"露光によって作製されたパターンを有する基板を照明光で照明する照明部と、前記パターンで反射した照明光を検出する検出部と、前記検出の結果から前記パターンが作製された際の露光量に関する情報を演算する演算部と、前記露光量に関する情報のバラツキを求める評価部とを備えることを特徴とする表面検査装置。前記パターンは基板の走査中に露光して作製され、前記評価部は前記走査のバラツキを求めることを特徴とする請求項1に記載の表面検査装置。前記基板上には、該基板を一方に走査しながら露光したパターンと、該基板を前記一方とは反対の他方に走査しながら露光したパターンが作製されており、前記評価部は、前記一方の走査と前記他方の走査との違いを求めることを特徴とする請求項1または2に記載の表面検査装置。基板の表面に所定のパターンを走査露光する露光装置と、走査露光されて表面に前記パターンが形成された基板の表面検査を行う表面検査装置とを備え、前記表面検査装置は、請求項1から3のいずれか一項に記載の表面検査装置であって、前記評価部により求められた情報を前記露光装置へ出力し、前記露光装置は、前記表面検査装置から入力された前記評価部により求められた情報に応じて、前記露光装置の設定を補正することを特徴とする露光システム。露光によって作製されたパターンを有する基板を照明光で照明し、前記パターンで反射した照明光を検出し、前記検出の結果から前記パターンが作製された際の露光量に関する情報を演算し、前記露光量に関する情報のバラツキを求めることを特徴とする表面検査方法。前記パターンは基板の走査中に露光して作製されており、前記走査のバラツキを求めることを特徴とする請求項5に記載の表面検査方法。前記基板上には、該基板を一方に走査しながら露光したパターンと、該基板を前記一方とは反対の他方に走査しながら露光したパターンが作製されており、前記一方の走査と前記他方の走査との違いを求めることを特徴とする請求項5または6に記載の表面検査方法。このような露光装置では、作業時間を短縮する等の理由により、露光ショットによって走査方向を逆にすることがある。しかしながら、一方の走査方向とこれとは逆の他方の走査方向とでスキャン精度が異なるために、走査方向の異なる露光ショットでパターン形状が変化する場合があり、このような走査方向の違いによって生じるスキャン精度の差異を求めるための方策が望まれていた。本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、露光時の走査方向の違いによって生じるスキャン精度の差異を求めることが可能な表面検査装置、表面検査方法、および露光システムを提供することを目的とする。このような目的達成のため、本発明に係る表面検査装置は、露光によって作製されたパターンを有する基板を照明光で照明する照明部と、前記パターンで反射した照明光を検出する検出部と、前記検出の結果から前記パターンが作製された際の露光量に関する情報を演算する演算部と、前記露光量に関する情報のバラツキを求める評価部とを備えている。また、本発明に係る露光システムは、基板の表面に所定のパターンを走査露光する露光装置と、走査露光されて表面に前記パターンが形成された基板の表面検査を行う表面検査装置とを備え、前記表面検査装置は、本発明に係る表面検査装置であって、前記評価部により求められた情報を前記露光装置へ出力し、前記露光装置は、前記表面検査装置から入力された前記評価部により求められた情報に応じて、前記露光装置の設定を補正するようになっている。また、本発明に係る表面検査方法は、露光によって作製されたパターンを有する基板を照明光で照明し、前記パターンで反射した照明光を検出し、前記検出の結果から前記パターンが作製された際の露光量に関する情報を演算し、前記露光量に関する情報のバラツキを求めるようになっている。本発明によれば、露光時の走査方向の違いによって生じるスキャン精度の差異を求めることができる。以下、図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。本実施形態の表面検査装置を図1に示しており、この装置により基板である半導体ウェハ10以下、ウェハ10と称するの表面を検査する。本実施形態の表面検査装置1は、図1に示すように、略円盤形のウェハ10を支持するステージ5を備え、不図示の搬送装置によって搬送されてくるウェハ10は、ステージ5の上に載置されるとともに真空吸着によって固定保持される。ステージ5は、ウェハ10の回転対称軸ステージ5の中心軸を回転軸として、ウェハ10を回転ウェハ10の表面内での回転可能に支持する。この回転によるウェハの向きを、便宜的にウェハ方位角度と称することにする。また、ステージ5は、ウェハ10を支持する支持面を通る軸を中心に、ウェハ10をチルト傾動させることが可能であり、照明光の入射角を調整できるようになっている。表面検査装置1はさらに、ステージ5に支持されたウェハ10の表面全面に照明光を平行光として照射する照明系20と、照明光の照射を受けたときのウェハ10の全面からの反射光や回折光等を集光する受光系30と、受光系30により集光された光を受けてウェハ10の表面の像を検出する撮像装置35と、画像処理部40と、検査部42と、記憶部45とを備えて構成される。照明系20は、照明光を射出する照明ユニット21と、照明ユニット21から射出された照明光をウェハ10の表面に向けて反射させる照明側凹面鏡25とを有して構成される。照明ユニット21は、メタルハライドランプや水銀ランプ等の光源部22と、光源部22からの光のうち所定の波長を有する光を抽出し強度を調節する調光部23と、調光部23からの光を照明光として照明側凹面鏡25へ導く導光ファイバ24とを有して構成される。そして、光源部22からの光は調光部23を通過し、所定の波長例えば、248nmの波長を有する所定の強度の照明光が導光ファイバ24から照明側凹面鏡25へ射出され、導光ファイバ24から照明側凹面鏡25へ射出された照明光は、導光ファイバ24の射出部が照明側凹面鏡25の焦点面に配置されているため、照明側凹面鏡25により平行光束となってステージ5に保持されたウェハ10の表面に照射される。