"基板と、透明導電性酸化物と、前記透明導電性酸化物の上層の超薄金属層とを包含する、特に光電子工学分野のための透明電極において、前記超薄金属層の上層に酸化物層をさらに包含する電極であることを特徴とする透明電極。前記酸化物層が前記基板と接触している、請求項1に記載の透明電極。前記透明導電性酸化物が前記基板と接触している、請求項1に記載の透明電極。スズ添加酸化インジウム、AlまたはGa添加酸化亜鉛、TaまたはNb添加酸化チタン、F添加酸化スズ、および以上の混合物から前記透明導電膜が選択される、先行する請求項のいずれかに記載の透明電極。Cu、Ni、Cr、Ti、Pt、Ag、Au、Alおよび以上の混合物から前記超薄金属膜が選択される、先行する請求項のいずれかに記載の透明電極。前記酸化物層が、前記超薄金属膜の材料、Sn、及びSiのいずれかの酸化物である、先行する請求項のいずれかに記載の透明電極。前記超薄金属層が10nm未満の厚さを有する、先行する請求項のいずれかに記載の透明電極。開口部を備える導電性メッシュを前記透明導電性酸化物または前記酸化物層の上層にさらに具備する、先行する請求項のいずれかに記載の透明電極。前記メッシュがNi、Cr、Ti、Al、Cu、Ag、Au、添加されたZnO、添加されたSnO2、添加されたTiO2、カーボンナノチューブもしくはAgナノワイヤ、または以上の混合物を包含する、請求項8に記載の透明電極。特に光電子工学分野のための透明電極を製造する方法であって、a.透明導電性酸化物を超薄金属層で被覆するステップと、b.前記超薄金属層の上層に酸化物層を設けるステップと、c.aおよびbで形成された層状構造を基板に載置するステップと、を包含する方法。前記超薄金属層を直接酸化することにより前記ステップbが実施される、請求項10に記載の方法。スパッタリングで前記酸化物層を蒸着することにより前記ステップbが実施される、請求項10に記載の方法。前記酸化物層が前記基板の上層になるように、前記層状構造が前記基板に載置される、請求項10乃至12のいずれかに記載の方法。前記透明導電性酸化物が前記基板の上層になるように、前記層状構造が前記基板に載置される、請求項10乃至12のいずれかに記載の方法。開口部を備える導電性メッシュを前記層状構造の上層に設けるステップをさらに包含する、請求項10乃至14のいずれかに記載の方法。本発明は、より高い透明性、安定性、保護性能、および環境適合性を電極に与えることをねらいとする。この目的のため、本発明では、UTMFをTCOに蒸着することを提案する。加えて、UTMFは酸化されるか酸化物層に被覆される。こうして、下層のTCOが保護される/他の材料に対する適合性を持つことになり、酸化物層に関連する反射防止効果のため、透明性の損失が軽減される。酸化物層は基板と接触しているか、上下逆の実施形態では、透明導電性酸化物が基板と接触していてもよい。透明導電膜は、スズ添加酸化インジウム、AlまたはGa添加酸化亜鉛、TaまたはNb添加酸化チタン、F添加酸化スズ、および以上の混合物から選択されることが好ましい。超薄金属膜は、Cu、Ni、Cr、Ti、Pt、Ag、Au、Alおよび以上の混合物から選択されることが好ましい。超薄金属層を直接酸化することにより、あるいは例えばSnまたはSiの酸化物を蒸着することにより、酸化物層が形成され得る。本発明における超薄金属層は、10nm未満の厚さを有している。本発明の電極はさらに、開口部を備える導電性メッシュを透明導電性酸化物または酸化物層の上に包含してもよく、メッシュはNi、Cr、Ti、Al、Cu、Ag、Au、添加されたZnO、添加されたSnO2、添加されたTiO2、カーボンナノチューブまたはAgナノワイヤ、あるいは以上の混合物を包含する。また本発明では、このような透明電極を製造する方法が考案される。説明を完全にし、発明のより良い理解をもたらすために、一組の図面が提示される。これらの図面は、説明の一体的な部分を成している。また、これらの図面は、発明の範囲を制限するのではなく、発明がどのように具現化されるかについての単なる一例であると解釈されるべき本発明の好適な実施形態を図示したものである。図面は、上記の図を包含する。本発明の電極は、UTMFと、UTMFを被覆する酸化物層とに被覆されたTCOを包含している。本発明の意味におけるUTMFは、10nm未満の厚さの金属膜である。デバイスの活性領域に対する電荷の注入および収集を促進することから、酸化物はデバイスの効率を向上させ得る。