"基板と、前記基板の主面に形成される基板電極と、前記基板の主面に対する裏面に形成される再配線と、前記基板を貫通して前記基板電極および前記再配線を電気的に接続する導体を内包する貫通電極と、前記再配線上の一部を含む前記基板の主面上の一部および前記貫通電極内部に形成される絶縁樹脂と、前記基板の裏面側の前記貫通電極上に形成されて前記絶縁樹脂から突出する突起とを有することを特徴とするインターポーザ。前記突起の突出量が前記絶縁樹脂から5~20μmであることを特徴とする請求項1記載のインターポーザ。前記突起を前記絶縁樹脂と同じ絶縁材料で形成することを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載のインターポーザ。前記貫通電極の前記基板の裏面における断面形状の中心あるいは重心と前記突起の前記絶縁樹脂表面における断面形状の中心あるいは重心とが一致することを特徴とする請求項1~請求項3のいずれかに記載のインターポーザ。前記基板がSi半導体基板であることを特徴とする請求項1~請求項4のいずれかに記載のインターポーザ。基板の表裏を貫通する貫通孔を形成する工程と、前記基板の主面の前記貫通孔上に基板電極を形成する工程と、前記基板の主面に対する裏面の再配線および前記貫通孔内の導体を形成する工程と、常温より高い第1の温度および大気圧より低い第1の気圧の雰囲気で前記基板の主面上に絶縁樹脂を貼り付ける工程と、前記大気圧に昇圧して前記絶縁樹脂の一部を前記貫通孔内に充填する工程と、前記基板の主面上に残った前記絶縁樹脂の一部を選択的に除去する工程と、前記第1の温度に昇温して前記貫通孔上の前記絶縁樹脂を平坦化する工程と、前記第1の温度より高い第2の温度に昇温して前記絶縁樹脂を硬化させると共に前記貫通孔上の前記絶縁樹脂を膨張させて突起を形成する工程とを有することを特徴とするインターポーザの製造方法。前記平坦化の際の前記第1の温度への昇温を、10°C/min以上の昇温速度で行うことを特徴とする請求項6記載のインターポーザの製造方法。前記第1の温度が80°C~100°Cであることを特徴とする請求項6または請求項7のいずれかに記載のインターポーザの製造方法。前記第2の温度が150°C以上であることを特徴とする請求項6~請求項8のいずれかに記載のインターポーザの製造方法。前記第1の気圧が150Paであることを特徴とする請求項6~請求項9のいずれかに記載のインターポーザの製造方法。前記基板がSi半導体基板であることを特徴とする請求項6~請求項10のいずれかに記載のインターポーザの製造方法。しかしながら、前記従来のインターポーザでは、システムLSI、メモリーICなどの半導体装置の電極に形成したSn-Ag-Cuなどの半田バンプをインターポーザ100の電極106にフリップチップ実装する場合、半導体装置側の半田バンプとインターポーザ100側のAu、又はCuなどの電極106が接触する際に半田バンプの半田を溶融する必要がある。このため、ボンディングステージ上にインターポーザ100を載せ、半導体装置側の半田バンプを加熱する。このインターポーザ100上の半田の融点は220°Cを越える温度である。このため、装置の熱源から熱伝達のロスを考慮し、半田と電極の接触界面の到達温度を確実に安定させ、半田を溶融接合するためにはボンディングステージの表面温度設定は300°Cを超えるものとなる。このようにシステムLSI、メモリーICなどの半導体装置の電極に形成したSn-Ag-Cuなどの半田バンプをインターポーザ100の電極106にフリップチップ実装する場合、ボンディングステージにインターポーザ100の底面が接触するため、貫通電極6に充填したエポキシ、又はアクリル、又はポリイミド系の有機材料の絶縁樹脂13が高温により熱分解して低分子化され変質する。この時、ボンディングステージに絶縁樹脂13が接着し、ボンディングステージと絶縁樹脂13が剥がれなくなり、フリップチップ実装の組立生産できなくなるという課題を有している。