"室温大気圧下で液体状態にある、分子量300乃至10,000の多官能メタアクリレート化合物を少なくとも1種含むハードディスク用平坦化膜形成組成物。前記化合物が分子内に2乃至20個のメタアクリレート基を有する化合物である、請求項1に記載のハードディスク用平坦化膜形成組成物。前記化合物の分子量が300乃至2,300である、請求項1又は請求項2に記載のハードディスク用平坦化膜形成組成物。更に光重合開始剤を含む、請求項1乃至請求項3のうちいずれか1項に記載のハードディスク用平坦化膜形成組成物。磁性体表面上に凹凸を形成する第1工程と、該凹凸が形成された磁性体表面上を請求項1乃至請求項4のうちいずれか1項に記載の平坦化膜形成組成物で被覆する第2工程と、該被覆された磁性体表面上を磁性体表面が露出するまでエッチングして平坦化する第3工程とを含む、ハードディスクの製造方法。更に平坦化された磁性体表面上に硬質物質を被覆する第4工程を含む、請求項5に記載のハードディスクの製造方法。前記第1工程において、凹凸の形成がナノインプリント法に従い行われる、請求項5又は請求項6に記載のハードディスクの製造方法。前記第3工程において、平坦化がドライエッチングにより行われる、請求項5乃至請求項7のうちいずれか1項に記載のハードディスクの製造方法。前記第4工程で用いられる硬質物質がダイヤモンドライクカーボンである、請求項6乃至請求項8のうちいずれか1項に記載のハードディスクの製造方法。光学メディアの表面の保護膜としてアクリレート系化合物が用いられている。しかし、ディスクリートトラックメディアやビットパターンドメディアという技術、即ち、磁性体表面に微細な溝数十nmを形成し、その溝に非磁性体材料を充填し光硬化し平坦化して、磁性体部分と非磁性体部分を交互に有するトラックを形成する方法において用いられるところの、非磁性体の充填剤平坦化膜形成組成物については、斯かる化合物の用途として提案されていない。そこで、本発明は、磁性体表面の微細な溝に十分に充填され、且つ光硬化時露光時と露光後焼成時に充填部分に収縮を生じないことが求められるところの新規なハードディスク用平坦化膜形成組成物を提供する。また、それを用いたハードディスクの製造方法を提供する。本発明は第1観点として、室温大気圧下で液体状態にある、分子量300乃至10,000の多官能メタアクリレート化合物を少なくとも1種含むハードディスク用平坦化膜形成組成物、第2観点として、前記化合物が分子内に2乃至20個のメタアクリレート基を有する化合物である、第1観点に記載のハードディスク用平坦化膜形成組成物、第3観点として、前記化合物の分子量が300乃至2,300である、第1観点又は第2観点に記載のハードディスク用平坦化膜形成組成物、第4観点として、更に光重合開始剤を含む、第1観点乃至第3観点のうちいずれか1項に記載のハードディスク用平坦化膜形成組成物、第5観点として、磁性体表面上に凹凸を形成する第1工程と、該凹凸が形成された磁性体表面上を第1観点乃至第4観点のうちいずれか1項に記載の平坦化膜形成組成物で被覆する第2工程と、該被覆された磁性体表面上を磁性体表面が露出するまでエッチングして平坦化する第3工程とを含む、ハードディスクの製造方法、第6観点として、更に平坦化された磁性体表面上に硬質物質を被覆する第4工程を含む、第5観点に記載のハードディスクの製造方法、第7観点として、前記第1工程において、凹凸の形成がナノインプリント法に従い行われる、第5観点又は第6観点に記載のハードディスクの製造方法、第8観点として、前記第3工程において、平坦化がドライエッチングにより行われる、第5観点乃至第7観点のうちいずれか1項に記載のハードディスクの製造方法、第9観点として、前記第4工程で用いられる硬質物質がダイヤモンドライクカーボンである、第6観点乃至第8観点のうちいずれか1項に記載のハードディスクの製造方法である。メディア作製時において、磁性体表面の微細な溝に充填させる組成物として無機系化合物を含む平坦化膜形成組成物を用いた場合と比較して、本発明の有機系化合物を含むハードディスク用平坦化膜形成組成物は以下のような有利な効果を有する。無機系化合物を含む平坦化膜形成組成物を用いる場合は、該組成物を凹凸基板上に塗布し、200°C以上の温度で加熱によるリフローを行い、CMPや湿式エッチング等で無機被覆部分を削り、加熱硬化し、ドライエッチングを行って表面を平坦化させ、更にダイヤモンドライクカーボンの被覆を行う。これに対し、本発明の有機系化合物を含む平坦化膜形成組成物を用いる場合は、該組成物を凹凸基板上に塗布し、露光し、その後必要であれば露光後加熱を行い、ドライエッチングを行って表面を平坦化させ、更にダイヤモンドライクカーボンの被覆を行う。したがって、本発明の有機系化合物を含む平坦化膜形成組成物を用いる場合は、加熱によるリフローを行わなくても被覆のみで磁性体表面の微細な溝に該組成物を充填させることができる。即ち被覆工程本発明の第2工程でリフローを必要としない。