表面に金属層を有する箔と、前記金属層を構成する金属の酸化物で構成され、前記金属層の上に形成され、厚みが0nmよりも大きく10nm未満である第1誘電膜と、前記第1誘電膜とは異なる金属化合物を主成分とし、前記第1誘電膜上に形成された第2誘電膜と、を備えた、電極箔。前記箔は、金属製の基材と、前記基材上に形成された粗膜層と、を有し、前記粗膜層は、前記基材の表面から金属微粒子が不規則に複数個連なって構成されるとともに、内部に多数の空孔を有する、請求項1記載の電極箔。前記第1、第2誘電膜は、前記金属微粒子の外周に形成されるとともに、前記複数の金属微粒子の接続部分は括れていて、前記接続部分の外周にも前記第1、第2誘電膜が形成されている、請求項2記載の電極箔。前記粗膜層は、複数の枝に枝分かれした構造体である、請求項2記載の電極箔。前記第1誘電膜は前記金属微粒子の酸化によって前記金属微粒子の内側および外表面に形成され、前記第2誘電膜は前記第1誘電膜の外表面に形成されて、前記第1誘電膜の機械的強度を補強している、請求項2記載の電極箔。前記粗膜層の空孔径の最頻値は、0.01μm以上、0.20μm以下である、請求項2記載の電極箔。前記第2誘電膜は、前記第1誘電膜を構成する酸化物の誘電率よりも高い誘電率を有する材料で構成されている、請求項1記載の電極箔。前記第1誘電膜と前記第2誘電膜との界面におけるフッ素の含有率が5atm未満である、請求項1記載の電極箔。箔の表面に形成された金属層上に、前記金属層の酸化物で構成された第1誘電膜を形成するステップと、前記第1誘電膜が形成された前記箔を15°C以下の溶液に浸漬して、電解法または無電解法のいずれかにより、前記第1誘電膜とは異なる金属化合物を主成分とする第2誘電膜を形成するとともに、前記第1誘電膜の厚みを10nm未満に抑えるステップと、を備えた、電極箔の製造方法。陽極部と陰極部とを有するコンデンサ素子と、前記陽極部と前記陰極部との間に介在する電解質と、前記コンデンサ素子と前記電解質とを収容する外装体と、を備え、前記陽極部または前記陰極部の少なくとも一方は、表面に金属層を有する箔と、前記金属層を構成する金属の酸化物で構成され、前記金属層上に形成され、厚みが0nmよりも大きく10nm未満である第1誘電膜と、前記第1誘電膜とは異なる金属化合物を主成分とし、前記第1誘電膜上に形成された第2誘電膜と、を有する電極箔を含む、コンデンサ。実施の形態1以下、本発明の実施の形態1における電極箔と、この電極箔を用いたコンデンサについて説明する。本実施の形態のコンデンサは、電解質として導電性高分子材料を用いた固体電解コンデンサである。図1はコンデンサ素子6を積層した本実施の形態におけるコンデンサ7の斜視図である。図2Aはコンデンサ素子6の平面図であり、図2Bはコンデンサ素子6の2B-2B線における断面図である。図2Aに示すように、平板状のコンデンサ素子6は、陽極部10と、絶縁性のレジスト部分離部11と、陰極部12とを有する。また図2Bに示すように、表面に誘電膜8が形成された電極箔9Aが、陽極箔として用いられている。すなわち、電極箔9Aは、箔9Bと、箔9Bの粗膜層19上に形成された誘電膜8とを有している。さらに、箔9Bは、基材18と、基材18上に形成された粗膜層19とで形成されている。レジスト部11は電極箔9A上に形成され、電極箔9Aを陽極部10と陰極形成部図示せずに分離している。陽極部10は電極箔9Aの基材18の露出した部分である。陰極部12は陰極形成部の誘電膜8上に形成されている。陰極部12は、誘電膜8上に形成された導電性高分子からなる固体電解質層13と、固体電解質層13上に形成されたカーボン層および銀ペースト層からなる陰極層14とで構成されている。図1に示すように、コンデンサ7は複数のコンデンサ素子6と、陽極端子15と、陰極端子16と、外装体17とを有する。複数のコンデンサ素子6は積層され、それぞれの陽極部10は陽極端子15にレーザー溶接によって接続されている。一方、それぞれの陰極部12の底面または側面には、陰極端子16が接続されている。詳細に説明すると、陰極端子16には、コンデンサ素子6の搭載部分の両側面を上方に折り曲げた折り曲げ部16Aが形成されている。そして陰極端子16の素子搭載部分と最下部のコンデンサ素子6の陰極部12との間は、導電性接着材で接合されている。