"A水溶性ポリビニル重合体、B有機添加剤及びC導電性有機高分子化合物を含む導電性接着剤組成物であって、B有機添加剤は水溶性多価アルコール、水溶性ピロリドン類または親水性の非プロトン性溶媒から選ばれる少なくとも一種であり、C導電性有機高分子化合物は、ポリアニリン類、ポリピロール類またはポリチオフェン類及びその誘導体から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする導電性接着剤組成物。水溶性ポリビニル重合体のガラス転移温度をT1、B有機添加剤の融点をT2、有機添加剤の0.101MPa760mmHgにおける沸点をT3としたときに、T2<T1<T3を満たす請求項1に記載の導電性接着剤組成物。水溶性ポリビニル重合体が、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン及びポリアクリル酸から選ばれる少なくとも1種である請求項1に記載の導電性接着剤組成物。請求項1に記載の導電性接着剤組成物からなる導電層を有することを特徴とする電子デバイス。陽極層と、請求項1に記載の導電性接着剤組成物からなる導電層と、光電変換層と、陰極層をこの順に配置してなる請求項4に記載の電子デバイス。陽極層と、請求項1に記載の導電性接着剤組成物からなる導電層と、発光層と、陰極層をこの順に配置してなる請求項4に記載の電子デバイス。基材上に陽極層、請求項1に記載の導電性接着剤組成物からなる導電層がこの順に積層されてなることを特徴とする陽極積層体。請求項4に記載の電子デバイスの製造方法であって、陽極層上に前記請求項1に記載の導電性接着剤組成物からなる導電層を形成して陽極積層体を形成させる工程と、陰極層上に前記光電変換層又は発光層を形成して陰極積層体を形成させる工程と、前記導電性接着剤組成物が軟化する温度以上で、前記陰極積層体の光電変換層又は発光層表面と前記陽極積層体の導電層表面を貼り合わせることを特徴とする電子デバイスの製造方法。本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、本発明の目的は、上記のような問題を解決した導電性接着剤組成物、導電性接着剤組成物からなる導電層を有する電子デバイス、同導電層が積層されてなる陽極積層体及び電子デバイスの製造方法を提供することにある。上記のような問題を解決するため、本発明者らは鋭意検討した結果、導電性有機高分子化合物とともに特定の有機添加剤を水溶性ポリビニル重合体に添加することにより、上記問題を解決することができることを見出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明は、下記1A水溶性ポリビニル重合体、B有機添加剤及びC導電性有機高分子化合物を含む導電性接着剤組成物であって、B有機添加剤は水溶性多価アルコール、水溶性ピロリドン類または親水性の非プロトン性溶媒から選ばれる少なくとも一種であり、C導電性有機高分子化合物は、ポリアニリン類、ポリピロール類またはポリチオフェン類及びその誘導体から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする導電性接着剤組成物、2水溶性ポリビニル重合体のガラス転移温度をT1、B有機添加剤の融点をT2、有機添加剤の0.101MPa760mmHgにおける沸点をT3としたときに、T2<T1<T3を満たす上記1に記載の導電性接着剤組成物、3水溶性ポリビニル重合体が、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン及びポリアクリル酸から選ばれる少なくとも1種である上記1に記載の導電性接着剤組成物、4上記1に記載の導電性接着剤組成物からなる導電層を有することを特徴とする電子デバイス、5陽極層と、前記1に記載の導電性接着剤組成物からなる導電層と、光電変換層と、陰極層をこの順に配置してなる上記4に記載の電子デバイス、6陽極層と、前記1に記載の導電性接着剤組成物からなる導電層と、発光層と、陰極層をこの順に配置してなる上記4に記載の電子デバイス、基材上に陽極層、前記1に記載の導電性接着剤組成物からなる導電層がこの順に積層されてなることを特徴とする陽極積層体、および8上記4に記載の電子デバイスの製造方法であって、陽極層上に前記1に記載の導電性接着剤組成物からなる導電層を形成して陽極積層体を形成させる工程と、陰極層上に前記光電変換層又は発光層を形成して陰極積層体を形成させる工程と、前記導電性接着剤組成物が軟化する温度以上で、前記陰極積層体の光電変換層又は発光層表面と前記陽極積層体の導電層表面を貼り合わせることを特徴とする電子デバイスの製造方法を提供する。本発明の導電性接着剤組成物は、導電性有機高分子化合物に特定の共重合体と、特定の有機添加剤を添加することで、この導電性接着剤組成物からなる層は、表面抵抗が低く、透明性が高く電子デバイスの導電層として使用が可能である。また、本発明の導電性接着剤組成物からなる導電層は、それ自体が優れた接着性を有しているため、ラミネートプロセスによる電子デバイスの製造が可能である。以下、本発明の導電性接着剤組成物、電子デバイス、陽極積層体および電子デバイスの製造方法について詳細に説明する。1導電性接着剤組成物まず、導電性接着剤組成物中の各成分について説明する。水溶性ポリビニル重合体成分Aの水溶性ポリビニル重合体は、導電層の導電性を低下させずに導電性接着剤組成物からなる導電層に十分な接着性を付与するためのものである。水溶性ポリビニル重合体は温水可溶性ポリビニル重合体も含む。水溶性ポリビニル重合体のガラス転移温度Tgは、成膜性、接着性、取り扱いの点から、-50~150°Cの範囲が好ましく、20~140°Cであることが好ましく、より好ましくは30~130°C、さらに好ましくは、40~120°Cである。水溶性ポリビニル重合体は、重合体中に-CH2CHR-の構造単位を有するものである。この構造単位を重合体中に少なくとも30モル以上有していれば、特に限定されない。水溶性ポリビニル重合体は、この構造単位を含む単独重合体であってもよく、共重合体であってもよい。これらのなかでもRが水酸基、カルボキシル基、ピロリドン基、アクリルアミド基のいずれかであるものが好ましい。重合体中にカルボキシル基を有するものとは、-CH2-CHCOOH-の構造単位を有するものである。カルボキシル基を有する水溶性ポリビニル重合体の具体例としては、例えば、ポリアクリル酸PAA等が挙げられる。