炭化珪素SiCで構成される半導体層中に深さの異なる第1第2の少なくとも2種の溝が形成された構成を具備する半導体装置の製造方法であって、光を吸収する吸収層を前記半導体層の表面に局所的に形成する吸収層形成工程と、前記吸収層形成工程においては、第1の溝と第2の溝の開口部に対応してパターン幅の異なる吸収層が形成され、前記吸収層が形成された側から前記半導体層に対して光を照射する照射工程と、前記照射工程によって前記半導体層に形成された非晶質層をウェットエッチングによって除去することによって前記溝を形成する非晶質層除去工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記半導体装置は、半導体層中にトレンチ型のゲートが形成され、前記ゲートの両側に拡散層が形成されたトランジスタセルを複数含むセル部と、前記セル部を囲む外周部からなり、前記吸収層のパターン幅は、前記セル部より外周部の方が狭く形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記半導体装置は、半導体層中にトレンチ型のゲートが形成され、前記ゲートの両側に拡散層が形成されたトランジスタセルを複数含むセル部と、前記セル部を囲む外周部からなり、前記吸収層のパターン幅は、前記セル部より外周部の方が広く形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記光の波長を、前記半導体層を構成する材料の禁制帯幅に対応するエネルギーの光の波長を越える波長とし、前記吸収層の厚さを、前記光を吸収した前記吸収層の発熱が前記半導体層に伝わることによって前記半導体層が非晶質化されるように設定することにより、前記照射工程において、前記吸収層の直下の前記半導体層に前記非晶質層を形成することを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記吸収層は黒鉛で構成されることを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。請求項1から請求項5までのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする半導体装置。前記溝の中にゲート酸化膜及びゲート電極が形成されたMOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistorであることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。金属をマスクとしたドライエッチングを行う場合には、半導体層のエッチングを行う前に、マスクとなる金属のエッチングを行うことが必要となる。ところが、上記のようなSiCのドライエッチングにおける耐性の高い金属材料のエッチングは容易ではなく、加工を高精度で行うことは特に困難である。また、こうした金属材料はSiCにおいては電気的に活性な不純物となるため、製造工程においてこうした金属材料がMOSFETの活性領域に拡散しないような構成やプロセスを用いることが必要となる。一方、イオン注入を用いる特許文献3に記載の技術において、イオン注入によって形成されるイオン照射損傷層の深さは、注入されるイオンのエネルギーに依存する。しかしながら、この深さを例えば1μm程度としようとすると、十分なイオン電流が得られず注入時間が長くなる。このため、実際には、1μm程度の深さのトレンチを形成するためには、イオン注入とウェットエッチングを複数回繰り返す必要があった。このように、SiCからなる半導体層において、単純な製造工程でトレンチ構造を形成することは困難であった。また、SiCからなる半導体層において、同一工程で深さの異なるトレンチを形成することは困難であった。本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、上記問題点を解決する発明を提供することを目的とする。本発明は、上記課題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。