半導体基板と、前記半導体基板上に形成された配線層と、を備え、前記半導体基板は、前記配線層に覆われた第1の領域と、前記半導体基板の外周部に形成され、且つ、前記配線層に覆われていない第2の領域とを備え、前記半導体基板の前記第2の領域に絶縁膜が形成され、前記配線層の上面と前記絶縁膜の上面とは略同一の面である、ことを特徴とする半導体ウェハ。前記配線層の上面と前記絶縁膜の上面との高さは同じである、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェハ。半導体基板と、前記半導体基板上に形成された配線層と、を備え、前記半導体基板は、前記配線層に覆われた第1の領域と、前記半導体基板の外周部に形成され、且つ、前記配線層に覆われていない第2の領域とを備え、前記第1の領域の配線層において、前記第1の領域から前記第2の領域に向かって層厚が減少する第3の領域を備え、前記第3の領域の前記配線層上に絶縁膜が形成され、前記第1の領域における前記配線層の上面と前記絶縁膜の上面とは、略同一の面である、ことを特徴とする半導体ウェハ。半導体基板と、前記半導体基板上に形成された配線層と、を備え、前記配線層は、前記配線層の上面がほぼ平坦であり、且つ、その高さが略同一であるような第4の領域と、前記第4の領域から前記半導体基板の周辺部に向かって、前記配線層の上面の高さが減少する第5の領域と、を備え、前記第5の領域の前記配線層上に絶縁膜が形成され、前記第4の領域における前記配線層の上面と前記第5の領域の前記絶縁膜の上面とは、略同一の面である、ことを特徴とする半導体ウェハ。半導体基板と、前記半導体基板上に形成された配線層と、を備え、前記配線層は、前記配線層の上面がほぼ平坦であり、その高さが略同一である第4の領域と、前記第4の領域から前記半導体基板の周辺部に向かって、前記配線層の上面の高さが減少する第5の領域と、を備え、前記第4の領域及び前記第5の領域の前記配線層上に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜の上面がほぼ平坦であり、且つ、その高さが略同一である、ことを特徴とする半導体ウェハ。前記半導体基板の外周部には、段差が形成された段差加工領域をさらに備えることを特徴とする、請求項1から5のいずれか1つに記載の半導体ウェハ。前記絶縁膜は、酸化物もしくは窒化物からなることを特徴とする請求項1から6のいずれか1つに記載の半導体ウェハ。請求項1から7のいずれか1つに記載の半導体ウェハと、前記半導体ウェハにおいて略同一である前記配線層の上面と前記絶縁膜の上面とに接するように接合された被接合半導体ウェハとを、備えることを特徴とする積層構造体。半導体基板の中央部に第1の領域に配線層を形成し、前記半導体基板の外周部に位置し、且つ、前記配線層に覆われていない第2の領域に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜を研磨することにより、前記配線層の上面と略同一の面であるような前記絶縁膜の上面を形成する、ことを特徴とする半導体ウェハの製造方法。本発明は、積層された半導体ウェハから製造することができる半導体チップの取り数を増やすことができ、且つ、半導体ウェハの加工費用を低減することができる半導体基板及びその製造方法を提供する。本発明の実施形態によれば、半導体ウェハは、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された配線層と、を備え、前記半導体基板は、前記配線層に覆われた第1の領域と、前記半導体基板の外周部に形成され、且つ、前記配線層に覆われていない第2の領域とを備え、前記半導体基板の前記第2の領域に絶縁膜が形成され、前記配線層の上面と前記絶縁膜の上面とは、略同一の面である。以下、図面を参照して、実施形態を説明する。ただし、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。なお、全図面にわたり共通する部分には、共通する符号を付すものとし、重複する説明は省略する。また、図面は発明の説明とその理解を促すための模式図であり、その形状や寸法、比などは実際の装置とは異なる個所もあるが、これらは以下の説明と公知の技術を参酌して適宜、設計変更することができる。まず、半導体ウェハ1について説明する。詳細には、半導体ウェハ1上に配線層11が形成され、被接合半導体ウェハ2と貼り合される前の半導体ウェハ1上の各領域について、半導体ウェハ1の一例を示す図1を用いて説明する。