"リン光発光材料を含有する発光層を含む電場発光デバイスであって、前記リン光発光材料が、有機金属錯体を含有し、前記有機金属錯体が、Ir、Rh、Os、PtおよびPdからなる群より選択される金属ならびに少なくとも1つの芳香族環と縮合しているピラゾール化合物を含む電場発光デバイス。前記金属がIrである、請求項1に記載のデバイス。前記ピラゾール化合物が、少なくと1つの二重結合を有する置換基でさらに置換されている、請求項1に記載のデバイス。前記ピラゾール化合物が、5または6員芳香族環でさらに置換されている、請求項1に記載のデバイス。前記発光材料が、式1:式中、Zは、少なくとも1つの芳香族環基と縮合しているピラゾール環基を形成するために必要な原子を表し;Mは、Ir、Rh、PtおよびPdからなる群より選択される配位金属であり;mは、MがIrまたはRhである場合には、1、2または3であり、およびMがPtまたはPdである場合には、mは1または2であり;Lは、独立して選択される配位子基を表し;wは、MがIr、RhまたはOsである場合には、6配位座を満たすために必要に応じて0~4であり、およびwは、MがPtまたはPdである場合には、4配位座を満たすために必要に応じて0~2であり;ならびにR1およびR2は、置換基を表すが、但し、R1およびR2が、環基を形成し得ることを条件とするにより表される、請求項1に記載のデバイス。MがIrである、請求項5に記載のデバイス。wが0であり、mが3である、請求項6に記載のデバイス。R1およびR2が、6員芳香族環基を形成するように連結するために必要な原子を表す、請求項5に記載のデバイス。R1およびR2が、6員芳香族環基を形成するように連結するために必要な原子を表す、請求項6に記載のデバイス。前記発光材料が、式1a:式中、M、L、w、m、R1およびR2は、請求項5において定義したとおりであり;Arは、芳香族環基を形成するために必要な原子を表し;ならびにR3は、水素または置換基を表すにより表される、請求項5に記載のデバイス。前記発光材料が、式1b:式中、M、L、w、m、R1およびR2は、請求項5において定義したとおりであり;Arは、芳香族環基を形成するために必要な原子を表し;ならびにR4は、Hまたは置換基を表すにより表される、請求項5に記載のデバイス。前記発光層が、式1c:式中、M、L、w、m、R1、R2は、請求項5において定義したとおりであり;Arは、芳香族環基を形成するために必要な原子を表し;ならびにR3は、Hまたは置換基を表すの発光化合物を含有する、請求項5に記載のデバイス。前記発光材料が、式1d:式中、Arは、芳香族環基を形成するために必要な原子を表し;R3は、Hまたは置換基であり;Ar2は、5または6員芳香族環基を形成するために必要な原子を表すにより表される、請求項5に記載のデバイス。ArおよびAr2が、ベンゼン環基を形成するために必要な原子を独立して表し、ならびにR3が、追加の縮合環を含んでいてもよい6員芳香族環基を表す、請求項13に記載のデバイス。前記発光材料が、式1e:式中、Arは、芳香族環基を形成するために必要な原子を表し;R4は、Hまたは置換基であり;Ar2は、5または6員芳香族基を形成するために必要な原子を表すにより表される、請求項5に記載のデバイス。ArおよびAr2が、ベンゼン環基を形成するために必要な原子を独立して表し、ならびにR4が、追加の縮合環を含んでいてもよい6員芳香族環基を表す、請求項15に記載のデバイス。前記発光材料が、式1f:式中、ArおよびAr2は、ベンゼン環基を形成するために必要な原子を独立して表し、ならびにR4は、追加の縮合環を含んでいてもよい6員芳香族環基を表すにより表される、請求項5に記載のデバイス。ArおよびAr2が、ベンゼン環基を形成するために必要な原子を独立して表し、ならびにR3が、追加の縮合環を含んでいてもよい6員芳香族環基を表す、請求項17に記載のデバイス。前記発光層が、式1a、1bまたは1c:式中、Mは、Ir、Rh、PtおよびPdからなる群より選択される配位金属であり;mは、MがIrまたはRhである場合には、1または3であり、およびmは、MがPtまたはPdである場合には、1または2であり;Lは、独立して選択される配位子基を表し;wは、MがIr、RhまたはOsである場合には、6配位座を満たすために必要に応じて0~4であり、およびwは、MがPtまたはPdである場合には、4配位座を満たすために必要に応じて0~2であり;R1およびR2は、置換基を表すが、但し、R1およびR2が、環基を形成し得ることを条件とし;R3およびR4は、Hまたは置換基を独立して表し;ならびにArは、芳香族環基を形成するために必要な原子を表すの発光材料を含有する、請求項5に記載のデバイス。Ir、Rh、Os、PtまたはPdおよび少なくとも1つの芳香族環と縮合しているピラゾール化合物からなる有機金属錯体。式1:式中、Zは、少なくとも1つの縮合芳香族環基で置換されているピラゾール環基を形成するために必要な原子を表し;Mは、Ir、Rh、PtおよびPdからなる群より選択される配位金属であり;mは、MがIrまたはRhである場合には、1または3であり、およびmは、MがPtまたはPdである場合には、1または2であり;Lは、独立して選択される配位子基を表し;wとmの合計は、MがIrまたはRhである場合には、3であり、およびwとmの合計は、MがPtまたはPdである場合には、2であり;ならびにR1およびR2は、置換基を表すが、但し、R1およびR2が、環基を形成し得ることを条件とするにより表される、請求項20に記載の有機金属錯体。式1a、1bまたは1c:式中、Mは、Ir、Rh、PtおよびPdからなる群より選択される配位金属であり;mは、MがIrまたはRhである場合には、1または3であり、およびmは、MがPtまたはPdである場合には、1または2であり;Lは、独立して選択される配位子基を表し;wは、MがIrまたはRhである場合にはwとmの合計が3であるようなもの、およびMがPtまたはPdである場合にはwとmの合計が2であるようなものであり;R1およびR2は、置換基を表すが、但し、R1およびR2が、環基を形成し得ることを条件とし;R3およびR4は、Hまたは置換基を独立して表し;ならびにArは、芳香族環基を形成するために必要な原子を表すにより表される、請求項20に記載の有機金属錯体。前記発光材料が、ホスト材料中に配置されたドーパント化合物である、請求項1に記載のデバイス。前記ドーパント化合物が、前記ホストを基準にして15質量以下の量で存在する、請求項23に記載のデバイス。前記発光材料が、ポリマーの一部である、請求項1に記載のデバイス。白色光を発光するための手段を含む、請求項1に記載のデバイス。フィルタリング手段を含む、請求項26に記載のデバイス。蛍光発光材料を含む、請求項1に記載のデバイス。請求項1のOLEDデバイスを含む表示装置。請求項1のOLEDデバイスを含む面照明装置。請求項1のデバイスに電位を印加することを含む発光方法。解決すべき課題は、発光に有用なリン光材料を含むOLEDデバイスを提供することである。本発明は、リン光発光材料を含有する発光層を含む電場発光デバイスであって、前記リン光発光材料が、有機金属錯体を含有し、前記有機金属錯体が、Ir、Rh、Os、PtおよびPdからなる群より選択される金属ならびに少なくとも1つの芳香族環と縮合しているピラゾール化合物を含む電場発光デバイスを提供する。本発明は、前記電場発光デバイスを利用する表示装置または面照明装置、および発光プロセスも提供する。本デバイスは、有用なリン光発光を生じさせる。本発明は、上に要約されている。ピラゾール化合物は、隣接する2個の窒素原子を含有する5員不飽和環を有する。そのピラゾール環が、少なくとも1つの芳香族環と縮合していることが好ましい。そのピラゾール環が、少なくとも1つの二重結合を有する置換基でさらに置換されていることがさらに望ましい。その二重結合が、5または6員芳香族環の一部であると、さらにいっそう望ましい。適切には、その二重結合が、金属へのさらなる結合を形成する。ピラゾール化合物の実例を下に示す。一つの望ましい実施形態において、前記有機金属錯体は、式1、により表すことができ、この式中のZは、少なくとも1つの芳香族環基と縮合しているピラゾール環基を形成するために必要な原子を表す。例えば、Zは、インダゾール環基またはベンズインダゾール環基を完成するために必要な原子を表すことができる。Mは、Ir、Rh、Os、PtおよびPdからなる群より選択される。一つの適する実施形態において、Mは、IrまたはRhを表し、さらに望ましくは、Mは、Irを表す。mは、MがIrまたはRhである場合には、1、2または3であり、およびMがPtまたはPdである場合には、mは1または2である。