"端部に第1固定端子が形成された第1信号層と、端部に第2固定端子が形成された第2信号層と、半導体材料から成るレバー主層を有する可撓レバーと、該可撓レバーに設けられ、少なくとも一部分が前記第1固定端子及び前記第2固定端子と対向する可動端子と、前記可動端子が前記第1固定端子及び前記第2固定端子に接触するように前記可撓レバーを所定方向に撓ませるアクチュエータと、前記可動端子及び前記レバー主層を貫いて形成された少なくとも1個の切り欠きまたは孔から成る第1寄生容量抑制部と、前記第1固定端子を貫いて形成された少なくとも1個の孔または切り欠きから成る第2寄生容量抑制部と、を備え、前記第2寄生容量抑制部は前記可動端子を介して前記レバー主層と向き合うように構成されたMEMSスイッチ。前記第2固定端子を貫いて形成された少なくとも1個の孔または切り欠きから成る第3寄生容量抑制部をさらに備え,前記第3寄生容量抑制部は前記可動端子を介して前記レバー主層と向き合うように構成された請求項1に記載のMEMSスイッチ。長さ方向端部に第1固定端子が形成された第1信号層と、長さ方向端部に第2固定端子が形成された第2信号層と、半導体材料から成るレバー主層を有する可撓レバーと、第1の線状導体及び第2の線状導体から成り、前記可撓レバーに設けられた可動端子と、駆動電圧の印加により作動し、前記可撓レバーを所定方向に撓ませるアクチュエータと、を備え、前記第1の線状導体は、一端が前記第1固定端子の幅方向の一方の端部と対向するとともに他端が前記第2固定端子の幅方向の一方の端部と対向するように配置され、前記第2の線状導体は、一端が前記第1固定端子の幅方向の他方の端部と対向するとともに他端が前記第2固定端子の幅方向の他方の端部と対向するように配置され、前記アクチュエータは、前記駆動電圧が印加されたときに、前記第1の線状導体の前記一端が前記第1固定端子の前記一方の端部と接触するとともに前記第1の線状導体の前記他端が前記第2固定端子の前記一方の端部と接触し、且つ、前記第2の線状導体の前記一端が前記第1固定端子の前記他方の端部と接触するとともに前記第2の線状導体の前記他端が前記第2固定端子の前記他方の端部と接触するように前記可撓レバーを撓ませるように構成され、前記可撓レバーは、前記駆動電圧の印加時に、前記第1の線状導体、第2の線状導体、前記第1固定端子の長さ方向端部、前記第2固定端子の長さ方向端部で囲まれる囲繞領域に対応する部分全体に形成された貫通孔又は切り欠きから成る寄生容量抑制部を有するMEMSスイッチ。前記可撓レバーの前記囲繞領域に相当する部分に、前記貫通孔又は前記切り欠きを覆う高抵抗膜を設けた請求項3に記載のMEMSスイッチ。前記第1の線状導体及び前記第2の線状導体がいずれも直線状に形成される請求項3又は4に記載のMEMSスイッチ。前記第1の線状導体及び前記第2の線状導体が平行に配置される請求項5に記載のMEMSスイッチ。前記第1の線状導体及び前記第2の線状導体がいずれも円弧状に形成される請求項3又は4に記載のMEMSスイッチ。一端が前記第1の線状導体に接続されるとともに他端が前記第2の線状導体に接続された第3の線状導体をさらに有する請求項3~7のいずれか1項に記載のMEMSスイッチ。本発明の目的は、可動端子が設けられた可撓レバーのレバー主層に半導体材料を用いた場合でもアイソレーションの悪化を抑制できるMEMSスイッチを提供することにある。本発明の一実施形態に係るMEMSスイッチは、可撓レバーと、該可撓レバーに設けられた可動端子と、第1信号層と、該第1信号層の端部から成る第1固定端子と、第2信号層と、該第2信号層の端部から成る第2固定端子と、前記可撓レバーを所定方向に撓ませることによって前記可動端子を前記両固定端子に接触させて前記両信号層を導通状態とするための駆動アクチュエータとを備え、前記可撓レバーが半導体材料から成るレバー主層を有するMEMSスイッチであって、前記両信号層が導通していない状態において、前記可撓レバーのレバー主層と前記第1固定端子との間に形成される寄生容量と、前記可撓レバーのレバー主層と前記第2固定端子との間に形成される寄生容量の少なくとも一方を抑制するための寄生容量抑制部を備える。本発明にあっては、前記寄生容量抑制部の存在によって、前記可撓レバーのレバー主層と前記第1固定端子との間に形成される寄生容量と、前記可撓レバーのレバー主層と前記第2固定端子との間に形成される寄生容量の少なくとも一方を抑制することができるため、該寄生容量を原因として、前記両信号層が導通していない状態において、第1固定端子からレバー主層に高周波信号が漏れ、且つ、該レバー主層から第2固定端子に高周波信号が漏れること、つまり、非導通状態におけるアイソレーションが悪化することを極力抑制することができる。即ち、可撓レバーのレバー主層に半導体材料を用いた場合に生じ得るアイソレーションの悪化を極力抑制できるため、該レバー主層に半導体材料を用いることにより得られる動作上の利点を十分に生かして、動作上及び機能上で優れたMEMSスイッチを提供することが可能となる。本発明によれば、可動端子が設けられた可撓レバーのレバー主層に半導体材料を用いた場合でもアイソレーションの悪化を抑制できるMEMSスイッチを提供することができる。図3~図7は、本発明の一実施形態に係るMEMSスイッチ101を示す。本明細書においては、説明の便宜上、図3の上、下、左、右、手前、奥をそれぞれ前、後、左、右、上、下と称し、他の図のこれらに相当する向きも同様に称することがある。このMEMSスイッチ101は、第1ベース層11と、第1絶縁層12と、第2ベース層13と、第2絶縁層14と、可撓レバーFLと、可撓レバーFLに設けられた可動端子15と、第1信号層16と、第2信号層17と、下側電極層18、圧電体層19及び上側電極層20から成る一対の圧電アクチュエータPAと、圧電アクチュエータPA用の第1制御端子21及び第2制御端子22とを備えている。