入射する露光光線が被転写体へ向けて透過する基板と、前記基板上に形成された、前記露光光線を遮光する遮光膜と、前記遮光膜に設けられた開口部の内側に形成された、前記開口部と同心かつ相似形の遮光板と、を備える、フォトマスク。前記開口部の最大径が、当該フォトマスクを用いて露光する露光装置の波長λ以上、その波長λを縮小倍率で割った値以下であることを特徴とする、請求項1に記載のフォトマスク。前記開口部及び前記遮光板は、真円形であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のフォトマスク。前記開口部及び前記遮光板は、楕円形であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のフォトマスク。前記開口部及び前記遮光板は、正nnは、3以上の整数角形であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のフォトマスク。複数の前記開口部が、格子状に配置されることを特徴とする、請求項4又は5に記載のフォトマスク。前記複数の前記開口部のうちの一の開口部と、前記一の開口部に隣接する他の開口部とは、それぞれ異なる回転角で配置されることを特徴とする、請求項6に記載のフォトマスク。前記複数の前記開口部のうちの第1の開口部と、前記第1の開口部に隣接する6つ開口部とが、それぞれ異なる回転角で配置されることを特徴とする、請求項8に記載のフォトマスク。露光光線を所定の透光率以上、透光させる、形状が凸n角形nは3以上の整数の第1の透光部と、前記第1の透光部と接しない所定の位置に備えられ、前記露光光線を所定の遮光率以上、遮光する第1の遮光部と、前記第1の透光部の外周に接し、前記露光光線を前記遮光率以上、遮光する第2の遮光部と、を備え、nが3に等しい場合は前記凸n角形の最長の辺の長さが前記露光光線の波長を前記露光光線を発生する縮小投影露光装置の縮小倍率で割った長さ以下であり、nが4以上の場合は前記凸n角形の最も長い対角線の長さが、前記露光光線の波長を前記露光光線を発生する縮小露光装置の縮小倍率で割った長さ以下である、フォトマスク。露光光線を所定の透光率以上、透光させる、形状が凸n角形nは3以上の整数の第1の透光部と、前記第1の透光部と接しない所定の位置に備えられ、前記露光光線を所定の遮光率以上、遮光する第1の遮光部と、前記第1の透光部の外周に接し、前記露光光線を前記遮光率以上、遮光する第2の遮光部と、を備えるフォトマスクに、nが3に等しい場合は前記凸n角形の最長の辺の長さに、前記露光光線の波長を前記露光光線を発生する縮小投影露光装置の縮小倍率を掛けた長さ以上の波長の前記露光光線を照射し、nが4以上の場合は前記凸n角形の最も長い対角線の長さに、前記露光光線の波長を前記露光光線を発生する縮小露光装置の縮小倍率を掛けた長さ以上の波長の前記露光光線を照射する、露光方法。ところが、発明者らは、半導体光デバイスにおける微細構造の作製においては、以下のような課題が有ることを見出した。上述のように、微細なフォトリソグラフィには、理論的な解像の限界、プロセス歩留まりの低下及びコスト上昇といった課題がある。特に、光通信や光情報処理用に適用する半導体光デバイス分野では、使用するウエハ及び作製プロセスがCMOSとは異なっている。そのため、半導体光デバイス分野では、先端CMOSプロセスに導入されている最先端の作製装置を用いて素子を作製することができない。よって、半導体光デバイスの作製には、一般に、先端CMOSプロセスと比べて、技術的に古い作製装置及び作製プロセスが適用される。また、フォトリソグラフィにおける素子の最小寸法は、露光装置の解像限界により決定される。ところが、光通信や光情報処理用に適用するフォトニック結晶構造は、0.1~0.4μm程度の微細な空孔の周期構造である。このような微細構造パターンを得るためには、例えば、露光波長がパターン寸法と同程度又はパターン寸法よりも短い、高価な露光装置が必要である。このような高価な装置としては、例えば、先端CMOSプロセスで用いられる、KrFKryptonFluoridelaser:KrFやArFArgonFluoridelaser:ArFなどの光源を用いる露光装置が挙げられる。さらに、近接効果補正や位相シフトなどの超解像技術を適用したフォトマスクが必要である。しかしながら、光近接効果補正を適用すれば、フォトマスクの複雑さが増大し、プロセスのコストが上昇してしまうという欠点が有る。また、特許文献1に記載のマスクの場合も、微細なフォトニック結晶を有するフォトマスクを作製すること自体が高コストである。