"アA酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、B活性光線又は放射線の照射により下記一般式Iで表されるスルホン酸を発生する少なくとも1種の化合物と、C溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、イ該膜を露光する工程、及びウ有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法。上記一般式I中、X1、X2は、それぞれ独立して、フッ素原子、又はフルオロアルキル基を表す。R1、R2は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、又は、環状構造を有する基を表す。R1とR2は互いに結合して環を形成していてもよい。但し、R1とR2は同時に水素原子を表さない。Lは、2価の連結基を表す。Lが複数存在する場合、複数のLは同じであっても異なっていてもよい。mは、0以上の整数を表す。前記有機溶剤を含む現像液における有機溶剤の含有量が、前記現像液の全量に対して、90質量以上100質量以下であることを特徴とする、請求項1に記載のパターン形成方法。前記化合物Bが、下記一般式IIで表される化合物であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のパターン形成方法。上記一般式II中、Anはn価のカチオンを表し、nは1又は2を表す。X1、X2、R1、R2、L及びmは、各々、一般式IにおけるX1、X2、R1、R2、L及びmと同義である。上記一般式I又はII中、R1は、多環構造を有する基であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。上記一般式I又はII中、X1及びX2は、それぞれ独立して、フッ素原子又はパーフルオロアルキル基であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。一般式I又はII中、X1及びX2がフッ素原子であることを特徴とする、請求項1~5のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記現像液が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有する現像液であることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記樹脂Aは、酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂であり、エアルカリ現像液を用いて現像する工程を更に含むことを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記工程イにおける露光が、液浸露光であることを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載のパターン形成方法。請求項1~9のいずれか1項に記載のパターン形成方法に供せられる化学増幅型レジスト組成物。請求項10に記載の化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜。本発明は、上記課題を解決し、感度、露光ラチチュードEL、マスクエラーエンハンスメントファクターMEEF、パターン形状に優れ、線幅バラツキLWRを低減できるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供することを目的とする。本発明は、下記の構成であり、これにより本発明の上記目的が達成される。1アA酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、B活性光線又は放射線の照射により下記一般式Iで表されるスルホン酸を発生する少なくとも1種の化合物と、C溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、イ該膜を露光する工程、及びウ有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法。上記一般式I中、X1、X2は、それぞれ独立して、フッ素原子、又はフルオロアルキル基を表す。R1、R2は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、又は、環状構造を有する基を表す。R1とR2は互いに結合して環を形成していてもよい。但し、R1とR2は同時に水素原子を表さない。Lは、2価の連結基を表す。Lが複数存在する場合、複数のLは同じであっても異なっていてもよい。mは、0以上の整数を表す。2前記有機溶剤を含む現像液における有機溶剤の含有量が、前記現像液の全量に対して、90質量以上100質量以下であることを特徴とする上記1に記載のパターン形成方法。3前記化合物Bが、下記一般式IIで表される化合物であることを特徴とする、上記1又は2に記載のパターン形成方法。上記一般式II中、Anはn価のカチオンを表し、nは1又は2を表す。X1、X2、R1、R2、L及びmは、各々、一般式IにおけるX1、X2、R1、R2、L及びmと同義である。4上記一般式I又はII中、R1は、多環構造を有する基であることを特徴とする上記1~3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。5上記一般式I又はII中、X1及びX2は、それぞれ独立して、フッ素原子又はパーフルオロアルキル基であることを特徴とする上記1~4のいずれかに記載のパターン形成方法。6一般式I又はII中、X1及びX2がフッ素原子であることを特徴とする、上記1~5のいずれか1項に記載のパターン形成方法。7前記現像液が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の溶剤を含有することを特徴とする上記1~6のいずれか1項に記載のパターン形成方法。8前記樹脂Aは、酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂であり、エアルカリ現像液を用いて現像する工程を更に含むことを特徴とする上記1~7のいずれか1項に記載のパターン形成方法。9前記工程イにおける露光が、液浸露光であることを特徴とする上記1~8のいずれか1項に記載のパターン形成方法。10上記1~9のいずれか1項に記載のパターン形成方法に供せられる化学増幅型レジスト組成物。11上記10に記載の化学増幅型レジスト組成物により形成されたレジスト膜。本発明は、更に、下記の構成であることが好ましい。12上記一般式I又はII中、X1及びX2は、フッ素原子であることを特徴とする上記1~9のいずれか1項に記載のパターン形成方法。13上記一般式I又はII中、nは1であることを特徴とする上記1~9、12のいずれか1項に記載のパターン形成方法。14上記一般式I又はII中、mは0であることを特徴とする上記1~9、12、13のいずれか1項に記載のパターン形成方法。15上記一般式I又はII中、Lは、―COO-、-OCO-、-CO-、-O-、-S―、-SO―、―SO2-、アルキレン基、シクロアルキレン基又はアルケニレン基であることを特徴とする上記1~9、12~14のいずれか1項に記載のパターン形成方法。16前記化学増幅型レジスト組成物が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂を更に有することを特徴とする上記1~9、12~15のいずれか1項に記載のパターン形成方法。17前記有機溶剤を含む現像液の現像液全体としての含水率が10質量未満であることを特徴とする上記1~9、12~16のいずれか1項に記載のパターン形成方法。18前記有機溶剤を含む現像液における有機溶剤の含有量が、前記現像液の全量に対して、90質量以上100質量以下であることを特徴とする上記1~9、12~17のいずれか1項に記載のパターン形成方法。本発明により、感度、露光ラチチュードEL、マスクエラーエンハンスメントファクターMEEF、パターン形状に優れ、線幅バラツキLWRを低減できるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供することができる。以下、本発明を実施するための形態について説明する。なお、本明細書に於ける基原子団の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、アルキル基とは、置換基を有さないアルキル基無置換アルキル基のみならず、置換基を有するアルキル基置換アルキル基をも包含するものである。本明細書中における活性光線又は放射線とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線EUV光、X線、電子線等を意味する。また、本発明において光とは、活性光線又は放射線を意味する。また、本明細書中における露光とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線、X線、EUV光などによる露光のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線による描画も露光に含める。本発明のパターン形成方法は、アA酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、B活性光線又は放射線の照射により後述する一般式Iで表されるスルホン酸を発生する少なくとも1種の化合物と、C溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、イ該膜を露光する工程、及びウ有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含んでいる。本発明のパターン形成方法は、前記現像液が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有する現像液であることが好ましい。本発明のパターン形成方法は、更に、エ有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄する工程を含むことが好ましい。リンス液は、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有するリンス液であることが好ましい。本発明のパターン形成方法は、イ露光工程の後に、オ加熱工程を有することが好ましい。本発明のパターン形成方法は、前記樹脂Aが、酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂であり、カアルカリ現像液を用いて現像する工程を更に有していてもよい。本発明のパターン形成方法は、イ露光工程を、複数回有することができる。本発明のパターン形成方法は、オ加熱工程を、複数回有することができる。本発明のレジスト膜は、A酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、B活性光線又は放射線の照射により後述する一般式Iで表されるスルホン酸を発生する少なくとも1種の化合物と、C溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物により形成される膜であり、例えば、基材に、レジスト組成物を塗布することにより形成される膜である。以下、本発明で使用し得るレジスト組成物について説明する。[1]A酸分解性繰り返し単位を有し、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂本発明のレジスト組成物に用いられる、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂としては、例えば、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、酸の作用により分解し、極性基を生じる基以下、酸分解性基ともいうを有する樹脂以下、酸分解性樹脂又は樹脂Aともいうを挙げることができる、なお、この樹脂は、酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂でもある。酸分解性基は、極性基を酸の作用により分解し脱離する基で保護された構造を有することが好ましい。極性基としては、有機溶剤を含む現像液中で難溶化又は不溶化する基であれば特に限定されないが、フェノール性水酸基、カルボキシル基、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基等が挙げられる。好ましい極性基としては、カルボキシル基、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール基、スルホン酸基が挙げられる。酸分解性基として好ましい基は、これらの基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。酸で脱離する基としては、例えば、-CR36R37R38、-CR36R37OR39、-CR01R02OR39等を挙げることができる。式中、R36~R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。R01及びR02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。酸分解性基としては好ましくは、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、第3級のアルキルエステル基等である。更に好ましくは、第3級アルキルエステル基である。樹脂Aが含有し得る、酸分解性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIで表される繰り返し単位が好ましい。一般式AIに於いて、Xa1は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は-CH2-R9で表わされる基を表す。R9は、水酸基又は1価の有機基を表し、1価の有機基としては、例えば、炭素数5以下のアルキル基、炭素数5以下のアシル基が挙げられ、好ましくは炭素数3以下のアルキル基であり、更に好ましくはメチル基である。Xa1は好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。Tは、単結合又は2価の連結基を表す。Rx1~Rx3は、それぞれ独立に、アルキル基直鎖若しくは分岐又はシクロアルキル基単環若しくは多環を表す。Rx1~Rx3の2つが結合して、シクロアルキル基単環若しくは多環を形成してもよい。Tの2価の連結基としては、アルキレン基、-COO-Rt-基、-O-Rt-基等が挙げられる。式中、Rtは、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。Tは、単結合又は-COO-Rt-基が好ましい。Rtは、炭素数1~5のアルキレン基が好ましく、-CH2-基、-CH22-基、-CH23-基がより好ましい。Rx1~Rx3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。Rx1~Rx3のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。Rx1~Rx3の2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5~6の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。Rx1がメチル基又はエチル基であり、Rx2とRx3とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。上記各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基炭素数1~4、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基炭素数1~4、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基炭素数2~6などが挙げられ、炭素数8以下が好ましい。酸分解性基を有する繰り返し単位の合計としての含有率は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、20~70モルが好ましく、より好ましくは30~65モルである。酸分解性基を有する繰り返し単位の好ましい具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、Rx、Xa1は、水素原子、CH3、CF3、又はCH2OHを表す。Rxa、Rxbはそれぞれ炭素数1~4のアルキル基を表す。Zは、極性基を含む置換基を表し、複数存在する場合、複数のZは互いに同じであっても異なっていてもよい。pは0又は正の整数を表す。Zの具体例及び好ましい例は、後述する一般式2-1におけるR10の具体例及び好ましい例と同様である。樹脂Aは、一般式AIで表される繰り返し単位として、一般式1で表される繰り返し単位及び一般式2で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有する樹脂であることがより好ましい。一般式1及び2中、R1、R3は、各々独立して、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は-CH2-R9で表わされる基を表す。R9は水酸基又は1価の有機基を表す。R2、R4、R5、R6は、各々独立して、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。R1及びR3は、好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。R9における1価の有機基の具体例及び好ましい例は、一般式AIのR9で記載したものと同様である。R2におけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。R2におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。R2は好ましくはアルキル基であり、より好ましくは炭素数1~10、更に好ましくは1~5のものであり、例えばメチル基、エチル基が挙げられる。Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。Rが該炭素原子とともに形成する脂環構造としては、好ましくは、単環の脂環構造であり、その炭素数は好ましくは3~7、より好ましくは5又は6である。R4、R5、R6におけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。R4、R5、R6におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。一般式1により表される繰り返し単位としては、例えば、下記一般式1-aにより表される繰り返し単位が挙げられる。式中、R1及びR2は、一般式1における各々と同義である。一般式2で表される繰り返し単位が、以下の一般式2-1で表される繰り返し単位であることが好ましい。式2-1中、R3~R5は、それぞれ、一般式2におけるものと同義である。R10は極性基を含む置換基を表す。R10が複数存在する場合、互いに同じでも異なっていてもよい。極性基を含む置換基としては、例えば、水酸基、シアノ基、アミノ基、アルキルアミド基又はスルホンアミド基自体、又は、これらの少なくとも1つを有する、直鎖又は分岐のアルキル基、シクロアルキル基が挙げられ、好ましくは、水酸基を有するアルキル基である。より好ましくは水酸基を有する分岐状アルキル基である。分岐状アルキル基としてはイソプロピル基が特に好ましい。pは0~15の整数を表す。pは好ましくは0~2であり、より好ましくは0又は1である。樹脂Aは、一般式AIにより表される繰り返し単位として、一般式1により表される繰り返し単位及び一般式2により表される繰り返し単位の少なくとも一方を含んだ樹脂であることがより好ましい。また、他の形態において、一般式AIにより表される繰り返し単位として、一般式1により表される繰り返し単位の少なくとも2種を含んだ樹脂であることがより好ましい。樹脂Aの酸分解性基を有する繰り返し単位は、1種類であってもよいし、2種以上を併用してもよい。併用する場合の好ましい組合せとしては、以下に挙げるものが好ましい。下式において、Rは、各々独立に、水素原子又はメチル基を表す。樹脂Aは、ラクトン構造を有する繰り返し単位を含有することが好ましい。ラクトン構造としては、ラクトン構造を有していればいずれでも用いることができるが、好ましくは5~7員環ラクトン構造であり、5~7員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式LC1-1~LC1-17のいずれかで表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造としてはLC1-1、LC1-4、LC1-5、LC1-6、LC1-13、LC1-14、LC1-17であり、特に好ましいラクトン構造はLC1-4である。このような特定のラクトン構造を用いることでLWR、現像欠陥が良好になる。ラクトン構造部分は、置換基Rb2を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基Rb2としては、炭素数1~8のアルキル基、炭素数4~7のシクロアルキル基、炭素数1~8のアルコキシ基、炭素数2~8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、シアノ基、酸分解性基である。n2は、0~4の整数を表す。n2が2以上の時、複数存在する置換基Rb2は、同一でも異なっていてもよい。また、複数存在する置換基Rb2同士が結合して環を形成してもよい。ラクトン基を有する繰り返し単位は、通常、光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度eeが90以上のものが好ましく、より好ましくは95以上である。ラクトン構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIIで表される繰り返し単位が好ましい。一般式AII中、Rb0は、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を有していてもよい炭素数1~4のアルキル基を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Rb0として好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。Abは、単結合、アルキレン基、単環又は多環の脂環炭化水素構造を有する2価の連結基、エーテル結合、エステル結合、カルボニル基、又はこれらの2つ以上を組み合わせた2価の連結基を表す。好ましくは、単結合、又は、-Ab1-CO2-で表される2価の連結基である。Ab1は、直鎖若しくは分岐のアルキレン基、又は、単環若しくは多環のシクロアルキレン基であり、好ましくはメチレン基、エチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基、ノルボルニレン基である。Vは、ラクトン構造を有する基を表す。具体的には、例えば上記一般式LC1-1~LC1-17の内のいずれかで示される構造を有する基を表す。ラクトン構造を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。特に好ましいラクトン構造を有する繰り返し単位としては、下記の繰り返し単位が挙げられる。最適なラクトン構造を選択することにより、パターンプロファイル、疎密依存性が良好となる。ラクトン構造を有する繰り返し単位は、下記一般式IIIで表される単位であることが好ましい。式III中、Aは、エステル結合-COO-で表される基又はアミド結合-CONH-で表される基を表す。R0は、複数個ある場合にはそれぞれ独立にアルキレン基、シクロアルキレン基、又はその組み合わせを表す。Zは、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。ここで、Rは、各々独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。R8は、ラクトン構造を有する1価の有機基を表す。