"受電装置が設置される給電面に沿って配置される複数の給電用コイルを備え、励磁される前記給電用コイルが発する磁束を介した電磁誘導によって前記受電装置に非接触で給電する非接触給電装置において、前記給電面に設置された物体の有無を励磁させた前記給電用コイルの電流又は電圧に基づき検知する存在検知部と、電源及びグランド間に並列接続される1対の接続線のそれぞれに電源側スイッチング素子及びグランド側スイッチング素子が直列接続され、前記各接続線における前記電源側スイッチング素子及び前記グランド側スイッチング素子間に前記給電用コイルの両端が接続されるとともに、前記各スイッチング素子をオンオフ制御する励磁駆動回路と、を備え、前記励磁駆動回路は、前記受電装置への給電時には、前記一方の接続線における前記電源側スイッチング素子及び前記他方の接続線における前記グランド側スイッチング素子からなる組み合わせと、前記他方の接続線における前記電源側スイッチング素子及び前記一方の接続線における前記グランド側スイッチング素子からなる組み合わせとを交互にオンオフ状態間で切り替えることで前記給電用コイルを励磁し、存在検知時には、前記一方の接続線における前記電源側スイッチング素子をオフ状態に固定するとともに、この接続線における前記グランド側スイッチング素子をオン状態に固定し、前記他方の接続線における前記電源側スイッチング素子と、この接続線における前記グランド側スイッチング素子とを交互にオンオフ状態間で切り替えることで前記給電用コイルを励磁することを特徴とする非接触給電装置。請求項1に記載の非接触給電装置において、存在検知時に前記他方の接続線における前記グランド側スイッチング素子をオンオフ状態間で切り替える一周期において、このグランド側スイッチング素子のオン状態とされる時間をオフ状態とされる時間に比して長く設定することを特徴とする非接触給電装置。請求項1又は2に記載の非接触給電装置において、前記励磁駆動回路は、存在検知及び給電の何れも行っていない待機状態においては、前記両電源側スイッチング素子をオフ状態とすることを特徴とする非接触給電装置。請求項3に記載の非接触給電装置において、前記励磁駆動回路は、前記待機状態においては、前記両グランド側スイッチング素子の何れか一方のみをオン状態とし、その他のスイッチング素子をオフ状態とすることを特徴とする非接触給電装置。請求項1~4の何れか一項に記載の非接触給電装置において、前記存在検知部は、前記給電用コイルの電流又は電圧に基づき前記給電面に設置された物体が金属であるか否かを検知することを特徴とする非接触給電装置。上記給電装置は、受電装置への給電中においても、その給電に係る1次コイル以外の待機中の1次コイルを通じて一定周期毎に存在検知を行う。従って、隣り合う2つの1次コイルがそれぞれ給電及び存在検知を同時に行うこともある。この場合には、両1次コイルが形成する磁場が互いに干渉しあうおそれがある。これにより、2次コイルに及ぶ磁気的エネルギーが減少して、受電装置への給電効率が低下するおそれがあった。この発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、受電装置への給電及び存在検知を同時に行った場合における給電効率の低下を抑制することができる非接触給電装置を提供することにある。上記課題を解決するために、本発明の非接触給電システムは、受電装置が設置される給電面に沿って配置される複数の給電用コイルを備え、励磁される前記給電用コイルが発する磁束を介した電磁誘導によって前記受電装置に非接触で給電する非接触給電装置において、前記給電面に設置された物体の有無を励磁させた前記給電用コイルの電流又は電圧に基づき検知する存在検知部と、電源及びグランド間に並列接続される1対の接続線のそれぞれに電源側スイッチング素子及びグランド側スイッチング素子が直列接続され、前記各接続線における前記電源側スイッチング素子及び前記グランド側スイッチング素子間に前記給電用コイルの両端が接続されるとともに、前記各スイッチング素子をオンオフ制御する励磁駆動回路と、を備え、前記励磁駆動回路は、前記受電装置への給電時には、前記一方の接続線における前記電源側スイッチング素子及び前記他方の接続線における前記グランド側スイッチング