"表面に誘電体を含む基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられ基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部で支持された基板の表面側からマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、前記基板支持部で支持された基板の裏面側に設けられ、前記基板の裏面と対向する対向面を有する導電性の基板冷却部とを備え、基板処理時における前記基板支持部の上端と前記基板冷却部の対向面との間の距離が、前記供給されるマイクロ波の1/4波長の奇数倍の距離である基板処理装置。請求項1に記載された基板処理装置であって、前記基板は、誘電率の異なる複数の材質から構成されるものである基板処理装置。請求項1に記載された基板処理装置であって、前記基板支持部は、前記基板冷却部よりも伝熱性の低い低伝熱性材質である基板処理装置。請求項1ないし請求項3に記載された基板処理装置であって、前記処理室の壁を冷却するための壁冷却部を備える基板処理装置。基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられ基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部で支持された基板の表面側からマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、前記基板支持部で支持された基板の裏面側に設けられ、前記基板の裏面と対向する対向面を有する導電性の基板冷却部とを備え、前記基板支持部の上端と前記基板冷却部の対向面との間の距離が、前記供給されるマイクロ波の1/4波長の奇数倍の距離である基板処理装置を用いる半導体装置の製造方法であって、表面に誘電体を含む基板を処理室内に搬入し、前記基板支持部で基板を支持する工程と、前記基板支持部で支持された基板の表面側からマイクロ波を供給するマイクロ波供給工程と、前記マイクロ波を供給中に、前記基板支持部で支持された基板の裏面側から基板を冷却する工程と、前記マイクロ波供給工程の後、マイクロ波の供給を停止して、前記処理室内から基板を搬出する工程と、を備える半導体装置の製造方法。本発明の目的は、上述した課題を解決し、基板温度の上昇を抑えサーマルバジェットを抑制しつつ、基板表面の誘電体を改質することができる基板処理装置を提供することにある。本発明では、導電性の基板冷却部の上方に所定の間隔で支持された基板上の誘電体を、マイクロ波を用いて加熱して改質しながら、基板を冷却することにより、基板のサーマルバジェットを抑制するものである。本発明に係る基板処理装置の代表的な構成は、次のとおりである。表面に誘電体を含む基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられ基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部で支持された基板の表面側からマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、前記基板支持部で支持された基板の裏面側に設けられ、前記基板の裏面と対向する対向面を有する導電性の基板冷却部とを備え、基板処理時における前記基板支持部の上端と前記基板冷却部の対向面との間の距離が、前記供給されるマイクロ波の1/4波長の奇数倍の距離である基板処理装置。また、本発明に係る半導体装置の製造方法の代表的な構成は、次のとおりである。