基板上に、正極層、負極層、固体電解質層、正極集電層、負極集電層、保護層を有する薄膜リチウム二次電池を製造するための薄膜リチウム二次電池製造装置であって、大気に対して遮断された乾燥雰囲気中で所定の移送ラインに沿って複数の基板を順次移動させる移送室と、前記移送室から分岐した位置に配置され、前記基板上にリチウムを含む正極層をスパッタリングによって形成する正極層形成装置と、前記移送室から分岐した位置で且つ前記正極層形成装置に対し前記移送室の搬送方向下流部に配置され、前記基板上の正極層をアニール処理するアニール装置と、前記移送室から分岐した位置で且つ前記アニール装置に対し前記移送室の搬送方向下流部に配置され、前記基板上にリチウムを含む固体電解質層をスパッタリングによって形成する固体電解質層形成装置とを備え、前記正極層形成装置は、複数の成膜室を有し、前記移送室から分岐して搬入された基板に対して当該複数の成膜室において順次成膜を行い、成膜後の基板を順次前記移送室に戻すように構成されるとともに、前記固体電解質層形成装置は、複数の成膜室を有し、前記移送室から分岐して搬入された基板に対して当該複数の成膜室において順次成膜を行い、成膜後の基板を順次前記移送室に戻すように構成されている薄膜リチウム二次電池製造装置。前記正極層形成装置は、複数の基板を保持して回転可能な搬送機構を有する搬送室を備え、当該搬送室の周囲に前記複数の成膜室が配置されている請求項1記載の薄膜リチウム二次電池製造装置。前記固体電解質層形成装置は、複数の基板を保持して回転可能な搬送機構を有する搬送室を備え、当該搬送室の周囲に前記複数の成膜室が配置されている請求項1記載の薄膜リチウム二次電池製造装置。前記正極層形成装置の成膜室の数は、前記移送室における基板の移動速度に基づいて設定されている請求項1記載の薄膜リチウム二次電池製造装置。前記固体電解質層形成装置の成膜室の数は、前記移送室における基板の移動速度に基づいて設定されている請求項1記載の薄膜リチウム二次電池製造装置。基板上に、正極層、負極層、固体電解質層、正極集電層、負極集電層、保護層を形成して薄膜リチウム二次電池を製造する薄膜リチウム二次電池製造方法であって、前記基板を、大気に対して遮断された乾燥雰囲気中で所定の移送ラインに沿って順次移動させる際に、前記移送ラインから分岐した位置で、複数回スパッタリングを行って前記基板上にリチウムを含む正極層を積層形成した後、当該基板を前記移送ラインに戻し、前記移送ラインから分岐した位置で、前記基板上に積層形成された前記正極層に対してアニール処理を行った後、当該基板を前記移送ラインに戻し、前記アニール処理後、当該基板上に、複数回スパッタリングを行ってリチウムを含む固体電解質層を積層形成した後、当該基板を前記移送ラインに戻す工程を有する薄膜リチウム二次電池製造方法。前記正極層を積層形成する際の各層の厚さ及びスパッタリングの回数を、前記移送ラインにおける基板の移動速度に基づいて設定する請求項6記載の薄膜リチウム二次電池製造方法。前記固体電解質層を積層形成する際の各層の厚さ及びスパッタリングの回数を、前記移送ラインにおける基板の移動速度に基づいて設定する請求項6記載の薄膜リチウム二次電池製造方法。前記正極層は、コバルト酸リチウムからなる請求項6記載の薄膜リチウム二次電池製造方法。前記固体電解質層は、リン酸リチウムからなる請求項6記載の薄膜リチウム二次電池製造方法。本発明は、このような従来の技術の課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、各工程における待ち時間を最小限にして薄膜リチウム二次電池を効率良く大量に製造することができる技術を提供することにある。