素子からなる組み合わせと、前記他方の接続線における前記電源側スイッチング素子及び前記一方の接続線における前記グランド側スイッチング素子からなる組み合わせとを交互にオンオフ状態間で切り替えることで前記給電用コイルを励磁し、存在検知時には、前記一方の接続線における前記電源側スイッチング素子をオフ状態に固定するとともに、この接続線における前記グランド側スイッチング素子をオン状態に固定し、前記他方の接続線における前記電源側スイッチング素子と、この接続線における前記グランド側スイッチング素子とを交互にオンオフ状態間で切り替えることで前記給電用コイルを励磁する。また、上記構成において、存在検知時に前記他方の接続線における前記グランド側スイッチング素子をオンオフ状態間で切り替える一周期において、このグランド側スイッチング素子のオン状態とされる時間をオフ状態とされる時間に比して長く設定することが好ましい。また、上記構成において、前記励磁駆動回路は、存在検知及び給電の何れも行っていない待機状態においては、前記両電源側スイッチング素子をオフ状態とすることが好ましい。また、上記構成において、前記励磁駆動回路は、前記待機状態においては、前記両グランド側スイッチング素子の何れか一方のみをオン状態とし、その他のスイッチング素子をオフ状態とすることが好ましい。また、上記構成において、前記存在検知部は、前記給電用コイルの電流又は電圧に基づき前記給電面に設置された物体が金属であるか否かを検知することが好ましい。本発明によれば、非接触給電装置において、受電装置への給電及び存在検知を同時に行った場合における給電効率の低下を抑制することができる。以下、本発明の非接触給電装置を非接触給電システムに具体化した一実施形態を図1~図8を参照しつつ説明する。図1に示すように、非接触給電システムは、給電装置10と、受電装置30とを備える。本例では、受電装置30は、携帯端末40に内蔵されている。以下、給電装置10及び受電装置30の具体的構成について説明する。給電装置図2に示すように、給電装置10は、平板状の筐体5で覆われてなる。筐体5の上面には携帯端末40が設置される給電面6が形成される。給電装置10の内部には、給電用コイルL1及び1次側異物検出用コイルL2を1組のコイル群として、給電面6の全域に亘って計24組のコイル群が配置される。コイル群は、例えば、給電面6において4行×6列のマトリックス状に配置されている。図1に示すように、給電装置10は、単一の共通ユニット11と、この共通ユニット11にそれぞれ接続される複数本例では24個の給電ユニット15と、を備える。共通ユニット11は、電源回路13と、共通制御回路12と、不揮発性のメモリ14と、を備える。メモリ14には、予め登録されている受電装置30に固有のIDコードが記憶されている。電源回路13は、外部電源からの交流電力を適切な直流電圧に変換し、それを動作電力として各給電ユニット15及び共通ユニット11に供給する。共通制御回路12は、マイクロコンピュータで構成されるとともに、各給電ユニット15への各種指令信号を通じて給電装置10を統括制御する。給電ユニット15は、ユニット制御回路19と、励磁駆動回路16と、異物検出用回路21と、信号抽出回路17,22と、メモリ24とを備える。励磁駆動回路16には給電用コイルL1が接続され、異物検出用回路21には1次側異物検出用コイルL2が接続されている。共通制御回路12は、各ユニット制御回路19に給電を要求する旨の指令信号を出力する。ユニット制御回路19は、共通制御回路12からの上記指令信号に基づき、フルブリッジ動作を要求する旨の指令信号を励磁駆動回路16に出力する。図3に示すように、励磁駆動回路16は、4つのFET電界効果トランジスタ1H,2H,1L,2Lと、各FETのゲートを制御する1対のゲートドライバ16a,16bと、備える。詳しくは、電源Vdd及びグランド間には1対の接続線A1,A2が並列接続されている。両接続線A1,A2は図中の左右方向に対向して位置するとともに、左右方向に延びる接続線A3を介して接続されている。以下、両接続線A1,A2において接続線A3より上側をHi側と呼び、接続線A3より下側をLo側と呼ぶ。