"電極層と、該電極層上に複数層が積層された、カルコパイライト系化合物半導体を含む半導体層とを具備しており、前記複数層の半導体層のうちの前記電極層に最も近い第1の層の厚さが、該第1の層以外の他の全ての層の平均厚さよりも薄いことを特徴とする光電変換装置。前記第1の層の厚さが、前記複数層の半導体層のうちの前記第1の層以外の他の何れの層の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。前記カルコパイライト系化合物半導体はGaを含んでおり、前記第1の層におけるGaの平均モル濃度が、前記第1の層以外の残部におけるガリウムの平均モル濃度よりも低いことを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換装置。前記第1の層におけるGaの平均モル濃度が、前記複数層の半導体層のうちの前記第1の層以外の他の何れの層におけるGaの平均モル濃度よりも低いことを特徴とする請求項3に記載の光電変換装置。前記カルコパイライト系化合物半導体はGaを含んでおり、前記第1の層におけるGaの平均モル濃度が、前記第1の層以外の残部におけるガリウムの平均モル濃度よりも高いことを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換装置。前記第1の層におけるGaの平均モル濃度が、前記複数層の半導体層のうちの前記第1の層以外の他の何れの層におけるGaの平均モル濃度よりも高いことを特徴とする請求項5に記載の光電変換装置。前記第1の層と前記第1の層以外の他の層のうち前記第1の層に最も近い第2の層との境界部に、複数の空隙部を有することを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の光電変換装置。前記電極層と前記第1の層との接触面積に比べて、前記第1の層と前記第2の層との接触面積の方が小さいことを特徴とする請求項7に記載の光電変換装置。電極層上にカルコパイライト系化合物半導体の構成元素を含む第1の前駆体層を形成する工程と、該第1の前駆体層上にカルコパイライト系化合物半導体の構成元素を含む第2の前駆体層を前記第1の前駆体層よりも厚く形成する工程と、前記第1の前駆体層および前記第2の前駆体層を加熱してカルコパイライト系化合物半導体を含む半導体層を形成する工程とを具備することを特徴とする光電変換装置の製造方法。図1は、本発明の一実施形態に係る光電変換装置の一例を示す斜視図であり、図2はその断面図である。光電変換装置10は、基板1と、第1の電極層2と、第1の半導体層3と、第2の半導体層4と、第2の電極層5とを含んで構成される。本実施例においては、第1の半導体層3が光吸収層であり、第2の半導体層4が第1の半導体層3に接合されたバッファ層である例を示すがこれに限定されず、第2の半導体層4が光吸収層であってもよい。また、本実施形態における光電変換装置10は第2の電極層5側から光が入射されるものを示しているが、これに限定されず、基板1側から光が入射されるものであってもよい。図1、図2において、光電変換装置10は複数並べて形成されている。そして、光電変換装置10は、第1の半導体層3の基板1側に第1の電極層2と離間して設けられた第3の電極層6を具備している。そして、第1の半導体層3に設けられた接続導体7によって、第2の電極層5と第3の電極層6とが電気的に接続されている。この第3の電極層6は、隣接する光電変換装置10の第1の電極層2が延伸されたものである。この構成により、隣接する光電変換装置10同士が直列接続されている。なお、一つの光電変換装置10内において、接続導体7は第1の半導体層3および第2の半導体層4を貫通するように設けられており、第1の電極層2と第2の電極層5とで挟まれた第1の半導体層3と第2の半導体層4とで光電変換が行なわれる。基板1は、光電変換装置10を支持するためのものである。基板1に用いられる材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂および金属等が挙げられる。第1の電極層2および第3の電極層6は、Mo、Al、TiまたはAu等の導電体が用いられ、基板1上にスパッタリング法または蒸着法等で形成される。第1の半導体層3は、カルコパイライト構造を有する化合物半導体以下、カルコパイライト系化合物半導体というである。