"上面に電極を有する回路基板と、前記回路基板上面に実装した半導体発光素子とを備える半導体発光装置において、前記回路基板上面に反射部材が配置され、前記反射部材が金属層を備える反射シートであり、前記半導体発光素子と前記回路基板の電極との導電接続部に開口部を有し、前記回路基板上面に貼り付けられていることを特徴とする半導体発光装置。前記反射シートが粘着層と耐熱性フィルムと前記金属層との積層物であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。前記粘着層の上部に無機保護膜を備えていていることを特徴とする請求項2に記載の半導体発光装置。前記半導体発光素子がフリップチップ実装されていていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体発光装置。前記半導体発光素子がワイヤボンディングされていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体発光装置。前記半導体発光素子が前記反射シート上にダイボンディングされていることを特徴とする請求項5に記載の半導体発光装置。上面に電極を有する回路基板と、前記回路基板上面に実装した半導体発光素子とを備える半導体発光装置の製造方法において、前記回路基板上に配置する反射部材として金属層を備えた反射シートを準備する準備工程と、前記反射シートに対し前記半導体発光素子と前記回路基板の電極との導電接続部となる領域に開口部を形成する開口部形成工程と、前記反射シートを前記回路基板に貼り付ける貼り付け工程と、を備えることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。前記開口部形成工程において前記開口部をプレスで形成したことを特徴とする請求項7に記載の半導体発光装置の製造方法。特許文献1に示されるように回路基板上面に追加的に白色反射膜6等の反射部材を形成すると、回路基板材料自体の表面反射特性を考慮する必要がなくなり、材料選択幅が広がる。しかしながら白色反射膜6等の反射部材は、透明バインダーに反射性微粒子を分散させたものであるため、反射率を高くしようとすると厚さが数10μm程度必要になる。このように反射部材が厚くなるとクラックや基板からの剥がれを生じたり、反りの発生原因になったりする。すなわち回路基板上の反射部材を薄くすることが課題となる。特許文献2のように回路基板の裏面に反射膜を貼り付ける方法は、薄い反射膜を採用できる場合がある。しかしながら回路基板や電極を光透過性にせざるを得ず、回路基板や電極における材料の選択幅が制限されるため実用的でない。また回路基板上の電極の反射率を高くするため電極にAgメッキしようとすると、LEDダイを実装した後、硫化防止のため電極をSiO2等の無機膜で覆う工程を追加する必要がある。また、Ag電極を採用する方法は、スパッタ装置等を導入しなければならず、設備及び工程において製造上の負荷が大きくなっているという課題もある。そこで本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、回路基板の反射率向上を目指すなかで回路基板の材料選択幅を広くしながら、反射部材が薄く且つ製造しやすい半導体発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明の半導体発光装置は、上面に電極を有する回路基板と、前記回路基板上面に実装した半導体発光素子とを備える半導体発光装置において、前記回路基板上面に反射部材が配置され、前記反射部材が金属層を備える反射シートであり、前記半導体発光素子と前記回路基板の電極との導電接続部に開口部を有し、前記回路基板上面に貼り付けられていることを特徴とする。本発明の半導体発光装置は、反射部材として反射シートを用いている。反射シートは回路基板上に貼り付けられ、金属層を有するため反射率が高い。この反射シートが回路基板を覆っているため、回路基板材料は反射特性に配慮する必要がなくなり材料選択幅が広がる。反射シートに含まれる金属層は数100nmあれば高い反射率になるため、反射部材として機能する反射シートを薄くできる。反射シートは半導体発光素子と回路基板の電極との導電接続部が開口しており、この開口部を通じて半導体発光素子と回路基板の電極とが電気的な接続をとる。また反射シートを回路基板に貼り付けるだけのことが、反射部材を回路基板上に配置したこととなるので製造が容易である。前記反射シートが粘着層と耐熱性フィルムと前記金属層との積層物であっても良い。