"互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部と、前記放射線検出素子から前記信号線を通じて電荷を読み出し、前記放射線検出素子ごとに前記電荷を電気信号に変換してデータとして出力する読み出し回路と、放射線が照射される撮影時に前記各放射線検出素子が所定の蓄積時間で蓄積した電荷に基づいて前記読み出し回路が前記データとして実写画像データを出力すると共に、当該撮影に付随して前記放射線の非照射時に前記各放射線検出素子が前記撮影時と同じ蓄積時間で蓄積した電荷に基づいて前記読み出し回路が前記実写画像データを補正するための暗画像データを出力するよう制御する制御手段と、外部装置との間でデータを通信する通信手段と、を備える放射線画像撮影装置であって、前記制御手段は、放射線の非照射時に前記各放射線検出素子が前記撮影時よりも長い蓄積時間で蓄積した電荷に基づいて、前記読み出し回路が放射線検出素子の出力異常判定のための暗画像データを出力するよう制御することを特徴とする放射線画像撮影装置。前記制御手段は、前記各放射線検出素子について、蓄積時間がそれぞれ異なる複数の前記出力異常判定のための暗画像データを前記読み出し回路が出力するよう制御することを特徴とする請求項1記載の放射線画像撮影装置。前記制御手段は、前記各放射線検出素子について、前記複数の出力異常判定のための暗画像データの内のいずれか二つのデータを差分してなる差分データを求めることを特徴とする請求項1又は2記載の放射線画像撮影装置。前記制御手段は、前記各放射線検出素子の前記出力異常判定のための暗画像データを、一定の蓄積時間に基づいて複数回取得すると共にそれらを平均化することで取得することを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。前記各放射線検出素子について、前記出力異常判定のための暗画像データ又は前記差分データにより、前記各放射線検出素子の出力異常を判定する出力異常判定手段と、いずれの放射線検出素子が出力異常であるか又は出力異常とする放射線検出素子の位置を記憶する欠陥素子マップと、前記出力異常判定手段により出力異常と判定された放射線検出素子について前記欠陥素子マップに登録する登録手段とを備えることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。請求項1記載の放射線画像撮影装置と、前記放射線画像撮影装置との間でデータを通信する通信手段を備えるコンソールと、を備える放射線画像撮影システムであって、前記コンソールは、前記出力異常判定のための暗画像データから、前記各放射線検出素子の出力異常を判定する出力異常判定手段と、いずれの放射線検出素子が出力異常であるか又は出力異常とする放射線検出素子の位置を記憶する欠陥素子マップと、前記出力異常判定手段により出力異常と判定された放射線検出素子について前記欠陥素子マップに登録する登録手段とを有することを特徴とする放射線画像撮影システム。前記放射線画像撮影装置の制御手段は、前記各放射線検出素子について、蓄積時間がそれぞれ異なる複数の前記出力異常判定のための暗画像データを前記読み出し回路が出力するよう制御を行い、前記出力異常判定手段は、前記各放射線検出素子について、前記複数の出力異常判定のための暗画像データの内のいずれか二つのデータを差分してなる差分データを求め、当該差分データから前記各放射線検出素子の出力異常を判定することを特徴とする請求項6記載の放射線画像撮影システム。前記出力異常判定のための暗画像データとして、複数回取得すると共に平均化したものを用いることを特徴とする請求項6又は7記載の放射線画像撮影システム。互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部と、前記放射線検出素子から前記信号線を通じて電荷を読み出し、前記放射線検出素子ごとに前記電荷を電気信号に変換してデータとして出力する読み出し回路とを備える放射線画像撮影装置について、いずれの放射線検出素子が出力異常であるか又は出力異常とする放射線検出素子の位置を記憶する欠陥画素マップを作成する欠陥画素マップ作成方法であって、前記複数の放射線検出素子の各々に対する電荷の蓄積と前記読み出し回路による電荷の読み出しとを繰り返し行うエイジングステップと、前記エイジングステップの後に、前記各放射線検出素子が、放射線の非照射状態で撮影時よりも長い蓄積時間で電荷を蓄積し、蓄積した電荷から放射線検出素子の出力異常判定のための暗画像データを取得する暗画像データ取得ステップと、前記放射線検出素子の出力異常判定のための暗画像データに基づいて、前記各放射線検出素子の出力異常を判定する判定ステップと、前記各放射線検出素子の出力異常の判定に基づいて、当該出力異常となる放射線検出素子を登録した前記欠陥画素マップを作成する欠陥画素マップ作成ステップと、を備えることを特徴とする放射線画像撮影装置の欠陥画素マップ作成方法。前記暗画像データ取得ステップにおいて、前記蓄積時間の長さが異なる二以上の前記出力異常判定のための暗画像データを取得し、前記各放射線検出素子について、前記二以上の出力異常判定のための暗画像データの内、いずれか二つの暗画像データについて差分を行う差分ステップを備え、前記判定ステップでは、前記蓄積時間の異なる二つの暗画像データの差分から求まる差分データに基づいて、前記各放射線検出素子の出力異常を判定することを特徴とする請求項9記載の放射線画像撮影装置の欠陥画素マップ作成方法。前記エイジングステップは、前記検出部を通常使用環境温度よりも高温の状態に置いて行うことを特徴とする請求項9又は10記載の放射線画像撮影装置の欠陥画素マップ作成方法。互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部と、前記放射線検出素子から前記信号線を通じて電荷を読み出し、前記放射線検出素子ごとに前記電荷を電気信号に変換してデータとして出力する読み出し回路とを備える放射線画像撮影装置について、いずれの放射線検出素子が出力異常であるか又は出力異常とする放射線検出素子の位置を記憶する欠陥画素マップを作成する欠陥画素マップを作成する欠陥画素マップ作成システムにおいて、前記複数の放射線検出素子の各々に対する電荷の蓄積と前記読み出し回路による電荷の読み出しとを繰り返し行うエイジング制御部と、前記電荷の蓄積と前記電荷の読み出しとが繰り返し行われた前記各放射線検出素子が、放射線の非照射状態で撮影時よりも長い蓄積時間で電荷を蓄積し、蓄積した電荷から放射線検出素子の出力異常判定のための暗画像データを取得する暗画像データ取得制御部と、前記放射線検出素子の出力異常判定のための暗画像データに基づいて、前記各放射線検出素子の出力異常を判定する判定部と、前記各放射線検出素子の出力異常の判定に基づいて、当該出力異常となる放射線検出素子を登録した前記欠陥画素マップを作成する欠陥画素マップ作成部と、を備えることを特徴とする放射線画像撮影装置の欠陥画素マップ作成システム。前記暗画像データ取得制御部が、前記蓄積時間の長さが異なる二以上の前記出力異常判定のための暗画像データを取得し、前記各放射線検出素子について、前記蓄積時間の長さが異なる二以上の出力異常判定のための暗画像データの内、いずれか二つの暗画像データについて差分を求める差分算出部を備え、前記判定部は、前記蓄積時間の異なる二つの暗画像データの差分から求まる差分データに基づいて、前記各放射線検出素子の出力異常を判定することを特徴とする請求項12記載の放射線画像撮影装置の欠陥画素マップ作成システム。前記複数の放射線検出素子に対する電荷の蓄積と前記読み出し回路による電荷の読み出しとを繰り返し行う際に、前記検出部を通常使用環境温度よりも高温の状態に維持する加温部を備えることを特徴とする請求項12又は13記載の放射線画像撮影装置の欠陥画素マップ作成システム。しかしながら、上述の手法により欠陥のある放射線検出素子の識別を行う場合、通常とかけ離れた異常な出力を行っている明らかな欠陥放射線検出素子については容易に識別することが可能であるが、判別のための閾値に近い値で出力を行うような異常な状態に移行しつつある予備的な欠陥放射線検出素子については、識別を行うことが難しかった。このような予備的な欠陥放射線検出素子は、放射線検出素子の成膜形成時に不純物が混入したことを原因とする場合が多い。不純物が混入すると、放射線検出素子の電極間でリークパスを発生させ、繰り返される使用に応じて徐々にリーク量が増加して、いずれは欠陥放射線検出素子となる過程をたどる可能性が高い。このため、予備的な欠陥放射線検出素子は、繰り返される使用を経て完全な欠陥放射線検出素子となって識別可能となってから欠陥素子マップに登録しなければならないことから、定期的なメンテナンスによる監視を余儀なくされるという問題を生じていた。また、上記予備的な欠陥放射線検出素子を早期段階で識別するために、正常と見なす範囲をより狭くすることも考えられるが、その場合、正常な放射線検出素子までもが欠陥放射線検出素子と誤認される場合を生じ、本来必要のない放射線検出素子までもが補間処理の対象となり、撮像精度の低下を招くおそれがあった。そこで、本発明は欠陥とされる放射線検出素子をより的確に識別可能とする放射線画像撮影装置、放射線画像撮影システム、欠陥画素マップ作成方法及び欠陥画素マップ作成システムを提供することを目的とするものである。