基板と、前記基板上に搭載された磁性体素子と、前記磁性体素子を覆う絶縁体と、前記絶縁体上に形成された磁気シールドとを備え、前記磁気シールドは、形状が固定された外シールドと、可変シールドとを備え、前記可変シールドは、前記外シールドと前記絶縁体との間に充填された磁性体材料で形成され、前記可変シールド中の磁束ガイドの形状は、外部磁場に応じて可変である磁性体装置。請求項1に記載の磁性体装置であって、前記磁性体材料は、磁気異方性を有する磁性体粉末であり、前記磁性体粉末の配位が、前記外部磁場に応じて可変である磁性体装置。請求項1に記載の磁性体装置であって、前記磁性体材料は、磁性流体であり、前記外シールドと前記絶縁体との間の空間における前記磁性流体の密度分布が、前記外部磁場に応じて可変である磁性体装置。請求項1乃至3のいずれか一項に記載の磁性体装置であって、前記外シールドは角部を有し、前記可変シールドは、少なくとも前記角部の周囲に形成された磁性体装置。添付図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。1.構成図1は、本実施の形態に係る磁性体装置1の構成を示す断面図である。図1に示されるように、磁性体装置1は、基板10、磁性体素子20、絶縁体30、及び磁気シールド40を備えている。以下の説明において、基板10の表面に垂直な方向はZ方向であり、Z方向に直交する平面方向は、X方向及びY方向である。基板10としては、インターポーザが例示される。磁性体素子20は、磁性体を利用した素子である。磁性体素子20としては、磁気抵抗素子、MRAMチップ、磁気抵抗素子を利用した論理回路などが挙げられる。磁性体素子20は、基板10の表面上に搭載されている。基板10の裏面には、外部端子15半田ボールが形成されている。磁性体素子20は、基板10中の配線を通して外部端子15に電気的に接続されている。絶縁体30は、磁性体素子20を保護するための内部封止材であり、磁性体素子20を覆うように形成されている。絶縁体30は、一般的な封止樹脂で形成されてもよい。あるいは、絶縁体30は、フェライト等の絶縁性高透磁率材料で形成されてもよい。磁気シールド40は、絶縁体30上に形成されている。言い換えれば、磁気シールド40と磁性体素子20との間に上記絶縁体30が介在している。図1に示されるように、本実施の形態に係る磁気シールド40は、外シールド41と可変シールド42とを備えている。外シールド41と可変シールド42は、一体ではなく、別々に形成されている。外シールド41の形状は固定されている。外シールド41は、高透磁率軟磁性体で一体的に形成されている。高透磁率軟磁性体としては、鉄、ニッケル、珪素鋼、パーマロイ、フェライト、アモルファス磁性合金、ナノクリスタル磁性合金などが挙げられる。可変シールド42は、外シールド41と絶縁体30との間に形成されている。より詳細には、可変シールド42は、外シールド41と絶縁体30との間の空間に充填された軟磁性体材料で形成されている。更に、可変シールド42中に形成される磁束ガイドmagneticfluxguideの形状は、外部磁場に応じて可変である。言い換えれば、可変シールド42は、外部磁場に応じた磁気回路を自発的に構成する能力を有している。これにより、外シールド41で遮蔽しきれずに外シールド41から漏れた磁束を、可変シールド42の内部に有効に集めることができる。その結果、磁性体素子20の周辺に達する磁束を低減することができる。すなわち、磁気シールド40によるシールド効果が向上する。例えば、可変シールド42を形成する軟磁性体材料は、形状磁気異方性や結晶磁気異方性といった磁気異方性を有する磁性体粉末である。例えば、図2に示されるような針状の磁性体粉末が用いられる。磁性体粉末の材料としては、鉄、ニッケル、フェライトなどが挙げられる。この針状の磁性体粉末は、形状磁気異方性を有しており、外部磁場Heに応じて配位orientationが変わる。図3A及び図3Bに示されるように、磁気異方性を有する磁性体粉末の配位は、外部磁場Heに応じて可変である。この磁性体粉末の配位の変化が、可変シールド42中の磁束ガイドの形状の変化に相当する。つまり、いかなる外部磁場Heの方向であっても、その外部磁場Heに応じた有効な磁束ガイドが、可変シールド42中に形成される。これにより、外シールド41で遮蔽しきれずに外シールド41から漏れた磁束を、可変シールド42の内部に有効に集めることができる。その結果、いかなる外部磁場Heの方向であっても、磁性体素子20の周辺に達する磁束を低減することができる。すなわち、磁気シールド40によるシールド効果が向上する。また、可変シールド42を形成する軟磁性体材料は、磁性流体であってもよい。この場合、図4A及び図4Bに示されるように、外シールド41と絶縁体30との間の空間における磁性流体の密度分布が、外部磁場Heに応じて可変である。この磁性流体の密度分布の変化が、可変シールド42中の磁束ガイドの形状の変化に相当する。例えば図4Aの場合、外部磁場Heの方向は-Z方向であり、外シールド41から-Z方向の磁場が漏れ出す。磁性流体は磁場が強いところに集まるため、磁性流体の密度分布はZ方向に偏る。結果として、外シールド41と絶縁体30との間の空間の上方に高密度領域RHが形成され、当該空間の下方に低密度領域RLが形成される。外シールド41で遮蔽しきれずに外シールド41から漏れた-Z方向の磁場は、この高密度領域RHによって効果的に遮蔽される。図4Bの場合も同様である。このように、いかなる外部磁場Heの方向であっても、磁性体素子20の周辺に達する磁束を低減することができる。すなわち、磁気シールド40によるシールド効果が向上する。図5は、変形例を示している。図5において、可変シールド42は、磁性体素子20の上方にのみ形成されており、磁性体素子20の側方には形成されていない。このような構成でも、ある程度の効果は得られる。図6は、他の変形例を示している。図6において、可変シールド42は、磁性体素子20の側方にのみ形成されており、磁性体素子20の上方には形成されていない。このような構成でも、ある程度の効果は得られる。尚、図5や図6に示されるように、磁性体装置1のパッケージは、しばしば角部50を有する。外シールド41からの漏れ磁場は、その外シールド41の角部50の周辺に集中する傾向がある。従って、図1、図5、図6で示されたように、可変シールド42が少なくとも角部50の周囲に形成されていることが好適である。これにより、シールド効果を効率的に向上させることが可能となる。2.製造方法図7は、本実施の形態に係る磁性体装置1の製造方法の一例を示している。図7の例では、絶縁体30による内部封止、及び外シールド41の形成が完了した後、可変シールド42が形成される。具体的には、絶縁体30と外シールド41との間の空間につながる貫通孔が基板10に形成されており、可変シールド材42aがその貫通孔を通して当該空間に注入される。その後、貫通孔は封止樹脂等で埋められる。図8は、本実施の形態に係る磁性体装置1の製造方法の他の例を示している。図8の例では、絶縁体30による内部封止が完了した後、その絶縁体30上にペースト状の可変シールド材42aが塗布される。その後、ペースト状の可変シールド材42aの上に、外シールド41がかぶせられる。以上、本発明の実施の形態が添付の図面を参照することにより説明された。但し、本発明は、上述の実施の形態に限定されず、要旨を逸脱しない範囲で当業者により適宜変更され得る。本出願は、2010年3月10日に出願された日本国特許出願2010-053628を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。