つまり、従来の位相シフトマスクや光近接効果補正などの超解像技術を適用するには、高価なフォトマスクを作製しなければいけない。さらに、特許文献2に記載の位相マスクの場合も、位相マスクが高価である。加えて、特許文献2に記載の位相マスクは、光の干渉を利用するため、露光波長に依存した一定周期の構造しか作製できないという課題がある。従って、上述のような高価な装置やフォトマスクを用いた半導体光素子の作製は、現状の半導体光素子の販売価格から考えると、現実的ではない。一方、光によるリソグラフィ以外にも、EBリソグラフィを用いた半導体光素子の作製が考えられる。電子線の波長はpmオーダーであり、光の波長の1/100000程度である。よって、高価なフォトマスクを用いることなく、0.1~0.4μm程度の微細な空孔の周期構造パターンが、十分に解像可能である。しかし、EBリソグラフィは、電子銃から発生した電子ビームにより露光パターンを直接描画するため、スループットが低いことが課題となっている。現状、EBリソグラフィのスループットは、200mmウエハで3~10枚毎時程度であり、フォトリソグラフィで用いられる縮小投影露光装置のスループットの1/20~1/100に過ぎない。つまり、現状では、微細な半導体光デバイスの量産に適用可能な低コストかつ高スループットな作製方法は確立されていない。本発明は、上記の事情に鑑みて為されたものであり、露光光線の波長以下の大きさの露光パターンを、低コストかつ高スループットに得ることができるフォトマスク及び露光方法を提供することを目的とする。本発明の一態様であるフォトマスクは、入射する露光光線が被転写体へ向けて透過する基板と、前記基板上に形成された、前記露光光線を遮光する遮光膜と、前記遮光膜に設けられた開口部の内側に形成された、前記開口部と同心かつ相似形の遮光板と、を備えるものである。本発明の一態様であるフォトマスクは、露光光線を所定の透光率以上、透光させる、形状が凸n角形nは3以上の整数の第1の透光部と、前記第1の透光部と接しない所定の位置に備えられ、前記露光光線を所定の遮光率以上、遮光する第1の遮光部と、前記第1の透光部の外周に接し、前記露光光線を前記遮光率以上、遮光する第2の遮光部と、を備え、nが3に等しい場合は前記凸n角形の最長の辺の長さが前記露光光線の波長を前記露光光線を発生する縮小投影露光装置の縮小倍率で割った長さ以下であり、nが4以上の場合は前記凸n角形の最も長い対角線の長さが、前記露光光線の波長を前記露光光線を発生する縮小露光装置の縮小倍率で割った長さ以下であるものである。本発明の一態様である露光方法は、露光光線を所定の透光率以上、透光させる、形状が凸n角形nは3以上の整数の第1の透光部と、前記第1の透光部と接しない所定の位置に備えられ、前記露光光線を所定の遮光率以上、遮光する第1の遮光部と、前記第1の透光部の外周に接し、前記露光光線を前記遮光率以上、遮光する第2の遮光部と、を備えるフォトマスクに、nが3に等しい場合は前記凸n角形の最長の辺の長さに、前記露光光線の波長を前記露光光線を発生する縮小投影露光装置の縮小倍率を掛けた長さ以上の波長の前記露光光線を照射し、nが4以上の場合は前記凸n角形の最も長い対角線の長さに、前記露光光線の波長を前記露光光線を発生する縮小露光装置の縮小倍率を掛けた長さ以上の波長の前記露光光線を照射するものである。本発明によれば、露光光線の波長以下の大きさの露光パターンを、低コストかつ高スループットに得ることができるフォトマスク及び露光方法を提供することができる。以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。各図面においては、同一要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略される。まず、本発明を理解するための準備として、フォトマスクを用いた露光プロセスの概要について説明する。図1は、フォトマスクを用いた露光プロセスの概要を説明するための一般的な半導体露光装置600の要部断面図である。一般的な半導体露光装置としては、ステッパやスキャナなどの縮小投影露光装置が広く用いられる。縮小投影露光装置は、フォトマスクに描画されたパターンを被転写体に縮小投影することにより、露光パターンを形成する。半導体基板1は、半導体露光装置内のステージ不図示上に保持される。例えば、半導体基板1は、Si、SiGe、InP又はGaAsなどの材料からなる。図1に示すように、半導体基板1上には、誘電体膜2が成膜されている。誘電体膜2上には、フォトレジスト膜3が形成されている。フォトレジスト膜3は、例えば、スピン塗付により形成される。但し、フォトレジスト膜3の形成方法については、スピン塗付に限定されない。