第1の導電層と、前記第1の導電層に接して設けられる複数の第2の導電層と、前記第1の導電層及び前記第2の導電層上に設けられ、第1の導電型を付与する不純物元素を有する結晶性半導体で形成された複数のウィスカーを有することにより凹凸表面を有する第1の導電型である結晶性半導体領域と、前記凹凸表面を有する第1の導電型である結晶性半導体領域の該凹凸表面を被覆するように設けられた第1の導電型とは逆の第2の導電型である結晶性半導体領域と、を有することを特徴とする光電変換装置。電極上に積層された第1の導電型である結晶性半導体領域、及び第2の導電型である結晶性半導体領域を有し、前記電極は、第1の導電層と、前記第1の導電層に接して設けられる複数の第2の導電層とを有し、前記第1の導電型である結晶性半導体領域は、第1の導電型を付与する不純物元素を有する結晶性半導体領域と、前記結晶性半導体領域上に設けられ、第1の導電型を付与する不純物元素を有する結晶性半導体で形成される複数のウィスカーを有し、前記第2の導電型である結晶性半導体領域の表面は凹凸状であることを特徴とする光電変換装置。請求項1または請求項2において、前記第1の導電型である結晶性半導体領域及び第2の導電型である結晶性半導体領域の界面は凹凸状であることを特徴とする光電変換装置。請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、前記第1の導電型である結晶性半導体領域及び前記第2の導電型である結晶性半導体領域の間に、結晶性半導体領域を有し、前記第1の導電型である結晶性半導体領域及び前記結晶性半導体領域の界面は凹凸状であることを特徴とする光電変換装置。請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、前記第1の導電型である結晶性半導体領域は、n型半導体領域及びp型半導体領域の一方であり、前記第2の導電型である結晶性半導体領域は、n型半導体領域及びp型半導体領域の他方であることを特徴とする光電変換装置。電極上に積層された第1の導電型である結晶性半導体領域、第2の導電型である結晶性半導体領域、第3の導電型である半導体領域、真性である半導体領域、及び第4の導電型である半導体領域を有し、前記電極は、第1の導電層と、前記第1の導電層に接して設けられる複数の第2の導電層と、を有し、前記第1の導電型である結晶性半導体領域は、第1の導電型を付与する不純物元素を有する結晶性半導体領域と、前記結晶性半導体領域上に設けられ、第1の導電型を付与する不純物元素を有する結晶性半導体で形成される複数のウィスカーを有し、前記第4の導電型である半導体領域の表面は凹凸状であることを特徴とする光電変換装置。請求項5において、前記第1の導電型である結晶性半導体領域及び前記第2の導電型である結晶性半導体領域の界面は凹凸状であることを特徴とする光電変換装置。請求項6または請求項7において、前記第1の導電型である結晶性半導体領域及び前記第2の導電型である結晶性半導体領域の間に、真性である結晶性半導体領域を有し、前記第1の導電型である結晶性半導体領域及び前記真性である結晶性半導体領域の界面は凹凸状であることを特徴とする光電変換装置。請求項7において、前記真性である結晶性半導体領域及び前記真性である半導体領域のバンドギャップが異なることを特徴とする光電変換装置。請求項6乃至請求項9のいずれか一項において、前記第1の導電型である結晶性半導体領域及び第3の導電型である半導体領域は、n型半導体領域及びp型半導体領域の一方であり、前記第2の導電型である結晶性半導体領域及び第4の導電型である半導体領域は、n型半導体領域及びp型半導体領域の他方であることを特徴とする光電変換装置。請求項1乃至請求項10のいずれか一項において、前記ウィスカーの軸の方向は、不揃いであることを特徴とする光電変換装置。請求項1乃至請求項10のいずれか一項において、前記ウィスカーの軸の方向は、前記第1の導電層の法線方向であることを特徴とする光電変換装置。請求項1乃至請求項12のいずれか一項において、前記第2の導電層の形状が錐体または多面体であることを特徴とする光電変換装置。請求項1乃至請求項12のいずれか一項において、前記第2の導電層の形状が柱状、または錐台であることを特徴とする光電変換装置。請求項1乃至請求項14のいずれか一項において、前記第2の導電層に対して一つのウィスカーが重畳することを特徴とする光電変換装置。請求項1乃至請求項14のいずれか一項において、前記第2の導電層に対して複数のウィスカーが重畳することを特徴とする光電変換装置。第1の導電層上に、分離された第2の導電層を形成し、前記第1の導電層及び前記第2の導電層上に、シリコンを含む堆積性ガス及び第1の導電型を付与するガスを原料ガスに用いた減圧CVD法により、結晶性半導体領域及び結晶性半導体で形成される複数のウィスカーを有する第1の導電型である結晶性半導体領域を形成し、シリコンを含む堆積性ガス及び第2の導電型を付与するガスを原料ガスに用いた減圧CVD法により、前記第1の導電型であるである結晶性半導体領域上に第2の導電型である結晶性半導体領域を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。第1の導電層上に、分離された第2の導電層を形成し、前記第1の導電層及び前記第2の導電層上に、シリコンを含む堆積性ガス及び第1の導電型を付与するガスを原料ガスに用いた減圧CVD法により、結晶性半導体領域及び結晶性半導体で形成される複数のウィスカーを有する第1の導電型である結晶性半導体領域を形成し、シリコンを含む堆積性ガスを原料ガスに用いた減圧CVD法により、前記第1の導電型である結晶性半導体領域上に、真性である結晶性半導体領域を形成し、シリコンを含む堆積性ガス及び第2の導電型を付与するガスを原料ガスに用いた減圧CVD法により、前記真性である結晶性半導体領域上に第2の導電型である結晶性半導体領域を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項17または請求項18において、前記減圧CVD法は550度より高い温度で行うことを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項17乃至請求項18のいずれか一項において、前記シリコンを含む堆積性ガスは、水素化シリコン、フッ化シリコン、または塩化シリコンを用いることを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項17乃至請求項20のいずれか一項において、前記第1の導電型である結晶性半導体領域は、n型半導体領域及びp型半導体領域の一方であり、前記第2の導電型である結晶性半導体領域は、n型半導体領域及びp型半導体領域の他方であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項17乃至請求項21のいずれか一項において、前記第1の導電型を付与するガスは、ジボラン及びホスフィンの一方であり、前記第2の導電型を付与するガスは、ジボラン及びホスフィンの他方であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。