ビデオ信号を保持可能なメモリ性を有する画素が配置された表示パネルと、前記表示パネルの一端を自由端として、前記表示パネルの他の一端を回動可能に担持する支持部と、前記表示パネルが回動している時に検出信号を出力するセンサと、前記検出信号が出力されている時に前記表示パネルに前記ビデオ信号を入力し、前記検出信号が出力されていない時に前記画素の駆動を停止する駆動回路とを有することを特徴とする表示装置。請求項1において、前記画素は、メモリ性を有する表示素子を有することを特徴とする表示装置。請求項1又は請求項2において、前記画素は、酸化物半導体を用いて形成されたトランジスタを有することを特徴とする表示装置。請求項3において、前記酸化物半導体は、真性又は実質的に真性であることを特徴とする表示装置。表示装置において、消費電力を低減することを目的の一とする。開示する表示装置は、表示パネルをめくる機能を有し、表示パネルをめくっている時に画素を駆動させるものである。以下に、本発明の一態様を示す。本発明の一態様は、ビデオ信号を保持可能なメモリ性を有する画素が配置された表示パネルと、表示パネルの一端を自由端として、表示パネルの他の一端を回動可能に担持する支持部と、表示パネルが回動している時に検出信号を出力するセンサと、検出信号が出力されている時に表示パネルにビデオ信号を入力して画素を駆動し、検出信号が出力されていない時に画素の駆動を停止する駆動回路とを有する表示装置である。本明細書において、回動とは、紙の書籍のように表示パネルをめくる動作を指す。表示装置において、画素の駆動時間を短縮することで、消費電力を低減することができる。以下に、実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、以下の実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。実施の形態1本実施の形態では表示装置及びその駆動方法の一例について説明する。図1は、表示装置の一例である。表示装置は、複数の表示パネル1001と、複数の表示パネル1001の支持部1002とを有する。表示パネル1001は、片面又は両面に表示画面1003を有する。支持部1002は、表示パネル1001の一端を自由端として、前記表示パネル1001の他の一端を回動可能に担持している。すなわち、表示装置は、支持部1002を支点として、紙の書籍のようにページ表示パネル1001をめくって見ることができる。また、表示パネル1001は一つでもよい。なお、表示パネル1001は、可撓性を有していてもよい。その場合、紙と似たような感覚で使用できる。図2は、あるページの表示パネルの一例を示す。表示パネルは、画素部100、信号線駆動回路200、走査線駆動回路300、コントローラ400、コントローラ500を有する。画素部100は、複数の画素101を有する。複数の画素101は、各々、配線S1~Sxのいずれか一xは自然数、配線G1~Gyのいずれか一yは自然数、配線111及び配線112と接続される。なお、本明細書において、接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧又は電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。信号線駆動回路200は、配線S1~Sxに、ビデオ信号を出力するタイミングを制御する機能を有する。ビデオ信号は、各画素101に書き込まれる。そして、ビデオ信号は、各画素101の階調や状態などを制御する。走査線駆動回路300は、配線G1~Gyに、ゲート信号を出力するタイミングを制御する機能を有する。こうして、配線G1~Gyのいずれかが選択される。選択された行に属する画素101に、ビデオ信号を書き込むことができる。コントローラ400は、信号線駆動回路200及び走査線駆動回路300が動作するタイミングを制御する。そのために、コントローラ400は、信号線駆動回路200及び走査線駆動回路300に、電圧や制御信号などを出力する。コントローラ500は、配線111及び配線112の電位を制御する。なお、コントローラ400及びコントローラ500は、各表示パネルで共有することができる。また、コントローラ400及びコントローラ500を、図1の支持部1002内に搭載することで、表示装置の小型化が実現できる。そして、本実施の形態の表示装置は、表示パネルを回動している時にビデオ信号を出力して画素を駆動し、表示パネルを回動していない時に画素の駆動を停止する機能を有している。