シリコンウェーハのニッケル濃度を測定する方法であって、前記シリコンウェーハに熱処理を施す工程と、該熱処理を施したシリコンウェーハに選択エッチングを行うことで前記シリコンウェーハ表面にシャローピットを顕在化させる工程と、該顕在化させたシャローピットの密度とサイズからシリコンウェーハのニッケル濃度を求める工程とを含むことを特徴とするシリコンウェーハのニッケル濃度測定方法。前記シャローピットの密度とサイズからシリコンウェーハのニッケル濃度を求める工程を、前記顕在化させたシャローピットを撮影した画像データにデジタル処理を施すことによって前記シャローピットの密度と前記シャローピットのサイズの積値を求め、該求めた積値からシリコンウェーハのニッケル濃度を求めることを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェーハのニッケル濃度測定方法。本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであって、熱処理後のシリコンウェーハに含まれているニッケルの濃度を正確に測定することができるシリコンウェーハのニッケル濃度測定方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明では、シリコンウェーハのニッケル濃度を測定する方法であって、前記シリコンウェーハに熱処理を施す工程と、該熱処理を施したシリコンウェーハに選択エッチングを行うことで前記シリコンウェーハ表面にシャローピットを顕在化させる工程と、該顕在化させたシャローピットの密度とサイズからシリコンウェーハのニッケル濃度を求める工程とを含むことを特徴とするシリコンウェーハのニッケル濃度測定方法を提供する。本発明のシリコンウェーハのニッケル濃度測定方法によれば、シリコンウェーハ中に固溶しているニッケルの濃度を正確に把握することができる。またこのとき、前記シャローピットの密度とサイズからシリコンウェーハのニッケル濃度を求める工程を、前記顕在化させたシャローピットを撮影した画像データにデジタル処理を施すことによって前記シャローピットの密度と前記シャローピットのサイズの積値を求め、該求めた積値からシリコンウェーハのニッケル濃度を求めることが好ましい。このような方法であれば、シャローピットの密度とシャローピットのサイズの積値を容易に求めることができるため、シリコンウェーハのニッケル濃度を正確かつ容易に把握することができるために好ましい。以上説明したように、本発明のシリコンウェーハのニッケル濃度測定方法によれば、熱処理後のシリコンウェーハに含まれているニッケルの濃度を正確かつ容易に測定することができる。以下、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。上記のように、シャローピット観察とその密度測定は、従来ニッケルの存在を確認する方法として使われてきた。しかし、シャローピット密度からニッケルの具体的な濃度に換算することは非常に困難であった。実質的にシャローピット密度からニッケル濃度への換算を妨げている原因は、ニッケル濃度とシャローピット密度が逆相関しているという事実であり、非特許文献1に挙げた資料に詳しい記述がある。図2は本発明者による非特許文献1の追試であり、シャローピットの密度とニッケル汚染濃度との関係を示すグラフである。図2に示されるように、点線で示す濃度を境に、低濃度汚染領域では、シャローピット密度は汚染濃度増加に従って増加する傾向を示しているのに対し、高濃度汚染領域では、シャローピット密度は汚染濃度増加に従って減少する傾向を示しており、この傾向が非特許文献1とよく一致している。この相関図を用いる限り、例えシャローピット密度を求めても、対応する実汚染濃度が2つ存在することになり、そのどちらかを一義的に求めることはできないということを示している。本発明者は、この相関図を求めるのに使用した試料をよく観察すると、高濃度汚染領域ではシャローピット密度が高いほど、そのピットサイズが小さく、シャローピット密度が低いほどピットサイズが大きい傾向があることを知見した。従って、シャローピットの密度のみならず、シャローピットサイズの因子も考慮してシリコンウェーハ中のニッケル濃度を求めることに想到した。