第1の主面を有する第1の金属板と、前記第1の主面に接続部材を介してボンディングされた半導体発光素子と、前記第1の金属板と離間して配置され、前記半導体発光素子の電極に金属ワイヤを介して電気的に接続された第2の金属板と、前記半導体発光素子と、前記第1の金属板と、前記第2の金属板と、を一体に封じた樹脂と、を備え、前記第1の金属板は、その端部を前記第1の主面側に曲げ加工した反射板を有し、前記第1の金属板の前記第1の主面とは反対の第2の主面と、前記第2の金属板の前記金属ワイヤが接続された面とは反対側の表面と、が、前記樹脂の同一面の側に露出したことを特徴とする半導体発光装置。前記半導体発光素子は、少なくとも前記第1の主面に交差する1つの側面を有し、前記反射板は、前記第1の主面に平行な面内において、前記側面に直交する方向における前記第1の金属板の両端に、前記側面に対向して設けられたことを特徴とする請求項1記載の半導体発光装置。前記半導体発光素子の前記側面に対向して設けられた前記反射板の前記第1の主面に平行な方向の幅は、前記第1の主面に平行な方向における前記半導体発光素子の前記側面の幅よりも広いことを特徴とする請求項2記載の半導体発光装置。前記半導体発光素子の前記側面に対向して設けられた前記反射板の前記第1の主面に対して垂直な方向の高さは、前記半導体発光素子の前記第1主面に対して垂直な方向の高さよりも高いことを特徴とする請求項2または3に記載の半導体発光装置。前記半導体発光素子は、前記第1の主面に対して垂直な4つの側面を有する直方体の形状を有し、前記4つの側面に対向して設けられた4つの前記反射板のうちの、対向する1対の反射板の前記第1の主面に対する曲げ角は、他の1対の反射板の前記第1の主面に対する曲げ角よりも大きいことを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体発光装置。本発明の実施形態は、小型で放熱性が良く、発光の指向性を制御できる半導体発光装置を提供する。実施形態に係る半導体発光装置は、第1の主面を有する第1の金属板と、前記第1の主面に接続部材を介してボンディングされた半導体発光素子と、前記第1の金属板と離間して配置され、前記半導体発光素子の電極に金属ワイヤを介して電気的に接続された第2の金属板と、前記半導体発光素子と、前記第1の金属板と、前記第2の金属板と、を一体に封じた樹脂と、を備える。前記第1の金属板は、その端部を前記第1の主面側に曲げ加工した反射板を有し、前記第1の金属板の前記第1の主面とは反対の第2の主面と、前記第2の金属板の前記金属ワイヤがボンディングされた面とは反対側の表面と、が、前記樹脂の同一面の側に露出する。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態では、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について適宜説明する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る半導体発光装置100を示す模式図である。図1aは、半導体発光装置100を発光面40aの側から見た平面図である。そして、図1bは、半導体発光装置100の側面を示し、図1cは、正面を示している。図1dは、図1aのA-A断面を示している。図1a~cに示すように、半導体発光装置100は、半導体発光素子10と、第1の金属板であるフレーム20と、第2の金属板であるフレーム30とが、透明樹脂40で一体に封止された構造を有する。半導体発光素子10は、例えば、青色の発光を放射するLEDであり、蛍光体を含む透明樹脂40で封止される。これにより、半導体発光装置100は、半導体発光素子10の青色の光と、例えば、蛍光体の黄色の光と、を混合した白色光を放出する光源として機能する。また、緑色の蛍光を発する蛍光体、および、赤色の蛍光を発する蛍光体を透明樹脂に分散して白色光を放出する構成も可能である。半導体発光素子10に、紫外光を放射するLEDを用いて、青色および緑色、赤色の蛍光をそれぞれ発する3種類の蛍光体を透明樹脂40に分散する構成でも良い。さらに、透明樹脂40に蛍光体を分散させずに、半導体発光素子10の発光のみを放出する構成であっても良い。この場合、半導体発光素子10は、青色光、もしくは、紫外光に限定されず任意の波長の光を放射することができる。そして、図1dに示すように、フレーム20は、発光面40aの側の第1の主面20aと、その裏面側の第2の主面20bとを有する。半導体発光素子10は、第1の主面20aの上に接続部材11を介してボンディングされる。フレーム30は、フレーム20と離間して配置され、例えば、半導体発光素子10のp電極9aに金属ワイヤ13を介して電気的に接続される。