真空排気された真空槽内で基板を加熱しながら、チタン酸ジルコン酸鉛PZTのターゲットに電圧を印加してスパッタし、前記基板の表面にPZTの薄膜を成膜する成膜工程を有する誘電体薄膜の成膜方法であって、前記成膜工程の前に、前記基板の表面にPbOのガスを付着させてシード層を形成するシード層形成工程を有する誘電体薄膜の成膜方法。前記シード層形成工程では、前記真空槽内で化学構造中にPbとOとを含有する放出源を加熱して、前記放出源からPbOのガスを放出させる請求項1記載の誘電体薄膜の成膜方法。前記シード層形成工程では、前記放出源からPbOのガスを放出させながら、前記真空槽内にPbOと反応しない不活性ガスを導入する請求項2記載の誘電体薄膜の成膜方法。前記シード層形成工程では、前記放出源を前記成膜工程での前記基板の温度よりも高い温度に加熱する請求項3記載の誘電体薄膜の成膜方法。前記シード層形成工程では、前記放出源を前記成膜工程での前記基板の温度よりも50°C以上高い温度に加熱する請求項4記載の誘電体薄膜の成膜方法。前記基板は表面に111面に優先配向したPt又はIrのうちいずれか一方の貴金属の薄膜を有する請求項1乃至請求項5のいずれか1項記載の誘電体薄膜の成膜方法。本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、100/001配向したPZTの薄膜を形成できる誘電体薄膜の成膜方法を提供することにある。本発明者らは、従来の成膜方法では、PZT薄膜の成膜初期において、Pbが貴金属の薄膜方向へ拡散したり、再蒸発する影響で、PZT薄膜にPb欠損が生じてTiO2が形成され、TiO2/貴金属の薄膜上に形成されるPZT薄膜が111方向に優先配向していたと推測し、貴金属の薄膜上にPbOのシード層を予め形成することにより上記目的を達成できることを見出した。係る知見に基づいて成された本発明は、真空排気された真空槽内で基板を加熱しながら、チタン酸ジルコン酸鉛PZTのターゲットに電圧を印加してスパッタし、前記基板の表面にPZTの薄膜を成膜する成膜工程を有する誘電体薄膜の成膜方法であって、前記成膜工程の前に、前記基板の表面にPbOのガスを付着させてシード層を形成するシード層形成工程を有する誘電体薄膜の成膜方法である。本発明は誘電体薄膜の成膜方法であって、前記シード層形成工程では、前記真空槽内で化学構造中にPbとOとを含有する放出源を加熱して、前記放出源からPbOのガスを放出させる誘電体薄膜の成膜方法である。本発明は誘電体薄膜の成膜方法であって、前記シード層形成工程では、前記放出源からPbOのガスを放出させながら、前記真空槽内にPbOと反応しない不活性ガスを導入する誘電体薄膜の成膜方法である。本発明は誘電体薄膜の成膜方法であって、前記シード層形成工程では、前記放出源を前記成膜工程での前記基板の温度よりも高い温度に加熱する誘電体薄膜の成膜方法である。本発明は誘電体薄膜の成膜方法であって、前記シード層形成工程では、前記放出源を前記成膜工程での前記基板の温度よりも50°C以上高い温度に加熱する誘電体薄膜の成膜方法である。本発明は誘電体薄膜の成膜方法であって、前記基板は表面に111面に優先配向したPt又はIrのうちいずれか一方の貴金属の薄膜を有する誘電体薄膜の成膜方法である。111配向したPt又はIrの薄膜上に100/001配向したPZT薄膜を成膜できるので、従来よりも圧電特性の大きい圧電素子を得ることができる。<誘電体成膜装置の構造>本発明の誘電体薄膜の成膜方法で使用する誘電体成膜装置の構造を説明する。図1は誘電体成膜装置10の内部構成図である。誘電体成膜装置10は、真空槽11と、真空槽11内に配置されたPZTのターゲット21と、ターゲット21と対面する位置に配置され、基板31を保持する基板保持台32と、基板保持台32に保持された基板31を加熱する基板加熱部18と、ターゲット21に電圧を印加するスパッタ電源13と、真空槽11内にスパッタガスを導入するスパッタガス導入部14と、真空槽11内で、ターゲット21から放出されたPZTの粒子が付着する位置に配置された第一、第二の防着板34、35とを有している。真空槽11の壁面には、カソード電極22が絶縁部材28を介して取り付けられ、カソード電極22と真空槽11とは電気的に絶縁されている。真空槽11は接地電位におかれている。カソード電極22の表面は真空槽11内に露出されている。ターゲット21はカソード電極22の表面の中央部に密着して固定され、ターゲット21とカソード電極22とは電気的に接続されている。