支持基板上に、上面及び側面を有する第1の半導体領域を形成する工程aと、前記第1の半導体領域に第1導電型の不純物をプラズマドーピング法によって注入し、それにより、前記第1の半導体領域の上部に第1の不純物領域を形成すると共に、前記第1の半導体領域の側部に第2の不純物領域を形成する工程bとを備え、前記工程bにおいて、注入ドーズ量が第1のドーズ量となる第1の条件でプラズマドーピング法を実施した後、注入ドーズ量が前記第1のドーズ量よりも小さい第2のドーズ量となる第2の条件でプラズマドーピング法を実施することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記工程bは、前記不純物を含むガスからなるプラズマを用いて行われ、前記第1の条件における前記ガスの濃度は前記第2の条件における前記ガスの濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法において、前記工程bの後、前記第2の不純物領域の注入ドーズ量は前記第1の不純物領域の注入ドーズ量と比べて同等以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1~3のうちのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記工程aよりも前に、前記支持基板上に絶縁層を形成する工程をさらに備え、前記工程aにおいて前記絶縁層上に前記第1の半導体領域を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1~4のうちのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1の半導体領域の側面は、前記第1の半導体領域の上面に対して垂直な面であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1~5のうちのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1の不純物領域において、前記第1の条件でプラズマドーピング法を実施した時点での注入ドーズ量と比べて、前記第2の条件でプラズマドーピング法を実施した時点での注入ドーズ量が減少することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1~6のうちのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記工程bは、前記不純物を含むガスからなるプラズマを用いて行われ、前記不純物を含むガスは、ボロン原子と水素原子とからなる分子BmHnm、nは自然数を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1~6のうちのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記工程bは、前記不純物を含むガスからなるプラズマを用いて行われ、前記不純物を含むガスは、ボロン原子を含む分子を希ガスで希釈してなるガスであることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1~6のうちのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記工程bは、前記不純物を含むガスからなるプラズマを用いて行われ、前記不純物を含むガスは、前記不純物を含む分子をヘリウムで希釈してなるガスであることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1~6のうちのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記工程bは、前記不純物を含むガスからなるプラズマを用いて行われ、前記不純物を含むガスは、B2H6とHeとの混合ガスであることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項10に記載の半導体装置の製造方法において、前記混合ガスにおけるB2H6の質量濃度は0.01以上で且つ1以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1~6のうちのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記工程bは、前記不純物を含むガスからなるプラズマを用いて行われ、前記不純物を含むガスは、BF3、AsH3又はPH3を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1~12のうちのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記工程bの前に、前記第1の半導体領域と同様の半導体領域が設けられた複数のダミー基板のそれぞれにおける当該半導体領域に前記不純物を様々な条件でプラズマドーピング法によって注入し、当該半導体領域の側部に形成される不純物領域のシート抵抗が所望値になるときの条件を前記第1の条件として決定すると共に当該半導体領域の上部に形成される不純物領域のシート抵抗が所望値になるときの条件を前記第2の条件として決定する工程をさらに備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。しかしながら、前述の特許文献1又は非特許文献1等に開示されている従来の半導体装置の製造方法によると、所望のトランジスタ特性が得られないという問題点がある。前記に鑑み、本発明は、フィン型半導体領域を有する半導体装置において所望の特性が得られるようにすることを目的をする。前記の目的を達成するために、本願発明者らは、従来のフィン型FETの製造方法によって所望のトランジスタ特性が得られない理由を検討した結果、次のような知見を得るに至った。図18aは、特許文献1におけるフィン型FETのエクステンション領域を形成する工程を示した要部断面図であり、図18bは、非特許文献1におけるフィン型FETのエクステンション領域を形成する工程を示した要部断面図である。尚、図18a及びbは、図16aにおけるB-B線の断面構成絶縁性サイドウォールスペーサ106の形成前と対応している。また、図18a及びbにおいて、図16a~dに示す構造と同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。図18aに示すように、特許文献1に開示された方法においては、フィン型半導体領域103a~103dの上面のみならず側面にも不純物を導入するために、イオン注入によってイオン108a及び108bをそれぞれ、鉛直方向に対して互いに異なる側に傾いた注入角度でフィン型半導体領域103a~103dに注入することによって、エクステンション領域107を形成する。この場合、フィン型半導体領域103a~103dの上部には、イオン108a及びイオン108bの両方が注入されてなる第1の不純物領域107aが形成される。しかしながら、フィン型半導体領域103a~103dの各側部には、イオン108a又はイオン108bのいずれか一方のみが注入されてなる第2の不純物領域107bが形成される。すなわち、イオン108aのドーズ量とイオン108bのドーズ量とが同じである場合、第1の不純物領域107aの注入ドーズ量は、第2の不純物領域107bの注入ドーズ量の2倍の大きさになる。また、図18bに示すように、非特許文献1に開示された方法においては、プラズマドーピング法を用いてフィン型半導体領域103a~103dにエクステンション領域107を形成する。プラズマドーピング法を用いて不純物注入を行った場合、フィン型半導体領域103a~103dの上部には、注入イオン109aと、吸着種ガス分子やラジカル等の中性種109bと、スパッタリングによってフィン型半導体領域103a~103dを離脱する不純物109cとのバランスによって決まる注入ドーズ量を持つ第1の不純物領域107aが形成される。しかしながら、フィン型半導体領域103a~103dの各側部の注入ドーズ量については、注入イオン109aやスパッタリングによる離脱不純物109cの影響は小さく、主として吸着種109bによって決まる注入ドーズ量を持つ第2の不純物領域107bが形成される。その結果、第1の不純物領域107aの注入ドーズ量は、第2の不純物領域107bの注入ドーズ量と比べて例えば25程度高くなる。以上のように、従来のフィン型FETのエクステンション領域の形成方法によると、フィン型半導体領域103a~103dの上部に形成される第1の不純物領域107aの注入ドーズ量が、フィン型半導体領域103a~103dの側部に形成される第2の不純物領域107bの注入ドーズ量と比べて高くなる。また、第2の不純物領域107bの接合深さは、第1の不純物領域107aの接合深さと比べて浅くなる。これにより、第1の不純物領域107aのシート抵抗、比抵抗又は拡がり抵抗は、第2の不純物領域107bのシート抵抗、比抵抗又は拡がり抵抗と比べて低くなる。