"基板上に、第一の非磁性膜と強磁性膜と第二の非磁性膜がこの順に積層され、前記第二の非磁性膜の上に形成され、前記強磁性膜の磁化方向に平行な温度勾配に起因して前記強磁性膜の磁化方向に直交する方向に生じる第一の起電力を取り出すための第一の電極対と、前記強磁性膜の磁化方向に平行な方向に生じる第二の起電力を取り出すための第二の電極対とを備えることを特徴とする熱電変換素子。請求項1記載の熱電変換素子において前記第一の非磁性膜は非磁性ホイスラー合金膜であり、前記強磁性膜は強磁性ホイスラー合金膜であることを特徴とする熱電変換素子。請求項1記載の熱電変換素子において、前記第二の非磁性膜は、前記第一の電極対のみに接していることを特徴とする熱電変換素子。請求項1記載の熱電変換素子において、前記強磁性膜の磁化方向を一方向に固定するための反強磁性膜を備え、前記強磁性膜は前記反強磁性膜の上に形成されていることを特徴とする熱電変換素子。請求項1記載の熱電変換素子において、前記第二の非磁性膜と前記第一の電極対との間にトンネル障壁膜を備えていることを特徴とする熱電変換素子。請求項2記載の熱電変換素子において、バッファー層と前記バッファー層の上に形成されたシード層とを有し、前記非磁性ホイスラー合金膜と前記強磁性ホイスラー合金膜はB2あるいはL21の結晶構造を有し、前記シード層上に積層されていることを特徴とする熱電変換素子。請求項2記載の熱電変換素子において、前記非磁性ホイスラー合金膜はFe2TiSn,Fe2VAl又はFe2VSiであることを特徴とする熱電変換素子。基板上に、第一の非磁性膜と強磁性膜と第二の非磁性膜がこの順に積層され、前記第二の非磁性膜の上に形成され、前記強磁性膜の磁化方向に平行な温度勾配に起因して前記強磁性膜の磁化方向に直交する方向に生じる第一の起電力を取り出すための第一の電極対と前記強磁性膜の磁化方向に平行な方向に生じる第二の起電力を取り出すための第二の電極対とを備えている熱電変換素子を複数個備え、前記複数個の熱電変換素子で生じる起電力が直列に取り出されるように前記複数個の熱電変換素子が電気的に接続されていることを特徴とする熱電変換モジュール。請求項8記載の熱電変換モジュールにおいて前記第一の非磁性膜は非磁性ホイスラー合金膜、前記強磁性膜は強磁性ホイスラー合金膜であることを特徴とする熱電変換モジュール。請求項8記載の熱電変換モジュールにおいて、前記第二の非磁性膜は、前記第一の電極対のみに接していることを特徴とする熱電変換モジュール。請求項8記載の熱電変換モジュールにおいて、前記強磁性膜の磁化方向を一方向に固定するための反強磁性膜を備え、前記強磁性膜は前記反強磁性膜の上に形成されていることを特徴とする熱電変換モジュール。請求項8記載の熱電変換モジュールにおいて、前記第二の非磁性膜と前記第一の電極対との間にトンネル障壁膜を備えていることを特徴とする熱電変換モジュール。請求項9記載の熱電変換モジュールにおいて、バッファー層と前記バッファー層の上に形成されたシード層とを有し、前記非磁性ホイスラー合金膜と前記強磁性ホイスラー合金膜はB2あるいはL21の結晶構造を有し、前記シード層上に積層されていることを特徴とする熱電変換モジュール。請求項9記載の熱電変換モジュールにおいて、前記第非磁性ホイスラー合金膜はFe2TiSn,Fe2VAl又はFe2VSiであることを特徴とする熱電変換モジュール。上に列挙した従来材料は、その電気伝導度とゼーベック係数に対して限界があった。熱電変換素子を実用化するために必要な性能指数はZTTは絶対温度で定義され、少なくとも1以上のZTが必要とされ、好ましくは2以上が必要とされる。更なる高変換効率の実現は、通常のゼーベック効果を利用した熱電変換素子では困難であった。また、スピンゼーベック効果を利用した起電力は通常のゼーベック効果による起電力に比べて十分に大きいものではなく、スピンゼーベック効果単独では高効率な熱電変換素子を提供できない。本発明は、従来よりもゼーベック係数Sの大きい熱電変換素子と、その熱電変換素子を備えた熱電変換モジュールを提供することを目的とする。本発明の熱電変換素子は、基板上に、第一の非磁性膜と強磁性膜と第二の非磁性膜がこの順に積層され、強磁性膜の磁化方向に平行な温度勾配に起因して強磁性膜の磁化方向に直交する方向に生じる第一の起電力を取り出すための第一の電極対と、強磁性膜の磁化方向に平行な方向に生じる第二の起電力を取り出すための第二の電極対とを備えている。第一の電極対は、第二の非磁性膜の上に形成されている。第一の起電力はスピンゼーベック効果で発生する起電力であり、第二の起電力は通常のゼーベック効果によって生じる起電力である。本発明の熱電変換素子は、この2種類の起電力を同時に取り出すことを可能とするものである。第一の非磁性膜には非磁性ホイスラー合金膜を、強磁性膜にはスピンゼーベック効果を増大可能な強磁性ホイスラー合金膜を用いるのが好ましい。本発明によると、従来より高いゼーベック係数を実現可能である。