カルコパイライト系化合物半導体としては、光電変換効率が高いI-III-VI族化合物半導体が採用されてもよい。I-III-VI族化合物半導体とは、I-B族元素本明細書においては、族の名称は、IUPACの旧周期表に従う。なお、I-B族元素は、IUPACの新周期表では11族元素ともいうとIII-B族元素13族元素ともいうとVI-B族元素との化合物半導体16族元素ともいうである。I-III-VI族化合物半導体としては、例えば、CuIn,GaSe2CIGSともいう、CuIn,GaSe,S2CIGSSともいう、およびCuInS2CISともいうが挙げられる。なお、CuIn,GaSe2とは、Cuと、InおよびGaの少なくとも一種と、Seとから主に構成された化合物をいい、CuInxGa1-XSe2ただし、Xは0<X<1である。で表わされる化合物をいう。また、CuIn,GaSe,S2とは、Cuと、InおよびGaの少なくとも一種と、SeおよびSの少なくとも一種とから主に構成された化合物をいい、CuInxGa1-XSeyS2-yただし、Xは0<X<1、Yは0<Y<2である。で表わされる化合物をいう。第1の半導体層3は、図2に示すように、2層以上の複数層のカルコパイライト系化合物半導体を含む半導体層図2においては第1の電極層2側から第1の層3a、第2の層3b、第3の層3cが順次積層されているが積層された構成である。そして、複数層の半導体層3a~3cのうちの第1の電極層2に最も近い第1の層3aの厚さが、第1の層3a以外の他の全ての層3b、3cの平均厚さよりも薄い。なお、他の全ての層3b、3cの平均厚さとは、第2の層3bにおける平均厚さTbおよび第3の層3cにおける平均厚さTcをそれぞれ測定し、さらにこれらのTbおよびTcの平均値を算出したものである。このような構成により、光電変換装置10の使用時または作製時において、熱応力によって生じる第1の半導体層3のクラックが厚み方向全体におよぶのを抑制できる。その結果、リークの発生を抑制して光電変換効率を高めることができる。つまり、第1の半導体層3を積層構造とすることで、熱応力によって第1の半導体層3中にクラックが生じたとしても、そのクラックの進行を層同士の境界部で抑制することができる。さらに、第1の層3aを他の層よりも薄くすることで、薄い第1の層3aでのクラックの発生をより抑制して第1の電極層2との電気的な接続をより良好とすることができる。特に、これらの層3a~3cのうち第1の電極層2に最も近い第1の層3aが他の何れの層3b、3cよりも薄い構成である場合、第2~第3の層3b、3cにおける電荷移動を良好にすることができ、より光電変換効率の高い光電変換装置11と成り得る。なお、第1の層3a~第3の層3cにおける各層同士の境界部とは、図2に示すように、第1の層3aと第2の層3bとの接触面および第2の層3bと第3の層3cとの接触面に相当する。この、境界部では、第1の層3a~第3の層3cの積層方向と直交する方向の略同一平面において、各層を構成する結晶間に存在する粒界面がほぼ揃っている。このとき、第1の層3a~第3の層3cの積層方向と直交する方向に対する角度が10度以内となっている粒界面が上記略同一平面内において並んでいる部位を境界部とみなすことができる。この粒界面の方向は、例えば、透過型分析電子顕微鏡TEM等で確認できる。第1の層3aの厚みは、他の層第2の層3bおよび第3の層3cの厚みの0.5倍以下であってもよい。第1の電極層2との電気的な接続を高めるという観点からは、第1の層3aの厚みは、他の層の厚みの0.08~0.4倍であってもよい。また、光電変換効率を高めるという観点からは、第1の半導体層3は、1.0~2.5μmの厚みであってもよい。このとき、第1の層3aの厚みは0.2~1.0μmである。一方で、第2半導体層3bおよび第3半導体層3cの厚みは、それぞれ0.5~1.5μmである。また、第1の層3aと第2の層3bとの境界部に、複数の空隙部を有していてもよい。このような空隙によってクラックの進行をより抑制することができる。さらに、第1の層3aと第2の層3bとの境界部に、複数の空隙部を有している場合、第1の電極層2と第1の層3aとの接触面積に比べて、第1の層3aと第2の層3bとの接触面積の方が小さくてもよい。