透明基板と、前記透明基板上に配置されるゲート電極と、前記ゲート電極上に配置されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に配置される半導体層であって、平面視において前記ゲート電極の範囲内に配置される半導体層と、前記半導体層上に配置されるソース電極及びドレイン電極であって、平面視において前記半導体層の範囲内に配置されるソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に配置される保護絶縁膜と、前記保護絶縁膜上に配置される画素電極であって、前記保護絶縁膜に形成されるコンタクトホールを通じて前記ソース電極又は前記ドレイン電極に接続される画素電極と、前記保護絶縁膜上に配置されるシールドであって、前記画素電極と同一の材料からなり、前記画素電極と電気的に接続されていないシールドと、を備えることを特徴とする液晶表示装置。前記画素電極及び前記シールドは透明導電膜からなる、請求項1に記載の液晶表示装置。前記シールドは、平面視において、前記半導体層の前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の部分と、前記コンタクトホールと、の間に少なくとも配置される、請求項1に記載の液晶表示装置。前記シールドは、前記半導体層の前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の部分上に少なくとも配置される、請求項1に記載の液晶表示装置。前記ソース電極及びドレイン電極の一方は、二股に分かれた二股部を有し、前記ソース電極及びドレイン電極の他方は、前記二股部の内側に配置される挿入部と、前記二股部の外側で前記画素電極に接続される接続部と、を有し、前記シールドは、前記二股部と、前記挿入部と、前記半導体層の前記二股部と前記挿入部との間の部分と、の上に配置される、請求項1に記載の液晶表示装置。前記シールドは、他の画素のシールドと電気的に接続される、請求項1に記載の液晶表示装置。上記4フォト製法では、半導体層、ソース電極及びドレイン電極を1回のフォト工程で形成するため、ソース電極及びドレイン電極の全部の下方に半導体層が位置することになる。この場合、平面視においてゲート電極の範囲外に広がるソース電極及びドレイン電極の下方に位置する半導体層がバックライトからの光を受けることで、光リーク電流が発生するという問題がある。光リーク電流が発生すると、オフリーク電流が高くなり、残像が生じるおそれがある。そこで、光リーク電流の発生を抑制するために、半導体層、ソース電極及びドレイン電極を、平面視においてゲート電極の範囲内に配置することが行われている。しかしながら、この場合、光リーク電流以外の要因でオフリーク電流が高くなるという課題が新たに発生した。これは、以下に説明する理由によるものと考えられる。図10に示されるように、半導体層SC、ソース電極S及びドレイン電極Dを平面視においてゲート電極Gの範囲内に配置する場合、コンタクトホールHを通じてドレイン電極Dに接続される画素電極Pの引出線PLの端部もゲート電極G上に形成されることになる。この構造では、引出線PLの端部が半導体層SCのチャネル形成領域CNに近いため、引出線PLの端部に溜まった電荷の影響で、チャネル形成領域CNの上面付近にチャネルが形成されいわゆる、バックゲートチャネル、その結果、オフリーク電流が高くなるものと考えられる。本発明は、上記実情に鑑みて為されたものであり、オフリーク電流を抑制することが可能な液晶表示装置を提供することを主な目的とする。上記課題を解決するため、本発明の液晶表示装置は、透明基板と、前記透明基板上に配置されるゲート電極と、前記ゲート電極上に配置されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に配置される半導体層と、前記半導体層上に配置されるソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に配置される保護絶縁膜と、前記保護絶縁膜上に配置される画素電極と、前記保護絶縁膜上に配置されるシールドと、を備える。前記半導体層は、平面視において前記ゲート電極の範囲内に配置される。前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、平面視において前記半導体層の範囲内に配置される。