"第1半導体層と、第2半導体層と、を備え、前記第1半導体層は、複数の突起部が点在している一主面を有し、I-III-VI族化合物半導体を含み、且つ第1の導電型を有しており、前記第2半導体層は、前記一主面上に配され、該一主面の法線方向に厚さを有し、且つ前記第1の導電型とは異なる第2の導電型を有しており、各前記突起部が前記法線方向に突起している第1距離は、前記第2半導体層が前記法線方向に設けられている第2距離よりも長い光電変換装置。各前記突起部は、III-VI族化合物を含む請求項1に記載の光電変換装置。前記第1距離は、可視光線の波長よりも長い請求項1または請求項2に記載の光電変換装置。原料溶液を電極層上に塗布することで皮膜を形成する工程と、前記皮膜に対して熱処理を施すことで、半導体層を形成する工程と、を備え、前記原料溶液は、ルイス塩基性有機化合物と、カルコゲン元素を含有する有機化合物と、I-B族元素と、該I-B族元素の物質量よりも多い物質量のIII-B族元素と、を含み、前記半導体層は、複数の突起部が点在している一主面を有し且つI-III-VI族化合物半導体を含む光電変換装置の製造方法。カルコパイライト系の光電変換装置では、変換効率の上昇が指向されている。そこで、変換効率を向上させた光電変換装置ならびその製造方法が望まれている。上記課題を解決するために、第1の態様に係る光電変換装置は、第1半導体層と第2半導体層とを備える。該光電変換装置では、前記第1半導体層は、複数の突起部が点在している一主面を有し、I-III-VI族化合物半導体を含み、且つ第1の導電型を有している。また、前記第2半導体層は、前記一主面上に配され、該一主面の法線方向に厚さを有し、且つ前記第1の導電型とは異なる第2の導電型を有する。そして、各前記突起部が前記法線方向に突起している第1距離は、前記第2半導体層が前記法線方向に設けられている第2距離よりも長い。また、第2の態様に係る光電変換装置の製造方法は、原料溶液を電極層上に塗布することで皮膜を形成する工程と、前記皮膜に対して熱処理を施すことで半導体層を形成する工程とを備える。そして、前記原料溶液は、ルイス塩基性有機化合物と、カルコゲン元素を含有する有機化合物と、I-B族元素と、該I-B族元素の物質量よりも多い物質量のIII-B族元素とを含む。また、前記半導体層は、複数の突起部が点在している一主面を有し且つI-III-VI族化合物半導体を含む。本発明の上記態様によれば、光電変換装置に入射される光が散乱されて第1半導体層の色々な面に照射される。その結果、光電変換装置における変換効率が向上する。以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。なお、図面においては同様な構成および機能を有する部分については同一符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係等は正確に図示されたものではない。なお、図1から図5および図7から図12には、光電変換セル10の配列方向図1の図面視左右方向をX軸方向とする右手系のXYZ座標系が付されている。<光電変換装置の構成>光電変換装置21は、基板1と、該基板1の上に平面的に並べられた複数の光電変換セル10とを備えている。図1では、図示の都合上、2つの光電変換セル10の一部のみが示されている。但し、実際の光電変換装置21には、図面の左右方向に、多数の光電変換セル10が平面的に配列され得る。各光電変換セル10は、下部電極層2と、光電変換層3と、上部電極層4と、グリッド電極5と、接続部45とを備えている。光電変換装置21では、上部電極層4およびグリッド電極5が設けられた側の主面が受光面側となっている。また、光電変換装置21には、第1溝部P1、第2溝部P2および第3溝部P3といった3種類の溝部が設けられている。基板1は、複数の光電変換セル10を支持するものである。基板1に用いられる材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂および金属等が採用され得る。本実施形態では、基板1が、1mm以上で且つ3mm以下程度の厚さを有する青板ガラスソーダライムガラスである。