すなわち、表示パネルをめくる前後において、めくっている時に画素を駆動し、めくった後に画素の駆動を停止する。このように画素の駆動時間を短縮することで、表示装置の消費電力を低減することができる。以下に、表示パネルの駆動方法の具体例を説明する。図3は、表示パネルのタイミングチャートの一例である。該タイミングチャートは、期間Taと期間Tbとを有する。期間Taは、ページをめくっている時の期間であり、画素101にビデオ信号が書き込まれる。そして、画素101の階調が制御される。したがって、書き込み期間とも呼ぶ。期間Tbは、ページをめくる前とめくった後の期間であり、画素101の階調が保持される。したがって、保持期間とも呼ぶ。次に、期間Taにおける表示パネルの動作について説明する。図4は、期間Taのタイミングチャートの一例である。走査線駆動回路300には、コントローラ400から、スタートパルスGSP、クロック信号GCK、クロック信号GCKBなどが入力される。スタートパルスGSPがHレベルになると、走査線駆動回路300の出力信号GOUT1~GOUTyは、順にHレベルになる。こうして、走査線駆動回路300は、配線G1~Gyを順に選択する。そして、選択された配線と接続される画素101には、各々、信号線駆動回路200から配線S1~Sxを介して、ビデオ信号が入力される。以上のように、期間Taにおいて、複数の画素101の各々にビデオ信号が入力され、階調が制御される。次に、期間Tbにおける表示パネルの動作について説明する。図5は、期間Tbのタイミングチャートの一例である。期間Tbでは、画素101にはビデオ信号を書き込まないため、画素101の駆動を停止することが可能である。すなわち、画素101に接続する配線G1~Gyを選択する必要がない。配線G1~Gyを非選択にする手段としては、例えば、走査線駆動回路300を制御して、信号を出力しないこと、又はLレベルの信号を出力することが挙げられる。なお、図5では、スタートパルスGSPをLレベルとすることで、配線G1~Gyを非選択とし、画素の駆動を停止している。このように、画素の駆動時間を短縮することで、消費電力を低減できる。図6は、期間Tbのタイミングチャートの他の一例である。図6では、スタートパルスGSPだけでなく、クロック信号GCK及びクロック信号GCKBも、Lレベルとすることで、画素の駆動を停止している。消費電力は、図5の駆動方法よりさらに低減される。なお、図6において、走査線駆動回路300に供給される電圧も、Lレベルと同じ値にすることが可能である。こうして、トランジスタのバイアス電圧をおおむねゼロにすることができるので、トランジスタの劣化を抑制することができる。図7は、期間Tbのタイミングチャートの他の一例である。図7に示すタイミングチャートでは、コントローラ400の動作を停止している。そのため、スタートパルスGSP、クロック信号GCK及びクロック信号GCKBが出力されず、画素の駆動が停止する。消費電力は、図6の駆動方法よりさらに低減される。図8は、コントローラ400の構成の一例である。コントローラ400は、電源回路801、タイミングジェネレータ802、スイッチ素子803、及びスイッチ素子804を有する。コントローラ400は、電源回路801及びタイミングジェネレータ802から走査線駆動回路300への出力を制御する。例えば、期間Taでは、スイッチ素子803をオン状態とし、スイッチ素子804をオフ状態とすることで、電源回路801からHレベルの信号VH又はLレベルの信号VLを出力するタイミングを制御する。期間Tbでは、スイッチ素子803をオフ状態とし、スイッチ素子804をオン状態とすることで、電源回路801からLレベルの信号VLを出力する。図9は、配線G1~Gy及び走査線駆動回路300の構成の一例である。配線G1~Gyと走査線駆動回路との間にスイッチ素子901が設けられている。スイッチ素子901は、走査線駆動回路300からの配線G1~Gyへの信号の出力を制御する。例えば、期間Taでは、スイッチ素子901をオン状態とする。期間Tbでは、スイッチ素子901をオフ状態とする。図8又は図9のような構成により、画素の駆動を制御することができる。ただし、これらに限定されず様々な構成を適用することができる。なお、上記で示した画素の駆動方法は、表示パネルをめくる前後だけでなく、他の用途にも用いることができる。例えば、表示装置は表示パネルに表示された画像を加工する機能を有しており、加工を行う前後において、加工を行っている時に画素を駆動し、加工を行った後は画素の駆動を停止してもよい。