"入射する放射線をその放射線量に応じた画素毎の電気量のデータに変換する、各画素を成す検出エレメントを複数有したモジュールを複数備えた放射線検出器において、前記複数のモジュールは、当該放射線検出器のスキャン方向を第1のX軸と当該第1のX軸に直交する第1のY軸との内の一方の軸の方向に設定したときの当該第1のX軸及び当該第1のY軸のうちの少なくとも一方に沿って同一面上で既知幅の間隔を以って相互に隣接して配列され、前記モジュールのそれぞれの前記複数の検出エレメントは、前記第1のX軸及び第1のY軸に対してそれぞれ斜めに設定され且つ相互に直交した第2のX軸と第2のY軸に沿って2次元的に配列されている、ことを特徴とする放射線検出器。前記複数の互いに隣接するモジュールの相互間の隙間に、当該隙間よりも狭い幅を有し、表面を電気的な絶縁体で覆い、且つ、前記検出エレメントと同等又はそれ以上の比重の素材を内部に配置した遮蔽体を配置したことを特徴とする請求項1に記載の放射線検出器。前記絶縁体は、タングステン、モリブデン、銅、鉛、カドテル、又は、高比重セラミックを含む物質を電気的絶縁処理した材料で形成されていることを特徴とする請求項2に記載の放射線検出器。前記既知幅の間隔は前記画素のサイズの1/NNは2以上の正の整数の整数倍である、ことを特徴とする請求項1に記載の放射線検出器。前記複数のモジュールは前記第1のX軸又は第1のY軸に沿って1次元的に配置されている、ことを特徴とする請求項1又は4に記載の放射線検出器。前記複数のモジュールは前記第1のX軸及び第1のY軸に沿って2次元的に配置されている、ことを特徴とする請求項1又は4に記載の放射線検出器。前記複数のモジュールは、部分的には前記第1のX軸又は第1のY軸に沿って1次元的に配置されるとともに、別の部分的には前記第1のX軸及び第1のY軸に沿って2次元的に配置されていることを特徴とする請求項1又は4に記載の放射線検出器。前記複数のモジュールは、当該複数のモジュールがその全体で前記放射線を入射させるべく形成する実際の検出面の領域に内接する視野、外接する視野、又は、その外接する視野よりも大きい視野を仮想的に設定可能に配置されている、ことを特徴とする請求項1乃至請求項7の何れか一項に記載の放射線検出器。前記複数のモジュールのそれぞれは、前記第2のX軸及び前記第2のY軸の方向に同数の正方形の前記検出エレメントを配した全体が正方形の検出面を有するモジュールであることを特徴とする請求項1乃至請求項8の何れか一項に記載の放射線検出器。前記検出エレメントのそれぞれは、前記放射線をデジタル量の前記電気信号に直接変換するように形成されている請求項1乃至請求項8の何れか一項に記載の放射線検出器。前記デジタル電気量のデータを画素データに処理する処理回路を備え、この処理回路は前記放射線の粒子数を計数して当該計数結果に基づく前記画素データを生成するように構成したことを特徴とする請求項1請求項10の何れか一項に記載の放射線検出器。前記処理回路はASIC層として、前記半導体層に積層状態で一体に作り込まれていることを特徴とする請求項1請求項11の何れか一項に記載の放射線検出器。放射線源と、この放射線源から放射される放射線をその放射線量に応じた画素毎のデジタル電気量のデータに変換し且つ各画素を成す検出エレメントを複数有するモジュールを複数備え、当該複数のモジュールから出力される前記データをフレームデータとして規則的に繰り返し出力する放射線検出器と、前記フレームデータを画像データに生成する画像生成手段と、を備えた放射線撮像装置において、前記複数のモジュールは、当該放射線検出器のスキャン方向を第1のX軸と当該第1のX軸に直交する第1のY軸との内の一方の軸の方向に設定したときの当該第1のX軸及び当該第1のY軸のうちの少なくとも一方に沿って同一面上で既知幅の間隔を以って相互に隣接して配列され、前記モジュールのそれぞれの前記複数の検出エレメントは、前記第1のX軸及び第1のY軸に対してそれぞれ斜めに設定され且つ相互に直交した第2のX軸と第2のY軸に沿って2次元的に配列されている、ことを特徴とする放射線撮像装置。前記放射線源及び前記放射線検出器の対を、当該放射線源のみを、又は、当該放射線源のみを被検者に対して相対的に移動させる移動手段を備えたことを特徴とする請求項13に記載の放射線撮像装置。前記画像生成手段は、前記放射線検出器の画素それぞれよりも小さいサイズの画素を2次元的に配列した仮想メモリ空間を用いて、サブピクセル法により、前記画素データを当該仮想メモリ空間の各画素の画素値に変換する変換手段を備え、前記仮想メモリ空間の画素は前記第1のX軸及び第1のY軸から成る座標系に準じてマッピングされていることを特徴とする請求項13又は14に記載の放射線撮像装置。前記仮想メモリ空間が呈する2次元のメモリ空間のサイズは、前記複数のモジュールがその全体で前記放射線を入射させるべく形成する実際の検出面の領域に内接する視野に、外接する視野に、又は、その外接する視野よりも大きい視野に相当していることを特徴とする請求項14又は15に記載の放射線撮像装置。前記仮想メモリ空間が呈する2次元のメモリ空間の各画素のサイズは、前記各モジュールの画素のサイズより小さいことを特徴とする請求項13乃至16の何れか一項に記載の放射線撮像装置。前記仮想メモリ空間が呈する2次元のメモリ空間の各画素のサイズは、前記各モジュールの画素のサイズの1/NNは2以上の正の整数の整数倍以下であることを特徴とする請求項17に記載の放射線撮像装置。前記変換手段は、前記フレームデータの画素データを前記仮想メモリ空間に重ねたときに当該仮想メモリ空間の各画素に占める前記画素データの面積比に基づいて当該仮想メモリ空間の各画素の値を演算する演算手段と、この演算結果を当該仮想メモリ空間の各画素にマッピングするマッピング手段とを有することを特徴とする請求項15乃至18の何れか一項に記載の放射線撮像装置。前記変換手段は、前記放射線検出器から一定期間毎に出力された前記複数のフレームデータの画素データを前記仮想メモリ空間上での移動量を加味して重ねたときに当該仮想メモリ空間の各画素に占める画素データの面積比に基づいて当該仮想メモリ空間の各画素の画素値を演算する演算手段と、この演算された画素値を当該メモリ空間の各画素にマッピングするマッピング手段とを有することを特徴とする請求項15乃至18の何れか一項に記載の放射線撮像装置。前記演算手段は、前記検出面において前記複数のモジュールの相互間に位置する隙間に相当する画素は画素値が0であると仮定して前記メモリ空間の各画素の画素値を演算することを特徴とする請求項19又は20に記載の放射線撮像装置。前記画像生成手段は、前記放射線検出器から出力される前記フレームデータに、前記複数のモジュールの相互間の隙間に検出画素が無いことに因り発生する感度ムラを補正して、再構成後の画像の均一化を図るための処理を施す均一化手段と、この均一化手段により感度ムラを補正した前記複数のフレームデータを用いて画像を再構成する再構成手段と、を更に備えたことを特徴とする請求項14乃至21の何れか一項に記載の放射線撮像装置。前記マッピング手段は、計測手段で計測された、前記複数のモジュールの前記隙間の実際値を考慮して、前記演算手段の演算結果を前記メモリ空間の各画素にマッピングすることを特徴とした請求項21又は22に記載の放射線撮像装置。前記モジュールは前記放射線が入射する方向から見たときに正方形のX線入射面を有し、前記第1のX軸及び第1のY軸と、前記第2のX軸及び第2のY軸と間の相対的な角度は6°~20.7°の範囲にある、ことを特徴とする請求項1乃至23の何れか一項に記載の放射線検出器又は放射線撮像装置。前記相対的な角度は、好ましくは、14.08°であることを特徴とする請求項24に記載の放射線検出器又は放射線撮像装置。しかしながら、前述した特許文献2や非特許文献2に係る、検出面の形状が矩形であってスキャン方向に対して斜めに配置し、検出器はスキャン方向に移動させる、所謂、斜め配置のスキャンを行う場合であっても、スキャン方向を横軸とする直交座標系の検出領域に基づいて画像が再構成される。このため、スキャンした検出領域の中で画像の再構成に使用されない部分領域があり、その部分は無駄なデータ収集となる。この収集部分は被検者に対して余分なX線被曝を与える。また、前述した特許文献3に係る、光子計数型のX線検出器を複数のモジュールの隣接配置により製造する場合、各画素を成す検出層の直下に、画素毎に、光子計数のための信号処理回路をASIC層として作り込む必要がある。この信号処理回路の回路ボリュームは信号積分型のX線検出器のそれに比して大きい。このため、光子計数型検出器の場合、各画素を小さく例えば150μm以下の画素することは構造的にも、また性能面やコスト面でも困難であることから、通常、200μm程度の画素サイズが現実的なサイズになってしまう。つまり、光子計数型の検出器の場合、信号積分型の検出器が100μm程度の画素でデータ収集していることに比して、再構成された画像の解像度が劣る。つまり、画像の細かさが劣る。また、その画像はデジタル的な歪が大きいため、読影精度も低下する。本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、複数のモジュールを隣接配置して構成される放射線検出器において、検出器の不感帯が画像に及ぼす影響を大幅に軽減でき、より少ない放射線被曝量できめが細かく且つ高い解像度の画像を提供可能であることを、その目的とする。