"エネルギビームを照射して物体を露光し、前記物体上にパターンを形成する露光装置であって、前記エネルギビームの光路上に配置されたパターンが形成された第1マスクを介した前記エネルギビームを結像面に照射し、前記パターンの像を結像する第1光学系と、前記第1光学系の結像面上に配置され、前記第1マスクを介した前記エネルギビームを分割して反射する複数のミラー素子と、該複数のミラー素子のそれぞれを駆動する駆動系とを有する空間光変調器と、前記空間光変調器の前記複数のミラー素子で反射された前記エネルギビームを前記物体に照射し、前記パターンの像の前記空間光変調器を介した像を前記物体上に結像する第2光学系と、を備える露光装置。前記駆動系を制御して前記複数のミラー素子のそれぞれの傾斜を調整する制御装置を、さらに備える請求項1に記載の露光装置。前記第1光学系と前記第2光学系とは、前記第1マスクのパターンを前記物体上に投影する投影光学系を構成し、前記第1光学系は、投影倍率が1又は1より僅かに大きく、前記第2光学系は、投影倍率が1より小さい請求項1又は2に記載の露光装置。前記投影光学系は、その瞳面上に補償光学系を有する請求項1~3のいずれか一項に記載の露光装置。前記第1マスクを保持して移動する移動部材をさらに備える請求項1~4のいずれか一項に記載の露光装置。請求項1~5のいずれか一項に記載の露光装置により前記物体上にパターンを形成することと、パターンが形成された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。本発明の第1の態様によれば、エネルギビームを照射して物体を露光し、前記物体上にパターンを形成する露光装置であって、前記エネルギビームの光路上に配置されたパターンが形成された第1マスクを介した前記エネルギビームを結像面に照射し、前記パターンの像を結像する第1光学系と、前記第1光学系の結像面上に配置され、前記第1マスクを介した前記エネルギビームを分割して反射する複数のミラー素子と、該複数のミラー素子のそれぞれを駆動する駆動系とを有する空間光変調器と、前記空間光変調器の前記複数のミラー素子で反射された前記エネルギビームを前記物体に照射し、前記パターンの像の前記空間光変調器を介した像を前記物体上に結像する第2光学系と、を備える露光装置が、提供される。これによれば、光変調器の複数のミラー素子でエネルギビームを分割して反射することにより、パターンの像の空間光変調器を介した像の物体上での結像状態を補正することが可能となる。本発明の第2の態様によれば、本発明の露光装置により前記物体上にパターンを形成することと、パターンが形成された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。以下、本発明の一実施形態を、図1~図4Cに基づいて説明する。図1には、一実施形態の露光装置100の構成が概略的に示されている。露光装置100は、ステップアンドスキャン方式の投影露光装置、いわゆるスキャナである。以下においては、レチクルRとウエハWとが相対走査される走査方向である図1における紙面内左右方向をY軸方向、これに直交する紙面直交方向をX軸方向、X軸及びY軸に直交する方向紙面内の上下方向をZ軸方向とし、X軸、Y軸、及びZ軸回りの回転傾斜方向をそれぞれθx、θy、及びθz方向として説明を行う。露光装置100は、照明光ILでレチクルRを照明する照明系IOP、レチクルRを保持してXY平面に平行な面内移動するレチクルステージRST、レチクルRに形成されたパターンの像を感応材レジストが塗布されたウエハW上に投影する投影光学系PLを含む投影ユニットPU、レチクルRを介した照明光ILを投影光学系PLの内部で変調する空間光変調器SL、ウエハWを保持して移動するウエハステージWST、及びこれらの制御系等を備えている。ここで、空間光変調器とは、入射光の振幅、位相又は進行方向などを二次元的に制御して、画像、あるいはパターン化されたデータなどの空間情報を処理、表示、消去する素子を意味する。本実施形態では、空間光変調器SLとして、反射型の空間光変調器の一種であるマルチミラーデバイスが採用されている。従って、空間光変調器SLによる入射光の変調は、主として進行方向の二次元的な変更制御を意味する。