そして、半導体発光素子10のn電極9bは、フレーム20に電気的に接続される。接続部材11には、例えば、半導体発光素子の発光に対して透明な樹脂を主成分とする接着剤を用いることができる。さらに、フレーム20は、その端部を第1の主面20aの側に曲げ加工した反射板3を有する。図1aおよびdに示すように、半導体発光素子10の第1の主面20aと交差する側面に対向して反射板3が設けられる。さらに、第1の主面20aに平行な面内において、その側面に直交する方向の両端に反射板3が設けられる。例えば、半導体発光素子10が直方体の形状を有する場合、第1の主面20aに垂直な4つの側面に対向してあるいは、沿って、4つの反射板3を設けることができる。また、フレーム20および30は、つりピン5および7を含む。後述するフレーム20および30の形成工程では、複数のフレーム20および30が、つりピン5および7を介して銅フレーム70に接続した形で形成される。そして、つりピン5および7は、フレーム20および30の他の部分よりも肉薄に設けられる。図1aに示す例では、フレーム20に設けられたつりピン5は、同図の上下方向のみに設けられているが、これに限定される訳ではない。例えば、同図に示す上下方向に加えて、フレーム30とは反対側の横方向に設けることもできる。これにより、フレーム20は、フレーム30に対向する辺を除いた3辺で銅フレーム70に支持される。図1bおよびcに示すように、半導体発光装置100の側面には、つりピン5の端面5aと、つりピン7の端面7aと、が露出する。同図に示すように、つりピン5および7は、その周りを透明樹脂40に覆われる。すなわち、つりピン5および7の発光面40aとは反対の裏面側にも透明樹脂40が回り込んで封止される。これにより、フレーム20および30の透明樹脂40からの分離を防止することができる。図2は、半導体発光装置100の実装面40bを模式的に示す平面図である。実装面40bは、透明樹脂40の発光面40aとは反対側の面であり、フレーム20の第1の主面20aとは反対側の第2の主面20bと、フレーム30の裏面30bと、を含む。フレーム30の裏面30bは、金属ワイヤ13が接続された表面30aとは反対側の面である。すなわち、フレーム20の第2の主面20bと、フレーム30の裏面30bとは、透明樹脂40の同一面の側に露出する。そして、フレーム20の第2の主面20bと透明樹脂40の表面との間、および、フレーム30の裏面30bと透明樹脂40の表面との間は、段差の無い状態に形成される。ここで、段差の無い状態とは、意図的に段差を設けないという意味であり、例えば、加工精度に起因して生じる程度の段差を含む。図2に示すように、実装面40bの側にフレーム20の第2の主面20bとフレーム30の裏面30bを露出させることにより、ボンディングの作業性を向上させることができる。例えば、実装基板の配線にフレーム20およびフレーム30を直接ボンディングし、半導体発光素子10に給電することができる。さらに、金属製のフレーム20の厚み方向に半導体発光素子10の発熱を放出することが可能となり、放熱性が向上する。図3は、半導体発光装置100の反射板を例示する模式図である。図3aは、図1aと同じ発光面40aの側から見た平面図である。例えば、半導体発光素子10が直方体である場合、図3aに示すように、4つの反射板3とフレーム20との境界であって、第1の主面20aの側に曲げ加工される際の折り目となるライン23aが、半導体発光素子10の表面10aに垂直な4つの側面に平行となるように加工することができる。そして、側面10bに対向して設けられた反射板3の第1の主面20aに平行な方向おける幅WR1は、第1の主面20aに平行な方向おける側面10bの幅WC1よりも長くすることができる。一方、側面10bに垂直な側面10cの側でも、第1の主面20aに平行な方向おける反射板3の幅WR2を、第1の主面20aに平行な方向おける側面10bの幅WC2よりも長くすることができる。さらに、図3bに示すように、半導体発光素子10の側面に対向して設けられた反射板3の高さHRは、半導体発光素子10の表面10aの高さHCよりも高くすることができる。同図に示すように、高さHRおよびHCは、第2の主面20bに垂直な方向における、第2の主面20bからの高さである。これにより、半導体発光素子10の発光を発光面40aの方向に効率よく放射させることが可能となり、指向性を向上させることができる。さらに、例えば、4つの反射板3の高さHRが同じになるように曲げ加工することができる。これにより、図3aの上下方向および横方向における発光の指向性を均等にすることができる。図4aおよびbは、半導体発光装置100のA-A断面を示す模式図であり、フレーム20の断面を例示する。