重合体中に水酸基を有するものは、-CH2CHOH-の構造単位を有するものである。水酸基を有する水溶性ポリビニル重合体の具体例としては、例えば、ポリビニルアルコールPVA、ポリビニルアルコール-エチレン共重合体、ポリビニルアルコール-N-ビニルホルムアミド共重合体、ポリビニルアルコール-酢酸ビニル共重合体等が挙げられる。水酸基を有する水溶性ポリビニル重合体は、部分的にケン化されてなるものでもよく、完全にケン化されたものであってもよい。ケン化度は、20~100モルが好ましく、より好ましくは35~100モル、さらに好ましくは40~100モルである。ケン化度が20モル未満の場合には、溶解性が低下する。ピロリドン基を有する水溶性ポリビニル重合体は、-CH2CHNC4O-の構造単位を有するものであり、具体例としては、例えば、ポリビニルピロリドンPVP、N-ビニル-2-ピロリドン-エチレン共重合体、N-ビニル-2-ピロリドン-酢酸ビニル共重合体等が挙げられる。アクリルアミド基を有する水溶性ポリビニル重合体は、-CH2CHCONH2の構造単位を有するものであり、具体例としては、例えば、ポリアクリルアミド等が挙げられる。水溶性ポリビニル重合体は、種々の機能を付与することを目的として疎水基やカチオン性基、スルホン酸基を含むアニオン性基、チオール基、カルボニル基、シラノール基などの官能基を上記構造単位以外に含有しても良い。これら水溶性ポリビニル重合体の中でも、後述する電子デバイスの製造が容易に出来るという点から、Rが水酸基、カルボキシル基、ピロリドン基のいずれかであるものが好ましく、PVAまたはPVP、PAAが好ましい。これらの中でも、得られる導電層の導電性と接着性の点から、Rがカルボキシル基であるPAAであることがさらに好ましい。水溶性ポリビニル重合体の重量平均分子量Mwは、通常500~50万であり、500~30万であることが好ましく、1000~20万であることがより好ましく、3000~15万であることがさらに好ましい。水溶性ポリビニル重合体のMwがこの範囲であれば、本発明の電子デバイスや陽極積層体において十分な成膜性及び接着性が発現する。なお、前記MwはゲルパーミエイションクロマトグラフィーGPCで測定された標準ポリスチレン換算の数値である。上記水溶性ポリビニル重合体は、上述した構造単位を30モル以上有するものであれば、共重合可能なその他のエチレン性不飽和単量体が1種または2種以上共重合されていてもよい。共重合可能なその他のエチレン性不飽和単量体としては、例えば、蟻酸ビニル、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酢酸イソプロペニル、バレリン酸ビニル、カプリン酸ビニル、カプリン酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル、安息香酸ビニル、バーサティック酸ビニル、ピバリン酸ビニル等のカルボン酸ビニルエステル単量体;エチレン、プロピレン、ブチレン等のオレフィン類;スチレン、α-メチルスチレン等の芳香族ビニル類;メタクリル酸、フマル酸、マレイン酸、イタコン酸、フマル酸モノエチル、無水マレイン酸、無水イタコン酸等のエチレン性不飽和カルボン酸単量体;メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸nブチル、メタアクリル酸2エチルヘキシル、フマル酸ジメチル、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、イタコン酸ジイソプロピル等のエチレン性不飽和カルボン酸アルキルエステル単量体;メチルビニルエーテル、nプロピルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、ドデシルビニルエーテル等のビニルエーテル単量体;メタアクリロニトリル等のエチレン性不飽和ニトリル単量体;塩化ビニル、塩化ビニリデン、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン等のハロゲン化ビニル単量体またはビニリデン単量体;酢酸アリル、塩化アリル等のアリル化合物;エチレンスルホン酸、メタアリルスルホン酸、2アクリルアミド2メチルプロパンスルホン酸等のスルホン酸基含有単量体;3メタアクリルアミドプロピルトリメチルアンモニウムクロライド等の第四級アンモニウム基含有単量体;ビニルトリメトキシシラン、Nビニルホルムアミド、メタアクリルアミド等が挙げられ、これらの1種または2種以上を使用することができる。次に、成分Bの有機添加剤について説明する。本発明において、成分Bの有機添加剤は水溶性多価アルコール、水溶性ピロリドン類および親水性の非プロトン性溶媒から選ばれる少なくとも一種であることを特徴としている。有機添加剤は、導電性の向上を目的として添加される。詳細は不明であるが、このような有機添加剤を添加することで、後述する成分Cの導電性有機高分子化合物の配向性が向上するため、導電性が向上する。成分Bの有機添加剤としては、1.101MPa760mmHgにおける沸点が100°C以上のものが好ましい。沸点が100°Cを下回ると導電性接着剤組成物の混合過程、保存中や後述する電子デバイスを製造する際の種々の加熱過程において有機添加剤が揮発飛散してその配合比率が低下するため導電性を向上させる効果が低下するので好ましくない。より好ましい沸点は120~300°C、さらに好ましくは140~300°Cの範囲である。成分Bの有機添加剤の一つである水溶性多価アルコールとしては、グリセリン、ジグリセリン、ポリグリセリン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、1,3-ブタンジオール、1,4-ブタンジオール、エリスリトール、ソルビトール、ソリビタン、グルコース、マルチトール、ポリエチレングリコール、1,2ブチレングリコール、1,3ブチレングリコール、2,3ブチレングリコール、3-メチル1,3ブチレングリコール、テトラメチレングリコール、1,2-ペンタンジオール、1,2-ヘキサンジオール、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、メチルグルコシド、ポリプロピレングリコール、キシリトール、トレハロース、マルチトール、マンニトールおよびこれらのアルキレンオキシド誘導体等が挙げられ、これらの1種または2種以上を用いてもよい。