ウエハ上に、複数の半導体チップのパターンを含むショット領域を逐次露光する露光工程を備える半導体装置の製造方法であって、当該露光工程は、前記ウエハ上における有効な半導体チップ数の最大値を決定し、前記ウエハを前記有効な半導体チップ数が前記最大値となるように複数の前記ショット領域に分割する工程と、前記ショット領域のうち、有効な前記半導体チップを一つ以上含み、かつ、前記ウエハ上の露光面積が最小である最小ショット領域を決定する工程と、第1方向に、所定距離だけ全ショット領域を平行移動させる第1方向移動工程と、当該移動位置において、前記最小ショット領域として選択されている前記ショット領域が前記平行移動の前後で変化しているか、または前記有効な半導体チップ数が減少しているかを判定する第1判定条件に基づいて、前記第1判定条件を満足しない場合は、さらに前記第1方向移動工程を行い、前記第1判定条件を満足する場合は、当該位置から所定距離だけ前記第1方向の逆方向に戻した位置を前記第1方向の露光位置として決定する第1方向決定工程と、前記第1方向と垂直の第2方向に、所定距離だけ前記全ショット領域を平行移動させる第2方向移動工程と、当該移動位置において、前記第1判定条件を満足しない場合は、さらに前記第2方向移動工程を行い、前記第1判定条件を満足する場合は、当該位置から所定距離だけ前記第2方向の逆方向に戻した位置を前記第2方向の露光位置として決定する第2方向決定工程と、前記第1方向決定工程と前記第2方向決定工程の後、実際の露光位置として決定する露光位置決定工程と、を備え、前記実際の露光位置に基づいて前記露光工程を行う半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1方向または前記第2方向に移動させる距離は、前記半導体チップの一辺よりも小さい半導体装置の製造方法。請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1方向は、前記ウエハのオリエンテーションフラットと平行である半導体装置の製造方法。ウエハ上における有効な半導体チップ数の最大値を決定し、前記ウエハを前記有効な半導体チップ数が前記最大値となるように複数のショット領域に分割する工程と、前記ショット領域のうち、有効な前記半導体チップを一つ以上含み、かつ、前記ウエハ上の露光面積が最小である最小ショット領域を決定する工程と、第1方向に、所定距離だけ全ショット領域を平行移動させる第1方向移動工程と、当該移動位置において、前記最小ショット領域として選択されている前記ショット領域が前記平行移動の前後で変化しているか、または前記有効な半導体チップ数が減少しているかを判定する第1判定条件に基づいて、前記第1判定条件を満足しない場合は、さらに前記第1方向移動工程を行い、前記第1判定条件を満足する場合は、当該位置から所定距離だけ前記第1方向の逆方向に戻した位置を前記第1方向の露光位置として決定する第1方向決定工程と、前記第1方向と垂直の第2方向に、所定距離だけ前記全ショット領域を平行移動させる第2方向移動工程と、当該移動位置において、前記第1判定条件を満足しない場合は、さらに前記第2方向移動工程を行い、前記第1判定条件を満足する場合は、当該位置から所定距離だけ前記第2方向の逆方向に戻した位置を前記第2方向の露光位置として決定する第2方向決定工程と、前記第1方向決定工程と前記第2方向決定工程の後、実際の露光位置として決定する露光位置決定工程と、を備える逐次露光のショットレイアウト方法。しかし、発明者らは、逐次露光によるパターニングを行う場合、下記のような新たな問題が生じることを見出した。ウエハの外周部には、特許文献1のようなウエハを固定するツメの影響だけでなく、ウエハ自体の反りや、回路形成時の積層された多層配線膜の面内バラつき等により、ウエハ外周の露光時のフォーカス精度が低くなる。したがって、特許文献1のような方法を採用しても、フォーカス不良による不良チップの発生を抑制することはできなかった。