本発明の半導体装置の製造方法は、炭化珪素SiCで構成される半導体層中に深さの異なる第1第2の少なくとも2種の溝が形成された構成を具備する半導体装置の製造方法であって、光を吸収する吸収層を前記半導体層の表面に局所的に形成する吸収層形成工程と、前記吸収層形成工程においては、第1の溝と第2の溝の開口部に対応してパターン幅の異なる吸収層が形成され、前記吸収層が形成された側から前記半導体層に対して光を照射する照射工程と、前記照射工程によって前記半導体層に形成された非晶質層をウェットエッチングによって除去することによって前記溝を形成する非晶質層除去工程と、を具備することを特徴とする。本発明の半導体装置は、前記半導体装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする。本発明は以上のように構成されているので、SiCからなる半導体層において、同一工程で深さの異なるトレンチを形成することができる。以下、本発明の実施の形態となる半導体装置の製造方法につき説明する。この製造方法は、炭化珪素SiCの単結晶で構成される半導体層中に深さの異なる溝トレンチが形成された構成を具備する半導体装置の製造方法である。ここでは、特許文献3に記載の技術と同様に、この半導体層に非晶質層を形成し、この非晶質層をウェットエッチングすることによって溝を形成する。この非晶質層を形成するために、特許文献3に記載の技術においては、イオン注入を用いていたのに対し、本発明の実施の形態となる半導体装置の製造方法では、光レーザー光の照射が用いられる。これにより、半導体層SiCの温度が急上昇して結晶配列秩序が崩れる。更に、レーザー光の照射が終了するとこの加熱された箇所は急冷されるために、非晶質化がなされる。このために必要となる加熱温度は1600°C以上である。半導体層の上には、光を吸収する吸収層がパターニングされて形成される。形成される非晶質層溝の平面視における形状は、この吸収層によって規定される。特許文献3に記載の技術のようにイオン注入を用いる場合には、マスクが形成されていない領域においてのみイオン照射損傷層非晶質層が形成されるのに対し、この製造方法においては、吸収層の直下に非晶質層を形成することができる。この設定は、吸収層がレーザー光を吸収することによって起こる温度分布と、光の波長を考慮して行うことができる。ここで使用される光としては、特に高輝度が得られ、かつ単色であるために半導体層における吸収を制御しやすいレーザー光が好ましく用いられる。一般に、レーザー光は小さなスポットサイズとされ、これが走査されることによって例えば上記の半導体層の全面を照射することができる。黒鉛からなる吸収層を半導体層SiCの上に形成した構成に対して、波長が532nmのレーザー光を照射した際の温度分布を算出した。この波長はSiCの禁制帯幅に対応するエネルギーの光の波長380nm程度よりも長いため、SiCでは吸収されず、黒鉛で吸収される。このため、この波長のレーザー光を用いる場合には、吸収層でこのレーザー光を吸収させて発熱させ、その直下の半導体層を非晶質化することができる。図1は、厚さが100nmの吸収層に対してレーザー光を照射した場合の半導体中の温度分布吸収層/SiC界面を原点とするである。SiCを非晶質化させることのできる温度は1600°C程度である。図1の結果より、半導体層の表面を2800°C程度とすることが可能であり、更に、表面から1μm程度の深さまで1600°C以上とすることが可能であることがわかる。すなわち、吸収層の直下に表面から1μm以上の深さの非晶質層を形成することが可能である。特許文献3に記載の通り、この非晶質層はウェットエッチングによって容易に除去することができ、この深さの溝を形成することが可能である。ただし、SiCは2800°C以上の温度で昇華するため、半導体層の表面が2800°C以上とならない設定とすることが好ましい。こうした設定は、図1より、レーザー光のスポット径の調整によって行うことが可能である。あるいは、レーザー光の他の照射条件走査速度等、波長、吸収層の厚さの調整によって行うこともできる。吸収層が厚くなった場合には、レーザー光は吸収層の上部でのみ吸収されるため、発熱部は吸収層の上部のみとなる。この場合には、発熱部から半導体層表面までの距離が長くなるため、半導体層表面の温度が低下することは明らかである。このため、吸収層の厚さは、レーザー光が吸収層で充分吸収される範囲内で薄くすることが好ましい。