尚、対象物のシート抵抗をRs、抵抗率比抵抗をρ、厚さ接合深さをt、拡がり抵抗をρwとすると、Rs=ρ/tである。また、拡がり抵抗測定において広く知られている関係式ρw=CF×k×ρ/2πrに表されているように、抵抗率比抵抗ρと拡がり抵抗ρwとは基本的には1対1の関係にあるので、Rs∝ρw/tと表せる。前記関係式において、CFは拡がり抵抗ρwの体積効果を考慮した補正項補正無しの場合にはCF=1であり、kは探針と試料との間のショットキー障壁における極性依存性を考慮した補正項例えば試料がp型シリコンの場合にはk=1、試料がn型シリコンの場合にはk=1~3であり、rは探針先端の曲率半径である。このようなエクステンション構造を有するフィン型FETを動作させた場合、エクステンション領域107を流れる電流は、第2の不純物領域107bと比べて注入ドーズ量が高い、つまりシート抵抗が低い第1の不純物領域107aに集中するため、所望のトランジスタ特性が得られないという問題が生じる。また、従来のフィン型FETでは、ソースドレイン領域もエクステンション領域と同様のイオン注入法やプラズマドーピング法を用いて形成される。そのため、ソースドレイン領域117においても、フィン型半導体領域103a~103dの上部に形成される第3の不純物領域117aの注入ドーズ量が、フィン型半導体領域103a~103dの側部に形成される第4の不純物領域117bの注入ドーズ量と比べて高くなる。また、第4の不純物領域117bの接合深さは、第3の不純物領域117aの接合深さと比べて浅くなる。このようなソースドレイン構造を有するフィン型FETを動作させた場合、ソースドレイン領域117を流れる電流は、第4の不純物領域117bと比べて注入ドーズ量が高い、つまりシート抵抗が低い第3の不純物領域117aに集中するため、所望のトランジスタ特性が得られないという問題が生じる。前述の知見に基づき、本願発明者らは、フィン型半導体領域の側部に、フィン型半導体領域の上部と比べて同等以上の注入ドーズ量を有する不純物領域を備えた半導体装置及びその製造方法を発明するに至った。特に、フィン型FETでは、エクステンション領域及びソースドレイン領域のゲート幅方向の幅においてフィン型半導体領域の側部に形成される不純物領域の幅が占める割合が70以上に達する場合もあるので、フィン型半導体領域の側部に形成される不純物領域の注入ドーズ量を、フィン型半導体領域の上部に形成される不純物領域の注入ドーズ量と比べて同等以上にすることが非常に重要になってきている。言い換えれば、フィン型半導体領域の側部に形成される不純物領域の比抵抗、拡がり抵抗又はシート抵抗を、フィン型半導体領域の上部に形成される不純物領域の比抵抗、拡がり抵抗又はシート抵抗と比べて同等又は小さくつまり同等以下に設定することが非常に重要になってきている。すなわち、本発明に係る第1の半導体装置は、支持基板上に形成され、且つ上面及び側面を有する第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域の上部に形成された第1導電型の第1の不純物領域と、前記第1の半導体領域の側部に形成された第1導電型の第2の不純物領域とを備え、前記第2の不純物領域の比抵抗は前記第1の不純物領域の比抵抗と比べて同等以下である。尚、上面及び側面を有する第1の半導体領域つまりフィン型半導体領域の側部に形成された第2の不純物領域の注入ドーズ量が、フィン型半導体領域の上部に形成された第1の不純物領域の注入ドーズ量の80より好ましくは90程度以上であれば、従来技術と比べてトランジスタ特性を顕著に改善することができる。また、フィン型半導体領域の側面の高さ/フィン型半導体領域の上面のゲート幅方向の幅以下、アスペクト比と称するが小さければ、第2の不純物領域の注入ドーズ量が第1の不純物領域の注入ドーズ量と比べてある程度小さくても、トランジスタ特性の劣化は少ない。一方、このアスペクト比が大きくなるに従って、第2の不純物領域の注入ドーズ量を第1の不純物領域の注入ドーズ量と比べて同等以上にする必要性が増す。本発明の第1の半導体装置において、前記第2の不純物領域の接合深さは、前記第1の不純物領域の接合深さと比べて同等以上であってもよい。本発明の第1の半導体装置において、前記第1の半導体領域はフィン形状を有していてもよい。本発明の第1の半導体装置において、前記第1の半導体領域は、前記支持基板上に形成された絶縁層上に形成されていてもよい。本発明の第1の半導体装置において、前記第1の半導体領域の所定の部分における少なくとも側面上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とをさらに備え、前記第1の不純物領域及び前記第2の不純物領域は、前記第1の半導体領域における前記所定の部分以外の他の部分に形成されていると、フィン型FETを構成することができる。この場合、前記ゲート絶縁膜は、前記第1の半導体領域の前記所定の部分における上面上にも形成されていてもよい。また、前記第1の不純物領域及び前記第2の不純物領域はP型のエクステンション領域であってもよい。また、前記ゲート電極の側面上に形成された絶縁性サイドウォールスペーサと、前記第1の半導体領域の上部に形成された第1導電型の第3の不純物領域と、前記第1の半導体領域の側部に形成された第1導電型の第4の不純物領域とをさらに備え、前記第3の不純物領域及び前記第4の不純物領域は、前記第1の半導体領域の前記他の部分における前記絶縁性サイドウォールスペーサの外側に位置する部分に形成されており、前記第4の不純物領域の比抵抗は前記第3の不純物領域の比抵抗と比べて同等以下であってもよい。このとき、前記第3の不純物領域及び前記第4の不純物領域はP型のソースドレイン領域であってもよい。或いは、前記ゲート電極の側面上に形成された絶縁性サイドウォールスペーサをさらに備え、前記第1の不純物領域及び前記第2の不純物領域が、前記第1の半導体領域の前記他の部分における前記絶縁性サイドウォールスペーサの外側に位置する部分に形成されていてもよい。このとき、前記第1の不純物領域及び前記第2の不純物領域がP型のソースドレイン領域であってもよい。以上の場合において、前記第1の半導体領域の側面の高さが、前記第1の半導体領域の上面におけるゲート幅方向の幅と比べて大きいと、本発明による効果が顕著に得られる。本発明に係る第2の半導体装置は、支持基板上に形成され、且つ上面及び側面をそれぞれ有する複数の半導体領域と、前記複数の半導体領域のそれぞれの上部に形成された第1導電型の第1の不純物領域と、前記複数の半導体領域のそれぞれの側部に形成された第1導電型の第2の不純物領域とを備え、前記第2の不純物領域の比抵抗は前記第1の不純物領域の比抵抗と比べて同等以下である。本発明の第2の半導体装置において、前記複数の半導体領域のそれぞれの上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極をさらに備え、前記ゲート電極はゲート幅方向に前記複数の半導体領域を跨いでいると、フィン型FETを構成することができる。このとき、前記第1の不純物領域及び前記第2の不純物領域はP型のエクステンション領域であってもよいし、又はP型のソースドレイン領域であってもよい。本発明の第2の半導体装置において、前記複数の半導体領域のそれぞれにおけるゲート長方向の両端部を接続する第3の半導体領域をさらに備えていてもよい。本発明に係る半導体装置の製造方法は、前述の本発明の第1又は第2の半導体装置を製造するための方法であって、支持基板上に、上面及び側面を有する第1の半導体領域を形成する工程aと、前記第1の半導体領域に第1導電型の不純物をプラズマドーピング法によって注入し、それにより、前記第1の半導体領域の上部に第1の不純物領域を形成すると共に、前記第1の半導体領域の側部に第2の不純物領域を形成する工程bとを備え、前記工程bにおいて、注入ドーズ量が第1のドーズ量となる第1の条件でプラズマドーピング法を実施した後、注入ドーズ量が前記第1のドーズ量よりも小さい第2のドーズ量となる第2の条件でプラズマドーピング法を実施する。すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、プラズマドーピング法を用いた注入ドーズ量の制御に特徴を有しており、ドーピング後にアニールを実施することによって、注入ドーズ量の制御を通じてシート抵抗を所望の値に制御することが可能となる。