前記の問題を解決するために、本発明の放射線画像撮影装置は、互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部と、前記放射線検出素子から前記信号線を通じて電荷を読み出し、前記放射線検出素子ごとに前記電荷を電気信号に変換してデータとして出力する読み出し回路と、放射線が照射される撮影時に前記各放射線検出素子が所定の蓄積時間で蓄積した電荷に基づいて前記読み出し回路が前記データとして実写画像データを出力すると共に、当該撮影に付随して、前記放射線の非照射時に前記各放射線検出素子が前記撮影時と同じ蓄積時間で蓄積した電荷に基づいて前記読み出し回路が前記実写画像データを補正するための暗画像データを出力するよう制御する制御手段と、外部装置との間でデータを送受信する通信手段と、と備える放射線画像撮影装置であって、前記制御手段は、放射線の非照射時に前記各放射線検出素子が前記撮影時よりも長い蓄積時間で蓄積した電荷に基づいて、前記読み出し回路が放射線検出素子の出力異常判定のための暗画像データを出力するよう制御することを特徴とする。また、本発明の別の側面である放射線画像撮影システムは、請求項1記載の放射線画像撮影装置と、前記放射線画像撮影装置との間でデータを受信する通信手段を備えるコンソールと、を備える放射線画像撮影システムであって、前記コンソールは、前記出力異常判定のための暗画像データから、前記各放射線検出素子の出力異常を判定する出力異常判定手段と、いずれの放射線検出素子が出力異常であるか又は出力異常とする放射線検出素子の位置を記憶する欠陥素子マップと、前記出力異常判定手段により出力異常と判定された放射線検出素子の位置を前記欠陥素子マップに登録する登録手段とを有することを特徴とする。また、本発明の別の側面である放射線画像撮影装置の欠陥画素マップ作成方法では、互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部と、前記放射線検出素子から前記信号線を通じて電荷を読み出し、前記放射線検出素子ごとに前記電荷を電気信号に変換してデータとして出力する読み出し回路とを備える放射線画像撮影装置について、いずれの放射線検出素子が出力異常であるか又は出力異常とする放射線検出素子の位置を記憶する欠陥画素マップを作成する欠陥画素マップ作成方法であって、前記複数の放射線検出素子の各々に対する電荷の蓄積と前記読み出し回路による電荷の読み出しとを繰り返し行うエイジングステップと、前記エイジングステップの後に、前記各放射線検出素子が、放射線の非照射状態で撮影時よりも長い蓄積時間で電荷を蓄積し、蓄積した電荷から放射線検出素子の出力異常判定のための暗画像データを取得する暗画像データ取得ステップと、前記放射線検出素子の出力異常判定のための暗画像データに基づいて、前記各放射線検出素子の出力異常を判定する判定ステップと、前記各放射線検出素子の出力異常の判定に基づいて、当該出力異常となる放射線検出素子を登録した前記欠陥画素マップを作成する欠陥画素マップ作成ステップと、を備えることを特徴とする。また、本発明の別の側面である放射線画像撮影装置の欠陥画素マップ作成システムは、互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部と、前記放射線検出素子から前記信号線を通じて電荷を読み出し、前記放射線検出素子ごとに前記電荷を電気信号に変換してデータとして出力する読み出し回路とを備える放射線画像撮影装置について、いずれの放射線検出素子が出力異常であるか又は出力異常とする放射線検出素子の位置を記憶する欠陥画素マップを作成する欠陥画素マップを作成する欠陥画素マップ作成システムにおいて、前記複数の放射線検出素子の各々に対する電荷の蓄積と前記読み出し回路による電荷の読み出しとを繰り返し行うエイジング制御部と、前記電荷の蓄積と前記電荷の読み出しとが繰り返し行われた前記各放射線検出素子が、放射線の非照射状態で撮影時よりも長い蓄積時間で電荷を蓄積し、蓄積した電荷から放射線検出素子の出力異常判定のための暗画像データを取得する暗画像データ取得制御部と、前記放射線検出素子の出力異常判定のための暗画像データに基づいて、前記各放射線検出素子の出力異常を判定する判定部と、前記各放射線検出素子の出力異常の判定に基づいて、当該出力異常となる放射線検出素子を登録した前記欠陥画素マップを作成する欠陥画素マップ作成部と、を備えることを特徴とする。本発明にかかる放射線画像撮影装置および放射線画像撮影システムは、放射線画像撮影装置の制御手段が放射線の非照射時いわゆる暗電荷の取得時に各放射線検出素子について、撮影時よりも長い蓄積時間で蓄積した電荷に基づいて読み出し回路から放射線検出素子の出力異常判定のための暗画像データを取得するよう制御を行っている。このように、暗画像データ取得の際の各放射線検出素子の電荷の蓄積時間をより長くすると、正常な放射線検出素子の暗画像データの分布が集中する値と出力異常の放射線検出素子による暗画像データとの差をその蓄積時間に応じて広げることが可能となる。これにより、異常な値が顕在化し、正常な値と異常な値との判別が容易となり、閾値も適正な値をとりやすくなる。その結果、正常な放射線検出素子まで出力異常と判定される可能性が低減され、判定精度の向上を図ることが可能となる。さらに、異常を生じつつも正常な値に近い暗画像データを出力する放射線検出素子についても正常な放射線検出素子から分離して識別することが可能となり、例えば、もともと正常であった放射線検出素子が徐々に異常となりつつある場合でも早期にこれを異常と判定することができ、出力異常の放射線検出素子を監視するためのメンテナンスの頻度を低減することも可能となる。また、放射線画像撮影装置の欠陥画素マップ作成方法及び欠陥画素マップ作成システムでも、上記撮影時よりも長い蓄積時間で蓄積した電荷に基づいて取得した出力異常判定のための暗画像データによる判定精度向上の効果を得ることが可能である。そして、当該効果に加えて、放射線画像撮影装置の欠陥画素マップ作成方法及び欠陥画素マップ作成システムでは、放射線検出素子及び読み出し回路にエイジングを行うことから、微弱な出力異常を生じているが、異常とする判定はされないような、後発的に出力異常を発生する可能性の高い放射線検出素子に対して、異常状態を進行させ、その後の判定において異常出力として発見することが可能となる。つまり、繰り返される使用によって後発的に異常となる放射線検出素子を早期の段階で発見し、当該出力異常となる放射線検出素子を欠陥画素マップに登録することができるため、放射線画像撮影装置の使用開始後に異常を発生する放射線検出素子が低減され、メンテナンスの負担の軽減を図ることが可能となる。以下、本発明に係る放射線画像撮影装置及び放射線画像撮影システムの実施の形態について、図面を参照して説明する。[放射線画像撮影装置]まず、図1から図10Bまでを参照しつつ、本実施形態における放射線画像撮影装置の構成について説明する。なお、以下では、放射線画像撮影装置が、シンチレータ等を備え、照射された放射線を可視光等の他の波長の電磁波に変換して電気信号を得るいわゆる間接型の放射線画像撮影装置である場合について説明するが、本発明は、直接型の放射線画像撮影装置に対しても適用することが可能である。また、放射線画像撮影装置が可搬型である場合について説明するが、支持台等と一体的に形成された放射線画像撮影装置に対しても適用される。図1は、本実施形態における放射線画像撮影装置の外観斜視図であり、図2は、図1のA-A線に沿う断面図である。本実施形態に係る放射線画像撮影装置1は、図1、図2に示すように、筐体2の内部にシンチレータ3や基板4等が収納されて構成されている。筐体2は、少なくとも放射線入射面Rが放射線を透過するカーボン板やプラスチック等の材料で形成されている。なお、図1や図2では、筐体2がフレーム板2Aとバック板2Bとで形成された、いわゆる弁当箱型である場合が示されているが、筐体2の形状はこれに限定されない。筐体2を一体的に角筒状に形成した、いわゆるモノコック型とすることも可能である。また、図1に示すように、筐体2の側面部分には、電源スイッチ36や、LED等で構成されたインジケータ37、図示しないバッテリ41後述する図7参照の交換等のために開閉可能とされた蓋部材38等が配置されている。また、本実施形態では、蓋部材38の側面部には、画像データG後述を、後述するコンソール58図11参照等の外部装置に無線で転送するための通信手段であるアンテナ装置39が埋め込まれている。なお、画像データGを外部装置に有線方式で転送するように構成することも可能であり、その場合は、例えば、通信手段として、ケーブル等を差し込むなどして接続するための接続端子等が放射線画像撮影装置1の側面部等に設けられる。また、図2に示すように、筐体2の内部には、基板4の下方側に図示しない鉛の薄板等を介して基台31が配置され、基台31には、電子部品32等が配設されたPCB基板33や緩衝部材34等が取り付けられている。なお、本実施形態では、基板4やシンチレータ3の放射線入射面Rには、それらを保護するためのガラス基板35が配設されている。シンチレータ3は、基板4の後述する検出部Pに貼り合わされるようになっている。シンチレータ3は、例えば、蛍光体を主成分とし、放射線の入射を受けると300~800nmの波長の電磁波、すなわち可視光を中心とした電磁波に変換して出力するものが用いられる。基板4は、本実施形態では、ガラス基板で構成されており、図3に示すように、基板4のシンチレータ3に対向する側の面4a上には、複数の走査線5と複数の信号線6とが互いに交差するように配設されている。基板4の面4a上の複数の走査線5と複数の信号線6により区画された各小領域rには、放射線検出素子7がそれぞれ設けられている。このように、走査線5と信号線6で区画された各小領域rに二次元状に配列された複数の放射線検出素子7が設けられた領域r全体、すなわち図3に一点鎖線で示される領域が検出部Pとされている。本実施形態では、放射線検出素子7としてフォトダイオードが用いられているが、この他にも例えばフォトトランジスタ等を用いることも可能である。各放射線検出素子7は、図3や図4の拡大図に示すように、スイッチ素子であるTFT8のソース電極8sに接続されている。また、TFT8のドレイン電極8dは信号線6に接続されている。