"一主面同士が対向するように配置されている第1基板および第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に配置されている光電変換層と、前記第1基板と前記第2基板との間において前記光電変換層を囲うように配置されている第1封止部材と、前記第1基板と前記第2基板との間において前記第1封止部材を囲うように配置されている第2封止部材とを備え、前記第1封止部材は、水分を化学吸着する第1吸着剤を有し、前記第2封止部材は、水分を物理吸着する第2吸着剤を有する、光電変換モジュール。前記第2封止部材は、前記第1封止部材側の部分に比べて前記第1封止部材とは反対側の部分における前記第2吸着剤の含有量が多い、請求項1に記載の光電変換モジュール。前記第1基板および前記第2基板の周囲を保持するフレームをさらに備え、該フレームは、前記第1基板および前記第2基板を平面透視して、前記第2封止部材と重なる部分を有するように配置されており、該部分が金属からなる、請求項1または請求項2に記載の光電変換モジュール。前記第2封止部材は、黒色である、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の光電変換モジュール。前記第2封止部材は、ブチルゴムを含む、請求項4に記載の光電変換モジュール。前記第1吸着剤は、酸化カルシウムである、請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の光電変換モジュール。前記第2吸着剤は、ゼオライトである、請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の光電変換モジュール。特許文献2に開示されているように、上述の吸着剤として、水分を物理吸着するゼオライトを用いた場合、光電変換モジュールの周囲の温度および湿度に応じて、ゼオライトが吸着した水分を放出する場合がある。そのため、この放出された水分は、光電変換部に浸入する可能性があった。一方で、吸着剤として、水分を化学吸着する酸化カルシウムCaOのようなアルカリ土類金属酸化物を用いた場合、吸着剤が水分と化学反応を起こし他の物質に変化する。この化学反応は、主として不可逆反応として進行する。それゆえ、このような吸着剤では、一度水分を吸着してしまうと吸着効果が低下するため、長期的に水分の浸入を低減しにくくなる。本発明はこのような課題に鑑みなされたものであり、その目的は内部への水分の浸入を低減した信頼性の高い光電変換モジュールを提供することにある。本発明の一実施形態に係る光電変換モジュールは、一主面同士が対向するように配置されている第1基板および第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に配置されている光電変換部とを有する。さらに、本実施形態では、前記第1基板と前記第2基板との間において、前記光電変換部を囲うように配置されている第1封止部材を有する。さらに、本実施形態では、前記第1基板と前記第2基板との間において、前記第1封止部材を囲うように配置されている第2封止部材を備える。さらに、本実施形態において、前記第1封止部材は、水分を化学吸着する第1吸着剤を有し、前記第2封止部材は、水分を物理吸着する第2吸着剤を有する。本発明の一実施形態に係る光電変換モジュールによれば、光電変換モジュールの内部に浸入してくる水分を外部に放出して、内部に位置する光電変換部に到達する水分の量を低減することができる。その結果、本実施形態では、水分による光電変換部の劣化を低減し、光電変換モジュールの信頼性を維持できる。本発明の光電変換モジュールの実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、図1には、後述する光電変換セルの配列方向をX軸とする右手系のXYZ座標が付してある。まず、光電変換モジュールの一部である光電変換部について説明する。<光電変換部>光電変換部1は、第1基板2の一主面上に設けられている。