上記課題を解決するためになされた本発明は、基板上に、正極層、負極層、固体電解質層、正極集電層、負極集電層、保護層を有する薄膜リチウム二次電池を製造するための薄膜リチウム二次電池製造装置であって、大気に対して遮断された乾燥雰囲気中で所定の移送ラインに沿って複数の基板を順次移動させる移送室と、前記移送室から分岐した位置に配置され、前記基板上にリチウムを含む正極層をスパッタリングによって形成する正極層形成装置と、前記移送室から分岐した位置で且つ前記正極層形成装置に対し前記移送室の搬送方向下流部に配置され、前記基板上の正極層をアニール処理するアニール装置と、前記移送室から分岐した位置で且つ前記アニール装置に対し前記移送室の搬送方向下流部に配置され、前記基板上にリチウムを含む固体電解質層をスパッタリングによって形成する固体電解質層形成装置とを備え、前記正極層形成装置は、複数の成膜室を有し、前記移送室から分岐して搬入された基板に対して当該複数の成膜室において順次成膜を行い、成膜後の基板を順次前記移送室に戻すように構成されるとともに、前記固体電解質層形成装置は、複数の成膜室を有し、前記移送室から分岐して搬入された基板に対して当該複数の成膜室において順次成膜を行い、成膜後の基板を順次前記移送室に戻すように構成されているものである。本発明において、前記正極層形成装置は、複数の基板を保持して回転可能な搬送機構を有する搬送室を備え、当該搬送室の周囲に前記複数の成膜室が配置されている場合にも効果的である。本発明において、前記固体電解質層形成装置は、複数の基板を保持して回転可能な搬送機構を有する搬送室を備え、当該搬送室の周囲に前記複数の成膜室が配置されている場合にも効果的である。本発明において、前記正極層形成装置の成膜室の数は、前記移送室における基板の移動速度に基づいて設定されている場合にも効果的である。本発明において、前記固体電解質層形成装置の成膜室の数は、前記移送室における基板の移動速度に基づいて設定されている場合にも効果的である。一方、本発明は、基板上に、正極層、負極層、固体電解質層、正極集電層、負極集電層、保護層を形成して薄膜リチウム二次電池を製造する薄膜リチウム二次電池製造方法であって、前記基板を、大気に対して遮断された乾燥雰囲気中で所定の移送ラインに沿って順次移動させる際に、前記移送ラインから分岐した位置で、複数回スパッタリングを行って前記基板上にリチウムを含む正極層を積層形成した後、当該基板を前記移送ラインに戻し、前記移送ラインから分岐した位置で、前記基板上に積層形成された前記正極層に対してアニール処理を行った後、当該基板を前記移送ラインに戻し、前記アニール処理後、当該基板上に、複数回スパッタリングを行ってリチウムを含む固体電解質層を積層形成した後、当該基板を前記移送ラインに戻す工程を有するものである。本発明において、前記正極層を積層形成する際の各層の厚さ及びスパッタリングの回数を、前記移送ラインにおける基板の移動速度に基づいて設定することも効果的である。本発明において、前記固体電解質層を積層形成する際の各層の厚さ及びスパッタリングの回数を、前記移送ラインにおける基板の移動速度に基づいて設定することも効果的である。本発明において、前記正極層は、コバルト酸リチウムからなる場合に特に効果的である。本発明において、前記固体電解質層は、リン酸リチウムからなる場合に特に効果的である。本発明方法の場合、移送ライン移送室から分岐した位置で、複数回スパッタリングを行って基板上にリチウムを含む正極層を積層形成した後、当該基板を前記移送ラインに戻し、また移送ラインから分岐した位置で、基板上に積層形成された正極層に対してアニール処理を行った後、当該基板を前記移送ラインに戻し、このアニール処理後、当該基板上に、複数回スパッタリングを行ってリチウムを含む固体電解質層を積層形成した後、当該基板を前記移送ラインに戻すようにしたことから、単層で形成すると他の工程より長時間を必要とする正極層及び固体電解質層の形成時間を移送ラインにおける基板の移動速度に基づいて調整することができ、その結果、これらの膜の成膜後に成膜時間の短い工程が存在する場合であっても、移送ラインに沿って基板を順次移動させる速度、即ちタクトタイムを大幅に変更することなく各工程を行うことができる。したがって、本発明によれば、各成膜工程における待ち時間を最小限にすることができるので、薄膜リチウム二次電池を効率良く大量に製造することができる。