"基板の上方に設けられた磁性層と、前記磁性層上に設けられ、アルコールプラズマでエッチング可能なアルコールエッチ可能層と、前記アルコールエッチ可能層上に設けられ、前記磁性層を劣化させる因子が当該磁性層へ拡散するのを抑制する因子バリア層とを具備する薄膜磁気デバイス。請求項1に記載の薄膜磁気デバイスにおいて、前記因子バリア層は、前記磁性層の磁性材料よりも酸化しやすく、かつ自身が不動態化しやすい材料を含む薄膜磁気デバイス。請求項2記載の薄膜磁気デバイスにおいて、前記磁性層は、Ni、Fe、及びCoのうちの少なくとも一種を含み、前記因子バリア層は、Nb、Ta、Ti、Ga、Zr、Hf、Be、Al、Cr、W、Y、U、Mg、Ba、Sr、Ca、La、Sc、及びSiのうちの少なくとも一種の元素を含有する単体金属又は合金の材料を含む薄膜磁気デバイス。請求項2に記載の薄膜磁気デバイスにおいて、前記アルコールエッチ可能層は、前記因子バリア層に用いられる材料以外の材料で、前記磁性層への固溶限が400°Cで1以下の材料を含む薄膜磁気デバイス。請求項4に記載の薄膜磁気デバイスにおいて、前記磁性層は、Ni、Fe、及びCoのうちの少なくとも一種を含み、前記アルコールエッチ可能層として、Pa、Ag、Tc、Po、Yb、Tb、Pr、Dy、Ce、Er、Ho、Th、Tmのうちの少なくとも一種の元素を含有する単体金属又は合金の材料を含む薄膜磁気デバイス。請求項2に記載の薄膜磁気デバイスにおいて、前記アルコールエッチ可能層は、前記因子バリア層に用いられる材料以外の材料で、前記磁性層への固溶によって、前記磁性層の特性に影響を与え難い材料を、固溶による影響が観察されない膜厚以下で用いる薄膜磁気デバイス。請求項6に記載の薄膜磁気デバイスにおいて、前記磁性層は、Ni、Fe、及びCoのうちの少なくとも一種を含み、前記アルコールエッチ可能層は、Rh、Au、Ir、Pt、Ru、Os、Re、Pdの中の少なくとも一種の元素を含有する単体金属又は合金の材料を含み、膜厚5nm以下である薄膜磁気デバイス。請求項1乃至7のいずれか一項に記載の薄膜磁気デバイスにおいて、前記磁性層は、磁気抵抗効果素子のフリー層又はピン層である薄膜磁気デバイス。基板の上方に磁性層、アルコールプラズマでエッチング可能なアルコールエッチ可能層、前記磁性層を劣化させる因子が当該磁性層へ拡散するのを抑制する因子バリア層、及び上部層をこの順に積層する工程と、前記上部層を、ハロゲン系ガス又は酸素ガスの少なくとも一方を含むエッチングガスで所定の形状にエッチングする工程と、前記因子バリア層を、前記磁性層を化学的に変質させないエッチングガスで所定の形状にエッチングする工程と、前記アルコールエッチ可能層及び前記磁性層をアルコールを含むエッチングガスで所定の形状にエッチングする工程とを具備する薄膜磁気デバイスの製造方法。請求項9記載の薄膜磁気デバイスの製造方法において、前記上部層は、前記因子バリア層上に設けられた下側膜と、前記下側膜上に設けられた上側膜とを備え、前記上部層をエッチングする工程は、前記上側膜を、前記下側膜をストッパ膜として、ハロゲン系ガス又は酸素ガスの少なくとも一方を含むエッチングガスで所定の形状にエッチングする工程と、前記下側層を、磁性層を化学的に変質させないエッチングガスで所定の形状にエッチングする工程とを備える薄膜磁気デバイスの製造方法。請求項9又は10記載の薄膜磁気デバイスの製造方法において、前記因子バリア層のエッチングガスは、He、Ne、Ar、Kr、Xe、N、H、及びCのうちの少なくとも一種を含み、O、F、Cl、及びBrを含まないガスである薄膜磁気デバイスの製造方法。請求項11記載の薄膜磁気デバイスの製造方法において、前記磁性層は、Ni、Fe、及びCoのうちの少なくとも一種を含み、前記因子バリア層は、Nb、Ta、Ti、Ga、Zr、Hf、Be、Al、Cr、W、Y、U、Mg、Ba、Sr、Ca、La、Sc、及びSiのうちの少なくとも一種の元素を含有する単体金属又は合金の材料を含む薄膜磁気デバイスの製造方法。