荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、基準マークを有し、前記基板を保持して移動するステージと、前記荷電粒子線を前記基板に対して射出する荷電粒子光学系と、前記荷電粒子光学系の軸から第1距離だけ離れた光軸を有し、前記基板に形成されたアライメントマークの位置を計測する第1計測部と、前記荷電粒子光学系の軸から前記第1距離より短い第2距離だけ離れた光軸を有し、前記基準マークの位置を計測する第2計測部と、前記ステージの移動を介在させて前記第1計測部及び前記第2計測部それぞれにより計測された前記基準マークの位置と前記第2計測部のベースラインとに基づいて、前記第1計測部のベースラインを求める処理部と、を有することを特徴とする描画装置。前記基準マークに入射した前記荷電粒子線により飛来する荷電粒子を検出して前記基準マークの位置を計測する第3計測部を有し、前記処理部は、前記ステージの移動を介在させて前記第2計測部及び前記第3計測部それぞれにより計測された前記基準マークの位置に基づいて、前記第2計測部の前記ベースラインを求める、ことを特徴とする請求項1に記載の描画装置。前記荷電粒子光学系を収容する筐体を有し、前記第2計測部は、前記筐体の下に配置されていて前記基準マークからの光を検出する検出器を含む、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の描画装置。前記描画装置は、複数の荷電粒子線で前記基板に描画を行い、前記第3計測部は、前記複数の荷電粒子線のうち前記第1計測部の前記光軸に最も近い荷電粒子線を用いて前記基準マークの位置を検出する、ことを特徴とする請求項2に記載の描画装置。前記第1計測部、前記第2計測部及び前記基準マークをそれぞれ含む複数のセットを有する、ことを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の描画装置。請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行うステップと、前記ステップで描画を行われた前記基板を現像するステップと、を有することを特徴とする物品の製造方法。しかしながら、荷電粒子線描画装置における従来の基板アライメント計測、特に、ベースラインの計測では、近年の荷電粒子線描画装置に要求されている計測精度を満足することが困難になってきている。これは、荷電粒子線を用いて計測される信号のSN比が高くないことが一因である。計測精度を向上させるために、計測を複数回行うことも考えられるが、計測時間が長くなり、スループットの低下を招いてしまう。本発明は、アライメントマークを計測する計測手段のベースライン計測に有利な荷電粒子線描画装置を提供することを例示的目的とする。上記目的を達成するために、本発明の一側面としての描画装置は、荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、基準マークを有し、前記基板を保持して移動するステージと、前記荷電粒子線を前記基板に対して射出する荷電粒子光学系と、前記荷電粒子光学系の軸から第1距離だけ離れた光軸を有し、前記基板に形成されたアライメントマークの位置を計測する第1計測部と、前記荷電粒子光学系の軸から前記第1距離より短い第2距離だけ離れた光軸を有し、前記基準マークの位置を計測する第2計測部と、前記ステージの移動を介在させて前記第1計測部及び前記第2計測部それぞれにより計測された前記基準マークの位置と前記第2計測部のベースラインとに基づいて、前記第1計測部のベースラインを求める処理部と、を有することを特徴とする。本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。本発明によれば、例えば、アライメントマークを計測する計測手段のベースライン計測に有利な荷電粒子線描画装置を提供することができる。以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。図1a及び図1bは、本発明の一側面としての描画装置100の構成を示す図である。描画装置100は、荷電粒子線電子線を用いて基板にパターンを描画するリソグラフィ装置である。描画装置100は、シングル荷電粒子線方式の描画装置1つの荷電粒子線で描画を行う描画装置であってもよいし、マルチ荷電粒子線方式の描画装置複数の荷電粒子線で描画が行う描画装置であってもよい。但し、以下では、描画装置100がシングル荷電粒子線方式の描画装置であるものとして説明する。描画装置100は、基板SBを保持して移動する基板ステージ110と、荷電粒子光学系120と、第1計測部130と、第2計測部140と、取得部150と、制御部160とを有する。