荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、m、n、iをそれぞれ自然数とし、Mをm以上の自然数とし、Nをn以上の自然数とするとき、第1方向に沿って第1ピッチで配置されたN本の荷電粒子線を含む行が、前記第1方向に直交する第2方向に沿って第2ピッチでM行存在し、前記M行のうち第1番目から第m番目の行は、各行の先頭の荷電粒子線の前記第1方向における位置が前記第1ピッチの1/mずつずれ、かつ、第mi番目の行の先頭の荷電粒子線の前記第1方向における位置が第i番目の行の先頭の荷電粒子線の前記第1方向における位置と同じであるように配列されたM×N本の荷電粒子線を生成する荷電粒子光学系と、前記基板を保持して前記第2方向に沿って移動する基板ステージと、前記荷電粒子光学系が前記基板に対して射出する荷電粒子線の本数を制限する制限部と、前記M×N本の荷電粒子線の中に使用条件を満たさない異常線が存在する場合、該異常線を含まず連続するn本の荷電粒子線を含む行が、mの約数分の行だけ前記第2方向に沿って連続して使用できるように、前記制限部を制御する制御部と、を備えることを特徴とする描画装置。荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、m、n、iをそれぞれ自然数とし、Mをm以上の自然数とし、Nをn以上の自然数とするとき、第1方向に沿って第1ピッチで配置されたN本の荷電粒子線を含む行が、前記第1方向に直交する第2方向に沿って第2ピッチでM行存在し、前記M行のうち第1番目から第m番目の行は、各行の先頭の荷電粒子線の前記第1方向における位置が前記第1ピッチの1/mずつずれ、かつ、第mi番目の行の先頭の荷電粒子線の前記第1方向における位置が第i番目の行の先頭の荷電粒子線の前記第1方向における位置と同じであるように配列されたM×N本の荷電粒子線を生成する荷電粒子光学系と、前記基板を保持して前記第2方向に沿って移動する基板ステージと、前記荷電粒子光学系が前記基板に対して射出する荷電粒子線の本数を制限する制限部と、前記M×N本の荷電粒子線の中に使用条件を満たさない異常線が存在する場合、該異常線を含まず連続するn本の荷電粒子線を含む行が、mの倍数分の行だけ前記第2方向に沿って連続して使用できるように、前記制限部を制御する制御部と、を備えることを特徴とする描画装置。前記制限部は、前記M×n本の荷電粒子線を個別にブランキングする偏向器を含む、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の描画装置。前記制限部は、前記M×n本の荷電粒子線の一部を遮断するシャッターを含む、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の描画装置。前記シャッターは、前記シャッターを通過する前記第1方向における荷電粒子線の本数を規定するブレードと、前記シャッターを通過する前記第2方向における荷電粒子線の本数を規定するブレードとを含む、ことを特徴とする請求項4に記載の描画装置。前記荷電粒子光学系に入射する荷電粒子線を発生する荷電粒子源を備え、前記制限部は、前記荷電粒子源の特性を調整する調整部を含む、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の描画装置。前記特性は、前記荷電粒子源が発生する前記荷電粒子線のクロスオーバーの径、放射角および輝度の少なくとも1つを含む、ことを特徴とする請求項6に記載の描画装置。前記荷電粒子光学系は、入射した荷電粒子線を複数の荷電粒子線に分割するアパーチャアレイを含み、前記制限部は、前記アパーチャアレイに対する荷電粒子線の入射範囲を変更する偏向器を含む、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の描画装置。前記荷電粒子光学系に入射する荷電粒子線を発生する荷電粒子源を備え、前記荷電粒子光学系は、入射した荷電粒子線を複数の荷電粒子線に分割するアパーチャアレイを含み、前記制限部は、前記荷電粒子源と前記アパーチャアレイとの間隔を変更させて前記アパーチャアレイに対する荷電粒子線の入射範囲を変更する、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の描画装置。請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、前記工程で描画を行われた前記基板を現像する工程と、を含むことを特徴とする物品の製造方法。