波長が短い第1レーザー光を放射する第1レーザーチップ、第1レーザー光より波長が長い第2レーザー光を放射する第2レーザーチップ及び第2レーザー光より波長が長い第3レーザー光を放射する第3レーザーチップが同一の筐体内に設けられている3波長レーザーダイオードから放射される各レーザー光を光ディスクの表面から信号記録層までの距離が異なる第1光ディスク、第2光ディスク及び第3光ディスクに設けられている信号記録層に集光させるとともに各信号記録層から反射される第1レーザー光の戻り光を受光する第1受光部、第2レーザー光の戻り光を受光する第2受光部及び第3レーザー光の戻り光を受光する第3受光部が同一の筐体内に設けられている光検出器を備えた光ピックアップ装置において、前記第2受光部及び第3受光部を4つに分割された4分割センサーにて構成するとともに前記第1受光部を4分割以上のセンサーにて構成したことを特徴とする光ピックアップ装置。第1受光部を構成する各センサーより得られる信号のレベルを調整する利得調整回路を各センサーに設けたことを特徴とする請求項1に記載の光ピックアップ装置。利得調整回路の利得を調整することによって第1受光部の位置調整を行うようにしたことを特徴とする請求項2に記載の光ピックアップ装置。第1受光部の分割数を3波長レーザーダイオードに組み込まれるレーザーチップの配置ずれの大きさに基づいて設定するようにしたことを特徴とする請求項1に記載の光ピックアップ装置。特許文献2に記載されているような3波長レーザーダイオードを使用する光ピックアップ装置について、図5及び図6を参照して説明する。図5において、1は例えば波長が405nmの青紫色光である第1レーザー光を生成放射する第1レーザーチップ、例えば波長が655nmの赤色光である第2レーザー光を生成放射する第2レーザーチップ及び例えば波長が785nmの赤外色光である第3レーザー光を生成放射する第3レーザーチップが同一のケース内に収納されている3波長レーザーダイオードである。2は前記3波長レーザーダイオード1から放射される第1レーザー光、第2レーザー光及び第3レーザー光が入射される回折格子であり、波長が異なる各レーザー光を0次光であるメインビーム、1次光及び-1次光である2つのサブビームに分離する回折格子部2aと入射されるレーザー光をS方向の直線偏光光に変換する1/2波長板2bとより構成されている。3は前記回折格子2を透過して入射される第1レーザー光、第2レーザー光及び第3レーザー光のS偏光光を反射させるとともに後述する光路を通して光ディスクから反射されてくる第1レーザー光、第2レーザー光及び第3レーザー光の戻り光であるP偏光光を透過させる制御膜3aが形成されている偏光ビームスプリッタである。4は前記偏光ビームスプリッタ3にて反射された第1レーザー光、第2レーザー光及び第3レーザー光が入射される位置に設けられているとともに3つの異なる波長のレーザー光に対応して入射されるレーザー光を直線偏光光から円偏光光に、また反対に円偏光光から直線偏光光に変換する作用を成す3波長対応型の1/4波長板である。5は前記1/4波長板4を透過した第1レーザー光、第2レーザー光及び第3レーザー光が入射されるとともに入射されるレーザー光を平行光に変換するコリメートレンズであり、該コリメートレンズ5の光軸方向への変位動作によって光ディスクの保護層の厚さに起因して生じる球面収差を補正するように構成されている。6は前記コリメートレンズ5を光軸方向へ変位させる収差補正用モーターである。7は第1レーザー光を第1光ディスクD1に設けられている信号記録層L1に集光する第1対物レンズ、8は第2レーザー光を第2光ディスクD2に設けられている信号記録層L2に集光させるとともに第3レーザー光を第3光ディスクD3に設けられている信号記録層L3に集光させる2波長対応の第2対物レンズである。斯かる構成において、第1対物レンズ7と第2対物レンズ8とは、例えば4本の支持ワイヤーによって光ディスクの面に対して直角方向であるフォーカシング方向への変位動作及び光ディスクの径方向であるトラッキング方向への変位動作を行うことが出来るように支持されているレンズホルダーと呼ばれる部材に搭載されている。前記コリメートレンズ5を透過した第1レーザー光、第2レーザー光及び第3レーザー光は、図6に示す光学系によって第1対物レンズ7及び第2対物レンズ8に導かれるように構成されている。