"被検査装置に電気的に接続する接触子を有する接続装置であって、支持板と、前記支持板上に固定され、互いに離間している第1及び第2の高さ調節ブロックと、前記第1の高さ調節ブロック上に固定され、第1の貫通孔を有する第1のコンタクトベース部材と、前記第2の高さ調節ブロック上に固定され、第2の貫通孔を有する第2のコンタクトベース部材と、前記第1の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第1の接触子と、前記第2の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第2の接触子と、前記支持板の上面に、該上面を覆うために設けられ、該支持板より熱膨張率が低い第1の低熱膨張率部材と、を具備する接続装置。被検査装置に電気的に接続する接触子を有する接続装置であって、支持板と、前記支持板上に固定され、互いに離間している第1及び第2の高さ調節ブロックと、前記第1の高さ調節ブロック上に固定され、第1の貫通孔を有する第1のコンタクトベース部材と、前記第2の高さ調節ブロック上に固定され、第2の貫通孔を有する第2のコンタクトベース部材と、前記第1の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第1の接触子と、前記第2の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第2の接触子と、前記第1及び第2の高さ調節ブロックの上面に支持されることにより、前記支持板の上方に、該支持板を覆うように位置し、前記支持板より熱膨張率が低い第2の低熱膨張率部材と、を具備する接続装置。被検査装置に電気的に接続する接触子を有する接続装置であって、支持板と、前記支持板上に固定され、互いに離間している第1乃至第3の高さ調節ブロックと、前記第1及び第2の高さ調節ブロックに跨る位置に配置され、該第1及び第2の高さ調節ブロックそれぞれ上に固定された第1のコンタクトベース部材と、前記第2及び第3の高さ調節ブロックに跨る位置に配置され、該第2及び第3の高さ調節ブロックそれぞれ上に固定された第2のコンタクトベース部材と、前記第1のコンタクトベース部材に設けられ、前記第1及び第2の高さ調節ブロックそれぞれと干渉しない位置に配置された第1及び第2の貫通孔と、前記第2のコンタクトベース部材に設けられ、前記第2及び第3の高さ調節ブロックそれぞれと干渉しない位置に配置された第3及び第4の貫通孔と、前記第1の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第1の接触子と、前記第2の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第2の接触子と、前記第3の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第3の接触子と、前記第4の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第4の接触子と、を具備する接続装置。前記第1の接触子は、第1の被検査装置の第1の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第2の接触子は、前記第1の被検査装置の第1の辺と対向する第2の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第3の接触子は、前記第1の被検査装置の隣に位置する第2の被検査装置の一辺である第3の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第4の接触子は、前記第2の被検査装置の前記第3の辺と対向する第4の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続する請求項3に記載の接続装置。被検査装置に電気的に接続する接触子を有する接続装置であって、支持板と、前記支持板上に固定され、互いに離間している第1及び第2の高さ調節ブロックと、前記第1の高さ調節ブロックに固定された第1のコンタクトベース部材と、前記第2の高さ調節ブロックに固定された第2のコンタクトベース部材と、前記第1のコンタクトベース部材に設けられ、前記第1の高さ調節ブロックを挟んで前記第2の高さ調節ブロックの反対側に配置された第1の貫通孔と、前記第1のコンタクトベース部材に設けられ、前記第1及び第2の高さ調節ブロック相互間側に配置された第2の貫通孔と、前記第1のコンタクトベース部材に設けられ、前記第1及び第2の高さ調節ブロック相互間側に配置され、前記第2の貫通孔より前記第2の高さ調節ブロックの近くに位置する第3の貫通孔と、前記第2のコンタクトベース部材に設けられ、前記第1及び第2の高さ調節ブロック相互間側に位置する第4の貫通孔と、前記第2のコンタクトベース部材に設けられ、前記第1及び第2の高さ調節ブロック相互間側に位置し、前記第4の貫通孔より前記第2の高さ調節ブロックの近くに位置する第5の貫通孔と、前記第2のコンタクトベース部材に設けられ、前記第2の高さ調節ブロックを挟んで前記第1の高さ調節ブロックの反対側に配置された第6の貫通孔と、前記第1乃至第6の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第1乃至第6の接触子と、を具備する接続装置。前記第1の接触子は、第1の被検査装置の第1の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第2の接触子は、前記第1の被検査装置の前記第1の辺と対向する第2の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第3の接触子は、前記第1の被検査装置の隣に位置する第2の被検査装置の一辺である第3の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第4の接触子は、前記第2の被検査装置の前記第3の辺と対向する第4の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第5の接触子は、前記第2の被検査装置の隣に位置する第3の被検査装置の一辺である第5の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第6の接触子は、前記第3の被検査装置の前記第5の辺と対向する第6の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続する、請求項5に記載の接続装置。前記第1及び第2のコンタクトベース部材は、エンジニアリングプラスチック、シリコン樹脂、エラストマ、又はガラスにより形成されている請求項1~6のいずれか一項に記載の接続装置。前記第1及び第2のコンタクトベース部材は、それぞれ、該コンタクトベース部材の向きを示すマークを有する請求項1~7のいずれか一項に記載の接続装置。被検査装置に電気的に接続する接触子を有する接続装置であって、支持板と、前記支持板上に固定され、互いに離間した第1及び第2の高さ調節ブロックと、前記第1の高さ調節ブロックの上面に固定された第1及び第2のコンタクトベース部材と、前記第2の高さ調節ブロックの上面に固定された第3及び第4のコンタクトベース部材と、前記第1乃至第4のコンタクトベース部材それぞれに設けられた貫通孔と、前記貫通孔それぞれに挿通されることにより位置決めされた接触子と、を具備する接続装置。