マイクロ波を伝播させる導波路と、前記マイクロ波を表面波に変換する誘電体板と、前記誘電体板を外壁の一部とするプラズマ室と、前記プラズマ室に水素を供給する水素供給部と、前記プラズマ室で前記表面波により前記水素から生じる負イオンに対し、速度を与える電界形成部とを有し、前記誘電体板は、前記導波路と前記プラズマ室の間を仕切るものであることを特徴とするイオンドーピング装置。請求項1において、前記誘電体板の耐熱温度は、1300K以上であることを特徴とするイオンドーピング装置。請求項1または請求項2において、前記誘電体板は、石英ガラスまたはアルミナであることを特徴とするイオンドーピング装置。請求項1乃至請求項3のいずれか一において、前記誘電体板の大きさは、直径300mmまたは直径450mmの円を覆うもの、またはそれ以上であることを特徴とするイオンドーピング装置。請求項1乃至請求項4のいずれか一において、前記電界形成部は、引き出し電極を有することを特徴とするイオンドーピング装置。請求項5において、前記誘電体板と前記引き出し電極との距離は20mm以上200mm以下であることを特徴とするイオンドーピング装置。請求項5または請求項6において、前記電界形成部は、加速電極を有することを特徴とするイオンドーピング装置。請求項5または請求項6において、前記電界形成部は、ドーピングされる対象物に電位を与える電位付与部を有することを特徴とするイオンドーピング装置。導波路を介してマイクロ波を誘電体板に供給することにより前記誘電体板に表面波を発生させ、前記表面波に接する水素をプラズマとし、電界をかけることにより前記プラズマとなった前記水素の負イオンを加速させ、ドーピングされる対象物に添加することを特徴とするイオンドーピング方法。従来技術の示すとおり、イオンドーピング装置の内部に磁場やターゲットを設けることにより、水素の負イオンを効率よく生成することができるが、いずれの方法も、設備の複雑化や希少な元素の使用を要するため、安価なSOI基板の提供の目的から外れている。また、アルカリ金属を付着させるためのターゲットは、例えばプラズマ室の内壁を利用することや、プラズマ室の内部に金属の部材を配置することにより設けるが、水素の負イオンを広域に渡って一様に分布させることが困難で、特に直径300mmのシリコンウエハや、今後主流となる可能性のある直径450mmのシリコンウエハのような大型基板を高スループットで処理するには不向きであった。そこで、開示する発明の一態様は、質量分離機能を有さない簡易な装置構成で同一質量の水素イオンのみを添加できるイオンドーピング装置の提供を目的の一とする。また、直径300mm以上のウエハに同一質量の水素イオンのみを一度に添加できるイオンドーピング装置の提供を目的の一とする。また、当該ドーピングを行う方法を提供することを目的の一とする。開示する発明の一態様は、マイクロ波を伝播させる導波路と、当該マイクロ波を表面波に変換する誘電体板と、誘電体板を外壁の一部とするプラズマ室と、プラズマ室に水素を供給する水素供給部と、プラズマ室で表面波により当該水素から生じる負イオンに対し、速度を与える電界形成部とを有し、当該誘電体板は導波路とプラズマ室の間を仕切るものであることを特徴とするイオンドーピング装置である。電界形成部は負イオンを引き出す引き出し電極と、当該負イオンを加速する加速電極とを有している。あるいは、当該加速電極の代わりに、ドーピングされる対象物に引き出し電極の電位よりも高い電位を与える電位付与部を有していてもよい。誘電体板の耐熱温度は1300K以上であると好ましい。これにより、プラズマの熱に十分耐える装置とすることができる。また、当該誘電体板により真空と大気を分けているため、大気圧に耐える強度を有している必要がある。そのような部材の例として、石英ガラスやアルミナがある。あるいは、マイクロ波を伝播させる導波路の内部において真空を保てる構造を採用すると、当該誘電体板は大気圧に耐える強度を有していなくてもよい。石英ガラスやアルミナは比較的容易に大面積化できるため、例えば、直径300mmまたは直径450mmの円を覆うことの出来る板とすることで、直径300mmまたは直径450mmのシリコンウエハを一度の処理できるため好ましい。つまり、誘電体板の大きさは、直径300mmまたは直径450mmの円を覆うもの、またはそれ以上であることが好ましい。また、当該誘電体板の形状は、円状、長方形状などとすることができる。誘電体板と引き出し電極との距離は20mm以上であると、プラズマ室において電子のエネルギー電子温度の平均値が1eV程度である領域を形成することができるため、水素の負イオンの生じやすい状態とすることができ好ましい。