なお、ウェハ10に対する照明光の入射角と出射角との関係は、ステージ5をチルト傾動させてウェハ10の載置角度を変化させることにより調整可能である。なお、表面検査装置1は、主制御部50と、主制御部50に接続されたハードウェア制御部55とをさらに備えており、主制御部50はハードウェア制御部55を介して光源部22と調光部23を制御する。また、主制御部50は、撮像装置35から出力された画像信号を受け、画像処理部40に送る。画像処理部40で処理された画像データは主制御部50により検査部42に送られ検査が行われる。検査結果および画像データは主制御部50により記憶部45に送られ記憶される。また、導光ファイバ24と照明側凹面鏡25との間には、照明側偏光フィルタ26が光路上へ挿抜可能に設けられており、図1に示すように、照明側偏光フィルタ26を光路上から抜去した状態で回折光を利用した検査以下、便宜的に回折検査と称するが行われ、図2に示すように、照明側偏光フィルタ26を光路上に挿入した状態で偏光構造性複屈折による偏光状態の変化を利用した検査以下、便宜的にPER検査と称するが行われるようになっている照明側偏光フィルタ26の詳細については後述する。ウェハ10の表面からの出射光回折光もしくは反射光は受光系30により集光される。受光系30は、ステージ5に対向して配設された受光側凹面鏡31を主体に構成され、受光側凹面鏡31により集光された出射光回折光もしくは反射光は、撮像装置35の撮像面上に達し、ウェハ10の像が結像される。また、受光側凹面鏡31と撮像装置35との間には、受光側偏光フィルタ32が光路上へ挿抜可能に設けられており、図1に示すように、受光側偏光フィルタ32を光路上から抜去した状態で回折検査が行われ、図2に示すように、受光側偏光フィルタ32を光路上に挿入した状態でPER検査が行われるようになっている受光側偏光フィルタ32の詳細については後述する。撮像装置35は、撮像面上に形成されたウェハ10の表面の像を光電変換して画像信号デジタル画像データを生成し、主制御部50を介して画像信号を画像処理部40に出力する。画像処理部40は、撮像装置35から入力されたウェハ10の画像信号に基づいて、ウェハ10のデジタル画像を生成する。記憶部45には、良品ウェハの画像データが予め記憶されており、検査部42は、主制御部50からウェハ10の画像データと良品ウェハの画像データとを受け取り比較して、ウェハ10の表面における欠陥異常の有無を検査する。そして、検査部42による検査結果およびそのときのウェハ10の画像が図示しない画像表示装置で出力表示される。また、検査部42は、ウェハの画像を利用して露光装置101による露光時のドーズ量を求めることができる詳細は後述する。ところで、ウェハ10は、露光装置101により最上層のレジスト膜に対して所定のマスクパターンが投影露光され、現像装置図示せずによる現像後、不図示の搬送装置により、不図示のウェハカセットまたは現像装置からステージ5上に搬送される。なおこのとき、ウェハ10は、ウェハ10のパターンもしくは外縁部ノッチやオリエンテーションフラット等を基準としてアライメントが行われた状態で、ステージ5上に搬送される。なお、ウェハ10の表面には、図3に示すように、複数のチップ領域11ショットが縦横に図3におけるXY方向に配列され、各チップ領域11の中には、半導体パターンとしてラインパターンまたはホールパターン等の繰り返しパターン12が形成されている。また、露光装置101は、前述のステップアンドスキャン方式の露光装置であり、例えば、X方向の左端から奇数番目のショットの列に対して、Y方向図3の下方から上方に走査露光を行うとともに、X方向の左端から偶数番目のショットの列に対して、-Y方向図3の上方から下方に走査露光を行うようになっている。すなわち、露光装置101により、ウェハ10に対して、一方の走査方向もしくはこれとは逆の他方の走査方向で走査露光が行われる。なお、露光装置101は、ケーブル等を介して本実施形態の表面検査装置1と電気的に接続されている。以上のように構成される表面検査装置1を用いて、ウェハ10表面の回折検査を行うには、まず、図1に示すように照明側偏光フィルタ26および受光側偏光フィルタ32を光路上から抜去し、不図示の搬送装置により、ウェハ10をステージ5上に搬送する。なお、搬送の途中で不図示のアライメント機構によりウェハ10の表面に形成されているパターンの位置情報を取得しており、ウェハ10をステージ5上の所定の位置に所定の方向で載置することができる。次に、ウェハ10の表面上における照明方向とパターンの繰り返し方向とが一致ラインパターンの場合、ラインに対して直交するようにステージ5を回転させるとともに、パターンのピッチをPとし、ウェハ10の表面に照射する照明光の波長をλとし、照明光の入射角をθ1とし、n次回折光の出射角をθ2としたとき、ホイヘンスの原理より、次の1式を満足するように設定を行うステージ5をチルトさせる。P=n×λ/{sinθ1-sinθ2}...1次に、照明系20により照明光をウェハ10の表面に照射する。このような条件で照明光をウェハ10の表面に照射する際、照明ユニット21における光源部22からの光は調光部23を通過し、所定の波長例えば、248nmの波長を有する所定の強度の照明光が導光ファイバ24から照明側凹面鏡25へ射出され、照明側凹面鏡25で反射した照明光が平行光束となってウェハ10の表面に照射される。ウェハ10の表面で回折した回折光は、受光側凹面鏡31により集光されて撮像装置35の撮像面上に達し、ウェハ10の像回折像が結像される。ウェハ方位角度、照明波長、照明角度、射出角度、回折次数などの組み合わせで決まる回折光の条件を回折条件と称する。そこで、撮像装置35は、撮像面上に形成されたウェハ10の表面の像を光電変換して画像信号を生成し、主制御部50を介して画像信号を画像処理部40に出力する。