接続装置の接触子を被検査装置に接続する工程を具備する被検査装置の検査方法であって、前記接続装置は、支持板と、前記支持板上に固定され、互いに離間している第1乃至第3の高さ調節ブロックと、前記第1及び第2の高さ調節ブロックに跨る位置に配置され、該第1及び第2の高さ調節ブロックそれぞれ上に固定された第1のコンタクトベース部材と、前記第2及び第3の高さ調節ブロックに跨る位置に配置され、該第2及び第3の高さ調節ブロックそれぞれ上に固定された第2のコンタクトベース部材と、前記第1のコンタクトベース部材に設けられ、前記第1及び第2の高さ調節ブロックそれぞれと干渉しない位置に配置された第1及び第2の貫通孔と、前記第2のコンタクトベース部材に設けられ、前記第2及び第3の高さ調節ブロックそれぞれと干渉しない位置に配置された第3及び第4の貫通孔と、前記第1の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第1の接触子と、前記第2の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第2の接触子と、前記第3の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第3の接触子と、前記第4の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第4の接触子と、を具備し、前記接続装置の接触子を被検査装置に接続する工程は、前記第1及び第2の接触子を第1の被検査装置に接触させ、前記第3及び第4の接触子を、前記第1の被検査装置の隣に位置する第2の被検査装置に接触させる工程である被検査装置の検査方法。接続装置の接触子を被検査装置に接続する工程を具備する被検査装置の検査方法であって、前記接続装置は、支持板と、前記支持板上に固定され、互いに離間している第1及び第2の高さ調節ブロックと、前記第1の高さ調節ブロックに固定された第1のコンタクトベース部材と、前記第2の高さ調節ブロックに固定された第2のコンタクトベース部材と、前記第1のコンタクトベース部材に設けられ、前記第1の高さ調節ブロックを挟んで前記第2の高さ調節ブロックの反対側に配置された第1の貫通孔と、前記第1のコンタクトベース部材に設けられ、前記第1及び第2の高さ調節ブロック相互間側に配置された第2の貫通孔と、前記第1のコンタクトベース部材に設けられ、前記第1及び第2の高さ調節ブロック相互間側に配置され、前記第2の貫通孔より前記第2の高さ調節ブロックの近くに位置する第3の貫通孔と、前記第2のコンタクトベース部材に設けられ、前記第1及び第2の高さ調節ブロック相互間側に位置する第4の貫通孔と、前記第2のコンタクトベース部材に設けられ、前記第1及び第2の高さ調節ブロック相互間側に位置し、前記第4の貫通孔より前記第2の高さ調節ブロックの近くに位置する第5の貫通孔と、前記第2のコンタクトベース部材に設けられ、前記第2の高さ調節ブロックを挟んで前記第1の高さ調節ブロックの反対側に配置された第6の貫通孔と、前記第1乃至第6の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第1乃至第6の接触子と、を具備し、前記接続装置の接触子を被検査装置に接続する工程は、前記第1の接触子を、第1の被検査装置の第1の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第2の接触子を、前記第1の被検査装置の前記第1の辺と対向する第2の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第3の接触子を、前記第1の被検査装置の隣に位置する第2の被検査装置の一辺である第3の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第4の接触子を、前記第2の被検査装置の前記第3の辺と対向する第4の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第5の接触子を、前記第2の被検査装置に隣に位置する第3の被検査装置の一辺である第5の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第6の接触子を、前記第3の被検査装置の前記第5の辺と対向する第6の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続する工程である、被検査装置の検査方法。接続装置の接触子を被検査装置に接続する工程を具備する被検査装置の検査方法であって、前記接続装置は、支持板と、前記支持板上に固定され、互いに離間した第1及び第2の高さ調節ブロックと、前記第1の高さ調節ブロックの上面に固定された第1及び第2のコンタクトベース部材と、前記第2の高さ調節ブロックの上面に固定された第3及び第4のコンタクトベース部材と、前記第1乃至第4のコンタクトベース部材それぞれに設けられた貫通孔と、前記貫通孔それぞれに挿通されることにより位置決めされた接触子と、を具備し、前記接続装置の接触子を被検査装置に接続する工程は、前記第1のコンタクトベースの前記貫通孔によって位置決めされた前記接触子を第1の被検査装置に接触させ、前記第2のコンタクトベースの前記貫通孔によって位置決めされた前記接触子を第2の被検査装置に接触させ、前記第3のコンタクトベースの前記貫通孔によって位置決めされた前記接触子を第3の被検査装置に接触させ、前記第4のコンタクトベースの前記貫通孔によって位置決めされた前記接触子を第4の被検査装置に接触させる工程である被検査装置の検査方法。前記被検査装置の検査を行う工程において、前記被検査装置は加熱されている請求項10~12のいずれか一項に記載の被検査装置の検査方法。半導体チップ等の被検査装置の検査を高温雰囲気下で行う場合、プローブカードが複数の被検査装置を同時に検査するようにすると、1枚のコンタクトベース部材が大型化する。このため、コンタクトベース部材がエンジニアリングプラスチックにより形成されている場合、コンタクトベース部材と被検査装置の基板の間の熱膨張差により、接触子例えばプローブ針と被検査装置の外部接続端子との間に位置ずれが生じることがある。これを防止するために、上記した従来例では、コンタクトベース部材を、被検査装置の基板例えばシリコンと略同一の熱膨張率を有する材料例えばセラミックスで形成していた。しかし、このような材料は、エンジニアリングプラスチックと比較して、市場への供給量が少ない、加工に時間がかかる、加工コストが高い、という問題があった。このため、接続装置の量産性及び安定供給に課題があった。本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、量産性が高く、かつ高温環境下における被検査装置の特性検査に好適な接続装置及び被検査装置の検査方法を提供することにある。上記課題を解決するため、本発明に係る接続装置は、被検査装置に電気的に接続する接触子を有する接続装置であって、支持板と、前記支持板上に固定され、互いに離間している第1及び第2の高さ調節ブロックと、前記第1の高さ調節ブロック上に固定され、第1の貫通孔を有する第1のコンタクトベース部材と、前記第2の高さ調節ブロック上に固定され、第2の貫通孔を有する第2のコンタクトベース部材と、前記第1の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第1の接触子と、前記第2の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第2の接触子と、を具備する。