また、装置の小型化の観点から、当該距離は200mm以下に抑えることが好ましいが400mm程度までは許容できる。また、当該距離の少なくとも20mm乃至200mmの範囲においては、電子のエネルギーの平均値は1eV程度である。従って、この範囲全域にわたり、水素の負イオンの生じやすい状態とすることができる。なお、電子のエネルギーの平均値が1eV程度のとき、電子のエネルギーは、0eV乃至3eVに分布する。これは、水素の負イオンが生じやすいとされる電子のエネルギーの範囲である1eV乃至3eVを含む。また、電子のエネルギーが3eVよりも大きなものは、水素の負イオンを壊す作用を有するため、電子のエネルギーの平均値は1.5eVを超えないことが好ましい。また、電子のエネルギーの平均値が0.5eVよりも小さいと、電子のエネルギーが1eV乃至3eVのものの数が著しく少なくなるため好ましくない。従って、プラズマ室での電子のエネルギーの平均値は0.5eV以上1.5eV以下とすると好ましい。開示する発明の他の一態様は、導波路を介してマイクロ波を誘電体板に供給することにより誘電体板に表面波を発生させ、当該表面波に接する水素をプラズマとし、電界をかけることによりプラズマとなった水素の負イオンを加速させ、対象物に添加することを特徴とするイオンドーピング方法である。希少な金属の使用や、高エネルギーの電子の捕獲のための磁場を印加することなく、非常に簡易な装置構成で水素の負イオンを生成できる。水素の負イオンは、分子量1のもののみ生じるため、質量分離を行うことなく同一分子量の水素を電界により加速できる。従って、深さ方向に非常に分布の狭い水素の添加が可能であるから、例えば、SOI基板の作製工程において形成される水素脆化層の厚さを非常に薄くできる。これにより、非常に平坦度の高い単結晶シリコン膜を得ることが出来る。また、水素の負イオンは誘電体板からある一定の距離の範囲に一様に生じるため、当該誘電体板の面積によってプラズマの面積を自由に設定できる。その面積は、例えば1m角以上とすることができるため、直径300mmのウエハやそれ以上の大きさのウエハを一度に処理可能である。また、複数のウエハを同時に処理することも容易である。以下、実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定されず、本明細書等において開示する発明の趣旨から逸脱することなく形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者にとって自明である。また、異なる実施の形態に係る構成は、適宜組み合わせて実施することが可能である。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を用い、その繰り返しの説明は省略する。また、本明細書中においてドーピング装置とは、イオンを加速して対象物に元素を添加する装置全般を指す。実施の形態1本実施の形態においては、本発明の一実施形態に係るドーピング装置を、図1を用いて説明する。本発明の一実施形態に係るドーピング装置は、マイクロ波を伝播させる導波路101、当該マイクロ波を表面波に変換する誘電体板102、誘電体板102を外壁の一部とするプラズマ室103、プラズマ室103に水素を供給する水素供給部109、プラズマ室103に生じる負イオンを引き出す引き出し電極104、当該負イオンを加速する加速電極105、加速された負イオンを添加する対象物を格納するドーピング室106、ドーピングされる対象物である基板107を搭載するためのステージ108からなる。誘電体板102は、導波路101とプラズマ室103の間を仕切るものである。引き出し電極104と加速電極105は、本発明の一実施の形態に係る電界形成部であり、加速電極105に印加される電位は、引き出し電極104のそれよりも高くする。あるいは、加速電極105の代わりに、ドーピングされる対象物に引き出し電極104の電位より高い電位を与える電位付与部を設けてもよい。引き出し電極104はプラズマ室103の外壁の一部を成す。引き出し電極104などの電極を設けずとも、正イオンを、ドーピングされる対象物に添加することは可能であるが、負イオンの添加にはプラズマの保持のために、引き出し電極104が必須の構成となる。以下にその理由を述べる。これはプラズマの接する面からその近傍に、シースと呼ばれる空間電荷層が形成されるためで、当該空間電荷層の電界方向において、プラズマ電位は当該面よりも高い電位を有している。そのため、そのような面には負電荷は近づくことができない。従って、当該面の一部をドーピングされる対象物とした場合、正イオンは当該対象物に添加できるが負イオンはできないということになる。