第一表面及び該第一表面に対向する第二表面を有する金属基材を提供する第一ステップと、前記金属基材の第一表面にグラフェン構造体を成長させる第二ステップと、エッチングによって、前記金属基材をパターニングして複数の電極を形成させる第三ステップと、を含むことを特徴とするグラフェン導電膜の製造方法。第一表面及び該第一表面に対向する第二表面を有する金属基材を提供する第一ステップと、前記金属基材の第一表面にグラフェン構造体を成長させる第二ステップと、高分子材料層を前記グラフェン構造体の、前記金属基材に隣接する表面とは反対の表面に被覆させて、基材-グラフェン-高分子材料複合構造体を形成する第三ステップと、エッチングによって、前記金属基材をパターニングする第四ステップと、を含むことを特徴とするグラフェン導電膜の製造方法。実際の応用において、グラフェン薄膜は、常に導電薄膜として利用される。この場合、前記グラフェン構造体上に電極を形成することができる。しかしながら、前記方法では、グラフェン薄膜の厚さが小さいので、前記電極を形成する工程において、前記グラフェン構造体は容易に損傷される。従って、前記課題を解決するために、本発明は電極を備えたグラフェン導電膜の製造方法を提供する。該製造方法によって得られたグラフェン導電膜は、一体の構造を有し、その製造方法は、非常に簡単である。本発明のグラフェン導電膜の製造方法は、第一表面及び該第一表面に対向する第二表面を有する金属基材を提供する第一ステップと、前記金属基材の第一表面にグラフェン構造体を成長させる第二ステップと、エッチング法によって、前記金属基材をパターニングして複数の電極を形成させる第三ステップと、を含む。本発明のグラフェン導電膜の製造方法は、第一表面及び該第一表面に対向する第二表面を有する金属基材を提供する第一ステップと、前記金属基材の第一表面にグラフェン構造体を成長させる第二ステップと、高分子材料層を前記グラフェン構造体の、前記金属基材に隣接する表面とは反対の表面に被覆させて、基材-グラフェン-高分子材料複合構造体を形成する第三ステップと、エッチングによって、前記金属基材をパターニングする第四ステップと、を含む。従来の技術と比べて、本発明のグラフェン導電膜の製造方法は、次の優れた点がある。第一に、金属基材をパターニングして複数の電極を形成しているので、該複数の電極は、グラフェン構造体を支持して保護することができ、前記グラフェン導電膜は容易に損傷されない。第二に、本発明の方法は、エッチング法によって金属基材をパターニングしているので、その製造方法は非常に簡単である。以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。実施例1図1及び図2を参照すると、本実施例のグラフェン導電膜10の製造方法は、第一表面102及び該第一表面102に対向する第二表面104を有する金属基材100を提供するステップS11と、前記金属基材100の第一表面102にグラフェン構造体110を成長させるステップS12と、エッチング法によって、前記金属基材100をパターニングして複数の帯状電極106を形成するステップS13と、を含む。前記ステップS11において、前記金属基材100は、一定の厚さを有する。前記金属基材100は、銅、ニッケルなどのような金属薄膜からなる。前記金属基材100の厚さは、100nm~100μmであり、その寸法は制限されずに、実際の応用に応じて選択することができる。例えば、反応炉の寸法によって、前記金属基材100の寸法を選択する。または、前記金属基材100を巻いて反応炉内に置き、前記反応炉のスペースの利用率を向上させることにより、グラフェン構造体110の寸法を増加させる。本実施例において、前記金属基材100は、銅箔からなり、その厚さは25μmである。前記ステップS12において、化学気相成長法で前記金属基材100の第一表面102にグラフェン構造体110を成長させる。その製造方法は、前記金属基材100を反応室に置いて、前記金属基材100の第一表面102を高温処理するステップaと、前記反応室に炭素源ガスを導入し、前記金属基材100の第一表面102に前記グラフェン構造体110を成長させるステップbと、前記金属基材100を室温まで冷却した後、前記グラフェン構造体110が成長された前記金属基材100を前記反応室から取り出すステップcと、を含む。