基板の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理装置において、基板の周縁部を処理するための周縁処理機構と、周縁処理機構に対して相対的に回転する基板を保持するための基板保持機構とを有し、周縁処理機構は、基板の周縁部に処理液を供給する処理液供給部と、処理液供給部よりも基板の周縁部に対して内側に隣設し、基板に向けてガスを噴出するガス噴出部と、基板の周縁部にリンス液を供給するリンス液供給部と、を有し、ガス噴出部は、基板を挿通させたスリットに形成したことを特徴とする基板処理装置。前記ガス噴出部は、前記スリットの前記基板を挟んで反対側にそれぞれ形成したことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。前記スリットに、ガスを噴出するガス噴出口と噴出したガスを吸引するガス吸引口とを交互に格子点上に形成したことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置。前記スリットに、処理液供給部の処理液貯留室とリンス液供給部のリンス液貯留室を連通させたことを特徴とする請求項1~請求項3のいずれかに記載の基板処理装置。前記処理液貯留室に処理液供給口を基板の端部よりも外側に形成し、前記リンス液貯留室にリンス液供給口を基板の端部よりも内側に形成したことを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。基板の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理方法において、基板の周縁部に配設した周縁処理機構に対して基板を相対的に回転させ、周縁処理機構に形成した処理液供給部から基板の周縁部に処理液を供給するとともに、処理液供給部よりも基板の周縁部に対して内側に隣設するとともに基板を挿通させたスリットに形成したガス噴出部から基板に向けてガスを噴出して、基板の周縁部処理を行い、その後、周縁処理機構に形成したリンス液供給部から基板の周縁部にリンス液を供給して、基板の周縁部のリンス処理を行うことを特徴とする基板処理方法。ところが、処理する基板の大型化に伴って、処理時に基板に反りが生じてしまい、基板の周縁部の所定範囲を精度良く処理することが困難であった。また、基板の周縁部を処理液で迅速に処理するためには、基板の周縁部に処理液を液盛りした状態で保持する必要があり、処理液が基板の周縁部よりも内側にまで流れ出てしまうことがあり、エッチングや洗浄などの処理を行う必要のない範囲まで処理されて、基板の処理不良が発生するおそれがあった。そこで、本発明では、基板の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理装置において、基板の周縁部を処理するための周縁処理機構と、周縁処理機構に対して相対的に回転する基板を保持するための基板保持機構とを有し、周縁処理機構は、基板の周縁部に処理液を供給する処理液供給部と、処理液供給部よりも基板の周縁部に対して内側に隣設し、基板に向けてガスを噴出するガス噴出部と、基板の周縁部にリンス液を供給するリンス液供給部とを有し、ガス噴出部は、基板を挿通させたスリットに形成することにした。また、前記ガス噴出部は、前記スリットの前記基板を挟んで反対側にそれぞれ形成することにした。また、前記スリットに、ガスを噴出するガス噴出口と噴出したガスを吸引するガス吸引口とを交互に格子点上に形成することにした。また、前記スリットに、処理液供給部の処理液貯留室とリンス液供給部のリンス液貯留室を連通させることにした。また、前記処理液貯留室に処理液供給口を基板の端部よりも外側に形成し、前記リンス液貯留室にリンス液供給口を基板の端部よりも内側に形成することにした。また、本発明では、基板の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理方法において、基板の周縁部に配設した周縁処理機構に対して基板を相対的に回転させ、周縁処理機構に形成した処理液供給部から基板の周縁部に処理液を供給するとともに、処理液供給部よりも基板の周縁部に対して内側に隣設するとともに基板を挿通させたスリットに形成したガス噴出部から基板に向けてガスを噴出して、基板の周縁部処理を行い、その後、周縁処理機構に形成したリンス液供給部から基板の周縁部にリンス液を供給して、基板の周縁部のリンス処理を行うことにした。そして、本発明では、以下に記載する効果を奏する。すなわち、本発明では、基板の周縁部に周縁処理機構を配設し、周縁処理機構は、基板の周縁部に処理液を供給する処理液供給部と、基板に向けてガスを噴出するガス噴出部とを有し、ガス噴出部を処理液供給部よりも基板の周縁部に対して内側に隣設しているために、ガス噴出部から噴出するガスによって、基板の反りを矯正して基板の周縁部近傍を平坦に位置精度良く保持することができるので、基板の周縁部の所定範囲を精度良く処理することができる。