導波路101は、マイクロ波を伝播させるためのものである。ここには例えば、2.45GHz、1kWのマイクロ波を伝播させる。本発明に適したマイクロ波の条件はこれに限らない。本発明の一実施形態におけるマイクロ波の周波数の適用範囲は、0.1GHz以上10GHz以下である。具体的なその他の例として、8.30GHz、1.6kWのマイクロ波を用いてもよい。これにより、誘電体板102に表面波が発生する。このとき、水素供給部109により、プラズマ室103を例えば2Pa以上200Pa以下程度の圧力の水素で満たすと、この表面波の電界で水素の電子が加速されプラズマ化する。誘電体板102の近傍から20mm乃至30mmあたりまでは電子のエネルギーが高く、水素の負イオンの発生しにくい環境にある。しかしながら、それよりも誘電体板102から離れた領域では、電子のエネルギー電子温度の平均値が1eV程度と、水素の負イオンを発生させるのに適したエネルギー範囲のため、誘電体板102と引き出し電極104の間の距離は、20mm以上または30mm以上とするのが好ましい。また、誘電体板102の表面波は、誘電体板全体に一様に広がるため、水素の負イオンも当該板の下では一様に分布する。これにより、誘電体板102の面積に等しい大きさの範囲に、一様に分布する水素の負イオンを得ることが出来る。誘電体板102には石英ガラスやアルミナなどが採用できるため、1m角以上のものが容易に得られる。従って、例えば、直径300mmのウエハを一度に処理可能である。誘電体板102の特性として必要なものは、誘電損失が小さいこと、1300K以上の耐熱性、真空窓に耐える強度、プラズマ耐性、などが挙げられ、これらを有するものを利用できる。発生した水素の負イオンを特定の方向に引き出すため、引き出し電極104を用いる。引き出し電極104で引き出された水素の負イオンは、加速電極105により所望の速度を与えられ、基板107に到達する。このとき、水素の負イオンは分子量1のものしか存在しないため、基板107に添加される水素の深さ分布は非常に狭い範囲に抑えられる。ここでは用いないが、二次電子の流入を制御する減速電極系抑制電極と接地電極をさらに設けてもよい。基板107は、図示しない搬送部によりドーピング室106に導入され、ステージ108に載置される。ステージ108は、必要に応じ走査部を設けてもよい。これにより、誘電体板102よりも大きな基板107に対しても、同様の処理を行うことが出来る。ここでは図示しないが、プラズマ室103を排気するため、排気装置を用いる必要がある。これには、ドライポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプなどを用いればよく、これらを適宜組み合わせてもよい。本発明の一形態により、質量分離機能を有さない、直径300mm以上のウエハの範囲の面積を一度にドーピングできる、添加される水素の深さ方向の分布の非常に狭い、ドーピング装置を提供できる。また、本発明の一形態に係るドーピング装置は、放電領域に電極を有さないため、直流アーク放電を用いるドーピング装置と比較して、陰極のフィラメント交換などのメンテナンスが不要となり、この点においても優れている。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。実施の形態2本実施の形態においては、本発明の一実施形態に係るドーピング装置を、図2を用いて説明する。本発明の一実施形態に係るドーピング装置は、マイクロ波を伝播させるラジアルラインスロットアンテナ201、当該マイクロ波を表面波に変換する誘電体板102、誘電体板102を外壁の一部とするプラズマ室103、プラズマ室103に水素を供給する水素供給部109、プラズマ室103に生じる負イオンを引き出す引き出し電極104、当該負イオンを加速する加速電極105、加速された負イオンを添加する対象物を格納するドーピング室106、ドーピングされる対象物である基板107を搭載するためのステージ108からなる。誘電体板102は、導波路101とプラズマ室103の間を仕切るものである。引き出し電極104と加速電極105は、本発明の一実施の形態に係る電界形成部であり、加速電極105に印加される電位は、引き出し電極104のそれよりも高くする。あるいは、加速電極105の代わりに、ドーピングされる対象物に引き出し電極104の電位より高い電位を与える電位付与部を設けてもよい。引き出し電極104はプラズマ室103の外壁の一部を成す。引き出し電極104などの電極を設けずとも、正イオンを、ドーピングされる対象物に添加することは可能であるが、負イオンの添加にはプラズマの保持のために、引き出し電極104が必須の構成となる。