集積回路であって、該集積回路を外部キャパシタンスに接続する端子と、それぞれがサンプル値を有する複数のサンプルをとるために、前記端子に接続されたサンプリング手段と、制御手段であって、前記外部キャパシタンスが前記端子に接続されている間に、前記端子又は前記外部キャパシタンスも接続される前記集積回路の他の端子を、所定の電位源に接続し、前記外部キャパシタンスに蓄積される電荷の変化を生じさせ、前記外部キャパシタンスが前記電荷の変化に続いて及び/又は前記電荷の変化中に充電又は放電する期間に渡り、前記サンプリング手段に前記複数のサンプルをとらせ、前記複数のサンプルに依存してイベントが生じたか否かを判定する制御手段とを有する集積回路。前記制御手段は、前記外部キャパシタンスが前記端子に接続されたとき、第1の段階で、前記端子を前記所定の電位源に接続し、前記第1の段階に続く第2の段階で、前記端子を前記所与の電位源から切断し、前記サンプルをとる、ことを特徴とする請求項1に記載の集積回路。前記集積回路の前記端子はサンプリング端子であり、前記他の端子はシグナリング端子であり、前記制御手段は、前記外部キャパシタンスが前記サンプリング端子と前記シグナリング端子との間に接続されたとき、シグナリング過程及びサンプリング過程を実行するよう構成され、前記制御手段は、前記シグナリング過程で、前記シグナリング端子を信号として前記所与の電位源に接続し、前記サンプリング過程で、前記サンプルをとらせ前記信号を検出する、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の集積回路。前記サンプリング手段は、サンプラ抵抗器及びサンプラキャパシタンスを有し、前記サンプリング手段がサンプルをとり、前記外部キャパシタンスが前記サンプリング端子に接続されているとき、前記外部キャパシタンスに蓄積された電荷が前記サンプラ抵抗器を介して前記サンプラキャパシタンスへ転送される、ことを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の集積回路。複数のサンプルのうちの連続する前記サンプルをとる間に、前記サンプラキャパシタンスは前記サンプリング回路内の寄生電流及び/又は漏れ電流により受動的に少なくとも部分的に放電され、グランド源のような所与の電位源に前記サンプラキャパシタンスを接続することにより、能動的に少なくとも部分的に放電される、ことを特徴とする請求項4に記載の集積回路。前記複数のサンプルのうちの1つのサンプルをとった後に、前記複数のサンプルのうちの次の前記サンプルをとり、前記サンプルはバースト処理でとられる、ことを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項に記載の集積回路。前記制御手段は、前記複数のサンプルのサンプル値を結合し、サンプリング結果を生成し、前記サンプリング結果に依存して前記イベントが生じたか否かを判定することを特徴とする請求項1乃至6の何れか一項に記載の集積回路。所定の期間に渡る一連の前記サンプリング結果を得て、対応する前記複数のサンプル値からの各サンプリング結果は、前記外部キャパシタンスが充電又は放電する対応する期間に渡って得られるよう構成され、前記制御手段は、前記一連のサンプリング結果に依存して前記イベントが発生したか否かを判定する、ことを特徴とする請求項7に記載の集積回路。前記サンプリング結果から形成された信号をフィルタリングし、フィルタリングされた信号を得るフィルタ、を有する請求項8に記載の集積回路。前記制御手段は、前記サンプリング値及び/又はサンプリング結果及び故障状態を示す情報に基づき、前記サンプリング回路内の障害を検出する、ことを特徴とする請求項1乃至9の何れか一項に記載の集積回路。複数の前記サンプリング端子、を有し、前記制御手段は、前記サンプリング端子毎に、複数のサンプルをとらせる、ことを特徴とする請求項1乃至10の何れか一項に記載の集積回路。前記制御手段は、前記端子のうちの特定の1つに対して前記第1の段階と同期して、前記他の端子を前記所与の電位源に接続し、前記特定の端子に対して前記第2の段階と同期して、前記他の端子を前記所与の電位源から切断し、前記特定の端子の前記第1の段階中に前記他の端子に与えられる影響と反対の影響を前記他の端子の前記外部キャパシタンスに与えるよう構成された別の電位源に前記他の端子を接続する、ことを特徴とする請求項11に記載の集積回路。請求項1乃至12の何れか一項に記載の集積回路を有するマイクロコントローラ。容量性接触検知のための装置であって、請求項1乃至13の何れか一項に記載の集積回路又はマイクロコントローラ、前記外部キャパシタンスとして前記サンプリング端子に接続され、当該装置のユーザにより接触可能なように構成されたキャパシタンス、を有する装置。集積回路を制御するコンピュータプログラムであって、該集積回路は、該集積回路を外部キャパシタンスに接続する端子とそれぞれがサンプル値を有する複数のサンプルをとるために、前記端子に接続されたサンプリング手段と、を有し、当該コンピュータプログラムは、前記集積回路で実行されると、前記外部キャパシタンスが前記端子に接続されている間に、該集積回路に、前記端子又は前記外部キャパシタンスも接続される前記集積回路の別の端子を、所定の電位源に接続し、前記外部キャパシタンスに蓄積される電荷の変化を生じさせ、前記外部キャパシタンスが前記電荷の変化に続いて及び/又は前記電荷の変化中に充電又は放電する期間に渡り、前記サンプリング手段に前記複数のサンプルをとらせ、前記複数のサンプルに依存してイベントが生じたか否かを判定させる、ことを特徴とするコンピュータプログラム。本発明は、少なくとも以上に議論された前述の手法で判明した問題を解決するために考案された。望ましくは、改善されたSNR性能、改善されたダイナミックレンジ及び改善された感度を有する集積回路、装置、コンピュータプログラム及び方法が提供される。また、望ましくは、最小限の外部構成要素しか必要とせずに動作するよう構成されたこのような集積回路を提供する。本発明の第1の態様によると、集積回路が提供される。当該集積回路は、該集積回路を外部キャパシタンスに接続する端子と、それぞれがサンプル値を有する複数のサンプルをとるために、前記端子に接続されたサンプリング手段と、制御手段であって、前記外部キャパシタンスが前記端子に接続されている間に、前記端子又は前記外部キャパシタンスも接続される前記集積回路の他の端子を、所定の電位源に接続し、前記外部キャパシタンスに蓄積される電荷の変化を生じさせ、前記外部キャパシタンスが前記電荷の変化に続いて及び/又は前記電荷の変化中に充電又は放電する期間に渡り、前記サンプリング手段に前記複数のサンプルをとらせ、前記複数のサンプルに依存してイベントが生じたか否かを判定する制御手段と、を有する。このような外部キャパシタンスの充電又は放電は、前記電荷の変化に応答してもよい。このような外部キャパシタンスの充電又は放電は、少なくとも部分的に又は実質的にサンプリング手段によるサンプルの取り込みにより引き起こされるか又はその結果であってもよい。例えば、外部キャパシタンスの充電又は放電の場合、サンプルの取り込みは、外部キャパシタンスから集積回路へ電流を引き込むか又は受信してもよい。外部キャパシタンスの充電又は放電の場合、サンプルの取り込みは、集積回路から外部キャパシタンスへ電流を流出してもよい。イベントが充電又は放電過程毎の複数のサンプルに依存して生じたか否かを判定することにより、単一のサンプルではなく、対応する充電又は放電曲線の下の面積の指標が考慮されてもよい。このような技術は、SNR性能の向上、ダイナミックレンジの向上及び感度の向上のような利益を提供しうる。回路は、該回路に接続される外部キャパシタンス有さずに提供されうるので、該外部キャパシタンスに後で接続されてもよい。或いは、回路は、該回路に既に接続された外部キャパシタンスと共に提供されてもよい。各前記サンプルは、端子に現れる又は端子で経験される電気特性を表してもよい。例えば、サンプルは、個々に又は集合的に外部キャパシタンスのキャパシタンス値を示す電圧サンプルであってもよい。サンプリング手段は、例えば繰り返し端子に接続及び切断することにより、繰り返しサンプルをとってもよい。サンプリング手段は、バーストの方法で、次から次へとサンプルをとる際にある程度自動的に、繰り返しサンプルをとってもよい。充電又は放電期間毎に複数のサンプルをとることは、有益なことに、特に外部キャパシタンスがサンプリング中に放電する場合に、サンプリング手段内に存在する寄生要素又はサンプリング手段内に既に存在している他の要素を利用してもよいサンプリング手段はADC回路であってもよい。