同様に、折り曲げ部16Aと陰極部12との間や、上下に隣り合う2枚のコンデンサ素子6の陰極部12の間も導電性接着材で接合されている。陽極端子15と陰極端子16は、それぞれの一部が外表面に露呈する状態で、複数のコンデンサ素子6とともに絶縁性樹脂からなる外装体17で一体に被覆されている。外装体17から表出した陽極端子15と陰極端子16の一部は、外装体17に沿って底面へと折り曲げられている。この加工により、底面に陽極端子と陰極端子を有する面実装型のコンデンサ7が構成されている。次に図3A~図4Bを参照しながら電極箔9Aについて詳細に説明する。図3Aは電極箔9Aの模式断面図であり、図3Bは図3Aの3B部拡大断面図である。図4Aは図3Aに示す電極箔9Aを3万倍に拡大したSEM像を示す図であり、図4Bは図4Aの模式図である。図3A、図4A、図4Bに示すように、粗膜層19は、基材18の表面から複数の金属微粒子20が不規則に連なって、伸びるように形成され、複数の枝に枝分かれした構造体で構成されている。また粗膜層19の内部には多数の空孔が存在している。これらの空孔は外部と繋がっているため、これらの空孔によって粗膜層19の表面積が大きくなっている。金属微粒子20の粒径はほぼ同じでもよく、また粒径の異なる金属微粒子20をランダムに積層して粗膜層19を形成してもよい。あるいは根元部分の金属微粒子20の粒径を大きくし、先端部分の金属微粒子20の粒径を小さくしてもよい。この構成によって、金属微粒子20と基材18との密着性を高めるとともに、大きな表面積を維持し、大容量化を実現できる。本実施の形態では、基材18としてアルミニウム箔を用い、金属微粒子20もアルミニウムを主成分としている。図3Bに示すように、誘電膜8は金属微粒子20の外表面において、金属微粒子20の表面形状に沿って積層されている。誘電膜8は、第1誘電膜8Aと、第1誘電膜8A上に形成された第2誘電膜8Bとの積層体で構成されている。なお複数の金属微粒子20の接続部分21は括れているが、この括れた接続部分21の外周にも第1誘電膜8A、第2誘電膜8Bは形成されている。第1誘電膜8Aは、金属微粒子20の酸化物である酸化アルミニウムからなり、第2誘電膜8Bは、第1誘電膜8Aとは異なる金属化合物を主成分とする。例えば第2誘電膜8Bは、第1誘電膜8Aよりも誘電率の高い二酸化チタンで形成されている。したがって誘電膜8を、酸化アルミニウムからなる第1誘電膜8Aのみで構成するよりも、全体的な膜厚はほぼ同様であっても、コンデンサの容量を高めることができる。第1誘電膜8Aは、厚みが0nmよりも大きく10nm未満である。そして第2誘電膜8Bは第1誘電膜8Aよりも厚いことが好ましい。これにより、薄い第1誘電膜8Aを補強することができる。また、コンデンサの容量を実質的に第2誘電膜8Bで大きくすることができるため、第1誘電膜8Aはできるだけ薄いことが好ましい。具体的には10nm未満でよい。第1誘電膜8Aは金属微粒子20と第2誘電膜8Bとの密着性を高めるなど、金属微粒子20と第2誘電膜8Bとを繋ぐ役割を果たす。また金属微粒子20は、アルミニウムで構成する以外に、アルミニウム合金やチタン、ニオブ、タンタルなどの弁金属で形成してもよい。しかしながら、金属微粒子20粗膜層19を比較的融点の低いアルミニウムで構成することで、蒸着により粗膜層19を形成するときの生産性に優れる。基材18は、アルミニウムで構成する以外に、アルミニウム合金やタンタル、チタンなどの金属材料を用いてもよく、導電性高分子からなるフィルム、あるいは透明導電性ガラスなどでもよい。また金属微粒子20で構成された粗膜層19と基材18の主成分とは異なっていてもよいが、同じ金属とすることで、蒸着時の熱で基材18が適度に軟化し、基材18の形状を維持しつつ、金属微粒子20との結合が強まる。また一部の金属微粒子20は、金属酸化物あるいは金属窒化物などの金属化合物で構成されていてもよい。さらにそれぞれの金属微粒子20の一部は金属酸化物あるいは金属窒化物などの金属化合物で構成されていてもよい。なお、第2誘電膜8Bとして誘電率の高い二酸化チタンを用いる以外に、ジルコニウム、シリコン、タンタル、ニオブなどの弁金属をはじめとして、種々の金属の酸化物や、窒化物などの化合物など、第1誘電膜8Aとは異なる金属化合物を主成分とする材料で第2誘電膜8Bを形成できる。