"半導体ウェハ上に結晶成長を含むプロセスにて複数の素子を形成する工程と、前記ウェハを劈開し前記複数の素子へチップ化する工程と、前記チップ化した素子を選別するスクリーニング工程と、からなる通信用半導体レーザの製造方法であって、前記スクリーニング工程は、初期光出力15mW以上の光出力にて動作電流一定または光出力15mW以上の光出力一定の条件で行う第一のスクリーニング工程と、60°C~150°Cの温度にて100mA~200mAの動作電流一定の条件で行う第二のスクリーニング工程と、を含むことを特徴とする、通信用半導体レーザの製造方法。請求項1に記載の通信用半導体レーザの製造方法であって、前記第一のスクリーニング工程は、初期光出力20mW以上の光出力にて動作電流一定または光出力20mW以上の光出力一定のスクリーニング工程である、通信用半導体レーザの製造方法。半導体ウェハ上に結晶成長を含むプロセスにて複数の素子を形成する工程と、前記ウェハを劈開し前記複数の素子へチップ化する工程と、前記チップ化した素子を選別するスクリーニング工程と、からなる通信用半導体レーザの製造方法であって、前記スクリーニング工程は、初期光出力が飽和光出力の50以上の光出力にて動作電流一定または光出力が飽和光出力の50以上の光出力一定の条件で行う第一のスクリーニング工程と、60°C~150°Cの温度にて100mA~200mAの動作電流一定の条件で行う第二のスクリーニング工程と、を含むことを特徴とする、通信用半導体レーザの製造方法。請求項3に記載の通信用半導体レーザの製造方法であって、前記通信用半導体レーザは、面発光型レーザであることを特徴とする通信用半導体レーザの製造方法。請求項1ないし請求項4のいずれか一つに記載の通信用半導体レーザの製造方法であって、半導体レーザの活性層としてInGaAsPを用いた場合に比べその信頼性が結晶欠陥による影響を受け易い材料を活性層として適用する通信用半導体レーザの製造方法。半導体ウェハ上に結晶成長を含むプロセスにて複数の素子を形成する工程と、前記ウェハを劈開し前記複数の素子へチップ化する工程と、前記チップ化した素子を選別するスクリーニング工程と、からなり、前記スクリーニング工程は、初期光出力15mW以上の光出力にて動作電流一定または光出力15mW以上の光出力一定の条件で行う第一のスクリーニング工程と、60°C~150°Cの温度にて100mA~200mAの動作電流一定の条件で行う第二のスクリーニング工程と、を含む工程によって製造されたことを特徴とする通信用半導体レーザ。請求項6に記載の通信用半導体レーザであって、前記第一のスクリーニング工程は、初期光出力20mW以上の光出力にて動作電流一定または光出力20mW以上の光出力一定のスクリーニング工程であることを特徴とする通信用半導体レーザ。半導体ウェハ上に結晶成長を含むプロセスにて複数の素子を形成する工程と、前記ウェハを劈開し前記複数の素子へチップ化する工程と、前記チップ化した素子を選別するスクリーニング工程と、からなり、前記スクリーニング工程は、初期光出力が飽和光出力の50以上の光出力にて動作電流一定または光出力が飽和光出力の50以上の光出力一定の条件で行う第一のスクリーニング工程と、60°C~150°Cの温度にて100mA~200mAの動作電流一定の条件で行う第二のスクリーニング工程と、を含む工程によって製造されたことを特徴とする通信用半導体レーザ。請求項8に記載の通信用半導体レーザであって、前記通信用半導体レーザは、面発光型レーザであることを特徴とする通信用半導体レーザ。請求項6ないし請求項9のいずれか一つに記載された通信用半導体レーザであって、半導体レーザの活性層としてInGaAsPを用いた場合に比べその信頼性が結晶欠陥による影響を受け易い材料を活性層として適用する通信用半導体レーザ。請求項6ないし請求項9のいずれか一つに記載された通信用半導体レーザであって、前記通信用半導体レーザの活性層は、InGaAlAs、AlGaAsまたはGaInNAsであることを特徴とする通信用半導体レーザ。非特許文献1に記載された活性体材料であるInGaAlAsは、通信用レーザとしての歴史が短い。また、InGaAlAsは、InGaAsPに比べ結晶欠陥が多いことが知られている。