サンプリング手段は、定期的又は実質的に定期的にサンプルをとってもよい。サンプリング手段は、実質的に充電又は放電期間全体に渡りサンプルをとってもよい。このような充電又は放電期間は、端子に存在する外部キャパシタンスの単一の充電又は放電と考えられてもよい。外部キャパシタンスは、サンプリング端子に接続されるとき、グランドに対するサンプリング端子の又はサンプリング端子とシグナリング端子との間の実効キャパシタンスであると考えられてもよい。外部キャパシタンスは、サンプリング端子を介して充電又は放電されてもよい。幾つかの実施形態では、前記制御手段は、前記外部キャパシタンスが前記端子に接続されたとき、第1の段階で、前記端子を前記所定の電位源に接続し、前記第1の段階に続く第2の段階で、前記端子を前記所与の電位源から切断し、前記サンプルをとってもよい。サンプリング中に外部キャパシタンスが放電する場合には、所与の電位源は、電位High源、例えばVDDであってもよい。サンプリング中に外部キャパシタンスが充電する場合には、所与の電位源は、電位Low源、例えばGNDであってもよい。幾つかの実施形態では、前記集積回路の前記端子はサンプリング端子であり、前記他の端子はシグナリング端子であり、前記制御手段は、前記外部キャパシタンスが前記サンプリング端子と前記シグナリング端子との間に接続されたとき、シグナリング過程及びサンプリング過程を実行するよう構成され、前記制御手段は、前記シグナリング過程で、前記シグナリング端子を信号として前記所与の電位源に接続し、前記サンプリング過程で、前記サンプルをとらせ前記信号を検出してもよい。再び、サンプリング中に外部キャパシタンスが放電する場合には、所与の電位源は、電位High源、例えばVDDであってもよい。サンプリング中に外部キャパシタンスが充電する場合には、所与の電位源は、電位Low源、例えばGNDであってもよい。幾つかの実施形態では、制御手段は、シグナリング過程で、シグナリング端子を電位High源、例えばVDDに接続し、次に電位Low源、例えばGNDに接続してもよく、又は逆も同様である。幾つかの実施形態では、前記制御手段は、シグナリング過程で、シグナリング端子を電位High源に接続し、サンプリング端子を電位Low源に接続し、サンプリング過程で、シグナリング端子を電位Low源に接続し、サンプリング端子を介してサンプルをとらせてもよい。前記サンプリング手段は、サンプラ抵抗器及びサンプラキャパシタンスを有し、前記サンプリング手段がサンプルをとっていて、前記外部キャパシタンスが前記サンプリング端子に接続されているとき、前記外部キャパシタンスに蓄積された電荷が前記サンプラ抵抗器を介して前記サンプラキャパシタンスへ転送されるサンプリング中に外部キャパシタンスが放電する場合。サンプリング中に外部キャパシタンスが充電する場合、サンプラ抵抗器及びサンプラキャパシタンスは、前記サンプリング手段がサンプルをとっていて、前記外部キャパシタンスが前記サンプリング端子に接続されているとき、前記サンプラキャパシタンスに例えば能動的にサンプルが取られる前に蓄積された電荷が前記サンプラ抵抗器を介して前記外部キャパシタンスへ転送される。集積回路は、複数のサンプルのうちの連続する前記サンプルをとる間に、前記サンプラキャパシタンスは前記サンプリング回路内の寄生電流及び/又は漏れ電流により受動的に少なくとも部分的に放電されてもよいサンプリング中に外部キャパシタンスが放電する場合。集積回路は、複数のサンプルのうちの連続する前記サンプルをとる間に、前記サンプラキャパシタンスは、該サンプラキャパシタンスをGND源であってもよい電位Low源のような所与の電位源に接続することにより、能動的に少なくとも部分的に放電されてもよいサンプリング中に外部キャパシタンスが放電する場合。集積回路は、複数のサンプルのうちの連続する前記サンプルをとる間に、前記サンプラキャパシタンスは、該サンプラキャパシタンスをVDD源であってもよい電位High源のような所与の電位源に接続することにより、能動的に少なくとも部分的に又は完全に充電されてもよいサンプリング中に外部キャパシタンスが充電する場合。集積回路は、前記複数のサンプルのうちの1つのサンプルをとった後に、前記複数のサンプルのうちの次の前記サンプルをとり、前記サンプルはバースト処理でとられてもよい。サンプリング手段は、バッファを有してもよく、該バッファに前記複数のサンプルのサンプル値を格納してもよい。サンプリング手段は、メモリを有してもよく、直接メモリアクセス転送により該メモリに前記複数のサンプルのサンプル値を転送してもよい。前記制御手段は、前記複数のサンプルのサンプル値を結合し、サンプリング結果を生成し、前記サンプリング結果に依存して前記イベントが生じたか否かを判定してもよい。制御手段は、サンプル値を累算又は加算し、サンプリング結果を生成してもよい。集積回路は、所定の期間に渡る一連のサンプリング結果を得るよう構成されてもよい。対応する複数のサンプル値からのそれぞれは、外部キャパシタンスが充電又は放電する対応する期間に渡り得られる。制御手段は、一連のサンプリング結果に依存してイベントが生じたか否かを判定してもよい。集積回路は、前記サンプリング結果から形成された信号をフィルタリングしフィルタリングされた信号を得るフィルタを有してもよい。集積回路は、第1及び第2のフィルタを有し、各フィルタはサンプリング結果空形成された信号をフィルタリングし、第2のフィルタは第1のフィルタより遅い応答を有してもよい。制御手段は、第1及び第2のフィルタから出力された信号に依存して、イベントが生じたか否かを判定してもよい。前記制御手段は、前記サンプリング値及び/又はサンプリング結果及び故障状態を示す情報に基づき、前記サンプリング回路内の障害を検出してもよい。例えば、通常動作中に期待されるサンプリング値及び/又はサンプリング結果は、故障状態に苦しんでいるときに期待されるものと異なっていてもよい。前記集積回路は、複数の前記サンプリング端子を有してもよく、前記制御手段は、前記サンプリング端子毎に、複数のサンプルをとらせるように動作可能である。幾つかの実施形態では、前記複数の端子を有し、前記制御手段は、前記端子のうちの特定の1つに対して前記第1の段階と同期して、前記他の端子を前記所与の電位源に接続し、前記特定の端子に対して前記第2の段階と同期して、前記他の端子を前記所与の電位源から切断し、前記特定の端子の前記第1の段階中に前記他の端子に与えられる影響と反対の影響を前記他の端子の前記外部キャパシタンスに与える別の電位源に前記他の端子を接続してもよい。所与の電位源は電位High源、例えばVDDであってよく、他の電位源は電位Low源、例えばGNDであってもよく、逆も同様である。このような端子を互いに同期するように制御することにより、接触検知アプリケーションの場合に接触と故障状態幾つかの端子の近辺にあるが他の端子の近辺にはない水により引き起こされうるような局所的故障状態との間を区別することが可能であってもよい。このような集積回路はマイクロコントローラ又はその一部であってもよい。本発明の第2の態様の実施形態によると、前述の本発明の第1の態様による集積回路を有するマイクロコントローラが提供される。本発明の第3の態様の実施形態によると、容量性接触検知のための装置が提供される。該装置は、前述の本発明の第1又は第2の態様による集積回路又はマイクロコントローラと、前記外部キャパシタンスとして前記サンプリング端子に接続され、当該装置のユーザにより接触可能なように構成されたキャパシタンスと、を有する。本発明の第4の態様の実施形態によると、集積回路を制御するコンピュータプログラムが提供される。該集積回路は、該集積回路を外部キャパシタンスに接続する端子と、それぞれがサンプル値を有する複数のサンプルをとるために、前記端子に接続されたサンプリング手段と、を有する。当該コンピュータプログラムは、前記集積回路で実行されると、前記外部キャパシタンスが前記端子に接続されている間に、該集積回路に、前記端子又は前記外部キャパシタンスも接続される前記集積回路の別の端子を、所定の電位源に接続し、前記外部キャパシタンスに蓄積される電荷の変化を生じさせ、前記外部キャパシタンスが前記電荷の変化に続いて及び/又は前記電荷の変化中に充電又は放電する期間に渡り、前記サンプリング手段に前記複数のサンプルをとらせ、前記複数のサンプルに依存してイベントが生じたか否かを判定させる。本発明の第5の態様の実施形態によると、サンプリング方法が提供される。集積回路は、該集積回路を外部キャパシタンスに接続する端子と、それぞれがサンプル値を有する複数のサンプルをとるために、前記端子に接続されたサンプリング手段と、を有する。