塩素含有ガスを基板上に供給することにより基板上の核の成長を抑制し、局所的なシリコン成長を制御する核成長抑制工程と、シリコン含有ガスを基板上に供給することにより基板上のシリコン核を形成する核形成工程と、を有し、前記核成長抑制工程と前記核形成工程とを1サイクルとし、2サイクル以上繰り返してシリコン膜を形成し、前記核成長抑制工程にかかる時間は、前記核形成工程にかかる時間以下である半導体装置の製造方法。基板を処理する処理室と、前記処理室内に少なくとも塩素含有ガスを供給する塩素含有ガス供給系と、前記処理室内に少なくともシリコン含有ガスを供給するシリコン含有ガス供給系と、前記シリコン含有ガス供給系が前記処理室内に少なくとも前記シリコン含有ガスを供給し前記塩素含有ガス供給系が前記処理室内に前記塩素含有ガスを供給し前記核の成長を抑制する核成長抑制工程と、前記基板に核を形成する核形成工程とからなり、前記核成長抑制工程と前記核形成工程とを1サイクルとし、本サイクルを2サイクル以上繰り返し、前記核成長抑制工程にかかる時間は、前記核形成工程にかかる時間以下に設定されてシリコン膜を形成するように制御するコントローラと、を有する基板処理装置。前記核成長抑制工程と前記核形成工程とを1サイクルとし、2サイクル以上繰り返した後、更に核形成工程を行う請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記核成長抑制工程にかかる時間は、前記核形成工程にかかる時間の04倍以上1倍である請求項1に記載の半導体装置の製造方法。しかしながら、シリコン膜の表面を研磨する時に汚染物やパーティクルが発生し、その汚染物やパーティクルがシリコン膜等を有する基板に混入することにより、基板の品質や半導体装置の性能が劣化してしまう等の課題を生じてしまうことがあった。本発明は上述の課題を解決し、基板の品質や半導体装置の性能の劣化を抑制する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することを目的とする。本発明の一態様によれば、塩素含有ガスを基板上に供給することにより基板上の核の成長を抑制し、局所的なシリコン成長を制御する核成長抑制工程と、シリコン含有ガスを基板上に供給することにより基板上のシリコン核を形成する核形成工程と、を有し、前記核成長抑制工程と前記核形成工程とを1サイクルとし、2サイクル以上繰り返してシリコン膜を形成し、前記核成長抑制工程にかかる時間は、前記核形成工程にかかる時間以下である半導体装置の製造方法が提供される。本発明の他の態様によれば、基板を処理する処理室と、前記処理室内に少なくとも塩素含有ガスを供給する塩素含有ガス供給系と、前記処理室内に少なくともシリコン含有ガスを供給するシリコン含有ガス供給系と、前記シリコン含有ガス供給系が前記処理室内に少なくとも前記シリコン含有ガスを供給し前記塩素含有ガス供給系が前記処理室内に前記塩素含有ガスを供給し前記核の成長を抑制する核成長抑制工程と、前記基板に核を形成する核形成工程とからなり、前記核成長抑制工程と前記核形成工程とを1サイクルとし、本サイクルを2サイクル以上繰り返し、前記核成長抑制工程にかかる時間は、前記核形成工程にかかる時間以下に設定されてシリコン膜を形成するように制御するコントローラと、を有する基板処理装置が提供される。本発明によれば、基板の品質や半導体装置の性能の劣化を抑制することができる。第1実施形態以下に、本発明の第1実施形態を図面に基づいて説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る基板処理装置としての半導体製造装置10の一例であり、斜視図にて示す。この半導体製造装置10は、バッチ式縦型熱処理装置であり、主要部が配置される筐体12を有する。半導体製造装置10には、例えば、Siシリコン、珪素又はSiCシリコンカーバイド、炭化珪素等で構成された基板としてのウエハ200を収納する基板収納器としてフープ以下、ポッドという16が、ウエハキャリアとして使用される。この筐体12の正面側には、ポッドステージ18が配置されており、このポッドステージ18にポッド16が搬送される。ポッド16には、例えば25枚のウエハ200が収納され、蓋が閉じられた状態でポッドステージ18に載置される。筐体12内の正面側であって、ポッドステージ18に対向する位置には、ポッド搬送装置20が配置されている。また、このポッド搬送装置20の近傍には、ポッド棚22、ポッドオープナ24及び基板枚数検知器26が配置されている。ポッド棚22は、ポッドオープナ24の上方に配置され、ポッド16を複数個載置した状態で保持するように構成されている。基板枚数検知器26は、ポッドオープナ24に隣接して配置される。ポッド搬送装置20は、ポッドステージ18とポッド棚22とポッドオープナ24との間でポッド16を搬送する。