"研磨テーブル上の研磨パッドに研磨対象の基板を押圧して基板の被研磨面を研磨する研磨装置において、研磨パッドに向けて気体を噴射する少なくとも1つの気体噴射ノズルと、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルを保持するとともに前記気体噴射ノズルに気体を供給する気体供給部とを備え、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルの直下の点を通り、研磨パッドの回転中心を中心とする同心円を描き、同心円上の前記直下の点における接線方向を研磨パッドの回転接線方向と定義すると、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルの気体噴射方向は、前記回転接線方向に対して前記研磨パッドの回転中心側に傾いていることを特徴とする研磨装置。研磨テーブル上の研磨パッドに研磨対象の基板を押圧して基板の被研磨面を研磨する研磨装置において、研磨パッドに向けて気体を噴射する少なくとも1つの気体噴射ノズルと、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルを保持するとともに前記気体噴射ノズルに気体を供給する気体供給部とを備え、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルの気体噴射方向は、前記研磨パッドの表面に対して垂直ではなく、前記研磨パッドの回転方向側に傾いていることを特徴とする研磨装置。前記少なくとも1つの気体噴射ノズルの前記研磨パッドの表面からの高さを調整可能であることを特徴とする請求項1または2に記載の研磨装置。前記気体噴射ノズルの気体噴射方向の前記回転接線方向に対する角度は、15°~35°に設定されていることを特徴とする請求項1記載の研磨装置。前記気体噴射ノズルの気体噴射方向と前記研磨パッドの表面とのなす角は、30°~50°に設定されていることを特徴とする請求項2記載の研磨装置。前記少なくとも1つの気体噴射ノズルから噴射される気体の流量を制御する制御弁と、前記研磨パッドの温度を検出する温度計と、前記研磨パッドの制御目標温度である設定温度と前記温度計により検出された研磨パッドの検出温度とを比較して前記制御弁の弁開度を調整することにより、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルから噴射される気体の流量を制御するコントローラとを備えたことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の研磨装置。前記コントローラは、前記研磨パッドの設定温度と前記研磨パッドの検出温度との差に基づきPID制御により前記制御弁の弁開度を調整することにより、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルから噴射される気体の流量を制御することを特徴とする請求項6記載の研磨装置。研磨テーブル上の研磨パッドに研磨対象の基板を押圧して基板の被研磨面を研磨する研磨方法において、気体供給部から気体を少なくとも1つの気体噴射ノズルに供給し、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルから研磨パッドに向けて気体を噴射し、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルの直下の点を通り、研磨パッドの回転中心を中心とする同心円を描き、同心円上の前記直下の点における接線方向を研磨パッドの回転接線方向と定義すると、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルの気体噴射方向は、前記回転接線方向に対して前記研磨パッドの回転中心側に傾いていることを特徴とする研磨方法。研磨テーブル上の研磨パッドに研磨対象の基板を押圧して基板の被研磨面を研磨する研磨方法において、気体供給部から気体を少なくとも1つの気体噴射ノズルに供給し、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルから研磨パッドに向けて気体を噴射し、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルの気体噴射方向は、前記研磨パッドの表面に対して垂直ではなく、前記研磨パッドの回転方向側に傾いていることを特徴とする研磨方法。前記少なくとも1つの気体噴射ノズルの前記研磨パッドの表面からの高さを調整することを特徴とする請求項8または9に記載の研磨方法。前記気体噴射ノズルの気体噴射方向の前記回転接線方向に対する角度は、15°~35°に設定されていることを特徴とする請求項8記載の研磨方法。前記気体噴射ノズルの気体噴射方向の前記研磨パッドの表面に対する角度は、30°~50°に設定されていることを特徴とする請求項9記載の研磨方法。前記少なくとも1つの気体噴射ノズルから噴射される気体の流量を制御弁によって制御するとともに前記研磨パッドの温度を温度計により検出し、前記研磨パッドの制御目標温度である設定温度と前記温度計により検出された研磨パッドの検出温度とを比較して前記制御弁の弁開度を調整することにより、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルから噴射される気体の流量を制御することを特徴とする請求項8乃至12のいずれか1項に記載の研磨方法。