"板状をなす基板本体の一方の面が、半導体素子が搭載される搭載面とされ、前記基板本体の他方の面側に絶縁層が形成されてなるパワーモジュール用基板であって、前記基板本体は、炭素質部材中に金属が充填された金属基複合材料からなる金属基複合板で構成されていることを特徴とするパワーモジュール用基板。請求項1に記載のパワーモジュール用基板であって、前記金属基複合板は、一方向における熱伝導率が他方向における熱伝導率よりも高くなるように異方性を有しており、前記基板本体における高熱伝導率方向が、前記基板本体の厚さ方向を向くように構成されていることを特徴とするパワーモジュール用基板。請求項2に記載のパワーモジュール用基板であって、前記基板本体の厚さtsmmと前記基板本体の面積Smm2と前記半導体素子の接合面積S0mm2との関係が、0.003≦ts/S-S0≦0.015の範囲内とされている。請求項1に記載のパワーモジュール用基板であって、前記基板本体は、炭素質部材中に金属が充填された金属基複合材料からなる金属基複合板が複数積層されてなり、この金属基複合材料は、一方向における熱伝導率が他方向における熱伝導率よりも高くなるように異方性を有しており、前記基板本体において、一の金属基複合板における高熱伝導率方向と、他の金属基複合板における高熱伝導率方向とが、互いに異なるように構成されている。請求項4に記載のパワーモジュール用基板であって、前記基板本体において、一の金属基複合板における高熱伝導率方向が、前記基板本体の厚さ方向を向くように構成されている。請求項4または請求項5に記載のパワーモジュール用基板であって、前記基板本体においては、3枚の金属基複合板が積層されており、第1金属基複合板の高熱伝導率方向と、第2金属基複合板の高熱伝導率方向と、第3金属基複合板の高熱伝導率方向とが、互いに直交するように配置されている。請求項6に記載のパワーモジュール用基板であって、前記第1金属基複合板と、前記第2金属基複合板と、前記第3金属基複合板とが、それぞれ同一の厚さで構成されている。請求項1に記載のパワーモジュール用基板であって、前記金属基複合板は、一方向における熱伝導率が他方向における熱伝導率よりも高くなるように異方性を有しており、前記基板本体における高熱伝導率方向が、前記基板本体の厚さ方向と直交する方向を向くように構成されている。請求項1から請求項8に記載のパワーモジュール用基板であって、前記基板本体の熱膨張係数が8×10-6/°C以下とされている。請求項1から請求項9に記載のパワーモジュール用基板であって、前記金属基複合板における高熱伝導率方向の熱伝導率が400W/mK以上とされており、この高熱伝導率方向に直交する方向の熱伝導率が200W/mK以上とされている。請求項1から請求項10のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板であって、前記金属基複合材料が、アルミニウムまたはアルミニウム合金が炭素質部材中に充填されてなるアルミニウム基複合材料である。請求項1から請求項10のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板であって、前記金属基複合材料が、銅または銅合金が炭素質部材中に充填されてなる銅基複合材料である。請求項1から請求項12のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板であって、前記基板本体の一方の面側には、前記金属基複合材料において炭素質部材中に充填された金属からなるスキン層が形成されている。請求項1から請求項13のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板と、前記パワーモジュール用基板の前記基板本体の一方の面上に搭載される半導体素子と、を備えたことを特徴とするパワーモジュール。本発明のパワーモジュール用基板は、板状をなす基板本体の一方の面が、半導体素子が搭載される搭載面とされ、前記基板本体の他方の面側に絶縁層が形成されてなるパワーモジュール用基板であって、前記基板本体は、炭素質部材中に金属が充填された金属基複合材料からなる金属基複合板で構成されている。この構成のパワーモジュール用基板においては、基板本体の熱膨張係数を、銅等の金属の熱膨張係数よりも小さく設定することができ、冷熱サイクルによるはんだ層のクラックの発生を抑制することが可能となる。本発明のパワーモジュール用基板の第一態様は、前記金属基複合板は、一方向における熱伝導率が他方向における熱伝導率よりも高くなるように異方性を有しており、前記基板本体における高熱伝導率方向が、前記基板本体の厚さ方向を向くように構成されている。この構成のパワーモジュール用基板においては、基板本体の厚さを厚くしても熱を厚さ方向に向けて伝達させることが可能となる。よって、基板本体の厚さを厚くすることにより、板面方向に向けての熱の拡散を促進させることができ、基板本体において半導体素子から発生する熱を拡げて放散させることができる。本発明のパワーモジュール用基板の第一態様において、前記基板本体の厚さtsmmと前記基板本体の面積Smm2と前記半導体素子の接合面積S0mm2とが、0.003≦ts/S-S0≦0.015の範囲内とされていてもよい。この構成のパワーモジュール用基板においては、基板本体の面積Sに対してその厚さtsの厚さが確保され、基板本体の面積S全体に亘って熱を拡げることができる。また、必要以上に基板本体の板厚が厚くならず、厚さ方向の熱の伝達を効率良く行うことが可能となる。本発明のパワーモジュール用基板の第二態様は、前記基板本体は、炭素質部材中に金属が充填された金属基複合材料からなる金属基複合板が複数積層されている。この金属基複合材料は、一方向における熱伝導率が他方向における熱伝導率よりも高くなるように異方性を有している。前記基板本体において、一の金属基複合板における高熱伝導率方向と、他の金属基複合板における高熱伝導率方向とが、互いに異なるように構成されている。この構成のパワーモジュール用基板では、半導体素子から発生した熱が、基板本体のそれぞれの金属基複合板において、互いに異なる方向に優先的に放散されることから、熱の放散を効率良く行うことが可能となる。なお、一の金属基複合板と他の金属基複合板のそれぞれの厚さを調整することにより、熱の放散方向を調整することが可能となる。本発明のパワーモジュール用基板の第二態様では、前記基板本体において、一の金属基複合板における高熱伝導率方向が、前記基板本体の厚さ方向を向くように構成されていてもよい。この構成のパワーモジュール用基板では、一の金属基複合板における高熱伝導率方向が前記基板本体の厚さ方向すなわち、基板本体とヒートシンクとの積層方向を向くように構成されている。