下部電極層2は、基板1のZ側の主面一主面とも言うの上に設けられた導電層である。下部電極層2に含まれる主な材料としては、例えば、Mo、Al、Ti、TaおよびAu等の導電性を有する各種金属等が採用され得る。また、下部電極層2の厚さは、例えば、0.2μm以上で且つ1μm以下程度であれば良い。下部電極層2は、例えば、スパッタリング法または蒸着法等の公知の薄膜形成方法によって形成され得る。光電変換層3は、光吸収層31とバッファ層32とを備える。光吸収層31とバッファ層32とは積層されている。光吸収層31は、下部電極層2のZ側の主面一主面とも言うの上に設けられており、第1の導電型を有する半導体を含んでいる。ここでは、第1の導電型は、p型である。光吸収層31の厚さは、例えば、1μm以上で且つ3μm以下程度であれば良い。光吸収層31が、カルコパイライト系CIS系とも言うの化合物半導体であるI-III-VI族化合物半導体の層であれば、光吸収層31の厚さが薄くても変換効率が高められ得る。これにより、光吸収層31が少ない材料で安価に生成され得る。本実施形態では、光吸収層31が、p型の導電型を有するI-III-VI族化合物半導体の層である。I-III-VI族化合物半導体とは、I-III-VI族化合物を主に含む半導体である。なお、I-III-VI族化合物を主に含む半導体とは、半導体がI-III-VI族化合物を70mol以上含むことを言う。以下の記載においても、主に含むは70mol以上含むことを意味する。I-III-VI族化合物は、I-B族元素11族元素とも言うとIII-B族元素13族元素とも言うとVI-B族元素16族元素とも言うとを主に含む化合物である。I-III-VI族化合物としては、例えば、CuInSe2CISとも言う、CuIn,GaSe2CIGSとも言う、CuIn,GaSe,S2CIGSSとも言う等が採用され得る。なお、CuIn,GaSe2は、CuとInとGaとSeとを主に含む化合物である。また、CuIn,GaSe,S2は、CuとInとGaとSeとSとを主に含む化合物である。なお、光吸収層31は、薄膜のCuIn,GaSe,S2を表面層として有するCuIn,GaSe2等といった多元化合物半導体の薄膜であっても良い。また、第1半導体層としての光吸収層31のうちのバッファ層32側図中のZ側の主面一主面とも言うには、複数の突起部31pj図3参照が点在している。この突起部31pjは、光吸収層31と同じI-III-VI族化合物、あるいはIII-VI族化合物等のI-III-VI族化合物よりも抵抗率の高い高抵抗化合物を主に含んでいれば良い。突起部31pjの材料が高抵抗化合物を主に含んでいれば、突起部31pjの表面に形成されるバッファ層32にピンホールが生じたとしても、光吸収層31と上部電極層4との電気的な接続に起因するリーク電流の発生が低減される。その結果、光電変換装置21における変換効率が高められる。特に、突起部31pjの材料は、光吸収層31の組成の一部であるIII-VI族化合物であれば良い。この場合、光吸収層31の材料と突起部31pjの材料とが類似するため、突起部31pjと光吸収層31とが良好に結合する。その上、III-VI族化合物は抵抗率がI-III-VI族化合物に比べて高いため、リーク電流の発生が有効に低減される。III-VI族化合物は、III-B族元素とVI-B族元素とを主に含む化合物である。III-VI族化合物としては、例えば、In2Se3、Ga2Se3等が採用され得る。突起部31pjは、光吸収層31の一主面において、平坦な面基準面とも言う31ftから顕著に突出している部分である。基準面31ftは、若干の粗さを有する略平坦な面であっても良い。突起部31pjの外径および高さは、例えば、太陽光に含まれる可視光線の波長帯域である約400nm以上で且つ約900nm以下の波長帯域を超える約1μm以上で且つ約100μm以下であれば良い。この突起部31pjの点在により、太陽光に共に含まれる可視光線と該可視光線の波長帯域を下回る波長の光とが、突起部31pjの表面で種々の方向に反射する。