"第1の半導体素子を有し、該第1の半導体素子を両面から挟むように、該第1の半導体素子の各面に導通してローサイド電極及び第1のミドルサイド電極が設けられ、該ローサイド電極及び第1のミドルサイド電極の外側の面が露出するように封止樹脂によりモールド成形された第1の樹脂モールドと、第2の半導体素子を有し、該第2の半導体素子を両面から挟むように、該第2の半導体素子の各面に導通してハイサイド電極及び第2のミドルサイド電極が設けられ、該ハイサイド電極及び第2のミドルサイド電極の外側の面が露出するように封止樹脂によりモールド成形された第2の樹脂モールドとを有し、前記第1のミドルサイド電極と前記第2のミドル電極の外側の面同士が、接合又は圧接により一体的に固定されるとともに、電気的に接続されたことを特徴とする半導体装置。前記接合は、導電性を有する接合材により行われることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記接合材は、はんだ、導電性接着剤、Agナノペースト材又はIn拡散層であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記圧接は、弾性力の印加による接触固定であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記接触固定は、前記第1の樹脂モールドの前記封止樹脂と前記第2の樹脂モールドの前記封止樹脂との対向面に形成された凹凸の嵌合構造により位置決めされて行われることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。前記接触固定は、前記第1のミドルサイド電極と前記第2のミドルサイド電極との対向面に形成された凹凸の嵌合構造により位置決めされて行われることを特徴とする請求項4又は5に記載の半導体装置。前記第1のミドルサイド電極及び前記第2のミドルサイド電極は、前記封止樹脂の側面よりも外側に飛び出した第1の引き出し電極部及び第2の引き出し電極部を各々有し、該第1の引き出し電極部と該第2の引き出し電極部との接合により電気的に接続されたことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の半導体装置。前記ローサイド電極と前記第1のミドルサイド電極との間及び前記ハイサイド電極と前記第2のミドルサイド電極との間には、前記第1の半導体素子及び前記第2の半導体素子よりも面積が小さい柱状のスペーサ電極が各々設けられ、前記ローサイド電極と前記第1のミドルサイド電極の少なくとも一方は、前記スペーサ電極を介して前記第1の半導体素子に導通し、前記ハイサイド電極と前記第2のミドルサイド電極の少なくとも一方は、前記スペーサ電極を介して前記第2の半導体素子に導通していることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の半導体装置。前記第1のミドルサイド電極及び前記第2のミドルサイド電極のいずれか一方は、前記第1の樹脂モールド又は前記第2の樹脂モールドから表面が露出するように設けられたスペーサ電極であり、前記第1のミドルサイド電極及び前記第2のミドルサイド電極の他方は、前記スペーサ電極よりも面積が大きい板状の電極であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の半導体装置。前記スペーサ電極は、前記第1の半導体素子及び前記第2の半導体素子よりも面積が小さい柱状の形状を含み、前記第1の樹脂モールド又は前記第2の樹脂モールドよりも表面が突出していることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。前記第1の樹脂モールドと前記第2の樹脂モールドとの間の側面が、シール材により封止されたことを特徴とする請求項9又は10に記載の半導体装置。前記スペーサ電極の側面と前記封止樹脂との間が、シール材により封止されたことを特徴とする請求項9又は10に記載の半導体装置。前記第1の樹脂モジュールは、前記第1の半導体素子に前記ローサイド電極側で並列に接続された第3及び第4の半導体素子を含んで3相のローサイド回路を構成し、前記第2の樹脂モジュールは、前記第2の半導体素子に前記第ハイサイド電極側で並列に接続された第5及び第6の半導体素子を含んで3相のハイサイド回路を構成し、前記第3の半導体素子の第3のミドルサイド電極と前記第5の半導体素子の第5のミドルサイド電極同士、前記第4の半導体素子の第4のミドルサイド電極と前記第6の半導体素子の第6のミドルサイド電極同士が接合又は圧接され、3相交流モータを駆動するインバータ回路を構成したことを特徴とする請求項1乃至12のいずれか一項に記載の半導体装置。ローサイド電極と第1のミドルサイド電極との間に第1の半導体素子が配置され、はんだ接合により該第1の半導体素子の2面と前記ローサイド電極及び前記第1のミドルサイド電極が導通固定された状態で、前記ローサイド電極及び前記第1のミドルサイド電極の外側の面が露出するように封止樹脂によりモールド成形し、第1の樹脂モールドを形成する第1の樹脂モールド形成工程と、ハイサイド電極と第2のミドルサイド電極との間に第2の半導体素子が配置され、はんだ接合により該第1の半導体素子の2面と前記ローサイド電極及び前記第2のミドルサイド電極が導通固定された状態で、前記ハイサイド電極及び前記第2のミドルサイド電極の外側の面が露出するように封止樹脂によりモールド成形し、第2の樹脂モールドを形成する第2の樹脂モールド形成工程と、前記第1の樹脂モールドの前記ローサイド電極と前記封止樹脂の界面及び前記第1のミドルサイド電極と前記封止樹脂との界面を超音波探傷により検査する第1の樹脂モールド検査工程と、前記第1の樹脂モールドの前記ローサイド電極と前記封止樹脂の界面及び前記第1のミドルサイド電極と前記封止樹脂との界面を超音波探傷により検査する第2の樹脂モールド検査工程と、前記第1の樹脂モールド検査工程及び前記第2の樹脂モールド検査工程において、良品と判定された前記第1の樹脂モールド及び前記第2の樹脂モールドの前記第1のミドルサイド電極と前記第2のミドルサイド電極の外側の面同士を、接合又は圧接により一体的に固定するとともに、前記第1のミドルサイド電極と前記第2のミドルサイド電極とを導通させる一体化工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記一体化工程における前記接合は、前記第1のミドルサイド電極と前記第のミドルサイド電極の外側の面同士の間に接合材を設け、前記第1のミドルサイド電極と前記第2のミドルサイド電極との間に電圧を印加して通電し、前記接合材を溶融することにより行われることを特徴とする請求項14に記載の半導体装置の製造方法。前記第1のミドルサイド電極及び前記第2のミドルサイド電極は、前記封止樹脂の側面よりも外側に飛び出した第1の引き出し電極部及び第2の引き出し電極部を各々有し、前記一体化工程における前記第1のミドルサイド電極と前記第2のミドルサイド電極との導通は、該第1の引き出し電極部と該第2の引き出し電極部との接合により行われることを特徴とする請求項14に記載の半導体装置の製造方法。