照明系IOPは、光源及び照明光学系を含み、その内部に配置された視野絞りマスキングブレード又はレチクルブラインドとも呼ばれるにより設定制限され、レチクルR上でX軸方向に細長く伸びる矩形又は円弧状の照明領域IAR1に照明光露光光ILを照射し、回路パターンが形成されたレチクルRを均一な照度で照明する。照明系IOPの構成は、例えば米国特許出願公開第2003/0025890号明細書などに開示されている。ここで、照明光ILとして、一例として、ArFエキシマレーザ光波長193nmが用いられる。レチクルステージRSTは、照明系IOPの下方-Z側に配置されている。レチクルステージRST上には、そのパターン面図1における下面に回路パターンなどが形成されたレチクルRが載置されている。レチクルRは、例えば真空吸着によりレチクルステージRST上に固定されている。レチクルステージRSTは、例えばリニアモータ等を含むレチクルステージ駆動系11図1では不図示、図3参照によって、水平面XY平面内で微小駆動可能であるとともに、走査方向図1における紙面内左右方向であるY軸方向に所定ストローク範囲で駆動可能となっている。レチクルステージRSTのXY平面内の位置情報θz方向の回転情報を含むは、レチクルレーザ干渉計以下、レチクル干渉計という14によって、移動鏡12又はレチクルステージRSTの端面に形成された反射面を介して、例えば0.25nm程度の分解能で常時検出される。レチクル干渉計14の計測情報は、主制御装置120図1では不図示、図3参照に供給される。主制御装置120は、レチクル干渉計14からの計測情報に基づいて、レチクルステージ駆動系11を介してレチクルステージRSTのY軸方向の位置及びX軸方向の位置、並びにθz方向の回転を制御する。投影ユニットPUは、レチクルステージRSTの下方-Z側に配置されている。投影ユニットPUは、筐体40と筐体40の内部に保持された複数の光学素子レンズ、ミラー等と、空間光変調器SLの多数のミラー要素の反射面とを含む。ここで、空間光変調器SLの多数のミラー要素の反射面は、全体で1つの反射面平面、凹面又は凸面を構成するので、以下では、空間光変調器SLの多数のミラー要素の反射面によって構成される反射面を、空間光変調器SLの反射面と呼ぶ。前記複数の光学素子は、レチクルRを介した照明光ILを空間光変調器SLの反射面に照射してレチクルRに形成されたパターンの像を空間光変調器SLの反射面に結像する第1結像光学系PL1と、空間光変調器SLの反射面からの照明光ILをウエハWに照射し、レチクルRに形成されたパターンの像の空間光変調器SLの反射面を介した像をウエハW上に結像する第2結像光学系PL2とを構成する。第1結像光学系PL1は、等倍又はほぼ等倍倍率が1より少し大きいの屈折光学系である。また、第2結像光学系PL2は、投影倍率が1より小さい縮小系である。本実施形態では、第1結像光学系PL1と空間光変調器SLの反射面と、第2結像光学系PL2とによって、全体として両側テレセントリックな縮小系投影倍率が例えば1/4倍又は1/5倍かつ反射屈折系から成る投影光学系PLが構成されている。この場合、投影光学系PLの中間結像面である第1結像光学系PL1の結像面に、実質的に一致して、空間光変調器SLの反射面が配置されている。また、第2結像光学系PL2の一部上端部に投影光学系PLの瞳面が設けられ、その瞳面に反射面のZ位置及び面形状が可変の補償光学系42が設けられている。このため、照明光ILによってレチクルR上の照明領域IAR1が照明されると、レチクルRを透過した照明光ILが第1結像光学系PL1を介して空間光変調器SLの反射面に照射され、その反射面上の照明領域IAR2内にレチクルRのパターンの等倍像若しくは微小拡大像が結像される。照明光ILは空間光変調器SLの反射面により反射され、補償光学系42を含む第2結像光学系PL2を介して表面にレジスト感応剤が塗布されたウエハWに照射され、照明領域IAR1に共役なウエハW上の領域以下露光領域と呼ぶIAに空間光変調器SLの反射面を介したレチクルRのパターンの一部照明領域IAR1内の回路パターンの縮小像が、形成される。そして、レチクルステージRSTとウエハステージWSTとの同期駆動により、照明領域IAR1照明光ILに対してレチクルRを走査方向Y軸方向に相対移動し、同時に露光領域IA照明光ILに対してウエハWを走査方向Y軸方向に相対移動することにより、ウエハW上の1つのショット領域区画領域が走査露光され、そのショット領域内にレチクルRのパターンが転写される。