"[A]酸解離性基を有する重合体、[B]酸発生体、及び[C]界面活性剤を含有し、[A]重合体100質量部に対する[C]界面活性剤の含有量が、1質量部以上5質量部以下であるドライ露光用フォトレジスト組成物。[C]界面活性剤が、フッ素原子又はケイ素原子を有するノニオン系界面活性剤である請求項1に記載のドライ露光用フォトレジスト組成物。[A]重合体100質量部に対する[C]界面活性剤の含有量が、2質量部以上4質量部以下である請求項1又は請求項2に記載のドライ露光用フォトレジスト組成物。ArFエキシマレーザーによる露光用である請求項1、請求項2又は請求項3に記載のドライ露光用フォトレジスト組成物。1請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のドライ露光用フォトレジスト組成物を基板上に塗布し、レジスト膜を形成する工程、2上記レジスト膜を気体を介して露光する工程、3露光された上記レジスト膜を加熱する工程、及び4加熱された上記レジスト膜を現像する工程を有するレジストパターン形成方法。本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、現像欠陥抑制性に優れるドライ露光用フォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法を提供することにある。上記課題を解決するためになされた発明は、[A]酸解離性基を有する重合体以下、[A]重合体ともいう。、[B]酸発生体、及び[C]界面活性剤を含有し、[A]重合体100質量部に対する[C]界面活性剤の含有量が、1質量部以上5質量部以下であるドライ露光用フォトレジスト組成物である。本発明のドライ露光用フォトレジスト組成物は、ドライ露光、すなわち空気又は窒素やアルゴン等の不活性ガス等の気体を介して露光するレジストパターン形成方法に用いられる。当該ドライ露光用フォトレジスト組成物は、ドライ露光用であるため、液浸露光プロセスに起因して発生し得るウオーターマーク欠陥、バブル欠陥等の発生がない。また、当該ドライ露光用フォトレジスト組成物は、[A]重合体及び[B]酸発生体に加えて、上記特定量の[C]界面活性剤を含有することで、現像欠陥抑制性に優れる。従って、当該ドライ露光用フォトレジスト組成物によれば、現像欠陥数の少ないレジストパターンを得ることができる。当該ドライ露光用フォトレジスト組成物が上記構成を有することで、上記効果を奏する理由は必ずしも明確ではないが、例えば、当該ドライ露光用フォトレジスト組成物が[C]界面活性剤を比較的多量に含有するため、形成されるレジスト膜表面が親水性となり、現像液等との親和性が向上すること等が考えられる。[C]界面活性剤は、フッ素原子又はケイ素原子を有するノニオン系界面活性剤であることが好ましい。当該ドライ露光用フォトレジスト組成物は、[C]界面活性剤を上記特定の界面活性剤とすることで、上述のレジスト膜表面の親水性が効果的に発現されると考えられ、その結果、現像欠陥抑制性により優れる。[A]重合体100質量部に対する[C]界面活性剤の含有量としては、2質量部以上4質量部以下が好ましい。当該ドライ露光用フォトレジスト組成物は、[C]界面活性剤の含有量を上記特定範囲とすることで、さらに現像欠陥抑制性に優れる。当該ドライ露光用フォトレジスト組成物は、ArFエキシマレーザーによる露光に用いるとよい。ArF露光によるレジストパターン形成においては、より微細なパターンを形成するため、当該ドライ露光用フォトレジスト組成物を用いることによる現像欠陥の発生を抑制する利益が特に大きい。本発明のレジストパターン形成方法は、1当該ドライ露光用フォトレジスト組成物を基板上に塗布し、レジスト膜を形成する工程、2上記レジスト膜を気体を介して露光する工程、3露光された上記レジスト膜を加熱する工程、及び4加熱された上記レジスト膜を現像する工程を有する。当該レジストパターン形成方法は、上述の当該ドライ露光用フォトレジスト組成物を用いているので、ドライ露光を行って形成されたレジストパターンにおける現像欠陥の発生を抑制することができ、さらなる加工の微細化が可能となる。本発明のドライ露光用フォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法によれば、ドライ露光プロセスにおいて、現像欠陥数の少ないレジストパターンを形成することができる。<ドライ露光用フォトレジスト組成物>本発明のドライ露光用フォトレジスト組成物は、[A]重合体、[B]酸発生体及び[C]界面活性剤を含有し、[A]重合体100質量部に対する[C]界面活性剤の含有量が、1質量部以下5質量部以下である。当該ドライ露光用フォトレジスト組成物は、さらに好適成分として[D]酸拡散制御体を含有してもよく、本発明の効果を損なわない範囲においてその他の任意成分を含有していてもよい。以下、各成分について詳述する。<[A]重合体>[A]重合体は、酸解離性基を有する重合体である。ここで、酸解離性基とは、カルボキシル基、ヒドロキシル基等の水素原子を置換する基であって、露光により[B]酸発生体から発生する酸等の作用により解離する基を意味する。当該ドライ露光用フォトレジスト組成物は、[A]重合体が酸解離性基を有することで、露光部における酸解離性基が解離して極性が増大し、現像液に対する溶解性が変化してパターン形成性を発揮することができる。[A]重合体は酸解離性基を有する限り特に限定されない。酸解離性基の位置としては特に限定されず、主鎖や末端に結合していてもよいが、[A]重合体が酸解離性基を含む構造単位以下、構造単位Iともいう。を有することが好ましい。[構造単位I]構造単位Iは、酸解離性基を含む構造単位である。当該ドライ露光用フォトレジスト組成物によれば、[A]重合体が構造単位Iを有することで酸解離性基を[A]重合体中に効果的に組み込むことができ、良好なパターンを形成することができる。構造単位Iとしては、構造単位中に酸解離性基を有している限り、特に限定されない。構造単位I中の酸解離性基は1個でもよく、2個以上でもよい。また、構造単位I中における酸解離性基の位置についても、極性官能基中の水素原子を置換している限り特に限定されない。酸解離性基の種類としては、酸解離性を有する限り特に限定されない。構造単位Iとしては、下記式I-1で表される構造単位I-1が好ましい。構造単位I-1を与える単量体は共重合体に優れるので、[A]重合体への組み込みが容易であり、[A]重合体中の酸解離性基の含有率を簡便に所望の割合に設定することができる。また、構造単位I-1を与える単量体は合成容易であるので、[A]重合体を簡便に所望の構造に設定することができる。上記式1中、Rは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Rpは、下記式iで表される酸解離性基である。上記式i中、Rp1、Rp2及びRp3は、それぞれ独立して、炭素数1~4のアルキル基又は炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基である。但し、Rp2及びRp3が互いに結合してそれらが結合している炭素原子と共に炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基を形成してもよい。上記式iにおけるRp1~Rp3で表される炭素数1~4のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等が挙げられる。