当該方法は、前記集積回路で実行されると、前記外部キャパシタンスが前記端子に接続されている間に、該集積回路に、前記端子又は前記外部キャパシタンスも接続される前記集積回路の別の端子を、所定の電位源に接続し、前記外部キャパシタンスに蓄積される電荷の変化を生じさせ、前記外部キャパシタンスが前記電荷の変化に続いて及び/又は前記電荷の変化中に充電又は放電する期間に渡り、前記サンプリング手段に前記複数のサンプルをとらせ、前記複数のサンプルに依存してイベントが生じたか否かを判定する。本願明細書で用いられる用語集積回路は、幾つかの実施では用語サンプリング回路で置き換えられてもよく、回路が集積回路であることは要件ではないことが想定される。例えば、サンプリング中に外部キャパシタンスが放電する自己キャパシタンスの実施の場合には、本願明細書には集積回路であってもよいサンプリング回路が開示されていると考えられてもよい。該サンプリング回路は、該集積回路を外部キャパシタンスに接続するサンプリング端子と、それぞれサンプル値を有するサンプルをとるために、前記端子に動作可能に接続されたサンプリング手段と、制御手段であって、前記外部キャパシタンスが前記サンプリング端子に接続されている間に、前記サンプリング端子を所与の電位源に内部で接続し、前記外部キャパシタンスに蓄積された電荷の変化を生じさせ、前記所与の電位源は前記集積回路の使用中に前記集積回路内で利用可能であり、前記外部キャパシタンスが前記電荷の変化に続いて放電する期間に渡り、前記サンプリング手段に複数のサンプルをとらせ、前記複数のサンプルに依存してイベントが生じたか否かを判定する。単なる例として、添付の図面を参照する。本発明の実施形態は、サンプリング回路、又はより詳細には集積回路に関して本願明細書に提示される。幾つかの実施形態では、このような回路はマイクロコントローラとして実施されてもよいことが理解されるだろう。本発明の実施形態は、組み込みソフトウェア及び/又は特定の実施形態ではMCUMicrocontrollerUnit内に埋め込まれた専用ハードウェアを用いて、本発明の一例のアプリケーションとして容量性接触検知アプリケーションを実施してもよい。しかしながら、本発明の幾つかの実施形態は、内部ADC回路及び外部電極の他に外部にも内部にも如何なる専用ハードウェアを有さないマイクロコントローラにより実施されてもよい。本発明は、例えば、有利なことに、マイクロコントローラの動作を制御するためにマイクロコントローラに格納された適切なコードコンピュータプログラムを有するマイクロコントローラとして具現化されてもよい。本発明の実施形態は、前述の構成と比較して、適切に向上された信号対雑音比既に生データの段階で、つまりサンプリングの結果、高い検知分解能、及び高いダイナミックレンジを提供すると考えられる。容量性接触検知の文脈では、本発明の最小限の実施形態は、前述の構成と比較して、外部キャパシタンスの他に、外部電極に対応する如何なる外部構成要素も必要とせず、あったとしても高精度の時間測定に殆ど依存せず、低いCPUCentralProcessingUnitリソース要件しか有さない。勿論、幾つかの実施形態は、特定の特別な追加要件を満たすために、追加の外部構成要素を用いてもよい。本発明の幾つかの実施形態は、前述の構成と比較して、実質的に高度なフィルタリング及び較正アルゴリズムを提供し、システムの安定性、汎用性、有用性及び設定可能性を向上させる。本願明細書に開示された幾つかの実施形態は、例えば容量性接触検知に関連し、A/Dアナログ-デジタル変換器のピンを標準I/O入力/出力機能と共有する殆どの如何なるマイクロコントローラにも適用可能であり、異なるI/O及びアナログセル実装及び変形同士の間の変動に対して非常に強靱である。このような実施形態は、単純な電極である又は幾つかの実施形態では実際に特別に適応されたマイクロコントローラのピン自体により具現化される外部キャパシタンスの他に外部構成要素を必要とせず、容量性検知チャネル毎に単一のピン端子のみを用いる。このような実施形態では、例えばタイマにより与えられる低い頻度の周期的な中断のみが必要とされ、データ取得及びフィルタリングのために安定したサンプリング頻度を保証する。マイクロコントローラ又は他の同様の集積回路の文脈では、I/O端子は、外界へのアクセスのためのピンに接続されると考えられるか、又はそのようなピンと同一であると考えられてもよい。用語端子及びピンは本願明細書では同義的に用いられるが、これらの用語は一緒に接続された別個の要素と考えられうる。繰り返しになるが、本願明細書に開示された幾つかの実施形態は例えばHMIHuman-Machine-Interface装置での使用のための容量性接触検知に関するが、本発明の他の実施形態は他の技術分野で用いられてもよい。例えば、キャパシタンス値又はキャパシタンスの変化の測定で他の技術分野が対象となってもよい。導入として、本発明の実施形態の焦点は、単一のサンプル又は測定値に依存するよりは、放電又は充電しているキャパシタンス測定されるべきキャパシタンスの電圧-時間曲線の下又は上の領域に注目している。つまり、本発明の実施形態は、容量性接触検知の場合に接触のようなイベントが、放電又は充電過程中に、つまりキャパシタンスが充電又は放電する期間に渡って取られた複数のサンプルに依存して生じているか否かを判定する。例えば、電圧サンプルが特定の放電/充電過程を通じてつまり充電状態と非充電状態との間に、又は逆も同様繰り返し取られ、結合される例えば加算される場合、結合の結果は電圧-時間曲線の下の面積を表すか又はそれに比例しうることが理解されるだろう。本発明の別の焦点は、電極の他に外部構成要素を必要としない、本発明によるプログラム、コンピュータプログラムのようなコードを実行する既存のマイクロコントローラにより実施されうる回路を提供することである。図6は、本発明を実施するサンプリング装置1の概略図である。サンプリング装置1は、それ自体が本発明を具現化するサンプリング集積回路2、及びサンプリング回路2の端子4に接続されたに存在する外部キャパシタンス3を有する。図6に示されるように、外部キャパシタンス3は、一端が端子4に接続され他端が接地された個別部品と等価であると考えられうる。現実的な実施形態では、外部キャパシタンス3は、グランドを基準とした電極に関連付けられた、つまり個別部品ではないキャパシタンスであってもよい。サンプリング回路2は、端子4、端子4に本実施形態ではスイッチ手段6により接続可能なサンプリング手段5、及び制御手段7を有する。図6に破線で示されるように、スイッチ手段6は、サンプリング手段5の一部であると考えられてもよい。図6中、端子4サンプリング端子は、サンプリング回路を他の回路に接続するためのものである。サンプリング手段5は、端子4に接続されスイッチ手段6の観点から接続可能などこかに、それぞれサンプル値を有するサンプルを取る。制御手段7は、サンプリング手段5を端子にスイッチ手段6により繰り返し接続し、端子4に存在する外部キャパシタンス3が充電又は放電する間にサンプリング手段に複数のサンプルを取らせ、及び複数のサンプルに依存してイベントが生じているか否かを判定する。制御手段7とサンプリング手段5とスイッチ手段6との間の接続は、データ及び/又は制御信号のためであってもよい。イベントは、例えば、外部キャパシタンス3のキャパシタンス値が例えば少なくとも所定の又は所与の量だけ、所定の又は所与の時間の間に、及び/又は所定の又は所与の量の持続性を以て変化したことであってもよい。容量性接触検知の文脈では、外部キャパシタンス3は、タッチセンサ又はセンサ電極の一部を形成してもよい。このようなキャパシタンス値の変化は、センサ又はセンサ電極に接触している指又は他の体により引き起こされてもよい。サンプリング回路2は、集積回路、例えばマイクロコントローラである。端子4は、マイクロコントローラの例えばGPIOピンであるか又はそれに接続されてもよい。図7は、本発明を実施するサンプリング装置10の概略図である。サンプリング装置10は、それ自体が本発明を具現化するサンプリング集積回路20、及びサンプリング回路20の端子40に接続されたに存在する外部キャパシタンス30を有する。図7に示されるように、外部キャパシタンス30は、一端が端子40に接続され他端が接地された個別部品と等価であると考えられうるが、接地を基準とする接続された電極に関連付けられたキャパシタンスであってもよい。サンプリング回路20は、端子40、端子40に本実施形態ではスイッチ手段60により接続可能なサンプリング手段50、及び制御手段70を有する。