"フッ化水素酸、硝酸および硫酸を含む混合液から気化したガスにより半導体ウェーハの少なくとも片面を多孔質化処理して太陽電池用ウェーハとすることを特徴とする、太陽電池用ウェーハの製造方法。前記多孔質化処理は、密閉空間に空気を含む気相を残して前記混合液を収容し、前記気相に前記半導体ウェーハを導入して行う、請求項1に記載の太陽電池用ウェーハの製造方法。前記混合液は、フッ化水素酸、硝酸および硫酸の濃度が、それぞれ10~20質量、10~20質量および20~50質量である請求項1または2に記載の太陽電池用ウェーハの製造方法。前記多孔質化処理の時間が60分以下である、請求項3に記載の太陽電池用ウェーハの製造方法。請求項1乃至4のいずれか1項に記載の太陽電池用ウェーハの製造方法における工程に加えて、該太陽電池用ウェーハで太陽電池セルを作製する工程をさらに有する太陽電池用セルの製造方法。請求項5に記載の太陽電池セルの製造方法における工程に加えて、該太陽電池セルから太陽電池モジュールを作製する工程をさらに有する太陽電池モジュールの製造方法。しかしながら、特許文献1の陽極化成処理による方法では、大型かつ高価な直流電源が必要である。また、有機溶媒とフッ化水素酸の混合溶液の液相における多孔質化処理なので、リンス処理時の操作性に課題が残る。特許文献2に記載の方法の場合も、液相におけるエッチング作用を利用する方法ウェットエッチングのため、特許文献1と同様にリンス処理時の操作性の問題がある。加えて、ウェットエッチングでは反応性ガスのエッチング作用を利用する方法に比べて大量の試薬が必要となり、試薬コストが高くなるという問題もある。シリコン表面を多孔質化することによって入射光の反射ロスを低減する手法は、通常のテクスチャ構造を形成するよりもさらに反射ロスを低減できることが期待されるため、コスト面の問題が解消されたより簡易な多孔質化の方法が求められている。そこで本発明は、上記課題に鑑み、簡易かつ安価に、シリコンウェーハをはじめとする半導体ウェーハの表面を多孔質化して、表面における光の反射ロスを低減することが可能な太陽電池用ウェーハを製造する方法、ならびに、この方法を含む太陽電池セルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法を提供することを目的とする。上記の目的を達成するべく、本発明者が鋭意検討し、様々な多孔質化処理方法で試行錯誤をくり返した結果、以下に示す方法によれば、半導体ウェーハ表面に凹凸を形成し、効果的に表面における光の反射ロスを低減できることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明の要旨構成は以下のとおりである。1フッ化水素酸、硝酸および硫酸を含む混合液から気化したガスにより半導体ウェーハの少なくとも片面を多孔質化処理して太陽電池用ウェーハとすることを特徴とする、太陽電池用ウェーハの製造方法。2前記多孔質化処理は、密閉空間に空気を含む気相を残して前記混合液を収容し、前記気相に前記半導体ウェーハを導入して行う、上記1に記載の太陽電池用ウェーハの製造方法。3前記混合液は、フッ化水素酸、硝酸および硫酸の濃度が、それぞれ10~20質量、10~20質量および20~50質量である上記1または2に記載の太陽電池用ウェーハの製造方法。4前記多孔質化処理の時間が60分以下である、上記3に記載の太陽電池用ウェーハの製造方法。5上記1乃至4のいずれか1項に記載の太陽電池用ウェーハの製造方法における工程に加えて、該太陽電池用ウェーハで太陽電池セルを作製する工程をさらに有する太陽電池用セルの製造方法。6上記5に記載の太陽電池セルの製造方法における工程に加えて、該太陽電池セルから太陽電池モジュールを作成する工程をさらに有する太陽電池モジュールの製造方法。本発明は、フッ化水素酸、硝酸および硫酸を含む混合液から気化したガスのエッチング作用を利用して、半導体ウェーハの表面を多孔質化するものである。そのため、ウェットエッチングに比べて必要な薬液量が少ないので薬液コストが低く、またリンス工程も簡易である。