いずれにしても、シリコン基板の表面に凹凸構造を形成するために、シリコン基板自体をエッチングする方法は、凹凸形状の制御性に問題があり、太陽電池の特性にも影響を与えるので好ましくない。また、シリコン基板のエッチングのためにアルカリ溶液や、多量の洗浄水が必要となり、シリコン基板の汚染にも注意を払う必要があるため、生産性の観点からも好ましくない。そこで、本発明の一形態は、新しい反射防止構造を有する光電変換装置を提供することを課題とする。本発明の一形態は、半導体基板または半導体膜の表面をエッチングして反射防止構造を形成するのではなく、半導体表面に同種または異種の半導体を成長させて凹凸構造とすることを要旨とする。例えば、光電変換装置の光入射面側に、表面に複数の突起部を有する半導体層を設けることで、表面反射を大幅に低減する。かかる構造は、気相成長法で作製することができるので、半導体を汚染することがない。気相成長法によれば、ウィスカーを複数有する半導体層を成長させることが可能であり、これによって光電変換装置の反射防止構造を形成することができる。また、本発明の一形態は、第1の導電層と、第1の導電層に接して設けられる複数の第2の導電層と、第1の導電層及び前記第2の導電層上に設けられ、第1の導電型を付与する不純物元素を有する結晶性半導体で形成された複数のウィスカーを有することにより凹凸表面を有する第1の導電型である結晶性半導体領域と、凹凸表面を有する第1の導電型である結晶性半導体領域の該凹凸面を被覆するように設けられた第1の導電型とは逆の第2の導電型である結晶性半導体領域とを有する光電変換装置である。また、本発明の一形態は、電極上に積層された第1の導電型である結晶性半導体領域、及び第2の導電型である結晶性半導体領域を有し、電極は、第1の導電層と、第1の導電層に接して設けられる複数の第2の導電層とを有し、第1の導電型である結晶性半導体領域が、第1の導電型を付与する不純物元素を有する結晶性半導体領域、及び当該結晶性半導体領域上に設けられ、第1の導電型を付与する不純物元素を有する結晶性半導体で形成される複数のウィスカーを有することを特徴とする光電変換装置である。即ち、第1の導電型である結晶性半導体領域は、複数のウィスカーを有するため、第2の導電型である結晶性半導体領域の表面が凹凸状である。更に、第1の導電型である結晶性半導体領域及び第2の導電型である結晶性半導体領域の界面は凹凸状である。なお、第1の導電型である結晶性半導体領域及び第2の導電型である結晶性半導体領域の間に、結晶性半導体領域を有し、第1の導電型である結晶性半導体領域及び結晶性半導体領域の界面は凹凸状であってもよい。また、上記光電変換装置において、第1の導電型である結晶性半導体領域は、n型半導体領域及びp型半導体領域の一方であり、第2の導電型である結晶性半導体領域は、n型半導体領域及びp型半導体領域の他方である。また、本発明の一形態は、上記各構成に加えて、上記第2の導電型である結晶性半導体領域上に積層された第3の導電型である半導体領域、真性である半導体領域、及び第4の導電型である半導体領域を有する光電変換装置である。このため、第4の導電型である半導体領域の表面が凹凸状である。なお、上記光電変換装置において、第1の導電型である結晶性半導体領域及び第3の導電型である半導体領域は、n型半導体領域及びp型半導体領域の一方であり、第2の導電型である結晶性半導体領域及び第4の導電型である半導体領域は、n型半導体領域及びp型半導体領域の他方である。第1の導電型である結晶性半導体領域に形成される複数のウィスカーの軸の方向は、第1の導電層の法線方向であってもよい。または、第1の導電型である結晶性半導体領域に形成される複数のウィスカーの軸の方向は、不揃いであってもよい。電極は、第1の導電層、複数の第2の導電層を有する。第2の導電層は、シリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素で形成することができる。または、第2の導電層は、白金、アルミニウム、銅に代表される金属元素等の導電性の高い材料で形成される層と、シリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素で形成される層との積層構造とすることができる。複数の第2の導電層を覆う混合層を有してもよい。混合層としては、第2の導電層を形成する金属元素及びシリコンを有してもよい。また、第2の導電層をシリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素で形成する場合、混合層は、シリサイドで形成されてもよい。光電変換装置において、第1の導電型である結晶性半導体領域に複数のウィスカーを有することで、表面における光の反射率を低減することができる。さらに、光電変換層に入射した光は、光閉じ込め効果により光電変換層で吸収されるため、光電変換装置の特性を高めることができる。また、本発明の一形態は、第1の導電層上に分離された第2の導電層を形成し、第1の導電層及び第2の導電層上に、シリコンを含む堆積性ガス及び第1の導電型を付与するガスを原料ガスに用いた減圧CVDLPCVD:LowPressureChemicalvapordeposition法により、結晶性半導体領域及び結晶性半導体で形成される複数のウィスカーを有する第1の導電型である結晶性半導体領域を形成し、シリコンを含む堆積性ガス及び第2の導電型を付与するガスを原料ガスに用いた減圧CVD法により、第1の導電型である結晶性半導体領域上に、第2の導電型である結晶性半導体領域を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法である。