例えば、図4aに示すように、フレーム20の第2の主面20b側に、折り目のライン23aに沿って、他の部分よりも薄く加工された肉薄部20cを設けることができる。これにより、反射板3の曲げ加工が容易となる。すなわち、反射板3の曲げ加工をライン23aに沿って確実に行うことができる。そして、反射板3の形状のバラツキを抑制し歩留りを向上させることができる。また、図4bに示すように、フレーム20の第1の主面20aの側に、肉薄部20dを設けても良い。この場合、肉薄部20dの溝に透明樹脂40を確実に充填できる点で、図4aに例示する形態よりも有利と言える。次に図5~図8を参照して、半導体発光装置100の製造過程を説明する。図5aは、銅フレームを抜き加工して、フレーム20とフレーム30とを形成した状態を示す平面図である。そして、図18に、フレーム20およびフレーム30を加工した銅フレーム70を例示する。図18に示すように、複数のフレーム20およびフレーム30が、銅フレーム70の主面内に形成される。個々のフレーム20およびフレーム30は、それぞれつりピン5および7を介して、銅フレーム70の枠75につながる。図5aに示すように、フレーム20は、同図の上下方向および横方向の両端に、反射板3に加工される端部23を含む。そして、上下方向の両端に形成された端部23の両側につりピン5が配置されている。端部23とつりピン5との間に加工されるスリット6の幅d1は、銅フレームの厚さよりも広く形成する。半導体発光素子10の発光を効率よく反射するためには、端部23の面積を大きく形成した方が有利である。したがって、スリット6の幅d1を狭く形成する方が好ましいが、スリット6の幅d1を銅フレーム70の厚さより狭くすると抜き加工が難しくなる。したがって、スリット6の幅d1は、銅フレーム70の厚さフレーム20の厚さと同じか、それよりも広く形成する。次に、図5bに示すフレーム20のつりピン5およびフレーム30つりピン7を肉薄に加工する。例えば、エッチングもしくはプレス加工を用いて、フレーム20の第2主面20bの側から銅フレーム70の半分の厚さに加工する。図5cは、図5bのB-B断面を示す模式図である。同図に示すように、フレーム20と、端部23と、の境界のライン23aに沿って肉薄部20cを形成しても良い。続いて、フレーム20およびフレーム30の表面に銀メッキを施す。また、フレーム側からニッケルNi/銀Agを積層した構造を、メッキ法を用いて形成しても良い。これにより、フレーム20の第1の主面20aの側の反射率を高め、半導体発光装置100の光出力を向上させることができる。また、フレーム20およびフレーム30の表面に、フレーム側からNi/パラジウムPd/金Auの積層構造を形成しても良い。さらに、フレーム側からNi/Pd/Au/Agの積層構造を形成しても良い。次に、図6に示すように、フレーム20の端部23を曲げ加工し反射板3を形成する。図6aは、フレーム20および30を発光面40aの側から見た平面図である。図6bは、図6aのC-C断面を示す模式図である。図6bに示すように、フレーム20の端部23を第1の主面20aの側に曲げ加工し反射板3を形成する。そして、前述したように、フレーム20と端部23との境界のライン23aに沿って肉薄部20cを形成することにより、曲げ加工の歩留りを向上させることができる。次に、図7に示すように、フレーム20の第1の主面20aの上に半導体発光素子10をボンディングする。図7aは、フレーム20および30を発光面40aの側から見た平面図である。図7bは、図7aのE-E断面を示す模式図である。半導体発光素子10は、例えば、透明樹脂を主成分とするペースト状の接着剤11を用いてフレーム20の第1の主面20aに接着される。接着剤11は、半導体発光素子10の発光を透過する。したがって、半導体発光素子10から第1の主面20aの方向に伝播する発光は、接着剤11を透過し第1の主面20aで発光面40a図1参照の方向に反射される。接着剤11として、上記の透明ペーストの他に、例えば、白色ペーストもしくは銀ペーストを用いても良い。白色ペーストは、例えば、酸化チタンTiO2等の反射材を含む。このため、半導体発光素子10から第1の主面方向に伝播する発光は、接着剤11により反射され、半導体発光素子10の内部で散乱される。これにより、第1の主面20aに平行な側面方向への放射を抑制し、発光面40aに向かう光量を増やすことができる。また、銀ペーストを用いた場合も、半導体発光素子10の発光が接着剤11で反射され側面方向への放射を抑制することができる。さらに、銀ペーストは、熱の伝導率が高いため、半導体発光素子10からフレーム20への放熱性を向上させることができる。半導体発光素子10が、例えば、直方体の形状を有する場合、その側面が反射板3aに並行となるようにボンディングする。