"I-III-VI型カルコパイライト系化合物半導体層と透明電極の間にバッファ層を備える化合物半導体光電変換素子であって、該バッファ層中に、自由電子を多量に保有し、かつ、平均微粒子径が1nm以上100nm以下である微粒子が、高密度に分散して存在することを特徴とする、表面プラズモン共鳴効果を利用した光電変換素子。前記バッファ層は、CdS、ZnS、ZnSO,OHの1種以上からなることを特徴とする、請求項1に記載の表面プラズモン共鳴効果を利用した光電変換素子。前記バッファ層は、CdS、ZnS、ZnSO,OHの1種以上からなるバッファ層とZnOからなる半絶縁性バッファ層とからなることを特徴とする、請求項1に記載の表面プラズモン共鳴効果を利用した光電変換素子。前記微粒子は、XB6X=Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sr、または、Caで表される六ホウ化物であることを特徴とする、請求項1に記載の表面プラズモン共鳴効果を利用した光電変換素子。表面プラズモン共鳴効果を利用した光電変換素子の製造方法であって、裏面電極上にI-III-VI型カルコパイライト系化合物半導体層を形成し、該化合物半導体層の上に、自由電子を多量に保有し、かつ、平均微粒子径が1nm以上100nm以下である微粒子の分散液を用いて成膜、乾燥して、自由電子を多量に保有する微粒子が堆積した層を形成し、該堆積層の上に、バッファ層を形成し、さらに該バッファ層の上に透明導電膜を形成することを特徴とする、表面プラズモン共鳴効果を利用した光電変換素子の製造方法。本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、光電変換効率を飛躍的に向上させうる、I-III-VI型化合物半導体を用いた化合物半導体光電変換素子およびその製造方法を、簡易なプロセスおよび簡易な構造によって実現することにある。本発明者は、化合物半導体層と透明電極の間にバッファ層を備える化合物半導体光電変換素子において、該バッファ層中に、自由電子を多量に保有し、特定の平均粒子径の微粒子を高密度に分散して存在させるという、簡易なプロセスかつ簡易な構造により、表面プラズモン共鳴効果を利用して、この化合物半導体光電変換素子を安定的に動作させ、かつ、光電変換効率を向上させることができるとの知見を得て、本発明を完成したものである。すなわち、本発明は、I-III-VI型カルコパイライト系化合物半導体層と透明電極の間にバッファ層を備える化合物半導体光電変換素子、具体的には、裏面電極、I-III-VIカルコパイライト系化合物半導体層、バッファ層、および透明電極膜が順次形成された構造の化合物半導体光電変換素子に係る。特に、本発明の化合物半導体光電変換素子では、前記バッファ層中に、自由電子を多量に保有し、かつ、平均微粒子径が1nm以上100nm以下である微粒子が、高密度に分散して存在することで、表面プラズモン共鳴効果を利用する点に特徴がある。前記微粒子は、XB6X=Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sr、または、Caで表される六ホウ化物であることが好ましい。また、前記バッファ層は、CdS、ZnS、ZnSO,OHの1種以上から構成する、もしくは、CdS、ZnS、ZnSO,OHの1種以上からなるバッファ層とZnOからなる半絶縁性バッファ層とから構成することが好ましい。このような化合物半導体光電変換素子、すなわち、表面プラズモン共鳴効果を利用した光電変換素子は、裏面電極上にI-III-VI型カルコパイライト系化合物半導体層を形成し、該化合物半導体層の上に、自由電子を多量に保有し、かつ、平均微粒子径が1nm以上100nm以下である微粒子の分散液を用いて成膜、乾燥して、自由電子を多量に保有する微粒子が堆積した層を形成し、該堆積層の上に、バッファ層を形成し、さらに該バッファ層の上に透明導電膜を形成することにより、得られる。なお、前記微粒子堆積層の上に、溶液成長法により、CdS、ZnS、ZnSO,OHの1種以上からなるバッファ層を形成する、あるいは、溶液成長法により、CdS、ZnS、ZnSO,OHの1種以上からなるバッファ層を形成し、その後、スパッタリング法または有機金属気相成長法により、ZnOからなる半絶縁性バッファ層を形成することが好ましい。