上記式iにおけるRp1~Rp3で表される炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基としては、例えばノルボルナン骨格、アダマンタン骨格、トリシクロデカン骨格、テトラシクロドデカン等の有橋式骨格を有する多環の脂環式基;シクロペンタン、シクロヘキサン等のシクロアルカン骨格を有する単環の脂環式基、及びこれらの単環又は多環の脂環式基を有する炭化水素基が挙げられる。また、これらの基は、例えば炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の1種以上で置換されていてもよい。上記式iにおけるRp2及びRp3が形成する炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基としては、例えば、ノルボルナン骨格、アダマンタン骨格、トリシクロデカン骨格、テトラシクロドデカン等の有橋式骨格を有する多環の脂環式炭化水素;シクロペンタン、シクロヘキサン等のシクロアルカン骨格を有する単環の脂環式炭化水素が有する同一の炭素原子に結合する2個の水素原子を除いた基等が挙げられる。構造単位I-1としては、下記式1-1~1-4でそれぞれ表される構造単位I-1-1~I-1-4が好ましい。上記式1-1~1-4中、Rは、上記式1と同義である。Rp1、Rp2及びRp3は、上記式iと同義である。npは、1~4の整数である。上記構造単位I-1-1~I-1-4が有する酸解離性基は解離容易性がさらに高いので、当該ドライ露光用フォトレジスト組成物の現像欠陥抑制性をさらに向上させることができる。また、得られるレジストパターンの露光部と未露光部のコントラストをより大きくできる。上記構造単位I-1-1~I-1-4としては、例えば、下記式で表される構造単位等が挙げられる。上記式中、Rは、上記式1と同義である。これらの中で、構造単位I-1-1、I-1-2が好ましい。構造単位I-1-1及びI-1-2の酸解離性基は、解離容易性が高いので、結果として、当該ドライ露光用フォトレジスト組成物の現像欠陥抑制性が向上する。[A]重合体における構造単位Iの含有割合の下限としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、10モルが好ましく、20モルがより好ましく、30モルがさらに好ましく、40モルが特に好ましい。一方、構造単位Iの含有割合の上限としては、90モルが好ましく、80モルがより好ましく、70モルがさらに好ましい。構造単位Iの含有割合が上記下限未満だと、露光部の現像液に対する溶解度変化が小さ過ぎて、解像性が低下したり、パターン形成が困難になる場合がある。逆に構造単位Iの含有割合が上記上限を超えると、パターン形成性が低下する場合がある。[A]重合体は、構造単位Iを1種又は2種以上有していてもよい。[A]重合体は、上記構造単位I以外にも、下記構造単位IIを有することが好ましい。[構造単位II]構造単位IIは、ラクトン基及び環状カーボネート基からなる群より選ばれる少なくとも1種を有する構造単位である。[A]重合体が、ラクトン基及び/又は環状カーボネート基を含む構造単位をさらに有することで、レジスト膜と基板との密着性等、レジスト基本特性をより向上させることができる。また、レジスト膜の現像液への可溶性を高めることができる。ここで、ラクトン基とは、-O-CO-で表される結合を含むひとつの環ラクトン環を含有する環式基を示す。また、環状カーボネート基とは、-O-CO-O-で表される結合を含むひとつの環環状カーボネート環を含有する環式基を示す。ラクトン環又は環状カーボネート環を1つめの環として数え、ラクトン環又は環状カーボネート環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。上記ラクトン基を有する構造単位としては、例えば、下記式で表される構造単位等が挙げられる。上記式中、RL1は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。これらの中でも、ラクトン基として、置換されていてもよいノルボルナンラクトン基又は置換されていてもよいγ-ブチロラクトン基を有する構造単位が好ましく、無置換ノルボルナンラクトン基、シアノノルボルナンラクトン基、無置換γ-ブチロラクトン基を有する構造単位がさらに好ましい。上記環状カーボネート基を有する構造単位としては、例えば、下記式で表される構造単位等が挙げられる。上記式中、RL1は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。これらの中でも、置換されていてもよいエチレンカーボネート基を有する構造単位が好ましく、無置換エチレンカーボネート基を有する構造単位がさらに好ましい。構造単位IIを与える単量体としては、例えば、下記式2-mで表される単量体等が挙げられる。上記式2-m中、RL1は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。RL2は、単結合又は2価の連結基である。RL3は、ラクトン基又は環状カーボネート基を有する1価の有機基である。上記RL2で表される2価の連結基としては、例えば、炭素数1~20の2価の直鎖状又は分岐状の炭化水素基等が挙げられる。上記RL3で表されるラクトン基を有する1価の有機基としては、例えば、下記式L3-1~L3-6で表される基等が挙げられる。RL3で表される環状カーボネート基を有する1価の有機基としては、例えば、下記式L3-7、L3-8で表される基等が挙げられる。上記式L3-1及びL3-4中、RLc1は酸素原子又はメチレン基である。上記式L3-3中、RLc2は水素原子又は炭素数1~4のアルキル基である。上記式L3-1及びL3-2中、nLc1は0又は1である。上記式L3-3中、nLc2は0~3の整数である。上記式L3-7中、nc1は0~2の整数である。上記式L3-8中、nC2~nC5は、それぞれ独立して、0~2の整数である。は、上記式L-1中のRL2に結合する結合部位を示す。なお、式L3-1~L3-8で表される基は置換基を有していてもよい。上記構造単位IIを与える好ましい単量体としては、例えば、メタアクリル酸-5-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[4.2.1.03,7]ノナ-2-イルエステル、メタアクリル酸-9-メトキシカルボニル-5-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[4.2.1.03,7]ノナ-2-イルエステル、メタアクリル酸-5-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[5.2.1.03,8]デカ-2-イルエステル、メタアクリル酸-10-メトキシカルボニル-5-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[5.2.1.03,8]ノナ-2-イルエステル、メタアクリル酸-6-オキソ-7-オキサ-ビシクロ[3.2.1]オクタ-2-イルエステル、メタアクリル酸-4-メトキシカルボニル-6-オキソ-7-オキサ-ビシクロ[3.2.1]オクタ-2-イルエステル、メタアクリル酸-7-オキソ-8-オキサ-ビシクロ[3.3.1]オクタ-2-イルエステル、メタアクリル酸-4-メトキシカルボニル-7-オキソ-8-オキサ-ビシクロ[3.3.1]オクタ-2-イルエステル、メタアクリル酸-2-オキソテトラヒドロピラン-4-イルエステル、メタアクリル酸-4-メチル-2-オキソテトラヒドロピラン-4-イルエステル、メタアクリル酸-4-エチル-2-オキソテトラヒドロピラン-4-イルエステル、メタアクリル酸-4-プロピル-2-オキソテトラヒドロピラン-4-イルエステル、メタアクリル酸-5-オキソテトラヒドロフラン-3-イルエステル、メタアクリル酸-2,2-ジメチル-5-オキソテトラヒドロフラン-3-イルエステル、メタアクリル酸-4,4-ジメチル-5-オキソテトラヒドロフラン-3-イルエステル、メタアクリル酸-2-オキソテトラヒドロフラン-3-イルエステル、メタアクリル酸-4,4-ジメチル-2-オキソテトラヒドロフラン-3-イルエステル、メタアクリル酸-5,5-ジメチル-2-オキソテトラヒドロフラン-3-イルエステル、メタアクリル酸-2-オキソテトラヒドロフラン-3-イルエステル、メタアクリル酸-5-オキソテトラヒドロフラン-2-イルメチルエステル、メタアクリル酸-3,3-ジメチル-5-オキソテトラヒドロフラン-2-イルメチルエステル、メタアクリル酸-4,4-ジメチル-5-オキソテトラヒドロフラン-2-イルメチルエステル等が挙げられる。