前記画素電極は、前記保護絶縁膜に形成されるコンタクトホールを通じて前記ソース電極又は前記ドレイン電極に接続される。前記シールドは、前記画素電極と同一の材料からなり、前記画素電極と電気的に接続されていない。本発明によると、保護絶縁膜上に配置され、画素電極と電気的に接続されていないシールドによって、半導体層にバックゲートチャネルが形成されることが抑制されるので、オフリーク電流を抑制することが可能である。また、シールドを画素電極と一斉に形成することが可能であるので、製造が容易である。また、本発明の一態様において、前記画素電極及び前記シールドは透明導電膜からなる。これによると、透明導電膜からなる画素電極及びシールドを一斉に形成することが可能である。また、本発明の一態様において、前記シールドは、平面視において、前記半導体層の前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の部分と、前記コンタクトホールと、の間に少なくとも配置される。これによると、半導体層にバックゲートチャネルが形成されることをより効果的に抑制することが可能である。また、本発明の一態様において、前記シールドは、前記半導体層の前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の部分上に少なくとも配置される。これによると、半導体層にバックゲートチャネルが形成されることをより効果的に抑制することが可能である。また、本発明の一態様において、前記ソース電極及びドレイン電極の一方は、二股に分かれた二股部を有する。前記ソース電極及びドレイン電極の他方は、前記二股部の内側に配置される挿入部と、前記二股部の外側で前記画素電極に接続される接続部と、を有する。前記シールドは、前記二股部と、前記挿入部と、前記半導体層の前記二股部と前記挿入部との間の部分と、の上に配置される。これによると、二股部の大きさより細かなパターンを必要としないため、シールドの形成が容易である。また、本発明の一態様において、前記シールドは、他の画素のシールドと電気的に接続される。これによると、各々のシールドの電位を共通化することが可能である。本発明の液晶表示装置の実施形態を、図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置を表す図である。図1のうちAは断面図であり、Bは平面図である。Aは、B中の一点鎖線で切断したときの断面を表している。これらの図では、液晶表示装置に含まれるTFT基板1の1画素に対応する部分の構造が模式的に示されている。本実施形態の液晶表示装置は、薄膜トランジスタTFT5をスイッチング素子として備えるアクティブマトリクス型の液晶表示装置として構成されている。TFT基板1において、無アルカリガラス等からなる透明基板2上には、薄膜トランジスタTFT5が設けられている。TFT5は、ゲート電極51と、半導体層53と、コンタクト層54と、ソース電極55と、ドレイン電極57と、を備えている。ゲート電極51上には半導体層53が配置されており、ゲート電極51と半導体層53との間にはゲート絶縁膜3が配置されている。半導体層53上には、コンタクト層54を介してソース電極55及びドレイン電極57が配置されている。TFT5上には保護絶縁膜4が配置されており、保護絶縁膜4上には画素電極6及びシールド7が配置されている。保護絶縁膜4にはコンタクトホール4aが形成されており、画素電極6の引出線61は、コンタクトホール4aを通じてTFT5のドレイン電極57に接続されている。シールド7は、画素電極6から離れて配置されており、画素電極6と電気的に接続されていない。すなわち、シールド7の電位は、画素電極6の電位から独立している。TFT5のゲート電極51は、CuやAl等の金属からなる。本実施形態において、ゲート電極51は帯状に延びる走査線に含まれている。換言すると、帯状に延びる走査線がゲート電極51を兼ねている。半導体層53は、非晶質Sia-Si等の半導体からなり、平面視においてゲート電極51の範囲内に配置されている。コンタクト層54は、n型非晶質Sina-Siからなる。ソース電極55及びドレイン電極57は、CuやAl等の金属からなり、平面視において半導体層53の範囲内に配置されている。