すなわち、レーザー光の波長を、SiCでの吸収が小さな波長SiCの禁制帯幅に対応するエネルギーをもつ光の波長を越える波長とし、吸収体は、レーザー光を充分に吸収できる範囲内で薄くすることが好ましい。以下に、本発明の実施の形態として、上記の吸収層を用いて深さの異なるトレンチを形成し、トレンチゲート型のMOSFETを製造する例について説明する。このMOSFETを構成する半導体層の材料はSiCである。第1の実施の形態図2a~jは、この半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。図2は、このトレンチゲート型MOSFETにおけるゲートが延伸する方向の溝に垂直な方向の断面図であり、セル部には同じ形状のMOSFETが横方向に並んで製造されている。隣接するMOSFETにおけるソース電極は共用とされている。また、セル部を囲む外周部には、セル部に形成されるトレンチの深さよりも浅いトレンチが複数形成されている。まず、図2aに示されるように、n型第1の導電型の半導体基板1に表面保護用の注入前酸化膜2を形成する。その後、図2bに示されるように、フォトレジスト3でp型ウエル領域4を形成するための注入マスクを2μmの膜厚で形成し、200~400keVのエネルギー、5×1013cm-2程度のドーズ量で段階的にAlイオンを注入する。次に、図2cに示されるように、p型ウエル領域4の表面に局所的にn層5を形成するソース領域形成工程。n層5は、MOSFETのソースとなる領域であり、ドナーとなる元素例えば燐Pがフォトレジスト層3をマスクとして50~200keVのエネルギー、1×1015cm-2程度のドーズ量でイオン注入されることによって形成される。この場合の注入マスクは、1μmの膜厚で形成される。また、図2dに示されるように、n層5の間には、p層6が形成される。p層6は、1μmの膜厚のフォトレジスト層3を注入マスクとして、例えばアルミニウムAlを50~150keVのエネルギー、2×1015cm-2程度のドーズ量でイオン注入することによって形成される。なお、上記のように、p型ウエル領域4、n層5、p層6はイオン注入によって形成される。ここで、p型ウエル領域4を形成するためのイオン注入、n層5、p層6を形成するためのイオン注入直後において、これらの層に対応する箇所はイオンによる照射損傷のために非晶質化しており、この時点ではp型ウエル領域4、n層5、p層6としては電気的に機能しない。これらの層を再結晶化し、かつ注入されたアクセプタ、ドナーを活性化するために、熱処理工程が行われる。この熱処理工程の温度は例えば1800°C程度であり、この熱処理工程後によってこれらの層はp型ウエル領域4、n層5、p層6として電気的に機能することができる。次に、図2eに示されるように、カーボンキャップ層吸収層30を、半導体基板1の表面上のトレンチが形成されるべき箇所に形成する吸収層形成工程。カーボンキャップ層30は、黒鉛グラファイトで構成された層である。その形成方法としては、例えば、半導体基板1表面上の全面にグラファイト材料をスパッタリングで形成し、その後、フォトレジストを塗布して、所定の位置にカーボンキャップ層30が形成されるように露光、エッチングを行う。その後、形成されたカーボンキャップ層30上に残ったフォトレジストを有機溶媒などで除去することで形成できる。また、逆にカーボンキャップ層30が形成されるべき箇所にフォトレジスト層を形成した後に不活性ガス中で高温の熱処理を行ってフォトレジスト層を炭化することによって、フォトレジスト層をカーボンキャップ層30に変質させることもできる。カーボンキャップ層30の厚さは例えば100nm程度である。カーボンキャップ層吸収層30は、形成しようとするトレンチの深さに対応するようパターン幅を規定する。図1に示す通り、レーザー径が大きいほど、同一温度においてより深い位置までSiCを非晶質化できる。そのため、カーボンキャップ層30の平面視における幅を広くすることで、開口幅が広く、深さの深いトレンチを形成することができる。ここでは、セル部のトレンチを外周部のトレンチよりも深く形成するため、セル部におけるカーボンキャップ層30の平面視における幅は、外周部よりも広く形成するようにする。