軸心部に溶接ワイヤが挿通されて給電される給電チップと、この給電チップと同軸心に設けられて、円筒状に形成されて、先端部にテーパ部が形成されたプラズマ電極と、前記給電チップと前記プラズマ電極との間に設けられて、円筒状に形成された絶縁部材と、前記プラズマ電極を取り囲み、プラズマガスが供給されるプラズマノズルと、このプラズマノズルを取り囲み、シールドガスが供給されるシールドガスノズルとを備えたプラズマミグ溶接トーチにおいて、前記プラズマ電極のテーパ部に形成されて、前記絶縁部材の先端部が当接して摺動可能に支持される切り欠き部を備えたことを特徴とするプラズマミグ溶接トーチ。前記切り欠き部は、前記プラズマ電極の軸心部と直角方向に広がる底面と、この底面の最大外周部から前記プラズマ電極の基端部の方向へ伸びる側面とを有し、前記切り欠き部は、前記給電チップの先端部と前記テーパ部との最短距離を結ぶ直線を前記絶縁部材が交差する位置に設けられるように形成されたことを特徴とする請求項1記載のプラズマミグ溶接トーチ。前記給電チップの先端部と前記絶縁部材の先端部との間の距離が1mm乃至3mmで、前記絶縁部材の先端部と前記プラズマ電極の先端部との間の距離が3mm乃至7mmであることを特徴とする請求項2記載のプラズマミグ溶接トーチ。前記絶縁部材の先端部と前記切り欠き部の底面との重なり代が0.5mm乃至1.2mmで、前記切り欠き部の最外径と前記絶縁部材の外径との差である切欠き部の裕度が0.3mm乃至1.5mmであることを特徴とする請求項2又は3記載のプラズマミグ溶接トーチ。上述したように、プラズマ電極7は間接水冷されているが、プラズマ電極7の先端部からプラズマアーク1が発生するために、プラズマ電極7自身への入熱は著しく大きい。そのために、溶接中におけるプラズマ電極7の温度上昇は、絶縁部材13やプラズマノズル8やシールドガスノズル9に比べると大きくなり、溶接中の温度上昇によって銅金属からなるプラズマ電極7は熱膨張して、プラズマ電極7の内径が拡大される。この場合、例えば下向き姿勢で行われる溶接のとき、プラズマ電極7のテーパ部の内面に重力によって当接して位置決めされている絶縁部材13は、プラズマ電極7の内径が拡大されることによって、さらにプラズマ電極7の先端部の方向X1方向へ降下する。そして溶接が終了して、プラズマ電極7の熱が冷めると、プラズマ電極7の内径が元の大きさに収縮する。このとき、絶縁部材の先端部13bがプラズマ電極7のテーパ部によって締め付けられることによって、絶縁部材の先端部13bに割れや欠けが発生することがある。この割れや欠けによって給電チップ6の先端部とプラズマ電極7との間に絶縁部材13が無くなると、この間でアーキングが発生したり、割れや欠けによってセンターガス10が乱流を巻き起こしたりして、プラズマアーク1が不安定になるという不具合があった。本発明は、プラズマ電極が熱膨張した後に冷却するときに、絶縁部材がプラズマ電極のテーパ部によって締め付けられて絶縁部材に割れや欠けを生じることのないプラズマミグ溶接トーチを提供することを目的としている。上述した課題を解決するために、請求項1の発明は、軸心部に溶接ワイヤが挿通されて給電される給電チップと、この給電チップと同軸心に設けられて、円筒状に形成されて、先端部にテーパ部が形成されたプラズマ電極と、前記給電チップと前記プラズマ電極との間に設けられて、円筒状に形成された絶縁部材と、前記プラズマ電極を取り囲み、プラズマガスが供給されるプラズマノズルと、このプラズマノズルを取り囲み、シールドガスが供給されるシールドガスノズルとを備えたプラズマミグ溶接トーチにおいて、前記プラズマ電極のテーパ部に形成されて、前記絶縁部材の先端部が当接して摺動可能に支持される切り欠き部を備えたことを特徴とするプラズマミグ溶接トーチである。請求項2の発明は、前記切り欠き部は、前記プラズマ電極の軸心部と直角方向に広がる底面と、この底面の最大外周部から前記プラズマ電極の基端部の方向へ伸びる側面とを有し、前記切り欠き部は、前記給電チップの先端部と前記テーパ部との最短距離を結ぶ直線を前記絶縁部材が交差する位置に設けられるように形成されたことを特徴とする請求項1記載のプラズマミグ溶接トーチである。請求項3の発明は、前記給電チップの先端部と前記絶縁部材の先端部との間の距離が1mm乃至3mmで、前記絶縁部材の先端部と前記プラズマ電極の先端部との間の距離が3mm乃至7mmであることを特徴とする請求項2記載のプラズマミグ溶接トーチである。