そして、半導体発光素子のp電極9aとフレーム30との間、および、n電極9bとフレーム20との間を、金属ワイヤ13により電気的に接続する。次に、図8に示すように、半導体発光素子10およびフレーム20、フレーム30を、透明樹脂40を用いて一体に封止する。図8aは、フレーム20および30を発光面40aの側から見た平面図である。図8bは、図8aのF-F断面を示す模式図である。例えば、個々のフレーム20に半導体発光素子10をボンディングした後に、銅フレーム70図18参照を樹脂成形機のキャビティにセットし、第1の主面20aの側に透明樹脂40を充填する。この際、第2の主面20bの側は、キャビティに接触させる。そして、樹脂成形機のキャビティに接した側には実装面40bが形成され、フレーム20の第2の主面20bおよびフレーム30の裏面30bが露出する。続いて、透明樹脂40を固化させた後、例えば、ダイサーを用いて個片化し、半導体発光装置100を完成させる。第2の実施形態図9は、第2の実施形態に係る半導体発光装置200および300を示す模式図である。図9aは、半導体発光装置200の断面を示し、図9bは、半導体発光装置300の断面を示す模式図である。本実施形態に係る半導体発光装置では、反射板を2つ折りに設ける点で、半導体発光装置100と相違する。図9aに示す半導体発光装置200では、フレーム20と反射板33aとの境界において、反射板33aを第1の主面20aの側に曲げ加工し、さらに、反射板33aと反射板33bとの境界において、端側の反射板33bを第2の主面20bの側に曲げ、例えば、実装面40に平行となるように加工する。例えば、図9a中の矢印で示すように、反射板33bは、半導体発光素子10から放射された発光の内の発光面40aで反射された成分L1を、再び発光面40aの方向に反射する。これにより、半導体発光装置200の光出力を向上させることができる。反射板33bは、実装面40に平行となることが好ましいが、上下に傾けた曲げ加工が施されても良い。すなわち、反射板33bの角度を変えることにより、発光の指向性を制御しても良い。図9bに示す半導体発光装置300では、2つ折りに設けられる反射板43aと反射板43bが、共に、第1の主面20aの側に曲げ加工される。そして、フレーム20に接続した反射板43aと、第1の主面20aと、の間の角度が、端側の反射板43bと、第1の主面20aと、の間の角度よりも大きい。すなわち、反射板43aのみが設けられる場合に比べて、発光面40aの側に放射される半導体発光素子10の発光の指向性を狭めることが可能となる。図10は、第2の実施形態の変形例に係る半導体発光装置310および320の断面を示す模式図である。本実施形態に係る半導体発光装置では、反射板を2つ折りに設ける点で、図9に示す半導体発光装置300と共通する。そして、反射板を曲げ加工する際の折り目のラインに沿って肉薄部を設ける点で相違する。図10aに示す半導体発光装置210では、フレーム20と反射板43aとの境界のライン23aに沿って、第2の主面20bの側に肉薄部20cが設けられる。さらに、反射板43aと反射板43bとの境界である折り目のライン23bに沿って、第2の主面20bの側に肉薄部20cが設けられる。これにより、反射板43aおよび反射板43bの曲げ加工が容易となり、製造歩留りを向上させることができる。図10bに示す半導体発光装置320では、ライン23aおよびライン23bに沿って、フレーム20の第1の主面20aの側に肉薄部20dが設けられる。この場合、肉薄部20dの溝への透明樹脂40の充填が容易となり、気泡などの欠陥が生じ難い点で、半導体発光装置310よりも有利である。例えば、半導体発光装置310において、ライン23aに沿って設けられる肉薄部20cの厚さと、ライン23bに沿って設けられる肉薄部20cの厚さを同じにすれば、同時にエッチングもしくはプレス加工することができる。第3の実施形態図11は、第3の実施形態に係る半導体発光装置400を示す模式図である。図11aは、発光面40aの側から見た平面図である。図11bは、図11aにおけるG-G断面を示す模式図であり、図11cは、H-H断面を示す模式図である。図11aに示すように、発光面40aに平行な平面における半導体発光素子10およびフレーム20の外形は長方形であり、それぞれの長辺が平行となるように配置されている。さらに、半導体発光装置400の外形も長方形であり、その長辺は、フレーム20の長辺と平行に設けられる。そして、フレーム20の長辺に沿って設けられる反射板53aの曲げ角が、短辺に沿って設けられる反射板53bの曲げ角よりも大きくなるように形成される。すなわち、図11bに示すフレーム20の第2の主面20bに対する反射板53aの曲げ角θ1は、図11cに示す第2の主面20bに対する反射板53bの曲げ角θ2よりも大きい。