第1信号層16の端部には第1固定端子16aが形成されており、第2信号層17の端部には第2固定端子17aが形成されている。第1ベース層11は単結晶ケイ素や単結晶炭化ケイ素等の半導体材料から成り、矩形状輪郭の貫通孔11aを有する。この第1ベース層11の上下寸法厚さは概ね2~20μmである。第1絶縁層12は酸化ケイ素等の絶縁体材料から成り、熱酸化法等によって、第1ベース層11の上面に形成されていて、貫通孔11aと同一サイズの貫通孔12aを有している。この第1絶縁層12の上下寸法厚さは概ね0.5~10μmである。第2ベース層13は単結晶ケイ素や単結晶炭化ケイ素等の半導体材料から成り、熱拡散接合法等によって、第1絶縁層12の上面に形成されている。この第2ベース層13の上下寸法厚さは概ね2~10μmである。第2絶縁層14は酸化ケイ素や窒化ケイ素等の絶縁体材料から成り、熱酸化法やCVD法等によって、第2ベース層12の上面に形成されている。この第2絶縁層14の上下寸法厚さは概ね0.5~1μmである。第2ベース層13には、左右方向に延びる細長い2つの貫通孔13aが形成され、また、絶縁層14の貫通孔13aと対応する位置には、細長い2つの貫通孔14aが形成される。第2ベース層13において貫通孔13aで挟まれた部分をレバー主層13bと称し、絶縁層14において貫通孔14aで挟まれた部分をレバー絶縁層14bと称する。このレバー主層13bとレバー絶縁層14bとにより可撓レバーFLが構成されている。この可撓レバーFLの前後寸法幅は概ね50~500μmであり、上下寸法厚さは、概ね2~20μmであり、左右寸法長さは概ね50~500μmである。また、レバー主層13bには、貫通孔13aと垂直な方向に延びる2つの貫通孔13cが形成されており、また、絶縁層14bにおいて2つの貫通孔13cに相当する位置には貫通孔14cがそれぞれ形成されている。レバー主層13bにおいて、この2つの貫通孔13cの間には、2つの貫通孔13aのそれぞれから2つの貫通孔13cと平行に延びる貫通孔13dが形成される。同様に、レバー絶縁層14bにおいて、2つの貫通孔14cの間には、2つの貫通孔14aからそれぞれ2つの貫通孔14cと平行に延びる貫通孔14dが形成される。2つの貫通孔13dは、それらの間に狭幅部分13eが残るように形成される。同様に、2つの貫通孔14dは、それらの間に狭幅部分14eが残るように形成される。狭幅部分13eと狭幅部分14eとを総称して、単に狭幅部分、又は可撓レバーFLの狭幅部分と称することがある。図示のとおり、上述した2つの貫通孔13a、2つの貫通孔14a、レバー主層13b、レバー絶縁層14b、2つの貫通孔13c、2つの貫通孔14c、2つの貫通孔13d、2つの貫通孔14d、及び狭幅部分13e、14eは、それぞれ左右対称に一組ずつ形成される。可撓レバーFLにおいて、貫通孔13c、14c、及び狭幅部分から成る一組の領域をヒンジ部FLaと称し、各ヒンジ部FLaよりも後述の制御端子21側にある一組の矩形領域をそれぞれ可撓部FLbと称し、両ヒンジ部FLaで挟まれる中央の矩形領域を変位部FLcと称する。可動端子15は金や金-ニッケル合金や金-ルテニウム合金等の高導電性材料から成り、DCスパッタリング法や真空蒸着法や電解メッキ法等によって、可撓レバーFLの変位部FLcの上面絶縁層14bの上面に該変位部FLcよりも小さな矩形状輪郭で形成されている。この可動端子15の上下寸法厚さは概ね0.1~5μmであり、左右寸法幅及び前後寸法長さはともに概ね20~450μmである。この可動端子15は単層から形成されてもよく、複数層から形成されてもよい。一実施形態における可動端子15は、例えば、DCスパッタリング法によって厚さ約0.01μmのチタン層、窒化チタン層、チタン-タングステン合金層、酸化チタン層または窒化タンタル層を形成し、同法によってその上に厚さ約0.15μmの金層を形成した2層構造を有する。かかる製造方法により、可動端子15を密着性よく絶縁層14bの上面に形成できる。可動端子15は、3層以上の層から形成してもよい。また、可動端子15及び変位部FLcの4隅には、C字形状の輪郭を有する切り欠きがそれぞれ設けられている。本明細書において、この切り欠きを第1寄生容量抑制部RPC11と称することがある。この第1寄生容量抑制部RPC11は、変位部FLcを構成するレバー主層13b及び絶縁層14b並びに可動端子15を上下方向に貫いて形成される。第1寄生容量抑制部RPC11は、可動端子15及び変位部FLcを形成するフォトリソグラフィ工程においてC字形の切り欠きパターンを用いることによって、形成される。前側2つの第1寄生容量抑制部RPC11は第1固定端子16aと向き合う位置に在り、且つ、後側2つの第1寄生容量抑制部RPC11は第2固定端子17aと向き合う位置に在る。各第1寄生容量抑制部RPC11を円として見た場合の直径は概ね5~70μmである。第1信号層16は金や銅等の高導電性材料から成り、DCスパッタリング法や電解メッキ法等によって、第2絶縁層14に接合した第1平坦部分と、該第1平坦部分の端縁から起立する第2平坦部分と、該第2平坦部分の一方の端縁から第1平坦部分と平行に延びる第3平坦部分とを有するように形成されている。この第3平坦部分が第1固定端子16aと成る。同様に、第2信号層17は金や銅等の高導電性材料から成り、DCスパッタリング法や電解メッキ法等によって、第2絶縁層14に接合した第1平坦部分と、該第1平坦部分の端縁から起立する第2平坦部分と、該第2平坦部分の端縁から第1平坦部分と平行に延びる第3平坦部分とを有するように形成される。この第3平坦部分が第2固定端子17aと成る。一態様において、第2信号層17は、第1信号層16と前後対称に形成される。第1固定端子16aの左右方向幅方向の中央には、円形状輪郭の貫通孔から成る第2寄生容量抑制部RPC12が形成されている。第2寄生容量抑制部RPC12は、該第1固定端子16aを形成するフォトリソグラフィ工程時に円形状輪郭の孔パターンを用いることによって、第1固定端子16aを上下方向に貫いて形成される。