本発明は、前記従来の課題を解決するもので、インターポーザに半導体装置を実装する際の、実装不良を抑制することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明のインターポーザは、基板と、前記基板の主面に形成される基板電極と、前記基板の主面に対する裏面に形成される再配線と、前記基板を貫通して前記基板電極および前記再配線を電気的に接続する導体を内包する貫通電極と、前記再配線上の一部を含む前記基板の主面上の一部および前記貫通電極内部に形成される絶縁樹脂と、前記基板の裏面側の前記貫通電極上に形成されて前記絶縁樹脂から突出する突起とを有することを特徴とする。また、前記突起の突出量が前記絶縁樹脂から5~20μmであることが好ましい。また、前記突起を前記絶縁樹脂と同じ絶縁材料で形成することが好ましい。また、前記貫通電極の前記基板の裏面における断面形状の中心あるいは重心と前記突起の前記絶縁樹脂表面における断面形状の中心あるいは重心とが一致しても良い。さらに、本発明のインターポーザの製造方法は、基板の表裏を貫通する貫通孔を形成する工程と、前記基板の主面の前記貫通孔上に基板電極を形成する工程と、前記基板の主面に対する裏面の再配線および前記貫通孔内の導体を形成する工程と、常温より高い第1の温度および大気圧より低い第1の気圧の雰囲気で前記基板の主面上に絶縁樹脂を貼り付ける工程と、前記大気圧に昇圧して前記絶縁樹脂の一部を前記貫通孔内に充填する工程と、前記基板の主面上に残った前記絶縁樹脂の一部を選択的に除去する工程と、前記第1の温度に昇温して前記貫通孔上の前記絶縁樹脂を平坦化する工程と、前記第1の温度より高い第2の温度に昇温して前記絶縁樹脂を硬化させると共に前記貫通孔上の前記絶縁樹脂を膨張させて突起を形成する工程とを有することを特徴とする。また、前記平坦化の際の前記第1の温度への昇温を、10°C/min以上の昇温速度で行うことが好ましい。また、前記第1の温度が80°C~100°Cであることが好ましい。また、前記第2の温度が150°C以上であることが好ましい。また、前記第1の気圧が150Paであることが好ましい。また、前記基板がSi半導体基板であっても良い。以上により、インターポーザに半導体装置を実装する際の、実装不良を抑制することができる。以上のように、貫通電極の絶縁樹脂上に、突起を設けることにより、半田バンプを介してインターポーザに半導体装置を実装する際の加熱により、絶縁樹脂が熱分解により低分子化され変質する率を低減し、実装不良を抑制することができる。以下本発明のインターポーザおよびインターポーザの製造方法について、図面を参照しながら説明する。図1は本発明のインターポーザの構造を示す断面図であり、図2は本発明の半導体装置をインターポーザに搭載する方法を説明する断面図である。図1,図2において、図5,図6と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。図1に示すように、本発明のインターポーザ16は、Si等の半導体あるいは絶縁体からなる基板、例えば半導体基板4の表裏を貫通し、絶縁樹脂13が充填された貫通電極6を有する。また、半導体基板4の表面の貫通電極6上に基板電極5が形成される。また、半導体基板4の裏面には再配線17が形成される。貫通電極6の内面に沿って、基板電極5と再配線17とを電気的に接続する導体18が形成される。また、再配線17上を含む半導体基板4の裏面上には、実装時にBGA等の電極が形成される領域の再配線17を露出する開口部を設けた絶縁樹脂からなるラミネートタイプフォトレジスト膜19が形成される。ラミネートタイプフォトレジスト膜19は絶縁樹脂13と同じ材料で形成されても良い。さらに、本発明のインターポーザ16では、半導体基板4の裏面側の貫通電極6上に高さhの絶縁樹脂からなる突起20が形成されることを特徴とする。突起20の高さhは、ラミネートタイプフォトレジスト膜19より5~20μm程度突出させる高さとする。このようなインターポーザ16に半導体装置1を搭載する際には、図2に示すように、まず、ボンディングステージ15と突起20とが接するように、ボンディングステージ15上にインターポーザ16を載置する。次に、半導体電極2と半導体電極2上に半田バンプ3とが形成された半導体装置1を、半田バンプ3と基板電極5とが接するように搭載する。