"エネルギビームにより物体を露光して前記物体上にパターンを形成する露光装置であって、前記物体を保持して移動する移動体と、前記移動体の位置を計測する位置計測系と、前記物体上のマークを検出するマーク検出系と、前記移動体上に保持された前記物体上に所定の位置関係で形成された複数のマークの位置を前記マーク検出系と前記位置計測系とを用いて検出した検出結果を、前記移動体の位置に依存する補正情報に基づいて補正し、該補正後のマークの位置に基づいて、前記物体上に前記パターンを形成する際に、前記物体を保持する前記移動体の移動を制御する制御系と、を備える露光装置前記補正情報は、前記複数のマークの検出結果を理想格子に沿った検出結果となるように補正するための情報である請求項1に記載の露光装置。前記補正情報は、該移動体上に保持された基準物体上に所定の位置関係で形成された複数のマークを前記移動体を移動させて順次検出し、該検出結果とその検出時の前記位置計測系の検出結果とに基づいて、前記複数のマークのそれぞれの位置情報を検出し、該検出された位置情報と前記所定の位置関係とを用いて作成される請求項1又は2に記載の露光装置。前記補正情報は、検出された前記位置情報と前記所定の位置関係とから算出される前記複数のマークのそれぞれの形成位置のずれを求め、該ずれを用いて前記複数のマークのうちの前記ずれに対応するマークの検出時の前記移動体の離散位置に対して作成される請求項3に記載の露光装置。前記補正情報は、前記複数のマークのそれぞれと該マークに隣接する少なくとも1つのマークとについての前記形成位置のずれの平均を用いて作成される請求項4に記載の露光装置。前記制御系は、前記物体上に前記パターンを形成する際に、前記マークの検出時の前記移動体の位置を内側に含む3つの前記離散位置についての前記補正情報を補間することにより、前記マークの検出結果に対する補正値を求め、該補正値を用いて前記マークの検出結果を補正する請求項4又は5に記載の露光装置。前記補正情報は、検出された前記位置情報と前記所定の関係とから算出される前記複数のマークのそれぞれの形成位置のずれを求め、該形成位置のずれを用いて、前記複数のマークの検出時の前記移動体の位置に対して前記形成位置のずれを表現するフィッティング関数のパラメータを決定することにより作成される請求項2又は3に記載の露光装置。前記制御系は、前記物体上に前記パターンを形成する際に、前記フィッティング関数を用いて前記マークの検出時の前記移動体の位置に対応する補正値を求め、該補正値を用いて前記マークの検出結果を補正する請求項7に記載の露光装置。前記マーク検出系を複数備え、前記補正情報は、前記複数のマーク検出系のそれぞれについて作成され、前記制御装置は、前記物体上に前記パターンを形成する際に、前記複数のマーク検出系から得られる検出結果のそれぞれを対応する前記補正情報を用いて補正する請求項2~8のいずれか一項に記載の露光装置。前記マーク検出系を複数備え、前記補正情報は、前記複数のマーク検出系のうちの1つについて作成され、前記制御装置は、前記物体上に前記パターンを形成する際に、前記1つのマーク検出系から得られる検出結果を前記補正情報を用いて補正し、前記複数のマーク検出系のうちの前記1つのマーク検出系以外の残りのマーク検出系から得られる検出結果を前記補正情報と前記残りのマーク検出系のそれぞれに対応するオフセット情報とを用いて補正する請求項2~8のいずれか一項に記載の露光装置。前記オフセット情報は、前記移動体又は物体上の同一マークを、前記複数のマーク検出系のそれぞれで検出した検出結果のうち、前記残りのマーク検出系の検出結果を、前記1つのマーク検出系の検出結果に換算した場合に、その換算後のマークの位置の、前記1つのマーク検出系による同一マークの位置の検出結果に対するずれから求められる請求項10に記載の露光装置。前記位置計測系は、前記移動体に設けられた反射面に計測光を照射し、前記計測面からの戻り光を受光することにより、前記移動体の位置を計測する請求項1~11のいずれか一項に記載の露光装置。前記位置計測系は、前記移動体と該移動体の外部との一方に設けられた少なくとも1つのヘッド部を用いて、前記移動体と該移動体の外部との他方に配置された計測面上の回折格子に計測光を照射し、前記計測面からの戻り光を受光して、前記回折格子の周期方向に関する前記移動体の位置を計測する請求項1~11のいずれか一項に記載の露光装置。エネルギビームにより物体を露光して前記物体上にパターンを形成する露光方法であって、移動体上に保持された前記物体上に所定の位置関係で形成された複数のマークの位置を前記物体上のマークを検出するマーク検出系と前記移動体の位置を計測する位置計測系とを用いて検出した検出結果を、前記移動体の位置に依存する補正情報に基づいて補正し、前記物体上に前記パターンを形成する際に、前記補正後のマークの位置に基づいて、前記物体を保持する前記移動体の移動を制御することを含む露光方法。前記補正情報は、前記複数のマークの検出結果を理想格子に沿った検出結果となるように補正するための情報である請求項14に記載の露光方法。前記位置計測系を用いて前記移動体の位置を計測しながら前記所定の関係に従って前記移動体を順次位置決めし、該位置決め位置毎にマークパターンを介して前記エネルギビームを前記移動体上の基準物体に照射することによって前記複数のマークを前記基準物体上に形成することをさらに含む請求項15に記載の露光方法。前記形成することでは、前記移動体を前記所定の位置関係に対応するピッチでステップ駆動し、該ステップ駆動毎に前記複数のマークを前記基準物体上に形成する請求項16に記載の露光方法。該移動体上に保持された前記基準物体上に形成された複数のマークを前記移動体を移動させて順次検出し、該検出結果とその検出時の前記位置計測系の検出結果とに基づいて、前記複数のマークのそれぞれの位置情報を検出し、該検出された位置情報と前記所定の位置関係とを用いて前記補正情報を作成することをさらに含む請求項16又は17のいずれか一項に記載の露光方法。前記作成することでは、検出された前記位置情報と前記所定の関係とから算出される前記複数のマークのそれぞれの形成位置のずれを求め、該ずれを用いて前記複数のマークのうちの前記ずれに対応するマークの検出時の前記移動体の離散位置に対して前記補正情報を作成する請求項18に記載の露光方法。前記補正情報は、前記複数のマークのそれぞれと該マークに隣接する少なくとも1つのマークとについての前記形成位置のずれの平均を用いて作成される請求項19に記載の露光方法。前記制御することでは、前記物体上に前記パターンを形成する際に、前記マークの検出時の前記移動体の位置を内側に含む3つの前記離散位置についての前記補正情報を補間することにより、前記マークの検出結果に対する補正値を求め、該補正値を用いて前記マークの検出結果を補正する請求項19又は20に記載の露光方法。前記作成することでは、検出された前記位置情報と前記所定の関係とから算出される前記複数のマークのそれぞれの形成位置のずれを求め、該形成位置のずれを用いて、前記複数のマークの検出時の前記移動体の位置に対して前記形成位置のずれを表現するフィッティング関数のパラメータを決定することにより、前記補正情報を作成する請求項18に記載の露光方法。前記制御することでは、前記フィッティング関数を用いて前記マークの検出時の前記移動体の位置に対応する補正値を求め、該補正値を用いて前記マークの検出結果を補正する請求項22に記載の露光方法。前記マーク検出系が複数用意され、前記補正情報は、前記複数のマーク検出系のそれぞれについて作成され、前記制御することでは、前記物体上に前記パターンを形成する際に、前記複数のマーク検出系から得られる検出結果のそれぞれを対応する前記補正情報を用いて補正する請求項15~23のいずれか一項に記載の露光方法。前記マーク検出系が複数用意され、前記補正情報は、前記複数のマーク検出系のうちの1つについて作成され、前記制御することでは、前記物体上に前記パターンを形成する際に、前記1つのマーク検出系から得られる検出結果を前記補正情報を用いて補正し、前記複数のマーク検出系のうちの前記1つのマーク検出系以外の残りのマーク検出系から得られる検出結果を前記補正情報と前記残りのマーク検出系のそれぞれに対応するオフセット情報とを用いて補正する請求項15~23のいずれか一項に記載の露光方法。前記オフセット情報は、前記移動体又は物体上の同一マークを、前記複数のマーク検出系のそれぞれで検出した検出結果のうち、前記残りのマーク検出系の検出結果を、前記1つのマーク検出系の検出結果に換算した場合に、その換算後のマークの位置の、前記1つのマーク検出系による同一マークの位置の検出結果に対するずれから求められる請求項25に記載の露光方法。前記移動体に設けられた反射面に計測光を照射し、前記計測面からの戻り光を受光することにより、前記移動体の位置を計測する請求項14~26のいずれか一項に記載の露光方法。前記移動体と該移動体の外部との一方に設けられた少なくとも1つのヘッド部を用いて、前記移動体と該移動体の外部との他方に設けられた計測面に計測光を照射し、前記計測面からの戻り光を受光して、前記計測面の表面に形成された回折格子の周期方向に関する前記移動体の位置を計測する請求項14~26のいずれか一項に記載の露光方法。