また、シャローピットの本体であるニッケルシリサイド形成に費やされたニッケル原子数は、高濃度汚染ほど多く、低濃度汚染ほど少ないと推定できたため、本発明者は、実ニッケル濃度とシャローピットを構成した全ニッケル原子数は単調増加の関係になると考えた。即ち、シャローピット観察の結果、シャローピットの密度にサイズの因子を乗じた値を何らかの手法で得れば、実ニッケル濃度と単調増加の関係で結ばれることを見出し、本発明を完成させた。以下、図面を参照して説明する。図1は、本発明のシリコンウェーハのニッケル濃度測定方法のフロー図である。本発明のシリコンウェーハのニッケル濃度測定方法は、シリコンウェーハに熱処理を施す工程を有する図1A。本発明における熱処理は、シリコンウェーハにニッケルが導入されるものであればよく、例えば、シリコンウェーハ表面にデバイスを作製する際に施す熱処理や、シリコンウェーハ作製時に施す熱処理を含むものである。この熱処理工程でニッケルを含む金属元素が半導体シリコンウェーハ中に汚染、拡散する。本発明は、このような熱処理を施したニッケル汚染が疑われるシリコンウェーハに関してニッケル濃度を測定するものである。熱処理条件としては、シリコンウェーハに施され得る全ての条件が該当し、ニッケルが導入され得る熱処理条件であれば全て適用され、特に限定されないが、例えば熱処理温度を200°C~シリコンの融点、熱処理時間を1秒~100時間とすることができる。次いで、熱処理を施したシリコンウェーハに選択エッチングを行うことで前記シリコンウェーハ表面にシャローピットを顕在化させる図1B。選択エッチングの方法は特に限定されるものではなく、例えば、選択エッチング液として混酸HF、HNO3系やSecco液等を用いてシリコンウェーハを10秒から30分間浸漬させることによって、容易に選択エッチングを行うことができる。この選択エッチングによって、ウェーハ表面に形成されたニッケルシリサイドを浅いピットシャローピットとして顕在化させる。次いで、顕在化させたシャローピットの密度とサイズからシリコンウェーハのニッケル濃度を求める図1C。このように、シャローピットの密度だけでなくサイズの因子も考慮することで、正確にシリコンウェーハ中に固溶しているニッケル濃度を求めることができる。より詳しくは、シャローピットの密度とサイズの積値とニッケル汚染濃度との相関は、極めて理解しやすい線形性があるため、シャローピットの密度とサイズの積値からニッケル濃度を導くことによって、シリコンウェーハのニッケル濃度を正確に把握することができる。しかし、顕微鏡像の観察写真からサイズの情報を測定する方法は簡単ではない。写真上の多数のピットを一つ一つ取り上げ、ピット形状を円とみなして直径を定規等で測定すればサイズの情報を得られることになるが、この方法では時間がかかる。そこで、光学顕微鏡等で撮影した写真を画像データに電子化し、その画像データをデジタル処理数値化して演算処理することで、シャローピットの密度とシャローピットのサイズの積値を求めることが好ましい。まず、顕微鏡写真を適当な画像データとして保存する。この際、画像データの保存形式は何でも構わないが、画像データはカラー情報を持っていることが多い。そこで、この画像データ上の全ての構成点ピクセルについて、白か黒のどちらかに分類する二値化変換を行う。次に、画像上、シャローピット部分は黒、その他部分は白で表されているので、この画像データに含まれる全てのピクセルについて、黒と白のどちらであるか判定し、黒白の各ピクセル数を積算する。最後に得られた黒白の各ピクセル数を画像を構成した全ピクセル数で除すと、画像全体に占める黒い部分の面積比が得られることになる。この面積比はシャローピットの密度にシャローピットのサイズ面積を乗じた値に比例している。この面積比とTXRF全反射蛍光X線分析法で測定した実ニッケル汚染濃度の関係を示す検量線を作成すれば、シャローピット観察結果からニッケル濃度を求めることができる。尚、これら一連の画像処理は、パーソナルコンピュータを用いた画像処理で行うことができるが、実際の作業を市販の画像処理ソフトや数値演算ソフトを組み合わせて行おうとすると、一つ一つの工程が手作業となり、時間が掛かってしまう恐れがある。