次に、半田バンプ3を加熱溶融後、冷却して、半田バンプ3を介して半導体装置1をインターポーザ16に固定する。半田バンプ3の加熱の際には、ボンディングステージ15が加熱され、ボンディングステージ15の熱がインターポーザ16に伝達される。しかしながら、本発明のインターポーザ16のように、インターポーザ16に突起20を設け、突起20を介してインターポーザ16をボンディングステージ15上に搭載することにより、絶縁樹脂13とボンディングステージ15とが突起20のみで接触し、絶縁樹脂13であるラミネートタイプフォトレジスト膜19表面全面を介してインターポーザ16をボンディングステージ15上に搭載する従来の構成に比べて絶縁樹脂13とボンディングステージ15との接触面積が小さくなるため、ボンディングステージ15から絶縁樹脂13に伝熱される熱量が抑制されて絶縁樹脂13の加熱が抑制され、絶縁樹脂13が高温により熱分解して低分子化されて変質することを抑制し、組立不良を防止することができる。例えば、絶縁材料13の突起20がボンディングステージ15に接触する面積を全体の5以下程度することができ、結果として絶縁樹脂13がボンディングステージ15に接合することが抑制でき、実装不良等を低減させて生産することができる。ここで、絶縁樹脂からなる突起20は、貫通電極6の半導体基板4の裏面における断面形状の中心あるいは重心と突起20の断面形状の中心あるいは重心とが一致するように配置することが好ましい。これにより半導体装置1をインターポーザ16にマウントする際の荷重負荷加速度による応力負荷を効率的に分散させ、半導体装置1に伝わるダメージを減少させ、絶縁樹脂13の破壊,変形による半導体装置1の位置決め不良による組立不良を防止することもできる。また、貫通電極6はインターポーザ16の端子数に応じて形成されるが、突起20は全ての貫通電極6上に形成することは要さず、ボンディングステージ15上にインターポーザ16を安定して支持できる箇所および個数の突起20を形成すれば効果を奏する。次に、図3を用いて本発明のインターポーザの製造方法を説明する。図3は本発明のインターポーザの製造方法における貫通電極形成工程を説明する工程断面図であり、Siインターポーザ16の貫通電極6に表面を保護する絶縁樹脂13を充填するプロセスを示す断面図である。図3において、図5,図6と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。まず、半導体基板4の表裏を貫通する貫通孔を形成し、貫通孔の半導体基板4表面側に基板電極5を形成する。次に、温度90°C、気圧150Paの減圧下で、半導体基板4上に絶縁樹脂13を貼り付ける図3a。その後、雰囲気を大気圧約1e5Paに戻す。その結果、90°Cに昇温されることにより流動性を増している絶縁樹脂13が、貫通孔内との気圧差により貫通孔内に充填されて貫通電極6が形成される。この際、貫通電極6上の絶縁樹脂13は貫通孔内に流入されるため、表面に窪みが形成される。これに対応して、貼り付ける絶縁樹脂13の厚みを従来の厚みより大きくし、貫通孔の周囲の半導体基板4表面に残存する絶縁樹脂13の膜厚が25μm以上となるように、貼り付ける絶縁樹脂13の厚みを、例えば30~40μmに調整することにより、窪み量が抑制されるため好ましい図3b。次に、絶縁樹脂13を常温程度まで冷ました後、再配線上の外部端子形成領域にマスク図示せずを設け、紫外線を照射して露光することにより感光剤のある絶縁樹脂13を形成すると共に、紫外線の当たっていない部分を除去する現像プロセス処理をし、インターポーザの外部端子となるBallGridAllay等の形成領域を形成するパターニングを行う。次に、10°C/min以上の昇温速度で80°C~100°C、好ましくは絶縁樹脂の流動性が最も高くなる90°Cに絶縁樹脂13を再度温度上昇させて絶縁樹脂13の流動性を増加させる。この流動性は絶縁樹脂13が温度上昇することにより、分子結合力が弱くなり粘度が一旦低下することにより上昇するものである。