半導体チップ10と、前記半導体チップ10を封止する樹脂20と、を備え、前記半導体チップ10の一面10aの少なくとも一部が露出部11として前記樹脂20より露出している半導体パッケージにおいて、前記半導体チップ10の一面10a側にて、前記露出部11の周囲に位置する前記樹脂20は、前記露出部11側が広く前記露出部11から離れるにつれて狭まり且つ頂部が外部に開口する穴22とされた錐体形状をなす空間部21を形成しており、前記露出部11は前記空間部21に位置し、前記穴22を介して前記樹脂20の外部に露出していることを特徴とする半導体パッケージ。前記半導体チップ10は、半導体よりなる半導体部10cと、前記半導体部10cの表面に設けられ前記半導体部10cを被覆する被覆層10dとを備え、この被覆層10dの表面が前記半導体チップ10の一面10aとされたものであり、前記被覆層10dの表面の少なくとも一部が前記露出部11とされていることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。前記被覆層10dは、レーザを反射する特性を有するものであることを特徴とする請求項2に記載の半導体パッケージ。前記空間部21において前記穴22は、前記露出部11の直上より外れた位置に設けられていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体パッケージ。半導体チップ10と、前記半導体チップ10を封止する樹脂20と、を備え、前記半導体チップ10の一面10aの少なくとも一部が露出部11として前記樹脂20より露出している半導体パッケージを製造する半導体パッケージの製造方法において、前記半導体チップ10を用意する用意工程と、前記半導体チップ10を、前記露出部11を含めて前記樹脂20により封止する樹脂封止工程と、前記半導体チップ10の一面10a側にて、前記樹脂20の表面にレーザを照射して穴22を形成し、さらに、この穴22を通して照射する前記レーザの照射角度θを変えながら前記レーザを前記穴22の内側に照射して、前記樹脂20のうち前記露出部11を封止している部位を除去することにより、前記樹脂20において、前記穴22を頂部とし且つ前記露出部11側が広く前記露出部11から離れるにつれて狭まる錐体形状をなす空間部21を形成するレーザ照射工程と、を備えることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。前記用意工程では、前記半導体チップ10として、半導体よりなる半導体部10cと、前記半導体部10cの表面に設けられて前記半導体部10cを被覆するとともに前記レーザを反射する特性を有する被覆層10dとを備え、この被覆層10dの表面が前記半導体チップ10の一面10aとされたものを用意することを特徴とする請求項5に記載の半導体パッケージの製造方法。前記レーザ照射工程は、減圧雰囲気でおこなうことにより、前記レーザにより昇華された前記樹脂20の成分を、前記穴22を介して、前記空間部21から排気させるようにしたものであることを特徴とする請求項5または6に記載の半導体パッケージの製造方法。前記空間部21において前記穴22は、前記露出部11の直上より外れた位置に形成することを特徴とする請求項5ないし7のいずれか1つに記載の半導体パッケージの製造方法。しかしながら、上記従来では、半導体チップの露出部が樹脂より露出しているため、この露出部に外部からの異物等が衝突したり、付着したりして、半導体チップの特性に影響を与える等のおそれがある。本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、半導体チップの一部を露出させつつ樹脂で封止してなる半導体パッケージにおいて、外部の異物等による露出部への影響を極力抑えることを目的とする。上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、半導体チップ10と、半導体チップ10を封止する樹脂20と、を備え、半導体チップ10の一面10aの少なくとも一部が露出部11として樹脂20より露出している半導体パッケージにおいて、半導体チップ10の一面10a側にて、露出部11の周囲に位置する樹脂20は、露出部11側が広く露出部11から離れるにつれて狭まり且つ頂部が外部に開口する穴22とされた錐体形状をなす空間部21を形成しており、露出部11は空間部21に位置し、穴22を介して樹脂20の外部に露出していることを特徴とする。それによれば、露出部11は空間部21内にて穴22を介して樹脂20より露出した状態とされ、また、空間部21と外部とを連通する穴22は、露出部11に比べて大幅に小さいものにできるから、外部の異物等が空間部21へ入り込むのを極力抑制でき、当該異物等による露出部11への影響を極力抑えることが可能となる。