また第2誘電膜8Bの誘電率が第1誘電膜8Aより低くてもよい。この場合、二酸化シリコンなどの薄膜形成が可能な金属化合物で第2誘電膜8Bを形成すれば、誘電膜8の膜厚を薄くすることができ、コンデンサ全体の大容量化に寄与する。以下、電極箔9Aの製造方法の例を説明する。1弁作用金属である厚みが50μmの高純度アルミニウム箔の基材18を蒸着槽内に配置し、蒸着槽内を0.01~0.001Paの真空に保つ。2基材18の周辺に、酸素ガスに対してアルゴンガスの流量を2~6倍にした不活性ガスを流入して基材18の周辺の圧力を10~30Paの状態にする。3基材18の温度を150~300°Cの範囲に保つ。4蒸着源にアルミニウムを配設した状態で真空蒸着により粗膜層19を形成する。粗膜層19の金属微粒子20は平均粒子径が、0.01μm以上、0.30μm以下となるものが好ましい。すなわち、金属微粒子20の平均粒子径が上記範囲になるよう、真空蒸着の条件を設定することが好ましい。具体的には、導入ガス分圧や製膜時圧力、また基板温度等の条件を適切に設定することによって金属微粒子20の平均粒子径を上記範囲にすることができる。本実施の形態では約0.10μmの金属微粒子20を用いている。なお、平均粒子径が0.01μm未満の場合、金属微粒子20の接続部分21が極めて細くなり、機械的強度が弱くなることがある。また0.30μmを超えると、表面積を大きくするのが困難となる。なお、機械的強度を保つため、接続部分21の直径は、金属微粒子20の粒子径の30以上であることが好ましい。また、粗膜層19の空孔径の最頻値が0.01μm以上、0.20μm以下であることが好ましい。このように粗膜層19の空孔を極めて微細にすることにより、表面積を大きく拡大することができる。この最頻値は、通常のエッチングで粗面化した電極箔の空孔径の最頻値と比較して極めて微細である。このような状態は、上記のように真空蒸着により粗膜層19を形成することで実現できる。粗膜層19の空孔径は、水銀圧入法を用いて、式1により求めることができる。D=-4γcosθ/P1Pは水銀を空孔内に充填するために加える圧力、Dは空孔径直径、γは水銀の表面張力480dynecm-1、θは水銀と細孔壁面の接触角である。空孔径の最頻値は、この空孔径Dの分布のピーク値である。また本実施の形態では、粗膜層19の空隙率は50~80程度である。空隙率は、粗膜層19の重量と蒸着材料の密度とを換算することで求めることができる。なお、図3Aに示すように、粗膜層19は、複数の金属微粒子20が結合した状態である。したがって、垂直方向積層方向の断面には、金属微粒子20間に接続部分21が多く存在し、個々の粒子径を測定しにくい場合がある。その場合は、金属微粒子20の水平断面のSEM写真を画像処理することで金属微粒子20の平均粒子径を測定しやすくなる。なお、上記2のステップで酸素ガスおよびアルゴンガスを流入させて蒸着を行うことにより、粗膜層19を形成しながら同時に金属微粒子20の表面に第1誘電膜8Aを形成することができる。しかしながら2のステップで酸素ガスおよびアルゴンガスを流入させずに蒸着を行ってもよい。この場合、粗膜層19を形成した後、例えば自然酸化により第1誘電膜8Aを形成すればよい。第1誘電膜8Aは、第2誘電膜8Bを形成する前に、例えば陽極酸化によって形成することもできる。第1誘電膜8Aを金属微粒子20の酸化によって形成すると、金属微粒子20の内側を侵食するように第1誘電膜8Aが形成されるとともに、金属微粒子20の外表面にも形成される。第2誘電膜8Bは酸化によって形成するのではないため、第1誘電膜8Aの外表面にのみ形成される。以上のように本実施の形態では、複数の金属微粒子20が基材18から表層に向かって連なることで、複数の枝分かれ構造体で構成された粗膜層19が形成されている。また複数の枝に枝分かれした構造体で粗膜層19が形成されているために、コンデンサに用いた場合に、電解液や固体電解質であるポリマー等の含浸性に優れる。粗膜層19の膜厚は、片面でそれぞれ20μm以上、80μm以下とし、基材18の両面に形成している。粗膜層19は片面のみに形成してもよい。