半導体素子と、前記半導体素子裏面上に設けられた第1金属体と、前記第1金属体裏面上に設けられた第1絶縁層と、前記第1絶縁層裏面上に設けられた第2金属体と、前記半導体素子表面上に設けられた第3金属体と、前記第3金属体表面上に設けられた第2絶縁層と、前記第2絶縁層表面上に設けられた第4金属体とを備え、前記第2金属体は、前記第1金属体よりも薄く、前記第4金属体は、前記第3金属体よりも厚いことを特徴とする、半導体装置。前記半導体素子、前記第1~第4金属体、前記第1~第2絶縁層を覆って形成される、モールド樹脂をさらに備え、前記第2金属体は、裏面が前記モールド樹脂から露出し、前記第4金属体は、表面が前記モールド樹脂から露出することを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。前記第3金属体と、前記第2絶縁層と、前記第4金属体とが、一体化されたラミネート基板として形成されることを特徴とする、請求項1または2に記載の半導体装置。前記第3金属体と、前記第2絶縁層と、前記第4金属体とが、回路基板を形成することを特徴とする、請求項1~3のいずれかに記載の半導体装置。前記半導体素子は、炭化珪素を主成分とすることを特徴とする、請求項1~4のいずれかに記載の半導体装置。前記半導体素子と前記第3金属体との間に設けられた、第5金属体をさらに備えることを特徴とする、請求項1~5のいずれかに記載の半導体装置。前記第5金属体が、前記表面の方向に末広がり形状を有することを特徴とする、請求項6に記載の半導体装置。前記第3金属体と、前記第2絶縁層と、前記第5金属体とが、一体化された金属基板として形成されることを特徴とする、請求項6または7に記載の半導体装置。前記半導体素子を複数備え、前記第5金属体が、各前記半導体素子に対応して複数備えられ、前記第3金属体が、複数の前記第5金属体表面に跨って設けられることを特徴とする、請求項6~8のいずれかに記載の半導体装置。a半導体素子裏面上に、第1金属体を配設する工程と、b前記第1金属体裏面上に、第1絶縁層を配設する工程と、c前記第1絶縁層裏面上に、第2金属体を配設する工程と、d前記半導体素子表面上に、第3金属体を配設する工程と、e前記第3金属体表面上に、第2絶縁層を配設する工程と、f前記第2絶縁層表面上に、第4金属体を配設する工程とを備え、前記工程cが、前記第1金属体よりも薄い前記第2金属体を配設する工程であり、前記工程fが、前記第3金属体よりも厚い前記第4金属体を配設する工程であることを特徴とする、半導体装置の製造方法。前記工程defにおける、前記第3金属体と、前記第2絶縁層と、前記第4金属体とが、一体化された金属基板として形成され、前記半導体素子表面上に配設されることを特徴とする、請求項10に記載の半導体装置の製造方法。g前記半導体素子、前記第1~第4金属体、前記第1~第2絶縁層を覆う、モールド樹脂を形成する工程と、h少なくとも前記第4金属体表面を、前記モールド樹脂から露出させる工程とをさらに備えることを特徴とする、請求項10または11に記載の半導体装置の製造方法。i前記工程dの前に、前記半導体素子表面上に、第5金属体を配設する工程をさらに備え、前記工程dが、前記第5金属体表面上に、第3金属体を配設する工程であることを特徴とする、請求項10~12のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。しかし従来の半導体装置は、半導体素子の表裏を挟み込むように絶縁基板を設けるため、組立てのばらつきによって絶縁基板の表面の平行度が悪化するという問題があった。特に、特許文献1に開示されたパワー半導体装置のように、絶縁基板として窒化アルミニウム等のセラミックスを用いる場合、絶縁基板が非常に硬いため、絶縁基板の表面に冷却器を取り付ける際に、片当たりが発生してしまう場合があった。冷却器と絶縁基板との間に大きな隙間が発生するため、グリース層が厚くなり、放熱性能が悪化してしまう。さらに、硬くてもろい絶縁基板と、半導体素子の局部とに過大な力が加わることで、これらを破壊してしまう恐れがあった。本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、半導体素子へのストレスも抑制しつつ、放熱性能を向上させることができる半導体装置およびその製造方法の提供を目的とする。