nは、-R0-Z-で表される構造の繰り返し数であり、1~5の整数を表し、1であることが好ましい。R7は、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。R0のアルキレン基、シクロアルキレン基は置換基を有してよい。Zは好ましくは、エーテル結合、エステル結合であり、特に好ましくはエステル結合である。R7のアルキル基は、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。R0のアルキレン基、シクロアルキレン基、R7におけるアルキル基は、各々置換されていてもよく、置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子やメルカプト基、水酸基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、t-ブトキシ基、ベンジルオキシ基等のアルコキシ基、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基等のアシルオキシ基が挙げられる。R7は、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、ヒドロキシメチル基が好ましい。R0における好ましい鎖状アルキレン基としては炭素数が1~10の鎖状のアルキレンが好ましく、より好ましくは炭素数1~5であり、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。好ましいシクロアルキレン基としては、炭素数3~20のシクロアルキレン基であり、例えば、シクロヘキシレン基、シクロペンチレン基、ノルボルニレン基、アダマンチレン基等が挙げられる。本発明の効果を発現するためには鎖状アルキレン基がより好ましく、メチレン基が特に好ましい。R8で表されるラクトン構造を有する1価の有機基は、ラクトン構造を有していれば限定されるものではなく、具体例として一般式LC1-1~LC1-17で表されるラクトン構造が挙げられ、これらのうちLC1-4で表される構造が特に好ましい。また、LC1-1~LC1-17におけるn2は2以下のものがより好ましい。また、R8は無置換のラクトン構造を有する1価の有機基、或いはメチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を置換基として有するラクトン構造を有する1価の有機基が好ましく、シアノ基を置換基として有するラクトン構造シアノラクトンを有する1価の有機基がより好ましい。以下に一般式IIIで表されるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。下記具体例中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又はハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、アセチルオキシメチル基を表す。ラクトン構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式III-1で表される繰り返し単位がより好ましい。一般式III-1に於いて、R7、A、R0、Z、及びnは、上記一般式IIIと同義である。R9は、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、水酸基又はアルコキシ基を表し、複数個ある場合には2つのR9が結合し、環を形成していてもよい。Xは、アルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。mは、置換基数であって、0~5の整数を表す。mは0又は1であることが好ましい。R9のアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、がより好ましく、メチル基が最も好ましい。シクロアルキル基としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル基を挙げることができる。アルコキシカルボニル基としてはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基等を挙げることができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等を挙げることができる。これらの基は置換基を有していてもよく、該置換基としては水酸基、メトキシ基、エトキシ基などのアルコキシ基、シアノ基、フッ素原子などのハロゲン原子を挙げることができる。R9はメチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基であることがより好ましく、シアノ基であることが更に好ましい。Xのアルキレン基としてはメチレン基、エチレン基等が挙げられる。Xは酸素原子又はメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることが更に好ましい。mが1以上である場合、少なくとも1つのR9はラクトンのカルボニル基のα位又はβ位に置換することが好ましく、特にα位に置換することが好ましい。一般式III-1で表されるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。下記具体例中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又はハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、アセチルオキシメチル基を表す。本発明の効果を高めるために、2種以上のラクトン構造を有する繰り返し単位を併用することも可能である。併用する場合には一般式IIIの内、nが1であるラクトン繰り返し単位から2種以上を選択し併用することも好ましい。ラクトン構造を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、15~60モルが好ましく、より好ましくは20~50モル、更に好ましくは30~50モルである。樹脂Aは、一般式AI及びIII以外の水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。これにより基板密着性、現像液親和性が向上する。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位は、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましく、酸分解性基を有さないことが好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。好ましい水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造としては、下記一般式VIIa~VIIdで表される部分構造が好ましい。一般式VIIa~VIIcに於いて、R2c~R4cは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R2c~R4cの内の少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、R2c~R4cの内の1つ又は2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式VIIaに於いて、更に好ましくは、R2c~R4cの内の2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式VIIa~VIIdで表される部分構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIIa~AIIdで表される繰り返し単位を挙げることができる。一般式AIIa~AIIdに於いて、R1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。R2c~R4cは、一般式VIIa~VIIcに於ける、R2c~R4cと同義である。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、5~40モルが好ましく、より好ましくは5~30モル、更に好ましくは5~25モルである。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。樹脂Aは、酸基を有する繰り返し単位を有してもよい。酸基としてはカルボキシル基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、ビススルホニルイミド基、α位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコール例えばヘキサフロロイソプロパノール基が挙げられ、カルボキシル基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。酸基を有する繰り返し単位を含有することによりコンタクトホール用途での解像性が増す。酸基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接酸基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖に酸基が結合している繰り返し単位、更には酸基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましく、連結基は単環又は多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。特に好ましくはアクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位である。樹脂Aは、酸基を有する繰り返し単位を含有してもしなくても良いが、含有する場合、酸基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、10モル以下であることが好ましく、5モル以下であることがより好ましい。樹脂Aが酸基を有する繰り返し単位を含有する場合、樹脂Aにおける酸基を有する繰り返し単位の含有量は、通常、1モル以上である。酸基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、RxはH,CH3,CH2OH,又はCF3を表す。本発明の樹脂Aは、更に極性基例えば、前記酸基、水酸基、シアノ基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有することができる。これにより、液浸露光時にレジスト膜から液浸液への低分子成分の溶出が低減できるとともに、有機溶剤を含む現像液を用いた現像の際に樹脂の溶解性を適切に調整することができる。このような繰り返し単位としては、一般式IVで表される繰り返し単位が挙げられる。一般式IV中、R5は少なくとも一つの環状構造を有し、極性基を有さない炭化水素基を表す。Raは水素原子、アルキル基又は-CH2-O-Ra2基を表す。式中、Ra2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Raは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。R5が有する環状構造には、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。単環式炭化水素基としては、たとえば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基などの炭素数3から12のシクロアルキル基、シクロへキセニル基など炭素数3から12のシクロアルケニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数3から7の単環式炭化水素基であり、より好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。多環式炭化水素基には環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基が含まれ、環集合炭化水素基の例としては、ビシクロヘキシル基、パーヒドロナフタレニル基などが含まれる。架橋環式炭化水素環として、例えば、ピナン、ボルナン、ノルピナン、ノルボルナン、ビシクロオクタン環ビシクロ[2.2.2]オクタン環、ビシクロ[3.2.1]オクタン環等などの2環式炭化水素環及び、ホモブレダン、アダマンタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[4.3.1.12,5]ウンデカン環などの3環式炭化水素環、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、パーヒドロ-1,4-メタノ-5,8-メタノナフタレン環などの4環式炭化水素環などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環には、縮合環式炭化水素環、例えば、パーヒドロナフタレンデカリン、パーヒドロアントラセン、パーヒドロフェナントレン、パーヒドロアセナフテン、パーヒドロフルオレン、パーヒドロインデン、パーヒドロフェナレン環などの5~8員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環も含まれる。好ましい架橋環式炭化水素環として、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビシクロオクタニル基、トリシクロ[5、2、1、02,6]デカニル基、などが挙げられる。より好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、水素原子が置換されたヒドロキシル基、水素原子が置換されたアミノ基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル、エチル、ブチル、t-ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基は更に置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、水素原子が置換されたヒドロキシル基、水素原子が置換されたアミノ基を挙げることができる。上記水素原子の置換基としては、たとえばアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。好ましいアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基、好ましい置換メチル基としてはメトキシメチル、メトキシチオメチル、ベンジルオキシメチル、t-ブトキシメチル、2-メトキシエトキシメチル基、好ましい置換エチル基としては、1-エトキシエチル、1-メチル-1-メトキシエチル、好ましいアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などの炭素数1~6の脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基としては炭素数1~4のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。樹脂Aは、極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を含有してもしなくてもよいが、含有する場合、この繰り返し単位の含有率は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、1~40モルが好ましく、より好ましくは5~20モルである。極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、又はCF3を表す。本発明の組成物に用いられる樹脂Aは、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有することができる。このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。これにより、本発明の組成物に用いられる樹脂に要求される性能、特に、1塗布溶剤に対する溶解性、2製膜性ガラス転移点、3アルカリ現像性、4膜べり親疎水性、アルカリ可溶性基選択、5未露光部の基板への密着性、6ドライエッチング耐性、等の微調整が可能となる。このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。本発明の組成物に用いられる樹脂Aにおいて、各繰り返し構造単位の含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。本発明の組成物が、ArF露光用であるとき、ArF光への透明性の点から本発明の組成物に用いられる樹脂Aは実質的には芳香環を有さない具体的には、樹脂中、芳香族基を有する繰り返し単位の比率が好ましくは5モル以下、より好ましくは3モル以下、理想的には0モル、すなわち、芳香族基を有さないことが好ましく、樹脂Aは単環又は多環の脂環炭化水素構造を有することが好ましい。また、本発明の組成物が、後述する樹脂Dを含んでいる場合、樹脂Aは、樹脂Dとの相溶性の観点から、フッ素原子及び珪素原子を含有しないことが好ましい。本発明の組成物に用いられる樹脂Aとして好ましくは、繰り返し単位のすべてがメタアクリレート系繰り返し単位で構成されたものである。この場合、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがアクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位とアクリレート系繰り返し単位とによるもののいずれのものでも用いることができるが、アクリレート系繰り返し単位が全繰り返し単位の50モル以下であることが好ましい。また、酸分解性基を有するメタアクリレート系繰り返し単位20~50モル、ラクトン基を有するメタアクリレート系繰り返し単位20~50モル、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有するメタアクリレート系繰り返し単位5~30モル、更にその他のメタアクリレート系繰り返し単位を0~20モル含む共重合ポリマーも好ましい。本発明の組成物にKrFエキシマレーザー光、電子線、X線、波長50nm以下の高エネルギー光線EUVなどを照射する場合には、樹脂Aは、更に、ヒドロキシスチレン系繰り返し単位を有することが好ましい。更に好ましくはヒドロキシスチレン系繰り返し単位と、酸分解性基で保護されたヒドロキシスチレン系繰り返し単位、メタアクリル酸3級アルキルエステル等の酸分解性繰り返し単位を有するが好ましい。ヒドロキシスチレン系の好ましい酸分解性基を有する繰り返し単位としては、例えば、t-ブトキシカルボニルオキシスチレン、1-アルコキシエトキシスチレン、メタアクリル酸3級アルキルエステルによる繰り返し単位等を挙げることができ、2-アルキル-2-アダマンチルメタアクリレート及びジアルキル1-アダマンチルメチルメタアクリレートによる繰り返し単位がより好ましい。本発明の樹脂Aは、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、更には後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような本発明の組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明の感光性組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤アゾ系開始剤、パーオキサイドなどを用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネートなどが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5~50質量であり、好ましくは10~30質量である。反応温度は、通常10°C~150°Cであり、好ましくは30°C~120°C、更に好ましくは60~100°Cである。反応終了後、室温まで放冷し、精製する。精製は、水洗や適切な溶媒を組み合わせることにより残留単量体やオリゴマー成分を除去する液々抽出法、特定の分子量以下のもののみを抽出除去する限外ろ過等の溶液状態での精製方法や、樹脂溶液を貧溶媒へ滴下することで樹脂を貧溶媒中に凝固させることにより残留単量体等を除去する再沈澱法やろ別した樹脂スラリーを貧溶媒で洗浄する等の固体状態での精製方法等の通常の方法を適用できる。たとえば、上記樹脂が難溶或いは不溶の溶媒貧溶媒を、該反応溶液の10倍以下の体積量、好ましくは10~5倍の体積量で、接触させることにより樹脂を固体として析出させる。ポリマー溶液からの沈殿又は再沈殿操作の際に用いる溶媒沈殿又は再沈殿溶媒としては、該ポリマーの貧溶媒であればよく、ポリマーの種類に応じて、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、ニトロ化合物、エーテル、ケトン、エステル、カーボネート、アルコール、カルボン酸、水、これらの溶媒を含む混合溶媒等の中から適宜選択して使用できる。これらの中でも、沈殿又は再沈殿溶媒として、少なくともアルコール特に、メタノールなど又は水を含む溶媒が好ましい。沈殿又は再沈殿溶媒の使用量は、効率や収率等を考慮して適宜選択できるが、一般には、ポリマー溶液100質量部に対して、100~10000質量部、好ましくは200~2000質量部、更に好ましくは300~1000質量部である。沈殿又は再沈殿する際の温度としては、効率や操作性を考慮して適宜選択できるが、通常0~50°C程度、好ましくは室温付近例えば20~35°C程度である。沈殿又は再沈殿操作は、攪拌槽などの慣用の混合容器を用い、バッチ式、連続式等の公知の方法により行うことができる。沈殿又は再沈殿したポリマーは、通常、濾過、遠心分離等の慣用の固液分離に付し、乾燥して使用に供される。濾過は、耐溶剤性の濾材を用い、好ましくは加圧下で行われる。乾燥は、常圧又は減圧下好ましくは減圧下、30~100°C程度、好ましくは30~50°C程度の温度で行われる。なお、一度、樹脂を析出させて、分離した後に、再び溶媒に溶解させ、該樹脂が難溶或いは不溶の溶媒と接触させてもよい。即ち、上記ラジカル重合反応終了後、該ポリマーが難溶或いは不溶の溶媒を接触させ、樹脂を析出させ工程a、樹脂を溶液から分離し工程b、改めて溶媒に溶解させ樹脂溶液Aを調製工程c、その後、該樹脂溶液Aに、該樹脂が難溶或いは不溶の溶媒を、樹脂溶液Aの10倍未満の体積量好ましくは5倍以下の体積量で、接触させることにより樹脂固体を析出させ工程d、析出した樹脂を分離する工程eことを含む方法でもよい。本発明の樹脂Aの重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは1,000~200,000であり、より好ましくは2,000~20,000、更により好ましくは3,000~15,000、特に好ましくは3,000~10,000である。重量平均分子量を、1,000~200,000とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、かつ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。分散度分子量分布は、通常1.0~3.0であり、好ましくは1.0~2.6、更に好ましくは1.0~2.0、特に好ましくは1.4~2.0の範囲のものが使用される。分子量分布の小さいものほど、解像度、レジスト形状が優れ、かつ、レジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。本発明のレジスト組成物において、樹脂Aの組成物全体中の配合率は、全固形分中30~99質量が好ましく、より好ましくは60~95質量である。また、本発明の樹脂Aは、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。[2]B活性光線又は放射線の照射により一般式Iで表される酸を発生する光酸発生剤本発明のレジスト組成物は、活性光線又は放射線の照射により一般式Iで表される酸を発生する化合物化合物Bともいうを含有する。