図6において、9は波長選択性素子であり、第1レーザー光を透過させるとともに第2レーザー光及び第3レーザー光を第2対物レンズ8方向へ反射させるように構成されている。10は前記波長選択性素子9を透過した第1レーザー光を第1対物レンズ7方向へ反射させる立ち上げミラーである。斯かる構成は特許文献1に記載されている技術と同一であるので、その説明は省略する。斯かる構成において、コリメートレンズ5を透過した第1レーザー光は、前記波長選択性素子9を透過するとともに立ち上げミラー10にて反射されて第1対物レンズ7に入射されることになる。このようにして第1対物レンズ7に入射された第1レーザー光は、該第1対物レンズ7の集光動作によって第1光ディスクD1に設けられている信号記録層L1に集光されることになる。また、前記コリメートレンズ5を透過した第2レーザー光は、前記波長選択性素子9にて反射されて第2対物レンズ8に入射されることになる。このようにして第2対物レンズ8に入射された第2レーザー光は、該第2対物レンズ8の集光動作によって第2光ディスクD2に設けられている信号記録層L2に集光されることになる。そして、コリメートレンズ5を透過した第3レーザー光は、前記波長選択性素子9にて反射されて第2対物レンズ8に入射されることになる。このようにして第2対物レンズ8に入射された第3レーザー光は、該第2対物レンズ8の集光動作によって第3光ディスクD3に設けられている信号記録層L3に集光されることになる。斯かる構成において、3波長レーザーダイオード1に組み込まれている第1レーザーチップから放射された第1レーザー光は、回折格子2、偏光ビームスプリッタ3、1/4波長板4、コリメートレンズ5、波長選択性素子9及び立ち上げミラー10を介して第1対物レンズ7に入射された後、該第1対物レンズ7の集光動作によって第1光ディスクD1に設けられている信号記録層L1に集光スポットとして照射されるが、前記信号記録層L1に照射された第1レーザー光は該信号記録層L1にて戻り光として反射されることになる。また、3波長レーザーダイオード1に組み込まれている第2レーザーチップから放射された第2レーザー光は、回折格子2、偏光ビームスプリッタ3、1/4波長板4、コリメートレンズ5及び波長選択性素子9を介して第2対物レンズ8に入射された後、該第2対物レンズ8の集光動作によって第2光ディスクD2に設けられている信号記録層L2に集光スポットとして照射されるが、前記信号記録層L2に照射された第2レーザー光は該信号記録層L2にて戻り光として反射されることになる。そして、3波長レーザーダイオード3に組み込まれている第3レーザーチップから放射された第3レーザー光は、回折格子2、偏光ビームスプリッタ3、1/4波長板4、コリメートレンズ5及び波長選択性素子9を介して第2対物レンズ8に入射された後、該第2対物レンズ8の集光動作によって第3光ディスクD3に設けられている信号記録層L3に集光スポットとして照射されるが、前記信号記録層L3に照射された第3レーザー光は該信号記録層L3にて戻り光として反射されることになる。第1光ディスクD1の信号記録層L1から反射された第1レーザー光の戻り光は、第1対物レンズ7、立ち上げミラー10、波長選択性素子9、コリメートレンズ5及び1/4波長板4を通して偏光ビームスプリッタ3に入射される。このようにして偏光ビームスプリッタ3に入射される戻り光は、前記1/4波長板4による位相変更動作によってP方向の直線偏光光に変更されている。従って、斯かる第1レーザー光の戻り光は前記偏光ビームスプリッタ3の制御膜3aにて反射されることはなく、制御用レーザー光として該偏光ビームスプリッタ3を透過することになる。また、第2光ディスクD2の信号記録層L2から反射された第2レーザー光の戻り光は、第2対物レンズ8、波長選択性素子9、コリメートレンズ5及び1/4波長板4を通して偏光ビームスプリッタ3に入射される。このようにして偏光ビームスプリッタ3に入射される戻り光は、前記1/4波長板4による位相変更動作によってP方向の直線偏光光に変更されている。従って、斯かる第2レーザー光の戻り光は前記偏光ビームスプリッタ3の制御膜3aにて反射されることはなく、制御用レーザー光として該偏光ビームスプリッタ3を透過することになる。