また、無機系化合物を含む平坦化膜形成組成物を用いる場合は、CMPや湿式エッチングで無機被覆部分を除去した後にドライエッチングによる平坦化が行われるために工程数が増える。これに対し、本発明の有機系化合物を含む平坦化膜形成組成物を用いる場合は、ドライエッチングのみで平坦化本発明の第3工程させることが可能なので製造工程の簡略化及びプロセス数低減による生産性の向上及び低コスト化を実現できる。本発明は、室温大気圧下で液体状態にある、分子量300乃至10,000の多官能メタアクリレート化合物を少なくとも1種含むハードディスク用平坦化膜形成組成物である。また、本発明のハードディスク用平坦化膜形成組成物は、前記多官能メタアクリレート化合物、光重合開始剤及び有機溶剤を含み、所望により界面活性剤等の添加剤も含有することができる。なお、本発明では、室温とは20乃至25°Cをいう。本発明の平坦化膜形成組成物における固形分の割合は、0.01乃至20質量、又は0.1乃至10質量、又は1乃至10質量である。ここで、固形分とは平坦化膜形成組成物の全成分から有機溶剤を除去した残りの成分である。本発明の平坦化膜形成組成物における多官能メタアクリレート化合物の含有量は、該平坦化膜形成組成物の固形分中の含有量に基づいて、50乃至99質量、又は60乃至95質量、又は70乃至90質量である。本発明の平坦化膜形成組成物における光重合開始剤の含有量は、該平坦化膜形成組成物の固形分中の含有量に基づいて、0.5乃至30質量、又は5乃至30質量、又は10乃至30質量である。本発明の平坦化膜形成組成物における界面活性剤等の添加剤の含有量は、該平坦化膜形成組成物の固形分中の含有量に基づいて、0.0001乃至1質量、又は0.001乃至0.5質量である。本発明の平坦化膜形成組成物では、有機系化合物として多官能メタアクリレート化合物を用いているが、露光時は官能基数の少ないメタアクリレート化合物は収縮が少なく、その後の露光後加熱においては官能基数の多いメタアクリレート化合物は収縮が少ない架橋密度を高くすることで熱収縮を抑えることができる。これらの点から、前記多官能メタアクリレート化合物は、分子内に2乃至20個のメタアクリレート基を有することが好ましい。また、前記多官能メタアクリレート化合物は300乃至2,300の分子量を有することが好ましい。なお、本発明ではメタアクリレート化合物とは、アクリレート化合物とメタクリレート化合物の両方をいい、同様にメタアクリレート基についても、アクリレート基とメタクリレート基の両方をいう。また、本発明では、多官能メタアクリレート化合物は、少なくとも2つの、アクリレート基、メタクリレート基、又はそれらの組み合わせを有する。前記多官能メタアクリレート化合物としては、以下に例示することができる。式1-1で表される多官能アクリレート化合物は分子量552.57と606.61の化合物を50/50のモル比で含有し、室温23°Cで液体であるジペンタエリスリトールヘキサアクリレートであり、日本化薬株より入手することができる。式1-2で表される多官能アクリレート化合物は分子量312.32であり、室温23°Cで液体であるペンタエリスリトールトリアクリレートであり、シグマアルドリッチ株より入手することができる。式1-3で表される多官能アクリレート化合物は分子量310.34であり、室温23°Cで液体であるトリメチロールプロパントリアクリレートであり、新中村化学工業株より入手することができる。式1-4で表される多官能アクリレート化合物は分子量400であり、室温23°Cで液体であるエトキシ化ビスフェノールAジアクリレートであり、新中村化学工業株から入手できる。式1-5で表される多官能アクリレート化合物は分子量500であり、室温23°Cで液体であるエトキシ化ビスフェノールAジアクリレートであり、新中村化学工業株から入手できる。式1-6で表される多官能メタクリレート化合物は分子量364.52であり、室温23°Cで液体であるトリシクロデカンジメタノールジメタクリレートであり、新中村化学工業株から入手できる。式1-7で表される多官能アクリレート化合物は分子量336.47であり、室温23°Cで液体であるトリシクロデカンジメタノールジアクリレートであり、新中村化学工業株から入手できる。式1-8で表される多官能アクリレート化合物は分子量500であり、室温23°Cで液体であるエチレンオキシド変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートであり、日本化薬株から入手することができる。式1-9で表される多官能アクリレート化合物は分子量400であり、室温23°Cで液体であるビスフェノキシエタノールフルオレンジアクリレートであり、大阪ガスケミカル株より入手することができる。式1-10で表される多官能アクリレート化合物は分子量352.34であり、室温23°Cで液体であるペンタエリスリトールテトラアクリレートであり、新中村化学工業株より入手することができる。これらの多官能メタアクリレート化合物は単独でも、二種以上の化合物の混合物としても使用することができる。