受光した光に応じた電荷を発生する光電変換層と、前記光電変換層で発生した電荷を収集する下部電極と、前記下部電極で収集された電荷を、制御信号に応じて読み出して出力するスイッチング素子と、前記スイッチング素子により読み出された電荷が出力される信号配線、及び前記スイッチング素子に前記制御信号を供給する制御配線の少なくとも一方を形成する配線層と、前記配線層と前記下部電極を介さずに接続され、前記配線層を外部に接続するための外部接続端子と、を備えた半導体素子。前記配線層上に形成された前記光電変換層上に、前記光電変換層にバイアス電圧を印加するバイアス配線を備え、前記外部接続端子は、前記バイアス配線と同層である、請求項1に記載の半導体素子。照射された放射線を光に変換する波長変換層と、前記波長変換層で変換された光が照射される前記請求項1または前記請求項2に記載の半導体素子と、を備えた放射線検出器。基板上に配線層を形成する工程と、前記配線層上に第一絶縁膜を形成する工程と、前記第一絶縁膜上に光電変換層を形成する工程と、前記光電変換層上に第二絶縁膜を形成する工程と、前記第一絶縁膜及び前記第二絶縁膜をエッチングして前記第一絶縁膜及び前記第二絶縁膜を貫通するコンタクトホールを一括形成する工程と、前記第二絶縁膜上に、前記コンタクトホールを埋めて前記配線層を外部に接続するための外部接続端子を形成する工程と、を備えた前記請求項1または前記請求項2に記載の半導体素子の製造方法。一般的に、従来の放射線検出器では、基板上に、スイッチング素子が形成されている。基板上には、制御配線が形成され、さらにその上に信号配線が形成されている。これらの上層に、下部電極が形成され、下部電極上に光電変換層が形成される。また、光電変換層上には上部電極が形成され、上部電極上には、上部電極にバイアス電圧を印加するバイアス配線が形成される。さらに、これらの上層に、放射線検出器を覆うように、保護層が形成されている。一般的にこのような従来の放射線検出器では、放射線検出器の端部において、最上層の保護層が開口しており、開口部に、外部接続端子が形成されている。外部接続端子は、下部電極を中継用の電極として用いることにより、下部電極を介して信号配線、またはさらに信号配線を介して制御配線に接続されている図9、図11参照。光電変換層を形成する際に、光電変換層をパターンニングし、ドライエッチ、もしくはウェットエッチによりエッチングするが、中継用の電極として用いられる下部電極は、このエッチングの際に、ダメージを受ける場合がある。上述のように、外部接続端子は、保護層の開口部に設けられているため、外部接続端子が保護層に覆われておらず、湿気等の水分が侵入しやすい構造となっている。侵入した水分が、ダメージを受けた下部電極に到達すると、電気化学的腐蝕腐食である、いわゆる電触が発生するという問題が生じる懸念がある。本発明は、上記問題点を解決するために成されたものであり、水分による下部電極の腐食を抑制することができる、半導体素子、放射線検出器、及び半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、請求項1に記載の半導体素子は、受光した光に応じた電荷を発生する光電変換層と、前記光電変換層で発生した電荷を収集する下部電極と、前記下部電極で収集された電荷を、制御信号に応じて読み出して出力するスイッチング素子と、前記スイッチング素子により読み出された電荷が出力される信号配線、及び前記スイッチング素子に前記制御信号を供給する制御配線の少なくとも一方を形成する配線層と、前記配線層と前記下部電極を介さずに接続され、前記配線層を外部に接続するための外部接続端子と、を備える。また、本発明は、請求項2に記載の半導体素子のように、前記配線層上に形成された前記光電変換層上に、前記光電変換層にバイアス電圧を印加するバイアス配線を備え、前記外部接続端子は、前記バイアス配線と同層であることが好ましい。また、請求項3に記載の放射線検出器は、照射された放射線を光に変換する波長変換層と、前記波長変換層で変換された光が照射される前記請求項1または前記請求項2に記載の半導体素子と、を備える。