画像処理部40は、撮像装置35から入力されたウェハ10の画像信号に基づいて、ウェハ10のデジタル画像以下、回折光に基づくウェハ10のデジタル画像を便宜的に回折画像と称するを生成する。また、画像処理部40は、ウェハ10の回折画像を生成すると主制御部50を介して回折画像を検査部42へ送り、検査部42は、ウェハ10の画像データと良品ウェハの画像データとを比較して、ウェハ10の表面における欠陥異常の有無を検査する。そして、検査部42による検査結果およびそのときのウェハ10の回折画像が図示しない画像表示装置で出力表示される。次に、表面検査装置1によりウェハ10表面のPER検査を行う場合について説明する。なお、繰り返しパターン12は、図4に示すように、複数のライン部2Aがその短手方向X方向に沿って一定のピッチPで配列されたレジストパターンラインパターンであるものとする。また、隣り合うライン部2A同士の間は、スペース部2Bである。また、ライン部2Aの配列方向X方向を繰り返しパターン12の繰り返し方向と称することにする。ここで、繰り返しパターン12におけるライン部2Aの線幅DAの設計値をピッチPの1/2とする。設計値の通りに繰り返しパターン12が形成された場合、ライン部2Aの線幅DAとスペース部2Bの線幅DBは等しくなり、ライン部2Aとスペース部2Bとの体積比は略1:1になる。これに対して、繰り返しパターン12を形成する際の露光フォーカスが適正値から外れると、ピッチPは変わらないが、ライン部2Aの線幅DAが設計値と異なってしまうとともに、スペース部2Bの線幅DBとも異なってしまい、ライン部2Aとスペース部2Bとの体積比が略1:1から外れる。PER検査は、上記のような繰り返しパターン12におけるライン部2Aとスペース部2Bとの体積比の変化を利用して、繰り返しパターン12の異常検査を行うものである。なお、説明を簡単にするため、理想的な体積比設計値を1:1とする。体積比の変化は、露光フォーカスの適正値からの外れに起因し、ウェハ10のショット領域ごとに現れる。なお、体積比を断面形状の面積比と言い換えることもできる。PER検査では、図2に示すように、照明側偏光フィルタ26および受光側偏光フィルタ32が光路上に挿入される。また、PER検査を行うとき、ステージ5は、照明光が照射されたウェハ10からの正反射光を受光系30で受光できる傾斜角度にウェハ10をチルトさせるとともに、所定の回転位置で停止し、ウェハ10における繰り返しパターン12の繰り返し方向を、図5に示すように、ウェハ10の表面における照明光直線偏光Lの振動方向に対して、45度だけ斜めになるように保持する。繰り返しパターン12の検査の光量を最も高くするためである。また、22.5度や67.5度とすれば検査の感度が高くなる。なお、角度はこれらに限らず、任意角度方向に設定可能である。照明側偏光フィルタ26は、導光ファイバ24と照明側凹面鏡25との間に配設されるとともに、その透過軸が所定の方位に設定され、透過軸に応じて照明ユニット21からの光から直線偏光を抽出する。このとき、導光ファイバ24の射出部が照明側凹面鏡25の焦点位置に配置されているため、照明側凹面鏡25は、照明側偏光フィルタ26を透過した光を平行光束にして、基板であるウェハ10を照明する。このように、導光ファイバ24から射出された光は、照明側偏光フィルタ26および照明側凹面鏡25を介しp偏光の直線偏光L図5を参照となり、照明光としてウェハ10の表面全体に照射される。このとき、直線偏光Lの進行方向ウェハ10表面上の任意の点に到達する直線偏光Lの主光線の方向は光軸に略平行であることから、ウェハ10の各点における直線偏光Lの入射角度は、平行光束のため互いに同じとなる。また、ウェハ10に入射する直線偏光Lがp偏光であるため、図5に示すように、繰り返しパターン12の繰り返し方向が直線偏光Lの入射面ウェハ10の表面における直線偏光Lの進行方向に対して45度の角度に設定された場合、ウェハ10の表面における直線偏光Lの振動方向と繰り返しパターン12の繰り返し方向とのなす角度も、45度に設定される。言い換えると、直線偏光Lは、ウェハ10の表面における直線偏光Lの振動方向が繰り返しパターン12の繰り返し方向に対して45度傾いた状態で、繰り返しパターン12を斜めに横切るようにして繰り返しパターン12に入射することになる。ウェハ10の表面で反射した正反射光は、受光系30の受光側凹面鏡31により集光されて撮像装置35の撮像面上に達するが、このとき、繰り返しパターン12での構造性複屈折により直線偏光Lの偏光状態が変化する。受光側偏光フィルタ32は、受光側凹面鏡31と撮像装置35との間に配設され、受光側偏光フィルタ32の透過軸の方位は、上述した照明側偏光フィルタ26の透過軸に対して直交するように設定されているクロスニコルの状態。したがって、受光側偏光フィルタ32により、ウェハ10繰り返しパターン12からの正反射光のうち直線偏光Lと振動方向が略直角な偏光成分例えば、s偏光の成分を通過させて、撮像装置35に導くことができる。その結果、撮像装置35の撮像面には、ウェハ10からの正反射光のうち直線偏光Lに対して振動方向が略直角な偏光成分によるウェハ10の反射像が形成される。なお、受光側偏光フィルタ32を光軸を中心に回動可能とし、楕円偏光化した正反射光の短軸方向と受光側偏光フィルタ32の透過軸を合わせるように調整することで、感度を向上させることができる。この場合も調整角度は数度であり、直交の範疇である。表面検査装置1によりウェハ10表面のPER検査を行うには、まず、図2に示すように照明側偏光フィルタ26および受光側偏光フィルタ32を光路上に挿入し、不図示の搬送装置により、ウェハ10をステージ5上に搬送する。なお、搬送の途中で不図示のアライメント機構によりウェハ10の表面に形成されているパターンの位置情報を取得しており、ウェハ10をステージ5上の所定の位置に所定の方向で載置することができる。またこのとき、ステージ5は、照明光が照射されたウェハ10からの正反射光を受光系30で受光できる傾斜角度にウェハ10をチルトさせるとともに、所定の回転位置で停止し、ウェハ10における繰り返しパターン12の繰り返し方向を、ウェハ10の表面における照明光直線偏光Lの振動方向に対して、45度だけ斜めになるように保持する。