Si原子を含む化合物または混合物を表面改質材料として導入する改質材料導入路と、キャリアガスを導入するキャリアガス導入路と、前記改質材料導入路からの前記表面改質材料、及び前記キャリアガス導入路からの前記キャリアガスを内部に導入し、加熱して、それらが混合された表面改質ガスを生成して外部へと供給するホットウォール管と、成膜物質となる金属材料を少なくとも含み、前記ホットウォール管の内部に配置されるとともに、前記ホットウォール管によって加熱されることで前記金属材料を含む成膜材料ガスを供給する成膜材料体と、前記ホットウォール管の外部に配置され、成膜面上に薄膜を形成するための成膜対象物を保持する対象保持手段とを備え、前記ホットウォール管から前記成膜対象物の前記成膜面へと前記表面改質ガス及び前記成膜材料ガスを供給することによって、前記成膜材料ガスに起因する前記金属材料を少なくとも含む薄膜を前記成膜面上に形成することを特徴とする成膜装置。前記対象保持手段によって保持された前記成膜対象物を加熱する対象加熱手段を備えることを特徴とする請求項1記載の成膜装置。前記表面改質材料は、テトラメチルシランであることを特徴とする請求項1または2記載の成膜装置。前記成膜材料体は、前記金属材料と、有機材料とを含むことを特徴とする請求項1~3のいずれか一項記載の成膜装置。前記成膜材料体の前記金属材料は、Li、Ag、Fe、Mn、Co、Ni、Tiのうちの少なくとも1つの元素を含むことを特徴とする請求項1~4のいずれか一項記載の成膜装置。前記キャリアガスは、空気、酸素、窒素、炭酸ガス、アンモニアガス、または不活性ガスのうちの少なくとも1つのガスを含むことを特徴とする請求項1~5のいずれか一項記載の成膜装置。改質材料導入路からのSi原子を含む化合物または混合物からなる表面改質材料、及びキャリアガス導入路からのキャリアガスをホットウォール管の内部に導入し、加熱して、それらが混合された表面改質ガスを生成して前記ホットウォール管の外部へと供給する表面改質ガス供給ステップと、成膜物質となる金属材料を少なくとも含み、前記ホットウォール管の内部に配置される成膜材料体を前記ホットウォール管によって加熱して、前記金属材料を含む成膜材料ガスを供給する成膜材料ガス供給ステップと、前記ホットウォール管の外部に配置された対象保持手段によって保持された成膜対象物の成膜面へと、前記ホットウォール管から前記表面改質ガス及び前記成膜材料ガスを供給することによって、前記成膜材料ガスに起因する前記金属材料を少なくとも含む薄膜を前記成膜面上に形成する成膜ステップとを備えることを特徴とする成膜方法。前記対象保持手段によって保持された前記成膜対象物を加熱する対象加熱ステップを備えることを特徴とする請求項7記載の成膜方法。前記表面改質材料は、テトラメチルシランであることを特徴とする請求項7または8記載の成膜方法。前記成膜材料体は、前記金属材料と、有機材料とを含むことを特徴とする請求項7~9のいずれか一項記載の成膜方法。前記成膜材料体の前記金属材料は、Li、Ag、Fe、Mn、Co、Ni、Tiのうちの少なくとも1つの元素を含むことを特徴とする請求項7~10のいずれか一項記載の成膜方法。前記キャリアガスは、空気、酸素、窒素、炭酸ガス、アンモニアガス、または不活性ガスのうちの少なくとも1つのガスを含むことを特徴とする請求項7~11のいずれか一項記載の成膜方法。上記した成膜方法では、通常、ガスや基板での酸化による汚染等を避けるために、排気量が大きい真空排気ポンプを必要とする。一方、基板などの成膜対象物上への薄膜の作製では、具体的な成膜条件や成膜対象等により、成膜部の雰囲気を真空にする必要がない場合も考えられる。しかしながら、そのような場合でも、対象物の成膜面上への薄膜の形成において、例えば、ある程度の酸化防止条件、あるいは対象物の表面改質条件などの成膜条件が要求される。本発明は、以上の問題点を解決するためになされたものであり、成膜用基板などの成膜対象物上への薄膜の形成を好適に行うことが可能な成膜装置、及び成膜方法を提供することを目的とする。