しかも、本発明では、周縁処理機構に基板の周縁部にリンス液を供給するリンス液供給部を処理液供給部とは別個に設けているために、基板の周縁部を処理液で処理した後に直ちにリンス液でリンス処理することができるので、基板の周縁部の処理を短時間で行うことができ、基板処理装置によるスループットを向上させることができる。以下に、本発明に係る基板処理装置の具体的な構成について図面を参照しながら説明する。図1及び図2に示すように、基板処理装置1は、ケーシング2の内部に基板ここでは、半導体ウエハ以下、ウエハ3という。をターンテーブル4で吸引保持しながらモーター5で回転させる基板保持機構6を収容するとともに、この基板保持機構6で保持したウエハ3の周縁部に周縁処理機構7を配設している。なお、以下の基板処理装置1では、周縁処理機構7を固定する一方、基板保持機構6でウエハ3を回転するように構成しているが、本発明では周縁処理機構7がウエハ3に対して相対的に回転できる構造となっていればよく、ウエハ3を固定し、周縁処理機構7を回転可能に構成してもよい。周縁処理機構7は、ウエハ3の周縁に第1の周縁処理装置8、第2の周縁処理装置9、薬液処理装置10、処理液膜調整装置11をウエハ3の回転中心を中心にして平面視で時計回りに円周方向に90度ずつずらして順に配設している。ここで、第1の周縁処理装置8は、ウエハ3の周縁部に洗浄液やエッチング液などの処理液を供給するように構成し、第2の周縁処理装置9は、ウエハ3の周縁部に純水やリンス用薬液などのリンス液を供給するように構成し、薬液処理装置10は、第1の周縁処理装置8で供給する処理液と同一又は異なる薬液たとえば、イソプロピルアルコールなどを供給するように構成し、処理液膜調整装置11は、ウエハ3の周縁部に空気や不活性ガスなどの処理液膜調整用ガスを供給するように構成している。なお、本発明では、周縁処理機構7に薬液処理装置10と処理液膜調整装置11のいずれか一方又は両方を設けない構成としてもよい。以下に、第1の周縁処理装置8、第2の周縁処理装置9、薬液処理装置10、処理液膜調整装置11の具体的な構造について説明する。まず、第1の周縁処理装置8の構造について説明すると、第1の周縁処理装置8は、図1及び図2に示すように、進退機構12の先端部に処理ヘッド13を取付けており、進退機構12によって処理ヘッド13を全体的にウエハ3の回転中心に向けてウエハ3の半径方向へ前進又は後退させることができるようになっている。この処理ヘッド13は、図3~図5に示すように、矩形箱型状のケーシング14の先端部前端部にウエハ3の厚みよりも広い上下幅のスリット15をウエハ3と平行に水平状に形成しており、ウエハ3との間にわずかな間隙ここでは、約50μm。を形成した状態でスリット15にウエハ3を挿通させることができ、しかも、その状態で基板保持機構6によってウエハ3を回転させることができ、また、進退機構12によって処理ヘッド13をスリット15の内部にウエハ3を挿通させた位置とウエハ3を挿通させない位置に進退させることができるようになっている。また、処理ヘッド13には、ウエハ3の周縁部に洗浄液やエッチング液などの処理液を供給するための処理液供給部16とウエハ3に向けて空気や不活性ガスなどのガスを噴出するための第1のガス噴出部17とを隣り合わせた状態で設けており、処理ヘッド13の中央部に処理液供給部16を形成するとともに、処理液供給部16よりもウエハ3の周縁部に対して内側に第1のガス噴出部17を形成している。ここで、処理液供給部16及び第1のガス噴出部17は、それぞれ所定の上下幅を有してウエハ3を挿通可能な形状に形成しており、第1のガス噴出部17のウエハ3と対向する上下幅を処理液供給部16のウエハ3と対向する上下幅よりも狭くして、処理液供給部16と第1のガス噴出部17との間に上下幅が直角状に変化するエッジ部18を形成している。また、処理液供給部16は、表面を親水性素材でコーティングしており、一方、第1のガス噴出部17は、表面を撥水性素材でコーティングしている。処理液供給部16は、処理ヘッド13の平面視中央部に処理ヘッド13の進退方向ウエハ3の半径方向へ向けて伸延させるとともにスリット15第1のガス噴出部17に連通させた処理液貯留室19を形成し、この処理液貯留室19の上下幅をスリット15よりも広い上下幅に形成している。このように、処理液貯留室19は、ウエハ3の表裏両面からの間隔を第1のガス噴出部17のスリット15におけるウエハ3の表裏両面からの間隔よりも断面視で直角状に急激に拡大して形成している。また、処理液貯留室19の上部には、処理液を供給するための処理液供給口20を形成し、処理液貯留室19の後部には、処理液を排出するための処理液排出口21を形成している。ここで、処理液供給口20は、ウエハ3の端部よりも外側に形成して、ウエハ3の表面に処理液が直接供給されないようにして、処理液の吐出力によってウエハ3がダメージを受けないようにし、また、処理液排出口21は、ウエハ3の表面よりも上方に形成して、供給された処理液が処理液貯留室19の内部で貯留するようにしている。