ポッドオープナ24は、ポッド16の蓋を開けるものであり、基板枚数検知器26は蓋を開けられたポッド16内のウエハ200の枚数を検知する。筐体12内には、基板移載機28、基板支持具としてのボート217が配置されている。基板移載機28は、アームツィーザ32を有し、図示しない駆動手段により、上下回転動作が可能な構造になっている。アーム32は、例えば5枚のウエハ200を取り出すことができ、このアーム32を動かすことにより、ポッドオープナ24の位置に置かれたポッド16及びボート217間にてウエハ200を搬送する。図2は、本発明の実施の形態で好適に用いられる基板処理装置の処理炉202の概略構成図であり、縦断面図として示されている。図2に示されているように、処理炉202は加熱機構としてのヒータ206を有する。ヒータ206は筒形状であり、例えば円筒形状であり、図示しない保持板としてのヒータベースに支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ206の内側には、ヒータ206と同心円状に反応管としてのプロセスチューブ203が配設されている。プロセスチューブ203は、内部反応管としてのインナーチューブ204と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ205と、から構成されている。インナーチューブ204は、例えば石英SiO2または炭化珪素SiC等の耐熱性材料で構成されており、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ204の筒中空部には、処理室201が形成されており、基板としてのウエハ200を後述するボート217によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。アウターチューブ205は、例えば石英または炭化珪素等の耐熱性材料で構成されており、内径がインナーチューブ204の外径よりも大きく、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナーチューブ204と同心円状に設けられている。アウターチューブ205の下方には、アウターチューブ205と同心円状にマニホールド209が配設されている。マニホールド209は、例えばステンレス等で構成されており、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド209は、インナーチューブ204とアウターチューブ205とに係合しており、これらを支持するように設けられている。なお、マニホールド209とアウターチューブ205との間には、シール部材としてのOリング220aが設けられている。マニホールド209が図示しないヒータベースに支持されることにより、プロセスチューブ203は垂直に据え付けられた状態となっている。主にプロセスチューブ203とマニホールド209とにより反応容器が形成される。マニホールド209にはガス導入部としてのノズル230a、230b、230cが処理室201内に連通するように接続されており、ノズル230a、230b、230cにはそれぞれガス供給管232a、232b、232cが接続されている。ガス供給管232a、232b、232cのノズル230a、230b、230cとの接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのMFCマスフローコントローラ、MassFlowController241a、241b、241c及び開閉装置としてのバルブ310a、310b、310cを介して、シリコン含有ガス源300a、塩素含有ガス源300b、不活性ガス源300cが接続されている。MFC241a、241b、241cには、ガス流量制御部235が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。シリコン含有ガスとして例えばジシランSi2H6ガスを供給するノズル230aは、例えば石英製であり、マニホールド209を貫通するようにマニホールド209に設けられている。ノズル230aは、少なくとも1本設けられており、ヒータ206と対向する領域より下方であってマニホールド209と対向する領域に設けられ、シリコン含有ガスを処理室201内へ供給するよう構成されている。ノズル230aは、ガス供給管232aに接続されている。このガス供給管232aは、流量制御器流量制御手段としてのマスフローコントローラ241a及びバルブ310aを介してシリコン含有ガスとして、例えばジシランSi2H6ガスを供給するシリコン含有ガス源300aに接続されている。この構成により、処理室201内へ供給するシリコン含有ガス、例えばジシランガスの供給流量、濃度、分圧を制御することができる。主に、シリコン含有ガス源300a、バルブ310a、マスフローコントローラ241a、ガス供給管232a、ノズル230aにより、ガス供給系としてのシリコン含有ガス供給系が構成される。