また、本発明装置においては、移送ラインから分岐した位置に正極層形成装置と固体電解質層形成装置が配置され、それぞれ複数の成膜室で積層成膜を行うようにしたことから、成膜室の数各層の厚さ及びスパッタリングの回数を変更することにより、タクトタイムに応じて、また膜の種類正極層又は固体電解質層に応じて成膜時間を容易に調整することができ、これにより簡素な制御系で汎用性の大きい薄膜リチウム二次電池製造装置を提供することができる。本発明において、正極層形成装置又は固体電解質層形成装置が、複数の基板を保持して回転可能な搬送機構を有する搬送室を備え、当該搬送室の周囲に前記複数の成膜室が配置されている場合には、正極層形成又は固体電解質層形成を円滑に短時間で行うことができるので、容易に正極層又は固体電解質層の形成時間を調整することができる。本発明によれば、薄膜リチウム二次電池を効率良く大量に製造することができる。以下、本発明の好ましい実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明に係る薄膜リチウム二次電池製造装置の実施の形態を示す概略構成平面図、図2は、同実施の形態の要部を示す概略構成平面図である。図1に示すように、本実施の形態の薄膜リチウム二次電池製造装置1は、移送室2と、正極層形成装置3と、アニール装置4と、固体電解質層形成装置5と、集電層形成装置6と、負極層形成装置7と、保護層形成装置8とを有している。移送室2は、例えば直線状の移送ラインに沿って例えば細長形状に形成されている。そして、移送室2内には、例えばアルゴンArガスを導入することにより、室内の露点温度が-50°C~-60°C程度に保たれ、大気に対して遮断された乾燥雰囲気が保たれるようになっている。なお、移送室2の内部には、図示しない複数の仕切バルブを設け、正極層形成装置3、アニール装置4、固体電解質層形成装置5、集電層形成装置6、負極層形成装置7、保護層形成装置8に対応する領域に、それぞれの雰囲気を仕切るように構成することもできる。移送室2の内部には、例えばローラ又はベルトから構成される基板搬送系図示せずが設けられ、これにより、移送室2の一方の端部に設けられた搬入室21から基板10を搬入して、移送室2の他方の端部に設けられた搬出室22に向って基板10を所定の速度で移送して、搬出室22から基板1010Aを搬出するように構成されている。また、移送室2の内部には、以下に説明する正極層形成装置3、アニール装置4、固体電解質層形成装置5、集電層形成装置6、負極層形成装置7、保護層形成装置8に対して基板10の受け渡しを行うための例えば櫛歯状の搬送機構20A~20Fが、各装置に対応する位置に配設されている。正極層形成装置3、固体電解質層形成装置5、集電層形成装置6、負極層形成装置7、保護層形成装置8は、移送室2の一方の側部から分岐する位置であって、搬入室21と搬出室22との間に、この順序で、基板搬送方向に配置されている。正極層形成装置3、固体電解質層形成装置5、集電層形成装置6、負極層形成装置7、保護層形成装置8は、図示しない真空排気系に接続されている。これら正極層形成装置3、固体電解質層形成装置5、集電層形成装置6、負極層形成装置7、保護層形成装置8は、それぞれ仕込取出室23、25、26、27、28を介して搬送室30、50、60、70、80が接続され、さらに、各搬送室30、50、60、70、80の周囲には、第1~第5の成膜室31~35、51~55、61~65、71~75、81~85が接続されている。本実施の形態では、正極層形成装置3、固体電解質層形成装置5、集電層形成装置6、保護層形成装置8の第1~第5の成膜室31~35、51~55、61~65、81~85の内部には、後述する所定のターゲット図示せずがそれぞれ配置され、各成膜室31~35、51~55、61~65、81~85内に搬入された基板10に対し、スパッタリングによって成膜を行うように構成されている。