サンプリング回路20、外部キャパシタンス30、端子40、サンプリング手段50、スイッチ手段60、及び制御手段70は、それぞれ図6に示されたサンプリング回路2、外部キャパシタンス3、端子4、サンプリング手段5、スイッチ手段6、及び制御手段7に対応する。従って、図7に破線で示されるように、スイッチ手段60は、サンプリング手段50の一部であると考えられてもよい。図7中、サンプリング回路は、マイクロコントローラ例えばMCU、又はマイクロコントローラユニットとして考えられてもよい。端子40は、例えばマイクロコントローラのGPIOとして考えられてもよく、CIN42と表された実効入力キャパシタンスを有する。入力キャパシタンスCIN42は、端子40とグランド供給GND又はVee又はVssとの間に内部に接続された別個の構成要素と等価である。外部キャパシタンス30は、端子40と電極32を介してグランドとの間のキャパシタンスを表す。電極32は、端子40に接続され、容量性接触検知の文脈ではセンサ電極として考えられてもよい。外部キャパシタンス30のキャパシタンス値は、指又は他の体がセンサ電極に触れたときに変化してもよい。サンプリング手段50は、比較器52、サンプラキャパシタンス54及びサンプラ抵抗器56を有する。一実施形態では、サンプリング手段50はアナログ-デジタル変換器ADCであってもよい。サンプラキャパシタンス54及びサンプラ抵抗器56は、スイッチ手段60の抵抗値を考慮に入れた、サンプリング過程中スイッチ手段60が閉じられている間の比較器52の実効入力インピーダンスを表すと考えられてもよい。理解の便宜のため、サンプラキャパシタンス54及びサンプラ抵抗器56は、図7中で別個の構成要素として表される。サンプラ抵抗器56は比較器52の入力とスイッチ手段60との間に接続される。スイッチ手段60を介して、サンプリング手段は端子40に接続されてもよい。サンプラ抵抗器56は、比較器52の入力とグランド供給GND又はVee又はVssとの間に接続される。サンプラキャパシタンス54及びサンプラ抵抗器56は、少なくとも部分的に通常は望ましくない寄生であると考えられてもよい。例えば、サンプラ抵抗器56は、事実上、非理想的なFETとして実施されうるスイッチ手段60の抵抗値であってもよい。本発明の実施形態は、外部キャパシタンス30を測定するために、これらの寄生を有利な方法で利用することが理解されるだろう。図7の装置は、図8のフローチャートに示される方法に従い動作する。最初の段階S2で、外部キャパシタンス30は、マイクロコントローラ20の電圧供給Vcc又はVddに接続することによりプレチャージされる。つまり、端子40GPIOピンは出力Highに設定される。つまり、端子40はマイクロコントローラ20が使用中のときにマイクロコントローラ20内で利用可能な所定の高電位FET技術の場合にはVddに接続される。段階S4で、端子40は電源から切断される。段階S4は、例えば段階S2の後の所与の時間に生じてもよく、外部キャパシタンス30をプレチャージさせてもよい。段階S6で、スイッチ手段60を用いてサンプリング手段を端子40に繰り返し接続することにより、サンプリング手段50により複数のサンプルが取られる。サンプルは、例えば所定の時間量の間に又は所定のサンプル数が取られるまで取られてもよい。サンプルはバースト処理で取られてもよい。サンプルは、繰り返し、瞬時に、頻繁に、及び定期的に取られてもよい。段階S6は、望ましくは段階S4の直後に開始するが、他の実施形態では段階S4とS6との間に所与の遅延があってもよい。段階S6は、それ自体が測定処理を構成すると考えられてもよい。測定処理中の外部キャパシタンス30の放電は、サンプリング手段及びマイクロコントローラ20の残りの回路図7に示されないの内部の寄生漏れ電流により少なくとも部分的に生じてもよい。放電過程に与えられる主な影響は、サンプリング手段50の各サンプリング処理中つまり、各サンプルが取られるときの電荷再分配に起因する。各サンプリング処理中、サンプラキャパシタ54は、サンプラ抵抗器56を有するスイッチ手段60サンプリングスイッチを通じて端子40アナログ入力に接続される。従って、各測定サンプルの取得の電荷再分配は、関与するキャパシタンス30、42、54の比、それらの瞬間電位、抵抗器56及びサンプリングスイッチが閉じられる時間に依存する特定小さい量だけ外部キャパシタンス30を放電する。端子から切断された後に、つまりサンプル取得の間に、サンプラキャパシタンス54は、サンプラキャパシタンス54を内部グランド供給GNDに能動的に接続することにより、又は単に内部電流により、例えば比較器52の比較期間中に、又は他の寄生電流により放電される。図7に示される任意的なスイッチ手段55は、サンプラキャパシタンス54と内部グランド供給GNDとの間に接続され、サンプル取得の間に該キャパシタンスを能動的に放電するために用いられうる。図7に基づき、比較器52により取られたサンプルは、サンプルが採られた時間に比較器52への入力に現れた電圧の電圧サンプルであってもよい。比較器52は、このような電圧サンプルを示すサンプル値例えばデジタル値を出力してもよい。勿論、比較器52は、ADCのようなより大きい回路部分の一部であってもよい。標準的に、比較器自体は、例えばSARSuccessiveApproximationRegister、逐次比較レジスタを有するADCの逐次比較ブロックの一部である。逐次比較ブロックは全体として、実際のサンプル値を生成するために用いられてもよい。また、比較器52は、単に簡単のために、このような他の回路を有さずに図7に示される。段階S8で、所定のイベントが生じているか否かが判定される。容量性接触検知の文脈では、これは、指又は他の体によるセンサ電極の接触に対応する。段階S6を以下に更に検討する。上述のように、本発明の実施形態は、容量性接触検知の場合に接触のようなイベントが、放電又は充電過程中に、つまりキャパシタンスが充電又は放電する期間に渡って取られた複数のサンプルに依存して生じているか否かを判定する。従って、本発明の実施形態では、単一の生データ値サンプリング結果が複数の単一のサンプルサンプル値から得られるか又はこれを有する。各サンプリングイベント外部キャパシタンス30が放電するときに、複数のサンプルのうちの単一のサンプルを取得するは、測定されるべきキャパシタンス外部キャパシタンス30の更なる放電をもたらし、従って、複数のサンプルの取得は、有利なことに測定過程を加速するために用いられうる。この加速を以下に更に検討する。ADCサンプリング手段50を参照を用いるとき、標準的に、測定回路が信号源に及ぼす影響及びそれにより測定結果に及ぼす影響は、可能な限り小さく保たれることが意図される。つまり、標準的に、入力漏れ電流のような寄生の影響、サンプリングキャパシタの大きさ等が最小化される。例として、大きなサンプリングキャパシタで高インピーダンス源から電圧を測定することは、大きなサンプリングキャパシタを入力電圧まで充電するためには多くの電荷量が必要なため、小さいキャパシタで測定するよりも長時間を要する。高インピーダンス源の抵抗値は電流の入ってくる流れを制限し、電流量及びそれによる充電速度が制限される。また、ADC内への入力漏れ電流は、高インピーダンス電圧源の通常は望ましくない電圧降下を引き起こす。対照的に、図7の装置では、サンプリング手段50ADCの寄生の影響は、外部キャパシタンス30を再初期化することなく入力を何回かサンプリングすることにより意図的に増大される。それにより、外部キャパシタンス30は、電荷再分配に起因するADC内への電流及びADC内部の寄生電流により意図的に影響を受ける放電される。余談として、この影響はオシロスープを用いて十分理解される。幾つかのマイクロコントローラの入力チャネルがVddからADC入力モードへ同時に切り替えられた場合、それらのチャネルのうちのバーストサンプリングされる1つは、他のチャネルよりも速く放電され、図7の状況で1つの測定値取得のための時間を短縮することが分かる入力チャネルのそれぞれに対して放電終了電圧が同一であるとする。十分速いサンプリングにより、例えばバースト/連続モードを用いることにより総サンプル数が同一に保たれる場合、分解能を損なわずに、速度はバーストサンプリングを通じて増大される。理想的なADCでは、放電速度はADCの動作とは独立でありうる及び絶対的に如何なる寄生損失も存在しない場合にはゼロでありうる。別の点として、遅い放電例えば、放電周期の終了時に単一のサンプルを取るの場合には、アイドルつまり、バーストでない状態中の放電量は、非常に小さくつまり、特定の許容可能な時間の後の電圧がVddより遙かに下に降下し過ぎない、システムのダイナミックレンジ/無歪限界を制限する接触に起因する大きなキャパシタンスさえも放電量を更に減少させる。