銅箔断面において、金属組織の測定点aに電子線を照射して得られた結晶方位と、前記測定点aの周囲に200nm離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が0.4°未満である前記測定点aを中心とし、前記測定点aと各辺との距離がそれぞれ100nmである正六角形の面積を面積Aとし、前記面積Aの合計を面積ATとし、銅箔断面において、金属組織の測定点bに電子線を照射して得られた結晶方位と、前記測定点bの周囲に200nm離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が0.4°以上2.0°未満である前記測定点bを中心とし、前記測定点bと各辺との距離がそれぞれ100nmである正六角形の面積を面積Bとし、前記面積Bの合計を面積BTとしたときに、面積BT/面積AT×100≦40を満たすフレキシブルプリント配線板用銅箔。200~350°Cで30分間の熱処理が行われたときに、銅箔断面において、金属組織の測定点aに電子線を照射して得られた結晶方位と、前記測定点aの周囲に200nm離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が0.4°未満である前記測定点aを中心とし、前記測定点aと各辺との距離がそれぞれ100nmである正六角形の面積を面積Aとし、前記面積Aの合計を面積ATとし、銅箔断面において、金属組織の測定点bに電子線を照射して得られた結晶方位と、前記測定点bの周囲に200nm離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が0.4°以上2.0°未満である前記測定点bを中心とし、前記測定点bと各辺との距離がそれぞれ100nmである正六角形の面積を面積Bとし、前記面積Bの合計を面積BTとしたときに、面積BT/面積AT×100≦40を満たすフレキシブルプリント配線板用銅箔。前記銅箔断面において、面積BT/面積AT×100≦20を満たす請求項1又は2に記載のフレキシブルプリント配線板用銅箔。ポリイミド樹脂層及び熱可塑性ポリイミド接着層で形成された厚さ10~60μmの基材に、厚さ4~50μmとした前記銅箔を積層して熱圧着により形成した銅張積層板に対し、180°密着曲げを一回実施した後、曲げ部を直線状に戻して、曲げ方向と平行な方向で切断して得た前記銅箔の曲げ部の断面において、面積BT/面積AT×100≦40を満たす請求項1~3のいずれかに記載のフレキシブルプリント配線板用銅箔。前記銅箔の曲げ部の断面において、面積BT/面積AT×100≦20を満たす請求項4に記載のフレキシブルプリント配線板用銅箔。不可避的不純物としてのP、Fe、Zr、Mg、S、Ge及びTiからなる群から選択された1種又は2種以上が、合計で20質量ppm以下である請求項1~5のいずれかに記載のフレキシブルプリント配線板用銅箔。Ag、In、Au、Pd及びSnからなる群から選択された1種又は2種以上を合計で20~500質量ppm含む請求項1~6のいずれかに記載のフレキシブルプリント配線板用銅箔。請求項1~7のいずれかに記載の銅箔を備えた銅張積層板。請求項8に記載の銅張積層板を材料としたフレキシブルプリント配線板。請求項9に記載のフレキシブルプリント配線板と、前記フレキシブルプリント配線板で電気的に接続された第1の基板及び第2の基板とを備えた電子機器。フレキシブルプリント配線板は、小スペース化のために折り曲げて使用される場合があるが、近年、このような折り曲げの曲げ半径が小さくなっており、MIT屈曲性試験では評価できないほど過酷な状態で使用されている。特にタッチパネル式のスマートフォンに代表される小型機器ではタッチパネルにつながるフレキシブルプリント配線板やLEDモジュールのフレキシブルプリント配線板の折り曲げが過酷となっている。上述のように厳しい折り曲げ加工を施したフレキシブルプリント配線板を一度他の部品へ接続した後、やり直し等で、折り曲げ加工を元の状態に戻して、再度同様に厳しい折り曲げ加工を施すことがあるが、折り曲げ加工が厳しいと、これらを数回繰り返すだけでフレキシブルプリント配線板の銅箔が割れてしまうことがある。