フッ化水素を含む溶融塩電解浴を用いてフッ素化合物を合成するための電解用電極であって、前記電解用電極は、少なくともその表面が導電性炭素材料から成る電極基材と、前記電極基材表面の一部に被覆された導電性ダイヤモンド層と、を有し、前記導電性ダイヤモンド層が被覆されていない前記電極基材の露出部に金属フッ化物含有膜を被覆させたことを特徴とする電解用電極。前記金属フッ化物含有膜が、一般式KnMFmで示されるフッ化金属カリウムからなることを特徴とする請求項1に記載の電解用電極。少なくともその表面が導電性炭素材料から成る電極基材と、前記電極基材表面の一部に被覆された導電性ダイヤモンド層と、を有するフッ素化合物の電解用電極を、フッ化水素を含む溶融塩電解浴に浸漬させ陽極として使用しフッ素化合物を合成する電解合成方法であって、前記導電性ダイヤモンド層が被覆されていない露出部に金属フッ化物含有膜を形成させながらフッ素化合物を合成することを特徴とするフッ素化合物の電解合成方法。前記フッ素化合物の電解合成方法が、フッ化水素を含む溶融塩電解浴中の金属イオン濃度を10ppm~5に調整する工程[1]、前記溶融塩電解浴中に前記フッ素化合物の電解電極を浸漬させ、前記導電性ダイヤモンド層が被覆されていない電極基材の露出部に金属フッ化物含有膜を被覆させる工程[2]、前記工程[2]に次いで、電解反応を行い、前記露出部にさらに金属フッ化物含有膜を形成させながらフッ素化合物を合成する工程[3]と、を含む、ことを特徴とする請求項3に記載のフッ素化合物の電解合成方法。前記金属がニッケルであることを特徴とする請求項4に記載のフッ素化合物の電解合成方法。しかしながら、フッ化黒鉛層は、絶縁膜であり、かつ、表面エネルギーが低く電解浴中の溶融塩との濡れ性が良くないため、フッ化黒鉛層の成長に伴い、電解に寄与する電極の有効面積は減少し、電極自体の電気抵抗増加による電解電圧の上昇や異常な発熱、導通不良などを生じる原因となる。また、フッ化黒鉛層の形成、成長により、電極自体の体積変化が発生するため、電極自体にひび割れやクラックなどが発生し、電解不良に陥るという恐れもある。特許文献1に記載のように、電極の露出部にCFn等のフッ化黒鉛層を優先的に形成することによって、電極を自己安定化させ電解不良を改善することは可能であるが、電極の有効電解面積の観点からフッ化黒鉛層の生成はできるだけ抑制することが望ましい。このように、従来の導電性ダイヤモンドが被覆されたフッ素化合物の電解合成用電極では、電極基材の表面に完全に導電性ダイヤモンドが被覆されていないので、電解反応を行うに伴い、電極基材の露出表面においてフッ化黒鉛層の生成を抑制することが難しく、長期間の電解反応では、フッ化黒鉛層が次第に成長し、電極の有効電解面積の減少を避けることが困難となる問題点があった。本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、フッ素化合物の電解合成用の電極表面において、フッ化黒鉛層の生成を抑制し、電極の有効電解面積の減少を防ぎ、安定的に電解可能なフッ素化合物の電解合成用電極を提供することを目的とする。本発明者らは、上記の課題を解決するために、導電性ダイヤモンド層が被覆されていない電極基材の表面に、金属フッ化物含有膜を被覆することによって、電極の有効電解面積の減少を防ぎ、安定的に電解可能なフッ素化合物の電解合成用電極を見出し、本発明に至った。すなわち、本発明は、フッ化水素を含む溶融塩電解浴を用いてフッ素化合物を合成するための電解用電極であって、前記電解用電極は、少なくともその表面が導電性炭素材料から成る電極基材と、前記電極基材表面の一部に被覆された導電性ダイヤモンド層と、を有し、前記導電性ダイヤモンド層が被覆されていない前記電極基材の露出部に金属フッ化物含有膜を被覆させたことを特徴とする電解用電極である。