また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の半導体パッケージにおいて、半導体チップ10は、半導体よりなる半導体部10cと、半導体部10cの表面に設けられ半導体部10cを被覆する被覆層10dとを備え、この被覆層10dの表面が半導体チップ10の一面10aとされたものであり、被覆層10dの表面の少なくとも一部が露出部11とされていることを特徴とする。それによれば、異物等に対して露出部11である被覆層10dが緩衝機能を発揮するから、半導体部10cの保護が確実に行える。さらに、請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の半導体パッケージにおいて、被覆層10dは、レーザを反射する特性を有するものであることを特徴とする。それによれば、たとえば樹脂20をレーザで除去して空間部21を形成する場合、露出部11は、レーザを反射する被覆層10dで構成されており、その下地の半導体部10cの損傷防止がなされ、好ましい。また、請求項4に記載の発明は、請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体パッケージにおいて、空間部21において穴22は、露出部11の直上より外れた位置に設けられていることを特徴とする。それによれば、仮に穴22から異物が侵入したとしても、露出部11に当たりにくい構造を実現することができる。請求項5に記載の発明は、半導体チップ10と、半導体チップ10を封止する樹脂20と、を備え、半導体チップ10の一面10aの少なくとも一部が露出部11として樹脂20より露出している半導体パッケージを製造する半導体パッケージの製造方法において、半導体チップ10を用意する用意工程と、半導体チップ10を、露出部11を含めて樹脂20により封止する樹脂封止工程と、半導体チップ10の一面10a側にて、樹脂20の表面にレーザを照射して穴22を形成し、さらに、この穴22を通して照射するレーザの照射角度θを変えながらレーザを穴22の内側に照射して、樹脂20のうち露出部11を封止している部位を除去することにより、樹脂20において、穴22を頂部とし且つ露出部11側が広く露出部11から離れるにつれて狭まる錐体形状をなす空間部21を形成するレーザ照射工程と、を備えることを特徴とする。それによれば、樹脂の型成形では作製困難な上記錐体形状をなす空間部21を容易に形成できる。つまり、本発明の製造方法によれば、上記請求項1に記載の半導体パッケージをレーザによって適切に製造することができる。また、請求項6に記載の発明は、請求項5に記載の半導体パッケージの製造方法において、用意工程では、半導体チップ10として、半導体よりなる半導体部10cと、半導体部10cの表面に設けられて半導体部10cを被覆するとともにレーザを反射する特性を有する被覆層10dとを備え、この被覆層10dの表面が半導体チップ10の一面10aとされたものを用意することを特徴とする。それによれば、レーザ照射工程にて、レーザによる樹脂20の除去を進めていき、レーザが露出部11である被覆層10dに到達すると、被覆層10dがレーザを反射することで当該除去が完了する。そして、被覆層10dの下地の半導体部10cの損傷が防止される。ここで、最終的には、被覆層10dはエッチング等で除去してもよいし、そのまま残してもよい。また、請求項7に記載の発明は、請求項5または6に記載の半導体パッケージの製造方法において、レーザ照射工程は、減圧雰囲気でおこなうことにより、レーザにより昇華された樹脂20の成分を、穴22を介して、空間部21から排気させるようにしたものであることを特徴とする。それによれば、レーザにより昇華された樹脂20の成分を、空間部21から確実に除去できる。また、請求項8に記載の発明では、請求項5ないし7のいずれか1つに記載の半導体パッケージの製造方法において、空間部21において穴22は、露出部11の直上より外れた位置に形成することを特徴とする。それによれば、仮に穴22から異物が侵入したとしても、露出部11に当たりにくい構造を有する半導体パッケージを適切に製造することができる。なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。第1実施形態図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体パッケージの概略構成を示す図であり、この図1においてaは概略断面図、bはa中の矢印A方向から視た概略平面図である。本実施形態の半導体パッケージS1は、大きくは、半導体チップ10と、半導体チップ10を封止する樹脂20と、を備え、半導体チップ10の一面10aの一部が樹脂20で被覆されずに、露出部11として樹脂20より露出しているものである。半導体チップ10は、一般的な半導体プロセスなどにより形成されたシリコン半導体などよりなる板状のものであり、ここでは、典型的な矩形板状をなしている。この半導体チップ10には、図示しないが、不純物を拡散させてなる拡散配線や、SIN、SIO2等の無機物質などよりなる膜、およびAlやAuなどの金属物質よりなる膜や配線等が形成されている。