wは、MがIr、RhまたはOsである場合には、6配位座を満たすために必要に応じて0~4であり、およびMがPtまたはPdである場合には、4配位座を満たすために必要に応じてwは0~2である。Lは、独立して選択される配位子基を表す。この配位子は、金属と錯体を形成することができるように選択される。例えば、Lは、シアニドまたはハロゲン、例えば塩化物を表すことができる。望ましくは、Lは、二座配位子を表す。例えば、Lは、カルボニルで置換されている基、例えばアセチルアセトネート基、ヘキサフルオロアセチルアセトネート基またはサリチルアルデヒド基を表すことができる。Lは、式RaCO2式中、Raは、アリール基、例えばフェニルもしくはトリル基、またはアルキル基、例えばメチルもしくはブチル基を表すの酸誘導体を表すこともできる。望ましい酸誘導体の例は、ピコリン酸および3-ブロモピコリン酸である。Lは、式RaO式中、Raは、上で定義したとおりであり;例えば、RaOは、フェノキシド基を表すことができるのアルコキシドまたはアリールオキシドを表すこともできる。R1およびR2は、置換基を表すが、但し、R1およびR2が、環を形成し得ることを条件とする。R1およびR2の例には、芳香族基、例えばフェニルおよびトリル基、ならびにアルキル基、例えばメチルおよびエチル基が挙げられる。一つの望ましい実施形態において、R1およびR2は、一緒になって芳香族環、例えばベンゼン環基を形成する原子を表す。R1およびR2の実例を下に示す。一つの好ましい実施形態において、本発明の有機金属化合物は、式1式中、wは、0であり;mは、3であり;Mは、Irを表し;ならびにR1およびR2は、6員芳香族環基を形成するために必要な原子を表すによって表される。適切には、本デバイスの発光層は、ホストおよび1つ以上のドーパントを含み、この場合、ドーパント複数を含むは、ホストの15質量以下、より典型的には0.1~10.0質量、および多くの場合、ホストの2.0~10.0質量の量で存在する。適切には、少なくとも1つドーパントは、式1の環構造を含む錯体である。望ましいホストは、連続皮膜を形成することができ、またホストは、そのホストからドーパント材料への高レベルのエネルギー移動を有するように選択される。望ましいホストの例は、4,4’-N,N’-ジカルバゾール-ビフェニルCBP、2,2’-ジメチルー4,4’-N,N’-ジカルバゾール-ビフェニル、およびm-N,N’-ジカルバゾールベンゼンである。1つの有用な実施形態において、多層電場発光デバイスは、発光層と電子輸送層の間に位置する、好ましくは発光層に隣接する正孔ブロッキング層を含む。この層により、そのデバイスの効率を増すことができる。有用な正孔ブロッキング材料の例は、ビス2-メチル-キノリノレート4-フェニルフェノレートAlBAlqおよび2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-フェナントロリンバソクプロイン、BCPである。式1の有機金属複合体の一つの有用な実施形態は、式1a:により表され、この式中、M、L、w、m、R1、R2は、前に定義したとおりであり;Arは、芳香族環基、例えばベンゼン環基、ナフタレン環基、ピリジン環基またはピロール環基を形成するために必要な原子を表し、ならびにArは、追加の縮合環を有していてもよい。R3は、水素または置換基、例えば芳香族基例えば、フェニル基もしくはトリル基またはアルキル基例えば、メチル基およびエチル基を表す。R3とArが協力して、環を形成していてもよい。本発明のもう一つの有用な実施形態において、式Iの有機金属錯体は、式1b:により表され、この式中、M、L、w、m、R1、R2は、前に定義したとおりであり;R4は、Hまたは置換基を表す。例えば、R4は、芳香族基、例えばフェニルもしくはトリル基、またはアルキル基、例えばメチルもしくはエチル基を表す。R4とArが協力して、環を形成していてもよい。本発明のもう一つの適する実施形態において、式1の有機金属錯体は、式1c:により表され、この式中のM、L、w、m、R1、R2、R3およびArは、前に定義したとおりである。本発明のもう一つの有用な実施形態において、式1の有機金属錯体は、式1d:により表され、この式中、ArおよびR3は、前に定義したとおりであり;Ar2は、5または6員芳香族環基、例えばベンゼン基およびナフタレン基を形成するために必要な原子である。一つの望ましい実施形態において、ArおよびAr2は、追加の縮合環を含んでいてもよい6員芳香族環基を形成するために必要な原子を表す。一つの望ましい実施形態において、R3は、追加の縮合環を含んでいてもよい6員芳香族環基を表す。本発明のもう一つの有用な実施形態において、式1の有機金属錯体は、式1e:により表され、この式中、Ar、Ar2およびR4は、前に定義したとおりである。一つの望ましい実施形態において、ArおよびAr2は、追加の縮合環を含んでいてもよい6員芳香族環基を形成するために必要な原子を表す。一つの望ましい実施形態において、R4は、追加の縮合環を含んでいてもよい6員芳香族環基を表す。本発明のもう一つの有用な実施形態において、式1の有機金属錯体は、式1f:により表され、この式中、Ar、Ar2およびR3は、前に定義したとおりである。一つの望ましい実施形態において、ArおよびAr2は、追加の縮合環を含んでいてもよい6員芳香族環基を形成するために必要な原子を表す。一つの望ましい実施形態において、R3は、追加の縮合環を含んでいてもよい6員芳香族環基を表す。一つの有用な実施形態において、本OLEDデバイスの少なくとも1つの層、例えばLEL層は、ポリマー材料を含む。もう一つの適する実施形態では、本OLEDデバイスの少なくとも2つの層が、ポリマー材料を含む。本発明の実施形態は、有利な機能、例えば動作効率、より高い輝度、色相、低い駆動電圧および改善された動作安定性を提供することができる。本発明において有用な有機金属化合物の実施形態は、白色光の放出に有用なものを含む広範な色相を直接またはフィルタを通して生じさせることができる。本発明において有用な発光材料の合成は、有機配位子を製造し、その後、金属を使用してその配位子と錯体を形成させ、有機金属化合物を形成することにより達成することができる。本発明において有用な配位子の合成は、文献にある様々な方法により達成することができる。例えば、縮合芳香族環を有する一部のピラゾール化合物は、一般に、インダゾールとして知られている。インダゾール環の2つの隣接窒素原子のうちの一方は、非置換インダゾールをハロゲン化アルキルまたはアリールと直接反応させることにより、アルキルまたは芳香族基で置換することができる。最近、AntillaらJ.Am.Chem.Soc.,124,11684,2002は、触媒量のヨウ化銅、ジアミノシクロヘキサンおよび無機塩基、例えばリン酸カリウムの存在下で非置換インダゾールを芳香族ハロゲン化物と反応させることによる、これらのタイプの化合物を製造するための、科学的精密さと簡潔さを備えた一般的な合成方法を記載している。例えば、下のRxn-1式中、G1およびG2は、水素、または1つ以上の独立して選択される置換基であることができる参照。本発明において有用な有機金属錯体は、文献に掲載されている様々な方法により製造済みの配位子から合成することができる。例えば、A.Tamayo,B.Alleyne,P.Djurovich,S.Lamansky,I.Tsyba,N.Ho,R.Bau,M.Thompson,DepartmentofJ.oftheAmer.Chem.Soc.125,73772003、H.Konno,Y.Sasaki,Chem.Lett.,32,2522003、およびV.Grushin,N.Hurron,D.LeCloux,W.Marshall,V.Petrov,andY.Wang,Chem.Comm.,14942001参照。イリジウムを含有する本発明の化合物の一つの望ましい製造方法を下に示す。アリールインダゾールをハロゲン化イリジウム例えば、K3IrBr6と反応させることにより、イリジウムシクロメタル化二量体が得られるRxn-2。この材料をハロゲン受容性試薬、例えばトリフルオロ酢酸銀とさらに反応させるRxn-3ことにより、トリシクロメタル化有機金属錯体が生じる。本発明において説明する置換ピラゾール化合物の製造には上述の方法をうまく利用した。本発明において有用な式1の錯体の実例は、次のものである。特に他に述べない限り、用語置換されているまたは置換基の使用は、水素以外のあらゆる基または原子を意味する。