[A]重合体における構造単位IIの含有割合としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、5~70モルが好ましく、10~60モルがより好ましく、15~55モルがさらに好ましい。構造単位IIの含有割合が上記下限未満だと、形成されるレジスト膜の基板への密着性が低下する場合がある。逆に、構造単位IIの含有割合が上記上限を超えると、当該ドライ露光用フォトレジスト組成物のパターン形成性が低下する場合がある。[A]重合体は構造単位IIを1種又は2種以上有していてもよい。[構造単位III][A]重合体は、ヒドロキシル基を有する構造単位IIIを有していてもよい。当該ドライ露光用フォトレジスト組成物は、[A]重合体が構造単位IIIを有することで、レジストパターン形成性を向上させることができる。また、レジスト膜と基板との密着性を向上させることができる。構造単位IIIとしては、例えば、下記式で表される構造単位等が挙げられる。上記式中、R’は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。これらの中で、アダマンタン骨格を有する構造単位が好ましく、ヒドロキシアダマンチル基を有する構造単位がさらに好ましい。また、メタアクリル酸ヒドロキシアルキルに由来する構造単位が好ましく、メタアクリル酸2-ヒドロキシエチルに由来する構造単位がさらに好ましい。構造単位IIIを与える単量体としては、例えば、メタアクリル酸1-3-ヒドロキシアダマンチルエステル、メタアクリル酸1-2-ヒドロキシアダマンチルエステル、メタアクリル酸1-3-2-ヒドロキシエトキシアダマンチルエステル、メタアクリル酸2-ヒドロキシエチルエステル、メタアクリル酸2-ヒドロキシプロピルエステル、メタアクリル酸1-1-ヒドロキシアダマンチルメチルエステル、メタアクリル酸3-4-ヒドロキシテトラヒドロフリルエステル、メタアクリル酸2,3-ジヒドロキシプロピルエステル、メタアクリル酸4-ヒドロキシブチルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシブチルエステル、メタアクリル酸5,5,5-トリフルオロ-4-ヒドロキシ-4-トリフルオロメチル-2-プロピルエステル、メタアクリル酸トリヒドロキシアダマンチルエステル、メタアクリル酸5-メタアクリル酸ジヒドロキシアダマンチルエステル等が挙げられる。これらの中で、メタアクリル酸1-3-ヒドロキシアダマンチルエステル、メタアクリル酸2-ヒドロキシエチルエステルが好ましい。[A]重合体における構造単位IIIの含有割合としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して30モル以下が好ましく、0~25モルがより好ましく、5~20モルがさらに好ましく、10~20モルが特に好ましい。構造単位IIIの含有割合が30モルを超えると、現像前後のコントラストが減少し、パターン形成性が低下するが低下するおそれがある。[A]重合体は構造単位IIIを1種又は2種以上有していてもよい。[その他の構造単位][A]重合体は、上記構造単位I~III以外にも、例えば、ヒドロキシル基以外のシアノ基、ケトン性カルボニル基等の極性基を有する構造単位等その他の構造単位をさらに有していてもよい。その他の構造単位の合計含有割合としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、通常30モル以下であり、好ましくは20モル以下である。[A]重合体は、フッ素原子を有さないことが好ましい。[A]重合体がフッ素原子を有さないことで、当該ドライ露光用フォトレジスト組成物から形成されるレジスト膜表面において、[C]界面活性剤が効果的に存在することができると考えられ、その結果、現像欠陥抑制性がさらに向上する。<[A]重合体の合成方法>[A]重合体は、例えば各構造単位を与える単量体を、ラジカル重合開始剤を使用し、適当な溶媒中で重合することにより製造することができる。上記ラジカル重合開始剤としては、例えば、アゾビスイソブチロニトリルAIBN、2,2’-アゾビス4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス2-シクロプロピルプロピオニトリル、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2’-アゾビスイソブチレート等のアゾ系ラジカル開始剤;ベンゾイルパーオキサイド、t-ブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド等の過酸化物系ラジカル開始剤等を挙げることができる。これらの中でAIBN、ジメチル2,2’-アゾビスイソブチレートが好ましい。これらのラジカル開始剤は1種又は2種以上を用いることができる。上記重合に使用される溶媒としては、例えばn-ペンタン、n-ヘキサン、n-ヘプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン等のアルカン類;シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、デカリン、ノルボルナン等のシクロアルカン類;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素類;クロロブタン類、ブロモヘキサン類、ジクロロエタン類、ヘキサメチレンジブロミド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル類;アセトン、メチルエチルケトン、4-メチル-2-ペンタノン、2-ヘプタノン等のケトン類;テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン類、ジエトキシエタン類等のエーテル類;メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、4-メチル-2-ペンタノール等のアルコール類等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。上記重合における反応温度としては、通常40°C~150°C、50°C~120°Cが好ましい。反応時間としては、通常1時間~48時間、1時間~24時間が好ましい。[A]重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量Mwは特に限定されないが、1,000以上500,000以下が好ましく、2,000以上400,000以下がより好ましく、3,000以上300,000以下がさらに好ましい。