よって、他の金属基複合板における高熱伝導率方向が前記厚さ方向以外を向くことになるので、この他の金属基複合板において熱を拡がるように放散することができる。また、一の金属基複合板における高熱伝導率方向が前記基板本体の厚さ方向積層方向を向くように構成されているので、半導体素子から発生した熱をヒートシンク側へと優先的に放散させることができる。本発明のパワーモジュール用基板の第二態様では、前記基板本体においては、3枚の金属基複合板が積層されており、第1金属基複合板の高熱伝導率方向と、第2金属基複合板の高熱伝導率方向と、第3金属基複合板の高熱伝導率方向とが、互いに直交するように配置されていてもよい。この構成のパワーモジュール用基板においては、熱を3方向に分散して放散させることが可能となる。本発明のパワーモジュール用基板の第二態様において、前記第1金属基複合板と、前記第2金属基複合板と、前記第3金属基複合板とが、それぞれ同一の厚さで構成されていてもよい。この構成のパワーモジュール用基板においては、基板本体全体では熱伝導率の異方性が改善されることになる。よって、等方材で構成された基板本体と同様に取り扱うことが可能となる。本発明のパワーモジュール用基板の第三態様は、前記金属基複合板は、一方向における熱伝導率が他方向における熱伝導率よりも高くなるように異方性を有している。前記基板本体における高熱伝導率方向が、前記基板本体の厚さ方向と直交する方向を向くように構成されている。この構成のパワーモジュール用基板においては、基板本体の厚さを厚くしなくても、基板本体の板面方向に向けて熱を十分に拡げることが可能となる。本発明のパワーモジュール用基板においては、前記基板本体の熱膨張係数が8×10-6/°C以下とされていてもよい。この構成のパワーモジュール用基板においては、基板本体の熱膨張係数が、半導体素子を構成するSi等の熱膨張係数に近似することになる。よって、はんだクラックの発生を確実に抑制することができ、このパワーモジュール用基板の信頼性を大幅に向上させることができる。本発明のパワーモジュール用基板においては、前記金属基複合板における高熱伝導率方向の熱伝導率が400W/mK以上とされており、この高熱伝導率方向に直交する方向の熱伝導率が200W/mK以上とされていてもよい。この構成のパワーモジュール用基板においては、半導体素子から発生した熱を高熱伝導率方向に向けて優先的に放散することが可能となる。また、高熱伝導率方向以外においても熱の伝達が行われることになり、半導体素子から発生した熱を効率的に放散させることができる。本発明のパワーモジュール用基板においては、前記金属基複合材料が、アルミニウムまたはアルミニウム合金が炭素質部材中に充填されてなるアルミニウム基複合材料であってもよい。この構成のパワーモジュール用基板においては、アルミニウムまたはアルミニウム合金の融点が比較的低いことから、炭素質部材中にこれらアルミニウムまたはアルミニウム合金を簡単に充填することができる。また、高熱伝導率方向で、熱伝導率が400~450W/mK、室温から200°Cまでの熱膨張係数が6~8×10-6/°C、高熱伝導率方向に直交する方向で、熱伝導率が200~250W/mK、室温から200°Cまでの熱膨張係数が2~4×10-6/°Cとなる。よって、半導体素子との熱膨張係数の差に起因するはんだ層のクラック発生を抑制することができるとともに、効率良く熱を放散することができる。本発明のパワーモジュール用基板においては、前記金属基複合材料が、銅または銅合金が炭素質部材中に充填されてなる銅基複合材料であってもよい。この構成のパワーモジュール用基板においては、熱伝導率が500~650W/mK、室温から200°Cまでの熱膨張係数が5~7×10-6/°Cとなり、半導体素子との熱膨張係数の差に起因するはんだ層のクラック発生を抑制することができるとともに、効率良く熱を放散することができる。本発明のパワーモジュール用基板においては、前記基板本体の一方の面側には、前記金属基複合材料において炭素質部材中に充填された金属からなる金属スキン層が形成されていてもよい。この構成のパワーモジュール用基板においては、前記基板本体の一方の面側に、前記金属基複合材料において炭素質部材中に充填された金属からなる金属スキン層が形成されているので、はんだ層を介して半導体素子を確実に搭載することができる。また、この金属スキン層にNiめっき等を行うことによって、さらにはんだ材との密着性を向上させることも可能である。本発明のパワーモジュールは、上述のパワーモジュール用基板と、前記基板本体の一方の面上に搭載される半導体素子と、を備えている。この構成のパワーモジュールにおいては、半導体素子から発生する熱を基板本体において拡げてヒートシンク側へと熱を効率的に放散することが可能となる。また、冷熱サイクル負荷時においても、はんだ層にクラックが発生することがない。よって、パワーモジュールの信頼性を大幅に向上させることができる。本発明によれば、半導体素子から発生した熱を効率的に放散させることが可能であるとともに、冷熱サイクルを負荷した場合でも半導体素子との間に介装されたはんだ層におけるクラックの発生を抑制できるパワーモジュール用基板及びこのパワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを提供することが可能となる。以下に、本発明の実施形態について添付した図面を参照して説明する。まず、本発明の第1の実施形態について、図1から図5を用いて説明する。このパワーモジュール1は、パワーモジュール用基板10と、このパワーモジュール用基板10の一方の面図2において上面にはんだ層2を介して接合された半導体素子3と、パワーモジュール用基板10の他方の面図2において下面側に配設されたヒートシンク30と、を備えている。ここで、はんだ層2は、例えばSn-Ag系、Sn-In系、若しくはSn-Ag-Cu系のはんだ材とされている。ヒートシンク30は、パワーモジュール用基板10上に搭載された半導体素子3を冷却するものである。ヒートシンク30は、図2に示すように、パワーモジュール用基板10と接合される天板部31と、この天板部31から垂設された放熱フィン32とを備えている。ヒートシンク30天板部31は、熱伝導性が良好な材質で構成されることが望ましく、本実施形態においては、例えばA6063アルミニウム合金で構成されている。パワーモジュール用基板10は、板状をなす基板本体20を備えている。この基板本体20の他方の面に、絶縁性の樹脂からなる絶縁層15が形成されており、この絶縁層15を介してヒートシンク30が配設されている。