成分Bの有機添加剤の一つである水溶性ピロリドン類としては、Nメチルピロリドン、Nエチルピロリドン、Nプロピルピロリドン、Nイソプロピルピロリドン、Nブチルピロリドン、Ntブチルピロリドン、Nペンチルピロリドン、Nヘキシルピロリドン、Nヘプチルピロリドン、Nシクロヘキシルピロリドン、Nオクチルピロリドン、N2-エチルヘキシルピロリドン、Nフェニルピロリドン、Nベンジルピロリドン、フェネチルピロリドン、2-メトキシエチルピロリドン、2-メトキシプロピルピロリドン、2-ヒドロキシプロピルピロリドン、ビニルピロリドン、2-ピロリドン等が挙げられ、これらの1種または2種以上を用いてもよい。本発明において、成分B有機添加剤の一つとして、非プロトン性溶媒が添加されている。本発明においては、非プロトン性溶媒は、導電性接着剤組成物中で、揮発飛散せずに配合されているものである。このような成分Bの有機添加剤の一つである親水性の非プロトン性溶媒としては、ジメチルスルホキシドおよびNNジメチルホルムアミドが挙げられる。本発明において、成分Bは成分Aとの間で以下のような関係を満たすような組み合わせで選定することが好ましい。すなわち、成分Aの水溶性ポリビニル重合体のガラス転移温度TgをT1、成分Bの有機添加剤の融点をT2、有機添加剤の0.101MPa760mmHgにおける沸点をT3としたときに、T2<T1<T3を満たす組み合わせである。ここで、成分Aの水溶性ビニル重合体のガラス転移温度T1は、示差走査熱量測定DSC測定器で測定された値である。成分Aとの間で上記のような関係を満たすような成分Bの水溶性多価アルコールの具体例としては、例えば、グリセリン融点T2:18°C、沸点T3:290°C、エチレングリコール融点T2:11.5°C、沸点T3:197°C、ジエチレングリコール融点T2:-6.5°C、沸点T3:245°C、プロピレングリコール融点T2:-59°C、沸点T3:188.2°C、ジプロピレングリコール融点T2:40°C、沸点T3:232°C、1,3-ブタンジオール融点T2:50°C、沸点T3:207.5°C、1,4-ブタンジオール融点T2:19°C、沸点T3:235°C等が挙げられる。中でも、導電性、粘着性の向上という観点からグリセリン、1,4-ブタンジオールが好ましい。このような成分Bの水溶性ピロリドン誘導体としては、Nメチルピロリドン融点T2:-24°C、沸点T3:202°C、ビニルピロリドン融点T2:13.5°C、沸点T3:214.5°C、2-ピロリドン融点T2:24.6°C、沸点T3:245°C等が挙げられる。親水性の非プロトン性溶媒としては、ジメチルスルホキシドDMSO融点T2:19°C、沸点T3:189°C、NNジメチルホルムアミドDMF融点T2:-61°C、沸点T3:153°C等が挙げられる。C導電性有機高分子化合物本発明において、成分Cの導電性有機高分子化合物はポリアニリン類、ポリピロール類またはポリチオフェン類、及びそれらの誘導体から選ばれる少なくとも1種であることを特徴としている。ポリアニリン類、ポリピロール類またはポリチオフェン類、及びそれらの誘導体は、π電子共役により導電性を有する導電性高分子である。ポリアニリン類は、アニリンの2位または3位あるいはN位を炭素数1~18のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、スルホン酸基等で置換した化合物の高分子量体であり、例えば、ポリ2-メチルアニリン、ポリ3-メチルアニリン、ポリ2-エチルアニリン、ポリ3-エチルアニリン、ポリ2-メトキシアニリン、ポリ3-メトキシアニリン、ポリ2-エトキシアニリン、ポリ3-エトキシアニリン、ポリN-メチルアニリン、ポリN-プロピルアニリン、ポリN-フェニル-1-ナフチルアニリン、ポリ8-アニリノ-1-ナフタレンスルホン酸、ポリ2-アミノベンゼンスルホン酸、ポリ7-アニリノ-4-ヒドロキシ-2-ナフタレンスルホン酸等が挙げられる。ポリピロール類とは、ピロールの1位または3位、4位を炭素数1~18のアルキル基またはアルコキシ基等で置換した化合物の高分子量体であり、例えば、ポリ1-メチルピロール、ポリ3-メチルピロール、ポリ1-エチルピロール、ポリ3-エチルピロール、ポリ1-メトキシピロール、3-メトキシピロール、ポリ1-エトキシピロール、ポリ3-エトキシピロール等が挙げられる。ポリチオフェン類は、チオフェンの3位または4位を炭素数1~18のアルキル基またはアルコキシ基等で置換した化合物の高分子量体であり、例えば、ポリ3-メチルチオフェン、ポリ3-エチルチオフェン、ポリ3-メトキシチオフェン、ポリ3-エトキシチオフェン、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンPEDOT等の高分子体が挙げられる。ポリアニリン類、ポリピロール類またはポリチオフェン類の誘導体としては、これらのドーパント体等が挙げられる。ドーパントとしては、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオンなどのハロゲン化物イオン;過塩素酸イオン;テトラフルオロ硼酸イオン;六フッ化ヒ酸イオン;硫酸イオン;硝酸イオン;チオシアン酸イオン;六フッ化ケイ酸イオン;燐酸イオン、フェニル燐酸イオン、六フッ化燐酸イオンなどの燐酸系イオン;トリフルオロ酢酸イオン;トシレートイオン、エチルベンゼンスルホン酸イオン、ドデシルベンゼンスルホン酸イオンなどのアルキルベンゼンスルホン酸イオン;メチルスルホン酸イオン、エチルスルホン酸イオンなどのアルキルスルホン酸イオン;または、ポリアクリル酸イオン、ポリビニルスルホン酸イオン、ポリスチレンスルホン酸イオンPSS、ポリ2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸イオンなどの高分子イオン;挙げられ、これらは単独でもまたは2種以上組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、高い導電性を容易に調整でき、かつ、水分散液とした場合に、容易に分散するために有用な親水骨格を有することから、導電性有機高分子化合物に対して、ドーパントとしては、ポリアクリル酸イオン、ポリビニルスルホン酸イオン、ポリスチレンスルホン酸イオンPSS、ポリ2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸イオンなどの高分子イオンが好ましく、ポリスチレンスルホン酸イオンPSSがより好ましい。