"温度により抵抗値の変化する抵抗を、変調器集積型半導体レーザの変調器部に並列に接続し、前記抵抗を介して前記変調器部へ変調信号を入力する構成としたことを特徴とする半導体レーザ装置。温度により抵抗値の変化する第1の抵抗と、温度により抵抗値がほとんど変化しない第2の抵抗とを直列に接続し、この直列接続した第1の抵抗及び第2の抵抗を変調器集積型半導体レーザの変調器部に並列に接続することにより、前記直列接続した第1の抵抗及び第2の抵抗を介して前記変調器部へ変調信号を入力する構成としたことを特徴とする半導体レーザ装置。請求項1又は2に記載の半導体レーザ装置において、前記温度により抵抗値の変化する抵抗とグランドとの間にコンデンサを配置したこと、又は、前記第1の抵抗もしくは前記第2の抵抗とグランドとの間にコンデンサを配置したこと、を特徴とする半導体レーザ装置。図5~図7には、変調器集積型半導体レーザの変調器部に並列に固定抵抗を接続した場合のインピーダンスの値と、前記変調器部に印加する逆バイアス電圧の関係の一例を示す。図5は前記変調器部に並列接続した固定抵抗の抵抗値が50Ωの場合、図6は前記変調器部に並列接続した固定抵抗の抵抗値が70Ωの場合、図7は前記変調器部に並列接続した固定抵抗の抵抗値が100Ωの場合である。これらの図中において黒丸●は環境温度25°Cでレーザの駆動電流60mAの場合の結果、白丸○は環境温度25°Cでレーザの駆動電流120mAの場合の結果、黒三角▲は環境温度85°Cでレーザの駆動電流60mAの場合の結果、白三角△は環境温度85°Cでレーザの駆動電流120mAの場合の結果である。これらの図5~図7から、インピーダンスの値は動作条件によって大きく変化することがわかる。また、変調器集積型半導体レーザを用いて長距離伝送を行う場合、その伝送特性は変調器集積型半導体レーザの変調器部に印加する逆バイアス電圧の値に大きく依存する。一例を挙げると、この変調器集積型半導体レーザを環境温度25°C、レーザ駆動電流120mAで動作させる場合、逆バイアス電圧を2.3V以上にするとチャープパラメータの値が0以下になり、良好な伝送特性が得られる。伝送線路を50Ωで設計した場合、図7のように変調器集積型半導体レーザの変調器部と並列に100Ωの固定抵抗を配置すると、この変調器部分のインピーダンスの値が50Ωに整合し、電力の反射を抑えることができる。一方、環境温度85°Cで温調せずに変調器集積型半導体レーザを動作させた場合、チャープパラメータを0以下にするためには、変調器集積型半導体レーザの変調器部の逆バイアス電圧を1.3V以上にしなくてはならない。この場合、図7からインピーダンスの値は96Ωということになり、50Ωの伝送路のインピーダンスから大きく外れて電力の反射が大きくなり、消費電力の増大及び反射の影響による伝送特性の劣化が生じてしまっていた。また、上記非特許文献1の場合には、トランジスタを用いたフィードバックループを有するため、コストが高くなるという問題点があった。従って、本発明は上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、変調器集積型半導体レーザを用いた半導体レーザ装置に関し、従来に比べて低消費電力及び低コストで高速変調可能な半導体レーザ装置を提供することを課題とする。上記課題を解決する第1発明の半導体レーザ装置は、温度により抵抗値の変化する抵抗を、変調器集積型半導体レーザの変調器部に並列に接続し、前記抵抗を介して前記変調器部へ変調信号を入力する構成としたことを特徴とする。また、第2発明の半導体レーザ装置は、温度により抵抗値の変化する第1の抵抗と、温度により抵抗値がほとんど変化しない第2の抵抗とを直列に接続し、この直列接続した第1の抵抗及び第2の抵抗を変調器集積型半導体レーザの変調器部に並列に接続することにより、前記直列接続した第1の抵抗及び第2の抵抗を介して前記変調器部へ変調信号を入力する構成としたことを特徴とする。