そして、この光電変換部1は、下部電極3と、光吸収層4およびバッファ層5を備えた光電変換層と、透光性導電層6および集電電極7を備えた上部電極とを有する。この光電変換部1では、下部電極3および上部電極で挟まれた光吸収層4およびバッファ層5により光電変換が行なわれる。また、光電変換部1では、複数の光電変換セル1a、1bが電気的に接続される態様を成している。具体的には、図1に示すように、一方の光電変換セル1aの上部電極集電電極7と、一方の光電変換セル1aに隣り合う他方の光電変換セル1bの下部電極3とが電気的に接続されている。これにより、隣接する光電変換セル1a、1bは、図1中のX方向に沿って直列接続され、第1基板2上で集積化されている。次に、光電変換部1の各部材について説明する。下部電極3は、一方向図1abのX方向に互いに間隔をあけて第1基板2の一主面上に複数配置されている。本実施形態では、図1bに示すように、上記間隔に対応する分離溝P1によって互いに離間した3つの下部電極3が設けられている。なお、下部電極3の個数については、図1に示したものに限られない。このような下部電極3は、モリブデンMo、アルミニウムAl、チタンTi、タンタルTaまたは金Au等の金属またはこれらの合金を含む薄膜であればよい。また、これらの金属が積層されてなる構造体であってもよい。この下部電極3は、例えば、第1基板2上にスパッタリング法または蒸着法等で厚さ0.2~1μm程度に形成される。光吸収層4は、下部電極3上に配置されている。光吸収層4は、例えば、化合物半導体を含んでいる。このような化合物半導体としては、例えば、カルコゲン化合物半導体が挙げられる。カルコゲン化合物半導体は、カルコゲン元素である硫黄S、セレンSeまたはテルルTeを含むものである。カルコゲン化合物半導体としては、例えば、IIIIVI化合物半導体がある。IIIIVI化合物半導体とは、IB族元素11族元素ともいうとIIIB族元素13族元素ともいうとVIB族元素16族元素ともいうとの化合物半導体であり、カルコパイライト構造を有し、カルコパイライト系化合物半導体と呼ばれるCIS系化合物半導体ともいう。IIIIVI化合物半導体としては、例えば、二セレン化銅インジウムCuInSe2、二セレン化銅インジウムガリウムCuIn,GaSe2、二セレンイオウ化銅インジウムガリウムCuIn,GaSe,S2、二イオウ化銅インジウムガリウムCuIn,GaS2又は薄膜の二セレンイオウ化銅インジウムガリウム層を表面層として有する二セレン化銅インジウムガリウム等の多元化合物半導体薄膜がある。なお、光吸収層4が含む化合物半導体は、上記したIIIIVI化合物半導体だけでなく、例えば、銅Cu、亜鉛Zn、錫Sn、硫黄Sを含む、CZTS系のものであってもよい。このようなCZTS系化合物半導体は、例えばCu2ZnSnS4が挙げられる。CZTS系化合物半導体は、IIIIVI化合物半導体のようにレアメタルを使用していないため、材料を確保しやすい。また、光吸収層4は、例えば、p型の導電形を有し、厚さが1~3μm程度である。光吸収層4は、スパッタリング法、蒸着法等といった真空プロセスによって形成される。また、光吸収層4は、塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスによっても形成される。塗布法あるいは印刷法では、例えば、光吸収層4に主として含まれる元素の錯体溶液が下部電極層2の上に塗布され、その後、乾燥および熱処理が行われる。バッファ層5は、光吸収層4のZ側の主面の上に設けられており、光吸収層4の第1導電型とは異なる第2導電型ここではn型の導電型を有する半導体を主に含む。なお、導電型が異なる半導体とは、伝導担体キャリアが異なる半導体である。また、光吸収層4の導電型がn型であり、バッファ層5の導電型がp型であってもよい。ここでは、バッファ層5と光吸収層4との間にヘテロ接合領域が形成されている。このため、光電変換セルRaでは、ヘテロ接合領域を形成する光吸収層4とバッファ層5とにおいて光電変換が生じ得る。バッファ層5は、化合物半導体を主に含む。