また、請求項4に記載の半導体素子の製造方法は、基板上に配線層を形成する工程と、前記配線層上に第一絶縁膜を形成する工程と、前記第一絶縁膜上に光電変換層を形成する工程と、前記光電変換層上に第二絶縁膜を形成する工程と、前記第一絶縁膜及び前記第二絶縁膜をエッチングして前記第一絶縁膜及び前記第二絶縁膜を貫通するコンタクトホールを一括形成する工程と、前記第二絶縁膜上に、前記コンタクトホールを埋めて前記配線層を外部に接続するための外部接続端子を形成する工程と、を備える。一般的な半導体素子の製造方法では、基板上に配線層を形成し、配線層上に第一絶縁膜を形成し、第一絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成し、第一絶縁膜上に光電変換層を形成し、光電変換層上に第二絶縁膜を形成し、第二絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成し、当該コンタクトホールを埋めて下部電極を介して配線層を外部に接続するための外部接続端子を形成する。一般に光電変換層は、第一絶縁膜上に成膜された光電変換膜をパターニングし、エッチングする処理を含む工程により形成される。当該エッチングの際に第一絶縁膜を貫通するコンタクトホール内の配線層はダメージを受ける場合がある。そのため、本発明では、光電変換層上に第二絶縁膜を形成した後、第一絶縁膜及び第二絶縁膜をエッチングして第一絶縁膜及び第二絶縁膜を貫通するコンタクトホールを一括形成し、第二絶縁膜上に、当該コンタクトホールを埋めて配線層を外部に接続するための外部接続端子を形成する。これにより、光電変換層の形成工程におけるエッチングによるダメージを抑えることができ、その結果、水分による腐食を抑制することができる。以上説明したように、水分による下部電極の腐食を抑制することができるという効果が得られる。以下、各図面を参照して本実施の形態の一例について説明する。まず、本実施の形態の放射線画像撮影装置100の概略構成について説明する。図1に、本実施の形態の放射線画像撮影装置の全体構成の一例を示す。本実施の形態では、X線等の放射線を一旦光に変換し、変換した光を電荷に変換する間接変換方式の放射線検出器10に本発明を適用した場合について説明する。本実施の形態では、放射線画像撮影装置100は、間接変換方式の放射線検出器10を備えて構成されている。なお、図1では、放射線を光に変換するシンチレータは省略している。放射線検出器10には、光を受けて電荷を発生し、発生した電荷を蓄積するセンサ部103と、センサ部103に蓄積された電荷を読み出すためのスイッチング素子であるTFTスイッチ4と、を含んで構成される画素20が複数、マトリックス状に配置されている。本実施の形態では、シンチレータによって変換された光が照射されることにより、センサ部103で電荷が発生する。画素20は、一方向図1の横方向、以下行方向ともいう及び当該行方向に対する交差方向図1の縦方向、以下列方向ともいうにマトリックス状に複数配置されている。図1では、画素20の配列を簡略化して示しているが、例えば、画素20は行方向及び列方向に1024×1024個配置されている。また、放射線検出器10には、基板1図2参照上に、TFTスイッチ4をON/OFFするための複数の制御配線である走査配線101と、上記センサ部103に蓄積された電荷を読み出すための複数の信号配線3と、が互いに交差して設けられている。本実施の形態では、一方向の各画素列に信号配線3が1本ずつ設けられ、交差方向の各画素列に走査配線101が1本ずつ設けられており、例えば、画素20が行向及び列方向に1024×1024個配置されている場合、信号配線3及び走査配線101は1024本ずつ設けられている。さらに、放射線検出器10には、各信号配線3と並列にバイアス配線25が設けられている。バイアス配線25は、一端及び他端が並列に接続されており、一端が所定のバイアス電圧を供給するバイアス電源110に接続されている。センサ部103はバイアス配線25に接続されており、バイアス配線25を介してバイアス電圧が印加されている。走査配線101には、各TFTスイッチ4をスイッチングするためのスキャン信号が流れる。このようにスキャン信号が各走査配線101に流れることによって、各TFTスイッチ4がスイッチングON/OFFされる。信号配線3には、各画素20のTFTスイッチ4のスイッチング状態に応じて、各画素20に蓄積された電荷に応じた電気信号が流れる。