該第2寄生容量抑制部RPC12は、可動端子15を介してその下側のレバー主層13bと向き合う位置に在る。この第2寄生容量抑制部RPC12の直径は概ね5~70μmである。同様に、第2固定端子17aには、円形状輪郭の孔から成る第3寄生容量抑制部RPC13が形成される。第1固定端子16a及び第2固定端子17aの下面の一部は、可動端子15の上面の一部とクリアランスCL11図8を参照だけ離れて略平行に向き合っている。第1信号層16及び第2信号層17の上下寸法厚さは概ね2~10μmであり、左右寸法幅は概ね50~400μmであり、第1固定端子16aの前後寸法長さは概ね100~500μmである。第2固定端子17aの端縁は、ギャップGA11を介して第1固定端子16aの端縁と略平行に向き合っている。一態様において、ギャップGA11の寸法は概ね2~50μmである。第1信号層16及び第2信号層17は、単層構造でもよく複数層構造でもよい。例えば、第1信号層16及び第2信号層17はそれぞれ、DCスパッタリング法等によって形成される厚さ約0.01μmのチタン層、窒化チタン層、チタン-タングステン合金層、酸化チタン層または窒化タンタル層と、これらの層の上にDCスパッタリング法によって形成される厚さ約0.15μmの金層と、この金層の上に電解メッキ法によって形成される厚さ約10μmの金層または銅層とを有する3層構造としてもよい。DCスパッタリング法を用いることにより、第1信号層16は、第2絶縁層14の上面に密着性よく形成される。DCスパッタリング法により銅層を形成し、この銅層の上に無電解フラッシュメッキ法によって金層を形成し、銅層の酸化を防止するようにしても良い。下側電極層18は、白金やルテニウム等の高導電性材料から成る。下側電極層18は、例えば、第2絶縁層14における一組の可撓レバーFLの可撓部FLbの各々の上面絶縁層14bの上面に相当する部分と、可撓レバーFLを支持する部分後述する第1の制御端子21と対向する部分を覆うように、DCスパッタリング法等によって形成される。この下側電極層18の上下寸法厚さは概ね0.1~1μmであり、左右寸法長さは概ね50~1500μmであり、前後寸法幅は概ね20~500μmである。この下側電極層18は、単層構造でもよく複数層構造でもよい。一態様における下側電極層18は、絶縁層14bの上面との密着性向上のために、DCスパッタリング法等によって形成される厚さ約0.01μmのチタン層、窒化チタン層、チタン-タングステン合金層、酸化チタン層または窒化タンタル層と、これらの層の上にDCスパッタリング法によって形成される厚さ約0.15μmの白金層とから成る2層構造である。他の態様における下側電極層18は、3層以上の層を有するように形成される。また、左側の下側電極層18の左端部、及び、右側の下側電極層18の右端部には、矩形状の張出部分18aがそれぞれ形成されている。一態様において、張出部分18aは、第2制御端第2絶縁層14の上面に、下側電極層18と一体に設けられる。各圧電体層19は、チタン酸ジルコン酸鉛やニオブ酸リチウム等の圧電体材料から成り、RFスパッタリング法やゾルゲル法やMO-CVD法等によって、各下側電極層18の上面に形成される。各圧電体層19は、下側電極層18よりも若干小さな矩形状の輪郭を有する。例えば、圧電体層19の上下寸法厚さは概ね1~5μmであり、左右寸法長さは概ね45~1490μmであり、前後寸法幅は概ね15~480μmである。各上側電極層20は白金や金や酸化ルテニウム等の高導電性材料から成り、DCスパッタリング法やRFスパッタリング法等によって、各圧電体層19の上面に形成される。上側電極層20はは、圧電体層19よりも若干小さな矩形状の輪郭を有するように形成される。例えば、上側電極層20の上下寸法厚さは概ね0.1~1μmであり、左右寸法長さは概ね40~1480μmであり、前後寸法幅は概ね10~470μmである。この上側電極層20は、単層構造でもよく複数層構造でもよい。例えば、上側電極層20は、圧電体層19の上面との密着性向上のためにDCスパッタリング法によって形成された厚さ約0.01μmのチタン層、窒化チタン層、チタン-タングステン合金層、酸化チタン層または窒化タンタル層から成る第1層と、この第1層の上にDCスパッタリング法によって形成される厚さ約0.15μmの白金層とから成る2層構造であってもよい。上側電極層20は、3層以上の層から構成されてもよい。各圧電アクチュエータPAは、上述した下側電極層18、圧電体層19及び上側電極層20により構成される。各圧電アクチュエータPAに電圧が印加されると、各可撓レバーFLの各可撓部FLbを上方に撓ませる。各上側電極層20の端部上面には、第1制御端子21が形成される。第1制御端子21は、金や銅等の高導電性材料から成り、DCスパッタリング法等によって、上側電極層20上に、上側電極層20よりも小さな矩形状に形成される。この第1制御端子21の上下寸法厚さは概ね0.1~0.5μmであり、左右寸法幅及び前後寸法長さは概ね50~250μmである。この第1制御端子21は単層構造でも複数層構造でも構わない。例えば、第1制御端子21は、上側電極層20の上面との密着性向上のためにDCスパッタリング法によって形成される厚さ約0.01μmのチタン層、窒化チタン層、チタン-タングステン合金層、酸化チタン層または窒化タンタル層から成る第1層と、この第1層の上にDCスパッタリング法によって形成される厚さ約0.15μmの金層とから成る2層構造であってもよい。一態様においては、第1制御端子21は、3層以上の層構造であってもよい。各下側電極層18の張出部分18aの上面には、DCスパッタリング法等により、該張出部分18aよりも小さな矩形状の第2制御端子22が形成される。第2制御端子22は、金や銅等の高導電性材料から成る。この第2制御端子22の上下寸法厚さは概ね0.1~0.5μmであり、左右寸法幅及び前後寸法長さは概ね50~250μmである。