"透明基材の一方の面に、ホログラム画像に対応した回折格子群を含むホログラムレリーフを有する透明樹脂層、前記ホログラムレリーフに接するように、且つ追従するように設けられたエレクトロルミネッセンス素子層、及び全反射性薄膜層が、この順序で設けられていることを特徴とするホログラムシート。前記エレクトロルミネッセンス素子層の厚さは、0.01μm~2.0μmであることを特徴とする請求項1に記載のホログラムシート。前記透明樹脂層のホログラムレリーフが、前記透明基材上に、均一な厚さの透明な層を形成し、前記透明な層上に、均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層を形成した後に、前記透明な層と前記エレクトロルミネッセンス素子層とを同時に変形させることにより設けられたものであることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載のホログラムシート。そこで、本発明はこのような問題点を解消するためになされたものである。その目的は、位相ホログラムのホログラム形成層、すなわちホログラムレリーフを有する透明樹脂の、そのホログラムレリーフに接するように、且つ追従するようにエレクトロルミネッセンス素子層を設け、さらにその上に、全反射性薄膜層を設けて、自然光の下では、その全反射性薄膜層による反射光によりホログラム再生像を視認でき、一見、通常のホログラムシートのように観察できるものの、定められた所定の電界の印加により、特定の自発光波長のみによるホログラム再生像を特定の方向に出現させる新規なホログラムシートを提供することである。さらに、このようなホログラムシートはこれまでに存在しないため、新規な装飾性及び、これを応用する偽造防止性を提供することである。上記の課題を解決するために、本発明のホログラムシートの第1の態様は、透明基材の一方の面に、ホログラム画像に対応した回折格子群を含むホログラムレリーフを有する透明樹脂層、前記ホログラムレリーフに接するように、且つ追従するように設けられたエレクトロルミネッセンス素子層、及び全反射性薄膜層が、この順序で設けられていることを特徴とするものである。上記第1の態様のホログラムシートによれば、透明基材の一方の面に、ホログラム画像に対応した回折格子群を含むホログラムレリーフを有する透明樹脂層、前記ホログラムレリーフに接するように、且つ追従するように設けられたエレクトロルミネッセンス素子層、及び全反射性薄膜層が、この順序で設けられていることを特徴とするホログラムシートを提供することができ、高い意匠性と高度な偽造防止性を持つホログラムシートを提供できる。本発明のホログラムシートの第2の態様は、前記エレクトロルミネッセンス素子層の厚さは、0.01μm~2.0μmであることを特徴とするものである。上記第2の態様のホログラムシートによれば、前記エレクトロルミネッセンス素子層の厚さは、0.01μm~2.0μmであることを特徴とする第1の態様のホログラムシートを提供することができ、より鮮明なホログラム再生像を出現可能な、ホログラムシートを提供できる。本発明のホログラムシートの第3の態様は、前記透明樹脂層のホログラムレリーフが、前記透明基材上に、均一な厚さの透明な層を形成し、前記透明な層上に、均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層を形成した後に、前記透明な層と前記エレクトロルミネッセンス素子層とを同時に変形させることにより設けられたものであることを特徴とするものである。上記第3の態様のホログラムシートによれば、前記透明樹脂層のホログラムレリーフが、前記透明基材上に、均一な厚さの透明な層を形成し、前記透明な層上に、均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層を形成した後に、前記透明な層と前記エレクトロルミネッセンス素子層とを同時に変形させることにより設けられたものであることを特徴とする第1または第2のいずれかの態様のホログラムシートを提供することができ、自然光下でのホログラム再生像がより鮮明な、ホログラムシートを提供できる。ホログラム画像を再生する回折格子群が、ホログラムレリーフとして、透明樹脂層面上に略一平面として形成されており、このホログラムレリーフ上に、且つ、このホログラムレリーフに追従して均一な厚さでエレクトロルミネッセンス素子層が設けられている。すなわち、ホログラムレリーフは、位相ホログラムとしての位相差をレリーフ形状に現しているが、この位相差を有するレリーフ形状に追従して沿ってエレクトロルミネッセンス素子層が設けられることにより、エレクトロルミネッセンス素子層が発する光が、上記位相差を有して含んで発することになる。そして、そのレリーフ形状をしているエレクトロルミネッセンス素子層のそのレリーフ形状に追従して、さらにそのエレクトロルミネッセンス素子層の上に、全反射性薄膜層が設けられている。従って、全反射性薄膜層も、レリーフ形状を持ち、自然光下では、このエレクトロルミネッセンス素子層は視認されず、この全反射性薄膜層の反射面におけるレリーフ形状によって、ホログラム再生像を観察することとなる。しかし、このエレクトロルミネッセンス素子層を発光させる電界を印加すると、すなわち、このエレクトロルミネッセンス素子層内の陽極と陰極に所定の電圧をかけると、特定の波長のみによるホログラム再生像が特定の方向に出現して、観察者は、改めて、この特定の波長によるホログラム再生像を観察することとなる。以下、エレクトロルミネッセンス素子層により、ホログラム再生像が出現する原理について以下に説明する。レリーフホログラムを再生する場合に、そのレリーフホログラムを所定の照明光で照明した際に、そのレリーフホログラム面上のあらゆる点場所で生じるホイヘンスの2次波が発生するが、これに対し、本発明のホログラムシートの場合においては、この2次波に相当するものが、ホログラムレリーフ面に配されたエレクトロルミネッセンス素子層の発光発する光であり、この光がその役目を担い、ホログラム画像に対応したホログラムレリーフが有する位相差を含んで発する光発光を観察者側に届けるものである。すなわち、この発する光発光が、ホログラムレリーフ面上の空間において干渉現象を起こし、その結果、所定の方向に所定のホログラム再生像を発現する。エレクトロルミネッセンスとは、電場のエネルギーによって、蛍光物質等が発光する現象であって、面光源を得ることが可能であり、大別して、有機エレクトロルミネッセンスと、無機エレクトロルミネッセンスとがある。有機エレクトロルミネッセンスは、電流を流すと発光する性質を有する有機物質を用いた発光現象のことであり、ベースとなる層に有機物質を挟み込んだ構造をしている。その層間に電流を流すことで、その有機物質の分子が励起され発光する仕組みとなっている。代表的な層構成は、/陽極透明導電層/ホール輸送層/有機物質層/電子輸送層/陰極透明導電層からなり、陽極側から発する光発光が出る。すなわち、薄膜で形成された有機エレクトロルミネッセンス素子は、陰極陰極層から電子輸送層を経て有機物質層に到達した電子と、陽極からホール輸送層を経て有機物質層に到達した正孔とを再結合させることにより生じた励起子エキシトンによって発光する。つまり、その再結合の際に発生するエネルギーにより有機物質の分子等を励起し、励起状態から、再び、基底状態へ戻るときに、蛍光燐光を含む。発光等が起こる。蛍光発光の原理は、図1に示すジャブロンスキー図にあるように、その有機物質複数の物質の複合系を含む。の分子等の基底状態S0:一重項状態からエネルギー吸収によって第一S1、第二S2、第三励起状態S3のどれかの振動状態に励起された有機物質の分子等が、無放射過程で非常に速やかに緩和してS1の電子励起状態に移るか、あるいは項間交差によって三重項状態T1、T2へ移る。S1の最低振動状態になった蛍光体は、無放射過程によるか蛍光を発して基底状態に戻り、三重項状態になった分子は、無放射過程によるか、燐光を発して基底状態に戻る。励起しても光に上手く利用できないエネルギーは無放射失活熱失活する。一重項同士の遷移は瞬間的に起こるため、蛍光の半減期は104sec以下と短いものである。遷移に要する時間は、1015secで励起が起こり、その後109~107secで蛍光発光が起こるとされている。一方、三重項から一重項への遷移はスピン変化禁止により禁制遷移となり自発的放出が起こりにくいので、燐光の半減期は大きく、秒単位のものもある。基底状態に戻る際に光を発するか否か、光の強度が強いか弱いか、蛍光寿命が長いか短いかは、その有機物質の分子等の分子構造や分子等の置かれた環境に大きく依存する。有機物質の分子等の放出光の波長分布を発光スペクトルといい、発光スペクトルは発光の波長に対し相対的な発光強度をプロットして作成される。発光スペクトルに示される波長エネルギーは一次励起状態の最低振動エネルギー準位から基底状態の優先的な振動エネルギー準位までのエネルギー差と等しくなる。無機エレクトロルミネッセンスとは、物質に電界を印加したときに発光する物理現象であり、その機構は、固体である無機化合物の蛍光体発光層に電圧を印加するとその固体内にあらかじめ存在する電子、あるいは電極から注入された電子が高電界によって加速され、発光中心に衝突してこれを励起し、そのとき生じた電子と正孔が再結合することによって発光するというものである。外部から電流によって注入された電子と正孔の再結合によって発光する有機エレクトロルミネッセンスとは、励起の点で異なる。すなわち、薄膜で形成された無機エレクトロルミネッセンス素子は、二重絶縁構造を有しており、この構造に電界を印加することにより発光が起こる。