また、この放射線検出器を搭載した放射線撮像装置により、検出器の不感帯が画像に及ぼす影響がより少なく且つ放射線被ばく量もより少なくて済むとともに、よりアナログ的で自然に近い感覚でありながら解像度が高く高精細な画像を提供することを、別の目的とする。上述した目的を達成するために、本発明は、その1つの態様として、入射する放射線をその放射線量に応じた画素毎の電気量のデータに変換する、各画素を成す検出エレメントを複数有したモジュールを複数備えた放射線検出器が提供される。この検出器において、前記複数のモジュールは、当該放射線検出器のスキャン方向を第1のX軸と当該第1のX軸に直交する第1のY軸との内の一方の軸の方向に設定したときの当該第1のX軸及び当該第1のY軸のうちの少なくとも一方に沿って同一面上で既知幅の間隔を以って相互に隣接して配列され、前記モジュールのそれぞれの前記複数の検出エレメントは、前記第1のX軸及び第1のY軸に対してそれぞれ斜めに設定され且つ相互に直交した第2のX軸と第2のY軸に沿って2次元的に配列されている、ことを特徴とする。また、本発明は別の態様として、放射線源と、この放射線源から放射される放射線をその放射線量に応じた画素毎のデジタル電気量のデータに変換する、各画素を成す検出エレメントを複数有したモジュールを複数備えた放射線検出器と、前記データを画素データに処理する処理回路と、を備えた放射線撮像装置が提供される。この装置において、前記複数のモジュールは、当該放射線検出器のスキャン方向を第1のX軸と当該第1のX軸に直交する第1のY軸との内の一方の軸の方向に設定したときの当該第1のX軸及び当該第1のY軸のうちの少なくとも一方に沿って同一面上で既知幅の間隔を以って相互に隣接して配列され、前記モジュールのそれぞれの前記複数の検出エレメントは、前記第1のX軸及び第1のY軸に対してそれぞれ斜めに設定され且つ相互に直交した第2のX軸と第2のY軸に沿って2次元的に配列されている、ことを特徴とする。以下、添付図面を参照して、本発明に係る放射線検出器の各種の実施形態を説明する。第1の実施形態図1~図17を参照して、本発明に係る放射線検出器の第1の実施形態を説明する。この実施形態では、本発明に係る放射線検出器は歯科用のX線パノラマ撮像装置以下、パノラマ撮像装置と呼ぶに採用されたX線検出器である。勿論、この放射線検出器は、後述するが、医療用のX線CTComputedTomographyスキャナに限らず、工業用のX線CT装置に搭載することもできる。さらに、X線検出器は、一例として、光子計数型フォトンカウンティングのX線検出器として説明される。しかし、本発明に係る放射線検出器は、必ずしも光子計数型に限定されるものではなく、入射するX線の量を一定時間、積分した積分値として検出する積分型の検出器にも適用可能である。図1に、パノラマ撮像装置1の概要を示す。このパノラマ撮像装置1は、被検者Pからデータを収集するガントリデータ収集装置2と、収集したデータを処理して画像などを作成するとともにガントリ2の動作を制御するコンソール3とを備える。ガントリ2は、支柱11を備える。この支柱が伸びる長手方向を縦方向又は上下方向:Z軸方向と呼び、この縦方向に直交する方向を横方向XY面に沿った方向と呼ぶ。支柱11には、略コ字状を成す上下動アームユニット12が縦方向に移動可能に備えられる。上下動アームユニット12は、支柱11に沿って移動可能な縦アーム12Aと、この縦アーム12Aの上下端のそれぞれから横方向に延びる上側横アーム12B及び下側横アーム12Cを備える。上側横アーム12Bの所定位置には、XY面内で回動可能な状態で、回動アームユニット13が取り付けられている。下側横アーム12Cの先端部は被検者Pの顎を載せるチンレスト14として構成されている。このため、撮像時には、被検者Pが図中の仮想線のように顎を載せて撮像に臨む。上下動アームユニット12の縦方向の位置は、図示しない駆動機構により、被検者Pの背丈に応じて調整される。回動アームユニット13は、下向きで略コ字状を成す横アーム13Aと、この横アーム13Aの両端のそれぞれから下向きに伸びる線源側縦アーム13B及び検出側縦アーム13Cとを備える。横アーム13Aが回転軸13Dにより垂下され、図示しない電動モータなどの駆動機構により回転軸13Dを中心に回動回転させられる。線源側アーム13Bの下端部にはX線管21が設置される。このX線管21から例えばパルスX線として曝射されたX線は、コリメータCLでコリメートされた後、被検者Pの顎部を透過して検出側縦アーム13Cに放射される仮想線を参照。検出側縦アーム13Cの下端部には、X線入射窓W例えば、横6.4mm×縦150mmを有したX線検出器22以下、検出器と呼ぶが設置される。なお、コリメータCLのコリメート用スリットは、コリメート後のファンビームの大きさがX線入射窓Wに合致するように又はこの入射窓Wよりも若干例えば1mm程度大きくなるように設定されている。この検出器22は、入射する放射線を電気信号に直接に変換する半導体層を用いた、所謂、直接変換方式を採用した光子計数フォトンカウンティング型のX線検出器である。この検出器22の積層構造は、図6を用いて後述するので、ここでは半導体層と画素との関係を説明しておく。この光子計数型の検出器22において、半導体層のX線を入射させる面には例えば-500Vといった高電圧を印加させる荷電電極と言われる共通の電極が貼設され、他方の面には各画素を形成するべく集電電極が2次元アレイ状に貼設されている。このため、この集電電極の2次元の配置によって、この半導体層はX線検出素子を2次元アレイ状に配列したものと同等の構造になっている。この実質的に各画素を成すX線検出素子の部分を検出エレメントS図3参照と呼ぶことにする。これにより、検出器22は2次元に配列された検出エレメントS、すなわち画素画素数は例えば32×750画素を有する。各画素のサイズは、例えば200μm×200μmであり、この画素サイズは、X線をその光子粒子として性質を持つの集合として検出することが可能な十分小さい値になっている。本実施形態において、X線をその粒子の集合として検出可能なサイズとは、放射線例えばX線粒子が同一位置又はその近傍に複数個連続して入射したときの各入射に応答したパルス信号間の重畳現象の発生を実質的に無視可能な又はその量が予測可能なサイズであると定義される。この重畳現象が発生すると、X線粒子の入射数対実際の計測数の特性にX線粒子の数え落とし特性が発生する。このため、X線検出器12に形成する収集画素のサイズは、この数え落とし特性が発生しない又は実質的に発生しないとみなせる大きさに、又は、数え落し量が推定できる程度に設定されている。なお、この検出器22は必ずしも半導体を用いた直接変換型の光子計数型の検出器に限定されず、例えば、シンチレータと光検出器を組み合せた検出器であってもよいし、また、その信号処理法も光子計数型に限定されず、積分型と呼ばれる信号処理回路を搭載した検出器であってもよい。このため、検出器22は、その全画素それぞれにより、入射X線の光子を計数し、その計数値を反映させた電気量のフレームデータを出力する。被検者Pは所定の撮像位置に立って、その顎部をチンレスト14に載せた状態で、回動アームユニット13が回転駆動される。この回転中に、X線管21からX線が所定間隔又は連続的に曝射され、このX線は検出器22により例えば300fpsの高いフレームレートでフレームデータとして検出される。コンソール3は、図2に示すように、信号の入出力を担うインターフェースI/F31を備え、このインターフェース31にバス32を介して通信可能に接続されたコントローラ33、第1の記憶部34、画像プロセッサ35、表示器36、入力器37、キャリブレーション演算器38、第2の記憶部39、ROM40、及び閾値付与器41を備えている。コントローラ33は、CPU中央処理装置を備え、このCPUがROM40に予め与えられたプログラムに沿ってガントリ2の駆動を制御する。この制御には、X線管21に高電圧を供給する高電圧発生装置42への指令値の送出、画像プロセッサ35への駆動指令、及び、キャリブレーション演算器38への駆動指令も含まれる。第1の記憶部34は、ガントリ2からインターフェース31を介して送られてきたフレームデータを保管する。画像プロセッサ35は、CPUを備えたコンピュータである。画像処理プロセッサ35は、コントローラ33から処理開始の指令を受けたときに、画像プロセッサ35はROM40に予め与えられたプログラムに基づいて動作する。この動作により、第1の記憶部34に保管されたフレームデータを公知のシフトアンドアッドshiftandaddの演算を主体とするトモシンセシス法で処理し、被検者Pの口腔部の歯列のX線透過像を作成する。表示器36は、作成されるX線透過像の表示や、ガントリ2の動作状況を示す情報及び入力器37を介して与えられるオペレータの操作情報の表示を担う。入力器37は、オペレータが撮像に必要な情報をシステムに与えるために使用される。また、キャリブレーション演算器38は、コントローラ33からの駆動指令に応じて動作する。ROM40には、キャリブレーション演算器38の動作に必要なプログラムが格納されている。