粗膜層19の厚みは20μm以上の膜厚とすることで、容量の大きいコンデンサ7を実現できる。また80μm以下とすることで、上述の蒸着プロセスにより粗膜層19の厚みを精度よく制御できる。なお、本実施の形態では、粗膜層19を形成するプロセスとして蒸着を例に挙げたが、複数の金属微粒子20が連なり、それぞれの金属微粒子20間に隙間が形成された疎な構造体が形成できれば、エアロゾルやスパッタなど、蒸着以外の手法を用いてもよい。次に、誘電膜8の形成方法を説明する。ここでは、第2誘電膜8Bを二酸化チタンで形成する場合を例に説明する。例えば0.05MのNH42TiF6と0.1Mの硝酸アンモニウムNH4NO3を混合した溶液を準備する。この時、溶液にさらにpH調整剤、還元剤等の添加剤を適宜加えることもできる。このように作製した溶液の液温を15°C以下、例えば5°Cに保ち、溶液中に箔9Bを浸漬する。次に、電気化学測定装置を使用し、箔9Bの電位を一定に保つ。このとき、参照極にはAg/AgClを用い、対極にはカーボンや白金を用いる。第2誘電膜8Bの膜厚は、電位と電解時間によって適宜調整する。第2誘電膜8Bの厚みを薄くすれば、電極箔9Aの容量を大きくすることができる。例えば-1.0V~-1.5Vの間に箔9Bの電位を設定し、電気量として0.001C/cm2~5C/cm2の電解を行えば、膜質の良好な誘電膜8を形成することができる。混合する各種の試薬の濃度は、反応速度や膜厚に影響を及ぼすため適宜選択する。本実施の形態では、第2誘電膜8Bの材料となるチタンの供給源としてフルオロ錯体からなる金属化合物を用いたが、金属イオンチタンイオンを安定に存在させることができればこの材料に限定されることはない。また本実施の形態では硝酸アンモニウムを溶解させたが、これは界面のpHをコントロールするためであり、その他の硝酸化合物でもよい。また硝酸化合物を用いずに、溶液中の溶存酸素量を適宜調整しても同様の効果を得ることができる。あるいはその他の添加剤でも代わりとすることができる。また溶液の溶媒は、水以外にも有機系溶媒を用いることができる。本実施の形態では、外部電源を用いて電解する電解法によって第2誘電膜8Bを形成している。これ以外に、NH42TiF6などの金属化合物とNH4NO3などの硝酸系化合物を含む溶液に、さらにジメチルアミンボラン等の還元剤を加えて、無電解で第2誘電膜8Bを形成してもよい。すなわち、上記還元剤を含む溶液の液温を一定に保った後、箔9Bを浸漬する無電解法によって、第2誘電膜8Bを形成することができる。このとき、硝酸系化合物や還元剤の濃度を適宜調整することで、成膜速度をコントロールすることができる。また浸漬時間を調整することで第2誘電膜8Bの厚みを調整することができる。なお、無電解法においても、溶液の温度は低温15°C以下に維持することが好ましい。以上のように電解法あるいは無電解法によって第2誘電膜8Bを形成し、その後必要に応じて熱処理を実施することで、さらに良質な誘電膜8とすることができる。150°C~600°Cの温度で熱処理すると、良好な膜になりやすい。第2誘電膜8Bをジルコニア酸化物で形成する場合には、金属化合物としてNH42TiF6の代わりにNH42ZrF6を用意する。このように、チタン以外であっても例えばジルコニウム、シリコン、タンタル、ニオブ、ランタン、ゲルマニウムなど第2誘電膜8Bの材料となりうる元素の化合物を溶液中に溶解させておけば、種々の材料からなる第2誘電膜8Bを形成することができる。またシリコン化合物を溶解させておけば、誘電率は比較的低いが、高耐圧な第2誘電膜8Bを形成することができる。以上のプロセスで、膜厚5nm~100nm程度の第2誘電膜8Bを形成できる。なお箔9Bを浸漬する溶液の温度が15°Cを超える場合、第1誘電膜8Aが厚み方向に成長し、第1誘電膜8Aの厚みが10nm以上になる。これに対し本実施の形態では、電解法あるいは無電解法において、箔9Bを浸漬する溶液の温度を低温に保つことで、第2誘電膜8Bの下に形成される第1誘電膜8Aの厚みを0nmより大きく、10nm未満に抑えることができる。なお、温度が低すぎると箔9Bを浸漬する溶液が凝固するので、この溶液の温度は-5°C以上、15°C以下に調整することが好ましい。