スパッタ電源13は真空槽11の外側に配置され、カソード電極22に電気的に接続され、カソード電極22を介してターゲット21に交流電圧を印加できるように構成されている。カソード電極22のターゲット21とは反対側には磁石装置29が配置されている。磁石装置29はターゲット21の表面に磁力線を形成するように構成されている。基板保持台32はここでは炭化ケイ素SiCであり、外周は基板31の外周よりも大きく形成され、表面はターゲット21の表面と対面するように向けられている。基板保持台32の表面の中央部は基板31を静電吸着して保持できるように構成されている。基板保持台32の表面の中央部に基板31を静電吸着させると、基板31の裏面は基板保持台32の表面の中央部に密着され、基板31は基板保持台32と熱的に接続されるようになっている。第一の防着板34は、石英、アルミナ等のセラミックスであり、内周が基板31の外周よりも大きい環状にされ、基板保持台32の表面の中央部の外側である外縁部を覆うように配置されている。そのため、ターゲット21から放出された粒子は基板保持台32の表面の外縁部に付着しないようになっている。第一の防着板34の裏面は基板保持台32の表面の外縁部に密着され、第一の防着板34は基板保持台32と熱的に接続されている。基板保持台32の表面の中央部に基板31を載置させると、第一の防着板34は基板31の外周より外側を取り囲むようになっている。第二の防着板35は、石英、アルミナ等のセラミックスであり、内周がターゲット21の外周や基板31の外周よりも大きい筒状にされている。第二の防着板35は、基板保持台32とカソード電極21との間に配置され、基板31とターゲット21との間の空間の側方を取り囲むようになっている。そのため、ターゲット21から放出された粒子は真空槽11の壁面に付着しないようにされている。基板加熱部18は、発熱部材33と加熱用電源17とを有している。発熱部材33はここではSiCであり、基板保持台32の基板31とは反対側に配置され、加熱用電源17は発熱部材33に電気的に接続されている。加熱用電源17から発熱部材33に直流電流が流されると、発熱部材33は発熱して、基板保持台32が加熱され、基板保持台32上の基板31と第一の防着板34とが一緒に加熱されるようになっている。基板31の裏面は基板保持台32の表面の中央部に密着され、基板31の中央部から外縁部まで均等に伝熱されるようになっている。発熱部材33の基板保持台32とは反対側には冷却装置38が配置されている。冷却装置38は内部に温度管理された冷却媒体を循環できるように構成され、発熱部材33が発熱しても真空槽11の壁面が加熱されないようになっている。スパッタガス導入部14は真空槽11内に接続され、真空槽11内にスパッタガスを導入できるようにされている。<誘電体薄膜の成膜方法>本発明である誘電体薄膜の成膜方法を説明する。成膜すべき基板31には、ここではSi基板の熱酸化膜SiO2上に、密着層であるTi薄膜と、下部電極層である貴金属の薄膜とがこの順にあらかじめ積層されたものを使用する。貴金属の薄膜はPt又はIrの薄膜であり、111面に優先配向している。PZT薄膜の成膜に適した基板31の温度以下成膜温度と呼ぶを試験やシミュレーションにより予め求めておく。まず、準備工程として、真空槽11内に真空排気装置15を接続して、真空槽11内を真空排気する。以後、真空排気を継続して真空槽11内の真空雰囲気を維持する。ここでは、真空槽11内の真空雰囲気を維持しながら、成膜すべき基板31とは異なるダミー基板を真空槽11内に搬入して、基板保持台32の表面の中央部に載置し、ターゲット21のスパッタを行って、第一の防着板34の表面に、あらかじめPZTの薄膜を付着させる。次いで、真空槽11内の真空雰囲気を維持しながらダミー基板を真空槽11の外側に搬出する。本発明は、化学構造中に鉛Pbと酸素Oとを含有する金属化合物以下、放出源と呼ぶを第一の防着板34の表面に付着できるならば、真空槽11内でダミー基板を使ってスパッタを行う方法に限定されず、別の成膜装置であらかじめPZTやPbO等の化学構造中にPbとOとを含有する金属化合物を付着させた第一の防着板34を真空槽11内に搬入して使用してもよい。真空槽11内の真空雰囲気を維持しながら、真空槽11内に成膜すべき基板31を搬入し、基板31表面の貴金属の薄膜がターゲット21の表面と対面する向きで、基板保持台32の表面の中央部に基板31を保持させる。冷却装置38に温度管理された冷却媒体を循環させておく。図2は以下のシード層形成工程と成膜工程での発熱部材33の温度変化を示している。シード層形成工程として、スパッタガス導入部14から真空槽11内にPbOとは反応しない不活性ガスを導入する。