このような化合物Bを含有するレジスト組成物によって得られたレジスト膜における未露光部を、有機溶剤を含む現像液で現像することによって、なぜ、感度、露光ラチチュードEL、マスクエラーエンハンスメントファクターMEEF、パターン形状に優れ、線幅バラツキLWRを低減できるのかについて、その作用機構は完全には不明であるが、以下のように推定される。すなわち、一般式Iで示される酸はアミド基を有しており、酸のSP値と、有機溶剤を含む現像液のSP値との差は大きい。それにより、レジスト膜の露光部の有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が低下し、溶解ディスクリミネーションがつくため、LWRの低減、及び、パターンの形状の良化に寄与したものと考えられる。また、一般式Iで表されるスルホン酸基の隣接位の炭素原子は、電子求引性基であるフッ素原子又はフルオロアルキル基で置換されているため、一般式Iで表されるスルホン酸は強酸となる。これによって、優れた感度が得られるものと考えられる。更に、一般式Iで示される酸はアミド基を有しており、このアミド基が、レジスト膜の露光部に存在する酸の作用により極性が増大した樹脂と、相互作用をし、一般式Iで示される酸が拡散しすぎる例えば、酸が意図しない量で未露光部までに拡散することを抑制しているものと考えられる。これにより、解像力が増大し、その結果、EL、MEEFが良化したものと考えられる。上記一般式I中、X1、X2は、それぞれ独立して、フッ素原子、又はフルオロアルキル基を表す。R1、R2は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、又は、環状構造を有する基を表す。R1とR2は互いに結合して環を形成していてもよい。但し、R1とR2は同時に水素原子を表さない。Lは、2価の連結基を表す。Lが複数存在する場合、複数のLは同じであっても異なっていてもよいmは、0以上の整数を表す。一般式Iについて更に詳細に説明する。X1、X2としてのフルオロアルキル基は、好ましくは炭素数1~6であり、より好ましくは炭素数1~4である。また、X1、X2としてのフルオロアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。X1、X2としては、好ましくは、フッ素原子、又は、パーフルオロアルキル基である。X1、X2の具体例としては、フッ素原子、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F15、C8F17、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、CH2CH2C4F9が挙げられ、中でもフッ素原子、CF3が好ましい。特に、X1及びX2の双方がフッ素原子であることが好ましい。R1、R2は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、又は、環状構造を有する基表す。アルキル基としては、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、好ましくは炭素数1~10であり、より好ましくは炭素数1~7である。R1、R2の具体例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ドデシル基、2-エチルヘキシル基、イソプロピル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、iso-アミル基等が挙げられ、中でもメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基が好ましい。該アルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としては、水酸基、ハロゲン原子フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシルオキシ基、カルボキシ基が挙げられる。R1、R2としての環状構造を有する基としては、単環構造を有する基好ましくは炭素数3~12、及び、多環構造を有する基好ましくは炭素数4~25を挙げることができる。単環構造を有する基としては、単環式炭化水素基、単環式複素環基、及び、これらの少なくともいずれかを含むアルキル基等を挙げることができる。単環式炭化水素基としては、単環式アルキル基、単環式アリール基が挙げられる。単環式アルキル基としては、炭素数3~10のものが好ましい。単環式アルキル基の具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基、シクロドデカニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロオクタジエニル基等が挙げられ、特にシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基が好ましい。単環式アリール基は、置換又は無置換のフェニル基を挙げることができる。単環式複素環基としては、飽和複素環基と不飽和複素環基とが挙げられ、炭素数5~10のものが好ましい。飽和複素環基としては、1-ピペリジル基、4-ピペリジル基、4-モルホリニル基、1,3-ジオキソラン-2-イルメチル基、アゼパン-2-オン-1-イル基等を挙げることができる。不飽和複素環基としては、ピロール基、フラン基、チオフェン基などが挙げられる。単環式炭化水素基及び単環式複素環基の少なくともいずれかを含むアルキル基としては、炭素数1~5好ましくは炭素数1~3のアルキル基の任意の水素原子が、単環式炭化水素基及び単環式複素環基の少なくともいずれかによって置換された基を好適に挙げることができる。多環構造を有する基としては、i多環式炭化水素基、ii多環式複素環基、iii単環式炭化水素基及び単環式複素環基から選択される基を2個以上含むアルキル基、iV多環式炭化水素基又は多環式複素環基を含むアルキル基等を挙げることができる。多環式炭化水素基及び単環式炭化水素基としては、脂肪族基でも芳香族基でもよく、特に脂環式炭化水素基であることが好ましい。具体的には、多環式炭化水素基としては、炭素数10~20のものが好ましい。多環式炭化水素基の具体例としては、ビシクロ[4.3.0]ノナニル基、ナフタレニル基、デカヒドロナフタレニル基、1,2,3,4-テトラヒドロナフタレニル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカニル基、ボルニル基、イソボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、1,7,7-トリメチルトリシクロ[2.2.1.02,6]ヘプタニル基、3,7,7-トリメチルビシクロ[4.1.0]ヘプタニル基等があげられ、特にノルボルニル基、アダマンチル基、ノルアダマンチル基が好ましい。多環式複素環基としては、炭素数10~20のものが好ましい。多環式複素環基の具体例としては、インドール基、カルバゾール基等が挙げられる。単環式炭化水素基及び単環式複素環基から選択される基を2個以上含むアルキル基における、単環式炭化水素基及び単環式複素環基としては、前記したものを挙げることができる。単環式炭化水素基及び単環式複素環基から選択される基を2個以上含むアルキル基としては、炭素数1~5好ましくは炭素数1~3のアルキル基の任意の2個以上の水素原子が、単環式炭化水素基及び単環式複素環基から選択される基によって置換された基を好適に挙げることができる。また、R1とR2は互いに結合し環を形成しても良い。環は単環構造であっても、多環構造であってもよい。R1とR2とで形成し得る環構造としては、ピペリジン環等の単環構造、デカヒドロキノリン環、デカヒドロイソキノリン環等の多環構造が挙げられる。R1、R2としての環状構造を有する基、及び、R1とR2とが互いに結合して形成する環は、更に置換基を有していてもよく、このような更なる置換基としては、水酸基、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシルオキシ基、カルボキシ基が挙げられる。R1とR2が互いに結合し環を形成するか、又は、R1が炭素数5以上のアルキル基、若しくは、環状構造炭素数は5以上であることが好ましいを有する基であることが好ましく、R1とR2が互いに結合し環を形成するか、又は、R1が環状構造炭素数は5以上であることが好ましいを有する基であることがより好ましく、R1とR2が互いに結合し多環を形成するか、又は、R1が多環構造を有する基であることが更に好ましい。また、R1が環状構造を有する基である場合、R2も環状構造を有する基であることが好ましい。上記のような形態によって、酸が拡散しすぎることをより確実に抑制できるせいか、EL、MEEFをより良化させることができる。Lの2価の連結基としては特に限定されないが、―COO-、-OCO-、-CO-、-O-、-S―、-SO―、―SO2-、アルキレン基、シクロアルキレン基又はアルケニレン基を挙げることができる。このなかでも―COO-、-OCO-、-CO-、-O―、―SO2-、アルキレン基が好ましく、―COO-、-OCO-、―SO2-、アルキレン基がより好ましい。Lとしてのアルキレン基、シクロアルキレン基及びアルケニレン基は、置換基を更に有していても良く、そのような置換基の具体例は、R1、R2としての環状構造を有する基が更に有していてもよい置換基について前述したものと同様である。mは0~10が好ましく、0~8がより好ましく、0~4が更に好ましい。本発明の一般式Iで表されるスルホン酸としては以下の具体例が挙げられる。活性光線又は放射線の照射により一般式Iで表されるスルホン酸を発生する化合物の内で好ましい化合物Bとしては、スルホニウム塩、ヨードニウム塩といったイオン性構造を有する化合物、オキシムエステル、イミドエステル等の非イオン性化合物構造を有するものが挙げられる。イオン性構造を有する化合物としては、スルホニウム塩であることがより好ましい。すなわち、化合物Bは、下記一般式IIで表される化合物であることが好ましい。上記一般式II中、Anはn価のカチオンを表し、nは1又は2を表す。nは1であることが好ましい。X1、X2、R1、R2、L及びmは、各々、一般式IにおけるX1、X2、R1、R2、L及びmと同義である。一般式IIにおいてnが1である場合、一般式IIで表される化合物としては、下記一般式ZI又はZIIで表される化合物を挙げることができる。上記一般式ZIにおいて、R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1~30、好ましくは1~20である。また、R201~R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201~R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基例えば、ブチレン基、ペンチレン基を挙げることができる。Z-は、一般式Iで表される酸のアニオン構造換言すれば、一般式IIで表される化合物のスルホン酸アニオンを示す。R201、R202及びR203により表される有機基としては、例えば、後述する化合物ZI-1、ZI-2、ZI-3及びZI-4における対応する基を挙げることができる。化合物ZI-1は、上記一般式ZIのR201~R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。アリールスルホニウム化合物は、R201~R203の全てがアリール基でもよいし、R201~R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、ピロール残基、フラン残基、チオフェン残基、インドール残基、ベンゾフラン残基、ベンゾチオフェン残基等が挙げられる。アリールスルホニウム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1~15の直鎖又は分岐アルキル基及び炭素数3~15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。R201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~14、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基、アルコキシメチルオキシ基を有する基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1~12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3~12のシクロアルキル基、炭素数1~12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201~R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201~R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp-位に置換していることが好ましい。次に、化合物ZI-2について説明する。化合物ZI-2は、式ZIにおけるR201~R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。R201~R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1~30、好ましくは炭素数1~20である。R201~R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖又は分岐の2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、特に好ましくは直鎖又は分岐2-オキソアルキル基である。R201~R203のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、炭素数3~10のシクロアルキル基シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基を挙げることができる。アルキル基として、より好ましくは2-オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基を挙げることができる。シクロアルキル基として、より好ましくは、2-オキソシクロアルキル基を挙げることができる。2-オキソアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。2-オキソシクロアルキル基は、好ましくは、上記のシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1~5のアルコキシ基メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基を挙げることができる。R201~R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基例えば炭素数1~5、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。次に、化合物ZI-3について説明する。化合物ZI-3とは、以下の一般式ZI-3で表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。一般式ZI-3に於いて、R1c~R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表す。R6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアリール基を表す。Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、R5cとR6c、R6cとR7c、R5cとRx、及びRxとRyは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、ケトン基、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。上記環構造としては、芳香族若しくは非芳香族の炭化水素環、芳香族若しくは非芳香族の複素環、又は、これらの環が2つ以上組み合わされてなる多環縮合環を挙げることができる。環構造としては、3~10員環を挙げることができ、4~8員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましい。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c、及びRxとRyが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。R5cとR6c、及び、R5cとRxが結合して形成する基としては、単結合又はアルキレン基であることが好ましく、アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基等を挙げることができる。Zc-は、一般式Iで表される酸のアニオン構造換言すれば、一般式IIで表される化合物のスルホン酸アニオンを示す。R1c~R7cとしてのアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、例えば炭素数1~20個のアルキル基、好ましくは炭素数1~12個の直鎖又は分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、直鎖又は分岐プロピル基、直鎖又は分岐ブチル基、直鎖又は分岐ペンチル基を挙げることができ、シクロアルキル基としては、例えば炭素数3~10個のシクロアルキル基例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基を挙げることができる。R1c~R7cとしてのアリール基は、好ましくは炭素数5~15であり、例えば、フェニル基、ナフチル基を挙げることができる。R1c~R5cとしてのアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1~10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1~5の直鎖及び分岐アルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブトキシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基、炭素数3~10の環状アルコキシ基例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基を挙げることができる。R1c~R5cとしてのアルコキシカルボニル基におけるアルコキシ基の具体例は、前記R1c~R5cとしてのアルコキシ基の具体例と同様である。R1c~R5cとしてのアルキルカルボニルオキシ基及びアルキルチオ基におけるアルキル基の具体例は、前記R1c~R5cとしてのアルキル基の具体例と同様である。R1c~R5cとしてのシクロアルキルカルボニルオキシ基におけるシクロアルキル基の具体例は、前記R1c~R5cとしてのシクロアルキル基の具体例と同様である。R1c~R5cとしてのアリールオキシ基及びアリールチオ基におけるアリール基の具体例は、前記R1c~R5cとしてのアリール基の具体例と同様である。好ましくは、R1c~R5cの内のいずれかが直鎖又は分岐アルキル基、シクロアルキル基又は直鎖、分岐若しくは環状アルコキシ基であり、更に好ましくは、R1c~R5cの炭素数の和が2~15である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。R1c~R5cのいずれか2つ以上が互いに結合して形成してもよい環構造としては、好ましくは5員又は6員の環、特に好ましくは6員の環例えばフェニル環が挙げられる。R5c及びR6cが互いに結合して形成してもよい環構造としては、R5c及びR6cが互いに結合して単結合又はアルキレン基メチレン基、エチレン基等を構成することにより、一般式I中のカルボニル炭素原子及び炭素原子と共に形成する4員以上の環特に好ましくは5~6員の環が挙げられる。R6c及びR7cの態様としては、その両方がアルキル基である場合が好ましい。特に、R6c及びR7cが各々炭素数1~4の直鎖又は分岐状アルキル基である場合が好ましく、とりわけ、両方がメチル基である場合が好ましい。また、R6cとR7cとが結合して環を形成する場合に、R6cとR7cとが結合して形成する基としては、炭素数2~10のアルキレン基が好ましく、例えば、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基などを挙げることができる。また、R6cとR7cとが結合して形成する環は、環内に酸素原子等のヘテロ原子を有していてもよい。Rx及びRyとしてのアルキル基及びシクロアルキル基は、R1c~R7cにおけると同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができる。Rx及びRyとしての2-オキソアルキル基及び2-オキソシクロアルキル基は、R1c~R7cとしてのアルキル基及びシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。Rx及びRyとしてのアルコキシカルボニルアルキル基におけるアルコキシ基については、R1c~R5cおけると同様のアルコキシ基を挙げることができ、アルキル基については、例えば、炭素数1~12のアルキル基、好ましくは、炭素数1~5の直鎖のアルキル基例えば、メチル基、エチル基を挙げることができる。Rx及びRyとしてのアリル基としては、特に制限は無いが、無置換のアリル基、又は、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素数3~10のシクロアルキル基で置換されたアリル基であることが好ましい。Rx及びRyとしてのビニル基としては特に制限は無いが、無置換のビニル基、又は、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素数3~10のシクロアルキル基で置換されたビニル基であることが好ましい。R5c及びRxが互いに結合して形成してもよい環構造としては、R5c及びRxが互いに結合して単結合又はアルキレン基メチレン基、エチレン基等を構成することにより、一般式I中の硫黄原子とカルボニル炭素原子と共に形成する5員以上の環特に好ましくは5員の環が挙げられる。Rx及びRyが互いに結合して形成してもよい環構造としては、2価のRx及びRy例えば、メチレン基、エチレンキ基、プロピレン基等が一般式ZI-3中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環即ち、テトラヒドロチオフェン環が挙げられる。Rx及びRyは、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基又はシクロアルキル基であり、より好ましくは6個以上、更に好ましくは8個以上のアルキル基又はシクロアルキル基である。R1c~R7c、Rx及びRyは、更に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アリールカルボニル基、アルコキシアルキル基、アリールオシキアルキル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の炭素数1~12個の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を挙げることができる。前記シクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数3~10個のシクロアルキル基を挙げることができる。前記アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等の炭素数6~15のアリール基を挙げることができる。前記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素原子数1~20の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシ基等を挙げることができる。前記アリールオキシ基としては、例えば、フェニルオキシ基、ナフチルオキシ基等の炭素数6~10個のアリールオキシ基等を挙げることができる。前記アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、n-ブタノイル基、i-ブタノイル基、n-ヘプタノイル基、2-メチルブタノイル基、1-メチルブタノイル基、t-ヘプタノイル基等の炭素原子数2~12の直鎖状若しくは分岐状のアシル基等を挙げることができる。