"利得区画、QWI出力窓及びQWI導波路領域を有する半導体レーザダイオードを作製するプロセスにおいて、前記半導体レーザダイオードがレーザ発振波長λLを特徴とする、前記QWI導波路領域が量子井戸無秩序化を用いて形成され、前記レーザダイオードの前記QWI出力窓にQWI導波路部を定める、前記QWI出力窓が前記レーザ発振波長λLに対して透明である、前記QWI出力窓の前記QWI導波路部が、前記QWI導波路部及び前記QWI出力窓のバンドギャップ波長λQWIが前記レーザ発振波長λLより短くなるような、前記利得区画のエネルギーバンドギャップより大きいエネルギーバンドギャップを特徴とする、前記QWI出力窓がフォトルミネッセンス波長λPLを特徴とする、及び前記作製プロセスが、前記レーザ発振波長λLと前記QWI出力窓の前記フォトルミネッセンス波長λPLの比較に基づいてレーザダイオードの信頼性を判定する、λPL選別手続きを含む、ことを特徴とするプロセス。前記QWI出力窓のエネルギーバンドギャップが、前記QWI出力窓を含む前記QWI領域の前記フォトルミネッセンス波長λPLを測定することによって決定され、好ましくは、前記QWI出力窓の前記フォトルミネッセンス波長λPLが、前記QWI導波路領域が量子井戸無秩序化を用いて形成された後に、及び/またはルミネッセンススペクトルを測定することにより、決定されることを特徴とする請求項1に記載のプロセス。前記半導体レーザが1つ以上の受動区画をさらに有する、前記QWI導波路領域がさらに前記レーザダイオードの前記受動区画にQWI導波路部を定める、前記レーザダイオードの前記受動区画の前記QWI導波路部が前記利得区画のエネルギーバンドギャップより大きいエネルギーバンドギャップを特徴とする、及び前記QWI出力窓の前記フォトルミネッセンス波長λPLが、前記利得区画が電気的にポンピングされてレーザ発振光を発生しているときの前記レーザの前記受動区画の内の1つ以上における光吸収の結果として生じる光電流I光の測定を参照することによって決定される、ことを特徴とする請求項1に記載のプロセス。前記レーザの前記受動区画の内の1つ以上における光吸収の結果として生じる前記光電流I光が、I位相を前記受動区画における総電流、V利得を前記利得区画における電圧降下、V位相を前記受動区画における電圧降下とし、Rが前記受動区画と前記利得区画の間の絶縁抵抗を表すとして、関係式:I光=I位相-R,にしたがって決定されることを特徴とする請求項3に記載のプロセス。前記半導体レーザが1つ以上の受動区画を有する3区画DBRレーザを含み、前記DBRレーザの前記受動区画が波長選択DBR区画及び位相区画を含み、前記QWI出力窓の前記フォトルミネッセンス波長λPLが、前記利得区画が電気的にポンピングされてレーザ発振光を発生しているときの前記レーザの前記位相区画または前記DBR区画における光吸収の結果として生じる光電流I光の測定を参照することによって決定される、またはi前記半導体レーザがDBRレーザダイオードを含み、前記レーザダイオードの前記受動区画が波長選択区画または位相区画を、あるいは波長選択区画及び位相区画のいずれも含む、及び/または、ii前記半導体レーザダイオードの前記QWI出力窓が空気中で劈開される、ことを特徴とする請求項1に記載のプロセス。前記半導体レーザが臨界吸収波長λCを特徴とし、λC=λLに対応する温度が前記レーザの動作温度範囲内に入らないことを保証するに十分に前記QWI出力窓の前記フォトルミネッセンス波長λPLが短いか否かを判定することによって、前記λPL選別手続きがレーザダイオードの信頼性を判定する、または前記レーザ発振波長λLがほぼ1060nmであり、前記λPL選別手続きが、前記QWI出力窓の前記フォトルミネッセンス波長λPLがほぼ993nmより短いか、または前記QWI出力窓のエネルギーバンドギャップが前記レーザ発振波長λLに対応するエネルギーバンドギャップより少なくとも79meVは大きいか、を判定することによってレーザダイオードの信頼性を判定する、ことを特徴とする請求項1に記載のプロセス。