図5Aは1cm×2cmのアルミニウムプレーン箔に、TiO2からなる第2誘電膜8Bを形成した場合の、めっき溶液の温度と出来上がった電極箔9Aの容量との関係を示している。アルミニウムプレーン箔には通常、自然酸化により第1誘電膜8Aに相当する酸化皮膜が形成されている。図5Aから明らかなように、15°C以下の範囲において容量が大きくなっている。また図5Bは、めっき溶液の温度と出来上がった電極箔9Aの第1誘電膜8Aとの関係を示している。なお、溶液の温度を15°C以下の範囲にすることによって、第2誘電膜8Bと第1誘電膜8Aの界面に存在するフッ素の含有量を5atm未満に低減できる。フッ素の含有量を減らすことによって、箔9Aの耐腐食性等の信頼性を向上でき、また廃棄、分解処理時に与える環境への負荷を低減できる。一方で、図5Bに示すように電解法あるいは無電解法で用いる溶液の温度が15°Cを超えると第1誘電膜8Aの厚みが10nmより厚くなると推定でき、図5Aに示すように容量が減少する。溶液の温度を20°C~50°Cにした場合、第2誘電膜8Bの下には25nm程度の厚い酸化皮膜第1誘電膜8Aが形成される。また第2誘電膜8Bと第1誘電膜8Aの界面に存在するフッ素の含有量は10~20atm程度と高くなる。この理由については検討中であるが、電解法あるいは無電解法で用いる溶液の温度が高いために、溶液中で行われる化学反応が促進されたためであると考えられる。すなわち15°Cを超える温度条件下では、溶液中の溶存酸素と箔9Bとの反応が活発であり、第2誘電膜8Bが形成される前に厚い酸化皮膜第1誘電膜8Aが形成されると考えられる。また溶液中のフッ素と箔9Bとの反応が促進され、箔9Bが溶解したり、フッ素が箔9Bの表面に残存したりすると考えられる。これに対し本実施の形態では、電解法あるいは無電解法で用いる溶液の温度を15°C以下にすることで、溶液中の化学反応を抑えることができると考えられる。そのため、第2誘電膜8Bの下に形成される第1誘電膜8Aの厚みや第2誘電膜8Bと第1誘電膜8Aとの間に存在するフッ素の含有量を低減できる。また本実施の形態では、溶液の温度が低いために、フッ素と箔9Bとの反応が抑制され、箔9Bの溶解を抑制できる。なお、箔9Bに用いたアルミニウムは、特に酸化しやすく、フッ素とも反応性が高いため、溶解や第1誘電膜8Aの形成が生じやすい。したがって、箔9Bとしてアルミニウムを用いた場合は特に溶液の温度を下げ、反応を抑制することが有効である。なお、溶液の温度は前述のように-5°C以上、15°C以下の範囲で調整できる。15°C程度にすると、5°Cのときよりも形成される第1誘電膜8Aが厚い可能性はあるが、第2誘電膜8Bの形成速度が上昇するので、生産性の向上に繋がる。また10°C以下の温度で行えば、形成速度が遅くなる一方で、第2誘電膜8Bの厚み調整を行い易くなる。このように電極箔9Aを形成した後、電極箔9Aを陽極箔として用いる場合は、適宜修復化成処理を行ってもよい。化成には70°Cの7アジピン酸アンモニウム水溶液を用い、条件は、例えば化成電圧4.5V、保持時間20分、化成電流密度0.05A/cm2である。次に、本実施の形態による効果を実際の例を用いて説明する。すなわち、第1誘電膜8Aの厚みが5nm、第2誘電膜8Bの厚みが15nmの電極箔9AサンプルE1と、陽極化成のみによって誘電膜を形成した従来の電極箔サンプルC1とを作製する。そして、両者の物性あるいは特性を比較した結果を表1に示す。表1では、それぞれの誘電膜の組成、膜厚、誘電率、金属微粒子20の接続部分の直径、電極箔の容量と、電極箔のLC値漏れ電流値を示している。なお、両者の違いを明確にするため、表1は、いずれも粗膜層19および誘電膜を基材18の片面に形成した場合の値を示している。粗膜層19の厚みはいずれも約30μmである。誘電膜の膜厚は、TEMやSEMなど種々の分析機器によって測定する。なおサンプルC1の電極箔の誘電膜は、サンプルE1の電極箔9Aと同様の方法によって粗膜層19を蒸着により形成した後、70°C、7アジピン酸アンモニウム水溶液を用い、化成電圧5V、保持時間20分、電流密度0.05A/cm2で化成することで作製している。電極箔の容量は、LCRメーターを用い、30°C、8ホウ酸アンモニウム水溶液中で、測定面積10cm2、測定周波数120Hzの条件下で測定している。