"絶縁性基板、および、該絶縁性基板の少なくとも一方の表面に形成された導体配線層を有するプリント基板を少なくとも1枚備え、表面に複数のランド電極を有する配線基板と、表面に複数のAuバンプ電極を有する電子部品と、を含む電子部品実装基板であって、前記ランド電極と前記Auバンプ電極とが、接合部材を介して電気的に接続されており、前記接合部材は、Snを含有する第1金属と該第1金属よりも高い融点を有する第2金属との反応により生成する300°C以上の融点を有する金属間化合物を含み、前記第2金属の表面に最初に生成する金属間化合物の格子定数と前記第2金属の格子定数との差が、前記第2金属の格子定数に対して50以上であることを特徴とする、電子部品実装基板。前記第2金属はCu-Ni合金またはCu-Mn合金である、請求項1に記載の電子部品実装基板。前記絶縁性基板は熱可塑性樹脂を含む、請求項1または2に記載の電子部品実装基板。前記電子部品が集積回路ICである、請求項1~3のいずれかに記載の電子部品実装基板。前記配線基板は、複数の前記プリント基板が積層されてなる多層配線基板である、請求項1~4のいずれかに記載の電子部品実装基板。前記配線基板は、1枚の前記プリント基板からなる単層配線基板である、請求項1~4のいずれかに記載の電子部品実装基板。前記導体配線層を相互に電気的に接続するためのビアホール導体を前記絶縁性基板の内部に有し、前記ビアホール導体は前記接合部材と同じ材質からなる、請求項1~6のいずれかに記載の電子部品実装基板。絶縁性基板、および、該絶縁性基板の少なくとも一方の表面に形成された導体配線層を有するプリント基板を少なくとも1枚備え、表面に複数のランド電極を有する配線基板と、表面に複数のAuバンプ電極を有する電子部品とを準備するステップと、前記配線基板の表面上の前記ランド電極の表面を含む所定の位置に導電性ペーストを塗布するステップと、前記導電性ペーストと前記Auバンプ電極が接触するように、前記電子部品を前記配線基板に搭載するステップと、前記電子部品が搭載された前記配線基板に熱処理を行い、前記導電性ペースト由来の接合部材を形成して前記ランド電極と前記Auバンプ電極を相互に電気的に接続するステップと、を含む電子部品実装基板の製造方法であって、前記導電性ペーストは、SnまたはSnを85重量以上含有する合金である第1金属粉末、および、前記第1金属よりも高い融点を有する第2金属粉末からなる金属成分と、フラックス成分とからなり、前記接合部材は、前記第1金属粉末と前記第2金属粉末との反応により生成する300°C以上の融点を有する金属間化合物を含み、前記熱処理において前記第2金属粉末の表面に最初に生成する金属間化合物の格子定数と前記第2金属の格子定数との差が、前記第2金属の格子定数に対して50以上であることを特徴とする、電子部品実装基板の製造方法。前記第2金属はCu-Ni合金またはCu-Mn合金である、請求項8に記載の電子部品実装基板の製造方法。前記金属成分中の前記第2金属の比率が30重量以上である、請求項8または9に記載の電子部品実装基板の製造方法。前記配線基板の表面に設けられた複数の前記ランド電極のピッチは、前記電子部品の表面に設けられた複数の前記Auバンプ電極のピッチよりも広く、かつ、前記ランド電極のピッチと略同じピッチで前記導電性ペーストが前記配線基板上に塗布される、請求項8~10のいずれかに記載の電子部品実装基板の製造方法。本発明は、安価な材料で容易に製造することができる耐熱性および接合信頼性に優れた電子部品実装基板、および、その製造方法を提供することを目的とする。また、本発明の別の目的は、ICや配線基板の小型化に伴い、ICの実装ランドピッチのギャップが狭くなった場合でも、コストの高い特別な方法を用いずに製造することができる導通不良やショートの発生が抑制された電子部品実装基板、および、その製造方法を提供することを目的とする。