このような半導体チップ10としては、たとえばダイアフラムを有する圧力センサ、可動部を有する加速度センサや角速度センサ、あるいは流量センサ等のセンサチップが挙げられる。この場合、半導体チップ10の一方の板面である一面10aには、センシング部12が設けられている。センシング部12は、たとえば圧力検出を行うダイアフラムや力学量検出を行う可動部等に相当する。ここで、半導体チップ10は基板30に搭載されている。具体的には、半導体チップ10の他方の板面である他面10bを基板30に対向させ、一般的なエポキシ樹脂等よりなる接着剤40を介して接着固定され、半導体チップ10は、この接着剤40を介して基板30に支持されている。この基板30は、リードフレームや配線基板などよりなる。ここで、リードフレームは、一般的なものと同様、Cuや42アロイなどの導電性に優れた金属よりなるもので、エッチングやプレスなどにより形成されたものであり、配線基板としては、プリント基板、セラミック基板、フレキシブル基板などが挙げられる。また、図示しないが、半導体チップ10と基板30とは、樹脂20の内部にてワイヤボンディングなどにより電気的に接続されている。さらに、図示しないが、基板30の一部は端子部として構成され、この基板30の端子部は樹脂20より露出して外部と電気的に接続されるようになっている。樹脂20は、一般的なエポキシ樹脂などのモールド樹脂であり、一般のものと同様、金型を用いたトランスファーモールド法などにより成形されたものである。ここでは、図1に示されるように、半導体チップ10の一面10aの一部、すなわち当該の一面10aのうち上記センシング部12を含む部分が露出部11とされ、この露出部11は樹脂20で被覆されずに露出している。このように露出部11が樹脂20外部にさらされることにより、センシング部12による外部環境のセンシング、あるいは、チップ放熱等が適切に行えるようになっている。また、樹脂20は、半導体チップ10における露出部11以外の表面、基板30、半導体チップ10と基板30との上記ワイヤボンディング等による接続部を封止している。ここで、本実施形態の半導体パッケージS1において、半導体チップ10の露出部11における樹脂20からの露出形態について、さらに述べる。図1に示されるように、半導体チップ10の一面10a側にて、露出部11の周囲に位置する樹脂20は、空間部21を形成している。この空間部21は、露出部11側が広く露出部11から離れるにつれて狭まり、且つ、頂部が外部に開口する穴22とされた錐体形状をなしている。さらに言えば、この空間部21の空間形状は、穴22を頂部とし、露出部11に一致する面を底面とする錐体とされている。図1に示される空間部21は、穴22が矩形穴であり、底面は矩形をなす角錐状のものであり、この空間部21の底面がそのまま矩形の露出部11とされている。さらに言えば、空間部21の側壁23は、露出部11上方の穴22に向かって露出部11上にせり出すように延びる傾斜面として形成されている。また、このような錐体形状の空間部21であることから、当然ながら、穴22の開口サイズは、露出部11の面積よりも小さいものである。このような空間部21は、後述するレーザ照射による樹脂20の除去によって形成されたものである。そして、半導体チップ10の露出部11は、空間部21に位置しており、穴22を介して樹脂20の外部に露出している。なお、上述のように、図1では、半導体チップ10の一面10aの一部、ここでは中央部寄りの部位が露出部11とされたものであり、半導体チップ10の一面10aの周辺部は樹脂20で被覆されている。ところで、本実施形態の半導体パッケージS1によれば、半導体チップ10の露出部11は空間部21内にて穴22を介して樹脂20より露出した状態とされ、また、この空間部21と外部とを連通する穴22は、露出部11に比べて大幅に小さいものにできる。そのため、外部の異物等が穴22を介して空間部21へ入り込むのを極力抑制することができ、当該異物等による露出部11への影響を極力抑えることが可能となる。次に、本実施形態の半導体パッケージS1の製造方法について、図2を参照して述べる。図2は、本半導体パッケージS1の製造方法を示す工程図であり、各工程のワークを断面的に示している。なお、図2a~dにおいて、露出部11については、位置を明確にするために露出前であっても示してある。まず、一般的な半導体プロセスにより、半導体チップ10を形成し、半導体チップ10を用意する用意工程。そして、本実施形態では、この半導体チップ10を基板20に接着剤40を介して搭載し、固定する。一方で、必要に応じて、半導体チップ10と基板30とをワイヤボンディングなどにより接続する。次に、図2aに示されるように、半導体チップ10を、露出部11を含めて樹脂20により封止する樹脂封止工程。ここでは、上述したように、基板30を含めて半導体チップ10の全体を封止する。次に、レーザ照射工程を行い、レーザ照射により樹脂20の一部を除去して空間部21を形成する。