前記研磨パッドの設定温度と前記研磨パッドの検出温度との差に基づきPID制御により前記制御弁の弁開度を調整することにより、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルから噴射される気体の流量を制御することを特徴とする請求項13記載の研磨方法。研磨テーブル上の研磨パッドに向けて気体を噴射して研磨パッドの温度を制御しながら研磨パッドに研磨対象の基板を押圧して基板の被研磨面を研磨する研磨方法において、研磨パッドの制御目標温度である設定温度を設定した後に研磨パッドの温度制御を開始して研磨パッドの温度を監視し、研磨パッドの温度が設定温度の範囲に到達した後、前記設定温度の範囲外となる時間が連続して所定時間を超えた場合に、研磨異常と判断することを特徴とする研磨方法。前記設定温度の範囲外とは、設定温度の上限値または下限値の範囲外であることを特徴とする請求項15記載の研磨方法。研磨テーブル上の研磨パッドに向けて気体を噴射して研磨パッドの温度を制御しながら研磨パッドに研磨対象の基板を押圧して基板の被研磨面を研磨する研磨方法において、研磨パッドの温度制御を開始して研磨パッドの温度を監視し、温度制御の開始時刻から所定時間経過後に研磨パッドの温度が目標温度に達しない場合に研磨異常と判断することを特徴とする研磨方法。研磨テーブル上の研磨パッドに向けて気体を噴射して研磨パッドの温度を制御しながら研磨パッドに研磨対象の基板を押圧して基板の被研磨面を研磨する研磨方法において、研磨パッドの制御目標温度である設定温度を設定した後に研磨パッドの温度制御を開始して研磨パッドの温度を監視し、前記研磨パッドの設定温度を研磨中に変更し、設定温度を変更してから所定時間経過後に研磨パッドの温度が変更後の設定温度に達しない場合に研磨異常と判断することを特徴とする研磨方法。上述したCMPプロセスでは、ディッシングやエロージョン等の段差特性は、研磨パッドの温度への依存性が高いことが知られている。また、研磨レートについても、研磨パッドの温度への依存性が確認されており、CMPプロセスによって最適な研磨レートをもたらす温度領域があり、研磨中に最適な研磨レートを長く得るためには最適な研磨パッドの温度を維持する必要がある。本発明は、上述の事情に鑑みなされたもので、半導体ウエハ等の基板の研磨中に研磨パッドに気体を吹き付けて研磨パッドの表面研磨面の温度を制御することにより、ディッシングやエロージョン等を防止して段差特性の向上を図ることができるとともに研磨レートの向上を図ることができる研磨装置および方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明の研磨装置の第一の態様は、研磨テーブル上の研磨パッドに研磨対象の基板を押圧して基板の被研磨面を研磨する研磨装置において、研磨パッドに向けて気体を噴射する少なくとも1つの気体噴射ノズルと、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルを保持するとともに前記気体噴射ノズルに気体を供給する気体供給部とを備え、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルの直下の点を通り、研磨パッドの回転中心を中心とする同心円を描き、同心円上の前記直下の点における接線方向を研磨パッドの回転接線方向と定義すると、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルの気体噴射方向は、前記回転接線方向に対して前記研磨パッドの回転中心側に傾いていることを特徴とする。本発明の研磨装置によれば、半導体ウエハ等の基板の研磨中に、気体供給部から気体を少なくとも1つの気体噴射ノズルに供給し、少なくとも1つの気体噴射ノズルから研磨パッドに向けて気体を噴射することにより、研磨パッドの表面研磨面を冷却することができる。したがって、CMPプロセスに応じて研磨パッドの表面を最適な温度に制御することができ、研磨レートの向上を図ることができるとともにディッシングやエロージョンを防止して段差特性の向上を図ることができる。本発明においては、少なくとも1つの気体噴射ノズルの直下の点をそれぞれ通り、研磨パッドの回転中心を中心とする同心円を描き、同心円上の前記直下の点における接線方向を研磨パッドの回転接線方向と定義すると、少なくとも1つの気体噴射ノズルの気体噴射方向は、前記回転接線方向に対して前記研磨パッドの回転中心側に傾いている。このように、少なくとも1つの気体噴射ノズルの気体噴射方向を前記回転接線方向に対して研磨パッドの回転中心側に傾けることにより、研磨パッドを高い冷却能力で冷却することができる。この理由は、研磨パッド上の基板研磨領域はドーナツ状円環状であり、このドーナツ状領域に沿って気体を噴射できるように、回転接線方向よりも研磨パッドの回転中心側にノズルを傾けることで、基板研磨領域を効率良く冷却するためである。本発明の研磨装置の第二の態様は、研磨テーブル上の研磨パッドに研磨対象の基板を押圧して基板の被研磨面を研磨する研磨装置において、研磨パッドに向けて気体を噴射する少なくとも1つの気体噴射ノズルと、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルを保持するとともに前記気体噴射ノズルに気体を供給する気体供給部とを備え、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルの気体噴射方向は、前記研磨パッドの表面に対して垂直ではなく、前記研磨パッドの回転方向側に傾いていることを特徴とする。