"順に基板/陽極層/正孔注入層/正孔伝送層/発光層/電子伝送層/電子注入層/陰極層である層状構造を有するフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスであって、前記基板と前記陽極層との間に緩衝層が形成されており、前記陽極層は多層複合構造であり、当該多層複合構造は順にZnS/Ag/MoO3の多層構造である、ことを特徴とするフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイス。請求項1に記載のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、前記基板の材料は、テレフタル酸ポリエチレン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンナフタレート、透明性ポリイミドシクロオレフィンコポリマー、ポリカーボネート、及びポリエチレンのうちのいずれか1つを含み、当該基板の厚さは01mm~05mmである、ことを特徴するフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイス。請求項1に記載のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、前記陽極層には、ZnS層の厚さが35nm~80nm、Ag層の厚さが18nm~30nm、MoO3層の厚さが3nm~10nmである、ことを特徴するフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイス。請求項1に記載のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、前記緩衝層は、UVグルーによって形成されており、当該緩衝層の厚さは05μm~10μmである、ことを特徴するフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイス。請求項1に記載のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、前記正孔注入層の材料は、銅フタロシアニン、又は4,4’,4’-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ-トリフェニルアミンであり、当該正孔注入層の厚さは30nm~40nmであり、前記正孔伝送層の材料は、フェニルモルホリン、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ベンジジンTPD、又は1,3,5-トリフェニルベンゼンであり、当該正孔伝送層の厚さは30nm~80nmであり、前記発光層の材料は、トリス2-フェニルピリジンイリジウム錯体がドープされた4,4’-ビス9-カルバゾリルビフェニルであり、当該発光層の厚さは15nm~40nmであり、前記電子伝送層の材料は、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン、トリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウム、2-4-ビフェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール、1,2,4-トリアゾール誘導体、又はN-アリール-ベンゾイミダゾールであり、当該電子伝送層の厚さは20nm~60nmであり、前記電子注入層の材料は、LiF、CsF、又は8-ヒドロキシキノリンリチウムであり、当該電子注入層の厚さは1nmであり、前記陰極層の材料は、Al、Ag、又はMg-Ag合金層であり、当該陰極層の厚さは100nm~200nmである、ことを特徴するフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイス。フレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法において、まず、基板を洗浄、乾燥させるステップと、次に、前記基板の表面で緩衝層を製造するステップと、続いて、前記緩衝層の表面で順に、ZnS層、Ag層、MoO3層を蒸着し、陽極層を形成するステップと、最後、前記陽極層で順に、正孔注入層、正孔伝送層、発光層、電子伝送層、電子注入層、陰極層を蒸着し、フレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスを得るステップと、を含む、ことを特徴とするフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。請求項6に記載のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法において、前記基板の材料は、テレフタル酸ポリエチレン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンナフタレート、透明性ポリイミドシクロオレフィンコポリマー、ポリカーボネート、及びポリエチレンのうちのいずれか1つを含み、当該基板の厚さは01mm~05mmである、ことを特徴とするフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。