このような目的を達成するために、本発明による成膜装置は、1Si原子を含む化合物または混合物を表面改質材料として導入する改質材料導入路と、2キャリアガスを導入するキャリアガス導入路と、3改質材料導入路からの表面改質材料、及びキャリアガス導入路からのキャリアガスを内部に導入し、加熱して、それらが混合された表面改質ガスを生成して外部へと供給するホットウォール管と、4成膜物質となる金属材料を少なくとも含み、ホットウォール管の内部に配置されるとともに、ホットウォール管によって加熱されることで金属材料を含む成膜材料ガスを供給する成膜材料体と、5ホットウォール管の外部に配置され、成膜面上に薄膜を形成するための成膜対象物を保持する対象保持手段とを備え、6ホットウォール管から成膜対象物の成膜面へと表面改質ガス及び成膜材料ガスを供給することによって、成膜材料ガスに起因する金属材料を少なくとも含む薄膜を成膜面上に形成することを特徴とする。また、本発明による成膜方法は、a改質材料導入路からのSi原子を含む化合物または混合物からなる表面改質材料、及びキャリアガス導入路からのキャリアガスをホットウォール管の内部に導入し、加熱して、それらが混合された表面改質ガスを生成してホットウォール管の外部へと供給する表面改質ガス供給ステップと、b成膜物質となる金属材料を少なくとも含み、ホットウォール管の内部に配置される成膜材料体をホットウォール管によって加熱して、金属材料を含む成膜材料ガスを供給する成膜材料ガス供給ステップと、cホットウォール管の外部に配置された対象保持手段によって保持された成膜対象物の成膜面へと、ホットウォール管から表面改質ガス及び成膜材料ガスを供給することによって、成膜材料ガスに起因する金属材料を少なくとも含む薄膜を成膜面上に形成する成膜ステップとを備えることを特徴とする。上記した成膜装置、及び成膜方法においては、Si原子を含む化合物または混合物からなる表面改質材料及びキャリアガスを、所定温度に設定されて材料等の加熱に用いられる筒状のホットウォール管の内部に導入する。ホットウォール管の内部では、表面改質材料及びキャリアガスが加熱、混合され、表面改質ガスとして外部へと放出、供給される。また、ホットウォール管の内部には、金属材料を含む成膜材料体が配置されており、加熱された材料体から、金属材料を含む成膜材料ガスが放出、供給される。一方、ホットウォール管の外部には対象保持手段が設置され、所定の材料からなる成膜対象物が対象保持手段によって保持される。この成膜対象物の成膜面へと、ホットウォール管によって加熱、放出された表面改質ガス、成膜材料ガスが供給される。このとき、表面改質ガスに含まれるSi原子により、成膜対象物の成膜面が成膜に適した状態に改質される。また、表面改質材料を適切に選択することにより、改質材料に含まれるSi以外の元素によって雰囲気中の酸素が消費され、成膜過程での酸化が防止される。このような状態で、ホットウォール管から表面改質ガスとともに成膜材料ガスが対象物に供給されると、表面改質材料によって表面改質条件、酸化防止条件等の成膜条件が好適な条件とされた成膜対象物の成膜面上において、材料体からの成膜材料ガスに起因する金属材料を含む所望の材料からなる薄膜が形成される。このような構成では、例えば、成膜部の雰囲気を真空にしないような条件を含めて、様々な条件下において、好適な成膜条件で所望の材料の薄膜を形成することが可能である。ここで、成膜面上に薄膜が形成される成膜対象物としては、具体的には例えば、成膜用基板を用いることができる。この場合、対象保持手段としては、ホットウォール管の外部に配置され、成膜面上に薄膜を形成するための成膜用基板を保持する基板保持手段が用いられる。上記構成において、成膜装置は、対象保持手段によって保持された成膜対象物を加熱する対象加熱手段例えば基板加熱手段を備えることが好ましい。また、成膜方法は、対象保持手段によって保持された成膜対象物を加熱する対象加熱ステップ例えば基板加熱ステップを備えることが好ましい。このように、ホットウォール管によって表面改質材料及び成膜材料を加熱すると同時に、薄膜が形成される成膜対象物についても加熱による温度調整を行うことにより、必要に応じて、薄膜を形成するための成膜条件をさらに好適に調整、設定することが可能となる。