このキャリブレーション演算器38は、後述するデータ収集回路おいて必要な、画素毎且つ各画素に対するエネルギ弁別系列毎に与えるエネルギ弁別のための閾値のキャリブレーションを担っている。第2の記憶部39は、キャリブレーションにより画素毎、エネルギ弁別系列毎、及びエネルギ値毎に生成された閾値の値を記憶している。この閾値は、撮像時に呼び出され、後述するデータ収集回路に与えられる。コントローラ33、画像プロセッサ35、キャリブレーション演算器38、閾値付与器41は共に、与えられたプログラムで稼動するCPUを備えている。それらのプログラムは、ROM40に事前に格納されている。ここで、上述した検出器22を詳述する。具体的には、検出器22の電気的な全体構成を説明した上で、モジュールと呼ばれる、複数の検出エレメントSの集合体であって実装上の構成単位を中心とする構造面の詳細、及び、モジュールの実装法について説明する。検出器の電気的な全体構成最初に、図3を用いて、検出器22の電気的な全体構成を説明する。検出器22は、そのX線入射面に、前述したように各画素を成す検出エレメントSの2次元アレイ状の分布を有する。各検出エレメントSは、この検出エレメントに入射するX線を検出して、そのX線エネルギに応じたパルス電気信号を出力する。この電気信号を処理すべく、各検出エレメントSの出力側にデータ収集回路51nn=1~N:N=全画素数=全収集チャンネル数が備えられている。この複数のデータ収集回路51nn=1~Nのそれぞれは、検出エレメントSから出力されたアナログ量の電気信号を受けるチャージアンプ52を有し、このチャージアンプ52の後段に、波形整形回路53、多段の比較器541~54tここではt=4、エネルギ領域振分け回路55、多段のカウンタ561~56tここではt=4、多段のD/A変換器571~57tここではt=4、ラッチ回路58、及びシリアル変換器59を備える。チャージアンプ52は、各検出エレメントSの集電電極に接続され、X線粒子の入射に応答して集電される電荷をチャージアップして電気量のパルス信号として出力する。このチャージアンプ52の出力端は、ゲイン及びオフセットが調整可能な波形整形回路53に接続されており、検知したパルス信号の波形を、予め調整されているゲイン及びオフセットで処理して波形整形する。この波形整形回路53のゲイン及びオフセットは、検出エレメントSから成る画素毎の電荷チャージ特性のバラツキと各回路特性のバラツキを考慮して、キャリブレーションにより調整される。この波形整形回路53の出力端は、複数の比較器541~544の比較入力端にそれぞれ接続されている。この複数の比較器541~544それぞれの基準入力端には、それぞれ値が異なるアナログ量の閾値th1~thtここではt=1~4が印加されている。これにより、1つのパルス信号を異なる閾値th1~th4と比較することができる。この比較の理由は、入射したX線粒子のエネルギ量が、事前に複数に分けて設定したエネルギ領域のうちのどの領域に入るのかについて調べる弁別するためである。パルス信号の波高値つまり、各入射X線粒子のエネルギ量を表すが閾値th1~th4のどの値を超えているかにより、弁別されるエネルギ領域が異なる。なお、最も低い閾値th1は、通常、外乱や、検出エレメントS、チャージアンプ42などの回路に起因するノイズ、或いは、画像化に必要のない低エネルギの放射線を検出させないための閾値として設定される。また、閾値の数、すなわち比較器の数は、必ずしも4個に限定されず、上記閾値th1の分を含めて2個以上の何個であってもよい。上述した閾値th1~th4は、具体的には、コンソール3のキャリブレーション演算器38からインターフェース32を介してデジタル値で画素毎、即ち収集チャンネル毎に与えられる。このため、比較器541~544それぞれの基準入力端は4つのD/A変換器571~574の出力端にそれぞれ接続されている。このD/A変換器571~574はラッチ回路58を介して閾値受信端T1~TNに接続され、この閾値受信端T1~TNがコンソール3のインターフェース32に接続されている。ラッチ回路58は、撮像時には閾値付与器40からインターフェース31及び閾値受信端T1~TNを介して与えられたデジタル量の閾値th1~th4をラッチし、対応するD/A変換器D/A変換器571~574にそれぞれ出力される。このため、D/A変換器D/A変換器571~574は指令されたアナログ量の閾値th1~th4を電圧値として比較器541~544それぞれに与えることができる。このため、比較器541~544の出力端は、図3に示すように、エネルギ領域振分け回路55に接続されている。このエネルギ領域振分け回路55は、複数の比較器541~54nの出力、すなわち、検出したX線粒子のエネルギに相当するパルス電圧と閾値th1~th4との比較結果を解読し、そのエネルギ値がどのエネルギ領域1~4に分類されるかという振分けを行う。このため、カウンタ561~564のそれぞれは、エネルギ領域振分け回路55からパルス信号が入力される度にカウントアップを行う。このため、担当するエネルギ領域に弁別されるエネルギ値のX線粒子数を一定時間毎の累積値として計測する。なお、カウンタ561~564にはコンソール3のコントローラ33からスタートストップ端子T2を介して起動及び停止の信号が与えられる。一定時間の計測は、自身が有するリセット回路を使って外部から管理される。このようにして、リセットされるまでの一定時間の間に、複数のカウンタ561~564により、検出器12に入射したX線の粒子数が、画素毎に且つエネルギ領域毎に計測される。このX線粒子数の計数値は、カウンタ561~564のそれぞれからデジタル量の計数データとして並列に出力された後、シリアル変換器59によりシリアルフォーマットに変換される。このシリアル変換器59は残り全てのチャンネル収集画素のシリアル変換器59とシリアルに接続されている。このため、最後のチャンネルのシリアル変換器59からシリアルなデジタル量の計数データとして出力され、その計数データが出力端T3を介してコンソール3に送られる。コンソール3では、インターフェース31がその計数データを受信して第1の記憶部34に格納する。そこで、画像プロセッサ35は、入力器36からのオペレータ指令に応じて、第1の記憶部34に格納されている計数データを読み出し、この計数データを用いて画像、例えば歯列に沿ったある断面のX線透過画像パノラマ画像をトモシンセシス法の元で再構成する。このパノラマ画像は例えば表示器46で表示される。検出器の構造及び実装法続いて、モジュールと呼ばれる実装上の単位デバイスを用いて構成される検出器22の構造を説明する。検出器22の外観を図4、5に示す。同図に示すように、検出器22それ自体は長方形で所定高さを有する弁当箱状のハウジング101を有し、このハウジング101の内部に必要な構成要素が内蔵されている。この構成要素には板状のマザーボード102が含まる。このハウジング101には、カーボン材などの長方形状のX線入射窓Wが形成されている。この入射窓Wの直下にモジュールの配列構造体が置かれている。つまり、このマザーボード102上であって、X線入射窓Wの直下に、入射X線を電気パルス信号に画素毎に直接変換するための単位素子つまり検出エレメントSを一群とするモジュールMが複数、実装されている。モジュールMとは、製造可能な単位であって、2次元のアレイ状に分布させた複数の検出エレメントSを有する実装上の単位デバイスである。このモジュールMを、複数、既知量の幅の隙間ギャップGを空けて互いに隣接状態でマザーボード102上に配置することで、検出器22に必要な検出素子群を構成している。このモジュールMは、図4に示すように、一例として8mm×9mmのサイズを有する板状で矩形の構造体である。この8mm×9mmの平面サイズのうち、1mm分はリード線引き出し部であるので、検出面を成す平面サイズは正方形の8mm×8mmである。図6に示すように、この8mm×8mmの正方形の領域の中に40×40個の画素すなわち検出エレメントSが、第2のX軸:X2および第2のY軸:Y2からなる直交座標系第2の直交座標系の元で、縦横に稠密に2次元状に配列されている。図7に示すように、各モジュールMは、そのX線入射側から順に、層状の共通の荷電電極E1、半導体からなる検出層K1、層状で且つ各画素分の集電電極E2、及びASIC特定用途向け集積回路層K2がこの順に積層された状態で構成されている。荷電電極E1には、例えば-数十~-数百ボルト程度の比較的高い電圧が印加される。検出層K1は、テルル化カドミウム半導体CdTe半導体、カドミュームジンクテルライド半導体CdZnTe半導体、シリコン半導体Si半導体などの半導体材料を用いて層状に構成される。また、集電電極E2は、各検出画素を構成すべく、所定サイズの碁盤の目状に分割されている。このサイズは例えば200μm×200μmであり、前述したようにX線をその粒子として検出可能なサイズである。これにより、光子計数フォトンカウンティングが可能になっている。このため、検出層K1に入射したX線光子に因り、その層内部に電子と正孔の対が発生し、電子が相対的に正電位の集電電極E2に集められる。この電子がもたらす電荷がパルス状の電気信号として集電電極E2により検知される。つまり、検出器22に入射したX線は電気量のパルス信号に直接的に変換される。