量子ビットを使用して量子演算を行う量子コンピュータにおいて、製造時に1つ以上のホール、又は1つ以上の電子がドープされたモット絶縁体薄膜を有する量子ビット基板と、前記量子ビット基板に磁場を印加して、前記モット絶縁体薄膜に形成された前記各ホール又は前記各電子を中心にしたスピン渦を生成すると共に、スピン渦に対応した右回り又は左回りのループ電流を生成し、その2状態にエネルギー差を与え量子ビットとする磁場発生ユニットと、量子演算データを含み、前記各ホール又は前記各電子をラビ振動するのに必要な強さの電磁波を生成して、前記量子ビット基板に照射する量子演算データ供給ユニットと、ビーム径を絞った強力コヒーレント光パルスを前記量子ビット基板に照射し、前記量子ビット基板での反射光又は透過光の偏光を解析して、前記量子ビット基板の量子演算結果を取り出す量子演算結果読み出しユニットと、を備えたことを特徴とする量子コンピュータ。請求項1に記載の量子コンピュータにおいて、前記モット絶縁体薄膜として、ホールドープ型銅酸化物超伝導体薄膜を使用する、ことを特徴とする量子コンピュータ。請求項1に記載の量子コンピュータにおいて、前記量子ビット基板に量子演算を行う前に、走査型プローブ顕微鏡の探針を動作して、前記モット絶縁体薄膜にドープされた前記各ホール又は前記各電子の位置を調整する、ことを特徴とする量子コンピュータ。請求項1に記載の量子コンピュータにおいて、前記磁場発生ユニットによって、前記量子ビット基板に不均一な磁場を印加し、前記量子ビット基板に量子演算を行う前に、各量子ビットのエネルギー状態の差を調整する、ことを特徴とする量子コンピュータ。請求項1に記載の量子コンピュータにおいて、初期化指示が入力されたとき、前記磁場発生ユニットによって、前記量子ビット基板に強い磁場を印加して、前記モット絶縁体薄膜に形成された前記各ホール、又は前記各電子に対応するループ電流をすべて右回り又はすべて左回りに統一し、前記量子ビット基板を初期化する、ことを特徴とする量子コンピュータ。ところで、従来の量子コンピュータの内、例えば核磁気共鳴型の量子コンピュータは、次式に示すハミルトニアン運動方程式に基づき、量子ビットの定義及び制御を行っている。但し、ここで、H:ハミルトニアン、N:量子ビットの総数、Ii:i番目の核スピンの量子状態スピンが上向きなら1、下向きなら-1、εi:i番目の量子状態間のエネルギー差、Jij:i番目とj番目の核スピン間に働く相互作用のエネルギー、を意味する。また、上記原子核のスピン状態を量子ビットにした核磁気共鳴型量子コンピュータで用いることができる制御可能な量子ビットとして、12量子ビット2006年に達成された数値が最高値でありこれがすべての量子コンピュータの最高記録である。現在までに提案されている量子ビットでは、その数を飛躍的に増大することは困難であると考えられている。しかし、量子コンピュータの実用化のためには、100量子ビット以上が必要であり、従来から、100量子ビット以上を得ることができる量子ビットの開発が強く望まれていた。しかし、従来の量子コンピュータで用いられる量子ビットの属性は、上記した3つの主要な属性を必ずしも満足するものではなくその達成の見込みはなかった。本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、安定な量子ビットを生成して、1素子当たりの量子ビット数を100量子ビット以上とすると共に、量子ビットに必要な属性、すなわち計算中における量子状態の安定性、量子状態の制御性を確保することができ、さらには量子ビットの大規模集積化を可能とする量子コンピュータを提供することを目的としている。また、本発明は、結晶の育成方法が確立し、比較的安価に作成可能な銅酸化物超伝導体を用いて、モット絶縁体薄膜を製作することができ、これによって量子ビット基板の製造コストを低く抑えながら、1素子当たりの量子ビット数を100量子ビット以上にすることができると共に、量子ビットに必要な属性、すなわち計算中において量子状態を安定に保つことができ、また量子状態の変化を制御することができ、さらに量子ビットを大規模集積化することができる量子コンピュータを提供することを目的とする。