本発明は、絶縁性基板、および、該絶縁性基板の少なくとも一方の表面に形成された導体配線層を有するプリント基板を少なくとも1枚備え、表面に複数のランド電極を有する配線基板と、表面に複数のAuバンプ電極を有する電子部品と、を含む電子部品実装基板であって、上記ランド電極と上記Auバンプ電極とが、接合部材を介して電気的に接続されており、上記接合部材は、Snを含有する第1金属と該第1金属よりも高い融点を有する第2金属との反応により生成する300°C以上の融点を有する金属間化合物を含み、上記第2金属の表面に最初に生成する金属間化合物の格子定数と上記第2金属の格子定数との差が、上記第2金属の格子定数に対して50以上であることを特徴とする、電子部品実装基板である。上記第2金属はCu-Ni合金またはCu-Mn合金であることが好ましい。上記絶縁性基板は熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。上記電子部品が集積回路ICであることが好ましい。上記配線基板は、複数の上記プリント基板が積層されてなる多層配線基板であることが好ましい。上記配線基板は、1枚の上記プリント基板からなる単層配線基板であることが好ましい。上記導体配線層を相互に電気的に接続するためのビアホール導体を上記絶縁性基板の内部に有し、上記ビアホール導体は上記接合部材と同じ材質からなることが好ましい。また、本発明は、絶縁性基板、および、該絶縁性基板の少なくとも一方の表面に形成された導体配線層を有するプリント基板を少なくとも1枚備え、表面に複数のランド電極を有する配線基板と、表面に複数のAuバンプ電極を有する電子部品とを準備するステップと、上記配線基板の表面上の上記ランド電極の表面を含む所定の位置に導電性ペーストを塗布するステップと、上記導電性ペーストと上記Auバンプ電極が接触するように、上記電子部品を上記配線基板に搭載するステップと、上記電子部品が搭載された上記配線基板に熱処理を行い、上記導電性ペースト由来の接合部材を形成して上記ランド電極と上記Auバンプ電極を相互に電気的に接続するステップと、を含む電子部品実装基板の製造方法であって、上記導電性ペーストは、SnまたはSnを85重量以上含有する合金である第1金属粉末、および、上記第1金属よりも高い融点を有する第2金属粉末からなる金属成分と、フラックス成分とからなり、上記接合部材は、上記第1金属粉末と上記第2金属粉末との反応により生成する300°C以上の融点を有する金属間化合物を含み、上記熱処理において上記第2金属粉末の表面に最初に生成する金属間化合物の格子定数と上記第2金属の格子定数との差が、上記第2金属の格子定数に対して50以上であることを特徴とする、電子部品実装基板の製造方法にも関する。上記第2金属はCu-Ni合金またはCu-Mn合金であることが好ましい。上記金属成分中の上記第2金属の比率が30重量以上であることが好ましい。上記プリント基板の表面に設けられた複数の上記ランド電極のピッチは、上記電子部品の表面に設けられた複数の上記Auバンプ電極のピッチよりも広く、かつ、上記ランド電極のピッチと略同じピッチで上記導電性ペーストが上記配線基板上に塗布されることが好ましい。本発明によれば、安価な材料で容易に製造することができる耐熱性および接合信頼性に優れた電子部品実装基板を提供することができる。また、ICや配線基板の小型化に伴い、ICの実装ランドピッチのギャップが狭くなった場合でも、コストの高い特別な方法を用いずに製造することができる導通不良やショートの発生が抑制された電子部品実装基板を提供することができる。<電子部品実装基板>以下に、本発明の電子部品実装基板の各構成について詳細に説明する。[絶縁性基板]絶縁性基板は、電気絶縁性を有する材料からなる板状またはフィルム状の基板であれば特に限定されない。絶縁性基板は、樹脂基板とセラミック基板のいずれであってもよい。[導体配線層]導体配線層としては、種々公知の配線基板に用いられる導体配線層を使用することができる。導体配線層の材料としては、例えば、銅、銀、アルミニウム、SUS、ニッケル、金や、それらの合金などを用いることができ、好ましくは銅である。[配線基板]本発明における配線基板は、上記絶縁性基板、および、絶縁性基板の少なくとも一方の表面に形成された導体配線層を有するプリント基板を少なくとも1枚備え、表面に複数のランド電極を有するものである。