これにより、例えば、図11bに示すG-G断面における半導体発光素子10の発光の放射角指向性を、図11cに示すH-H断面における放射角よりも狭くすることができる。本実施形態に係る半導体発光素子10およびフレーム20の形状は、長方形に限定される訳ではなく、正方形であっても良い。そして、対向する1対の辺に設けられる反射板の曲げ角を、他の1対の辺に設けられる反射板の曲げ角よりも大きくして、その方向における放射角を狭くすることができる。半導体発光装置400は、例えば、図17に示す液晶表示装置800に使用することができる。図17aは、液晶表示装置800の断面、図17bは、液晶表示装置800の前面を模式的に示している。図17aに示すように、液晶表示装置800は、液晶パネル810と、バックライトユニット820と、を備える。バックライトユニット820は、液晶パネル810を後方から照明し、液晶パネルの前面に画像を表示する。バックライトユニット820は、例えば、導光板150と、導光板150を照明する複数の半導体発光装置400を備える。図17bに示すように、導光板150は、ケースフレーム130の内部に収容される。そして、ケースフレーム130に設けられた側壁130aには、半導体発光装置400が配置され、導光板150の側面を照明する。半導体発光装置400から放射された発光は、導光板150の側面から入射し、導光板の発光面150aに平行な方向に伝播する。そして、導光板の発光面150a、もしくは、その裏面に設けられた回折パターンにより、導光板150の内部を伝播する光が発光面150aの方向に放射され、液晶パネル810を裏面から照明する。液晶パネル810に高品質の画像を表示させるためには、導光板150の発光面150aの輝度が均一であることが望ましい。そこで、図17bに示すように、複数の半導体発光装置400が回路基板120に実装され、導光板150の上下の側面に沿って配置される。さらに、液晶表示装置では、表示面に垂直な方向の厚みを薄くすることが望まれている。これに対し、半導体発光装置400は小型化が容易であり、その長辺を発光面150aに平行な方向に合わせることにより、導光板のサイズにフィットさせることが可能である。これにより、バックライトユニット820の厚さを薄くし、液晶表示装置800の薄型化に寄与することができる。そして、半導体発光装置400では、短辺方向における発光の放射角を狭くすることが可能であり、その発光を効率よく導光板150に入射させることができる。図12は、第3の実施形態の変形例に係る半導体発光装置410を示す模式図である。図12aは、発光面40aの側から見た平面図であり、図12bは、図12a中に示すI-I断面を示す模式図である。半導体発光装置410では、フレーム20の短辺に側に反射板53bが無く、長辺に沿った反射板53aのみが設けられている点で、図11に示す半導体発光装置400と相違する。例えば、前述した液晶表示装置800では、導光板150に光を入射させるため、I-I断面における放射角を狭くすることが望ましい。一方、長辺に沿った方向の放射角の影響は小さい。したがって、少なくとも長辺に沿って設けられた反射板53aを備えることにより、導光板150への光の入射効率を向上させることができる。そして、フレーム20の短辺に沿った反射板53bの数を減らすことにより、例えば、短辺方向のサイズを小さくして小型化を図ることができる。また、半導体発光素子10と、フレーム30と、の間に反射板53bが設けられないので、金属ワイヤ13の高さを低くすることが可能である。これにより、半導体発光素子410の発光面40aに垂直な方向の高さを低くすること、すなわち低背化が可能となる。上記の通り、本実施形態では、反射板53aおよび53bの曲げ角を変えて半導体発光装置400の指向性を変化させることが可能である。そして、対向する一対の反射板の曲げ角と、他の一対の反射板の曲げ角と、が異なるように形成することにより、例えば、液晶表示装置800に適合した半導体発光装置を実現することができる。第4の実施形態図13は、第4の実施形態に係る半導体発光装置500を示す模式図である。図13aは、発光面40aの側から見た平面図であり、図13bは、図14a中に示すJ-J断面を示す模式図である。半導体発光装置500では、フレーム30の側の反射板53bにスリット55が設けられている点で、図11に示す半導体発光装置400と相違する。図13aおよびbに示すように、半導体発光素子10とフレーム30とを電気的に接続する金属ワイヤ13は、スリット55を通してボンディングされる。これにより、図13bに示すように、発光面40aに垂直な方向の金属ワイヤ13の高さを、反射板53bよりも低くすることができる。そして、半導体発光装置500の低背化することができる。