"使用済みスピンコーティング用レジストを原料にしたスピンレスコーティング用レジストの製造方法であって、前記使用済みスピンコーティング用レジストとリンス液とを含む使用済み混合液を回収する回収工程と、前記使用済み混合液を濃縮して濃縮液を調製する濃縮工程と、前記濃縮液に、界面活性剤を添加してスピンレスコーティング用レジストを製造する添加工程と、を含み、前記使用済みスピンコーティング用レジストの溶剤が主としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートであり、前記リンス液が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートより低沸点の他の溶剤を含み、前記界面活性剤を前記スピンレスコーティング用レジストの固形分に対して0.2質量以上となるように添加する、スピンレスコーティング用レジストの製造方法。前記他の溶剤がプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ブチル、メチル-3-メトキシプロピオネートから選択される1種以上の溶剤である、請求項1に記載のスピンレスコーティング用レジストの製造方法。前記濃縮工程では、全溶剤中に占める前記他の溶剤の割合が40質量以下となるように前記使用済み混合液を濃縮する請求項1又は2に記載のスピンレスコーティング用レジストの製造方法。前記界面活性剤がシリコン系界面活性剤である請求項1から3いずれか1項に記載のスピンレスコーティング用レジストの製造方法。しかしながら、再生利用には限界があり、繰り返し再利用することによりレジストとしての性能が低下し、廃棄せざるを得ない使用済みレジストも多い。ところで、近年、大型の基板、あるいは非円板状の基板へのレジスト塗布が必要になってくると、スピンコーティングに代わり、スピンレスコーティングが採用されることも多くなってきた。スピンレスコーティングはスピンコーティングに比べ、使用済みレジストの発生量が少なく、塗布工程に用いたレジストの使用効率が95以上になる場合もある。そこで、従来は、スピンコーティングで発生した使用済みレジストを同じスピンコーティング用のレジストとして再利用していたところ、スピンレスコーティング用レジストとして転用すれば、使用済みレジストの量を大幅に低減することができると考えるに至った。そこで、本発明は、使用済みスピンコーティング用レジストを原料にしたスピンレスコーティング用レジストの製造方法を提供することを目的とする。本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意研究を重ねた結果、使用済みスピンコーティング用レジストとリンス液の廃液とを含む液を濃縮後、界面活性剤を添加することにより、塗布均一性の高いスピンレスコーティング用レジストを製造できることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明は、使用済みスピンコーティング用レジストを原料にしたスピンレスコーティング用レジストの製造方法であって、前記使用済みスピンコーティング用レジストとリンス液とを含む使用済み混合液を回収する回収工程と、前記使用済み混合液を濃縮して濃縮液を調製する濃縮工程と、前記濃縮液に、界面活性剤を添加してスピンレスコーティング用レジストを製造する添加工程と、を含み、前記使用済みスピンコーティング用レジストの溶剤が主としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートであり、前記リンス液が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートより低沸点の他の溶剤を含み、前記界面活性剤を前記スピンレスコーティング用レジストの固形分に対して0.2質量以上となるように添加する、スピンレスコーティング用レジストの製造方法である。本発明によれば、使用済みスピンコーティング用レジストを原料にし、スピンレスコーティング用レジストを製造することができる。以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図1は、本発明のスピンレスコーティング用レジストの製造方法の基本フローチャートである。以下、図1に沿って本発明を説明する。[回収工程]回収工程S10は、使用済みスピンコーティングレジストとリンス液の廃液とを含む、使用済み混合液を回収する工程である。スピンコーティングにより、基板上にレジストを塗布した際に、基板上に被膜として残らず、塗布用の装置内に飛散したり落下したものを使用済みスピンコーティングレジストとして回収する。