フォトレジスト膜3の上方には、例えばマスクホルダー不図示により、フォトマスク10が固定される。フォトマスク10は、透過性基板4上に遮光膜5が形成されている。透過性基板4は、露光光線6を透過させる基板であり、一般に、ガラスや合成石英により構成される。遮光膜5は、露光光線6を遮光する膜であり、一般に、クロムにより構成される。つまり、露光光線6は、遮光膜5が形成されていない部分である開口部7を透過して、フォトレジスト膜3に到達する。また、露光光線6は、遮光膜5が形成されている部分である遮光部8によって遮られる。従って、露光光線6は、遮光部8の下方のフォトレジスト膜3には到達しない。これにより、フォトレジスト膜3には、開口部7を透過した露光光線6が明暗パターンとして照射される。これにより、現像後のフォトレジスト膜3には、フォトマスク10に対応した露光パターンが形成される。なお、開口部7は、厳密には露光光線6のすべてを透過させる必要はなく、フォトレジスト膜3が露光される以上の量の露光光線を透過させればよい。すなわち、フォトレジスト膜3が露光される光の量を感光しきい値Ith、露光光線6の量に対する透過光の量の比を透過率と定義すると、開口部7の透過率は、Ithを露光光線6の量で割った値以上であればよい。また、遮光部5も、厳密には露光光線6のすべてを遮光する必要はなく、感光しきい値Ithよりも少ない量の露光光線であれば透過させてもよい。すなわち、露光光線6の量に対する、遮光光される露光光線の量の比を遮光率と定義すると、開口部7の遮光率は、Ithを露光光線6の量で割った値よりも小さい値であればよい。なお、図1は半導体露光装置の模式図である。従って、図1に示す半導体露光装置600は、実際の半導体露光装置とは異なる寸法比率で示されている。また、図面の簡略化のため、図1では、露光光線6が通過するコンデンサレンズや投影レンズなどが省略されている。比較例1続いて、本発明の実施の形態にかかるフォトマスクの技術的効果を理解するための準備として、比較例1にかかるフォトマスク400について説明する。図2は、フォトマスク400の要部を拡大した上面図である。フォトマスク400は、図2に示すように、円形の開口部41が三角形の格子状に形成されている。遮光部42は、開口部41の間を覆っている。なお、開口部41は図1に示す開口部7に対応し、遮光部42は図1に示す遮光部8に対応する。フォトマスク400の断面構成については、フォトマスク10と同様であるので、説明を省略する。フォトマスク400では、格子状配置の一例として、開口部41が三角格子状に配置されている。これにより、開口部41は、代表的なフォトニック結晶構造パターンを構成している。以下、開口部41の直径をd4とし、開口部41間の周期をa4とする。以後、断りがない限り、上面図におけるフォトマスクにかかる寸法表示は、フォトマスク上における実寸法を示す。なお、被転写体図1の半導体基板1上のフォトレジスト膜3にかかる寸法表示は、フォトマスクにおける寸法に半導体露光装置の縮小投影倍率を乗算した値を示す。フォトマスク400において、開口部41の開口サイズ直径d4を露光光線の波長λの近傍まで小さくすると、露光光線の回折効果が大きくなる。ここで、フォトマスク400から被転写体例えば、図1のフォトレジスト膜3までの実効的な焦点距離をRとする。また、被転写体上における、露光光線の光軸からの距離をrとする。この場合、1つの円形の開口部41を透過した露光光線が被転写体上に作る光強度分布Irは、以下の式1及び2で表される。なお、式1において、J1は第1種1次Bessel関数を示す。式1で表される光強度分布Irは、一般にエアリーディスクと呼ばれ、同心円上に光強度分布が広がる。この広がりの尺度を示す、光強度の最初の零点の光軸からの距離r0は、以下の式3で表される。式3より、開口部41の直径d4が、露光光線の波長λに対して十分大きくない場合には、被転写体上における光強度分布Irの開口径開口部41の直径d4に対する広がりが顕著になる。図3は、図2のIII-III断面における、開口部を透過した露光光線のレジスト上での光強度分布を示す図である。この計算においては、露光光線の波長λを365nm水銀ランプのi線の露光波長、縮小投影露光装置の縮小倍率を1/5、とし、直径d4を1.0、1.25、1.5μmと変化させた。式3に示すように、開口部の直径が小さくなると、被転写体上の光が広がることがわかる。以下、特に断りが無い限り、上記の条件と同じ露光光線の波長及び縮小倍率を用いて、計算結果を示すこととする。実際の被転写体上の光強度分布は、複数の開口部41を透過した露光光線の重ね合わせである。