これにより、第1の層3aと第2の層3bとの境界部では空隙が多くなってクラックの進行を良好に抑制するとともに、第1の電極層2と第1の層3aとの境界部では第1の半導体層3で生じた電荷を効率よく第1の電極層2へ移動させることによって光電変換効率をより高めることができる。この場合、第1の電極層2と第1の層3aとの接触面積は、第1の層3aと第2の層3bとの接触面積の0.60~0.95倍であってもよい。第1の半導体層3がGaを含む場合、第1の層3aにおけるGaの平均モル濃度が、第1の層3a以外の残部すなわち、第1の層3a以外の他の全ての層3b、3cを合わせた部位おけるGaの平均モル濃度よりも低くてもよい。これにより、第1の層3aの剛性が高くなり、第1の半導体層3と第1の電極層2との電気的な接続の信頼性が高くなる特に、第1の層3aにおけるGaの平均モル濃度が、第1の層3a以外の他の何れの層3b,3cにおけるGaの平均モル濃度よりも低くてもよい。この場合、第1の層3aによって第1の電極層2と第1の半導体層3との電気的な接続の信頼性がより高まるとともに、第1の層3a以外の層3b,3cの光電変換効率がより高くなる。例えば、第1の層3aにおけるGaのモル濃度は、残部他の層3b、3cを合わせた部位におけるGaの平均モル濃度の0.7倍以下であってもよい。得られる効果をより高めるという観点からは、第1の層3aにおけるGaのモル濃度は、残部におけるGaの平均モル濃度の0.5倍以下であってもよい。これにより、第1の半導体層3の剛性が高くなり、第1の層3aと第1の電極層2との電気的な接続を良好に維持することができる。例えば、第1の半導体層3がCuInxGa1-XSe2ただし、Xは0≦X<1である。の場合、第1の層3aにおけるXは0~0.25であり、第2の層3bおよび第3の層3cにおけるXは0.25~0.4であってもよい。なお、上述した第1の半導体層3のGaのモル濃度は、例えば、断面を電子顕微鏡観察しながらエネルギー分散型X線分析法EDS:EnergyDispersivexraySpectroscopyを用いて測定すればよい。あるいはスパッタリングで第1の半導体層3を深さ方向に削りながらX線光電子分光法XPS:Xrayphotoelectronspectroscopy、オージェ電子分光AES:AugerElectronSpectroscopyまたは2次イオン質量分析法SIMS:SecondaryIonMassSpectroscopyで測定することもできる。また、第1の半導体層3がGaを含む場合、第1の層3aにおけるGaの平均モル濃度が、第1の層3a以外の残部すなわち、第1の層3a以外の他の全ての層3b、3cを合わせた部位におけるGaの平均モル濃度よりも高くてもよい。これにより、第1の層3aの伝導帯の位置が高くなって電荷移動がより良好に行なわれるとともに、第1の層3aが残部の平均厚さよりも薄いことによって、第1の半導体層3と第2の電極層2との電気的な接続も良好に維持される。特に、第1の層3aにおけるGaの平均モル濃度が、第1の層3a以外の他の何れの層3b,3cにおけるGaの平均モル濃度よりも高くてもよい。この場合、第1の半導体層3中における電荷移動がより良好に行なわれることとなる。例えば、第1の層3aにおけるGaのモル濃度は、残部他の層3b、3cを合わせた部位におけるGaの平均モル濃度の1.2倍以上であってもよい。得られる効果をより高めるという観点からは、第1の層3aにおけるGaのモル濃度は、残部におけるGaの平均モル濃度の1.5倍以上であってもよい。これにより、第1の半導体層3中における電荷移動がより良好に行なわれ得る。例えば、第1の半導体層3がCuInxGa1-XSe2ただし、Xは0≦X<1である。の場合、第1の層3aにおけるXは0.25~0.6であり、第2の層3bおよび第3の層3cにおけるXは0~0.25であってもよい。このような第1の半導体層3は、各層の形成方法や形成条件を変えることにより、層状に形成される。形成方法としては以下のような方法がある。例えば、蒸着等を用いて、Cu等のI-B族元素、InやGa等のIII-B族元素、および、SeやS等のVI-B族元素を供給しながら、500~600°Cで加熱することにより、カルコパイライト系化合物半導体層を形成することができる方法A。あるいは、スパッタリングや原料溶液の塗布等を用いて、I-B族元素およびIII-B族元素を含む前駆体層を形成した後、VI-B族元素を含む雰囲気にて上記前駆体層を500~600°Cで加熱することにより、カルコパイライト系化合物半導体層を形成することができる方法B。