基板への塗布は例えば、吐出ノズルと基板とを相対的に移動させる手段を備えたレジスト塗布装置によって行うことができる。本発明で用いられるスピンコーティング用のレジストとは、少なくともベース樹脂成分を含む従来公知のレジスト成分を、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAを主とする有機溶剤に溶解してなる組成物である。もちろんポジ型レジスト、ネガ型レジストいずれでもよく、必要に応じて酸発生剤、増感剤、感光剤、界面活性剤等の従来公知の化合物を含んでいてもよい。PGMEAの濃度は50以上であればよく、60以上が好ましく、80以上がより好ましい。レジストの塗布の後、引き続き行うエッジリンス、バックリンス等の洗浄により発生する、レジスト膜の不要部分とリンス液とを含む廃液を更に回収する。これらの廃液と前記使用済みスピンコーティングレジストとを含むものが、使用済み混合液である。リンス方法は、浸漬法、スプレー法等特に限定されず、リンス液処理時間も不要部分の洗浄除去に十分な時間であればよく、特に限定されるものではない。本発明で用いられるリンス液とは、PGMEA沸点146°Cより低沸点の他の溶剤を含むものである。前記他の溶剤は、沸点120°CであるプロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、沸点126°Cである酢酸ブチル、沸点142°Cであるメチル-3-メトキシプロピオネート等が挙げられる。後述する濃縮工程において分留率の低下を防止するために、PGMEAとの沸点差は大きい方が好ましく、10°C以上の沸点差が好ましく、20°C以上の沸点差がより好ましい。これらリンス液は単独で使用しても、複数組み合わせて使用してもよい。[濃縮工程]濃縮工程S20は、前記使用済み混合液から、前記他の溶剤が所定の濃度以下になるように濃縮して濃縮液を得る工程である。前記他の溶剤はPGMEAよりも沸点が低いため、濃縮により、その濃度を下げることができる。なお、本発明における濃縮とは完全な精留を意味するものではなく、沸点差を利用して所定の割合まで他の溶剤を減少させる化学操作を意味する。この濃縮工程S20は、濃縮後の溶剤組成を管理することが好ましいため、塗布装置のあるユーザーサイドではなく、好ましくはレジストメーカーサイドにて行われる。濃縮方法は特に限定されないが、例えば、前記使用済み混合液を撹拌しながら加熱することで前記他の溶剤を蒸発させることにより行う。また、必要に応じて減圧下で前記使用済み混合液を撹拌しながら加熱し、前記他の溶剤を蒸発させるようにしてもよい。また、適宜必要に応じてPGMEAを再添加し、前記他の溶剤を蒸発させやすくしてもよい。濃縮工程S20では、スピンレスコーティング用レジストの使用目的に応じて濃縮程度を適宜設定することができるが、全溶剤中に占める前記他の溶剤の濃度が40以下となるように濃縮することが好ましい。より好ましくは10以下であり、更に好ましくは1以下である。前記他の溶剤の濃度が40以下であれば、必要性能に応じた用途で、スピンレスコーティング用レジストとして使用可能である。また、同じ理由でPGMEAの濃度は50以上であることが好ましい。なお、濃縮工程S20において、一回の濃縮で前記他の溶剤の濃度を40以下にすることができるが、濃縮工程S20を複数回行うことで、より前記他の溶剤の濃度を低くすることができる。これにより、前記他の溶剤の濃度をある程度自由に変えることができ、様々な形態のスピンレスコーティング用レジストの製造に利用でき、ユーザーの要求にも応えることができる。[添加工程]添加工程S30は、前記濃縮液に界面活性剤を添加してスピンレスコーティング用レジストを製造する工程である。界面活性剤を添加することによって、基板へ塗布した際に良好な均一性が得られるスピンレスコーティング用レジストを製造することができる。前記濃縮液に添加する前記界面活性剤はノニオン系界面活性剤であることが好ましく、シリコン系界面活性剤であることがより好ましい。シリコン系界面活性剤として使用できる市販の界面活性剤は、例えばグラノール400、BYK310ビックケミージャパン社製等が挙げられる。またポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製もシリコン系界面活性剤として用いることができる。これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また2種以上を組み合わせて添加することもできる。前記界面活性剤は、前記スピンレスコーティング用レジストの固形分に対して、0.2質量以上となるように添加する。0.2~5質量となるように添加することが好ましく、0.2~1質量となるように添加することがより好ましい。