"レクチル上の欠陥を検出するための方法であって、前記レクチルを撮像するための最適焦点設定を決定するステップと、前記最適焦点設定に所定の補正値を加算した焦点設定で前記レクチルの少なくとも一部の第1の画像を取得するステップと、前記最適焦点設定から前記所定の補正値を減算した焦点設定で前記レクチルの前記少なくとも一部の第2の画像を取得するステップと、前記第1の画像と前記第2の画像との差分である差分画像を生成するステップと、前記差分画像に基づいて前記レクチル上の欠陥を識別するステップと、を含む、方法。前記第1の画像および前記第2の画像は、前記レクチルの前記少なくとも一部の空中画像である、請求項1に記載の方法。前記第1の画像および前記第2の画像は透過光画像である、請求項1に記載の方法。前記第1の画像および前記第2の画像は反射光画像である、請求項1に記載の方法。前記第1の画像と前記第2の画像とは同時に取得される、請求項1に記載の方法。前記所定の補正値は、前記第1の画像を取得する前の較正処理を利用して決定される、請求項1に記載の方法。レクチル上の欠陥を検出するための方法であって、前記レクチルを撮像するための最適焦点設定を決定するステップと、前記最適焦点設定に第1の補正値を加算した焦点設定で前記レクチルの少なくとも一部の第1の画像を取得するステップと、前記最適焦点設定から第2の補正値を減算した焦点設定で前記レクチルの前記少なくとも一部の第2の画像を取得するステップと、前記第1の画像と前記第2の画像との差分である差分画像を生成するステップと、前記差分画像に基づいて前記レクチル上の欠陥を識別するステップと、を含む、方法。前記第1の画像および前記第2の画像は、前記レクチルの前記少なくとも一部の空中画像である、請求項8に記載の方法。前記第1の画像および前記第2の画像は透過光画像である、請求項8に記載の方法。前記第1の画像および前記第2の画像は反射光画像である、請求項8に記載の方法。前記第1の画像と前記第2の画像とは同時に取得される、請求項8に記載の方法。前記第1の補正値と前記第2の補正値とは前記第1の画像を取得する前の較正処理を利用して決定される、請求項8に記載の方法。前記第1の補正値と前記第2の補正値とは同じ値である、請求項8に記載の方法。前記第1の補正値と前記第2の補正値とは異なる値である、請求項8に記載の方法。レクチル上の欠陥を検出するための検査システムであって、最適焦点設定に第1の補正値を加算した焦点設定で前記レクチルの少なくとも一部の第1の画像を取得するように構成され、前記最適焦点設定から第2の補正値を減算した焦点設定で前記レクチルの前記少なくとも一部の第2の画像を取得するように構成された撮像装置と、前記第1の画像と前記第2の画像との差分である差分画像を生成するように構成された画像プロセッサと、前記差分画像を提示するように構成されたユーザインターフェースと、を含む、検査システム。前記画像プロセッサは、前記差分画像に基づいて前記レクチル上の欠陥を識別するようにさらに構成される、請求項15に記載の検査システム。前記撮像装置は、連続的または同時的の少なくともいずれかで前記第1の画像および前記第2の画像を取得するように構成される、請求項15に記載の検査システム。前記撮像装置は、前記レクチルの前記少なくとも一部の空中画像を取得するように構成される、請求項15に記載の検査システム。前記撮像装置は透過光画像を取得するように構成される、請求項15に記載の検査システム。前記撮像装置は反射光画像を取得するように構成される、請求項15に記載の検査システム。そこで、単一ダイまたは複数ダイレクチルの汚染欠陥を検出するための迅速かつ効果的な方法が必要とされている。本開示は、レクチルの欠陥を検出するための方法を対象とする。当該方法は、レクチルを撮像するための最適焦点設定を決定するこステップと、最適焦点設定に所定の補正値を加算した焦点設定でレクチルの少なくとも一部の第1の画像を取得するステップと、最適焦点設定から所定の補正値を減算した焦点設定でレクチルの少なくとも一部の第2の画像を取得するステップと、第1の画像と第2の画像との差分である差分画像を生成するステップと、該差分画像に基づいてレクチル上の欠陥を識別するステップと、を含む。本開示に係る方法は、また、レクチルの少なくとも一部にある欠陥を検出するために利用されてよい。