また、本発明の一形態は、第1の導電層上に分離された第2の導電層を形成し、第1の導電層及び第2の導電層上に、シリコンを含む堆積性ガス及び第1の導電型を付与するガスを原料ガスに用いた減圧CVD法により、結晶性半導体領域及び結晶性半導体で形成される複数のウィスカーを有する第1の導電型である結晶性半導体領域を形成し、第1の導電型である結晶性半導体領域上に、シリコンを含む堆積性ガス及び第2の導電型を付与するガスを原料ガスに用いた減圧CVD法により、第2の導電型である結晶性半導体領域を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法である。なお、減圧CVD法は550度より高い温度で行う。また、シリコンを含む堆積性ガスは、水素化シリコン、フッ化シリコン、または塩化シリコンを用いてもよい。また、第1の導電型を付与するガスは、ジボラン及びホスフィンの一方であり、第2の導電型を付与するガスは、ジボラン及びホスフィンの他方である。シリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素で形成される第2の導電層上に、減圧CVD法を用いて、複数のウィスカーを有する第1の導電型である結晶性半導体領域を形成することができる。なお、本明細書において、真性半導体とは、フェルミ準位がバンドギャップの中央に位置する所謂真性半導体の他、半導体に含まれるp型若しくはn型を付与する不純物が1×1020cm-3以下の濃度であり、暗伝導度に対して光伝導度が100倍以上である半導体を含むものとする。この真性半導体には、周期表第13族または第15族の不純物元素が含まれるものを含むものとする。従って、真性半導体に換えて、n型又はp型の導電型を示す半導体であっても、課題を解決することができ、同様の作用効果を奏するものであれば、これを用いることができる。このような実質的に真性である半導体は、本明細書では真性半導体に含まれる。本発明の一形態により、第2の導電型である結晶性半導体領域の表面を凹凸状にすることで、光電変換装置の特性を高めることができる。本発明の実施の形態の一例について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではないとする。なお、説明中に図面を参照するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる場合がある。また、同様のものを指す際には同じハッチパターンを使用し、特に符号を付さない場合がある。なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。また、本明細書にて用いる第1、第2、第3などの用語は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではない。そのため、例えば、第1のを第2のまたは第3のなどと適宜置き換えて説明することができる。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様である光電変換装置の構造について、図1乃至図5を用いて説明する。図1に光電変換装置の上面の模式図を示す。基板101上に形成された電極103上に、図示しないが光電変換層が形成される。また、電極103には、補助電極115が形成され、第2の導電型である結晶性半導体領域にはグリッド電極117が形成される。補助電極115は、電気エネルギーを外部へ取り出す端子として機能する。また、グリッド電極117は、第2の導電型である結晶性半導体領域の抵抗を低減するため、第2の導電型である結晶性半導体領域上に形成される。ここでは、図1の一点破線A-Bの断面形状について、図2乃至図6を用いて説明する。図2は、基板101、電極103、第1の導電型である結晶性半導体領域107、及び第1の導電型とは逆である第2の導電型である結晶性半導体領域111を有する光電変換装置の模式図である。第1の導電型である結晶性半導体領域107、及び第2の導電型である結晶性半導体領域111は光電変換層として機能する。第1の導電型である結晶性半導体領域111は、第1の導電型を付与する不純物元素を有する結晶性半導体で形成された複数のウィスカーを有することにより凹凸表面を有する。また、第2の導電型である結晶性半導体領域111上に絶縁層113が形成される。本実施の形態においては、第1の導電型である結晶性半導体領域107は、第1の導電型を付与する不純物元素を有する結晶性半導体領域107aと、第1の導電型を付与する不純物元素を有する結晶性半導体で形成されるウィスカー107bを複数有するウィスカー群とを有する。さらに、第1の導電型である結晶性半導体領域107及び第2の導電型である結晶性半導体領域111の界面が凹凸状である。即ち、第2の導電型である結晶性半導体領域の表面が凹凸状である。第1の電極103は、第1の導電層104と、第1の導電層104上に形成される複数の第2の導電層とで構成される。ここでは、第1の電極103は、第1の導電層104と、第1の導電層104上に形成される複数の第2の導電層105a及び混合層105bとで構成される。第1の導電層104に形成される複数の第2の導電層105a及び混合層105bの形状及び大きさにより、第1の導電型である結晶性半導体領域107のウィスカー107bの位置及び密度を制御することができる。即ち、第1の導電層104に形成される複数の第2の導電層105a及び混合層105bにより、結晶性半導体領域107a及びウィスカー107bを形成することができる。このため、第2の導電層105a及び混合層105bは、ウィスカー107bと重畳する。本実施の形態では、一つの混合層105bに一つのウィスカー107bが重畳する構造を示す。本実施の形態では、第1の導電型である結晶性半導体領域107にp型の結晶性半導体層を用い、第2の導電型である結晶性半導体領域111にn型の結晶性半導体層を用いるが、それぞれ逆の導電型を用いてもよい。基板101は、アルミノシリケートガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、サファイアガラス、石英ガラス等に代表されるガラス基板を用いることができる。また、ステンレス等の金属基板等に絶縁膜を形成した基板を用いてもよい。本実施の形態では基板101として、ガラス基板を用いる。なお、電極103は、第1の導電層104上に複数の第2の導電層105aが形成される場合がある。または、電極103は、第1の導電層104上に、複数の第2の導電層105a及び第2の導電層105aの表面に形成される混合層105bを有する場合もある。または、電極103は、第1の導電層104上に複数の混合層105bが形成される場合がある。第1の導電層104は、光電変換層の電極として機能する。