請求項4の発明は、前記絶縁部材の先端部と前記切り欠き部の底面との重なり代が0.5mm乃至1.2mmで、前記切り欠き部の最外径と前記絶縁部材の外径との差である切欠き部の裕度が0.3mm乃至1.5mmであることを特徴とする請求項2又は3記載のプラズマミグ溶接トーチである。本発明のプラズマミグ溶接トーチは、プラズマ電極が熱膨張した後に冷却するときに、絶縁部材の先端部がプラズマ電極のテーパ部によって締め付けられることがないために、絶縁部材の先端部に割れや欠けが発生することがない。従って、絶縁部材の寿命を向上させることができ、さらに溶接品質を向上させることができる。発明の実施の形態を実施例に基づき図面を参照して説明する。図1は、本発明のプラズマミグ溶接トーチの断面図であり、図2は、本発明のプラズマミグ溶接トーチの部分断面図である。図1及び図2において、プラズマミグ溶接トーチ24の給電チップ6の軸心部に溶接ワイヤ4の挿通孔が形成されて、溶接ワイヤ4がこの挿通孔に挿通されて給電される。プラズマ電極25は、給電チップ6と同軸心に設けられ、プラズマ電極本体22にねじ込まれる。プラズマ電極本体22は円筒状に形成され、その内部には冷却水が流れる経路が形成され、冷却されている。プラズマ電極25は、先端部にテーパ部25aが形成されて、プラズマ電極本体22によって間接的に冷却される。絶縁部材13が円筒状に形成されて、給電チップ6とプラズマ電極25との間に設けられている。プラズマノズル8が円筒状に形成されて、その先端部にテーパ部が形成され、プラズマ電極25を取り囲み、プラズマガス11が供給される。シールドガスノズル9が円筒状に形成されて、その先端部にテーパ部が形成され、プラズマノズル8を取り囲み、シールドガス12が供給される。プラズマ電極のテーパ部25aに、階段状の切り欠き部26が形成されて、絶縁部材の先端部13bがこの切り欠き部26に当接している。また、プラズマ電極25が溶接中に熱膨張して拡大したり、溶接終了後に冷却されて縮小したりしたときに、絶縁部材13が切り欠き部26で摺動可能に支持される。この切り欠き部26は、プラズマ電極25の軸心部と直角方向に広がる底面26aと、この底面26aの最大外周部からプラズマ電極25の基端部の方向X2方向へ伸びる側面26bとを有している。この側面26bは、プラズマ電極25の基端部側X2側から見て、円形に形成されている。また、切り欠き部26は、プラズマ電極25の軸心部方向の断面形状がL字形状に形成されている。また、切り欠き部26は、給電チップの先端部6bとプラズマ電極のテーパ部25aとの最短距離を結ぶ直線を絶縁部材13が交差する位置になるように形成されている。即ち、給電チップ6とプラズマ電極25との間でアーキングが発生しないように絶縁部材13を設けることができる位置に切り欠き部26を形成している。以下、切り欠き部26が形成される位置やその形状を、給電チップ6の外径D1が6mmで、プラズマ電極の先端部25bの内径D5が7mmで、プラズマ電極25のテーパ部25aを除く円筒状の部分の内径D3プラズマ電極本体22の内径と同じが10mmで、絶縁部材13の外径D2が9.3mmで、絶縁部材13の厚みL1が1.3mmのときを例として説明する。まず、切り欠き部26が形成される位置を説明する。給電チップの先端部6bと絶縁部材の先端部13bとの間の距離L1が1mmよりも短い場合、給電チップの先端部6bとプラズマ電極のテーパ部25aとの間の最短距離を結ぶ線上に絶縁部材13が存在しなくなるので、給電チップの先端部6bとプラズマ電極のテーパ部25aとの間でアーキングが発生する。一方、給電チップの先端部6bと絶縁部材の先端部13bとの間の距離L1が3mmよりも長い場合、給電チップの先端部6bと母材3との間の距離が長くなって、溶接ワイヤ4の突出し長さが長くなる。その場合、鉄系の溶接ワイヤ4を使用すると、溶接ワイヤ4の突出し長さの抵抗発熱が大きくなって、溶接電流が低減する。従って、給電チップの先端部6bと絶縁部材の先端部13bとの間の距離L1を1mm乃至3mmとする。絶縁部材の先端部13bとプラズマ電極の先端部25bとの間の距離L2が3mmよりも短い場合、絶縁部材の先端部13bがプラズマアークに近くなりすぎて、プラズマアークの高熱のために絶縁部材13が破損する場合がある。