塩素含有ガスとして例えばジクロロシランSiH2Cl2ガスを供給するノズル230bは、例えば石英製であり、マニホールド209を貫通するようにマニホールド209に設けられている。ノズル230bは、少なくとも1本設けられており、ヒータ206と対向する領域より下方であってマニホールド209と対向する領域に設けられ、塩素含有ガスを処理室201内へ供給するよう構成されている。ノズル230bは、ガス供給管232bに接続されている。このガス供給管232bは、流量制御器流量制御手段としてのマスフローコントローラ241b及びバルブ310bを介して塩素含有ガスとして、例えばジクロロシランガスを供給する塩素含有ガス源300bに接続されている。この構成により、処理室201内へ供給する塩素含有ガス、例えばジクロロシランガスの供給流量、濃度、分圧を制御することができる。主に、塩素含有ガス源300b、バルブ310b、マスフローコントローラ241b、ガス供給管232b、ノズル230bにより、ガス供給系としての塩素含有ガス供給系が構成される。不活性ガスとして例えば窒素N2ガスを供給するノズル230cは、例えば石英製であり、マニホールド209を貫通するようにマニホールド209に設けられている。ノズル230cは、少なくとも1本設けられており、ヒータ206と対向する領域より下方であってマニホールド209と対向する領域に設けられ、不活性ガスを処理室201内に供給するよう構成されている。ノズル230cは、ガス供給管232dに接続されている。このガス供給管232cは、流量制御器流量制御手段としてのマスフローコントローラ241c及びバルブ310cを介して不活性ガスとして、例えば、窒素ガスを供給する不活性ガス源300cに接続されている。この構成により、処理室201内へ供給する不活性ガス、例えば窒素ガスの供給流量、濃度、分圧を制御することができる。主に、不活性ガス源300c、バルブ310c、マスフローコントローラ241c、ガス供給管232c、ノズル230cにより、ガス供給系としての不活性ガス供給系が構成される。バルブ310a、310b、310c、およびマスフローコントローラ241a、241b、241cには、ガス供給量制御部235が電気的に接続され、ガス供給量、ガス供給開始、ガス供給停止等を、所望のタイミングにて制御するように構成されている。尚、本実施形態では、ノズル230a、230b、230cをマニホールド209と対向する領域に設けたが、これに限らず、例えば、少なくとも一部がヒータ206と対向する領域に設けて、シリコン含有ガスまたは塩素含有ガスまたは不活性ガスをウエハの処理領域にて供給できるようにしても良い。例えばL字型のノズルを1以上用いて、ガスを供給する位置をウエハの処理領域まで延在させることで、1以上の位置からガスをウエハ近傍で供給することができるようにしても良い。また、マニホールド209と対向する領域、又はヒータ206と対向する領域のいずれにおいても、ノズルを設けても良い。また本実施形態では、シリコン含有ガスとしてジシランガスを例示したが、これに限らず、例えば、シランSiH4ガスやトリシランSi3H8ガス等の高次シランガス等を用いても良く、またこれらを組み合わせて用いてもよい。また本実施形態では、塩素含有ガスとしてジクロロシランSiH2Cl2ガスを例示したが、これに限らず、例えば、トリクロロシランSiHCl3ガスやテトラクロロシランSiCl4ガス等の塩化シラン類を用いても良く、また、塩素Cl2ガスや塩化水素HClガスなどを用いても良く、またこれらを組み合わせて用いてもよい。また本実施形態では、不活性ガスとして窒素N2ガスを例示したが、これに限らず、例えば、ヘリウムHeガス、ネオンNeガス、アルゴンArガス等の希ガス等を用いても良く、また窒素ガスとこれらの希ガスとを組み合わせて用いても良い。マニホールド209には、処理室201内の雰囲気を排気する排気管231が設けられている。排気管231は、インナーチューブ204とアウターチューブ205との隙間によって形成される筒状空間250の下端部に配置されており、筒状空間250に連通している。排気管231のマニホールド209との接続側とは反対側である下流側には、圧力検出器としての圧力センサ245、および圧力調整装置242を介して、真空ポンプ等の真空排気装置246が接続されており、処理室201内の圧力が所定の圧力真空度となるよう真空排気し得るように構成されている。圧力調整装置242および圧力センサ245には、圧力制御部236が電気的に接続されている。圧力制御部236は、圧力センサ245により検出された圧力に基づいて、処理室201内の圧力が所望の圧力となるよう、圧力調整装置242を所望のタイミングにて制御するように構成されている。マニホールド209の下方には、マニホールド209の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ219が設けられている。