真空容器と、前記真空容器内に磁場を形成するための磁場形成手段と、前記真空容器内にプラズマを発生させるためのプラズマ発生手段と、前記真空容器内に基板を保持するための基板ホルダと、を備え、前記プラズマ発生手段が、前記基板ホルダ内に設けられる電極と、前記電極に電圧を印加する電源とを有することを特徴とするCVD装置。前記電源は前記電極に直流電圧を印加する直流電源であることを特徴とする請求項1に記載のCVD装置。前記磁場形成手段を、前記磁場形成手段と前記基板ホルダとの間の空間の体積が増減する方向に移動させる移動手段を有することを特徴とする請求項1または2に記載のCVD装置。前記基板ホルダの周囲にシールドが設けられていることを特徴とする請求項1に記載のCVD装置。前記磁場形成手段は前記シールドと前記真空容器の内壁との間に設けられていることを特徴とする請求項4に記載のCVD装置。前記磁場形成手段と前記シールドの間に放熱シートが設けられていることを特徴とする請求項5に記載のCVD装置。前記プラズマは炭化水素ガスのプラズマであり、前記炭化水素ガスのプラズマにより前記基板上にカーボン膜が成膜されることを特徴とする請求項1に記載のCVD装置。真空容器と、前記真空容器内に磁場を形成するための磁場形成手段と、内部に電極を有し、前記真空容器内に基板を保持するための基板ホルダと、前記電極に電圧を印加する電源と、を備え、前記基板ホルダと対向する側に前記電源に接続された電極が設けられていないことを特徴とするCVD装置。前記電源は前記電極に直流電圧を印加する直流電源であることを特徴とする請求項8に記載のCVD装置。基板を保持している基板ホルダと磁場を形成している磁場形成手段とを内部に有する真空容器において、前記基板上に成膜処理を行うCVD方法であって、前記磁場形成手段と前記基板ホルダとの間の空間に原料ガスを導入するステップと、前記基板ホルダに電圧を印加させることで前記原料ガスのプラズマを形成するステップと、前記原料ガスのプラズマにより前記基板上に成膜を行うステップと、を備えるCVD方法。前記原料ガスを導入するステップの前に、前記磁場形成手段と前記基板ホルダとの間の前記空間に不活性ガスを導入するステップと、前記基板ホルダに電圧を印加させることで前記不活性ガスのプラズマを形成するステップと、前記不活性ガスのプラズマにより前記基板の加熱を行うステップと、をさらに備える請求項10に記載のCVD方法。前記電圧は直流電圧であることを特徴とする請求項10に記載のCVD方法。前記原料ガスのプラズマは前記磁場によって前記基板近傍に閉じ込められることを特徴とする請求項10に記載のCVD方法。前記磁場形成手段を、前記磁場形成手段と前記基板ホルダとの間の前記空間の体積が増減するように移動させることによって、前記磁場を変化させることを特徴とする請求項10に記載のCVD方法。前記原料ガスは炭化水素ガスであり、前記炭化水素ガスのプラズマにより前記基板上にカーボン膜が成膜されることを特徴とする請求項10に記載のCVD方法。以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明するが、本発明は本実施形態に限定されるものではない。なお、以下で説明する図面で、同機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略することもある。第1の実施形態図1乃至図3及び図5を参照して、本実施形態に係る真空処理装置を説明する。本実施形態に係る真空処理装置は、真空排気されるロードロック室11とプロセス室21を有している。ロードロック室11及びプロセス室21はゲートバルブ31によって空間的に分離できる構成となっている。真空処理装置は、大気開放したロードロック室11内に基板2を投入し、真空に排気する。その後、真空排気されたロードロック室11と真空保管されたプロセス室21の間のゲートバルブ31を開放し、スライダー3によってプロセス室21に基板を搬送する。プロセス室21において、搬送された基板2に対して所定の処理が行われる。このような装置構成であることで、基板の交換のたびにプロセス室21を大気開放する必要がなくなる利点がある。なお、本実施形態に係る真空処理装置は、上述のようにロードロック室11とプロセス室21とを各1つずつ備えて構成されているが、処理工程によっては複数のプロセス室を備える構成であってもよい。