前記粘着層の上部に無機保護膜を備えていても良い。前記半導体発光素子がフリップチップ実装されていても良い。前記半導体発光素子がワイヤボンディングされていても良い。前記半導体発光素子が前記反射シート上にダイボンディングされていても良い。本発明の半導体発光装置の製造方法は、上面に電極を有する回路基板と、前記回路基板上面に実装した半導体発光素子とを備える半導体発光装置の製造方法において、前記回路基板上に配置する反射部材として金属層を備えた反射シートを準備する準備工程と、前記反射シートに対し前記半導体発光素子と前記回路基板の電極との導電接続部となる領域に開口部を形成する開口部形成工程と、前記反射シートを前記回路基板に貼り付ける貼り付け工程と、を備えることを特徴とする。本発明の半導体発光装置の製造方法は、数100nmの厚さで高い反射率を達成できる金属層を備えた反射シートを準備し、この反射シートに開口部を形成してから回路基板上に貼り付けている。反射シートが開口部を除き回路基板表面を広く覆うので、回路基板材料の反射特性に配慮する必要がなくなり、回路基板材料の選択幅が広がる。また反射機能の主体となる金属層が極めて薄いため反射部材である反射シートを薄くできる。反射シートは半導体発光素子の実装前に予め開口部を形成しておくので、反射シートを回路基板に貼ることを除いて半導体発光装置の実装前後に特別な処理がないため製造が容易である。前記開口部形成工程において前記開口部をプレスで形成しても良い。以上のように本発明の半導体発光装置及びその製造方法は、回路基板の反射率向上を目指すなかで回路基板の材料選択幅を広くしながら、反射部材を薄くでき且つ製造が容易になる。以下、添付図1~12を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また説明のため部材の縮尺は適宜変更している。さらに特許請求の範囲に記載した発明特定事項との関係をカッコ内に記載している。第1実施形態添付図1~7を参照して本発明の第1実施形態を詳細に説明する。まず図1によりLED装置10の外観を説明する。図1は本発明の実施形態におけるLED装置10の外観を示す図であり、aが上面図、bが正面図、cが底面図である。LED装置10を上面から眺めると、長方形の被覆層11だけが見えるa。LED装置10を正面から眺めると、被覆層11の下に回路基板12があり、回路基板12に含まれる基材12aと、基材12aの下部に接続電極13,14が見えるb。LED装置10を下から眺めると、基材12aに囲まれた接続電極13,14が見えるc。なおLED装置10の底面は、例えば1.6mm×0.8mmになる。次に図2によりLED装置10の内部構造を説明する。図2は図1aのAA線に沿ったLED装置10の断面図である。なお図1aにおいてAA線は、後述するp側バンプと接続するスルーホール並びにn側バンプと接続するスルーホールを横断するようにしたため屈曲している。図2において、回路基板12には接続電極13,14とともに実装電極13a,14aが形成されており、接続電極13,14と実装電極13a,14aがスルーホール13b、14bを介して接続している。回路基板12の上面、すなわち基材12a及び実装電極13a,14aの上面の一部に反射シート15が貼り付いている。また実装電極13a,14aにはLEDダイ16がフリップチップ実装されている。被覆材11は、回路基板12の上部において、LEDダイ16、反射シート15、並びに反射シート15から露出する実装電極13a,14a及び基材12aを覆っている。LEDダイ16は、p側バンプ16a上にp型半導体層16b、n型半導体層16d、サファイア基板16cが積層している。p側バンプ16aはp型半導体層16bと実装電極13aを接続する。n側バンプ16eは、n型半導体層16dがp型半導体層16bから露出している領域に形成され、n型半導体層16dと実装電極14aを接続している。サファイア基板16cは、厚さが80~120μm程度でLEDダイ16の平面的な外形を決める。n型半導体層16dは、n型GanN層と格子定数を調整するバッファ層からなり厚さが5μm程度である。p型半導体層16bは複数の金属からなる金属層とp型GaNの積層体であり、厚さが1μm程度である。この金属層は反射層を含み、図示していない発光層から下向きに出射する光線を上側に向ける。なお発光層は、n型半導体層16dとp型半導体層16bの境界部にあり、厚さが100nm程度で青色光を出射する。