なお、絶縁層15を構成する樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂材料や、これらの樹脂材料に向きフィラーを混合したもの等が挙げられる。基板本体20は、炭素質部材中に金属が充填された金属基複合材料で構成されている。また、この基板本体20の一方の面図2及び図3において上側には、炭素質部材中に充填された金属からなる金属スキン層25が形成されている。図2に示すように、この金属スキン層25の上には、Niめっき層5が形成されている。このNiめっき層5の上にはんだ層2を介して半導体素子3が搭載される。ここで、本実施形態においては、基板本体20を構成する金属基複合材料は、平均面間隔d002が0.340nm以下とされた炭素質部材中に、純度99.98以上のアルミニウム純アルミニウムが充填されたアルミニウム-グラファイト複合材料で構成されている。基板本体20を構成する金属基複合材料は、炭素質部材の気孔の90体積以上が純アルミニウムによって置換され、この純アルミニウムの含有率が、アルミニウム-グラファイト複合材料全体積基準で35以下とされている。また、前述の金属スキン層25は、炭素質部材中に充填されたアルミニウムで構成されている。ここで、前述の炭素質部材は、押出加工によって製造されるものであり、その押出方向に沿って炭素の結晶が並ぶように構成されている。よって、炭素質部材の押出方向においては、アルミニウムが連続して配置されることになり熱伝導率が高くなる。一方、押出方向に交差する方向においては、炭素質部材によってアルミニウムが分断され、熱伝導率が低下する。このように、基板本体20を構成するアルミニウム-グラファイト複合材料金属基複合材料は、炭素質部材の押出方向における熱伝導率が、その他の方向における熱伝導率よりも高くなるように異方性を有しており、炭素質部材の押出方向が高熱伝導率方向とされている。ここで、基板本体20の熱膨張係数室温から200°Cまでは、8×10-6/°C以下とされている。また、基板本体20における高熱伝導率方向の熱伝導率が400W/mK以上、具体的には、400~450W/mKとされている。高熱伝導率方向に直交する方向の熱伝導率が200W/mK以上、具体的には、200~250W/mKとされている。基板本体20の厚さtsmmと、基板本体20の面積Smm2と、半導体素子3の接合面積S0mm2との関係は、0.003≦ts/S-S0≦0.015とされている。絶縁層15の厚さtiと基板本体20の厚さtsとの比ti/tsが0.01≦ti/ts≦0.30とされている。次に、本実施形態であるパワーモジュール1の製造方法について説明する。まず、アルミニウム-グラファイト複合材料からなる基板本体20を形成する基板本体形成工程S1。この基板本体形成工程S1について図5を参照して説明する。気孔率10~30体積の黒鉛板41を準備する。このとき、黒鉛板41炭素質部材における押出方向が厚さ方向を向くものとする。この黒鉛板41の両面にそれぞれ気孔率5体積以下の黒鉛からなる挟持板47,47を配設する。この挟持板47,47と黒鉛板41とを、ステンレス製の押圧板48,48によって挟持する。これを、例えば100~200MPaで加圧した状態で750~850°Cに加熱し、純度99.98以上の溶融アルミニウムを黒鉛板41に含浸させる。これを冷却凝固させることで、アルミニウム-グラファイト複合材料からなる基板本体20が製出される。このとき、溶融アルミニウムの一部が、黒鉛板41基板本体20の表面に滲み出してアルミニウム層44、44が形成される。このアルミニウム層44、44に切削加工を施して厚さを調整することにより、金属スキン層25が形成される。次に、図4に示すように、基板本体20の他方の面側に絶縁層15を形成する絶縁層形成工程S2。この絶縁層形成工程S2においては、例えば、エポキシ樹脂、ガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂材料を塗布、硬化させることによって形成してもよい。これらの樹脂材料からなる板材を接着剤等で接合してもよい。このようにして、本実施形態であるパワーモジュール用基板10が製出される。次に、このパワーモジュール用基板10の他方の面側にヒートシンク30天板部31を接合するヒートシンク接合工程S3。このヒートシンク接合工程S3においては、樹脂材料からなる絶縁層15に、ヒートシンク30の天板部31を、例えばエポキシ、接着剤等の接合材を用いて接合する。また、パワーモジュール用基板10の一方の面側に形成された金属スキン層25の表面にNiめっき膜5を形成するNiめっき工程S4。このNiめっき工程S4においては、電解めっき、または、無電解めっきのいずれの方法も用いることができる。そして、パワーモジュール用基板10の一方の面側に形成されたNiめっき膜5の上に、はんだ材を介して半導体素子3を載置し、還元炉内においてはんだ接合する半導体素子接合工程S5。これにより、はんだ層2を介して半導体素子3がパワーモジュール用基板10上に接合され、本実施形態であるパワーモジュール1が製出される。以上のような構成とされた本実施形態であるパワーモジュール用基板10及びパワーモジュール1においては、基板本体20が、炭素質部材中に金属が充填された金属基複合材料、より具体的には、アルミニウム-グラファイト複合材料で構成されているので、基板本体20の熱膨張係が8×10-6/°C以下と比較的小さくなり、冷熱サイクルによるはんだ層2のクラックの発生を抑制することが可能となる。また、基板本体20が、一方向における熱伝導率が他方向における熱伝導率よりも高くなるように異方性を有しており、基板本体20における高熱伝導率方向が、基板本体20の厚さ方向を向くように構成されているので、基板本体20の板厚を厚くしても熱を厚さ方向に伝達させることができる。よって、基板本体20の厚さを厚くすることで板面方向に向けての熱の拡散を促進させることが可能となる。これにより、半導体素子3から発生する熱を拡げて放散させることができる。また、基板本体20における高熱伝導率方向の熱伝導率が400W/mK以上、具体的には、400~450W/mKとされているので、基板本体20の板厚を厚くしたとしても熱を効率良く板厚方向に伝達させることができる。また、高熱伝導率方向に直交する方向の熱伝導率が200W/mK以上、具体的には、200~250W/mKとされているので、板厚を厚くすることによって効率的に熱を板面方向に拡散させることができる。よって、半導体素子3から発生する熱を、板面方向に拡散させるとともに板厚方向に伝達させることにより、熱の放散を効率良く行うことができる。