"磁性体層を含む複数層を積層した構成の積層基板と、前記積層基板の層間に設けられるコイル導体を、前記積層基板の積層方向に接続した構成のインダクタと、を備える積層型インダクタ部品であって、前記積層基板の前記インダクタに接する層よりも、前記積層方向の外側の層または層間に空隙部が形成された、積層型インダクタ部品。前記積層基板は、前記磁性体層との境界面両面に前記コイル導体が配置される中間非磁性体層を備える、請求項1に記載の積層型インダクタ部品。前記積層基板の前記インダクタに接する層よりも、前記積層方向の外側の層または層間にのみ、空隙部が形成された、請求項1または2に記載の積層型インダクタ部品。前記積層基板の前記インダクタに接する層よりも前記積層方向の外側に外側非磁性体層を備え、前記外側非磁性体層よりも前記積層方向の外側に前記インダクタの他の素子が配置される請求項1~3のいずれかに記載の積層型インダクタ部品。積層型インダクタ部品の基板内部に空隙部を設けることにより、インダクタンス値の向上や、浮遊容量の低減といった効果が望めるが、上述の従来構成では、積層型インダクタ部品にとって重要な特性の一つである直流抵抗Rdcの悪化増大やばらつきが引き起こされることを、本願発明者らは見いだした。そこで、本発明の目的は、空隙部を設けても、直流抵抗Rdcの増大やばらつきを防ぐことができる積層型インダクタ部品を提供することにある。この発明の積層型インダクタ部品は、磁性体層を含む複数層を積層した構成の積層基板と、前記積層基板の層間にコイル導体を設けて、前記コイル導体を前記積層基板の積層方向に接続した構成のインダクタと、を備える。そして、前記積層基板の前記インダクタに接する層よりも、前記積層方向の外側の層または層間に空隙部が形成される。従来構成では、インダクタの直流抵抗Rdcに劣化やばらつきが生じるが、これは、空隙部にコイル導体を露出させていたため、製造段階で未焼成の導体ペースト上に焼失材が設けられる際に、導体ペーストの微小な薄化が起こっていたためであると考えられる。そこで本構成では、インダクタよりも外側の層や層間に空隙部を設ける。これにより、積層基板の残留応力をこの空隙部で開放してインダクタンス値を増大させながら、この空隙部にコイル導体が露出することを防ぐことができ、コイル導体の厚みの低減を回避して直流抵抗Rdcの悪化やばらつきを防ぐことが可能になる。上述の積層型インダクタ部品において、前記積層基板は、前記磁性体層との境界面両面に前記コイル導体が配置される中間非磁性体層を備えると好適である。この構成では、インダクタに直流電流が流れた場合のインダクタンス値の変化直流重畳特性を抑制安定化することができる。また上述の積層型インダクタ部品において、前記積層基板の前記インダクタに接する層よりも、前記積層方向の外側の層または層間にのみ、空隙部が形成されると好適である。この構成では、確実に直流抵抗Rdcの悪化を防ぐことができる。また上述の積層型インダクタ部品において、前記積層基板の前記インダクタに接する層よりも前記積層方向の外側に外側非磁性体層を備え、前記外側非磁性体層よりも前記積層方向の外側に前記インダクタの他の素子が配置されると好適である。この構成では、インダクタの他の素子が磁性体層の磁束に影響を与えることを防ぐことができ、インダクタンス値をさらに改善することができる。この発明によれば、積層基板のインダクタよりも外側の層や層間に空隙部を設ける。これにより、積層基板の残留応力を開放して、インダクタンス値を増大させることができる。また、この空隙部にコイル導体が露出することを防ぐことができ、コイル導体の厚みの低減を回避して直流抵抗Rdcの悪化やばらつきを防ぐことが可能になる。《第1の実施形態》以下、本発明の第1の実施形態に係る積層型インダクタ部品1について説明する。図1は積層型インダクタ部品1の模式断面図である。また図2は積層型インダクタ部品1の焼成前の各層の構成を示す積み図である。積層型インダクタ部品1は、積層基板2とインダクタ3A,3Bとを備える。ここで示す積層基板2は、合わせて19層の磁性体層4と非磁性体層5とを積層した構成である。