"一対の基板と、該一対の基板間に挟持された液晶層とを含む液晶表示装置を製造する方法であって、前記一対の基板のうち一方の基板の周縁に、注入口のための開口をもつ枠状のシール材を形成し、前記一対の基板を前記シール材を介して対向させて貼り合わせ、前記一対の基板と前記シール材で区画された領域内に前記注入口から前記液晶を注入し、前記注入口を樹脂からなる封止材により封止し、前記注入口からはみ出した封止材を回転刃を使用して一定の高さに研磨して除去することを含む液晶表示装置の製造方法。前記封止材の研磨は、前記注入口に対し一定の高さに配置された回転刃を一定の速度で回転させ、該封止材が設けられた一対の基板を該注入口の幅方向に平行移動して行われる請求項1に記載の方法。前記一対の基板は、11mm/秒ないし45mm/秒の速度で平行移動される請求項2に記載の方法。前記回転刃は電着ダイヤモンドバーである請求項1ないし3のいずれか1項に記載の方法。前記電着ダイヤモンドバーの回転数は10000ないし40000回転/分である請求項4に記載の方法。本発明の実施形態は、狭額縁化が可能な液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。実施形態によれば、一対の基板と、該一対の基板間に挟持された液晶層とを含む液晶表示装置を製造する方法であって、前記一対の基板のうち一方の基板の周縁に、注入口のための開口をもつ枠状のシール材を形成し、前記一対の基板を前記シール材を介して対向させて貼り合わせ、前記一対の基板と前記シール材で区画された領域内に前記注入口から前記液晶を注入し、前記注入口を樹脂からなる封止材により封止し、前記注入口からはみ出した封止材を回転刃を使用して一定の高さに研磨して除去することを含む液晶表示装置の製造方法が提供される。以下、実施の形態について、図面を参照して説明する。図1に、実施形態にかかる液晶表示装置の製造方法を表すフローを示す。実施形態にかかる液晶表示装置の製造方法では、一対の基板と、一対の基板間に挟持された液晶層とを含む液晶表示装置を製造する。図示するように、この方法では、まず、一対の基板のうち一方の基板の周縁に、注入口のための開口をもつ枠状のシール材を形成するBL1。次に、一対の基板をシール材を介して対向させて貼り合わせるBL2。続いて、一対の基板と前記シール材で区画された領域内に注入口から液晶を注入するBL3。その後、注入口を樹脂からなる封止材により封止するBL4。さらに、注入口からはみ出した封止材を回転刃を使用して一定の高さに研磨しBL5、液晶表示素子を得る。得られた液晶表示素子を用いて液晶表示装置を形成することができる。シール材は、例えばエポキシ樹脂,アクリレート樹脂等の材料を用いてディスペンス法で形成することができる。液晶の注入は、真空注入方式を用いて行うことができる。封止材は、例えばエポキシ樹脂,アクリル樹脂,アリル樹脂を使用し、液晶の真空注入の終了後、基板に圧力をかけて余分な液晶を排出させた後、注入口に適用し、基板にかけた圧力を解除することにより適当量を注入口から吸い込ませることができる。図2及び図3に、封止材を研磨する前と封止材を研磨した後の液晶表示素子の構成の一例を表す概略図を示す。図2に示すように、この液晶表示素子10では、一対の基板のうち一方の基板11上に、注入口2に相当する部分が開口された枠状のシール材12が設けられ、一対の基板と枠状のシール材12で囲まれた領域セルに液晶13が注入され、セルの注入口2には注入口2を封止するための封止材3が設けられている。封止材を研磨する前の液晶表示素子10では、封止材3の一部が注入口2の外側に大きくはみ出している。また、シール材11の端部を切断した際に例えばバリ5となって注入口2の外側にはみ出すことがある。また、図3に示すように、封止材を研磨した後の液晶表示素子10’では、はみ出した封止材3が研磨により一定の高さに削り取られている。はみ出した封止材の注入口からの高さは、セルの大きさに応じて、例えば15ないし100μmにすることができる。セルの大きさが、例えば4.3型セル外形56.68×102.50mm,画面サイズ53.46×95.04mm、基板間の高さ0.3~0.6mmであるとき、注入口2の外側にはみ出した封止材の高さは例えば200μmである。研磨後の封止材の高さを例えば15μmにすることができる。