電力変換器のための増幅器システムであって、該増幅器システムは、基板に形成された集積回路を有する半導体と、第1のスイッチングデバイスと第2のスイッチングデバイスとを含む複数のスイッチングデバイスであって、該第1のスイッチングデバイスと該第2のスイッチングデバイスとは、該集積回路内に含まれ、該第1のスイッチングデバイスおよび該第2のスイッチングデバイスは、第1の電源入力および第2の電源入力を用いて増幅信号を生成するために、パルス幅変調信号を用いて協働的に切り替え可能である、複数のスイッチングデバイスと、並列に連結されたコンデンサおよび抵抗器であって、該コンデンサおよび抵抗器は、該第1の電源入力または該第2の電源入力のうちの1つと、該基板との間に連結される、増幅器システム。前記増幅信号と前記基板との間に連結されるダイオードをさらに含む、請求項1に記載の増幅器システム。前記ダイオードは、前記半導体の外部にあるショットキーダイオードである、請求項2に記載の増幅器システム。前記第1のスイッチングデバイスおよび前記第2のスイッチングデバイスの各々は、該第1のスイッチングデバイスおよび該第2のスイッチングデバイスの各々のドレインとソースとの間に連結される本体ダイオードを含み、該本体ダイオードは、該第1のスイッチングデバイスおよび該第2のスイッチングデバイスのそれぞれのスイッチングの間に、フリーホイーリング電流によって順バイアスをかけられるように動作可能であり、前記抵抗器およびコンデンサは、該第2のスイッチングデバイスの該本体ダイオードと並列である分流器回路として動作可能である、請求項1に記載の増幅器システム。前記抵抗器および前記コンデンサは、前記半導体の外部にあるデバイスである、請求項1に記載の増幅器システム。前記抵抗器および前記コンデンサは、前記基板に形成されたデバイスである、請求項1に記載の増幅器システム。電力変換器のための増幅器システムであって、増幅器システムは、基板に形成された集積回路であって、該基板は、基板入力を有する、集積回路と、該集積回路に含まれる複数のスイッチングデバイスであって、該スイッチングデバイスは、増幅信号を生成するために、パルス幅変調信号を用いて協働的に切り替え可能である第1のスイッチングデバイスおよび第2のスイッチングデバイスを含む、複数のスイッチングデバイスと、該第1のスイッチングデバイスに連結された第1の電源入力、および、該第2のスイッチングデバイスに連結された第2の電源入力と、該第2の電源入力と該基板入力との間に連結された抵抗器と、該第2の電源入力と該基板入力との間に連結されたコンデンサであって、該コンデンサはまた、該抵抗器と並列に連結される、増幅器システム。前記第1のスイッチングデバイスおよび前記第2のスイッチングデバイスの各々は、前記基板に形成された電力MOSFETである、請求項7に記載の増幅器システム。前記第2の電源入力は、前記第2のスイッチングデバイスの最大の負の供給電位において電源電圧を受け取るように構成され、該第2のスイッチングデバイスは、NMOSFETを含む、請求項7に記載の増幅器システム。前記第2の電源入力は、前記第2のスイッチングデバイスの最大の正の供給電位において電源電圧を受け取るように構成され、該第2のスイッチングデバイスは、PMOSFETを含む、請求項7に記載の増幅器システム。前記増幅器システムは、前記増幅信号と前記基板との間に連結されるダイオードをさらに含み、該ダイオードは、該増幅信号から該基板への電流の少なくとも一部分を選択的に分流するように、前記コンデンサおよび前記抵抗器と動作可能である、請求項7に記載の増幅器システム。前記ダイオードは、少なくとも、前記第1の電源入力と前記第2の電源入力との間に期待された電圧差の障壁電圧定格を用いて構成され、順電圧は、前記第2のスイッチングデバイスに含まれる本体ダイオードの順電圧より低い、請求項11に記載の増幅器システム。前記ダイオードは、第1のダイオードであり、前記増幅信号は、負荷に供給可能な第1の増幅信号であり、前記複数のスイッチングデバイスは、該負荷に供給可能な第2の増幅信号を生成するために、前記パルス幅変調信号を用いて協働的に切り替え可能な第3のスイッチングデバイスおよび第4のスイッチングデバイスをさらに含み、前記増幅器システムは、前記第2の増幅信号と前記基板との間に連結される第2のダイオードをさらに含む、請求項11に記載の増幅器システム。前記抵抗器および前記コンデンサは、充放電回路を形成し、該充放電回路は、前記基板の電位を調整するために、前記第1のダイオードおよび前記第2のダイオードの各々と独立的に動作可能である、請求項13に記載の増幅器システム。前記ダイオード、前記抵抗器、および前記コンデンサは、前記半導体に対して外部にあり、前記第2のスイッチングデバイス含まれる本体ダイオードと並列である分流器回路として動作可能である、請求項11に記載の増幅器システム。前記コンデンサは、寄生スイッチングデバイスの充電イベントに応じて前記基板の電位を調整するために、電圧記憶貯蔵器として動作可能である、請求項7に記載の増幅器システム。電力変換器のための増幅器システムであって、増幅器システムは、抵抗器と、充電/放電回路を形成するために、該抵抗器と並列に連結されるコンデンサと、を含み、該抵抗器および該コンデンサは、半導体の基板と、該半導体の該基板に形成された第1のスイッチングデバイスとの間に連結され、該第1のスイッチングデバイスはまた、該半導体の該基板に形成された第2のスイッチングデバイスと連結され、その結果、該充電/放電回路、該第1のスイッチングデバイス、該第2のスイッチングデバイスおよび該基板は、直列に連結され、該第1のスイッチングデバイスおよび該第2のスイッチングデバイスは、パルス幅の変調コントロール信号に応じて増幅出力信号を生成するように動作可能である、増幅器システム。前記半導体は、基板ノードである第1の外部ピンと、電源ノードである第2の外部ピンとを含み、前記充電/放電回路は、該基板ノードと該半導体に対して外部にある該電源ノードとの間に連結される、請求項17に記載の増幅器システム。前記電源ノードは、電源から電圧を受け取るように構成され、該電圧は、該半導体によって受け取られる最大の負の電圧であり、前記第1のスイッチングデバイスおよび前記第2のスイッチングデバイスは、Nチャンネル電力MOSFETである、請求項18に記載の増幅器システム。前記増幅器システムは、前記基板ノードと、出力ノードである前記半導体の第3の外部ピンとの間に接続されるダイオードをさらに含み、前記第1のスイッチングデバイスおよび前記第2のスイッチングデバイスは、該出力ノード上に増幅出力信号を生成するように動作可能である、請求項18に記載の増幅器システム。前記コンデンサは、前記基板に現れる任意の寄生スイッチングデバイスのバイアスを逆転させるように該基板の電位を調整するために、選択的にバイアスを下げる電圧に充電されるように構成される、請求項17に記載の増幅器システム。前記コンデンサは、前記第1のスイッチングデバイスおよび前記第2のスイッチングデバイスが、該第1のスイッチングデバイスおよび該第2のスイッチングデバイスが実質的に伝導していないスイッチングサイクルのフリーホイーリング部分内に進入することに応じて選択的に充電されるように構成される、請求項17に記載の増幅器システム。