放射線をエッチング水溶液に照射し、前記放射線が照射された前記エッチング水溶液を用いて、被エッチング物をエッチングする方法。前記放射線を前記エッチング水溶液に照射して、前記エッチング水溶液から被エッチング物の表面を水酸基によって官能化する活性種を生成する請求項1に記載の方法。前記放射線を、前記活性種の前記エッチング水溶液からの生成を促進する触媒と共に、前記エッチング水溶液に照射する請求項2に記載の方法。前記放射線を被エッチング物には照射しない請求項1~3の何れか一項に記載の方法。前記放射線が照射された前記エッチング水溶液を被エッチング物に供給する請求項4に記載の方法。放射線をエッチング水溶液に照射する放射線源と、前記放射線が照射されるエッチング水溶液を収容するエッチング槽と、を備えるエッチング装置。しかし、上述したウェットエッチングでは、エッチング水溶液による高誘電体膜のエッチング速度が低いので、ゲート酸化膜の形成に時間がかかるという問題があった。また、プラズマ等を使用するドライエッチングを用いて、高誘電体膜をエッチングすることがある。このドライエッチングによる高誘電体膜のエッチング速度は、ウェットエッチングよりも高い。しかし、ドライエッチングでは、高誘電体膜とこの高誘電体膜の下層との間のエッチング選択性が低いので、高誘電体膜と共に、高誘電体膜の下層もエッチングされる問題がある。本明細書では、エッチング水溶液を用いたエッチング速度の向上したエッチングの方法を提供することを目的とする。また、本明細書では、エッチング水溶液を用いたエッチング速度の向上した半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。また、本明細書では、エッチング水溶液を用いたエッチング速度の向上したエッチング装置を提供することを目的とする。本明細書に開示するエッチングの方法の一形態によれば、放射線をエッチング水溶液に照射し、上記放射線が照射された上記エッチング水溶液を用いて、被エッチング物をエッチングする。また、本明細書に開示する半導体装置の製造方法の一形態によれば、放射線をエッチング水溶液に照射し、上記放射線が照射された上記エッチング水溶液を用いて、基板上の被エッチング層をエッチングする。また、本明細書に開示するエッチング装置の一形態によれば、放射線をエッチング水溶液に照射する放射線源と、上記放射線が照射されるエッチング水溶液を収容するエッチング槽と、を備える。上述した本明細書に開示するエッチング水溶液を用いるエッチングの方法の一形態によれば、エッチング速度が向上する。また、上述した本明細書に開示する半導体装置の製造方法の一形態によれば、エッチング速度が向上する。また、上述した本明細書に開示するエッチング水溶液を用いるエッチング装置の一形態によれば、エッチング速度が向上する。本発明の目的及び効果は、特に請求項において指摘される構成要素及び組み合わせを用いることによって認識され且つ得られるだろう。前述の一般的な説明及び後述の詳細な説明の両方は、例示的及び説明的なものであり、特許請求の範囲に記載されている本発明を制限するものではない。以下、本明細書で開示するエッチング装置の好ましい第1実施形態を、図面を参照して説明する。但し、本発明の技術範囲はそれらの実施形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶものである。図1は、本明細書に開示するエッチング装置の第1実施形態を示す平面図である。図2は、図1のX-X線断面図である。本実施形態のエッチング装置10は、放射線11をエッチング水溶液20に照射する放射線源12と、放射線11が照射されるエッチング水溶液20を収容するエッチング槽13と、を備える。エッチング装置10は、半導体装置を製造するために用いられ得る。エッチング装置10によって、エッチングされる被エッチング層30は、例えば、パターニングされたレジスト層が形成された高誘電体膜である。被エッチング層30は、半導体基板31上に形成されている。被エッチング層30及び半導体基板31の平面視した形状は、共に円形である。高誘電体膜の形成材料としては、例えば、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム又は酸化タンタル等が挙げられる。エッチング装置10は、放射線11をエッチング水溶液20に照射して、エッチング水溶液20から、レジスト層の開口部に露出している被エッチング層30の部分の表面を水酸基OHによって官能化する活性種を生成する。