このため、第1の導電層104を光電変換装置のセルの大きさにあわせた大きさとすることが好ましい。第1の導電層104は、反射性または透光性を有する導電層で形成する。外光が絶縁層113側から光電変換装置に入射される場合は、第1の導電層104を反射性を有する導電層で形成することで、光電変換層における光閉じこめ効果を高めることができる。反射性を有する導電層としては、アルミニウム、銅、タングステン、またはシリコン、チタン、ネオジム、スカンジウム、若しくはモリブデンなどの耐熱性を向上させる元素が添加されたアルミニウム合金等に代表される反射性を有し、且つ導電性の高い金属元素で形成される導電層が好ましい。外光が電極103側から光電変換装置に入射される場合は、第1の導電層104を透光性を有する導電層で形成することで、光電変換層に入射する光量のロスを低減できる。透光性を有する導電層としては、インジウム錫酸化物ITO、酸化亜鉛ZnO、酸化錫SnO2、アルミニウムを含む酸化亜鉛等で形成される導電層が好ましい。なお、第1の導電層104は箔状、板状、網状であってもよい。このような形状の場合、第1の導電層104は単独で形状保持できるため、基板101を用いる必要はない。このため、コスト削減が可能である。また、第1の導電層104を箔状とすることで、可撓性を有する光電変換装置を作製することができる。第2の導電層105aは、シリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素で形成する。または、基板101側に、アルミニウム、銅、またはシリコン、チタン、ネオジム、スカンジウム、もしくはモリブデンなどの耐熱性を向上させる元素が添加されたアルミニウム合金等に代表される導電性の高い金属元素で形成される層を有し、第1の導電型である結晶性半導体領域107側にシリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素で形成される層を有する積層構造としてもよい。シリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素としては、ジルコニウム、チタン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、コバルト、ニッケル等がある。第2の導電層105aは、100nm乃至1000nmの膜厚で形成するのが好ましい。混合層105bは、第2の導電層105aを形成する金属元素及びシリコンで形成されてもよい。なお、混合層105bが第2の導電層105aを形成する金属元素及びシリコンで形成される場合、LPCVD法で第1の導電型である結晶性半導体領域を形成する際の加熱の条件により、原料ガスの活性種が堆積部に供給されるため、第2の導電層105aにシリコンが拡散し、混合層105bが形成される。第2の導電層105aをシリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素で形成する場合、混合層105bには、シリサイドを形成する金属元素のシリサイド、代表的には、ジルコニウムシリサイド、チタンシリサイド、ハフニウムシリサイド、バナジウムシリサイド、ニオブシリサイド、タンタルシリサイド、クロムシリサイド、モリブデンシリサイド、コバルトシリサイド、及びニッケルシリサイドの一以上が形成される。または、シリサイドを形成する金属元素及びシリコンの合金層が形成される。図2に示すように第2の導電層105a及び混合層105bの形状は、円錐体若しくは角錐体である錐体、または上面に頂点を有する多面体とすることができる。または、図3に示すように第2の導電層151a及び混合層151bの形状は、円柱若しくは角柱である柱状、上面が平坦である多面体、または円錐台若しくは角錐台である錐台とすることができる。なお、第2の導電層105a、151a、及び混合層105b、151bの形状は、上記形状において、稜及び頂点が湾曲している角丸状でもよい。なお、第2の導電層105a上に混合層105bが形成される場合、これらの積層体の構造が上記構造となる。本実施の形態では、第2の導電層105aまたは混合層105b、151bを起点としてウィスカーが成長する。このため、第2の導電層105aまたは/及び混合層105bの断面形状の幅、並びに第2の導電層151aまたは/及び混合層151bの断面形状の幅が、ウィスカー107bの幅より小さいと、第2の導電層105aまたは/及び混合層105b、並びに第2の導電層151aまたは/及び混合層151bと、一つのウィスカーとが重畳する。なお、第2の導電層151aまたは/及び混合層105bが錐体または多面体の場合、頂点を起点としてウィスカーがより成長しやすい。また、第2の導電層105a及び第1の導電型である結晶性半導体領域107の間に混合層105bを有することで、第2の導電層105a及び第1の導電型である結晶性半導体領域107の間の界面における抵抗をより低減させることが可能であるため、第2の導電層105a上に直接第1の導電型である結晶性半導体領域107を積層する場合と比較して、さらに直列抵抗を低減することができる。また、第2の導電層105a及び第1の導電型である結晶性半導体領域107の密着性を高めることが可能である。その結果、光電変換装置の歩留まりを向上させることができる。第1の導電型である結晶性半導体領域107は、代表的には、第1の導電型を付与する不純物元素が添加された半導体で形成される。半導体材料としては、生産性や価格などの点でシリコンを用いるのが好適である。半導体材料としてシリコンを用いる場合、第1の導電型を付与する不純物元素としては、n型を付与するリンまたはヒ素、p型を付与するホウ素が採用される。ここでは、第1の導電型である結晶性半導体領域107は、p型の結晶性半導体で形成する。第1の導電型である結晶性半導体領域107は、第1の導電型を付与する不純物元素を有する結晶性半導体領域107a以下、結晶性半導体領域107aと示す。と、当該結晶性半導体領域107a上に設けられ、第1の導電型を付与する不純物元素を有する結晶性半導体で形成されるウィスカー107b以下、ウィスカー107bと示す。を複数有するウィスカー群とを有する。なお、結晶性半導体領域107a及びウィスカー107bは、界面が明確ではない。このため、ウィスカー107bの間に形成される谷のうち最も深い谷の底を通り、かつ電極103の表面と平行な平面を、結晶性半導体領域107aとウィスカー107bとの界面とする。結晶性半導体領域107aは、第2の導電層105aまたは混合層105bを覆う。