前記アリールカルボニル基としては、例えば、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基等の炭素数6~10個のアリールオキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、1-メトキシエチル基、2-メトキシエチル基、1-エトキシエチル基、2-エトキシエチル基等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシアルキル基等を挙げることができる。前記アリールオキシアルキル基としては、例えば、フェニルオキシメチル基、フェニルオキシエチル基、ナフチルオキシメチル基、ナフチルオキシエチル基等の炭素数7~12個のアリールオキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチルプロポキシカルボニル基、1-メチルプロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニル基等を挙げることができる。前記アリールオキシカルボニル基としては、例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等の炭素数7~11個のアリールオキシカルボニル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、n-プロポキシカルボニルオキシ基、i-プロポキシカルボニルオキシ基、n-ブトキシカルボニルオキシ基、t-ブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニルオキシ基、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。前記アリールオキシカルボニルオキシ基としては、例えば、フェニルオキシカルボニルオキシ基、ナフチルオキシカルボニルオキシ基等の炭素数7~11個のアリールオキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。上記一般式ZI-3中、R1c、R2c、R4c及びR5cが、各々独立に、水素原子を表し、R3cが水素原子以外の基、すなわち、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表すことがより好ましい。本発明の一般式ZI-2又はZI-3で表される化合物のカチオンとしては、以下の具体例が挙げられる。次に、化合物ZI-4について説明する。化合物ZI-4は、下記一般式ZI-4で表される。一般式ZI-4中、R13は水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。R14は複数存在する場合は各々独立して、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。R15は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基又はナフチル基を表す。2個のR15が互いに結合して環を形成してもよい。これらの基は置換基を有してもよい。lは0~2の整数を表す。rは0~8の整数を表す。Z-は、一般式Iで表される酸のアニオン構造換言すれば、一般式IIで表される化合物のスルホン酸アニオンを示す。一般式ZI-4において、R13、R14及びR15のアルキル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、ネオペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基等を挙げることができる。これらのアルキル基のうち、メチル基、エチル基、n-ブチル基、t-ブチル基等が好ましい。R13、R14及びR15のシクロアルキル基としては、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素原子数3~20のシクロアルキル基が挙げられ、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロへプチル、シクロオクチル、シクロドデカニル、シクロペンテニル、シクロヘキセニル、シクロオクタジエニル、ノルボルニル、トリシクロデカニル、テトラシクロデカニル、アダマンチル等があげられ、特にシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチルが好ましい。R13及びR14のアルコキシ基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、n-ヘプチルオキシ基、n-オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、n-ノニルオキシ基、n-デシルオキシ基等を挙げることができる。これらのアルコキシ基のうち、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、n-ブトキシ基等が好ましい。R13及びR14のアルコキシカルボニル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数2~11のものが好ましく、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチルプロポキシカルボニル基、1-メチルプロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、n-ペンチルオキシカルボニル基、ネオペンチルオキシカルボニル基、n-ヘキシルオキシカルボニル基、n-ヘプチルオキシカルボニル基、n-オクチルオキシカルボニル基、2-エチルヘキシルオキシカルボニル基、n-ノニルオキシカルボニル基、n-デシルオキシカルボニル基等を挙げることができる。これらのアルコキシカルボニル基のうち、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基等が好ましい。R13及びR14のシクロアルキル基を有する基としては、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素原子数3~20のシクロアルキル基が挙げられ、例えば、単環若しくは多環のシクロアルキルオキシ基、及び、単環若しくは多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基が挙げられる。これら基は、置換基を更に有していてもよい。R13及びR14の単環若しくは多環のシクロアルキルオキシ基としては、総炭素数が7以上であることが好ましく、総炭素数が7以上15以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル基を有することが好ましい。総炭素数7以上の単環のシクロアルキルオキシ基とは、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、シクロドデカニルオキシ基等のシクロアルキルオキシ基に、任意にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ドデシル基、2-エチルヘキシル基、イソプロピル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、iso-アミル基等のアルキル基、水酸基、ハロゲン原子フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシルオキシ基、カルボキシ基等の置換基を有する単環のシクロアルキルオキシ基であって、該シクロアルキル基上の任意の置換基と合わせた総炭素数が7以上のものを表す。また、総炭素数が7以上の多環のシクロアルキルオキシ基としては、ノルボルニルオキシ基、トリシクロデカニルオキシ基、テトラシクロデカニルオキシ基、アダマンチルオキシ基等が挙げられる。R13及びR14の単環若しくは多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基としては、総炭素数が7以上であることが好ましく、総炭素数が7以上15以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基であることが好ましい。総炭素数7以上の、単環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基とは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプトキシ、オクチルオキシ、ドデシルオキシ、2-エチルヘキシルオキシ、イソプロポキシ、sec-ブトキシ、t-ブトキシ、iso-アミルオキシ等のアルコキシ基に上述の置換基を有していてもよい単環シクロアルキル基が置換したものであり、置換基も含めた総炭素数が7以上のものを表す。たとえば、シクロヘキシルメトキシ基、シクロペンチルエトキシ基、シクロヘキシルエトキシ基等が挙げられ、シクロヘキシルメトキシ基が好ましい。また、総炭素数が7以上の多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基としては、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基、トリシクロデカニルメトキシ基、トリシクロデカニルエトキシ基、テトラシクロデカニルメトキシ基、テトラシクロデカニルエトキシ基、アダマンチルメトキシ基、アダマンチルエトキシ基等が挙げられ、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基等が好ましい。R14のアルキルカルボニル基のアルキル基としては、上述したR13~R15としてのアルキル基と同様の具体例が挙げられる。R14のアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基としては、直鎖状、分岐状、環状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、例えば、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n-プロパンスルホニル基、n-ブタンスルホニル基、tert-ブタンスルホニル基、n-ペンタンスルホニル基、ネオペンタンスルホニル基、n-ヘキサンスルホニル基、n-ヘプタンスルホニル基、n-オクタンスルホニル基、2-エチルヘキサンスルホニル基n-ノナンスルホニル基、n-デカンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等を挙げることができる。これらのアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基のうちメタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n-プロパンスルホニル基、n-ブタンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等が好ましい。上記各基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素原子数1~20の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、1-メトキシエチル基、2-メトキシエチル基、1-エトキシエチル基、2-エトキシエチル基等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシアルキル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチルプロポキシカルボニル基、1-メチルプロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、n-プロポキシカルボニルオキシ基、i-プロポキシカルボニルオキシ基、n-ブトキシカルボニルオキシ基、t-ブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニルオキシ基、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。2個のR15が互いに結合して形成してもよい環構造としては、2個の2価のR15が一般式ZI-4中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環即ち、テトラヒドロチオフェン環が挙げられ、アリール基又はシクロアルキル基と縮環していてもよい。この2価のR15は置換基を有してもよく、置換基としては、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。前記環構造に対する置換基は、複数個存在しても良く、また、それらが互いに結合して環芳香族若しくは非芳香族の炭化水素環、芳香族若しくは非芳香族の複素環、又はこれらの環が2つ以上組み合わされてなる多環縮合環などを形成しても良い。一般式ZI-4におけるR15としては、メチル基、エチル基、ナフチル基、2個のR15が互いに結合して硫黄原子と共にテトラヒドロチオフェン環構造を形成する2価の基等が好ましい。R13及びR14が有し得る置換基としては、水酸基、アルコキシ基、又はアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子特に、フッ素原子が好ましい。lとしては、0又は1が好ましく、1がより好ましい。rとしては、0~2が好ましい。本発明の一般式ZI-4で表される化合物のカチオンとしては以下の具体例が挙げられる。上記一般式IIにおいてnが2の場合、一般式IIで表される化合物としては、上記一般式ZIで表される構造を複数有する化合物を挙げることができる。例えば、一般式ZIで表される化合物のR201~R203の少なくとも1つが、一般式ZIで表されるもうひとつの化合物のR201~R203の少なくとも一つと、単結合又は連結基を介して結合した構造を有する化合物であってもよい。一般式IIにおいてnが2の場合、2価のカチオンA2は、下記一般式IIIで表されるスルホニウムカチオンであることが好ましい。式III中、P10~P21は、互いに独立に、水素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、又はハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等を表す。Yは、硫黄原子又は酸素原子を表す。アルキル基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、炭素数1~12のものが好ましい。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ドデシル基、2-エチルヘキシル基、イソプロピル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、iso-アミル基等が挙げられる。シクロアルキル基としては、炭素数3~12のものが好ましい。シクロアルキル基の具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基、シクロドデカニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロオクタジエニル基、ビシクロ[4.3.0]ノナニル基、デカヒドロナフタレニル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカニル基、ボルニル基、イソボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、1,7,7-トリメチルトリシクロ[2.2.1.02,6]ヘプタニル基、3,7,7-トリメチルビシクロ[4.1.0]ヘプタニル基等が挙げられ、特にシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、ノルアダマンチル基が好ましい。アルコキシ基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、また脂環式骨格を有していてもよい。鎖状アルコキシとしては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、イソプロピルオキシ基、sec-ブチルオキシ基、t-ブチルオキシ基、iso-アミルオキシ基等が挙げられる。環状アルコキシ基としては、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロへプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、シクロドデカニルオキシ基、シクロペンテニルオキシ基、シクロヘキセニルオキシ基、シクロオクタジエニルオキシ基等があげられ、特にシクロプロポキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロオクチルオキシ基が好ましい。P10~P21としてのアルキル基、シクロアルキル基及びアルコキシ基は、更に置換基を有していてもよく、このような置換基の具体例は、前述した上記一般式IにおけるR1、R2としての環状構造を有する基が更に有していてもよい置換基の具体例と同様である。次に、一般式ZIIについて説明する。一般式ZII中、R204、R205は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。R204、R205のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。R204、R205のアリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造を有するアリール基の骨格としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン等を挙げることができる。R204、R205のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、炭素数3~10のシクロアルキル基シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基を挙げることができる。R204、R205のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。R204、R205のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~15、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。Z-は、一般式Iで表される酸のアニオン構造換言すれば、一般式IIで表される化合物のスルホン酸アニオンを示す。一般式ZIIで表される化合物中のカチオンの具体例を示す。化合物Bは、更に、非イオン性化合物構造を有するものとして、例えば、下記一般式ZV、ZVIで表される化合物を挙げることができる。一般式ZV、ZVI中、R209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、シアノ基又はアリール基を表す。R209、R210のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基としては、前述の化合物ZI-1におけるR201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基として説明した各基と同様である。R209、R210のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としても、前述の化合物ZI-1におけるR201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。A’は、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。A’としてのアルキレン基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1~8、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等を挙げることができる。A’としてのアルケニレン基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数2~6、例えば、エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基等を挙げることができる。A’としてのアリーレン基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数6~15、例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基等を挙げることができる。A’が有してもよい置換基としては、例えば、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシル基、カルボキシル基等の活性水素を有するものや、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子、アルコキシ基例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等、チオエーテル基、アシル基アセチル基、プロパノイル基、ベンゾイル基等、アシルオキシ基アセトキシ基、プロパノイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等、アルコキシカルボニル基メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基等、シアノ基、ニトロ基等が挙げられる。また、アリーレン基については更にアルキル基メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等を挙げることができる。Rzは、一般式Iで表される酸のHが解離した構造を表し、下記一般式I-sで表される。式中、X1、X2、R1、R2、L及びmは、一般式Iにおけるものと同様である。は、一般式ZV、ZVIで表される化合物残基との結合部を表す。一般式ZV、ZVIで表される化合物残基の具体例を以下に示す。具体例中のは、上記一般式Isのとの結合部を表す。以下に、化合物Bの具体例が挙げられるが、これらに限定されるものではない。上記一般式IIで表される化合物は、下記一般式Vで表されるアミンと、下記一般式VIIで表されるエステル体とを反応させることによって得ることができる。一般式V中、R1及びR2は、各々、一般式IIにおけるR1及びR2と同義である。一般式VII中、An、X1、X2、L、n及びmは、各々、一般式IIにおけるAn、X1、X2、L、n及びmと同義である。R3は、鎖式アルキル基、シクロアルキル基、多環構造を有する基を表し、該鎖式アルキル基、該シクロアルキル基は置換基を有していてもよい。R3により表される鎖式アルキル基としては、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ドデシル、2-エチルヘキシル、イソプロピル、sec-ブチル、t-ブチル、iso-アミル等が挙げられる。該アルキル基は更に置換基を有していてもよく、このような置換基の具体例は、前述した上記一般式IにおけるR1、R2としての環状構造を有する基が更に有していてもよい置換基の具体例と同様である。シクロアルキル基としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロへプチル、シクロオクチル、シクロドデカニル、シクロペンテニル、シクロヘキセニル、シクロオクタジエニル、ビシクロ[4.3.0]ノナニル、デカヒドロナフタレニル、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカニル、ボルニル、イソボルニル、ノルボルニル、アダマンチル、ノルアダマンチル、1,7,7-トリメチルトリシクロ[2.2.1.02,6]ヘプタニル、3,7,7-トリメチルビシクロ[4.1.0]ヘプタニル等が挙げられ、特にシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチル、ノルボルニル、アダマンチル、ノルアダマンチルが好ましい。