基板と、前記基板に形成された光を導波するための光導波路と、前記光導波路の両側に前記基板の一部が掘り下げられて形成された所定深さの凹部が形成されてリッジ部を成す光デバイスにおいて、前記凹部の前記所定深さが、当該凹部の端に向かって徐々に浅くなって形成され、前記光が当該凹部の端の方向に導波するにしたがって当該導波する光のスポットサイズが徐々に大きくなることを特徴とする光デバイス。前記凹部の前記所定深さが、当該凹部の端において零であることを特徴とする請求項1に記載の光デバイス。前記凹部の端は、前記基板の端に達するとともに、所定深さを有して形成されることを特徴とする請求項1に記載の光デバイス。前記光導波路がマッハツェンダ光導波路であり、Y分岐導波路の分岐点または合波点に向かって前記凹部が前記徐々に浅くなって形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の光デバイス。前記基板がリチウムナイオベートからなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の光変調器。従来技術ではリッジ部とプレーナ部を有する光デバイスにおいて、リッジ部がほぼ一定の断面構造を有しており、リッジ部の光導波路を伝搬する光とプレーナ部の光導波路を伝搬する光のモードフィールド径が大きく異なっていたので、リッジ部とプレーナ部の境界部において光の結合損失が生じていた。また、リッジ部における横方向のクラッドの幅を光の伝搬方向について異ならしめる構造においては、光の挿入損失は低減できるものの、例えば光導波路のY分岐の合波点あるいは分岐点の内側近傍など面積的に狭い領域や、特に単電極構成のDQPSKやDP-QPSKのように近接して形成されたアレー状の光導波路にリッジ部を形成する場合には面積的に充分な横方向のクラッドリッジ部の頂部を確保することが困難であった。上記課題を解決するために、本発明の請求項1に記載の光デバイスは、基板と、前記基板に形成された光を導波するための光導波路と、前記光導波路の両側に前記基板の一部が掘り下げられて形成された所定深さの凹部が形成されてリッジ部を成す光デバイスにおいて、前記凹部の前記所定深さが、当該凹部の端に向かって徐々に浅くなって形成され、前記光が当該凹部の端の方向に導波するにしたがって当該導波する光のスポットサイズが徐々に大きくなることを特徴としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項2に記載の光デバイスは、請求項1に記載の光デバイスにおいて、前記凹部の前記所定深さが、当該凹部の端において零であることを特徴としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項3に記載の光デバイスは、請求項1に記載の光デバイスにおいて、前記凹部の端は、前記基板の端に達するとともに、所定深さを有して形成されることを特徴としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項4に記載の光デバイスは、請求項1または2に記載の光デバイスにおいて、前記光導波路がマッハツェンダ光導波路であり、Y分岐導波路の分岐点または合波点に向かって前記凹部が前記徐々に浅くなって形成されていることを特徴としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項5に記載の光デバイスは、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の光デバイスにおいて、前記基板がリチウムナイオベートからなることを特徴としている。本発明に係る光デバイスではリッジ部の凹部の深さあるいはリッジ部の高さをリッジ部では深くリッジ部の高さを高く、プレーナ部に近づくにつれて浅くリッジ部の高さを低くすることにより、リッジ部における横方向の小さなスポットサイズを徐々に大きくすることができるので、リッジ部とプレーナ部の境界部における光の結合損失を大幅に低減することが可能となる。本発明ではリッジ部の頂部の幅を広くする必要がなく、単にリッジ部の凹部の深さあるいはリッジ部の高さを位置的に異ならしめるだけで良いので、Y分岐部合波部の付け根やアレー状光導波路のような面積的に狭い領域においても適用可能であるという利点がある。以下、本発明の実施形態について説明するが、図10から図21に示した従来技術と同一の符号は同一機能部に対応しているため、ここでは同一の符号を持つ機能部の説明を省略する。実施形態図1に本発明の実施形態の光デバイスとしての光変調器の概略上面図を示す。なお、本発明の目的は光結合に起因する挿入損失の増加を抑えることであり、以下においては中心導体4aや接地導体4b、4c、SiO2バッファ層2、及び導電層5を省略して議論する。また、図2a、bは図1のJ-J ́線、K-K ́線における断面図である。本実施形態は、第1及び第2の従来の技術と同様の凹部を備えたリッジ構造の光デバイス50である。所定深さの凹部9a~9cに加え、さらにY分岐の合波点分岐点に向かってその深さが徐々に浅くなる凹部9a ́~9c ́を備えている。ここで、凹部9a ́~9c ́の領域をスポット変換領域Vと、スポット変換領域Vの端から基板端までの領域をプレーナ領域VIと定義する。