7に載置された基板10に対しレーザー光LBを照射することによって基板10を加工することができるように構成されている。ステージ7は、移動機構7mによって水平方向に移動可能とされてなる。移動機構7mは、図示しない駆動手段の作用により水平面内で所定のXY2軸方向にステージ7を移動させる。これにより、レーザー光照射位置の移動などが実現されてなる。なお、移動機構7mについては、所定の回転軸を中心とした、水平面内における回転θ回転動作も、水平駆動と独立に行えるようになっている。また、レーザー加工装置50においては、図示しない撮像手段を通じて、該基板10をレーザー光が照射される側これを表面と称するから直接に観測する表面観察や、ステージ7に載置された側これを裏面と称するから該ステージ7を介して観察する裏面観察などを行えるようになっている。ステージ7は、上述したように、石英など透明な部材で形成されているが、その内部には、基板10を吸着固定するための吸気通路となる図示しない吸引用配管が設けられてなる。吸引用配管は、例えば、ステージ7の所定位置を機械加工により削孔することにより設けられる。基板10をステージ7の上に載置した状態で、例えば吸引ポンプなどの吸引手段11により吸引用配管に対し吸引を行い、吸引用配管のステージ7載置面側先端に設けられた吸引孔に対し負圧を与えることで、基板10および透明基板保護シート4がステージ7に固定されるようになっている。なお、図6においては、加工対象である基板10が透明基板保護シート4に貼り付けられている場合を例示しているが、透明基板保護シート4の貼付は必須ではない。より詳細にいえば、レーザー加工装置50においては、レーザー光源SLからレーザー光LBを発し、図示を省略する鏡筒内に備わるダイクロイックミラー51にて反射させた後、該レーザー光LBを、ステージ7に載置された基板10の被加工部位にて合焦するよう集光レンズ52にて集光し、基板10に照射する。係るレーザー光LBの照射と、ステージ7の移動とを組み合わせることによって、レーザー光LBを基板10に対して相対的に走査させつつ基板10の加工を行えるようになっている。例えば、基板10を分割するために、基板10の表面に溝加工スクライビングを施す加工などが行える。なお、レーザー加工装置50においては、加工処理の際、必要に応じて、合焦位置を基板10の表面から意図的にずらしたデフォーカス状態で、レーザー光LBを照射することも可能となっている。本実施の形態においては、デフォーカス値基板10の表面から内部に向かう方向への合焦位置のずらし量を0μm以上30μm以下の範囲に設定するのが好ましい。レーザー光源SLとしては、上述したように、Nd:YAGレーザーを用いるのが好適な態様である。あるいは、Nd:YVO4レーザーやその他の固体レーザーを用いる態様であってもよい。さらには、レーザー光源SLは、Qスイッチ付きであることが好ましい。また、レーザー光源SLから発せられるレーザー光LBの波長や出力、パルスの繰り返し周波数、パルス幅の調整などは、コントローラ1の照射制御部23により実現される。加工モード設定データD2に従った所定の設定信号が加工処理部25から照射制御部23に対し発せられると、照射制御部23は、該設定信号に従って、レーザー光LBの照射条件を設定する。また、上述のように、本実施の形態においては、Nd:YAGレーザーをレーザー光源SLして用いるのが好ましく、特に、その3倍高調波波長約355nmを用いるのが好適な態様である。また、パルス幅は、1nsec以上200nsec以下であることが好適である。パルスの繰り返し周波数Rは、1kHz≦R≦250kHzなる範囲内で設定可能であればよい。パルスエネルギーは10μJ以上50μJ以下なる範囲内で設定可能であればよい。レーザー光LBは、集光レンズ52によって上述した0.6μm≦Db≦9μmなる範囲内のビーム径Dbに絞られて照射される。なお、レーザー光源SLから出射されるレーザー光LBの偏光状態は、円偏光であっても直線偏光であってもよい。