本発明にかかる半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子裏面上に設けられた第1金属体と、前記第1金属体裏面上に設けられた第1絶縁層と、前記第1絶縁層裏面上に設けられた第2金属体と、前記半導体素子表面上に設けられた第3金属体と、前記第3金属体表面上に設けられた第2絶縁層と、前記第2絶縁層表面上に設けられた第4金属体とを備え、前記第2金属体は、前記第1金属体よりも薄く、前記第4金属体は、前記第3金属体よりも厚いことを特徴とする。本発明にかかる半導体装置の製造方法は、a半導体素子裏面上に、第1金属体を配設する工程と、b前記第1金属体裏面上に、第1絶縁層を配設する工程と、c前記第1絶縁層裏面上に、第2金属体を配設する工程と、d前記半導体素子表面上に、第3金属体を配設する工程と、e前記第3金属体表面上に、第2絶縁層を配設する工程と、f前記第2絶縁層表面上に、第4金属体を配設する工程とを備え、前記工程cが、前記第1金属体よりも薄い前記第2金属体を配設する工程であり、前記工程fが、前記第3金属体よりも厚い前記第4金属体を配設する工程であることを特徴とする。本発明にかかる半導体装置によれば、半導体素子と、前記半導体素子裏面上に設けられた第1金属体と、前記第1金属体裏面上に設けられた第1絶縁層と、前記第1絶縁層裏面上に設けられた第2金属体と、前記半導体素子表面上に設けられた第3金属体と、前記第3金属体表面上に設けられた第2絶縁層と、前記第2絶縁層表面上に設けられた第4金属体とを備え、前記第2金属体は、前記第1金属体よりも薄く、前記第4金属体は、前記第3金属体よりも厚いことにより、半導体素子表面側においては、厚さの薄い第3金属体を設け、半導体素子へのストレスを抑制することができ、また、半導体素子裏面側においては、厚さの厚い第1金属体を設け、低熱抵抗化を可能とし、放熱性を向上させることができる。本発明にかかる半導体装置の製造方法によれば、a半導体素子裏面上に、第1金属体を配設する工程と、b前記第1金属体裏面上に、第1絶縁層を配設する工程と、c前記第1絶縁層裏面上に、第2金属体を配設する工程と、d前記半導体素子表面上に、第3金属体を配設する工程と、e前記第3金属体表面上に、第2絶縁層を配設する工程と、f前記第2絶縁層表面上に、第4金属体を配設する工程とを備え、前記工程cが、前記第1金属体よりも薄い前記第2金属体を配設する工程であり、前記工程fが、前記第3金属体よりも厚い前記第4金属体を配設する工程であることにより、半導体素子表面側においては、厚さの薄い第3金属体を設け、半導体素子へのストレスを抑制することができ、また、半導体素子裏面側においては、厚さの厚い第1金属体を設け、低熱抵抗化を可能とし、放熱性を向上させることができる。<A.実施の形態1><A-1.構成>図1は、本発明の実施の形態を説明するための、半導体装置の断面模式図である。図1に示すように、本発明にかかる半導体装置は、表面にデバイス構造素子構造を有する半導体素子1と、半導体素子1の裏面側である下方向に、はんだ7を介して接続された第1金属体2と、第1金属体2の下方向に設けられた第1絶縁層4と、第1絶縁層4の下方向に設けられた第2金属体3と、半導体素子1の表面側である上方向に、はんだ8を介して接続された第3金属体9と、第3金属体9の上方向に設けられた第2絶縁層10と、第2絶縁層10の上方向に設けられた第4金属体11とを備える。ここで、半導体素子1は、炭化珪素を主成分とするものであってもよい。炭化珪素を主成分とするものである場合には、冷却性能を高めることで、相乗的に耐圧の高い半導体装置を実現することができる。図1に示すように、第2金属体3は、第1金属体2よりも上下方向に薄く形成される。また、第4金属体11は、第3金属体9よりも上下方向に厚く形成される。また、主端子5aおよび主端子5bが、第1金属体2および第3金属体9に接続され、半導体素子1と信号端子6とが、ボンディングワイヤ12を介して接続される。主端子5aおよび主端子5bは、第1金属体2および第3金属体9とあらかじめ一体になった部材であっても良く、その場合には、接続のための工程を省くことができる。また、半導体素子1の表面側には、半導体素子1と駆動するため、あるいはセンシングするための入出力電極を形成することができる。これらの電極は、ボンディングワイヤ12で信号端子6と接続される。さらに、全体をモールド樹脂13で覆うことができ、この場合には、第2金属体3の下方向の面、および、第4金属体11の上方向の面は、モールド樹脂13から露出している。半導体素子1の裏面側下方向には、はんだ等の接合層図1においてははんだ7を介して第1金属体2が設けられている。第1金属体2の下方向、すなわち、半導体素子1と相対する面側には第1絶縁層4が配置されており、さらにその下方向には、第2金属体3が配置されている。