"太陽電池の格子構造であって、表側にリンがドーピングされてn-エミッタが形成されたシリコン基板と、前記シリコン基板上に適用された、反射防止コーティングARCとして機能する誘電層と、前記前側にパターン形成されて付着されたニッケルNiまたはコバルトCo層と、前記ニッケルまたはコバルト層の急速熱アニーリングによって形成されたシリサイド層と、前記シリサイド層上に付着された任意のバリア層と、前記シリサイド/バリア層上に付着された銅層と、前記銅層の上に適用された薄い保護層と、を含む、太陽電池格子構造。前記基板が100結晶方位を有する単結晶シリコン基板または多結晶シリコン基板である、請求項1に記載の構造。前記誘電層が、窒化シリコン、酸化シリコン、およびそれらの組み合わせから成る群から選択される、請求項1に記載の構造。前記バリア層が、NiP、CoP、CoWP、およびそれらの組み合わせから成る群から選択される、請求項1に記載の構造。前記シリコン基板の裏側にアルミニウムAlメタライゼーションが形成されている、請求項1に記載の構造。太陽電池の格子構造の製造方法であって、シリコン基板を用意するステップと、シリコン基板の表面にテクスチャ加工するステップと、前記シリコンの前側にリンをドーピングしてn-エミッタを形成するステップと、前記n-エミッタ上に反射防止コーティングARCとして機能する誘電層を付着するステップと、前記前側にマスクを適用して前記誘電層の格子開口を画定するステップと、前記マスクされていない前記格子開口をエッチングして開口するステップと、前記格子開口上に、光誘起めっき層を形成するステップと、前記マスク層を剥離するステップと、前記光誘起めっきした層に急速熱アニーリングを行って薄いシリサイド層を形成するステップと、前記シリサイド上にバリア層を付着するステップと、前記シリサイド/バリア膜の上に銅層を付着するステップと、前記銅層の上に保護層を付着するステップと、を含む、方法。前記シリコンの裏側にアルミニウムAlメタライゼーションをスクリーン印刷して高温で焼成するステップをさらに含む、請求項6に記載の方法。前記光誘起めっきによってニッケルNiまたはコバルトCoの層が形成され、前記急速熱アニーリングを10秒から10分の範囲で250°Cないし600°Cの間で行って、シリサイド層を形成するステップを含む、請求項6に記載の方法。Sunpowerに対する米国特許第7,339,110号に記載された方法は、真空ベースのプロセスを用いてシード層およびバリア層を付着した後にCuのめっきを行う。従来の太陽電池のための真空および溶液プロセスの組み合わせは、コストが法外に高い。このため、Sunpowerは、相互嵌合interdigitated単結晶シリコン太陽電池においてこれを用い、より高いコストで高い効率を達成して高コストプロセスを正当化する。電池の裏面に逆の極性の相互嵌合コンタクトを有する太陽電池は、前側金属格子およびブランケットまたは格子メタライズ裏側コンタクトを有する従来の太陽電池とは異なる。これらの太陽電池では、前側格子の遮光を排除したために光発生が改善され、格子直列抵抗が低減し、更に、青色光応答が改善された。これは、前側コンタクトが存在しないので前側コンタクト抵抗を最小限に抑えるための高濃度の前面ドーピングが必要ないからである。Swansonに対する米国特許第4,927,770号に記載されたように、裏側コンタクト電池構造では、同一平面上にコンタクトがあるために、簡略化されたモジュールアセンブリが可能となる。相互嵌合裏側コンタクトIBC:interdigitatedbackcontact太陽電池は製造されているが、コストの問題点によってIBC太陽電池は商品化されていない。このため、IBC太陽電池を製造する際には、裏側拡散、従来のマイクロエレクトロニクスフォトリソグラフィによって製造されたコンタクトおよび金属線、薄膜メタライゼーション、およびエッチングプロセスの使用を含む、従来のマイクロエレクトロニクス集積回路処理が採用されている。しかしながら、このプロセスは、従来の低コストの平板太陽電池パネルに適用するには費用対効果が小さい。本発明によれば、太陽電池の格子スタック構造が提供される。これは、電気めっきを含む溶液ベースの処理技法を用いて容易に製造することができ、動作の効率が高く経済的に製造される。溶液ベースの処理技法は電気めっきを含み、格子構造は、従来のスクリーン印刷した伝導線に比べて、電気めっきした線を用いて細く長く形成することができる。本発明のプロセスの一態様は、光誘起めっきを行って薄い金属層を適用することを含む。この層はNiまたはCoを含むことができる。急速熱アニーリングによってシリサイド層を形成し、これによってシリコンに対するシリサイドコンタクトを設ける。次いで、溶液ベースのプロセスによって任意の拡散バリア層を付着する。この層は、電気めっきしたNiP、CoP、およびCoWPを含むことができる。続いて、ゼロに近い応力で厚いCu層を電気めっきし、これによって良好な機械的強度のためにスタックに加わる応力を最小限に抑える。本開示およびこれに伴う利点の多くのいっそう完全な評価は、以下の詳細な説明を参照し添付図面と関連付けて考察した場合に、より良く理解され、容易に明らかとなろう。本開示に従った太陽電池格子構造は、単結晶シリコン基板/ウェハまたは多結晶シリコン基板において製造される。図1は、以下のようなこの構造およびプロセスシーケンスを示す。