さらに、基板本体20の厚さtsmmと、基板本体20の面積Smm2と、半導体素子3の接合面積S0mm2との関係式ts/S-S0が、0.003以上とされているので、基板本体20の面積Sに対して厚さtsが確保され、熱を板面方向に確実に拡散させることができる。また、ts/S-S0が0.015以下とされているので、必要以上に基板本体20の板厚が厚くならず、厚さ方向の熱の伝達を効率良く行うことが可能となる。また、本実施形態では、基板本体20の厚さtsと絶縁層15の厚さtiとの比ti/tsが0.01≦ti/ts≦0.30とされているので、基板本体20において熱を板面方向に十分に拡散した上で絶縁層15を介してヒートシンク30へと熱を放散することができる。また、基板本体20の一方の面側に、金属スキン層25が形成されており、この金属スキン層25の上にNiめっき膜5が形成されているので、はんだ層2を介して半導体素子3を確実に搭載することができる。このように本実施形態であるパワーモジュール用基板10及びパワーモジュール1によれば、半導体素子3から発生した熱を効率的に放散させることが可能である。また、冷熱サイクルを負荷した場合でも半導体素子3との間に介装されたはんだ層2におけるクラックの発生を抑制することができ、信頼性の向上を図ることができる。次に、本発明の第2の実施形態について、図6から図12を参照して説明する。なお、第1の実施形態と同一の部材には同じ符号を付して詳細な説明を省略する。このパワーモジュール用基板110は、板状をなす基板本体120を備えている。この基板本体120の他方の面に、絶縁性の樹脂からなる絶縁層115が形成されており、この絶縁層115を介してヒートシンク30が配設されている。本実施形態では、第1の実施形態とは、基板本体120の構成が異なっている。基板本体120は、炭素質部材中に金属が充填された金属基複合材料からなる金属基複合板が2枚以上積層されて構成されており、本実施形態では、図6、図7及び図8に示すように、第1金属基複合板121、第2金属基複合板122及び第3金属基複合板123の3枚の金属基複合板121、122、123が積層されている。また、この基板本体120の一方の面図6、図7及び図8において上側には、金属スキン層125が形成されている。この金属スキン層125の上には、Niめっき層5が形成されている。このNiめっき層5の上にはんだ層2を介して半導体素子3が搭載される。本実施形態においては、第1金属基複合板121、第2金属基複合板122及び第3金属基複合板123を構成する金属基複合材料は、第1の実施形態における金属基複合材料と同じ構成のアルミニウム基複合材料で構成されている。すなわち、炭素質部材に純度99.98以上のアルミニウム純アルミニウムが充填されたアルミニウム-グラファイト複合材料で構成されている。また、前述の金属スキン層125は、炭素質部材中に充填されたアルミニウムで構成されている。ここで、第1金属基複合板121、第2金属基複合板122及び第3金属基複合板123を構成する金属基複合材料は、炭素質部材の押出方向における熱伝導率が、その他の方向における熱伝導率よりも高くなるように異方性を有しており、炭素質部材の押出方向が高熱伝導率方向とされている。そして、図7に示すように、第1金属基複合板121は、高熱伝導率方向が図7において左右方向X方向となるように配置されている。第2金属基複合板122は、高熱伝導率方向が図7において左下右上方向Y方向となるように配置されている。第3金属基複合板123は、高熱伝導率方向が図7において上下方向Z方向となるように配置されている。第1金属基複合板121の高熱伝導率方向と、第2金属基複合板122の高熱伝導率方向と、第3金属基複合板123の高熱伝導率方向とが、互いに直交するように配置されている。また、第1金属基複合板121の板厚t1、第2金属基複合板122の板厚t2及び第3金属基複合板123の板厚t3は、互いに等しくなるように構成されている。以下に、基板本体120の製造方法について説明する。まず、気孔率10~30体積の黒鉛板炭素質部材を準備する。このとき、黒鉛板炭素質部材の押出方向が板面に沿うように形成されたものを2枚準備し、これらの押出方向が直交するように2枚の黒鉛板141、142を積層する。さらに、黒鉛板炭素質部材の押出方向が板厚方向を向くように形成されたものを1枚準備し、この黒鉛板143を2枚の黒鉛板141、142の下側に積層する。次に、図9に示すように、この黒鉛板141、142、143の積層体145の両面に挟持板47、47、を配設する。挟持板47、47と積層体145とを、押圧板48、48によって挟持する。これを、第1の実施形態と同様の条件で加圧加熱して、溶融アルミニウムを黒鉛板141、142,143に含浸させる。そして、これを冷却凝固させ、アルミニウム基複合材料を得る。基板本体120の表面に滲み出して形成されたアルミニウム層144,144に切削加工を施して厚さを調整することにより、金属スキン層125が形成される。次に、本実施形態であるパワーモジュール101及びパワーモジュール用基板110の作用について説明する。半導体素子3から発生した熱は、まず、図10に示すように、基板本体120の上面側に配置された第1金属基複合板121において、幅方向図10において左右方向に拡がっていく。次に、第1金属基複合板121において幅方向に拡げられた熱は、図11に示すように、第2金属基複合板122において、奥行き方向図11において上下方向に拡げられる。そして、第1金属基複合板121及び第2金属基複合板122によって基板本体120の全面に拡げられた熱は、図12に示すように、第3金属基複合板123によって厚さ方向に伝達され、ヒートシンク30側へと放散される。以上のような構成とされた本実施形態であるパワーモジュール用基板110及びパワーモジュール101においては、基板本体120が、第1金属基複合板121、第2金属基複合板122及び第3金属基複合板123の3枚の金属基複合板が積層されており、第3金属基複合板123の高熱伝導率方向が基板本体120の厚さ方向基板本体120とヒートシンク30との積層方向を向くように構成されているので、半導体素子3から発生した熱をヒートシンク30側へと放散させることができる。そして、基板本体120が、アルミニウム基複合材料で構成されていることから、高熱伝導率方向の熱伝導率が400W/mK以上、具体的には、400~450W/mKとされ、この高熱伝導率方向に直交する方向の熱伝導率が200W/mK以上、具体的には、200~250W/mKとされ、熱を効率的に放散させることが可能となる。