処理される半導体ウェーハを支持するウェーハ支持具と、前記ウェーハ支持具を通って延び、上端部で前記ウェーハの裏面に当接する複数の細長いリフトピンとを包含する真空チャンバを有するプラズマリアクタにおいて、前記リアクタにおける前記ウェーハのプラズマ処理中に前記ウェーハの温度を連続的に監視する温度計測装置であって、前記リフトピンのうちの1つを通って延び、前記1つのリフトピンの上端部にほぼ符合する上端部を持ち、前記中空のリフトピンの下端部を通って延びる、下端部を有する光パイプと、前記光パイプの下端部に結合される光温度計測センサと、を含むことを特徴とする温度計測装置。前記光パイプは、サファイアロッドと、石英光ファイバと、のいずれか1つを含むことを特徴とする請求項1に記載の温度計測装置。前記光パイプの前記下端部に接続される1つの端部を持ち、前記光温度計測センサに接続される他の端部を有する可撓性光ファイバを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の温度計測装置。前記リアクタは、前記リフトピンの下端部を支持するリフトスパイダを更に含み、前記可撓性光ファイバは、前記リフトスパイダ及びリフトピンの動きに適応するように湾曲する、ことを特徴とする請求項3に記載の温度計測装置。製造プラズマリアクタにおける処理の間、製品ウェーハの温度をリアクタのプラズマ処理領域に対して非侵襲的に監視する方法であって、試験リアクタにおいて試験ウェーハの温度挙動を試験ウェーハのプラズマ処理中に観察する段階と、前記試験ウェーハのプラズマ処理中に、前記試験ウェーハ支持具の温度を計測して、前記試験ウェーハの温度を前記試験ウェーハ支持具の温度に相関させるメモリに情報を記憶する段階と、前記製造プラズマリアクタの製品ウェーハ支持具上に製品ウェーハを取り付ける段階と、前記製品ウェーハのプラズマ処理中に前記製品ウェーハ支持具の温度を計測する段階と、前記試験ウェーハ温度と前記試験ウェーハ支持具温度とを相関させる前記メモリの前記情報を使用して、前記製品ウェーハ支持具温度から前記製品ウェーハの温度を推測する段階と、を含むことを特徴とする方法。前記試験リアクタ及び前記製造リアクタは、同じリアクタであり、前記試験ウェーハ支持具及び前記製品ウェーハ支持具は、同じウェーハ支持具である、ことを特徴とする請求項5に記載の方法。製造プラズマリアクタにおける処理の間、製品ウェーハの温度を目標とする温度近くに維持する方法であって、試験ウェーハの裏面に光学反応性染料を持つ試験ウェーハを、試験リアクタの試験ウェーハ支持具の上に取り付ける段階と、前記試験ウェーハのプラズマ処理中に、前記試験ウェーハ裏面の前記染料の光学的挙動を前記試験ウェーハ支持具を通して光学的に観察して、前記試験リアクタにおいて前記試験ウェーハがプラズマとの相互作用によって加熱される時に前記試験ウェーハの温度を前記光学的挙動から導く段階と、前記試験ウェーハのプラズマ処理中に、前記試験ウェーハ支持具の温度を計測して、前記試験ウェーハの温度を前記試験ウェーハ支持具の温度に相関させるメモリに情報を記憶する段階と、前記製造リアクタの製品ウェーハ支持具上に製品ウェーハを取り付ける段階と、前記製品ウェーハのプラズマ処理中に前記製品ウェーハ支持具の温度を計測する段階と、前記試験ウェーハ温度と前記試験ウェーハ支持具温度とを相関させる前記メモリの前記情報を使用して、前記製品ウェーハ支持具温度から前記製品ウェーハの温度ドリフトを推測する段階と、前記製品ウェーハの前記温度ドリフトを最小限化するように、前記製品ウェーハ支持具に加えられる冷却剤の圧力を変化させる段階と、を含むことを特徴とする方法。前記試験リアクタ及び前記製造リアクタは、同じリアクタであり、前記試験ウェーハ支持具及び前記製品ウェーハ支持具は、同じウェーハ支持具である、ことを特徴とする請求項7に記載の方法。