この接続装置によれば、コンタクトベース部材は分割されている。従って、従来と比べてコンタクトベース部材一つあたりの体積が小さくなり、コンタクトベース部材一つあたりの熱膨張量が少なくなる。また、高さ調節ブロックも分割されているため、高さ調節ブロック一つあたりの熱膨張量も少なくなる。従って、従来と比べて、熱膨張に起因した接触子の位置ずれ量が小さくなる。このため、コンタクトベース部材の材質として、エンジニアリングプラスチック、シリコン樹脂、エラストマ、又はガラスを用いることができる。これにより、量産性が高く、かつ高温環境下における被検査装置の特性検査に好適な接続装置を提供することができる。前記第1の接触子は、例えば第1の被検査装置に接続し、前記第2の接触子は、例えば第2の被検査装置に接続する。前記第1及び第2の高さ調節ブロックは、それぞれ上面が、前記第1及び第2のコンタクトベース部材より小さく、前記第1及び第2の貫通孔は、前記第1及び第2のコンタクトベース部材のうち、下方に前記第1及び第2の高さ調節部材が位置していない部分に配置されており、前記第1及び第2の接触子は、ともに、前記第1及び第2の高さ調節ブロックの外部を介して前記第1及び第2の貫通孔に挿通していてもよい。この場合、前記第1の貫通孔は、前記第1のコンタクトベース部材の縁近傍に位置し、前記第2の貫通孔は、前記第2のコンタクトベース部材の縁近傍に位置するのが好ましい。前記支持板及び第1のコンタクトベースそれぞれに差し込まれることにより、該第1のコンタクトベースを前記支持板に対して位置決めする第1の位置決めピンと、前記第1のコンタクトベースを前記第1の高さ調節ブロック上に固定する第1のネジ部材と、前記支持板及び第2のコンタクトベースそれぞれに差し込まれることにより、該第2のコンタクトベースを前記支持板に対して位置決めする第2の位置決めピンと、前記第2のコンタクトベースを前記第2の高さ調節ブロック上に固定する第2のネジ部材とを具備してもよい。この場合、前記第1の高さ調節ブロック及び第2の高さ調節ブロックは、それぞれ側面に、前記第1及び第2の位置決めピンとの干渉を防ぐ溝を有しているのが好ましい。また、前記第1及び第2の位置決めピンは、金属製であるのが好ましい。前記支持板及び前記第1の高さ調節ブロックそれぞれに差し込まれることにより、該第1の高さ調節ブロックを前記支持板に対して位置決めする第3の位置決めピンと、前記第1の高さ調節ブロックを前記支持板上に固定する第3のネジ部材と、前記支持板及び前記第2の高さ調節ブロックそれぞれに差し込まれることにより、該第2の高さ調節ブロックを前記支持板に対して位置決めする第4位置決めピンと、前記第2の高さ調節ブロックを前記支持板上に固定する第4のネジ部材とを具備してもよい。この場合、前記第3及び第4の位置決めピンは、金属製であるのが好ましい。前記支持板の上面に、該上面を覆うために設けられ、該支持板より熱膨張率が低い第1の低熱膨張率部材を更に具備してもよい。また、前記第1及び第2の高さ調節ブロックの上面に支持されることにより、前記支持板の上方に、該支持板を覆うように位置し、前記支持板より熱膨張率が低い第2の低熱膨張率部材を更に具備してもよい。これらの場合、前記支持板の熱膨張量も少なくなるため、前記支持板の熱膨張に起因した、前記接触子の位置ずれを抑制できる。本発明に係る他の接続装置は、被検査装置に電気的に接続する接触子を有する接続装置であって、支持板と、前記支持板上に固定され、互いに離間している第1乃至第3の高さ調節ブロックと、前記第1及び第2の高さ調節ブロックに跨る位置に配置され、該第1及び第2の高さ調節ブロックそれぞれ上に固定された第1のコンタクトベース部材と、前記第2及び第3の高さ調節ブロックに跨る位置に配置され、該第2及び第3の高さ調節ブロックそれぞれ上に固定された第2のコンタクトベース部材と、前記第1のコンタクトベース部材に設けられ、前記第1及び第2の高さ調節ブロックそれぞれと干渉しない位置に配置された第1及び第2の貫通孔と、前記第2のコンタクトベース部材に設けられ、前記第2及び第3の高さ調節ブロックそれぞれと干渉しない位置に配置された第3及び第4の貫通孔と、前記第1の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第1の接触子と、前記第2の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第2の接触子と、前記第3の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第3の接触子と、前記第4の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第4の接触子とを具備する。この接続装置においても、コンタクトベース部材及び高さ調節ブロックは分割されているため、従来と比べて、熱膨張に起因した接触子の位置ずれ量が小さくなる。このため、コンタクトベース部材の材質として、エンジニアリングプラスチック、シリコン樹脂、エラストマ、又はガラスを用いることができる。これにより、量産性が高く、かつ高温環境下における被検査装置の特性検査に好適な接続装置を提供することができる。本接続装置において、前記第1の接触子は、第1の被検査装置の第1の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第2の接触子は、前記第1の被検査装置の第1の辺と対向する第2の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第3の接触子は、前記第1の被検査装置の隣に位置する第2の被検査装置の一辺である第3の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第4の接触子は、前記第2の被検査装置の前記第3の辺と対向する第4の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続する。本発明に係る他の接続装置は、被検査装置に電気的に接続する接触子を有する接続装置であって、支持板と、前記支持板上に固定され、互いに離間している第1及び第2の高さ調節ブロックと、前記第1の高さ調節ブロックに固定された第1のコンタクトベース部材と、前記第2の高さ調節ブロックに固定された第2のコンタクトベース部材と、前記第1のコンタクトベース部材に設けられ、前記第1の高さ調節ブロックを挟んで前記第2の高さ調節ブロックの反対側に配置された第1の貫通孔と、前記第1のコンタクトベース部材に設けられ、前記第1及び第2の高さ調節ブロック相互間側に配置された第2の貫通孔と、前記第1のコンタクトベース部材に設けられ、前記第1及び第2の高さ調節ブロック相互間側に配置され、前記第2の貫通孔より前記第2の高さ調節ブロックの近くに位置する第3の貫通孔と、前記第2のコンタクトベース部材に設けられ、前記第1及び第2の高さ調節ブロック相互間側に位置する第4の貫通孔と、前記第2のコンタクトベース部材に設けられ、前記第1及び第2の高さ調節ブロック相互間側に位置し、前記第4の貫通孔より前記第2の高さ調節ブロックの近くに位置する第5の貫通孔と、前記第2のコンタクトベース部材に設けられ、前記第2の高さ調節ブロックを挟んで前記第1の高さ調節ブロックの反対側に配置された第6の貫通孔と、前記第1乃至第6の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第1乃至第6の接触子とを具備する。