ロードロック室11は、排気手段13や大気開放用のベント手段14を有するものである。一例として、排気手段13としてはドライポンプが用いられ、ベント手段14としてはN2窒素ガスやドライエアーを導入するガス導入手段が用いられる。プロセス室21は、加熱、冷却、成膜若しくはエッチングなどの処理を基板2に施すチャンバである。プロセス室21は放電ガスを導入するためのガス導入手段24や排気手段を有する。排気手段としては、一例として、ターボ分子ポンプ26と背圧排気用ポンプ27を有する。さらに、排気コンダクタンスを変化できるメインバルブ25やバリアブルオリフィスを有していることが望ましい。その他に、基板2に高電圧を印加するための電源22や、基板2の温度を測定するための温度測定手段30を備えている。温度測定手段30としては例えば、放射温度計が用いられる。電圧印加手段は、ホルダ1を介して基板2に高電圧を印加するものであり、電源22や、電圧印加用シリンダー23を備えている。電圧印加用シリンダー23は、キャリアの搬送時には、ホルダ1と電圧印加手段を非接触とすべく、電圧印加手段を動作させる。プロセス室21には、ホルダ1の周囲にシールド28が設けられており、基板処理中にプロセス室21の内壁に膜が堆積することを防止している。シールド28の裏面には磁場形成手段29が設けられている。この磁場形成手段29によって形成される磁場により、基板処理中におけるプロセス室21の空間内のプラズマ密度分布をコントロールすることが可能となる。磁場形成手段29としては、永久磁石や電磁石が用いられる。またシールド28は電気的に接地されており、プロセス室21においてプラズマを形成する際にはアノードとして機能する。なお、本発明に係るプラズマCVD装置において、シールド28の接地は必須の構成要素では無く、シールド28がアノードとして機能するならば他の装置構成も採用可能である。磁場形成手段29とシールド28の間には、放熱シート32が設けられている。放熱用シート32は、プロセス室21に形成されたプラズマによってシールド28が加熱され、その熱が磁場形成手段29に伝わるのを抑制している。放熱シート32にはアルミ等の熱伝導率の高い材質が用いられる。なお、放熱シート32は磁場形成手段29からの磁力線に影響を与えないよう非磁性材であることが望ましい。図4Aに、基板2が保持された状態の、ホルダ1の正面図を示す。また図4Bに、図4AにおけるA-A′断面図を示す。なお、図4A及び図4Bにおいては、スライダー3部分を省略して図示している。まず、本実施形態で用いられる基板2は、厚さ0.1mm程度のシート状の金属部材を、50×50mm~500×500mm程度の矩形状に形成したものである。ホルダ1は、導電性を有する矩形の枠状のホルダ本体に、基板2を挟んで保持できるバネ式支持部101を備えており、さらに搬送時の基板2の揺れや熱膨張などによる基板2の反りなどの変形を防ぐためのガイド部111も有している。バネ式支持部101は高電圧を基板2に印加するために金属板から構成されている。また、ガイド部111は熱逃げを抑えるように熱伝導の低い絶縁材から構成されている。また、バネ式支持部101は、基板2を挿入しやすいように、先端部分が外側に広がった形状になっている。本実施形態では、図4A及び図4Bに示されるように基板2の上部中央1箇所にバネ式支持部101を設け、基板を保持している。なお、ガイド部111は基板2の湾曲を防ぐための部材であるため、基板2と触れている必要はない。シート状の基板2は、スライダー3に支持された基板保持手段としてのホルダ1に保持されるため、垂直に保持された状態で両面に処理がなされる。また、高電圧はホルダ1のバネ式支持部101を介して基板2に印加されるため、ホルダ1と基板2の電位は実質的に等しくなる。ロードロック室11から搬送されたキャリアは、プロセス室21の所定位置処理位置に停止させゲートバルブ31を閉じることで、プロセス室21を他の処理室から隔離される。次に、プロセス室21における基板2への成膜処理について説明する。本実施形態では、一例として基板2に対してDLCの成膜を行う。基板2へのDLCの成膜においては、基板2が加熱された状態で成膜される事が望ましい。このため、基板2の加熱処理を成膜に先立って行う。まず、プロセス室21に不活性ガスを導入する。次に、電圧印加用シリンダー23を駆動することによって、ホルダ1と電圧印加手段を電気的に接触させる。