Si及びCを含む溶液中に、SiCの種結晶を浸漬し、溶液成長法によりSiCを析出成長させるにあたり、該種結晶を該溶液に浸漬する前に、該溶液の温度を一時的に結晶成長温度よりも50~300°C高温に保って製造して、結晶成長部分のボイド密度を10000個/cm3以下としたことを特徴とするSiC単結晶。Si及びCを含む溶液中に、SiCの種結晶を浸漬し、SiCを析出成長させる溶液成長法によるSiC単結晶の製造方法であって、該種結晶を該溶液に浸漬する前に、該溶液の温度を一時的に結晶成長温度よりも50~300°C高温に保つことを特徴とするSiC単結晶の製造方法。前記溶液の温度を一時的に前記結晶成長温度よりも高温に保つ時間が10分以上、3時間以下であることを特徴とする請求項2に記載のSiC単結晶の製造方法。前記SiC単結晶の製造をガス雰囲気下で行い、該雰囲気ガスの圧力が0.1MPa以上の加圧条件に設定されていることを特徴とする請求項2または3に記載のSiC単結晶の製造方法。前記結晶成長温度が、1700~2100°Cの範囲内であることを特徴とする請求項2~4のいずれか1項に記載のSiC単結晶の製造方法。前記溶液中に遷移金属元素および/または希土類元素を含むことを特徴とする請求項2~5のいずれかに記載のSiC単結晶の製造方法。請求項2~6のいずれか1項に記載の製造方法で製造されたSiC単結晶。以上のように、前述の公知文献における溶液法によるSiC単結晶の成長法は、2000°C以下の条件で、雰囲気ガス粘度が750μP以下となる非酸化性ガス例えばHeを用いる方法であるが、特定の溶液組成における成長結晶中のマクロ欠陥の低減効果について記載されているものの、SiC単結晶を成長し得る全ての成長温度特に2000°C以上や溶液組成に対して、ボイドを抑制し得る有効な方法ではなかった。また、雰囲気ガスの圧力制御および坩堝種結晶の構造を制御することによってボイド低減及び多結晶抑制を実現する方法も記載されているが、そのボイド抑制効果は完全ではなく、また、作製する単結晶よりも7~100倍の直径を持つ大きな坩堝を用いなくてはならず、装置の大型化が必要であり、工業生産上は問題がある。また、高品質高純度のSiC単結晶の作製のためには、Siのみを溶液として用いることが望ましく、これらの公知文献に記載の方法では、Siのみを溶液として用いた場合に、成長結晶中のマクロ欠陥を抑制し、成長結晶表面モフォロジーの向上を実現することは困難である。本発明は、雰囲気ガスの種類、雰囲気ガスの圧力、SiとCを含む溶液への遷移金属元素または/および希土類元素の添加の有無を問わず、SiC溶液成長法が実施可能な結晶成長温度において、溶液成長法では典型的に発生するボイド欠陥を大幅に抑制することが可能であるSiC単結晶の成長方法を提供することを目的とする。本発明者等は、溶液法によるSiC単結晶の製造方法について検討を行った結果、SiC単結晶中のボイドは、溶液に溶け込んだ雰囲気ガスが再びガス化し気泡を発生し、その気泡が結晶成長とともに取り込まれることが原因の一つであることを見出し、加えて、溶液温度の調整によって、雰囲気ガスの溶液に対する溶解度を制御することが可能であることを見出した。これらの新たな知見により、ボイドの原因となる気泡を取り除く方法を更に鋭意検討し、種結晶を溶液に浸漬する前の段階での処理条件が重要であることを明らかにし、本発明に至った。本発明の課題は、以下の手段によって達成された。1Si及びCを含む溶液中に、SiCの種結晶を浸漬し、溶液成長法によりSiCを析出成長させるにあたり、該種結晶を該溶液に浸漬する前に、該溶液の温度を一時的に結晶成長温度よりも50~300°C高温に保って製造して、結晶成長部分のボイド密度を10000個/cm3以下としたことを特徴とするSiC単結晶。2Si及びCを含む溶液中に、SiCの種結晶を浸漬し、SiCを析出成長させる溶液成長法によるSiC単結晶の製造方法であって、該種結晶を該溶液に浸漬する前に、該溶液の温度を一時的に結晶成長温度よりも50~300°C高温に保つことを特徴とするSiC単結晶の製造方法。3前記溶液の温度を一時的に前記結晶成長温度よりも高温に保つ時間が10分以上、3時間以下であることを特徴とする2に記載のSiC単結晶の製造方法。4前記SiC単結晶の製造をガス雰囲気下で行い、該雰囲気ガスの圧力が0.1MPa以上の加圧条件に設定されていることを特徴とする2または3に記載のSiC単結晶の製造方法。