その結果、太陽光が散乱して光吸収層31の色々な面に照射され、光電変換装置21における変換効率が上昇する。なお、ここで、突起部31pjの高さは、基準面31ftの位置を基準としてZ方向に突起部31pjが突起している距離である。換言すれば、突起部31pjの高さは、基準面31ftの法線方向ここではZ方向に沿って突起部31pjが突起するように設けられている距離突設距離とも言うである。なお、基準面31ftの位置としては、例えば、突起部31pjの周囲の所定範囲例えば、数μm四方の領域におけるZ座標の平均値等が採用され得る。突起部31pjの高さの測定法としては、例えば、突起部31pjにクロスセクションポリッシャ加工を施した後に、突起部31pjの断面をSEMによって観察することで突起部31pjの高さを測定する方法が採用され得る。また、突起部31pjの外径としては、例えば、突起部31pjのXY断面の径の平均値、このXY断面の内接円の直径、このXY断面の外接円の直径のうちの何れが採用されても良い。突起部31pjの径の測定法としては、例えば、光吸収層31の一主面をSEMによって観察することで突起部31pjの径を測定する方法が採用され得る。ここでは、光吸収層31の一主面を突起部31pjが占める割合が数割以下であれば、光吸収層31とバッファ層32との密着性が十分確保される。つまり、光吸収層31の一主面に突起部31pjが適度に点在していれば良い。光吸収層31上にバッファ層32を良好に形成してこれらの電気的な接続を良好にするという観点からは、突起部31pjは光吸収層31上に0.0001~0.01個/μm2の範囲で点在してもよい。なお、光吸収層31は、いわゆる塗布法または印刷法と称されるプロセスによって形成され得る。塗布法では、光吸収層31の構成元素の錯体が含まれる原料溶液が下部電極層2の上に塗布され、その後、乾燥と熱処理とが順次に行われる。バッファ層32は、光吸収層31の一主面上に設けられた半導体層である。この半導体層は、光吸収層31の導電型とは異なる導電型を有する。ここでは、異なる導電型は、n型である。また、バッファ層32と光吸収層31とが、ヘテロ接合領域を形成している。光電変換セル10では、光吸収層31とバッファ層32とが積層された光電変換層3において光電変換が生じる。なお、導電型が異なる半導体とは、伝導担体キャリアが異なる半導体のことである。また、光吸収層31の導電型がp型であれば、バッファ層32の導電型は、n型でなく、i型であっても良い。さらに、光吸収層31の導電型がn型またはi型であれば、バッファ層32の導電型がp型であっても良い。バッファ層32は、化合物半導体を主に含む。バッファ層32に含まれる化合物半導体としては、例えば、CdS、In2S3、ZnS、ZnO、In2Se3、InOH,S、Zn,InSe,OH、およびZn,MgO等が採用され得る。そして、バッファ層32の抵抗率が1Ωcm以上であれば、リーク電流が低減される。なお、バッファ層32は、例えば、ケミカルバスデポジションCBD法等で形成され得る。また、バッファ層32の厚さ方向は、光吸収層31の一主面の法線方向と略一致する。バッファ層32の厚さは、例えば、10nm以上で且つ200nm以下であれば良い。そして、バッファ層32の厚さが100nm以上で且つ200nm以下であれば、高温高湿の条件下における変換効率の低下が顕著に低減され得る。この場合、光吸収層31における突起部31pjの突設距離は、バッファ層32が光吸収層31の一主面具体的には、基準面31ftの法線方向に設けられている距離バッファ層32の厚さに相当するよりも長い。別の観点から言えば、同一の長さを示す単位例えば、nmで比較した場合に、光吸収層31の基準面31ftの位置を基準とした突起部31pjのZ方向の高さを示す数値は、バッファ層32のZ方向の厚さを示す数値よりも大きい。バッファ層32の膜厚の具体的な測定法としては、例えば、バッファ層32の断面をTEMによって観察することでバッファ層32の膜厚を測定する方法が採用され得る。このため、図4で示されるように、バッファ層32は、基準面31ftおよび突起部31pjの形状に沿って形成され、バッファ層32の上部電極層4側の主面の形状は、光吸収層31の一主面の形状が反映されている。