請求項6に記載のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法において、前記陽極層には、ZnS層の厚さが35nm~80nm、Ag層の厚さが18nm~30nm、MoO3層の厚さが3nm~10nmである、ことを特徴とするフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。請求項6に記載のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法において、前記緩衝層はUVグルーであり、当該UVグルーの製造プロセスは、前記基板をスピンコーターに置き、厚さが05μm~10μmであるUVグルーを前記基板の表面にスピンコーティングし、その後、UVランプによって硬化させる、ことを特徴とするフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。請求項6に記載のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法において、前記正孔注入層の材料は、銅フタロシアニン、又は4,4’,4’-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ-トリフェニルアミンであり、当該正孔注入層の厚さは30nm~40nmであり、前記正孔伝送層の材料は、フェニルモルホリン、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ベンジジンTPD、又は1,3,5-トリフェニルベンゼンであり、当該正孔伝送層の厚さは30nm~80nmであり、前記発光層の材料は、トリス2-フェニルピリジンイリジウム錯体がドープされた4,4’-ビス9-カルバゾリルビフェニルであり、当該発光層の厚さは15nm~40nmであり、前記電子伝送層の材料は、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン、トリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウム、2-4-ビフェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール、1,2,4-トリアゾール誘導体、又はN-アリール-ベンゾイミダゾールであり、当該電子伝送層の厚さは20nm~60nmであり、前記電子注入層の材料は、LiF、CsF、又は8-ヒドロキシキノリンリチウムであり、当該電子注入層の厚さは1nmであり、前記陰極層の材料は、Al、Ag、又はMg-Ag合金層であり、当該陰極層の厚さは100nm~200nmである、ことを特徴とするフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。本発明にかかるフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、図1に示されている。当該フレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、層状構造であり、その層状構造は順に、基板101/緩衝層102/陽極層103/正孔注入層104/正孔伝送層105/発光層106/電子伝送層107/電子注入層108/陰極層109であり、ここで、陽極層は多層複合構造であり、当該多層複合構造はZnS103a/Ag103b/MoO3103cの多層構造である。本発明にかかる有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、使用される基板材料には、テレフタル酸ポリエチレンPET、ポリエーテルスルホンPES、ポリエチレンナフタレートPEN、透明性ポリイミドPIシクロオレフィンコポリマーCOC、ポリカーボネートPC、ポリエチレンPEなどの材料を含み、選ばれる材料は、可視光線透過率が80よりも大きく>80、厚さが01mm~05mmの範囲にある。基板に位置する緩衝層は、UVグルーによって形成されており、緩衝層の厚さが05μm~10μmであってもよい。本発明にかかるフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、陽極の多層構造はすべて蒸着技術によって製造される。具体的には、ZnS層の厚さは35nm~80nmの範囲から選ばれ、Ag層の厚さが18nm~30nmの範囲から選ばれ、MoO3層の厚さが3nm~10nmの範囲から選ばれる。当該多層陽極構造はヒートミラーにおける反射防止原理を利用するので、製造された陽極層は可視光透過率が高いとともに、表面抵抗が比較的低い。陽極層の正孔注入性能を向上させるために、正孔注入能力があるMoO3は、多層陽極の一部として、正孔注入バリアを低下させるために用いられる。本発明にかかるフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、その各機能層の材料は、次の通りである。