電気光学物質層を挟持して対向配置された第1基板及び第2基板と、前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせるシール材と、複数の画素が配列された画素領域と、前記画素領域と前記シール材との間の外縁領域に電極を備えて設けられたイオントラップ部と、を有する電気光学装置であって、前記イオントラップ部の少なくとも一部と平面視で重なる領域に、前記電気光学物質層の厚さが前記画素領域における前記厚さよりも大きく形成された厚層部が設けられていることを特徴とする電気光学装置。前記厚層部は、前記第1基板及び前記第2基板のうちの少なくとも一方に形成された他の部位よりも板厚の薄い薄板部に設けられている、請求項1に記載の電気光学装置。前記薄板部は、前記外縁領域内に選択的に形成されている、請求項2に記載の電気光学装置。前記薄板部は、当該薄板部が形成された前記第1基板又は前記第2基板において、前記外縁領域内から基板端縁にわたって形成されている、請求項2に記載の電気光学装置。前記厚層部は、前記イオントラップ部を内包する平面領域に形成されている、請求項1から4のいずれか1項に記載の電気光学装置。前記厚層部は、前記イオントラップ部が形成された平面領域の一部にのみ形成されている、請求項1から4のいずれか1項に記載の電気光学装置。前記厚層部は、前記画素領域の角部に対応する位置に形成されている、請求項1から6のいずれか1項に記載の電気光学装置。前記厚層部は、前記シール材に設けられた電気光学物質注入口に対応する位置に形成されている、請求項1から7のいずれか1項に記載の電気光学装置。前記厚層部の少なくとも一部が、前記画素領域から前記シール材への方向において複数の領域に区画されている、請求項1から8のいずれか1項に記載の電気光学装置。前記イオントラップ部が、画像表示に用いられないダミー画素を含む、請求項1から9のいずれか1項に記載の電気光学装置。請求項1から10のいずれか1項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。しかし、特許文献1~6記載の液晶装置においても、時間の経過に伴って電極が形成された領域にイオン性不純物が蓄積し、イオン性不純物のトラップ効率が徐々に低下してしまうという問題があった。本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、イオン性不純物のトラップ効率が低下するのを抑制でき、長期的に優れた信頼性を得ることができる電気光学装置を提供することを目的の一つとする。本発明の電気光学装置は、電気光学物質層を挟持して対向配置された第1基板及び第2基板と、前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせるシール材と、複数の画素が配列された画素領域と、前記画素領域と前記シール材との間の外縁領域に電極を備えて設けられたイオントラップ部と、を有する電気光学装置であって、前記イオントラップ部の少なくとも一部と平面視で重なる領域に、前記電気光学物質層の厚さが前記画素領域における前記厚さよりも大きく形成された厚層部が設けられていることを特徴とする。この構成によれば、イオントラップ部において電気光学物質層の厚さを大きくした厚層部が設けられていることで、イオントラップ部にトラップされたイオン性不純物を、電気光学物質層の厚さ方向にも拡散させることができる。これにより、イオン性不純物が比較的多く蓄積された場合でも、基板面方向におけるイオン性不純物の拡散が抑制される。その結果、イオントラップ部から画素領域にイオン性不純物が移動して表示不具合の原因となるのを抑制することができる。前記厚層部は、前記第1基板及び前記第2基板のうちの少なくとも一方に形成された他の部位よりも板厚の薄い薄板部に設けられている構成としてもよい。この構成によれば、基板の加工により容易に厚層部を備えた電気光学装置を実現できる。前記薄板部は、前記外縁領域内に選択的に形成されている構成としてもよい。この構成によれば、シール材の形成領域に薄板部が形成されないので、画素領域における電気光学物質層の厚さの均一性を確保するための加工が不要になり、製造性に優れた電気光学装置とすることができる。前記薄板部は、当該薄板部が形成された前記第1基板又は前記第2基板において、前記外縁領域内から基板端縁にわたって形成されている構成としてもよい。この構成によれば、厚層部の平面領域を大きく確保することができるため、イオン性不純物が画素領域へ移動しないようにするために拡散させる範囲を広く確保でき、画素領域における表示不具合の発生をより確実に抑制することができる。前記厚層部は、前記イオントラップ部を内包する平面領域に形成されている構成としてもよい。この構成によれば、イオントラップ部にトラップされているイオン性不純物を電気光学物質層の厚さ方向に拡散させやすくなり、画素領域には拡散しにくくすることができる。前記厚層部は、前記イオントラップ部が形成された平面領域の一部にのみ形成されている構成としてもよい。この構成においても、厚層部が設けられた領域ではイオン性不純物を電気光学物質層の厚さ方向に拡散させることができるため、少なくとも厚層部が設けられた部位の近傍において表示不具合の発生を抑えることができる。前記厚層部は、前記画素領域の角部に対応する位置に形成されている構成としてもよい。この構成によれば、特に画素領域の角部における表示不具合の発生を効果的に抑制できる。前記厚層部は、前記シール材に設けられた電気光学物質注入口に対応する位置に形成されている構成としてもよい。この構成によれば、特に電気光学物質注入口の近傍における表示不具合の発生を効果的に抑制できる。前記厚層部の少なくとも一部が、前記画素領域から前記シール材への方向において複数の領域に区画されている構成としてもよい。この構成によれば、厚層部間でのイオン性不純物の移動を抑制することができる。前記イオントラップ部が、画像表示に用いられないダミー画素を含む構成としてもよい。本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、イオン性不純物に起因するシミやムラなどの不具合を生じにくい、信頼性に優れた電子機器を提供することができる。以下、図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の範囲は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせる場合がある。