また、本発明は、量子ビット基板にドープされた各ホールの位置、各電子の位置と各量子ビットの関係を最適化させることができ、さらに1素子当たりの量子ビット数を100量子ビット以上にすることができると共に、量子ビットに必要な属性、すなわち計算中において量子状態を安定に保つことができ、また量子状態の変化を制御することができ、さらに量子ビットを大規模集積化することができる量子コンピュータを提供することを目的としている。さらに、本発明は、量子ビット基板にドープされた各ホールの位置、各電子の位置と共に、各量子ビットの量子状態間のエネルギー差を調整することにより、1素子当たりの量子ビット数を100量子ビット以上とし、さらに量子ビットを大規模集積化することができる量子コンピュータを提供することを目的としている。本発明は、上記の目的を達成するために、量子ビットを使用して量子演算を行う量子コンピュータにおいて、製造時に1つ以上のホール又は1つ以上の電子がドープされたモット絶縁体薄膜を有する量子ビット基板と、前記量子ビット基板に磁場を印加して、前記モット絶縁体薄膜に形成された前記各ホール又は前記各電子を中心にしたスピン渦を生成すると共に、スピン渦に対応した右回りのループ電流又は左回りのループ電流を生成する磁場発生ユニットと、前記各量子ビット間のラビ振動を可能とする強力な電磁波を生成して前記量子ビット基板に照射する量子演算データ供給ユニットと、反射光または透過光の偏光依存性によるループ電流の回転方向を特定し、前記量子ビット基板の量子演算結果を取り出す量子演算結果読み出しユニットとを備えたことを特徴としている。また、本発明は、請求項1に記載の量子コンピュータにおいて、前記モット絶縁体薄膜として、ホールドープ型銅酸化物超伝導体薄膜を使用することを特徴としている。また、本発明は、前記量子ビット基板に量子演算を行う前、走査型プローブ顕微鏡の探針を動作して、前記モット絶縁体薄膜にドープされた前記各ホール、又は前記各電子の位置を調整することを特徴としている。また、本発明は、前記磁場発生ユニットによって、前記量子ビット基板に不均一な磁場を印加し、前記量子ビット基板に量子演算を行う前、各量子ビットの状態間のエネルギー差を調整することを特徴としている。さらに、本発明は、前記量子コンピュータにおいて、初期化指示が入力されたとき、前記磁場発生ユニットによって、前記量子ビット基板に強い磁場を印加して、前記モット絶縁体薄膜に形成された前記各ホール、又は前記各電子に対応するループ電流をすべて右回り、又はすべて左回りに統一し、前記量子ビット基板を初期化することを特徴としている。本発明の請求項1に記載の量子コンピュータでは、安定な量子ビットを生成して、1素子当たりの量子ビット数を100量子ビット以上にすることが可能であると共に、量子ビットに必要な属性、すなわち計算中における量子状態の安定性、量子状態の制御性を確保することができ、さらに量子ビットの大規模集積化を可能にすることができる。また、請求項2の量子コンピュータでは、比較的安価に作成できるホールドープ型銅酸化物超伝導体を用いてモット絶縁体薄膜を製作することができ、これによって量子ビット基板の製造コストを低く抑えながら、1素子当たりの量子ビット数を100量子ビット以上にすることが可能であると共に、量子ビットに必要な属性、すなわち計算中において量子状態を安定することができ、また量子状態の変化を制御することができ、さらに量子ビットを大規模集積化することができる。また、請求項3の量子コンピュータでは、量子ビット基板にドープされた各ホールの位置、各電子の位置などを最適化して、各量子ビットの関係を最適化することができ、さらに1素子当たりの量子ビット数を100量子ビット以上にすることが可能であると共に、量子ビットに必要な属性、すなわち計算中において量子状態を安定することができ、また量子状態の変化を制御することができ、さらに量子ビットを大規模集積化することができる。また、請求項4の量子コンピュータでは、量子ビット基板にドープされた各ホールの位置、各電子の位置と共に、量子ビット基板に形成される各量子ビットの量子状態間のエネルギー差を調節して、各量子ビットの関係を最適化することができ、さらに1素子当たりの量子ビット数を100量子ビット以上にすることが可能であると共に、量子ビットに必要な属性、すなわち計算中において量子状態を安定することができ、また量子状態の変化を制御することができ、さらに量子ビットを大規模集積化することができる。