また、第3発明の半導体レーザ装置は、第1又は第2発明の半導体レーザ装置において、前記温度により抵抗値の変化する抵抗とグランドとの間にコンデンサを配置したこと、又は、前記第1の抵抗もしくは前記第2の抵抗とグランドとの間にコンデンサを配置したこと、を特徴とする。本発明によれば、変調器集積型半導体レーザを、温調機能が無い場合でも環境温度によらずに変調器集積型半導体レーザの変調器部分のインピーダンスを伝送路と整合させることができ、このインピーダンス整合した条件で変調器集積型半導体レーザを動作させることができるため、インピーダンス不整合による電力反射と伝送特性の劣化を防ぐことができる。従って、半導体レーザ装置から温調機能を除去することができ、また、トランジスタを用いたフィードバックループなども不要であるため、従来に比べて低消費電力及び低コストで高速変調可能な半導体レーザ装置を実現することができるようになる。その結果、小型で低コストな高速伝送システムを提供することができる。以下、本発明の実施の形態例を図面に基づいて詳細に説明する。<実施の形態例1>本発明の実施の形態例1に係る半導体レーザ装置を、図1、図2等を参照して説明する。図1に示すように、本実施の形態例1の半導体レーザ装置は、セラミック基板1aの上面に金をコーティング金コーティング1bして成るキャリア1の上に高周波信号線基板2と、レーザ部3aと変調器部3bを有する変調器集積型半導体レーザ3と、温度により抵抗値の変化する温度依存終端抵抗4とを配置し、これらに金ワイヤ8~11を接続した構成となっている。そして、本実施の形態例1の半導体レーザ装置では、温度依存終端抵抗4を変調器集積型半導体レーザ3の変調器部3bに並列に接続し、この温度依存終端抵抗4を介して変調器部3bへ変調信号を入力する構成としたことを特徴としている。詳述すると、変調器部3bの表面電極図2の表面電極29を参照:図2の構造の詳細については後述には、金ワイヤ11の一端を接続する。金ワイヤ11の他端は、温度依存終端抵抗4の表面電極に接続する。一方、変調器部3bの裏面電極図2の基板側電極30を参照と、温度依存終端抵抗4の裏面電極は何れも、キャリア1の金コーティング1bに接続する。かくして、温度依存終端抵抗4は、変調器集積型半導体レーザ3の変調器部3bに並列に接続される。キャリア1の金コーティング1bは、グランド電位に設定する。レーザ部3aの表面電極図2の表面電極27を参照には金ワイヤ9を接続し、レーザ部3bの裏面電極図2の基板側電極30を参照はキャリア1の金コーティング1bに接続する。高周波信号線基板2には高周波信号線2aが形成されている。高周波信号線2aの一端部には金ワイヤ8を接続し、高周波信号線2aの他端部には金ワイヤ10の一端を接続する。金ワイヤ10の他端は変調器部3bの表面電極に接続する。変調器集積型半導体レーザ3は、従来の変調器集積型半導体レーザと同様の材料系或いは同様の製造方法で製造される。例えば、図2に例示する変調器集積型半導体レーザ3は、半導体基板としてn型InP基板21を用い、このn型InP基板21上にレーザ部3aと変調器部3bとを形成したものである。レーザ部3aはn型InP基板21上に形成されたレーザ部活性層であるInGaAsP活性層22と、InGaAsP活性層22上に形成され且つ回折格子24が形成されたガイド層であるInGaAsPガイド層23と、InGaAsPガイド層23上に形成されたクラッド層であるp型InPクラッド層25と、p型InPクラッド層25上に形成されたレーザ部キャップ層であるp型InGaAsPキャップ層26とで構成されている。変調器部3bはn型InP基板21上に形成された、レーザ部3aと組成の異なる変調器部活性層であるInGaAsP活性層31と、InGaAsP活性層31上に形成されたクラッド層であるp型InPクラッド層25と、p型InPクラッド層25上に形成された変調器部キャップ層であるp型InGaAsPキャップ層28とで構成されている。