そして、被エッチング層30の表面には、エッチング水溶液20から生成された活性種によって、水酸基が形成される。このように、表面が水酸基によって官能化された被エッチング層30は、エッチング水溶液20によって溶解され易くなるので、エッチング速度が向上する。放射線11は、エッチング水溶液20に照射され続けるので、エッチング水溶液20からは絶えず活性種が生成され続ける。そのため、被エッチング層30がエッチングされて新たにエッチング水溶液20に露出した被エッチング層30の表面も、同様に活性種によって水酸基が形成された後エッチングされる。以下、エッチング装置10について更に詳述する。放射線源12は、被エッチング層30と対向して配置される。放射線源12が放射する放射線は、エッチング水溶液20の溶媒である水分子か、又はエッチング水溶液20の溶質を形成する分子にエネルギーを与え、これらの分子内の結合を切断することにより活性種を生成する。放射線源12が放射する放射線11には、紫外線等の電磁波及び電子線等の粒子線が含まれる。図1及び図2に示す例のエッチング装置10では、放射線源12として、紫外線を放射する紫外線ランプが示されている。エッチング装置10は、放射線源12として、2本の紫外線ランプを有している。放射線原12には、図示しない電源により、電力が供給される。エッチング槽13内には、エッチング水溶液20が収容されて満たされる。エッチング槽13の内部には、被エッチング層30が形成された半導体基板31が配置されて、エッチング水溶液20中に被エッチング層30が浸漬される。エッチング槽13内では、レジスト層の開口部に露出している被エッチング層30の部分が、放射線11が照射されたエッチング水溶液20によりエッチングされる。エッチング槽13は、被エッチング層30が形成された半導体基板31を載置するためのステージ17を有する。ステージ17は、半導体基板31を吸着固定する。また、ステージ17は、図示しない回転手段によって回転し、エッチング水溶液20中で被エッチング層30を回転させて、被エッチング層30の表面が均一にエッチングされるようになされている。また、エッチング槽13は、外部からエッチング水溶液20が内部に供給される液供給管18と、内部のエッチング水溶液20が外部に排出される液排出管19とを有する。エッチング槽13内には新しいエッチング水溶液20が液供給管18から供給されると共に、被エッチング層30のエッチングによって生成したエッチング生成物又は消耗したエッチング水溶液20が、液排出管19から外部に排出される。また、エッチング槽13は、放射線源12と対向する部分に、放射線11を透過する放射線窓15を有する。放射線窓15の形成材料は、放射線11を透過すると共に、エッチング水溶液20によってエッチングされないものを用いることが好ましい。放射線11として、紫外線を用いる場合には、放射線窓15の形成材料として、例えば、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム又は石英ガラス等を用いることができる。石英ガラスとしては、特に合成石英ガラスを用いることが好ましい。放射線窓15の内側には、被エッチング層30の表面を水酸基によって官能化する活性種のエッチング水溶液20からの生成を促進する触媒により形成された触媒層16aが配置される。エッチング装置10は、放射線11を、触媒層16aに透過させて、エッチング水溶液20に照射する。触媒層16aの表面は、エッチング槽13内に収容されたエッチング水溶液20と接触している。図1に示すように、触媒層16aは、被エッチング層30を覆うように配置される。図1に示す例では、触媒層16aの平面視した形状は、被エッチング層30と同じ円形の形状を有している。触媒層16aは、照射された放射線11を層と平行な方向にも散乱するので、触媒層16a全体が活性種の生成を促進する働きを有する。従って、被エッチング層30の面方向に均一に活性種が生成される。また、エッチング槽13の内側には、放射線窓15及びステージ17の部分を除いて、被エッチング層30の表面を水酸基によって官能化する活性種のエッチング水溶液20からの生成を促進する触媒により形成された触媒層16bが配置される。触媒層16bの表面は、エッチング槽13内に収容されたエッチング水溶液20と接触している。図1及び図2に示すように、被エッチング層30を取り囲むように触媒層16bが配置されているので、エッチング水溶液20全体に活性種が生成され、生成した活性種が被エッチング層30に供給される。このように、エッチング装置10は、放射線11を、触媒層16a及び触媒層16bと共に、エッチング水溶液20に照射する。