電力変換器の増幅器システムを動作させる方法であって、該方法は、出力ノード上の増幅出力信号を生成するために、半導体の基板に形成された第1のスイッチングデバイスおよび第2のスイッチングデバイスを協働的に動作させることと、該第1のスイッチングデバイスおよび該第2のスイッチングデバイスのうちの1つをオフにすることと、該第1のスイッチングデバイスまたは該第2のスイッチングデバイスのうちの少なくとも1つが伝導していないスイッチングサイクルのフリーホイーリング部分に進入することと、該スイッチングサイクルの間に生成されたフリーホイーリング電流を有する該半導体の基板ノードと電源ノードとの間に連結されるコンデンサを充電することと、該コンデンサに格納されたバイアスを下げる電圧に従って該基板の電位を調整することとを含む、方法。前記方法は、前記コンデンサを充電するために、前記フリーホイーリング電流に従って、前記半導体の前記出力ノードと基板ノードとの間に連結されるダイオードに順バイアスをかけることをさらに含む、請求項23に記載の方法。前記基板の前記電位を調整することは、前記第2のスイッチングデバイスの最大の負の供給電位以下に該基板の該電位を低くすることを含む、請求項23に記載の方法。前記基板の前記電位を調整することは、前記基板に現れる任意の寄生スイッチングデバイスのバイアスを逆転させることを含む、請求項23に記載の方法。前記コンデンサを充電させることは、前記出力ノード上に存在する電流の少なくとも一部分を前記基板に選択的に分流するように該コンデンサおよび抵抗器を動作させることを含む、請求項23に記載の方法。要約増幅器システムは、増幅器システムに含まれる半導体の基板に現れる少なくとも1つの寄生スイッチングデバイスのバイアスを逆転させることによって寄生スイッチングデバイスのアクティビティを最小限にする。増幅器システムは、電力スイッチ、例えば、電力MOSFETのような、半導体の基板における集積回路に形成されたスイッチングデバイスを含む。スイッチングデバイスは、半導体の出力ノード上に増幅出力信号を生成するために、ハーフブリッジの構成において協働的に切り替え可能である第1のスイッチングデバイスおよび第2のスイッチングデバイスを含み得る。半導体はまた、電源電圧を受け取るための電源入力ノードと、基板と連結される基板ノードとを含み得る。抵抗器およびコンデンサは、電源入力ノードと基板ノードとの間に並列に連結され得る。コンデンサは、現れる任意の寄生スイッチングデバイスのバイアスを逆転させるために、第1のスイッチングデバイスおよび第2のスイッチングデバイスのスイッチングサイクルの間に、バイアスを下げる電圧に充電され得る。コンデンサは、第1のスイッチングデバイスおよび第2のスイッチングデバイスの両方が実質的に伝導していない場合に、第1のスイッチおよび第2のスイッチのスイッチングサイクルの時間フリーホイーリング部分の間に発生するフリーホイーリング電流で充電され得る。1つの例の構成において、増幅器システムはさらに、出力ノードと基板ノードとの間に連結されるダイオードを含み得る。ダイオードは、コンデンサを充電するために、フリーホイーリング電流によって順バイアスをかけられ得る。ダイオードは、第1のスイッチングデバイスおよび第2のスイッチングデバイスのうちの1つに含まれるフリーホイーリングの本体ダイオードと並列である分流器として、抵抗器およびコンデンサと共に動作し得る。ダイオードの順電圧は、第1のスイッチングデバイスおよび第2のスイッチングデバイスのうちの1つに含まれるフリーホイーリングの本体ダイオードの順電圧より低くあり得、その結果、ダイオードは、オンになり、フリーホイーリングの本体ダイオードがオンにされる前に、コンデンサを充電することを開始する。増幅器システムの興味深い特徴は、抵抗器、コンデンサおよびダイオード存在する場合が、いくつかの例の構成において、半導体に対して外部にあり得ることである。従って、出力ノード、電源入力ノードおよび基板ノードの各々は、半導体のそれぞれの外部ピンとして半導体の外に持ち出され得る。増幅器システムのもう1つの興味深い特徴は、任意数のスイッチングデバイスが含まれ得ることである。従って、増幅器システムは、任意数のハーフブリッジ電力段、またはフルブリッジ電力段を含み得る。抵抗器およびコンデンサは、ハーフブリッジ電力段またはフルブリッジ電力段の各々に対する共通の充電/放電回路であり得る。なお、増幅器システムのもう1つの興味深い特徴は、システムが、寄生スイッチングデバイスが実質的にオフにされるのを保つことによってスイッチングデバイスの安全な動作の領域の安価な拡張を提供し得る。スイッチングデバイスの安全な動作の領域の拡張は、半導体の電力出力を増大し得る。寄生スイッチングデバイスがオフに保たれる場合に、より高い電圧および電流の観点からスイッチングデバイスの安全な動作の領域が拡張されるだけではなく、ノイズ電流および電磁干渉EMIも減らされ得る。ノイズ電流は、拡張されたフリーホイーリングの本体ダイオードの回復回数から起因し得、ノイズ電流は、高電圧での動的アバランチに起因し得る。本発明の他のシステム、方法、特徴および利点は、当業者にとって、以下の図面および詳細な説明の検証に基づいて明白であり、または明白になる。このような追加のシステム、方法、特徴および利点の全部は、本説明内に含まれ、本発明の範囲内にあり、そして以下の請求範囲によって保護されることが意図される。本発明は、例えば以下の項目を提供する。項目1電力変換器のための増幅器システムであって、該増幅器システムは、基板に形成された集積回路を有する半導体と、第1のスイッチングデバイスと第2のスイッチングデバイスとを含む複数のスイッチングデバイスであって、該第1のスイッチングデバイスと該第2のスイッチングデバイスとは、該集積回路内に含まれ、該第1のスイッチングデバイスおよび該第2のスイッチングデバイスは、第1の電源入力および第2の電源入力を用いて増幅信号を生成するために、パルス幅変調信号を用いて協働的に切り替え可能である、複数のスイッチングデバイスと、並列に連結されたコンデンサおよび抵抗器であって、該コンデンサおよび抵抗器は、該第1の電源入力または該第2の電源入力のうちの1つと、該基板との間に連結される、増幅器システム。項目2上記増幅信号と上記基板との間に連結されるダイオードをさらに含む、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。項目3上記ダイオードは、上記半導体の外部にあるショットキーダイオードである、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。項目4上記第1のスイッチングデバイスおよび上記第2のスイッチングデバイスの各々は、該第1のスイッチングデバイスおよび該第2のスイッチングデバイスの各々のドレインとソースとの間に連結される本体ダイオードを含み、該本体ダイオードは、該第1のスイッチングデバイスおよび該第2のスイッチングデバイスのそれぞれのスイッチングの間に、フリーホイーリング電流によって順バイアスをかけられるように動作可能であり、上記抵抗器およびコンデンサは、該第2のスイッチングデバイスの該本体ダイオードと並列である分流器回路として動作可能である、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。