"上部面および基板を受けて支持する前記上部面の凹部を有する基板テーブルと、基板テーブルおよび/または前記凹部に配置された基板の上部面と隣接する空間に液浸流体を含む流体ハンドリング構造体と、使用するとき前記凹部の縁端部と前記基板の縁端部との間の隙間を覆うように、前記上部面から前記基板の上部主要面の周辺部分まで前記基板のまわりに延在する平面状の本体を備えたカバーと、前記流体ハンドリング構造体に対する前記基板テーブルの移動期間中、前記カバーの縁端部と前記流体ハンドリング構造体に含まれている液浸流体との間の液浸流体膜の形成を破壊する液浸流体膜ディスラプタとを備えるリソグラフィ装置。前記液浸流体膜ディスラプタが、前記カバーの厚さがその縁端部にわたって次第に薄くなるようなテーパ状の、前記カバーの前記縁端部を備える請求項1に記載のリソグラフィ装置。前記基板の前記上部主要面に対する前記カバーの前記テーパ状部分の前記面の角度が、前記カバーの上に前記流体のメニスカスがあるときの前記流体ハンドリング構造体に対する前記基板テーブルの使用中の所期の速度、前記所期の速度における前記カバー上の前記流体の動的接触角、および/または前記所期の速度における前記基板上の前記流体の動的接触角から選択されたものの1つまたは複数に基づいて選択され、ならびに/あるいは前記基板の前記上部主要面に対する前記カバーの前記テーパ状部分の前記面の前記角度が、約15°から45°までの範囲内、約15°から30°までの範囲内、または約20°である請求項2に記載のリソグラフィ装置。前記基板の前記上部主要面に対する前記カバーの前記テーパ状部分の前記面の角度が、前記カバーの前記部分の前記面の角度未満である使用中の前記流体のメニスカスが前記カバーの前記部分を横切るときの前記カバーの前記部分上の前記流体の前記動的接触角を、使用中の前記基板上の前記流体の前記動的接触角より大きくするものである請求項2または3に記載のリソグラフィ装置。前記液浸流体膜ディスラプタが、前記縁端部上に形成された面プロファイル、前記カバーの上部面上に形成された面プロファイル、またはその両方を備え、前記面プロファイルが前記面の複数の局部的変化を有する請求項1から4のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。前記局部的変化が隆起部、流路、突起、窪みおよび/または他の突出部または凹部を含む請求項5に記載のリソグラフィ装置。前記液浸流体膜ディスラプタが、前記基板および/または基板テーブルの前記上部面の反対側の前記流体ハンドリング構造体の面上に形成された複数の個別のガスジェットを備える請求項2から6のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。前記ガスジェットのそれぞれが、液浸液の膜が形成するときその上にガスのジェットを供給する請求項7に記載のリソグラフィ装置。前記複数のガスジェットが、前記流体ハンドリング構造体の前記面に形成された対応する複数のアパーチャによってもたらされる請求項7または8に記載のリソグラフィ装置。前記流体ハンドリング構造体の前記面が、前記液浸流体が含まれている空間の周囲の一連の開口を備え、前記空間に前記液浸流体を含むために液浸流体を抽出するように構成され、前記複数のガスジェットが、前記一連の開口の外側に設けられる請求項7から9のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。基板を受けて支持する凹部が形成されている実質的に平面状の上部面を有する基板テーブルを含む液浸リソグラフィ装置で用いるカバーであって、使用するとき前記凹部の縁端部と前記基板の縁端部との間の隙間を覆うように、前記上部面から前記基板の上部主要面の周辺部分まで前記基板のまわりに延在する実質的に平面状の本体を備えるカバーにおいて、流体ハンドリング構造体に対する前記基板テーブルの移動期間中、前記カバーの前記縁端部と前記液浸リソグラフィ装置の流体ハンドリング構造体に含まれている液浸流体との間の液浸流体膜の形成を破壊する液浸流体膜ディスラプタを備えるカバー。基板を受けて支持する凹部が形成されている実質的に平面状の上部面を有する基板テーブルを含む液浸リソグラフィ装置で用いるカバーを設計する方法であって、前記カバーが、実質的に平面状の本体を備え、前記平面状の本体が、使用するとき前記凹部の縁端部と前記基板の縁端部との間の隙間を覆うように、前記上部面から前記基板の上部主要面の周辺部分まで前記基板のまわりに延在し、前記カバーの厚さがその縁端部にわたって次第に薄くなるように、前記カバーの前記縁端部がテーパ状になっている方法において、使用するとき、前記カバーの前記部分が、流体ハンドリング構造体に対する基板テーブルの移動期間中、前記カバーの前記縁端部と前記リソグラフィ装置の前記流体ハンドリング構造体に含まれている前記液浸流体との間の液浸流体膜の形成を破壊するように、前記基板の前記上部主要面に対する前記カバーの前記テーパ状部分の前記面の角度を選択する段階を含む方法。前記基板の前記上部主要面に対する前記カバーの前記テーパ状部分の前記面の角度が、前記カバーの上に前記流体のメニスカスがあるときの前記流体ハンドリング構造体に対する前記基板テーブルの使用中の所期の速度と、前記所期の速度における前記カバー上の前記流体の動的接触角と、前記所期の速度における前記基板上の前記流体の動的接触角とから選択された1つまたは複数のものに基づいて選択される、請求項12によってカバーを設計する方法。請求項12または請求項13の方法によってカバーを設計する段階と、前記設計に従ってカバーを形成する段階とを含む、液浸リソグラフィ装置で用いるカバーを形成する方法。請求項14に記載の方法によって製造された液浸リソグラフィ装置で用いるカバー。0038図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、0039-放射ビームB例えばUV放射またはDUV放射を条件付けるように構成された照明システムイルミネータILと、0040-パターニングデバイス例えばマスクMAを支持するように構築されたサポート構造例えばマスクテーブルMTであって、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続されたサポート構造例えばマスクテーブルMTと、0041-基板例えばレジストコートウェーハWを保持するように構築された基板テーブル例えばウェーハテーブルWTであって、特定のパラメータに従って基板Wを正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル例えばウェーハテーブルWTと、0042-パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば1つまたは複数のダイが備わっているに投影するように構成された投影システム例えば屈折投影レンズシステムPSとを備える。0043この照明システムILは、放射を導くか、整形するか、または制御するために、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気など様々なタイプのコンポーネント、または他のタイプのコンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せを含んでもよい。0044サポート構造MTはパターニングデバイスMAを保持する。サポート構造MTは、パターニングデバイスMAの方向、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスが真空環境中で保持されるかどうかなど他の条件によって決まる形でパターニングデバイスMAを保持する。サポート構造MTは、パターニングデバイスを保持するために、機械クランプ技法、真空クランプ技法、静電クランプ技法、または他のクランプ技法を用いることができる。サポート構造MTは、例えばフレームまたはテーブルでもよく、必要に応じて固定式または可動式でもよい。サポート構造MTは、パターニングデバイスMAが、例えば投影システムPSに対して確実に所望の位置にあるようにすることができる。本明細書における用語レチクルまたはマスクのいかなる使用も、より一般的な用語パターニングデバイスと同義と見なされてもよい。0045本明細書に使用される用語パターニングデバイスは、基板のターゲット部分にパターンを生み出すなどためにパターンを放射ビームの断面に与えるように使用することができる任意のデバイスを意味するものと広義に解釈されたい。例えばパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含むと、放射ビームに与えられたパターンが、基板のターゲット部分内の所望のパターンと正確に一致しない可能性があることに留意されたい。一般に、放射ビームに与えられたパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイス内の特定の機能の層に相当することになる。0046パターニングデバイスは、透過型または反射型とすることができる。パターニングデバイスの諸例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクはリソグラフィで周知であり、バイナリ、レベンソン型alternating位相シフト、ハーフトーン型attenuated位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、小さな鏡の行列構成を使用し、鏡のそれぞれは、入来放射ビームを様々な方向で反射するように個別に傾けることができる。傾斜式鏡は、鏡行列によって反射される放射ビーム内にパターンを与える。0047本明細書に用いられる用語投影システムは、あらゆるタイプの投影システムを包含するものと広義に解釈されたい。投影システムのタイプは、屈折システム、反射システム、反射屈折システム、磁気システム、電磁気システム、および静電気光学システムあるいはそれらの任意の組合せを含んでもよい。投影システムの選択または組合せは、使用される露光放射あるいは液浸液の使用または真空の使用など他の要因に適切なものとする。本明細書における用語投影レンズのいかなる使用も、より一般的な用語投影システムと同義と見なされてもよい。0048本明細書で記述されるように、装置は透過タイプ例えば透過性マスクを使用するタイプである。あるいは、装置は反射タイプ例えば上記で言及されたプログラマブルミラーアレイを使用するタイプまたは反射性マスクを使用するタイプでもよい。0049リソグラフィ装置は、2つデュアルステージまたはそれより多い基板テーブルおよび/または2つ以上のパターニングデバイステーブルを有するタイプのものとすることができる。このようなマルチステージの機械では、追加のテーブルを同時に使用することができる、あるいは1つまたは複数のテーブルを露光のために使用しながら、1つまたは複数の他のテーブル上で準備ステップを実施することができる。