この接続装置においても、コンタクトベース部材及び高さ調節ブロックは分割されているため、従来と比べて、熱膨張に起因した接触子の位置ずれ量が小さくなる。このため、コンタクトベース部材の材質として、エンジニアリングプラスチック、シリコン樹脂、エラストマ、又はガラスを用いることができる。これにより、量産性が高く、かつ高温環境下における被検査装置の特性検査に好適な接続装置を提供することができる。本接続装置において、前記第1の接触子は、第1の被検査装置の第1の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第2の接触子は、前記第1の被検査装置の前記第1の辺と対向する第2の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第3の接触子は、前記第1の被検査装置の隣に位置する第2の被検査装置の一辺である第3の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第4の接触子は、前記第2の被検査装置の前記第3の辺と対向する第4の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第5の接触子は、前記第2の被検査装置の隣に位置する第3の被検査装置の一辺である第5の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第6の接触子は、前記第3の被検査装置の前記第5の辺と対向する第6の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続する。前記第1及び第2のコンタクトベース部材は、それぞれ、該コンタクトベース部材の向きを示すマークを有するのが好ましい。このようにすると、接続装置を組み立てるとき、前記第1及び第2のコンタクトベース部材の向きを、容易に正しい方向に設定できる。本発明に係る他の接続装置は、被検査装置に電気的に接続する接触子を有する接続装置であって、支持板と、前記支持板上に固定され、互いに離間した第1及び第2の高さ調節ブロックと、前記第1の高さ調節ブロックの上面に固定された第1及び第2のコンタクトベース部材と、前記第2の高さ調節ブロックの上面に固定された第3及び第4のコンタクトベース部材と、前記第1乃至第4のコンタクトベース部材それぞれに設けられた貫通孔と、前記貫通孔それぞれに挿通されることにより位置決めされた接触子とを具備する。本発明に係る被検査装置の検査方法は、接続装置の接触子を被検査装置に接続する工程を具備する被検査装置の検査方法であって、前記接続装置は、支持板と、前記支持板上に固定され、互いに離間している第1及び第2の高さ調節ブロックと、前記第1の高さ調節ブロック上に固定され、第1の貫通孔を有する第1のコンタクトベース部材と、前記第2の高さ調節ブロック上に固定され、第2の貫通孔を有する第2のコンタクトベース部材と、前記第1の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第1の接触子と、前記第2の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第2の接触子と、を具備し、前記接続装置の接触子を被検査装置に接続する工程は、前記第1の接触子を第1の被検査装置に接触させ、前記第2の接触子を第2の被検査装置に接触させる工程である。本発明に係る他の被検査装置の検査方法は、接続装置の接触子を被検査装置に接続する工程を具備する被検査装置の検査方法であって、前記接続装置は、支持板と、前記支持板上に固定され、互いに離間している第1乃至第3の高さ調節ブロックと、前記第1及び第2の高さ調節ブロックに跨る位置に配置され、該第1及び第2の高さ調節ブロックそれぞれ上に固定された第1のコンタクトベース部材と、前記第2及び第3の高さ調節ブロックに跨る位置に配置され、該第2及び第3の高さ調節ブロックそれぞれ上に固定された第2のコンタクトベース部材と、前記第1のコンタクトベース部材に設けられ、前記第1及び第2の高さ調節ブロックそれぞれと干渉しない位置に配置された第1及び第2の貫通孔と、前記第2のコンタクトベース部材に設けられ、前記第2及び第3の高さ調節ブロックそれぞれと干渉しない位置に配置された第3及び第4の貫通孔と、前記第1の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第1の接触子と、前記第2の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第2の接触子と、前記第3の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第3の接触子と、前記第4の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第4の接触子と、を具備し、前記接続装置の接触子を被検査装置に接続する工程は、前記第1及び第2の接触子を第1の被検査装置に接触させ、前記第3及び第4の接触子を、前記第1の被検査装置の隣に位置する第2の被検査装置に接触させる工程である。本発明に係る他の被検査装置の検査方法は、接続装置の接触子を被検査装置に接続する工程を具備する被検査装置の検査方法であって、前記接続装置は、支持板と、前記支持板上に固定され、互いに離間している第1及び第2の高さ調節ブロックと、前記第1の高さ調節ブロックに固定された第1のコンタクトベース部材と、前記第2の高さ調節ブロックに固定された第2のコンタクトベース部材と、前記第1のコンタクトベース部材に設けられ、前記第1の高さ調節ブロックを挟んで前記第2の高さ調節ブロックの反対側に配置された第1の貫通孔と、前記第1のコンタクトベース部材に設けられ、前記第1及び第2の高さ調節ブロック相互間側に配置された第2の貫通孔と、前記第1のコンタクトベース部材に設けられ、前記第1及び第2の高さ調節ブロック相互間側に配置され、前記第2の貫通孔より前記第2の高さ調節ブロックの近くに位置する第3の貫通孔と、前記第2のコンタクトベース部材に設けられ、前記第1及び第2の高さ調節ブロック相互間側に位置する第4の貫通孔と、前記第2のコンタクトベース部材に設けられ、前記第1及び第2の高さ調節ブロック相互間側に位置し、前記第4の貫通孔より前記第2の高さ調節ブロックの近くに位置する第5の貫通孔と、前記第2のコンタクトベース部材に設けられ、前記第2の高さ調節ブロックを挟んで前記第1の高さ調節ブロックの反対側に配置された第6の貫通孔と、前記第1乃至第6の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第1乃至第6の接触子と、を具備し、前記接続装置の接触子を被検査装置に接続する工程は、前記第1の接触子を、第1の被検査装置の第1の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第2の接触子を、前記第1の被検査装置の前記第1の辺と対向する第2の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第3の接触子を、前記第1の被検査装置の隣に位置する第2の被検査装置の一辺である第3の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第4の接触子を、前記第2の被検査装置の前記第3の辺と対向する第4の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第5の接触子を、前記第2の被検査装置に隣に位置する第3の被検査装置の一辺である第5の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第6の接触子を、前記第3の被検査装置の前記第5の辺と対向する第6の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続する工程である。