"物体上に既に形成されたパターンに重ねて該パターンのカッティング用のマスクパターンを形成する露光方法であって、前記マスクパターンを構成する複数の第1パターンが所定の位置関係で形成された第1マスクと、前記複数の第1パターンの少なくとも1つを包含する少なくとも1つの第2パターンが形成された第2マスクとを用い、前記第1、第2マスクの位置関係を順次調整して、前記第1パターンと前記第2パターンとを重ね合わせた合成パターンを前記物体上に形成する露光を、前記第1パターンと前記第2パターンとの異なる組み合わせの回数だけ繰り返す露光方法。前記形成することでは、各回の露光に際し、エネルギビームの光路上の所定の位置に配置された前記第1マスクと前記第2マスクとの一方と、前記一方のマスクを介した前記エネルギビームを第1光学系を介してその結像面に配置された前記第1マスクと前記第2マスクとの他方に照射し、前記他方のマスクを介した前記エネルギビームを第2光学系を介して前記物体に照射し、前記第1パターンと前記第2パターンとを重ねあわせた合成パターンの像を前記物体上に結像する請求項1に記載の露光方法。前記一方のマスクは、前記第2マスクであり、前記他方のマスクは、前記第1マスクである請求項2に記載の露光方法。前記第2マスクは透過型マスクである請求項3に記載の露光方法。前記一方のマスクは、前記第1マスクであり、前記他方のマスクは、前記第2マスクである請求項2に記載の露光方法。前記第2マスクは反射型マスクである請求項5に記載の露光方法。前記形成することでは、各回の露光に際し、前記第1パターンのそれぞれについて、照明条件を最適化するように、前記照明条件を切り替える請求項1~6のいずれか一項に記載の露光方法。請求項1~6のいずれか一項に記載の露光方法を用いて、物体上に既に形成されたパターンに重ねてマスクパターンを形成し、該マスクパターンをマスクとしてエッチングを行い前記物体上に既に形成されたパターンをカッティングすることを含むデバイス製造方法。エネルギビームを照射して物体を露光し、前記物体上にパターンを形成する露光装置であって、前記エネルギビームの光路上の所定面に、複数の第1パターンが所定の位置関係で形成された第1マスクと、前記複数の第1パターンの少なくとも1つを包含する少なくとも1つの第2パターンが形成された第2マスクとの一方を、保持する第1保持装置と、前記一方のマスクを介した前記エネルギビームを前記第1、第2マスクの他方に照射し、前記一方のマスクのパターンの像を前記他方のマスク上に結像する第1光学系と、前記他方のマスクを介した前記エネルギビームを前記物体に照射し、前記一方のマスクの前記パターンの像の前記他方のマスクを介した像を前記物体上に結像する第2光学系と、前記他方のマスクを前記第1光学系の結像面に保持する第2保持装置と、前記第1パターンと前記第2パターンとの組み合わせを順次変更するため、前記第1、第2保持装置を相対的に駆動して、前記第1マスクのパターンと前記第2マスクとの重なり部のパターンの像を前記物体上に形成する露光を、繰り返す制御装置と、を備える露光装置。前記一方のマスクは、前記第2マスクであり、前記他方のマスクは、前記第1マスクである請求項9に記載の露光装置。前記第2マスクは透過型マスクである請求項10に記載の露光装置。請求項9~11のいずれか一項に記載の露光装置を用いて、物体上に既に形成されたパターンに重ねて前記複数の第1パターンの像を形成し、該複数の第1パターンをマスクとしてエッチングを行い前記物体上に既に形成されたパターンをカッティングすることを含むデバイス製造方法。本発明の第1の態様によれば、物体上に既に形成されたパターンに重ねて該パターンのカッティング用のマスクパターンを形成する露光方法であって、前記マスクパターンを構成する複数の第1パターンが所定の位置関係で形成された第1マスクと、前記複数の第1パターンの少なくとも1つを包含する少なくとも1つの第2パターンが形成された第2マスクとを用い、前記第1、第2マスクの位置関係を順次調整して、前記第1パターンと前記第2パターンとを重ね合わせた合成パターンを前記物体上に形成する露光を、前記第1パターンと前記第2パターンとの異なる組み合わせの回数だけ繰り返す露光方法が、提供される。これによれば、複数の第1パターンがそれぞれ形成された複数枚のマスクを用意することなく、1枚の第1マスクカッティングマスクと第2マスクとを用いて、カッティングパターンのそれぞれが形成された複数枚のマスクレチクルを用いる場合と同様の微細なデバイスパターンの形成が可能となる。