"N極の極性面およびその裏側にS極の極性面を有し、往復運動する駆動軸に取り付けられて当該NS極が並ぶ磁極方向と直交する方向に移動する磁界発生体と、前記磁界発生体の一方の極性面に対向して配置される曲線部を有する第1の固定磁性体と、前記磁界発生体のもう一方の極性面に対向する位置に配置され、当該磁界発生体を間にして前記第1の固定磁性体の曲線部に対向する、前記磁界発生体の移動方向に平行な直線部を有する第2の固定磁性体と、前記第2の固定磁性体に対向する位置に、前記第1の固定磁性体と並べて配置される第3の固定磁性体と、前記第1の固定磁性体と前記第3の固定磁性体との対向面に挟まれた状態に設置され、前記駆動軸の往復運動に応じて前記磁界発生体と前記第1の固定磁性体との間の前記磁極方向の距離が変化することで、通過する磁束が変化することから前記磁界発生体の位置を検出する磁気センサと、前記第2の固定磁性体と前記第3の固定磁性体の対向面間に設置され、前記磁気センサを通過する磁束を変化させて磁束密度の検知範囲にゼロが含まれるよう作用する電磁石とを備える位置検出装置。電磁石への通電量は、磁気センサの検知する磁束密度が磁界発生体の移動範囲の一端側でゼロになる値であることを特徴とする請求項1記載の位置検出装置。電磁石への通電量は、磁気センサの検知する磁束密度が磁界発生体の移動範囲の中心でゼロになる値であることを特徴とする請求項1記載の位置検出装置。磁気センサに内蔵されている一般的なホール素子は、温度によって感度が変化する温度特性などを有する。従って、温度補正をはじめ各種の補正および調整を行って検知精度を高める必要があるが、このとき磁束密度ゼロの状態で補正を行うと最も精度を高くすることができる。しかしながら、従来の位置検出装置では、磁界発生体93の移動距離に対する磁束密度の検知範囲がプラス側またはマイナス側の一方のみとなり、磁束密度ゼロが含まれていなかった。そのため、磁気センサ94を磁束密度ゼロの状態で高精度に補正および調整を行うことができないという課題があった。この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、補正および調整による精度向上を図った位置検出装置を得ることを目的とする。この発明の位置検出装置は、N極の極性面およびその裏側にS極の極性面を有し、往復運動する駆動軸に取り付けられて当該NS極が並ぶ磁極方向と直交する方向に移動する磁界発生体と、磁界発生体の一方の極性面に対向して配置される曲線部を有する第1の固定磁性体と、磁界発生体のもう一方の極性面に対向する位置に配置され、当該磁界発生体を間にして第1の固定磁性体の曲線部に対向する、磁界発生体の移動方向に平行な直線部を有する第2の固定磁性体と、第2の固定磁性体に対向する位置に、第1の固定磁性体と並べて配置される第3の固定磁性体と、第1の固定磁性体と第3の固定磁性体との対向面に挟まれた状態に設置され、駆動軸の往復運動に応じて磁界発生体と第1の固定磁性体との間の磁極方向の距離が変化することで、通過する磁束が変化することから磁界発生体の位置を検出する磁気センサと、第2の固定磁性体と第3の固定磁性体の対向面間に設置され、磁気センサを通過する磁束を変化させて磁束密度の検知範囲にゼロが含まれるよう作用する電磁石とを備えるものである。この発明によれば、電磁石により磁気センサを通過する磁束を変化させて、磁束密度の検知範囲にゼロが含まれるようにしたので、磁束密度ゼロの状態で高精度に磁束センサの補正および調整を行うことができる。よって、補正および調整による精度向上を図った位置検出装置を得ることができる。以下、この発明をより詳細に説明するために、この発明を実施するための形態について、添付の図面に従って説明する。実施の形態1.図1はこの発明の実施の形態1における位置検出装置の基本構成図を示しており、ステータとなる第1の固定磁性体10、第2の固定磁性体20および第3の固定磁性体30と、永久磁石の磁界発生体40と、磁気センサ50と、バイアス磁石となる電磁石60とを備えている。