他の規定がない限り、置換可能な水素を含有する基化合物または錯体を含むに言及する場合、その置換基がその使用効果に必要な特性を壊さないのであれば、その非置換形ばかりでなく、本明細書において言及するようなあらゆる置換基単数または複数でさらに置換されている誘導体形も包含するものと意図する。適切には、置換基は、ハロゲンであってもよいし、または炭素、ケイ素、酸素、窒素、リン、硫黄、セレンもしくはホウ素原子によりその分子の残りの部分に結合していてもよい。例えば、前記置換基は、ハロゲン、例えば、クロロ、ブロモまたはフルオロ;ニトロ;ヒドロキシ;シアノ;カルボキシ;または直鎖、分枝鎖もしくは環状アルキルを含むアルキルなどの、さらに置換されていることがある置換基、例えば、メチル、トリフルオロメチル、エチル、t-ブチル、3-2,4-ジ-t-ペンチルフェノキシプロピルおよびテトラデシル;アルケニル、例えば、エチレン、2-ブテン;アルコキシ、例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、2-メトキシエトキシ、s-ブトキシ、ヘキシルオキシ、2-エチルヘキシルオキシ、テトラデシルオキシ、2-2,4-ジ-t-ペンチルフェノキシエトキシおよび2-ドデシルオキシエトキシ;アリール、例えば、フェニル、4-t-ブチルフェニル、2,4,6-トリメチルフェニル、ナフチル;アリールオキシ、例えば、フェノキシ、2-メチルフェノキシ、α-またはβ-ナフチルオキシおよび4-トシルオキシ;カルボンアミド、例えば、アセトアミド、ベンズアミド、ブチルアミド、テトラデカンアミド、α-2,4-ジ-t-フェニル-フェノキシアセトアミド、α-2,4-ジ-t-ペンチルフェノキシブチルアミド、α-3-ペンタデシルフェノキシ-ヘキサンアミド、α-4-ヒドロキシ-3-t-ブチルフェノキシ-テトラデカンアミド、2-オキソ-ピロリジン-1-イル、2-オキソ-5-テトラデシルピロリン-1-イル、N-メチルテトラデカンアミド、N-スクシンイミド、N-フタルイミド、2,5-ジオキソ-1-オキサゾリジニル、3-ドデシル-2,5-ジオキソ-1-イミダゾリルおよびN-アセチル-N-ドデシルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、フェノキシカルボニルアミノ、ベンジルオキシカルボニルアミノ、ヘキサデシルオキシカルボニルアミノ、2,4-ジ-t-ブチルフェノキシカルボニルアミノ、フェニルカルボニルアミノ、2,5-ジ-t-ペンチルフェニルカルボニルアミノ、p-ドデシル-フェニルカルボニルアミノ、p-トシルカルボニルアミノ、N-メチルウレイド、N,N-ジメチルウレイド、N-メチル-N-ドデシルウレイド、N-ヘキサデシルウレイド、N,N-ジオクタデシルウレイド、N,N-ジオクチル-N’-エチルウレイド、N-フェニルウレイド、N,N-ジフェニルウレイド、N-フェニル-N-p-トシルウレイド、N-m-ヘキサデシルフェニルウレイド、N,N-2,5-ジ-t-ペンチルフェニル-N’-エチルウレイド、およびt-ブチルカルボンアミド;スルホンアミド、例えば、メチルスルホンアミド、ベンゼンスルホンアミド、p-トシルスルホンアミド、p-ドデシルベンゼンスルホンアミド、N-メチルテトラデシルスルホンアミド、N,N-ジプロピルスルファモイルアミノ、およびヘキサデシルスルホンアミド;スルファモイル、例えば、N-メチルスルファモイル、N-エチルスルファモイル、N,N-ジプロピルスルファモイル、N-ヘキサデシルスルファモイル、N,N-ジメチルスルファモイル、N-[3-ドデシルオキシプロピル]スルファモイル、N-[4-2,4-ジ-t-ペンチルフェノキシブチル]スルファモイル、N-メチル-N-テトラデシルスルファモイル、およびN-ドデシルスルファモイル;カルバモイル、例えば、N-メチルカルバモイル、N,N-ジブチルカルバモイル、N-オクタデシルカルバモイル、N-[4-2,4-ジ-t-ペンチルフェノキシブチル]カルバモイル、N-メチル-N-テトラデシルカルバモイル、およびN,N-ジオクチルカルバモイル;アシル、例えば、アセチル、2,4-ジ-t-アミルフェノキシアセチル、フェノキシカルボニル、p-ドデシルオキシフェノキシカルボニルメトキシカルボニル、ブトキシカルボニル、テトラデシルオキシカルボニル、エトキシカルボニル、ベンジルオキシカルボニル、3-ペンタデシルオキシカルボニル、およびドデシルオキシカルボニル;スルホニル、例えば、メトキシスルホニル、オクチルオキシスルホニル、テトラデシルオキシスルホニル、2-エチルヘキシルオキシスルホニル、フェノキシスルホニル、2,4-ジ-t-ペンチルフェノキシスルホニル、メチルスルホニル、オクチルスルホニル、2-エチルヘキシルスルホニル、ドデシルスルホニル、ヘキサデシルスルホニル、フェニルスルホニル、4-ノニルフェニルスルホニルおよびp-トシルスルホニル;スルホニルオキシ、例えば、ドデシルスルホニルオキシおよびヘキサデシルスルホニルオキシ;スルフィニル、例えば、メチルスルフィニル、オクチルスルフィニル、2-エチルヘキシルスルフィニル、ドデシルスルフィニル、ヘキサデシルスルフィニル、フェニルスルフィニル、4-ノニルフェニルスルフィニル、およびp-トシルスルフィニル;チオ、例えば、エチルチオ、オクチルチオ、ベンジルチオ、テトラデシルチオ、2-2,4-ジ-t-ペンチルフェノキシエチルチオ、フェニルチオ、2-ブトキシ-5-t-オクチルフェニルチオ、およびp-トリルチオ;アシルオキシ、例えば、アセチルオキシ、ベンゾイルオキシ、オクタデカノイルオキシ、p-ドデシルアミノベンゾイルオキシ、N-フェニルカルバモイルオキシ、N-エチルカルバモイルオキシ、およびシクロヘキシルカルボニルオキシ;アミン、例えば、フェニルアニリノ、2-クロロアニリノ、ジエチルアミン、ドデシルアミン;イミノ、例えば、1N-フェニルイミドエチル、N-スクシンイミドまたは3-ベンジルヒダントイニル;ホスフェート、例えば、ジメチルホスフェートおよびエチルブチルホスフェート;ホスフィン、例えば、ジエチルおよびジヘキシルホスフィン;複素環基、複素環式オキシ基または複素環式チオ基これらの各々は、置換されていてもよく、ならびに炭素原子および酸素、窒素、硫黄、リンまたはホウ素からなる群より選択される少なくとも1つのヘテロ原子で構成された3から7員複素環基、例えば2-フリル、2-チエニル、2-ベンズイミダゾリルオキシまたは2-ベンゾチアゾリルを含有する;第四アンモニウム、例えば、トリエチルアンモニウム;第四ホスホニウム、例えば、トリフェニルホスホニウム;ならびにシリルオキシ、例えば、トリメチルシリルオキシであり得る。所望される場合には、前記置換基は、記載した置換基で1回以上、さらに置換されていてもよい。使用される個々の置換基は、具体的な用途に望ましい特性が得られるように当業者が選択でき、また、例えば電子求引性の基、電子供与性の基および立体障害性の基を包含し得る。分子が2つ以上の置換基を有し得る場合、他の規定がなければ、それらの置換基が一緒になって、縮合環などの環を形成することもある。一般に、上の基およびそれらの置換基には、炭素原子数48、典型的には炭素原子数1から36、通常は炭素原子数24未満のものが挙げられるが、選択される個々の置換基次第でそれよい大きい数も可能である。適切には、本OLEDデバイスの発光層は、発光のためにホスト材料および1つ以上のゲスト材料を含む。適切には、ゲスト材料のうちの少なくとも1つは、式1の環系を含むリン光錯体である。発光ゲスト材料複数を含むは、通常、ホスト材料の量より少ない量で存在し、典型的にはホストの15質量以下、より典型的にはホストの0.1~10.0質量の量で存在する。便宜上、本明細書ではリン光錯体ゲスト材料をリン光材料と呼ぶことがある。式1のリン光材料は、好ましくは低分子量化合物であるが、式1により表される部分を有する繰り返し単位の主鎖または副鎖を有するオリゴマーまたはポリマーであっもよい。これは、ホスト材料中に分散された個別の材料として提供されていてもよいし、またはホスト材料に何らかの方法で結合、例えば、ホストポリマーに共有結合していてもよい。リン光材料のためのホスト材料適するホスト材料は、三重項励起子をホスト材料からリン光材料に効率的に移動させることができるように選択しなければならない。この移動が発生するために非常に望ましい状態は、リン光材料の励起状態エネルギーが、ホストの最低三重項状態と基底状態のエネルギー差より低い状態である。しかし、そのOLEDの駆動電圧を許容できないほど増加させるくらい大きく、ホストのバンドギャップを選択してはならない。