前記ステップaにおいて、前記反応室は、吸気口及び排気口を有する密封チャンバーである。前記吸気口から水素ガス及びメタンを導入することができる。前記排気口は、空気排出装置と連通している。前記排気口によって、前記空気排出装置は、前記反応室の真空度及び気圧を制御することができる。更に、前記反応室における前記金属基材100の温度を制御するために、前記反応室は、水冷裝置を備えることもできる。本実施例において、前記反応室は、石英管である。前記金属基材100の第一表面102を平らにするために、前記金属基材100の第一表面102を高温処理する。これは、前記グラフェン構造体110の成長に役立つことができる。前記高温処理方法は、前記金属基材100を真空反応室に置くと同時に、前記吸気口から該反応室に流量が2sccm~35sccmの水素ガスを導入するステップa1と、前記反応室の温度を高めて、前記金属基材100の第一表面102を1時間ほど高温処理するステップa2と、を含む。前記ステップa1において、前記水素ガスの流量は2sccmである。前記ステップa2において、前記反応室の温度は、800°C~1500°Cであり、その気圧は、10-1~102Paである。本実施例において、前記反応室の気圧は13.3Paであり、その温度は1000°Cであり、昇温時間は40分であり、恒温時間は20分である。前記ステップbにおいて、前記反応室に流量が2sccmの水素ガスを連続的に導入すると同時に、高温環境下で炭素源ガスを導入することによって、前記金属基材100の第一表面102に炭素原子が堆積して前記グラフェン構造体110が形成される。前記水素ガスと前記炭素源ガスとの導入量の比は、45:2~15:2である。前記炭素源ガスは、メタン、エタン、エチレンまたはアセチレンである。前記反応室の温度は800°C~1500°Cであり、その気圧は10-1~102Paであり、恒温時間は10~60分である。本実施例において、前記炭素源ガスは、流量が2sccmのメタンである。前記反応室の気圧は66.5Paであり、その温度は1000°Cであり、恒温時間は30分である。前記ステップcにおいて、前記炭素源ガス及び水素ガスの流量が変わらないように、前記反応室に連続的に導入すると同時に、前記金属基材100を室温まで冷却する。本実施例において、前記金属基材100を冷却する工程では、前記反応室に流量が25sccmのメタン及び流量が2sccmの水素ガスを導入する。前記反応室の気圧を66.5Paとして前記金属基材100を1時間冷却した後、前記反応室から取り出すと、前記金属基材100の第一表面102に前記グラフェン構造体110が形成される。本実施例において、化学気相成長法で前記グラフェン構造体110を成長させる。前記金属基材100の寸法によって、前記グラフェン構造体110の寸法を調整する。前記グラフェン構造体110は、少なくとも一つのグラフェンからなる。ここで、グラフェン図3を参照とは、sp2結合炭素原子の一つの原子の厚さのシートであり、炭素原子同士の結合からできた蜂の巣のような六角形格子構造を示す。単層のグラフェンの透光率は、97.7に達するので、該単層グラフェンからなるグラフェン構造体110は、良好な透光性を有する。従って、前記グラフェン構造体110を利用して、透明な熱音響装置を製造することができる。単層グラフェンは小さい熱容量を有しており、5.57×10-4J/Kmolに達することができる。従って、前記グラフェン構造体110の熱容量も小さく、その熱容量は、例えば2×10-3J/Kmolである。前記グラフェン構造体110は、自立構造を有するものである。ここで、自立構造とは、支持体材を利用せず、前記グラフェン構造体110を独立して利用することができるという形態のことである。すなわち、前記グラフェン構造体110を対向する両側から支持して、前記グラフェン構造体110の構造を変化させずに、前記グラフェン構造体110を懸架させることができることを意味する。前記グラフェン構造体110の寸法は、2cm~10cmである。