以下にその理由を述べる。これはプラズマの接する面からその近傍に、シースと呼ばれる空間電荷層が形成されるためで、当該空間電荷層の電界方向において、プラズマ電位は当該面よりも高い電位を有している。そのため、そのような面には負電荷は近づくことができない。従って、当該面の一部をドーピングされる対象物とした場合、正イオンは当該対象物に添加できるが負イオンはできないということになる。ラジアルラインスロットアンテナ201は、マイクロ波を伝播させるためのものである。ここには例えば、2.45GHz、1kWのマイクロ波を図2の矢印の方向から入射させ、板部に伝播させる。当該板部は誘電体板を有する。本発明に適したマイクロ波の条件はこれに限らない。本発明の一実施形態におけるマイクロ波の周波数の適用範囲は、0.1GHz以上10GHz以下である。具体的なその他の例として、8.30GHz、1.6kWのマイクロ波を用いてもよい。これにより、誘電体板102に表面波が発生する。このとき、水素供給部109により、プラズマ室103を例えば2Pa以上200Pa以下程度の圧力の水素で満たすと、この表面波の電界で水素の電子が加速されプラズマ化する。誘電体板102の近傍から20mm乃至30mmあたりまでは電子のエネルギーが高く、水素の負イオンの発生しにくい環境にある。しかしながら、それよりも誘電体板102から離れた領域では、電子のエネルギー電子温度の平均値が1eV程度と、水素の負イオンを発生させるのに適したエネルギー範囲のため、プラズマ室内部の厚さは、20mm以上または30mm以上とするのが好ましい。また、誘電体板102の表面波は、誘電体板の、プラズマ室内壁を構成する部分全体に一様に広がるため、水素の負イオンも当該板の下では一様に分布する。これにより、誘電体板102の面積に等しい大きさの範囲に、一様に分布する水素の負イオンを得ることが出来る。誘電体板102には石英ガラスやアルミナなどが採用できるため、1m角以上のものが容易に得られる。従って、例えば、直径300mmのウエハを一度に処理可能である。誘電体板102の特性として必要なものは、誘電損失が小さいこと、1300K以上の耐熱性、真空窓に耐える強度、プラズマ耐性、などが挙げられ、これらを有するものを利用できる。発生した水素の負イオンを特定の方向に引き出すため、引き出し電極104を用いる。引き出し電極104で引き出された水素の負イオンは、加速電極105により所望の速度を与えられ、基板107に到達する。このとき、水素の負イオンは分子量1のものしか存在しないため、基板107に添加される水素の深さ分布は非常に狭い範囲に抑えられる。ここでは用いないが、二次電子の流入を制御する減速電極系抑制電極と接地電極をさらに設けてもよい。基板107は、図示しない搬送部によりドーピング室106に導入され、ステージ108に載置される。ステージ108は、必要に応じ走査部を設けてもよい。これにより、誘電体板102よりも大きな基板107に対しても、同様の処理を行うことが出来る。ここでは図示しないが、プラズマ室103を排気するため、排気装置を用いる必要がある。これには、ドライポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプなどを用いればよく、これらを適宜組み合わせてもよい。つづいて、ラジアルラインスロットアンテナ201について、図3を用いて説明する。図3Aにその側面図を、図3Bにその平面図を示す。図3Aにおいて、ラジアルラインスロットアンテナ201は、導波管301、金属板302、誘電体板303、スロット細い溝部を複数有する金属板304からなる。中央部の導波管301より供給されたマイクロ波は、金属板302と金属板304で挟まれた誘電体板303により形成された導波路を伝わり、スロットから下方に向かって伝播される。マイクロ波の分布は、スロットの形状、配置などにより決まる。図3Bに示すように、ラジアルラインスロットアンテナ201は、その構造上、円形に設計するのが好ましく、円形状のシリコンウエハなどの処理に適している。もちろん、本装置により、四角形やその他の対象物を処理しても構わない。本発明の一形態により、質量分離機能を有さない、直径300mm以上のウエハの範囲の面積を一度にドーピングできる、添加される水素の深さ方向の分布の非常に狭い、ドーピング装置を提供できる。また、本発明の一形態に係るドーピング装置は、放電領域に電極を有さないため、直流アーク放電を用いるドーピング装置と比較して、陰極のフィラメント交換などのメンテナンスが不要となり、この点においても優れている。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。