本発明の研磨装置によれば、半導体ウエハ等の基板の研磨中に、気体供給部から気体を少なくとも1つの気体噴射ノズルに供給し、少なくとも1つの気体噴射ノズルから研磨パッドに向けて気体を噴射することにより、研磨パッドの表面研磨面を冷却することができる。したがって、CMPプロセスに応じて研磨パッドの表面を最適な温度に制御することができ、研磨レートの向上を図ることができるとともにディッシングやエロージョンを防止して段差特性の向上を図ることができる。本発明においては、少なくとも1つの気体噴射ノズルの気体噴射方向は、研磨パッドの表面に対して垂直ではなく、研磨パッドの回転方向側に傾いている。このように、少なくとも1つの気体噴射ノズルの気体噴射方向を研磨パッドの回転方向側に傾けることにより、研磨パッドを高い冷却能力で冷却することができる。この理由は、傾けることにより被吹き付け面積を垂直の場合に比べて大きく確保できるためである。また、垂直に吹き付ける場合には跳ね返りによるスラリー飛散も懸念されるが、傾けることでスラリー飛散を抑えることができる。さらに、気体噴射方向を研磨パッドの回転方向側に傾けることにより、気体噴射によるスラリーの流れへの影響を低減することができる。本発明の好ましい態様によれば、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルの前記研磨パッドの表面からの高さを調整可能であることを特徴とする。本発明によれば、気体噴射ノズルの研磨パッドの表面からの高さを調整することにより、気体噴射ノズルを最適な高さ位置に配置することができる。したがって、研磨パッドを高い冷却能力で冷却することができる。本発明の好ましい態様によれば、前記気体噴射ノズルの気体噴射方向の前記回転接線方向に対する角度は、15°~35°に設定されていることを特徴とする。本発明によれば、気体噴射ノズルの気体噴射方向の前記回転接線方向に対する角度を15°~35°に設定することにより、研磨パッドを高い冷却能力で冷却することができる。この理由は、基板研磨領域において被吹き付け面積の確保が可能となることと、35°以上だとスラリー滴下位置に乱れを生じさせるためである。本発明の好ましい態様によれば、前記気体噴射ノズルの気体噴射方向と前記研磨パッドの表面とのなす角は、30°~50°に設定されていることを特徴とする。本発明によれば、気体噴射ノズルの気体噴射方向と研磨パッドの表面とのなす角を、30°~50°に設定することにより、研磨パッドを高い冷却能力で冷却することができる。この理由は、被吹き付け面積が確保でき、かつ風量も効果的に作用させることができる角度範囲だからである。30°よりも小さいと、被吹き付け面積は大きくなるが、風量が低下して冷却効果が低減する。本発明の好ましい態様によれば、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルから噴射される気体の流量を制御する制御弁と、前記研磨パッドの温度を検出する温度計と、前記研磨パッドの制御目標温度である設定温度と前記温度計により検出された研磨パッドの検出温度とを比較して前記制御弁の弁開度を調整することにより、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルから噴射される気体の流量を制御するコントローラとを備えたことを特徴とする。本発明によれば、少なくとも1つの気体噴射ノズルから噴射される気体の流量を制御弁によって制御するとともに研磨パッドの温度を温度計により検出し、研磨パッドの制御目標温度である設定温度と前記温度計により検出された研磨パッドの検出温度とを比較して前記制御弁の弁開度を調整することにより、少なくとも1つの気体噴射ノズルから噴射される気体の流量を制御することができる。したがって、CMPプロセスに応じて研磨パッドの表面を最適な温度に制御することができる。本発明の好ましい態様によれば、前記コントローラは、前記研磨パッドの設定温度と前記研磨パッドの検出温度との差に基づきPID制御により前記制御弁の弁開度を調整することにより、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルから噴射される気体の流量を制御することを特徴とする。本発明によれば、コントローラは、複数種のPIDパラメータから所定のルールに基づき所定のPIDパラメータを選択し、パッド温度情報に基づいて選択したPIDパラメータを用いて研磨パッド面上の温度を制御するので、基板の研磨レートを最適且つ一定に保つことができ、これにより研磨時間を短縮することができる。また、この結果、スラリー使用量並びに廃液量の低減を図ることができる。本発明の研磨方法の第一の態様は、研磨テーブル上の研磨パッドに研磨対象の基板を押圧して基板の被研磨面を研磨する研磨方法において、気体供給部から気体を少なくとも1つの気体噴射ノズルに供給し、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルから研磨パッドに向けて気体を噴射し、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルの直下の点を通り、研磨パッドの回転中心を中心とする同心円を描き、同心円上の前記直下の点における接線方向を研磨パッドの回転接線方向と定義すると、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルの気体噴射方向は、前記回転接線方向に対して前記研磨パッドの回転中心側に傾いていることを特徴とする。