本発明に係る他の被検査装置の検査方法は、接続装置の接触子を被検査装置に接続する工程を具備する被検査装置の検査方法であって、前記接続装置は、支持板と、前記支持板上に固定され、互いに離間した第1及び第2の高さ調節ブロックと、前記第1の高さ調節ブロックの上面に固定された第1及び第2のコンタクトベース部材と、前記第2の高さ調節ブロックの上面に固定された第3及び第4のコンタクトベース部材と、前記第1乃至第4のコンタクトベース部材それぞれに設けられた貫通孔と、前記貫通孔それぞれに挿通されることにより位置決めされた接触子と、を具備し、前記接続装置の接触子を被検査装置に接続する工程は、前記第1のコンタクトベースの前記貫通孔によって位置決めされた前記接触子を第1の被検査装置に接触させ、前記第2のコンタクトベースの前記貫通孔によって位置決めされた前記接触子を第2の被検査装置に接触させ、前記第3のコンタクトベースの前記貫通孔によって位置決めされた前記接触子を第3の被検査装置に接触させ、前記第4のコンタクトベースの前記貫通孔によって位置決めされた前記接触子を第4の被検査装置に接触させる工程である。上記した各被検査装置の検査方法では、前記被検査装置の検査を行う工程において、前記被検査装置は加熱されていてもよい。以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る接続装置の斜視図である。この接続装置は、半導体チップの検査に用いられるものであり、電子回路が形成されたマザーボード又はインターフェース基板以下、マザーボード等と記載:図示せず上に固定される。本接続装置は、マザーボード等の電子回路と複数の半導体チップとを接続する装置である。複数の半導体チップはダイシング前であり、ウェハ状態にある。本接続装置は、コンタクトベース部材30を有している。コンタクトベース部材30は長方形の板状部材であり、半導体チップ毎に個片化されている。個片化されたコンタクトベース部材30は半導体チップと略同一形状であり、半導体チップと同様にマトリックス状に配置されている。コンタクトベース部材30の相互間は、半導体ウェハのダイシングラインの幅に略等しい。コンタクトベース部材30は、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、芳香族ポリエステル、ポリエーテルイミド又はポリアミドイミドなど、エンジニアリングプラスチックにより形成されている。コンタクトベース部材30は、例えば切削加工によって製造されるが、金型を用いた射出成形によって製造されてもよい。エンジニアリングプラスチックは、一般的に半導体ウェハを形成する半導体例えばシリコンと比較して、熱膨張率が高いが、入手が容易であり、かつ加工も容易である。コンタクトベース部材30は、高さ調節ブロック20の上面に固定されている。高さ調節ブロック20は、例えばステンレス、アルミニウム、又はエンジニアリングプラスチックによって形成されており、コンタクトベース部材30ごとに個片化されている。高さ調節ブロック20の上面は、コンタクトベース部材30より小さい。このため、コンタクトベース部材30は、対向する2つの辺図中上側の辺及び下側の辺及びその近傍が、高さ調節ブロック20の上面から食み出ている。この食み出ている部分には、複数の貫通孔36が設けられている。各々の高さ調節ブロック20の下面は、支持板10の上面に固定されている。コンタクトベース部材30は、高さ調節ブロック20により、支持板10からの高さが調節されている。支持板10は略正方形の板であるが、4つの角それぞれは端面が面取りされている。それぞれの角近傍には、ネジ12aを挿通するために上下に貫通した貫通孔12が設けられている。ネジ12aは、支持板10の上面側から貫通孔12に挿通され、その後、上記したマザーボード等のネジ孔図示せずに螺合する。このようにして、支持板10はマザーボード等に固定される。支持板10には貫通した孔図示せずが複数設けられている。この孔からは、複数のワイヤープローブ36aが上方に延伸している。各々のワイヤープローブ36aは、高さ調節ブロック20相互間の隙間となる空間を上方に延伸した後、コンタクトベース部材30の貫通孔36を挿通している。貫通孔36を挿通することにより、ワイヤープローブ36aは位置決めされている。なお、ワイヤープローブ36aは、先端部を除いて絶縁膜で被覆されている。これにより、隣接するワイヤープローブ36a相互間で電気的に干渉することが防止される。また、コンタクトベース部材30には、コンタクトベース部材30の向きを示すマーク31が設けられている。マーク31は、例えばコンタクトベース部材30の角部の一つに位置している。このため、接続装置を組み立てるとき、コンタクトベース部材30の向きを、容易に正しい方向に設定できる。この接続装置を用いて半導体チップの検査を行う場合、半導体チップが形成された半導体ウェハ、及び接続装置それぞれは高温雰囲気下に置かれる。その後、接続装置のワイヤープローブ36aは、半導体チップのパッドに接続する。半導体ウェハには複数の半導体チップが形成されているが、これら半導体チップには、それぞれ、互いに異なるコンタクトベース部材30によって位置決めされたワイヤープローブ36aが接続する。半導体ウェハ、コンタクトベース部材30及び高さ調節ブロック20は、それぞれ熱膨張する。しかし、コンタクトベース部材30は半導体チップ毎に個片化されており、一個あたりの体積が小さいため、熱膨張による貫通孔36の位置ずれ量は、従来と比べて小さい。このため、コンタクトベース部材30の材料となるエンジニアリングプラスチックの熱膨張率が、半導体ウェハの熱膨張率より高くても、熱膨張に起因した外部接続端子とワイヤープローブ36aの位置ずれが抑制される。例えば検査時の温度が125°C、通常の温度が25°Cとすると、温度差ΔTは100°Cとなる。半導体チップの一辺すなわちコンタクトベース部材30の一辺の長さL1が10mmであり、半導体チップのパッドの長さが100μmである場合を考える。半導体チップの熱膨張量とコンタクトベース部材30の熱膨張量の差の許容量L2は、例えばパッドの長さの半値、すなわち50μmである。この場合、半導体チップの熱膨張率と、コンタクトベース部材30の熱膨張率の差の許容値は、L2/L1×ΔT=50×10-6/°Cとなる。これに対し、半導体ウェハがシリコンウェハであり、コンタクトベース部材30がポリフェニレンサルファイドにより形成されている場合、半導体ウェハの熱膨張率は3.5×10-6/°Cであり、コンタクトベース部材30の熱膨張率は24~29×10-6/°Cとなる。従って、コンタクトベース部材30をポリフェニレンサルファイドで形成しても、熱膨張に起因してワイヤープローブ36aとパッドとの間で位置ずれは生じない。コンタクトベース部材30の材質は、ポリフェニレンサルファイド以外にも、芳香族ポリエステル、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、BTレジン材等のエンジニアリングプラスチックであってもよい。また、熱膨張率が47~108×10-6/°Cと事例の許容値を上回るポリエーテルエーテルケトンであっても、他の物理特性、例えば、ガラス転移点が143°Cと検査時の温度125°Cよりも高いような材質であれば、このようなエンジニアリングプラスチックをコンタクトベース部材30の材質に用いることができる。