発光層の構成形態から分散型と薄膜型の2種類に分けられ、分散型は、強誘電体粉末を有機バインダーに分散させた絶縁層と蛍光体粉末を有機バインダーに分散させた発光層とを積層させて、透明電極と背面電極で挟んだ構造であり、その代表的な構成は、/透明電極/絶縁層/発光層/背面電極/、若しくは、/透明電極/絶縁層/発光層/絶縁層/背面電極/である。この層構成において、薄膜型は、薄膜電極付き基板上に薄膜蛍光体からなる発光層と絶縁層を積層させ、電極を付けた構造であって、スパッタリング法や真空蒸着法等の薄膜形成方法を用いて層を形成する。その代表的な構成は、分散型と同様である。いずれも、透明電極側から、発する光発光が出る。本発明は、従来のホログラムの再生方法、すなわち、ホログラムに照明光源からの照明光を当て、ホログラムレリーフ面での反射光の干渉現象によって、その照明光の波長のホログラムを再生するもの、とは異なり、電圧を印加することによって、エレクトロルミネッセンス素子が発光し、その発する光発光そのものが上記干渉現象を生じて、その発する光発光の波長におけるホログラムを再生するものである。従って、回折角度も、その発する光発光の波長に依存する。例えば、透明でほとんど何も見えない空間レーザー再生ホログラム等のようにその再生に単波長光を必要とするものは、白色光光源では視認できない。また、白色光再生に適するレインボーホログラムであっても、ホログラフレリーフ面の界面反射強度が小さい場合にも、やはり視認しにくくなる。に、電圧印加によって初めて、例えば緑色のホログラムを視認することもできるため、観察者の目には、あたかも、通常再生に用いられる緑色の照明光源の無いところに、ホログラムだけが光輝き、空中に浮いているように見え、意匠性にも優れるものとなる。さらに、ホログラムを再生可能な電源端子陽極端子と、陰極端子。複数設けてもよいし、ダミー端子を設けることで、その偽造防止性を高めることが出来る。がどの部分に形成されているか判別しにくくして、その構造を知りうる者のみがホログラム再生を果たすことができるよう設けて、真正性判定用に有用なものとすることができる。また、上記した、発する光発光の波長を知りうる者のみがホログラム再生像の色調を予測でき、その再生波長に調整したバンドパスフィルターを通して覗いて、そのバンドパスフィルターを通過できるホログラムのみが、真正であると判定することもできる。また、このバンドパスフィルターを通過する角度回折角度も、その発光波長に依存し、やはり、その値を知りうる者のみがその所定の角度で判定を行うことができる。さらに、薄膜で形成されたエレクトロルミネッセンス素子を複数含めることにより、この再生像は複数の角度に異なる色調で現れることになり、意匠性の面でも、真正性判定の面でもより優れたものとすることができる。もちろん、エレクトロルミネッセンス素子は、その印加する電圧により、発光スペクトルが大きく異なり、また個々の素子独特の発光特性を有するため、真正性判定に使用する印加電圧電圧強度や、周波数等。を知りえない偽造者が、真正品と全く同一のホログラムラベルを作製しようとしても、物理的に不可能と言える。有機エレクトロルミネッセンス素子の構造は、具体的には、発光層となる有機薄膜を陰極と陽極で挟んだ単層構造のものや、陽極と発光層との間に正孔輸送層を有する構造のもの、陰極と発光層との間に電子輸送層を有するもの、発光層部分を電子輸送層、発光層、正孔輸送層の3層構造とするもの、さらには必要に応じて多層化した構造のもの等を用いることができる。これらの陽極と陰極で挟んだ層は、すべて有機薄膜固体で構成されており、各層の厚さは、10~100nmである。10nm未満では、各層の機能を十分発揮できず、また、100nmあれば、各層の機能を達成するためには十分であり、それより厚くすることによる不要なレリーフ追従性低下を避けるため、100nm以下とする。発光層は、主材料ホスト材料と不純物材料ドーパント材料:発光強度向上等の機能向上のために添加される。との2成分系であり、発光する不純物材料は、0.1~30添加で主材料中に均一に分散されている。0.1以下では、発光性が不十分であり、30を超えると、その不純物性特異点としての存在性が薄れ、かえって発光性が低下し始める。陽極には、透明導電性薄膜と称される、透明性と導電性をあわせもつITO薄膜インジウムスズ酸化物薄膜、錫ドープ酸化錫、アンチモンドープ酸化錫、亜鉛ドープ酸化錫、フッ素ドープ酸化錫、酸化亜鉛などの金属酸化物、銀の薄膜を高屈折率層で挟んだ多層構造、ポリアニリン、ポリピロールなどの共役系高分子などが挙げられる。形成方法は、薄膜形成方法、すなわち、スパッタリング法や、真空蒸着法等を用いて、厚さ50~500nmで形成する。以上の配慮から、透明導電性薄膜の表面抵抗値は、0.001Ω/□~0.1Ω/□とする。形成方法として、印刷法等も用いることが可能であるが、ホログラムレリーフに接して、且つ、追従して設ける必要があり、この層がレリーフ形状を維持し、次の薄膜層にもそのレリーフ形状を与えるためには、この層の膜厚さが、薄く且つ高度に均一である必要があり、上記した薄膜形成方法が望ましい。ホログラムレリーフのレリーフ形状の凹凸は、0.01μm~1μmと微細であり、その周期も0.01μm~1μmと、非常に微細でなだらかな変化を有しているが、このなだらかな変化を忠実に再現できないと、再生されるホログラムの像を正確に、且つ、明るく再現することができない。従って、上記したホログラムレリーフへの追従性は、多層構造となる、エレクトロルミネッセンス素子の発光層及び、発光層から光が放出される透明導電性薄膜層の膜厚さ及び、その均一性が、より薄く、且つ、より均一であることが要求されることを意味する。すなわち、ホログラムレリーフ面と、発光層との間に、多層が介在しても、発光層の発光面のレリーフ形状が、そのホログラムレリーフのレリーフ形状と同一乃至はほぼ同一となることが重要である。ほぼ同一とは、レリーフ形状の凹凸の再現性が、90以上、さらには、95以上であることが望ましい。これは、一つの凹凸の再現性であると同時に、ホログラムを再生する領域全体の再現性を示す指標である。この再現性は、例えば、2つの3次元曲線の比較において、元の3次元曲線の凹凸領域の体積に対して、もう一つの3次元曲線との差分領域の体積が、その10以内、さらには、5以内にあることを意味する。これは、一つの凹凸の再現性であると同時に、ホログラムを再生する領域全体の再現性を示す指標である。簡易的な評価として、レリーフ断面同士を2次曲線で比較する方法を用いることも好適である。以上を配慮して、その膜厚さは、50nm未満では、その導電性が不十分であり、500nmを超えると、ホログラムレリーフへの追従性が劣化する。さらに、ホログラムレリーフに接して設けた場合に、その加熱負荷により、ホログラムレリーフ形状を保持している透明樹脂の劣化、すなわち、ホログラムレリーフ形状の変形劣化を起こす。陰極には、陽極と同様の材料を同様の方法を用いて、厚さ、50~500nmで形成する。50nm未満では、その導電性が不十分であり、500nmを超えると、やはり、ホログラムレリーフへの追従性が劣化する。さらに、ホログラムレリーフに接して設けていなくても、その薄膜形成時の加熱負荷により、この場合であっても、ホログラムレリーフ形状を保持している透明樹脂の劣化、すなわち、ホログラムレリーフ形状の変形劣化を起こし易くなる。発光層である有機薄膜には、低分子系と高分子系とを用いることができる。低分子系には、正孔輸送材料として、TPAC1,1-ビス4[N,N―ジp-トリルアミノ]フェニルシクロヘキサン、TPDN,N ́―ジフェニル-N,N ́―ジm―トリルベンジジン、CuPcフタロシアニン銅、α―NPD4,4 ́―ビスフェニル1-ナフチルアミノ-1,1 ́ビフェニール等、電子輸送材料として、BND2,5-ビス1-ナフチル-1,3,4-オキサジアゾール、PBD2-ターシャリー-ブチルフェニル―5―4-ビフェニル-1,3,4-オキサジアゾール、Butyl-PBD2-ビフェニル-5-パラ-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール、TAZ1-フェニル-2-ビフェニル-5-パラ-tert-ブチルフェニル-1,3,4-トリアゾール、Alq3トリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウム、Beq2ビス8-ヒドロキシ-キノリノベリリウム、ZnBOZ2亜鉛-ビス-ベンゾキサゾール、ZnBTZ2亜鉛-ビス-ベンゾチアゾール、EuDBM3Phenトリス1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオノモノフェナントロリンユーロピウムIII等、発光層材料として、ZnPBOビス2-2-ベンゾキサゾリルフェノラト亜鉛等、ドーピング色素材料として、Coumarin63-2-ベンゾチアゾリル-7-ジエチルアミノコーマリン、QN-N,N ́-ジメチルキナクリドン、ナイルレッド、ベリレンラブレン、TBP1,1,4,4-テトラフェニル-1,3-ブタジエンキナクリドン等、その他、4-ジシアノメチレン-2-メチル-6-4-ジメチルアミノスチリル-4H-ピラン、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール、4,4-ビス9-カルバゾリルビフェニル等を用いることができる。これらの低分子系材料は、真空蒸着法、CVD法化学蒸着法等の薄膜形成法により設けることができる。