本発明にかかるフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、正孔注入層の材料は、銅フタロシアニンCuPC、4,4’,4’-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ-トリフェニルアミンm-MTDATAで、当該正孔注入層の厚さは30nm~40nmである。上記正孔伝送層の材料は、フェニルモルホリンNPB、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ベンジジンTPD、1,3,5-トリフェニルベンゼンTDAPBで、当該正孔伝送層の厚さは30nm~80nmである。上記発光層の材料は、トリス2-フェニルピリジンイリジウム錯体がドープされた4,4’-ビス9-カルバゾリルビフェニルすなわち、Irppy3:CBP、DCJTB:Alq3、又はα-NPD:IrMDQ2acacで、当該発光層の厚さは15nm~40nmである。上記電子伝送層の材料は、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBphen、トリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウムAlq3、2-4-ビフェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾールPBD、1,2,4-トリアゾール誘導体例えば、TAZなど、又はN-アリール-ベンゾイミダゾールTPBiで、当該電子伝送層の厚さは20nm~60nmである。上記電子注入層の材料は、好ましくは、フッ化リチウムLiF、フッ化セシウムCsF、又は8-ヒドロキシキノリンリチウムLiqで、当該電子注入層の厚さは05nm~2nmである。上記陰極層の材料は、好ましくは、Al、Ag、又はMg-Ag合金層で、当該陰極層の厚さは100nm~200nmである。また、本発明は、次のステップが含まれるフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法を提供する。<ステップS1>基板すなわち、ポリマーフィルムを洗剤含有の脱イオン水に浸して超音波洗浄を行い、脱イオン水で洗浄した後、順にイソプロパノール、アセトンを用いて超音波処理し、その後、窒素ガスで乾燥させたものを用意する。<ステップS2>洗浄したポリマーフィルムをスピンコーターに置き、スピンコーターの回転速度が1000r/min~5000r/min、スピンコーティング時間が30秒~120秒である条件で、UVグルーをポリマーフィルムの表面にスピンコーティングし、その後、UVランプ又は紫外線ランプによって硬化させて緩衝層を形成する。<ステップS3>真空蒸着法によって、緩衝層の表面で順に、ZnS層、Ag層、MoO3層を蒸着し、ZnS/Ag/MoO3の多層複合構造陽極層を得る<ステップS4>陽極層において、真空蒸着法によって順に、正孔注入層、正孔伝送層、発光層、電子伝送層、電子注入層、陰極層を蒸着し、フレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスを得る。本発明は、真空蒸着技術を用いて製造されるZnS/Ag/MoO3多層複合構造を陽極層とし、その製造は、プロセスが簡単で、基板に対する破壊が小さい一方、その陽極層は、光透過性が良く、表面抵抗が低いとともに、緩衝層を挿入することによって陽極と基板との間の結合力を強化させ、製造されるフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスに優れた曲げ特性、安定した発光性能、高い発光効率を与える。以下、図面を参照して本発明の好適な実施例をさらに詳しく説明する。実施例1層状構造を有するフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスであって、その層状構造は順に、PET/UVグルー/ZnS/Ag/MoO3/m-MTDATA/NPB/Irppy3:CBP/TPBi/LiF/Mg-Agである。当該フレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造プロセスは、次のとおりである。まず、厚さが01mmであるPENフィルムを洗剤含有の脱イオン水に浸して超音波洗浄を行い、脱イオン水で洗浄した後、順にイソプロパノール、アセトンを用いて超音波処理し、その後、窒素ガスで乾燥させた。次に、PENフィルムをスピンコーターに置き、スピンコーターを起動させ、スピンコーターの回転速度を1000r/minにし、厚さが05μmであるUVグルーをフラット層としてPENフィルムの表面にスピンコーティングし、120秒スピンコーティングした後、UVランプによって硬化させ、緩衝層を形成した。続いて、真空度が5×10-4Paであるコーティングシステムにおいて、緩衝層の表面で順に、厚さが35nmであるZnS層、厚さが18nmであるAg層、厚さが10nmであるMoO3層を蒸着し、陽極層を形成した。