"式Aで表されるユニット、および、式Bで表されるユニットを有するポリマーを含有する被めっき層形成用組成物を基板上に接触させた後、前記基板上の前記被めっき層形成用組成物に対してエネルギーを付与して、前記基板上に被めっき層を形成する被めっき層形成工程と、前記被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、前記めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、前記被めっき層上に金属膜を形成するめっき工程と、前記めっき工程後に、金属成分または過酸化水素を含むエッチング液を使用してパターン状金属膜を形成するパターン形成工程と、前記パターン状金属膜を有する基板と、金属成分または過酸化水素を実質的に含まない酸性溶液とを接触させる酸性溶液接触工程と、前記パターン状金属膜が形成されていない領域の前記被めっき層を、プラズマエッチング処理により除去する被めっき層除去工程と、を備える、パターン状金属膜を有する積層体の製造方法。式Aおよび式B中、R1~R7は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換若しくは無置換のアルキル基を表す。XおよびZは、それぞれ独立に、単結合、エステル基、アミド基、またはフェニレン基を表す。L1およびL2は、それぞれ独立に、単結合または2価の有機基を表す。Vは、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、またはそれらの塩を表す。前記エッチング液が酸性である、請求項1に記載のパターン状金属膜を有する積層体の製造方法。前記金属成分が、銅イオンまたは鉄イオンである、請求項1または2に記載のパターン状金属膜を有する積層体の製造方法。前記酸性溶液が、塩酸水溶液、硫酸水溶液、または硝酸水溶液である、請求項1~3のいずれかに記載のパターン状金属膜を有する積層体の製造方法。請求項1~4のいずれかに記載の製造方法によって製造されたパターン状金属膜を有する積層体と、前記パターン状金属膜を有する積層体上に設けられる絶縁層とを備える配線基板。一方、近年、プリント配線板などの微細配線においては、配線の高集積化に伴い、配線金属パターン間においてより高い絶縁性が必要とされており、配線間の絶縁信頼性のより一層の向上が要求されている。本発明者らは、特許文献2に記載の所定のユニットを含むポリマーより形成される被めっき層を形成し、その上にパターン状の金属膜めっき膜が形成した場合、被めっき層が金属配線間の絶縁信頼性に関連していることを見出した。つまり、パターン状の金属膜が形成された後、該被めっき層が配線パターン間に残存すると、パターン状の金属膜間の絶縁性を低下させる要因となる場合があることを見出した。そこで、本発明者らは、パターン状の金属膜が設けられていない領域に存在する被めっき層を除去するために、プラズマエッチング処理を行ったところ、被めっき層を除去するのに長時間の処理時間を要する、または、十分に被めっき層を除去することができない、といった問題があることを見出した。また、上述したように、近年の微細配線のより一層の高集積化に伴って、基板に対する密着性がより一層優れる金属配線を製造することも求められている。本発明は、上記実情に鑑みて、被めっき層のプラズマエッチング処理を容易に実施することができる共に、密着性に優れたパターン状金属膜を有し、パターン状金属膜間の絶縁性に優れるパターン状金属膜を有する積層体の製造方法、および、該製造方法に使用される被めっき層形成用組成物を提供することを目的とする。本発明者ら、上記課題について鋭意検討した結果、所定のユニットを有するポリマー、および、所定のエッチング液を使用する共に、所定の酸性溶液との接触工程を設けることにより、上記課題を解決できることを見出した。つまり、本発明者らは、以下に示す手段により上記目的を達成しうることを見出した。1後述するポリマーを含有する被めっき層形成用組成物を基板上に接触させた後、前記基板上の前記被めっき層形成用組成物に対してエネルギーを付与して、前記基板上に被めっき層を形成する被めっき層形成工程と、前記被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、前記めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、前記被めっき層上に金属膜を形成するめっき工程と、前記めっき工程後に、金属成分または過酸化水素を含むエッチング液を使用してパターン状金属膜を形成するパターン形成工程と、前記パターン状金属膜を有する基板と、金属成分または過酸化水素を実質的に含まない酸性溶液とを接触させる酸性溶液接触工程と、前記パターン状金属膜が形成されていない領域の前記被めっき層を、プラズマエッチング処理により除去する被めっき層除去工程と、を備える、パターン状金属膜を有する積層体の製造方法。2前記エッチング液が酸性である、1に記載のパターン状金属膜を有する積層体の製造方法。3前記金属成分が、銅イオンまたは鉄イオンである、1または2に記載のパターン状金属膜を有する積層体の製造方法。4前記酸性溶液が、塩酸水溶液、硫酸水溶液、または硝酸水溶液である、1~3のいずれかに記載のパターン状金属膜を有する積層体の製造方法。51~4のいずれかに記載の製造方法によって製造された積層体と、前記積層体上に設けられる絶縁層とを備える配線基板。本発明によれば、被めっき層のプラズマエッチング処理を容易に実施することができる共に、密着性に優れたパターン状金属膜を有し、パターン状金属膜間の絶縁性に優れるパターン状金属膜を有する積層体の製造方法、および、該製造方法に使用される被めっき層形成用組成物を提供することができる。以下に、本発明のパターン状金属膜を有する積層体の製造方法について説明する。まず、本発明の従来技術と比較した特徴点について詳述する。本発明者らは、従来技術上記特許文献1および2に記載の発明より得られる積層体中の被めっき層を除去する際の問題点について検討を行ったところ、被めっき層中に残存する金属成分が影響を与えていることを見出した。つまり、金属成分が多く残存しているほど、その後の被めっき層のプラズマエッチング処理に影響を及ぼすことを見出した。被めっき層中の金属成分を減らす手としては、めっき触媒の吸着量を減らす手もあるが、この場合、めっき処理の際にある一定時間で十分な厚みの金属膜めっき膜を得ることができないと共に、得られる金属膜の密着性にも劣る。本発明者らは、上記知見に基づき鋭意検討を行った結果、シアノ基などの官能基を実質的に含まずに、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、またはそれらの塩を有するポリマーを使用すると共に、エッチング液で金属膜をエッチングし、さらにプラズマエッチング処理前に被めっき層と酸性溶液とを接触させることにより、所望の効果が得られることを見出した。より具体的には、上記所定の官能基はめっき触媒と吸着する特性を有するが、酸性溶液より水素イオンを供給された場合、めっき触媒を容易に脱着する。つまり、酸性溶液によって、被めっき層中の金属成分が除かれ、プラズマエッチング処理がより良好に進行することを見出した。なお、シアノ基などの場合、水素イオンによるめっき触媒の脱着が起こりにくく、所望の効果が得られない。まず、本発明の被めっき層形成用組成物の構成成分ポリマーなどについて詳述し、その後該組成物を使用したパターン状金属膜を有する積層体の製造方法について詳述する。<被めっき層形成用組成物>ポリマー本発明で使用されるポリマーは、式Aで表されるユニット、および、式Bで表されるユニットを有する。式Aで表されるユニットが含まれることにより、ポリマー間の架橋や、基板とポリマーとの間で化学結合が形成され、得られる金属膜の密着性がより向上する。また、アリル基がアルカリ溶液に対して、十分な耐性を有するため、アルカリ溶液に対する耐性にも優れる。さらに、式Bで表されるユニット中のカルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、またはそれらの塩がめっき触媒を吸着する事が可能であり、後述する無電解めっきなどを行うことができる。また、後述する酸性溶液によって、被めっき層中に吸着していためっき触媒またはその前駆体を脱着することができるため、金属膜のエッチング処理後、露出した被めっき層中にめっき触媒が残存しにくい。そのため、プラズマエッチング処理時において、より効率的に被めっき層を除去することができる。式Aおよび式B中、R1~R7は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換若しくは無置換のアルキル基を表す。無置換のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、またはブチル基が挙げられる。また、置換アルキル基としては、例えば、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、またはフッ素原子等で置換された、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が挙げられる。なお、R1およびR7としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。R2およびR3としては、水素原子が好ましい。R4としては、水素原子が好ましい。R5およびR6としては、水素原子が好ましい。XおよびZは、それぞれ独立に、単結合、エステル基、アミド基、またはフェニレン基を表す。なかでも、めっき性の点から、エステル基、アミド基が好ましく、アルカリ溶液耐性の点から、アミド基が好ましい。Vは、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、またはそれらの塩を表す。なかでも、合成の容易性の観点から、カルボン酸基、スルホン酸基が好ましく、化合物の安定性の観点から、カルボン酸基がより好ましい。L1およびL2は、単結合、または2価の有機基を表す。2価の有機基としては、例えば、好ましくは炭素数1~8、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基好ましくは炭素数6~12、-O-、-S-、-SO2-、-N-R:アルキル基、フェニル基、-CO-、-COO-、-NH-、-CONH-、-NHCONH-、-NHCSNH-これらを組み合わせた基例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基などなどが挙げられる。置換または無置換の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、若しくはブチレン基、または、これらの基があげられる。なかでも、被めっき層のアルカリ溶液耐性の点から、L1としては-COO-以外の2価の有機基であることが好ましく、さらに、密着性の観点で、-O-を1つ以上有している炭素数10~13の脂肪族炭化水素基が好ましい。また、L2としては、メチル基、エチル基、またはプロピル基で置換されていてもよい炭素数1~6の2価の直鎖状炭化水素基、エステル基を有する炭素数2~8の炭化水素基、エチレンオキシド基、プロピレンオキシド基が好ましい。好適態様なかでも、被めっき層のアルカリ溶液耐性、密着性などの点から、式Aで表されるユニット中、ZとL1が以下の組み合わせであることがより好ましい。具体的には、Zがアミド基の場合、L1は、単結合、または、-O-、-S-、-CONH-、-NHCONH-、-NHCSNH-結合を有していてもよい置換若しくは無置換の炭化水素基であることが好ましい。