以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。[スピンレスコーティング用レジストの製造]実施例1スピンコーティング用レジストとして東京応化工業株式会社製のTFR-1070PMノボラック系、溶剤PGMEA:PGME=95:5,固形分濃度25を用い、スピンコーティングによりHMDS処理されたシリコン基板上に塗布した。その後、リンス液としてPGMEを用い、基板を洗浄した。使用済みスピンコーティング用レジストとリンス液の廃液とを回収し、使用済み混合液を得た。使用済み混合液の組成は、固形分濃度25、溶剤中の水分は3、残りはPGMEA:PGME=60:40であった。この使用済み混合液を撹拌しながら加熱50°C、16mmHgし、固形分濃度40、溶剤がPGMEA:PGME=97:3の組成となるまで濃縮した。これにPGMEを添加してPGMEA:PGME=95:5となるように調製後、界面活性剤グラノール400を固形分に対し0.55質量となるように添加し、スピンレスコーティング用レジストAを得た。実施例2スピンコーティング用レジストとして東京応化工業株式会社製のTFR-858APMノボラック系、溶剤PGMEA:PGME=95:5,固形分濃度24を用い、スピンコート法によりHMDS処理されたシリコン基板上に塗布した。その後、リンス液としてPGMEを用い、基板を洗浄した。使用済みスピンコーティング用レジストとリンス液の廃液とを回収し、使用済み混合液を得た。使用済み混合液の組成は、固形分濃度25、溶剤中の水分は3、残りはPGMEA:PGME=63:37であった。この使用済み混合液を撹拌しながら加熱50°C、16mmHgし、固形分濃度41、溶剤がPGMEA:PGME=98:2の組成となるまで濃縮した。その後PGMEを添加してPGMEA:PGME=95:5となるように調製後、界面活性剤BYK310を固形分に対し0.2質量添加し、スピンレスコーティング用レジストBを得た。比較例1界面活性剤の添加を0.1質量とした他は実施例2と同様の手順で再生レジストCを調製した。[レジスト膜のパターン形成評価]上記のスピンレスコーティング用レジストA、B、及び参考例として東京応化工業株式会社製のスピンレスコーティング用レジストTFR-1070S4PM、TFR-868APMを用いて、HMDS処理されたシリコン基板上にそれぞれ塗布後、プレベークを110°C×90秒間施し、厚さ1.5μmのレジスト膜を形成した。その後、露光装置商品名:キャノン製MPA-600FAにより、ラインアンドスペース1:1で、3μmライン/3μmスペースのマスクパターンを介して露光した後、ポストベークを90°C×90秒間施した。次いで、2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で70秒間現像処理し、純水で30秒間リンス洗浄を経て不要部分を除去し、パターンを得た。露光量を変化させ、得られた実測線幅との関係を評価した。TFR-1070S4PMはスピンレスコーティング用レジストAと界面活性剤以外は同じ固形分の成分を持つものであり、TFR-868APMはスピンレスコーティング用レジストBと界面活性剤以外は同じ固形分の成分を持つものである。図2には、スピンレスコーティング用レジストAとTFR-1070S4PMの結果を、図3にはスピンレスコーティング用レジストBとTFR-868APMの結果を示す。使用済みスピンコーティング用レジストを原料して製造したスピンレスコーティング用レジストA及びBは、界面活性剤以外同じ固形分の成分を持つスピンレスコーティング用レジスト製品と有意差がなく、十分使用可能であることがわかる。[レジスト膜の塗布性評価]上記のスピンレスコーティング用レジストA、B、参考例として東京応化工業株式会社製のスピンレスコーティング用レジストTFR-1070S4PM、TFR-868APM、比較例として上記の再生レジストCを用いて、655mm×855mmのHMDS処理されたシリコン基板上にそれぞれ塗布後、60Pa又は400Paに10秒減圧して、溶媒を除去した。プレベークを110°C×90秒間施し、レジスト膜を形成した。基板を5×5の25箇所に分割し、レジスト膜の厚みを測定し、3σ、均一性を計算した。なお、均一性については、最大値―最小値÷最大値最小値÷2×100として求めた。結果を表1に示す。界面活性剤の添加が0.2質量以上でない再生レジストCは塗布均一性に劣ったが、上記のスピンレスコーティング用レジストA,Bは、市販のスピンレスコーティング用レジストと同程度の塗布均一性を示し、スピンレスコーティング用レジストとして十分使用可能であることがわかる。"