シールキャップ219は、マニホールド209の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ219は、例えばステンレス等の金属で構成されており、円盤状に形成されている。シールキャップ219の上面には、マニホールド209の下端と当接するシール部材としてのOリング220bが設けられる。シールキャップ219の処理室201と反対側には、ボート217を回転させる回転機構254が設置されている。回転機構254の回転軸255は、シールキャップ219を貫通して、後述するボート217に接続されており、ボート217を回転させることでウエハ200を回転させるように構成されている。シールキャップ219は、プロセスチューブ203の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ115によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート217を処理室201内外に対し搬入搬出することが可能となっている。回転機構254及びボートエレベータ115には、駆動制御部237が電気的に接続されており、所望の動作をするよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。基板保持具としてのボート217は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料で構成されており、複数枚のウエハ200を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。なおボート217の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料で構成されており円板形状をした断熱部材としての断熱板216が、水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ206からの熱がマニホールド209側に伝わりにくくなるよう構成されている。プロセスチューブ203内には、温度検出器としての温度センサ263が設置されている。ヒータ206と温度センサ263には、温度制御部238が電気的に接続されており、温度センサ263により検出された温度情報に基づきヒータ206への通電具合を調整することにより、処理室201内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。ガス流量制御部235、圧力制御部236、駆動制御部237、温度制御部238は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部239に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部235、圧力制御部236、駆動制御部237、温度制御部238、主制御部239は、コントローラ240として構成されている。次に、上記構成に係る処理炉202を用いて、半導体装置の製造工程の一工程として、CVDChemicalVaporDeposition、化学気相成長法により、ウエハ200上にシリコン膜を形成する方法について説明する。尚、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ240により制御される。複数枚のウエハ200がボート217に装填ウエハチャージされると、図2に示されているように、複数枚のウエハ200を保持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内に搬入ボートローディングされる。この状態で、シールキャップ219はOリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。処理室201内が所望の圧力真空度となるように真空排気装置246によって真空排気される。この際、処理室201内の圧力は、圧力センサ245で測定され、この測定された圧力に基づき圧力調節器242によりフィードバック制御される。また、処理室201内が所望の温度となるように、ヒータ206によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ206への通電具合がフィードバック制御される。続いて、回転機構254により、ボート217が回転されることで、ウエハ200が回転される。次いで、図2に示すように、処理ガスとして、例えばシリコン含有ガス供給源300aからシリコン含有ガスが供給される。MFC241aにて所望の流量となるように制御されたシリコン含有ガスは、ガス供給管232aを流通してノズル230aから処理室201内に導入される。