該シクロアルキル基は更に置換基を有していてもよく、このような置換基の具体例は、前述した上記一般式IにおけるR1、R2としての環状構造を有する基が更に有していてもよい置換基の具体例と同様である。多環構造を有する基は、一般式Iにて説明した多環構造を有する基と同じ意味であり、その具体例並びに置換基も同様である。アミド反応としては、例えば、一般式V及び一般式VIIで表される化合物を混合し、0°C~200°Cの範囲、好ましくは0°C~100°Cの温度範囲で攪拌して反応させることによってアミド化することができる。この反応は無溶媒で行ってもよいし、テトラヒドロフランTHF、アセトニトリル、アセトン、酢酸エチル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、等の溶媒を用いて行ってもよい。用いる一般式Vで表される化合物と一般式VIIで表される化合物の混合比率に特に制限は無いが、一般式Vで表される化合物を一般式VIIで表される化合物1モル等量に対して0.1~50モル等量用いることが好ましく、0.5~30モル等量用いることが特に好ましい。また、一般式IIで表される本発明の化合物は、下記一般式VIで表される化合物を、上記一般式Vで表されるアミンを用いて上記と同様の方法によりアミド化して下記一般式IVで表される化合物を得、これを一般式IXで表される化合物と反応させることにより得ることができる。一般式VI中、X1、X2、L及びmは、各々、一般式IIにおけるX1、X2、L及びmと同義である。R3は、一般式VIIにおけるR3と同義である。Mは、金属イオンを表し、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、銀イオン等が挙げられる。一般式IV中、Mは一般式VIにおけるMと同義であり、X1、X2、L、R1、R2及びmは、各々、一般式IIにおけるX1、X2、L、R1、R2及びmと同義である。一般式IX中、n及びAnは一般式IIにおけるn及びAnと同義である。Z-は、OH-、F-、Cl-、Br-、I-、BF4-、AsF6-、SbF6-、PF6-又はClO4-を表す。一般式IVで表される化合物と、一般式IXで合わされる化合物の反応は、例えばアセトニトリル、水、メタノール、クロロホルム、塩化メチレン等の不活性溶媒中にて0°C~150°Cの温度範囲で攪拌して反応させることで、一般式IIで表される化合物を得ることができる。一般式IXで表される化合物の使用量は、一般式IVで表される化合物に対して特に制限無く用いることができるが、一般式IVで表される化合物1モル等量に対して、0.1~5モル等量用いることが好ましく、0.5~3モル等量用いることが特に好ましい。化合物Bは、1種類又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。化合物Bのレジスト組成物中の含有率は、レジスト組成物の全固形分を基準として、0.1~20質量が好ましく、より好ましくは、0.5~15質量、更に好ましくは1~15質量、特に好ましくは3~12質量である。また、化合物Bは、化合物B以外の酸発生剤以下、化合物B’ともいうと組み合わされて使用されても良い。化合物Bと組み合わせて使用することができる、化合物B’としては、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0150]に記載の酸発生剤が挙げられる。また、そのような併用可能な、化合物B’としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。更に、そのほかのジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、o-ニトロベンジルスルホネートを併用することができ、これらの活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物、たとえば、米国特許第3,849,137号明細書、独国特許第3914407号明細書、特開昭63-26653号公報、特開昭55-164824号公報、特開昭62-69263号公報、特開昭63-146038号公報、特開昭63-163452号公報、特開昭62-153853号公報、特開昭63-146029号公報等に記載の化合物を用いることができる。更に米国特許第3,779,778号明細書、欧州特許第126,712号明細書等に記載の光により酸を発生する化合物も使用することができる。化合物B’の内で好ましい化合物として、下記一般式ZI’、ZII’、ZIII’で表される化合物を挙げることができる。上記一般式ZI’において、R201、R202及びR203は、上述した一般式ZIにおける各々と同義である。Z’-は、非求核性アニオンを表す。Z’-としての非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチドアニオン等を挙げることができる。非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応による経時分解を抑制することができるアニオンである。これによりレジストの経時安定性が向上する。スルホン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなどが挙げられる。カルボン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなどが挙げられる。脂肪族スルホン酸アニオンにおける脂肪族部位は、アルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数1~30のアルキル基及び炭素数3~30のシクロアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基等を挙げることができる。芳香族スルホン酸アニオンにおける芳香族基としては、好ましくは炭素数6~14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基としては、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基好ましくは炭素数1~15、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~15、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~7、アシル基好ましくは炭素数2~12、アルコキシカルボニルオキシ基好ましくは炭素数2~7、アルキルチオ基好ましくは炭素数1~15、アルキルスルホニル基好ましくは炭素数1~15、アルキルイミノスルホニル基好ましくは炭素数2~15、アリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数6~20、アルキルアリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数7~20、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数10~20、アルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数5~20、シクロアルキルアルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数8~20等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基として更にアルキル基好ましくは炭素数1~15を挙げることができる。脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位としては、脂肪族スルホン酸アニオンおけると同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができる。芳香族カルボン酸アニオンにおける芳香族基としては、芳香族スルホン酸アニオンにおけると同様のアリール基を挙げることができる。アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数7~12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基等を挙げることができる。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、置換基を有していてもよい。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基の置換基としては、例えば、芳香族スルホン酸アニオンにおけると同様のハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチドアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基等を挙げることができる。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基等を挙げることができ、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。その他の非求核性アニオンとしては、例えば、弗素化燐、弗素化硼素、弗素化アンチモン等を挙げることができる。Z-の非求核性アニオンとしては、スルホン酸のα位がフッ素原子で置換された脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換された芳香族スルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたビスアルキルスルホニルイミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたトリスアルキルスルホニルメチドアニオンが好ましい。非求核性アニオンとして、より好ましくは炭素数4~8のパーフロロ脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸アニオン、更により好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロベンゼンスルホン酸アニオン、3,5-ビストリフロロメチルベンゼンスルホン酸アニオンである。なお、一般式ZI’で表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式ZI’で表される化合物のR201~R203の少なくとも1つが、一般式ZI’で表されるもうひとつの化合物のR201~R203の少なくとも一つと結合した構造を有する化合物であってもよい。更に好ましいZI’成分として、以下に説明する化合物ZI-1’、ZI-2’、及びZI-3’を挙げることができる。化合物ZI-1’は、上記一般式ZI’のR201~R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。化合物ZI-1’におけるR201~R203は、上述した化合物ZI-1におけるR201~R203と同様である。次に、化合物ZI-2’について説明する。化合物ZI-2’は、式ZI’におけるR201~R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。化合物ZI-2’におけるR201~R203は、上述した化合物ZI-2におけるR201~R203と同様である。化合物ZI-3’とは、以下の一般式ZI-3’で表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。一般式ZI-3’に於いて、R1c~R7c、Rx、Ryは、上述した一般式ZI-3における各々と同義である。Zc’-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZI’に於けるZ’-と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。一般式ZII’、ZIII’中、R204~R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。R204~R207のアリール基としては、前記一般式ZIIのR204、R205のアリール基に関して記載したものと同様の基を挙げることができる。R204~R207におけるアルキル基及びシクロアルキル基としては、前記一般式ZIIのR204、R205のアルキル基及びシクロアルキル基に関して記載したものと同様の基を挙げることができる。Z’-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZI’に於けるZ’-の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。化合物B’として、更に、下記一般式ZIV’、ZV’、ZVI’で表される化合物を挙げることができる。一般式ZIV’~ZVI’中、Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。R208、R209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。Ar3、Ar4、R208、R209及びR210のアリール基の具体例としては、上記一般式ZI-1’におけるR201、R202及びR203としてのアリール基の具体例と同様のものを挙げることができる。R208、R209及びR210のアルキル基及びシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ、上記一般式ZI-2’におけるR201、R202及びR203としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例と同様のものを挙げることができる。Aのアルキレン基としては、炭素数1~12のアルキレン例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基などを、Aのアルケニレン基としては、炭素数2~12のアルケニレン基例えば、エチニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基などを、Aのアリーレン基としては、炭素数6~10のアリーレン基例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基などを、それぞれ挙げることができる。化合物B’の内でより好ましくは、上記一般式ZI’~ZIII’で表される化合物である。また、化合物B’として、スルホン酸基又はイミド基を1つ有する酸を発生する化合物が好ましく、更に好ましくは1価のパーフルオロアルカンスルホン酸を発生する化合物、又は1価のフッ素原子又はフッ素原子を含有する基で置換された芳香族スルホン酸を発生する化合物、又は1価のフッ素原子又はフッ素原子を含有する基で置換されたイミド酸を発生する化合物であり、更により好ましくは、フッ化置換アルカンスルホン酸、フッ素置換ベンゼンスルホン酸、フッ素置換イミド酸又はフッ素置換メチド酸のスルホニウム塩である。使用可能な酸発生剤は、発生した酸のpKaが-1以下のフッ化置換アルカンスルホン酸、フッ化置換ベンゼンスルホン酸、フッ化置換イミド酸であることが特に好ましく、感度が向上する。化合物B’の中で、特に好ましい例を以下に挙げる。酸発生剤化合物B以外の酸発生剤が併用される場合、この酸発生剤の量も含むの全量は、レジスト組成物の全固形分を基準として、0.1~25質量が好ましく、0.5~20質量がより好ましく、1~20質量が更に好ましく、2~18質量が特に好ましく、2~13質量がとりわけ好ましい。化合物Bと化合物B’とを併用した場合の酸発生剤の使用量は、モル比化合物B/化合物B’で、通常99/1~20/80、好ましくは99/1~40/60、更に好ましくは99/1~50/50である。[3]C溶剤本発明におけるレジスト組成物を調製する際に使用することができる溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン好ましくは炭素数4~10、環を有しても良いモノケトン化合物好ましくは炭素数4~10、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、ピルビン酸アルキル等の有機溶剤を挙げることができる。これらの溶剤の具体例は、米国特許出願公開2008/0187860号明細書[0441]~[0455]に記載のものを挙げることができる。本発明においては、有機溶剤として構造中に水酸基を含有する溶剤と、水酸基を含有しない溶剤とを混合した混合溶剤を使用してもよい。水酸基を含有する溶剤、水酸基を含有しない溶剤としては前述の例示化合物が適宜選択可能であるが、水酸基を含有する溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル等が好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、別名1-メトキシ-2-プロパノール、乳酸エチルがより好ましい。また、水酸基を含有しない溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、アルキルアルコキシプロピオネート、環を含有しても良いモノケトン化合物、環状ラクトン、酢酸アルキルなどが好ましく、これらの内でもプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、別名1-メトキシ-2-アセトキシプロパン、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノン、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチルが特に好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノンが最も好ましい。水酸基を含有する溶剤と水酸基を含有しない溶剤との混合比質量は、1/99~99/1、好ましくは10/90~90/10、更に好ましくは20/80~60/40である。水酸基を含有しない溶剤を50質量以上含有する混合溶剤が塗布均一性の点で特に好ましい。溶剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含むことが好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート単独溶媒、又は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する2種類以上の混合溶剤であることが好ましい。[4]D疎水性樹脂本発明のレジスト組成物は、特に液浸露光に適用する際、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂以下、疎水性樹脂D又は単に樹脂Dともいうを含有してもよい。これにより、膜表層に疎水性樹脂Dが偏在化し、液浸媒体が水の場合、水に対するレジスト膜表面の静的/動的な接触角を向上させ、液浸水追随性を向上させることができる。疎水性樹脂Dは前述のように界面に偏在するものであるが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくても良い。疎水性樹脂は、典型的には、フッ素原子及び/又は珪素原子を含んでいる。疎水性樹脂Dに於けるフッ素原子及び/又は珪素原子は、樹脂の主鎖中に含まれていてもよく、側鎖中に含まれていてもよい。疎水性樹脂Dがフッ素原子を含んでいる場合、フッ素原子を有する部分構造として、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基を有する樹脂であることが好ましい。フッ素原子を有するアルキル基好ましくは炭素数1~10、より好ましくは炭素数1~4は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖又は分岐アルキル基であり、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された単環又は多環のシクロアルキル基であり、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するアリール基としては、フェニル基、ナフチル基などのアリール基の少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられ、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、及びフッ素原子を有するアリール基として、好ましくは、下記一般式F2~F4で表される基を挙げることができるが、本発明は、これに限定されるものではない。一般式F2~F4中、R57~R68は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基直鎖若しくは分岐を表す。但し、R57~R61少なくとも1つ、R62~R64の少なくとも1つ、及びR65~R68の少なくとも1つは、それぞれ独立に、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基好ましくは炭素数1~4を表す。R57~R61及びR65~R67は、全てがフッ素原子であることが好ましい。R62、R63及びR68は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基好ましくは炭素数1~4が好ましく、炭素数1~4のパーフルオロアルキル基であることが更に好ましい。R62とR63は、互いに連結して環を形成してもよい。一般式F2で表される基の具体例としては、例えば、p-フルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、3,5-ジトリフルオロメチルフェニル基等が挙げられる。一般式F3で表される基の具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロブチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ2-メチルイソプロピル基、ノナフルオロブチル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロヘキシル基、ノナフルオロ-t-ブチル基、パーフルオロイソペンチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロトリメチルヘキシル基、2,2,3,3-テトラフルオロシクロブチル基、パーフルオロシクロヘキシル基などが挙げられる。ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ2-メチルイソプロピル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロ-t-ブチル基、パーフルオロイソペンチル基が好ましく、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基が更に好ましい。一般式F4で表される基の具体例としては、例えば、-CCF32OH、-CC2F52OH、-CCF3CH3OH、-CHCF3OH等が挙げられ、-CCF32OHが好ましい。フッ素原子を含む部分構造は、主鎖に直接結合しても良く、更に、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合及びウレイレン結合よりなる群から選択される基、或いはこれらの2つ以上を組み合わせた基を介して主鎖に結合しても良い。フッ素原子を有する好適な繰り返し単位としては、以下に示すものが挙げられる。式中、R10及びR11は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。該アルキル基は、好ましくは炭素数1~4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる。W3~W6は、各々独立に、少なくとも1つ以上のフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記F2~F4の原子団が挙げられる。また、疎水性樹脂Dは、これら以外にも、フッ素原子を有する繰り返し単位として下記に示すような単位を有していてもよい。