また、本発明において、金属フッ化物含有膜は、一般式KnMFmで示されるフッ化金属カリウムからなることが好ましい。本発明によれば、導電性ダイヤモンド層が被覆されていない電極基材の露出表面に、導電性を有し、かつ、耐久性の高い金属フッ化物含有膜が被覆されているため、電極の有効電解面積の減少を防ぐことができ、安定的に電解可能なフッ素化合物の電解合成用電極を提供することが可能となる。以下、本発明に係るフッ素化合物の電解合成用電極について詳細に説明する。本発明に係る電解用電極は、フッ化水素を含む溶融塩電解浴を用いてフッ素ガスや三フッ化窒素ガスなどのフッ素化合物を合成するための電解用電極である。図1に本発明に実施の形態に係る電解用電極陽極7の拡大断面図を示す。本発明の電解用電極陽極7は、少なくともその表面が導電性炭素材料から成る電極基材70と、前記電極基材70表面の一部に被覆された導電性ダイヤモンド層70bと、前記導電性ダイヤモンド層70bが被覆されていない電極基材70表面の露出部70aの表面に被覆される金属フッ化物含有膜70cとから構成される。図1に示すように本発明の電解用電極陽極7は、露出部70aに金属フッ化物含有膜70cを形成させ、露出部70aにCFn等のフッ化黒鉛層を堆積させることを防止した構成を特徴としている。また、導電性ダイヤモンド層70b表面には、金属フッ化物含有膜70cが被覆される。この構成によって、電極基材70表面に導電性ダイヤモンド層70bのみ被覆した場合に比べ、より安定的に電解反応を行うことが可能となる。本発明に用いる電極基材70は、少なくともその表面が導電性を有しており、電解浴中の溶融塩に含まれるフッ化物イオンに対する化学的耐久性、安定性を有するものであれば特に限定されない。例えば、電極基材表面の材質としては、非晶質炭素アモルファスカーボン、黒鉛、窒化珪素、などが挙げられる。また、電極基材70の形状は、操業する電解槽の形状、スペース等によって適宜設定されるべきものであり特に限定されないが、例えば、板状、円筒状、棒状、球状、多孔質状、などの形状が挙げられる。電極基材70に導電性ダイヤモンドを被覆する方法は、熱フィラメントCVD法、マイクロ波プラズマCVD法、プラズマアークジェット法、など一般的に公知の方法を用いることができ特に限定されない。例えば、導電性ダイヤモンドの代表的な合成方法としてよく知られている熱フィラメントCVD法を用いるとよい。熱フィラメントCVD法などの気相合成法によって、導電性ダイヤモンドを合成する場合、ダイヤモンドの原料として含炭素気体を水素で希釈した混合ガスを用いる。含炭素気体としては、メタン、アセトン、アルコールなどの有機化合物を用いることができる。さらに、ダイヤモンドに導電性を付与するために、ドーパントが微量添加される。ドーパントとしては、ボロン、リン、窒素等が好ましく、例えば、添加率は、1~50000ppmの範囲で適宜調整するとよい。電極基材70に導電性ダイヤモンド層70bを被覆する手順を説明する。熱フィラメントCVD法の装置内に設置されたフィラメントを水素ラジカルが発生する温度1800°C~2800°C程度に加熱する。電極基材70をこの装置内において、ダイヤモンドが析出する温度領域700°C~1000°Cに設置し、電極基材70に導電性ダイヤモンドを被覆する。なお、混合ガスの供給速度、流量は使用する装置の大きさや形状によって適宜設定される。また、成膜圧力は15~760Torrとすることが好ましい。電極基材70とダイヤモンド層の密着性を向上させるために、ダイヤモンドを含んだ研磨剤等を用いて電極基材70の表面を研磨することが好ましい。例えば、表面粗さRaは、0.1μm以上、20μm以下とすることが好ましい。