次に、照明系20により照明光をウェハ10の表面に照射する。このような条件で照明光をウェハ10の表面に照射する際、照明ユニット21の導光ファイバ24から射出された光は、照明側偏光フィルタ26および照明側凹面鏡25を介しp偏光の直線偏光Lとなり、照明光としてウェハ10の表面全体に照射される。ウェハ10の表面で反射した正反射光は、受光側凹面鏡31により集光されて撮像装置35の撮像面上に達し、ウェハ10の像反射像が結像される。このとき、繰り返しパターン12での構造性複屈折により直線偏光Lの偏光状態が変化し、受光側偏光フィルタ32は、ウェハ10繰り返しパターン12からの正反射光のうち直線偏光Lと振動方向が略直角な偏光成分を通過させてすなわち、直線偏光Lの偏光状態の変化を抽出して、撮像装置35に導くことができる。その結果、撮像装置35の撮像面には、ウェハ10からの正反射光のうち直線偏光Lと振動方向が略直角な偏光成分によるウェハ10の反射像が形成される。そこで、撮像装置35は、撮像面上に形成されたウェハ10の表面の像反射像を光電変換して画像信号デジタル画像データを生成し、主制御部50を介して画像信号を画像処理部40に出力する。画像処理部40は、撮像装置35から入力されたウェハ10の画像信号に基づいて、ウェハ10のデジタル画像以下、偏光に基づくウェハ10のデジタル画像を便宜的に偏光画像と称するを生成する。また、画像処理部40は、ウェハ10の偏光画像を生成すると主制御部50を介して偏光画像を検査部42へ送り、検査部42は、ウェハ10の画像データと良品ウェハの画像データとを比較して、ウェハ10の表面における欠陥異常の有無を検査する。なお、良品ウェハの反射画像の信号強度輝度値は、最も高い信号強度輝度値を示すものと考えられるため、例えば、良品ウェハと比較した信号強度変化輝度変化が予め定められた閾値許容値より大きければ異常と判定し、閾値より小さければ正常と判断する。そして、検査部42による検査結果およびそのときのウェハ10の偏光画像が図示しない画像表示装置で出力表示される。なお、信号強度とは、回折効率、強度比、エネルギー比等、撮像装置35の撮像素子で検出される光に応じた信号強度である。また、上述した回折検査およびPER検査に限らず、ウェハ10表面からの正反射光に基づく検査以下、便宜的に正反射検査と称するを行うことも可能である。正反射検査を行う場合、画像処理部40は、ウェハ10表面からの正反射光に基づくデジタル画像以下、便宜的に正反射画像と称するを生成し、生成したウェハ10の正反射画像に基づいて、ウェハ10の表面における欠陥異常の有無を検査する。また、検査部42は、ウェハ10の回折画像等から、露光装置101による露光時のドーズ量を求めることができる。なお、ドーズとは、パターンを形成する際のエネルギー量である。さらに、繰り返しパターン12の線幅とドーズ量との関係を予めテンプレート化することにより、検査部42は、求めたドーズ量から繰り返しパターン12の線幅を算出することができる。そのため、検査部42は、ウェハ10の回折画像等から、露光装置101により一方の走査方向以下、便宜的に正方向と称するで走査露光される繰り返しパターン12の線幅と、これとは逆の他方の走査方向以下、便宜的に逆方向と称するで走査露光される繰り返しパターン12の線幅との差を求めることができる。正方向で走査露光される繰り返しパターン12の線幅と逆方向で走査露光される繰り返しパターン12の線幅との差を求める方法について、図6に示すフローチャートを参照しながら説明する。まず、露光装置101のドーズ量を変化させて繰り返しパターンを形成したウェハを作製するステップST101。このとき、露光ショット毎にドーズ量をばらばらに変化させて露光し現像する。以下、このようなウェハをドーズ条件振りウェハ10a図7を参照と称することにする。ここで、ドーズ量をばらばらにするのは、ウェハの中央側と外周側の間に発生するレジスト条件の相違などの影響を相殺する目的で行う。本実施形態のドーズ条件振りウェハ10aは、図7に示すように、ドーズ量を1.5mJ刻みで8段階10.0mJ、11.5mJ、13.0mJ、14.5mJ、16.0mJ、17.5mJ、19.0mJ、20.5mJに振っている。なお、図7の各ショットには、1.5mJ刻みで振ったドーズオフセットの段階を示しており、段階が同じで走査方向スキャン方向が逆方向の場合には ́を付している。例えば、番号6で表したショットは、同じドーズ量で行う露光を、レチクル移動Y方向/中央側で2ショットレチクル移動Y方向/外周側で2ショットレチクル移動Y-方向/中央側で2ショットレチクル移動Y-方向/外周側で2ショットのように8箇所設定している。また例えば、番号1で表したショットは、同じドーズ量で行う露光を、条件振りウェハ10aの中心を対称軸として、レチクル移動Y方向/外周側で4ショットレチクル移動Y-方向/外周側で4ショットのように8箇所設定している。本実施形態では、このようにドーズオフセットを8段階、各ドーズ量で8ショットの合計64ショットでドーズ条件振りウェハ10aを作っている。なお、パターン露光に要する露光量は、パターンによって5mJ~40mJ程度であり、ドーズ条件振りウェハを作る際の振り幅は、0.5mJ~2.0mJとすることが望ましい。なお、ドーズ条件振りウェハを、複数枚にわたって作製するようにしてもよい。その場合、各条件振りウェハのドーズ量毎のショット配置は、ドーズ量以外の条件による影響を相殺するように設定することが好ましい。ドーズ条件振りウェハ10aを作製すると、回折検査の場合と同様にして、ドーズ条件振りウェハ10aをステージ5上に搬送するステップST102。次に、回折検査の場合と同様に、照明系20が照明光をドーズ条件振りウェハ10aの表面に照射し、撮像装置35がドーズ条件振りウェハ10aの像を光電変換して画像信号を生成し、主制御部50を介して画像信号を画像処理部40に出力するステップST103。