ソース電極55は信号線59に接続されており、ドレイン電極57は画素電極6に接続されている。半導体層53のソース電極55とドレイン電極57との間の部分は、チャネルが形成されるチャネル形成領域53cである。ゲート絶縁膜3及び保護絶縁膜4は、SiN等の透明な絶縁材料からなる。画素電極6及びシールド7は、スズ添加酸化インジウムITO等の酸化物からなる透明導電膜である。また、TFT基板1は、透明基板2とゲート絶縁膜3との間に不図示の共通電極をさらに備えている。TFT基板1の保護絶縁膜4、画素電極6及びシールド7上には不図示の配向膜がさらに配置され、透明基板2の下面には不図示の偏光板が配置される。液晶表示装置では、TFT基板1と、カラーフィルターを備える不図示のCF基板と、の間に液晶層が挟持される。TFT5のソース電極55は、面内で二股に分かれた概略U字状の二股部55aを有している。ドレイン電極57は、全体として直線状に形成され、二股部55aの内側に挿入される挿入部57aと、二股部55aの外側に位置する接続部57dと、を有している。接続部57dには、コンタクトホール4aを通じて画素電極6の引出線61が接続される。半導体層53は、平面視においてソース電極55とドレイン電極57とを包含する形状を有している。ソース電極55の二股部55aの内縁と、ドレイン電極57の挿入部57aの外縁との間には、所定の幅の概略U字状の隙間が形成されており、その隙間の下方がチャネル形成領域53cとなっている。シールド7は、ソース電極55の二股部55aと、ドレイン電極57の挿入部57aと、チャネル形成領域53cとの上方に配置されている。すなわち、シールド7は、ソース電極55の二股部55aと、ドレイン電極57の挿入部57aと、チャネル形成領域53cとを包含可能な大きさの矩形状に形成されており、これらの上方を覆うように配置されている。また、シールド7は、ドレイン電極57の接続部57dに接続される画素電極6の引出線61から離れて配置されている。こうしたシールド7を設けることで、コンタクトホール4a付近に溜まった電荷の影響がチャネル形成領域53cに及ぶことを抑制できるので、チャネル形成領域53cにバックゲートチャネルが形成されることを抑制することが可能である。図2~図5は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の製造工程を表す図である。これらの図のうちAに係る断面図は、フォトリソグラフィー工程及びエッチングによる薄膜加工が終了し、フォトレジストが除去された状態を示している。Bに係るフローチャートは、当該状態に至るまでの主な工程を示している。ここで、フォトリソグラフィー工程とは、フォトレジストの塗布から、フォトマスクを使用した選択的な露光を経て、現像を行うまでの、レジストパターンを形成する一連の処理を含む工程であり、以下では詳細な説明を省略する。図2に示される工程では、ゲート電極51及び不図示の共通電極が形成される。具体的には、始めに、透明基板2上にスパッタリングによりCuやAl等の金属からなる金属膜が形成されるS11。次いで、第1のフォト工程により金属膜上にレジストパターンが形成されるS12。次いで、金属膜がエッチングされるS13。その後、フォトレジストが剥離されるS14。これにより、透明基板2上にゲート電極51及び不図示の共通電極が形成される。なお、ハーフトーンマスクを利用して、ゲート電極51を透明導電膜と金属膜との2層で構成し、不図示の共通電極を透明導電膜の1層のみで構成してもよい。図3に示される工程では、ゲート絶縁膜3、半導体層53、コンタクト層54、ソース電極55及びドレイン電極57が形成される。具体的には、CVD装置の反応室内にアンモニアガス、シランガス及び窒素ガスが導入されることでSiNxからなる絶縁膜が形成される。続いて、シランガス及び水素ガスが導入されることで非晶質Siからなるa-Si:H層が形成される。続いて、シランガス、水素ガス及びホスフィンガスが導入されることでn型非晶質Sina-Si:Hからなるna-Si:H層が形成される。続いて、スパッタリングによりCuやAl等の金属からなる金属膜が形成されるS21。次いで、第2のフォト工程により金属膜上にハーフトーンマスクを利用してレジストパターンが形成されるS22。ここでは、ソース電極55及びドレイン電極57が形成される領域にフォトレジストが比較的厚く形成される。