そして、TFT8は、後述する走査駆動手段15図7参照により、接続された走査線5にON電圧が印加され、ゲート電極8gにON電圧が印加されるとON状態となり、放射線検出素子7内で発生し蓄積されている電荷を信号線6に放出させるようになっている。また、TFT8は、接続された走査線5にOFF電圧が印加され、ゲート電極8gにOFF電圧が印加されるとOFF状態となり、放射線検出素子7から信号線6への電荷の放出を停止して、放射線検出素子7内で発生した電荷を放射線検出素子7内に保持して蓄積させるようになっている。ここで、本実施形態における放射線検出素子7やTFT8の構造について、図5に示す断面図を用いて簡単に説明する。図5は、図4におけるB-B線に沿う断面図である。図5に示すように、基板4の面4a上には、AlやCr等からなるTFT8のゲート電極8gが走査線5と一体的に積層されて形成されており、ゲート電極8g上および面4a上に積層された窒化シリコンSiNx等からなるゲート絶縁層81上のゲート電極8gの上方部分に、水素化アモルファスシリコンa-Si等からなる半導体層82を介して、放射線検出素子7の第1電極74と接続されたソース電極8sと、信号線6と一体的に形成されるドレイン電極8dとが積層されて形成されている。ソース電極8sとドレイン電極8dとは、窒化シリコンSiNx等からなる第1パッシベーション層83によって分割されており、さらに第1パッシベーション層83は両電極8s、8dを上側から被覆している。また、半導体層82とソース電極8sやドレイン電極8dとの間には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてn型に形成されたオーミックコンタクト層84a、84bがそれぞれ積層されている。以上のようにしてTFT8が形成されている。また、放射線検出素子7の部分では、基板4の面4a上に前記ゲート絶縁層81と一体的に形成される絶縁層71の上にAlやCr等が積層されて補助電極72が形成されており、補助電極72上に前記第1パッシベーション層83と一体的に形成される絶縁層73を挟んでAlやCr、Mo等からなる第1電極74が積層されている。第1電極74は、第1パッシベーション層83に形成されたホールHを介してTFT8のソース電極8sに接続されている。第1電極74の上には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてn型に形成されたn層75、水素化アモルファスシリコンで形成された変換層であるi層76、水素化アモルファスシリコンにIII族元素をドープしてp型に形成されたp層77が下方から順に積層されて形成されている。放射線画像撮影装置1の筐体2の放射線入射面Rから放射線が入射し、シンチレータ3で可視光等の電磁波に変換され、変換された電磁波が図中上方から照射されると、電磁波は放射線検出素子7のi層76に到達して、i層76内で電子正孔対が発生する。放射線検出素子7は、このようにして、シンチレータ3から照射された電磁波を電荷に変換するようになっている。また、p層77の上には、ITO等の透明電極とされた第2電極78が積層されて形成されており、照射された電磁波がi層76等に到達するように構成されている。本実施形態では、以上のようにして放射線検出素子7が形成されている。なお、p層77、i層76、n層75の積層の順番は上下逆であってもよい。また、本実施形態では、放射線検出素子7として、上記のようにp層77、i層76、n層75の順に積層されて形成されたいわゆるpin型の放射線検出素子を用いる場合が説明されているが、これに限定されない。放射線検出素子7の第2電極78の上面には、第2電極78を介して放射線検出素子7にバイアス電圧を印加するバイアス線9が接続されている。なお、放射線検出素子7の第2電極78やバイアス線9、TFT8側に延出された第1電極74、TFT8の第1パッシベーション層83等、すなわち放射線検出素子7とTFT8の上面部分は、その上方側から窒化シリコンSiNx等からなる第2パッシベーション層79で被覆されている。図3や図4に示すように、本実施形態では、それぞれ列状に配置された複数の放射線検出素子7に1本のバイアス線9が接続されており、各バイアス線9はそれぞれ信号線6に平行に配設されている。また、各バイアス線9は、基板4の検出部Pの外側の位置で結線10に結束されている。本実施形態では、図3に示すように、各走査線5や各信号線6、バイアス線9の結線10は、それぞれ基板4の端縁部付近に設けられた入出力端子パッドともいう11に接続されている。各入出力端子11には、図6に示すように、IC12a等のチップが組み込まれたCOFChipOnFilm12が異方性導電接着フィルムAnisotropicConductiveFilmや異方性導電ペーストAnisotropicConductivePaste等の異方性導電性接着材料13を介して接続されている。また、COF12は、基板4の裏面4b側に引き回され、裏面4b側で前述したPCB基板33に接続されるようになっている。このようにして、放射線画像撮影装置1の基板4部分が形成されている。なお、図6では、電子部品32等の図示が省略されている。ここで、放射線画像撮影装置1の回路構成について説明する。図7は本実施形態に係る放射線画像撮影装置1の等価回路を表すブロック図であり、図8は検出部Pを構成する1画素分についての等価回路を表すブロック図である。前述したように、基板4の検出部Pの各放射線検出素子7は、その第2電極78にそれぞれバイアス線9が接続されており、各バイアス線9は結線10に結束されてバイアス電源14に接続されている。バイアス電源14は、結線10および各バイアス線9を介して各放射線検出素子7の第2電極78にそれぞれバイアス電圧を印加するようになっている。また、バイアス電源14は、後述する制御手段22に接続されており、制御手段22は、バイアス電源14から各放射線検出素子7に印加するバイアス電圧を制御するようになっている。本実施形態では、バイアス線9の結線10に、結線10バイアス線9を流れる電流の電流量を検出する電流検出手段43が設けられている。そして、前述したように、放射線画像撮影装置1に放射線が照射されると各放射線検出素子7のi層76図5参照内で電子正孔対が発生し、それがバイアス線9や結線10に流れ出して結線10等に電流が流れるが、電流検出手段43は、その結線10を流れる電流の増減を検出して放射線の照射の開始や終了を検出できるようになっている。なお、本発明においては、電流検出手段43は必ずしも設けられなくてもよい。図7や図8に示すように、本実施形態では、放射線検出素子7のp層77側図5参照に第2電極78を介してバイアス線9が接続されていることからも分かるように、バイアス電源14からは、放射線検出素子7の第2電極78にバイアス線9を介してバイアス電圧として放射線検出素子7の第1電極74側にかかる電圧以下の電圧すなわちいわゆる逆バイアス電圧が印加されるようになっている。各放射線検出素子7の第1電極74はTFT8のソース電極8s図7、図8中ではSと表記されている。に接続されており、各TFT8のゲート電極8g図7、図8中ではGと表記されている。は、後述する走査駆動手段15のゲートドライバ15bから延びる走査線5の各ラインL1~Lxにそれぞれ接続されている。また、各TFT8のドレイン電極8d図7、図8中ではDと表記されている。は各信号線6にそれぞれ接続されている。走査駆動手段15は、本実施形態では、ゲートドライバ15bにON電圧とOFF電圧を供給する電源回路15aと、走査線5の各ラインL1~Lxに印加する電圧をON電圧とOFF電圧の間で切り替えて各TFT8のON電圧印加状態とOFF電圧印加状態とを切り替えるゲートドライバ15bとを備えている。各信号線6は、読み出しIC16内に形成された各読み出し回路17にそれぞれ接続されている。なお、読み出しIC16には1本の信号線6に1個ずつ読み出し回路17が設けられている。読み出し回路17は、増幅回路18と、相関二重サンプリングCorrelatedDoubleSampling回路19と、アナログマルチプレクサ21と、A/D変換器20とで構成されている。なお、図7や図8中では、相関二重サンプリング回路19はCDSと表記されている。また、図8中では、アナログマルチプレクサ21は省略されている。本実施形態では、増幅回路18はチャージアンプ回路で構成されており、オペアンプ18aと、オペアンプ18aにそれぞれ並列にコンデンサ18bおよび電荷リセット用スイッチ18cが接続されて構成されている。また、増幅回路18には、増幅回路18に電力を供給するための電源供給部18dが接続されている。また、増幅回路18のオペアンプ18aの入力側の反転入力端子には信号線6が接続されており、増幅回路18の入力側の非反転入力端子には基準電位V0が印加されるようになっている。なお、基準電位V0は適宜の値に設定され、本実施形態では、例えば0[V]が印加されるようになっている。また、増幅回路18の電荷リセット用スイッチ18cは、後述する制御手段22に接続されており、制御手段22によりON/OFFが制御されるようになっている。各放射線検出素子7からのデータの読み出し処理時に、電荷リセット用スイッチ18cがOFFの状態で放射線検出素子7のTFT8にON電圧が印加されるとすなわち、TFT8のゲート電極8gに走査線5を介して信号読み出し用のON電圧が印加されると、当該放射線検出素子7から放出された電荷がコンデンサ18bに流入して蓄積され、蓄積された電荷量に応じた電圧値がオペアンプ18aの出力側から出力されるようになっている。増幅回路18は、このようにして、各放射線検出素子7から出力された電荷量に応じて電圧値を出力して電荷電圧変換するようになっている。また、電荷リセット用スイッチ18cがON状態とされると、増幅回路18の入力側と出力側とが短絡されてコンデンサ18bに蓄積された電荷が放電されて増幅回路18がリセットされるようになっている。