5前記結晶成長温度が、1700~2100°Cの範囲内であることを特徴とする2~4のいずれか1項に記載のSiC単結晶の製造方法。6前記溶液中に遷移金属元素および/または希土類元素を含むことを特徴とする2~5のいずれかに記載のSiC単結晶の製造方法。7前記2~6のいずれか1項に記載の製造方法で製造されたSiC単結晶。本発明により、SiC単結晶の溶液成長が実施可能な高温で、雰囲気ガス圧力が0.1MPa以上の加圧条件においても、特別な装置を用いることなく、雰囲気ガスの気泡の巻き込みによるボイド欠陥が低減されたSiC単結晶およびその製造方法を提供することができる。本発明のSiC単結晶の製造方法は、溶液法によりSiC単結晶を成長させる際、種結晶を溶液に浸漬する前に、溶液の高温処理を行うものであり、溶液の温度を一時的に結晶成長温度よりも50~300°C高温に保つことにより、1700~2100°Cの高い結晶成長温度で、且つ雰囲気ガス圧力が0.1MPa以上の加圧条件下であっても、特別な装置を用いることなく、結晶成長したSiC結晶中のボイド発生を抑制できる。種結晶を溶液に浸漬する前に、溶液の温度を一時的に成長温度よりも高温に保つことによってボイド発生を抑制した状態でSiC単結晶の作製が可能とするものであるが、結晶成長前の保持温度が結晶成長温度50°C未満であると、気泡発生の抑制効果が十分ではなく、結晶成長温度300°Cを超えると、溶液中のCの過飽和濃度が高くなりすぎ、多結晶の発生が起こってしまうため、溶液の温度を一時的に成長温度よりも50~300°C高温に保つことが適正である。また、抑制効果を十分にかつ溶液中のCの過飽和濃度が高くなりすぎないようにするためには、さらに好ましくは、高温保持時間が10分以上、3時間以下であることが望ましい。本発明のSiC単結晶の製造方法を実施するための形態の1例を示した図1を用いて説明する。本発明においては、種結晶を溶液に浸漬する前に、溶液の温度を一時的に結晶成長温度よりも50~300°C高温に保つことを特徴とする溶液の高温処理を付与する。種結晶を溶液に浸漬する前に行う溶液の高温処理の温度は、結晶成長温度よりも100~250°C高いことがより好ましい。種結晶を溶液に浸漬する前に行う溶液の高温処理の処理時間は、溶液温度が結晶成長温度よりも50~300°C高温に達すれば、特に限定されるものではないが、好ましくは10分~3時間、より好ましくは30分~2時間である。図1において、SiC単結晶2の成長は、加熱装置である高周波コイル6によって加熱された溶液4に、SiC単結晶基板2を支持する機構の一部である種結晶保持軸種結晶保持棒3の先端に、種結晶であるSiCからなる単結晶基板2を接着又は機械的固定により保持し、これを溶液内に浸漬させて単結晶成長させることができる。種結晶保持軸3と黒鉛坩堝1はおのおの独立に回転する機構を備えたものである。黒鉛坩堝1の外側底面の温度は、放射温度計のような高温温度計により直接測温する。高周波コイル6による黒鉛坩堝1の加熱は、黒鉛坩堝1の外側底面の測定温度をもとに制御されるのが好ましい。ここで、図1では、黒鉛坩堝1は断熱材5で覆われ、この外側に高周波コイル6が設置されている。種結晶の形状は円盤、六角形平板、四角形平板等の板状でも、立方体でもよいが、円盤、六角形平板、四角形平板等の板状が好ましい。種結晶の大きさは、どのような大きさでもよく、その目的にもよるが、直径0.1cm以上が好ましく、0.5cm以上がより好ましく、1cm以上がさらに好ましい。直径の好ましい上限は特に限定されるものでなく、結晶成長装置の容量に合わせて調製すればよく、例えば10cmでも構わない。本発明のSiC単結晶を得る方法において、溶液成長に用いる溶液の組成に関しては、少なくともSiとCが含まれているならば特に制限は無い。本発明においては、溶液成長に用いる溶液には遷移金属元素好ましくはTi、Cr等の第一遷移元素または/および希土類元素例えば、スカンジウム、イットリウム等を含んでもよい。特に、Si-C溶液、Si-C-Ti溶液、Si-C-Cr溶液が好ましく、溶液に遷移金属元素好ましくはTi、Cr等の第一遷移元素または/および希土類元素を含んだ場合においても、種結晶を溶液に浸漬する前に、溶液の温度を一時的に成長温度よりも50~300°C高温に保つことで、結晶成長して得られたSiC単結晶内のボイドは大幅に抑制される。