式中、R4~R7は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又はアルキル基を表す。該アルキル基は、好ましくは炭素数1~4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる。ただし、R4~R7の少なくとも1つはフッ素原子を表す。R4とR5若しくはR6とR7は環を形成していてもよい。W2は、少なくとも1つのフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記F2~F4の原子団が挙げられる。L2は、単結合、或いは2価の連結基を示す。2価の連結基としては、置換又は無置換のアリーレン基、置換又は無置換のアルキレン基、置換又は無置換のシクロアルキレン基、-O-、-SO2-、-CO-、-NR-式中、Rは水素原子又はアルキルを表す、-NHSO2-又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基を示す。Qは脂環式構造を表す。脂環式構造は置換基を有していてもよく、単環型でもよく、多環型でもよく、多環型の場合は有橋式であってもよい。単環型としては、炭素数3~8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数5以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数6~20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、ジシクロペンチル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基等を挙げることができる。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。Qとして特に好ましくはノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基等を挙げることができる。以下、フッ素原子を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、X1は、水素原子、-CH3、-F又は-CF3を表す。X2は、-F又は-CF3を表す。疎水性樹脂Dは、珪素原子を含有してもよい。珪素原子を有する部分構造として、アルキルシリル構造好ましくはトリアルキルシリル基、又は環状シロキサン構造を有する樹脂であることが好ましい。アルキルシリル構造、又は環状シロキサン構造としては、具体的には、下記一般式CS-1~CS-3で表される基などが挙げられる。一般式CS-1~CS-3に於いて、R12~R26は、各々独立に、直鎖若しくは分岐アルキル基好ましくは炭素数1~20又はシクロアルキル基好ましくは炭素数3~20を表す。L3~L5は、単結合又は2価の連結基を表す。2価の連結基としては、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、及びウレア結合よりなる群から選択される単独或いは2つ以上の組み合わせ好ましくは総炭素数12以下が挙げられる。nは、1~5の整数を表す。nは、好ましくは、2~4の整数である。以下、一般式CS-1~CS-3で表される基を有する繰り返し単位の具体例を挙げるが、本発明は、これに限定されるものではない。なお、具体例中、X1は、水素原子、-CH3、-F又は-CF3を表す。更に、疎水性樹脂Dは、下記x~zの群から選ばれる基を少なくとも1つを有していてもよい。x酸基yラクトン構造を有する基、酸無水物基、又は酸イミド基、z酸の作用により分解する基酸基xとしては、フェノール性水酸基、カルボン酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基等が挙げられる。好ましい酸基としては、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール、スルホンイミド基、ビスカルボニルメチレン基が挙げられる。酸基xを有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に、直接、酸基が結合している繰り返し単位、或いは、連結基を介して樹脂の主鎖に酸基が結合している繰り返し単位などが挙げられ、更には酸基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入することもでき、いずれの場合も好ましい。酸基xを有する繰り返し単位が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有していても良い。酸基xを有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂D中の全繰り返し単位に対し、1~50モルが好ましく、より好ましくは3~35モル、更に好ましくは5~20モルである。酸基xを有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。式中、Rxは水素原子、CH3、CF3、又は、CH2OHを表す。ラクトン構造を有する基、酸無水物基、又は酸イミド基yとしては、ラクトン構造を有する基が特に好ましい。これらの基を含んだ繰り返し単位は、例えば、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルによる繰り返し単位等の、樹脂の主鎖に直接この基が結合している繰り返し単位である。或いは、この繰り返し単位は、この基が連結基を介して樹脂の主鎖に結合している繰り返し単位であってもよい。或いは、この繰り返し単位は、この基を有する重合開始剤又は連鎖移動剤を重合時に用いて、樹脂の末端に導入されていてもよい。ラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位としては、例えば、先にA酸分解性樹脂の項で説明したラクトン構造を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。該ラクトン構造を有する基としてより好ましくは、下記一般式KA-1により表される部分構造を有するものである。この構造を有することにより、液浸液の後退接触角の向上などが期待される。一般式KA-1中、Zka1は、nkaが2以上の場合には各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシ基、アミド基、アリール基、ラクトン環基、又は電子求引性基を表す。nkaが2以上の場合、複数のZka1が互いに結合して、環を形成していてもよい。この環としては、例えば、シクロアルキル環、並びに、環状エーテル環及びラクトン環等のヘテロ環が挙げられる。nkaは0~10の整数を表す。nkaは、好ましくは0~8であり、より好ましくは0~5であり、更に好ましくは1~4であり、特に好ましくは1~3である。なお、一般式KA-1により表される構造は、樹脂の主鎖、側鎖、末端などに存在する部分構造であり、この構造中に含まれる少なくとも1つの水素原子を除いてなる1価以上の置換基として存在する。Zka1は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシ基又は電子求引性基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又は電子求引性基である。なお、エーテル基としては、アルキルエーテル基又はシクロアルキルエーテル基が好ましい。Zka1のアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキル基は、置換基を更に有していてもよい。Zka1のアルキル基は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基及びt-ブチル基等の炭素数が1~4のものであることが好ましい。Zka1のシクロアルキル基は、単環型であってもよく、多環型であってもよい。後者の場合、シクロアルキル基は、有橋式であってもよい。即ち、この場合、シクロアルキル基は、橋かけ構造を有していてもよい。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部は、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。単環型のシクロアルキル基としては、炭素数が3~8のものが好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基及びシクロオクチル基が挙げられる。多環型のシクロアルキル基としては、例えば、炭素数が5以上のビシクロ、トリシクロ又はテトラシクロ構造を有する基が挙げられる。この多環型のシクロアルキル基は、炭素数が6~20であることが好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α-ピネル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基及びアンドロスタニル基が挙げられる。これら構造は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、カルボキシ基、及びアルコキシカルボニル基が挙げられる。置換基としてのアルキル基は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基及びブチル基等の低級アルキル基であることが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基及びイソプロピル基であることが更に好ましい。置換基としてのアルコキシ基は、好ましくはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基及びブトキシ基等の炭素数が1~4のものが挙げられる。これら置換基としてのアルキル基及びアルコキシ基は、更なる置換基を有していてもよい。この更なる置換基としては、例えば、水酸基、ハロゲン原子及びアルコキシ基好ましくは炭素数1~4が挙げられる。Zka1のアリール基としては、例えば、フェニル基及びナフチル基が挙げられる。Zka1のアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が更に有し得る置換基としては、例えば、水酸基;ハロゲン原子;ニトロ基;シアノ基;上記のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基及びt-ブトキシ基等のアルコキシ基;メトキシカルボニル基及びエトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;ベンジル基、フェネチル基及びクミル基等のアラルキル基;アラルキルオキシ基;ホルミル基、アセチル基、ブチリル基、ベンゾイル基、シアナミル基及びバレリル基等のアシル基;ブチリルオキシ基等のアシルオキシ基;アルケニル基;ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、アリルオキシ基及びブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基;上記のアリール基;フェノキシ基等のアリールオキシ基;並びに、ベンゾイルオキシ基等のアリールオキシカルボニル基が挙げられる。Zka1の電子求引性基としては、例えば、ハロゲン原子、シアノ基、オキシ基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、ニトリル基、ニトロ基、スルホニル基、スルフィニル基、-CRf1Rf2-Rf3により表されるハロシクロアルキル基、ハロアリール基、及びこれらの組み合わせが挙げられる。なお、ハロシクロアルキル基とは、少なくとも1つの水素原子がハロゲン原子で置換されたシクロアルキル基を意味している。Zka1のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。これらのうち、フッ素原子が特に好ましい。-CRf1Rf2-Rf3により表されるハロシクロアルキル基において、Rf1は、ハロゲン原子、パーハロアルキル基、パーシクロハロアルキル基、又はパーハロアリール基を表す。このRf1は、フッ素原子、パーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基であることがより好ましく、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であることが更に好ましい。-CRf1Rf2-Rf3により表されるハロシクロアルキル基において、Rf2及びRf3は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子又は有機基を表す。この有機基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基及びアルコキシ基が挙げられる。これら基は、ハロゲン原子等の置換基を更に有していてもよい。Rf1~Rf3のうち少なくとも2つは、互いに結合して、環を形成していてもよい。この環としては、例えば、シクロアルキル環、ハロシクロアルキル環、アリール環、及びハロアリール環が挙げられる。Rf1~Rf3のアルキル基及びハロアルキル基としては、例えば、先にZka1について説明したアルキル基、及び、これらアルキル基の水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子により置換された基が挙げられる。上記のハロシクロアルキル基及びハロアリール基としては、例えば、先にZka1について説明したシクロアルキル基及びアリール基の水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子により置換された基が挙げられる。このハロシクロアルキル基及びハロアリール基としては、より好ましくは、-CnF2n-2Hにより表されるフルオロシクロアルキル基、及びパーフルオロアリール基などが挙げられる。ここで、炭素数nの範囲に特に制限はないが、nは5~13の整数であることが好ましく、nは6であることが特に好ましい。Rf2は、Rf1と同一の基であるか、又は、Rf3と結合して環を形成していることがより好ましい。上記の電子求引性基は、ハロゲン原子、ハロシクロアルキル基又はハロアリール基であることが特に好ましい。上記の電子求引性基は、フッ素原子の一部がフッ素原子以外の電子求引性基で置換されていてもよい。なお、電子求引性基が2価以上の基である場合、残りの結合手は、任意の原子又は置換基との結合に供される。この場合、上記の部分構造は、更なる置換基を介して疎水性樹脂の主鎖に結合していてもよい。上記一般式KA-1で表されるもののうち、更に、以下の一般式KY-1で表されるものが好ましい。KY-1式KY-1中、Rky6~Rky10は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシ基、シアノ基、アミド基、又はアリール基を表す。Rky6~Rky10のうち少なくとも2つが互いに結合して、環を形成していてもよい。Rky5は、電子求引性基を表す。電子求引性基としては、上記一般式KA-1におけるZka1と同様のものが挙げられる。この電子求引性基は、好ましくは、ハロゲン原子、前記-CRf1Rf2-Rf3により表されるハロシクロアルキル基、又はハロアリール基であり、これらの具体例は上記一般式KA-1における具体例と同様である。nkbは、0又は1を表す。Rkb1、Rkb2は、各々独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又は電子求引性基を表す。これら原子団として具体的には、上記一般式KA-1におけるZka1と同様のものが挙げられる。一般式KY-1により表される構造は、下記一般式KY-1-1により表される構造であることがより好ましい。KY―1-1式KY-1-1中、Zka1及びnkaの各々は、上記一般式KA-1におけるものと同義である。Rky5、Rkb1、Rkb2及びnkbの各々は、上記一般式KY-1におけるものと同義である。Lkyは、アルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。Lkyのアルキレン基としては、例えば、メチレン基及びエチレン基が挙げられる。Lkyは、酸素原子又はメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることがより好ましい。Lsは、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表し、複数ある場合は、同じでも異なっていてもよい。Rsは、nsが2以上の場合には各々独立に、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。nsが2以上の場合、複数のRsは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。nsは、-Rs-Ls-により表される連結基の繰り返し数であり、0~5の整数を表す。一般式KA-1で表される構造を有する繰り返し単位の好ましい具体例を以下に示すが、これに限定されない。Raは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。ラクトン構造を有する基、酸無水物基、又は酸イミド基を有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位を基準として、1~100モルであることが好ましく、3~98モルであることがより好ましく、5~95モルであることが更に好ましい。疎水性樹脂Dに於ける、酸の作用により分解する基zを有する繰り返し単位は、樹脂Aで挙げた酸分解性基を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。酸の作用により分解する基zを有する繰り返し単位が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有していても良い。疎水性樹脂Dに於ける、酸の作用により分解する基zを有する繰り返し単位の含有量は、樹脂D中の全繰り返し単位に対し、1~80モルが好ましく、より好ましくは10~80モル、更に好ましくは20~60モルである。疎水性樹脂Dは、更に、下記一般式IIIで表される繰り返し単位を有していてもよい。一般式IIIに於いて、Rc31は、水素原子、アルキル基、又はフッ素で置換されていても良いアルキル基、シアノ基又は-CH2-O-Rac2基を表す。式中、Rac2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Rc31は、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。Rc32は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基又はアリール基を有する基を表す。これら基はフッ素原子、珪素原子を含む基で置換されていても良い。Lc3は、単結合又は2価の連結基を表す。一般式IIIに於ける、Rc32のアルキル基は、炭素数3~20の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましい。シクロアルキル基は、炭素数3~20のシクロアルキル基が好ましい。アルケニル基は、炭素数3~20のアルケニル基が好ましい。シクロアルケニル基は、炭素数3~20のシクロアルケニル基が好ましい。アリール基は、炭素数6~20のフェニル基、ナフチル基が好ましく、これらは置換基を有していてもよい。Rc32は無置換のアルキル基又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。Lc3の2価の連結基は、アルキレン基好ましくは炭素数1~5、エーテル結合、フェニレン基、エステル結合-COO-で表される基が好ましい。一般式IIIにより表される繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位を基準として、1~100モルであることが好ましく、10~90モルであることがより好ましく、30~70モルであることが更に好ましい。疎水性樹脂Dは、更に、下記一般式CII-ABで表される繰り返し単位を有することも好ましい。式CII-AB中、Rc11’及びRc12’は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。Zc’は、結合した2つの炭素原子C-Cを含み、脂環式構造を形成するための原子団を表す。一般式CII-ABにより表される繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位を基準として、1~100モルであることが好ましく、10~90モルであることがより好ましく、30~70モルであることが更に好ましい。以下に一般式III、CII-ABで表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、CF3又はCNを表す。疎水性樹脂Dがフッ素原子を有する場合、フッ素原子の含有量は、疎水性樹脂Dの重量平均分子量に対し、5~80質量であることが好ましく、10~80質量であることがより好ましい。また、フッ素原子を含む繰り返し単位が、疎水性樹脂D中10~100モルであることが好ましく、30~100モルであることがより好ましい。疎水性樹脂Dが珪素原子を有する場合、珪素原子の含有量は、疎水性樹脂Dの重量平均分子量に対し、2~50質量であることが好ましく、2~30質量であることがより好ましい。また、珪素原子を含む繰り返し単位は、疎水性樹脂D中10~100モルであることが好ましく、20~100モルであることがより好ましい。疎水性樹脂Dの標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、好ましくは1,000~100,000で、より好ましくは1,000~50,000、更により好ましくは2,000~15,000である。また、疎水性樹脂Dは、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。疎水性樹脂Dの組成物中の含有率は、本発明の組成物中の全固形分に対し、0.01~10質量が好ましく、0.05~8質量がより好ましく、0.1~5質量が更に好ましい。疎水性樹脂Dは、樹脂A同様、金属等の不純物が少ないのは当然のことながら、残留単量体やオリゴマー成分が0.01~5質量であることが好ましく、より好ましくは0.01~3質量、0.05~1質量が更により好ましい。それにより、液中異物や感度等の経時変化のないレジスト組成物が得られる。また、解像度、レジスト形状、レジストパターンの側壁、ラフネスなどの点から、分子量分布Mw/Mn、分散度ともいうは、1~5の範囲が好ましく、より好ましくは1~3、更に好ましくは1~2の範囲である。疎水性樹脂Dは、各種市販品を利用することもできるし、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒、重合開始剤、反応条件温度、濃度等、及び、反応後の精製方法は、樹脂Aで説明した内容と同様であるが、疎水性樹脂Dの合成においては、反応の濃度が30~50質量であることが好ましい。以下に疎水性樹脂Dの具体例を示す。また、下記表1及び表2に、各樹脂における繰り返し単位のモル比各繰り返し単位と左から順に対応、重量平均分子量、分散度を示す。[5]E塩基性化合物本発明のレジスト組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減するために、E塩基性化合物を含有することが好ましい。塩基性化合物としては、好ましくは、下記式A~Eで示される構造を有する化合物を挙げることができる。一般式AとEにおいて、R200、R201及びR202は、同一でも異なってもよく、水素原子、アルキル基好ましくは炭素数1~20、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~20又はアリール基炭素数6~20を表し、ここで、R201とR202は、互いに結合して環を形成してもよい。R203、R204、R205及びR206は、同一でも異なってもよく、炭素数1~20個のアルキル基を表す。