"銀ナノ粒子の製造方法であって、銀化合物と、有機アミン化合物、又は、有機アミン化合物及び有機カルボン酸化合物を含む有機安定剤とを混合し、混合物を得て、前記混合物に、還元剤として炭素数1~5のアシルモノヒドラジド化合物を添加し、前記銀化合物を前記アシルモノヒドラジド化合物と反応させて、銀ナノ粒子を形成する、ことを含む銀ナノ粒子の製造方法。前記有機アミン化合物は、炭素数8以上の飽和又は不飽和の脂肪族アミン化合物である、請求項1に記載の銀ナノ粒子の製造方法。前記有機アミン化合物は、オクチルアミン、ドデシルアミン、及びオレイルアミンからなる群から選ばれる、請求項1に記載の銀ナノ粒子の製造方法。前記有機カルボン酸化合物は、炭素数8以上18以下の飽和又は不飽和の脂肪族カルボン酸化合物である、請求項1~3のうちのいずれかに記載の銀ナノ粒子の製造方法。前記有機カルボン酸化合物は、オクタン酸である、請求項1~3のうちのいずれかに記載の銀ナノ粒子の製造方法。前記アシルモノヒドラジド化合物は、ギ酸ヒドラジドHCO-NHNH2、アセトヒドラジドCH3CO-NHNH2、プロパノヒドラジドCH3CH2CO-NHNH2、ブタノヒドラジドCH32CO-NHNH2、2-メチルプロパノヒドラジド2CHCO-NHNH2、ペンタノヒドラジドCH33CO-NHNH2、3-メチルブタノヒドラジド2CHCH2CO-NHNH2、及び2,2-ジメチルプロパノヒドラジド3CHCO-NHNH2からなる群から選ばれる、請求項1~5のうちのいずれかに記載の銀ナノ粒子の製造方法。前記銀化合物の銀原子に対して、前記アシルモノヒドラジド化合物をモル比で表して0.4~2モル用いる、請求項1~6のうちのいずれかに記載の銀ナノ粒子の製造方法。請求項1~7のうちのいずれかに記載の方法により製造される銀ナノ粒子。表面に有機物を有している銀ナノ粒子であって、TG-DTA分析示差熱熱重量同時分析、条件:昇温速度5°C/分にて35°Cから550°Cまで加熱に付した時、180°C以下の温度領域において、前記有機物重量を基準として20~60の重量減少が起こる銀ナノ粒子。請求項1~7のうちのいずれかに記載の方法により製造される銀ナノ粒子、又は請求項9に記載の銀ナノ粒子が有機溶剤中に分散されている銀インク。基材と、前記基材上に、請求項1~7のうちのいずれかに記載の方法により製造される銀ナノ粒子、又は請求項9に記載の銀ナノ粒子が有機溶剤中に分散されている銀インクが塗布され、焼成されてなる銀導電層とを含む銀導電材料。しかしながら、上記いずれの特許文献においても、低温例えば、200°C以下での焼成によって、バルク銀バルク銀の抵抗値:1.6μΩcmと同等レベルの低い抵抗値を有する銀導電層を与える銀ナノ粒子は得られていない。また、銀ナノ粒子は、分散媒体中において安定に存在することが必要である。安定な銀インクによって、基材上への良好な塗布を行うことができる。銀ナノ粒子は、数nm~数十nm程度の平均粒子径を有しており、ミクロンμmサイズの粒子に比べ、凝集しやすい。そのため、通常、銀ナノ粒子の表面は有機安定剤保護剤で被覆されている。導電性発現のためには、基材上への塗布後の焼成時において、有機安定剤は除去されて銀粒子が焼結することが必要である。焼成の温度が低ければ、有機安定剤は除去されにくくなる。銀粒子の焼結度合いが十分でなければ、低い抵抗値は得られない。すなわち、銀ナノ粒子の表面に存在する有機安定剤は、銀ナノ粒子の安定化に寄与するが、一方、銀ナノ粒子の焼結特に、低温焼成での焼結を妨げる。このように、銀ナノ粒子の安定化銀インクの安定性と、低温焼成での低抵抗値の発現とは、トレードオフの関係にある。今のところ、銀ナノ粒子の安定化銀インクの安定性と、低温焼成での低抵抗値の発現とは両立されていない。そこで、本発明の目的は、安定性に優れ、200°C以下の低温焼成によって優れた導電性低い抵抗値が発現する銀ナノ粒子、及びその製造方法を提供することにある。また、本発明の目的は、前記銀ナノ粒子を含む銀インクを提供することにある。本発明者らは、銀化合物の還元剤として、炭素数1~5のアシルモノヒドラジド化合物を用いると、安定性に優れ、且つ200°C以下の低温焼成によって優れた導電性低い抵抗値が発現する銀ナノ粒子が得られることを見出した。本発明には、以下の発明が含まれる。銀ナノ粒子の製造方法であって、銀化合物と、有機アミン化合物、又は、有機アミン化合物及び有機カルボン酸化合物を含む有機安定剤とを混合し、混合物を得て、前記混合物に、還元剤として炭素数1~5のアシルモノヒドラジド化合物を添加し、前記銀化合物を前記アシルモノヒドラジド化合物と反応させて、銀ナノ粒子を形成する、ことを含む銀ナノ粒子の製造方法。前記有機アミン化合物は、炭素数8以上の飽和又は不飽和の脂肪族アミン化合物である、上記に記載の銀ナノ粒子の製造方法。