そして、直流電源といった大掛かりな装置を必要としない。よって、より簡易かつ安価に、シリコンウェーハをはじめとする半導体ウェーハの表面を多孔質化して、表面における光の反射ロスを低減した太陽電池用ウェーハを得ることが可能となった。以下、図面を参照しつつ本発明をより詳細に説明する。実施形態1:バッチ処理方式による多孔質化処理まず、図1aに示した本発明に用いる半導体ウェーハ10は特に限定されないが、以下では、本発明の一実施形態として、単結晶または多結晶シリコンウェーハ以下、まとめて単にウェーハともいう。を用いて、これらに多孔質化処理を施し、単結晶または多結晶シリコン太陽電池用ウェーハを製造する方法を説明する。単結晶シリコンウェーハは、チョクラルスキ法CZ法などにより育成された単結晶シリコンインゴットをワイヤーソー等でスライスしたものを使用することができる。また、ウェーハ表面の面方位についても、100,001および111など、必要に応じて選択することができる。多結晶シリコンウェーハは、多結晶シリコンインゴットからスライス加工により得ることができる。単結晶シリコンウェーハ、多結晶シリコンウェーハいずれの場合も、インゴットから切り出したウェーハ表面にはスライス加工によりシリコン層へ導入されたクラックや結晶歪などのダメージが生じている。このため、スライス加工後、ウェーハを洗浄し、酸またはアルカリでウェーハ表面にエッチング処理を施し、ダメージが生じている表面を除去することが好ましい。スライス加工由来の上記ダメージの侵入深さは、スライス加工条件により決定される因子であるが、概ね10μm以下の深さである。よって、KOHなどのアルカリもしくはフッ化水素酸HF/硝酸HNO3混合酸により一般的に実施されているエッチング処理で対応可能である。本発明は、ウェーハ10の少なくとも片面10Aを多孔質化して太陽電池用ウェーハ20とする方法である。すなわち、本明細書において太陽電池用ウェーハとは、ウェーハの少なくとも片面を多孔質化処理した状態のウェーハを意味するものである。この片面は、太陽電池セルにおいて受光面となる面である。そして、本発明の特徴的工程は、フッ化水素酸、硝酸および硫酸を含む混合液から気化したガスにより半導体ウェーハの少なくとも片面を多孔質化処理して太陽電池用ウェーハとすることである。以下、本発明の上記特徴的工程を採用したことの技術的意義を、作用効果とともに具体例で説明する。図1bは、本発明の一実施形態であるバッチ処理方式による多孔質化処理工程を示す模式図である。図1に示すように、内部に密閉空間を形成する容器11に空気を含む気相12を残してフッ化水素酸、硝酸および硫酸を含む混合液13を収容する。この容器11は厚さ1~3mmのポリプロピレン、ポリテトラフルオロエチレンPTFE商品名テフロン等のプラスチック製のボックスとすることができる。この容器11内には支持台15が配置しうる。支持台15は、ウェーハ10を混合液13と接触しないように支持するものであればよい。例えば、支持台15はPTFEから作られる。また、支持台15は、容器11の底面に置かれ、混合液13の液面より上に突出する。ここで、混合液13を容器11に収容した後は容器11にふたをして容器11内を密閉空間とし、混合液13から気化したガス14が容器11内に充満するまで待機する。そして、気相12の部分にウェーハ10を導入し、再度ふたをすると、混合液13から気化したガス14のエッチング作用により、ウェーハ10の表面が多孔質化される。本発明における多孔質化処理工程において、フッ化水素酸と硝酸の混酸に硫酸を加えた混合液13を用いることにより、混合液13中の硫酸は混合液中のフッ化水素酸と硝酸の各水分を吸収するとともに、容器11内の気相12中の水分を吸収し、密閉空間の湿度を低くする。これにより混合液13を加熱しなくても、また容器11を加圧しなくても、混合液13の気化が促進され、その気化した高濃度のHF-HNO3ガス14が支持台15上のウェーハ10に接触し、このウェーハ10の少なくとも表面10Aを多孔質化する。