上記の導電性有機高分子化合物の中でも、導電性を容易に調整でき、かつ、分散性の観点から、ポリチオフェン類の誘導体が好ましく、例えば、このような誘導体としては、ポリ3,4-エチレンオキサイドチオフェンとドーパントとして、ポリスチレンスルホン酸イオンの混合物以下、PEDOT:PSSと記載することがある等が好ましい。本発明の導電性接着剤組成物は、A水溶性ポリビニル重合体、B有機添加剤及びC導電性有機高分子化合物を含む組成物であるが、各成分の配合量有効成分基準は、成分A、BおよびCの総量を100質量部とした時、成分Aは1~60質量部、好ましくは、10~50質量部、より好ましくは15~40質量部である。成分Bは0.1~90質量部、好ましくは10~70質量部、より好ましくは20~65質量部である。成分Cは0.1~90質量部、好ましくは、0.5~75質量部、より好ましくは5~55質量部である。成分Aが1質量部未満の場合は、接着性が発現しなくなり、逆に60質量部を超える場合は、導電性が低くなるので好ましくない。成分Bが0.1質量部未満の場合は、導電性が低くなり、逆に90質量部を超える場合は接着性が低下するので好ましくない。成分Cが0.1質量部未満の場合は導電性が低くなり、逆に90質量部を超える場合は接着性が発現しなくなるので好ましくない。また、本発明において、前記導電性接着剤組成物は、成分A、BおよびCとともに、さらに水、トルエン、酢酸エチル、メチルエチルケトンなどの溶媒を配合した溶液であってもよい。なかでも、成分A、BおよびCの溶解性の点から水溶液であることが好ましい。取り扱い性の点から、有効成分濃度は、好ましくは0.5~80質量、より好ましくは1~70質量である。本発明の導電性接着剤組成物中には前記成分A、B、C以外にも必要に応じて、粘着付与剤、可塑剤、増粘剤、濡れ剤、消泡剤、造膜助剤、防腐剤、防錆剤、凍結溶融安定剤、顔料、着色剤、充填剤、金属粉末、酸化防止剤、光安定剤、紫外線吸収剤等を適宜添加することができる。2電子デバイス本発明の電子デバイスは、導電性接着剤組成物からなる導電層を有することを特徴としている。前記導電性接着剤組成物からなる導電層の厚さは5~10000nmが好ましく、より好ましくは30~3000nmである。5nm未満であると、接着性が発現せず、10000nmを超えると導電性が低下してしまう。導電層は電子デバイスに適用可能な高い導電性を有している。このような導電層の表面抵抗率は、1~1.0×1010Ω/□が好ましく、1~1.0×109Ω/□がより好ましく、1~1.0×108がさらに好ましい。1~1.0×1010Ω/□を超えると導電性が低くなり、電子デバイスとしての性能が悪くなる。導電層の表面抵抗率が上記の範囲であれば、種々の電子デバイスとして好適である。前記導電性接着剤組成物からなる導電層は透明性も高く、全光線透過率は、70以上である。全光線透過率がこの範囲であれば、特に有機エレクトロルミネッセンス以下、有機ELと記載する素子、太陽電池等種々の電子デバイスの導電層として透明性が十分であり、好適に用いられる。電子デバイスの具体例としては、有機EL、太陽電池以外に有機トランジスタ、有機メモリー等の有機デバイス;液晶ディスプレイ;電子ペーパー;薄膜トランジスタ;エレクトロクロミック;電気化学発光デバイス;タッチパネル;ディスプレイ;熱電変換デバイス;圧電変換デバイス;蓄電デバイス、有機光電変換素子等の種々の電子デバイスが挙げられる。また、本発明の電子デバイスは、陽極層と、前記導電層と、光電変換層または発光層と陰極層をこの順に配置してなることを特徴としているこのような電子デバイスとしては、有機太陽電池、フォトダイオード、有機EL等の種々の電子デバイスが挙げられる。以下、本発明の電子デバイスを構成する各層を図1aにより説明する。図1aにおいて、1は陽極層、4は導電層、3は光電変換層または発光層、2は陰極層である。<光電変換層>光電変換層は有機光電変換素子の中心をなす光電効果を受ける層であり、単層からなっていても良いし、複数層からなっていても良い。単層の場合には、光電変換層は、通常、真性半導体層i型半導体から形成される。複数層の場合には、p型半導体層/n型半導体層の積層、または、p型半導体層/真性半導体層/n型半導体層等である。光電変換層は、光電変換を行う層であり、原料の低コスト化、柔軟性、形成の容易性、吸光係数の高さ、軽量化、耐衝撃性等の観点から有機半導体であることが好ましい。真性半導体層とは電子供与性材料後述するp型半導体材料及び電子受容性材料後述するn型半導体材料よりなるp-n接合界面を有する有機層から形成される。図1aは単層からなる真性半導体層を示している。光電変換層の厚さは、単層または複数層の場合で異なるが導電性、励起子拡散距離という観点から、一般的には、30nm~2μmであることが好ましく、特に40nm~300nmであることが好ましい。以下、光電変換層に用いられる半導体材料について説明する。1真性半導体真性半導体の材料としては、例えば、フラーレン、フラーレン誘導体、半導体性を有するカーボンナノチューブCNTおよびCNT化合物の少なくとも1種類からなる第1の材料と、ポリフェニレンビニレンPPVの誘導体またはポリチオフェン系高分子材料からなる第2の材料とを、得られる半導体が真性半導体となるように混合した混合物を使用することができる。フラーレン誘導体としては、例えば、[6,6]-フェニル-C61-酪酸メチルPCBM等を用いることができ、また、フラーレンの二量体、またはアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属等を導入したフラーレン化合物なども用いることができる。また、CNTとしては、フラーレンまたは金属内包フラーレンを内包したカーボンナノチューブ等を用いることができる。さらに、CNTの側壁や先端に、種々の分子を付加したCNT化合物等も用いることができる。ポリフェニレンビニレンの誘導体としては、ポリ[2-メトキシ,5-2’-エチル-ヘキシロキシ-p-フェニレン-ビニレン]MEH-PPV等を用いることができ、ポリチオフェン系高分子材料としては、ポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HTなどのポリ3-アルキルチオフェン,ジオクチルフルオレンエン-ビチオフェン共重合体F8T2、等を用いることができる。特に好ましい真性半導体としては、PCBMとP3HTとを質量比で1:0.3~1:4で混合した混合物が挙げられる。