前記有機アミン化合物は、オクチルアミン、ドデシルアミン、及びオレイルアミンからなる群から選ばれる、上記に記載の銀ナノ粒子の製造方法。前記有機カルボン酸化合物は、炭素数8以上18以下の飽和又は不飽和の脂肪族カルボン酸化合物である、上記~のうちのいずれかに記載の銀ナノ粒子の製造方法。前記有機カルボン酸化合物は、オクタン酸である、上記~のうちのいずれかに記載の銀ナノ粒子の製造方法。前記アシルモノヒドラジド化合物は、ギ酸ヒドラジドHCO-NHNH2、アセトヒドラジドCH3CO-NHNH2、プロパノヒドラジドCH3CH2CO-NHNH2、ブタノヒドラジドCH32CO-NHNH2、2-メチルプロパノヒドラジド2CHCO-NHNH2、ペンタノヒドラジドCH33CO-NHNH2、3-メチルブタノヒドラジド2CHCH2CO-NHNH2、及び2,2-ジメチルプロパノヒドラジド3CHCO-NHNH2からなる群から選ばれる、上記~のうちのいずれかに記載の銀ナノ粒子の製造方法。前記銀化合物の銀原子に対して、前記アシルモノヒドラジド化合物をモル比で表して0.4~2モル用いる、上記~のうちのいずれかに記載の銀ナノ粒子の製造方法。上記~のうちのいずれかに記載の方法により製造される銀ナノ粒子。表面に有機物を有している銀ナノ粒子であって、TG-DTA分析示差熱熱重量同時分析、条件:昇温速度5°C/分にて35°Cから550°Cまで加熱に付した時、180°C以下の温度領域において、前記有機物重量を基準として20~60の重量減少が起こる銀ナノ粒子。その測定方法は実施例の欄に示されている。表面に有機物として、有機アミン化合物、又は、有機アミン化合物及び有機カルボン酸化合物を含む有機安定剤が存在し、さらに、炭素数1~5のアシルモノヒドラジド化合物の酸化体が存在している銀ナノ粒子。表面に有機物として、有機アミン化合物、又は、有機アミン化合物及び有機カルボン酸化合物を含む有機安定剤が存在し、さらに、炭素数1~5のアシルモノヒドラジド化合物の酸化体が存在している銀ナノ粒子であって、TG-DTA分析示差熱熱重量同時分析、条件:昇温速度5°C/分にて35°Cから550°Cまで加熱に付した時、180°C以下の温度領域において、前記有機物重量を基準として20~60の重量減少が起こる銀ナノ粒子。表面に有機物として、有機アミン化合物、又は、有機アミン化合物及び有機カルボン酸化合物を含む有機安定剤が存在し、さらに、炭素数1~5のアシルモノヒドラジド化合物の酸化体が存在している銀ナノ粒子であって、TG-DTA分析示差熱熱重量同時分析、条件:昇温速度5°C/分にて35°Cから550°Cまで加熱に付した時、180°C以下の温度領域において、前記炭素数1~5のアシル基に対応するカルボン酸を放出する銀ナノ粒子。上記~のうちのいずれかに記載の方法により製造される銀ナノ粒子、又は上記に記載の銀ナノ粒子が有機溶剤中に分散されている銀インク。基材と、前記基材上に、上記~のうちのいずれかに記載の方法により製造される銀ナノ粒子、又は上記に記載の銀ナノ粒子が有機溶剤中に分散されている銀インクが塗布され、焼成されてなる銀導電層とを含む銀導電材料。焼成は、200°C以下の温度で行われる。前記銀導電層は、パターン化されている、上記に記載の銀導電材料。基材上に、上記~のうちのいずれかに記載の方法により製造される銀ナノ粒子、又は上記に記載の銀ナノ粒子が有機溶剤中に分散されている銀インクを塗布し、その後、焼成して銀導電層を形成することを含む銀導電材料の製造方法。焼成は、200°C以下の温度で行われる。前記銀インクをパターン塗布し、その後、焼成してパターン化された銀導電層を形成する、上記に記載の銀導電材料の製造方法。銀化合物の還元剤として炭素数1~5のアシルモノヒドラジド化合物を用いると、前記アシルモノヒドラジド化合物の酸化体が還元により生成した銀ナノ粒子の表面に吸着あるいは表面近傍に存在し、用いられた有機安定剤有機アミン化合物、有機カルボン酸化合物と共に銀ナノ粒子の安定剤ないしは保護剤としての機能を果たすと考えられる。そして、銀ナノ粒子の焼成時において、200°C以下の低温においても前記アシルモノヒドラジド化合物の酸化体が熱分解し、前記炭素数1~5のアシル基に対応するカルボン酸と窒素分子とを生じさせる。遊離した前記炭素数1~5のアシル基に対応するカルボン酸は、用いられた有機安定剤有機アミン化合物、有機カルボン酸化合物の銀ナノ粒子の表面における存在状態を不安定化させ、これら有機安定剤の銀ナノ粒子表面からの脱離を促進させる。その結果、200°C以下の低温での焼成の場合にも、銀粒子の焼結が十分に進行すると考えられる。このようにして、本発明によれば、安定性に優れ、且つ200°C以下の低温焼成によって優れた導電性低い抵抗値が発現する銀ナノ粒子、及びその製造方法が提供される。また、本発明によれば、前記銀ナノ粒子を含む銀インクが提供される。