ここで言う表面粗さRaとは、JISB0601:2001に記載されている算術平均粗さを指しており、触針式表面粗さ測定器を用いて測定可能である。また、均一なダイヤモンド層の成長を促すために、研磨した電極基材70の表面において、ダイヤモンドの核発生促進処理を行うことが好ましい。核発生促進処理方法は、特に限定されないが、例えば、ダイヤモンド粒子を分散させたエタノールなどの水溶液中に電極基材70を浸漬させることによって行うとよい。次に、本発明の電解用電極を適用可能なフッ素化合物合成用の電解槽について説明する。図2に、本発明の電解電極が適用可能な電解槽の一例の概略図を示す。以下、本発明の電解電極を陽極7として称して説明する。電解槽1には、フッ化水素HFを含む溶融塩が貯留される。電解槽1に貯留される溶融塩の組成を変えることによって、電解槽1から発生するフッ素化合物ガスの組成を適宜変更することができる。溶融塩としては、一般式KFnHFn=0.5~5.0で示される組成が用いられ、例えば、NH4FHF溶融塩を用いた場合には、三フッ化窒素NF3が得られ、又はNH4FKFHF溶融塩を用いた場合にはF2とNF3の混合物が得られる。本実施の形態では、溶融塩として、フッ化水素とフッ化カリウムKFの混合物KF2HFを用いF2を発生させる場合について説明する。電解槽1の内部は、溶融塩中に浸漬された区画壁6によって陽極室11と陰極室12とに区画される。陽極室11及び陰極室12の溶融塩中には、それぞれ陽極7及び陰極8が浸漬される。陽極7と陰極8の間に電源9から電流が供給されることによって、陽極7ではフッ素ガスF2を主成分とする主生ガスが生成され、陰極8では水素ガスH2を主成分とする副生ガスが生成される。陽極7には本発明に係る電解用電極が用いられ、陰極8には軟鉄、モネル、又はニッケルが用いられる。電解槽1内の溶融塩液面上には、陽極7にて生成されたフッ素ガスが導かれる第1気室11aと、陰極8にて生成された水素ガスが導かれる第2気室12aとが互いのガスが行き来不能に区画壁6によって区画される。このように、第1気室11aと第2気室12aは、フッ素ガスと水素ガスとの混触による反応を防ぐため、区画壁6によって完全に分離される。これに対して、陽極室11と陰極室12の溶融塩は、区画壁6によって分離されず区画壁6の下方を通じて連通している。KF2HFの融点は71.7°Cであるため、溶融塩の温度は91~93°Cに調節される。電解槽1の陽極7及び陰極8から生成したフッ素ガス及び水素ガスのそれぞれには、溶融塩からフッ化水素が蒸気圧分だけ気化して混入する。このように、陽極7にて生成され第1気室11aに導かれるフッ素ガス及び陰極8にて生成され第2気室12aに導かれる水素ガスのそれぞれには、フッ化水素ガスが含まれている。電解槽1の溶融塩中にフッ素ガスの原料であるフッ化水素を供給して補充するための原料供給系統5も備える。以下では、原料供給系統5について説明する。電解槽1は、電解槽1に補充するためのフッ化水素が貯留されたフッ化水素供給源40と原料供給通路41を介して接続される。フッ化水素供給源40に貯留されたフッ化水素は、原料供給通路41を通じて電解槽1の溶融塩中に供給される。また、原料供給通路41には、キャリアガス供給源45から供給されるキャリアガスを原料供給通路41内に導くキャリアガス供給通路46が接続される。キャリアガスは、フッ化水素を溶融塩中に導くためのガスであり、不活性ガスである窒素ガスが用いられる。窒素ガスは、フッ化水素と共に陰極室12の溶融塩中に供給され、溶融塩中にはほとんど溶けず、第2気室12aから第2メイン通路30を通じて排出される。上記のように構成される電解槽1に、本発明に係る電解用電極を電解槽1の陽極7として用いてフッ素化合物を合成する。本発明の電解用電極陽極7を用いてフッ素化合物を合成する工程について、以下に、工程[1]~[3]として詳細に説明する。