特許文献1に記載されているマルチビーム方式の描画装置において、特許文献2、3に記載されているように、特定の荷電粒子線群を基板に対して遮断すると、不良ストライプの発生は避けられるが、連続するストライプ領域を描画することができない。本発明は、この方式の描画装置において異常な荷電粒子線が存在しても描画に有利な技術を提供することを例示的目的とする。本発明の一つの側面は、荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、m、n、iをそれぞれ自然数とし、Mをm以上の自然数とし、Nをn以上の自然数とするとき、第1方向に沿って第1ピッチで配置されたN本の荷電粒子線を含む行が、前記第1方向に直交する第2方向に沿って第2ピッチでM行存在し、前記M行のうち第1番目から第m番目の行は、各行の先頭の荷電粒子線の前記第1方向における位置が前記第1ピッチの1/mずつずれ、かつ、第mi番目の行の先頭の荷電粒子線の前記第1方向における位置が第i番目の行の先頭の荷電粒子線の前記第1方向における位置と同じであるように配列されたM×N本の荷電粒子線を生成する荷電粒子光学系と、前記基板を保持して前記第2方向に沿って移動する基板ステージと、前記荷電粒子光学系が前記基板に対して射出する荷電粒子線の本数を制限する制限部と、前記M×N本の荷電粒子線の中に使用条件を満たさない異常線が存在する場合、該異常線を含まず連続するn本の荷電粒子線を含む行が、mの約数分の行だけ前記第2方向に沿って連続して使用できるように、前記制限部を制御する制御部と、を備えることを特徴とする。本発明によれば、例えば、異常な荷電粒子線が存在しても描画に有利な技術を提供することが可能になる。以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。なお、全図を通して、原則として同一の部材等には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。図1は、マルチビーム方式の描画装置の構成例を示す図である。荷電粒子源101から発生した荷電粒子を、コリメータレンズ102により光軸と略平行にした後、開口が2次元配列されているアパーチャアレイ103の一部分に入射することにより、複数本の荷電粒子線ビームを生成させる。それぞれの荷電粒子線は、コンデンサーレンズアレイ104上に2次元配列されているコンデンサーレンズを通り、パターン開口アレイ105上に2次元配列されているパターン開口サブアレイに入射する。サブアレイは、少なくとも1つの開口から成っており、それぞれの荷電粒子線は、サブアレイを通過することにより、さらに分割されたサブビームになる。ブランカーアレイブランキングする偏向器106には、サブビーム毎に、個別に駆動可能な静電型のブランカー電極対が配列されている。ブランカーは、サブビームを偏向するか否かによって、ブランキングアパーチャ107上に2次元配列された開口をサブビームが基板110に射出するか否かオンオフを制御する。ブランキングアパーチャ107を通過してきたサブビームは、偏向器108で所定の方向に偏向された後、対物レンズアレイ109上に配置された対物レンズによって、基板110上へ結像される。ここで、パターン開口アレイ105上においてサブアレイが配列されている面が物面であり、基板110の上面が像面である、という関係になっている。デンサーレンズアレイ104、対物レンズアレイ109は、荷電粒子源101で発生した荷電粒子線を基板110に投影する投影系荷電粒子光学系を構成している。基板ステージ111は基板110を保持して移動が可能であり、搬送機構112は基板ステージ111との間で基板110の受け渡しを行う。主制御系116は、ブランキング制御回路113と偏向器制御回路114とステージ制御回路115とを制御して描画装置を統括的に制御する。ブランキング制御回路113は、複数のブランカーを個別に制御する。偏向器制御回路114は、偏向器108を制御する。ステージ制御回路115は、レーザ干渉計不図示と協働して基板ステージ111の位置決めを制御する。図2は、アパーチャアレイ103に4行8列の開口が形成され、1つのサブアレイに4行4列の開口が形成されている描画装置において、マルチビーム方式の描画を説明する図である。図2のaに示すように、各サブビームは描画パターンPに応じて、各グリッド点X方向、Y方向のピッチがそれぞれGX、GYでのオンオフが割り当てられる。X方向およびY方向は、基板110の表面に平行で互いに直交する第1方向および第2方向である。第2方向であるY方向は、基板110が基板ステージ111により移動される方向である。