p側バンプ16a及びn側バンプ16eは銅又は金メッキで形成されたメッキバンプであり、厚さが10~30μmで、実装電極13a,14aとは金錫共晶により接続している。なおLEDダイ16の平面サイズは、例えば0.33mm×0.33mmとなる。被覆層11は蛍光体を含有するシリコーン樹脂であり、LEDダイ16から出射してくる青色光の一部を被覆層11中の蛍光体が波長変換する。この波長変換した光と青色光の残りが混色してLED装置10の発光色を白色化する。基材12aは、窒化アルミ等のセラミック材料、表面を絶縁処理した金属、樹脂などから熱伝導性や反射特性、コストなどを考慮して選択する。本実施形態の場合、LEDダイ16のp型半導体層16bに内在する反射層並びにLEDダイ16の実装部以外の回路基板12上面を覆う反射シート15があるので、基材12aの反射特性を無視できる。このため反射特性は劣るが熱伝統性が良好な窒化アルミを使うことができる。次に図3により反射シート15について説明する。図3は反射シート15の断面図である。反射シート15は、粘着層15a上に、耐熱フィルム15b、金属層15c、無機保護膜15dが積層している。粘着層15aは、厚さが6~12μmで、変成アクリル系やポリイミド系の接着材で半田リフローに耐えられるものから選ぶ。耐熱フィルム15bは、厚さが6~12μmで、耐熱性を考慮しポリイミド等を使う。金属層15cは、厚さが1μm以下で、Ag又はAlが好ましく、高い反射率を必要とする場合はAgを選ぶ。無機保護膜15dは、厚さが数10nm~200nmであり、SiO2等を使用する。反射シート15は総厚が12~25μm程度であるため、バインダー中に反射性微粒子を混在させ30~50μm程度の厚さを必要とする白色インクや白色レジストより薄い。また反射シート15において反射機能を担う金属層の厚さが1μm以下であることなど、反射シート15に含まれる各層は、それぞれが薄いためクラックが入りにくく反りの原因にもなりにくい。なお反射層15cがAgのとき硫化による黒色化があるため無機保護膜15dが略必須であるが、反射層15cがAlであれば被覆層11があるので無機保護膜15dを省略できることがある。次に図4と図5により反射シート15の平面形状について説明する。まず図4によりLEDダイ16の電極面を説明する。図4は、LEDダイ16の底面図である。サファイア基板16c図2参照と同一外形のn型半導体層16dの内側にp型半導体層16bがある。さらにp型半導体層16bの内側にはp側バンプ16aがある。n型半導体層の角部であってp型半導体層16bから露出した領域にn側バンプ16eがある。次に図5により反射シート15の平面形状を説明する。図5はLED装置10において被覆材11を剥がした状態の平面図である。反射シート15は、LEDダイ16の実装部に開口部を有し、回路基板12の上部において開口部を除いた領域に存在する。LEDダイ16の外形から反射シート15の開口部の辺までは概ね100μm程度離れている。この隙間から、実装電極13a,14a及び基材12aが見える。なお図中、反射シート15に隠れた実装電極13a,14aの外形を点線で示した。次に図6と図7によりLED装置10の製造方法を説明する。図6及び図7はLED装置10の製造工程の説明図である。まずaで示す準備工程において、開口部のない反射シート15eを準備する。なお上段は反射シート15eの断面図、下段は反射シート15eの平面図である。反射シート15eには図示していないセパレータが貼り付けてある。セパレータは厚さが100μm程度でPET等からなり、反射シート15eを補強し扱いやすくしている。次にbで示す開口部形成工程において、反射シート15eに対しLEDダイ16との接続部となる領域に開口部15fを形成する。なお上段は複数の開口15fを備えた反射シート15gの断面図、下段は反射シート15gの平面図である。開口部は前述のセパレータごとプレスで形成する。この他、レーザや刃による切断で開口部を形成しても良い。このときcに示すように集合基板12bを準備する。cにおいて上段が集合基板12bの断面図、下段が集合基板12bの平面図である。集合基板12bとは、多数の回路基板12が連結して配列した基板をいい、集合基板12bにLEDダイ16等を実装して最後にLED装置10に個片化するものである。この集合基板12bには複数の実装電極13a,14a、スルーホール13b,14b及び接続電極13,14が形成されている。なお実際の集合基板12bには回路基板12の占める領域が数百から数万個あるが、本図においては説明のため集合基板12bに回路基板126個分の領域があるものとして描いている。