具体的には、セル部には2μmの深さのトレンチを形成できるようにするため、カーボンキャップ層30の平面視における幅は4μmとし、外周部には1μm深さのトレンチを形成できるようにするため、カーボンキャップ層30の平面視における幅は2μmとしている。次に、図2eに示されるように、この状態で、上方から半導体基板1の基板面に垂直にレーザー光100を照射する照射工程。レーザー光100は、小さなスポットサイズをもったビーム状であり、これが上面全面にわたり走査される。また、レーザー光100の波長は、カーボンキャップ層30では吸収されるがSiCには吸収されない程度の波長として、例えばSiCの禁制帯幅に対応するエネルギーの光よりも長波長となる532nm、808nmとする。このため、このレーザー光100は、図2e中においてカーボンキャップ層30でのみ吸収され、露出したn層5、p層6、及びこれらの直下の半導体基板1を透過する。レーザー光100を吸収したカーボンキャップ層30の温度は急激に上昇し、この温度が3000°C以上の黒鉛の融解点よりも低ければ、カーボンキャップ層30は、その形態を保ったままで高温となる。この熱は直下のn層5、及びその下のp型ウエル領域4等に伝わり、これらの層も高温となる。その結果、カーボンキャップ層30直下においては、n層5、p型ウエル領域4、半導体基板1は、局所的に高温となる。この温度が1600°C以上であれば、これらの層におけるSiCの結晶性が変化する。更に、レーザー光100の照射が停止した後に、この領域は急冷される。これにより、この領域におけるSiCは非晶質化する。すなわち、図2eに示されるように、カーボンキャップ層吸収層30の直下に非晶質層7が形成される。この非晶質層7の平面視における幅はカーボンキャップ層30によって規定され、非晶質層7の深さも前記の通り、カーボンキャップ層30によって規定される。次に、カーボンキャップ層30を除去する吸収層除去工程。カーボンキャップ層30は、酸素雰囲気での熱処理、あるいは酸素プラズマ処理によって、CO2気体として除去することが可能である。この際、SiCで構成された半導体基板1等は影響を受けない。特許文献3に記載の技術におけるイオン照射損傷層と同様に、非晶質層7においては結晶構造が維持されていないため、これをエッチングすることが容易である。このため、図2fに示されるように、例えばフッ硝酸を用いたウェットエッチングによって非晶質層7を選択的に化学的に除去することができる非晶質層除去工程。これにより、非晶質層7が形成されていた箇所にトレンチ20が形成される。なお、前記のソース領域形成工程後における熱処理イオン注入後の熱処理が照射工程以降においても行われていなかった場合には、イオン注入された層n層5、p層6等に該当する領域も、非晶質層7と同時に除去される。また、この熱処理を照射工程の後で非晶質層除去工程よりも前に行った場合には、非晶質層7が再結晶化し、非晶質層7をウェットエッチングで除去することが困難となる。このため、この熱処理は、照射工程より前に行うことが必要である。次に、図2gに示されるように、この状態で酸化雰囲気で熱処理を行い、ゲート酸化膜8を形成するゲート酸化工程。ゲート酸化膜8は、SiCがO2と高温で反応して形成される。この際に同時にCO、CO2も形成されるが、これらは気体となって飛散するため、ゲート酸化膜8はSiO2を主成分とする層となる。なお、この酸化反応はSiCの全面で生ずるため、トレンチ20内の側面や底面にもゲート酸化膜8は形成される。この熱処理は、例えば1300°C程度の温度のドライもしくはウェット酸化として行われ、ゲート酸化膜8をMOSのゲート絶縁層として使用するためには、その厚さを例えば50nm程度とする。この厚さは熱処理の時間で調整することが可能である。またゲート酸化膜以外で絶縁体として熱窒化膜、CVDによる酸化膜、窒化膜、Al2O3、またはそれらを組み合わせたものを使用してもよい。次に、セル部において多結晶シリコン層ゲート電極9をトレンチ20内に形成するゲート形成工程。多結晶シリコン層9をこの形態で形成するためには、半導体基板1の上面側に多結晶シリコンを成膜した後に、多結晶シリコンを上側から異方性エッチングドライエッチングするエッチバックを行えばよい。この際、トレンチ20内が多結晶シリコンで充填されるように、段差被覆性に優れたCVD法等によって多結晶シリコンの成膜を行うことが好ましい。