なお、増幅回路18を、放射線検出素子7から出力された電荷に応じて電流を出力するように構成することも可能である。なお、放射線検出素子7からのデータの読み出し処理については、放射線照射時における放射線検出素子7の蓄積電荷量に基づくデータとしての実写画像データJの読み出し処理と、放射線の非照射時における放射線検出素子7の蓄積電荷量暗電荷に基づくデータとしての暗画像データB、BH1、BH2等があるが、これらを総称して放射線検出素子7からのデータの読み出し処理と記載することとする。また、データDという場合には、実画像データJと暗画像データB、BH1、BH2とを総称して示すものとし、画像データGという場合には、実画像データJが暗画像データBに基づいて補正されたデータを示すものとする。各放射線検出素子7からのデータの読み出し処理時に、各放射線検出素子7から電荷が読み出され、増幅回路18で電荷電圧変換されて出力された電圧値は、相関二重サンプリング回路19でサンプリング処理されてデータDとして下流側に出力される。そして、相関二重サンプリング回路19から出力された各放射線検出素子7のデータDは、アナログマルチプレクサ21図7参照に送信され、アナログマルチプレクサ21から順次A/D変換器20に送信される。そして、A/D変換器20で順次デジタル値のデータDに変換されて記憶手段40に出力されて順次保存されるようになっている。なお、本実施形態では、各放射線検出素子7からのデータの読み出し処理の際には、ON電圧が印加される走査線5の各ラインL1~Lxが順次切り替えられながら、上記のような各放射線検出素子7からのデータの読み出し処理が行われるようになっている。[制御手段]ここで、本実施形態における制御手段22の構成について、図7及び図8を参照しつつ説明する。本実施形態では、制御手段22には、不揮発性の記憶手段40、前述したアンテナ装置39が接続されている。また、制御手段22には、検出部Pや走査駆動手段15、読み出し回路17、記憶手段40、バイアス電源14等の各部材に電力を供給するためのバッテリ41が接続されている。また、バッテリ41には、クレードル等の図示しない充電装置からバッテリ41に電力を供給してバッテリ41を充電する際の接続端子42が取り付けられている。前述したように、制御手段22は、バイアス電源14を制御してバイアス電源14から各放射線検出素子7に印加するバイアス電圧を設定したり、読み出し回路17の増幅回路18の電荷リセット用スイッチ18cのON/OFFを制御したり、相関二重サンプリング回路19にパルス信号を送信して、そのサンプルホールド機能のON/OFFを制御する等の各種の処理を実行するようになっている。また、制御手段22は、各放射線検出素子7のリセット処理時や放射線画像撮影後の各放射線検出素子7からのデータDの読み出し時に、走査駆動手段15に対して、走査駆動手段15から各走査線5を介して各TFT8のゲート電極8gに印加する電圧をON電圧とOFF電圧との間で切り替えさせるためのパルス信号を送信するようになっている。制御手段22は、具体的には、図示しないCPUCentralProcessingUnit、ROMReadOnlyMemory、RAMRandomAccessMemory等により構成されるコンピュータであり、放射線画像撮影装置1の各機能部の動作等を制御するようになっている。ROMには、例えば撮影時の放射線画像撮影装置1の各構成の動作制御を行うための撮影制御プログラム、各放射線検出素子7の出力異常判定のための暗画像データ取得制御プログラム等が記憶されている。なお、各種プログラムや情報等はROMに格納されている場合に限定されず、別途プログラムメモリ等を設けて、これに格納してもよい。[制御手段:撮影動作制御]ここで、撮影制御プログラムに基づいて制御手段22が行う撮影動作制御について説明する。図9は撮影時の各工程を示す説明図である。放射線画像撮影装置1は、撮影時には、放射線画像撮影システム50内において、放射線発生装置52図11参照の放射線照射位置に設置される。まず、制御手段22は、予め、走査線5のラインL1~Lxに同時又は順次にON電圧を印加すると共に各々の電荷リセット用スイッチ18cをON状態とし、各放射線検出素子7に蓄積されていた電荷のリセットを行う図9:K1。そして、放射線発生装置52がコンソール58図11参照の制御の下で放射線画像撮影装置1と同期して放射線の照射を開始し、制御手段22は、全ての走査線5を通じて、それぞれの走査線5に接続されたTFT8に対して同時にOFF電圧を印加し、各放射線検出素子7について放射線の線量に応じて実写画像の電荷の蓄積を行う図9:K2。実写画像の電荷の蓄積時間は、被写体である患者の身体の胸部や腹部等の撮影部位や放射線の線量等の撮影条件に応じて個々に適切な値に設定される。例えば、制御手段22に設定入力手段を併設し、任意の時間設定を可能としても良いし、撮影部位や放射線の線量等の個々の撮影条件に応じて好適な蓄積時間を定めたテーブルをROM23bに用意し、設定入力手段からの撮影条件の入力を受けて蓄積時間をテーブルから自動的に選択するよう構成しても良い。そして、上記蓄積時間の経過を待って、各走査線5に順次にON電圧を印加することにより、各走査線5に接続された各放射線検出素子7は走査線5ごとに各増幅回路18に電荷を放出し、蓄積電荷量に基づく電圧がA/D変換され、各放射線検出素子7の実写画像データJとして記憶手段40に順次保存させることで読み出し処理が行われる図9:K3。なお、前述したように、全ての走査線5について同時にOFF電圧を印加して蓄積を開始する一方、走査線5に順次ON電圧を印加して読み出しを行い蓄積を終了するので、蓄積時間は走査線ごとに異なる。そして、各放射線検出素子7の実写画像データJが取得されると、制御手段22は、再び、走査線5のラインL1~Lxに同時又は順次にON電圧を印加して各放射線検出素子7のリセットを行う図9:K4。次に、各放射線検出素子7による暗画像の電荷蓄積処理を実行する。即ち、この暗画像の電荷蓄積処理は、コンソール58の制御の下で放射線発生装置52が放射線の非照射状態とされ、走査線ごとに上記撮影時と同じ蓄積時間で各放射線検出素子7について暗画像の電荷蓄積暗電荷の蓄積を行う図9:K5。その後、各コンデンサ18bに蓄積された電荷量に応じた電圧値をA/D変換し、各放射線検出素子7の暗画像データBとして読み出しが行われる図9:K6。なお、K4~K6の工程を繰り返し複数回実行し、毎回得られる各放射線検出素子7の暗画像データBを平均化して得られる各放射線検出素子7ごとの暗画像データの平均値を正式な暗画像データBとして採用することとしても良い。この放射線画像撮影装置1では、放射線画像の撮影時に、各放射線検出素子7について上記処理により取得された実写画像データJと当該撮影に付随して取得された暗画像データBとがセットで外部装置であるコンソール58に送信される。コンソール58では、各放射線検出素子7ごとに、実写画像データJに対して暗画像データBの差分を採ることでデータ値の補正を行い、各放射線検出素子7の画像データを取得する。即ち、各放射線検出素子7は、その撮影時におけるリセット処理から読み出し処理までの間の蓄積時間において、各放射線検出素子7内に蓄積される暗電荷によるオフセット分がある。この暗電荷は、各放射線検出素子7自体の熱による熱励起等により発生するものであり、暗電荷によるオフセット分は各放射線検出素子7ごとに異なる値となっている。そして、各放射線検出素子7の実写画像データJは、放射線の照射に由来する電荷すなわち本来検出すべき電荷に、各放射線検出素子7自体の熱による熱励起等に由来する電荷暗電荷が重畳して含まれた状態で検出が行われている。従って、放射線画像撮影装置1は、放射線を照射しない状態で各放射線検出素子7について、各素子自体の熱による熱励起等により発生する暗電荷を暗画像データBとして検出し、実写画像データJと共にコンソール58に送信して、コンソール58側で実写画像データJから暗電荷の重畳分のオフセットを除去することを可能としている。なお、上記撮影時の暗画像データBの取得処理K4~K6については各放射線検出素子7自体の熱による熱励起等に由来する暗電荷の検出のために行うものであるため、各放射線検出素子7の温度状態が実写画像データの取得時と近い状態にあることが望ましく、そのために、実写画像データJの取得処理と暗画像データBの取得処理とは時間的に隔たりがないよう連続的に行うことが望ましい。逆に処理が連続するのであれば、暗画像データBの取得処理を先に行っても良い。また、前述したように、複数回暗画像データを取得して、その平均値を正式な暗画像データBとするような場合には、実写画像データJの取得処理を挟んでその前後で暗画像データBを取得し、それらを平均化しても良い。[制御手段:出力異常判定のための暗画像データ取得制御]次に、各放射線検出素子7の出力異常判定のための暗画像データを取得するための暗画像データ取得制御プログラムに基づいて制御手段22が行う処理について説明する。図10A及び図10Bは出力異常判定のための暗画像データ取得時の各工程を示す説明図である。出力異常判定のための暗画像データの取得は、それぞれ長さが異なる第一の蓄積時間と第二の蓄積時間とで暗画像の電荷蓄積処理を行って暗画像データBH1、BH2の取得が行われる。なお、これらの出力異常判定のための暗画像データの取得は、放射線画像の撮影に付随して行われるものではないので、いつ実行するかについて特に制約を受けるものではない。例えば、制御手段22に出力異常判定のための暗画像データの取得処理を実行させるための操作入力手段を併設し、操作により任意に実行する構成としても良いし、定期的且つ自動的に実行されるよう構成しても良い。