基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられ基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部で支持された基板の表面側からマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、前記基板支持部で支持された基板の裏面側に設けられ、前記基板の裏面と対向する対向面を有する導電性の基板冷却部とを備え、前記基板支持部の上端と前記基板冷却部の対向面との間の距離が、前記供給されるマイクロ波の1/4波長の奇数倍の距離である基板処理装置を用いる半導体装置の製造方法であって、表面に誘電体を含む基板を処理室内に搬入し、前記基板支持部で基板を支持する工程と、前記基板支持部で支持された基板の表面側からマイクロ波を供給するマイクロ波供給工程と、前記マイクロ波を供給中に、前記基板支持部で支持された基板の裏面側から基板を冷却する工程と、前記マイクロ波供給工程の後、マイクロ波の供給を停止して、前記処理室内から基板を搬出する工程と、を備える半導体装置の製造方法。上記のように基板処理装置や半導体装置の製造方法を構成すると、基板温度の上昇を抑えサーマルバジェットを抑制しつつ、基板表面の誘電体を改質することができる。第1実施形態本発明の第1実施形態に係る基板処理装置の構成について、図1を用いて説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る基板処理装置の垂直断面図である。基板処理装置100は、処理室10と搬送室不図示とマイクロ波供給部とを備える。処理室10は、半導体基板としてのウェハ11を処理する。マイクロ波供給部は、マイクロ波発生部20と導波路21と導波口22とを備える。マイクロ波発生部20は、例えば、固定周波数マイクロ波又は可変周波数マイクロ波を発生する。マイクロ波発生部20としては、例えばマイクロトロン等が用いられる。マイクロ波発生部20で発生したマイクロ波は、導波路21を介して、処理室10と連通している導波口22から処理室10内に導入される。処理室10内に導入されたマイクロ波は、処理室10壁面に対して反射を繰り返す。マイクロ波は処理室10内でいろいろな方向へ反射し、処理室10内はマイクロ波で満たされる。処理室10内のウェハ11に当たったマイクロ波はウェハ11に吸収され、ウェハ11はマイクロ波により誘電加熱される。ウェハ11の温度は、マイクロ波のパワーが小さければ温度が低く、パワーが大きければ温度が高くなる。図3に、シリコンウェハにマイクロ波を照射したときのマイクロ波パワーとウェハ温度の相関データを示す。図3は、マイクロ波パワーと基板温度の相関の一例を示す図である。図3に示すように、マイクロ波のパワーが大きくなるほど、ウェハ温度が上昇している。なお、ウェハ温度は、処理室の大きさや形状、マイクロ波の導波口の位置、ウェハの位置によって変わるものであり、ここにあげるデータのウェハ温度値は一例である。しかし、マイクロ波パワーを大きくすると、ウェハ温度が高くなるという相関関係は崩れない。処理室10を形成する処理容器18は、例えばアルミニウムAlやステンレスSUSなど金属材料により構成されており、処理室10と外部とをマイクロ波的に遮蔽する構造となっている。処理室10内には、ウェハ11を支持する基板支持部としての基板支持ピン13が設けられている。基板支持ピン13は、支持したウェハ11の中心と処理室10の中心とが垂直方向で略一致するように設けられている。基板支持ピン13は、例えば石英又はテフロン登録商標等からなる複数本実施形態においては3本で構成され、その上端でウェハ11を支持する。基板支持ピン13を、石英のような低伝熱性材質とすることで、ウェハ11の熱が基板支持ピン13を介して、後述する基板支持台12へ逃げることを抑制できる。ここで、低伝熱性とは、少なくとも基板支持台12よりも伝熱性が低いことをいう。これにより、ウェハ11を均一に加熱することが可能となる。仮に、基板支持ピン13を金属のような伝熱性の高い材質とした場合は、ウェハ11から基板支持ピン13への熱伝導による熱逃げがより大きくなり、その結果、ウェハ11面内に温度の低い箇所が局所的に現われてしまう。従って、ウェハ11面内を均一に加熱することが難しくなる。また、基板支持ピン13は、台座15に支持されている。台座15を上下方向に駆動することで、基板支持ピン13は上下動可能となっている。基板支持ピン13の下部であってウェハ11の下方には、基板冷却部である導電性の基板支持台12が設けられている。基板支持台12は、例えばアルミニウムAlなどの導体である金属材料により構成されている。