バッファ層5に含まれる化合物半導体としては、例えば、硫化カドミウムCdS、硫化インジウムIn2S3、硫化亜鉛ZnS、酸化亜鉛ZnO、セレン化インジウムIn2Se3、InOH,S、Zn,InSe,OH、およびZn,MgO等が挙げられる。そして、バッファ層5が1Ωcm以上の抵抗率を有していれば、リーク電流の発生が低減され得る。なお、バッファ層5は、例えば、ケミカルバスデポジションCBD法等によって形成され得る。また、バッファ層5は、光吸収層4の一主面の法線方向Z方向に厚さを有する。この厚さは、例えば、10nm以上で且つ200nm以下に設定される。バッファ層5の厚さが100nm以上で且つ200nm以下であれば、バッファ層5の上に透光性導電層6がスパッタリング法等で形成される際に、バッファ層5においてダメージが生じ難くなる。透光性導電層6は、バッファ層5のZ側の主面の上に設けられており、例えば、n型の導電型を有する透明の導電層透明導電層とも言うである。この透光性導電層6は、光吸収層4において生じた電荷を取り出す電極取出電極とも言うとして働く。透光性導電層6は、バッファ層5よりも低い抵抗率を有する材料を主に含む。透光性導電層6には、いわゆる窓層と呼ばれるものが含まれてもよいし、窓層と透明導電層とが含まれてもよい。透光性導電層6は、禁制帯幅が広く且つ透明で低抵抗の材料を主に含んでいる。このような材料としては、例えば、酸化亜鉛ZnO、酸化亜鉛の化合物、錫が含まれた酸化インジウムITO、および酸化錫SnO2等の金属酸化物半導体等が採用され得る。酸化亜鉛の化合物は、アルミニウム、ボロン、ガリウム、インジウム、およびフッ素のうちの何れか1つの元素等が含まれたものである。透光性導電層6は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長CVD法等によって形成され得る。透光性導電層6の厚さは、例えば、0.05μm以上で且つ3.0μm以下である。ここで、透光性導電層6が、1Ωcm未満の抵抗率と、50Ω/□以下のシート抵抗とを有していれば、透光性導電層6を介して光吸収層4から電荷が良好に取り出され得る。バッファ層5および透光性導電層6が、光吸収層4が吸収し得る光の波長帯域に対して、光を透過させ易い性質光透過性とも言うを有していれば、光吸収層4における光の吸収効率の低下が低減され得る。また、透光性導電層6の厚さが0.05μm以上で且つ0.5μm以下であれば、透光性導電層6における光透過性が高められると同時に、光電変換によって生じた電流が良好に伝送され得る。更に、透光性導電層6の絶対屈折率とバッファ層5の絶対屈折率とが略同一であれば、透光性導電層6とバッファ層5との界面で光が反射することで生じる入射光のロスが低減され得る。集電電極7は、透光性導電層6のZ側の主面一主面とも言うの上に設けられている線状のグリット部7a線状電極部とも言うと、接続部7bを有している。そして、例えば、光電変換セル1aの透光性導電層6によって集められた電荷は、グリット部7aによって更に集められ、接続部7bを介して隣接する光電変換セル1bに伝達され得る。このグリット部7aが設けられることで、透光性導電層6における導電性が補われるため、透光性導電層6の薄層化が可能となる。その結果、電荷の取り出し効率の確保と、透光性導電層6における光透過性の向上とが両立し得る。なお、グリット部7aが、例えば、銀等の導電性が優れた金属を主に含んでいれば、光電変換部1における変換効率が向上し得る。なお、グリット部7aに含まれる金属としては、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル等であってもよい。また、グリット部7aの幅は、50μm以上で且つ400μm以下であれば、隣接する光電変換セル間における良好な導電が確保されつつ、光吸収層4への光の入射量の低下が低減され得る。1つの光電変換セルに複数のグリット部7aが設けられる場合、該複数のグリット部7aの間隔は、例えば、2.5mm程度であればよい。なお、グリット部7aの表面が、光吸収層4が吸収し得る波長領域の光を反射する性質を有していれば、光電変換部1がモジュール化された際に、グリット部7aの表面で反射した光が、モジュール内で再び反射して光吸収層4に入射し得る。