請求項14~28のいずれか一項に記載の露光方法を用いて、物体上にパターンを形成することと、前記パターンが形成された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。発明者は、上述の基板上の位置に応じてショット領域間でパターンの重ね合わせ精度が異なる現象の主要因を究明すべく種々の実験シミュレーションを含むを行った結果、基板ステージの位置に応じて、基板上に形成された同じマークであっても位置検出結果が異なることが判明した。これより、マーク検出系が特に基板ステージの移動により影響を受けて変形及び/又は変位していることが主要因であると、結論づけられる。本発明は、上記の事情の下でなされ、その第1の態様によれば、エネルギビームにより物体を露光して前記物体上にパターンを形成する露光装置であって、前記物体を保持して移動する移動体と、前記移動体の位置を計測する位置計測系と、前記物体上のマークを検出するマーク検出系と、前記移動体上に保持された前記物体上に所定の位置関係で形成された複数のマークの位置を前記マーク検出系と前記位置計測系とを用いて検出した検出結果を、前記移動体の位置に依存する補正情報に基づいて補正し、該補正後のマークの位置に基づいて、前記物体上に前記パターンを形成する際に、前記物体を保持する前記移動体の移動を制御する制御系と、を備える露光装置が、提供される。これによれば、制御系により、物体上に所定の位置関係で形成された複数のマークの位置の検出結果が、前記移動体の位置に依存する補正情報に基づいて補正され、該補正後のマークの位置に基づいて、物体上にパターンを形成する際に、物体を保持する移動体の移動が制御される。このため、移動体の位置に依存するマーク検出系のマークの検出誤差を含む位置誤差を補正した補正後のマークの位置に基づいて、物体上にパターンを形成する際に、物体移動体の位置が制御される。従って、物体上に精度良くパターンを形成することが可能になる。本発明の第2の態様によれば、エネルギビームにより物体を露光して前記物体上にパターンを形成する露光方法であって、移動体上に保持された前記物体上に所定の位置関係で形成された複数のマークの位置を前記物体上のマークを検出するマーク検出系と前記移動体の位置を計測する位置計測系とを用いて検出した検出結果を、前記移動体の位置に依存する補正情報に基づいて補正し、前記物体上に前記パターンを形成する際に、前記補正後のマークの位置に基づいて、前記物体を保持する前記移動体の移動を制御することを含む露光方法が、提供される。これによれば、移動体の位置に依存するマーク検出系のマークの検出誤差を含む位置誤差を補正した補正後のマークの位置に基づいて、物体上にパターンを形成する際に、物体移動体の位置が制御される。従って、物体上に精度良くパターンを形成することが可能になる。本発明の第3の態様によれば、本発明の露光方法を用いて、物体上にパターンを形成することと、前記パターンが形成された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。以下、本発明の一実施形態を、図1~図15に基づいて説明する。図1には、一実施形態の露光装置100の構成が概略的に示されている。露光装置100は、ステップアンドスキャン方式の投影露光装置、いわゆるスキャナである。後述するように、本実施形態では投影光学系PLが設けられている。以下においては、投影光学系PLの光軸AXと平行な方向をZ軸方向、これに直交する面内でレチクルRとウエハWとが相対走査される走査方向をY軸方向、Z軸及びY軸に直交する方向をX軸方向とし、X軸、Y軸、及びZ軸回りの回転傾斜方向をそれぞれθx、θy、及びθz方向として説明を行う。露光装置100は、照明系10、レチクルステージRST、投影ユニットPU、ウエハステージWSTを有するステージ装置50、及びこれらの制御系等を備えている。図1では、ウエハステージWST上にウエハWが載置されている。照明系10は、レチクルブラインドマスキングシステムとも呼ばれるで規定されたレチクルR上のスリット状の照明領域IARを、照明光露光光ILによりほぼ均一な照度で照明する。照明系10の構成は、例えば米国特許出願公開第2003/0025890号明細書などに開示されている。ここで、照明光ILとして、一例として、ArFエキシマレーザ光波長193nmが用いられている。レチクルステージRST上には、そのパターン面図1における下面に回路パターンなどが形成されたレチクルRが、例えば真空吸着により固定されている。レチクルステージRSTは、例えばリニアモータ等を含むレチクルステージ駆動系11図1では不図示、図6参照によって、XY平面内で微小駆動可能であるとともに、走査方向図1における紙面内左右方向であるY軸方向に所定の走査速度で駆動可能となっている。レチクルステージRSTのXY平面内の位置情報θz方向の回転情報を含むは、レチクルレーザ干渉計以下、レチクル干渉計という116によって、移動鏡15又はレチクルステージRSTの端面に形成された反射面を介して、例えば0.25nm程度の分解能で常時検出される。レチクル干渉計116の計測値は、主制御装置20図1では不図示、図6参照に送られる。投影ユニットPUは、レチクルステージRSTの図1における下方に配置されている。投影ユニットPUは、鏡筒40と、鏡筒40内に保持された投影光学系PLと、を含む。投影光学系PLとしては、例えば、Z軸方向と平行な光軸AXに沿って配列される複数の光学素子レンズエレメントから成る屈折光学系が用いられる。投影光学系PLは、例えば両側テレセントリックで、所定の投影倍率例えば1/4倍、1/5倍又は1/8倍などを有する。このため、照明系10によってレチクルR上の照明領域IARが照明されると、投影光学系PLの第1面物体面とパターン面がほぼ一致して配置されるレチクルRを通過した照明光ILにより、投影光学系PL投影ユニットPUを介してその照明領域IAR内のレチクルRの回路パターンの縮小像回路パターンの一部の縮小像が、投影光学系PLの第2面像面側に配置される、表面にレジスト感応剤が塗布されたウエハW上の前記照明領域IARに共役な領域以下、露光領域とも呼ぶIAに形成される。そして、レチクルステージRSTとウエハステージWSTとの同期駆動によって、照明領域IAR照明光ILに対してレチクルRを走査方向Y軸方向に相対移動させるとともに、露光領域IA照明光ILに対してウエハWを走査方向Y軸方向に相対移動させることで、ウエハW上の1つのショット領域区画領域の走査露光が行われ、そのショット領域にレチクルRのパターンが転写される。すなわち、本実施形態では照明系10、及び投影光学系PLによってウエハW上にレチクルRのパターンが生成され、照明光ILによるウエハW上の感応層レジスト層の露光によってウエハW上にそのパターンが形成される。ステージ装置50は、図1に示されるように、ベース盤12上に配置されたウエハステージWST、ウエハステージWSTの位置情報を計測する計測システム200図6参照、及びウエハステージWSTを駆動するステージ駆動系124図6参照等を備えている。計測システム200は、図6に示されるように、干渉計システム118及びエンコーダシステム150などを含む。ウエハステージWSTは、その底面に固定された不図示の非接触軸受、例えばエアベアリングなどにより、数μm程度のクリアランスを介して、ベース盤12上に支持されている。また、ウエハステージWSTは、リニアモータ等を含むステージ駆動系124図6参照によって、X軸方向図1における紙面直交方向及びY軸方向図1における紙面内左右方向に所定ストロークで駆動可能である。これをさらに詳述すると、床面上には、図3の平面図に示されるように、ベース盤12を挟んで、X軸方向の一側と他側にY軸方向に延びる一対のY軸固定子86,87が、X軸方向に所定間隔を隔てて配置されている。Y軸固定子86、87は、例えばY軸方向に沿って所定間隔でかつ交互に配置されたN極磁石とS極磁石の複数の組から成る永久磁石群を内蔵する磁石ユニットによって構成されている。Y軸固定子86、87には、2つのY軸可動子84,85が、それぞれ非接触で係合した状態で設けられている。すなわち、Y軸可動子84,85は、それぞれ、XZ断面U字状のY軸固定子86,87の内部空間に挿入された状態となっており、Y軸固定子86,87に対して不図示のエアパッドをそれぞれ介して例えば数μm程度のクリアランスを介して非接触で支持されている。Y軸可動子84、85のそれぞれは、例えばY軸方向に沿って所定間隔で配置された電機子コイルをそれぞれ内蔵する電機子ユニットによって構成されている。すなわち、本実施形態では、電機子ユニットから成るY軸可動子84と磁極ユニットから成るY軸固定子86とによって、ムービングコイル型のY軸リニアモータが構成されている。同様にY軸可動子85とY軸固定子87とによって、ムービングコイル型のY軸リニアモータが構成されている。以下においては、上記2つのY軸リニアモータのそれぞれを、それぞれの可動子84、85と同一の符号を用いて、適宜、Y軸リニアモータ84、85と呼ぶものとする。