よって、実際の被転写体上での光強度分布Itotalは、以下の式4及び5で表される。ここで、被転写体上における露光光線の光強度分布の計算結果を示す。図4は、図2のIV-IV断面における、開口部を透過した露光光線のレジスト上での光強度分布図である。すなわち、図4は、3つの開口部を透過した露光光線の重ね合わせによる、レジスト上での光強度分布を示している。この計算においては、直径d4を1.2μmで一定とし、三角格子の周期a4を、2.0、2.5、3.0、3.5μmと変化させた。図4に示すように、周期a4が小さくなるほど、すなわち隣接する開口部間の距離が小さくなるほど、干渉の影響で開口部と遮蔽部での光強度のコントラスト差が小さくなり、解像しなくなっていくことがわかる。次に、図5は、フォトマスク400を用いた場合の被転写体上の光強度分布の計算結果を示す図である。なお、この計算においては、露光光線の波長λを365nm水銀ランプのi線の露光波長、縮小投影露光装置の縮小倍率を1/5、三角格子の周期a4を2.1μmとした。この条件において、開口部41の直径d4が1.2μm及び1.4μmの場合について、光強度分布を計算した。図5において、白い部分は光強度が強いことを示し、黒い部分は光強度が弱いことを示す。また、白線で示した等光強度線は、フォトレジスト膜の感光しきい値Ithを示す。すなわち、感光しきい値Ithよりも光強度が強い領域図5の白線の内部のフォトレジスト膜が感光し、露光パターンが形成される。開口部41の直径d4が小さい場合d4=1.2μmでは、光の回折が顕著になり、隣り合う開口部41間で干渉が起きる。この場合、正三角形の頂点に配置された開口部41は、それぞれ式1で示される同心円状のエアリーディスクを形成する。そのため、被転写体上において、正三角形の頂点に配置された3つの開口部41のそれぞれから等距離の点では、露光光線の回折光が同位相で重ね合わされる。また、被転写体上において、2つの開口部41から等距離の点についても、2つの開口部41からの回折光が、同位相で重ねあわされる。これにより、開口部41間の被転写体上では、光強度が強い領域及び光強度が弱い領域が周期的に形成され、コントラストの低下を招いてしまう。その結果、図4及び5に示すように、光強度のコントラスト低下により、円形の露光パターンが解像できない。一方、開口部41の直径d4が大きい場合d4=1.4μmでは、光の回折が小さくなり、隣り合う開口部41間での干渉が抑制される。その結果、図5に示すように、円形の露光パターンを解像できる。しかしながら、開口部41の直径d4を大きくしてしまうと、露光パターンも大きくなってしまう。そのため、フォトニック結晶作製に要する微細な露光パターンを形成することができなくなってしまう。実施の形態1次に、本発明の実施の形態1にかかるフォトマスクついて説明する。上述のフォトマスク400での現象を回避してフォトニック結晶構造を得るためには、開口部を透過した後の露光光線の回折効果による広がりを低減する必要がある。そのため、本実施の形態にかかるフォトマスク100では、開口部の内側の一部領域に遮光板が設けられている。つまり、開口部と遮光板とにより、帯状開口部輪帯形状開口部が構成される。以下、本実施の形態にかかるフォトマスク100の構成について、具体的に説明する。図6は、実施の形態1にかかるフォトマスク100の要部を拡大した上面図である。フォトマスク100は、図6に示すように、円形の開口部11が格子状に形成されている。開口部11内には、開口部11と同心円の形状相似形状を有する遮光板13形成されている。遮光部12は、開口部11の間を覆っている。これにより、開口部11と遮光板13とは、輪帯形状の帯状開口部14を構成する。つまり、露光光線は、帯状開口部14を通じて、被転写体に到達する。なお、遮光板13は、例えば遮光部12と同じ材料で形成される。図6では、格子状配置の一例として、開口部11及び遮光板13が三角格子状に配置されている。これにより、フォトマスク100には、代表的なフォトニック結晶構造パターンが構成される。以下、開口部11の直径をd11、遮光板13の直径をd13、開口部11間の周期をa1とする。その他の構成は、比較例1にかかるフォトマスク400と同様であるので、説明を省略する。フォトマスク100では、遮光板13の大きさにより、帯状開口部14の大きさが変化する。ここで、遮光板13による遮光率tを定義する。遮光率tは、開口部11の面積と遮光板13の面積との比により、下記の式6で表される。このときの被転写体上の光強度分布Irは、第1種1次Bessel関数を用いて、以下の式7及び8で表される。ここで、フォトマスク100を用いた場合の、被転写体上での露光光線の光強度分布の計算結果を示す。