これにより、光電変換部1における変換効率が向上し得る。このような表面が形成されるためには、例えば、透光性の樹脂に光反射率の高い銀等の金属粒子が添加されたペーストが透光性導電層6の一主面上に塗布され、その後の乾燥によって該ペーストが固化されることでグリット部7aが形成されればよい。また、例えば、アルミニウム等の光反射率の高い金属がグリット部7aの表面に蒸着されてもよい。接続部7bは、光吸収層4およびバッファ層5を分離する分離溝P2内に配置されている。この接続部7bは、グリット部7aと電気的に接続している。そして、例えば、光電変換セル1a内に位置する接続部7bは、分離溝P2を通って隣の光電変換セル1bから延伸されている下部電極3に接続するような垂下部を有している。これにより接続部7bは、図1aにおいて、光電変換セル1aの上部電極透光性導電層6およびグリット部7aと、光電変換セル1bの下部電極3とを電気的に接続できる。なお、図1abでは、透光性導電層6に電気的に接続された光電変換セル1aのグリット部7aと光電変換セル1bの下部電極3とを直に接続しているが、この形態に限られない。接続部7bは、例えば、分離溝P2に配置されるバッファ層5および透光性導電層6の少なくとも一方を介して光電変換セル1aの上部電極と光電変換セル1bの下部電極3とを電気的に接続する形態であってもよい。接続部7bは、グリット部7aと同様の材質、方法で作製してもよい。そのため、接続部7bは、グリット部7aの形成と同時に行なってもよい。それゆえ、接続部7bは、グリット部7aの一部であってもよい。次に、光電変換部1の製造方法の一例について説明する。まず、洗浄した青板ガラスなどの第1基板2の外周部から内側に3~20mm程度を除く略全面にモリブデン等の金属をスパッタリング法で成膜し、下部電極3を形成する。次いで、下部電極3の所望の位置にYAGイットリウム、アルミニウム、ガーネットレーザ等を照射して分割溝P1を形成し、下部電極3をパターニングする。その後、パターンニングされた下部電極3上に光吸収層4をスパッタ法、蒸着法または印刷法などを用いて成膜する。次に、光吸収層4上にバッファ層5を溶液成長法CBD法等で成膜する。次いで、スパッタリング法または有機金属気相成長法MOCVD法等でバッファ層5上に透光性導電層6を成膜する。次に、メカニカルスクライビング等で分割溝P2を形成して、光吸収層4、バッファ層5および透光性導電層6をパターニングする。次いで、透光性導電層6上にスクリーン印刷法等で金属ペーストを塗布した後、焼成して集電電極7を形成する。その後、メカニカルスクライビング等で分割溝P3を形成し、複数の光電変換セルを構成するようにパターニングすることによって、光電変換部1が作製される。<光電変換モジュール>次に、本発明の実施形態に係る光電変換モジュールについて説明する。本発明の一実施形態に係る光電変換モジュールMは、光電変換部1、第1基板2、第2基板8、充填材9、第1封止部材10および第2封止部材11を備えている。第1基板2は、光電変換部1を支持するためのものである。このような第1基板2としては、例えば、厚さ1~3mm程度のソーダライムガラスSLGが挙げられる。第2基板8は、光電変換部1等を外部から保護する機能を有している。また本実施形態では、第2基板8側から光が入射される。それゆえ、第2基板8は、光透過率の良い白板強化ガラスなどが使用できる。なお、第2基板8の形状は、第1基板2とほぼ同等のものであればよい。第2基板8は、その一主面が第1基板2の一主面と対向するように配置されている。そして、第2基板8の一主面と第1基板2の一主面との間に光電変換部1が配置されている。充填材9は、図2bに示すように第1基板2および第2基板8の互いに対向する一主面間に充填されている。また、充填材9は、第1基板2の一主面上の光電変換部1と、第2基板8の一主面との間にも充填されている。充填材9は、主として光電変換部1を保護する機能を有しており、図2bに示すように、光電変換部1を覆うように配置されている。このような充填材9としては、例えば共重合したエチレンビニルアセテートEVAを主成分とする樹脂が挙げられる。