非磁性体層5は積層基板2の上面から数えて第1層、第7層、第14層、第19層に挿入される。磁性体層4は積層基板2のそれ以外の層に挿入される。積層基板2の厚みは100~2000μm程度である。磁性体層4は、磁性を有するフェライトとセラミック材料とを主成分とするものである。なお、磁性体層4の透磁率は10~500の範囲内、例えば透磁率290程度であれば好適である。非磁性体層5は、非磁性なフェライトとセラミック材料とを主成分とするものである。非磁性体層5の透磁率は0~10の範囲内、例えば透磁率1前後であれば好適である。インダクタ3A,3Bは、積層基板2の基板積層方向を軸方向として複数のコイル導体6を、ビアホール導体不図示を介して螺旋状に接続した構成である図2参照。。コイル導体6は、積層基板2の第10層と第12層とを除く第6層から第16層までの各層上面に設けられる。インダクタ3A,3Bの両端部は、ビアホール導体7を介して積層基板2の上面に引き出され、それぞれ基板上面に設ける実装ランド8に個別に接続される。積層基板2において、インダクタ3A,3Bが形成される第6層から第16層までの領域よりも外側の、第4層の上面側および第18層の上面側には空隙部9を設ける。製造段階では、図2に示すように第4層の上面側および第18層の上面側にカーボンや樹脂等の焼失材ペースト10を塗布し、焼失材ペースト10を積層基板2の焼成時に焼失させて、空隙部9は形成する。焼失材ペースト10は環状に塗布していて、これにより螺旋状に形成されるインダクタ3A,3Bに空隙部9が対向するようにしている。したがって、コイル導体6を空隙部9に露出させることなくコイル導体6と積層基板2との線膨張係数差に起因する残留応力を開放し、大きなインダクタンス値の確保と小さな直流抵抗Rdcの維持が可能になる。またここでは、インダクタ3A,3Bが形成される第6層から第16層までの領域の中間第7層および第14層に非磁性体層5を2層挿入することで、磁気ギャップを備えたインダクタとして各インダクタ3A,3Bを構成している。インダクタ3A,3Bに磁気ギャップを設けることによってインダクタンス値を向上させることができる。そして、それらの非磁性体層5の両面がコイル導体6で挟まれるように構成して、このことにより直流重畳特性を改善するようにしている。なお、積層型インダクタ部品1の製造には、未焼成のセラミックグリーンシートを積層して焼成する製法であればどのような製法を用いてもよい。そのため、例えば無収縮工法によって積層型インダクタ部品1を製造することもできる。無収縮工法は、低温焼成可能なセラミックグリーンシートと低融点金属による導体パターンとを積層してなる未焼成の多層セラミック体を構成し、その上下両主面にアルミナ等を主成分とする収縮抑制層を密着させ、これらを焼成した後、収縮抑制層を除去するという工法である。この工法によれば、基板の反りや歪みを低減することができるが、基板内部には残留応力が残留しやすくなる。しかしながら、本実施形態のように空隙部を設けることにより、無収縮工法を採用しても、効果的に残留応力を開放して大きなインダクタンス値を得ることが可能になる。《特性比較試験》ここで、基板構造に応じたインダクタンス値、直流抵抗値、直流重畳特性それぞれの変化を調べた比較試験について説明する。図3は、比較試験に用いた各構成例について説明する図である。なお、A1は積層型インダクタ部品1と同構造を示している。A2乃至A4はA1と空隙部9の位置が異なる構成例を示している。B1乃至C1はA1とコイル導体の位置が相違する構成例を示している。B2乃至B4は、B1と空隙部9の位置が異なる構成例を示している。C2乃至C4は、C1と空隙部9の位置が異なる構成例を示している。これらの各構成例に対して、それぞれのインダクタンス値と直流抵抗値を測定した。図4は、各構成例のインダクタンス値と直流抵抗値Rdcとを示す図である。まずA1乃至A4について検討する。なおA1は、積層型インダクタ部品1と同様に、空隙部9を第4層の上面側と第17層の下面側に設けている。A2は、空隙部9をさらに第8層の上面側と第13層の下面側とにも設けている。