"光電変換ユニットと、上記光電変換ユニットを支持する支持基板とを備え、上記光電変換ユニットは、光を吸収して光電変換する光電変換層であって、光の入射側の第1表面に第1凹部または第1凸部が規則的に形成された光電変換層と、上記第1表面の上記第1凹部を少なくとも満たす第1透明体、または上記第1凸部を設けたことにより形成された第2凹部を少なくとも満たす第1透明体とを含み、上記第1表面に形成された凹凸形状は、上記光電変換層と上記第1透明体との間での屈折率差に周期性を持たせたことによって、フォトニック結晶を構成している、ことを特徴とする太陽電池。上記第1凹部または第1凸部は、上記第1表面に正方格子状に、150nm以上540nm以下のピッチで配列され、上記第1凹部または第1凸部の形状は、直径60nm以上540nm以下を有する円柱状であり、上記第1凹部の深さ、または第1凸部の高さは、100nm以上、上記光電変換層の厚み以下である、ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。上記第1透明体は、上記第1表面の凹凸形状を被覆する第1透明導電膜であり、当該第1透明導電膜が、上記太陽電池における光の入射側の最外層になっている、ことを特徴とする請求項1または2に記載の太陽電池。上記光電変換層と上記支持基板との間に、金属電極層が設けられている、ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の太陽電池。上記第1透明体は、上記第1表面の凹凸形状を被覆する第1透明導電膜であり、当該第1透明導電膜が、上記支持基板に透明絶縁層を介して接合され、上記光電変換層の上記第1表面とは反対側の第2表面に、金属電極層が設けられている、ことを特徴とする請求項1または2に記載の太陽電池。上記光電変換層を、上記第1透明導電膜とともに挟むように設けられた第2透明導電膜を備え、上記第1透明導電膜および第2透明導電膜の各屈折率は、上記光電変換層の屈折率より小さい、ことを特徴とする請求項3または5に記載の太陽電池。光電変換ユニットと、上記光電変換ユニットを支持する支持基板とを備え、上記光電変換ユニットは、光を吸収して光電変換する光電変換層であって、光の入射側の第1表面に第1凹部が規則的に形成された光電変換層と、上記第1凹部を少なくとも満たす第1透明体とを含み、上記第1表面に形成された凹凸形状は、上記光電変換層と上記第1透明体との間での屈折率差に周期性を持たせたことによって、フォトニック結晶を構成しており、上記第1表面に上記第1凹部を複数設けたことにより、各第1凹部の周囲に残った第2凸部が、上記支持基板に接合され、上記光電変換層の上記第1表面とは反対側の第2表面に、陽電極および陰電極が形成されている、ことを特徴とする太陽電池。光電変換ユニットと、上記光電変換ユニットを支持する支持基板とを備え、上記光電変換ユニットは、光を吸収して光電変換する光電変換層であって、光の入射側の第1表面に第1凹部が規則的に形成された光電変換層と、上記第1凹部を少なくとも満たす第1透明体とを含み、上記第1表面に形成された凹凸形状は、上記光電変換層と上記第1透明体との間での屈折率差に周期性を持たせたことによって、フォトニック結晶を構成しており、上記光電変換層の上記第1表面とは反対側の第2表面に、陽電極および陰電極が形成され、上記陽電極および上記陰電極が形成された上記第2表面が、透明絶縁層を介して上記支持基板に接合されている、ことを特徴とする太陽電池。上記第1凹部は、上記第1表面に正方格子状に、150nm以上540nm以下のピッチで配列され、上記第1凹部の形状は、直径60nm以上540nm以下を有する円柱状であり、上記第1凹部の深さは、100nm以上、上記光電変換層の厚み以下である、ことを特徴とする、請求項7又は8に記載の太陽電池。請求項1から9のいずれか1項に記載の太陽電池を1ユニットとして、複数の上記ユニットが一次元的または二次元的に配列されたことを特徴とする太陽電池パネル。請求項1から9のいずれか1項に記載の太陽電池を電源として備えたことを特徴とする装置。請求項10に記載の太陽電池パネルを電源として備えたことを特徴とする装置。しかしながら、特許文献1に記載されているような、単結晶半導体層に凹凸構造を設けることによる入射光の表面反射率の低減効果、及び、光路長の増大効果は、さほど大きくなく、特に長波長側の光の吸収率は改善されないという問題があった。また、特許文献1に記載の技術では、長波長側の光の吸収率を高めるためには光電変換装置にタンデム型を採用するしかなく、光電変換装置の厚さを抑えるという目的とは相反することになるという問題があった。本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、特に長波長における光の吸収率を高めると共に、厚さを抑えた太陽電池を提供することにある。本発明に係る太陽電池は、上記の課題を解決するために、光電変換ユニットと、上記光電変換ユニットを支持する支持基板とを備え、上記光電変換ユニットは、光を吸収して光電変換する光電変換層であって、光の入射側の第1表面に第1凹部または第1凸部が規則的に形成された光電変換層と、上記第1表面の上記第1凹部を少なくとも満たす第1透明体、または上記第1凸部を設けたことにより形成された第2凹部を少なくとも満たす第1透明体とを含み、上記第1表面に形成された凹凸形状は、上記光電変換層と上記第1透明体との間での屈折率差に周期性を持たせたことによって、フォトニック結晶を構成している、ことを特徴としている。上記の構成によれば、上記第1表面の凹凸形状が、フォトニック結晶を構成する形態には2通りある。第1の形態は、光電変換層の第1表面に規則的に形成された第1凹部を第1透明体が満たすことによって、第1透明体が、例えば正方格子の各格子点に配された形態である。これにより、第1表面の凹凸形状において、フォトニック結晶を構成するように屈折率が周期的に変化することになる。第2の形態は、光電変換層の第1表面に、光電変換層の形成材料によって第1凸部を規則的に形成した結果として、第2凹部が形成され、その第2凹部を第1透明体が満たすことによって、光電変換層の第1凸部が、例えば正方格子の各格子点に配された形態である。これにより、第1の形態と同様に、第1表面の凹凸形状において、フォトニック結晶を構成するように屈折率が周期的に変化することになる。上記2つの形態のいずれであっても、上記太陽電池は、取り込んだ光を上記フォトニック結晶の面内方向で共振させることができるので、光を閉じ込める高い効果が得られる。また、入射光が上記フォトニック結晶を通過する際に、回折又は散乱するため、上記太陽電池は、上記光電変換層を通過する光の経路を増加させることができる。これによって、上記太陽電池は、上記光電変換層における光の吸収率を向上させることができ、当該太陽電池における起電力量を増大させることができる。また、上記光電変換層における光の吸収率の向上により、当該光電変換層の薄型化も可能となる。さらに、上記太陽電池は、上記支持基板を備えているため、上記光電変換層の薄型化を行うことで当該太陽電池の形状が維持できなくなることを防ぐことができる。なお、上記第1透明体は、空気のような透明の気体であっても、フォトニック結晶を構成することができるが、上記第1表面における反射率を低く抑え、入射光量をできるだけ稼ぐためには、固体の透明体が好ましい。これは、固体の透明体と光電変換層との間の屈折率差は、例えば空気と光電変換層との間の屈折率差より小さいため、上記第1表面における反射率を小さく抑えることができるからである。また、上記太陽電池を電池として機能させるためには、太陽電池から電子の取り出しを行うことが必要である。また、電子の取り出しには、導電性を有する透明固体を、光電変換層の光の入射面及び入射面と反対の面の少なくとも何れかの面に形成することが好ましい。前記特許文献1の構成では、光電変換層に透明導電層を成膜することなく、光電変換層に直接的に局所的な補助電極を取り付けているので、電子の収集効率が低いという問題が生ずることを付言しておく。なお、上記第1透明体が固体の導電性透明体である場合には、当該第1透明体から電子の取り出しを行うことができるため、電子の取り出しに用いられる、当該第1透明体と異なる層を別途形成する必要がなく、上記太陽電池の構成をよりシンプルなものとすることができる。また、本発明に係る太陽電池では、上記第1凹部または第1凸部は、上記第1表面に正方格子状に、150nm以上540nm以下のピッチで配列され、上記第1凹部または第1凸部の形状は、直径60nm以上540nm以下を有する円柱状であり、上記第1凹部の深さ、または第1凸部の高さは、100nm以上、上記光電変換層の厚み以下である、ことが好ましい。上記の構成によれば、フォトニック結晶を設けていない太陽電池と比較して、光の吸収率が、有意な効果といえる1.2倍以上に増大する。これにより、従来の太陽電池より光の吸収率が高く、かつ、従来の太陽電池では達成しえない光電変換層の薄膜化数100nm程度を実現することができる。また、本発明の太陽電池の上記第1透明体は、上記第1表面の凹凸形状を被覆する第1透明導電膜であり、当該第1透明導電膜が、上記太陽電池における光の入射側の最外層になっている、ことが好ましい。上記の構成によれば、第1透明導電膜は、光電変換層の保護膜としての役割と、太陽電池に必要な2つの電極の一方としての役割とを兼ねることができる。また、第1透明導電膜が最外層なので、光が上記第1表面に到達するまでには、第1透明導電膜を通過するだけでよい。これにより、光の損失を小さくすることができ、光電変換層に対する入射光量を増やすために有利となる。さらに、第1透明導電膜は固体なので、既に説明したように、上記第1表面における反射率を低く抑えるので、入射光量を増やすためにさらに有利である。また、本発明の太陽電池では、上記光電変換層と上記支持基板との間に、金属電極層が設けられている、ことが好ましい。上記の構成によれば、上記フォトニック結晶を通過した光と、上記金属電極において反射した光との干渉効果により、フォトニック結晶と金属電極との間に光を閉じ込める効果を、増大させることができる。この結果、光電変換層による光の吸収率をさらに向上させることができ、当該太陽電池における起電力量を一層増大させることができる。また、本発明の太陽電池では、上記第1透明体は、上記第1表面の凹凸形状を被覆する第1透明導電膜であり、当該第1透明導電膜が、上記支持基板に透明絶縁層を介して接合され、上記光電変換層の上記第1表面とは反対側の第2表面に、金属電極層が設けられている、ことが好ましい。上記の構成によれば、支持基板から透明絶縁層および第1透明導電膜を経て、光電変換層に光が入射するように、太陽電池を構成することができる。支持基板を光の入射面とすることで、媒質として例えばシリコンなどが用いられる光電変換層を、支持基板、透明絶縁層、及び、第1透明導電膜によって保護することができるため、環境耐性に優れた太陽電池を形成することができる。