あるいは、上記方法Bにおける前駆体層上に、スパッタリングや原料溶液の塗布等を用いてVI-B族元素を積層した後、上記前駆体層を500~600°Cで加熱することにより、カルコパイライト系化合物半導体層を形成することができる方法C。あるいは、I-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素を含む原料溶液の塗布等によって、I-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素を含む前駆体層を形成し、この前駆体層を500~600°Cで加熱することにより、カルコパイライト系化合物半導体層を形成することができる方法D。また、形成条件としては、上記カルコパイライト系化合物半導体層を形成する際の加熱温度や昇温速度等がある。そして、上記形成方法や形成条件を適宜選択して各層を作製することにより、層状にすることができる。このとき、第2の層3bおよび第3の層3cは第1の層3aよりも厚くなるようにすればよい。なお、第1~第3の層3a~3cのうち、隣接する層の形成において、それぞれの形成方法または形成条件を異なるものとすれば、形成された第1の半導体層3をより顕著に層構造とすることができるが、これに限定されない。つまり、隣接する層がそれぞれ同じ形成方法および形成条件であっても、一方の層の形成工程と他方の層の形成工程との間に、放熱工程等の結晶化反応を抑制して結晶状態をある程度安定化させるような期間を設けることによっても、層状の構成とすることができる。また、方法Dにおける前駆体層はカルコパイライト系化合物半導体結晶と成る前の状態だけでなく、ある程度カルコパイライト系化合物半導体結晶が形成されている状態でもよい。そして、このような前駆体層や皮膜を積層した後、これらの積層体を500~600°Cで加熱してもよい。また、上記第1の半導体層3の各層の作製において、例えば、ランプ照射やレーザ照射などで各層の上側表面から加熱を積極的に行なうと、層間の界面部に複数の空隙を形成することができる。また、各層において原料元素のモル比を異ならせることにより、Ga等の元素の組成比を各層で変えることも可能である。上記方法B~Dのように前駆体層を形成する場合においては、第1の層3aとなる前駆体層を第2の層3bや第3の層3cとなる前駆体層よりも薄くしておくことにより、加熱時に熱応力が生じたとしても、薄い第1の層3aとなる前駆体層でのクラックの発生をより抑制して第1の電極層2との電気的な接続をより良好とすることができる。また、いずれかの前駆体層中にクラックが生じたとしても、そのクラックの進行を前駆体層同士の境界部で抑制することができる。このような第1の層3aとなる前駆体層が他の前駆体層よりも薄い前駆体層の積層体を加熱した場合、生成する第1の半導体層3は、上述したような第1の層3a~第3の層3cの積層状態である場合もあるが、積層界面が消失して単層に近いものとなる場合もある。生成後の第1の半導体層3においては積層界面が消失して単層に近いものとなる場合、上記前駆体層を加熱して第1の半導体層3にする際のクラックを有効に抑制して良好な第1の半導体層3を形成できるという製造方法上の効果を有する。一方、生成後の第1の半導体層3においても積層状態が維持される場合、上記製造方法上の効果に加え、生成した第1の半導体層3が積層状態であることによってクラックを抑制できるという構造上の効果をも有することになる。第1の半導体層3の作製は、製造工程を容易にするという観点からは、I-B族元素およびIII-B族元素の原料を含む原料溶液を用いて、I-B族元素およびIII-B族元素を含む前駆体を形成する工程を具備するか、または、I-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素の原料を含む原料溶液を用いて、I-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素の原料を含む前駆体層を形成する工程を具備していてもよい。このような原料溶液は、I-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素の各原料を各種溶媒に溶解させたものが用いられる。