"交流電源の一端には第1リアクトルの一端を接続し、第1リアクトルの他端にはダイオードブリッジの交流入力の一端を接続し、交流電源の他端には第2リアクトルの一端を接続し、第2リアクトルの他端にはダイオードブリッジの交流入力の他端を接続し、前記ダイオードブリッジの交流入力の一端と他端との間には順方向電流の導通,遮断を制御可能で、かつ逆方向の電流に対しては常に導通状態となる半導体スイッチング素子を複数個、相互に逆方向に直列に接続した整流器において、前記半導体スイッチング素子の両端には第1スナバダイオードとコンデンサと第2スナバダイオードの直列回路を接続し、前記第1スナバダイオードのカソードとコンデンサとの接続点と、前記ダイオードブリッジの直流出力の正側端子との間を抵抗で接続し、前記コンデンサと第2スナバダイオードのアノードとの接続点と、前記ダイオードブリッジの直流出力の負側端子との間をダイオードでそれぞれ接続したことを特徴とする整流器のスナバ回路。交流電源の一端には第1リアクトルの一端を接続し、第1リアクトルの他端にはダイオードブリッジの交流入力の一端を接続し、交流電源の他端には第2リアクトルの一端を接続し、第2リアクトルの他端にはダイオードブリッジの交流入力の他端を接続し、前記ダイオードブリッジの交流入力の一端と他端との間には順方向電流の導通,遮断を制御可能で、かつ逆方向の電流に対しては常に導通状態となる半導体スイッチング素子を複数個、相互に逆方向に直列に接続した整流器において、前記半導体スイッチング素子の両端には第1スナバダイオードとコンデンサと第2スナバダイオードの直列回路を接続し、前記第1スナバダイオードのアノードとコンデンサとの接続点と、前記ダイオードブリッジの直流出力の負側端子との間を抵抗で接続し、前記コンデンサと第2スナバダイオードのカソードとの接続点と、前記ダイオードブリッジの直流出力の正側端子との間をダイオードでそれぞれ接続したことを特徴とする整流器のスナバ回路。ところで、ノイズを低減するために図4の回路を採用する場合に、さらに半導体スイッチング素子の保護のために図3のような回路を用いようとすると、低ノイズ化の機能が失われることが知られている。その理由は、以下の通りである。図6に、図4の回路に図3のスナバを用いた回路を示す。上述の説明のように、コンデンサ204はおおむねVoutに等しい電位に保たれている。素子3または4がオンしてU1,V1電位がE点に対し0Vとなると、素子3および4のソース電位も0Vとなる。このとき、204の正側201202に接続されている側電位は0Voutで、E点に対しおおむねVoutとなる。この点は抵抗205を介してP点に接続されているため、P点の電位もVout2からVoutに変化し、N点電位はP点電位-Vout、すなわちVout2から0Vに変化する。このように、スナバが接続されることで直流部に電位変動が生じるようになり、コンデンサ105を介して漏洩電流が発生する。この発明は、上記に鑑みなされたもので、スナバの付加による直流部の電位変動を防止しつつ、半導体スイッチング素子の過電圧保護を図ることにある。このような課題を解決するため、請求項1の発明では、交流電源の一端には第1リアクトルの一端を接続し、第1リアクトルの他端にはダイオードブリッジの交流入力の一端を接続し、交流電源の他端には第2リアクトルの一端を接続し、第2リアクトルの他端にはダイオードブリッジの交流入力の他端を接続し、前記ダイオードブリッジの交流入力の一端と他端との間には順方向電流の導通,遮断を制御可能で、かつ逆方向の電流に対しては常に導通状態となる半導体スイッチング素子を複数個、相互に逆方向に直列に接続した整流器において、前記半導体スイッチング素子の両端には第1スナバダイオードとコンデンサと第2スナバダイオードの直列回路を接続し、前記第1スナバダイオードのカソードとコンデンサとの接続点と、前記ダイオードブリッジの直流出力の正側端子との間を抵抗で接続し、前記コンデンサと第2スナバダイオードのアノードとの接続点と、前記ダイオードブリッジの直流出力の負側端子との間をダイオードでそれぞれ接続したことを特徴とする。また、請求項2の発明では、交流電源の一端には第1リアクトルの一端を接続し、第1リアクトルの他端にはダイオードブリッジの交流入力の一端を接続し、交流電源の他端には第2リアクトルの一端を接続し、第2リアクトルの他端にはダイオードブリッジの交流入力の他端を接続し、前記ダイオードブリッジの交流入力の一端と他端との間には順方向電流の導通,遮断を制御可能で、かつ逆方向の電流に対しては常に導通状態となる半導体スイッチング素子を複数個、相互に逆方向に直列に接続した整流器において、前記半導体スイッチング素子の両端には第1スナバダイオードとコンデンサと第2スナバダイオードの直列回路を接続し、前記第1スナバダイオードのアノードとコンデンサとの接続点と、前記ダイオードブリッジの直流出力の負側端子との間を抵抗で接続し、前記コンデンサと第2スナバダイオードのカソードとの接続点と、前記ダイオードブリッジの直流出力の正側端子との間をダイオードでそれぞれ接続したことを特徴とする。この発明によれば、整流器直流部の電位変動を防止しつつ、スナバ回路本来の過電圧保護機能を発揮できる利点が得られる。図1はこの発明の実施の形態を示す構成図である。これは、図6に示すものに対し、ダイオード206を付加し、ダイオード203のカソードの接続点を、コンデンサ204とダイオード206との接続点に移した点が特徴である。サージ電圧抑制の原理は図3の場合と同様で、例えば素子3がオフした場合、素子3に流れていた電流は201→204→206→4の経路で流れ続け、3の両端の電圧は204の電圧にクランプされる。充電により204の電圧がVoutを上回ると204→203→9→205の経路で放電が行なわれ、204の電圧はVoutにほぼ等しい値まで低下する。このとき、204の正側電位はおおむねP点電位すなわちVout2、負側電位はおおむねN点電位すなわちVout2である。その後、再度素子3がオンした場合、素子3のソース電位は0Vに上昇するが、ダイオード206により回路が遮断されるため、204の負側電位がこれにつられて0Vまで上昇することはなく、したがって204の正側電位がVoutまで上昇することもない。このため、図3の回路のように、スナバを設けたことによる直流部の電位変動発生が防止されることになる。図2にこの発明の別の実施の形態を示す。これは、U1,V1間に素子3と4の直列回路を接続するに当り、図1のように素子3,4のソース同士ではなく、ドレイン同士を接続する場合の例である。その動作は図1と同様なので、説明は省略する。なお、図1,図2における素子3および4はスナバ回路203~206を共用しているが、これらは個別に設けるようにしても良いのは勿論である。"