本発明者は、この反応を利用してウェーハ表面を多孔質化することができ、その結果、形成された微細な凹凸による光の閉じ込め効果を有し、太陽電池の作製に適したウェーハ図1cにおける太陽電池用ウェーハ20が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明は、混合液13から気化した反応性のガス14のエッチング作用を利用して多孔質化する方法である。このため、ウェットエッチングによる多孔質化処理方法より、必要な試薬が少量で済み、薬液コストが低く抑えられる。また、本発明によれば、ウェットエッチングによる多孔質化方法よりもリンス工程が大幅に短縮できる。そして、直流電源といった大掛かりな装置を必要としない。よって、より簡易かつ安価に、シリコンウェーハをはじめとする半導体ウェーハの表面を多孔質化して、表面における光の反射ロスを低減した太陽電池用ウェーハ20を得ることが可能となった。以上、本発明の太陽電池用ウェーハの製造方法について、作用効果も含めて説明してきたが、本発明による製造方法の付加的な効果として、以下の2点が挙げられる。第1は、本発明が単結晶シリコンウェーハのみならず、多結晶シリコンウェーハにも適用可能であることである。既述のとおり、テクスチャ構造を形成する方法は、単結晶シリコンに適した方法であり、表面に様々な面方位が出現している多結晶シリコンについては、ウェーハ全面に均一なテクスチャ構造を形成することが困難であった。しかし、本発明の多孔質化処理によって、多結晶シリコンウェーハの表面の反射率も簡易かつ安価な方法で十分に抑制することができる。第2は、本発明では処理液として過酸化水素などの酸化剤を用いる必要がないことである。これにより、排水処理の複雑さを回避することができる。上記混合液は具体的には、濃度50質量のフッ化水素酸と濃度70質量の硝酸と濃度98質量の硫酸を混合したものが好ましい。フッ化水素酸、硝酸および硫酸のそれぞれの終濃度を10~20質量、10~20質量および20~50質量とすることが好ましく、それぞれ16~20質量、13~15質量および20~30質量とすることがより好ましい。フッ化水素酸と硝酸がそれぞれの上限値を越える場合には、相対的に硫酸の濃度が低下するため、硫酸による系の水分吸収効果が得られず、結果としてウェーハの多孔質化処理に非常に時間を要するおそれがある。また、硫酸がその上限値を超える場合には相対的にフッ化水素酸および硝酸の濃度が低下し、やはりウェーハの多孔質化処理に非常に時間を要するおそれがあるためである。逆に、フッ化水素酸と硝酸がそれぞれの下限値を下回る場合には、反応に必要とされるHFHNO3ガスの供給量が不足し、ウェーハの多孔質化処理に非常に時間を要する。また、硫酸がその下限値を下回る場合は、系の硫酸濃度が低いため、硫酸による系の水分吸収効果が得られず、やはりウェーハの多孔質化処理に非常に時間を要する恐れがある。多孔質化を効率よくするために、容器11の容積を100とした場合、混合液13を容器11の5~40の割合で貯えることが好ましい。多孔質化処理中の容器11内の温度は、10°C~50°Cとすることが好ましい。10°C未満では多孔質化が進行しにくくなり、50°Cを超えると容器の内部圧力が上がり、容器の加圧が必要となるおそれがあるからである。容器11内の気相12部分を構成する気体成分に関しては特に限定されず、大気窒素酸素主体でも問題なく反応が進行する。しかし、反応をより効率的に行うためには、気体成分を不活性ガス窒素、アルゴンガス等に置換することが望ましい。これは、反応性ガス酸素等が存在すると、多孔質化反応とは別に、ウェーハの酸化反応等が進行し、多孔質化反応の阻害要因となる恐れがあるからである。上記多孔質化処理を開始すると、完全にウェーハが溶解するまで反応は進行しうるので、多孔質化のために適した処理時間を設定することが好ましい。上記の混合液を用いた場合、多孔質化処理の時間は60分以下とすることが好ましい。また、60分以上の処理を施しても、表面反射率低減効果は向上せず、ウェーハのエッチングのみが進行するため、材料ロスの観点から望ましくないからである。