0050図1を参照すると、イルミネータILは、放射源SOから放射ビームを受け取る。放射源が例えばエキシマレーザである場合、放射源SOおよびリソグラフィ装置は、個別の構成要素とすることができる。このような場合、放射源SOは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを備えたビームデリバリシステムBDを使用して放射源SOからイルミネータILへ渡される。それ以外の、例えば放射源が水銀灯などの場合、放射源SOはリソグラフィ装置の一構成要素とすることができる。放射源SOおよびイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDと共に放射システムと呼ぶことができる。0051イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタADを備えてもよい。一般に、イルミネータILの瞳面内における強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲一般にそれぞれσouterおよびσinnerと呼ばれているは調節が可能である。また、イルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCOなど様々な他のコンポーネントを備えることができる。イルミネータILは、その断面内の所望の均一性および強度分布を得るために放射ビームを調節するように使用されてもよい。放射源SOに類似して、イルミネータILは、リソグラフィ装置の一部分を形成すると見なされても、見なされなくてもよい。例えば、イルミネータILは、リソグラフィ装置の一体部品でもよく、リソグラフィ装置とは別体でもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、その上にイルミネータILが実装され得るように構成することができる。任意選択で、イルミネータILは、例えばリソグラフィ装置の製造者または別の製造者によって分離可能に単独で設けることができる。0052放射ビームBは、サポート構造例えばマスクテーブルMTに保持されるパターニングデバイス例えばマスクMAに入射し、パターニングデバイスMAによってパターン付けされる。放射ビームBは、パターニングデバイスMAを通過した後、投影システムPSを通過する。投影システムPSは、ビームBを基板Wのターゲット部分C上に合焦する。第2ポジショナPWおよび位置センサIF例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサを用いて、例えば放射ビームBの経路中に様々なターゲット部分Cを位置決めするように基板テーブルWTを正確に移動することができる。同様に、第1ポジショナPMおよび別の位置センサ図1に明確には示されていないを使用して、例えばマスクライブラリからの機械的抽出の後にまたはスキャン中に、パターニングデバイスMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、サポート構造MTの移動は、第1ポジショナPMの一部を形成するロングストロークモジュール粗動位置決めおよびショートストロークモジュール微動位置決めを用いて実現することができる。同様に、基板テーブルWTの移動は、第2ポジショナPWの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合スキャナとは対照的に、サポート構造MTはショートストロークアクチュエータにのみ接続することができ、または固定することができる。パターニングデバイスMAおよび基板Wは、パターニングデバイスアライメントマークM1、M2および基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは専用のターゲット部分を占めるが、それらはターゲット部分間の空間に配置することができるこれらはスクライブラインアライメントマークとして知られている。同様に、1つよりも多いダイがパターニングデバイスMA上に設けられている状況では、パターニングデバイスアライメントマークはダイ間に配置することができる。0053図示された装置は、以下のモードのうち少なくとも1つで使用され得る。0054ステップモードでは、サポート構造MTおよび基板テーブルWTを本質的に静止したままにしながら、放射ビームBに付与されたパターン全体がターゲット部分C上に一度に投影されるすなわち単一静的露光。次に、基板テーブルWTは、異なるターゲット部分Cを露光することができるようにXおよび/またはY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、単一静的露光で結像されたターゲット部分Cのサイズを制限する。0055スキャンモードでは、サポート構造MTと基板テーブルWTとが同期してスキャンされるとともに、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分C上に投影されるすなわち単一動的露光。サポート構造MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの拡大縮小および像反転特性によって決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが単一動的露光におけるターゲット部分Cの幅を非スキャン方向に制限するが、スキャン運動の長さがターゲット部分Cの高さをスキャン方向に決定する。0056別のモードでは、サポート構造MTは本質的に静止したままでプログラマブルパターニングデバイスを保持し、基板テーブルWTが移動またはスキャンされるとともに、放射ビームBに付与されたパターンがターゲット部分C上に投影される。このモードでは、一般に、パルス放射源が使用され、基板テーブルWTの各移動の後に、またはスキャン中の連続する放射パルス間に、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この操作モードは、上述したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。0057利用価値のある上記に述べたモードの組合せ、および/またはその変形、あるいは利用価値のある全く異なるモードも、用いることができる。0058投影システムPSと基板の最終エレメントとの間に液体を供給する機構は、いわゆる局部液浸システムIHである。このシステムでは、液体が基板の局部領域へのみ供給される液体ハンドリングシステムが使用される。液体で満たされた空間は、上面図では基板の上面より小さく、液体で満たされた領域は、この領域の下で基板Wが移動している間中、投影システムPSに対して実質的に静止したままである。別々の4つのタイプの局部液体供給システムが、図2~図5に示されている。0059図2および図3に示されているように、液体は、少なくとも1つの入口によって、好ましくは基板が最終エレメントに対して移動する方向に添って基板の上に供給される。液体は、投影システムの下方を通過した後、少なくとも1つの出口によって除去される。つまり、基板がエレメントの下方で-X方向にスキャンされる際に、エレメントのX側で液体が供給され、-X側で吸い取られる。図2は、入口を介して液体が供給され、低圧源に接続される出口によってエレメントのもう一方の側で吸い取られる構造を概略的に示したものである。図2の図解では、液体は、必ずしもその必要はないが、基板が最終エレメントに対して移動する方向に添って供給されている。最終エレメントのまわりに配置される様々な配向および様々な数の入口および出口が可能であり、図3はその一例を示したもので、両側に出口を備えた4組の入口が最終エレメントのまわりに規則的なパターンで設けられている。液体供給デバイスおよび液体回収デバイスにおける矢印は、液体が流れる方向を示している。0060図4は、局部液体供給システムを備えた他の液浸リソグラフィ解決法を示したものである。液体は、投影システムPSの両側の2つの溝入口によって供給され、入口の外側に半径方向に配置された複数の個別の出口によって除去される。入口は、投射される投影ビームが通過する孔を中心部分に備えたプレートの中に配置することができる。液体は、投影システムPSの一方の側の1つの溝入口によって供給され、かつ、投影システムPSのもう一方の側の複数の個別の出口によって除去され、したがって投影システムPSと基板Wとの間に液体の薄膜が流れる。入口および出口のどの組合せを選択して使用するかは、基板Wが移動する方向によって決定することができる入口および出口の他の組合せは使用されない。図4の断面において、矢印は、入口に入る液体の流れおよび出口から出る液体の流れの方向を示している。0061提案されている別の機構に、投影システムの最終エレメントと基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部分に沿って延在する液体閉じ込め部材を、液体供給システムに設けるものがある。このような機構が図5に示されている。液体閉じ込め部材は、Z方向光学軸の方向のいくらかの相対運動はあり得るが、XY平面では投影システムに対して実質的に静止している。液体閉じ込め部材と基板の面との間にシールが形成される。一実施形態では、シールは、液体閉じ込め構造体と基板の面との間に形成され、ガスシールなどの非接触シールでもよい。このようなシステムは、米国特許出願第US2004-0207824号に開示されており、参照によってその全体が本明細書に組み込まれる。0062図5は、液体閉じ込め構造体12を備えた局部液体供給システムを概略的に示したものである。液体閉じ込め構造体12は、投影システムPSの最終エレメントと基板テーブルWTまたは基板Wとの間の空間11の境界の少なくとも一部に沿って延在している。以下の説明の中で基板Wの表面に言及する場合、明示的に別段の定めがある場合を除き、それに加えてまたはその代わりに基板テーブルWTの表面も指すことに留意されたい。液体閉じ込め構造体12は、Z方向光軸の方向の若干の相対移動が存在する可能性はあるが、XY平面内では投影システムPSに対して実質的に静止している。一実施形態では、液体閉じ込め構造体12と基板Wの表面との間に、望ましくはガスシールである流体シールなどの非接触シールであってもよいシールが形成される。0063液体閉じ込め構造体12は、投影システムPSの最終エレメントと基板Wの間の液浸空間11に、液体を少なくとも部分的に封じ込める。基板Wの表面と投影システムPSの最終エレメントとの間の空間11に液体が閉じ込められるよう、投影システムPSのイメージフィールドのまわりに基板Wに対する非接触シール16を形成することができる。