第1金属基複合板121の高熱伝導率方向と、第2金属基複合板122の高熱伝導率方向と、第3金属基複合板123の高熱伝導率方向とが、互いに直交するように配置されているので、図10から図12に示すように、半導体素子3から発生した熱が、第1金属基複合板121と第2金属基複合板122とによって基板本体120の全面に拡げられ、その後、第3金属基複合板123を通じてヒートシンク30側へと放散される。よって、半導体素子3から発生する熱を効率的に放散することができる。しかも、本実施形態においては、高熱伝導率方向が互いに直交するように配置された第1金属基複合板121、第2金属基複合板122及び第3金属基複合板123が、それぞれ同一厚さとされているので、基板本体120全体では熱伝導率の異方性が改善されて等方性を示す。よって、等方性材料で構成された基板本体と同様に取り扱うことが可能となる。また、基板本体120の一方の面側には、金属スキン層125が形成されているので、この金属スキン層125にNiめっき層5を形成し、はんだ層2を介して半導体素子3を搭載することができる。これにより、基板本体120と半導体素子3とを確実に接合することができ、パワーモジュール101の信頼性を大幅に向上することができる。次に、本発明の第3の実施形態について図13から図15を参照して説明する。なお、第1、2の実施形態と同一の部材には同じ符号を付して詳細な説明を省略する。このパワーモジュール201及びパワーモジュール用基板210は、板状をなす基板本体220を備えている。この基板本体220の他方の面に、絶縁性の樹脂からなる絶縁層215が形成されており、この絶縁層215を介してヒートシンク30が配設されている。この第3の実施形態であるパワーモジュール用基板210においては、基板本体220の構成が第1、第2の実施形態と異なっている。第3の実施形態においては、図13に示すように、パワーモジュール用基板210は、搭載される半導体素子3の大きさに対して奥行き方向図13において上下方向に拡がりがなく、幅方向図13において左右方向のみに拡がりを有している。そして、基板本体220は、図14及び図15に示すように、第1金属基複合板221及び第2金属基複合板222の2枚の金属基複合板が積層された構成とされている。また、この基板本体220の一方の面図14及び図15において上側には、金属スキン層225が形成されている。この金属スキン層225の上には、Niめっき層5が形成されている。このNiめっき層5の上にはんだ層2が形成され、半導体素子3が搭載される。ここで、本実施形態においては、第1金属基複合板221及び第2金属基複合板222を構成する金属基複合材料は、第1、第2の実施形態と同様に、炭素質部材中に純度99.98以上のアルミニウム純アルミニウムが充填されたアルミニウム基複合材料で構成されている。また、前述の金属スキン層225は、炭素質部材中に充填されたアルミニウムで構成されている。そして、本実施形態においては、図15に示すように、第1金属基複合板221は、高熱伝導率方向が図15において左右方向X方向となるように配置されている。第2金属基複合板222は、高熱伝導率方向が図15において上下方向Z方向となるように配置されている。すなわち、第1金属基複合板221の高熱伝導率方向と、第2金属基複合板222の高熱伝導率方向とが、互いに直交するように配置されている。また、第1金属基複合板221の板厚t1及び第2金属基複合板222の板厚t2は、互いに等しくなるように構成されている。以上のような構成とされた第3の本実施形態であるパワーモジュール用基板210及びパワーモジュール201においては、半導体素子3から発生した熱が、第1金属基複合板221によって幅方向図14及び図15において左右方向に拡げられ、基板本体220の全面に熱が拡げられる。そして、第2金属基複合板222によって、ヒートシンク30側へと熱が放散される。よって、半導体素子3から発生した熱を効率良く放散させることが可能となる。次に、本発明の第4の実施形態であるパワーモジュール用基板及びパワーモジュールについて、図16から図20を用いて説明する。このパワーモジュール301は、パワーモジュール用基板310と、このパワーモジュール用基板310の一方の面図16において上面にはんだ層2を介して接合された半導体素子3と、パワーモジュール用基板310の他方の面図16において下面側に配設されたヒートシンク30と、を備えている。パワーモジュール用基板310は、セラミックス基板315と、セラミックス基板315の一方の面に配設された回路層312と、セラミックス基板315の他方の面に配設された緩衝層313と、を備えている。セラミックス基板315は、回路層312と緩衝層313との間の電気的接続を防止するものであって、絶縁性の高いAlN窒化アルミで構成されている。また、セラミックス基板315の厚さは、0.2mm以上1.5mm以下とされており、本実施形態では、0.635mmとされている。緩衝層313は、セラミックス基板315の他方の面に、金属板353が接合されることにより形成されている。本実施形態においては、緩衝層313は、純度が99.99以上のアルミニウムいわゆる4Nアルミニウムの圧延板からなるアルミニウム板がセラミックス基板315に接合されることで形成されている。なお、この緩衝層313の厚さは、0.2mm以上4.0mm以下とされており、本実施形態では、2.0mmとされている。そして、回路層312は、セラミックス基板315の一方の面に、炭素質部材中に金属が充填された金属基複合材料からなる金属基複合板352が接合されることにより形成されている。このように、本実施形態においては、回路層312が基板本体320とされ、セラミックス基板315が絶縁層とされている。なお、回路層312基板本体320となる金属基複合板352の熱膨張係数が3.5×10-6/°C以上15×10-6/°C以下の範囲内とされている。回路層312基板本体320は、本体層312Aと、本体層312Aの一面及び他面に形成された金属スキン層312Bと、を備えている。本実施形態においては、本体層312Aの厚さt1が、0.1mm≦t1≦3.98mmとされ、金属スキン層312Bの厚さt2が、0.01mm≦t2≦0.5mmとされている。ここで、本実施形態においては、回路層312基板本体320を構成する金属基複合板352は、第1~第3の実施形態と同様に、炭素質部材中に純度99.98以上のアルミニウム純アルミニウムが充填されたアルミニウム基複合材料で構成されている。また、前述の金属スキン層312Bは、炭素質部材中に充填されたアルミニウムで構成されている。ここで、金属基複合板352は、炭素質部材の押出方向における熱伝導率が、その他の方向における熱伝導率よりも高くなるように異方性を有しており、炭素質部材の押出方向が高熱伝導率方向とされている。