また、高さ調節ブロック20も半導体チップ毎に個片化しているため、コンタクトベース部材30と同様の作用により、高さ調節ブロック20が熱膨張することに起因した、外部接続端子とワイヤープローブ36a位置ずれが抑制される。なお、ワイヤープローブ36aは、高さ調節ブロック20相互間の隙間となる空間を斜め上方に延伸してもよい。この場合、この斜めの部分がバネとなり、ワイヤープローブ36aの先端を半導体チップのパッドに押圧する。このため、高さ調節ブロック20の高さを変えることにより、ワイヤープローブ36aの先端とパッドとの押圧力を変化させることができる。図2Aは、コンタクトベース部材30に高さ調節ブロック20及びワイヤープローブ36aを組み付けたものを示す斜視図であり、図2Bは図2Aの分解斜視図である。なお、図2Bでは、一部のネジ40及びワイヤープローブ36aが説明のため省略されている。コンタクトベース部材30には、高さ調節ブロック20の上面上に位置するネジ用の貫通孔32が設けられている。また、高さ調節ブロック20の上面には、貫通孔32の下に位置するネジ孔26が設けられている。コンタクトベース部材30は、ネジ40が貫通孔32を挿通した後ネジ孔26に羅合することにより、高さ調節ブロック20の上面に固定される。本実施形態において貫通孔32は、一つのコンタクトベース部材30につき2つ設けられている。2つの貫通孔32は、コンタクトベース部材30の中心を挟んで互いに対向する位置に配置されている。また、コンタクトベース部材30には、貫通孔34が2つ設けられている。2つの貫通孔34は、それぞれ、高さ調節ブロック20の側面20a,20bの上方に位置している。側面20a,20bは互いに対向しており、それぞれ、貫通孔34の下方に位置する溝24を有している。溝24の断面形状は半円形であり、その径は、貫通孔34の径と略同一である。貫通孔34及び溝24には、金属製例えばステンレス製又はアルミニウム製の位置決めピン34aが差し込まれている。位置決めピン34aの断面は円形である。位置決めピン34aの下部は、支持板10に設けられた孔本図では図示せずに差し込まれる。この孔及び貫通孔34と、位置決めピン34aの間の遊びはほとんどない。このため、支持板10に対するコンタクトベース部材30の位置は、位置決めピン34aによって精度良く決められる。なお、本実施形態では、プローブ針36aを位置決めするための接続孔36が、コンタクトベース部材30の縁に設けられている。そして、貫通孔32,34は、接続孔36aよりコンタクトベース部材30の中心の近くに位置している。また、高さ調節ブロック20の底面には、孔図示せずが設けられている。この孔には、下面から位置決めピン22aが差し込まれている。位置決めピン22aと孔の遊びはほとんどない。位置決めピン22aは、支持板10図2の両図には図示せずに設けられた孔図2の両図には図示せずにも差し込まれる。この孔と位置決めピン22aの遊びもほとんどない。このため、高さ調節ブロック20は、位置決めピン22aによって支持板10上に精度よく位置決めされる。図3は、図1に示した接続装置の平面図である。図4Aは、接続装置を図3のA方向から見た側面図であり、図4Bは、接続装置を図3のB方向から見た側面図である。図4A及びBでは、接続装置の構造を分かりやすくするために、一部の貫通孔及びネジを図示している。図1を用いて説明したように、支持板10は、ネジ12aを用いてマザーボード1に固定されている。高さ調節ブロック20の下面には、ネジ孔38が設けられている。支持板10には、ネジ孔38の下に位置する貫通孔11が設けられている。また、支持板10には、貫通孔11の下に位置する貫通孔13が設けられている。貫通孔13,11には、ネジ38aが下方から差し込まれる。貫通孔13,11に差し込まれたネジ38aは、高さ調節ブロック20のネジ孔38と羅合し、支持板10の上面に高さ調節ブロック20を固定する。このようにして、高さ調節ブロック20は支持板10に固定される。また、支持板10には、位置決めピン34aが挿通される貫通孔14が設けられている。上記したように、貫通孔14と位置決めピン34aの間の遊びはほとんどないため、位置決めピン34aが貫通孔14及びコンタクトベース部材30の貫通孔34に挿通されることにより、コンタクトベース部材30は支持板10に対して精度よく位置決めされる。以上、本実施形態によれば、コンタクトベース部材30は半導体チップ毎に個片化されているため、熱膨張による貫通孔36の位置ずれ量は、従来と比べて小さい。このため、コンタクトベース部材30の熱膨張率が半導体ウェハの熱膨張率より高くても、熱膨張に起因した、外部接続端子とワイヤープローブ36aの位置ずれが抑制される。従って、コンタクトベース部材30にエンジニアリングプラスチックを採用することにより、接続装置の低コスト化及び納期短縮を実現し、接続装置の量産性を高くすることができる。また、高さ調節ブロック20も半導体チップ毎に個片化しているため、高さ調節ブロック20が熱膨張することに起因した、外部接続端子とワイヤープローブ36a位置ずれが抑制される。また、ワイヤープローブの交換は、マザーボード1と固定するネジ12aを取り外し、支持板10側を上に向けて挿通されているワイヤープローブ36aをピンセット等で抜き差しすることで、接続装置のメンテナンスも含めて容易に行うことができる。図5は、本発明の第2の実施形態に係る接続装置の構成を説明する為の斜視図である。本実施形態は、高さ調節ブロック20が図中横に繋がっており、一つの高さ調節ブロック20の上面に複数のコンタクトベース部材30が固定されている点が、第1の実施形態と異なる。すなわち、マトリックス状に配置されたコンタクトベース部材30は、図中行方向においては共通の高さ調節ブロック20の上面に固定されているが、図中列方向においては互いに異なる高さ調節ブロック20の上面に固定されている。なお、ワイヤープローブ36aを位置決めするための貫通孔36は、図中コンタクトベース部材30の上辺及び下辺それぞれの近傍に位置しているため、高さ調節ブロック20はワイヤープローブ36aと干渉しない。また、位置決めピン22aを通すための貫通孔22が、高さ調節ブロック20の両端部に設けられている。その他の構成は、第1の実施形態と同一であるため、第1の実施形態と同一の符号を付し、説明を省略する。また、本接続装置を用いた半導体チップの検査方法も、第1の実施形態に係る接続装置を用いた半導体チップの検査方法と同一である。本実施形態によっても、コンタクトベース部材30は半導体チップ毎に個片化されているため、熱膨張に起因した、外部接続端子とワイヤープローブ36aの位置ずれが抑制される。従って、コンタクトベース部材30にエンジニアリングプラスチックを採用し、接続装置の量産性を高くすることができる。また、高さ調節ブロック20は、マトリックス状に配置されたコンタクトベース部材30の列方向において、分断されている。従って、この列方向に高さ調節ブロック20が熱膨張することに起因した、外部接続端子とワイヤープローブ36a位置ずれが抑制される。なお、本実施形態において、高さ調節ブロック20を、マトリックス状に配置されたコンタクトベース部材30の行方向において、複数に分割してもよい。この場合、一つの高さ調節ブロック20の上面には、2つ以上のコンタクトベース部材30が固定されるが、その数は任意である。図6Aは、本発明の第3の実施形態に係る接続装置の構成を説明する為の平面図であり、図6Bは、図6Aに示した接続装置を矢印A方向から見た側面図である。