有機ハイドライドを製造する有機ハイドライド製造装置であって、被水素化物を還元するカソード触媒層、および水を酸化するアノード触媒層がプロトン伝導性の固体高分子電解質膜を挟むように配置された膜電極接合体と、前記カソード触媒層に被水素化物を供給する部材と、前記アノード触媒層に水または水蒸気を供給する部材とを備え、前記カソード触媒層が、被水素化物を還元して水素化物を生成させる第1金属触媒と、プロトン伝導性の固体高分子電解質と、を含み、前記アノード触媒層が、水を酸化してプロトンを生成させる第2金属触媒と、プロトン伝導性の固体高分子電解質と、を含むことを特徴とする有機ハイドライド製造装置。請求の範囲第1項において、前記カソード触媒層が、前記第1金属触媒を担持した担体を含み、前記アノード触媒層が、前記第2金属触媒を担持した非カーボン担体を含むことを特徴とする有機ハイドライド製造装置。請求の範囲第1項において、前記被水素化物が、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、ナフタレン、メチルナフタレン、アントラセン、ビフェニル、フェナントロリンおよびそれらのアルキル置換体のいずれかまたはそれらを複数混合したものであることを特徴とする有機ハイドライド製造装置。請求の範囲第1項において、前記第1金属触媒が、ニッケル、パラジウム、白金、ロジウム、イリジウム、レニウム、ルテニウム、モリブデン、タングステン、バナジウム、オスミウム、クロム、コバルトおよび鉄の中から選択されるいずれかの金属またはこれらの少なくとも一部を含む合金からなり、前記第2金属触媒が、ニッケル、パラジウム、白金、ロジウム、イリジウム、レニウム、ルテニウム、モリブデン、タングステン、バナジウム、オスミウム、クロム、コバルトおよび鉄の中から選択されるいずれかの金属またはこれらの少なくとも一部を含む合金からなることを特徴とする有機ハイドライド製造装置。被水素化物を還元するカソード触媒層、および水を酸化するアノード触媒層がプロトン伝導性の固体高分子電解質膜を挟むように配置された膜電極接合体と、前記カソード触媒層および前記アノード触媒層の表面に配置されたガス拡散層と、前記ガス拡散層の表面に配置され、前記ガス拡散層と接する面に流路溝が形成されたセパレータとを備え、水素化した有機ハイドライドを製造する有機ハイドライド製造装置であって、前記カソード触媒層が、被水素化物を還元して水素化物を生成させる第1金属触媒と、プロトン伝導性の固体高分子電解質と、を含み、前記アノード触媒層が、水を酸化してプロトンを生成させる第2金属触媒と、プロトン伝導性の固体高分子電解質と、を含むことを特徴とする有機ハイドライド製造装置。請求の範囲第5項において、前記カソード触媒層が、前記第1金属触媒を担持した担体を含み、前記アノード触媒層が、前記第2金属触媒を担持した非カーボン担体を含むことを特徴とする有機ハイドライド製造装置。請求の範囲第5項において、前記カソード触媒層側のセパレータの流路溝に被水素化物が供給され、前記アノード触媒層側のセパレータの流路溝に水および水蒸気のうちの少なくとも一方が供給されることを特徴とする有機ハイドライド製造装置。請求の範囲第5項において、前記被水素化物が、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、ナフタレン、メチルナフタレン、アントラセン、ビフェニル、フェナントロリンおよびそれらのアルキル置換体のいずれかまたはそれらを複数混合したものであることを特徴とする有機ハイドライド製造装置。請求の範囲第5項において、前記第1金属触媒が、ニッケル、パラジウム、白金、ロジウム、イリジウム、レニウム、ルテニウム、モリブデン、タングステン、バナジウム、オスミウム、クロム、コバルトおよび鉄の中から選択されるいずれかの金属またはこれらの少なくとも一部を含む合金からなり、前記第2金属触媒が、ニッケル、パラジウム、白金、ロジウム、イリジウム、レニウム、ルテニウム、モリブデン、タングステン、バナジウム、オスミウム、クロム、コバルトおよび鉄の中から選択されるいずれかの金属またはこれらの少なくとも一部を含む合金からなることを特徴とする有機ハイドライド製造装置。