項目5上記抵抗器および上記コンデンサは、上記半導体の外部にあるデバイスである、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。項目6上記抵抗器および上記コンデンサは、上記基板に形成されたデバイスである、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。項目7電力変換器のための増幅器システムであって、増幅器システムは、基板に形成された集積回路であって、該基板は、基板入力を有する、集積回路と、該集積回路に含まれる複数のスイッチングデバイスであって、該スイッチングデバイスは、増幅信号を生成するために、パルス幅変調信号を用いて協働的に切り替え可能である第1のスイッチングデバイスおよび第2のスイッチングデバイスを含む、複数のスイッチングデバイスと、該第1のスイッチングデバイスに連結された第1の電源入力、および、該第2のスイッチングデバイスに連結された第2の電源入力と、該第2の電源入力と該基板入力との間に連結された抵抗器と、該第2の電源入力と該基板入力との間に連結されたコンデンサであって、該コンデンサはまた、該抵抗器と並列に連結される、増幅器システム。項目8上記第1のスイッチングデバイスおよび上記第2のスイッチングデバイスの各々は、上記基板に形成された電力MOSFETである、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。項目9上記第2の電源入力は、上記第2のスイッチングデバイスの最大の負の供給電位において電源電圧を受け取るように構成され、該第2のスイッチングデバイスは、NMOSFETを含む、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。項目10上記第2の電源入力は、上記第2のスイッチングデバイスの最大の正の供給電位において電源電圧を受け取るように構成され、該第2のスイッチングデバイスは、PMOSFETを含む、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。項目11上記増幅器システムは、上記増幅信号と上記基板との間に連結されるダイオードをさらに含み、該ダイオードは、該増幅信号から該基板への電流の少なくとも一部分を選択的に分流するように、上記コンデンサおよび上記抵抗器と動作可能である、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。項目12上記ダイオードは、少なくとも、上記第1の電源入力と上記第2の電源入力との間に期待された電圧差の障壁電圧定格を用いて構成され、順電圧は、上記第2のスイッチングデバイスに含まれる本体ダイオードの順電圧より低い、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。項目13上記ダイオードは、第1のダイオードであり、上記増幅信号は、負荷に供給可能な第1の増幅信号であり、上記複数のスイッチングデバイスは、該負荷に供給可能な第2の増幅信号を生成するために、上記パルス幅変調信号を用いて協働的に切り替え可能な第3のスイッチングデバイスおよび第4のスイッチングデバイスをさらに含み、上記増幅器システムは、上記第2の増幅信号と上記基板との間に連結される第2のダイオードをさらに含む、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。項目14上記抵抗器および上記コンデンサは、充放電回路を形成し、該充放電回路は、上記基板の電位を調整するために、上記第1のダイオードおよび上記第2のダイオードの各々と独立的に動作可能である、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。項目15上記ダイオード、上記抵抗器、および上記コンデンサは、上記半導体に対して外部にあり、上記第2のスイッチングデバイス含まれる本体ダイオードと並列である分流器回路として動作可能である、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。項目16上記コンデンサは、寄生スイッチングデバイスの充電イベントに応じて上記基板の電位を調整するために、電圧記憶貯蔵器として動作可能である、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。項目17電力変換器のための増幅器システムであって、増幅器システムは、抵抗器と、充電/放電回路を形成するために、該抵抗器と並列に連結されるコンデンサと、を含み、該抵抗器および該コンデンサは、半導体の基板と、該半導体の該基板に形成された第1のスイッチングデバイスとの間に連結され、該第1のスイッチングデバイスはまた、該半導体の該基板に形成された第2のスイッチングデバイスと連結され、その結果、該充電/放電回路、該第1のスイッチングデバイス、該第2のスイッチングデバイスおよび該基板は、直列に連結され、該第1のスイッチングデバイスおよび該第2のスイッチングデバイスは、パルス幅の変調コントロール信号に応じて増幅出力信号を生成するように動作可能である、増幅器システム。項目18上記半導体は、基板ノードである第1の外部ピンと、電源ノードである第2の外部ピンとを含み、上記充電/放電回路は、該基板ノードと該半導体に対して外部にある該電源ノードとの間に連結される、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。項目19上記電源ノードは、電源から電圧を受け取るように構成され、該電圧は、該半導体によって受け取られる最大の負の電圧であり、上記第1のスイッチングデバイスおよび上記第2のスイッチングデバイスは、Nチャンネル電力MOSFETである、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。項目20上記増幅器システムは、上記基板ノードと、出力ノードである上記半導体の第3の外部ピンとの間に接続されるダイオードをさらに含み、上記第1のスイッチングデバイスおよび上記第2のスイッチングデバイスは、該出力ノード上に増幅出力信号を生成するように動作可能である、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。項目21上記コンデンサは、上記基板に現れる任意の寄生スイッチングデバイスのバイアスを逆転させるように該基板の電位を調整するために、選択的にバイアスを下げる電圧に充電されるように構成される、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。項目22上記コンデンサは、上記第1のスイッチングデバイスおよび上記第2のスイッチングデバイスが、該第1のスイッチングデバイスおよび該第2のスイッチングデバイスが実質的に伝導していないスイッチングサイクルのフリーホイーリング部分内に進入することに応じて選択的に充電されるように構成される、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。