Y軸リニアモータ84、85の可動子84,85は、X軸方向に延びるX軸固定子81の一端と他端に固定されている。従って、X軸固定子81は、一対のY軸リニアモータ84,85によって、Y軸に沿って駆動される。前記X軸固定子81は、例えばX軸方向に沿って所定間隔で配置された電機子コイルをそれぞれ内蔵する電機子ユニットによって構成されている。X軸固定子81は、ウエハステージWSTの一部を構成するステージ本体91図3では不図示、図1参照に形成された不図示の開口に挿入状態で設けられている。このステージ本体91の上記開口の内部には、例えばX軸方向に沿って所定間隔でかつ交互に配置されたN極磁石とS極磁石の複数の組から成る永久磁石群を有する磁石ユニットMU図7A参照が設けられている。この磁石ユニットMU図7A参照とX軸固定子81とによって、ステージ本体91をX軸方向に駆動するムービングマグネット型のX軸リニアモータが構成されている。本実施形態では、ステージ駆動系124を構成する上記リニアモータが、図6に示される主制御装置20によって制御される。なお、各リニアモータは、それぞれムービングマグネット型やムービングコイル型のどちらか一方に限定されるものではなく、必要に応じて適宜選択することができる。なお、一対のY軸リニアモータ84,85がそれぞれ発生する推力を僅かに異ならせることで、ウエハステージWSTのθz方向の回転ヨーイングの制御が可能である。前記ウエハステージWSTは、図1に示されるように、ステージ本体91と、該ステージ本体91上に搭載されたウエハテーブルWTBとを含む。ウエハテーブルWTB及びステージ本体91は、不図示のZレベリング機構ボイスコイルモータ等を含むによって、ベース盤12及びX軸固定子81に対してZ軸方向、θx方向及びθy方向に相対的に微小駆動される。なお、図6では、上記各リニアモータとZレベリング機構とを含んで、ステージ駆動系124として示されている。ウエハテーブルWTBの上面の中央には、ウエハWを真空吸着等によって保持するウエハホルダ不図示が設けられている。図2に示されるように、ウエハテーブルWTB上面のウエハホルダウエハWのY側には、計測プレート30が設けられている。この計測プレート30には、中央に基準マークFMが設けられ、基準マークFMのX軸方向の両側に空間像計測用スリットパターンが形成された一対のスリット板SLが、設けられている。各スリット板SLに対応して、ウエハテーブルWTBの内部には、レンズ等を含む光学系及び光電子増倍管フォトマルチプライヤチューブPMT等の受光素子が配置されている。すなわち、ウエハテーブルWTBには、米国特許出願公開第2002/0041377号明細書などに開示されるものと同様の一対の空間像計測装置45A,45B図6参照が設けられている。空間像計測装置45A,45Bの計測結果受光素子の出力信号は、信号処理装置不図示により所定の信号処理が施されて、主制御装置20に送られる図6参照。また、ウエハテーブルWTB上面には、後述するエンコーダシステム150で用いられるスケールが形成されている。詳述すると、ウエハテーブルWTB上面のX軸方向図2における紙面内左右方向の一側と他側の領域には、それぞれYスケール39Y1,39Y2が形成されている。Yスケール39Y1,39Y2は、例えば、X軸方向を長手方向とする格子線38が所定ピッチでY軸方向に配列された、Y軸方向を周期方向とする反射型の格子例えば回折格子によって構成されている。同様に、ウエハテーブルWTB上面のY軸方向図2における紙面内上下方向の一側と他側の領域には、Yスケール39Y1及び39Y2に挟まれた状態で、Xスケール39X1,39X2がそれぞれ形成されている。Xスケール39X1,39X2は、例えば、Y軸方向を長手方向とする格子線37が所定ピッチでX軸方向に配列された、X軸方向を周期方向とする反射型の格子例えば回折格子によって構成されている。なお、格子線37,38のピッチは、例えば1μmと設定される。図2及びその他の図においては、図示の便宜上から、格子のピッチは実際のピッチよりも大きく図示されている。また、回折格子を保護するために、低熱膨張率のガラス板でカバーすることも有効である。ここで、ガラス板としては、厚さがウエハと同程度、例えば厚さ1mmのものを用いることができ、そのガラス板の表面がウエハの表面と同じ高さ同一面になるよう、ウエハテーブルWTB上面に設置される。また、ウエハテーブルWTBの-Y端面,-X端面には、図2に示されるように、後述する干渉計システムで用いられる反射面17a,反射面17bが形成されている。また、ウエハテーブルWTBのY側の面には、図2に示されるように、米国特許出願公開第2008/0088843号明細書に開示されるCDバーと同様の、X軸方向に延びるフィデューシャルバー以下、FDバーと略述する46が取り付けられている。FDバー46の長手方向の一側と他側の端部近傍には、センターラインLLに関して対称な配置で、Y軸方向を周期方向とする基準格子例えば回折格子52がそれぞれ形成されている。また、FDバー46の上面には、複数の基準マークMが形成されている。各基準マークMとしては、後述するアライメント系によって検出可能な寸法の2次元マークが用いられている。本実施形態の露光装置100では、図4及び図5に示されるように、投影光学系PLの光軸AXを通るY軸に平行な直線以下、基準軸と呼ぶLV上で、光軸AXから-Y側に所定距離隔てた位置に検出中心を有するプライマリアライメント系AL1が設けられている。プライマリアライメント系AL1は、不図示のメインフレームの下面に固定されている。図5に示されるように、プライマリアライメント系AL1を挟んで、X軸方向の一側と他側には、基準軸LVに関してほぼ対称に検出中心が配置されるセカンダリアライメント系AL21,AL22と、AL23,AL24とがそれぞれ設けられている。セカンダリアライメント系AL21~AL24は、可動式の支持部材を介してメインフレーム不図示の下面に固定されており、駆動機構601~604図6参照により、X軸方向に関してそれらの検出領域の相対位置が調整可能となっている。本実施形態では、アライメント系AL1,AL21~AL24のそれぞれとして、例えば画像処理方式のFIAFieldImageAlignment系が用いられている。アライメント系AL1,AL21~AL24のそれぞれからの撮像信号は、不図示の信号処理系を介して主制御装置20に供給される。干渉計システム118は、図3に示されるように、反射面17a又は17bにそれぞれ干渉計ビーム測長ビームを照射し、その反射光を受光して、ウエハステージWSTのXY平面内の位置を計測するY干渉計16と、3つのX干渉計126~128と、一対のZ干渉計43A,43Bとを備えている。詳述すると、Y干渉計16は、基準軸LVに関して対称な一対の測長ビームB41,B42を含む少なくとも3つのY軸に平行な測長ビームを反射面17a、及び後述する移動鏡41に照射する。また、X干渉計126は、図3に示されるように、光軸AXと基準軸LVとに直交するX軸に平行な直線以下、基準軸と呼ぶLHに関して対称な一対の測長ビームB51,B52を含む少なくとも3つのX軸に平行な測長ビームを反射面17bに照射する。また、X干渉計127は、アライメント系AL1の検出中心にて基準軸LVと直交するX軸に平行な直線以下、基準軸と呼ぶLAを測長軸とする測長ビームB6を含む少なくとも2つのX軸に平行な測長ビームを反射面17bに照射する。また、X干渉計128は、X軸に平行な測長ビームB7を反射面17bに照射する。干渉計システム118の上記各干渉計からの位置情報は、主制御装置20に供給される。主制御装置20は、Y干渉計16及びX干渉計126又は127の計測結果に基づいて、ウエハテーブルWTBウエハステージWSTのX,Y位置に加え、θx方向の回転すなわちピッチング、θy方向の回転すなわちローリング、及びθz方向の回転すなわちヨーイングも算出することができる。また、図1に示されるように、ステージ本体91の-Y側の側面に、凹形状の反射面を有する移動鏡41が取り付けられている。移動鏡41は、図2からわかるように、X軸方向の長さがウエハテーブルWTBの反射面17aよりも、長く設計されている。移動鏡41に対向して、干渉計システム118図6参照の一部を構成する一対のZ干渉計43A,43Bが設けられている図1及び図3参照。Z干渉計43A,43Bは、それぞれ2つのY軸に平行な測長ビームB1,B2を移動鏡41に照射し、該移動鏡41を介して測長ビームB1,B2のそれぞれを、例えば投影ユニットPUを支持するフレーム不図示に固定された固定鏡47A,47Bに照射する。そして、それぞれの反射光を受光して、測長ビームB1,B2の光路長を計測する。その結果より、主制御装置20は、ウエハステージWSTの4自由度Y,Z,θy,θz方向の位置を算出する。本実施形態では、ウエハステージWSTウエハテーブルWTBのXY平面内の位置情報θz方向の回転情報を含むは、主制御装置20によって、エンコーダシステム150、干渉計システム118の一方又は両方を、適宜用いて計測される。