接続線A1におけるHi側にはFET1Hのソース端子及びドレイン端子が接続され、接続線A1におけるLo側にはFET1Lのソース端子及びドレイン端子が接続されている。接続線A2におけるHi側にはFET2Hのソース端子及びドレイン端子が接続され、接続線A2におけるLo側にはFET2Lのソース端子及びドレイン端子が接続されている。接続線A3には給電用コイルL1及びコンデンサCが直列接続される。第1のゲートドライバ16aは、1対のFET1H,1Lのゲート端子に接続されている。また、第2のゲートドライバ16bは、1対のFET2H,2Lのゲート端子に接続されている。両ゲートドライバ16a,16bは、各FET1H,2H,1L,2Lのゲート端子にHiレベル又はLoレベルの信号を出力する。各FET1H,2H,1L,2Lは、Hiレベルの信号を受けると、ソース端子及びドレイン端子が導通状態となるオン状態となる。また、各FET1H,2H,1L,2Lは、Loレベルの信号を受けると、ソース端子及びドレイン端子が非導通状態となるオフ状態となる。なお、何らの信号を受けていないときには各FETはオフ状態である。両ゲートドライバ16a,16bは、ユニット制御回路19からのフルブリッジ動作を要求する旨の指令信号に基づきフルブリッジ動作を行う。フルブリッジ動作においては、両ゲートドライバ16a,16bは、FET1H,2Lの組み合わせと、FET1L,2Hの組み合わせとがそれぞれ同期するようにオンオフ状態を切り替える。図4に示すように、一の組のFET1H,2LにHiレベルの信号が出力される期間においては、他の組のFET1L,2HにLoレベルの信号が出力されている。一方、他の組のFET1L,2HにHiレベルの信号が出力されている期間においては、一の組のFET1H,2LにLoレベルの信号が出力される。フルブリッジ動作時において、全てのFET1H,2H,1L,2LにLoレベルの信号が出力されるデッドタイムt1が設定されている。図3に示すように、互いに対角線上に位置する一の組のFET1H,2Lがオン状態とされるとき、他の組のFET1L,2Hがオフ状態とされる。このとき、電源Vddからの電流は、FET1H、給電用コイルL1、コンデンサC及びFET2Lを介してグランドに流れる。そして、他の組のFET1L,2Hがオン状態とされると同時に、一の組のFET1H,2Lがオフ状態とされる。この状態においては、電源Vddからの電流は、FET2H、コンデンサC、給電用コイルL1及びFET1Lを介してグランドに流れる。このように、各組のFETの状態を切り替えることで給電用コイルL1に高周波電流が供給される。よって、給電用コイルL1は励磁されて、給電用コイルL1からの磁束が変化する。このフルブリッジ動作は、給電効率の点で後述するハーフブリッジ動作より高い。よって、給電においてはフルブリッジ動作が適している。また、デッドタイムt1においては、全てのFET1H,2H,1L,2Lがオフ状態となる。従って、一の組のFET1H,2Lと、他の組のFET1L,2Hとをオンオフ状態間で切り替えるときに、その切り替えタイミングがずれることで、例えば電源VddからFET1H,FET1Lを経てグランドに貫通電流が流れることが抑制される。なお、FET1H,2Hは電源側スイッチング素子に相当し、FET1L,2Lはグランド側スイッチング素子に相当する。図3に示すように、給電用コイルL1及びコンデンサC間には、信号抽出回路17が設けられている。この信号抽出回路17は、電流検知回路27と、包絡線検波回路25と、波形整形回路26とを備える。電流検知回路27は、給電用コイルL1及びコンデンサC間に直列接続されている。電流検知回路27は、給電用コイルL1及びコンデンサC間の電流を検知するとともに、その検知結果を包絡線検波回路25に出力する。包絡線検波回路25は、電流検知回路27からの信号の波形を包絡線検波し、その検波信号を波形整形回路26に出力する。波形整形回路26は、フィルタ及び増幅器等で構成されるとともに、検波信号におけるノイズを除去、及び信号を増幅することで信号の波形を整形し、その整形された信号をユニット制御回路19に出力する。次に、給電面6に物体が存在するか否かを検知する存在検知について説明する。共通制御回路12は、給電中でない給電ユニット15に対して存在検知の実行を要求する旨の指令信号を順に送信する。