複数のパワースイッチング素子を備える回路の短絡保護方法であって、前記パワースイッチング素子の短絡を検知する検知手段によって一のパワースイッチング素子の短絡が検知された場合に、前記一のパワースイッチング素子の短絡による短絡電流が通電される他のパワースイッチング素子のゲートを遮断する遮断工程を実行しこの遮断工程を実行している間に、前記他のパワースイッチング素子のゲート抵抗の抵抗値を変更することを特徴とする短絡保護方法。前記短絡電流が流れる前記他のパワースイッチング素子の端子間電圧を検知して、前記遮断工程を実行している間に前記他のパワースイッチング素子の端子間電圧が予め設定された所定の切換電圧に達した場合に、前記ゲート抵抗の抵抗値を変更することを特徴とする請求項1に記載の短絡保護方法。前記他のパワースイッチング素子の温度を検知して、前記遮断工程を実行している間に前記他のパワースイッチング素子の温度が予め設定された所定の温度に達した場合に、前記ゲート抵抗の抵抗値を変更することを特徴とする請求項1に記載の短絡保護方法。上述した従来の短絡保護方法のように、ゲート抵抗を高抵抗とするいわゆるソフト遮断を用いる場合、図6に実線で示すように、パワースイッチング素子のコレクタ-エミッタ間に流れるコレクタ電流の変化が緩やかになり、異常なコレクタ電圧の上昇サージ電圧を抑制することができる。しかし、この場合パワースイッチング素子に通電されるコレクタ電流の通電時間が長くなるため短絡電流によりパワースイッチング素子が過熱されることがあり、発熱に強いより大型のパワースイッチング素子を利用する必要がある。なお、図6中、破線は低抵抗のゲート抵抗を用いた通常のゲート遮断通常遮断を行う場合のコレクタ電流およびゲート電圧をそれぞれ示している。この発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、パワースイッチング素子等を大型化すること無しにゲートを遮断することが可能な短絡保護方法を提供するものである。上記の課題を解決するために、本発明は以下を採用した。1本発明の一様態は、複数のパワースイッチング素子を備える回路の短絡保護方法であって、前記パワースイッチング素子の短絡を検知する検知手段によって一のパワースイッチング素子の短絡が検知された場合に、前記一のパワースイッチング素子の短絡による短絡電流が通電される他のパワースイッチング素子のゲートを遮断する遮断工程を実行しこの遮断工程を実行している間に、前記他のパワースイッチング素子のゲート抵抗の抵抗値を変更する。2上記1に記載の回路の短絡保護方法では、前記短絡電流が流れる前記他のパワースイッチング素子の端子間電圧を検知して、前記遮断工程を実行している間に前記他のパワースイッチング素子の端子間電圧が予め設定された所定の切換電圧に達した場合に、前記ゲート抵抗の抵抗値を変更するようにしてもよい。3上記1に記載の回路の短絡保護方法では、前記他のパワースイッチング素子の温度を検知して、前記遮断工程を実行している間に前記他のパワースイッチング素子の温度が予め設定された所定の温度に達した場合に、前記ゲート抵抗の抵抗値を変更するようにしてもよい。上記1に記載の様態によれば、一のパワースイッチング素子の短絡が検知されて、短絡していない他のパワースイッチング素子に印加されるサージ電圧が高くなる場合には、遮断工程が行われる場合に、短絡していない方のパワースイッチング素子のゲート抵抗の抵抗値をサージ電圧が抑制される方向に変更して過電圧が印加されるのを防止することができる。これは、ゲートの遮断工程の開始から終了の間を一つの低抵抗値によってサージ電圧を抑制する場合よりも、パワースイッチング素子の発熱を抑制することができる。したがって、電流耐量や耐圧を小さくすることができるため、パワースイッチング素子等を大型化すること無しに、簡単な回路構成で速やかにゲートを遮断することができる効果がある。上記2に記載の一様態によれば、上記1の効果に加え、他のパワースイッチング素子の端子間電圧を検知して、この端子間電圧が所定の切換電圧に達した場合に、例えば、他のパワースイッチング素子のゲート抵抗を低抵抗値からサージ電圧が高い場合に用いる高抵抗値へと変更して電流の変化を抑制することで、端子間に過電圧が印加されることを抑制することができる。