また、請求項5の量子コンピュータでは、量子ビット基板に量子演算を行う前に、簡単な操作で、量子ビット基板を初期化することができ、さらに1素子当たりの量子ビット数を100量子ビット以上にすることが可能であると共に、量子ビットに必要な属性、すなわち計算中において量子状態を安定することができ、また量子状態の変化を制御することができ、さらに量子ビットを大規模集積化することができる。最初に、本発明による量子コンピュータの詳細に説明に先立ち、本発明で使用する量子ビットについて説明する。図7は、本発明による量子コンピュータで使用する量子ビット基板の概要を示す斜視図である。図7に示す量子ビット基板1は、SrTiO3のベース基板2上にランタン系又はビスマス系又はイットリウム系のホールドープ型銅酸化物超伝導体薄膜3を成長させたものである。この薄膜3内のCuO2平面を2次元モット絶縁体薄膜として使用する。この薄膜内では強い電子格子相互作用によりドープされたホール4が低温で局在化する。銅酸化物超伝導体の組成により、薄膜作成行程で、複数のホール4がドープされた2次元モット絶縁体薄膜が銅酸化物超伝導体薄膜3の内部に構成されている。そして、図8の模式図に示す如く液体ヘリウムなどによって、量子ビット基板1を冷却した状態で、不均一の強い磁場を印加する。これにより、銅酸化物超伝導体薄膜3のCuO2平面内にドープされた各ホール4の中心点A、Mを軸にしたスピン渦6が発生し、各スピン渦6が結合/分岐して右回りのループ電流5、又は左回りのループ電流5が生成される。このように、本願の発明者は、ホール4の周りにスピン渦6が生じると、その周りに安定的なループ電流5が生成することを理論的に証明し、さらには、銅酸化物にスピン渦とそれに伴うループ電流が生成することを実験結果の理論シュミレーションによって確認したのである。この状態で、銅酸化物超伝導体薄膜3内に形成された各ホール4の中から1つのホール4を選択した後、走査型プローブ顕微鏡の探針を、選択したホール4部分に近接する。次いで、探針の位置をずらし、選択したホール4の位置を調整する。以下、他の各ホール4についても、同じ処理を施して異なる量子ビット間の相互作用が適度な大きさになるように並べる。さらに、不均一磁場を利用し、各量子ビットの量子状態間のエネルギー差がすべて異なり、それぞれの量子ビットの単一ビット操作が独立して行えるようにする。これにより、ホール4の数がnであれば、2n個の状態のいずれか、例えばホール4の数が4であれば、図9a乃至hに示す8つの状態、又はこれら8つの状態を各々、反転させた8つの状態右回りのループ電流5を左回りのループ電流5に反転させ、左回りのループ電流5を右回りのループ電流5に反転させた8つの状態のうちのいずれか1つの状態になる。本発明では、この量子ビット基板1を用い、各ホール4毎のスピン渦6が結合/分岐して生成される各右回りのループ電流5と、各左回りのループ電流5とによって、次式に示すハミルトニアンに基づき、量子ビットを制御する。但し、ここで、H:ハミルトニアン、N:量子ビットの総数、Wi:i番目のループ電流5の量子状態ループ電流5が右回りなら1、左回りなら-1、εi:i番目の量子状態間のエネルギー差、Jij:i番目とj番目のループ電流間に働く相互作用のエネルギー、を意味する。この際、不均一な磁場と、走査型プローブ顕微鏡とを用いて、各ホール4の位置、各量子ビットの量子状態間のエネルギー差を調整しているので、量子ビットの制御が容易である。また、量子演算を行う場合には、演算対象データに対応する量子演算データを生成すると共に、この量子演算データに対応した波長の強力な電磁波を決められた時間、決められた順番で量子ビット基板1に照射する。これにより、量子演算データに対応した新たな量子状態を生成することができる。また、量子演算の演算結果を取り出す場合には、ビーム径を絞った強力コヒーレント光を生成し、これを量子ビット基板1の各量子ビットに照射する。この反射光または透過光の偏光依存性を測定し、演算終了後の各量子ビットの状態を得、演算結果を知ることができる。図1は、本発明による量子コンピュータの一形態を示すブロック図である。