そして、第3光ディスクD3の信号記録層L3から反射された第3レーザー光の戻り光は、第2対物レンズ8、波長選択性素子9、コリメートレンズ5及び1/4波長板4を通して偏光ビームスプリッタ3に入射される。このようにして偏光ビームスプリッタ3に入射される戻り光は、前記1/4波長板4による位相変更動作によってP方向の直線偏光光に変更されている。従って、斯かる第3レーザー光の戻り光は前記偏光ビームスプリッタ3の制御膜3aにて反射されることはなく、制御用レーザー光として該偏光ビームスプリッタ3を透過することになる。11は前記偏光ビームスプリッタ3の制御膜3aを透過した戻り光である制御用レーザー光が入射されるセンサーレンズであり、フォーカス制御動作やトラッキング制御動作を行う信号を生成するために該制御用レーザー光に対して作用するものである。12は前記センサーレンズ11を通して制御用レーザー光が照射される光検出器であり、周知の4分割センサー等が第1レーザー光、第2レーザー光及び第3レーザー光に対応して設けられており、メインビームの照射動作によって光ディスクの信号記録層に記録されている信号の読み出し動作に伴う信号生成動作及び非点収差法によるフォーカシング制御動作を行うためのフォーカスエラー信号生成動作、そして2つのサブビームの照射動作によってトラッキング制御動作を行うためのトラッキングエラー信号生成動作を行うように構成されている。斯かる各種の信号生成のための制御動作は、周知であるので、その説明は省略する。異なる波長の第1レーザー光、第2レーザー光及び第3レーザー光を放射する3つのレーザーチップが同一の筐体内に設けられている3波長レーザーダイオード1及び第1レーザー光、第2レーザー光及び第3レーザー光の戻り光に対応したセンサーが同一の筐体内に設けられている光検出器12を使用する光ピックアップ装置は、前述したように構成されているが、次に3波長レーザーダイオード1及び光検出器12について図3及び図4を参照にして説明する。図3は3波長レーザーダイオード1に組み込まれているレーザーチップの配置を示すものであり、1aは波長が短い第1レーザー光を放射する第1レーザーチップ、1bは前記第1レーザー光より波長が長い第2レーザー光を放射する第2レーザーチップ、1cは前記第2レーザー光より波長が長い第3レーザー光を放射する第3レーザーチップである。斯かる構成において、第2レーザーチップ1bと第3レーザーチップ1cとは、単一の基板上に半導体技術であるモノリシック技術にて製造され、第1レーザーチップ1aは、前記第2レーザーチップ1b及び第3レーザーチップ1cが形成されている基板とは異なる基板上に形成されており、両者はハイブリッド技術によって1つの筐体内に設けられている。3波長レーザーダイオード1に組み込まれる第2レーザーチップ1bと第3レーザーチップ1cとは、前述したようにモノリシック技術にて製造されているので、両者の位置関係は誤差が少なく正確な位置に配置されるが、第1レーザーチップ1aはハイブリッド技術によって3波長レーザーダイオード1の筐体内に組み込まれるので、その配置には誤差が生じることになる。図4は光検出器12に組み込まれている4分割センサーの配置を示すものであり、12aは第1レーザー光の戻り光が照射される位置に設けられている第1受光部、12bは第2レーザー光の戻り光が照射される位置に設けられている第2受光部、12cは前記第3レーザー光の戻り光が照射される位置に設けられている第3受光部である。図4は第1レーザー光、第2レーザー光及び第3レーザー光を構成するメインビームが照射されるメインビーム用の受光部を示すものであり、サブビーム用の受光部は、メインビーム用の受光部に対して最適な位置に配置されている。即ち、メインビームが照射されるメインビーム用の受光部に対してレーザー光のメインビームが最適な位置にて照射されている場合には、サブビーム用の受光部に対してサブビームが最適な位置にて照射されるようにされている。また、第1レーザー光の戻り光が照射される第1受光部12a、第2レーザー光の戻り光が照射される第2受光部12b及び第3レーザー光の戻り光が照射される第3受光部12cは、図示したように4つに分割されたセンサーにて構成されている。斯かる4つに分割されたセンサーから得られる信号を利用してフォーカスエラー信号等を周知のように生成するように構成されている。