片面及び他面を有する第1基板と、前記第1基板の前記片面から他面を貫通するように形成された第1ビアと、前記第1基板の片面に形成されたメタル層と、前記メタル層上に形成された半導体素子と、前記第1基板の他面に形成されるメタルプレートと、を含む電力モジュールパッケージ。電力素子上に形成されたヒートシンクをさらに含み、前記半導体素子は、前記電力素子と制御素子とを含む請求項1に記載の電力モジュールパッケージ。前記半導体素子は電力素子と制御素子とを含み、前記第1ビアは放熱ビアと信号ビアとを含み、前記電力素子は前記メタル層上に形成され、前記放熱ビア形成領域に対応するように形成される請求項1に記載の電力モジュールパッケージ。前記第1ビアは放熱ビアと信号ビアとを含み、前記メタルプレートは前記放熱ビアに連結されるように形成される請求項1に記載の電力モジュールパッケージ。前記半導体素子は電力素子と制御素子とを含み、前記第1ビアは放熱ビアと信号ビアとを含み、前記制御素子は前記メタル層上に形成され、前記信号ビア形成領域に対応するように形成される請求項1に記載の電力モジュールパッケージ。前記半導体素子は電力素子と制御素子とを含み、前記電力素子と制御素子はそれぞれパッケージ型である請求項1に記載の電力モジュールパッケージ。前記半導体素子がパッケージ型である場合、前記パッケージ型の半導体素子と前記メタル層との間を電気的に連結するリードフレームをさらに含む請求項1に記載の電力モジュールパッケージ。前記半導体素子と前記メタル層との間を電気的に連結するワイヤをさらに含む請求項1に記載の電力モジュールパッケージ。前記第1基板の他面側に形成され、前記メタルプレートを介して前記第1基板に連結されるように形成された第2基板をさらに含む請求項1に記載の電力モジュールパッケージ。前記第2基板の片面から他面を貫通するように形成された第2ビアをさらに含み、前記第2ビアは前記メタルプレートに連結されるように形成される請求項9に記載の電力モジュールパッケージ。片面及び他面を有する第1基板と、前記第1基板の前記片面から他面を貫通するように形成されたビアと、前記第1基板の片面に形成されたメタル層と、前記メタル層上に形成された半導体素子と、を含む電力モジュールパッケージ。電力素子上に形成されたヒートシンクをさらに含み、前記半導体素子は、前記電力素子と制御素子とを含む請求項11に記載の電力モジュールパッケージ。前記半導体素子は電力素子と制御素子とを含み、前記ビアは放熱ビアと信号ビアとを含み、前記電力素子は前記メタル層上に形成され、前記放熱ビア形成領域に対応するように形成される請求項11に記載の電力モジュールパッケージ。前記半導体素子は電力素子と制御素子とを含み、前記ビアは放熱ビアと信号ビアとを含み、前記制御素子は前記メタル層上に形成され、前記信号ビア形成領域に対応するように形成される請求項11に記載の電力モジュールパッケージ。前記半導体素子は電力素子と制御素子とを含み、前記電力素子と制御素子はそれぞれパッケージ型である請求項11に記載の電力モジュールパッケージ。前記半導体素子がパッケージ型である場合、前記パッケージ型の半導体素子と前記メタル層との間を電気的に連結するリードフレームをさらに含む請求項11に記載の電力モジュールパッケージ。前記半導体素子と前記メタル層との間を電気的に連結するワイヤをさらに含む請求項11に記載の電力モジュールパッケージ。前記第1基板の他面側に形成された第2基板をさらに含む請求項11に記載の電力モジュールパッケージ。本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するために導き出されたものであり、本発明の一側面は、放熱特性が向上した電力モジュールパッケージを提供することを目的とする。本発明の一実施例による電力モジュールパッケージは、片面及び他面を有する第1基板と、前記第1基板の前記片面から他面を貫通するように形成された第1ビアと、前記第1基板の片面に形成されたメタル層と、前記メタル層上に形成された半導体素子と、前記第1基板の他面に形成されるメタルプレートと、を含むものである。ここで、電力素子上に形成されたヒートシンクをさらに含み、前記半導体素子は、前記電力素子と制御素子とを含むことが好ましい。また、前記半導体素子は、電力素子と制御素子とを含み、前記第1ビアは、放熱ビアと信号ビアとを含み、前記電力素子は、前記メタル層上に形成され、前記放熱ビア形成領域に対応するように形成されることが好ましい。また、前記第1ビアは、放熱ビアと信号ビアとを含み、前記メタルプレートは、前記放熱ビアに連結されるように形成されることが好ましい。また、前記半導体素子は、電力素子と制御素子とを含み、前記第1ビアは、放熱ビアと信号ビアとを含み、前記制御素子は、前記メタル層上に形成され、前記信号ビア形成領域に対応するように形成されることが好ましい。