なお、処理液供給口20は、処理液貯留室19に連通して形成していればよく、処理液貯留室19の上部に形成した場合に限られず、処理液貯留室19の下部に形成してもよい。また、処理液排出口21も、処理液貯留室19に連通していればよく、処理液貯留室19の上部に形成した場合に限られず、処理液貯留室19の下部に形成してもよい。さらに、処理液供給口20と処理液排出口21は、ウエハ3を挟んで反対側に対向させた位置にそれぞれ形成してもよく、また、処理液排出口21は、ウエハ3の端部よりも内側に形成してもよい。また、処理液供給部16は、処理液供給口20に処理液供給源22を開閉バルブ23を介して連通連結する一方、処理液排出口21に吸引機24を連通連結している。そして、処理液供給部16は、処理液供給源22から供給される処理液を処理液貯留室19に一時的に貯留し、処理液貯留室19において貯留した処理液にウエハ3の周縁部を浸漬させることでウエハ3の周縁部を処理液で周縁処理することができ、吸引機24によって処理液を処理液貯留室19から排出することができるようになっている。一方、第1のガス噴出部17は、処理液貯留室19よりも狭い上下幅のスリット15にガスを噴出するガス噴射口25と噴出したガスを吸引するガス吸引口26とを交互に格子点上に上下にそれぞれ形成し、ガス噴射口25にガス供給源27を圧力制御弁28を介して連通連結するとともに、ガス吸引口26に吸引機29を圧力制御弁30を介して連通連結している。そして、第1のガス噴出部17は、ガス供給源27から供給されるガスをガス噴射口25からウエハ3の表面上面及び下面に向けて噴出するとともに、噴出したガスを吸引機29によってガス吸引口26から外部に排出し、これにより、ウエハ3の周縁部近傍の反りを強制的に矯正するとともに、処理液貯留室19の所定位置ここでは、スリット15の中央にウエハ3を位置させて処理液による処理が良好に行えるようにしている。次に、第2の周縁処理装置9の構造について説明すると、第2の周縁処理装置9は、図1及び図2に示すように、進退機構31の先端部に処理ヘッド32を取付けており、進退機構31によって処理ヘッド32を全体的にウエハ3の回転中心に向けてウエハ3の半径方向へ前進又は後退させることができるようになっている。この処理ヘッド32は、図6~図8に示すように、矩形箱型状のケーシング33の先端部前端部にウエハ3の厚みよりも広い上下幅のスリット34をウエハ3と平行に水平状に形成しており、ウエハ3との間にわずかな間隙ここでは、約50μm。を形成した状態でスリット34にウエハ3を挿通させることができ、しかも、その状態で基板保持機構6によってウエハ3を回転させることができ、また、進退機構31によって処理ヘッド32をスリット34の内部にウエハ3を挿通させた位置とウエハ3を挿通させない位置に進退させることができるようになっている。また、処理ヘッド32には、ウエハ3の周縁部に純水やリンス用薬液などのリンス液を供給するためのリンス液供給部35とウエハ3に向けて空気や不活性ガスなどのガスを噴出するための第2のガス噴出部36とを隣り合わせた状態で設けており、処理ヘッド32の中央部にリンス液供給部35を形成するとともに、リンス液供給部35よりもウエハ3の周縁部に対して内側に第2のガス噴出部36を形成している。ここで、リンス液供給部35及び第2のガス噴出部36は、それぞれ所定の上下幅を有してウエハ3を挿通可能な形状に形成しており、第2のガス噴出部36のウエハ3と対向する上下幅をリンス液供給部35のウエハ3と対向する上下幅よりも狭くして、リンス液供給部35と第2のガス噴出部36との間に上下幅が直角状に変化するエッジ部37を形成している。また、リンス液供給部35は、表面を親水性素材でコーティングしており、一方、第2のガス噴出部36は、表面を撥水性素材でコーティングしている。リンス液供給部35は、処理ヘッド32の平面視中央部に処理ヘッド32の進退方向ウエハ3の半径方向へ向けて伸延させるとともにスリット34第2のガス噴出部36に連通させたリンス液貯留室38を形成し、このリンス液貯留室38の上下幅をスリット34よりも広い上下幅に形成している。このように、リンス液貯留室38は、ウエハ3の表裏両面からの間隔を第2のガス噴出部36のスリット34におけるウエハ3の表裏両面からの間隔よりも断面視で直角状に急激に拡大して形成している。リンス液貯留室38は、先端部ウエハ3の中心側を処理液貯留室19の先端部ウエハ3の中心側よりもウエハ3の周端部に対して内側に伸延させて形成して、リンス液供給部35からウエハ3の周縁部に供給されるリンス液が処理液供給部16からウエハ3の周縁部に供給される処理液よりもウエハ3の周縁部に対して内側になるようにしている。このことにより、ウエハ3上の処理液をリンス液により確実にリンス処理できる。また、リンス液貯留室38の上部には、リンス液を供給するためのリンス液供給口39を形成し、リンス液貯留室38の後部には、リンス液を排出するためのリンス液排出口40を形成している。