これは、特に、オフセットキャパシタンスが大きいサンプリングキャパシタンスより遙かに大きい場合であり、通常当てはまる。この問題は、外部抵抗器又は電流シンクを用いてキャパシタンスを速く放電することにより解決されうるが、外部構成要素の費用がかかる。図7の装置では、内部の寄生及びバーストサンプリングは内部で用いられ、複数のサンプル当たりの高い放電量を達成していることが理解される。更に別の点として、本発明の実施形態は、外部電源からのRF雑音のような雑音の影響を受けやすいことを考慮するとき、利益を有する。背景として、非常に高い入力インピーダンスを有する測定回路は、携帯電話機及び他の発生源からのRF雑音のような別の発生源からの雑音の影響を受けやすい傾向がある。特に、容量性接触検知の場合に、多くの実施は、高入力インピーダンスにより雑音感受性に苦しむ可能性がある。本発明の実施形態の文脈では例えば図6及び6を参照、取得過程中の各サンプルはサンプリング手段50サンプリング回路へ流れ込む電流を生じ、回路へ流れ込む平均入力電流は、主にアイドルと考えられる回路、例えば充電又は放電周期毎に単一のサンプルしか取らないときと比較して高い。実際には、この高い平均電流は、アイドルのとき、サンプリング手段50の入力インピーダンス、例えば端子40に見られる入力インピーダンスよりも有意に低い仮想インピーダンスにより引き起こされていると見られてよい。例として、サンプルの始めに、サンプラキャパシタンス54が完全に放電されるとき、サンプリングスイッチスイッチ手段60を閉じた後の第1の瞬間に、初期突入電流及びそれによる実効入力インピーダンスは、主にサンプラ抵抗器56により定められる。従って、本願明細書に記載された方法により、一見すると測定されている電極32は浮遊しているがサンプリング回路の高インピーダンス入力にのみ接続されている、繰り返されるサンプリング過程により、放電周期に渡り低い仮想平均入力インピーダンスが生成される。これは、上述の平均化/積分動作に加えて、雑音、例えば携帯電話機又は他の雑音源により引き起こされるEMI電磁妨害に対する耐性を大きく向上させる。従って、本発明の実施形態で用いられる複数の測定/バーストサンプリング技術は、次のような幾つかの利益を有する。つまり、a如何なる外部構成要素も有さずに相応な時間で外部キャパシタンスを放電すること、bシステムのダイナミックレンジ/無歪限界を増大させることによりSNRを向上させること、c平均化/積分動作によるSNR及び感受性の向上、d放電周期に渡る低い仮想平均入力インピーダンスにより雑音に対する耐性が向上すること、である。図8の段階S6に戻り、上述の平均化/積分動作に関して、1つの生データ値サンプリング結果の取得について、個々の測定過程段階S6の各サンプルの値は本実施形態では累算され、測定過程毎の単一のサンプルからではなく放電曲線の下の面積から生データ値及びこのような連続する値を有する信号が引き出される。図9は図5と同様のグラフだが、本発明の実施形態が図5により表された前述の手法とどのように異なるかを示している。一連の垂直の破線により表されるように図9には全ての破線が示されないが、示されるように垂直の破線のパターンは時間t0から時間tnまで一貫しており規則的であることが理解される、複数のサンプル0番目からn番目が放電過程中に取られ、従ってサンプル値の加算された組サンプリング結果は放電他の実施形態では充電曲線の下の面積を表す。キャパシタンスの充電又は放電毎の多数のサンプルnは大きく、例えば約20乃至40、又は最大100個は曲線の下の面積の良好な指標を与えるが、小数のサンプル例えば5乃至10個も該面積の満足できる指標を与えるために用いられ、それに対応して回路への負荷は低く、低いSNR及び低い感受性を伴う。図8の方法が規則的に又は時々実行される場合、時間に渡るサンプリング結果は、外部キャパシタンス30のキャパシタンス値に依存して異なってもよい。既に言及したように、このような変化は、容量性接触検知の場合には指又は他の体が電極32に接触することに起因する。図9から理解される加算又は積分動作により、システムのSNR及びダイナミックレンジは、図4及び5の標準的な電圧測定方法を含む前述の測定方法と比べて有意に向上される。高いSNRの理由は次のように表現されうる。-所望の信号Δは、時間に亘る加算により増幅されΔeff=ΣΔn、結果として高いダイナミックレンジ及び小さい信号変化に対する良好な応答をもたらす。つまり、外部キャパシタンスの変化は、それ自体を放電曲線の下の面積の変化として明示する。これは、より大きい結合された変化面積変化を表すを提供するために加算される複数のサンプルのうちの個々のサンプルの値の変化をもたらす。従って、複数のサンプルのうちのサンプル数が多いほど、所与のキャパシタンス変化に対して記録される変化は大きい。-AC雑音は、積分動作により、測定信号から実質的に除去される。複数のサンプルのうちのサンプル数が多いほど、測定中の不規則雑音に対する耐性が高い値の基準は不規則なAC成分雑音を有する一定オフセットと見られるからである。-測定信号中の単一のスパイクは小さい影響しか有さない。-例えば中断された負荷による単一のサンプルの時間ジッタは、小さい影響しか有さず、サンプリング手段、例えばADCの自動的な再開により最小化されうる。このような自動的な再開は、連続モードと称されてもよい。-システムのダイナミックレンジ/無歪限界が向上する。-放電周期に渡る低い仮想平均入力インピーダンスにより雑音に対する耐性が向上する。前述のオーバーサンプリング方法と対照的に、図7の装置の方法及び本発明の他の実施形態は、測定されるべきキャパシタンスを読み取り毎に1回のみ充電し、続いて複数のサンプリングイベントにより該キャパシタンスを放電し各読み取りは複数のサンプルを有する、各サンプリングイベントは測定されるべきキャパシタンス外部キャパシタンス30からADCサンプリング手段50のサンプリングキャパシタサンプラキャパシタンス54への電荷再分配を生じる。充電及び放電専用の段階が省略されたことにより、同じ時間中により多いサンプル数が取られ、結果として、単一サンプルと比べてSNRが高くなり、他のオーバーサンプリング方法と比べて全体の取得時間が短くなる。上述のように、図7の装置では、サンプリング回路20はマイクロコントローラとして考えられてもよいマイクロコントローラの他の部分は図7に示されない。この例では、システム負荷制御手段70の負荷、マイクロコントローラのプロセッサであってもよいは、サンプリング手段50ADCが各サンプルの後に更なるサンプルを取るためにサンプリング過程を自動的に再開する連続モードよう構成することにより、低く保たれうる。各サンプルの結果サンプル値は、例えばサンプリング手段50内部のバッファ図7に示されないに保持されてもよく、又はDMA直接メモリアクセスを用いてマイクロコントローラの図7に示されないメモリ内のバッファに転送されてもよい。低いシステム/プロセッサ負荷に加えて、各サンプリング過程によりサンプリング手段50ADCに流れ込む電流は、測定されるべきキャパシタンスの放電速度を増大させ、従ってハードウェアの変更なしに非常に高いオフセットキャパシタンスに対処できるようになる。測定されるべきキャパシタンスの非常に小さい変化面積の変化は2つの単一サンプル間の変化よりも明らかであるを検出する能力は、容量性接触検知システムにとって有用である。何故なら、タッチセンサの誘電性前面パネルの厚さが増大するのに伴い、接近する指により引き起こされるキャパシタンスの変化は、システムの基本オフセットキャパシタンス屡々>100pFに対して非常に小さくなる<<1pFからである。上述の方法により、生データ値サンプリング結果自体で、つまり如何なる後処理の前にも高いSNRが達成され、外乱に対する無影響性が達成される。従って、余り強力でないフィルタリングが更なる信号処理中に適用されうる。図10は、一連の生データ値サンプリング結果を有する信号を利用するためにフィルタリングがどのように用いられるかを概念的に表す概略図を示す。図7の装置では、各生データ取得過程図8に示されるは、上述のようなバーストサンプリングを有し、サンプリング結果を生成する。時間の経過と共に、図8の過程を繰り返し、一連の上述の生データ取得過程は、一連の上述のサンプリング結果に基づき信号を生成するか又は一連の上述のサンプリング結果から信号を引き出してもよい。このような信号生データ信号は、信号処理されてもよい。接触を検知するために、オフセット及びドリフト較正を実行することが望ましい。