導入されたシリコン含有ガスは処理室201内を上昇し、インナーチューブ204の上端開口から筒状空間250内に流出して、排気管231から排気される。シリコン含有ガスは、処理室201内を通過する際にウエハ200の表面と接触し、この際に熱CVD反応によってウエハ200に膜、例えばシリコン膜が堆積デポジションされる。予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源300cから不活性ガスがMFC241cにて所望の流量となるように制御されて供給され、処理室201内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室201内の圧力が常圧に復帰される。その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されて、マニホールド209の下端が開口されるとともに、処理済ウエハ200がボート217に保持された状態でマニホールド209の下端からプロセスチューブ203の外部に搬出ボートアンローディングされる。その後、処理済ウエハ200はボート217より取出されるウエハディスチャージ。次に本発明の第1実施形態における膜形成する方法について、さらに詳細に説明する。上述の半導体製造装置10を用いて、半導体装置の製造工程の一工程として基板に以下のような手順で目的の膜を形成する。図4は、第1実施形態における各工程の基板の状態を示す模式図である。図4に示すように第1実施形態では、基板となるウエハ200上に、塩素含有ガスとシリコン含有ガスとを供給して、所定の膜厚を有するシリコン膜が形成される。これにより、ウエハ表面に形成されるシリコン膜の面内分布を制御しながら、所定の膜厚のシリコン膜を形成することができる。詳細について以下に説明する。まず、各工程について以下に詳細に説明する。<核成長抑制工程>本工程は、核の一部分の除去や成長の抑制をすることにより、局所的なシリコン成長を抑制する工程である。上記のようにウエハ200上にシリコン核が形成された状態において、塩素含有ガスを所定の時間供給し、図4bに示すように、図4aにて形成されたシリコン核の成長を抑制し、また、一部のシリコン核をウエハ200上から離脱させて、シリコンの核の成長を制御する。なお、塩素含有ガスとして、ジクロロシランSiH2Cl2ガスを例示したが、これに限らず、例えば、トリクロロシランSiHCl3ガスやテトラクロロシランSiCl4ガスを用いても良く、また、塩素Cl2ガスや塩化水素HClガスなどを用いても良く、またこれらの組み合わせて用いてもよい。なお、一例まで、本実施形態の処理室201内にてウエハ200を処理する際の処理条件、すなわち、ウエハ200にジクロロシランガスによるシリコン核成長を制御する際の処理条件としては、処理温度:300°C以上500°C以下、処理圧力:10Pa以上1330Pa以下、ジクロロシランガス供給流量:10sccm以上5000sccm以下、が例示され、それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することで、ウエハ200上におけるシリコン核の成長を抑制できる。<核形成工程>本工程は、基板上にシリコン核を形成させる工程である。上述の核成長抑制工程と核形成工程とを1サイクルとし、本サイクルを2サイクル以上繰り返すことで、基板上にシリコン核を敷き詰めるように核を形成させることができる。シリコン等で構成される基板としてのウエハ200に、例えばアモルファスシリコン非晶質シリコン、amorphoussilicon膜を形成する膜形成工程について説明する。図4に示すように、処理室201内に少なくともシリコン含有ガスを所定の時間供給し、ウエハ200上にシリコン核を形成させる。なお、シリコン含有ガスとして、シランガスSiH4ガス、又はジシランガスSi2H6ガス等が挙げられ、また、これらの組み合わせにて用いても良い。なお、一例まで、本実施形態の処理室201内にてウエハ200を処理する際の処理条件、すなわち、ウエハ200上にジシランガスによってシリコン核を形成する際の処理条件としては、処理温度:300°C以上500°C以下、処理圧力:10Pa以上1330Pa以下、ジシランガス供給流量:10sccm以上5000sccm以下、が例示され、それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することでウエハ200上にシリコン核が形成される。核成長抑制工程の後で、基板上にシリコン核を形成させる工程である核形成工程を行うことにより、図4cに示すように、新たにシリコン核が形成される。核成長抑制工程図4bと核形成工程図4cとを1サイクルとし、本サイクルを2サイクル以上繰り返すことにより、図4dに示すように、ウエハ200上にシリコン核が均一に形成され、形成されたシリコン核が成長されることで、ウエハ200上にシリコン膜が形成される。