ユニット制御回路19は、この指令信号を受けると、ハーフブリッジ動作を要求する旨の指令信号を励磁駆動回路16に出力する。励磁駆動回路16両ゲートドライバ16a,16bは、この指令信号を受けると、ハーフブリッジ動作を通じて給電用コイルL1に高周波電流を供給する。詳しくは、図5に示すように、ハーフブリッジ動作時においては、第2のゲートドライバ16bは、FET2Hに常にLoレベルの信号を出力するとともに、FET2Lに常にHiレベルの信号を出力する。また、第1のゲートドライバ16aは、FET1HにHiレベルの信号を出力している期間においてはFET1LにLoレベルの信号を出力し、FET1LにHiレベルの信号を出力している期間においてはFET1HにLoレベルの信号を出力する。第1のゲートドライバ16aは、ハーフブリッジ動作時においても、上記フルブリッジ動作時と同一の周期T1にてHiレベル及びLoレベルの信号を出力する。ただし、ハーフブリッジ動作時においては、FET1Lに出力される信号のデューティ比は50を超える値に設定される。従って、FET1Lがオン状態となる時間は、FET1Hがオン状態となる時間に比較して長くなる。ハーフブリッジ動作時においても、全てのFET1H,2H,1L,2LにLoレベルの信号が出力されるデッドタイムt1が設定されている。図6に示すように、存在検知時にはFET2Hは常にオフ状態とされるとともに、FET2Lは常にオン状態とされる。そして、FET1H,1Lが交互にオンオフ状態間で切り替えられる。FET1Hがオン状態とされ、FET1Lがオフ状態とされているときには、電源Vddからの電流は、FET1H、給電用コイルL1、コンデンサC及びFET2Lを介してグランドに流れる。その後、FET1Hがオフ状態に切り替えられると同時に、FET1Lがオン状態に切り替えられたとき、給電用コイルL1には逆起電力が発生する。これに伴う電流は、コンデンサC、給電用コイルL1及びFET1Lを介してグランドに流れる。このように、一対のFET1H,1Lをオンオフ状態間で切り替えることで給電用コイルL1に高周波電流が供給される。このハーフブリッジ動作時には、電源Vddからの電力が給電用コイルL1に供給される時間はFET1Hがオン状態となっている期間に限られる。このため、ハーフブリッジ動作時においては、FET1Lに出力される信号Hiレベルのデューティ比を増やすことで、電源Vddから給電用コイルL1に電力が供給される時間を短くすることができる。従って、ハーフブリッジ動作における消費電力を上記フルブリッジ動作に比べて低減することができる。また、ハーフブリッジ動作時に、給電用コイルL1が発生させる磁気エネルギーも上記フルブリッジ動作時に比べて小さくなる。従って、互いに近接して位置する2つの給電用コイルL1がそれぞれ給電及び存在検知を行っていた場合であっても、存在検知に伴う給電用コイルL1からの磁気エネルギーが、給電に伴う給電用コイルL1からの磁気エネルギーと干渉することが抑制される。これにより、給電に伴う給電用コイルL1から受電装置30への給電効率が存在検知によって低下することが抑制される。また、デッドタイムt1においては、2つのFET1H,1Lがオフ状態となる。従って、一対のFET1H,1Lをオンオフ状態間で切り替えるときに、その切り替えタイミングがずれることで、例えば電源VddからFET1H,FET1Lを経てグランドに貫通電流が流れることが抑制される。ユニット制御回路19は、ハーフブリッジ動作を通じて給電用コイルL1に高周波電流を供給し、そのときの信号抽出回路17の検出結果に基づき、給電用コイルL1の周辺に物体が存在するか否かの存在検知を行う。例えば、給電用コイルL1の近傍に物体が存在する場合には、給電用コイルL1が物体と磁気的に結合した状態となって給電用コイルL1のインピーダンスが増大する。これにより、給電用コイルL1に流れる電流が減少する。ユニット制御回路19は、信号抽出回路17からの電圧レベル存在検知レベルに基づき、給電用コイルL1の電流が閾値未満となった旨判断したとき、給電用コイルL1の周辺に物体が存在する旨判断する。また、ユニット制御回路19は、信号抽出回路17からの電圧レベルに基づき、給電用コイルL1の電流が閾値以上となった旨判断したとき、給電用コイルL1の周辺に物体が存在しない旨判断する。