この液浸空間11は、少なくとも部分的に、投影システムPSの最終エレメントの下方に、この投影システムPSの最終エレメントを取り囲んで配置された液体閉じ込め構造体12によって形成されている。液体は、液体閉じ込め構造体12の内側の投影システムの下方の空間11に、液体入口13によってもたらされる。この液体は、液体出口13によって除去することができる。液体閉じ込め構造体12は、投影システムPSの最終エレメントの少し上まで延在させることができる。液体のレベルは、液体のバッファが提供されるよう、最終エレメントの上まで上昇している。一実施形態では、液体閉じ込め構造体12は、その上端部分の形状が投影システムPSまたは投影システムPSの最終エレメントの形状と緊密に合致する、例えば丸い形状であってもよい内側周囲を有している。内側周囲の底部は、例えば長方形であるイメージフィールドの形状と緊密に合致しているが、必ずしもそうである必要はない。0064一実施形態では、液体は、液体閉じ込め構造体12の最下部と基板Wの面との間に使用中形成されるガスシール16によって液浸空間11内に含まれる。シールなし例えばオールウェットの実施形態で、あるいは液体閉じ込め構造体12の下面と、基板Wの面、基板テーブルWTまたは両方の組合せなどの対向面との間の毛細管力によって達成されたシールとして、他のタイプのシールが可能である。0065ガスシール16は、例えば空気または合成空気によって形成されるが、一実施形態ではN2または別の不活性ガスである。ガスシール16中のガスは、入口15を介して加圧下で液体閉じ込め構造体12と基板Wとの間の隙間に供給される。このガスは、出口14を介して抽出される。ガス入口15部分の超過圧力、出口14部分の真空レベルおよび隙間の形状寸法は、液体を閉じ込める内側に向かう高速ガス流が存在するようになされている。液体閉じ込め構造体12と基板Wとの間の液体に対するガスの力によって、液浸空間11の中に液体が含有される。入口/出口は、空間11を取り囲む環状の溝であってもよい。この環状の溝は、連続していても、あるいは不連続であってもよい。ガスの流れ16は、液体を空間11の中に含有するのに有効である。米国特許出願第US2004-0207824号に、このようなシステムが開示されている。0066他の諸機構が可能であり、また、以下の説明から明らかになるように、本発明の一実施形態は任意のタイプの局部液浸システムを使用することができる。0067局部液浸システムでは、シールは、液体閉じ込め構造体の一部分と基板Wおよび/または基板テーブルWTの面などの下にある面との間に形成される。シールは、液体閉じ込め構造体と下にある面との間の液体メニスカスによって画定され得る。下にある面と液体閉じ込め構造体との間の相対運動が、臨界速度を上回って、シール、例えばメニスカスの破損をもたらす恐れがある。臨界速度を上回ると、シールが破損する恐れがあり、液体が、例えば小滴の形式で液体閉じ込め構造体から漏れるか、あるいはガスがすなわち気泡の形式で液浸空間の液浸液中に閉じ込められることになる。0068小滴が欠陥の原因になることがある。小滴は、蒸発するとき、それが位置する面に対して熱負荷を与えることがある。小滴は、蒸発した後、乾燥汚れを残す際に汚染の原因になり得る。投影システムの下を移動する下にある面上の経路の中に小滴がある場合、小滴がメニスカスと接触することがある。結果として生じるメニスカスと小滴との間の衝突によって、液体中に気泡が形成され得る。気泡が欠陥の原因になることがある。液浸液中の気泡が投影システムと基板との間の空間へ引き出されることがあり、そこで結像投影ビームと干渉する恐れがある。0069臨界速度は、下にある面の特性によって求めることができる。閉じ込め構造体に関連した隙間の臨界速度は、基板などの比較的平坦な面の表面の臨界速度未満であり得る。スキャン速度が増加して下面の一部分に関する最低臨界速度を上回るとすぐに、スキャン速度は、下にあるより多くの面に関して臨界速度を上回ることになる。この問題は、高いスキャン速度でより深刻になる恐れがある。しかし、スループットが増加するので、スキャン速度の増加は望ましいものである。0070図6は、基板Wを支持するのに使用することができる基板テーブルWTを示す上面図である。基板テーブルは、実質的に平面状の上部面21を有してもよい。上部面21には、基板Wを受けて支持するように構成された凹部22がある。0071凹部の中に基板サポートがあってもよく、これは凹部の面でもよい。凹部22の面は、基板の下部面を支持する複数の突出部を含むことができる。凹部の面は障壁を含むことができる。凹部の面に、複数の開口を形成することができる。障壁が突出部を囲んで、基板Wの下部面の下の空間を画定する。開口は負圧源に接続される。基板が開口上にあるとき、基板Wの下に空間が形成される。この空間は、負圧の働きによって真空にされ得る。この機構は、基板テーブルWTに対して基板Wを固定するのに使用することができる。0072ある機構では、凹部が、基板の主要面、すなわち上面および下面が基板テーブルの上部面21と実質的に平行になるように構成されてもよい。ある機構では、基板Wの上面が、基板テーブルの上部面21と実質的に同一面上に構成されることがある。0073本出願では、上側、下側などの用語は、説明されるシステム内のコンポーネントの相対位置を定義するために用いられ得ることを理解されたい。しかし、これらの用語は、装置が特定の方向で使用されるときコンポーネントの相対位置を説明するために便宜的に用いられるものである。これらの用語は、装置が使用され得る方向を規定するようには意図されていない。0074図6に示されるように、基板Wの縁端部と凹部22の縁端部との間に隙間23が存在してもよい。本発明の一態様によれば、基板Wのまわりに延在するカバー25が設けられる。カバー25は、基板W一実施形態では基板の縁端部であってもよいの上部面の周辺部分から基板テーブルWTの上部面21に延在する。カバー25は、基板Wの縁端部と凹部22の縁端部との間の隙間23を完全に覆ってもよい。また、カバー25の開いた中央部分26は、カバーの内側縁端部によって画定されてもよい。開いた中央部分26は、使用するとき、パターン付き放射ビームを投影するように意図されている基板Wの一部分をカバー25が覆わないように構成することができる。カバーの内側縁端部は、パターン付き投影ビームによって結像される基板の面に隣接する基板部分を覆うことができる。カバーは、パターン付き投影ビームによって露光される基板部分から離れて配置される。0075図6に示されるように、カバー25が基板W上に置かれるとき、開いた中央部分26のサイズは、基板Wの上部面のサイズよりわずかに小さいものでもよい。図6に示されるように、上面図で見たとき基板Wの形状が円形の場合、カバー25の形状は一般に環状でもよい。0076カバー25は、薄いカバー板の形状でもよい。カバー板は、例えばステンレス鋼から形成することができる。他の材料を用いることもできる。カバー板は、PlasmaElectronicGmbHによって提供されるタイプのLipocerコーティングでコーティングされてもよい。Lipocerは、疎液性例えば疎水性のコーティングであることがあり、放射に曝されることによる、また液浸液高度に腐食性でもよいによる損傷に対して比較的耐性がある。Lipocerに関するより多くの情報を、参照によってその全体が本明細書に組み込まれている2008年2月6日出願の米国特許出願第12/367,000号の中に見いだすことができる。0077図21に概略的に示されているように、Lipocerの層などの疎液性コーティング141がカバー25の下部面25a、すなわち面に与えられてもよく、この面は、使用するとき、基板Wの上部面の周辺部分から基板テーブルWTの上部面21まで延在してもよい。下部面25a上にこのようなコーティング141を備えると、カバー25の下への液浸液の漏れを最小化または低減することができる。例えば、コーティング141は、カバー25と基板Wの上部面との間の液浸液の漏れを低減することができる。このような液浸液漏れを最小化または低減すると、結果として、液浸液が基板Wの下側へ通過する可能性が低下する。このことは、いわゆる裏面汚染の結果として生じる恐れがある欠陥を低減することができる。液浸液の漏れを最小化または低減すると、基板W上の熱負荷を低減することができる。0078カバー25の下部面25a上のコーティング141は、非粘着層になるように選択されてもよい。換言すれば、コーティング141は、基板Wの上部面および/または基板テーブルWTの上部面21へのカバー25の付着を防止するか、最小化するか、または低減するように選択されてもよい。これは、カバー25が基板Wおよび基板テーブルWTから取り除かれるとき、カバー25、基板Wおよび/または基板テーブルWTの損傷を防止または低減することができる。0079カバー25の下部面25a上に疎液性かつ/または非粘着性のコーティング141を使用すると、カバー25の下部面上への汚染物質粒子の蓄積を防止または低減することができる。このような汚染物質粒子は、カバー25、基板Wおよび/または基板テーブルWTのどれにも被害をもたらすか、または基板Wに対して後の欠陥の原因をもたらす可能性がある。その代わりに、またはそれに加えて、このような汚染物質粒子は、カバー25と基板Wの上部面および/または基板テーブルWTの上部面21との間に十分なシールが形成されるのを妨げる恐れがあり、液浸液の漏れをもたらし、これは望ましくないことであり得る。したがって、そのような汚染物質粒子の蓄積を防止することは望ましいことであり得る。0080カバー25の下部面25aおよび/またはカバー25の下部面25aに与えられるコーティング141の下部面141aは、低い表面粗さに構成することができる。例えば、スプレーコーティングについては、表面粗さRAは1μm未満であり得る。堆積コーティングについては、表面粗さRAは200nm未満であり得る。一般に、カバーの下部面25aおよび/またはカバー25の下部面25aに与えられるコーティング141の下部面141aの表面粗さを低減すると、基板Wの面上の応力集中を低減することができる。使用するとき基板に接触するカバー25の一部分の表面粗さRAは、望ましくは200nm未満、望ましくは50nm未満、または望ましくは10nm未満であり得る。0081カバー25の下部面25aおよび/またはカバー25の下部面25aに与えられるコーティング141の下部面141aの低い表面粗さを保証すると、カバー25の下への液浸液の漏れの低減または最小化を支援することもできる。カバー25は、カバー25の下部面25aおよび/またはカバー25の下部面25aに与えられるコーティング141の下部面141aの平面度が最大になるように構成することができる。これは、カバー25と基板Wおよび/または基板テーブルWTとの間の接触を最適化することができ、液浸液の漏れを低減または最小化する。0082図21に概略的に示されるように、その代わりに、またはそれに加えて、カバー25の上部面25b上にコーティング142を設けることができる。