上記配線基板は、複数の上記プリント基板が積層されてなる多層配線基板であっても、1枚の上記プリント基板からなる単層配線基板であってもよい。[接合部材]本発明の電子部品実装基板における接合部材は、Snを含有する第1金属と該第1金属よりも高い融点を有する第2金属との反応により生成する300°C以上の融点を有する金属間化合物を含んでいる。第1金属は、具体的には、Sn単体からなる金属、または、SnとCu、Ni、Ag、Au、Sb、Zn、Bi、In、Ge、Al、Co、Mn、Fe、Cr、Mg、Mn、Pd、Si、Sr、Te、Pからなる群より選ばれる少なくとも1種とを含む合金などが挙げられる。第1金属が合金である場合、Snを85重量以上含有することが好ましい。これにより、所望の金属間化合物Cu2NiSn、Cu2MnSn、NiSn金属間化合物、MnSn金属間化合物、Sn-Cu金属間化合物などを生成するために必要な、第2金属Cu-Ni合金、Cu-Mn合金などとの反応成分であるSnの量を十分に供給することができる。第1金属におけるSnの含有量が85重量未満である場合、Snの量が不足して所望の量の金属間化合物が生成されず、耐熱性に優れた接合部材が得られなくなる。第2金属は、該第2金属の表面に最初に形成される上記金属間化合物と上記第2金属との格子定数の差が、上記第2金属の格子定数に対して50以上となるような金属合金を含むが用いられる。ここで、第2金属の表面に最初に生成する金属間化合物とは、加熱処理を開始してから最初に第2金属の表面に生成する金属間化合物であり、通常は、第1金属および第2金属を構成する金属からなる3元系合金例えば、Cu2NiSn、Cu2MnSnであり、好ましくは、Cu、NiおよびSnからなる合金、または、Cu、MnおよびSnからなる合金である。第2金属の表面に最初に形成される金属間化合物と第2金属との格子定数の差とは、金属間化合物の格子定数結晶軸の長さから第2金属成分の格子定数結晶軸の長さを差し引いた値の絶対値である。すなわち、この格子定数の差は、第2金属との界面に新たに生成する金属間化合物の格子定数が、第2金属の格子定数に対してどれだけ差があるかを示すものであり、いずれの格子定数が大きいかを問わないものである。通常は、金属間化合物の格子定数の方が第2金属成分の格子定数よりも大きい。このように第2金属の表面に最初に生成する金属間化合物の格子定数と第2金属との格子定数の差を一定以上とすることで、第1金属と第2金属との金属間化合物を生成する反応を高速化することが可能となり、比較的低温で短時間の熱処理により、金属間化合物を生成させることができるため、接合部材中の低融点の第1金属が高融点の金属間化合物に短時間で変化し、耐熱性に優れた接合部材が形成される。本発明者らにより、第2金属の表面に最初に形成される金属間化合物と上記第2金属との格子定数の差が、上記第2金属の格子定数に対して50未満となるような、第1金属と第2金属を使用しても、このような効果を得ることができないことが分かっている。また、SnとCu-Niとの反応により金属間化合物が生成する際、SnとCu-Niの拡散速度は、SnとAgやSnとCuといった金属系より10倍以上早いため、Auバンプ電極付近に位置する導電性ペースト中のSnが、AuバンプのAuと拡散混合すると同時に、その他のSnはCu-Niと急速に反応して金属間化合物を生成するため、AuバンプをSnが過剰に溶食することがなく信頼性に優れた接合が可能となる。このような導電性ペーストによる接合方法を用いると、既存の安価な接合方法で高信頼性の接合が容易にできるだけでなく、接合には圧力が不要であるため、フレキシブル回路基板や超薄型基板など剛性の低い基板に対しても容易に接合することが可能となる。また、平坦性コプラナリティーが低い基板に対しても、ペーストの塗布量を調節することで、実装時に接合部材の高さを補って実装できるため、電子部品の実装性に優れる。また、SnのCu-Niに対する拡散速度が速いため、はんだを用いた場合にみられるようなセルフアライメントが発生することはなく、熱処理後も塗布した位置に略そのままの状態で接合部材として固化するため、導通不良やショートの発生が抑制される。