この第2制御端子22は、単層構造でも複数層構造でも構わない。一態様において、第2制御端子22は、張出部分18aの上面との密着性向上のためにDCスパッタリング法等により形成される厚さ約0.01μmのチタン層、窒化チタン層、チタン-タングステン合金層、酸化チタン層または窒化タンタル層から成る第1層と、この第1層の上にDCスパッタリング法によって形成される厚さ約0.15μmの金層とから成る2層構造であってもよい。一態様においては、第2制御端子22は、3層以上の層構造であってもよい。このように構成されたMEMSスイッチ101において、各制御端子21及び22を可変直流電源不図示に接続して、該可変直流電源から各圧電アクチュエータPAに所定の駆動電圧を印加することにより、信号層16と信号線17を導通状態とすることができる。具体的には、駆動電圧の印加により、各圧電アクチュエータPAの圧電体層19に圧電効果による縮みが生じ、この縮みによって可撓レバーFLの各可撓部FLbが上方に撓む。図9に示すように、この各可撓部FLbの撓みにより変位部FLcは上方に変位するので、可動端子15を両固定端子16a及び17aと接触させることができる。一方、各圧電アクチュエータPAへの電圧印加を停止することにより、信号層16及び信号層17は非導通状態に復帰する。具体的には、電圧の印加を停止すると圧電体層19の縮みが解除されるので、各可撓部FLbが元の位置に復帰する。これにより、図8に示すように、変位部FLcは下方に変位し、可動端子15を両固定端子16a及び17aから離反させることができる。上述のように構成されたMEMSスイッチ101においては、第1寄生容量抑制部RPC11が設けられているため、第1固定端子16a又は第2固定端子17aと対向するレバー主層13bの面積を減少させることができ、その結果、レバー主層13bと第1固定端子16aとの間の寄生容量PC11及びレバー主層13bと第2固定端子17aとの間の寄生容量PC12の発生を抑制することができる。また、第1固定端子16aに第2寄生容量抑制部RPC12が形成されるとともに第2固定端子17aには第3寄生容量抑制部RPC13が、該第2固定端子17aを上下方向に貫いて形成されているため、寄生容量PC11及び寄生容量PC12の発生をさらに抑制することができる。これにより、寄生容量PC11及びPC12による、第1固定端子16aから変位部FLcのレバー主層13bへの高周波信号の漏れ、及び、該レバー主層13bから第2固定端子17aへの高周波信号の漏れを抑制できる。したがって、非導通状態におけるアイソレーション特性の悪化を抑制することができる。また、第1寄生容量抑制部RPC11、第2寄生容量抑制部RPC12、及び第3寄生容量抑制部RPC13により、可動端子15と第1固定端子16aとが対向する部分の面積、及び、可動端子15と第2固定端子17aとが対向する部分の面積を低減することができるため、可動端子15と第1固定端子16aとの間の寄生容量、及び、可動端子15と第2固定端子17aとの間の寄生容量の発生も抑制することができ、非導通状態におけるアイソレーションの悪化をさらに抑制することができる。図10は、本発明の他の実施形態に係るMEMSスイッチ101’を示す。図示のとおり、このMEMSスイッチ101’は、第2寄生容量抑制部RPC12及び第3寄生容量抑制部RPC13よりも小径の第2寄生容量抑制部RPC12’及び第3寄生容量抑制部RPC13’を有する。第2寄生容量抑制部RPC12’及び第3寄生容量抑制部RPC13’は、上方から見たときに、レバー絶縁層14bの上面が第2寄生容量抑制部RPC12’及び第3寄生容量抑制部RPC13’から露出しない程度の大きさに構成される。図11は、MEMSスイッチ101及びMEMSスイッチ101’のアイソレーション特性の測定結果を示す。この測定に用いたMEMSスイッチ101及びMEMSスイッチ101’はいずれも、変位部FLcの幅が240μm、レバー主層13bの厚さが5μmで、レバー絶縁層14bの厚さが0.8μm、可動端子15の幅及び長さがいずれも140μmで厚さが0.2μm、第1固定端子16aと第2固定端子17aの幅が180μmで、長さが250μm、厚さが5μm、クリアランスCL11の寸法が8μm、ギャップGA11の寸法が20μm、第1寄生容量抑制部RPC11の直径を30μmとした。また、MEMSスイッチ101における第2寄生容量抑制部RPC12及び第3寄生容量抑制部RPC13の直径は40μmとし、MEMSスイッチ101’における第2寄生容量抑制部RPC12’及び第3寄生容量抑制部RPC13’の直径は20μmとした。また、可撓レバーFLのレバー主層13bは単結晶ケイ素、レバー絶縁層14bは酸化ケイ素、可動端子15、第1固定端子16a、及び第2固定端子17aは金を材料として形成した。また、第1寄生容量抑制部RPC11、第2寄生容量抑制部及び第3寄生容量抑制部がいずれも形成されていないMEMSスイッチを比較例として準備した。比較例のMEMSスイッチは、各容量抑制部が設けられていない他はMEMSスイッチ101と同様の構成を有する。かかる構成のMEMSスイッチ101、MEMSスイッチ101’、及び比較例のMEMSスイッチの各々について、第1信号層16をGHz帯域の高周波信号の入力側、第2信号層17を同信号の出力側として使用し、この周波数を0.5GHzから30GHzまで変化させてアイソレーション値dBを算出した。図11の横軸は信号周波数をGHz単位で示し、縦軸は、測定したアイソレーション値をdB単位で示す。1点鎖線のグラフは、MEMSスイッチ101の測定結果、2点鎖線のグラフはMEMSスイッチ101’の測定結果、破線のグラフは比較例のMEMSスイッチの測定結果を示す。図11から、MEMSスイッチ101、MEMSスイッチ101’においては、信号周波数が0.5~30GHzの範囲において、アイソレーション値が比較例と比べて数dB改善していることが分かる。