A3は、空隙部9を設けていない。A4は、空隙部9を第8層の上面側と第13層の下面側とにのみ設けている。積層型インダクタ部品1と同様にインダクタよりも外側に空隙部を設けたA1の場合、空隙部を設けないA3に比べてインダクタンス値を約124に増大させることができた。また直流抵抗値Rdcは約101と微増であり、ほとんど劣化が無かった。これに対して、インダクタの内側にコイル導体が露出する空隙部を設けたA4の場合、A3に比べてインダクタンス値が約103と微小にしか増大させることができず、また直流抵抗値Rdcは、約105と増大してある程度の劣化が視られた。また、インダクタの内側にも外側にも空隙部を設けたA2の場合、A3に比べてインダクタンス値は約123に増大させることができるが、直流抵抗値Rdcは約108と増大して大幅な劣化が視られた。次にB1乃至B4について検討する。なお、B1乃至B4は配列方向中央の3層のコイル導体を第10層の上面から第12層の上面までに設けている。B1は、空隙部9を第4層の上面側と第17層の下面側に設けている。B2は、空隙部9をさらに第8層の上面側と第13層の下面側とにも設けている。B3は、空隙部9を設けていない。B4は、空隙部9を第8層の上面側と第13層の下面側とにのみ設けている。インダクタより外側に空隙部を備えるB1の場合、空隙部を設けないB3に比べてインダクタンス値が約132に増大した。また直流抵抗値Rdcは約102と微増であり、ほとんど劣化が無かった。なお、インダクタの内側に空隙部を備えるB4は、図3に示すように、空隙部にコイル導体が露出しない構成である。したがって直流抵抗値Rdcはほとんど劣化が視られなかった。しかしながら、インダクタの内側にも外側にも空隙部を設けたB2の場合には、空隙部にコイル導体が露出しないにも関わらず、空隙部を設けないB3に比べて直流抵抗値Rdcは約106と大幅な劣化が視られた。次にC1乃至C4について検討する。なおC1乃至C4は、配列方向中央の3層のコイル導体を第9層の上面から第11層の上面までに設けている。C1は、空隙部9を第4層の上面側と第17層の下面側に設けている。C2は、空隙部9をさらに第8層の上面側と第13層の下面側とにも設けている。C3は、空隙部9を設けていない。C4は、空隙部9を第8層の上面側と第13層の下面側とにのみ設けている。インダクタより外側に空隙部を備えるC1の場合、空隙部を設けないC3に比べてインダクタンス値が約133に増大した。また直流抵抗値Rdcは約100であり、ほとんど劣化が無かった。なお、インダクタの内側に空隙部を備えるC4は、図3に示すように、内側2つの空隙部の一方のみにコイル導体が露出する構成である。したがって、C3に比べてインダクタンス値が約125とほどほどにしか増大せず、直流抵抗値Rdcは約105と増大してある程度の劣化が視られた。そして、インダクタの内側にも外側にも空隙部を設けたC2の場合には、C3に比べてインダクタンス値が約133に増大し、直流抵抗値Rdcの大幅な劣化も視られた。以上のように比較試験では、少なくとも空隙部を設けることによりインダクタンス値を大きくできた。また、コイル導体が露出する空隙部を設けるA4乃至C4やA2乃至C2は、直流抵抗の劣化を招いた。一方、コイル導体が露出することのない空隙部のみを設けるA1乃至C1の構成では、少なくとも直流抵抗の劣化を招くことなくインダクタンス値を効果的に改善することができた。したがって、A1と同構成の積層型インダクタ部品1でも、空隙部をインダクタの外側に配置することにより直流抵抗の劣化を招くことなくインダクタンス値を効果的に改善できると考えられる。なお、インダクタの内側と外側とに空隙部をともに設けるA2乃至C2の構成では、直流抵抗の劣化は生じるものの、コイル導体が露出する空隙部のみを設けるA4乃至C4の構成に比べて、大きなインダクタンス値を得ることができた。したがって、積層型インダクタ部品1に対して、インダクタの内側にも空隙部を追加して設けるようにしてもよく。その場合、少なくともインダクタの内側のみに空隙部を設ける構成よりも、インダクタンス値を改善できると考えられる。