ASIC層K2は、複数の集電電極E2それぞれにハンダ接続部図示せずを介して接続されるようにマザーボード102に積層されている。このASIC層K2に、前述した複数のデータ収集回路51nn=1~Nのそれぞれが、検出層K1の集電電極E2毎に、すなわち、検出画素毎に作り込まれている。このASIC層K2に作り込まれる、各検出画素のシリアル変換器59から、各モジュールMの検出信号、すなわち40×40画素分のパルス電気信号が出力される。このパルス電気信号はマザーボード102上の回路を使ってシリアルに集められ、図3に示すように出力端T3から出力される。次に、図6を再度参照して、上述したモジュールMの配置例を説明する。この複数のモジュールMをどのように配置するかということは本発明の最重要な特徴を成す。図6には、一部上述したが2通りの直交座標系が示されている。一方の第1の直交座標系は、第1のX軸:X1及びこれに直交する第1のY軸:Y1から成る座標系である。他方の第2の直交座標系は、第2のX軸:X2およびこれに直交する第2のY軸:Y2から成る座標系である。第1のX軸:X1は、例えばX線パノラマ撮影を行うときに検出器22及びX線管21の対を被検者Pの周りに回転移動させるときの方向、すなわちスキャン方向に一致させている。さらに、第2の直交座標系、すなわち第2のX軸:X2及び第2のY軸:Y2は、第1の直交座標系、すなわち第1のX軸:X1及び第1のY軸:Y1に対して、一例として、図6に示すように右肩上がりにα=14.08°だけ傾いている。勿論、この傾きαは、第1及び第2の直交座標系の間の相対的な傾きを言うものであり、第1の直交座標系X1,Y1に対して左肩上がりに14.08°だけ傾斜する値でもよい。この14.08°の角度αは製造や実装の誤差などを考慮すると、実質的に14°であるとも言える角度である。また、この斜めの角度αは必ずしも14.08°に限らず、斜めの一定範囲の角度であればよい。この斜め角度αの範囲としては後述するように、例えば6°~20.7°の範囲に属する角度である。これらの2つの直交座標系のうち、複数のモジュールMのそれぞれにおける複数の画素、すなわち複数の検出エレメントSは、同一面上で第2の直交座標系である第2のX軸:X2及び第2のY軸:Y2に沿って2次元アレイ状に配列されている。これに対し、複数のモジュールMそれ自体は第1の直交座標系に沿って配置されている。この図4~図6の例の場合、第1のY軸:Y1に沿って縦方向に相互に隣接させながら、且つ、モジュール相互間に規定幅の隙間Gを空けつつ1列に配列されている図4,6参照。この隙間Gの幅は、既知であれば、どのような値でもよい。そうではあるももの、この隙間Gの幅は、収集したフレームデータを処理する演算負荷の低減の観点から、好適には、検出エレメントSで構成される各画素のサイズの1/NNは2以上の正の整数の整数倍である方がよい。この隙間Gの幅は画素サイズの1/2、1/3、1/4、...の1倍、2倍、3倍である。一例として、画素サイズ200μmとしたときには、隙間Gは100μm、200μm、300μm、...となる。この隙間Gの幅の最大値は、斜めで互いに隣接するモジュールM同士が離れすぎているがために、スキャン時に被検者から画素データを収集しない帯状の不感領域を持たせないようにするときの限界の値に設定する方がよい。このように、複数のモジュールMは、マザーボード102の上に斜めに第1の直交座標系に対して且つ縦列に第1のY軸:Y1に沿って配置実装されている。これにより、各モジュールMの直交配列の画素も第1のX軸:X1及び第1のY軸:Y1に対して斜めに配列されることになる。この結果、図6に示す如く、例えば200×200μmの正方形の画素検出エレメントSが40×40個分、正方形状に並べた画素群モジュールMが第1のY軸:Y1に沿って縦方向に稠密に並び、且つ、各画素群が第1のX軸:X1および第1のY軸:Y1に対して14.08°だけ傾いて並んでいることになる。つまり、40×モジュールMの数分の画素が第1のY軸:Y1に沿ってジグザグ形状ZG図6参照を描きながら並んでいることになる。このため、同一の正方形状の複数のモジュールMが図6に示すように第1のY軸:Y1に沿って並んだことによって、これらのモジュールMの全体によって形成されるX線の検出面も同様に第1のY軸:Y1に沿ってジグザグ形状ZGを成す縦長のものになる。このジグザグ形状ZGの検出面に対し、後述する座標変換のための視野F1が仮想的に設定されている。この視野F1は本実施形態では、各モジュールMの正方形の角部に内接する長方形に設定される。ただし、この視野F1は必ずしも内接する領域に限られず、各正方形の角部に外接する長方形の視野F2であってもよいし図6参照、場合によっては、外接する長方形の視野F2よりも大きい長方形の視野であってもよい。信号収集及び画像再構成の処理次に、図8を参照して、コンソール3のコントローラ33及び画像プロセッサ35が連携して実行する信号収集及び画像再構成の処理を説明する。このX線パノラマ撮像装置により、パノラマ撮像の開始が指示されると、コントロール3のコントローラ33は、ステップS1にて、X線管21及び検出器22の対を被検者Pの顎部の周りに回転させるように指示するとともに、所定のシーケンスに沿ってX線管21の曝射を指示する。このため、X線管21及び検出器22の回転の間に、X線管21から例えばパルスX線が所定タイミング毎に曝射される。このX線曝射が行われる毎に、そのX線が被検者Pの顎部を透過して検出器22に入射する。このX線入射に応答して検出器22の複数のモジュールMが、それぞれの画素毎に、入射X線の光子数に応じた量を反映したデジタル電気量の画素データを出力する。このため、コンソール3の画像プロセッサ35は、ステップS2にて、インターフェース31を介して、図9Aに模式的に示す如く、かかる画素データから成り且つ複数のモジュールMがその全体で成す検出面Pallからジグザグ形状ZGを有する長方形のフレームデータDFRAMEを受信する。このフレームデータDFRAMEは画像プロセッサ35の内部メモリに一時保管される。このフレームデータDFRAMEのうち、前述した隙間Gに相当するスリット状の領域には、検出エレメントSが存在しないために、画像データが無い。このため、画像プロセッサ35は、次のステップS3にて、その領域に画素値=0をマッピングする。このマッピングにより、ジグザグ形状ZGを有する長方形の領域に相当した長方形検出面Pallの大きさを維持したフレームデータDFRAMEが生成される。次いで、画像プロセッサ35は、ステップS4にて、フレームデータDFRAMEを第1の記憶部34に格納する。このフレームデータの受信、画素値=0のマッピング、及びデータ格納は一定のフレームレートで繰り返されるステップS5。このため、X線管21及び検出器22の対の回転動作が終わると、その一連のスキャンの間に一定フレームレートで決まる多数の収集タイミングで収集した多数のフレームデータDFRAMEが記憶部34に格納されている。次に、画像プロセッサ35は、ステップS6にて、第1の記憶部34に格納されている複数フレームのフレームデータDFRAMEをそれぞれに呼び出し、呼び出した各フレームデータDFRAMEに、面積比に基づいて画素値を決めるサブピクセル法に実施する。これにより、図9Bに模式的に示す如く、収集画素、すなわち検出エレメントSよりも小さいサイズのサブピクセルであって、第1の直交座標系X1、Y1に沿った画素S1<Sから成る新たな長方形状のフレームデータDFRAME-Aが生成される。つまり、第2の直交座標系X2、Y2の元で収集された生のフレームデータDFRAMEを、検出面Pallに対応して仮想的に設定される視野F1を利用して、第1の直交座標系X1、Y1に変換し且つサブピクセルに基づくフレームデータDFRAME-Aが生成される。この視野F1は、画像プロセッサ35が有するメモリに仮想メモリ空間VMとして設定される図2参照。ここで、図10を参照して、面積比に基づいてサブピクセルの画素値を決めるサブピクセル法の概念を説明する。いま、第2の直交座標系X2,Y2の元で収集された生のフレームデータDFRAMEを、模擬的に図10Aに示すように、右肩上がりに傾けて示す4つの画素P1~P4であり、それらの画素値はP1=2、P2=6、P3=6、P4=2であるとする。そこで、同図に示すように、検出面Pallに対応して仮想メモリ空間VMに設定される視野F1例えば第1のX軸:X1の方向の幅5.8mmに対応したサイズを有する、例えば第1の記憶部34にサブピクセルからなる領域Kを仮想的に設定する。この領域Kは例えば16個のサブピクセルK1~K16から成る正方形状であって、第1の直交座標系X1、Y1に沿って配置されている。収集画素P1~4の面積はサブピクセルK1~K16のそれの1/4であるとする。そこで、フレームデータDFRAMEの4つの画素P1~P4が成す正方形の領域を、その斜めの角度α=14.08°を保持した状態で且つ中心位置を合わせて、サブピクセルK1~K16の16個のサブピクセルが成す領域Kに重ねる。この結果、図10Aに示す如く、サブピクセルK1~K16それぞれの小さい正方形の領域を斜めに分けるように、それらの領域に斜め配列の大きい画素P1~P4が中心位置を同じくして重ねられる。