なお、この計算においては、露光光線の波長λを365nm水銀ランプのi線の露光波長、縮小投影露光装置の縮小倍率を1/5、三角格子の周期a1を2.1μm、開口部11の直径d11を1.4μmとして光強度分布を計算した。図7は、フォトマスク100を用いた場合の単一の開口部が作る光強度分布の遮光率t依存性を示す光強度分布図である。図7では、遮光率tが0、0.25、0.5及び0.75の場合を示している。図7において、白い部分は光強度が強いことを示し、黒い部分は光強度が弱いことを示す。また、白線で示した等光強度線は、フォトレジスト膜の感光しきい値Ithを示す。すなわち、感光しきい値Ithよりも光強度が強い領域図7の白線の内側部分のフォトレジスト膜が感光することにより、露光パターンが形成される。フォトマスク100を用いた場合、図7に示すように、開口部11が遮光されていない場合遮光率t=0、すなわち開口部11が単純な円形開口である場合では、フォトレジスト膜が感光する円形領域の直径が最大となる。一方、遮光率tの値が大きくなるに従って、フォトレジスト膜が感光する円形領域の直径が小さくなる。つまり、遮光率を大きくする、すなわち、遮光板を大きくすることによって、開口部11の直径が同じであっても、実効的にフォトレジスト膜が感光する円形領域の直径を小さくすることができる。よって、フォトマスク100によれば、開口部内に相似形状の遮光板を設けることで、単一の開口部により形成される露光パターンのサイズを縮小することが可能となる。この結果を、離散フーリエ変換によっても確認した。一般に、開口面での光の位相と振幅を表す瞳関数と、レンズ等によって結像された像を表す点像関数は、互いにフーリエ変換の関係にある。従って、開口の形状を離散フーリエ変換することによって、フォトレジスト膜膜上での光強度分布を求めることができる。図8は、離散フーリエ変換にて計算したフォトマスク100を用いた場合の単一の開口部が作る、開口中心を通る断面強度分布の遮光率t依存性を示す図である。図8では、遮光率tの依存性をより詳しく見るために、遮光率tが0、0.2、0.4、0.6、0.8及び0.9の場合について示している。図7で示したとおり、tが大きくなるに従って、中心部の分布幅が狭くなっていることがわかる。ただし、この遮蔽によって実効的に透過する光強度が低下するが、露光装置で露光量を適切に調整すればよい。また、露光に用いる縮小投影露光装置の縮小倍率を1/5倍とすると、開口部11の直径1.4μmは、被転写体上では380nmに対応する。つまり、遮光板が無い場合には、直径が380nm以下の露光パターンを形成することはできない。しかし、上述のように、フォトマスク100によれば、遮光板により露光パターンのサイズを縮小できるので、露光波長λ365nm以下の直径を有する露光パターンを得ることが可能となる。フォトマスク100では、開口部内に遮光板を設けることで、被転写体上の露光光線の回折の影響を低減することができる。換言すれば、帯状開口部14の外周の端部と内周の端部とにおける露光光線の回折効果を利用して、露光光線の波長λ以下の寸法を有する露光パターンが得られる。従って、帯状開口部14が露光光線の回折効果を利用するためには、開口部11の直径d11の長さが、露光光線の波長λを縮小投影露光装置の縮小倍率M0<M<1で割った値以下であることが必要である。一方、開口部11の直径d11を小さくし過ぎると、回折効果が顕著になり過ぎるとともに、露光光線の照度低下を招いてしまい、露光パターンが得られなくなる。直径d11が波長以下となると、露光光線の伝搬する成分は透過できなくなる。そのため、開口部11の直径d11が、露光光線の波長λ以上であることが必要である。以上より、本実施の形態において、本発明の効果が得られる直径d11の条件は、以下の式9で表される。また、式9を書き換えると、波長λは、以下の式10で表される。すなわち、本実施の形態では、波長に下限がないのではなく、開口部11の直径d11に縮小倍率Mを掛けた長さの波長の露光光線を使用することが可能である。また、遮光板の中心位置依存性について、上述の離散フーリエ変換により計算した結果を使って説明する。図9は、孤立した円形開口内に相似な円形遮光板があり、遮光板の中心位置が開口部の中心位置からずれた場合の、開口面での瞳関数及びその回折パターンを表す点像関数のそれぞれの2次元分布を示す図である。図9では、直径に対する遮光板の中心位置の開口中心からのずれ量を、2.5、5、7.5、及び10と変えた結果を示している。この結果より、開口部の中心位置よりもずれた場合図中7.5であっても、回折パターンに大きな変化がないことがわかる。