但し、第一の蓄積時間に基づく出力異常判定のための暗画像データBH1の取得と第二の蓄積時間に基づく出力異常判定のための暗画像データBH2の取得とは連続して行われ、時間を隔てて実行されることがないようになっている。また、この放射線画像撮影装置1では、各放射線検出素子7の出力異常判定のための暗画像データについては蓄積時間を異ならせて二種類取得するよう構成されているが、蓄積時間が異なるより多くの出力異常判定のための暗画像データを取得するようにしても良い。図10Aに示す第一の蓄積時間での出力異常判定のための暗画像データBH1の取得処理の際には、まず、制御手段22は、予め、走査線5のラインL1~Lxに同時又は順次にON電圧を印加すると共に各々の電荷リセット用スイッチ18cをON状態とし、各放射線検出素子7に蓄積されていた電荷のリセットを行う図10A:K11。そして、放射線の照射が行われない状況下で、制御手段22は、全ての走査線5を通じて、それぞれの走査線5に接続されたTFT8に対して同時にOFF電圧を印加し、各放射線検出素子7について暗画像の電荷の蓄積を行う図10A:K12。このときの第一の蓄積時間は、少なくとも前述した撮影時の蓄積時間よりも長く設定されており、例えば、数倍から数十倍、或いはより長く設定しても良いが、暗電荷が飽和しない範囲を限度とすることが望ましい。例えば、前述の撮影時の蓄積時間は500ms、第一の蓄積時間は10sに設定される。なお、前述したように、蓄積開始は全ての走査線で同時であるのに対し、蓄積終了は走査線ごとに異なるので、厳密には蓄積時間は走査線ごとに異なるが、説明が複雑になるので、ここでの蓄積時間は、例えば最初に蓄積が終了する走査線の蓄積時間を代表値として示す。そして、各走査線5ごとに上記第一の蓄積時間の経過を待って、順番にON電圧を印加することにより、各放射線検出素子7の第一の蓄積時間に基づく出力異常判定のための暗画像データBH1が検出され、記憶手段40に順次保存させることで読み出し処理が行われる図10A:K13。なお、撮影動作制御のK4~K6の工程の場合と同様に、K11~K13の工程も繰り返し複数回実行し、毎回得られる各放射線検出素子7の暗画像データBH1を平均化して得られる各放射線検出素子7ごとの暗画像データの平均値を正式な暗画像データBH1として採用することとしても良い。第二の蓄積時間での出力異常判定のための暗画像データBH2の取得処理の各工程K21~K23は、図10Bに示すように、第二の蓄積時間が第一の蓄積時間よりも長く設定されている点を除いて全く同じであることから詳細な説明は省略する。第二の蓄積時間は、少なくとも前述した第一の蓄積時間に一致しないことが要求される。ここでは、第二の蓄積時間は、例えば、第一の蓄積時間の二倍の20sに設定される。なお、K11~K13の工程の場合と同様に、K21~K23の工程も繰り返し複数回実行し、毎回得られる各放射線検出素子7の暗画像データBH2を平均化して得られる各放射線検出素子7ごとの暗画像データの平均値を正式な暗画像データBH2として採用することとしても良い。この放射線画像撮影装置1では、上記第一の蓄積時間に基づく出力異常判定のための暗画像データBH1と第二の蓄積時間に基づく出力異常判定のための暗画像データBH2とがセットで外部装置であるコンソール58に送信される。これら出力異常判定のための暗画像データBH1,BH2におけるコンソール58側での処理については後述する。なお、第一の蓄積時間に基づく出力異常判定のための暗画像データBH1と第二の蓄積時間に基づく出力異常判定のための暗画像データBH2のそれぞれの取得処理は時間をおかずに連続して行われることが望ましいが、これらの取得処理の順番についてはいずれを先に行っても良い。[放射線画像撮影システム]次に、本実施形態における放射線画像撮影システム50の構成について説明する。放射線画像撮影システム50は、例えば、病院や医院内で行われる放射線画像撮影を想定したシステムであり、放射線画像として医療用の診断画像を撮影するシステムとして採用することができるが、必ずしもこれに限定されない。図11は、本実施形態における放射線画像撮影システム50の全体構成を示す図である。放射線画像撮影システム50は、図11に示すように、例えば、放射線を照射して患者の一部である被写体患者の撮影対象部位の撮影を行う撮影室R1と、放射線技師等の操作者が被写体に照射する放射線の制御等の種々の操作を行う前室R2、及びそれらの外部に配置される。撮影室R1には、前述した放射線画像撮影装置1を装填可能なブッキー装置51や、被写体に照射する放射線を発生させる図示しないX線管球を備える放射線発生装置52、放射線画像撮影装置1とコンソール58とが無線通信する際にこれらの通信を中継する通信手段としての無線アンテナ53を備えた基地局54等が設けられている。なお、図11では、可搬型の放射線画像撮影装置1を立位撮影用のブッキー装置51Aや臥位撮影用のブッキー装置51Bのカセッテ保持部51aに装填して用いる場合が示されているが、放射線画像撮影装置1はブッキー装置51や支持台等と一体的に形成されたものであってもよい。また、図11に示したように、放射線画像撮影装置1と基地局54とをケーブルで接続し、ケーブルを介して有線通信でデータを送信することができるように構成することも可能である。本実施形態では、撮影室R1には、放射線画像撮影装置1が持ち込まれた際に挿入されると放射線画像撮影装置1からカセッテIDを読み取って基地局54を介してコンソール58に通知するクレードル55が備えられている。クレードル55で放射線画像撮影装置1の充電等を行うように構成することも可能である。また、前室R2には、放射線発生装置52に対して放射線の照射開始等を指示するためのスイッチ手段56等を備えた放射線の照射を制御する操作卓57等が設けられている。放射線画像撮影装置1の構成については前述したとおりであり、放射線画像撮影装置1は、上記のようにブッキー装置51に装填されて用いられる場合もあるが、ブッキー装置51には装填されず、いわば単独の状態で用いることもできるようになっている。すなわち、放射線画像撮影装置1を単独の状態で例えば撮影室R1内に設けられたベッドや図11に示すように臥位撮影用のブッキー装置51B等の上面側に配置してその放射線入射面R図1参照上に被写体である患者の手等を載置したり、或いは、例えばベッドの上に横臥した患者の腰や足等とベッドとの間に差し込んだりして用いることもできるようになっている。この場合、例えばポータブルの放射線発生装置52B等から、被写体を介して放射線画像撮影装置1に放射線を照射して放射線画像撮影が行われる。本実施形態では、放射線画像撮影システム50全体の制御を行うコンソール58が、撮影室R1や前室R2の外側に設けられているが、例えば、コンソール58を前室R2に設けるように構成することも可能である。コンソール58は、図示しないCPUやROM、RAM、入出力インターフェース等がバスに接続されたコンピュータ等で構成されている。ROMには所定のプログラムが格納されており、コンソール58は、必要なプログラムを読み出してRAMの作業領域に展開してプログラムに従って各種処理を実行し、前述したように放射線画像撮影システム50全体の制御を行うようになっている。コンソール58には、前述した基地局54や操作卓57、ハードディスク等で構成された記憶手段59等が接続されており、また、基地局54を介してクレードル55等が接続され、操作卓57を介して放射線発生装置52等が接続されている。また、コンソール58には、CRTCathodeRayTubeやLCDLiquidCrystalDisplay等からなる表示画面58aが設けられており、その他、キーボードやマウス等の図示しない入力手段が接続されている。コンソール58は、基地局54を介してクレードル55から放射線画像撮影装置1のカセッテIDが通知されてくると、それを記憶手段59に保存して、撮影室R1内に存在する放射線画像撮影装置1を管理するようになっている。また、記憶手段59には、放射線画像撮影装置1から受信した実写画像データJ、これに付随する暗画像データB、第一の蓄積時間に基づく出力異常判定のための暗画像データBH1、第二の蓄積時間に基づく出力異常判定のための暗画像データBH2等の各種のデータに加えて、放射線画像撮影装置1の異常出力を行う放射線検出素子7の検出部P内の配置を示す欠陥素子マップが記憶されている。これらの各種データ及び欠陥素子マップは、登録されているカセッテIDごとに個々に管理されており、前述したカセッテIDの通知により対応するデータ又はマップが読み出されるようになっている。放射線検出素子7は、検出部Pにおいて、数百万、数千万或いはそれ以上の数量のものが集積されて形成されており、それらの中には製造当初から出力が異常を示すものが含まれている。放射線検出素子7の出力異常としては、放射線の照射にもかかわらず全く電荷を出力しないもの、放射線の線量変化にかかわらず一定の出力しか行わないもの、一定線量の放射線の入射に対して毎回出力が異なり法則性を示さないもの等が挙げられる。上記出力異常判定のための暗画像データBH1,BH2で異常判定の対象となるのは、もっぱら放射線の線量変化にかかわらず一定の出力しか行わない放射線検出素子7であり場合によってはランダムな出力を行う放射線検出素子7も検出可能、異常判定により新たに出力異常と判定された放射線検出素子7について順次追記されるようになっている。欠陥素子マップは、出力異常とされる放射線検出素子7の検出部Pにおける位置情報位置座標のみが記録されているものでも良いし、検出部Pの全ての放射線検出素子7について正常又は異常を示すデータが記録されているもので良い。[放射線検出素子の出力異常判定処理]コンソール58のCPUが放射線検出素子7の出力異常判定プログラムに従って行う出力異常判定の処理内容について図12のフローチャートに基づいて説明する。