ユニット制御回路19は、存在検知結果を共通制御回路12に出力する。共通制御回路12は、存在検知を通じて受電装置30正確にはその受電用コイルL3が存在するエリアにおける給電用コイルL1のみを励磁する。なお、ユニット制御回路19、信号抽出回路17及び給電用コイルL1は存在検知部に相当する。また、ユニット制御回路19は、給電時フルブリッジ動作時における信号抽出回路17の検出結果に基づき、給電対象である受電装置30が正規のものであるか否かの認証を行う。ここで、給電用コイルL1に供給される高周波信号は、受電装置30による後述する負荷変調によって、所定の周期で振幅が2値間で変化する。この振幅は、受電装置30による負荷変調によってID情報に応じて2値間で変化させられている。ユニット制御回路19は、信号抽出回路17からの電圧レベルに基づきID情報を認識し、そのID情報と、予めメモリ24に記憶されるID情報との照合を行う。ユニット制御回路19は、ID照合の成否を共通制御回路12に出力する。共通制御回路12は、ID照合が成立した旨判断したとき給電を継続する。一方、共通制御回路12は、ID照合が成立しない旨判断したとき正規の受電装置30でないとして給電を停止する。次に、給電面6及び受電装置30間に金属等の異物が存在するか否かを検知する異物検知について説明する。図1に示すように、ユニット制御回路19は、共通制御回路12からの異物検知を要求する旨の指令信号に基づき異物検出用回路21の動作を制御する。具体的には、異物検出用回路21は、励磁駆動回路16と同様に高周波電流を1次側異物検出用コイルL2に供給する。これにより、1次側異物検出用コイルL2が励磁される。なお、給電用コイルL1及び1次側異物検出用コイルL2は異なる周波数で励磁される。1次側異物検出用コイルL2の高周波電流は、受電装置30による後述する負荷変調によって、所定の周期で振幅が2値間で変化する。例えば、1次側異物検出用コイルL2及び受電装置302次側異物検出用コイルL4間に金属等の異物が存在する場合には、振幅が2値間で変化する周期が長くなる。信号抽出回路22は、上記信号抽出回路17と同様に構成される。従って、信号抽出回路22は、2値間で変化する振幅に応じてHiレベル又はLoレベルからなる検波信号を生成する。ユニット制御回路19は、上記信号抽出回路22からの検波信号の周期に基づき異物の有無を判断する。ユニット制御回路19は、異物の有無に関する判断結果を共通制御回路12に出力する。共通制御回路12は、異物が存在する旨判断したときには給電を実行せず、異物が存在しない旨判断したときには給電を実行する。ユニット制御回路19は、給電及び存在検知の何れも行っていない待機時には、励磁駆動回路16を待機状態とする。詳しくは、図7に示すように、各ゲートドライバ16a,16bは、FET2LにのみHiレベルの信号を出力し、その他のFET1H,2H,1LにLoレベルの信号を出力する。これにより、FET2Lのみがオン状態となって、その他のFET1H,2H,1Lがオフ状態となる。これが待機状態である。待機状態においては、給電用コイルL1は電源Vddと電気的に遮断されている。このため、例えば電源Vdd側にインピーダンスの低い回路が存在する場合に、特定の給電用コイルL1の周辺に位置する給電用コイルL1からの磁気エネルギーに基づき、特定の給電用コイルL1に誘起された電流が上記回路方向に流れ込むことが抑制される。さらに、FET1Lがオフ状態とされることで、FET2L、給電用コイルL1及びFET1Lを通じて回生電流が発生することが抑制される。このように、待機状態においてはFET2Lのみをオン状態とすることで周辺に位置する給電用コイルL1との磁気結合を抑制することができる。また、この周辺に位置する給電用コイルL1が給電を行っている場合には、磁気結合が抑制されることで、その給電用コイルL1における給電効率の低下を抑制することができる。また、この周辺に位置する給電用コイルL1が存在検知を行っている場合には存在検知の精度が低下することが抑制される。受電装置図1に示すように、受電装置30は、整流回路31と、受電用コイルL3と、2次側制御回路33と、DC/DCコンバータ35とを備える。