また、上記の構成によれば、光電変換層の片側の面に支持基板、透明絶縁層、及び、第1透明導電膜が製膜されるため、光電変換層のもう片側の面に支持基板、透明絶縁層、及び、第1透明導電膜の何れも形成する必要がない。これによって、光電変換層の取り扱いを容易にすることができる。さらに、支持基板などが設けられた面と反対側の光電変換層の面に、金属電極層を製膜することができるので、金属電極層のパターニングに自由度を与えることができる。これによって、太陽電池セルを複数配置して配線した太陽電池モジュールの構成の自由度を高めることができる。これは、太陽電池セルの金属電極層のパターニングに自由度を与えることにより、太陽電池モジュールにおけるセルの配置に自由度を与えることができるためである。太陽電池モジュールは、さらに、保護基板などが取り付けられていてもよい。なお、以降では、太陽電池セルを太陽電池パネルの1ユニットとも呼称し、太陽電池モジュールを太陽電池パネルとも呼称する。また、本発明の太陽電池では、上記光電変換層を、上記第1透明導電膜とともに挟むように設けられた第2透明導電膜を備え、上記第1透明導電膜および第2透明導電膜の各屈折率は、上記光電変換層の屈折率より小さい、ことが好ましい。上記の構成によれば、第1透明導電膜および第2透明導電膜の各屈折率は、光電変換層の屈折率よりも小さいので、高屈折率のコアを低屈折率のクラッドで被覆することで光を伝播させる光ファイバと同じ原理により、光電変換層を抜けて外部へと漏れ出ようとする光を閉じ込めることができる。したがって、光電変換層に光を閉じ込める効果がさらに増強される。この結果、光電変換層による光の吸収率をさらに向上させることができ、当該太陽電池における起電力量を一層増大させることができる。本発明に係る太陽電池は、上記の課題を解決するために、光電変換ユニットと、上記光電変換ユニットを支持する支持基板とを備え、上記光電変換ユニットは、光を吸収して光電変換する光電変換層であって、光の入射側の第1表面に第1凹部が規則的に形成された光電変換層と、上記第1凹部を少なくとも満たす第1透明体とを含み、上記第1表面に形成された凹凸形状は、上記光電変換層と上記第1透明体との間での屈折率差に周期性を持たせたことによって、フォトニック結晶を構成しており、上記第1表面に上記第1凹部を複数設けたことにより、各第1凹部の周囲に残った第2凸部が、上記支持基板に接合され、上記光電変換層の上記第1表面とは反対側の第2表面に、陽電極および陰電極が形成されている、ことを特徴としている。上記の構成によれば、凹凸形状が形成されフォトニック結晶を構成している第1表面が、第2凸部によって支持基板に接合されている。したがって、支持基板に入射した光は、支持基板を通過するだけで、フォトニック結晶に到達する。このため、光の損失を小さくすることができ、光電変換層に対する入射光量を増やすために有利である。また、陽電極および陰電極が形成された光電変換層の第2表面と、支持基板との間に第1透明導電膜を設けなくても、第2表面側から電力を取り出すことができる。したがって、シンプルな構成で、しかも、前述したフォトニック結晶による光吸収率の向上の効果を得ることができる。本発明に係る太陽電池は、上記の課題を解決するために、光電変換ユニットと、上記光電変換ユニットを支持する支持基板とを備え、上記光電変換ユニットは、光を吸収して光電変換する光電変換層であって、光の入射側の第1表面に第1凹部が規則的に形成された光電変換層と、上記第1凹部を少なくとも満たす第1透明体とを含み、上記第1表面に形成された凹凸形状は、上記光電変換層と上記第1透明体との間での屈折率差に周期性を持たせたことによって、フォトニック結晶を構成しており、上記光電変換層の上記第1表面とは反対側の第2表面に、陽電極および陰電極が形成され、上記陽電極および上記陰電極が形成された上記第2表面が、透明絶縁層を介して上記支持基板に接合されている、ことを特徴としている。上記の構成によれば、第2表面に陽電極および陰電極が形成されているため、第2表面側から電力を取り出すことができる。したがって、シンプルな構成で、しかも、前述したフォトニック結晶による光吸収率の向上の効果を得ることができる。また、本発明に係る太陽電池では、上記第1凹部は、上記第1表面に正方格子状に、150nm以上540nm以下のピッチで配列され、上記第1凹部の形状は、直径60nm以上540nm以下を有する円柱状であり、上記第1凹部の深さは、100nm以上、上記光電変換層の厚み以下である、ことが好ましい。上記の構成によれば、フォトニック結晶を設けていない太陽電池と比較して、光の吸収率が、有意な効果といえる1.2倍以上に増大する。これにより、従来の太陽電池より光の吸収率が高く、かつ、従来の太陽電池では達成しえない光電変換層の薄膜化数100nm程度を実現することができる。上記いずれかの太陽電池を1ユニットとして、複数の上記ユニットが一次元的または二次元的に配列された太陽電池パネル、上記いずれかの太陽電池を電源として備えた装置、および上記太陽電池パネルを電源として備えた装置も、本発明の範疇に含まれる。本発明に係る太陽電池は、以上のように、光電変換ユニットと、上記光電変換ユニットを支持する支持基板とを備え、上記光電変換ユニットは、光を吸収して光電変換する光電変換層であって、光の入射側の第1表面に第1凹部または第1凸部が規則的に形成された光電変換層と、上記第1表面の上記第1凹部を少なくとも満たす第1透明体、または上記第1凸部を設けたことにより形成された第2凹部を少なくとも満たす第1透明体とを含み、上記第1表面に形成された凹凸形状は、上記光電変換層と上記第1透明体との間での屈折率差に周期性を持たせたことによって、フォトニック結晶を構成している、ことを特徴としている。したがって、上記太陽電池は、上記光電変換層における光の吸収率を向上させることができ、当該太陽電池における起電力量を増大させることができる。また、上記光電変換層における光の吸収率の向上により、当該光電変換層の薄型化も可能となる。さらに、上記太陽電池は、上記支持基板を備えているため、上記光電変換層の薄型化を行うことで当該太陽電池の形状が維持できなくなることを防ぐことができる。<実施形態1>本発明に係る太陽電池の一実施形態について、図1から図9を参照して以下に説明する。但し、本実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例に過ぎない。太陽電池の構成まず、本実施形態に係る太陽電池の構成例について、図1を参照して説明する。図1は、本実施形態の太陽電池1の全体構成を概略的に示す断面図である。図1に示すように、太陽電池1は、第1透明導電膜第1透明体11、光電変換層12、金属電極13金属電極層、透明絶縁体層透明絶縁層14、及び、支持基板15を備えている。太陽電池1は、これらの構成により、入射した光を光電変換し、電流として利用することができる。第1透明導電膜TCO;TransparentConducingOxide11は、透明な導電膜であり、太陽光が入射される入射面として設けられている。また、第1透明導電膜11は、光電変換層12を覆うように形成され、図1に示すような凸部16を有することによって、光電変換層12と共に、後述するフォトニック結晶を構成している。なお、フォトニック結晶構造については、図面を変えて後述する。また、第1透明導電膜11は、光電変換層12の媒質よりも屈折率が小さい媒質からなり、媒質としては、例えば、ITOIndium-Tin-Oxide:インジウムスズオキシド、IZOIndium-Zinc-Oxide:インジウム亜鉛オキシド、SnO2、ZnOなどを挙げることができる。光電変換層12は、光を吸収して光電変換する半導体層であり、光の入射側の面入射面第1表面に、図1に示すような凸形状17を有することによって、第1透明導電膜11と共に、後述するフォトニック結晶を構成している。また、光電変換層12は、極性の異なる半導体層が隣接した構造を有しており、その構造は特に限定されないが、例えば、図1に示すような、p型半導体層121とn型半導体層122とが隣接したpn縦型構造を採用してもよい。また、光電変換層12構造として、i型半導体層いわゆる真性半導体層、不図示をp型半導体層121とn型半導体層122とで挟んだpin縦型構造を採用することもできる。なお、光電変換層12の媒質としては、屈折率が3.0~6.0程度である結晶シリコンc-Siを挙げることができるが、これに限定されるものではない。例えば、光電変換層12の媒質として、屈折率が3.0~4.0の程度である微結晶シリコンμc-Si、アモルファスシリコンa-Si、及び、ポリシリコンp-Si:高純度多結晶シリコンを採用してもよい。金属電極13は、光電変換層12の光入射面前記第1表面と反対側の面第2表面に配された層である。金属電極13の材料としては、光反射率が高く、電気伝導度が大きな材料、例えば、Ag、Mo、又は、Alなどを選択できる。第1透明導電膜11を介して光電変換層12に入射した光は、光電変換層にて電子と正孔とを発生させると共に、電子を価電子帯から導電帯へと励起することによって、吸収される。励起された電子は、第1透明導電膜11及び金属電極13を含む回路不図示を流れる電流となる。なお、金属電極13を、反射板としても機能させることができ、光電変換層12で光電変換されず、透過してきた光を、光電変換層12へと反射させることもできる。金属電極13を、光電変換層12の裏面上記第2表面の全面を覆って配することで、光電変換層12を透過した光を確実に反射することができるので、より、光の吸収効率が高い太陽電池1を構成することができる。透明絶縁体層14は、平滑面を有し、親水性表面を有した透明な絶縁体からなる層であり、金属電極13と支持基板15とを接続すると共に絶縁している。なお、透明絶縁体層14の媒質としては、SiO2、SiNx、及び、水晶基板などを挙げることができる。支持基板15は、太陽電池1の形状を維持するための基板である。なお、支持基板15の材料としては、例えば、屈折率が1.52程度のガラスを選択できる。なお、太陽電池1は、第1透明導電膜11と、金属電極13とから、光電変換層12において光電変換された電流を取り出すことによって、電池として機能する。太陽電池の各構成要素の配置太陽電池1は、図1に示すように、最下層入射面と反対側の面として支持基板15を備え、その上に透明絶縁体層14、金属電極13、及び、光電変換層12がこの順で積層されている。なお、光電変換層12は、n型半導体層122、及び、p型半導体層121からなり、入射面と反対側の面からこの順で積層されている。また、光電変換層12の有するp型半導体層121の入射面には凹凸形状が形成されており、その凹凸形状を覆うようにして、第1透明導電膜11が太陽電池1の入射面最外層として積層されている。フォトニック結晶の構造次に、フォトニック結晶について、図1及び図2を参照して説明する。