なおEVAには、樹脂の架橋を促進すべく、トリアリルイソシアヌレート等の架橋剤が含まれると好適である。また、EVAにより、第1基板2と第2基板8とを接着し、一体化することができる。第1封止部材10および第2封止部材11は、第1基板2および第2基板8を平面視して、光電変換部1を取り囲むように、第1基板2と第2基板8との間に配置されている。これにより、第1封止部材10および第2封止部材11は、第1基板2と第2基板8との間から光電変換部1側に入ってくる異物の浸入を低減する機能を有している。このような異物としては、例えば、外部から浸入する水分が挙げられる。また、この第1封止部材10は、図2bに示すように、第2封止部材11よりも光電変換部1側に配置されている。換言すれば、第2封止部材11は、第1基板2および第2基板8を平面視して、第1封止部材10を囲うように配置されている。また、本実施形態において、第1封止部材10は、充填材9と接触するように配置されている。これにより、本実施形態では、第1封止部材10と充填材9との隙間の発生を低減することができるため、外部からの応力に対して略均一な剛性を維持することができる。そして、第1封止部材10には、水分を化学吸着する第1吸着剤を含んでいる。具体的に、第1封止部材10は、例えば、高分子材料に第1吸着剤を分散させたものである。このような高分子材料は、ポリエチレン等の樹脂またはブチルゴム、エチレンプロピレンゴム等のゴムよりなる弾性体、もしくは上述した樹脂とゴムの混合物であればよい。上記したブチルゴムは、透湿度が0.1g/m2/day程度と低く、優れた防水性能を有している。第1吸着剤は、水分と化学反応を伴って、化学吸着する性質を有している。そのため、第1封止部材10に到達した水分は、第1吸着剤の強い吸着力で吸着され、光電変換部1まで浸入しにくくなる。それゆえ、第1封止部材10は、光電変換部1への水分の浸入を低減できる。このような第1吸着剤としては、例えば、酸化カルシウムCaO、酸化ナトリウムNa2O、酸化マグネシウムMgO、塩化カルシウムCaCl2、硫酸ナトリウム無水塩Na2SO4、硫酸銅無水塩CuSO4または硫酸カルシウムCaSO4などが挙げられる。上記した酸化カルシウムは、低湿度での水分吸収容量が大きく、潮解しにくい性質を有しているため、低湿度の環境下においても吸着力を維持しやすい。このような第1吸着剤の粒径は、例えば、0.5~10μm程度である。また、高分子材料から成る弾性体としてブチルゴムを用い、第1吸着剤として酸化カルシウムを用いる場合、第1封止部材10は、ブチルゴム100重量部に対し、酸化カルシウムを10~50重量部程度含有させればよい。これにより、第1封止部材10は、第1基板2および第2基板8とブチルゴムとの接着強度を維持しつつ、水分の吸着効果を得やすくなる。第2封止部材11は、水分を物理吸着する第2吸着剤を含んでいる。具体的に、第2封止部材11は、例えば、高分子材料に第2吸着剤を分散させたものである。このような高分子材料は、上記した第1封止部材10の弾性体と同等のものを用いることができる。第2吸着剤は、吸着剤の表面において水分を物理吸着する。この物理吸着は、吸着剤の表面と水分との間に発生するファンデルワールス力により水分が吸着されるため、化学吸着に比べて吸着力が弱い。そのため、第2吸着剤は、温度と湿度などの条件により、水分を脱離する機能を有している。これは、第2吸着剤が水分を脱着しているとも言う。それゆえ、第2封止部材11内の第2吸着剤で吸着された水分は、所定の条件下において、第2封止部材11から外部に水が放出される。このような第2吸着剤としては、例えば、多孔質表面を持つ無機物質などが用いられる。具体的には、ゼオライトなどのモレキュラーシーブ、シリカゲルSiO2nH2O、アルミナ、アロフェンまたは活性炭などが挙げられる。例えば、ゼオライトは、60°C程度で水分を放出することができる。それゆえ、ゼオライトは、一般的な晴天時において、光電変換モジュール自体が発熱した温度で乾燥されることにより、水分を外部に放出することができる。