ここで、リンス液供給口39は、ウエハ3の端部よりも内側に形成して、ウエハ3の表面にリンス液が直接供給されるようにして、リンス液でウエハ3の表面を迅速にリンス処理できるようにし、また、リンス液排出口40は、ウエハ3の表面よりも上方に形成して、供給されたリンス液がリンス液貯留室38の内部で貯留するようにしている。なお、リンス液供給口39は、リンス液貯留室38に連通して形成していればよく、リンス液貯留室38の上部に形成した場合に限られず、リンス液貯留室38の下部に形成してもよい。また、リンス液排出口40も、リンス液貯留室38に連通していればよく、リンス液貯留室38の上部に形成した場合に限られず、リンス液貯留室38の下部に形成してもよい。さらに、リンス液供給口39とリンス液排出口40は、ウエハ3を挟んで反対側に対向させた位置にそれぞれ形成してもよい。また、リンス液供給部35は、リンス液供給口39にリンス液供給源41を開閉バルブ42を介して連通連結する一方、リンス液排出口40に吸引機43を連通連結している。そして、リンス液供給部35は、リンス液供給源41から供給されるリンス液をリンス液貯留室38に一時的に貯留し、リンス液貯留室38において貯留したリンス液にウエハ3の周縁部を浸漬させることでウエハ3の周縁部をリンス液でリンス処理することができ、吸引機43によってリンス液をリンス液貯留室38から排出することができるようになっている。一方、第2のガス噴出部36は、リンス液貯留室38よりも狭い上下幅のスリット34にガスを噴出するガス噴射口44と噴出したガスを吸引するガス吸引口45とを交互に格子点上に上下にそれぞれ形成し、ガス噴射口44にガス供給源46を圧力制御弁47を介して連通連結するとともに、ガス吸引口45に吸引機48を圧力制御弁49を介して連通連結している。そして、第2のガス噴出部36は、ガス供給源46から供給されるガスをガス噴射口44からウエハ3の表面上面及び下面に向けて噴出するとともに、噴出したガスを吸引機48によってガス吸引口45から外部に排出し、これにより、ウエハ3の周縁部近傍の反りを強制的に矯正するとともに、リンス液貯留室38の所定位置ここでは、スリット34の中央にウエハ3を位置させてリンス処理が良好に行えるようにしている。次に、薬液処理装置10の構造について説明すると、薬液処理装置10は、図1及び図2に示すように、進退機構50の先端部に処理ヘッド51を取付けており、進退機構50によって処理ヘッド51を全体的にウエハ3の回転中心に向けてウエハ3の半径方向へ前進又は後退させることができるようになっている。この処理ヘッド51は、図9及び図10に示すように、矩形箱型状のケーシング52の先端部前端部にウエハ3の厚みよりも広い上下幅のスリット53をウエハ3と平行に水平状に形成しており、ウエハ3との間にわずかな間隙ここでは、約50μm。を形成した状態でスリット53にウエハ3を挿通させることができ、しかも、その状態で基板保持機構6によってウエハ3を回転させることができ、また、進退機構50によって処理ヘッド51をスリット53の内部にウエハ3を挿通させた位置とウエハ3を挿通させない位置に進退させることができるようになっている。また、処理ヘッド51には、ウエハ3の周縁部に薬液を供給するための薬液供給部54とウエハ3に向けて空気や不活性ガスなどのガスを噴出するための第3のガス噴出部55とを隣り合わせた状態で設けており、処理ヘッド51の中央部に薬液供給部54を形成するとともに、薬液供給部54よりもウエハ3の周縁部に対して内側に第3のガス噴出部55を形成している。ここで、薬液供給部54及び第3のガス噴出部55は、それぞれ所定の上下幅を有してウエハ3を挿通可能な形状に形成しており、第3のガス噴出部55のウエハ3と対向する上下幅を薬液供給部54のウエハ3と対向する上下幅よりも狭くして、薬液供給部54と第3のガス噴出部55との間に上下幅が直角状に変化するエッジ部56を形成している。また、薬液供給部54は、表面を親水性素材でコーティングしており、一方、第3のガス噴出部55は、表面を撥水性素材でコーティングしている。薬液供給部54は、処理ヘッド51の平面視中央部に処理ヘッド51の進退方向ウエハ3の半径方向へ向けて伸延させるとともにスリット53第3のガス噴出部55に連通させた薬液貯留室57を形成し、この薬液貯留室57の上下幅をスリット53よりも広い上下幅に形成している。このように、薬液貯留室57は、ウエハ3の表裏両面からの間隔を第3のガス噴出部55のスリット53におけるウエハ3の表裏両面からの間隔よりも断面視で直角状に急激に拡大して形成している。また、薬液貯留室57の上部には、薬液を供給するための薬液供給口58を形成し、薬液貯留室57の後部には、薬液を排出するための薬液排出口59を形成している。ここで、薬液供給口58は、ウエハ3の端部よりも外側に形成して、ウエハ3の表面に薬液が直接供給されないようにして、薬液の吐出力によってウエハ3がダメージを受けないようにし、また、薬液排出口59は、ウエハ3の表面よりも上方に形成して、供給された薬液が薬液貯留室57の内部で貯留するようにしている。