本発明の第2の態様によれば、本発明の露光方法を用いて、物体上に既に形成されたパターンに重ねてマスクパターンを形成し、該マスクパターンをマスクとしてエッチングを行い前記物体上に既に形成されたパターンをカッティングすることを含むデバイス製造方法が、提供される。本発明の第3の態様によれば、エネルギビームを照射して物体を露光し、前記物体上にパターンを形成する露光装置であって、前記エネルギビームの光路上の所定面に、複数の第1パターンが所定の位置関係で形成された第1マスクと、前記複数の第1パターンの少なくとも1つを包含する少なくとも1つの第2パターンが形成された第2マスクとの一方を、保持する第1保持装置と、前記一方のマスクを介した前記エネルギビームを前記第1、第2マスクの他方に照射し、前記一方のマスクのパターンの像を前記他方のマスク上に結像する第1光学系と、前記他方のマスクを介した前記エネルギビームを前記物体に照射し、前記一方のマスクの前記パターンの像の前記他方のマスクを介した像を前記物体上に結像する第2光学系と、前記他方のマスクを前記第1光学系の結像面に保持する第2保持装置と、前記第1パターンと前記第2パターンとの組み合わせを順次変更するため、前記第1、第2保持装置を相対的に駆動して、前記第1マスクのパターンと前記第2マスクとの重なり部のパターンの像を前記物体上に形成する露光を、繰り返す制御装置と、を備える露光装置が、提供される。これによれば、制御装置が、前記第1パターンと前記第2パターンとの組み合わせを順次変更するため、第1、第2保持装置を相対的に駆動して、第1マスクのパターンと前記第2マスクのパターンとの重なり部のパターン第1パターンと第2パターンとの重なり部は、第1パターンに他ならないの像を物体上に形成する露光を、複数回繰り返す。このため、この露光装置で、物体上に既に形成されたパターンに対して、前述したカッティング露光を行うと、1枚の第1マスクカッティングマスクと第2マスクとを用いて、カッティングパターンのそれぞれが形成された複数枚のマスクレチクルを用いる場合と同様の微細なデバイスパターンの形成が可能となる。本発明の第4の態様によれば、本発明の露光装置を用いて、物体上に既に形成されたパターンに重ねて前記複数の第1パターンの像を形成し、該複数の第1パターンをマスクとしてエッチングを行い前記物体上に既に形成されたパターンをカッティングすることを含むデバイス製造方法が、提供される。以下、本発明の一実施形態を、図1~図5Eに基づいて説明する。図1には、一実施形態の露光装置100の概略構成が示されている。露光装置100は、ステップアンドスキャン方式の投影露光装置、いわゆるスキャナである。本実施形態では、後述するように投影光学系PLが設けられているので、以下においては、投影光学系PLの光軸AXpに平行な方向をZ軸方向、これに直交する面内で第1レチクルR1とウエハWとが相対走査される走査方向をY軸方向、Z軸及びY軸に直交する方向をX軸方向とし、X軸、Y軸、及びZ軸回りの回転傾斜方向をそれぞれθx、θy、及びθz方向として、説明を行う。露光装置100は、照明系IU、第1レチクルR1を保持してXY平面に平行な面内で移動する第1レチクルステージRST1、第2レチクルR2を保持して照明系IU内部の、第1レチクルR1のパターン面に対する共役面に実質的に沿って移動する第2レチクルステージRST2、第1レチクルR1に形成されたパターンの像と第2レチクルR2に形成されたパターンの像との合成像を、その表面に感応剤レジストが塗布されたウエハW上に投影する投影光学系を含む投影ユニットPU、ウエハWを保持して移動するウエハステージWST、及びこれらの制御系等を備えている。照明系IUは、光源、送光光学系及び照明光学系の一部を含む第1照明系IU1と、照明光学系の残りの一部を含む第2照明系IU2と、を備えている。第1照明系IU1と第2照明系IU2との間で照明光学系の瞳面とフーリエ変換の関係にあり、かつ第1レチクルR1のパターン面に対し第2照明系IU2を介して光学的に共役な面には、前述の第2レチクルR2が配置されている。本実施形態の露光装置100では、第2レチクルR2が、レチクルブラインドマスキングシステムと呼ばれる照明視野絞りの役目を兼ねている。勿論、第2レチクルR2とは別に視野絞りを設けても良い。