式Aで表されるユニットの好適態様の一つとして、以下の式Xで表されるユニットが挙げられる。式X中、R8は、水素原子、または、置換若しくは無置換のアルキル基を表す。R9は、水素原子、メチル基、エチル基、t-ブチル基、n-ブチル基、またはフェニル基を表す。なかでも、単位重量あたりの重合性基量の向上の観点、また、ポリマーへの親水性付与の観点から、水素原子が好ましい。aは0~10の整数を表す。単位重量あたりの重合性基量の向上の点から、aは0~4であることが好ましい。bは0または1を表す。Zがエステル基の場合、L1が-O-、-S-、-CONH-、-NHCONH-、-NHCSNH-結合を有していてもよい置換または無置換の炭化水素基であることが好ましい。式Aで表されるユニットの好適態様の一つとして、以下の式Yで表されるユニットが挙げられる。式Y中、R10は、水素原子、または、置換若しくは無置換のアルキル基を表す。cは0または1を表す。dは1~10の整数を表す。なかでも、単位重量あたりの重合性基量の向上の点から、dは1~4であることが好ましい。式Bで表されるユニットの好適態様としては、式B-1で表されるユニット、または式B-2で表されるユニットが挙げられる。式B-1中、R7、L2、およびVの定義は、上述の通りである。式B-1中、Yは、酸素原子、または-NR11-基を表す。R11は、水素原子、メチル基、エチル基、t-ブチル基、またはn-ブチル基を表す。なかでも、合成の容易性の点から、酸素原子が好ましい。式B-2中、R7およびVの定義は、上述の通りである。以下に、式Aで表されるユニットの一例を示す。また、以下に式Bで表されるユニットの例示を示す。ポリマー中における式Aで表されるユニットの含有率は、反応性硬化性、重合性および合成の際のゲル化の抑制の点から、全ポリマーユニットに対して、20~80モルであることが好ましく、30~65モルであることがより好ましい。また、ポリマー中における式Bで表されるユニットの含有率は、めっき触媒またはその前駆体に対する吸着性の観点から、全ポリマーユニットに対して、20~80モルであることが好ましく、35~70モルであることがより好ましい。上記ポリマーは、式Aで表されるユニット、および、式Bで表されるユニット以外の他のユニットを有していてもよい。なお、含有される他のユニットとしては、ポリマーの合成の容易さ点から、以下の式で表されるユニットCが好ましい。式C中、R12は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換若しくは無置換のアルキル基を表す。無置換のアルキル基および置換アルキル基の例示としては、上記のR1~R7で表されるアルキル基の例示と同じである。なお、R12としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。L3は、酸素原子、または、-NR14-を表す。R14は、水素原子、または、アルキル基を表す。R14で表されるアルキル基としては、炭素数1~8が好ましく、炭素数1~3がより好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基などが挙げられる。なお、R14がアルキル基の場合、後述するR13と連結して、環構造を形成してもよい。R13は、炭化水素基を表す。炭化水素基の炭素数としては、耐溶剤性がより優れる点から、1~8が好ましく、炭素数1~3がより好ましい。炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基など、芳香族炭化水素基フェニル基など、またはこれらの組み合わせであってもよい。脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよい。なお、炭化水素基中には、-O-などが含まれていてもよい。ポリマー中に式Cで表されるユニットが含まれる場合、その含有率は、反応性とめっき触媒吸着性の低下抑止の観点から、全ポリマーユニットに対して、5~50モルであることが好ましく、10~30モルであることがより好ましい。ポリマーの重量平均分子量は特に制限されないが、1000以上70万以下が好ましく、更に好ましくは2000以上20万以下である。特に、重合感度の観点から、5000以上であることが好ましい。また、ポリマーの重合度は特に制限されないが、10量体以上のものを使用することが好ましく、更に好ましくは20量体以上のものである。また、7000量体以下が好ましく、3000量体以下がより好ましく、2000量体以下が更に好ましく、1000量体以下が特に好ましい。被めっき層形成用組成物中のポリマーの含有量は特に制限されないが、組成物全量に対して、2~50質量が好ましく、5~30質量がより好ましい。上記範囲内であれば、組成物の取扱い性に優れ、被めっき層の層厚の制御がしやすい。<被めっき層形成用組成物中の他の任意成分>溶剤被めっき層形成用組成物には、必要に応じて、溶剤が含まれていてもよい。使用できる溶剤は特に限定されず、例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのアルコール系溶剤、酢酸などの酸、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶剤、ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドンなどのアミド系溶剤、アセトニトリル、プロピロニトリルなどのニトリル系溶剤、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル系溶剤、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネートなどのカーボネート系溶剤、この他にも、エーテル系溶剤、グリコール系溶剤、アミン系溶剤、チオール系溶剤、ハロゲン系溶剤などが挙げられる。この中でも、アミド系溶剤、ケトン系溶剤、ニトリル系溶剤、カーボネート系溶剤が好ましく、具体的には、アセトン、ジメチルアセトアミド、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトニトリル、プロピオニトリル、N-メチルピロリドン、ジメチルカーボネートが好ましい。被めっき層形成用組成物中に溶剤が含まれる場合、溶剤の含有量は組成物全量に対して、50~98質量が好ましく、70~95質量がより好ましい。上記範囲内であれば、組成物の取扱い性に優れ、被めっき層の層厚の制御などがしやすい。重合開始剤また硬化性を向上させるため、被めっき層形成用組成物には重合開始剤が含まれていてもよい。重合開始剤としては特に制限はなく、例えば、熱重合開始剤、光重合開始剤ラジカル重合開始剤、アニオン重合開始剤、カチオン重合開始剤を使用できる。ラジカル重合開始剤の例としては、例えば、特開2006-085049号公報の明細書の段落番号[0135]~[0208]に記載されたラジカル重合開始剤を挙げることができる。また、特開平9-77891号、特開平10-45927号に記載の活性カルボニル基を側鎖に有する高分子化合物、更には、側鎖に重合開始能を有する官能基及び架橋性基を有するポリマー重合開始ポリマーなどを用いることができる。上記のようなラジカル重合開始剤は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。被めっき層形成用組成物中に含有させる重合開始剤の量は、一般的には、被めっき層形成用組成物中の固形分中、0.1~15質量程度であることが好ましく、1~10質量程度であることがより好ましい。その他添加剤本発明の被めっき層形成用組成物には、他の添加剤例えばモノマー、増感剤、硬化剤、重合禁止剤、酸化防止剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、フィラー、粒子、難燃剤、界面活性剤、滑剤、可塑剤などを必要に応じて添加してもよい。<パターン状金属膜を有する積層体の製造方法>上述した被めっき層形成用組成物を使用することにより、パターン状金属膜を有する積層体を製造することができる。その製造方法は、主に、以下の6つの工程を備える。被めっき層形成工程基板上に、上記被めっき層形成用組成物を接触させた後、基板上の被めっき層形成用組成物にエネルギーを付与して、基板上に被めっき層を形成する工程触媒付与工程被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程めっき工程めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっきを行い、被めっき層上に金属膜を形成する工程パターン形成工程めっき工程後に、金属成分または過酸化水素を含むエッチング液を使用してパターン状金属膜を形成する工程酸性溶液接触工程パターン状金属膜を有する基板と、金属成分または過酸化水素を実質的に含まない酸性溶液とを接触させる工程被めっき層除去工程パターン状金属膜が形成されていない領域の前記被めっき層を、プラズマエッチング処理により除去する工程以下に、各工程で使用する材料、および、その操作方法について詳述する。<被めっき層形成工程>被めっき層形成工程は、基板上に、上記被めっき層形成用組成物を接触させた後、被めっき層形成用組成物にエネルギーを付与して、基板上に被めっき層を形成する工程である。該工程によって形成される被めっき層は、式Bで表されるユニット中のカルボン酸基、リン酸基、またはスルホン酸基の機能に応じて、後述する触媒付与工程でめっき触媒またはその前駆体を吸着付着する。つまり、被めっき層は、めっき触媒またはその前駆体の良好な受容層として機能する。また、式Aで表されるユニット中の二重合結合基は、ポリマー同士の結合や、基板または、後述する密着補助層との化学結合に利用される。その結果、被めっき層の表面に形成される金属膜めっき膜と、基板との間に優れた密着性が発現する。なお、本工程における好ましい態様は、被めっき層と基板とは化学結合を介して結合している態様である。より具体的には、該工程において、図1Aに示されるように基板10を用意し、図1Bに示すように基板10の上部に被めっき層12が形成される。なお、後述するように基板10はその表面に密着補助層を有してしてもよく、その場合、被めっき層12は密着補助層上に形成される。まず、本工程で使用される材料基板、密着補助層などについて詳述し、その後該工程の手順について詳述する。基板本発明に用いる基板としては、従来知られているいずれの基板も使用することができ、形状保持性を有するものであればよい。また、その表面が、後述するポリマーと化学結合しうる機能を有することが好ましい。具体的には、基板自体がエネルギー付与例えば、露光によりポリマーと化学結合を形成しうるものであるか、または、基板上に、エネルギー付与により被めっき層と化学結合を形成しうる中間層例えば、後述する密着補助層を設けられていてもよい。基板の材料は特に限定されず、例えば、高分子材料例えば、二酢酸セルロース、三酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、酪酸セルロース、酢酸セルロース、硝酸セルロース、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリビニルアセタール、ポリイミド、エポキシ、ビスマレインイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド、液晶ポリマー、ポリテトラフルオロエチレン等、金属材料例えば、金属合金、金属含有材料、純粋金属、またはこれらに類似したもの。具体的には、アルミニウム、亜鉛、銅等の混合物、合金、及びこれらのアロイ。