第1実施形態図1は、電気光学装置の第1実施形態である液晶装置の平面図である。図2は、図1に示すI-I線に沿う位置における液晶装置の部分断面図である。液晶装置電気光学装置100は、TFTアレイ基板第1基板10と、TFTアレイ基板10と対向配置された対向基板第2基板20と、TFTアレイ基板10と対向基板20との間に挟持された液晶層電気光学物質層50と、液晶層50の周囲を囲んで形成されるとともに一部に液晶注入口51aを有する矩形枠状のシール材51と、シール材51の液晶注入口51aを封止する封止剤52と、を備えている。TFTアレイ基板10上には、シール材51とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板20が対向配置されており、シール材51によりTFTアレイ基板10と対向基板20とが貼り合わされている。TFTアレイ基板10は、対向基板20よりも大きく、対向基板20の一端部よりも外側に張り出した張出部10aを備えている。張出部10aには、駆動ICチップ101が実装されており、また複数の外部回路接続端子102が形成された端子部が設けられている。シール材51は、TFTアレイ基板10と対向基板20との対向領域の周縁部に沿って設けられている。液晶注入口51aは、シール材51の4つの辺のうち張出部10aに面する辺に設けられている。封止剤52は、対向基板20の端面に沿って、張出部10aの液晶注入口51a近傍の位置に塗布されている。シール材51と封止剤52とが液晶層50の周囲を囲み、液晶層50をTFTアレイ基板10と対向基板20との間に封止している。シール材51に囲まれた領域の中央部には、複数の画素PXがマトリクス状に配置されてなる矩形の画素領域1Aが設けられている。画素領域1Aとシール材51との間の矩形枠状の領域は、画素が形成されていない周辺領域外縁領域1Bである。シール材51の外側における対向基板20の角部には、TFTアレイ基板10と対向基板20とを電気的に接続するための銀点等を有する基板間導通部106が設けられている。画素領域1Aとシール材51との間に、液晶層50の内部に電界を発生させて液晶層50中のイオン性不純物をトラップするイオントラップ部60が設けられている。イオントラップ部60は、図2に示すように、TFTアレイ基板10の基板本体10A上に形成されたトラップ電極61を備えている。イオントラップ部60では、トラップ電極61と共通電極21図2参照との間に発生する液晶層厚方向の電界によって液晶層50中のイオン性不純物をトラップする。イオントラップ部60は、画素領域1Aを取り囲んで配置されている。図1では、画素領域1Aから周辺領域1Bに向かって拡散するイオン性不純物と、シール材51から溶出し、画素領域1Aに向けて侵入するイオン性不純物を漏れなくトラップするために、イオントラップ部60は、全体として、画素領域1Aの外周に沿って閉じた枠状に形成されている。トラップ電極61は、画素領域1Aを取り囲む矩形枠状の電極である。トラップ電極61は、シール材51を跨いで延びる引き出し線63、64を介して駆動ICチップ101に接続されている。本実施形態の液晶装置100では、イオントラップ部60は、対向基板20を部分的に薄型化した薄板部20aの平面領域内に設けられている。薄板部20aは、対向基板20の周縁に沿って設けられている。薄板部20aと対向基板20の厚い部分との境界を形成する段差部20dは、画素領域1Aの外周縁とイオントラップ部60との間に位置している。TFTアレイ基板10は、図2に示すように、ガラスや石英などの透明基板あるいはシリコンなどの不透明基板からなる基板本体10A上に、画素電極13を駆動する図示略の駆動素子や電極を形成した素子基板である。基板本体10A上には、上記の駆動素子と接続された配線11等が形成されており、駆動素子や配線11等を覆う絶縁膜12が形成されている。絶縁膜12上には、トラップ電極61と、複数の画素電極13とが形成されている。トラップ電極61と複数の画素電極13とを覆って配向膜14が形成されている。画素電極13は、液晶装置100を透過型の液晶装置として構成する場合には、例えばITOインジウム錫酸化物等の透明導電材料を用いて形成され、反射型液晶装置として構成する場合には、例えばアルミニウム等の光反射性の金属を用いて形成される。配向膜14は、ポリイミド等の有機配向膜、あるいはシリコン酸化膜等の無機配向膜からなる。配向膜14は、シール材51の内側液晶層50側の領域にのみ形成されていてもよい。対向基板20は、ガラスや石英などの透明基材上に遮光膜BMを形成してなる基板本体20Aを備えている。本実施形態の遮光膜BMは、画素PXを平面的に区画するブラックマトリクスとしての遮光膜と、画素領域1Aの周囲を縁取る周辺見切りとしての遮光膜を含むものである。基板本体20Aの液晶層50側の面には、基板本体20Aのほぼ全面を覆う共通電極21と、共通電極21を覆う配向膜22とが形成されている。共通電極21は、例えばITO等の透明導電膜からなる。本実施形態の場合、イオントラップ部60のトラップ電極61と対向する対向基板20上の領域にも共通電極21が形成されている。配向膜22は、ポリイミド等の有機配向膜、あるいはシリコン酸化膜等の無機配向膜からなる。共通電極21及び配向膜22は、シール材51の内側液晶層50側の領域にのみ形成されていてもよい。本実施形態に係る基板本体20Aは、その周縁部に、薄型化加工を施された薄板部20aを有している。そのため、画素電極13が形成された画素領域1Aの外周に沿って、段差部20dが形成されている。本実施形態の場合、段差部20dは基板本体20Aの板厚方向に対して45°程度の角度を成す斜面である。そのため、遮光膜BM、共通電極21、及び配向膜22は、段差部20dの斜面に沿って形成されており、これらの構成部材は段差部20d上を経由して連続している。液晶層50は、TFTアレイ基板10と対向基板20とシール材51とに囲まれた領域に封入されている。本実施形態の液晶装置100では、対向基板20に薄板部20aが形成されていることにより、液晶層50の厚さが部位により異なっている。具体的には、画素領域1Aにおける液晶層厚Gcに対して、薄板部20aにおける液晶層厚が大きく形成されている。この液晶層厚が大きく形成された領域が、本実施形態における厚層部70である。