ここで、正極層形成装置3の搬送室30内には、6枚の基板10を保持可能な回転式の基板ホルダー36が設けられており、仕込取出室23を介して搬送室30内に搬入された基板10が、起立した状態で基板ホルダー36に保持され、第1~第5の成膜室31~35内のターゲット例えばコバルト酸リチウム:LiCoO2と対向した状態で、この順番で順次移送されて成膜が行われた後、第5の成膜室35から仕込取出室23に戻るように構成されている。また、固体電解質層形成装置5の搬送室50内にも、6枚の基板10を保持可能な回転式の基板ホルダー56が設けられており、仕込取出室25を介して搬送室50内に搬入された基板10が、起立した状態で基板ホルダー56に保持され、第1~第5の成膜室51~55内のターゲット例えばリン酸リチウム:Li3PO4と対向した状態で、この順番で順次移送されて成膜が行われた後、第5の成膜室55から仕込取出室25に戻るように構成されている。さらに、集電層形成装置6の搬送室60内には、搬送ロボット66が設けられ、この搬送ロボット66により、第1~第5の成膜室61~65間で基板10の受け渡しを行うように構成されている。本実施の形態の集電層形成装置6は、基板10上に正極集電層及び負極集電層の形成を兼用するもので、第1~第5の成膜室61~65のうち例えば第1~第3の成膜室61~63に正極集電層形成用のターゲット例えば、酸化マグネシウムMgO、チタンTi、白金Ptが配置され、さらに、例えば第4~第5の成膜室64、65に負極集電層形成用のターゲット例えば、ニッケルNi又は銅Cuが配置されている。また、集電層形成装置6の仕込取出室26に対し、移送室2を挟んで移送室2の他方の側部から分岐する位置には、搬入搬出室67が配置されている。この搬入搬出室67は、移送室2又は大気との間で基板10の受け渡しを行うものである。一方、負極層形成装置7の第1~第5の成膜室71~75の内部には、図示しない蒸発源例えばリチウム:Liが配置され、第1~第5の成膜室71~75内に搬入された基板10に対し、蒸着によって成膜を行うように構成されている。負極層形成装置7の搬送室70内には、搬送ロボット76が設けられ、この搬送ロボット76により、基板10を反転した状態で第1~第5の成膜室71~75間で基板10の受け渡しを行うように構成されている。一方、保護層形成装置8の第1~第5の成膜室81~85の内部には、図示しないターゲット例えばアルミニウム:Alが配置され、第1~第5の成膜室81~85内に搬入された基板10に対し、スパッタリングによって成膜を行うように構成されている。ここで、第1~第5の成膜室81~85のうち所定のものは、酸素O2を導入するように構成されている。さらに、保護層形成装置8の搬送室80内には、搬送ロボット86が設けられ、この搬送ロボット86により、第1~第5の成膜室81~85間で基板10の受け渡しを行うように構成されている。他方、アニール装置4は、移送室2の他方の側部から分岐する位置であって、正極層形成装置3と固体電解質層形成装置5との間に、すなわち、正極層形成装置3に対し基板搬送方向下流側で、かつ、固体電解質層形成装置5に対し基板搬送方向上流側の位置に配置されている。このアニール装置4は、その内部に、赤外線を放出して加熱を行うためのヒータ40が配置されている。このような構成を有する本実施の形態において、基板10上に各薄膜を形成する場合には、搬入搬出室67に基板10を搬入し、さらに、移送室2内の搬送機構20Dによって集電層形成装置6の仕込取出室26内に基板10を搬入する。そして、集電層形成装置6の第1~第5の成膜室61~65において、スパッタリングによって、基板10の表面に正極集電層を形成する。その後、集電層形成装置6の仕込取出室26へ搬送された成膜済の基板10を、移送室2内の搬送機構20Dによって搬入搬出室67内に戻し、さらに搬入搬出室67の外部に取り出す。そして、搬入搬出室67の外部に取り出された複数の基板10を、移送室2の搬入室21を介して順次移送室2内に搬入し、さらに、基板搬送系によって搬送し、正極層形成装置3近傍の搬送機構20Aによって正極層形成装置3の仕込取出室23内に1枚ずつ搬入する。