図2は、図1に示すフォトニック結晶のA-B断面図であり、本実施形態に係る太陽電池1のフォトニック結晶の構造の概略を示す上面図である。ここで、フォトニック結晶PhotonicCrystalとは、屈折率が周期的に変化するナノ構造体である。図1及び図2に示すように、本実施形態では、光電変換層12より正確には、光電変換層12のp型半導体層121の光入射面には、円柱状に形成された複数の凹部孔第1凹部が規則的に形成されている。換言すれば、光電変換層12に、複数の凹部を規則的に形成した結果、隣り合う凹部同士の間が、凸形状17となっている。また、図1及び図2に示すように、光電変換層12の有する上記凹部を少なくとも満たすように第1透明導電膜11が形成されている。この結果、第1透明導電膜11には、光電変換層12の上記凹部を少なくとも満たすように、円柱状に形成された複数の凸部16が形成されている。なお、本実施形態では、光電変換層12、及び、第1透明導電膜11を含んで、光電変換ユニットが構成されている。第1透明導電膜11に形成された複数の凸部16は、それぞれ、隣接する凸部16との配置間隔ピッチが等間隔になるよう、正方格子状に配置されている。すなわち、光電変換層12に形成された複数の凹部が、それぞれ、隣接する凹分との配置間隔が等間隔になるよう、正方格子状に配置されている。なお、隣接する凸部16同士の配置間隔の値を、格子定数anmとも呼称する。上述したように、第1透明導電膜11に形成された複数の凸部16は、第1透明導電膜11と屈折率の異なる光電変換層12の媒質内に周期的に配置されている。凸部16がこのように配置されることにより、第1透明導電膜11の屈折率と、光電変換層12の屈折率との屈折率差が周期的に存在することになる。すなわち、第1透明導電膜11に形成された複数の凸部16と、光電変換層12に形成された凸形状17とによって、屈折率が周期的に変化するフォトニック結晶が構成される。このように、本実施形態に係る太陽電池1では、光電変換層12自体に凹部を形成しているため、光電変換層12および隣接層としての第1透明導電膜11の界面では、屈折率の異なる2種の材料のみが隣接してフォトニック結晶を構成している。なお、本実施形態では、複数の凸部16が円柱状に形成されている場合を例に挙げて説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、複数の凸部16は、三角柱状に形成されていてもよく、四角柱状に形成されていてもよい。また、凸部16として、円錐台、三角錐台、四角錐台の形状を選択することもできる。フォトニックバンド構造上記のような構成を備えたフォトニック結晶には、フォトニックバンド構造が生成される。フォトニックバンド構造は、フォトニック結晶に対する光の入射方向と、後述する規格化周波数Vとの関係によって表される。より具体的には、第1透明導電膜11の媒質による低誘電バンドと、光電変換層12の媒質による高誘電バンドとが生成される。なお、フォトニックバンド構造には、フォトニック結晶内で存在できない光の波長帯域として、低誘電バンドと高誘電バンドとに挟まれたフォトニックバンドギャップが含まれている。フォトニック結晶における光の閉じ込め効果次に、フォトニック結晶における共振効果について、図3を参照して説明する。図3は、本実施形態に係る太陽電池1の有するフォトニック結晶による光の共振効果を示す図である。第1透明導電膜11の凸部16、及び、光電変換層12の凸形状17によって形成されたフォトニック結晶は、図3の矢印Aに示すように、入射光を面内方向に共振させることができる。つまり、フォトニック結晶全体が、面内方向にて共振する1つの大きな共振器として機能する。これによって、フォトニック結晶は、入射光をフォトニック結晶全体に閉じ込めることができる。また、図3の矢印Aに示すような、共振器として機能するフォトニック結晶の共振効果と、金属電極13による光の反射効果との相互作用すなわち、光電変換層62への入射光と、金属電極13による反射光との干渉効果による光閉じ込めの効果によって、図3の矢印Bに示すように、光電変換層12に入射された光は、フォトニック結晶と金属電極13との間に閉じ込められることになる。また、入射光がフォトニック結晶を通過する際に、回折又は散乱するため、太陽電池1は、光電変換層12を通過する光の経路を増加させることができる。これによって、太陽電池1は、光電変換層12における光の吸収率を向上させることができ、太陽電池1における起電力量を増大させることができる。光吸収の最適条件次に、本実施形態に係る太陽電池1における光吸収の最適条件について、図3から図8を参照して説明する。図3に示すように、共振の大きさQを決めるパラメータとして、フォトニック結晶の格子定数ピッチをa、第1透明導電膜11に形成された凸部16言い換えると、光電変換層12に形成された孔の直径を2r、凸部16の高さをd、光電変換層12の厚みをh、第1透明導電膜11及び光電変換層12の厚みをLとする。なお、Lは、第1透明導電膜11の光入射面から光電変換層12の前記第2表面までの距離に相当する。また、光電変換層12の媒質である結晶シリコンの屈折率をns、第1透明導電膜11の媒質の屈折率をnt、結晶シリコンにおける、ある光の波長に対する吸収係数をαとする。格子定数a、凸部16の直径2r、凸部16の高さすなわち、フォトニック結晶の高さd、第1透明導電膜11及び光電変換層12の厚みL、光電変換層12の屈折率ns、及び、第1透明導電膜11の屈折率ntから、複数の光の波長に対する共振条件が決定され、波長ごとに共振の大きさQを得ることができる。また、ある光の波長において、上記のように得られた共振の大きさQと、他のパラメータとしての結晶シリコンの吸収係数α及び光電変換層12の高さhとから、光吸収の大きさすなわち、光吸収率Sを得ることができる。ここで、光の波長をλとし、非線形関数をf及びgで表すと、共振の大きさQ、及び、光吸収率Sは、次式によって示すことができる。Qλ=fa,r,d,L,nsλ,ntλSλ=gQλ,αλ,h格子定数の最適条件まず、格子定数の最適条件について、図4を参照して説明する。図4は、本実施形態に係る太陽電池1における、規格化周波数Va/λに対する電磁界の相対強度a.u.の特性を示すグラフである。図4のaは、0.0以上0.6以下の範囲の規格化周波数に対する電磁界の強度の特性を示すグラフであり、bは、0.3以上0.5以下の範囲の規格化周波数に対する電磁界の強度の特性を拡大して示すグラフである。ここでは、格子定数をanmとして、光電変換層12の厚みh=3.3anm、凸部16の高さd=0.5aとした。図4のa及びbに示すように、本実施形態に係る太陽電池1の各規格化周波数に対する電磁界の強度を、シミュレーションにより得た。なお、図4のa及びbに示すグラフは、何れも、FDTD法FiniteDifferenceTimeDomainmethod:有限差分時間領域法を用いたシミュレーションにより得られた結果を示すものである。このシミュレーションから、0.3以上0.5以下の規格化周波数Vにおいて、共振の大きさQが比較的低く、吸収係数αによる最適条件とのマッチングが取りやすい規格化周波数Vとして、V=0.33325、及び、V=0.44739の値を得た。また、規格化周波数Va/λは次式で表される。規格化周波数V=格子定数anm/光の波長λnm式1ここで、本実施形態の太陽電池1において、波長λ=450nm、規格化周波数V=0.33325とすると、式1から、格子定数aの最小値、a=150nm450×0.33325=149.9625≒150が得られる。また、波長λ=1200nm、規格化周波数V=0.44739とすると、式1から、格子定数aの最大値、a=540nm1200×0.44739=536.868≒540が得られる。したがって、格子定数aを150nm以上450nm以下の範囲に制限してフォトニック結晶を設計することにより、フォトニック結晶を用いない従来の太陽電池と比較して、光吸収率を向上させた太陽電池1を設計することができる。なお、格子定数aの値を変えずに、光の波長λの値を変化させることにより、規格化周波数Vの値を変えることができるため、規格化周波数Vの値の範囲に制限はない。フォトニック結晶の高さの最適条件次に、フォトニック結晶の高さ、すなわち、第1透明導電膜11に形成された凸部16光電変換層12に形成された孔の高さ最適条件について、図5及び図6を参照して説明する。図5は、本実施形態に係る太陽電池1における、光の波長に対する光吸収率の特性を示すグラフである。また、図6は、本実施形態に係る太陽電池1における、フォトニック結晶の高さに対する光吸収率の平均値の相対比率を示すグラフである。図5において実線が示すグラフは、本実施形態に係る太陽電池1を、格子定数a=500nm、光電変換層12の厚みh=1.5μm、第1透明導電膜11の厚みを400nm、フォトニック結晶の高さ凸部16の高さd=125nm、凸部16の直径2r=4000.8anmとして設計した場合の光の波長λnmに対する光吸収率の測定結果を示す。また、図5において破線が示すグラフは、フォトニック結晶を用いない従来の太陽電池における、光の波長に対する光吸収率の測定結果を示している。図5に示すように、光の波長が500nm以上1100nm以下の範囲において、本実施形態に係る太陽電池1の、各光の波長に対する光吸収率の平均値は、従来の太陽電池の光吸収率と比較して、約1.36倍に上昇している。したがって、図5に示す結果によれば、太陽電池にフォトニック結晶を形成することによって、太陽電池における光吸収率特に、長波長域における光吸収率を向上させることができる。なお、ここでは、光の波長が500nm以上1100nm以下の範囲である場合を例に挙げて説明したが、もちろん、前述の各パラメータを調整することによって、波長が500nm未満、及び、1100nmより大きい範囲においても、同様の効果が得られる。また、図6に示すグラフは、フォトニック結晶を用いない、すなわちd=0とした従来の太陽電池における光吸収率の平均値を1.0とした場合の、フォトニック結晶の高さdのそれぞれに対する太陽電池1の光吸収率の平均値の比較値を示している。太陽電池1の光吸収率の平均値の比較値以降、単に比較値とも呼称するは、次式で表される。なお、比較値は、従来技術の太陽電池における光吸収率に対する、本実施形態に係る太陽電池1における光吸収率の倍率を示している。比較値=太陽電池1の光吸収率の平均値/従来の太陽電池の光吸収率の平均値式2図6に示すように、フォトニック結晶の高さdが高くなるにつれ、比較値は、単調増加する。また、図6に示すように、フォトニック結晶の高さdを75nmとして太陽電池1を設計した場合に、比較値が1.2すなわち、光吸収率が従来の太陽電池の1.2倍となった。ここで、従来の太陽電池の光吸収率に対し、1.2倍以上の光吸収率が得られれば、光電変換層12を従来より薄くしても、太陽電池1においても従来の太陽電池と同等か、それ以上の光電効果を得ることができる。