照明系IUでは、第1照明系IU1から射出される照明光ILにより、第2レチクルR2のパターン面上の照明領域IAR1が照明され、第2レチクルR2を介した照明光ILが、第2照明系IU2を介して第1レチクルR1上のパターン面上の照明領域IAR2に照射される。これにより、第2レチクルR2に形成されたパターンの像が、第2照明系IU2によって、第1レチクルR1のパターン面上に結像される。このように、第2照明系IU2は結像光学系としての機能を有するので、従来の照明光学系よりも諸収差が極力低減された光学系によって構成されている。第2照明系IU2は、レンズ素子などの屈折光学素子のみを含む等倍の結像光学系であるが、倍率が1より僅かに大きな拡大系で構成しても良い。勿論、この第2照明系IU2が、その内部に、外部から駆動可能な収差調整用の光学部材可動レンズ等を含んでいても良い。ここで、照明光ILとして、一例として、ArFエキシマレーザ光波長193nmが用いられている。第1レチクルステージRST1は、照明系IUの下方-Z側に配置されている。第1レチクルステージRST1上には、第1レチクルR1が載置されている。第1レチクルステージRST1は、例えばリニアモータ等を含む第1レチクルステージ駆動系50図1では不図示、図2参照によって、水平面XY平面内で微小駆動可能であるとともに、走査方向図1における紙面内左右方向であるY軸方向に所定ストローク範囲で駆動可能となっている。第1レチクルステージRST1のXY平面内の位置情報θz方向の回転情報を含むは、レチクルレーザ干渉計以下、第1レチクル干渉計という14によって、移動鏡12又は第1レチクルステージRST1の端面に形成された反射面を介して、例えば0.25nm程度の分解能で常時検出される。第1レチクル干渉計14の計測情報は、主制御装置120図1では不図示、図2参照に供給される。主制御装置120は、第1レチクル干渉計14からの計測情報に基づいて、第1レチクルステージ駆動系50を介して第1レチクルステージRST1のY軸方向の位置及びX軸方向の位置、並びにθz方向の回転を制御する。第2レチクルステージRST2は、第1照明系IU1の下方-Z側で、第1レチクルR1のパターン面に対し第2照明系IU2を介して光学的に共役な面の近傍に配置されている。第2レチクルステージRST2は、第2レチクルR2を、保持して、例えばリニアモータ等を含む第2レチクルステージ駆動系11図1では不図示、図2参照によって、Y軸方向に所定ストロークで駆動され、X軸方向、Z軸方向、及びθz方向に微小駆動される。すなわち、第2レチクルステージRST2は、第2レチクルR2を、上述の第1レチクルR1のパターン面に対し第2照明系IU2を介して光学的に共役な面に実質的に沿って駆動する。第2レチクルステージRST2の位置情報は、レチクルレーザ干渉計以下、第2レチクル干渉計という65によって計測される図2参照。第2レチクル干渉計65は、第2レチクルステージRST2に設けられた移動鏡62又は端面に形成された反射面を介して、第2レチクルステージRST2のXY平面内での位置ヨーイング量θzを含む、Z位置、ローリング量θy、及びピッチング量θxを計測する。第2レチクル干渉計65の計測情報は、主制御装置120に供給される図2参照。主制御装置120は、第2レチクル干渉計65からの計測情報に従って、第2レチクルステージ駆動系11を介して第2レチクルステージRST2を駆動位置制御する。投影ユニットPUは、第1レチクルステージRST1の下方-Z側に配置されている。投影ユニットPUは、筐体40と筐体40の内部に保持された複数の光学素子から成る投影光学系PLとを含む。投影光学系PLとしては、例えば、光軸AXpに沿って配列される複数の光学素子レンズエレメントから成る屈折光学系が用いられている。投影光学系PLは、両側テレセントリックで、投影倍率が、例えば1/4倍、1/5倍又は1/8倍などの縮小系である。本実施形態では、前述の如く、第2レチクルR2を介した照明光ILが、第2照明系IU2を介して第1レチクルR1上のパターン面上の照明領域IAR2に照射され、第2レチクルR2に形成されたパターンの像が、第2照明系IU2によって、第1レチクルR1のパターン面上に結像される。そして、第1レチクルR1を透過した照明光ILが、投影光学系PLを介してウエハWに照射され、第2レチクルR2上の照明領域IAR1内のパターンと第1レチクルR1上の照明領域IAR2内のパターンとの合成パターンの縮小像回路パターンの一部の縮小像が、照明領域IAR1,IAR2に共役なウエハW上の領域以下、露光領域とも呼ぶIAに投影される結像される。