半導体材料から製造された試料の酸素濃度COを、サーマルドナー濃度NTDDから決定する、a前記試料を熱処理にかけ、サーマルドナーTDDを形成する工程F1を含む方法であって、b前記試料の区域で抵抗ρを測定する工程F2と、c前記サーマルドナー濃度NTDDを、-イオン化したドーパント不純物濃度NA、NDに前記サーマルドナー濃度NTDDの4倍を加えることによって、前記イオン化したドーパント不純物濃度により電荷キャリアの移動度μを表す関係式、及び-前記測定された抵抗値から決定する工程F3とを含むことを特徴とする、方法。前記移動度を表す前記関係式が、で表され、式中、TnがT/300に等しく、Tが温度であり、NA/Dが、前記試料の前記イオン化されたドーパント不純物濃度であり、NTDDが、前記サーマルドナー濃度であり、α、β1、β2、β3、β4、μmax、μmin、Nref、が、前記電荷キャリアの性質による一定パラメーターであることを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記試料の前記抵抗ρが、前記抵抗の初期値に対して少なくとも10変化するように、前記熱処理が持続時間tを有することを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記熱処理の前記持続時間tが、1分間~1000分間であることを特徴とする、請求項3に記載の方法。650°C以上の温度で熱処理する工程F0を最初に含んでなることを特徴とする、請求項1に記載の方法。抵抗測定により前記試料の前記ドーパント不純物濃度NA、NDを決定することF0’を含んでなることを特徴とする、請求項5に記載の方法。前記酸素濃度COを決定した後、650°C以上の温度で熱処理する工程F5を含んでなることを特徴とする、請求項1に記載の方法。工程b及びcを前記試料の複数の区域で繰り返し、マッピングを行うことを特徴とする、請求項1に記載の方法。