請求項12に記載の薄膜磁気デバイスの製造方法において、前記磁性層は、Ni、Fe、及びCoのうちの少なくとも一種を含み、前記アルコールエッチ可能層は、Pa、Ag、Tc、Po、Yb、Tb、Pr、Dy、Ce、Er、Ho、Th、Tmのうちの少なくとも一種の元素を含有する単体金属又は合金の材料を含む薄膜磁気デバイスの製造方法。請求項11に記載の薄膜磁気デバイスの製造方法において、前記磁性層は、Ni、Fe、及びCoのうちの少なくとも一種を含み、前記アルコールエッチ可能層は、Rh、Au、Ir、Pt、Ru、Os、Re、Pdの中の少なくとも一種の元素を含有する単体金属又は合金の材料を含み、膜厚5nm以下である薄膜磁気デバイスの製造方法。以下、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気デバイス及びその製造方法に関して、添付図面を参照して説明する。以下では、薄膜磁気デバイスの一例として、磁気抵抗効果素子及びそれを用いた磁気メモリについて説明する。ただし、本発明はその例に限定されるものではなく、磁性材料を用いた膜層を有する薄膜デバイスであれば適用可能である。本発明の実施の形態に係る薄膜磁気デバイスの構成について説明する。図5は、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気デバイスの磁気抵抗効果素子の構成の一例を示す断面図である。この磁気抵抗効果素子20は、上層から下層に向かって、上部電極21導電性材料としてTa膜/Ru膜、酸化因子バリア層22としてTa膜例示:3nm、アルコールエッチ可能層23としてRu膜例示:3nm、フリー層24磁性材料としてNiFe膜、トンネルバリア層25絶縁材料又は非磁性材料としてMgO膜、ピン層26磁性材料としてCoFeB/PtMn膜、及び下部電極27導電性材料としてTa膜、を積層した構成を有している。ただし、酸化因子バリア層22とアルコールエッチ可能層23とをまとめてキャップ層31ともいう。これらは、半導体基板トランジスタなどの素子や配線が形成されていても良い上に設けられている。各層の材料は一例であり、単一の材料や単元素で構成されている必要はない。本実施の形態に係る薄膜磁気デバイス磁気抵抗効果素子は、製造プロセスにおける磁性材料を用いた膜層にアルコールエッチングを実施する工程において、上から上部電極/キャップ層/磁性層となるように構成されている。ここで特にキャップ層が、上から酸化因子バリア層/アルコールエッチ可能層の異なる2つの材料層で構成されている。図5の例では、後述されるように、磁性材料のフリー層4にアルコールエッチングを実施する工程において、上から上部電極21上部電極/酸化因子バリア層22/アルコールエッチ可能層23以上、キャップ層/フリー層24磁性層のように構成されている。これにより、後述されるように、磁性層図5の例ではフリー層24での劣化領域の生成が抑制される。酸化因子バリア層22は、その下方の磁性層を劣化例示:酸化、ハロゲン化ハロゲン元素拡散させる因子例示:酸素、ハロゲン元素が当該磁性層へ拡散するのを抑制する層である。酸化因子バリア層22としては、その下方の磁性層に用いられる磁性材料Ni、Fe、Coよりも酸化しやすく、かつ自身が不動態化しやすい材料を、少なくとも一種含む単体金属あるいは合金材料を少なくとも一種用いることが好ましい。その酸化因子バリア層の詳細については後述される。アルコールエッチ可能層23は、その下方の磁性層の表面を保護するキャップ層として、当該磁性層のアルコールプラズマエッチングのときに、同時にエッチングされる層である。アルコールエッチ可能層としては、酸化因子バリア層に用いられる材料以外の材料で、直接接触する磁性材料への固溶限が400°Cで1以下の材料を、少なくとも一種含む単体金属あるいは合金材料を少なくとも一種用いることが好ましい。