項目23電力変換器の増幅器システムを動作させる方法であって、該方法は、出力ノード上の増幅出力信号を生成するために、半導体の基板に形成された第1のスイッチングデバイスおよび第2のスイッチングデバイスを協働的に動作させることと、該第1のスイッチングデバイスおよび該第2のスイッチングデバイスのうちの1つをオフにすることと、該第1のスイッチングデバイスまたは該第2のスイッチングデバイスのうちの少なくとも1つが伝導していないスイッチングサイクルのフリーホイーリング部分に進入することと、該スイッチングサイクルの間に生成されたフリーホイーリング電流を有する該半導体の基板ノードと電源ノードとの間に連結されるコンデンサを充電することと、該コンデンサに格納されたバイアスを下げる電圧に従って該基板の電位を調整することとを含む、方法。項目24上記方法は、上記コンデンサを充電するために、上記フリーホイーリング電流に従って、上記半導体の上記出力ノードと基板ノードとの間に連結されるダイオードに順バイアスをかけることをさらに含む、上記項目のいずれかに記載の方法。項目25上記基板の上記電位を調整することは、上記第2のスイッチングデバイスの最大の負の供給電位以下に該基板の該電位を低くすることを含む、上記項目のいずれかに記載の方法。項目26上記基板の上記電位を調整することは、上記基板に現れる任意の寄生スイッチングデバイスのバイアスを逆転させることを含む、上記項目のいずれかに記載の方法。項目27上記コンデンサを充電させることは、上記出力ノード上に存在する電流の少なくとも一部分を上記基板に選択的に分流するように該コンデンサおよび抵抗器を動作させることを含む、上記項目のいずれかに記載の方法。摘要電力変換器のための増幅器システムは、少なくとも、半導体の基板における集積回路に形成された第1のスイッチングデバイスおよび第2のスイッチングデバイスを含む。第1のスイッチングデバイスおよび第2のスイッチングデバイスは、ハーフブリッジの構成で形成され得、半導体の出力ノード上に増幅出力信号を生成するために、協働的に切り替え可能であり得る。抵抗器およびコンデンサは、半導体に含まれる、電源入力ノードと基板ノードとの間に並列に連結され得る。コンデンサは、集積回路に現れる寄生スイッチングデバイスのバイアスを逆転させるために、第1スイッチングデバイスおよび第2のスイッチングデバイスのスイッチングサイクルの間に、選択的にバイアスを下げる電圧に充電され得る。本発明は、以下の図面および説明を参照してよりよく理解され得る。図における構成要素は、必ずしも一定の縮尺ではなく、代わりに本発明の原理を例示することに強調がなされている。さらに、図において同じ参照数字は、異なる図の全体にわたって対応する部分を示す。好ましい実施形態の詳細な説明図1は、相補形金属酸化膜半導体CMOS電力ICなどの半導体102に組み込まれた集積回路IC100のための実施例のアーキテクチャである。実施例の電力ICは、低濃度ドープされたP型基板上に、より高濃度ドープされたN井戸を用いて作られて、同じ基板上に作られた、PチャネルMOSFETなどのスイッチングデバイスを閉じ込める。他の実施例において、スイッチングデバイスは、PNPバイポーラ接合トランジスタBJP、絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBT、サイリスタ、または、集積回路に含められ、かつ導体状態と不導体状態との間を移行することが可能な任意の他の形態のパワートランジスタ、機構または素子などの他の素子であり得る。以下の考察において用語MOSFETが用いられるが、スイッチングデバイスがMOSFETスイッチングデバイスに限定されないことは理解されるべきである。N井戸は、IC100内に含まれるどの回路よりも正にpositivelyバイアスをかけられるように電源などによってバイアスをかけられ得る。他の実施例において、半導体は、低濃度ドープされたn型基板にP井戸を含み得る。図1において、NMOS素子は、基板に直接作られ得るかまたは電源によって正の電源電圧Vddが供給される深N埋込層NBLによって形成されるNタブ内に作られ得るかのいずれかである。電源から供給される負の電源電圧Vssは、基板のP井戸に印加され得る。NMOSおよびPMOS素子は、横構造を有する基板に形成され得、その基板において、ソースS、ゲートGおよびドレインDは水平に整列させられる。代わりに、またはさらに加えて、NMOSおよびPMOS素子は、垂直構造を有する基板に形成され得る。Pエピタキシャル領域P-epi内のN井戸はまた、MOSFETなどのスイッチングデバイスに加えて、抵抗器、小さいインダクターおよびコンデンサを含めるために用いられ得る。N層絶縁を有するp型基板よりもむしろシリコンオンインシュレータsilicononinsulatorSOIアプローチを用いる絶縁もまた、用いられ得る。構造のモノリシック性は、寄生素子を作る。寄生バイポーラ素子202のいくつかの例は、図2に示される。MOSFETなどのスイッチングデバイスは、本来的に、各スイッチングデバイスにローカルであり得る寄生バイポーラ接合トランジスタBJTなどの寄生スイッチングデバイスを含み得る。用語BJTは以下の考察において用いられるが、寄生スイッチングデバイスが、BJTに限定されるべきではなく、寄生スイッチングデバイスの任意の形態であり得ることは理解されるべきである。すべてとは限らないが、実際のICにおいて現れ得る寄生NPNBJTが図2に示されるが、図2に示される寄生NPNBJTは、ICのロバスト機能性に対しかなりの制限を表し得る。寄生スイッチングデバイスの高い電流破壊電圧は寄生スイッチングデバイスがその一種であるスイッチングデバイスの破壊電圧より相当に低いのが典型的である。例えば、低BJTコレクタ電流において、破壊電圧は、MOSFETのドレインからソースへの破壊電圧BVdssに等しいが、高BJTコレクタ電流においてではそうではない。従って、BJTコレクタ電流などの寄生スイッチングデバイス電流は、大きくなることが防がれる。そのような寄生スイッチングデバイスによる伝導は、設計によって最小限にされ得る。1つの実施例において、半導体の基板がMOSFETのソースに連結/短絡させられた場合、基板に注入された電流は、寄生BJTを使用可能に許容するよりはむしろソースに戻される傾向がある。寄生トランジスタのベースへの電荷の3つの主要な供給源があり得る。1.急速に増加するドレインからソースへの電圧Vdsからの変位電流/容量電流。2.基板ジャンクションへのドレインに順バイアスを先行してかけることによって領域に残された電荷。3.ドレインの領域における高電界に起因するホットキャリア電流少数キャリアドレインと基板との間の静電容量は寄生BJTにかなりのターンオン電流を提供し、電流はMOSFET設計によって少なくとも部分的に含められ得、MOSFET設計はMOSFETのソースリード線に効果的に電流を送る。しかしながらこのターンオン電流は、寄生BJTを使用可能にするように働く唯一の電流ではない。音声増幅器などの電力変換器は、負荷を駆動するためにパワーICを用い得る。いくつかの実施例において、パワーICを用いる電力変換器は、ほとんど無損失に制御されたエネルギの送達を誘導負荷に提供するために高周波パルス信号の幅変調を用いて、ラウドスピーカなどの誘導負荷を駆動し得る。