半導体素子1の裏面側においては、半導体素子1の直下に、厚さの厚い第1金属体2を設けることで、熱を十分に拡散させて放熱性を確保することができる。第1金属体2の厚さは、第2金属体3の厚さに比べて十分に厚ければよい。なお、半導体素子1よりも左右方向の面積が大きな第1金属体2を設けることにより熱の拡散性を高め、放熱性を向上させる熱抵抗を低下させることができる。第1絶縁層4の下方向に設けられた第2金属体3は、第1絶縁層4を保護するために設けられており、その厚さは保護するために十分な限り薄くてもよい。薄い方が熱抵抗を低下させることができるため好ましい。具体的には、例えば0.01~0.5mm程度が好ましい。なお、厚さが薄い金属体を半導体素子1の直下に設けると、後述するように、半導体素子1に対する機械的ストレスを軽減することはできるが、厚さが薄い金属体の直下に設ける絶縁層が、半導体素子1の近傍に設けられることになる。このような構成では、半導体素子1で発生した熱は、十分に拡散しないうちにその絶縁層に到達してしまい、放熱性が悪化してしまう。よって、本実施の形態においては、半導体素子1の直下には、厚さが厚い金属体第1金属体2を設けている。一方、半導体素子1の素子構造を有する表面側上方向には、裏面側における場合と同様に、はんだ等の接合層図1においてははんだ8を介して第3金属体9が配置されている。第3金属体9の上方向、すなわち、半導体素子1と相対する面側には第2絶縁層10が配置されており、さらにその上方向には、第4金属体11が配置されている。半導体素子1の表面側においては、半導体素子1の直上に、厚さが薄い第3金属体9を設けることで、チャネル部、ゲート電極など半導体として機能する層を含むデバイス構造に対する機械的ストレスを低減し、デバイスの信頼性を高めることができる。第3金属体9の厚さは、第4金属体11の厚さに比べて十分に薄ければよいが、具体的には、例えば0.1~1.5mm程度が好ましい。第1金属体2と同程度の厚さの金属体を半導体素子1の直上に設けると、半導体素子1の能動面に立体的に形成されたデバイス構造素子構造に対して機械的ストレスがかかり、その特性が低下してしまう恐れがある。よって、本実施の形態においては、半導体素子1の直上には、厚さが薄い金属体第3金属体9を設けている。なお、半導体素子1の表面側には、信号電極等が形成され、また周縁部に耐圧を確保する領域が設けられるため、半導体素子1の裏面側と比べると接合可能な面積が小さくなる。よって、第3金属体9の左右方向の面積は小さくする必要がある。当該面積を小さくすることで、機械ストレスを低減させることができる。また、第3金属体9の直上に第2絶縁層10を形成することで、第3金属体9上面の放熱経路に対する機械的ストレスを軽減することができ、また高い放熱性を実現することができる。第2絶縁層10は強度が低いため、金型によって保持できない第2絶縁層10を、あらかじめ第4金属体11で保持することが望ましい。この状態でモールドすることで、第2絶縁層10の強度を向上させ、絶縁性に優れた絶縁層を持つ両面絶縁構造が実現できる。さらに第3金属体9を加えて、第3金属体9と、第2絶縁層10と、第4金属体11とが、加圧プレス等の方法であらかじめ一体化されたラミネート基板を用いることも可能である。このように形成することで、より強度を向上させることができ、絶縁性に優れた絶縁層を持つ両面絶縁構造が実現できる。また、第3金属体9と、第2絶縁層10と、第4金属体11とが、回路基板を形成することも可能である。このように形成することで、モールド時の供給が容易となり、確実に絶縁層と金属体との間の密着を確保することができる。ここで、半導体装置を、外側から冷却器で挟み込んで組み立てる場合には、第4金属体11の上面は、半導体装置の裏面側、すなわち、第2金属体3の裏面との所望な平行度を確保していることが望ましい。そうでない場合、半導体装置の外側に設ける冷却器を取り付ける際、冷却器と半導体装置との間にギャップが大きくなり、放熱性が悪化する場合がある。そこで、第4金属体11をあらかじめ厚く形成しておき、モールド樹脂13を用いてモールドした後に、第4金属体11の上面を削って、その露出と平行度とを調整することができる。この際、研削抵抗により第2絶縁層10にダメージが加わらないようにするためにも、第4金属体11は、第2金属体3よりも厚く形成することが望ましい。また、半導体装置の上下面において高い平行度を実現および保持するためには、半導体素子1の上下に配置される金属体の剛性が同程度になるように構成することが好ましい。これに対し、本発明にかかる半導体装置では、半導体素子1の裏面側に、厚さが厚い第1金属体2を設け、さらに第1絶縁層4を介して、厚さが薄い第2金属体3を設ける。