あるいは、他のアルコールエッチ可能層としては、酸化因子バリア層に用いられる材料以外の材料で、直接接触する磁性材料への固溶によって、磁性材料の特性に影響を与えにくい材料を少なくとも一種含む単体金属あるいは合金材料を、固溶による影響が観察されない膜厚以下で用いることが好ましい。そのアルコールエッチ可能層23の詳細については後述される。次に、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気デバイスの製造方法について説明する。図6A~図6Fは、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気デバイスの製造方法磁気抵抗効果素子の製造方法の一例を示す断面図である。図6Aに示されるように、基板図示されず上に、下から順に、下部電極27導電性材料としてTa膜、ピン層26磁性材料としてCoFeB/PtMn膜、トンネルバリア層25絶縁材料又は非磁性材料としてMgO膜、フリー層24磁性材料としてNiFe膜、アルコールエッチ可能層23としてRu膜、酸化因子バリア層22としてTa膜、及び上部電極21導電性材料としてTa膜/Ru膜が積層される。この積層構造を形成した後、下側ハードマスク28としてSiNx膜、及び上側ハードマスク29としてSiO2膜をこの順に成膜する。その後、所望のパターンを有するフォトレジストパターン30を上側ハードマスク29の上に形成する。次に、図6Bに示されるように、Ar/C4F8/O2の混合ガスを用いた反応性イオンエッチング法により、そのフォトレジストパターン30をまず上側ハードマスク29に転写する。その後、O2アッシングにより不要になったそのフォトレジストパターン30を除去する。続いて、図6Cに示されるように、上側ハードマスク29のパターンを下側ハードマスク28に転写する。このような2層ハードマスク法は、フォトレジストパターン30除去時のO2アッシング時に下層の材料が変質するのを抑制するために一般的に行われている手法である。更に、上部電極21のうちの上側膜21aである厚いTa膜を、上側ハードマスク29及び下側ハードマスク28のパターンをマスクとして、Cl2プラズマによりエッチングする。そして、上部電極21のうちの下側膜21bである薄いRu膜の上でエッチングを止める。ここでのエッチング選択比は十分大きいものが得られている。次に、図6Dに示されるように、まず、上部電極21のうちの下側膜21bである薄いRu膜を、上側ハードマスク29から上側膜21aのパターンをマスクとして、メタノールプラズマによりエッチングする。続いて、酸化因子バリア層22を、上側ハードマスク29から下側膜21bのパターンをマスクとして、Ar/CH4ガスのプラズマによりエッチングする。この場合、酸化因子バリア層22のTa膜のエッチングにはハロゲン元素を含むガスや酸素ガスを含むガスを用いる必要がなく、Ar/CH4ガスを用いることができる。その理由は、Ar/CH4ガスを用いたTa膜のエッチング速度は遅いが、酸化因子バリア層22が極めて薄い例示:3nmため、その遅さが問題にならないためである。Ar/CH4ガスは、フリー層24NiFe膜のような磁性材料を化学的に変質させないエッチングガスである。続いて、図6Eに示されるように、アルコールエッチ可能層23及びフリー層24を、上側ハードマスク29から酸化因子バリア層22のパターンをマスクとして、メタノールプラズマによりエッチングする。そして、トンネルバリア層25の上でエッチングを終了する。この後、図6Fに示されるように、更に下層のトンネルバリア層25/ピン層26/下部電極27のエッチングを、所望のパターンの2層ハードマスク法上側ハードマスク34及び下側ハードマスク33により実施する。ただし、トンネルバリア層25/ピン層26はメタノールプラズマによりエッチングし、下部電極27はAr/CH4プラズマによりエッチングする。それにより、磁気抵抗効果素子20のパターン形成が完了する。すなわち、本実施の形態に係る薄膜磁気デバイスの製造方法磁気抵抗効果素子の製造方法が完了する。