最後、MoO3層で順に、厚さが35nmである正孔注入層、厚さが30nmである正孔伝送層、厚さが40nmである発光層、厚さが20nmである電子伝送層、厚さが05nmである電子注入層、厚さが150nmである陰極層を蒸着した。実施例2層状構造を有するフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスであって、その層状構造は順に、PET/UVグルー/ZnS/Ag/MoO3/CuPC/TPD/DCJTB:Alq3/Bphen/CsF/Agである。当該フレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造プロセスは、次のとおりである。まず、厚さが0175mmであるPENフィルムを洗剤含有の脱イオン水に浸して超音波洗浄を行い、脱イオン水で洗浄した後、順にイソプロパノール、アセトンを用いて超音波処理し、その後、窒素ガスで乾燥させた。次に、PENフィルムをスピンコーターに置き、スピンコーターを起動させ、スピンコーターの回転速度を5000r/minにし、厚さが5μmであるUVグルーをフラット層としてPENフィルムの表面にスピンコーティングし、30秒スピンコーティングした後、UVランプによって硬化させ、緩衝層を形成した。続いて、真空度が5×10-4Paであるコーティングシステムにおいて、緩衝層の表面で順に、厚さが45nmであるZnS層、厚さが20nmであるAg層、厚さが5nmであるMoO3層を蒸着し、陽極層を形成した。最後、MoO3層で順に、厚さが30nmである正孔注入層CuPC、厚さが80nmである正孔伝送層TPD、厚さが15nmである発光層DCJTB:Alq3、厚さが60nmである電子伝送層Bphen、厚さが1nmである電子注入層CsF、厚さが100nmである陰極層Agを蒸着した。実施例3層状構造を有するフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスで、その層状構造は順に、PES/UVグルー/ZnS/Ag/MoO3/m-MTDATA/TDAPB/α-NPD:IrMDQ2acac/Alq3/LiF/Alである。当該フレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造プロセスは、次のとおりである。まず、厚さが02mmであるPENフィルムを洗剤含有の脱イオン水に浸して超音波洗浄を行い、脱イオン水で洗浄した後、順にイソプロパノール、アセトンを用いて超音波処理し、その後、窒素ガスで乾燥させた。次に、PENフィルムをスピンコーターに置き、スピンコーターを起動させ、スピンコーターの回転速度を4000r/minにし、厚さが1μmであるUVグルーをフラット層としてPENフィルムの表面にスピンコーティングし、70秒スピンコーティングした後、UVランプによって硬化させ、緩衝層を形成した。続いて、真空度が5×10-4Paであるコーティングシステムにおいて、緩衝層の表面で順に、厚さが80nmであるZnS層、厚さが30nmであるAg層、厚さが3nmであるMoO3層を蒸着し、陽極層を形成した。最後、MoO3層で順に、厚さが40nmである正孔注入層m-MTDATA、厚さが60nmである正孔伝送層TDAPB、厚さが40nmである発光層α-NPD:IrMDQ2acac、厚さが40nmである電子伝送層Alq3、厚さが2nmである電子注入層LiF、厚さが200nmである陰極層Alを蒸着した。実施例4層状構造を有するフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスであって、その層状構造は順に、COC/UVグルー/ZnS/Ag/MoO3/m-MTDATA/NPB/Irppy3:CBP/PBD/LiF/Mg-Agである。当該フレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造プロセスは、次のとおりである。まず、厚さが05mmであるCOCフィルムを洗剤含有の脱イオン水に浸して超音波洗浄を行い、脱イオン水で洗浄した後、順にイソプロパノール、アセトンを用いて超音波処理し、その後、窒素ガスで乾燥させた。次に、COCフィルムをスピンコーターに置き、スピンコーターを起動させ、スピンコーターの回転速度を3000r/minにし、厚さが10μmであるUVグルーをフラット層としてPENフィルムの表面にスピンコーティングし、80秒スピンコーティングした後、UVランプによって硬化させ、緩衝層を形成した。続いて、真空度が5×10-4Paであるコーティングシステムにおいて、緩衝層の表面で順に、厚さが60nmであるZnS層、厚さが25nmであるAg層、厚さが6nmであるMoO3を蒸着し、陽極層を形成した。最後、MoO3層で順に、厚さが38nmである正孔注入層m-MTDATA、厚さが70nmである正孔伝送層NPB、厚さが25nmである発光層Irppy3:CBP、厚さが50nmである電子伝送層PBD、厚さが15nmである電子注入層LiF、厚さが120nmである陰極層Alを蒸着した。実施例5層状構造を有するフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスであって、その層状構造は順に、PC/UVグルー/ZnS/Ag/MoO3/m-MTDATA/NPB/Irppy3:CBP/TAZ/LiF/Mg-Agである。