なお、加工の例として、画像の拡大、縮小、又は変形等が挙げられる。このような、画素の駆動の制御により消費電力を低減できる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態2本実施の形態では、表示パネルの駆動方法の一例について説明する。図10は、表示パネルのタイミングチャートの一例である。図3と同様に、期間Taがページをめくっている時の期間であり、期間Tbがページをめくる前とめくった後の期間である。図3と異なる点は、期間Taについて、期間Ta1~Tannは自然数という複数の期間を有することである。そして、期間Ta1~Tanの各々において、画素101にビデオ信号が書き込まれる。図10の期間Ta1~Tanの各々において、図4の期間Taと同様に画素101にビデオ信号が入力される。つまり、期間Taにおいて、画素101には、ビデオ信号がn回入力される。n回の入力により、画素の初期化や階調の制御等が行われる。なお、複数の期間Ta1~Tanのうち最後の期間Tanにおいて、画素101内の表示素子が無電界状態になるように制御することが好ましい。そうすることで、期間Tbにおいて階調を保持しやすくなる。無電界状態にする手段としては、配線111の電位コモン電位Vcomとも呼ぶとおおむね等しい値のビデオ信号を書き込むことが挙げられる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態3本実施の形態では、表示パネルの画素の具体的な構成及びその駆動方法の一例を示す。図11に、iiは1~yのいずれか一行目、jjは1~xのいずれか一列目に属する画素101の一例を示す。図11に示す画素は、トランジスタ102、表示素子103及び容量素子104を有する。トランジスタ102は、表示素子103へのビデオ信号の供給を制御するスイッチ素子として機能する。トランジスタ102のソース又はドレインの一方は、配線Sjと接続される。トランジスタ102のソース又はドレインの他方は、容量素子104の一方の電極及び表示素子103の一方の電極5001画素電極ともいうと接続される。トランジスタ102のゲートは、配線Giと接続される。容量素子104の他方の電極は、配線112と接続される。表示素子103の他方の電極5002コモン電極、共通電極、対向電極、カソード電極ともいうは、配線111と接続される。画素101は、メモリ性を有することが好ましい。そのため、表示素子103は、メモリ性を有することが好ましい。表示素子103の駆動方式としては、マイクロカプセル型電気泳動方式、マイクロカップ型電気泳動方式、水平移動型電気泳動方式、垂直移動型電気泳動方式、ツイストボール方式、粉体移動方式、電子粉流体方式、コレステリック液晶素子、カイラルネマチック液晶、反強誘電性液晶、高分子分散型液晶、帯電トナー、エレクトロウェッティング方式、エレクトロクロミズム方式、又はエレクトロデポジション方式などがある。以下にそれらの一例を説明する。トランジスタ102は、様々な形態を適用することができる。例えば、シリコン又は酸化物半導体等を用いて形成することができる。特に、メモリ性を有する表示素子では、駆動電圧が大きいため、アモルファルシリコン又は酸化物半導体等を用いて形成することが好ましい。図12は、表示素子103として、マイクロカプセル型電気泳動方式を用いた場合の画素の断面図である。電極5001と電極5002との間に、複数のマイクロカプセル5003が配置されている。複数のマイクロカプセル5003は、樹脂5004により固定されている。樹脂5004は、バインダとしての機能を有する。樹脂5004は、透光性を有するとよい。樹脂5004の代わりに、空気又は不活性ガスなどの気体を充填してもよい。その場合、電極5001と電極5002との一方又は両方に、粘着剤又は接着剤等含む層を形成して、マイクロカプセル5003を固定するとよい。マイクロカプセル5003は、膜5011と、液体5012と、粒子5013と、粒子5014とを有する。液体5012と、粒子5013と、粒子5014とは、膜5011の中に封入されている。膜5011は、透光性を有する。液体5012は、分散液としての機能を有する。液体5012により、粒子5013及び粒子5014を膜5011内に分散させることができる。なお、液体5012は、透光性を有し、無着色であるとよい。粒子5013と粒子5014とは、互いに異なる色とする。例えば、一方は黒色であり、他方は白色であるとよい。なお、粒子5013と粒子5014とは、互いの電荷密度が異なるように、帯電されているとする。