図7は、本発明の実施の形態に係る磁気抵抗効果素子と従来技術の磁気抵抗効果素子との特性を比較する表である。ただし、A欄は本実施の形態に係る磁気抵抗効果素子、B欄は従来技術の磁気抵抗効果素子をそれぞれ示している。磁気抵抗効果素子の構成は、A及びBのいずれも同じである。すなわち、上部電極Ta/Ru膜、キャップ層酸化因子バリア層Ta膜、アルコールエッチ可能層Ru膜、MTJフリー層NiFe膜、トンネルバリア層MgO膜、ピン層CoFeB/PtMn膜、下部電極Ta膜である。また、各膜の膜厚やサイズも同じである。ただし、Aは、図6A~図6Fを参照して説明したとおりプラズマによるエッチング法で製造している。しかし、Bは、非特許文献1に記載のアルゴンイオンミリング法で製造している。磁気抵抗効果素子の特性MR比に関しては、本実施の形態A:52と従来技術B:53とで同等であることが判明した。また、磁気抵抗効果素子の形状に関しては、従来技術Bの場合と異なり、本実施の形態Aの場合では加工形状がテーパー化せず、微細化が可能であることが判明した。すなわち、本実施の形態は、イオンミリング法と比較して、イオンミリング法と同等の特性を維持しつつ、形状制御性の向上を図ることができる。図8は、本発明の実施の形態に係る磁気抵抗効果素子のアルコールエッチ可能層の膜厚とMR比との関係を示すグラフである。横軸はアルコールエッチ可能層23の膜厚、縦軸はMR比をそれぞれ示している。白丸及び黒丸はアルコールエッチ可能層23の材料としてそれぞれRu及びAgを用いた場合を示している。従来技術での磁気抵抗効果素子の特性MR比である約50程度を基準とすると、アルコールエッチ可能層23としてRu膜を採用した場合、膜厚として5nm以下の領域で特性が基準以上となる。すなわち、5nm以下の領域で特性劣化MR比の劣化が抑制されている。従って、Ru膜を採用した場合、膜厚の目安としては5nm以下ということになる。一方、アルコールエッチ可能層23としてAg膜を採用した場合、膜厚に依存せずに特性が基準以上となる。すなわち、膜厚として5nm以下という制限を考えなくて良い。これは、フリー層24のNiFe膜へのAgの固溶限が400°C以下では1以下と非常に小さいためと考えられる。図9は、本発明の実施の形態に係る磁気抵抗効果素子と従来技術の磁気抵抗効果素子との特性を比較する表である。ただし、A欄は本実施の形態に係る磁気抵抗効果素子、C欄は図4A~図4Cの製造方法で製造された磁気抵抗効果素子をそれぞれ示している。磁気抵抗効果素子の構成は、Aは図7で説明したとおりである。一方、Cは、上部電極Ta膜、キャップ層Ru膜、MTJフリー層NiFe膜、トンネルバリア層MgO膜、ピン層CoFeB/PtMn膜、下部電極Ta膜である。すなわち、キャップ層が酸化因子バリア層Ta膜/アルコールエッチ可能層Ru膜の積層構造ではない。なお、各膜のサイズは同じである。ただし、A及びCは、それぞれ図6A~図6F及び図4A~図4Cを参照して説明したとおりプラズマによるエッチング法で製造している。磁気抵抗効果素子の特性MR比に関しては、本実施の形態A:52と比較して、C40の方が明確に低下していることが判明した。これは、図4Bにおける上部電極1の加工に用いるハロゲン系プラズマから生じるラジカルが、キャップ層11aのRu膜中を拡散し、アルコールエッチングに入る前にフリー層4を劣化しているためと考えられる。一方、本実施の形態Aではキャップ層31に酸化因子バリア層22Ta膜が存在する。そのため、図6Cにおいて上部電極21の上側膜21aをハロゲン系プラズマでエッチングしても、ハロゲン系プラズマから生じるラジカルがアルコールエッチ可能層Ru膜を拡散して、フリー層24NiFe膜に入ることはない。なお、磁気抵抗効果素子の形状に関しては、Cの場合もAの場合も同様に加工形状がテーパー化せず、微細化が可能であることが判明した。すなわち、本実施の形態により、アルコールエッチング法により形状制御性を確保しつつ、酸化因子バリア層Ta膜及びアルコールエッチ可能層23により製造工程中での特性劣化を抑制することができる。