図2のbは、1つのサブアレイからのサブビーム群が1回の偏向走査によって基板110上に描く軌跡を示している。基板110上において、各サブビームはX方向、Y方向のピッチがそれぞれSBX、SBYで結像されており、像のY方向の大きさはグリッドピッチGYと一致している。基板ステージ111はY方向に連続的に移動しているが、偏向器108は各サブビームが基板110から見てX方向に沿って軌跡を描くように、各サブビームをX方向、Y方向に偏向する。各サブビームのオンオフは、グリッドピッチGXで規定されるグリッド点ごとに制御される。ここでは、説明を容易にするため、最上部のサブビームの軌跡を黒塗りにしている。図2のcは、1つのサブアレイからのサブビーム群が複数回の偏向走査によって基板110上にストライプ領域を描画する様子を示している。基板ステージ111はY方向に連続的に移動しているので、偏向走査は破線の矢印で示すようなY方向の偏向幅DPでのフライバックを介して、順次繰り返される。太線枠内は各サブビームの軌跡で埋め尽くされているので、Y方向に幅SWのストライプ領域SAが描画されることになる。そのための条件は、1つのサブアレイのからのサブビーム本数をN2とするとき、下式1~3を満たすことである。N2=K×L1K、Lは自然数1SBY=GY×K2DP=K×L1×GY=N2×GY3この条件は、式1を満足するKにより式2のようにY方向のサブビーム間隔SBYを決めると、製造面で限界がある開口やブランカーの間隔の微細化によらずに、走査グリッド間隔GYの微細化により、微細なパターンを描画できる。さらに、式3のようにY方向の偏向幅DPを決めると、ストライプ領域SAにおいては、どの部分もグリッドピッチGYでの描画が可能となる。図2のcの例では、N=4、K=5、L=3である。図2のdは、アパーチャアレイ103が発生させた複数の荷電粒子線が描画する各ストライプ領域SAの位置関係を説明する図である。m、n、iをそれぞれ自然数とし、Mをm以上の自然数とし、Nをn以上の自然数とする。アパーチャアレイ生成部103は、X方向に沿って第1ピッチで配置されたN本の荷電粒子線の列が、Y方向に沿って第2ピッチでM列存在する、M×N本の荷電粒子線を生成させることができる。M列のうち第1番目から第m番目の列は、各列の先頭の荷電粒子線のX位置が第1ピッチの1/mずつずれる。かつ、第mi番目の列の先頭の荷電粒子線のX位置が第i番目の列の先頭の荷電粒子線のX位置と同じであるようにM×N本の荷電粒子線が配置される。今、N本の荷電粒子線の列のうちのn本を用いたM×n本の荷電粒子線で基板110に描画を行うとする。そうすると、各荷電粒子線は、先頭の荷電粒子線のX位置が互いに異なるm本の荷電粒子線が描くストライプ領域SAを1周期として、当該領域をn周期分隣接させたストライプ領域SAを描画する。このような方法により、基板110上には、m×n本のストライプ領域SAで隙間なく埋め尽くされた、描画領域EAが描画されることになる。図2のdの例では、M=m=4、N=n=8である。上記マルチビーム方式において、使用条件を満たさないビーム異常線がある場合、当該異常線は不良なストライプ描画領域を描画してしまう。異常線は、1所望の特性を満たさないサブビームを含む荷電粒子線、又は、2個別にオンオフできないサブビームを含む荷電粒子線である。[第1実施形態]図3は、第1実施形態の描画装置の構成例を示す図である。測定器301は、サブビームが入射する開口パターンを含む、サブビームの特性を測定する。2段のシャッター302は、光軸方向に略垂直な面内を互いに独立に移動可能であり、上下段は互いに独立に移動可能な基板ステージ111の上に配置されている。図3の部分302aは、シャッター302を光軸方向に沿って上から見た図である。基板110からは、シャッター302が規定する領域図中のILLに対応した荷電粒子線のみが、選択的に発生したように見える。マルチビームユニット調整回路303は、測定器301の測定結果をもとに、シャッター302を調整する。本実施形態においては、図3に示したように、図1に加えて測定器301、シャッター302、マルチビームユニット調整回路303を設けた。図3の例では、アパーチャアレイ103およびパターン開口アレイ105に矩形の開口が配置されているが、開口形状は任意でよい。第1実施形態において、シャッター302は、基板110を照射する荷電粒子線の本数を制限する制限部を構成している。次に、図4に示したフローチャートを用いて、第1実施形態における描画手順について説明する。S1で、マルチビームユニット調整回路303は、測定器301を用いて、複数のサブビームそれぞれの特性を測定する。