このように、流動性が増加することにより、絶縁樹脂13が窪みを解消する方向に流動し、貫通電極6表面の絶縁樹脂13の窪みが小さくなり、最良の場合絶縁樹脂13の表面が平坦となる図3c。最後に、所定硬化温度、例えば150°C以上に昇温して絶縁樹脂13を硬化させる。材料硬化過程においては、絶縁樹脂13の膨張が発生する。この際、周囲に対して体積の多い貫通電極6部が他の表面の膜厚よりも膨張量が多くなり、また、窪みを減少させていることにより、前記貫通電極6の中心部上に絶縁材料13の突起20が形成される図3d。また、突起20は貫通孔の形状により、その形成位置を調整可能であるが、突起20は、貫通電極6の半導体基板4の裏面における断面形状の中心あるいは重心と突起20の断面形状の中心あるいは重心とが一致するように形成することが好ましい。なお、突起20の形成は、図3で示した方法に限らず、マスクを用いたエッチング、樹脂の成長等、様々な方法で形成してもかまわない。また、絶縁樹脂13を変形,成長,成形する方法に限らず、別途同じ絶縁材料からなる突起20を形成しても良い。さらに、絶縁材料以外の材料からなる突起20を形成しても良い。このようにインターポーザ16に突起20を設けることにより、突起20を介してインターポーザ16をボンディングステージ15上に搭載して半導体装置を接合する際に、絶縁樹脂13とボンディングステージ15とが突起20のみで接触し、絶縁樹脂13であるラミネートタイプフォトレジスト膜19表面全面を介してインターポーザ16をボンディングステージ15上に搭載する従来の構成に比べて絶縁樹脂13とボンディングステージ15との接触面積が小さくなるため、ボンディングステージ15から絶縁樹脂13に伝熱される熱量が抑制されて絶縁樹脂13の加熱が抑制され、絶縁樹脂13が高温により熱分解して低分子化されて変質することを抑制し、組立不良を防止することができる。次に、図4を用いてインターポーザに半導体装置を実装した状態を説明する。図4は本発明のインターポーザに半導体装置を実装した状態を示す断面図である。図4に示すように、Si等を基板とする半導体装置1は、Tiなどのシード層、密着層を備え、Al等からなる半導体電極2が形成され、シード層、密着層の上にSnAg、SnAgCuなどのPbフリー半田バンプ3がメッキ法、転写法などで形成されている。また、インターポーザ16は、半導体基板4にCuなどの導体18図1参照で導通経路が設けられた貫通電極6と、半導体基板4の表層にCuなどの導体で再配線17が形成されている。このようなインターポーザ16をボンディングステージ15に吸着などで固定し、半導体装置1をボンディングツール14に吸着させた状態で、認識カメラを用いてそれぞれの位置を合わせるためのパターン認識、及びアライメントを実施し、半田バンプ3と基板電極5とを接触させると同時にボンディングステージ15とボンディングツール14を昇温させ、接合部の半田バンプ3を溶融させてインターポーザ16と半導体装置1とを接合する。かかる構成によれば、絶縁樹脂13を充填した貫通電極6を形成し、絶縁材料13上にラミネートタイプフォトレジスト膜から5~20μm程度突出する突起20を形成することにより、半導体装置1をインターポーザ16に半田バンプ3を介してフリップチップ実装する際に、インターポーザ16の絶縁樹脂13がボンディングステージ15に部分的にのみ接触し、インターポーザ16の絶縁樹脂13がボンディングステージ15に全面的に接触する場合に比べ、絶縁材料13への熱影響を低減することができる。このため、ボンディングステージ15との接触により貫通電極6の絶縁材料13が高温になって熱分解し、低分子化され、変質し、ボンディングステージ15に付着することを低減でき、インターポーザ16がボンディングステージ15に接着し、生産不良となることを防ぐことができる。さらに、貫通電極6上の突起20からボンディングステージ15の熱が貫通電極6内部に伝わり、さらにボンディングステージ15と接触している面から半導体基板4の反対面に配線を通じて熱が早く伝わる。これにより半導体装置1の半田バンプ3の昇温を早くすることが可能となり、加熱時間が低減されてダメージ、パッケージの劣化を防ぐ効果がある。"