従って、生データ信号は、縦列であってもよい2つの異なる低域通過フィルタフィルタ1及び2に供給されてもよい。図10aは、縦列のフィルタ1及び2の例を示す。図10bは、互いに並列に配置されているフィルタ1及び2の例を示す。両者の場合とも、生データ信号である入力信号を有する。本実施形態では、第1のフィルタフィルタ1は、短い乃至中程度の時定数を有し、主に生データ信号を平均化する。第2のフィルタフィルタ2は、第1のフィルタより遅い応答を有する。従って、第2のフィルタは、容量性接触検知の場合に接近している指により引き起こされるような素早い変化に追随しない。第2のフィルタの出力は、寄生オフセットキャパシタンス等を含む基本線又は基準線を表す。特定の閾より高い平均化フィルタフィルタ1の変化が検出されると直ぐに容量性接触検知の場合、積極的な接触が検出される、基本線フィルタフィルタ2の更新は、この状態が生じている限り停止され、システムが例えば接近している指に調整するのを回避してもよい。接触検知では容量性接触検知の場合、第1及び第2のフィルタの出力間の差が評価され、閾値に対して比較されてもよい。閾が超えられると直ぐに、接触が検出されたと考えられてもよい。両方のフィルタのフィルタパラメータは、実行時間中に動的に変更されてもよく、及び/又は非対称、例えば上昇する値に対するより下降する値に対して迅速な応答であってもよく、ボタンの解放つまりタッチセンサの非接触後の再較正を高速化してもよい。因みに、上述の実施形態は単一端子及び存在している外部キャパシタンスを考慮して提示されたが、他の実施形態では複数のこのような端子が存在し、それぞれ存在している外部キャパシタンスを有してもよい。容量性接触検知の場合には、このような複数の外部キャパシタンスは、複雑なタッチセンサの複数の検知電極に対応してもよい。上述の方法は、各端子及び外部キャパシタンスの対に適用されてもよい。各端子からのサンプリング結果は、端子毎に考慮されてもよく、又は一緒に考えられてもよい。再び図7を参照すると、サンプリング回路20はマイクロコントローラであると考えられ、このようなマイクロコントローラは端子40に似た幾つかの端子例えば、一式のGPIOピンを有してもよい。この点を念頭に置くと、本発明の実施形態は、センサピン端子間又はセンサピン端子とグランドGND若しくは供給電圧Vddとの間の短絡のような障害を検出するために適応されてもよい。例えば、2以上の入力ピン端子間の短絡の場合には、それらのサンプリング結果は、ピンの状態0又は1、つまりGND又はVddに接続されているに依存して、理論上の最大値例えば、10ビットADCではサンプル数1023又は最小値0に近づくが、これらはサンプリングされない。例えば、全てのピンが非サンプリング状態中にハイHighを保つ構成では、故障状態により別の接触入力ピンサンプリング端子に接続された接触入力ピンサンプリング端子の影響は、供給電圧に接続されるのと同じ影響を有する。つまり、サンプリング期間中に如何なる放電も見られず、従って最大値に近い値が見られる。同様に、故障状態によりGNDに接続されたピン端子は、サンプリングが開始すると直ぐに瞬間的な放電を示し、従ってゼロに近い出力値を示す。両方の状態とも、通常動作と故障状態を示す情報との間の差は、生データ信号中に検出され、安全停止のような対策を例えばマイクロコントローラで実行されるソフトウェアにより講じることを可能にする。本発明の更なる実施形態は、特にサンプリング回路20がマイクロコントローラである場合に考えられる。例えば、マイクロコントローラは、サンプルの値ADCサンプルを上限及び下限の閾と比較する範囲比較器を設けられ、注目されたサンプルが閾値により定められた範囲内か範囲外かを決定してもよい。また、マイクロコントローラは、範囲比較器の出力を評価するパルス検出ユニットを設けられ、特定のパルス特性を検出するために用いられてもよい。例えば容量性接触検知システムの一部として用いられるこのようなマイクロコントローラは、範囲比較器及びパルス検出ユニットを利用しないシステムと比べて少ないSWソフトウェア諸経費しか有さない。例えば、範囲比較器の閾値は、非接触状態中に数個のサンプルしか範囲比較器の検出範囲にないように設定されてもよい。接触イベントによりキャパシタンスが上昇すると直ぐに、信号振幅が増大し、検出範囲内により多くのサンプルを生じる。所定の範囲内の各サンプルは、パルス検出ユニットにより計数されてもよく、特定のイベント数に到達すると直ぐに信号が生成されてもよい。範囲比較器及びパルス検出ユニットは、マイクロコントローラ内で実行するソフトウェアにより構成されてもよいが、他の場合にはプロセッサに負荷をかけずに自立的に動作してもよい。このような構成は、可変の接触閾を実施することを可能にする。範囲比較器の閾レベルは、ホストソフトウェアにより制御される較正を実施するために用いられてもよい。図6及び7の装置は、容量性接触検知の場合に、自己キャパシタンス技術を念頭に置いて提示されたことが理解される。しかしながら、本発明は、2以上の電極間の容量性結合が測定される相互キャパシタンス技術に適用されてもよい。図11は、本発明を実施するサンプリング装置100の概略図である。サンプリング装置100は、それ自体が本発明を具現化するサンプリング集積回路120、及びサンプリング回路120の端子4に接続されたに存在する外部キャパシタンス3を有する。図11のサンプリング回路120は図6のサンプリング回路20に極めて類似しており、同様の要素は同様の参照符号により示され、重複する説明は省略されることが理解される。サンプリング回路120は、シグナリング端子140に接続されたシグナリング手段160を有する。外部キャパシタンス3は、事実上、端子4と140との間で、例えばそれぞれ該端子に接続された2つの電極間で測定されるキャパシタンスである。作動中、制御手段7は、シグナリング手段に端子140へ信号を出力させてもよく、相応して図6乃至9と関連して既に上述したのと同様の方法でサンプリング手段5に端子4でサンプルを取らせてもよい。外部キャパシタンス3のキャパシタンス値は、例えば接触検知アプリケーションでの接触により変化してもよく、従って端子4で取り込まれた信号はキャパシタンス値に依存して変化してもよいことが理解される。従って、図6乃至9に関して提示された教示は図11にも同様に適用されてよく、本発明の実施形態は相互キャパシタンス技術に関連してもよい。例えば、図7に示されたのと同様の回路は図11に応じて設けられてもよいことが理解される。幾つかの実施形態では、端子4及び140は、例えば使用中に再構成されうる多目的端子であってもよい。つまり、サンプリング手段5及びシグナリング手段160の端子への分配が再構成されてもよい。従って、幾つかの例では端子4はシグナリング手段160に接続されたシグナリング端子であり、幾つかの例では端子140はサンプリング手段5に接続されたサンプリング端子である。接触検知機器の文脈では、本発明の実施形態は、動作中に自己キャパシタンス測定のための双方向電極サンプリング端子として、相互キャパシタンス測定のための送信電極シグナリング端子として、及び/又は相互キャパシタンス測定のための検知電極サンプリング端子として動作するよう、接触検知領域の外部電極への各接続を動的に、使用中に、又は設置時に設定可能にしてもよい。つまり、電極の機能は時間の経過とともに変更されてもよい。外部構成要素に依存しないことは本発明の実施形態に汎用性を持たせるが理解される。本発明の実施形態は、例えば図7自己キャパシタンス又は図11相互キャパシタンスに従い、それぞれ存在している外部キャパシタンスを有する複数の端子を有してもよいことが思い出される。図12と共に、クロストーク/クロスカップリング、及び水の影響の抑制/認識との関連で、特に接触検知アプリケーションに関して、この可能性を更に検討する。図12aは、図7と一致する図の右側に示された本発明の実施形態に対応し、A、B及びCと付された3つの入力又は検知チャネルに対応する3つのサンプリング端子40を有する。従って、図12aの実施形態は、それぞれ対応する電極32を有する3つのサンプリング端子40を有するサンプリング集積回路20を有する。3つの電極32は、ガラスで作られてもよいセンサ表面200の下に位置付けられる。図12aに示されたキャパシタンスCAB及びCBCは、それぞれチャネルAとB、BとCとの間で経験される結合キャパシタンスを表す。キャパシタンスCFは、接触する指又は他の体に起因してチャネルBで経験されうるキャパシタンスを表す。