本発明において、銀化合物と、有機アミン化合物、又は、有機アミン化合物及び有機カルボン酸化合物を含む安定剤とを混合し、混合物を得て、前記混合物に、還元剤として炭素数1~5のアシルモノヒドラジド化合物を添加し、前記銀化合物を前記アシルモノヒドラジド化合物と反応させて、銀ナノ粒子を形成することにより、銀ナノ粒子を製造する。本明細書において、ナノ粒子なる用語は、粒子の大きさ平均粒子径が1000nm未満であることを意味している。また、粒子の大きさは、表面に存在被覆している安定剤を除外した大きさすなわち、銀自体の大きさを意図しており、TEM透過型電子顕微鏡によって測定される。その測定方法は実施例の欄に示されている。本発明において、銀ナノ粒子は、例えば0.5nm~100nm、好ましくは0.5nm~50nm、より好ましくは0.5nm~25nm、さらに好ましくは0.5nm~10nmの平均粒子径を有している。銀化合物としては、酸化銀、酸化銀、酢酸銀、硝酸銀、銀アセチルアセトナート、安息香酸銀、臭素酸銀、臭化銀、炭酸銀、塩化銀、クエン酸銀、フッ化銀、ヨウ素酸銀、ヨウ化銀、乳酸銀、亜硝酸銀、過塩素酸銀、リン酸銀、硫酸銀、硫化銀、トリフルオロ酢酸銀等を用いることができる。これらのうち、1種のみを用いてもよく、2種以上を併用してもよい。本発明において、安定剤としては、有機アミン化合物、又は、有機アミン化合物及び有機カルボン酸化合物の組み合わせを用いる。有機アミン化合物としては、第一級アミン、第二級アミン、及び第三級アミンが含まれる。第一級アミンとしては、例えば、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ヘプタデシルアミン、オクタデシルアミン等の飽和脂肪族モノアミン;オレイルアミン等の不飽和脂肪族モノアミンが挙げられる。また、ジアミノブタン、ジアミノペンタン、ジアミノヘキサン、ジアミノヘプタン、ジアミノオクタン、ジアミノノナン、ジアミノデカン等の脂肪族ジアミンが挙げられる。第二級アミンとしては、N,N-ジプロピルアミン、N,N-ジブチルアミン、N,N-ジペンチルアミン、N,N-ジヘキシルアミン、N,N-ジペプチルアミン、N,N-ジオクチルアミン、N,N-ジノニルアミン、N,N-ジデシルアミン、N,N-ジウンデシルアミン、N,N-ジドデシルアミン、N-メチル-N-プロピルアミン、N-エチル-N-プロピルアミン、N-プロピル-N-ブチルアミン等が挙げられる。第三級アミンとしては、トリブチルアミン、トリヘキシルアミン等が挙げられる。これらの内でも、炭素数8以上の飽和又は不飽和の脂肪族モノアミン化合物が好ましい。炭素数8以上とすることにより、アミノ基が銀粒子表面に吸着した際に他の銀粒子との間隔を確保できるため、銀粒子同士の凝集を防ぐ作用が向上する。炭素数の上限は特に定められないが、入手のし易さ、焼成時の除去のし易さ等を考慮して、通常、炭素数18までの飽和又は不飽和の脂肪族モノアミン化合物が好ましい。特に、炭素数8~18のオクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、オレイルアミンが好ましく用いられる。有機アミン化合物のうち、1種のみを用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。前記有機アミン化合物は、還元されるべき前記銀化合物の銀原子に対して、モル比前記有機アミン化合物/銀原子で表して、例えば0.1~1000モル程度用いるとよく、好ましくは0.5~10モル、より好ましくは2~6モル用いるとよい。前記有機アミン化合物の量が前記モル比0.1よりも少ないと、生成してくる銀粒子の被覆が十分できずに銀ナノ粒子の凝集が起こる傾向がある。一方、前記有機アミン化合物の量が前記モル比1000よりも多いと、銀ナノ粒子表面の被覆が飽和する。以降に説明する有機カルボン酸化合物を併用する場合には、それに応じて前記有機アミン化合物の量を少なくしてもよい。本発明において、安定剤として、上記有機アミン化合物に有機カルボン酸化合物を併用してもよい。有機カルボン酸化合物を用いることにより、銀ナノ粒子の安定性、特に有機溶剤中に分散された状態での安定性が向上する。有機カルボン酸化合物としては、飽和又は不飽和の脂肪族カルボン酸が用いられる。例えば、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、ウンデカン酸、ドデカン酸、トリデカン酸、テトラデカン酸、ペンタデカン酸、ヘキサデカン酸、ヘプタデカン酸、オクタデカン酸、ノナデカン酸、イコサン酸、エイコセン酸等の炭素数4以上の飽和脂肪族モノカルボン酸;オレイン酸、エライジン酸、リノール酸、パルミトレイン酸等の炭素数8以上の不飽和脂肪族モノカルボン酸が挙げられる。