また、基板中央にコイル導体を寄せて配置するB1乃至B4の構成は、それ以外の構成よりも、比較的大きなインダクタンス値が得られた。したがって、積層型インダクタ部品1に対しても、コイル導体をさらに内側に寄せて配置すると、より大きなインダクタンス値が得られると考えられる。つぎに、各構成例に対して直流重畳特性を測定した比較試験について説明する。図5は、各構成例の直流重畳特性を示す図である。一般にインダクタ部品では、コアに流れうる飽和磁束量に限界があり、直流電流がインダクタに印加されるとそれにより発生する磁束によってインダクタンス値が低減する特性直流重畳特性を持つ。A1のグラフをB1およびC1のグラフと比較すると、直流電流200mA未満ではB1、C1それぞれのインダクタンス値よりもA1のインダクタンス値が小さいが、直流電流200mA以上ではB1、C1それぞれのインダクタンス値よりもA1のインダクタンス値が大きくなっている。則ち、A1のグラフは、直流電流の増加に伴うインダクタンス値の低減が少なく、比較的安定しているといえる。またA3をB3と比較しても、A3のグラフは、B3に比べて直流電流の増加に伴うインダクタンス値の低減が少なく、比較的安定しているといえる。これらのことから、直流重畳特性の安定化については、非磁性体層の両面にコイル導体を配置するA1やA3の構成が望ましく、A1と同構成の積層型インダクタ部品1でも、非磁性体層の両面にコイル導体を配置することで、直流重畳特性を安定化できていると考えられる。《第2の実施形態》次に、本発明の第2の実施形態に係る積層型インダクタ部品ついて説明する。図6は本実施形態の積層型インダクタ部品21の模式構成例を示す断面図である。ここで示す積層型インダクタ部品21は、基板内部に設ける空隙部9をインダクタの外側の2つだけではなく、インダクタの内側にも設けている点で上述の実施形態と相違する。具体的には、第4層および第18層の上面側に設ける空隙部9に加え、第8層の上面側および第13層の下面側にも追加の空隙部9を備える。追加の空隙部9は、第7層と第14層の非磁性体層5との間にコイル導体6を挟むように形成している。なお、この構成は図3に示したA2の構成に対応するものである。このような構成であっても、空隙部9により積層基板2の残留応力を開放でき、積層型インダクタ部品21のインダクタンス値を大きくできる。そして、少なくとも積層方向外側の空隙部にはコイル導体6が露出しないので、その空隙部に起因するコイル導体6の厚みの低減や、直流抵抗Rdcの悪化は防ぐことができる。《第3の実施形態》次に、本発明の第3の実施形態に係る積層型インダクタ部品ついて説明する。図7は本実施形態の積層型インダクタ部品31の模式構成例を示す断面図である。ここで示す積層型インダクタ部品31は、積層基板2におけるインダクタ3A,3Bよりも積層方向外側の空隙部9よりもさらに外側に、非磁性体層5と誘電体層32A,32Bを備え、下面側の誘電体層32Aに、インダクタ3A,3Bの間を接続するキャパシタ33を構成する点で相違する。なお、誘電体層32A,32Bは誘電体セラミック材料で構成される。また、この構成では、2つの非磁性体層を磁性体層の外側に配置し、その外側に誘電体層32A,32Bとキャパシタ33とを配置するので、それらがインダクタ3A,3Bの磁束を阻害することなく、インダクタ3A,3Bのインダクタンス値を増大させることが容易になる。また、誘電体層の一方のみの内部にコンデンサを形成することで、両方の内部にコンデンサを形成する場合よりも、インダクタンス値の低下を防ぐことができる。なお、ここでは、インダクタ以外の素子としてコンデンサ33を設ける例を示したが、コンデンサ33以外の受動素子や能動素子を併設するように構成しても良い。上述した各実施形態のように本発明は実施できる。ただし本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく特許請求の範囲によって示され、本発明の範囲には特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。"