また、前記半導体素子は、電力素子と制御素子とを含み、前記電力素子と制御素子は、それぞれパッケージ型であることが好ましい。また、前記半導体素子がパッケージ型である場合、前記パッケージ型の半導体素子と前記メタル層との間を電気的に連結するリードフレームをさらに含むことができる。また、前記半導体素子と前記メタル層との間を、電気的に連結するワイヤをさらに含むことができる。また、前記第1基板の他面側に形成され、前記メタルプレートを介して前記第1基板に連結されるように形成された第2基板をさらに含むことが好ましい。また、前記第2基板の片面から他面を貫通するように形成された第2ビアをさらに含み、前記第2ビアは前記メタルプレートに連結されるように形成されることが好ましい。本発明の他の実施例による電力モジュールパッケージは、片面及び他面を有する第1基板と、前記第1基板の前記片面から他面を貫通するように形成されたビアと、前記第1基板の片面に形成されたメタル層と、前記メタル層上に形成された半導体素子と、を含むものである。また、電力素子上に形成されたヒートシンクをさらに含み、前記半導体素子は、前記電力素子と制御素子とを含むことが好ましい。また、前記半導体素子は、電力素子と制御素子とを含み、前記ビアは、放熱ビアと信号ビアとを含み、前記電力素子は、前記メタル層上に形成され、前記放熱ビア形成領域に対応するように形成されることが好ましい。また、前記半導体素子は、電力素子と制御素子とを含み、前記ビアは、放熱ビアと信号ビアとを含み、前記制御素子は、前記メタル層上に形成され、前記信号ビア形成領域に対応するように形成されることが好ましい。また、前記半導体素子は、電力素子と制御素子とを含み、前記電力素子と制御素子は、それぞれパッケージ型であることが好ましい。また、前記半導体素子がパッケージ型である場合、前記パッケージ型の半導体素子と前記メタル層との間を電気的に連結するリードフレームをさらに含むことが好ましい。また、前記半導体素子と前記メタル層との間を電気的に連結するワイヤをさらに含むことが好ましい。また、前記第1基板の他面側に形成された第2基板をさらに含むことが好ましい。本発明の特徴及び利点は、添付図面に基づいた以下の詳細な説明によってさらに明らかになるであろう。本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び特許請求の範囲に用いられた用語や単語は、通常的かつ辞書的な意味に解釈されてはならず、発明者が自らの発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されるべきである。本発明の実施例による電力モジュールパッケージは、高放熱性電力素子と制御素子とを互いに分離して配置することにより、相対的に熱に脆弱な制御素子の電力素子からの熱の影響力を最小化して、モジュールの信頼性及び性能を向上する効果が期待できる。また、本発明の一実施例による電力モジュールパッケージは、電力素子に連結されるように放熱ビアとヒートシンクを形成し、メインボードに該当する基板に放熱ビアを形成することにより、放熱効果を極大化することができる。そして、本発明の一実施例は、半導体素子が実装される集積用基板を別途に形成することにより、モジュールの用途及びスペックに応じて半導体素子の配置及び追加が容易となり、全体電力モジュールパッケージのデザイン自由度が増加するという効果がある。更に、本発明の一実施例は、電力素子と制御素子パートをそれぞれ別途に具現するため、モジュールの用途に応じて全体モジュールのデザイン変更が容易となり、生産性が向上し、不良が発生した場合における廃棄量を減少することができるという効果が期待できる。本発明の目的、特定の長所及び新規の特徴は、添付図面に係る以下の詳細な説明及び好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ異なる図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。また、本発明を説明するにあたり、係わる公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不明瞭にする可能性があると判断される場合には、その詳細な説明は省略する。本明細書において、第1、第2などの用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別するために用いられるものであり、構成要素が前記用語によって限定されるものではない。以下、添付された図面を参照して、本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。電力モジュールパッケージ-第1実施例図1は、本発明の一実施例による電力モジュールパッケージの構成を示す断面図である。