また、ゼオライトは、吸湿、放湿の反応速度が上記した他の物質よりも速いため、効率良く水分の吸着および脱着ができる。このような第2吸着剤の粒径は、例えば、0.5~10μm程度である。また、高分子材料から成る弾性体としてブチルゴムを用い、第2吸着剤としてゼオライトを用いる場合、第2封止部材11は、ブチルゴム100重量部に対し、ゼオライトを10~50重量部程度含有させればよい。これにより、第2封止部材11は、第1基板2および第2基板8とブチルゴムとの接着強度を維持しつつ、水分の吸着効果を得やすくなる。そして、光電変換モジュールMでは、水分を物理吸着する第2吸着剤を有する第2封止部材11が、水分を化学吸着する第1吸着剤を有した第1封止部材10を囲うように配置されている。すなわち、光電変換モジュールMでは、第2封止部材11が第1封止部材10よりも外側に位置している。そのため、第2封止部材11は、第1封止部材10よりも外部の水分を吸着しやすい位置に配置されている。これにより、本実施形態において、外部から浸入する水分は、まず、第2封止部材11に含有された第2吸着剤に吸着される。この第2吸着剤に吸着された水分は、例えば、所定の温度の条件下になると、第2吸着剤から脱離される。そのため、水分は、光電変換モジュールMの外側または内側光電変換部1側に向かうことになる。光電変換部1側に放出された水分は、第1封止部材10の第1吸着剤に吸着される。第1吸着剤は、上述したように化学吸着で水分を吸着するため、光電変換部1への水分の到達を低減することができる。その結果、本実施形態では、光電変換モジュールの長期間の屋外の使用においても、光電変換部1の水分による劣化を低減できる。このように、本実施形態では、第2封止部材11の第2吸着剤によって第1封止部材10に到達する水分の量を低減している。そして、本実施形態では、光電変換モジュールの使用中において第2封止部材11内に浸入した水分の一部を第2吸着剤が外部に放出することで第1封止部材10、ひいては光電変換部1への水分の浸入を低減している。すなわち、本実施形態では、物理吸着の機能を有する吸着剤に先に水分を吸着させることにより、化学吸着する吸着剤の吸着効果の劣化を低減している。これにより、本実施形態では、第1吸着剤の吸着効果の消耗を低減することにより、第1封止部材10の防水効果を維持することができる。その結果、本実施形態では、光電変換部1に到達する水分の量を減らし、長期間、信頼性を維持することができる。また、第2封止部材11は黒色であってもよい。これにより、第2封止部材11は、光を吸収しやすくなるため、温度が上昇しやすくなる。それゆえ、第2吸着剤は、吸着した水分の放出を促進させることができるため、第1封止部材10に到達する水分の量をより低減できる。このような黒色の第2封止部材11は、支持体となる弾性体に、例えば、上述した高分子材料に黒色の顔料を混ぜたものを用いればよい。次に、光電変換モジュールMの製造方法の一例について説明する。まず、上述した製法により、第1基板2上に光電変換部1を形成する。次に、第1基板2の光電変換部1が形成されていない外周側部分に、光電変換部1を取り囲むように第1封止部材10を塗布する。次いで、第1封止部材10を囲むように第2封止部材11を塗布する。この第1封止部材10および第2封止部材11の塗布は、それぞれの封止部材の前駆体をディスペンサーなどの吐出装置に充填し、吐出口から所定量の前駆体を吐出して、第1基板2の外周部の所定部分に塗布する。このとき、各々の封止部材の前駆体は、第1基板2の外周側に2~8mm程度の幅で設ければよいまた、各封止部材の前駆体の界面部には、両者が混ざり合う部分があってもよい。次いで、光電変換部1上に、EVAなどの充填材9、第2基板8の順でそれぞれ載置する。次に、各部材が積層された積層体をラミネート装置にセットし、50~150Pa程度の減圧下で100~200°C程度の温度で15~60分間程度加熱しながら加圧して一体化することにより、光電変換モジュールMを作製できる。なお、この第1封止部材10および第2封止部材11の前駆体は、テープ状に成型したものを、所定の位置に載置することで代用してもよい。