D級音声増幅器は、1つのそのような電力変換器の一実施例である。図3は、電力変換器内に含められ得るハーフブリッジ電力段を有する実施例の増幅器システム300である。ハーフブリッジ電力段は、第1のゲートドライバ304によって駆動される第1のスイッチングデバイス302および第2のゲートドライバ308によって駆動される第2のスイッチングデバイス306によって実装され得る。第1のゲートドラバ304は、入力ノード310に提供される入力信号に基づいて第1のスイッチングデバイス302を駆動し得、第2のゲートドライバ308は、入力ノード310に提供される入力信号に基づいて第2のスイッチングデバイス306を駆動し得る。入力ノード310は、半導体上の外部ピンであり得るか、または入力信号を受信する集積回路の一部であり得る。入力信号は、パルス幅変調信号などの1つ以上の制御信号であり得る。音声増幅器システムの一実施例において、入力信号は、パルス幅変調信号であり得、パルス幅変調信号は、可聴信号の瞬時振幅に従って様々な幅の一連のパルスを生成するために高速コンパレータを用いて三角波と可聴信号を比較することによって生成される。代わりに、別の音声増幅器システムの実施例において、デジタル信号プロセッサは、可聴信号に基づいてパルス幅変調信号を生成し得る。電力変換器は、プロセッサ、メモリ、フィルタ、ユーザインタフェース、通信インタフェース、または音声増幅器などの電力変換器に含まれる任意の他の機能性などの他のデバイスおよびシステムを含み得る。第1のスイッチングデバイス302および第2のスイッチングデバイス306は、半導体の基板312に集積回路の一部として含まれるパワーMOSFETSであり得る。ハーフブリッジ構成において、第1のスイッチングデバイス302は、高サイドスイッチHSFETと呼ばれ得、第2のスイッチングデバイス306は、低サイドスイッチLSFETと呼ばれ得る。集積回路は、1つ以上の外部電源から電力が供給され得る。図3において、第1の電源入力ノード314は、入力電圧として正の電源電圧Vccを受け取り得る。第1の電源入力ノード314は、半導体に外部ピンを含み得、外部ピンはまた、第1のスイッチングデバイス302を有する基板312を介してICの内部に連結される。第2の電源入力ノード316は、入力電圧として負の電源電圧-Vccを受け取り得る。第2のスイッチングデバイス306および第2のゲートドライブ308は、第2の電源入力ノード316を有する基板312を介してICの内部に連結される。第2の電源入力ノード316はまた、半導体に外部ピンを含み得る。第2の電源入力ノード316において受け取られる電圧は、増幅器ハーフブリッジの最も負の電源-Vccであり得る。従って、第2の電源入力ノード316において受け取られる電圧は、第2のスイッチングデバイス306の最も負の供給電位であり得る。いくつかの実施例において、最も負の電源-Vccは、接地であり得る。他のパワーICの実施例において、最も負の電源-Vccは、0ボルトよりも大きいかまたは小さい場合がある。なおも他の実施例において、電源入力は、スイッチングデバイスが、NMOSおよびPMOSデバイスなどN型またはP型デバイスであるかどうかに基づいて、第1の電源入力ノード314が負の電源電圧-Vccを受け取り、第2の電源入力ノード316が正の電源電圧Vccを受け取るように、逆転され得る。従って、以下の考察において、示されていないが、正の供給電圧と負の供給電圧とは交換され得る。図3において、基板312は、ジャンパ回路318によって負の電源-Vccに連結される。ジャンパ回路318は、第2の電源入力ノード316と基板入力ノード320との間に短絡を形成する。基板入力ノード320は、半導体の外部にある外部ピンの形態である。従って分流器回路318は、半導体の外部にある。他の実施例において、基板312は、半導体の内部にありIC内に含まれる分流器回路318によって負の電源-Vccに連結され得る。動作中、ハーフブリッジ電力段300は出力ノード322に出力信号を生成し、出力ノード322は半導体上の外部ピンとして提供され得る。出力信号は、入力ノード310に提供される増幅された信号を表し得る。出力ノード322は、1つ以上のフィルタ324に連結され得る。出力ノード322は、1つ以上のインダクターL1326および1つ以上のコンデンサC1328を含む受動フィルタなどの1つ以上のフィルタ324に連結され得る。他の実施例において、能動フィルタまたは任意の他のタイプのフィルタは、フィルタ324を改良し得る。他の実施例の構成において、フィルタ324はまた、半導体に含まれる集積回路の一部として含められ得る。従って、いくつかの実施例において、ハーフブリッジ電力段300によって生成される出力信号は、半導体上の外部ピンに直接供給されない場合がある。出力ノード322はまた、負荷330に連結され得る。負荷300は、出力信号を受信することが可能な任意のデバイスであり得る。図3において、負荷330は、出力信号によって駆動されて可聴信号を生成する1つ以上のラウドスピーカを含む。増幅器システム300の動作中、寄生BJTなどの1つ以上のスイッチングデバイス334は、半導体に含まれる集積回路ICに現れ得る。1つの実施例において、寄生スイッチングデバイス単数または複数334は、寄生NPNBJTであり得る。動作中、電荷は電流によって寄生スイッチングデバイス334の中に追い込まれ得、電流は、第1のスイッチングデバイス302高サイドFET-HSFETがオフにされ、インダクター326L1における電流の一部分が、第2のスイッチ306低サイドFET-LSFETの順バイアスをかけられた本体ダイオードまたは基板ダイオードを通って、出力ノード322の中に流れ込むように押し込まれたとき、流れる。本体ダイオードまたはフリーホイーリング本体ダイオードは、それぞれのスイッチングデバイスのドレインとソースとの間の第1のスイッチングデバイス302および第2のスイッチングデバイス306の各々に含まれ得る。第1のスイッチングデバイス302または第2のスイッチングデバイス306のいずれかをオフに切り替えたとき、および代替のスイッチングデバイス第1のスイッチングデバイス302または第2のスイッチングデバイス306のいずれかをオンに切り替える前に、変換サイクルのこの部分は、サイクルのフリーホイーリング部分として説明され得る。オフに切り替えられる第1のスイッチングデバイスHSFET302の場合、その後のスイッチングのないサイクルのフリーホイーリング部分は、出力ノード322に電圧および電流を伝導し供給する第2のスイッチングデバイス306LSFETによりインダクター326L1における電流が方向を逆転するまで、続く。例えば、第2のスイッチングデバイス306は、FETチャネルが多数キャリアのみを用いて伝導している方向に伝導し始め得る。比較的高い瞬時出力電流で、交互スイッチングデバイスFETは、電流がインダクター326L1において方向を逆転する前に、オンにされ得る。寄生スイッチングデバイス334の完全なターンオンは、フリーホイーリング電流がなおも第2のスイッチングデバイス306LSFETのフリーホイーリング本体ダイオードに流入している状態で、第1のスイッチングデバイス302HSFETの電源が突然にオンにされたとき、起り得る。