基板上に、空洞と、前記空洞を挟む絶縁層と、前記空洞と絶縁層を挟む上層電極と下層電極を設けて超音波振動素子を形成し、前記基板をバッキングに低弾性部材を介して保持し、前記電極間に直流電圧と交流電圧を印加して、前記超音波振動素子を振動させる超音波探触子において、前記バッキングの音響インピーダンスが、前記基板と前記低弾性部材から成る機械インピーダンスの±1MRayls以内としたことを特徴とする超音波探触子。請求項1記載の超音波探触子において、前記機械インピーダンスは、前記基板の質量と前記低弾性部材のばね定数から成ることを特徴とする超音波探触子。請求項1記載の超音波探触子において、前記基板と前記低弾性部材から成る機械インピーダンスと、前記バッキングの音響インピーダンスとを概ね同じ値としたことを特徴とする超音波探触子。請求項1記載の超音波探触子において、前記基板の質量と前記低弾性部材のばね定数から成る機械インピーダンスの値をZx、バッキングの音響インピーダンスの値をZyとしたとき、前記ZxとZyが次の3つの式をともに満たす範囲の値としたことを特徴とする超音波探触子。Zx≦7.4MRayls、Zy≦8.3MRayls106kg/m2s、Zy≧0.883Zx-0.532MRayls請求項1に記載の超音波探触子において、前記基板がシリコン基板であることを特徴とする超音波探触子。請求項5に記載の超音波探触子において、前記シリコン基板厚さが50μm以下であることを特徴とする超音波探触子。請求項1に記載の超音波探触子において、前記バッキングは長軸側の線膨張係数が短軸側の線膨張係数より小さいことを特徴とする超音波探触子。請求項1記載の超音波探触子において、前記バッキングは炭素繊維を含有する樹脂であることを特徴とする超音波探触子。請求項8記載の超音波探触子において、前記樹脂には、シリカ、タングステン等の低熱膨張で密度の異なる粒子を添加したことを特徴とする超音波探触子。請求項1に記載の超音波探触子において、前記基板と前記低弾性部材の機械的な振動の共振周波数の略1/2の周波数を、超音波駆動の中心周波数としたことを特徴とする超音波探触子。請求項1に記載の超音波探触子を用いて、被検体からの超音波診断画像を得る超音波診断装置。超音波診断装置に使用する超音波探触子は、超音波を、被検体に送波し、被検体から反射してきた超音波を受波してこれを画像化する。超音波は、音響インピーダンスの異なる物体の界面で反射する性質がある。そのため超音波探触子を構成する超音波送受信デバイスや前面に設置される音響レンズ、背面に設置されるバッキング等の界面での超音波の反射により、画質の低下がみられる。前面に関して、音響レンズと超音波送受信デバイスの間に中間の音響インピーダンスを持つ整合層を設けて反射を低減する方法が主流となっている。背面に関しては、バッキングで、背面に伝達した超音波を減衰するために、バッキングの音響インピーダンスと超音波送受信デバイスの音響インピーダンスを等しくする手法がとられることが多い。しかしながら、背面からの反射は下記に述べるようにCMUT固有の原因からきており、従来の音響インピーダンスを等しくする方法では反射を低減することが難しかった。本発明は、前記の背面反射の原因を追及し、改善する手段を講じて、超音波送受信デバイスから背面に放出される超音波の反射を低減し、高画質な診断画像を得ることを目的とする。より具体的には、CMUTを用いた探触子では、空洞上のメンブレインに加わった振動はメンブレインを支える狭いリムを介してシリコン基板に伝達され、シリコン基板内を円筒状に拡散して広がる過程で反射が発生することが新たにわかった。この背面での音響反射を広帯域で防止する構造を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の超音波探触子は、基板上に、空洞と、前記空洞を挟む絶縁層と、前記空洞と絶縁層を挟む上層電極と下層電極を設けて超音波振動素子を形成し、前記基板をバッキングに低弾性部材を介して保持し、前記電極間に直流電圧と交流電圧を印加して、前記超音波振動素子を振動させる超音波探触子において、前記バッキングの音響インピーダンスが、前記基板と前記低弾性部材から成る機械インピーダンスの±1MRayls以内としたことを特徴とするものである。本発明の超音波診断装置は、上記の超音波探触子を用いて、被検体からの超音波診断画像を得るものである。本発明によれば、超音波送受信デバイスから背面に放出される超音波の反射を低減することができる超音波探触子を提供することができ、さらに、本発明の超音波探触子を使用して高画質な診断画像を提示できる超音波診断装置を提供できる。本発明の実施の形態について、図1~図14を用いて説明する。超音波送受信デバイス以内とすればよい。また、基板と低弾性部材から成る機械インピーダンスと、バッキングの音響インピーダンスとを概ね同じ値とすればよい。また、図14において、反射率-10dB以下が得られる、低弾性部材5および基板22の機械インピーダンスの範囲は、7.4MRayl以下であり、バッキング3の音響インピーダンスZは8.3MRayl以下である。反射率-10dB以下の領域は、直線D、E、Fで囲まれる領域で規定される。基板の質量と低弾性部材のばね定数から成る機械インピーダンスの値をZx、バッキングの音響インピーダンスの値をZyとすると、この領域は次の数5、数6、数7の式をともに満たす範囲となり、背面の反射を低減することができる。本実施例によれば、CMUTを用いた超音波探触子において、基板の質量と低弾性部材のばね定数から成る機械インピーダンスの値と、バッキングの音響インピーダンスの値の範囲を規定することにより、背面に放出される超音波の反射を低減することができ、高画質な診断画像を得ることができる。