なお、図1において、符号ILLは、投影光学系PL内部の照明光ILの主光線を模式的に示す。補償光学系42には、結像特性補正コントローラ41図1では不図示、図3参照が接続されている。結像特性補正コントローラ41は、照明光ILを反射する補償光学系42の反射面のZ位置及び面形状を変化させることで、ウエハW上に投影される像の形成状態を調整する。ここで、補償光学系42の反射面の形状面位置は、例えばその面位置を変化させる不図示のアクチュエータの駆動量を測定するエンコーダ等、又は反射面の形状を測定するセンサにより測定され、その計測結果が結像特性補正コントローラ41に送信される。結像特性補正コントローラ41は、主制御装置120からの投影像の歪みの修正に関する指示に従って補償光学系42を制御する。本実施形態では、結像特性補正コントローラ41と補償光学系42とによって、ウエハW上に投影される像の形成状態を調整し、あるいは良好に維持するため、投影光学系PLの光学特性、例えば、球面収差結像位置の収差、コマ収差倍率の収差、非点収差、像面湾曲、歪曲収差ディストーション等の諸収差結像特性を調整する結像特性補正装置が構成されている。結像特性補正装置は、ピエゾ素子等のアクチュエータによって一部のレンズエレメントを、Z軸方向光軸AXpに平行な方向に微小駆動及びXY平面に対して傾斜させる構成を含むこともできる。勿論、この場合、そのアクチュエータを、結像特性補正コントローラ41によって制御することとしても良い。図2には、空間光変調器SL及び周辺装置の概略構成が示されている。空間光変調器SLにおいて、二次元XY平面上に配列された多数の微小なミラー要素SEを有する可動マルチミラーアレイが用いられている。図2では、多数のミラー要素のうちのミラー要素SEa、SEb、SEc、SEdのみが示されている。空間光変調器SLは、例えば多数のミラー要素SEと、多数のミラー要素SEをXY平面内の直交二軸例えばX軸及びY軸回りに所定範囲で連続的に傾斜回動させる同数の駆動部不図示とを有する。駆動部は、例えばミラー要素SEの裏面-Z側の面の中央を支持する支柱不図示、支柱が固定された基板不図示、基板上に設けられた4つの電極不図示、4つの電極に対向してミラー要素SEの裏面に設けられた4つの電極不図示を有する。なお、空間光変調器SLの詳細構成等は、例えば、米国特許出願公開第2009/0097094号明細書に開示されている。空間光変調器SLは、ミラー要素SEの反射面をZ方向に向けて投影光学系PLの中間結像面に実質的に沿って配置されている。レチクルRを介した照明光ILが、第1結像光学系PL1を介して、ミラー要素SEの反射面上に照射される。例えば図2に示されるように、照明光IL中の4本の光線L1~L4は、第1結像光学系PL1の射出端から空間光変調器SLに向けて互いに平行に射出され、それぞれ、複数のミラー要素SEのうちのY軸方向に並ぶミラー要素SEa、SEb、SEc、SEdの反射面に入射する。ここで、ミラー要素SEa、SEb、SEc、SEdは、それぞれの駆動部不図示により独立に傾けられているため、光線L1~L4は、それぞれ異なる方向に反射される。すなわち、このようにして空間光変調器SLによって、入射光照明光ILが変調される。この変調により、例えば、投影光学系PLの瞳面と共役な面LP上における光強度分布SP1~SP4が、破線で示される光変調のない場合の分布から実線で示される分布にシフトする。すなわち、空間光変調器SLは、一種の補償光学系結像特性補正光学系として機能する。空間光変調器SLは、主制御装置120によって制御される図3参照。図1に戻り、ウエハステージWSTは、リニアモータ等を含むステージ駆動系24図1では不図示、図3参照によって、ステージベース22上をX軸方向、Y軸方向に所定ストロークで駆動されるとともに、Z軸方向、θx方向、θy方向、及びθz方向に微小駆動される。ウエハステージWST上に、ウエハWが、ウエハホルダ不図示を介して例えば真空吸着等によって保持されている。なお、ウエハステージWSTは、単一の6自由度駆動ステージに限らず、各ステージの駆動方向を組み合わせることで、ウエハWを6自由度駆動可能となる複数のステージによって構成しても良い。