キャリアガスとともに成膜対象物へと供給される表面改質材料については、雰囲気中の酸素を充分に消費して、上記した酸化防止条件を好適に実現するため、Si原子に加えてC、Hを含む材料、例えば、有機Si化合物、またはSi材料と有機材料との混合物を用いることが好ましい。特に、この表面改質材料としては、C、Hを多く含むテトラメチルシランTMS、SiCH34を用いることが好ましい。成膜材料体は、金属材料と、有機材料とを含む構成としても良い。このように、金属材料に加えて有機材料を含む材料を成膜材料体とし、それを加熱することで成膜材料ガスを供給することにより、成膜対象物に供給される金属材料の単原子化を促進することができる。また、必要があれば、成膜材料、及び成膜条件の選択により、有機材料に含まれる元素を、金属材料に加えて薄膜の形成に用いることも可能である。また、成膜材料体の金属材料は、Li、Ag、Fe、Mn、Co、Ni、Tiのうちの少なくとも1つの元素を含むことが好ましい。また、表面改質材料とともに表面改質ガスを構成するキャリアガスについては、空気、酸素、窒素、炭酸ガス、アンモニアガス、または不活性ガスのうちの少なくとも1つのガスを含むことが好ましい。本発明の成膜装置、及び成膜方法によれば、Si原子を含む化合物または混合物からなる表面改質材料、及びキャリアガスをホットウォール管の内部に導入し、加熱して、それらが混合された表面改質ガスを生成してホットウォール管の外部へと供給し、かつ、成膜物質となる金属材料を少なくとも含み、ホットウォール管の内部に配置される成膜材料体をホットウォール管によって加熱して、金属材料を含む成膜材料ガスを供給し、成膜対象物の成膜面へと、ホットウォール管から表面改質ガス及び成膜材料ガスを供給することによって、成膜材料ガスに起因する金属材料を少なくとも含む薄膜を成膜面上に形成することにより、基板などの対象物上への薄膜の形成を好適に行うことが可能となる。以下、図面とともに本発明による成膜装置、及び成膜方法の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。図1は、本発明による成膜装置の一実施形態の構成を模式的に示す図である。本実施形態による成膜装置1Aは、外囲容器10と、ホットウォール管12と、基板保持ステージ対象保持ステージ15と、改質材料導入管20と、キャリアガス導入管25と、成膜材料体30とを備えて構成されている。なお、本実施形態においては、成膜面上に薄膜を形成する成膜対象物として、成膜用基板を用いた場合を例として説明する。ホットウォール管12、基板保持ステージ15、導入管20、25、及び成膜材料体30は、それぞれ外囲容器10の内部に設置されている。外囲容器10の内部は、具体的な成膜対象、成膜条件等に応じて、その雰囲気、気圧等が適切に設定される。また、この外囲容器10の所定位置には、内部の気体を排出して雰囲気、気圧等を調整するための排気口11が設けられている。改質材料導入管20は、接続口20aから導入チューブ21を介して、Si原子を含む化合物または混合物からなる表面改質材料を供給する改質材料供給部22に接続されている。これにより、導入管20は、表面改質材料をホットウォール管12の内部に導入する改質材料導入路として機能している。キャリアガス導入管25は、接続口25aから導入チューブ26を介して、例えば空気などのキャリアガスを供給するキャリアガス供給部27に接続されている。これにより、導入管25は、キャリアガスをホットウォール管12の内部に導入するキャリアガス導入路として機能している。ホットウォール管12は、所定温度に設定されて材料等の加熱に用いられる筒状の構造体であり、例えば石英ガラス、セラミックなどによって形成されている。また、ホットウォール管12の外周側には、ホットウォール管12を加熱する加熱手段であるヒータ13が設置されている。このヒータ13により、加熱管であるホットウォール管12の温度が所望の加熱温度に設定される。