例えば、画素領域1Aの液晶層厚Gcが2~3μm程度であるのに対して、厚層部70内のトラップ電極61上における液晶層厚Gは100μm程度であり、30~50倍程度の液晶層厚とされる。液晶層50は、画素電極13と共通電極21との間に発生する液晶層厚方向の電界縦電界によって駆動される縦電界方式の液晶層である。縦電界方式としては、VAVerticalAlignment方式が代表的であるが、OCBOpticallyCompensatedBirefringence方式やTNTwistedNematic方式などの他の方式でもよい。なお、本実施形態では、共通電極21が対向基板20側に設けられた縦電界方式で液晶層50を駆動しているが、共通電極21として機能する電極をTFTアレイ基板10側に設け、この電極と画素電極13との間に発生する基板面方向の電界横電界;液晶層の厚さ方向と概ね直交する方向の電界によって液晶層50を駆動してもよい。このような駆動方式は、横電界方式と呼ばれる。横電界方式としては、IPSInPlaneSwitching方式やFFSFringeFieldSwitching方式が代表的であるが、FFS方式は焼きつきが発生し易いため、IPS方式などのFFS方式以外の駆動方式が好ましい。液晶装置100では、画像表示前、画像表示中、または画像表示後に、トラップ電極61に電圧を印加し、トラップ電極61と共通電極21との間に発生させた電界を液晶層50に作用させることにより液晶層50中のイオン性不純物をトラップする。これにより、画素領域1Aで発生したイオン性不純物や、シール材51や封止剤52から溶出したイオン性不純物を周辺領域1Bに固定することができる。その結果、イオン性不純物が画素領域1A内の配向膜14等に吸着することによって生じる焼きつきなどの表示不良が少ない液晶装置とすることができる。トラップ電極61及び共通電極21に印加する電圧は、トラップするイオン性不純物の極性に応じて設定すればよい。例えば、トラップ電極61に-5V、共通電極21に0Vを印加した場合、イオントラップ部60には全体として負の直流電圧が印加されるため、液晶層50中の正電荷を有するイオン性不純物を効果的にトラップすることができる。一方、トラップ電極61に5V、共通電極21に0Vを印加すれば、イオントラップ部60に正の直流電圧が印加されるため、負電荷を有するイオン性不純物を効果的にトラップすることができる。本実施形態の液晶装置100では、対向基板20の薄板部20aによって形成された厚層部70を有していることで、イオントラップ部60における経時的なトラップ効率の低下を抑制することができる。例えば、トラップ電極61に-5V、共通電極21に0Vを印加してイオントラップ部60を動作させてイオン性不純物をトラップすると、作動時間の経過に伴ってトラップ電極61上に正電荷のイオン性不純物が蓄積していく。液晶層50中で局所的にイオン性不純物の濃度が高くなると、周囲との濃度差が熱的拡散の駆動力となるため、イオントラップ部60にイオン性不純物が蓄積されると、トラップしたイオン性不純物が画素領域1A側へ再拡散しやすくなる。そして、画素領域1Aに拡散したイオン性不純物が配向膜14等に吸着すると、焼き付きなどの表示不良が生じやすくなる。そこで本実施形態の液晶装置100では、イオントラップ部60の形成領域に対応して液晶層厚の大きい厚層部70を設けた。これにより、イオントラップ部60における液晶の量を画素領域1Aに対して大きく増加させることができる。かかるイオントラップ部60では、トラップ電極61に吸着されたイオン性不純物が液晶層50の厚さ方向にも拡散するので、イオン性不純物の濃度上昇が抑制される。その結果、濃度勾配によるイオン性不純物の基板面方向への拡散速度を遅くすることができ、画素領域1Aへのイオン性不純物の再拡散を抑制することができる。以上により、長期間にわたって表示不良の発生を抑えることができ、優れた信頼性を得ることができる。本実施形態の液晶装置100において、薄板部20aの内周端の段差部20dは、画素領域1Aの最外周に位置する画素電極13と、トラップ電極61との間に形成されている。本実施形態において、段差部20dの段差高さが100μm、段差部20dの斜面角度が45°であるとすると、段差部20dの幅Wは100μmとなる。この場合には、画素領域1Aの外周端からトラップ電極61までの幅Woを150μm以上とすることが好ましく、200μm以上とすることがより好ましい。幅Woが150μm以上確保されていれば、組みズレが生じた場合でも画素電極13又はトラップ電極61上に段差部20dが配置されにくくなり、幅Woを200μm以上とすれば、より確実に段差部20dを画素電極13とトラップ電極61との間に配置することができる。これにより、画素領域1Aにおける表示不良の発生を防止できる。また、トラップ電極61上における液晶層厚Gを最大厚さとすることができ、イオン性不純物の液晶層厚方向の拡散領域を大きく確保することができる。なお、イオントラップ部60における液晶層厚が、画素領域1Aにおける液晶層厚Gcよりも大きければ、液晶層厚方向へのイオン性不純物の拡散を促進する作用が得られるため、トラップ電極61と段差部20dとが平面視で部分的又は全体的に重なっていてもよい。本実施形態において、厚層部70には、遮光膜BMが形成されていることが好ましい。厚層部70では、液晶層厚が画素領域1Aと異なっており、またイオントラップ部60の電界の作用により液晶が駆動される。さらに、段差部20dにおける液晶の配向乱れも生じる。したがって、これらに起因する漏れ光によるコントラスト低下を防止するために、少なくとも厚層部70を覆う領域に遮光膜BMを形成するとよい。なお、本実施形態では、イオントラップ部60として、トラップ電極61と共通電極21との間に形成される電界によってイオン性不純物をトラップする縦電界方式のものについて説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、イオントラップ部60に横電界方式を採用してもよい。横電界方式の場合には、TFTアレイ基板10又は対向基板20のいずれか一方の液晶層50側の面に、一対の電極を形成し、これら一対の電極間に電圧を印加することで基板面方向の電界を形成し、かかる電界によりイオン性不純物をトラップする。また本実施形態では、イオントラップ部60の電界を規定するための電圧が印加されるトラップ電極61をTFTアレイ基板10に形成している。