このとき、ドーズ条件振りウェハ10aについて、露光したパターンのピッチ情報または回折条件サーチを利用して回折条件を求め、回折光が得られるように回折検査の場合と同様の設定を行う。回折条件サーチとは、正反射以外の角度範囲でステージ5のチルト角度を段階的に変化させてそれぞれのチルト角度で画像を取得し、画像が明るくなる、すなわち回折光が得られるチルト角度を求める機能のことを指す。なお、ドーズ条件振りウェハ10aの方位角露光したパターンの照明光の照明方向に対する姿勢は、露光したパターンの繰り返し方向ラインアンドスペースのパターンの場合ラインと直交する方向と照明方向が一致するように配置されている。次に、画像処理部40は、撮像装置35から入力されたドーズ条件振りウェハ10aの画像信号に基づいて、ドーズ条件振りウェハ10aの回折画像デジタル画像を生成する。また、画像処理部40は、ドーズ条件振りウェハ10aの回折画像を生成すると主制御部50を介して回折画像を検査部42へ送り、検査部42は、ドーズ量および走査方向スキャン方向が同じショット毎に画素単位それぞれのショットの対応する部分の画素同士で信号強度輝度の平均化を行うステップST104。なお、回折検査で欠陥と判断された部分については、前述の平均化の対象から除外する。このとき、検査部42は、平均化によって得られた互いにドーズ量の異なる走査方向が正方向の全てのショットについて、図7に示すショット内に設定した複数の設定領域小さな長方形で囲んだ領域Aでの信号強度の平均値以下、便宜的に平均輝度と称するをそれぞれ求める。またこのとき、検査部42は、平均化によって得られた互いにドーズ量の異なる走査方向が逆方向の全てのショットについて、複数の設定領域Aでの平均輝度をそれぞれ求める。なお、ドーズ条件振りウェハ10aは、露光装置101のドーズ量をショット毎に変化させているため、ショットの位置からドーズ量を求めることができ、異なるドーズ量で露光されたそれぞれのショット内の同位置の設定領域Aにおいて、ドーズ量に応じて平均輝度が変化することになる。そこで、検査部42は、平均輝度を求めた設定領域Aごとに、互いにドーズ量の異なる走査方向が正方向の各ショットにおける同位置の設定領域Aでの平均輝度と、これに対応するドーズ量との関係を示すグラフ以下、ドーズカーブと称するを求める。また、検査部42は、平均輝度を求めた設定領域Aごとに、互いにドーズ量の異なる走査方向が逆方向の各ショットにおける同位置の設定領域Aでの平均輝度と、これに対応するドーズ量との関係を示すグラフ、すなわちドーズカーブを求めるステップST105。ここで、ドーズカーブの一例を図8に示す。なお、このステップで求めた走査方向が正方向のショットにおけるドーズカーブを正方向基準ドーズカーブと称し、走査方向が逆方向のショットにおけるドーズカーブを逆方向基準ドーズカーブと称する。次に、検査部42は、正方向基準ドーズカーブおよび逆方向基準ドーズカーブを関数で近似した近似曲線を設定領域Aごとにそれぞれ求めるステップST106。なお、近似曲線の関数には、4次関数4次式を用いるのが好ましい。また、4次関数は次の2式のように表される。y=ax4bx3cx2dxe...2ここで、xはドーズ量であり、yは信号強度平均輝度であり、a,b,c,d,eは係数である。最小二乗法などを用いて、ドーズカーブを近似するための最適な係数a,b,c,d,eを求めることにより、2式の近似関数が得られる。次に、検査部42は、正方向基準ドーズカーブの近似曲線において設計値に対応した輝度信号強度となるドーズ量と、逆方向基準ドーズカーブの近似曲線において設計値に対応した輝度信号強度となるドーズ量をそれぞれ求めるステップST107。このとき、設計値に対応した輝度信号強度となるドーズ量を設定領域Aごとに求めるステップST108。このようにすれば、走査方向が正方向のショット内におけるドーズ量の分布と、走査方向が逆方向のショット内におけるドーズ量の分布をそれぞれ求めることができる。なお、ドーズカーブの近似曲線における設計値に対応した輝度信号強度は、予め線幅が設計値と一致したパターンを用いて求めておく。前述したように、繰り返しパターン12の線幅とドーズ量との関係は、データマップ等として予めテンプレート化され、記憶部45に記憶されている。検査部42は、記憶部45に記憶されたデータマップを用いて、走査方向が正方向のショット内におけるドーズ量から、正方向で走査露光される繰り返しパターン12の線幅を設定領域Aごとに求める。また、検査部42は、記憶部45に記憶されたデータマップを用いて、走査方向が逆方向のショット内におけるドーズ量から、逆方向で走査露光される繰り返しパターン12の線幅を設定領域Aごとに求めるステップST109。このとき、線幅が設定領域Aごとに求められるので、走査方向が正方向のショット内における線幅の分布と、走査方向が逆方向のショット内における線幅の分布をそれぞれ求めることができる。次に、検査部42は、正方向で走査露光される繰り返しパターン12の線幅と、逆方向で走査露光される繰り返しパターン12の線幅との差を設定領域Aごとに求めるステップST110。このとき、線幅の差が設定領域Aごとに求められるので、走査方向の違いによるショット内での線幅の差の分布を求めることができる。このようにして求めた走査方向の違いによる線幅の差は、例えば、露光装置101に合わせたパラメータに変換され、検査部42から信号出力部60を介して露光装置101に出力されて、露光装置101による露光に反映される。このとき例えば、走査方向が正方向のショット内における線幅の分布と、走査方向が逆方向のショット内における線幅の分布のうち、線幅のバラツキ分散値が小さい方に合わせるように露光装置101の調整が行われる。このように、検査部42は、ドーズ量露光量および線幅の差を求める演算評価機能を有している。走査方向によって露光装置101のスキャン精度が異なる場合、露光装置101のレチクルステージ120とステージ装置150図10を参照の同期駆動精度が低いことが考えられ、特に、走査露光スキャンを開始するとき、加速度が大きくなるので、走査方向の違いによるスキャン精度の差異が生じやすい。