"半導体装置から異物を除去するための半導体清浄装置であって、前記半導体装置の側面に対向するように配置された外部電極と、前記半導体装置が設置可能に設けられ、かつ前記半導体装置が設置された状態で前記半導体装置の側面と前記外部電極との間の位置において前記半導体装置の側面の下方に設けられた開口部を有する基台と、絶縁性を有し、かつ前記外部電極に接して前記半導体装置の側面に対向するように前記基台上に配置された枠部と、前記基台の前記開口部に接続され、前記開口部から前記異物を吸い込み可能な吸気手段とを備えた、半導体清浄装置。前記基台は導電性を有している、請求項1に記載の半導体清浄装置。前記枠部は、前記半導体装置の側面に向かって突出する突起部を含む、請求項1および2のいずれかに記載の半導体清浄装置。前記突起部は先端が針状に形成されている、請求項3に記載の半導体清浄装置。前記枠部は前記半導体装置の側面を取り囲むように設けられている、請求項1~4のいずれかに記載の半導体清浄装置。前記基台は前記半導体装置を含む複数の半導体装置を設置可能に設けられており、前記枠部は前記複数の半導体装置の各々を個別に取り囲むように格子状に設けられている、請求項5に記載の半導体清浄装置。前記外部電極は前記枠部の内部に配置されている、請求項1~6のいずれかに記載の半導体清浄装置。前記外部電極は前記基台の内部に配置されている、請求項1~6のいずれかに記載の半導体清浄装置。前記外部電極は、複数の外部電極部材を含み、前記外部電極部材は、互いに異なる正負の電圧を印加可能に設けられている、請求項1~8のいずれかに記載の半導体清浄装置。前記基台は、前記半導体装置が設置された面において前記開口部に繋がるように前記半導体装置の側面の下方に設けられた溝部を含む、請求項1~9のいずれかに記載の半導体清浄装置。前記基台は、前記半導体装置が設置された面において前記溝部に囲まれた設置部を含み、前記設置部の面積は、前記半導体装置の面積よりも小さい、請求項10に記載の半導体清浄装置。前記溝部は前記開口部に向かって高さが低くなるように形成された傾斜構造を有している、請求項10または11に記載の半導体清浄装置。前記枠部は、前記溝部の前記傾斜構造に沿って高さが変化するように形成されている、請求項12に記載の半導体清浄装置。前記基台および前記枠部によって囲まれた空間を覆うように設けられたキャップ部をさらに備えた、請求項1~13のいずれかに記載の半導体清浄装置。前記キャップ部は、前記空間に連通する複数の貫通孔を有している、請求項14に記載の半導体清浄装置。前記吸気手段は回転ファンを含む、請求項1~15のいずれかに記載の半導体清浄装置。前記吸気手段は真空排気装置を含む、請求項1~15のいずれかに記載の半導体清浄装置。前記半導体装置に付着した前記異物を除電するための除電手段をさらに備えた、請求項1~17のいずれかに記載の半導体清浄装置。前記除電手段はイオナイザーを含む、請求項18に記載の半導体清浄装置。前記除電手段は加湿手段を含む、請求項18または19に記載の半導体清浄装置。前記除電手段は加熱手段を含む、請求項18~20のいずれかに記載の半導体清浄装置。請求項1~21のいずれかに記載の半導体清浄装置に前記半導体装置を設置する工程と、前記半導体装置が設置された状態で前記半導体装置の側面に付着した異物を前記吸気手段が吸い込むことによって前記異物が前記半導体装置から除去される工程とを備えた、半導体清浄方法。しかしながら、上記の特開平11-87457号公報に記載された装置は、静電吸着搬送アームのウエハ裏面が接触する部分の異物を板状部材に転写するため、半導体ウエハの側面に付着した異物を除去することはできない。また、上記の特開2011-99156号公報に記載された装置は半導体ウエハの裏面を静電チャックにより吸着するため、半導体ウエハの側面に付着した異物を除去することは困難である。さらにガスが吹き付けられて異物が除去されるため、吹き付けられたガスにより散乱した異物が除去されずに再付着することがある。一方、半導体ウエハがダイシング等により細片化されて作製された個々の半導体装置においても、製造工程の後の電気的特性の評価等の試験工程において、異物の存在が問題となる。たとえば、電気的に接続するためのパッドが存在する半導体装置の表面に異物が付着すると、短絡および放電の原因となることがある。そして、これらによって半導体装置に不具合が発生する。また、半導体装置の縦方向、つまり面外方向に電流を流す縦型構造の半導体装置においては、表面側だけでなく裏面側も電極として用られているため、裏面に異物が付着すると、半導体装置と外部電極との密着性が悪くなる。