図1に図示したように、電力モジュールパッケージ500は、片面及び他面を有する第1基板110と、第1基板110の片面から他面を貫通するように形成された第1ビア120、130と、第1基板110の他面に形成されるメタルプレート400と、第1基板110の片面に形成されたメタル層140と、メタル層140上に形成された半導体素子150、170、180と、を含むものである。ここで、半導体素子は、電力素子150と制御素子170、180とを含むことが好ましい。この際、図1、図3及び図4に図示したように、電力素子150と制御素子180は、それぞれパッケージ型であることが好ましい。例えば、電力素子150は、IGBTInsulatedGateBipolarTransistor、ダイオードDiodeなどのように、発熱量が大きい素子を意味し、制御素子170、180は、制御ICControlIntegratedCircuit、受動Passive素子のように発熱量が電力素子に比べて相対的に小さな素子を意味するものと定義する。また、第1ビア120、130は、放熱ビア120と信号ビア130とを含むことが好ましい。また、ヒートシンク200は、電力素子150上に形成されることが好ましい。この際、制御素子170、180に比べて発熱量が大きい電力素子150は、ヒートシンク200及び放熱ビア120に連結されているため、電力素子150から発生する熱を効果的に放出できるという効果が期待できる。また、電力素子150の円滑な放熱効果により、制御素子170、180をはじめとする電力モジュールパッケージ500全体の動作信頼性も向上させることができるという効果が期待できる。また、電力素子150は、メタル層140上に形成され、放熱ビア120形成領域に対応するように形成することが好ましい。即ち、電力素子150と放熱ビア120が互いに隣接して形成され、放熱ビア120が電力素子150から発生する熱を、電力モジュールパッケージ500の下部に迅速に伝達できるようにすることが好ましい。また、制御素子170、180は、メタル層140上に形成され、信号ビア130形成領域に対応するように形成されることが好ましい。即ち、図1に図示したように、メタル層140上に形成された制御素子170、180が、信号ビア130を介して外部接続端子190に連結されて第2基板310と電気的に連結される。この際、半導体素子は、制御素子170のように、ワイヤを介して信号ビア130に連結することも可能である。図1では、第1基板110と第2基板310がボールグリッドアレイBGA方式により連結された例を図示したが、これに限定されず、ランドグリッドアレイLGA方式などにより連結することも可能である。また、図1、図3及び図4に図示したように、半導体素子150、171がパッケージ型である場合、電力モジュールパッケージ500は、パッケージ型の半導体素子150とメタル層140との間を電気的に連結するリードフレーム160をさらに含むことが好ましい。また、図1に図示したように、電力モジュールパッケージ500は、半導体素子170とメタル層140との間を電気的に連結するワイヤをさらに含むことが好ましい。また、メタルプレート400は、放熱ビア120に連結されるように形成することが好ましい。また、電力モジュールパッケージ500は、第1基板110の他面側に形成され、メタルプレート400を介して第1基板110に連結されるように形成された第2基板310を含むことが好ましい。ここで、メタルプレート400は、第1基板110と第2基板310との間に形成され、第2基板310に比べて相対的に電力素子150などの構成により圧力を受ける第1基板110を支持する機能と、放熱ビア120から伝達される熱を水平、垂直方向に伝達する機能と、第1基板110と第2基板310との間の電気的連結の機能と、を遂行することができる。前記メタルプレート400は、一次的に放熱ビア120を介して伝達された熱を二次的に伝達する機能を遂行するため、電力素子150からの熱を迅速に放出し、電力素子150の熱が制御素子170、180に及ぼす影響を最小化する機能を遂行する。また、電力モジュールパッケージ500は、第2基板310の片面から他面を貫通するように形成された第2ビア330をさらに含むことが好ましい。この際、第2ビア330は、メタルプレート400に連結されるように形成することが好ましい。前記第2ビア330は、メタルプレート400に連結されるように形成されるため、電力素子150から発生する熱をより効率的に放出する機能を遂行する。一方、図3及び図4に図示したように、第1基板側電力モジュールパッケージ100は、第2基板310に結合される前に第1ビア120、130が形成された第1基板110にメタル層140を形成し、メタル層140上に半導体素子150、170、180を実装した後、電気的連結のためのワイヤまたはリードフレームを形成した状態である。