要約すると、酸化物層によって以下の有益な効果のうち少なくとも一つが得られるのである。‐UTMFの塗着初期に低下した透明性を回復させる‐下層のUTMFおよびTCOの保護および安定化‐金属およびその酸化物の適切な選択による、電荷の注入障壁の改良。例えば、酸化ニッケルは、最新のITOと比較して高い仕事関数を有する。TCO膜は、スズ添加酸化インジウムITO、AlまたはGa添加酸化亜鉛GZOおよびAZO、TaまたはNb添加酸化チタンTTO,NTO、F添加酸化スズFTO、および以上の混合物から選択される。UTMFは、Cu、Ni、Cr、Ti、Pt、Ag、Au、Al、および以上の混合物から選択される。酸化物は、上に挙げられたUTMF金属か、その混合物か、SiまたはSnなど他の元素の酸化物でよい。酸化物は、まず、酸化物ターゲットから蒸着されてよい。しかし、我々の好適な実施形態では、酸素プラズマと周囲温度での熱アニールのいずれか、あるいはその両方を用いたUTMFの直接酸化によって、酸化物が得られる。この場合、UTMFが厚さ全体にわたって酸化されないことが重要である。図2は、酸素プラズマによる酸化の後のTCOAZOUTMFNi2nmの透明度の回復を示している。透明度は、基板上のTEの総合透過率から基板の透過率を差し引くことにより計算される。本発明の電極の基板は、ガラス、半導体、無機結晶、剛性または可撓性のプラスチック材料など、本発明のTE構造の成長が上層で行われる適当な何らかの誘電材料でよい。実例は、シリカSiO2、ホウ珪酸塩BK7、珪素Si、ニオブ酸リチウムLiNbO3、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリエチレンテレフタレートPET、その他である。この基板は、活性半導体または有機層など、光電子工学デバイス構造の一部であればよい。酸化の後で、TE構造はより安定的になる。図3は、温度を上昇させながらそれぞれ45分の長さで行われる熱アニール処理を受けた時の、AZOおよびAZOTi5nm酸化層の、透明度およびシート抵抗を示している。透明度は、375~700nm範囲での平均値である。特に低温から開始して、より劇的なシート抵抗の上昇が見られるTCOのみのTEよりも、複合TE構造がより安定的であることは明らかである。熱処理により複合構造の透明度が上昇するのに対して、シート抵抗は実質的に無変化のままである。これはすなわち、酸化の初期は最適とは程遠いが、酸化が進むと透明度のレベルが高くなることを示すことに注意していただきたい。複合TE構造を実現する別の方法は、TCOUTMFから開始して、酸素雰囲気の存在下で熱アニールを受けさせることである。周囲雰囲気中でそれぞれ45分の長さの熱処理を受けた複合AZOTi5nm構造の透明度およびシート抵抗の変遷が図4に示されており、やはりAZO層のみの構造と比較されている。複合構造の透明度は100°Cの範囲またはこれより上の温度の熱処理により上昇するが、対応のシート抵抗は一定のままである。事実、250~300°Cの範囲の温度ではTCOのみの構造に匹敵する値に透明度が達し、これは温度効果により酸化物の形成が加速され、それが電極の品質を向上させることを示している。図からは、酸化UTMFに被覆されたTCOがTCOよりも高い熱的安定性を呈することも明らかである。図5は、酸素銃を用いて酸化されるか、周囲雰囲気中で熱処理されたAZOおよびAZOTi5nmについて、光透過性と波長との比較を示している。加えて、酸化物層は低い導電性を呈する。活性材料との直接接触の場合には、電荷の放出および収集を妨げないために、その厚さが特定の値を下回るようにすることが重要である。特に、UTMF層を酸化することによって直接得られる時であって、生成された酸化物が低い導電性を呈する場合には、活性材料との境界面における効率的な電荷の放出および収集を妨げないように、酸化物の深さが適切に制御されなければならない。図1のTE構造は最も単純な形である。他の実施形態では、図1に示された構造がTEの一要素であってもよい。本発明の特定実施形態によれば、図1のTEと接触する少なくとも一つの導電性グリッドまたはメッシュ電極が、酸化物の上層にさらに設けられる。このグリッドまたはメッシュは開口部を有し、例えば、UVリソグラフィ、ソフトリソグラフィナノインプリント、スクリーン印刷により、または幾何学的な制約に応じてシャドウマスクにより、または蒸発や電気めっきなどUTMF層や他の厚い層に使用されるものに類似した技術に基づく蒸着により、構造の材料および寸法に応じていくつかの方法で用意される。