、その他の材料例えば、紙、プラスチックがラミネートされた紙、これらの組み合わせ、またはこれらに類似したものなどが挙げられる。また、本発明の積層体は、半導体パッケージ、各種電気配線基板等に適用することができる。このような用途に用いる場合は、以下に示す、絶縁性樹脂を含んだ基板、具体的には、絶縁性樹脂からなる基板絶縁性基板、または、絶縁性樹脂の層絶縁性樹脂層を表面に有する基板絶縁性樹脂層付き基板を用いることが好ましい。なお、基板は、その表面に金属配線層と絶縁性樹脂層とを交互に有し、最表層に絶縁性樹脂層が配置された絶縁性基板であってもよい。絶縁性樹脂からなる基板、絶縁性樹脂からなる層を得る場合には、公知の絶縁性樹脂組成物が用いられる。絶縁性樹脂の具体例としては、例えば、熱硬化性樹脂でも熱可塑性樹脂でもまたそれらの混合物でもよく、例えば、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、イソシアネート樹脂、ABS樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールF型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上併用してもよい。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド等が挙げられる。基板には、本発明の効果を損なわない限り、種々の添加剤が含まれていてもよい。例えば、無機粒子等の充填材充填物例えば、ガラス繊維、シリカ粒子、アルミナ、クレー、タルク、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、マイカ、ウォラストナイトや、シラン系化合物例えば、シランカップリング剤やシラン接着剤等、有機フィラー例えば、硬化エポキシ樹脂、架橋ベンゾグアナミン樹脂、架橋アクリルポリマー等、可塑剤、界面活性剤、粘度調整剤、着色剤、硬化剤、衝撃強度改質剤、接着性付与剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤などが挙げられる。基板は、半導体パッケージ、各種電気配線基板等への用途を考慮すると、JISB06011994年、10点平均高さ法で測定した表面粗さRzが500nm以下であることが好ましく、より好ましくは100nm以下、更に好ましくは50nm以下、最も好ましくは20nm以下である。下限は特に限定されないが、5nm程度が好ましく、0がより好ましい。密着補助層密着補助層は、上記基板表面上に設けられていてもよい任意の層であり、基板と後述する被めっき層との密着性を補助する役割を果たす。この層は基板と被めっき層に親和性があるものでもよく、硬化時にポリマーと反応し、化学結合を形成してもよい。なお、基板が板状物であれば、その両面に密着補助層を形成してもよい。密着補助層としては、ポリマーが硬化時特に、光硬化時に化学結合を生じるものが好ましい。このような化学結合を生じる密着補助層には、重合開始剤を導入することが好ましい。また、密着補助層は作業性の観点から水分散ラテックスを用いて形成されることも好ましい。密着補助層としては、基板との密着性が良好な樹脂組成物、および、露光によりラジカルを発生しうる化合物重合開始剤を用いて形成されることが好ましい。なお、樹脂組成物を構成する樹脂が、ラジカルを発生しうる部位を有する場合には、ラジカルを発生しうる化合物を別途添加する必要はない。なお、露光によりラジカルを発生しうる化合物としては、従来公知の光重合開始剤が用いられる。この光重合開始剤としては、例えば、p-tert-ブチルトリクロロアセトフェノン、2,2’-ジエトキシアセトフェノンなどが挙げられる。密着補助層に含有させる光重合開始剤露光によりラジカルを発生しうる化合物の量は、固形分で0.1質量~50質量であることが好ましく、1.0質量~30質量であることがより好ましい。密着補助層としては、例えば、基板が、多層積層板、ビルドアップ基板、またはフレキシブル基板の材料として用いられてきた公知の絶縁性樹脂からなる場合には、該基板との密着性の観点から、密着補助層を形成する際に用いられる樹脂組成物としても、絶縁性樹脂組成物が用いられることが好ましい。以下、基板が絶縁性樹脂からなり、密着補助層が絶縁性樹脂組成物から形成される態様について説明する。密着補助層を形成する際に用いられる絶縁性樹脂組成物は、基板を構成する電気的絶縁性の樹脂と同じものを含んでいてもよく、異なっていてもよいが、ガラス転移点や弾性率、線膨張係数といった熱物性的が近いものを使用することが好ましい。具体的には、例えば、基板を構成する絶縁性樹脂と同じ種類の絶縁性樹脂を使用することが密着の点で好ましい。なお、密着補助層に使用される絶縁性樹脂とは、公知の絶縁膜に使用しうる程度の絶縁性を有する樹脂を意味するものであり、完全な絶縁体でないものであっても、目的に応じた絶縁性を有する樹脂であれば、本発明に適用しうる。絶縁性樹脂の具体例としては、例えば、熱硬化性樹脂でも熱可塑性樹脂でもまたそれらの混合物でもよく、例えば、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、イソシアネート樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド、ABS樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とは、それぞれ単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。本発明における密着補助層の厚みは、一般に、0.1~10μmの範囲であり、0.2~5μmの範囲であることが好ましい。密着補助層を設ける場合、厚みが上記範囲であれば、隣接する基材や、被めっき層との十分な密着強度が得られ、また、一般の接着剤を用いるのに比較して薄層でありながら、その接着剤による層と同様の密着性が達成される。密着補助層は基材表面に、塗布法、転写法、印刷法などの公知の層形成方法を適用して形成される。密着補助層は、所望により、印刷法例えば、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェット印刷法、インプリント法などや、現像法例えば、湿式エッチング、乾式エッチング、アブレーション、光による硬化可塑化ネガ型/ポジ型などなどでパターン化されてもよい。また、密着補助層は基板上に形成された後、何らかのエネルギーを与えて硬化処理を行ってもよい。与えるエネルギーとしては、光、熱、圧力、電子線などが挙げられるが、熱または光が一般的であり、熱の場合は、100°C~300°Cの熱を5分~120分加えることが好ましい。この硬化処理は密着補助層の形成後すぐに行ってもよく、密着補助層形成後に5分~10分程度の予備硬化処理を行っておけば、密着補助層形成後に行われる他のすべてのそれぞれの工程を行ったあとに実施してもよい。工程の手順上述した被めっき層形成用組成物を基板上または密着補助層上に接触させる方法は特に限定されず、被めっき層形成用組成物を直接基板上にラミネートする方法や、被めっき層形成用組成物が溶剤を含む液状である場合、組成物を基板上に塗布する方法などが挙げられる。得られる被めっき層の厚みを制御しやすい点から、組成物を基板上に塗布する方法が好ましい。塗布の方法は特に制限されず、具体的な方法としては、スピンコータ、ディップコータ、ダブルロールコータ、スリットコータ、エアナイフコータ、ワイヤーバーコータ、スライドホッパー、スプレーコーティング、ブレードコータ、ドクターコータ、スクイズコータ、リバースロールコータ、トランスファーロールコータ、エクストロージョンコータ、カーテンコータ、ダイコータ、グラビアロールによる塗工法、押し出し塗布法、ロール塗布法等の公知の方法を用いることができる。取り扱い性や製造効率の観点からは、被めっき層形成用組成物を基板または密着補助層上に塗布乾燥させて、残存する溶媒を除去して、ポリマーを含む組成物層を形成する態様が好ましい。被めっき層形成用組成物を基板と接触させる場合、その塗布量は、後述するめっき触媒またはその前駆体との充分な相互作用形成性の観点から、固形分換算で0.1g/m2~10g/m2が好ましく、特に0.5g/m2~5g/m2が好ましい。なお、本工程において被めっき層を形成するに際しては、塗布と乾燥との間に、20~40°Cで0.5時間~2時間放置させて、残存する溶剤を除去してもよい。エネルギーの付与基板上の被めっき層形成用組成物にエネルギー付与する方法は特に制限されないが、例えば、加熱や露光などが用いられることが好ましい。露光には、UVランプ、可視光線などによる光照射等が用いられる。光源としては、例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯、等がある。放射線としては、電子線、X線、イオンビーム、遠赤外線などがある。また、g線、i線、Deep-UV光、高密度エネルギービームレーザービームも使用される。一般的に用いられる具体的な態様としては、赤外線レーザーによる走査露光、キセノン放電灯などの高照度フラッシュ露光、赤外線ランプ露光などが好適に挙げられる。露光時間としては、ポリマーの反応性および光源により異なるが、通常、10秒~5時間の間である。露光エネルギーとしては、10~8000mJ程度であればよく、好ましくは100~3000mJの範囲である。なお、エネルギー付与として加熱を用いる場合、送風乾燥機、オーブン、赤外線乾燥機、加熱ドラムなどを用いることができる。得られる被めっき層の厚みは特に制限されないが、金属膜の基板への密着性の点から、0.01~10μmが好ましく、0.05~5μmがより好ましい。また、乾燥膜厚で0.05~20g/m2が好ましく、特に0.1~6g/m2が好ましい。さらに、被めっき層の表面粗さRaは、配線形状および密着強度の点から、0.01~0.3μmが好ましく、0.02~0.15μmがより好ましい。なお、表面粗さRaは、非接触式干渉法により、JISB060120010120改訂に記載のRaに基づき、サーフコム3000A東京精密株製を用いて測定した。<触媒付与工程>触媒付与工程は、上記工程で得られた被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程である。本工程においては、被めっき層中の式Bで表されるユニット由来の官能基Xカルボン酸基等が、その機能に応じて、付与されためっき触媒またはその前駆体を付着吸着する。ここで、めっき触媒またはその前駆体としては、後述するめっき工程における、めっき処理の触媒や電極として機能するものが挙げられる。そのため、めっき触媒またはその前駆体は、めっき工程におけるめっき処理の種類により決定されるが、無電解めっき触媒またはその前駆体であることが好ましい。まず、本工程で使用される材料無電解めっき触媒またはその前駆体などについて詳述し、その後該工程の手順について詳述する。無電解めっき触媒本工程において用いられる無電解めっき触媒は、無電解めっき時の活性核となるものであれば、如何なるものも用いることができ、具体的には、自己触媒還元反応の触媒能を有する金属Niよりイオン化傾向の低い無電解めっきできる金属として知られるものなどが挙げられる。具体的には、Pd、Ag、Cu、Ni、Pt、Au、Coなどが挙げられる。中でも、触媒能の高さから、Ag、Pd、Pt、Cuが特に好ましい。この無電解めっき触媒としては、金属コロイドを用いてもよい。一般に、金属コロイドは、荷電を持った界面活性剤または荷電を持った保護剤が存在する溶液中において、金属イオンを還元することにより作製することができる。金属コロイドの荷電は、ここで使用される界面活性剤または保護剤により調節することができる。