このような導電性ペーストを用いた接合方法によれば、配線基板が多層化することで表面電極が多少歪んだ場合においても、その歪みがランド電極の面積と同程度以下で、かつ、ランド電極間のギャップのサイズ以下であれば、塗布した導電性ペーストが加熱時に平面方向に移動することが無いので、実装部品との位置にミスマッチを解消して接合することが可能となり、既存の安価な方法で容易に高信頼性の接合を行うことができる。第2金属としては、例えば、Cu-Ni合金Cu-10Niなど、Cu-Mn合金などが挙げられ、好ましくは、Cu-Ni合金またはCu-Mn合金である。なお、本明細書において、たとえばCu-10Niの数字10は当該成分この場合はNiの重量の値を示しており、他の記載についても同様である。ここで、Cu-Ni合金中のNiの比率は10~15重量であることが好ましい。また、上記Cu-Mn合金中のMnの比率は10~15重量であることが好ましい。これにより、所望の金属間化合物を生成するのに必要十分なNiまたはMnを供給することができる。Cu-Ni合金中のNiの比率およびCu-Mn合金中のMnの比率が10重量未満である場合、第1金属中のSnが全て金属間化合物とならずに残留しやすくなることが分かっている。また、Cu-Ni合金中のNiの比率およびCu-Mn合金中のMnの比率が15重量を超える場合も、第1金属中のSnが全て金属間化合物とならずに残留しやすくなることが分かっている。また、第1金属と第2金属との反応によって得られる金属間化合物は、Cu2NiSnまたはCu2MnSnを含んでいることが好ましい。融点が300°C以上であるこれらの金属間化合物で形成された接合部材を含む電子部品実装基板は、耐熱性に優れたものとなる。電子部品電子部品はAuバンプ電極を備えており、該Auバンプ電極はプリント基板のランド電極と電気的に接続される。電子部品としては、例えば、ICなどの能動部品や、コンデンサ、抵抗、インダクタなどの受動部品が挙げられるが、好ましくはICである。ICは特に小型化が要求されており、ICに設けられるAuバンプ電極は狭いピッチで配列されるため、配線基板のランド電極のピッチの方が広くなることが多いため、特に本発明の製造方法が有利に用いられる。<電子部品実装基板の製造方法>[実施形態1]本発明の電子部品実装基板の製造方法の一実施形態について、以下に図2~図4を用いて詳細に説明する。1配線基板と電子部品とを準備するステップまず、絶縁性基板、および、該絶縁性基板の少なくとも一方の表面に形成された導体配線層を有するプリント基板を少なくとも1枚備え、表面に複数のランド電極3を有する配線基板1を準備する。ランド電極3は、金属電極31にめっき32が施されたものである。なお、図2に詳細は示していないが、配線基板1は、複数のプリント基板が一体化されてなる、内部に複数の導体配線層2を有する多層配線基板であるか、もしくは、1枚の上記プリント基板からなる単層配線基板である。また、図2~図4では、模式的にランド電極3やAuバンプ71は2つしか記載されていないが、実際には1つの配線基板1の表面に多数のランド電極3を有し、1つの電子部品7の表面に多数のAuバンプ71を有していることは言うまでもない。絶縁性基板としては、上述の絶縁性基板が用いられる。絶縁性基板が樹脂を含んでいる場合、熱処理により樹脂が流れる恐れがあるため、後述の熱処理は比較的低温であることが望ましい。特に、樹脂として熱可塑性樹脂を含む場合は、熱処理により樹脂が流れ易いため、比較的低温で熱処理する製造方法を用いることが望ましい。導体配線層を形成する方法としては、種々公知の方法を用いることができるが、例えば、絶縁性基板の表面に導体箔を接着した後、または接着剤を用いないで絶縁性基板の表面に導体箔を直接に重ね合わした後、これをエッチングして配線回路を形成する方法や、配線回路の形状に形成された導体箔を絶縁性基板に転写する方法、絶縁性基板の表面に金属メッキ法によって回路を形成する方法が挙げられる。導体配線層の形成に用いる導体箔の材料としては、例えば、銅、銀、アルミニウム、SUS、ニッケル、金や、それらの合金などを用いることができ、好ましくは銅である。