本発明の電解用電極を用いてフッ素化合物を合成する工程は、電解槽1の溶融塩中の金属イオン濃度を予め所定濃度に調整する工程[1]、金属イオン濃度を所定濃度に調整した溶融塩中に電解用電極陽極7を浸漬させ、電極基材70の露出部70aに金属フッ化物含有膜70cを形成させる工程[2]、電解反応を行い、電極基材70の露出部70aに金属フッ化物含有膜70cを形成させながら、フッ素化合物を電解合成する工程[3]を含む。まず、工程[1]について説明する。工程[1]は電解槽1に貯留された溶融塩浴中に金属イオンを共存させ、溶融塩中の金属イオン濃度を予め所定濃度に調整する工程である。溶融塩中に、金属イオンを共存させることによって、金属フッ化物イオンを形成させる。溶融塩中に金属イオンを共存させる方法としては、特に限定されないが、フッ化物などの金属塩、又は、一定量の金属を浸漬させて溶解させる方法を行うとよい。溶融塩中の金属イオンの濃度は10ppm~5とすることが好ましい。金属イオンとしては、高次の金属フッ化物イオンを形成させるものであれば適用可能であり、例えば、好ましい金属元素としては、Ni、を挙げることができ、その他として、Fe、Cu、Zn、Al、なども適用可能である。例えば、適用可能なフッ化物の金属塩としては、フッ化ニッケル、フッ化鉄、フッ化銅、フッ化亜鉛などの一般的なものを挙げることができる。これらの金属は、フッ素と高次の金属イオンを形成し、電解反応により耐食性の高い被膜を形成させるため好適であり、特に、金属元素として、Niは、表面平滑、十分な膜強度、かつ、良好な導電性を有するフッ化ニッケル化合物被膜を形成させることができるため好ましい。次に、工程[2]について説明する。工程[2]は、電解槽1に貯留された溶融塩浴中に金属イオンを共存させ、金属イオン濃度を所定濃度に調整した溶融塩中に導電性ダイヤモンドを被覆した電解用電極陽極7を浸漬させ、電極基材70の露出部70aに金属フッ化物含有膜70cを形成させる工程である。工程[2]において、電解用電極陽極7を溶融塩中に浸漬させるだけで、金属フッ化物含有膜70cを被覆させることができるが、所定の電流密度で電解反応を行うことによって、金属フッ化物含有膜70cを被覆させるようにしてもよい。例えば、電流密度は0.1~5A/dm2として電解反応を行うとよい。露出部70aに形成される金属フッ化物含有膜70cとしては、一般式KnMFmで示されるフッ化金属カリウムを主成分とした被膜が形成される。金属としては、特にニッケルが好ましい。具体的なフッ化ニッケルカリウム化合物としては、KNiF3、K2NiF4、K012NiF3、K3NiF6、K2NiF6、K3Ni2F7、K2NiF4、K3NiF7、K3NiF5、KNiF4、KNiF5、KNiF6、K2NiF7、K2NiF5、K4NiF6などが挙げられる。また、他のフッ化金属カリウムとしては、鉄Feの場合、K3FeF6、K025FeF3、K06FeF3、K2FeF4、K2Fe2F7、KFeF3、K2FeF6、K2Fe5F17、K2FeF5、KFeF4、K525Fe10F30、K42Fe80F240、K105Fe20F60、K2FeF5、KFeF6、K3FeF4、亜鉛Znの場合、KZnF3、K2ZnF4、K3Zn2F7、KZnF4、K2ZnF6、銅Cuの場合、KCuF3、K2CuF4、K3CuF6、K2CuF3、K3Cu2F7、KCuF5を挙げることができる。また、上記の一般式KnMFmで示される金属フッ化物含有膜70cにおいて、カリウムKはリチウムLiとしてもよい。さらに、工程[3]について説明する。工程[3]は、工程2に次いで、所定電流密度にて、電解反応を行い、工程2において露出部70aに被覆された金属フッ化物含有膜70cの表面にさらに金属フッ化物含有膜70cを形成させながら、フッ素化合物を電解合成する工程である。