これは、寄生スイッチングデバイス充電イベントと呼ばれ得る。いくつかの場合において、寄生スイッチングデバイス334は、フリーホイーリングサイクル中、バイアスをかけ続けられ得るが、第1のスイッチングデバイス302HSFETがオンにされて、寄生BJTのコレクタ回路全体など寄生スイッチデバイス334全体の電圧が、伝導する電流を好ましくなく増加させるまで、十分な電流を伝導させるのに十分なコレクタ電位が不足して、問題を引き起こし得る。いくつかの実施例において、寄生BJTのコレクタなどの寄生スイッチングデバイス334の一部分は、ガードリングにおいて終端し得る。ガードリングは、集積回路の構造物であり得、ICにおけるスプリアス電流を最小限にするためにスプリアス電流を集めるために用いられ得る。ガードリングは、正の電源Vccの少なくとも一部分によってバイアスをかけられるなど、基板312に対して正または負の電位によってバイアスをかけられ得る。そのようなものとして、寄生スイッチングデバイス334全体の電圧は、フリーホイーリング電流が第2のスイッチングデバイス306LSFETの本体ダイオードになおも流入していて、第1のスイッチングデバイス302HSFETが突然オンにされた場合、さらに大きくなり得る。動作中、第1のスイッチングデバイス302HSFETがオンにされ始めると、ホットキャリアは、第1のスイッチングデバイス302HSFETのドレイン近くに生成され得る。第1のスイッチングデバイス302HSFETのドレイン-ソース電圧が十分に大きい場合、第1のスイッチングデバイス302HSFETのシリコン格子から電子を移動させるのに十分なエネルギが多数キャリア電子にある。自由になった電子は、第1のスイッチングデバイス302HSFETのドレインの方への流れと結合する。結果として生じる正孔のいくつかは、基板312に流入し、寄生スイッチングデバイス334に電圧を加えて作動させ得る。正孔電流は、ドレイン電流に比例し、ドレイン-ソース電圧に指数関数的に関係し得る。第1のスイッチングデバイス302HSFETにおけるホットキャリア電流の式は、次の形式で提供され得る。ここでEsはソースにおける電界であり、Emは最大電界であり、Exはxにおける積分通路に沿った局部電界である。Idはドレイン電流であり、AおよびBは半導体材料関係係数である。電圧は、第1のスイッチングデバイス302HSFETが、第2のスイッチングデバイス306LSFETの本体ダイオードを回復し、出力ノード322の方向を変えているという時間中のみ、高ドレイン電流Idによって高いので、ホットキャリアイベントの時間ディメンションまたは寄生スイッチングデバイス充電イベントは、制限され得る。不都合なことに、第2のスイッチングデバイス306LSFETの本体ダイオードの高められた回復テールheightenedrecoverytail第1のスイッチングデバイス302HSFETのターンオンによるは、インダクターL1326において電流をサポートするのに必要である電流を超えるドレイン電流Id井戸を増加させ得る。第1のスイッチングデバイス302HSFETをより速くオンにすることによって、寄生スイッチングデバイス334の、例えばBJTベース電荷などの電荷に対応する衝撃電流Iimpactの時間積分を最小限にするように試みる場合、ドレイン電流Idの大きさは増加させられ得る。第1のスイッチングデバイス302HSFETのドレイン電流Idの増加は、ホットキャリアパルスの幅を減少させることによってなされる利得の多くを相殺し得る。換言すると、ドレイン電流Idの増加は、ホットキャリアイベント寄生スイッチングデバイス充電イベントのより短い時間中の電荷の集積を減少させるが、ピーク電流は増加し、次いで、ホットキャリアの振幅は増加し、結果として、追加の充電および寄生スイッチングデバイス334の起動をもたらす。従って、第1のスイッチングデバイス302HSFETのドレイン電流Idの減少を可能にするものは何でも、衝撃電流Iimpactを減少させ得る。衝撃電流Iimpactを除去することは可能ではない場合があるが、寄生スイッチングデバイス充電イベント中、ドレイン電流Idが寄生スイッチングデバイス334の起動を抑えること、または起動を最小限にすることは可能であり得る。別の状況では寄生BJTのベース領域を充電するなど寄生スイッチングデバイス334を充電して、寄生スイッチングデバイス334のバイアスを下げるように働き得る一時的リザーバに電荷を送達する大きいフリーホイーリング電流の一部を用いることも可能であり得る。換言すると、第1のスイッチングデバイス302HSFETのドレイン電流Idの一部分は、寄生スイッチングデバイス充電イベント中、代替の電流経路に分流されるかまたはそらされて、ターンオンまたは全ターンオンの点まで寄生スイッチングデバイス334を充電することを回避し得る。図4は、電力変換器に含められ得るハーフブリッジ電力段を有する別の実施例の増幅器システム400である。ハーフブリッジ電力段は、基板312に形成される、第1のスイッチングデバイス302および第1のゲートドライバ304と、第2のスイッチングデバイス306および第2のゲートドライバ308とを含み得る。入力ノード310は、パルス幅変調信号などの入力信号を受信し得、出力ノード322は、第1のスイッチングデバイス302および第2のスイッチングデバイス306を用いて入力信号を増幅することによって形成される増幅された出力信号を提供し得る。出力信号は、1つ以上のフィルタ324に提供され得、1つ以上の負荷330を供給する。従って、増幅器システム400は、図3を参照して説明され、前に考察された増幅器システム300に多くの点で類似している。簡潔にする目的で、前の考察は繰り返されないで、全体的にまたは部分的に適用可能であり得る。図4において、増幅器システム400は、ハーフブリッジ電力段のフリーホイーリングサイクルを有利に用いることによって、寄生BJTなどの寄生スイッチングデバイス334のバイアスを下げるように働く分流器回路402を含む。分流器回路402は、ダイオードDsub404と、コンデンサCsub406と、抵抗器Rsub408とを含み得る。分流器回路402は、第2のスイッチングデバイス306のフリーホイーリング本体ダイオードに平行であり得る。ダイオードDsub404は、出力ノード322と基板ノード320との間に連結され得る。ダイオードDsub404は、正の電源電圧Vccと、第1の電源入力314において受け取られた負の電源電圧-Vccと、第2のスイッチングデバイス306LSFETの本体ダイオードまたは基板ダイオードの順電圧Vfより小さい順電圧Vfとの間で少なくとも電圧大きさの差の逆ブロッキング電圧定格を有することが可能な任意のダイオードであり得る。1つの実施例において、ダイオードDsubは、ショットキーダイオードであり得る。ダイオードDsub404は、半導体の外部にあり得、従って、基板312内には形成されない場合がある。代わりにダイオードDsub404は、半導体内に含まれる集積回路の一部として形成され得る。ダイオードDsub404は、出力ノード322において可能である全電流の比較的小さい所定の部分のみを受け取り得る。従って、ダイオードDsub404の電流定格は、出力ノード322上の出力信号の全期待出力電流よりも実質的に小さい場合がある。