さらに、遮断工程の開始から終了の間に一つの高抵抗値を用いる場合と比較して、パワースイッチング素子の発熱が過大になるのを抑制することができる。したがって、パワースイッチング素子等を大型化すること無しに、簡単な回路構成で速やかにゲートを遮断することができる効果がある。上記3に記載の様態によれば、上記1の効果に加え、他のパワースイッチング素子の温度を検知して、この温度が所定の切換温度に達した場合に、例えば、ゲート抵抗をパワースイッチング素子の発熱が大きい場合に適用できる低抵抗値へと変更して発熱を抑制することができる。さらに、遮断工程の開始から終了までの間に一つの低抵抗値を用いる場合と比較して、他のパワースイッチング素子に過電圧が印加されるのを防止することができる。したがって、パワースイッチング素子等が大型化すること無しに、簡単な回路構成で速やかにゲートを遮断することができる。次に、この発明の一実施形態における短絡保護方法について図面を参照しながら説明する。図1は、ハイブリッド自動車等の車両に内燃機関と共に駆動源として搭載されたモータジェネレータ2を制御するモータ制御回路1を示している。モータジェネレータ2は、例えば3相のブラシレスDCモータでもよい。そのDCモータは、界磁に利用する永久磁石を有する回転子不図示と、この回転子を回転させる回転磁界を発生する3相の各コイルが巻回された固定子とを備えている不図示。モータジェネレータ2には、インバータ回路3が接続されている。インバータ回路3には、直流電源として高圧バッテリ4が接続され、この高圧バッテリ4とインバータ回路3との間には平滑コンデンサ5が並列接続されている。インバータ回路3は、高圧バッテリ4の直流電力をパルス幅変調PWM等によりモータジェネレータ2の各コイルへの通電を行ういわゆるPWMインバータである。このインバータ回路3には、U相アーム6u、V相アーム6v、および、W相アーム6wがブリッジ接続によって形成されている。以下、これらのU相アーム6u、V相アーム6v、および、W相アーム6wをまとめて各相アーム6と示す。各相アーム6は、それぞれパワースイッチング素子7例えば、IGBT等およびダイオード8が並列接続されてなる上アーム9と下アーム10とが直列接続されて形成される。インバータ回路3には、プリドライブ回路12を介してゲートドライブICGDIC13が接続される。ゲートドライブIC13は、各パワースイッチング素子7のターンオンおよびターンオフを制御するゲート制御信号をプリドライブ回路12へ出力する。図2は、上述したインバータ回路3の各パワースイッチング素子7のうち一のパワースイッチング素子7のゲートGを駆動するゲート駆動回路15を示している。プリドライブ回路12は、ゲートドライブIC13のOUT端子16から出力されるゲート制御信号に基づき、パワースイッチング素子7のゲートGをONOFFするための所定の電圧をゲート電圧として出力する。プリドライブ回路12には、このプリドライブ回路12を駆動するための電源VCCおよび車体や筐体等の接地GNDが接続される。例えば、パワースイッチング素子7がnチャンネルIGBTである場合、プリドライブ回路12は、パワースイッチング素子7をターンオフする際に接地電位をパワースイッチング素子7のゲート電圧として出力する。一方、パワースイッチング素子7をターンオンする際にはパワースイッチング素子7のゲートGがONする所定の閾値を超える電位、例えば電源VCCの電位をパワースイッチング素子7のゲート電圧として出力する。ここで、上記ゲート電圧とは、パワースイッチング素子7のゲートG-エミッタE間に印加される電圧である。以下、パワースイッチング素子7のゲートGをOFFすることをゲート遮断と称する。プリドライブ回路12とパワースイッチング素子7のゲートGとの間には振動防止等のために第1ゲート抵抗18が介装される。この第1ゲート抵抗18は、主に通常のパルス幅変調によるスイッチング時などに用いられるゲート抵抗であって、パワースイッチング素子7のターンオフ時のゲート電圧を瞬時に低下させるとともに、ターンオン時にゲート電圧を瞬時に上昇させることができるように比較的低い抵抗値に設定される。例えば、1~10[Ω]程度でもよい。ゲートドライブIC13のPR_OUT端子17とパワースイッチング素子7のゲートGとの間には、第2ゲート抵抗19が備えられている。