なお、薬液供給口58は、薬液貯留室57に連通して形成していればよく、薬液貯留室57の上部に形成した場合に限られず、薬液貯留室57の下部に形成してもよい。また、薬液排出口59も、薬液貯留室57に連通していればよく、薬液貯留室57の上部に形成した場合に限られず、薬液貯留室57の下部に形成してもよい。さらに、薬液供給口58と薬液排出口59は、ウエハ3を挟んで反対側に対向させた位置にそれぞれ形成してもよく、また、薬液排出口59は、ウエハ3の端部よりも内側に形成してもよい。また、薬液供給部54は、薬液供給口58に薬液供給源60を開閉バルブ61を介して連通連結する一方、薬液排出口59に吸引機62を連通連結している。そして、薬液供給部54は、薬液供給源60から供給される薬液を薬液貯留室57に一時的に貯留し、薬液貯留室57において貯留した薬液にウエハ3の周縁部を浸漬させることでウエハ3の周縁部を薬液で薬液処理することができ、吸引機62によって薬液を薬液貯留室57から排出することができるようになっている。一方、第3のガス噴出部55は、薬液貯留室57よりも狭い上下幅のスリット53にガスを噴出するガス噴射口63と噴出したガスを吸引するガス吸引口64とを交互に格子点上に上下にそれぞれ形成し、ガス噴射口63にガス供給源65を圧力制御弁66を介して連通連結するとともに、ガス吸引口64に吸引機67を圧力制御弁68を介して連通連結している。そして、第3のガス噴出部55は、ガス供給源65から供給されるガスをガス噴射口63からウエハ3の表面上面及び下面に向けて噴出するとともに、噴出したガスを吸引機67によってガス吸引口64から外部に排出し、これにより、ウエハ3の周縁部近傍の反りを強制的に矯正するとともに、薬液貯留室57の所定位置ここでは、スリット53の中央にウエハ3を位置させて薬液による処理が良好に行えるようにしている。次に、処理液膜調整装置11の構造について説明すると、処理液膜調整装置11は、図1に示すように、進退機構69の先端部に処理ヘッド70を取付けており、進退機構69によって処理ヘッド70を全体的にウエハ3の回転中心に向けてウエハ3の半径方向へ前進又は後退させることができるようになっている。この処理ヘッド70は、図11及び図12に示すように、矩形箱型状のケーシング71の先端部前端部にウエハ3の厚みよりも広い上下幅のスリット72をウエハ3と平行に水平状に形成しており、ウエハ3との間にわずかな間隙ここでは、約50μm。を形成した状態でスリット72にウエハ3を挿通させることができ、しかも、その状態で基板保持機構6によってウエハ3を回転させることができ、また、進退機構69によって処理ヘッド70をスリット72の内部にウエハ3を挿通させた位置とウエハ3を挿通させない位置に進退させることができるようになっている。また、処理ヘッド70には、ウエハ3の周縁部に付着した処理液に向けて空気や不活性ガスなどの処理液膜調整用ガスを噴射するための処理液膜調整部73とウエハ3に向けて空気や不活性ガスなどのガスを噴出するための第4のガス噴出部74とを隣り合わせた状態で設けており、処理ヘッド70の中央部に処理液膜調整部73を形成するとともに、処理液膜調整部73よりもウエハ3の周縁部に対して内側に第4のガス噴出部74を形成している。ここで、処理液膜調整部73及び第4のガス噴出部74は、それぞれ所定の上下幅を有してウエハ3を挿通可能な形状に形成しており、第4のガス噴出部74のウエハ3と対向する上下幅を処理液膜調整部73のウエハ3と対向する上下幅よりも狭くして、処理液膜調整部73と第4のガス噴出部74との間に上下幅が直角状に変化するエッジ部75を形成している。処理液膜調整部73は、処理ヘッド70の平面視中央部に処理ヘッド70の進退方向ウエハ3の半径方向へ向けて伸延させるとともにスリット72第4のガス噴出部74に連通させた処理液膜調整室76を形成し、この処理液膜調整室76の上下幅をスリット72よりも広い上下幅に形成している。処理液膜調整室76の上部には、処理液膜調整用ガスを噴射するためのガス噴射口77をウエハ3の周縁部に対して内側から外側に向けて傾斜させた状態で形成し、処理液膜調整室76の後部には、処理液膜調整用ガスを排出するためのガス排出口78を形成している。また、処理液膜調整部73は、ガス噴射口77にガス供給源79を開閉バルブ80を介して連通連結する一方、ガス排出口78に吸引機81を連通連結している。そして、処理液膜調整部73は、ガス供給源79から供給される処理液膜調整用ガスを処理液膜調整室76のガス噴射口77から噴射するとともに、吸引機81によって処理液膜調整用ガスを処理液膜調整室76から排出するようにしており、ガス噴射口77からウエハ3の周縁部の内側から外側に向けて処理液膜調整用ガスを噴射することで、処理液供給部16からウエハ3の周縁部に供給された処理液の一部をウエハ3の周縁部から外方へ吹き飛ばし、ウエハ3の周縁部の処理液の膜形状を均一な厚みたとえば、ウエハ3の回転を停止した状態でっも液膜を形成する厚みの膜状に調整するようにしている。