高分子系には、発光層材料として、PPVポリパラフェニレンビニレン系、PATポリチオフェン系、PFポリフルオレン系、PPP系ポリパラフェニレン等、正孔層材料として、PEDOTポリ34エチレンジオキシチオフェンPSSポリスチレンスルホン酸:ドーパント共重合体、PEDOTPVSポリビニルスルホン酸共重合体、ポリアニリンPSS共重合体、ポリピロールPSS共重合体等、を用いることができる。これらの高分子系材料は、各種のコーティング法、印刷法により設けることことができる。印加直流電圧は、1~10Vである。無機エレクトロルミネッセンス素子の構造は、基本構造として、透明電極、絶縁層、発光層、背面電極を積層したものであり、発光は、発光層である蛍光体膜から出る。蛍光体は、薄膜型の場合、誘電性のある母体材料に、発光中心となる微量の添加不純物を混ぜたもので、エネルギーを受けることで、その発光中心物質の外殻軌道または高い順位に移動励起した、発光中心物質の持つ電子が、元の順位に戻る遷移ときに、発光を生じる。発光層である蛍光体の膜を、絶縁層である誘電体で挟み込み、その両端に電極を配した構造は、コンデンサを3個直列に接続した回路と考えることができ、ここに、交流電圧をかけると、誘電体と蛍光体の中で分極が生じ、印加電圧を上げ、蛍光体の膜にかかる電界が、100MV/m以上となると、発光中心が電界で加速された電子等の衝突のエネルギーを受け取り、励起されるようになる。発光層としては、母体にZnSや、SrSなどのII族硫化物を用い、発光中心にMnや希土類を添加したもの、母体にBaAL2S4バリウムアルミニウム複合硫化物を用い、発光中心にEuを添加したもの、等が用いられる。発光層には、周期表の第2族元素と第16族元素とから成る群から選ばれる少なくとも1種の元素及び/又は周期表の第13族元素と第15族元素とから成る群から選ばれる少なくとも1種の元素とを含む半導体を好ましく用いることができる。そのキャリア密度は、1017/cm3以下であることが好ましい。発光層を形成する物質の具体例をさらに挙げると、CdS,CdSe,CdTe,ZnSe,ZnTe,CaS,MgS,GaP,GaAs,GaN,InP,InAs及びそれらの混晶などが挙げられるが、ZnSe,CaSなどを好ましく用いることができる。さらに、BaAl2S4、CaGa2S4、Ga2O3、Zn2SiO4、Zn2GaO4、ZnGa2O4,ZnGeO3,ZnGeO4,ZnAl2O4,CaGa2O4,CaGeO3,Ca2Ge2O7,CaO,Ga2O3,GeO2,SrAl2O4,SrGa2O4,SrP2O7,MgGa2O4,Mg2GeO4,MgGeO3,BaAl2O4,Ga2Ge2O7,BeGa2O4,Y2SiO5,Y2GeO5,Y2Ge2O7,Y4GeO8,Y2O3、Y2O2S,SnO2及びそれらの混晶などを好ましく用いることができる。キャリア密度等は、一般に用いられるホール効果測定法などで求めることができる。絶縁層である誘電体膜としては、金属酸化物、窒化物が用いられる。BaTiO3などのペロブスカイト系酸化物は高い誘電率を持ち好適である。酸化物に含むことができる元素としては、周期表の第2族、3族、9族、12族旧2B族旧IIb族、13族旧3B族旧III族、14族旧4B族旧IV族、第15族、第16族の元素が好ましく、第12族、第13族及び第14族の元素からなる群より選ばれる少なくとも1種の元素を含むことがより好ましい。具体的にはGa、In、Sn、Zn、Al、Sc、Y、La、Si、Ge、Mg、Ca、Sr、Rh、Ir等を挙げることができ、より好ましくは、Ga,In,Sn,Zn,Si,Ge等である。またこれらの元素以外に透明半導体が、S、Se、Te等のカルコゲナイドやCu、Ag等を好ましく含むことができる。絶縁層と発光層の層厚さは、0.1μm~2μmとする。もちろん、2μmを超えて10μm程度の厚さとすることで、発光性性能をより向上させることができるが、ホログラムレリーフの追従性の面で、2μmが限界である。透明電極、背面電極は、有機エレクトロルミネッセンス素子と同様に、ITOや、金属薄膜が好適に用いられる。異なる発光色の蛍光体膜を交互に並置して、多色とすることもできるが、輝度の高い1色の発光体膜の上に、色変換材料クマリン系:クマリン6、ローダミン系:ローダミン6G、ローダミンB等の蛍光色素の混合物や、2種以上のベンゾ-α-ビロン骨格を持つ蛍光色素の混合物等、波長350nm~600nmの光を吸収して、波長600nm以上の可視領域に発光極大を有する光を放出する等。を重ねて多色とすることも好適である。印加電圧としては、100V50~1000Hzの交流電源等を用いることができる。次に、ホログラフィの原理について説明する。物体がコヒーレント光で照明され,物体から回折された光が記録媒体の第3項は物体の複素振幅分布を含んでいる。5、6を2に代入すると、Ix,y=|Fx,y|2|Rx,y|22Ax,yrx,yCOS2παx-φx,y7となる.物体波と参照波が干渉して干渉縞を形成していることがわかる。このように、物体波に参照波を重ね合わせて干渉記録し、物体の位相情報を欠落させずに記録する方法がホログラフィである。7を記録したものがホログラムと呼ばれる。ホログラムの振幅透過率もしくは振幅反射率が、記録した強度分布Ix,y比例し、Tx,y=τIx,y8とかけるとする。このホログラムに、記録したときに用いた参照波を所定の角度であてると、ホログラムを透過もしくは反射してきた波面は、Tx,yRx,y=τ|Fx,y|2|Rx,y|2τFx,y|Rx,y|2τFx,yR2x,y9とあらわすことが出来る.この第2項はτFx,y|Rx,y|2=τAx,yr2x,yEXPiφx,y10第3項は、τFx,yR2x,y=τAx,yr2x,yEXP-iφx,y2πiα11とかける。このことから、9の第1項は、照明光と同じ方向にホログラムを突き抜ける光束もしくは正反射する光束であり、第2項は、より、物体光に比例した振幅を持つ光波であることがわかり、第3項は、より、物体波と共役な位相分布を持ち、2θの方向に伝播する光波であることがわかる。このようにして,ホログラフィの技術を使うと複素振幅分布を記録して再生することが出来る。本発明の場合は、ホログラムの振幅透過率もしくは振幅反射率が、記録した強度分布に比例し、8の式で表されてはいるものの、このホログラムに、記録したときに用いた参照波を所定の角度であてるのではなく、8の振幅透過率もしくは振幅反射率と同様の空間的な分布を持つ発光波がこのホログラムから発せられることになる。従って、参照光にホログラムに記録された位相項を付与するという従来のホログラム再生の原理によらず、既にホログラムに記録されている位相項を保持して発光波を放射するものである。従って、理論上は、物体の位相差を含む空間関数を持つ3次元の連続曲面状の発光面を有し、その1曲面から光が放射されることになる。従来のホログラム再生原理を透過タイプについて、単純化して説明すると、参照光としての平行光をホログラムにあてた際、遮蔽部分では、平行光が遮蔽され、透過部分からのみその平行光を透過し、透過部分と遮蔽部分との境界において回折が起こり、物体の持つ位相項を受け取り、ホログラムを透過した成分全体が重ね合わさり、それがホログラム再生光となって観察者の目に届くものである。本発明の場合は、上記した参照光としての平行光が存在せず、ホログラムレリーフに接するように設けられた発光面での発光時、その放射光が物体の位相項を保持しており、その放射光同士の干渉現象により、ホログラム再生がなされるものである。時間的且つ空間的コヒーレンス性を持たない放射光同士の干渉効果は、レーザー光のような十分な干渉を生じないが、低コヒーレント光でホログラムを照明した際と同様のレベルでホログラム再生が行われる。以上のような原理による再生であるため、ホログラム撮影時の参照光は平行光であることが好ましく複雑な参照光を再現できないため。、もしくは、回折格子により表現されたホログラム回折格子は、物体光、参照光とも平行光である。であることが好ましく、回折格子は計算機ホログラム等、電子線描画により形成したものが精密であり、好適である。さらに、上記の理由から、ホログラム再生像をより鮮明にするためには、放射光に対して、時間的若しくは空間的なコヒーレンス性に関する特性を付与することが必要であり、例えば、発光体の発光する部分の厚さ放射方向の距離を薄いものとして、発光点の厚さ方向におけるばらつきを小さいものとしたり、発光層その他の層を均一層厚さを均一にしたり、均一分散や、均一組成とするなど、層内のムラをなくすこと。にして、発光スペクトルのばらつきや、発光スペクトルの幅を小さいものとすることが望ましい。また、ホログラムを光学的に記録する際に使用する光の主波長や、回折格子等を形成する際に想定する回折光の主波長と、エレクトロルミネッセンス素子からの発光波長を同一、乃至はほぼ同一とすることで、より鮮明なホログラム再生像を得ることができる。さらには、発光光が通過する透明導電性薄膜、絶縁層、正孔輸送層等の透明な層での光の多重反射を考慮して、発光発光波長の通過する光の強度が最大となるように、各層の屈折率と厚さを設定することが好ましい。特に、陽極もしくは陰極に用いる透明導電性薄膜の厚さを、精密に制御して、その透明導電性薄膜を通過する光が、透明導電層内で多重反射し、所定の方向通常は、形成面に垂直な方向。へ進む光の強度を大きくし、それ以外の方向へ進む光の強度を抑制することも好適である。但し、本発明のホログラムシートの本来の目的は、発光層の発光面で有する位相差分布を維持したまま素子から光を放出し、放出直後の空間において、その位相差分布に基づく光の干渉を十分行わせることであるから、この位相差分布を撹乱するような多重反射は、光の強度を増すことはあっても、返ってホログラム再生像の鮮明度の低下を招く。