例えば露光時には、後述するエンコーダシステム150が主として用いられる。これに対し、例えばウエハアライメント時には、ウエハステージWSTウエハテーブルWTBのXY平面内の位置情報θz方向の回転情報を含むは、干渉計システム118を用いて計測される。反対に、露光時にエンコーダシステム150を用い、ウエハアライメント時にエンコーダシステムを用いることも可能である。勿論、干渉計システム118とエンコーダシステム150とを併用して、ウエハステージWSTウエハテーブルWTBの位置情報を計測することとしても良い。本実施形態の露光装置100には、エンコーダシステム150を構成する複数のヘッドユニットが設けられている。図4に示されるように、投影ユニットPUのX側、Y側、-X側、及びプライマリアライメント系AL1の-Y側に、4つのヘッドユニット62A、62B、62C、及び62Dが、それぞれ配置されている。また、アライメント系AL1、AL21~AL24のX軸方向の両外側にヘッドユニット62E、62Fが、それぞれ設けられている。ヘッドユニット62A~62Fは、支持部材を介して、投影ユニットPUを保持するメインフレーム不図示に吊り下げ状態で固定されている。なお、図4において、符号UPは、ウエハステージWST上にあるウエハのアンロードが行われるアンローディングポジションを示し、符号LPは、ウエハステージWST上への新たなウエハのロードが行われるローディングポジションを示す。ヘッドユニット62A及び62Cは、図5に示されるように、前述の基準軸LH上に間隔WDで配置された複数ここでは5個のYヘッド651~655、Yヘッド641~645を、それぞれ備えている。以下では、必要に応じて、Yヘッド651~655及びYヘッド641~645を、それぞれ、Yヘッド65及びYヘッド64とも表記する。ヘッドユニット62A,62Cは、Yスケール39Y1,39Y2を用いて、ウエハステージWSTウエハテーブルWTBのY軸方向の位置Y位置を計測する多眼のYリニアエンコーダ70A,70C図6参照を構成する。なお、以下では、Yリニアエンコーダを、適宜、Yエンコーダ又はエンコーダと略記する。ヘッドユニット62Bは、図5に示されるように、投影ユニットPUのY側に配置され、基準軸LV上に間隔WDで配置された複数ここでは4個のXヘッド665~668を備えている。また、ヘッドユニット62Dは、プライマリアライメント系AL1の-Y側に配置され、基準軸LV上に間隔WDで配置された複数ここでは4個のXヘッド661~664を備えている。以下では、必要に応じて、Xヘッド665~668及びXヘッド661~664をXヘッド66とも表記する。ヘッドユニット62B,62Dは、Xスケール39X1,39X2を用いて、ウエハステージWSTウエハテーブルWTBのX軸方向の位置X位置を計測する多眼のXリニアエンコーダ70B,70D図6参照を構成する。なお、以下では、Xリニアエンコーダを、適宜、エンコーダと略記する。ここで、ヘッドユニット62A,62Cがそれぞれ備える5個のYヘッド65,64より正確には、Yヘッド65,64が発する計測ビームのスケール上の照射点のX軸方向の間隔WDは、露光の際などに、少なくとも1つのヘッドが、常に、対応するYスケール39Y1,39Y2に対向する計測ビームを照射するように定められている。同様に、ヘッドユニット62B,62Dがそれぞれ備える隣接するXヘッド66より正確には、Xヘッド66が発する計測ビームのスケール上の照射点のY軸方向の間隔WDは、露光の際などに、少なくとも1つのヘッドが、常に、対応するXスケール39X1又は39X2に対向する計測ビームを照射するように定められている。なお、ヘッドユニット62Bの最も-Y側のXヘッド665とヘッドユニット62Dの最もY側のXヘッド664との間隔は、ウエハステージWSTのY軸方向の移動により、その2つのXヘッド間で切り換えつなぎが可能となるように、ウエハテーブルWTBのY軸方向の幅よりも狭く設定されている。ヘッドユニット62Eは、図5に示されるように、複数ここでは4個のYヘッド671~674を備えている。ヘッドユニット62Fは、複数ここでは4個のYヘッド681~684を備えている。Yヘッド681~684は、基準軸LVに関して、Yヘッド674~671と対称な位置に配置されている。以下では、必要に応じて、Yヘッド674~671及びYヘッド681~684を、それぞれYヘッド67及びYヘッド68とも表記する。アライメント計測の際には、少なくとも各1つのYヘッド67,68が、それぞれYスケール39Y2,39Y1に対向する。このYヘッド67,68すなわち、これらYヘッド67,68によって構成されるYエンコーダ70E,70F図6参照によってウエハステージWSTのY位置及びθz回転が計測される。また、本実施形態では、セカンダリアライメント系のベースライン計測時などに、セカンダリアライメント系AL21,AL24にX軸方向でそれぞれ隣接するYヘッド673,682が、FDバー46の一対の基準格子52とそれぞれ対向し、その一対の基準格子52と対向するYヘッド673,682によって、FDバー46のY位置が、それぞれの基準格子52の位置で計測される。以下では、一対の基準格子52にそれぞれ対向するYヘッド673,682によって構成されるエンコーダをYリニアエンコーダ70E2,70F2と呼ぶ。また、識別のため、Yスケール39Y2,39Y1に対向するYヘッド67,68によって構成されるYエンコーダを、Yエンコーダ70E1、70F1と呼ぶ。エンコーダシステム150図6参照を構成するエンコーダ70A~70Fのヘッド641~645,651~655,661~668,671~674,681~684として、例えば、米国特許第7,238,931号明細書、米国特許出願公開第2008/0088843号明細書などに開示されている回折干渉型のエンコーダヘッドが用いられている。上述したエンコーダ70A~70Fの計測値は、主制御装置20に供給される。主制御装置20は、エンコーダ70A~70Dのうちの3つ、又はエンコーダ70E1,70F1,70B及び70Dのうちの3つの計測値に基づいて、ウエハステージWSTのXY平面内での位置X,Y,θzを算出する。また、主制御装置20は、リニアエンコーダ70E2,70F2の計測値に基づいて、FDバー46ウエハステージWSTのθz方向の回転を制御する。この他、本実施形態の露光装置100では、投影ユニットPUの近傍に、ウエハW表面のZ位置を多数の検出点で検出するための照射系90a及び受光系90bから成る多点焦点位置検出系以下、多点AF系と略述するが設けられている。多点AF系としては、例えば米国特許第5,448,332号明細書等に開示されるものと同様の構成の斜入射方式の多点AF系が採用されている。なお、多点AF系の照射系90a及び受光系90bを、例えば米国特許出願公開第2008/0088843号明細書などに開示されるように、ヘッドユニット62A,62Bの近傍に配置し、ウエハアライメント時にウエハWをY軸方向に1回スキャンするだけで、ウエハWのほぼ全面でZ軸方向の位置情報面位置情報を計測するフォーカスマッピングを行うようにしても良い。この場合、ウエハテーブルWTBのZ位置を、そのフォーカスマッピング中に計測する面位置計測系を設けることが望ましい。図6には、露光装置100の制御系の主要な構成が示されている。この制御系は、装置全体を統括的に制御するマイクロコンピュータ又はワークステーションから成る主制御装置20を中心として構成されている。上述のようにして構成された本実施形態の露光装置100では、例えば米国特許出願公開第2008/0088843号明細書の実施形態中に開示されている手順と同様の手順に従って、アンローディングポジションUP図4参照でのウエハWのアンロード、ローディングポジションLP図4参照での新たなウエハWのウエハテーブルWTB上へのロード、計測プレート30の基準マークFMをプライマリアライメント系AL1で検出観察し、その検出結果とその検出時におけるエンコーダ70A~70Dの計測値とを対応付けてメモリに記憶するPriBCHKの前半の処理、ウエハWに対するアライメント系AL1,AL21~AL24を用いた後述するアライメント計測ウエハアライメント、投影光学系PLによって投影されたレチクルR上の一対の計測マークの投影像空間像を空間像計測装置45A,45Bを用いて計測するPriBCHKの後半の処理、並びにウエハアライメントの結果求められるウエハ上の各ショット領域の位置情報と最新のアライメント系のベースラインとに基づくステップアンドスキャン方式でのウエハW上の複数のショット領域の露光など、ウエハステージWSTを用いた一連の処理が、主制御装置20によって実行される。このうち、上記ウエハアライメントについては、後に詳述するが、それ以外の処理は、上記米国特許出願公開第2008/0088843号明細書と同様であるので、詳細説明は省略する。次に、本実施形態の露光装置100で行われるウエハアライメントについて説明する。この場合、アライメントマークの位置誤差アライメント誤差の補正が、EGA演算に先立って行われる。また、アライメントマークの位置誤差アライメント誤差の補正は、補正データを用いて行われる。