これにより、トラップ電極61に接続されるスイッチング素子等を画素PXの形成工程で同時に形成することができるため、イオントラップ部60を形成するためのコストを抑えることができる。なお、トラップ電極61を対向基板20に形成することも可能であるが、この場合にはTFTアレイ基板10上のスイッチング素子とトラップ電極61を接続するために、共通電極21用の基板間導通部106とは別の基板間導通部を設ける必要があるため、プロセス上のコストが増加してしまう。また本実施形態では、厚層部70を対向基板20に薄板部20aを設けることによって形成しているが、TFTアレイ基板10に上記薄板部を形成してもよい。ただし、TFTアレイ基板10上にはトラップ電極61をパターン形成する必要があり、しかも複数の電気配線が形成される。そのため、TFTアレイ基板10に大きな段差があると、電極のパターニングが困難になったり、段差を跨ぐ電気配線が断線しやすくなるおそれがある。一方、本実施形態のように対向基板20に薄板部20aを形成する場合には、共通電極21や配向膜22のパターニングはほぼ不要であり、細い配線もないため、上記した不具合が生じにくく、歩留まりの低下を回避しやすい。また本実施形態では、段差部20dよりも外側の厚層部70における液晶層厚が一定である場合について説明したが、厚層部70が液晶層厚の異なる複数の部位を有する構成としてもよい。図3は、第1実施形態の変形例を示す説明図である。図3に示す液晶装置100の厚層部70では、イオントラップ部60のトラップ電極61上の液晶層厚Gと、イオントラップ部60よりも外側の外側領域65における液晶層厚Gfとが異なっている。図示の例では、イオントラップ部60における液晶層厚Gが外側領域65における液晶層厚Gfよりも大きい。液晶層厚G、Gfの差異は基板本体20Aの薄型加工により実現されている。すなわち、薄板部20aにおいて、イオントラップ部60に対応する部位では、基板本体20Aがより薄く加工され、外側領域65に対応する部位は、イオントラップ部60に対応する部位よりも厚い状態に薄型化加工されている。例えば、基板本体20Aの元の厚さ画素領域1Aにおける板厚が1.1mmである場合に、イオントラップ部60に対応する部位は1mm厚さに薄型化加工される一方、外側領域65に対応する部位では1.05mm厚さに薄型化加工される。以上に説明した変形例の構成によれば、図2に示した液晶装置100と比較して対向基板20の外周部の板厚が大きくなるので、対向基板20の強度を確保しやすくなる。その一方で、外側領域65における液晶層厚は小さくなるので、イオン性不純物の濃度上昇を抑える効果は小さくなる。しかし、外側領域65における液晶層厚Gf52~53μmは、画素領域1Aにおける液晶層厚Gc2~3μmの20倍以上であるため、イオントラップ部60に蓄積したイオン性不純物は画素領域1Aよりも外側領域65の方へ拡散しやすい。よって変形例の構成においても、画素領域1Aにイオン性不純物が吸着することによる表示不具合を効果的に抑制することが可能である。第2実施形態次に、図4及び図5を参照して第2実施形態の液晶装置について説明する。図4は、第2実施形態の液晶装置の平面図である。図5は、図4に示すII-II線に沿う位置における液晶装置の断面図である。なお、以下の各実施形態において、それより前の実施形態と共通する構成要素については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。本実施形態の液晶装置電気光学装置200は、その基本構成において第1実施形態の液晶装置100と共通しており、対向基板20における薄板部の形成領域が異なる構成である。すなわち、液晶装置200では、図4及び図5に示すに示すように、画素領域1Aを取り囲んで形成されたイオントラップ部60に沿って、平面視矩形枠状の薄板部20bが形成されている。より詳しくは、基板本体20Aの液晶層50側の面に溝状の凹部が形成されることにより、基板本体20Aが部分的に薄型化されており、かかる凹部の内面を含む基板本体20Aの液晶層50側の面に共通電極21及び配向膜22が形成されている。上記構成の対向基板20とTFTアレイ基板10とがシール材51を介して貼り合わされ、対向基板20とTFTアレイ基板10との間に液晶が封入されることにより液晶装置200が構成されている。対向基板20の薄板部20bはTFTアレイ基板10上のトラップ電極61と対向して配置されている。これにより、トラップ電極61上に、画素領域1Aにおける液晶層厚Gcよりも大きい液晶層厚Gを有する厚層部71が形成されている。厚層部71における液晶層厚Gは例えば100μm程度であり、画素領域1Aにおける液晶層厚Gc2~3μmの20~30倍程度とされる。以上の構成を備えた本実施形態の液晶装置200によれば、イオントラップ部60に対応する平面領域に厚層部71が形成されているので、イオントラップ部60に蓄積したイオン性不純物の拡散領域を液晶層厚方向にも確保することができる。したがって、蓄積したイオン性不純物が基板面方向に拡散するのを抑制することができ、その結果、画素領域1Aにイオン性不純物が再拡散して吸着することによる表示不具合の発生を効果的に抑制することができる。本実施形態の液晶装置200では、基板本体20Aの表面に溝加工を施すことにより薄板部20bを形成することができ、シール材51を介して貼り合わされる基板周縁部に対して加工を施す必要がない。そのため、第1実施形態の液晶装置100と比較して製造性に優れ、安価に製造することが可能である。これは以下の理由による。まず、第1実施形態の液晶装置100では、基板本体20Aの外周部を全体的に薄型化し、シール材51が形成される領域も加工する。そのため、セルギャップ画素領域1Aにおける液晶層厚Gcの均一性を確保するには、薄型化加工の工程でシール材51が形成される領域において十分な平坦性を得る必要がある。また加工によって薄板部20aの板厚が変化すると、セルギャップを一定に保つためにシール材51の高さを変えなければならなくなる。これに対して、第2実施形態の液晶装置200では、シール材51が形成される領域には薄型化加工を施さないため、基板本体20Aの製造時の研磨工程で得られた平坦性が損なわれることがない。また、薄型化加工により形成される溝の内面においても平坦性はほとんど要求されないため、簡便な加工方法を用いることができる。