さらに、結晶欠陥の比較的多い活性材料を用いた通信用レーザの、故障モードは、まだ未解明の部分がある。したがって、InGaAlAsレーザの製造工程に含まれるスクリーニング試験条件の検討は十分になされていない。本発明は、活性体組成に比較的結晶欠陥の多い組成を用いた通信用レーザのスクリーニング条件を確立し、信頼性の高い通信用レーザを提供することにある。InGaAsPに比べ結晶欠陥の多い組成として、InGaAlAs以外に、AlGaAs、GaInNAs等が知られている。上記の課題は、初期光出力15mW以上の光出力にて動作電流一定または光出力15mW以上の光出力一定のスクリーニング工程を含む通信用半導体レーザの製造方法、または初期光出力が飽和光出力の50以上の光出力にて動作電流一定または光出力が飽和光出力の50以上の光出力一定のスクリーニング工程を含む通信用半導体レーザの製造方法により、達成される。また、初期光出力15mW以上の光出力にて動作電流一定または光出力15mW以上の光出力一定のスクリーニング工程を経て製造された通信用半導体レーザ、または初期光出力が飽和光出力の50以上の光出力にて動作電流一定または光出力が飽和光出力の50以上の光出力一定のスクリーニング工程を経て製造された通信用半導体レーザにより、達成される。さらに、ケースの中に、通信用半導体レーザと、通信用レーザを駆動するドライバと、通信用半導体レーザの出力をモニタするフォトダイオードを搭載し、通信用半導体レーザは、初期光出力15mW以上の光出力にて動作電流一定または光出力15mW以上の光出力一定のスクリーニング工程を経て製造された光送信モジュール、またはケースの中に、通信用半導体レーザと、通信用レーザを駆動するドライバと、通信用半導体レーザの出力をモニタするフォトダイオードを搭載し、通信用半導体レーザは、初期光出力が飽和光出力の50以上の光出力にて動作電流一定または光出力が飽和光出力の50以上の光出力一定のスクリーニング工程を経て製造された光送信モジュールにより、達成される。本発明によって、活性体材料に比較的結晶欠陥の多い材料を用いた通信用レーザのスクリーニング条件を確立できた。また、信頼性の高い通信用レーザを提供できた。以下本発明の実施の形態について、実施例を用い図面を参照しながら詳細に説明する。なお、実質同一部位には同じ参照番号を振り、説明は繰り返さない。また、断面を含む図面についても、煩雑さを避けるために、断面にハッチングは施さない。実施例1を、図2ないし図8を参照して説明する。ここで、図2は光出力の量に起因した初期故障モードを説明する図である。図3は温度をパラメータとする入力電力と光出力の関係IL特性を説明する図である。図4は光劣化時間の光出力依存性を説明する図である。図5は半導体レーザの光軸方向の断面図である。図6は半導体レーザの光軸方向の斜視部分断面図である。図7は半導体レーザ素子のスクリーニング工程を説明する図である。図8は光送信モジュールの機能ブロック図である。図2において、活性層材料としてInGaAlAsを用いた半導体レーザは、InGaAlAsの結晶欠陥に起因するバンド間準位を介した非発光再結合とエネルギーバンド幅の縮小、光吸収の正帰還現象を生じる。この結果、活性層での結晶の破壊が生じ、温度にはほとんど依存せずに、内部での光パワーの量即ち外部で観測される光出力量が大きいほど初期故障が進行する。しかし、これまで、InGaAlAs、GaInNAs等の結晶欠陥の多い活性層材料を利用る通信用半導体レーザにおいても、InGaAsP等結晶欠陥の少ない活性層材料を利用する半導体レーザと同様に、高温かつ大電流の試験以降、電流パージ試験と呼ぶによってのみスクリーニングを行ってきた。図3において、電流パージ試験は、100°C-150mAで実施していたので、光出力自体が小さかった。また、条件によってはほとんど発光していない条件にて、スクリーニング試験を行うこともしばしばであった。図2を用いて説明した故障モードに起因する初期故障をスクリーニングするには、常温25°C大電流150mAでの、試験以降、光パージ試験と呼ぶを実施することが必要である。図4において、横軸は光出力、縦軸は対数目盛の劣化時間である。