導体箔の厚さは回路形成可能であれば特に制限されず、3~40μm程度の範囲で適宜調整することができる。また、導体箔は、熱可塑性樹脂フィルムとの接着性を高めるために片面に粗化処理が施されていてもよく、粗化された面の表面粗さRzは、例えば1~15μmである。なお、導体配線層は必要に応じて相互にビアホール導体などにより接続されている。ビアホール導体による接続は種々公知の方法で行うことができ、後述の接合部材の形成に用いられる導電性ペーストと同じ材料を用いてビアホール導体を形成することが好ましい。また、配線基板1の両面には、電子部品に接続されるランド電極3とマザーボード等に接続される表面実装用電極4とが設けられている。ランド電極3は、例えば、Cuなどの金属からなる電極31の表面に、Ni/Auめっき、Ni/Pd/Auめっき、Snめっきなどのめっき32や、水溶性プリフラックス処理OSP処理:OrganicSolderbilityPreservative処理を施したものである。表面実装用電極4も同様に、例えば、電極41の表面にめっき42やOSP処理を施したものである。2ランド電極の表面に導電性ペーストを塗布するステップこのようにして形成されたランド電極の表面を含む所定の位置に、第1金属81および第2金属82を含む導電性ペーストを塗布する図2。導電性ペーストの塗布は、メタルマスクを用いたコンタクト印刷法やディスペンス法などにより行われる。導電性ペーストとしては、上記第1金属および第2金属からなる金属成分と、フラックス成分とを混練してなるペーストが用いられる導電性ペーストの各成分について、以下に詳述する。金属成分金属成分としては、上述の第1金属および第2金属と同様のものが用いられる。導電性ペースト中における金属成分とは、具体的には、例えば、ペースト中に分散された状態で存在する第1金属からなる粉末第1金属粉末および第2金属からなる粉末第2金属粉末である。第1金属粉末および第2金属粉末の算術平均粒径は、3~30μmであることが好ましい。小さすぎると製造コストが高くなる。また金属粉末の酸化が進み反応を阻害し易い問題がある。大きすぎるとビアホールに充填できなくなる問題が起きる。また、第1金属と第2金属との接続性や反応性を考慮すると、第1金属粉末および第2金属粉末中の酸素濃度は2000ppm以下であることが好ましく、特に10~1000ppmが好ましい。また、導電性ペースト中の金属成分に占める第2金属の割合を30重量以上とすることすなわち、第1金属の割合を70重量未満とすることが好ましい。これにより、製造後の接合部材における、Snの残留割合がより低減され、第1金属と第2金属との反応生成物である金属間化合物の割合が増すため、接合部材の導電性、耐熱性をより高めることができる。また、上記第1金属粉末および第2金属粉末として、比表面積が0.05m2g1以上のものを用いることにより、第1金属粉末と第2金属粉末との接触確率が高くなり、第1金属と第2金属との間で、さらに金属間化合物を形成しやすくなるため、一般的なリフロープロファイルで高融点化を完了させることが可能になる。また、第1金属粉末のうち少なくとも一部を、第2金属粉末の周りにコートすることにより、第1金属と第2金属の間で、さらに金属間化合物を形成しやすくすることが可能になり、本願発明をより実効あらしめることができる。また、第2金属として、Cu-Mn合金またはCu-Ni合金を用いることにより、さらには、Mnの割合が10~15重量であるCu-Mn合金、または、Niの割合が10~15重量であるCu-Ni合金を用いることにより、より低温、短時間で第1金属との間で金属間化合物を形成しやすくすることが可能になり、その後のリフロー工程でも溶融しないようにすることが可能になる。なお、第2金属には、第1金属との反応を阻害しない程度で、例えば、1重量以下の割合で不純物が含まれていてもよい。不純物としては、Zn、Ge、Ti、Sn、Al、Be、Sb、In、Ga、Si、Ag、Mg、La、P、Pr、Th、Zr、B、Pd、Pt、Ni、Auなどが挙げられる。なお、導電性ペースト中に占める上記金属成分の比率は、70~90重量であることが好ましい。