基板ステージ110には、図1a及び図1bに示すように、基準マークFMが形成された基準マーク台SMが設置されている。基準マークFMは、基板SBを位置決めする基板アライメントを行う際に使用されるマークである。また、基板ステージ110の位置は、基板ステージ110の上に配置されたミラー112を含む測長用干渉計114によって計測される。荷電粒子光学系120は、例えば、荷電粒子レンズ、コリメーターレンズ、アパーチャアレイ、ブランカーアレイ、ストッピングアパーチャアレイ、ディフレクターなどを含む。荷電粒子光学系120は、筐体に収容され、図示しない電子源からの荷電粒子線を基板SBに対して射出する。第1計測部130は、荷電粒子光学系120の光軸軸AX1とは異なる位置に配置されるオフアクシスアライメントスコープである。第1計測部130は、本実施形態では、荷電粒子光学系120の光軸AX1から第1距離だけ離れた光軸AX2を有し、基板SBに形成されたアライメントマークの位置を計測する。また、第1計測部130は、基板ステージ110の上の基準マークFMの位置も計測する。第2計測部140は、荷電粒子光学系120の基板側の下部、例えば、荷電粒子光学系120を収容する筐体の下に配置される。第2計測部140は、荷電粒子光学系120の光軸AX1から第1距離より短い第2距離だけ離れた光軸AX3を有し、基板ステージ110の上の基準マークFMの位置を計測する。第2計測部140は、本実施形態では、荷電粒子光学系120の光軸AX1と第1計測部130の光軸AX2との間の距離、即ち、第1計測部130のベースラインを求める際に使用されるベースライン専用スコープである。第1計測部130及び第2計測部140は、本実施形態では、基板SBに形成されたアライメントマークや基準マークFMを撮像するための撮像素子を含み、かかる撮像素子から得られる画像画像信号を処理画像処理することでマークの位置を計測する。但し、第1計測部130及び第2計測部140によるマークFMの位置の計測方法は限定されるものではなく、当業界で周知のいかなる計測方法をも適用することが可能である。例えば、第1計測部130及び第2計測部140は、基板ステージ110を走査させることで得られる位置計測信号を用いてマークの位置を計測してもよい。取得部150は、荷電粒子光学系120の光軸AX1の位置を取得する。取得部150は、本実施形態では、後述するように、荷電粒子光学系120の光軸AX1の位置を実際に検出する検出部として具現化されるが、ユーザによって入力される荷電粒子光学系120の光軸AX1の位置を記憶する記憶部として具現化されてもよい。また、ユーザは、荷電粒子光学系120の光軸AX1の位置を入力するのではなく、例えば、荷電粒子光学系120の光学設計値を入力してもよい。この場合、取得部150は、荷電粒子光学系120の光学設計値に基づいて荷電粒子光学系120の光軸AX1の位置を求めるシミュレータとして具現化される。制御部160は、CPUやメモリなどを含み、描画装置100の全体動作を制御する。具体的には、制御部160は、荷電粒子線で基板SBに描画を行う描画処理を制御する描画処理部として機能する。また、制御部160は、第1計測部130のベースライン荷電粒子光学系120の光軸AX1と第1計測部130の光軸AX2との間の距離を計測するベースライン計測処理を制御する計測処理部として機能する。例えば、制御部160は、基板ステージ110の移動を介在させて第1計測部130及び第2計測部140のそれぞれにより計測された基準マークFMの位置と第2計測部140のベースラインとに基づいて、第1計測部130のベースラインを求める。ここで、第2計測部140のベースラインとは、荷電粒子光学系120の光軸AX1と第2計測部140の光軸AX3との間の距離である。描画装置100におけるベースライン計測処理について説明する。ここでは、図1a及び図1bに示すように、荷電粒子光学系120の光軸AX1と第2計測部140の光軸AX3との間の距離、即ち、第2計測部140のベースラインはBL0とする。また、荷電粒子光学系120の光軸AX1と第1計測部130の光軸AX2との間の距離、即ち、第1計測部130のベースラインはBLとする。まず、図1aに示すように、第1計測部130の計測領域に基準マークFMが位置するように基板ステージ110を移動させる。第1計測部130は、基準マークFMを撮像し、かかる画像を処理することで第1計測部130に対する基準マークFMの位置を計測する。この際、制御部160は、測長用干渉計114によって計測された基板ステージ110の位置P1を取得し、P1=X1、Y1として、メモリなどに記憶する。なお、基準マークFMの位置は、実際には、第1計測部130の計測結果及び測長用干渉計114の計測結果に基づいて特定されるものである。