ここで、上記のシリコン核の成長を制御するメカニズムについて説明する。ウエハ200上に形成されたシリコン核は、更にシリコン含有ガスが供給されることにより粗大化し、シリコン膜へ成長していく。しかし、シリコン核が粗大化してシリコン膜へと成長していく際には、初めに形成されたシリコン核がより早く成長を開始する一方で、シリコン核が形成されない他の部分には遅れてシリコン核が形成されるため、ウエハ200上に形成されるシリコン核の大きさには差異が生じてしまう。シリコン核の大きさに差異が生じると、ウエハ200上に形成されるシリコン膜の膜厚面内分布に差が生じてしまう。そこで本実施形態では、上記に示したように、まず1回目のシリコン含有ガスを所定時間供給した後、塩素含有ガスを供給することにより、1回目のシリコン含有ガスを供給した際にウエハ200上に形成されたシリコン核の粗大化を遅らせる。その後、2回目以降のシリコン含有ガスを所定時間供給することで、1回目にシリコン核が形成されなかったウエハ200上の所定の場所へシリコン核を形成させる。先に形成されたシリコン核の成長を抑制しつつ、新たなシリコン核の形成を行うことで、形成されるシリコン核の大きさを均一化させることができる。このように、シリコン核の成長抑制とシリコン核の核形成とを繰り返すことにより、ウエハ200上に、均一にシリコン核を形成することができ、均一に形成されたシリコン核が制御されて成長することにより、形成されるシリコン膜は、膜厚面内均一性の良く形成することができる。好ましくはウエハ200に、酸化シリコン膜が形成されていることが良く、ウエハ200に形成されている酸化シリコン膜に対し、上述の方法で、アモルファスシリコン膜710が形成されることが望ましい。これにより、例えば、形成されるアモルファスシリコン膜710と酸化シリコン膜との密着性が高くなるので、形成する半導体装置の性能が劣化することを低減し、スループットが低下することを抑制することができる。また、好ましくは、核形成工程の前に、前処理を施すと良い。これにより、基板200上に付着された不純物を除去することにより、該不純物によりシリコン核の成長を阻害されることなくシリコン膜を形成することができる。また、核成長抑制工程と核形成工程との間に、反応炉内を真空置換、若しくは、窒素ガス置換する工程を設けてもよい。これにより、それぞれの工程で供給されるガスを効率良く反応させることができる。尚、上述では、CVD法による膜形成について説明したが、これに限らず、例えばALDAtomicLayerDeposition、原子層成長法を用いても良い。一連の処理完了後、処理ガスの供給を停止し、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室201内が不活性ガスで置換されると共に、処理室201内の圧力が常圧に復帰される。その後、昇降モータ122によりシールキャップ219が下降されて、マニホールド209の下端が開口されると共に、処理済ウエハ200を保持したボート217をマニホールド209の下端から処理室201の外部に搬出ボートアンローディングし、ボート217に支持された全てのウエハ200が冷えるまで、ボート217を所定位置で待機させる。待機させたボート217のウエハ200が所定温度まで冷却されると、基板ウエハ移載機28により、ボート217からウエハ200を取り出し、ポッドオープナ24にセットされている空のポッド16に搬送して収容する。その後、ポッド搬送装置20により、ウエハ200が収容されたポッド16を、ポッド棚22、またはポッドステージ18に搬送する。このようにして半導体製造装置10の一連の作用が完了する。ここで、上記に記載の方法により成膜した結果について述べる。図5は、上記の方法により、形成したシリコン膜の成膜結果を示している。なお、表示されているサンプルデータは、核形成工程にかかる時間をXsecとしたときに、核成長抑制工程にかかる時間を04X、X、2Xsecとしたときの結果である。図5の縦軸は、右側に各条件にて形成されたシリコン膜の膜厚値Å、左側にウエハの面内分布を示す面内偏差値Åを示し、図5の横軸は、核成長抑制工程にかかる時間を核形成工程にかかる時間で割った比‐で示す。なお、面内偏差値とは、測定されたウエハ上における最大膜厚値と最小膜厚値との差を示している。面内偏差値が小さくなることは、形成された膜がウエハ上に均一に形成されていることを示す。図5によれば、核成長抑制工程にかかる時間が核形成工程にかかる時間に対し相対的に長くなる、つまり図5における左側であるほど、徐々に成膜速度が小さくなることが分かる。また、核成長抑制工程にかかる時間が核形成工程にかかる時間よりも長くなるほど図中の時間比が10を超えると、面内偏差値も次第に大きくなることが分かる。これにより、核成長抑制工程にかかる時間と核形成工程にかかる時間との比が、04以上1以下であるとき、面内偏差値の小さいシリコン膜を形成できることが分かる。