チャネル形成領域53cが形成される領域にはフォトレジストが比較的薄く形成される。半導体層53が形成されない領域にはフォトレジストが形成されない。次いで、金属膜がエッチングされる。続いて、ドライエッチングガスによりna-Si:H層及びa-Si:H層がエッチングされるS23。次いで、フォトレジストの薄く形成された部分がハーフアッシングにより除去されるS24。次いで、ハーフアッシングにより露出した領域の金属膜がエッチングされ、続いて、na-Si:H層がエッチングされるS25。その後、フォトレジストが剥離されるS26。これにより、ゲート電極51上にゲート絶縁膜3、半導体層53、コンタクト層54、ソース電極55及びドレイン電極57が形成される。また、ソース電極55とドレイン電極57との間にはチャネル形成領域53cが形成される。図4に示される工程では、保護絶縁膜4が形成される。具体的には、始めに、CVD装置の反応室内にアンモニアガス、シランガス及び窒素ガスが導入されることで、SiNxからなる絶縁膜が形成されるS31。次いで、第3のフォト工程により絶縁膜上にレジストパターンが形成されるS32。次いで、ドライエッチングガスにより絶縁膜がエッチングされるS33。このとき、絶縁膜には、底面にドレイン電極57が露出するコンタクトホール4aが形成される。その後、フォトレジストが剥離されるS34。これにより、ソース電極55及びドレイン電極57上には保護絶縁膜4が形成されると共に、保護絶縁膜4にはコンタクトホール4aが形成される。図5に示される工程では、画素電極6及びシールド7が形成される。具体的には、始めに、保護絶縁膜4上にスパッタリングによりITO等の酸化物からなる透明導電膜が形成されるS41。次いで、第4のフォト工程により透明導電膜上にレジストパターンが形成されるS42。次いで、透明導電膜がエッチングされるS43。その後、フォトレジストが剥離されるS44。これにより、保護絶縁膜4上に画素電極6及びシールド7が形成される。画素電極6は、保護絶縁膜4に形成されたコンタクトホール4aを埋めて、その底面に露出したドレイン電極57に接続される。シールド7は、画素電極6から離れて配置される。そして、保護絶縁膜4、画素電極6及びシールド7上に不図示の配向膜が形成され、透明基板2の下面に不図示の偏光板が配置されることで、TFT基板1が完成する。さらに、TFT基板1と、カラーフィルターを備える不図示のCF基板との間に液晶層を保持する液晶パネルを形成し、液晶パネルに駆動回路などを組み付けることで、液晶表示装置が完成する。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形実施が当業者にとって可能であるのはもちろんである。例えば、図6に示されるように、シールド7は、平面視においてチャネル形成領域53cとコンタクトホール4aとの間に配置されてもよい。本例において、シールド7は、ソース電極55とコンタクトホール4aとの間で、これらの間を横切るように帯状に延びている。これによると、コンタクトホール4a付近に溜まった電荷の影響がチャネル形成領域53cに及ぶことを抑制できるので、チャネル形成領域53cにバックゲートチャネルが形成されることを抑制することが可能である。また、図7に示されるように、シールド7は、平面視においてコンタクトホール4aに対してチャネル形成領域53cとは逆側に配置されてもよい。これによると、コンタクトホール4a付近に溜まった電荷の影響がシールド7に及ぶので、コンタクトホール4a付近に溜まった電荷の影響がチャネル形成領域53cに及ぶことを抑制することが可能である。また、図8に示されるように、シールド7は、平面視においてコンタクトホール4aの周囲の一部を取り囲むように配置されてもよい。これによると、画素電極6の引出線61のコンタクトホール4a付近に溜まった電荷の影響が外方に広がることが抑制されるので、コンタクトホール4a付近に溜まった電荷の影響がチャネル形成領域53cに及ぶことを抑制することが可能である。また、図9に示されるように、シールド7は、隣接する画素のシールド7と接続線72を介して互いに接続されてもよい。これによると、各々の画素に設けられたシールド7の電位を共通化することが可能である。なお、以上に説明した複数の例が適宜組み合わされてもよい。また、チャネル形成領域53cの上方のみにシールド7が形成されてもよい。