図4において、M1は第1レーザー光の戻り光が照射されて第1受光部12a上に生成される第1レーザースポット、M2は第2レーザー光の戻り光が照射されて第2受光部12b上に生成される第2レーザースポット、M3は第3レーザー光の戻り光が照射されて第3受光部12c上に生成される第3レーザースポットである。図4は第1レーザースポットM1、第2レーザースポットM2及び第3レーザースポットM3が、夫々第1受光部12a、第2受光部12b及び第3受光部12cに設けられている4分割センサーを構成する4つのセンサーの中心部、即ち最適な位置に照射された状態を示すものである。光ピックアップ装置の組み立て作業によって光検出器12の位置を調整するXYポジション調整が行われるが、斯かる調整動作は第2レーザー光の戻り光が照射される第2受光部12b及び第3レーザー光の戻り光が照射される第3受光部12cに対して行われる。即ち、第2レーザー光を生成放射する第2レーザーチップ1bと第3レーザー光を生成放射する第3レーザーチップ1cは、前述したようにモノリシック技術にて製造されているので、両者の位置関係は正確に設定することが出来る。従って、例えば第2レーザー光の戻り光にて生成される第2レーザースポットM2の位置を第2受光部12bの中央部、即ち最適な位置になるようにXYポジション調整を行えば第3レーザー光の戻り光にて生成される第3レーザースポットM3の位置を第3受光部12cの中央部、即ち最適な位置に配置させることが出来る。図2は前述した調整動作を行った状態を示すものであり、第2レーザースポットM2及び第3レーザースポットM3は、第2受光部12b及び第3受光部12cの最適な位置に照射生成される。斯かるXYポジション調整が行われた状態において、第1レーザー光の戻り光が照射されて生成される第1レーザースポットM1は図示したように第1受光部12aの最適な位置よりずれることがある。斯かる第1レーザースポットM1が第1受光部12aの最適な位置からずれる原因は、3波長レーザーダイオード1に組み込まれる第1レーザーチップ1aの位置が第2レーザーチップ1b及び第3レーザーチップ1cに対する最適な設定位置からずれることにある。第1レーザースポットM1の位置が最適な位置からずれている場合には、第2受光部12bと第2レーザースポットM2との位置関係や第3受光部12cと第3レーザースポットM3とのの位置関係を考慮しながら再度XYポジション調整が行われるが、調整不可能な場合があり、不良品として処分されるという問題がある。本発明は、斯かる問題を解決することが出来る光ピックアップ装置を提供しようとするものである。本発明は、波長が短い第1レーザー光を放射する第1レーザーチップ、第1レーザー光より波長が長い第2レーザー光を放射する第2レーザーチップ及び第2レーザー光より波長が長い第3レーザー光を放射する第3レーザーチップが同一の筐体内に設けられている3波長レーザーダイオードから放射される各レーザー光を光ディスクの表面から信号記録層までの距離が異なる第1光ディスク、第2光ディスク及び第3光ディスクに設けられている信号記録層に集光させるとともに各信号記録層から反射される第1レーザー光の戻り光を受光する第1受光部、第2レーザー光の戻り光を受光する第2受光部及び第3レーザー光の戻り光を受光する第3受光部が同一の筐体内に設けられている光検出器を備え、前記第2受光部及び第3受光部を4つに分割された4分割センサーにて構成するとともに前記第1受光部を4分割以上のセンサーにて構成したことを特徴とするものである。また、本発明は、第1受光部を構成する各センサーより得られる信号のレベルを調整する利得調整回路を各センサーに設けたことを特徴とするものである。そして、本発明は、利得調整回路の利得を調整することによって第1受光部の位置調整を行うようにしたことを特徴とするものである。また、本発明は、第1受光部の分割数を3波長レーザーダイオードに組み込まれるレーザーチップの配置ずれの大きさに基づいて設定するようにしたことを特徴とするものである。