磁界発生体40は、N極とS極の双方の極性を有する面を備えており、この磁界発生体40はN極とS極が並ぶ方向以下、磁極方向Yと直交する方向以下、移動方向Xに移動する。磁界発生体40の一方の極性面に対向して第1の固定磁性体10が配置され、磁界発生体40のもう一方の極性面に対向して、第2の固定磁性体20が配置されている。また、この磁界発生体40はアクチュエータの駆動軸41などに取り付けられており、駆動軸41が移動方向Xに往復運動直動することにより、この駆動軸41と一体になった磁界発生体40も移動方向Xへ移動する。この磁界発生体40は永久磁石であり、例えばサマリウムコバルト系の方形磁石を使用する。第1の固定磁性体10の磁界発生体40に対向する側の面は、曲線部11と2箇所の直線部12,13とから構成されている。図1の例では、直線部12,13が磁界発生体40の移動範囲の両側端部に形成され、直線部12,13の間に曲線部11が形成されている。この曲線部11は、滑らかな曲線形状でなくてもよく、多数の直線を含む多角形状であってもよい。直線部12,13は、磁界発生体40の移動方向Xに平行な直線形状である。他方、第2の固定磁性体20の磁界発生体40に対向する側の面は、磁界発生体40の移動方向Xと平行な直線部21で構成されている。即ち、磁極方向Y上に、第1の固定磁性体10、磁界発生体40、第2の固定磁性体20が並ぶ。従って、磁界発生体40は、第1の固定磁性体10と第2の固定磁性体20の対向面で構成されるギャップ中を、第2の固定磁性体20の直線部21と一定の距離を保ちながら移動するか、直線部21に当接しながら摺動することになる。さらに、第3の固定磁性体30が、第2の固定磁性体20に対向して、第1の固定磁性体10と同じ側に並べて配置されている。また、第1の固定磁性体10と第3の固定磁性体30の間に磁気センサ50が配置され、リードワイヤ電極端子51が外部へ出されている。図1の例においては、磁気センサ50が、第1の固定磁性体10と第3の固定磁性体30との間に挟まれた状態に設置され、そのリードワイヤ51が、第1の固定磁性体10と第3の固定磁性体30の隙間と同じ方向に伸びている。即ち、移動方向Xと平行に、第1の固定磁性体10、磁気センサ50、第3の固定磁性体30が並ぶ。また、第2の固定磁性体20と第3の固定磁性体30の間に電磁石60が配置されている。即ち、磁極方向Yと平行に、第3の固定磁性体30、電磁石60、第2の固定磁性体20が並ぶ。次に、位置検出装置の磁束の流れを説明する。先ず、図2を用いて、電磁石60が存在しない場合の磁束の流れを説明する。なお、図2aは磁界発生体40が移動範囲の一端側Aに位置する場合、図2bは磁界発生体40が移動範囲の他端側Bに位置する場合を示す。この例では、磁界発生体40の第1の固定磁性体10に対向する側がS極、第2の固定磁性体20に対向する側がN極になっているものとする。図2aに示すように、移動方向の一端側Aに磁界発生体40がある場合、磁界発生体40のN極から出た磁束の一部は、ギャップを経由して第2の固定磁性体20に入り、再びギャップ本来は電磁石60のある空間を経由して第3の固定磁性体30に入り、磁気センサ50を通過して、第1の固定磁性体10からギャップを経由して磁界発生体40のS極へ戻る。また、磁界発生体40のN極から出た磁束の一部は、ギャップを経由して第2の固定磁性体20に入り、再びギャップを経由して第1の固定磁性体10に入り、ギャップを経由して磁界発生体40のS極へ戻る。図2bに示すように、移動方向の他端側Bに磁界発生体40がある場合、磁界発生体40のN極から出た磁束は、ギャップを経由して第2の固定磁性体20に入り、再びギャップ本来は電磁石60のある空間を経由して第3の固定磁性体30に入り、磁気センサ50を通過して、第1の固定磁性体10からギャップを経由して磁界発生体40のS極へ戻る。このとき、第1の固定磁性体10と第2の固定磁性体20の距離ギャップが磁界発生体40の位置に応じて異なることにより、磁気回路の磁気抵抗が変わり、磁気センサ50で検知する磁束密度が変わることから、磁界発生体40の位置、ひいては駆動軸41などの位置を検出することができる。