つまり、バッファ層32の上部電極層4側の主面においても、各突起部31pjの直上にZ方向に突起している突起部が生じる。この突起部の存在により、太陽光に共に含まれる可視光線と該可視光線の波長帯域を下回る波長の光とが、突起部の表面で種々の方向に反射するとともに、バッファ層32と突起部31pjとの境界部分において屈折する。その結果、太陽光が散乱して、光吸収層31の色々な面に照射され、光電変換装置21における変換効率がより上昇する。なお、上部電極層4においても、Z側の主面に突起が生じるため、太陽光の反射および屈折が促進される。これにより、太陽光がさらに散乱され、光電変換装置21における変換効率がさらに上昇する。ここで、仮に、光吸収層31と、バッファ層32と、上部電極層4とが順次に蒸着等で形成されれば、図5および図6で示されるように、光吸収層31の一主面に穴部としてのピンホール31phが発生し得る。このとき、該ピンホール31phには、バッファ層32が十分に充填されず、光吸収層31と、上部電極層4およびグリッド電極5のうちの少なくとも一方とが接触して、いわゆるリーク電流が発生し、変換効率の低下を招く虞がある。これに対して、本実施形態に係る光電変換装置21では、図4で示されるように、ピンホール31phの近隣に突起部31pjが存在する場合がある。この場合、ピンホール31phの開口部31opがバッファ層32によって閉塞され易い。これにより、光吸収層31と、上部電極層4およびグリッド電極5のうちの少なくと一方との接触が極力回避される。このため、ピンホール31phを埋めるためのその他の層等が形成されずとも、リーク電流の発生が低減されて、変換効率が向上し得る。ここで、突起部31pjの高さは、例えば、ピンホール31phにおける開口部31opの径開口径とも言うの2倍以上であり且つ1000倍以下であれば良い。これにより、ピンホール31phにおける開口径が、10nm以上で且つ50nm以下程度と小さくなり、該開口部31opがバッファ層32によって閉塞され得る。上部電極層4は、バッファ層32のZ側の主面一主面とも言うの上に設けられている。この上部電極層4は、例えば、n型の導電型を有する透明の導電膜透明電極層とも言うである。そして、上部電極層4は、光電変換層3において生じた電荷を取り出す電極取出電極とも言うである。また、上部電極層4に主に含まれる材料は、バッファ層32よりも低い抵抗率を有する。上部電極層4には、いわゆる窓層と呼ばれるものが含まれても良いし、窓層と透明の導電膜とが含まれていても良い。上部電極層4は、禁制帯幅が広く且つ透明で低抵抗の材料を主に含んでいる。このような材料としては、例えば、ZnO、酸化亜鉛の化合物、Snが含まれたITOIndiumTinOxide、およびSnO2等の金属酸化物半導体等が採用され得る。酸化亜鉛の化合物には、Al、B、Ga、In、およびFのうちの何れか一つの元素等が含まれている。上部電極層4は、スパッタリング法、蒸着法、または化学的気相成長CVD法等によって形成され得る。上部電極層4の厚さは、例えば、0.05μm以上で且つ3.0μm以下であれば良い。ここで、上部電極層4が、例えば、1Ωcm未満の抵抗率と、50Ω/□以下のシート抵抗とを有していれば、上部電極層4を介して光電変換層3から電荷が良好に取り出され得る。バッファ層32および上部電極層4が、光吸収層31が吸収し得る光の波長帯域に対して、光を透過させ易い性質光透過性とも言うを有していれば、光吸収層31における光の吸収効率の低下が低減され得る。また、上部電極層4の厚さが0.05μm以上で且つ0.5μm以下であれば、上部電極層4における光透過性が高められると同時に、光電変換によって生じた電流が良好に伝送され得る。さらに、上部電極層4の絶対屈折率とバッファ層32の絶対屈折率とが略同一であれば、上部電極層4とバッファ層32との界面で光が反射することで生じる入射光のロスが低減される。グリッド電極5は、上部電極層4のZ側の主面一主面とも言うの上に設けられている導電性を有する線状の電極部である。このグリッド電極5は、複数の集電部5aと連結部5bとを備えている。