しかしずれ量が大きくなり、開口端に接した場合図中10は、中心の強度分布が楕円形に変形していることがわかる。従って、本実施の形態において、その効果が得られる遮光版の中心位置は、開口端に接しない範囲であればよい。これはフォトマスクの作製工程で、その作製誤差を許容できることも示す。なお、本実施の形態では、開口部の形状を円形としているが、開口部の形状はこれに限定されない。すなわち、開口部の形状は、真円形ではなく、楕円形であってもよい。また、開口部の形状は、正方形を含む任意の正nnは、3以上の整数角形すなわち、正多角形、あるいは、任意の多角形とすることができる。以下では、楕円形の長径及び正n角形の最も長い対角線の長さを、開口部の最大径と定義する。フォトマスク100では、開口部11の直径d11が、開口部の最大径に相当する。また、本実施の形態にかかるフォトマスクは、通常のフォトマスク作製方法により、開口部及び遮光部のパターン配置を変更するのみで作製が可能である。つまり、位相シフトマスクなどの高価なマスクや、電子線照射装置、先端プロセスに適用される露光装置などの高価な装置を要することなく、フォトニック結晶を作製することができる。従って、安価かつ技術的に簡易なプロセスにより、フォトニック結晶を作製することが可能となる。実施の形態2次に、本発明の実施の形態2にかかるフォトマスクついて説明する。図10は、実施の形態2にかかるフォトマスク200の要部を拡大した上面図である。フォトマスク200は、実施の形態1にかかるフォトマスク100と比べ、開口部及び遮光板の形状が異なる。フォトマスク200は、正多角形の一つである正六角形の開口部21を有する。開口部21の内部には、開口部21と同心かつ相似形正六角形の遮光板23が形成される。遮光部22は、開口部21の間を覆っている。これにより、開口部21と遮光板23とは、正六角形の外周及び内周を有する帯状開口部24を構成する。つまり、露光光線は、帯状開口部24を通じて、被転写体に到達する。以下、開口部21の最も長い対角線の長さをd21、遮光板23の最も長い対角線の長さをd23、開口部21間の周期をa2とする。フォトマスク200のその他の構成は、フォトマスク100と同様であるので、説明を省略する。上述のように、開口部21の形状は正六角形である。そのため、同一の列図10の縦方向の列においては、隣接する2つの開口部21の端から等距離となる被転写体上の中点で、露光光線の光波が同位相で重ねあわされる。これにより、被転写体上の中点では、強い光強度分布が発生する。一方、異なる列間における被転写体上の点においては、開口部21の端からの距離が異なるので、重ねあわされる露光光線の光波の位相の同一性が緩和される。従って、隣接する異なる列の開口部21の間における被転写体上の点では、露光光線の光波の干渉の影響を抑制することができる。その結果、開口部の形状が円形である場合と比べて、干渉の影響を抑制することができる。従って、フォトマスク200によれば、フォトマスク100と同じ作用及び効果を奏するのみならず、被転写体上におけるコントラスト低下を防止し、露光光線の波長よりも小さな直径を有するスポット像を、より容易に得ることが可能となる。すなわち、フォトマスク200によれば、露光光線の波長よりも小さな直径を有するスポットにより構成されたフォトニック結晶構造パターンを、より容易に得ることができる。また、フォトマスク200は、フォトマスク100と同様に、通常のフォトマスク作製方法により、開口部及び遮光部のパターン配置を変更するのみで作製が可能である。つまり、位相シフトマスクなどの高価なマスクや、電子線照射装置、先端プロセスに適用される露光装置などの高価な装置を要することなく、フォトマスク200を作製することができる。従って、安価かつ技術的に簡易なプロセスにより、フォトニック結晶を作製することが可能となる。さらに、本実施の形態にかかるフォトマスクは、開口部の形状が正六角形を含む正n角形とすることができる。これにより、開口部が円形で有る場合に比べ、より作製が容易である。一般に、フォトマスク上のパターンは、電子線描画装置やレーザ描画装置などを用いて描画される。よって、パターン形状が正n角形などの直線の多い形状の場合、描画グリッドを大きくすることができる。これにより、本実施の形態にかかるフォトマスクは、より短時間かつ低コストに作製することができる。ちなみに、本実施の形態において、被転写体上における露光光線の照度を大きくしたい場合には、図7に示すように、遮光率tを、0.25以上0.50以下の範囲とすればよい。また、被転写体上においてフォトレジスト膜が感光する領域をなるべく狭めたい場合には、図7に示すように、遮光率tを、0.50以上0.75以下の範囲とすればよい。実施の形態3次に、本発明の実施の形態3にかかるフォトマスクついて説明する。図11は、実施の形態3にかかるフォトマスク300の要部を拡大した上面図である。フォトマスク300は、実施の形態2にかかるフォトマスク200と比べ、開口部及び遮光板の配置が異なる。フォトマスク300のその他の構成は、実施の形態2にかかるフォトマスク200と同様であるので、説明を省略する。フォトマスク300は、フォトマスク200の開口部21と同一形状である、正六角形の開口部31を有する。開口部31の内部には、開口部31と同心かつ相似形正六角形の遮光板33が形成される。遮光部32は、開口部31の間を覆っている、これにより、開口部31と遮光板33とは、正六角形の外周及び内周を有する帯状開口部34を構成する。つまり、露光光線は、帯状開口部34を通じて、被転写体に到達する。以下、開口部31の最も長い対角線の長さをd31、遮光板33の最も長い対角線の長さをd33、開口部31間の周期をa3とする。フォトマスク300では、1つの開口部31と、1つの開口部31に隣接する、中心が正六角形の頂点上に配置された開口部31とが、互いに異なる回転角を有する。図11では、開口部31_0~31_6が、それぞれ異なる回転角を有している。フォトマスク300は、開口部31_0~31_6に相当する、それぞれ回転角が異なる7つの開口部からなる群が、ハニカム状に配置されている。図11において、基準となる回転角をΔθとすると、開口部31_mmは、0以上6以下の整数の回転角θmは、以下の式11により表される。フォトマスク300では、隣接する開口部31の回転角はそれぞれ異なる。そのため、m×Δθの回転角を有する開口部は、mがいかなる整数の場合でも、互いに重ならないようにする必要がある。正nnは3以上の整数角形は、360°/nの回転対称性を有するため、回転角の異なる開口部が互いに重ならない条件は、以下の式12で表される。なお、図11では、基準となる回転角Δθを5°とした。また、中心の開口部31_0に対して、周囲の開口部31_1~31_6の回転角が反時計回り増加する例を掲載した。ただし、図11の構成はあくまで例示であって、整数mの選び方及び基準となる回転角は、これに限定されない。また、開口部31の回転角は時計回りに増加してもよいし、開口部31_0~31_6は、正六角形の中心及び頂点の上にランダムに配置されてもよい。フォトマスク300によれば、フォトマスク200と比べて、同一の列図11の縦方向の列の隣接する2つの開口部21の間においても、開口部の端からの距離が異なる。従って、同一の列図11の縦方向の列の隣接する2つの開口部31の間における、露光光線の光波の干渉の影響を抑制することができる。また、隣接する異なる列の開口部31の間においても、それぞれの開口部31の端からの距離がランダムになり、被転写体上において重ねあわされる露光光線の光波の位相の同一性がより緩和される。従って、隣接する異なる列の開口部31の間における、露光光線の光波の干渉の影響をさらに抑制することができる。その結果、フォトマスク300によれば、フォトマスク100と同じ作用及び効果を奏するのみならず、被転写体上におけるコントラスト低下を更に防止することができる。これにより、露光光線の波長よりも小さな直径を有するスポット像を、より容易に得ることが可能となる。すなわち、フォトマスク300によれば、露光光線の波長よりも小さな直径を有するスポットにより構成されたフォトニック結晶構造パターンを、容易に得ることができる。その他の実施の形態なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、上述の実施の形態では、周期的なフォトニック結晶構造を形成するためのパターンを示したが、例示であって本発明のフォトマスクで形成するパターンはこれに限定されない。例えば、上述の実施の形態にかかるフォトマスクは、一般的な電子回路に加え、イメージセンサや液晶パネルなど大面積を低コストかつ高スループットにパターンニングする際に有効である。上述の実施の形態におけるフォトマスクの断面構成及び材料はあくまで例示であって、フォトマスクの構成及び材料はこれに限定されない。上述の実施の形態における露光光線の波長を365nmとしたが、あくまで例示である。すなわち、水銀ランプのg線又はh線又はエキシマレーザ例えば、ArF、KrF又はF2によるレーザ光などの、他の波長の露光光線を用いることができる。上述の実施の形態では、開口部の配置の例として、三角格子について説明したが、開口部は特に四角格子状に配置されている必要はないなどの他の格子配置を適用することも可能である。