本発明の平坦化膜形成組成物は光重合開始剤を含有することができる。光重合開始剤は、光照射によって前記多官能メタアクリレート化合物の重合を開始することができる作用を有する化合物であれば特に限定はない。光重合開始剤としては、例えば、光照射により酸ブレンステッド酸又はルイス酸、塩基、ラジカル、又はカチオンを発生する化合物を使用することができる。その中でも、特に光ラジカル重合開始剤を用いることが好ましい。前記光ラジカル重合開始剤としては、例えば、商品名:イルガキュア[登録商標]369式2-1、BASFジャパン株製、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルフォリノフェニル-ブタノン-1、商品名:イルガキュア[登録商標]500式2-2、BASFジャパン株製、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンベンゾフェノン、商品名:イルガキュア[登録商標]819式2-3、BASFジャパン株製、ビス2,4,6-トリメチルベンゾイン-フェニルフォスフィンオキサイド、商品名:イルガキュア[登録商標]651式2-4、BASFジャパン株製、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン、商品名:イルガキュア[登録商標]184式2-5、BASFジャパン株製、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、商品名:ダロキュア[登録商標]1173式2-6、BASFジャパン株製、2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニルプロパン-1-オン、商品名:イルガキュア[登録商標]2959式2-7、BASFジャパン株製、1-4-2-ヒドロキシエトキシフェニル-2-ヒドロキシ-2-メチル-1-プロパン-1-オン、商品名:イルガキュア[登録商標]127式2-8、BASFジャパン株製、2-ヒドロキシ-1-4-4-2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオニルベンジルフェニル-2-メチル-プロパン-1-オン、商品名:イルガキュア[登録商標]907式2-9、BASFジャパン株製、2-メチル-1-4-メチルチオフェニル-2-モルフォリノプロパン-1-オン、商品名:イルガキュア[登録商標]379式2-10、BASFジャパン株製、2-ジメチルアミノ-2-4-メチルフェニルメチル-1-4-4-モルホリニルフェニル-1-ブタノン、商品名:イルガキュア[登録商標]OXE01式2-11、BASFジャパン株製、1,2-オクタンジオン1,4-4-フェニルチオ-2-O-ベンゾイルオキシム等が挙げられる。本発明の平坦化膜形成組成物は界面活性剤を含有することができる。前記界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、商品名:エフトップ[登録商標]EF301、同EF303、同EF352三菱マテリアル電子化成株旧株トーケムプロダクツ製、商品名:メガファック[登録商標]F171、同F173、同R-08、同R-30DIC株旧大日本インキ化学工業工業株製、フロラードFC430、FC431住友スリーエム株製、商品名:アサヒガード[登録商標]AG710,サーフロン[登録商標]S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106旭硝子株製等のフッ素系界面活性剤、及びオルガノシロキサンポリマ-KP341信越化学工業株製等を挙げることができる。これらの界面活性剤は単独で使用してもよいし、また二種以上の組み合わせで使用することもできる。また、発明のハードディスク用平坦化膜形成組成物は、上記多官能メタアクリレート化合物及び光重合開始剤以外に有機溶剤も含有することができる。前記有機溶剤としては、例えば、トルエン、p-キシレン、o-キシレン、スチレン、エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール、1-オクタノール、エチレングリコール、ヘキシレングリコール、トリメチレングリコール、1-メトキシ-2-ブタノール、シクロヘキサノール、ジアセトンアルコール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、プロピレングリコール、ベンジルアルコール、1,3-ブタンジオール、1,4-ブタンジオール、2,3-ブタンジオール、γ-ブチルラクトン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルノーマルブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、酢酸イソプロピルケトン、酢酸ノーマルプロピル、酢酸イソブチル、酢酸ノーマルブチル、メタノール、エタノール、イソプロパノール、tert-ブタノール、アリルアルコール、ノーマルプロパノール、2-メチル-2-ブタノール、イソブタノール、ノーマルブタノール、2-メチル-1-ブタノール、1-ペンタノール、2-メチル-1-ペンタノール、2-エチルヘキサノール、1-オクタノール、エチレングリコール、ヘキシレングリコール、トリメチレングリコール、1-メトキシ-2-ブタノール、ジアセトンアルコール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、プロピレングリコール、ベンジルアルコール、イソプロピルエーテル、1,4-ジオキサン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド、N-シクロヘキシル-2-ピロリジノンが挙げられる。また、本発明は磁性体表面上に凹凸を形成する第1工程と、該凹凸が形成された磁性体表面上を本発明の平坦化膜形成組成物で被覆する第2工程と、該被覆された磁性体表面上を磁性体表面が露出するまでエッチングして平坦化する第3工程とを含む、ハードディスクの製造方法である。第1工程では、磁性体表面上に凹凸が形成される。磁性体表面上に凹凸を形成する方法は、例えば、磁性体表面上に光又は熱ナノインプリント法を用いてトラックパターンを形成する。そして、そのパターンを用いてドライエッチング法により磁性体表面を加工し凹凸を形成する。この時用いるエッチングガスとしては、フッ素系ガスによるドライエッチングによって行なわれることが好ましい。フッ素系ガスとしては、例えば、テトラフルオロメタンCF4、パーフルオロシクロブタンC4F8、パーフルオロプロパンC3F8、トリフルオロメタン、及びジフルオロメタンCH2F2等が挙げられる。第2工程では、凹凸が形成された磁性体表面上を本発明の平坦化膜形成組成物で塗布して被覆する。この工程では平坦化膜形成組成物を凹凸面を有する磁性体上に塗布し、平坦化膜形成組成物で凹凸面が充填され、更にその上に平坦化膜形成組成物が上塗りされてもよい。そしてこの平坦化膜形成組成物を光照射によって硬化させる。塗布する方法としては、例えば、スピンコート法、ディップコート法、フローコート法、インクジェット法、スプレー法、バーコート法、グラビアコート法、ロールコート法、転写印刷法、刷毛塗り、ブレードコート法、エアーナイフコート法等の方法を採用することができる。また、ディップコート法ではメチルノナフルオロイソブチルエーテル異性体としてメチルノナフルオロブチルエーテルを含むや、1,1,1,2,2,3,4,5,5,5-デカフルオロペンタンを含む有機溶剤を用いることができる。さらに、スピンコート法は好ましく用いることができる。例えば10乃至10000rpmの回転数で、3乃至60秒間適用することができる。膜厚としては5nm乃至10μmの範囲とすることが可能であるが、凹凸が数十nmであるために、特に5nm乃至100nmの範囲で用いることが可能である。光照射は、例えば、波長が150nm乃至1000nm、又は200乃至700nm、又は300乃至600nmである光を用いて行うことができる。光照射は例えば、超高圧水銀ランプ、フラッシュUVランプ、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、DEEP-UV深紫外ランプ、キセノンショートアークランプ、ショートアークメタルハライドランプ、YAGレーザ励起用ランプ及びキセノンフラッシュランプ等を使用して行うことができる。光照射は、例えば、超高圧水銀ランプを用い、紫外域の289nm、297nm、303nm、313nmj線、334nm、365nmi線や、可視光域の405nmh線、436nmg線、546nm、579nmの波長をピークとした輝線スペクトルを含めた波長250nm程度から650nm程度までの全波長を照射することによって行うことができる。照射量としては10乃至1000mW、又は10乃至100mWで2乃至100秒、又は5乃至20秒間行われる。また、第2工程では、露光後、必要に応じて露光後加熱postexposurebakeを行なうこともできる。露光後加熱は、加熱温度70°C乃至170°C、加熱時間1乃至10分間から適宜、選択される。第3工程では、平坦化膜で被覆された磁性体表面上を磁性体表面が露出するまでエッチングして、磁性体表面と該平坦化膜表面を平坦化する。この時に用いられるエッチングガスはテトラフルオロメタンCF4、パーフルオロシクロブタンC4F8、パーフルオロプロパンC3F8、トリフルオロメタン、一酸化炭素、アルゴン、酸素、窒素、六フッ化硫黄、ジフルオロメタン、三フッ化窒素及び三フッ化塩素等のガスを用いて行われる。このようにして磁性体表面に非磁性体本発明の平坦化膜が充填された溝の溝がトラックパターンとして形成され、磁性体表面と非磁性体表面は平坦な面を形成している。本発明では更に第4工程として、平坦化された磁性体表面上に厚み数十nmの硬質物質を蒸着により被覆することができる。