複数の集電部5aは、Y軸方向に離間して設けられ、それぞれがX軸方向に延在する。連結部5bは、各集電部5aが接続されており、Y軸方向に延在する。グリッド電極5の材料としては、例えば、Ag等の金属が採用され得る。また、グリッド電極部5に含まれる金属は、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル等であっても良い。集電部5aは、光電変換層3において発生した後に上部電極層4によって取り出された電荷を集電する。集電部5aが設けられることで、上部電極層4の薄層化が可能となる。上部電極層4は、光吸収層31の上方に設けられるので、上部電極層4ができるだけ薄く形成されれば、上部電極層4における光透過性が高められ得る。しかし、上部電極層4では、薄くなれば薄くなるほど抵抗が大きくなるため、電荷の取り出し効率が低下する。そこで、集電部5aが設けられることによって、電荷の取り出し効率が確保され、上部電極層4の薄層化による光透過性の向上が可能となる。グリッド電極5および上部電極層4によって集電された電荷は、第2溝部P2に設けられた接続部45を通じて、隣の光電変換セル10に伝達される。接続部45は、上部電極層4の延在部分4aと、その上に形成された連結部5bからの垂下部分5cとを有している。これにより、光電変換装置21においては、隣り合う光電変換セル10の一方の下部電極層2と、他方の上部電極層4およびグリッド電極5とが、第2溝部P2に設けられた接続導体としての接続部45によって電気的に直列接続されている。グリッド電極5の幅は、50μm以上で且つ400μm以下であれば、良好な導電性が確保されつつ、光吸収層31への光の入射量を左右する受光面積の低下が低減され得る。なお、グリッド電極5のうちの少なくとも連結部5bの表面は、例えば、光吸収層31が吸収する波長帯域の光を反射する材料によって形成され得る。この場合、光電変換装置21がモジュール化された際に、連結部5bが反射した光を、光電変換モジュール内で再び反射させて光吸収層31に再度入射させることが可能となる。これにより、光吸収層31への光の入射量が増大し、光電変換装置21における変換効率が向上する。このような表面が形成されるためには、例えば、透光性を有する樹脂に光反射率が高いAg等の金属粒子が添加されたペーストが上部電極層4の一主面上に塗布され、その後の乾燥によって該ペーストが固化されることでグリッド電極部5が形成されれば良い。また、例えば、アルミニウム等の光反射率の高い金属がグリッド電極部5の表面に蒸着されても良い。<光電変換装置の製造方法>図7から図12で示される各断面図は、図2で示された光電変換装置21の断面に対応する部分の製造途中の様子を示す。まず、図7で示されるように、洗浄された基板1の略全面に、スパッタリング法等が用いられて、Mo等を主に含む下部電極層2が形成される。そして、下部電極層2の上面のうちのY方向に沿った直線状の形成対象位置からその直下の基板1の上面にかけて、第1溝部P1が形成される。第1溝部P1は、例えば、YAGレーザー等によるレーザー光が走査されつつ形成対象位置に照射されることで形成され得る。図8は、第1溝部P1が形成された後の状態を示す図である。第1溝部P1が形成された後、下部電極層2の上に、光吸収層31とバッファ層32とが順次に形成される。図9は、光吸収層31およびバッファ層32が形成された後の状態を示す図である。光吸収層31は、光吸収層31を形成するための原料溶液が下部電極層2の表面に塗布された後に、乾燥および熱処理が順に施されることで形成され得る。光吸収層31を形成するための原料溶液は、例えば、カルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基性有機化合物としての塩基性有機溶剤とを含む溶媒混合溶媒とも言うに、I-B族元素およびIII-B族元素が直接溶解させられることで作製される。この原料溶液では、例えば、I-B族元素およびIII-B族元素の合計濃度が10質量以上となり得る。