基礎誘電体層を形成する段階;前記基礎誘電体層の上面に内部誘電体層及び内部電極層を交互に蒸着した単位セラミックスキャパシタを形成する段階;及び前記単位セラミックスキャパシタを2層以上に積層する段階;を含む積層セラミックスキャパシタの製造方法。前記基礎誘電体層を形成する段階は、誘電体材料のスラリーを用いてグリーンシートを形成する方式からなることを特徴とする請求項1に記載の積層セラミックスキャパシタの製造方法。前記単位セラミックスキャパシタを形成する段階は、マスクを水平方向に移動させながら蒸着を遂行することを特徴とする請求項1に記載の積層セラミックスキャパシタの製造方法。単一のマスクを用いて、前記内部誘電体層の蒸着時には前記マスクを既設定された地点に整列し、前記内部電極層の蒸着時には前記マスクを前記既設定された地点から既設定された距離だけ左側または右側に移動させることを特徴とする請求項3に記載の積層セラミックスキャパシタの製造方法。前記単位セラミックスキャパシタを形成する段階は、前記内部誘電体層は粒径が1から30nm、厚さが10から500nmになるように形成し、前記内部電極層は粒径が1から5nm、厚さが1から200nmになるように形成することを特徴とする請求項1に記載の積層セラミックスキャパシタの製造方法。前記基礎誘電体層を形成する段階は、その粒径が150から300nm、その厚さが1から10umになるように形成することを特徴とする請求項1に記載の積層セラミックスキャパシタの製造方法。前記単位セラミックスキャパシタを形成する段階は、スパッタリング法sputtering、パルスレーザー蒸着法pulsedlaserdeposition、PLD、電子ビーム蒸着法e‐beamevaporation、熱蒸着法thermalevaporationのうち何れか一つを用いて遂行されることを特徴とする請求項1に記載の積層セラミックスキャパシタの製造方法。本発明は、超高容量の具現が可能でありながらも強度が高い積層セラミックスキャパシタの製造方法を提供することをその目的とする。本発明の一実施形態による積層セラミックスキャパシタの製造方法は、基礎誘電体層を形成する段階;前記基礎誘電体層の上面に内部誘電体層及び内部電極層を交互に蒸着した単位セラミックスキャパシタを形成する段階;及び前記単位セラミックスキャパシタを2層以上で積層する段階;を含むことができる。この際、前記基礎誘電体層を形成する段階は、誘電体材料のスラリーを用いてグリーンシートを形成する方式からなることができる。また、前記単位セラミックスキャパシタを形成する段階は、マスクを水平方向に移動させながら蒸着を遂行することができる。この際、単一のマスクを用いて、前記内部誘電体層の蒸着時には前記マスクを既設定された地点に整列し、前記内部電極層の蒸着時には前記マスクを前記既設定された地点から既設定された距離だけ左側または右側に移動させることができる。また、前記単位セラミックスキャパシタを形成する段階は、前記内部誘電体層は粒径が1から30nm、厚さが10から500nmになるように形成し、前記内部電極層は粒径が1から5nm、厚さが1から200nmになるように形成することができる。また、前記基礎誘電体層を形成する段階は、その粒径が150から300nm、その厚さが0.5から10umになるように形成することができる。また、前記単位セラミックスキャパシタを形成する段階は、スパッタリング法sputtering、パルスレーザー蒸着法pulsedlaserdeposition、PLD、電子ビーム蒸着法e‐beamevaporation、熱蒸着法thermalevaporationなどの通常的な真空蒸着法のうち一つの方法を用いて遂行されることができる。本発明による積層セラミックスキャパシタの製造方法は、相当の厚さを有する基礎誘電体層に誘電体層及び内部電極層を蒸着する方式で形成することにより、非常に薄い誘電体層及び内部電極層を得ることができて、超高容量を具現することができる。また、上記のように誘電体層及び内部電極層が蒸着された基礎誘電体層を2層以上に積層することにより、高い破壊強度を得ることができる。以下、添付された図面を参照して、本発明が属する技術分野にて通常の知識を有する者が本発明を容易に実施することができるように、好ましい実施形態を詳細に説明する。但し、本発明の好ましい実施形態を詳細に説明するにおいて、係わる公知技術または構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要にぼかす可能性があると判断される場合は、その詳細な説明を省略する。また、類似の機能及び作用をする部分に対しては図面全体にかけて同一の符号を用いる。なお、明細書の全体において、ある部分が他の部分と連結されているとする場合、これは直接的に連結されている場合だけではなく、その間に他の構成を介して間接的に連結されている場合も含む。また、ある構成要素を含むとすることは、特別に反対される記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに含むことができるということを意味する。図1は本発明の一実施形態による積層セラミックスキャパシタの製造方法を順に図示した図面である。図1のaを参照すると、本発明の一実施形態による積層セラミックスキャパシタの製造方法は基礎誘電体層10を備える段階から始まることができる。前記基礎誘電体層10はその上面に複数の内部誘電体層及び内部電極層を蒸着するための基礎になるものであり、積層セラミックスキャパシタの強度を高めるために相当の厚さを有するように形成されることができる。前記基礎誘電体層10はBaTiO3などの誘電体材料のスラリーを用いてグリーンシートを形成する方式で加工されることができる。この際、スラリー形態で加工された誘電体材料の粒子の粒径は約150~300nmであり、加工された基礎誘電体層10の厚さは約1~10umであることができる。