走査方向の違いによるスキャン精度の差異が生じると、フォーカスは変わらないが、1ショットあたりのドーズ量に差が生じるため、露光装置101に露光された繰り返しパターン12の線幅にも走査方向の違いによって差が生じることになる。このように、本実施形態の表面検査装置1によれば、一方の走査方向で走査露光される繰り返しパターン12の線幅と、他方の走査方向で走査露光される繰り返しパターン12の線幅との差すなわち、走査方向の違いによる線幅のバラツキを求めることにより、露光装置101における走査方向の違いによって生じるスキャン精度の差異を求めることが可能になる。また、求めた線幅の差を露光装置101にフィードバックすることで、ウェハ全面において露光現像されたパターンの線幅を設計値通りにすることができる。また、ウェハの表面から生じた回折光による像を撮像するようにすれば、レジスト膜等の膜厚変動による影響を受けにくいため、露光時のドーズ量すなわち、繰り返しパターン12の線幅を精度よく計測することが可能である。特に、照明光の波長は、248nmや313nmj線等の深紫外域の波長が望ましい。また、複数の回折条件を用いて露光時のドーズ量を求めるようにすれば、例えば、各回折条件について平均化することにより、さらなる精度向上が期待できる。また、対象となる様々なパターンごとに最適な回折条件を選択することで、感度の高い、高精度な計測が可能になる。なお、検査部42は、露光装置101のドーズ量をウェハごとに変化させて露光し現像した複数のウェハの画像を利用して、ウェハ10の表面全体に対するドーズの変動状態を求めることもできる。前述したように、検査部42は、ドーズ量から繰り返しパターン12の線幅を算出することができるので、ウェハ10の表面全体に対するドーズの変動状態から、ウェハ10の表面における線幅の分布を求めることができる。そこで、ウェハ10の表面における線幅の分布を求める方法について、図9に示すフローチャートを参照しながら説明する。まず、露光装置101のドーズ量をウェハごとに変化させて露光し現像した複数のウェハドーズ量が10.0mJ、11.5mJ、13.0mJ、14.5mJ、16.0mJ、17.5mJ、19.0mJ、20.5mJである8つのウェハの画像を取得するステップST201。このとき、ウェハの照明および撮像等は、回折検査の場合と同様最適なドーズ量と最適なフォーカス条件で露光現像されたパターンから所定の信号強度が得られる条件にして行う。ここで、ドーズ量が異なる複数のウェハを計測用ウェハと称することにする。次に、検査部42は、取得したウェハの画像から、露光装置101のドーズ量を変化させた計測用ウェハごとに、信号強度を画素単位または少数の画素で形成される設定領域の平均値、以下同じで求めるステップST202。画素単位であっても、少数の画素で形成される設定領域であっても、便宜上設定領域Aと称し、その信号強度または平均値を平均輝度と称することにする。次に、検査部42は、ショットの設定領域Aごとに、互いにフォーカスオフセット量の異なる各ウェハにおける同位置の設定領域Aでの平均輝度と、これに対応するドーズ量との関係を示すグラフ、すなわちドーズカーブドーズ条件振りウェハ10aで求めた基準となるドーズカーブと区別するため、以降適宜サンプルドーズカーブと称するを求めるステップST203。なお、サンプルドーズカーブを近似する際も近似曲線として4次関数を用いることが好ましいステップST204。このとき、露光装置101のドーズオフセットを計測用ウェハごとに変化させているため、計測用ウェハの種類からドーズ量を求めることができ、ショット内の同位置の設定領域Aにおいて、ドーズ量に応じて平均輝度が変化することになる。次に、検査部42は、求めたサンプルドーズカーブを利用して、全てのショットの設定領域Aについて、各設定領域Aのサンプルドーズカーブに対応するドーズのずれ量をそれぞれ求めるステップST205。具体的には、図示しないメモリに記憶された、各設定領域Aのサンプルドーズカーブと、対応する設定領域Aの正方向基準ドーズカーブもしくは逆方向基準ドーズカーブとの相関が最も良くなるようにフィッティングいわゆるパターンマッチングを行う。このとき、ドーズ量の増減方向への移動量が即ちその設定領域Aのドーズのずれ量となる。なお、各ショットの走査方向に応じて、正方向基準ドーズカーブもしくは逆方向基準ドーズカーブが選択される。このようにすれば、ウェハ表面上でのドーズのずれ量の分布を求めることができるため、ウェハの表面全体に対するドーズの変動状態を求めることが可能になる。そして、検査部42は、記憶部45に記憶されたデータマップを用いて、各設定領域Aにおけるドーズのずれ量から、繰り返しパターン12の線幅を設定領域Aごとに求めるステップST206。このとき、線幅が設定領域Aごとに求められるので、ウェハの表面における線幅の分布を求めることができる。すなわち、ウェハ表面上での、走査方向が正方向のショット内における線幅の分布と、走査方向が逆方向のショット内における線幅の分布をそれぞれ求めることができ、検査部42は、ウェハの表面における走査方向の違いによる線幅のバラツキを求めることが可能である。このとき例えば、走査方向が正方向の或る1つのショットと、走査方向が逆方向の各ショットとの線幅の差をそれぞれ求めることができる。また例えば、走査方向が正方向のショットと、これに隣接する走査方向が逆方向のショットとの線幅の差をそれぞれ求めることができる。さらに、検査部42は、走査方向の違いによる線幅のバラツキ線幅の差を、例えば、露光装置101に合わせたパラメータに変換し、信号出力部60を介して露光装置101に出力することも可能である。なお、走査方向が全て正方向である計測用ウェハと、走査方向が全て逆方向である計測用ウェハを用いて、各ウェハの表面における線幅の分布を求め、ウェハの表面全体での線幅の差を求めるようにしてもよい。