半導体の製造方法であって、a.1種または2種以上の金属錯体およびカルコゲン源を含む前駆体を合わせ、少なくとも1種の金属錯体が、オキシメートの群からの1種または2種以上の配位子を含み、およびb.合わせた前駆体を加熱および/または放射線により分解し、半導体の形成を伴うことを特徴とする、前記方法。半導体がI-III-VI2タイプ、I-VIタイプ、II-VIタイプ、III-VIタイプ、IV-VIタイプまたはI-II-IV-VI2タイプのものであることを特徴とする、請求項1に記載の方法。半導体を基板上にフィルムまたは層として形成することを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。前駆体を合わせることを溶液中で行うことを特徴とする、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。合わせた前駆体を不活性環境中で分解することを特徴とする、請求項1~4のいずれか一項に記載の方法。カルコゲン源がセレンSeまたは硫黄Sであることを特徴とする、請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。カルコゲン源が有機セレンもしくは硫黄化合物または元素状セレンもしくは硫黄を含むことを特徴とする、請求項1~6のいずれか一項に記載の方法。カルコゲン源が、アミンまたはホスフィンに溶解したセレノ尿素もしくは誘導体、チオ尿素もしくは誘導体、チオアセトアミド、またはセレン/硫黄の1種または2種以上から選択されることを特徴とする、請求項1~7のいずれか一項に記載の方法。分解のための温度がT≧80°Cであることを特徴とする、請求項1~8のいずれか一項に記載の方法。前駆体が金属として銅および/またはインジウムおよび/またはガリウムを含むことを特徴とする、請求項1~9のいずれか一項に記載の方法。前駆体が金属錯体として銅および/またはインジウムおよび/またはガリウムのオキシメート錯体を含むことを特徴とする、請求項1~10のいずれか一項に記載の方法。方法が、さらなるステップとしてセレン化および/もしくは硫黄化ステップならびに/または前駆体の分解の後のアニーリングステップを含むことを特徴とする、請求項1~11のいずれか一項に記載の方法。少なくとも1種の金属前駆体が銅を含むことを特徴とする、請求項1~12のいずれか一項に記載の方法。少なくとも1種の金属前駆体がインジウムまたはガリウムを含むことを特徴とする、請求項1~13のいずれか一項に記載の方法。半導体を含む薄膜光起電装置の製造方法であって、半導体を請求項1~12のいずれか一項に記載の方法によって製作する、前記方法。前駆体混合物であって、少なくとも1種の金属オキシメートおよびカルコゲン源を含み、前駆体混合物を分解して半導体を形成することができる、前記前駆体混合物。