本発明によれば、ウエハ上に、複数の半導体チップのパターンを含むショット領域を逐次露光する露光工程を備える半導体装置の製造方法であって、当該露光工程は、前記ウエハ上における有効な半導体チップ数の最大値を決定し、前記ウエハを前記有効な半導体チップ数が前記最大値となるように複数の前記ショット領域に分割する工程と、前記ショット領域のうち、有効な前記半導体チップを一つ以上含み、かつ、前記ウエハ上の露光面積が最小である最小ショット領域を決定する工程と、第1方向に、所定距離だけ全ショット領域を平行移動させる第1方向移動工程と、当該移動位置において、前記最小ショット領域として選択されている前記ショット領域が前記平行移動の前後で変化しているか、または前記有効な半導体チップ数が減少しているかを判定する第1判定条件に基づいて、前記第1判定条件を満足しない場合は、さらに前記第1方向移動工程を行い、前記第1判定条件を満足する場合は、当該位置から所定距離だけ前記第1方向の逆方向に戻した位置を前記第1方向の露光位置として決定する第1方向決定工程と、前記第1方向と垂直の第2方向に、所定距離だけ前記全ショット領域を平行移動させる第2方向移動工程と、当該移動位置において、前記第1判定条件を満足しない場合は、さらに前記第2方向移動工程を行い、前記第1判定条件を満足する場合は、当該位置から所定距離だけ前記第2方向の逆方向に戻した位置を前記第2方向の露光位置として決定する第2方向決定工程と、前記第1方向決定工程と前記第2方向決定工程の後、実際の露光位置として決定する露光位置決定工程と、を備え、前記実際の露光位置に基づいて前記露光工程を行う半導体装置の製造方法が提供される。本発明によれば、ウエハ上における有効な半導体チップ数の最大値を決定し、前記ウエハを前記有効な半導体チップ数が前記最大値となるように複数のショット領域に分割する工程と、前記ショット領域のうち、有効な前記半導体チップを一つ以上含み、かつ、前記ウエハ上の露光面積が最小である最小ショット領域を決定する工程と、第1方向に、所定距離だけ全ショット領域を平行移動させる第1方向移動工程と、当該移動位置において、前記最小ショット領域として選択されている前記ショット領域が前記平行移動の前後で変化しているか、または前記有効な半導体チップ数が減少しているかを判定する第1判定条件に基づいて、前記第1判定条件を満足しない場合は、さらに前記第1方向移動工程を行い、前記第1判定条件を満足する場合は、当該位置から所定距離だけ前記第1方向の逆方向に戻した位置を前記第1方向の露光位置として決定する第1方向決定工程と、前記第1方向と垂直の第2方向に、所定距離だけ前記全ショット領域を平行移動させる第2方向移動工程と、当該移動位置において、前記第1判定条件を満足しない場合は、さらに前記第2方向移動工程を行い、前記第1判定条件を満足する場合は、当該位置から所定距離だけ前記第2方向の逆方向に戻した位置を前記第2方向の露光位置として決定する第2方向決定工程と、前記第1方向決定工程と前記第2方向決定工程の後、実際の露光位置として決定する露光位置決定工程と、を備える逐次露光のショットレイアウト方法が提供される。本発明によれば、まず、有効な半導体チップ数が最大値となるように、複数のショット領域を分割する。次いで、最小ショット領域として選択されているショット領域を平行移動の前後で変化させず、かつ、有効な半導体チップ数を減少させないようにして、X方向、Y方向それぞれについて、最小ショット領域Aの露光面積が最大となるように露光位置を決定する。この露光位置では、最小ショット領域Aにおいて、フォーカスセンサーを可能な限り多く使用することができる。これにより、露光工程におけるフォーカス精度を向上させ、半導体チップの良品率を向上させることができる。本発明によれば、露光工程におけるフォーカス精度を向上させ、半導体チップの良品率を向上させることができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係るショットレイアウトを示す平面図である。この図1は、半導体装置の製造方法において、逐次露光により行われる露光工程のショットレイアウトのうち、第1の実施形態における最適な一例を示している。このショットレイアウトは、有効な半導体チップ数が最大値となるように配置されている。そのうち、最小ショット領域A最小ショット領域の定義は後述するは、ウエハ100上の露光面積が最大となるように配置されている。以下詳細を説明する。図1のように、ウエハ100には、結晶面方位を示すオリエンテーションフラット102が備えられている。第1の実施形態では、ショットレイアウトにおいて、オリエンテーションフラット102と平行な方向をX方向第1方向とし、垂直な方向をY方向第2方向とする。ここで、ショット領域20とは、逐次露光において、所定数の半導体チップ10を露光するための領域のことである。露光工程では、このショット領域20を逐次露光して、ウエハ100上を移動させていく。これにより、ウエハ100上に複数の半導体チップ10のパターンを形成することができる。また、ショット領域20は、たとえば、半導体チップ10がX方向、Y方向にそれぞれ平行になるように配置されている。図1中の斜線部分は、有効な半導体チップ10の占める領域有効半導体チップ領域120である。