得られた液晶表示素子を用いて液晶表示装置を組み立てたところ、研磨前の液晶表示素子を用いた場合、額縁の幅は1.8mmであり、研磨後の液晶表示素子を用いた場合、額縁の幅は1.5mmである。また、12.1型セル外形171.7×268.0mm,画面サイズ163.2×261.12mm、基板間の高さ0.4~1.0mmであるとき、注入口2の外側にはみ出した封止材の高さは例えば0.4ないし0.5mmである。研磨後の封止材の高さは例えば0.03~0.1mmにすることができる。得られた液晶表示素子を用いて液晶表示装置を組み立てたところ、研磨前の液晶表示素子を用いた場合、額縁の幅は3.0mmであり、研磨後の液晶表示素子を用いた場合、額縁の幅は2.6mmである。バリ5は、例えば0.01~0.2mm程度である。シール材の大きさは、上記12.1型、4.3型の場合、例えば貼り合せ後の幅0.5~1.0mmで、一対の基板のうち一方の基板に塗布し貼り合せ前のシール材の高さは20~30μmであり、他方の基板と貼り合せることによりシール材の高さ厚みは3から6μm程度にすることができる。実施形態にかかる液晶表示装置の製造方法を用いると、注入口からはみ出した封止材を削り取って一定の高さに揃えることにより、注入口よりも外側の領域の面積を小さくすることができるので、狹額縁化が可能となる。図4に、実施形態にかかる液晶表示装置の一例の構成を表す概略図を示す。図示するように、液晶表示装置500は、表示領域120を有するアレイ基板200と、アレイ基板200に所定の間隔をもって対向配置された対向基板300と、表示領域120を駆動する図示しない集積回路とを備える。アレイ基板200の下面には、光源となるバックライトユニットBLが配置される。バックライトユニットBLは、発光ダイオードLED:LightEmittingDiode等を備える。図5に、図4のA-A’断面図を示す。また、図6は、図5のスイッチ素子220を拡大した図を示す。図示するように、この液晶表示装置500のアレイ基板200は、ガラスなどの光透過性を有する絶縁基板210を有している。スイッチ素子220は、絶縁基板210上に配置され、例えば、アモルファスシリコンやポリシリコンなどによって形成された半導体層242を備えた薄膜トランジスタTFT;ThinFilmTransistorを有している。スイッチ素子220のゲート電極222は、絶縁基板210の上に配置されている。ゲート電極222は、図示しない走査線に接続されているあるいは、ゲート電極222は、図示しないゲート線と一体的に形成されている。スイッチ素子220のソース電極225は、図示しない信号線に接続されているあるいは、ソース電極225は、信号線と一体的に形成されている。スイッチ素子220のドレイン電極227は、画素電極230に接続されている。スイッチ素子220の半導体層242は、ゲート電極222などを覆うゲート絶縁膜246上に配置されている。この半導体層242には、スイッチ素子220のソース電極225及びドレイン電極227がコンタクトしている。これらのソース電極225及びドレイン電極227は、層間絶縁膜244によって覆われている。画素電極230は、絶縁膜240上において、各画素PXに対応して配置されている。画素電極230は、絶縁膜240に形成されたコンタクトホールを介してドレイン電極227と電気的に接続されている。画素電極230は、例えば、酸化インジウム錫ITOや酸化インジウム亜鉛IZOなどの光透過性を有する導電材料によって形成されている。対向基板300は、ガラスなどの光透過性を有する絶縁基板310と、第2表示素子部300Bにおいて、液晶層400を介して画素電極230と対向するように複数の画素PXに共通の対向電極330を備えている。絶縁基板310上の一方の主面つまり、液晶層400と対向する面には、第2表示素子部300Bにおいて、各画素PXを囲むブラックマトリクス340が配置されている。さらに、対向基板300は、第2表示素子部300Bにおいて、絶縁基板310上の一方の主面に、カラーフィルタ層320を備えている。カラーフィルタ層320は、赤色画素PXRに対応して赤色の主波長の光を透過する赤色カラーフィルタ320Rと、緑色画素PXGに対応して緑色の主波長の光を透過する緑色カラーフィルタ320Gと、さらに、青色画素PXBに対応して青色の主波長の光を透過する青色カラーフィルタ320Bとを備えている。