この位置検出装置は、磁界発生体40の移動に応じた磁束密度の特性が線形になるように、第1の固定磁性体10の曲線部11および直線部12,13の形状を決定しているので、磁界発生体40が直線部12側に移動すると磁束密度が高くなり、直線部13側に移動すると磁束密度が低くなる。また、磁気センサ50を通過する磁束は、正負のどちらかの強弱となるため、検知した磁束密度の強弱に応じて出力信号電圧値も正負のどちらかとなる。磁束の正負は、磁界発生体40の磁極の向き、および磁気センサ50の検知方向により決まる。図3は、磁気センサ50が検知する磁束密度のグラフであり、破線が電磁石60のない場合を示す。グラフの縦軸は磁気センサ50が検知する磁束密度、横軸は磁界発生体40の位置であり、Aは図2aに示す磁界発生体40の位置A、Bは図2bに示す磁界発生体40の位置Bに相当する。図2に示す構成の場合は、磁気センサ50が正側の磁束密度を検知している。次に、図4を用いて、電磁石60が存在する場合の磁束の流れを説明する。なお、図4aは磁界発生体40が移動範囲の一端側A’に位置する場合、図4bは磁界発生体40が移動範囲の他端側B’に位置する場合を示す。図4に示す位置検出装置は、図2および図3で説明した位置検出原理を元に、磁気回路中に電磁石60を配置したものである。この電磁石60のNS極が、磁界発生体40のNS極と同じ向きになるよう電流を流す。即ち、電磁石60は、磁界発生体40の発する磁束の向きと逆向きの磁束を発生する。その結果、磁気センサ50を通過する磁束は弱められ、図3に示す破線から実線へ、磁束密度が平均的に弱められる。電磁石60がない場合は磁束密度の検知範囲が正側のみだったのに対し図3の破線、電磁石60を設置した場合は逆磁界が作用して磁界発生体40の発する磁束密度にバイアスがかかり、検知範囲が正負両方を含む範囲へオフセットする図3の実線。よって、磁界発生体40の移動範囲内に磁束密度ゼロとなる点を設けることができる。なお、磁束密度検知範囲のオフセット量は、電磁石60に流す電流を調節して磁束磁力を調整することにより自由に変更可能である。電磁石60と磁界発生体40の磁束密度の大小関係は、磁石サイズ、磁極面積、ギャップ、残留磁束密度などによって変わるので、一概には言えないが、目安としては電磁石60の発生する磁束が、磁界発生体40の発生する磁束と同等かそれより小さい磁束になるようにする。このように、磁界発生体40の移動範囲内で磁束密度がゼロになる状態を作ることにより、磁束密度ゼロ状態で磁気センサ50の補正および調整を高精度に行うことができる。磁気センサ50としては、内部に温度検知素子が含まれ、温度補償機能をプログラムできるASICApplicationSpecificIntegratedCircuit;特定用途向け半導体付きホール素子ホールICを使用し、ゼロ点および出力勾配を調整し、高温環境でも出力が変動しない構成にする。図1~図4の例では磁界発生体40と電磁石60のS極を第1の固定磁性体10と第3の固定磁性体30に向け、N極を第2の固定磁性体20に向ける配置にしたが、極性を逆に配置してもよい。また、図1~図4の例では、磁気センサ50のリードワイヤ51の向きを磁界発生体40の磁極方向Yに平行な方向に配置したが、例えば図5に示すように紙面垂直方向にリードワイヤ51を出すように磁気センサ50を配置してもよい。この構成により、第1の固定磁性体10の正面側でリードワイヤ51を外部端子または電子基板不図示と接続可能となり、位置検出装置の移動方向Xの全長を縮小でき、小型化できる。それによって、製造コストを低減させることが可能となる。また、図6に示すように、第1の固定磁性体10、第2の固定磁性体20および第3の固定磁性体30を積層鋼板で構成してもよい。積層鋼板を使用することにより、第1の固定磁性体10、第2の固定磁性体20および第3の固定磁性体30に発生する渦電流を抑制でき、精度向上に繋がる。あるいは、第1の固定磁性体10、第2の固定磁性体20および第3の固定磁性体30を圧粉鉄芯で形成して、積層鋼板同様に、渦電流を抑制してもよい。さらに、図5と図6の構成を組み合わせてもよい。