ここで、有効な半導体チップ10とは、パターンが欠けることがなく露光され、良品となる半導体チップ10をいう。ウエハ100自体の反りや、回路形成時の積層された多層配線膜不図示の面内バラつき等により、不良チップとなることが予想される半導体チップ10は、この有効な半導体チップ10には含まれない。図1のレイアウトは、有効な半導体チップ数が最大値となるように配置されている。すなわち、ショット領域20を、ウエハ100上に有効な半導体チップが最も多く製造できるように配置されている。したがって、あらかじめ不良チップとなる範囲を過去の製造履歴等から予測して、有効な半導体チップ10が得られる領域を把握しておき、後述のようにショットレイアウトを行う。また、最小ショット領域とは、有効な半導体チップ10を一つ以上含み、かつ、ウエハ100上の露光面積が最小となるショット領域のことである。すなわち、有効な半導体チップ10を一つ以上含み、かつ、ウエハ100上で焦点が合う範囲が最も小さいショット領域のことである。図1のショットレイアウトの場合では、たとえば、A領域である。図1のA領域内において、有効な半導体チップ10は一つのみである。一方、A領域内のその他の領域では、有効な半導体チップ10を得ることができない。この有効な半導体チップ10を得ることができない領域は、二つの領域が考えられる。一つは、ウエハ100上に露光はされるが、良品の半導体チップ10を得ることができない領域である。たとえば、ウエハ100の外に外れる部分が生じて、半導体チップ10にパターン欠けが生じる領域である。また、ウエハ100の反りの影響や、後工程にて積層された多層配線膜の面内バラつきの影響などにより良品の半導体チップ10を得ることができない領域も含む。もう一方は、たとえば、ショット領域20内にウエハ100が無く、物理的に半導体チップ10を得ることができない領域である。ここで、最小ショット領域Aは、後述するように、ウエハ100上の露光面積が最大となるように配置されている。この露光面積とは、ウエハ100上で露光されうる面積のことである。一般に、露光装置のフォーカス調整は、フォーカスセンサーを用い、オートフォーカスにより行われる。ウエハ100が存在する領域であれば、フォーカスセンサーは機能する。先述のように、ウエハ100上に露光はされるが、良品の半導体チップ10を得ることができない領域に対しても、フォーカスセンサーは使用される。したがって、有効な半導体チップ10を得ることができない領域も、フォーカスの際にウエハ100位置を認識するために利用することができる。このようにして、露光面積を広くすることにより、フォーカスセンサーを可能な限り多く使用することができ、フォーカス精度を向上させることができる。なお、最小ショット領域Aの露光面積が最大となるように調整する方法は、詳細を後述する。以上のように、図1のレイアウトは、有効な半導体チップ数が最大値となるように配置されている。また、最小ショット領域Aは、ウエハ100上の露光面積が最大となるように最適化されている。これにより、最小ショット領域Aにおいても、フォーカス不良がなく、良品率を向上させることができる。次に、図1~図4を用いて、第1の実施形態における半導体装置の製造方法を説明する。図2は、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。図3、4は、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための平面図である。ウエハ100上に、複数の半導体チップ10のパターンを含むショット領域20を逐次露光する露光工程を備える半導体装置の製造方法のうち、当該露光工程は、以下の工程を備える。まず、ウエハ100上における有効な半導体チップ数の最大値を決定し、ウエハ100を有効な半導体チップ数が最大値となるように複数のショット領域20に分割するS110。次いで、ショット領域20のうち、有効な半導体チップ10を一つ以上含み、かつ、ウエハ100上の露光面積が最小である最小ショット領域Aを決定するS120。次いで、X方向第1方向に、所定距離だけ全ショット領域を平行移動させるS130:第1方向移動工程。次いで、当該移動位置において、最小ショット領域として選択されているショット領域20が平行移動の前後で変化しているか、または有効な半導体チップ数が減少しているか以上、第1判定条件を判定するS140。この第1判定条件に基づいて、第1判定条件を満足しない場合はS140NO、さらに第1方向移動工程S130を行う。一方、第1判定条件を満足する場合はS140YES、当該位置から所定距離だけX方向の逆方向に戻した位置をX方向の露光位置として決定するS150:第1方向決定工程。