なお、以下の説明で言及する面積比とは、斜めになっていない各サブピクセルK1~K16に斜め配置の各画素P1~P4が重なった部分の面積が、当該各画素P1~P4の面積にどの程度の割合を占めるかを示す。なお、サブピクセルK1~K16はそれに重ねられる画素P1~P4に対して、面積比について、一定の点対称性を有する。このため、図示の如く、サブピクセルK1~K16を4個のサブピクセルA,B,C,Dから成る集合として扱うことができる。点対称性を考慮すると、サブピクセルA~Dは図10Aに示すように配置される。このとき、サブピクセルAの面積比サブピクセルBの面積比サブピクセルCの面積比サブピクセルDの面積比=1=各画素P1~P4の面積比と表すことができる。このため、図10AにおいてサブピクセルA~Dが画素P1~P4に重なった部分領域をa,b,c1,d1,c2,d2と表記すると、それらの部分領域a,b,c1,d1,c2,d2の面積比は、例えば、a=016、b=025、c1013d1022c2009d2003となる。したがって、第1の直交座標系X1、Y1に沿ったサブピクセルA,B,C,Dそれぞれの画素値は、斜め配置第2の直交座標系X2,Y2に沿ったの画素P1~P4の画素値を使って、面積比を考慮したサブピクセル法により、サブピクセルA~Dの画素値は、サブピクセルAの画素値=2×a×ゲインサブピクセルBの画素値=2×b×ゲインサブピクセルCの画素値=2×c16×c2×ゲインサブピクセルDの画素値=2×d16×d2×ゲインとなる。ここで、2は画素P1の画素値、6は画素P3の画素値、ゲインはサブピクセルの画像を見易くするために設定する係数であり、一定値例えばゲイン=2である。そこで、例えばサブピクセルK1=A、K2=B,K5=C,K6=Dに着目すると、サブピクセルK1=Aの画素値=2×016×2064サブピクセルK2=Bの画素値=2×025×21サブピクセルK5=Cの画素値=×216サブピクセルK6=Dの画素値=×2124他のサブピクセルK3、K4,K7,K8,K19~K16についても、これらの画素はサブピクセルA~Dが成す群が3つ集まったものであるから、同様にしてそれらのサブピクセルの画素値を演算することができる。このように、サブピクセルK1~K12のそれぞれをどのような面積比を以って収集画素P1~P4が占有するかに応じて、その画素P1~P4の画素値からサブピクセルK1~K12の画素が演算される。この図10Aの例の場合、同図Bに示すようなサブピクセルK1~K12が得られる。実際に収集されるフレームデータDFRAMEの画素はもっと多いが、原理的には、上述の演算法によって、面積比に基づくサブピクセル法が実施される。このサブピクセル法の実施によって、記憶部34にはスキャン方向に合致した直交座標系である第1の直交座標系X1,Y1に沿ってマッピングされた、収集回数分のフレームデータDFRAME-A図9B参照が格納されている。そこで、画像プロセッサ35は、ステップS7にて、この複数枚のフレームデータDFRAME-Aのそれぞれに、画像の均一性を改善させるための画像処理を施す。ここで、画像の均一性とは、検出器22に均一と想定される放射線X線、ガンマ線などが照射されたときに、検出器の検出特性が均一化されている度合いである。以下、何故、そのような画像処理が必要なのかについて説明する。一般的に、本実施形態に係る検出器22のように複数のモジュールMを同一面に沿って併置する場合、それら複数のモジュールMの相互間に隙間隙間G例えば図4,6参照を開ける必要があることは前述した通りである。隙間Gを設ける必要があれば、その隙間Gの幅を正確に管理し、この隙間Gの領域には収集画素が無いことを意識した画像処理をする必要がある。本実施形態では隙間Gの領域に相当する収集画素には画素値=0を与えて、そのような画像処理を行っているステップS3。しかしながら、それでも再構成した画像に隙間Gの影響、すなわち収集画素が無いことに因って不均一性周期的な帯状のアーチファクトなどが現われることがある。本発明者等は、この不均一性の発生要因を以下のように分析した。一般的に、X線検出器のモジュールMの相互間にギャップGを有する場合、同一のビューにおいて入射するX線の立体角は、モジュールMを構成する画素検出エレメントSの位置に応じて変わる。さらに、モジュールMの端部を形成する画素とその画素よりもモジュールMの内側に位置する画素とでは、入射するX線が成す立体角の大きさが異なる。つまり、モジュールMの端部を形成する画素の場合、図11に示すように、Δθだけ広い立体角のX線が入射する。このために、同一モジュールMであっても画素毎に検出感度が異なる。隙間Gの領域があると、この検出感度の相違がより強調され、画像上に帯状の歪が生じ易い。この歪を除去せんがため、スキャンして再構成を行った画像に隙間による不均一を補正する後処理を行うことを行なうことも考えられる。しかしながら、この後処理を行っても、処理後の画像にも歪が残り、使用に耐えない場合がある。この後処理を行っても不均一性を取りきれない原因として、以下のような様々な理由が考えられる。その1つに検出感度に関わる理由がある。具体的には、図11に示すように、入射するX線の立体角が画素エレメントS毎に、すなわち、隙間Gを含めた位置毎に違うこと、及び、歯、顎部などの実体物つまり被検体の撮影部位で散乱X線が発生することから、隙間Gの領域内であっても検出感度が複雑に変化していることである。さらに、画像の再構成の前提条件に由来する理由が挙げられる。パノラマ画像を再構成するときにはシフトアンドアッドの処理が実行されるが、実体物がその再構成される面に存在すれば、その部分は再構成画像上で実像として的確その部分のサイズを正確に反映してに描出される。しかし、そうで無い場合、被検体は再構成画像にどのような描出されるかは定かではなく、的確な描出は保証されていない。このことも上述の理由の1つと考えられる。つまり、再構成後のパノラマ画像における、モジュールMの周辺部の画素値は、再構成面に被検体が在るという前提で処理されたものである。このため、パノラマ撮影における障害陰影があるとか、パノラマ軌道から口腔部がずれているという場合には、被検体実体物が再構成面に無いと言えるので、再構成された画像上でモジュール周辺の画素から隙間に位置する画素の値を推定することは正当な処理ではない。したがって、精度の高い推定値は得られない。そこで、本発明者等は、実体物の有りのままの位置及び形態の情報を崩さずに有しているデータは、検出器22から収集したフレームデータ、又は、そのフレームデータを後述するように仮想メモリ空間にマッピングしたデータであるということに注目した。すなわち、画像再構成のシフトアンドアッドの処理を行う前のデータを前処理することが、再構成される画像の均一化を向上させる上で、本質的に重要である。このことを考慮し、本実施形態では、画像プロセッサ35は、ステップS7にて前処理として、複数のフレームデータDFRAME-A、すなわち画像再構成前の画像データに、フレーム毎に、以下の2通りの画像処理をそれぞれ単独で又は組み合せて適用する。1隙間Gのデータのない領域を、モジュールMの両端部付近の画素値から推定して補完する、又は、2検出器22の移動量が正確に推定又は検出可能な場合には、検出器22が斜めに実装されている利点を利用し、隙間22の領域に相当するデータをその前後のフレームデータで実データが存在する画素から計算で求め、その画素値で隙間Gの領域の画素を埋める。なお、上述した1項に係る推定補完の代わりに、収集した複数のフレームデータDFRAMEを仮想メモリの空間にマッピングした段階で実行してもよい。つまり、この処理は、後述するステップS6において面積比に基づくサブピクセル法を実施するときの前処理として実行される。要するに、これらの画像均一性の改善処理は、後述する画像再構成の前に実行する方がよい。一度、画像再構成を行ってしまうと、前述した理由により、画像の均一化を図ることは容易でない。これに対し、本実施形態の場合には、上記1項及び/又は2項の画像均一化の改善処理を、画像再構成前に実行することで、隙間Gが存在することに因る画像の歪をより効果的に推定し低減できる。なお、本手法を採用した場合でも若干残るモジュール相互間の隙間に因る画像均一性への影響は、再構成後の画像に従来知られている補正法を後処理として適用してもよいことは勿論である。これにより、画像の均一性を補完的に向上させることができる。次いで、画像プロセッサ35は、ステップS8にて、均一化の処理を経た複数枚のフレームデータDFRAME-Aにシフトアンドアッドと呼ばれる画像再構成法を実施して、例えば被検者Pの歯列に沿った断層面の画像を再構成する。なお、前述した面積比に応じて画素値を配分するサブピクセル法と画像再構成のためのシフトアンドアッドの処理を1つの処理として実施することもできる。この再構成された画像には、その横方向、つまり第1のX軸:X1の方向に生じることがある統計ノイズによる画像ムラを生じることがある。そこで、画像プロセッサ35は、そのような画像ムラを低減させるため、公知のデノイズや均質補正などの後処理を施しステップS8、その画像を表示器36に表示させるステップS9。以上のように、本実施形態のパノラマ撮像装置によれば、以下のような様々な作用効果が得られる。