I-B族元素の原料、III-B族元素の原料およびVI-B族元素の原料としては、各元素の単体、各元素を含む有機化合物、または各元素を含む無機化合物を用いることができる。特に良好なカルコパイライト系化合物半導体を形成するという観点からは、I-B族元素の原料およびIII-B族元素の原料として金属錯体を用い、溶媒として有機溶媒を用いてもよい。このような金属錯体を含む原料溶液は、第1の電極層2と接触する部位においては、金属錯体の配位子が第1の電極層2と結合して錯体構造が変化し、一部の元素が加熱時に消失するという傾向がある。例えば、原料溶液として、I-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素を一つの有機錯体分子内に含有する単一源前駆体米国特許第6992202号明細書を参考を用いた場合、この単一源前駆体が第1の電極層2と結合して錯体構造が変化し、特にIII-B元素が加熱時に消失する傾向がある。本発明の製造方法では、第1の電極層2に接する第1の層3aとなる前駆体層を薄く形成しているので、このような原料溶液を用いて前駆体層を形成した場合に、一部の元素が消失してもその消失による影響を小さくすることができる点でも優れている。上述した単一源前駆体を用いてI-III-VI族化合物半導体から成る第1の半導体層3を形成する場合、高コスト工程であるスパッタリングや蒸着等の真空プロセスを用いずに、容易に良好な第1の半導体層3を形成することができる。以下に単一源前駆体の製造方法について説明する。この単一源前駆体の製造方法は、第1錯体溶液を作製する工程と、第2錯体溶液を作製する工程と、単一源前駆体を有する沈殿物を作製する工程とを含んでいる。以下にそれぞれの作製工程を詳細に説明する。第1錯体溶液の作製工程ルイス塩基と、I-B族元素とを含む第1錯体が存在する第1錯体溶液を作製する。ルイス塩基としては、PC6H53、AsC6H53およびNC6H53等のV-B族元素15族元素ともいうを含む有機化合物が挙げられる。また、I-B族元素の原料としては、CuCH3CN4PF6等の有機金属錯体が挙げられる。この有機金属錯体に用いられる有機配位子としては上記ルイス塩基よりも塩基性が弱い方がよい。なお、CuCl、CuCl2、CuBrおよびCuI等のI-B族元素の金属塩をアセトニトリルのような配位子として機能する有機溶媒に溶解させることにより、アセトニトリルが配位したI-B族元素の有機金属錯体を用いてもよい。また、第1錯体溶液の有機溶媒としては、アセトニトリル、アセトン、メタノール、エタノールおよびイソプロパノール等が挙げられる。ルイス塩基をLとし、I-B族元素の有機金属錯体をM’R’4-M’はI-B族元素、R’は任意の有機配位子、-は任意の陰イオンを示すとし、第1錯体を[L2M’R’2]-としたときに、上記第1錯体を形成する反応は、反応式1のように表される。反応式1の具体例として、例えば、ルイス塩基LがPC6H53、I-B族元素の有機金属錯体M’R’m-がCuCH3CN4PF6の場合、第1錯体[LnM’R’m-n]-が{PC6H53}2CuCH3CN2PF6として生成する。第2錯体溶液の作製工程カルコゲン元素含有有機化合物とIII-B族元素以下、第2錯体溶液に用いるIII-B族元素を第1のIII-B族元素というとを含む第2錯体が存在する第2錯体溶液を作製する。カルコゲン元素含有有機化合物とは、カルコゲン元素カルコゲン元素とはVI-B族元素のうちのS、Se、Teをいうを有する有機化合物であり、例えば、アクリル、アリル、アルキル、ビニル、パーフルオロ、カルバメート等の有機化合物にカルコゲン元素が結合した、チオール、セレノール、テルロール等が挙げられる。また、第1のIII-B族元素の原料としては、InCl3、GaCl3等の金属塩が挙げられる。また、第2錯体溶液の有機溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノールなどが挙げられる。カルコゲン元素をEとし、カルコゲン元素含有有機化合物の金属塩をAR’’は有機化合物、Aは任意の陽イオンを示すとし、第1のIII-B族元素の金属塩をM’’3M’’は第1のIII-B族元素、X’’は任意の陰イオンを示すとし、第2錯体をA[M’’4]-としたときに、上記第2錯体を形成する反応は、反応式2のように表される。なお、カルコゲン元素含有有機化合物の金属塩Aは、NaOCH3のような金属アルコキシドとフェニルセレノールHSeC6H5のようなカルコゲン元素含有有機化合物とを反応させることによって得られる。