無電解めっき触媒前駆体本工程において用いられる無電解めっき触媒前駆体とは、化学反応により無電解めっき触媒となりうるものであれば、特に制限なく使用することができる。主には、上記無電解めっき触媒として挙げた金属の金属イオンが用いられる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、還元反応により無電解めっき触媒である0価金属になる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは被めっき層へ付与された後、無電解めっき浴への浸漬前に、別途還元反応により0価金属に変化させて無電解めっき触媒としてもよい。また、無電解めっき触媒前駆体のまま無電解めっき浴に浸漬し、無電解めっき浴中の還元剤により金属無電解めっき触媒に変化させてもよい。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、金属塩を用いて被めっき層に付与することが好ましい。使用される金属塩としては、適切な溶媒に溶解して金属イオンと塩基陰イオンとに解離されるものであれば特に制限はなく、Mn、MCln、M2n、M3nMは、n価の金属原子を表すなどが挙げられる。金属イオンとしては、上記の金属塩が解離したものを好適に用いることができる。例えば、Agイオン、Cuイオン、Niイオン、Coイオン、Ptイオン、Pdイオンが挙げられる。中でも、多座配位可能なものが好ましく、特に、配位可能な官能基の種類数および触媒能の点で、Agイオン、Pdイオン、Cuイオンが好ましい。本発明で用いられる無電解めっき触媒またはその前駆体の好ましい例の一つとして、パラジウム化合物が挙げられる。このパラジウム化合物は、めっき処理時に活性核となり金属を析出させる役割を果たす、めっき触媒パラジウムまたはその前駆体パラジウムイオンとして作用する。さらに、酸性エッチング液により被めっき層から除去されやすく、結果的に被めっき層のエッチング特性により優れる。パラジウム化合物としては、パラジウムを含み、めっき処理の際に核として作用すれば、特に限定されないが、例えば、パラジウムII塩、パラジウム0錯体、パラジウムコロイドなどが挙げられる。また、無電解めっき触媒またはその前駆体としては、銀、または銀イオンが好ましい別の例として挙げられる。銀イオンを用いる場合、以下に示すような銀化合物が解離したものを好適に用いることができる。銀化合物の具体例としては、硝酸銀、酢酸銀、硫酸銀、炭酸銀、シアン化銀、チオシアン酸銀、塩化銀、臭化銀、クロム酸銀、クロラニル酸銀、サリチル酸銀、ジエチルジチオカルバミン酸銀、ジエチルジチオカルバミド酸銀、p-トルエンスルホン酸銀が挙げられる。この中でも、水溶性の観点から硝酸銀が好ましい。その他の触媒本発明において、被めっき層に対して無電解めっきを行わず直接電気めっきを行うために用いられる触媒としては、0価金属を使用することができる。めっき触媒液上記のようなめっき触媒またはその前駆体は、それらを含む分散液または溶液めっき触媒液として被めっき層に付与されることが好ましい。めっき触媒液の溶媒としては、水や有機溶媒が用いられる。有機溶媒を含有することで、被めっき層に対するめっき触媒またはその前駆体の浸透性が向上し、相互作用性基に効率よくめっき触媒またはその前駆体を吸着させることができる。めっき触媒液に使用される水としては、不純物を含まないことが好ましく、そのような観点からは、RO水や脱イオン水、蒸留水、精製水などを用いるのが好ましく、脱イオン水や蒸留水を用いるのが特に好ましい。めっき触媒液に使用される有機溶媒としては、被めっき層に浸透しうる溶媒であれば特に制限は無い。例えば、アセトン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、エチレングリコールジアセテート、シクロヘキサノン、アセチルアセトン、アセトフェノン、2-1-シクロヘキセニルシクロヘキサノン、プロピレングリコールジアセテート、トリアセチン、ジエチレングリコールジアセテート、ジオキサン、N-メチルピロリドン、ジメチルカーボネート、ジメチルセロソルブなどを用いることができる。特に、めっき触媒またはその前駆体との相溶性、および被めっき層への浸透性の観点では水溶性の有機溶剤が好ましく、アセトン、ジメチルカーボネート、ジメチルセロソルブ、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテルが好ましい。更に、分散液や溶液には、目的に応じて他の添加剤を含有することができる。他の添加剤としては、例えば、膨潤剤や、界面活性剤などが挙げられる。工程の手順めっき触媒またはその前駆体を被めっき層に付与する方法は、特に制限されない。例えば、金属を適当な分散媒に分散した分散液、または、金属塩を適切な溶媒で溶解し、解離した金属イオンを含む溶液を調製し、その分散液若しくは溶液めっき触媒液を被めっき層上に塗布する方法、または、その分散液若しくは溶液中に被めっき層が形成された基板を浸漬する方法などが挙げられる。被めっき層とめっき触媒液の接触時間としては、30秒~20分程度であることが好ましく、1分~10分程度であることがより好ましい。接触時のめっき触媒液の温度は、10~60°C程度であることが好ましく、10~30°C程度であることがより好ましい。被めっき層中へのめっき触媒またはその前駆体の吸着量付与量は特に制限されないが、後述する被めっき層除去工程がより良好に進行する点から、100mg/m2以下が好ましく、5~70mg/m2がより好ましい。上記のようにめっき触媒またはその前駆体を接触させることで、被めっき層中の式Bで表されるユニット由来の官能基Xに、ファンデルワールス力のような分子間力による相互作用、イオン結合のような静電的相互作用、または、孤立電子対による配位結合による相互作用を利用して、めっき触媒またはその前駆体を吸着させることができる。<めっき工程>めっき工程は、上記工程でめっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、被めっき層上に金属膜を形成する工程である。該工程により形成された金属膜は、優れた導電性、密着性を有する。より具体的には、図1Bに示すように、被めっき層12上に金属膜14が形成され、積層体が得られる。本工程において行われるめっき処理の種類は、無電解めっき、電解めっき等が挙げられ、上記工程において、被めっき層との間に相互作用を形成しためっき触媒またはその前駆体の機能によって、選択することができる。なかでも、金属膜の密着性向上の点から、無電解めっきを行うことが好ましい。また、所望の膜厚の金属膜14を得るために、無電解めっきの後に、更に電解めっきを行うことがより好ましい態様である。以下、本工程において好適に行われるめっきについて説明する。無電解めっき無電解めっきとは、めっきとして析出させたい金属イオンを溶かした溶液を用いて、化学反応によって金属を析出させる操作のことをいう。本工程における無電解めっきは、例えば、無電解めっき触媒が付与された基板を、水洗して余分な無電解めっき触媒金属を除去した後、無電解めっき浴に浸漬して行う。使用される無電解めっき浴としては、公知の無電解めっき浴を使用することができる。なお、無電解めっき浴としては、入手のしやすさの点から、アルカリ性の無電解めっき浴pHが9~14程度が好ましいを使用する場合が好ましい。また、無電解めっき触媒前駆体が付与された基板を、無電解めっき触媒前駆体が被めっき層に吸着または含浸した状態で無電解めっき浴に浸漬する場合には、基板を水洗して余分な前駆体金属塩などを除去した後、無電解めっき浴中へ浸漬させる。この場合には、無電解めっき浴中において、めっき触媒前駆体の還元とこれに引き続き無電解めっきが行われる。ここで使用される無電解めっき浴としても、上記同様、公知の無電解めっき浴を使用することができる。なお、無電解めっき触媒前駆体の還元は、上記のような無電解めっき液を用いる態様とは別に、触媒活性化液還元液を準備し、無電解めっき前の別工程として行うことも可能である。触媒活性化液は、無電解めっき触媒前駆体主に金属イオンを0価金属に還元できる還元剤を溶解した液で、液全体に対する該還元剤の濃度が0.1~50質量が好ましく、1~30質量がより好ましい。還元剤としては、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルアミンボランのようなホウ素系還元剤、ホルムアルデヒド、次亜リン酸などの還元剤を使用することが可能である。浸漬の際には、無電解めっき触媒またはその前駆体が接触する被めっき層表面付近の無電解めっき触媒またはその前駆体の濃度を一定に保つ上で、攪拌または揺動を加えながら浸漬することが好ましい。一般的な無電解めっき浴の組成としては、例えば、溶剤例えば、水の他に、1.めっき用の金属イオン、2.還元剤、3.金属イオンの安定性を向上させる添加剤安定剤が主に含まれている。このめっき浴には、これらに加えて、めっき浴の安定剤など公知の添加物が含まれていてもよい。めっき浴に用いられる有機溶剤としては、水に可能な溶媒である必要があり、その点から、アセトンなどのケトン類、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類が好ましく用いられる。無電解めっき浴に用いられる金属の種類としては、例えば、銅、すず、鉛、ニッケル、金、銀、パラジウム、ロジウムが知られており、中でも、導電性の観点からは、銅、金が特に好ましい。また、上記金属に合わせて最適な還元剤、添加物が選択される。このようにして形成される無電解めっきによる金属膜の膜厚は、めっき浴の金属イオン濃度、めっき浴への浸漬時間、または、めっき浴の温度などにより制御することができるが、導電性の観点からは、0.1μm以上であることが好ましく、0.2~2μmであることがより好ましい。ただし、無電解めっきによる金属膜を導通層として、後述する電気めっきを行う場合は、少なくとも0.1μm以上の膜が均一に付与されていることが好ましい。また、めっき浴への浸漬時間としては、1分~6時間程度であることが好ましく、1分~3時間程度であることがより好ましい。電解めっき電気めっき本工程おいては、上記工程において付与されためっき触媒またはその前駆体が電極としての機能を有する場合、その触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対して、電解めっきを行うことができる。また、前述の無電解めっきの後、形成された金属膜を電極とし、更に、電解めっきを行ってもよい。これにより基板との密着性に優れた無電解めっき膜をベースとして、そこに新たに任意の厚みをもつ金属膜を容易に形成することができる。このように、無電解めっきの後に、電解めっきを行うことで、金属膜を目的に応じた厚みに形成しうるため、金属膜を種々の応用に適用するのに好適である。電気めっきの方法としては、従来公知の方法を用いることができる。なお、電気めっきに用いられる金属としては、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、亜鉛などが挙げられ、導電性の観点から、銅、金、銀が好ましく、銅がより好ましい。また、電気めっきにより得られる金属膜の膜厚は、めっき浴中に含まれる金属濃度、または、電流密度などを調整することで制御することができる。なお、一般的な電気配線などに適用する場合、金属膜の膜厚は、導電性の観点から、0.5μm以上であることが好ましく、1~30μmがより好ましい。なお、電気配線の厚みは、電気配線の線幅が狭くなる、すなわち微細化するほどアスペクト比を維持するために薄くなる。従って、電気めっきによって形成される金属膜の層厚は、上記に限定されず、任意に設定できる。