成膜対象物上にIGZO膜を形成する方法であって、酸素ガスの分圧が0.1Pa以下の真空中でスパッタリングによって当該成膜対象物上にIGZO膜を形成する成膜工程と、酸素ガス並びに不活性ガス又は希ガスを含む雰囲気中で前記IGZO膜に対してアニール処理を行うアニール処理工程とを有するIGZO膜の形成方法。前記アニール処理工程を大気圧下で行う請求項1記載のIGZO膜の形成方法。前記アニール処理工程を減圧下で行う請求項1記載のIGZO膜の形成方法。請求項1乃至請求項3記載のいずれか1項の方法によって成膜対象物上にIGZOからなる半導体層を形成した後、当該成膜対象物上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程を有する薄膜トランジスタの製造方法。本発明は、このような従来の技術の課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、成膜レートを落とすことなく成膜可能で、薄膜トランジスタを構成した場合に所望のTFT特性を示すIGZO半導体層を形成可能な技術を提供することにある。上記目的を達成するためになされた本発明は、成膜対象物上にIGZO膜を形成する方法であって、酸素ガスの分圧が0.1Pa以下の真空中でスパッタリングによって当該成膜対象物上にIGZO膜を形成する成膜工程と、酸素ガス並びに不活性ガス又は希ガスを含む雰囲気中で前記IGZO膜に対してアニール処理を行うアニール処理工程とを有するものである。本発明では、前記アニール処理工程を大気圧下で行う場合にも効果的である。本発明では、前記アニール処理工程を真空中で行う場合にも効果的である。また、本発明は、上述したいずれかの方法によって成膜対象物上にIGZOからなる半導体層を形成した後、当該成膜対象物上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程を有する薄膜トランジスタの製造方法である。本発明の場合、酸素ガスの分圧が0.1Pa以下の真空中でスパッタリングによって当該成膜対象物上にIGZO膜を形成することによって、酸素ガスの分圧の低い領域でスパッタリングを行うことができるので、成膜レートを落とすことなくIGZO膜を形成できる。また、このIGZO膜に対し、酸素ガス並びに不活性ガス又は希ガスを含む雰囲気中でアニール処理を行うことから、IGZO膜中に酸素原子が十分に残った状態でアニール処理を終了することができ、薄膜トランジスタを構成した場合に所望のTFT特性を示す半導体層を形成することができる。本発明によれば、成膜レートを落とすことなく成膜可能で、薄膜トランジスタを構成した場合に所望のTFT特性を示すIGZO半導体層を形成することができる。以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。図1は、本発明が適用される薄膜トランジスタの要部断面図である。図1に示すように、この薄膜トランジスタ1は、例えばガラス基板2上に設けられるもので、ガラス基板2上に例えばSiOXからなる第1の絶縁層3が形成され、この第1の絶縁層3上にゲート電極4が形成されている。そして、このゲート電極4を覆うように、例えばSiOXからなる第2の絶縁層5が形成され、この第2の絶縁層5上のゲート電極4の上方の位置に、IGZOからなる半導体層6が形成されている。さらに、第2の絶縁層5及び半導体層6上には、ゲート電極4を挟む位置に、ソース電極7とドレイン電極8がそれぞれ形成されている。図2は、本発明に係る成膜方法の例を示す流れ図である。本例においては、まず、図示しない成膜室内に成膜対象物図示せずを搬入し、プロセス1P1で表す。以下同様に示すように、成膜室内の真空排気を行う例えば、5×104Pa程度。この成膜室内には、公知のスパッタリング機構が設けられ、また、IGZOからなるターゲットが配置されている。次いで、成膜室内にArガスを導入して例えば0.67Pa程度の圧力にした後、プロセス2に示すように、成膜室内にO2ガスを導入し、成膜室内におけるO2ガスの分圧が0.1Pa以下となるように調整する。なお、本発明の場合、O2ガスの分圧の下限は0であっても、所望の効果が得られることが確認されている。そして、この状態で成膜室内のスパッタリング機構を動作させ、プロセス3に示すように、成膜対象物上にスパッタリングによってIGZO膜を形成する。その後、成膜対象物を図示しないアニール処理室内に搬入する。次に、プロセス5に示すように、アニール処理室内にO2ガス並びに不活性ガス又は希ガスを導入し、アニール処理室の圧力を大気圧に調整する。本発明の場合、不活性ガスの種類は特に限定されることはないが、IGZOと反応させない観点からは、窒素N2ガスを用いることが好ましい。なお、希ガスであるアルゴンArガスも使用することができる。