具体的には、プラズマドーピングにおいて、原料ガスをプラズマ中に供給すると、ラジカル、イオン又は原料ガスの構成分子若しくは当該分子が分解してなる分子若しくは原子がプラズマ中に存在することになるが、本発明は、1プラズマ中のイオンは基本的に基板主面に対して垂直に入射すること2プラズマ中のガス分子やラジカル等の中性種は基板主面に対してランダムな方向から入射すること3半導体領域側面においてはスパッタリングによる離脱不純物の影響はほとんどないことに着目し、これらのイオン、ガス分子及びラジカル等が有する本来的な性質1~3に加えて、本願発明者らが新規に発見した、異なる複数の条件を用いたプラズマドーピングに特有の性質4異なる複数の条件を用いたプラズマドーピングを実施した際の半導体領域上面においてドーピングの影響とスパッタリングの影響とが釣り合うことによって決まる注入ドーズ量つまりシート抵抗の水準は、最終段階でのプラズマドーピング条件にのみ依存し、途中の条件には依存しないという性質をフィン型FET等の3次元デバイスに適用する方法であって、注入ドーズ量が第1のドーズ量となる第1の条件でプラズマドーピング法を実施した後、注入ドーズ量が前記第1のドーズ量よりも小さい第2のドーズ量となる第2の条件でプラズマドーピング法を実施することを主要な特徴とする。これにより、半導体領域上部の注入ドーズ量は基本的に低ドーズ量の第2の条件によって規定される一方、半導体領域側部の注入ドーズ量は基本的に高ドーズ量の第1の条件によって規定される。このため、半導体領域側部に、半導体領域上部と比べて同等以上の注入ドーズ量を有する不純物領域を備えた半導体装置、言い換えると、半導体領域側部に低シート抵抗の不純物領域を備えた半導体装置を得ることができる。従って、例えばフィン型FETにおけるエクステンション領域及びソースドレイン領域のゲート幅方向の幅においてフィン型半導体領域側部に形成される不純物領域の幅が占める割合が大きくなってきても、所望のトランジスタ特性を得ることができる。本発明の半導体装置の製造方法において、前記工程bは、前記不純物を含むガスからなるプラズマを用いて行われ、前記第1の条件における前記ガスの濃度が前記第2の条件における前記ガスの濃度よりも高いと、第2の条件による注入ドーズ量を第1の条件による注入ドーズ量と比べて、確実に小さくすることができる。本発明の半導体装置の製造方法において、前記工程bの後、前記第2の不純物領域の注入ドーズ量が前記第1の不純物領域の注入ドーズ量と比べて同等以上であると、前述の効果を確実に得ることができる。本発明の半導体装置の製造方法において、前記工程aよりも前に、前記支持基板上に絶縁層を形成する工程をさらに備え、前記工程aにおいて前記絶縁層上に前記第1の半導体領域を形成してもよい。本発明の半導体装置の製造方法において、前記第1の半導体領域の側面は、前記第1の半導体領域の上面に対して垂直な面であってもよい。本発明の半導体装置の製造方法において、前記第1の不純物領域において、前記第1の条件でプラズマドーピング法を実施した時点での注入ドーズ量と比べて、前記第2の条件でプラズマドーピング法を実施した時点での注入ドーズ量が減少してもよい。本発明の半導体装置の製造方法において、前記工程bは、前記不純物を含むガスからなるプラズマを用いて行われ、前記不純物を含むガスは、ボロン原子と水素原子とからなる分子BmHnm、nは自然数を含んでいてもよい。本発明の半導体装置の製造方法において、前記工程bは、前記不純物を含むガスからなるプラズマを用いて行われ、前記不純物を含むガスは、ボロン原子を含む分子を希ガスで希釈してなるガスであってもよい。本発明の半導体装置の製造方法において、前記工程bは、前記不純物を含むガスからなるプラズマを用いて行われ、前記不純物を含むガスは、前記不純物を含む分子をヘリウムで希釈してなるガスであってもよい。本発明の半導体装置の製造方法において、前記工程bは、前記不純物を含むガスからなるプラズマを用いて行われ、前記不純物を含むガスは、B2H6とHeとの混合ガスであってもよい。この場合、前記混合ガスにおけるB2H6の質量濃度が0.01以上で且つ1以下であると、第1の半導体領域中にボロンを容易に導入することができる。逆に、B2H6ガス濃度が0.01未満である場合には十分な量のボロンを導入することが困難になり、B2H6ガス濃度が1よりも大きい場合には基板表面にボロンを含む堆積物が付着しやすくなる。本発明の半導体装置の製造方法において、前記工程bは、前記不純物を含むガスからなるプラズマを用いて行われ、前記不純物を含むガスは、BF3、AsH3又はPH3を含んでいてもよい。本発明の半導体装置の製造方法において、前記工程bの前に、前記第1の半導体領域と同様の半導体領域が設けられた複数のダミー基板のそれぞれにおける当該半導体領域に前記不純物を様々な条件でプラズマドーピング法によって注入し、当該半導体領域の側部に形成される不純物領域のシート抵抗が所望値になるときの条件を前記第1の条件として決定すると共に当該半導体領域の上部に形成される不純物領域のシート抵抗が所望値になるときの条件を前記第2の条件として決定する工程をさらに備えていてもよい。また、本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、半導体領域に第1導電型の不純物をプラズマドーピング法によって注入し、それにより、前記半導体領域に不純物領域を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法において、前記不純物領域を形成する工程は、注入ドーズ量が第1のドーズ量となる第1の条件でプラズマドーピング法を実施する工程aと、前記工程aの後に、注入ドーズ量が前記第1のドーズ量よりも小さい第2のドーズ量となる第2の条件でプラズマドーピング法を実施する工程bとを有する。本発明に係る他の半導体装置の製造方法によると、第2のドーズ量を有する不純物領域を形成する場合に、注入ドーズ量が第1のドーズ量となる第1の条件でプラズマドーピング法を実施した後、注入ドーズ量が前記第1のドーズ量よりも小さい第2のドーズ量となる第2の条件でプラズマドーピング法を実施することにより、前記第2のドーズ量となる第2の条件のみを用いてプラズマドーピング法を実施して不純物領域を形成する場合と比べて、プラズマドーピング時間をより短くすることができる。本発明に係る第3の半導体装置は、支持基板上に形成され、且つ上面及び側面を有する第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域の上部に形成された第1導電型の第1の不純物領域と、前記第1の半導体領域の側部に形成された第1導電型の第2の不純物領域とを備え、前記第2の不純物領域のシート抵抗は前記第1の不純物領域のシート抵抗と比べて同等以下である。本発明に係る第4の半導体装置は、支持基板上に形成され、且つ上面及び側面を有する第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域の上部に形成された第1導電型の第1の不純物領域と、前記第1の半導体領域の側部に形成された第1導電型の第2の不純物領域とを備え、前記第2の不純物領域の拡がり抵抗は前記第1の不純物領域の拡がり抵抗と比べて同等以下である。本発明によると、フィン型半導体領域の側部に、フィン型半導体領域の上部と比べて同等以上の注入ドーズ量を有する不純物領域を備えた半導体装置、言い換えると、フィン型半導体領域側部に低シート抵抗の不純物領域を備えた半導体装置を得ることができるので、フィン型FET等の3次元デバイスにおける特性劣化を防止することができる。第1の実施形態以下、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の構造について図面を参照しながら説明する。図1a~dは、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置、具体的には、フィン型FETを有する半導体装置の構造を示す図であり、図1aは要部平面図であり、図1bは図1aにおけるA-A線の要部断面図であり、図1cは図1aにおけるB-B線の要部断面図であり、図1dは図1aにおけるC-C線の要部断面図である。本実施形態のフィン型FETは、図1a~dに示すように、例えばシリコンからなる支持基板11と、支持基板11上に形成された例えば酸化シリコンからなる絶縁層12と、絶縁層12上に形成されたフィン型半導体領域13a~13dと、フィン型半導体領域13a~13d上に例えばシリコン酸窒化膜からなるゲート絶縁膜14a~14dを介して形成されたゲート電極15と、ゲート電極15の側面上に形成された絶縁性サイドウォールスペーサ16と、フィン型半導体領域13a~13dにおけるゲート電極15を挟む両側方領域に形成されたエクステンション領域17と、フィン型半導体領域13a~13dにおけるゲート電極15及び絶縁性サイドウォールスペーサ16を挟む両側方領域に形成されたソースドレイン領域27とを有している。各フィン型半導体領域13a~13dは、ゲート幅方向の幅aが例えば30nm程度であり、ゲート長方向の幅bが例えば200nm程度であり、高さ厚さcが例えば50nm程度であり、絶縁層12上においてゲート幅方向にピッチd例えば60nm程度で並ぶように配置されている。尚、フィン型半導体領域13a~13dの上面と側面とは互いに垂直であってもよいし、垂直でなくてもよい。ゲート電極15は、ゲート幅方向にフィン型半導体領域13a~13dを跨ぐように形成されている。エクステンション領域17は、フィン型半導体領域13a~13dのそれぞれの上部に形成された第1の不純物領域17aと、フィン型半導体領域13a~13dのそれぞれの側部に形成された第2の不純物領域17bとから構成されている。