硬質物質としてはダイヤモンドライクカーボンが挙げられる。以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。なお、実施例で用いた各測定装置は以下のとおりである。膜厚は光学式膜厚計フィルメトリクス社製のF20を用いて測定した。原子間力顕微鏡はビーコインストルメンツ社デジタルインスツルメンツ社製ナノスコープIV型ディメンション3100を使用し、プローブが単結晶SiSuper-SharpTypeNanoWorldを、バネ定数が約30N/m、共振周波数が約290kHzで測定した。UV照射装置はオーク製作所製、無電極ランプシステムQRE4016を用い、照度が20mW/cm2として使用した。実施例130mLのナス型フラスコに23°C、大気圧下で、液体性状を有する分子量が500乃至650g/moLのジペンタエリスリトールヘキサアクリレートの混合物日本化薬株製、商品名:カヤラッドDPHA以下、DPHAと略す、上記式1-1の30質量プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート以下、PGMEAと略す溶液を2.0000g秤量し、0.1200gのIRGACURE[登録商標]369BASFジャパン株製、上記式2-1を加え、メガファック[登録商標]R-30DIC株製の0.1質量PGMEA溶液を0.0600g加え、12.8215gのPGMEAを加えた後、室温にてスターラーを用いて24時間攪拌し、均一な透明溶液ASV-1を調製した。実施例2使用した多官能アクリレート化合物をDPHAから23°C、大気圧下で、液体性状を有する分子量が312.32g/moLのペンタエリスリトールトリアクリレートシグマアルドリッチ株製、以下、PTAと略す、上記式1-2に変更した以外は実施例1と同様に均一な透明溶液ASV-2を調製した。実施例3使用した多官能アクリレート化合物をDPHAから23°C、大気圧下で、液体性状を有する分子量が310.34g/moLのトリメチロールプロパントリアクリレート新中村化学工業株製、商品名:A-TMPT以下、A-TMPTと略す、上記式1-3に変更した以外は実施例1と同様に均一な透明溶液ASV-3を調製した。実施例4使用した多官能アクリレート化合物をDPHAから23°C、大気圧下で、液体性状を有する分子量が400g/moL程度のエトキシ化ビスフェノールAジアクリレート新中村化学工業株製、商品名:A-BPE-4以下、A-BPE-4と略す、上記式1-4に変更した以外は実施例1と同様に均一な透明溶液ASV-4を調製した。実施例5使用した多官能アクリレート化合物をDPHAから23°C、大気圧下で、液体性状を有する分子量が500g/moL程度のエトキシ化ビスフェノールAジアクリレート新中村化学工業株製、商品名:A-BPE-10以下、A-BPE-10と略す、上記式1-5に変更した以外は実施例1と同様に均一な透明溶液ASV-5を調製した。実施例6使用した多官能メタクリレート化合物をDPHAから23°C、大気圧下で、液体性状を有する分子量が364.52g/moLのトリシクロデカンジメタノールジメタクリレート新中村化学工業株製、商品名:DCP以下、DCPと略す、上記式1-6に変更した以外は実施例1と同様に均一な透明溶液ASV-6を調製した。実施例7使用した多官能アクリレート化合物をDPHAから23°C、大気圧下で、液体性状を有する分子量が336.47g/moLのトリシクロデカンジメタノールジアクリレート新中村化学工業株製、商品名:A-DCP以下、A-DCPと略す、上記式1-7に変更した以外は実施例1と同様に均一な透明溶液ASV-7を調製した。実施例8使用した多官能アクリレート化合物をDPHAから23°C、大気圧下で、液体性状を有する分子量が500g/moL程度のエチレンオキシド変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート新中村化学工業株製、商品名:DPEA-12以下、DPEA-12と略す、上記式1-8に変更した以外は実施例1と同様に均一な透明溶液ASV-8を調製した。実施例9使用した多官能アクリレート化合物をDPHAから23°C、大気圧下で、液体性状を有する分子量が2,300g/moLの官能基数が15の多官能ウレタンアクリレートの混合物新中村化学工業株製、商品名:UA-53H以下、UA-53Hと略すに変更した以外は実施例1と同様に均一な透明溶液ASV-9を調製した。実施例10使用した多官能アクリレート化合物をDPHAから23°C、大気圧下で、液体性状を有する分子量が400g/moL程度のビスフェノキシエタノールフルオレンジアクリレート大阪ガスケミカル株製、商品名:EA0200以下、EA0200と略す、上記式1-9に変更した以外は実施例1と同様に均一な透明溶液ASV-10を調製した。