例えば、一方は正に帯電され、他方は負に帯電されるとよい。これにより、電極5001と電極5002との間に電位差が生じると、粒子5013と粒子5014とは、電界方向に応じて移動する。こうして、表示素子103の反射率が変化することにより、階調を制御することができる。なお、マイクロカプセル5003の構造は、上記に限定されない。例えば、液体5012は、着色していてもよい。また、粒子の色は、白色及び黒色だけでなく、赤色、緑色、青色、シアン、マゼンダ、イエローエメラルドグリーン、朱色などの中から選択することが可能である。また、粒子の色の種類は、1種類であっても、3種類以上であってもよい。次に、本実施の形態の画素の動作について説明する。以下は、マイクロカプセル型電気泳動方式以外の表示素子についても適用可能である。表示素子103の階調は、表示素子103に印加される電圧電極5001と電極5002との間の電位差によって制御される。電極5001の電位は、配線Sjから供給されるビデオ信号によって制御される。なお、ビデオ信号は、トランジスタ102がオンのとき、配線Sjから電極5001に供給される。また、電極5002の電位は、配線111から供給される電圧によって制御される。なお、電極5001と電極5002との間に電位差が生じないような駆動をすることで、両電極間が無電界状態となり、表示素子103の階調を保持することができる。図11において、図3又は図10の駆動方法を用いる場合、期間Taページをめくっている時では、配線GiをHレベルにするため、トランジスタ102がオンになる。これにより、配線Sjから電極5001に、トランジスタ102を介してビデオ信号が供給される。その際、容量素子104は、電極5001と電極5002との間の電位差を保持する。期間Tbページをめくる前とめくった後では、配線Giを非選択とする画素101の駆動を停止するため、トランジスタ102がオフになる。これにより、電極5001は浮遊状態になる。その際、容量素子104は、期間Taにおける電極5001と電極5002との間の電位差を保持している。そのため、トランジスタがオフであっても、表示素子103にビデオ信号に基づく電圧が印加される。したがって、表示素子103の階調は保持される。以上のように、画素101の駆動時間を短縮することで、消費電力を低減することができる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態4本実施の形態では、図11のトランジスタ102を、酸化物半導体を用いて形成する例を説明する。トランジスタ102に酸化物半導体を用いることで、トランジスタ102のオフ状態でのリーク電流オフ電流を低減することができる。トランジスタ102のオフ電流を低減することで、期間Tbにおいて表示素子103の電極5001の電荷がトランジスタ102からリークすることを防止できる。すなわち、表示素子の階調を保持する機能を高めることができる。したがって、上記のメモリ性を有する表示素子を用いる効果と相俟って、画素の表示品質を向上することができる。また、トランジスタ102のオフ電流を低減することで、メモリ性を有さない表示素子を用いた場合でも、階調を保持することが可能となる。すなわち、オフ電流が低減されたトランジスタを用いることで、画素はメモリ性を有する。メモリ性を有さない表示素子としては、ネマティック液晶又はスメクティック液晶等が挙げられる。以下に、酸化物半導体を用いたトランジスタの構造及び作製方法について、具体例を示す。図13は、トランジスタの断面図である。トランジスタ2000は、絶縁物2001上に形成されたボトムゲート型の逆スタガ構造の薄膜トランジスタであり、ゲート電極2002、ゲート絶縁膜2003、半導体膜2004、電極2005、電極2006を有する。また、トランジスタ2000上に絶縁膜2007を有する。電極2005及び電極2006は、一方がソース電極であり、他方がドレイン電極である。まず、トランジスタ2000のオフ電流を大きくする要因として、半導体膜2004に用いる酸化物半導体中に水素等例えば水素、水、又は水酸基の不純物が含まれていることが挙げられる。水素等は、酸化物半導体中でキャリアの供与体ドナーになる可能性があり、オフ状態においても電流を発生させる要因となる。すなわち、酸化物半導体中に水素等が多量に含まれていると、酸化物半導体がN型化されてしまう。そこで、以下で示す作製方法は、酸化物半導体中の水素等を極力低減し、且つ、構成元素である酸素の濃度を高くすることで、酸化物半導体を高純度化するものである。