ここで、回路層312基板本体320においては、金属基複合板352の高熱伝導率方向が厚さ方向セラミックス基板315との積層方向に対して直交する方向を向くように配置されている。以下に、本実施形態であるパワーモジュール301の製造方法について説明する。このパワーモジュール301の製造方法は、回路層312基板本体320となる金属基複合板352を形成する金属基複合板形成工程S301と、この金属基複合板352をセラミックス基板315に接合してパワーモジュール用基板310を製出するセラミックス基板接合工程S302と、パワーモジュール用基板310とヒートシンク30とを接合するヒートシンク接合工程S303と、回路層312基板本体320の一面に半導体素子3を接合する半導体素子接合工程S304と、を備えている。金属基複合板形成工程S301においては、気孔率10~30体積の黒鉛板341を準備する。このとき、黒鉛板341炭素質部材における押出方向が厚さ方向に対して直交する方向を向くものとする。この黒鉛板341の両面に挟持板47、47、を配設し、この挟持板47、47と黒鉛板341の積層体を、押圧板48、48によって挟持する。これを、第1、第2の実施形態と同様の条件で加圧加熱して、溶融アルミニウムを黒鉛板341に含浸させる。そして、これを冷却凝固させ、アルミニウム基複合材料を得る。金属基複合板352の表面に滲み出して形成されたアルミニウム層344,344に切削加工を施して厚さを調整することにより、金属スキン層312Bが形成される。セラミックス基板接合工程S302においては、図20に示すように、セラミックス基板315の一方の面にろう材354を介して金属基複合板352を積層し、かつ、セラミックス基板315の他方の面にろう材355を介して金属板353を積層する。ここで、本実施形態では、ろう材354,355として、Al-7.5質量Siからなる厚さ10~12μmのろう材箔を用いている。積層された金属基複合板352、セラミックス基板315、金属板353を積層方向に加圧圧力1.5~6.0kgf/cm2した状態で真空加熱炉内に装入して加熱する。これにより、金属基複合板352とセラミックス基板315との界面に溶融金属領域を形成し、セラミックス基板315と金属板353との界面に溶融金属領域を形成する。ここで、本実施形態では、真空加熱炉内の圧力は10-6Pa以上10-3Pa以下の範囲内に、加熱温度は640°C以上650°C以下の範囲内としている。そして、これを冷却することによって、金属基複合板352とセラミックス基板315との界面に形成された溶融金属領域が凝固し、金属基複合板352とセラミックス基板315とが接合される。セラミックス基板315と金属板353との界面に形成された溶融金属領域が凝固し、セラミックス基板315と金属板353とが接合される。ヒートシンク接合工程S303においては、図20に示すように、ヒートシンク30の接合面に、Agペーストを塗布して、150~200°Cで乾燥した後に300~500°Cで焼成を行うことによりAg層356を形成する。なお、Agペーストの厚さは、乾燥後で約0.02~200μmとした。また、Ag層356におけるAg量は、0.01mg/cm2以上10mg/cm2以下とされている。ここで使用されるAgペーストは、Ag粉末と、樹脂と、溶剤と、分散剤と、を含有し、Ag粉末の含有量が、Agペースト全体の60質量以上90質量以下とされており、残部が樹脂、溶剤、分散剤とされている。なお、本実施形態では、Ag粉末の含有量は、Agペースト全体の85質量とされている。また、本実施形態では、Agペーストの粘度が10Pas以上500Pas以下、より好ましくは50Pas以上300Pas以下とされている。Ag粉末は、その粒径が0.05μm以上1.0μm以下とされており、本実施形態では、平均粒径0.8μmのものを使用した。溶剤は、沸点が200°C以上のものが適しており、例えば、α-テルピネオール、ブチルカルビトールアセテート、ジエチレンクリコールジブチルエーテル等を適用することができる。なお、本実施形態では、ジエチレンクリコールジブチルエーテルを用いている。樹脂は、Agペーストの粘度を調整するものであり、500°C以上で分解されるものが適しており、例えば、アクリル樹脂、アルキッド樹脂等を適用することができる。なお、本実施形態では、エチルセルロースを用いている。また、本実施形態では、ジカルボン酸系の分散剤を添加している。なお、分散剤を添加することなくAgペーストを構成してもよい。次に、パワーモジュール用基板310とヒートシンク30とを積層し、積層方向に加圧圧力1~35kgf/cm2した状態で真空加熱炉内に装入して加熱する。これにより、パワーモジュール用基板310の緩衝層313とヒートシンク30との間に溶融金属領域を形成する。この溶融金属領域は、Ag層356のAgが緩衝層313側及びヒートシンク30側に拡散することによって、緩衝層313及びヒートシンク30のAg層356近傍のAg濃度が上昇して融点が低くなることにより形成されるものである。なお、上述の圧力が1kgf/cm2未満の場合には、パワーモジュール用基板310の緩衝層313とヒートシンク30との接合を良好に行うことができなくなるおそれがある。また、上述の圧力が35kgf/cm2を超えた場合には、ヒートシンク30が変形するおそれがある。よって、上述の加圧圧力は、1~35kgf/cm2の範囲内とすることが好ましい。ここで、本実施形態では、真空加熱炉内の圧力は10-6Pa以上10-3Pa以下の範囲内に、加熱温度は600°C以上630°C以下の範囲内としている。次に、溶融金属領域が形成された状態で温度を一定に保持しておく。すると、溶融金属領域中のAgが、さらに緩衝層313側及びヒートシンク30側へと拡散していく。これにより、溶融金属領域であった部分のAg濃度が徐々に低下していき融点が上昇し、温度を一定に保持した状態で凝固が進行していく。つまり、ヒートシンク30と緩衝層313とは、いわゆる拡散接合TransientLiquidPhaseDiffusionBondingによって接合されている。半導体素子接合工程S304においては、回路層312基板本体320の一面に配設された金属スキン層312Bの表面にNi膜を形成する。このNi膜の上に、はんだ材を介して半導体素子3を載置し、還元炉内においてはんだ接合する。これにより、はんだ層2を介して半導体素子3がパワーモジュール用基板310上に接合され、本実施形態であるパワーモジュール301が製出される。以上のような構成とされた本実施形態であるパワーモジュール用基板310、パワーモジュール301によれば、半導体素子3がはんだ接合される回路層312基板本体320が、金属基複合板352とされているので、回路層312基板本体320の熱膨張係数が、半導体素子3の熱膨張係数と近似することになり、はんだ層2におけるクラックの発生を抑制することができる。