図1aは、半導体ウェハ1の外周部側の部分を示す断面図であり、図1bは、半導体ウェハ1の上面図である。図1aの断面図に示されるように、半導体ウェハ1については、半導体ウェハ1の中心から外周部51近傍までの中央部50におけるその上面1aはほぼ平坦であり、その高さは略同一である。ここで、略同一とは、半導体ウェハ1の裏面から測定して数学的に同一の高さである場合だけを意味するのはなく、半導体ウェハ1の製造工程において工業的に許容される程度の高さの違いがある場合も含むことを意味する。さらに、半導体ウェハ1の外周部51における上面1aは、平坦な領域が終わり、図中に示すA点から半導体ウェハ1の外側に向かって丸みを帯びつつ、その高さが徐々に低くなって、半導体ウェハ1の側面1bへと続いている。さらに、半導体ウェハ1の中央部50の一部の上面1a上には、金属と絶縁体とからなる配線層11が形成されている。詳細には、この配線層11は絶縁膜とその中に形成された配線とを含む。以下、配線層11が形成されている半導体ウェハ1の上面1aの部分を第1の領域60と呼び、配線層11が形成されていない半導体ウェハ1の上面1aの部分を、第2の領域61と呼ぶ。なお、第2の領域61には配線層11が形成されている場合もあるが、この部分に形成された配線層11は不完全なものであるため、以下の説明においては、第2の領域61に形成された配線層11は、配線層11と見なさず、第2の領域61には配線層11はないものとして取り扱う。また、上面1aにおいて、半導体ウェハ1の外周部51と中央部50のうちの外周部51側の部分とには、半導体素子を形成することができない又は形成しない領域があり、以下の説明においては、この領域をエッジカット領域31と呼ぶ。詳細には、配線層11のエッチング工程において配線層11を覆うレジスト膜を形成する際、レジスト膜が半導体ウェハ1の側面1bや裏面1cへ回り込むことを防止するために、レジスト膜の外周部を取り除くエッジカット処理が施される。そのため半導体ウェハ1の外周部51と、中央部50のうちの外周部51側の部分との配線層11にはレジスト膜が覆うことなく、よってこの半導体ウェハ1の外周部51と、中央部50のうちの外周部51側の部分との上に形成された配線層11がエッチングされてしまう。従って、この領域には半導体素子を形成することができない又は形成しないエッジカット領域31が存在する。半導体ウェハ1上の配線層11の厚さは、半導体ウェハ1の中央部50の中心部ではほぼ一定であり、言い換えると、半導体ウェハ1上の配線層11の上面11aの高さは、半導体ウェハ1の中央部50の中心部では略同一である。ここで、略同一とは、先の説明と同様に、半導体ウェハ1の上面1aから測定して数学的に同一の高さである場合だけを意味するのはなく、半導体ウェハ1の製造工程において工業的に許容される程度の高さの違いがある場合も含むことを意味する。以下の説明においては、この配線層11の厚さがほぼ一定であり、且つ、ほぼ平坦である領域を、配線層厚一定領域第4の領域33と呼ぶ。また、配線層厚一定領域33とエッジカット領域31との間には、配線層厚一定領域33からエッジカット領域31にかけて配線層厚一定領域33から半導体ウェハ1の周辺部に向かって、配線層11の厚さが徐々に減っていく領域、言い換えると、配線層11の上面11aの高さが徐々に低くなっていく領域があり、以下の説明においては、この領域を配線層厚暫減領域第5の領域32と呼ぶ。この配線層厚暫減領域32が形成される理由としては、半導体ウェハ1上に配線層11を形成する工程において、CMPChemicalMechanicalPolishingと呼ばれる配線層11の上面11aを研磨する研磨工程が行われるが、このCMPの際に、研磨ダレ研磨した表面に傾斜等が存在することが発生することに起因する。すなわち、配線厚一定領域33からエッジカット領域31にかけて、配線層11の厚さは研磨ダレにより暫減していく。しかしながら、この暫減の程度はナノメートルオーダと小さいため、この配線層厚暫減領域32には、半導体素子や配線を形成することは可能である。さらに、図1bに示すように、略円形の半導体ウェハ1は、ノッチ40図1bにおいて半導体ウェハ1の下端にある切り欠けを有し、さらに、略円形の配線層11は、ノッチ40の一部に重なるように、半導体ウェハ1の中央部50の外周側を除いて、中央部50上に形成されている。