利得区画、QWI出力窓及びQWI導波路領域を有する半導体レーザダイオードを作製するプロセスにおいて、前記半導体レーザダイオードが臨界吸収波長λC及びレーザ発振波長λLを特徴とする、前記QWI導波路領域が量子井戸無秩序化を用いて形成され、前記レーザダイオードの前記QWI出力窓にQWI導波路部を定める、前記QWI出力窓が前記レーザ発振波長λLに対して透明である、前記QWI出力窓の前記QWI導波路部が、前記QWI導波路部及び前記QWI出力窓のバンドギャップ波長λQWIが前記レーザ発振波長λLより短くなるような、前記利得区画のエネルギーバンドギャップより大きいエネルギーバンドギャップを特徴とする、前記QWI出力窓がフォトルミネッセンス波長λPLを特徴とする、及び前記作製プロセスが、λC=λLに対応する温度が前記レーザの動作温度範囲内に入らないことを保証するに十分に前記QWI出力窓の前記フォトルミネッセンス波長λPLが短いか否かを判定することによってレーザダイオードの信頼性を判定するλPL選別手続きを含む、ことを特徴とするプロセス。利得区画、QWI出力窓及びQWI導波路領域を有する半導体レーザダイオードにおいて、前記半導体レーザダイオードがレーザ発振波長λLを特徴とする、前記QWI導波路領域が量子井戸無秩序化を用いて形成され、前記レーザダイオードの前記QWI出力窓にQWI導波路部を定める、前記QWI出力窓が前記レーザ発振波長λLに対して透明である、前記QWI出力窓の前記QWI導波路部が、前記QWI導波路部及び前記QWI出力窓のバンドギャップ波長λQWIが前記レーザ発振波長λLより短くなるような、前記利得区画のエネルギーバンドギャップより大きいエネルギーバンドギャップを特徴とする、前記QWI出力窓がフォトルミネッセンス波長λPLを特徴とする、及び前記レーザ発振波長λLがほぼ1060nmであり、前記QWI出力窓の前記フォトルミネッセンス波長λPLがほぼ993nmより短い、ことを特徴とする半導体レーザダイオード。利得区画、QWI出力窓及びQWI導波路領域を有する半導体レーザダイオードにおいて、前記半導体レーザダイオードがレーザ発振波長λLを特徴とする、前記QWI導波路領域が量子井戸無秩序化を用いて形成され、前記レーザダイオードの前記QWI出力窓にQWI導波路部を定める、前記QWI出力窓が前記レーザ発振波長λLに対して透明である、前記QWI出力窓の前記QWI導波路部が、前記QWI導波路部及び前記QWI出力窓のバンドギャップ波長λQWIが前記レーザ発振波長λLより短くなるような、前記利得区画のエネルギーバンドギャップより大きいエネルギーバンドギャップを特徴とする、前記QWI出力窓がフォトルミネッセンス波長λPLを特徴とする、前記QWI出力窓の前記フォトルミネッセンス波長λPLが前記レーザ発振波長λLより少なくとも67nmは短い、及び前記QWI出力窓のエネルギーバンドギャップが前記レーザ発振波長λLに対応するエネルギーバンドギャップより少なくとも79meVは大きい、ことを特徴とする半導体レーザダイオード。本開示の方法は様々な半導体レーザ構成に適用可能であるが、発明者等は、原IRレーザ源レーザの出力が適する波長変換素子によって周波数二逓倍される合成530nm緑色レーザの文脈においては、原レーザダイオードが寿命及び信頼性に関する極めて厳格な要件を満たす必要があるから、有効な透明出力窓の必要が特に喫緊であることを認識した。発明者等はさらに、DBR及びその他のタイプのレーザダイオードの故障場所の大半が出力ファセット及びその近傍にあって、COMDの範疇に入ることを認識した。量子井戸無秩序化は、半導体量子井戸構造の特性の改変に有用であることが知られている、成長後バンドギャップ工作方法であり、例えば、導波路領域、出力領域、等のような、様々な半導体レーザ領域を形成するために普通に用いられている、高速熱アニール、イオン注入無秩序化、無不純物原子空孔誘起無秩序化、光吸収誘起無秩序化、不純物誘起層無秩序化、等を含むが、これらには限定されない、様々なQWI法が提唱されている。QWI出力窓の文脈において、信頼性が高いレーザダイオード及び信頼性が低いレーザダイオードの窓の調査により、発明者等は、レーザの透明QWI出力窓の最小バンドギャップ波長シフトを参照し、レーザの信頼性を定量化する方法に至るためにこの情報を用いることにより、比較的簡単な低コストのファセット形成プロセスを使用することが可能であり、それでも高い信頼性を得られることを見いだした。本開示の一実施形態にしたがえば、利得区画、QWI出力窓及びQWI導波路領域を有する半導体レーザダイオードの作製プロセスが提供される。QWI導波路領域は量子井戸無秩序化を用いて形成され、レーザダイオードのQWI出力窓にQWI導波路部分を定める。QWI出力窓はレーザ発振波長λLに対して透明である。