次にdで示す貼り付け工程において、反射シート15gを前述のセパレータごと集合基板12bに貼り付ける。なおdでは断面図のみ示す以下同様。本工程では集合基板12bにより反射シート15gが支持されるのでセパレータが不要となり、セパレータを反射シート15gから取り外す。このとき開口部15fがLED装置10の実装部と一致するようにする。次にeで示すように、集合基板12bにLEDダイ16をフリップチップ実装する。続いてfで示すように被覆層11を形成する。被覆層11は、蛍光体を含有するシリコーン樹脂を集合基板12bに塗布し、このシリコーン樹脂を加熱し硬化させることにより形成する。最後にgで示すように集合基板12bを切断し、個片化したLED装置10を得る。なおa~dに示した工程でセパレータを使った方法で説明したが、反射シートを固定する適切な冶具を使うことでセパレータを省ける。第2実施形態図3に示した第1実施形態における反射シート15は、耐熱性フィルム15bの上側に金属層を備えていた。しかしながら耐熱性フィルムが透明であれば、耐熱性フィルムと金属層の上下関係は前記に限定されない。そこで金属層上に耐熱フィルムが積層した例として、図8により本発明の第2実施形態で使用する反射シート25を説明する。なお本実施形態におけるLED装置は、反射シート15が反射シート25に置き換わることを除き図1、図2で示したLED装置10と同じ構造になるので図示していない。図8は第2実施形態における反射シート25の断面図である。反射シート25において、粘着層25a上に金属層25bと耐熱性フィルム25cが積層している。粘着層25a及び耐熱性フィルム25cは、図3で示した第1実施形態の反射シート25における粘着シート15a及び耐熱フィルム15bと材料及び厚さが同じである。金属層25bはAgからなり厚さが1μm以下である。本実施形態の反射シート25は粘着層25aと耐熱性フィルム25cで金属層25bを硫化から保護しているので、第1実施形態で使った反射シートに対し無機保護膜15dを省略できる。なおAgからなる金属層25bの保護および絶縁性確保をより強力にするため、粘着層25aと金属層25bの間に無機絶縁膜を追加しても良い。第3実施形態第1実施形態ではLEDダイ16を回路基板12にフリップチップ実装していた。しかしながら本発明のLED装置は、LEDダイを実装する領域以外の回路基板上面を反射シートで覆うものであるから、LEDダイの実装形態がフリップチップ実装に限定されるわけではなく、例えば良く知られたワイヤボンディングも適用できる。そこで図9と図10により本発明の第3実施形態としてワイヤボンディングを用いたLED装置30を説明する。なおLED装置30の外形は図1で示したLED装置10と略等しいので外形図を省略した。まず図9によりLED装置30の内部構造を説明する。図9はワイヤ38,39を含むようにして描いたLED装置30の断面図である。回路基板32には接続電極33,34とともに実装電極33a,34aが形成されており、それぞれ接続電極33,34と実装電極33a,34aがスルーホール33b、34bを介して接続している。回路基板32の上面の一部、すなわち基材32a及び実装電極33aの上面の一部図10参照に反射シート35が貼り付いている。LEDダイ36は実装電極33a上に接着材37によりダイボンディングしている。また実装電極33a,34aはLEDダイ36のp型半導体層36b,n型半導体層36dとワイヤ38,39によって電気的に接続している。図1に示したLED装置10の断面と図9に示したLED装置30の断面は、図9においてLEDダイ36をワイヤボンディングしていること以外に、実装電極33a,34aの形状が異なっていること、及び反射シート35の内側のエッジがワイヤ38,39を避けるように図の左右に後退していることが異なっている。また図示していないが実装電極33a,34aとワイヤ38,39との接続部はAuまたはAg層が形成されている。なお被覆材31は、回路基板32の上部において、LED装置10と同様にLEDダイ36、反射シート35、実装電極33a,34a及び基材32aを覆っている。LEDダイ36は、サファイア基板36c上にn型半導体層36d、p型半導体層36bが積層している。LEDダイ36は、図2に示したLEDダイ16を裏返したものと略等しい。しかしながらp側及びn側バンプが無い代わりにワイヤ38,39の接続部にAu層を形成していたり、反射層がサファイア基板36cの下面あったりすることなど異なった点がある。なお被覆層31及び基材32aの材料は図1に示した被覆層11及び基材12aと同じものである。