第2ゲート抵抗19は、ゲート遮断時にパワースイッチング素子7に通電されるコレクタ電流の変化di/dtが大きくならないようにするソフト遮断の制御を行う場合に用いるゲート抵抗である。第2ゲート抵抗19は、第1ゲート抵抗18よりも高い抵抗値例えば、10~100[Ω]程度に設定される。上記ソフト遮断では、パワースイッチング素子7のゲート電圧が、上述した通常のスイッチング時よりもゆっくりと低下されるため、ゲートGが緩やかに遮断される。ゲートドライブIC13は、各種制御処理を行うロジック回路LOGIC20と、パワースイッチング素子7の短絡を検知するOCPOverCurrentProtection回路21とを備えている。OCP回路21は、上述した各相アーム6の各パワースイッチング素子7の通電電流を個別に監視して、過電流が流れたか否かを判定する。OCP回路21には、ゲートドライブIC13のOC入力端子22を介してパワースイッチング素子7のエミッタとGND間に直列接続されたシャント抵抗23の端子電圧が入力される。またOCP回路21には、予め短絡電流を検知するための所定の電圧閾値が設定されており、OCP回路21はシャント抵抗23の端子電圧が所定の電圧閾値に達したか否かを判定する。OCP回路21は、シャント抵抗23の端子電圧が所定の電圧閾値に達したと判定された場合に過電流が流れたと判定する。そして、過電流が流れたと判定された場合、OCP回路21は、過電流が流れたパワースイッチング素子7の短絡故障の発生を検知して、この検知結果をロジック回路20へ出力する。なお、上記シャント抵抗23にはパワースイッチング素子7のエミッタ電流の全てではなく一部が分流されて流れるようになっている。ロジック回路20は、プリドライブ回路12を介してパワースイッチング素子7のターンオンおよびターンオフを制御する。具体的には、ゲートドライブIC13に設けられたOUT端子16を経由してプリドライブ回路12を制御するためのプリドライブ制御信号を出力する。またロジック回路20には、パルス幅変調による制御を行うために図示しない電流センサからモータ駆動電流がフィードバックされて入力される。ロジック回路20は、プリドライブ回路12を介さずに直接的にパワースイッチング素子7のゲート遮断する制御を行う。このロジック回路20による直接的なゲート遮断は上述したソフト遮断であって、ゲートドライブIC13に設けられたPR_OUT端子17から所定の電圧を出力することでゲート遮断を行う。このPR_OUT端子17からの出力は、ソフト遮断を行う際にパワースイッチング素子7をターンオンさせる閾値よりも低い電圧例えば接地電位でもよい。ここで、通常のスイッチング制御時のPR_OUT端子17は、プリドライブ回路12より出力されるゲート電圧に影響を与えないようにハイインピーダンス状態に設定されている。ロジック回路20は、上アーム9と下アーム10との何れか一方のパワースイッチング素子7一のパワースイッチング素子の短絡故障が検知された場合には、短絡保護のために、他方のパワースイッチング素子7他のパワースイッチング素子のゲートGを遮断する処理ゲート遮断処理を開始する。ロジック回路20は、ゲート遮断処理を開始すると、その途中でゲート抵抗を変更する。これによってゲート抵抗の抵抗値の変更制御処理を実行する。より具体的には、プリドライブ回路12による第1ゲート抵抗18を介した通常のゲート遮断から、ゲートドライブIC13による第2ゲート抵抗19を介したソフト遮断へと移行させる。ロジック回路20に対しては、パワースイッチング素子7に取り付けられた電圧センサ不図示がパワースイッチング素子7のエミッタ-コレクタ間の端子電圧以下、単にコレクタ電圧と称するを検知し、コレクタ電圧が入力される。ロジック回路20は、ゲートドライブIC13に設けられた電圧設定端子24を介して、ソフト遮断切換電圧を設定することができる。ソフト遮断切換電圧は、コレクタ電圧の閾値であり、パワースイッチング素子7の耐圧を超えない任意の電圧値が予め設定される。ロジック回路20は、ゲート遮断処理中に、コレクタ電圧がソフト遮断切換電圧に達した場合、通常のゲート遮断からソフト遮断へと移行させる。なお、ゲート遮断処理を開始した後、プリドライブ回路12より出力されるゲート電圧が接地電位となったことを検出するとゲート遮断処理は終了される。