電圧印加手段で印加される高電圧は、好ましくは、直流電圧DCもしくはパルスDCであり、基板2に電圧が印加されプロセス室21にプラズマが形成される。直流電圧は交流電圧に比べて一定の電圧が印加されるため、所望の膜特性を得やすい。また、直流電源により電圧を印加してプラズマ室21にプラズマを形成する場合、高周波電源を用いる必要が無い。このため、整合器や耐圧を考慮した設計が不要となるため、従来の装置に比べ安価に装置を作製可能である。このプラズマによるイオン衝撃により、基板2の温度が上昇する。このとき、磁場によって、プラズマが基板2近傍に閉じ込められているため、基板2を速やかに加熱することができる。基板2の加熱後、プロセス室21に炭化水素ガスを導入する。炭化水素ガスはプロセス室21内に形成されたプラズマにより分解され、基板2に印加された負の電圧によりイオンが基板2に引き込まれ、カーボン膜が成膜される。このとき、シールド28の裏面に設けられた磁場形成手段29により、図5のようにプロセス室21内には磁場が形成される。該磁場により、プロセス室21に形成されたプラズマは、基板2近傍に閉じ込められる。このため、本実施形態においては、アノードであるシールド28へのカーボン膜の堆積が抑制される。さらに、仮に膜が付着したとしても、シールド28に付着するカーボン膜は、イオン衝撃が少ないためにポリマー状の膜が成膜される。このため、膜が割れたり、剥離することを防止でき、パーティクルの発生を抑制することができる。また、シールド28を接地した場合、シールド28には電圧が印加されていないため、イオンを積極的に引き込むことは無い。このため、シールド28に対する膜の付着をより一層抑制することが可能となる。よって、本実施形態に係るプラズマCVD装置によれば、プロセス室21の内壁への膜の付着がシールド28により低減され、さらにシールド28への膜の付着も抑制することができるため、クリーニングを行う頻度が少なくなり、生産性の向上が望める。一方で磁場によって、プラズマが基板2近傍に閉じ込められるため、基板2へのカーボン膜の堆積速度も増加する。このため、従来のプラズマCVD装置に比べ、短時間で成膜することが可能となる。特許文献1に示されるような従来のプラズマCVD装置においては、プラズマ発生用の電極は基板と対向した位置に設けられ、その結果プラズマが基板から離間した位置に発生するため、プラズマによる基板の加熱及び基板上への成膜は時間を要した。それに対して、本発明に係るプラズマCVD装置は、ホルダ1及び基板2に対して電圧を印加して基板2近傍にプラズマを形成し、さらに磁場によって該プラズマを基板2近傍に閉じ込めることができるため、従来よりも速く基板2を加熱する効果と、従来よりも速く基板2上にカーボン膜を成膜する効果とを与えることができるのである。なお、本実施形態においてDLC膜の成膜を例に説明したが、本発明に係るプラズマCVD装置及びプラズマCVD方法は他のプロセスにも適用可能である。実施例1本実施形態に係るプラズマCVD装置を用いて、基板2に対してDLC膜を成膜する場合の実施例を以下に示す。まず、基板2をプロセス室21に搬入して、ゲートバルブ31を閉鎖後、ガス導入手段24により、Arガスを500sccmstandardcc/minで導入した。該Arガスの導入により、プロセス室21内の圧力を20Paとした。磁場形成手段29として永久磁石を用い、プラズマ室21内に磁場が形成された状態で、電圧印加手段により、基板2にパルス電圧マイナス400Vを印加して、プラズマを形成した。基板2をプラズマにより5秒程度加熱することで、基板2の温度は500°C程度に達した。このように、DLC膜の成膜前にArガスのプラズマによって基板の加熱処理を行うことで、基板表面のクリーニングや、吸着しているガスの除去が行われ、DLC膜と基板との密着性が向上する。次にプロセス室21にエチレンガスを250sccmで導入して、プロセス室21の圧力を20Paとした。同時に、基板2にパルス電圧マイナス1000Vを印加して、プラズマを形成した。100秒程電圧を印加することで約100nmの厚さのDLC膜が成膜された。なお、本実施形態では、基板2の両面に成膜処理を施しているが、仮に片面にのみ成膜処理を施す場合においても、本発明に係るプラズマCVD装置は有用である。