反射シート35についても図1に示した反射シート15又は図8に示した反射シート25と開口部の形状が異なるだけで、その他の事項は一致する。次に図10により反射シート35の平面形状について説明する。図10はLED装置30において被覆材31を剥がした状態の平面図である。反射シート35は、ワイヤ38,39を接続する領域並びにLEDダイ36の実装部となる領域に開口部を有し、これらの領域を除いた領域に存在する。LEDダイ36の実装部となる領域においてLEDダイ36の外形から反射シート35の開口部の辺までは概ね100μm程度離れているため、この隙間から実装電極33aの一部及び基材32aが見える。なお図中、反射シート35に隠れた実装電極33aの外形を点線で示した。LED装置30の製造方法は、図6,7で示したLED装置10の製造方法と略同等である。図6bで形成する反射シート15gの開口形状を異ならせること、図6cで準備する集合基板12bの電極形状を異ならせることと共に、図7eにおいて実装方法をワイヤボンディングとすることにより本実施形態のLED装置30が製造できる。第4実施形態第3実施形態では、反射シート35に対し、LEDダイ36と回路基板32の実装電極33,34とを導電接続する領域、並びにLEDダイ36を回路基板32にダイボンディングする領域に開口部を設けていた。しかしながらLEDダイがサファイア基板など絶縁基板を有するとき、ダイボンディングする領域では回路基板の電極とLEDダイの電気的接続をとるわけではないので反射シートの開口はなくても良い。そこで図11と図12により本発明の第4実施形態としてワイヤボンディングを用いたLED装置40を説明する。なおLED装置40の外形は図1で示したLED装置10と略等しいので外形図を省略した。まず図11によりLED装置40の内部構造を説明する。図11はワイヤ48,49を含むようにして描いたLED装置40の断面図である。回路基板42には接続電極43,44とともに実装電極43a,44aが形成されており、それぞれ接続電極43,44と実装電極43a,44aがスルーホール43b、44bを介して接続している。回路基板42の上面の一部、すなわち基材42aの上面の一部に反射シート45が貼り付いている。LEDダイ46は回路基板42の基材42a上に貼り付けられた反射シート45上に接着材47によりダイボンディングしている。また実装電極43a,44aはLEDダイ46のp型半導体層46b,n型半導体層46dとワイヤ48,49によって電気的に接続している。図9に示したLED装置30の断面と図11に示したLED装置40の断面は、図11において接続電極の形状が異なっていること、及び反射シート45がLEDダイ46の下部にも存在していることが異なっている。また図示していないが第3実施形態と同様に実装電極43a,44aとワイヤ48,49との接続部はAuまたはAg層が形成されている。なお被覆材41も、回路基板42の上部において、LED装置30と同様にLEDダイ46、反射シート45、実装電極43a,44a及び基材42aを覆っている。LEDダイ46は、サファイア基板46c上にn型半導体層46d、p型半導体層46bが積層している。LEDダイ46は、図9に示したLED装置30に含まれるLEDダイ36と略同等であるが、サファイア基板46cの下面に反射層がない。これは、サファイア基板46cの下面に反射シート46があるので、サファイア基板46cを通って回路基板42側に向う光線を反射シート46で反射できるからである。なお被覆層41及び基材42aの材料は図1に示した被覆層11及び基材12aと同じものである。反射シート45についても図1に示した反射シート15又は図8に示した反射シート25と開口部の形状が異なるだけで、その他の事項は一致する。次に図12により反射シート45の平面形状について説明する。図12はLED装置40において被覆材41を剥がした状態の平面図である。反射シート45は、ワイヤ48,49によりLEDダイ46図11参照が実装電極43a,44aと接続をとる領域に開口部を有し、これらの領域を除いた領域に存在する。また開口部からは実装電極43a,44a及び基材42aが見える。LED装置40の製造方法は、図6,7で示したLED装置10の製造方法と略同等である。図6bで形成する反射シート15gの開口形状を異ならせること、図6cで準備する集合基板12bの電極形状を異ならせることと共に、図7eにおいて実装方法をワイヤボンディングとすることにより本実施形態のLED装置40が製造できる。"