前記試験ウェーハの処理中に、冷却剤圧力を計測して、冷却剤圧力とウェーハ温度とを相関させる情報を前記メモリに記憶する段階と、前記製品ウェーハの処理中に、冷却剤圧力とウェーハ温度とを相関させる前記情報を使用して前記温度ドリフトから前記冷却剤圧力の最適な変更を推測する段階と、を更に含み、冷却剤圧力を変更する前記段階は、前記最適な変更に従って実行される、ことを特徴とする請求項7に記載の方法。製造プラズマリアクタにおける処理の間、製品ウェーハの温度を目標とする温度近くに維持する方法であって、試験ウェーハの裏面に光学反応性染料を持つ試験ウェーハを、試験リアクタの試験ウェーハ支持具の上に取り付ける段階と、プラズマ処理中に前記試験ウェーハ裏面の前記染料の光学的挙動を前記試験ウェーハ支持具を通して光学的に観察して、前記試験リアクタにおいて前記試験ウェーハがプラズマとの相互作用によって加熱される時に光学的挙動から前記試験ウェーハの温度を推測する段階と、前記推測する段階によって計測された前記試験ウェーハの温度を前記試験ウェーハの処理中に目標とするレベル近くに維持する前記試験ウェーハ支持具に加えられる冷却剤の冷却剤圧力の時間特性を確立する段階と、前記製造プラズマリアクタの製品ウェーハ支持具の上に製品ウェーハを取り付ける段階と、冷却剤を冷却剤圧力を用いて前記製品ウェーハ支持具に加えて、前記冷却剤圧力を前記時間特性に従って調節する段階と、を含むことを特徴とする方法。前記製造リアクタ及び前記試験リアクタは、同じリアクタであり、前記製品ウェーハ支持具及び前記試験ウェーハ支持具は、同じウェーハ支持具である、ことを特徴とする請求項10に記載の方法。前記時間特性に従って前記冷却剤圧力を調節する前記段階は、プラズマ点弧時に比較的低いレベルで前記冷却剤圧力を開始して、プラズマ処理中に前記製品ウェーハの加熱ができるように前記冷却剤圧力を時間と共に増加させる段階を含むことを特徴とする請求項10に記載の方法。前記冷却剤圧力の前記低いレベルは、目標とする製品ウェーハ温度に達するまで、プラズマ点弧に続く製品ウェーハ温度の最適な急速上昇を可能にするほど十分に低いことを特徴とする請求項12に記載の方法。前記試験ウェーハの処理中に、前記試験ウェーハ支持具の温度を計測して、ウェーハ温度をウェーハ支持具温度と相関させる情報をメモリに記憶する段階と、前記製品ウェーハのプラズマ処理中に前記製品ウェーハ支持具の温度を計測する段階と、前記ウェーハ温度と前記ウェーハ支持具温度とを相関させる前記メモリの前記情報を使用して、前記ウェーハ支持具温度から前記製品ウェーハの温度ドリフトを推測する段階と、前記製品ウェーハの前記温度ドリフトを最小限化するように、冷却剤圧力を変化させる段階と、を更に含むことを特徴とする請求項10に記載の方法。プラズマ処理領域内のウェーハ支持具上の半導体ウェーハを処理するプラズマリアクタにおいて、前記ウェーハの温度を目標とする温度近くに維持する装置であって、冷却剤を制御可能な冷却剤圧力でウェーハ支持具に加える冷却剤供給装置と、ウェーハ支持具に結合される温度センサと、ウェーハ支持具温度をウェーハの温度と相関させる情報を記憶するメモリと、ウェーハ温度とウェーハ支持具温度とを相関させるメモリの情報を使用して、ウェーハ支持具温度からウェーハの温度ドリフトを推測することができ、前記温度ドリフトを修正するのに役立つ前記冷却剤圧力の変化を温度ドリフトから判断することができるプロセッサと、を含むことを特徴とする装置。ウェーハ温度及び冷却剤圧力を相関させる前記メモリの情報を更に含み、前記プロセッサは、ウェーハ温度及び冷却剤圧力を相関させる前記情報を使用して、前記温度ドリフトから冷却剤圧力の変化を判断する、ことを特徴とする請求項15に記載の装置。ウェーハ温度及びウェーハ支持具温度を相関させる前記メモリの情報は、プラズマリアクタにおいて試験ウェーハの処理中に、ウェーハ支持具を通すウェーハ裏面の光学的温度検出により試験ウェーハの温度を計測する方法によって得られることを特徴とする請求項15に記載の装置。