次いで、X方向と垂直のY方向第2方向に、所定距離だけ全ショット領域を平行移動させるS160:第2方向移動工程。当該移動位置において、第1判定条件を満足しない場合はS170NO、さらに第2方向移動工程S160を行う。一方、第1判定条件を満足する場合はS170YES、当該位置から所定距離だけY方向の逆方向に戻した位置をY方向の露光位置として決定するS180:第2方向決定工程。第1方向決定工程S150と第2方向決定工程S180の後、当該位置を実際の露光位置として決定するS190:露光位置決定工程。次いで、上記した実際の露光位置に基づいて露光工程を行う。以下、詳細を説明する。なお、図2~4では、オリエンテーションフラット102を省略している。図2~図4においても、図1の同一のオリエンテーションフラット102があるものとし、X方向、Y方向も同一であるとする。以下では、露光工程におけるショットレイアウト工程を説明する。ショットレイアウトは、実際の露光の前に予め作成しておく。まず、図3aのように、ウエハ100上における有効な半導体チップ数の最大値を決定する。また、有効な半導体チップ数の最大値とは、有効な半導体チップが製造可能である最大値のことである。このとき、有効な半導体チップ数の最大値を得るレイアウトは、ウエハ100の端部に半導体チップ10の端部が接するような状態でなくてもよい。また、ウエハ100の不良発生が予想される領域を予め把握しておき、その領域を含まない範囲内においてウエハ100内の有効エリア不図示を設定しておき、取りうる最大値を決定してもよい。ここで、ウエハ100を有効な半導体チップ数が最大値となるように、複数のショット領域20に分割する以上、S110。図3aは、このようにして決められた有効な半導体チップ数の最大値を得る状態において、任意に配置した初期状態である。このとき、有効な半導体チップが占める領域以降、有効半導体チップ領域120の最外周140と、ウエハ100との間のX方向、Y方向の距離は、半導体チップ10の一辺よりも小さい。なお、ここでいう最外周140とは、この初期状態における有効半導体チップ領域120の最外周140のことをいう。したがって、後述する露光位置を決定するために、ショット領域を移動させる工程たとえば、後述するS130、S150、S160またはS180において、この最外周140は変化しない。ここで、図3aのレイアウトにおいて、最小ショット領域はA領域右上コーナーのショット領域である。このように、任意に配置した初期状態における最小ショット領域を決定するS120。次いで、X方向第1方向に、最小ショット領域の露光面積を増加させるように、所定距離だけ全ショット領域を平行移動させるS130:第1方向移動工程。ここで、所定距離とは、露光装置のステージまたは光学系において、ショット領域20を移動させることが可能な一定距離のことである。なお、上述のように、平行移動させるX方向第1方向は、ウエハ100のオリエンテーションフラット102と平行である。これにより、最終的な露光位置が決定された後に必ず劈開しやすい配置とすることができる。ここでは、すべてのショット領域20を、X方向として、たとえば、図3aの左の方向に移動させる。X方向に移動させる距離は、半導体チップ10の一辺よりも小さい。予め、有効な半導体チップ数が最大となるようにしているため、移動可能な距離は半導体チップ10の一辺よりも小さくなる。なお、後述するY方向においても同様である。次いで、当該移動位置において、最小ショット領域として選択されているショット領域20が平行移動の前後で変化しているか、または有効な半導体チップ数が減少しているか第1判定条件を判定するS140。最小ショット領域として選択されているショット領域20が平行移動の前後で変化している状態とは、たとえば、最小ショット領域Aが別のショット領域20に変わった状態のことをいう。また、有効な半導体チップ数が減少している状態とは、最初に決定した有効な半導体チップ数が最大値となる状態から、有効な半導体チップ数が減少している状態をいう。具体的には、初期状態において有効な半導体チップ10であった半導体チップ10がウエハ100の外に外れ、パターン欠けを起こす状態などである。なお、ウエハ100内の有効エリアを設定している場合は、その有効エリアから、上記半導体チップ10が外れる場合などを含む。次いで、第1判定条件に基づいて、第1判定条件を満足しない場合はS140NO、さらに第1方向移動工程S130を行う。なお、再度、所定距離を移動させた際には、その都度、第1判定条件を判定する。図3bは、図3aからX方向に移動することにより、A領域が最小ショット領域であった状態がB領域左下コーナーのショット領域に変わった状態を示している。