また、MIT屈曲性試験では数百回、数千回繰り返して曲げ加工を施しても割れない銅箔が、上述の厳しい折り曲げ加工を数回繰り返しただけで割れてしまうことがある。そこで、本発明は、折り曲げ加工性に優れたフレキシブルプリント配線板用銅箔、及び、それを用いた銅張積層板、フレキシブルプリント配線板及び電子機器を提供することを課題とする。本発明者は、銅箔の折り曲げ加工性が、銅箔の結晶粒内の結晶方位に生じる微小な角度差の割合と関係があることを見出した。そして、このような知見に基づき結晶方位の角度差を制御することで、折り曲げ加工性に優れたフレキシブルプリント配線板用銅箔を提供することができることを見出した。以上の知見を基礎として完成した本発明は一側面において、銅箔断面において、金属組織の測定点aに電子線を照射して得られた結晶方位と、前記測定点aの周囲に200nm離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が0.4 ゚未満である前記測定点aを中心とし、前記測定点aと各辺との距離がそれぞれ100nmである正六角形の面積を面積Aとし、前記面積Aの合計を面積ATとし、銅箔断面において、金属組織の測定点bに電子線を照射して得られた結晶方位と、前記測定点bの周囲に200nm離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が0.4 ゚以上2.0 ゚未満である前記測定点bを中心とし、前記測定点bと各辺との距離がそれぞれ100nmである正六角形の面積を面積Bとし、前記面積Bの合計を面積BTとしたときに、面積BT/面積AT×100≦40を満たすフレキシブルプリント配線板用銅箔である。本発明は別の一側面において、200~350°Cで30分間の熱処理が行われたときに、銅箔断面において、金属組織の測定点aに電子線を照射して得られた結晶方位と、前記測定点aの周囲に200nm離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が0.4 ゚未満である前記測定点aを中心とし、前記測定点aと各辺との距離がそれぞれ100nmである正六角形の面積を面積Aとし、前記面積Aの合計を面積ATとし、銅箔断面において、金属組織の測定点bに電子線を照射して得られた結晶方位と、前記測定点bの周囲に200nm離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が0.4 ゚以上2.0 ゚未満である前記測定点bを中心とし、前記測定点bと各辺との距離がそれぞれ100nmである正六角形の面積を面積Bとし、前記面積Bの合計を面積BTとしたときに、面積BT/面積AT×100≦40を満たすフレキシブルプリント配線板用銅箔である。本発明に係るフレキシブルプリント配線板用銅箔の一実施形態においては、前記銅箔断面において、面積BT/面積AT×100≦20を満たす。本発明に係るフレキシブルプリント配線板用銅箔の別の実施形態においては、ポリイミド樹脂層及び熱可塑性ポリイミド接着層で形成された厚さ10~60μmの基材に、厚さ4~50μmとした銅箔を積層して熱圧着により形成した銅張積層板に対し、180 ゚密着曲げを一回実施した後、曲げ部を直線状に戻して、曲げ方向と平行な方向で切断して得た前記銅箔の曲げ部の断面において、面積BT/面積AT×100≦40を満たす。本発明に係るフレキシブルプリント配線板用銅箔の更に別の実施形態においては、前記銅箔の曲げ部の断面において、面積BT/面積AT×100≦20を満たす。本発明に係るフレキシブルプリント配線板用銅箔の更に別の実施形態においては、不可避的不純物としてのP、Fe、Zr、Mg、S、Ge及びTiからなる群から選択された1種又は2種以上が、合計で20質量ppm以下である。本発明に係るフレキシブルプリント配線板用銅箔の更に別の実施形態においては、Ag、In、Au、Pd及びSnからなる群から選択された1種又は2種以上を合計で20~500質量ppm含む。