<パターン形成工程>パターン形成工程は、めっき工程後に、金属成分または過酸化水素を含むエッチング液を使用してパターン状の金属膜を形成する工程である。該工程により、パターン状の金属膜を表面に有する金属パターン材料が得られる。より具体的には、図1Cに示すように、エッチング液を金属膜14の不要部分に接触させることにより、該部分が除去され、パターン状金属膜16が得られる。エッチング液まず、以下に本工程で使用されるエッチング液について説明する。本工程で使用されるエッチング液は、金属膜14の金属成分を溶解させる。エッチング液としては、金属膜の除去性の観点より、酸性であることが好ましく、具体的には、pHが5以下であることが好ましく、3以下であることがより好ましい。なお、下限は特に制限されないが、被めっき層などへのダメージの点から、0以上が好ましい。なお、pHを調整するために用いられる試薬は特に制限されず、例えば、塩酸、硫酸などが挙げられる。エッチング液に使用される溶媒は特に制限されず、水や、有機溶媒などを使用できる。取扱い性およびエッチング性能の観点から、水が好ましい。使用されるエッチング液は、金属成分または過酸化水素を含む。これらの成分を含むことにより、金属膜めっき膜の除去を行うことができる。金属成分としては、金属イオンを含有することが好ましい。金属イオンの種類は、金属膜を構成する金属により適宜最適な金属が選択されるが、金属膜を構成する金属よりイオン化傾向が大きい金属のイオンであることが好ましく、例えば、銅をエッチングしたい場合は、銅イオン、鉄イオンなどが挙げられる。エッチング液としては、例えば、塩化第二鉄溶液、または硫酸過酸化水素水混合溶液などが挙げられ、好ましくは塩化第二鉄溶液が挙げられる。エッチング液と金属膜との接触時間は特に制限されないが、生産性、および、金属膜のエッチング性の点から、10秒~10分が好ましく、30秒~3分がより好ましい。処理方法第1の実施態様上記エッチング液を使用してパターン状の金属膜16を形成する方法は特に限定されないが、生産性などの観点から、図2に示す第1の実施態様が好ましく挙げられる。該方法は、いわゆるサブトラクティブ法に基づく方法である。図2Aに示すように、まず、金属膜14上の所定位置にマスク20を設ける。その後、図2Bに示すように、マスク20が設けられていない領域マスク20の非形成領域の金属膜14をエッチング液で除去して、パターン状金属膜16を得る。マスク20としては、公知のレジスト材料を使用することができる。その後、図2Cに示すように、マスク20を除去する。レジスト材料の種類は特に制限されず、ネガ型、ポジ型、液状、フィルム状のものが使用できる。レジスト層の除去方法は特に限定されず、公知の方法アルカリ溶液による除去、ドライエッチングを使用できる。エッチング液を金属膜14に接触させる方法は特に限定されず、エッチング液を金属膜14に塗布例えば、スプレー塗布する方法や、エッチング液中に金属膜14を有する基板を浸漬する方法などが挙げられる。第2の実施態様また、処理方法の他の好適な態様として、図3に示す第2の実施態様が好ましく挙げられる。なお、該方法は、いわゆるセミアディティブ法に基づく方法である。該方法に基づく場合は、まず、上記めっき工程において、無電解めっきを行った後、無電解めっきで得られた金属膜上にパターン状のマスクを設け、マスクが設けられていない領域にさらに金属膜が形成されるように電解めっきを行う。より具体的には、図3Aに示すように、無電解めっきにより被めっき層12に金属膜14aを形成した後、該金属膜14a上にパターン状のマスク20を設ける図3B参照。その後、図3Cに示すように、電解めっきを行うことにより、マスク20が設けられていない領域マスク20の非形成領域に金属膜をさらに設け、凸部22と凹部24を含む凹凸状の金属膜14bを得る。電解めっきを行った後は、図3Dに示すように、マスク20を除去する。次に、得られた凹凸構造を有する金属膜14bに対して、上記エッチング液を用いたクイックエッチングを行うことにより、金属膜14b中の配線部に対応する凸部22以外の凹部24が除去され、パターン状金属膜16が得られる。<酸性溶液接触工程>酸性溶液接触工程は、パターン状金属膜を有する基板と、金属成分または過酸化水素を実質的に含まない酸性溶液とを接触させる工程である。該工程を実施することにより、パターン状金属膜が形成されていない領域の被めっき層と酸性溶液とが接触し、被めっき層中に含有される金属成分例えば、めっき触媒、または金属膜を構成する金属成分が除去される。該工程を経ることにより、後述するプラズマエッチング処理において被めっき層の除去効率が向上する。なお、該工程を経ることにより、パターン状金属膜が形成されていない領域において、金属成分を実質的に含まない被めっき層が得られることが好ましく、具体的には、被めっき層中の金属成分を3mg/m2以下程度まで減少させることが好ましい。まず、本工程で使用される酸性溶液について詳述し、その後工程の手順について詳述する。酸性溶液本工程において使用される酸性溶液は、酸性を示す。なかでも、被めっき層中の金属成分の除去性能がより優れる点で、酸性溶液のpHは5以下であることが好ましく、0~3であることがより好ましい。酸性溶液中に含まれる溶媒は、通常、水である。また、有機溶媒例えば、エタノール、メタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、イソプロピルアルコールが含有していてもよい。酸性溶液中は、金属成分または過酸化水素を実質的に含まない。つまり、金属成分を実質的に含まない酸性溶液、過酸化水素を実質的に含まない酸性溶液が使用される。該酸性溶液を使用することにより、被めっき層中に含有される金属成分を除去しながらも、形成されたパターン状金属膜のパターン性は保持される。なお、ここで実質的に含まないとは、金属成分または過酸化水素の含有量が、酸性溶液全量に対して、1質量以下であることを意味し、0.1質量以下であることが好ましい。なお、含有量が0であることが最も好ましい。酸性溶液中に含まれる酸成分は特に制限されないが、例えば、塩酸、硫酸、硝酸など公知の酸成分を使用することができる。例えば、塩酸水溶液、硫酸水溶液、硝酸水溶液などを使用できる。工程の手順パターン状金属膜を有する基板と酸性溶液との接触方法とは特に制限されず、酸性溶液を基板上に塗布する方法や、酸性溶液中に基板を浸漬する方法などが挙げられる。該基板と酸性溶液との接触時間は、使用される酸性溶液の種類などによって適宜最適な時間が選択されるが、被めっき層中の金属成分の除去性の観点から、10秒~10分が好ましく、1~5分がより好ましい。<被めっき層除去工程>被めっき層除去工程は、パターン状金属膜が形成されていない領域の被めっき層をプラズマエッチング処理にて除去する工程である。より具体的には、パターン状金属膜を有する基板にプラズマエッチング処理を施して、図1CおよびDに示すように、パターン状金属膜16が形成されていない領域30にある被めっき層12を除去する。パターン状金属膜間の被めっき層が除去されることにより、配線間金属膜間の絶縁性能がより向上する。なお、上述した密着補助層を介して被めっき層が基板上に配置される場合は、本工程のプラズマエッチング処理によって、被めっき層のみならず、密着補助層も合わせて除去されてもよい。プラズマエッチング処理としては公知の処理方法が実施でき、例えば、減圧プラズマ処理、または、大気圧下で行なう大気プラズマ処理が挙げられる。プラズマエッチング処理について詳細に述べれば、例えば、上記パターン形成工程の終了後の配線パターンが形成された基板を、プラズマ処理装置のチャンバ内に収納し、該チャンバ内にプラズマを発生させて、イオンやラジカルと呼ばれる中性粒子を基板表面に衝突させることにより行われる。本工程においては、形成されたパターン状の金属膜自体配線パターンがエッチングレジストとして機能するため、プラズマエッチング処理により、配線間に露出して残存する被めっき層や、配線間に付着している有機物などの夾雑物を効果的に除去することができる。なお、形成された配線パターンに影響を与えることのない処理条件により、プラズマエッチング処理を行うことが好ましい。プラズマの発生法としては、減圧プラズマ法、大気プラズマ法のいずれも適用することができるが、汎用される減圧プラズマ法が好適に用いられる。プラズマエッチング処理を施す際の雰囲気圧としては、エッチング速度の観点から、100Pa以下であることが好ましく、10Pa以下であることがより好ましい。なお、大気圧プラズマ法を用いる場合であれば、減圧の必要がないため、インライン処理が可能といった利点であり、これにより生産効率の向上が期待できる。当該処理において、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、キセノンの中から選ばれる不活性ガス、O2、CF4、C2F4、N2、CO2、SF6、CHF3、少なくともO、N、FまたはClを含む反応性ガスからなる群から選択されるいずれか1種類以上のガスを用いることができる。これらは単独で用いてもよいし、混合して用いてもよい。使用するガスは、例えば、処理後の基板表面状態への影響、処理速度や基板温度の制御などの各種の条件に応じて適宜選定できる。例えば、処理速度の観点からは、酸素ガス、アルゴンガス、CF4、並びに、酸素ガスおよびアルゴンガスの混合ガスが好ましく、アルゴンガス、酸素ガスおよびアルゴンガスの混合ガスがより好ましい。また、プラズマガスとして酸素ガスを使用する場合に関しては、該酸素ガスは処理表面に水酸基を生成させうることから、例えば、配線基板上にエポキシ樹脂等を主成分とするソルダーレジストを配置して、基板表面とソルダーレジストとを熱重合させるような場合において、基板表面とソルダーレジストとの密着性を向上させることができる。また、プラズマガスとしてCF系ガスを使用する場合に関しては、該CF系ガスは処理表面の疎水性を向上させうることができることから、例えば、配線基板を積層してなる積層基板を形成する場合おいて、基板間の界面からの水分等の侵入を効果的に防止しうるなど、配線間の絶縁信頼性をより向上させることもできる。本工程においては、特に、エッチング速度、すなわちプラズマ発生量の点から、プラズマエッチング処理を施す際の雰囲気圧が100Pa以下であり、当該処理において、酸素ガス、アルゴンガス、CF4ガス、およびC2F4ガスからなる群から選択されるいずれか1種類以上のガスを用いることが好ましい。<パターン状金属膜を有する積層体>上記工程を経ることにより、パターン状金属膜間の被めっき層が除去された、パターン状金属膜を有する積層体を得ることができる図1E。得られた積層体は、各種用途に使用することができる。例えば、半導体チップ、各種電気配線板プリント配線基板など、FPC、COF、TAB、アンテナ、多層配線基板、マザーボード、等の様々な用途に適用することができる。なかでも、配線基板として好適に利用できる。また、配線基板と使用する際には、必要に応じて、積層体18上に絶縁層40を設けてもよい図1E。本発明の積層体18と絶縁層40とを含む配線基板50は、平滑な基板との密着性に優れた配線が形成でき、高周波特性も良好であるとともに、微細な高密度配線であっても、配線間の絶縁信頼性に優れる。絶縁層40としては公知の材料を使用することができ、例えば、公知の層間絶縁膜、ソルダーレジストなどが挙げられる。以下、実施例により、本発明について更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。<ポリマー合成>ポリマーAアクリル酸10gとK2CO323gをDMAc100mLに溶かし、冷却バスを用いて0°Cまで降温した。アリールブロマイド18.5gをゆっくり滴下し、その後40°Cまで昇温させ、3時間攪拌した。