触媒層16a又は触媒層16bを形成する触媒は、酸化チタン、又は、アンチモン及びクロム及びニッケルの内の何れか一つ又は複数が添加された酸化チタンであることが好ましい。また、触媒層16a又は触媒層16bを形成する触媒は、チタン酸ストロンチウム、又は、アンチモン及びクロム及びニッケルの内の何れか一つ又は複数が添加されたチタン酸ストロンチウムであることが好ましい。触媒層16a及び触媒層16bは、同じ触媒を用いて形成されても良いし、異なる触媒を用いて形成されても良い。エッチング槽13は、放射線窓15を開閉する図示しない開閉手段を有している。被エッチング層30が形成された半導体基板31のエッチング槽13内への出し入れは、この開閉手段を用いて放射線窓15を開閉することにより行われる。また、エッチング装置10は、放射線源12から照射される放射線11を反射して、放射線11をエッチング水溶液20に照射する反射部14を備える。反射部14は、放射線窓15に向かって開口する開口部を有する凹状の形状を有しており、内部に放射線源12が配置される。反射部14は、放射線11を反射する材料を用いて形成される。例えば、放射線11として紫外線を用いる場合には、反射部14の形成材料として、アルミニウム等の金属板を用いることができる。なお、放射線源12が、放射線11を放射する方向の指向性を有する場合には、エッチング装置10は、反射部14を有していなくても良い。図2に示すように、紫外線ランプである放射線源12からは、紫外線である放射線11が四方に向かって放射される。反射部14の開口部に向かって放射された放射線11は、放射線窓15を透過して、エッチング槽13内のエッチング水溶液20を照射する。また、反射部14の開口部以外の方向に向かって放射された放射線11は、反射部14で反射された後、開口部を通り放射線窓15を透過して、エッチング槽13内のエッチング水溶液20を照射する。放射線窓15を透過する放射線11の大部分は、触媒層16aを透過して、エッチング水溶液20を照射する。このようにして、触媒層16aと接触するエッチング水溶液20からは、活性種の生成が促進される。また、放射線窓15の触媒層16aが配置されていない部分を透過する放射線11は、触媒層16aにより吸収されていないので、その分強い放射線強度を有している。そのため、放射線窓15の触媒層16aが配置されていない部分を透過する放射線11は、エッチング水溶液20中を透過して、触媒層16bにも到達する。このようにして、触媒層16bと接触するエッチング水溶液20からは、活性種の生成が促進される。エッチング装置10のエッチング槽13に収容されるエッチング水溶液20としては、被エッチング層30又は被エッチング層30の下層の材料等に応じて、適宜選択されることが好ましい。例えば、被エッチング層30が高誘電体膜である場合には、エッチング水溶液20として、水酸化カリウムKOH水溶液、水酸化ナトリウムNaOH水溶液、フッ酸HF水溶液、オゾンO3水溶液、過酸化水素H2O2水溶液、水酸化テトラメチルアンモニウムTMAH水溶液等を用いることができる。エッチング水溶液に対するpH調整又は触媒の添加等の処理により、高誘電体膜とこの高誘電体膜の下層との間のエッチング選択性をエッチング水溶液に与えても良い。次に、放射線11が照射されたエッチング水溶液20から生成される被エッチング層30の表面を水酸基によって官能化する活性種について、以下に説明する。放射線11が照射されたエッチング水溶液20から生成される被エッチング層30の表面を水酸基によって官能化する活性種としては、エッチング水溶液20の水分子H2Oから生成されるヒドロキシラジカルOHが挙げられる。また、ヒドロキシラジカルOHは、水酸基を含む水酸化カリウムKOH及び水酸化ナトリウムNaOH及び水酸化テトラメチルアンモニウムTMAH、又は過酸化水素H2O2からも生成され得る。また、活性種として、スーパーオキシドアニオンO2等の活性酸素が挙げられる。スーパーオキシドアニオンO2は、例えば、オゾンO3水溶液又は過酸化水素H2O2水溶液又はエッチング水溶液中の溶存酸素O2から生成され得る。図3Aは、エッチング水溶液の化学結合と結合エネルギーとの関係を示す図である。例えば、水分子H2Oは、HとOHとの間の結合エネルギーが4.6eVであるので、波長268nmの電磁波である放射線紫外線が照射されることにより、直接遷移によって、ヒドロキシラジカルOHが生成され得る。また、放射線として、4.6eVの入射エネルギーを有する電子線等の粒子線を用いても良い。