従って、上記した透明導電薄膜層等の屈折率分布や、厚さの設定は、これを配慮して行う必要がある。例えば、ホログラムレリーフの凹凸がほとんど0.01μm程度と小さく、透明基材表面に平行な領域が多いホログラムを用いた場合には、この多重反射を利用し、この透明導電薄膜層の厚さを、その発光波長に対して、その平面に垂直に通過する光の強度を最大となるよう設定することで、そのホログラムレリーフ面から発する光の方向をおおよそ垂直方向のみとすることが可能となる。もちろん、偽造防止性を高めるために、敢えて、発光する波長を記録形成時の波長と異ならせることも好適である。その場合は、波長が異なることによる、ホログラム再生像の変形や、回折角度の変化を予想し、あらかじめ確認しておくことが必須となる。さらに、エレクトロルミネッセンス素子形成領域の部分的なばらつき、すなわち、形成場所による発光波長や、発光強度のばらつきは、ホログラム再生像の品質を劣化させるため、発光層の均一性は重要となる。少なくとも、発光波長のピーク値の部分的なばらつきある1mm径のスポット領域と、それに隣接する1mm径のスポット領域との差など。や半値幅のばらつきは、30nm以内、発光強度ばらつきは10以内であることが好適である。発光波長のピーク値や、半値幅のバラツキが30nmを超えると、ホログラム再生像の再生位置のばらつきが発生し、ホログラム再生像がボケて不鮮明となる。また、発光強度のばらつきが10を超えると、光の干渉にもばらつきが発生し、結果的に不鮮明な再生となる。また、エレクトロルミネッセンス素子を多数の微細なスポット例えば、網点状等として、離散させて設けた場合発光層のみを網点状とする等、素子全体を離散的に設けても良いし、単層乃至は複数の層のみを離散的に設けても良い。には、発光量が減少し、全体的な明るさは低下するものの、個々のスポットに隣接する領域から発光光がでないため、不要な干渉を低減させることができ、ホログラム再生像のシャープさが増し、好適である。但し、このスポットの大きさや、発光層等の厚さが、ホログラムレリーフとは無関係にそのホログラム面上に離散的に形成されている場合には、その大きさ分布や、厚さ分布に起因する発光強度分布が、場合によっては、ホログラムを再生する光と不要な干渉を生じ、若しくは、あるべき干渉を撹乱し、ホログラム再生像を不鮮明にする要因となり得る。この要因を排除するため、発光層を、連続して形成する場合、及び、離散的に形成する場合においても、ホログラムレリーフを形成する凹凸に追従して均一な厚さ、そして、均一な分布で形成して、ホログラムレリーフ面のどの領域からも、同一の強度の発光が生じるようにし、ホログラム再生像の鮮明化を図ることができる。本発明のホログラムシートのホログラム再生像は、空間的なホログラムの位相を含んでいるとはいえ、その発光光同士の時間的及び空間的なコヒーレント性は小さく、このホログラム再生像は通常のレーザー再生レリーフホログラムの再生像より微弱であって且つ不鮮明となっている。もちろん、ビーム形状の回折光を観察するのみであれば、その色調と回折方向を確認することは容易であり、そのままでも真正性の判定に差し支えないものの、この微弱且つ不鮮明なホログラム再生像を観察者が認識しその存在を正確に判定可能とするために、発光体の発光性能を向上させ、且つ、回折角度を大きくとって波長―回折角依存性を強め、0次回折光の角度と発光の回折角度の差を大きくし、さらには、発光層を薄くして、発光層厚さ方向のばらつきを抑え、且つ、均一なものとすることが必要となる。発光面が位相情報を含んでいるため、その空間的な形状を正確に再現するものとする。さらには、時間的なコヒーレント性をより強く発現するため、電圧の印加をパルス状とし、パルスとパルスの時間的間隔を蛍光等の発光時間である107sec以上あけて照明することも好適である。これにより、一つの印加パルスによって生じた一つの発光面が、次の印加パルスによって生じた発光面とは、互いに撹乱現象を起こさず、一つのパルスによって発現した一つの発光面によって生じるホログラフィックな干渉現象により、鮮明なホログラム再生像を観察することができるようになる。もちろん、単純に秒単位でON-OFFする電圧印加手法手動でも可能なシート。を使用した場合でも、観察者には、連続して発光しているようにも見えるため、このような簡易な手段であっても目視で確認する場合には、上記した効果を十分得ることができる。本発明のホログラムシートにおいては、エレクトロルミネッセンス素子層の発光側、すなわち、発光層、正孔輸送層と、透明導電性薄膜の積層や、発光層、絶縁層と、透明導電性薄膜の積層等における、透明導電性薄膜の最表面が、ホログラム形成層のホログラムレリーフに接し、且つ追従しているため、透明導電性薄膜の最表面を通過した発光が、ホログラム形成層と透明基材を通過して、観察者側にその発光波長におけるホログラム再生像を再生する。この場合には、ホログラム形成層、透明導電性薄膜、及び発光層等の屈折率差を小さくしたりそれらの屈折率を同一とするか、または、その屈折率差を0.1以下とすることが好適である。、その分布を制御することで、各層の界面での不要な反射を抑制することができ、エレクトロルミネッセンス素子に電圧を印加する前の視認性を抑制可能であって、より意匠性を高いものとすることができる。エレクトロルミネッセンス素子層の見え方を意味し、その存在が目立たないことが望ましい。さらには、発光層の表面からホログラム形成層のホログラムレリーフ面までの距離その間の各層の層厚さを極力小さいものとすることで、発光層表面のレリーフ形状のホログラムレリーフに対する追従性を高いものとすることができる。これにより、より鮮明なホログラム再生像を得ることができる。さらに、エレクトロルミネッセンス素子層を、レリーフ形状に、接するように、且つ追従するように設ける際に、ホログラム再生像をより鮮明にするためには、エレクトロルミネッセンス素子層の厚さは、すなわち、素子全体の厚さは、薄く形成することが好適であり、ホログラムレリーフの凹凸の深さや、ピッチの大きさに対して、同じ程度とすることが望ましく、0.01μm~2.0μmであることが好ましい。この厚さが、0.01μm、すなわち、10nm未満であれば、素子としての性能が不十分であり、2.0μmを超えると、ホログラムレリーフの追従性が低下し、いずれにしても鮮明なホロググラム再生像を得ることはできない。また、このエレクトロルミネッセンス素子層の厚さが、ホログラムレリーフとは無関係にそのホログラム面上に分布変動を意味する。している場合には、その厚さ分布に起因する発光強度分布が、場合によっては、ホログラムを再生する光と不要な干渉を生じ、ホログラム再生像を不鮮明にする要因となり得る。しかも、エレクトロルミネッセンス素子層のホログラムレリーフを有する透明樹脂層と接していない側のレリーフ形状と、ホログラムレリーフを有する透明樹脂層上に設けられているホログラムレリーフのレリーフ形状との間に、ズレが発生することとなる。このズレは、レリーフ形状の深さ方向に発生し易く、エレクトロルミネッセンス素子層の厚さが厚くなればなる程、そのズレの大きさが大きくなる。ホログラムレリーフにおける深さ方向のズレは、ホログラム再生像の明るさに強く影響し、ホログラムレリーフの深さが最適深さ最も明るいホログラム再生像を再生し得る深さを意味する。より一様に浅くなっても、また、一様に深くなっても、その明るさが低下することとなる。このズレを最小限に抑えるために、まず、透明基材上に、均一な厚さの透明な層を形成し、その透明な層の上に、均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層を形成する。このとき、透明基材として、表面平滑性の高いもの例えば、その表面粗さ:Raが0.01μm以下。を用いて、その表面上に、透明な樹脂材料を用いて、1μm~10μmで形成し、その厚さ精度を±1以内とした均一な厚さの透明な層を設け、さらに、その上に、エレクトロルミネッセンス素子層を0.01μm~2.0μmで形成し、その厚さ精度を±5以内とした均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層を設ける。この均一な厚さの透明な層のエレクトロルミネッセンス素子層と接している平面が、下記する変形により、ホログラムレリーフのレリーフ形状とされ、均一な厚さの透明な層が、ホログラム画像に対応した回折格子群を含むホログラムレリーフを有する透明樹脂層となる。通常は、その透明樹脂層の厚さは、1μm~30μmの厚さで形成するところ、より均一な厚さを実現すべく、より薄く形成する。このような均一さは、スピンコーティング方式等の精密コーティング方式により得ることができ、また、使用するインキ組成において、インキ中の固形分を0.5~5.0と低く設定し、インキ塗布後に緩やかな乾燥を行うことで、その乾燥前の塗膜の厚さムラを1/20~1/200の大きさとする手法を用いることもできる。例えば、3μm厚さの透明な樹脂層を、その厚さ精度±1、すなわち、±0.03μm以下の厚さムラで設け、その上に、1.0μm厚さのエレクトロルミネッセンス素子層を、その厚さ精度±5、すなわち、±0.05μm以下の厚さムラで設けて、透明基材上に、均一な厚さの透明な層と、均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層を重ねて形成する。この均一な2層に対して、そのエレクトロルミネッセンス素子層の最表面上に、あらかじめホログラムレリーフを設けてある原版プレス型。