しかしながら、これらの有機ハイドライド製造方法は、高いエネルギー効率を得ることが困難であり、有機ハイドライドの製造効率が悪かった。その理由として、電極構造に問題があると考えられる。電極反応は、金属触媒/プロトン伝導性の固体高分子電解質/反応物質被水素化物の3つが接する三相界面で起こると考えられている。また、触媒上で電極反応が進行するためには、電子およびプロトンが金属触媒上に供給、または金属触媒上から移動する必要があり、そのため金属触媒および固体高分子電解質がつながったネットワークが必要である。しかし、金属触媒を固体高分子電解質膜に直接析出配置した場合、それらの三相界面の形成や、固体高分子電解質、金属触媒のネットワーク形成が少ないことが原因で、前記したように高いエネルギー効率を得ることが困難になっていたと考えられる。本発明は、電気化学的に有機ハイドライドを製造する装置において、小型で効率の良い有機ハイドライド製造装置を提供することを目的とする。かかる実状に鑑み、本発明者らは鋭意研究を行った結果、あらかじめ三相界面および固体高分子電解質と金属触媒のネットワークを形成した層を電解質膜に形成することで高性能の電極が得られることを見出した。本発明では、触媒層は金属触媒を担持した担体または金属触媒が、プロトン伝導性の固体高分子電解質と適度に混ざり合ったマトリクスになっている構造とし、それらの層がプロトン伝導性の固体高分子電解質膜の表面および裏面にそれぞれ形成されていることを特徴とする。本発明の有機ハイドライド製造装置は、被水素化物を還元するカソード触媒層、および水を酸化するアノード触媒層が、プロトン伝導性の固体高分子電解質膜を挟むように配置された膜電極接合体と、カソード触媒層に被水素化物を供給する部材と、アノード触媒層に水または水蒸気を供給する部材とを備え、前記カソード触媒層が、被水素化物を還元して水素化物を生成させる第1金属触媒と、プロトン伝導性の固体高分子電解質と、を含み、前記アノード触媒層が、水を酸化してプロトンを生成させる第2金属触媒と、プロトン伝導性の固体高分子電解質と、を含むことを特徴とする。また、本発明の有機ハイドライド製造装置においては、カソード触媒層が、前記第1金属触媒を担持した担体を含み、アノード触媒層が、前記第2金属触媒を担持した非カーボン担体を含むのが好ましい。本発明によれば、電気化学的に有機ハイドライドを製造する装置において、小型で効率の良い有機ハイドライド製造装置を提供することができる。本発明は、電気化学的に有機ハイドライドを製造する装置において、プロトン伝導性の固体高分子電解質と金属触媒を担持した担体または金属触媒が適度に混ざり合ったマトリクスになった構造の触媒層が、プロトン伝導性固体高分子電解質膜の表裏に形成された電極構造を有していることを特徴とする。この電極において、アノード側に水および水蒸気のうちの少なくとも一方を供給し、カソード側に被水素化物を供給した状態で、アノード-カソード間に電圧を負荷することで、アノードにおいて水の電気分解反応、カソードにおいて被水素化物への水素付加反応を起こし有機ハイドライドを生成させることを特徴とする。本発明による実施形態について図面を用いて詳しく述べる。図1に本発明の有機ハイドライド製造装置の一例を示す。本実施形態の有機ハイドライド製造装置は、固体高分子電解質膜12の一方の面にアノード触媒層13を、他方の面にカソード触媒層14を接合し、一体化した膜電極接合体MEA:MembraneElectrodeAssemblyをガス拡散層15、ガス流路が形成されたセパレータ11で挟み込んで構成されている。また、一対のセパレータ11の間にはガスシールのためのガスケット16が挿入されている。