ここで用いられるレーザは、樹脂を昇華させて除去する、いわゆる焼失させる一般的なものであり、たとえば、KrFレーザ、YAGレーザ、COレーザ、CO2レーザなどから選択されるレーザが挙げられる。このレーザ照射工程では、まず、図2bに示されるように、上記レーザLを発振するレーザ発振器Kを用い、半導体チップ10の一面10a側にて、樹脂20の表面にレーザを照射して、くぼみとしての穴22を形成する。さらに、図2cに示されるように、この穴22を通してレーザLを照射し続ける。このとき、穴22を通して照射するレーザLの照射角度θを変えながらレーザLを穴22の内側に照射して、樹脂20のうち穴22よりも内部に位置し且つ露出部11を封止している部位を除去する。具体的には、レーザLの照射角度θは半導体チップ10の一面10aに垂直方向を0度とし、レーザLの照射方向と半導体チップ10の一面10aとが斜めとなるように、照射角度θを調整する。この調整に応じたレーザ発振器Kの駆動は、アクチュエータなどにより容易に行える。このようにして、露出部11を封止している部位を除去することにより、樹脂20において、穴22を頂部とし且つ露出部11側が広く露出部11から離れるにつれて狭まる錐体形状をなす上記空間部21を形成する。なお、このレーザ照射工程においては、ワークを真空チャンバーなどに入れた状態とし、真空ポンプなどを用いて、ワークまわりを減圧雰囲気とすることにより、レーザLにより昇華された樹脂20の成分を、穴22を介して空間部21から排気させることが望ましい。ここまでが、レーザ照射工程であり、これにより、図2dに示されるように、本実施形態の半導体パッケージS1ができあがる。ところで、このような錐体形状の空間部21を樹脂20に形成することは、1回の型成形の場合、型を抜くことができないので不可能に近い。その点、本実施形態のレーザLによる除去方法を採用すれば、当該空間部21を適切に形成できる。また、レーザ照射工程では、上述のように減圧雰囲気で行うものとし、レーザLにより昇華された樹脂20の成分を、穴22を介して空間部21から排気させるようにすれば、レーザLにより昇華された樹脂20の成分を、空間部21から確実に除去することができる。第2実施形態図3は、本発明の第2実施形態に係る半導体パッケージS2の概略構成を示す図であり、この図3においてaは概略断面図、bはa中の矢印B方向から視た概略平面図である。上記第1実施形態では、半導体チップ10の一面10aの一部が露出部11とされたものであったが、図3に示される本実施形態の半導体パッケージS2のように、半導体チップ10の一面10aの全体が露出部11とされてもよい。第3実施形態図4は、本発明の第3実施形態に係る半導体パッケージS3の概略断面構成を示す図である。本実施形態では、上記第1実施形態との相違点を中心に述べることとする。図4に示されるように、本半導体パッケージS3においては、上記図1に示される半導体パッケージS1において、半導体チップ10の一面10a側の最表面にさらに被覆層10dが設けられ、この被覆層10dが半導体チップ10の一面10aを構成しているものである。具体的に、本実施形態では、半導体チップ10を、シリコンなどの半導体よりなる半導体部10cと、半導体部10cの表面に設けられ半導体部10cを被覆する被覆層10dとを備え、この被覆層10dの表面が半導体チップ10の一面10aとされたものとしている。ここで、半導体部10cは、上記図1における半導体チップ10に実質相当するものである。そして、本実施形態では、この被覆層10dの表面の一部が露出部11とされている。このような被覆層10dは、たとえば、金属膜、樹脂などの有機膜、セラミックなどの無機物よりなる膜により構成され、スパッタ、蒸着、メッキおよびスピンコート等の成膜方法を用いて形成される。本実施形態では、半導体部10cが半導体チップ10の特性を支配する部位であるが、さらに、この半導体部10cを被覆層10dで被覆してやることによって、異物等が露出部11に付着しても、その下地の半導体部10cへの影響を抑制できるなど、異物等に対する半導体部10cの保護を確実に行うことができる。このような被覆層10dを有する本半導体パッケージS3は、上記図2に示したレーザLの照射を用いた製造方法により製造できることはもちろんであるが、ここにおいて、被覆層10dは、レーザLを反射する特性を有するものであることが望ましい。つまり、上記図2の製造方法における用意工程では、半導体チップ10として、半導体部10cと、半導体部10cの表面に設けられて半導体部10cを被覆するとともにレーザLを反射する特性を有する被覆層10dとを備え、この被覆層10dの表面が半導体チップ10の一面10aとされたものを用意することが望ましい。上述したように、樹脂20を除去するのに用いられるレーザLとしては、KrFレーザ、YAGレーザ、COレーザ、CO2レーザなどであるが、これらレーザLの反射特性を有する被覆層10dとしては、たとえばAg、Cu、Al、Ni、Feなどの金属等の膜よりなるものが挙げられる。