[A]重合体のMwが上記下限未満であると、得られるレジスト膜の耐熱性が低下するおそれがある。一方、[A]重合体のMwが500,000を超えると、レジスト膜の現像性が低下するおそれがある。[A]重合体のGPCによるポリスチレン換算数平均分子量Mnに対するMwの比Mw/Mnは、通常、1以上5以下であり、1以上3以下が好ましく、1以上2以下がさらに好ましい。なお、本明細書において、Mw及びMw/Mnを求めるためのGPC測定は、例えば、東ソー社製のGPCカラムG2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本を用い、流量1.0ミリリットル/分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度40°Cの分析条件で、単分散ポリスチレンを標準として行われる。<[B]酸発生体>[B]酸発生体は、電磁波や荷電粒子線の露光により酸を発生する物質である。上記発生した酸が[A]重合体中に存在する酸解離性基を解離させることにより、カルボキシル基等の極性基を生成させ、その結果、[A]重合体は現像液に対する溶解性が変化する。ここで、上記電磁波としては、紫外線、可視光線、遠紫外線、X線、γ線等が挙げられ、上記荷電粒子線としては、電子線、α線等が挙げられる。当該ドライ露光用フォトレジスト組成物における[B]酸発生体の含有形態としては、後述するような化合物の形態以下、適宜[B]酸発生剤とも称する。でも、重合体の一部として組み込まれた酸発生基の形態でも、これらの両方の形態でもよい。[B]酸発生剤としては、例えばオニウム塩化合物、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物等が挙げられる。オニウム塩化合物としては、例えばスルホニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩、ヨードニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩等が挙げられる。スルホニウム塩としては、例えばトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート、トリフェニルホスホニウム1,1,2,2-テトラフルオロ-6-1-アダマンタンカルボニロキシ-ヘキサン-1-スルホネート、トリフェニルスルホニウム2-1-アダマンチル-1,1-ジフルオロエタンスルホネート等が挙げられる。テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート等が挙げられる。ヨードニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムカンファースルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムカンファースルホネート等が挙げられる。スルホンイミド化合物としては、例えばN-トリフルオロメタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-パーフルオロ-n-オクタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-3-テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル-1,1-ジフルオロエタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-カンファースルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド等を挙げることができる。[B]酸発生剤としては、これらの中で、オニウム塩化合物が好ましく、スルホニウム塩がより好ましく、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム1,1,2,2-テトラフルオロ-6-1-アダマンタンカルボニロキシ-ヘキサン-1-スルホネートがさらに好ましい。これらの[B]酸発生体は、1種又は2種以上を用いることができる。[B]酸発生体が酸発生剤である場合の当該ドライ露光用フォトレジスト組成物における含有量としてはレジストとしての感度及び現像性を確保する観点から、[A]重合体100質量部に対して、通常、0.1質量部以上30質量部以下であり、0.5質量部以上20質量部以下が好ましく、1質量部以上15質量部以下がさらに好ましい。[B]酸発生剤の含有量が0.1質量部未満だと、感度及び現像性が低下する傾向がある。逆に、30質量部を超えると、露光光に対する透明性が低下して、所望のレジストパターンを得られ難くなる傾向がある。<[C]界面活性剤>当該ドライ露光用フォトレジスト組成物は、上記特定範囲の含有量の[C]界面活性剤を含有する。[C]界面活性剤としては特に限定されないが、現像欠陥抑制性の向上の観点から、フッ素原子又はケイ素原子を有するノニオン系界面活性剤が好ましいものとして挙げられる。[C]界面活性剤は1種又は2種以上を用いることができる。上記フッ素原子を有するノニオン系界面活性剤としては、例えば、1,1,2,2-テトラフロロオクチル1,1,2,2-テトラフロロプロピルエーテル、1,1,2,2-テトラフロロオクチルヘキシルエーテル、オクタエチレングリコールジ1,1,2,2-テトラフロロブチルエーテル、ヘキサエチレングリコール1,1,2,2,3,3-ヘキサフロロペンチルエーテル、オクタプロピレングリコールジ1,1,2,2-テトラフロロブチルエーテル、ヘキサプロピレングリコールジ1,1,2,2,3,3-ヘキサフロロペンチルエーテル、1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-デカフロロドデカン、1,1,2,2,3,3-ヘキサフロロデカン、N-[3-パーフルオロオクタンスルホンアミドプロピル]N,N’-ジメチル-N-カルボキシメチレンアンモニウムベタイン、リン酸ビスN-パーフルオロオクチルスルホニル-N-エチルアミノエチル、モノパーフルオロアルキルエチルリン酸エステル等の末端、主鎖及び側鎖の少なくとも何れかの部位にフルオロアルキル又はフルオロアルキレン基を有する化合物からなる界面活性剤が挙げられる。フッ素原子を有するノニオン系界面活性剤の市販品としては、例えば、メガファックF-142D、同F-144D、同F-171、同F-172、同F-173、同F-176、同F-177、同F-178A、同F-178K、同F-179、同F-179A、同F-183、同F-184、同F-191、同F-812、同F-815、同F-1405、同F410、同F-443、同F-445、同F-450、同F-471、同F-472SF、同F475、同F-479、同F―482、同R-30、同MCF-350、同TF1025以上、DIC製、EFTOPEF-101、同EF-121、同EF-122B、同EF-122C、同EF-122A3、同EF-121、同EF-123A、同EF-123B、同EF-126、同EF-127、同EF-301、同EF-302、同EF-351、同EF-352、同EF-601、同EF-801、同EF-802以上、ジェムコ製、フタージェント250、同251、同222F、同212M、同245M、同290M、FTX-218G、FTX-207S、FTX-211S、FTX-220S、FTS-230S、FTX-209F、FTX-213F、FTX-233F、FTX-245F、FTX-208G、FTX-218G、FTX-230G、FTS-240G、FTX-204D、FTX-208D、FTX-212D、FTX-216D、FTX-218D、FTX-220D、FTX-222D、FTX-720C、FTX-740C以上、ネオス製、サーフロンS-111、同S-112、同S-113、同S-121、同S-131、同S-132、同S-141、同S-145、同S-381、同S-383、同S-393、同S-101、同KH-40、同SA-100以上、セイミケミカル製等が挙げられる。