しかしながら、上述の特許文献1に記載の構成では、ミドルサイド電極の表面付近のはんだ接合の良否、及び封止樹脂とミドルサイド電極との接合の良否を超音波探傷により検査する場合に、超音波は幾層にも積層されたはんだ層、電極、半導体素子を通過して検査対象領域に到達するため、反射波が著しく減衰し、正確にミドルサイド電極付近のはんだ接合の良否や封止樹脂とミドルサイド電極の接合の良否を検査するのが困難であるという問題があった。図1は、特許文献1に記載された従来の2段積層型パワーモジュールを示した図である。図1Aは、従来の2段積層型パワーモジュールの断面構成図である。図1Aにおいて、上アーム320の上に、下アーム310が積層された構成となっている。上アーム320は、ハイサイド電極260上にはんだ290により半導体スイッチング素子211及び整流素子221が接合され、更にその上にはんだ290を介してスペーサ電極230が積層され、更にその上にはんだ290を介してミドルサイド電極250が積層されている。また、半導体スイッチング素子211には、ボンディングワイヤ280を介して制御用端子271が接続されている。ミドルサイド電極250の上には、やはりはんだ290により接合されて、半導体スイッチング素子210及び整流素子220と、スペーサ電極230と、ローサイド電極240が積層されて下アーム310が構成されている。また、半導体スイッチング素子210には、ボンディングワイヤ280を介して制御端子270が接続されている。そして、側方に延びたローサイド電極240、ミドルサイド電極250、ハイサイド電極260及び制御用端子270、271以外は、封止樹脂300によりモールド成形されて一体化されている。かかる構成は、上アーム320と下アーム310を積層するとともに、両者のミドルサイド電極250を共有することにより、小型に構成することができる。図1Bは、従来の2段積層型パワーモジュールの超音波探傷による検査の問題点を説明するための図である。図1Bに示すように、超音波探傷においては、超音波がパワーモジュールに向けて照射される。超音波の入射波は、発振子から出力された数十MHzの超音波で、封止樹脂300と電極240、250、260界面から反射してくる反射波をセンサで検出し、その強度を検出する。被検査物が、超音波の伝播速度の異なる物質から構成されていると、超音波は伝播速度が変化する界面で反射する性質を有する。そして、界面を挟んだ物質の伝播速度差が大きい程、反射波強度が大きくなる。一般に、固体同士と比較して、空気等の気体は、伝播速度が著しく異なる。よって、構成物質間の界面に密着していない剥離層があると、空気層があるので、剥離層が無い正常な場合に比べて強い反射波が発生し、明確にこれを検出できる。超音波探傷は、この性質を利用して、封止樹脂と電極等との密着性を検査する。ところで、封止樹脂300には、半導体周辺、ボンディングワイヤ等の高電圧が印加される部位の絶縁、外部からの半導体周辺、ボンディングワイヤ等への水や汚染物質の侵入の防止、熱変形の抑制の3つの機能がある。なお、熱変形の抑制とは、半導体シリコンと電極銅の線膨張係数が異なるため、温度変化により両者の界面に応力が発生し、半導体と電極を接合するはんだ層290に破損が発生する現象を、銅に線膨張係数が近い封止樹脂で抑制することである。これらの3つの機能は、封止樹脂300と電極240~260とが密着しないと発現しない。よって、超音波探傷により、封止樹脂300と電極240~260との密着性を検査することは、極めて重要である。また、はんだ290にボイド等が発生しないかを検査することも、同様に重要である。図1Bに示すように、封止樹脂300と電極240~260の界面の検査は、ローサイド電極240側又はハイサイド電極260側から超音波を入射させることにより行われる。ここで、ローサイド電極240と封止樹脂300との界面は、ローサイド電極240しか通過しない入射波C及び反射波Dにより行われるので、伝播距離は短く、また大きな形状変化も無いので、十分なS/Nの信号を得て検査できる。ハイサイド電極260と封止樹脂300との界面も、伝播距離の短い入射波C’及び反射波D’により行われるので、何ら問題は無い。しかしながら、ミドルサイド電極250の両面の封止樹脂300との界面については、入射波A及び反射波B、入射波A’及び反射波B’が、3層のはんだ層290、スペーサ電極230、半導体スイッチング素子210、整流素子220等を通過する必要があるため、この間、超音波は減衰してしまうという現象が生じる。また、超音波が、積層された複数層を通過するため、信号が乱れてしまうという現象も生じる。その結果、十分なS/Nの信号を得ることができず、ミドルサイド電極250と封止樹脂300との密着性を正確に検査できないという問題があった。そこで、本発明は、ミドルサイド電極の界面について、封止樹脂との接合やはんだ接合の状態を正確に検査することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る半導体装置は、第1の半導体素子を有し、該第1の半導体素子を両面から挟むように、該第1の半導体素子の各面に導通してローサイド電極及び第1のミドルサイド電極が設けられ、該ローサイド電極及び第1のミドルサイド電極の外側の面が露出するように封止樹脂によりモールド成形された第1の樹脂モールドと、第2の半導体素子を有し、該第2の半導体素子を両面から挟むように、該第2の半導体素子の各面に導通してハイサイド電極及び第2のミドルサイド電極が設けられ、該ハイサイド電極及び第2のミドルサイド電極の外側の面が露出するように封止樹脂によりモールド成形された第2の樹脂モールドとを有し、前記第1のミドルサイド電極と前記第2のミドル電極の外側の面同士が、接合又は圧接により一体的に固定されるとともに、電気的に接続されたことを特徴とする。また、本発明の他の態様に係る半導体装置の製造方法は、ローサイド電極と第1のミドルサイド電極との間に第1の半導体素子が配置され、はんだ接合により該第1の半導体素子の2面と前記ローサイド電極及び前記第1のミドルサイド電極が導通固定された状態で、前記ローサイド電極及び前記第1のミドルサイド電極の外側の面が露出するように封止樹脂によりモールド成形し、第1の樹脂モールドを形成する第1の樹脂モールド形成工程と、ハイサイド電極と第2のミドルサイド電極との間に第2の半導体素子が配置され、はんだ接合により該第1の半導体素子の2面と前記ローサイド電極及び前記第2のミドルサイド電極が導通固定された状態で、前記ハイサイド電極及び前記第2のミドルサイド電極の外側の面が露出するように封止樹脂によりモールド成形し、第2の樹脂モールドを形成する第2の樹脂モールド形成工程と、前記第1の樹脂モールドの前記ローサイド電極と前記封止樹脂の界面及び前記第1のミドルサイド電極と前記封止樹脂との界面を超音波探傷により検査する第1の樹脂モールド検査工程と、前記第1の樹脂モールドの前記ローサイド電極と前記封止樹脂の界面及び前記第1のミドルサイド電極と前記封止樹脂との界面を超音波探傷により検査する第2の樹脂モールド検査工程と、前記第1の樹脂モールド検査工程及び前記第2の樹脂モールド検査工程において、良品と判定された前記第1の樹脂モールド及び前記第2の樹脂モールドの前記第1のミドルサイド電極と前記第2のミドルサイド電極の外側の面同士を、接合又は圧接により一体的に固定するとともに、前記第1のミドルサイド電極と前記第2のミドルサイド電極とを導通させる一体化工程と、を有することを特徴とする。