まず、本実施形態に係るパノラマ撮像装置では、スキャン方向の両端部の生じる画像再構成に資することのできない領域の検出が不要になる。つまり、その分、X線被曝量を低減させることができる。これを、図12Aを用いて分かりやすく説明する。いま、従来の斜め配置の検出器DECをスキャン方向に沿って移動させる従来の斜め配置によるスキャンを行なうとする。このとき、必要な撮影領域RGNを確保しようとすると、この領域RGNのスキャン方向の両端の3角形の部分RXも余分にスキャンしなければならない。つまり、この2つの部分RXのX線曝射だけX線被曝が大きくなる。これに対して、本実施形態の場合、図12Bに示すように、検出器22の画素そのものはスキャン方向に対して、前述したように角度αだけ斜めに配列されているが、複数のモジュールMは縦方向に配置されている。この検出器22によりスキャン以下、斜め縦列配置によるスキャンと呼ぶがスキャン方向に行われる。この斜め縦列配置によるスキャンの場合、検出器22がスキャン方向第1のX軸:X1に直交しているので、この検出器22をスキャンさせても、前述したような余分な被曝領域RXが不要である。これ故に、本実施形態に係るパノラマ撮像装置の場合、従来の斜め配置の検出器を採用した装置に比して、X線被曝量を大きく減らすことができる。また、検出器22の複数の画素、すなわち複数の検出セグメントSはスキャン方向に対して、例えばα=14.08°という比較的低目の交差角を持ちながらその斜めの配列姿勢でスキャン方向に移動する。このため、被検者Pのある部分を通過する検出セグメントSの位置は、第2のY軸:Y2の方向の位置に関して、スキャンが進むにつれて変わる。このため、それぞれの収集タイミングで検出されるフレームデータDFRAMEの各画素には、同一地点の横方向第1のX軸:X1のみならず縦方向第1のY軸:Y1の画素値の変化成分も含まれている。このため、本実施形態による再構成画像は、画素配列をスキャン方向に対して斜めにしない従来の検出器を用いる撮像装置における再構成画像に比べて、デジタル画像独特の歪が軽減されるとともに、再構成画像の縦方向および横方向の両方における解像度を改善することができる。ここで、図13~図17を参照して、上述の解像度の改善を模式的に詳述する。なお、この記述は本発明者等が実際に行ったシミュレーションに基づいている。いま、13Aに示すように、被検者Pの中に十字形の構造体斜線部分PXを想定する。この構造体PXを透過したX線は、仮想セルRima毎に画素値=1を生成し、それ以外の部分は画素値=0を生成するものとする。仮想セルRimaは画素値を模式的にカウントするための仮想的な升目である。被検体Pを透過したX線を検出器22が検出する。このとき、検出器22の検出画素検出エレメントSは模式的にP1~P4の4個であるとする。検出器22の検出画素の第2の直交座標系X2,Y2はスキャン方向に沿った第1の直交座標系X1,Y1と一致しており、前述した斜め縦列配置によるスキャンではなく、モジュールの斜め配置の無い従来のスキャンであるとする。スキャンのピッチは1/2画素である。つまり、X線管21及び検出器22の対は被検体Pに対して1/2画素のピッチで移動する。この移動に伴い検出領域Rdecが図示の如く、スキャン方向に沿ってピッチ分ずつ移動する。この移動毎に1ショットの撮像が行なわれて図13Bに示すようにシーケンスSeq1~7までの7枚のフレームデータDFRAME-1~DFRAME-7が生成される。この7枚のフレームデータDFRAME-1~DFRAME-7のそれぞれの検出画素は、各ショットにおいて検出した、構造体PX上に存在する仮想セルRimaの数分の画素値を有する。例えばシーケンス1のフレームデータDFRAME-1の検出画素P1は構造体PX上に2つ分の仮想セルRimaを含むので画素値=2となる。また、シーケンス3のフレームデータDFRAME-3の検出画素P2は構造体PX上に10個分の仮想セルRimaを含むので画素値=10となる。この結果、検出した7枚のフレームデータDFRAME-1~DFRAME-7を移動量=1/2画素分ずつ移動させながら相互に画素値を加算する処理シフトアンドアッドの一種であるサブピクセル法が実施される。これにより、図13Cに示すように、面積比に応じて画素値を配分したサブピクセルPsubの再構成画像PimageAが生成される。ここでは、各サブピクセルPsubのサイズは、各検出画素P1~P4のそれの1/2になっている。これに対し、図13に示す従来スキャンと同じ条件でありながら、本発明に従う斜め縦列配置によるスキャンの様子を図14に示す。図14Aに、斜め縦列配置の検出器22のスキャン方向における7つのシーケンスSeq1~7とショット位置の関係を示し、同図Bに、収集されたシーケンスSeq1~7それぞれにおける7枚のフレームデータDFRAME-1~DFRAME-7とその画素値を示し、さらに、同図Cに、前述と同様に、面積比に応じて画素値を配分したサブピクセルPsubの再構成画像PimageBが示されている。なお、このサブピクセル法の実施に際し、面積比の採り方及びサブピクセルPsubの画素値は、前述した図10で説明したものと同じ条件の元で演算される。この結果、図14Cに示すように、再構成画像PimageBのサブピクセルPsubは通常スキャンのそれ図14C参照と比較して、横方向および縦方向つまり、第1のX軸:X1および第1のY軸:Y1の両方向共に、被検体Pの構造体PXを存在する部位を強調した画素値を呈していることが分かる。つまり、構造体PXがクロスしているなど密になっている部分ほど画素値は高くなっており、斜め配置の無い従来のスキャンのそれが第1のY軸:Y1に沿った変化しない画素値を呈しているものと区別できる。かかる従来のスキャンの場合にはのっぺりとして画像になるのに対し、斜め縦列配置によるスキャンの場合には縦横方向共にめりはりの利いた画像になることは画素値を見ただけでも分かる。実際に、上述のように行った斜め配置の無い従来のスキャンと斜め縦列配置によるスキャンとの画素値のプロファイルを検討してみると、その差は歴然としている。このプロファイルを演算する位置は、図15に示すように、再構成画像PimageA及びPimageBの点線で囲った領域Dotの上下端の左右方向および左右端の上下方向に設定した4方向D1、D2,D3,D4である。再構成画像PimageA及びPimageBのそれぞれにおいて、この4方向D1~D4のそれぞれの位置にて演算した画素値のプロファイルを図16A~Dに示す。同図Aは再構成画像PimageA及びPimageBの中心領域Dotの上端部を左右に進む方向D1に沿ったプロファイルである。横軸に方向D1に沿った位置を示し、縦軸に画素値相対値を示す。斜め縦列とは本発明に係る斜め縦列配置によるスキャン時のプロファイル曲線を示し、従来とは斜め配置の無い従来のスキャン時のプロファイル曲線を示している。同様に、同図Bはかかる中心領域Dotの上端部を左右に進む方向D2に沿ったプロファイルである。同図Cはかかる中心領域Dotの左端部を上下に進む方向D3に沿ったプロファイルであり、同図Dはかかる中心領域Dotの右端部を上下に進む方向D4に沿ったプロファイルである。このプロファイルから、この例のように最も歪が生じ易いデジタル化の場合でも、そのデジタル化に伴う歪を軽減でき、再構成時に解像度を回復させることができるという効果がある、ことが分かる。このように、再構成画像の縦横方向共に解像度を上げることができる理由は、前述したように、検出画素群はスキャン方向に沿って移動するが、各検出画素自体はスキャン方向に対して傾いていることに拠る。この傾きによって、検出領域がスキャン方向のみならず、縦方向についてその移動と共に徐々に被検体と検出画素の位置関係が変化する。このため、被検体の同一点を異なる複数の検出画素が捉えることで、各検出画素の検出情報には縦方向の画素値変化情報も含まれている。この情報が再構成画像に反映されるので、第1のY軸:Y1に沿った縦方向についても解像度が回復するのである。この様子を図17に示す。図17Aのシミュレーションは、画素数が8×8の検出面を有するモジュールMを2個縦列させた検出器22Aを本発明の原理に基づいて斜め縦列に配置し傾きα=14.08°、これを被検体Pに対してスキャン方向に等速度で移動させながら、一定間隔毎に撮像する状況を想定している。なお、2つのモジュールMの間には1画素分の隙間Gが設定されている。被検体Pとして描いた升目は、検出器22Aの各検出画素の1/2のサイズを有する仮想メモリにおけるサブピクセルをも表しており、第1の直交座標系X1,Y1に沿っている。なお、座標変換に使用する有効視野F1は検出器22Aの検出面に内接する長方形として設定されている。この移動中に一定間隔毎に実行される複数の収集シーケンスにより複数のフレームデータが収集され、それらのフレームデータが前述したように面積比に応じたサブピクセル法及びシフトアンドアッドの処理を受け、被検体Pのある断面の画像が再構成される。この再構成された画像における、被検体Pを表す升目群の中央の位置Cの面の画素値のプロファイルを図17Bに示す。このプロファイルの横軸は断面位置であり、縦軸は画素値検出画素が重なるつまり収集するサブピクセルの数の合計値である。