ここで、前記グラフェン構造体110の寸法は、該グラフェン構造体110の一点から他点までの距離が最大となる時の距離である。前記グラフェン構造体110の正投影の面積は、1cm2以上である。本実施例において、前記グラフェン構造体110は、辺長が4cmの正方形である。前記ステップS13において、エッチングによって、前記金属基材の第二表面から該金属基材をパターニングする方法は、前記金属基材100の第二表面104に複数の帯状の溝124を有する犠牲層120を形成するステップS131と、前記複数の帯状の溝124に対応する前記金属基材100の部分をエッチングし、前記グラフェン構造体110の一部を暴露させるステップS132と、前記複数の帯状の溝124を含む犠牲層120を除去するステップS133と、を含む。前記ステップS131において、前記金属基材100の第二表面104に犠牲層120を形成した後、エッチング方法で前記犠牲層120の一部をエッチングして、複数の帯状の溝124を有する犠牲層120を形成することができる。前記犠牲層120は、ポリマーからなる。前記ポリマーは、ポリメタクリル酸メチル樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、シリコンエーテル樹脂などの熱硬化性樹脂である。前記犠牲層120のパターンは、実際の応用に応じて、調整することができる。前記ステップS132において、エッチング方法によって、前記金属基材100から複数の帯状電極106を形成する。前記複数の帯状電極106は、前記グラフェン構造体110に電気的に接続されている。前記エッチング方法は、ドライエッチングまたはウェットエッチングである。本実施例において、ドライエッチングを採用する。詳しくは、前記犠牲層120が被覆された金属基材100を誘導結合プラズマシステムに置いて、酸素ガス及び塩素ガスをエッチングガスとして、前記複数の帯状の溝124に対応する前記金属基材100の一部をエッチングすることにより、前記グラフェン構造体110の一部を暴露させる。本実施例において、前記誘導結合プラズマシステムの功率は50ワットである。流量が24sccmの酸素ガス及び流量が24sccmの塩素ガスを前記誘導結合プラズマシステムに導入する。前記誘導結合プラズマシステムの気圧は、2Pa~10Paである。前記金属基材100の第二表面104を40秒~55秒エッチングする。前記金属基材100が銅箔である場合、ウェットエッチングで該銅箔をエッチングする。詳しくは、前記金属基材100を濃度が0.06mol/L~0.25mol/Lの塩化第三鉄溶液の中に4分~15分浸漬する。前記複数の帯状の溝124に対応する前記金属基材100の部分は前記犠牲層120で保護されないので、前記塩化第三鉄溶液で除去され、前記グラフェン構造体110の一部を暴露させる。前記ステップS133において、有機溶液で前記犠牲層120を除去する。本実施例において、有機溶液はアセトンである。図4を参照すると、前記グラフェン導電膜10は、グラフェン構造体110と、複数の帯状電極106と、を含む。前記複数の帯状電極106は、相互に平行して配列されて前記グラフェン構造体110の一つの表面に設置されており、該グラフェン構造体110に電気的に接続されている。さらに、前記複数の帯状電極106は、前記グラフェン構造体110を支持して保護することができる。前記グラフェン導電膜10は、タッチパネルに用いられることができる。前記グラフェン導電膜10におけるグラフェン構造体110は、単位面積あたりの熱容量が小さく及び大きい放熱面積を有するので、該グラフェン導電膜10は、音波発生器として、熱音響装置に用いられることもできる。実施例2図5及び図6を参照すると、本実施例のグラフェン導電膜20の製造方法は、第一表面202及び該第一表面202に対向する第二表面204を有する金属基材200を提供するステップS21と、前記金属基材200の第一表面202にグラフェン構造体210を成長させるステップS22と、高分子材料層230を前記グラフェン構造体210の、前記金属基材200に隣接する表面とは反対の表面に被覆して、基材-グラフェン-高分子材料複合構造体250を形成するステップS23と、エッチングによって、前記金属基材200をパターニングして複数の帯状電極206を形成するステップS34と、を含む。