また、ソースドレイン領域27は、フィン型半導体領域13a~13dのそれぞれの上部に形成された第3の不純物領域27aと、フィン型半導体領域13a~13dのそれぞれの側部に形成された第4の不純物領域27bとから構成されている。尚、ポケット領域の説明及び図示については省略する。本実施形態の特徴は次の通りである。すなわち、フィン型半導体領域側部に形成された第2の不純物領域17bの注入ドーズ量が、フィン型半導体領域上部に形成された第1の不純物領域17aの注入ドーズ量と比べて同等以上に設定されている。これにより、エクステンション領域17を構成する第2の不純物領域17bのシート抵抗を、第1の不純物領域17aのシート抵抗以下に設定することができるので、エクステンション領域17のゲート幅方向の幅においてフィン型半導体領域側部に形成された第2の不純物領域17bの幅が占める割合が大きくなっても、所望のトランジスタ特性を得ることができる。同様に、フィン型半導体領域側部に形成された第4の不純物領域27bの注入ドーズ量が、フィン型半導体領域上部に形成された第3の不純物領域27aの注入ドーズ量と比べて同等以上に設定されている。これにより、ソースドレイン領域27を構成する第4の不純物領域27bのシート抵抗を、第3の不純物領域27aのシート抵抗以下に設定することができるので、ソースドレイン領域27のゲート幅方向の幅においてフィン型半導体領域側部に形成された第4の不純物領域27bの幅が占める割合が大きくなっても、所望のトランジスタ特性を得ることができる。以上の説明においては、第2の不純物領域17b第4の不純物領域27bのシート抵抗を第1の不純物領域17a第3の不純物領域27aのシート抵抗と比べて同等以下に設定したが、第2の不純物領域17b第4の不純物領域27bの比抵抗又は拡がり抵抗を第1の不純物領域17a第3の不純物領域27aの比抵抗又は拡がり抵抗と比べて同等以下に設定しても、同様の効果が得られる。ここで、対象物のシート抵抗をRs、抵抗率比抵抗をρ、厚さ接合深さをt、拡がり抵抗をρwとすると、Rs=ρ/tである。また、抵抗率比抵抗ρと拡がり抵抗ρwとは基本的には1対1の関係にあるので、Rs∝ρw/tと表せる。以下の説明においては、主としてシート抵抗を用いて説明を行うが、抵抗の大小関係についてはシート抵抗を比抵抗又は拡がり抵抗と読み替えてもよい。尚、本実施形態において、フィン型半導体領域側部に形成された第2の不純物領域17bの注入ドーズ量が、フィン型半導体領域上部に形成された第1の不純物領域17aの注入ドーズ量の80より好ましくは90程度以上であれば、従来技術と比べてトランジスタ特性を顕著に改善することができる。同様に、フィン型半導体領域側部に形成された第4の不純物領域27bの注入ドーズ量が、フィン型半導体領域上部に形成された第3の不純物領域27aの注入ドーズ量の80より好ましくは90程度以上であれば、従来技術と比べてトランジスタ特性を顕著に改善することができる。また、本実施形態において、フィン型半導体領域の側面の高さ/フィン型半導体領域の上面のゲート幅方向の幅以下、アスペクト比と称するが小さければ、第2の不純物領域17bの注入ドーズ量が第1の不純物領域17aの注入ドーズ量と比べてある程度小さくても、つまり、第2の不純物領域17bのシート抵抗、比抵抗又は拡がり抵抗が第1の不純物領域17aのシート抵抗、比抵抗又は拡がり抵抗と比べてがある程度例えば10程度以下大きくても、トランジスタ特性の劣化は少ない。一方、このアスペクト比が大きくなるに従って、第2の不純物領域17bの注入ドーズ量を第1の不純物領域17aの注入ドーズ量と比べて同等以上にする必要性、つまり、第2の不純物領域17bのシート抵抗、比抵抗又は拡がり抵抗を第1の不純物領域17aのシート抵抗、比抵抗又は拡がり抵抗と比べて同等以下にする必要性が増す。同様に、アスペクト比が小さければ、第4の不純物領域27bの注入ドーズ量が第3の不純物領域27aの注入ドーズ量と比べてある程度小さくても、つまり、第4の不純物領域27bのシート抵抗、比抵抗又は拡がり抵抗が第3の不純物領域27aのシート抵抗、比抵抗又は拡がり抵抗と比べてある程度例えば10程度以下大きくても、トランジスタ特性の劣化は少ない。一方、このアスペクト比が大きくなるに従って、第4の不純物領域27bの注入ドーズ量を第3の不純物領域27aの注入ドーズ量と比べて同等以上にする必要性、つまり第4の不純物領域27bのシート抵抗、比抵抗又は拡がり抵抗を第3の不純物領域27aのシート抵抗、比抵抗又は拡がり抵抗と比べて同等以下にする必要性が増す。以下、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。図2a~eは、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す要部断面図である。尚、図2a~eは、図1aにおけるC-C線の断面構成と対応している。また、図2a~eにおいて、図1a~dに示す構造と同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。まず、図2aに示すように、例えばシリコンからなる厚さ800μmの支持基板11上に例えば酸化シリコンからなる厚さ150nmの絶縁層12が設けられ、且つ絶縁層12上に例えばシリコンからなる厚さ50nmの半導体層を備えたSOI基板を準備する。その後、当該半導体層をパターニングして、活性領域となるn型のフィン型半導体領域13bを形成する。ここで、フィン型半導体領域13bは、ゲート幅方向の幅aが例えば30nm程度であり、ゲート長方向の幅bが例えば200nm程度であり、高さ厚さcが例えば50nm程度であり、隣接する他のフィン型半導体領域とピッチd例えば60nm程度で並ぶように配置される。次に、図2bに示すように、フィン型半導体領域13bの表面に例えばシリコン酸窒化膜からなる厚さ3nmのゲート絶縁膜14を形成した後、支持基板12上の全面に亘って例えば厚さ60nmのポリシリコン膜15Aを形成する。次に、図2cに示すように、ポリシリコン膜15A及びゲート絶縁膜14を順次エッチングして、フィン型半導体領域13b上にゲート絶縁膜14bを介して例えばゲート長方向の幅が60nmのゲート電極15を形成する。その後、ゲート電極15をマスクとして、フィン型半導体領域13bに対して、第1のプラズマドーピング条件第1の条件でp型不純物をドーピングする。これにより、フィン型半導体領域13bの上部に形成されたp型の第1の不純物領域7aとフィン型半導体領域13bの側部に形成されたp型の第2の不純物領域7bとからなるp型のエクステンション領域7を形成する。このとき、第1の不純物領域7aは、第2の不純物領域7bと比べて注入ドーズ量が大きくなるように形成される。ここで、第1のプラズマドーピング条件は、例えば、原料ガスがHeヘリウムで希釈したB2H6ジボランであり、原料ガス中でのB2H6濃度が0.05質量であり、原料ガスの総流量が420cm3/分標準状態であり、チャンバー内圧力が0.9Paであり、ソースパワープラズマ生成用高周波電力が2000Wであり、バイアスパワー基板載置台に印加する高周波電力が135Wであり、基板温度が20°Cである。前述の第1のプラズマドーピング条件で例えば120秒間プラズマドーピングを行った後、放電を切らずに連続して第2のプラズマドーピング条件第2の条件でp型不純物を例えば680秒間フィン型半導体領域13bにドーピングする。これにより、図2dに示すように、フィン型半導体領域13bの上部に形成されたp型の第1の不純物領域17aとフィン型半導体領域13bの側部に形成されたp型の第2の不純物領域17bとからなるp型のエクステンション領域17を形成する。すなわち、図2cに示す工程で形成されたエクステンション領域7は、図2dに示す工程でエクステンション領域17に改質される。このとき、第2の不純物領域17bは、第1の不純物領域17aと比べて注入ドーズ量が同等又はそれ以上に大きくなるように同等以上に形成される。これにより、第2の不純物領域17bのシート抵抗、比抵抗又は拡がり抵抗が第1の不純物領域17aのシート抵抗、比抵抗又は拡がり抵抗と比べて同等又は小さくつまり同等以下になるように第2の不純物領域17bを形成することができる。ここで、第2のプラズマドーピング条件は、例えば、原料ガスがHeで希釈したB2H6であり、原料ガス中でのB2H6濃度が0.02質量であり、原料ガスの総流量が300cm3/分標準状態であり、チャンバー内圧力が0.9Paであり、ソースパワーが2000Wであり、バイアスパワーが135Wであり、基板温度が20°Cである。その後、ゲート電極15をマスクとして、フィン型半導体領域13bに不純物をイオン注入して、n型ポケット領域図示省略を形成する。次に、図2eに示すように、支持基板12上の全面に亘って例えば厚さ60nmの絶縁膜を形成した後、異方性ドライエッチングを用いて当該絶縁膜をエッチバックすることにより、ゲート電極15の側面上に絶縁性サイドウォールスペーサ16を形成する。