本開示のさらなる実施形態は、レクチル上の欠陥を検出するための検査システムを対象とする。検査システムは、レクチルの少なくとも一部の一組の画像を取得するための撮像装置を備えてもよい。第1の画像は、最適焦点設定に所定の補正値を加算した焦点設定で取得されてよく、第2の画像は、最適焦点設定から所定の補正値を減算した焦点設定で取得されてよい。検査システムは、また、第1の画像と第2の画像との差分である差分画像を生成するための画像プロセッサを備えてもよい。また、検査システムは、差分画像を提示するためのユーザインターフェースをさらに備えてもよい。上記の一般的な説明および以下の詳細な説明の両方が単に例示的および注釈的であり、本開示を必ずしも制限するものでないことが理解されるべきである。明細書の一部に組み込まれ、または明細書を構成する添付の図面は本開示の主題を示す。併せて、説明および図面は本開示の原理を説明する役割を果たす。本開示の多くの利点は、添付の図面を参照することにより当業者によってより理解され得る。添付図面で示された、開示された主題が詳細に参照される。図1を参照して、例示的なレクチルフォトマスクとも呼ばれる100の局所領域上の所望のパターン102を示す図が示されている。所望のパターン102を示す線は単に説明の目的に過ぎず、一定の縮尺で図示されているわけでないことが理解されるべきである。6インチ×6インチの例示的なレクチルの場合、線は、約200nmのオーダーであり得る。このような寸法が本開示の趣旨および範囲から逸脱することなく変化し得ることが理解されるべきである。図1に示すように、汚染の欠陥104がレクチル100上に存在し得る。本開示は、レクチル上の汚染の欠陥を検出するためのシステムおよび方法を対象とする。本開示に係る方法は、汚染の欠陥を識別/検出するために異なる焦点設定でキャプチャ/取得される同じレクチルの画像を利用する。本開示に係る方法は、任意の存在する検査ツールが必要とする任意の基準レクチルまたは設計情報を必要としない。また、本開示に係る方法は、比較的速く実行され、複雑なパターンを効果的に扱うことができる。より具体的には、図2および3に示すように、レクチル100の2画像が異なる焦点設定で取得されてよい。例えば、第1の画像200は、最適焦点設定に所定の補正値を加算した箇所で取得され得ると同時に、第2の画像300は、最適焦点設定から所定の補正値を減算した箇所で取得され得る。最適焦点設定は、レクチル100が最適に焦点の合う焦点設定例えば、レクチル100の焦点が合う設定である。従って、所定の補正値を加算または減算した最適焦点設定で取得された2画像は、両方ともわずかに劣化している例えば、焦点がわずかにずれたように見える。一般に不透明なパターン102の画像は、焦点補正値に応じて対称的に劣化し得る。つまり、所定の補正値を加算した最適焦点設定すなわち、レクチル100の背面に焦点が合わせられた、バックフォーカスとも呼ばれるで取得された所望のパターン102の画像は、所定の補正値を減算した最適焦点設定すなわち、レクチルの前面に焦点が合わせられた、フロントフォーカスとも呼ばれるで取得された所望の画像102と実質的に同じように劣化し得る。従って、2画像で補足された所望のパターン102は、焦点がわずかにずれたように見えるが、第1の画像200および第2の画像300の両方で実質的に同一である任意のわずかな差が存在し得ることは理解されるべきである。一方、汚染のほとんどの形式は、それらの透過に位相成分を有する。そのような位相成分は、焦点補正値デフォーカスに対して非対称な応答を有する。すなわち、図1に示す欠陥104などの汚染欠陥に対して、最適焦点設定に所定の補正値を加算した箇所で取得された画像は、最適焦点設定から所定の補正値を減算した箇所で取得された画像と比較して異なる形式で劣化し得る。従って、欠陥104は、第2の画像300と比較して第1の画像200では異なって見える。差分画像は、取得した2画像に基づいて生成され得る。図4に示すように、例示的な差分画像400は、第1の画像200と第2の画像300との差分である。所望のパターン102は、両方の画像200、300で実質的に同一であるように見えるので、差分画像400で相互に打ち消す。任意の欠陥の位置は、一方では、差分画像400で示すおよび強調される傾向がある。そして、そのような位置は、レクチル100上に存在し得る汚染の欠陥の可能性を識別/検出するために利用されてよい。