基板支持台12は、上面から見た形がウェハ11の外径よりも大きい円形で、円盤状又は円柱状に形成されている。このように、基板支持台12は、基板支持ピン13で支持されたウェハ11の裏面側に設けられ、該ウェハ11の裏面と平行で、ウェハ11の裏面と対向する対向面を有するものである。基板支持台12は金属製つまり導電性であるため、基板支持台12においてはマイクロ波の電位がゼロとなる。したがって、仮にウェハ11を基板支持台12に直接置いた場合、マイクロ波の電界強度が弱い状態となる。そこで、本実施形態では、基板支持台12の表面からマイクロ波の1/4波長λ/4の位置、もしくはλ/4の奇数倍の位置にウェハ11を載置するようにする。ここでいう基板支持台12の表面とは、基板支持台12を構成する面の内、ウェハの裏面と対向する面を言う。λ/4の奇数倍の位置では電界が強いため、ウェハ11を効率よくマイクロ波で加熱することができる。本実施形態では、たとえば5.8GHzに固定したマイクロ波を使用し、マイクロ波の波長が51.7mmであるので、基板支持台12からウェハ11までの高さが12.9mmとなるように設定する。つまり、基板処理時における前記基板支持部の上端と前記基板冷却部の対向面との間の距離が、前記供給されるマイクロ波の1/4波長の距離となるように、後述の制御部80により基板支持ピン13を上下動制御している。このような構成とすることで、マイクロ波のピーク位置波形の腹の位置にウェハ11を位置させることができるので、ウェハ11の加熱効率が良い。加熱効率が良いと、ウェハ11の誘電体膜からの熱伝導により他の膜も加熱されてしまうことが考えられる。しかしながら、ウェハ11のサイズと等しいか若しくはそれより大きい面積を有し、後述するように、冷却部を内蔵する金属製の基板支持台12をウェハ11の裏面に対向する位置に置くことで、ウェハ11裏面の全面から熱を奪うことができる。その結果、ウェハ11を均一に冷却することができ、ウェハ11上の誘電体膜以外の膜の加熱を抑制することができる。マイクロ波の周波数が時間とともに変化可変する形態も可能である。その場合、基板支持台12の表面からウェハ11までの高さは、変化する周波数帯の代表周波数の波長から求めれば良い。たとえば5.8GHz~7.0GHzまで変化する場合、代表周波数を変化する周波数帯のセンタ周波数とし、代表周波数6.4GHzの波長46mmより、基板支持台12の表面からウェハ11までの高さを11.5mmとすればよい。更には、固定周波数の電源を複数設け、それぞれから異なる周波数のマイクロ波を切り替えて供給し、処理するようにしてもよい。基板支持台12内には、ウェハ11を冷却するための冷媒を流す冷媒流路31が設けられている。本実施形態では、冷媒として水が使用されるが、この冷媒は冷却チラーなど他の冷媒を用いても良い。冷媒流路31は、処理室10の外部において、冷媒流路31へ冷媒を供給する冷媒供給管32と、冷媒流路31から冷媒を排出する冷媒排出管36に接続される。冷媒供給管32には、下流から順に、冷媒供給管32を開閉する開閉バルブ33、冷媒流量を制御する流量制御装置34、冷媒源35が設けられている。開閉バルブ33と流量制御装置34は、制御部80と電気的に接続されており、制御部80により制御される。処理室10内のウェハ11の上方には、ウェハ11の温度を検出する温度検出器14が設けられている。温度検出器14には、例えば、赤外線センサを用いることができる。温度検出器14は、制御部80に電気的に接続されている。温度検出器14によって検出されたウェハ11の温度データが、所定の温度よりも高い場合、制御部80は、ウェハ11の温度が所定の温度となるように、開閉バルブ33と流量制御装置34を制御して、冷媒流路31へ流す冷却水の流量を調節する。処理容器18の上部であって処理室10の上壁には、例えば窒素N2等のガスを導入するガス供給管52が設けられている。ガス供給管52には、上流から順に、ガス供給源55、ガス流量を調整する流量制御装置54、ガス流路を開閉するバルブ53が設けられており、このバルブ53を開閉することで、処理室10内にガス供給管52からガスが導入、又は導入停止される。