また、ウィスカー107bは、ひげ状の突起であり、複数の突起が分散している。なお、ウィスカー107bは、円柱状、角柱状等の柱状、円錐状または角錐状の針状でもよい。ウィスカー107bは、頂部が湾曲していてもよい。ウィスカー107bの幅は、100nm以上10μm以下、好ましくは500nm以上3μm以下である。また、ウィスカー107bの軸における長さは、300nm以上20μm以下、好ましくは500nm以上15μm以下である。本実施の形態に示す光電変換装置は、上記ウィスカーを1つ以上有する。なお、ウィスカー107bの軸における長さとは、ウィスカー107bの頂点または上面の中心を通る軸における、頂点と結晶性半導体領域107aとの距離である。また、第1の導電型である結晶性半導体領域107の厚さは、結晶性半導体領域107aの厚さと、ウィスカー107bの頂点から結晶性半導体領域107aまでの垂線の長さすなわち、高さの和となる。また、ウィスカー107bの幅とは、結晶性半導体領域107aとウィスカー107bとの界面における、輪切り断面形状の長軸の長さをさす。なお、ウィスカー107bが結晶性半導体領域107aから伸張する方向を長手方向といい、長手方向に沿った断面形状を長手断面形状という。また、長手方向が法線方向となる面を輪切り断面形状という。図2において、第1の導電型である結晶性半導体領域107に含まれるウィスカー107bの長手方向は一方向、例えば電極103の表面に対する法線方向に伸張している。なお、ウィスカー107bの長手方向は、電極103の表面に対して法線方向と、略一致していればよく、その場合、各々の方向の差は代表的には5度以内であることが好ましい。なお、図2においては、第1の導電型である結晶性半導体領域107に含まれるウィスカー107bの長手方向は一方向、例えば電極103の表面に対する法線方向に伸張しているが、ウィスカー107bの長手方向は不揃いであってもよい。代表的には、長手方向が法線方向と略一致するウィスカーと、長手方向が法線方向とは異なるウィスカーとを第1の導電型である結晶性半導体領域107が有してもよい。第2の導電型である結晶性半導体領域111は、n型の結晶性半導体で形成される。なお、第2の導電型である結晶性半導体領域111に用いることができる半導体材料は、第1の導電型である結晶性半導体領域107と同様である。本実施の形態では、光電変換層において、第1の導電型である結晶性半導体領域107及び第2の導電型である結晶性半導体領域111の界面、並びに第2の導電型である結晶性半導体領域111の表面が凹凸状である。このため、絶縁層113から入射する光の反射率を低減することができる。さらに、光電変換層に入射した光は、光閉じ込め効果により光電変換層で効率よく吸収されるため、光電変換装置の特性を高めることができる。また、基板101側から光電変換層に光が入射される場合は、電極103の一部である第1の導電層104は透光性を有する導電層で形成され、第2の導電型である結晶性半導体領域111及び絶縁層113の間には反射性を有する導電層が形成されてもよい。第2の導電型である結晶性半導体領域111が凹凸状であるため、光電変換層の光閉じこめ効果が高まり、光電変換層でより多くの光が吸収されるため、光電変換装置の特性を高めることができる。なお、図2及び図3においては、光電変換層として、第1の導電型である結晶性半導体領域107及び第2の導電型である結晶性半導体領域111が接するPN接合型の半導体層を用いて説明したが、図4に示すように、光電変換層として、第1の導電型である結晶性半導体領域108及び第2の導電型である結晶性半導体領域111の間に、結晶性半導体領域109を有するPIN接合型の半導体層を用いてもよい。ここでは、結晶性半導体領域109として、真性である結晶性半導体領域を用いる。なお、本明細書において、真性半導体とは、フェルミ準位がバンドギャップの中央に位置する所謂真性半導体の他、半導体に含まれるp型若しくはn型を付与する不純物が1×1020cm-3以下の濃度であり、暗伝導度に対して光伝導度が100倍以上である半導体を指す。この真性半導体には、周期表第13族または第15族の不純物元素が含まれるものを含む。このような実質的に真性である半導体は、ここでは真性半導体に含まれる。なお、第1の導電型である結晶性半導体領域108は、図2に示す第1の導電型である結晶性半導体領域107と同様に、第1の導電型を付与する不純物元素を有する結晶性半導体領域108a、及び当該結晶性半導体領域108a上に設けられ、第1の導電型を付与する不純物元素を有する結晶性半導体で形成されるウィスカー108bを複数有するウィスカー群を有する。なお、電極103及び第2の導電型である結晶性半導体領域111の露出部には、反射防止機能及び保護機能を有する絶縁層113を形成することが好ましい。絶縁層113には、屈折率が第2の導電型である結晶性半導体領域111と空気の中間である材料を用いる。また、第2の導電型である結晶性半導体領域111への光の入射を妨げないように、所定の波長の光に対する透過性を有する材料を用いる。このような材料を用いることで、第2の導電型である結晶性半導体領域111の入射面における反射を防ぐことができる。なお、このような材料としては、例えば、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、フッ化マグネシウムなどがある。また、図示しないが、第2の導電型である結晶性半導体領域111上に電極を設けてもよい。電極は、インジウム錫酸化物ITO、酸化亜鉛ZnO、酸化錫SnO2、アルミニウムを含む酸化亜鉛等の透光性導電層を用いて形成する。本実施の形態では、第2の導電型である結晶性半導体領域111側を光入射側とするため、第2の導電型である結晶性半導体領域111には透光性導電層を用いて形成する。図1に示す補助電極115及びグリッド電極117は、銀、銅、アルミニウム、パラジウム、鉛、錫等の金属元素で形成される層で形成する。また、グリッド電極117を第2の導電型である結晶性半導体領域111に接して設けることで、第2の導電型である結晶性半導体領域111の抵抗損失を低減でき、特に高照度下での電気特性を向上させることができる。グリット電極は、光電変換層の受光面積を高めるため、格子状櫛状、櫛形、櫛歯状になっている。次に、図1及び図2に示す光電変換装置の作製方法について、図5及び図6を用いて説明する。ここでは、図1の一点破線C-Dの断面形状について図5及び図6に示す。図5Aに示すように、基板101上に第1の導電層104を形成する。