本発明は別の一側面において、本発明に係る銅箔を備えた銅張積層板である。本発明は更に別の一側面において、本発明に係る銅張積層板を材料としたフレキシブルプリント配線板である。本発明は更に別の一側面において、本発明に係るフレキシブルプリント配線板と、前記フレキシブルプリント配線板で電気的に接続された第1の基板及び第2の基板とを備えた電子機器である。本発明によれば、折り曲げ加工性に優れたフレキシブルプリント配線板用銅箔、及び、それを用いた銅張積層板、フレキシブルプリント配線板及び電子機器を提供することができる。フレキシブルプリント配線板用銅箔の構成フレキシブルプリント配線板用銅箔の材料としては、圧延銅箔及び電解銅箔のいずれを用いてもよいが、折り曲げ加工性が良好な圧延銅箔を用いることが好ましい。圧延銅箔としては、タフピッチ銅JIS-H3100C1100や無酸素銅JIS-H3100C1020、JIS-H3510C1011が使用可能である。本明細書において銅箔には銅合金箔も含まれ、タフピッチ銅及び無酸素銅で形成した銅箔には、タフピッチ銅及び無酸素銅をベースとした銅合金箔も含まれる。タフピッチ銅及び無酸素銅をベースした銅合金箔は、具体的には、Ag、In、Au、Pd及びSnからなる群から選択された1種又は2種以上を合計で20~500質量ppm含むことが、後述の銅箔断面における面積BT/面積AT×100を小さくする効果があるため好ましい。当該金属が合計で20質量ppm未満であれば望ましい効果が得られず、500質量ppm超であれば面積BT/面積AT×100が大き過ぎてこちらも望ましい効果が得られなくなる。本発明に係る銅箔は、工業的に使用される銅で形成されており、99.9質量、又は、99.99質量の銅、及び、不可避的不純物を含んでいる。このうち、不可避的不純物としてのP、Fe、Zr、Mg、S、Ge及びTiは、微少量であっても後述の銅箔断面における面積BT/面積AT×100を大きくしてしまう。このため、本発明に係る銅箔は、不可避的不純物としてのP、Fe、Zr、Mg、S、Ge及びTiからなる群から選択された1種又は2種以上を合計で20質量ppm以下に制御することが好ましい。一般に、銅箔は、薄く加工すると取り扱う際に歪が入ってしまうため、曲げる前から面積BT/面積AT×100が大きな値になっている。また、銅箔断面において結晶粒界や隣接する結晶粒との方位関係により面積BT/面積AT×100がより大きくなり易いことがある。さらに、180 ゚に折り曲げた後も結晶粒界や隣接する結晶粒界との方位関係、又は、曲げる前から存在していた歪の存在により面積BT/面積AT×100が大きくなることがある。なお、本発明では、銅箔の曲げ部の断面で観察したときの面積BT/面積AT×100を制御しているが、これは曲げ加工を行ったときに断面に蓄積された歪の量面積BT/面積AT×100に相当が割れに影響を与えるためである。銅箔表面の面積BT/面積ATが高くても、銅箔内部の面積BT/面積ATが低ければ曲げ加工を受けても割れ難い等、銅箔表面の面積BT/面積AT×100を制御しても効果的ではないためである。これに対し、本発明に係る銅箔は、上述のように不可避的不純物としてのP、Fe、Zr、Mg、S、Ge及びTiからなる群から選択された1種又は2種以上を合計で20質量ppm以下に制御することで、面積BT/面積AT×100が大きくならないように制御することができる。本発明に係る銅箔の厚さとしては、4~50μmが好ましく、6~50μmがより好ましい。銅箔の厚さが4μm未満であると銅箔のハンドリングが悪くなり、50μm超であるとフレキシブル性が低下する。また、銅箔の厚さが薄くなると、初めから後述の面積BTの面積ATに対する割合が大きくなる傾向にあり、特に厚さが12μm以下でその傾向が顕著となる。また35μm以上であると曲げ後にスプリングバックによる折り曲げ形状を保てない傾向がある。このため、銅箔の厚さは、12~35μmが更に好ましい。