QWI出力窓のQWI導波路部分は、QWI導波路部分及びQWI出力窓のバンドギャップ波長λQWIがレーザ発振波長λLより短くなるような、利得区画のエネルギーバンドギャップより大きいバンドギャップを特徴とする。QWI出力窓は、フォトルミネッセンス波長λPLを特徴とする。作製プロセスは、レーザ発振波長λLとQWI出力窓のフォトルミネッセンス波長λPLの比較に基づいてレーザダイオードの信頼性を判定するλPL選別手続きを含む。本開示の別の実施形態にしたがえば、半導体レーザダイオードは、臨界吸収波長λCを特徴とし、作製プロセスは、λC=λLに対応する温度がレーザの動作温度範囲内には入らないことを保証するに十分にQWI出力窓のフォトルミネッセンス波長λPLが短いか否かを判定することによってレーザダイオードの信頼性を判定する、λPL選別手続きを含む。本開示のまた別の実施形態にしたがえば、利得区画、QWI出力窓及びQWI導波路領域を有する半導体レーザダイオードが提供される。QWI導波路領域は量子井戸無秩序化を用いて形成され、レーザダイオードのQWI出力窓にQWI導波路部分を定める。QWI出力窓はレーザ発振波長λLに対して透明である。QWI出力窓のQWI導波路部分は、QWI導波路部分及びQWI出力窓のバンドギャップ波長λQWIがレーザ発振波長λLより短くなるような、利得区画のエネルギーバンドギャップより大きいバンドギャップを特徴とする。レーザ発振波長λLはほぼ1060nmであり、QWI出力窓のフォトルミネッセンス波長λPLはほぼ993nmより短い。別の実施形態において、QWI出力窓のエネルギーバンドギャップはレーザ発振波長λLに対応するエネルギーバンドギャップより少なくとも79meVは大きい。本開示の特定の実施形態の以下の詳細な説明は、同様の構造が同様の参照数字で示される、添付図面とともに読まれたときに最善に理解され得る。図1は、例えば1060nmで動作するDBRレーザ10及び二次高調波発生により1060nm信号の周波数を二逓倍するように構成された波長変換素子20を有する周波数変換レーザ源の略図である。DBRレーザ10の特定の構造は本開示の範囲には含まれず、DBRレーザに関する様々な教示から得ることができる。一般に、DBRレーザ10は、波長選択区画12,必要に応じて設けられる位相区画14,利得区画16及びQWI出力窓18の4つの区画を有する。レーザ10のDBR区画とも称することができる、波長選択区画12は一般に、レーザキャビティの活性領域の外側に配置された一次または二次のブラッグ格子を有する。この区画は、反射率が波長に依存するミラーとして格子がはたらくから、波長選択を提供する。DBRレーザ10の利得区画16はレーザの光利得を提供し、位相区画14は微細波長制御のために設けることができる。QWI出力窓18は一般に、耐久性及び信頼性を高めるために設けられ、制御電極は備えられない。しかし、制御電極11,13,15は波長選択区画12,位相区画14及び利得区画16に簡略に示される。一般に反射性コーティングがQWI出力窓18及びDBRレーザ10の対向端のファセットに施される。レーザ10における光吸収を減じるため、波長選択区画12,位相区画14及びQWI出力窓18は、それぞれの区画の対応するバンドギャップが、量子井戸無秩序化過程によって、利得区画16のレーザ発振波長に対して短波長側にシフトされる、QWI導波路領域を有する。これらのQWI導波路領域は、DBRレーザ10の軸線に沿ってDBRレーザの波長選択区画12,位相区画14及び出力窓18内を延びる量子井戸無秩序化導波路17として、一括して簡略に示される。一般に、利得区画10では量子井戸無秩序化は行われない。発明者等は、QWI出力窓18内の領域を含む、QWI導波路17における低吸収が、一般にその場パッシベーションをもたない空気中劈開出力窓を含む、A0ファセットをもつレーザの信頼性に密に関係していることを認識した。さらに、QWI導波路17におけるこの低吸収は本明細書において、レーザのA0ファセットに信頼性があるか否かの強力な指標として認められる。本開示にしたがえば、レーザダイオードのQWI領域における吸収レベルは、ウエハの量子井戸無秩序化後のQWI導波路のフォトルミネッセンス及び完成した個々のレーザの位相区画光電流を測定することで評価することができる。