図1に示す量子コンピュータ11は、操作員によって操作される入力装置12と、量子ビット基板1の各ホールの位置などを調整するときに使用される走査型プローブ顕微鏡13と、量子ビット基板1を用いて量子演算を行う演算装置14と、量子ビット基板1の量子演算結果を読み出して表示する出力装置15とを備えており、走査型プローブ顕微鏡13、演算装置14を動作して、演算装置14内の量子ビット基板1にドープされた各ホール4の位置を調整した状態で、入力装置12から演算対象となる量子演算データに対応する電磁波19を出射して、量子ビット基板1に量子演算を行わせた後、出力装置15からビーム径を絞った強力コヒーレント光パルス20を出射して量子ビット基板1に照射し、反射光または透過光の偏光依存性から、量子演算結果を測定し、画面表示する。入力装置12は、通常のコンピュータと同様に、キーボード、マウスなどの入力デバイスによって構成される入力ユニット16と、入力ユニット16から出力される演算対象データを量子演算データに変換するデータ変換ユニット17と、データ変換ユニット17から出力される量子演算データに対応した波長、光強度を持つ電磁波19を出射する電磁波出射ユニット18とを備えており、入力ユニット16が操作されて、量子演算準備指示、量子演算結果読取指示などの操作指示が入力されたとき、操作指示に応じた制御指示を生成して、演算装置14及び出力装置15を制御し、量子演算準備動作、量子演算結果読取動作等を行う。また、入力ユニット16を操作して、演算対象データと共に、量子演算指示が入力されたとき、入力された演算対象データを量子演算データに変換すると共に、量子演算データに対応した波長、光強度を持つ電磁波19を生成し、演算装置14の量子ビット基板1に、演算データに対応した照射時間、照射する。また、ビーム径を絞ったコヒーレントなx線ビームにより、ナノサイズの磁性やループ電流の検出が可能であることから、本量子コンピュータの出力装置15は、入力装置12からの制御指示に応じて、ビーム径を絞った強力コヒーレント光パルス20を生成して、演算装置14の量子ビット基板1に照射した後、量子ビット基板1からの反射光または透過光21を取り込んで、受信信号を生成する強力コヒーレント光パルス入出力ユニット22と、強力コヒーレント光パルス入出力ユニット22から出力される偏光の変化を解析して、量子演算結果を生成する反射光透過光解析ユニット23と、この反射光透過光解析ユニット23から出力される量子演算結果を取り込み画面表示する表示ユニット24と、を備える。ここで、入力装置12から読み取り開始を指示する読取指示信号制御指示が出力されたとき、ビーム径を絞った強力コヒーレント光パルス20を生成し、これを演算装置14の量子ビット基板1の各量子ビットに照射して、その反射光21を取り込んで、偏光を解析し、各量子ビットの状態を特定する。これをすべての量子ビットに対して行い量子演算の結果を得、演算結果を画面表示する。また、走査型プローブ顕微鏡13は、演算装置14内に配置され、量子ビット基板1を固定する固定台25と、操作員の手動操作によって、演算装置14内に出入りさせ、また入力された位置データに基づき、下部側に配置された探針取付部をX-Y-Z方向に動かす3軸ステージ26と、3軸ステージ26の探針取付部に取り付けられ、量子ビット基板1の表面に近接した状態にされているとき、量子ビット基板1の表面状態を探る探針27と、演算装置14の近傍に配置される走査型プローブ顕微鏡本体28と、を備えている。ここで、走査型プローブ顕微鏡本体28は、操作員の操作内容に応じて、3軸ステージ26を制御して、探針26を移動し、量子ビット基板1の銅酸化物超伝導体薄膜3の表面状態を測定すると共に、銅酸化物超伝導体薄膜3内にドープされた各ホール4の位置を調整する。そして、操作員の手動操作によって、3軸ステージ26が演算装置14内に入れられた後、操作員によって、走査型プローブ顕微鏡本体28が操作される。ここで、新たな位置データ、走査指示などが入力される毎に、3軸ステージ26を制御して、探針27の位置を移動し、量子ビット基板1の銅酸化物超伝導体薄膜3内にドープされた各ホール4の位置を調整する。そして、量子ビット基板1に形成された各ホール4の位置調整が完了した後、操作員の手動操作によって、3軸ステージ26が演算装置14外に出され、これら3軸ステージ26、探針27によって、入力装置12から出射される強力コヒーレント光19、出力装置15から出射されるビーム径を絞った強力コヒーレント光パルス20、量子ビット基板1上からの反射光21が遮られないようにする。