より具体的には、各信号配線3には、当該信号配線3に接続された画素20の何れかのTFTスイッチ4がONされることにより蓄積された電荷量に応じた電気信号が流れる。放射線検出器10の各信号配線3には、外部接続端子であるデータパッド50を介して、各信号配線3に流れ出した電気信号を検出する信号検出回路105が接続されている。また、放射線検出器10の各走査配線101には、外部接続端子であるゲートパッド40を介して、各走査配線101にTFTスイッチ4をON/OFFするための制御信号を出力するスキャン信号制御回路104が接続されている。図2では、信号検出回路105及びスキャン信号制御回路104を1つに簡略化して示しているが、例えば、信号検出回路105及びスキャン信号制御回路104を複数設けて所定本例えば、256本毎に信号配線3又は走査配線101を接続する。例えば、信号配線3及び走査配線101が1024本ずつ設けられている場合、スキャン信号制御回路104を4個設けて256本ずつ走査配線101を接続し、信号検出回路105も4個設けて256本ずつ信号配線3を接続する。信号検出回路105は、各信号配線3毎に、入力される電気信号を増幅する増幅回路図示省略を内蔵している。信号検出回路105では、各信号配線3より入力される電気信号を増幅回路により増幅し、ADCアナログデジタル変換器によりデジタル信号へ変換する。この信号検出回路105及びスキャン信号制御回路104には、信号検出回路105において変換されたデジタル信号に対してノイズ除去等の所定の処理を施すとともに、信号検出回路105に対して信号検出のタイミングを示す制御信号を出力し、スキャン信号制御回路104に対してスキャン信号の出力のタイミングを示す制御信号を出力する制御部106が接続されている。本実施の形態の制御部106は、マイクロコンピュータによって構成されており、CPU中央処理装置、ROMおよびRAM、フラッシュメモリ等からなる不揮発性の記憶部を備えている。制御部106は、信号検出回路105から入力された電荷情報を示す電気信号に基づいて、照射された放射線が示す画像を生成して出力する。次に、本実施の形態の画素20、ゲートパッド40、及びデータパッド50の構成について具体的一例を挙げて説明する。まず、画素20について説明する。図2に、本実施形態に係る間接変換方式の放射線検出器10の2画素×2画素分の構造を示す平面図を示す。また、図3には、図2の画素20のA-A線断面図を示す。図3に示すように、画素20は、無アルカリガラス等からなる絶縁性の基板1上に、走査配線101図2参照、ゲート電極2が形成されており、走査配線101とゲート電極2は接続されている図2参照。この走査配線101、ゲート電極2が形成された配線層以下、この配線層を第1信号配線層42ともいうは、Al若しくはCu、又はAl若しくはCuを主体とした積層膜を用いて形成されているが、これらに限定されるものではない。この第1信号配線層42上には、一面に絶縁膜15が形成されており、ゲート電極2上に位置する部位がTFTスイッチ4におけるゲート絶縁膜として作用する。この絶縁膜15は、例えば、SiNX等からなっており、例えば、CVDChemicalVaporDeposition成膜により形成される。絶縁膜15上のゲート電極2上には、半導体活性層8が島状に形成されている。この半導体活性層8は、TFTスイッチ4のチャネル部であり、例えば、アモルファスシリコン膜からなる。これらの上層には、ソース電極9、及びドレイン電極13が形成されている。このソース電極9及びドレイン電極13が形成された配線層には、ソース電極9、ドレイン電極13とともに、信号配線3が形成されている。ソース電極9は信号配線3に接続されている図2参照。。ソース電極9、ドレイン電極13、及び信号配線3が形成された配線層以下、この配線層を第2信号配線層52ともいうは、Al若しくはCu、又はAl若しくはCuを主体とした積層膜が用いて形成されるが、これらに限定されるものではない。当該ソース電極9及びドレイン電極13と半導体活性層8との間には不純物添加アモルファスシリコン等による不純物添加半導体層図示省略が形成されている。これらによりスイッチング用のTFTスイッチ4が構成される。