よって、第2実施形態の液晶装置200の構成を採用することで、液晶装置の製造性を大きく向上させることができる。本実施形態の液晶装置200において、厚層部71の幅延在方向と直交する方向における長さは、イオントラップ部60トラップ電極61の幅よりも大きくすることが好ましい。これにより、トラップ電極61上の領域全体で、画素領域1Aよりも液晶層厚を大きくすることができるので、イオン性不純物の濃度上昇を抑え、画素領域1Aへの再拡散を抑制することができる。ただし、厚層部71の幅は上記に限定されるものではなく、イオントラップ部60の少なくとも一部と重なる平面領域に厚層部71が配置されていればよい。したがって、厚層部71の幅をイオントラップ部60よりも狭くしても、広くしてもよい。厚層部71の幅を大きくするほどイオン性不純物の再拡散を防止する効果は大きくなるが、基板サイズが一定であれば、薄板部20bと、画素領域1A、シール材51との距離が狭くなり、組みズレに対するマージンが小さくなる。なお、本実施形態の液晶装置200では、薄板部20bに形成された凹部が断面台形状であるとしたが、かかる凹部の形状は特に限定されず、種々の形状を採用することができる。図6は、第2実施形態の変形例を示す図である。薄板部20bにおける凹部の断面形状は、図6aに示すような断面三角形状であってもよく、図6bに示すような断面半円形状半楕円形状であってもよい。第3実施形態次に、図7を参照して第3実施形態の液晶装置について説明する。図7は、第3実施形態の液晶装置の平面図である。本実施形態の液晶装置電気光学装置300では、図7に示すように、画素領域1Aを取り囲んで形成されたイオントラップ部60上の領域のうち、一部の領域にのみ対応して厚層部72、73、74が形成されている。厚層部72~74は、その液晶層厚が、少なくとも画素領域1Aの液晶層厚よりも大きくされた部位である。厚層部72~74における対向基板20の基板本体20Aには、先の第2実施形態と同様に、溝状の凹部が形成され、板厚が部分的に薄くされた薄板部20bが形成されている。本実施形態の液晶装置300では、TFTアレイ基板10の配向膜14表面における液晶分子の配向方向Dが、図示のように画素領域1Aの対角線方向に設定されている。そして、平面視でL形の厚層部72、73は、配向方向Dの延長上に位置するイオントラップ部60の角部に対応して形成されている。配向方向Dが、図示のように設定されている場合、画素領域1Aで発生するイオン性不純物は、配向方向Dに沿って移動しやすくなる。そのため、概ね配向方向Dに沿った方向に位置する画素領域1Aの2つの角部にイオン性不純物が堆積しやすい例えば特開平4-86812号公報参照。そして、上記2つの角部では、画素領域1Aの対角線上で発生したイオン性不純物が堆積するため、その堆積量も多くなり、イオントラップ部60の他の部位と比較してイオン性不純物の濃度が上昇しやすい。そこで本実施形態では、配向方向Dに沿った方向の角部に厚層部72、73を設けている。これにより、角部に蓄積したイオン性不純物をイオントラップ部60上で液晶層厚方向に拡散させることができ、画素領域1Aへ再拡散するのを抑制することができる。また本実施形態の液晶装置300では、シール材51の液晶注入口51aに設けられた封止剤52の位置に、厚層部74が設けられている。封止剤52は、液晶注入後に塗布されて硬化されるため、液晶注入前に硬化されるシール材51と比較してイオン性不純物が溶出しやすい。そのため、封止剤52近傍のイオントラップ部60にはイオン性不純物が蓄積しやすく、濃度が上昇しやすい。そこで本実施形態では、封止剤52に対応する位置のイオントラップ部60上に厚層部74を設けている。これにより、封止剤52の近傍に位置するイオントラップ部60に蓄積したイオン性不純物をイオントラップ部60上で液晶層厚方向に拡散させることができ、画素領域1Aへ再拡散するのを抑制することができる。なお、本実施形態では、画素領域1Aの特定の角部と、封止剤52の両方に対応して厚層部72~74を設けた構成について説明したが、厚層部72、73のみを設けた構成としてもよいし、厚層部74のみを設けた構成としてもよいのはもちろんである。また厚層部72、73についても、画素領域1Aのいずれか一方の角部においてのみイオン性不純物が蓄積しやすい場合には、その蓄積量の多い角部に対応するイオントラップ部60上にのみ厚層部を形成すればよい。第4実施形態次に、図8及び図9を参照して第4実施形態の液晶装置について説明する。図8は、第4実施形態の液晶装置の平面図である。図9は、図8のIII-III線に沿う位置における液晶装置の断面図である。本実施形態の液晶装置電気光学装置400では、図8に示すように、画素領域1Aを取り囲んで形成されたイオントラップ部60が、周辺領域1Bの内周側に形成された平面視矩形枠状の第1のイオントラップ部60Aと、第1のイオントラップ部60Aを取り囲む矩形枠状に形成された第2のイオントラップ部60Bと、を備えている。そして、第1のイオントラップ部60Aと平面視で重なる領域には、第1のイオントラップ部60Aに沿って第1の厚層部70Aが形成され、第2のイオントラップ部60Bと平面視で重なる領域には、第2のイオントラップ部60Bに沿って第2の厚層部70Bが形成されている。第1の厚層部70A及び第2の厚層部70Bは、それらの液晶層厚が、少なくとも画素領域1Aの液晶層厚よりも大きくされた部位である。図9に示すように、TFTアレイ基板10上に、第1のトラップ電極61と、第2のトラップ電極62とが形成されており、これらと対向する位置の対向基板20にそれぞれ薄板部20bが形成されている。それぞれの薄板部20bでは、基板本体20Aの液晶層50側の面に溝状の凹部が形成されている。かかる凹部に液晶が入り込むことにより、第1の厚層部70A、第2の厚層部70Bにおける液晶層厚が、画素領域1Aにおける液晶層厚よりも大きくされている。以上の構成を備えた本実施形態の液晶装置400によれば、第1のイオントラップ部60Aと第2のイオントラップ部60Bをそれぞれ独立して動作させることができるため、例えば、第1のイオントラップ部60Aにおいて正電荷を有するイオン性不純物画素領域1Aから移動してくるイオン性不純物をトラップし、第2のイオントラップ部60Bにおいて負電荷を有するイオン性不純物シール材51、封止剤52から移動してくるイオン性不純物をトラップする、といった動作が可能である。