本発明の研磨方法の第二の態様は、研磨テーブル上の研磨パッドに研磨対象の基板を押圧して基板の被研磨面を研磨する研磨方法において、気体供給部から気体を少なくとも1つの気体噴射ノズルに供給し、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルから研磨パッドに向けて気体を噴射し、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルの気体噴射方向は、前記研磨パッドの表面に対して垂直ではなく、前記研磨パッドの回転方向側に傾いていることを特徴とする。本発明の好ましい態様によれば、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルの前記研磨パッドの表面からの高さを調整することを特徴とする。本発明の好ましい態様によれば、前記気体噴射ノズルの気体噴射方向の前記回転接線方向に対する角度は、15°~35°に設定されていることを特徴とする。本発明の好ましい態様によれば、前記気体噴射ノズルの気体噴射方向の前記研磨パッドの表面に対する角度は、30°~50°に設定されていることを特徴とする。本発明の好ましい態様によれば、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルから噴射される気体の流量を制御弁によって制御するとともに前記研磨パッドの温度を温度計により検出し、前記研磨パッドの制御目標温度である設定温度と前記温度計により検出された研磨パッドの検出温度とを比較して前記制御弁の弁開度を調整することにより、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルから噴射される気体の流量を制御することを特徴とする。本発明の好ましい態様によれば、前記研磨パッドの設定温度と前記研磨パッドの検出温度との差に基づきPID制御により前記制御弁の弁開度を調整することにより、前記少なくとも1つの気体噴射ノズルから噴射される気体の流量を制御することを特徴とする。本発明の研磨方法の第三の態様は、研磨テーブル上の研磨パッドに向けて気体を噴射して研磨パッドの温度を制御しながら研磨パッドに研磨対象の基板を押圧して基板の被研磨面を研磨する研磨方法において、研磨パッドの制御目標温度である設定温度を設定した後に研磨パッドの温度制御を開始して研磨パッドの温度を監視し、温度制御の開始時刻から設定温度に到達するまでの所要時間を計時し、この所要時間と予め設定した時間を比較し、所要時間の方が長い場合に研磨異常と判断することを特徴とする。本発明によれば、研磨パッドの制御目標温度である設定温度を設定した後に研磨パッドに向けて気体を噴射して研磨パッドの温度制御を開始し、研磨パッドの温度を監視する。そして、温度制御の開始時刻から設定温度に到達するまでの所要時間を計時し、この所要時間と予め設定した時間を比較し、所要時間の方が長い場合には、研磨パッドの温度制御が正常に行われていない研磨異常と判断する。本発明の研磨方法の第四の態様は、研磨テーブル上の研磨パッドに向けて気体を噴射して研磨パッドの温度を制御しながら研磨パッドに研磨対象の基板を押圧して基板の被研磨面を研磨する研磨方法において、研磨パッドの制御目標温度である設定温度を設定した後に研磨パッドの温度制御を開始して研磨パッドの温度を監視し、研磨パッドの温度が設定温度の範囲に到達した後、前記設定温度の範囲外となる時間が連続して所定時間を超えた場合に、研磨異常と判断することを特徴とする。本発明によれば、研磨パッドの制御目標温度である設定温度を設定した後に研磨パッドに向けて気体を噴射して研磨パッドの温度制御を開始し、研磨パッドの温度を監視する。そして、研磨パッドの温度が設定温度の範囲に到達した後、前記設定温度の範囲外となる時間が連続して所定時間を超えた場合には、研磨パッドの温度制御が正常に行われていない研磨異常と判断する。本発明の好ましい態様によれば、前記設定温度の範囲外とは、設定温度の上限値または下限値の範囲外であることを特徴とする。本発明の好ましい態様によれば、前記研磨パッドの設定温度を研磨中に変更し、設定温度を変更してから変更後の設定温度に到達するまでの所要時間を計時し、この所要時間と予め設定した時間を比較し、所要時間の方が長い場合に研磨異常と判断することを特徴とする。本発明によれば、研磨パッドの制御目標温度である設定温度を設定した後に研磨パッドに向けて気体を噴射して研磨パッドの温度制御を開始して研磨パッドの温度を監視する。そして、研磨パッドの設定温度を研磨中に変更し、設定温度を変更してから変更後の設定温度に到達するまでの所要時間を計時し、この所要時間と予め設定した時間を比較し、所要時間の方が長い場合には、研磨パッドの温度制御が正常に行われていない研磨異常と判断する。本発明の研磨方法の第五の態様は、研磨テーブル上の研磨パッドに向けて気体を噴射して研磨パッドの温度を制御しながら研磨パッドに研磨対象の基板を押圧して基板の被研磨面を研磨する研磨方法において、研磨パッドの温度制御を開始して研磨パッドの温度を監視し、温度制御の開始時刻から所定時間経過後に研磨パッドの温度が目標温度に達しない場合に研磨異常と判断することを特徴とする。本発明によれば、研磨パッドの制御目標温度を設定した後に研磨パッドに向けて気体を噴射して研磨パッドの温度制御を開始して研磨パッドの温度を監視する。そして、温度制御の開始時刻から所定時間経過後に研磨パッドの温度が目標温度に達しない場合には、研磨パッドの温度制御が正常に行われていない研磨異常と判断する。