そして、第1レチクルステージRST1とウエハステージWSTとの同期駆動により、照明領域IAR2照明光ILに対して第1レチクルR1が走査方向Y軸方向に相対移動されると同時に露光領域IA照明光ILに対してウエハWが走査方向Y軸方向に相対移動される。さらに、第1レチクルステージRST1に対して第2レチクルステージRST2が、同期して駆動され、照明領域IAR2照明光ILに対して第1レチクルR1が走査方向Y軸方向に相対移動されると同時に照明領域IAR1照明光ILに対して第2レチクルR2が走査方向Y軸方向に相対移動される。この場合、第2レチクルステージRST2と第1レチクルステージRST1とは、第2照明系IU2の倍率に応じた速度比で互いに反対方向に駆動され、これと同時に第1レチクルステージRST1とウエハステージWSTとは、投影光学系PLの倍率に応じた速度比で互いに反対方向に駆動される。これにより、ウエハW上の1つのショット領域区画領域が走査露光され、そのショット領域内に第2レチクルR2のパターンと第1レチクルR1のパターンとの合成パターンが転写される。図1に戻り、ウエハステージWSTは、リニアモータ等を含むステージ駆動系24図1では不図示、図2参照によって、ステージベース22上をX軸方向、Y軸方向に所定ストロークで駆動されるとともに、Z軸方向、θx方向、θy方向、及びθz方向に微小駆動される。ウエハステージWST上に、ウエハWが、ウエハホルダ不図示を介して例えば真空吸着等によって保持されている。なお、ウエハステージWSTは、単一の6自由度駆動ステージに限らず、各ステージの駆動方向を組み合わせることで、ウエハWを6自由度駆動可能となる複数のステージによって構成しても良い。ウエハステージWSTのXY平面内の位置情報回転情報ヨーイング量θz方向の回転量θz、ピッチング量θx方向の回転量θx、ローリング量θy方向の回転量θyを含むは、レーザ干渉計システム以下、干渉計システムと略述する18によって、移動鏡16又はウエハステージWSTの端面に形成された反射面を介して、例えば0.25nm程度の分解能で常時検出される。干渉計システム18の計測情報は、主制御装置120に供給される図2参照。主制御装置120は、干渉計システム18からの計測情報に基づいて、ステージ駆動系24を介してウエハステージWSTのXY平面内の位置θz方向の回転を含むを制御する。また、ウエハWの表面のZ軸方向の位置及び傾斜は、例えば米国特許第5,448,332号明細書等に開示される斜入射方式の多点焦点位置検出系から成るフォーカスセンサAF図1では不図示、図2参照によって計測される。このフォーカスセンサAFの計測情報も主制御装置120に供給される図2参照。投影ユニットPUの筐体40の側面には、ウエハWに形成されたアライメントマーク等を検出するウエハアライメント系以下、アライメント系ASが設けられている。アライメント系ASとして、一例として画像処理方式の結像式アライメントセンサの一種であるFIAFieldImageAlignment系が用いられている。露光装置100では、さらに、第1レチクルステージRST1の上方に、例えば米国特許第5,646,413号明細書等に開示される、露光波長の光を用いたTTRThroughTheReticleアライメント系から成る一対のレチクルアライメント系13図1では不図示、図2参照が設けられている。レチクルアライメント系13の検出信号は、主制御装置120に供給される図2参照。図2には、本実施形態の露光装置100の制御系を中心的に構成する主制御装置120の入出力関係が、ブロック図にて示されている。主制御装置120は、CPU中央演算処理装置、ROMリードオンリメモリ、RAMランダムアクセスメモリ等から成るいわゆるマイクロコンピュータ又はワークステーションを含み、装置全体を統括して制御する。次に、上述のようにして構成された本実施形態の露光装置100の動作を、簡単に説明する。露光に先立って、レチクル搬送系不図示によって、第2レチクルR2が第2レチクルステージRST2上にロードされる。ここで、通常の露光時には、第2レチクルR2は、レチクルブラインドとして機能するので、そのレチクルブラインドとして最適なブラインドパターン、例えば第1レチクルR1のパターン領域とほぼ同じ大きさ形状の開口パターン遮光領域に形成された開口パターンを有するレチクルが用いられる。また、レチクル搬送系によって、所定のデバイスパターンが形成された第1レチクルR1が、第1レチクルステージRST1上にロードされる。