その後、酢酸エチルを200mL添加した後、蒸留水200mLで2回洗浄した。酢酸エチル層を硫酸マグネシウムで乾燥し、酢酸エチルを留去後、カラムクロマトグラフィーにて精製し、モノマーAを12g得た。500mLの三口フラスコに、1-メトキシ-2-プロパノール66gを入れ、窒素気流下、70°Cまで加熱した。そこへ、上記で得たモノマーA:11.68g、アクリル酸東京化成製4.85g、V-65和光純薬製1.16gの1-メトキシ-2-プロパノール66g溶液を、2.5時間かけて滴下した。滴下終了後、更に2時間撹拌した。その後、室温まで反応溶液を冷却し、水で再沈を行い、固形物を取り出し、以下の構造式のポリマーA重量平均分子量2.5万を8g得た。得られたポリマーAの酸価を、電位差自動滴定装置京都電子工業株製、及び、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、このポリマーAの酸価は4.16mmol/gであった。得られたポリマーAをアセトンに溶解させ、IR測定機株堀場製作所製にてKBr結晶を用いて測定を行った。IR測定の結果、2240cm1付近にピークが観測されず、シアノ基がポリマーAに含まれていない事が分かった。また、酸価測定によりカルボン酸ユニットとしてアクリル酸が導入されている事が分かった。更に、重DMSOジメチルスルホキシドに溶解させ、ブルカー製300MHzのNMRAV-300にて測定を行った。重合性基含有ユニットに相当するピークが6.0-5.8ppm1H分、5.4-5.2ppm2H分、4.7-4.4ppm2H分、2.5-0.7ppm3H分にブロードに観察されにブロードに観察され、カルボン酸基ユニットに相当するピークが2.5-0.7ppm3H分にブロードに観察され、重合性基含有ユニット:カルボン酸基ユニット=60:40mol比であることが分かった。このポリマーAをpH12.0の水溶液25°C中で10分間攪拌させた後、NMRを測定したところ、ポリマー中の結合が一部切断されていることが確認されたものの、重合性基含有ユニットに相当するピークが残存していることが確認された。ポリマーB500mLの三口フラスコにエチレングリコールモノアリルエーテル10g、ピリジン9.3g、酢酸エチル50mLを入れて氷浴にて冷却した。そこへ、アクリル酸クロライド11.4gを内温20°C以下になるように調節して滴下した。その後、室温に上げて3時間反応させた。反応終了後、蒸留水300mL追加し反応を停止させた。その後、酢エチ層を蒸留水300mLで2回洗浄後、硫酸マグネシウム乾燥し、酢酸エチルを留去し、カラムクロマトグラフィーにてモノマーBを精製し12g得た。500mLの三口フラスコに、1-メトキシ-2-プロパノール60gを入れ、窒素気流下、70°Cまで加熱した。そこへ、上記で得たモノマーB:10g、アクリル酸東京化成製3.5g、V-65和光純薬製0.84g、1-メトキシ-2-プロパノール60g溶液を、2.5時間かけて滴下した。滴下終了後、更に2時間撹拌した。その後、室温まで反応溶液を冷却し、水で再沈を行い、固形物を取り出し、以下の構造式のポリマーB重量平均分子量2.2万を9g得た。得られたポリマーBの酸価を、電位差自動滴定装置京都電子工業株製、及び、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、このポリマーBの酸価は4.3mmol/gであった。得られたポリマーBをアセトンに溶解させ、IR測定機株堀場製作所製にてKBr結晶を用いて測定を行った。IR測定の結果、2240cm1付近にピークが観測されず、シアノ基がポリマーBに含まれていない事が分かった。また、酸価測定によりカルボン酸ユニットとしてアクリル酸が導入されている事が分かった。更に、重DMSOジメチルスルホキシドに溶解させ、ブルカー製300MHzのNMRAV-300にて測定を行った。重合性基含有ユニットに相当するピークが重合性基含有ユニットに相当するピークが、5.9-5.7ppm1H分、5.3-5.2ppm2H分、4.1-3.9ppm4H分、3.4-3.3ppm2H分、2.5-0.7ppm3H分にブロードに観察され、カルボン酸基ユニットに相当するピークが2.5-0.7ppm3H分にブロードに観察され、重合性基含有ユニット:カルボン酸基ユニット=50:50mol比であることが分かった。このポリマーBをpH12.0の水溶液25°C中で10分間攪拌させた後、NMRを測定したところ、ポリマー中の結合が切断されていないことが確認され、pH12.0条件下でも加水分解しないことが確認された。ポリマーC500mLの三口フラスコに、ポリアクリル酸和光純薬工業株製MW=25,00030g、4-ヒドロキシ-TEMPO0.07g、トリエチルベンジルクロライド東京化成工業株製1.0g、アリルグリシジルエーテル東京化成工業株製31.53g、1-メトキシ-2-プロパノール143gを入れ、100°Cまで加熱し、12時間攪拌した。その後、室温まで反応溶液を冷却し、水で再沈を行い、固形物を取り出し、以下の構造式のポリマーC重量平均分子量4.5万を8g得た。得られたポリマーCの酸価を、電位差自動滴定装置京都電子工業株製、及び、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、このポリマーCの酸価は4.31mmol/gであった。得られたポリマーCをアセトンに溶解させ、IR測定機株堀場製作所製にてKBr結晶を用いて測定を行った。IR測定の結果、2240cm1付近にピークが観測されず、シアノ基がポリマーCに含まれていない事が分かった。また、酸価測定によりカルボン酸ユニットとしてアクリル酸が導入されている事が分かった。更に、重DMSOジメチルスルホキシドに溶解させ、ブルカー製300MHzのNMRAV-300にて測定を行った。重合性基含有ユニットに相当するピークが5.9-5.7ppm1H分、5.3-5.2ppm2H分、4.1-3.9ppm4H分、3.8-3.7ppm1H分、3.4-3.3ppm2H分、2.5-0.7ppm3H分にブロードに観察され、カルボン酸基ユニットに相当するピークが2.5-0.7ppm3H分にブロードに観察され、重合性基含有ユニット:カルボン酸基ユニット=58:42mol比であることが分かった。このポリマーCをpH12.0の水溶液25°C中で10分間攪拌させた後、NMRを測定したところ、ポリマー中の結合が切断されていないことが確認され、pH112.0条件下でも加水分解しないことが確認された。ポリマーD1000mLの三口フラスコにアリルアミン塩酸塩60g、水90g、t-ブチルメチルエーテル225gを入れて氷浴にて冷却した。そこへ、トリエチルアミン143g、アクリル酸クロライド75gを内温20°C以下になるように調節して滴下した。その後、室温に上げて3時間反応させた。反応終了後、蒸留水300mL追加し反応を停止させた。その後、t-ブチルメチルエーテル層を蒸留水100mLで2回洗浄後、硫酸マグネシウム乾燥し、t-ブチルメチルエーテルを留去し、カラムクロマトグラフィーにてモノマーDを精製し60g得た。500mLの三口フラスコに、1-メトキシ-2-プロパノール140gを入れ、窒素気流下、70°Cまで加熱した。そこへ、上記で得たモノマーD:9.0g、アクリル酸東京化成製5.84g、V-65和光純薬製1.20g、1-メトキシ-2-プロパノール140g溶液を、2.5時間かけて滴下した。滴下終了後、更に2時間撹拌した。その後、室温まで反応溶液を冷却し、ヘキサン酢酸エチルで再沈を行い、固形物を取り出し、以下の構造式のポリマーD重量平均分子量1.2万を5g得た。得られたポリマーDの酸価を、電位差自動滴定装置京都電子工業株製、及び、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、このポリマーDの酸価は4.48mmol/gであった。得られたポリマーDをアセトンに溶解させ、IR測定機株堀場製作所製にてKBr結晶を用いて測定を行った。IR測定の結果、2240cm1付近にピークが観測されず、シアノ基がポリマーAに含まれていない事が分かった。また、酸価測定によりカルボン酸ユニットとしてアクリル酸が導入されている事が分かった。更に、重DMSOジメチルスルホキシドに溶解させ、ブルカー製300MHzのNMRAV-300にて測定を行った。重合性基含有ユニットに相当するピークが、5.9-5.7ppm1H分、5.2-5.0ppm2H分、3.8-3.7ppm2H分、2.5-0.7ppm3H分にブロードに観察され、カルボン酸基ユニットに相当するピークが2.5-0.7ppm3H分にブロードに観察され、重合性基含有ユニット:カルボン酸基ユニット=58:42mol比であることが分かった。このポリマーDをpH12.0の水溶液25°C中で10分間攪拌させた後、NMRを測定したところ、ポリマー中の結合が切断されていないことが確認され、pH12.0条件下でも加水分解しないことが確認された。ポリマーE500mLの三口フラスコに、1-メトキシ-2-プロパノール130gを入れ、窒素気流下、70°Cまで加熱した。そこへ、上記で得たモノマーD:9.0g、アクリル酸東京化成製4.23g、V-65和光純薬製1.04g、1-メトキシ-2-プロパノール130g溶液を、2.5時間かけて滴下した。滴下終了後、更に2時間撹拌した。その後、室温まで反応溶液を冷却し、ヘキサン酢酸エチルで再沈を行い、固形物を取り出し、ポリマーE重量平均分子量1.1万を4.8g得た。得られたポリマーEの酸価を、電位差自動滴定装置京都電子工業株製、及び、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、このポリマーEの酸価は3.6mmol/gであった。得られたポリマーEをアセトンに溶解させ、IR測定機株堀場製作所製にてKBr結晶を用いて測定を行った。IR測定の結果、2240cm1付近にピークが観測されず、シアノ基がポリマーEに含まれていない事が分かった。また、酸価測定によりカルボン酸ユニットとしてアクリル酸が導入されている事が分かった。更に、重DMSOジメチルスルホキシドに溶解させ、ブルカー製300MHzのNMRAV-300にて測定を行った。重合性基含有ユニットに相当するピークが、5.9-5.7ppm1H分、5.2-5.0ppm2H分、3.8-3.7ppm2H分、2.5-0.7ppm3H分にブロードに観察され、カルボン酸基ユニットに相当するピークが2.5-0.7ppm3H分にブロードに観察され、重合性基含有ユニット:カルボン酸基ユニット=65:35mol比であることが分かった。このポリマーEをpH12.0の水溶液25°C中で10分間攪拌させた後、NMRを測定したところ、ポリマー中の結合が切断されていないことが確認され、pH12.0条件下でも加水分解しないことが確認された。ポリマーF500mLの三口フラスコに、1-メトキシ-2-プロパノール125gを入れ、窒素気流下、70°Cまで加熱した。そこへ、上記で得たモノマーD:9.0g、アクリル酸東京化成製3.28g、V-65和光純薬製0.95g、1-メトキシ-2-プロパノール125g溶液を、2.5時間かけて滴下した。滴下終了後、更に2時間撹拌した。その後、室温まで反応溶液を冷却し、ヘキサン酢酸エチルで再沈を行い、固形物を取り出し、ポリマーF重量平均分子量1.2万を5g得た。得られたポリマーFの酸価を、電位差自動滴定装置京都電子工業株製、及び、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、このポリマーFの酸価は3.0mmol/gであった。得られたポリマーFをアセトンに溶解させ、IR測定機株堀場製作所製にてKBr結晶を用いて測定を行った。