また、第1の厚層部70Aと第2の厚層部70Bが互いに独立して設けられているため、第1の厚層部70Aと第2の厚層部70Bとの間に、相対的に液晶層厚が薄い薄層部75が存在する。本実施形態の場合、薄層部75の液晶層厚は画素領域1Aにおける液晶層厚Gcとほぼ同一であるが、第1の厚層部70A、第2の厚層部70Bと比較すると著しく小さいため、イオン性不純物は比較的通りにくくなる。かかる構成は、第1のイオントラップ部60Aと第2のイオントラップ部60Bとが互いに異なるイオン性不純物をトラップするものである場合に、異なる種類のイオン性不純物がイオントラップ部間を移動しにくくなるため、イオン性不純物の拡散を抑制する点で有効である。第5実施形態次に、図10から図12を参照して第5実施形態の液晶装置について説明する。図10は、第5実施形態の液晶装置の平面図である。図11は、図10のIV-IV線に沿う位置における液晶装置の断面図である。本実施形態の液晶装置電気光学装置500は、図10に示すように、画素領域1Aを取り囲む矩形枠状のイオントラップ部60を備えている。本実施形態のイオントラップ部60は、矩形枠状のトラップ電極61Aと、トラップ電極61Aを取り囲む矩形枠状のトラップ電極61Bとを有する。2つの矩形枠状のトラップ電極61A、トラップ電極61Bは、画素領域1Aを二重枠状に取り囲んでいる。また、イオントラップ部60は、画素領域1Aの外側に形成された厚層部70の平面領域内に位置する。厚層部70は、それらの液晶層厚が、少なくとも画素領域1Aにおける液晶層厚よりも大きくされた部位である。図11に示すように、TFTアレイ基板10上に、トラップ電極61Aと、トラップ電極61Bとが形成されている。一方、対向基板20には、画素領域1Aの外側の領域に薄板部20aが形成されている。薄板部20aは、基板本体20Aの液晶層50側の面の外周部分を薄型化することにより形成されている。薄板部20aと対向基板20の厚い部分との境界を形成する段差部20dは、画素領域1Aの外周縁とイオントラップ部60との間に位置している。そして、基板面方向図示左右方向における段差部20dとシール材51との間のスペースに液晶が入り込むことにより、厚層部70における液晶層厚Gが、画素領域1Aにおける液晶層厚Gcよりも大きくされている。本実施形態の場合、対向基板20の共通電極21は、画素領域1Aに対応する平面領域に形成されており、画素領域1Aの外側の周辺領域1B、並びにシール材51の形成領域には形成されていない。上記構成を備えた本実施形態の液晶装置500では、イオントラップ部60を構成する2つのトラップ電極61Aとトラップ電極61Bとの間に電圧を印加することで、液晶層50中に横方向の電界液晶層50の厚さ方向と交差する方向の電界を発生させ、かかる電界によりイオン性不純物をトラップする。すなわち本実施形態のイオントラップ部60は、横電界方式のイオントラップ部である。イオントラップ部60において、例えば、トラップ電極61Aに0V、トラップ電極61Bに-5Vの電圧を印加することで、正電荷を有するイオン性不純物をトラップすることができる。また、トラップ電極61Aに0V、トラップ電極61Bに5Vの電圧を印加すれば、負電荷を有するイオン性不純物をトラップすることができる。本実施形態においても、イオントラップ部60が形成された領域の液晶層厚が、画素領域1Aにおける液晶層厚よりも大きく形成されているので、イオントラップ部60におけるイオン性不純物の濃度上昇を緩和することができ、画素領域1Aへのイオン性不純物の再拡散を抑制することができる。これにより、長期間にわたって表示不良の発生を抑えることができ、優れた信頼性を得ることができる。なお、本実施形態では、トラップ電極61A、61Bの両方が厚層部70内に形成されていることとしたが、かかる構成に限定されるものではない。トラップ電極61A、61Bが形成されている平面領域のうち少なくとも一部の領域に厚層部70が形成されていれば、イオン性不純物の濃度上昇を緩和する効果を得ることができる。したがって例えば、厚層部70が外周側のトラップ電極61B上にのみ形成されている構成としてもよい。上記の第5実施形態では、対向基板20の外周部に、基板端部まで延びる薄板部20aを形成した場合について説明したが、本実施形態において先の第2実施形態と同様の構成を採用してもよい。図12は、第2実施形態と同様の構成を適用した場合の液晶装置500の部分断面図である。図12に示すように、基板本体20Aの液晶層50側の面のうち、イオントラップ部60トラップ電極61A、61Bと対向する領域に、選択的に薄板部20bが形成されている。薄板部20bは、図4と同様に平面視矩形枠状に形成された溝状の凹部である。そして、薄板部20bによって形成された対向基板20上の凹部に液晶が入り込むことにより、厚層部71が形成されている。図12に示す構成においても、イオントラップ部60上の液晶層厚Gが、画素領域1Aの液晶層厚Gcよりも大きく形成されていることで、先の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。また、先の第2実施形態と同様に、製造性に優れた液晶装置とすることができる。図12に示す構成において、厚層部71はイオントラップ部60の少なくとも一部と重なるように形成されていればよい。例えば、トラップ電極61A上にのみ厚層部71が形成されている構成としてもよく、トラップ電極61B上にのみ厚層部71が形成されている構成としてもよい。第6実施形態次に、図13から図15を参照して第6実施形態の液晶装置について説明する。図13は、第6実施形態の液晶装置の平面図である。図14は、図13のV-V線に沿う位置における液晶装置の断面図である。本実施形態の液晶装置電気光学装置600は、図13に示すように、画素領域1Aを取り囲んで形成されたイオントラップ部60を備えている。本実施形態のイオントラップ部60は、画素領域1Aを取り囲む矩形枠状に配列された複数のダミー画素DMと、複数のダミー画素DMを取り囲む矩形枠状のトラップ電極61とを有する。すなわち、複数のダミー画素DMとトラップ電極61とが画素領域1Aを二重枠状に取り囲んだ構成である。イオントラップ部60のうち、トラップ電極61は、画素領域1Aの外側に形成された厚層部70の平面領域内に位置する。厚層部70は、それらの液晶層厚が、少なくとも画素領域1Aにおける液晶層厚よりも大きくされた部位である。