その後、ゲート電極15及び絶縁性サイドウォールスペーサ16をマスクとして、フィン型半導体領域13bに対して、第3のプラズマドーピング条件第3の条件でp型不純物を例えば120秒間ドーピングした後、放電を切らずに連続して第4のプラズマドーピング条件第4の条件でp型不純物を例えば680秒間ドーピングする。これにより、フィン型半導体領域13bの上部に形成されたp型の第3の不純物領域27aとフィン型半導体領域13bの側部に形成されたp型の第4の不純物領域27bとからなるp型のソースドレイン領域27を形成する。ここで、第3のプラズマドーピング条件によるドーピング実施時には、第3の不純物領域27aは、第4の不純物領域27bと比べて注入ドーズ量が大きくなるように形成される。しかしながら、第3のプラズマドーピング条件よりも注入ドーズ量の小さい第4のプラズマドーピング条件によるドーピングを実施することにより、第3のプラズマドーピング条件によって形成されたソースドレイン領域は、第4のプラズマドーピング条件によってソースドレイン領域27に改質される。このとき、第4の不純物領域27bは、第3の不純物領域27aと比べて注入ドーズ量が同等又はそれ以上に大きくなるように同等以上に形成される。これにより、第4の不純物領域27bのシート抵抗、比抵抗又は拡がり抵抗が第3の不純物領域27aのシート抵抗、比抵抗又は拡がり抵抗と比べて同等又は小さくつまり同等以下になるように第4の不純物領域27bを形成することができる。尚、第3の条件による注入ドーズ量を第4の条件と比べて大きくするために、例えば、原料ガス中でのB2H6濃度及び原料ガスの総流量を第4の条件と比べて第3の条件で大きくする。本実施形態の特徴は次の通りである。すなわち、フィン型FETのエクステンション領域17をプラズマドーピング法を用いて形成するに際して、注入ドーズ量が相対的に大きい第1の条件及び注入ドーズ量が相対的に小さい第2の条件を用いる。これにより、フィン型半導体領域13bの側部に形成された第2の不純物領域17bがフィン型半導体領域13bの上部に形成された第1の不純物領域17aと比べて同等以上の注入ドーズ量を有するエクステンション領域17を備えたフィン型MISFETを得ることができる。従って、第2の不純物領域17bのシート抵抗を第1の不純物領域17aのシート抵抗以下に設定することができるので、エクステンション領域17のゲート幅方向の幅においてフィン型半導体領域側部に形成された第2の不純物領域17bの幅が占める割合が大きくなっても、所望のトランジスタ特性を得ることができる。同様に、フィン型FETのソースドレイン領域27をプラズマドーピング法を用いて形成するに際して、注入ドーズ量が相対的に大きい第3の条件及び注入ドーズ量が相対的に小さい第4の条件を用いる。これにより、フィン型半導体領域13bの側部に形成された第4の不純物領域27bがフィン型半導体領域13bの上部に形成された第3の不純物領域27aと比べて同等以上の注入ドーズ量を有するソースドレイン領域27を備えたフィン型MISFETを得ることができる。従って、第4の不純物領域27bのシート抵抗を第3の不純物領域27aのシート抵抗以下に設定することができるので、ソースドレイン領域27のゲート幅方向の幅においてフィン型半導体領域側部に形成された第4の不純物領域27bの幅が占める割合が大きくなっても、所望のトランジスタ特性を得ることができる。尚、本実施形態において、n型のフィン型半導体領域13bにp型不純物をプラズマドーピングしてp型のエクステンション領域17及びソースドレイン領域27、つまりp型のMISFETを形成したが、これに代えて、p型のフィン型半導体領域にn型不純物をドーピングしてn型のエクステンション領域及びソースドレイン領域、つまりn型のMISFETを形成してもよい。また、本実施形態において、第1の条件第3の条件による注入ドーズ量を大きくするために、原料ガス中でのB2H6濃度及び原料ガスの総流量を第2の条件第4の条件と比べて第1の条件第3の条件で大きくしたが、これに代えて、いずれか一方のみを大きくしてもよい。また、第1の条件第3の条件による注入ドーズ量を大きくするために、チャンバー内圧力、ソースパワー又はバイアスパワー等の他のパラメータを制御しても良いことは言うまでもない。また、本実施形態において、第2の不純物領域17bのシート抵抗を低減するためには、第2の不純物領域17bの接合深さを第1の不純物領域17aの接合深さと比べて同等以上の深さに設定することが好ましい。このような構成は、例えば、フィン型半導体領域側部に形成された第2の不純物領域17bの注入ドーズ量がフィン型半導体領域上部に形成された第1の不純物領域17aの注入ドーズ量と比べて大きくなるようにプラズマドーピングを実施した後に適切なアニールを行うことによって実現可能である。同様に、第4の不純物領域27bのシート抵抗を低減するためには、第4の不純物領域27bの接合深さを第3の不純物領域27aの接合深さと比べて同等以上の深さに設定することが好ましい。このような構成は、例えば、フィン型半導体領域側部に形成された第4の不純物領域27bの注入ドーズ量がフィン型半導体領域上部に形成された第3の不純物領域27aの注入ドーズ量と比べて大きくなるようにプラズマドーピングを実施した後に適切なアニールを行うことによって実現可能である。また、本実施形態において、プラズマドーピングの原料ガスとして、Heで希釈したB2H6を用いたが、原料ガスは、フィン型半導体領域に注入される不純物を含むガスであれば、特に限定されるものではない。例えば、B2H6に代えて、ボロン原子を含む他の分子例えばBF3、若しくはボロン原子と水素原子とからなる他の分子を用いてもよいし、又はAsH3若しくはPH3等を用いてもよい。また、不純物を含むガスをHe等の希ガスによって希釈してもよいし、希釈しなくてもよい。尚、本実施形態のように、プラズマドーピングの原料ガスとして、Heで希釈したB2H6を用いる場合、原料ガス中のB2H6の質量濃度は0.01以上で且つ1以下であることが好ましい。このようにすると、フィン型半導体領域中にボロンを容易に導入することができる。逆に、B2H6ガス濃度が0.01未満である場合には十分な量のボロンを導入することが困難になり、B2H6ガス濃度が1よりも大きい場合には基板表面にボロンを含む堆積物が付着しやすくなる。以下、本発明のメカニズムについて、エクステンション領域17を例として、フィン型半導体領域の上部と側部とに分けて図面を参照しながら説明する。本発明のメカニズム図3aは、図2cに示す第1のプラズマドーピング条件によるドーピング方法を説明するための要部断面図であり、図3bは、図2dに示す第2のプラズマドーピング条件によるドーピング方法を説明するための要部断面図である。尚、図3a及びbは、図1aにおけるB-B線の断面構成絶縁性サイドウォールスペーサ16の形成前と対応している。また、図3a及びbにおいて、図1a~dに示す構造と同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。図4は、フィン型半導体領域の上部に形成される第1の不純物領域のシート抵抗とプラズマドーピング時間との関係を示す図である。図5は、フィン型半導体領域の側部に形成される第2の不純物領域のシート抵抗とプラズマドーピング時間との関係を示す図である。図6は、フィン型半導体領域の上部に形成される第1の不純物領域及びフィン型半導体領域の側部に形成される第2の不純物領域のそれぞれのシート抵抗とプラズマドーピング時間との関係を示す図である。尚、図4~図6後述する図7~図9についても同じに示すシート抵抗は、プラズマドーピング後に1075°Cの温度で20秒間に亘ってRTArapidthermalannealingを実施することにより得られたものであり、このようにドーピング後に十分なアニールを実施すると、注入ドーズ量とシート抵抗とを1対1に対応させることができる。フィン型半導体領域の上部における本発明のメカニズムまず、図3aに示すように、フィン型半導体領域13a~13dに対して、第1のプラズマドーピング条件第1の条件でp型不純物をドーピングする。これにより、フィン型半導体領域13a~13dの上部には、注入イオン18aと、吸着種ガス分子やラジカル等の中性種18bと、スパッタリングによってフィン型半導体領域13a~13dを離脱する不純物18cとのバランスによって決まる注入ドーズ量を持つ第1の不純物領域7aが形成される。図4の破線に示すように、第1の条件のみによるプラズマドーピング時間を長くした場合、プラズマドーピングの初期においては、スパッタリングによってフィン型半導体領域13a~13dから離脱する不純物18cの量と比べて、半導体領域13a~13dに導入される注入イオン18a及び吸着種18bによる不純物導入量の方が多くなるため、第1の不純物領域7aのシート抵抗は単調に減少する。その後、半導体領域13a~13dへの単位時間当たりの不純物導入量は徐々に減少し、それに伴い第1の不純物領域7aのシート抵抗の低下の度合いも緩やかになりはじめ、当該低下の度合いは最終的には極めて緩やかになる。