ここで、原料溶液は、I-III-VI族化合物半導体におけるI-B族元素とIII-B族元素との組成比すなわち化学量論組成が基準とされて、III-B族元素の物理量がI-B族元素の物理量よりも相対的に多くなるように調製されている。具体的には、Cu等を含み得るI-B族元素の物質量よりもInおよびGa等を含み得るIII-B族元素の物質量が多くなるように調整されている。この原料溶液によって、光吸収層31の一主面に突起部31pjを点在させることが可能となる。なお、カルコゲン元素含有有機化合物とは、カルコゲン元素を主に含む有機化合物である。カルコゲン元素は、VI-B族元素のうちのS、Se、Teである。カルコゲン元素含有有機化合物としては、例えば、チオール、スルフィド、ジスルフィド、セレノール、セレニドおよびジセレニド等が採用され得る。また、ルイス塩基性有機化合物とは、ルイス塩基となり得る官能基を有する有機化合物である。ルイス塩基となり得る官能基としては、非共有電子対を有するV-B族元素15族元素とも言うを具備した官能基、および非共有電子対を有するVI-B族元素を具備した官能基等が採用され得る。これらの官能基の具体例としては、例えば、アミノ基1~3級アミンの何れでも良い、カルボニル基、シアノ基等が採用され得る。ルイス塩基性有機化合物の具体例としては、ピリジン、アニリン、トリフェニルフォスフィン、2,4-ペンタンジオン、3-メチル-2,4-ペンタンジオン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、アセトニトリル、ベンジル、ベンゾイン等およびこれらの誘導体が採用され得る。例えば、まず、ルイス塩基性有機化合物としてのアニリンに対してカルコゲン元素含有有機化合物としてのフェニルセレノールが100molとなるように溶解させられて、混合溶媒が作製される。次に、この混合溶媒に、地金のCu、地金のIn、地金のGaおよび地金のSeがそれぞれ直接溶解させられることで、原料溶液が作製される。ここで、金属が混合溶媒に直接溶解させられる処理は、単体の金属または合金の地金を直接、混合溶媒に混入し、溶解させられる処理のことである。そして、例えば、ブレード法によって下部電極層2の表面に原料溶液が塗布された後に、乾燥されることで皮膜が形成され得る。その後、水素ガスとセレン蒸気ガスとの混合気体の雰囲気下で皮膜に対して熱処理が施されることで光吸収層31が作製され得る。なお、原料溶液の塗布には、スピンコータ、スクリーン印刷、ディッピング、スプレーまたはダイコータ等の種々の方法が適用され得る。乾燥は、例えば、還元雰囲気下で行われれば良い。乾燥温度は、例えば、50°C以上で且つ300°C以下であれば良い。熱処理では、例えば、毎分10°C以下の比較的ゆっくりとした昇温速度で、560°Cまで昇温され、560°Cで1時間保持された後に、自然対流による冷却自然冷却が行われる。このとき、I-III-VI族化合物半導体が形成されるとともに、原料溶液中の過剰なIII-B族元素がVI-B族元素と化合してIn2Se3、Ga2Se3等のIII-VI族化合物が析出することで突起部31pjが形成される。図13は、突起部31pjが点在している光吸収層31の一主面の具体例を示すSEM写真である。なお、突起部31pjの材料としては、III-VI族化合物の代わりに、I-III-VI族化合物が採用されても良い。I-III-VI族化合物を主に含む突起部31pjは、例えば、次の工程が順に行われることで作製され得る。突起部31pjを形成するための開口が設けられたレジスト膜が光吸収層31の素となる皮膜上に形成される。この開口に原料溶液が充填されて乾燥された後、レジスト膜の除去および熱処理が順次に施される。バッファ層32は、溶液成長法CBD法によって形成され得る。例えば、酢酸カドミウムとチオ尿素とがアンモニア水に溶解させられることで作製された溶液に光吸収層31まで形成された基板1が浸漬されることで、CdSを主に含むバッファ層32が形成され得る。光吸収層31およびバッファ層32が形成された後、バッファ層32の上面のうちのY方向に沿った直線状の形成対象位置からその直下の下部電極層2の上面にかけて、第2溝部P2が形成される。