ウェーハ温度及び冷却剤圧力を相関させる前記メモリの情報は、プラズマリアクタにおいて試験ウェーハの処理中に、ウェーハ支持具を通すウェーハ裏面の光学的温度検出により試験ウェーハの温度を計測する方法によって得られることを特徴とする請求項16に記載の装置。ウェーハ温度、ウェーハ支持具温度、及び、冷却剤圧力を相関させる情報は、ウェーハ温度、ウェーハ支持具温度、及び、冷却剤圧力を関連させる数学方程式に対応することを特徴とする請求項16に記載の装置。前記ウェーハ支持具温度は、前記ウェーハに直接接触する、前記ウェーハ支持具のセラミックパックにおいて計測されることを特徴とする請求項16に記載の装置。製造プラズマリアクタにおける処理の間、ウェーハを静電的にしっかりと締め付ける前記製造リアクタの静電チャック上に支持されている製品ウェーハの温度を目標とする温度近くに維持し、前記製品ウェーハに対する冷却剤圧力には製造リアクタのプラズマ処理領域におけるチャックの締め付け力が対抗するような方法であって、試験リアクタの試験ウェーハ支持具上に装着された試験ウェーハをプラズマ処理する間に、試験ウェーハ及び試験ウェーハ支持具の温度を計測して、前記試験ウェーハの温度を前記試験ウェーハ支持具の温度と相関させる情報をメモリに記憶する段階と、前記製造リアクタの前記静電チャックの上に製品ウェーハを取り付ける段階と、前記製品ウェーハのプラズマ処理の間、前記チャックの製品ウェーハ支持具の温度を計測する段階と、前記試験ウェーハ温度と前記試験ウェーハ支持具温度とを相関させる前記メモリの前記情報を使用して、前記製品ウェーハ支持具温度から前記製品ウェーハの温度ドリフトを推測する段階と、前記製品ウェーハの前記温度ドリフトを最小限化するように、前記製品ウェーハ支持具に加えられる冷却剤の圧力を変化させる段階と、を含むことを特徴とする方法。前記製品ウェーハをチャックから取り外す前に、前記リアクタのプラズマRF高周波電源電力を減少させる段階と、前記冷却剤圧力を除去する段階と、を更に含み、それにより、プラズマRF電源電力の減少が冷却剤圧力を除去する際のウェーハの過熱を防止する、ことを特徴とする請求項21に記載の方法。前記試験ウェーハの処理中に、冷却剤圧力を計測して、冷却剤圧力とウェーハ温度とを相関させる情報を前記メモリに記憶する段階と、前記製品ウェーハの処理中に、冷却剤圧力とウェーハ温度とを相関させる前記情報を使用して前記温度ドリフトから前記冷却剤圧力の最適な変更を推測する段階と、を更に含み、冷却剤圧力を変更する前記段階は、前記最適な変更に従って実行される、ことを特徴とする請求項21に記載の方法。プラズマリアクタにおける処理の間、ウェーハを静電的にしっかりと締め付ける静電チャック上に支持されている製品ウェーハの温度を目標とする温度近くに維持し、前記ウェーハに対する冷却剤圧力にはリアクタのプラズマ処理領域におけるチャックの締め付け力が対抗するような方法であって、試験ウェーハの裏面に光学反応性染料を持つ試験ウェーハを、前記リアクタのウェーハ支持具の上に取り付ける段階と、プラズマ処理中に前記ウェーハ裏面の前記染料の光学的挙動を前記ウェーハ支持具を通して光学的に観察して、前記リアクタにおいて前記ウェーハがプラズマとの相互作用によって加熱される時に光学的挙動から前記ウェーハの温度を推測する段階と、前記推測する段階によって計測された前記ウェーハの温度を前記試験ウェーハの処理中に目標とするレベル近くに維持する前記ウェーハ支持具に加えられる冷却剤の冷却剤圧力の時間特性を確立する段階と、プラズマリアクタのウェーハ支持具の上に製品ウェーハを取り付ける段階と、前記製品ウェーハを支える前記ウェーハ支持具に冷却剤圧力を用いて冷却剤を加え、前記冷却剤圧力を前記時間特性に従って調節する段階と、を含むことを特徴とする方法。