第1の導電層104は、印刷法、ゾルゲル法、塗布法、インクジェット法、CVD法、スパッタリング法、蒸着法等を適宜用いて形成することができる。なお、第1の導電層104が箔状である場合、基板101を設ける必要はない。また、Roll-to-Rollプロセスを用いることができる。次に、第1の導電層104上に複数の第2の導電層105を形成する。第2の導電層105は、後に形成される第1の導電型である結晶性半導体領域に含まれるウィスカーの位置を想定して、形成することが好ましい。第2の導電層105は、インクジェット法、ナノインプリンティング法等を用いて、第1の導電層104上に形成する。または、第1の導電層104上に、CVD法、スパッタリング法、蒸着法、ゾルゲル法等を用いて導電層を形成した後、一部の第1の導電層104が露出するまで当該導電層の表面にプラズマを曝して、第2の導電層105を形成することができる。または、第1の導電層104上に導電層を形成した後、フォトリソグラフィー工程により形成したレジストマスクを用いて上記導電層をエッチングして、第2の導電層105を形成することができる。なお、当該工程においては、上記導電層は、第1の導電層104とエッチングの選択比がとれる金属元素で形成される層を用いる必要がある。次に、図5Bに示すように、LPCVD法により第1の導電型である結晶性半導体領域137、及び第2の導電型である結晶性半導体領域141を形成する。次に、第2の電極を形成してもよい。LPCVD法は、550度より高い温度、且つLPCVD装置及び導電層104が耐えうる温度での加熱、好ましくは580度以上650度未満の加熱をしつつ、原料ガスとして少なくともシリコンを含む堆積性ガスを用い、LPCVD装置の反応室の圧力を原料ガスを流して保持できる圧力の下限以上200Pa以下とする。シリコンを含む堆積性ガスとしては、水素化シリコン、フッ化シリコン、または塩化シリコンがあり、代表的には、SiH4、Si2H6、SiF4、SiCl4、Si2Cl6等がある。なお、原料ガスに、水素を導入してもよい。LPCVD法により第1の導電型である結晶性半導体領域137を形成する際に、加熱条件によっては、第2の導電層105及び第1の導電型である結晶性半導体領域137の間に、混合層105bが形成される。第1の導電型である結晶性半導体領域137の形成工程において、常に原料ガスの活性種が堆積部に供給されるため、第1の導電型である結晶性半導体領域137から第2の導電層105にシリコンが拡散し、混合層105bが形成される。一方、第2の導電層105において、シリコンが拡散されなかった領域は第2の導電層105aとなる。このため、第2の導電層105a及び第1の導電型である結晶性半導体領域137の界面に、低密度領域粗な領域が形成されにくくなる。また、微小な第2の導電層105a及び混合層105bが第1の導電層104上に複数形成されるため、第1の導電層104及び第1の導電型である結晶性半導体領域137の界面に、低密度領域粗な領域が形成されにくくなる。このため、第1の導電層104及び第1の導電型である結晶性半導体領域137の界面特性が良好となり、より直列抵抗を低減することができる。第1の導電型である結晶性半導体領域137は、原料ガスとして、シリコンを含む堆積性ガス及びジボランをLPCVD装置の反応室に導入するLPCVD法により形成する。第1の導電型である結晶性半導体領域137の厚さは500nm以上20μm以下とする。ここでは、第1の導電型である結晶性半導体領域137として、ボロンが添加された結晶性シリコン層を形成する。次に、LPCVD装置の反応室へのジボランの導入を停止し、原料ガスとしてシリコンを含む堆積性ガス及びホスフィンまたはアルシンをLPCVD装置の反応室に導入するLPCVD法により、第2の導電型である結晶性半導体領域141を形成する。第2の導電型である結晶性半導体領域141の厚さは5nm以上500nm以下とする。ここでは、第2の導電型である結晶性半導体領域141として、リンまたはヒ素が添加された結晶性シリコン層を形成する。以上の工程により、第1の導電型である結晶性半導体領域137、及び第2の導電型である結晶性半導体領域141で構成される光電変換層を形成することができる。また、第1の導電型である結晶性半導体領域137を形成する前に、導電層104の表面をフッ酸で洗浄してもよい。当該工程により、電極103及び第1の導電型である結晶性半導体領域137の密着性を高めることができる。また、第1の導電型である結晶性半導体領域137、及び第2の導電型である結晶性半導体領域141の原料ガスに、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン等の希ガス、または窒素を混合してもよい。第1の導電型である結晶性半導体領域137、及び第2の導電型である結晶性半導体領域141の原料ガスに希ガスまたは窒素を混合することで、ウィスカーの密度を高めることができる。また、第1の導電型である結晶性半導体領域137、及び第2の導電型である結晶性半導体領域141の一以上を形成した後、LPCVD装置の反応室への原料ガスの導入を停止し、真空状態で温度を保持即ち、真空状態加熱することで、第1の導電型である結晶性半導体領域137に含まれるウィスカーの密度を増加させることができる。次に、第2の導電型である結晶性半導体領域141上にマスクを形成した後、当該マスクを用いて、第1の導電型である結晶性半導体領域137、及び第2の導電型である結晶性半導体領域141をエッチングする。この結果、図5Cに示すように、第1の導電層104の一部を露出すると共に、第1の導電型である結晶性半導体領域107、及び第2の導電型である結晶性半導体領域111を形成することができる。次に、図6Aに示すように、基板101、第1の導電層104、第1の導電型である結晶性半導体領域107、及び第2の導電型である結晶性半導体領域111上に絶縁層147を形成する。絶縁層147は、CVD法、スパッタリング法、蒸着法等で形成することができる。次に、絶縁層147の一部をエッチングして、第1の導電層104及び第2の導電型である結晶性半導体領域111の一部を露出させる。次に、図6Bに示すように、第1の導電層104の露出部に第1の導電層104と接続する補助電極115を、第2の導電型である結晶性半導体領域111の露出部に第2の導電型である結晶性半導体領域111と接続するグリッド電極117を形成する。補助電極115及びグリッド電極117は、印刷法、塗布法、インクジェット法等を用いて形成することができる。以上の工程により、変換効率の高い光電変換装置を作製することができる。