"有底溝を備えるシリコン基板に、第1の気圧の雰囲気中で、前記有底溝を覆うように重ね合わされたガラス材が接合される第1の接合工程と、前記第1の気圧の雰囲気よりも気圧が高い第2の気圧の雰囲気中で、前記ガラス材が接合された前記シリコン基板が前記ガラス材の軟化温度以上に加熱される加熱工程と、前記シリコン基板と前記ガラス材とが陽極接合される第2の接合工程と、がこの順に実施される、シリコン-ガラス複合体の製造方法。前記加熱工程において、前記有底溝に軟化した前記ガラス材の一部が流動し、前記有底溝を充填する、請求項2に記載のシリコン-ガラス複合体の製造方法。前記有底溝を充填している前記ガラス材を前記シリコン基板の一部から露出させるように、前記ガラス材と前記シリコン基板とが研削される工程が、前記第2の接合工程の後に実施される、請求項2に記載のシリコン-ガラス複合体の製造方法。前記シリコン基板は導電性を有し、前記第2の接合工程は、前記ガラス材に接して電極材が配置され、前記電極材と前記シリコン基板との間に電界が印加されることにより、前記シリコン基板と前記ガラス材とが陽極接合される工程である、請求項1~3のいずれかに記載のシリコン-ガラス複合体の製造方法。前記第2の気圧は大気圧である、請求項1~4のいずれかに記載のシリコン-ガラス複合体の製造方法。前記第1の接合工程は、前記シリコン基板と前記ガラス材とが陽極接合される工程である、請求項1~5のいずれかに記載のシリコン-ガラス複合体の製造方法。陽極接合法では、ガラス基板とシリコン基板とが重ね合わされた積層体を加熱する必要がある。そのため、陽極接合法では、昇温や降温に時間が掛かり、生産性が低くなりがちである。そこで、通常は、陽極接合装置におけるステージの拡張や電界印加機構の増設により、陽極接合装置の1バッチ当りの処理数が増やされ、生産性の向上が図られている。一方、上述した特許文献1に記載の接合方法では、第2段階において、所定の荷重を印加した状態で陽極接合法により接合するため、陽極接合装置は荷重印加機構が必要である。したがって、陽極接合装置の1バッチ当りの処理数を増加させるためには、ステージのさらなる拡張と複数の荷重印加機構の設置とが必要である。そのため、生産性を向上するためには、陽極接合装置が大型で高額なものとなってしまう。このため、製造コストが高くなってしまう。そこで、本発明の目的は、陽極接合装置に荷重印加機構が不要であり、陽極接合装置が大型で高額なものとなることがなく、生産性の高い、シリコン-ガラス複合体の製造方法を提供することにある。本発明に係るシリコン-ガラス複合体の製造方法は、第1の接合工程と、加熱工程と、第2の接合工程と、がこの順に実施される。第1の接合工程では、有底溝を備えるシリコン基板に、第1の気圧の雰囲気中で、有底溝を覆うように重ね合わされたガラス材が接合される。加熱工程では、第1の気圧の雰囲気よりも気圧が高い第2の気圧の雰囲気中で、ガラス材が接合されたシリコン基板がガラス材の軟化温度以上に加熱される。第2の接合工程では、シリコン基板とガラス材とが陽極接合される。本発明に係るシリコン-ガラス複合体の製造方法は、加熱工程において、有底溝に軟化したガラス材の一部が流動し、有底溝を充填すると好適である。本発明に係るシリコン-ガラス複合体の製造方法は、有底溝を充填しているガラス材をシリコン基板の一部から露出させるように、ガラス材とシリコン基板とが研削される工程が、第2の接合工程の後に実施されると好適である。本発明に係るシリコン-ガラス複合体の製造方法は、シリコン基板は導電性を有し、第2の接合工程は、ガラス材に接して電極材が配置され、電極材とシリコン基板との間に電界が印加されることにより、シリコン基板とガラス材とが陽極接合される工程であると好適である。本発明に係るシリコン-ガラス複合体の製造方法は、第2の気圧は大気圧であると好適である。本発明に係るシリコン-ガラス複合体の製造方法は、第1の接合工程は、シリコン基板とガラス材とが陽極接合される工程であると好適である。本発明によれば、シリコン-ガラス複合体の製造において、従来技術のような荷重の印加が不要であり、陽極接合装置が荷重印加機構を備えている必要もない。