図7Aには、一例として、実験により求められたアライメント系によるアライメントマークの位置の検出誤差走査方向であるY軸方向に関する位置誤差のウエハW上の分布が、ウエハステージWSTに保持されたウエハW上に等高線表示されている。この図7Aにおいて、符号MUは、ウエハステージWSTが有する磁石ユニットを示す。また、図7Bには、図7Aにおける、ウエハWの中心を通るY軸に平行な軸上での誤差の一次元分布が示されている。これら図7A及び図7Bから明らかなように、アライメント誤差は、ウエハWの中心で小さく正確には負の誤差を示す、Y=±50mm付近にそれぞれ大きなピーク振幅30nm程度を示す。これにより、アライメント誤差は、磁石ユニットMUの磁場に由来していることがわかる。また、アライメント誤差は、X位置については強く依存しないこともわかる。図7A及び図7Bから各点の位置誤差を簡単な演算で求めることは困難であると容易に想像され、アライメント誤差を補正するための実用的な補正データの作成の手段としては、アライメント誤差を、実際に計測することが、現実的な方法であることがわかる。本実施形態に係る補正データの作成は、自号機露光装置100を用いてのテストウエハW0の作成、テストウエハW0の上面に形成されたテストマークアライメント系AL1,AL21~AL24により検出可能な例えば2次元マークの位置計測、及びその計測結果を用いての補正データの算出の3段階の手順を含む。まず、テストウエハW0の作成を行う。前提として、干渉計システム118の各干渉計各測長軸の計測値のキャリブレーションは、既に行われているものとする。主制御装置20は、表面にレジスト層が設けられたベアウエハをウエハステージWST上にロードし、少なくともパターン面の中心レチクルセンタにテストマークのパターンが形成されたテストレチクルをレチクルステージRSTにロードする。ここでは、テストマークとして、図8A中の右上部に一部取り出して拡大して示される十字マークMijが用いられる。次いで、主制御装置20によってレチクルアライメントが行われ、レチクルステージRSTは、レチクルセンタのテストマークが投影光学系PLの投影中心本実施形態では光軸AXに一致に位置するように位置決めされる。また、主制御装置20によってレチクルブラインドが駆動され、照明光ILの照明領域がそのレチクルセンタのテストマークを含む矩形の微小領域に制限される。次いで、主制御装置20は、所定のステップピッチΔd例えば5mmで、ステップアンドリピート方式で露光を行って、テストウエハW0上に、複数のテストマークを転写する。ここで、ステップアンドリピート方式におけるウエハステージWSTの駆動は、主制御装置20によって干渉計システム118の計測値に基づいて行われる。これにより、図8Aに示されるようにXY2次元方向に所定間隔Δd例えば5mmでショット領域sがマトリクス状に配列された理想格子状の領域が形成され、各ショット領域sijの中心にテストマークMijが形成される。従って、露光誤差がないものと仮定すると、テストマークMijもショット領域sijと同様に理想格子状に配列される図8B参照。ここで、テストマークMijに対応する理想格子上の各点mijの位置をXij,Yijと表記する。テストウエハW0の露光が終了すると、主制御装置20は、ウエハステージWST上のテストウエハW0を不図示のウエハ搬送系を用いて、露光装置100にインライン接続された不図示のコータデベロッパに搬送する。コータデベロッパによりテストウエハW0が現像され、テストウエハW0上に、理想格子状に配列されたテストマークMijのレジスト像が形成される図8B参照。なお、通常、露光誤差が発生するため、テストマークMijの配列は理想格子から歪んだ格子状に配列される。すなわち、テストマークMijは、対応する理想格子上の点mij位置Xij,Yijからずれた位置に形成される。次に、アライメント系AL1,AL21~AL24を用いて、テストウエハW0上に形成されたテストマークMijを検出し、その結果を用いて補正データを作成する。現像後、主制御装置20は、テストウエハW0を、ウエハ搬送系を用いて再びウエハステージWST上にロードする。ロード後、干渉計システム118の計測値に基づいてウエハステージWSTを駆動し、テストウエハW0上に形成されたテストマークMijのそれぞれをアライメント系AL1の検出視野内に順次位置決めし、位置決め毎にテストマークMijを検出し、アライメント系AL1の指標中心を基準とするX軸及びY軸方向についてのテストマークMijの検出位置を求める。主制御装置20は、テストマークMijの検出結果と検出時の干渉計システム118の計測値とを用いて、ステージ座標系上におけるテストマークMijの検出位置を順次演算し、対応する理想格子上の点mij位置Xij,YijからのずれdXij,dYijを求め、テストマークMij点mijに対応付けて補正データとして内部メモリ不図示内に記憶する。なお、本実施形態では、干渉計システム118を用いてウエハステージWSTの位置を計測したため、その計測結果には雰囲気中の空気の揺らぎに起因する誤差が含まれ得る。そこで、主制御装置20は、テストマークMijと該テストマークに隣接する例えば4つのテストマーク、Mi1j,Mi-1j,Mij1,Mij-1についてのずれdXij,dYijの平均値を求め、該平均値をテストマークMij位置Xij,YijについてのずれdXij,dYijとして内部メモリ内に記憶する。ただし、平均処理において、異常値を取り除いた上で平均値を求めることする。また、図7A及び図7Bから明らかなように、アライメント誤差は、ウエハステージWSTのXY位置に対して緩やかに依存する。そこで、主制御装置20は、全てのテストマークMijについてのずれdXij,dYijを、例えば、XY2変数多項式を用いてフィッティングし、その結果を用いてずれdXij,dYijからウエハの変形や投入再現性などによって変化する低次成分線形などを除去する。以上の処理により、アライメント系AL1に対するマップ形式の補正データ、すなわち、ウエハ上の理想格子の格子点mij位置Xij,Yijのそれぞれにおける補正データdXij=dXXij,Yij,dYij=dYXij,Yijが得られる。主制御装置20は、上で説明したアライメント系AL1に関する補正データと同様にして、アライメント系AL21~AL24のそれぞれに対する補正データを作成する。ここで、前述の通り、本実施形態の露光装置100におけるウエハアライメントでは、アライメント系AL1,AL21~AL24のそれぞれの検出範囲が重複することなく分けられている。そこで、アライメント系AL1,AL21~AL24のそれぞれを用いて対応する検出範囲内に位置するテストマークMijを検出し、その検出結果を用いて補正データを作成すると良い。上述した補正データの作成は、例えば露光装置100の起動時、アイドル時、あるいはロット先頭時等に、適宜行うようにすることができる。次に、本実施形態の露光装置100で行われるウエハアライメントについて、図9及び図10を用いて、簡単に説明する。図9及び図10に示されているウエハW上に既に形成されている複数のショット領域のうち、着色された16個のショット領域をアライメントショット領域とする。前提として、セカンダリアライメント系AL21~AL24は、例えばロット内のウエハのショットマップデータに応じて、前述の駆動機構60nにより駆動されてそのX軸方向に関する位置が事前に調整されているものとする。まず、主制御装置20は、ウエハステージWSTを、ウエハWの中心が基準軸LV上に位置する所定の位置に位置決めする。このとき、主制御装置20は、干渉計システム118X干渉計127、Y干渉計16、及びZ干渉計43A,43Bの計測値に基づいて、ステージ駆動系124の各モータを駆動することにより、ウエハステージWSTを駆動する。次に、主制御装置20は、干渉計システム118の計測値に基づいて、ウエハステージWSTをY方向に所定距離移動して図9に示される位置に位置決めし、プライマリアライメント系AL1,セカンダリアライメント系AL22,AL23を用いて、3つのファーストアライメントショット領域に付設されたアライメントマークをほぼ同時にかつ個別に検出し図9中の星マーク☆参照、上記3つのアライメント系AL1,AL22,AL23の検出結果とその検出時の干渉計システム118の計測値とを関連付けて不図示のメモリに格納する。次に、主制御装置20は、干渉計システム118の計測値に基づいて、ウエハステージWSTをY方向図9中に白抜き矢印で示される方向に所定距離駆動して図10に示される位置に位置決めし、5つのアライメント系AL1,AL21~AL24を用いて、5つのアライメントマークをほぼ同時にかつ個別に検出し図10中の星マーク☆参照、上記5つのアライメント系AL1,AL21~AL24の検出結果とその検出時の干渉計システム118の計測値とを関連付けて不図示のメモリに格納する。