本発明によれば、ミドルサイド電極の界面の状態を正確に検査でき、半導体装置の信頼性を高めることができる。以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。図2は、本発明の実施例1に係る半導体装置の一例を示した断面図である。図2において、実施例1に係る半導体装置は、下アーム110と、上アーム120とを備える。下アーム110は、ローサイド回路を搭載した樹脂モールド体であり、上アーム120は、ハイサイド回路を搭載した樹脂モールド体である。ローサイド回路は、回路が低電位側と高電位側の2段で構成されている場合の低電位側の回路を意味し、ハイサイド回路は高電位側の回路を意味する。実施例1に係る半導体装置は、2段積層型のパワーモジュールとして構成された例を挙げて説明する。下アーム110は、第1の半導体素子10と、第1の整流素子20と、スペーサ電極30と、ローサイド電極40と、第1のミドルサイド電極50と、第1の制御用端子70と、ボンディングワイヤ80と、はんだ90と、封止樹脂100とを備える。また、上アーム120は、第2の半導体素子11と、第2の整流素子21と、スペーサ電極30と、第2のミドル電極51と、ハイサイド電極60と、第2の制御用端子71と、ボンディングワイヤ80と、はんだ90と、封止樹脂100とを備える。ここで、スペーサ電極30、ボンディングワイヤ80、はんだ90及び封止樹脂100は、上アーム110と下アーム120とで特に相違点が無く共通であるので、同一の参照符号を付している。本実施例に係る半導体装置は、上アーム110及び下アーム120がそれぞれミドルサイド電極50、51を個別に備え、各々が個別に樹脂封止されている。図1において説明したように、従来の2段積層型パワーモジュールは、ミドルサイド電極250が共通であり、ローサイド電極240及びハイサイド電極250とともに総て一体となった状態で樹脂封止がなされていたが、本実施例に係る半導体装置は、下アーム110と上アーム120で個別に樹脂封止がなされ、別体として構成されている点で異なっている。下アーム110において、第1のミドルサイド電極50上に、はんだ90により第1の半導体素子10及び第1の整流素子20が接合されている。また、第1の半導体素子10及び第1の整流素子20の上には、はんだ90によりスペーサ電極30が接合されて積層されている。スペーサ電極30の上には、やはりはんだ90を介してローサイド電極40が第1の半導体素子10及び第1の整流素子20の両方を覆うように積層されている。そして、ローサイド電極40及び第1のミドルサイド電極50の外側の表面が露出するように、封止樹脂100でモールド成形され、第1の樹脂モールド体が形成されている。また、第1のミドルサイド電極50は、右側に水平に延び、封止樹脂100より外側に突出して露出した第1の引き出し電極部50aを有する。更に、第1のミドルサイド電極50の左側には、第1の制御用端子70が、ミドルサイド電極50とほぼ水平の高さで、封止樹脂100から先端が突き出て露出するように配置され、残りの部分は封止樹脂100で封止されている。また、第1の制御用端子70と第1の半導体素子10とは、ボンディングワイヤ80により接続されている。上アーム120は、ほぼ下アーム110と同様の構成を有するが、下端にハイサイド電極60が配置され、その上にはんだ90を用いた接合により、第2の半導体素子11及び第2の整流素子21、スペーサ電極30、第2のミドルサイド電極51が下から順に積層された構成となっている。第2のミドルサイド電極51は、引き出し電極部を有しない点で、第1のミドルサイド電極50と異なっている。また、第2の制御用端子71がハイサイド電極60の左側に配置され、先端が封止樹脂100から突き出して露出しており、封止樹脂100内の部分はボンディングワイヤ80により第2の半導体素子11と接続されている点は、下アーム110と同様である。このように、下アーム110と上アーム120は、一旦別個に独立して形成される。そして、最終的には、第1のミドルサイド電極50と第2のミドルサイド電極51同士が接合又は圧接され、一体化して固定される。下アーム110と上アーム120が接合又は圧接して固定された状態が、パワーモジュールとして完成した状態となる。図2において、第1及び第2の半導体素子10、11には、半導体を用いたスイッチング素子が用いられる。例えば、第1及び第2の半導体素子10、11には、IGBTInsulatedGateBipolarTransistor、絶縁ゲートトランジスタや、パワーMOSMetalOxideSemiconductorトランジスタ等の半導体スイッチング素子が用いられてよい。また、第1の半導体素子10と第2の半導体素子11には、同一の半導体素子が用いられてもよい。第1及び第2の整流素子20、21には、整流作用のあるダイオードが用いられてよい。第1及び第2の整流素子20、21は、例えば、第1及び第2の半導体素子10、11のコレクタ-エミッタ間又はドレイン-ソース間と並列に接続されてもよい。第1及び第2の半導体素子10、11がIGBTであり、本実施例に係る半導体装置がインバータとして構成される場合には、第1及び第2の整流素子20、21は、第1及び第2の半導体素子10、11の各々のコレクタ-エミッタ間に並列に接続される。スペーサ電極30は、ローサイド電極50と第1のミドルサイド電極50との間隔、及びハイサイド電極60と第2のミドルサイド電極51との間隔を確保し、第1及び第2の半導体素子10、11の発熱を放出し易くするための電極である。また、スペーサ電極30も電極の1つであるので、第1の半導体素子10とローサイド電極40との導通、及び第2の半導体素子11と第2のミドルサイド電極51との導通も確保する。スペーサ電極30は、第1及び第2の半導体素子10、11、第1及び第2の整流素子20、21よりも面積が小さい、柱状のブロックのような電極として構成されてよい。よって、スペース電極30を、ブロック電極と呼んでもよい。また、スペース電極30は、種々の金属から構成されてよいが、銅、アルミニウム等の配線用金属で構成されることが好ましい。ローサイド電極40は、下アーム110のローサイド回路の低電位側の電位線と同電位となる電極である。ローサイド電極40は、例えば、接地電位に設定される。ローサイド電極40は、第1の半導体素子10及び第1の整流素子20の双方を覆うように、第1の半導体素子10及び第1の整流素子20よりも大きい面積を有して、平板状の電極として形成される。また、ローサイド電極40も、種々の金属から構成されてよいが、銅、アルミニウム等の配線用金属で構成されることが好ましい。第1のミドルサイド電極50は、ローサイド回路の出力端子となる電極であり、ローサイド回路の高電位側の電位線と同電位となる。第1のミドルサイド電極50も、ローサイド電極40と同様に、第1の半導体素子10及び第1の整流素子20の双方を覆う面積を有して、平板状の電極として形成される。また、第1のミドルサイド電極50も、種々の金属から構成されてよいが、銅、アルミニウム等の配線用金属で構成されることが好ましい。第2のミドルサイド電極51は、ハイサイド回路の出力端子となる電極であり、ハイサイド回路の低電位側の電位線と同電位となる。