受電用コイルL3には、給電用コイルL1からの磁束の変化によって交流電力が誘起される。整流回路31は、受電用コイルL3に誘起される交流電力を整流する。DC/DCコンバータ35は、整流回路31からの直流電圧を携帯端末40の動作に適切な値に変換する。この直流電圧は、例えば携帯端末40の動作電源である2次電池図示略の充電に利用される。2次側制御回路33は、マイクロコンピュータで構成されるとともに、整流回路31からの電力の一部を受けて動作する。また、受電装置30は、異物検知のための負荷変調を行う構成として、2次側異物検出用コイルL4と、整流回路36と、マルチバイブレータ37と、負荷38と、トランジスタ39とを備える。2次側異物検出用コイルL4は、整流回路36に接続されている。また、整流回路36の後段には、マルチバイブレータ37が接続されている。そして、2次側異物検出用コイルL4とグランドとの間には負荷38が接続されている。トランジスタ39は、負荷38及びグランド間に設けられている。詳しくは、トランジスタ39のエミッタ端子及びコレクタ端子は、それぞれ負荷38及びグランドに接続されている。トランジスタ39のベース端子にはマルチバイブレータ37が接続されている。2次側異物検出用コイルL4は、1次側異物検出用コイルL2からの高周波信号を、電磁誘導を利用して受信すると、それを整流回路36に出力する。整流回路36は、高周波信号を整流し、その整流した信号をマルチバイブレータ37に出力する。マルチバイブレータ37は、高周波信号に基づき、Hiレベル及びLoレベルの繰り返しからなるパルス波を生成し、それをトランジスタ39のベース端子に出力する。トランジスタ39は、パルス波におけるHiレベル及びLoレベルに基づきオンオフ状態が切り替わる。トランジスタ39がオン状態にあるとき、2次側異物検出用コイルL4の電流の一部がグランドに流れる。従って、2次側異物検出用コイルL4における高周波信号は、トランジスタ39のオンオフ状態に応じて振幅が一定周期毎に2値間で変化する。これに伴って、1次側異物検出用コイルL2における高周波信号の振幅も一定周期毎に2値間で変化する負荷変調。1次側異物検出用コイルL2及び2次側異物検出用コイルL4間に異物が存在する場合には、両異物検出用コイルL2,L4間で送受信される高周波信号の振幅が小さくなる。これにより、マルチバイブレータ37が生成するパルス波におけるHiレベル及びLoレベルの繰り返しの周期、ひいてはトランジスタ39におけるオンオフ状態間で切り替わる周期が長くなる。これにより、両異物検出用コイルL2,L4間で送受信される高周波信号における振幅が2値間で変化する周期が長くなる。従って、上述のように、給電装置10において異物検知が可能となる。また、受電装置30は、認証のための負荷変調を行う構成として、負荷変調回路42と、認証用信号生成回路41と、を備える。この認証用信号生成回路41は、2次側制御回路33に設けられる。認証用信号生成回路41は、Hiレベル及びLoレベルの組み合わせからなるパルス波を生成する。このHiレベル及びLoレベルの組み合わせが、受電装置30に固有のID情報である。負荷変調回路42は、負荷及びトランジスタ等で構成されるとともに、認証用信号生成回路41からのパルス波のHiレベル及びLoレベルに応じて受電用コイルL3及び給電用コイルL1における高周波信号の振幅を変化させる負荷変調。これにより、上述のように、給電装置10においてID照合が可能となる。次に、共通制御回路12の処理手順について図8のフローチャートを参照しつつ説明する。当該フローチャートは、一定周期が経過する毎に実行される。なお、当該フローチャートの開始時には、給電面6に何も設置されておらず、励磁駆動回路16が待機状態とされているとする。まず、共通制御回路12は、各給電ユニット15の励磁駆動回路16を順にハーフブリッジ動作させて存在検知を行うS101。共通制御回路12は、物体の存在を検知しない旨判断したときS102でNO、励磁駆動回路16を待機状態に戻したS103後に処理を終了する。共通制御回路12は、物体の存在を検知した旨判断したときS102でYES、金属等の異物の検知を行うS104。