また、回路層312の熱膨張係数が、セラミックス基板315の熱膨張係数にも近似することになるため、セラミックス基板315と回路層312基板本体320との接合信頼性を向上させることが可能となる。特に、本実施形態では、回路層312基板本体320を構成する金属基複合板352として、炭素質部材にアルミニウムを充填したアルミニウム-グラファイト複合材料を使用しており、熱膨張係数が3.5×10-6/°C以上15×10-6/°C以下の範囲内とされているので、はんだ層2におけるクラックの発生を確実に防止することができる。なお、回路層312基板本体320を構成する金属基複合板352は、炭素質部材にアルミニウムを充填した構造とされているので、導電性が確保されることになる。よって、はんだ層2を介して半導体素子3と電気的に接続することができる。また、回路層312基板本体320の一面に金属スキン層312Bが形成されているので、金属スキン層312Bの表面にNi膜を形成することで、はんだ層2を介して半導体素子3を良好に接合することができる。さらに、本実施形態では、回路層312基板本体320の他面にも金属スキン層312Bが形成されているので、セラミックス基板315との接合も良好に行うことができる。本実施形態では、金属スキン層312Bの厚さが10μm以上500μm以下に設定されているので、回路層312基板本体320と半導体素子3との接合信頼性を確実に向上することができ、熱抵抗の上昇を抑えることができる。また、金属スキン層312Bが本体層312Aから剥離することが防止される。さらに、本実施形態では、回路層312基板本体320において、金属基複合板352の高熱伝導率方向が厚さ方向に対して直交する方向を向くように配置されているので、半導体素子3で発生した熱を板面方向に広げることができ、効率よく熱を放散させることができる。また、本実施形態では、セラミックス基板315の他方の面に、4Nアルミニウムからなる緩衝層313が設けられているので、セラミックス基板315とヒートシンク30との熱膨張係数の差に起因する熱応力を吸収することができ、パワーモジュール301の信頼性を向上させることができる。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、第1~第3の実施形態において、絶縁層を樹脂で構成したもので説明したが、これに限定されることはなく、第4の実施形態に示すように、絶縁層をセラミックスで構成してもよい。金属基複合材料を、炭素質部材中にアルミニウムを充填したアルミニウム-グラファイト複合材料として説明したが、これに限定されることはなく、アルミニウム合金、銅及び銅合金等の他の金属を充填したものであってもよい。第1~第3の実施形態においては、基板本体の一方の面に金属スキン層を形成したもので説明したが、これに限定されることはなく、基板本体の他方の面に金属スキン層を形成してもよい。例えば、Alからなる金属スキン層を介して樹脂材料を接合する場合には、金属スキン層の表面にアルマイト処理を施すことで、樹脂材料と基板本体との接合強度を向上させることができる。また、炭素質部材として、黒鉛板黒鉛部材を用いたものとして説明したが、これに限定されることはなく、炭化ケイ素SiCやダイヤモンド等で構成された炭素質部材であってもよい。さらに、金属スキン層を、金属基複合板中に充填されたアルミニウムを滲み出させて形成するものとして説明したが、これに限定されることはなく、基板本体を形成する際に、アルミニウム又はアルミニウム合金等の板材を挟持板の間に挟みこんで、金属スキン層を形成してもよい。さらに、ヒートシンク天板部をA6063アルミニウム合金で構成したものとして説明したが、これに限定されることはなく、アルミニウム又はアルミニウム合金等の他の金属等で構成されていてもよい。さらに、ヒートシンクとしてフィンを有するもので説明したが、ヒートシンクの構造に特に限定はない。また、第2、第3の実施形態において、金属基複合板を3枚あるいは2枚積層して基板本体を構成するものとして説明したが、これに限定されることはなく、4枚以上の金属基複合板を積層して基板本体を構成してもよい。さらに、積層された金属基複合板をそれぞれ同一厚さとなるように構成したものとして説明したが、これに限定されることはなく、一の金属基複合板の厚さと他の金属基複合板の厚さとを互いに異なるように構成してもよい。この場合、厚く形成された金属基複合板の高熱伝導率方向に向けて熱が拡がりやすくなる。よって、積層された金属基複合板の厚さを制御することによって、基板本体の熱伝導率の異方性を調整することが可能となる。第4の実施形態において、AlNからなるセラミックス基板を用いたもので説明したが、これに限定されることはなく、Si3N4、Al2O3等の他のセラミックス材料であってもよい。第4の実施形態において、金属基複合板とセラミックス基板とを、Al-Si系のろう材を用いたろう付けによって接合する構成として説明したが、これに限定されることはない。Al-Si系以外のろう材を用いてもよい。また、Cu,Ag,Si,Zn,Mg,Ge,Ca,Ga及びLiから選択される1種又は2種以上の元素を用いて液相拡散接合してもよい。また、Ag粉末を含むAgペーストを焼成したAg焼結層を介して金属基複合板とセラミックス基板とを接合してもよい。さらに、第4の実施形態において、パワーモジュール用基板とヒートシンクとの接合を、Agを用いた液相拡散接合によって接合する構成として説明したが、これに限定されることはない。Cu,Ag,Si,Zn,Mg,Ge,Ca,Ga及びLiから選択される1種又は2種以上の元素を用いて液相拡散接合してもよい。また、ろう材を介して接合してもよい。また、Ag粉末を含むAgペーストを焼成したAg焼結層を介して金属基複合板とセラミックス基板とを接合してもよい。さらに、はんだ材を介して接合してもよい。次に、本発明の効果を確認すべく行った確認実験の結果について説明する。実施例1押出法で製造した黒鉛部材を、押出方向が板厚方向となるように切断し、黒鉛板を準備した。これらをモールド内にセットし、純アルミニウムまたは純銅の溶湯を注いだ後、高圧をかけることにより、金属基複合板アルミニウム-グラファイト複合材または銅―グラファイト複合材を製造した。また、SiC板を準備し、純アルミニウムまたは純銅の溶湯を注いだ後、高圧をかけることにより、金属基複合板アルミニウム-SiC複合材または銅―SiC複合材を製造した。このようにして製造されたアルミニウム-グラファイト複合材の熱伝導率を、レーザーフラッシュ法で板厚方向に平行方向と垂直方向とで測定した。