図1のbは、前記図1のaで備えられた基礎誘電体層10の上面に内部電極層20を形成する段階を図示したものである。前記内部電極層20は蒸着する方式で形成されることにより、非常に薄い厚さを有するように形成されることができる。具体的に、前記蒸着工程は、スパッタリング法sputtering、パルスレーザー蒸着法pulsedlaserdeposition、PLD、電子ビーム蒸着法e‐beamevaporation、熱蒸着法thermalevaporationなどの常用化された真空蒸着方法が用いられることができる。蒸着方式で形成された前記内部電極層20はニッケルNiなどで形成されることができて、その粒径が約1~5nmであり、その厚さが約1~200nmになるように形成されることができる。蒸着する方式で内部電極層20を形成することにより、非常に薄い厚さの内部電極層20を得ることができて、従って積層セラミックスキャパシタの小型化の面で有利である。本実施形態では基礎誘電体層10の上面に直接に内部電極層20を形成したが、これと異なって基礎誘電体層10の上面に内部誘電体層を先に蒸着し、その上に内部電極層20を蒸着することも可能である。図1のcは、前記図1のbで形成された内部電極層20の上面に内部誘電体層30を形成する段階を図示したものである。前記内部誘電体層30は前記内部電極層20と同様に蒸着する方式で形成されることにより、非常に薄い厚さを有するように形成されることができる。具体的に、前記蒸着工程は、スパッタリング法sputtering、パルスレーザー蒸着法pulsedlaserdeposition、PLD、電子ビーム蒸着法e‐beamevaporation、熱蒸着法thermalevaporationなどの常用化された真空蒸着方法が用いられることができる。蒸着方式で形成された前記内部誘電体層30はBaTiO3などで形成されることができて、その粒径が約1~30nmであり、その厚さが約10~500nmになるように形成されることができる。このように蒸着する方式で内部誘電体層30を形成することにより、非常に薄い厚さの内部誘電体層30を得ることができるため、超高容量の具現が可能である。また、薄く形成された内部誘電体層30は積層セラミックスキャパシタの小型化の面でも有利である。図1のd及び図1のeは蒸着された内部誘電体層30の上に再び内部電極層20を蒸着し、その上に再び内部誘電体層30を蒸着する段階を図示したものである。このように基礎誘電体層10の上面に内部電極層20及び内部誘電体層30を交互に蒸着形成することにより、単位セラミックスキャパシタが製作される。本実施形態では単位セラミックスキャパシタが二つの内部電極層20及び内部誘電体層30を有すると説明したが、内部電極層20及び内部誘電体層30の数は必要によっていくらでも変更が可能である。図1のfは、図1のaから図1のeに図示された段階によって製作された単位セラミックスキャパシタを2層で積層する段階を図示したものである。このように複数の単位セラミックスキャパシタを積層することにより、積層セラミックスキャパシタの強度を高めることができる。この際、蒸着によって形成された内部誘電体層30により、高容量を具現することができるとともに、基礎誘電体層10を二つ以上含むように積層することにより、高い強度を得ることが可能である。また、前記基礎誘電体層10は積層セラミックスキャパシタの強度にのみ寄与するのではなく、一定部分容量にも寄与することができる。本実施形態では二つの単位セラミックスキャパシタを積層すると説明したが、積層される単位セラミックスキャパシタの数は必要によっていくらでも変更が可能である。図2aから図2cは本発明の一実施形態による積層セラミックスキャパシタの製造方法のうち、内部誘電体層及び内部電極層を蒸着する過程を具体的に図示した図面である。図2aから図2cを参照すると、内部誘電体層及び内部電極層の蒸着工程では多数の開口52を有するマスク50が用いられることができる。図2aは基礎誘電体層10の上面に内部誘電体層30を蒸着する段階を図示したものである。図2aを参照すると、内部誘電体層30の蒸着時にはマスク50の一辺の中心C2と前記基礎誘電体層10の対応される一辺の中心C1が一致するように前記マスク50を整列することができる。このような状態で、前記マスク50の開口52を通じて内部誘電体層30が蒸着されるようにすることができる。図2bは内部誘電体層30の上に内部電極層20を蒸着する段階を図示したものである。図2bを参照すると、内部電極層20の蒸着時にはマスク50の一辺の中心C2が前記基礎誘電体層10の対応される一辺の中心C1から水平方向に一定距離で離れるように、前記マスク50を水平移動させることができる。図2cは再び内部電極層20の上に内部誘電体層30を蒸着する段階を図示したものである。この際は、再び前記マスク50の一辺の中心C2と前記基礎誘電体層10の対応される一辺の中心C1が一致するように前記マスク50を水平移動させることができる。図面に図示していないが、その後に図2bに図示された方向と反対方向に前記マスク50を水平移動させて、内部電極層20を形成する過程を繰り返すことにより、複数の内部電極層20及び内部誘電体層30を蒸着することができる。図3は本発明の一実施形態による積層セラミックスキャパシタの製造方法により製造された積層セラミックスキャパシタの断面を図示した図面である。図3を参照すると、図1のfに図示された段階で2層以上で積層された単位セラミックスキャパシタを焼成して、外部電極40を形成し、積層セラミックスキャパシタが完成されることができる。本発明は、上述の実施形態及び添付の図面により限定されない。当技術分野の通常の知識を有する者において、本発明の技術的思想を外れない範囲内で本発明による構成要素を置換、変形及び変更が出来るということは明白であろう。