また、活性層側面図2の紙面に垂直な方向の側面は、ルテニウムをドープしたInP層を成長させた埋込み構造になっている。p型InGaAsPキャップ層26上に形成されたレーザ部3aの表面電極27と、p型InGaAsPキャップ層28上に形成された変調器部3bの表面電極29は、p型InGaAsPキャップ層の一部を除去することで電極分離されている。一方、n型InP基板21の下面に形成された基板側電極裏面電極30は、レーザ部3aと変調器部3bとで共通となっている。左右の両端面には高反射膜32と反射防止膜33とが形成されている。温度により抵抗値の変化する温度依存終端抵抗4は、ホウ素がドープされた抵抗率10Ωcmのシリコンを0.4mm×0.5mm×0.2mmのサイズの直方体状のシリコンチップに加工し、このシリコンチップの上下面0.4mm×0.5mmのサイズの面にそれぞれ上面電極表面電極と下面電極裏面電極とを取り付けることで実現される。本実施の形態例1で使用した抵抗率10Ωcmのシリコンの抵抗率は、1°Cあたり0.8変化する。従って、図1のように配置したシリコンチップの温度依存終端抵抗4の抵抗値は、25°Cで約100Ωであり、85°Cで約50Ωとなる。このようにすることで、図7から環境温度25°Cで変調器集積型半導体レーザ3のレーザ駆動電流を120mA、変調器集積型半導体レーザ3の変調器部3bの逆バイアス電圧を2.3Vにした場合のインピーダンスが50Ωとなり、また、図5から環境温度85°Cで変調器集積型半導体レーザ3のレーザ駆動電流を120mA、変調器集積型半導体レーザの変調器部3bの逆バイアス電圧を1.3Vにした場合のインピーダンスも50Ωとなることがわかる。高速の変調信号は、金ワイヤ8を通し、高周波信号線基板2の高周波信号線2aを介して変調器部3bに伝達される。レーザ駆動用電流は、金ワイヤ9を通してレーザ部3aに与えられる。キャリア1の上面金コーティング1bはグランド電位に設定されており、変調器集積型半導体レーザの裏面電極図2の構造例では裏面電極30、及び、温度依存終端抵抗4の裏面電極を通して、キャリア1の上面金コーティング1bへ電流が流れる。環境温度25°C、レーザ駆動電流120mA、逆バイアス電圧2.3Vの条件でインピーダンス整合するように100Ωの固定抵抗を変調器集積半導体レーザの変調器部に並列に接続した半導体レーザ装置と、上記のように温度により抵抗値が変化する温度依存終端抵抗4を変調器集積半導体レーザ3の変調器部3bに並列に接続した半導体レーザ装置とを、環境温度85°C、レーザ駆動電流120mA、逆バイアス電圧1.3Vで動作させた場合の電圧反射係数S11を、ネットワークアナライザで測定した結果が図8である。図8の実線は100Ωの固定抵抗を変調器部に並列接続した半導体レーザ装置の測定結果であり、破線は本発明の温度により抵抗値が変化する温度依存終端抵抗4を変調器部3bに並列接続した半導体レーザ装置の測定結果である。この図8からわかるように、2GHz付近では電圧反射係数S11が、約20dB程度改善された。<実施の形態例2>本発明の実施の形態例2に係る半導体レーザ装置を、図3等を参照して説明する。なお、図3において、実施の形態例1の半導体レーザ装置図1と同様の部分には同一の符号を付している。図3に示すように、本実施の形態例2の半導体レーザ装置は、キャリア1の上に高周波信号線基板2と、変調器集積型半導体レーザ3と、中継基板5上に搭載した温度依存終端抵抗4と、温度により抵抗値がほとんど変化しない抵抗であるチップ抵抗6とを配置し、これらに金ワイヤ8~13を接続した構成となっている。そして、本実施の形態例2の半導体レーザ装置では、温度依存終端抵抗4とチップ抵抗6とを直列に接続し、この直列接続した温度依存終端抵抗4及びチップ抵抗6を変調器集積型半導体レーザ3の変調器部3bに並列に接続することにより、前記直列接続した温度依存終端抵抗4及びチップ抵抗6を介して変調器部3bへ変調信号を入力する構成としたことを特徴としている。