ここで、Si-C溶液、Si-C-Ti溶液、Si-C-Cr溶液におけるCの少なくとも一部は黒鉛坩堝から溶液中に溶解させたものである。また、Cの一部はCH4などの炭化水素ガスを溶液中に吹き込む、又は雰囲気ガスに混入することにより溶液中にCを供給する方法もある。雰囲気ガスは、SiC単結晶成長時に、SiC結晶及び溶液の酸化を防止するために、He、Ne、Ar等の不活性ガスを用い、またN2、H2、CH4などのガスを混合してもよい。また、SiC結晶成長は1700~2400°Cの高温で実施するため、雰囲気ガス圧力が0.1MPaよりも低いと溶液の蒸発が激しいので、加圧条件でSiC単結晶成長を実施することが望ましい。好適な雰囲気ガス圧力は0.1MPa以上である。本発明の製造方法におけるよるSiC単結晶成長時の温度は、1700~2100°Cの範囲内で設定可能であるが、溶液組成によって最適な温度条件を1700~2100°Cの範囲内で任意に設定すればよい。ただし結晶成長あるいは溶液を高温に保つ場合の温度によっては溶液の蒸発が激しくなるので、雰囲気ガスの圧力としては、1700~1900°Cの溶液温度の場合には0.1MPa~1MPa、1900°Cより高く、2400°C以下の範囲の溶液温度では1MPa~10MPaが好適である。本発明における溶液法によるSiC単結晶成長によって、高温で長時間、例えば3時間以上、成長して得られるSiC単結晶中のボイド発生を大幅に抑制することができる。すなわち、Si及びCを含む溶液中に、SiCの種結晶を浸漬し、SiCを析出成長させるにあたり、Si及びCを含む溶液中に、SiCの種結晶を浸漬し、SiCを析出成長させるにあたり、該種結晶を該溶液に浸漬する前に、該溶液の温度を一時的に結晶成長温度よりも50~300°C高温に保って製造することで得られるSiC単結晶はボイド密度を10000個/cm3以下とすることができる。ボイド密度は、好ましくは1000個/cm3以下、さらに好ましくは100個/cm3以下である。これにより、ボイドの発生で問題とする直径1μm以上のボイドの発生は大幅に抑制でき、実質0個/cm3にもできる。ボイド密度は、以下のようにして測定できる。すなわち、光学顕微鏡を用い、透過照明によって、結晶成長部分の厚み方向にすべて含んだ領域にてボイド数を計測する。ここで、ボイドは透過照明で黒丸点として観測されるので、容易に計測できる。また、光学可能顕微鏡観察の空間分解能は1μm程度であり、問題とする1μm以上の大きさのボイドは十分に検出できる。より具体的には、結晶成長部分の平面の2mm×2mmの領域で、結晶成長部分の全厚み例えば結晶成長した厚みが100μmの場合であれば100μmの領域を、顕微鏡観察してボイド数計測を行い、それを任意の場所で計6回繰り返し、1cm3当たりに換算してその平均値を求める。以後の実施例、比較例はこのようにして求めたものである。なお、ここで、透過照明で全厚みを観察できない厚みの場合は、厚み方向に分割して計測を繰り返すことで計測することができる。以下に、本発明を具体的に説明する目的で実施例を示す。ただし、これらの実施例は、本発明の具体的説明を目的としており、本発明を制限する意図はない。以下の実施例では、図1に示したSiC単結晶成長の実施形態と同様の装置を用いて、SiC単結晶の成長を行った。実験では、溶液にはSiを用い、結晶成長温度1900°C、雰囲気ガス圧力0.95MPaとした。種結晶を溶液に浸漬する前に、高温処理として、溶液の温度を結晶成長温度よりも200°C高温に1時間保持した。ここで使用した種結晶は、2.5~5.1cmの大きさの板状のSiC単結晶基板を使用した。実験では、黒鉛坩堝にSiを充填し、減圧下でSiの融点以下の温度に保持して吸着ガスを脱気した後、雰囲気ガスとしてArガスを0.95MPaの圧力で充填し、黒鉛坩堝の底面が所定の温度になるように加熱し、Si原料を融解させた。その後、溶液の温度を成長温度よりも200°C上昇させた状態で1時間保持し、その後に結晶成長温度まで温度を降下させた。その後、図1に例示した種結晶保持軸と同様な構造によって保持されたSiC種結晶を溶液に浸漬し、3時間の浸漬時間が経過した後、種結晶保持軸を上昇させ、種結晶を溶液から引き揚げた。結晶成長中は種結晶保持軸と黒鉛坩堝を互いに逆方向に回転させた。