前記製品ウェーハをチャックから取り外す前に、前記リアクタのプラズマRF高周波電源電力を減少させる段階と、前記冷却剤圧力を除去する段階と、を更に含み、それにより、プラズマRF電源電力の減少が冷却剤圧力を除去する際のウェーハの過熱を防止する、ことを特徴とする請求項24に記載の方法。前記時間特性に従って前記冷却剤圧力を調節する前記段階は、プラズマ点弧時に比較的低いレベルで前記冷却剤圧力を開始して、プラズマ処理中に前記ウェーハの加熱ができるように前記冷却剤圧力を時間と共に増加させる段階を含むことを特徴とする請求項25に記載の方法。従って、処理中に目標とする温度からの製品ウェーハの温度の実時間のずれを、ウェーハ温度を直接計測できない状況で、導き出す方法に対する必要性が存在する。更に、そのようなずれに応答して、それらを最小限化する又は回避するために、装置を変更する方法に対する必要性が存在する。本発明は、ウェーハの裏面の隣にあって裏面に面する端部を有する光ファイバを含む光学的又は蛍光光温度センサを使用することにより、処理中にウェーハ温度を連続的に監視する問題を解決する。この光ファイバは、ウェーハリフトピンのうちの1つの中に、光ファイバがその中を通る軸線方向の空隙を設けることによってプラズマ処理を邪魔することなく収容される。ウェーハ裏面に面するこのファイバの端部は、中空のリフトピンの端部と符合する。もう一方の端部は、外部光ファイバを経由して、リアクタチャンバ外側にある温度プローブ電子装置に結合される。好ましい実施形態において、この中空リフトピンは、リフトスパイダ上の他のリフトピン及び可撓性ベローズ組立体で支持される。中空リフトピン内部の光ファイバ及び外部光ファイバは、ベローズの底部近くにある湾曲によって互いに結合されるのが好ましい。光ファイバの直径よりも小さな空洞は、リフトピン内部の光ファイバと見当合わせをしてウェーハ裏面に穿孔され、適切な染料がその空洞中に堆積されてセンサによる温度検出を容易にすることが好ましい。本発明はまた、ウェーハ裏面に光プローブによる温度計測を可能にする空洞も染料も存在しない製品ウェーハにおけるウェーハ温度のずれを測定する問題を解決する。本発明は、第1に、試験ウェーハを用いる直接ウェーハ温度計測を使用し、冷却剤圧力の関数としてウェーハ温度挙動のデータベースを確立する段階と、ウェーハ支持具温度又はパック温度の関数としてウェーハ温度挙動のデータベースを確立する段階とによりこの問題を解決する。これらのデータベースは、次に、目標とする温度からのウェーハ温度のずれを最小限化するような方法で冷却剤圧力を制御するために、製品ウェーハの処理中に使用される。好ましい実施形態において、冷却剤圧力のそのような制御は、第1に、パック温度を計測する段階と、計測されたパック温度からウェーハ温度を導くために、パック温度の関数としてのウェーハ温度のデータベースを使用する段階とによって達成される。次に、このようにして導かれたウェーハ温度は、誤差を計算するために目標とする温度と比較される。この誤差は、冷却剤圧力の関数としてのウェーハ温度データベースと共に使用され、フィードバック制御装置的に誤差を修正するのに役立つことになる冷却剤圧力の変化を判断する。別の実施形態において、冷却剤圧力に対する修正が試行錯誤による方法で確立される。すなわち、例えば、プラズマ点弧直後のウェーハ温度上昇の遅延は、プラズマ点弧直後の冷却剤圧力を加える段階又は増大する段階のそれに対応する遅延により修正され、冷却剤圧力は、ウェーハ温度を目標とする温度に極めて急速に上昇させ、そこに留まらせるプラズマ点弧後の時間の関数とする冷却剤圧力のスケジュールに従って徐々に増加される。冷却剤圧力のスケジュールを確立するこの試行錯誤の方法は、本発明の光ウェーハ温度プローブを使用し、試験ウェーハを用いて実行される。冷却剤スケジュールは、プラズマ点弧から以後のかなり一定のウェーハ温度が達成されるまで、連続する試行に亘って修正される。次に、冷却剤圧力のスケジュールが製品ウェーハに対して適用される。