工程[3]によって、フッ化黒鉛層の形成を抑制しながら、電極基材70の露出部70aの表面に金属フッ化物含有膜70cを優先的に形成してフッ素化合物の電解合成をすることができる利点がある。なお、工程[3]は、工程[2]を行った後、行うようにすることが好ましいが、工程[2]を行わず、工程[1]に次いで工程[3]を行うようにしてもよい。すなわち、工程[2]に示すように、電解反応によってフッ素化合物を合成する前に、露出部70aに金属フッ化物含有膜70cを形成させてもよいが、工程[1]と工程[3]によって、前もって露出部に金属フッ化物含有膜70cを形成させずに、電解反応によるフッ素化合物と合成と露出部70aの金属フッ化物含有膜70cの形成、被覆を同時に行うようにしてもよい。以下、本発明の実施の形態に好適な一例として、電極基材70の露出部70aにフッ化ニッケルカリウム膜金属フッ化物含有膜70cを形成させる場合について説明する。溶融塩中にニッケルイオンを共存させることによって、ニッケルイオンは高次の金属フッ化物イオンを形成し、電極基材70の導電性ダイヤモンド70bが被覆されていない露出部70aに、上記に列記したフッ化ニッケルカリウムの混合物を主成分とする被覆膜が形成される。また、導電性ダイヤモンド70bの表面にもフッ化ニッケルカリウムを主成分とする被膜が形成される。これらの被膜は耐食性や密着強度が強く、かつ、良好な導電性の被膜である。溶融塩中にニッケルイオンを共存させる方法については、溶融塩にフッ化物の金属塩としてフッ化ニッケルNiF2を添加する方法、ニッケルからなる金属棒などを溶融塩中に浸漬させて溶解させる方法、又は、電解槽1の容器を陰極とし、材質として、ニッケル成分を含むモネルなどの金属を用いて、電解槽の材質からニッケルを溶出させる方法、などが挙げられる。なお、あらかじめ調整された溶融塩中のニッケルイオンの濃度は、10ppm~5、特に好ましくは30ppm~1000ppmにすることが好ましい。10ppm以下だと、フッ化ニッケルカリウム膜が十分に形成されない場合があり、5以上だと、電解槽の溶融塩浴中にニッケルフッ化物スラッジが発生し、電解槽の底部に蓄積しやすいので好ましくない。電極基材70の露出部70aにフッ化ニッケルカリウム膜を被覆させる方法としては、電極基材70を、金属イオンを所定濃度に調整した溶融塩中に浸漬させるだけで被覆することができる。なお、所定の電流密度で電解反応を行うことによって、フッ化ニッケル化合物膜を被覆するようにしてよい。電解反応によって、電極基材70の露出部70aにフッ化ニッケルカリウム膜を被覆させる場合、電解槽の陽極7と陰極8に直流電流を通電して、通電条件としては、電流密度を0.1~5A/dm2、特に好ましくは、0.1~1A/dm2である。また、通電時間は、使用する電極の大きさや、枚数、電解槽のサイズ等によって異なるが、例えば、目安として、0.1時間以上の定電流電解を行うとよい。電流密度が5A/dm2より高い場合、フッ化ニッケルカリウム膜が露出部70a表面に堆積する前にフッ化黒鉛層が形成しやすくなるため好ましくない。また、上記の電流密度において、通電時間を少なくとも1時間とした場合、十分に安定なフッ化ニッケルカリウム膜を形成させることができるので好ましい。通電時間は特に制約はないが、10時間より長く通電すると、電力の消費や生産性の低下を生じるため好ましくない。上記の工程によって、電極基材70の露出部70a表面に十分に安定なフッ化ニッケルカリウム膜を形成させた後は、目的の生産量に合わせて、自由に電流密度を調整可能である。例えば、電流密度は0.1~1000A/dm2の間で設定される。なお、ここで言う電流密度A/dm2とは、印加電流A/見かけ上の電極面積dm2を表す。