第2のミドルサイド電極51も、第2の半導体素子11及び第2の整流素子21の双方を覆う面積を有し、平板状の電極として形成される。また、第2のミドルサイド電極51も、種々の金属から構成されてよいが、銅、アルミニウム等の配線用金属で構成されることが好ましい。第1のミドルサイド電極50と第2のミドルサイド電極51は、物理的に接合又は圧接により一体化して固定されるとともに、電気的にも接続される。そのため、第1のミドルサイド電極50と第2のミドルサイド電極51は同電位の出力端子を構成する。図2においては、第1のミドルサイド電極50にのみ引き出し電極部50aが設けられており、この引き出し電極部50aが下アーム110及び上アーム120の共通の出力端子となる。また、第1のミドルサイド電極50と第2のミドルサイド電極51とは、接合又は圧接されるため、外側の接合面は合同に形成されることが好ましい。ハイサイド電極60は、ハイサイド回路の高電位側の電位線と同電位となる電極である。ハイサイド電極60は、例えば、電源と同じ電位に設定される。なお、ハイサイド電極60も、第2の半導体素子11及び第2の整流素子21の双方を覆うことができる面積を有して、平板状の電極として形成される。また、ハイサイド電極60も、種々の金属から構成されてよいが、銅、アルミニウム等の配線用金属で構成されることが好ましい。第1の制御用端子70は、第1の半導体素子10に制御信号を供給するための端子である。第1の半導体素子10がIGBT又はパワーMOSトランジスタの場合には、第1の制御用端子70は、第1の半導体素子10のゲートに接続され、第1の半導体素子10のオンオフを制御する。第2の制御用端子71は、第21の半導体素子11に制御信号を供給するための端子であり、その構成及び機能は、第1の制御用端子と同じであってよい。ボンディングワイヤ80は、第1及び第2の制御用端子70、71と第1及び第2の半導体素子10、11とをそれぞれ接続するための配線用ワイヤである。具体的には、例えば、第1及び第2の半導体素子10、11のゲートと、第1及び第2の制御用端子70、71を各々ワイヤボンディングにより接続する。はんだ90は、積層方向に各部品同士を接合する接合材である。はんだ90は、導電性の接合材であるので、物理的な接合だけではなく、電気的にも各部品同士を接続する。具体的には、下アーム110においてはんだ90は、第1のミドルサイド電極50と第1の半導体素子10及び第1の整流素子20、第1の半導体素子10及び第1の整流素子20とスペーサ電極30、スペーサ電極30とローサイド電極40とを接合し、電気的にもそれらを接続している。同様に、上アーム120においてはんだ90は、ハイサイド電極60と第2の半導体素子11及び第2の整流素子21、第2の半導体素子10及び第2の整流素子20とスペーサ電極30、スペーサ電極30と第2のミドルサイド電極51とを物理的に接合するとともに、電気的に接続している。封止樹脂100は、下アーム110及び上アーム120の各部品を封止し、各部品間の絶縁を確保するとともに、外部の水分、湿気、塵等から部品を保護するための材料である。封止樹脂100は、モールド成形により図2に示すような形状に形成される。なお、封止樹脂100は、各電極30~60の線膨張係数に近くなるように材料が選択され、調整されていることが好ましい。例えば、電極30~60に銅が用いられた場合には、エポキシ樹脂を封止樹脂100に用い、他の無機物質又は有機物質を混合して銅の線膨張係数に近くなるように構成してもよい。図3は、実施例1に係る半導体装置の超音波探傷による検査を説明するための図である。図3Aは、下アーム110の超音波探傷による検査を説明するための図である。図3Aにおいて、下アーム110が、ローサイド電極40を上側、第1のミドルサイド電極50を下側に配置して構成されている。この状態で、ローサイド電極40の表面に向けて超音波を発射すると、入射波Cはローサイド電極40のみを通過し、ローサイド電極40と封止樹脂100との界面で反射して反射波Dが得られる。よって、十分なS/Nの信号を反射波Dとして得ることができる。この点は、図1で説明した従来のパワーモジュールと同様である。一方、第1のミドルサイド電極50の表面に向けて超音波を発射した場合も、入射波Aは第1のミドルサイド電極50のみを通過し、第1のミドルサイド電極50と封止樹脂100との界面で反射して反射波Bを得ることができる。つまり、第1のミドルサイド電極50の界面についても、はんだ90、第1の半導体素子10、スペーサ電極30等を通過することなく、第1のミドルサイド電極50の界面からの直接的な反射波Bを得ることができる。よって、反射波Bは、十分なS/Nを有する信号であり、第1のミドルサイド電極50の界面の封止樹脂100との密着性を正確に検査することが可能となる。このように、下アーム110においては、ローサイド電極40及び第1のミドルサイド電極50の表面が両方とも露出しているため、両方の電極40、50の界面の封止樹脂100との密着性を正確に検査することができる。図3Bは、上アーム120の超音波探傷による検査を説明するための図である。図3Bにおいて、上アーム120が、第2のミドルサイド電極51が上側、ハイサイド電極60が下側となるように配置されている。この場合においても、第2のミドルサイド電極51の表面は露出しているため、第2のミドルサイド電極51に向けて超音波を発射することにより、入射波A’及び反射波B’は、第2のミドルサイド電極51のみを通過して反射する。よって、反射波B’は、十分なS/Nを有する信号であり、これをセンサで検出することにより、第2のミドルサイド電極51の界面の封止樹脂100との密着性を正確に検査することができ、その信頼性を高めることができる。なお、ハイサイド電極60の界面についても、入射波C’及び反射波D’はハイサイド電極60しか通過しないので、高S/Nで信号を検出することができ、正確にハイサイド電極60の界面における封止樹脂100との密着性を検査することができる。このように、本実施例に係る半導体装置によれば、下アーム110及び上アーム120の双方とも、ミドルサイド電極50、51を露出させた状態で樹脂封止を行っているので、ミドルサイド電極50、51と封止樹脂100との密着性を正確に検査することができ、高い信頼性の半導体装置を提供することができる。図4は、実施例1に係る半導体装置の上アーム120と下アーム110との接合方法の一例を説明するための図である。なお、図4において、各構成要素には図2と同一の参照符号を付し、その説明を省略するものとする。図4において、上側に配置された下アーム110の第1のミドルサイド電極50と、下側に配置された上アーム120の第2のミドルサイド電極51が対向し、接合層130を介して接合されている。このように、上アーム120と下アーム110は、接合材を用いて、接合層130を介して接合されてもよい。接合材は、用途に応じて種々の接合材を用いることができるが、例えば、低融点はんだ、導電性接着剤、Agナノペースト材、In拡散層等を、用途に応じて用いることができる。これらの接合材は、総て導電性を有する材料であるので、接合層130により、第1のミドルサイド電極50と第2のミドルサイド電極51が導通した状態となっている。よって、導電性の接合材を用いる場合には、上アーム120と下アーム110を一体化して固定する物理的接合と、第1のミドルサイド電極50と第2のミドルサイド電極51同士の電気的接続の両方を接合層130のみで行うことができる。