一方で、半導体素子1の表面側に、厚さが薄い第3金属体9を設け、さらに第2絶縁層10を介して、厚さが厚い第4金属体11を設けている。このような構成であることにより、全体として半導体素子1を挟む上下方向の構造体の剛性を同程度とすることができ、モールド後の半導体装置の反りが小さくすることができる。よって、冷却器への取付けが容易となり、また半導体素子1への機械的ストレスも小さくなる。なお図5は、本発明の実施の形態を説明するための、半導体装置の平面図である。図5に示すように、モールド樹脂13から第4金属体11の上方向の面が露出し、また、信号端子6、主端子5aおよび主端子5bが、それぞれモールド樹脂13の側面から延在している。図2は、本実施の形態にかかる半導体装置の変形例を示す断面模式図である。図1と同様の構成については同符号を付し、その詳細な説明については省略する。本変形例では、半導体素子1の表面側において、半導体素子1と第3金属体9との間に第5金属体15を設ける。第5金属体15は、第3金属体9と、例えばはんだ等の接合層図2においてははんだ16を介して接合される。第5金属体15の上面が、ボンディングワイヤ12のループが到達する上下方向の高さよりも高くなると、第3金属体9がボンディングワイヤ12と干渉することがないため、好ましい。よって、第5金属体15の上下方向の厚さを、当該条件を満たす程度に厚くすることが望ましい。第5金属体15を設けることによって、発熱する半導体素子1と第2絶縁層10との間で熱が十分に拡散するため、第2絶縁層10における到達温度が低減する。よって、第2絶縁層10と第3金属体9との間、あるいは、第2絶縁層10と第4金属体11との間の、温度サイクルによる剥離を防止することができる。また、有機材料等からなる第2絶縁層10の温度による変質についても防止することができる。また、図2では、第5金属体15は図2中にaで示したように、はんだ8で接続される部分外側の金属体端部に傾斜が設けられている。すなわち、第5金属体15は、上方向に末広がり形状を有している。このように形成することによって、半導体素子1周辺の耐圧を維持しながら、さらに熱を拡げることができる。なお、図示したような傾斜形状だけでなく、例えば、上方向に向かって左右方向の幅が大きくなるような段差形状を有することも可能である。なお、第2絶縁層10と、第3金属体9と、第5金属体15とをあらかじめ一体化した金属基板14を形成し、半導体装置内部に設けることも可能である。こうすることによって、厚さが厚い第4金属体11を、確実に第2絶縁層10の上方に設けることができ、工業的価値が高まる。図3は、第5金属体17を半導体毎に別々に配置する場合を示す。図2と同様の構成については同符号を付し、その詳細な説明については省略する。半導体素子1は、その種類によって上下方向の厚さが異なる場合がある。この場合には、別々に設けた第5金属体17を、厚さが異なるはんだ等の接合層図3においてははんだ16で厚さ方向の差異を吸収することにより、例えばそれぞれの厚さが等しい第5金属体17を設けても、適切に組み立てることができる。逆に、厚さが等しいはんだ16を用いる場合であっても、厚さの異なる第5金属体17を各半導体素子1に対応させて設けることにより、適切に組み立てることができる。なお、第5金属体17を分割して設ける際の分割の仕方、すなわち半導体素子1毎に分割するか、複数の半導体素子1に対して一つの金属体を形成するか、さらにはこれらを組み合わせるかは、回路構成に応じて適正な構成とすればよい。また、各第5金属体17は、図2に示したような、上方向への末広がり形状を有していてもよく、さらに、第2絶縁層10と、第3金属体9と、第5金属体17とをあらかじめ一体化した金属基板を形成してもよい。<A-2.製造方法>図4では、図3に示した半導体装置について、その製造フローを示す。まず、半導体素子1チップを第1金属体2の上に配置し、接合する。この際、第5金属体17も同時に接合すれば、工程が省略できる図4a。また、あらかじめ第2絶縁層10と、第3金属体9と、第4金属体11とを加圧プレス等によって一体化して製造することができ、必要に応じて主端子5bとはんだ付けする。これらを組み立てた後に、図4bのようにモールド成形する。この際、第4金属体11の上方にもモールド樹脂13の層を設ける。この後、半導体装置上面を所定の厚さまで研削する図4c。こうすることによって、半導体装置の上下面の平行度を良好に維持することができる。したがって冷却器に取り付ける際に不要な空隙の発生がなく、良好な放熱性能が得られる。