このようなレーザ反射特性を有する被覆層10dを採用すれば、レーザ照射工程にて、レーザLによる樹脂20の除去を進めていき、レーザLが露出部11である被覆層10dに到達すると、被覆層10dがレーザを反射することで当該除去が完了する。そして、被覆層10dの下地の半導体部10cの損傷が防止される。なお、被覆層10dによるレーザLの反射を、カメラ等の検知手段によって光学的に検知することで、レーザ照射を完了させるようにしてもよい。ここで、図4に示される半導体パッケージS3を製造する場合、レーザ照射工程の後、被覆層10dを残した状態とすることでパッケージS3が完成するが、当該レーザ照射工程によって上記空間部21を形成した後、被覆層10dをエッチング等で除去するようにしてもよい。このように被覆層10dを除去する場合には、被覆層10dを構成する材質に応じたエッチャントを用いたウェットエッチングなどを行えばよい。そして、被覆層10dを除去した場合のパッケージ構造は、半導体部10cの表面が露出部11となり、上記図1に示されるパッケージS1と実質同様のものとなる。なお、この被覆層10dを付加する構成については、上記第1実施形態だけでなく、第2実施形態にも適用できることはいうまでもない。第4実施形態図5は、本発明の第4実施形態に係る半導体パッケージS4の概略断面構成を示す図である。本実施形態は、上記第1実施形態における空間部21の錐体形状を変形したものである。上記第1実施形態では、図1に示したように、空間部21において穴22は、露出部11の直上に位置したものであったが、本実施形態では、図5に示されるように、空間部21において穴22は、露出部11の直上より外れた位置に設けられている。さらに言えば、本実施形態の空間部21は、穴22を錐体の底面に垂直方向に投影したとき、その投影部が当該底面の外側に位置するように、頂部である穴22が偏在した錐体形状とされている。そして、本実施形態によれば、仮に穴22から異物が侵入したとしても、露出部11に当たりにくい構造を実現することができる。このような本実施形態の空間部21は、上記図2に示した製造方法においてレーザLの照射位置を調整することで容易に形成されるから、上記第1実施形態以外の各実施形態についても組み合わせが可能であることはいうまでもない。第5実施形態図6は、本発明の第5実施形態に係る半導体パッケージS5の概略断面構成を示す図である。半導体パッケージS5としては、樹脂20で封止された半導体チップ10の一面10aの少なくとも一部が露出部11として樹脂20より露出しているものであればよく、さらに半導体チップ10の別の一面10bの少なくとも一部が露出部11として樹脂20より露出していてもよい。本実施形態の半導体パッケージS5においては、半導体チップ10の一面10aおよびこれとは反対側の他面10bの両方に露出部11が設けられている。そして、これら両面10aおよび10b側の樹脂20において上記した錐体形状をなす空間部21が形成されており、当該両面10aおよび10bの露出部11は、当該空間部21の穴22を介して外部に露出している。具体的に述べると、本実施形態の半導体チップ10は、流量センサ等に用いられるセンサチップ等に適用されるものであり、一端側が基板30に接着剤40を介して固定されて支持された状態で樹脂20によって封止されている。そして、半導体チップ10の他端側には、メンブレンとされたセンシング部12が設けられており、このセンシング部12を含む部位において、半導体チップ10の両面10a、10bに露出部11が形成されている。このような本実施形態の半導体パッケージS5については、半導体チップ10の両面10a、10b側から、上記図2に示したレーザ照射を用いた製造方法を適用することで、容易に製造することができる。他の実施形態なお、空間部21の空間形状については、上記したような頂部である穴22および底面が矩形であるような四角錐形状に限らず、三角錐状、五以上の多角錐状のものであってもよいし、その他、円錐形状であってもよい。また、穴22は円形でも多角形でもよいし、底面も円形でも多角形でもよい。さらには、空間部21の空間形状については、穴22および底面の一方が円形で他方が多角形であるような複合型の錐体であってもよい。上記したレーザ加工により、空間部21における穴22や底面については種々の形状が可能である。また、上記各実施形態の半導体パッケージにおける錐体状の空間部21は、上記レーザ照射による樹脂20の除去により形成できるものであるが、それ以外にも、たとえば樹脂成型を複数回に分けて行うことにより形成するようにしてもよい。なお、樹脂20内部にて基板30には、半導体チップ10以外の他の電子素子や回路チップなどが搭載されていてもよい。そのような場合には、半導体チップ10とこれら他の電子素子や回路チップとが、さらに樹脂20の内部にてワイヤボンディング等により接続されていてもよい。また、上記した各実施形態同士の組み合わせ以外にも、上記各実施形態は、可能な範囲で適宜組み合わせてもよい。