これらの技術はすべて、当業者にはよく知られている。UTMFは、グリッドまたはメッシュの蒸着の前後に酸化されるとよい。このグリッドまたはメッシュは、Ni、Cr、Ti、Al、Cu、Ag、Au、添加されたZnO、添加されたSnO2、添加されたTiO2、カーボンナノチューブもしくはAgナノワイヤ、またはその混合物を包含するとよく、UTMFと同じか異なる材料である。周期的金属構造で構成される時のグリッドの周期および厚さは、本発明の目的のためには、一般的に500nmから1mmおよび10nmから1000nmのそれぞれの範囲でよい。事実、グリッドまたはメッシュの幾何学的寸法は、製作される材料および本発明の電極の用途に加えて、関連する電流密度に左右される。不透明である時のグリッドまたはメッシュの充填率は5以下である。任意であるが、グリッドは方形、矩形のようなパターン、周期的またはランダムメッシュの形を有する。いくつかの例では、本発明のTEが既存のグリッドまたはメッシュに蒸着されてもよい。別の特定実施形態により、Cu、Au、Ag、Alから選択された高導電性金属膜と、任意でNi、Cr、Ti、Pt、Ag、Au、Alおよび以上の混合物から選択されて高導電性金属膜に蒸着されるUTMFとを包含する多層の金属TE構造に、本発明のTEが蒸着されてもよい。本発明の多層金属TE構造およびTEの複数の要素が、交互に数回重ねられて多層を形成するとよい。同時に、グリッドまたはメッシュ構造および多層金属TE構造が本発明のTEと組み合わされてもよい。また、上下逆の幾何学形状、つまり基板、基板上の金属酸化物、金属酸化物上のUTMF、およびUTMF上のTCOがより適切な場合もある。例えば、基板が活性材料であってTEがその上面に蒸着される必要がある時が挙げられる。この場合に、酸化物は、酸化物ターゲットから蒸着されるか、追加UTMF層の前に蒸着されたUTMFの完全酸化により形成されるとよい。上下逆の幾何学形状をUTMFおよび酸化物層で被覆する、つまり二つの酸化物層の間の二つのUTMF層の間に、TCOが効果的に設けられることも可能である。結果を改善するため、酸素プラズマおよび熱処理が組み合わされてもよい。基板、TCO、またはデバイスを形成して酸化の前に蒸着される他の層が高温の影響を受ける時には、酸素プラズマが好ましいことがある。場合によっては、ターゲットから直接に金属酸化物を蒸着することが好ましいことがある。これは、UTMFと異なる金属の酸化物、またはUTMFの直接酸化により得られる酸化物とは異なる特性を持つ酸化物が好ましい時に当てはまる。製造工程使用される基板は、蒸着の前に超音波槽においてアセトンおよびエタノールで10分間洗浄された、両面研磨のUV溶融シリカである。洗浄された基板は次に、AjaintOrion3スパッタリング装置室に装填される。それから基板は200°Cまで加熱され、AZO蒸着の均一性のため連続的に回転される。蒸着の前に、スパッタリング室に置かれた状態で、酸素プラズマで基板が洗浄される1.06Pa8mTorrの酸素基準圧と40Wの高周波出力で15分間行う。酸素プラズマ処理は基板表面を活性化させることで、基板とAZO膜との間の良好な接合を促進する。スパッタリングは、0.2Pa1.5mTorrの純アルゴン雰囲気および150Wの高周波出力で実施される。使用されるスパッタリングターゲットは、Alの原子濃度が3のAl添加酸化亜鉛である。膜の蒸着時間は、厚さ~220nmのAZO層を形成する90分間である。75ワットの高周波出力と0.13Pa1mTorrのAr圧力で純度99.99のターゲットを使用する高周波マグネトロンスパッタリングを用いて、5nmのチタンが室温蒸着される。サンプルの酸素プラズマ処理は、1.06Pa8mTorrの基準圧の酸素充填スパッタリング室において、40Wの高周波出力で15分間に得られる酸素プラズマ雰囲気にサンプルを露出することを必要とする。本文では、comprisesおよびその派生語comprisingなどは排他的な意味で理解されるべきではない。つまりこれらの語は、記載および規定されたものが別の要素、ステップなどを含む可能性を排除するものと解釈されるべきではない。他方において、本発明が、記載された特定実施形態に限定されず、請求項に規定された発明の大まかな範囲に含まれると当業者が考えるいかなる変形も包含することは自明である。"