適するホスト材料は、国際公開パンフレット第00/70655号A2;同第01/39234号A2;同第01/93642号A1;同第02/074015号A2および同第02/15645号A1、ならびに米国特許第20020117662号に記載されている。適するホストには、一定のアリールアミン、トリアゾール、インドールおよびカルバゾール化合物が挙げられる。適するホストの例は、4,4’-N,N’-ジカルバゾール-ビフェニルCBP、2,2’-ジメチル-4,4’-N,N’-ジカルバゾール-ビフェニル、m-N,N’-ジカルバゾールベンゼン、およびポリN-ビニルカルバゾールであり、これらの誘導体も含む。望ましいホスト材料は、連続皮膜を形成することができる。本デバイスの皮膜形態、電気的特性、発光効率および寿命を向上させるために、発光層は1つより多くのホスト材料を含有し得る。発光層は、良好な正孔輸送特性を有する第一ホスト材料、および良好な電子輸送特性を有する第二ホスト材料を含有し得る。他のリン光材料式1のリン光材料は、同じ層内または異なる層内で、他のリン光材料と併用することができる。一部の他のリン光材料が、国際公開パンフレット第00/57676号、同第00/70655号、同第01/41512号A1、同第02/15645号A1;米国特許第2003/0017361号A1;国際公開パンフレット第01/93642号A1;米国特許第01/39234号A2、同第6,458,475号B1;国際公開パンフレット第02/071813号A1;米国特許第6,573,651号B2、同第2002/0197511号A1;国際公開パンフレット第02/074015号A2;米国特許第6,451,455号B1、同第2003/0072964号A1、同第2003/0068528号A1、同第6,413,656号B1、同第6,515,298号B2、同第6,451,415号B1、同第6,097,147号、同第2003/0124381号A1、同第2003/0059646号A1、同第US2003/0054198A1:欧州特許第1239526号A2、同第1238981号A2、同第1244155号A2;米国特許第2002/0100906号A1、同第2003/0068526号A1、同第2003/0068535号A1;特開2003073387A、特開2003073388A;米国特許第2003/014809号A1、同第2003/0040627号A1;特開2003059667、特開2003073665A;および米国特許第2002/0121638号A1に記載されている。緑色発光性fac-トリス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIIIおよびビス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトネートなどの、IrL3およびIrL2L’型のシクロメタル化IrIII錯体の発光波長は、そのシクロメタル化配位子L上の適切な位置での電子供与性の基または電子求引性の基の置換により、またはそのシクロメタル化配位子Lに異なる複素環を選択することによりシフトさせることができる。前記発光波長は、補助配位子L’の選択によりシフトさせることもできる。赤色発光体の例は、ビス2-2’-ベンゾチエニルピリジナト-N,C3’イリジウムIIIアセチルアセトネートおよびトリス1-フェニルイソキノリナト-N,CイリジウムIIIである。青色発光例は、ビス2-4,6-ジフルオロフェニル-ピリジナト-N,C2’イリジウムIIIピコリネートである。リン光材料としてビス2-2’-ベンゾ[4,5-a]チエニルピリジナト-N,C3イリジウムアセチルアセトネート[Btp2Iracac]を使用する、赤色有機リン光発光素子が報告されているAdachi,C.,Lamansky,S.,Baldo,M.A.,Kwong,R.C.,Thompson,M.E.,andForrest,S.R.,App.Phys.Lett.,78,1622-16242001。他の重要なリン光材料には、シクロメタル化PtII錯体、例えば、シス-ビス2-フェニルピリジナト-N,C2’白金II、シス-ビス2-2’-チエニルピリジナト-N,C3’白金II、シス-ビス2-2’-チエニルピリジナト-N,C5’白金IIまたは2-4,6-ジフルオロフェニルピリジナト-NC2’白金IIアセチルアセトネートが挙げられる。2,3,7,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポリフィン白金IIなどのPtIIポルフィン錯体も、有用なリン光材料である。有用なリン光材料のさらに他の例には、Tb3およびEu3などの三価ランタニドの配位錯体が挙げられるJ.Kidoetal,Appl.Phys.Lett.,65,21241994。ブロッキング層適するホストに加えて、リン光材料を利用するOLEDデバイスは、ホストおよびリン光材料を含む発光層に励起子または電子-正孔再結合中心を閉じ込めることに役立つ少なくとも1つの励起子または正孔ブロッキング層を、多くの場合、必要とする。一つの実施形態において、このようなブロッキング層は、電子輸送層と発光層の間に配置されることとなる-図1、層110参照。この場合、このブロッキング層のイオン化ポテンシャルは、ホストから電子輸送層への正孔移動に対してエネルギー障壁が存在するようなものでなければならず、一方、電子親和性は、電子がより容易に電子輸送層からホストおよびリン光材料を含む発光層に移るようなものでなければならない。ブロッキング材料の三重項エネルギーがリン光材料の三重項エネルギーより大きいことは、さらに望ましいことだが、絶対に必要なことではない。適する正孔-ブロッキング材料は、国際公開パンフレット第00/70655号A2および同第01/93642号A1に記載されている。有用な材料の二例は、バソクプロインBCPおよびビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウムIIIBA1Qである。米国特許第20030068528号に記載されているような、Balq以外の金属錯体も、正孔および励起子をブロックすることが知られている。米国特許第20030175553号A1には、電子/励起子ブロッキング層におけるfac-トリス1-フェニルピラゾラト-N,C2イリジウムIIIIrppzの使用が記載されている。本発明の実施形態は、有利な機能、例えば動作効率、より高い輝度、色相、低い駆動電圧および改善された動作安定性を提供することができる。本発明において有用な有機金属化合物の実施形態は、白色光の発光において有用なものを含む広範な色相を直接、または多色表示を提供するためにフィルタを通して生じさせることができる。一般的なデバイス構成本発明は、小分子材料、オリゴマー材料、ポリマー材料またはこれらの組合せを使用する多数のOLEDデバイス構成で利用することができる。これらには、単一のアノードおよびカソードを含む非常に単純な構造から、より複雑なデバイス、例えば、画素を形成するためのアノードとカソードの直行配列からなるパッシブマトリックス型表示装置および各画素が例えば薄膜トランジスタTFTで独立して制御されるアクティブマトリックス型表示装置まで含まれる。本発明をうまく活用することができる有機層の構成は非常に多数ある。OLEDの必須要件は、アノード、カソード、およびそのアノードとカソードの間に位置する有機発光層である。後でさらに十分に説明するような追加の層を利用してもよい。小分子デバイスに特に有用な典型的な構造を図1に示す。これは、基板101、アノード103、正孔注入層105、正孔輸送層107、発光層109、正孔または励起子ブロッキング層110、電子輸送層111、およびカソード113で構成されている。これらの層は、下記で詳細に説明する。基板は、あるいはカソードに隣接して配置されていてもよく、またはアノードまたはカソードを実際に構成していてもよいことに留意しなければならない。アノードとカソードの間の有機層は、便宜上、有機EL素子と呼ばれる。また、これらの有機層の全総合質量は、望ましくは500nm未満である。OLEDのアノードおよびカソードは、電気導体により電圧/電流源に接続されている。OLEDは、アノードがカソードより大きな正電位になるようにアノードとカソードの間に電位をかけることによって動作させる。正孔は、アノードから有機EL素子に注入され、電子は、カソードで有機EL素子に注入される。サイクルのある期間にわたって電位バイアスが逆転し、電流が流れないACモードでOLEDを動作すると、時としてデバイス安定性の向上を達成することができる。AC駆動OLEDの例は、米国特許第5,552,678号に記載されている。