これらの中で、現像欠陥抑制性の向上の観点から、メガファックF-176、FTX-218G、FTS―240Gが好ましい。また、フッ素原子を有するノニオン系界面活性剤としての含フッ素メタアクリルエステルの市販品としては、例えば、LINC-1001共栄社化学製フッ素アクリレート、CN4000サートマー製フッ素アクリレート、メガファックF-470DIC製パーフルオロアルキル基含有オリゴマー、メガファックF-1405DIC製パーフルオロアルキル基含有オリゴマー等が挙げられる。上記ケイ素原子を有するノニオン系界面活性剤としては、例えば、下記式3で表されるジメチルポリシロキサン-ポリオキシアルキレン共重合体等が挙げられる。上記式3中、Rsは、水素原子又は炭素数1~5のアルキル基である。x及びyは、それぞれ独立して、5~50の整数である。zは、1~20の整数である。上記Rsで表される炭素数1~5のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基等が挙げられる。ケイ素原子を有するノニオン系界面活性剤の市販品としては、例えば、オルガノシロキサンポリマーKP341信越化学工業製、SH7PA、SH21PA、SH28PA、SH30PA、ST94PA以上、東レダウコーニングシリコーン製等が挙げられる。フッ素原子又はケイ素原子を有するノニオン系界面活性剤以外のノニオン系界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテルなどのポリオキシエチレンアルキルエーテル類;ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルなどのポリオキシエチレンアリールエーテル類;ポリオキシエチレンジラウレート、ポリオキシエチレンジステアレートなどのポリオキシエチレンジアルキルエステル類;ソルビタン脂肪酸エステル類;脂肪酸変性ポリオキシエチレン類;ポリオキシエチレン-ポリオキシプロピレンブロック共重合体等が挙げられる。当該ドライ露光用フォトレジスト組成物における[A]重合体100質量部に対する[C]界面活性剤の含有量としては、1質量部以上5質量部以下であり、1.5質量部以上4.5質量部以下がより好ましく、2質量部以上4質量部以下がさらに好ましく、2.5質量部以上3.5質量部以下が特に好ましい。当該ドライ露光用フォトレジスト組成物は[C]界面活性剤の含有量が上記範囲であることで優れた現像欠陥抑制性が発揮される。[C]界面活性剤の含有量が上記下限未満だと、当該ドライ露光用フォトレジスト組成物の現像欠陥抑制性が低下する。逆に[C]界面活性剤の含有量が上記上限を超えると、フォトレジスト組成物中で[C]界面活性剤が難溶となって均一性が低下すると考えられ、その結果、現像欠陥抑制性が低下する。<[D]酸拡散制御体>[D]酸拡散制御体は、露光により[B]酸発生体から生じる酸等のレジスト膜中における拡散現象を制御し、未露光領域における好ましくない化学反応を抑制する効果を奏し、得られるドライ露光用フォトレジスト組成物の貯蔵安定性がさらに向上し、またレジストとしての解像度がさらに向上すると共に、露光から現像処理までの引き置き時間の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に優れるドライ露光用フォトレジスト組成物が得られる。[D]酸拡散制御体の当該ドライ露光用フォトレジスト組成物における含有形態としては、遊離の化合物以下、適宜[D]酸拡散制御剤とも称する。の形態でも、重合体の一部として組み込まれた形態でも、これらの両方の形態でもよい。[D]酸拡散制御剤としては、例えば、アミン化合物、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等が挙げられる。アミン化合物としては、例えばモノシクロアルキルアミン類;ジシクロアルキルアミン類;トリシクロアルキルアミン類;置換アルキルアニリン又はその誘導体;エチレンジアミン、N,N,N,N-テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4-ジアミノジフェニルメタン、4,4-ジアミノジフェニルエーテル、4,4-ジアミノベンゾフェノン、4,4-ジアミノジフェニルアミン、2,2-ビス4-アミノフェニルプロパン、2-3-アミノフェニル-2-4-アミノフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-3-ヒドロキシフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-4-ヒドロキシフェニルプロパン、1,4-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、1,3-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、ビス2-ジメチルアミノエチルエーテル、ビス2-ジエチルアミノエチルエーテル、1-2-ヒドロキシエチル-2-イミダゾリジノン、2-キノキサリノール、N,N,N’,N’-テトラキス2-ヒドロキシプロピルエチレンジアミン、N,N,N’,N’’N’’-ペンタメチルジエチレントリアミン等が挙げられる。アミド基含有化合物としては、例えばN-t-ブトキシカルボニル基含有アミノ化合物、ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N-メチルピロリドン、N-アセチル-1-アダマンチルアミン、イソシアヌル酸トリス2-ヒドロキシエチル等が挙げられる。ウレア化合物としては、例えば尿素、メチルウレア、1,1-ジメチルウレア、1,3-ジメチルウレア、1,1,3,3-テトラメチルウレア、1,3-ジフェニルウレア、トリ-n-ブチルチオウレア等が挙げられる。含窒素複素環化合物としては、例えばイミダゾール類;ピリジン類;ピペラジン類;ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペリジンエタノール、3-ピペリジノ-1,2-プロパンジオール、モルホリン、4-メチルモルホリン、1-4-モルホリニルエタノール、4-アセチルモルホリン、3-N-モルホリノ-1,2-プロパンジオール、1,4-ジメチルピペラジン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。また上記含窒素有機化合物として、酸解離性基を有する化合物を用いることもできる。