セパレータ11は導電性を有し、その材質は、緻密黒鉛プレート、黒鉛やカーボンブラックなどの炭素材料を樹脂によって成形したカーボンプレート、ステンレス鋼やチタン等の耐蝕性に優れた材料が望ましい。また、セパレータ11の表面を貴金属メッキしたり、耐食性、耐熱性の優れた導電性塗料を塗布し表面処理したりすることも望ましい。セパレータ11のアノード触媒層13およびカソード触媒層14に対向する面には反応ガスまたは液体の流路となる溝が形成されている。アノード側のセパレータ11の流路溝には水または水蒸気が供給される。流路溝を流れる水または水蒸気はガス拡散層15を介してアノード触媒層13に供給される。また、カソード側のセパレータ11には被水素化物が供給される。流路溝を流れる被水素化物はガス拡散層15を介してカソード触媒層14に供給される。被水素化物の供給方法としては、液体状の被水素化物をそのまま供給してもよいし、HeガスやN2ガスをキャリアとした蒸気状の被水素化物を供給してもよい。ガス拡散層15は、セパレータ11の流路に供給された反応物質ガスまたは液体を触媒層の面内に均一に供給するために設けられ、カーボンペーパーまたはカーボンクロス等の通気性を有する基体を使用する。特に、これらの基体を撥水化処理したものが好ましい。ガスケット16は絶縁性であり、特に水素および被水素化物、有機ハイドライドに対して耐性があり、それらの透過が少なく機密性が保たれる材質であればよく、例えばブチルゴム、バイトンゴム、EPDMゴム等が挙げられる。アノード側に水または水蒸気を供給し、カソード側に被水素化物としてトルエンを供給した状態で、アノード-カソード間に電圧を負荷すると、アノードにおいて1式の水の電気分解反応が起こる。1式の電気分解反応により生じたプロトンが固体高分子電解質膜12を介してカソード14へ移動し、カソードにおいて2式の水素付加反応が起こり有機ハイドライドであるメチルシクロヘキサンが生成する。H2O→2H1/2O22e...1C7H86H6e→C7H14...2本実施形態の有機ハイドライド装置は前記反応により、電気化学的に有機ハイドライドを製造するものである。図2に本実施形態の有機ハイドライド製造装置の電極部分を示す。図2aは、固体高分子電解質膜21の表面にカソード触媒層22が形成され、裏面にアノード触媒層23図2b参照が形成されたMEA20をカソード側から見た平面図、bは、aにおけるD-E部断面図、cは、bにおけるF部拡大図、dは、bにおけるG部拡大図を示している。MEA20は、図2bのD-E部断面図に示すように、カソードおよびアノードは緻密な触媒層として固体高分子電解質膜21の上下に形成されている。カソード触媒層22では、被水素化物の還元反応が起きる。カソード触媒層22では、図2cのF部拡大図に示したように、被水素化物が還元されて水素化物を生成させる金属触媒請求の範囲における第1金属触媒に相当する24と、プロトン伝導性の固体高分子電解質26とからなる。ここで、カソード触媒層22は、金属触媒24を担持した担体25を含んでもよい。なお、担体25同士は、固体高分子電解質26により接着されている。すなわち、カソード触媒層22中の金属触媒24は、担体25を介して互いにつながったネットワーク構造を有しており、2式の反応に必要な電子の通り道を形成している。また、触媒層中の固体高分子電解質26も同様につながったネットワーク構造を有しており、2式の反応に必要なプロトンの通り道を形成している。電極反応は、担体25上の金属触媒24と電解質および反応物質が接触する三相界面において行われる。本実施形態の電極では固体高分子電解質26によってプロトンの通り道を形成しているため、固体高分子電解質膜21と直接接していない金属触媒24にも三相界面が形成される。そのため、多くの金属触媒24が電極反応に寄与できる構造となっている。また、アノード触媒層23では、水の酸化反応が起きる。