このホットウォール管12に対し、改質材料導入管20、及びキャリアガス導入管25は、ホットウォール管12の後方側の開口部から、その内部へと挿入されるように設置されている。これにより、改質材料導入管20からの表面改質材料、及びキャリアガス導入管25からのキャリアガスは、ホットウォール管12の内部に導入される。そして、表面改質材料及びキャリアガスがホットウォール管12によって加熱され、それらが混合された表面改質ガスが生成されて、この表面改質ガスが、ホットウォール管12の前方側の開口部から外部へと放出、供給される。また、ホットウォール管12の内部には、改質材料導入管20及びキャリアガス導入管25と、ホットウォール管12の前方側の開口部との間の所定位置に、固体状の成膜材料体30が配置されている。成膜材料体30は、成膜物質となる金属材料を少なくとも含む材料によって構成され、ホットウォール管12によって加熱されることで金属材料を含む成膜材料ガスを供給する。この成膜材料ガスは、上記した表面改質ガスとともに、ホットウォール管12の前方側の開口部から外部へと放出、供給される。ホットウォール管12の前方側の外部には、基板保持ステージ15が設置されている。この基板保持ステージ15は、本実施形態における成膜対象物である成膜用基板16を保持する基板保持手段対象保持手段であり、保持ステージ15によって保持された基板16のホットウォール管12側の面が、所定の材料からなる薄膜を形成するための成膜面16aとなる。本実施形態では、保持ステージ15上に保持される成膜用基板16に対し、成膜用基板16を加熱する基板加熱手段対象加熱手段として、ヒータ17が設置されている。このヒータ17は、成膜用基板16の成膜面16a上に薄膜を形成する際に、必要に応じて基板16を加熱する場合に用いられる。また、基板16の成膜面16aに対し、必要に応じて追加的な成膜材料を供給するための成膜材料導入路18が設けられている。ただし、この導入路18については、ホットウォール管12から供給される表面改質ガス、成膜材料ガスのみで薄膜の形成が可能な場合など、不要であれば設けない構成としても良い。本実施形態による成膜装置1Aを用いて行われる成膜方法、及び成膜装置1A、成膜方法の効果について説明する。上記した成膜装置1A、及び成膜装置1Aを用いた成膜方法においては、Si原子を含む化合物または混合物からなる表面改質材料、及びキャリアガスを、導入管20、25からホットウォール管12の内部に導入する。ホットウォール管12の内部では、表面改質材料及びキャリアガスが加熱、混合され、表面改質ガスとして外部へと放出、供給される表面改質ガス供給ステップ。また、ホットウォール管12の内部には、金属材料を含む成膜材料体30が配置されている。これにより、ホットウォール管12によって加熱された成膜材料体30から、金属材料を含む成膜材料ガスが放出、供給される成膜材料ガス供給ステップ。一方、ホットウォール管12の前方側の外部には対象保持手段である基板保持ステージ15が設置され、所定の材料からなる成膜対象物である成膜用基板16が保持ステージ15によって保持される。この基板16の成膜面16aへと、ホットウォール管12によって加熱、放出された表面改質ガス、成膜材料ガスが供給される。このとき、表面改質ガスに含まれるSi原子により、基板16の成膜面16aが成膜に適した状態に改質される。また、表面改質材料を適切に選択することにより、後述するように、改質材料に含まれるSi原子以外の元素によって外囲容器10内の雰囲気中の酸素が消費され、成膜過程での酸化が防止される。このような状態で、ホットウォール管12から表面改質ガスとともに成膜材料ガスが基板16に供給されると、表面改質材料によって表面改質条件、酸化防止条件等の成膜条件が好適な条件とされた基板16の成膜面16a上において、材料体30からの成膜材料ガスに起因する金属材料を含む所望の材料からなる薄膜が形成される成膜ステップ。このような構成では、例えば、成膜部の雰囲気、図1に示した構成では外囲容器10の内部の雰囲気、または基板16の成膜面16aの近傍の雰囲気を真空にしないような条件を含めて、様々な条件下において、好適な成膜条件で所望の材料の薄膜を形成することが可能である。