本発明の研磨方法の第六の態様は、研磨テーブル上の研磨パッドに向けて気体を噴射して研磨パッドの温度を制御しながら研磨パッドに研磨対象の基板を押圧して基板の被研磨面を研磨する研磨方法において、研磨パッドの制御目標温度である設定温度を設定した後に研磨パッドの温度制御を開始して研磨パッドの温度を監視し、前記研磨パッドの設定温度を研磨中に変更し、設定温度を変更してから所定時間経過後に研磨パッドの温度が変更後の設定温度に達しない場合に研磨異常と判断することを特徴とする。本発明によれば、研磨パッドの制御目標温度を設定した後に研磨パッドに向けて気体を噴射して研磨パッドの温度制御を開始して研磨パッドの温度を監視する。その後、前記研磨パッドの設定温度を研磨中に変更し、設定温度を変更してから所定時間経過後に研磨パッドの温度が変更後の設定温度に達しない場合には、研磨パッドの温度制御が正常に行われていない研磨異常と判断する。本発明は、以下に列挙する効果を奏する。1研磨中に研磨パッドの表面を冷却することにより、2つの効果が期待される。A.メイン研磨ステップにおいて研磨パッドの表面を所定の温度に維持することにより、研磨レートが向上し、生産性が高くなると共に基板1枚当たりの研磨液スラリーなどの消耗品コストを低減できる。B.仕上げ研磨ステップにおいて研磨パッドの表面を所定の温度に維持することにより、ディッシングやエロージョンを防止して段差特性の向上を図ることができる。2研磨パッドに気体を吹き付けるノズルの位置を最適化することにより、より一層の研磨パッドの冷却効果が見込め、一層のディッシングとエロージョンの低減が見込める。3研磨パッドを冷却する際の制御目標温度である設定温度に到達しない時のエラーおよび設定温度の上下限値をオーバーした時のエラーが起こったときに、プロセスインターロックをかけて、次の基板の研磨を行わないことにより、不良製品をエラー発生時に研磨中の1枚だけに抑えることができ、製品歩留まり向上に寄与する。以下、本発明に係る研磨装置および方法の実施形態について図1乃至図9を参照して詳細に説明する。なお、図1から図9において、同一または相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。図1は、本発明に係る研磨装置の全体構成を示す模式図である。図1に示すように、研磨装置は、研磨テーブル1と、研磨対象物である半導体ウエハ等の基板Wを保持して研磨テーブル上の研磨パッドに押圧する研磨ヘッド10とを備えている。研磨テーブル1は、テーブル軸1aを介してその下方に配置される研磨テーブル回転モータ図示せずに連結されており、テーブル軸1aの回りに回転可能になっている。研磨テーブル1の上面には研磨パッド2が貼付されており、研磨パッド2の表面が基板Wを研磨する研磨面2aを構成している。研磨パッド2には、ロデール社製のSUBA800、IC-1000、IC-1000/SUBA400二層クロス等が用いられている。SUBA800は繊維をウレタン樹脂で固めた不織布である。IC-1000は硬質の発泡ポリウレタンであり、その表面に多数の微細な孔を有したパッドであり、パーフォレートパッドとも呼ばれている。研磨テーブル1の上方には研磨液供給ノズル3が設置されており、この研磨液供給ノズル3によって研磨テーブル1上の研磨パッド2に研磨液スラリーが供給されるようになっている。研磨テーブル1の内部には、渦電流センサや光学式センサ等の膜厚測定器50が埋設されている。研磨ヘッド10は、シャフト11に接続されており、シャフト11は、支持アーム12に対して上下動するようになっている。シャフト11の上下動により、支持アーム12に対して研磨ヘッド10の全体を上下動させ位置決めするようになっている。シャフト11は、研磨ヘッド回転モータ図示せずの駆動により回転するようになっている。シャフト11の回転により、研磨ヘッド10がシャフト11の回りに回転するようになっている。研磨ヘッド10は、その下面に半導体ウエハなどの基板Wを保持できるようになっている。支持アーム12はシャフト13を中心として旋回可能に構成されており、下面に基板Wを保持した研磨ヘッド10は、支持アーム12の旋回により基板の受取位置から研磨テーブル1の上方に移動可能になっている。研磨ヘッド10は、下面に基板Wを保持して基板Wを研磨パッド2の表面研磨面2aに押圧する。このとき、研磨テーブル1および研磨ヘッド10をそれぞれ回転させ、研磨テーブル1の上方に設けられた研磨液供給ノズル3から研磨パッド2上に研磨液スラリーを供給する。研磨液には砥粒としてシリカSiO2やセリアCeO2を含んだ研磨液が用いられる。このように、研磨液を研磨パッド2上に供給しつつ、基板Wを研磨パッド2に押圧して基板Wと研磨パッド2とを相対移動させて基板上の絶縁膜や金属膜等を研磨する。図1に示すように、研磨装置は、研磨パッド2に気体を吹き付けて研磨パッド2の表面研磨面2aの温度調整を行うパッド温度調整装置20を備えている。パッド温度調整装置20は、研磨パッド2の上方に配置され、研磨パッド2の表面研磨面2aと平行に研磨パッド2の略半径方向に延びる円筒状のマニホールド21と、マニホールド21の下部に所定間隔をおいて取り付けられた複数の気体噴射ノズル22とを備えている。マニホールド21は圧縮空気源図示せずに接続されており、マニホールド21内に圧縮空気が供給されると、気体噴射ノズル22から圧縮空気が噴射されて研磨パッド2の研磨面2aに吹き付けられるようになっている。マニホールド21は、気体噴射ノズル22を保持するとともに気体噴射ノズル22に気体を供給する気体供給部を構成している。