2p型半導体p型半導体の材料としては、例えば、ポリ3ヘキシルチオフェンP3HT等のポリアルキルチオフェンおよびその誘導体;ポリフェニレンおよびその誘導体、ポリ[2-メトキシ-5-2′-エチル-ヘキシロキシ-p-フェニレンビニレン]MEH-PPV等のポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリシランおよびその誘導体、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポリアルキルチオフェンおよびその誘導体、有機金属ポリマー等が挙げられる。中でもポリアルキルチオフェンおよびその誘導体が好ましい。また、それら有機材料の混合物であってもよい。導電性高分子としては、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォネートPEDOT:PSSを好ましく使用することができる。3n型半導体n型半導体の材料としては、特に限定されず、1,4,5,8ナフタレンテトラカルボキシリックジアンハイドライドNTCDA、3,4,9,10ペリレンテトラカルボキシリックジアンハイドライドPTCDA、3,4,9,10ペリレンテトラカルボキシリックビスベンズイミダゾールPTCBI、NN′ジオクチル34910-ナフチルテトラカルボキシジイミドPTCDIC8H、2-4-ビフェニリル54tブチルフェニル134オキサジアゾールPBD、25ジ1ナフチル134オキサジアゾールBND等のオキサアゾール誘導体、3-4-ビフェニリル4フェニル54tブチルフェニル124トリアゾールTAZ等のトリゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ホスフィンオキサイド誘導体、フラーレン化合物、カーボンナノチューブCNT、CNTの側壁や先端に種々の分子を付加したCNT化合物、ポリpフェニレンビニレン系重合体にシアノ基を導入した誘導体CNPPV等が挙げられる。これらの中でも、安定でキャリア移動度の高いn型半導体であることから特にフラーレン化合物が好ましい。フラーレン化合物としては、例えば、[6,6]-フェニル-C61-酪酸メチルPCBM等を用いることができる。また、フラーレンの二量体、またはアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属を導入したフラーレン化合物等が挙げられる。これらの中でも優れた電子受容性を有する観点からPCBMが好ましい。なお、これらのn型半導体は、単独でまたは2種以上組み合わせて用いることができる。<発光層>本発明の電子デバイスにおいて、光電変換層の替わりに発光層を積層すると有機EL素子として使用することができる。発光層は、電子とホールとの再結合により励起子が生成し、その励起子がエネルギーを放出して基底状態に戻る際に発光するような発光性有機化合物であれば、特に限定されることなく用いることができ、通常、蛍光発光する有機物、燐光を発光する有機物、または該有機物とこれを補助するドーパントとから形成される。また、前記発光層の電荷輸送性を高めるために、前記発光層中に電子輸送性化合物及び/又はホール輸送性化合物を混合して用いてもよい。発光層として用いられる材料としては、例えば、金属錯体系材料、高分子系材料、色素系材料、ドーパント材料等のような発光性材料が挙げられる。金属錯体系材料としては、例えば、アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体、アルミノキノリノール錯体、ユーロピウム錯体、イリジウム錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体若しくは希土類金属錯体等の有機金属錯体化合物が挙げられる。高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体等が挙げられる。色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体等が挙げられる。ドーパント材料としては、例えばペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン等が挙げられる。発光層を形成する方法としては、真空蒸着法、イオン化蒸着法、スピンコーティングスピンキャスト法、スプレーコーティング、グラビアコーティング、バーコーティング、ドクターブレード等の各種コーティング法により前記発光性材料に応じて適宜選択して用いることができる。発光層は、コーティング法により形成されることが好ましい。発光層の厚さは、1~100μm、好ましくは2~1000nmであり、より好ましくは5nm~500nmであり、さらに好ましくは20nm~200nmである。<陽極層>陽極層の材料としては、p型の有機半導体のHOMOレベルに対してエネルギー障壁が小さく、仕事関数が比較的大きいものが好ましい。また、透明な陽極層を形成することができる材料が好ましく、このような材料としては、金属酸化物が挙げられる。金属酸化物としては、例えば、スズドープ酸化インジウムITO、酸化イリジウムIrO2、酸化インジウムIn2O3、酸化スズSnO2、フッ素ドープ酸化スズFTO、酸化インジウム酸化亜鉛IZO、酸化亜鉛ZnO、ガリウムドープ酸化亜鉛GZO、アルミニウムドープ酸化亜鉛AZO、酸化モリブデンMoO3、酸化チタンTiO2等が上げられる。陽極層の厚さは透明性と導電性のバランスの観点から10~500nmであることが好ましく、30~300nmであることが特に好ましい。陽極層の形成方法としては、特に制限はされず、例えば、真空蒸着、各種スパッタリング等の方法を適用できる。<陰極層>陰極層の材料としては、電極として機能するものであれば特に制限されないが、n型半導体のLUMOレベルに対してエネルギー障壁が小さく、仕事関数が比較的小さいものが好ましい。例えば、白金、金、銀、銅、アルミニウム、イリジウム、クロム、酸化亜鉛等の金属、金属酸化物もしくは合金の他、カーボンナノチューブ、またはカーボンナノチューブと上記金属、金属酸化物もしくは合金との複合体が挙げられる。陰極層の厚さは、20nm~1μmであることが好ましく、特に30~200nmであることが好ましい。陰極層の形成方法としては、特に制限はされず、例えば、真空蒸着、各種スパッタリング等の方法を適用できる。本発明の電子デバイスは、前記陽極層および陰極層とも基材上に設けられていることが好ましい。