例えば、以下でさらに詳細に説明されるように、A0ファセットをもつ1060nmDBRレーザの場合、993nmより短いQWI導波路のPL波長、すなわち、レーザ発振波長λLに比較して67nmの波長短縮が、適する信頼性ベンチマークとして役立ち得ると考えられる。このベンチマークは、光スペクトルの他の領域で発光する他のタイプの半導体レーザにも適用できると考えられる。本開示の方法は、半導体レーザダイオード10の受動区画12,14に、及びレーザダイオード10のQWI出力窓18に、QWI導波路領域を有する高信頼性レーザダイオード10の作製に利用することができる。本方法は信頼性が低い半導体レーザ10の選別にも用いることができる。レーザダイオード10のQWI導波路領域は量子井戸無秩序化を用いて形成され、利得区画16のエネルギーバンドギャップより大きなエネルギーバンドギャップを特徴とするであろう。したがって、受動区画12,14及びQWI出力窓18のQWI導波路領域におけるバンドギャップ波長λQWIはレーザダイオード10のレーザ発振波長λLより短いであろう。発明者等は、QWI出力窓18のバンドギャップ波長λQWIがQWI出力窓18のフォトルミネッセンス波長λPLに直に関係すること、及びレーザダイオードの信頼性を判定するためにλPL選別手続きを用い得ることを認識した。λPL選別手続きにしたがえば、所期のレーザ発振波長λLがフォトルミネッセンス波長λPLと比較され、空気中で劈開されたQWI出力窓18を有しているであろう、レーザダイオード10を首尾良く作製することができる、すなわち様々な目的用途に適するであろうか否かを判定するために比較結果が用いられる。さらに詳しくは、QWI出力窓18のフォトルミネッセンス波長λPLはウエハ上で、おそらく最も適切には量子井戸無秩序化直後に、QWI領域のフォトルミネッセンス波長λPLを測定することで決定することができる。QWI出力窓18のフォトルミネッセンス波長λPLの測定には、ルミネッセンススペクトルの直接測定を含む、様々な方法を利用することができる。あるいは、QWI出力窓18のフォトルミネッセンス波長λPLは、レーザダイオード10の受動区画12,14の内の1つ以上からの電気信号を用い、利得区画16が電気的にポンピングされてレーザ発振光を発生しているときに得られる光電流I光を参照して決定できると考えられる。この別の決定方法は、受動区画12,14が窓18と同じQWIプロセスにかけられ、したがって、同様のフォトルミネッセンス波長及び光吸収係数を有すると考えられるから、首尾良くはたらく。QWI出力窓18のフォトルミネッセンス波長λPLを決定する、上述した別の方法をさらに説明するため、光電流I光が関係式:I光=I位相-R,にしたがって決定され得ることに注意されたい。ここで、I光はレーザダイオード10の受動区画における総電流、V利得は利得区画16の電圧降下、V位相は位相区画の電圧降下であって、Rは受動区画と利得区画16の間の絶縁抵抗を表す。上述したように、受動区画は3区画DBRレーザ10の波長選択区画12または位相区画14とすることができる。多くの場合、発明者等は高信頼性レーザダイオードが、ヒートシンク温度及び利得区画電流に依存して、2mAより小さい光電流I光を特徴とするらしいことに気付いた。図2を参照して、発明者等は半導体レーザが、レーザダイオード内の吸収機構の変化により光電流が急に増加し始める、臨界吸収波長λCを特徴とすることが多いことを認識した。臨界吸収波長λCより長波長における光電流は一般に深準位吸収に関連付けられるが、アクセプタ及び量子井戸の吸収は主に臨界吸収波長λCより短い波長に関わる。したがって、λC=λLに対応する温度がレーザの動作温度範囲内に入らないことを保証するに十分にQWI出力窓のフォトルミネッセンス波長λPLが短いか否かを判定することにより、レーザダイオードの信頼性を判定するようにλPL選別手続きを修正できると考えられる。例えば、1060nmDBRレーザの場合、DBRレーザ光の吸収は温度とともに急速に増加する。室温における光吸収が小さくとも、DBRレーザについては、レーザ発振波長λLに比較して、QWIフォトルミネッセンス波長λPLが温度とともに一層急速に長くになるから、温度が高くなるにしたがって光吸収が急速に増加する。臨界波長λCがレーザ発振波長λLに等しくなると、光吸収は急に増加する。臨界波長λCがレーザ発振波長λLに等しくなる点の指標としてレーザ構造のヒートシンク温度を用いることができる。