カバー25の上部面25bまたはカバーの上部面25b上のコーティング142の上部面142bは、滑らかさで選択されてもよい。これは、メニスカスが押さえつけられる可能性を低下させることができる。例えば、カバー25の上部面25bまたはカバーの上部面25b上のコーティング142の上部面142bは、面の山から谷までの距離が10μm未満、望ましくは5μm未満であるように滑らかでもよい。0083カバー25の上部面25b上のコーティング142は、放射に曝されることによる、また液浸液による損傷に対して耐性を示すように選択することができる。これは、カバーの使用寿命が十分に長く、リソグラフィ装置に関する休止時間を含めてカバー25の交換に関連した不必要なコストの防止を保証するのを支援することができる。カバー25の上部面25b上のコーティング142は、上記で論じたように疎液性に選択されてもよい。そのようなコーティングは、より大きな液浸液の後退接触角をもたらすことができる。これによって、上記で論じたように、結果として、例えばメニスカスからの液浸液の損失なしで、より高いスキャン速度を用いることが可能になり得る。前述のように、カバー25の上部面25b上のコーティング142は、Lipocerから形成することができる。0084カバー25の下部面25aおよび上部面25b上のコーティング141、142は、材料の単一層から形成され得ることを理解されたい。あるいは、コーティング141、142の一方または両方が、複数の層から形成されてもよい。例えば、諸層が様々な材料から形成されてもよく、コーティング141、142に様々な利点をもたらす。カバー25の下部面25aおよび上部面25b上のコーティング141、142は、互いに同一でも異なってもよいことも理解されたい。0085カバー板は、例えば25μmの厚さでもよい。カバー板は、例えば縁端部の1つまたは複数で、局部的に厚さを低減するようにエッチングされてもよい。カバー板は、局部的に低減された領域では10μmの厚さになり得る。カバーの一部分の厚さは、レーザアブレーション、ミリングおよび研磨などの他のプロセスによって低減することができる。0086図21に示されるように、カバー25の縁端部25c、25d、すなわちカバー25の下部面25aと上部面25bとを分離している縁端部は、カバー25の下部面25aおよび上部面25bに対して実質的に垂直でもよい。このような機構は、製造するのが比較的簡単であり得る。0087しかし、図21に示された機構では、カバー25の縁端部25c、25dが、基板Wの面および基板テーブルWTの上部面21上で段差を形成することがある。そのような段差は望ましくないことがある。具体的には、上記で論じたように、基板Wおよび基板テーブルWTが液体閉じ込め構造体に対して移動するとき、液体閉じ込め構造体と基板Wおよび/または基板テーブルWTとの間に液体のメニスカスによって形成されたシールが壊れないことを保証するように注意する必要がある。面上に段差が導入されると、例えばメニスカスであるシールを壊すことなく液体閉じ込め構造体および/または基板W/基板テーブルWTが移動することができる、液体閉じ込め構造体と基板Wおよび/または基板テーブルWTとの間の臨界速度が低下する恐れがある。0088カバー25の縁端部の25c、25dの1つまたは複数は、段差を低減するように構成することができる。例えば、上記で論じたように、カバーの厚さは、縁端部の1つまたは複数で局部的に低減することができる。例えば、カバーの縁端部の25c、25dの1つまたは複数は、図22から図25のいずれかで概略的に示されたようなプロファイルを有するように構成することができる。0089図22に示されたように、カバー25の縁端部は、カバー25がある程度テーパ状になる部分143を有するように構成することができる。したがって、このようなカバーは段差なしであり得る。しかし、カバー25の縁端部の先端が損傷を受けやすいという恐れがある。0090代替機構では、図23に示されるように、カバー25は、カバー25の厚さより小さい段差146、および段差146と全厚さを有するカバー25の本体との間のテーパ部を含む端縁部145を有することができる。例えば、カバー25の本体は25μmの厚さでもよく、段差146は10μmの厚さでもよい。このような機構は、垂直な縁端部25c、25dを有するカバーより小さな段差を有するにもかかわらず、図22に示された機構より縁端部の損傷を受けにくいものであり得る。0091図22および図23に示されるように、カバー25の縁端部のテーパ部143、145は、縁端部からの距離に対する厚さが直線的に増加するように構成することができる。しかし、このことは必須ではない。図22および図23にそれぞれ対応する図24および図25に示されるように、テーパ部147、148は、その代わりに湾曲させてもよい。これは、例えばテーパ部とカバー25の残りの部分との間またはテーパ部とカバー25の縁端部の低減された段階との間に鋭いコーナーができるのを回避することができる。このような鋭いコーナーは、液体閉じ込め構造体と下にある面との間のシール例えばメニスカスの不安定性の原因になる恐れがある。したがって、このような鋭いコーナーを回避することにより、上記で論じたようにメニスカスから小滴が漏れる可能性を低下し、欠陥の可能性を低下させることができる。0092図22から図25に示されるように、カバー25の下部コーナー、すなわち使用するとき基板Wの上部面および/または基板テーブルWTに接触するコーナーは、比較的鋭いコーナーであり得る。これは、カバー25と基板Wおよび/または基板テーブルWTとの間に比較的優れたシールをもたらすことができる。しかし、下部コーナーは、その代わりに湾曲させてもよいことを理解されたい。これは、基板Wの損傷の可能性を低下させることができる。0093一般に、カバー上の鋭いコーナーを回避すると、必要に応じてカバー25上に容易にコーティングを設けることができる。0094図22から図25は、カバー25の1つのテーパ部および/または丸みの付いたコーナーを有する1つの縁端部を示すが、上記で論じたように、カバー25の1つまたは複数の縁端部がテーパ状でもよく、かつ/または1つまたは複数の丸みの付いたコーナーを有してもよいことを理解されたい。さらに、カバー25の諸縁端部が、それぞれ別々のテーパ部および/または丸みの付いたコーナーの機構を有してもよい。0095カバー25の縁端部25c、25dの一方または両方の機構の選択に影響を及ぼす可能性のあるさらなる問題に、液体閉じ込め構造体12がカバー25を横切るときの液浸液の挙動がある。この挙動も、液体閉じ込め構造体12の構成ならびに基板テーブルWTおよびカバー25に用いられる1つまたは複数の材料によって影響を受ける可能性がある。0096例えば、ガスナイフを含んでいない液体閉じ込め構造体ならびに親液性の例えば親水性の基板テーブルWTおよびカバー25を使用するとき、液体膜の引張りが存在することがある。液体膜の引張りは、他の機構でも生じる可能性がある。液体膜の引張りは、基板上の液体の損失をもたらす可能性があり、このことは望ましくない。具体的には、このような失われた小滴は、後に、液体閉じ込め構造体12と基板テーブルWTとの間のさらなる相対的移動の期間中にメニスカスと衝突する恐れがある。これらの衝突は、液浸液内の気泡の形成をもたらす恐れがある。0097液体膜の引張りは、メニスカスの下のカバー25の縁端部の移動またはその逆によって引き起こされる可能性がある。メニスカスが90°の高台の段差を横切るとき、メニスカスの速度は、この段差を横切る期間中は無限大でなければならないことになる。このような段差は、図21に示されたものなどのカバー25の垂直の縁端部25c、25dで生じる。無限大のメニスカス速度は実際には不可能であるため、図33に示されるようにメニスカスが伸ばされ、結果として液体膜の引張りが生じる。続いて、液体膜201が壊れることになり、基板Wおよび/または基板テーブルWT上の液体の損失をもたらす。0098図22に示されるように、液体膜の引張りは、例えばテーパ状の縁端部を使用することによって低減することができる。しかし、液体膜は垂直の縁端部の場合より早く解放されるが、液体膜は依然として引っ張られる可能性がある。したがって、基板および/または基板テーブル上の液体の損失は低減され得るが、所望のレベルを上回って残っていることがある。これは、カバー25の縁端部において無限に鋭い頂点を形成するのが不可能であるためと考えられる。したがって、カバー25の縁端部の頂点の末端に、事実上垂直の小さな縁端部が残っている可能性がある。0099一実施形態では、液体膜の高速分解を促すために、液浸液膜ディスラプタが設けられる。これは、液体の損失を低減することができる。00100一実施形態では、液浸液膜ディスラプタは、液体フィルムの引張りを低減または最小化するように特別に選択された、カバー25上のテーパ状縁端部の装備を含む。00101図37は、カバー25を横切る液浸液のメニスカスの形状例えば、カバー25が、メニスカスの下をそのメニスカスに対して移動するときのものを概略的に示す。3つの連続した時間帯におけるメニスカスのプロファイル251、252、253が示されている。第1のメニスカスプロファイル251は、メニスカスがカバー25の非テーパ状部分に接している時点のものを示す。第2のメニスカスプロファイル252は、メニスカスがカバー25の縁端部のテーパ状部分143に接している時点のものを示す。第3のメニスカスプロファイル253は、基板Wこの場合および/または基板テーブルWTの上部面に接している第3の時点におけるメニスカスを示す。00102各メニスカスプロファイル251、252、253に関して、図37は、それぞれの動的接触角261、262、263、すなわちメニスカスが所与の速度で面と接触するポイントにおける面に対するメニスカスプロファイル251、252、253の角度も示している。00103メニスカスの、カバー25の非テーパ状部分の上部面ならびに基板W/基板テーブルWTの上部面と接触する動的接触角261、263は、液体閉じ込め構造体12に対する基板テーブルWTしたがってカバー25および基板Wの速度、ならびにカバー25、基板W/基板テーブルWTおよび液体の面の特性によって求められることになることが理解されよう。00104メニスカスがカバー25の縁端部のテーパ状部分143を横切るとき、面の上のメニスカスの実効速度が増加する。この実効速度は、基板Wの上部面に対するカバー25の縁端部のテーパ状部分143の面の角度260次第である。上記で論じたように、角度260が大きくなればなるほど実効速度が大きくなり、角度が90°になるとメニスカスの速度は理論上無限大になるしかし、実際上これは起こらず、メニスカスが伸びて液体膜の引張りをもたらす。