アノード触媒層23では、図2dのG部拡大図に示したように、水が酸化されてプロトンを生成させる金属触媒請求の範囲における第2金属触媒に相当する24と、プロトン伝導性の固体高分子電解質26とからなる。アノード触媒層23中の金属触媒24は、互いにつながったネットワーク構造を有しており、1式の反応に必要な電子の通り道を形成している。また、触媒層中の固体高分子電解質26も同様につながったネットワーク構造を有しており、1式の反応に必要なプロトンの通り道を形成している。アノードにおいても電極反応は、金属触媒24と電解質および反応物質が接触する三相界面において行われる。本実施形態の電極では、固体高分子電解質26によってプロトンの通り道を形成しているため、固体高分子電解質膜21と直接接していない金属触媒24にも三相界面が形成される。そのため、多くの金属触媒24が電極反応に寄与できる構造となっている。なお、本実施形態の有機ハイドライド製造装置のアノード触媒層23においては、カソード触媒層22とは異なり、金属触媒24のみからなることを特徴とする。1式および2式の反応は、アノード-カソード間に12V以上の電圧を印加した際に生じる。アノード触媒層23中の担体としてカーボンを用いると、12V以上の電圧を印加した場合に、酸化反応によりカーボンが燃焼等することがある。よって、本実施形態の有機ハイドライド製造装置のアノード触媒層23にはカーボンが含まれていないことを特徴とする。なお、アノード触媒層23は、カーボンが含まれていなければよいので、金属触媒24とそれを担持した非カーボン担体図2dにおいて図示せずとを含んでなることとしてもよいことはいうまでもない。ここで比較のため、図3に従来の有機ハイドライド製造装置の膜電極接合体MEAを示す。図3aは、固体高分子電解質膜31の表面にカソード触媒層32が形成され、裏面にアノード触媒層33図3b参照が形成されたMEA30をカソード側から見た平面図、bは、aにおけるD-E部断面図、cは、bにおけるF部拡大図を示している。図3a~cに示すように、MEA30は、固体高分子電解質膜31の表面に金属触媒34を担持したカーボンなどの触媒担体35を直接形成しており、図2cに図示する本発明で用いるMEA20のように固体高分子電解質26が含まれていない。そのため、固体高分子電解質膜31と直接接しない金属触媒34が電極反応に寄与することができない構造となっている。つまり、図3cに示すように、従来の有機ハイドライド製造装置のMEA30では、電極反応に寄与する触媒は固体高分子電解質膜31と直接接する金属触媒34のみである。そのため、三相界面が少なく、反応に寄与する触媒が限られ、また、触媒のネットワーク構造の形成も少ない。結果的に、高いエネルギー効率を得ることが困難となり、有機ハイドライドの製造効率が悪くなる。本発明で用いられるMEA20図2参照は、以下の方法で作製することができる。まず、白金などの金属触媒24を担持した担体25、固体高分子電解質26、および固体高分子電解質26を溶解する溶媒を加えて十分混合したカソード触媒ペーストと、金属触媒24、固体高分子電解質、および固体高分子電解質26を溶解する溶媒を加えて十分混合したアノード触媒ペーストを作製する。それらのペーストを、それぞれポリフルオロエチレンPTFEフィルム等の剥離フィルム上に、スプレードライ法等により噴霧し、80°Cで乾燥させて溶媒を蒸発させ、カソード触媒層22およびアノード触媒層23を形成する。次にそれらのカソード触媒層22およびアノード触媒層23を用いて、固体高分子電解質膜21が中心となるように両側から挟んでホットプレス法によって接合し、剥離フィルムPTFEを剥がすことにより、本発明で用いられるMEA20を作製することができる。なお、カソード触媒ペーストおよびアノード触媒ペーストを作製する際に用いる溶媒としては、1-プロパノールと2-プロパノールと水を2:2:1の質量比で混合した溶液221溶液を好適に挙げることができる。