なお、TFTスイッチ4は後述する下部電極11により収集、蓄積される電荷の極性によってソース電極9とドレイン電極13が逆となる。これら第2信号配線層52を覆い、基板1上の画素20が設けられた領域のほぼ全面ほぼ全領域には、TFTスイッチ4や信号配線3を保護するために、TFT保護膜層30が形成されている。このTFT保護膜層30は、例えば、SiNX等からなっており、例えば、CVD成膜により形成される。このTFT保護膜層30上には、塗布型の層間絶縁膜12が形成されている。この層間絶縁膜12は、低誘電率比誘電率εr=2~4の感光性の有機材料例えば、ポジ型感光性アクリル系樹脂:メタクリル酸とグリシジルメタクリレートとの共重合体からなるベースポリマーに、ナフトキノンジアジド系ポジ型感光剤を混合した材料等により1~4μmの膜厚で形成されている。本実施の形態に係る放射線検出器10では、この層間絶縁膜12によって層間絶縁膜12上層と下層に配置される金属間の容量を低く抑えている。また、一般的にこのような材料は平坦化膜としての機能も有しており、下層の段差が平坦化される効果も有する。本実施の形態に係る放射線検出器10では、この層間絶縁膜12及びTFT保護膜層30のドレイン電極13と対向する位置にコンタクトホール17が形成されている。層間絶縁膜12上には、コンタクトホール17を埋めつつ、画素領域を覆うようにセンサ部103の下部電極11が形成されており、この下部電極11は、TFTスイッチ4のドレイン電極13と接続されている。この下部電極11は、後述する半導体層21が1μm前後と厚い場合には導電性があれば材料に制限がほとんどなく、例えば、Al系材料等導電性の金属を用いて形成される。下部電極11上には、フォトダイオードとして機能する半導体層21が形成されている。本実施の形態では、半導体層21として、n層、i層、p層nアモルファスシリコン、アモルファスシリコン、pアモルファスシリコンを積層したPIN構造のフォトダイオードを採用しており、下層からn層21A、i層21B、p層21Cを順に積層して形成する。i層21Bは、光が照射されることにより電荷一対の自由電子と自由正孔が発生する。n層21A及びp層21Cは、コンタクト層として機能し、下部電極11及び後述する上部電極22とi層21Bをと電気的に接続する。各半導体層21上には、それぞれ個別に上部電極22が形成されている。この上部電極22には、例えば、ITOやIZO酸化亜鉛インジウム等の光透過性の高い材料を用いている。本実施の形態に係る放射線検出器10では、上部電極22や半導体層21、下部電極11を含んでセンサ部103が構成されている。層間絶縁膜12、半導体層21及び上部電極22上には、上部電極22に対応する一部で開口27Aを持ち、各半導体層21を覆うように、塗布型の層間絶縁膜23が形成されている。層間絶縁膜23は、SiNX等からなっており、例えば、0.2~0.6μmの膜厚でCVD成膜により形成されている。この層間絶縁膜23上には、バイアス配線25が形成されている。バイアス配線25は、透明導電体、AlもしくはCu、またはAlもしくはCuを主体とした合金、あるいは積層膜が好ましく、特に、透明導電体であることが好ましい。透明導電体としては、例えば、ITOやIZO酸化亜鉛インジウム等の光透過性の高い導電体が好ましい。バイアス配線25は、開口27A付近にコンタクトパッド27が形成され、層間絶縁膜23の開口27Aを介して上部電極22と電気的に接続される。さらに層間絶縁膜23及びバイアス配線25コンタクトパッド27の上には、表面を平坦化するための平坦化層32が形成されている。平坦化層32は、絶縁層であり、例えば、層間絶縁膜12と同様に、有機材料により1~4μmの膜厚で形成されている。また、平坦化層32の上には、放射線検出器10の表面を保護するための保護層34が形成されている。このように形成された画素20上には、必要に応じてさらに光吸収性の低い絶縁性の材料により保護膜が形成されて、その表面に光吸収性の低い接着樹脂を用いてまたは、直接蒸着によりGOSやCsI等からなるシンチレータが貼り付けられる。次に、本実施の形態のデータパッド50について説明する。図4に、本実施の形態に係るデータパッド50が配置された放射線検出器10の端部の構造の一例を示す平面図を示す。また、図5には、データパッド50が配置された放射線検出器10の端部の一例の断面図を示す。