また、検査部42で求められた繰り返しパターン12の線幅から、繰り返しパターン12における異常の有無を検査するようにすれば、繰り返しパターン12の線幅を基準とするため検査の基準が明確となり、繰り返しパターン12の異常の有無を精度よく検査することができる。このとき例えば、検査部42は、求めた繰り返しパターン12の線幅が所定の範囲内であれば正常と判定し、所定の範囲から外れた場合に異常と判定することができる。なお、上述の実施形態において、一方の走査方向で走査露光される繰り返しパターン12の線幅と、他方の走査方向で走査露光される繰り返しパターン12の線幅との差を求めているが、これに限られるものではない。例えば、一方の走査方向で走査露光されたショットに対するドーズ量露光量と、他方の走査方向で走査露光されたショットに対するドーズ量との走査方向による差を求めるようにしてもよい。このようにしても、露光装置101における走査方向の違いによって生じるスキャン精度の差異を求めることが可能である。また、求めたドーズ量の差を露光装置101にフィードバックすることで、ウェハ全面において露光現像されたパターンの線幅を設計値通りにすることができる。なおこの場合、一方の走査方向で走査露光されたショットに対するドーズ量の分布と、他方の走査方向で走査露光されたショットに対するドーズ量の分布のうち、ドーズ量のバラツキ分散値が小さい方に合わせるように露光装置101の調整が行われる。また、スキャン精度に限らず、ミックスアンドマッチのように分割露光する場合には、それぞれの分割領域のドーズ量露光量を求めることができる。そのため、ドーズ量が適正量からずれている場合に、各分割領域のドーズ量をそれぞれ調整することが可能である。また、上述の実施形態において、ドーズカーブの近似曲線の式として4次式を用いるのが好ましいとしたが、グラフの形状によっては、直線近似を行うようにしてもよい。また、上述の実施形態において、回折検査と同様な手法により走査方向による線幅の差を求める技術を説明したが、PER検査偏光検査と同様な手法によっても走査方向による線幅の差を求めることができる。例えば、図6に示すフローチャートのステップST103において、照明系20が照明光として直線偏光Lをドーズ条件振りウェハ10aの表面に照射し、撮像装置35がドーズ条件振りウェハ10aの反射像を光電変換して画像信号を生成し、主制御部50を介して画像信号を画像処理部40に出力すればよい。これにより、検査部42は、ドーズ条件振りウェハ10aの偏光画像を利用して、偏光によるドーズカーブを求めることができる。検査部42は、このドーズカーブを利用して、偏光の輝度信号強度が設計値に対応する値となるドーズ量を求め、求めたドーズ量から繰り返しパターン12の線幅を算出するようにすれば、回折光の場合と同様に、正方向で走査露光される繰り返しパターン12の線幅と、逆方向で走査露光される繰り返しパターン12の線幅との差を求めることができる。また、上述の実施形態において、検査部42で求められた走査方向による線幅の差を、検査部42から信号出力部60を介して露光装置101に出力して、露光装置101の設定にフィードバックすることができる。そこで、前述の表面検査装置1を備えた露光システムについて、図10および図11を参照しながら説明する。この露光システム100は、レジストが塗布されたウェハ10の表面に所定のマスクパターン繰り返しパターンを投影露光する露光装置101と、露光装置101による露光工程および現像装置図示せずによる現像工程等を経て、表面に繰り返しパターン12が形成されたウェハ10の検査を行う表面検査装置1とを備えて構成される。露光装置101は、図10に示すように、照明系110と、レチクルステージ120と、投影ユニット130と、局所液浸装置140と、ステージ装置150と、主制御装置200図11を参照とを備えて構成される。なお、以下においては、図10に示した矢印X,Y,Zの方向をそれぞれX軸方向、Y軸方向、Z軸方向として説明する。照明系110は、詳細な図示を省略するが、光源と、オプティカルインテグレータ等を備えた照度均一化光学系と、レチクルブラインド等を備えた照明光学系とを有し、レチクルブラインドで規定されたレチクルR上のスリット状の照明領域を照明光露光光により略均一な照度で照明するように構成されている。照明光としては、例えば、ArFエキシマレーザ光波長193nmが用いられる。レチクルステージ120上には、所定のパターン例えば、ラインパターンがそのパターン面図10における下面に形成されたレチクルフォトマスクRが、例えば真空吸着により固定保持されている。レチクルステージ120は、例えばリニアモータ等を備えるレチクルステージ駆動装置121図11を参照によってXY平面内で移動可能であるとともに、走査方向ここではY軸方向とするに所定の走査速度で移動可能に構成されている。レチクルステージ120のXY平面内の位置情報Z軸回りの回転方向の回転情報を含むは、レチクルステージ120に設けられたY軸に直交する反射面を有する第1反射鏡123およびX軸に直交する反射面を有する第2反射鏡図示せずを介して、レチクル干渉計125によって検出される。レチクル干渉計125により検出された当該位置情報は主制御装置200に送られ、主制御装置200は、その位置情報に基づいてレチクルステージ駆動装置121を介してレチクルステージ120の位置および移動速度を制御する。投影ユニット130は、レチクルステージ120の下方に配置され、鏡筒131と、鏡筒131内に保持された投影光学系135とを有して構成される。投影光学系135は、照明光の光軸AXに沿って配列された複数の光学素子レンズエレメントを有し、両側テレセントリックで、所定の投影倍率例えば1/4倍、1/5倍または1/8倍などを有するように構成されている。このため、照明系110から射出された照明光によってレチクルR上の照明領域が照明されると、投影光学系135の物体面とパターン面が略一致して配置されるレチクルRを透過した照明光により、投影光学系135を介してその照明領域内のレチクルRのパターンの縮小像が、投影光学系135の像面側に配置されたウェハ10上の露光領域レチクルR上の照明領域に共役な領域に形成される。