実施例11使用した多官能アクリレート化合物をDPHAから23°C、大気圧下で、液体性状を有する分子量が352.34g/moLのペンタエリスリトールテトラアクリレート新中村化学工業株製、商品名:A-TMMT以下、A-TMMTと略す、上記式1-10に変更した以外は実施例1と同様に均一な透明溶液ASV-11を調製した。実施例1230mLのナス型フラスコに23°C、大気圧下で、液体性状を有するDPHA上記式1-1の30質量PGMEA溶液を2.0000gと、EA0200上記式1-9の30質量PGMEA溶液を0.5000g加え、0.1500gのIRGACURE[登録商標]369を加え、メガファック[登録商標]R-30の0.1質量PGMEA溶液を0.0750g加え、19.7769gのPGMEAを加えた後、室温にてスターラーを用いて24時間攪拌し、均一な透明溶液ASV-12を調製した。実施例1330mLのナス型フラスコに23°C、大気圧下で、液体性状を有するDPHA上記式1-1の30質量PGMEA溶液を1.0000gと、EA0200上記式1-9の30質量PGMEA溶液を1.0000g加え、0.1200gのIRGACURE[登録商標]369を加え、メガファック[登録商標]R-30の0.1質量PGMEA溶液を0.0600g加え、12.8215gのPGMEAを加えた後、室温にてスターラーを用いて24時間攪拌し、均一な透明溶液ASV-13を調製した。実施例1430mLのナス型フラスコに23°C、大気圧下で、液体性状を有するDPHA上記式1-1の30質量PGMEA溶液を0.500gと、EA0200上記式1-9の30質量PGMEA溶液を2.0000g加え、0.1500gのIRGACURE[登録商標]369を加え、メガファック[登録商標]R-30の0.1質量PGMEA溶液を0.0750g加え、19.7769gのPGMEAを加えた後、室温にてスターラーを用いて24時間攪拌し、均一な透明溶液ASV-14を調製した。比較例1使用した多官能アクリレート化合物をDPHAから23°C、大気圧下で、液体性状を有する分子量が212.24g/moLのネオペンチルグリコールジアクリレート新中村化学工業株製、以下、NPGDAと略す、下記式3-1に変更した以外は実施例1と同様に均一な透明溶液ASV-15を調製した。比較例2使用した多官能アクリレート化合物をDPHAから23°C、大気圧下で、液体性状を有する分子量が100.12g/moLのメタクリル酸メチル以下、MMAと略す、下記式3-2に変更した以外は実施例1と同様に均一な透明溶液ASV-16を調製した。比較例3使用した多官能アクリレート化合物をDPHAから23°C、大気圧下で、固体性状を有する分子量が381.42g/moLのエトキシ化イソシアヌル酸トリアクリレート新中村化学工業株製、商品名:A-9300以下、A-9300と略す、下記式3-3に変更した以外は実施例1と同様に均一な透明溶液ASV-17を調製した。比較例430mLのナス型フラスコに23°C、大気圧下で、固体性状を有するフェニルシルセスキオキサンGelest社製;Mw700、以下、PSQと略す、下記式3-4の30質量のPGMEA溶液を3.0000gと、0.1PGMEAとしたメガファック[登録商標]R-30溶液を0.0900g固形分を100質量部としたときの0.01質量部加え、19.4123gのPGMEAを加えた後、室温にてスターラーを用いて24時間攪拌し、均一な透明溶液ASV-18を調製した。実施例15使用した光ラジカル重合開始剤をIRGACURE[登録商標]369からIRGACURE[登録商標]OXE01BASFジャパン株製、上記式2-11に変更した以外は実施例1と同様に均一な透明溶液ASV-19を調製した。実施例16使用した光ラジカル重合開始剤をIRGACURE[登録商標]369からIRGACURE[登録商標]OXE01BASFジャパン株製、上記式2-11に変更した以外は実施例2と同様に均一な透明溶液ASV-20を調製した。実施例17使用した光ラジカル重合開始剤をIRGACURE[登録商標]369からIRGACURE[登録商標]OXE01BASFジャパン株製、上記式2-11に変更した以外は実施例3と同様に均一な透明溶液ASV-21を調製した。実施例18使用した光ラジカル重合開始剤をIRGACURE[登録商標]369からIRGACURE[登録商標]OXE01BASFジャパン株製、上記式2-11に変更した以外は実施例4と同様に均一な透明溶液ASV-22を調製した。実施例19使用した光ラジカル重合開始剤をIRGACURE[登録商標]369からIRGACURE[登録商標]OXE01BASFジャパン株製、上記式2-11に変更した以外は実施例5と同様に均一な透明溶液ASV-23を調製した。実施例20使用した光ラジカル重合開始剤をIRGACURE[登録商標]369からIRGACURE[登録商標]OXE01BASFジャパン株製、上記式2-11に変更した以外は実施例6と同様に均一な透明溶液ASV-24を調製した。実施例21使用した光ラジカル重合開始剤をIRGACURE[登録商標]369からIRGACURE[登録商標]OXE01BASFジャパン株製、上記式2-11に変更した以外は実施例7と同様に均一な透明溶液ASV-25を調製した。