図4に示す電流パージ試験適用品の故障品分布は、電流パージ試験のみを実施した半導体レーザ素子のワーキングサンプルの寿命試験結果で、劣化時間20000程度である。すなわち、電流パージ試験自体が光出力1mW以下~数mWの範囲で実施されているため、半導体レーザ素子は、スクリーニングされずに初期故障を発生している。電流パージ試験のみを実施した半導体レーザ素子のワーキングサンプルついて、25°Cで光出力を振り、劣化時間を評価した。この結果が、図4中黒丸でしめす5点である。この5点から得た回帰線図中点線に対して、マージンをとった実線をスクリーニング条件とした。すなわち、25°C20mW5分の、光パージ試験をスクリーニング工程に追加することで、10mW100,000時間の寿命を保証できる。波長13μm帯のリッジ導波路型DFB半導体レーザ素子に、上述したスクリーニングを適用した場合について、以下説明する。図5に示すように、n型InP基板100n型、1E18cm^-3上に順次、バッファ層101n型InP、2E18cm^-3、04μm、光ガイド層102n型InGaAlAs層、2E18cm^-3、01μm、多重量子井戸活性層103InGaAlAsのwellbarrier6周期、厚さ018μm、光ガイド層104p型InGaAlAs、4E17cm^-3、003μm、InAlAsクラッド層105p型InAlAs、8E17cm^-3、006μm、エッチストッパー層106p型InGaAsAs、8E17cm^-3、005μm、スペーサ層107p型InP、8E17cm^-3、002μm、回折格子層108p型InGaAsP、8E17cm^-3、002μmを結晶成長し、回折格子127を形成した。回折格子127の上にInPクラッド層109p型InP、1E18cm^-3、13μm、コンタクト層110p型InGaAs、1E19cm^-3、02μmを結晶成長し、リッジ導波路114を形成した。図6において、リッジ導波路型DFB半導体レーザ素子400のリッジ導波路の幅は、1~2μmとした。その後パッシベーション膜117SiO2膜、04μmを形成、p電極112TiPtAu、厚さ07μm形成、裏面研磨、n電極113AuGeNiTiPtAu、厚さ08μm形成、劈開工程を経て、素子を作製した。なお、この素子前方端面には無反射膜、後方端面には高反射膜を形成した。共振器長は、150~250μmとした。半導体レーザ素子400の初期故障モードを排除し、通信用レーザに必要な期待寿命を保証する目的で、図7bに示すスクリーニング工程を適用した。図7aにおいて、半導体レーザ素子の製造工程は、結晶成長S410ウェハプロセスS420、チップ化S430、チップ選別S440、スクリーニングS450で構成される。特に、スクリーニング工程は、光パージ試験25°C、初期光出力23mW:動作電流一定、3分を実施するS451。続いて、電流パージ試験100°C、電流100mA:動作電流一定、20時間を実施するS452。光パージ試験および電流パージ試験において、劣化の見られなかった良品素子について、さらに動作温度上限にてエージング試験85°C、初期動作電流80mA:光出力一定、100時間を実施したS453。この結果、投入した全ての素子について劣化が見られなかった。また、その後寿命確認試験85°C、初期動作電流80mA:光出力一定を2000時間まで継続した。その結果は、初期値にて規格化した動作電流の変動量ΔIopt=Iopt-Iop0/Iop0は、寿命確認試験時間の12乗に比例して推移し、寿命として100万時間以上が期待できることが検証できた。なお、上述した実施例では光パージ試験を初期光出力23mW、動作電流一定としたが、光出力一定でも良い。また、光パージ試験の光出力は、飽和光出力の50である15mW以上でもよく、より好ましくは20mW以上である。また、波長155μm帯用のリッジ導波路型半導体レーザ素子を作製した場合、ファブリペロー型のリッジ導波路型半導体レーザ素子を作製した場合、p型InP基板上にリッジ導波路型半導体レーザ素子を作製した場合、さらにGaAs基板上にGaInNAsもしくはAlGaAsを活性層材料に用いたリッジ導波路型半導体レーザ素子を作製した場合についても、同様の効果が得られた。