また、本実施形態においては、シールド28とプロセス室21の内壁との間に磁場形成手段29を設けたが、シールド28と基板2の間に磁場を形成出来るならば、磁場形成手段29をプロセス室21の外に設けても良い。ただし、磁場形成手段29をシールド28とプロセス室21の内壁に設けた場合、シールド28の基板側表面に形成される磁場強度が大きくなる。このため、磁場形成手段29として永久磁石を用いる場合は、より少なく、小さい永久磁石で目標とされる磁場強度を達成することが可能となる。また、磁場形成手段29として電磁石を用いる場合は、より小さい電流で目標とされる磁場強度を達成することが可能となる。一方、磁場形成手段29の配置についても、図1乃至図3及び図5では、基板2の被処理面に対して、磁極が対向する位置にのみ磁場形成手段29が設けられているが、その他の位置にも磁場形成手段29が設けられていても良い。また、図1乃至図3及び図5において、シールド28の裏面に複数の磁場形成手段29が設けられているが、仮に大きな1の磁場形成手段29であっても良い。複数の磁場形成手段29を設けた場合には、1の磁場形成手段29よりも価格が安いことや、処理に応じて磁場形成手段29の個数を適宜変更可能であること、後述する磁場形成手段駆動手段により個々に移動させる場合に精密な制御が望める等の利点がある。第2の実施形態上述のように、第1の実施形態では、磁場形成手段29により、磁場を形成し、プラズマを基板2側に閉じ込めていた。このとき、磁場形成手段29により、プロセス室21に形成される磁場の強度を変化させることで、プラズマ密度の分布を変化させることが可能となる。これにより、基板2の温度及び成膜速度を制御することが可能となる。図6及び図7は、本実施形態に係る、磁場形成手段29により形成される磁場の分布及び強度を変化させる場合のプラズマCVD装置を説明するための図である。図6は磁場形成手段29として永久磁石を用いた場合のプラズマCVD装置を説明するための図である。磁場形成手段29を、基板2と対向する方向に移動可能な磁場形成手段駆動手段33を備えている。磁場形成手段駆動手段33は、磁場形成手段29を、磁場形成手段29とホルダ1又は基板2との間の空間の体積が増減する方向、例えば、磁場形成手段29と基板2との距離を変える方向や、基板2の法線方向に移動させる。磁場形成手段29とホルダ1又は基板2との間の空間の体積が増減する方向であればよいので、磁場形成手段を基板2の法線方向に対して角度を付けて移動させても構わない。これにより、磁場形成手段29と基板2との間の空間内の磁場の分布が変化するため、プロセス室21内のプラズマ密度の分布を変化させることができる。図6では、全ての磁場形成手段29が一様に磁場形成手段駆動手段33により移動する構成となっているが、個々の磁場形成手段ごとに磁場形成手段駆動手段が設けられていても良い。個々の磁場形成手段ごとに磁場形成手段駆動手段を設けた場合、磁場形成手段と基板2との距離を個々に調整できるため、基板2に成膜される膜の膜厚分布等をより精密に制御することが可能となる。図7は磁場形成手段29として電磁石を用いた場合のプラズマCVD装置を説明するための図である。電磁石に電流を流し、プロセス室21に磁場を形成するための電磁石用電源34が設けられている。この電磁石用電源34から供給される電流を変化させることで、プロセス室21形成される磁場を変化することが可能である。なお、図7では、全ての磁場形成手段29が一様に電磁石用電源34により電圧が印加され、電流が流れているが、個々の磁場形成手段ごとに電磁石用電源が設けられていても良い。個々の磁場形成手段ごとに電磁石用電源を設けた場合、磁場形成手段により形成される磁場を個々に調整できるため、基板2に成膜される膜の膜厚分布等をより精密に制御することが可能となる。また図6に示す装置のように、電磁石と基板との位置を変更可能な磁場形成手段駆動手段が設けられていても良い。本実施形態に係るプラズマCVD装置を用いることで、例えば、温度測定手段30により測定された基板2の温度を、磁場形成手段駆動手段33や電磁石用電源34にフィードバックすることで、成膜処理中の基板2の温度を一定に保つことや、シールド28上にカーボン膜が付着した場合に放電電流の変化が生じるため、この電流を一定に保つことなどが可能となる。なお、上述した本発明の一実施形態では、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。