このような酸解離性基を有する含窒素有機化合物としては、例えば、N-t-ブトキシカルボニルピペリジン、N-t-ブトキシカルボニル-4-ピロリジン、N-t-ブトキシカルボニルイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニル-2-フェニルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-オクチルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジエタノールアミン、N-t-ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジフェニルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン、N-t-アミルオキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン等が挙げられる。これらの中で、N-t-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン及びN-t-アミルオキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジンが好ましく、N-t-アミルオキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジンがさらに好ましい。また、[D]酸拡散制御剤として、露光により感光し弱酸を発生する光崩壊性塩基を用いることもできる。光崩壊性塩基の一例として、露光により分解して酸拡散制御性を失うオニウム塩化合物が挙げられる。オニウム塩化合物としては、例えば下記式D1で表されるスルホニウム塩化合物、下記式D2で表されるヨードニウム塩化合物等が挙げられる。上記式D1及び式D2中、Ra~Reは、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、ヒドロキシル基又はハロゲン原子である。Z-及びE-は、それぞれ独立して、OH-、Rα-COO-又はRβ-SO3-、又は下記式D3で表されるアニオンである。Rα及びRβは、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アラルキル基である。上記式D3中、Rfは、水素原子の一部若しくは全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~12の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数1~12の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシル基である。uは0~2の整数である。当該ドライ露光用フォトレジスト組成物における[D]酸拡散制御剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、10質量部以下が好ましく、5質量部以下がより好ましい。[D]酸拡散制御剤の含有量が10質量部を超えると、レジストとしての感度が低下する傾向にある。[D]酸拡散抑制剤は、1種又は2種以上を用いることができる。[[E]溶媒]当該ドライ露光用フォトレジスト組成物は通常[E]溶媒を含有する。溶媒は少なくとも上記[A]重合体、[B]酸発生体、[C]界面活性剤及び必要に応じて加えられる任意成分を溶解できれば特に限定されない。[E]溶媒として、アルコール系溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、n-プロパノール、iso-プロパノール、n-ブタノール、iso-ブタノール、sec-ブタノール、tert-ブタノール、n-ペンタノール、iso-ペンタノール、2-メチルブタノール、sec-ペンタノール、tert-ペンタノール、3-メトキシブタノール、n-ヘキサノール、2-メチルペンタノール、sec-ヘキサノール、2-エチルブタノール、sec-ヘプタノール、3-ヘプタノール、n-オクタノール、2-エチルヘキサノール、sec-オクタノール、n-ノニルアルコール、2,6-ジメチル-4-ヘプタノール、n-デカノール、sec-ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec-テトラデシルアルコール、sec-ヘプタデシルアルコール、フルフリルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5-トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等のモノアルコール系溶媒;エチレングリコール、1,2-プロピレングリコール、1,3-ブチレングリコール、2,4-ペンタンジオール、2-メチル-2,4-ペンタンジオール、2,5-ヘキサンジオール、2,4-ヘプタンジオール、2-エチル-1,3-ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等の多価アルコール系溶媒;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ-2-エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル等の多価アルコール部分エーテル系溶媒等が挙げられる。エーテル系溶媒としては、例えばジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジフェニルエーテル、メトキシベンゼン等が挙げられる。ケトン系溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル-iso-ブチルケトン、メチル-n-ペンチルケトン、エチル-n-ブチルケトン、メチル-n-ヘキシルケトン、ジ-iso-ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン、2,4-ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン等のケトン系溶媒が挙げられる。アミド系溶媒としては、例えばN,N’-ジメチルイミダゾリジノン、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルプロピオンアミド、N-メチルピロリドン等が挙げられる。エステル系溶媒としては、例えばジエチルカーボネート、プロピレンカーボネート、酢酸メチル、酢酸エチル、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、酢酸n-プロピル、酢酸iso-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸iso-ブチル、酢酸sec-ブチル、酢酸n-ペンチル、酢酸sec-ペンチル、酢酸3-メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2-エチルブチル、酢酸2-エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸n-ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸iso-アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ-n-ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-ブチル、乳酸n-アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル等が挙げられる。