第2溝部P2は、例えば、40μm以上で且つ50μm以下程度のスクライブ幅のスクライブ針を用いたスクライビングが、位置をずらせながら連続して数回行われることで形成される。また、先端形状が第2溝部P2の幅に近い程度にまで広げられたスクライブ針でスクライブされることによって第2溝部P2が形成されても良い。あるいは、2本以上のスクライブ針が相互に当接または近接した状態で固定され、1回から数回のスクライブが行われることによって第2溝部P2が形成されても良い。図10は、第2溝部P2が形成された後の状態を示す図である。第2溝部P2は、第1溝部P1よりも若干X方向図中ではX方向にずれた位置に形成される。第2溝部P2が形成された後、バッファ層32の上に、例えば、ITO等を主成分とする透明の上部電極層4が形成される。上部電極層4は、スパッタリング法、蒸着法またはCVD法等で形成され得る。図11は、上部電極層4が形成された後の状態を示す図である。上部電極層4が形成された後に、グリッド電極5が形成される。グリッド電極5については、例えば、Ag等の金属粉が樹脂バインダー等に分散している導電性を有するペースト導電ペーストとも言うが、所望のパターンを描くように印刷され、これが乾燥によって固化されることで形成され得る。なお、固化された状態は、導電ペーストに用いられるバインダーが熱可塑性樹脂である場合の熔融後の固化状態、およびバインダーが熱硬化性樹脂および光硬化性樹脂等の硬化性樹脂である場合の硬化後の状態の双方を含む。図12は、グリッド電極5が形成された後の状態を示す図である。グリッド電極5が形成された後、上部電極層4の上面のうちの直線状の形成対象位置からその直下の下部電極層2の上面にかけて、第3溝部P3が形成される。これにより、図1および図2で示された光電変換装置21が得られる。第3溝部P3の幅は、例えば、40μm以上で且つ1000μm以下程度であれば良い。また、第3溝部P3は、第2溝部P2と同様に、メカニカルスクライビングによって形成され得る。<具体例>次に、突起部31pjの点在による光電変換装置21の特性の向上について、具体例を示して説明する。ここでは、Cu、InおよびGaの含有量の比率が異なる原料溶液が用いられてCIGSを主に含む半導体層が形成されることで、光電変換装置21と同様な構造を有する5つの光電変換装置具体的には、実施例1~4、比較例が作製された。詳細には、まず、カルコゲン元素含有有機化合物であるフェニルセレノールが、ルイス塩基性有機化合物であるアニリンに対して100molとなるように溶解させられて、混合溶媒Sが調製された。次に、地金のCu、地金のIn、地金のGaおよび地金のSeが、混合溶媒Sに直接溶解させられ、Cu、In、GaおよびSeの含有量が、それぞれ表1で示される5種類の原料溶液が調製された。これらの原料溶液では、I-B族元素ここではCuの物質量とIII-B族元素ここではInとGaの物質量との比モル比が相互に異なる値とされた。具体的には、Cuの物質量がInとGaの物質量の合計値で除された値が、0.63、0.72、0.78、0.90、1.0である5種類の原料溶液が調製された。これらの原料溶液は、CIGSを主に含む半導体層を形成するための溶液とされた。次に、ガラスを主に含む基板1の表面にMo等を主に含む下部電極層2が形成されたものが用意され、下部電極層2の上に、原料溶液がブレード法によって塗布された後に乾燥されることで、皮膜が形成された。この皮膜は、ブレード法による塗布とその後の乾燥とが行われる処理が順次に2回実施されることで形成された。その後、水素ガスとセレン蒸気ガスとの混合気体の雰囲気下で熱処理が実施された。この熱処理では、10°C/minの昇温速度で560°Cまで昇温がなされ、560°Cで1時間保持された後に、自然冷却が行われることで、厚さが約2μmのCIGSを主に含む半導体層が形成された。この半導体層が光吸収層に相当する。その次に、アンモニア水に酢酸カドミウムおよびチオ尿素が溶解させられた溶液に、CIGSを主に含む半導体層までが形成された基板1が浸漬されることで、半導体層の上に厚さが約50nmのCdSを主に含むバッファ層が形成された。