但し、本実施形態では、基板ステージ110の位置P1は、第1計測部130によって計測される基準マークFMの位置と等価であるものとする。次いで、図1bに示すように、第2計測部140の計測領域に基準マークFMが位置するように基板ステージ110を移動させる。第2計測部140は、基準マークFMを撮像し、かかる画像を処理することで第2計測部140に対する基準マークFMの位置を計測する。この際、制御部160は、測長用干渉計114によって計測された基板ステージ110の位置P2を取得し、P2=X2、Y2として、メモリなどに記憶する。なお、基準マークFMの位置は、実際には、第2計測部140の計測結果及び測長用干渉計114の計測結果に基づいて特定されるものである。但し、本実施形態では、基板ステージ110の位置P2は、第2計測部140によって計測される基準マークFMの位置と等価であるものとする。次に、制御部160は、第1計測部130によって計測された基準マークFMの位置に対応する基板ステージ110の位置P1と、第2計測部140によって計測された基準マークFMの位置に対応する基板ステージ110の位置P2との差分を求める。基板ステージ110の位置P1と位置P2との差分は、第1計測部130の光軸AX2と第2計測部140の光軸AX3との間の距離BL1に相当する。また、制御部160は、第2計測部140によって計測された基準マークFMの位置に対応する基板ステージ110の位置P2と、取得部150によって取得された荷電粒子光学系120の光軸AX1の位置との差分を求める。基板ステージ110の位置P2と荷電粒子光学系120の光軸AX1の位置との差分は、荷電粒子光学系120の光軸AX1と第1計測部130の光軸AX3との間の距離BL0に対応する。そして、制御部160は、距離BL1に距離BL0を加えることで第1計測部130のベースラインBLを求める。なお、荷電粒子光学系120の光軸AX1と第2計測部140の光軸AX3との間の距離BL0は、ベースラインBL荷電粒子光学系120の光軸AX1と第1計測部130の光軸AX2との間の距離に比べて十分に小さな距離に設定する。具体的には、荷電粒子光学系120からの荷電粒子線の光路に近づけて、且つ、かかる光路を遮らないように第2計測部140を配置することで、距離BL0を小さくする。これにより、熱などの外乱によるベースラインBLの変動は、距離の短い距離BL0では発生しなくなる、或いは、発生しても無視できるほど小さくなる。換言すれば、第2計測部140に関しては、距離BL0の変動がないと考えることができるため、上述したように、距離BL1に距離BL0を加えることでベースラインBLを求めることが可能となる。また、荷電粒子光学系120の光軸AX1と第2計測部140の光軸AX3との間の距離BL0をベースラインBLに比べて十分に小さな距離とするためには、以下の条件も必要となる。かかる条件は、第2計測部140の機能を基準マークFMの位置を計測する機能のみに限定することで、第2計測部140を荷電粒子光学系120の下部に配置することが可能なサイズにする即ち、小型化することである。第1計測部130は、多様な半導体プロセスを経たマーク例えば、アライメントマークに対して高精度な計測を可能にするため、種々の光学条件に対応できるように構成されている。具体的には、第1計測部130は、マークを照明する照明光の波長の切り替え、照明光のコヒーレンシーσの切り替え、明視野/暗視野の切り替え、位相差干渉計検出への切り替えなどの機能を有し、半導体プロセスに対するロバスト性を高めている。また、第1計測部130の光学性能は、全系の透過波面でλ/10以下であることが要求されており、その製造誤差などを低減するために第1計測部130を構成する各光学系、例えば、対物レンズ、プリズムなどの光学部品のサイズは大きくなる傾向にある。このように、第1計測部130は、光学条件の切り替えや高い光学性能を実現するために大型化し、ベースラインBLを小さくするために小型化することはできない。一方、第2計測部140は、ベースラインBLを求める際に、基準マークFMの位置のみを計測すればよい。基準マークFMは、レチクルマスクなどと同様に、石英ガラスの上にクロムをパターニングすることで構成されている。従って、基準マークFMの光学像は80以上の光学コントラストとなるため、第2計測部140は、第1計測部130オフアクシスアライメントスコープのようなロバスト性を必要としない。また、第2計測部140の光学性能に関しては、例えば、全系の透過波面がλ/2程度であったとしても、常に同じ形状及び構造の基準マークFMのみを計測するため、計測誤差が発生してもその値は一定となり、ベースラインBLを求める際には問題とならない。