-第1軸a1に沿った磁化容易軸を有する磁気素子ELM;-前記第1軸に平行でない第2軸a2に沿って配向した磁気分極場Hpを前記磁気素子に印加するための手段であって、前記場および前記磁化容易軸の結合効果によって互いに反対でない2つの異なる磁化方向に対応する2つの異なる磁化P1P2安定平衡状態を磁気素子が示すように前記場の強度が選択される手段B1B2PMCPE;-前記磁気素子と機械的に結合した圧電または電歪基板SP;そして-圧電または電歪基板に電界を印加するように配列された少なくとも第1EL1および第2EL2電極を備え、前記基板が、前記第1および第2軸と同一平面内であるがそれらとは異なる、第3軸OXにほぼ沿った主方向の非等方の力学的応力を前記磁気素子に及ぼし、前記力学的応力が磁歪結合によって2つの前記安定平衡状態間で前記磁気素子の磁化状態の切り替えを生じさせるのに十分な強度である:磁気電気記憶素子。前記磁気素子が単一磁区からなる請求項1に記載の磁気電気記憶素子。前記磁気素子が細長形状を有し、形状異方性によって完全にまたは部分的に前記磁化容易軸を決定する請求項1または2に記載の磁気記憶素子。前記磁気素子が異方性微細構造を有し、完全にまたは部分的に前記磁化容易軸を決定する請求項1から3までのいずれか一つに記載の磁気電気記憶素子。前記異方性微細構造が外部磁場の存在下で堆積により前記素子を加工することによって得られる請求項4に記載の磁気電気記憶素子。前記磁気分極場を外部磁場の形で発生させるための手段B1B2CPMを備えた請求項1から5までのいずれか一つに記載の磁気電気記憶素子。前記磁気分極場を交換磁場の形で発生させるための手段CPEを備えた請求項1から6までのいずれか一つに記載の磁気電気記憶素子。前記磁化容易軸に実質的に垂直な一つの前記磁気分極を発生させるための手段を備えた請求項1から7までのいずれか一つに記載の磁気電気記憶素子。前記電極は、前記磁化容易軸と前記磁気分極場の双方に対し、40°と50°の間、好ましくは約45°の平均角度をなして前記磁気素子に非等方の力学的応力を及ぼすように配列される請求項8に記載の磁気電気記憶素子。前記電極が、磁気素子の形状に従う請求項1から9までのいずれか一つに記載の磁気電気記憶素子。前記磁気素子が前記基板中に埋め込まれる請求項1から10までのいずれか一つに記載の磁気電気記憶素子。前記磁気素子が前記基板上に堆積される請求項1から10までのいずれか一つに記載の磁気電気記憶素子。前記磁気素子が、単一軸の磁気異方性を有する請求項1から12までのいずれか一つに記載の磁気電気記憶素子。前請求項のいずれか一つに記載の磁気電気メモリ素子および前記磁気素子の磁化方向を決定するための磁気センサMLを備えたメモリセル。前記センサが、ホール効果センサおよび磁気抵抗、トンネル効果磁気抵抗、巨大磁気抵抗または超巨大磁気抵抗センサから選択される請求項14に記載のメモリセル。行と列をなす行列配置に従って配列され、同一列のセルの第1電極も同一行のセルの第2電極も電気的に結合して請求項14または15に記載の複数のメモリセルCM11CM23を備えた直接アクセス不揮発性メモリMME。論理構成を保存するための手段として請求項14または15に記載の複数のメモリセルを備えたプログラマブル論理回路CLP。-第1軸a1に沿った磁化容易軸を有する磁気素子ELM;-前記第1軸に平行でない第2軸a2に沿って配向した磁気分極場Hpを前記磁気素子に印加するための手段であって、前記場および前記磁化容易軸の結合効果によってそれらの間に0≦α90°の角度をなす磁化方向に対応する2つの磁化P1P2安定平衡状態を磁気素子が示すように前記場の強度が選択される手段B1B2PMCPE;-前記磁気素子と機械的に結合した圧電または電歪基板SP;そして-圧電または電歪基板に電界を印加するように配列され、前記基板が、前記第1および第2軸と同一平面上であるがそれらとは異なる、第3軸OXにほぼ沿った主方向の非等方の力学的応力を前記磁気素子に及ぼす、少なくとも第1EL1および第2EL2電極;-2つの端子CE1CE2を有し、2つの前記端子間の電気抵抗は前記磁気素子の磁化方向に依存する磁気センサML:を備えたメムリスティブデバイス。2つの前記磁化P1P2安定平衡状態は同時に発生し、対応する磁化方向は、それらの間にα0°の角度をなす請求項18に記載のメムリスティブデバイス。