当該フレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造プロセスは、次のとおりである。まず、厚さが04mmであるPCフィルムを洗剤含有の脱イオン水に浸して超音波洗浄を行い、脱イオン水で洗浄した後、順にイソプロパノール、アセトンを用いて超音波処理し、その後、窒素ガスで乾燥させた。次に、PCフィルムをスピンコーターに置き、スピンコーターを起動させ、スピンコーターの回転速度を2000r/minにし、厚さが7μmであるUVグルーをフラット層としてPENフィルムの表面にスピンコーティングし、50秒スピンコーティングした後、UVランプによって硬化させ、緩衝層を形成した。続いて、真空度が5×10-4Paであるコーティングシステムにおいて、緩衝層の表面で順に、厚さが70nmであるZnS層、厚さが20nmであるAg層、厚さが8nmであるMoO3層を蒸着した。最後、MoO3層で順に、厚さが30nmである正孔注入層m-MTDATA、厚さが50nmである正孔伝送層NPB、厚さが25nmである発光層Irppy3:CBP、厚さが30nmである電子伝送層TAZ、厚さが15nmである電子注入層LiF、厚さが180nmである陰極層Alを蒸着した。実施例6層状構造を有するフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスであって、その層状構造は順に、PE/UVグルー/ZnS/Ag/MoO3/m-MTDATA/NPB/α-NPD:IrMDQ2acac/TPBi/LiF/Mg-Agである。当該フレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造プロセスは、次のとおりである。まず、厚さが03mmであるPEフィルムを洗剤含有の脱イオン水に浸して超音波洗浄を行い、脱イオン水で洗浄した後、順にイソプロパノール、アセトンを用いて超音波処理し、その後、窒素ガスで乾燥させた。次に、PEフィルムをスピンコーターに置き、スピンコーターを起動させ、スピンコーターの回転速度を4000r/minにし、厚さが3μmであるUVグルーをフラット層としてPENフィルムの表面にスピンコーティングし、100秒スピンコーティングした後、UVランプによって硬化させ、緩衝層を形成した。続いて、真空度が5×10-4Paであるコーティングシステムにおいて、緩衝層の表面で順に、厚さが45nmであるZnS層、厚さが22nmであるAg層、厚さが4nmであるMoO3層を蒸着した。最後、MoO3層で順に、厚さが30nmである正孔注入層m-MTDATA、厚さが50nmである正孔伝送層NPB、厚さが25nmである発光層α-NPD:IrMDQ2acac、厚さが30nmである電子伝送層TAZ、厚さが15nmである電子注入層LiF、厚さが180nmである陰極層Alを蒸着した。比較例1層状構造を有するフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスであって、その層状構造は順に、PET/ITO/m-MTDATA/NPB/Irppy3:CBP/TPBi/LiF/Mg-Agである。ここで、そのスデバイスには緩衝層を有しないこと、及び陽極層がITOインジウムスズ酸化物導電層であること以外、他の各機能層は実施例2と同様である。当該フレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造プロセスは、次のとおりである。厚さが0175mmであるPETフィルムを洗剤含有の脱イオン水に浸して超音波洗浄を行い、脱イオン水で洗浄した後、順にイソプロパノール、アセトンを用いて超音波処理し、その後、窒素ガスで乾燥させた。マグネトロンスパッタリングシステムを用いて、厚さが120nmであるITOインジウムスズ酸化物導電膜をPETフィルムの表面にスパッタリングし、真空度が5×10-4Paであるコーティングシステムにおいて、その表面で順に、正孔注入層m-MTDATA、正孔伝送層NPB、発光層Irppy3:CBP、電子伝送層TPBi、電子注入層LiF和陰極層Mg-Agを蒸着した。図3から、実施例2で製造されたZnS/Ag/MoO3陽極は、優れた透過率を有しており、そのうち、実施例2で製造された陽極は可視光線透過率が838で、比較例1で製造されたITO陽極の透過率842とほぼ同じであることが分かる。図4から、実施例2で製造されたZnS/Ag/MoO3陽極は、基板と優れた結合力を有しており、繰り返して湾曲した後、発光性能が比較的安定であることに対して、ITO陽極は繰り返して湾曲した後、基板から剥離され易く、発光性能の低下を引き起こすことが分かる。図5から、実施例2で製造されたZnS/Ag/MoO3陽極は、優れた正孔注入性能を有しており、この陽極によって製造されるスデバイスのキャリア注入性能は、ITOを陽極として製造されるスデバイスと似ているので、良い電致発光効果が得られることが分かる。以上、本発明の好適な実施例について詳しく説明するが、本発明の特許請求の範囲を制限するものではなく、本発明の特許請求の範囲は添付される請求項に準ずると理解されるべきである。"