本実施の形態では、酸化因子バリア層として、薄膜磁気デバイス例示:磁気抵抗効果素子に用いられる代表的な磁性材料であるNi、Fe、Coよりも酸化しやすく、かつ自身が不動態化しやすい材料を、少なくとも一種含む単体金属あるいは合金材料を少なくとも一種用いることが好ましい。その酸化因子バリア層は、薄膜磁気デバイスに用いられている代表的な磁性材料であるNi、Fe、Coよりも酸化されやすい特性を有していることから、薄膜磁気デバイスの製造プロセスで用いられる磁性材料を化学的に変質する物質特にハロゲンや酸素と優先的に反応する。その結果、近接した位置に積層されている磁性材料の化学的変質を抑制することができる。ただし、単に酸化されやすさが該磁性材料よりも高いだけでは薄膜磁気デバイスの製造プロセス中の熱処理工程などで拡散して磁性材料を変質する可能性があることから、酸化因子バリア層に適用する材料としては、酸化によって不導体化してその場で安定化する材料であることが必要である。すなわち、非特許文献2が提案する標準単極電位単純な貴度ではなく、酸素等を安定して取り込む能力=不動態化を考慮した貴度、言い換えると不動態化能とも呼ぶべきものがより重要である。このような材料については非特許文献3M.Pourbaix,PergamonPress,Oxford1966pp.80-81.のデータが参考になる。またこのような材料はドライエッチングに用いられることの多いハロゲン系の元素とも反応しやすく、該酸化因子バリア層よりも上層でのアッシングやエッチングによる酸素やハロゲンの下層への拡散を食い止めることができ、薄膜磁気デバイスの特性劣化を抑制可能である。これらの材料として、Nb、Ta、Ti、Ga、Zr、Hf、Be、Al、Cr、W、Y、U、Mg、Ba、Sr、Ca、La、Sc、Siを挙げることができる。発明者の検討では、これらは高い拡散バリア耐性を示した。そして、酸化因子バリア層のエッチングガスとして、磁性材料を化学的に変質しないガスを用いることを特徴とする薄膜磁気デバイスの製造方法を採用することが好ましい。また、本実施の形態では、アルコールエッチ可能層として、酸化因子バリア層に用いられる材料以外の材料で、直接接触する磁性材料への固溶限が400°Cで1以下の材料を、少なくとも一種含む単体金属あるいは合金材料を少なくとも一種用いることが好ましい。そのアルコールエッチ可能層は、アルコールエッチング中に微量生成する酸素ラジカルによって不動態化してエッチングを阻害エッチストップする材料でない材料、すなわち酸化因子バリア層に用いる以外の材料である必要がある。それと同時に、磁性材料への固溶によって磁性材料の特性を劣化させない材料である必要がある。従って、酸化因子バリア層に用いた材料以外の材料で、磁性材料に対する固溶限が小さい材料が第一の候補である。それらの材料として、Pa、Ag、Tc、Po、Yb、Tb、Pr、Dy、Ce、Er、Ho、Th、Tmを挙げることができる。固溶限については、非特許文献4H.Okamoto,ASMInternational2000のデータが参考になる。発明者の検討では、これらの元素は400°C以下において磁気特性に対する影響がほとんど観察されなかった。また、本実施の形態では、更に別の特性を持つアルコールエッチ可能層として、酸化因子バリア層に用いられる材料以外の材料で、直接接触する磁性材料への固溶によって、磁性材料の特性に影響を与えにくい材料を少なくとも一種含む単体金属あるいは合金材料を、固溶による影響が観察されない膜厚以下で用いることが好ましい。そのアルコールエッチ可能層は、構成元素が代表的な磁性材料であるNi、Fe、Coを含む材料に固溶しても磁気的な影響が小さい材料を考えることができる。その場合、可能な限り薄い膜厚でアルコールエッチ可能層を構成し、影響を最小限にする必要がある。このような材料として、Rh、Au、Ir、Pt、Ru、Os、Re、Pdを挙げることができる。