実施例22使用した光ラジカル重合開始剤をIRGACURE[登録商標]369からIRGACURE[登録商標]OXE01BASFジャパン株製、上記式2-11に変更した以外は実施例11と同様に均一な透明溶液ASV-26を調製した。比較例5使用した光ラジカル重合開始剤をIRGACURE[登録商標]369からIRGACURE[登録商標]OXE01BASFジャパン株製、上記式2-11に変更した以外は比較例1と同様に均一な透明溶液ASV-27を調製した。比較例6使用した光ラジカル重合開始剤をIRGACURE[登録商標]369からIRGACURE[登録商標]OXE01BASFジャパン株製、上記式2-11に変更した以外は比較例2と同様に均一な透明溶液ASV-28を調製した。比較例7使用した光ラジカル開始剤をIRGACURE[登録商標]369からIRGACURE[登録商標]OXE01BASFジャパン株製、上記式2-11に変更した以外は比較例3と同様に均一な透明溶液ASV-29を調製した。実施例2330mLのナス型フラスコに23°C、大気圧下で、液体性状を有する分子量が500乃至650g/moLのDPHA上記式1-1の30質量PGMEA溶液を2.0000g秤量し、0.0600gのIRGACURE[登録商標]369BASFジャパン株製、上記式2-1を加え、メガファック[登録商標]R-30DIC株製の0.1質量PGMEA溶液を0.0600g加え、14.3815gのPGMEAを加えた後、室温にてスターラーを用いて24時間攪拌し、均一な透明溶液ASV-30を調製した。実施例2430mLのナス型フラスコに23°C、大気圧下で、液体性状を有する分子量が500乃至650g/moLのDPHA上記式1-1の30質量PGMEA溶液を2.0000g秤量し、0.1800gのIRGACURE[登録商標]369BASFジャパン株製、上記式2-1を加え、メガファック[登録商標]R-30DIC株製の0.1質量PGMEA溶液を0.0600g加え、17.2615gのPGMEAを加えた後、室温にてスターラーを用いて24時間攪拌し、均一な透明溶液ASV-31を調製した。実施例2530mLのナス型フラスコに23°C、大気圧下で、液体性状を有する分子量が500乃至650g/moLのDPHA上記式1-1の30質量PGMEA溶液を2.0000g秤量し、0.1200gのIRGACURE[登録商標]369BASFジャパン株製、上記式2-1を加え、メガファック[登録商標]R-30DIC株製の0.1質量PGMEA溶液を0.0600g加え、12.3652gのPGMEAを加え、3.4563gのメタノールを加えた後、室温にてスターラーを用いて24時間攪拌し、均一な透明溶液ASV-32を調製した。実施例2630mLのナス型フラスコに23°C、大気圧下で、液体性状を有する分子量が500乃至650g/moLのDPHA上記式1-1の30質量PGMEA溶液を2.0000g秤量し、0.1200gのIRGACURE[登録商標]369BASFジャパン株製、上記式2-1を加え、メガファック[登録商標]R-30DIC株製の0.1質量PGMEA溶液を0.0600g加え、12.3652gのPGMEAを加え、3.4563gのイソプロパノールを加えた後、室温にてスターラーを用いて24時間攪拌し、均一な透明溶液ASV-33を調製した。実施例2730mLのナス型フラスコに23°C、大気圧下で、液体性状を有する分子量が500乃至650g/moLのDPHA上記式1-1の30質量PGMEA溶液を2.0000g秤量し、0.1200gのIRGACURE[登録商標]369BASFジャパン株製、上記式2-1を加え、メガファック[登録商標]R-30DIC株製の0.1質量PGMEA溶液を0.0600g加え、12.3652gのPGMEAを加え、3.4563gのアニソールを加えた後、室温にてスターラーを用いて24時間攪拌し、均一な透明溶液ASV-34を調製した。<平坦化膜形成組成物の製膜と体積収縮率>ASV-1乃至ASV-17、及びASV-19乃至ASV-34の各平坦化膜形成組成物をそれぞれスピンコート法によって4インチのシリコンウェハ上に膜厚が85nmになるようにスピンコートした。膜厚は光学式膜厚計にて測定したスピンコート後の膜厚をXとする。スピンコート後の膜はUV照射装置波長365nmを用い、照度が20mW/cm2にて10秒間、大気下で光照射した。露光後の膜厚は光学式膜厚計にて測定した露光後の膜厚をYとする。次いで、大気下でホットプレートを用いて130°Cで5分間露光後焼成した。焼成後の膜厚は光学式膜厚計にて測定した焼成後の膜厚をZとする。露光時の体積収縮率は膜厚Xを100としたときに、Yの値を百分率で示した値を100から差し引いた値と定義する。焼成時の体積収縮率は膜厚Yを100としたときに、Zの値を百分率で示した値を100から差し引いた値と定義する。また、ASV-18の平坦化膜形成組成物は、スピンコート法によって4インチのシリコンウェハ上に膜厚が85nmになるようにスピンコートした。