例えば、λL=1060nmであり、25°CにおけるQWIフォトルミネッセンス波長λPLが979nmであるレーザについてλCがλLに等しくなるヒートシンク温度の推定値は146°Cであった。しかし、QWIフォトルミネッセンス波長λPLが993nmであるレーザについてλCがλLに等しくなるヒートシンク温度の推定値は85°Cであった。言い換えれば、室温におけるQWIフォトルミネッセンス波長λPLが993nmであれば、DBRレーザが確実に動作する最大ヒートシンク温度は85°Cである。一方、室温におけるQWIフォトルミネッセンス波長λPLが979nmであれば、DBRレーザが確実に動作する最大ヒートシンク温度は146°Cである。通常、最大動作温度はDBRレーザが用いられる用途に応じて設定される。一般にQWIフォトルミネッセンス波長λPLは室温においてレーザ発振波長λLが所望の温度範囲にわたって臨界波長λCより必ず長波長であることを保証するに十分に短波長であるべきである。高信頼性DBRは、85°Cもの高い動作温度においてレーザの透明窓におけるDBRレーザ光の強い吸収を回避するため、993nmより短いQWIフォトルミネッセンス波長λPLを有するであろう。上述したように、993nmより短いQWIPL波長は対応するレーザ発振波長λLより少なくとも79meVは大きいエネルギーバンドギャップEに関連付けることができる。この関係をさらに説明するため、ev単位のバンドギャップエネルギーは波長λと式:E=1240λ,によって関係付けることができることに注意されたい。レーザ10のレーザ発振光とQWI出力窓18の間のバンドギャップエネルギーの差は、ΔE=E窓-E利得,にしたがって計算することができる。ここで、レーザ発振波長λLはレーザのDBR区画につくり込まれている回折格子によって決定される。よって、室温におけるレーザ発振波長に対応するエネルギーギャップより少なくとも79meVは大きい、1060nmに対する出力窓のエネルギーギャップを維持するためには、関係式:E窓-E利得≧79meV,が満たされる必要がある。ここで、E利得=12401060nm及びE窓=1240λPL,であることに注意すれば、-≧79meV,が得られ、よって、λPL≦993nm,を得ることができる。QWI出力窓のフォトルミネッセンス波長へのこの束縛条件は室温において成立して、透明窓における光吸収を実効的に低減し、利得区画から透明窓への電流漏洩を遮断する。温度が高くなるにつれて、ΔEの値は減少する。例えば、温度が25°Cから85°Cまで上昇すると、ΔEは79meVから61meVまで低下する。しかし、85°Cにおいて、ΔE=61meVは透明窓における光吸収を低減し、利得区画から透明窓への電流漏洩を遮断するにまだ十分である。好ましくは、普通に及び一般にのような用語は、本明細書に用いられる場合、特許請求される本発明を制限するためには用いられず、あるいはある特徴が特許請求される本発明の構造または機能に、不可欠であるか、肝要であるかまたは重要であることさえも意味するためには用いられていない。むしろ、これらの用語は、本開示の実施形態の特定の態様の識別、または本発明の特定の実施形態に用いることができるかまたはできない別のまたは追加の特徴の強調が目的とされているに過ぎない。本開示の主題を詳細に、またその特定の実施形態を参照して、説明したが、本明細書に開示された様々な詳細が、本明細書に開示された様々な実施形態の基本コンポーネントである要素に関する詳細を、特定の要素が本明細書に添付される図面のそれぞれに示されている場合であっても、含むととられるべきではないことに注意されたい。むしろ、本明細書に添付される特許請求項は、本開示の広さ及び本明細書に説明された様々な発明の対応する範囲の唯一の表象としてとられるべきである。さらに、添付される特許請求の範囲に定められる本発明の範囲を逸脱することなく改変及び変形が可能であることは明らかであろう。さらに詳しくは、本明細書において本開示のいくつかの態様が好ましいかまたは特に有利であるとして識別されるが、本開示はそれらの態様に必ずしも限定されることはないと考えられる。添付される特許請求項の1つ以上においてここでが転換句として用いられていることに注意されたい。本発明を定める目的のため、この用語は構造の一連の特徴の叙述を導入するために用いられる制約の無い転換句として特許請求項に導入されており、より普通に用いられる制約の無い前置句含むと同様の態様で解されるべきであることに注意されたい。"