1つの実施例において、ダイオードDsub404は、出力ノード322における出力信号の最高期待出力電流の約20パーセントで定格され得る。従って、ダイオードDsub404は、サイズおよびコストの両方の観点から配備する実際的な部分であり得る。第2のスイッチングデバイス306LSFETの本体ダイオードまたは基板ダイオードの順電圧とダイオードDsub404の順電圧との電圧差は、コンデンサCsub406が充電されて、BJTベース-エミッタジャンクションに逆バイアスをかけるなど、寄生スイッチングデバイス334に逆バイアスをかけ得る尺度であり得る。従って、コンデンサCsub406は、別の状況では、寄生スイッチングデバイス充電イベント中、寄生BJTのベース領域を充電するなど寄生スイッチングデバイス334を充電する大きいフリーホイーリング電流の一部のための一時的リザーバとして働き得る。前に考察されたように、一時的リザーバに電荷を送達することは、寄生スイッチングデバイス334のバイアスを下げるように働き得る。コンデンサCsub406は、第2の電源入力316における入力電圧として受け取られる負の電源電圧-Vccの直下の電圧に充電され得る。コンデンサCsub406に蓄えられた電圧は、負の電源電圧-Vcc下に所定の量だけ基板312の電位を下げるのに十分であり得る。負の電源電圧-Vcc下に電圧のバイアスを下げる所定の量は、基板312に形成される集積回路における他のデバイスの動作特性のシフトを引き起こすことなく、寄生スイッチングデバイス充電イベント中、寄生スイッチングデバイス334にバイアスをかけ続けることを回避するのに十分であり得る。例えば、バイアス下げ電圧が比較的小さいままである場合、基板312に組み込まれた第1のスイッチングデバイス302および第2のスイッチングデバイス304FETにおける実質的な本体誘導閾値のシフトは、回避され得る。従って、基板312の電位のシフトは、基板312上に直接組み込まれて、基板312を介する意図しないクロストークのリストを減少させる任意のデバイスのゲート閾値電圧より小さい場合がある。1つの実施例において、コンデンサCsub406に電荷として蓄えられたバイアス下げ電圧は、負の電源電圧-Vcc下の数100ミリボルトの範囲内であり得る。基板312の電位は、数100ミリボルトの範囲内でシフトされ得る。抵抗器Rsub408は、コンデンサCsub406と並列で連結され得、充電/放電回路としてコンデンサCsub406と協働して動作する。この充電/放電回路は、第2の電源入力316と基板ノード320との間に連結され得る。抵抗器Rsub408は、ダイオードDsub404においていかなる順方向伝導もない場合、電力段内に流れるあらゆる漏れ電流またはダイオードDsub404の逆バイアス漏れの進路変更を提供する抵抗値を有し得る。従って、抵抗器Rsubは、約1オーム~約100オームの範囲内などの比較的小さい抵抗であり得る。コンデンサCsub406は、低い等価直列インダクタンスESLと、寄生スイッチングデバイス334の0バイアスキャパシタンスと比較して大きいキャパシタンスを有する等価直列抵抗ESRとを有し得る。1つの実施例において、コンデンサCsub406は、約数十ナノファラッドの範囲内であり得る。コンデンサCsub406のキャパシタンス値は、電力段単数または複数に含まれる第2のスイッチングデバイス306LSFETによって増やされ得る。コンデンサCsub406は、物理的に、ICの外部であるが、ICの非常に近くに位置を定められるかまたは配置され得る。第2の電源入力316および基板ノード320を介してコンデンサCsub406を相互に接続する、ICにおけるボンドワイヤおよびメタライゼーションの内部インピーダンスは、最小限にされるべきである。ICおよびコンデンサCsub406に対する抵抗器Rsub408およびダイオードDsub404の物理的配置は、感度がより低い。代わりに、増幅器システムの他の実施例の構成において、コンデンサCsub406および抵抗器Rsub408のいずれか1つまたは両方とも、ICの一部としての基板に形成され得る。別の実施形態において、ダイオードDsub404は、分流器回路402から省かれ得、その結果、充電/放電回路の抵抗器Rsub408およびコンデンサCsub406のみが第2のスイッチングデバイス306のフリーホイーリング本体ダイオードと並列である。ダイオードDsub404がない場合、分流器回路402は、分流器抵抗器Rsub408によって提供される追加の基板インピーダンスに依存するように設計されて、第2のスイッチングデバイスLSFET306の基板伝導に対して、本体ダイオードを用いてコンデンサCsub406のポンピング充電および放電を可能にし得る。従って、前に考察されたように、コンデンサCsub406は、基板312の電位を調整するために、寄生スイッチングデバイス334に逆バイアスをかける量だけバイアス下げ電圧に充電され得る。図5は、電力変換器に含まれるもう1つの例の増幅器システム500である。この例において、増幅器システム500は、共通基板502上に作られているフルブリッジ電力段を含む。図5において、第1のスイッチングデバイス504は、第1のゲートドライバ506と動作可能であり、第2のスイッチングデバイス508は、第1のハーフブリッジ電力段を形成するために、第2のゲートドライバ510と動作可能である。第1のゲートドライバ506および第2のゲートドライバ510は、第1の入力ノード514上に、入力信号、例えば、パルス幅変調信号を用いて駆動される。加えて、第3のスイッチングデバイス518は、第3のゲートドライバ520と動作可能であり、第4のスイッチングデバイス522は、第2のハーフブリッジ電力段を形成するために、第4のゲートドライバ524と動作可能である。第3のゲートドライバ520および第4のゲートドライバ524は、第2の入力ノード528上に、第2の入力信号、例えば、パルス幅変調信号を用いて駆動される。第1および第2の入力信号は、別個の信号であり得、または第1の入力信号は、第2の入力信号を形成するように反転され得る。第1のスイッチングデバイス504および第2のスイッチングデバイス508は、第1の出力ノード532上に第1の出力を生成するように協働的に動作し得、第3のスイッチングデバイス518および第4のスイッチングデバイス522は、第2の出力ノード534上に第2の出力を生成するように協働的に動作し得る。第1の出力と第2の出力は、それぞれのフィルタ536によってフィルタされ、負荷538を駆動するように使用される正の増幅出力信号と負の増幅出力信号であり得る。第1の電源入力ノード540上の正の電源電圧Vccによって供給された電力は、第1の出力信号を生成するために使用され得、第2の電源入力ノード542上の負の電源電圧-Vccによって供給された電力は、第2の出力信号を生成するために使用され得る。図5において、動作の間に、1つ以上の寄生スイッチングデバイス544、例えば、寄生BJTは、半導体に含まれる集積回路ICに現れ得る。1つの例において、寄生スイッチングデバイス544は、寄生NPNBJTであり得、スイッチングデバイスは、前に議論されるように、Nチャンネル電力MOSFETSであり得る。