したがって、フォトニック結晶の高さdを75nm以上に設計することにより、従来の太陽電池より薄型で、かつ同等以上の光電効果を得ることができる。なお、図6に示すように、フォトニック結晶の高さdが高くなればなるほど、光吸収率は高くなるため、光電変換層12の厚み以下であれば、フォトニック結晶の高さに上限はない。フォトニック結晶の孔の直径の最適条件次に、フォトニック結晶を構成するために第1透明導電膜11に形成された凸部16の直径光電変換層12に形成された孔の直径の最適条件について、図7を参照して説明する。図7は、本実施形態に係る太陽電池1における、第1透明導電膜11に形成された凸部16の半径に対する光吸収率の平均値の特性を示すグラフである。図7は、フォトニック結晶の高さ凸部16の高さをd=125nmとして太陽電池1を設計した場合の、凸部16の半径に対する光吸収率の平均値の特性を示している。なお、図7の横軸に示す凸分16の半径は、格子係数aに対する比率で表されている。すなわち、横軸に示す半径が0.50である場合、凸部16の半径はr=0.50aである。また、横軸に示す凸分16の半径が格子係数aに対する比率であるため、半径の値が0.50すなわち、直径が1.00を超えると、隣接する凸部16同士が重なりあうことになる凸部16の直径2rが、格子定数aを超えてしまうため。このため、図7には、凸部16の半径が0.50a以下である範囲についてのみ、示している。また、図7に示す凸部16に対する光吸収率の平均値は、フォトニック結晶の高さdには依存しない。また、凸部16の半径の最適な条件は、図6に示すフォトニック結晶の高さに対する光吸収率の平均値の比較値が1.2以上を満たす場合に得られる。ここで、フォトニック結晶の高さがd=250nmであるとすると、図7に示す凸部16の半径に対する光吸収率の平均値が、0.8以上である場合に、図6に示す比較値1.2以上を満たすことができる。このとき、光吸収率の平均値が0.8以上を満たす凸部16の半径rの値は、図7に示すように、0.20a以上0.50a以下すなわち、凸部16の直径2rが0.40a以上1.00a以下であるため、半径rの値がこの範囲にあるとき、凸部16の半径の最適な条件となる。なお、フォトニック結晶の高さがd=250nmより低い場合であっても、凸部16の直径2rが0.40a以上1.00a以下の範囲に、凸部16の直径2rの最適値が存在する。上述したように、格子定数aの最適条件が150nm以上540nm以下であることから、凸部16の半径の最小値はr=30nm0.20a=0.20×150nm=30nmとなり、最大値はr=270nm0.50a=0.50×540nm=270nmとなる。つまり、凸部16の直径の最小値は2r=60nmとなり、最大値は2r=540nmとなる。光吸収率次に、上述のように太陽電池1を設計することによって得られた、太陽電池1における光吸収率について、図8を参照して説明する。図8は、本実施形態に係る太陽電池1における、光の波長に対する光吸収率の特性を示すグラフである。図8において一点鎖線で示す曲線は、厚さが400μmの従来の太陽電池における光吸収率を示し、破線で示す曲線は、厚さが500nmの従来の太陽電池における光吸収率を示している。また、図8において実線で示す曲線は、厚さが500nmの本実施形態に係る太陽電池1における光吸収率を示している。本実施形態に係る太陽電池1は、上述したように、第1透明導電膜11の屈折率と光電変換層12の屈折率との屈折率差が周期的に存在することにより、面内方向にブラッグ反射の効果を得ることができる。ここで、ブラッグ反射とは、フォトニック結晶に入射した光が、格子定数a及び光の波長λによって決まる特定の方向に反射を起こす現象をいう。本実施形態に係る太陽電池1は、第1透明導電膜11に形成される凸部16の配置間隔格子定数a、直径2r、及び、高さdを最適に設計することにより、光電変換層12において入射光を共振させることができる。図8において実線で示すように、太陽電池1は、最適に設計することで、300nm以上1100nm以下の全ての波長領域において、約1.0の光吸収率を保つことができる。さらに、上述のように最適条件に基づいてフォトニック結晶を最適に設計し、太陽電池1の厚さを従来の太陽電池では形状を保つことができない程の厚さ例えば、数百nm程度の厚さに抑えた場合であっても、支持基板15を備えることによって、太陽電池1は、その形状を保つことができる。また、本実施形態に係る太陽電池1は、厚みを数百nmに抑えても、フォトニック結晶による光吸収率の向上効果により、厚みが数百μmの従来の太陽電池と同等以上の光電変換効率を実現することができる。太陽電池の製造工程最後に、本実施形態に係る太陽電池1の製造工程について、図9を参照して説明する。図9は、本実施形態に係る太陽電池1の製造工程を示す工程図である。なお、本実施形態では、第1透明導電膜11の媒質がSnO2であり、光電変換層12の媒質がc-Si、金属電極13の媒質がAl、透明絶縁体層14の媒質がSiO2である場合を例に挙げて説明するが、本発明はもちろんこれに限定されるものではない。まず、図9のaに示すように、c-Si層を形成し、p型不純物をドープすることにより、p型サブ半導体層121aを形成する。なお、光の入射方向は、p型サブ半導体層121aの下面である。次に、図9のbに示すように、p型サブ半導体層121aの上にc-Siを蒸着し、n型不純物例えば、リンなどをドープ注入することにより、n型半導体層122を形成し、pn接合された半導体層を形成する。続いて、図9のcに示すように、水素を含むイオンビームを注入することで、p型サブ半導体層121aに、シリコンの結晶格子が部分的に切断された損傷層120を形成する。なお、損傷層120を境に、n型半導体層122側のp型サブ半導体層121aをp型サブ半導体層121bとし、n型半導体層122と逆側のp型サブ半導体層121aをp型サブ半導体層121cとする。その後、図9のdに示すように、n型半導体層122の上にAlを蒸着し、Al膜を形成することで金属電極13を形成する。また、形成した金属電極13の上にSiO2を蒸着して、透明絶縁体層14を形成する。なお、形成した透明絶縁体層14の表面に凹凸形状がある場合には、図9のeに示すように、表面をCMPChemicalMechanicalPolishing:化学機械研磨により平坦化する。さらに、図9のfに示すように、表面を平坦化した透明絶縁体層14が下面になるように、上記a~eにおいて形成した積層体を反転し、透明絶縁体層14と支持基板15とを接合する。なお、積層体を反転したため、光の入射面は積層体の半導体層側の面になる。次に、加熱した後、図9のgに示すように、損傷層120を境にp型サブ半導体層121cとp型サブ半導体層121bとを劈開することにより、基板の最上層であるp型サブ半導体層121cを除去する加熱処理によるウェハ除去。このとき、図9のcに示す工程において損傷層120が形成されているため、この損傷層120に沿ってp型サブ半導体層121cを除去することができる。また、図9のhに示すように、p型サブ半導体層121cをウェハ除去した後の表面p型サブ半導体層121bの表面を改質表面改質すると共に、凹凸形状を平坦化することで、光電変換層12のp型半導体層121を形成する。これにより、p型半導体層121及びn型半導体層122を備えた光電変換層12が得られる。なお、表面改質は、例えば、ELAエキシマレーザーアニーリング:EximerLaserAnnealing技術を用いてポリシリコン化させることによって行われる。続いて、図9のiに示すように、ドライエッチングにより、平坦化されたp型半導体層121をさらに薄膜化すると共に、フォトニック結晶を構成するための孔をp型半導体層121に周期的に形成するすなわち、凸形状17を形成する。なお、ドライエッチングの一例として、四フッ化炭素CF4をエッチングガスとする誘導結合型反応性イオンエッチングICP-RIE:InductiveCoupledPlasma‐ReactiveIonEtchingを挙げることができる。もちろん、これに限定されるものではなく、エッチングガスとして、六フッ化硫黄SF6及び、トリフルオロメタンCHF3などを採用してもよい。最後に、図9のjに示すように、ドライエッチングによって凸形状17が形成されたp型半導体層121の上にSnO2を蒸着することによって第1透明導電膜11を形成する。上述のように、図9のa~jの製造工程を経ることにより、本実施形態に係る太陽電池1が完成する。なお、p型半導体層121に周期的に形成された孔にSnO2が蒸着することによって、第1透明導電膜11に複数の凸部16が形成される。この第1透明導電膜11に形成された複数の凸部16と、p型半導体層121に形成された凸形状17とによって、フォトニック結晶が形成される。上述の構成によって、太陽電池1は、特に長波長における光の吸収率を高め、光電変換の効率を向上させることができると共に、薄型化数百nm程度の厚さを実現することができる。さらに、太陽電池1は、支持基板15を備えているため、光電変換層12の薄型化を行うことで太陽電池1の形状が維持できなくなることを防ぐことができる。<実施形態2>本発明の他の実施形態について、図10及び図11を参照して以下に説明する。なお、説明の便宜上、実施形態1に係る構成要素と同様の機能を有する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。本実施形態では、主に、実施形態1との相違点について説明するものとする。太陽電池の構成まず、本実施形態に係る太陽電池の構成について、図10を参照して説明する。図10は、本実施形態に係る太陽電池2の構成の概略を示す断面図である。本実施形態に係る太陽電池2は、図10に示すように、第1透明導電膜第1透明体21と、光電変換層22とを備えており、第1透明導電膜21及び光電変換層22によってフォトニック結晶が形成されていること以外は、実施形態1に係る太陽電池1と同じ構成である。第1透明導電膜21及び光電変換層22の界面に形成された凹凸形状は、実施形態1の第1透明導電膜11及び光電変換層12の界面に形成された凹部と凸部とを反転した形状になっている。第1透明導電膜21は、透明な導電膜であり、太陽光が入射される入射面として設けられている。また、第1透明導電膜21は、光電変換層22を覆うように形成され、図10に示すような凸形状26を有することによって、光電変換層22と共に、後述するフォトニック結晶を構成している。光電変換層22は、光を吸収して光電変換する半導体層であり、光の入射側の面第1表面に図10に示すような凸部27第1凸部が、二次元的かつ周期的に形成されている。これによって、第1透明導電膜21と共に、後述するフォトニック結晶を構成している。