上記した以外の、課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。図1は、本発明による熱電変換素子の一実施例を示す模式図である。この熱電変換素子は、熱伝導率の小さい基板1上に非磁性ホイスラー合金膜10と強磁性ホイスラー合金膜11がこの順に積層され、さらに強磁性ホイスラー合金膜11上に非磁性膜12が備えられる。なお、非磁性ホイスラー合金膜に代えて、従来知られている熱電変換材料であるBi-Te,Si-Ge,Zn-Sb等の半導体化合物やスクッテルダイト構造をもつ化合物、NaCoO2を代表とする酸化物、ZrNiSn等のハーフホイスラー構造を有する化合物からなる非磁性膜を用いてもよい。また、強磁性ホイスラー合金膜に代えて、Co,Fe,Niやそれらの元素を含む合金等の強磁性膜を用いてもよい。しかし、本発明は、非磁性膜として非磁性ホイスラー合金膜を用い、強磁性膜として強磁性ホイスラー合金膜を用いた場合に特に大きな効果が得られる。従って、以下では、非磁性膜として非磁性ホイスラー合金膜を用い、強磁性膜として強磁性ホイスラー合金膜を用いた実施例によって本発明を説明する。非磁性膜12は、強磁性ホイスラー合金膜の温度勾配方向図中白抜矢印のどちらか一方の端部に、温度勾配に直交するようにして膜面内に配置する。この非磁性膜12の両端に発生する起電力Vsを取り出すための一対の電極23,24が非磁性膜12の上に設けられている。一方、熱電変換素子の温度勾配方向に発生する起電力Vnを取り出すための一対の電極21,22が、強磁性ホイスラー合金膜11の上に温度勾配方向に離間して設けられている。電極22と電極24は互いに電気的に接続されている。あるいは、電極22と電極24は一体の構造としてもよい。非磁性ホイスラー合金膜10及び強磁性ホイスラー合金膜11は、ともにA2BCで表記される図5に示されるようなB2あるいはL21の結晶構造を有する。B2構造は、元素BとCがランダムに配置した構造、一方L21構造は、元素BとCが規則的に配置した構造である。A2BC表記においてA,B,Cに使用される元素は以下のとおりである図6参照。A:周期表において第4周期から第6周期の第7元素族から第10元素族に属する元素Mn,Fe,Co,Ni,Tc,Ru,Rh,Pd,Re,Os,Ir,Ptであり、それらの元素単体あるいは2個以上の複数元素で構成される。B:周期表において第4周期から第6周期の第4元素族から第7元素族に属する元素Ti,V,Cr,Mn,Zr,Nb,Mo,Tc,Hf,Ta,W,Reであり、それらの元素単体あるいは2個以上の複数元素で構成される。C:周期表において第3周期から第6周期の第13元素族と第14元素族に属する元素Al,Si,Ga,Ge,In,Sn,Tl,Pbであり、それらの元素単体あるいは2個以上の複数元素で構成される。ここで非磁性ホイスラー合金10は、Fe2VAlやFe2TiSn,Fe2VSiなどがゼーベック係数Sの大きな材料として選択できる。また、スピンゼーベック係数を大きくできる強磁性ホイスラー合金膜11としてCoMnSiやFeMnSiなどが選択される。これらの非磁性ホイスラー合金膜10と強磁性ホイスラー合金膜11を製膜する際に300°C以上で基板を加熱したり、製膜後に300°C以上で熱処理をすることによって、安定してB2あるいはL21構造を形成することが可能である。非磁性膜12には、Pt,Pd,Irなどのスピン軌道相互作用の大きな元素を使うことが必要である。電極には、Au,Cu,Alなどの比抵抗の小さい材料が使用される。このような材料を使用して作成される熱電変換素子の平面寸法は、例えば数μmから数mmとすることができる。本実施例の熱電変換素子において、一対の電極21,22は、非磁性ホイスラー合金膜10と強磁性ホイスラー合金膜11がこの順に積層された膜内に発生する通常のゼーベック効果による熱起電力Vnを取り出すことができる。一方、電極23と電極24で構成される一対の電極では、強磁性ホイスラー合金膜11において発生するスピンゼーベック効果に起因する起電力Vsを非磁性膜12を介して取り出すことができる。ここで、スピンゼーベック効果による熱起電力は、強磁性膜の磁化方向に対して垂直方向に発生するため、強磁性ホイスラー合金膜11の磁化方向41は、熱電変換素子に印加される温度勾配に対して膜面内に平行方向に向いているように設定する必要がある。また、強磁性ホイスラー合金膜11と接する非磁性膜12に発生する電圧を取り出すので、強磁性ホイスラー合金膜11と非磁性膜12は接触していなくてはならない。以上から、非磁性ホイスラー合金膜10と強磁性ホイスラー合金膜11と非磁性膜12がこの順で積層されていることが必要である。このようにして作製された熱電変換素子では、電極21,22間に発生する電圧Vnと、電極23,24間に発生する電圧Vsを直列に取り出すように、各一対の電極が接続される。