更なる実施形態において、本発明の光プローブを使用して試験ウェーハで観察されたウェーハ温度の挙動は、冷却剤圧力及びパック温度の関数としての方程式においてパラメータ化される。この方程式は、その後、連続的に計測されたパック温度に基づいて冷却剤圧力修正を正確に計算するために使用される。静電チャックからウェーハが外される直前にすなわち、冷却剤圧力がオフにされる時ウェーハ温度が増大する問題は、静電チャック上のRF電力を、ウェーハへの熱伝達は減少するがウェーハをチャック上に静電的に保持するのにまだ十分なレベルまで減少させることによって解決される。ウェーハ温度光プローブ図1を参照すると、プラズマリアクタ100は、天井105及び床109に隣接する円筒形側壁107を含む真空チャンバ囲壁102を有する。床109上の静電チャック111は、支持具115上のセラミック窒化物アルミニウムパック113及びセラミックパック113内部の電極網117を含む。半導体ウェーハ119は、電極網117に対して印加されたチャック電源121からのチャック電圧によって誘起された静電力によりセラミックパック113上にしっかり保持される。セラミックパック113は、その上面に冷却剤通路123を有し、その通路は、その中を通って循環されるヘリウムガスなどの冷却剤がウェーハ119の裏面に直接的に接触できるようにする。この目的のために、冷却剤ポンプ125は、選択されたガス圧力でヘリウムガスを冷却剤通路123内に送る。ウェーハ119は、静電チャック111を通して延びてウェーハ119の裏面に接触する複数のリフトピン127によって静電チャック111から離れて押し上げられる。リフトピン127は、各ピン127の下にあって一部分が可撓性ベローズ133内部に保持されているロッド131を含むベローズ組立体を通ってリフトスパイダ129により上下に動かされる。ロッド131は、リフトピン127がねじ込み可能に接続されてOリング138によって密封されるピストンプレート135及び外被137を支持する。ウェーハ119は、リフトスパイダ129をウェーハの裏面がパック113に触れるまで下げることにより、静電チャック111上に置かれる。次に、チャック電源121が作動され、チャック電圧を電極網117に加える。その後、冷却剤ポンプ125は、冷却剤を通路123に送ってウェーハ119を冷却する。プラズマは、処理ガスをガス取り入れ口139経由でリアクタチャンバ内に導入し、RF電力をチャンバ内に結合することによって点弧される。その電力は、電極網117にそれを印加し、天井105を接地することによって容量的に結合してもよい。代わりに、RF電力は、それを壁107又は天井105に隣接するコイルアンテナ141に加えることにより誘導的に結合してもよく、その場合は、ウェーハ119近くのイオンエネルギを制御するためにRFバイアス電圧を電極網117に加えてもよい。ウェーハ119の温度の間接的な兆候を得るため、パック温度プローブ143は、プラズマ処理の間にパック113の温度からの連続的な読みをもたらす。これまでは、例えば窒化物エッチ作業などの特定のプラズマ処理の間のウェーハ温度の重要性にもかかわらず、ウェーハ温度の連続的直接計測値を得ることは実際的ではなかった。この問題を解決するため、円筒形のリフトピン127の1つが中空に作られ、光パイプ145がその中空リフトピン127を通して挿入される。更に、ロッド131も中空であり、従って、光パイプ145も同様にロッド131の内側を通って延びる。光パイプ145の上端部は、ウェーハの裏面と相対してリフトピン127の頂部と符号する。光パイプ145の下端部は、リフトスパイダ129に向かって延び、可撓性光ファイバ147に結合される。この目的のために、光パイプは、湾曲149によってリフトスパイダ129の頂部を通って供給され、リフトスパイダ129の底部において、標準的なファイバ光学コネクタ151の一方の端部で終端される。