フレーム20の短辺に沿った方向のスリット55の幅は、例えば、フレーム20と同じ厚さ、もしくは、それよりも広く設ける。これにより、フレーム20の加工歩留りを向上させることができる。また、フレーム20の長辺に沿った方向におけるスリット55の長さは、例えば、反射板53bのフレーム30の側の端からフレーム20に達する長さとすることもできる。第5の実施形態図14は、第5の実施形態の係る半導体発光装置600を示す模式図である。図14aは、半導体発光装置600を発光面40aの側から見た平面図である。図14bは、図14a中に示すK-K断面を示す模式図であり、図14cは、L-L断面を示す模式図である。半導体発光装置600では、フレーム20が八角形に設けられている点で、図1に示す半導体発光装置100と相違する。図14aに示すように、フレーム20の各辺に沿って反射板3および反射板63が設けられる。そして、同図の上下方向および横方向の両端に設けられる反射板3の間に、反射板63を設ける構成となっている。例えば、図1に示す半導体発光装置100では、半導体発光素子10から放射される発光の内、上下方向および横方向の両端に設けられた反射板3の間を通り抜ける成分がある。そこで、本実施形態に係る半導体発光装置600では、隣り合う反射板3の間に反射板63を設けることにより、発光面40aの方向に放射される発光を増やし、光出力を向上させることができる。フレーム20の形状は、ここに例示した四角形や八角形に限定されるわけではなく、任意の形状に設けることが可能である。第6の実施形態図15は、第6の実施形態の係る半導体発光装置700および710を示す模式図である。図15aおよびbは、それぞれ半導体発光装置700および710を発光面40aの側から見た平面図である。図15aに示す半導体発光装置700では、同図の横方向におけるフレーム20の両端に設けられた反射板3aの形状が、例えば、図1に示す半導体発光装置100と相違する。すなわち、フレーム20の辺に沿った方向の反射板3aの幅が、フレーム20の側から端の方向に広くなる形状に設けられている。これにより、フレーム20の上下方向の両端に設けられた反射板3と、反射板3aと、の間の隙間を通り抜ける光を減らし、発光面40aの方向に放射される光を増やすことができる。そして、半導体発光装置700の光出力を向上させることができる。図15bに示す半導体発光装置710では、同図の上下および横方向におけるフレーム20の両端に設けられた反射板3の間に配置される反射板63aの形状が、図14に示す半導体発光装置600と相違する。すなわち、フレーム20の辺に沿った反射板63aの幅が、フレーム20の側から端の方向に広くなるように設けられる。これにより、反射板3と、反射板3aと、の間の隙間を通り抜ける光を減らし、発光面40aの方向に放射される光を増やすことができる。そして、半導体発光装置710の光出力を向上させることができる。このように、本実施形態に係る半導体発光装置では、少なくとも1つの反射板において、そのフレーム20に沿った方向の幅が、フレーム20の側から端へ向かう方向に広くなるようにする。これにより、光出力を向上させることができる。第7の実施形態図16は、第7の実施形態に係る半導体発光装置720を示す模式図である。図16aは、半導体発光装置720を発光面40aの側から見た平面図であり、図16bは、図16a中に示すM-M断面を示す模式図である。半導体発光装置720に含まれる半導体発光素子50は、フレーム20の第1の主面20aとは反対の側の表面に、例えば、p電極9を有し、第1の主面20aと対向する裏面側にn電極を有する。図16bに示すように、p電極9と、フレーム30と、の間が金属ワイヤ13で接続される。一方、図示しないn電極は、フレーム20の第1の主面20aに導電性の接続部材14により接続される。したがって、n電極とフレーム20との間を電気的に接続する金属ワイヤが不要となり、組立工数を削減することができる。接続部材14には、例えば、導電ペーストもしくはハンダを用いることができる。上記の通り、第1~第7の実施形態に係る半導体発光装置は、半導体発光素子10もしくは50と、フレーム20と、フレーム30と、を備え、透明樹脂40で一体に封止されるシンプルな構成を有する。そして、フレーム20の端部を曲げ加工することにより反射板を形成し、発光の指向性を制御することができる。これにより、様々な用途に合わせたサイズと、指向性と、を有する半導体発光装置を実現することができる。そして、発光面40aとは反対側の実装面40bにフレーム20および30を露出させることにより、放熱性を向上させ、例えば、回路基板へのダイボンディングを容易とすることができる。以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。