以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はかかる実施例に限定されるものではない。[実施例1]熱フィラメントCVD装置を用いて、以下の条件で、ボロンをドープした導電性ダイヤモンド以下、ボロンドープダイヤモンドと略するを被覆した電解用電極陽極7を作製した。なお、電極基材70としては、アモルファスカーボン基板を用いた。電極基材70の表面を、ダイヤモンド粒子を含んだ研磨剤を用いて、表面及び裏面の全面を研磨した。次いで、研磨した電極基材70を、粒子径5nmのダイヤモンド粒子を分散させたエタノール水溶液を投入した超音波洗浄槽に浸漬させ、電極基材70の全面に対してダイヤモンドの核発生促進処理を行った。核発生促進処理を行った電極基材70を乾燥させ、電極基材70を熱フィラメントCVD装置内のフィラメント下方に設置した。さらに、フィラメントを2200°C以上、装置内の圧力を30Torrに維持し、水素ガス中に1.0volのメタンガスと3000ppmのトリメチルボロンガスを添加した混合ガスをCVD装置内に流しながら、8時間成膜を行い、電極基材70にボロンドープダイヤモンドを被覆した。なお、電極基材70の基板温度は850°Cであった。同様な操作を繰り返して、電極基材70の表面及び裏面の全面にボロンドープダイヤモンド導電性ダイヤモンド層70bを被覆させた。ボロンドープダイヤモンド導電性ダイヤモンド層70bを被覆させた電極基材70を走査型電子顕微鏡SEMによって観察したところ、電極基材70の一部の表面において、ダイヤモンドが被覆されていない露出部70aが観察された。上記の成膜工程によって作製したボロンドープダイヤモンドを被覆した電解用電極陽極7を、金属フッ化物として、フッ化ニッケルを加えて、ニッケルイオン濃度を100ppmにあらかじめ調整したKF-2HF系溶融塩中に陽極7として取り付け、陰極8にニッケル板を使用して電流密度1A/dm2で5時間定電流電解を行い、ボロンドープダイヤモンドが被覆された電極基材70にフッ化ニッケルカリウム膜金属フッ化物含有膜70cを堆積させた。次いで、電流密度を20A/dm2に上昇させ、24時間電解を行った。その結果、24時間経過前後での、電解電圧は8V±0.1Vであった。この結果より、電解反応前後において、電解電圧の変化は少なく、フッ化黒鉛層の生成を抑制しながら、安定して電解可能であることが分かった。また、電解反応後の電極基材70の一部を取り出してSEM観察を行ったところ、導電性ダイヤモンド層の剥離や電極基材70の腐食は観察されなかった。[実施例2]あらかじめ調整したKF-2HF系溶融塩中のニッケルイオン濃度を30ppmとする以外は、実施例1と同様な方法で作製したボロンドープダイヤモンドを被覆した電極及び同様な電解条件で電解操作を行ったところ、24時間経過前後での、電解電圧は8V±0.1Vであった。この結果より、ニッケルイオン濃度を30ppmにした場合においても、電解反応前後において、電解電圧の変化は少なく、フッ化黒鉛層の生成を抑制しながら、安定して電解可能であることが分かった。また、同様に、電解反応後の電極基材の一部を取り出してSEM観察を行ったところ、ダイヤモンド層の剥離や電極基材の腐食は観察されなかった。[比較例1]あらかじめ調整したKF-2HF系溶融塩中のニッケルイオン濃度を5ppmとする以外は、実施例1と同様な方法で作製したボロンドープダイヤモンドを被覆した電解用電極陽極7及び同様な電解条件で電解操作を行ったところ、電解開始時の電解電圧は8Vであったのに対し、24時間経過後の電解電圧は9Vであった。この結果より、ニッケルイオン濃度を5ppmとした場合、フッ化ニッケルカリウム膜が電極基材70表面に堆積するのに比べ、フッ化黒鉛層の堆積が優先的に起こり、電解電圧の上昇が生じていることが分かった。