図12aの左側のグラフは、如何なる接触している指も存在しないとき、つまりキャパシタンスCF=0のときに、本願明細書に開示されたサンプリング方法を用いてチャネルA、B及びCで受信されうる信号に対応する。図12bは図12aと同様であるが、接触している指が存在するシナリオ、つまりキャパシタンスCFが0より大きいときを表す。図12cは図12aと同様であるが、水201又は特定の他の物質がチャネルAとBとの間及びそれらの上のセンサ表面200上に存在するシナリオを表す。このシナリオでは、キャパシタンスCABはキャパシタンスCBCより有意に大きくてもよい。例えば、通常の場合空気では、電極/チャネル間の電界の大部分は、低い誘電率~1を有する空中を通じて行くので、全体のキャパシティキャパシタンスは低い。例えば表面上に水がある場合、大部分の電界は、キャパシティキャパシタンスを増大させる遙かに高い誘電率~80を有する水の中に留まる。更に、脱イオン化されていない水は導電性であり、再び結合を増大させる。図12aに示されたキャパシタンス、及び図12aの参照符号は、簡単のため図12b及び12cから省略されている。しかしながら、図12b及び12cは図12aとの比較により直ちに理解される。接触検知アプリケーションは、寄生オフセットキャパシタンス及び検知電極従ってサンプリング端子に結合されうる高周波数雑音により影響を受けるだけではない。特に互いに接近した複数のセンサ電極を有するアプリケーションでは、電極間のクロストークカップリングは検知性能に影響を与えうる。このようなクロストークのメカニズムは、図12a、b及びcに結合キャパシタンスCAB及びCBCにより表される。入力チャネルのキャパシタンスを決定するための測定は、順次行われてもよく例えばチャネルA、次にB、次にC、等、特定の多重化を用いて端子を次から次へと評価する。このようなシナリオでは、特定の測定周期中に測定回路サンプリング手段に接続されていない残りの入力端子は、起こり得る外乱を低減するためにGNDに接続されてもよい。一方で、非アクティブなチャネル例えばチャネルA及びCの電極32は、測定中にチャネルの電極32に対してシールドとして動作してもよく、EMIが例えばチャネルBで行われている測定に及ぼす影響を低減するのを助け、それらはセンサ上の寄生キャパシタンスを増大するキャパシタンスCAB及びCBCを参照。また、多くのこのような実施形態では、測定されている電極と接地されている残りの電極との間でグランドに対するキャパシタンスが増大するために、複数の電極を覆う導電性物体例えば水201の存在が接触イベントとして誤って検出されうるという危険がある。例えば、充電されているアクティブな電極と接地されている残りの電極のみの場合には、電極間結合は、グランドに対する電極結合として見えてもよい。本発明の実施形態では、特定のチャネル単一の端子の測定中に非アクティブなチャネル残りの端子の取り扱いが別の要件に幅広く且つ自由に適応できる。残りの端子は、上述のように接地されるかGND、VccVDDのような所定の又は所与の電圧に接続されるか、浮遊したままにされるか、又はこれらの状態の組合せ/ひと続きであってもよい。好適な実施形態では、それぞれ例えば図7及び8に関連して上述された方法に従い動作する複数のセンサチャネルを有し、センサチャネルの状態は、例えば複数の電極の近くの導電性物体例えば水薄膜のような液体薄膜及び人間の指又は他の指し示す体による意図的な接触によるクロストークの影響を回路に識別させるように制御される。図7に関連して上述したように、各チャネルの測定過程は、センサ電極端子40を既知の電圧源通常はVccに接続することで開始し、それにより外部キャパシタンス30を該電圧までプレチャージする。次の状態で、センサ電極端子40は電圧源から切断され、取得過程サンプルの取り込みが開始する。これに伴う放電周期の全てのサンプルが取られた後に、処理は直ちに又は特定の間隔の後に再開する。上述の方法の好適な複数チャネルの実施では、一群のチャネル例えばチャネルA、B及びC又は全てのセンサチャネルは、どのチャネルが測定されるかとは独立に、同時にプレチャージされる。プレチャージ周期は全ての電極に同期して適用されるので、隣接する電極対の間の結合キャパシタンス例えばキャパシタンスCAB及びCBCの両側は同じ電位電圧であり、従って事実上結合キャパシタンスは充電されない。これと対照的に、各単一電極のグランドGNDに対するキャパシタンスは、既知の電圧まで充電され、従ってこのキャパシタンスの変化例えば、指の接触により導入される、つまりキャパシタンスCFの変化は、上述のように測定されうる。プレチャージのために与えられた時間の後に、測定されるべきチャネルは上述のように電圧源から切断され、その間に測定されるべき1つを除く全てのチャネルは、同時に又は殆ど同時にMCUの実施の場合にはGPIOを出力Lowに切り替えることにより能動的にLowに駆動される。この動作は図12a、b及びcのそれぞれに示される。電極間の容量性結合例えばキャパシタンスCAB及びCBCは、測定されている電極に、残りの電極の負の傾き残りの電極の電圧は短時間にほぼゼロになり、方形波に類似している。一方で測定されている電極の電圧はほぼ指数関数型の放電曲線を辿る。を結合させ、小さい負の傾きを該電極の電圧にも導入する。従って、図12aの状況では、チャネルA及びCの負の傾き202及び204は、キャパシタンスCAB及びCBCを介して結合し、傾き206に影響を与え、傾き206に対してサンプリングされた値を結合キャパシタンスCAB及びCBCが存在しなかった場合よりも小さくする。従って、クロストークの増大は取得の生の値を低減させ、同時に、図12bのように主に1つの電極に接触している接近している物体/指は、周囲の電極の負の傾きにより影響されないので又は少ししか影響されないので、関心のあるチャネルの生の値を増大させる。これは、図12b中に傾き208により表される。傾き208は、傾き206に対して得られるサンプル値と比べて大きいサンプル値をもたらす。電極対同士の間のクロスカップリングの影響は対照的なので局所的な影響がない場合、異なるチャネル間のクロストークの影響は、全ての影響を受けるチャネルの生データの減少を引き起こす。従って、これは、信号処理及び較正の方法により検出され、どのチャネルが影響を受けているかを決定し、そして是正措置が講じられうる。これは、誤動作又は誤った接触のきっかけを回避することが望ましいので、図12cのように特定の物体又は水のような液体201がセンサ電極の上の表面に置かれている場合に重要である。図12cでは、液体201の存在は、チャネルBとCとの間ではなく、チャネルAとBとの間の結合キャパシタンスCABを増大させる。従って、図12aに関して上述した結合の値を低減する効果は、液体201の存在のために図12cでは一様でない。従って、この好適な実施形態に従い幾つかの検知チャネルを保持する検知表面は、導電性物体又は液体が該検知表面上に置かれているとき、接触出力を生成しないようにサンプリング回路により構成されうる。これは、タッチセンサ回路により制御される如何なる機器の意図しない動作に対しても大きな更なる安全性を与える。上述の及び添付の図面に示された実施形態は、主に、外部キャパシタンスが先ず例えば外部キャパシタンスをVDDのような内部で利用可能な電圧源に接続することによりプレチャージされ次にサンプリング手段により放電される放電の構成に関することが理解される。このような放電する構成は現実的な理由から望ましいと考えられる。一方で、他の実施形態は、外部キャパシタンスが先ず例えば外部キャパシタンスをGNDのような内部で利用可能な電圧源に接続することにより放電され次にサンプリング手段により充電される充電の構成に関してもよいことが理解される。開示された放電の構成の利点の1つは、通常GNDに対して漏れ電流を生じ、外部キャパシタンスを放電する寄生要素の利用である。従って、例えば前述の又は標準的なMCU内に存在するサンプリング要素が用いられてもよい。充電の構成の場合には、サンプリング手段は、前述の又は標準的なMCU内に存在するサンプリング要素と比較して、又は図7に示されたサンプリング手段と比較して変更される必要があってもよい。特に、サンプリング手段は、サンプリングキャパシタ図7のサンプラキャパシタンス54を参照が2つのサンプルの間でサンプルスイッチ-図7のスイッチ手段60を参照-が開かれている間例えばVccVDDまで内部で充電され、それによりバーストサンプリング中に各サンプルが最初に放電された外部キャパシタンスの電圧を少量だけ増大するように、変更される必要があってもよい。このように本発明の実施形態はこのような充電の構成にまで及ぶが、幾つかの例では、現実的な理由例えば、MCU内のADCのような、前述のMCU内に設けられた構成要素を利用することから放電の構成が望ましいと考えられてもよい。