半導体装置と外部電極との密着性が悪くなることは、接触抵抗に影響し、ひいては電気的特性に影響を与える。また、異物の存在により、異物と半導体装置との接触部および接触部近傍において、クラック等の欠陥が生じることによって、半導体装置が一部破損することもある。なお、個々の半導体装置における異物については、半導体ウエハから半導体装置への細片化の際、半導体装置の側面から半導体ウエハ材料の小片、屑等が多数生じ、それらが異物となって半導体装置の側面および側面近傍に付着したまま、後の試験工程に持ち込まれることが知られている。そして、これらの異物は半導体装置の表面および裏面に移動することがある。本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体装置の側面に付着した異物を除去することができ、かつ除去された異物が再付着することを防止できる、半導体清浄装置および半導体清浄方法を提供することである。本発明の半導体清浄装置は、半導体装置から異物を除去するためのものであって、半導体装置の側面に対向するように配置された外部電極と、半導体装置が設置可能に設けられ、かつ半導体装置が設置された状態で半導体装置の側面と外部電極との間の位置において半導体装置の側面の下方に設けられた開口部を有する基台と、絶縁性を有し、かつ外部電極に接して半導体装置の側面に対向するように基台上に配置された枠部と、基台の開口部に接続され、開口部から異物を吸い込み可能な吸気手段とを備えている。本発明の半導体清浄装置によれば、半導体装置の側面に対向するように外部電極が配置されているため、外部電極は半導体装置の側面に付着した異物を側面から除去することができる。そして、吸気手段は半導体装置の側面の下方に設けられた開口部から異物を吸い込み可能であるため、半導体装置の側面から除去された異物が再付着することを防止することができる。以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。実施の形態1最初に本発明の実施の形態1の半導体清浄装置の構成について説明する。図1~図4を参照して、本実施の形態の半導体清浄装置は、半導体装置1から異物2を除去するためのものである。図1~3では半導体清浄装置に半導体装置1が設置されている。図1では、見やすくするため半導体装置1は1つのみ図示されている。図1~2では、説明の便宜のため吸気手段は図示されていない。図2では、1つの半導体装置1を設置する部分が図示されている。図4では、見やすくするため吸気手段は図示されていない。半導体装置1は、たとえばシリコンウエハからダイシングして作製されたシリコン基板からなる半導体チップである。異物2は半導体装置1の側面1aに存在するシリコン小片およびシリコン屑などである。半導体清浄装置は、外部電極11と、基台12と、枠部13と、吸気手段14とを主に有している。基台12および枠部13は、半導体試験治具10を構成している。半導体試験治具10は、主として半導体装置1の電気的特性を測定する際に用いる試験治具である。なお、半導体試験治具10は半導体装置1の搬送に用いることもできる。つまり、半導体試験治具10は、清浄後の電気的特性測定のための装置への半導体装置1の搬送に用いることもできる。また、半導体試験治具10は第1の位置決め手段3と、第2の位置決め手段4とを有している。第1の位置決め手段3および第2の位置決め手段4によって、異物除去を行う清浄装置および電気的特性を測定する試験装置に対して半導体試験治具10に設置された半導体装置1の位置が決定される。第1の位置決め手段3は、基台12の1つの角部に設けられた斜辺部で構成されている。第1の位置決め手段3によって半導体試験治具10の上下左右方向が判断され得る。第2の位置決め手段4は、基台12の一辺と、一辺に対向する他辺とに設けられた複数の孔で構成されている。第2の位置決め手段4の複数の孔が吸気手段14に設けられた凸部と嵌め合わせられることで半導体試験治具10の位置決めが行われる。外部電極11は、半導体装置1の側面1aに対向するように配置されている。半導体装置1の側面1aは、基台12に対向する半導体装置1の底面と交差する面である。半導体装置1の側面1aに付着している異物2は、摩擦および接触などによって帯電している。外部電極11は、正負のどちらかの極性に帯電している異物2を静電吸着によって半導体装置1の側面1aから分離して除去可能に構成されている。外部電極11は枠部13の内部に配置されていてもよい。