実施の形態2本実施の形態では、実施の形態1と比較して、第2の導電層及び混合層の大きさが異なる光電変換装置について、図7及び図8を用いて説明する。図1の一点破線A-Bの断面形状について、図7及び図8を用いて説明する。図7は、基板101、電極103、第1の導電型である結晶性半導体領域110、及び第1の導電型とは逆である第2の導電型である結晶性半導体領域112を有する光電変換装置の模式図である。第1の導電型である結晶性半導体領域110、及び第2の導電型である結晶性半導体領域112は光電変換層として機能する。本実施の形態においては、電極103は、第1の導電層104と、第1の導電層104上に形成される複数の第2の導電層153aと、第2の導電層153aの表面を覆う混合層153bとを有する。なお、図7においては、第2の導電層153a及び混合層153bは一組しか示していないが、光電変換装置においては、複数組形成される。また、第1の導電型である結晶性半導体領域110は、第1の導電型を付与する不純物元素を有する結晶性半導体で形成される結晶性半導体領域110aと、当該結晶性半導体領域110a上に形成され、且つ第1の導電型を付与する不純物元素を有する結晶性半導体で形成されるウィスカー110bを複数有するウィスカー群とを有する。本実施の形態では、一つの混合層153bに複数のウィスカー110bが重畳する構造を示す。本実施の形態では、第2の導電層153a及び混合層153bの断面形状の幅が、ウィスカー110bの幅の2倍以上、好ましくは5倍以上であると、一つの混合層153bに複数のウィスカー110bが重畳する。なお、第1の導電層104に形成される複数の第2の導電層153a及び混合層153bは、第1の導電型である結晶性半導体領域110のウィスカー110bの位置及び密度を制御する。即ち、第1の導電層104に形成される複数の第2の導電層153a及び混合層153bにより、結晶性半導体領域110a及びウィスカー110bを形成することができる。混合層153bの頂点または平面により、ウィスカー110bの成長方向が異なるためである。ウィスカー110bの軸の方向が不揃いである。第2の導電層153a及び混合層153bの断面形状は、実施の形態1に示す第2の導電層105a及び混合層105bの形状と同じ形状とすることができる。例えば、図7に示すように、第2の導電層153a及び混合層153bが錐体または多面体の場合、基板101の法線方向に頂点が形成される。このため、当該頂点を起点として法線方向に伸張するウィスカーが形成されると共に、混合層153bの面に垂直な方向に伸張するウィスカーも形成される。また、図8に示すように、第2の導電層155a及び混合層155bが、柱状、上面が平坦である多面体、または錐台であると、当該頂点を起点として法線方向に伸張するウィスカーが形成されると共に、混合層155bの平面に垂直な方向に伸張するウィスカーも形成される。なお、第2の導電層153a、155aは、実施の形態1に示す第2の導電層105aと同様の材料及び厚さで形成することができる。また、混合層153b、155bは、実施の形態1に示す混合層105b同様の材料、厚さで形成することができる。第1の導電層104及び第1の導電型である結晶性半導体領域110との界面が平坦である。また、第1の導電型である結晶性半導体領域110はウィスカー110bを複数有する。これらのため、第1の導電型である結晶性半導体領域110に接する第1の導電層104の面は平坦であり第2の導電型である結晶性半導体領域112の表面が凹凸状である。さらに、第1の導電型である結晶性半導体領域110及び第2の導電型である結晶性半導体領域112の界面が凹凸状である。なお、結晶性半導体領域110a及びウィスカー110bは、界面が明確ではない。このため、ウィスカー110bの間に形成される谷のうち最も深い谷の底を通り、かつ第1の導電層104の表面と、及び第2の導電層153aまたは混合層153bの表面と平行な平面を、結晶性半導体領域110aとウィスカー110bとの界面とする。ウィスカー110bは、実施の形態1に示すウィスカー107bと同様の形状を有する。本実施の形態に示すように、電極の一部として機能する第2の導電層及び混合層の幅が、ウィスカーの幅より大きいと、軸の方向が不揃いであるウィスカーが形成される。このため、第2の導電型である結晶性半導体領域112の表面における光の反射率を低減することができる。さらに、光電変換層に入射した光は、光閉じ込め効果により光電変換層で吸収されるため、光電変換装置の特性を高めることができる。また、基板101側から光電変換層に光が入射される場合は、電極103の一部である第1の導電層104は透光性を有する導電層で形成され、第2の導電型である結晶性半導体領域112及び絶縁層113の間に反射性を有する導電層を形成してもよい。第2の導電型である結晶性半導体領域112が凹凸状であるため、光電変換層の光閉じこめ効果が高まり、光電変換層でより多くの光が吸収されるため、光電変換装置の特性を高めることができる。実施の形態3本実施の形態では、実施の形態1と比較して、欠陥の少ない光電変換層の作製方法について、説明する。実施の形態1及び実施の形態2に示す第1の導電型である結晶性半導体領域107、第1の導電型である結晶性半導体領域108、第1の導電型である結晶性半導体領域110、結晶性半導体領域109、及び第2の導電型である結晶性半導体領域111、及び第2の導電型である結晶性半導体領域112のいずれか一以上を形成した後、LPCVD装置の反応室の温度を400度以上450度以下とすると共に、LPCVD装置への原料ガスの導入を停止し、水素を導入する。次に、水素雰囲気において400度以上450度以下の加熱処理を行うことで、第1の導電型である結晶性半導体領域107、第1の導電型である結晶性半導体領域108、第1の導電型である結晶性半導体領域110、結晶性半導体領域109、及び第2の導電型である結晶性半導体領域111、及び第2の導電型である結晶性半導体領域112のいずれか一以上に含まれるダングリングボンドを水素終端することができる。当該加熱処理を水素化処理ともいう。この結果、第1の導電型である結晶性半導体領域107、第1の導電型である結晶性半導体領域108、第1の導電型である結晶性半導体領域110、結晶性半導体領域109、及び第2の導電型である結晶性半導体領域111、及び第2の導電型である結晶性半導体領域112のいずれか一以上に含まれる欠陥を低減することができる。この結果、欠陥における光励起キャリアの再結合を低減することが可能であり、光電変換装置の変換効率を高めることができる。