前に議論された例の増幅器システムの特徴および代替物は、オーディオ増幅器システム500に完全に、または少なくとも部分的に適用可能であり、簡潔な目的のために、繰り返されない。他の例において、任意数のフルブリッジ電力段、またはハーフブリッジ電力段は、電力変換器の増幅器システムに含まれ得る。分流器回路548はまた、増幅器システム500に含まれ得る。図5において、分流器回路548は、並列に連結され、かつ基板ノード562と第2の電源入力ノード542との間に連結された充電/放電回路を形成する抵抗器Rsub550およびコンデンサCsub560を含み得る。分流器回路548はまた、第1の出力ノード532上の正の増幅出力信号と基板ノード562との間に連結された第1のダイオードDsub564と、第2の出力ノード534上の負の増幅出力信号と基板ノード562との間に連結された第2のダイオードDsub-566とを含み得る。第1と第2の出力ノード532と534、第1と第2の電源入力ノード540と542、および基板ノード562は、半導体上の外部ピンとして形成され得る。従って、抵抗器Rsub550、コンデンサCsub560、および第1と第2のダイオード564と566存在する場合は、前に議論されるように、半導体に対して外部にあり得、半導体と連結され得る。代替的には、抵抗器Rsub550、コンデンサCsub560、および/または第1と第2のダイオード564と566存在する場合のうちの任意は、ICの一部分として形成され得る。抵抗器Rsub550およびコンデンサCsub560は、第1と第2のダイオード564と566の各々を用いて使用される共有した共通の充電/放電回路であり得る。従って、追加のチャンネルを含む他の例の増幅器システムは、追加の出力ノードからダイオードを追加し、抵抗器Rsub550およびコンデンサCsub560によって形成された共通の充電/放電回路を共有することによって同じ方法を実行し得る。このような多重チャンネル設計は、出力スイッチングの位相を交互にずらすことを実行し得、各ハーフブリッジ電力段が、そのそれぞれのHSFETのターンオンサイクルに対して基板の電位を調整するために、必要なポンプダウンアップ容量性充電を提供し、小さな追加された基板バイアスが、時間において特定の瞬間にポンプダウンを必要としない残りのチャンネルに対して問題がないように、出力スイッチングの位相を交互にずらすことは、問題を引き起こさない。代替的には、他の例において、複数の充電/放電回路は、複数のチャンネルをサポートするように増幅器システムに含まれ得る。前に議論された例に類似して、コンデンサCsub560は、第2の電源入力ノード542上の入力電圧として受け取られた負の電源電圧-Vccまたはn-タイプ基板を用いる場合に正の電圧Vcc以下にちょうどである電圧まで充電され得る。コンデンサCsub406に格納された電圧は、寄生スイッチングデバイス544のバイアスを逆転させるために、基板502の電位を調整する、バイアスを下げる電圧であり得る。例えば、バイアスを下げる電圧は、ハーフブリッジ電力段のうちのいずれかにおいて発生する寄生スイッチングデバイス充電イベントの間に、寄生スイッチングデバイス544にバイアスをかけることを避けるのに十分の負の電源電圧-Vcc以下に基板502の電位を低くし得る。もう1つの例において、第1と第2のダイオードDsub564と566は、分流器回路548から削除され得る。第1と第2のダイオードDsub564と566がない場合に、分流器回路548は、第2のスイッチングデバイスLSFET508と522の本体ダイオードから基板までの伝導性を用いて、コンデンサCsub560のポンピングを可能にするために、抵抗器Rsub550によって提供された追加された基板インピーダンスに頼るように設計され得る。従って、コンデンサCsub560は、寄生スイッチングデバイス544のバイアスを逆転させるための負の電源電圧-Vccに対して、基板502の電位を所定の量に調整するために、バイアスを下げる電圧に充電され得る。多重チャンネル電力交換器は、同様に、それぞれのチャンネルからダイオードDsubを削除するように設計され得る。図6は、図1~5を参照して前に議論されるように説明された例の増幅器システムの動作のフローダイヤグラムである。第1のスイッチングデバイスHSFETがオンにされ、電圧および電流が負荷への供給のための出力ノード上の増幅出力信号として供給されるときに、動作は、ブロック602において開始する。出力信号の電圧は、フィルタのインダクターLに印加され、ブロック604においてインダクターLを活性化させる。第1のスイッチングデバイスHSFETは、ブロック606においてオフにされ、第2のスイッチングデバイスLSFETは、なお電力変換器のハーフブリッジ電力段内にオンにされていない。ブロック608において、ハーフブリッジ電力段は、電力変換サイクルのフリーホイーリング部分に進入し、そこでインダクターLが活性化されず、電流が生成される。ダイオードDsubの順電圧は、インダクターLに生成された電流と、出力ノードに存在する電圧とに基づいて、ブロック610において出力ノードで達成され、または達成されない。ダイオードDsubの順電圧が達成されない場合に、ダイオードDsubは、オフのままであり、動作は、ブロック610に戻る。ダイオードDsubの順電圧が達成された場合に、ダイオードDsubは、オンになり、ブロック612において基板ノードに電流を伝導することを開始する。ブロック614において、基板の電位は、コンデンサCsubを充電することによって負の供給電圧-Vcc以下になるように調整される。ブロック616において、第2のスイッチングデバイスLSFETの本体ダイオードは、オンにされ、かつ伝導するように開始し、フリーホイーリング電流は、第2のスイッチングデバイスLSFETの本体ダイオード内に流れる。寄生スイッチングデバイスは、調整された基板電圧によって逆転のバイアスをかけられ、ブロック618においてオフにされるままである。n-タイプ基板上の動作は、前述における項目、HSFETとLSFET、以上と以下、およびVccと-Vccの互換することによって理解され得る。このような状況において、寄生デバイスは、例えば、PNPBJTであり得る。増幅器システムの前に議論された例は、入力信号の増幅を提供するために、基板に形成された複数の協働的に動作する電力スイッチングデバイスを有する基板を有する集積回路を含む。増幅器システムはまた、基板充電/放電回路とICに対して外部に配置され得る1つ以上の基板ダイオードとを有する分流器回路を含み得る。基板ダイオードは、基板コンデンサを充電するために、電力スイッチングデバイスのスイッチングサイクルのフリーホイーリング部分の間にオンにされ得、それによって、基板の電位を調整する。基板の電位は、スイッチングサイクルのフリーホイーリング部分の間に、ICに現れる1つ以上の寄生スイッチングデバイスのバイアスを逆転させるように調整され得る。従って、1つ以上の寄生スイッチングデバイスの完全なターンオンおよび集積回路における後の失敗の可能性が、最小限にされ得、または避けられ得る。本発明のさまざまな実施形態が説明されたが、当業者にとって、より多くの実施形態および実装が、本発明の範囲内に可能であることは明白である。従って、本発明は、添付した請求範囲およびそれらの同等物を考慮する以外、制限されるべきではない。