次に、主制御装置20は、干渉計システム118の計測値に基づいて、ウエハステージWSTをY方向に所定距離駆動して5つのアライメント系AL1,AL21~AL24がウエハW上の5つのサードアライメントショット領域に付設されたアライメントマークをほぼ同時にかつ個別に検出可能となる位置に位置決めし、5つのアライメント系AL1,AL21~AL24を用いて、5つのアライメントマークをほぼ同時にかつ個別に検出し、5つのアライメント系AL1,AL21~AL24の検出結果とその検出時の干渉計システム118の計測値を関連付けて不図示のメモリに格納する。次に、主制御装置20は、干渉計システム118の計測値に基づいて、ウエハステージWSTをY方向に所定距離移動してプライマリアライメント系AL1,セカンダリアライメント系AL22,AL23を用いて、ウエハW上の3つのフォースアライメントショット領域に付設されたアライメントマークをほぼ同時にかつ個別に検出可能となる位置に位置決めし、3つのアライメント系AL1,AL22,AL23を用いて、3つのアライメントマークをほぼ同時にかつ個別に検出し、3つのアライメント系AL1,AL22,AL23の検出結果とその検出時の干渉計システム118の計測値とを関連付けて不図示のメモリに格納する。そして、主制御装置20は、このようにして得た合計16個のアライメントマークの検出結果と対応する干渉計システム118の計測値と、を用いて、16個のアライメントマークの位置を算出する。次に、主制御装置は、補正データdXij,dYijを用いて、上記16個のアライメントマークAMkk=1~16の位置を補正する。説明の便宜上、以下では、算出検出されたアライメントマークAMkk=1~16の位置をXk,Ykと表記する。アライメントマークAMkの形成位置設計上の位置は、図8Bに示される理想格子上の格子点mijと、一致しないことがある。ここで、一例として、図11に基づいて、アライメントマークAMkの位置検出結果Xk,Ykを補正する場合について説明する。主制御装置20は、検出されたアライメントマークAMkの位置Xk,Ykに近接する理想格子上の3つの格子点mijを探す。図11に示される3つの格子点mi1j1、mi1j、mij1以下、便宜上m1、m2、m3と表記するが見つかったものとする。3つの格子点m1、m2、m3の位置及び対応する補正データを、それぞれ、X1,Y1及びdX1,dY1,X2,Y2及びdX2,dY2,X3,Y3及びdX3,dY3と表記する。ただし、3つの格子点についての補正データは、アライメント系AL1,AL21~AL24のうち、アライメントマークAMkの検出に使用された同一のアライメント系に対する補正データとする。主制御装置20は、3つの想格子点m1,m2,m3についてのずれを用いて、検出されたアライメントマークAMkの位置Xk,Ykを補正するための補正値dXXk,Yk,dYXk,Ykを、一例として次のようにして求める。dXX,Y=dXX1,Y1-dXX2,Y2/X1-X2×X-X1X2/2dXX1,Y1-dXX3,Y3/Y1-Y3×Y-Y1Y3/2dXX2,Y2-dXX3,Y3/2...1dYX,Y=dYX1,Y1-dYX2,Y2/X1-X2×X-X1X2/2dYX1,Y1-dYX3,Y3/Y1-Y3×Y-Y1Y3/2dYX2,Y2-dYX3,Y3/2...2主制御装置20は、求められた補正値dXXk,Yk,dYXk,Ykを用いて、次のようにして、アライメントマークAMkの位置Xk,Ykを補正する。Xk←Xk-dXXk,Yk3Yk←Yk-dYXk,Yk4図12Aには、アライメント誤差の一例が示されている。図12Bには、式1及び式2を用いてマップ形式の補正データを補間して補正されるアライメント誤差が示されている。図12Cには、補正後の残留誤差が示されている。これらの図より、良い精度でアライメント誤差が補正できることが分かる。なお、式1及び式2の補間法に限らず、ラグランジェ補間法、Bスプライン補間法等を採用することもできる。一方、アライメントマークAMkの形成位置設計上の位置が、図8Bに示される理想格子上のいずれかの格子点mijと一致する場合には、主制御装置20は、その一致した格子点mijに対応する補正データdXij,dYijを用いてアライメントマークAMkの位置Xk,Ykを補正するのみで足りる。すなわち、この場合は、上述の補間演算は不要である。主制御装置20は、上述と同様にして、その他のアライメントマークAMkの位置Xk,Yk検出結果を補正し、補正後のアライメントマークAMkの位置と、セカンダリアライメント系AL2nのベースラインとを用いて、例えば特開昭61-44429号公報対応する米国特許第4,780,617号明細書などに開示されるEGA方式にて統計演算を行って、干渉計システム118の計測軸で規定される座標系例えば、投影光学系PLの光軸を原点とするXY座標系上におけるウエハW上のショット領域の配列を表現する6種類のウエハ誤差パラメータX軸方向及びY軸方向に関するウエハ中心位置のオフセット平行移動、ステージ座標系又はショット配列の直交度誤差、ウエハの残存回転誤差、ウエハのX軸方向及びY軸方向に関する線形伸縮を求めるとともに、全てのショット領域の配列を算出する。ここで、セカンダリアライメント系AL2nのベースラインとは、プライマリアライメント系AL1の検出中心を基準とする各セカンダリアライメント系AL2nの検出中心の相対位置を意味する。ここで、補正データずれdXij,dYijには、磁石ユニットMUの磁力に由来するアライメント誤差だけでなく、テストマークMijの露光誤差も含まれている。従って、上述の補正は、ウエハアライメントによりショット領域がウエハ上に理想格子状に配列されるようにアライメントマークAMkの位置Xk,Yk検出結果を補正することに相当する。そして、露光時には、補正後のアライメントマークAMkの位置Xk,Ykから求められるウエハ誤差パラメータに基づいてウエハステージWSTが駆動位置制御されるので、理想格子状に配列されたショット領域のそれぞれにパターンが転写されることとなる。なお、上述の説明では、マップ形式の補正データを補間してアライメントマークの検出結果を補正することとしたが、これに代えて、モデル関数を用いて補正することとしても良い。モデル関数として、例えば、次の関数dXX,Yを採用することができる。dXX,Y=ΣlGlX,YΣmfmxm...5GlX,Y=alexp-X-bl2/2cl2×exp-Y-dl2/2el2...6GlX,Yはガウス関数である。式5右辺のガウス関数の数及び多項式の次数は、アライメント誤差の分布例えば、図7A及び図7B参照に応じて適宜定めることが望ましい。また、ガウス関数に代えて、アライメント誤差を再現するより最適な関数を採用することもできる。モデル関数dYX,Yについても同様の関数を採用することができる。主制御装置20は、テストマークMijの位置検出結果とその検出時の干渉計システム118の計測値とを用いて、式5中のパラメータを最小自乗法を用いて決定する。主制御装置20は、決定されたパラメータを含むモデル関数dXX,Y,dYX,Yをそれぞれ前述の式1及び式2に代えて使用する。図13Aには、アライメント誤差の一例が示されている。図13Bには、モデル関数dXX,Y,dXX,Yを用いて補正されるアライメント誤差が示されている。図13Cには、補正後の残留誤差図13Aに示される誤差と図13Bに示される誤差との差が示されている。図13A~図13Cからも分かるように、モデル関数を用いることによっても、精度良く、アライメント誤差を補正することができる。これまでは、アライメント系AL1,AL21~AL24のそれぞれについて補正データを作成する場合について説明したが、これに限らず、本実施形態の露光装置では、アライメント系AL1,AL21~AL24の全てで用いられる共通の補正データを作成することとしても良い。この場合、共通の補正データの作成は、選択された1つのアライメント系以下、基準アライメント系と呼ぶを用いて行われ、他のアライメント系によるアライメントマークの位置検出に際しては、その共通の補正データと、基準アライメント系で検出した所定マークの位置を基準とする前記他のアライメント系で検出した同一の所定マークの位置のずれオフセットとを用いて、検出したアライメントマークの位置が補正される。ここで、オフセットは、他のアライメント系の検出結果を、基準アライメント系の検出結果に換算した場合に、その換算したマークの位置の、基準アライメント系による同一マークの位置検出結果に対するずれとも表現することができる。本実施形態では、主制御装置20は、上記の共通の補正データを、一例としてプライマリアライメント系AL1を用いて作成することが望ましい。その理由は、第1に、プライマリアライメント系が、5つのアライメント系AL1,AL21~AL24の中心に位置することに加え、セカンダリアライメント系AL21~AL24と異なり、非可動固定だからである。固定のアライメント系は、例えば同一の磁界分布からは常に同じ影響を受け、アライメント誤差も同一の誤差が発生する。すなわち、磁界分布の変化に起因するアライメント誤差についても、可動のアライメント系よりも再現性誤差としての信頼性が高いからである。