本発明により、従来のCIS系太陽電池の製造プロセスの中に、自由電子を多量に保有する微粒子堆積層を形成するという、簡易なプロセスおよび簡易な構造を追加するだけで、表面プラズモン共鳴効果により、エネルギ変換効率が本質的に改良された、化合物半導体光電変換素子を低コストで提供することが可能となる。以下、本発明を実施するための形態について説明するが、本発明はこれらの実施形態に限られることはない。図1と図2はいずれも、本発明の実施形態に係る化合物半導体光電変換素子の概略構成を示す断面図である。本発明の化合物半導体光電変換素子の構造も、従来のものと同様に、基板1の上に、裏面電極2、化合物半導体光吸収層3、バッファ層5、および透明導電膜7が順次形成された構成を備える。なお、図示のように、バッファ層を、バッファ層5と半絶縁性バッファ層6とにより構成することもできる。基板1としては、ソーダライムガラス基板が用いられるのが通常である。その他、ステンレスやチタンなど各種金属の箔、ポリイミドなどの耐熱性の高いプラスチックフィルムも、用いることができる。このような基板の厚さは、その用途に応じて任意に選択される。基板1の表面には、裏面電極2として、モリブデンMoの薄膜電極が通常はスパッタリング法により形成される。裏面電極2の厚さは、通常、0.5~1.0μm程度である。また、その形成方法も任意であり、他の公知の成膜手段も用いることができる。裏面電極2の上には、太陽電池の中心的な機能を担う化合物半導体光吸収層3として、CIS、CIGS、CIGSSなどのI-III-VI型カルコパイライトCIS系化合物半導体層が形成される。この化合物半導体光吸収層3の厚さは、通常、1.0~3.0μm程度である。特にI-III-VI型カルコパイライト系化合物半導体を用いた、光吸収層3の形成には、通常、多源蒸着法もしくはセレン化法が適用される。多源蒸着法で形成する場合には、光電変換効率を上げるため、3段階法で成分元素の分布を傾斜的に制御するのが普通である。セレン化法で形成する場合には、均一なCu-Inベースの膜を、蒸着法、スパッタリング法、塗布法などで形成した後、高温でセレン化水素の気相処理を行なう。このようにして形成されたI-III-VI型カルコパイライト系化合物半導体薄膜は、多結晶体であり、結晶粒間に空隙がなく、組成的にも均一である。本発明では、I-III-VI型カルコパイライト系化合物半導体薄膜からなる光吸収層3の上に、自由電子を多量に保有する微粒子堆積層4を形成する。自由電子を多量に保有する微粒子をなるべく薄く均一に塗布し、微粒子が塗布面内で高密度に堆積した構造を形成する。塗布方法は、スピンコート法、スプレーコート法、ブレードコート法、バーコート法、スクリーン印刷など、高密度で均一な膜が形成できるものであれば、任意の方法を用いることができる。自由電子を多量に保有する微粒子としては、たとえば、XB6X=Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sr、または、Caで表される六ホウ化物の微粒子を用いることができる。上記X元素の種類の異なる一連の六ホウ化物は、高い自由電子密度と高い電気伝導度を有している。たとえば、その中でも代表的な六ホウ化ランタンは、0.9×1022cm3の高い自由電子密度を有し、室温で66700SYMBOL87fSymbols121cm1の高い電気伝導度を備えている。また、融点が2530°Cと高く、熱的に安定であり、さらに化学的にも侵されにくいという性質を有する。六ホウ化ランタンのナノ微粒子を含む、上記六ホウ化物の微粒子は、赤外線の波長を有する外部電磁波のエネルギを、局在型表面プラズモン共鳴により吸収することが知られている。自由電子を多量に保有する微粒子の平均粒径は、1nm以上100nm以下であることが重要である。平均粒径が1nmより小さい微粒子では、酸化などの表面劣化に起因して表面プラズモンによる吸収が弱くなってしまう。また、このような微細な微粒子を、工業的に制御して作製することも困難である。