反応式2の具体例として、例えば、第1のカルコゲン元素含有有機化合物の金属塩AがNaSeC6H5、第1のIII-B族元素の金属塩M’’3がInCl3またはGaCl3の場合、第2錯体AM’’4-が、NaIn4-またはNaGa4-として生成する。なお、第2錯体溶液に含まれる第1のIII-B族元素は、一種類に限らず、複数種類が含まれていてもよい。例えば、InとGaの両方を第2錯体溶液中に含めてもよい。そのような第2錯体溶液は、第2錯体溶液の原料として複数種の第1のIII-B族元素の金属塩の混合体を用いることによって作製することができる。あるいは、一種類の第1のIII-B族元素を含む第2錯体溶液を、各第1のIII-B族元素ごとに作製し、これらを混合することにより作製してもよい。単一源前駆体を有する沈殿物の作製工程上記のようにして作製した第1錯体溶液と第2錯体溶液とを混合することにより、第1錯体と第2錯体とが反応し、Cu等のI-B族元素、InやGa等の第1のIII-B族元素、および、Se等のカルコゲン元素を含有する単一源前駆体を含む沈殿物が生じる。このような単一源前駆体LnM’2M’’2を形成する反応は、反応式3のように表される。反応式3の具体例として、第1錯体が{PC6H53}2CuCH3CN2PF6、第2錯体がNaM’’4-M’’はInおよび/またはGaであるの場合、単一源前駆体は{PC6H53}2Cu2M’’2として生成する。第1錯体と第2錯体とを反応させる時の温度は例えば0~30°Cであり、反応時間は例えば1~5時間である。反応して生成した沈殿物は、NaやClなどの不純物を取り除くために、遠心分離もしくは濾過などの手法を用いて洗浄することが望ましい。以上の工程により作製された単一源前駆体を含む沈殿物を、トルエン、ピリジン、キシレン、アセトン等の有機溶媒に溶解することにより、前駆体層形成用の原料溶液とすることができる。この原料溶液にさらに組成比調整のために、I-B族元素やIII-B族元素を添加してもよい。この単一源前駆体を含む原料溶液を、スピンコータ、スクリーン印刷、ディッピング、スプレーまたはダイコータなどを用いて第1の電極層2上に塗布し、乾燥して前駆体層を形成する。乾燥は例えば還元雰囲気下で行う。乾燥時の温度は、例えば、50~300°Cで行う。この乾燥の際、有機成分の熱分解まで行ってもよい。このような前駆体層を加熱すると、単一源前駆体中のI-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素が良好に反応してI-III-VI族化合物半導体を良好に作製することができる。なお、この単一源前駆体は、配位結合等の化学結合によってMo等の金属と結合しやすい性質があり、単一源前駆体がMo等の金属から成る第2の電極層2上に結合し、それによって単一源前駆体の構造が壊れ、I-B族元素を含む錯体と、III-B族元素を含む錯体とに分解する傾向があると考えられる。よって、このような壊れた単一源前駆体を有する前駆体層を熱処理すると、分解した錯体の一部が気化して減少し、所望の組成比にならず、光電変換効率の低い化合物半導体になる。組成比を所望のものとするために消失する元素を原料溶液中に添加することも可能であるが、それによりクラックが発生しやすくなる傾向があり、良好なカルコゲン化合物半導体を形成するのが困難となる。これに対し、本発明のように第1の電極層2に接する第1の層3aとなる前駆体層を他の前駆体層よりも薄くすることによって、一部の元素の消失が第1の半導体層3全体として影響の少ないものとすることができる。その結果、クラックによる欠陥の少ない良好な第1の半導体層を良好に形成することができ、光電変換効率を高めることができる。第1の半導体層3上に、この第1の半導体層3とは異なる導電型の第2の半導体層4を積層することにより、光電変換装置10とすることができる。第2の半導体層4は第1の半導体層3と異なる導電型を有しており、第1の半導体層3と第2の半導体層4とで光照射により生じる電荷を良好に分離して電力を得ることができる。例えば、第1の半導体層3がp型半導体である場合、第2の半導体層4はn型半導体である。なお、第1の半導体層3と第2の半導体層4との界面には他の層が介在していてもよい。このような他の層としては、i型半導体層や第1の半導体層3とヘテロ接合を行うバッファ層等がある。