なお、上アーム120と下アーム110の接合は、樹脂封止を行った後の工程となるので、接合材には、封止樹脂100の耐熱温度以下で接合できる接合材を用いる。例えば、封止樹脂100の耐熱温度以下で接合できる低融点はんだ、導電性接着剤、Agナノペースト材、In拡散層等を用い、接合材を第1のミドルサイド電極50と第2のミドルサイド電極51との間に挿入し、全体を加温して接合材を溶融又は硬化させることにより、接合を行うことができる。接合材は、接合後は図4に示すように接合層130となる。次に、図5を用いて、実施例1に係る半導体装置の製造方法について説明する。図5は、実施例1に係る半導体装置のはんだ付け及びモールド成形の手順を説明するための図である。図5Aは、下アーム110の素子はんだ付け工程又は素子接合工程の一例を示した図である。素子はんだ付け工程においては、まず、第1のミドルサイド電極50の表面上に、第1の半導体素子10及び第1の整流素子20、更にそれらの上にスペーサ電極30をはんだ付けする。その際、はんだ90の位置にはんだ箔を挿入し、治具等で位置決め固定して加熱し、はんだ箔を溶融させれば、図5Aに示すように、第1のミドルサイド電極50上に素子10、20及び電極30が積層接合される。その際、スペーサ電極30の上面をはんだ材で覆っておく。また、その後、ワイヤボンディングで第1の半導体素子10と制御用端子70とをアルミワイヤで接続しておく。また、その状態で、ローサイド電極40を準備しておく。図5Bは、ローサイド電極はんだ付け工程又はローサイド電極接合工程の一例を示した図である。ローサイド電極はんだ付け工程においては、ローサイド電極40をスペーサ電極30の上面上に重ね、治具等で位置決め固定し、スペーサ電極30の上面上のはんだ材の溶融点以上まで加熱する。そうすると、図5Bに示すように、ローサイド電極40がスペーサ電極30の上面上にはんだ付けされて接合される。これにて、下アーム110の配線は完了する。図5Cは、樹脂モールド形成工程の一例を示した図である。樹脂モールド成形工程においては、封止樹脂100を用いて、モールド成形を行う。モールド成形は、例えば、トランスファーモールド成形機の金型中にはんだ付け完了品を設置し、トランスファーモールド成形を行い、封止樹脂100を電極周囲に形成する。その際、第1の半導体素子10の通電時に発生する熱の放熱を促進するため、ローサイド電極40と第1のミドルサイド電極50の非半導体素子実装面側外面側を露出させるように成形するか、又は封止樹脂100が電極40、50の一部を覆ってしまった場合には、切削加工等で、ローサイド電極40及び第1のミドルサイド電極50の非半導体素子実装面外側面を露出させるようにする。例えば、このようにして、下アーム110は形成される。なお、上アーム120についても、第1のミドルサイド電極50をハイサイド電極60、ローサイド電極40を第2のミドルサイド電極51に置き換えれば、下アーム110と同様に上アーム120を形成することができる。この後は、例えば、図4で説明したように、上アーム120と下アーム110との接合を、接合材を用いて行い、図4に示した半導体装置を完成させることができる。図6は、比較例として、従来の半導体装置のはんだ付け工程を示した図である。図6Aは、素子はんだ付け工程を示した図である。素子はんだ付け工程においては、ハイサイド電極260上には半導体素子211及び整流素子221と、スペーサ電極230とを順次積層させてはんだ290により接合する。そして、制御用端子271もボンディングワイヤ280を介して半導体素子210に接続される。同様に、ミドルサイド電極250上には、半導体素子210及び整流素子220と、スペーサ電極230とが順次積層され、はんだ290により接合される。半導体素子210には、ボンディングワイヤ280を介して制御用端子270が接続される。そして、下から、ハイサイド電極260、ミドルサイド電極250、ローサイド電極240の順に積み重ねられ、位置決め固定される。図6Bは、電極はんだ付け工程を示した図である。ハイサイド電極260、ミドルサイド電極250及びローサイド電極240が、重ね合わせられた状態で位置決め固定され、スペーサ電極30の上面上のはんだ290が溶融する温度で加熱されると、図6Bに示すように、下アーム310と上アーム320が接合され、一体化されて配線が完了する。この状態で、トランスファーモールド成形を行うことにより、全体を樹脂封止することができる。その際、ローサイド電極240及びハイサイド電極260の非半導体素子実装面外側面は露出させるようにする。しかしながら、ミドルサイド電極250は、構造上、封止樹脂300の中に封止されることになる図1参照。このように、従来の半導体装置では、工程的に、半導体装置の配線が完了してからモールド成形が行われるので、中段に配置されたミドルサイド電極250については、樹脂封止がされてから封止樹脂300の中段に埋設されてから検査を行わざるを得ない構成となってしまう。それと比較して、本実施例に係る半導体装置は、樹脂封止が半導体装置全体の接合が終了する前に終了するので、ミドルサイド電極50、51を露出させた状態で超音波探傷による検査を行うことができ、高精度で界面の封止樹脂100との密着性を検査することができる。図7は、本発明の実施例2に係る半導体装置の上アームと下アームの構成及び接合工程の一例を示した図である。なお、実施例2においても、実施例1の図2及び図4と同様の構成要素には、同一の参照符号を付してその説明を省略する。図7において、図4と同様に、上アーム121の上に下アーム110が配置され、第2のミドルサイド電極52と第1のミドルサイド電極50の間に、接合層130が形成されている。しかしながら、実施例2においては、第2のミドルサイド電極52が、右方向に延びて封止樹脂100の外側まで突き出した引き出し電極部52aを有する点で、実施例1の図4に係る半導体装置と異なっている。また、第1のミドルサイド電極50と第2のミドルサイド電極52との接合のために、電源140が半導体装置の外部に設けられ、第1及び第2のミドルサイド電極50、52に接続されている点で、実施例1に係る半導体装置及びその製造方法と異なっている。実施例2に係る半導体装置においては、上アーム121と下アーム110との接合は、接合材を用いる点では共通するが、実施例1のような全体加熱ではなく、通電加熱によりは接合材を溶融又は硬化して接合を行う点で異なっている。図7において、電源140が設けられ、第1のミドルサイド電極50と第2のミドルサイド電極52に接続されて電圧が印加されている。このように、第1及び第2のミドルサイド電極50、52間に電圧を印加して通電することにより、第1及び第2のミドルサイド電極50、52間にジュール熱が発生し、接合材を溶融又は硬化することができる。このように、接合材の溶融又は硬化は、通電により行うようにしてもよい。実施例2に係る半導体装置の上アーム120と接合方法においては、短時間の通電加熱により、封止樹脂100の温度が上昇するまでに接合処理が完結するので、封止樹脂100の耐熱以上の接合材も使用することができる。