よって、陽極接合装置が大型で高額なものとなることがなく、容易に生産性を高くすることができる。また、高い抗折強度のシリコン-ガラス複合体を実現できる。図1は、本発明の実施形態に係るシリコン-ガラス複合体の製造方法で製造される、シリコン-ガラス複合体10の構成例を説明する図である。図1Aは、シリコン-ガラス複合体10の平面図である。図1Bは、シリコン-ガラス複合体10の側面図である。図1Cは、シリコン-ガラス複合体10の底面図である。シリコン-ガラス複合体10は、天面10Aと、底面10Bと、正面10Cと、背面10Dと、左側面10Eと、右側面10Fとを備え、矩形平板状である。以下、天面10Aと底面10Bとが対向する方向を厚み方向と称する。正面10Cと背面10Dとが対向する方向を長さ方向と称する。左側面10Eと右側面10Fとが対向する方向を幅方向と称する。シリコン-ガラス複合体10は、シリコン基板部11A,11Bとガラス部12とを備えている。シリコン基板部11A,11Bとガラス部12とは、幅方向に配列されていて、それぞれの厚み方向の寸法は均一である。ガラス部12は、絶縁性のガラスからなり、長さ方向に長尺な角棒状に形成されている。シリコン基板部11Aとシリコン基板部11Bとは、それぞれ低抵抗シリコンからなり、導電性を有する。シリコン基板部11Aとシリコン基板部11Bとは、長さ方向に長尺な平板状に形成されている。ガラス部12は、シリコン基板部11Aとシリコン基板部11Bとの間に設けられている。また、ガラス部12は、天面10Aと、底面10Bと、正面10Cと、背面10Dとに露出している。図2は、シリコン-ガラス複合体10を備えるモジュール30の構成例を説明する図である。モジュール30は、シリコン-ガラス複合体10を含むインターポーザー32と、2つの端子電極を有するチップ部品31とを備えている。インターポーザー32は、シリコン-ガラス複合体10と、シリコン基板部11Aとシリコン基板部11Bとの上面に形成されている搭載用電極と、シリコン基板部11Aとシリコン基板部11Bとの下面に形成されている実装電極とを備えている。チップ部品31はシリコン-ガラス複合体10の天面10A側に搭載されていて、2つの端子電極がシリコン基板部11Aとシリコン基板部11Bとの上に形成されている搭載用電極に接続されている。シリコン基板部11Aとシリコン基板部11Bとがガラス部12により絶縁されているため、モジュール30は、実装電極を端子として、他の基板に実装可能になっている。図3は、本発明の実施形態に係るシリコン-ガラス複合体10の製造方法を説明する図である。シリコン-ガラス複合体10は、以下に説明する第1工程から第5工程を順に実施して製造される。第1工程では、まず、低抵抗シリコンからなり、矩形平板状のシリコン基板1が用意される。図3S1に、第1工程におけるシリコン基板1の平面図と、該平面図中に示す一点鎖線A-A’を通る部分の断面図とを示す。第1工程では、エッチング法などにより、シリコン基板1に有底溝2が形成される。有底溝2は、シリコン基板1の天面側に開口部を有する。有底溝2は、シリコン基板1を平面視して、シリコン基板1の天面内において、直線状に形成されている。即ち、有底溝2は、シリコン基板1を平面視して、シリコン基板1の基板外縁部よりも内側に有底溝2の全体が納まるように形成されている。第2工程では、まず、絶縁性のガラスからなり、矩形平板状のガラス板3が用意される。ガラス板3は、シリコン基板1の天面側に重ね合わされる。このとき、有底溝2の開口部は、ガラス板3により覆われる。ガラス板3は、ガラス材に相当する。図3S2に、第2工程におけるガラス板3が重ね合わされたシリコン基板1の平面図と、該平面図中に示す一点鎖線A-A’を通る部分の断面図とを示す。第2工程は、第1の接合工程に相当する。第2工程では、シリコン基板1とガラス板3とが重ね合わされた状態で、高真空雰囲気中において、シリコン基板1とガラス板3とが陽極接合される。