また、前述のように、本発明における開口部の形状は、特に限定されない。遮光板の形状も限定されない。また、遮光板は、必ずしも開口部と相似な形状を備えている必要はない。さらに、遮光板は、必ずしも開口部の中心付近に配置されていなくてもよく、遮光板の周囲が開口部の周囲に接しないように配置されていればよい。上記の条件を満たす、開口部及び遮光板の例を示す。図12は、開口部及び遮光板の例を示す図である。このように、本発明では、開口部61の内部に、開口部に接しないように遮光板62を備えていればよい。ただし、開口部の大きさに対する遮光板の大きさの比率や、開口部内の遮光板の配置位置によって、効果の大きさが異なることは前述の通りである。従って、実際に適用する開口部と遮光部の形状および配置は、必要な寸法に応じてフーリエ変換等、所定の演算によって確認し、決定すればよい。上記の実施の形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載され得るが、以下には限られない。付記1入射する露光光線が被転写体へ向けて透過する基板と、前記基板上に形成された、前記露光光線を遮光する遮光膜と、前記遮光膜に設けられた開口部の内側に形成された、前記開口部と同心かつ相似形の遮光板と、を備える、フォトマスク。付記2前記開口部の最大径が、当該フォトマスクを用いて露光する露光装置の波長λ以上、その波長λを縮小倍率で割った値以下であることを特徴とする、付記1に記載のフォトマスク。付記3前記開口部及び前記遮光板は、真円形であることを特徴とする、付記1又は2に記載のフォトマスク。付記4前記開口部及び前記遮光板は、楕円形であることを特徴とする、付記1又は2に記載のフォトマスク。付記5前記開口部及び前記遮光板は、正nnは、3以上の整数角形であることを特徴とする、付記1又は2に記載のフォトマスク。付記6複数の前記開口部が、格子状に配置されることを特徴とする、付記4又は5に記載のフォトマスク。付記7前記複数の前記開口部のうちの一の開口部と、前記一の開口部に隣接する他の開口部とは、それぞれ異なる回転角で配置されることを特徴とする、付記6に記載のフォトマスク。付記8前記複数の前記開口部は、三角格子状に配置されることを特徴とする、付記7に記載のフォトマスク。付記9前記複数の前記開口部のうちの第1の開口部と、前記第1の開口部に隣接する6つ開口部とが、それぞれ異なる回転角で配置されることを特徴とする、付記8に記載のフォトマスク。付記10前記6つの開口部は、中心が正六角形のそれぞれの頂点に配置された第2乃至第7の開口部からなり、前記第1乃至第7の開口部のそれぞれの回転角は、所定の角度ピッチで、この順に増加することを特徴とする、付記9に記載のフォトマスク。付記11前記第2乃至第7の開口部は、右回り又は左回りに、この順で配置されることを特徴とする、付記10に記載のフォトマスク。付記12前記複数の開口部は、前記第1乃至第7の開口部からなる群がハニカム状に配置されることにより構成されることを特徴とする、付記10又は11に記載のフォトマスク。付記13前記遮光板の面積を前記開口部の面積で除した値が、0.25以上0.75以下であることを特徴とする、付記1乃至12のいずれか一項に記載のフォトマスク。付記14露光光線を所定の透光率以上、透光させる、形状が凸n角形nは3以上の整数の第1の透光部と、前記第1の透光部と接しない所定の位置に備えられ、前記露光光線を所定の遮光率以上、遮光する第1の遮光部と、前記第1の透光部の外周に接し、前記露光光線を前記遮光率以上、遮光する第2の遮光部と、を備え、nが3に等しい場合は前記凸n角形の最長の辺の長さが前記露光光線の波長を前記露光光線を発生する縮小投影露光装置の縮小倍率で割った長さ以下であり、nが4以上の場合は前記凸n角形の最も長い対角線の長さが、前記露光光線の波長を前記露光光線を発生する縮小露光装置の縮小倍率で割った長さ以下である、フォトマスク。付記15露光光線を所定の透光率以上、透光させる、形状が凸n角形nは3以上の整数の第1の透光部と、前記第1の透光部と接しない所定の位置に備えられ、前記露光光線を所定の遮光率以上、遮光する第1の遮光部と、前記第1の透光部の外周に接し、前記露光光線を前記遮光率以上、遮光する第2の遮光部と、を備えるフォトマスクに、nが3に等しい場合は前記凸n角形の最長の辺の長さに、前記露光光線の波長を前記露光光線を発生する縮小投影露光装置の縮小倍率を掛けた長さ以上の波長の前記露光光線を照射し、nが4以上の場合は前記凸n角形の最も長い対角線の長さに、前記露光光線の波長を前記露光光線を発生する縮小露光装置の縮小倍率を掛けた長さ以上の波長の前記露光光線を照射する、露光方法。