を押し当て、適宜な加熱と加圧を加えて、その均一な2層を変形させ、均一な厚さの透明な層においては、均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層と接している面側のみを、そして、均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層においては、均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層そのものを、レリーフ形状とする。これにより、均一な厚さの透明な層と均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層との界面、及び、均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層の最表面に形成されるホログラムレリーフが、あらかじめ金型に設けていたホログラムレリーフと高い精度で同一となり、この均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層の最表面に形成される全反射性反射層の表面形状をも、高い精度でホログラムレリーフそのものとすることができる。この結果、全反射性薄膜層によって反射する光は、非常に鮮明なホログラム再生像を再生する。さらに、塗布等により設けられた樹脂層上の凹凸として形成されたホログラムレリーフ面を拡大して観察すると、その面には、極く微細な突起や陥没が多数存在しているが、真空蒸着等の薄膜形成方法で設けられた無機材料層上の凹凸として形成されたホログラムレリーフ面には、そのような突起や陥没が少なく、いわゆる鏡面性面の平滑性を意味する。が高いため、このような無機材料層上の凹凸として形成されたホログラムレリーフ面に全反射薄膜層を設けることで、さらに鮮明なホログラム再生像を再生することが可能となる。その全反射性薄膜層は、蒸着や、CVD化学蒸着法などの真空薄膜法などにより、厚さ100nm~2000nmで設けることができる。また、全反射性薄膜層の形成厚さ精度が非常に高く、また、その形成厚さそのものが非常に薄いため、上記した均一な2層を形成後、その上に全反射性薄膜層を設け、この全反射性薄膜層の最表面から、上記と同様に、あらかじめホログラムレリーフを設けてある原版プレス型。を押し当て、適宜な加熱と加圧を加えて、その3層を変形させ、均一な厚さの透明な層のエレクトロルミネッセンス素子層と接している面側と、均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層そのもの、及び、全反射性薄膜層そのものを、同時に、そのレリーフ形状とすることも好適である。この方法を用いると、既にホログラムレリーフ状となっているエレクトロルミネッセンス素子層上へ、全反射性薄膜層を形成する際に生じやすい、エレクトロルミネッセンス素子層のレリーフ形状の乱れや、原版へのエレクトロルミネッセンス素子層の一部付着一部取られ。等のホログラムレリーフ劣化要因を解消することができ、好適である。本発明のホログラムシートは、エレクトロルミネッセンス素子層からの発光が、全反射性薄膜層において遮断され、且つ、紫外線等も遮断するため、ホログラムシートの一方の面からしか、発光によるホログラム再生像を観察することができないものとしているが、敢えて、全反射性薄膜層上に全反射性薄膜層からみて反対側に。、さらに、エレクトロルミネッセンス素子層をもう一層設けることで、ホログラムシートの他方の面からも、発光によるホログラム再生像を観察できるようにすることも可能であり、その際、その2つのエレクトロルミネッセンス素子層が設けられる位置領域を異なるものとしたり、それぞれの発光によるホログラム再生像を異なるものとすることも、その意匠性や偽造防止性を高めるため、好適である。そして、全反射性薄膜層上に、さらに、適宜な粘着層を形成してラベルとして用いたり、適宜な基材上に、適宜な剥離層を設け、その上に、ホログラムレリーフを有する透明樹脂層、エレクトロルミネッセンス素子層、全反射性薄膜層、及び、適宜な接着剤層を設けた、転写箔として用いることも好適である。本発明のホログラムシートによれば、透明基材の一方の面に、ホログラム画像に対応した回折格子群を含むホログラムレリーフを有する透明樹脂層、及び、そのホログラムレリーフに接するように且つ追従して設けられたエレクトロルミネッセンス素子層、及び全反射性薄膜層が、この順序で設けられているホログラムシートが提供され、自然光の下では、その全反射性薄膜層による反射光によりホログラム再生像を視認でき、一見、通常のホログラムシートのように観察できるものの、定められた所定の電界の印加により、特定の自発光波長のみによるホログラム再生像を特定の方向に出現させる新規なホログラムシートが提供される。さらに、このようなホログラムシートはこれまでに存在しないため、新規な装飾性及び、これを応用する偽造防止性を提供することができる。以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら、詳細に説明する。透明基材本発明で使用される透明基材1は、厚みを薄くすることが可能であって、機械的強度や、ホログラムシートAを製造する際の加工に耐える耐溶剤性および耐熱性を有するものが好ましい。使用目的にもよるので、限定されるものではないが、フィルム状もしくはシート状のプラスチックが好ましい。図2参照。例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、ポリスルホン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリアリレート、トリアセチルセルロースTAC、ジアセチルセルロース、ポリエチレン/ビニルアルコール等の各種のプラスチックフィルムを例示することができる。その中でも、紫外線等の励起光に対する耐性を有するもの、例えば、紫外線吸収剤を含むものであってもよい。紫外線吸収剤を含むものは、自然光等の中に含まれる紫外線により微かではあるが、予定外のホログラム再生を防ぐ効果も有する。透明基材1の厚さは、通常5~100μmであるが、ホログラム再生像の視認性を配慮する場合には、5~50μm、特に5~25μmとすることが望ましい。ホログラム画像に対応した回折格子群を含むホログラムレリーフを有する透明樹脂層:ホログラム形成層ともいう。本発明のホログラム形成層2を構成するための透明な樹脂材料としては、各種の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、もしくは電離放射線硬化性樹脂を用いることができる。図2参照。熱可塑性樹脂としてはアクリル酸エステル樹脂、アクリルアミド樹脂、ニトロセルロース樹脂、もしくはポリスチレン樹脂等が、また、熱硬化性樹脂としては、不飽和ポリエステル樹脂、アクリルウレタン樹脂、エポキシ変性アクリル樹脂、エポキシ変性不飽和ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、もしくはフェノール樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂は、1種もしくは2種以上を使用することができる。これらの樹脂の1種もしくは2種以上は、各種イソシアネート樹脂を用いて架橋させてもよいし、あるいは、各種の硬化触媒、例えば、ナフテン酸コバルト、もしくはナフテン酸亜鉛等の金属石鹸を配合するか、または、熱もしくは紫外線で重合を開始させるためのベンゾイルパーオキサイド、メチルエチルケトンパーオキサイド等の過酸化物、ベンゾフェノン、アセトフェノン、アントラキノン、ナフトキノン、アゾビスイソブチロニトリル、もしくはジフェニルスルフィド等を配合しても良い。また、電離放射線硬化性樹脂としては、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、アクリル変性ポリエステル等を挙げることができ、このような電離放射線硬化性樹脂に架橋構造を導入するか、もしくは粘度を調整する目的で、単官能モノマーもしくは多官能モノマー、またはオリゴマー等を配合して用いてもよい。上記の樹脂材料を用いてホログラム形成層2を形成するには、感光性樹脂材料にホログラムの干渉露光を行なって現像することによって直接的に形成することもできるが、予め作成したレリーフホログラムもしくはその複製物、またはそれらのメッキ型等を複製用型として用い、その型面を上記の樹脂材料の層に押し付けることにより、賦型を行なうのがよい。熱硬化性樹脂や電離放射線硬化性樹脂を用いる場合には、型面に未硬化の樹脂を密着させたまま、加熱もしくは電離放射線照射により、硬化を行わせ、硬化後に剥離することによって、硬化した透明な樹脂材料からなる層の片面にレリーフホログラムの微細凹凸を形成することができる。なお、同様な方法によりパターン状に形成して模様状とした回折格子を有する回折格子形成層も光回折構造として使用できる。ホログラム形成層2の厚さは、1μm~30μm、特には、3μm~10μmとする。この厚さが、1μm未満では、レリーフ形状を形成し難く、30μmを超えると、ホログラムシートの処理工程や使用環境等による、ホログラム形成層2の熱膨張や、熱変形によるレリーフ形状の劣化が起こり易くなる。そして、ホログラム形成層2の厚さが、3μm~10μmであると、その処理工程中や使用の際の取扱い適性に優れる上、その均一性を向上させることができる。ホログラムは物体光と参照光との光の干渉による干渉縞を凹凸のレリーフ形状で記録されたもので、例えば、フレネルホログラムなどのレーザ再生ホログラム、及びレインボーホログラムなどの白色光再生ホログラム、さらに、それらの原理を利用したカラーホログラム、コンピュータジェネレーティッドホログラムCGH、ホログラフィック回折格子などがある。