ウエハステージWSTのXY平面内の位置情報回転情報ヨーイング量θz方向の回転量θz、ピッチング量θx方向の回転量θx、ローリング量θy方向の回転量θyを含むは、レーザ干渉計システム以下、干渉計システムと略述する18によって、移動鏡16又はウエハステージWSTの端面に形成された反射面を介して、例えば0.25nm程度の分解能で常時検出される。干渉計システム18の計測情報は、主制御装置120に供給される図3参照。主制御装置120は、干渉計システム18からの計測情報に基づいて、ステージ駆動系24を介してウエハステージWSTのXY平面内の位置θz方向の回転を含むを制御する。また、ウエハWの表面のZ軸方向の位置及び傾斜は、例えば米国特許第5,448,332号明細書等に開示される斜入射方式の多点焦点位置検出系から成るフォーカスセンサAF図1では不図示、図3参照によって計測される。このフォーカスセンサAFの計測情報も主制御装置120に供給される図3参照。投影ユニットPUの第2結像光学系PL2の側面には、ウエハWに形成されたアライメントマーク等を検出するウエハアライメント系以下、アライメント系ASが設けられている。アライメント系ASとして、一例として画像処理方式の結像式アライメントセンサの一種であるFIAFieldImageAlignment系が用いられている。露光装置100では、さらに、レチクルステージRSTの上方に、例えば米国特許第5,646,413号明細書等に開示される、露光波長の光を用いたTTRThroughTheReticleアライメント系から成る一対のレチクルアライメント系13図1では不図示、図3参照が設けられている。レチクルアライメント系13の検出信号は、主制御装置120に供給される図3参照。図3には、本実施形態の露光装置100の制御系を中心的に構成する主制御装置120の入出力関係が、ブロック図にて示されている。主制御装置120は、CPU中央演算処理装置、ROMリードオンリメモリ、RAMランダムアクセスメモリ等から成るいわゆるマイクロコンピュータ又はワークステーションを含み、装置全体を統括して制御する。次に、上述のようにして構成された本実施形態の露光装置100の動作を、簡単に説明する。露光に先立って、レチクルローダ不図示によって、レチクルRがレチクルステージRST上にロードされる。さらに、露光装置100に併設されたコータデベロッパ不図示によりその表面に感応層レジスト層が形成されたウエハWが、ウエハローダ不図示によって、ウエハステージWSTのウエハホルダ不図示上にロードされる。以降、通常のスキャナと同様に、主制御装置120によって、一対のレチクルアライメント系13、ウエハステージWST上の基準マーク板不図示、及びアライメント系AS等を用いて、レチクルアライメント及びアライメント系ASのベースライン計測等が行われる。これらの準備作業に続いて、主制御装置120により、例えばいわゆるショット内多点EGAなどのウエハアライメントアライメント計測が実行される。レチクルアライメント及びアライメント系ASのベースライン計測については、例えば米国特許第5,646,413号明細書などに詳細に開示されており、これに続くショット内多点EGAについては、例えば米国特許第6,876,946号明細書などに開示されている。上記ショット内多点EGAにより、ウエハ上のショット領域の配列座標、及び各ショット領域の倍率を含む変形量倍率、回転、直交度が、求められる。そこで、主制御装置120は、結像特性補正コントローラ41を介して投影光学系PLの補償光学系42の反射面の形状を変形させ、必要に応じてレンズ素子を駆動する。主制御装置120は、アライメント計測ショット内多点EGAで得られたウエハW上のショット領域の配列座標と、先に計測したアライメント系ASのベースラインとに基づいて、ウエハステージWSTをウエハW上の各ショット領域の走査開始位置に移動させるステッピング動作と、レチクルステージRSTとウエハステージWSTとを投影光学系PLの投影倍率に応じた速度比で同期移動する走査露光動作とを繰り返して、ウエハW上の全ショット領域に、レチクルRのパターンの像をそれぞれ転写する。ここで、露光処理を繰り返すことにより、レチクルRは、照明光ILを吸収して等方的に熱膨張しようとするが、レチクルRのX軸方向の両端部がレチクルステージRSTに吸着保持されているため、結果的に、レチクルRのパターン領域RPは、例えば図4Aに示されるような形状に変形する。