一方、100nmより大きくなると、バッファ層の構成が大きく乱れたり、空隙が生じたりしやすくなり、その結果、微粒子堆積層の導入によって、変換効率が逆に低下してしまうこととなる。この微粒子堆積層4は、表面プラズモンポラリトンを発生する層であり、微粒子同士はなるべく薄い膜厚の範囲内で、かつ、厚さ方向では高密度に堆積していることが好ましい。具体的には、微粒子の密度は、膜面への投影面上で0.01~2.0g/m2であることが好ましい。微粒子密度が0.01g/m2未満では微粒子同士が離れ過ぎているため、光電流増強の効果がほとんど見られなくなるからであり、また、微粒子密度が2.0g/m2を超えると、膜の透過性が著しく低下してしまうからである。自由電子を多量に保有する微粒子の堆積層4が形成された基板の上には、さらに、溶液成長CBD;ChemicalBathDeposition法によって、バッファ層5を構成する薄膜が形成される。たとえば、前記基板を、チオウレアとカドミウム塩のアンモニア水溶液中に浸漬し、室温から60~80°Cの温度に昇温して、1~10分後に取り出すことにより、CdS薄膜を形成することができる。バッファ層5の構成材料としては、その他、カドミウム元素を避けて、ZnSや、ZnSO,OHを用いることができる。また、このバッファ層5の厚さとしては、0.02~0.1μmであることが好ましい。なお、自由電子を多量に保有する微粒子堆積層4は、図1に示すように、バッファ層5を構成する薄膜に完全に覆われてもよいし、図2に示すように、バッファ層5には完全に覆われずに、表層部がその上に形成される半絶縁性バッファ層6側表面側へ露出ないしは突き出ていてもよい。ただし、微粒子堆積層4における微粒子の間隙は、その表面が電子-正孔対の再結合サイトになる可能性が高いので、空間的にすべて埋められていることが好ましい。空間的に隙間のない構造とするには、バッファ層5を形成する部材と微粒子堆積層4の微粒子表面との間の濡れ性が高く、界面エネルギが低いことが求められる。このことは、主に微粒子堆積層4を形成する時の微粒子分散液の溶媒や、これに微量添加する界面活性剤、分散剤、カップリング剤の種類を選択および調整することによって実現される。また、上記微粒子分散液の溶媒には、自由電子を多量に保有する微粒子の分散性を保つための機能と、分散液を塗布する際に塗布欠陥を生じさせないための機能が要求される。このような要求を満たす溶媒としては、アルコール系、ケトン系、炭化水素系、グリコール系、水系など、種々のものを選択することが可能である。具体的には、メタノールMA、エタノールEA、1-プロパノールNPA、イソプロパノールIPA、ブタノール、ペンタノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコールなどのアルコール系溶剤;アセトン、メチルエチルケトンMEK、メチルプロピルケトン、メチルイソブチルケトンMIBK、シクロヘキサノン、イソホロンなどのケトン系溶剤;3-メチル-メトキシ-プロピオネートMMPなどのエステル系溶剤;エチレングリコールモノメチルエーテルMCS、エチレングリコールモノエチルエーテルECS、エチレングリコールイソプロピルエーテルIPC、プロピレングリコールメチルエーテルPGM、プロピレングリコールエチルエーテルPE、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールエチルエーテルアセテートPE-ACなどのグリコール誘導体;フォルムアミドFA、N-メチルフォルムアミド、ジメチルホルムアミドDMF、ジメチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドンNMPなどのアミド類;トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類;エチレンクロライド、クロルベンゼンなどのハロゲン化炭化水素類などを挙げることができる。これらの中でも極性の低い有機溶剤が好ましく、特に、MIBK、MEKなどのケトン類や、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、PGMEA、PE-ACなどのグリコールエーテルアセテート類など、疎水性の高いものがより好ましい。