これらの内でも、炭素数8~18の飽和又は不飽和の脂肪族モノカルボンが好ましい。炭素数8以上とすることにより、カルボン酸基が銀粒子表面に吸着した際に他の銀粒子との間隔を確保できるため、銀粒子同士の凝集を防ぐ作用が向上する。入手のし易さ、焼成時の除去のし易さ等を考慮して、通常、炭素数18までの飽和又は不飽和の脂肪族モノカルボン酸化合物が好ましい。特に、オクタン酸が好ましく用いられる。有機カルボン酸化合物のうち、1種のみを用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。前記有機カルボン酸化合物は、用いる前記有機アミン化合物の量にもよるが、還元されるべき前記銀化合物の銀原子に対して、モル比前記有機カルボン酸/銀原子で表して、例えば0.05~10モル程度用いるとよく、好ましくは0.1~5モル、より好ましくは0.5~2モル用いるとよい。前記有機カルボン酸の量が前記モル比0.05よりも少ないと、前記カルボン酸の添加による分散状態での安定性向上効果は弱い。一方、前記有機カルボン酸の量が前記モル比10に達すると、分散状態での安定性向上効果が飽和する。本発明において、還元剤として炭素数1~5のアシルモノヒドラジド化合物を用いる。炭素数1~5のアシルモノヒドラジド化合物は、一般式:RCO-NHNH2Rは、H、又は炭素数1~4の飽和脂肪族炭化水素基を表すで表される。前記アシルモノヒドラジド化合物は、対応するカルボン酸のエステルとヒドラジン水和物ヒドラジンヒドラートとの反応により、あるいは、対応するカルボン酸塩化物又はカルボン酸無水物とヒドラジンとの反応により合成される。前記アシルモノヒドラジド化合物は、ギ酸ヒドラジド、アセトヒドラジド、プロパノヒドラジド、ブタノヒドラジド、2-メチルプロパノヒドラジド、ペンタノヒドラジド、3-メチルブタノヒドラジド、及び2,2-ジメチルプロパノヒドラジドからなる群から選ぶとよい。前記アシルモノヒドラジド化合物のうち、1種のみを用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。前記各アシルモノヒドラジド化合物に対応するカルボン酸の沸点を以下に示す。ギ酸ヒドラジドHCO-NHNH2ギ酸HCOOHbp100.8°CアセトヒドラジドCH3CO-NHNH2酢酸CH3COOHbp118°CプロパノヒドラジドCH3CH2CO-NHNH2プロピオン酸CH3CH2COOHbp141.1°CブタノヒドラジドCH32CO-NHNH2ブタン酸酪酸CH32COOHbp163.5°C2-メチルプロパノヒドラジド2CHCO-NHNH2イソ酪酸2CHCOOHbp152~155°CペンタノヒドラジドCH33CO-NHNH2ペンタン酸吉草酸CH33COOHbp186~187°C3-メチルブタノヒドラジド2CHCH2CO-NHNH2イソ吉草酸2CHCH2COOHbp175~177°C2,2-ジメチルプロパノヒドラジド3CHCO-NHNH2ピバル酸3CHCOOHbp163.8°C銀化合物の還元剤として上記炭素数1~5のアシルモノヒドラジド化合物RCONHNH2を用いると、銀化合物が還元されると共に銀ナノ粒子が生成する。前記アシルモノヒドラジド化合物の酸化体RCON=NHのような化学種は還元により生成した銀ナノ粒子の表面に吸着あるいは表面近傍に存在し、用いられた有機安定剤有機アミン化合物、有機カルボン酸化合物と共に銀ナノ粒子の安定剤ないしは保護剤としての機能を果たすと考えられる。そして、銀ナノ粒子の焼成時において、200°C以下の低温例えば100°C~200°Cにおいても前記アシルモノヒドラジド化合物の酸化体が熱分解し、前記炭素数1~5のアシル基に対応するカルボン酸RCOOHと窒素分子N2とを生じさせる。この際に、200°C以下の低温においても前記アシルモノヒドラジド化合物の酸化体の熱分解が容易に起こるように、上記炭素数1~5のアシルモノヒドラジド化合物RCONHNH2を用いることが有効である。すなわち、対応するカルボン酸の沸点が200°C以下であるような前記アシルモノヒドラジド化合物が有効であると考えられる。このことから、より低温例えば100°C~180°C、好ましくは150°C~180°Cでの焼成によっても、前記アシルモノヒドラジド化合物の酸化体の熱分解が容易に起こるために、前記アシルモノヒドラジド化合物としては、ギ酸ヒドラジド、アセトヒドラジド、プロパノヒドラジドが好ましい。前記アシルモノヒドラジド化合物の酸化体の熱分解により遊離した対応するカルボン酸RCOOHは、用いられた有機安定剤有機アミン化合物、有機カルボン酸化合物の銀ナノ粒子の表面における存在状態を不安定化させ、これら有機安定剤の銀ナノ粒子表面からの脱離を促進させる。