この場合、外部電極11は枠部13によって覆われている。電気配線は図示されていないが、外部電極11にたとえば正の電圧が印加されると、枠部13の表面側は負になり、正に帯電した異物2が吸着される。逆に外部電極11に負の電圧が印加されると、枠部13の表面側は正になり、負に帯電した異物2が吸着される。基台12は、半導体装置1が設置可能に設けられている。基台12は、半導体装置1が設置された状態で半導体装置1の側面1aと外部電極11との間の位置において半導体装置1の側面1aの下方に設けられた開口部12aを有している。開口部12aは基台12の表裏面を貫通するように設けられている。基台12は導電性を有していてもよい。これにより、基台12を電極として用いて縦型構造の半導体装置1が評価され得る。基台12は、たとえば金属で形成されており、具体例として板状のアルミニウムで形成されていてもよい。なお、電極パッドが表面のみに設けられた横型構造の半導体装置1の評価では、基台12は導電性を有する必要はない。基台12は複数の半導体装置1を設置可能に設けられていてもよい。本実施の形態では、基台12は一例として16個の半導体装置1を設置可能に構成されている。基台12は溝部12bを有していてもよい。溝部12bは半導体装置1が設置された面において開口部12aに繋がるように半導体装置1の側面1aの下方に設けられている。基台12は、半導体装置1が設置された面において溝部12bに囲まれた設置部12cを有している。設置部12cの面積は、半導体装置1の面積よりも小さい。設置部12cは、半導体装置1の設置面にダメージを与えないために、バリおよび突起がないように洗浄および研磨工程を経てフラットな面を確保することが望ましい。溝部12bは開口部12aに向かって高さが低くなるように形成された傾斜構造を有している。この傾斜構造は凹状の傾斜面12dによって構成されている。なお、第1の位置決め手段3、第2の位置決め手段4、開口部12a、溝部12bのそれぞれは、基台12に対して機械加工により作製されてもよい。枠部13は絶縁性を有している。枠部13は隣り合って設置された半導体装置1が互いに導通しないように設けられている。また、枠部13は隣り合って設置された他の半導体装置1の放電を抑制するように設けられている。枠部13は、たとえばPPSポリフェニレンサルファイド樹脂などの絶縁性材料で形成されている。枠部13は外部電極11に接して半導体装置1の側面1aに対向するように基台12上に配置されている。枠部13は凸状に構成されている。枠部13は、半導体装置1の側面1aに向かって突出する突起部13aを有していてもよい。突起部13aが半導体装置1の側面1aに接触することで、側面1aと枠部13とが面で接触することが防止される。枠部13は半導体装置1の側面1aを取り囲むように設けられていてもよい。枠部13は複数の半導体装置の各々を個別に取り囲むように格子状に設けられていてもよい。本実施の形態では、半導体試験治具10は16個の半導体装置1を設置可能に構成されているが、これに限るものではなく、試験装置の大きさおよび半導体装置の大きさに応じて設置する半導体装置1の数量は増減してもよい。吸気手段14は、基台12の開口部12aに接続され、開口部12aから異物2を吸い込み可能に設けられている。吸気手段14は回転ファンを有していてもよい。吸気手段14は、本体部14aと、吸気管14bと、異物除去フィルタ14cと、吸気部14dと、排気口14eとを有していてもよい。本体部14aに吸気管14bが形成されている、吸気管14bは開口部12aに接続されている。吸気管14bは異物除去フィルタ14cを経由して吸気部14dに接続されている。吸気部14dには排気口14eが形成されている。吸気部14dはたとえば回転ファンであってもよい。吸気手段14は、吸気部14dが吸気管14bを介して開口部12aから空気を吸い込むことで、開口部12aから異物2が吸い込まれるように構成されている。開口部12aから吸い込まれた異物2は異物除去フィルタ14cにて取り除かれる。排気口14eから吸い込み空気エアが排出される。枠部13に吸着された異物2は、開口部12aを経て、半導体試験治具10の裏面から排出される。異物2を裏面から排出することで、半導体装置1が設置部12cに設置されたままでも異物2の再付着が防止される。そのため、半導体装置1を移動する工程を増加することなく効率的に異物2が除去される。次に、本実施の形態の半導体清浄装置を用いた半導体清浄方法について説明する。まず、半導体試験治具10の基台12に半導体装置1が設置される。