本実施形態では、第2の半導体層4が第1の半導体層3とのヘテロ接合を行うバッファ層としての機能と、第1の半導体層3とは異なる導電型を有する半導体層としての機能を兼ねている。第2半導体層4としては、CdS、ZnS、ZnO、In2Se3、InOH,S、Zn,InSe,OH、およびZn,MgO等が挙げられ、例えばケミカルバスデポジションCBD法等で10~200nmの厚みで形成される。なお、InOH,Sとは、InとOHとSとから主に構成された化合物をいう。Zn,InSe,OHは、ZnとInとSeとOHとから主に構成された化合物をいう。Zn,MgOは、ZnとMgとOとから主に構成された化合物をいう。第2の電極層5は、ITO、ZnO等の0.05~3.0μmの透明導電膜である。透光性および導電性を高めるため、第2の電極層5は第1の半導体層3とは異なる導電型の半導体で構成してもよい。第2の電極層5は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長CVD法等で形成される。第2の電極層5は、第2の半導体層4よりも抵抗率の低い層であり、第1の半導体層3で生じた電荷を取り出すためのものである。電荷を良好に取り出すという観点からは、第2の電極層5の抵抗率が1Ωcm未満でシート抵抗が50Ω/□以下であってもよい。第2の電極層5は第1の半導体層3の吸収効率を高めるため、第1の半導体層3の吸収光に対して光透過性を有するものであってもよい。光透過性を高めると同時に光反射ロス防止効果および光散乱効果を高め、さらに光電変換によって生じた電流を良好に伝送するという観点から、第2の電極層5は0.05~0.5μmの厚さであってもよい。また、第2の電極層5と第2の半導体層4との界面での光反射ロスを防止する観点からは、第2の電極層5と第2の半導体層4の屈折率は同程度であってもよい。光電変換装置10は、複数個を並べてこれらを電気的に接続し、光電変換モジュールとすることができる。隣接する光電変換装置10同士を容易に直列接続するために、図1、図2に示すように、光電変換装置10は、第1の半導体層3の基板1側に第1の電極層2と離間して設けられた第3の電極層6を具備している。そして、第1の半導体層3に設けられた接続導体7によって、第2の電極層5と第3の電極層6とが電気的に接続されている。接続導体7は、第1の半導体層3よりも電気抵抗率の低い材料で構成されている。このような接続導体7は、例えば、第1の半導体層3および第2の半導体層4を貫通する溝を形成し、この溝内に導体を設けることにより形成することができる。このような導体としては、例えば、第1の半導体層3および第2の半導体層4を貫通する溝を形成した後、第2の電極層5をこの溝内にも形成することで接続導体7を形成することができる図1,2参照。また、上記溝内に導電ペーストを充填することで接続導体7を形成してもよい。図1、図2に示すように、第2の電極層5上に集電電極8が形成されていてもよい。集電電極8は、第2の電極層5の電気抵抗を小さくするためのものである。第2の電極層5の厚さをできるだけ薄くして光透過性を高めるとともに、第2の電極層5上に設けた集電電極8によって第1の半導体層3で発生した電流を効率よく取り出すことができる。その結果、光電変換装置10の発電効率を高めることができる。集電電極8は、例えば、図1に示すように、光電変換装置10の一端から接続導体7にかけて線状に形成されている。これにより、第1の半導体層3の光電変換により生じた電流を第2の電極層5を介して集電電極8に集電し、これを接続導体7を介して隣接する光電変換装置10に良好に導電することができる。よって、集電電極8が設けられていることにより、第2電極層5を薄くしても第1の半導体層3で発生した電流を効率よく取り出すことができる。その結果、発電効率を高めることができる。集電電極8は第1の半導体層3への光を遮るのを抑制するとともに良好な導電性を有するという観点からは、50~400μmの幅を有していてもよい。また、集電電極8は、枝分かれした複数の分岐部を有していてもよい。集電電極8は、例えば、Ag等の金属粉を樹脂バインダー等に分散させた金属ペーストをパターン状に印刷し、これを硬化することによって形成することができる。なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。"