これらの溶媒は1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。CBD法によってバッファ層5の薄膜が形成された後、透明導電膜7が形成される。ただし、通常はバッファ層5の上に透明導電膜7が直接形成されるのではなく、半絶縁性バッファ層6を介して透明導電膜7が形成される。特に、自由電子を多量に保有する微粒子堆積層4がバッファ層5に納まり切らない場合は、図2に示すように、半絶縁性バッファ層6によって、微粒子堆積層4が完全に覆われることとなる。半絶縁性バッファ層6を構成する材料としては、i型のZnOi-ZnOが好適に用いられる。半絶縁性バッファ層6を構成するZnO層は、スパッタリング法または有機金属気相成長MOCVD法を用いて形成することができる。この半絶縁性バッファ層6の厚さは、0.02~0.1μm程度とし、半絶縁性バッファ層6を設けた場合の、バッファ層5および半絶縁性バッファ層6からなるバッファ層全体の厚さは、0.04~0.2μm程度とする。続いて、バッファ層5または半絶縁性バッファ層6の上に透明導電膜7が形成されるが、この透明導電膜7を構成する材料としては、AlまたはGaがドープされた導電性の高いZnO:AlAZOやZnO:GaGZOが用いられる。透明導電膜7としては、その他、In2O3:SnITOやSnO2:SbATO、および添加物組成の異なるその類似化合物を用いることも可能である。なお、この透明導電膜7は、スパッタリング法や蒸着法により形成され、その厚さは、0.1~1.0μm程度とする。微粒子堆積層4の表面プラズモン共鳴作用が、本発明の主要機能を発現する。図1と図2のいずれの構成においても、微粒子堆積層4の六ホウ化物微粒子によって、太陽光のうちの主に近赤外領域におけるエネルギが、表面プラズモンポラリトンに変換され、これがI-III-VIカルコパイライト系化合物半導体からなる光吸収層3において励起子の生成に用いられることにより、電子-正孔対形成が促進される。この表面プラズモン共鳴効果による電子-正孔対形成の増強により、本発明の構成を適用したCIS系太陽電池において、その光電変換効率が飛躍的に向上する。六ホウ化物微粒子の間隔が離れている場合には、局在型表面プラズモンポラリトンが生成されるが、間隔が近くなると各ポラリトンが結合して伝搬型モードとなり、伝搬型表面プラズモンポラリトンが混在するようになる。伝搬型表面プラズモンポラリトンは、I-III-VIカルコパイライト系化合物半導体からなる光吸収層3に対して、局在型よりも効率よく励起子の生成を促すことができる。この場合には、光電変換効率はさらに向上する。なお、本発明の光電変換素子を評価する指標としては、その試験素子に、測定用電極を取り付けて、疑似太陽光をたとえば100mW/cm2のエネルギ密度で照射して得られる、開放電圧V、短絡電流mA/cm2、形状因子を用いることができる。ここで、開放電圧は、回路を開放させた時に取り出せる電圧値であり、短絡電流は、外部回路を短絡させた時に取り出せる電流値である。また、形状因子フィルファクタ、FFは、太陽光から電力を取り出せる能率に関係する量であり、I-V特性の曲線形状から計算され、漏れ電流や直列抵抗の影響が直接現れる因子である。形状因子は、最大出力/開放電圧×短絡電流で表され、最大出力は、出力電圧Vmax×電流密度Jmaxで表されるため、形状因子をFF、開放電圧をV、短絡電流をJ、出力電圧をVmax、電流密度をJmaxとすると、形状因子はFF=Vmax×Jmax/V×Jの式により求められる。この式から、形状因子の値が大きいほど、光電変換素子の内部損失が小さく、性能に優れていることを示すことが理解される。以下に、本発明の実施例を具体的に説明する。ただし、本発明は、以下の実施例によって限定されるものではない。実施例1、比較例1ソーダライムガラス基板50mm×50mm×2mmに、膜厚が1μmとなるようにMo電極をスパッタリング法で形成し、この上に、セレン化法で、In:Ga原子比が7:3のCIGS層を膜厚が2μmとなるように形成した。