ガス供給管52から導入される導入ガスは、ウェハ11を冷却したり、パージガスとして処理室10内のガスを押し出したりするのに用いられる。ガス供給源55とガス供給管52と流量制御装置54とバルブ53から、ガス供給部が構成される。流量制御装置54とバルブ53は、制御部80と電気的に接続されており、制御部80により制御される。図1に示すように、例えば直方体である処理容器18の下部であって処理室10の側壁には、処理室10内のガスを排気するガス排出管62が設けられている。ガス排出管62には、上流から順に、圧力調整バルブ63と、排気装置としての真空ポンプ64が設けられており、この圧力調整バルブ63の開度を調整することで、処理室10内の圧力が所定の値に調整される。ガス排出管62と圧力調整バルブ63と真空ポンプ64から、ガス排出部が構成される。圧力調整バルブ63と真空ポンプ64は、制御部80と電気的に接続されており、制御部80により圧力調整制御される。図1に示すように、処理容器18の一側面には、処理室10の内外にウェハ11を搬送するためのウェハ搬送口71が設けられている。ウェハ搬送口71には、ゲートバルブ72が設けられており、ゲートバルブ駆動部73によりゲートバルブ72を開けることにより、処理室10内と搬送室内とが連通するように構成されている。搬送室内には、ウェハ11を搬送する搬送ロボット不図示が設けられている。搬送ロボットには、ウェハ11を搬送する際にウェハ11を支持する搬送アームが備えられている。ゲートバルブ72を開くことによって、搬送ロボットにより処理室10内と搬送室内との間で、ウェハ11を搬送することが可能なように構成されている。基板処理装置100は、この基板処理装置100の各構成部分の動作を制御する制御部80を備え、制御部80は、マイクロ波発生部20、ゲートバルブ駆動部73、搬送ロボット、台座15、流量制御装置54,34、バルブ53,33、圧力調整バルブ63等の各構成部の動作を制御する。次に、基板処理装置100における本実施形態の基板処理動作について説明する。本実施形態の基板処理は、半導体装置を製造する複数工程の中の一工程を構成するものである。この基板処理動作は、制御部80により制御される。基板搬入工程ウェハ11を処理室10に搬入する基板搬入工程において、まず、ゲートバルブ72を開き、処理室10と搬送室とを連通させる。次に、基板支持台12からウェハ11までの高さが、供給されるマイクロ波の1/4波長の奇数倍の距離となるように、基板支持ピン13の高さを調節する。次に、処理対象のウェハ11を、搬送ロボットにより、搬送室内から処理室10内へ搬入する。処理室10内に搬入されたウェハ11は、搬送ロボットにより基板支持ピン13の上端に載置され、基板支持ピン13に支持される。次に、搬送ロボットが処理室10内から搬送室内へ戻ると、ゲートバルブ72が閉じられる。窒素ガス置換工程次に、処理室10内を窒素N2雰囲気に置換する。ウェハ11を搬入すると処理室10の外の大気雰囲気が巻き込まれるので、この大気雰囲気中の水分や酸素がプロセスに影響しないように処理室10内のN2置換を行う。ガス排出管62から、真空ポンプ64により処理室10内のガス雰囲気を排出するとともに、ガス供給管52から、N2ガスを処理室10内に導入する。このとき、圧力調整バルブ63により処理室10内の圧力を所定の圧力、本実施形態では大気圧に調整する。所定の圧力として、プラズマが発生しない圧力より高い圧力が望ましく、例えば200Torrよりも高い圧力を言う。加熱処理工程次に、マイクロ波発生部20で発生させたマイクロ波を、導波口22から処理室10内に導入し、ウェハ11の表面側から照射する。このマイクロ波照射により、ウェハ11表面上のHigh-k膜を100~600°Cに加熱し、High-k膜の改質処理、つまり、High-k膜からCやH等の不純物を離脱させて、緻密化し安定した絶縁体薄膜に改質する処理を行う。High-k膜等の誘電体は、誘電率に応じてマイクロ波の吸収率が異なる。誘電率が高いほどマイクロ波を吸収しやすい。我々の研究によれば、ハイパワーのマイクロ波をウェハに照射し処理すると、ウェハ上の誘電体膜が加熱され改質されることがわかった。