こうして、電極21と電極23から、VnVsの起電力が取り出される。電極22は、温度勾配の方向に平行の電圧を電極22と電極21間で取り出すように配置される。一方、電極24は、温度勾配の方向に垂直の電圧を電極23と電極24間で取り出すように配置される。電極23と電極24は、素子のどちらの端部に配置してもよい。非磁性ホイスラー合金膜10にFe2VAlやFe2TiSnなどの材料を、また強磁性ホイスラー合金膜11にCoMnSiやFeMnSiなどを使用することにより、従来の単一材料膜で発生する熱起電力に比べて2倍以上の熱起電力を取り出すことが可能となる。図2は、本発明による熱電変換素子の他の実施例を示す模式図である。本実施例の熱電変換素子は、基板1と非磁性ホイスラー合金膜10の間にバッファー層2とシード層3を配置した点で、図1に示した熱電変換素子と異なる。より大きなゼーベック係数を得るためには、非磁性ホイスラー合金膜と強磁性ホイスラー合金膜は安定したB2構造やL21構造であることが必要である。そのためにはシード層3として、V,Cr,Wなどの体心立方bcc構造を有する材料や岩塩構造のMgO,MgZnOなどを用いることが望ましい。また、これらのシード層3を得るためにバッファー層2を備えることが望ましく、バッファー層2にはTa,Ru,Ti,Zrなどが使用される。結果として、起電力Vn及びVsを増大させることが可能であり、従来に比べて2倍100μV/K以上の熱起電力を取り出すことが可能となる。図3は、本発明による熱電変換素子の他の実施例を示す模式図である。本実施例の熱電変換素子は、非磁性ホイスラー合金膜10と強磁性ホイスラー合金膜11の間に反強磁性膜111を備えた点で、図1に示した熱電変換素子と異なる。反強磁性膜111を適用することにより、強磁性ホイスラー合金膜11の磁化方向を一方向に強く固定することが可能となる。Vsは、強磁性ホイスラー合金膜11の磁化方向に依存し、その磁化方向が一方向に揃っているほど大きくなる。したがって、反強磁性膜111を強磁性ホイスラー合金膜11に隣接して強磁性ホイスラー合金膜11の磁化方向を一方向に強く固定することによりVsをさらに増大させることが可能となる。反強磁性膜111には、MnIr,MnPtやCrMnIrなどの膜や、さらにA2BCで表されるホイスラー構造をもつ膜が適用される。ここで、A2BC構造の各元素は以下の中から反強磁性特性をもつ元素が選択される。A:周期表において第4周期から第6周期の第7元素族から第10元素族に属する元素であり、それらの元素単体あるいは2個以上の複数元素で構成される。B:周期表において第4周期から第6周期の第4元素族から第6元素族に属する元素であり、それらの元素単体あるいは2個以上の複数元素で構成される。C:周期表において第3周期から第7周期の第13元素族と第14元素族に属する元素であり、それらの元素単体あるいは2個以上の複数元素で構成される。ホイスラー構造を有する反磁性膜としては、例えば、Ru2MnSiやFe2VSi等を用いることができる。図4は、本発明による熱電変換素子の他の実施例を示す模式図である。本実施例の熱電変換素子は、強磁性ホイスラー合金膜11と非磁性膜12の間にトンネル障壁膜112を備えた点で、図1に示した熱電変換素子と異なる。トンネル障壁膜112には、MgO,MgZnO,MgAlOなど、強磁性ホイスラー合金膜の上向きスピン、下向きスピンのどちらか一方のスピンを非磁性膜12に選択性よく且つ効率よく透過伝播可能な材料が選ばれる。スピン透過の選択性が向上することにより、起電力Vsのさらなる増大が可能となり、従来の起電力にくらべ2倍以上の向上が可能となる。本発明の熱電変換素子を使用した熱電変換モジュールの実現が可能となる。図7は、本発明の熱電変換素子1000を使用した熱電変換モジュールの一例を示す概略平面図である。熱電変換モジュールは複数個の熱電変換素子1000を備え、各熱電変換素子1000は電極21と22が温度勾配に平行方向に、電極23と24が温度勾配に垂直方向になるように配置される。各熱電変換素子1000の電極21と電極23が結線されることで、電圧計2000において全熱電変換素子の熱起電力が直列に取り出されることになる。熱源が3000に配置される場合、4000には放熱源が配置されることになる。放熱側には、放熱フィンを使った空冷方式や、冷却水配管を設置することによる水冷方式を用いてもよい。本発明の熱電変換素子は従来の素子よりも2倍以上のゼーベック係数の向上が可能なため、複数の熱伝変換素子を組み合わせた熱電変換モジュールにおいても従来の4倍のパワー因子が実現可能となる。この熱電変換モジュールは、利用したい熱源に対して効率よく温度差が得られる配置になるように形状が設計され、例えば発電所や工場などの排熱装置や自動車のエンジンルームなどへ設置される。なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加削除置換をすることが可能である。"