すなわち、半導体レーザの活性層としてInGaAsPを用いた場合に比べその信頼性が結晶欠陥による影響を受け易い材料を活性層として適用する通信用半導体レーザで同様の効果を有する。図8において、光送信モジュール500は、設置されたケース120内部に配置された半導体レーザ素子400は、駆動IC122により直変駆動される。半導体レーザ素子400の前方光信号は、図示しない光ファイバにより、伝送される。半導体レーザ素子400の後方光は、モニタフォトダイオード130によりモニタされる。ケース120の半導体レーザ素子400近傍には、サーミスタが配置され、半導体レーザ素子400の温度をモニタする。後方光パワーと温度は、半導体レーザ素子400駆動制御に利用する。この光送信モジュール500に搭載された半導体レーザ素子400は、光パージ試験を実施しているので、光送信モジュールのレーザ素子起因の初期故障モードが無く、非常に信頼性と量産性で安定したモジュールを市場に供給することが可能となった。上述したスクリーニング工程を波長13μm帯の埋込ヘテロ型ファブリペロー半導体レーザ素子の製造工程に適用した場合について、図9、図10および図7を参照して説明する。ここで、図9は半導体レーザの光軸方向の断面図である。図10は半導体レーザの光軸方向の斜視部分断面図である。図9において、InP基板200n型、15E18cm^-3上に、順次、バッファ層201n型InP、15E18cm^-3、05μm、光ガイド層202n型InGaAlAs層、2E18cm^-3、01μm、多重量子井戸活性層203InGaAlAsのwellbarrier7周期、厚さ021μm、光ガイド層204p型InGaAlAs、3E17cm^-3、01μm、InAlAsクラッド層205p型InAlAs、8E17cm^-3、01μm、InPクラッド層209p型InP、1E18cm^-3、14μm、コンタクト層210p型InGaAs、1E19cm^-3、015μmを結晶成長し、多重量子井戸活性層を貫通するエッチングにより導波路を形成した。導波路の幅は、12~23μmとした。その後、高抵抗のFeInP再成長層215を形成し、パッシベーション膜217SiO2膜、04μmを形成、p電極212TiPtAu、厚さ07μm形成、裏面研磨、n電極213AuGeNiTiPtAu、厚さ08μm形成、劈開工程を経て、埋込ヘテロ型のレーザ素子を作製した。図10において、埋込ヘテロ型のレーザ素子600の素子前方端面には無反射膜、後方端面には高反射膜を形成した。埋込ヘテロ型のレーザ素子600の共振器長は150~250μmとした。この半導体レーザ素子の初期故障モードを排除し、通信用レーザに必要な期待寿命を保証する目的で、図7bに示すスクリーニング工程を適用した。まず、光パージ試験50°C、初期光出力28mW:動作電流一定、5分を実施したS451。続いて、電流パージ試験110°C、電流100mA:動作電流一定、20時間を実施したS452。両パージ試験で、劣化の見られなかった良品素子について、エージング試験85°C、初期動作電流80mA:光出力一定、100時間を実施したS453。この結果、投入した全ての素子について劣化が見られなかった。また、その後寿命確認試験85°C、初期動作電流80mA:光出力一定を2000時間まで継続した。この結果、初期値にて規格化した動作電流の変動量は、寿命確認試験時間の12乗に比例して推移し、寿命として100万時間以上が検証できた。また、波長155μm帯用の埋込ヘテロ型半導体レーザ素子を作製した場合、埋込ヘテロ型のDFBレーザ素子を作製した場合、p型InP基板上に埋込ヘテロ型半導体レーザ素子を作製した場合、並びにGaAs基板上にGaInNAsもしくはAlGaAsを活性層材料に用いた埋込ヘテロ型半導体レーザ素子を作製した場合についても、同様の効果が得られた。波長13μm帯の面発光型の半導体レーザ素子の製造工程について、図11、図12および図7を参照して説明する。図11は面発光半導体レーザの断面図である。図12は面発光半導体レーザの光軸方向の斜視部分断面図である。