基板本発明のOLEDデバイスは、典型的には支持基板101の上に設けられ、この基板とカソードが接触していてもよいし、アノードが接触していてもよい。基板と接触している電極を、便宜上、下部電極と呼ぶ。便宜上、この下部電極はアノードであるが、本発明はこの構成に限定されない。基板は、目的とする発光方向に依存して、光透過性であってもよいし、不透明であってもよい。基板を通してEL発光を見るには、光透過性が望ましい。このような場合、一般に、透明ガラスまたはプラスチックが利用される。基板は、複数の材料層を含む複合構造であってもよい。一般に、これは、TFTがOLED層の下に設けられているアクティブマトリックス型基板の場合である。基板は、少なくとも発光画素化領域内の基盤は、ガラスまたはポリマーなどの主として透明な材料で構成されていることがさらに必要である。上部電極を通してEL発光を見る用途については、下部支持体の透過特性は重要でなく、従って、光透過性であってもよいし、光吸収性であってもよいし、光反射性であってもよい。この場合に使用される基板には、ガラス、プラスチック、半導体材料、シリコン、セラミックスおよび回路基板材料が挙げられるが、これらに限定されない。再び言うが、基板は、アクティブマトリックス型TFT設計において見られるような複数の材料層を含む複合構造であってもよい。これらのデバイス構成には光透過性上部電極を設ける必要がある。アノードアノードを通して所望の電場発光性発光ELを見る場合、そのアノードは、対象となる発光を透過するか、実質的に透過しなければならない。本発明において使用される一般的な透明アノード材料は、酸化インジウムスズITO、酸化亜鉛インジウムIZOおよび酸化スズであるが、アルミニウムまたはインジウムドープ酸化亜鉛、酸化インジウムマグネシウムおよび酸化タングステンニッケルを含むしかし、これらに限定されない他の金属酸化物が役立つこともある。これらの酸化物に加えて、窒化ガリウムなどの窒化金属、セレン化亜鉛などのセレン化金属、および硫化亜鉛などの硫化金属をアノードとして使用することができる。カソードを通してEL発光を見る用途については、アノードの透過特性は重要ではなく、透明、不透明または反射性、あらゆる導電性材料を使用することができる。この用途の導体例には、金、イリジウム、モリブデン、パラジウムおよび白金が挙げられるが、これらに限定されない。透過性であろうとなかろうと、典型的なアノード材料は、4.1eVまたはそれ以上の仕事関数を有する。一般には、所望のアノード材料をいずれかの適する手段、例えば蒸着、スパッタリング、化学蒸着法または電気化学的手段により堆積させる。周知のフォトリソグラフィプロセスを使用して、アノードにパタン形成することができる。場合により、短絡を最少にするまたは反射能を強化するために、他の層を塗布する前にアノードを研磨して、表面の粗さを低減してもよい。カソードアノードのみを通して発光を見る場合、本発明において使用されるカソードは、ほぼ全ての導電性材料からなり得る。望ましい材料は、下地有機層との良好な接触を確保する良好な皮膜形成特性を有し、低電圧で電子注入を促進し、良好な安定性を有する。有用なカソード材料は、多くの場合、低仕事関数金属<4.0eVまたは合金を含有する。一つの有用なカソード材料は、米国特許第4,885,221号に記載されているような、銀の百分率が1から20の範囲内であるMg:Ag合金からなる。カソード材料のもう一つの適する類には、カソードおよび薄い電子注入層EILを含む二重層が挙げられ、前記EILは、より薄い導電性材料層でキャップされている有機層例えば、電子輸送層ETLと接触している。この場合、前記EILは、好ましくは低仕事関数金属または金属塩を含み、もしそうであるなら、より厚い前記キャッピング層は、低仕事関数を有する必要がない。一つのこのようなカソードは、米国特許第5,677,572号に記載されているように、薄いLiF層、それに続く、より厚いAl層からなる。アルカリ金属がドープされたETL材料、例えばLiドープAlq、は、有用なEILのもう一つの例である。他の有用なカソード材料のセットには、米国特許第5,059,861号、同第5,059,862号および同第6,140,763号に開示されているものが挙げられるが、これらに限定されない。カソードを通して発光を見る場合、そのカソードは、透明またはほぼ透明でなければならない。このような用途については、金属は薄くなければならず、または透明導電性酸化物もしくはこれらの金属の組合せを使用しなければならない。光学的に透明なカソードは、米国特許第4,885,211号、同第5,247,190号;JP3,234,963;米国特許第5,703,436号、同第5,608,287号、同第5,837,391号、同第5,677,572号、同第5,776,622号、同第5,776,623号、同第5,714,838号、同第5,969,474号、同第5,739,545号、同第5,981,306号、同第6,137,223号、同第6,140,763号、同第6,172,459号;欧州特許第1076368号;米国特許第6,278,236号および同第6,284,3936においてより詳細に説明されている。カソード材料は、一般に、いずれかの適する方法、例えば、蒸着、スパッタリングまたは化学蒸着法により堆積させる。必要な場合には、スルーマスク型堆積、米国特許第5,276,380号および欧州特許第0732868号に記載されているような一体型シャドーマスク法、レーザーアブレーション、および選択的化学蒸着法を含むしかし、これらに限定されない多数の周知の方法により、パタン形成を成し遂げることができる。正孔注入層HILアノード103と正孔輸送層107の間に正孔注入層105を設けることができる。正孔注入材料は、後続の有機層の皮膜形成性の向上、および正孔輸送層への正孔の注入の促進に役立ち得る。正孔注入層での使用に適する材料には、米国特許第4,720,432号に記載されているようなポルフィリン系化合物、米国特許第6,208,075号に記載されているようなプラズマ堆積フルオロカーボンポリマー、および一部の芳香族アミン、例えばm-MTDATA4,4’,4’’-トリス[3-メチルフェニルフェニルアミノ]トリフェニルアミンが挙げられるが、これらに限定されない。有機ELデバイスにおいて有用であると言われている代替正孔注入材料は、欧州特許第0891121号A1および同第1029909号A1に記載されている。正孔輸送層HTL有機ELデバイスの正孔輸送層107は、少なくとも一つの正孔輸送化合物、例えば芳香族第三アミンを含有し、この場合、後者は、炭素原子だけに結合している三価窒素原子を少なくとも1つ含有し、前記窒素原子のうちの少なくとも1つが芳香族環の構成員である化合物と考えられる。一つの形態において、前記芳香族第三アミンは、アリールアミン、例えばモノアリールアミン、ジアリールアミン、トリアリールアミンまたはアリールアミンポリマーであり得る。例示的なトリアリールアミンモノマーは、Klupfelら、米国特許第3,180,730号により説明されている。1つ以上のビニルラジカルで置換されている、および/または少なくとも1つの活性水素含有基を含む、他の適するトリアリールアミンは、Brantleyら、米国特許第3,567,450号および同第3,658,520号に開示されている。芳香族第三アミンのより好ましい類は、米国特許第4,720,432号および同第5,061,569号に記載されているような少なくとも2つの芳香族第三アミンを含むものである。このような化合物には、構造式A:により表されるものが挙げられ、この式中、Q1およびQ2は、芳香族第三アミン部分から独立して選択され、Gは、結合基、例えば、炭素-炭素結合のアリーレン、シクロアルキレンまたはアルキレン基である。一つの実施形態において、Q1またはQ2の少なくとも一方は、多環式縮合環構造、例えばナフタレンを含有する。Gがアリール基である場合、適便には、それは、フェニレン、ビフェニレンまたはナフタレン部分である。構造式Aを満たし、2つのトリアリールアミン部分を含有するトリアリールアミンの有用な類は、構造式B:により表され、この式中、R1およびR2は、各々独立して、水素原子、アリール基またはアルキル基を表すか、R1とR2が一緒に、シクロアルキル基を完成する原子を表し;ならびにR3およびR4は、各々独立して、アリール基を表し、そしてまたそのアリール基は、構造式C:により表されるようなジアリール置換アミノ基で置換されており、この式中のR5およびR6は、アリール基から独立して選択される。一つの実施形態において、R5またはR6の少なくとも一方は、多環式縮合環構造、例えばナフタレンを含有する。