上記アルキル基について、置換基を有するアルキル基としては、炭素数1~20のアミノアルキル基、炭素数1~20のヒドロキシアルキル基又は炭素数1~20のシアノアルキル基が好ましい。これら一般式AとE中のアルキル基は、無置換であることがより好ましい。好ましい化合物として、グアニジン、アミノピロリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン、アミノアルキルモルフォリン、ピペリジン等を挙げることができ、更に好ましい化合物として、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウムカルボキシレート構造、トリアルキルアミン構造、アニリン構造又はピリジン構造を有する化合物、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体等を挙げることができる。イミダゾール構造を有する化合物としては、イミダゾール、2、4、5-トリフェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール等が挙げられる。ジアザビシクロ構造を有する化合物としては、1、4-ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン、1、5-ジアザビシクロ[4,3,0]ノナ-5-エン、1、8-ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデカー7-エン等が挙げられる。オニウムヒドロキシド構造を有する化合物としては、トリアリールスルホニウムヒドロキシド、フェナシルスルホニウムヒドロキシド、2-オキソアルキル基を有するスルホニウムヒドロキシド、具体的にはトリフェニルスルホニウムヒドロキシド、トリスt-ブチルフェニルスルホニウムヒドロキシド、ビスt-ブチルフェニルヨードニウムヒドロキシド、フェナシルチオフェニウムヒドロキシド、2-オキソプロピルチオフェニウムヒドロキシド等が挙げられる。オニウムカルボキシレート構造を有する化合物としては、オニウムヒドロキシド構造を有する化合物のアニオン部がカルボキシレートになったものであり、例えばアセテート、アダマンタンー1-カルボキシレート、パーフロロアルキルカルボキシレート等が挙げられる。トリアルキルアミン構造を有する化合物としては、トリn-ブチルアミン、トリn-オクチルアミン等を挙げることができる。アニリン構造を有する化合物としては、2,6-ジイソプロピルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、N,N-ジブチルアニリン、N,N-ジヘキシルアニリン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリスメトキシエトキシエチルアミン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体としては、N,N-ビスヒドロキシエチルアニリン等を挙げることができる。好ましい塩基性化合物として、更に、フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物を挙げることができる。前記フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物は、少なくとも1つのアルキル基が窒素原子に結合していることが好ましい。また、前記アルキル鎖中に、酸素原子を有し、オキシアルキレン基が形成されていることが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上、好ましくは3~9個、更に好ましくは4~6個である。オキシアルキレン基の中でも-CH2CH2O-、-CHCH3CH2O-若しくは-CH2CH2CH2O-の構造が好ましい。前記フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物の具体例としては、米国特許出願公開2007/0224539号明細書の[0066]に例示されている化合物C1-1~C3-3が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの塩基性化合物は、単独であるいは2種以上一緒に用いられる。塩基性化合物の使用量は、レジスト組成物の固形分を基準として、通常、0.001~10質量、好ましくは0.01~5質量である。酸発生剤と塩基性化合物の組成物中の使用割合は、酸発生剤/塩基性化合物モル比=2.5~300であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのレジストパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。酸発生剤/塩基性化合物モル比は、より好ましくは5.0~200、更に好ましくは7.0~150である。[6]F界面活性剤本発明のレジスト組成物は、更に界面活性剤を含有してもしなくても良く、含有する場合、フッ素及び/又はシリコン系界面活性剤フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を有する界面活性剤のいずれか、あるいは2種以上を含有することがより好ましい。本発明のレジスト組成物が界面活性剤を含有することにより、250nm以下、特に220nm以下の露光光源の使用時に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥の少ないレジストパターンを与えることが可能となる。フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤として、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0276]に記載の界面活性剤が挙げられ、例えばエフトップEF301、EF303、新秋田化成株製、フロラードFC430、431、4430住友スリーエム株製、メガファックF171、F173、F176、F189、F113、F110、F177、F120、R08大日本インキ化学工業株製、サーフロンS-382、SC101、102、103、104、105、106旭硝子株製、トロイゾルS-366トロイケミカル株製、GF-300、GF-150東亜合成化学株製、サーフロンS-393セイミケミカル株製、エフトップEF121、EF122A、EF122B、RF122C、EF125M、EF135M、EF351、EF352、EF801、EF802、EF601株ジェムコ製、PF636、PF656、PF6320、PF6520OMNOVA社製、FTX-204G、208G、218G、230G、204D、208D、212D、218D、222D株ネオス製等である。またポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製もシリコン系界面活性剤として用いることができる。また、界面活性剤としては、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法テロマー法ともいわれる若しくはオリゴメリゼーション法オリゴマー法ともいわれるにより製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を有する重合体を用いた界面活性剤を用いることが出来る。フルオロ脂肪族化合物は、特開2002-90991号公報に記載された方法によって合成することが出来る。上記に該当する界面活性剤として、メガファックF178、F-470、F-473、F-475、F-476、F-472大日本インキ化学工業株製、C6F13基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシアルキレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体、C3F7基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシエチレンアクリレート又はメタクリレートとポリオキシプロピレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体等を挙げることができる。また、本発明では、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0280]に記載の、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。これらの界面活性剤は単独で使用してもよいし、また、いくつかの組み合わせで使用してもよい。レジスト組成物が界面活性剤を含有する場合、界面活性剤の使用量は、レジスト組成物全量溶剤を除くに対して、好ましくは0.0001~2質量、より好ましくは0.0005~1質量である。一方、界面活性剤の添加量を、レジスト組成物全量溶剤を除くに対して、10ppm以下とすることで、疎水性樹脂の表面偏在性があがり、それにより、レジスト膜表面をより疎水的にすることができ、液浸露光時の水追随性を向上させることが出来る。[7]Gカルボン酸オニウム塩本発明におけるレジスト組成物は、カルボン酸オニウム塩を含有してもしなくても良い。このようなカルボン酸オニウム塩は、米国特許出願公開2008/0187860号明細書[0605]~[0606]に記載のものを挙げることができるこれらのカルボン酸オニウム塩は、スルホニウムヒドロキシド、ヨードニウムヒドロキシド、アンモニウムヒドロキシドとカルボン酸を適当な溶剤中酸化銀と反応させることによって合成できる。レジスト組成物がカルボン酸オニウム塩を含有する場合、その含有量は、組成物の全固形分に対し、一般的には0.1~20質量、好ましくは0.5~10質量、更に好ましくは1~7質量である。[8]Hその他の添加剤本発明のレジスト組成物には、必要に応じて更に染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、アルカリ可溶性樹脂、溶解阻止剤及び現像液に対する溶解性を促進させる化合物例えば、分子量1000以下のフェノール化合物、カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物等を含有させることができる。このような分子量1000以下のフェノール化合物は、例えば、特開平4-122938号、特開平2-28531号、米国特許第4,916,210、欧州特許第219294等に記載の方法を参考にして、当業者において容易に合成することができる。カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物の具体例としてはコール酸、デオキシコール酸、リトコール酸などのステロイド構造を有するカルボン酸誘導体、アダマンタンカルボン酸誘導体、アダマンタンジカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。本発明のレジスト組成物の固形分濃度は、通常1.0~10質量であり、好ましくは、2.0~5.7質量、更に好ましくは2.0~5.3質量である。固形分濃度を前記範囲とすることで、レジスト溶液を基板上に均一に塗布することができ、更にはラインエッジラフネスに優れたレジストパターンを形成することが可能になる。その理由は明らかではないが、恐らく、固形分濃度を10質量以下、好ましくは5.7質量以下とすることで、レジスト溶液中での素材、特には光酸発生剤の凝集が抑制され、その結果として、均一なレジスト膜が形成できたものと考えられる。固形分濃度とは、レジスト組成物の総重量に対する、溶剤を除く他のレジスト成分の重量の重量百分率である。[9]パターン形成方法本発明のパターン形成方法ネガ型パターン形成方法は、ア化学増幅型レジスト組成物により膜レジスト膜を形成する工程、イ該膜を露光する工程、及びウ有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を少なくとも有する。レジスト膜は、上記した本発明の化学増幅型レジスト組成物から形成されるものであり、より具体的には、基板上に形成されることが好ましい。本発明のパターン形成方法に於いて、レジスト組成物による膜を基板上に形成する工程、膜を露光する工程、及び現像工程は、一般的に知られている方法により行うことができる。また、本発明は、上記パターン形成方法に供せられる化学増幅型レジスト組成物にも関する。製膜後、露光工程の前に、前加熱工程PB;Prebakeを含むことも好ましい。また、露光工程の後かつ現像工程の前に、露光後加熱工程PEB;PostExposureBakeを含むことも好ましい。加熱温度はPB、PEB共に70~120°Cで行うことが好ましく、80~110°Cで行うことがより好ましい。加熱時間は30~300秒が好ましく、30~180秒がより好ましく、30~90秒が更に好ましい。加熱は通常の露光現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行っても良い。ベークにより露光部の反応が促進され、感度やパターンプロファイルが改善する。本発明における露光装置に用いられる光源波長に制限は無いが、KrFエキシマレーザー波長248nm、ArFエキシマレーザー波長193nmとF2エキシマレーザー波長157nm等を適用できる。また、本発明の露光を行う工程においては液浸露光方法を適用することができる。液浸露光方法とは、解像力を高める技術として、投影レンズと試料の間に高屈折率の液体以下、液浸液ともいうで満たし露光する技術である。前述したように、この液浸の効果はλ0を露光光の空気中での波長とし、nを空気に対する液浸液の屈折率、θを光線の収束半角としNA0=sinθとすると、液浸した場合、解像力及び焦点深度は次式で表すことができる。ここで、k1及びk2はプロセスに関係する係数である。解像力=k1λ0/n/NA0焦点深度=±k2λ0/n/NA02すなわち、液浸の効果は波長が1/nの露光波長を使用するのと等価である。言い換えれば、同じNAの投影光学系の場合、液浸により、焦点深度をn倍にすることができる。これは、あらゆるパターン形状に対して有効であり、更に、現在検討されている位相シフト法、変形照明法などの超解像技術と組み合わせることが可能である。液浸露光を行う場合には、1基板上に膜を形成した後、露光する工程の前に、及び/又は2液浸液を介して膜に露光する工程の後、膜を加熱する工程の前に、膜の表面を水系の薬液で洗浄する工程を実施してもよい。液浸液は、露光波長に対して透明であり、かつ膜上に投影される光学像の歪みを最小限に留めるよう、屈折率の温度係数ができる限り小さい液体が好ましいが、特に露光光源がArFエキシマレーザー波長;193nmである場合には、上述の観点に加えて、入手の容易さ、取り扱いのし易さといった点から水を用いるのが好ましい。水を用いる場合、水の表面張力を減少させるとともに、界面活性力を増大させる添加剤液体を僅かな割合で添加しても良い。この添加剤はウエハー上のレジスト層を溶解させず、かつレンズ素子の下面の光学コートに対する影響が無視できるものが好ましい。このような添加剤としては、例えば、水とほぼ等しい屈折率を有する脂肪族系のアルコールが好ましく、具体的にはメチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等が挙げられる。水とほぼ等しい屈折率を有するアルコールを添加することにより、水中のアルコール成分が蒸発して含有濃度が変化しても、液体全体としての屈折率変化を極めて小さくできるといった利点が得られる。一方で、193nm光に対して不透明な物質や屈折率が水と大きく異なる不純物が混入した場合、レジスト上に投影される光学像の歪みを招くため、使用する水としては、蒸留水が好ましい。更にイオン交換フィルター等を通して濾過を行った純水を用いてもよい。本発明において膜を形成する基板は特に限定されるものではなく、シリコン、SiN、SiO2やSiN等の無機基板、SOG等の塗布系無機基板等、IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造工程、更にはその他のフォトファブリケーションのリソグラフィー工程で一般的に用いられる基板を用いることができる。更に、必要に応じて有機反射防止膜を膜と基板の間に形成させても良い。本発明のパターン形成方法が、アルカリ現像液を用いて現像する工程を更に有する場合、アルカリ現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n-プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ-n-ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用することができる。更に、上記アルカリ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1~20質量である。アルカリ現像液のpHは、通常10.0~15.0である。特に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの2.38質量の水溶液が望ましい。アルカリ現像の後に行うリンス処理におけるリンス液としては、純水を使用し、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。有機溶剤を含有する現像液を用いて現像する工程における当該現像液以下、有機系現像液とも言うとしては、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤及び炭化水素系溶剤を用いることができる。ケトン系溶剤としては、例えば、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、アセトン、4-ヘプタノン、1-ヘキサノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、プロピレンカーボネート等を挙げることができる。エステル系溶剤としては、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルー3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等を挙げることができる。アルコール系溶剤としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール、n-デカノール等のアルコールや、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤等を挙げることができる。エーテル系溶剤としては、例えば、上記グリコールエーテル系溶剤の他、ジオキサン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。アミド系溶剤としては、例えば、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン等が使用できる。炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。上記の溶剤は、複数混合してもよいし、上記以外の溶剤や水と混合し使用してもよい。但し、本発明の効果を十二分に奏するためには、現像液全体としての含水率が10質量未満であることが好ましく、実質的に水分を含有しないことがより好ましい。すなわち、有機系現像液に対する有機溶剤の使用量は、現像液の全量に対して、90質量以上100質量以下であることが好ましく、95質量以上100質量以下であることが好ましい。特に、有機系現像液は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有する現像液であるのが好ましい。有機系現像液の蒸気圧は、20°Cに於いて、5kPa以下が好ましく、3kPa以下が更に好ましく、2kPa以下が特に好ましい。有機系現像液の蒸気圧を5kPa以下にすることにより、現像液の基板上あるいは現像カップ内での蒸発が抑制され、ウェハ面内の温度均一性が向上し、結果としてウェハ面内の寸法均一性が良化する。5kPa以下の蒸気圧を有する具体的な例としては、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶剤、酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等のエステル系溶剤、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール、n-デカノール等のアルコール系溶剤、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミドのアミド系溶剤、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。特に好ましい範囲である2kPa以下の蒸気圧を有する具体的な例としては、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン等のケトン系溶剤、酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等のエステル系溶剤、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール、n-デカノール等のアルコール系溶剤、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミドのアミド系溶剤、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。有機系現像液には、必要に応じて界面活性剤を適当量添加することができる。界面活性剤としては特に限定されないが、例えば、イオン性や非イオン性のフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤等を用いることができる。これらのフッ素及び/又はシリコン系界面活性剤として、例えば特開昭62-36663号公報、特開昭61-226746号公報、特開昭61-226745号公報、特開昭62-170950号公報、特開昭63-34540号公報、特開平7-230165号公報、特開平8-62834号公報、特開平9-54432号公報、特開平9-5988号公報、米国特許第5405720号明細書、同5360692号明細書、同5529881号明細書、同5296330号明細書、同5436098号明細書、同5576143号明細書、同5294511号明細書、同5824451号明細書記載の界面活性剤を挙げることができ、好ましくは、非イオン性の界面活性剤である。非イオン性の界面活性剤としては特に限定されないが、フッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を用いることが更に好ましい。界面活性剤の使用量は現像液の全量に対して、通常0.001~5質量、好ましくは0.005~2質量、更に好ましくは0.01~0.5質量である。現像方法としては、たとえば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法パドル法、基板表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法ダイナミックディスペンス法などを適用することができる。上記各種の現像方法が、現像装置の現像ノズルから現像液をレジスト膜に向けて吐出する工程を含む場合、吐出される現像液の吐出圧吐出される現像液の単位面積あたりの流速は好ましくは2mL/sec/mm2以下、より好ましくは1.5mL/sec/mm2以下、更に好ましくは1mL/sec/mm2以下である。流速の下限は特に無いが、スループットを考慮すると0.2mL/sec/mm2以上が好ましい。吐出される現像液の吐出圧を上記の範囲とすることにより、現像後のレジスト残渣に由来するパターンの欠陥を著しく低減することができる。このメカニズムの詳細は定かではないが、恐らくは、吐出圧を上記範囲とすることで、現像液がレジスト膜に与える圧力が小さくなり、レジスト膜レジストパターンが不用意に削られたり崩れたりすることが抑制されるためと考えられる。なお、現像液の吐出圧mL/sec/mm2は、現像装置中の現像ノズル出口における値である。現像液の吐出圧を調整する方法としては、例えば、ポンプなどで吐出圧を調整する方法や、加圧タンクからの供給で圧力を調整することで変える方法などを挙げることができる。また、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後に、他の溶媒に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後には、リンス液を用いて洗浄する工程を含むことが好ましい。