ここで、直接遷移は、放射線が有するエネルギーの大きさが、そのまま化学結合を切断するために使用される場合をいう。一方、HとOHとの間の結合エネルギー4.6eVよりも大きなエネルギーを有する電磁波波長が268nmよりも短いをエッチング水溶液に照射して、間接遷移によって、ヒドロキシラジカルOHが生成されても良い。また、放射線として、4.6eVよりも大きな入射エネルギーを有する電子線等の粒子線を用いても良い。ここで、間接遷移は、放射線が有するエネルギーの大きさが、活性種を生成するために切断される化学結合の結合エネルギーよりも大きい場合をいう。間接遷移では、例えば、放射線が有するエネルギーが、一度別の所で吸収された後、その吸収されたエネルギーの一部が、活性種を生成するための化学結合の切断に使用される。次に、触媒層16a、16bが、活性種のエッチング水溶液20からの生成を促進するメカニズムを以下に説明する。図4は、触媒が活性種の生成を促進するメカニズムを説明する図である。ここで、触媒層16a、16bを形成する触媒として、酸化チタンTiO2用いている。図4に示すように、放射線エネルギーhνが酸化チタンに照射されて、エネルギーを受け取った酸化チタンの2分子からホール電子対が生成して、ホールを有する酸化チタン分子TiO2hと、電子を有する酸化チタン分子TiO2eとが形成される。ここで、hはプランク定数であり、νは放射線の振動数である。そして、ホールを有する酸化チタン分子TiO2hと水分子H2Oとが反応して、酸化チタン分子TiO2と、水素イオンHと、ヒドロキシラジカルOHとが生成する。酸化チタンが存在する場合の方が、水分子H2O単独からヒドロキシラジカルOHが生成する場合よりも活性化エネルギーが減少するので、ヒドロキシラジカルOHの生成が促進される。以上が、触媒が活性種の生成を促進するメカニズムの説明である。また、エッチング装置10は、放射線11をエッチング水溶液20に照射して、エッチング水溶液20の溶質を解離させる。解離した溶質は、被エッチング層30のエッチングを促進する。図3Aに示すように、例えば、フッ酸HF水溶液は、溶質であるフッ酸HFのHとFとの間の結合エネルギーが5.6eVであるので、波長220nmの電磁波である放射線紫外線が照射されることにより、直接遷移によって、HとFとに解離され得る。溶質の解離には、電子線等の粒子線を用いても良い。また、溶質の解離は、間接遷移によるものであっても良い。エッチング装置10では、放射線11を被エッチング層30には照射しないことが好ましい。これは、放射線11が被エッチング層30の表面に照射されると、被エッチング層30の化学結合が切断されて、ダングリングボンドが形成されるか又は損傷を与える場合があるためである。例えば、トランジスタ素子のゲート絶縁膜である高誘電体膜の表面にダングリングボンドが存在すると、ダングリングボンドによる表面準位が形成される。そして、表面準位がキャリアの再結合中心となり、ゲート絶縁膜の電気的特性が損なわれるおそれがある。図3Bは被エッチング層の化学結合と結合エネルギーとの関係を示す図である。図3Bに示すように、例えば、酸化アルミニウムでは、AlとOとの間の結合エネルギーが5.3eVであるので、波長234nmの電磁波である放射線紫外線が照射されることにより、AlとOとに解離し得る。また、酸化ハフニウムでは、HfとOとの結合エネルギーが8.3eVであるので、波長149nmの電磁波である放射線紫外線が照射されることにより、HfとOとに解離し得る。そこで、エッチング装置10では、放射線11が被エッチング層30に照射されないように、触媒層16aと被エッチング層30との間の距離Lを設定している。放射線11は、エッチング水溶液20によって吸収されるので、触媒層16aと被エッチング層30との間の距離Lを長くすることにより、放射線11が被エッチング層30に到達することを防止できる。一方、触媒層16aの表面で生成した活性種が被エッチング層30の表面へ速やかに移動する観点からは、触媒層16aと被エッチング層30との間の距離Lは短いことが好ましい。そこで、エッチング装置10では、触媒層16aの放射線11の吸収率を調整すると共に、エッチング水溶液20に放射線11を吸収させて、放射線11を被エッチング層30には照射させないようにしている。具体的には、触媒層16aと被エッチング層30との間の距離Lは、放射線11がエッチング水溶液20に吸収されて十分に減衰した位置に丁度なるように設定される。本明細書において、放射線11がエッチング水溶液20に吸収されて十分に減衰した位置とは、その位置よりも離れていれば、放射線11が被エッチング層30の化学結合を切断するおそれのない位置を意味する。