また、マシンリーダブルホログラムのように、その再生光を受光部でデータに変換し所定の情報として伝達したり、真偽判定を行うものであってもよい。ホログラム形成プロセスは図示せず。特に、白色光再生ホログラム等の自然光や蛍光灯などの通常の照明光においてホログラム再生像A1を観察できるホログラムH1と、フレネルホログラム等の単波長光でのみホログラム再生像A2を再生可能なホログラムH2を、一つのホログラムレリーフとして多重記録することで、本発明のホログラムシートを通常照明光で観察する際にはホログラム再生像A1のみが視認でき、所定の波長の照明光を当てた際には、別のホログラムであるホログラム再生像A2を視認できるようにすることも好適である。さらに、その所定の波長の照明光が、紫外線等の観察する人の目に入ることが好ましくない光源を用いたものである場合には、その紫外線等が全反射性反射層4にて反射してその目に入ることを避けるため、観察する方向とは大きく異なる方向にその反射光が進むようにその入射角度を調節するホログラムシートへの入射角度を、ホログラムシート面に垂直な方向に対して、±60度~±80度とする。もしくは、ホログラム再生像を再生する照明角度がホログラムシートの上方であって、再生角度がその下方に向かう場合に、そのホログラムシートの右方向から入射して、左方向に反射するものとする。ことも好適である。しかも、ホログラム再生像A2は、その所定の照明光を当てる角度を変えても、その再生する方向が一定であることから、簡易、且つ、正確に、その真正性を判定可能となる。微細な凹凸を精密に作成するため、光学的な方法だけでなく、電子線描画装置を用いて、精密に設計されたレリーフ構造を作り出し、より精密で複雑な再生光を作り出すものであってもよい。このレリーフ形状は、ホログラムを再現もしくは再生する光もしくは光源の波長域と、再現もしくは再生する方向、及び強度によってその凹凸のピッチや、深さ、もしくは特定の周期的形状が設計される。また、カラーホログラム画像を、回折格子線からなる回折格子画素同一の回折格子線からなる単一回折格子エリアの最小単位。これら画素から回折光としてでてくる光の集合が一つのカラーホログラム画像を形成する。このようなホログラムレリーフは、ホログラム画像に対応した回折格子群を含む典型的な例である。に要素分解し、所定の画素のサイズ、格子線ピッチ、格子線角度をその各要素に割り当てて再現するという画像処理方法を用いて形成することも可能である。凹凸のピッチ周期は再現もしくは再生角度に依存するが、通常0.1μm~数μmであり、凹凸の深さは、再現もしくは再生強度に大きな影響を与える要素であるが、通常0.01μm~0.5μmである。単一回折格子のように、全く同一形状の凹凸の繰り返しであるものは、隣り合う凹凸が同じ形状であればある程、反射する光の干渉度合いが増しその強度が強くなり、最大値へと収束する。回折方向のぶれも最小となる。立体像のように、画像の個々の点が焦点に収束するものは、その焦点への収束精度が向上し、再現もしくは再生画像が鮮明となる。ホログラムレリーフ形状を賦形複製ともいう。する方法は、回折格子や干渉縞が凹凸の形で記録された原版をプレス型スタンパとも呼ばれる。として用い、上記ホログラム形成層2上に、前記原版を重ねて加熱ロールなどの適宜手段により、両者を加熱圧着することにより、原版の凹凸模様を複製することができる。形成するホログラムパターンは単独でも、複数でもよい。上記の極微細な形状を精密に再現するため、また、複製後の熱収縮などの歪みや変形を最小とするため、原版は金属を使用し、低温高圧下で複製を行う。原版は、Niなどの硬度の高い金属を用いる。光学的撮影もしくは、電子線描画などにより形成したガラスマスターなどの表面にCr、Ni薄膜層を真空蒸着法、スパッタリングなどにより5~50nm形成後、Niなどを電着法電気めっき、無電解めっき、さらには複合めっきなどにより50~1000μm形成した後、金属を剥離することで作ることができる。複製方式は、平板式もしくは、回転式を用い、線圧0.1トン/m~10トン/m、複製温度は、通常60°C~200°Cとする。複製プロセスは図示せず。そして、上記した、ホログラムレリーフ形状を賦形複製する方法を用いて、あらかじめ、透明基材1上に、均一な厚さの透明な層図示せず。この透明な層が本発明のホログラムシートAのホログラム形成層2となる。を形成し、その透明な層の上に、均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層図示せず。このエレクトロルミネッセンス素子層が本発明のホログラムシートAのエレクトロルミネッセンス素子層3となる。を形成したものの、その均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層上から、上記した原版を重ねて加熱ロールなどの適宜手段により、加熱、加圧することにより、原版の凹凸模様を、均一な厚さの透明な層に設けてホログラム形成層2とし、均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層に設けてエレクトロルミネッセンス素子層3とすることも好適である。この際、透明基材1は、耐熱性や、耐圧力性が高く、この加熱、加圧によっては、何らの変形も受けない。さらには、あらかじめ、透明基材1上に、均一な厚さの透明な層、均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層及び、全反射性を有する金属薄膜層を形成したもの4層構成のシートとなる。の、その金属薄膜層上から、同様に、ホログラムレリーフ形状を賦形して、ホログラム形成層2、エレクトロルミネッセンス素子層3、及び全反射性薄膜層4を設ける方法も好適である。エレクトロルミネッセンス素子層エレクトロルミネッセンス素子層3は、ホログラム形成層2のホログラムレリーフ上に、構成する層を順次設けていくことで、形成される。図2参照。エレクトロルミネッセンス素子層3を一つの一体となった層として表し、エレクトロルミネッセンス素子層3を構成する各層個々の層については図示せず。有機エレクトロルミネッセンス素子、又は無機エレクトロルミネッセンス素子のいずれにしても、まず電極である、陽極若しくは陰極から形成する。以下では、陽極から形成する例について説明する。この方法と同様にして陰極から設けていくことは容易に推察できる。陽極の材料としては、例えば、ITO薄膜インジウムスズ酸化物薄膜、酸化インジウム、錫ドープ酸化錫、アンチモンドープ酸化錫、亜鉛ドープ酸化錫、フッ素ドープ酸化錫、酸化亜鉛等の透明導電性材料、ポリアニリン、ポリピロール、ポリアセチレン、ポリアルキルチオフェン誘導体、ポリシラン誘導体等の導電性高分子等、を使用して形成することができる。陽極の形成形成方法は、スパッタリング法、真空蒸着法、化学蒸着法CVD法、スピンコート法、キャスト法を用いたゾルゲル法、スプレイパイロリシス法、イオンプレーティング法等の方法、さらには、所望の組成の塗布液を塗布して形成する方法等を採用することができる。特に、電子ビーム加熱真空蒸着法や、高周波マグネトロンスパッタリング法を採ることが好ましい。具体的には、真空度1×107~1×103Pa、成膜速度0.1~50nm/秒、基材温度-10~100°Cの条件で成膜する。陽極の代表的なものは、透明導電性薄膜である、ITO薄膜であり、ホログラムレリーフ上に、電子線加熱真空蒸着法により、例えば300nm程度形成する。透明導電性薄膜の導電性は、その表面抵抗値で管理しており、0.1Ω/□以下となるよう、インジウムと錫の加熱速度や、導入する酸素ガスの量を制御する。ホログラムレリーフは、その凹凸深さが0.01μmと微細であり、しかも、その微妙に変化する曲線の変化そのものが、ホログラム再生情報を含んでいる為、この薄膜形成による加熱や、金属粒子の衝突等の衝撃によって、その曲線に変化を生じないよう、ホログラム形成層及び透明基材を十分冷却し、高速で処理する。従って、膜厚さを薄く形成する。透明導電性薄膜の膜厚さ制御を十分行い、膜厚さばらつきが、数以内にとどめ300nmの数→10nmレベル、透明導電性薄膜の表面レリーフと接着している面とは反対の面が、ホログラム形成面とほぼ同一の形となるようにする。ホログラム形成層2へのダメージをさらに軽減するために、CVD法化学蒸着法等を用いることもできる。CVD法の場合は、ホログラム形成層2へのダメージはほとんど無いが、薄膜形成後の加熱処理等付加的な処理を要し、薄膜の表面性もホログラムレリーフのレリーフ形状としてはやや粗いものとなる。次に、形成する層は、無機エレクトロルミネッセンス素子の場合には、最も単純な構成としては、この透明導電性薄膜上に、絶縁層を設ける。絶縁層として用いられる材料は、具体的には、Y2O3、Al2O3、Ta2O5、SiO2、Si3O4等の非晶質酸化物、BaTiO3、PbTiO3等の強誘電体、SiNx、SiOF、SiOC、PbZr,TiO3、Pb、LaZr,TiO3、Bi4Ti3O12、さらにはぺロブスカイト型強誘電体、タングステンブロンズ型強誘電体、ビスマス層状構造強誘電体等を挙げることができる。さらに、π電子系の酸-塩基二成分型有機物を利用した有機強誘電体、例えば、クロラニク酸、ブロマニル酸等のような強い酸性度Hプロトンの供与能の水酸基を有するジヒドロキシ-p-ベンゾキノン類、あるいは、クロラニル酸を酸として、ベンゼン環にプロトン受容基の窒素原子を組み入れたフェナジンPhzを塩基として作用させ、1:1の分子化合物としたもの等、さらに、分子間で水素結合を形成して一次元のネットワークを形成したこれらの集合構造分子も使用することもできる。