一方で、平均粒径5.8μmのLaB6粉末住友金属鉱山株式会社製を、イソプロピルアルコールIPA溶媒と混合して、0.3mmのジルコニアビーズと微量の界面活性剤と共に、ペイントシェーカミルに入れて、ビーズミル分散を行なった。その後、IPAでさらに希釈し、平均粒径18nm、濃度2のLaB6分散液を作製した。このLaB6分散液を、上記膜厚2μmのCIGS層上に、回転数200rpmでスピンコーティングし、その後、乾燥機中、90°Cで30分加熱して、LaB6微粒子の均一な堆積層を形成した。前記加熱後、時間を置くことなく、該基板を、70°Cに保持した、ヨウ化カドミウムCdI2とチオウレアCSNH22を溶解させたアンモニア水溶液に5分間浸漬し、ゆっくり引き上げて、バッファ層としてのCdS薄膜を形成した。CdS薄膜を乾燥した後、さらにスパッタリング法で、半絶縁性バッファ層としてのi-ZnO層、および透明導電膜としてのAZO層を形成した。得られたCIGS太陽電池試験素子の切断面を透過電子顕微鏡日立ハイテク株式会社製、HF-2200で観察すると、LaB6微粒子堆積層は、CdSバッファ層の中に埋もれていた。CdSバッファ層の膜厚は約70nmであり、LaB6微粒子周辺に空隙はほとんど見られなかった。ZnO層とAZO層の厚さはそれぞれ50nmと1μmであった。比較のために、LaB6微粒子堆積層を形成する工程を省略したこと以外は、実施例1と同様にして、CIGS太陽電池試験素子を得た比較例1。実施例1と比較例1のそれぞれのCIGS太陽電池試験素子に、測定用電極を取り付けて、キセノンランプソーラシミュレータを100mW/cm2のエネルギ密度で照射し、電流電圧特性を評価した。LaB6微粒子堆積層が形成された実施例1の試験素子においては、開放電圧0.69V、短絡電流26.4mA/cm2が得られ、形状因子は75、光電変換効率は14.7であった。一方、LaB6微粒子堆積層が形成されていない比較例1の試験素子においては、開放電圧0.68V、短絡電流24.1mA/cm2で、形状因子は76、光電変換効率は12.5であった。したがって、LaB6微粒子堆積層の導入によって、光電変換効率の明らかな向上が見られた。この効果は、LaB6微粒子堆積層の導入により、LaB6微粒子による局在型表面プラズモンポラリトン、または局在型と伝搬型表面プラズモンポラリトンの形成が、CIGS光吸収層で、より多くの励起子または電子-正孔対の形成に作用した結果と考えられる。実施例2、比較例2実施例1と同様に、ソーダライムガラス基板の上に、Mo電極とCIGS層を形成した。一方、平均粒径10.5μmのNdB6粉末住友金属鉱山株式会社製を、IPA溶媒と混合して、0.3mmのジルコニアビーズと微量の界面活性剤と共に、ペイントシェーカミルに入れ、ビーズミル分散を行なって、IPAでさらに希釈し、平均粒径85nm、濃度2のNdB6分散液を作製した。このNdB6分散液を、実施例1と同じ要領で、CIGS層の上に、塗布成膜し、NdB6微粒子が均一に堆積した微粒子堆積層を、LaB6微粒子堆積層に代替して、形成した。乾燥後、実施例1と同様にして、CBD法でバッファ層としてのCdS薄膜と、スパッタリング法により、半絶縁製バッファ層としてのZnO層と透明導電膜としてのAZO層とを、順次成膜して、CIGS太陽電池試験素子を得た。透過電子顕微鏡による観察では、NdB6微粒子は、ほぼ50nm膜厚のCdS層とほぼ60nm膜厚のZnO層に跨って存在しており、微粒子周りに空隙はほとんど見られなかったが、CdS層/ZnO層の膜界面は、所々で平面から大きく乱れていた。比較のために、NdB6微粒子堆積層を形成する工程を省略したこと以外は、実施例2と同様にして、CIGS太陽電池試験素子を得た比較例2。実施例1と比較例1のそれぞれのCIGS太陽電池試験素子について、実施例1と同様の評価を行った。その結果、NdB6微粒子堆積層が形成された実施例2の試験素子においては、開放電圧0.67V、短絡電流27.6mA/cm2が得られ、形状因子は76、光電変換効率は14.1であった。NdB6微粒子堆積層が形成されていない比較例2の試験素子においては、開放電圧0.68V、短絡電流22.8mA、形状因子77、光電変換効率は11.9であった。