また、マイクロ波による加熱の特徴は、誘電率εと誘電正接tanδによる誘電加熱で、この物性値が異なる物質を同時に加熱すると、加熱されやすい物質、すなわち、誘電率が高い方の物質だけ選択的に加熱できることが分かった。High-k膜のアニールについて説明すると、ウェハの基板材料であるシリコンに比べ、High-k膜は誘電率εが高い。例えば、シリコンの誘電率εは9.6であるが、High-k膜であるHfO膜の誘電率εは25、ZrO膜の誘電率εは35である。よって、High-k膜を成膜したウェハにマイクロ波を照射すると、High-k膜だけ選択的に加熱することができる。我々の研究によると、ハイパワーのマイクロ波を照射する方が膜の改質効果が大きい。ハイパワーのマイクロ波を照射すると、急速にHigh-k膜の温度を上昇させることができる。これに対し、比較的低パワーのマイクロ波を長時間照射した場合は、改質プロセス中にウェハ全体の温度が高くなってしまう。時間が経過すると、シリコン自身がマイクロ波により誘電加熱されるのと、マイクロ波が照射されるウェハ表面のHigh-k膜からウェハ裏面側のシリコンへの熱伝導により、シリコンの温度も上昇してしまうからである。ハイパワーのマイクロ波を照射する場合に膜の改質効果が大きい理由は、ウェハ全体が温度上昇し上限温度に達するまでの時間内に、誘電体を誘電加熱により高い温度まで加熱することができるためと考えられる。そこで、本実施形態では、マイクロ波を照射中に、冷却流路13に冷却水を供給しておくことで、ウェハ11の温度上昇を抑制する。好ましくは、ウェハ11の温度が所定の温度となるように、開閉バルブ33と流量制御装置34を制御して、冷媒流路31へ流す冷却水の流量を調節する。このように、ウェハ11の処理温度を一定とすることにより、複数のウェハを処理した際のプロセス結果の再現性を向上することができる。また、加熱処理工程において、制御部80はバルブ53を開いて、処理室10内にガス供給管52からN2ガスを導入するとともに、圧力調整バルブ63により処理室10内の圧力を所定の値、本実施形態では大気圧に調整しつつ、ガス排出管62から処理室10内のN2ガスを排出する。このようにして、加熱処理工程において、処理室10内を所定の圧力値に維持する。本例では、周波数5.8~7.0GHzのマイクロ波をパワー1600W、処理室10内の圧力を大気圧として5分間、加熱処理を行った。なお、処理室10内に導入するN2ガスの流量を制御することで、ウェハ11の冷却を助長することもできる。積極的にN2ガスの冷却効果を使う場合は、ガス供給管52を基板支持台12に設け、ウェハ11と基板支持台12の間にガスを流すことにより、ガスによる冷却効果向上を図ることもできる。このガスの流量を制御することにより、ウェハ11の温度制御を行うこともできる。また本実施例ではN2ガスを使用しているが、プロセス的、安全性に問題がなければ、熱伝達率の高い他のガス、たとえば希釈HeガスなどをN2ガスに追加し、基板冷却効果を向上することもできる。以上のようにして、所定時間、マイクロ波を導入して基板加熱処理を行った後、マイクロ波の導入を停止する。なお、本実施形態では、ウェハ11を水平方向に回転させることなく加熱処理を行っているが、ウェハ11を回転させながら加熱処理を行ってもよい。冷却工程加熱処理工程が終了すると、基板支持ピン13を下降し、ウェハ11と基板支持台12との距離が加熱処理工程における距離よりも短い位置に、ウェハ11を所定時間維持する。このときの距離は、例えば0.1mmから0.5mmとする。このようにすることで、加熱されたウェハ11をより急速に冷却することが可能となる。本来、加熱されたウェハを大気圧間で移動する場合、基板温度が降下するのに時間がかかり、生産性に支障が生じる恐れがある。そこで、急速に冷却し、温度降下時間を短縮することで、大気圧間を移動する場合でもスループットを高くすることが可能となる。また、急速に冷却することで、熱処理されたウェハ11上の膜を急速に安定化することが可能となる。特にHigh‐k膜の場合、急速に結晶構造を安定化することができる。仮に、加熱処理工程が終了後、冷却工程を行うことなく、すぐに大気搬送室に搬送した場合は、不純物が膜中に混入する恐れがある。