00105図38は、液体閉じ込め構造体12に対する基板テーブルWTしたがって基板Wおよびカバー25の速度が、カバー25の縁端部のテーパ状部分143の面に対するメニスカスの動的接触角264が基板Wの上部面に対するテーパ状部分143の面の角度260と同一になるような速度であるといった特別な状況におけるメニスカスプロファイル254を示す。したがって、示されるように、メニスカスプロファイル254のカバー25の縁端部に隣接する部分254aは、基板Wの上部面に対してほぼ平行である。このような状況では、メニスカスがカバー25の縁端部のテーパ状部分143の先端に接近するとき、メニスカスプロファイル254の細長い部分254aが、同時に基板Wの上部面に接近し得て、結果として液体膜が形成される。この液体膜は、後に壊れることになり、基板Wおよび/または基板テーブルWT上のテーパ状部分が基板テーブルWTの側にあるところで液体の損失をもたらす。00106図38に示された状況は、液体閉じ込め構造体12に対する基板テーブルWTの速度、カバー25の上部面の材料の性質例えば疎液性であろうとなかろうと、およびカバー25の縁端部のテーパ状部分143の角度260の組合せの結果として生じる可能性があることが理解されよう。00107一実施形態では、カバー25の縁端部のテーパ状部分143の角度260は、使用中、メニスカスがカバー25の縁端部のテーパ状部分143を横切るときのメニスカスの動的接触角262が、基板Wの上部面に対するカバー25の縁端部のテーパ状部分143の上部面の角度260より大きいままであることを保証するのを支援するように選択されてもよい。00108この角度は、液体閉じ込め構造体12に対する基板テーブルWTの様々な速度に関して、動的接触角262に対するカバー25の縁端部のテーパ状部分143の上部面の角度260の変化の影響を確認するために適切な実験を遂行することにより求めることができる。カバー25の上部面が、使用される液浸液に対して疎液性になるまで、すなわち静的接触角の変化に関して、変化の影響を求めるためにも実験が遂行されてもよい。使用されるカバー25の縁端部のテーパ状部分143の角度260を選択するとき、このような変化を考慮に入れることができる。00109カバー25の縁端部のテーパ状部分143の上部面の適切な角度260は、リソグラフィ装置の作動中、メニスカスがカバー25を横切るときに用いられることになる基板テーブルWTの所望の速度と、カバー25の特定の面材料との組合せに対して、特別に選択することができる。例えば、カバーの面材料は、上記で論じたように、カバー25の上部面上のコーティング142を形成するように選択された材料でもよい。00110具体的には、このことは、カバー25の縁端部にあるメニスカスが固定される可能性を低下させることができる。その結果として、このことは、壊れることによって上記で論じたように基板W/基板テーブルWT上の液体の損失をもたらす恐れのある液体膜が形成される可能性を低下させることができる。00111本発明の一実施形態では、使用するとき、メニスカスがカバー25の縁端部のテーパ状部分143を横切るときのポイントでのメニスカスプロファイル252の動的接触角262は、カバー25の縁端部のテーパ状部分143の上部面の角度260より小さいこの動的接触角262が、メニスカスが基板W/基板テーブルWTの上部面に接触するときのメニスカスプロファイル253の動的接触角263より大きいことを保証するのが望ましいことであり得る。換言すれば、動的接触角262とテーパ状部分143の上部面の角度260との間の差は、メニスカスが基板W/基板テーブルWTの上部面に接しているときのメニスカスプロファイル253の動的接触角263より大きい。このことは、カバー25の縁端部にあるメニスカスが固定される可能性を低下させることができる。その結果として、このことは、壊れることによって上記で論じたように基板W/基板テーブルWT上の液体の損失をもたらす恐れのある液体膜が形成される可能性を低下させることができる。00112一実施形態では、カバー25の縁端部のテーパ状部分の上部面の適切な角度260は、メニスカスが基板W/基板テーブルWTの上部面に接しているときのメニスカスプロファイル253の動的接触角263を考慮に入れて選択することができる。その結果として、このことは、使用するとき、メニスカスがカバー25の縁端部に隣接している位置で基板W/基板テーブルWTを横切るときの基板テーブルWTの意図した速度次第であり得ることが理解されよう。00113例えば、液体閉じ込め構造体12に対する基板テーブルWTの速度が約0.5m/sであると、カバー25の上部面の静的接触角は約90°であり、基板の上部面の静的接触角は約70°または80°であり、基板Wの上部面に対するカバー25の縁端部のテーパ状部分143の上部面の角度260は、約15°から45°までの範囲内、約15°から30°までの範囲内、または約20°であり得る。00114前述のように、カバー25の縁端部のテーパ状部分143の上部面の所望の角度260は、特にテーパ状部分143の領域ではカバー25の面の性質次第であり得る。一般に、上部面は疎液性であるのが望ましく、というのは、これによって、基板W/基板テーブルWT上の液体損失の所与の許容レベルに対して許され得るカバー25の縁端部のテーパ状部分143の上部面の角度260を増加させることができるからである。角度260が一定レベルより小さくなるとカバー25の製造が困難になる恐れがあるので、これは有利なことである。さらに、角度260が小さくなると、カバー25の、容易に損傷を受けるほど十分に薄い、より大きな縁端部をもたらす恐れがある。00115しかし、疎液性の上部面を有するカバー25の形成は、あらたな問題を有することがある。具体的には、上記で論じたように、疎液性のコーティング142がカバー25の上部面に与えられることがある。しかし、このようなコーティングは、使用中、時間が経つにつれて、上部面上の液浸液の静的接触角が減少するように劣化する可能性がある。00116一実施形態では、カバー25の縁端部のテーパ状部分143の上部面の角度260は、カバー25の上部面の、許容できる期間にわたって予期される劣化を考慮に入れて選択されてもよい。このポイントを越えると、カバー25の上部面上の液浸液の静的接触角は、カバーの縁端部の角度260がカバー25の縁端部のメニスカスの固定を妨げる、または十分に低減するほどには小さくないものになるまで、減少する可能性がある。したがって、このポイントで、基板W/基板テーブルWT上の液体の損失が許容範囲を超過する可能性がある。この段階で、カバー25の交換が必要になることがある。00117一実施形態では、液浸液膜ディスラプタは、カバー25の上部面および/または縁端部上に与えられ得る1つまたは複数の構造体を含む。この構造体は、膜の不安定性を引き起こし、膜の破壊をもたらす。このような面プロファイルは、前述のように、垂直な縁端部またはテーパ状縁端部の何らかの機構を有するカバー25と組み合わせることができる。00118カバー25の上部面および/または縁端部に与えられる構造体は、面の、任意の種類の複数の局部的変化がある形状でもよい。例えば、隆起部および/または流路などの細長いフィーチャが設けられてもよい。このような隆起部および/または流路の断面は、任意の適切な形状でもよい。その代わりに、もしくはそれに加えて、突起および/または窪みなどの比較的短いフィーチャが設けられてもよい。このような突起および/または窪みは、任意の適切な形状を有することができる。00119図34は、カバー25の上部面上に複数の隆起部202が設けられている実施形態を示す。示されるように、このような機構は、液体膜203の破壊を促進する。このような機構は、メニスカスが固定される可能性を低下させることができる。00120図35は、カバー25の縁端部上に複数の流路204が設けられている実施形態を示す。示されるように、このような機構は、液体膜204の破壊を促進する。このような機構は、メニスカスが固定される可能性を低下させることができる。00121図36に示される一実施形態では、液浸液膜ディスラプタは、液体閉じ込め構造体12によって与えられた複数の個別のガスジェット210を含んでいる。ガスジェット210は、液体膜が形成し始めるときその上に向けられ、膜212の高速の破壊を促進する。このような機構は、メニスカスが固定される可能性を低下させることができる。00122ガスジェット210は、例えば液体閉じ込め構造体12の面に形成されてガス供給源に接続されたアパーチャの列によって与えられ得る。これらのアパーチャは、液体閉じ込め構造体の面に形成されて液浸液を含有するために液浸液を抽出するのに使用される一連の開口211の外側に設けられてもよい。換言すれば、ガスジェット210をもたらすアパーチャは、液浸液が含まれている空間への一連の開口211の反対側にあってもよい。00123ガスナイフではなく、例えば複数の個別のガスジェット210を使用することの利点は、一連のガスジェット210と一連の開口211との間に液体の小滴が収集される可能性がないことである。このような領域における液体の小滴の集合は、液体閉じ込め構造体に対する基板テーブルWTの移動期間中に問題になることがある。例えば、移動期間中にこのような領域に集められた液体の小滴は、結合して大きな小滴を形成する可能性がある。00124一実施形態では、液浸液膜ディスラプタが前述の機構の任意の組合せを含み得ることが理解されよう。00125一実施形態では、カバー25の上部面25bまたはカバー25の上部面25b上のコーティング142の上部面142bは、できるだけ平坦に構成されてもよい。上記で論じたように、これによって、上記で論じられたメニスカスのあらゆる不安定性をさらに低減することができ、メニスカスから小滴が漏れる可能性およびそれに続く欠陥が低減する。00126一実施形態では、カバーは基板テーブルの一部分でもよい。少なくとも閉位置と開位置との間でカバーを移動するために、アクチュエータシステムが設けられてもよい。カバー25は、閉位置では、凹部22内で基板Wの上部面に接することができる。カバー25は、閉位置では、基板テーブルWTの上部面21に接することができる。カバー25は、閉位置では、基板Wの縁端部と凹部22の縁端部との間の隙間23を完全に覆うことができる。00127カバー25は、隙間が、空間で液浸液に対して液浸空間11の下を通過するとき、隙間が閉じるように構成することができる。隙間を閉じることにより、隙間の横断時におけるメニスカスの安定性を改善することができる。一実施形態では、カバーは、凹部22内の基板Wの上部面および基板テーブルWTの上部面21の一方または両方に対してシールを形成する。基板Wの上部面および基板テーブルWTの上部面21の両方に対してシールを与えるカバー25は、液浸液が隙間23の中へ通るのを防止することができる。カバーは、隙間23への液浸液の流入量を低減することができる。カバーは、空間11の下を隙間が通る結果としての空間11への気泡の流れを、防止しないにしてもの低減するのに役立つことができる。