より具体的には基台12の設置部12cに半導体装置1の設置面が接するように半導体装置1が設置される。この際、半導体装置1の側面1aおよび側面1aの近傍に付着した異物2の一部は、半導体装置1の側面1aの下方に設けられた開口部12aまたは溝部12bに落下する。つまり、設置時に発生する振動および衝撃等によって、側面1aおよび側面1aの近傍に付着していた異物2が半導体装置1の側面1aの下方に設けられた開口部12aまたは溝部12bに落下する。続いて、半導体装置1が設置された状態で外部電極11にたとえば正の電圧が印加される。外部電極11の静電吸着によって、摩擦および接触などによって正に帯電した異物2が外部電極11を覆う枠部13に吸着される。なお、外部電極11には正負のいずれかの電圧が印加されればよく、負の電圧が印加されてもよい。次に、吸気手段14によって開口部12aから半導体装置1の側面1aに付着した異物2を吸い込むように吸気が開始される。吸気が開始された状態で外部電極11に逆電圧負の電圧が印加される。この際、正に帯電した異物2が吸気手段14によって開口部12aから吸い出されるとともに、外部電極11の静電吸着によって、摩擦および接触などによって負に帯電した異物2が外部電極11を覆う枠部13に吸着される。次に、吸気が継続された状態で外部電極11にさらに逆電圧正の電圧が印加される。この際、負に帯電した異物2が吸気手段14によって開口部12aから吸い込まれる。これにより、異物2が半導体装置1から除去される。その後、吸気手段14による吸気が終了されると、異物2の除去が終了する。続いて、本実施の形態における半導体清浄装置の変形例について説明する。図5を参照して、本実施の形態における半導体清浄装置の変形例1のように吸気手段14は真空排気装置を有していてもよい。真空排気装置はたとえば真空ポンプである。この変形例1では、基台12および枠部13によって仕切られ、囲まれた半導体装置1を設置する空間SPはキャップ部20で覆われて閉じた領域とされる。この空間SPに真空排気が行われることで、開口部12aから異物2が吸い込まれる。図6を参照して、本実施の形態における半導体清浄装置の変形例2のように、キャップ部20は、空間SPに連通する複数の貫通孔21を有していてもよい。この変形例2では、枠部13上がキャップ部20で覆われることにより、吸気の際の空気流が制限されて、効果的に異物2が除去される。さらに具体的には、たとえば、開口部12aに対して図中Z方向に対向しない位置重ならない位置に貫通孔21が設けられている。傾斜面12dに沿うように空気流が制限され、効果的に溝部12bに落下した異物2が排出される。このため異物2が効果的に開口部12aから除去される。図7を参照して、本実施の形態における半導体清浄装置の変形例3のように、突起部13aの半導体装置1への対向面が円弧状の曲面に形成されていてもよい。これにより、この変形例3では、突起部13aと半導体装置1との接触時における衝撃を緩和することができる。図8および図9を参照して、本実施の形態における半導体清浄装置の変形例5のように、突起部13aは先端が針状に形成されていてもよい。突起部13aは断面形状が鋭角である突起を有している。複数の突起部13aが形成されていてもよい。先端が針状に形成された突起部針状突起部13aによって、半導体装置1の側面1aとの距離が縮まる。また、断面が鋭角である先端部に電荷が集中することで、帯電した異物2を吸着する力が増加する。また、外部電極11は、複数の外部電極部材を11a,11bを有していてもよい。外部電極部材11a,11bは、互いに異なる正負の電圧を印加可能に設けられている。半導体装置1の側面1aに対して、複数の外部電極部材11a,11bが対向するため、隣り合う外部電極部材11a,11b同士で異なる符号の電圧が印加されることで、1度の電圧印加工程で、正負の両符号に帯電した異物2を吸着することが可能となる。また、図9に示されるように、枠部13は、溝部12bの傾斜構造に沿って高さが変化するように形成されていてもよい。枠部13の高さが溝部12bの傾斜構造の傾斜面12dに沿って変化することで、突起部13aに沿うように空気流が制限され、効果的に溝部12bに落下した異物2が排出される。また、開口部12aから離れた針状突起部13aは図中Z軸方向に対して傾斜して設置されていてもよい。これにより、効果的に突起部13aに沿うように空気流を制限することができる。なお、断面が鋭角である突起部13aが図中Z軸方向に連続するように構成されている場合について説明したが、これに限られるものではなく、複数の個別の突起部13aが、図中Z軸方向に連続するように構成されていてもよい。