また、量子ビット基板1は、SrTiO3のベース基板2上にランタン系又はビスマス系又はイットリウム系のホールドープ型銅酸化物超伝導体薄膜3を成長させたものである図7参照。銅酸化物中のCuO2平面を2次元モット絶縁体薄膜として使用し、銅酸化物の作成過程での組成により、複数のホールがドープされた状態となっている。図1に示すように、演算装置14は、この量子ビット基板1の下方に配置され、不均一な磁力線31を発生して、量子ビット基板1に不均一な磁場を与える電磁石29と、液体ヘリウムを用いて、固定板25、量子ビット基板1、走査型プローブ顕微鏡13の探針27、電磁石29などを冷却し、量子ビット基板1にドープされた各ホール4図3参照の位置、ループ電流5図3参照などを安定化する冷却ユニット30図1参照と、を備える。尚、軟X線コヒーレント光の透過光を読み出しに使用する場合は、量子ビット基板1を十分に薄くし、サンプルステージ7図1及び図3参照に固定し、ホール4図3参照の位置にビームがあたるように位置を調整できるようにする。ここで、量子ビット基板1を冷却しながら、不均一な強い磁場を与えて、量子ビット基板1の銅酸化物超伝導体薄膜3内に右回りのループ電流5、左回りのループ電流5を生成する。この状態で、走査型プローブ顕微鏡13の探針27によって、量子ビット基板1の表面が走査されたとき、走査内容に応じて、銅酸化物超伝導体薄膜3内に形成された各ホール4の位置を調整する。また、不均一磁場により各量子ビットの量子状態間のエネルギー差を異なるものにする。不均一磁場を演算開始前に一時的に強力にし、ループ電流の向きをそろえ、初期化を行う。初期化ののち、不均一磁場はもとにもどす。入力装置12から量子演算データを含む電磁波19が出射されて、量子ビット基板1に照射されたとき、各ホール4の状態、各ループ電流5の回り方向などを変更して、量子演算データに応じた量子演算を行う。すべての演算の終了後、出力装置15からビーム径を絞った強力コヒーレント光パルス20を量子ビット基板1に出射する。この強力コヒーレント光の反射光または透過光の偏光依存性を測定することにより、量子ビット基板1の量子状態を特定し、出力装置15に供給する。次に、図1に示す構成図、図2に示すフローチャート、図3乃至図6に示す各模式図を参照しながら、量子コンピュータ11の動作を説明する。まず、量子演算を開始する前に、操作員の手動操作によって、3軸ステージ26、金属探針27が演算装置14内に入れられる。この後、入力装置12の入力ユニット12が操作されて、冷却開始指示が入力されると、冷却ユニット30が起動されて、量子ビット基板1乃や査型プローブ顕微鏡13の探針27などが冷却されるステップS1。次いで、操作員によって入力装置12の入力ユニット12が操作されて、磁場生成指示が入力されると、電磁石29が起動されて、量子ビット基板1に磁場が印加され、銅酸化物超伝導体薄膜3内にドープされた各ホール4毎にスピン渦6が生成されると共に、これらの各スピン渦6に対応するように右回りのループ電流5、左回りのループ電流5が生成されるステップS2。この後、走査型プローブ顕微鏡本体28が操作されて、走査型プローブ顕微鏡13の探針27が動かされ、量子ビット基板1の銅酸化物超伝導体薄膜3内にドープされた各ホール4の位置が調整するステップS3。この際、図3の模式図に示す如く電磁石29によって、量子ビット基板1に印加される磁場の強さが不均一にされていることから、各量子ビットの量子状態間のエネルギー差が異なるものとなる。なお、符号31は電磁石29によって生成される磁力線を表している。さらに、量子ビット基板1にドープされた各ホール4の位置調整が完了した後、操作員の手動操作によって、3軸ステージ26が演算装置14外に出され、量子ビット基板1の上部側に遮蔽物が無い状態にされる。そして、不均一磁場を一時的に強力にし、すべてのループ電流を右回り又は左回りとし、初期化したのち、もとの不均一磁場に戻す。この状態で、入力装置12の入力ユニット16などが操作されて、演算対象データが入力されると、入力装置12のデータ変換ユニット17によって、演算対象データが量子演算データに変換されると共に、電磁波出射ユニット18によって、量子演算データに対応した複数の波長光を含む電磁波19が生成されて、図4の模式図に示すように、演算装置14の量子ビット基板1に照射される。