一方、絶縁部材の先端部13bとプラズマ電極の先端部25bとの間の距離L2が7mmよりも長い場合、給電チップの先端部6bと絶縁部材の先端部13bとの間の距離L1と同様に、溶接ワイヤ4の突出し長さが長くなって溶接電流が低減する。従って、絶縁部材の先端部13bとプラズマ電極の先端部25bとの間の距離L2を3mm乃至7mmとする。次に切り欠き部26の形状を説明する。絶縁部材の先端部13bと切り欠き部の底面26aとが接触する面以下、切り欠き部の重なり代26cという。の長さL3が、プラズマ電極25が熱膨張していない常温状態において0.5mmよりも短い場合、熱膨張したときに、プラズマ電極25の線膨張係数が絶縁部材13の線膨張係数よりも著しく大きいために、重なり代が無くなって、絶縁部材13が切り欠き部26よりも下方のテーパ部25aに降下して、従来技術と同じ不具合が発生する。一方、切り欠き部の重なり代26cの長さL3が1.2mmよりも長い場合、絶縁部材13の厚さとほぼ同じ長さになって、給電チップ6とプラズマ電極25とを絶縁する効果が薄れて、これらの間でアーキングが発生する場合がある。従って、切り欠き部の重なり代26cの長さL3を0.5mm乃至1.2mmとする。切り欠き部26の最外径D4と絶縁部材13の外径D2との差である切り欠き部26の裕度以下、切り欠き部26の裕度という。の最小値は、絶縁部材13とプラズマ電極25の切り欠き部26との加工精度によって決定され、0.3mmとする。一方、この裕度が1.5mmよりも大きい場合、切り欠き部の重なり代26cが少なくなり、絶縁部材13が切り欠き部の底面26aで安定して支持できなくなる。従って、切り欠き部26の裕度を0.3mm乃至1.5mmとする。なお、切り欠き部26の最外径D4は、切り欠き部26の最外径D4=切り欠き部26の裕度絶縁部材13の外径D2であるから、切り欠き部の最外径D4は、9.6mm乃至10.8mmとなる。また、切り欠き部の底面26aの長さL4は、切り欠き部の底面の長さL4=切り欠き部の重なり代26cの長さL3切り欠き部26の裕度/2であるから、切り欠き部の底面の長さL4は、0.65mm乃至1.95mmとなる。以下、動作を説明する。例えば下向き姿勢で溶接が開始されると、溶接ワイヤ4の先端と母材3との間にミグアーク2が発生し、プラズマ電極の先端部25bと母材3との間にプラズマアーク1が発生して、プラズマ電極25の温度が著しく上昇する。このとき、銅金属からなるプラズマ電極25は熱膨張して、プラズマ電極25の内径が拡大され、切り欠き部26の最外径D4が拡大する。一方、セラミックからなる絶縁部材13は、線膨張係数がプラズマ電極25よりも小さいために、熱膨張が小さい。このとき、切り欠き部の重なり代26cの長さL3が0.5mm乃至1.2mmに設けられ、切り欠き部26の裕度が0.3mm乃至1.5mmに設けられているために、絶縁部材の先端部13bは切り欠き部の底面26aを摺動するが、依然として切り欠き部26によって支持されている。従って、絶縁部材13が重力によってプラズマ電極の先端部25bの方向X1方向へ降下することがない。また、給電チップの先端部6bと絶縁部材の先端部13bとの間の距離L1が1mm乃至3mmに設けられ、絶縁部材の先端部13bとプラズマ電極の先端部25bとの間の距離L2が3mm乃至7mmに設けられている。このために、給電チップの先端部6bとプラズマ電極のテーパ部25aとの間でアーキングが発生することがなく、プラズマアーク1の高熱のために絶縁部材13が破損することもなく、また、溶接ワイヤ4の突出し長さの抵抗発熱が大きくなって、溶接電流が低減することもない。そして溶接が終了して、プラズマ電極25の熱が冷めると、プラズマ電極25の内径が元の大きさに収縮する。この場合も、絶縁部材の先端部13bは切り欠き部の底面26aを摺動して、切り欠き部26によって支持されている。このとき、絶縁部材の先端部13bがプラズマ電極のテーパ部25aによって締め付けられることがないために、絶縁部材の先端部13bに割れや欠けが発生することがない。従って、従来技術のように絶縁部材の先端部13bに割れや欠けが発生して、この割れや欠けによって給電チップの先端部6bとプラズマ電極25との間に絶縁部材13が無くなり、これらの間でアーキングが発生したり、割れや欠けによってセンターガス10が乱流を巻き起こしたりして、プラズマアーク1が不安定になることがない。よって、絶縁部材13の寿命を向上させることができ、さらに溶接品質を向上させることができる。