また、エッジカット領域31は、ノッチ40の最も内側の部分この切り欠けの先端を以下の説明では、ノッチ40の先端41と呼ぶを含むように形成される。ここでは、3次元積層半導体モジュールを製造する際に行われる、直接接合法による半導体ウェハの接合を例に説明するが、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。図1から図6は、本実施形態の製造方法を示す図である。詳細には、図1から図4の各aは、半導体ウェハ1の外周部側の部分の断面図であり、図1から図4の各bは、半導体ウェハ1の上面図である。また、図5及び図6は半導体ウェハ1の外周部側の部分の断面図である。まず、図1a及びbに示すように、先に説明したような配線層11が形成された半導体ウェハ1を準備する。この配線層11は、略円形であり、半導体ウェハ1の中央部50の外周側を除いて、中央部50上に形成されている。次に、図2a及びbに示すように、半導体ウェハ1上に、配線層11から半導体ウェハ1の外周部51までを覆うような、シリコン酸化物等の酸化物やシリコン窒化物等の窒化物からなる絶縁膜12を形成する。この絶縁膜12を形成する方法としては、SOGSpinOnGlassなどの塗布法や、CVDChemicalVaporDepositionなどの蒸着法やスパッタ法など、特に形成方法を限定することなく公知の方法を用いることができる。この際、図2a中のエッジカット領域31と配線層厚暫減領域32とにおける配線層11と絶縁膜12との厚さの合計が、配線層厚一定領域33の配線層11の厚さ以上になることが好ましく、半導体ウェハ1の上面1aから見た絶縁膜12の上面12aの高さに関して、配線層厚一定領域33に位置する部分の高さよりも配線層厚暫減領域32及びエッジカット領域31に位置する部分の高さのほうが高くなっていることがさらに好ましい。この後にCMPを用いて絶縁膜12の上面12aをほぼ一定の高さに平坦化することとなるが、CMPは表面の形状に沿って研磨する傾向があるため、上記のように絶縁膜12を形成したほうが、絶縁膜12の上面12aを平坦化することが容易であるからである。図2bに示すように、絶縁膜12は、ノッチ40の先端41より外側にまで形成される。そして、この絶縁膜12の上面12aをCMP等の研磨法を用いて研磨し、図3a及びbに示すように絶縁膜12の上面12aを平坦化する。これにより、エッジカット領域31の外周部近傍の一部を除いて、エッジカット領域31の一部に位置する絶縁膜12の上面12aと、配線層厚暫減領域32及び配線層一定領域33に位置する絶縁膜12の上面12aもしくは配線層11の上面11aとは、連続した1つの平坦な面となり、且つ、その面の高さは全体に亘って略同一となる。ここで、略同一とは、全面に亘って半導体ウェハ1の上面1aから測定して数学的に同一の高さである場合だけを意味するのはなく、研磨の際のわずかな傾きを考慮したうえで、この後の製造工程及び製品として許容される数nm程度の高さの違いがある場合をも含むことを意味する。また、図3aに示されるように、エッジカット領域31の最外周に形成された絶縁膜12の部分の上面12aの高さについては、略同一でなくても良い。また、詳細には、図3aの断面図に示すように、絶縁膜12の上面12aがほぼ平坦であるような領域の端部Bは、半導体ウェハ1の上面1aがほぼ平坦であるような領域が終わり丸みを帯び始める位置Aよりも、半導体ウェハ1の外側に位置している。この端部Bの位置は、図3bにおいては、半導体ウェハ1の外周に最も近い点線で示されている。また、図3bに示すように、絶縁膜12の上面12aがほぼ平坦であるような領域は、ノッチ40の先端41よりも半導体ウェハ1の外側に形成されているが、これに限定するものではなく、ノッチ40の先端41より内側半導体ウェハ1の中心部側で絶縁膜12の上面12aがほぼ平坦である領域が終わっていても良い。このように、絶縁膜12を形成する前の状態を示す図1aと比べて、図3aにおいては、絶縁膜12が設けられていることにより、配線層厚暫減領域32の一番上に位置する面である最上面絶縁膜12の上面12aもしくは配線層11の上面11aはほぼ平坦となり、エッジカット領域31の最外周近傍の一部を除いて、エッジカット領域31の一部に位置する絶縁膜12の上面12aもほぼ平坦となる。