また、アイソレーション値の改善度合は、MEMSスイッチ101の方がMEMSスイッチ101’よりも若干優れていることが分かる。さらに、MEMSスイッチ101、MEMSスイッチ101’のいずれについても、17GHz以下の信号周波数に対して20dB以上のアイソレーション値を確保することができるため、高周波信号の漏れを1以下に抑えることができる。図12Aは、第1寄生容量抑制部の変形例を示す。図示のとおり、一実施形態におけるMEMSスイッチは、2つの第1寄生容量抑制部RPC111を備える。第1寄生容量抑制部RPC111の数は、本明細書において明示したものに限られず、変位部FLc及び可動端子15の寸法や強度に応じて、任意の数、例えば、1つ、3つ、又は5つの第1寄生容量抑制部RPC111を設けることができる。複数の第1寄生容量抑制部RPC111を設ける場合には、少なくとも1個の第1寄生容量抑制部が第1固定端子16aと向き合うようにし、且つ、少なくとも1個の第1寄生容量抑制部が第2固定端子17aと向き合うように、各第1寄生容量抑制部を配置することができる。また、単一の第1寄生容量抑制部111を設ける場合には、この第1寄生容量抑制部111が第1固定端子16a及び第2固定端子17aの両方と対向するように配置することができる。図12Bは、第1寄生容量抑制部の他の変形例を示す。図示のとおり、一実施形態におけるMEMSスイッチは、円形の孔の形状に形成された第1寄生容量抑制部RPC112を備える。図13Aは、第2寄生容量抑制部の変形例を示す。図示のとおり、一実施形態におけるMEMSスイッチにおいては、第1固定端子16aが2つの第2寄生容量抑制部RPC121を有するように構成される。また、図示しないが、第2固定端子17aが2つの第3寄生容量抑制部RPC131を有するように構成されてもよい。第2寄生容量抑制部RPC111及び第3寄生容量抑制部RPC131の数は本明細書において明示したものに限られず、変位部FLc及び可動端子15の寸法や強度に応じて、例えば、1つ、3つ、又は5つの第2寄生容量抑制部RPC111及び第3寄生容量抑制部RPC131を設けることができる。図13Bは、第2寄生容量抑制部の他の変形例を示す。図示のとおり、一実施形態に係るMEMSスイッチは、第1固定端子16aの一辺を切り欠いてC字状に構成した第2寄生容量抑制部RPC122を備えてもよい。同様に、一実施形態に係るMEMSスイッチは、第2固定端子17aの一辺を切り欠いてC字状に構成した第3寄生容量抑制部RPC不図示を備えてもよい。第1寄生容量抑制部、第2寄生容量抑制部、及び第3寄生容量抑制部の形状は本明細書に明示したものに限られず、V字、矩形、楕円、多角形等の様々な形状に形成することができる。次に、図14及び図15を参照して、本発明の他の実施形態に係るMEMSスイッチ102を説明する。図示のとおり、MEMSスイッチ102は、第1寄生容量抑制部RPC11が形成されていない点でMEMSスイッチ101と異なる。これ以外は、MEMSスイッチ102は、MEMSスイッチ101と同様の構成を有する。MEMSスイッチ102においては、第2寄生容量抑制部RPC12、及び第3寄生容量抑制部RPC13により、第1固定端子16a又は第2固定端子17aと対向するレバー主層13bの面積を減少させることができ、その結果、レバー主層13bと第1固定端子16aとの間の寄生容量PC11及びレバー主層13bと第2固定端子17aとの間の寄生容量PC12の発生を抑制することができる。また、第2寄生容量抑制部RPC12、及び第3寄生容量抑制部RPC13により、可動端子15と第1固定端子16aとが対向する部分の面積、及び、可動端子15と第2固定端子17aとが対向する部分の面積を低減することができるため、可動端子15と第1固定端子16aとの間の寄生容量、及び、可動端子15と第2固定端子17aとの間の寄生容量の発生も抑制することができ、非導通状態におけるアイソレーションの悪化をさらに抑制することができる。図16は、本発明の他の実施形態に係るMEMSスイッチ102’を示す。図示のとおり、MEMSスイッチ102’は、第2寄生容量抑制部RPC12及び第3寄生容量抑制部13よりも小径の第2寄生容量抑制部RPC12’及び第3寄生容量抑制部RPC13’を有する。MEMSスイッチ102’においても、第1固定端子16a又は第2固定端子17aと対向するレバー主層13bの面積を減少させることができるため、寄生容量PC11及び寄生容量PC12の発生を抑制することができる。図17は、MEMSスイッチ102及びMEMSスイッチ102’のアイソレーション特性の測定結果を示す。この測定に用いたMEMSスイッチ102及びMEMSスイッチ102’は、MEMSスイッチ101及びMEMSスイッチ101’と同様の材料を用いて同様の寸法に作成した。また、MEMSスイッチ102における第2寄生容量抑制部RPC12及び第3寄生容量抑制部RPC13の直径は40μmとし、MEMSスイッチ102’における第2寄生容量抑制部RPC12’及び第3寄生容量抑制部RPC13’の直径は20μmとした。また、第2寄生容量抑制部及び第3寄生容量抑制部がいずれも形成されていないMEMSスイッチを比較例として準備した。図17において、1点鎖線のグラフは、MEMSスイッチ102の測定結果、2点鎖線のグラフはMEMSスイッチ102’の測定結果、破線のグラフは比較例のMEMSスイッチの測定結果を示す。図17から、MEMSスイッチ102、MEMSスイッチ102’においては、信号周波数が0.5~30GHzの範囲のアイソレーション値が比較例と比べて数dB改善していることが分かる。また、アイソレーション値の改善度合は、MEMSスイッチ102の方がMEMSスイッチ102’よりも若干優れていることが分かる。さらに、MEMSスイッチ102、MEMSスイッチ102’のいずれについても、12GHz以下の信号周波数に対して20dB以上のアイソレーション値を確保することができるため、高周波信号の漏れを1以下に抑えることができる。