共通制御回路12は異物の存在を検知した旨判断したときS105でYES、励磁駆動回路16を待機状態に戻したS103後に処理を終了する。これにより、異物が励磁されることを抑制できる。また、共通制御回路12は異物の存在を検知しない旨判断したときS105でNO、励磁駆動回路16をフルブリッジ動作させて給電を行うS106。そして、共通制御回路12は、ID照合が成立するか否かを判断するS107。共通制御回路12は、ID照合が成立しない旨判断したときS107でNO、励磁駆動回路16を通じて給電を停止してS108、励磁駆動回路16を待機状態に戻したS103後に処理を終了する。これにより、正規の受電装置30以外に対して給電されることが防止される。共通制御回路12は、ID照合が成立した旨判断したときS107でYES、給電を継続するS109。そして、共通制御回路12は、給電中において一定時間が経過した後に、再びID照合が成立するか否かを判断するS107。すなわち、給電中においても定期的にID照合が実行される。以上、説明した実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。1存在検知時にはFET2Hは常にオフ状態とされるとともに、FET2Lは常にオン状態とされる。そして、FET1H,1Lがオンオフ状態間で交互に切り替えられるハーフブリッジ動作。このハーフブリッジ動作時には、電源Vddから給電用コイルL1への電力の供給時間は、FET1Hがオン状態となっている期間に限られる。このため、ハーフブリッジ動作時における消費電力は上記フルブリッジ動作時に比べて小さくなる。これに伴い、ハーフブリッジ動作時に、給電用コイルL1が発する磁気エネルギーもフルブリッジ動作時に比べて小さくなる。従って、互いに近接して位置する給電用コイルL1がそれぞれ給電及び存在検知を同時に行っていた場合であっても、存在検知に伴う給電用コイルL1からの磁気エネルギーが、給電に伴う給電用コイルL1からの磁気エネルギーと干渉することが抑制される。これにより、存在検知が行われることによって、近接して位置する給電用コイルL1における給電効率が低下することが抑制される。2給電及び存在検知の何れも行っていない待機状態においては、FET2Lのみがオン状態とされ、その他のFET1H,2H,1Lがオフ状態とされる。この状態においては、給電用コイルL1は電源Vddと電気的に遮断されている。このため、例えば電源Vdd側にインピーダンスの低い回路が存在する場合に、特定の給電用コイルL1の周辺に位置する給電用コイルL1からの磁気エネルギーに基づき、特定の給電用コイルL1に誘起された電流が上記回路方向に流れ込むことが抑制される。さらに、FET1Lがオフ状態とされることで、FET2L、給電用コイルL1及びFET1Lを通じて回生電流が発生することが抑制される。このように、待機状態においてはFET2Lのみがオン状態とされることで周辺に位置する給電用コイルL1との磁気結合を抑制することができる。この周辺に位置する給電用コイルL1が給電を行っている場合には、その給電用コイルL1における給電効率の低下を抑制することができる。また、この周辺に位置する給電用コイルL1が存在検知を行っている場合には存在検知の精度が低下することが抑制される。3存在検知時においては、FET1Lにおけるオン状態とされる時間がオフ状態とされる時間に比して長く設定され、FET1Hにおけるオフ状態とされる時間がオン状態とされる時間に比して長く設定される。ハーフブリッジ動作時には、電源Vddからの電力が給電用コイルL1に供給される時間はFET1Lがオフ状態であってFET1Hがオン状態となっている期間に限られる。この期間を調節することを通じて、ハーフブリッジ動作時における消費電力を調節することができる。4存在検知に伴う給電用コイルL1からの磁気エネルギーを低減することができる。従って、存在検知の対象となる物体が誘起電流により温度上昇することが抑制される。なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の形態にて実施することができる。上記実施形態においては待機状態においてはFET2Lのみがオン状態とされていたが、FET1Lのみをオン状態としても同様の効果が得られる。