炭化水素系溶媒としては、例えばn-ペンタン、iso-ペンタン、n-ヘキサン、iso-ヘキサン、n-ヘプタン、iso-ヘプタン、2,2,4-トリメチルペンタン、n-オクタン、iso-オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、n-プロピルベンゼン、iso-プロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、iso-ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ-iso-プロピルベンセン、n-アミルナフタレン等の芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらの中で、エステル系溶媒及びケトン系溶媒が好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノンがより好ましい。[E]溶媒は1種又は2種以上を用いることができる。<その他の任意成分>当該ドライ露光用フォトレジスト組成物は、その他の任意成分として、必要に応じ、例えば、脂環式骨格含有化合物、増感剤、ハレーション防止剤、保存安定化剤、消泡剤等をさらに含有してもよい。[脂環式骨格含有化合物]脂環式骨格含有化合物は、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接着性等を改善する効果を奏する。脂環式骨格含有化合物としては、例えば1-アダマンタンカルボン酸、2-アダマンタノン、1-アダマンタンカルボン酸t-ブチル等のアダマンタン誘導体類;デオキシコール酸t-ブチル、デオキシコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸2-エトキシエチル等のデオキシコール酸エステル類;リトコール酸t-ブチル、リトコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸2-エトキシエチル等のリトコール酸エステル類;3-2-ヒドロキシ-2,2-ビストリフルオロメチルエチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、2-ヒドロキシ-9-メトキシカルボニル-5-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン等が挙げられる。これらの脂環式骨格含有化合物は単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。[増感剤]増感剤は、[B]酸発生体の生成量を増加する作用を示すものであり、当該組成物のみかけの感度を向上させる効果を奏する。増感剤としては、例えばカルバゾール類、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、フェノール類、ビアセチル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセン類、フェノチアジン類等が挙げられる。これらの増感剤は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。<ドライ露光用フォトレジスト組成物の調製方法>当該ドライ露光用フォトレジスト組成物は、通常、全固形分濃度が1~50質量、好ましくは1~25質量となるように[E]溶媒に溶解した後、例えば、孔径0.05μm程度のフィルターでろ過することによって調製される。なお、当該ドライ露光用フォトレジスト組成物は、ハロゲンイオン、金属等の不純物の含有量が少ないほど好ましい。このような不純物の含有量が少ないとレジスト膜の感度、解像度、プロセス安定性、パターン形状等をさらに向上させることができる。そのため、当該ドライ露光用フォトレジスト組成物に含有される[A]重合体等の重合体は、例えば水洗、液々抽出等の化学的精製法や、これらの化学的精製法と限外ろ過、遠心分離等の物理的精製法との組合せ等によって精製することが好ましい。<レジストパターンの形成方法>本発明のパターン形成方法は、1当該ドライ露光用フォトレジスト組成物を基板上に塗布し、レジスト膜を形成する工程、2上記レジスト膜を気体を介して露光する工程、3上記露光されたレジスト膜を加熱する工程、及び4上記加熱されたレジスト膜を現像する工程を有する。当該レジストパターン形成方法は、上述の当該ドライ露光用フォトレジスト組成物を用いているので、ドライ露光を行って形成されたレジストパターンにおける現像欠陥の発生を抑制することができ、さらなる加工の微細化が可能となる。以下、各工程について説明する。1工程では、ドライ露光用フォトレジスト組成物を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段によって、基板シリコンウエハー、二酸化シリコン、反射防止膜で被覆されたウエハー等上に塗布することにより、レジスト膜を形成する。具体的には、得られるレジスト膜が所定の膜厚となるようにドライ露光用フォトレジスト組成物を塗布した後、必要に応じてプレベークPBすることにより塗膜中の溶媒を気化させ、レジスト膜を形成する。PBの加熱温度としては、当該組成物の配合組成によって適宜選択されるが、通常30°C~200°C程度であり、50°C~150°Cが好ましい。また、PBの加熱時間としては通常10秒~600秒程度であり、20秒~300秒が好ましい。2工程では、1工程で形成されたレジスト膜に、気体を介して、露光光を照射し、ドライ露光を行う。当該レジストパターン形成方法においては、露光を気体を介して行うドライ露光であるため、液浸露光で起こり得るウオーターマーク欠陥、バブル欠陥等の発生がない。ここで、露光光を介する気体としては、空気及び窒素やアルゴン等の不活性気体等が挙げられる。なお、この際には、通常、所定のパターンを有するマスクを通して露光光を照射する。露光光としては目的とするパターンの線幅に応じて、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線等の電磁波、電子線等の荷電粒子線等から適宜選択して照射する。これらの中でも、ArFエキシマレーザー光波長193nm及びKrFエキシマレーザー光波長248nmに代表される遠紫外線が好ましく、特にArFエキシマレーザー光が好ましい。ArFエキシマレーザー光を露光光とするレジストパターン形成においては、より微細なパターンを形成するため、現像欠陥の発生を抑制する利益が特に大きくなる。3工程は、ポストエクスポージャーベークPEBと呼ばれ、2工程でレジスト膜の露光された部分において、露光により発生した酸による重合体の脱保護を促進させる工程である。このPEBによって、露光された部分露光部と露光されていない部分未露光部のアルカリ現像液に対する溶解性に差が生じる。PEB温度としては、通常50°C~180°Cであり、50°C~170°Cが好ましい。また、PEBを行う時間としては、通常10秒~600秒程度であり、20秒~300秒が好ましい。4工程では、露光されたレジスト膜を、現像液で現像することにより、所定のレジストパターンを形成する。現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、けい酸ナトリウム、メタけい酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8-ジアザビシクロ-[5.4.0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ-[4.3.0]-5-ノネン等のアルカリ性化合物の少なくとも1種を溶解したアルカリ水溶液が好ましい。