基材基材としては、用途に応じて適宜選択できるが、一般的には、ガラス板等の無機材料またはプラスチックフィルムが使用される。プラスチックフィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、テトラアセチルセルロース、シンジオタクチックポリスチレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエステルスルホン、ポリエーテルイミド、環状ポリオレフィン等の樹脂からなるフィルムが挙げられ、中でも機械的強度、耐久性等に優れたものが好ましい。基材の厚さは、機械的強度、耐久性の点から一般的には3μm~5mmであり、好ましくは10μm~1mmであり、特に好ましくは20μm~300μmである。4電子デバイスの製造方法本発明の電子デバイスの製造方法は、陽極層上に前記の導電性接着剤組成物からなる導電層を形成して陽極積層体を形成させる工程と、陰極層上に前記光電変換層または発光層を形成して陰極積層体を形成させる工程と、前記導電性接着剤組成物が軟化する温度以上で、前記陰極積層体の光電変換層または発光層表面と前記陽極積層体の導電層表面を貼り合わせることを特徴としている。以下、本発明の電子デバイスの製造方法を図1bにより順に説明する。陽極層1と導電層4を一体化したものを陽極積層体後述すると称する。2の陰極層と3の光電変換層または発光層を一体化したものを陰極積層体後述すると称する。下向きの矢印は陽極積層体と陰極積層体を加熱下、圧着して一体化して電子デバイスとすることを表わしている。陽極積層体陽極積層体は、陽極層1の上に本発明の導電性接着剤組成物からなる前記導電層4が形成されたものからなっている。一般的には、陽極層は、基材上に設けられている。基材上に陽極を設ける方法としては、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等のPVD物理気相蒸着、もしくは熱CVD、原子層蒸着ALD等のCVD化学気相蒸着などのドライプロセス、またはディップコーティング、スピンコーティング、スプレーコーティング、バーコーティング、グラビアコーティング、ダイコーティング、ドクターブレード等の各種コーティングや電気化学的ディポジションなどのウェットプロセスが挙げられ、陽極層の材料に応じて適宜選択される。陽極層上に導電層を形成させる形成方法は、導電性接着剤組成物を、精製水等の適当な溶剤に溶解又は分散してなる導電層形成用溶液を、陽極層上に塗付し、得られた塗膜を乾燥させ、所望により、導電性接着剤組成物中の有機添加剤が揮発しない程度で加熱することより形成することができる。形成方法としては、ディップコーティング、スピンコーティング、スプレーコーティング、バーコーティング、グラビアコーティング、ダイコーティング、ドクターブレード等の各種コーティングや電気化学的ディポジションなどのウェットプロセスが挙げられ、適宜選択される。陰極積層体陰極積層体は、前記陰極層2の上に前記光電変換層または発光層3が形成されたものからなっている。一般的には、陰極層2は、基材上に設けられている。基材上に陽極層を設ける方法としては、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等のPVD物理気相蒸着、もしくは熱CVD、原子層蒸着ALD等のCVD化学気相蒸着などのドライプロセス等が挙げられ、陰極層の材料に応じて適宜選択される。陰極層上に光電変換層または発光層を形成させる形成方法は、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等のPVD物理気相蒸着、もしくは熱CVD、原子層蒸着ALD等のCVD化学気相蒸着などのドライプロセス、またはディップコーティング、スピンコーティング、スプレーコーティング、グラビアコーティング、バーコーティング、ドクターブレード等の各種コーティングや電気化学的ディポジションなどのウェットプロセスによりが挙げられ、光電変換層または発光層の材料に応じて適宜選択される。前記導電性接着剤組成物が軟化する温度は、成分Aのガラス転移温度Tg以上の温度である。製造しやすいという点から、貼り合わせ時の加工温度は、具体的には100°C程度である。本発明の電子デバイスの製造方法は、本発明の導電性接着剤組成物からなる導電層表面と光電変換層または発光層表面を貼り合わせるため、ラミネートプロセスにより容易に電子デバイスを製造することができる。また、この方法では、光電変換層または発光層を形成させた後に陰極層として金属層を形成させる工程が存在せず、金属層が不均一になったり、金属層成膜時のエネルギーによって光電変換層または発光層がダメージを受けることがないため、電子デバイスの性能が低下することがない。以下、実施例及び比較例により、本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらにより何ら限定されるものではない。<実施例1>[導電性接着剤組成物の調製]成分Aの水溶性ポリビニル重合体として、ポリビニルアルコールシグマアルドリッチ社製、製品名ポリビニルアルコール、分子量Mw=9100、TgT1:50°C、表1中ではPVAと記載50質量部を使用した。成分Bの有機添加剤として、グリセリンシグマアルドリッチ社製、製品名グリセリン、融点T2:18°C、沸点T3:290°C50質量部を使用した。成分Cの導電性高分子であるポリチオフェン類としてポリ3,4-エチレンオキサイドチオフェンPEDOTとポリスチレンスルホン酸PSSの混合物PEDOTPSSHCStarck社製、製品名CleviousPVP.AI4083、有効成分1質量、表1中ではポリチオフェン類と記載10000質量部を使用した。前記成分A、BおよびCを精製水200質量部に溶解させ、導電性接着剤組成物の塗工液有効成分:1.9質量を調製した。[陽極積層体の作製]スズドープ酸化インジウムITO層の厚さが150nmになるようにスパッタリングされたITOガラステクノプリント社製、製品名ITOガラスを陽極層として用いた。次いで、上記陽極層上に、上記で得られた導電性接着剤組成物の塗工液をスピンコート法により塗工し、100°Cで30分間乾燥させ、厚さ100nmの導電性接着剤組成物からなる導電層を形成させた。陰極積層体の作製基材として、ポリエチレンテレフタレートフィルム東洋紡績社製、製品名コスモシャインA4100上に、1×103Pa以下の減圧下、アルミニウムを蒸着法で製膜することにより、厚さ100nmのアルミニウム層を成膜し、陰極層を形成させた。