実施例1と比べると、本実施例において、グラフェン導電膜20の製造方法の異なる点は、前記ステップS23の高分子材料層230を前記グラフェン構造体210の、前記金属基材200に隣接する表面とは反対の表面に被覆することである。前記ステップS23は、前記高分子材料層230を前記グラフェン構造体210の、前記金属基材200に隣接する表面とは反対の表面に被覆するサブステップS231と、熱圧法又は冷圧法によって、前記高分子材料層230と前記グラフェン構造体210とを結合させて、基材-グラフェン-高分子材料複合構造体250を形成するサブステップS232と、を含む。前記サブステップS231において、前記高分子材料層は、溶融状態の高分子材料又は高分子材料溶液からなる。前記高分子材料溶液は、高分子材料を揮発性有機溶液に溶解して形成される。前記溶融状態の高分子材料又は高分子材料溶液は一定の接着性を有し、好ましくは、その接着性が1Pas以上である。前記高分子材料は常温で一定の透明度を有する固体である。前記揮発性有機溶液は、アルコール、メタノール、アセトン、ジクロロエタン、クロロホルムの一種又は多種である。前記高分子材料は、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、テレフタレート、スチレン-シクロブテン又は環状オレフィンポリマーなどの材料である。本実施例において、前記高分子材料は、ポリメチルメタクリレートである。前記高分子材料の溶液を直接前記グラフェン構造体210の前記金属基材200に隣接する表面とは反対の表面に被覆することができる。前記ステップS232において、熱圧法又は冷圧法の方法によって、機械力を加えることにより、前記高分子材料層230と、前記金属基材200に成長されたグラフェン構造体210と、を緊密に結合させることができる。本実施例において、熱圧法を採用する。図7を参照すると、該熱圧法は、基材-グラフェン-高分子材料複合構造体250を、加圧装置52を有する熱圧装置50内に設置するステップb1と、前記加圧装置52を加熱するステップb2と、基材-グラフェン-高分子材料複合構造体250を、均一な速度で前記加熱された加圧装置52に通過させると同時に、前記ローラーに所定の圧力を印加して、前記カーボンナノチューブ構造体24及び前記金属基材200に成長されたグラフェン構造体210と、を緊密に結合させるステップb3と、を含む。前記熱圧装置50は、加圧装置52と、加熱装置図示せずと、を含む。本実施例において、前記熱圧装置50は、熱圧機またはシールプレス機であり、前記加圧装置52は、二つの金属ローラーからなる。前記ステップb2において、前記熱圧装置50の加熱装置で前記加圧装置52を加熱する。前記ローラーの温度及び圧力は、実際の応用に応じて選択することができる。本実施例において、前記熱圧装置50の前記二つのローラーの加熱温度は110°C~120°Cであり、その圧力は49Pa~196Paである。本実施例において、前記ステップb3において、前記基材-グラフェン-高分子材料複合構造体250を1ミリメートル/分~10メートル/分の速度で前記二つの加熱されたローラーに通過させると同時に、前記ローラーに一定の圧力を印加する。図8を参照すると、本実施例の製造方法で製造されたグラフェン導電膜20は、複数の帯状電極206と、グラフェン導電膜210と、高分子材料層230と、を含む。前記複数の帯状電極206は、前記グラフェン構造体210に電気的に接続されて、一体の構造を形成している。実施例1の製造方法で製造されたグラフェン導電膜10とくらべると、グラフェン導電膜20は、更に、前記グラフェン構造体210の、前記帯状電極206に隣接する表面とは反対の表面に被覆された前記高分子材料層230を含む。該高分子材料層230は、前記グラフェン構造体210を保護することができる。実施例3図9を参照する。実施例1と比べると、本実施例において、グラフェン導電膜30の製造方法の異なる点は、金属基材のエッチングによって形成された電極が、ネットワーク状電極306を形成している点である。