一方、第4のガス噴出部74は、処理液膜調整室76よりも狭い上下幅のスリット72にガスを噴出するガス噴射口82と噴出したガスを吸引するガス吸引口83とを交互に格子点上に上下にそれぞれ形成し、ガス噴射口82にガス供給源84を圧力制御弁85を介して連通連結するとともに、ガス吸引口83に吸引機86を圧力制御弁87を介して連通連結している。そして、第4のガス噴出部74は、ガス供給源84から供給されるガスをガス噴射口82からウエハ3の表面上面及び下面に向けて噴出するとともに、噴出したガスを吸引機86によってガス吸引口83から外部に排出し、これにより、ウエハ3の周縁部近傍の反りを強制的に矯正するとともに、処理液膜調整室76の所定位置ここでは、スリット72の中央にウエハ3を位置させて処理液膜調整用ガスによる調整処理が良好に行えるようにしている。基板処理装置1は、以上に説明したように構成している。なお、上記基板処理装置1では、図1に示すように、周縁処理機構7の第1の周縁処理装置8と第2の周縁処理装置9と薬液処理装置10と処理液膜調整装置11をウエハ3の半径方向に分離してウエハ3の回転中心に向けて進退可能に配設しているが、これに限られず、たとえば、図13に示す基板処理装置1のように、周縁処理機構7の第1の周縁処理装置8と第2の周縁処理装置9と薬液処理装置10と処理液膜調整装置11を隣接させて配設してもよい。周縁処理機構7の第1の周縁処理装置8と第2の周縁処理装置9と薬液処理装置10と処理液膜調整装置11をウエハ3の回転中心に向けて進退可能に配設した場合には、各装置8~11をウエハ3の周縁部において位置精度良く進退移動させることができ、ウエハ3の周縁部の所定範囲を位置精度良く処理することができる。また、周縁処理機構7の第1の周縁処理装置8と第2の周縁処理装置9と薬液処理装置10と処理液膜調整装置11を隣接させて配設した場合には、周縁処理機構7をコンパクト化することができ、基板処理装置1の小型化を図ることができる。また、上記基板処理装置1では、各装置8~11の進退機構12315069によって処理ヘッド13325170を進退移動可能に構成しているが、本発明では、周縁処理機構7がウエハ3に対して相対的に進退移動できる構造となっていればよく、ウエハ3を処理ヘッド13325170に向けて進退移動可能に構成してもよい。また、上記基板処理装置1では、ケーシング14に処理液供給部16と第1のガス噴出部17とを一体的に形成した第1の周縁処理装置8と、ケーシング33にリンス液供給部35と第2のガス噴出部36とを一体的に形成した第2の周縁処理装置9とに分離して周縁処理機構7を構成しているが、図14~図16に示す基板処理装置1のように、処理液供給部16とガス噴出部17とリンス液供給部35とを一体的に形成した周縁処理装置88で周縁処理機構7を構成することもできる。この周縁処理装置88は、図14~図16に示すように、矩形箱型状のケーシング89の先端部前端部にウエハ3の厚みよりも広い上下幅のスリット90をウエハ3と平行に水平状に形成するとともに、ケーシング89の中央部に処理液供給部やリンス液供給部として機能する液供給部91を形成するとともに、液供給部91よりもウエハ3の周縁部に対して内側にガス噴出部92を形成し、液供給部91とガス噴出部92との間に上下幅が直角状に変化するエッジ部93を形成している。ここで、液供給部91は、ケーシング89の平面視中央部にウエハ3の半径方向へ向けて伸延させるとともにスリット90に連通させた液貯留室94を形成し、この液貯留室94の上部に処理液供給口20とリンス液供給口39を形成し、液貯留室94の後部に排出口95を形成している。なお、液供給部16は、処理液供給口20に処理液供給源22を開閉バルブ23を介して連通連結するとともに、リンス液供給口39にリンス液供給源41を開閉バルブ42を介して連通連結する一方、排出口95に吸引機96を連通連結している。また、ガス噴出部92は、スリット90にガス噴射口25とガス吸引口26とを交互に格子点上に上下にそれぞれ形成し、ガス噴射口25にガス供給源27を圧力制御弁28を介して連通連結するとともに、ガス吸引口26に吸引機29を圧力制御弁30を介して連通連結している。また、上記基板処理装置1では、処理液膜調整装置11にも第4のガス噴出部74を設けているが、これに限られず、図14に示す基板処理装置1のように、ウエハ3の上方に周縁部の内側から外側に向けて傾斜状に配置したノズル97の下端部にガス噴射口98を形成した処理液膜調整部99を用いることもできる。次に、上記基板処理装置1を用いてウエハ3の周縁部を処理する基板処理方法について説明する。まず、基板処理装置1は、基板保持機構6の上部の所定位置にウエハ3を載置し、基板保持機構6でウエハ3を吸引保持する。