また、処理室10内で冷却することで、大気搬送室の搬送ロボットに高い耐熱性の材質を使用する必要が無くなる。基板搬出工程冷却工程が終了すると、上述した基板搬入工程に示した手順とは逆の手順により、加熱処理したウェハ11を処理室10から搬送室内へ搬出する。このとき、搬送ロボットが基板支持ピン13上のウェハ11を取り出す際に、基板支持台12からウェハ11までの高さが、加熱処理工程における高さとなるように、基板支持ピン13の高さを調節しておくのが好ましい。このようにすると、次のウェハ11を搬入した後、基板支持台12からウェハ11までの高さを調節する工程を省くことができる。上述の第1実施形態によれば、少なくとも次の1~8の効果を奏することができる。1基板のサーマルバジェットを抑制しつつ、基板表面の誘電体を改質することができる。2誘電率の高い材質を選択的に加熱することができる。3基板の高さ位置におけるマイクロ波の電界を強くできるため、基板表面の誘電体を効率よく加熱することができる。4基板支持ピンを低伝熱性材質としているので、基板支持ピンから熱が逃げることを抑制でき、基板を均一に加熱することができる。5基板の冷却度合いをプロセスに応じて制御することができる。6基板の処理温度を一定とすることにより、複数の基板を処理した際のプロセス結果の再現性を向上することができる。7加熱処理後、基板支持ピンを下降させて、基板を急速に冷却することで、基板上の膜を急速に安定化することが可能となる。特にHigh‐k膜の場合、急速に結晶構造を安定化することができる。8基板搬入出時の基板の高さ位置を、加熱処理時の位置と同じ高さにしているので、加熱処理時に高さ調整を行う工程を省略できる。第2実施形態本発明の第2実施形態に係る基板処理装置の構成について、図2を用いて説明する。図2は、本発明の第2実施形態に係る基板処理装置の垂直断面図である。第2実施形態においては、第1実施形態における基板支持台12を用いず、その代わりに、処理容器18の底壁内に設けた冷媒流路41を、基板冷却部としている。冷媒流路41に関連する構成以外の構成や、加熱処理工程を含む基板処理動作等の点は、第1実施形態と同様であるので、説明を省略する。また、第2実施形態においても、図示しないが、第1実施形態と同様の台座15を有するが、同様の機能であるので説明を省略する。図2に示すように、処理容器18の各壁面の内部には、各壁面を冷却する冷媒流路41が設けられている。冷媒流路41は、処理室10の外部において、冷媒流路41へ冷媒を供給する冷媒供給管42と、冷媒流路41から冷媒を排出する冷媒排出管46に接続される。冷媒供給管42には、下流から順に、冷媒供給管42を開閉する開閉バルブ43、冷媒流量を制御する流量制御装置44、冷媒源45が設けられている。開閉バルブ43と流量制御装置44は、制御部80と電気的に接続されており、制御部80により制御される。本実施形態では、冷媒流路41には冷却水が供給されており、加熱処理工程において、マイクロ波照射により加熱されたウェハ11を、底壁内に設けた冷媒流路41により、ウェハ11の裏面から冷却することができる。このように、第1実施形態における基板支持台12を用いないので、処理容器18を小型化することが容易となる。また積極的にガスの冷却効果を使う場合は、ガス供給管52を処理室10の底壁面に設け、ウェハ11と処理室底面の間にガスを流すことにより、ガスによる冷却効果向上を図ることができる。第1実施形態より構造が容易となる。また、マイクロ波照射やウェハ11からの放射熱や加熱されたガス等により、側壁や上壁の各壁面が温度上昇することを、側壁内や上壁内に設けた壁冷却部としての冷媒流路41により、抑制することができる。これにより、温度上昇に伴う各壁面のマイクロ波の反射効率の低下を抑制することができる。各壁面の温度を一定とすることで、各壁面のマイクロ波の反射効率を一定とし、延いては、実質的なマイクロ波電力を安定させることが可能となる。したがって、複数の基板処理を1バッチとして処理する際に、バッチ内及びバッチ間の処理条件が一定となるので、バッチ内及びバッチ間における処理の再現性が向上する。上述の第2実施形態によれば、上述の第1実施形態の効果に加え、少なくとも次の1~2の効果を奏することができる。