ここで、G1、G2、G3、G1 ́、G2 ́、G3 ́はリッジ部のギャップであり、H1、H2、H3、H1 ́、H2 ́、H3 ́は凹部の深さリッジ部の高さである。なお、図2a、b各々においては、3箇所のリッジ部のギャップGと凹部の深さHを等しく図示しているが、もちろん互いに異なっていても良い。本発明の重要な点は、図2aとbにおいて凹部の深さH1~H3とH1 ́~H3 ́とが互いに異なっている点リッジ部8a、8bの高さとリッジ部8a ́、8b ́の高さが互いに異なっている点である。つまり、図1のJ-J ́線に対応する図2aでは凹部の深さが深いが、K-K ́線に対応する図2bでは凹部の深さが浅くなり、プレーナ型に近い構造となっている。次に、本発明の製造方法と動作原理について図3~7に基づいて説明する。図3aとbは各々図2aとbつまり、各々図1内のJ-J ́線とK-K ́線での断面図に対応した断面である。LN基板1上に、リッジ部を形成するためのドライエッチングマスク20a、20b、20c、20dを形成する。ドライエッチングマスク20a、20b、20c、20dは、所定位置に向かって隣り合うマスク間におけるギャップを徐々に狭めて形成する。J-J ́線断面におけるマスクギャップGM1、GM2、GM3に対し、K-K ́線断面におけるマスクギャップGM1 ́、GM2 ́、GM3 ́が狭くなっている。この実施形態においては、Y分岐部の合波点3c分岐点3d近傍でマスクギャップは零もしくは充分小さくなるようにしている。この状態の基板にドライエッチングを行う。ドライエッチングではイオンビームが完全に垂直にはドライエッチングマスク20a、20b、20c、20dとLN基板1に当たるわけではないので、エッチングの結果形成されるリッジ部の側壁例えば12は傾斜する。図5に示すように図5では例としてリッジ部8aについてのみ図示している、リッジ部8aの角度は90度ではなくその傾きθ通常、60~75度を持つ。したがって、マスクギャップが狭ければ凹部の深さは浅く、マスクギャップが広ければ凹部の深さは深くなる。図6にマスクギャップGMと凹部の深さHH ́との関係を示す。エッチング後の態様は図4a、bのようになる。図4bに示すようにギャップGM ́ここで、GM1 ́、GM2 ́、GM3 ́は互いに等しいとし、GM ́としたが狭いと、凹部の深さH ́ここで、H1 ́、H2 ́、H3 ́は互いに等しいとし、H ́としたは浅くなる。一方、図4aに示すようにギャップGMが広いと、凹部の深さHは深くなる。この図4a、bの態様からドライエッチングマスク20a、20b、20c、20dを除去すると、図2a、bに示す凹部の深さが互いに異なるリッジ部を持つ光デバイスとすることができる。なお、マスクギャップGM1~GM3、GM1 ́~GM3 ́とリッジ部のギャップG1~G3、G1 ́~G3 ́とは、各々略等しくなる場合が多い。そして、図7に凹部の深さとモードフィールド径との関係図を示す。凹部の深さHが浅いマスクギャップGMが狭いとスポットサイズは大きくなり、凹部の深さHが零マスクギャップGMが零の場合には光導波路3a、3bを伝搬する光のスポットサイズはプレーナの値と同じとなる。一方、凹部の深さHが深いマスクギャップGMが広い場合には、光導波路を伝搬する光の横方向のスポットサイズはリッジ部の側壁により閉じ込められるので、小さくなる。つまり、本発明は図2aに示すような所定深さを持ったリッジ構造部からプレーナ領域VIへ導波する光を結合損失が少なく伝搬できるよう、凹部の端近傍においてその深さが徐々に浅くなるスポット変換領域Vを設けたものである。このように、本発明では従来技術のようにリッジ部の頂部の幅を広くする必要がなく、単にリッジ部の凹部の深さリッジ部の高さを場所によって異ならしめるだけで良いので、光導波路のY分岐部合波部の分岐点3c合波点3dやアレー状光導波路のような面積的に狭い領域においても適用可能であるという利点がある。なお、スポット変換領域Vは上記で説明した位置に限定されることはなく、例えば図8の光デバイス51に示すように入出力光導波路の一部にまで適用してもよい。各実施形態本発明は面積的に狭い領域でもリッジ構造部とプレーナ構造部との間の効率的な光のスポットサイズ変換を可能とする特徴がある。本発明の思想は、リッジ構造部とプレーナ構造部との境界において、凹部の深さが徐々に浅くなるスポット変換領域を有するものである。したがって、例えば全ての光導波路がリッジ構造であっても、一部の凹部の深さが浅く、当該浅い領域のスポットサイズが完全なリッジ構造部のスポットサイズよりも大きい場合には、本発明の思想に属することになる。また、本発明はマッハツェンダ光導波路型の光デバイスのみでなく、1本の光導波路の光デバイスにも適用可能であることはいうまでもない。図9は本発明を適用した光デバイス60の上面図である。光デバイス60は、光導波路3が形成された基板1 ́上に所定深さの凹部9d、9eを備え、上記実施形態同様、9dと9eに延びて徐々に浅くなった凹部9d ́と9e ́からなるスポット変換領域Vを備えている。また、本発明はバイアス分離型の光変調器にも適用可能である。また本発明は電極構造に依存せず、CPW構造や非対称コプレーナストリップACPS構造、あるいは対称コプレーナストリップCPS構造など、各種の電極構造について成り立つことはいうまでもない。