被エッチング層30の化学結合を切断するおそれのない放射線11の強度は、例えば、照度計によって測定される紫外線強度が、測定下限値以下のものをいう。図5は、触媒層16aからの距離と放射線11としての紫外線強度との関係を示す図である。図5に示すように、エッチング装置10では、紫外線がエッチング水溶液20に吸収されて十分に減衰した位置に、被エッチング層30の表面が配置される。触媒層16aの放射線11の吸収量は、触媒層16aと被エッチング層30との間の部分のエッチング水溶液20のよる放射線の吸収量よりも高いことが好ましい。このように、触媒層16aの放射線11の吸収量を、エッチング水溶液20よりも高くすることにより、触媒層16aと被エッチング層30との間のエッチング水溶液20によって吸収されるべき放射線の量を少なくすることができる。従って、触媒層16aと被エッチング層30との間の距離Lを短くすることができるので、触媒層16aにおいて生成される活性種を被エッチング層30の面内に十分に供給することができる。触媒層16aの放射線11の吸収量を高くすることは、触媒層16aの形成材料の選択又は触媒相16の厚さを調整することにより実現され得る。上述した本実施形態のエッチング装置10によれば、エッチング速度が向上する。従って、エッチング装置10を用いて、エッチング水溶液20による高誘電体膜のエッチングを行えば、トランジスタ素子のゲート酸化膜の形成に要する時間が短縮される。また、本実施形態のエッチング装置10によれば、放射線11が被エッチング層30と対向して照射されるので、被エッチング層30の表面が均一にエッチングされる。特に、触媒層16aが被エッチング層30の全体を覆うように配置されており且つ触媒層16bが被エッチング層30を囲んでいるので、被エッチング層30の表面には、活性種が均一に十分に供給されて水酸基により官能化される。そのため、被エッチング層30の表面が一層均一にエッチングされる。次に、上述した第1実施形態のエッチング装置の変形例を、図面を参照して、以下に説明する。図6は、第1実施形態のエッチング装置の変形例を示す平面図である。本変形例のエッチング装置10は、触媒層16a及び触媒層16bを有していない。その他の構造は、上述した第1実施形態と同様である。本変形例では、放射線窓15の内側に触媒層が配置されていないので、放射線11がエッチング水溶液20に照射されると共に、被エッチング物にも照射される。放射線11は、触媒層の吸収による減衰がない。そのため、放射線11がエッチング水溶液20を直接活性化するので、活性種の生成量が増加する。本変形例は、例えば、被エッチング層30を半導体基板31からエッチングにより除去して、半導体基板31を再生する場合に用いることができる。被エッチング層30は除去されるので、放射線11が照射された被エッチング層30にダングリングボンドが形成されるか又は損傷が与えられても問題はない。なお、被エッチング層30上には、レジスト層が形成されていないか、又はレジスト層は除去されている。次に、上述したエッチング装置の第2実施形態を、図7及び図8を参照しながら以下に説明する。第2実施形態について特に説明しない点については、上述の第1実施形態に関して詳述した説明が適宜適用される。また、同一の構成要素には同一の符号を付してある。図7は、本明細書に開示するエッチング装置の第2実施形態を示す平面図である。図8は、図7のY-Y線断面図である。本実施形態のエッチング装置10は、放射線11を透過し、エッチング水溶液20をエッチング槽13に供給する液供給管18を備えている。放射線源12は、放射線11を液供給管18に透過させてエッチング水溶液20に照射する。液供給管18の形成材料は、放射線11を透過すると共に、エッチング水溶液20によってエッチングされないものを用いることが好ましい。放射線11として、紫外線を用いる場合には、液供給管18の形成材料として、例えば、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム又は石英ガラス等を用いることができる。石英ガラスとしては、特に合成石英ガラスを用いることが好ましい。図7に示すように、エッチング装置10では、液供給管18は、円筒形状を有している。液供給管18は、円形の被エッチング層30の中央に位置するように配置されて、エッチング槽13に配管される。エッチング装置10では、2つの縦長の放射線源12が、液供給管18を挟んで対向するように配置される。各放射線源12は、縦長の液供給管18の側面に沿って配置される。