1処理室の底壁により基板冷却部を構成することができる。2処理室の側壁又は上壁の温度を一定条件に維持することができるので、基板間やバッチ間の処理のバラツキをさらに抑制でき、プロセス結果の再現性をさらに向上することができる。なお、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。上述の第1実施形態において、基板支持台12と併せて、第2実施形態で用いた、各壁面を冷却する冷媒流路41を設けるようにしてもよい。また、上述の第1実施形態において、基板処理時における前記基板支持部の上端と前記基板冷却部の対向面との間の距離が、前記供給されるマイクロ波の1/4波長の奇数倍の距離となるように、制御部により基板支持ピン13を上下動制御したが、基板支持ピン13の位置を固定し、基板処理時における前記基板支持部の上端と前記基板冷却部の対向面との間の距離が、前記供給されるマイクロ波の1/4波長の奇数倍の距離に固定されるようにすることもできる。ただしこの場合は、冷却工程において、基板を基板支持台12に近接させることはできないので、冷却効率が低下する。また、上述の第1実施形態の加熱処理工程と冷却工程において、前記基板支持部の上端と前記基板冷却部の対向面との間の距離を調整するため、制御部により基板支持ピン13を上下動制御したが、基板支持ピン13を上下動する代わりに、基板支持台12を上下動制御してもよい。また、上述の各実施形態では、ウェハに処理が施される場合について説明したが、処理対象はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。本明細書には、少なくとも次の発明が含まれる。すなわち、第1の発明は、表面に誘電体を含む基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられ基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部で支持された基板の表面側からマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、前記基板支持部で支持された基板の裏面側に設けられ、前記基板の裏面と対向する対向面を有する導電性の基板冷却部とを備え、基板処理時における前記基板支持部の上端と前記基板冷却部の対向面との間の距離が、前記供給されるマイクロ波の1/4波長の奇数倍の距離である基板処理装置。このように基板処理装置を構成すると、基板の高さ位置におけるマイクロ波の電界が強くなるため、基板表面の誘電体を効率よく加熱することができる。また、基板冷却部により、基板裏面の全面から熱を奪うことができ、基板を均一に冷却することができる。それにより、基板表面の誘電体以外の部分に対する加熱を抑制することができる。第2の発明は、前記第1の発明における基板処理装置であって、前記基板支持部は、前記基板冷却部よりも伝熱性の低い低伝熱性材質である基板処理装置。このように基板処理装置を構成すると、基板支持部が石英等の低伝熱性材質なので、基板の熱が基板支持部から逃げることを抑制できる。その結果、基板を均一に加熱することが可能となる。第3の発明は、前記第1の発明又は第2の発明における基板処理装置であって、前記基板支持部は、基板をその上端で支持する基板支持ピンである基板処理装置。このように基板処理装置を構成すると、基板冷却部を構成することが容易となる。第4の発明は、前記第1の発明ないし第3の発明における基板処理装置であって、前記基板冷却部は、前記処理室の底壁に設けられた基板冷却部である基板処理装置。このように基板処理装置を構成すると、処理室の底壁により基板冷却部を構成することができる。さらには、このように基板処理装置を構成すると、基板冷却部を構成することが容易となる。第5の発明は、前記第1の発明ないし前記第4の発明における基板処理装置であって、前記処理室の側壁又は上壁あるいはその両方を冷却するための壁冷却部を備える基板処理装置。このように基板処理装置を構成すると、処理室の側壁又は上壁の温度を一定条件に維持することができるので、基板間やバッチ間の処理のバラツキをより抑制できる。