例えば、還元剤としてアセトヒドラジドを用いると、150°C~180°C程度の低温焼成工程において、銀ナノ粒子の表面の保護剤被覆層中において、アセトヒドラジド酸化体の熱分解によって酢酸bp118°C及び窒素分子が発生する。発生した酢酸は焼成温度において蒸気状態であり、保護剤被覆層を形成している有機安定剤有機アミン化合物、有機カルボン酸化合物の存在状態を不安定化させ、これら有機安定剤の銀ナノ粒子表面からの脱離を促進させると考えられる。その結果、200°C以下の低温での焼成の場合にも、保護剤被覆層が除去されて、銀粒子の焼結が十分に進行すると考えられる。このようにして、本発明で得られる銀ナノ粒子は、安定性に優れると共に、200°C以下の低温焼成によって優れた導電性バルク銀と同等レベルの低い抵抗値が発現する。前記アシルモノヒドラジド化合物は、還元されるべき前記銀化合物の銀原子に対して、モル比前記アシルモノヒドラジド/銀原子で表して、例えば0.4~2モル程度用いるとよく、好ましくは0.5~1.5モル、より好ましくは0.55~1.1モル用いるとよい。前記アシルモノヒドラジド化合物の量が前記モル比0.4よりも少ないと、銀イオンの還元が十分できずに銀ナノ粒子の収率が低下する傾向がある。一方、前記アシルモノヒドラジド化合物の量が前記モル比2よりも多いと、過剰に加えた還元剤アシルモノヒドラジド化合物が無駄となり経済的でないばかりか、還元反応の条件によっては望まない副反応が生じて目的の銀ナノ粒子の物性を損なう恐れがある。本発明において、まず、銀化合物と、有機アミン化合物、又は、有機アミン化合物及び有機カルボン酸化合物を含む安定剤とを混合して、混合物を得る。安定剤として、上記有機アミン化合物に有機カルボン酸化合物を併用する場合には、銀化合物と有機アミン化合物とを混合した後、その混合物に有機カルボン酸化合物を添加するとよい。混合及び還元反応の際には、通常、有機溶剤を用いる。有機溶剤は、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン等のような芳香族炭化水素溶剤;ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン等の脂肪族炭化水素溶剤;シクロヘキサン等の脂環式炭化水素溶剤等の疎水性有機溶剤が挙げられる。有機溶剤は、1種のみを用いてもよく、2種以上を用いてもよい。有機溶剤の量としては、特に限定されないが、出発の銀化合物の銀原子のモル濃度銀原子のモル/有機溶剤の体積が、例えば0.01mol/L~1.0mol/L、好ましくは0.1mol/L~0.5mol/Lとなるように、適宜定めるとよい。銀化合物と、有機アミン化合物との混合は、通常、上記有機溶剤を存在させて室温25°C程度にて行うとよい。有機カルボン酸化合物を用いる場合には、銀化合物と有機アミン化合物とを混合した後、室温25°C程度にて、又はその混合物を25°C~60°C程度に加熱して、有機カルボン酸を添加してもよい。この混合物において、有機アミン化合物、及び用いる場合には有機カルボン酸化合物は、溶解していることが好ましい。次に、得られた混合物に、還元剤として炭素数1~5のアシルモノヒドラジド化合物を添加する。この際、前記アシルモノヒドラジド化合物を粉体状態のまま添加してもよい。粉体状態のまま添加すると、還元反応が温和に進行して銀ナノ粒子の凝集を極力防ぐことができる利点がある。この理由は、還元剤としてアシルモノヒドラジド化合物を粉体状態で添加すると、粉体の溶解と共に銀化合物の還元反応が徐々に進行するためと推測される。また、アシルモノヒドラジド化合物を粉体状態で添加すると、これを有機溶剤中に溶解させて添加する場合に比べ、反応系全体の容量を低減できる利点もある。そのため、反応容積当たりの高い銀ナノ粒子収量が得られる。アシルモノヒドラジド化合物の添加後、混合物を攪拌することによって、場合によっては25°C~60°C程度の加熱下で攪拌することによって、前記銀化合物を前記アシルモノヒドラジド化合物と反応させて、銀ナノ粒子を形成する。この方法により、有機溶剤中に分散された安定な銀ナノ粒子組成物が形成される。続いて、銀ナノ粒子の沈降、適切な溶剤水、又は有機溶剤によるデカンテーション洗浄操作を行い、その後、乾燥することによって、安定な銀ナノ粒子の粉体を得る。デカンテーション洗浄操作には、水、又は有機溶剤を用いる。有機溶剤としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン等の脂肪族炭化水素溶剤;シクロヘキサン等の脂環式炭化水素溶剤;トルエン、キシレン、メシチレン等のような芳香族炭化水素溶剤;メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のようなアルコール溶剤;アセトニトリル;及びそれらの混合溶剤を用いるとよい。