高純度化された酸化物半導体は、真性又は実質的に真性な半導体であり、オフ電流を低減することができる。ゲート絶縁膜2003上に、酸化物半導体膜をスパッタリング法により形成する。酸化物半導体膜のターゲットとしては、酸化亜鉛を主成分とする金属酸化物のターゲットを用いることができる。例えば、組成比として、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1、すなわち、In:Ga:Zn=1:1:0.5のターゲットを用いることができる。また、In:Ga:Zn=1:1:1、又はIn:Ga:Zn=1:1:2の組成比を有するターゲットを用いることもできる。また、SiO2を2重量以上10重量以下含むターゲットを用いることもできる。なお、酸化物半導体膜の成膜の際は、希ガス代表的にはアルゴン雰囲気下、酸素雰囲気下、または希ガス及び酸素混合雰囲気下とすればよい。ここで、酸化物半導体膜を成膜する際に用いるスパッタガスは、水素等の不純物の濃度がppmレベル、好ましくはppbレベルまで除去された高純度ガスを用いる。酸化物半導体膜は、処理室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が除去されたスパッタガスを導入して成膜する。処理室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。酸化物半導体膜の膜厚は、2nm以上200nm以下とすればよく、好ましくは5nm以上30nm以下とする。そして、酸化物半導体膜にエッチング等を行い、所望の形状に加工パターニングして半導体膜2004とする。以上では、酸化物半導体膜としてIn-Ga-Zn-Oを用いる例を示したが、その他にも、In-Sn-Ga-Zn-O、In-Sn-Zn-O、In-Al-Zn-O、Sn-Ga-Zn-O、Al-Ga-Zn-O、Sn-Al-Zn-O、In-Zn-O、Sn-Zn-O、Al-Zn-O、Zn-Mg-O、Sn-Mg-O、In-Mg-O、In-O、Sn-O、又はZn-Oなどを用いることができる。また、上記酸化物半導体膜はSiを含んでいてもよい。また、これらの酸化物半導体膜は、非晶質であってもよいし、結晶質であってもよい。または、非単結晶であってもよいし、単結晶であってもよい。また、酸化物半導体膜として、InMO3ZnOmm>0で表記される薄膜を用いることもできる。ここで、Mは、Ga、Al、MnおよびCoから選ばれた一または複数の金属元素である。例えば、Mとして、Ga、Ga及びAl、Ga及びMn、またはGa及びCoが挙げられる。次に、酸化物半導体膜半導体膜2004に第1の加熱処理を行う。第1の加熱処理の温度は、400°C以上750°C以下、好ましくは400°C以上とし、基板の歪み点未満とする。第1の加熱処理によって酸化物半導体膜半導体膜2004から水素等の不純物の除去脱水素化処理を行うことができる。これらが酸化物半導体膜に含まれると、ドナーとなりトランジスタのオフ電流を増大させるため、第1の加熱処理による脱水素化処理は極めて有効である。なお、第1の加熱処理は、電気炉を用いることができる。また、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって加熱してもよい。その場合、例えばGRTAGasRapidThermalAnneal装置、LRTALampRapidThermalAnneal装置等のRTARapidThermalAnneal装置を用いることができる。LRTA装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光電磁波の輻射により、被処理物を加熱する装置である。GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。気体としては、不活性ガス代表的には、アルゴン等の希ガスまたは窒素ガスを用いることができる。GRTA装置を用いることで、短時間で高温の加熱処理が可能となるため、特に有効である。また、第1の加熱処理は、酸化物半導体膜のパターニングを行う前に行ってもよいし、電極2005及び電極2006を形成した後行ってもよいし、絶縁膜2007を形成した後に行ってもよい。ただ、電極2005及び電極2006が第1の加熱処理によってダメージを受けることを避けるため、これらの電極を形成する前に行うことが好ましい。ここで、第1の加熱処理において、酸化物半導体に酸素欠損が生じてしまうおそれがある。