このとき、測定器301は、1つのサブアレイからのサブビーム群をひとかたまりとして、各荷電粒子線の特性を測定してもよい。S2で、マルチビームユニット調整回路303は、測定器301の測定結果を演算処理して、生成された荷電粒子線の中に異常線が存在するか否かを判定する。S1およびS2は、装置の出荷、設置、メンテナンスなど物品の製造を行っていない時に行っていてもよいし、実際に描画をする直前や描画中に行ってもよい。S3で、主制御系116は、搬送機構112を用いて、基板110を基板ステージ111上に載置する。S4において、主制御系116は、異常線があるかを判定する。主制御系116は、異常線がないと判定された場合、S5で、パターンデータに基づいて各サブビームのオンオフを制御し、基板110上への描画を実施してフローを完了する。異常線があると判定された場合、マルチビームユニット調整回路303は、以下の3つの条件を満たすような荷電粒子線が、基板110に照射されるようにマルチビームユニットまたは光学系を調整する。3つの条件は、1異常線を含まず、2mの約数分または倍数分の行だけ、3基板ステージ111の移動方向に連続して使用できることである。ここで行数mは、アパーチャアレイ103上の開口配列の設計値として、あらかじめ装置主制御系116およびマルチビームユニット調整回路303には記憶されている数値である。S7で、主制御系116は、描画条件カウント用に整数iを初期値1として持つ。S8で、主制御系116は、以降のループが最小回数となるように基板ステージ111の位置の調整、描画データのシフトを行う。S9で、主制御系116は、マルチビームユニット調整回路303によって調整されて発生した描画に用いる荷電粒子線について、適切なパターンデータに基づいて各サブビームのオンオフを制御し、基板110上への描画を実施する。S410で、主制御系116は、現在のiと、mと、描画に用いる荷電粒子線の行数、とを用いて、論理式i<m÷行数の真偽を判定する。判定結果が偽だった場合、つまり現在のiがm÷行数と等しい場合は、フローが完了する。判定結果が真だった、つまり現在のiがm÷行数より小さい場合、S11で、主制御系116は、iをインクリメントし、再びS8以降をループする。第1実施形態において、主制御系116、マルチビームユニット調整回路303は、異常線の有無を判定し、判定結果に基づいて制限部であるシャッター302を制御する制御部を構成している。実施例1実施例1の描画装置を、図3を用いて説明する。本実施例1では、図3における荷電粒子源101が、電子放出材としてLaB6またはBaО/Wディスペンサーカソードなどを含むいわゆる熱電子型の電子源ユニットである。また、測定器301が測定する特性は、1オンオフが良好に制御されること、2基板110上への到達位置、3荷電粒子線、そのサブビームの電流値、4荷電粒子線、そのサブビームの形状を含む。以上4つの特性のうちの1つまたは複数の時間的な安定性も含めて正常/異常が判定される。図5は、本実施例1において、描画に用いる荷電粒子線を選択した例である。図5のaは、描画に用いる荷電粒子線を、アパーチャアレイ103を用いて示した図である。開口501は、ここを通って発生した荷電粒子線が分割されたサブビーム群の中で、少なくとも1本以上のサブビームが異常だと判断された、不良開口である。マルチビームユニット調整回路303は、従来技術のようにビームエリアBAではなく、調整されたビームエリアBA’から荷電粒子線が発生するように、シャッター302を調整する。具体的には、2段のシャッター302の開き幅を調整し、アパーチャアレイ103の被照明領域ILLに対応するを変更する。実施例1では、シャッター302を通過するX方向の荷電粒子線の本数を規定するブレードとY方向の荷電粒子線の本数を規定するブレードとは、互いに独立して移動可能なステージに保持されている。このとき、基板110には、異常線を含まず、行数はmで、基板ステージ111の移動方向に連続な荷電粒子線が照射されるようになる。図5の例では、m=4、n=8、ビームエリアBA’からは4行6列の荷電粒子線が発生する。この場合、m÷行数=1なので、1回目のS10で偽判定となる。図5のbは、選択された荷電粒子線が基板110上に描くストライプ描画領域の位置関係を説明する図である。図中の白丸は、選択された荷電粒子線と対応しており、黒丸は不良開口501に対応する。不良開口501からは荷電粒子線が発生しないので、不良なストライプ描画領域WSAが描画されることはない。図5の例では、4行6列の白丸だけが描画を行い、基板110上には描画領域EA’が描画される。描画に用いる荷電粒子線を選択したことの影響が描画領域となって現れ、ひいてはスループットの低下となる。