図2は、パッド温度調整装置20の制御機器を示す斜視図である。図2に示すように、研磨テーブル1の上面には研磨パッド2が貼付されている。研磨パッド2の上方には研磨ヘッド10が配置されており、研磨ヘッド10は基板W図1参照を保持して基板Wを研磨パッド2に押圧するようになっている。パッド温度調整装置20のマニホールド21は、圧縮空気供給ライン29によって圧縮空気源に接続されている。圧縮空気供給ライン29には圧力制御弁30が設けられており、圧縮空気源から供給された圧縮空気が圧力制御弁30を通過することで圧力および流量が制御されるようになっている。圧力制御弁30は温度コントローラ31に接続されている。圧縮空気は常温であってもよいし、所定温度に冷却してもよい。図2に示すように、研磨パッド2の上方には、研磨パッド2の表面温度を検出する放射温度計32が設置されている。放射温度計32は温度コントローラ31に接続されている。温度コントローラ31には、研磨装置の全体を制御するCMPコントローラから研磨パッド2の制御目標温度である設定温度が入力されるようになっている。また、温度コントローラ31には設定温度を直接入力することもできる。温度コントローラ31は、温度コントローラ31に入力された研磨パッド2の設定温度と放射温度計32により検出された研磨パッド2の実際の温度との差に応じてPID制御により圧力制御弁30の弁開度を調整し、気体噴射ノズル22から噴射される圧縮空気の流量を制御する。これにより、研磨パッド2の研磨面2aに最適な流量の圧縮空気が吹き付けられ、研磨パッド2の研磨面2aの温度は温度コントローラ31で設定された目標温度設定温度に維持される。図3および図4は、パッド温度調整装置20の気体噴射ノズル22と研磨パッド2との関係を示す図であり、図3は平面図であり、図4は側面図である。図3に示すように、パッド温度調整装置20のマニホールド21には、所定間隔をおいて複数の気体噴射ノズル22が取り付けられている図示例では8個のノズルが取り付けられている。研磨中に、研磨パッド2は回転中心CTの回りに時計方向に回転する。図3において、パッド内側から1,2,38の昇順でノズルに番号付けを行い、例えば、3番目と6番目の2つの気体噴射ノズル22を例に挙げて説明する。すなわち、3番目と6番目の2つの気体噴射ノズル22の直下の点P1,P2を通り、CTを中心とする同心円C1,C2を描き、同心円C1,C2上の点P1,P2における接線方向を研磨パッドの回転接線方向と定義すると、気体噴射ノズル22の気体噴射方向は、研磨パッドの回転接線方向に対してパッド中心側に所定角度θ1だけ傾いている。気体噴射方向とは、気体噴射ノズル口から気体が扇状に広がる角度気体噴射角の中心線の方向をいう。3番目と6番目のノズル以外の他のノズルも同様に研磨パッドの回転接線方向に対してパッド中心側に所定角度θ1だけ傾いている。そして、研磨パッドの回転接線方向に対する気体噴射ノズル22の気体噴射方向の角度θ1は、ノズル冷却能力との関係で15°~35°に設定されている後述する。なお、ここではノズルが複数ある場合を説明したが、ノズルは1つでもよい。また、図4に示すように、気体噴射ノズル22の気体噴射方向は、研磨パッド2の表面研磨面2aに対して垂直ではなく、研磨テーブル1の回転方向側に所定角度だけ傾いている。研磨パッド2の表面研磨面2aに対する気体噴射ノズル22の気体噴射方向の角度、すなわち、研磨パッド2の表面研磨面2aと気体噴射ノズル22の気体噴射方向とのなす角を気体進入角度θ2と定義すると、気体進入角度θ2は、ノズル冷却能力との関係で30°~50°に設定されている後述する。ここで、気体噴射方向とは、気体噴射ノズル口から気体が扇状に広がる角度気体噴射角の中心線の方向をいう。上記研磨パッドの回転接線方向に対する気体噴射ノズル22の気体噴射方向の角度θ1および研磨パッド2の表面研磨面2aに対する気体噴射ノズル22の気体進入角度θ2は、各ノズル毎に独立に調整可能になっている。また、図4に示すように、マニホールド21は上下動可能に構成されているため、マニホールド21の高さHが可変になっており、気体噴射ノズル22の研磨パッド表面研磨面2aからの高さを調節することが可能になっている。ちなみに、図1においては、研磨液供給ノズル3のノズル口の研磨パッド2の表面からの高さと、気体噴射ノズル22のノズル口の研磨パッド2の表面からの高さは、近似している。なお、図3ではノズルの個数が8個の場合を図示したが、ノズルの個数は2~3個の場合もあり、ノズルの個数は研磨パッド2を冷却するための冷却能力に応じて適宜選定される。また、この発展型として気体噴射ノズルの気体噴射方向の角度θ1と気体噴射ノズルの気体進入角度θ2、さらにマニホールド21の高さHがあらかじめ設定範囲で固定されていて、誤って調整部がずれて元々の設定位置から外れるのを防止することを考慮するものもある。その場合、エア噴出し穴が直接マニホールドに形成されてノズルとマニホールドがあたかも一体となった形態を取る。図5aは、気体噴射ノズル22の気体噴射方向を研磨パッドの回転接線方向に対して傾けない場合θ1=0°と、パッド中心側に傾けた場合θ1=15°,θ1=30°における冷却能力を示すグラフである。図5aにおいて、縦軸は、冷却無しのパッド温度とノズルを用いた冷却有りのパッド温度との差°Cを表し、この差はノズルの冷却能力を表すものである。図5aに示すように、研磨パッドの回転接線方向に対する気体噴射ノズル22の気体噴射方向の角度θ1が大きくなるほど冷却能力が向上する傾向にある。