ここで、第1基板側電力モジュールパッケージ100は、メインボードに該当する第2基板310に結合する前の電力モジュールパッケージを意味するものと定義する。また、半導体素子150、170、180は、ベアBare素子だけではなく、パッケージ型素子150、171も適用することができる。前記ベア素子は、パッケージに含まれておらず、ウェハwaferから切断した素子を意味し、パッケージ型素子は、パッケージに含まれている状態の素子を意味する。本発明の実施例において第1基板110は、第一に集積ボードの機能を有し、図5及び図6に図示したように、基板上に電力素子150と制御素子170、180とを実装するため、半導体素子の配置、回路形成などのような設計において自由度を向上させることができる。電力モジュールパッケージ-第2実施例図2は、本発明の他の実施例による電力モジュールパッケージの構成を示す断面図であり、メタルプレート400を含まない場合を例に挙げて説明する。但し、第2実施例に対する構成のうち、第1実施例の構成と同一の構成に対する説明は、省略し、相異した部分のみに対して説明する。図2に図示したように、電力モジュールパッケージ500は、片面と他面とを有する第1基板110と、第1基板110の片面から他面を貫通するように形成されたビア120、130と、第1基板110の片面に形成されたメタル層140と、メタル層140上に形成された半導体素子150、170、180と、を含むものである。ここで、半導体素子は、電力素子150と制御素子170、180とを含む。この際、図1、図3及び図4に図示したように、電力素子150と制御素子180は、それぞれパッケージ型であることが好ましい。例えば、電力素子150は、IGBTInsulatedGateBipolarTransistor、ダイオードDiodeなどのように発熱量が大きい素子を意味し、制御素子170、180は、制御ICControlIntegratedCircuit、受動Passive素子のように発熱量が電力素子に比べて相対的に小さな素子を意味するものと定義する。また、ビアは、放熱ビア120と信号ビア130とを含むことが好ましい。また、ヒートシンク200は、電力素子150上に形成されることが好ましい。この際、制御素子170、180に比べて発熱量が大きい電力素子150は、ヒートシンク200及び放熱ビア120に連結されているため、電力素子150から発生する熱を効果的に放出することができるという効果が期待できる。また、電力素子150の円滑な放熱効果により、制御素子170、180をはじめとする電力モジュールパッケージ500全体の動作信頼性も向上させることができるという効果が期待できる。また、電力素子150は、メタル層140上に形成され、放熱ビア120形成領域に対応するように形成することが好ましい。また、電力モジュールパッケージ500は、第1基板110の他面側に形成された第2基板310をさらに含むことが好ましい。また、制御素子170、180は、メタル層140上に形成され、信号ビア130形成領域に対応するように形成されることが好ましい。即ち、図1に図示したように、メタル層140上に形成された制御素子180が、信号ビア130を介して外部接続端子190に連結され、第2基板310に連結されることが好ましい。図1では、第1基板110と第2基板310が、ボールグリッドアレイBGA方式により連結された例を図示したが、これに限定されず、ランドグリッドアレイLGA方式などにより連結することも可能である。また、図1、図3及び図4に図示したように、半導体素子がパッケージ型である場合、パッケージ型の半導体素子150とメタル層140との間を電気的に連結するリードフレーム160をさらに含むことが好ましい。また、図1に図示したように、電力モジュールパッケージ500は、半導体素子170とメタル層140との間を、電気的に連結するワイヤをさらに含むことが好ましい。本発明の実施例において、第1基板110は、第一に集積ボードの機能を有し、図5及び図6に図示したように、基板上に電力素子150と制御素子170、180を実装するため、半導体素子の配置、回路形成などのような設計において自由度を向上させることができる。以上、本発明を好ましい実施例に基づいて詳細に説明したが、これは、本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明による電力モジュールパッケージは、これに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。本発明の単純な変形乃至変更は、いずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は、添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。