ただし、直線偏光の場合、結晶性被加工材料中での加工断面の曲がりとエネルギー吸収率の観点から、偏光方向が走査方向と略平行にあるように、例えば両者のなす角が±1°以内にあるようにされることが好ましい。また、出射光が直線偏光の場合、レーザー加工装置50は図示しないアッテネータを備えることが好ましい。アッテネータはレーザー光LBの光路上の適宜の位置に配置され、出射されたレーザー光LBの強度を調整する役割を担う。コントローラ1は、上述の各部の動作を制御し、後述する種々の態様での基板10の加工処理を実現させる制御部2と、レーザー加工装置50の動作を制御するプログラム3pや加工処理の際に参照される種々のデータを記憶する記憶部3とをさらに備える。制御部2は、例えばパーソナルコンピュータやマイクロコンピュータなどの汎用のコンピュータによって実現されるものであり、記憶部3に記憶されているプログラム3pが該コンピュータに読み込まれ実行されることにより、種々の構成要素が制御部2の機能的構成要素として実現される。具体的には、制御部2は、移動機構7mによるステージ7の駆動や集光レンズ52の合焦動作など、加工処理に関係する種々の駆動部分の動作を制御する駆動制御部21と、図示しない撮像手段による基板10の撮像を制御する撮像制御部22と、レーザー光源SLからのレーザー光LBの照射を制御する照射制御部23と、吸引手段11によるステージ7への基板10の吸着固定動作を制御する吸着制御部24と、与えられた加工位置データD1および加工モード設定データD2に従って加工対象位置への加工処理を実行させる加工処理部25とを、主として備える。記憶部3は、ROMやRAMおよびハードディスクなどの記憶媒体によって実現される。なお、記憶部3は、制御部2を実現するコンピュータの構成要素によって実現される態様であってもよいし、ハードディスクの場合など、該コンピュータとは別体に設けられる態様であってもよい。なお、レーザー加工装置50に対してオペレータが与える種々の入力指示は、コントローラ1において実現されるGUIを利用して行われるのが好ましい。例えば、加工処理部25の作用により加工処理用メニューがGUIにて提供される。以上のような構成を有することで、レーザー加工装置50は、上述した点線加工を好適に行えるようになっている。これに加えて、条件の調整等を適宜に行うことにより、他の加工も適宜に行えるように構成されていてもよい。例えば、加工処理部25の作用によりコントローラ1においてオペレータに利用可能に提供される加工処理メニュー従って、種々の加工内容に対応する加工モードを選択できるのが好適である。コントローラ1の記憶部3には、基板10についての分割予定線たるストリートSTの位置を記述した加工位置データD1が記憶されるとともに、個々の加工モードにおけるレーザー加工の態様に応じた、レーザー光の個々のパラメータについての条件やステージ7の駆動条件あるいはそれらの設定可能範囲などが記述された加工モード設定データD2が記憶されている。加工処理部25は、加工位置データD1を取得するとともに選択された加工モードに対応する条件を加工モード設定データD2から取得し、当該条件に応じた動作が実行されるよう、駆動制御部21や照射制御部23その他を通じて対応する各部の動作を制御する。<ブレイク工程>図7は、ブレイク工程において基板10をブレイクする様子を示す模式図である。基板10を、分割起点104が形成されたストリートSTが下側になる姿勢とし、ストリートSTの両側を2つの下側ブレイクバーB1、B2にて支持した状態で、サファイア基板101の裏面101aであって分割起点104の直下図7では直上のブレイク位置BPに向けて、上側ブレイクバーB3を降下させることにより、基板10をブレイクすることが出来る。より詳細には、上側ブレイクバーB3の降下によって下側ブレイクバーB1、B2および上側ブレイクバーB3から基板10に加わる力により、それぞれの穴部103からサファイア基板101の裏面側に向けて、さらには穴部103の配列方向に向けて、クラックが進展することで、基板10は分割起点104に沿ってブレイクされる。