得られた銀ナノ粒子の粉体を、適切な有機溶剤分散媒体中に分散させることにより、銀インクを作製することができる。銀インクを得るための有機溶剤としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン等の脂肪族炭化水素溶剤;シクロヘキサン、シクロドデセン等の脂環式炭化水素溶剤;トルエン、キシレン、メシチレン等のような芳香族炭化水素溶剤;メタノール、エタノール、プロパノール、n-ブタノール、n-ペンタノール、n-ヘキサノール、n-ヘプタノール、n-オクタノール、n-ノナノール、n-デカノール等のようなアルコール溶剤等が挙げられる。所望の銀インクの濃度や粘性に応じて、有機溶剤の量を適宜定めるとよい。本発明により得られた銀ナノ粒子の粉体、及び銀インクは、安定性に優れている。例えば、銀ナノ粒子の粉体は、2か月間以上の期間において室温保管で安定である。銀インクは、例えば、60wtの銀濃度において、3か月間以上の期間において室温で、凝集融着を起こすことなく安定である。本発明により得られる銀ナノ粒子は、表面に有機物として、有機アミン化合物、又は、有機アミン化合物及び有機カルボン酸化合物を含む有機安定剤が存在し、さらに、炭素数1~5のアシルモノヒドラジド化合物の酸化体が存在しているものである。また、本発明により得られる銀ナノ粒子は、表面に有機物として、有機アミン化合物、又は、有機アミン化合物及び有機カルボン酸化合物を含む有機安定剤が存在し、さらに、炭素数1~5のアシルモノヒドラジド化合物の酸化体が存在している銀ナノ粒子であって、銀ナノ粒子を、TG-DTA分析条件:昇温速度5°C/分にて35°Cから550°Cまで加熱に付した時、180°C以下の温度領域において、前記有機物重量を基準として20~60の重量減少が起こる。また、前記炭素数1~5のアシル基に対応するカルボン酸を放出する。本発明により得られる銀ナノ粒子は、その重量構成は、例えば、銀:約85~87重量、保護剤前記有機アミン化合物前記有機カルボン酸化合物前記アシルモノヒドラジド化合物の酸化体:約13~15重量となされている。TG-DTA分析における上記20~60の重量減少は、保護剤前記有機アミン化合物、前記有機カルボン酸化合物、前記アシルモノヒドラジド化合物の酸化体が除去されることによって起こる。180°C以下の温度領域において、前記有機物重量を基準として20~60の重量減少が起こる程度であれば、銀ナノ粒子表面あるいは表面近傍からの保護剤の除去が十分起こっているという評価である。従って、実際の200°C以下の低温での焼成時においても、保護剤被覆層が除去されて、銀粒子の焼結が十分に進行すると考えられる。なお、TG-DTA分析は、昇温速度5°C/分にて35°Cから550°Cまで加熱という条件で行っている。実際の焼成は、焼成温度において一定時間保持するので、TG-DTA分析時よりも、より効果的な保護剤被覆層の除去が行われる。調製された銀インクを基材上に塗布し、その後、200°C以下、例えば100°C~180°C、好ましくは150°C~180°Cの温度で焼成する。塗布は、スピンコート、インクジェット印刷、スクリーン印刷、ディスペンサ印刷、凸版印刷フレキソ印刷、昇華型印刷、オフセット印刷、レーザープリンタ印刷トナー印刷、凹版印刷グラビア印刷、コンタクト印刷、マイクロコンタクト印刷などの公知の方法により行うことができる。印刷技術を用いると、パターン化された銀インク塗布層が得られ、焼成により、パターン化された銀導電層が得られる。焼成は、200°C以下、例えば100°C~180°C、好ましくは150°C~180°Cの温度で行うことができる。焼成時間は、銀インクの塗布量などを考慮して、適宜定めるとよく、例えば10分~2時間、好ましくは15分~1.5時間、より好ましくは30分~1時間とするとよい。銀ナノ粒子は上記のように構成されているので、このような低温での焼成工程によっても、銀粒子の焼結が十分に進行する。その結果、優れた導電性低い抵抗値が発現する。バルク銀バルク銀の抵抗値:1.6μΩcmと同等レベルの低い抵抗値例えば、3~10μΩcmを有する銀導電層が形成される。低温での焼成が可能であるので、基材として、ガラス製基材、ポリイミド系フィルムのような耐熱性プラスチック基材の他に、ポリエチレンテレフタレートPETフィルム、ポリエチレンナフタレートPENフィルムのような汎用のプラスチック基材を好適に用いることができる。本発明の銀導電材料は、電磁波制御材、回路基板、アンテナ、放熱板、液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイFED、ICカード、ICタグ、太陽電池、LED素子、有機トランジスタ、コンデンサーキャパシタ、電子ペーパー、フレキシブル電池、フレキシブルセンサ、メンブレンスイッチ、タッチパネル、EMIシールド等に適用することができる。