膜厚は光学式膜厚計にて測定して85.0nmであったスピンコート後の膜厚をLとする。スピンコート後の膜は大気圧下でホットプレートを用いて130°Cで5分間焼成した。焼成後の膜厚は光学式膜厚計にて測定し85.3nmであった焼成後の膜厚をMとする。焼成時の体積収縮率は膜厚Lを100としたときに、Mの値を百分率で示した値を100から差し引いた値と定義する。体積収縮率測定では約10以内であれば平坦化されていると考えられる。ASV-1乃至ASV-14、及びASV-15乃至ASV-17の膜の結果から、分子量が300以下の多官能メタアクレート化合物を用いると、露光時及び焼成時の体積収縮率が著しく大きくなり、膜減り特性が悪いことがわかった。体積収縮率が大きく、膜減りが大きいと、HDD上の平坦化膜として段差を埋め込む材料として用いた場合、段差の形状を反映しやすくなり、平坦性が悪化することが考えられる。平坦性が悪化すると、HDD上の平滑性が失われることから、磁気ヘッドが基板表面とクラッシュし、正常な動作を行えなくなる。ASV-19乃至ASV-26、及びASV-27乃至ASV-29の膜の結果から、光ラジカル重合開始剤を変更しても分子量が300以下の多官能メタアクレート化合物を用いると、露光時及び焼成時の体積収縮率が著しく大きくなり、膜減り特性が悪いことがわかった。ASV-1、並びにASV-30及びASV-31の膜を比較すると、光ラジカル重合開始剤の添加量を平坦化膜形成組成物の固形分に対して10乃至30質量部の範囲で変更しても、体積収縮率の変化はほぼなく、良好であることがわかった。ASV-1、及びASV-32乃至ASV-34の膜を比較すると、本発明の平坦化膜形成組成物に混合溶剤を用いても体積収縮率の変化はほぼなく、良好であることがわかった。また、ASV-18の膜はポリシロキサンであるが、加熱硬化時に体積膨張が発生し平坦化することはできなかった。<平坦化膜形成組成物の製膜と体積収縮率2>ASV-1による平坦化膜形成組成物をスピンコート法によって4インチのシリコンウェハ上に膜厚が85nmになるようにスピンコートした。膜厚は光学式膜厚計にて測定したスピンコート後の膜厚をXとする。スピンコート後の膜はUV照射装置波長365nmを用い、照度が20mW/cm2にて10秒間、大気下で光照射した。露光後の膜厚は光学式膜厚計にて測定した露光後の膜厚をYとする。次いで、大気下でホットプレートを用いて160°Cで5分間露光後焼成した。焼成後の膜厚は光学式膜厚計にて測定した焼成後の膜厚をZとする。露光時の体積収縮率は膜厚Xを100としたときに、Yの値を百分率で示した値を100から差し引いた値と定義する。焼成時の体積収縮率は膜厚Yを100としたときに、Zの値を百分率で示した値を100から差し引いた値と定義する。<AFM原子間力顕微鏡による平坦化性>実施例1で調製したASV-1を構造物付き基板図1上でスピンコートを行った。構造物付き基板の材質はシリコンであり、深さが100nm、ラインとスペースは30nmの等間隔で形成されているものを使用した。スピンコートは構造物が付いていないシリコン基板上で85nm製膜できる条件と同様の条件とした。スピンコート後、膜はUV照射装置を用い、照度が20mW/cm2にて10秒間、大気下で光照射した。次いで、大気下でホットプレートを用いて130°Cで5分間露光後焼成した。焼成後の膜表面はAFMを用いて表面解析を行った。AFMの測定箇所はラインとスペースが存在する方向の垂直方向とした。AFMの表面解析の結果から、段差上の平坦化膜の表面は1nm以下の凹凸であり、最大表面粗さRmaxは1.483nmであることがわかった。実施例10で調製したASV-10を上記と同様な基板を用いて同様に製膜しAFMを測定した。AFMの表面解析の結果から、段差上の平坦化膜の表面は1nm以下の凹凸であり、最大表面粗さRmaxは1.499nmであることがわかった。比較例3で調製したASV-17を上記と同様な基板を用いて同様に製膜しAFMを測定した。AFMの表面解析の結果から、段差上の平坦化膜の表面は3nm以上の凹凸であり、最大表面粗さRmaxは4.908nmであることがわかった。比較例4で調製したASV-18を上記と同様な基板を用いて同様に製膜しAFMを測定した。AFMの表面解析の結果から、段差上の平坦化膜の表面は3nm以上の凹凸であり、最大表面粗さRmaxは6.337nmであることがわかった。ASV-1及びASV-10の膜の結果から、室温大気圧下で、液体性状を有する分子量が300g/moL以上の材料は、露光時及び焼成時の体積収縮率が小さく、構造物付き基板上での平坦性に優れることがわかった。一方、ASV-17の膜の結果から、体積収縮率が小さいものの、室温大気圧下で固体性状を有する材料は、平坦性が悪く、表面ラフネスが大きいことがわかった。また、ASV-18の膜の結果から、体積収縮率がないものの、室温大気圧下で固体性状を有する材料は、平坦性が悪く、表面ラフネスが大きいことがわかった。"