そこで、これら一連の処理を一括して行うプログラムを作成し、用いることが好ましい。このプログラムを用いることで、シャローピットを撮影した複数枚の画像データを一括処理し、シャローピット密度とサイズの積値の情報を得ることができる。このプログラムを用いて、実際に作成した検量線を図3に示す。横軸のシャローピットの密度と面積の積値は、シャローピットを撮影した写真に占める全シャローピットの割合シャローピット部分の面積比を求めたものであり、この値に対し、縦軸に示すニッケル汚染濃度が単調増加の関係にあることから、画像処理プログラムとこの図を用いて実ニッケル濃度を知ることができる。また、図3における切片値から本発明のニッケル濃度測定方法による実ニッケル濃度検出下限は1×1010cm-2と判った。以下に本発明の実施例及び比較例を挙げて、本発明をより詳細に説明するが、これらは本発明を限定するものではない。実施例1CZ法により、直径200mm8インチ、初期酸素濃度14ppmaJEIDA、方位<100>のシリコン単結晶棒を引き上げた。この結晶棒を加工してできたシリコンウェーハの裏面に対し、1×1012cm-2初期汚染濃度のニッケルを塗布し、800°Cで15分の熱処理を施し、室温まで冷却した。この初期汚染濃度は、熱処理を施す前にTXRF法で測定している。続いて、選択エッチングを行い、ウェーハ表面に形成したニッケルシリサイドをシャローピットとして顕在化させた後、ウェーハ表面を光学顕微鏡で観察し、シャローピット数を数え、その密度を測定したところ、7×106cm-2であった。その後、観察画像を電子データとして保存し、本発明の手法を自動処理するプログラムを用いて、シャローピット密度と面積の積値を得たところ、2.0であった。この値は図3に示す検量線から約1.5×1012cm-2のニッケル汚染濃度に相当し、実ニッケル汚染濃度とほぼ一致したことから、この評価法で実ニッケル汚染濃度がほぼ的確に求められることがわかった。実施例2CZ法により、直径200mm8インチ、初期酸素濃度14ppmaJEIDA、方位<100>のシリコン単結晶棒を引き上げた。この結晶棒を加工してできたシリコンウェーハの裏面に対し、2×1010cm-2初期汚染濃度のニッケルを塗布し、800°Cで15分の熱処理を施し、室温まで冷却した。この初期汚染濃度は、熱処理を施す前にTXRF法で測定している。続いて、選択エッチングを行い、ウェーハ表面に形成したニッケルシリサイドをシャローピットとして顕在化させた後、ウェーハ表面を光学顕微鏡で観察し、シャローピット数を数え、その密度を測定したところ、5×106cm-2であり、実施例1で得られた1×1012cm-2の汚染の場合のシャローピット密度7×106cm-2とほとんど変わらなかった。その後、観察画像を電子データとして保存し、本発明の手法を自動処理するプログラムを用いて、シャローピット密度と面積の積値を得たところ、0.5であった。この値は図3に示す検量線から約3×1010cm-2のニッケル汚染濃度に相当し、実ニッケル汚染濃度とほぼ一致したことから、この評価法で実ニッケル汚染濃度がほぼ的確に求められたことがわかった。比較例CZ法により、直径200mm8インチ、初期酸素濃度14ppmaJEIDA、方位<100>のシリコン単結晶棒を引き上げた。この結晶棒を加工してできたシリコンウェーハの裏面に対し、2×1010cm-2初期汚染濃度のニッケルを塗布し、800°Cで15分の熱処理を施し、室温まで冷却した。この初期汚染濃度は、熱処理を施す前にTXRF法で測定している。続いて、選択エッチングを行い、ウェーハ表面に形成したニッケルシリサイドをシャローピットとして顕在化させた後、ウェーハ表面を光学顕微鏡で観察し、シャローピット数を数え、その密度を測定したところ、5×106cm-2の密度であった。図2のシャローピット密度と実汚染濃度との相関図にこの値を参照すると、2×1010cm-2の汚染濃度であるか、あるいは1×1012cm-2の汚染濃度である可能性が示されたのみであり、いずれの汚染濃度が正しいのかを求めることはできなかった。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。