このプロファイルから分かるように、断面位置の中央付近、すなわち、2つのモジュールMの間の隙間Gがスキャン方向に移動する部分の画素値はそれ以外の部分規格化して画素値=1とするよりも低下する画素値=約0.25。しかしながら、逆に言えば、隙間G、すなわち収集する検出画素が無い部分であるにも関わらず、他の検出画素の一部が隙間Gに相当する被検体部分を代替収集し、最低でも一定の画素値=約025規格化後を得るとも言える。これだけの画素値最低でも約0.25があれば、画像再構成後の均一性補正が有効性を発揮できる。本発明者等が行ったシミュレーションによれば、その均一性補正により、画素値が約0.72まで回復し、モジュールMの相互間に隙間Gを設けなければならないことの画像への影響を大幅に緩和できることが判明した。つまり、モジュールMの相互間に検出画素が無いことの画像再構成への影響を最小限に止めることができる。前述したように、この他、シフトアンドアッドの処理を行うときに、モジュールMの縦方向第2のY軸:Y2の方向に並んだ検出画素も隙間Gの部分の画像再構成に寄与する。このため、画素の不均一性に因る横方向第1のX軸:X1の方向にアーチファクトが出現し難くなり、デジタル画像にありがちな歪も生じ難くなるという利点がある。さらに、本実施形態にあっては、モジュールM第2のX軸:X2はスキャン方向第1のX軸:X1に対してα=14.08°だけ傾けており、これにより、上述した各種の利点がある。しかしながら、この傾き角度αは必ずしも14.08°に限定されるものではなく、製造や実装の誤差などを考慮すると約14°とも言える角度である。本発明者等が行ったシミュレーションによれば、6°≦α≦20.7°の範囲で選択されることで、上述の利点を享受できることが判明した。この角度範囲6°≦α≦20.7°について、図18を参照して説明する。同図に示すように、8mm×8mmの正方形のモジュールMを3個、スキャン方向に対して斜めに配置したとする。ここで、α:スキャン方向である第1のX軸:X1とモジュールMが成す角度、B:スキャン方向に直交する軸第1のY軸:Y1に平行であって、モジュールMに対して内接する視野前述した視野F1に相当の幅、C:スキャン方向に直交する軸方向において隙間Gデッドスペースの影響で検出が不均一になる距離、とする。なお、隙間Gは0.4mmの幅を持つとする。このジオメトリにおいて、角度αを大きくするほど、それだけ内接視野B=F1のスキャン方向の幅はより狭まり、また距離Cはより大きくなる。つまり、この3つの物理量α,B,Cは互いに相反する関係にあり、それらに適切な関係を与える角度αが存在する筈である。この角度α=14°と仮定すると、そのときの視野Bの幅=約5.83mm、距離C=約2.82mmとなる。なお、距離D=8.24である。これにより、I製造コストに影響する検出器の面積使用率=B×D/8×8×100=5.83×8.24/8×8×100=約75となり、II画質に影響する、直交座標系のおける検出器の均一性補正の必要領域率=C/D×100=約34となり、III補正のし易さの目安である、隙間Gのスキャン方向における影響率=E/B×100=1.65/5.83×100=約28となる。このため、上述の面積使用率=50以上、必要領域率=50以下、及び影響率=50以下であることを角度αの設定の妥当性を示す指標として挙げることができる。図18に示す例の場合、必要領域率の指標を満足させる角度αはα<22.5°、影響率の指標を満足させる角度αはα<20.7°、影響率の指標を満足させる角度αはα>6°である。したがって、これら3つの指標を全て満足させる角度αの範囲は、6°<α<20.7°ということになる。この例の場合、検出器の形は正方形であって、そのサイズは8mm×8mmであるとして説明したが、このサイズは正方形であれば、上述の説明とほぼ同じ条件が成立する。なお、検出器の形状が正方形でない場合、つまり、矩形であってもその縦横の比が1:1でない場合、前述した指標は大きく変動するので、その点を考慮した適宜な設計が要求される。逆に言えば、検出器の形状が正方形であれば、角度Aの範囲を最適化し易く、6°<α<20.7°の角度範囲が好ましいということになる。さらに、本実施形態によれば、画像再構成の前に、すなわちシフトアンドアッドの処理の前に、再構成される画像を均一化させる処理を実行している。このため、検出器22のモジュールMの間に隙間Gが存在することに因る検出感度の変動を抑制でき、再構成された画像の均一化を大幅に改善させることができる。以上のように、本実施形態に係るパノラマ撮像装置によれば、斜め従来配置によるスキャンによって不感帯が少なくなり、また、より少ないX線被ばくで済むとともに、よりアナログ的な自然な感覚でありながら解像度が高く、高精細な歯列に沿った断面像を提供することができる。第2の実施形態図19~図22を参照して、本発明に係る放射線検出器の第2の実施形態を説明する。なお、本実施形態において、前述の第1の実施形態で説明したものと同様又は同一の構成要素には同一の符号を付して、その説明を省略又は簡略化する。この実施形態は、本発明を実施したX線CTComputedTomographyスキャナに適用する例に関する。このX線CTスキャナ自体の構成は公知であるので、その説明は省略するが、このX線CTスキャナに図19に示すX線検出器80が採用されている。この検出器80も、第1の実施形態で説明した検出器22と同様に、ボックス状のハウジング81を有し、このハウジング81の内部にマザーボード82を置いている。また、ハウジング81の上面には、矩形状のX線入射窓Wが形成されている。この入射窓Wの直下に位置する、マザーボード82の上面には複数のモジュールMが配列されている。このモジュールMは第1の実施形態で説明したものと同じであって、そのX線検出面が正方形8mm×8mmを成している。なお、モジュールMの詳細構造も第1の実施形態で説明したものと同一である。この複数のモジュールMは全体として、図20に示すように、第1のX軸:X1及び第1のY軸:Y1から成る第1の直交座標系に沿って縦横に2次元アレイ状に配列してある。一方、それぞれのモジュールMを構成する複数の検出エレメントSも、第1の実施形態と同様に、第2のX軸:X2及び第2のY軸:Y2から成る第2の直交座標系に沿って縦横に2次元アレイ状に配列してある。さらに、それぞれのモジュールMはそれ自体、スキャン方向、すなわち第1のX軸:X1に対して角度αだけ右肩上がりに又は左肩上がりに傾けて配置されている。つまり、複数のモジュールMが斜め縦列配置で実装されている。このとき、第1のX軸:X1及び第1のY軸:Y1の両方向において相互に隣接する2つのモジュールMの間には隙間G1,G2がそれぞれ設けられている図18参照。これも複数のモジュールMを同一面上で隣接させて配置する上で必要な隙間であって、共に既知量の幅の隙間である。これらの隙間G1,G2は、既知の量であればよく、例えば検出エレメントSで構成される各画素のサイズの1/NNは2以上の正の整数の整数倍であってもよい。また、第2のX軸:X2の方向の隙間G1と第2のY軸:Y2の方向の隙間G2は互いに同じであってもよいし、異なっていてもよい。例えば、G1>G2であってもよい。この検出器80に設定する仮想的な視野は内接する視野F1の他、内部だけに設定する視野F2,F3など様々に設定することができる。この検出器80を用いて被検体Pをスキャンする場合、従来周知のように、図21に示すように、X線管21と検出器80の対をガントリ図示せずの内部で回転させる。被検体PはガントリGの筒状ドームに載置される。この回転中に、X線管21から一定間隔でX線が曝射される。被検体Pを透過したX線はその都度、対向する検出器80により検出される。つまり、回転中の夫々の投影角度毎に検出器80からデジタル量で成るプロジェクションデータフレームデータが出力される。このプロジェクションデータは、斜め縦列配置による検出データである。この検出による収集されたプロジェクションデータをPD1,PD2,PD3,...,PDnとすると、例えば時系列上で近接する複数フレームのプロジェクションデータPD1,PD2,PD3を用いて前述したシフトアンドアッドを行うことにより投影角度θ=θ1にて第1の直交座標系X1,Y1に変換されたプロジェクションデータPDθ1が得られる。同様に、プロジェクションデータPD2,PD3,PD4を用いて前述したシフトアンドアッドを行うことにより投影角度θ=θ2にて第1の直交座標系X1,Y1に変換されたプロジェクションデータPDθ2が得られる。以下これを繰り返すことで、元のプロジェクションデータPD1,PD2,PD3,...,PDnを収集した投影角度収集タイミングとは異なった投影角度タイミングであって、スキャン方向に沿った第1の直交座標系のプロジェクションデータPDθnに変換することができる。これにより、自動的に隙間Gの領域の画素値を補完することができる。このため、このプロジェクションデータPDθnに従来周知の再構成法を適用することで、CT断層像を得ることができる。このような構成にするために、本実施形態では、通常のCTの再構成に必要なフレーム収集速度より速く、更に精細なピッチで各ビューのデータ収集を行っている。本実施形態に係る検出器22は、直接変換型の半導体検出器であるため、そのような高速なデータ収集に対応できている。