ここで、薄膜の形成において、成膜部の雰囲気を真空にする必要がない場合としては、例えば、機械部品、装置、住宅室内等の窓、壁、診療室などの特殊室の装置等の減菌、汚染防止対策用の表面処理などが挙げられる。また、このような場合には、成膜の単結晶化などの高品質化は不要である。上記構成において、ホットウォール管加熱用のヒータ13としては、例えば、加熱温度を500°C~1200°Cの範囲で設定可能なヒータが用いられる。また、ホットウォール管12の筒状の加熱壁は、例えば、100°C~1000°Cに加熱されて赤外線源となり、それによって表面改質材料に含まれる分子が分解、結合等を起こし、原子、異種分子等が発生する。基板16上への成膜、改質においては、このような機構が利用される。また、成膜用基板16の周辺気圧は、具体的な成膜条件、成膜対象等に応じて設定すれば良いが、例えば10-7気圧~10気圧の範囲で設定される。また、基板16の周辺を含む成膜部は、例えば外囲容器10、あるいは容器10内に設けられた流路制限構造などによって基本的には大気とは隔離されて、所定の雰囲気によって満たされ、または低真空とされている。また、外囲容器10には、必要に応じて、基板16、材料体30等の交換などの際に用いられ、成膜時には閉鎖される作業用の開口部が設けられる。また、改質材料導入管20、キャリアガス導入管25、及びホットウォール管12から基板16への、表面改質材料を含む表面改質ガスの供給、吹き付けについては、連続的に吹き付ける構成であっても良く、あるいは、表面改質ガスを間欠的に基板に吹き付けることが可能な構成であっても良い。ここで、図1に示した構成では、ホットウォール管12及びヒータ13に加えて、保持ステージ15によって保持された成膜用基板16を加熱するヒータ17を設置している。このように、ホットウォール管12によって表面改質材料及び成膜材料を加熱すると同時に、薄膜が形成される成膜用基板16についても加熱による温度調整を行うことにより、必要に応じて、薄膜を形成するための成膜条件、例えば成膜面16a上での成膜温度等をさらに好適に調整、設定することが可能となる。薄膜の形成において基板16などの成膜対象物を加熱した場合、対象物の成膜面16a上にある余分な原子をとばす、形成される薄膜を均一化する、などの効果がある。ただし、このような基板加熱用対象物加熱用のヒータ17については、ホットウォール管12による温度調整のみで充分な場合には設けない構成としても良い。キャリアガスとともに成膜用基板16へと供給される表面改質材料については、Siによる基板表面の改質効果に加えて、外囲容器10内の雰囲気中、特に、ホットウォール管12から基板16の成膜面16aの近傍までにあって、薄膜の形成に影響を及ぼす雰囲気中の酸素を充分に消費して、上記した酸化防止条件を好適に実現する必要がある。このため、表面改質材料としては、Si原子に加えてC、Hを含む材料を用いることが好ましく、例えば、Si原子を含む有機Si化合物、またはSi材料と有機材料との混合物を用いることが好ましい。特に、この表面改質材料としては、C、Hを多く含むテトラメチルシランTMS、SiCH34を用いることが好ましい。また、表面改質材料として化合物ではなく、混合物を用いる場合、例えば、SiO2粉末、及び有機材料粉末の混合物を加熱してガス化したものを表面改質材料として用いることができる。また、この場合にSi材料に混合する有機材料については、例えばポリプロピレンPP、ポリエチレンPEなどを用いることができる。例えば、表面改質材料として有機ケイ素化合物であるTMSを用いた場合、ホットウォール管12での加熱、分解により、TMSは、Si原子、4×C原子、12×H原子となる。その後、TMSから分解されたC原子は、例えばCO、CO2の生成等によって酸素を消費する。また、H原子は、例えばH2Oの生成等によって酸素を消費する。また、この表面改質材料に含まれるSi原子などの材料については、成膜対象物の表面改質のみでなく、薄膜の形成における成膜材料の一部として用いられる構成としても良い。