プロセス時間をなるべく短くし、かつ最大限の反射率低減の効果を得る観点から多孔質化処理時間は2分から10分程度がより好ましい。なお、本明細書において多孔質化処理の時間とは、混合液13から発生するガス14が密閉空間中に充満した後、ウェーハをその密閉空間に導入した時から、ウェーハを密閉空間から排出する時までの期間である。実施形態2:連続処理方式による多孔質化処理図2は、本発明の別の実施形態であり、太陽電池用ウェーハの量産化に適した連続処理方式による太陽電池用ウェーハの製造方法を説明する模式図である。本発明は、図2に示すような密閉空間となっている多孔質化処理ユニット16、水リンスユニット17および乾燥ユニット18を通過するベルトコンベア型の連続処理方式でも行うことができる。具体的には、半導体ウェーハ10をベルトコンベア19に乗せ、まず多孔質化処理ユニット16を通過させることで本発明における多孔質化処理を施す。該ユニットにおける処理により出来上がった太陽電池用ウェーハ20は水リンスユニット17を通過させる。このユニットでは純水によりウェーハ20の洗浄を行い、ウェーハから薬剤を洗い落とす。その後、ウェーハ20は乾燥ユニット18を通過させて乾燥させる。本明細書において密閉空間とは、容器領域内に存在するガス成分が、容器領域外に存在するガス成分と混ざり合わない状態にあることと定義される。実施形態1のように、密閉空間を遮蔽容器により形成する場合のみならず、例えば、容器内のガス成分の圧力を、容器外のガス圧力より高い圧力陽圧状態、またはほぼ同一圧力に設定し、物理的に外部ガスが混入しない状態を形成する手法で密閉空間を形成してもよい。あるいは、エアカーテン等の強制的な気流遮断手法を容器入口部に設置する手法にて、密閉空間状態を形成してもよい。容器領域外部への反応ガス流出防止の観点から、連続処理方式にて対応する本実施形態の場合は、容器出入口部にエアカーテンを設置し、容器領域内外のガス移動を抑制することが望ましい。実施形態2においても、実施形態1と同様に、密閉空間となっている多孔質化処理ユニット16中で混合液13から気化したガス14によりウェーハ10の少なくとも片面10Aを多孔質化処理することが可能である。また、実施形態2は、連続処理方式で行う以外は実施形態1と同様の構成により、同様の作用効果を得ることができる。以上、本発明による太陽電池用ウェーハの製造方法を説明したが、これらは代表的な実施形態の例を示したものであって、本発明はこれらの実施形態で示した装置構成により行うことに限定されるものではなく、フッ化水素酸、硝酸および硫酸を含む混合液から気化したガスにより半導体ウェーハの少なくとも片面を多孔質化処理して太陽電池用ウェーハとする、発明の要旨の範囲内で種々の変更が可能である。また、これまで単結晶または多結晶シリコンウェーハから結晶系シリコン太陽電池に用いるための太陽電池用ウェーハを製造することについて述べてきたが、本発明は結晶系シリコンに限られることはなく、アモルファスシリコン太陽電池や薄膜系太陽電池に用いるための太陽電池用ウェーハにも適用可能であることは勿論である。太陽電池セルの製造方法本発明に従う太陽電池セルの製造方法は、これまで説明した本発明に従う太陽電池用ウェーハの製造方法における工程に加えて、この太陽電池用ウェーハで太陽電池セルを作製する工程をさらに有する。セル作製工程は、ドーパント拡散熱処理でpn接合を形成する工程と、電極を形成する工程とを少なくとも含む。ドーパント拡散熱処理は、p基板に対してはリンを熱拡散させる。なお、pn接合形成工程は、本発明における多孔質化処理工程の前に行ってもよい。すなわち、スライス加工によるダメージ除去のためのエッチング処理後、ドーパント熱拡散処理でpn接合を形成したウェーハの状態で、本発明における多孔質化処理を行う。こうして得た太陽電池用ウェーハに対して電極を形成して、太陽電池セルとすることもできる。本発明に従う太陽電池セルの製造方法によれば、セルの受光面における入射光の反射ロスを抑制し、高い変換効率の太陽電池セルを得ることができる。