そして、レチクルステージ120とウェハ10を保持するステージ装置150との同期駆動によって、照明領域に対してレチクルRを走査方向Y軸方向に移動させるとともに、露光領域に対してウェハ10を走査方向Y軸方向に移動させることで、ウェハ10上の1つのショット領域の走査露光が行われ、そのショット領域にレチクルRのパターンマスクパターンが転写される。露光装置101には、液浸方式の露光を行うために局所液浸装置140が設けられている。局所液浸装置140は、図10および図11に示すように、液体供給装置141と、液体回収装置142と、液体供給管143Aと、液体回収管143Bと、ノズルユニット145とを有して構成される。ノズルユニット145は、投影光学系135を構成する最も像面側ウェハ側の光学素子、ここでは先端レンズ136を保持する鏡筒131の下端部周囲を取り囲むように、投影ユニット130を保持する不図示のフレーム部材露光装置101を構成するフレーム部材に支持されている。また、ノズルユニット145は、図10に示すように、その下端面が先端レンズ136の下端面と略同一面になるように設定されている。液体供給装置141は、詳細な図示を省略するが、液体を貯蔵するタンクと、加圧ポンプと、温度制御装置と、液体の流量を制御するためのバルブとを有して構成され、液体供給管143Aを介してノズルユニット145に接続されている。液体回収装置142は、詳細な図示を省略するが、回収した液体を貯蔵するタンクと、吸引ポンプと、液体の流量を制御するためのバルブとを有して構成され、液体回収管143Bを介してノズルユニット145に接続されている。主制御装置200は、図11に示すように、液体供給装置141の作動を制御して液体供給管143Aを介して先端レンズ136とウェハ10との間に液体例えば、純水を供給するとともに、液体回収装置142の作動を制御して液体回収管143Bを介して先端レンズ136とウェハ10との間から液体を回収する。このとき、主制御装置200は、供給される液体の量と回収される液体の量とが常に等しくなるように、液体供給装置141および液体回収装置142の作動を制御する。したがって、先端レンズ136とウェハ10との間には、一定量の液体が常に入れ替わって保持され、これにより液浸領域液浸空間が形成される。このように、露光装置101では、照明光を、液浸領域を形成する液体を介してウェハ10に照射することによって、ウェハ10に対する露光が行われる。ステージ装置150は、投影ユニット130の下方に配置されたウェハステージ151と、ウェハステージ151を駆動するステージ駆動装置155図11を参照とを有して構成される。ウェハステージ151は、不図示のエアスライダにより数μm程度のクリアランスを有してベース部材105の上方に浮上支持され、ウェハステージ151の上面においてウェハ10を真空吸着によって保持するように構成されている。そして、ウェハステージ151は、ステージ駆動装置155を構成するモータにより、ベース部材105の上面に沿ってXY平面内で移動可能になっている。ウェハステージ151のXY平面内の位置情報はエンコーダ装置156図11を参照によって検出される。エンコーダ装置156により検出された当該位置情報は主制御装置200に送られ、主制御装置200は、その位置情報に基づいてステージ駆動装置155を介してウェハステージ151の位置および移動速度を制御する。以上のように構成される露光装置101において、照明系110から射出された照明光によってレチクルR上の照明領域が照明されると、投影光学系135の物体面とパターン面が略一致して配置されるレチクルRを透過した照明光により、投影光学系135を介してその照明領域内のレチクルRのパターンの縮小像が、ウェハステージ151上に支持されて投影光学系135の像面側に配置されたウェハ10上の露光領域レチクルR上の照明領域に共役な領域に形成される。そして、レチクルステージ120とウェハ10を支持するウェハステージ151との同期駆動によって、照明領域に対してレチクルRを走査方向Y軸方向に移動させるとともに、露光領域に対してウェハ10を走査方向Y軸方向に移動させることで、ウェハ10上の1つのショット領域の走査露光が行われ、そのショット領域にレチクルRのパターンが転写される。なおこのとき、例えば、X軸方向の端から奇数番目のショットの列において、照明領域に対してレチクルRを-Y軸方向に移動させるとともに、露光領域に対してウェハ10を-Y軸方向に移動させることで、端から奇数番目の列における各ショット領域に対してY軸方向への走査露光が行われる。一方、X軸方向の端から偶数番目のショットの列において、照明領域に対してレチクルRをY軸方向に移動させるとともに、露光領域に対してウェハ10をY軸方向に移動させることで、端から偶数番目の列における各ショット領域に対して-Y軸方向への走査露光が行われる。すなわち、ウェハ10に対して、一方の走査方向もしくはこれとは逆の他方の走査方向で走査露光が行われる。このようにして露光装置101による露光工程が実施されると、現像装置図示せずによる現像工程等を経て、前述の実施形態に係る表面検査装置1により、表面に繰り返しパターン12が形成されたウェハ10の表面検査を行う。なお、露光工程を実施する前、表面検査装置1は、前述のようにして、走査方向による線幅の差を求め、接続ケーブル図示せず等を介して、走査方向による線幅の差のデータを露光装置101に出力する。そして、露光装置101の主制御装置200に設けられた補正処理部210は、表面検査装置1から入力された走査方向による線幅の差に基づいて、走査方向によって線幅に差が生じないように、露光装置101の各種設定パラメータを補正する。これにより、本実施形態の露光システム100によれば、前述の実施形態に係る表面検査装置1から入力された走査方向による線幅の差に応じて、露光装置101の設定を補正するため、走査方向の異なる露光ショットでパターン形状が変化することなく、露光装置101の設定をより適切に行うことができる。"