ホットウォール管12の内部に配置される成膜材料体30については、少なくとも金属材料を含む材料体が用いられるが、例えば、金属材料に加えて、有機材料を含む材料体を用いても良い。このような成膜材料体30を加熱することで、成膜材料ガスを基板16に供給する構成では、材料体30に含まれるメチルなどの有機材料の作用により、基板16に供給される金属材料の単原子化を促進することができる。ここで、有機材料としては、例えばハイドロカーボン基CHn、あるいはハイドロアミノ基NHn所有有機物がある。この場合、成膜上、M金属元素-CHn、あるいはM-NHnをホットウォール管内で作り、これを基板等に吹き付けて、M-原子状態を作って基板と容易に反応させ、また、余分の酸素をC、N、Hで化合させて除去する。この成膜材料体30としては、例えば、所定形状に形成されてホットウォール管12の内部に設置される固体状の材料体を用いることができる。また、材料体容器をホットウォール管12の内部に設置し、容器内に液体状または固体状の材料体30を配置する構成としても良い。また、材料体30を塗布などの方法で付加した成膜材料支持体をホットウォール管12の内部に配置する構成、ホットウォール管12の内壁に成膜材料体30を付加する構成など、具体的には様々な構成を用いて良い。また、必要があれば、成膜材料、及び成膜条件の選択により、成膜材料体30における有機材料に含まれる元素を、金属材料に加えて薄膜の形成に用いることも可能である。また、成膜材料体30の金属材料については、具体的には、Li、Ag、Fe、Mn、Co、Ni、Tiのうちの少なくとも1つの元素を含むことが好ましい。このような金属材料については、基板16上に成膜しようとする薄膜の材料、種類に応じて、適切に選択すれば良い。また、表面改質材料とともに表面改質ガスを構成するキャリアガスについては、空気、酸素、窒素、炭酸ガス、アンモニアガス、または不活性ガスのうちの少なくとも1つのガスを含むことが好ましい。また、このキャリアガスに含まれるガス材料については、表面改質材料と同様に、成膜材料の一部として用いられる構成としても良い。基板16上に形成される薄膜の例としては、例えば、Agなどの金属材料の単体の薄膜がある。また、例えば、上記構成の成膜装置1Aによれば、強磁場材料であるFeN窒化鉄の薄膜を形成することが可能である。このようなFeN薄膜は、例えば成膜材料体30の金属材料をFeとし、材料体30の有機材料としてNを含むアミノ酸を用いるか、あるいはキャリアガスとしてNを含むアンモニアガスを用いることで形成することができる。また、成膜装置1Aは、Liイオン電池の電極薄膜の作製に適用することも可能である。このような電極薄膜としては、例えば正極材料のLiMnPO4、LiFePO4、LiCoO2、LiMn2O4、LiNiO2、Li2FePO4F、負極材料の黒鉛LiC6、ハードカーボンLiC6、Li4Ti5O12などがある。また、薄膜の形成に用いられる成膜用基板16としては、具体的な成膜対象の薄膜及びその用途等に応じて、適切な材質の基板を選択すれば良い。そのような基板16の例としては、例えば、銅Cu基板、アルミAl基板、ガラス基板、石英基板、CFRP基板などを用いることができる。図1に示した成膜装置1Aの具体的な構成例、及びそれを用いた薄膜の形成例について説明する。図2は、成膜装置の具体的な構成の一例を示す側面断面図である。本構成例による成膜装置1Bは、基本的に図1に示した成膜装置1Aと同様の構成を有している。ホットウォール管12は、長さが20~30cm、厚さが1mm、内径がφ16mmの円筒状の石英ガラス管によって構成されている。また、ホットウォール管12として、セラミック管を用いることも可能である。改質材料導入管20、及びキャリアガス導入管25は、それぞれ、例えば接続口を含む外側部分がステンレス、ホットウォール管12の内部に位置する内側部分が石英ガラスによって形成されている。また、外囲容器10は、ステンレス製の容器によって構成されている。