絶縁層は強度が低いため、金型によって保持できない第2絶縁層10を、あらかじめ第4金属体11で保持してモールドすることで、絶縁性に優れた絶縁層を持つ両面絶縁構造が実現できる。さらには、モールド時に第4金属体11の上面を露出させる必要がなく、金型を高精度に維持するための煩雑な管理、高頻度のメンテナンスが不要であり、良好に上面が露出した半導体装置を確実に製造することができる。また、あらかじめ第3金属体9と、第2絶縁層10と、第5金属体17とを加圧プレス等により一体的に形成した後、組み立てて半導体装置を製造することで、確実に絶縁層と金属体とを接着することができる。<A-3.効果>本発明にかかる実施の形態によれば、半導体装置において、半導体素子1と、半導体素子1裏面上に設けられた第1金属体2と、第1金属体2裏面上に設けられた第1絶縁層4と、第1絶縁層4裏面上に設けられた第2金属体3と、半導体素子1表面上に設けられた第3金属体9と、第3金属体9表面上に設けられた第2絶縁層10と、第2絶縁層10表面上に設けられた第4金属体11とを備え、第2金属体3は、第1金属体2よりも薄く、第4金属体11は、第3金属体9よりも厚いことで、半導体素子表面側においては、厚さの薄い第3金属体9を設け、半導体素子1へのストレスを抑制することができ、また、半導体素子1裏面側においては、厚さの厚い第1金属体2を設け、低熱抵抗化を可能とし、放熱性を向上させることができる。また、モールドで金型を当接する際に偏圧が発生することで、第1絶縁層4および第2絶縁層10に傾きが発生した場合であっても、モールド後に厚さの厚い第4金属体を削ることによって、上下面の平行度を調整することができる。よって、片当たりにより放熱性能が悪化することを抑制できる。また、本発明にかかる実施の形態によれば、半導体装置において、半導体素子1、第1金属体2、第2金属体3、第3金属体9、第4金属体11、第1絶縁層4、第2絶縁層10を覆って形成される、モールド樹脂13をさらに備え、第2金属体3は、裏面がモールド樹脂13から露出し、第4金属体11は、表面がモールド樹脂13から露出することで、放熱性を向上させることができる。また、第2金属体3と第4金属体11との平行度を精度の高いものとしなくとも、第4金属体11を露出させることができるため、生産性が高い。また、本発明にかかる実施の形態によれば、半導体装置において、第3金属体9と、第2絶縁層10と、第4金属体11とが、一体化されたラミネート基板として形成されることで、金型によって保持できない、強度の低い第2絶縁層10を、あらかじめ第3金属体9および第4金属体11で保持してモールドでき、絶縁性に優れた両面絶縁構造を実現することができる。また、本発明にかかる実施の形態によれば、半導体装置において、第3金属体9と、第2絶縁層10と、第4金属体11とが、回路基板を形成することで、モールド時の供給が容易となり、確実に絶縁層と金属体との間の密着を確保することができる。また、本発明にかかる実施の形態によれば、半導体装置において、半導体素子1は、炭化珪素を主成分とすることで、相乗的に耐圧の高い半導体素子を使用することができるので、高耐圧の半導体装置が提供できる。また、本発明にかかる実施の形態によれば、半導体装置において、半導体素子1と第3金属体9との間に設けられた、第5金属体15または第5金属体17をさらに備えることで、発熱する半導体素子1と第2絶縁層10との間で熱が十分に拡がるため、第2絶縁層10における到達温度が低減し、温度による変質や剥離が防止できる。また、本発明にかかる実施の形態によれば、半導体装置において、第5金属体15または第5金属体17が、表面の方向に末広がり形状を有することで、半導体素子1周辺の耐圧を維持しながら、さらに熱を拡げ放熱性を高めることができる。また、本発明にかかる実施の形態によれば、半導体装置において、第3金属体9と、第2絶縁層10と、第5金属体15とが、一体化された金属基板14として形成されることで、金型によって保持できない、強度の低い第2絶縁層10を、あらかじめ第3金属体9および第4金属体11で保持してモールドでき、絶縁性に優れた両面絶縁構造を実現することができる。また、本発明にかかる実施の形態によれば、半導体装置において、半導体素子1を複数備え、第5金属体17が、各半導体素子1に対応して複数備えられ、第3金属体9が、複数の第5金属体17表面に跨って設けられることで、種々のバリエーションの回路構成を、金属体と絶縁層との組合せにより、半導体装置に組み込むことができる。本発明の実施の形態では、各構成要素の材質、材料、実施の条件等についても記載しているが、これらは例示であって記載したものに限られるものではない。