以上より、実施の形態1によれば、位置検出装置は、N極の極性面およびその裏側にS極の極性面を有し、往復運動する駆動軸41に取り付けられて当該NS極が並ぶ磁極方向と直交する方向に移動する磁界発生体40と、磁界発生体40の一方の極性面に対向して配置される曲線部11を有する第1の固定磁性体10と、磁界発生体40のもう一方の極性面に対向する位置に配置され、磁界発生体40を間にして第1の固定磁性体10の曲線部11に対向する移動方向Xに平行な直線部21を有する第2の固定磁性体20と、第2の固定磁性体20に対向する位置に第1の固定磁性体10と並べて配置される第3の固定磁性体30と、第1の固定磁性体10と第3の固定磁性体30の対向面に挟まれた状態に設置され、駆動軸41の往復運動に応じて磁界発生体40と第1の固定磁性体10との間の磁極方向の距離が変化することで、通過する磁束が変化することから磁界発生体40の位置を検出する磁気センサ50と、第2の固定磁性体20と第3の固定磁性体30の対向面間に設置され、磁気センサ50を通過する磁束を変化させて磁束密度の検知範囲にゼロが含まれるよう作用する電磁石60とを備える構成にした。このため、磁束密度ゼロの状態で磁気センサ50の補正および調整を行うことができる。よって、補正および調整による精度向上を図った位置検出装置を得ることができる。実施の形態2.上記実施の形態1では、磁界発生体40の移動範囲内で磁束密度がゼロを通過する構成にしたが、本実施の形態2では、移動範囲の端部で磁束密度がゼロになるよう構成する。なお、本実施の形態2の位置検出装置は、図1および図4に示す位置検出装置と図面上では同様の構成であるため、以下では図1および図4を援用して説明する。図7は、磁気センサ50が検知する磁束密度のグラフであり、破線が電磁石60のない場合、実線が電磁石60のある場合を示す。グラフ中のA,A’,B,B’の磁束密度は、図2および図4において磁界発生体40がA,A’,B,B’の位置における磁気センサ50の検知する磁束密度に相当する。本実施の形態2では、電磁石60への通電量を調節して、磁界発生体40が移動範囲の一端側B’にあるときに磁束密度がゼロになるようなバイアスをかける。以上より、実施の形態2によれば、位置検出装置の電磁石60への通電量を、磁気センサ50の検知する磁束密度が磁界発生体40の移動範囲の一端側でゼロになる値とすることにより、磁束密度ゼロ状態になるときの磁界発生体40の絶対位置が決まるので、磁界発生体40が移動範囲の一端部にあるときに磁気センサ50の補正および調整を行えばよいことになる。従って、補正および調整の作業を簡易化できる。特に、磁気センサ50としてホールIC等のプログラマブルセンサを用い、位置検出装置をアクチュエータ等に搭載した後で補正および調整に用いるパラメータを書き込む場合、磁界発生体40が移動範囲の一端部にある磁束密度ゼロの状態で、パラメータを求めて書き込めば良いため、作業が容易となる。あるいは、電磁石60への通電量を、磁気センサ50の検知する磁束密度が磁界発生体40の移動範囲の中心でゼロになる値にしてもよい。この場合は、磁界発生体40を移動範囲の中心位置に位置合わせした状態で、補正および調整を行えばよい。このように、電磁石60への通電量を調節することで磁束密度のバイアス量を自由に変更することができるので、磁気センサ50の磁束密度の検知範囲を調整したり、磁束密度がゼロになる磁界発生体40の位置を調整したりすることができる。なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。以上のように、この発明に係る位置検出装置は、磁気センサの温度特性等を磁束密度ゼロの状態で高精度に補正および調整できるようにしたので、車両に搭載されるスロットルバルブ、EGRExhaustGasRecirculationバルブ、WGWasteGateバルブ、VGVariabeGeometricターボシステムの可動ベーンなどを駆動するアクチュエータのシャフト位置を検出する位置検出装置など、高温下での使用に適している。"