銀導電層の厚みは、目的とする用途に応じて適宜定めるとよい。例えば5nm~10μm、好ましくは100nm~5μm、より好ましくは300nm~2μmの範囲から選択するとよい。以下に、実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。まず、各測定方法について示す。[銀ナノ粒子中の有機物及び銀の含有量]得られた銀ナノ粒子粉末サンプルを50ml/minの空気気流下で、5°C/分の昇温速度で、35°C~550°Cまで加熱処理した。この際の重量減少が、有機物重量に相当する。加熱処理前の銀ナノ粒子粉末の重量:W0g加熱処理後の銀ナノ粒子粉末の重量:W1gとすると、有機物含有量awt=[W0-W1/W0]×100銀含有量bwt=[W1/W0]×100として算出される。[銀ナノ粒子合成における銀換算収率]銀ナノ粒子合成において得られた乾燥銀ナノ粒子の重量:Wyg、出発物質の酢酸銀中の銀の重量:Wsg、及び上記の有機物含有量a及び銀含有量bから、次のように算出される。銀換算収率={[Wy×b/ab]/Ws}×100[TG-DTA示差熱熱重量同時分析]得られた銀ナノ粒子粉末サンプルを、SII社製TG/DTA6300を用いて50ml/minの空気気流下で、5°C/分の昇温速度で、35°C~550°Cまで加熱して、その重量を測定し、昇温温度におけるサンプルに対し重量減少量をで求めた。また、発生するガス成分は別途熱抽出GC/MSAgilent製HP-5973Nを用いて、昇温温度におけるサンプルから発生したガス成分の分析を行った。[銀焼成膜の断面の走査型電子顕微鏡による観察]得られた銀焼成膜を切断して、その断面を定法により走査型電子顕微鏡日本電子社製JSM-6700Fを用いて観察した。[銀焼成膜の比抵抗値]得られた銀焼成膜について、4端子法ロレスタGPMCP-T610を用いて測定した。この装置の測定範囲限界は、107Ωcmである。[銀ナノ粒子の平均粒子径]得られた銀ナノ粒子粉末をトルエンに銀濃度0.5wtとなるように分散させ、この分散物を銅メッシュに滴下し、定法により透過型電子顕微鏡日本電子社製JEM1200EXIIを用いて観察した。得られた画像中の粒子を任意に300点選択し、それぞれの粒子径を測定して平均粒子径を算出した。以下の試薬を各実施例及び比較例で用いた。酢酸銀:和光純薬社製試薬トルエン:和光純薬社製試薬特級メタノール:和光純薬社製試薬特級オレイルアミン:和光純薬社製試薬アセトヒドラジド:東京化成社製試薬オクタン酸:東京化成社製試薬シクロドデセン:東京化成社製試薬テトラデカン:東京化成社製試薬アスコルビン酸:和光純薬社製試薬特級[実施例1:銀ナノ粒子の合成]酢酸銀5.0g0.03molをトルエン75mlに加え、次いでオレイルアミン48.1g0.18molを添加し、25°Cで攪拌して無色均一な混合液を調製した。この混合液にアセトヒドラジド2.4g0.03molを粉末で添加し反応させたところ、反応液は徐々に茶色へと変色すると共に30分ほどでアセトヒドラジドの粉末が消失した。引き続き攪拌を継続し、アセトヒドラジドの添加から2時間後に攪拌を停止して、反応液中に銀ナノ粒子が分散した反応混合物を得た。次いで、反応混合物を大過剰のメタノールに攪拌しながら添加した後、静置すると、銀ナノ粒子が沈殿した。この上澄み液を除去した後、再度大過剰のメタノールを加え、デカンテーションを行った。この銀ナノ粒子の洗浄操作を、さらに2回繰り返して、反応液が除去され且つメタノールで湿った精製銀ナノ粒子を得た。その後、得られた湿った精製銀ナノ粒子を25°Cで真空下で8時間放置してメタノールなど揮発成分を取り除き、乾燥銀ナノ粒子粉末を得た。得られた銀ナノ粒子の有機物含有量は15.5で、銀換算収率は94であった。得られた乾燥銀ナノ粒子粉末をTG-DTA及び熱抽出GC/MSで分析した。TG-DTAの測定チャートを図1に示す。140°C付近に発熱ピークと急激な重量減少が見られた。140°C付近130°C~150°Cにおける重量減少は、銀ナノ粒子の有機物成分重量を基準として28であった。さらに、140°C付近130°C~150°Cにおける重量減少時に発生したガス成分は、おおよそ酢酸及びオレイルアミン変性物から成っていた。得られた乾燥銀ナノ粒子粉末を透過型電子顕微鏡で観察したところ平均粒子径は7.6nmであった。[実施例2:銀ナノ粒子の焼成]実施例1で得られた乾燥銀ナノ粒子粉末をトルエン中に分散し、銀濃度20wtトルエン分散液を調製した。この分散液をスピンコートによりガラス板上に塗布し、塗膜を150°Cにて1時間焼成し、0.3μm厚みの銀焼成膜を形成した。この銀焼成膜の比抵抗値を4端子法により測定したところ、6.0μΩcmであり、バルク銀の比抵抗値1.6μΩcmに近い値であった。