さらに、露光装置100に併設されたコータデベロッパ不図示によりその表面に感応層レジスト層が形成されたウエハWが、ウエハ搬送系不図示によって、ウエハステージWSTのウエハホルダ不図示上にロードされる。以降、通常のスキャナと同様に、主制御装置120によって、一対のレチクルアライメント系13、ウエハステージWST上の基準マーク板不図示、及びアライメント系AS等を用いて、レチクルアライメント及びアライメント系ASのベースライン計測等が行われる。これらの準備作業に続いて、主制御装置120により、例えばいわゆるショット内多点EGAなどのウエハアライメントアライメント計測が実行される。レチクルアライメント及びアライメント系ASのベースライン計測については、例えば米国特許第5,646,413号明細書などに詳細に開示されており、これに続くショット内多点EGAについては、例えば米国特許第6,876,946号明細書などに開示されている。上記ショット内多点EGAにより、ウエハ上のショット領域の配列座標、及び各ショット領域の倍率を含む変形量倍率、回転、直交度が、求められる。そこで、主制御装置120は、結像特性調整装置不図示を介して投影光学系PLの結像特性諸収差などを調整する。主制御装置120は、アライメント計測ショット内多点EGAで得られたウエハW上のショット領域の配列座標と、先に計測したアライメント系ASのベースラインとに基づいて、ウエハステージWSTをウエハW上の各ショット領域の走査開始位置に移動させるステッピング動作と、第1レチクルR1とウエハWとを、投影光学系PLの倍率に応じた速度比で互いに反対方向に同期移動するのと同時に、第2レチクルR2と第1レチクルR1とが、第2照明系IU2の倍率に応じた速度比で互いに反対方向に同期移動する走査露光動作と、を繰り返して、ウエハW上の全ショット領域に、第1レチクルR1のパターンの像第2レチクルR2のパターンと第1レチクルR1のパターンとの合成パターンの像と実質的に同じをそれぞれ転写する。ステップアンドスキャン方式の露光動作中に、第1レチクルR1と同期して反対方向に移動する第2レチクルR2のブラインドパターンによって、ウエハW上の各ショット領域に対する走査露光の開始直前及び走査露光の終了直後にウエハW上の不要な部分の露光が防止される。次に、本実施形態の露光装置100を用いてのラインカッティング露光法について説明する。ここでは、カッティング露光の一例として、図3Aに示される、ウエハ上の複数のショット領域のそれぞれに形成された微細なL/Sパターン例えば、ハーフピッチ11nmBP上に、図3Bに示されるラインカット用のパターンカッティングパターンの像CP1’~CP5’を、露光によって重ねて形成し、そのウエハを現像後にカッティングパターンの像CP1’~CP5’のレジストパターンをマスクとしてエッチングを行ない、L/SパターンBP中の所定のラインパターンをカッティングして、図3Cに示される微細なデバイスパターンDPを形成する場合を取り上げる。ここでは、図4Aに示されるカッティングレチクルCRと、図4Bに示されるマスキングレチクルMRとが、用いられる。カッティングレチクルCRは、図3Bと対応する配置で開口パターン透過パターンであるカッティングパターンCP1~CP5の全てが形成された透過型のレチクルである。ここで、カッティングパターンCP1~CP5の投影光学系PLの投影倍率倍の縮小像が、図3Bに示されるカッティングパターンの像CP1’~CP5’であるが、以下の説明では、投影光学系PLの投影倍率についての説明は省略する。また、第2照明系IU2は等倍であるものとする。また、マスキングレチクルMRは、図3Bに示される、カッティングパターンより正確には像CP1’~CP5’の形状形及び大きさ、並びに配置に基づいて決定された配置及び形状の2つの開口パターン透過パターンMP1,MP2が形成された透過型のレチクルである。露光装置100により、ラインカッティング露光法を行う場合も、基本的には、上述した通常の露光時と同様の手順で一連の動作が行われるが、以下の点において相違する。すなわち、このカッティング露光では、カッティングレチクルCRが第1レチクルとして、第1レチクルステージRST1上にロードされる。また、マスキングレチクルMRが第2レチクルとして、第2レチクルステージRST2上にロードされる。