ここでは不活性ガスにスパッタガスであるArガスを用いる。以後、不活性ガスの導入を継続する。真空槽11内で化学構造中にPbとOとを含有する放出源を加熱して、放出源からPbOのガスを放出させる。ここでは、加熱用電源17から発熱部材33に直流電流を流して、発熱部材33を加熱し、第一の防着板34に付着したPZTの薄膜を、予め求めた成膜温度よりも高温にする。第一の防着板34に付着したPZTの薄膜からPbOのガスが放出される。第一の防着板34に付着したPZTの薄膜を、予め求めた成膜温度よりも50°C以上高温にするのが好ましい。なぜなら、PbOのガスがより多く放出されるからである。ここでは発熱部材33を785°Cに昇温させ、その温度を保持させる。基板31表面の貴金属の薄膜上に付着し、基板31表面の貴金属の薄膜上にPbOのシード層が形成される。発熱部材33を冷却し、基板31を成膜温度にする。ここでは発熱部材33を640°Cに冷却し、その温度を保持させる。次いで、成膜工程として、基板31を成膜温度に保持しながら、スパッタガス導入部14から真空槽11内にスパッタガスであるArガスを導入させ、電源13からカソード電極22に交流電圧を印加させると、導入されたスパッタガスが電離され、プラズマ化する。プラズマ中のイオンは磁石装置29が形成する磁力線に捕捉されてターゲット21の表面に入射し、ターゲット21からPZTの粒子を弾き飛ばす。ターゲット21から放出されたPZTの粒子の一部は基板31の表面に入射する。基板31表面の貴金属の薄膜上にはPbOのシード層が予め形成されているため、シード層からPbとOとが供給されてPZT薄膜にPb欠損は生じず、シード層上に001/100配向したPZT膜が形成される。図3bは本発明の成膜方法でPt薄膜上に形成したPZT薄膜の中央部Centerと、外縁部Edgeと、中央部と外縁部との間の中間部Middleの3箇所のX線回折パターンを示している。図3bのX線回折パターンから、100/001方向に優先配向したPZT薄膜が形成されたことが分かる。ターゲット21から放出されたPZTの粒子の一部は第一の防着板34の表面に付着し、次回のシード層形成工程におけるPbOのガスの放出源になる。基板31上に所定の膜厚のPZT薄膜を成膜した後、電源13からカソード電極22への電圧印加を停止し、スパッタガス導入部14から真空槽11内へのスパッタガスの導入を停止する。加熱用電源17から発熱部材33への電流の供給を停止して、発熱部材33を冷却し、基板31を成膜温度よりも低い温度にする。基板31を搬送ロボットで搬送させるためである。ここでは発熱部材33を400°Cに降温させ、その温度を保持させる。真空槽11内の真空雰囲気を維持しながら成膜済みの基板31を真空槽11の外側に搬出し、次いで別の未成膜の基板31を真空槽11内に搬入し、上述のシード層形成工程と成膜工程とを繰り返す。本発明のシード層形成工程では、真空槽11内で化学構造中にPbとOとを含有する放出源を加熱して、放出源からPbOのガスを放出させることができるならば、第一の防着板34に付着したPZTの薄膜を加熱する方法に限定されず、第二の防着板35の外周側面に発熱部材を配置して、第二の防着板35の内周側面に付着したPZTの薄膜を加熱し、PbOのガスを放出させてもよい。この場合には、放出されたPbOのガスは不活性ガスと衝突しなくても、基板31表面に入射するので、不活性ガスの導入を省略できる。真空槽11内に第一の防着板34とは別にるつぼ不図示を配置し、るつぼ内にPZTやPbO等の放出源を入れておき、るつぼ内の放出源を加熱してPbOのガスを放出させてもよい。るつぼの開口を、放出されたPbOのガスが基板31表面に入射するような向きに向けておけば、不活性ガスの導入を省略できる。本発明のシード層形成工程では、基板31の表面にPbOのガスを付着させることができるならば、真空槽11内で化学構造中にPbとOとを含有する放出源を加熱して、放出源からPbOのガスを放出させる方法に限定されず、真空槽11の外側に配置され、PbOのガスを放出するPbOガス放出部不図示を真空槽11内に接続し、PbOガス放出部から真空槽11内にPbOのガスを導入して、基板31の表面にPbOのガスを付着させる方法も含まれる。第一、第二の防着板34、35を用いる方法のように、加熱される放出源がターゲット21から放出されたPZTの粒子が付着する位置に配置されている場合には、成膜工程中にPZTの粒子が放出源に付着し、すなわち放出源が補充されるので、PbOガス放出部を用いる方法に比べて、成膜材料の使用効率が良く好ましい。