従って、第2計測部140は小型化することが可能であり、荷電粒子光学系120の光軸AX1と第2計測部140の光軸AX3との間の距離BL0を十分に小さくすることができる。図2を参照して、荷電粒子光学系120の光軸AX1の位置を取得する取得部150について説明する。取得部150は、例えば、図2に示すように、荷電粒子光学系120の光軸AX1の位置を実際に検出する検出部として2次電子検出器第3計測部152を含む。2次電子検出器152は、荷電粒子光学系120を介して基板SBに導かれる荷電粒子線が荷電粒子光学系120の下に配置された基準マークFMに入射することで飛来する2次電子荷電粒子を検出する。図2を参照するに、荷電粒子光学系120の光軸AX1の位置を検出する際には、荷電粒子光学系120からの荷電粒子線が入射する位置に基準マークFMが位置するように基板ステージ110を移動させる。荷電粒子線が基準マークFMに入射すると、基準マークFMから2次電子が飛来する。そこで、2次電子検出器152は、基準マークFMから飛来する2次電子を検出することで、基準マークFMに対する荷電粒子線の入射位置、即ち、荷電粒子光学系120の光軸AX1の位置を検出する。上述したように、荷電粒子線を用いて計測される信号位置計測信号のSN比は低く、荷電粒子光学系120の光軸AX1の位置の計測精度を向上させるためには、計測を複数回行うことが必要となる。但し、2次電子検出器152による荷電粒子光学系120の光軸AX1の位置の計測は、描画装置100が稼働していないタイミングで即ち、描画処理を行っていない間に行えばよいため、スループットの低下を招くことはない。また、取得部150は、図3に示すように、荷電粒子光学系120の光軸AX1の位置を実際に検出する検出部としてファラデーカップ154を含んでもよい。ファラデーカップ154は、例えば、基準マークFMの近傍に配置され、荷電粒子光学系120を介して基板SBに導かれる荷電粒子線を検出する。この際、基板ステージ110をX方向及びY方向に移動させる即ち、ファラデーカップ154を移動させることで、ファラデーカップ154では、図4に示すような信号が得られ、荷電粒子光学系120の光軸AX1の位置を検出することができる。なお、基板ステージ110を移動させるのではなく、荷電粒子線を偏向することで、図4に示すような信号を得てもよい。図4では、縦軸にファラデーカップ154で検出される荷電粒子線の電流値を採用し、横軸に基板ステージ110の位置を採用している。また、パターンを有する基板を使用して基板アライメントを行った後、描画処理及び現像処理を行い、重ね合わせ検査装置で重ね合わせ精度を求めてそのオフセットをベースラインに反映させてもよい。本実施形態の描画装置100によれば、スループットの低下を抑えながら即ち、短時間で、ベースラインBLを高精度に計測することができる。従って、描画装置100は、荷電粒子線を用いて基板SBにパターンを描画する描画処理において、パターンの重ね合わせ精度を向上させることができる。また、描画装置100は、第1計測部130、第2計測部140及び基準マークFMをそれぞれ含む複数のセットを有していてもよい。かかる複数のセットは、荷電粒子光学系120の光軸AX1を中心として等角度で配置される。これにより、基板ステージ110の移動範囲を小さくすることが可能となる。例えば、図5a及び図5bに示すように、描画装置100が第1計測部130a、第2計測部140a及び基準マークFMaを含む第1セットと、第1計測部130b、第2計測部140b及び基準マークFMbを含む第2セットとを有する場合を考える。図5a及び図5bを参照するに、第1計測部130a及び130bのそれぞれは、荷電粒子光学系120の光軸AX1の左右に配置され、第2計測部140a及び140bのそれぞれは、荷電粒子光学系120の下部に配置されている。基板ステージ110の上には、基準マークFMa及びFMbが配置されている。ベースライン計測処理について説明する。まず、荷電粒子光学系120の光軸AX1と第1計測部130aの光軸AX2aとの間の距離、即ち、ベースラインBLaの計測処理について説明する。図5aに示すように、第2計測部140aの計測領域に基準マークFMaが位置するように基板ステージ110を移動させ、第2計測部140aによって基準マークFMaの位置を計測する。次いで、第1計測部130aの計測領域に基準マークFMaが位置するように基板ステージ110を移動させ、第1計測部130aによって基準マークFMaの位置を計測する。これにより、第2計測部140aによって計測された基準マークFMaの位置と、第1計測部130aによって計測された基準マークFMaの位置との差分、即ち、第2計測部140aの光軸AX3aと第1計測部130aの光軸AX2aとの距離BL11が求まる。