なお、本実施の形態は、他の実施の形態を適用することができる。実施の形態4本実施の形態では、光電変換層を複数積層する、いわゆるタンデム構造の光電変換装置の構造について、図9を用いて説明する。なお、本実施の形態では、二つの光電変換層を積層する場合について説明するが、三つ以上の光電変換層を有する積層構造としてもよい。また、以下においては、光入射側の前方光電変換層をトップセルと、後方光電変換層をボトムセルと呼ぶことがある。図9に示す光電変換装置は、基板101と、電極103と、ボトムセルである光電変換層106と、トップセルである光電変換層120と、絶縁層113が積層された構造を有する。ここで、光電変換層106は、実施の形態1に示す第1の導電型である結晶性半導体領域107、及び第2の導電型である結晶性半導体領域111で構成される。また、光電変換層120は、第3の導電型である半導体領域121と、真性である半導体領域123と、第4の導電型である半導体領域125との積層構造で構成される。上記光電変換層106と、光電変換層120とのバンドギャップは異なるものであることが望ましい。バンドギャップが異なる半導体を用いることで、広い波長域にわたる光を吸収することが可能になるため、光電変換効率を向上させることができる。例えば、トップセルにはバンドギャップの大きい半導体を、ボトムセルにはバンドギャップの小さい半導体を用いることができる。もちろん、その逆の構成とすることも可能である。ここでは、一例として、ボトムセルである光電変換層106に結晶性半導体代表的には、結晶性シリコンを採用し、トップセルである光電変換層120に非晶質半導体代表的には、非晶質シリコンを採用する構成について示す。なお、本実施の形態では、光が第4の導電型である半導体領域125から入射する構成について示すが、開示する発明の一態様はこれに限定されない。基板101の裏面側図の下方側から光が入射する構成としてもよい。この場合、基板101及び第1の導電層104は透光性を有する。基板101、電極103、光電変換層106、絶縁層113の構成については、先の実施の形態に示す構成と同様であるため、ここでは省略する。トップセルである光電変換層120において、第3の導電型である半導体領域121および第4の導電型である半導体領域125としては、代表的には、導電型を付与する不純物元素が添加された半導体材料を含む半導体層が採用される。半導体材料などの詳細は、実施の形態1に示す第1の導電型である結晶性半導体領域107と同様である。本実施の形態では、半導体材料としてシリコンを用い、第3の導電型としてp型を、第4の導電型としてn型を適用する場合について示す。また、その結晶性は非晶質とする。もちろん、第3の導電型としてn型を、第4の導電型としてp型を適用することも可能であり、結晶性の半導体層を用いることも可能である。真性である半導体領域123としては、シリコン、炭化シリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素、リン化インジウム、セレン化亜鉛、窒化ガリウム、シリコンゲルマニウムなどが用いられる。他に、有機材料を含む半導体材料や、金属酸化物半導体材料などを用いることも可能である。本実施の形態では、真性である半導体領域123に非晶質シリコンを用いる。真性である半導体領域123は、50nm以上1000nm以下、望ましくは、100nm以上450nm以下の厚さとなるように形成する。もちろん、シリコン以外の半導体材料であって、ボトムセルの結晶性半導体領域109とはバンドギャップの異なるものを用いて、真性である半導体領域123を形成してもよい。ここで、真性である半導体領域123の厚さは、結晶性半導体領域109の厚さより小さいことが望ましい。第3の導電型である半導体領域121、真性である半導体領域123、及び第4の導電型である半導体領域125の形成方法としては、プラズマCVD法、LPCVD法などがある。プラズマCVD法を用いる場合には、例えば、プラズマCVD装置の反応室の圧力を代表的には10Pa以上1332Pa以下とし、原料ガスとしてシリコンを含む堆積性ガス及び水素を反応室に導入し、電極に高周波電力を供給して、グロー放電させることで、真性である半導体領域123を形成することができる。第3の導電型である半導体領域121は、上記原料ガスに更にジボランを添加することで形成することができる。第3の導電型である半導体領域121は、1nm以上100nm以下、望ましくは、5nm以上50nm以下の厚さとなるように形成する。第4の導電型である半導体領域125は、上記原料ガスに更にホスフィンまたはアルシンを添加することで形成することができる。第4の導電型である半導体領域125は、1nm以上100nm以下、望ましくは、5nm以上50nm以下の厚さとなるように形成する。また、第3の導電型である半導体領域121として、導電型を付与する不純物元素が添加されていない非晶質シリコン層をプラズマCVD法またはLPCVD法などによって形成した上で、イオン注入などの方法でボロンを添加して、第3の導電型である半導体領域121を形成してもよい。第4の導電型である半導体領域125として、導電型を付与する不純物元素が添加されていない非晶質シリコン層をプラズマCVD法またはLPCVD法などによって形成した上で、イオン注入などの方法でリンまたはヒ素を添加して、第4の導電型である半導体領域125を形成してもよい。上述のように、光電変換層120に非晶質シリコンを適用することで、800nm未満の波長の光を効果的に吸収して光電変換することが可能となる。また、光電変換層106に結晶性シリコンを適用することで、より長波長例えば1200nm程度までの光を吸収して光電変換することが可能となる。このように、バンドギャップの異なる光電変換層を積層した構造いわゆるタンデム型の構造とすることで、光電変換効率を大きく向上させることができる。なお、本実施の形態では、トップセルとしてバンドギャップの大きい非晶質シリコンを用い、ボトムセルとしてバンドギャップの小さい結晶性シリコンを用いているが、開示する発明の一態様はこれに限定されない。バンドギャップの異なる半導体材料を適宜組み合わせて、トップセルおよびボトムセルを構成することができる。また、トップセルとボトムセルの構成を入れ替えて光電変換装置を構成することも可能である。さらに、三層以上の光電変換層の積層構造とすることも可能である。以上の構成により、光電変換装置の変換効率を高めることができる。なお、本実施の形態は、他の実施の形態を適用することができる。