放射線源12から放射された放射線11は、直接か又は反射部14に反射した後に、液供給管18に照射される。そして、液供給管18を透過した放射線11が、液供給管18内のエッチング水溶液20に照射される。液供給管18内では、放射線11が照射されたエッチング水溶液20から、被エッチング層30の表面を水酸基によって官能化する活性種が生成される。図8に示すように、液供給管18には上方からエッチング水溶液20が供給されており、液供給管18内で放射線11が照射されたエッチング水溶液20は、生成された活性種と共に、液供給管18の下方からエッチング槽13内の被エッチング層30に向かって流れる。このように、本実施形態では、放射線11が、被エッチング層30に対して直接照射されないようになされている。エッチング槽13内では、被エッチング層30が、半導体基板31を介してステージ17上に吸着固定されている。被エッチング層30には、上方の液供給管18から、活性種と共にエッチング水溶液20が供給されて、レジスト層の開口部に露出している被エッチング層30の部分の表面が水酸基によって官能化されると共に、エッチングされる。エッチング槽13は、対向する端部それぞれに、内部のエッチング水溶液20が外部に排出される液排出管19を有する。被エッチング層30のエッチングによって生成したエッチング生成物又は消耗したエッチング水溶液20は、液排出管19から外部に排出される。次に、液供給管18と被エッチング層30の表面との間の距離Mについて、以下に説明する。ここで、液供給管18と被エッチング層30の表面との間の距離Mは、液供給管18におけるエッチング槽13と接続している下方の端部と、被エッチング層30の表面との間の距離を意味する。本実施形態では、放射線11が被エッチング層30に対して直接照射されないものの、放射線11の一部が、液供給管18の下方の端部近傍のエッチング槽13内に侵入している場合がある。従って、液供給管18と被エッチング層30の表面との間の距離Mは、放射線11が被エッチング層30に照射されないように設定されることが好ましい。一方、液供給管18内で生成した活性種が被エッチング層30の表面へ速やかに移動する観点からは、液供給管18の下方の端部と被エッチング層30の表面との間の距離Mは短いことが好ましい。そこで、エッチング装置10では、エッチング水溶液20に放射線11を吸収させて、放射線11を被エッチング層30には照射させないようにしている。具体的には、液供給管18と被エッチング層30の表面との間の距離Mは、放射線11がエッチング水溶液20に吸収されて十分に減衰した位置に丁度なるように設定される。また、エッチング槽13は、エッチング槽13の一部を開閉する図示しない開閉手段を有している。被エッチング層30が形成された半導体基板31のエッチング槽13内への出し入れは、この開閉手段を用いて行われる。上述した本実施形態のエッチング装置10によれば、被エッチング層30に放射線11を照射することを確実に防止できる。また、エッチング装置10によれば、エッチング速度が向上する。また、本実施形態のエッチング装置10においても、液供給管18の内側に、第1実施形態と同様の触媒層を配置しても良い。次に、上述した第2実施形態のエッチング装置の変形例1及び変形例2を、図面を参照して、以下に説明する。図9は、第2実施形態のエッチング装置の変形例1を示す断面図である。変形例1のエッチング装置10では、液供給管18の内径が、被エッチング層30の直径とほぼ等しくなっており、被エッチング層30の全面に対して、上方の液供給管18から、活性種と共にエッチング水溶液20が供給される。変形例1のエッチング装置10によれば、被エッチング層30の表面のエッチング速度がより均一になる。また、液供給管18の内径は、被エッチング層30の直径よりも大きくても良い。図10は、第2実施形態のエッチング装置の変形例2を示す平面図である。変形例2のエッチング装置10は、複数の液供給管18を備えている。各液供給管18には、対向する放射線源12が配置される。また、各放射線源12には、反射部14が配置される。図10に示す例では、エッチング装置10は、3本の液供給管18を備えている。各液供給管18は、被エッチング層30を円周方向に3等分した位置に配置されており、被エッチング層30上に活性種と共にエッチング水溶液20が均一に供給される。変形例2のエッチング装置10は、複数の液供給管18を備えているので、被エッチング層30に対して、活性種を含むエッチング水溶液20が十分に供給される。