次に、図18及び図19を参照して、本発明の他の実施形態に係るMEMSスイッチ103について説明する。図示のとおり、MEMSスイッチ103は、第2寄生容量抑制部RPC12及び第3寄生容量抑制部RPC13が形成されていない点でMEMSスイッチ101と異なる。これ以外は、MEMSスイッチ103は、MEMSスイッチ101と同様の構成を有する。MEMSスイッチ103においては、第1寄生容量抑制部RPC11により、第1固定端子16a又は第2固定端子17aと対向するレバー主層13bの面積を減少させることができ、その結果、レバー主層13bと第1固定端子16aとの間の寄生容量PC11及びレバー主層13bと第2固定端子17aとの間の寄生容量PC12の発生を抑制することができる。また、第1寄生容量抑制部RPC11により、可動端子15と第1固定端子16aとが対向する部分の面積、及び、可動端子15と第2固定端子17aとが対向する部分の面積を低減することができるため、可動端子15と第1固定端子16aとの間の寄生容量、及び、可動端子15と第2固定端子17aとの間の寄生容量の発生も抑制することができ、非導通状態におけるアイソレーションの悪化をさらに抑制することができる。図20は、本発明の他の実施形態に係るMEMSスイッチ103’を示す。図示のとおり、MEMSスイッチ103’は、第1寄生容量抑制部RPC11よりも小径の第1寄生容量抑制部RPC11’を有する。この第1寄生容量抑制部RPC11’は、円形形状の貫通孔である。MEMSスイッチ103’においても、第1固定端子16a又は第2固定端子17aと対向するレバー主層13bの面積を減少させることができるため、寄生容量PC11及び寄生容量PC12の発生を抑制することができる。図21は、MEMSスイッチ103及びMEMSスイッチ103’のアイソレーション特性の測定結果を示す。この測定に用いたMEMSスイッチ103及びMEMSスイッチ103’は、MEMSスイッチ101及びMEMSスイッチ101’と同様の材料を用いて同様の寸法に作成した。また、MEMSスイッチ102における第1寄生容量抑制部RPC11の直径は30μmとし、MEMSスイッチ103’における第1寄生容量抑制部RPC11’の直径は20μmとした。また、第1寄生容量抑制部が形成されていないMEMSスイッチを比較例として準備した。図21において、1点鎖線のグラフは、MEMSスイッチ103の測定結果、2点鎖線のグラフはMEMSスイッチ103’の測定結果、破線のグラフは比較例のMEMSスイッチの測定結果を示す。図21から、MEMSスイッチ103、MEMSスイッチ103’においては、信号周波数が0.5~30GHzの範囲のアイソレーション値が比較例と比べて数dB改善していることが分かる。また、アイソレーション値の改善度合は、MEMSスイッチ103の方がMEMSスイッチ103’よりも若干優れていることが分かる。さらに、MEMSスイッチ103、MEMSスイッチ103’のいずれについても、13GHz以下の信号周波数に対して20dB以上のアイソレーション値を確保することができるため、高周波信号の漏れを1以下に抑えることができる。図22Aは、本発明の一実施形態に係るMEMSスイッチの拡大上面図を示す。図22Bは、図22AのS41-S41線に沿う断面図、図22Cは図22AのS42-S42線に沿う断面図をそれぞれ示す。図22A~Cに示すMEMSスイッチは、可動端子及び寄生容量抑制部の形状及び寸法以外は上述のMEMSスイッチ101と同様の構成を有するため、これらの同様の構成については説明を省略する。図22A~Cに示すとおり、可撓端子15は、一組の線状の導体151、151から構成されている。一方の線状導体151は、その一端が第1固定端子16aの幅方向の一方の端部と対向するとともに他端が前記第2固定端子17aの幅方向の一方の端部と対向するように配置される。また、他方の線状導体151は、その一端が第1固定端子16aの幅方向の他方の端部と対向するとともに他端が前記第2固定端子17aの幅方向の他方の端部と対向するように配置される。可撓レバーFLには、レバー主層13b及びレバー絶縁層14bを貫く大きな貫通孔が形成され、この貫通孔が寄生容量抑制部RPC30を構成する。一態様において、この貫通孔は、可撓レバーFLにおいて、上面視で導体151、151、第1固定端子16aの長さ方向端部16b、及び第2固定端子17aの長さ方向端部17bで囲まれた領域と重なる領域の全てが開口するように形成される。この貫通孔は、可撓レバーFLのうち、上面視において導体151、151に挟まれた領域と重なる領域が全て開口するように形成されてもよい。貫通孔は、可撓レバーFLのレバー主層13b及びレバー絶縁層14bをいずれも貫通するように形成される。かかる構成のMEMSスイッチにおいて、圧電アクチュエータPAに駆動電圧が供給されると、可撓レバーFLの撓みによって可動端子が上方に持ち上げられ、各導体151、151のそれぞれの両端部が、第1固定端子16a及び第2固定端子17aの幅方向端部と接触し、信号層16と信号線17を導通状態とすることができる。このように、本発明の一実施形態においては、線状導体151、151は、第1固定端子16aと第2固定端子17aの幅方向端部同士を連結するよう配置され、この導体151、151の間を上下方向に貫く大きな寄生容量抑制部RPC30が形成される。この寄生容量抑制部RPC30により、第1固定端子16a及び第2固定端子17aと対向するレバー主層13bの面積を極めて小さくすることができるので、非導通時のアイソレーション特性の悪化を抑制することができる。また、高周波信号は、伝送線路の幅方向伝送方向と直交する方向の端部を集中に伝わる性質があるため、寄生容量抑制部RPC30の面積を確保するために線状導体151、151を細径に形成した場合でも、挿入損失の劣化を抑制することができる。