また、光電変換層22は、極性の異なる半導体層が隣接した構造を有しており、その構造は特に限定されないが、本実施形態では、例えば、図10に示すように、p型半導体層221とn型半導体層222とが隣接したpn縦型構造を採用している。なお、本発明はこれに限定されるものではなく、光電変換層22構造として、i型半導体層いわゆる真性半導体層、不図示をp型半導体層221とn型半導体層222とで挟んだpin縦型構造を採用することもできる。フォトニック結晶の構造次に、フォトニック結晶について、図10及び図11を参照して説明する。図11は、図10に示すフォトニック結晶のA-B断面図であり、本実施形態に係る太陽電池2のフォトニック結晶の構造の概略を示す上面図である。図10及び図11に示すように、本実施形態では、光電変換層22より正確には、光電変換層22のp型半導体層221の光の入射面には、円柱状に形成された複数の凸部27が規則的に形成されている。換言すれば、光電変換層には、複数の凸部27を設けたことにより、隣り合う凸部27同士の間に、凹形状第2凹部が形成されている。また、図10及び図11に示すように、光電変換層22の有する凹形状を少なくとも満たすように第1透明導電膜21が形成されている。この結果として、上記第1透明導電膜21に、上記凸形状26が、上記凹形状に対応した相補的な形状を持って形成されている。光電変換層22に形成された複数の凸部27は、それぞれ、隣接する凸部27との配置間隔ピッチが等間隔になるよう、正方格子状に配置されている。なお、隣接する凸部27同士の配置間隔の値を、格子定数anmとも呼称する。上述したように、光電変換層22に形成された複数の凸部27は、屈折率の異なる第1透明導電膜21の媒質内に周期的に配置されている。凸部27がこのように配置されることにより、第1透明導電膜21の屈折率と、光電変換層22の屈折率との屈折率差が存在することになる。すなわち、第1透明導電膜21に形成された凸形状26と、光電変換層22に形成された複数の凸部27とによって、屈折率が周期的に変化するフォトニック結晶が構成される。このように、本実施形態に係る太陽電池2では、光電変換層22自体に凸部27を形成し、凸部27の周囲を第1透明導電膜21で覆っているため、光電変換層22および隣接層としての第1透明導電膜21の界面では、屈折率の異なる2種の材料のみが隣接してフォトニック結晶を構成している。なお、本実施形態では、複数の凸部27が円柱状に形成されている場合を例に挙げて説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、複数の凸部27は、三角柱状に形成されていてもよく、四角柱状に形成されていてもよい。また、凸部27として、円錐台、三角錐台、四角錐台の形状を選択することもできる。太陽電池の製造工程最後に、本実施形態に係る太陽電池2の製造工程について説明する。なお、本実施形態に係る太陽電池2の製造工程は、図9i及びjに示す工程における処理が異なること以外は、実施形態1の太陽電池1の製造工程と同じである。太陽電池2の製造工程においては、図9iに示すように、ドライエッチングにより、平坦化されたp型半導体層221をさらに薄膜化した後、孔をp型半導体層221に周期的に形成する代わりに、フォトニック結晶を構成するための凸部27を周期的に形成する。最後に、ドライエッチングによって複数の凸部27が形成されたp型半導体層221の上にSnO2を蒸着することによって第1透明導電膜21を形成する。このように、第1透明導電膜21に形成された凸形状26と、光電変換層22に形成された凸部27とにより、フォトニック結晶が形成される。上述の構成によって、太陽電池2は、特に長波長における光の吸収率を高め、光電変換の効率を向上させることができると共に、薄型化数百nm程度の厚さを実現することができる。さらに、太陽電池2は、支持基板15を備えているため、光電変換層22の薄型化を行うことで太陽電池2の形状が維持できなくなることを防ぐことができる。<実施形態3>本発明のさらに他の実施形態について、図12及び図13を参照して以下に説明する。なお、説明の便宜上、実施形態1に係る構成要素と同様の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。本実施形態では、主に、実施形態1との相違点について説明するものとする。太陽電池の構成まず、本実施形態に係る太陽電池の構成について、図12を参照して説明する。図12は、本実施形態に係る太陽電池3の全体構成を概略的に示す断面図である。図12に示すように、本実施形態に係る太陽電池3は、光電変換層12と金属電極13との間に第2透明導電膜第2透明体38を備えていること以外は、実施形態1の太陽電池1と同じ構成である。第2透明導電膜38は、透明な導電膜であり、光電変換層12と、金属電極13とに挟まれるように形成されている。また、第2透明導電膜38は、光電変換層12の媒質よりも屈折率が小さい媒質からなり、媒質としては、例えば、ITO、IZO、SnO2、ZnOなどを挙げることができる。なお、本実施形態に係る太陽電池3の有するフォトニック結晶の構造は、図2に示す実施形態1に係る太陽電池1の有するフォトニック結晶の構造と同じであるため、ここでは説明を省略する。太陽電池の製造工程最後に、本実施形態に係る太陽電池3の製造工程について、図13を参照して説明する。図13は、本実施形態に係る太陽電池3の製造工程を示す工程図である。なお、本実施形態では、第1透明導電膜11、及び、第2透明導電膜38の媒質がSnO2であり、光電変換層12の媒質がc-Si、金属電極13の媒質がAl、透明絶縁体層14の媒質がSiO2である場合を例に挙げて説明するが、本発明はもちろんこれに限定されるものではない。なお、図13に示す、本実施形態に係る太陽電池3の製造工程は、d及びeに示す工程が異なること以外は、図9に示す実施形態1に係る太陽電池1の各製造工程と同じである。図13dに示すように、n型半導体層122の上にSnO2を蒸着して、第2透明導電膜38を形成する。続いて、形成した第2透明導電膜38の上にAlを蒸着し、Al膜を形成することで金属電極13を形成し、形成した金属電極13の上にSiO2を蒸着して、透明絶縁体層14を形成する。なお、形成した透明絶縁体層14の表面に凹凸形状がある場合には、図13eに示すように、表面をCMPにより平坦化する。このように、図13a~jの製造工程を経ることにより、本実施形態に係る太陽電池3が完成する。なお、p型半導体層121p型サブ半導体層121cをウェハ除去し、平坦化されたp型サブ半導体層121bに周期的に形成された孔にSnO2が蒸着することによって、第1透明導電膜11に複数の凸部16が形成される。この第1透明導電膜11に形成された複数の凸部16と、p型半導体層121に形成された凸形状17とによって、フォトニック結晶が形成される。上述の構成によって、太陽電池3は、特に長波長における光の吸収率を高め、光電変換の効率を向上させることができると共に、薄型化数百nm程度の厚さを実現することができる。さらに、太陽電池3は、支持基板15を備えているため、光電変換層12の薄型化を行うことで太陽電池2の形状が維持できなくなることを防ぐことができる。また、上述の構成によれば、第1透明導電膜11および第2透明導電膜38の各屈折率は、光電変換層12の屈折率よりも小さいので、高屈折率のコアを低屈折率のクラッドで被覆することで光を伝播させる光ファイバと同じ原理により、光電変換層12を抜けて外部へと漏れ出ようとする光を閉じ込めることができる。したがって、光電変換層12に光を閉じ込める効果がさらに増強される。この結果、光電変換層12による光の吸収率をさらに向上させることができ、太陽電池3における起電力量を一層増大させることができる。<実施形態4>本発明の他の実施形態について、図14を参照して以下に説明する。図14は、本実施形態に係る太陽電池4の構成の概略を示す断面図である。なお、説明の便宜上、実施形態1から3に係る構成要素と同様の機能を有する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。本実施形態では、主に、実施形態1から3との相違点について説明するものとする。太陽電池の構成本実施形態に係る太陽電池4は、図14に示すように、第1透明導電膜21と、光電変換層22とを備え、第1透明導電膜21及び光電変換層22によってフォトニック結晶が形成されていること、及び、光電変換層22と金属電極13との間に第2透明導電膜第2透明導電膜38を備えていること以外は、実施形態1に係る太陽電池1と同じ構成である。第1透明導電膜21は、複数の凸部27が二次元的かつ周期的に形成された光電変換層22を覆うように形成され、第1透明導電膜21の凸形状26と光電変換層22の凸部27との周期構造によって、フォトニック結晶を構成している。第2透明導電膜38は、透明な導電膜であり、光電変換層12と、金属電極13とに挟まれるように形成されている。また、第2透明導電膜38は、光電変換層12の媒質よりも屈折率が小さい媒質からなり、媒質としては、例えば、ITO、IZO、SnO2、ZnOなどを挙げることができる。なお、本実施形態に係る太陽電池4の有するフォトニック結晶の構造は、図11に示す実施形態2に係る太陽電池2の有するフォトニック結晶の構造と同じであるため、ここでは説明を省略する。太陽電池の製造工程本実施形態に係る太陽電池2の製造工程は、図13i及びjに示す工程における処理が異なること以外は、実施形態3の太陽電池3の製造工程と同じである。太陽電池3の製造工程においては、図13iに示すように、ドライエッチングにより、平坦化されたp型半導体層221をさらに薄膜化した後、孔をp型半導体層221に周期的に形成する代わりに、フォトニック結晶を構成するための凸部27を周期的に形成する。最後に、ドライエッチングによって複数の凸部27が形成されたp型半導体層221の上にSnO2を蒸着することによって第1透明導電膜21を形成する。このように、第1透明導電膜21に形成された凸形状26と、光電変換層22に形成された凸部27とにより、フォトニック結晶が形成される。上述の構成によって、太陽電池4は、特に長波長における光の吸収率を高め、光電変換の効率を向上させることができると共に、薄型化数百nm程度の厚さを実現することができる。さらに、太陽電池4は、支持基板15を備えているため、光電変換層22の薄型化を行うことで太陽電池4の形状が維持できなくなることを防ぐことができる。また、上述の構成によれば、第1透明導電膜21および第2透明導電膜38の各屈折率は、光電変換層22の屈折率よりも小さいので、高屈折率のコアを低屈折率のクラッドで被覆することで光を伝播させる光ファイバと同じ原理により、光電変換層22を抜けて外部へと漏れ出ようとする光を閉じ込めることができる。したがって、光電変換層22に光を閉じ込める効果がさらに増強される。この結果、光電変換層22による光の吸収率をさらに向上させることができ、太陽電池4における起電力量を一層増大させることができる。