本発明は、波長が短い第1レーザー光を放射する第1レーザーチップ、第1レーザー光より波長が長い第2レーザー光を放射する第2レーザーチップ及び第2レーザー光より波長が長い第3レーザー光を放射する第3レーザーチップが同一の筐体内に設けられている3波長レーザーダイオードから放射される各レーザー光を光ディスクの表面から信号記録層までの距離が異なる第1光ディスク、第2光ディスク及び第3光ディスクに設けられている信号記録層に集光させるとともに各信号記録層から反射される第1レーザー光の戻り光を受光する第1受光部、第2レーザー光の戻り光を受光する第2受光部及び第3レーザー光の戻り光を受光する第3受光部が同一の筐体内に設けられている光検出器を備え、前記第2受光部及び第3受光部を4つに分割された4分割センサーにて構成するとともに前記第1受光部を4分割以上のセンサーにて構成したので、3波長レーザーダイオードに組み込まれているレーザーチップの位置ずれに起因して光検出器に組み込まれている受光部に対して戻り光のレーザースポットの位置がずれていても信号の生成動作を正確に行うことが出来る。従って、本発明によれば、3つのレーザーチップが組み込まれた3波長レーザーダイオード及び3つの受光部が組み込まれた1つの光検出器を使用して異なる3つの規格の光ディスクに記録されている信号の読み出し動作を行うことが出来る光ピックアップ装置を提供することが出来る。異なる3つの波長のレーザー光を放射する3波長レーザーダイオードと各波長の戻り光が照射される3つの受光部を備えた光検出器が組み込まれた光ピックアップ装置に関するものである。図1は本発明の光ピックアップ装置に係る光検出器の一実施例を示す概略図である。本発明は、光検出器12を構成する第1受光部12aを例えば図示したように16分割させるとともに16分割された各センサーより得られる信号のレベルを調整する利得調整回路を各センサーに設けたことを特徴するものである。斯かる利得調整回路は、特許文献3に記載されているような技術を利用すれば良いので、その説明は省略する。XYポジション調整によって第2受光部12b及び第3受光部12cに対する第2レーザースポットM2及び第3レーザースポットM3の位置が最適な位置に調整された状態にあるとき、第1受光部12aに対する第1レーザースポットM1の位置が図2に示したようにずれていた場合には、本発明では、図1に示すような状態になる。斯かる図面より明らかなように第1レーザースポットM1は、第1受光部12aを構成する16分割されたセンサーの中のセンサーA、B、C、Dに照射された状態になる。斯かる状態では、センサーA、B、C、Dが4分割センサーとして作用する状態にあるため、このセンサーA、B、C、Dから得られる信号を利用することによってフォーカスエラー信号等の制御信号を得ることが出来る。このようにして前記センサーA、B、C、Dから制御信号を得ることが出来るが、第1レーザースポットM1の位置が前記センサーA、B、C、Dの中央部に位置することは稀である。従って、前記センサーA、B、C、Dの各センサーから得られる信号のレベルが相違することになる。従って、本発明の光検出器においては、前記センサーA、B、C、Dの各センサーから得られる信号のレベルが同一になるように各センサーには出力信号のレベルを調整する利得調整回路が設けられている。斯かる各センサーから得られる信号のレベルを調整する利得調整回路を設けることによって前記センサーA、B、C、Dを4分割センサーとして動作させることが出来る。図1に示した状態では、第1レーザースポットM1が照射されるセンサーがA、B、C及びDの4つであったが、照射されるセンサーの数は5から6になるように第1レーザースポットM1の径とセンサーの面積は設定されている。また、例えば第1受光部12aを4つの分割センサーにて構成し、第1レーザースポットM1が全てのセンサーに照射されている場合、即ち照射位置のずれが小さい場合には、各センサーの利得を調整するべく設けられている利得調整回路にてずれを調整することが出来る。しかしながら、4つの分割センサーの全てのセンサーに第1レーザースポットM1が照射されていない場合、即ち照射位置のずれが大きい場合には、第1受光部12aの分割数を6以上に設定することになる。本実施例では、第1レーザースポットM1の照射位置のずれが非常に大きいので、第1受光部12aを16分割したが、その数は4以上であれば良く、3波長レーザーダイオード1に組み込まれる各レーザーチップのずれ量に基づいて選定されることになる。