ここで、アノード触媒ペーストは、金属触媒24に替えて、金属触媒24を担持した非カーボン担体を含めてもよいことはいうまでもない。また、本発明で用いられるMEA20を作製する別の一例として、前記の白金などの金属触媒24を担持した担体25、固体高分子電解質26、および固体高分子電解質26を溶解する溶媒を加えて十分混合したカソード触媒ペーストと、金属触媒24、固体高分子電解質26、および固体高分子電解質26を溶解する溶媒を加えて十分混合したアノード触媒ペーストとを、スプレードライ法等により直接固体高分子電解質膜21に噴霧することでも作製することができる。なお、アノード触媒ペーストは、金属触媒24に替えて、金属触媒24を担持した非カーボン担体とを含めてもよいことはいうまでもない。固体高分子電解質膜21を構成する有機高分子としては、パーフルオロカーボンスルホン酸、または、ポリスチレンやポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、その他のエンジニアリングプラスチック材料に、スルホン酸基、ホスホン酸基、カルボキシル基等のプロトン供与体をドープまたは化学的に結合させて固定化したものを用いることができる。また、前記材料において、架橋構造にしたり、部分フッ素化したりすることで材料安定性を高めることも望ましい。触媒層に含有する固体高分子電解質26には、プロトン伝導性を示す高分子材料を用い、例えばパーフルオロカーボン系スルホン酸樹脂やポリパーフルオロスチレン系スルホン酸樹脂に代表されるスルホン酸化またはアルキレンスルホン酸化したフッ素系ポリマーやポリスチレン類が挙げられる。その他にポリスルホン類、ポリエーテルスルホン類、ポリエーテルエーテルスルホン類、ポリエーテルエーテルケトン類、炭化水素系ポリマーにスルホン酸基等のプロトン供与体を導入した材料が挙げられる。また、前記した有機高分子と金属酸化物水和物の複合電解質を用いることもできる。固体高分子電解質26は、固体高分子電解質膜21を溶解することのできる溶媒を用いて固体高分子電解質膜21の一部を溶解することで得ることもできる。本発明で用いる金属触媒24には、水素付加作用を有する触媒材料を用いることができる。例えば、Ni、Pd、Pt、Rh、Ir、Re、Ru、Mo、W、V、Os、Cr、Co、Feなどの金属およびこれらの合金触媒を用いることができる。水素付加触媒は、金属触媒24の低減による低コスト化と反応表面積の増大化のため、微粒子化することが好ましい。また、微粒子の凝集による比表面積の減少を防止するため、後記する担体に担持してもよい。触媒の製造方法は、共沈法、熱分解法、無電解めっき法など特に限定はない。カソード触媒層22に含有され、金属触媒24を担持する担体25としては、活性炭、カーボンナノチューブ、黒鉛などのカーボン材料や、シリカ、アルミナ、ゼオライトなどのアルミナシリケートなどを用いることができる。アノード触媒層23に含有され、金属触媒24を担持し得る担体は、前記したように非カーボン担体図示せずを用いる。非カーボン担体としては、シリカ、アルミナ、ゼオライトなどのアルミナシリケートなどを用いることができる。なお、アノード触媒層23は、非カーボン担体を用いず、金属触媒24のみを用いてもよい。被水素化物としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、ナフタレン、メチルナフタレン、アントラセン、ビフェニル、フェナントロリンおよびそれらのアルキル置換体のいずれかまたは複数混合したものを用いることができる。これらの炭素同士の二重結合に水素が付加されることにより、水素を貯蔵することができる。以下、本発明について実施例を用いて詳細に説明する。尚、本発明は下記実施例に限定されるものではない。電解質膜としてデュポン社製ナフィオン登録商標を用いた。カソード触媒層は、スプレーコーターを用いて、直接ナフィオンに触媒ペーストを塗布して形成した。