本実施形態に係る接続装置は、コンタクトベース部材30における貫通孔32,34,36の配置、及び高さ調節ブロック20とコンタクトベース部材30の位置関係を除いて、第1の実施形態に係る接続装置と同一の構成である。また、本接続装置を用いた半導体チップの検査方法も、第1の実施形態に係る接続装置を用いた半導体チップの検査方法と同一である。以下、第1の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。本実施形態において、複数の貫通孔36は第1及び第2の列を形成するように配置されているが、これらの列はコンタクトベース部材30の中央部を通る位置にある。2つの貫通孔32は、コンタクトベース部材30の中心、及び貫通孔36が形成した第1及び第2の列それぞれを挟んで互いに対向する位置に配置されている。2つの貫通孔34も、コンタクトベース部材30の中心、及び貫通孔36が形成した第1及び第2の列それぞれを挟んで互いに対向する位置に配置されている。複数のコンタクトベース部材30はマトリックス状に配置されている。高さ調節ブロック20は、図6Aにおいて上下に隣接する2つのコンタクトベース部材30の境界と重なる位置に配置されている。すなわち、一つの高さ調節ブロック20が、2つのコンタクトベース部材30の縁それぞれを支持している。また、貫通孔36の下方には高さ調節ブロック20が位置しない。半導体チップ図示せずはコンタクトベース部材30の境界と重なる位置に配置される。そして、半導体チップの第1の辺近傍に配置された第1のパッド列図示せずは、第1のコンタクトベース部材30の第2列に属する貫通孔36によって位置決めされたワイヤープローブ36aに接続する。また、この半導体チップの第2の辺第1の辺に対向する辺近傍に配置された第2のパッド列は、第2のコンタクトベース部材30の第1列に属する貫通孔36によって位置決めされたワイヤープローブ36aに接続する。本実施形態によっても、第1の実施形態と同一の効果を得ることができる。また、第1の実施形態と比較して、貫通孔36がコンタクトベース部材30の中心寄りに位置しているため、貫通孔36の形成を容易に行える。図7Aは、本発明の第4の実施形態に係る接続装置の構成を説明する為の平面図である。図7Bは図7Aの接続装置を矢印A方向から見た側面図である。本実施形態に係る接続装置は、コンタクトベース部材30及び高さ調節ブロック20の数、及びコンタクトベース部材30における貫通孔32,34,36の配置を除いて、第1の実施形態に係る接続装置と同一の構成である。また、本接続装置を用いた半導体チップの検査方法も、第1の実施形態に係る接続装置を用いた半導体チップの検査方法と同一である。以下、第1の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。本実施形態において、8個のコンタクトベース部材30が、2×4のマトリックスを形成するように配置されている。第2行目に属するコンタクトベース部材30は、第1行目に属するコンタクトベース部材30を180°回転させた状態で、高さ調節ブロック20上に固定されている。それぞれのコンタクトベース部材30において、複数の貫通孔36は、3つの平行な列361,362,363を形成するように配置されている。列361,362の相互間距離は、検査対象となる半導体チップの幅よりやや狭い程度であり、半導体チップが有する2列のパッド列の相互間距離と略同一である。列362,363相互間の距離は、半導体チップの縁とパッド列の距離を2倍にした値と、半導体ウェハのダイシングラインの幅との和に略等しい。また、2つの貫通孔32は、列361,362の相互間に、コンタクトベース部材30の中心を挟んで互いに対向する位置に配置されている。2つの貫通孔34も、列361,362の相互間に、コンタクトベース部材30の中心を挟んで互いに対向する位置に配置されている。高さ調節ブロック20は、平面的な位置関係において、列361と列362の間に位置している。すなわち、列361は、第1列目の高さ調節ブロック20を挟んで第2列目の高さ調節ブロック20の反対側に位置し、列362,363は、それぞれ第1列目の高さ調節ブロック20と第2列目の高さ調節ブロック相互間に位置している。列363は、列362より第2列目の高さ調節ブロック20の近くに位置している。この接続装置は、3×4のマトリックスを形成するように配置された12個の半導体チップに接続する。すなわち、第1行目に属するコンタクトベース部材30の列361によって位置決めされているワイヤープローブ36aは、第1行目の半導体チップの第1の辺近傍に配置された第1のパッド列図示せずに接続する。第1行目に属するコンタクトベース部材30の列362によって位置決めされているワイヤープローブ36aは、第1行目の半導体チップの第2の辺第1の辺に対向する辺近傍に配置された第2のパッド列図示せずに接続する。また、第1行目に属するコンタクトベース部材30の列363によって位置決めされているワイヤープローブ36aは、第2行目の半導体チップの辺である第3の辺近傍に配置された第3のパッド列図示せずに接続する。第2行目に属するコンタクトベース部材30の列363によって位置決めされているワイヤープローブ36aは、第2の半導体チップの第4の辺第3の辺に対向する辺近傍に配置された第4のパッド列図示せずに接続する。また、第2行目に属するコンタクトベース部材30の列362によって位置決めされているワイヤープローブ36aは、第3行目の半導体チップの辺である第5の辺近傍に配置された第5のパッド列図示せずに接続する。第2行目に属するコンタクトベース部材30の列361によって位置決めされているワイヤープローブ36aは、第3行目の半導体チップの第6の辺第5の辺に対向する辺近傍に配置された第6のパッド列図示せずに接続する。本実施形態によっても、第1の実施形態と同一の効果を得ることができる。また、第1の実施形態と比較して、貫通孔36がコンタクトベース部材30の中心寄りに位置しているため、貫通孔36の形成を容易に行える。図8Aは、第5の実施形態に係る接続装置の構成を説明する為の平面図である。図8Bは図8Aの接続装置を矢印A方向から見た側面図である。本実施形態に係る接続装置は、貫通孔32,34、位置決めピン34a、ネジ40、及び高さ調節ブロック20が追加されている点を除いて、第4の実施形態に係る接続装置と同一の構成である。また、本接続装置を用いた半導体チップの検査方法も、第4の実施形態に係る接続装置を用いた半導体チップの検査方法と同一である。以下、第4の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。本実施形態のコンタクトベース部材30において、追加された貫通孔32,34は、列363と縁の間に位置している。追加された貫通孔32にはネジ40が挿通される。また、追加された貫通孔34には位置決めピン34aが挿通される。追加された高さ調節ブロック20は、第1行目のコンタクトベース部材30と第2行目のコンタクトベース部材30を跨ぐ位置に配置されている。追加された高さ調節ブロック20は、追加された貫通孔32を用いて、第1行目のコンタクトベース部材30及び第2のコンタクトベース部材30の双方に固定されている。本実施形態によっても第4の実施形態と同一の効果を得ることができる。図9Aは、第6の実施形態に係る接続装置の構成を説明する為の平面図である。図9Bは図9Aの接続装置を矢印A方向から見た側面図である。本実施形態に係る接続装置は、12個のコンタクトベース部材30が3×4のマトリックスを形成するように配置されている。