LC値は、容量測定と同様の溶液と測定面積で測定し、電極箔に一定の電圧を印加したときに流れた電流値を読み取った数値で示している。表1から明らかなように、サンプルC1の電極箔と比較して、サンプルE1の電極箔9Aでは、容量が280μF増大し、LC値は100μA低減している。このように本実施の形態の構成により、従来と比較して、コンデンサ7の大容量化と漏れ電流の低減を実現できる。その理由は、誘電膜8を金属微粒子20の酸化物で構成される第1誘電膜8Aと、第1誘電膜8Aと異なる金属化合物からなる第2誘電膜8Bとの積層体で構成しているからである。すなわち第1誘電膜8Aは金属微粒子20の酸化によって形成されているが、第2誘電膜8Bは金属微粒子の酸化によって形成するのではなく、第1誘電膜8A上に異種材料を積み重ねて形成されている。したがって誘電膜8の誘電率を向上したり、耐電圧を高めたり、あるいは成膜プロセスを効率化するにあたり、金属微粒子20の金属材料と異なる材料から第2誘電膜8Bを自由に選択できる。そのため容易にコンデンサ7の容量を大きくすることができる。表1に示す酸化アルミニウム皮膜を誘電膜としたサンプルC1では、酸化アルミニウムの誘電率が10であり、その電極箔の静電容量は2000μFである。これに対し、サンプルE1では、酸化アルミニウム皮膜からなる第1誘電膜8Aを薄く形成し、その上に二酸化チタンからなる誘電率の高いε=40第2誘電膜8Bを積層することで、静電容量が2280μFまで大きくなっている。さらに本実施の形態では、第1誘電膜8A上を第2誘電膜8Bで被覆するため、第1誘電膜8Aの形成時間が短く、金属微粒子20の内側への第1誘電膜8Aの侵食を低減できる。しかも第2誘電膜8Bは誘電率が高いため、厚く形成しても高い静電容量を維持することができる。このように第2誘電膜8Bによって金属微粒子20の外周を補強し、欠損を抑制できる。その結果、コンデンサ7の大容量化と漏れ電流の低減とを実現できる。また金属微粒子20の接続部分21は括れていて、折れやすい構造であるが、本実施の形態では、この括れた接続部分21の外周にも第2誘電膜8Bが形成されている。そのため、金属微粒子20の欠損をより低減することができる。表1で示すように、サンプルE1では、括れた接続部分21の直径が0.085μmであり、サンプルC1の直径0.060μmよりも太くなっている。したがって、本実施の形態の構成では粗膜層19の欠損を抑制することができる。なお本実施の形態のように、粗膜層19を、厚み20μm以上で、直径0.20μm以下の空孔が多数形成されている粗な構造体とすると、大容量化が実現できる一方で、より折れやすくなる。第1誘電膜8Aは金属微粒子20の内側にも形成されるため、第1誘電膜8Aを厚く形成すると機械的強度が弱まる。これに対し本実施の形態のように第1誘電膜8Aを薄く形成するとともに、第1誘電膜8Aの外表面を覆う第2誘電膜8Bを形成することによって、機械的強度を高め、大容量化と漏れ電流の低減とを実現することができる。コンデンサ7のように、電解質として固体の導電性高分子を用いた場合、金属微粒子20が欠損して金属面が露出してしまうと、誘電膜8を修復する作用がない。したがって本実施の形態のように、第2誘電膜8Bを用いて粗膜層19の機械的強度を高めることは、漏れ電流を低減し、電解コンデンサの耐電圧を高めるのに極めて有効である。なお誘電膜8は、物理蒸着やスパッタ、化学蒸着等のドライ雰囲気下で形成してもよい。しかしながら、このような乾式法で形成すると、複数に枝分かれした構造体の粗膜層19に、均一に誘電膜8を形成する事は難しく、誘電膜8が不連続となりやすい。そのため、第2誘電膜8Bを液中で成膜する湿式のめっき法により形成することが好ましい。湿式法で形成すると、乾式法で形成した場合と比較して、均一に膜を形成しやすい。さらに本実施の形態では、湿式法により第2誘電膜8Bを形成する。そのため、金属微粒子20が接続し括れた接続部分21の外表面にも、ほぼ連続的に形成でき、漏れ電流を低減することができる。さらに湿式法には、LPD法LiquidPhaseDeposition法、ゾルゲル法、めっき法など種々ある。