可撓性光ファイバ147は、ファイバ光学コネクタ151のもう一方の端部に接続される。光パイプ145は、可撓性石英光ファイバでも良いが、石英ファイバよりも高い開口数を有する理由でサファイアロッドであることが好ましい。可撓性光ファイバ147の反対側端部は、例えばラクストロン蛍光光温度FOTプローブであり得る従来的なプローブ電子機器155に接続される。このタイプのプローブは、化学的な染料が表面上に置かれることを必要とし、その温度がプローブで計測されることになる。従って、リフトピン127のそれよりも小さな直径を有する機械的空洞160が試験ウェーハ119の裏面に形成され、この機械的空洞160は、リフトピン127及び光パイプ145と見当合わせされる。必要な化学的染料、すなわち蛍光体165が空洞160中に置かれる。光パイプ145の存在は、プラズマ処理を危うくすることはなく、理由は、それがウェーハ119の裏面に接触するか、又は、少なくとも殆ど接触し得てもプラズマからは隔離されているからである。これは、ウェーハの裏面が静電的にパック113に固定される一方で、中空リフトピン127の開口端部がウェーハ裏面に当接するからである。更に、このリフトピン127は、外被137に対してOリング138によって密封される。従って、本発明のウェーハ温度用の光プローブすなわち、光パイプ145、光ファイバ147、及び、FOT155は、ウェーハ119の温度の連続計測をもたらす。ウェーハ温度を制御する方法図1のプローブは、全プラズマ処理サイクルに亘るウェーハ温度挙動の正確な評価を初めて可能にした。図2は、図1のプローブを使用して時間の経過と共に計測されたウェーハ温度を示すグラフである。プラズマ点弧は0秒で始まり、約240秒でのウェーハのチャックからの取り外しで終了する。図2が示すのは、かなり一定であるというウェーハ温度挙動に関する仮定は正しくなかったことであり、図において、ウェーハ温度は、2分間近くも約90°Cである平衡プラズマ処理温度に至らない。従って、図2の例によれば、持続時間として単に4分間に過ぎないプラズマ処理サイクルの最初の2分間は、ウェーハ温度が制御されておらず、また目標とする温度を下回る。図2はまた、ウェーハをチャックからの取り外す準備としてヘリウム冷却剤圧力が除去される210秒において、ウェーハ温度が、約235秒においてRF電力がオフになるまで、約15度だけ急上昇することを示す。プラズマ点弧後最初の90秒間のウェーハが緩慢に温まる問題を解決するため、本発明は、試験ウェーハを用いて図1の光温度プローブによって集められた大きなデータベースを使用する。1つの困難は、処理されている各ウェーハの温度を図1のプローブを使用して直接的に監視し、目標とするウェーハ温度に維持するために、直接的に制御されるフィードバック制御ループで冷却剤圧力を変更するという分かり易いアプローチは、機械的空洞160及びその中に置かれた蛍光体染料を有する試験ウェーハという特殊な場合以外、不可能なことである。具合の悪いことに、製品ウェーハは、そのような空洞を持つことができないし、その上に置かれる化学的染料又は蛍光体も持つことができない。従って、製品ウェーハ温度の直接的連続計測は、図1のプローブをもってしても不可能である。製品ウェーハの処理中に連続して監視することのできる、ウェーハ119に最も近い温度は、パック113の温度である。しかし、図1のウェーハ温度プローブと、パック113の中の温度プローブとを使用して実施された試験は、とりわけプラズマ点弧に続く最初の120秒の間は、パック温度がウェーハ温度を十分に下回ることを明らかにした。従って、パック温度は、特にプラズマ点弧に続くプラズマ処理サイクルの初期部分の間は、制御ループにおいてウェーハ温度と置き換えることはできない。上記の問題は、本発明において、第1に図1のプローブ及びパック温度プローブによって試験ウェーハを使用する段階と、ウェーハの温度挙動をパックの温度挙動と相関させる段階とにより解決される。