このような充電の構成の一例である実施形態では、ダミーサンプルは、VccVDDに接続された測定されている端子以外の端子つまり、サンプルが取られるべき端子以外の端子から取られてもよく、次にスイッチは間にあるサンプリングキャパシタ図7のサンプラキャパシタンス54を参照を放電することなく測定されるべき電極に切り替えられる。しかしながら、漏れ等により、スイッチの切り替え中に少量の放電が期待されてもよい。従って、本願明細書に開示された放電の構成では寄生が有利であると考えられうるが、充電の構成ではサンプリングキャパシタは2つのサンプル間で能動的に再充電される必要があってもよい。従って、このような充電の構成は、サンプリング手段にこのような能動的な再充電を実行させる必要があってもよい。或いは、放電の構成の利点を利用しないサンプリングキャパシタの寄生放電に対する如何なる等価物も存在しないので、例えばVccVDDからダミーサンプルが取られるサンプル間に追加の段階が存在する必要があってもよい。本発明の実施形態は、少なくとも以下の理由から有利であると考えられる。-接触入力ピン端子の外部に容量性接触検知のために必要な如何なる外部構成要素もない、このようなピンに存在する外部キャパシタンスは、該ピンに接続された検知電極の存在のために単に存在してもよい、このような実施形態は、比較的低いBOMbillofmaterials、部品表価格を提供し、比較的少ないPCB空間しか必要としない。-図7の実施形態では、電極32毎に単一の端子40だけしか必要ない、マイクロコントローラを考慮すると、GPIO機能と共有されるとき、如何なるADCピンも接触入力として用いられうる。-バーストサンプリング及びサンプリング値の積分加算により、雑音排除性及びSNRが向上する、放電過程の複数のサンプルサンプリング値を加算することは、雑音スパイク/バーストを平均化する、生データのサンプル値の和は放電曲線の下の面積に対応し、結果として放電曲線の小さい変化に対する良好な応答をもたらす、システムのダイナミックレンジ/無歪限界が向上する、放電周期に渡る低い仮想平均入力インピーダンスにより雑音に対する耐性が向上する。-バーストサンプリング連続モードの場合、複数のサンプルは、再初期化放電、プレチャージ等を行わずに、放電過程毎に行われてもよい、より速いオーバーサンプリング連続モードで、最大ADCサンプルレートが用いられてもよく、サンプル間の如何なる再初期化も有さない、接触取得/認識のためのより短い時間をもたらす、雑音フィルタリング及び感度は、生データのレベルで既に向上している。-如何なる特別な周辺機器例えば、電流源又は高分解能タイマも必要ない、如何なる正確な時間測定も必要ない-方法はジッタによる影響を比較的受けない、ADC連続モードが用いられうる-各単一サンプルを引き起こす如何なる必要もない-従ってシステムはCPUプロセッサ負荷によるタイミングの変動にあまり敏感でない、DMAが用いられる場合、IRQInterruptRequest、割り込み要求の負荷が軽減されるが、サンプリング後の1つの僅かに長い計算がある。-低いEMIElectromagneticInterference、電磁妨害、高いEMIロバスト性/耐性、如何なる高周波数信号も必要とせず、検知線端子及び検知電極からの低いEMI放射をもたらす。-異なる測定トポロジに容易に適応可能である、ハードウェアを変更せずに自己/相互キャパシタンス検知を混合すること、例えば図6及び11の教示を結合することが幾つかの実施形態で可能である。幾つかの実施形態は、使用中に自己及び相互キャパシタンス検知の間で切り替え、両者から取られた入力を結合してもよい。このように、2種類の検知の利点が一緒に享受されうる。-電源電圧が感度に如何なる影響も与えない、サンプリング手段ADCにより用いられる基準電圧は、端子に印加されるプレチャージ電圧、つまりサンプリング回路の内部供給電圧Vdd又はVccと同じであってもよい。-非常に低いプロセッサ例えばCPU負荷、これは範囲比較器及びパルス検出ユニットのような周辺機器及び/又はDMA転送の使用により更に低下されうる。以上の実施例に加え、更に以下の付記を開示する。A1測定されるべきキャパシタンスの放電中に電圧を評価する容量性検知方法。A2ADCの内部キャパシタンス及び漏れ電流は、前記測定されるべきキャパシタンスを放電するために用いられる、ことを特徴とするA1に記載の容量性検知方法。A3入力電圧は、入力キャパシタンスの再初期化プレチャージ、放電等をすることなく、複数回サンプリングされ、つまり単一の放電イベントを複数の時点で測定する、ことを特徴とするA2に記載の容量性検知方法。A4単一の放電イベントの複数のサンプルにより取得されたデータは、加算され、放電曲線放電過程の時間-電圧曲線の下の面積に対応する値を形成する、ことを特徴とするA3に記載の容量性検知方法。A5前記測定されるべきキャパシタンスを放電するために追加機能のために、追加構成要素として、抵抗器又は電流シンクのような追加構成要素が用いられる、ことを特徴とするA4に記載の容量性検知方法。A6前記測定されるべきキャパシタンスは、サンプリングの前にADC基準電圧と同じ電圧までプレチャージされる、ことを特徴とするA1乃至A5の何れか一つに記載の容量性検知方法。A7前記測定されるべきキャパシタンスの放電曲線の評価は、生データ値を上限及び下限閾値に対して比較すること、及び前記比較の結果を評価することにより実行される、ことを特徴とするA1乃至A6の何れか一つに記載の容量性検知方法。A8前記比較結果の評価は、前記比較結果に依存してカウンタをインクリメント、デクリメント、又はリセットすることにより行われる、ことを特徴とするA7に記載の容量性検知方法。例えば、上述のパルス検出ユニットは、範囲内で、範囲外で等範囲比較器のイベントを計数する多数のカウンタを用いてもよい。これらのカウンタは互いに相互作用し、従って例えば特定のイベントの発生はあるカウンタをリセットし、又は別のカウンタをインクリメントする等である。A9第1及び第2のパラメータセットを有する第1及び第2のフィルタを用いる容量性検知方法であって、前記第1のフィルタは生測定データを供給され、前記第2のフィルタは前記第1のフィルタの出力又は前記生測定データを供給され、接触強度情報を生成するために前記2つのフィルタの出力の間の差が測定される、ことを特徴とする容量性検知方法。A10前記フィルタの一方又は両方のフィルタパラメータは、接触/非接触条件又は生の値の変化の方向若しくは速度のような他のパラメータに依存して動的に適応される、ことを特徴とするA9に記載の容量性検知方法。A11接触検知領域の外部電極への各接続は、動作中に、自己キャパシタンス測定のための双方向電極として、相互キャパシタンス測定のための送信電極として、及び相互キャパシタンス測定のための送信電極として動作する、ことを特徴とする容量性検知方法。A12前記電極は再構成され、動作中に自己キャパシタンス測定と相互キャパシタンス測定との間で前記システムが動的に再構成されうるようにする、ことを特徴とするA11に記載の容量性検知方法。A13前記センサ電極は、GND、他の検知電極又は供給電圧との短絡、及びセンサパッドからの切断を定期的に調べ、誤った接続を検出する、ことを特徴とする容量性検知システム。A14ダイナミックレンジ/無歪限界の増大により及び放電周期に渡る仮想平均入力インピーダンスの低下により、改善されたSNR性能を有する、ことを特徴とする容量性検知システム。A15容量性検知システムであって、複数の検知チャネルを有し、他のチャネル電極のシステム電位High例えばVDDへ及び次にシステム電位Low例えばGNDへの接続と同期して、測定されるべきチャネル電極をプレチャージし次に放電し、チャネル間のクロスカップリングを利用して接触と特定のチャネル電極を覆う水のような物質との間を識別する、ことを特徴とする容量性検知システム。上述の態様は、ハードウェア、又は1又は複数のプロセッサで動作するソフトウェアモジュールとして実施されてもよい。ある態様の特徴は他の如何なる態様にも適用されてもよい。本発明はまた、本願明細書に記載された方法の何れかを実行するコンピュータプログラム、及び本願明細書に記載された方法の何れかを実行するコンピュータプログラムを格納しているコンピュータ可読媒体も提供する。本発明を実施するコンピュータプログラムは、コンピュータ可読媒体に格納されてもよく、又は例えばインターネットのウェブサイトから提供されるダウンロード可能なデータ信号のような信号の形式であってもよく、又は他の如何なる形式であってもよい。