この中で、特にめっき法のうち電解めっき法であれば、粗膜層19の立体的な構造を問わず、導電性の金属微粒子20上に第2誘電膜8Bを形成できる。そのため、より連続的で均一な膜厚の第2誘電膜8Bを形成することができる。まためっき法で金属微粒子20の主成分とは異なる金属を形成し、その後、析出した金属を例えば陽極酸化することで、第2誘電膜8Bを形成することも可能である。なお、成分分析をすると、LPD法で第2誘電膜8Bを形成する場合、第2誘電膜8B内にフッ素が不純物として残留することがわかる。同様にゾルゲル法を用いると炭素が残留し、めっき法を用いると窒素や炭素などの元素が残留する。また湿式法で形成する場合は、乾式で形成する場合と比較し、第2誘電膜8Bに混入する水酸化物の割合が多くなっている。なお本実施の形態で用いた湿式法は、乾式法よりも設備が簡易であり、生産コストを下げることができる。なお粗膜層19は、複数の金属微粒子20が連なり枝分かれした構造体であるが、例えば金属微粒子20を成長させ、柱状に積み上げた構造体でもよい。あるいは、塊状に積層した緻密な構造体で粗膜層19を形成してもよい。これらの構成においても、湿式法を用いることで、連続的で均一な第2誘電膜8Bを効率よく形成することができる。また第2誘電膜8Bの下に第1誘電膜8Aを形成しているため、第2誘電膜8Bが剥離してしまった場合にも、漏れ電流を抑制することができる。また第1誘電膜8Aは金属微粒子20の酸化皮膜で構成されるため、第2誘電膜8Bを金属微粒子20の表面に直接積層する場合と比較して、誘電膜8と金属微粒子20との密着性が非常に高く、漏れ電流の低減に寄与する。そして第1誘電膜8Aと第2誘電膜8Bとは、互いに酸化物であるため、比較的親和性が高い。そのため、第2誘電膜8Bを金属微粒子20の表面に直接積層する場合と比較して密着性を高めることができ、漏れ電流をより低減することができる。なお、本実施の形態では、積層型の固体電解コンデンサを例に挙げたが、巻回型の固体電解コンデンサや電解液を用いた電解コンデンサに適用してもよい。いずれの場合も、電極箔9Aを陽極箔として用いれば、大容量のコンデンサを作製できる。また粗膜層19の機械的強度を高め、漏れ電流を低減することができる。また本実施の形態は、蒸着によって粗膜層19を形成したが、平坦な基材の表面をエッチングすることによって粗膜層19を形成してもよい。実施の形態2図6は本発明の実施の形態2におけるコンデンサの一部切り欠き斜視図である。本実施の形態のコンデンサ22は、陰極材料として液体の電解液を用いた電解コンデンサである。コンデンサ22は、コンデンサ素子26と、コンデンサ素子26に含浸させた電解液と、ケース27と、陽極端子28と、陰極端子29と、封止材30とを有する。コンデンサ素子26は、陽極箔23と陰極箔24とを、セパレータ25を介して対向させて巻回して形成されている。ケース27はコンデンサ素子26および電解液を収容している。陽極端子28は陽極箔23と電気的に接続され、陽極箔23を電気的にケース27の外部へ引き出している。陰極端子29は陰極箔24と電気的に接続され、陰極箔24を電気的にケース27の外部へ引き出している。陽極端子28、陰極端子29は封止材30に挿入されている。封止材30はケース27の開口部を封止している。陰極箔24は、図3A、図3Bを参照して説明した実施の形態1の電極箔9Aと同様に構成されている。すなわち、陰極箔24は基材18と、粗膜層19と、第1誘電膜8Aと、第2誘電膜8Bとを有する。基材18と粗膜層19はアルミニウムで形成されている。粗膜層19は基材18上に形成されている。酸化アルミニウムで構成された第1誘電膜8Aは粗膜層19の表面に化成によって形成されている。二酸化チタンで構成された第2誘電膜8Bは第1誘電膜8A上に湿式法によって積層されている。第2誘電膜8Bは、セパレータ25と対向する側に配置されている。陰極箔24の材料はこれに限定するものでなく、実施の形態1と同様に種々の導電性材料から選択できる。第2誘電膜8Bを形成するステップでは、実施の形態1と同様にめっき溶液の温度を15°C以下とすることにより、第1誘電膜8Aの厚みを0nmより厚く10nm未満に形成することができる。以下、本実施の形態の陰極箔24は、実施の形態1の電極箔9Aとほぼ同様に作製されるため、説明を省略する。