この範囲内であれば、メタルマスクを用いた印刷において、良好な印刷性が得られる。フラックス成分フラックス成分としては、導電性ペーストの材料に用いられる種々公知のフラックス成分を用いることができ、例えば、ビヒクル、溶剤、チキソ剤、活性剤などが挙げられる。上記ビヒクルとしては、例えば、ロジンおよびそれを変性した変性ロジンの誘導体などからなるロジン系樹脂、合成樹脂、または、これらの混合体などが挙げられる。上記ロジンおよびそれを変性した変性ロジンなどの誘導体からなるロジン系樹脂としては、例えば、ガムロジン、トールロジン、ウッドロジン、重合ロジン、水素添加ロジン、ホルミル化ロジン、ロジンエステル、ロジン変性マレイン酸樹脂、ロジン変性フェノール樹脂、ロジン変性アルキド樹脂、その他各種ロジン誘導体などが挙げられる。上記ロジンおよびそれを変性した変性ロジンなどの誘導体からなる合成樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、テルペン樹脂などが挙げられる。上記ビヒクルは、例えば、ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリメタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂およびセルロース系樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1種の熱可塑性樹脂、または、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂またはその変性樹脂、および、アクリル樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種の熱硬化性樹脂を含んでいてもよい。上記溶剤としては、アルコール、ケトン、エステル、エーテル、芳香族系、炭化水素類などが知られており、具体的な例としては、ベンジルアルコール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、ジエチレングリコール、エチレングリコール、グリセリン、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、酢酸エチル、酢酸ブチル、安息香酸ブチル、アジピン酸ジエチル、ドデカン、テトラデセン、α-ターピネオール、テルピネオール、2-メチル-2,4-ペンタンジオール、2-エチルヘキサンジオール、トルエン、キシレン、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジイソブチルアジペート、へキシレングリコール、シクロヘキサンジメタノール、2-ターピニルオキシエタノール、2-ジヒドロターピニルオキシエタノール、それらを混合したものなどが挙げられる。好ましくは、テルピネオール、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルである。また、上記チキソ剤の具体的な例としては、硬化ヒマシ油、カルナバワックス、アミド類、ヒドロキシ脂肪酸類、ジベンジリデンソルビトール、ビスp-メチルベンジリデンソルビトール類、蜜蝋、ステアリン酸アミド、ヒドロキシステアリン酸エチレンビスアミドなどが挙げられる。また、これらに必要に応じてカプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘニン酸のような脂肪酸、1,2-ヒドロキシステアリン酸のようなヒドロキシ脂肪酸、酸化防止剤、界面活性剤、アミン類などを添加したものもチキソ剤として用いることができる。上記活性剤としては、例えば、アミンのハロゲン化水素酸塩、有機ハロゲン化合物、有機酸、有機アミン、多価アルコールなどが挙げられる。上記アミンのハロゲン化水素酸塩としては、例えば、ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩、ジフェニルグアニジン塩酸塩、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、エチルアミン塩酸塩、エチルアミン臭化水素酸塩、ジエチルアニリン臭化水素酸塩、ジエチルアニリン塩酸塩、トリエタノールアミン臭化水素酸塩、モノエタノールアミン臭化水素酸塩などが挙げられる。