図14に示すように、TFTアレイ基板10上に、複数の画素電極13が形成されており、画素領域1Aの最外周に位置する画素電極13と隣り合う位置に、ダミー画素DMを構成するダミー画素電極13Dが形成されている。さらに、ダミー画素電極13Dの外側画素領域1Aと反対側に、トラップ電極61が形成されている。対向基板20には、画素領域1Aよりも外側の領域に薄板部20aが形成されている。薄板部20aは、基板本体20Aの液晶層50側の面の外周部分を薄型化することにより形成されている。薄板部20aと対向基板20の厚い部分との境界を形成する段差部20dは、ダミー画素電極13Dと、トラップ電極61との間に位置している。そして、基板面方向図示左右方向における段差部20dとシール材51との間のスペースに液晶が入り込むことにより、厚層部70における液晶層厚Gが、画素領域1Aにおける液晶層厚Gcよりも大きくされている。本実施形態の場合、対向基板20の共通電極21は、画素領域1Aの平面領域と、その外側のダミー画素電極13Dの平面領域とに対応して形成されており、段差部20dから外側の領域のトラップ電極61上の領域やシール材51の形成領域には形成されていない。一方、遮光膜BMは、ダミー画素電極13Dの形成領域から外側の領域に形成され、イオントラップ部60を遮光している。上記構成を備えた本実施形態の液晶装置500では、イオントラップ部60を構成するダミー画素DMとトラップ電極61との間に電圧を印加することで、液晶層50中に電界を発生させ、かかる電界によりイオン性不純物をトラップする。イオントラップ部60において、例えば、ダミー画素電極13Dに0V、トラップ電極61に-5Vの電圧を印加することで、正電荷を有するイオン性不純物をトラップすることができる。また、ダミー画素電極13Dに0V、トラップ電極61に5Vの電圧を印加すれば、負電荷を有するイオン性不純物をトラップすることができる。本実施形態の場合、ダミー画素DMは、ダミー画素電極13Dと、ダミー画素電極13Dと対向する共通電極21とを備えている。そのため、例えばトラップ電極61に-5Vの電圧を印加し、ダミー画素電極13D及び共通電極21に0Vの電圧を印加すると、トラップ電極61とダミー画素電極13Dとの間に概ね横方向基板面方向の電界が発生するとともに、トラップ電極61と共通電極21との間に概ね縦方向液晶層50の厚さ方向の電界が発生する。本実施形態においても、トラップ電極61が形成された領域の液晶層厚が、画素領域1Aにおける液晶層厚よりも大きく形成されているので、イオントラップ部60におけるイオン性不純物の濃度上昇を緩和することができ、画素領域1Aへのイオン性不純物の再拡散を抑制することができる。これにより、長期間にわたって表示不良の発生を抑えることができ、優れた信頼性を得ることができる。本実施形態では、イオントラップ部60のうちのトラップ電極61のみが厚層部70内に配置されている場合について説明したが、ダミー画素DMとトラップ電極61の両方が厚層部70内に配置された構成としてもよい。このような配置とすれば、イオントラップ部60におけるイオン性不純物の濃度上昇をより効果的に抑制することができる。上記の第6実施形態では、対向基板20の外周部に、基板端部まで延びる薄板部20aを形成した場合について説明したが、本実施形態において先の第2実施形態と同様の構成を採用してもよい。図15は、第2実施形態と同様の構成を適用した場合の液晶装置600の部分断面図である。図15に示すように、基板本体20Aの液晶層50側の面のうち、トラップ電極61と対向する領域に、選択的に薄板部20bが形成されている。薄板部20bは、図4と同様に平面視矩形枠状に形成された溝状の凹部である。そして、薄板部20bによって形成された対向基板20上の凹部に液晶が入り込むことにより、厚層部71が形成されている。図15に示す構成においても、イオントラップ部60を構成するトラップ電極61上の液晶層厚Gが、画素領域1Aの液晶層厚Gcよりも大きく形成されていることで、先の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。また、先の第2実施形態と同様に、製造性に優れた液晶装置とすることができる。図15に示す構成では、トラップ電極61のみが厚層部71に配置されていることとしたが、イオントラップ部60の全体ダミー画素DM、トラップ電極61が厚層部71に配置されていてもよい。あるいは、ダミー画素DMのみが厚層部71に配置されている構成としてもよい。イオントラップ部における電界について図16は、図14に示した第6実施形態に係る液晶装置のシミュレーション結果を示す図である。図17は、図12に示した第5実施形態の変形例に係る構成を備えた液晶装置のシミュレーション結果を示す図である。図18は、厚層部を形成していない液晶装置のシミュレーション結果を示す図である。図16~図18に結果を示すシミュレーションは、いずれも、セルギャップ:2μm、段差部20dの高さ:1μmの条件で行った。図16に示すシミュレーションでは、トラップ電極61への印加電圧:3.7V、ダミー画素電極13D及び共通電極21への印加電圧:0Vの条件とした。図17及び図18に示すシミュレーションでは、トラップ電極61Aへの印加電圧:3.7V、トラップ電極61Bへの印加電圧:0Vの条件とした。図16~図18に点線で示した曲線が等電位線である。図16に示すように、第5実施形態に対応する構成では、トラップ電極61に電圧を印加することで、トラップ電極61とダミー画素電極13Dとの間に横方向基板面方向の電界が形成されるとともに、ダミー画素電極13Dと対向配置された共通電極21との間に液晶層50の厚さ方向に沿った縦方向の電界が形成される。また、図17及び図18に示すように、TFTアレイ基板10上にトラップ電極61A、61Bが形成されている場合には、トラップ電極61A、61B間に基板面方向の電界が形成される。イオントラップ部においては、図16~図18に示すように、液晶層50の厚さ方向にわたって等電位線等電位面が形成されているとよい。電荷を有するイオン性不純物が等電位面内を移動している場合には、電界からイオン性不純物に対してその移動方向を変化させる力を作用させることができないが、等電位面を横切るように移動するイオン性不純物に対しては効率良く力を作用させることができるからである。つまり、液晶層50の厚さ方向にわたって等電位面が形成されていれば、画素領域1Aと周辺領域1Bとの間を移動するイオン性不純物は必ず等電位面を横切るものとなるので、効率良く移動方向を変化させ、トラップ電極に吸着させることができる。