また、ウエハ上の同一層に対して、連続して複数回ここでは5回の露光が行われ、転写対象の第1レチクルカッティングレチクルCR上のカッティングパターンCP1、CP2、CP3、CP4、CP5のそれぞれについて、照明条件を最適化して限界解像させるため、各回の露光の前に照明条件を切り替える。さらに、各回の露光の際に、第1レチクルカッティングレチクルCRと第2レチクルマスキングレチクルMRとの相対位置調整が、主制御装置120によって行われる。これにより、カッティングレチクルCRに形成されたカッティングパターンCP1、CP2、CP3、CP4、CP5のそれぞれが、他のカッティングパターンをマスキングレチクルMRによってマスキングされた状態で、個別に、ウエハ上に転写される。1回目の露光では、主制御装置120は、ウエハW上の各ショット領域の露光に際し、例えば図5Aに示されるように、カッティングパターンCP1が開口パターンMP1の内部に位置し、残りのカッティングパターンCP2、CP3、CP4、CP5が、マスキングレチクルMRによってマスクされるように、第2レチクルステージRST2を、第1レチクルステージRST1に対し相対駆動する。これにより、カッティングパターンCP1のみがウエハW上の各ショット領域に転写される。2回目の露光では、主制御装置120は、ウエハW上の各ショット領域の露光に際し、例えば図5Bに示されるように、2つのカッティングパターンCP2が開口パターンMP1,MP2のそれぞれの内部に位置し、残りのカッティングパターンCP1、CP3、CP4、CP5が、マスキングレチクルMRによってマスクされるように、第2レチクルステージRST2を、第1レチクルステージRST1に対し相対駆動する。これにより、2つのカッティングパターンCP2のみがウエハW上の各ショット領域に転写される。3回目の露光では、主制御装置120は、ウエハW上の各ショット領域の露光に際し、例えば図5Cに示されるように、カッティングパターンCP3が開口パターンMP1の内部に位置し、残りのカッティングパターンCP1、CP2、CP4、CP5が、マスキングレチクルMRによってマスクされるように、第2レチクルステージRST2を、第1レチクルステージRST1に対し相対駆動する。これにより、カッティングパターンCP3のみがウエハW上の各ショット領域に転写される。4回目の露光では、主制御装置120は、ウエハW上の各ショット領域の露光に際し、例えば図5Dに示されるように、カッティングパターンCP4が開口パターンMP1の内部に位置し、残りのカッティングパターンCP1、CP2、CP3、CP5が、マスキングレチクルMRによってマスクされるように、第2レチクルステージRST2を、第1レチクルステージRST1に対し相対駆動する。これにより、カッティングパターンCP4のみがウエハW上の各ショット領域に転写される。5回目の露光では、主制御装置120は、ウエハW上の各ショット領域の露光に際し、例えば図5Eに示されるように、カッティングパターンCP5が開口パターンMP1の内部に位置し、残りのカッティングパターンCP1、CP2、CP3、CP4が、マスキングレチクルMRによってマスクされるように、第2レチクルステージRST2を、第1レチクルステージRST1に対し相対駆動する。これにより、カッティングパターンCP5のみがウエハW上の各ショット領域に転写される。上述したラインカッティング露光法では、1つのカッティングレチクルCRのみを用意すれば足りる。また、カッティングパターンCP1~CP5のそれぞれをウエハ上に転写する際に、カッティングパターンCP1~CP5のそれぞれについて、照明条件を最適化して限界解像させる。これによって、カッティングレチクルを1枚にするだけでなく、従来のラインカッティング露光法ではそれぞれのカッティングパターンの転写後に行われていたエッチング等のウエハに対するプロセス処理のうちのいくつか、カッティングパターンCP1~CP5の設定によっては、全てを、統合することが可能になる。特に、後者では、エッチング等のウエハに対するプロセス処理を1回だけ行えば足りるようになる。また、カッティングレチクルCRは、全面遮光パターンにカッティングパターンCP1~CP5に対応する開口が一部形成されたレチクルであるため、全体として光透過率光透過部の面積率が低く、熱膨張し易く、転写精度が低下し易い。しかし、上述の露光法では、マスキングレチクルMRの開口パターンMP1及び/又はMP2を介した最小限の照明光ILのみがカッティングレチクルCRに照射される。