なお、第1及び第2のミドルサイド電極50、52への通電は、図7に示すように、ミドルサイド電極50、52の一部を封止樹脂100の外側に延ばして引き出し電極部52aを形成するか、又は封止樹脂100の一部に穴を開けて、ミドルサイド電極50、52に接触するように電源供給用電極を挿入する等して、上アーム121のミドルサイド電極52に外部から通電してもよい。このように、実施例2に係る半導体装置及びその製造方法によれば、上アーム121を、外部からミドルサイド電極52への通電が可能な形状に構成し、ミドルサイド電極50、52間への通電により接合材を溶融又は硬化させて接合を行うことにより、接合材の許容幅を拡大し、溶融温度又は硬化温度がはんだ材の耐熱温度よりも高い接合材を用いることが可能となる。図8は、本発明の実施例3に係る半導体装置の一例を示した図である。実施例3に係る半導体装置は、下部アーム122の第2のミドルサイド電極53の構成が実施例1及び実施例2と異なるが、その他の構成要素は、実施例1及び実施例2と同様であるので、その他の構成要素には実施例1及び実施例2と同一の参照符号を付してその説明を省略する。実施例3に係る半導体装置においては、第2のミドルサイド電極53が、封止樹脂100の外側まで突き出して延びた引き出し電極部53aを有し、引き出し電極部53aの先端部が第1のミドルサイド電極50の先端部と接合部135において接続され、第1のミドルサイド電極50と第2のミドルサイド電極53との電気的接続が行われている。なお、第1及び第2のミドルサイド電極50、53同士の先端部の接続は、例えば、溶接、リベット止め、カシメ等により行われてよい。この場合、第1のミドルサイド電極50と第2のミドルサイド電極53の電気的接続は、先端部の接続で保証されているので、第1のミドルサイド電極50と第2のミドルサイド電極53の物理的接合は、必ずしも導電性の接合材を用いる必要は無い。よって、導電性を有しない一般的な樹脂の接着剤を使用することも可能となる。また、導電性を有する接合材を用いる場合でも、電気的接続をあまり考慮に入れず、接合のための最小限の接合層131を形成することができる。よって、接合層131を形成する接合材としては、低融点はんだ、導電性接着剤、Agナノペースト材、In拡散層の他、導電性を有しない接着剤や粘着剤も用いることができる。実施例3に係る半導体装置によれば、ミドルサイド電極50、53の先端部で電気的接続を行うことにより、非導電性の接着剤や粘着剤を含めた広い接合材を接合工程に用いることができる。図9は、本発明の実施例4に係る半導体装置の一例を示した図である。実施例4においても、実施例1と同様の構成要素には、実施例1と同一の参照符号を付してその説明を省略する。図9において、実施例4に係る半導体装置は、構成要素としては、実施例1に係る半導体装置とほぼ同様であるが、接合層130を有せず、圧接接触界面132のみが示されている点で、実施例1に係る半導体装置と異なっている。実施例4に係る半導体装置においては、下側に配置された上アーム120の第2のミドルサイド電極51と、上側に配置された下アーム110の第1のミドルサイド電極50とが対向して圧接されている。この場合、圧接接触界面132には、接合材は存在せず、第1のミドルサイド電極50と第2のミドルサイド電極51とは接触して押圧された状態である。このような圧接状態であっても上アーム120と下アーム110が固定され、第1のミドルサイド電極50と第2のミドルサイド電極51同士の接触が十分になされていれば、パワーモジュールとして機能することができる。なお、上アーム120と下アーム110の圧接は、例えば、ローサイド電極40又はハイサイド電極60の一方の外側表面を壁のような固定支持体に押し付け、反対側からローサイド電極40又はハイサイド電極60を弾性力等で押圧するようにして行われてもよい。そのような圧接を可能とする治具、フレーム、ハイジング、ケーシング等を用いることにより、第1及び第2のミドルサイド電極50、51同士を必ずしも接合せずに、パワーモジュールを構成することができる。図9においては、そのような治具やフレームは示されていないが、例えば、ローサイド電極40及びハイサイド電極60の両側から、中央に向かって挟み込むように押圧力を加えれば、そのような圧接固定を実現することができる。実施例4に係る半導体装置によれば、接合材を用いることなく半導体装置を構成することができ、半導体装置が用いられる用途に応じた治具、フレーム、ケーシング、ハウジング等に挿入されて用いられることにより、簡潔な構造でありながら、高い信頼性のパワーモジュールを構成することができる。図10は、本発明の実施例5に係る半導体装置の一例を示した図である。実施例5においては、実施例4に係る半導体装置を、3相交流モータの駆動回路として構成した例を説明する。実施例4に係る半導体装置は、ハイブリッド車の主軸駆動用モータと発電用モータを駆動するための車載用半導体装置として構成されている。実施例5に係る半導体装置は、第1モータ駆動回路150と、第2モータ駆動回路160と、冷却器固定用ハウジング170と、押さえバネ保持用ボス171と、押さえバネ175と、冷却チューブ180とを有する。第1モータ駆動回路150は、ハイブリッド車の主軸駆動用モータを駆動するインバータであり、U相回路部151、V相回路部152及びW相回路部153を有する。第2モータ駆動回路160は、ハイブリッド車の発電用モータ発電機を駆動するインバータであり、実施例4に係る半導体装置がU相、V相、W相に対応して備えられている。冷却固定用ハウジング170は、冷却チューブ180を固定するためのハウジングである。押さえバネ保持用ボス171は、押さえバネ175を固定するためのボスであり、冷却器固定用ハウジングに固定されている。押さえバネ175は、冷却チューブ180を介して、第1モータ駆動回路150及び第2モータ駆動回路160を冷却器固定用ハイジング170側に弾性力により押圧し、第1モータ駆動回路150及び第2モータ駆動回路160を固定するための押圧手段である。冷却チューブ180は、第1モータ駆動回路150及び第2モータ駆動回路160の駆動回路を冷却する手段である。冷却チューブ180の内部を冷却水が循環し、各回路から発生された熱を熱交換し、駆動回路を冷却する。冷却チューブ180は、その内部にフィン181を有し、熱交換の効率を高めている。実施例5に係る半導体装置において、第1モータ駆動回路150のU相回路部151、V相回路部152及びW相回路部153を両側から挟むように冷却チューブ180が設けられ、同様に、第2モータ駆動回路160のやはり両側から挟むように冷却チューブ180が設けられている。また、図10において、第1モータ駆動回路150のU相回路部151、V相回路部152及びW相回路部153は、実施例1乃至4に係る半導体装置とは異なり、1段型パワーモジュールとして構成されている。これは、主軸駆動用モータは、大電流容量モータなので、第1モータ駆動回路150の各回路151~153は通電量が多くなり、発熱量が多いので、比較的高価ではあるが、冷却性能が高い両面冷却方式を用いる必要があるからである。一方、第2モータ駆動回路160は、実施例1乃至4で説明したように、2段積層型パワーモジュールとして構成されている。一般に、発電用モータは小電流容量で、各駆動用のパワーモジュールの通電量が少なく、従って駆動回路の発熱量が少ない。よって、高価で高効率の冷却性能を有する両面冷却方式が必ずしも必要とは限らない。