図5に示すように、基板1上に、絶縁膜15が形成されている。また、絶縁膜15の上には、第2信号配線層52信号配線3、ソース電極9、及びドレイン電極13を含む配線層が形成されており、絶縁膜15及び第2信号配線層52の上には、TFT保護層30が形成されているまた、放射線検出器10のデータパッド50が設けられた端部では、TFT保護層30の上には、層間絶縁膜23が形成されている。また、層間絶縁膜23の上には、データパッド50が形成される領域に開口部を有する保護層34が形成されている。層間絶縁膜23の上の、保護層34の開口部には、データパッド50が形成されており、データパッド50と第2信号配線層52とは、層間絶縁膜23及びTFT保護層30を貫通するコンタクトホール36により電気的に直接接続されている。本実施の形態のデータパッド50の製造工程について、図6を参照して説明する。まず、放射線検出器10では、基板1上に、第2信号配線層52線層として、ゲート電極2、走査配線101を形成する。この第1信号配線層42は、Al、Al合金等の低抵抗金属、もしくは高融点金属からなるバリアメタル層との積層膜からなり、膜厚が100~600nm前後でスパッタリング法にて基板1上に堆積される。その後、フォトリソグラフィー技術にてレジスト膜のパターンニングを行う。その後、Al用のエッチャントによるウェットエッチ法か、ドライエッチ法にて金属膜をパターンニングする。その後、レジストを除去することにより第1信号配線層42が完成する。次に、第1信号配線層42上に、絶縁膜15、半導体活性層8、コンタクト層を順次堆積する。絶縁膜15はSiNxからなり膜厚は200~600nm、半導体活性層8はアモルファスシリコンからなり膜厚20~200nm前後、コンタクト層は不純物添加アモルファスシリコンからなり膜厚10~100nm前後で、P-CVDPlasma-ChemicalVaporDeposition法にて堆積する。その後、第1信号配線層42と同様に、フォトリソグラフィー技術によりレジストのパターンニングを行う。その後、半導体活性層8と不純物添加半導体によるコンタクト層を絶縁膜15に対し選択的にドライエッチングすることにより半導体活性領域を形成する。なお、データパッド50が設けられた放射線検出器10の端部には、絶縁膜15及び第1信号配線層42が積層されていないため図6に示したデータパッド50の製造工程には、図示していない。次に、図6Aに示すように、絶縁膜15、及び半導体活性層8の上層、放射線検出器10の端部においては基板1上に、第2信号配線層52として、信号配線3、ソース電極9、ドレイン電極13を形成する。この第2信号配線層52は、第1信号配線層42と同様に、Al、Al合金等の低抵抗金属、もしくは高融点金属からなるバリアメタル層との積層膜、またはMo等の高融点金属膜単層からなり、膜厚が100~600nm前後である。第1信号配線層42と同様に、フォトリソグラフィー技術にてパターンニングを行い、Al用のエッチャントによるウェットエッチ法か、ドライエッチ法にて金属膜をパターンニングする。ドライエッチ法にて、コンタクト層と半導体活性層8の一部を除去しTFTスイッチ4のチャネル領域を形成する。次に、図6Aに示すように、基板1及び上記のように形成された第2信号配線層52の上層に、TFT保護層30及び層間絶縁膜12を順次形成する。なお、層間絶縁膜12は、データパッド50が設けられた放射線検出器10の端部には積層されていないため図6Aには図示していない。TFT保護層30及び層間絶縁膜12は無機材料単体の場合や、無機材料からなる保護絶縁膜と有機系材料からなる層間絶縁膜の積層により形成する場合や、有機系からなる層間絶縁膜単層により形成する場合がある。本実施の形態では、例えば、CVD成膜によりTFT保護膜層30を形成し、塗布系材料である感光性の層間絶縁膜12材料を塗布、プリベーク後、露光、現像のステップを通過後、焼成を行なって各層を形成する。次に、フォトリソグラフィー技術によりTFT保護膜層30をパターンニングする。さらに、放射線検出器10では、層間絶縁膜12及びTFT保護層30の上に下部電極11及び半導体層21、及び上部電極22を形成する。なお、これらの各層は、データパッド50が設けられた放射線検出器10の端部には積層されていないため図6には図示していない。