図5の例ではスループットが75となっている。実施例2実施例2の電子線描画装置を、図6を用いて説明する。本実施例2は、実施例1の変形例である。図6では、シャッター302がブランカーアレイ106とブランキングアパーチャアレイ107の間に設置されている。本実施例2の場合、シャッター302はアパーチャアレイ103の被照明範囲を変更するのではなく、ブランカーとは別に、基板110に対して荷電粒子線を遮断する。基板110にはアパーチャアレイ103から発生した荷電粒子線のうち、シャッター302が規定する領域ILLを通る荷電粒子線のみが到達する。そのため、描画に用いる荷電粒子線が選択されたのと同じ効果が得られる。本実施例2では、シャッター302を、ブランカーアレイ106とブランキングアパーチャアレイ107の間に設けた。しかし、原理的には荷電粒子源101から基板110の間のどこに設けても、描画に用いる荷電粒子線を選択したのと同様の効果が得られる。[第2実施形態]図7は、第2実施形態の描画装置の構成例を示す図である。図7の例では、マルチビームユニット調整回路303が、シャッター302に加え、荷電粒子源101の特性を調整することができる。実施例3第2実施形態に属する実施例3の電子線描画装置を、図7を用いて説明する。本実施例3でも、荷電粒子源101は熱電子型の電子源ユニットである。図8は、マルチビームユニット調整回路調整部303が、荷電粒子源101電子源ユニットの特性を調整する構成例を示す。カソード電極801は、電子を放出し、フィラメント電極802は、カソード電極801を保持し、電流を流すことによって発熱される。ウェネルト電極803は、カソード電極801先端部以外からの電子放出を制限する。アノード電極804は、カソード電極801から放出された電子を制御する。図の部分803a、部分804aは、ウェネルト電極803、アノード電極804をそれぞれ上から見た図で、異なった口径の開口が配置されている。ウェネルト電極803、アノード電極804は、それぞれ独立に移動することができるので、放出された電子が通る開口や、電極間隔を任意に変更することができる。また、ウェネルト電極803、アノード電極804には電圧がかかっている。マルチビームユニット調整回路303は、1フィラメント電極802カソード電極801に流す電流、2ウェネルト電極803、アノード電極804にかける電圧、3各電極間の距離を変更する。そうことにより、マルチビームユニット調整回路303は、電子源ユニットの特性を調整することができる。電子源ユニットの特性は、1荷電粒子のクロスオーバーの径、2放射角、3輝度を含む。図9は、本実施例3において、描画に用いる荷電粒子線を選択した例である。図9のaは、描画に用いる荷電粒子線を、アパーチャアレイ103を用いて示した図である。マルチビームユニット調整回路303は、シャッター302でアパーチャアレイ103の被照明領域を変更する。加えて、マルチビームユニット調整回路303は、被照明領域内の電流密度を保ちながらエミッタンスクロスオーバーの径と放射角に依存するを小さくするよう電子源ユニットの特性を調整する。このとき、基板110には、異常線を含まず、行数はmで、基板ステージ111の移動方向に連続な荷電粒子線が照射されるようになる。図9の例では、m=4、n=8、ビームエリアBA’からは4行6列の荷電粒子線が発生する。この場合、m÷行数=1なので、1回目のS10で偽判定となる。本実施例3のように、エミッタンスを小さくすることは、電子源ユニットの寿命を延ばす効果がある。図9のbは、選択された荷電粒子線が基板110上に描くストライプ描画領域の位置関係を説明する図である。図9の例では、4行6列の白丸だけが描画を行い、基板110上には描画領域EA’が描画される。ここで、主制御系116は、ループが最小回数となるように基板ステージ111の位置の調整を行い、描画領域EA’は描画領域EAの端図9では左端から始まっていることに注目されたい。描画に用いる荷電粒子線を選択したことの影響が描画領域となって現れ、ひいてはスループットの低下となる。図9の例ではスループットが75となっている。[第3実施形態]図10は、第3の実施形態の描画装置の構成例を示す図である。アパーチャアレイ103は、等間隔で開口が並んでいる行が周期的に2次元配列されている。図10の部分103aは、アパーチャアレイ103を光軸方向に沿って上から見た形状を示す。m1行の周期で同じ行となるような、n個以上の開口が等間隔で並んだ行が、m行以上配置されている。アパーチャアレイ103は、このうちの一部分を照明され、m行以上のM行存在し、少なくともM×n本の荷電粒子線を発生させることができる。