これにより、マスキングレチクルMRに比べてより高精度が要求されるカッティングレチクルCRの熱膨張変形を効果的に抑制することができるので、レチクルの熱膨張に伴う問題を、大幅に改善させることが可能になる。また、より多くの照明光ILが照射されるマスキングレチクルMRの開口パターンMP1,MP2に対しては、高い形成精度は要求されない。以上詳細に説明したように、本実施形態の露光装置及び露光方法によると、主制御装置120が、第1、第2レチクルステージRST1,RST2を相対的に駆動して第1、第2レチクルR1,R2の位置関係を順次調整して、複数のカッティングパターンCP1~CP5と開口パターンMP1,MP2との組み合わせを順次変更し、変更の都度一方のマスクのパターンと他方のマスクのパターンとの重なり部カッティングパターンCP1~CP5と開口パターンMP1,MP2との重なり部は、カッティングパターンCP1~CP5に他ならないの像をウエハ上に形成する露光が、複数回繰り返される。従って、カッティングパターンCP1~CP5のそれぞれが、個別に、順次ウエハ上に形成する5回の露光を繰り返すことで、ウエハ上に既に形成されたL/Sパターンに対して、前述したカッティング露光を行うことが可能になる。従って、1枚の第1マスクカッティングマスクと第2マスクとを用いて、カッティングパターンのそれぞれが形成された複数枚のマスクレチクルを用いる場合と同様の微細なデバイスパターンの形成が可能となる。なお、カッティングレチクルCRの熱膨張を、何らかの手段で抑制できる場合、あるいはそのような装置構成の場合などには、カッティングレチクルCRとマスキングレチクルMRとの位置関係を上述の場合と入れ替えて、カッティング露光をすることが、考えられる。以下、このような構成の露光装置の変形例について説明する。図6には、変形例に係る露光装置100’の構成が、概略的に示されている。この露光装置100’は、第2レチクルR2が、照明系IUではなく、投影ユニットPU、すなわち筐体40に保持された複数の光学部材から成る投影光学系PL’の内部に配置されている点、及びこれに伴って、第2レチクルR2として反射型レチクルが用いられ、投影光学系PL’として反射屈折系が用いられている点が、前述の露光装置100と相違する。その他の部分の構成等は、同様である。投影光学系PL’の第1面物体面上に第1レチクルステージRST1に保持された第1レチクルR1のパターン面が、投影光学系PL’の第2面像面上にウエハステージWSTに保持されたウエハWの表面が配置される。また、投影光学系PL’は、等倍又はほぼ等倍倍率が1より少し大きいの屈折光学系から成る第1結像光学系PL1と、所定の投影倍率例えば1/4倍、1/5倍又は1/8倍などを有する縮小系から成る第2結像光学系PL2とを有し、第1結像光学系PL1の結像面、すなわち投影光学系PL’の中間結像面第2レチクルステージRST2に保持された反射型の第2レチクルR2の反射面が配置されている。また、投影光学系PL’の瞳面には、反射面のZ位置及び面形状が可変の補償光学系42が配置されている。このため、照明光ILによって第1レチクルR1上の照明領域IAR1が照明されると、第1レチクルR1を透過した照明光ILが第1結像光学系PL1を介して第2レチクルR2に照射され、照明領域IAR1と共役な第2レチクルR2上の照明領域IAR2内に第1レチクルR1に形成されたパターンの像が結像される。照明光ILは第2レチクルR2の反射面で反射され、第2結像光学系PL2を介してウエハWに照射され、ウエハW上に第2レチクルR2を介した第1レチクルR1のパターンの縮小像が結像される。なお、図6において、符号ILLは、投影光学系PL’内部の照明光ILの主光線を模式的に示す。露光装置100’において、カッティングレチクルCRを第1レチクルR1として第1レチクルステージRST1上に、マスキングレチクルMRを第2レチクルR2として第2レチクルステージRST2上にロードすることで、前述と同様の手順で、カッティング露光が可能になる。ただし、この場合、第1レチクルR1としては、前述した透過型のカッティングレチクルCRが用いられるが、第2レチクルR2としては、前述の開口パターンMP1,MP2に対応する反射パターンが形成された反射型のレチクルから成るマスキングレチクルMRが用いられる。なお、第2レチクルは、透過型、反射型の如何を問わず、照明系及び投影系のいずれの内部に配置されていても良い。なお、上記実施形態では、第1レチクル干渉計14により第1レチクルステージRST1の位置が計測され、干渉計システム18によりウエハステージWSTの位置が計測される場合について例示した。