その結果、板厚方向で422W/mK、垂直方向で241W/mKであった。銅-グラファイト複合材の熱伝導率を、レーザーフラッシュ法で板厚方向に平行方向と垂直方向とで測定した。その結果、板厚方向で530W/mK、垂直方向で342W/mKであった。アルミニウム-SiC複合材の熱伝導率を、レーザーフラッシュ法で板厚方向に平行方向と垂直方向とで測定した。その結果、板厚方向で180W/mK、垂直方向で178W/mKであった。銅-SiC複合材の熱伝導率を、レーザーフラッシュ法で板厚方向に平行方向と垂直方向とで測定した。その結果、板厚方向で221W/mK、垂直方向で219W/mKであった。これらの金属基複合板を用いて、平均熱膨張係数、熱抵抗、はんだクラックについて評価した。上述の金属基複合板に絶縁層を形成して、表1に示す寸法のパワーモジュール用基板を製出した。このパワーモジュール用基板の熱膨張係数をRT~200°Cで測定し、平均熱膨張係数を算出した。次に、熱抵抗Rthは、表1に示すパワーモジュール用基板に、Sn-Ag-Cuからなるはんだ材を介して10mm角のシリコンチップを接合し、このシリコンチップを発熱させて温度測定を行い、基板本体上面と絶縁層下面の熱抵抗を以下の式で算出した。Rth=Tj-Ta/QTj:シリコンチップ温度、Ta:絶縁層下面の温度、QW:半導体チップ発熱量はんだクラックについては、上述のパワーモジュール用基板を温度サイクル-40°C~125°C×3000回冷媒後に、シリコンチップ下はんだ部を断面観察し、クラックの進展の程度を評価した○:端部からのクラック進展長さが0.5mm以下、△:端部からのクラック進展長さが0.5mm超えるが実用上問題なし。評価結果を表1に示す。表1に示すように、基板本体の熱膨張係数が銅やアルミニウムに比べて小さくなっていることが確認される。また、熱抵抗も比較的小さく、効率的に熱を伝達することが可能であることが確認される。特に、基板本体の厚さtsmmと基板本体の面積Smm2と半導体素子の接合面積S0mm2との関係が、0.003≦ts/S-S0≦0.015の範囲内とされた本発明例1-9においては、熱抵抗が一段と低くなっている。実施例2押出法で製造した黒鉛部材を切断し、押出方向が厚さ方向を向く黒鉛板及び押出方向が厚さ方向と直交する方向を向く黒鉛板を準備した。これらの黒鉛板を複数枚準備し、それぞれの押出方向が互いに直交するように積層した。黒鉛板の積層体をモールド内にセットし、純アルミニウムまたは純銅の溶湯を注いだ後、高圧をかけることにより、金属基複合板アルミニウム-グラファイト複合材または銅―グラファイト複合材を製造した。このようにして、表2に示すように、高熱伝導方向が配置された複数枚の金属基複合板からなる基板本体を製出した。なお、表3におけるX,Y,Z方向は、図7に示したものと同一である。これらの基板本体を用いて、平均熱膨張係数、熱抵抗、はんだクラックについて評価した。平均熱膨張係数は、50mm角の基板本体をRT~200°Cで測定し、平均熱膨張係数を算出した。熱抵抗Rthは、次のようにして評価した。まず、基板本体の他方の面に表3に示す絶縁層を形成したパワーモジュール用基板を製出した。このパワーモジュール用基板Sn-Ag-Cuからなるはんだ材を介して10mm角のシリコンチップを接合し、このシリコンチップを発熱させて温度測定を行い、実施例と同様の手順で熱抵抗を算出した。はんだクラックについては、実施例1と同様の手順で評価した。評価結果を表2に示す。表2に示すように、基板本体の熱膨張係数が銅やアルミニウムに比べて小さくなっていることが確認される。また、熱抵抗が比較的小さく、効率的に熱を伝達することが可能であることが確認される。実施例3AlNからなるセラミックス基板の一方の面に回路層を形成し、かつ、セラミックス基板の他方の面に緩衝層を形成した。なお、セラミックス基板は50mm×50mm×0.635mmとし、回路層及び緩衝層は47mm×47mm×0.6mmとした。なお、回路層、緩衝層は、表3に示す材質の金属板あるいは金属基複合板を用いた。また、回路層、緩衝層とセラミックス基板との接合は、Al-7.5質量Si箔厚さ15μmを用いて真空中10-5Torr、650°Cで、75kgの荷重を加えて行った。また、ヒートシンクとして60mm×70mm×5mmのアルミニウム板を準備し、ヒートシンクとパワーモジュール用基板とを接合した。ヒートシンクとパワーモジュール用基板との接合は、Al-10質量Si箔厚さ30μmを用いて真空中10-5Torr、610°Cで、100kgの荷重を加えて行った。このヒートシンクに、冷却媒体が流通される流路を備えた冷却器を接合した。フィンはセラミックス基板と同寸法のコルゲートオフセットフィンピッチ:3.0mm,高さ:3.2mm、フィン厚さ:0.2mm、フィン長:1.0mm、材質:A3003を真空ロウ付けで接合した。評価として、パワーサイクル試験と冷熱サイクル試験を実施し、パワーサイクル及び冷熱サイクル負荷時の熱抵抗の変化を評価した。熱抵抗は、次のようにして測定した。ヒータチップを100Wの電力で加熱し、熱電対を用いてヒータチップの温度を実測した。また、ヒートシンクを流通する冷却媒体エチレングリコール:水=1:1の温度を実測した。そして、ヒータチップの温度と冷却媒体の温度差を電力で割った値を熱抵抗とした。パワーサイクルは、ヒータチップに、15V、150Aの通電条件で、通電時間2秒、冷却時間8秒を繰り返し実施し、ヒータチップの温度を30°Cから130°Cの範囲で変化させた。このパワーサイクルを10万回実施した後、熱抵抗を測定した。パワーサイクル後の熱抵抗の初期熱抵抗に対する上昇率を評価した。冷熱サイクルは、エスペック株式会社製TSB-51を用いて、液相としてフロリナート住友スリーエム株式会社製を使用して実施した。-40°C×5分←→125°C×5分を1サイクルとして2000サイクル実施した後、熱抵抗を測定した。冷熱サイクル後の熱抵抗の初期熱抵抗に対する上昇率を評価した。評価結果を表3に示す。純度が99.99質量以上とされた4Nアルミニウム板によって回路層を形成した比較例201~204においては、パワーサイクル負荷後の熱抵抗の上昇率が高くなっていることが確認される。これは、はんだ層にクラックが発生したためと推測される。これに対して、金属基複合板によって回路層を形成した本発明例201~207においては、パワーサイクル負荷後の熱抵抗が抑制されている。はんだ層におけるクラックの発生が抑制されたためと推測される。また、金属スキン層を形成し、かつ、金属スキン層の厚さを10μm以上500μm以下とした本発明例202、203、205については、冷熱サイクル後の熱抵抗の上昇率が抑制されていることが確認される。"