なお、カラーフィルタ層320は、アレイ基板200側に備えられていてもよい。また、対向基板300は、カラーフィルタ層320の表面の凹凸を平坦化する比較的厚い膜厚で配置されたオーバーコート層などを備えて構成してもよい。対向電極330は、第2表示素子部300Bにおいて、液晶層400を介して画素電極230に対向するように配置されている。対向電極330は、ブラックマトリクス340の上層、つまり、カラーフィルタ層320上に配置されている。対向電極330は、例えば、ITOやIZOなどの光透過性を有する導電性材料によって形成されている。これらのアレイ基板200と対向基板300とは、スペーサSPによって所定のギャップをおいて配置されている。液晶層400は、ギャップに封入された液晶分子を含む液晶材料で構成されている。アレイ基板200及び対向基板300は、液晶層400と接するように配置された一対の配向膜250及び配向膜350にそれぞれ覆われている。つまり、配向膜250及び配向膜350は、アレイ基板200及び対向基板300の液晶層400側の主平面に液晶層400と接するように配置されている。配向膜250及び配向膜350は、液晶層400に含まれる液晶分子の配向を規制するようにラビング処理されている。また、アレイ基板200及び対向基板300の外面すなわちアレイ基板200及び対向基板300の液晶層400と接する面とは反対の面には、それぞれ光学素子260及び光学素子360が設けられている。これらの光学素子260及び光学素子360は、液晶層400の特性に合わせて偏光方向を設定した偏光板などを含んでいる。このような構成により、液晶表示パネルLPNに対してアレイ基板AR側に配置されたバックライトユニットBLからのバックライト光を液晶表示パネルLPNで選択的に透過し、画像を表示する。アレイ基板200は、表示領域外130において、シール材110の一部に注入口となる図示しない開口を有している。図7に、注入口からはみ出した封止材の研磨装置の一例を表す概略図を示す。図示するように、この研磨装置20は、回転刃23を持つルーター等の研磨部材、切削粉を集塵するための集塵装置24、及び切削粉を飛散させないためのカバー25を含む研磨処理部27と、研磨処理部27と隣接して配置され、液晶表示素子10を吸着して載置し得る、平面方向に移動可能な吸着ステージ21と、吸着ステージ21に取り付けられ、液晶表示素子10の注入口2を研磨処理部27の決められた位置に導く位置決めガイド22とを備えている。ここで使用されるルーターは例えばローラ状の回転刃23、図示しない回転駆動部、及び回転駆動部と回転刃23を接続するシャフト26等を含む。回転刃23は、注入口2に対し所定の高さhに配置されている。なお、図7では、回転駆動部は、回転刃23に対しシャフト26を介して垂直方向に配列されており、回転刃23と重なるため図示していない。この研磨装置20において、はみ出した封止材3を持つ液晶表示素子10は、例えば位置決めガイド22で固定した後に吸着ステージ21に吸着させて固定される。注入口2からはみ出した封止材3の研磨は、注入口2に対し一定の高さに配置された回転刃23を一定の速度で回転させ、ステージ21に載置された液晶表示素子10を注入口2の幅方向に平行移動して行われる。尚、研磨時に飛散する切削粉は集塵機24にて集塵する。回転刃としては、例えば電着ダイヤモンドバーを用いることができる。電着ダイヤモンドバーを用いると、基板や液晶等に損傷を与えることなくはみ出した封止材を容易に研磨することができる。電着ダイヤモンドバーの回転数は好ましくは10000ないし40000回転/分、さらに好ましくは28000ないし32000回転/分にすることができる。電着ダイヤモンドバーの回転数は10000回転/分未満であると、封止材の研磨面品位が低下しやすくなる傾向があり、40000回転/分を越えると、封止材のダメージ発生しやすくなる傾向がある。液晶表示素子10を載置したステージ21は、11mm/秒ないし45mm/秒の速度で平行移動することができる。11mm/秒未満であると、生産性が悪くなる傾向があり、45mm/秒を越えると、封止材の削り精度が低下する傾向がある。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"