本実施形態によれば、以下に示す効果のうち少なくとも1つ以上の効果を奏する。1膜厚の面内分布が良好なシリコン膜を形成することができる。21において、特に半導体製造工程に適用する際に、シリコンで構成される絶縁膜を均一に形成することができる。31において、核成長抑制工程にかかる時間は、核形成工程にかかる時間に対し、04倍以上1倍以下であることが好ましい。41において、特に高いアスペクト比Aspect比を有するトレンチ構造等に適用する際に、良好なステップカバレージStepCoverageを得ることが出来る。5良好な性能を有する半導体装置を安定して製造することができ、スループットを向上させることが出来る。第2実施形態次に、第2実施形態について説明する。第2実施形態は、第1実施形態の変形例であり、核成長抑制工程と核形成工程とを1サイクルとし、本サイクルを2サイクル以上繰り返した後、核成長工程を行う成膜方法である。詳細は以下に説明する。各工程について以下に詳細に説明する。<核成長抑制工程>上記のようにウエハ200上にシリコン核が形成された状態において、塩素含有ガスを所定の時間供給し、形成されたシリコンの核の成長を制御する。なお、塩素含有ガスとして、ジクロロシランSiH2Cl2ガスを例示したが、これに限らず、例えば、トリクロロシランSiHCl3ガスやテトラクロロシランSiCl4ガスを用いても良く、また、塩素Cl2ガスや塩化水素HClガスなどを用いても良く、またこれらの組み合わせて用いてもよい。なお、一例まで、本実施形態の処理室201内にてウエハ200を処理する際の処理条件、すなわち、ウエハ200にジクロロシランガスによるシリコン核成長を制御する際の処理条件としては、処理温度:300°C以上500°C以下、処理圧力:10Pa以上1330Pa以下、ジクロロシランガス供給流量:10sccm以上5000sccm以下、が例示され、それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することでウエハ200上に形成されたシリコンの核の成長を抑制できる。<核形成工程>シリコン等で構成される基板としてのウエハ200上に、例えば、アモルファスシリコン非晶質シリコン、amorphoussilicon膜710を形成する膜形成工程について説明する。本工程では、処理室201内に少なくともシリコン含有ガスを所定の時間供給し、ウエハ200上にシリコンの核を形成させる。なお、シリコン含有ガスとして、シランガスSiH4ガス、又はジシランガスSi2H6ガス等が挙げられ、また、これらの組み合わせにて用いても良い。なお、一例まで、本実施形態の処理室201内にてウエハ200を処理する際の処理条件、すなわち、ウエハ200にジシランガスによるシリコン核を形成する際の処理条件としては、処理温度:300°C以上500°C以下、処理圧力:10Pa以上1330Pa以下、ジシランガス供給流量:10sccm以上5000sccm以下、が例示され、それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することでウエハ200上にシリコンの核が形成される。<核成長工程>核成長工程とは、核成長抑制工程と核形成工程を1サイクルとし、本サイクルを2サイクル以上行った後に、基板上に敷き詰められたシリコン核を成長させる工程である。上記のようにウエハ200上に均一にシリコン核が形成された状態において、シリコン含有ガスを所定の時間供給し、形成されたシリコンの核を成長させて、シリコン膜を形成する。なお、シリコン含有ガスとして、シランガスSiH4ガス又は、ジシランガスSi2H6ガス等が挙げられ、また、これらの組み合わせにて用いても良い。なお、一例まで、本実施形態の処理室201内にてウエハ200を処理する際の処理条件、すなわち、ウエハ200にシランガスによるシリコン核成長を制御する際の処理条件としては、処理温度:300°C以上500°C以下、処理圧力:10Pa以上1330Pa以下、シランガス供給流量:10sccm以上5000sccm以下、が例示され、それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することでウエハ200上に形成されたシリコン核が成長し、シリコン膜が形成される。これにより、ウエハ200上に均一に形成されたシリコン核を効率良く成長させることができ、シリコン膜を形成することができる。本実施形態によれば、第1実施形態で述べた効果以外に、以下に示す効果のうち少なくとも1つ以上の効果を奏する1シリコン核を効率良く成長させてシリコン膜を形成することができる。21において、原料ガスの消費を抑制することができる。尚、本発明はバッチ式装置に限らず枚葉式装置にも適用できる。なお、本発明はポリシリコン膜の形成に関して説明したが、その他のエピタキシャル膜及びCVD膜、例えば窒化シリコン膜等に関しても適用することができる。