更に、この試験ウェーハが図1のプローブによって使用され、ウェーハ温度と冷却剤圧力との相関がとられる。次に、製品ウェーハが処理されるたびにパック温度が監視され、実際のウェーハ温度は、試験ウェーハで得られたウェーハ及びパック温度の相関関係を使用して、計測されたパック温度から推測される。製品ウェーハのこの推測された温度が目標とする温度からずれている場合、試験ウェーハで得られたウェーハ温度と冷却剤圧力との相関関係を使用して、冷却剤圧力の修正が観察されたずれから推測される。その結果、ウェーハ温度が緩慢に上昇することが一連の冷却剤温度修正によって自動的に修正されることになり、その場合、冷却剤圧力は、プラズマ処理の開始近くで抑えられ、目標とするウェーハ温度を維持するために処理中に増加される。代わりに、試験ウェーハ及び図1のプローブを使用して、時間に関する最適冷却剤圧力特性を試行錯誤により見出してもよい。冷却剤圧力は、製品ウェーハの処理中、この最適特性に従って制御される。図3は、上記の温度制御方法を実行する装置を示す。図1のプラズマリアクタは、図1に関連して上記で議論された形態に加え、パック温度プローブ305、ガス圧力プローブ310、及び、図3において参照符号315で指定される図1のウェーハ温度プローブを含むものとして図3に示される。パック温度プローブ305は、パック113内部の従来的な温度センサから成る。ヘリウム圧力プローブ310は、冷却剤通路123のうちの1つの内部における従来的な圧力センサから成る。3個のプローブ305、310、及び、315の各々は、メモリ330を使用するマイクロプロセッサ320に接続された、その出力を有する。図4を参照すると、試験ウェーハ119が静電チャック111上でチャックにかけられ図4のブロック410、プラズマが衝突し、ウェーハ温度及びパック温度が連続的に監視されてマイクロプロセッサ320によって記録される図4のブロック420。このマイクロプロセッサ320又は、人間は、ポンプ125によって制御される冷却剤圧力を変動させる図4のブロック430。この変動は、ウェーハ温度を目標とするレベルに維持するためのフィードバック制御ループの一環として実行してもいいし、あるいは、最良の冷却剤圧力時間特性を見出すための試行錯誤反復処理であってもよい。3個のプローブ305、310、及び、315から得られるデータは、マイクロプロセッサ320によってメモリ330に記憶されるブロック440。このデータは、次に、ウェーハ温度プローブ315及び冷却剤圧力プローブ310からの同時読み取りを相関させる第1の参照表参照表1の中に整理される図4のブロック450。このデータはまた、ウェーハ温度プローブ315及びパック温度プローブ310からの同時読み取りを相関させる第2の参照表参照表2の中に整理される図4のブロック460。参照表1及び2は、次に、ヘリウム冷却剤圧力をパック温度を計測することにのみに基づいて制御するために、製品ウェーハのプラズマ処理中に使用される。図5を参照すると、製品ウェーハすなわち、図1の試験ウェーハ119において形成された機械的空洞160を欠く半導体ウェーハは、静電チャック111上でチャックにかけられる図5のブロック510。この製品ウェーハは、製品ウェーハの純粋性及び構造的一体性に対する仕様を満足させるために、その裏面に如何なる空洞160及び如何なる染料もないことが好ましい。光温度プローブすなわち、中空リフトピン127、光パイプ145、及び、FOT155などは、製品ウェーハでは使用できないが、理由は、製品ウェーハの裏面には如何なる光学的染料も存在しないからである。従って、光プローブを含む試験リアクタである1つのリアクタを図4の方法を実行するのに使用し得る一方、図5の方法を実行する製造リアクタである別のリアクタは、必ずしも図1の光温度プローブを含まなくてもよい。代わりに、光プローブを含む同じリアクタを両方の作業を実行するために使用してもよい。