次に本発明の他の実施形態に係る光電変換モジュールについて説明する。光電変換モジュールM1は、第2封止部材の構成が光電変換モジュールMと異なっている。本実施形態において、第2封止部材11は、第1封止部材10側の部分に比べて第1封止部材10とは反対側の部分における第2吸着剤の含有量が多い。すなわち、本実施形態おいて、第2封止部材11は、図3に示すように、第1封止部材10側部分にある第2封止部材11aと、第1封止部材10とは反対側の部分第1基板2の側面側部分にある第2封止部材11bとを有している。このとき、第2封止部材11bは、第2封止部材11aよりも第2吸着剤の含有量が多い。例えば、ブチルゴムおよびゼオライトを混合させてなる第2封止部材11の場合、第2封止部材11aは、ブチルゴム100重量部に対し、ゼオライトが5~20重量部程度含有されている。一方で、第2封止部材11bは、ブチルゴム100重量部に対し、ゼオライトが25~50重量部程度含有されている。このような実施形態によれば、光電変換部1側に位置する第2封止部材11aの第2吸着剤の含有量が少ないため、第2吸着剤で吸着された水分が光電変換部1に向かって放出される量をより低減できる。加えて、このような実施形態であれば、光電変換モジュールM1の外側に位置する第2封止部材11bの第2吸着剤の含有量が多いため、第2吸着剤で吸着された水分が外部に向かって放出される量が増加する。これにより、本実施形態では、光電変換部1側に浸入する水分をより低減することができる。なお、本実施形態のような第2吸着剤の含有量が異なる第2封止部材は、例えば、第2吸着剤の含有量が異なる第2封止部材の前駆体を準備し、上述した塗布法により形成すればよい。また、本発明の他の実施形態に係る光電変換モジュールM2は、図4aに示すように、第1基板2および第2基板8の周囲を保持するフレーム12を有している点で、光電変換モジュールMと異なっている。そして、この光電変換モジュールM2において、フレーム12は、第1基板2および第2基板8を平面透視して、第2封止部材11と重なる部分を有するように配置されている。換言すれば、フレーム12は、図4bに示すように、Z方向において、第2封止部材11の直上および直下にそれぞれ重なり部12a、12bを有している。なお、図4において、第1基板2および第2基板8を平面透視するとは、XY平面で平面透視することを指す。さらに、光電変換モジュールM2において、フレーム12は、第2封止部材11との重なり部12a、12bが金属で形成されている。これにより、本実施形態では、比較的熱伝導率の高い金属で構成された重なり部12a、12bより第2封止部材11に熱が伝わりやすくなる。その結果、本実施形態では、上記熱によって第2封止部材11に含有された第2吸着剤が温められることにより、吸着された水分が外部に放出されやすくなるため、光電変換部1への水分の浸入をより低減できる。また、本実施形態では、フレーム12を第1基板2および第2基板8の外周部に設ける点においてでも、水分の浸入を低減できる。フレーム12は、第1基板2および第2基板8の外周における端部を重なり部12a、12bで挟み込むように固定する態様を成している。このようなフレーム12の材質としては、例えば、アルミニウムおよびステンレス等が挙げられる。なお、本実施形態では、少なくとも、フレーム12の重なり部12a、12bが金属で構成されていればよいが、フレーム12全体を金属で形成すれば、より多くの熱を重なり部12a、12bの近傍に位置する第2封止部材11の第2吸着剤に伝えることができる。なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で多くの修正及び変更を加えることができる。例えば、光電変換モジュールは、上述のCIS系などのカルコパイライト系光電変換モジュールに限定されるものではなく、アモルファスシリコンや微結晶シリコンを使用した薄膜太陽電池、カドミウムおよびテルルよりなる光電変換部を有するCdTe系の光電変換モジュールに適用できる。また、シリコン基板を用いた結晶系シリコン太陽電池等の光電変換モジュールにも適用可能である。"