下部電極は、Al系材料の金属材料をスパッタリング法により膜厚が20~500nm前後になるように堆積し、フォトリソグラフィー技術にてパターンニングを行い、メタル用のエッチャント等によるウェットエッチ法か、ドライエッチ法にてパターンニングして形成する。光電変換層である半導体層21は、有機光電変換材料である場合は、例えば、CVD法により形成すればよい。膜厚は30nm以上、300nm以下が好ましく、より好ましくは、50nm以上、250nm以下、特に好ましくは80nm以上、200nm以下である。また、無機光電変換材料である場合は、CVD法で下層より順にn層21A、i層21B、p層21Cの各層を堆積して半導体層21を形成する。膜厚は、例えばそれぞれn層10~500nm、i層0.2~2μm、p層10~500nmである。半導体層21は各層を順に積層してフォトリソグラフィー技術により、半導体層21をパターンニングし、ドライエッチ、もしくはウェットエッチによる下層の層間絶縁膜12との選択エッチすることにより完成する。なお、n層21A、i層21B、p層21Cの順で積層するのではなく、p層21C、i層21B、n層21Aの順で積層し、PINダイオードとしてもかまわない。上部電極22は、ITO等の透明電極材料をスパッタリング法により膜厚が20~200nm前後になるように堆積し、フォトリソグラフィー技術にてパターンニングを行い、ITO用のエッチャント等によるウェットエッチ法か、ドライエッチ法にてパターンニングして形成する。次に、図6Bに示すように、SiNx膜からなる層間絶縁膜23を堆積する。ここでは、一例としてCVD成膜のSiNxを記載したが、絶縁材料であれば適用でき、SiNxに限定するものではない。さらにデータパッド50を形成するために、図6Cに示すように、絶縁膜用のウェットエッチ法か、ドライエッチ法にて層間絶縁膜23及びTFT保護層30を貫通するコンタクトホール36を一括形成する。さらに、図6Dに示すように、層間絶縁膜23上に、Al系材料もしくはITO等の金属材料をスパッタリング法により堆積させ、フォトリソグラフィー技術にてパターンニングを行い、メタル用のエッチャント等によるウェットエッチ法か、ドライエッチ法にてパターンニングしてデータパッド50を形成する。さらに、図6Eに示すように、データパッド50をマスキングして、データパッド50が形成される領域に開口部を有するように、絶縁膜である保護層34を例えば、CVD成膜により形成する。本実施の形態の放射線検出器10では、このようにして、データパッド50が形成される。一方、ここで従来の放射線検出器におけるデータパッドについて説明する。図9には、従来のデータパッド500が設けられた放射線検出器1000の端部の断面図が示されている。図9に示すように、従来の放射線検出器1000では、基板1上に、絶縁膜15が形成されている。また、絶縁膜15の上には、第2信号配線層52信号配線3、ソース電極9、及びドレイン電極13を含む配線層が形成されており、絶縁膜15及び第2信号配線層52の上には、TFT保護層30が形成されているまた、第2信号配線層52の端部付近の上層には、開口部が形成されており、当該開口部を覆うように、TFT保護層30上に中継用の電極となる下部電極11が形成されている。さらに、TFT保護層30及び下部電極11の上には、層間絶縁膜23が形成されている。また、層間絶縁膜23の上には、データパッド500が形成される領域に開口部を有する保護層34が形成されている。層間絶縁膜23の上の、保護層34の開口部には、データパッド500が形成されており、データパッド500と下部電極11とは、層間絶縁膜23を貫通するコンタクトホール501により電気的に直接接続されている。このように従来の放射線検出器1000では、下部電極11を介してデータパッド500と第2信号配線層52とが接続されている。このような従来の放射線検出器1000のデータパッド500の製造工程について、図10を参照して説明する。なお、上述の図6に示した本実施の形態の放射線検出器10のデータパッド50の製造工程と略同様の肯定については、その旨を記し詳細な説明を省略する。まず、図10A1は、上述の図6Aに対応しており、基板1の上に第2信号配線層52及びTFT保護層30を形成する。