以下の順序でカソード触媒層をナフィオンに塗布した。ナフィオンを基板のホットプレート上に置き、吸引することで固定した。ここで、ホットプレートの温度は50°Cとした。次に、その上からマスクをして、スプレーコーターノードソン社製でカソード触媒ペーストを塗布した。カソード触媒ペーストとして、白金担持カーボン触媒TEC10E70TPM田中貴金属製と水、5質量ナフィオン溶液、221溶液1-プロパノール:2-プロパノール:水=2:2:1の溶液を2:12:54:106の質量比で混合したものを用いた。塗布条件は、液圧001MPa、スワール圧015MPa、霧化圧015MPa、ガン/基板距離60mm、基板温度50°Cとした。カソード触媒層の金属触媒量は、単位面積当たりのPt量で04mgcm2とした。カソード触媒層をナフィオン表面に形成したのち、その裏面にアノード触媒層を形成させた。アノード触媒層は転写法により形成した。まず、アノード触媒ペーストを作製した。アノード触媒ペーストとして、白金ブラックHiSPEC1000ジョンソンマッセイ製と5質量ナフィオン溶液、221溶液を、1:111:222の質量比で混合したものを用いた。それをアプリケータにより、テフロン登録商標シート上に塗布した。テフロン登録商標シート上に塗布したアノード触媒層を、ホットプレステスター産業社製SA-401-Mによる熱転写でナフィオン表面に形成した。ホットプレス圧力は3.65MPa372kgfcm2、ホットプレス温度は120°C、ホットプレス時間は2分間とした。アノード触媒層の金属触媒量は、単位面積当たりのPt量で48mgcm2とした。作製したMEAを図1の有機ハイドライド製造装置に組み込んだ。セル抵抗は200mΩであった。カソードに被水素化物のトルエンを10ml/minで供給し、アノードに純水を5ml/minで供給した状態で、アノード-カソード間に電圧を負荷した。セル温度は40°Cで行った。図4に負荷電圧に対する電流値を示す。16V以上負荷した場合、電流が流れ反応が進行した。22Vまで電圧を高くするほど、電流が大きくなり、反応が進行した。カソード排出ガスをガスクロマトグラフィで分析したところ、トルエンおよびメチルシクロヘキサンが検出された。したがって、トルエンの水素付加反応でメチルシクロヘキサンが生成されたことが示唆された。図5は、ガスクロマトグラフィのピーク強度から算出した、トルエンからメチルシクロヘキサンへの転化率を示す。電圧が高くなるほど転化率が向上し、今回の条件での最高値は、22V負荷した場合に60であった。比較例1電解質膜にナフィオンを用い、析出法により膜表面に直接金属触媒を析出させた。作製したMEAを図1の有機ハイドライド製造装置に組み込み、実施例1と同様の条件でトルエンへの水素付加反応試験を行った。セル抵抗は950mΩであった。実施例1と比べてセル抵抗が大きいのは、触媒間のネットワークが形成されていないことなどが考えられる。図6に負荷電圧に対する電流値を示す。実施例1に比べて電流値は小さくなった。これは、抵抗が大きいことや、三相界面の形成が小さいことなどが考えられる。図7は、トルエンからメチルシクロヘキサンへの転化率を示す。今回の条件での最高値は、22V負荷した場合に12であった。比較例2実施例1と同一条件、同一方法でカソード触媒層を形成させた。また、比較例2では、アノード触媒層もカソード触媒層と同様に、白金担持カーボン触媒を用いた。アノード触媒ペーストの作製条件は実施例1のカソード触媒ペーストの作製条件と同一とした。作製したMEAを図1の有機ハイドライド製造装置に組み込み、実施例1と同様の条件でトルエンへの水素付加反応試験を行った。セル抵抗は180mΩであった。アノード-カソード間に電圧を負荷したが、18V以上では、アノードからの排液が黒く濁った。これは、アノード触媒層の担体に用いたカーボンが酸化されたためであると考えられる。比較例2のアノードでは、1式の反応が起こらないことが分かった。