そして、図2に示すように、基板10を搬送室30内に1枚ずつ搬入して起立させた状態で基板ホルダー36に装着し、常時5枚の基板10を第1~第5の成膜室31~35のターゲットと対向させた状態で、この順番で順次回転移送して例えばRFスパッタリングによって成膜を行う。本実施の形態では、第1~第5の成膜室31~355室において、所望の膜厚の1/5の膜厚の正極層LiCoO2の積層形成を行う例えば、600nm×5=3μm。なお、成膜中は、第1~第5の成膜室51~55内にアルゴンArガス、場合によっては酸素O2ガスを導入しながらスパッタリングを行う。その後、正極層が積層形成された基板10を、仕込取出室23を介して移送室2に戻し、基板搬送系によって下流側に搬送し、搬送機構20Bによってアニール装置4内に1枚ずつ搬入する。アニール装置4においては、基板10を、大気圧又は真空下で所定温度例えば600°Cで所定時間例えば10分加熱し、これにより基板10上に積層された正極薄膜が結晶化される。その後、正極層が結晶化された基板10を移送室2に戻し、基板搬送系によって下流側に搬送し、搬送機構20Cによって固体電解質層形成装置5の仕込取出室25内に基板10を1枚ずつ搬入する。そして、図2に示すように、基板10を搬送室50内に1枚ずつ搬入して起立状態で基板ホルダー56に装着し、常時5枚の基板10を第1~第5の成膜室51~55のターゲットと対向させた状態で、この順番で順次回転移送して例えばRFスパッタリングによって成膜を行う。本実施の形態では、第1~第5の成膜室51~555室において、所望の膜厚の1/5の膜厚の固体電解質層LiPONの積層形成を行う例えば、200nm×5=1μm。なお、成膜中は、第1~第5の成膜室51~55内に窒素N2ガスを導入しながらスパッタリングを行う。その後、固体電解質層が積層形成された基板10を仕込取出室25を介して移送室2に戻し、基板搬送系によって下流側に搬送し、搬送機構20Dによって基板10を表裏反転して、集電層形成装置6の仕込取出室26内に1枚ずつ搬入する。そして、搬送ロボット66によって基板10を搬送室60内に搬入して第1~第5の成膜室61~65の所定の室に搬入し、各基板10に対し、例えばRFスパッタリングによって負極集電層Ni又はCuの成膜を行う。その後、負極集電層が形成された基板10を仕込取出室26を介して移送室2に戻し、基板10を表裏反転した後、基板搬送系によって下流側に搬送し、搬送機構20Eによって負極層形成装置7の仕込取出室27内に1枚ずつ搬入する。そして、搬送ロボット76によって基板10を搬送室60内に搬入し、第1~第5の成膜室61~65の所定の室に搬入し、各基板10に対して例えば真空蒸着によって負極層Liの成膜を行う。その後、負極層が形成された基板10を仕込取出室27を介して移送室2に戻し、基板搬送系によって下流側に搬送し、搬送機構20Fによって保護層形成装置8の仕込取出室28内に1枚ずつ搬入する。そして、搬送ロボット86によって基板10を搬送室80内に搬入して第1~第5の成膜室81~85の所定の室に搬入し、各基板10に対し、例えばRFスパッタリングによって保護層の成膜を行う。本発明の場合、特に限定されることはないが、水分のバリア性を向上させる観点からは、保護層として、例えば、Al2O3/Al/Al2O3が積層された膜を形成することが好ましい。その後、保護層が形成された基板10を仕込取出室28を介して移送室2に戻し、基板搬送系によって下流側に搬送し、搬出室22内に搬入する。これにより、薄膜リチウム二次電池が設けられた基板10Aを搬出室22から大気中に取り出す。