1.p-シリコン基板を用いることができる。2.シリコン表面にテクスチャ加工texturedして、最大の光吸収のためにある粗さを与える。次いで、シリコンの前側にリンをドーピングして薄いn-エミッタを形成する。この厚さは100nmから1ミクロンの範囲とする。裏側のAlメタライゼーションはスクリーン印刷し、600から900°Cの範囲の高温で焼成する。3.窒化シリコン、酸化シリコン等の反射防止コーティングARCとして機能する誘電層を、n-エミッタの上に付着する。4.前側にマスクを適用して、誘電層の格子開口を画定する。5.エッチング方法を適用して、マスクされていない格子領域を開口する。硫酸塩ベース、スルファミン酸ベース、または塩化物ベースの酸性めっき溶液を含む様々なめっき溶液を用いて、ニッケルNiおよびコバルトCoで、裏側Alに対する電気コンタクトを光誘起めっきする。光強度は1,000ルクスから100,000ルクスの範囲として、前側格子上に電気めっきのための自由電子を発生させる。6.マスク層を剥離する。7.めっきしたNiまたはCoの急速熱アニーリングを行って、10秒から20分の範囲で、250°Cおよび600°Cの間で、薄いシリサイド層を形成する。8.シリサイド上に任意のバリア層を付着する。これは、NiP、CoP、CoWP、およびそれらの組み合わせを含むことができ、無電解または電気めっきのいずれかを用い、Ni、Co、およびW塩に加えて、Pの組み込みのソースとして次亜リン酸塩ベースの塩を用いる。9.めっき浴および低い応力を与える条件を用いて、シリサイド/バリア膜の上に厚いCu層を付着する。ベンゾトリアゾールBTA溶液リンスから吸収されたBTA層等の任意の薄い保護層を、保護のために、またははんだ適合性の向上のためにCuの上に付着して、銀AgまたはすずSnの薄い層を電着する。好適な実施形態においては、KOHまたはNaOHを用いてウェハをエッチングして、インゴットウェハ成形から固体損傷を除去する。シリコンの約20から50μmを除去すれば良い。エッチングの後、標準的なウェット洗浄シーケンスを用いてウェハを洗浄する。好適な実施形態においては、単結晶基板の上面にテクスチャ加工表面を形成する。頂点の分散は、典型的に高さ1から10μmの範囲である。このランダムなテクスチャによって、太陽電池への光の結合を補助する。単結晶でないウェハでは、酸エッチング、プラズマエッチング、および機械的研磨を含むいくつかの代替的な方法によってテクスチャを生成することも可能である。テクスチャ加工の後に、標準的な拡散前ウェット洗浄シーケンスを用いてウェハを洗浄することができる。別の好適な実施形態においては、ドーパントソースとして液体リンソースH3PO4溶液またはガスソースPOCl3を用いる。AsまたはSb等の他のnドーパントを用いることも可能である。別の好適な実施形態では、太陽電池の前側表面にSiNまたはTiO2等のARCを適用する。このコーティングによって太陽電池への光の結合を補助し、従って効率を向上させる。あるいは、シード金属スタックを付着した後にARCを付着することも可能である。更に、基板の両側にARCを適用することも可能である。別の好適な実施形態では、スクリーン印刷によって裏側にAl層をコーティングし、焼成してp層を形成し、導体として機能させる。好適な実施形態におけるアルミニウムは、半導体材料に対するオーム接触を生成し、裏面反射材として機能する。薄いシリコン太陽電池においては、弱く吸収された赤外放射がシリコンの厚さを通過し、多くの場合、裏側メタライゼーションにおける吸収によって失われる。前表面テクスチャを裏面反射材と組み合わせて用いて、光学経路を長くすることができる。この設計フィーチャによって太陽電池における光発生電流が大きくなる。別の好適な実施形態においては、次いでARC層上の前側の上にパターニングしたレジストを塗布する。レジストマスクは誘電層の格子開口を画定し、この場合、エッチング方法を用いて格子領域を開口する。裏側Alメタライゼーションと電気的に接触させて、前側格子に、光誘起めっきによるニッケルNiまたはコバルトCo層を適用する。めっきしたNiまたはCoの急速熱アニーリングによってシリサイド層を形成する。好適な実施形態において、第2の層は、金属および他の不純物に対する拡散バリアとして機能する。好適な実施形態では、バリア層は、NiP、CoP、CoWP、およびそれらの組み合わせから成る群から選択される。バリア層は、無電解または電気めっきのいずれかを用いてシリサイド上に付着される。あるいは、バリア層としてクロムCrを用いることも可能である。好適な実施形態では、同じ光誘起方法を用いて、裏側Alメタライゼーションに対する電気的接触を生成することによって、格子の上に厚い銅Cu層を電着する。好適な実施形態においては、Cuの後に、ベンゾトリアゾールBTAまたは電気めっきしたAgもしくはSnを含むことができる薄い層を加えて、はんだ付け性の改善またはめっき領域の腐食の防止あるいはその両方を行うことができる。本開示の構造およびプロセスの利点には、コスト競争力、低温プロセス、良好な導電性、伝導線の断面の厚さおよびアスペクト比の維持の容易さ、および最小の遮光のための、溶液ベースのプロセスが含まれる。明らかに、上述の開示に鑑み、この開示の多数の変更および変形が可能である。従って、特許請求の範囲内で、本明細書中で具体的に記載したのではない他の方法でこの開示を実施可能であることは理解されよう。"