具体的には、ガラス板3の天面側に電極板21を重ね合わせた状態で電極板21とシリコン基板1との間に電圧を印加することで、シリコン基板1とガラス板3とが陽極接合され、シリコン基板1とガラス板3との接合体が形成される。高真空雰囲気は、第1の気圧の雰囲気に相当する。これにより、シリコン基板1に形成された有底溝2の内部空間が高真空な状態で気密封止されることになる。図3S3に、第3工程におけるガラス板3が陽極接合されたシリコン基板1の平面図と、該平面図中に示す一点鎖線A-A’を通る部分の断面図とを示す。第3工程は、加熱工程に相当する。第3工程では、シリコン基板1とガラス板3との接合体を、ガラス板3の軟化温度以上、例えばガラス板3の融点近傍の温度に加熱した状態で、大気圧雰囲気中に一定時間以上放置することにより、ガラス板3を軟化させ、軟化したガラス板3の一部を流動させる。有底溝2の内部空間の気圧は高真空であり、有底溝2の外部空間の気圧は大気圧であることから、有底溝2の内部空間と外部空間には気圧差が存在する。第3工程では、有底溝2の内部空間と外部空間との気圧差により、軟化したガラス板3の一部が有底溝2の内部空間に流動し、有底溝2の内部空間を充填する。一定時間の経過後、シリコン基板1とガラス板3との接合体が冷却されることにより、軟化したガラス板3が硬化し、ガラス部12が形成される。大気圧雰囲気は、第2の気圧の雰囲気に相当する。よって、第2の気圧の雰囲気は、第1の気圧の雰囲気よりも気圧が高いことになる。図3S4に、第4工程におけるガラス板3が陽極接合されたシリコン基板1の平面図と、該平面図中に示す一点鎖線A-A’を通る部分の断面図とを示す。第4工程は、第2の接合工程に相当する。第4工程では、ガラス部12とシリコン基板1とが陽極接合される。具体的には、ガラス板3の天面側に電極板21を重ね合わせた状態で電極板21とシリコン基板1との間に電圧を印加することで、シリコン基板1とガラス板3とが再度陽極接合されるとともに、ガラス部12とシリコン基板1とが陽極接合される。この工程は、大気圧雰囲気や高真空雰囲気など、どのような外気圧のもとで実施しても良い。図3S5に、第5工程におけるシリコン-ガラス複合体10の平面図と、シリコン-ガラス複合体10の側面図とを示す。第5工程では、シリコン基板1とガラス板3との接合体を全ての面から研削例えば研磨し、ガラス部12を、天面10Aと、底面10Bと、正面10Cと、背面10Dとに露出させる。以上の第1工程から第5工程を経て、シリコン-ガラス複合体10は製造される。本実施形態では、第3工程加熱工程で、有底溝2の内部空間と外部空間との気圧差を利用して、シリコン基板1の有底溝2の内部空間に軟化したガラス板3の一部が流動し、有底溝2の内部空間を充填することで、ガラス部12を形成するため、従来技術のような荷重の印加が不要であり、陽極接合装置が荷重印加機構を備えている必要もない。よって、陽極接合装置が大型で高額なものとなることがなく、容易に生産性を高くすることができる。また、第4工程第2の接合工程で、ガラス部12とシリコン基板1とを陽極接合法により強固に接合するので、ガラス部12とシリコン基板1との間を強固に接合して、バルクウエハと同等の抗折強度を持つシリコン-ガラス複合体10を構成することができる。したがって、先に説明したモジュール30のように、チップ部品31を搭載するインターポーザー32の一部として、シリコン-ガラス複合体10を利用しても、モジュール30の信頼性を確保することが可能になる。以上に説明したように本発明は実施できるが、実施形態の記載はあくまで例示であり、本発明の作用効果は特許請求の範囲に記載した製造方法であれば、どのような製造方法であっても得ることができる。例えば、第5工程でガラス材とシリコン基板との接合体を研削せずに、ガラス部がシリコン-ガラス複合体の底面に露出していない形状としてもよい。また、第2工程第1の接合工程は、陽極接合を用いず、他の接合方法接着などを用いても良い。また、第2工程第1の接合工程の気圧と第3工程加熱工程の気圧とは、第3工程の気圧が第2工程の気圧よりも高ければどのような気圧であっても良い。"