以上述べたように本実施の形態の場合、移送室2から分岐した位置で、複数回スパッタリングを行って基板10上にリチウムを含む正極層を積層形成した後、当該基板10を移送室2に戻し、また移送室2から分岐した位置で、基板10上に積層形成された正極層に対してアニール処理を行った後、当該基板10を移送室2に戻し、このアニール処理後、当該基板10上に、複数回スパッタリングを行ってリチウムを含む固体電解質層を積層形成した後、当該基板10を移送室2に戻すようにしたことから、単層で形成すると他の工程より長時間を必要とする正極層及び固体電解質層の形成時間を例えば移送室2における基板10の移動速度に基づいて調整することができ、その結果、これらの膜の成膜後に成膜時間の短い工程が存在する場合であっても、移送室2における基板10を順次移動させる速度、即ちタクトタイムを大幅に変更することなく各成膜工程を行うことができる。したがって、本実施の形態によれば、各成膜工程における待ち時間を最小限にすることができるので、薄膜リチウム二次電池を効率良く大量に製造することができる。また、本実施の形態においては、移送室2から分岐した位置に正極層形成装置3と固体電解質層形成装置5が配置され、それぞれ複数の成膜室31~35、51~55で積層成膜を行うようにしたことから、成膜室の数各層の厚さ及びスパッタリングの回数を変更することにより、タクトタイムに応じて、また膜の種類正極層又は固体電解質層に応じて成膜時間を容易に調整することができ、これにより簡素な制御系で汎用性の大きい薄膜リチウム二次電池製造装置1を提供することができる。特に、本実施の形態においては、正極層形成装置3又は固体電解質層形成装置5が、複数の基板10を保持して回転可能な基板ホルダー36、56を有する搬送室30、50を備え、これら搬送室30、50の周囲に複数の成膜室31~35、51~55が配置されており、正極層形成又は固体電解質層形成を円滑に短時間で行うことができるので、容易に正極層又は固体電解質層の形成時間を調整することができる。なお、本発明は上述の実施の形態に限られることなく、種々の変更を行うことができる。例えば、正極層形成装置及び固体電解質層形成装置の成膜室の数は五つには限られず、移送ラインのタクトタイムに応じて、また正極層形成装置又は固体電解質層形成装置に応じて適宜変更することができる。また、上記実施の形態における各装置の配置構成は一例であり、所望の長さ、形状の移送ラインに応じて適宜変更することができる。例えば、上記実施の形態のアニール装置4を正極層形成装置3及び固体電解質層形成装置5の側に配置することも可能である。さらに、保護層形成装置として、蒸着重合装置を用いることもできる。さらにまた、本発明は、種々の材料、形状、大きさの基板、例えば、シリコン基板、セラミックス基板、耐熱樹脂基板等に適用することができるものである。図3aは、コバルト酸リチウムLiCoO2の単層膜のアモルファス状態のSEM断面写真、図3bは、同コバルト酸リチウムLiCoO2の単層膜に対してアニール処理を施した後のSEM断面写真である。図4aは、コバルト酸リチウムLiCoO2の積層膜のアモルファス状態のSEM断面写真、図4bは、同コバルト酸リチウムLiCoO2の積層膜に対してアニール処理を施した後のSEM断面写真である。図5は、コバルト酸リチウムLiCoO2の単層膜のアモルファス状態及びアニール処理後のX線回折スペクトルを示す図、図6は、同コバルト酸リチウムLiCoO2の積層膜のアモルファス状態及びアニール処理後のX線回折スペクトルを示す図である。本例の場合、ターゲットとしては、LiCoO2からなるものを用い、RFスパッタリングにより、膜厚3μmのLiCoO2膜を形成した。積層膜については、膜厚600nmの膜を5回積層させることにより形成した。一方、アニール処理は、大気中で温度600°C、時間10分間行った。その他の条件は同一とした。図3b及び図4bから明らかなように、アニール処理後のLiCoO2の単層膜、積層膜では、断面構造に差はほとんど見られない。また、図5及び図6から明らかなように、アニール処理の前後において、LiCoO2の単層膜、積層膜について、いずれも結晶性に相違は見られない。したがって、以上の結果より、単層膜と同一の膜厚膜質のLiCoO2膜を積層膜によって得られることが確認された。