さらに、待機状態においてグランド側の両FET1L,2Lをオン状態とし、電源Vdd側の両FET1H,2Hをオフ状態としてもよい。この場合であっても、電源Vdd側に誘起電流が流れ込むことが抑制される。上記実施形態においては、負荷変調を利用してID照合が行われていたが、認証用の回路を給電装置10及び受電装置30にそれぞれ設け、無線信号の送受信を通じてID照合を行ってもよい。また、ID照合を省略してもよい。この場合、認証用信号生成回路41及び負荷変調回路42を省略できる。上記実施形態における異物検知に関する構成異物検出用回路21、両異物検出用コイルL2,L4、整流回路36及びマルチバイブレータ37等を省略してもよい。上記実施形態においては、受電装置30は携帯端末40に設けられていたが、その他の電気機器に設けられていてもよい。例えば、受電装置30が、電気機器の本体に対して独立した構成であってもよい。上記実施形態におけるユニット制御回路19を省略してもよい。この場合には、共通制御回路12は、上記実施形態においてユニット制御回路19が実行していた制御も行う。また、ユニット制御回路19が行っていた制御の一部を共通制御回路12が行ったり、共通制御回路12が行っていた制御の一部をユニット制御回路19が行ったりしてもよい。上記実施形態においては、励磁駆動回路16においては、スイッチング素子としてFETが採用されていたが、その他のスイッチング素子を利用してもよい。上記実施形態においては、ハーフブリッジ動作時における、FET1Lに出力される信号Hiレベルのデューティ比は50を超える値に設定されていた。しかし、このデューティ比は50未満に設定されていてもよい。この場合であっても、FET1Hがオフ状態となっている期間においては、電源Vddから給電用コイルL1へ電力が供給されない。従って、上記実施形態と同様にハーフブリッジ動作時における消費電力がフルブリッジ動作と比較して低減されるとともに給電効率の低下が抑制される。上記実施形態においては、給電用コイルL1及びコンデンサCは直列接続されていたが、給電用コイルL1及びコンデンサCは並列接続されていてもよい。また、コンデンサCを省略してもよい。上記実施形態において、存在検知時に金属の検知が同時に行われてもよい。上述のように存在検知時には、給電面6に置かれた物体の存在によるインピーダンスの変化に伴う給電用コイルL1の電流の変化が検出される。例えば、受電用コイルL3を有する受電装置30が給電面6に設置された場合、給電用コイルL1から見た2次側の負荷が大きくなるため、給電用コイルL1に流れる電流値、ひいては信号抽出回路17からの電圧レベル存在検知レベルが小さくなる。また、金属が給電面6に設置されると、給電用コイルL1から見た2次側の負荷が小さくなるため、上記受電装置30が設置された場合に比べて給電用コイルL1に流れる電流値、ひいては存在検知レベルが高くなる。金属検知では金属の種類やサイズ等によって負荷特性が異なるため、存在検知レベルは給電用コイルL1に対応する給電面6に何も設置されていない状態と異なる値となる。存在検知レベルには、給電面6に設置される物体の有無及び種類に応じて、例えば以下のような大小関係が存在する。受電装置30あり<受電装置30なし負荷なし<金属ありこの大小関係を加味して複数の閾値を設定する。これにより、ユニット制御回路19は、存在検知レベルと各閾値との比較を通じて、存在検知時に金属の検知を行うことができる。このように、1次側異物検出用コイルL2及び2次側異物検出用コイルL4などの異物検出回路を用いずに金属の検知が可能であるため、上記実施形態における金属等の異物検知のための構成、すなわち異物検出用回路21、信号抽出回路22、コイルL2,L4、整流回路36、マルチバイブレータ37等を省略できる。これにより、非接触給電システムをより簡易に構成することができる。なお、金属の種類としては、銅、アルミ、鉄及びステンレスなどが考えられる。金属の種類が異なると、給電用コイルL1との結合度等の違いにより存在検知レベルが変化する。このため、金属検知の閾値は金属の種類に応じて決定する必要がある。また、負荷の異なる2次機器例えば携帯端末40が複数存在する場合には、存在検知レベルに基づき何れの2次機器であるかの検出も可能である。"