そのような場合には、小電流容量の駆動用パワーモジュールだけ、2段積層型を採用し、これに両面冷却方式を用いると、発熱量と冷却効果及び費用とのバランスがとれる。また、2段積層型のパワーモジュールは、小型化、低インダクタンス化によるエネルギー効率改善等の効果が得られるため、非常にバランスの良い構成とすることができる。図11は、第2モータ駆動回路160における接合部の構成の一例を示した図である。図11において、各構成要素には、実施例4と同様の参照符号を付す。図11において、第1のミドルサイド電極50と第2のミドルサイド電極51が対向する面において、封止樹脂100に凸部101aと凹部101bからなる嵌合構造101が形成されている。図11においては、下アーム110側に凹部101bが形成され、上アーム120側に凸部101aが形成されている。これにより、下アーム110と上アーム120の位置決めを適切に行うことができる。また、図11において、封止樹脂100の表面が、ミドルサイド電極50、51よりも数μm~数十μm低く削られている。これにより、ミドルサイド電極50、51同士の密着を高めることができ、圧接のみで十分な接触を保つことができる。図12は、実施例5の第2モータ駆動回路160における接合部の構成の他の例を示した図である。図12において、各構成要素には、実施例4と同様の参照符号を付す。図12において、ミドルサイド電極50、51同士の対向面に、凸部54aと凹部54bからなる嵌合構造54が形成されている。これにより、ミドルサイド電極50、51同士の位置決めを適切に行うことができる。また、第2のミドルサイド電極51の封止樹脂100の表面が、ミドルサイド電極50、51より低くなっている点は、図11と同様である。これにより、ミドルサイド電極50、51同士の十分な接触を得ることができる。なお、図12に示すように、ミドルサイド電極50、51の一方についてのみ、封止樹脂100の表面を削る場合であっても、ミドルサイド電極50、51同士の密着性を高めることができるので、このような構成としてもよい。このように、上アーム120と下アーム110の接合面に嵌合構造54を形成し、封止樹脂100の高さをミドルサイド電極50、51より低くすることにより、圧接によっても、十分な接触を得ることができる。なお、図12では、凸部54aと凹部54bの嵌合構造54を2組示したが、1組以上あれば位置決めを行うことができるので、嵌合構造54は、少なくとも1組の凸部54aと凹部54bを備えていればよい。また、凸部54a及び凹部54bの嵌合構造54は、必ずしも必須の構成ではなく、例えば、外部から治具等により保持することでパワーモジュールの位置決めを行うようにしてもよく、その場合には、凸部54a及び凹部54bからなる嵌合構造54は不要となる。図13は、実施例5の1段パワーモジュール単体の構成を示した図である。図13Aは、1段パワーモジュール単体の外観を示した斜視図である。図13Aにおいては、パワーモジュール本体155が、ヒートシンク兼電極Cによって両面から挟まれ、バスバBと制御端子79が外側に突出した構成となっている。図13Bは、1段パワーモジュール単体の回路図である。図13Bにおいて、半導体素子19と整流素子29が並列に接続され、入力電極Binと出力電極Boutが示されている。図13Cは、両面冷却型パワーモジュールの断面図である。図13Cにおいて、パワーモジュールは、半導体素子10とブロック電極39が積層され、コレクタ電極Cとエミッタ電極Eとの間に挟まれ、封止樹脂100で封止された構成を有する。また、入力バスバBin、出力バスバBout、信号線89及び制御端子79を備えている。図14は、実施例5の第2モータ駆動回路160等の3相交流モータを駆動するインバータ回路の一例を示した図である。図14において、下アーム111に搭載されたローサイド回路は、U相、V相、W相に対応して半導体素子12u、12v、12w及び整流素子22u、22v、22wを備えている。同様に、上アーム123に搭載されたハイサイド回路は、半導体素子13u、13v、13w及び整流素子23u、23v、23wを備えている。下アーム111と上アーム123は、ミドルサイド電極55u、55v、55wにおいてそれぞれ接続され、U,V、W相の各相において、2段のインバータ回路を構成している。図15は、実施例5の第2モータ駆動回路160に搭載されたインバータ回路の構成を示した図である。図15Aは、実施例5の第2モータ駆動回路160に搭載されたインバータ回路の断面構成を示した図である。図15Aにおいて、下アーム111と上アーム123が圧接されているが、下アーム111はU相、V相、W相に各々対応した半導体素子12u、12v、12w、スペーサ電極31、第1のミドルサイド電極56u、56v、56w及び3相共通のローサイド電極41を備える。同様に、上アーム123は、U相、V相、W相に各々対応した半導体素子13u、13v、13w、スペーサ電極31、第2のミドルサイド電極57u、57v、57w及び3相共通のハイサイド電極61を備える。第1のミドルサイド電極56u、56v、56wと第2のミドルサイド電極57u、57v、57wは圧接されている。そして、ローサイド電極41及びハイサイド電極61の両外側から冷却チューブ180で冷却することにより、第2モータ駆動回路160を冷却することができる。図15Bは、実施例5の第2モータ駆動回路160に搭載されたインバータ回路の斜視図である。図15Bに示すように、下アーム111のローサイド電極41と、第1のミドルサイド電極56u、56v、56wは、引き出し電極部を有している。一方、上アーム123は、ハイサイド電極61が示されているが、第2のミドルサイド電極57u、57v、57wは、上アーム123の裏面側に形成されており、示されない状態となっている。また、ハイサイド電極61は引き出し電極部を有しているが、第2のミドルサイド電極57u、57v、57wは引き出し電極部を有さず、下アーム111との接合により、第1のミドルサイド電極56u、56v、56wの引き出し電極部が第1のミドルサイド電極56u、56v、56wと第2のミドルサイド電極57u、57v、57wに共通の引き出し電極部となるように構成されている。図16は、実施例5に係る半導体装置の分解斜視図である。図16に示すように、1段パワーモジュール156は、絶縁板190で挟まれ、冷却チューブ180で両面から挟まれて高効率で冷却されるように構成されている。一方、2段パワーモジュールとして構成される第2モータ駆動用回路160は、2段積層状態で両面から冷却される。また、第2モータ駆動回路160は、冷却器加圧用バネ175で圧接され、パワーモジュールとしての機能を果たす。なお、実施例5においては、圧接により固定する例を挙げて説明したが、実施例1乃至3に係る半導体装置を、第2モータ駆動回路160に適用することもできる。図17は、本発明の実施例6に係る半導体装置の接合前の一例を示した断面図である。図17において、下アーム110と、上アーム124が示されているが、下アーム110の構成は、実施例1に係る半導体装置と同様であるので、各構成要素に同一の参照符号を付してその説明を省略する。一方、上アーム124は、ハイサイド電極60と、第2の半導体素子11と、第2の整流素子21と、制御用端子71と、ボンディングワイヤ80と、はんだ90と、封止樹脂100を備えている点は、実施例1に係る半導体装置の上アーム120と同様であるが、平板状のミドルサイド電極51が無くなり、柱状のミドルサイド電極58となっている点で、実施例1に係る半導体装置と異なっている。