ただし、角度θ1を大きく取りすぎるとスラリー滴下状態が乱れるため、角度θ1は15°~35°の範囲とすることが好ましい。図5bは、研磨パッド2の表面研磨面2aと気体噴射ノズル22の気体噴射方向とのなす角を表す気体進入角度θ2がθ2=30°,θ2=50°,θ2=70°における冷却能力を示すグラフである。図5bにおいて、縦軸は、冷却無しのパッド温度とノズルを用いた冷却有りのパッド温度との差°Cを表し、この差はノズルの冷却能力を表すものである。図5bに示すように、気体進入角度θ2が大きくなるほど冷却能力が向上する傾向にある。ただし、角度θ2を大きくしすぎるとスラリー滴下状態が乱れるため、角度θ2は30°~50°の範囲とすることが好ましい。図6は、研磨テーブル1上の研磨パッド2、研磨液供給ノズル3、研磨ヘッド10およびパッド温度調整装置20の配置関係の一例を示す平面図である。図6に示すように、研磨ヘッド10とパッド温度調整装置20とは、研磨テーブル1の回転中心CTを挟んで互いに反対側に配置されている。また、研磨液供給ノズル3は研磨ヘッド10とパッド温度調整装置20との間に配置されており、スラリー滴下位置は研磨テーブル1の回転中心CTの近傍に設定されている。図7は、マニホールド21を揺動させる揺動機構を備えたパッド温度調整装置20を示す斜視図である。図7に示すように、マニホールド21は支柱25に固定されており、支柱25はモータ26に連結されている。モータ26を正転または逆転させることにより、マニホールド21を揺動させることができるようになっている。これにより、気体噴射ノズル22を研磨パッド2上の最適な位置に位置させることが可能である。また、気体噴射ノズル22を使用しない場合に、気体噴射ノズル22を研磨パッド2上から退避させることができる。また、研磨中にパッドの温度プロファイルをサーモグラフなどでモニタし、温度分布に応じて例えば、パッド面内の温度差が所定の温度以上となった場合、高温領域を積極的に冷やすよう、マニホールドを揺動させて移動させることもできる。図8は、研磨レシピの一例を示す表である。図8に示すように、研磨ステップ1、2、3、、10に応じて、プロセス時間、回転速度、、研磨パッド温度制御及びマニホールド揺動の非有効Invalid有効Valid、及び温度設定値を、研磨レシピとして登録してもよい。次に、図1乃至図8に示すように構成された研磨装置を用いて基板Wを研磨する工程の一例を説明する。先ず、研磨パッド2の制御目標温度である第1設定温度を温度コントローラ31に設定する。次に、気体噴射ノズル22へ圧縮空気を供給する供給圧力を確認する。この供給圧力が規定圧力以下の時には警告を発して、以降の基板に対する処理を中止し、供給圧力が規定圧力以上の時のみに、基板受渡し位置に位置する研磨ヘッド10により基板Wをプッシャ等から受け取って吸着保持する。そして、研磨ヘッド10により吸着保持した基板Wを基板受渡し位置から研磨テーブル1の直上方の研磨位置まで水平移動させる。次に、放射温度計32による研磨パッド2の温度モニタを開始する。そして、研磨液供給ノズル3から研磨パッド2に研磨液スラリーを滴下し、研磨ヘッド10を回転させながら下降させて、回転中の研磨パッド2の研磨面2aに基板Wの表面被研磨面を接触させる。そして、研磨ヘッド10による基板Wの吸着保持を解き、基板Wを研磨面2aに第1の研磨圧力で押圧する。これによって、基板上の金属膜等の研磨を行うメイン研磨ステップを開始する。前記メイン研磨ステップでは、基板Wが研磨面2aに接触した時点から、パッド温度調整装置20による研磨パッド2の温度制御を開始する。なお、研磨テーブル1を回転させることなく、基板Wを研磨面2aに接触させるプロセスを採用する場合には、研磨テーブル1の回転を開始するのと同時に、パッド温度調整装置20による研磨パッド2の温度制御を開始する。すなわち、温度コントローラ31は、予め設定された第1設定温度と放射温度計32により検出された研磨パッド2の実際の温度との差に応じてPID制御により圧力制御弁30の弁開度を調整し、気体噴射ノズル22から噴射される圧縮空気の流量を制御する。これにより、予め求めておいた最大研磨速度を得られる第1設定温度に研磨パッド2の温度を制御する。このメイン研磨ステップでは、高い研磨圧力と研磨パッド2の冷却との組合せにより、高い研磨レートを得ることができ、トータル研磨時間の短縮を図ることができる。このメイン研磨ステップは、例えば、金属膜等の膜厚が所定の値に達したことを膜厚測定器50で検知した時に終了する。次に、仕上げ研磨ステップを行う。メイン研磨ステップ後の仕上げ研磨ステップにおいては、ディッシングやエロージョン等を防止して段差特性の向上を重視するために研磨パッド2の温度を制御する必要がある。すなわち、温度コントローラ31に第1設定温度とは異なる温度である第2設定温度を設定する。仕上げ研磨ステップへ移行すると、研磨パッド2が第2設定温度に速やかに到達するようにPID制御によりコントロールされた流量の圧縮空気が研磨パッド2に吹き付けられる。例えば、メイン研磨ステップの第1設定温度よりも仕上げ研磨ステップの第2設定温度の方が低い場合は、第2設定温度に到達するまでは圧縮空気の流量はMAX最大となるように制御される。このようにして、第2設定温度に研磨パッド2の温度を制御して、研磨を継続する。この仕上げ研磨ステップでは、主に段差解消特性を向上させるため、必要に応じて、基板Wを前記第1の研磨圧力よりも低い第2の研磨圧力で研磨面2aに押圧する。この仕上げ研磨ステップは、例えば、トレンチ等以外の領域にある余剰な金属膜等を研磨除去し、下地層の表面が完全に露出したことを膜厚測定器50で検知した時に終了する。