芳香族第三アミンのもう1つの類は、テトラアリールジアミンである。望ましいテトラアリールジアミンは、アリーレン基により連結された、式Cにより示されるような2つのジアリールアミノ基を含む。有用なテトラアリールジアミンには、式Dにより表されるものが挙げられ、この式中、各Areは、独立して選択されるアリーレン基、例えばフェニレンまたはアントラセン部分であり;nは、1から4の整数であり;ならびにAr、R7、R8およびR9は、独立して選択されるアリール基である。代表的実施形態において、Ar、R7、R8およびR9のうちの少なくとも1つは、多環式縮合環構造、例えばナフタレンである。上述の構造式A、B、C、Dの様々なアルキル、アルキレン、アリールおよびアリーレン部分もまた、各々、置換されていてもよい。代表的な置換基には、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ならびにハロゲン、例えばフッ化物、塩化物および臭化物が挙げられる。これらの様々なアルキルおよびアルキレン部分は、一般に、約1から6個の炭素原子を含有する。シクロアルキル部分は、3から約10個の炭素原子を含有することができるが、一般には5、6または7個の環炭素原子を含有する--例えば、シクロペンチル、シクロヘキシルおよびシクロヘプチル環構造。これらのアリールおよびアリーレン部分は、通常、フェニルおよびフェニレン部分である。正孔輸送層は、単一の芳香族第三アミン化合物または芳香族第三アミン化合物の混合物からなり得る。具体的には、式Bを満たすトリアリールアミンなどのトリアリールアミンと、式Dにより示されるようなテトラアリールジアミンを併用することができる。トリアリールアミンとテトラアリールジアミンを併用する場合、後者は、トリアリールアミンと電子注入および輸送層の間に挿入される層として配置される。実例となる有用な芳香族第三アミンは、以下のものである。1,1-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルシクロヘキサン1,1-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニル-4-フェニルシクロヘキサンN,N,N’,N’-テトラフェニル-4,4’’’-ジアミノ-1,1’:4’,1’’:4’’,1’’’-クアテルフェニルビス4-ジメチルアミノ-2-メチルフェニルフェニルメタン1,4-ビス[2-[4-[N,N-ジp-トリルアミノ]フェニル]ビニル]ベンゼンBDTAPVBN,N,N’,N’-テトラ-p-トリル-4,4’-ジアミノビフェニルN,N,N’,N’-テトラフェニル-4,4’-ジアミノビフェニルN,N,N’,N’-テトラ-1-ナフチル-4,4’-ジアミノビフェニルN,N,N’,N’-テトラ-2-ナフチル-4,4’-ジアミノビフェニルN-フェニルカルバゾール4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニルNPB4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-2-ナフチルアミノ]ビフェニルTNB4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]p-テルフェニル4,4’-ビス[N-2-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル4,4’-ビス[N-3-アセナフテニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル1,5-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ナフタレン4,4’-ビス[N-9-アントリル-N-フェニルアミノ]ビフェニル4,4’-ビス[N-1-アントリル-N-フェニルアミノ]-p-テルフェニル4,4’-ビス[N-2-フェナントリル-N-フェニルアミノ]ビフェニル4,4’-ビス[N-8-フルオロアンテニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル4,4’-ビス[N-2-ピレニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル4,4’-ビス[N-2-ナフタセニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル4,4’-ビス[N-2-ペルイレニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル4,4’-ビス[N-1-コロネニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル2,6-ビスジ-p-トリルアミノナフタレン2,6-ビス[ジ-1-ナフチルアミノ]ナフタレン2,6-ビス[ジ-1-ナフチル-N-2-ナフチルアミノ]ナフタレンN,N,N’,N’-テトラ2-ナフチル-4,4’’-ジアミノ-p-テルフェニル4,4’-ビス{N-フェニル-N-[4-1-ナフチル-フェニル]アミノ}ビフェニル2,6-ビス[N,N-ジ2-ナフチルアミノ]フルオレン4,4’,4’’-トリス[3-メチルフェニルフェニルアミノ]トリフェニルアミンMTDATA4,4’-ビス[N-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニルTPD。有用な正孔輸送材料のもう一つの類には、欧州特許1009041号に記載されているような多環式芳香族化合物が挙げられる。オリゴマー材料を含む、2つより多くのアミン基を有する第三芳香族アミンを使用してもよい。加えて、ポリマー正孔輸送材料、例えば、ポリN-ビニルカルバゾールPVK、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、およびPEDOT/PSSとも呼ばれるポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン/ポリ4-スチレンスルホネートなどのコポリマーを使用することができる。蛍光発光材料および層LEL本発明のリン光材料に加えて、蛍光材料を含む他の発光材料を本OLEDデバイスにおいて使用することができる。用語蛍光性は、あらゆる発光材料を述べるために一般に使用されるが、本件では一重項励起状態から光を放出する材料を指す。蛍光材料は、リン光材料と同じ層で、隣接層で、隣接画素で、またはあらゆる組合せで使用することができる。本発明のリン光材料の性能に悪影響を及ぼす材料を選択しないように注意しなければならない。リン光材料と同じ層内または隣接層内の材料の三重項励起状態エネルギーを、望ましくない発光抑制を防止するように適切に設定しなければならないことは、当業者には理解される。米国特許第4,769,292号および同第5,935,721号においてより十分に記載されているように、有機EL素子の発光層LELは、発光蛍光またはリン光材料を含み、この場合、電場発光は、この領域における電子-正孔ペアの再結合の結果として生じる。発光層は、単一の材料からなってもよいが、より一般的にはゲスト発光材料単数または複数がドープされたホスト材料からなり、この場合、発光は、主として前記発光材料から起こり、いずれの色のものであってもよい。前記発光層におけるホスト材料は、下で定義する電子輸送材料であってもよいし、上で定義した正孔輸送材料であってもよいし、または正孔-電子再結合を支援する別の材料もしくは材料の組合せであってもよい。蛍光発光材料は、一般に、ホスト材料の0.01から10質量で組み込まれる。ホスト材料および発光材料は、小さな非ポリマー分子であってもよいし、ポリフルオレンおよびポリビニルアリーレン例えば、ポリp-フェニレンビニレン、PPVなどのポリマー材料であってもよい。ポリマーの場合、小分子発光材料は、ホストポリマーに分子的に分散させてもよいし、またはホストポリマーに微量成分を共重合させることにより加えてもよい。ホスト材料を混合して、フィルム形成、電気的性質、発光効率、寿命または製造性を向上させることができる。ホストは、良好な正孔輸送特性を有する材料、および良好な電子輸送特性を有する材料を含むことができる。ゲスト発光材料として蛍光色素を選択するために重要な関係は、ホスト材料の一重項励起状態エネルギーと発光材料の一重項励起状態エネルギーの対比である。ホスト材料から発光材料への効率的なエネルギー移動に非常に望ましい状態は、発光材料の一重項励起状態エネルギーが、ホスト材料のものより低い状態である。