しかし、これに限らず、第1レチクル干渉計14に代えて、あるいはこれとともに、エンコーダ複数のエンコーダから構成されるエンコーダシステムを用いても良い。同様に、干渉計システム18に代えて、あるいはこれとともに、エンコーダ複数のエンコーダから構成されるエンコーダシステムを用いても良い。また、上記実施形態では、露光装置が、液体水を介さずにウエハWの露光を行うドライタイプである場合について説明したが、これに限らず、例えば国際公開第99/49504号、欧州特許出願公開第1420298号明細書、国際公開第2004/055803号、米国特許第6952253号明細書などに開示されているように、投影光学系とウエハとの間に照明光の光路を含む液浸空間を形成し、投影光学系及び液浸空間の液体を介して照明光でウエハを露光する露光装置にも上記実施形態を適用することができる。また、例えば米国特許出願公開第2008/0088843号明細書に開示される、液浸露光装置などにも、上記実施形態を適用することができる。また、上記実施形態では、露光装置がステップアンドスキャン方式等の走査型露光装置である場合について説明したが、これに限らず、ステッパなどの静止型露光装置に上記実施形態を適用しても良い。また、例えば米国特許第6,590,634号明細書、米国特許第5,969,441号明細書、米国特許第6,208,407号明細書などに開示されているように、複数のウエハステージを備えたマルチステージ型の露光装置にも上記実施形態を適用できる。また、例えば国際公開第2005/074014号などに開示されているように、ウエハステージとは別に、計測部材例えば、基準マーク、及び/又はセンサなどを含む計測ステージを備える露光装置にも上記実施形態は適用が可能である。また、光源は、ArFエキシマレーザに限らず、KrFエキシマレーザ出力波長248nm、F2レーザ出力波長157nm、Ar2レーザ出力波長126nm、Kr2レーザ出力波長146nmなどのパルスレーザ光源、g線波長436nm、i線波長365nmなどの輝線を発する超高圧水銀ランプなどを用いることも可能である。また、YAGレーザの高調波発生装置などを用いることもできる。この他、例えば米国特許第7023610号明細書に開示されているように、真空紫外光としてDFB半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム又はエルビウムとイッテルビウムの両方がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。さらに、例えば米国特許第6,611,316号明細書に開示されているように、2つのレチクルパターンを、投影光学系を介してウエハ上で合成し、1回のスキャン露光によってウエハ上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置にも上記実施形態を適用することができる。なお、上記実施形態でパターンを形成すべき物体エネルギビームが照射される露光対象の物体はウエハに限られるものでなく、ガラスプレート、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど他の物体でも良い。露光装置の用途としては半導体製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置や、有機EL、薄膜磁気ヘッド、撮像素子CCD等、マイクロマシン及びDNAチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも上記実施形態を適用できる。半導体素子などの電子デバイスは、デバイスの機能性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、前述した実施形態の露光装置パターン形成装置及びその露光方法により第1マスクレチクルと第2マスクレチクルとのパターンの重なり部をウエハ上に既に形成されたパターンに重ねて転写する露光を、前述のように複数回繰り返すリソグラフィステップ、露光されたウエハを現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の露光装置を用いて前述の露光方法が実行され、ウエハ上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。"