すなわち、第1判定条件を満足している状態であるS140YES。このように、第1判定条件を満足する場合はS140YES、当該位置から所定距離だけX方向の逆方向に戻す。図4aは、図3bから所定距離だけX方向の逆方向に戻した位置である。当該位置は、最小ショット領域Aの露光面積がX方向に最も広くなった状態である。したがって、当該位置をX方向の露光位置として決定するS150:第1方向決定工程。次いで、X方向と垂直のY方向第2方向に、最小ショット領域の露光面積を増加させるように、所定距離だけ全ショット領域を平行移動させるS160:第2方向移動工程。次いで、当該移動位置において、第1判定条件を満足しない場合はS170NO、さらに第2方向移動工程S160を行う。なお、再度、所定距離を移動させた際には、その都度、第1判定条件を判定する。図4bは、図4aからY方向に移動することにより、A領域が最小ショット領域であった状態がB領域に変わった状態を示している。すなわち、第1判定条件を満足している状態であるS140YES。このように、第1判定条件を満足する場合はS170YES、当該位置から所定距離だけY方向の逆方向に戻す。図1は、図4bから所定距離だけX方向の逆方向に戻した位置である。当該位置は、最小ショット領域Aの露光面積がY方向に最も広くなった状態である。したがって、当該位置をY方向の露光位置として決定するS180:第2方向決定工程。以上の第1方向決定工程S150と第2方向決定工程S180の後、当該位置を実際の露光位置として決定するS190:露光位置決定工程。このように決定された露光位置では、最小ショット領域Aは、最も露光面積が広い状態となっている。これにより、最小ショット領域Aにおいて、フォーカスセンサーを可能な限り多く利用することができ、フォーカス精度を向上させることができる。以上のように、露光位置ショットレイアウトを決定し、露光工程を行う。このとき、各々のショット領域20において、フォーカス調整を行って露光を行う。次に、第1の実施形態の効果について、比較例と対比しながら説明する。比較例として、図2aのまま、最小ショット領域Aの露光面積が最大となるような最適化を行わない場合と比較する。この比較例では、第1の実施形態の図1の最適な状態よりも、ショット領域20内にウエハ100が無い領域が広い。したがって、比較例は、最小ショット領域Aに使用するフォーカスセンサーが少ない。このため、フォーカス精度が低下して、パターンが正確に形成できない可能性がある。比較例における改善方法として、最小ショット領域Aにおけるフォーカス位置を、ウエハ100の中心におけるショット領域20のフォーカス位置を引用することが考えられる。しかし、平面視でのウエハ100の位置によって、フォーカス位置ウエハ100のZ方向の位置が異なる場合がある。たとえば、ウエハ100の反りの影響や、後工程にて積層された多層配線膜の面内バラつきの影響などが挙げられる。この場合、平面視でのウエハ100の位置によって、フォーカス調整用のアライメントマークが、ウエハ100上の積層方向Z方向において異なっていることが考えられる。このため、最小ショット領域Aにおける最適なフォーカス位置が、ウエハ100の中心におけるショット領域20の最適なフォーカス位置と異なる可能性がある。したがって、この場合も、パターンが正確に形成できない可能性がある。一方、第1の実施形態によれば、まず、有効な半導体チップ数が最大値となるように、複数のショット領域20に分割する。次いで、最小ショット領域として選択されているショット領域20を平行移動の前後で変化させず、かつ、有効な半導体チップ数を減少させないようにして、X方向、Y方向それぞれについて、最小ショット領域Aの露光面積が最大となるように露光位置を決定する。この露光位置では、最小ショット領域Aにおいて、フォーカスセンサーを可能な限り多く使用することができる。これにより、露光工程におけるフォーカス精度を向上させることができる。また、このとき、最小ショット領域Aの露光時には、最小ショット領域Aにおいて調整したフォーカス位置において露光する。これにより、ウエハ100位置に応じて、最適なフォーカス位置に調整することができる。以上のように、第1の実施形態によれば、露光工程におけるフォーカス精度を向上させ、半導体チップ10の良品率を向上させることができる。以上、第1の実施形態では、第1方向がウエハ100のオリエンテーションフラット102と平行である場合を説明したが、半導体チップ10のパターンに応じて任意に方向を選択することができる。以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。