図10を参照して、本実施の形態における半導体清浄装置の変形例5のように、外部電極11は基台12の内部に配置されていてもよい。この場合、外部電極11が基台12の内部に配置されるため、外部電極11の設置が容易である。次に、本実施の形態の作用効果について説明する。本実施の形態の半導体清浄装置によれば、半導体装置1の側面1aに対向するように外部電極11が配置されているため、外部電極11は半導体装置1の側面1aに付着した異物2を側面1aから除去することができる。そして、吸気手段14は半導体装置1の側面1aの下方に設けられた開口部12aから異物2を吸い込み可能であるため、半導体装置1の側面1aから除去された異物2が再付着することを防止することができる。本実施の形態の半導体清浄装置によれば、基台12は導電性を有しているため、これにより、基台12を電極として用いて縦型構造の半導体装置1を評価することができる。本実施の形態の半導体清浄装置によれば、枠部は半導体装置の側面に向かって突出する突起部を有しているため、突起部13aが半導体装置1の側面1aに接触することで、側面1aと枠部13とが面で接触することを防止することができる。面で接触した場合、異物2が半導体装置1の側面1aと枠部13に面で挟まれることになるため、異物2を半導体装置1の側面1aから引き離すこと困難である。このため異物2の除去が困難となる。本実施の形態の半導体清浄装置では側面1aと枠部13とが面で接触することを防止することができるため、異物2を容易に除去することができる。本実施の形態の半導体清浄装置によれば、突起部13aは先端が針状に形成されているため先端に電荷が集中することで帯電した異物2を吸着する力を増加することができる。このため、より効果的に異物2を除去することができる。本実施の形態の半導体清浄装置によれば、枠部13は半導体装置1の側面1aを取り囲むように設けられているため、確実に隣り合って設置された半導体装置1が互いに導通しないように、また隣り合って設置された他の半導体装置1の放電を抑制することができる。本実施の形態の半導体清浄装置によれば、基台12は複数の半導体装置1を設置可能に設けられており、枠部1は複数の半導体装置1の各々を個別に取り囲むように格子状に設けられているため、複数の半導体装置1を1度に清浄することができる。このため、半導体装置1の清浄を効率化することができる。本実施の形態の半導体清浄装置によれば、外部電極11は枠部13の内部に配置されているため、半導体清浄装置を小型化することができる。また、外部電極11と半導体装置1の側面1aを接近させることにより、異物2を吸着する力を増加させることができる。本実施の形態の半導体清浄装置によれば、外部電極11は基台12の内部に配置されているため、外部電極11の設置が容易であるので半導体清浄装置を製造しやすくすることができる。本実施の形態の半導体清浄装置によれば、外部電極部材11a,11bは互いに異なる正負の電圧を印加可能に設けられているため、帯電した異物2の符号が異なっていても、1度の電圧印加工程で、正負の両符号に帯電した異物2を吸着することができる。外部電極11が1つの場合には、正負の電圧を印加するためには2度の電圧印加工程が必要である。それに対し、本実施の形態の半導体清浄装置によれば、複数の外部電極部材11a,11bによって、1度の電圧印加工程で正負の電圧を印加することができるため、外部電極11が1つの場合に比べて半分となるので工程の簡略化が可能となる。本実施の形態の半導体清浄装置によれば、基台12は開口部12aに繋がるように半導体装置1の側面1aの下方に設けられた溝部12bを有しているため、半導体装置1の側面1aやその近傍から発生する異物2を溝部12b内に収めることができる。これにより、電気的特性に影響を及ぼす異物2が設置部12cおよび半導体装置1の表裏面へ移動することを抑制することができる。本実施の形態の半導体清浄装置によれば、設置部12cの面積は半導体装置1の面積よりも小さいため、異物2が設置部12cに付着することを抑制することができる。本実施の形態の半導体清浄装置によれば、溝部12bは開口部12aに向かって高さが低くなるように形成された傾斜構造を有しているため、開口部12aへ異物2を容易に引き込むことができる。本実施の形態の半導体清浄装置によれば、枠部13は溝部12bの傾斜構造に沿って高さが変化するように形成されているため、突起部13aに沿うように空気流が制限され、効果的に溝部12bに落下した異物2を排出することができる。