次に、基板処理装置1は、周縁処理機構7の第1の周縁処理装置8と処理液膜調整装置11の処理ヘッド1370を進退機構1269によってウエハ3に向けて所定位置まで前進させ、ウエハ3との間にわずかな間隙を形成した状態で各処理ヘッド1370のスリット1572にウエハ3を挿通させる。次に、基板処理装置1は、基板保持機構6でウエハ3を平面視で反時計周りに低速回転させ、処理液供給部16の処理液貯留室19に処理液供給源22から処理液を供給するとともに、第1のガス噴出部17のガス噴射口25からガスを噴出し、ガス吸引口26からガスを吸引する。そして、基板処理装置1では、処理液供給部16よりもウエハ3の周縁部に対して内側に隣設した第1のガス噴出部17によってウエハ3の表面に向けてガスを噴出することで、噴出するガスの圧力でウエハ3の周縁部近傍を押圧して、ウエハ3とスリット15との間隙を確保しながらウエハ3の周縁部近傍の反りを矯正し、ウエハ3の周縁部を平坦な状態にして処理液貯留室19にウエハ3を浸漬することでウエハ3の周縁部の所定範囲を精度良く処理できるようにしている。このときに、図5に示すように、処理液は、処理液供給部16において、処理液供給口20から供給され、処理液貯留室19に一時的に貯留し、処理液排出口21からオーバーフローして排出される。ここで、処理液貯留室19に供給された処理液は、第1の周縁処理装置8とウエハ3との相対的な回転により作用する遠心力や処理液供給部16よりも第1のガス噴出部17の上下幅が狭いことにより作用する表面張力によって、第1のガス噴出部17への浸入がエッジ部18で阻害され、処理液貯留室19に一時的に貯留することになる。これにより、基板処理装置1では、処理液貯留室19に貯留した処理液にウエハ3の周縁部が浸漬し、ウエハ3の周縁部の所定範囲エッジ部18よりも外側の範囲だけを処理液で精度よく処理することができる。また、基板処理装置1では、処理液供給部16よりもウエハ3の周縁部に対して内側に第1のガス噴出部17を隣設しているために、ガス噴射口25から噴出されるガスの圧力によって処理液貯留室19に貯留した処理液がウエハ3の内側に向けて流れ出るのを防止する効果も奏する。また、上下幅の異なる処理液貯留室19とスリット15との境界部分に形成されたエッジ部18に処理液とガスとの境界が形成されるために、基板処理装置1では、進退機構12で処理ヘッド13を進出又は後退させることで、処理液で処理するウエハ3の周縁部の範囲を調節することができるようにしている。なお、基板処理装置1では、処理液供給部16の表面を親水性素材で形成して処理液供給部16に処理液を満たしやすくする一方、第1のガス噴出部17を撥水性素材で形成して処理液供給部16から処理液が第1のガス噴出部17に流れ出るのを阻害している。さらに、基板処理装置1は、処理液膜調整部73の処理液膜調整室76にガス供給源79から処理液膜調整用ガスをウエハ3の周縁部に供給するとともに、第4のガス噴出部74のガス噴射口82からガスを噴出し、ガス吸引口83からガスを吸引する。このときに、処理液膜調整装置11は、第1の周縁処理装置8の処理液供給部16からウエハ3の周縁部に供給した処理液を処理液膜調整部73のガス噴射口77から噴射した処理液膜調整用ガスで分散させて処理液を均一な厚みの膜状に調整する。これにより、基板処理装置1では、均一な膜厚の膜状の処理液によってウエハ3の周縁部を均一に処理することができる。なお、処理液の液膜は、ウエハ3の回転を停止した状態でも処理液の液膜がくずれない厚みに調整する。また、上述した処理液での処理と同様に、処理液膜調整装置11でも、第4のガス噴出部74から噴出されるガスの作用でウエハ3の周縁部の所定範囲に精度良く処理液膜調整用ガスを供給することができる。次に、基板処理装置1は、第1の周縁処理装置8と処理液膜調整装置11の吸引機2481で処理液貯留室19や処理液膜調整室76に残留した処理液や処理液膜調整用ガスを強制的に排出し、開閉バルブ2380を閉じて処理液や処理液膜調整用ガスの供給を停止し、第1の周縁処理装置8と処理液膜調整装置11の処理ヘッド1370を進退機構1269によって所定位置まで後退させる。次に、基板処理装置1は、周縁処理機構7の第2の周縁処理装置9と薬液処理装置10の処理ヘッド3251を進退機構3150によってウエハ3に向けて所定位置まで前進させ、ウエハ3との間にわずかな間隙を形成した状態で各処理ヘッド3251のスリット3453にウエハ3を挿通させる。次に、基板処理装置1は、基板保持機構6でウエハ3を平面視で時計周りに低速回転させ、リンス液供給部35のリンス液貯留室38にリンス液供給源41からリンス液としての純水を供給するとともに、第2のガス噴出部36のガス噴射口44からガスを噴出し、ガス吸引口45からガスを吸引する。これにより、上述した処理液での処理と同様に、リンス液でウエハ3の周縁部の所定範囲をリンス処理することができる。また、このときも、上述した処理液での処理と同様に、第2のガス噴出部36から噴出されるガスの作用でウエハ3の周縁部の所定範囲を精度良くリンス処理することができる。