粗膜層19は、実施の形態1と同様に、蒸着によって形成され、基材の表面から金属微粒子20が不規則に複数個連なって枝分かれした、粗な構造体である。このように陰極箔24として表面積の大きい粗膜層19を有する電極箔を用いることで、大容量化を実現できる。また第2誘電膜8Bとして、第1誘電膜8Aよりも誘電率の高い二酸化チタンを用いることによって、さらに大容量化することができる。次に、本実施の形態による効果を実際の例を用いて説明する。すなわち、第1誘電膜8Aの厚みが2nm、第2誘電膜8Bの厚みが6nmの電極箔9Aを陰極箔24として用いたサンプルE2と、陽極化成のみによって誘電膜を形成した従来の電極箔を陰極箔24として用いたサンプルC2とを作製する。そして、両者の物性あるいは特性を比較した結果を表2に示す。なおサンプルE2、サンプルC2では、何れも電極箔の片面に粗膜層と誘電膜を形成している。表2から明らかなように、サンプルE2では、電極箔9Aの静電容量が5500μFとなり、サンプルC2と比較して静電容量が500μF増大している。なお陰極箔24の容量成分と陽極箔23の容量成分とは直列接続となる。そのため、陰極箔24には誘電膜を形成せず、陰極側には容量成分が生じないことが望ましく、陽極箔23の静電容量を大きくしてコンデンサ7を構成することが好ましい。しかしながら実際には陰極箔24にも、自然酸化や加熱処理等によって酸化皮膜が形成されてしまう。これらを制御するために、あらかじめ陰極箔24の表面に酸化皮膜を形成することがある。陰極箔24をアルミニウムで構成する場合、2V程度で化成を行う。したがって、予め陰極箔24上に誘電率の高い誘電膜8を形成しておくことは、コンデンサ7の大容量化に効果があるとともに、例えば二酸化チタンのような材料で誘電膜8第2誘電膜8Bを構成すれば、陰極表面の劣化を抑制することができる。なお本実施の形態では、陰極箔24に表面積の大きい粗膜層19を有する電極箔9Aを用いたが、陽極箔23に電極箔9Aを用いてもよく、陰極箔24および陽極箔23の双方に用いてもよい。いずれの場合も、電極箔9Aの大容量化と粗膜層19の機械的強度向上および漏れ電流の低減に寄与する。ただし、電極箔9Aをコンデンサ22に使用する場合、陽極箔23側にはプラスの電圧が印加される。したがって電極箔9Aを陽極箔23として用いる場合は、電圧の印加によって積層した第2誘電膜8Bが剥離することがある。修復化成を行う場合は剥離する可能性がより高くなる。またプラスの電圧が印加されることで第1誘電膜8Aの下にある金属微粒子が化成され、静電容量が低下することがある。よって本実施の形態のように、第2誘電膜8Bを備えた電極箔9Aは、陰極箔24として用いる方が製品の安定性という観点ではより好ましい。また本実施の形態では、実施の形態1と同様に、粗膜層19の外表面を厚い第2誘電膜8Bで被覆することによって、粗膜層19の機械的強度を高めることができ、欠損を抑制することができる。したがって、表面積の大きい電極箔9Aを安定して製造することができる。なお、本実施の形態では、コンデンサ素子26に含浸させる電解液を用いたが、電解液に代えて導電性高分子や有機半導体材料などの固体電解質を用いてもよい。これらの材料は、電極箔とセパレータ25を巻回してコンデンサ素子26を形成した後に含浸させてもよく、巻回する前に含浸させてもよい。なお、実施の形態1、2ではコンデンサの電極を例に挙げて説明している。これ以外に、例えば第2誘電膜8Bを二酸化チタンで構成し、基材18として導電性ガラスやアルミニウムを用い、さらにルテニウム錯体などの色素や電解質を用いれば、色素増感太陽電池などの電極として利用することができる。基材として金属以外の物質を用いる場合は、表面に粗膜層19のような粗な、あるいは緻密な金属層を形成し、この金属層の酸化物で第1誘電膜8Aを構成すればよい。また第2誘電膜8Bを二酸化チタンで構成し、二酸化チタンの光触媒作用による有機物や有害物質の分解機能を利用した抗菌消臭水質浄化用品にも利用できる。この場合は、粗膜層19で表面積を拡大させているため、抗菌消臭水質浄化機能を高めることができるとともに、粗膜層19の機械的強度が高く、信頼性に富むアプリケーションを実現できる。その他ガスセンサーなど種々の電極として利用することができる。