次いで、光電変換層として、ポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HTと[6,6]-フェニル-C61-酪酸メチルPCBMとを質量比1:0.8で混合した混合物のクロロベンゼン溶液濃度:2を、スピンキャスト法により塗布し、120°Cで10分間乾燥して、厚さ100nmの真性半導体層を形成させた。[電子デバイス太陽電池の作製]得られた陽極積層体の導電層表面と、陰極積層体の光電変換層表面とをロールラミネーターロイヤルソブリン社製、製品名RSL-328Sのローラーの温度を120°Cに加熱し圧着して貼り合わせることで電子デバイスを得た。<実施例2、3>下記表1の配合に変える以外は実施例1と同様にして、電子デバイスを得た。<実施例4>成分Bの有機添加剤をNメチルピロリドン和光純薬工業株式会社製、T2:融点-24°C、T3:沸点202°Cに変えて、下記表1の配合に変える以外は実施例1と同様にして電子デバイスを得た。<実施例5>成分AのPVAをポリビニルピロリドンシグマアルドリッチ社製、Tg80°C、表1中ではPVPと記載に変えて、下記表1の配合に変える以外は実施例1と同様にして電子デバイスを得た。<実施例6>成分AのPVAをポリビニルピロリドンシグマアルドリッチ社製、TgT1:80°Cに変え、成分Bの有機添加剤をNメチルピロリドンT2:融点-24°C、T3:沸点202°Cに変えて、下記表1の配合に変える以外は実施例1と同様にして電子デバイスを得た。<実施例7>成分Bの有機添加剤をジメチルスルホキサイド和光純薬工業株式会社製、表1中の記載はDMSO、T2:融点19°C、T3:沸点189°Cに変えて、下記表1の配合に変える以外は実施例1と同様にして電子デバイスを得た。<実施例8>成分Bの有機添加剤をジメチルフォルムアミド和光純薬工業株式会社製、表1中の記載はDMF、T2:融点-61°C、T3:沸点153°Cに変えて、下記表1の配合に変える以外は実施例1と同様にして電子デバイスを得た。<実施例9>成分Cの導電性有機高分子化合物であるポリアニリン類としてポリアニリンシグマアルドリッチ株式会社製、有効成分1質量、表1中ではポリアニリン類1と記載に変えて、下記表1の配合に変える以外は実施例1と同様にして電子デバイスを得た。<実施例10>成分Cの導電性有機高分子化合物であるポリピロール類としてポリピロールシグマアルドリッチ社製、有効成分1質量、表1中ではポリピロール類と記載に変える以外は実施例1と同様にして電子デバイスを得た。<比較例1~7>成分A、B、Cを下記表1の配合にする以外は実施例1と同様にして、電子デバイスを得た。実施例1~10で得られた導電層および電子デバイスの各物性および比較例1~7で得られた導電層の各物性を表1に示す。<実施例11>[導電性接着剤組成物の調製]成分Aの水溶性ポリビニル重合体として、アクリル酸重合体シグマアルドリッチ製、製品名ポリアクリル酸、重量平均分子量100000、有効成分:40質量、TgT1:102°C、表2中ではPAAと記載を有効成分として45質量部を使用した。成分Bの有機添加剤として、グリセリンシグマアルドリッチ社製、製品名グリセリン、融点T2:18°C、沸点T3:290°C90質量部を使用した。成分Cの導電性高分子であるポリチオフェン類としてポリ3,4-エチレンオキサイドチオフェンPEDOTとポリスチレンスルホン酸PSSの混合物PEDOTPSSHCStarck社製、製品名CleviousPVP.AI4083、有効成分1質量、表2中ではポリチオフェン類と記載を1500質量部使用した。前記成分A、BおよびCを精製水200質量部に溶解させ、導電性接着剤組成物の塗工液有効成分:7.8質量を調製した。[陽極積層体の作製]下記表2の配合に変えて、かつ、導電層の厚さを1000nmとした以外は実施例1と同様に行って、陽極積層体を作製した。[電子デバイス太陽電池の作製][陰極積層体の作製]導電層を下記表2の配合に変えて、かつ、光電変換層として、厚さ1000nmの真性半導体層を形成させ、陰極積層体において光電変換層を形成させた以外は実施例1と同様に行った。得られた陽極積層体の導電層表面と、陰極積層体の光電変換層の表面とをロールラミネーターロイヤルソブリン社製、製品名RSL-328Sのローラーの温度を100°Cに加熱し圧着して貼り合わせることで電子デバイス太陽電池を得た。電子デバイス有機EL素子の作製[陰極積層体の作製]基材として、ポリエチレンテレフタレートフィルム東洋紡績株式会社製、製品名コスモシャインA4100上に、1×103Pa以下の減圧下、銀を蒸着法で厚さが100nmになるように製膜し、次いでマグネシウムを厚さが10nmになるように蒸着することで、陰極層を形成させた。次いで、株式会社LuminescenceTechnology製のポリ2-メトキシ-5-3′,7′-ジメチルオクチルオキシ-1,4-フェニレン-ビニレン商品名MDMOPPVをキシレンに溶解濃度:1質量し、スピンキャスト法により塗布し、100°Cで10分間乾燥して、厚さ100nmの発光層を形成させた。[貼り合わせによる電子デバイス有機EL素子の作製]下記表2の配合に変えて、かつ、導電層の厚さを1000nmとした以外は実施例1と同様に行って得られた陽極積層体の導電層表面と、陰極積層体の発光層の表面とをロールラミネーターロイヤルソブリン社製、製品名RSL-328Sのローラーの温度を100°Cに加熱し圧着して貼り合わせることで電子デバイス有機EL素子を得た。<実施例12、13>下記表2の配合に変えた以外は実施例11と同様にして、電子デバイス太陽電池および有機EL素子を得た。<実施例14~15、17>下記表2の配合に変えた以外は実施例11と同様にして、電子デバイス太陽電池および有機EL素子を得た。<実施例16>成分Cの導電性有機高分子化合物であるポリアニリン類としてポリアニリン日産化学工業株式会社製、製品名D1033W、表2中ではポリアニリン類2と記載に変えて、下記表1の配合に変える以外は実施例1と同様にして電子デバイスを得た。<比較例8~15>成分A、B、Cを下記表2の配合とし、導電層の厚さを下記表2に記載のものとした以外は実施例11と同様にして、電子デバイス太陽電池および有機EL素子を得た。ただし、比較例11~14においては、陽極積層体の導電層表面と、陰極積層体の光電変換層または発光層の表面貼り合わせることができず電子デバイスを作製することができなかった。実施例11~17および比較例8~10、15で得られた導電層および電子デバイスの各物性を表2に示す。