本発明に係る銅箔は、異なる測定点における結晶方位の方位角度差が制御されている。具体的には、まず、銅箔断面において、結晶の金属組織の測定点aを決定する。この測定点aは、電子線を照射して得られた結晶方位と、測定点aの周囲に200nm離間して位置する6点の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が0.4°未満である。また、銅箔断面において、結晶の金属組織の測定点bを決定する。この測定点bは、電子線を照射して得られた結晶方位と、測定点bの周囲に200nm離間して位置する6点の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が0.4°以上2.0°未満である。なお、測定点と隣接測定点の結晶方位との方位角度差が2.0°以上である隣接測定点は結晶粒界であると判定し、上記方位角度差の平均値の算出においては考慮しなかった。そのため、例えば6点の隣接測定点の内、2点が結晶粒界であると判定された場合、測定点の電子線を照射して得られた結晶方位と結晶粒界以外の残りの4点の隣接測定点の結晶方位との方位角度差の平均値が、測定点の電子線を照射して得られた結晶方位と隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値となる。本発明に係る銅箔は、測定点aを中心とし、測定点aと各辺との距離がそれぞれ100nmである正六角形の面積を面積Aとし、前記面積Aの合計を面積ATとし、測定点bを中心とし、測定点bと各辺との距離がそれぞれ100nmである正六角形の面積を面積Bとし、前記面積Bの合計を面積BTとしたときに、面積BT/面積AT×100≦40を満たす。上記の条件は、後述の積層体に形成された後の銅箔、又は、当該積層体作製時と同様の200~350°Cで30分間の熱処理が行われた後の銅箔について行ったときに測定して得られるものである。図1に、本発明に係る銅箔の結晶方位の測定態様を表す模式図を示す。まず測定点を決定する。図1では、測定点a又はbを、No.1以下、測定点1というと記載している。また、測定点1を中心とし、測定点1と各辺との距離がそれぞれ100nmである正六角形を決定する。隣接測定点測定点2~7は、この測定点1を中心にして、周囲に200nm離間して位置する。そして、測定点1~7について電子線を照射して得られた結晶方位を測定し、測定点1と、測定点2~7の方位角度差をそれぞれ求める。このようにして求めた方位角度差の平均値が0.4°未満であるとき、その測定点1を測定点aとし、測定点aを中心とする正六角形の面積を面積Aとする。また、方位角度差の平均値が0.4°以上2.0°未満であるとき、その測定点1を測定点bとし、測定点bを中心とする正六角形の面積を面積Bとする。さらに、これらの隣接測定点測定点2~7について、測定点1と同様に、それぞれを中心として各辺との距離がそれぞれ100nmである正六角形を決定する。このように正六角形を順に決定していくと、図1に示すように互いに接し合う複数の正六角形で銅箔の金属組織が埋められていく。そして、各測定点についても上述と同様にして測定点aかbかを判定し、面積A又はBを求める。このようにして得られた各測定点における面積Aの合計を面積ATとし、各測定点における面積Bの合計を面積BTとしたとき、面積BT/面積AT×100≦40を満たしている、すなわち、面積ATに対する面積BTが40以下となっている。銅箔断面において、結晶方位の方位角度差の平均値が0.4°以上2.0°未満である領域の面積が、0.4°未満である領域の面積よりも小さければ小さいほど、折り曲げ加工性が良好となることを発明者は見出している。この点、本発明に係る銅箔はこのような構成により0.4°以上2.0°未満である領域の面積BTが0.4°未満である領域の面積ATに対して40以下と小さいため、良好な折り曲げ加工性を有している。また、この場合の面積BTは、より好ましくは面積ATに対して20以下である。