これは、注入イオン18a及び吸着種18bによる不純物導入量と、スパッタリングによる不純物離脱量とが釣り合うことによって、単位時間当たりの不純物導入量の増加量が次第に小さくなるためである。従って、第1の条件のみによって不純物を導入した場合、第1の不純物領域7aの最終的なシート抵抗は、第1の条件において不純物導入量と不純物離脱量とが釣り合うとき図4の第1の条件で釣り合う位置までに第1の不純物領域7aに注入されるドーズ量に対応するシート抵抗図4の第1の条件で釣り合う位置のシート抵抗となる。次に、図3bに示すように、第1の条件によるプラズマドーピングの後に、第1の条件と比べてガス濃度が低い第2のプラズマドーピング条件第2の条件に切り替えてp型不純物をフィン型半導体領域13a~13dに対してドーピングする。これにより、フィン型半導体領域13a~13dの上部には、注入イオン19aと、吸着種ガス分子やラジカル等の中性種19bと、スパッタリングによってフィン型半導体領域13a~13dを離脱する不純物19cとのバランスによって決まる注入ドーズ量を持つ第1の不純物領域17aが形成される。すなわち、図3aに示す第1の不純物領域7aが、図3bに示すように、第1の不純物領域17aに改質される。このとき、第1の条件と比べて第2の条件の方がガス濃度が低いため、後述するように、第1の不純物領域17aの注入ドーズ量は、最初に形成された第1の不純物領域7aの注入ドーズ量よりも減少する。言い換えると、第1の不純物領域7aのシート抵抗と比べて、第1の不純物領域17aのシート抵抗の方が高くなる。図4の実線に示すように、プラズマドーピングの途中で第1の条件よりもガス濃度が低い第2の条件に切り替えると、この第2の条件では、第1の条件と比べてスパッタリングにより不純物がフィン型半導体領域から離脱する現象がより顕著になる。従って、第1の条件によるプラズマドーピングによってフィン型半導体領域に導入されていた不純物のうち、第2の条件において不純物導入量と不純物離脱量とが釣り合うときまでに注入されるドーズ量つまり図4の第2の条件で釣り合う位置のシート抵抗に対応するドーズ量の水準よりも多く導入されていた不純物は、第2の条件によるプラズマドーピングを実施した際に、スパッタリングによりフィン型半導体領域から離脱する。言い換えると、プラズマドーピングの途中で第1の条件から第2の条件に切り替えると、フィン型半導体領域に最終的に導入されるドーズ量は、第2の条件における注入イオン及び吸着種による不純物導入量とスパッタリングによる不純物離脱量との釣り合いによって決まるドーズ量となる結果、注入ドーズ量が減少してシート抵抗が上昇し、そのままシート抵抗が安定する。すなわち、プラズマドーピングにおける不純物導入量と不純物離脱量との釣り合いは、最終段階のドーピング条件本実施形態では第2の条件にのみ依存して決まり、それまでの条件本実施形態では第1の条件には依存しない。このため、第1の不純物領域のシート抵抗は、第2の条件で最終的に安定するシート抵抗の水準図4の第2の条件で釣り合う位置のシート抵抗になる。以上に説明したように、第1の条件のみを用いてプラズマドーピングを実施した場合図4の破線と、第1の条件と第2の条件とを用いてプラズマドーピングを実施した場合図4の実線との違いは、第1の条件における不純物導入量と不純物離脱量との釣り合いによって決まるシート抵抗と、第2の条件における不純物導入量と不純物離脱量との釣り合いによって決まるシート抵抗との違いに対応する。すなわち、第1の条件のみを用いてプラズマドーピングを実施すると、シート抵抗は、第1の条件における不純物導入量と不純物離脱量との釣り合いによって決まる水準で安定する一方、第1条件から第2の条件に切り替えてプラズマドーピングを実施すると、シート抵抗は、第2の条件における不純物導入量と不純物離脱量との釣り合いによって決まる水準で安定する。この第1の条件と第2の条件との間でのシート抵抗との違いは、両条件の間でドーピング及びスパッタリングのそれぞれの影響が違うことに起因する。フィン型半導体領域の側部における本発明のメカニズムまず、図3aに示すように、フィン型半導体領域13a~13dに対して、第1のプラズマドーピング条件第1の条件でp型不純物をドーピングする。これにより、フィン型半導体領域13a~13dの側部には、主として吸着種ガス分子やラジカル等の中性種18bによって決まる注入ドーズ量を持つ第2の不純物領域7bが形成される。このとき、フィン型半導体領域13a~13dの側面に対して斜めに入射するイオンも存在するため、注入イオン18aやスパッタリングによってフィン型半導体領域13a~13dを離脱する不純物18cも存在するが、吸着種18bと比べるとその影響は非常に小さく、吸着種18bによるドーピングが支配的になる。すなわち、フィン型半導体領域13a~13dの上部にドーピングされる注入イオン18a及びフィン型半導体領域13a~13dの上部からスパッタリングによって離脱する不純物18cの数と比べて、フィン型半導体領域13a~13dの側部にドーピングされる注入イオン18a及びフィン型半導体領域13a~13dの側部からスパッタリングによって離脱する不純物18cの数は圧倒的に少ない。図5の一点鎖線に示すように、第1の条件のみによるプラズマドーピング時間を長くした場合、プラズマドーピングの初期においては、第2の不純物領域7bのシート抵抗は単調に減少する。その後、半導体領域13a~13dへの単位時間当たりの不純物導入量は徐々に減少し、それに伴い第2の不純物領域7bのシート抵抗の低下の度合いも緩やかになりはじめ、当該低下の度合いは最終的には極めて緩やかになる。これは、注入イオン18a及び吸着種18bによる不純物導入量と、スパッタリングによる不純物離脱量とが釣り合うことによって、単位時間当たりの不純物導入量の増加量が次第に小さくなるためである。但し、フィン型半導体領域13a~13dの側部にドーピングされる注入イオン18aのドーズ量は、フィン型半導体領域13a~13dの上部にドーピングされる注入イオン18aのドーズ量と比べて少ないため、第2の不純物領域7bのシート抵抗は第1の不純物領域7aのシート抵抗と比べて高い水準で安定する。次に、図3bに示すように、第1の条件によるプラズマドーピングの後に、第1の条件と比べてガス濃度が低い第2のプラズマドーピング条件第2の条件に切り替えてp型不純物をフィン型半導体領域13a~13dに対してドーピングする。これにより、フィン型半導体領域13a~13dの側部には、第2の不純物領域17bが形成される。このとき、フィン型半導体領域13a~13dの側部においては、スパッタリングによって離脱する不純物19cの量は少ないため、第2の不純物領域17bの注入ドーズ量は第2の不純物領域7bの注入ドーズ量から変わらないか又は僅かに減少する。従って、図5の二点鎖線に示すように、プラズマドーピングの途中で第1の条件よりもガス濃度が低い第2の条件に切り替えたとしても、第2の不純物領域17bのシート抵抗は、第2の条件に切り替える直前のシート抵抗、つまり第1の条件によって決まるシート抵抗に近い値となる。以上に説明したように、フィン型半導体領域13a~13dの側部においては、スパッタリングによる注入ドーズ量の減少は少ないため、第1の条件のみを用いてプラズマドーピングを実施した場合図5の一点鎖線と、第1の条件と第2の条件とを用いてプラズマドーピングを実施した場合図5の二点鎖線との間でシート抵抗の差はほとんど無いか、あったとしても非常に小さい。フィン型半導体領域の上部及び側部のそれぞれにおける本発明のメカニズムの対比以下、図6を参照しながら、第1の条件に引き続いてガス濃度の低い第2の条件を用いてプラズマドーピングをした場合においてフィン型半導体領域の上部及び側部のそれぞれに起こる結果についてまとめて説明する。尚、図6において、実線は図4の実線であり、二点鎖線は図5の二点鎖線である。図6の実線に示すように、第1の不純物領域半導体領域上部ではプラズマドーピング中におけるスパッタリングの影響が第2の不純物領域半導体領域側部と比べて大きいため、第1の条件から第2の条件に切り換えた際に、第2の条件により決まるシート抵抗の水準と対応する注入ドーズ量よりも多く導入されていた不純物は、第2の条件でプラズマドーピングを実施した際に、スパッタリングによって半導体領域の外に出て行く。従って、イオン注入及び中性種ガス分子やラジカル等の吸着によって導入されるドーズ量と、スパッタリングによって半導体領域から離脱する不純物量とが釣り合う水準は、複数のプラズマドーピング条件を用いたとしても最後に用いたプラズマドーピング条件にのみ依存し、それまでのプラズマドーピング条件には依存しない。このため、第1の不純物領域半導体領域上部のシート抵抗の値は、第2の条件においてシート抵抗が最終的に安定したときの水準になる。一方、図6の二点鎖線に示すように、第2の不純物領域半導体領域側部ではプラズマドーピング中におけるスパッタリングの影響が第1の不純物領域半導体領域上部と比べて小さいため、第1の条件から第2の条件に切り換えた際にも、第1の条件において導入されたドーズ量が第2の条件でのスパッタリングによって減ることはないか、又はドーズ量が減ったとしても微量である。