実施例1~17および比較例1~15で使用した材料を以下にまとめて記載する。1アクリル酸重合体表2中ではPAAと記載シグマアルドリッチ製、製品名ポリアクリル酸3グリセリンシグマアルドリッチ社製、製品名グリセリン4Nメチルピロリドン和光純薬工業株式会社製、製品名Nメチルピロリドン5ジメチルスルホキシド表2ではDMSOと記載和光純薬工業株式会社製、製品名ジメチルスルホキシド6NNジメチルホルムアミド表2ではDMFと記載和光純薬工業株式会社製、製品名NNジメチルホルムアミド7ポリチオフェン類HCStarck社製、製品名CleviousPVP.AI40838ポリアニリン類1シグマアルドリッチ株式会社製、製品名ポリアニリン実施例9ポリアニリン類2日産化学工業株式会社製、製品名D1033W実施例169ポリピロール類シグマアルドリッチ社製、製品名ポリピロール表1および表2に記載の特性は下記のようにして測定した。1導電層の厚さ導電性接着剤組成物からなる導電層の厚さは、触針式表面形状測定装置Veeco社製、製品名Dektak150により測定した。2表面抵抗値得られた陽極積層体の導電層表面を、表面抵抗測定装置三菱化学社製、製品名ロレスタGPMCP-T600により、四端子法で導電層の表面抵抗値を測定した。3全光線透過率得られた陽極積層体を、光線透過率測定装置日本電色工業社製、製品名NDH-5000を用いてJISK7631-1に準じて、全光線透過率を測定し、導電層の全光線透過率とした。4接着性実施例および比較例で得られた導電性接着剤組成物の塗工液をポリエチレンテレフタレートフィルム東洋紡績社製、製品名コスモシャインA4100、厚み100μm上に塗工し、100°Cで10分間乾燥させ、膜厚100nmの導電性接着剤組成物からなる導電層を形成させ、測定用サンプル5×5cmを作製した。得られた測定用サンプルを、ラミネーターロイヤルソブリン社製、製品名RSL328Jを用いて、温度120°Cでガラス板25mm×25mm、厚み1mmに貼り合わせた。その後、常温まで冷却後、測定用サンプルを垂直にし、接着しているか否かを調べた。下記の基準で′′貼り合わせ評価′′として表1および表2に記載した。○:ガラス板から測定用サンプルが落ちずに接着している。×:接着せずにガラス板から測定用サンプルが剥離した。5接着力表2に記載されている接着力は、実施例11~17および比較例8~10で得られた導電性接着剤組成物の塗工液をポリエチレンテレフタレートフィルム東洋紡績社製、製品名コスモシャインA4100、厚み100μm上に塗工し、100°Cで10分間乾燥させ、膜厚1000nmの導電性接着剤組成物からなる導電層を形成させ、測定用サンプルを作製した。得られた測定用サンプルを、を用いてJISZ02372009に準じて、23°C、50RH相対湿度環境下で25mm×300mmにカットした測定用サンプルをラミネーターロイヤルソブリン社製、製品名RSL328Jを用いて、温度100°Cで被着体ガラス板、800mm×1500mm、厚み3mmに貼り合わせた。貼付後24時間時点の粘着力を180°引き剥がし法によって、引っ張り速度300mm/分にて測定した。6ガラス転移温度成分Aの水溶性ビニル重合体のガラス転移温度T1は、JISK7121に準拠し、入力補償示差走査熱量測定装置パーキンエルマー社製、装置名PyrislDSGを用いて、-80°Cから250°Cの温度範囲で、捕外ガラス転移開始温度を測定して求めた。[電子デバイス太陽電池の評価]実施例および比較例で得られた電子デバイスを、ソースメジャーユニットワコム電創社製を用いて電流電圧特性を測定し、得られた整流曲線を観察した。○:整流性有×:整流性無貼り合せ不良により電子デバイスとして機能しない実施例11の配合で得られた電子デバイス太陽電池に関して得られた電流密度-電圧曲線を図2に示す。[電子デバイス有機EL素子の評価方法]実施例11~17および比較例8~10、15で得られた電子デバイス有機EL素子の電流電圧特性は有機EL発光効率測定装置PRECISEGAUGES社製、製品名EL1003を用いて電流電圧特性を測定し、得られた整流曲線を観察した。○:整流性有×:整流性無貼り合せ不良により電子デバイスとして機能しないまた、電圧印加時の電子デバイス有機EL素子の輝度cdcm2は輝度計コニカミノルタ社製、製品名LS110を用いて測定を行った。結果を表2に示す。表1から、以下のことが確認される。A成分のみからなる比較例3および4、A成分とC成分からなる比較例1および2の導電性接着剤組成物からなる導電層では、表面抵抗が高く、得られた電子デバイスは整流性が見られず、デバイスとして機能しなかった。B成分のみからなる比較例5および6の導電性接着剤組成物では、成膜性が悪く、導電層の膜形成が出来なかった。また、成分のみからなる比較例7の導電性接着剤組成物からなる導電層は、接着性がなく、貼り合わせにより電子デバイスを作製することが出来なかった。一方、成分A、BおよびCからなる実施例1~10の導電性接着剤組成物からなる導電層では、表面抵抗値が低く透明性も高かった。また、接着性も良好であるため、貼り合わせによる電子デバイスの作製が良好に出来、かつ得られた電子デバイスも整流性があったことからデバイスとしても有効であることがわかった。表2から、以下のことが確認される。A成分のみからなる比較例10の導電性接着剤組成物からなる導電層では、表面抵抗が高く、得られた電子デバイスは整流性が見られず、デバイスとして機能しなかった。また、得られた電子デバイスのEL特性輝度の測定を試みたが発光しなかった。A成分とC成分のみからなる比較例8および9の導電性接着剤組成物からなる導電層では、表面抵抗が高く、得られた電子デバイスは整流性が見られず、デバイスとして機能しなかった。また、それらのEL特性輝度の測定をしたが輝度が低かった。B成分のみからなる比較例11~14の導電性接着剤組成物においては、成膜性が悪く、導電層の膜形成が出来なかった。また、成分のみからなる比較例15の導電性接着剤組成物からなる導電層は、導電層の接着性がなく、貼り合わせにより電子デバイスを作製することが出来なかった。一方、成分A、BおよびCからなる実施例11~17の導電性接着剤組成物からなる導電層では、表面抵抗値が低く透明性も高かった。また、接着性も良好であるため、貼り合わせによる電子デバイスの作製が良好に出来、かつ得られた電子デバイスも整流性があったことからデバイスとしても有効であることがわかった。また、それらのEL特性輝度は高く良好であった。"