詳述すると、キャリア1の上面金コーティング1bに高周波信号線基板2と、変調器集積型半導体レーザ3と、セラミック基板5aの上面の一部に金電極5bをパターニングした中継基板5と、温度により抵抗値がほとんど変化しないチップ抵抗6を搭載する。温度により抵抗値の変化する温度依存終端抵抗4は、中継基板5上の金電極5bの部分に搭載する。その後、図3に示すように金ワイヤ8~13で各部を接続する。即ち、実施の形態例1と同様に金ワイヤ8は高周波信号線2aの一端部に接続され、金ワイヤ9はレーザ部3aの表面電極に接続され、金ワイヤ10は両端が高周波信号線2aの他端部と変調器部3bの表面電極とに接続され、金ワイヤ11は両端が変調器部3bの表面電極と温度依存終端抵抗4の表面電極とに接続され、変調器部3bの裏面電極はキャリア1の金コーティング1に接続される。そして、温度依存終端抵抗4の裏面電極は中継基板5の金電極5bに接続され、この金電極5bに金ワイヤ12の一端が接続される。金ワイヤ12の他端は、チップ抵抗6の一端側の電極6aに接続される。チップ抵抗6の他端側の電極6bには、金ワイヤ13の一端が接続される。金ワイヤ13の他端は、キャリア1の金コーティング1bに接続される。かくして、温度依存終端抵抗4とチップ抵抗6とが直列に接続され、この直列接続された温度依存終端抵抗4及びチップ抵抗6が変調器部3bに並列に接続される。温度により抵抗値の変化する温度依存終端抵抗4は、ホウ素がドープされた抵抗率10Ωcmのシリコンを0.5mm×1.0mm×0.2mmのサイズの直方体状のシリコンチップに加工し、このシリコンチップの上下面0.5mm×1.0mmのサイズの面に上面電極表面電極と下面電極裏面電極を取り付けることで実現される。実施の形態例1と同様に本実施の形態例2で使用した抵抗率10Ωcmのシリコンの抵抗率は、1°Cあたり0.8変化する。従って、図3のように配置したシリコンチップの温度依存終端抵抗4の抵抗値は、25°Cで40Ωであり、85°Cで20Ωとなる。また、温度依存終端抵抗4に直列に配置するチップ抵抗6の抵抗値を30Ωとすると、図6から環境温度25°Cで変調器集積型半導体レーザ3のレーザ駆動電流を60mA、変調器部3bの逆バイアス電圧を2.2Vにした場合のインピーダンスが50Ωとなり、また、図5から環境温度85°Cで変調器集積型半導体レーザ3のレーザ駆動電流を60mA、変調器部3bの逆バイアス電圧を1.3Vにした場合のインピーダンスも50Ωとなることがわかる。実施の形態例1と同様に本実施の形態例2においても高速変調信号は、金ワイヤ8を通し、高周波信号線基板2の高周波信号線2aを介して変調器部3bに伝達され、レーザ駆動用電流は金ワイヤ9を通してレーザ部3aに与えられる。本実施の形態例2の場合も、実施の形態例1と同様に電圧反射係数が改善された。なお、温度依存終端抵抗4とチップ抵抗6の配置は、必ずしも図3に示す配置に限定するものではなく、両者を入れ替えてもよい。この場合、変調器部3bの表面電極とチップ抵抗6の電極6aとを金ワイヤ11で接続し、チップ抵抗6の電極6bと温度依存終端抵抗4の表面電極とを金ワイヤ12で接続し、温度依存終端抵抗4の裏面電極をキャリア1の金コーティング1bに接続すればよい。<実施の形態例3>本発明の実施の形態例3に係る半導体レーザ装置を、図4等を参照して説明する。なお、図4において、実施の形態例1,2の半導体レーザ装置図1,図3と同様の部分には同一の符号を付している。図4に示すように、本実施の形態例3の半導体レーザ装置は、キャリア1の上に高周波信号線基板2と、変調器集積型半導体レーザ3と、中継基板5上に搭載した温度依存終端抵抗4と、チップ抵抗6と、チップコンデンサ7とを配置し、これらに金ワイヤ8~13を接続した構成となっている。即ち、本実施の形態例3の半導体レーザ装置は、実施の形態例2の半導体レーザ装置図3と同様の構成において、チップ抵抗6とグランドキャリア1の金コーティング1bとの間にチップコンデンサ7を配置したことを特徴としている。