図5は、本開示に係る検査システム500を示す。検査システム500は、上記記載のレクチル100の画像200,300を取得するために構成された撮像装置例えば、スキャナ、顕微鏡など502を含み得る。例えば、撮像装置502は、連続して特定の順序は問題でないレクチル100の空中画像例えば、平面図をキャプチャしてもよい。しかしながら、異なる焦点設定で同時の画像をキャプチャ可能な撮像装置も利用されてよいことは、考慮される。また、検査システム500は、本開示の趣旨および範囲から逸脱することなく1以上の撮像装置を備えてもよい。さらに、撮像装置502は、ハードウェア/光学焦点オフセットと同等の方法で画像を修正するためのソフトウェア処理技術を利用してもよい。撮像装置502は、また、同時にレクチル100の部分/領域の画像を取得するように構成されてもよい。これは、様々な状況、例えば、レクチル100の一部分のみを検査する必要がある場合、またはレクチル100が大きすぎて一度に全てを検査できない場合に価値を有し得る。検査システム500は、また、取得した画像を処理するために構成された画像プロセッサ504を備えてもよい。画像プロセッサ504は、任意の独立型または組込み型のコンピューティングデバイス例えば、コンピュータ、処理ユニット/回路などを利用して実行され得る。撮像装置502から画像200,300を受信すると、画像プロセッサ504は、第1の画像200と第2の画像300との差分である差分画像400を生成し得る。そして、差分画像400は、ユーザインターフェース506を介してユーザに提示され得る。画像プロセッサ504は、さらに汚染の欠陥の可能性を識別するための特定の診断/分析機能を提供するように構成され得る。画像プロセッサ504は、差分画像400に基づいて欠陥の可能性の位置、大きさおよび他の関連する情報を識別し得る。例えば、その周囲と異なるように見える範囲402は、汚染の欠陥の可能性として識別され得る。また、閾値は画像200と300との間に存在し得るいくつかのわずかな差分に適用するために定義され得る。閾値は、大きさ、色差および/または様々な他の要因の内1以上に基づいて定義され得る。このように、閾値よりも大きな量を持つことで周囲とは異なる範囲のみが汚染の欠陥の可能性として考えられる。識別された汚染の欠陥は、差分画像400に加えて例えば、レポートとして、それと併せて例えば、マークアップとして、またはその代わりにユーザに提示し得る。本開示に係る検査処理に基づく焦点補正値が撮像装置502に比較的低解像度で例えば、125nmのピクセルサイズでレクチル100の画像を取得させることが考えられる。従って、検査処理は、より高解像度例えば、55nmピクセルサイズの走査を必要とする従来の技術と比べて比較的速く実行し得る。また、低解像度イメージングが高解像度イメージングよりもはるかに大きな焦点の深度を有し、低解像度イメージングの利用は、撮像装置502の焦点の深度に関連した優れた焦点制御を提供する。このことは、画像の良質な打ち消しを達成するために価値を有し得る。しかしながら、本開示の趣旨および範囲から逸脱することなく、特定の解像度の設定を例えば、低解像度と高解像度との間の範囲を変えてもよいことが考えられる。本開示に係る検査処理は、任意の基準ダイまたは設計情報を使用することなく任意の単一ダイまたは複数ダイレクチルの検査のために利用されてよい。さらに、本開示に係る検査処理に基づく焦点補正値の別の利点として、複雑なパターンでレクチルを効果的に検査する能力が挙げられる。検査処理に基づく差分画像は、パターンの微細構造を分解し、または取得された画像の修正を実行する必要がない。最小限の処理で異なる焦点設定で取得された一対の画像を生成する材料の物理的特性である。リソグラフィ処理ウィンドウ内の焦点補正値と共に、リソグラフィの正確な照明および画像の使用は、解像度およびコントラストがレクチル設計に適しているであろうことを保証する。レクチルの所望のパターンを形成するために使用される材料が不透明であることが必要とされることが考えられる。ケイ化モリブデンなどの部分的に透過性のある材料の特定のタイプがレクチルを形成するために利用され得る。そのようなタイプの材料は特定の位相ずれ特性を有し得るので、異なる焦点補正値で撮像された所望のパターンの画像は完全な対称形式で劣化しない。