また、多結晶シリコンにおいては、導電性を付与するために燐等がドーピングされる。この多結晶シリコン層9は、MOSのゲートとして機能する。また、多結晶シリコン層9と半導体基板1、p型ウエル領域4、n層5、p層6との間にはゲート酸化膜8が存在し、多結晶シリコン層9と半導体基板1、p型ウエル領域4、n層5、p層6とは直接接さない構成とされる。次に、図2hに示されるように、上面に層間絶縁層10を形成する層間絶縁層形成工程。層間絶縁層10はゲート酸化膜8と同様にSiO2を主成分とするが、層間絶縁層10は電極間や電極と半導体層との間等の絶縁のために用いられるため、CVD法等によってゲート酸化膜8よりも充分厚く形成する。次に、層間絶縁層10におけるコンタクトのための開口として、ソース開口を形成するコンタクト開口工程。この工程は、フォトレジストをマスクとしたSiO2のドライエッチングによって行われる。次に、図2iに示されるように、半導体基板1の両表面に、Ni電極を1000Åで形成し、コンタクトアニールを950°C/2minで行い、n層5、p層6及び半導体基板1にシリサイド層16を形成するシリサイデーション工程。なお、層間絶縁層10上のNi電極はシリサイデーションを起こさないため、過硫酸等のエッチング液で除去する。その後、層間絶縁層10におけるコンタクトのための開口として、ソース開口を形成した時と同様にゲート開口を形成する。最後に、図2jに示されるように、ソース開口を覆ってソース配線11が、ゲート開口を覆ってゲート配線が図示しない、裏面側にドレイン電極12が、それぞれ形成される電極形成工程。上記の製造方法によって、トレンチゲート型のMOSFETが製造される。ここで、ソース領域形成工程、ゲート酸化工程、ゲート形成工程、層間絶縁層形成工程、コンタクト開口工程、シリサイデーション工程、電極形成工程については、従来より知られる製造方法と同様である。ただし、上記の製造方法においては、トレンチ20を形成するために、吸収層形成工程、照射工程、吸収層除去工程、非晶質層除去工程を行っている。これにより、ドライエッチングによらずにトレンチ20を形成することができる。この点については、特許文献3に記載の技術と同様である。しかしながら、特許文献3に記載の技術では半導体層の表面から深くイオンを注入することが困難であるためにイオン照射損傷層を深く形成することが困難であった。これに対して、上記の製造方法においては、カーボンキャップ層30の膜厚やレーザー光100の照射条件の設定によって、非晶質層7を深く形成することが可能である。このため、この非晶質層7をウェットエッチングすることによって容易にトレンチ20を形成することができる。また、吸収層形成工程において、カーボンキャップ層30の幅を広く形成することで、開口幅が広く深さの深いトレンチを形成でき、カーボンキャップ層30の幅を狭く形成することで、開口幅が狭く浅いトレンチを形成できることから、深さの異なるトレンチを同一工程で容易に形成することができる。なお、上記の例では、吸収層としてカーボンキャップ層30が用いられていたが、レーザー光100を吸収し、これによって発生した熱を直下の半導体層に伝えて非晶質化を起こすことができる材料であれば、他の材料からなる吸収層を用いることも可能である。ただし、カーボンキャップ層30は半導体層SiCを構成する元素の一つである炭素Cで構成されるため、トレンチをドライエッチングで形成する際に従来用いられていた金属マスクと異なり、半導体層に対して不純物としての悪影響を与えることがない。また、前記の吸収層形成工程、吸収層除去工程で示された通り、その形成除去も極めて容易である。このため、カーボンキャップ層30を用いることが特に好ましい。第2の実施の形態図3に第2の実施形態を示す。第1の実施形態では、セル部のトレンチを外周部のトレンチよりも深く形成したが、本実施形態においては、逆に外周部のトレンチをセル部のトレンチよりも深く形成されているトレンチゲート型のMOSFETである。セル部のトレンチに対し、外周部のトレンチを深くすることで、外周部に電解集中を起こさせることができ、リーク箇所を外周部にすることができる。また、上記の例では、トレンチゲート型のMOSFETを製造する例について記載したが、トレンチ構造が用いられた半導体装置であれば、同様に製造することができることは明らかである。