ここで、図3は、縦軸をコレクタ電流[A]、横軸をコレクタ電圧[V]とし、異なるゲート電圧毎のコレクタ電圧に対するコレクタ電流の変化を示す。このグラフによれば、例えば、コレクタ電圧が一定の条件縦方向の一点鎖線において、ゲート電圧18Vからゲート電圧16Vへ降圧する場合のコレクタ電流の低下分に対して、ゲート電圧12Vからゲート電圧10Vへ降圧する場合のコレクタ電流の低下分が大きくなっている。つまり、ゲート電圧が高い領域では、ゲート電圧の低下に伴うコレクタ電流の低下分が比較的小さくなり、ゲート電圧が低い領域では、ゲート電圧の低下に伴うコレクタ電流の低下分が大きくなる。要するに、ゲート遮断処理の初期においては、ゲート電圧が高い領域にあるので、迅速にゲート電圧を低下してもコレクタ電圧の上昇が小さい。ゲート遮断処理の終期では、ゲート電圧が低い領域となるので、ゲート遮断処理の初期と同様な迅速なゲート電圧の低下を行うとコレクタ電圧が大きく上昇してしまう。そのため、ロジック回路20は、コレクタ電圧がソフト遮断切換電圧以下の場合は、ゲート電圧を迅速に低下させるべく、比較的低抵抗な第1ゲート抵抗18をゲート抵抗とした通常のゲート遮断を行う。一方、コレクタ電圧がソフト遮断切換電圧に達した場合は、ゲート電圧をゆっくりと低下させるべく第2ゲート抵抗19をゲート抵抗としたソフト遮断へと切換えるゲート抵抗の変更制御を行う。すなわち、上述した第1実施形態によれば、図4に示すように、上アーム9又は下アーム10の何れか一方のパワースイッチング素子7の過電流短絡が検出されると、ロジック回路20が上アーム9と下アーム10との何れか他方のパワースイッチング素子7のゲート遮断を行うゲート遮断処理遮断工程を開始して、通常時の第1ゲート抵抗18を用いたゲート遮断を開始するとともにコレクタ電圧とソフト遮断切換電圧とを比較する。この比較の結果、コレクタ電圧がソフト遮断切換電圧に達していない間は、通常時の第1ゲート抵抗18を用いたゲート遮断を継続し、コレクタ電圧がソフト遮断切換電圧に達した時点で第2ゲート抵抗19を用いたソフト遮断に切換える。したがって、一方のパワースイッチング素子7の短絡故障が検知されて、他方のパワースイッチング素子7のゲート遮断処理が実行されている間に、ゲート抵抗の抵抗値が変更可能であるので、コレクタ電圧が上昇した場合には、コレクタ電圧の上昇を抑制する方向にゲート抵抗を変更して、すなわち高い抵抗値の第2ゲート抵抗19に変更し、コレクタ電流の電流変化を小さくし過電圧が印加されるのを防止することができる。そして、ゲートGの遮断工程の開始から終了までゲート抵抗を高抵抗値とした場合よりも、ゲート抵抗が高抵抗値とされる時間が短くなるので、速やかにゲート遮断を行うことが可能になり、パワースイッチング素子7の発熱を抑制することができる。これによって、電流耐量や耐圧を小さく設計することができるので、パワースイッチング素子7等が大型化するのを防止しすることができる。さらに、コレクタ電圧を検知してコレクタ電圧がソフト遮断切換電圧に達したと判定された場合に、コレクタ電圧が上昇したと判定して、通常時の第1ゲート抵抗18から、コレクタ電圧が高い場合にのみ用いる第2ゲート抵抗19へと変更して電流変化を抑制することで、サージによるコレクタ電圧の上昇を抑制することができる。また、ゲート抵抗が高抵抗値である第2ゲート抵抗19とされる時間が短縮されるので、パワースイッチング素子7の発熱が過大になるのを抑制することができる。この結果、パワースイッチング素子7等を大型化することなしに簡単な回路構成で速やかにゲートGを遮断することができる。次に、この発明の第2実施形態の短絡保護方法について説明する。上述した第1実施形態では、ゲート遮断処理を開始してコレクタ電圧がソフト遮断切換電圧に達したときに通常のゲート遮断からソフト遮断へと切換えていたが、この第2実施形態は、同様の回路構成において、パワースイッチング素子7の温度に基づいてゲート抵抗の抵抗値を変更する点で相違している。第1実施形態と同一部分に同一符号を付し、重複する説明を省略する。ゲートドライブIC13には、パワースイッチング素子7の温度を測定する温度センサ不図示が接続されている。この温度センサによって、パワースイッチング素子7の温度がロジック回路20に温度信号として入力される。