従って、被エッチング層30の表面の水酸基による官能化が一層促進されるので、エッチング速度がより向上する。また、変形例2のエッチング装置10では、被エッチング層30には、複数の液供給管18から、活性種と共にエッチング水溶液20が均一に供給されるので、被エッチング層30は面内でより均一にエッチングされる。次に、本明細書に開示するエッチング方法及びそのような方法を用いるエッチング装置について、実施例を用いて更に説明する。エッチング速度及び面内均一性の評価図1及び2に示すエッチング装置を用いて、被エッチング層のエッチング速度及びエッチングの面内均一性を評価した。実施例1被エッチング層の形成材料として、酸化アルミニウムを用いた。被エッチング層は、直径3インチのシリコン基板上に、40nmの厚みで形成された。被エッチング層上にレジスト層は形成されていない。エッチング水溶液として、濃度が10質量のフッ酸水溶液を用いた。放射線源として、波長が172nmの紫外線ランプを用いた。エッチング装置の放射線窓の外面の位置における紫外線の放射照度は、10mW/cm2であった。触媒層16aと被エッチング層30との間の距離は2mmであった。エッチング時間は、5分であった。この被エッチング層を、エッチング装置を用いてエッチングして実施例1とした。実施例2エッチング水溶液として、濃度が6質量の水酸化カリウム水溶液を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例2とした。実施例3エッチング水溶液として、濃度が2.38質量のTMAH水溶液を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例3とした。実施例4被エッチング層の形成材料として、酸化ハフニウムを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例4とした。比較例1紫外線をエッチング水溶液に照射しないこと以外は、実施例1と同様にして、比較例1とした。比較例2紫外線をエッチング水溶液に照射しないこと以外は、実施例2と同様にして、比較例2とした。比較例3紫外線をエッチング水溶液に照射しないこと以外は、実施例3と同様にして、比較例3とした。比較例4紫外線をエッチング水溶液に照射しないこと以外は、実施例4と同様にして、比較例4とした。実施例1~4及び比較例1~4の被エッチング層の厚さを、エリプソメータを用いて測定した。厚さの測定は、円形の被エッチング層の中心と、中心角が0度、90度、180度、270度における半径の1/2の位置及びエッジ近傍の位置の計9点で行った。これら9点の厚さの減少量を、エッチング時間で除してエッチング速度とした。そして、9点のエッチング速度の平均値を求めて、平均エッチング速度とした。また、9点におけるエッチング速度を用いて、エッチング速度の面内均一性を求めた。面内均一性の計算は、厚さを測定した9点におけるエッチング速度の最大値と最小値との差として求めた。実施例1~4及び比較例1~4の平均エッチング速度及び面内均一性を図11に示す。図11に示すように、実施例1~4は、比較例2~4と比べて、平均エッチング速度が高く且つ均一性が同等以上に優れている。また、実施例1と同様にして、被エッチング層の位置に照度計を配置して、被エッチング層の表面の位置における紫外線強度及び活性種の発光スペクトルを測定した。測定結果を図12に示す。図12は、被エッチング層の表面の位置における紫外線強度及び活性種の発光スペクトルを示す図である。図12に示すように、波長172nmの位置には紫外線強度が測定下限値以下であるので、被エッチング層の表面には紫外線が到達しておらず、被エッチング層の表面には紫外線が照射されていないことが分かる。一方、波長305nmの位置には活性種のヒドロキシラジカルOHの発光スペクトルのピークが検出されており、被エッチング層の表面にヒドロキシラジカルOHが到達していることが分かる。エッチング速度の評価図7及び図8に示すエッチング装置を用いて、被エッチング層のエッチング速度を評価した。実施例5被エッチング層の形成材料として、酸化アルミニウムを用いた。被エッチング層は、直径3インチのシリコン基板上に、40nmの厚みで形成された。液供給管の内径は4cmであった。エッチング水溶液として、濃度が10質量のフッ酸水溶液を用いた。放射線源として、波長が172nmの紫外線ランプを用いた。エッチング装置の液供給管の外面の位置における紫外線の放射照度は、10mW/cm2であった。液供給管の下方の端部と被エッチング層の表面との間の距離は2mmであった。エッチング時間は、5分であった。