そこで、かかるパターン領域RPの変形の影響を低減すべく、主制御装置120は、空間光変調器SLの反射面RP’を、図4Bに模式的に示されるように変形させる。この図4Bは、XZ断面が凸形状、YZ断面が凹形状の鞍型の反射面RP’を示している。すなわち、この鞍型の反射面が、図4Bでは、平面視でX軸方向の両端のY軸方向の中央部が凹み、Y軸方向の両端のX軸方向の中央部が凸出するように変形した矩形を用いて、模式的に示されている。この反射面RP’は、投影像IM1の像光束レチクルRを介した照明光ILが入射すると、例えば図4Cに示されるように、その反射光の反射角をY軸方向に狭め、X軸方向に拡げて、反射像IM2を生成する。従って、空間光変調器SLの反射面RP’上で図4Aに示されるような形状のパターン領域RPの像が結像されると、その反射面RP’上での反射像は、ほぼ矩形になる。従って、この反射像を第2結像光学系PL2を介して投影することにより、歪のないパターン領域RPの縮小像がウエハW上に形成される。すなわち、空間光変調器SLを用いることにより、レチクルRの熱膨張変形に起因するパターンの投影像の歪みを補正することが可能となる。また、レチクルRのパターン領域RPの一部のみが、他の部分に比べて大きく熱膨張変形する場合には、主制御装置120は、その変形に起因するパターンの投影像の歪みが効率よく補正されるように、空間光変調器SLの一部のミラー要素のみを駆動することもできる。また、複数枚のウエハに対して露光処理を繰り返す際に、所定間隔で、主制御装置120は、適宜、空間像計測器不図示等を用いて投影像の歪みを計測し、その結果に基づいて、結像特性補正コントローラ41を介して、投影光学系PLの結像特性を補正するとともに、空間光変調器SLのミラー要素SEを用いて再現する反射面RP’の形状を定めることとしても良い。これにより、レチクルRの熱膨張、レンズ素子の熱膨張に起因する結像特性の劣化を低減することが可能になる。以上説明したように、本実施形態の露光装置100によると、レチクルRを介した照明光ILを空間光変調器SLによって変調する複数のミラー要素SEを用いて分割して反射することにより、レチクルRのパターンの像の空間光変調器を介した像の物体上での結像状態を補正することが可能となる。特に、主制御装置120が、レチクルRの熱膨張変形に応じて空間光変調器SLの反射面形状を変更複数のミラー要素SEの傾斜を調整することができる。これにより、その調整後の空間光変調器SLによって照明光ILが変調され、レチクルRの熱膨張変形に起因する投影像の歪みを補正することが可能となる。なお、上記実施形態では、空間光変調器SLが、投影光学系PLの一部に配置された場合について説明したが、これに限らず、空間光変調器SLを照明系IOPの内部に配置しても良い。また、上記実施形態の露光装置100では、1つの空間光変調ユニット空間光変調器を用いるものとしたが、これに限らず、複数の空間光変調ユニット空間光変調器を用いることも可能である。複数の空間光変調ユニットを用いた露光装置向けの照明光学系として、例えば米国特許出願公開第2009/0109417号明細書および米国特許出願公開第2009/0128886号明細書に開示される照明光学系を採用することができる。また、上記実施形態の露光装置100では、二次元的に配列されたミラー要素の傾斜を独立に制御する空間光変調器を採用したが、そのような空間光変調器として、例えば欧州特許出願公開第779530号明細書、米国特許第6900915号明細書、並びに米国特許第7095546号明細書等に開示される空間光変調器を採用することができる。また、空間光変調器として、さらにミラー要素の高さを独立に制御する空間光変調器を採用することも可能である。そのような空間光変調器として、例えば米国特許第5,312,513号明細書、並びに米国特許第6,885,493号明細書に開示される空間光変調器を採用することができる。さらに、上述の空間光変調器を、例えば米国特許第6,891,655号明細書、あるいは米国特許出願公開第2005/0095749号明細書の開示に従って変形することも可能である。なお、上記実施形態では、レチクル干渉計14によりレチクルステージRSTの位置が計測され、干渉計システム18によりウエハステージWSTの位置が計測される場合について例示した。