上述の結晶方位の測定は、EBSPElectronBackscatteringPatternのいわゆるKAMkernelaveragemisorientation値で200nmステップによるものが挙げられる。方位角度差が2°以上ある場所は結晶粒界としたため省いている。KAM値はEBSPを測定するステップ間隔により大きく変化するが、ステップ間隔を短くしていくと徐々に変化しなくなり、本発明の圧延銅箔では200nm以下であればほぼ一定の値となる。このため、200nmステップで測定したKAM値を用いることができる。本発明に係る銅箔は、180°密着曲げを一回実施した後の曲げ断面において、微小角度差が制御されていてもよい。具体的には、本発明に係る銅箔は、ポリイミド樹脂層及び熱可塑性ポリイミド接着層で形成された厚さ10~60μmの基材に、厚さ4~50μmとした銅箔を積層して熱圧着により形成した銅張積層板に対し、180°密着曲げを一回実施した後、曲げ部を直線状に戻して、曲げ方向と平行な方向で切断して得た銅箔の曲げ部の断面において、面積BT/面積AT×100≦40を満たしてもよい。上記180°密着曲げの態様を図2に示す。まず、状態Aに示すように、銅張積層板を折り曲げ治具により折り曲げ、状態Bのように180°折り返されるように折り曲げる。続いて、180°折り曲げた銅張積層板を状態Cに示すように戻し治具を用いて開き、状態Dに示すように曲げ部を直線状に戻す。これを一回の180°密着曲げとする。これを再度状態Aに示す折り曲げへ移行することで、二回目、三回目と繰り返すことができる。また、上記曲げ方向とは、図3に示すように、銅張積層板を折り曲げていく方向を示す。このような構成によれば、180°密着曲げを実施した後であっても0.4°以上2.0°未満である領域の面積BTが0.4°未満である領域の面積ATに対して40以下と小さいため、良好な折り曲げ加工性を有している。また、この場合の面積BTは、より好ましくは面積ATに対して20以下である。フレキシブルプリント配線板の構成本発明に係るフレキシブルプリント配線板は、絶縁基板と、この絶縁基板の表面に形成された配線パターンとを備えている。絶縁基板は、フレキシブルプリント配線板に適用可能な良好な屈曲性及び折り曲げ加工性を有するものであれば特に制限を受けないが、例えば、ポリイミドフィルム、液晶ポリマーフィルム等を使用することができる。絶縁基板の厚さは、12~50μmが好ましい。厚さが12μm未満であるとハンドリングが悪くなり、50μm超であるとフレキシブル性が低下する。配線パターンは、上述のフレキシブルプリント配線板用圧延銅箔を用いて形成されている。配線パターンの形状は特に限定されず、どのようなものであってもよい。フレキシブルプリント配線板用銅箔の製法フレキシブルプリント配線板用銅箔が圧延銅箔である場合は、以下の製造方法によって作製することができる。まず、P、Fe、Zr、Mg、S、Ge及びTiの含有量が少ない高純度電気銅を銅原料にし、坩堝、鋳型、耐火物からの不純物を混入させないように、さらに、脱酸素処理でP、Zr、Mgを混入させないようにして、不可避的不純物としてのP、Fe、Zr、Mg、S、Ge及びTiからなる群から選択された1種又は2種以上が、合計で20質量ppm以下に制御したものに、Ag、In、Au、Pd及びSnからなる群から選択された1種又は2種以上が合計で20~500質量ppmとなるように副成分を添加してインゴットを作製する。次に、このインゴットを熱間圧延後、表面研削で酸化物を除去し、冷間圧延、焼鈍、酸洗を繰り返して所定の厚さまで加工することで、フレキシブルプリント配線板用の圧延銅箔を作製する。また、上記以外の製造方法としては、以下のようなものが挙げられる。まず、タフピッチ銅JIS-H3100C1100、無酸素銅JIS-H3100C1020のインゴットに均質化処理を行い、熱間圧延を行う。熱間圧延後の平均結晶粒径は10~20μmとなるように均質化処理の温度、熱間圧延の温度、加工度を調整する。この後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し行うが、焼鈍の際は全て結晶粒径を10~20μmに調整する。