従って、そのような位相ずれ特性に適応するために、画像に調整が適用され得る。特定の調整値が他の様々な要因と同様に、材料のタイプ、焦点補正値設定に基づいて予め計算され得ることはが理解されるべきである。また、他の調整/補正技術例えば、画像較正などが本開示の趣旨および範囲から逸脱することなく利用されてよいことも理解されるべきである。また、較正処理が第1と第2の画像との間の適した打ち消しを提供するのに必要とされる特定の焦点補正値を決定するのを助け得ることが考えられる。例えば、較正処理は、それぞれ異なる焦点補正値を有するレクチルの局所領域の全体の一連の画像を取ることを含んでよい。いくつかの非欠陥領域の画像の組の差分を取ることによって、較正処理は、所望のバターンを最適に打ち消す実質的に異なる焦点補正値で画像を決定することができる。さらに、利用される焦点補正値の範囲は、特定の光学的構成の焦点の深度に基づく。例えば、焦点補正値は、最適焦点から最大で焦点の1または2深度であってよい。また、較正処理は、画像が撮像された一連の画像に基づいて対称の形式で劣化しているかどうか、および調整がオフセット値に適用される必要があるかどうかを決定し得る。例えば、較正処理は、加算オフセットとして使用される第1のオフセット値および減算オフセットとして使用される第2のオフセット値を決定し得る。しかしながら、差分オフセット値は、上記に記載のように位相ずれ特性の可能性に適応するために使用され得る。すなわち、加算焦点補正値および減算焦点補正値は、同じ大きさで存在する必要はない。さらに、本開示に係る検査システムが透過光または反射光のいずれかを利用してよいことが考えられる。例えば、透過光が利用される場合、撮像装置502は、レクチル100を通って透過した光に基づいて画像を取得するように構成され得る。一方、反射光が利用される場合、撮像装置502は、レクチル100によって反射した光例えば、極紫外EUV光に基づいて画像を取得するように構成され得る。撮像装置502の特定の実施が本開示の趣旨および範囲から逸脱することなく変更してよいことは、理解されるべきである。図6を参照して、レクチル上の欠陥を検出するための方法600を示す。ステップ602は、レクチルまたはレクチルの一部を撮像するための最適焦点設定を決定し得る。ステップ604は、最適焦点設定に所定の補正値を加算した箇所でレクチルの第1の画像を取得し、ステップ606は、最適焦点設定から所定の補正値を減算した箇所でレクチルの第2の画像を取得し得る。ステップ604および606は、連続してまたは同時に実行してよい。そして、ステップ608は、取得した第1および第2の画像に基づいて差分画像を生成し得る。差分画像は、2画像の差分である。ステップ610は、上記記載の差分画像に基づいてレクチル上の潜在的な汚染の結果を識別し得る。本開示がソフトウェア/ファームウェアパッケージの形式で実施され得ることは、理解されるべきである。そのようなパッケージは、本開示の開示された機能および処理を実行するためのコンピュータのプログラムを作るために使用される保存したコンピュータコードを含むコンピュータ可読の記憶媒体/装置を採用するコンピュータプログラム製品であってよい。コンピュータ可読の媒体は、従来のフロッピーディスクの任意のタイプ、光ディスク、CD-ROM、磁気ディスク、ハードドライブ、光磁気ディスク、ROM、RAM、EPROM、EEPROM、磁気または光カード、あるいは電子命令を格納する他の任意の適切な媒体を含むが、これらに限定しない。開示された方法は、単一の生産装置を介して、および/または複数の生産装置を介して、一連の命令として実行され得る。さらに、開示された方法における工程の特定の順序または階層が例示的なアプローチの一例であることが、理解されるべきである。設計の嗜好に基づいて、本開示の範囲および趣旨から逸脱することなく、上記方法における工程の特定の順序または階層が再配置可能であることは、理解されるべきである。添付の方法の特許請求の範囲は、見本の順序における様々な工程の要素を提示し、提示された特定の順序または階層に限定する意図は必要ない。本開示のシステムおよび方法並びに多くのその付属する利点が前述の説明によって理解され、開示された主題から逸脱することなく、またはその物質的な利点の全てを犠牲にすることない形式、構造および配置で作られてよいことが明らかであることが考えられる。"