しかし、これに限らず、レチクル干渉計14に代えて、あるいはこれとともに、エンコーダ複数のエンコーダから構成されるエンコーダシステムを用いても良い。同様に、干渉計システム18に代えて、あるいはこれとともに、エンコーダ複数のエンコーダから構成されるエンコーダシステムを用いても良い。また、上記実施形態では、露光装置が、液体水を介さずにウエハWの露光を行うドライタイプである場合について説明したが、これに限らず、例えば国際公開第99/49504号、欧州特許出願公開第1420298号明細書、国際公開第2004/055803号、米国特許第6952253号明細書などに開示されているように、投影光学系とウエハとの間に照明光の光路を含む液浸空間を形成し、投影光学系及び液浸空間の液体を介して照明光でウエハを露光する露光装置にも上記実施形態を適用することができる。また、例えば米国特許出願公開第2008/0088843号明細書に開示される、液浸露光装置などにも、上記実施形態を適用することができる。また、上記実施形態では、露光装置がステップアンドスキャン方式等の走査型露光装置である場合について説明したが、これに限らず、ステッパなどの静止型露光装置に上記実施形態を適用しても良い。また、例えば米国特許第6,590,634号明細書、米国特許第5,969,441号明細書、米国特許第6,208,407号明細書などに開示されているように、複数のウエハステージを備えたマルチステージ型の露光装置にも上記実施形態を適用できる。また、例えば国際公開第2005/074014号などに開示されているように、ウエハステージとは別に、計測部材例えば、基準マーク、及び/又はセンサなどを含む計測ステージを備える露光装置にも上記実施形態は適用が可能である。また、光源は、ArFエキシマレーザに限らず、KrFエキシマレーザ出力波長248nm、F2レーザ出力波長157nm、Ar2レーザ出力波長126nm、Kr2レーザ出力波長146nmなどのパルスレーザ光源、g線波長436nm、i線波長365nmなどの輝線を発する超高圧水銀ランプなどを用いることも可能である。また、YAGレーザの高調波発生装置などを用いることもできる。この他、例えば米国特許第7023610号明細書に開示されているように、真空紫外光としてDFB半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム又はエルビウムとイッテルビウムの両方がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。さらに、例えば米国特許第6,611,316号明細書に開示されているように、2つのレチクルパターンを、投影光学系を介してウエハ上で合成し、1回のスキャン露光によってウエハ上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置にも上記実施形態を適用することができる。なお、上記実施形態でパターンを形成すべき物体エネルギビームが照射される露光対象の物体はウエハに限られるものでなく、ガラスプレート、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど他の物体でも良い。露光装置の用途としては半導体製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置や、有機EL、薄膜磁気ヘッド、撮像素子CCD等、マイクロマシン及びDNAチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも上記実施形態を適用できる。半導体素子などの電子デバイスは、デバイスの機能性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、前述した実施形態の露光装置パターン形成装置及びその露光方法によりマスクレチクルのパターンをウエハに転写するリソグラフィステップ、露光されたウエハを現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の露光装置を用いて前述の露光方法が実行され、ウエハ上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。"