有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後のリンス工程に用いるリンス液としては、レジストパターンを溶解しなければ特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができる。前記リンス液としては、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤の具体例としては、有機溶剤を含む現像液において説明したものと同様のものを挙げることができる。有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後に、より好ましくは、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行い、更に好ましくは、アルコール系溶剤又はエステル系溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行い、特に好ましくは、1価アルコールを含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行い、最も好ましくは、炭素数5以上の1価アルコールを含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行う。ここで、リンス工程で用いられる1価アルコールとしては、直鎖状、分岐状、環状の1価アルコールが挙げられ、具体的には、1-ブタノール、2-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、tert―ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、1-ヘキサノール、4-メチルー2-ペンタノール、1-ヘプタノール、1-オクタノール、2-ヘキサノール、シクロペンタノール、2-ヘプタノール、2-オクタノール、3-ヘキサノール、3-ヘプタノール、3-オクタノール、4-オクタノールなどを用いることができ、特に好ましい炭素数5以上の1価アルコールとしては、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、4-メチルー2-ペンタノール、1-ペンタノール、3-メチル-1-ブタノールなどを用いることができる。前記各成分は、複数混合してもよいし、上記以外の有機溶剤と混合し使用してもよい。リンス液中の含水率は、10質量以下が好ましく、より好ましくは5質量以下、特に好ましくは3質量以下である。含水率を10質量以下にすることで、良好な現像特性を得ることができる。有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後に用いるリンス液の蒸気圧は、20°Cに於いて0.05kPa以上、5kPa以下が好ましく、0.1kPa以上、5kPa以下が更に好ましく、0.12kPa以上、3kPa以下が最も好ましい。リンス液の蒸気圧を0.05kPa以上、5kPa以下にすることにより、ウェハ面内の温度均一性が向上し、更にはリンス液の浸透に起因した膨潤が抑制され、ウェハ面内の寸法均一性が良化する。リンス液には、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。リンス工程においては、有機溶剤を含む現像液を用いる現像を行ったウェハを前記の有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄処理する。洗浄処理の方法は特に限定されないが、たとえば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法回転塗布法、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面にリンス液を噴霧する方法スプレー法、などを適用することができ、この中でも回転塗布方法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を2000rpm~4000rpmの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。また、リンス工程の後に加熱工程PostBakeを含むことも好ましい。ベークによりパターン間及びパターン内部に残留した現像液及びリンス液が除去される。リンス工程の後の加熱工程は、通常40~160°C、好ましくは70~95°Cで、通常10秒~3分、好ましくは30秒から90秒間行う。以下、実施例により本発明を説明するが、本発明は、これらに限定されるものではない。合成例1樹脂A-1の合成窒素気流下、シクロヘキサノン40gを3つ口フラスコに入れ、これを80°Cに加熱した溶剤1。下記繰り返し単位に対応するモノマーをそれぞれモル比40/40/20の割合でシクロヘキサノンに溶解し、22質量のモノマー溶液400gを調製した。更に、重合開始剤V-601和光純薬工業製をモノマーに対し7.2モルを加え、溶解させた溶液を、上記溶剤1に対して6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に80°Cで2時間反応させた。反応液を放冷後ヘプタン3600ml/酢酸エチル400mlに注ぎ、析出した粉体をろ取、乾燥すると、樹脂A-1が74g得られた。得られた樹脂A-1の重量平均分子量は、8000、分散度Mw/Mnは、1.5であった。合成例2疎水性樹脂3bの合成化合物4の合成下記化合物1を、国際公開第07/037213号パンフレットに記載の方法で合成した。化合物135.00gに水150.00gを加え、更に水酸化ナトリウム27.30gを加えた。加熱、還流条件で、9時間攪拌した。塩酸を加え、酸性とした後、酢酸エチルで抽出した。有機層を合わせ、濃縮することにより化合物236.90gを得た収率93。1H-NMR400MHzinCD32CO:σppm=1.56-1.591H,1.68-1.721H,2.13-2.151H,2.13-2.472H,3.49-3.511H,3.681H,4.45-4.461H化合物220.00gにCHCl3200mlを加え、更に、1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロイソプロピルアルコール50.90g、4-ジメチルアミノピリジン30.00gを加え攪拌した。該溶液中に、1-エチル-3-3-ジメチルアミノプロピルカルボジイミド塩酸塩22.00gを加え、3時間攪拌した。1NのHCl500ml中に反応溶液を加え、反応を停止した。有機層を更に1NのHClで洗浄し、次に水で洗浄し、有機層を濃縮することにより化合物330.00gを得た収率85。1H-NMR400MHzinCD32CO:σppm=1.621H,1.91-1.951H,2.21-2.241H,2.45-2.532H,3.61-3.631H,3.761H,4.32-4.581H,6.46-6.531H化合物315.00gにトルエン300.00gを加え、更にメタクリル酸3.70g、p-トルエンスルホン酸1水和物4.20gを加え、生成する水を共沸により取り除きながら、15時間還流した。反応液を濃縮し、濃縮物をカラムクロマトグラフィーで精製することにより化合物411.70gを得た収率65。1H-NMR400MHzinCD32CO:σppm=1.76-1.791H,1.933H,2.16-2.222H,2.57-2.611H,2.76-2.811H,3.73-3.741H,4.731H,4.84-4.861H,5.69-5.701H,6.121H,6.50-6.561H疎水性樹脂3bの合成下記繰り返し単位に対応するモノマーを各々90/8/2の割合モル比で仕込み、PGMEAに溶解し、固形分濃度15質量の溶液450gを調製した。この溶液に和光純薬製重合開始剤V-60を1モル加え、これを窒素雰囲気下、6時間かけて、100°Cに加熱したPGMEA50gに滴下した。滴下終了後、反応液を2時間撹拌した。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、メタノール5Lに晶析、析出した白色粉体を濾取し、目的物である樹脂3bを回収した。NMRから求めたポリマー組成比モル比は90/8/2であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は10000、分散度1.5であった。各繰り返し単位に対応するモノマーを、所望の組成比モル比となるように使用した以外は、上記合成例1及び2と同様にして、樹脂A-2~A-11、疎水性樹脂1b及び2bを合成した。ここで、疎水性樹脂1b~3bは、上記疎水性樹脂Dに対応する。以下、樹脂A-2~A-11及び樹脂1b及び2bの構造を示す。また、上記した樹脂A-1及び樹脂3bと共に、樹脂A-2~A-11及び樹脂1b及び2bの組成比モル比、重量平均分子量、分散度を、表3に示す。合成例3酸発生剤B-2の合成化合物P-1は、特開2008-170983号公報に記載の方法を参考に合成した。化合物P-13g、純度62.5をテトラヒドロフランTHF20gに溶解した後、1-アダマンタンメチルアミン2.27gを加え、室温で12時間攪拌した。反応液をエバポレーターにて濃縮し、P-2を粗生成物白色固体として得た。得られた粗成生物を水20gとアセトニトリル20gの混合液に溶解した後、トリフェニルスルホニウムブロミド4.29gを加え、15分間攪拌した。反応液をエバポレーターにて濃縮し、アセトニトリルを除いた後、クロロホルムそれぞれ50gを用いて2回抽出を行い、有機層を脱イオン水それぞれ100gを用いて3回洗浄した。有機層をエバポレーターで濃縮し、化合物B-2を白色固体として得た4.53g、収率62。1HNMRスペクトルDMSO-d6:σppm1.4296H,d,1.5986H,dd,1.9003H,s,2.5022H,m,7.768-7.88715H,m,7.889-8.0001H,M他の酸発生剤についても同様の手法を用いて合成した。以下、酸発生剤B-1~B-34の構造を示す。ここで、酸発生剤B-1~B-12及びB-24~B-34は上記化合物Bに対応し、酸発生剤B-13~B-23は上記化合物B’に対応する。<レジスト組成物の調製>下記表4に示す成分を表4に示す溶剤に溶解させ、固形分濃度3.5質量の溶液を調製し、それぞれを0.03μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターでろ過して、レジスト組成物Ar-1~Ar-45、Ref-Ar-1、Ref-Ar-2のレジスト組成物を調製した。表4中、溶剤以外の各成分の濃度値は、レジスト組成物の全固形分を基準とした値である。表4における略号は、次の通りである。C-1~C-11:各々下記化合物を示す。W-1:メガファックF176大日本インキ化学工業株製W-2:メガファックR08大日本インキ化学工業株製W-3:PF6320A1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートA2:γ-ブチロラクトンA3:シクロヘキサノンB1:プロピレングリコールモノメチルエーテルB2:乳酸エチル調製したレジスト組成物を用い、下記の方法でレジストパターンを形成した。実施例11回露光→ネガ現像:略号E-B-Nシリコンウェハ上に、有機反射防止膜ARC29A日産化学工業株式会社製を塗布した。次いで、これを、205°Cで60秒間に亘ってベークした。このようにして、膜厚が86nmの反射防止膜を形成した。この反射防止膜上に、レジスト組成物Ar-1を塗布し、100°Cで60秒間に亘ってベークを行い、平均膜厚が0.10μmのレジスト膜を形成した。このレジスト膜に対し、ArFエキシマレーザースキャナーASML社製PAS5500/1100、NA0.75、Dipole、σo/σi=0.89/0.65を用い、線幅75nmの1:1ラインアンドスペースパターンの6ハーフトーンマスクを通して露光した。その後、レジスト膜を、90°Cで60秒間に亘ってベークした後、有機溶剤系現像液酢酸ブチルに30秒間に亘って浸した。この現像処理後、リンス液4-メチル-2-ペンタノールを用いてリンスし、これをスピン乾燥させて、線幅75nmの1:1ラインアンドスペースのレジストパターンを形成した。実施例2~36及び比較例1,2表5に記載のレジスト組成物を採用した以外は、実施例1の方法と同様にして、線幅75nmの1:1ラインアンドスペースのレジストパターンを形成した。実施例371回露光→ポジ現像→ネガ現像:略号E-B-P-Nシリコンウェハ上に、有機反射防止膜ARC29A日産化学工業株式会社製を塗布した。次いで、これを、205°Cで60秒間に亘ってベークした。このようにして、膜厚が86nmの反射防止膜を形成した。この反射防止膜上に、レジスト組成物Ar-1を塗布し、100°Cで60秒間に亘ってベークを行い、平均膜厚が0.10μmのレジスト膜を形成した。このレジスト膜に対し、ArFエキシマレーザースキャナーASML社製PAS5500/1100、NA0.75、Dipole、σo/σi=0.89/0.65を用い、線幅240nmの1:1ラインアンドスペースパターンの6ハーフトーンマスクを通して露光した。その後、レジスト膜を、105°Cで60秒間に亘ってベークした後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液2.38質量で30秒間現像し、純水でリンスし、ピッチ480nm、線幅360nmのパターンを得た。次に、有機溶剤系現像液酢酸ブチルで30秒間現像し、リンス液4-メチル-2-ペンタノールでリンスした後、4000rpmの回転数で30秒間ウェハを回転させることにより、線幅120nmの1:1ラインアンドスペースのレジストパターンを得た。比較例3レジスト組成物Ref-Ar-2を採用した以外は、実施例37の方法と同様にして、線幅120nmの1:1ラインアンドスペースのレジストパターンを形成した。実施例381回露光→ネガ現像→ポジ現像:略号E-B-N-Pシリコンウエハー上に、有機反射防止膜ARC29A日産化学工業株式会社製を塗布した。次いで、これを205°Cで60秒間に亘ってベークした。このようにして、膜厚86nmの反射防止膜を形成した。この反射防止膜上に、レジスト組成物Ar-1を塗布し、100°Cで60秒間に亘ってベークを行い、平均膜厚が0.10μmのレジスト膜を形成した。このレジスト膜に対し、ArFエキシマレーザースキャナーASML社製PAS5500/1100、NA0.75、Dipole、σo/σi=0.89/0.65を用い、線幅200nmの1:1ラインアンドスペースパターンの6ハーフトーンマスクを通して露光した。その後、レジスト膜を、105°Cで60秒間に亘ってベークした後、有機溶剤系現像液酢酸ブチルで30秒間現像し、リンス液4-メチル-2-ペンタノールでリンスした後、4000rpmの回転数で30秒間ウェハを回転させることにより、ピッチ400nm、線幅300nmのパターンを得た。次に、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液2.38質量で30秒間現像し、純水でリンスし、線幅100nmの1:1ラインアンドスペースのレジストパターンを得た。比較例4レジスト組成物Ref-Ar-2を採用した以外は、実施例38の方法と同様にして、線幅100nmの1:1ラインアンドスペースのレジストパターンを形成した。実施例392回露光→ネガ現像:略号E-E-B-Nシリコンウエハー上に、有機反射防止膜ARC29A日産化学工業株式会社製を塗布した。次いで、これを205°Cで60秒間に亘ってベークした。このようにして、膜厚86nmの反射防止膜を形成した。この反射防止膜上に、レジスト組成物Ar-1を塗布し、100°Cで60秒間に亘ってベークを行い、平均膜厚が0.10μmのレジスト膜を形成した。このレジスト膜に対し、ArFエキシマレーザースキャナーASML社製PAS5500/1100、NA0.75、Dipole、σo/σi=0.89/0.65を用い、線幅75nmの1:1ラインアンドスペースパターンの6ハーフトーンマスクを通して、第1のパターン露光を行った。次いで、同マスクを、第1の露光と直交する方向に回転し、これを介して、第2のパターン露光を行った。その後105°Cで、60秒間加熱した後、有機溶剤系現像液酢酸ブチルで30秒間パドルして現像ネガ型現像し、リンス液4-メチル-2-ペンタノールで30秒間パドルしてリンスした後、4000rpmの回転数で30秒間ウェハを回転させることにより、ピッチ150nm、孔径75nmのホールパターンを得た。実施例401回露光→ベーク→ポジ現像→ベーク→ネガ現像:略号E-B-P-B-Nシリコンウエハー上に、有機反射防止膜ARC29A日産化学工業株式会社製を塗布した。次いで、これを205°Cで60秒間に亘ってベークした。このようにして、膜厚86nmの反射防止膜を形成した。この反射防止膜上に、レジスト組成物Ar-1を塗布し、100°Cで60秒間に亘ってベークを行い、平均膜厚が0.10μmのレジスト膜を形成した。このレジスト膜に対し、ArFエキシマレーザースキャナーASML社製PAS5500/1100、NA0.75、Dipole、σo/σi=0.89/0.65を用い、線幅200nmの1:1ラインアンドスペースパターンの6ハーフトーンマスクを通して露光した。その後、レジスト膜を、95°Cで60秒間に亘ってベークした後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液2.38質量で30秒間現像し、純水でリンスし、ピッチ400nm、線幅300nmのパターンを得た。次に、105°Cで60秒間に亘ってベークした後、有機溶剤系現像液酢酸ブチルで30秒間現像し、リンス液4-メチル-2-ペンタノールでリンスした後、4000rpmの回転数で30秒間ウェハを回転させることにより、線幅100nmの1:1ラインアンドスペースのレジストパターンを得た。実施例411回露光→ベーク→ネガ現像→ベーク→ポジ現像:略号E-B-N-B-Pシリコンウエハー上に、有機反射防止膜ARC29A日産化学工業株式会社製を塗布した。次いで、これを205°Cで60秒間に亘ってベークした。このようにして、膜厚86nmの反射防止膜を形成した。この反射防止膜上に、レジスト組成物Ar-1を塗布し、100°Cで60秒間に亘ってベークを行い、平均膜厚が0.10μmのレジスト膜を形成した。このレジスト膜に対して、ArFエキシマレーザースキャナーASML社製PAS5500/1100、NA0.75、Dipole、σo/σi=0.89/0.65を用い、線幅200nmの1:1ラインアンドスペースパターンの6ハーフトーンマスクを通して露光した。その後、レジスト膜を、95°Cで60秒間に亘ってベークした後、有機溶剤系現像液酢酸ブチルで30秒間現像し、リンス液4-メチル-2-ペンタノールでリンスした後、4000rpmの回転数で30秒間ウェハを回転させることにより、ピッチ400nm、線幅300nmのパターンを得た。次に、105°Cで60秒間に亘ってベークした後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液2.38質量で30秒間現像し、純水でリンスし、線幅100nmの1:1ラインアンドスペースのレジストパターンを得た。<評価方法>感度Eopt測長走査型電子顕微鏡SEM株日立製作所S-9260により線幅を観察し、線幅75nmの1:1ラインアンドスペースただし、実施例37、比較例3に関しては線幅120nmの1:1ラインアンドスペース、実施例38、40、41、比較例4に関しては、線幅100nmの1:1ラインアンドスペース、実施例39に関してはピッチ150nm、孔径75nmのホールパターンのレジストパターンを解像する時の最適露光量多重現像の場合は、最終的に多重現像を経た後に、上記ラインアンドスペースのレジストパターンを形成する露光量を意味し、多重露光の場合は、上記ラインアンドスペースのレジストパターンを形成するための第1回目の露光量を意味するを感度EoptmJ/cm2とした。この値が小さいほど、感度が高い。露光ラチチュードEL各実施例及び比較例のパターン形成に関して上記最適露光量から露光量を変化させた際に、各実施例及び比較例におけるパターンサイズの±10を許容する露光量幅を求め、この値を感度Eoptで割って百分率表示した。値が大きいほど露光量変化による性能変化が小さく、露光ラチチュードELが良好である。ラインウィズスラフネスLWR線幅75nmの1:1ラインアンドスペースただし、実施例37、比較例3に関しては線幅120nmの1:1ラインアンドスペース、実施例38、40、41、比較例4に関しては、線幅100nmの1:1ラインアンドスペースのレジストパターンを測長走査型電子顕微鏡SEM株日立製作所S-9260を使用して観察し、スペースパターンの長手方向2μmの範囲を等間隔で50点線幅を測定し、その標準偏差から3σを算出することで測定した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。マスクエラーエンハンスメントファクターMEEF各実施例及び比較例で使用したマスクに関し、マスクのピッチ線幅とスペース幅の和は固定したまま、マスクの線幅を変更し、各実施例及び比較例における上記最適露光量で、各実施例及び比較例の方法に従ってパターン形成した時の、得られたパターンの線幅ただし、実施例39においてはホールパターンの直径変化の傾きの絶対値をMEEFとした。すなわち、次式で定義されるMEEFを算出した。この値が1に近いほど、レジストとしての性能は良好である。パターンの線幅nm=a×マスクの線幅変化量nmbaの絶対値=MEEF、b=定数パターン形状上記の感度を示す露光量における各パターンの断面形状を、走査型電子顕微鏡日立製作所製S-4800を用いて観察し、以下の基準に従って、パターン形状の評価を行った。5:断面形状が矩形であり、定在波効果が観測されない場合。4:断面形状がほぼ矩形であり、定在波効果が観測されない場合。3:断面形状がほぼ矩形であり、定在波効果が部分的に観測される場合。2:断面形状がテーパ状であり、定在波効果が部分的に観測される場合。1:断面形状がテーパ状であり、定在波効果が観測される場合。表5から、一般式Iで表されるスルホン酸を発生する酸発生剤を使用しない比較例のパターン形成方法と比較して、本発明のパターン形成方法によれば、感度、露光ラチチュードEL、マスクエラーエンハンスメントファクターMEEF、パターン形状に優れ、線幅バラツキLWRを低減できることが分かった。実施例421回露光→ネガ現像:略号iE-B-Nシリコンウェハ上に、有機反射防止膜用の被覆剤ARC29A日産化学工業株式会社製を塗布した。次いで、これを、205°Cで60秒間に亘ってベークした。このようにして、膜厚が86nmの反射防止膜を形成した。この反射防止膜上に、レジスト組成物Ar-31を塗布し、100°Cで60秒間に亘ってベークを行い、平均膜厚が0.10μmのレジスト膜を形成した。このレジスト膜に対し、ArFエキシマレーザー液浸スキャナーASML社製XT1700i、NA1.20、C-Quad、アウターシグマ0.981、インナーシグマ0.895、XY偏向を用い、線幅75nmの1:1ラインアンドスペースパターンの6ハーフトーンマスクを通して露光した。液浸液としては純水を使用した。その後、レジスト膜を、90°Cで60秒間に亘ってベークした後、有機溶剤系現像液酢酸ブチルに30秒間に亘って浸した。この現像処理後、リンス液4-メチル-2-ペンタノールを用いてリンスし、これをスピン乾燥させて、線幅75nmの1:1ラインアンドスペースのレジストパターンを形成した。実施例43レジスト組成物Ar-32を採用した以外は、実施例42の方法と同様にして、線幅75nmの1:1ラインアンドスペースのレジストパターンを形成した。実施例44レジスト組成物Ar-33を採用した以外は、実施例42の方法と同様にして、線幅75nmの1:1ラインアンドスペースのレジストパターンを形成した。実施例45~50それぞれ、レジスト組成物Ar-40~Ar-45を採用した以外は、実施例42の方法と同様にして、線幅75nmの1:1ラインアンドスペースのレジストパターンを形成した。実施例42~50に関して、先の実施例、比較例と同様の手法によって、感度、露光ラチチュードEL、線幅バラツキLWR、マスクエラーエンハンスメントファクターMEEF、パターン形状を測定したところ、実施例1,2と同様の優れた結果が得られた。すなわち、本発明のパターン形成方法は、液浸露光を用いたパターン形成方法にも好適に用いられうることが分かった。"