このように複数のモジュールMがスキャン方向に沿い且つそれに対して斜めに配置されるともに、スキャン方向に直交する方向には整列させている。このため、前述した第1の実施形態の検出器の利点を享受できるとともに、X線入射面を広く2次元に広げた検出器80を提供することができる。したがって、この検出器80を搭載したX線CTスキャナも、不感帯の部分が無く且つより少ないX線被ばくで済むとともに、よりアナログ的な自然な感覚でありながら、解像度の高いX線断層像を提供することができる。変形例図22に、上述した実施形態の第1の変形例に係るX線検出器90を示す。同図に示すように、この検出器90もハウジング91の内部にマザーボード92を備え、このマザーボード92の同一上面に、前述した第1の実施形態で説明した検出器22のモジュールMの配列と第2の実施形態で説明した検出器80のモジュールMの配列とを組み合わせたモジュール配列を持たせている。各モジュールMの構造及び配列は前述した各実施形態のそれと同じである。この斜め縦列配列の特徴は、第1のX軸:X1スキャン方向及び第1のY軸:Y1に沿って2次元に配列した複数のモジュールMの群MAに加え、第1のX軸:X1の方向横方向の真ん中のモジュール配列MBだけが第1のY軸:Y1の方向縦方向に沿って延長されている。つまり、モジュール群MAからモジュール群MCが縦方向に突き出た形を成している。このため、X線入射窓Wもこの2次元1次元画素でみた場合、2次元のモジュール配列構造に合わせて形成されている。これは、この検出器90がパノラマ撮像用の検出器とX線CT用の検出器とを兼用しているからである。パノラマ撮像用のときには、信号処理側において、モジュール群MB及びMCだけを使用し、X線CT用のときには信号処理側においてモジュール郡MAだけを使用すればよい。これにより、1台の検出器90によって両方のモダリティに対応でき、その汎用性を高めることができる。図23に、図22に示した兼用タイプの検出器90におけるモジュールMの実装法を示す。図23に示すように、同一サイズ及び同一長辺状のモジュール実装基板プリント基板PB1~PBnを複数準備する。この基板PB1~PBnは共に、モジュールMの第2のY軸:Y2の方向の長さよりも隙間Gの分だけ大きい幅を有している。この各モジュール実装基板PB1~PBnに所望数のモジュールMをそれぞれ所望位置に実装する。この実装は、図示の如く、構成したい検出面の形状に合わせて決められる。第1のモジュール実装基板PB1であれば、その横方向の真ん中の位置に1個モジュールMが実装される。第11番目のモジュール実装基板PB11であれば、その横方向の所定位置に9個のモジュールMがそれぞれ実装される。次いで、これらのモジュール実装基板PB1~PBnをスキャン方向として定めた第1のX軸:X1に対して角度αを以って例えば図示しないマザーボード上に斜めに設置する。このとき、モジュール実装基板PB1~PBnは互いに接して配置すればよい。これにより、図示しないが、第2のY軸:Y2の方向に隙間Gが自動的に設定される。各モジュール実装基板PB1~PBnの両端又は片側からマザーボードに信号線を接続する。これにより、モジュール実施基板が同一のサイズ及び形状を有し、且つ、その形状が矩形であるので、モジュールの実装が容易化され、検出器の製造コストも抑制される。図24に、上述した実施形態の第2の変形例に係るX線検出器93を示す。同図に示すように、この検出器93もハウジング91の内部にマザーボード92を備え、このマザーボード92の同一上面に、前述した第1の実施形態で説明した検出器22のモジュールMの配列と平行四辺形を成すように配列されたモジュールMとを組み合わせたモジュール配列を持たせている。各モジュールMの構造及び配列それ自体は前述した各実施形態のそれと同じである。この斜め縦列配列は、第1のX軸:X1スキャン方向に平行な2辺を有し且つ第1のY軸:Y1に角度β例えばβ=αであり、β=14.1°で斜めになる2辺を有する平行四辺形を成すように2次元配列した複数のモジュールMの群MDを有する。このモジュールMの群MDは、この平行四辺形の斜め2辺に平行な中心部のモジュール列がそのまま斜め上下に突き出たモジュール列群MEを、その一部に含む。このため、X線入射窓Wもこの2次元1次元画素でみた場合、2次元のモジュール配列構造に合わせて形成されている。このX線検出器93もパノラマ撮影とX線CT撮影とに兼用される。このため、この検出器93には、回転機構94が設けられている。この回転機構94により、パノラマ撮影のときには姿勢1を採る。つまり、角度β=0となるように検出器93が図24上で反時計回りに回転させられる。このため、全体のモジュールMが第1のY軸:Y1に平行に並ぶが、第1のX軸:X1に対して右肩上がりの斜め縦列の配置となる。この斜め縦列配置の状態で、1次元配列のモジュール群MEがパノラマ撮影に供される。一方、回転機構94により、X線CT撮影のときには姿勢2を採る。つまり、第1のY軸:Y1に対して角度β=14.1°だけ傾くようになる。これにより、モジュール群MDはスキャン方向、すなわち第1のX軸:X1に平行な平行四辺形を成す。この状態でモジュール群MDの各モジュールで検出した信号がX線CT撮影に使用される。これにより、1台の検出器93によって両方のモダリティに対応でき、その汎用性を高めることができる。また、X線CT撮影時には、スキャン方向に対して斜めの画素配列にはならないものの、同一の視野F4を確保しようとしたときに、図22のモジュール群MAの場合よりもモジュール数が少なくて済むという利点がある。なお、角度βの値は上述したものに限定されない。図25に第3の変形例を説明する。この変形例は本発明に適用可能な放射線検出器のモジュールの別の配列構造に関する。同図に示すX線検出器95は、複数のモジュールMを第1のY軸:Y1に沿って縦列状態で且つ第1のX軸:X1及び第1のY軸:Y1に対して角度αの斜め状態で1次元に縦列配置したものである。このモジュールMそれ自体は、前述した実施形態及び変形例のものとは違い、その検出面は平行四辺形を成している。平行四辺形であれば、長方形の平行四辺形であっても、正方形の平行四辺形であってもよい。これらのモジュールMが既知量の幅の隙間Gを以って縦列配置されている。ただし、各モジュールMには第2の直交座標系X2、Y2に沿って複数の検出エレメントSが2次元に配置されている。このため、各モジュールMの検出エレメントSはそれぞれスキャン方向に対して斜めに傾いたままスキャンされることになり、これまで説明してきた正方形のモジュールと同様の作用効果を発揮する。なお、この平行四辺形のモジュールMの場合、第2のX軸:X2の方向の両端部に存する正方形の画素にならない部分には、画素を形成しないようにしてもよい。ところで、前述した実施形態では、全画素分に対応した検出エレメントS及びデータ収集回路51nはASICによりCMOSで一体に構成されているとした。しかしながら、このデータ収集回路51nは、検出エレメントSの群とは互いに別体の回路又はデバイスとして構成してもよい。なお、本発明は、必ずしも上述した実施形態及びその変形例の構造に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲でさらに適宜に変形可能である。例えば、前述した、検出器22のモジュールMの相互間に隙間Gが存在することの影響の軽減、すなわち画像の均一化を図る別の手段を、図26に示すように構成することができる。同図に示すように、隙間GのモジュールMの側面を、電気的絶縁性を有し且つエネルギ吸収能力の高い、例えば板状の遮蔽体97で埋める。これにより、モジュールMの側面から入射するX線を減らすでき、モジュールMの周辺部で検出感度の均一性が低下するという影響をできるだけ抑えることができる。この遮蔽体97は、隙間Gより薄いタングステン、モリブデン、鉛などの素材を絶縁コーティングしたり、高比重のセラミック板などの絶縁性の高い素材そのもので形成したりすればよい。なお、この遮蔽体97の設置と前述した図8のステップS7で説明した前処理とを併用することで、画像均一化の効果はより向上する。さらに、モジュール相互間に設けなければならない隙間の幅をより狭くする構成として、センサー部分荷電電極E1、検出層K1、及び集電電極E2の大きさを若干、ASIC層K2チャージアンプ52などよりも広くして、モジュール周辺部の画素を大きくしてもよい。これにより、隙間Gに入射するX線量を等価的に減らすことができ、隙間Gに因る前述した影響を抑制することができる。さらに、前述したように、画像プロセッサ35に設定される仮想メモリ空間VMにサブピクセル法によって得られた画素値がマッピングされるが、このマッピングを以下のように変形してもよい。この変形は、複数のモジュールMをマザーボード102に配置するときに、実際にはどうしてもバラツキが生じるので、結局、隙間Gの幅も規定値に対してばらつくことを考慮したものである。具体的には、モジュールMを配置した後に、その相互間の隙間Gの幅の実際値を光計測器などの計測手段で測定する。この測定結果に応じて、画像プロセッサ35は仮想メモリ空間VMに画素値をマッピングする位置すなわち画素を変更する。これにより、モジュールMの配置のバラツキを画素値のマッピングで吸収することができるので、その分、モジュール配置に要求される配置精度が緩和される。"