IR測定の結果、2240cm1付近にピークが観測されず、シアノ基がポリマーFに含まれていない事が分かった。また、酸価測定によりカルボン酸ユニットとしてアクリル酸が導入されている事が分かった。更に、重DMSOジメチルスルホキシドに溶解させ、ブルカー製300MHzのNMRAV-300にて測定を行った。重合性基含有ユニットに相当するピークが5.9-5.7ppm1H分、5.2-5.0ppm2H分、3.8-3.7ppm2H分、2.5-0.7ppm3H分にブロードに観察され、カルボン酸基ユニットに相当するピークが2.5-0.7ppm3H分にブロードに観察され、重合性基含有ユニット:カルボン酸基ユニット=70:30mol比であることが分かった。このポリマーFをpH12.0の水溶液25°C中で10分間攪拌させた後、NMRを測定したところ、ポリマー中の結合が切断されていないことが確認され、pH12.0条件下でも加水分解しないことが確認された。ポリマーG500mLの三口フラスコに、1-メトキシ-2-プロパノール150gを入れ、窒素気流下、70°Cまで加熱した。そこへ、上記で得たモノマーD:9.0g、アクリル酸東京化成製4.45g、ジメチルアクリルアミド4.97g、V-65和光純薬製1.44g、1-メトキシ-2-プロパノール150g溶液を、2.5時間かけて滴下した。滴下終了後、更に2時間撹拌した。その後、室温まで反応溶液を冷却し、ヘキサン酢酸エチルで再沈を行い、固形物を取り出し、以下の構造式のポリマーG重量平均分子量1.5万を10g得た。得られたポリマーGの酸価を、電位差自動滴定装置京都電子工業株製、及び、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、このポリマーGの酸価は3.7mmol/gであった。得られたポリマーGをアセトンに溶解させ、IR測定機株堀場製作所製にてKBr結晶を用いて測定を行った。IR測定の結果、2240cm1付近にピークが観測されず、シアノ基がポリマーGに含まれていない事が分かった。また、酸価測定によりカルボン酸ユニットとしてアクリル酸が導入されている事が分かった。更に、重DMSOジメチルスルホキシドに溶解させ、ブルカー製300MHzのNMRAV-300にて測定を行った。重合性基含有ユニットに相当するピークが5.9-5.7ppm1H分、5.2-5.0ppm2H分、3.8-3.7ppm2H分、2.5-0.7ppm3H分にブロードに観察され、カルボン酸基ユニットに相当するピークが2.5-0.7ppm3H分にブロードに観察され、ユニットCに相当するピークが3.0-2.8ppm6H分、2.5-0.7ppm3H分にブロードに観察され、重合性基含有ユニット:カルボン酸基ユニット:ユニットC=40:35:25mol比であることが分かった。このポリマーGをpH12.0の水溶液25°C中で10分間攪拌させた後、NMRを測定したところ、ポリマー中の結合が切断されていないことが確認され、pH12.0条件下でも加水分解しないことが確認された。ポリマーH500mLの三口フラスコに、1-メトキシ-2-プロパノール140gを入れ、窒素気流下、70°Cまで加熱した。そこへ、上記で得たモノマーD:5.0g、アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸東京化成製18.5g、V-65和光純薬製1.72g、1-メトキシ-2-プロパノール140g溶液を、2.5時間かけて滴下した。滴下終了後、更に2時間撹拌した。その後、室温まで反応溶液を冷却し、ヘキサン酢酸エチルで再沈を行い、固形物を取り出し、以下の構造式のポリマーH重量平均分子量1.4万を11g得た。得られたポリマーHの酸価を、電位差自動滴定装置京都電子工業株製、及び、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、このポリマーHの酸価は3.5mmol/gであった。得られたポリマーHをアセトンに溶解させ、IR測定機株堀場製作所製にてKBr結晶を用いて測定を行った。IR測定の結果、2240cm1付近にピークが観測されず、シアノ基がポリマーHに含まれていない事が分かった。また、酸価測定によりスルホン酸ユニットとして2-メチルプロパンスルホン酸が導入されている事が分かった。更に、重DMSOジメチルスルホキシドに溶解させ、ブルカー製300MHzのNMRAV-300にて測定を行った。重合性基含有ユニットに相当するピークが5.9-5.7ppm1H分、5.2-5.0ppm2H分、3.8-3.7ppm2H分、2.5-0.7ppm3H分にブロードに観察され、スルホン酸基ユニットに相当するピークが7.8-8.1ppm1H分、2.7-3.1ppm2H分、2.5-0.7ppm9H分にブロードに観察され、重合性基含有ユニット:スルホン酸基ユニット=35:65mol比であることが分かった。このポリマーHをpH12.0の水溶液25°C中で10分間攪拌させた後、NMRを測定したところ、ポリマー中の結合が切断されていないことが確認され、pH12.0条件下でも加水分解しないことが確認された。ポリマーI200mLの三口フラスコに、ヒドロキシエチルアクリルアミド60g、アリルグリシジルエーテル20gを入れて氷浴にて冷却した。そこへ、三フッ化ホウ素エチルエーテル5gを内温20°C以下になるように調節して滴下した。その後室温に上げて24時間反応させた。反応終了後、飽和食塩水100mlで3回洗浄後、カラムクロマトグラフィーにて以下の構造式のモノマーEを精製し10g得た。500mLの三口フラスコに、1-メトキシ-2-プロパノール100gを入れ、窒素気流下、70°Cまで加熱した。そこへ、上記で得たモノマーE:5.0g、アクリル酸東京化成製5.57g、V-65和光純薬製0.81g、1-メトキシ-2-プロパノール100g溶液を、2.5時間かけて滴下した。滴下終了後、更に2時間撹拌した。その後、室温まで反応溶液を冷却し、ヘキサン酢酸エチルで再沈を行い、固形物を取り出し、以下の構造式のポリマーI重量平均分子量1.3万を6g得た。得られたポリマーIの酸価を、電位差自動滴定装置京都電子工業株製、及び、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、このポリマーIの酸価は3.60mmol/gであった。得られたポリマーIをアセトンに溶解させ、IR測定機株堀場製作所製にてKBr結晶を用いて測定を行った。IR測定の結果、2240cm1付近にピークが観測されず、シアノ基がポリマーIに含まれていない事が分かった。また、酸価測定によりカルボン酸ユニットとしてアクリル酸が導入されている事が分かった。更に、重DMSOジメチルスルホキシドに溶解させ、ブルカー製300MHzのNMRAV-300にて測定を行った。重合性基含有ユニットに相当するピークが5.9-5.7ppm1H分、5.3-5.2ppm2H分、4.1-3.9ppm2H分、3.8-3.3ppm9H分、2.5-0.7ppm3H分にブロードに観察され、カルボン酸基ユニットに相当するピークが2.5-0.7ppm3H分にブロードに観察され、重合性基含有ユニット:カルボン酸基ユニット=20:80mol比であることが分かった。このポリマーIをpH12.0の水溶液25°C中で10分間攪拌させた後、NMRを測定したところ、ポリマー中の結合が切断されていないことが確認され、pH12.0条件下でも加水分解しないことが確認された。比較ポリマー1500mLの三口フラスコに、1-メトキシ-2-プロパノール28.7gを入れ、窒素気流下、65°Cまで加熱した。そこへ、アクリロニトリル東京化成工業株製:5.9g、アクリル酸東京化成工業株製18.7g、V-65和光純薬工業株製0.74gの1-メトキシ-2-プロパノール28.7g溶液を、4時間かけて滴下した。滴下終了後、更に3時間撹拌した。その後、1-メトキシ-2-プロパノール41gを足し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、4-ヒドロキシ-TEMPO0.06g、トリエチルベンジルクロライド東京化成工業株製1.7g、グリシジルメタクリレート東京化成工業株製8.16gを加え、95°Cに加熱し4時間反応させた。反応終了後、酢酸エチルで再沈を行い、固形物を取り出し、比較ポリマー1重量平均分子量2.7万を21g得た。得られた比較ポリマー1の酸価を、合成例1と同様の手法で測定したところ、この比較ポリマー1の酸価は5.4mmol/gであった。得られた比較ポリマー1について実施例1と同様の手法でIR測定による解析を行った。IR測定の結果、2240cm1付近にピークが観測されニトリルユニットであるアクリロニトリルがポリマーに導入されている事が分かった。また、酸価測定によりカルボン酸ユニットとしてアクリル酸が導入されている事が分かった。また、重DMSOジメチルスルホキシドに溶解させ、ブルカー製300MHzのNMRAV-300にて測定を行った。ニトリル基含有ユニットに相当するピークが2.5-0.7ppm3H分にブロードに観察され、重合性基含有ユニットに相当するピークが6.1-6.0ppm1H分、5.7-5.6ppm1H分、4.2-3.95ppm4H分、3.5-3.7ppm1H分、2.5-0.7ppm6H分にブロードに観察され、カルボン酸基ユニットに相当するピークが2.5-0.7ppm3H分にブロードに観察され、重合性基含有ユニット:ニトリル基含有ユニット:カルボン酸基ユニット=21:28:51mol比であることが分かった。この比較ポリマー1をpH12.0の水溶液25°C中で20分間攪拌させた後、NMRを測定したところ、ポリマー中の結合が切断されていることが確認され、重合性基含有ユニットに相当するピークが消失していることが確認された。<実施例1>[下地絶縁基板の作製]ガラスエポキシ基板商品名:FR-4、松下電工株製上に、味の素ファインテクノ株製のエポキシ系絶縁膜GX-13、45μmを、0.2MPaの圧力で100~110°Cの条件で、真空ラミネーターを用いて加熱および加圧して接着することにより、電気的絶縁層を基板上に形成した。その後、170°Cで1時間加熱処理を行い、該電気的絶縁層の熱層化を行った。[密着補助層の形成]上記において形成された電気的絶縁層上に、下記組成の密着補助層形成用組成物を厚さ1.5μmになるようにスピンコート法で塗布し、その後、140°Cで30分間乾燥して密着補助層を形成した。密着補助層形成後の基板に対して、さらに180°Cで30分間硬化処理を実施し、基板A1を作製した。密着補助層形成用組成物ビスフェノールA型エポキシ樹脂エポキシ当量185、油化シェルエポキシ株製エピコート82825質量部以下、配合量は全て質量部で表す、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂エポキシ当量215、大日本インキ化学工業株製エピクロンN-67345部、フェノールノボラック樹脂フェノール性水酸基当量105、大日本インキ化学工業株製フェノライト30部を、エチルジグリコールアセテート20部、ソルベントナフサ20部に攪拌しながら加熱溶解させ室温まで冷却した。その後、そこへ上記エピコート828とビスフェノールSからなるフェノキシ樹脂のシクロヘキサノンワニス油化シェルエポキシ株製YL6747H30、不揮発分30質量、重量平均分子量4700030部、2-フェニル-4,5-ビスヒドロキシメチルイミダゾール0.8部、微粉砕シリカ2部、シリコン系消泡剤0.5部を添加し、さらにこの混合物中に下記の方法で合成した重合開始基を有するポリマーPを10部添加し、密着補助層形成用組成物を作製した。ポリマーPの合成300mlの三口フラスコに、プロピレングリコールモノメチルエーテルMFG30gを加え75°Cに加熱した。