図11に示すようにはInP基板301n型、1E18cm^-3上に、順次、バッファ層302n型InP層、1E18cm^-3、02μm、半導体反射ミラー303n型InAlAsInGaAlAs層、1E18cm^-3、各々λ4膜厚の42周期構造、下側コンタクト層352n型InP層、5E17cm^-3、02μm、クラッド層353n型InAlAs層、5E17cm^-3、02μm、MQW層354InGaAlAsのwellbarrier7周期、厚さ02μm、クラッド層355p型InAlAs層、5E17cm^-3、07μm、トンネル接合層356pInGaAlAsnInGaAs層、3E19cm^-3、20nm12nmを結晶成長し、電流狭窄領域を形成するためにトンネル接合層356の電流狭窄領域以外の部分についてpInGaAlAs層357の一部とnInGaAs層358の全部をドライエッチングにより除去し、その上にnInP再成長層360n型、厚さ01μmおよび上側コンタクト層361n型InGaAs層、2E19cm^-3、01μmの成長を行う。なお、nInP層360については、電流狭窄領域以外でのトンネル接合形成を避けるために、成長開始~厚さ10nmでの不純物濃度を5E17cm^-3と下げて、それ以降厚さ01μmまでの不純物濃度を5E18cm^-3と設定した。また、吸収損失を避けるために電流狭窄領域の直上およびその周囲について上側コンタクト層361InGaAs層をウエットエッチングにより選択的にエッチング除去し、その上に誘電体多層膜ミラー362AlxOyaSi、各々λ4膜厚の4周期構造を形成した。リング電極363の外側についてはリーク電流と容量低減のために2段メサ型構造とし、InGaAs上側コンタクト層361からクラッド層353に達するまでエッチングを行うことで第1メサ331を形成し、その周囲を高抵抗InP再成長層370厚み06μmで埋め込み、さらにその外側を高抵抗InP再成長層370から、InP下側コンタクト層352に達するまでエッチングして、第2メサ332を形成した。ここで、半導体層の上には、誘電体多層膜ミラー362が形成されている領域と電極が半導体にコンタクトしている領域以外には保護膜311としてSiN膜025μmが形成されており、上側オーミック電極371AuGeNiTiPtAu、厚さ07μmは上側コンタクト層361とリング電極363にて半導体と接触させ、SiN膜311とInP再成長層370上に配線部314幅5μm、長さ100μmと電極パッド31575μmφを配置し、寄生容量を低減し、断線の生じない構造とした。また、下側オーミック電極372AuGeNiTiPtAu、厚さ07μmも、上側オーミック電極371と同時に表面側に形成した。素子の活性領域の配置されていないInP基板301の裏面側は100μmまで研磨した後にダイボンディング用裏面金属膜317AuGeNiTiPtAu、厚さ08μmを裏面側に配置し、図12に示す面発光型レーザ素子700を形成した。上述した面発光型半導体レーザ素子の初期故障モードを排除し、通信用レーザに必要な期待寿命を保証する目的で、図7bに示すスクリーニング工程を適用した。まず、光パージ試験10°C、初期光出力2mW:動作電流一定、10分を実施したS451。続いて、電流パージ試験100°C、電流10mA:動作電流一定、20時間を実施したS452。両パージ試験で劣化の見られなかった良品素子について、エージング試験85°C、初期動作電流4mA:光出力一定、100時間を実施したS453。この結果、投入した全ての素子について劣化が見られなかった。なお、面発光型レーザ素子は、側面発光型レーザ素子に比べ、光出力が1/10程度、駆動電流も1/10程度である。しかし、面発光型レーザ素子の光パージ試験の初期光出力2mWは、飽和光出力値の50以上であり、これは側面発光型レーザ素子と同等である。また、その後寿命確認試験を2000時間まで継続した。この結果、初期値にて規格化した動作電流の変動量は、寿命確認試験時間の12乗に比例して推移し、寿命として100万時間以上が期待できることが検証できた。また、波長155μm帯用の面発光型半導体レーザ素子を作製した場合、トンネル接合を用いない構造の面発光レーザを作製した場合、p型InP基板上に面発光型半導体レーザ素子を作製した場合、並びにGaAs基板上にGaInNAsもしくはAlGaAsを活性層材料に用いた面発光型半導体レーザ素子を作製した場合についても、同様の効果が得られた。"