コンデンサーレンズアレイ104、開口パターンアレイ105、ブランカーアレイ106、ブランキングアパーチャアレイ107、向器アレイ108、物レンズアレイ109は、アパーチャアレイ103から発生されうる全ての荷電粒子線に対応している。その結果、アパーチャアレイ103から発生されうる全ての荷電粒子線は基板110上に収束される。図10の例では、マルチビームユニット調整回路303が、制限部としての偏向器1002を調整して、アパーチャアレイ103に対する荷電粒子線の入射範囲を変更することができる。実施例4第3実施形態に属する実施例4の電子線描画装置を、図10を用いて説明する。本実施例4でも、荷電粒子源101は熱電子型の電子源ユニットである。図11は、本実施例4において、描画に用いる荷電粒子線を選択した例である。図11では、描画に用いる荷電粒子線を、アパーチャアレイ103を用いて示している。マルチビームユニット調整回路303は、アパーチャアレイ103上でBA’のみが照明されるよう、偏向器1002を調整する。このとき、基板110には、異常線を含まず、行数はmで、基板ステージ111の移動方向に連続な荷電粒子線が照射されるようになる。図11の例では、m=4、n=8、ビームエリアBA’からは4行8列の荷電粒子線が発生する。この場合、m÷行数=1なので、1回目のS10で偽判定となる。4行8列の荷電粒子線が基板110上に描画する描画領域EA’が、描画領域EAと同じになるよう基板ステージ111の位置を調整すれば、スループットの低下は起こらない。本実施例では、不良開口501があってもm行n列の荷電粒子線を使って描画を行えているので、スループットは100である。[第4実施形態]図12は、第4実施形態の描画装置の構成例を示す図である。光源ステージ1201は、アパーチャアレイ103に対して荷電粒子源101とコリメータレンズ102を移動させる。図12の例では、マルチビームユニット調整回路303が、光源ステージ1201を移動させることで、アパーチャアレイ103に対する照射範囲を変更することができる。実施例5第4実施形態に属する実施例5の電子線描画装置を、図12を用いて説明する。本実施例5でも、荷電粒子源101は熱電子型の電子源ユニットである。図13は、本実施例5において、描画に用いる荷電粒子線を選択した例である。図13のaは、描画に用いる荷電粒子線を、アパーチャアレイ103を用いて示した図である。マルチビームユニット調整回路303は、アパーチャアレイ103上でBA’のみが照明されるよう、光源ステージ1201とシャッター302を調整する。このとき、基板110には、異常線を含まず、行数はmの約数で、基板ステージ111の移動方向に連続な荷電粒子線が照射されるようになる。図13の例では、m=4、n=8、ビームエリアBA’からは2行8列の荷電粒子線が発生する。この場合、m÷行数≠1なので、1回目のS10は真判定となる。2行8列の白丸だけが描画を行い、基板110上には描画領域EA’が描画される。主制御系116は、i=m÷行数となるまで、同じ荷電粒子線群を用いて描画領域EA’の間隔を補完するように2回目以降の再描画を行う。描画に用いる荷電粒子線を選択したことの影響が、描画領域と再描画回数となって現れ、ひいてはスループットの低下となる。図13の例ではスループットが50となっている。第1~第4実施形態の描画装置では、荷電粒子線の選択がブランキング制御回路113、偏向器制御回路114、ステージ制御回路115、マルチビームユニット調整回路303、主制御系116により行われる。しかし、これは一例に過ぎず、適宜変更が可能である。また、実施例1~5の電子線描画装置は、複数の電子線で基板110上にパターンを描画する。しかし、イオンビーム等の電子線以外の荷電粒子線を用いてもよく、複数の荷電粒子線で基板110上にパターンを描画する描画装置に一般化しうる。[物品の製造方法]本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。該製造方法は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程基板に描画を行う工程と、当該工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含みうる。さらに、該製造方法は、他の周知の工程酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能、品質、生産性、生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。