まず前提として、放射線画像撮影装置1において、放射線の非照射状態で各々の蓄積時間で出力異常判定のための暗画像データBH1,BH2が取得され、コンソール58はこれら暗画像データBH1,BH2を放射線画像撮影装置1から受信して記憶手段59に格納しているものとする。コンソール58は、記憶手段59から二つの暗画像データBH1,BH2の読み出しを行いステップS11、それらを差分して差分データΔBHを算出するステップS12。即ち、各放射線検出素子7ごとに、暗画像データBH2から暗画像データBH1が減算され、各放射線検出素子7ごとの差分データΔBHが算出される。図13は上記差分算出処理を示す概念図である。図中で横軸の画素位置とは例えば走査線5に沿った放射線検出素子7の並び方向を示し、縦軸は暗画像データ又はその差分値を示す。検出部Pにおける各放射線検出素子7は、いずれも放射線非照射の状態で蓄積される電荷量に応じた値であることから、入射線量の違いによるばらつきの影響は抑制される。また、特別な状態ではない限り各放射線検出素子7の温度差は少なく一定に近い状態であることから温度差による影響も少ないと考えられる。従って、正常な放射線検出素子7について画素位置ごとに暗画像データのばらつきが発生する要因の一つとしては走査線方向について個別に設けられた複数の読み出し回路17の読み取りの際の特性の違いが考えられる。暗画像データBH1又はBH2に対して出力異常を判定するための閾値を直接設定し、出力異常の判定を行うことは可能であるが、上述の読み出し回路17ごとのばらつきの影響を考慮すると、判定の精度のある程度の低下は避けることが難しい。しかしながら、ステップS12のように各暗画像データBH1,BH2の差分をとることで読み出し回路17ごとのばらつきがキャンセルされ、出力異常の値がばらつきの中に埋もれることなく、顕著に現れるので、判定の閾値をより正常値に近付けることができるようになり、出力異常の放射線検出素子7を精度良く判定することが可能である。コンソール58は、各放射線検出素子7の差分データΔBHが求まると、これら各差分データΔBHの標準偏差を算出する。そして、差分データΔBHの平均値をμ、標準偏差をσとした場合に、出力異常の判定のための差分データΔBHの上限の閾値をμ5σ、下限の閾値をμ-5σとする設定を行うステップS13。これにより、各放射線検出素子7の差分データΔBHの中で特異な値を識別することができる。なお、σの係数は5に限らず、設定手段を設けて任意に設定入力可能としても良い。また、閾値そのものを任意に設定可能としても良い。コンソール58は、上記の閾値が設定されると、各放射線検出素子7の差分データΔBHについて順番に出力異常の判定を行うステップS14。ここで、差分データΔBHの基データとなる各暗画像データBH1,BH2がいずれも、各放射線検出素子7に対して通常の撮影時の蓄積時間よりも長い蓄積時間で電荷の蓄積を行ったことによる効果について図14A及び図14Bに基づいて説明する。図14Aは各放射線検出素子7の電荷の蓄積時間を通常の撮影時と同じくして暗画像の電荷蓄積を行った場合の暗画像データとその頻度素子数の対応関係を示す線図であり、図14Bは各放射線検出素子7の電荷の蓄積時間を通常の撮影時よりも長く設定して暗画像の電荷蓄積を行った場合の暗画像データとその頻度素子数の対応関係を示す線図である。各放射線検出素子7の電荷の蓄積時間を通常の撮影時と同じとした場合、例えば、出力異常である放射線検出素子7の暗画像データが分布の集中する値から大きく外れた値d1を採る場合には、分布の集中する値から余裕を持って離れた値を閾値例えば図示点線の値とすることで出力異常となる放射線検出素子7を判別することが可能である。しかしながら、出力異常となりつつある放射線検出素子7の場合等、分布の集中する値に近い値d2をとる場合まで判別して出力異常の判定を精度良く行おうとすると、正常な出力を行う放射線検出素子7との判別を可能とする閾値の設定が難しくなる。つまり、分布の集中する値に近い値を閾値として設定する必要があり、正常な放射線検出素子7まで出力異常と判定される可能性が高くなり、判定精度のある程度の低下は免れない。しかしながら、暗画像の電荷蓄積の際の各放射線検出素子7の電荷の蓄積時間をより長くすると、分布の集中する値と出力異常の放射線検出素子7による暗画像データとの差も蓄積時間に応じて広げることができる。図14Bの値d3は前述の値d2を出力した放射線検出素子7について蓄積時間の延長を行った結果の出力を示している。このように、蓄積時間の延長を図ると、正常な値と異常な値との判別が容易となり、閾値も適正な値をとりやすくなる。その結果、正常な放射線検出素子7まで出力異常と判定される可能性が低減され、判定精度の向上を図ることが可能となる。なお、上記図14A及び図14Bの例では、蓄積時間を長くすることにより異常出力の検出精度を高めるという効果について暗画像データそのものから判定する場合について例示したが、二つの暗画像データBH1,BH2の差分値である差分データΔBHから各放射線検出素子7の出力異常を判定する場合についても同様のことがいえる。なお、上述のように、暗画像の電荷蓄積の際の各放射線検出素子7の電荷の蓄積時間の延長のみでも出力異常の判定精度を向上させることが可能であるため、差分データを用いることなく、蓄積時間が通常よりも延長された暗画像データからの出力異常の判定のみで十分な精度が得られる場合には、暗画像データBH1とBH2の差分を求める工程であるステップS12は省略することが可能である。従って、その場合には、各放射線検出素子7の暗画像データBH1又はBH2について標準偏差を求めて判定の閾値が算出され、さらには、当該閾値に基づいて各放射線検出素子7の暗画像データBH1又はBH2に対する判定が行われることとなる。コンソール58は、上記判定において出力異常とした場合には、記憶手段59内の欠陥素子マップに対してその放射線検出素子7の登録を行うステップS15。欠陥素子マップが例えば、前述したように出力異常である放射線検出素子7の位置情報のみを記録したものである場合には、コンソール58は、出力異常と判定された放射線検出素子7の位置情報又はアドレス等をマップに追記する処理を実行する。また、欠陥素子マップが例えば、前述したように全ての放射線検出素子7について正常か異常かを示す情報を記録したものである場合には、出力異常と判定された放射線検出素子7についてその記録を異常を示すものに書き換える処理を実行する。このようにコンソール58は、出力異常判定プログラムを実行することにより出力異常判定手段及び登録手段として機能することとなる。[画像表示制御]コンソール58のCPUが画像表示制御プログラムに従って行う画像表示制御の処理内容について図15のフローチャートに基づいて説明する。コンソール58は、記憶手段59から各放射線検出素子7における実写画像データJ及びこれに付随して取得された実写画像データを補正するための暗画像データBの読み出しを行いステップS21、それらを差分して暗電荷のオフセット成分を除いた画像データを算出するステップS22。なお、各放射線検出素子の画像データに対して、さらに、各放射線検出素子7の感度特性の補正キャリブレーションを周知の手法に従って実行しても良い。次に、コンソール58は、記憶装置59内の欠陥素子マップを参照し、出力異常の放射線検出素子7を特定する。そして、出力異常の放射線検出素子7を特定すると、その周囲の放射線検出素子7の画像データから補間処理を行うステップS23。補間処理の方法の一例を図16に示す。図示のように、出力異常の放射線検出素子7の画像データをGm,nとするとmは走査線5の方向の位置座標、nは信号線6の方向の位置座標とする、その周囲八つの放射線検出素子7の画像データGm-1,n-1、Gm-1,n、Gm-1,n1、Gm,n-1、Gm,n1、Gm1,n-1、Gm1,n、Gm1,n1の平均を算出し、Gm,nの値に置換する処理を行う。なお、走査線5の方向に隣接する二つの画像データGm,n-1、Gm,n1の平均値や信号線6の方向に隣接する二つの画像データGm-1,n、Gm1,nの平均値で置換したり、その他の周知の方法により置換しても良い。そして、補正処理と補間処理が行われた画像データに基づいてコンソール58は、表示画面58aに画像表示を実行するステップS24。[発明の実施形態の効果]以上のように、本実施形態で示した放射線画像撮影装置1及びこれを構成の一部として含んでいる放射線画像撮影システム50では、その制御手段22が放射線の非照射時いわゆる暗電荷の取得時に各放射線検出素子7について撮影時よりも長い蓄積時間で蓄積した電荷に基づいて読み出し回路17から放射線検出素子7の出力異常判定のための暗画像データBH1,BH2を取得するよう制御を行っている。前述したように、暗画像の電荷蓄積の際の各放射線検出素子7の電荷の蓄積時間をより長くすると、正常な放射線検出素子7の暗画像データの分布が集中する値と出力異常の放射線検出素子7による暗画像データとの差をその蓄積時間に応じて広げることが可能となる。これにより、正常な値と異常な値との判別が容易となり、閾値も適正な値をとりやすくなる。その結果、正常な放射線検出素子7まで出力異常と判定される可能性が低減され、判定精度の向上を図ることが可能となる。さらに、異常を生じつつも正常な値に近い暗画像データを出力する放射線検出素子7についても正常な放射線検出素子7から分離して識別することが可能となり、例えば、もともと正常であった放射線検出素子7が徐々に異常となりつつある場合でも早期にこれを判定により異常と判定することができ、出力異常の放射線検出素子7を監視するためのメンテナンスの頻度を低減することも可能となる。さらに、放射線画像撮影装置1の制御手段22は、各放射線検出素子7について、蓄積時間を変えて複数この実施形態では二つの出力異常判定のための暗画像データBH1,BH2を求め、これを外部装置としてのコンソール58に送信している。