そのため、第1の加熱処理の後に、酸化物半導体に酸素の導入加酸化処理を行い、構成元素である酸素の高純度化を行うことが好ましい。加酸化処理の具体例としては、第1の加熱処理の後連続して、窒素又は酸素を含む雰囲気たとえば、窒素:酸素の体積比=4:1中、又は酸素雰囲気中において、第2の加熱処理を行う方法が挙げられる。また、酸素雰囲気下でのプラズマ処理を行う方法を用いることもできる。これにより酸化物半導体膜中の酸素濃度を向上させ、高純度化することができる。第2の加熱処理の温度は、200°C以上400°C以下、好ましくは250°C以上350°C以下とする。また、加酸化処理の別の例としては、半導体膜2004上に接して酸化珪素膜等の酸化絶縁膜絶縁膜2007を形成し、第3の加熱処理を行う。この絶縁膜2007中の酸素が半導体膜2004に移動し、酸化物半導体の酸素濃度を向上させ、高純度化することができる。第3の加熱処理の温度は、200°C以上400°C以下、好ましくは250°C以上350°C以下とする。なお、トップゲート型とした場合においても、半導体膜2004上部に接するゲート絶縁膜を、酸化珪素膜等で形成し、同様の加熱処理を行うことで、酸化物半導体を高純度化することができる。以上のように、第1の加熱処理により脱水素化処理を行った後、第2の加熱処理又は第3の加熱処理により加酸化処理を行うことで、酸化物半導体膜を高純度化することが可能である。高純度化することで、酸化物半導体を真性又は実質的に真性とすることができ、トランジスタ2000のオフ電流を低減することができる。なお、絶縁物2001は、絶縁性を有する基板でもよく、所望の基板上に酸化珪素膜、窒化珪素膜等を用いて、単層又は積層で形成した膜でもよい。プラズマCVD法、スパッタリング法を用いて形成すればよい。ポリイミド等の樹脂膜を塗布法等により形成した膜でもよい。基板を樹脂で形成することで、可撓性を有する表示パネルとすることができる。また、ゲート電極2002は、絶縁物2001上に、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料、又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層又は積層で形成する。スパッタリング法又は真空蒸着法を用いて形成すればよい。また、ゲート絶縁膜2003は、酸化珪素膜又は窒化珪素膜等を用いて、単層又は積層で形成する。プラズマCVD又はスパッタリング法を用いて形成すればよい。また、電極2005及び電極2006は、ゲート絶縁膜2003及び半導体膜2004上に、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、イットリウムなどの金属、これらを主成分とする合金材料、又は酸化インジウム等の導電性を有する金属酸化物等を用いて、単層又は積層で形成する。スパッタリング法又は真空蒸着法を用いて形成すればよい。電極2005及び電極2006は、ゲート電極2002と重なって形成されることが好ましい。このようにすることで、トランジスタ102の電流駆動能力を向上させることができる。特に、高純度化された酸化物半導体真性又は実質的に真性な酸化物半導体を用いた場合に有効である。以下に、高純度化された酸化物半導体、及びそれを用いたトランジスタについて、詳細に説明する。高純度化された酸化物半導体の一例としては、キャリア濃度が1×1014/cm3未満、好ましくは1×1012/cm3未満、さらに好ましくは1×1011/cm3未満、または6.0×1010/cm3未満である酸化物半導体が挙げられる。高純度化された酸化物半導体を用いたトランジスタは、シリコンを用いた半導体を有するトランジスタ等に比較して、オフ電流が非常に小さいという特徴を有している。トランジスタのオフ電流特性について、評価用素子TEGとも呼ぶを用いて測定した結果を以下に示す。なお、ここでは、nチャネル型のトランジスタであるものとして説明する。TEGには、L/W=3μm/50μm膜厚d:30nmのトランジスタを200個並列に接続して作製されたL/W=3μm/10000μmのトランジスタを設けた。その初期特性を図15に示す。ここでは、VGを-20V~5Vまでの範囲で示している。トランジスタの初期特性を測定するため、基板温度を室温とし、ソース-ドレイン間電圧以下、ドレイン電圧またはVDというを10Vとし、ソース-ゲート間電圧以下、ゲート電圧またはVGというを-20V~20Vまで変化させたときのソース-ドレイン電流以下、ドレイン電流またはIDというの変化特性、すなわちVG-ID特性を測定した。