このように、光電変換効率は、NdB6微粒子堆積層の導入によっても、明らかな向上が見られた。この効果も、NdB6微粒子堆積層の導入による、表面プラズモン共鳴効果によるものと考えられる。実施例3、比較例3実施例1と同様に、ソーダライムガラス基板の上に、Mo電極とCIGS層を形成した。一方、平均粒径7.7μmのEuB6粉末住友金属鉱山株式会社製を、IPA溶媒と混合して、0.3mmのジルコニアビーズと微量の界面活性剤と共に、ペイントシェーカミルに入れ、ビーズミル分散を行なって、IPAでさらに希釈し、平均粒径96nm、濃度2のEuB6分散液を作製した。このEuB6分散液を、実施例1と同じ要領で、ガラス基板上のCIGS層上に塗布成膜して、EuB6微粒子が均一に堆積した微粒子堆積層を、LaB6微粒子堆積層に代替して、形成した。乾燥後、時間を置くことなく、該基板を、70°Cに保持した硫酸亜鉛ZnSO4とチオウレアCSNH22を溶解させたアンモニア水溶液に5分間浸漬し、ゆっくり引き上げて、バッファ層としてのZnS薄膜を形成した。ZnS薄膜を乾燥後、実施例1と同様の要領で、半絶縁性バッファ層としてのZnO層と透明導電膜としてのAZO層をスパッタリング法により成膜して、CIGS太陽電池試験素子を得た。透過電子顕微鏡による観察では、EuB6微粒子は、ほぼ60nm膜厚のZnS層とほぼ60nm膜厚のZnO層に跨って存在しており、微粒子周りに空隙はほとんど見られなかったが、膜界面は所々で平面から大きく乱れていた。比較のために、EuB6微粒子堆積層を形成する工程を省略したこと以外は、実施例3と同様にして、CIGS太陽電池試験素子を得た比較例3。実施例3と比較例3のそれぞれのCIGS太陽電池試験素子について、実施例1と同様の評価を行った。EuB6微粒子堆積層が形成された実施例3の試験素子においては、開放電圧0.63V、短絡電流26.3mA/cm2が得られ、形状因子は74、光電変換効率は12.3であった。EuB6微粒子堆積層が形成されていない比較例3の試験素子においては、開放電圧0.65V、短絡電流19.5mA、形状因子76、光電変換効率は9.6であった。したがって、光電変換効率は、EuB6微粒子堆積層の導入によっても、明らかな向上が見られた。この効果も、EuB6微粒子堆積層の導入による、表面プラズモン共鳴効果によるものと考えられる。比較例4、比較例5実施例1と同様に、ソーダライムガラス基板の上に、Mo電極とCIGS層を形成した。一方、平均粒径5.8μmのLaB6粉末住友金属鉱山株式会社製を、IPA溶媒と混合して、0.3mmのジルコニアビーズと微量の界面活性剤と共に、ペイントシェーカミルに入れ、ビーズミル分散を行なって、IPAでさらに希釈し、平均粒径125nm、濃度2のLaB6分散液を作製した。このLaB6分散液を、実施例1と同じ要領で、CIGS層上に塗布成膜し、乾燥後、実施例1と同様にして、CBD法でCdS薄膜を形成し、さらに、ZnOとAZO層をスパッタリング法により成膜して、CIGS太陽電池試験素子を得た比較例4。透過電子顕微鏡による観察では、LaB6はほぼ50nm膜厚のCdS層とほぼ60nm膜厚のZnO層から突き出て存在しており、微粒子周りに空隙がかなり見られ、また、膜界面は湾曲していて平面から大きく乱れていた。測定可能な部分の膜厚は、CdS層が約50nm、ZnO層が約60nmであった。また、LaB6微粒子堆積層を形成する工程を省略したこと以外は、比較例4と同様にして、CIGS太陽電池試験素子を得た比較例5。このCIGS太陽電池試験素子についてについて、実施例1と同様の評価を行った。LaB6微粒子堆積層が形成された比較例4の試験素子においては、開放電圧0.55V、短絡電流18.9mA/cm2、形状因子は68、光電変換効率は7.1であった。LaB6微粒子堆積層が形成されていない比較例5の試験素子においては、開放電圧0.69V、短絡電流24.4mA、形状因子75、光電変換効率は12.6であった。このように、比較例4のCIGS太陽電池試験素子では、光電変換効率がLaB6微粒子堆積層の導入によって逆に減少してしまっている。これは、LaB6微粒子の粒子径が大きすぎたためであると考えられる。"