基板10に形成された全ての分割起点104に対して順次に、同様の態様にてブレイクを行うことにより、基板10は、個々のLEDチップに個片化される。すなわち、端部に凹凸構造を備えた多数のLEDチップが得られる。以上、説明したように、本実施の形態によれば、パルスレーザー光を走査しつつ照射することによって基板のストリートに例えば円錐状の多数の穴部をその延在方向に沿って離散的に形成する、点線加工を行ったうえで、当該穴部の配列に沿って基板をブレイクすることで、端部に凹凸構造を有し、かつ、加工残渣の少ないLEDチップを得ることができる。係るLEDチップを用いることで、従来よりも高い発光効率を有するLED素子を実現することが出来る。基板10への分割起点104の形成態様がLED素子の発光効率に与える影響を簡易的に評価するべく、複数枚のサファイア基板を用意し、それぞれについて、上述の点線加工を含む種々の加工手法にて加工した前後の透過光量を測定した。図8は、サファイア基板WSの透過光量の測定の様子を示す図である。図8に示すように、サファイア基板WSは、平面視で細長の矩形状をなしており、その一方主面の一端部に、互いに離間する複数の直線部である被加工部Pが定められてなる。被加工部Pは、サファイア基板WSの一側部から他側部にかけて、上記主面を横断する態様にて設けられてなる。透過光量の測定は、図8に示す測定装置200において積分球201の一部に設けられた窓部202に、サファイア基板WSをその被加工部Pが内部に収まる態様にて挿入した状態で、積分球201の外部に位置するサファイア基板WSの他方端部からLED光源203にて入射光LIを与え、その透過光LTを積分球201に付設された光検出器204にて検出することによって行った。具体的には、実施例および3種の比較例比較例1ないし比較例3のために、4枚のサファイア基板WSを用意した。そして、それぞれについて加工を行う前に透過光量を測定した。さらに、比較例1を除くサファイア基板WSに対しては、以下の態様にて加工を行ったうえで、再びそれぞれの透過光量を測定した。比較例1に係るサファイア基板WSについては、被加工部Pに何らの加工を行わないまま、再び透過光量を測定した。実施例としては、被加工部Pに、上述の点線加工にて穴部を離散的に形成したものを用意した。実施例においては、ビーム径Dbを約2.5μm、加工速度を180mm/sec、繰り返し周波数を100kHz、パルスエネルギーを16.5μJ、デフォーカス値を5.0μmとした。また、比較例2として、被加工部Pに断面視V字状の連続的な溝部を形成したサファイア基板WSを用意した。比較例2においては、ビーム径Dbを約2.5μm、加工速度を100mm/sec、繰り返し周波数を70kHz、パルスエネルギーを16.5μJ、デフォーカス値を5.0μmとした。さらに、比較例3として、被加工部Pに特許文献3に開示されているような態様にて連続する凹部を設けたサファイア基板WSを用意した。比較例3においては、ビーム径Dbを約2.5μm、加工速度を70mm/sec、繰り返し周波数を10kHz、パルスエネルギーを50.0μJ、デフォーカス値を8.0μmとした。図9は、実施例および各比較例の加工後の透過光量を、加工前の透過光量にて規格化した値規格化透過光量値を示す図である。図9に示すように、実施例においては、加工を行っていない比較例1に次ぐ規格化透過光量値が得られ、その値も約0.92という大きな値であった。これに対して、比較例2および比較例3では、規格化透過光量値はそれぞれ、約0.76、0.58と小さかった。透過光量の低下は、加工に伴う加工残渣の残存や加工変質層の形成などにより、被加工部Pにおいて光が吸収されやすくなることが要因で起こると考えられることから、それゆえ、図9に示す結果からは、実施例1のように点線加工を行う方が、比較例2および比較例3に係る加工を行うよりも加工残渣の残存等が生じにくいこといえる。これはすなわち、上述の実施の形態に係る加工手法が、発光効率の優れたLED素子を得るという点において、従来の加工手法よりもLEDパターン付き基板の個片化に適していることを意味している。