これにより、電磁波19に含まれている波長と照射時間に対応して、初期量子状態は量子状態が重なり合った状態に変化する。以下、入力装置12の入力ユニット16などが操作されて、演算対象データが入力される毎に、上述した量子演算動作が繰り返され量子状態が複雑に絡み合った状態が作り出されるステップS4乃至S6。次いで、入力装置12の入力ユニット16などが操作されて、読取指示が入力されると、出力装置15の強力コヒーレント光パルス入出力ユニット22によってビーム径を絞った強力コヒーレント光パルス20が生成されて、図5の模式図に示すように量子ビット基板1の各量子ビットに照射されるステップS7。量子ビット基板1からの反射光を強力コヒーレント光パルス入出力ユニット22で受信し、反射光解析ユニット23で偏光を解析することより、量子ビットの状態がわかる図6参照。すべての量子ビットの状態を測定し、量子演算結果を得るステップS8。量子演算結果は表示ユニット24で画面表示される。このように、この形態では、複数のホール4がドープされた銅酸化物超伝導体薄膜3を持つ量子ビット基板1に磁場を印加して、銅酸化物超伝導体薄膜3に形成された各ホール4を中心にしたスピン渦6を生成すると共に、各ホール4の位置、各スピン渦6に対応した右回りのループ電流5、又は左回りのループ電流5を生成した状態で、量子演算データを含む電磁波19を量子ビット基板1に照射し、量子演算を行うようにしているので、各ループ電流5の安定性を利用して、量子ビットの値を安定することができ、これによって1素子当たりの量子ビット数を100量子ビット以上にすることができる。さらに、量子ビットに必要な属性、すなわち計算中における量子状態の安定性、量子状態の制御性を確保することができ、さらに量子ビットの大規模集積化を可能にすることができる。また、この形態では、量子ビット基板1を構成するモット絶縁体薄膜として、安価に製造が可能であるホールドープ型銅酸化物超伝導体薄膜を使用するようにしているので、量子ビット基板1の製造コストを低く抑えすることができる。また、この形態では、量子ビット基板1に量子演算を行う前、走査型プローブ顕微鏡13の探針27を動作して、銅酸化物超伝導体薄膜3にドープされた各ホール4の位置を調整しているので、前記数式2で示される各量子ビットの関係を最適化することができる。また、この形態では、電磁石29によって、量子ビット基板1に不均一な磁場を印加し、量子ビット基板1に量子演算を行う前、走査型プローブ顕微鏡13の探針27を動作して、銅酸化物超伝導体薄膜3にドープされた各ホール4の位置を調整する際、不均一な磁場を利用し、各量子ビットの量子状態間のエネルギー差を異なるように調整しているので、各量子ビットの関係調整を容易にすることができる。また、入力装置12の入力ユニット16が操作されて、初期化指示が入力されたとき、電磁石29によって、強い磁力線31を生成して、量子ビット基板1に強い磁場を印加し、銅酸化物超伝導体薄膜3内にドープされた各ホール4に対応するループ電流5をすべて右回り、又はすべて左回りに統一し、量子ビット基板1を初期化する。このようにすることにより、量子ビット基板1に量子演算を行う前に、量子ビット基板1を初期化して、量子ビットを特定値にすることができる請求項5の効果。また、上述した形態では、複数のホール4がドープされた銅酸化物超伝導体薄膜を使用するようにしているが、複数の電子がドープされた銅酸化物超伝導体薄膜を使用するようにしても良い。また、2次元モット絶縁体薄膜に属する他の材料によって構成される薄膜に複数のホール4、複数の電子をドープして、使用するようにしても良い。これにより、各ホール4、各電子の回りにスピン渦6を発生して、右回りのループ電流5、又は左回りのループ電流5を発生し、前記数式2で定義された量子ビットを生成することができる。また、上述した形態では、銅酸化物超伝導体薄膜3の表面で、原子配列が乱れ易いことから、銅酸化物超伝導体薄膜3の表面から少し、内部に入った層に複数のホール4をドープして、各ホール4の状態を安定するようにしているが、銅酸化物超伝導体薄膜3の表面にコーティングなどを施して、銅酸化物超伝導体薄膜3の表面で、原子配列が乱れ難くした場合には、銅酸化物超伝導体薄膜3の表面層に複数のホール4をドープするようにしても良い。