第2の理由として、本実施形態の露光装置100では、例えば米国特許出願公開第2008/0088843号明細書に開示される露光装置と同様に、ロット先頭毎に、次のようなセカンダリアライメント系のベースライン計測以下、適宜SecBCHKと呼ぶが行われており、このSecBCHKの際に、エンコーダによるウエハテーブルWTBの位置計測とともに、あるいはこれに代えて、干渉計システム118によるウエハテーブルWTBの位置計測を行うことで、上述したオフセットを求めることができるからである。ロット先頭で行われるSecBCHKは、次のようにして行われる。前提として、セカンダリアライメント系AL2nn=1~4は、例えばロット内のウエハのショットマップデータに応じて、前述の駆動機構60nにより駆動されてX軸方向の位置が設定されているものとする。a.主制御装置20は、まず、図14に示されるように、ロット先頭のウエハWプロセスウエハ上の特定のアライメントマークをプライマリアライメント系AL1で検出し図14中の星マーク参照、その検出結果とその検出時のエンコーダシステム150の計測値と干渉計システム118X干渉計127、Y干渉計16、及びZ干渉計43A,43Bの計測値とを対応付けてメモリに格納する。この図14の状態では、ウエハテーブルWTBのXY平面内の位置は、Xスケール39X2に対向するXヘッド663エンコーダ70Dと、Yスケール39Y1,39Y2に対向する2つのYヘッド682,673エンコーダ70E1,70F1とに基づいて、主制御装置20によって制御されている。b.次に、主制御装置20は、ウエハステージWSTを-X方向に所定距離移動し、図15に示されるように、上記の特定のアライメントマークを、セカンダリアライメント系AL21で検出し図15中の星マーク☆参照、その検出結果とその検出時のエンコーダ70A~70Dと干渉計システム118の計測値とを対応付けてメモリに格納する。この図15の状態では、ウエハテーブルWTBのXY平面内の位置は、Xスケール39X2に対向するXヘッド663エンコーダ70Dと、Yスケール39Y1,39Y2に対向する2つのYヘッド681,671エンコーダ70F1,70E1とに基づいて制御されている。c.同様にして、主制御装置20は、ウエハステージWSTをX方向に順次移動して上記の特定のアライメントマークを、残りのセカンダリアライメント系AL22,AL23,AL24で順次検出し、その検出結果と検出時のエンコーダ70A~70Dの計測値と干渉計システム118の計測値とを、順次対応付けてメモリに格納する。d.そして、主制御装置20は、上記a.の処理結果と上記b.又はcの処理結果とに基づいて、各セカンダリアライメント系AL2nのベースラインをそれぞれ算出するとともに、a.のアライメント系AL1の検出結果及び対応する干渉計システム118の計測値と、上記b.又はcのアライメント系の検出結果及び対応する干渉計システム118の計測値と、を用いて、アライメント系AL1の検出結果を基準とするアライメント系AL21~AL24の検出結果についてのオフセットを求める。ここで、オフセットを求める方法は、種々考えられる。例えば、アライメント系AL1の検出結果及び対応する干渉計システム118の計測値に基づいて、アライメント系AL1で検出したステージ座標系上における特定のアライメントマークの位置基準アライメントマーク位置を算出し、その基準マーク位置とアライメント系AL1の検出結果からアライメント系AL1の検出中心の位置検出基準位置を求め、この検出基準位置と、上記b.又はcのセカンダリアライメント系の検出結果とから、そのセカンダリアライメント系の検出結果を、アライメント系AL1による検出結果に換算し、この換算後の検出結果と基準マーク位置とから、前述のオフセットを、セカンダリアライメント系AL2nについて求めることができる。このように、ロット先頭で行われるSecBCHKの際に、特別なマーク検出動作などを追加することなく、僅かに演算を追加するだけで、各セカンダリアライメント系AL2nについてオフセットを取得し、更新することができる。このように、ロット先頭のウエハWプロセスウエハを用いて、そのウエハW上の同一のアライメントマークをプライマリアライメント系AL1と各セカンダリアライメント系AL2nとで検出することで、各セカンダリアライメント系AL2nのベースラインを求めることから、この処理により、結果的に、プロセスに起因するアライメント系間の検出オフセットの差も補正される。なお、ウエハ上のアライメントマークの代わりに、ウエハステージWST上のマーク、例えば基準マークFMを検出して、オフセットを求めることも可能である。なお、セカンダリアライメント系AL21~AL24のベースライン計測は、適宜なタイミングで、米国特許出願公開第2008/0088843号明細書に開示される方法と同様に、前述のエンコーダ70E2,70F2の計測値に基づいて、FDバー46ウエハステージWSTのθz回転を調整した状態で、アライメント系AL1、AL21~AL24を用いて、それぞれの視野内にあるFDバー46上の基準マークMを同時に計測することでも行われる。本実施形態では、プライマリアライメント系AL1についてのみ、前述のテストウエハを用いてアライメント誤差を補正するための補正データ補正マップ又は補正関数を作成し、ロット先頭で行われるSecBCHK毎に、セカンダリアライメント系AL21~AL24について前述のオフセットを求めることで、アライメント誤差を、前述の手順で高精度に補正することが可能になる。本実施形態では、主制御装置20は、前述のウエハアライメント誤差の補正を含むウエハアライメントまでは、干渉計システム118を用いて行えば良く、ウエハアライメントによりウエハW上の各ショット領域の位置が求められた後、すなわち露光の際のウエハステージWSTの目標の設定が可能になった段階以降は、ウエハステージWSTのXY平面内の位置制御を、干渉計システム118及びエンコーダシステム150の少なくとも一方の計測値に基づいて行えば良い。すなわち、露光の際には、干渉計システム118の計測値によらず、エンコーダシステム150の計測値のみに基づいてウエハステージWSTのXY平面内の位置を制御することとしても良い。以上詳細に説明したように、本実施形態の露光装置100によると、主制御装置20により、ウエハアライメントの際にアライメント系AL1,AL21~AL24と干渉計システム118又はエンコーダシステム150とを用いてウエハW上に形成された複数のアライメントマークの位置が検出され、この検出結果が、ウエハステージWSTの位置に依存する補正情報に基づいて、補正され、該補正後のアライメントマークの位置に基づいて、ウエハW上にパターンを形成する際に、ウエハWを保持するウエハステージWSTの移動が制御される。ここで、補正情報として、理想格子状の配列となるようにアライメントマークの位置検出結果を補正するための補正情報が用いられている。この結果、本実施形態では、ウエハW上に理想格子状の配列で、複数層のパターンを精度良く重ねあわせて形成することが可能になる。なお、上記実施形態では、ウエハアライメント時に、干渉計システム118によるウエハステージWSTの位置の計測結果に基づいて、ウエハステージWSTを駆動位置制御する場合について説明したが、干渉計システム118に替えてエンコーダシステム150によるウエハステージWSTの位置の計測結果に基づいて、ウエハステージWSTを駆動することとしても良い。この場合、前述のアライメント誤差の補正データの作成、その作成のためのテストマークの位置の取得も、干渉計システム118の代わりに、エンコーダシステム150を用いて行う必要がある。ただし、前述のテストウエハの作成に際しては、エンコーダシステム150の計測結果に基づいて、ウエハステージWSTを駆動しても良いし、干渉計システム118によるウエハステージWSTの位置の計測結果に基づいて、ウエハステージWSTを駆動しても良い。例えば、アライメント系AL1,AL21~AL24を用いて、前述のテストウエハW0上に形成されたテストマークMijを検出し、その検出結果を用いて補正データを作成する際に、主制御装置20は、テストウエハW0をウエハテーブルWTB上にロード後、エンコーダシステム150の計測値に基づいてウエハステージWSTを駆動し、テストウエハW0上に形成されたテストマークMijのそれぞれをアライメント系AL1の検出視野内に順次位置決めし、位置決め毎にテストマークMijを検出し、アライメント系AL1の指標中心を基準とするX軸及びY軸方向についてのテストマークMijの検出位置を求める。主制御装置20は、テストマークMijの検出結果と検出時のエンコーダシステム150の計測値とを用いて、エンコーダシステム150の計測軸で定まる座標系上におけるテストマークMijの検出位置を順次演算し、対応する理想格子上の点mij位置Xij,YijからのずれdXij,dYijを求め、テストマークMij点mijに対応付けて、アライメント誤差の補正データとして内部メモリ不図示内に記憶する。ただし、エンコーダシステム150は、干渉計システム118に比べて雰囲気中の空気の揺らぎの影響が小さく、空気の揺らぎに起因する誤差は無視できる程度である。従って、前述した隣接する複数のテストマークについてのずれの平均を求める、平均処理は必須ではない。