炉内の温度を室温まで冷却させた後、SiC種結晶を回収し、フッ硝酸を用いて洗浄を行い、SiC結晶表面に付着している溶液の凝固物を取り除いた。種結晶上に溶液法により成長したSiC単結晶の表面と断面に対して、透過照明を用いた顕微鏡観察を実施し、成長結晶中のボイド密度を前述のようにして計測した。実施例1実験では、黒鉛坩堝にSiを充填し、1Pa以下の減圧下で黒鉛坩堝及びSi原料を1100°C程度の温度に保持し、吸着ガスを脱気した後、雰囲気ガスとしてArガスを0.95MPaの圧力になるように充填し、黒鉛坩堝の底面が1900°Cになるように加熱し、Si原料を融解させた。その後、溶液の温度を成長温度よりも200°C上昇させた状態で1時間保持した後に結晶成長温度まで温度を降下させた。その後、図1に例示した種結晶保持軸と同様な構造によって保持されたSiC種結晶を溶液に浸漬し、3時間の浸漬時間が経過した後、種結晶保持軸を上昇させ、種結晶を溶液から引き揚げた。実施例1で実施した溶液の高温処理および結晶成長時の溶液温度の時間変化を図2に示した。なお、結晶成長中は種結晶保持軸と黒鉛坩堝を互いに逆方向に回転させた。比較例1黒鉛坩堝にSiを充填し、1Pa以下の減圧下で黒鉛坩堝及びSi原料を1100°C程度の温度に保持し、吸着ガスを脱気した後、雰囲気ガスとしてArガスを0.95MPaの圧力になるように充填し、黒鉛坩堝の底面が1900°Cになるように加熱し、Si原料を融解させた。その後、図1に例示した種結晶保持軸と同様な構造によって保持されたSiC種結晶を溶液に浸漬し、3時間の浸漬時間が経過した後、種結晶保持軸を上昇させ、種結晶を溶液から引き揚げた。結晶成長中は種結晶保持軸と黒鉛坩堝を互いに逆方向に回転させた。比較例1で実施した結晶成長時の溶液温度の時間変化を図3に示した。比較例2黒鉛坩堝にSiを充填し、1Pa以下の減圧下で黒鉛坩堝及びSi原料を1100°C程度の温度に保持し、吸着ガスを脱気した後、雰囲気ガスとしてArガスを0.95MPaの圧力になるように充填し、黒鉛坩堝の底面が2100°Cになるように加熱し、Si原料を融解させた。その後、図1に例示した種結晶保持軸と同様な構造によって保持されたSiC種結晶を溶液に浸漬し、1時間の浸漬時間が経過した後、種結晶保持軸を上昇させ、種結晶を溶液から引き揚げた。結晶成長中は種結晶保持軸と黒鉛坩堝を互いに逆方向に回転させた。比較例2で実施した結晶成長時の溶液温度の時間変化を図4に示した。実施例1の方法によって成長したSiC結晶の、成長面および成長面に垂直な断面の透過画像を示す光学顕微鏡写真を図5に示した。図5によれば、実施例1に記載した方法によるSiC単結晶成長では、ボイド発生を抑制することが可能である。この方法では、溶液の高温処理中に、溶液中の雰囲気ガス溶解量が結晶成長温度における熱力学的平衡状態での溶解量よりも低下しており、溶液の高温処理の後、結晶成長温度に溶液温度を降下しても、溶液中の雰囲気ガス溶解量が結晶成長温度における熱力学的平衡状態での溶解量よりも低下していることがボイド抑制の要因の一つであると考えられる。比較例1の方法によって成長したSiC結晶の、成長面および成長面に垂直な断面の透過画像を示す光学顕微鏡写真を図6に示した。図6によれば、結晶成長前の溶液の高温処理を実施しない場合には、SiC単結晶中のボイドを抑制することはできない。なお、図6における黒の点がボイドである。実施例1と比較例1及び比較例2によって作製したSiC単結晶中のボイド密度を下記表1に示す。表1および図6から明らかなように、実施例1に記載の結晶成長条件の中の、結晶成長前の溶液の高温処理を実施しない場合には、成長させたSiC単結晶中のボイド発生を抑制することはできない。表1から明らかなように、比較例1に記載の結晶成長条件よりも、単に成長温度を200°C上昇させた比較例2に記載の結晶成長条件を用いたSiC単結晶成長では、ボイド発生が若干低減するが、ボイド発生を大幅に抑制する効果はない。実施例2溶液原料をSi0.77Ti0.23とし、Si-C-Ti溶液に変更した以外は実施例1と同様にしてSiC単結晶を製造した。実施例3溶液原料をSi0.6Cr0.4とし、Si-C-Cr溶液に変更した以外は実施例1と同様にしてSiC単結晶を製造した。実施例2および実施例3においても、ボイド発生を大幅に抑制することが可能であった。