そして0.1mm以下では1パスの加工度を20以下、圧延張力を100MPa以下に押さえる。フレキシブルプリント配線板の製法フレキシブルプリント配線板は、上記銅箔を用いて製造することができる。以下に、フレキシブルプリント配線板の製造例を示す。まず、銅箔と、良好な屈曲性及び折れ曲げ性を有するポリイミドフィルム、液晶ポリマーフィルム等の絶縁基板とを貼り合わせて銅張積層板を製造する。銅箔は、あらかじめ所定の表面処理を施しておいてもよい。貼り合わせの方法は、ポリイミドフィルムの場合、熱硬化性ポリイミドフィルムに熱可塑性のポリイミド接着剤を塗工、乾燥した後、銅箔と積層させ、熱圧着させる。圧着方法としては真空熱プレスする方法や熱ロールによってラミネートする方法がある。またポリイミドフィルムの場合、銅箔にポリイミドの前駆体を塗工、乾燥、硬化させることで銅張積層板を作製する。銅張積層板からフレキシブルプリント配線板を作製する工程は当業者に周知の方法を用いればよい。例えば、エッチングレジストを銅張積層板の銅箔面に配線パターンとしての必要部分だけに塗工し、エッチング液を銅箔面に噴射することで不要銅箔を除去して回路パターンを形成する。次いでエッチングレジストを剥離除去して配線パターンを露出することで、フレキシブルプリント配線板を作製する。このフレキシブルプリント配線板を2つの電子基板間に設けて、それらを電気的に接続させることで、種々の電子機器を作製することができる。電子機器としては、特に限定されず、例えば、液晶ディスプレイ、カーナビゲーション、携帯電話、ゲーム機、CDプレイヤー、デジタルカメラ、テレビ、DVDプレイヤー、電子手帳、電子辞書、電卓、ビデオカメラ、プリンター等が挙げられる。以下、本発明の実施例を示すが、これらは本発明をより良く理解するために提供するものであり、本発明が限定されることを意図するものではない。例1:実施例1~28実施例1~20、23、24については高純度電気銅に表1に記載の元素を添加してインゴットを作製した。また、このとき、坩堝、鋳型、耐火物からの不純物を混入させないように、さらに、脱酸素処理でP、Zr、Mgを混入させないようにすることで、不可避的不純物としてのP、Fe、Zr、Mg、S、Ge及びTiからなる群から選択された1種又は2種以上が、合計で20質量ppm以下となるように制御した。続いて、このインゴットを熱間圧延で厚さ7mmの板に加工し、表面研削で酸化物を取り除いた後、冷間圧延、焼鈍、酸洗を繰り返して、表1に記載の厚さに加工した。続いて、銅箔片面に、Cu-Niめっきの粗化処理を行い、その後Cr浸漬めっきを行った。逆面にはクロメート処理を行った。なお、実施例21~22、25~28については、タフピッチ銅JIS-H3100C1100実施例21、無酸素銅JIS-H3100C1020実施例22、タフピッチ銅実施例26、28及び無酸素銅ベース実施例25、27の銅に表1に記載の添加元素を加えて作製したインゴットに均質化処理を行い、熱間圧延を行った。熱間圧延後の平均結晶粒径が10~20μmとなるように均質化処理の温度、熱間圧延の温度、加工度を調整した。この後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し行うが、焼鈍の際は全て結晶粒径を10~20μmに調整した。そして0.1mm以下では1パスの加工度を20以下、圧延張力を100MPa以下に押さえた。なお、実施例21、22、25~28については上述の不可避的不純物としてのP、Fe、Zr、Mg、S、Ge及びTiからなる群から選択された1種又は2種以上が、合計で20質量ppm以下となるように制御することを行わないで、通常の方法によりインゴットを作製した。続いて、カプトンEN登録商標に熱可塑性PI接着剤を2μm塗工、乾燥して形成した27μm厚の樹脂層を銅箔に積層させて真空熱プレス200°C~350°Cで30分間によって銅張積層板を作製した。