従って、第2の不純物領域半導体領域側部のシート抵抗の値は、第2の条件に切り替える直前のシート抵抗、つまり第1の条件によって決まるシート抵抗に近い値となる。従って、注入ドーズ量が相対的に多い第1の条件から注入ドーズ量が相対的に少ない第2の条件に切り替えてプラズマドーピングを行うことにより、第1の不純物領域半導体領域上部の注入ドーズ量と第2の不純物領域半導体領域側部の注入ドーズ量とを極めて高精度に等しくすることが可能となる。さらに、第2の不純物領域半導体領域側部の注入ドーズ量を第1の不純物領域半導体領域上部の注入ドーズ量よりも多くすることも可能になる。図6には、第1の不純物領域半導体領域上部の注入ドーズ量と第2の不純物領域半導体領域側部の注入ドーズ量とを等しくできるプロセスウィンドウを示している。尚、ソースドレイン領域27の形成においても、エクステンション領域17の形成と同様のメカニズムによって、第3の不純物領域半導体領域上部27aの注入ドーズ量と第4の不純物領域半導体領域側部27bの注入ドーズ量とを等しくすることができる。さらに、第4の不純物領域半導体領域側部27bの注入ドーズ量を第3の不純物領域半導体領域上部27aの注入ドーズ量よりも多くすることも可能になる。以下、第1の不純物領域半導体領域上部のシート抵抗の値が、第2の条件においてシート抵抗が最終的に安定したときの水準になることを、具体的な実施例を用いて説明する。第1実施例まず、第1実施例について図7を参照しながら説明する。図7の曲線Aは、図4の説明で第1の条件のみによるプラズマドーピングを行った場合に相当するものであり、プラズマドーピング条件は、例えば、原料ガスがHeで希釈したB2H6であり、原料ガス中でのB2H6濃度が0.05質量であり、原料ガスの総流量が420cm3/分標準状態であり、チャンバー内圧力が0.9Paであり、ソースパワープラズマ生成用高周波電力が2000Wであり、バイアスパワー基板載置台に印加する高周波電力が135Wであり、基板温度が20°Cである。また、図7の曲線Bは、図4の説明で第2の条件のみによるプラズマドーピングを行った場合に相当するものであり、プラズマドーピング条件は、例えば、原料ガスがHeで希釈したB2H6であり、原料ガス中でのB2H6濃度が0.02質量であり、原料ガスの総流量が300cm3/分標準状態であり、チャンバー内圧力が0.9Paであり、ソースパワープラズマ生成用高周波電力が2000Wであり、バイアスパワー基板載置台に印加する高周波電力が135Wであり、基板温度が20°Cである。尚、第1実施例では、第1の条件によって決まる第2の不純物領域半導体領域側部のシート抵抗を低くするために、第1の条件のB2H6濃度及び総流量をそれぞれ第2の条件と比べて大きい0.05質量及び420cm3/分標準状態に設定している。また、第1実施例では、第1の条件から第2の条件に切り替えるタイミングをプラズマドーピングの開始から120秒後に設定している。図7の曲線C1は、プラズマドーピングの開始から120秒後まで第1の条件を用い、その後、プラズマ生成用の放電を切らずに連続して第2の条件によるプラズマドーピングを実施したときの第1の不純物領域半導体領域上部のシート抵抗の変化つまり第1実施例のシート抵抗の変化を示している。図7の曲線C1に示すように、シート抵抗は、プラズマドーピング開始後200秒程度まで単調に減少した後、その傾きがマイナスからプラスに転じ、プラズマドーピング開始後200秒程度から800秒程度までの間ではシート抵抗が明らかに増加していることが分かる。尚、第1実施例では、シート抵抗が最も小さくなるプラズマドーピング開始後200秒程度のときのシート抵抗の値が147Ω/□であり、プラズマドーピング開始後800秒程度のときの増加したシート抵抗の値が171Ω/□であり、両者の差は24Ω/□であって、このシート抵抗の増加量は、第2の条件のみによってドーピングを実施したときに最終的に安定するシート抵抗の値170Ω/□の約15に相当する。ここで、第1実施例におけるプラズマドーピング開始後800秒程度のときのシート抵抗値171Ω/□は、第2の条件のみによってドーピングを実施したときに最終的に安定するシート抵抗の値170Ω/□と極めて近い値になっていることに注意すべきである。これは、以下に説明するような自己整合性を意味するものと考えられる。すなわち、第1の条件から第2の条件に切り替えるタイミングをプラズマドーピングの開始から120秒後と比較的遅く設定することにより、シート抵抗を狙いの値本実施例では170Ω/□よりも小さくなるまで故意に低下させたとしても、最終的なシート抵抗の値は、後のプラズマドーピング条件である第2の条件のみによって決まるシート抵抗の値本実施例では170Ω/□になるまで自己整合的に増加することが確認できた。これは、本発明に特有の極めて特殊な現象である。尚、第1実施例では、この現象を明確に示すために、第1の条件から第2の条件に切り替えるタイミングを極端に遅くしたものであって、第1の条件によって決まる第2の不純物領域半導体領域側部のシート抵抗第2の条件に切り替える前の極少値の水準が所望の値になるタイミングで第1の条件から第2の条件に切り替えることが望ましい。第2実施例次に、第2実施例について図8を参照しながら説明する。第1実施例では、第1の条件から第2の条件に切り替えるタイミングをプラズマドーピングを開始してから120秒後に設定した。第2実施例では、そのタイミングを変更し、プラズマドーピングを開始してから60秒後に第1の条件から第2の条件に切り替える。尚、第1の条件及び第2の条件のそれぞれのプラズマドーピング条件は第1実施例と同じであり、図8の曲線A及び曲線Bは図7の曲線A及び曲線Bと同じである。図8の曲線C2は、プラズマドーピングの開始から60秒後まで第1の条件を用い、その後、プラズマ生成用の放電を切らずに連続して第2の条件によるプラズマドーピングを実施したときの第1の不純物領域半導体領域上部のシート抵抗の変化つまり第2実施例のシート抵抗の変化を示している。図8の曲線C2に示すように、第2実施例でも、第1実施例と同様に、シート抵抗の推移が従来のプラズマドーピングの常識を覆すような傾向を示していることに注意すべきである。すなわち、従来のプラズマドーピングにおいては、シート抵抗は時間に対して単調に減少するものであった。それは、プラズマからのイオンが注入されたり、ラジカルやガス分子等の吸着が進んだり、さらには、吸着したラジカルやガス分子等がその上からイオンによって叩かれて半導体領域中に入ったりするなどしてドーピングされるドーズ量が増加するが、これらの現象によれば、プラズマドーピング時間が増加するに従って注入ドーズ量が増加すると考えられるからである。もちろん、単位時間当たりのドーズ量の増加量がプラズマドーピング条件によって異なったり、ドーピングの影響とスパッタリングの影響とが釣り合うことによって単位時間当たりのドーズ量の増加量が次第に小さくなったりすることはあったとしても、従来のプラズマドーピングにおいては、プラズマドーピング時間が増加するに従って注入ドーズ量は必ず増加することが当然であった。それに対して、第2実施例では、プラズマドーピング開始後200秒経過以前においてはシート抵抗が通常のプラズマドーピングと同様に単調減少しているにもかかわらず、プラズマドーピング開始後200秒程度でシート抵抗の変化の傾きがマイナスからプラスに転じた。そして、驚くべきことに、プラズマドーピング開始後200秒経過以降においては、シート抵抗は、第2の条件のみによってドーピングを実施したときに最終的に安定するシート抵抗の値170Ω/□を目指して増加し始めた。その後、プラズマドーピング開始後400秒程度で、第2の条件のみによってドーピングを実施したときに最終的に安定するシート抵抗の値170Ω/□に達すると、それ以降はシート抵抗の増加の割合が小さくなった。具体的には、プラズマドーピング開始後200秒時点でのシート抵抗は163Ω/□であり、プラズマドーピング開始後400秒時点でのシート抵抗は170Ω/□であり、プラズマドーピング開始後800秒時点でのシート抵抗は172Ω/□である。これらの結果を参照すると、プラズマドーピング開始後200秒から400秒までのシート抵抗の増加は、第2の条件のみによってドーピングを実施したときに最終的に安定するシート抵抗の値170Ω/□を目指した自然のメカニズムの働きであるように思われる。また、図8に示すように、目標のシート抵抗の値170Ω/□ばらつき許容範囲を含むを得る場合、第1の条件を用いてドーピングした後に第2の条件を用いてドーピングすることにより、第2の条件のみを用いてドーピングを実施する場合曲線Bと比べて、プラズマドーピング時間のより一層の短縮を図ることができる。尚、図8において、シート抵抗が最も小さくなるプラズマドーピング開始後200秒程度のときのシート抵抗163Ω/□から狙いの値本実施例では170Ω/□までの増加分は狙いの値の約4に相当する。これは、第1の実施例で示した約15の増加量と比べて小さい。