<実施形態5>本発明のさらに他の実施形態について、図15から図17を参照して以下に説明する。なお、説明の便宜上、実施形態1に係る構成要素と同様の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。本実施形態では、主に、実施形態1との相違点について説明するものとする。太陽電池の構成まず、本実施形態に係る太陽電池の構成について、図15を参照して説明する。図15は、本実施形態に係る太陽電池5の全体構成を概略的に示す断面図である。本実施形態に係る太陽電池5は、図15に示すように、金属電極金属電極層13、透明絶縁体層14、支持基板15、第1透明導電膜第1透明体51、及び、光電変換層52を備えている。なお、本実施形態に係る太陽電池5は、光の入射方向が支持基板15側である。第1透明導電膜51は、透明な導電膜であり、光電変換層52の太陽光が入射される入射面側を覆うように設けられている。また、第1透明導電膜51は、図15に示すような複数の凸部56を周期的に有することによって、光電変換層52と共に、フォトニック結晶を構成している。また、第1透明導電膜11は、光電変換層12の媒質よりも屈折率が小さい媒質であることが好ましい。光電変換層52は、光を吸収して光電変換する半導体層であり、図15に示すような凸形状57を有することによって、第1透明導電膜51と共に、フォトニック結晶を構成している。なお、凸形状57は、上記凸部56と相補的な形状の孔が光電変換層52に複数形成された結果として、形成されている。また、光電変換層52は、極性の異なる半導体層が隣接した構造を有しており、その構造は特に限定されないが、例えば、図15に示すような、p型半導体層521とn型半導体層522とが隣接したpn縦型構造を採用してもよい。また、光電変換層52構造として、i型半導体層いわゆる真性半導体層、不図示をp型半導体層521とn型半導体層522とで挟んだpin縦型構造を採用することもできる。なお、本実施形態に係る太陽電池5は、凸形状57を有する光電変換層52がn型半導体層522であり、光電変換層52のn型半導体層522と、第1透明導電膜51とにより、フォトニック結晶を構成している。このように、本実施形態に係る太陽電池5では、光電変換層52自体に凹部を形成しているため、光電変換層52および隣接層としての第1透明導電膜51の界面では、屈折率の異なる2種の材料のみが隣接してフォトニック結晶を構成している。太陽電池の各構成要素の配置太陽電池5は、図15に示すように、最下層入射面と反対側の面として金属電極13を備え、その上に光電変換層52が積層されている。なお、光電変換層52は、p型半導体層521、及び、n型半導体層522からなり、入射面と反対側の面からこの順で積層されている。また、光電変換層52の有するn型半導体層522には凹凸形状が形成されており、その凹凸形状を覆うようにして第1透明導電膜51が形成され、その上に透明絶縁体層14が積層されている。さらに、透明絶縁体層14の上に、支持基板15が太陽電池5の最上層入射面として積層されている。フォトニック結晶における光の閉じ込め効果次に、フォトニック結晶における共振効果について、図16を参照して説明する。図16は、本実施形態に係る太陽電池5の有するフォトニック結晶による光の共振効果を示す図である。第1透明導電膜51の凸部56、及び、光電変換層52の凸形状57によって形成されたフォトニック結晶は、図16の矢印Aに示すように、入射光を面内方向に共振させることができる。つまり、フォトニック結晶全体が、面内方向にて共振する1つの大きな共振器として機能する。これによって、フォトニック結晶は、入射光をフォトニック結晶全体に閉じ込めることができる。また、図16の矢印Aに示すような、共振器として機能するフォトニック結晶の共振効果と、金属電極13による光の反射効果との相互作用すなわち、光電変換層52への入射光と、金属電極13による反射光との干渉効果による光閉じ込めの効果によって、図16の矢印Bに示すように、光電変換層52に入射された光は、フォトニック結晶と金属電極53との間に閉じ込められることになる。また、入射光がフォトニック結晶を通過する際に、回折又は散乱するため、太陽電池5は、光電変換層52を通過する光の経路を増加させることができる。これによって、太陽電池5は、光電変換層52における光の吸収率を向上させることができ、太陽電池5における起電力量を増大させることができる。また、光電変換層52における光の吸収率の向上により、光電変換層52の薄型化も可能となる。さらに、太陽電池5は、支持基板15を備えているため、光電変換層52の薄型化を行うことで太陽電池5の形状が維持できなくなることを防ぐことができる。共振の大きさ及び光吸収率さらに、図16を参照して、本実施形態に係る太陽電池5における光吸収率について説明する。図16に示すように、フォトニック結晶の格子定数ピッチをa、第1透明導電膜51に形成された凸部56すなわち、光電変換層52に形成された孔の直径を2r、凸形状56孔の高さをd、光電変換層52の高さをh、光電変換層52から支持基板15までの高さをLSとする。また、光電変換層52の媒質である結晶シリコンの屈折率をns、第1透明導電膜51の媒質の屈折率をnt、透明絶縁体層14の媒質の屈折率をnSiO2、支持基板15の媒質の屈折率をnGlass、結晶シリコンにおける、ある光の波長に対する吸収係数をαとする。上記のパラメータから、複数の光の波長に対する共振条件が決定され、波長ごとに共振の大きさQを得ることができる。また、ある光の波長において、上記のように得られた共振の大きさQ、結晶シリコンの吸収係数α、及び、光電変換層52の高さhから、光吸収の大きさすなわち、光吸収率Sを得ることができる。ここで、光の波長をλとし、非線形関数をf及びgで表すと、共振の大きさQ、及び、光吸収率Sは、次式によって示すことができる。Qλ=fa,r,d,LS,nsλ,ntλ,nSiO2λ,nGlassλSλ=gQλ,αλ,h太陽電池の製造工程最後に、本実施形態に係る太陽電池5の製造工程について、図17を参照して説明する。図17は、本実施形態に係る太陽電池5の製造工程を示す工程図である。なお、本実施形態では、第1透明導電膜51の媒質がSnO2であり、光電変換層52の媒質がc-Si、金属電極13の媒質がAl、透明絶縁体層14の媒質がSiO2である場合を例に挙げて説明するが、本発明はもちろんこれに限定されるものではない。まず、図17のaに示すように、c-Si層を形成し、p型不純物をドープすることにより、p型サブ半導体層521aを形成する。次に、p型サブ半導体層521aの上にc-Siを蒸着し、n型不純物例えば、リンなどをドープ注入することにより、n型半導体層522を形成し、pn接合された半導体層を形成する。なお、光の入射方向は、n型半導体層522側である。次に、図17のbに示すように、水素を含むイオンビームを注入することで、p型サブ半導体層521aに、シリコンの結晶格子が部分的に切断された損傷層120を形成する。なお、損傷層120を境に、n型半導体層122側のp型サブ半導体層521aをp型サブ半導体層121bとし、n型半導体層と逆側のp型サブ半導体層121aをp型サブ半導体層121cとする。続いて、図17のcに示すように、ドライエッチングにより、n型半導体層522にフォトニック結晶を構成するための孔を周期的に形成するすなわち、凸形状57を形成する。なお、ドライエッチングの一例として、四フッ化炭素CF4をエッチングガスとする誘導結合型反応性イオンエッチングを挙げることができる。もちろん、これに限定されるものではなく、エッチングガスとして、六フッ化硫黄SF6及び、トリフルオロメタンCHF3などを採用してもよい。その後、図17のdに示すように、ドライエッチングによって凸形状57が形成されたn型半導体層522の上にSnO2を蒸着することによって第1透明導電膜51を形成する。また、形成した第1透明導電膜51の上にSiO2を蒸着して、透明絶縁体層14を形成する。なお、形成した透明絶縁体層14の表面に凹凸形状がある場合には、図17のeに示すように、表面をCMPにより平坦化する。さらに、図17のfに示すように、表面を平坦化した透明絶縁体層14が下面になるように、上記a~eにおいて形成した積層体を反転し、透明絶縁体層14と支持基板15とを接合する。なお、積層体を反転したため、光の入射面は積層体の支持基板15側の面になる。次に、加熱した後、図17のgに示すように、損傷層120を境にp型サブ半導体層521cとp型サブ半導体層521bとを劈開することにより、基板の最上層であるp型サブ半導体層521cを除去する加熱処理によるウェハ除去。このとき、図17のbに示す工程において損傷層120が形成されているため、この損傷層120に沿ってp型サブ半導体層521cを除去することができる。また、図17のhに示すように、p型サブ半導体層521cをウェハ除去した後の表面p型サブ半導体層521bの表面を改質すると共に、凹凸形状を平坦化することで、光電変換層52のp型半導体層521を形成する。最後に、図17のiに示すように、p型半導体層521の上にAlを蒸着し、Al膜を形成することで金属電極13を形成する。上述のように、図17のa~iの製造工程を経ることにより、本実施形態に係る太陽電池5が完成する。なお、n型半導体層522に周期的に形成された孔にSnO2が蒸着することによって、第1透明導電膜51に複数の凸部56が形成される。この第1透明導電膜51に形成された複数の凸部56と、n型半導体層522に形成された凸形状57とによって、フォトニック結晶が形成される。上述の構成によって、太陽電池5は、特に長波長における光の吸収率を高め、光電変換の効率を向上させることができると共に、薄型化数百nm程度の厚さを実現することができる。さらに、太陽電池5は、支持基板15を備えているため、光電変換層52の薄型化を行うことで太陽電池5の形状が維持できなくなることを防ぐことができる。また、支持基板15の表面を光の入射面とすることで、光電変換層52を、支持基板15、透明絶縁体層14、及び、第1透明導電膜51によって保護することができるため、環境耐性に優れた太陽電池を形成することができる。また、上述の構成によれば、光電変換層52の片側の面に支持基板15、透明絶縁体層14、及び、第1透明導電膜51が製膜されるため、光電変換層52のもう片側の面に支持基板15、透明絶縁体層14、及び、第1透明導電膜51の何れも形成する必要がない。これによって、光電変換層52の取り扱いを容易にすることができる。さらに、支持基板15などが設けられた面と反対側の光電変換層52の面に、金属電極13を製膜することができるので、金属電極13のパターニングに自由度を与えることができる。これによって、セルの構成をより効率よく構成することができる。<実施形態6>本発明のさらに他の実施形態について、図18から図20を参照して以下に説明する。