また、ホットウォール管12の前方側の開口部から保持ステージ15上の基板16までの距離は、例えば5~10cmに設定される。ホットウォール管12の内部に設置される成膜材料体30としては、例えばφ14mmの円筒形状に形成された材料体を用いることができる。このように、筒状の材料体を成膜材料体30とした場合、導入管20、25からの表面改質ガスは、この成膜材料体30の内側を通過して、加熱された材料体30で生成される成膜材料ガスとともに、成膜用基板16へと供給される。また、このような材料体としては、例えば、成膜材料自体を所定形状に成型したもの、あるいは、所定形状に形成した支持部材に成膜材料のペーストを塗布したものなど、具体的には様々なものを用いることが可能である。図3は、上記した構成の成膜装置1Bを用いて行った薄膜の形成結果の一例を示す図である。ここでは、表面改質材料としてテトラメチルシランTMSを、キャリアガスとして窒素N2を、成膜材料体30として銀Agペーストを用い、成膜用基板16を銅Cu基板とし、基板16の成膜面上にAg薄膜を形成した。この薄膜の形成は、ホットウォール管12の加熱温度を540°Cとし、基板16の加熱は行わない条件で行った。図3の写真に示すように、上記した成膜方法により、基板16上にAg薄膜が良好に堆積、形成されていることがわかる。本発明による成膜装置、及び成膜方法は、上記実施形態、及び構成例に限られるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、ホットウォール管12による材料の加熱温度を設定するためのヒータ13については、図4に、図2に示した成膜装置の変形例を示すように、ホットウォール管12の長手方向に沿って複数の加熱部分に分割する構成としても良い。これにより、表面改質材料、及び成膜材料に対する加熱条件をより詳細に設定、制御することができる。図4に例示する成膜装置1Cでは、ホットウォール管12を加熱するヒータを、後方側に設置されて主に表面改質材料及びキャリアガスを加熱するヒータ13aと、前方側に設置されて主に成膜材料体30を加熱するヒータ13bとに分割して構成している。また、ホットウォール管12を加熱するヒータについては、3以上の加熱部分に分割する構成としても良い。また、ホットウォール管12に対する加熱手段、基板16に対する加熱手段については、ヒータ以外の加熱手段を用いても良い。例えば、成膜用基板16に対する加熱手段として、可視光レーザ、または赤外光レーザからのレーザ光の照射等を用いて基板16を加熱する構成としても良い。また、外囲容器反応チャンバ10、ホットウォール管12、導入管20、25、及び基板保持ステージ15などの装置各部についても、図2、図4はその構成例を示すものであり、具体的には様々な構成を用いて良い。また、ホットウォール管12の内部に配置される成膜材料体30については、上記した筒状の材料体に限らず、具体的には例えば、膜状、板状、線状、粒状などの様々な形状、形態の材料体を用いて良い。また、上記実施形態では、成膜面上に薄膜を形成する成膜対象物として、成膜用基板を用いた場合を例として説明したが、成膜対象物については、具体的には基板以外にも様々なものを適用することが可能である。そのような対象物の例としては、金型がある。ここで、鋳造型のうち、ダイカスト型では、溶融させた金属溶湯を直接、金型に注ぎ込んで鋳造を行う。ダイカスト型は、金型鋳造型という性質上、溶融金属と接する面の温度変化が激しく、これは、ヒートチェックと呼ばれる金型損傷の原因となる。高温金型を、例えば10-11気圧程度10-8torr程度まで真空引きし、ヒートチェック内のガスを外部に追い出す。その後、室温に降温し、図1に示したような成膜装置により、表面近傍にできたヒートチェックに表面から、表面改質材料としてSiを含むシロキサンを用い、キャリアガスとしてイソプロパノール、エタノール等を用い、成膜材料としてZr化合物を用いて成膜処理を行う。さらに、1~2気圧Arガス中で、100~200°Cに加熱した後、溶融Alで表面をカバーして、Zr、Si、Feの化合を行う。これにより、ヒートチェック構造は消滅する。