以下、第4の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。本実施形態において、第1行目のコンタクトベース部材30は、第4の実施形態における第1行目のコンタクトベース部材30と同一の構成であり、第3行目のコンタクトベース部材30は、第4の実施形態における第2行目のコンタクトベース部材30と同一の構成である。第2行目のコンタクトベース部材30は、第1行目のコンタクトベース部材30に、貫通孔36の列364を追加したものである。列364は、列361と平行であり、平面的な位置関係において、列361を挟んで高さ調節ブロック20の反対側に位置している。列364と、第1行目のコンタクトベース部材30の列363との距離は、検査対象となる半導体チップの縁とパッド列の距離を2倍にした値と、半導体ウェハのダイシングラインの幅との和に略等しい。この接続装置は、5×4のマトリックスを形成するように配置された20個の半導体チップに接続する。すなわち、第1行目に属する半導体チップにおいて、第1のパッド列は、第1行目に属するコンタクトベース部材30の列361によって位置決めされているワイヤープローブ36aに接続し、第2のパッド列は、第1行目に属するコンタクトベース部材30の列362によって位置決めされているワイヤープローブ36aに接続する。また、第2行目に属する半導体チップにおいて、第1のパッド列は、第1行目に属するコンタクトベース部材30の列363によって位置決めされているワイヤープローブ36aに接続し、第2のパッド列は、第2行目に属するコンタクトベース部材30の列364によって位置決めされているワイヤープローブ36aに接続する。また、第3行目に属する半導体チップにおいて、第1のパッド列は、第2行目に属するコンタクトベース部材30の列361によって位置決めされているワイヤープローブ36aに接続し、第2のパッド列は、第2行目に属するコンタクトベース部材30の列362によって位置決めされているワイヤープローブ36aに接続する。また、第4行目に属する半導体チップにおいて、第1のパッド列は、第2行目に属するコンタクトベース部材30の列363によって位置決めされているワイヤープローブ36aに接続し、第2のパッド列は、第3行目に属するコンタクトベース部材30の列363によって位置決めされているワイヤープローブ36aに接続する。また、第5行目に属する半導体チップにおいて、第1のパッド列は、第3行目に属するコンタクトベース部材30の列362によって位置決めされているワイヤープローブ36aに接続し、第2のパッド列は、第3行目に属するコンタクトベース部材30の列361によって位置決めされているワイヤープローブ36aに接続する。本実施形態によっても、第4の実施形態と同一の効果を得ることができる。なお、コンタクトベース部材30によるマトリックスにおいて、行数を増やし、接続装置が同時に接続する半導体チップの数を増やしてもよい。この場合、第1行目と第3行目の間に、第2行目に属するコンタクトベース部材30と同一の構造を有するコンタクトベース部材30の列を挿入すればよい。図10は、本発明の第7の実施形態に係る接続装置の構成を説明する為の斜視図である。本実施形態に係る接続装置は、支持板10の上面に、該上面を覆う熱遮蔽板15を有する点を除いて、第1の実施形態に係る接続装置と同一の構成である。また、本接続装置を用いた半導体チップの検査方法も、第1の実施形態に係る接続装置を用いた半導体チップの検査方法と同一である。以下、第1の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。熱遮蔽板15は、支持板10より熱膨張率が低い材料例えばビスマレイミドトリアジン樹脂等からなる熱硬化性樹脂:BTレジン登録商標によって形成されている。熱遮蔽板15には、ネジ12aを通すための開口部、高さ調節ブロック20又はネジ38aを通すための開口部、位置決めピン22aを通すための開口部、及びワイヤープローブ36aを通すための開口部が設けられている。本実施形態によっても、第1の実施形態と同一の効果を得ることができる。また、支持板10の上面に、熱膨張率が低い熱遮蔽板15が設けられているため、支持板10の熱膨張が抑制される。また、熱遮蔽板15の熱膨張量も小さい。従って、ワイヤープローブ36aと半導体チップのパッドの相対位置が、支持板10の熱膨張に起因してずれることを抑制できる。図11は、本発明の第8の実施形態に係る接続装置の構成を説明する為の斜視図である。本実施形態に係る接続装置は、熱遮蔽板15の代わりに、高さ調節ブロック20とコンタクトベース部材30の間に位置する熱遮蔽板16が設けられている点を除いて、第7の実施形態に係る接続装置と同一の構成である。以下、第7の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。熱遮蔽板16は、熱遮蔽板15と同様の材料によって形成されており、ネジ40を通すための開口部、位置決めピン34aを通すための開口部、及びワイヤープローブ36aを通すための開口部が設けられている。熱遮蔽板16は、コンタクトベース部材30がマトリックス状に配置されたエリアの全面に位置しており、複数の高さ調節ブロック20の上面によって支持されている。本実施形態によっても、支持板10は、熱膨張率が低い熱遮蔽板16によって覆われているため、第7の実施形態と同一の効果を得ることができる。図12は、本発明の第9の実施形態に係る接続装置の構成を説明する為の斜視図である。本実施形態に係る接続装置は、第7の実施形態に示した熱遮蔽板15を有する点を除いて、第8の実施形態に係る接続装置と同一の構成である。以下、第8の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。本実施形態によっても、第7の実施形態と同一の効果を得ることができる。尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば上記した各実施形態において、コンタクトベース部材30はエンジニアリングプラスチックにより形成されていたが、エンジニアリングプラスチックより熱膨張率が低い材料例えばシリコン樹脂、エラストマ、又はガラスにより形成されていてもよい。また、位置決めピン34aの断面形状を円形としたが、多角形例えば三角形又は四角形であってもよい。この場合、貫通孔34及び溝24の断面形状も、これに合わせて変更する。また、上記した各実施形態において、一つのコンタクトベース部材30は一つの半導体チップに対応していたが、複数の半導体チップ例えば2個又は3個に対応してもよい。この場合、コンタクトベース部材30の形状及び大きさは、ワイヤープローブ36aを挿通させるための貫通孔36の配置に影響を与えない範囲で任意である。また、コンタクトベース部材30と支持板10の間の空間に位置するワイヤープローブ36aに、バネ例えばツルマキバネを設けてもよい。また、熱遮蔽板16,15を組み合わせる場合などにおいて、それぞれのコンタクトベース部材30がネジ40により熱遮蔽板16と固定される構造にしてもよい。そして、コンタクトベース部材30の高さが、複数の高さ調節ブロック20ではなく位置決めピン34aによって調節されるようにしてもよい。また、第1の実施形態において、一個の高さ調節ブロック20に対して位置決めピン34aを一つ取り付けるようにして、位置決めピン34aを中心として高さ調節ブロック20が回転できるようにしてもよい。このようにすると、高さ調節ブロック20を微小回転させることにより、コンタクトベース部材30の位置を微調整することができる。"