図15に示すように、チャネル幅Wが10000μmのトランジスタは、VDが1V及び10Vのいずれにおいても、オフ電流は1×10-13A以下となっており、測定機半導体パラメータアナライザ、Agilent4156C;Agilent社製の分解能100fA以下となっている。このオフ電流値は、チャネル幅1μmに換算すると、10aA/μmに相当し、画素に適用した場合には実質的にゼロであると見なせる。なお、本明細書においてオフ電流とは、nチャネル型のトランジスタでしきい値Vthが正である場合、室温において-20V以上-5V以下の範囲の任意のゲート電圧を印加したときにトランジスタのソース-ドレイン間を流れる電流のことを指す。なお、室温は、15度以上25度以下とする。本明細書に開示する酸化物半導体を用いたトランジスタは、室温において、単位チャネル幅Wあたりの電流値が100aA/μm以下、好ましくは1aA/μm以下、さらに好ましくは10zA/μm以下である。また、図11の画素101において、トランジスタ102のオフ電流を低減することで、表示素子103の階調を保持する機能が高まるため、容量素子104を設けない構成とすることも可能である。容量素子104を設けないことで、画素101の開口率を向上させることができる。また、高純度化された酸化物半導体を用いたトランジスタは温度特性が良好である。代表的には、-25°Cから150°Cまでの温度範囲におけるトランジスタの電流電圧特性において、オン電流、オフ電流、電界効果移動度、S値、及びしきい値電圧の変動がほとんどなく、温度による電流電圧特性の劣化がほとんど見られない。また、高純度化された酸化物半導体は光照射による劣化が少ないため、表示装置のように光を利用する装置では、特に信頼性を高めることができる。なお、本実施の形態では、トランジスタがボトムゲート型である例を示したが、図14のようにトップゲート型のトランジスタ3000としてもよい。トランジスタ3000は、半導体膜3004、電極3005、電極3006、ゲート絶縁膜3003、及びゲート電極3002を有する。電極3005及び電極3006は、一方がソース電極であり、他方がドレイン電極である。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態5本実施の形態では、表示パネルがめくられたことを検知する構成について、一例を示す。図16の表示装置は、表示パネル1001、支持部1002、又は筐体1004にセンサが設けられている。センサを設けることで、表示パネルがめくられたことを自動的に検知することができる。例えば、表示パネル1001に、フォトセンサ1010を設ける構成が挙げられる。フォトセンサ1010は、表示パネル1001がめくられた際に入射される光を検出し、めくられたことを検知することができる。また、支持部1002に、圧力センサ1011を設けてもよい。圧力センサ1011は、表示パネル1001がめくられた際に生じる圧力を検出し、めくられたことを検知することができる。また、図17は、図16の表示装置を上部から見た断面図である。ここで、表示パネル1001は磁気センサ1012を有しており、筐体1004は磁石1013を有している。磁気センサ1012は、表示パネル1001が矢印の向きにめくられた際に、磁石1013から生じる磁気エネルギーの変化を検出して、めくられたことを検知することができる。なお、磁気センサ1012と磁石1013との位置は逆にしてもよい。複数の表示パネルを有する場合、各々の表示パネルに磁気センサ1012又は磁石1013を設けることで、表示パネルがめくられた際の磁気エネルギーの変化を検出することができる。なお、図17において、磁気センサ1012及び磁石1013の代わりに、2つ電極の電極を設けても良い。2つの電極の接触により生じる電流を検出することで、めくられたことを検知することができる。また、2つの電極の接近により生じる静電エネルギーの変化を検出してもよい。また、上記以外に、めくられた際の加速度を検出するセンサ加速度センサ、めくられた角度を検出するセンサ角度センサ等を設けてもよい。これらのセンサからの検出信号がコントローラ400図2参照に出力される。そして、走査線駆動回路300は、センサからの検出信号が出力されている時に画素の駆動を行い、検出信号が出力されていない時に画素の動作を停止する。画素の駆動時間を短縮することで、表示装置の消費電力を低減することができる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。