さらに、図10A2に示すように、TFT保護層30をエッチングしてコンタクトホールを形成し、図10A3では、コンタクトホールを埋めつつ、中継用の電極となる下部電極11を形成する。さらに、図10Bは、上述の図6Bに対応しており、ここでは、TFT保護層30及び下部電極11の上に層間絶縁膜23を形成する。さらに、図10Cは、上述の図6Cに対応しているが、ここでは、層間絶縁膜23のみを下部電極11に至るまでエッチングしてコンタクトホールを形成する。次の図10Dは、上述の図6Dに対応しており、層間絶縁膜23に形成されたコンタクトホールを埋めつつ、層間絶縁膜23の上にデータパッド500を形成する。さらに、図10Eは、上述の図6Eに対応しており保護層34を形成することにより従来の放射線検出器1000では、データパッド500が形成される。上述したように本実施の形態のデータパッド50は、層間絶縁膜23及びTFT保護層30を一括してエッチングしてコンタクトホール36を形成し、当該コンタクトホール36を埋めつつデータパッド50を形成することにより、第2信号配線層52と直接接続されている。すなわち、データパッド50と第2信号配線層52とが下部電極11を介さずに接続されている。一方、従来のデータパッド500では、下部電極11を介してデータパッド50と第2信号配線層52とが接続されている。下部電極11は、上述の半導体層21を形成する場合、半導体層21の膜厚が厚いためエッチング条件のコントロールが難しく、半導体層21のエッチングの際にダメージを受ける場合がある。一方、データパッド500本実施の形態ではデータパッド50は、保護層34の開口部に形成されておりその表面が保護層34により覆われていないため、湿気等の水分が侵入しやすい構造となっている。従来のデータパッド500のように、開口部に下部電極11が設けられていると、侵入した水分が、ダメージを受けた下部電極11に到達して電気化学的腐蝕腐食である、いわゆる電触が発生すると場合がある。しかしながら、本実施の形態のデータパッド50では、下部電極11を介さずにデータパッド50と第2信号配線層52とが接続され、保護層34の開口部には下部電極11が設けられていないため、下部電極11はエッチングの際のダメージを受けず、水分が侵入した場合でも上述のような腐食が発生する恐れが少ない。従って、本実施の形態では、下部電極11の腐食を抑制することができる。次に、本実施の形態のゲートパッド40について説明する。図7に、本実施の形態に係るゲートパッド40が配置された放射線検出器10の端部の構造の一例を示す平面図を示す。また、図8には、ゲートパッド40が配置された放射線検出器10の端部の一例の断面図を示す。図8に示すように、基板1上に、第1信号配線層42ゲート電極2及び走査配線101を含む配線層と、絶縁膜15とが形成されている。また、絶縁膜15の上には、第2信号配線層52信号配線3、ソース電極9、及びドレイン電極13を含む配線層が形成されており、第1信号配線層42と第2信号配線層52とは、コンタクトホール37を介して電気的に接続されている。また、第2信号配線層52及び絶縁膜15の上には、TFT保護層30が形成されている。また、放射線検出器10のゲートパッド40が設けられた端部では、TFT保護層30の上には、層間絶縁膜23が形成されている。また、層間絶縁膜23の上には、ゲートパッド40が形成される領域に開口部を有する保護層34が形成されている。層間絶縁膜23の上の、保護層34の開口部には、ゲートパッド40が形成されており、ゲートパッド40と第2信号配線層52とは、層間絶縁膜23及びTFT保護層30を貫通するコンタクトホール38により電気的に直接接続されている。ゲートパッド40の製造工程については、上述の本実施の形態のデータパッド50の製造工程と略同様の肯定であるため、ここでは説明を省略する。なお、ゲートパッド40を製造する場合においても、TFT保護層30及び層間絶縁膜23を一括してエッチングしてコンタクトホールを形成し、当該コンタクトホールを埋めつつゲートパッド40を形成することにより、下部電極11を介することなく、第2信号配線層52を介して第1信号配線層42とゲートパッド40とが電気的に接続される。一方、ここで従来の放射線検出器におけるゲートパッドについて説明する。