なお、説明の便宜上、実施形態1又は5に係る構成要素と同様の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。本実施形態では、主に、実施形態1又は5との相違点について説明するものとする。太陽電池の構成まず、本実施形態に係る太陽電池の構成について、図18を参照して説明する。図18は、本実施形態に係る太陽電池6の全体構成を概略的に示す断面図である。図18に示すように、本実施形態に係る太陽電池6は、光電変換層52と金属電極13との間に第2透明導電膜第2透明導電膜68を備えていること以外は、実施形態5に係る太陽電池5と同じ構成である。第2透明導電膜68は、透明な導電膜であり、光電変換層52と、金属電極13とに挟まれるように形成されている。また、第2透明導電膜68は、光電変換層52の媒質よりも屈折率が小さい媒質からなり、媒質としては、例えば、ITO、IZO、SnO2、ZnOなどを挙げることができる。なお、本実施形態に係る太陽電池6の有するフォトニック結晶の構造は、図2に示す実施形態1に係る太陽電池1の有するフォトニック結晶の構造と同じであるため、ここでは説明を省略する。フォトニック結晶における光の閉じ込め効果次に、フォトニック結晶における共振効果について、図19を参照して説明する。図19は、本実施形態に係る太陽電池6の有するフォトニック結晶による光の共振効果を示す図である。第1透明導電膜51の凸形状56、及び、光電変換層52の凸形状57によって形成されたフォトニック結晶は、図19の矢印Aに示すように、入射光を面内方向に共振させることができる。つまり、フォトニック結晶全体が、面内方向にて共振する1つの大きな共振器として機能する。これによって、フォトニック結晶は、入射光をフォトニック結晶全体に閉じ込めることができる。また、図19の矢印Aに示すような、共振器として機能するフォトニック結晶の共振効果と、金属電極13による光の反射効果との相互作用すなわち、光電変換層52への入射光と、金属電極13による反射光との干渉効果による光閉じ込めの効果によって、図19の矢印Bに示すように、光電変換層52に入射された光は、フォトニック結晶と金属電極53との間に閉じ込められることになる。また、入射光がフォトニック結晶を通過する際に、回折又は散乱するため、太陽電池5は、光電変換層52を通過する光の経路を増加させることができる。これによって、太陽電池6は、光電変換層52における光の吸収率を向上させることができ、太陽電池6における起電力量を増大させることができる。また、光電変換層52における光の吸収率の向上により、光電変換層62の薄型化も可能となる。さらに、太陽電池6は、支持基板15を備えているため、光電変換層52の薄型化を行うことで太陽電池6の形状が維持できなくなることを防ぐことができる。共振の大きさ及び光吸収率さらに、図19を参照して、本実施形態に係る太陽電池6における光吸収率について説明する。図19に示すように、フォトニック結晶の格子定数ピッチをa、第1透明導電膜51に形成された凸部56すなわち、光電変換層52に形成された孔の直径を2r、凸部56孔の高さをd、光電変換層52の高さをh、光電変換層52から支持基板15までの高さをLS2とする。また、光電変換層52の媒質である結晶シリコンの屈折率をns、第1透明導電膜51の媒質の屈折率をnt、透明絶縁体層14の媒質の屈折率をnSiO2、支持基板15の媒質の屈折率をnGlass、結晶シリコンにおける、ある光の波長に対する吸収係数をαとする。上記のパラメータから、複数の光の波長に対する共振条件が決定され、波長ごとに共振の大きさQを得ることができる。また、ある光の波長において、上記のように得られた共振の大きさQ、結晶シリコンの吸収係数α、及び、光電変換層52の高さhから、光吸収の大きさすなわち、光吸収率Sを得ることができる。ここで、光の波長をλとし、非線形関数をf及びgで表すと、共振の大きさQ、及び、光吸収率Sは、次式によって示すことができる。Qλ=fa,r,d,LS2,nsλ,ntλ,nSiO2λ,nGlassλSλ=gQλ,αλ,h太陽電池の製造工程最後に、本実施形態に係る太陽電池6の製造工程について、図20を参照して説明する。図20は、本実施形態に係る太陽電池6の製造工程を示す工程図である。なお、本実施形態では、第1透明導電膜51、及び、第2透明導電膜68の媒質がSnO2であり、光電変換層52の媒質がc-Si、金属電極13の媒質がAl、透明絶縁体層14の媒質がSiO2である場合を例に挙げて説明するが、本発明はもちろんこれに限定されるものではない。なお、図20に示す、本実施形態に係る太陽電池6の製造工程は、iに示す工程が異なること以外は、図17に示す実施形態5に係る太陽電池5の各製造工程と同じであるため、iに示す工程以外の工程については、ここでは説明を省略する。図20のiに示すように、平坦化されたp型半導体層521の上にSnO2を蒸着して、第2透明導電膜68を形成する。続いて、形成した第2透明導電膜68の上にAlを蒸着し、Al膜を形成することで金属電極13を形成する。このように、図20のa~iの製造工程を経ることにより、本実施形態に係る太陽電池6が完成する。上述の構成によって、太陽電池6は、特に長波長における光の吸収率を高め、光電変換の効率を向上させることができると共に、薄型化数百nm程度の厚さを実現することができる。さらに、太陽電池6は、支持基板15を備えているため、光電変換層52の薄型化を行うことで太陽電池6の形状が維持できなくなることを防ぐことができる。また、上述の構成によれば、第1透明導電膜51および第2透明導電膜68の各屈折率は、光電変換層52の屈折率よりも小さいので、高屈折率のコアを低屈折率のクラッドで被覆することで光を伝播させる光ファイバと同じ原理により、光電変換層52を抜けて外部へと漏れ出ようとする光を閉じ込めることができる。したがって、光電変換層52に光を閉じ込める効果がさらに増強される。この結果、光電変換層52による光の吸収率をさらに向上させることができ、太陽電池6における起電力量を一層増大させることができる。また、支持基板15の表面を光の入射面とすることで、光電変換層52を、支持基板15、透明絶縁体層14、及び、第1透明導電膜51によって保護することができるため、環境耐性に優れた太陽電池を形成することができる。また、上述の構成によれば、光電変換層52の片側の面に支持基板15、透明絶縁体層14、第1透明導電膜51、及び、第2透明導電膜68が製膜されるため、光電変換層52のもう片側の面に支持基板15、透明絶縁体層14、第1透明導電膜51、及び、第2透明導電膜68の何れも形成する必要がない。これによって、光電変換層52の取り扱いを容易にすることができる。さらに、支持基板15などが設けられた面と反対側の光電変換層52の面に、金属電極13を製膜することができるので、金属電極13のパターニングに自由度を与えることができる。これによって、セルの構成をより効率よく構成することができる。<実施形態7>本発明のさらに他の実施形態について、図21から図23を参照して以下に説明する。なお、説明の便宜上、実施形態1に係る構成要素と同様の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。本実施形態では、主に、実施形態1との相違点について説明するものとする。太陽電池の構成まず、本実施形態に係る太陽電池の構成について、図21を参照して説明する。図21は、本実施形態に係る太陽電池7の全体構成を概略的に示す断面図である。本実施形態に係る太陽電池7は、図21に示すように、支持基板15、光電変換層72、金属電極73a、金属電極73b、第1透明絶縁体層第1透明体71、第2透明絶縁体層透明絶縁層74、n層陰電極78、及び、p層陽電極79を備えている。なお、本実施形態に係る太陽電池7の光の入射面は、支持基板15側である。光電変換層72は、光を吸収して光電変換する半導体層であり、図21に示すような複数の孔部と、その孔部周囲の凸形状とを有することによって、上記孔部を埋める第1透明絶縁体層71と共に、フォトニック結晶を構成している。また、本実施形態では、光電変換層72がn型半導体層である場合を例に挙げて説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、p型半導体層である構成を採用してもよい。なお、光電変換層72の媒質としては、結晶シリコンc-Siを挙げることができるが、これに限定されるものではない。例えば、光電変換層72の媒質として、シリコンμc-Si、アモルファスシリコンa-Si、及び、ポリシリコンp-Si:高純度多結晶シリコンを採用してもよい。金属電極73a及び73bは、光が太陽電池1に入射する側とは反対側の面第2表面に形成された層である。金属電極73a及び73bの材料としては、光反射率が高く、電気伝導度が大きな材料、例えば、Ag、Mo、又は、Alなどを選択できる。なお、金属電極73a及び73bを反射板としても機能させることができるので、これにより、光の吸収効率が高い太陽電池7を構成することができる。第2透明絶縁体層74は、平滑面を有し、親水性表面を有した透明な絶縁体からなる層であり、光電変換層72と支持基板15とを接続すると共に絶縁している。また、第1透明絶縁体層71は、透明な絶縁体である。n層78及びp層79層はそれぞれ、対応する極性を持つ不純物が高い濃度でドーピングされたn型半導体層及びp型半導体層であり、金属電極73a及び73bと光電変換層72との境界に設けられている。n層78及びp層79層は、光電変換層72に生じる空乏層幅を小さくし、トンネル効果によって電流を流れやすくしている。なお、太陽電池7は、金属電極73aと、金属電極73bとから、光電変換層72において光電変換された電流を取り出すことによって、電池として機能する。太陽電池の各構成要素の配置太陽電池7は、図21に示すように、最下層入射面と反対側の面として金属電極73a、及び、金属電極73bを備え、金属電極73aの上にはn層78が、金属電極73bの上にはp層79がそれぞれ積層されている。金属電極73a、73b、n層78、及び、p層79の上には、光電変換層72、及び、第2透明絶縁体層74がこの順で積層されている。また、光電変換層72、及び、第2透明絶縁体層74には凹凸形状が形成されており、その凹凸形状の凹形状部分に第1透明絶縁体層71が設けられている。さらに、第2透明絶縁体層74、及び、第1透明絶縁体層71の上に、支持基板15が太陽電池7の最上層入射面として積層されている。フォトニック結晶の構造次に、フォトニック結晶の構造について、図21を参照して説明する。図21に示すように、本実施形態では、光電変換層72の光の入射面第1表面には、円柱状に形成された複数の凹部孔第1凹部が規則的に形成されている。換言すれば、光電変換層72には、規則的に形成された各凹部の周囲に残った凸形状第2凸部が形成されている。