そこに、2ethyldimethylammoniumbromide8.1gと、2Hydroxyethylmethacrylate9.9gと、isopropylmethacrylate13.5gと、ジメチル-2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネート0.43gと、MFG30gとの溶液を2.5時間かけて滴下した。その後、反応温度を80°Cにし、更に2時間反応させ、重合開始基を有する重合開始ポリマーPを得た。[被めっき層の形成]次に、後述する被めっき層形成用組成物を、厚さ1.5μmになるように基板A1上にスピンコート法で塗布し、その後、80~120°Cで乾燥した。次に、塗布された組成物層に対して、露光機紫外線照射装置、UVX-02516S1LP01、ウシオ電機株製を用いて、波長254nmの紫外光を室温で2分間全面露光したエネルギー量:5J。全面露光後、不要な被めっき層形成用組成物を除去するために、1重曹液で基板を十分に洗浄した。これにより、基板A1と被めっき層洗浄後の厚み:1μmを有する基板A2を得た。被めっき層形成用組成物ポリマーA3.1gIrgcure29590.16g重曹2.0g水24.6g1-メトキシ-2-プロパノール12.3g[めっき触媒の付与]基板A2を、硝酸パラジウム0.1質量の水溶液液温:25°Cに10分間浸漬し、その後蒸留水で洗浄した。このときのパラジウムイオンの吸着量をICP発光分析装置株島津製作所製にて測定した所、0.10g/m2であった。[無電解めっき処理]めっき触媒金属塩付与後の基板を、以下組成の無電解めっき浴アルカリ性:pH12.5に6時間浸漬し、厚み0.4μmの無電解銅めっき層を形成した。無電解めっき浴成分硫酸銅0.35g酒石酸NaK1.75g水酸化ナトリウム0.75gホルムアルデヒド0.25g水47.8g[電解めっき処理]無電解銅めっき層が形成された基板を、以下組成の電解銅めっき浴に浸漬し、電流密度3A/dm2のもと約20分間、電解めっきを行った。電解めっき後の銅めっき層金属膜の厚みは、約18μmであった。電解めっき浴成分硫酸銅38g硫酸95g塩酸1mLカバーグリームPCMメルテックス株製3.5mL水500g[パターン形成工程]電解めっき後の基板に対して、170°Cで1時間の加熱処理を行った後、該基板表面にドライレジストフィルム日立化成株製のRY3315、膜厚30μmをラミネートした。次に、ドライレジストフィルムがラミネートされた基板に、サブトラクティブ法にてL/S=50μm/50μmの櫛形パターンが形成できるガラスマスクを密着させ、レジストの感光領域を露光した。露光後、NaHCO3水溶液を2kg/m2のスプレー圧で付与して、現像処理を行った。その後、基板を水洗乾燥し、銅めっき層上にレジストパターンを形成した。レジストパターンを形成した基板に対して、FeCl2/HCl水溶液温度37°CpH:1.5を90秒間シャワーすることにより金属膜のエッチングを行い、レジストパターンの非形成領域に存在する銅めっきを除去した。その後、NaOH4質量水溶液を2kg/m2のスプレー圧で2分付与しレジストパターンを剥離し、パターン状の金属膜を得た。[酸性溶液処理]その後、パターン状の金属膜を有する基板を塩酸水溶液pH:0.5に10分浸漬し、被めっき層中の金属成分を除去した。このときの被めっき層中のパラジウムイオンの吸着量をICP発光分析装置株島津製作所製にて測定した所、検出限界以下3mg/m2以下であった。[被めっき層除去]パターン状の金属膜配線パターンを有する基板を、プラズマエッチング装置株SAMCO製、平行平板型プラズマ処理装置、PC-1000のチャンバ内に、配線パターン形成面がプラズマ照射面に向き合うように配置した。チャンバ内を4×101Pa3×103Torrまで減圧し、酸素雰囲気下にて2分間、プラズマ処理を行った。処理後の基板表面をSEM像により断面観察したところ、配線間の被めっき層および密着補助層が除去されていることが確認された。[ソルダーレジストの貼り付け]プラズマ処理後の基板に対して、ソルダーレジストPFR800;太陽インキ製造株製を110°C、0.2MPaの条件で真空ラミネートし、中心波長365nmの露光機にて420mJの光エネルギーを照射した。次いで、基板を80°C/10分間の加熱処理を施した後、NaHCO3:10水溶液を、スプレー圧2kg/m2で基板表面に付与することで現像し、乾燥した。その後、再度、中心波長365nmの露光機にて1000mJの光エネルギーを、基板に対して照射した。最後に150°C/1hrの加熱処理を行ない、ソルダーレジストに被覆された配線基板を得た。<実施例2>ポリマーAの代わりに、ポリマーBを使用した以外は、上記実施例1と同様の手順によって、配線基板を作製した。<実施例3>ポリマーAの代わりに、ポリマーCを使用した以外は、上記実施例1と同様の手順によって、配線基板を作製した。<実施例4>ポリマーAの代わりに、ポリマーDを使用した以外は、上記実施例1と同様の手順によって、配線基板を作製した。<実施例5>上記実施例1の中の[めっき触媒の付与]の手順を以下に記載の手順に変更し、ポリマーAの代わりにポリマーDを使用した以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を得た。[めっき触媒の付与]基板A2を、硝酸パラジウム0.1質量の水溶液液温:60°Cに10分間浸漬し、その後蒸留水で洗浄した。このときの被めっき層へのパラジウムイオンの吸着量をICP発行分析装置株島津製作所製にて測定した所、0.22g/m2であった。<実施例6>上記実施例1の中の[パターン形成工程]のFeCl2/HCl水溶液を使用した金属膜のエッチング処理を以下に記載の手順に変更し、ポリマーAの代わりにポリマーDを使用した以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を得た。パターン形成工程レジストパターンを形成した基板を、Cu4Cl2水溶液温度37°CpH:8.5に浸漬することにより金属膜のエッチングを行い、レジストパターンの非形成領域に存在する銅めっきを除去した。<実施例7>ポリマーAの代わりに、ポリマーDを使用し、上記実施例1の中の密着補助層の形成工程を実施せず、下地絶縁基板の作製で作製された電気的絶縁層上を有する基板に対して被めっき層の形成の工程を実施して、電気的絶縁層上に被めっき層を作製した以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を得た。該実施例7では、密着補助層を介さずに、被めっき層が基板上に配置されている。<実施例8>ポリマーAの代わりに、ポリマーEを使用した以外は、上記実施例1と同様の手順によって、配線基板を作製した。<実施例9>ポリマーAの代わりに、ポリマーFを使用した以外は、上記実施例1と同様の手順によって、配線基板を作製した。<実施例10>ポリマーAの代わりに、ポリマーGを使用した以外は、上記実施例1と同様の手順によって、配線基板を作製した。<実施例11>ポリマーAの代わりに、ポリマーHを使用した以外は、上記実施例1と同様の手順によって、配線基板を作製した。<実施例12>ポリマーAの代わりに、ポリマーIを使用した以外は、上記実施例1と同様の手順によって、配線基板を作製した。<比較例1>ポリマーAの代わりに、比較ポリマー1を使用した以外は、上記実施例1と同様の手順によって、配線基板を作製した。<比較例2>上記[酸性溶液処理]および[被めっき層除去]を行わなかった以外は、実施例4と同様の手順に従って、配線基板を作製した。<比較例3>上記[酸性溶液処理]を行わなかった以外は、実施例4と同様の手順に従って、配線基板を作製した。<比較例4>上記[被めっき層除去]を行わなかった以外は、実施例4と同様の手順に従って、配線基板を作製した。<評価手法>絶縁性評価上記で得られたソルダーレジストに被覆された配線基板の絶縁信頼性試験は、エレクトロケミカルマイグレーション評価装置株Espec社製、エレクトロケミカルマイグレーション装置AMI及び高温高湿槽プラチナスPR-3Kを用いて行った。試験条件は、バイアス電圧35V、温湿度環境は85°C、85RH、加湿水には抵抗値13Mの蒸留水を使用し、1000時間まで評価を行なった。以下の基準に従って、評価した。結果を表1に示す。××:500時間未満までの評価において、配線基板の抵抗値が1MΩを下回った場合×:500時間以上750時間未満までの評価において、配線基板の抵抗値が1MΩを下回った場合△:750時間以上1000時間未満までの評価において、配線基板の抵抗値が1MΩを下回った場合○:1000時間まで評価を行い、配線基板の抵抗値が1MΩを下回らなかった場合プラズマエッチングレート実施例1~12および比較例1、3において実施された被めっき層除去における、被めっき層と密着補助層とを除去する際のプラズマエッチングのエッチングレートμm/分を表1にまとめて示す。上記表1中、ポリマー種類欄は、被めっき層形成用組成物中で使用されるポリマーの種類を示す。めっき触媒吸着条件欄のAは、めっき触媒の付与において使用される硝酸パラジウム0.1質量水溶液の液温が25°Cの場合、Bは硝酸パラジウム0.1質量水溶液の液温が60°Cの場合を意味する。エッチング液の種類欄のAは、パターン形成工程において使用されるエッチング液がFeCl2/HCl水溶液の場合、Bはエッチング液がCu4Cl2水溶液の場合を意味する。また、表1中、-は未実施を意味する。碁盤目剥離試験実施例1~4、8~12、比較例1で得られたレジストパターンを剥離して得られた櫛型金属配線パターンを50°CのNaOH4質量水溶液に10分間浸透後、碁盤目剥離試験JISK5600にて、剥離試験を行ない、以下の基準にて評価した。実用上、×でないことが好ましい。◎:100目中、98目以上の残存○:95目以上の残存△:91目以上の残存×:91目以下の残存それぞれの評価結果としては、実施例1および9では△、実施例2および3では○、実施例4、8、10、11および12では◎であった。一方、比較例1では、×であった。本発明で使用されるポリマーはアリル基を有しているため、加水分解されにくく、結果として金属膜の密着性が向上したもの考えられる。なお、実施例1、2および3の比較より、式A中のZがエステル基の場合、L2は単結合でないほうが、加水分解されにくいため、密着力が高かったと考えられる。上記実施例1~12、および、比較例1~4における各評価結果を以下の表1にまとめて示す。表1に示すように、本発明の製造方法より得られる積層体を使用すると、配線間の絶縁性能が優れていた。さらに、各実施例においては、被めっき層のプラズマエッチングレートが高く、本発明の製造方法の生産性が高いことが確認された。特に、実施例1~3で使用された式A中のZがエステル基であるポリマーA~Cと、実施例4で使用された式A中のZがアミド基であるポリマーDとを比較すると、Zがアミド基であるほうが、よりエッチングレートに優れることが確認された。これはアミド基を有するポリマーのほうが、硬化膜が固く、触媒が内部まで浸透しにくかったためと推測される。なお、実施例で使用されたポリマーは優れたアルカリ耐性を有しており、得られる被めっき層も同様に優れたアルカリ耐性を示した。一方、比較例1に示すように、所定の構造を有しないポリマーを使用した場合、配線間の絶縁性能およびエッチングレートに劣ると共に、金属膜自体の密着性も劣っていた。また、比較例2に示すように、酸性溶液処理およびプラズマエッチング処理を行わなかった場合、配線間の絶縁性能が著しく劣っていた。さらに、比較例3および4に示すように、酸性溶液処理またはプラズマエッチング処理を行わなかった場合、配線間の絶縁性能またはエッチングレートに劣っていた。比較例1~4において効果が劣っていた原因としては、被めっき層中に含まれる金属成分によるものと考えられる。"