図11には、データパッド500が設けられた放射線検出器1000の端部の断面図が示されている。図11に示すように、従来の放射線検出器1000では、基板1上に、第1信号配線層42が形成されている。第1信号配線層42及び基板1の上には絶縁膜15が形成されている。また、絶縁膜15には、第2信号コンタクトホールが形成されており、絶縁膜15の上には、配線層52信号配線3、ソース電極9、及びドレイン電極13を含む配線層が形成されている。絶縁膜15及び第2信号配線層52の上には、TFT保護層30が形成されているまた、TFT保護層30には、第2信号配線層52に至るまで開口部が形成されており、当該開口部を覆うようにTFT保護層30の上に中継用の電極となる下部電極11が形成されている。さらに、下部電極11及びTFT保護層30の上には、層間絶縁膜23が形成されている。また、層間絶縁膜23の上には、ゲートパッド400が形成される領域に開口部を有する保護層34が形成されている。層間絶縁膜23の上の、保護層34の開口部には、ゲートパッド400が形成されており、ゲートパッド400と下部電極11とは、層間絶縁膜23を貫通するコンタクトホール401により電気的に直接接続されている。このように従来の放射線検出器1000では、下部電極11を介してゲートパッド400と第2信号配線層52とが接続されている。上述したように本実施の形態のゲートパッド40は、層間絶縁膜23及びTFT保護層30を一括してエッチングしてコンタクトホール38を形成し、当該コンタクトホール38を埋めつつゲートパッド40を形成することにより、第2信号配線層52を介して第1信号配線層42と接続されている。すなわち、ゲートパッド40と第1信号配線層42とが下部電極11を介さずに接続されている。一方、従来のゲートパッド400では、下部電極11を介してゲートパッド400と第2信号配線層52とが接続されている。そのため、データパッド50において上述したように、保護層34の開口部に下部電極11が設けられているため、下部電極11が腐食する恐れがある。一方、本実施の形態のゲートパッド40では、保護層34の開口部には下部電極11が設けられていないため、下部電極11はエッチングの際のダメージを受けず、水分が侵入した場合でも上述のような腐食が発生する恐れが少ない。従って、本実施の形態では、下部電極11の腐食を抑制することができる。以上説明したように、本実施の形態の放射線画像撮影装置100では、層間絶縁膜23及びTFT保護層30を一括してエッチングされたコンタクトホールを埋めつつ、ゲートパッド40及びデータパッド50が形成されるため、下部電極11を介さずに、データパッド50と第2信号配線層52が接続されると共に、ゲートパッド40と第1信号配線層42とが接続される。従って、保護層34の開口部には下部電極11が設けられておらず、水分が侵入した場合でも腐食が発生する恐れが少なく、下部電極11の腐食を抑制することができる。なお、本実施の形態で説明した放射線画像撮影装置100、放射線検出器10、ゲートパッド40及びデータパッド50等の構成、動作等は一例であり、保護層34の開口部の下において、下部電極11を介さずにデータパッド50と第2信号配線層52が接続されると共に、ゲートパッド40と第1信号配線層42とが接続されるという、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更可能であることは言うまでもない。また、本実施の形態では、TFTスイッチ4がゲート絶縁膜の下側にゲート電極が配置され、ゲート絶縁膜の上側に活性層が形成されたボトムゲート構造である場合について説明したがこれに限らず、ゲート絶縁膜の上側にゲート電極が配置され、ゲート絶縁膜の下側に活性層が形成されたトップゲート構造等、他のTFT構造を有する外部接続端子に適用できることはいうまでもない。また、本実施の形態では、本発明の放射線は、特に限定されるものではなく、X線やγ線等を適用することができる。また、本実施の形態では、放射線検出器10の外部接続端子であるゲートパッド40及びデータパッド50について説明したがこれに限らず、他の半導体素子の信号配線を外部に接続するための外部接続端子に本発明が適用できることは言うまでもない。