詳述すると、キャリア1の上面金コーティング1bに高周波信号線基板2と、変調器集積型半導体レーザ3と、セラミック基板5aの上面の一部に金電極5bをパターニングした中継基板5と、温度により抵抗値がほとんど変化しないチップ抵抗6と、チップコンデンサ7を搭載する。温度により抵抗値の変化する温度依存終端抵抗4は、中継基板5上の金電極5bの部分に搭載する。その後、図4に示すように金ワイヤ8~13で各部を接続する。即ち、実施の形態例1,2と同様に金ワイヤ8は高周波信号線2aの一端部に接続され、金ワイヤ9はレーザ部3aの表面電極に接続され、金ワイヤ10は両端が高周波信号線2aの他端部と変調器部3bの表面電極とに接続され、金ワイヤ11は両端が変調器部3bの表面電極と温度依存終端抵抗4の表面電極とに接続され、変調器部3bの裏面電極はキャリア1の金コーティング1に接続される。また、実施の形態例2と同様に温度依存終端抵抗4の裏面電極は中継基板5の金電極5bに接続され、この金電極5bに金ワイヤ12の一端が接続され、金ワイヤ12の他端はチップ抵抗6の電極6aに接続され、チップ抵抗6の電極6bに金ワイヤ13の一端が接続される。そして、金ワイヤ13の他端はチップコンデンサ7の表面電極に接続され、チップコンデンサ7の裏面電極はキャリア1の金コーティング1bに接続される。かくして、温度依存終端抵抗4とチップ抵抗6とチップコンデンサ7が直列に接続され、この直列接続された温度依存終端抵抗4、チップ抵抗6及びチップコンデンサ7が変調器部3bに並列に接続される。即ち、チップ抵抗6とグランドキャリア1の金コーティング1bとの間にチップコンデンサ7が配置される。温度依存終端抵抗4は実施の形態例2と同じものを使った。このようにチップ抵抗6とグランドキャリア1の金コーティング1bとの間にチップコンデンサ7を配置した構成にすることで抵抗部分に流れる直流電流成分を除去することができ、25°Cで76mWの消費電力の低減につながり、85°Cでは34mWの消費電力の低減が可能となった。なお、実施の形態例2の場合と同様に本実施の形態例3においても、温度依存終端抵抗4とチップ抵抗6の配置を入れ替えてもよい。この場合には、変調器部3bの表面電極とチップ抵抗6の電極6aとを金ワイヤ11で接続し、チップ抵抗6の電極6bと温度依存終端抵抗4の表面電極とを金ワイヤ12で接続し、温度依存終端抵抗4の裏面電極は中継基板5の金電極5bに接続し、金電極5bとチップコンデンサ7の表面電極を金ワイヤ13で接続し、チップコンデンサ7の裏面電極をキャリア1の金コーティング1bに接続すればよい。この場合、チップコンデンサ7は温度依存終端抵抗4とグランドキャリア1の金コーティング1bとの間に配置される。また、実施の形態例1図1と同様の構成において、温度依存終端抵抗4とグランドキャリア1の金コーティング1bとの間にチップコンデンサ7を配置するようにしてもよい。この場合には、例えば温度依存終端抵抗4を中継基板5上に搭載して温度依存終端抵抗4の裏面電極と中継基板5の金電極5bを接続し、金電極5bとチップコンデンサ7の表面電極を金ワイヤで接続し、チップコンデンサ7の裏面電極をキャリア1の金コーティング1bに接続すればよい。また、各実施の形態例1~3では温度依存終端抵抗4の材料としてホウ素ドープのシリコンを使用したが、これに限定するものではなく、温度依存終端抵抗4の材料は砒素ドープのシリコンや燐ドープのシリコンでもよいし、マンガン、コバルト、ニッケルなどの遷移金属の酸化物からなる半導体でもよい。また、各実施の形態例1~3では温度が高くなると温度依存終端抵抗4の抵抗値が小さくなることでインピーダンス整合が取れることが条件であったが、温度が高くなると温度依存終端抵抗4の抵抗値を大きくすればインピーダンス整合が取れるような条件の場合には、PTCサーミスタで使われるのと同様な材料を温度依存終端抵抗4の材料として用いればよい。"