図23は、線状導体の変形例を示す。図23のMEMSスイッチにおいて、線状導体152、152は、円弧状に形成されている。線状導体152、152の形状以外は、図22の実施例と同様の構成を有する。図24は、線状導体の他の変形例を示す。図24のMEMSスイッチにおいては、線状導体151、151を接続する一組の線状導体153、153が設けられている。これにより、可動端子の剛性を高くすることができるため、線状導体151、151を第1固定端子16a及び第2固定端子17aに確実に接触させることができ、線状導体151、151と第1固定端子16a及び第2固定端子17aとの間の接触抵抗を減らすことができる。図25は、線状導体の他の変形例を示す。図25のMEMSスイッチにおいては、線状導体151、151を接続する一組の線状導体154、154が互いに交差するように配置されている。これにより、可動端子の剛性を高くすることができる。図26は、他の実施形態に係るMEMSスイッチの上面図を示す。この実施形態においては、図示のとおり、第1固定端子16a’、第2固定端子17a’のそれぞれの長さ方向端部が切り欠かれている。この切り欠きは、第1固定端子16a’、第2固定端子17a’の幅方向の中央付近に形成される。これにより、線状導体151、151との接続方法を変更することなく、第1固定端子16a及び第2固定端子17aと対向するレバー主層13bの面積をさらに小さくできるので、非導通時のアイソレーション特性の悪化をさらに抑制することができる。図27は、図22に示すMEMSスイッチの非導通時におけるアイソレーション特性の測定結果を示す。測定に用いたMEMSは、線状導体151、151を金で形成し、線状導体151、151の線幅を10μmとした。また、一方の線状導体151の幅方向外側から他方の線状導体151の幅方向外側までの長さを150μmとした。また、比較例1として、矩形の可動端子を有し寄生容量抑制部RPC30が設けられていないMEMSスイッチ図1に示したものと同様を準備した。この可動端子は金で形成し、可動端子の幅方向寸法を150μmとした。また、比較例2として、可動端子が、特開2000-149751号公報の図1に記載されている可動端子と上面視で同じ形状を有するものを準備した。つまり、第2の比較例における可動端子は、可動端子の幅方向中央付近を若干切り欠かいて構成される。図27において、縦軸は、測定したアイソレーション値をdB単位で示す。グラフ271、272、273は、それぞれ、比較例1、比較例2、図22に示した本発明の実施形態に係るMEMSスイッチのアイソレーション値を示すグラフである。図27から、図22に示した本発明の実施形態に係るMEMSスイッチにおいては、信号周波数が1.0~30GHzの範囲において、アイソレーション値が比較例と比べて1~4dB以上改善していることが分かる。図28は、図22に示すMEMSスイッチの挿入損失の測定結果を示す。グラフIL1、IL2、IL3はそれぞれ、比較例1、比較例2、図22に示した本発明の実施形態に係るMEMSスイッチの挿入損失の測定結果を示す。図28から、本発明の実施形態に係るMEMSスイッチにおいては、比較例1及び比較例2よりも挿入損失が増加しているが、その増加幅は20GHz以下の範囲において0.1dB以下であり、挿入損失の増加幅は実用上問題のない範囲にとどまっている。図29A及び図29Bは、本発明の他の実施形態に係るMEMSスイッチを示す。図29Aは、この他の実施形態に係るMEMSスイッチの拡大上面図を示し、図29Bは図29AのS43-S43線に沿う断面図を示す。図29A及び図29Bに示すMEMSスイッチは、図22のMEMSスイッチの各構成要素に加えて、絶縁層14上に形成された高抵抗膜50を備える。高抵抗膜50は、線状導体151、151間に配置される。図示のとおり、図29A及び図29Bに示すMEMSスイッチにおいては、寄生容量抑制部RPC30が形成されておらず、高抵抗膜50は絶縁層14によって支持されている。変形例として、図22のMEMSスイッチと同様に、レバー主層13b及びレバー絶縁層14bを貫く寄生容量抑制部RPC30を形成し、この寄生容量抑制部RPC30を覆うように高抵抗膜50を設けてもよい。この場合、高抵抗膜50は、レバー絶縁層14bの寄生容量抑制部RPC30が形成されていない部分に支持される。固定端子16aと可動端子である線状導体151、151との良好な接続を得るために、図示のように、高抵抗膜50の膜厚を線状導体151、151の膜厚より薄く形成することができる。高抵抗膜50を線状導体151、151より薄く形成しても、本発明の実施形態に適した高抵抗を実現することができる。一態様における高抵抗膜50は、100Ωcm以上の抵抗率を有する。かかる構成によれば、レバー主層13bと高抵抗膜50との間の寄生容量は、通常の低抵抗の導体例えば、図1に示す導体3とレバー主層13bとの間に生じる寄生容量よりも大幅に小さい。したがって、高抵抗膜50を設けた場合であっても、非導通時のアイソレーション特性の悪化を抑制することができる。また、高抵抗膜は、高抵抗ではあるが高周波信号を伝搬することが可能なので、線状導体151、151を細径化することでインピーダンスの整合性が劣化するために生じるミスマッチロス不整合損失の増加を抑制することができる。高抵抗膜50は、様々なMEMSスイッチに設けることができる。例えば、図23~図26に示したMEMSスイッチにおいて、寄生容量抑制部RPC30を形成せずに高抵抗膜50を設けることにより、又は、寄生容量抑制部RPC30を覆うように高抵抗膜50を設けることにより、各MEMSスイッチの挿入損失を改善し、インピーダンスの整合度の劣化に伴う損失増加を抑制することができる。また、高抵抗膜50に代えて高ESRの誘電体膜を用いることもできる。図29C及び図29Dは、本発明の他の実施形態に係るMEMSスイッチを示す。