発明者の検討では、膜厚として5nm以下の領域で特性劣化が抑制された。なお、磁性材料に対する固溶は昇温時に顕著になることから、適用する薄膜磁気デバイスの製造工程での温度履歴が低温の場合には、アルコールエッチ可能層として、より多くの種類の材料選択が可能であることは言うまでもない。薄膜磁気デバイスの製造時には、上から酸化因子バリア層/アルコールエッチ可能層/磁性材料層の順に積層する。まず、酸化因子バリア層は磁性材料を化学的に変質しないガス系でエッチングし、引き続き加工形状に優れたアルコールエッチングプロセスをアルコールエッチ可能層と磁性材料の加工プロセスに採用する。酸化因子バリア層のエッチングに用いるガスの例としては、磁性材料を化学的に変質しにくいHe、Ne、Ar、Kr、Xe、N、H、Cのうちの少なくとも一種を含み、磁性材料を化学的に変質するO、F、Cl、Brを含まないガス系を挙げることができる。このような材料の積層構造とエッチングプロセスを適用することで初めて、製造プロセス時に磁性材料の劣化を引き起こすことのないアルコールエッチングによる薄膜磁気デバイスの製造が可能となる。なお、本実施の形態では、薄膜磁気デバイスとして磁気抵抗効果素子を例示して、及び、薄膜磁気デバイスの製造方法としてフリー層のエッチングを例示して、それぞれ説明している。しかし、本発明はこの例に限定されるものではない。例えば、キャップ層の構成である酸化因子バリア層/アルコールエッチ可能層の材料構成、及び、材料を劣化しない酸化因子バリア層のエッチングガスは、磁気抵抗効果素子の他の層例えばピン層や、他の薄膜磁気デバイスの磁性層のエッチングにも適用可能である。その際、酸化因子バリア層としては、上記実施の形態で例示したTaだけではなく、Nb、Ti、Ga、Zr、Hf、Be、Al、Cr、W、Y、U、Mg、Ba、Sr、Ca、La、Sc、Siの少なくとも一種を含む単体金属あるいは合金材料であれば同じ効果が得られる。また、アルコールエッチ可能層としては、上記実施の形態で例示したRuだけでなく、Rh、Au、Ir、Pt、Os、Re、Pdの少なくとも一種を含む単体金属あるいは合金材料を、膜厚5nm以下で用いれば、同じ効果が得られる。更に、上記実施の形態で例示したAgだけでなく、Pa、Tc、Po、Yb、Tb、Pr、Dy、Ce、Er、Ho、Th、Tmの少なくとも一種を含む単体金属あるいは合金材料であれば、同じ効果が得られる。また、磁性層だけでなく、ハロゲンや酸素などにより材料の劣化を引き起こしやすい薄膜材料のエッチングにおいても、本実施の形態のキャップ層構成を適用することで、材料の劣化を引き起こすことなく微細加工が可能である。なお、実施の形態で示した薄膜磁気デバイスのエッチング工程終了後に、本発明の実施の形態に係る上部電極やキャップ層である酸化因子バリア層/アルコールエッチ可能層を、それより下層にある磁性材料層例示:フリー層やピン層を劣化することなく除去すること例示:化学機械研磨法CMP法が可能であれば、そのように除去しても良い。すなわち、該薄膜磁気デバイスのエッチング工程においてのみ酸化因子バリア層/アルコールエッチ可能層の積層構造を採用するようにしても良い。薄膜磁気デバイスの応用例として、磁気ランダムアクセスメモリMagneticRamdomAccessMemory:MRAMが考えられる。以下では、そのMRAMについて説明する。図10は、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気デバイスとしてのMRAMの構成の一例を示すブロック図である。図10において、MRAM60は、複数の磁気メモリセル1がマトリックス状に配置されたメモリセルアレイ61を有している。このメモリセルアレイ61は、データの記録に用いられる磁気メモリセル1と共に、データ読み出しの際に参照されるリファレンスセル1rを含んでいる。リファレンスセル1rの構造は、磁気メモリセル1と同じである。各磁気メモリセル1は、図5に示された磁気抵抗効果素子20に加え、選択トランジスタTR1、TR2を有している。