また、光電変換層72の凸形状部分のみを覆うように、第2透明絶縁体層74が形成され、光電変換層72と支持基板15とを接合している。また、図21に示すように、光電変換層72及び第2透明絶縁体層74に形成された凹形状部分を満たすように第1透明絶縁体層71が形成されている。すなわち、第1透明絶縁体層71は、光電変換層72及び第2透明絶縁体層74に形成された凹部を満たすように、複数の円柱として形成される。光電変換層72の光の入射面に形成された凹凸形状は、当該光電変換層72と第1透明絶縁体層71との間での屈折率差に周期性をもたせることによって、フォトニック結晶を構成している。なお、本実施形態では、光電変換層72、及び、第1透明絶縁体層71を含んで、光電変換ユニットが構成されている。なお、本実施形態に係る太陽電池7の有するフォトニック結晶の構造の断面は、図2に示す実施形態1に係る太陽電池1の有するフォトニック結晶の構造と同じであるため、ここでは説明を省略する。フォトニック結晶における光の閉じ込め効果次に、フォトニック結晶における共振効果について、図22を参照して説明する。図22は、本実施形態に係る太陽電池7の有するフォトニック結晶による光の共振効果を示す図である。フォトニック結晶は、図22の矢印Aに示すように、入射光を面内方向に共振させることができる。つまり、フォトニック結晶全体が、面内方向にて共振する1つの大きな共振器として機能する。これによって、フォトニック結晶は、入射光をフォトニック結晶全体に閉じ込めることができる。また、図22の矢印Aに示すような、共振器として機能するフォトニック結晶の共振効果と、金属電極73a及び73bによる光の反射効果との相互作用すなわち、光電変換層72への入射光と、金属電極73a及び73bによる反射光との干渉効果による光閉じ込めの効果によって、図22の矢印Bに示すように、光電変換層72に入射された光は、フォトニック結晶と金属電極73a及び73bとの間に閉じ込められることになる。また、入射光がフォトニック結晶を通過する際に、回折又は散乱するため、太陽電池7は、光電変換層52を通過する光の経路を増加させることができる。これによって、太陽電池7は、光電変換層72における光の吸収率を向上させることができ、太陽電池7における起電力量を増大させることができる。また、光電変換層72における光の吸収率の向上により、光電変換層72の薄型化も可能となる。さらに、太陽電池7は、支持基板15を備えているため、光電変換層72の薄型化を行うことで太陽電池7の形状が維持できなくなることを防ぐことができる。共振の大きさ及び光吸収率さらに、図22を参照して、本実施形態に係る太陽電池7における光吸収率について説明する。図22に示すように、フォトニック結晶の格子定数ピッチをa、第1透明絶縁体層71すなわち、光電変換層72及び第2透明絶縁体層74に形成された孔の直径を2r、光電変換層72に形成された孔の高さをd、光電変換層72の高さをh、光電変換層72から支持基板15までの高さをLS3とする。また、光電変換層72の媒質である結晶シリコンの屈折率をns、第1透明絶縁体層71の媒質の屈折率をnSiO2、支持基板15の媒質の屈折率をnGlass、結晶シリコンにおける、ある光の波長に対する吸収係数をαとする。上記のパラメータから、複数の光の波長に対する共振条件が決定され、波長ごとに共振の大きさQを得ることができる。また、ある光の波長において、上記のように得られた共振の大きさQ、結晶シリコンの吸収係数α、及び、光電変換層72の高さhから、光吸収の大きさすなわち、光吸収率Sを得ることができる。ここで、光の波長をλとし、非線形関数をf及びgで表すと、共振の大きさQ、及び、光吸収率Sは、次式によって示すことができる。Qλ=fa,r,d,LS3,nsλ,nSiO2λ,nGlassλSλ=gQλ,αλ,h太陽電池の製造工程最後に、本実施形態に係る太陽電池7の製造工程について、図23を参照して説明する。図23は、本実施形態に係る太陽電池7の製造工程を示す工程図である。なお、本実施形態では、第2透明絶縁体層74、及び、第1透明絶縁体層71の媒質がSiO2であり、光電変換層72の媒質がc-Si、金属電極13の媒質がAlである場合を例に挙げて説明するが、本発明はもちろんこれに限定されるものではない。まず、図23のaに示すように、c-Si層を形成し、n型不純物例えば、リンなどをドープ注入することにより、n型半導体層であるサブ光電変換層72aを形成する。また、サブ光電変換層72aの上にSiO2を蒸着して、第2透明絶縁体層74を形成する。なお、形成した第2透明絶縁体層74の表面に凹凸形状がある場合には、図23のbに示すように、表面をCMPにより平坦化する。なお、光の入射方向は、第2透明絶縁体層74側である。次に、図23のcに示すように、水素を含むイオンビームを注入することで、サブ光電変換層72aに、シリコンの結晶格子が部分的に切断された損傷層120を形成する。なお、損傷層120を境に、第2透明絶縁体層74側のサブ光電変換層72aをサブ光電変換層72bとし、第2透明絶縁体層74と逆側のサブ光電変換層72aをサブ光電変換層72cとする。続いて、図23のdに示すように、フォトニック結晶を構成するための孔凹形状を、ドライエッチングにより、平坦化された第2透明絶縁体層74、及び、サブ光電変換層72bに周期的に形成する。その後、図23のeに示すように、dの工程により形成された孔にSiO2を蒸着して、第1透明絶縁体層71を形成する。また、第1透明絶縁体層71の形成された基板を反転し、第2透明絶縁体層74と支持基板15とを接合する。なお、基板を反転したため、光の入射面は基板の支持基板15側の面になる。さらに、加熱した後、図23のfに示すように、損傷層120を境にサブ光電変換層72cとサブ光電変換層72bとを劈開することにより、基板の最上層であるサブ光電変換層72cを除去する加熱処理によるウェハ除去。このとき、図23のcに示す工程において損傷層120が形成されているため、この損傷層120に沿ってサブ光電変換層72cを除去することができる。また、図23のgに示すように、サブ光電変換層72cをウェハ除去した後の表面サブ光電変換層72bの表面を改質すると共に、凹凸形状を平坦化することで、光電変換層72を形成する。次に、図23hに示すように、光電変換層72の金属電極73a及び金属電極73bを形成する位置に合わせて、対応する極性を持つ不純物を高濃度でドープすることにより、n層78、及び、p層79を形成するバックコンタクト用製膜。また、光電変換層72に形成されたn層78、及び、p層79をそれぞれ覆うようにAlを蒸着し、Al膜を形成することで金属電極73a、及び、金属電極73bを形成する。上述のように、図23のa~hの製造工程を経ることにより、本実施形態に係る太陽電池7が完成する。なお、本実施形態では、第1透明絶縁体層71が固体である場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、第1透明絶縁体層71が空気である構成を採用してもよい。この場合には、図23のeに示す工程において、dの工程により形成された基板をそのまま反転し、第2透明絶縁体層74と支持基板15とを接合すればよい。このように形成することにより、dの工程により形成された孔に、空気を媒質とした第1透明絶縁体層71が形成される。上述の構成によって、太陽電池7は、特に長波長における光の吸収率を高め、光電変換の効率を向上させることができると共に、薄型化数百nm程度の厚さを実現することができる。さらに、太陽電池7は、支持基板15を備えているため、光電変換層72の薄型化を行うことで太陽電池7の形状が維持できなくなることを防ぐことができる。<変形例>本実施形態の変形例について、図24を参照して説明する。なお、説明の便宜上、本実施形態に係る構成要素と同様の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。本実施形態では、主に、実施形態7との相違点について説明するものとする。太陽電池の構成まず、本変形例に係る太陽電池の構成について、図24を参照して説明する。図24は、本変形例に係る太陽電池7’の全体構成を概略的に示す断面図である。本変形例に係る太陽電池7’は、図24に示すように、支持基板15、光電変換層72、金属電極73a、73b、第1透明絶縁体層第1透明体71’、第2透明絶縁体層透明絶縁層74’、n層78、及び、p層79を備えている。第2透明絶縁体層74’は、平滑面を有し、親水性表面を有した絶縁体からなる層であり、金属電極73a、73b及び光電変換層72と支持基板15とを接続すると共に絶縁している。また、第1透明絶縁体層71’は、透明な絶縁体であり、太陽光が入射される入射面として設けられている。太陽電池の各構成要素の配置太陽電池7’は、図24に示すように、最下層入射面と反対側の最外面として支持基板15を備え、その上に第2透明絶縁体層74’が積層されている。また、第2透明絶縁体層74’の上には、金属電極73a、及び、金属電極73bがそれぞれ形成されており、金属電極73aの上にはn層78が、金属電極73bの上にはp層79がそれぞれ積層されている。金属電極73a、73b、n層78、及び、p層79の上には、光電変換層72がで積層されている。また、光電変換層72の入射面には凹凸形状が形成されており、その凹凸形状を覆うようにして、第1透明絶縁体層71’が太陽電池7’の最上層入射面側の最外層として積層されている。すなわち、光電変換層72の光の入射面と反対側の面第2表面にn層78、及び、p層79が形成されている。このように、本実施形態に係る太陽電池7’では、光電変換層72自体に凹凸構造を形成し、その凹凸構造を覆うように第1透明絶縁体層71’を製膜している。この結果、光電変換層72および隣接層としての第1透明絶縁体層71’の界面では、屈折率の異なる2種の材料のみが隣接してフォトニック結晶を構成している。上述の構成によれば、第2表面にn層78およびp層79が形成されているため、第2表面側から電力を取り出すことができる。したがって、シンプルな構成で、しかも、前述したフォトニック結晶による光吸収率の向上の効果を得ることができる。付記事項なお、上述した太陽電池を1ユニットとして、複数のユニットが一次元的または二次元的に配列された太陽電池パネルも、本発明の1つのカテゴリーである。これにより、光の吸収率が高い太陽電池が配列されているので、光電変換率の高い太陽電池パネルを得ることができる。また、上述した太陽電池のいずれかを電源として備えた装置もまた、本発明の1つのカテゴリーである。そのような装置には、上記太陽電池を電源として動作する携帯型または据え置き型の電子機器、家電製品または広告塔などが含まれる。さらに、太陽電池パネルを電源として備えた装置もまた、本発明の1つのカテゴリーである。そのような装置には、上記太陽電池パネルを電源として動作する携帯型または据え置き型の電子機器または家電製品のほかに、車両または広告塔なども含まれる。"