そして、距離BL11に荷電粒子光学系120の光軸AX1と第2計測部140aの光軸AX3aとの間の距離L1を加えることで、荷電粒子光学系120の光軸AX1と第1計測部130aの光軸AX2aとの間の距離、即ち、ベースラインBLaを求める。次に、荷電粒子光学系120の光軸AX1と第1計測部130bの光軸AX2bとの間の距離、即ち、ベースラインBLaの計測処理について説明する。図5bに示すように、第2計測部140bの計測領域に基準マークFMbが位置するように基板ステージ110を移動させ、第2計測部140bによって基準マークFMbの位置を計測する。次いで、第1計測部130bの計測領域に基準マークFMbが位置するように基板ステージ110を移動させ、第1計測部130bによって基準マークFMbの位置を計測する。これにより、第2計測部140bによって計測された基準マークFMbの位置と、第1計測部130bによって計測された基準マークFMbの位置との差分、即ち、第2計測部140bの光軸AX3bと第1計測部130bの光軸AX2bとの距離BL12が求まる。そして、距離BL12に荷電粒子光学系120の光軸AX1と第2計測部140bの光軸AX3bとの間の距離L2を加えることで、荷電粒子光学系120の光軸AX1と第1計測部130bの光軸AX2bとの間の距離、即ち、ベースラインBLbを求める。図6は、図5a及び図5bに示す描画装置100において、第1計測部130a及び130bと第2計測部140a及び140bとの配置関係を示す図である。図6では、第1計測部130a及び130bと第2計測部140a及び140bとを荷電粒子光学系120の光軸AX1の方向から見た状態を示している。また、AR1は第1計測部130aの計測領域を示し、AR2は第1計測部130bの計測領域を示している。このように、描画装置100が第1計測部130、第2計測部140及び基準マークFMをそれぞれ含む複数のセットを有することで、基板ステージ110の移動範囲を小さくすることができ、装置占有面積の縮小化及び装置コストの低下に寄与する。一般的には、基板ステージ110の移動範囲が大きいほど、基板ステージ110の移動精度位置精度は低くなる傾向にあるため、基板ステージ110の移動範囲を小さくすることは、基板ステージ110の移動精度の高精度化にも寄与する。また、図7に示すように、描画装置100が4つの第1計測部130a、130b、130c及び140dと、4つの第2計測部140a、140b、140c及び140dとを有する場合には、基板ステージ110の移動範囲を更に小さくすることができる。なお、図7では、4つの第1計測部130a、130b、130c及び130dのそれぞれは、荷電粒子光学系120の光軸AX1を中心として上下左右に配置されている。但し、4つの第1計測部130a、130b、130c及び130dのそれぞれは、図8に示すように、荷電粒子光学系120の光軸AX1を中心として45度の斜め方向に配置されていてもよい。また、5つ以上の第1計測部130を構成する場合には、その数に対応する第2計測部140及び基準マークFMを構成すればよい。但し、基板ステージ110の移動範囲に余裕がある場合には、第1計測部130の数と第2計測部140の数とを等しくしなくてもよい。例えば、1つの第2計測部140を用いて、複数の第1計測部130のベースラインの計測を行うことも可能である。また、描画装置100がマルチ荷電粒子線方式の描画装置である場合を考える。この場合、図9に示すように、荷電粒子光学系120を介して基板SBに導かれる複数の荷電粒子線のうち第2計測部140の光軸AX3に最も近い荷電粒子線を用いて荷電粒子光学系120の光軸AX1の位置を検出するのが好ましい。これにより、荷電粒子光学系120の光軸AX1と第2計測部140の光軸AX3との間の距離BL0を小さくすることができるため、発生する誤差を小さくすることができる。また、描画装置100が複数の第2計測部140を有している場合図5乃至図8には、複数の第2計測部140のそれぞれの光軸に最も近い荷電粒子線を用いるのが好ましい。本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に描画装置100を用いて潜像パターンを形成する工程基板に描画を行う工程と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程描画を行われた基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能品質生産性生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。