この場合、O2ガスと不活性ガス又は希ガスの分圧は、O2ガス/不活性ガス又は希ガスの比率で0.2より大きく1.0未満であることが好ましく、より好ましくは、0.3以上0.8以下である。特に不活性ガスとして、N2ガスを用いた場合には、O2ガス/N2ガスO2ガスの比率で0.2より大きく1.0未満であることが好ましく、より好ましくは、0.3以上0.8以下である。O2ガスの比率が0.2以下であると、薄膜トランジスタを構成した場合にオフ電流の値が所望の値より大きくなり、他方、1.0以上であると、オン電流の値が所望の値より小さくなる。一方、本発明の場合、アニール処理の温度は特に限定されることはないが、初期のアニール処理の効果が得られ、かつ、IGZO膜を結晶化させない観点からは、150°C以上600°C以下であることが好ましく、より好ましくは、200°C以上450°C以下である。そして、プロセス6に示すように、大気圧の雰囲気下でアニール処理を行う。なお、アニール処理の時間は、15分~60分程度である。以上のアニール処理により、目的とするIGZO膜が得られる。図3は、本発明に係る成膜方法の他の例を示す流れ図である。本例においては、図2に示す例のプロセス1~3と同一のプロセスを行う。すなわち、成膜室内の真空排気を行い、成膜室内にArガスを導入して例えば0.67Pa程度の圧力にした後、成膜室内にO2ガスを導入し、成膜室内におけるO2ガスの分圧が0.1Pa以下となるように調整する。そして、この状態で成膜室内のスパッタリング機構を動作させ、成膜対象物上にスパッタリングによってIGZO膜を形成する。その後、成膜対象物を図示しないアニール処理室内に搬入し、アニール処理室の真空排気を行う例えば、1×103Pa程度。次に、プロセス5に示すように、アニール処理室内にO2ガス並びに不活性ガス又は希ガスを導入する。そして、アニール処理室の圧力を、10Pa以上10000Pa以下、より好ましくは、100Pa以上1000Pa以下に調整する。本発明の場合、不活性ガスの種類は特に限定されることはないが、IGZOと反応させない観点からは、窒素N2ガスを用いることが好ましい。なお、希ガスであるアルゴンArガスも使用することができる。この場合、O2ガスと不活性ガス又は希ガスの分圧は、O2ガス/不活性ガス又は希ガスの比率で0.2より大きく1.0未満であることが好ましく、より好ましくは、0.3以上0.8以下である。特に不活性ガスとして、N2ガスを用いた場合には、O2ガス/N2ガスO2ガスの比率で0.2より大きく1.0未満であることが好ましく、より好ましくは、0.3以上0.8以下である。O2ガスの比率が0.2以下であると、薄膜トランジスタを構成した場合にオフ電流の値が所望の値より大きくなり、他方、1.0以上であると、オン電流の値が所望の値より小さくなる。一方、本発明の場合、アニール処理の温度は特に限定されることはないが、初期のアニール処理の効果が得られ、かつ、IGZO膜を結晶化させない観点からは、150°C以上600°C以下、より好ましくは、200°C以上450°C以下である。そして、プロセス6に示すように、減圧雰囲気下でアニール処理を行う。なお、アニール処理の時間は、15分~60分程度である。以上のアニール処理により、目的とするIGZO膜が得られる。以上述べたように本発明によれば、酸素ガスの分圧が0.1Pa以下の真空中でスパッタリングによって当該成膜対象物上にIGZO膜を形成することによって、酸素ガスの分圧の低い領域でスパッタリングを行うことができるので、成膜レートを落とすことなくIGZO膜を形成できる。また、このIGZO膜に対し、酸素ガス並びに不活性ガス又は希ガスを含む雰囲気中でアニール処理を行うことから、IGZO膜中に酸素原子が十分に残った状態でアニール処理を終了することができ、薄膜トランジスタを構成した場合に所望のTFT特性を示す半導体層を形成することができる。以下、本発明の実施例を比較例とともに説明する。図1に示す構成の薄膜トランジスタのIGZOからなる半導体層を酸素を導入せず形成した。この場合、IGZO膜の厚さは50nmとした。そして、O2ガスとN2ガスの分圧を変えてアニール処理を行った。アニール処理の条件は、温度400°C、時間は15分とした。図4は、このアニール処理後のIGZO膜を用いた場合のTFT特性を示すグラフである。図4に示すように、O2ガスを導入せずにアニール処理を行った場合には、導電膜が形成され、TFT特性を示さなかった。一方、O2ガス/N2ガスO2ガスの比率を0.2とした場合には、TFT特性を示したが、オフ電流が所望の値より大きくなった。他方、O2ガス/N2ガスの比率を0.5とした場合には、所望のTFT特性を示した。さらに、O2ガス/N2ガスO2ガスの比率を1.0とした場合には、TFT特性を示したが、オン電流が所望の値より小さくなった。以上より、本発明の効果及びその好ましいO2ガスの分圧を確認することができた。