さらに、このバッファ層の上に、スパッタリング法によってAlがドープされた酸化亜鉛を主に含む透明の導電膜が形成された。そして、最後に蒸着によってAlを主に含む取出電極が形成されて、実施例1~4および比較例としての光電変換装置がそれぞれ作製された。これらの実施例1~4および比較例が対象とされて、CIGSを主に含む半導体層のうちのバッファ層側の一主面に高さが1μm以上の突起部31pjが存在しているか否がそれぞれ調査された。この調査は、実施例1~4および比較例としての光電変換装置の作製過程においてCIGSを主に含む半導体層が形成された時点で、この半導体層の表面が走査型電子顕微鏡SEMで観察されることによって行われた。また、実施例1~4および比較例としての光電変換装置における変換効率は、いわゆる定常光ソーラシミュレーターが用いられて、光電変換装置の受光面に対する光の照射強度が100mW/cm2であり且つAMエアマスが1.5である条件下で測定された。実施例1~4および比較例としての光電変換装置が対象とされた、突起部31pjの有無についての調査結果、ならびに変換効率の測定結果は、表1にそれぞれ示されている。また、実施例1~4にて確認された突起部31pjには、SEMによる観察時におけるEDXエネルギー分散X線分光法を用いた分析によって、InとGaとSeとを含むIII-VI族化合物が主として含まれているものと推定された。表1で示されるように、実施例1~4については、CIGSを主に含む半導体層の一主面上に高さが1μm以上の突起部31pjが点在していることが確認された。特に、実施例1~3については、高さが3μm以上で且つ5μm以下の突起部31pjが0.002個/μm2以上で且つ0.003個/μm2以下の密度で点在していることが確認された。その一方で、比較例については、高さが1μm以上の突起部31pjの存在が確認されなかった。また、実施例1~4では、8.8以上で且つ12.1以下具体的には、8.8、12.1、11.4、10.2の変換効率が得られたのに対して、比較例では、5.3の変換効率しか得られなかった。以上の調査結果および測定結果から、突起部31pjの点在によって、変換効率が顕著に向上することが確認された。また、突起部31pjを点在させることによる変換効率の向上には、原料溶液におけるI-B族元素の物質量とIII-B族元素の物質量との比モル比、ここではCuの物質量がInとGaの物質量の合計値で除された値が、1未満であれば良いことが分かった。換言すれば、Cu等のI-B族元素の物質量よりもInやGa等のIII-B族元素の物質量が多く含有される原料溶液が調製されれば良いことが分かった。さらに、光電変換装置において10以上の良好な変換効率が実現されるためには、実施例2~4のように、Cuの物質量がInとGaの物質量の合計値で除された値が0.7以上で且つ0.9以下程度の範囲となるように原料溶液が調製されれば良いことが分かった。換言すれば、原料溶液におけるI-B族元素の物質量とIII-B族元素の物質量との比モル比が、0.7以上で且つ0.9以下程度の範囲であれば良いことが分かった。<変形例>なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。例えば、上記一実施形態では、アニリンに対してフェニルセレノールが100molとなるように溶解させられた混合溶媒に、地金のCu、In、GaおよびSeが直接溶解させられることで原料溶液が調製されたが、これに限られない。例えば、Cu、In、GaおよびSe等のCIGSを形成するための全元素を含有する1種類の錯体が、有機溶媒に溶解させられて原料溶液が調製されても良い。また、Cu、In、GaおよびSe等のCIGSを形成するための複数の元素が幾つかに分けられて含有されている2種類以上の錯体が、有機溶媒に溶解させられることで原料溶液が調製されても良い。さらに、セレン化ガリウム等のセレン化物の微粒子が分散している原料溶液が用いられても良い。つまり、光吸収層31を形成するための原料溶液としては、光吸収層31を構成する各種元素が種々の形態で含まれている溶液が採用され得る。"