第6の発明は、前記第1の発明ないし第5の発明における基板処理装置であって、前記基板は、誘電率の異なる複数の材質から構成されるものである基板処理装置。このように基板処理装置を構成すると、誘電率の高い材質を選択的に加熱することができる。第7の発明は、前記第1の発明ないし第6の発明における基板処理装置であって、前記処理室内にガスを供給するガス供給部と、前記処理室内からガスを排出するガス排出部と、前記処理室内の圧力を200Torrよりも高い圧力に維持するよう、前記ガス供給部と前記ガス排出部を制御する制御部と、を備える基板処理装置。このように基板処理装置を構成すると、ガスが基板冷却を助長するので、より高い冷却効果をもたらすことができる。また、プラズマが生成されない圧力であるので、プラズマによるダメージを回避し、効率よく加熱することができる。第8の発明は、前記第1の発明ないし第7の発明における基板処理装置であって、前記基板冷却部には、該基板冷却部内を流れる冷媒の流量を制御する冷媒流量制御装置が接続されている基板処理装置。このように基板処理装置を構成すると、基板の冷却度合いをプロセスに応じて制御することができる。第9の発明は、前記第8の発明における基板処理装置であって、前記基板支持部で支持された基板の温度を検出するための温度検出器を備え、前記温度検出器で検出された温度データに基づき、前記冷媒流量制御装置が制御される基板処理装置。このように基板処理装置を構成すると、基板の温度に応じて冷媒流量を制御することができるので、基板温度をより細かく制御することができ、結果、品質の高い基板とすることができる。第10の発明は、基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられ基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部で支持された基板の表面側からマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、前記基板支持部で支持された基板の裏面側に設けられ、前記基板の裏面と対向する対向面を有する導電性の基板冷却部とを備え、前記基板支持部の上端と前記基板冷却部の対向面との間の距離が、前記供給されるマイクロ波の1/4波長の奇数倍の距離である基板処理装置を用いる半導体装置の製造方法であって、表面に誘電体を含む基板を処理室内に搬入し、前記基板支持部で基板を支持する工程と、前記基板支持部で支持された基板の表面側からマイクロ波を供給するマイクロ波供給工程と、前記マイクロ波を供給中に、前記基板支持部で支持された基板の裏面側から基板を冷却する工程と、前記マイクロ波供給工程の後、マイクロ波の供給を停止して、前記処理室内から基板を搬出する工程と、を備える半導体装置の製造方法。第11の発明は、基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられ基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部で支持された基板の表面側からマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、前記基板支持部で支持された基板の裏面側に設けられ、前記基板の裏面と対向する対向面を有する導電性の基板冷却部とを備える基板処理装置を用いる半導体装置の製造方法であって、表面に誘電体を含む基板を処理室内に搬入し、前記基板支持部で基板を支持する工程と、前記基板支持部の上端と前記基板冷却部の対向面との間の距離を、前記供給されるマイクロ波の1/4波長の奇数倍の距離とする工程と、前記基板支持部の上端と前記基板冷却部の対向面との間の距離が、前記供給されるマイクロ波の1/4波長の奇数倍の距離である状態で、前記基板支持部で支持された基板の表面側からマイクロ波を供給するマイクロ波供給工程と、前記マイクロ波を供給中に、前記基板支持部で支持された基板の裏面側から基板を冷却する工程と、前記マイクロ波供給工程の後、マイクロ波の供給を停止して、前記処理室内から基板を搬出する工程と、を備える半導体装置の製造方法。"