電子機器次に、上記実施形態の液晶装置を適用した電子機器について説明する。図19は、電子機器の一実施の形態であるプロジェクターを示す図である。図19aは、透過型ライトバルブを用いたプロジェクターを示す図である。プロジェクター110は、観察者の前方に配置されたスクリーン111に光を照射し、スクリーン111に映像を投影する投射型表示装置である。プロジェクター110は、光源112を備えた光源部130と、ダイクロイックミラー113、114と、液晶ライトバルブ115~117液晶装置100、200、300、400と、投射光学系118と、クロスダイクロイックプリズム119と、リレー光学系120とを備えている。光源112は、赤色光、緑色光、及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー113は、光源112からの赤色光を透過させる一方、緑色光及び青色光を反射する。ダイクロイックミラー114は、ダイクロイックミラー113で反射された緑色光及び青色光のうち、青色光のみを透過させ、緑色光は反射する。すなわち、ダイクロイックミラー113、114は、光源112から射出された光を赤色光、緑色光、青色光に分離する色分離光学系を構成している。ダイクロイックミラー113と光源112との間には、光源から射出された光を均一化するインテグレーターレンズ121と、光源からの光を特定の直線偏光例えばs偏光に変換する偏光変換素子122と、が光源112側から順に配置されている。液晶ライトバルブ115~117には、透過型の液晶装置として構成した先の実施形態の液晶装置100が用いられている。液晶ライトバルブ115は、ダイクロイックミラー113を透過して反射ミラー123で反射した赤色光を画像信号に応じて変調し、クロスダイクロイックプリズム119に向けて射出する。液晶ライトバルブ115は、λ/2位相差板115a、第1偏光板115b、液晶パネル115c、及び第2偏光板115dを備えている。λ/2位相差板115a及び第1偏光板115bは、透過光への位相差をほとんど付与しない透明なガラス板115eに接着されている。これにより、λ/2位相差板115a及び第1偏光板115bの発熱による歪みを抑制することができる。液晶ライトバルブ116は、ダイクロイックミラー114で反射された緑色光を変調し、クロスダイクロイックプリズム119に向けて射出する。液晶ライトバルブ116は、第1偏光板116b、液晶パネル116c及び第2偏光板116dを備えている。液晶ライトバルブ117は、ダイクロイックミラー114を透過した後、リレー光学系120を経由して入射する青色光を変調し、クロスダイクロイックプリズム119に向けて射出する。液晶ライトバルブ117は、λ/2位相差板117a、第1偏光板117b、液晶パネル117c、及び第2偏光板117dを備えている。リレー光学系120は、ダイクロイックミラー114側光入射側から順に配列された、リレーレンズ124a、反射ミラー125a、リレーレンズ124b、及び反射ミラー125bを備えている。反射ミラー125bで反射された青色光が液晶ライトバルブ117に向けて射出される。クロスダイクロイックプリズム119は、2つのダイクロイック膜119a、119bをX形に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜119aは青色光を反射する一方、緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜119bは赤色光を反射する一方、緑色光を透過する膜である。クロスダイクロイックプリズム119は、液晶ライトバルブ115~117から入射する赤色光、緑色光、青色光を合成し、投射光学系118へ向けて射出する。投射光学系118は、入射した光をスクリーン111に投射する。次に、図19bは、反射型ライトバルブを用いたプロジェクターを示す図である。プロジェクター1000は、光源部890と、3つの反射型の液晶ライトバルブ100R、100G、100B液晶装置100、200、300、400とを備えている。光源部890は、偏光照明装置800と、偏光ビームスプリッター840と、ダイクロイックミラー842、843と、を備えている。偏光照明装置800は、システム光軸Lに沿って配置された光源810と、光源から射出された光を均一化するインテグレーターレンズ820と、光源からの光を特定の直線偏光例えばs偏光に変換する偏光変換素子830と、を有する。偏光ビームスプリッター840は、偏光照明装置800から射出されたs偏光をs偏光反射面841で反射させ、ダイクロイックミラー842に向けて射出する。ダイクロイックミラー842は、入射する光に含まれる青色光成分を選択的に反射させ、液晶ライトバルブ100Bへ向けて射出する。ダイクロイックミラー842を透過した光赤色光、緑色光は、ダイクロイックミラー843へ向けて射出される。ダイクロイックミラー843は、入射する光に含まれる赤色光成分を選択的に反射させ、液晶ライトバルブ100Rへ向けて射出する。ダイクロイックミラー843を透過した光緑色光成分は液晶ライトバルブ100Gに向けて射出される。このように、光源部890は、3つの液晶ライトバルブ100R、100G、100Bに対して、所定の色光を供給する。液晶ライトバルブ100R、100G、100Bは、入射した光を画像信号に基づいて変調するとともに反射させ、光源部890に向けて射出する。光源部890は、液晶ライトバルブ100R、100G、100Bから入射する変調された赤色光、緑色光、青色光を合成し、投射光学系850に向けて射出する。投射光学系850は、入射した光をスクリーン860に投射する。なお、図19に示したプロジェクター110、1000において、LEDLightEmittingDiode光源を用いた光源部を備えた構成としてもよい。LED光源は、白色光を射出するものでも、赤、緑、青の各色の光を射出するものでもよい。また、先の実施形態の液晶装置は、上記したプロジェクターに限られず、種々の電子機器に用いることができる。例えば、携帯電話、情報端末、デジタルカメラ、液晶テレビ、ナビゲーション装置、テレビ電話、POS端末等に用いることができる。またこれらの電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。