00128カバー25は、開位置では、その閉位置から離れて凹部22の面に対して移動されてもよい。基板が凹部22の面によって支持されるとき、カバー25は基板Wと離れて配置されてもよい。開位置は、カバー25が開位置にあるとき、基板Wが基板テーブルWTから取り外されるように構成することができる。基板Wが凹部22内にない場合、基板Wは基板テーブルWTに装着されてもよい。00129一実施形態では、アクチュエータシステムは、カバー25を閉位置から開位置へ移動する際に、図8に示されるようにカバー25の開いた中央部分26を拡大するように構成することができる。このようなプロセスでは、カバー25の開いた中央部分26は、開位置における基板Wの上部面より大きくなるように十分に拡大することができる。カバー25の開いた中央部分26は、基板Wがこれを通過することができるように十分に拡大することができる。00130一実施形態では、カバー25を開位置へ移動させ、基板Wをカバー25の開いた中央部分26を通すことにより、基板テーブルに対して基板Wを着脱することができる。基板Wを基板テーブルWTに装着する場合、基板Wがカバー25の開いた中央部分26を一旦通過すると、基板Wが基板テーブルWTの凹部22の中に受け取られ得る。続いて、カバー25は、アクチュエータシステムによって閉位置に移動され得て、その位置で、基板Wの縁端部と基板Wが支持される凹部22の縁端部との間の隙間23を覆う。00131アクチュエータシステムは、カバー25を開位置に移動する際に、カバー25の複数の部分を互いに対して別々のそれぞれの方向へ移動するように構成することができる。この機構は、開位置へ移動する際にカバー25の開いた中央部分26を拡大させるのに使用することができる。00132一実施形態では、アクチュエータシステムは、カバー25の少なくとも一部分を伸縮自在に変形させるように構成することができる。例えば、アクチュエータシステムは、アクチュエータが、開いた中央部分26を拡大させるようにカバー25の複数の部分をそれぞれの様々な方向へ移動するとき、カバー25の少なくとも一部分を伸縮自在に変形させることができる。00133図7および図8は、本発明の一実施形態によるカバー25を、それぞれ閉位置および開位置で示す上面図である。図示のように、カバー25は、上面図における形状では概して環状でもよい。カバー25の例えば周囲である内周部31は、閉位置にあるとき、カバー25の開いた中央部分26を画定することができる。カバー25の概して環状の形状において、カバー25の、例えば周囲31である内周部と、例えば周囲32である外周部との間に、切れ目が設けられてもよい。00134図7および図8に示されたものなどの機構では、カバー25は複数の部分35を有し、それぞれがアクチュエータシステムによって別々の方向に移動可能である。複数の部分35を移動する際に、カバー25の開いた中央部分26は拡大または縮小され得る。複数の部分は、互いに組み合わせて1つの一体型カバーを形成することができる。しかし、図8に示されるように、カバー25の例えば周囲である周辺を横切って切れ目30を備えると、開いた中央部分26を拡大させるためのカバー25の弾性変形を容易にすることができる。00135図7および図8の機構は、内周部31からカバー25の円周32への切れ目30を含んでいるが、これは必須ではない。00136本発明のこの態様によってカバー25の開いた中央部分26を拡大するために、例えばカバー25の弾性変形による拡大を容易にするために、追加の切れ目を設けることができる。00137本明細書に開示されたカバーのうちのいずれかを備えると、前述のような、気泡によって引き起こされる欠陥の低減および/または気泡の低減に加えて、リソグラフィ装置内の基板テーブルに対して様々な追加の利点を得ることができる。00138基板テーブルWTおよび液浸システムの洗浄を減少させることができる。これは、その結果として、リソグラフィ装置のダウンタイムを縮小することができる。00139カバーは、基板Wの上部面から基板Wの下部面への汚染物質の伝達を低減することができる。これは、いわゆる裏面汚染の結果として生じる恐れがある欠陥を低減することができる。00140基板Wの縁端部と凹部22の縁端部との間の隙間を覆うカバーを備えると、基板Wの縁端部および液浸システムは、そうでないときより高速で投影システムを通過することが可能になり得る。このことは、リソグラフィ装置のスループットを増加することができる。00141カバーを備えると、基板Wの縁端部と凹部22の縁端部との間の隙間から液浸液および気泡を除去するための抽出システムの必要性を回避することができる。これによって、基板テーブルWTに印加される熱負荷を低減することができる。基板テーブルWTの熱的安定性を改善することができる。基板W上に形成される諸パターンのオーバーレイ精度が、結果的に改善され得る。00142基板Wの縁端部と凹部22の縁端部との間の隙間用の抽出システムは、2相抽出器であり得る。このタイプの抽出器は、流れで誘起される振動を生成することがある。したがって、カバーを備えると、結果としてこのような抽出器が使われなくなり不要になり、基板テーブルWT内部の振動を低減することができる。00143カバーを備えると、上記で開示された、基板Wの縁端部と凹部22の縁端部との間の隙間に対して抽出器を使用するシステムより簡単な全体システムをもたらすことができる。隙間23の上にカバーを備えると、装置の物品のコストを全体として低減することができる00144本発明の一態様によるカバーを備えると、上記で論じたように、基板Wの縁端部と凹部22の縁端部との間の隙間における抽出システムの必要性が解消され得ることを理解されたい。しかし、本発明の一態様によるカバーは、抽出システムと共に使用することができる。抽出システムの必要性能を低減することができるので、上記で論じた利点は依然として当てはまり得る。00145図9および図10は、本発明の一実施形態によるカバー25の機構を示す上面図である。図9および図10に示されたカバーは、図7および図8に示されたカバーに類似であり、簡略のために違いだけを詳細に論じる。00146示されるように、カバー25は複数の個別部分40から形成される。部分40は、閉位置では、単一のカバー25を形成するためにカバー25の隣接した部分40と接するように構成される。例えば、図9に示されるように、円形の基板Wについては、カバー25の個別部分40のそれぞれが閉位置において互いに接するとき、個別部分40の組合せが、概して環状の形状を有するカバー25をもたらす。00147アクチュエータシステムは、カバーを閉位置から開位置へ移動するために、カバー25の諸部分を別々の方向へ移動することができるように構成される。カバー25が図9および図10に示されたものなどである場合には、カバー25のこのような部分のそれぞれが、個別部分40のうちの1つである。アクチュエータシステムは、カバー25の個別部分40のそれぞれを、それぞれの異なる方向へ移動する。00148カバー25が開位置にあるとき、カバー25の個別部分40は互いに離れて配置されてもよく、前述のように、基板Wが通過することができる拡大した開いた中央部分26をもたらす。00149図11、図12および図13は、本発明の一態様で、それぞれ閉位置、中間位置および開位置で使用することができるアクチュエータシステムを示す断面図である。00150図11に示されるように、閉位置では、カバー25の各部分は、基板Wの上部面と基板テーブルWTの上部面21の周辺部分45との間に位置決めされて延在する。アクチュエータシステム50は、カバー25を閉位置から開位置へ移動する際に、カバー25の各部分を、まず基板Wの上部面および基板テーブルWTの上部面21に対して実質的に垂直な方向へ移動するように構成することができる。00151図12は、カバー25の一部分を、前述の初期移動の後の、閉位置と開位置との間の中間位置で示す。00152カバー25は、開位置から閉位置へ移動する際に、基板Wの上部面および基板テーブルWTの上部面21に対して実質的に垂直な方向のみの移動によって続いて閉位置へ移動され得るように、図12に示された中間位置へ移動されてもよい。00153このような機構は、カバー25が基板Wに接触するか、または基板Wの近くにあるとき、カバー25の基板Wに対する相対的移動が基板Wの上部面に対して実質的に垂直な方向のみであることを有利に保証することができる。このことは、基板Wの縁端部における汚染物質粒子の生成を防止または低減することができる。このことは、基板Wの縁端部に既存の汚染物質粒子が、パターンが形成されることになる基板Wの上部面へ移動するのを防止または低減することができる。基板Wの面に対して実質的に垂直な方向へカバーを移動することにより、カバーが基板に接触すると直ちに、基板Wに印加される力は、基板Wに対して実質的に垂直な方向に印加される。力が基板Wの周辺のまわりに印加されるので、印加される力は実質的に均一である。力を印加することによって引き起こされる基板Wの歪みは、それによって、最小化されないにしても低減される。カバー25を適用することによって、基板Wの面における力は、低減されるかもしくは最小化され、凹部内の基板Wの移動が制限される。基板Wの縁端部にカバー25を与えることによる位置決め誤差は、防止されないにしても低減され得る。00154アクチュエータシステム50は、カバー25のそれぞれの部分を、基板Wの上部面および基板テーブルWTの上部面21に対して実質的に平行な方向に移動することによって、カバー25のそれぞれの部分を図12に示された中間位置と図13に示された開位置との間で移動することができるように構成され得る。00155図11、図12および図13に示されるように、アクチュエータシステム50は、カバー25を、基板Wの上部面および基板テーブルWTの上部面21に対して実質的に垂直な方向、例えば上下方向へ移動するように構成されたアクチュエータステージ51を含むことができる。アクチュエータステージ51は、横方向アクチュエータステージと称されてもよい。00156アクチュエータシステム50は、カバー25を、基板Wの上部面および基板テーブルWTの上部面21に対して実質的に平行な方向、例えば水平方向に移動するように構成されたアクチュエータステージ52を含むことができる。アクチュエータステージ52は、水平方向アクチュエータステージと称されてもよい。00157示された空気式アクチュエータの使用は有利であり得るが、アクチュエータステージ51、52の一方または両方に対して代替アクチュエータが使用されてもよいことが理解されよう。例えば、静電アクチュエータおよび/または電磁アクチュエータを使用することができる。00158アクチュエータステージ51は、もたらされる唯一の移動が、実質的に、基板Wの上部面および基板テーブルWTの上部面21に対して実質的に垂直な方向のものであることを保証するように構成することができる。アクチュエータステージ51は、1つまたは複数の移動ガイドを含むことができる。