その形成方法は、スパッタリング法、真空蒸着法、化学蒸着法CVD法、スピンコート法、キャスト法を用いたゾルゲル法、スプレイパイロリシス法、イオンプレーティング法等の方法、さらには、所望の組成の塗布液を塗布して形成する方法等を採用することができる。絶縁層である誘電体膜として、代表的には、BaTiO3薄膜を、スパッタリングArガス使用法を用いて、例えば500nmの厚さで形成する。この場合には、ホログラム形成層2上に、既に、金属酸化物薄膜が形成されているため、そのレリーフの耐熱性は比較的高く、比較的容易に薄膜形成を行うことができる。この層は、絶縁性を確保するためには、厚い方が望ましい~2μmが、ホログラム形成層のホログラムレリーフ面の形状を維持するためには、やはり、均一厚さ、及び、その表面性の滑らかさを確保する必要があるため、100nm~500nmとすることが好適である。ここで、絶縁層を透明導電性薄膜上の隅々まで形成すると、陽極端子を設けることができないため、マスキング法により、透明導電性薄膜上の一部を、そのホログラムの大きさとのバランスを考慮して、例えば、50mm×40mmサイズのホログラムの場合には、2mm×4mmサイズのマスキングを施して、絶縁層を形成する。さらにその上に、無機エレクトロルミネッセンス素子用の発光層を設ける。発光層は、所望の発光色の発光蛍光体を用いて形成されたものであり、例えば、赤色発光蛍光体として、ZnS、Mn/CdSSe等、緑色発光蛍光体として、ZnS:TbOF、ZnS:Tb等、青色発光蛍光体としては、SrS:Ce、SrS:Ce/ZnSn、CaGa2S4:Ce、Sr2Ga2S5:Ceを挙げることができる。また、白色発光蛍光体として、SrS:Ce/ZnS:Mn等が挙げられ、これらの蛍光体を適宜選択して、用いることができる。発光層としては、代表的には、母体にZnSを用い、発光中心にMnを添加したものを、スパッタリングArガス使用法を用いて、例えば1μm厚さで形成する。この発光層が、ホログラムレリーフの位相情報を含んで発光するものであるため、この層の両表面両界面は、ホログラム形成層のレリーフ形状を忠実に再現していなければならない。そのために、上記した各層の厚さの均一性、界面の滑らかさを確保できる成膜方法を採用する。発光層形成時にも、上記した位置に同様のマスキング処理を施す。この上に設ける陰極は、陽極と同様の材料を用い、陽極と同様の手法を用いて形成することができる。陰極の発光層と接している面は、発光層のレリーフ形状に追従しており、発光層の形状そのものを再現できる。そして、その反対の面も、そのレリーフ形状に追従しており、発光層の形状そのものを再現できる。以上の様にして、透明基材1上に、ホログラム形成層2、そして、無機エレクトロルミネッセンス素子からなる、エレクトロルミネッセンス素子層3を、そのホログラムレリーフ面に接して、追従するように設けることができる。この陽極と、陰極の間に、電圧100V100~1000Hzの交流電圧を印加すると、エレクトロルミネッセンス素子層3において発光が生じ、陽極側では、ホログラム形成層2、透明基材1を通して、ホログラム再生像を視認することができる。次に、有機エレクトロルミネッセンス素子について説明すると、上記した、透明導電性薄膜層の上に、発光層となる有機薄膜を形成し、陰極で挟んだものが最も単純な有機エレクトロルミネッセンス素子からなるエレクトロルミネッセンス素子層3となる。発光層は、主材料ホスト材料と不純物材料ドーパント材料との2成分系であり、発光する不純物材料は、0.1~1添加で主材料中に均一に分散されている。有機薄膜の電子移動度は、高速応答を目的とするものではないため、比較的小さいものでも用いることができ、1×106cm2/Vs以上の値とするのが好ましい。発光層である有機薄膜に、低分子系を用いる場合には、発光層材料として、ZnPBOビス2-2-ベンゾキサゾリルフェノラト亜鉛と、ドーピング色素材料として、Coumarin63-2-ベンゾチアゾリル-7-ジエチルアミノコーマリンを用いて、CVD法を用いて、50nm厚さに形成する。発光層である有機薄膜に、高分子系を用いる場合には、発光層材料として、PPVポリパラフェニレンビニレン系、正孔層材料として、PEDOTポリ34エチレンジオキシチオフェンPSSポリスチレンスルホン酸:ドーパント共重合体を、コーティング方式により、固形分を0.5として、乾燥後の厚さ100nmとする。また、有機薄膜に、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤や、スチリルベンゼン系化合物、8-キノリノール誘導体を配位子とする金属錯体を併用することも好ましい。また、ジスチリルアリーレン骨格、例えば4,4’一ビス2,2-ジフェニルビニルビフェニル等をホストとし、それに青色から赤色までの強い蛍光色素、例えばクマリン系あるいはホストと同様の蛍光色素をドープしたものを併用することも好適である。形成方法としては、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LBラングミュアブロジェット法、スパッタリング法等の方法を採用することができる。例えば、真空蒸着法により形成する場合は、真空度1×107~1×103Pa、成膜速度0.1~50nm/秒、基板温度-10~100°Cの条件を採ることが好ましい。また、結着剤として機能する適宜な樹脂と有機薄膜用の材料とを所定の溶剤に溶かして溶液状態とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、有機薄膜を形成することができる。なお、有機薄膜は、形成方法や形成条件を適宜選択し、気相状態の材料化合物から沈着されて形成された薄膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化されて形成された膜である分子堆積膜とすることが好ましい。これらの上に、陰極層として、同様に、透明導電性薄膜等を用いる。有機エレクトロルミネッセンス素子においても、無機エレクトロルミネッセンス素子と同様に、陽極端子を露出させる方法を取る。この陽極と、陰極の間に、電圧10Vの直流電圧を印加すると、エレクトロルミネッセンス素子層3において発光が生じ、陽極側よりホログラム形成層2、透明基材1を通して、ホログラム再生像を視認することができる。全反射性薄膜層エレクトロルミネッセンス素子層3の上に全反射性薄膜層4を形成し、本発明のホログラムシートAを形成する。図2参照。この全反射性薄膜層4は、入射した可視光を十分に反射する必要があるため、可視光反射率が90~100の金属薄膜を用いる。全反射性薄膜層4としては、真空薄膜法などにより形成される金属薄膜などの金属光沢反射層を設けるが、金属光沢反射層を部分的に設けた場合は、その金属光沢反射層の無い部分を通して、本発明のホログラムシートの向こう側を視認することができるようになる。具体的には、Be、Mg、Ca、Cr、Mn、Cu、Ag、AL、Sn、In、Te、Ti、Fe、Co、Zn、Ge、Pb、Cd、Bi、Se、Ga、Rb、Sb、Pb、Ni、Sr、Ba、La、Ce、W、Auなどが例示でき、エレクトロルミネッセンス素子層3との接着性に優れるものを用いる。また、可視光波長のほぼ全域にわたる高い反射、すなわち、全反射性を有する金属薄膜も、その厚さによって、すなわち、その厚さが100nm未満になると、透明性が出てくるためすなわち、反射率が低下して、自然光下で観察されるホログラム再生像の明るさが低下するとともに、ホログラムシートの背景がホログラムシートを通して再生像と重なり、ホログラム再生像の鮮明度が低下するため。、その厚さは、100nm~2000nmとする。厚さが、2000nmを超えると、その薄膜形成工程におけるエレクトロルミネッセンス素子層3への熱的ダメージが大きくなりエレクトロルミネッセンス素子層3の有するレリーフ形状を歪める要因となる。反射性薄膜層4の形成方法としては、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、CVD化学蒸着法などの真空薄膜法などを用いることができる。特にCVD法は、エレクトロルミネッセンス素子層3への熱的ダメージが少ない。また、他の薄膜形成法を用いても、形成する薄膜層を薄くしておくと、その熱的ダメージを少なくすることができる。このホログラムシートAに、蛍光灯等の照明光5を照射すると、その全反射性薄膜層4による反射光によってホログラム再生像6例えば、レインボーホログラム。を視認することができる。さらに、エレクトロルミネッセンス素子層3の陰極に用いられる透明導電性薄膜等と、全反射性薄膜層4の金属薄膜等とが、直接接することによって発生しやすい酸素原子の移行現象マイグレーションを、抑制するために、全反射性薄膜層4を形成する際の真空度を高く設定し1×107~1×106Paとする。、透明導電性薄膜層中の金属酸化物内に存在する酸素原子が、この全反射性薄膜層4の層内にある金属原子内へ移行することすなわち、全反射性薄膜層4を酸化してしまうことを意味する。を防止することが好ましい。このホログラムシートAを、有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた場合には、1~10Vの直流電圧を、その陽極と陰極の間に印加7し全反射性薄膜層4が高い導電性を有する場合には、全反射性薄膜層4との間でもよい。、無機エレクトロルミネッセンス素子を用いた場合には、やはり、その陽極と陰極の間に同上。