次に、気体噴射ノズル22からの圧縮空気の噴出を停止し、研磨液供給ノズル3からの研磨液スラリーの供給を停止した後、研磨パッド2に純水を供給して、基板Wの水ポリッシングを行う。そして、気体噴射ノズル22からの圧縮空気の噴出を停止して、基板Wに圧縮空気が当たるのを防止したまま、研磨ヘッド10で研磨後の基板Wを研磨面2aから引き離して吸着保持する。なお、これ以降、基板Wは研磨パッド2から離間するので、離間した基板Wの被研磨面に圧縮空気が当たって基板Wの被研磨面が乾燥するのを防止するため、気体噴射ノズル22からの圧縮空気の噴出を停止したままにしておく。次に、基板Wを吸着保持した研磨ヘッド10を上昇させ、研磨位置から基板受渡し位置まで基板Wを水平移動させる。そして、基板受渡し位置で、研磨後の基板Wをプッシャ等に受け渡す。気体噴射ノズル22にあっては、洗浄ノズル図示せずから気体噴射ノズル22における、特にノズル開口部及びその周辺部に向けて洗浄液水を吹き付けて、気体噴射ノズル22のクリーニングを行う。これにより、気体噴射ノズル22に付着したスラリー等の汚れが研磨パッド2上に落ちて次の基板の処理に悪影響を及ぼすことを防止することができる。なお、マニホールド21を揺動させてマニホールド21を待避位置に移動させた状態で、洗浄ノズル図示せずから洗浄液を吹き付けて気体噴射ノズル22を洗浄することで、気体噴射ノズル22に付着したスラリー等の汚れが研磨パッド2上に落ちることを防止することができる。図9は、上述した研磨工程における研磨パッド2の温度制御の一例を示すグラフである。図9に示すように、研磨パッド2の制御目標温度である第1設定温度を温度コントローラ31に設定し、基板Wの研磨を開始して放射温度計32により研磨パッド2の温度を監視し、パッド温度調整装置20による研磨パッド2の温度制御を開始する。温度制御は、第1設定温度を中心とした上下限値T1max,T1minの範囲内になるようにPID制御により行われ、コントロールされた流量の圧縮空気が研磨パッド2に吹き付けられる。そして、温度コントローラ31によって、温度制御の開始時刻から予め設定した時間通常の場合研磨異常がない場合に、温度制御の開始から第1設定温度の下限値に到達するまでの時間をいう。予め実験により求めておく時間である。経過時に、研磨パッドの温度と第1設定温度の下限値を比較し、研磨パッドの温度が第1設定温度の下限値に到達していない場合に研磨異常と判断してアラームを発報する。なお、温度制御の開始時刻から第1設定温度の下限値T1minに到達するまでの所要時間を計時し、この所要時間と予め設定した時間を比較し、所要時間の方が長い場合に研磨異常と判断してアラームを発報してもよい。研磨パッド2の温度が第1設定温度の範囲内上限値T1maxと下限値T1minの間に到達した後、上限値T1maxよりオーバーした時間が連続して設定時間を超えたら、研磨異常と判断してアラームを発報し、また下限値T1minより低下した時間が連続して設定時間を超えたら、研磨異常と判断してアラームを発報する。上述の研磨異常の有無の監視を行いながら、メイン研磨ステップを継続し、例えば、金属膜等の膜厚が所定の値に達したことを膜厚測定器50が検知した時にメイン研磨ステップを終了し、仕上げ研磨ステップに移行する。仕上げ研磨ステップは、温度コントローラ31において、第1設定温度とは異なる温度である第2設定温度に設定値を変更することにより開始する。仕上げ研磨ステップへ移行すると、研磨パッド2が第2設定温度に速やかに到達するようにPID制御によりコントロールされた流量の圧縮空気が研磨パッド2に吹き付けられる。例えば、メイン研磨ステップの第1設定温度よりも仕上げ研磨ステップの第2設定温度の方が低い場合は、第2設定温度に到達するまでは圧縮空気流量はMAX最大となるように制御される。そして、第1設定温度から第2設定温度に温度を変更後、予め設定した時間通常の場合研磨異常がない場合に、第1設定温度から第2設定温度に温度を変更してから第2設定温度の上限値又は下限値に到達するまでの時間をいう。予め実験により求めておく時間である。経過後に、研磨パッドの温度と第2設定温度の上限値又は下限値を比較し、研磨パッドの温度が第2設定温度の上限値又は下限値に到達していない場合に、研磨異常と判断してアラームを発報する。なお、第2設定温度の上限値T2max又は下限値T2minに到達するまでの所要時間を計時し、この所要時間と予め設定した時間を比較し、所要時間の方が長い場合に研磨異常と判断してアラームを発報してもよい。研磨パッド2の温度が第2設定温度の範囲内上限値T2maxと下限値T2minの間に到達した後、上限値T2maxよりオーバーした時間が連続して設定時間を超えたら、研磨異常と判断してアラームを発報し、また下限値T2minより低下した時間が連続して設定時間を超えたら、研磨異常と判断してアラームを発報する。上述の研磨異常の有無の監視を行いながら、仕上げ研磨ステップを継続し、例えば、トレンチ等以外の余剰な金属膜等を研磨除去し、下地層の表面が完全に露出したことを膜厚測定器50が検知した時に仕上げ研磨ステップを終了する。上記設定温度に到達しない時のエラーおよび設定温度の上下限値をオーバーした時のエラーが起こったときには、プロセスインターロックがかかり、次の基板の研磨は行われない。これにより、不良製品をエラー発生時に研磨中の1枚だけに抑えることができ、製品歩留まり向上に寄与する。これまで本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。"