このアルカリ水溶液の濃度としては、通常1~10質量であり、1~5質量が好ましく、1~3質量がさらに好ましい。また上述したように、現像液として、炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、アルコール系溶媒等の有機溶媒、又は有機溶媒を含有する溶媒を用いることもできる。4工程における現像液の温度としては、通常10°C~50°Cであり、15°C~30°Cが好ましく、20°C~25°Cがさらに好ましい。また、現像液による処理時間としては通常10秒~200秒であり、15秒~100秒がより好ましく、15秒~90秒がさらに好ましい。なお、現像液で現像した後は、水等で洗浄し、乾燥することが好ましい。以下、本発明を実施例及び比較例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。各種物性値の測定方法を下記に示す。[重量平均分子量Mw及び数平均分子量Mn]東ソー社製のGPCカラムG2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本を用い、流量1.0ミリリットル/分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度40°Cの分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCにより測定した。また、分散度Mw/Mnは測定結果より算出した。[13C-NMR分析][A]重合体の13C-NMR分析は、日本電子製のJNM-EX400を用い、測定した。測定溶媒には重クロロホルムを用いた。<[A]重合体の合成>[A]重合体の合成に用いた単量体化合物を以下に示す。[合成例1]重合体A-1の合成上記化合物M-127.64g60モル、化合物M-810.20g20モル及び上記化合物M-912.17g20モルを、2-ブタノン100gに溶解した溶液を得た後、この溶液にAIBN2.25g5モルを加えて溶解させ単量体溶液を準備した。次に、2-ブタノン50gを投入した500mLの三口フラスコを30分窒素パージした。窒素パージ後、反応釜を攪拌しながら80°Cに加熱し、上記準備した単量体溶液を滴下漏斗を用いて三口フラスコ内に3時間かけて滴下した。滴下開始を重合開始時間とし、重合反応を6時間行って重合溶液を得た。重合終了後、重合溶液を水冷して30°C以下に冷却し、1,000gのメタノールに投入して白色物質を析出させた。析出した白色物質をろ別し、ろ別された白色物質をそれぞれ200gのメタノールによって2回洗浄した。その後、再度白色物質をろ別し、50°Cで17時間乾燥して白色粉末の重合体A-1を得た33.5g、収率67。この重合体A-1は、Mwが6,550、Mw/Mnが1.36であった。また、13C-NMR分析の結果、化合物M-1:化合物M-8:化合物M-9に由来する各構造単位の含有割合モルは、これらの合計に対して、58:20:22モルであった。[合成例2~10]重合体A-2~A-10の合成用いる単量体化合物の総質量を50.0gとし、下記表1に示す種類及び仕込み量モルの単量体化合物を用いた以外は、合成例1と同様にして、重合体A-2~A-10を合成した。なお、表1中の-は、対応する単量体化合物を用いなかったことを示す。得られた重合体A-2~A-10のMw、Mw/Mn、収率、及び重合体中の各単量体に由来する構造単位の含有割合モルの測定結果を合わせて表1に示す。<ドライ露光用フォトレジスト組成物の調製>ドライ露光用フォトレジスト組成物の調製に用いた[B]酸発生剤、[C]界面活性剤、[D]酸拡散抑制剤、及び[E]溶媒について以下に示す。[[B]酸発生剤]B-1:トリフェニルスルホニウム1,1,2,2-テトラフルオロ-6-1-アダマンタンカルボニロキシ-ヘキサン-1-スルホネートB-2:トリフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネートB-3:トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート[[C]界面活性剤]C-1:FTX-218Gネオス製C-2:FTS-240Gネオス製C-3:メガファックF-176DIC製[[D]酸拡散抑制剤]D-1:N-t-アミルオキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン[[E]溶媒]E-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートE-2:シクロヘキサノンE-3:γ-ブチロラクトン[実施例1][A]重合体としてA-1を100質量部、[B]酸発生剤としてB-1を8質量部、[C]界面活性剤としてC-1を3質量部、[D]酸拡散制御剤としてD-1を1質量部、並びに[E]溶媒としてE-1を1,520質量部、E-2を170質量部、E-3を30質量部混合した後、孔径0.05μmのフィルターでろ過して実施例1のドライ露光用フォトレジスト組成物を調製した。[実施例2~12及び比較例1~7]下記表1に示す種類及び配合量の各成分を用いた以外は実施例1と同様にして、実施例2~12及び比較例1~7の各ドライ露光用フォトレジスト組成物を調製した。なお、表2中の-は、対応する成分を用いなかったことを示す。<レジストパターンの形成>上記得られた実施例1~12及び比較例1~7のドライ露光用フォトレジスト組成物を用いて下記方法により、レジストパターンを形成した。ヘキサメチルジシラザン処理をした8インチのシリコンウェハ上に、下層反射防止膜形成用組成物AR46、日産化学製を、塗布/現像装置CLEANTRACKACT8、東京エレクトロン製を使用してスピンコートした後、215°C、60秒間の条件でベークを行うことにより膜厚290nmの塗膜を形成した。次いで、上記塗布/現像装置を使用して上記実施例及び比較例のドライ露光用フォトレジスト組成物をスピンコートし、100°C、60秒間の条件でPBを行った後、23°Cで30秒間冷却することにより膜厚160nmのレジスト膜を形成した。次に、形成したレジスト膜に、ArF露光装置NSR-S306C、Nikon製を使用し、NA:0.78のDipole光学条件にて、90nmL/Sと未露光部が市松状に配置されたマスク及び空気を介して、ドライ露光を行った。その後、上記塗布/現像装置のホットプレート上で、115°C、60秒間PEBを行った後、23°Cで30秒間冷却し、現像カップのLDノズルにて、2.38テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を現像液として現像し、超純水でリンスした。その後、スピンドライすることにより、レジストパターンが形成された評価用基板を得た。<評価>上記レジストパターンが形成された評価用基板について、下記方法により現像欠陥数を測定し、評価した。上記評価用基板の未露光部を、欠陥検査装置KLA2351、KLATENCOR製を用いて測定した。さらに検出された欠陥を走査型電子顕微鏡評価装置SEMVisionG3、KLATENCOR製を用いてレジスト由来の現像欠陥と判断されるものと外部由来のパーティクル欠陥とに分類した。このレジスト由来の現像欠陥と判断されるものを、現像欠陥数とした単位:個。測定された現像欠陥数を、表3に示す。なお、現像欠陥数が300個以下の場合は良好と、300個を超える場合は不良と判断した。表3から明らかなように、本発明のドライ露光用フォトレジスト組成物によれば、比較例のドライ露光用フォトレジスト組成物を用いた場合に比べて、現像欠陥の発生を大幅に抑制できることを確認できた。"