、100V50~1000Hzの交流電源等を用いて、交流電圧を印加7して、各々のエレクトロルミネッセンス素子層4を発光させ、緑色等の波長のホログラム再生像8を確認できる。図3参照。このことにより、新規な装飾性及び、高い偽造防止性を提供することができる。実施例1透明基材1として、12μmのPETフィルムの表面に、メラミン樹脂組成物を塗布し、ホログラム画像位置検知パターン付きのレリーフホログラム発光の文字画像:図3参照の複製用型の型面を、接触させたまま加熱硬化させることにより、レリーフホログラムの形成を行ない、厚さ3μmのホログラム形成層2を得た。図2参照。PETフィルム及びメラミン樹脂の絶縁破壊強さは、それぞれ50MV/m、20MV/mであった。このホログラム形成層2上に、そのホログラムレリーフ形成領域を覆うように、陽極として、ITO薄膜を電子線加熱真空蒸着法により、300nm厚さで形成した。図示せず。ITO薄膜の表面抵抗値は、0.1Ω/□であった。その上に、絶縁層である誘電体膜として、BaTiO3を、陽極端子を残すため、ホログラム画像の右端下に3mm×3mmの領域で、マスキング処理を施して、スパッタリングArガス使用法を用いて、0.7μmの厚さで形成した。図示せず。その上に、発光層として、母体にZnSを用い、発光中心にMnを添加したものを、スパッタリングArガス使用法を用いて、1μm厚さで形成した。ターゲットには、硫化マンガンMnSを0.5mol添加した硫化亜鉛ZnSを用い、ターゲットガスには、高純度のアルゴンガスを用いた。この時、陽極端子を残すため、ホログラム画像の右端下に3mm×3mmの領域で、マスキング処理を行った。図示せず。この発光層上に、陰極層としてのITO薄膜を、同様の位置のマスキング処理を施して、電子線加熱真空蒸着法により、厚さ500nmで形成した。この陽極層、絶縁層、発光層、陰極層及びの4層により、エレクトロルミネッセンス素子層3無機エレクトロルミネッセンス素子層が構成されている。図2参照。そのエレクトロルミネッセンス素子層3上に、アルバック社製真空蒸着機にて、200nm厚さのアルミニウム薄膜からなる全反射性薄膜層4を形成し、本発明のホログラムシートAを作製した。図2参照。このホログラムシートを、図3のように、蛍光灯照明光図3における5に相当する。下に置くと、鮮明なホログラム再生像図3における6に相当する。を視認できた。そして、このホログラムシートAの陽極端子部分と、陰極端子部分との間に、100V100Hzの交流電圧を印加したところ、緑色の発光が生じた。図3参照。このホログラムシートに適宜な粘着剤を、その陽極端子部分、さらには、全反射性薄膜層の一部分陽極端子領域とは異なる、3mm角の領域。を残して塗付して、40mm角に切り出し、パスポートに貼付して、暗い環境にて、その陽極端子部分と、陰極端子部分との間に、100V100Hzの交流電圧を印加したところ、緑色の発光が生じ図3参照。、このパスポートが真正なものであると確認することができた。実施例2ホログラム形成層2上の陽極を100nm厚さで形成し、その上の絶縁層を、300nmの厚さで形成し、その上の発光層を、500nm厚さで形成し、さらに、その上の陰極を、厚さ100nmで形成した以外は、実施例1と同様にして、実施例2のホログラムシートAを得た。図2参照。実施例1と同様に評価したところ、発光時のホログラム再生像の鮮明度が向上し、判定がより確実にできると思われたこと以外は、実施例1と同様の良好な結果を得た。図3参照。実施例3ホログラム形成層2上に、そのホログラムレリーフ形成領域を覆うように、陽極として、ITO薄膜を、電子線加熱真空蒸着法により、100nm厚さで形成し、その上に、正孔輸送材料として、TPAC1,1-ビス4[N,N―ジp-トリルアミノ]フェニルシクロヘキサンを厚さ60nmで、発光層材料として、ZnPBOビス2-2-ベンゾキサゾリルフェノラト亜鉛及びドーピング色素材料として、Coumarin63-2-ベンゾチアゾリル-7-ジエチルアミノコーマリンを3混入させ、厚さ100nmで、そして、電子輸送材料として、BND2,5-ビス1-ナフチル-1,3,4-オキサジアゾールを厚さ50nmで、真空蒸着法により、実施例1と同様のマスキング処理を施して、形成した。さらに、その上に、ITO薄膜を、同様の位置のマスキング処理を施して、電子線加熱真空蒸着法により、厚さ100nmで形成した。以上により、ホログラム形成層2上に、陽極層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び陰極層からなるエレクトロルミネッセンス素子層3有機エレクトロルミネッセンス素子層を形成したこと以外は、実施例1と同様にして、実施例3のホログラムシートAを作製した。図2参照。このホログラムシートAを、このホログラムシートAの陽極端子部分と、陰極端子部分との間に、6Vの直流電圧を印加8して発光させたこと以外は、実施例1と同様に評価したところ、透明な空間上に緑色の、著しく鮮明なホログラム再生像8を視認することができ、より偽造防止性に優れると思われたこと以外は、実施例1と同様の結果を得た。実施例4ホログラム形成層2上に、酸化インジウムと酸化セリウムとの粉末を、焼結した陽極用のターゲットセリウムモル比0.05を用いて、真空度を3×101Paまで減圧した状態で、アルゴンガスに酸素ガスを混入したガスを封入し、その雰囲気中において、到達真空度5×104Paでの高周波スパッタリングにて、厚さ100nmの透明電極膜を形成し、その上に、真空度7×104Paで、正孔輸送層として厚みが50nmのNPDN,N ́-ジナフタレン-1-イル-N,N ́-ジフェニルベンジジン薄膜を、蒸着速度が6nm/分の条件にて真空蒸着法により形成し、さらに、その上に、有機発光材料層兼電子輸送層として厚みが50nmのAlq3トリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウムの薄膜を、蒸着速度が6nm/分の条件にて真空蒸着法により形成し、その表面に、陰極として厚みが200nmの透明電極膜を上記と同様に形成して、4層からなる有機エレクトロルミネッセンス素子を作製し、エレクトロルミネッセンス素子層3とした。各薄膜形成時に、マスキング処理による陽極端子の作製を行ったこと以外は、実施例1と同様にして、実施例4のホログラムシートAを得た。図2参照。このホログラムシートAの陽極端子部分と、マグネシウム-銀薄膜層である陰極端子部分との間に、6Vの直流電圧を印加8したところ、発光が生じ、透明な空間上に緑色の、輝度10cd/m2の、明るく、著しく鮮明なホログラム再生像8を視認することができたこと以外は、実施例1と同様の良好な結果を得た。実施例5透明基材1として、12μmのPETフィルムの表面に、均一な厚さの透明な層として、メラミン樹脂組成物をグラビアコーティング方式により均一な厚さで塗布して、3μm厚さのメラミン樹脂組成物塗布層とし、その上に、陽極として、ITO薄膜を電子線加熱真空蒸着法により、高度な厚さ制御方法を用いて300nm厚さで形成した。図示せず。ITO薄膜の表面抵抗値は、0.1Ω/□であった。その上に、絶縁層である誘電体膜として、BaTiO3を、陽極端子を残すため、ホログラム画像の右端下に3mm×3mmの領域で、マスキング処理を施し、高度な厚さ制御方法を適用したスパッタリングArガス使用法を用いて、0.7μmの厚さで形成した。図示せず。その上に、発光層として、母体にZnSを用い、発光中心にMnを添加したものを、スパッタリングArガス使用法を用いて、高い精度にて1μm厚さで形成した。ターゲットには、硫化マンガンMnSを0.5mol添加した硫化亜鉛ZnSを用い、ターゲットガスには、高純度のアルゴンガスを用いた。この時、陽極端子を残すため、ホログラム画像の右端下に3mm×3mmの領域で、マスキング処理を行った。図示せず。この発光層上に、陰極層としてのITO薄膜を、同様の位置のマスキング処理を施して、電子線加熱真空蒸着法により、高い精度にて厚さ500nmで形成した。この陽極層、絶縁層、発光層、陰極層及びの4層により、均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層3無機エレクトロルミネッセンス素子層が構成されている。図2参照。次に、このエレクトロルミネッセンス素子層3上から、ホログラム画像位置検知パターン付きのレリーフホログラム発光の文字画像:図3参照の複製用型の型面を、接触させたまま加熱加圧することにより、均一な厚さの透明な層の片方の面及び、均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層3の両面のそれぞれに、レリーフホログラムのホログラムレリーフ形成を行なった。図2参照。そのホログラムレリーフ形成を行なったエレクトロルミネッセンス素子層3上に、アルバック社製真空蒸着機にて、200nm厚さのアルミニウム薄膜からなる全反射性薄膜層4を、そのレリーフの凹凸に追従するように形成し、本発明のホログラムシートAを作製した。図2参照。このホログラムシートAを実施例1と同様に評価したところ、非常に鮮明な緑色のホログラム再生像8を得たこと図3参照。以外は、実施例1と同様の良好な結果を得た。エレクトロルミネッセンス素子層を形成せず、ホログラムシートを形成し、比較例とした。実施例1と同様に観察したところ、蛍光灯の下で目視にて認識できるホログラム再生像を確認することができたが、周りを暗くして、電界を印加しても、ホログラム再生像は現れなかった。このことより、このホログラムシートが真正なものでなく、このパスポートが偽物であると判断できた。"