ロジック回路20には、上述したソフト遮断切換電圧の代わりに、ゲート抵抗を切換える温度の閾値が予め設定されており、温度センサから温度信号の入力が可能になっている。図5に示すように、上アーム9と下アーム10との一方のアームのパワースイッチング素子7の過電流短絡がOCP回路21によって検出されると、他方のアームのパワースイッチング素子7のゲート遮断処理を開始し、第2ゲート抵抗19を用いたソフト遮断を実行する。さらに、温度センサによってパワースイッチング素子7の温度が温度閾値に達したか否かを判定する。パワースイッチング素子7の温度は、コレクタ電流の積分値に比例して変動するので、ロジック回路20は、ゲート遮断処理の開始から終了までの間に温度センサによる測定結果が閾値温度に達したと判定された場合には、高抵抗値である第2ゲート抵抗19を介したソフト遮断から低抵抗値である第1ゲート抵抗18を介した通常のゲート遮断へと移行する制御を行う。これにより、コレクタ電流を速やかに減少させることができる。したがって、第2実施形態によれば、パワースイッチング素子7の温度を検知して、この温度が所定の閾値温度に達した場合に、例えば、パワースイッチング素子7の発熱が大きいと判定して、高抵抗値である第2ゲート抵抗19から低抵抗値の第1ゲート抵抗18にゲート抵抗を変更する。これによって、速やかにコレクタ電流を低下させて発熱を抑制することができる。この結果、低抵抗のゲート抵抗一つだけをゲート遮断処理の開始から終了までの間継続して用いる場合と比較して、低抵抗だけを用いる時間が短縮できるのでサージ電圧を抑制することができる。この結果、パワースイッチング素子7等を大型化することを防ぐことができ、簡単な回路構成で速やかにゲートGを遮断することができる。尚、上述した各実施形態の短絡保護方法では、パワースイッチング素子7としてIGBTを用いた回路を一例に説明したが、パワースイッチング素子7であればIGBTに限られるものではなく、例えば、バイポーラトランジスタ、MOS型のFET電界効果型トランジスタ等のスイッチング素子を用いてもよい。IGBTに代えてFETを用いた場合には、上述した実施形態における説明のコレクタ電圧をコレクタ電圧に、コレクタ電流をドレイン電流に読み替えればよい。また、nチャンネルのパワースイッチング素子を一例として説明したが、pチャンネルのパワースイッチング素子を用いたインバータ回路に対しても同様に適用可能であり、この場合は上述した各実施形態におけるゲートドライブICから出力するゲート電圧の高/低を反転させればよい。また、上述した各実施形態では、コレクタ電圧又はパワースイッチング素子7の温度に基づき第1ゲート抵抗18と第2ゲート抵抗19とを切換える場合について説明したが、コレクタ電圧とパワースイッチング素子7の温度の両方を用いてゲート抵抗の抵抗値を切換えるようにしてもよい。この場合、例えば、コレクタ電圧がソフト遮断切換電圧に達した場合に、通常のゲート遮断からソフト遮断へ切換えて実行し、パワースイッチング素子7の温度が、所定の閾値温度に達した場合に、ソフト遮断から通常のゲート遮断に切換えて実行するようにしてもよい。さらに、上述した第1実施形態では、コレクタ電圧がソフト遮断切換電圧に達した場合に第1ゲート抵抗18通常のゲート遮断から第2ゲート抵抗19ソフト遮断に切り換えて、パワースイッチング素子7の温度が温度閾値に達した場合に第2ゲート抵抗19から第1ゲート抵抗18に切り換える場合について説明したが、ソフト遮断と通常のゲート遮断との順序を逆にするようにしてもよい。この場合、パワースイッチング素子7例えば、IGBTなどの特性によっては、より効果的にパワースイッチング素子7の発熱および過電圧の印加を抑制することができる。また、上述した第1実施形態ではパワースイッチング素子7のコレクタ電圧に基づきゲート抵抗の抵抗値を変更する場合について説明し、さらに上述した第2実施形態ではパワースイッチング素子7の温度に基づいてゲート抵抗の抵抗値を変更する場合について説明したが、コレクタ電圧やパワースイッチング素子7の温度がそれぞれ時間の経過と共に上昇し、パワースイッチング素子7に流れる短絡電流が予め想定可能であることから、ゲート抵抗を切換える所定の時間を予め設定しておき、ゲート遮断処理の開始から所定時間後にゲート抵抗を切り換えるようにしてもよい。