このように、第1の条件から第2の条件に切り替えるタイミングを調整することにより、最も小さくなるシート抵抗値からのシート抵抗の増加量を制御できるという効果が得られる。第3実施例次に、第3実施例について図9を参照しながら説明する。第2実施例では、第1の条件から第2の条件に切り替えるタイミングをプラズマドーピングを開始してから60秒後に設定した。第3実施例では、そのタイミングを変更し、プラズマドーピングを開始してから20秒後に第1の条件から第2の条件に切り替える。尚、第1の条件及び第2の条件のそれぞれのプラズマドーピング条件は第1実施例と同じであり、図9の曲線A及び曲線Bは図7の曲線A及び曲線Bと同じである。図9の曲線C3は、プラズマドーピングの開始から20秒後まで第1の条件を用い、その後、プラズマ生成用の放電を切らずに連続して第2の条件によるプラズマドーピングを実施したときのシート抵抗の変化つまり第3実施例のシート抵抗の変化を示している。図9の曲線C3に示すように、第1の条件から第2の条件に切り替えるタイミングをプラズマドーピング開始後20秒に設定した第3実施例でも、プラズマドーピング開始後400秒から800秒までの間に安定するシート抵抗の値は、第2の条件のみによってドーピングを実施したときに最終的に安定するシート抵抗の値170Ω/□と比べて若干高いもののばらつき許容範囲内にあった。以上に説明した第1~第3実施例からわかるように、異なる複数の条件を用いたプラズマドーピング時の半導体領域上面においてドーピングの影響とスパッタリングの影響とが釣り合うことによって決まる注入ドーズ量つまりシート抵抗の水準は、最終段階でのプラズマドーピング条件にのみ依存し、途中の条件には依存しない。すなわち、一旦半導体領域中に導入された不純物であっても、スパッタリングが優勢となる条件下では半導体領域から外に出て行く。第1の実施形態の第1変形例以下、本発明の第1の実施形態の第1変形例に係る半導体装置の構造について図面を参照しながら説明する。図10は、本変形例に係る半導体装置、具体的には、フィン型FETを有する半導体装置の要部平面図である。尚、図10において、図1a~dに示す第1の実施形態の構造と同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。図10に示すように、本変形例が図1a~dに示す第1の実施形態と異なっている点は、フィン型半導体領域13a~13dのそれぞれにおけるゲート長方向の両端部が他のフィン型半導体領域13e及び13fによって接続されていることである。本変形例によると、第1の実施形態と同様の効果が得られると共に、フィン型半導体領域13a~13fによって1つのフィン型FETを構成することができる。第1の実施形態の第2変形例以下、本発明の第1の実施形態の第2変形例に係る半導体装置の構造について図面を参照しながら説明する。本変形例の半導体装置、具体的には、フィン型FETを有する半導体装置の構造を示す平面図は、第1の実施形態の要部平面図である図1aと同じである。また、図11a~cは本変形例の半導体装置の断面構造を示す図であり、図11aは図1aにおけるA-A線の要部断面図であり、図11bは図1aにおけるB-B線の要部断面図であり、図11cは図1aにおけるC-C線の要部断面図である。図11a~cに示すように、本変形例が図1a~dに示す第1の実施形態と異なっている点は次の通りである。すなわち、第1の実施形態においては、フィン型半導体領域13a~13dの上面及び側面の上に例えばシリコン酸窒化膜からなる厚さ3nmのゲート絶縁膜14a~14dが形成されていた。それに対して、本変形例においては、ゲート絶縁膜14a~14dはフィン型半導体領域13a~13dの側面上のみに形成されており、フィン型半導体領域13a~13dの上面上には例えばシリコン酸化膜からなる厚さ20nmの絶縁膜24a~24dが形成されている。すなわち、本変形例においては、フィン型半導体領域13a~13dの側部のみをチャネル領域として使用する。このような構成であっても、アスペクト比フィン型半導体領域の側面の高さ/フィン型半導体領域の上面のゲート幅方向の幅が大きければ第1の実施形態と同様の効果が得られる。第2の実施形態以下、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法、具体的には、前述の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法における第1及び第2のプラズマドーピング条件を決定する方法について図面を参照しながら説明する。図12は、本実施形態のプラズマドーピング条件決定方法を示したフローチャートである。また、図13aは本実施形態のプラズマドーピング条件決定方法で用いるダミー基板の概略断面構成を示す図であり、図13bはステップS102におけるプラズマドーピング時間とシート抵抗との関係を示す図である。また、図14はステップS103におけるプラズマドーピング時間とシート抵抗との関係を示す図である。さらに、図15はステップS105及びS106におけるプラズマドーピング時間とシート抵抗との関係を示す図である。まず、ステップS101において、図13aに示すように、プラズマドーピング条件設定のためのダミー基板として、同一のダミー基板51を複数用意し、各ダミー基板51上に、製造対象のデバイスと同一仕様又はほぼ同一仕様のフィン型半導体領域以下、Finと称する52、例えば図1a~dに示す第1の実施形態のフィン型半導体領域13a~13dと同様のFin52を形成する。ここで、各Fin52は、図13aに示すように、基板主面に対して平行な第1の面シート抵抗測定箇所を点aとすると、基板主面に対して垂直な第2の面シート抵抗測定箇所を点bとするとを有する。次に、ステップS102において、Fin52が形成された複数のダミー基板51を用いて、Fin52に対して様々な条件でp型不純物のプラズマドーピング以下、第1のPDと称するを実施する。その後、注入不純物の活性化のための熱処理を実施した後、Fin52の点a及び点bのそれぞれのシート抵抗を測定する。そして、点bのシート抵抗が所望値になるときの条件を第1のPD条件として決定する。図13bは、ステップS102において点bのシート抵抗が所望値になるときの様子を表している。このとき、点aのシート抵抗は、例えば点bのシート抵抗の半分である。尚、点bのシート抵抗が所望値と異なる場合には、点bのシート抵抗が所望値と同じになるまで、Fin52が形成された未処理のダミー基板51を用いて、プラズマドーピング条件を変更してステップS102を再度実施する。また、Fin52が形成された未処理のダミー基板51が無くなった場合には、ステップS101及びステップS102を繰り返し実施する。次に、ステップS103において、Fin52が形成された複数の未処理のダミー基板51を用いて、Fin52に対して様々な条件でp型不純物のプラズマドーピング以下、第2のPDと称するを実施する。その後、注入不純物の活性化のための熱処理を実施した後、Fin52の点a及び点bのそれぞれのシート抵抗を測定する。そして、点aのシート抵抗が所望値になるときの条件を第2のPD条件として決定する。図14は、ステップS103において点aのシート抵抗が所望値になるときの様子を表している。このとき、点bのシート抵抗は、点aのシート抵抗よりも高くなる。尚、点aのシート抵抗が所望値と異なる場合には、点aのシート抵抗が所望値と同じになるまで、Fin52が形成された未処理のダミー基板51を用いて、プラズマドーピング条件を変更してステップS103を再度実施する。また、Fin52が形成された未処理のダミー基板51が無くなった場合には、ステップS101及びステップS103を繰り返し実施する。次に、ステップS104において、PD処理直前までの工程を終えたデバイス製造用基板、例えば図2cに示す第1の実施形態の構造を有する基板を形成する。当該基板においては、Fin形成に加えて、PD処理の前工程洗浄等が完了している。次に、ステップS105において、ステップS102で決定した第1のPD条件点bのシート抵抗が所望値になるときの条件を用いて前記デバイス製造用基板に対してプラズマドーピングを実施する。次に、ステップS106において、ステップS103で決定した第2のPD条件点aのシート抵抗が所望値になるときの条件を用いて前記デバイス製造用基板に対してプラズマドーピングを実施する。このとき、ステップS105と同一チャンバー内で放電を切らずに連続してステップS106を実施してもよい。図15はステップS105及びS106においてFin上部点a及びFin側部点bのそれぞれのシート抵抗が所望値になるときの様子を表している。尚、図15は、Fin上部点a及びFin側部点bのそれぞれのシート抵抗を同じ値に設定する場合を例示している。最後に、ステップS107において、PD処理の後工程、例えば、洗浄、レジスト剥離、及び活性化のための熱処理等を実施して、デバイス製造を完了させる。以上に説明したように、本実施形態によると、第1の実施形態の構造を有する半導体装置、つまりフィン型半導体領域を有し且つ所望の特性を発揮することができる半導体装置を確実に製造することができる。