使用できることが知られているホスト材料および発光材料には、米国特許第4,768,292号、同第5,141,671号、同第5,150,006号、同第5,151,629号、同第5,405,709号、同第5,484,922号、同第5,593,788号、同第5,645,948号、同第5,683,823号、同第5,755,999号、同第5,928,802号、同第5,935,720号、同第5,935,721号および同第6,020,078号に開示されているものが挙げられるが、これらに限定されない。8-ヒドロキシキノリンの金属錯体および類似誘導体式Eは、電場発光を支援することができる有用なホスト化合物の一類の構成要素であり、500nmより長い波長、例えば緑色、黄色、橙色および赤色、の発光に特に適する。この式中、Mは、金属を表し;nは、1から4の整数を表し;およびZは、少なくとも2つの縮合芳香族環を有する核を完成するための原子を表す。上述のことから、この金属が、一価金属であってもよいし、二価金属あってもよいし、三価金属であってもよいし、四価金属であってもよいことは明らかである。この金属は、例えば、アルカリ金属例えば、リチウム、ナトリウムもしくはカリウム、アルカリ土類金属例えば、マグネシウムもしくはカルシウム、土類金属例えば、アルミニウムもしくはガリウムまたは遷移金属例えば、亜鉛もしくはジルコニウムであり得る。一般に、有用なキレート金属であることが知られているあらゆる一価、二価、三価または四価金属を利用することができる。Zは、少なくとも2つの縮合芳香族環を含有し、それらのうちの少なくとも1つが、アゾールまたはアジン環である複素環核を完成する。必要な場合には、追加の環脂肪族環と芳香族環の両方を含むが、2つの必要な環と縮合していてもよい。機能の向上を伴わない分子の嵩の追加を回避するために、環原子数は、通常、18以下に維持する。実例となる有用なキレート化オキシノイド化合物は、次のものである。CO-1:アルミニウムトリスオキシン[別名、トリス8-キノリノラトアルミニウムIII]CO-2:マグネシウムビスオキシン[別名、ビス8-キノリノラトマグネシウムIII]CO-3:ビス[ベンゾ{f}-8-キノリノラト]亜鉛IICO-4:ビス2-メチル-8-キノリノラトアルミニウムIII-μ-オキソ-ビス2-メチル-8-キノリノラトアルミニウムIIICO-5:インジウムトリスオキシン[別名、トリス8-キノリノラトインジウム]CO-6:アルミニウムトリス5-メチルオキシン[別名、トリス5-メチル-8-キノリノラトアルミニウムIII]CO-7:リチウムオキシン[別名、8-キノリノラトリチウムI]CO-8:ガリウムオキシン[別名、トリス8-キノリノラトガリウムIII]CO-9:ジルコニウムオキシン[別名、テトラ8-キノリノラトジルコニウムIV]。9,10-ジ-2-ナフチルアントラセンの誘導体式Fは、電場発光を支援することができる有用なホスト材料の一類の構成要素であり、400nmより長い波長、例えば青色、緑色、黄色、橙色または赤色、の発光に特に適する。この式中、R1、R2、R3、R4、R5およびR6は、各環上の1つ以上の置換基を表し、この場合、各置換基は、次の群より独立して選択される。群1:水素または炭素原子数1から24のアルキル;群2:炭素原子数5から20のアリールまたは置換アリール;群3:アントラセニル、ピレニルまたはペリレニルの縮合芳香族環を完成するために必要な4から24個の炭素原子;群4:フリル、チエニル、ピリジル、キノリニルまたは他の複素環系の縮合へテロ芳香族環を完成するために必要な炭素原子数5から24のヘテロアリールまたは置換ヘテロアリール;群5:炭素原子数1から24のアルコキシルアミノ、アルキルアミノまたはアリールアミノ;および群6:フッ素、塩素、臭素またはシアノ。実例には、9,10-ジ-2-ナフチルアントラセンおよび2-t-ブチル-9,10-ジ-2-ナフチルアントラセンが挙げられる。9,10-ビス[4-2,2-ジフェニルエテニルフェニル]アントラセンを含む他のアントラセン誘導体は、LELにおけるホストとして有用であり得る。ベンズアゾール誘導体式Gは、電場発光を支援することができる有用なホスト材料のもう一つの類の構成要素であり、400nmより長い波長、例えば青色、緑色、黄色、橙色または赤色、の発光に特に適する。式G中、nは、3から8の整数であり;Zは、O、NRまたはSであり;RおよびR’は、独立して、水素;炭素原子数1から24のアルキル、例えばプロピル、t-ブチル、ヘプチルなど;炭素原子数5から20のアリールもしくはヘテロ原子置換アリール、例えばフェニルならびにナフチル、フリル、チエニル、ピリジル、キノリニルおよび他の複素環系;ハロ、例えばクロロ、フルオロ;または縮合芳香族環を完成するために必要な原子であり;Lは、アルキル、アリール、置換アルキルまたは置換アリールからなる連結単位であり、複数のベンズアゾールを共役結合または非共役結合により連結している。有用なベンズアゾールの例は、2,2’,2’’-1,3,5-フェニレントリス[1-フェニル-1H-ベンズイミダゾール]である。米国特許第5,121,029号および特開平08333569に記載されているようなスチリルアリーレン誘導体も青色発光に有用なホストである。例えば、9,10-ビス[4-2,2-ジフェニルエテニルフェニル]アントラセンおよび4,4’-ビス2,2-ジフェニルエテニル-1,1’-ビフェニルDPVBiは、青色発光に有用なホストである。有用な蛍光発光材料には、アントラセン、テトラセン、キサンテン、ペリレン、ルブレン、クマリン、ローダミンおよびキナクリドンの誘導体、ジシアノメチレンピラン化合物、チオピラン化合物、ポリメチン化合物、ピリリウムおよびチアピリリウム化合物、フルオレン誘導体、ペリフランテン誘導体、インデノペリレン誘導体、ビスアジニルアミンボロン化合物、ビスアジニルメタン化合物、ならびにカルボスチリル化合物が挙げられるが、これらに限定されない。有用な材料の実例には、次のものが挙げられるが、これらに限定されない。電子輸送層ETL本発明の有機ELデバイスの電子輸送層111を形成する際の使用に好ましい薄膜形成性材料は、オキシン自体のキレート一般には8-キノリノールまたは8-ヒドロキシキノリンとも呼ばれるを含む、金属キレート化オキシノイド化合物である。このような化合物は、電子の注入および輸送に役立ち、高レベルの性能を示すとともに、薄膜の形態に容易に加工される。考えられるオキシノイド化合物の例は、前に説明した構造式Eを満たすものである。他の電子輸送材料には、米国特許第4,356,429号に開示されているような様々なブタジエン誘導体、米国特許第4,539,507号に記載されているような様々な複素環系蛍光増白剤が挙げられる。構造式Gを満たすベンズアゾールも、有用な電子輸送材料である。トリアジンも有用な電子輸送材料であることが知られている。他の有用な有機層およびデバイス構成一部の例では、場合により、層109から111を圧潰して、発光と電子輸送の両方を支援する機能を果たす単層にすることができる。層110と111を圧潰して、正孔または励起子をブロックするように機能し、電子輸送を支援する単層にすることもできる。ホストとしての機能を果たすことができる正孔輸送層に発光材料を含めることができることも、当分野において知られている。複数の材料を1つ以上の層に加えて、例えば、青色発光材料と黄色発光材料、シアン発光材料と赤色発光材料、または赤色発光材料と緑色発光材料と青色発光材料を併せることにより、白色発光OLEDを作ってもよい。白色発光デバイスは、例えば、欧州特許第1187235号、米国特許第20020025419号、欧州特許第1182244号、米国特許第5,683,823号、米国特許第5,503,910号、米国特許第5,405,709号および米国特許第5,283,182号に記載されており、有色発光を生じさせるために適するフィルタ配置を装備することができる。本発明は、例えば米国特許第5,703,436号および同第6,337,492号において教示されているような、いわゆる積層デバイスアーキテクチャで使用することができる。有機層の堆積上述の有機材料は、有機材料の形態に適するあらゆる手段により適切に堆積される。小分子の場合、昇華により適便に堆積されるが、他の手段により、例えば、皮膜形成を向上させるために任意の結合剤を伴う溶媒から、堆積させることができる。材料がポリマーである場合、溶液堆積法solventdepositionが通常好ましい。