1つまたは複数の移動ガイドは、アクチュエータステージ51のコンポーネントの、基板Wの上部面および基板テーブルWTの上部面21に対して実質的に垂直な方向の相対的移動を可能にするように構成される。しかし、移動ガイドは、アクチュエータステージ51のコンポーネントの、基板Wの上部面および基板テーブルWTの上部面21に対して実質的に平行な方向の相対的移動を低減または最小化するように構成される。00159図14および図15は、アクチュエータステージ51が特定方向への移動のみをもたらすことを保証するのを支援するために使用され得る移動ガイドの機構を示す断面図である。このような方向は、基板Wの上部面および基板テーブルWTの上部面21に対して実質的に垂直な方向でもよい。図14は、カバー25が閉位置にあるときの移動ガイド60を示す。図15は、カバー25が開位置にあるときの移動ガイド60を示す。00160示されるように、アクチュエータステージ51は、第1のコンポーネント61および第2のコンポーネント62を含む。第1のコンポーネント61および第2のコンポーネント62は、前述のように設けられたアクチュエータによって、基板Wの上部面および基板テーブルWTの上部面21に対して実質的に垂直な方向へ、互いに対して移動され得る。アクチュエータステージ51の第1のコンポーネント61と第2のコンポーネント62との間に弾性ヒンジ63が設けられる。弾性ヒンジによって、第1のコンポーネント61および第2のコンポーネント62の、基板Wの上部面および基板テーブルWTの上部面21に対して実質的に垂直な方向の移動が可能になる。弾性ヒンジは、この所望の移動方向に対して実質的に垂直な方向の移動を制限するように構成される。00161代替または追加の移動ガイドが使用され得ることが理解されよう。しかし、この形式の移動ガイドは、摩擦力がない、または望ましくは摩擦力を最小化するので、前述のように1つまたは複数のこのような弾性ヒンジを使用することは有利であり得る。カバー25が閉位置に移動するとき、摩擦力によって、基板Wの上部面上に印加される力の再現性が低減する恐れがある。00162図16、図17および図18は、本発明の一態様で使用され得るさらなるアクチュエータシステムを示す。図16は、カバー25が閉位置にあるときのアクチュエータシステム70を示す。図17は、中間位置におけるアクチュエータシステム70を示す。図18は、カバー25が開位置にあるときのアクチュエータシステム70を示す。00163図16、図17および図18に示されたアクチュエータシステム70は、図11、図12および図13に示されたものより簡単なアクチュエーションシステムを提供することができる。個別のアクチュエータステージは不要である。その代わりに、カバー25の各部分は、基板テーブルWT内の移動ガイド72、73のシステム内に実装されるピストン71に接続される。00164移動ガイド72は、ピストン71と連携して、カバー25を閉位置から中間位置へ、基板Wの上部面および基板テーブルWTの上部面21に対して実質的に垂直な方向へ移動するのに使用され得る。移動ガイド73は、ピストン71と連動して、カバー25を、基板Wの上部面および基板テーブルWTの上部面21に対して実質的に平行な方向へ移動するように構成することができる。カバー25を、閉位置と開位置との間で移動するために、移動ガイド72、73の一方または両方を適切な負圧源または過圧源74、75に接続することにより、ピストン71の片側または両側のガス圧を変化させることができる。00165カバー25は、閉位置では、基板Wの縁端部と基板テーブルの凹部22の縁端部との間の隙間23だけでなくさらなる隙間77も覆うように構成することができる。例えば、さらなる隙間が、アクチュエータシステムと、基板ホルダからより遠く離れたさらなるコンポーネント78などの基板テーブルの一部分との間に存在し得る。さらなるコンポーネント78は、投影システムに対する基板テーブルWTの位置および/または変位を監視するために使用されるセンサシステムのコンポーネントであり得る。00166図19および図20は、基板Wの縁端部と基板Wが支持される基板テーブルWTの凹部22の縁端部との間の隙間23を覆うようにカバー125の別の機構が設けられる本発明の一実施形態の断面図である。具体的には、本発明の一実施形態のカバー125は、基板テーブルWTの凹部22に対する基板Wの着脱を可能にするために、基板テーブルWTから移動して離れるように構成することができる。このような機構では、カバー125を開位置へ移動する際にカバー125の開いた中央部分を拡大する必要はない。00167上記で論じられた機構と同様に、カバー125は、基板Wの縁端部を取り囲む材料の薄板の形で構成される。カバー125は、基板Wの上部面の周辺領域45から基板受け部分の上部面21へ延在する。負圧源128に接続される、ガス出口用の開口127を設けることができる。カバー125の下部面125a上の空間の圧力は、カバー125の上部面125b上のガス圧力より低いものであり得る。この圧力差は、カバー125を固定し、かつ使用期間中にカバー125のいかなる移動も実質的に防止するために用いられ得る。00168カバー125の変形を防止または低減するために、カバーは、カバー125が凹部22内の基板Wの頂部上に配置されたときカバー125の下部面125aから凹部22の下に延在する1つまたは複数のサポート126を含むことができる。00169基板Wの着脱を可能にするためにカバー125を移動するために、ロボットアームなどのカバーハンドリングシステム130を設けることができる。カバーハンドリングシステム130は、具体的には、このようなカバー125が基板Wに接触しているかもしくは基板Wに近いとき、カバー125の移動は、基板Wの上部面および基板テーブルWTの上部面21に対して実質的に垂直な方向のみであるように構成することができる。00170上記で論じたように、例えば図11から図18に示された本発明の実施形態では、基板Wを基板テーブルWTに対して着脱することができる開位置から、カバー25が基板テーブルWTの上部面21から基板Wの周辺へ延在する閉位置へカバー25を移動するアクチュエータシステムを設けることができる。閉位置では、具体的にはカバー25がシールを形成する場合、カバー25は、基板Wの周辺部分および基板テーブルWTの上部面21と物理的に接触することがある。このような物理的接触によって、カバー25、基板Wおよび/または基板テーブルWTの上部面21のうち1つまたは複数に損傷が生じる恐れがある。したがって、適切な制御システムがアクチュエータシステムに設けられてもよい。00171本発明の一実施形態では、カバー25を位置決めするアクチュエータシステムを制御するために、コントローラが設けられる。基板Wおよび/または基板テーブルWTに対するカバーの正確な移動を保証するのを支援するために、コントローラは、少なくとも、基板テーブルWTの上部面21に対する基板Wの周辺部分の上部面のまたはその逆の高さを表すデータを用いることができる。このようなデータは、例えばあらかじめメトロロジーステーションで取得することができ、メトロロジーステーション152は、リソグラフィ装置の一部分またはリソグラフィ装置を含むリソグラフィシステムの一部分であり得る。00172基板テーブルWTの上部面21に対する基板Wの周辺部分の上部面のまたはその逆の高さを示すデータに基づいて、コントローラは、カバー25と基板Wの上部面および基板テーブルWTの上部面21との間の所望の接触をもたらすためにカバー25を移動するべき位置を求めることができる。00173カバー25を、コントローラによって求められた所望の位置へ移動するようにアクチュエータシステムを制御するために、コントローラ用の適切なフィードバック機構が設けられてもよい。00174コントローラは、例えば液浸液の漏れの防止、低減、または最小化のために、閉位置におけるカバー25の位置が、基板Wの周辺部分の上部面に十分に接近することまたはその上部面に接触することを保証するのを支援するように構成することができる。その代わりに、またはそれに加えて、コントローラは、カバー25が閉位置にあるときカバー25の下部面が基板Wの周辺部分の上部面に対して及ぼす力が、所与の範囲内にあることを保証するのを支援するように構成することができる。例えば、基板Wに損傷を与える可能性を防止または低下させるために、この力が特定の値未満であることを保証するのは望ましいものであり得る。その代わりに、またはそれに加えて、カバー25の下の液浸液の漏れを制御するために十分な接触を保証するために、カバー25の下部面が基板Wの周辺部分の上部面に対して及ぼす力が特定の値を上回ることを保証するのは望ましいことであり得る。00175本発明の一実施形態では、基板テーブルWTの上部面21に対する基板Wの周辺部分の上部面のまたはその逆の高さを表すデータは、基板Wの周辺部分のまわりの複数の位置における相対的高さに関するデータを与えることができる。このようなデータから、コントローラは、基板Wの縁端部のまわりの複数の位置でカバー25のそれぞれの部分の所望の位置を求めることが可能になり得る。00176本発明の一実施形態では、アクチュエータシステムは、カバー25のまわりの複数の位置で、カバー25の高さを独立して調整することができるように対応して構成され得る。このような機構では、閉位置におけるカバー25の位置決めを制御する際に、基板Wおよび/または基板テーブルWTの上部面の高さの局部的変動を考慮に入れることができる。これは、その結果として、液浸液の漏れならびに/あるいは基板W、基板テーブルWTおよび/またはカバー25の損傷を、防止または低減するのを支援することができる。00177上記で特定されたように、カバー25が閉位置に移動したとき、カバー25は基板Wの周辺部分の上部面に対して力を及ぼすことができる。この力は、カバー25を移動するのに使用されるアクチュエータシステム用の制御システムの機構にかかわらず及ぼされ得ることを理解されたい。基板W上に加えられる力は、例えば基板の変形および/または基板Wを支持する基板テーブルWTのサポート部分の変形により、基板Wの上部面の移動を引き起こすのに十分なものであり得る。基板Wの上部面のこのような移動は、基板Wの上に形成されたパターンの誤差にもたらす恐れがあるので望ましくないことがある。00178本発明の一実施形態では、カバー25には、比較的柔軟な領域、すなわちカバーの残りの部分より低い剛性を有する領域が備わっていてもよい。このような比較的柔軟な部分は、カバー25が閉位置に移動したとき、カバーに対して及ぼされるあらゆる力ならびに/あるいは基板Wおよび/または基板テーブルWTに対するカバーの位置決めにおけるあらゆる不正確さが、基板Wの変形または基板を支持する基板テーブルWTのサポート部分の変形ではなく、カバーの比較的柔軟な部分の変形をもたらすように構成され得る。