ミドルサイド電極58は、実施例1においては、スペーサ電極30として用いられていた電極であるが、実施例6においては、その柱状のスペーサ電極30を露出させ、ミドルサイド電極58として用いている。ミドルサイド電極58は、下アーム110のミドルサイド電極50と同電位の中間電位であれば、その形状は問わない。よって、実施例6においては、柱状のスペーサ電極30を露出させ、上アーム124のミドルサイド電極58としている。かかる構成により、平板状のミドルサイド電極51、52、53を除去して半導体装置をより小型に構成することができ、小型高出力の要請に応えることができる。また、平板状の第1のミドルサイド電極50よりも面積の小さいミドルサイド電極58で構成することができ、低コストで半導体装置を構成することができる。なお、この場合、封止樹脂100の高さは、ミドルサイド電極58の高さよりも低く構成し、ミドルサイド電極58が確実にミドルサイド電極50と接合又は圧接できる構成としている。つまり、ミドルサイド電極58は、封止樹脂100からの表面から露出するように設けられるとともに、突出した形状を有している。よって、ミドルサイド電極58を、突出電極と呼んでもよい。また、上アーム124及び下アーム110とも、接合前から樹脂封止されているので、ミドルサイド電極50、58の界面の封止樹脂100との密着度を正確に検査できる点は、実施例1乃至5と同様である。図18は、実施例6に係る半導体装置の接合後の一例を示した図である。図18において、実施例6に係る半導体装置は、下アーム110のミドルサイド電極50と上アーム124のミドルサイド電極58が接合されており、一体化されている。このように、平板状のミドルサイド電極を上アーム124側に設けなくても、2段積層型のパワーモジュールを構成することができる。なお、図18において、封止樹脂100の下アーム110と上アーム124との間隙を埋めるように、シール105材が設けられている。実施例6に係る半導体装置の上アーム124のミドルサイド電極58については、側面の界面における封止樹脂100との密着性を検査する必要があるが、上述の超音波探傷では、超音波が上から入射されるため、側面の検査は行うことができない。よって、実施例6に係る半導体装置においては、封止樹脂100の外側の面において、水等の侵入を防ぐ構成を用意する必要がある。かかる観点から、図18においては、上アーム124と下アーム110との境界の隙間を、シール材105で覆うことにより、水分の侵入を防いでいる。図18に示すように、シール材105は、パワーモジュールの外周面にシール材105を塗布することにより形成されている。シール材105は、透水性が低い材料であれば、種々の材料を用いることができ、例えば、FIPG、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂等を用いることができる。また、密着性が無くても、ゴム系のパッキン、ガスケット、O-リング、CIPG等でも機能する。ミドルサイド電極58の側面の剥離は、半導体素子10、11の実装面とは異なり、半導体素子10、11周辺の応力の発生や、絶縁破壊に繋がらないので、シール材105の塗布で十分に信頼性を確保できる。図19は、本発明の実施例7に係る半導体装置の一例を示した断面図である。実施例7に係る半導体装置は、上アーム125のシール材106の位置が異なる以外は、実施例6に係る半導体装置と同様の構成を有するので、同様の構成要素に同一の参照符号を付してその説明を省略する。図19において、実施例7に係る半導体装置は、ミドルサイド電極58の側面周辺にシール材106が塗布されている。この場合も、実施例6のシール材105とほぼ同様の効果が得られる。また、シール材106の材料も、シール材105と同様の材料を使用することができる。実施例6及び実施例7に係る半導体装置によれば、上アーム124、125の平板状のミドルサイド電極を無くすことにより、小型化及びコスト低減を図ることができる。図20は、本発明の実施例8に係る半導体装置の一例を示した断面図である。実施例8に係る半導体装置は、下アーム110と上アーム126とを備える。下アーム110の構成は、実施例1に係る半導体装置と同様であるので、各構成要素に同一の参照符号を付してその説明を省略する。一方、上アーム126においては、第2の半導体素子11及び第2の整流素子21の直上の電極がミドルサイド電極59となっている点で実施例6に係る半導体装置のミドルサイド電極58と共通するが、その形状が実施例6のミドルサイド電極58と異なっている。ミドルサイド電極59は、第2の半導体素子11上と第2の整流素子21上とを跨いで接続するようなコの字型の断面形状を有している。このように、第2の半導体素子11と第2の整流素子21同士を統合するようなスペーサ電極を設け、これをミドルサイド電極59としてもよい。なお、その他の上アーム126の構成要素は、実施例6に係る半導体装置の下アーム124と同様であるので、同一の参照符号を付してその説明を省略する。ミドルサイド電極59は、実施例6のように、スペーサ電極30をそのまま用いる訳ではないが、実施例1に係る半導体装置の平板状の第2のミドルサイド電極51よりは面積が大幅に小さくなっている。また、ミドルサイド電極59は、第2の半導体素子11及び第2の整流素子21と接合する部分は、スペーサ電極30と同様に、第2の半導体素子11及び第2の整流素子21よりも面積の小さい柱状の形状を有しているので、一種のスペーサ電極として機能している。このように、第2の半導体素子11及び第2の整流素子21の直上に設けられたスペーサ電極を、表面が露出した接合用のミドルサイド電極59として用いることにより、ミドルサイド電極を1枚減らすことができるため、小型に構成することができるとともに、製造コストを低減することができる。また、ミドルサイド電極59は、実施例1乃至3で示した第2の半導体素子11及び第2の整流素子21の全体を覆う平板状の第2のミドルサイド電極51、52、53より面積が大幅に小さいので、この点からも更に低コスト化を図ることができる。また、ミドルサイド電極59は、実施例6と同様に、その表面が封止樹脂100から露出するように設けられ、封止樹脂100の表面から突出している。つまり、封止樹脂100は、ミドルサイド電極59の表面よりも高さが低くなるように構成されている。このように、ミドルサイド電極59を、封止樹脂100の表面よりも表面が突出した突出電極として構成することにより、小さい面積でも下アーム100側の第1のミドルサイド電極50との接合を確実に行うことができる。なお、実施例8に係る半導体装置においては、実施例6、7と同様に、シール材105、106を封止樹脂100の外側又はミドルサイド電極59の側面に設けることが好ましい。これにより、水の浸入を確実に防止することができる。以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。特に、実施例1乃至8においては、下アームの上に上アームを接合する例を挙げて説明したが、ミドルサイド電極同士を接合する限り、上アームと下アームは逆にして構成することができ、この場合でも、本実施例を好適に適用することができる。"