選択トランジスタTR1のソース/ドレインの一方は、上部電極21に接続され、他方は第1ビット線BL1に接続されている。選択トランジスタTR2のソース/ドレインの一方は、上部電極21に接続され、他方は第2ビット線BL2に接続されている。選択トランジスタTR1、TR2のゲートはワード線WLに接続されている。下部電極27は配線69を介してグランド線Gに接続されている。ワード線WLは、Xセレクタ62に接続されている。Xセレクタ62は、データの書込み動作時、及び読出し動作時において、対象メモリセル1sにつながるワード線WLを選択ワード線WLsとして選択する。第1ビット線BL1はY側電流終端回路64に接続されており、第2ビット線BL2はYセレクタ63に接続されている。Yセレクタ63は、対象メモリセル1sにつながる第2ビット線BL2を選択第2ビット線BL2sとして選択する。Y側電流終端回路64は、対象メモリセル1sにつながる第1ビット線BL1を選択第1ビット線BL1sとして選択する。Y側電流源回路65は、データ書込み動作時、選択第2ビット線BL2sに対し、所定の書き込み電流の供給又は引き込みを行う。Y側電源回路66は、データ書き込み動作時、Y側電流終端回路64に所定の電圧を供給する。その結果、書き込み電流は、Yセレクタ63、選択第2ビット線BL2s、選択トランジスタTR2、上部電極21近傍の配線、選択トランジスタTR1、選択第1ビット線BL1s、及びY側電流終端回路64の経路を、書き込むデータに応じた向きで流れる。これらXセレクタ62、Yセレクタ63、Y側電流終端回路64、Y側電流源回路65、及びY側電源回路66は、磁気メモリセル1に書き込み電流を供給するための書き込み電流供給回路を構成している。データ読み出し動作時、第1ビット線BL1はOpenに設定される。読み出し電流負荷回路67は、選択第2ビット線BL2sに所定の読み出し電流を流す。また、読み出し電流負荷回路67は、リファレンスセル1rにつながるリファレンス第2ビット線BL2rに所定の電流を流す。センスアンプ68は、リファレンス第2ビット線BL2rの電位と選択第2ビット線BL2sの電位の差に基づいて、対象メモリセル1sからデータを読み出し、そのデータを出力する。本発明によれば、酸化因子バリア層/アルコールエッチ可能層の構造のキャップ層を薄膜磁気デバイスの磁性層直上に配し、エッチング工程において磁性材料を化学的に変質しないガス系で酸化因子バリア層をエッチングし、アルコールエッチ可能層及び磁性層をアルコールプラズマでエッチングすることで、アルコールエッチングの効果である薄膜磁気デバイスのエッチング工程における形状制御性の確保と、薄膜磁気デバイスの全エッチングプロセス中の特性劣化の抑制を両立可能な薄膜磁気デバイス及びその製造方法を提供することができる。本発明の活用例として、磁気抵抗効果素子を情報記憶における1ビットに用いるMRAM例示:図10や、同じく磁気抵抗効果素子を論理回路の構成要素に用いる不揮発ロジックデバイスのような半導体装置や、磁気記録装置用の磁気ヘッドが挙げられる。また磁気抵抗効果素子に限らず、酸化やハロゲンとの反応により材料が改質してしまう薄膜デバイスの構成材料を微細加工する際に、本発明のキャップ構造や製造方法は有効である。たとえばイオンの電界拡散や材料の相変化により抵抗値を変化させることで情報記憶を行う抵抗変化型メモリ素子や、配線層間に容量を形成するMIMキャパシタが例として挙げられる。以上、実施の形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細には、本発明のスコープ内で当業者が理解しうる様々な変更をすることができる。この出願は、2010年5月28日に出願された特許出願番号2010-122929号の日本特許出願に基づいており、その出願による優先権の利益を主張し、その出願の開示は、引用することにより、そっくりそのままここに組み込まれている。"