本実施の形態の半導体清浄装置によれば、基台12および枠部13によって囲まれた空間SPを覆うように設けられたキャップ部20を有しているため、効果的に開口部12aから異物2を吸い込むことができる。本実施の形態の半導体清浄装置によれば、キャップ部20は空間SPに連通する複数の貫通孔21を有しているため、吸気の際の空気流が制限されて、効果的に異物2を除去することができる。本実施の形態の半導体清浄装置によれば、吸気手段14は回転ファンを含むため、回転ファンを用いて異物2を吸い込むことができる。本実施の形態の半導体清浄装置によれば、吸気手段14は真空排気装置を含むため、真空排気装置を用いて異物2を吸い込むことができる。実施の形態2本発明の実施の形態2は、実施の形態1と比較して除電手段を備えている点で主に異なっている。図11を参照して、本実施の形態の半導体清浄装置は半導体装置1に付着した異物2を除電するための除電手段を有している。除電手段はイオナイザー23を有していてもよい。イオナイザー23は、キャップ部20の上面に設けられている。イオナイザー23は、キャップ部20に設けられた貫通孔21を通じて、マイナスとプラスのイオンを枠部13の近傍に供給することで帯電した異物2を除電可能に構成されている。除電された異物2は、容易に枠部13から離間するため、予め吸気を開始しておけば、離間した異物2は開口部12aに容易に吸い込まれる。なお、イオナイザー23には直流式と交流式とがあり、交流式はプラスのイオンとマイナスのイオンを交互に生成し、直流式は専用の電極から決められた符号のイオンを生成することができる。直流式のイオナイザー23を用いて、図11に示されるように外部電極11と貫通孔21とを位置を対応させ、吸着した異物2の符号に対応する定められた符号のイオンを供給すれば、除電はより効果的に行われる。これにより除電時間は短縮される。次に、本実施の形態の半導体清浄装置を用いた半導体清浄方法について説明する。まず、半導体試験治具10の基台12に半導体装置1が設置される。この際、半導体装置1の側面1aおよび側面1aの近傍に付着した異物2の一部は、半導体装置1の側面1aの下方に設けられた開口部12aまたは溝部12bに落下する。続いて、半導体装置1が設置された状態で複数の外部電極11に正負の電圧がそれぞれ印加される。複数の外部電極11の静電吸着によって、摩擦および接触などによって正負に帯電した異物2がそれぞれ外部電極11を覆う枠部13に吸着される。次に、吸気手段14によって開口部12aから半導体装置1の側面1aに付着した異物2を吸い込むように吸気が開始される。そして、イオナイザー23が稼動され、イオンが供給される。これにより、除電された異物2が枠部13から離間する。枠部13から離間した異物2が吸気手段14によって開口部12aから吸い込まれる。これにより、異物2が半導体装置1から除去される。その後、吸気手段14による吸気が終了されると、異物2の除去が終了する。なお、上記では除電手段としてイオナイザー23を用いる場合について説明したが、これに限るものではなく、除電手段として、加湿手段または加熱手段を設けてもよく、さらに複数の除電手段を設けてもよい。これによりさらに除電の効果を上げることができる。図12を参照して本実施の形態における半導体清浄装置の変形例では、除電手段として、加湿手段24および加熱手段25が設けられている。加湿手段24はたとえば加湿器である。加熱手段25はたとえばヒーターである。なお、本実施の形態のこれ以外の構成および清浄方法は上述した実施の形態1と同様であるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。本実施の形態の半導体清浄装置によれば、半導体装置1に付着した異物2を除電するための除電手段を有しているため、帯電した異物2の電荷の符号が異なっていても除電することで異物2を開口部12aから容易に除去することができる。本実施の形態の半導体清浄装置によれば、除電手段はイオナイザー23を含むため、イオナイザー23を用いて異物2を除電することができる。本実施の形態の半導体清浄装置によれば、除電手段は加湿手段24を含むため、加湿手段24を用いて異物2を除電することができる。本実施の形態の半導体清浄装置によれば、除電手段は加熱手段25を含むため、加熱手段25を用いて異物2を除電することができる。上記の各実施の形態は適宜組み合わせることができる。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"