上記基板処理装置1では、リンス液貯留室38の先端部を処理液貯留室19の先端部よりもウエハ3の周端部に対して内側に形成することで、先に処理液供給部16からウエハ3の周縁部に供給された処理液よりもウエハ3の周縁部に対して内側にリンス液供給部35からリンス液を供給するようにしている。そのため、上記基板処理装置1では、ウエハ3の周縁部に供給された全ての処理液をリンス液でリンス処理することができ、処理液の残留を防止して、ウエハ3の周縁部を良好に処理することができる。また、上記基板処理装置1では、薬液供給部54の薬液貯留室57に薬液供給源60から乾燥促進剤として機能するイソプロピルアルコールを供給するとともに、第3のガス噴出部55のガス噴射口63からガスを噴出し、ガス吸引口64からガスを吸引している。そのため、上記基板処理装置1では、リンス処理後のウエハ3の周縁部をイソプロピルアルコールの揮発作用で乾燥を促進させることができ、乾燥処理に要する処理時間を短縮して、基板処理装置1のスループットを向上させることができる。また、上述した処理液での処理と同様に、薬液処理装置10でも、第3のガス噴出部55から噴出されるガスの作用でウエハ3の周縁部の所定範囲に精度良く薬液ここでは、イソプロピルアルコールを供給することができる。次に、基板処理装置1は、第2の周縁処理装置9と薬液処理装置10の吸引機4362でリンス液貯留室38や薬液貯留室57に残留したリンス液や薬液を強制的に排出し、開閉バルブ4261を閉じてリンス液や薬液の供給を停止し、基板保持機構6の回転を停止し、第2の周縁処理装置9と薬液処理装置10の処理ヘッド3251を進退機構3150によって所定位置まで後退させる。なお、基板保持機構6の回転を停止せずに、第2の周縁処理装置9と薬液処理装置10の処理ヘッド3251を後退させ、基板保持機構6によってウエハ3を高速で回転させて、ウエハ3の周縁部からリンス液や薬液を強制的に振り切ってウエハ3の周縁部を乾燥させてもよい。以上に説明したようにして、基板処理装置1を用いてウエハ3の周縁部を処理することができる。なお、上記説明では、基板処理装置1の基板保持機構6によってウエハ3を反時計回りと時計回りとに反転させて回転させているが、これに限られず、たとえば、図13に示した基板処理装置1では、ウエハ3を反時計回りに回転させて周縁処理とリンス処理とを行うことができる。また、図14~図16に示した基板処理装置1では、処理液供給口20から処理液を供給してウエハ3の周縁部を処理した後に、周縁処理装置88をウエハ3の中心部へ向けて移動させ、リンス液供給口39からリンス液を供給してウエハ3の周縁部の処理液が付着した部分よりもさらにウエハ3の内側からウエハ3の周縁部をリンス処理することができる。以上に説明したように、ウエハ3の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う上記基板処理装置1では、ウエハ3の周縁部を処理するための周縁処理機構7と、周縁処理機構7に対して相対的に回転するウエハ3を保持するための基板保持機構6とを設けるとともに、周縁処理機構7に、ウエハ3の周縁部に処理液を供給する処理液供給部16と、ウエハ3に向けてガスを噴出する第1のガス噴出部17と、ウエハ3の周縁部にリンス液を供給するリンス液供給部35を形成し、しかも、第1のガス噴出部17を処理液供給部16よりもウエハ3の周縁部に対して内側に隣設した構成としている。そして、上記構成の基板処理装置1では、周縁処理機構7をウエハ3に対して相対的に回転させ、処理液供給部16からウエハ3の周縁部に処理液を供給するとともに、処理液供給部16よりもウエハ3の内側に隣設した第1のガス噴出部17からウエハ3に向けてガスを噴出して、ウエハ3の周縁部の処理を行い、その後、ウエハ3の周縁部にリンス液供給部35からリンス液を供給して、ウエハ3の周縁部をリンス処理するようにしている。そのため、上記構成の基板処理装置1では、処理液供給部16よりもウエハ3の内側に隣設した第1のガス噴出部17から噴出するガスによって、ウエハ3の反りを矯正してウエハ3の周縁部近傍を平坦に位置精度良く保持することができ、これによって、ウエハ3の周縁部の所定範囲を精度良く処理することができる。特に、上記構成の基板処理装置1では、第2のガス噴出部36をリンス液供給部35よりもウエハ3の周縁部に対して内側に隣設した場合には、第2のガス噴出部36から噴出するガスによって、ウエハ3の反りを矯正してウエハ3の周縁部近傍を平坦に位置精度良く保持することができ、これによって、ウエハ3の周縁部の所定範囲を精度良くリンス処理することができる。また、上記構成の基板処理装置1では、処理液供給部16からウエハ3の周縁部に供給された処理液よりもウエハ3の周縁部に対して内側にリンス液供給部35からリンス液を供給するようにしているため、ウエハ3の周縁部に供給された全ての処理液をリンス液でリンス処理することができ、処理液の残留を防止して、ウエハ3の周縁部を良好に処理することができる。