太陽電池モジュールの製造方法本発明に従う太陽電池モジュールの製造方法は、上記太陽電池セルの製造方法における工程に加えて、この太陽電池セルから太陽電池モジュールを作製する工程をさらに有する。モジュール作製工程は、複数の太陽電池セルを配列し、電極を配線する工程と、強化ガラス基板上に配線された太陽電池セルを配置し、樹脂と保護フィルムで封止する工程と、アルミフレームを組み立てて、端子ケーブルを配線と電気的に接続する工程とを含む。本発明に従う太陽電池モジュールの製造方法によれば、太陽電池セルの受光面における入射光の反射ロスを抑制し、高い変換効率の太陽電池モジュールを得ることができる。本発明の効果をさらに明確にするため、以下に実験例を説明する。まず、156mm角の多結晶シリコンウェーハを用意し、50質量フッ化水素酸/70質量硝酸/水=1:4:5体積比にて調合した酸性溶液を用いて、室温で3分間エッチング処理を施し、その後ウェーハを乾燥させた。以降の工程は全て室温で行った。たて250mm×よこ250mm×高さ150mmのポリプロピレン製の厚さ2mmの容器に50質量のフッ化水素酸360gおよび68質量の硝酸206gを入れて混合し、この混酸に98質量硫酸255gを静かに添加して混合液を調製した。この混合液において、フッ化水素酸、硝酸および硫酸の濃度は、それぞれ18質量、14質量および25質量である。混合液の液面は、容器の底面から約1cmの高さであった。容器内で混合液を調合後、ふたをして容器内部を密閉空間とし、ガスを容器中に充満させるため30分待機した。この容器の気相部分にウェーハを導入して、再度ふたをした。所定時間後、ウェーハを容器から取り出し、純水でリンス後、乾燥させた。上記所定時間多孔質化処理の時間をそれぞれ1分、2分、3分、5分、10分、30分、50分とした7種類の試料を作製した。<評価1:外観写真>ウェーハ表面を外観画像により観察した。図3bに示す、本発明による多孔質化処理を10分間施したシリコンウェーハ表面は、図3aに示す、本発明による多孔質化処理の前のシリコンウェーハの表面より外観上黒くなっており、可視光の反射率が減少していることが予想される。この結果から、本発明による多孔質化処理によりシリコンウェーハの表面における光の反射ロスを低減できることがわかった。<評価2:SEM>ウェーハの被処理面を走査型電子顕微鏡ScanningElectronMicroscope:SEMにより観察した。図4aに示すように、本発明による多孔質化処理の前のシリコンウェーハの表面には数μm程度の凹凸が存在した。これは酸エッチング処理にて形成された凹凸形状である。一方、図4bに示すように、本発明による多孔質化処理を10分、30分および60分行ったシリコンウェーハの表面には、数μm程度の凹凸表面上にさらに微細な凹凸が見られた。これらの結果から、本発明による多孔質化処理によりシリコンウェーハの表面に微細な凹凸を形成できることがわかった。<評価3:反射率測定>反射率測定器島津製作所社製:SolidSpec3700により、7種類の試料について、ウェーハの被処理面における反射スペクトルを300~1200nmの範囲で測定した。太陽光には波長500~700nmの光が多く含まれるため、この波長領域で反射率が低いことが望ましい。そこで、7種類の試料について、波長600nmの相対反射率を図5に示した。また、本発明の多孔質化処理を行わないウェーハの相対反射率も測定し、0分にプロットした。図5より、反射率は1分の多孔質化処理で処理前に比べて十分に低減することができた。また、2分以上の多孔質化処理で、処理前に比べてさらに顕著に反射率を低減することができた。これは、表面を多孔質化したことによるものである。ただし、10分を超えて多孔質化処理する場合、反射率低減の効果は飽和することがわかった。これらの結果から、従来よりも簡易かつ安価なこの方法で多孔質化処理を行うと、入射光の反射ロスを低減することができ、変換効率の高い太陽電池を作ることができることがわかった。"