上記有機ハロゲン化合物としては、例えば、塩化パラフィン、テトラブロモエタン、ジブロモプロパノール、2,3-ジブロモ-1,4-ブタンジオール、2,3-ジブロモ-2-ブテン-1,4-ジオール、トリス2,3-ジブロモプロピルイソシアヌレートなどが挙げられる。上記有機酸としては、例えば、マロン酸、フマル酸、グリコール酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、フェニルコハク酸、マレイン酸、サルチル酸、アントラニル酸、グルタル酸、スベリン酸、アジピン酸、セバシン酸、ステアリン酸、アビエチン酸、安息香酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、ドデカン酸などが挙げられる。上記有機アミンとしては、例えば、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリブチルアミン、アニリン、ジエチルアニリンなどが挙げられる。上記多価アルコールとしては、例えば、エリスリトール、ピロガロール、リビトールなどが挙げられる。3上記電子部品を上記配線基板に搭載するステップ次に、図3に示すように、第1金属成分81および第2金属成分82を含む導電性ペーストと、Auバンプ電極71が接触するように、ICなどの電子部品7を配線基板に搭載する。4配線基板のランド電極と電子部品のAuバンプ電極とを相互に電気的に接続するステップ次に、電子部品7が搭載された配線基板1に熱処理を施す。熱処理の温度は、少なくとも一定時間の間、230°C以上に達することが好ましい。230°Cに達しない場合は第1金属中のSn融点:232°Cが溶融状態とならず、金属間化合物を生成することができない。また、熱処理の最高温度は、搭載部品ICの耐熱温度より低くする。このようにして熱処理することで、接合部材となる導電性ペースト中のフラックス成分は分解、揮発し、第1金属中のSnと第2金属Cu-Ni、Cu-Mnなどが反応して金属間化合物を生成し、また、ランド電極3およびAuバンプ電極71と導電性ペーストとが接する部分において、ランド電極3およびAuバンプ電極71の表面を形成する金属と導電性ペーストに含まれる第1金属81とが反応して合金層を形成する。この熱処理により、上記導電性ペースト由来の接合部材8が形成されて導電性ペースト中のCu-Ni合金中のNiの比率を10重量から15重量に変更した導電性ペースト7を用いた以外は、上記試験例1のリフロー接合、反転リフローと同様にして、導電性ペースト由来の接合部材での電気的導通の有無を測定した。結果を表3に示す。試験例4Cu-10Ni合金をCu-10Mn合金に変更した導電性ペースト8を用いた以外は、上記試験例1のリフロー接合、反転リフローと同様にして、導電性ペースト由来の接合部材での電気的導通の有無を測定した。結果を表4に示す。試験例5第1金属をSn-0.75CuSnを主成分とするはんだに変更した導電性ペースト9を用いた以外は、上記試験例1のリフロー接合、反転リフローと同様にして、導電性ペースト由来の接合部材での電気的導通の有無を測定した。結果を表5に示す。第1金属をSn-3Ag-0.5CuSnを主成分とするはんだに変更した導電性ペースト10を用いた以外は、上記試験例1のリフロー接合、反転リフローと同様にして、導電性ペースト由来の接合部材での電気的導通の有無を測定した。結果を表6に示す。なお、Sn-0.75Cu、Sn-3Ag-0.5Cuは鉛フリーはんだである。第1金属として、各種の鉛フリーはんだを用いることができる。上記以外にも、Bi、Znを含有する鉛フリーはんだが市販されている。第1金属としてこれらのはんだの内、Snが85重量以上のものを用いることができる。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"