この被エッチング層を、エッチング装置を用いてエッチングして実施例1とした。実施例6エッチング水溶液として、濃度が6質量の水酸化カリウム水溶液を用いたこと以外は、実施例5と同様にして、実施例6とした。実施例7エッチング水溶液として、濃度が2.38質量のTMAH水溶液を用いたこと以外は、実施例5と同様にして、実施例7とした。実施例8被エッチング層の形成材料として、酸化ハフニウムを用いたこと以外は、実施例5と同様にして、実施例8とした。比較例5紫外線をエッチング水溶液に照射しないこと以外は、実施例5と同様にして、比較例5とした。比較例6紫外線をエッチング水溶液に照射しないこと以外は、実施例6と同様にして、比較例6とした。比較例7紫外線をエッチング水溶液に照射しないこと以外は、実施例7と同様にして、比較例7とした。比較例8紫外線をエッチング水溶液に照射しないこと以外は、実施例8と同様にして、比較例8とした。実施例5~8及び比較例5~8の被エッチング層の平均エッチング速度を、実施例1~4及び比較例1~4と同様にして求めた。実施例5~8及び比較例5~8の平均エッチング速度を図13に示す。図13に示すように、実施例5~8は、比較例5~8と比べて、平均エッチング速度が高い。本発明では、上述した実施形態のエッチング方法、そのような方法を用いる半導体装置の製造方法及びそのような方法を用いるエッチング装置は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更が可能である。また、一の実施形態が有する構成要件は、他の実施形態にも適宜適用することができる。ここで述べられた全ての例及び条件付きの言葉は、読者が、発明者によって寄与された発明及び概念を技術を深めて理解することを助けるための教育的な目的を意図する。ここで述べられた全ての例及び条件付きの言葉は、そのような具体的に述べられた例及び条件に限定されることなく解釈されるべきである。また、明細書のそのような例示の機構は、本発明の優越性及び劣等性を示すこととは関係しない。本発明の実施形態は詳細に説明されているが、その様々な変更、置き換え又は修正が本発明の精神及び範囲を逸脱しない限り行われ得ることが理解されるべきである。以上の上述した各実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。付記1放射線をエッチング水溶液に照射し、前記放射線が照射された前記エッチング水溶液を用いて、被エッチング物をエッチングする方法。付記2前記放射線を前記エッチング水溶液に照射して、前記エッチング水溶液から被エッチング物の表面を水酸基によって官能化する活性種を生成する付記1に記載の方法。付記3前記放射線を、触媒と共に、前記エッチング水溶液に照射する付記2に記載の方法。付記4前記放射線を、前記触媒により形成された触媒層に透過させて、前記エッチング水溶液に照射する付記3に記載の方法。付記5前記触媒は、酸化チタン、又は、アンチモン及びクロム及びニッケルの内の何れか一つ又は複数が添加された酸化チタンである付記3又は4に記載の方法。付記6前記触媒は、チタン酸ストロンチウム、又は、アンチモン及びクロム及びニッケルの内の何れか一つ又は複数が添加されたチタン酸ストロンチウムである付記3又は4に記載の方法。付記7前記放射線が照射された前記エッチング水溶液を被エッチング物に供給する付記1~6の何れか一項に記載の方法。付記8前記エッチング水溶液に前記放射線を吸収させる付記7に記載の方法。付記9前記放射線を前記エッチング水溶液に照射すると共に、被エッチング物にも照射する付記1~6の何れか一項に記載の方法。付記10放射線をエッチング水溶液に照射し、前記放射線が照射された前記エッチング水溶液を用いて、基板上の被エッチング層をエッチングする半導体装置の製造方法。付記11放射線をエッチング水溶液に照射する放射線源と、前記放射線が照射されるエッチング水溶液を収容するエッチング槽と、を備えるエッチング装置。付記12前記放射線源から照射される前記放射線を反射して、前記放射線をエッチング水溶液に照射する反射部を備える付記11に記載のエッチング装置。付記13前記エッチング槽は、前記放射線を透過する放射線窓を有する付記11又は12に記載のエッチング装置。付記14前記放射線窓の内側には、触媒層が配置される付記13に記載のエッチング装置。付記15前記放射線を透過し、エッチング水溶液を前記エッチング槽に供給する液供給管を備えており、前記放射線源は、前記放射線を前記液供給管に透過させてエッチング水溶液に照射する付記11又は12に記載のエッチング装置。