このため、コンソール58側では、二つの暗画像データBH1,BH2について各放射線検出素子7ごとに差分データΔBHを求めることが可能となる。かかる場合、前述したように、差分データΔBHは、複数ある読み出し回路17における出力特性のばらつきの影響をキャンセルすることができ、これによりばらつきの低減された差分データΔBHの中で出力異常である放射線検出素子7の出力に基づく差分データΔBHを顕著なものとして識別することが容易となり、出力異常の放射線検出素子7の判定精度をさらに向上させることが可能となる。また、前述したように、各放射線検出素子7の暗画像データBH1,BH2については、それぞれ複数回の蓄積により複数のデータを取得し、それらの平均値を正式な暗画像データBH1,BH2としても良いが、そのように平均化を図った場合には、いずれも横引きノイズ等のノイズ成分を除去することができ、さらに、出力異常となる放射線検出素子7の検出を精度良く行うことを可能としている。[放射線画像撮影装置の他の例]上述した放射線画像撮影装置1では、放射線検出素子の出力異常判定のための暗画像データBH1,BH2を取得する処理を行うと、これらの暗画像データBH1,BH2を全てコンソール58側に送信し、暗画像データBH1,BH2から出力異常とされる放射線検出素子7の判定及び欠陥素子マップの登録は全てコンソール58にゆだねる構成となっていたが、放射線画像撮影装置が欠陥素子マップを記憶保持し、暗画像データBH1,BH2から出力異常とされる放射線検出素子7の判定を行い、欠陥素子マップへの登録までを行う構成としても良い。図17は、そのような放射線画像撮影装置100の構成を示すブロック図である。放射線画像撮影装置100は、前述の放射線画像撮影装置1と同様の構成を全て備えている。従って、かかる放射線画像撮影装置100の説明において、放射線画像撮影装置1と同じ構成について同じ符号を付して説明は省略するものとする。また、図17では、検出部P、ゲートドライバ15b及び電源回路15aの図示は省略している。放射線画像撮影装置100は制御手段122を備え、かかる制御手段122は前述の制御手段22と同様に、CPU123,RAM124,ROM125を備えている。また、この制御手段122は、プログラムメモリ126を具備しており、前述の図9の工程を実行するための撮影制御プログラム127と前述の図10A及び図10Bの工程を実行するための暗画像データ取得制御プログラム128とを記憶している。さらに、放射線画像撮影装置100の重要な特徴として、上記プログラムメモリ126に、前述したコンソール58のCPUが処理を行っていた出力異常判定プログラム129を記憶している。出力異常判定プログラム129はコンソール59のCPUが実行する図12の処理と同じ処理を実行するためのプログラムであり、これにより、放射線画像撮影装置100では、当該装置が保有する検出部Pについて出力異常の放射線検出素子7を特定することが可能となっている。また、これにより、欠陥素子マップMに対して出力異常とされる放射線検出素子7について登録を行うことが可能となっている。つまり、出力異常判定プログラム129を実行する制御手段22は、出力異常判定手段及び登録手段として機能することとなる。従って、制御手段122に併設された記憶手段140には、各放射線検出素子7についての実写画像データJ、暗画像データB、出力異常判定のための暗画像データBH1,BH2に加えて、出力異常判定プログラム129の実行の過程で求められる差分データΔBH、欠陥素子マップMを記憶する構成となっている。なお、この放射線画像撮影装置100は、図15のステップS21~S23までと同じ処理を実行し、補間処理を行った画像データGがアンテナ装置39を通じてコンソール58に送信されるようになっている。従って、記憶手段140には、補間処理まで完了した一画面分の画像データGが記憶される構成となっている。このように、放射線画像撮影装置100で画像データGまで求めてしまうので、コンソール58側の処理負担を軽減することが可能となる。また、この放射線画像撮影装置100では、欠陥素子マップMを保有して、自己処理により出力異常となる放射線検出素子7の情報を管理することができるので、コンソール58側での個々の放射線画像撮影装置100についての管理を不要とすることも可能である。また、放射線画像撮影装置100側でもコンソール58側でも欠陥素子マップMを双方で管理する構成としても良い。その場合には、この放射線画像撮影装置100において、欠陥素子マップMの登録内容が更新されるたびに、コンソール58に欠陥素子マップMのデータを送信するように構成しても良い。また、上記放射線画像撮影装置100以外の放射線画像撮影装置の他の例としては、前述した放射線画像撮影装置1において、各放射線検出素子7について実写画像データJから暗画像データBを差分して補正済みの画像データを算出し、実写画像データJと暗画像データBに替えて補正済みの画像データをコンソール58に送信するもの、或いは、各放射線検出素子7について暗画像データBH1とBH2との差分データΔBHを算出し、暗画像データBH1とBH2に替えて差分データΔBHをコンソール58に送信するもの、或いはこれら両方を実施するものが考えられる。これらの構成とすることで放射線画像撮影装置からコンソール58側へのデータ送信量を低減することができ、転送時間を短縮することが可能となる。[欠陥画素マップ作成システム]次に、本実施形態に係る欠陥画素マップ作成システム200の構成について説明する。欠陥画素マップ作成システム200は、例えば、放射線画像撮影装置1の出荷前に行う出荷検査時に、放射線照射を伴う検査を実施することで欠陥画素を判定して欠陥画素マップを作成するシステムである。図18は、欠陥画素マップ作成システム200の全体構成を示す図である。欠陥画素マップ作成システム200は、図示のように、放射線撮影装置1における筐体2に格納する前段階の基板4を対象として、欠陥画素マップの作成を行うものである。即ち、当該基板4は、検出部P、シンチレータ3等の基板4の両面に直接設けられる全ての構成図2における筐体2の内部構成全体が既に搭載又は形成された状態であって、COF12、基板33、走査駆動手段15、読み出しIC16、制御手段22、記憶手段40、アンテナ装置39等も全て搭載されており、電源が供給されれば放射線画像の撮影が可能な状態である。以下の説明では、これらの構成を総括的に検出機能部4Aというものとする。なお、基板4には、通常、リチウムイオンキャパシタ等の電気二重層キャパシタ、リチウムイオン電池等の二次電池がバッテリ41として搭載されるが、これらは、欠陥画素マップ作成におけるエイジングステップ後述における加熱による破壊、劣化などの影響を回避するために、バッテリ41は事前に取り外すか搭載前の段階で欠陥画素マップ作成を行う。欠陥画素マップ作成システム200は、主に、上記検出機能部4Aを格納する加温部としての恒温槽210と、欠陥画素マップ作成装置220とから構成される。恒温槽210は、内部に検出機能部4Aを収容することが可能であり、高い密閉性と断熱性とを備え、また、外部からの可視光、放射線を含む電磁波を遮断して内部を暗室とすることが可能となっている。また、恒温槽210は、内部を昇温させるヒータ211と、内部の温度検出を行う温度センサ212と、収容された検出機能部4Aに対して各部に必要な電力を供給するための電源回路213と、収容された検出機能部4Aのアンテナ装置39を通じて無線通信を行う通信部214とを備えている。ヒータ211及び温度センサ212はコントローラ215に接続されており、当該コントローラは恒温槽210の内部温度の設定入力を行うことが可能である。そして、コントローラは、温度センサ212の検出温度に基づいてヒータ211の加熱制御を行い、恒温槽210内を設定温度に維持する制御を行う。また、前述したように、検出機能部4Aは、バッテリ41を搭載しない状態で恒温槽210内に収容される。このため、電源回路213は、恒温槽210内に収容された検出機能部4Aが放射線画像撮影を実行可能となるように、検出機能部4Aに電源の供給を行う。電源回路213は、恒温槽210の外部に配置され、配線を通じて槽内の給電コネクタ213Aを介して検出機能部4Aに給電を行う。なお、給電コネクタ213Aは、バッテリ41を基板4に接続するコネクタと同型のものであり、バッテリ41を外した状態で替わりに給電コネクタ213Aを接続することができ、これにより、検出機能部4Aの各部に電源の供給が行われる。通信部214は、恒温槽210の内部にアンテナを配した無線装置であって、検出機能部4A側のアンテナ装置39を通じて当該検出機能部4Aとの無線の送信及び受信を可能としている。そして、この通信部214は、欠陥画素マップ作成装置220に通信ケーブルで接続されており、後述する欠陥画素マップ作成装置220の制御手段221から検出機能部4Aへ制御指令を送信したり、検出機能部4Aが取得した暗画像データを受信して欠陥画素マップ作成装置220に送信することを可能としている。欠陥画素マップ作成装置220は、恒温槽210内で加熱された状態の検出機能部4Aを制御してエイジング処理と各放射線検出素子7の出力異常判定のための暗画像データBH3,BH4を取得する処理とを順番に実行させ、取得した暗画像データBH3,BH4から出力異常の放射線検出素子7を特定し、出力異常の放射線検出素子7について欠陥画素マップMの作成を行う。欠陥画素マップ作成装置220は、制御手段221と各種データの記憶手段230とを備え、当該制御手段221は、CPU222,RAM223,ROM224を備えている。また、この制御手段221は、プログラムメモリ225を具備しており、後述するエイジング処理を検出機能部4Aに実行させるためのエイジング制御プログラム227と各放射線検出素子7の出力異常判定のための暗画像データBH3,BH4を取得するためのデータ取得処理を検出機能部4Aに実行させるための暗画像データ取得制御プログラム228と、取得した暗画像データBH3,BH4から出力異常の放射線検出素子7を特定し、出力異常の放射線検出素子7について欠陥画素マップMの作成を行う出力異常判定プログラム229とを記憶している。