例2:比較例1~2比較例1~2は、18μm厚の市販の特殊電解銅箔を用いて、カプトンEN登録商標に熱可塑性PI接着剤を2μm塗工、乾燥して形成した14.5μm厚の樹脂層を銅箔に積層させて真空熱プレス200°C~350°Cで30分間によって銅張積層板を作製した。例3:比較例3~10比較例3~10は、表1に記載の元素を添加した無酸素銅JIS-H3100C1020のインゴットを作製した。また、このとき、不可避的不純物の抑制は行わず、P、Fe、Zr、Mg、S、Ge及びTiからなる群から選択された1種又は2種以上が、合計で20質量ppm超となった。続いて、カプトンEN登録商標に熱可塑性PI接着剤を2μm塗工、乾燥して形成した27μm厚の樹脂層を銅箔に積層させて真空熱プレス200°C~350°Cで30分間によって銅張積層板を作製した。このようにして作製した実施例1~28及び比較例1~10の供試材の銅箔に対して、LラインSスペース=300μm300μmで回路を形成してフレキシブルプリント配線板とした。次に、回路に平行な方向にCP法クロスセッションポリッシャー法を用いてフレキシブルプリント配線板を切断し、銅箔断面を得た。その後、すぐに表1に記載の銅箔厚み×200μm幅の面積において電子顕微鏡JEOLFE-SEMを用い、TSL社製の解析ソフトを用いてEBSPをとってKAM値を算出し、続いてBT及びATを算出した。また、フレキシブルプリント配線板に180°密着曲げを行い、曲げ部を直線状に戻し、回路に平行な方法にCP法クロスセッションポリッシャー法を用いてフレキシブルプリント配線板を切断し、曲げ部の銅箔断面を得た。その後、酸化膜が形成されないようにすぐに表1に記載の銅箔厚み×銅箔の曲げ頂点を中心に両側へ50μm幅ずつの合計100μm幅図3参照の面積において電子顕微鏡JEOLFE-SEMを用い、TSL社製の解析ソフトを用いてEBSPをとってKAM値を算出し、続いてBT及びATを算出した。また、折り曲げを行っている際に銅箔に破断が生じたか否かについても観察した。ここで、破断の発生は以下のように判定した。すなわち、フレキシブルプリント配線板の銅箔回路に一定電流0.01~0.1mAを流し、当該電流を流すために必要な電圧値を測定し、測定した電圧値からフレキシブルプリント配線板の銅箔回路の抵抗値を算出した。算出した抵抗値が初期値上記折り曲げ前の抵抗値の500以上となったときに、破断が生じたと判定した。測定結果を表1に示す。評価実施例1~20、23、24の供試材は、いずれも不可避的不純物としてのP、Fe、Zr、Mg、S、Ge及びTiからなる群から選択された1種又は2種以上が合計で20質量ppm以下であり、180°密着曲げ前及び当該曲げを1回行って元に戻した状態で面積BT/面積AT×100≦40を満たし、180°密着曲げを4回又は8回繰り返しても銅箔に破断が生じなかった。実施例21、22、25~28の供試材は、いずれも不純物制御を行っておらず、不可避的不純物としてのP、Fe、Zr、Mg、S、Ge及びTiからなる群から選択された1種又は2種以上を合計で20質量ppm超含んでいるが、その他の製造条件を上述のように制御したことで、180°密着曲げ前及び当該曲げを1回行って元に戻した状態で面積BT/面積AT×100≦40を満たし、180°密着曲げを4回繰り返しても銅箔に破断が生じなかった。比較例1~10の供試材は、いずれも不可避的不純物としてのP、Fe、Zr、Mg、S、Ge及びTiからなる群から選択された1種又は2種以上が合計で20質量ppm超であり、180°密着曲げ前及び当該曲げを1回行って元に戻した状態で面積BT/面積AT×100≦40を満たさず、180°密着曲げを1~3回のいずれか行っただけですぐに銅箔に破断が生じた。なお、実施例1、3、14、15、19、22、23、24に用いた銅箔を、樹脂層に積層せずに、200°C~350°Cで30分間加熱した。その後、当該銅箔の面積BT/面積AT×100を測定した。その結果、当該銅箔の面積BT/面積AT×100は、それぞれ表1に記載の実施例1、3、14、15、19、22、23、24の180°密着曲げ前の面積BT/面積AT×100と同じ値となった。