ここで、上記の補正データは、全ヘッドに対して共通に作成しても良いし、ヘッドユニット62E、62F、62B、62Cのそれぞれについて、作成することとしても良い。あるいは、同一のヘッドユニットに属する複数のヘッドであっても個体差があるため、補正データを個々のヘッド毎に作成することとしても良い。ウエハアライメントの際には、前述と同様の手順の計測処理が、主制御装置20によって行われるが、この際、干渉計システム118に代えてエンコーダシステム150を用いてウエハステージWSTの位置が計測される。例えば、図9に示される状態では、干渉計システム118に替えてエンコーダシステム150、すなわちXスケール39X2に対向するXヘッド661及びYスケール39Y1,39Y2にそれぞれ対向するYヘッド682,673エンコーダ70D~70Fが用いられる。また、例えば、図10に示される状態では、干渉計システム118に替えてエンコーダシステム150、すなわちXスケール39X2に対向するXヘッド662、及びYスケール39Y1,39Y2にそれぞれ対向するYヘッド682,673エンコーダ70D~70Fが用いられる。このように、エンコーダシステム150を用いてウエハステージWSTの位置を計測しながら、ウエハアライメントを行う場合には、同時に3つのエンコーダヘッドが使用される。従って、前述の補正データを、同時に使用される3つのエンコーダヘッドの組毎に、例えば図9に示されるヘッド661,673,682の組、図10に示されるヘッド662,673,682の組毎に、作成することとしても良い。なお、上記実施形態で説明したエンコーダシステムなどの各計測装置の構成は一例に過ぎないことは勿論である。例えば、米国特許出願公開第2008/0088843号明細書に開示される露光装置と同様に、ヘッドユニット62A,62Cの内部にエンコーダヘッドと面位置センサのヘッドZヘッドとを、別々に設けても良いし、エンコーダヘッドとZヘッドとの機能を備えた単一のヘッドを、エンコーダヘッドとZヘッドの組に代えて設けても良い。また、エンコーダヘッドとして、1次元ヘッドのみならず、同一面内の直交2軸方向を計測方向とする2次元ヘッドを用いても良い。後者の場合、スケールも2次元スケールを用いることが一般的である。また、上記実施形態では、ウエハテーブルウエハステージ上に格子部Yスケール、Xスケールを設け、これに対向してXヘッド、Yヘッドをウエハステージの外部に配置する構成のエンコーダシステムを採用した場合について例示したが、これに限らず、例えば米国特許出願公開第2006/0227309号明細書などに開示されているように、ウエハステージにエンコーダヘッドを設け、これに対向してウエハステージの外部に格子部例えば2次元格子又は2次元に配置された1次元の格子部を配置する構成のエンコーダシステムを採用しても良い。この場合において、面位置センサのヘッドZヘッドもウエハステージに設け、その格子部の面を、Zヘッドの計測ビームが照射される反射面としても良い。また、上述の実施形態では、露光装置が、液体水を介さずにウエハWの露光を行うドライタイプの露光装置である場合を説明したが、これに限らず、例えば欧州特許出願公開第1420298号明細書、国際公開第2004/055803号、米国特許第6952253号明細書、米国特許出願公開第2008/0088843号明細書などに開示されているように、投影光学系とウエハとの間に照明光の光路を含む液浸空間を形成し、投影光学系及び液浸空間の液体を介して照明光でウエハを露光する露光装置にも上記実施形態を適用することができる。また、上記実施形態では、露光装置が、ステップアンドスキャン方式等の走査型露光装置である場合について説明したが、これに限らず、ステッパなどの静止型露光装置に上記実施形態を適用しても良い。また、ショット領域とショット領域とを合成するステップアンドスティッチ方式の縮小投影露光装置、プロキシミティー方式の露光装置、又はミラープロジェクションアライナーなどにも上記実施形態を適用することができる。さらに、例えば米国特許第6,590,634号明細書、米国特許第5,969,441号明細書、米国特許第6,208,407号明細書などに開示されているように、複数のウエハステージを備えたマルチステージ型の露光装置にも上記実施形態は適用できる。また、例えば米国特許第7,589,822号明細書などに開示されているように、ウエハステージとは別に、計測部材例えば、基準マーク、及び/又はセンサなどを含む計測ステージを備える露光装置にも上記実施形態は適用が可能である。また、上記実施形態の露光装置における投影光学系は縮小系のみならず等倍及び拡大系のいずれでも良いし、投影光学系PLは屈折系のみならず、反射系及び反射屈折系のいずれでも良いし、その投影像は倒立像及び正立像のいずれでも良い。また、前述の照明領域及び露光領域はその形状が矩形であるものとしたが、これに限らず、例えば円弧、台形、あるいは平行四辺形などでも良い。なお、上記実施形態の露光装置の光源は、ArFエキシマレーザに限らず、KrFエキシマレーザ出力波長248nm、F2レーザ出力波長157nm、Ar2レーザ出力波長126nm、Kr2レーザ出力波長146nmなどのパルスレーザ光源、g線波長436nm、i線波長365nmなどの輝線を発する超高圧水銀ランプなどを用いることも可能である。また、YAGレーザの高調波発生装置などを用いることもできる。この他、例えば米国特許第7023610号明細書に開示されているように、真空紫外光としてDFB半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム又はエルビウムとイッテルビウムの両方がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。また、上記実施形態では、露光装置の照明光ILとしては波長100nm以上の光に限らず、波長100nm未満の光を用いても良いことは言うまでもない。例えば、SORやプラズマレーザを光源として、軟X線領域例えば5~15nmの波長域のEUVExtremeUltraviolet光を発生させるとともに、その露光波長例えば13.5nmの下で設計されたオール反射縮小光学系、及び反射型マスクを用いたEUV露光装置にも上記実施形態を適用することができる。この他、電子線又はイオンビームなどの荷電粒子線を用いる露光装置にも、上記実施形態は適用できる。また、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン又は位相パターン減光パターンを形成した光透過型マスクレチクルを用いたが、このレチクルに代えて、例えば米国特許第6,778,257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて、透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク可変成形マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれ、例えば非発光型画像表示素子空間光変調器の一種であるDMDDigitalMicromirrorDeviceなどを含むを用いても良い。また、例えば干渉縞をウエハ上に形成することによって、ウエハ上にラインアンドスペースパターンを形成する露光装置リソグラフィシステムにも上記実施形態を適用することができる。さらに、例えば米国特許第6,611,316号明細書に開示されているように、2つのレチクルパターンを投影光学系を介してウエハ上で合成し、1回のスキャン露光によってウエハ上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置にも上記実施形態を適用することができる。なお、上記実施形態でパターンを形成すべき物体エネルギビームが照射される露光対象の物体はウエハに限られるものではなく、ガラスプレート、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど、他の物体でも良い。露光装置の用途としては半導体製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置、有機EL、薄膜磁気ヘッド、撮像素子CCD等、マイクロマシン及びDNAチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも上記実施形態を適用できる。半導体素子などの電子デバイスは、デバイスの機能性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、前述した実施形態の露光装置パターン形成装置によりマスクレチクルのパターンをウエハに転写するリソグラフィステップ、露光されたウエハを現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の露光装置を用いて前述の露光方法が実行され、ウエハ上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。"