ここで、図5の方法の説明を継続すると、プラズマが衝突し、パック温度は、プラズマ処理の間で連続的に監視されるブロック515。パック温度の各試料は、コンピュータ320によって使用され、参照表2を使用して対応するウェーハ温度を推測する。ウェーハ温度ドリフト例えば、目標とする温度からのは、それから推測されるブロック520。この温度ドリフトは、参照表1から冷却剤圧力に対する最適修正を推測するために使用されるブロック525。この冷却剤圧力は、その後しかるべく修正され、処理は、パック温度の次の試料を用いてそれ自身繰り返すブロック530。図6は、1.8キロワット上側のカーブ及び1.0キロワット下側のカーブの2つの異なるRF電力レベルにおけるウェーハ温度計測値とヘリウム圧力計測値との同時測定を相関させる参照表1に対応するデータを示すグラフである。図7は、ウェーハ温度及びパック温度の同時計測値を相関させる参照表2に対応するデータを示すグラフである。図6及び図7の両方のグラフにおいて、プラズマ点弧は時刻0秒で始まる。図7は、パック温度及びウェーハ温度の間の差がパック温度に伴って変化することを示す。図7に示される挙動は、ほぼ一定のウェーハ温度を維持するプラズマ点弧の後、ウェーハをその平衡温度に極めて急速に到達させることによりための最適ヘリウム圧力時間特性に従ってヘリウム圧力を変えることによって得られたものである。この特性は試行錯誤によって得られ、図8に示されている。図8において、階段状のカーブは、時間の関数としてのヘリウム圧力であり、上記の最適特性である。図8における上側のカーブは、時間の関数としてのウェーハ温度である。図7を再び参照すると、パック温度は、明らかに定常状態ウェーハ温度に向かって漸近的に接近し、従って、ウェーハ温度及びパック温度の間の差は、その時々のパック温度に左右される。マイクロプロセッサ520は、製品ウェーハの温度を制御する時、現在のパック温度を参照表2その内容は、図7のグラフに対応するにおける最も近い温度に相関させて、対応するウェーハ温度を見出す。例えば、図7におけるパック温度50°Cは、ウェーハ温度約65°Cに対応する。目標とするウェーハ温度が例えば60°Cであった場合、5°Cの誤差が検出されたはずである。冷却剤圧力に対する修正は、図6のグラフによって表される参照表1のデータを参照することによって得られる。具体的には、RF電力が1.8キロワットであると仮定すれば、65°Cから60°Cへのずれは、ヘリウム圧力における1トルの増大に相当する。従って、この例において加えられるべきヘリウム圧力の修正は、1トルの増加である。この方法は1次近似に過ぎないけれども、ウェーハ温度修正は不要であると一般に仮定した従来的な技術と比較して改良をもたらす。更に別のアプローチは、ヘリウム圧力P及びパック温度Eの関数としてのウェーハ温度Tを表す2次方程式の定数を概算するために、図6及び図7参照表1及び2のデータに対する曲線の当てはめを使用することである。すなわち、T=AP2BPCE一旦この定数A、B、及び、Cが見出されたら、Tを修正するためのヘリウム圧力Pの変動は、マイクロプロセッサ520によって実行される従来的な数学的手法を使用して分かり易い方法で見出される。図8を参照すると、ヘリウム圧力が除去される時であるウェーハをチャックから取り外す直前のウェーハ温度上昇の問題は、プラズマに加えられるRF電力を、僅かな間、約100ワットに減少させることで解決される。図9は、比較をするために、ヘリウム圧力が従来的技法に従って処理の最初から最後まで一定に保持された時、同じ条件下にある同じリアクタにおいて得られた劣っている結果を示す。ウェーハ温度は、処理持続時間の半分近くの間、定常状態作動温度を下回る。本発明は、好ましい実施形態に特に関連して詳細に説明されたが、本発明の真の精神及び範囲から逸脱することなく、実施形態の変形及び修正を成し得ることが理解される。