欠陥画素マップ作成方法以下、制御手段221のCPU222が、上記エイジング制御プログラム227、暗画像データ取得制御プログラム228、出力異常判定プログラム229を順番に実行することにより行われる欠陥画素マップ作成方法について、図19のフローチャートに基づいて説明する。まず、制御手段221は、エイジング制御プログラム227を実行することにより、ヒータ211による恒温槽210内の設定温度例えば摂氏60度への加温を開始させると共に、通信部214を通じて、検出機能部4Aの制御手段22にエイジング処理を実行させる制御指令を送信するステップS31:エイジングステップ。上記エイジング処理は、各放射線検出素子7の蓄積電荷のリセットと、電荷の蓄積と、電荷の読み出し動作電荷の放出動作とを所定の継続時間中に繰り返し実行する処理である。具体的には、検出機能部4Aは、走査線5のラインL1~LxへのON電圧の印加と各電荷リセット用スイッチ18cのON状態への切り替えとによる各放射線検出素子7の蓄積電荷のリセットと、各電荷リセット用スイッチ18cのOFF及び各TFT8へのOFF電圧の印加により各放射線検出素子7による電荷の蓄積と、各TFT8へのON電圧の印加による各放射線検出素子7の蓄積電荷の読み出し電荷の放出とを複数回繰り返し実行させる。制御手段221は、検出機能部4Aに対して、上記リセット、電荷蓄積、電荷の読み出しを繰り返し実行させることにより、エイジング制御部として機能するものである。上記リセット、蓄積、読み出しの各動作は実際の放射線画像の通常の撮影時の動作よりも短いサイクルで実行される。また、上記サイクルは所定時間繰り返して実行される。かかる繰り返しの継続時間は例えば、10から20時間程度である。また、上記各放射線検出素子7の電荷の蓄積は、恒温槽210内において放射線の非照射状態で行われるため、暗電荷が蓄積されることなるが、エイジング処理における各放射線検出素子7の電荷の蓄積は暗電荷に限るものではなく、例えば、放射線の照射状態で行っても良い。また、各放射線検出素子7の蓄積電荷の読み出し動作は、データ取得を目的とするものではなく、電荷の放出動作を行わせることが目的であるため、A/D変換及び変換されたデータの保存は行われない。上記エイジング処理によって、加温された状態で、リセット、電荷の蓄積、電荷の読み出しが繰り返し行われることにより、各放射線検出素子7の中で、例えば、成膜時に異物が混入して素子の電極間でリークパスが発生しつつある欠陥画素の予備軍となる放射線検出素子7に対してリークを進行させ、出力異常を進行させることが可能である。即ち、後発的に出力異常を生じる放射線検出素子7について、出力異常の早期発見が可能となる。次に、暗画像データ取得制御プログラム228を実行することにより、制御手段221は、ヒータ211をOFFすると共に、通信部214を通じて、検出機能部4Aの制御手段22に、暗画像データBH3,BH4の取得制御を行わせる制御指令を送信するステップS32:暗画像データ取得ステップ。上記暗画像データBH3,BH4の取得制御は、図10A及び図10Bに示した暗画像データBH1,BH2の取得の場合とほぼ同様の動作制御が行われる。即ち、検出機能部4Aの制御手段22は、各放射線検出素子7の電荷のリセットを行い、放射線の非照射状態で第三の蓄積時間で暗画像の電荷の蓄積を行い、各放射線検出素子7について読み出し処理を実行する。このとき、上記第三の蓄積時間は、撮影時の蓄積時間は撮影時の蓄積時間よりも長くする。具体的には、第三の蓄積時間は図10Aの第一の蓄積時間と同じ10sに設定されている。そして、各放射線検出素子7の第三の蓄積時間に基づく出力異常判定のための暗画像データBH3を取得すると、アンテナ装置39を通じて暗画像データBH3を欠陥画素マップ作成装置220の制御手段221に送信する。これにより、制御手段221は、暗画像データBH3を記憶手段230に保存する。次いで、検出機能部4Aの制御手段22は、各放射線検出素子7の電荷のリセットを行い、放射線の非照射状態で第四の蓄積時間で暗画像の電荷の蓄積を行い、各放射線検出素子7について読み出し処理を実行し、各放射線検出素子7の第四の蓄積時間に基づく出力異常判定のための暗画像データBH4を取得し、欠陥画素マップ作成装置220の制御手段221に送信する。なお、第四の蓄積時間は、第三の蓄積時間と異なる長さで、且つ、撮影時の蓄積時間より長い時間に設定されている。具体的には、第四の蓄積時間は図10Bの第二の蓄積時間と同じ20sに設定されている。そして、制御手段221は、暗画像データBH4を記憶手段230に保存する。制御手段221は、検出機能部4Aから、出力異常判定のための暗画像データBH3,BH4を取得する制御を実行することにより、暗画像データ取得制御部として機能するものである。次に、出力異常判定プログラム229を実行することにより、制御手段221は、記憶手段230から二つの暗画像データBH3,BH4の読み出しを行い、それらを差分して差分データΔBH2を算出するステップS33:差分ステップ。即ち、暗画像データBH4から暗画像データBH3が減算され、各放射線検出素子7ごとの出力値の差分値からなる差分データΔBH2が算出される。これにより、前述した図13の場合と同様にして、複数ある読み出し回路17の読み取りの際の特性の違いによるばらつきがキャンセルされ、後に行われる各放射線検出素子7の出力異常の判定において、出力異常の値を顕著に見いだすことが可能である。制御手段221は、暗画像データBH3とBH4の差分算出を行うことにより、差分算出部として機能するものである。次いで、制御手段221は、出力異常判定プログラム229により、各放射線検出素子7の差分データΔBH2が求まると、これら各差分データΔBH2の平均値μと標準偏差σとから、出力異常の判定のための差分データΔBH2の上限の閾値μ5σ、下限の閾値μ-5σを算出するステップS34。なお、この場合も、σの係数は5に限らず、設定手段を設けて任意に設定入力可能としても良い。また、閾値そのものを任意に設定可能としても良い。さらに、制御手段221は、上記の閾値が設定されると、各放射線検出素子7の差分データΔBH2について順番に出力異常の判定を行うステップS35:判定ステップ。前述したように、この欠陥画素マップ作成システム200では、検出機能部4Aに対してエイジング処理を行ってから暗画像データを取得している。図20Aは検出機能部4Aにエイジング処理を行っていない場合の各放射線検出素子7の出力値とその頻度素子数の対応関係を示す線図であり、図20Bは検出機能部4Aにエイジング処理を行った場合の各放射線検出素子7の出力値とその頻度素子数の対応関係を示す線図である。これらの線図を比較すると分かるように、例えば、異物混入により小さなリークパスを生じているが、まだ異常といえない値d4を出力しているような放射線検出素子7に対して、エイジング処理で蓄積、読み出し等を繰り返すことにより、リークを積極的に進行させて、明らかに異常と識別することが可能な値d5を出力させることができる。つまり、正常な範囲に閾値を近づけることなく、後発的に異常を生じる放射線検出素子7を識別することが可能となり、正常な放射線検出素子7まで出力異常と判定される可能性が低減され、判定精度の向上を図ることが可能となる。なお、上記図20A及び図20Bの例では、エイジング処理の有無による出力値の分布を例示したが、二つの暗画像データBH3,BH4の差分値である差分データΔBH2から各放射線検出素子7の出力異常を判定する場合についても同様のことがいえる。制御手段221は、暗画像データBH3,BH4の差分データから各放射線検出素子7の出力異常判定を行うことにより、判定部として機能するものである。次いで、制御手段221は、出力異常判定プログラム229を実行することにより、出力異常と判定した放射線検出素子7について、記憶手段230内の欠陥素子マップMに対してその放射線検出素子7の登録を行うステップS36:欠陥画素マップ作成ステップ。欠陥素子マップが例えば、出力異常である放射線検出素子7の位置情報を記録したものでも良いし、全ての放射線検出素子7について正常か異常かいずれの放射線検出素子7が異常であるかを示す情報を記録したものでもよい。制御手段221は、欠陥画素マップの登録を行うことにより欠陥画素マップ作成部として機能するものである。以上のように、欠陥画素マップ作成システム200では、検出機能部4Aに対してエイジング処理を実行してから各放射線検出素子7の出力値の異常の判定を行うので、当初の段階では、異常出力とは見なされない後発的に異常出力を生じるであろう放射線検出素子7の異常状態を積極的に進行させて早期発見を行うことが可能となる。そして、後発的に異常となる放射線検出素子7の発生数を低減することができるため、使用開始以降の放射線画像撮影装置1のメンテナンス負担を低減することが可能である。また、検出機能部4Aを収容する恒温槽210を備え、検出機能部4Aに対するエイジング処理を高温状態で行うことができるため、少ない処理繰り返し数でエイジングを効率的に進行させることができ、各放射線検出素子7の異常の発見精度を向上させることが可能である。なお、恒温槽210による検出機能部4Aの温度設定については、通常の使用環境温度である常温よりも高ければ良く、前述の例に限定されるものではない。また、設定温度は、放射線画像撮影装置1の複数回の使用時に検出機能部4Aの各構成の発熱により到達する筐体2内の連続使用温度と等しく設定しても良い。なお、本発明は上記の実施形態及び他の例に限定されず、本発明の趣旨から逸脱しない限り、適宜変更可能であることはいうまでもない。"