銀焼成膜の断面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、銀ナノ粒子同士の十分な焼結が確認された。図2に、銀焼成膜の断面の走査型電子顕微鏡写真を示す。[実施例3:銀ナノ粒子の合成]酢酸銀5.0g0.03molをトルエン75mlに加え、次いでオレイルアミン48.1g0.18molを添加し50°Cで攪拌して、さらにオクタン酸4.3g0.03molを添加し50°Cで攪拌して、無色均一な混合液を調製した。この混合液にアセトヒドラジド2.4g0.03molを粉末で添加し50°Cで反応させたところ、反応液は徐々に茶色へと変色すると共に30分ほどでアセトヒドラジドの粉末が消失した。引き続き50°Cで攪拌を継続し、アセトヒドラジドの添加から2時間後に攪拌を停止して、反応液中に銀ナノ粒子が分散した反応混合物を得た。反応混合物を室温25°Cに戻し、反応混合物を大過剰のメタノールに攪拌しながら添加した後、静置すると、銀ナノ粒子が沈殿した。以降は実施例1と同様の洗浄、乾燥操作を行い、乾燥銀ナノ粒子粉末を得た。得られた銀ナノ粒子の有機物含有量は13.4で、銀換算収率は97であった。得られた乾燥銀ナノ粒子粉末を透過型電子顕微鏡で観察したところ平均粒子径は6.6nmであった。[実施例4:銀ナノ粒子分散液の安定性]実施例3で得られた乾燥銀ナノ粒子粉末をシクロドデセン中に均一に分散し、銀濃度60wtシクロドデセン分散液を調製した。この分散液を室温25°Cで2ヶ月間静置して、分散液の安定性を評価した。この結果、静置2ヶ月後の分散液の外観に変化は見られず、粒子の凝集による沈殿物も見られなかった。また、容器の内表面に銀鏡も生じておらず、容器の内表面への銀粒子の付着は起こらなかった。このように、極めて高い安定性を示した。[実施例5:銀ナノ粒子の焼成]実施例3で得られた乾燥銀ナノ粒子粉末をトルエン中に分散し、銀濃度50wtトルエン分散液を調製した。この分散液をスピンコートによりガラス板上に塗布し、塗膜を180°Cにて1時間焼成し、0.5μm厚みの銀焼成膜を形成した。この銀焼成膜の比抵抗値を4端子法により測定したところ、3.0μΩcmであり、バルク銀の比抵抗値1.6μΩcmに近い値であった。[実施例6:配線パターンの作製]実施例3で得られた乾燥銀ナノ粒子粉末をシクロドデセン/テトラデカン混合液中に分散し、銀濃度57wtの分散液を調製した。その後、0.2μmの精密ろ過フィルターアドバンテック社製、DISMIC-13HPで濾過処理を行い、インクジェット用導電性インクとした。このインクを用いて、インクジェット装置吐出量4plで、100mm×100mmのポリエチレンナフタレートフィルム上に微小配線テストパターン描画を実施した。銀ナノ粒子の凝集によるノズル詰まりもなく、塗布膜厚1μmでの配線パターンの印刷を実施できた。[比較例1:銀ナノ粒子の合成]実施例1のアセトヒドラジに代えてアスコルビン酸5.8g0.03molを粉末で添加し反応させた以外は、実施例1と同様にして乾燥銀ナノ粒子を得た。銀ナノ粒子の有機物含有量は22.9であった。得られた銀ナノ粒子粉末をTG-DTA及び熱抽出GC/MSで分析した。140°C付近130°C~150°Cにおける重量減少は、銀ナノ粒子の有機物成分重量を基準として15に満たなかった。発生したガス成分としては、CO2のみが検出された。[比較例2:銀ナノ粒子の焼成]比較例1で得られた乾燥銀ナノ粒子粉末をトルエン中に分散し、銀濃度20wtのトルエン分散液を調製した。この分散液をスピンコート法によりガラス板上に塗布し、塗膜を150°Cにて1時間焼成し、0.3μm厚みの銀焼成膜を形成した。この銀焼成膜の比抵抗値を4端子法により測定したところ、導電性を示さなかった。すなわち、比抵抗値は、ロレスタGPMCP-T610装置の検出限界107Ωcm以上であった。[比較例3:銀ナノ粒子の合成]実施例1のアセトヒドラジドに代えてベンゾヒドラジド4.5g0.03molを粉末で添加し反応させた以外は、実施例1と同様にして乾燥銀ナノ粒子を得た。銀ナノ粒子の有機物含有量は23.5であった。得られた銀ナノ粒子粉末をTG-DTA及び熱抽出GC/MSで分析した。TG-DTAの測定チャートを図3に示す。140°C付近130°C~150°Cにおける重量減少は、銀ナノ粒子の有機物成分重量を基準として10に満たなかった。[比較例4:銀ナノ粒子の焼成]比較例3で得られた乾燥銀ナノ粒子粉末をトルエン中に分散し、銀濃度20wtトルエン分散液を調製した。この分散液をスピンコートによりガラス板上に塗布し、塗膜を150°Cにて1時間焼成し、0.3μm厚みの銀焼成膜を形成した。この銀焼成膜の比抵抗値を4端子法により測定したところ、導電性を示さなかった。すなわち、比抵抗値は、ロレスタGPMCP-T610装置の検出限界107Ωcm以上であった。"