00179図26から図30は、比較的柔軟な部分を有する本発明の一実施形態のカバー25の機構の概略断面図である。図26から図28に示されるように、カバー25は、材料の単一部分から形成することができ、1つまたは複数の比較的柔軟な部分は、カバーの厚さが低減されるところに設けられてもよい。例えば、図26に示されるように、カバー25の1つまたは複数の縁端部161、162は、カバー25の本体の残りの部分163より薄くてもよい。したがって、厚さが低減された部分161、162は、カバー25の本体の残りの部分163より剛性が低い。00180カバー25の薄くなった部分161、162は、例えばカバー25の内側および/または外側の縁端部の全体に沿ってカバー25のまわりに広がってもよい。いくつかの機構では、比較的柔軟な部分を設けるために、カバー25の1つの縁端部だけが薄くなった部分を有することになることも理解されよう。00181このような機構は、上記で論じた、カバー25の縁端部がテーパ状である実施形態と組み合わせられ得ることが理解されよう。この場合、薄くなった部分161、162の縁端部161a、162aがテーパ状でもよいことが理解されよう。同様に、以下で説明される、図27から図32に示されるカバーの縁端部はテーパ状でもよい。しかし、このことは、以下で論じられる各実施形態では、簡略のために詳細には論じられない。00182図27に示されるように、カバー25の比較的柔軟な部分は、カバー25の下部面に溝165を形成することによってもたらされ得る。低減された厚さを有し、したがって低減された剛性を有する、カバー25の関連する部分166が、溝165によってもたらされる。溝165がカバー25のまわりに延在してもよいことが理解されよう。したがって、使用するとき、溝165は、基板Wの縁端部と基板テーブルWTの凹部の縁端部との間の隙間上に配置されてもよく、基板の全周辺のまわりに延在する。00183図27は、単一の溝165がカバー25の下部面に設けられた機構を示しているが、カバー25の部分の柔軟性を向上するために複数の溝を設けてもよいことが理解されよう。しかし、一般に、カバー25が、使用するとき過度に変形しないことを保証するのを支援するために、カバー25の本体の比較的高剛性を有する十分な部分、すなわちカバーの全厚さを有する部分を維持するのが望ましい。00184図28に示されるように、図26および図27に示された機構を組み合わせることができる。換言すれば、カバー25は、カバー25の縁端部の1つまたは複数において薄くなった部分161、162を有することができ、カバー25の下部面には1つまたは複数の溝165も備わっていてもよい。00185図29から図31にそれぞれ示されるように、さらなる機構に対応して、カバー25の本体は、材料171の少なくとも1つのサポート部分に取り付けられた材料170の平面状の部分から形成することができる。材料170の平面状の部分と材料171のサポート部分との組合せによって、全厚さを有し、したがって比較的高剛性を有するカバー25の本体の部分がもたらされる。カバー25の本体の、材料171のサポート部分によって支持されない、平面状の材料170から形成された部分は、カバー25の薄くなった比較的低剛性の部分161、162をもたらす。同様に、材料171の2つのサポート部分間の隙間は、カバー25の比較的柔軟な部分をもたらす溝165をもたらす。00186図26から図31に示されていないが、本発明のこの態様のカバー25が、カバー25をアクチュエータシステムに接続するためのサポートを含めて、上記で論じられたものなどのサポートを含み得ることが理解されよう。00187図32は、カバー25の本体が1つまたは複数のサポート172によって支持される本発明の一実施形態を示す。示されるように、カバー25は、カバー25のどちらの縁端部にも薄くなった部分161、162を有し、カバー25の比較的柔軟な部分をもたらす。また、複数の溝165が、カバー25の下部面に設けられる。溝165は、それぞれが、カバー25のそれぞれの縁端部と1つまたは複数のサポート172の位置との間の位置で、カバー25のまわりに延在するように配置される。したがって、溝165は、カバー25の付加的な比較的柔軟な部分をもたらす。この機構の変形形態では、カバー25の比較的柔軟な部分の1つまたは複数が省略され得ることが理解されよう。00188本文中では、IC製造時におけるリソグラフィ装置の使用に具体的に言及することがあるが、本明細書に説明されたリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用の誘導パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、マイクロメートルスケールさらにはナノメートルスケールのフィーチャを有するコンポーネントの製造に用途を有し得ることを理解されたい。当業者なら、そのような代替用途の文脈では、本明細書における用語ウェーハまたはダイのいかなる使用も、それぞれ、より一般的な用語基板またはターゲット部分と同義なものと見なしてもよいことを理解するであろう。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック一般に基板にレジストの層を与え、露光後のレジストを現像するツール、メトロロジーツールおよび/またはインスペクションツール内で処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示は、そのようなものおよび他の基板処理ツールに適用されてもよい。その上、基板は、例えば多層ICを作成するために複数回処理されてもよく、そのため、本明細書に用いられる用語の基板は、既に複数の処理層を含む基板を意味してもよい。00189本明細書において使用されている放射およびビームという用語には、紫外線UV放射例えば365nm、248nm、193nm、157nmまたは126nmの波長を有する放射またはその近辺の波長を有する放射を含むあらゆるタイプの電磁放射が包含されている。00190用語レンズは、背景が許す場合、屈折および反射光学コンポーネントを含めて様々な型の光学コンポーネントのいずれか1つまたは組合せを意味することができる。00191アクチュエータなど、本発明のコンポーネントの1つまたは複数の運動を操作するために、1つまたは複数のコントローラがあってもよい。これらのコントローラは、信号を受け取り、処理し、かつ、送信するのに適した任意の構成を有することができる。例えば、各コントローラは、前述の方法のための機械読取可能命令を含んだコンピュータプログラムを実行するための1つまたは複数のプロセッサを含むことができる。これらのコントローラは、このようなコンピュータプログラムを記憶するためのデータ記憶媒体および/またはこのような媒体を受け入れるためのハードウェアを含むことができる。00192以上、本発明の特定の実施形態について説明してきたが、本発明は、明示的に説明されている方法以外の方法で実施することも可能であることが理解されよう。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示した方法を記述した1つまたは複数の機械読取可能命令シーケンスを含んだコンピュータプログラムの形態を取ることができ、あるいはこのようなコンピュータプログラムを記憶したデータ記憶媒体例えば半導体記憶装置、磁気ディスクまたは光ディスクの形態を取ることができる。さらに、機械読取可能命令は、複数のコンピュータプログラムの中で具体化することも可能である。これらの複数のコンピュータプログラムは、1つまたは複数の異なる記憶装置および/またはデータ記憶媒体に記憶させることができる。コンピュータプログラムは、本明細書で参照されたコントローラを制御するのに適切なものでもよい。00193本発明の1つまたは複数の実施形態は、液浸液が槽の形態で提供されるものであれ、基板の局部表面領域にのみ提供されるものであれ、あるいは液浸液が基板上および/または基板テーブル上に閉じ込められないものであれ、任意の液浸リソグラフィ装置に適用することができ、詳細には、それには限定されないが、上記で言及したタイプの液浸リソグラフィ装置に適用することができる。非閉じ込め構造の場合、液浸液は、基板および/または基板テーブルの表面を流れることができ、したがって覆われていない基板テーブルおよび/または基板の表面の実質的に全体を濡らすことができる。このような非閉じ込め液浸システムの場合、液体供給システムは、液浸液を閉じ込めることができないか、あるいは一部分の液浸液閉じ込めを実現することができるが、液浸液を実質的に完全に閉じ込めることはできない。00194本明細書において企図されている液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、液体供給システムは、投影システムと基板および/または基板テーブルとの間の空間に液体を供給する機構または構造体の組合せであってもよい。液体供給システムは、1つまたは複数の構造体、1つまたは複数の液体入口、1つまたは複数のガス入口、1つまたは複数のガス出口、および/または液体を空間に供給する1つまたは複数の液体出口を備えることができる。一実施形態では、この空間の表面は、基板および/または基板テーブルの一部であってもよく、あるいはこの空間の表面は、基板および/または基板テーブルの表面を完全に覆うことも可能であり、あるいはこの空間は、基板および/または基板テーブルを包絡することも可能である。液体供給システムは、任意選択により、さらに、液体の位置、量、品質、形状、流量または他の任意の特徴を制御するための1つまたは複数のエレメントを含むことも可能である。00195その上、本発明は、特定の実施形態および実施例との関連で開示されているが、本発明が、具体的に開示された実施形態以上に、他の代替実施形態および/または本発明の用途および明白な変更形態ならびにそれらの等価物を超えて拡大することが当業者には理解されよう。また、本発明の複数の変形形態が示され、詳細に説明されてきたが、本発明の範囲内に入る他の変更形態は、本開示に基づいて、当業者には容易に明らかになるはずである。例えば、実施形態の特定の特徴および態様の様々な組合せまたはサブ組合せが作製され得て、依然として本発明の範囲内に入るように企図されている。したがって、開示された発明の様々な態様を形成するために、開示された実施形態の様々な特徴および態様を、互いに組み合わせるかもしくは置換することができることを理解されたい。したがって、本明細書に開示された本発明の範囲は、開示された特定の前述の実施形態によって限定されるべきでなく、以下の特許請求の範囲を正しく読み取ることによってのみ判断されるべきであることが意図されている。00196上記の説明は、限定するものではなく、例示のためのものである。したがって、添付の記載した特許請求の範囲から逸脱することなく、説明したように本発明に対して修正を行えることが、当業者には明らかであろう。"