図29C及び図29Dに示されるMEMSスイッチは、寄生容量抑制部RPC30及び高抵抗膜をいずれも備えている。図29CのMEMSスイッチは、線状導体151と151との間の空間の一部を覆う高抵抗膜50を有する。図29Cに示す高抵抗膜50は、線状導体151と151との間の空間のうち線状導体151、151の長さ方向の中央部付近を覆うようにレバー絶縁層14b上に配置される。一方、線状導体151と151との間の空間のうち線状導体151と151の両端部付近には高抵抗膜50が配置されていない。この高抵抗膜50が配置されていない線状導体151と151の両端部付近の領域には、第2ベース層13及びレバー絶縁層14bを貫く貫通孔が形成されており、この貫通孔が寄生容量抑制部RPC30を構成する。また、図29DのMEMSスイッチは、線状導体151と151との間の空間のうち線状導体151と151の両端部付近のレバー絶縁層14b上に配置された高抵抗膜50を有する。一方、線状導体151と151との間の空間のうち線状導体151と151の中央部付近には高抵抗膜50が配置されていない。この高抵抗膜50が配置されていない線状導体151と151の中央部付近の領域には、第2ベース層13及びレバー絶縁層14bを貫く貫通孔が形成されており、この貫通孔が寄生容量抑制部RPC30を構成する。図29C及び図29DのMEMSスイッチによれば、線状導体151、151の間の空間のうち寄生容量抑制部RPC30が形成されていない領域に高抵抗膜50を形成したので、線状導体151と151の間の空間全体を寄生容量抑制部RPC30とした図22のMEMSスイッチと比較してアイソレーション特性を劣化させることなく可動端子の剛性を高くすることができる。そして、可動端子の剛性が高くなったことにより、固定端子端部16aと可動端子151及び固定端子端部17aと可動端子151とを安定して接触させることができる。図30は、図29に示すMEMSスイッチの等価回路図を示す。図示のとおり、このMEMSスイッチの等価回路においては,入力端子61と出力端子62との間に一組の第1コンデンサ63、63、一組の第2コンデンサ64、64、及び一組の第3コンデンサ65、65が並列に配置されている。第3コンデンサ65、65は、レバー主層13bと第1固定端子16a及び第2固定端子17aとの間の高抵抗膜50を介した寄生容量にそれぞれ相当し、コンデンサ63、64はそれ以外の寄生容量の成分に相当する。第3コンデンサ65、65の間には、高抵抗膜50の抵抗に相当する抵抗66が装荷されている。かかる等価回路を用いてアイソレーション特性のシミュレーションを行ったところ、抵抗66として装荷する抵抗が大きいほど、アイソレーション特性が改善されることを確認できた。図31は、等価回路シミュレータより算出した図30に示すMEMSスイッチの等価回路における非導通時のアイソレーション特性のシミュレーション結果を示す。図30の等価回路における抵抗66の抵抗1kΩ、10kΩ、100kΩのそれぞれの場合について、0.5GHzから30GHzの間でアイソレーション特性S21を測定した。図31のグラフから分かるように、抵抗を増加させることにより、アイソレーション特性を向上させることができることが確認された。特に、100kΩ以上の抵抗を装荷した場合には、アイソレーション値が10dB以上改善することが確認された。図32及び図33は、図29のMEMSスイッチのアイソレーション特性及び挿入損失の実験結果を示す。図32には、高抵抗膜50として、1x103Ωcm、1x101Ωcm、1Ωcmの抵抗率を有する膜を用いた場合のアイソレーション特性と、高抵抗膜50に代えて抵抗率が22158x106の金電極を用いた場合のアイソレーション特性、及び、高抵抗膜50を取り除いた場合つまり、高抵抗膜50の部分には空気が存在する場合のアイソレーション特性を示す。図32から明らかなように、高抵抗膜50又は高抵抗膜50に相当する部分の抵抗率が上昇するほどアイソレーション特性が向上することが確認された。特に、抵抗率が1x102Ωcm以上であれば、3dB以上アイソレーション特性が向上することが確認された。図33は、高抵抗膜50として、1x103Ωcm、1x101Ωcm、1Ωcmの抵抗率を有する膜を用いた場合の挿入損失と、高抵抗膜50に代えて抵抗率が22158x106の金電極を用いた場合の挿入損失、及び、高抵抗膜50を取り除いた場合Airの挿入損失をそれぞれ示す。図示のとおり、抵抗率が1x101Ωcmの膜、抵抗率が1Ωcmの膜、膜が存在しない場合Airのグラフは、概ね互いに重複しており、これらの膜において挿入損失はほぼ等しいことが分かる。図33から明らかなように、高抵抗膜50として1Ωcmの抵抗率を有する膜を用いた場合であっても10GHzにおける挿入損失は0.1dB程度であり、挿入損失を十分に低く抑制できることが確認できた。図34は、図29に示すMEMSスイッチにおいて、線状導体151、151の線幅が5μm、10μm、20μm、30μmのそれぞれの場合のアイソレーション特性の測定結果を示す。また、図35には、図29に示すMEMSスイッチにおいて、線状導体151、151の線幅が5μm、10μm、20μm、30μmのそれぞれの場合の挿入損失の測定結果を示す。図34及び図35から、線幅が10μmのときに、図35から明らかなように、10GHzにおける挿入損失が0.1dBであり、図34から優れたアイソレーション特性が得られることが分かる。本発明の範囲は、上述の詳細な説明で具体的に明示したものに限られず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で実施形態に様々な変更を加えたものも本発明に含まれる。例えば、第2寄生容量抑制部と第3寄生容量抑制部を両方とも含む必要はなく、その一方のみを含んでもよい。また、第1寄生容量抑制部の配置は任意であり、例えば、第1寄生容量抑制部が第1固定端子16a及び第2固定端子17aの一方のみと対向するように配置してもよい。"