昇華により堆積させる材料は、例えば米国特許第6,237,529号に記載されているように、タンタル材料から多くの場合なる昇華器ボートより気化させことができ、または先ずドナーシートに塗布し、その後、基板の近傍で昇華させることができる。材料の混合物を伴う層には個別の昇華器ボートを利用してもよいし、または材料を予備混合し、単一のボートもしくはドナーシートから塗布してもよい。パタン形成堆積は、シャドーマスク、一体型シャドーマスク米国特許第5,294,870号、ドナーシートからの空間的に限定された感熱色素転写米国特許第5,688,551号、同第5,851,709号および同第6,066,357号、ならびにインクジェット法米国特許第6,066,357号を用いて成し遂げることができる。封入大部分のOLEDデバイスは、湿気もしくは酸素またはこれらの両方に敏感であり、そのため、一般に、乾燥剤、例えばアルミナ、ボーキサイト、硫酸カルシウム、クレー、シリカゲル、ゼオライト、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、硫酸塩または金属ハロゲン化物および過塩素酸塩とともに、窒素または酸素などの不活性雰囲内に密封される。封入および乾燥方法には、米国特許第6,226,890号に記載されているものが挙げられるが、それらに限定されない。加えて、封入用のバリア層、例えば、SiOX、テフロン登録商標、および無機層/ポリマー層の交互層が、当分野において知られている。光学的最適化所望される場合には、本発明のOLEDデバイスは、その特性を向上させるために様々な周知の光学効果を利用することができる。これには、最大光透過率を生じさせるように層厚を最適化すること、誘電ミラー構造を生じさせること、反射電極の代わりに光吸収電極を用いること、表示装置上にギラツキ防止または反射防止コーティングを設けることこと、表示装置上に偏光媒体を設けること、または表示装置上に着色フィルタ、減光フィルタもしくは色変換フィルタを設けることが挙げられる。フィルタ、偏光器、およびギラツキ防止または反射防止コーティングは、カバーの上にまたはカバーの一部として特別に設けることができる。以下の実施例により、本発明およびその利点をよりよく理解することができる。合成例1:Inv-1の調製:配位子、1-フェニルインダゾールは、250mL丸底フラスコ内、窒素下で、インダゾールAldrich、7.83g、66mmol、ヨードベンゼン7.0mL、63mmol、ヨウ化銅I0.36g、1.9mmol、1,2-ジアミノシクロヘキサン0.58mL、3.8mmol、リン酸カリウム24.0g、120mmolおよびジオキサン70molを併せることにより調製した。この反応混合物を14時間還流させながら攪拌し、放置して室温に冷却し、固体材料を濾過により分離した。濾液を減圧下で濃縮し、残留物を酢酸エチルに溶解し、3水酸化アンモニウムおよび水で順次洗浄した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、蒸発させた。残った残留物を、ヘプタンと酢酸エチルの混合物5:1を使用してシリカゲルで精製して、9.12g71の1-フェニルインダゾールを生じさせた。K3IrBr64.10gおよび1-フェニルインダゾール2.52gを、48mLの2-エトキシエタノールと12mLの水が入っている200mLのフラスコに入れた。この混合物を凍解脱気し、その後、窒素下で4時間還流させた。冷却後、黄色の沈殿を空気中で濾過し、1MのHBr水溶液で洗浄し、水で洗浄し、乾燥させた。テトラキス1-フェニルインダゾール-N,Cμ-ジブロモ二イリジウムIII3.23gを回収し、さらに生成せずに次の反応で使用した。テトラキス1-フェニルインダゾール-N,Cμ-ジブロモ二イリジウムIII0.87g、1-フェニル-1H-インダゾール0.64gおよびトリフルオロ酢酸銀0.30gを、35mLの1,2-プロパンジオールが入っている100mLフラスコに入れた。この混合物を凍解脱気し、その後、窒素下で4時間還流させた。冷却後、オリーブ色の沈殿を濾過によって回収し、メタノールで洗浄した。その固体をさらに磨砕し、50mLの塩化メチレンで洗浄して、より多くの可溶性不純物を除去した。その後、この粗生成物の一部を、真空0.6Torr下、管状炉内で330°Cの窒素同伴ガスを用いて昇華させて、トリス1-フェニル-1H-インダゾール-N,CイリジウムIII、Inv-1を淡黄色の結晶および粉末として得た。合成例2:Inv-21の調製:K3IrBr63.72gおよび1-4-フルオロ-フェニルインダゾール2.50gを、30mLの2-エトキシエタノールと10mLの水が入っている100mLのフラスコに入れた。この混合物を凍解脱気し、その後、窒素下で4時間還流させた。冷却後、黄色の沈殿を空気中で濾過し、1MのHBr水溶液で洗浄し、水で洗浄し、乾燥させた。テトラキス1-4-フルオロ-フェニル-1H-インダゾール-N,Cμ-ジブロモ二イリジウムIII3.00gを回収し、さらに生成せずに次の反応で使用した。テトラキス1-4-フルオロ-フェニルインダゾール-N,Cμ-ジブロモ二イリジウムIII0.79g、1-4-フルオロ-フェニルインダゾール0.49gおよびトリフルオロ酢酸銀0.38gを、35mLの1,2-プロパンジオールが入っている100mLフラスコに入れた。この混合物を凍解脱気し、その後、窒素下で4時間還流させた。冷却後、オリーブ色の沈殿を空気中で濾過し、メタノールで洗浄し、乾燥させた1.02g。この粗生成物の一部0.65gを塩化メチレンに溶解し、濾過して、暗色不溶性材料を除去した。得られた溶液を濃縮し、メタノールを添加して、生成物を沈殿させた。淡黄色の固体を濾過し、乾燥させた0.405g。この材料の一部を、管状炉内、真空0.6Torr下、310°Cの窒素同伴で昇華させて、トリス1-4-フルオロ-フェニルインダゾール-N,CイリジウムIII、Inv-21を淡黄色の微細針状結晶と塊状結晶として得た。粉末X線回折による比較により、これら2つの晶癖が実際には同じ結晶構造のものであることが証明され、単結晶X線回折研究により、この生成物がInv-21のフェイシャル異性体であると判定した。デバイス例1本発明の要件を満たすELデバイスサンプル1は、次のように構成した。1.85nmの酸化インジウムスズITO層をアノードとして被覆したガラス基板を、順次、市販の洗剤中で超音波処理し、脱イオン水中ですすぎ、トルエン蒸気で脱脂し、約1分間、酸素プラズマに暴露した。2.そのITO上に、CHF3のプラズマアシスト蒸着により1nmのフルオロカーボンCFX正孔注入層HILを堆積させた。3.次に、75nmの厚さを有するN,N’-ジ-1-ナフチル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ジアミノビフェニルNPBの正孔輸送層HTLをタンタルボートから蒸着させた。4.次に、その正孔輸送層の上に、4,4’-N,N’-ジカルバゾール-ビフェニルCBPおよびInv-14質量の35nm発光層LELを堆積させた。これらの材料もタンタルボートから蒸着させた。5.次に、10nmの厚さを有するビス2-メチル-キノリノレート4-フェニルフェノレートAlBalqの正孔ブロッキング層をタンタルボートから蒸着させた。6.次に、その発光層の上に、トリス8-キノリノラトアルミニウムIIIAlQ3の40nm電子輸送層ETLを堆積させた。この材料もタンタルボートから蒸着させた。7.そのAlQ3層の上に、体積比10:1のMgおよびAgからなる220nmカソードを堆積させた。上の順序により、ELデバイスの堆積を完了した。その後、そのデバイスを、周囲環境から保護するために、乾燥グローブボックス内に密封包装した。サンプル2は、表に示すレベルでエミッターInv-1を使用したことを除き、サンプル1と同じように作製した。サンプル3は、化合物Inv-1を含まないことを除き、サンプル1と同じように作製した。このようにして作ったセルを、20mA/cm2の動作電流で効率および色について検査した。その結果を輝度収率luminanceyieldcd/AおよびCIECommissionInternationaledeL’Eclairage;国際証明委員会座標の形式で表1に報告する。表1からわかるように、本発明の発光材料を組み込んだ全ての被験ELデバイスが、本材料を伴わない比較デバイスに比べて優れた緑色および高い効率を示した。本明細書に引用されている特許および他の出版物の全内容は、本明細書に参照として組み込まれている。本発明の一定の好ましい実施形態を特に参照しながら本発明を詳細に説明したが、本発明の精神および範囲を逸脱することなく変形および変更を行うことができることは理解される。"