従って、エッジカット領域31の外周部近傍の一部を除いて、エッジカット領域31の一部に位置する絶縁膜12の上面12aと、配線層厚暫減領域32及び配線層一定領域33に位置する絶縁膜12の上面12aもしくは配線層11の上面11aとは、連続した1つの平坦な面となり、且つ、その面の高さは全体に亘って略同一となる。なお、図3a及びbにおいては、配線層一定領域33に位置する絶縁膜12は研磨により除去され、絶縁膜12は、エッジカット領域31と配線層厚暫減領域32の一部又は全体を覆うものとなる。言い換えると、絶縁膜12は、配線層11が形成されている第1の領域60の外周部と、配線層11が形成されていない第2の領域61とを覆うものとなる。しかしながら、これに限るものではなく、本実施形態の第1の変形例を示す図7a及びbにように、配線層一定領域33に位置する絶縁膜12を残し、絶縁膜12が半導体ウェハ1の全体を覆うようにしても良い。すなわち、先に説明した実施形態と同様に、エッジカット領域31の外周部近傍の一部を除いて、エッジカット領域31の一部に位置する絶縁膜12の上面12aと、配線層厚暫減領域32及び配線層一定領域33に位置する絶縁膜12の上面12aとは、連続した1つの平坦な面であり、且つ、その面の高さは全体に亘って略同一としても良い。ここで、略同一とは、先に説明したように、数学的に同一の高さである場合だけを意味するのはなく、製造工程及び製品として許容される数nm程度の高さの違いがある場合をも含むことを意味する。また、図7aに示されるように、エッジカット領域31の最外周に形成された絶縁膜12の部分の上面12aの高さについては、略同一でなくても良い。次に、図4a及びbに示すように、研磨、ダイサーによる切断、エッチング等により半導体ウェハ1の外周部51の最外周部分に段差加工を行い、段差加工領域34を形成する。図4bに示すように、段差加工は、ノッチ40の先端41よりも内側に形成される。段差加工の詳細については、後で説明する。そして、図5に示すように、半導体ウェハ1と被接合半導体ウェハ2とを直接接合し、積層構造を形成する。詳細には、被接合半導体ウェハ2は、半導体基板1の配線層11の上に積層されることとなる。半導体ウェハ1を被接合半導体ウェハ2に接合する際の接合方法としては、水酸基結合やプラズマ活性化などの手法を用いた常温での直接接合法を用いる。他の接合方法として、例えば樹脂材料を介した樹脂接合法等が挙げられるが、樹脂材料は耐熱性に問題があり、耐熱性や接合位置精度の観点からは好ましくないため、直接接合法を用いる。次に、接合した半導体ウェハ1と被接合半導体ウェハ2との積層構造の厚さを薄くする。詳細には、図6に示すように、半導体ウェハ1の裏面1cに対して研削及び研磨を行う。ここで、比較例を挙げて、段差加工領域34を形成する理由を説明する。この比較例は、本発明者が従来用いていた直接接合法による半導体ウェハの接合方法である。まず、第1の比較例を、図9を用いて説明する。この図9は半導体ウェハ1の外周部側の部分の断面図である。比較例においては、図9aに示すように、半導体ウェハ1上に絶縁膜12を形成しないことから、先に説明したように配線層11の上面11aの高さは一定ではなく、詳細には、配線層厚一定領域33における配線層11の上面11aの高さと、エッジカット領域31と配線層厚暫減領域32とにおける配線層11の上面11aの高さとは異なる。この後の工程において、図9bに示すように、比較例の半導体ウェハ1と被接合半導体ウェハ2とを直接接合すると、配線層厚暫減領域32及びエッジカット領域31においては、半導体ウェハ1と被接合半導体ウェハ2とが直接接触することのない非接合領域35が形成されてしまう。この後、比較例においては、図9cに示すように、半導体ウェハ1の裏面1cに対して研削及び研磨を行うこととなるが、この非接合領域35が広く形成されてしまうことから、研削及び研磨の際に、容易に半導体ウェハ1が破断してしまうという問題が発生する。従って、半導体ウェハ1の破断を回避するために、半導体ウェハ1の外周部に段差加工を行うこととなる。比較例においては、図9dに示すように、研磨、ダイサーによる切断、エッチング等により半導体ウェハ1の外周部に段差加工を行い、段差加工領域34を形成する。すなわち、比較例における非接合領域35にあたる領域図9b参照に、段差加工を行うのである。この後の工程において、図9eに示すように、比較例の半導体ウェハ1と被接合半導体ウェハ2とを直接接合すると、段差加工領域34を形成することにより、半導体ウェハ1の外周部に非接合領域35が発生しない。次に、比較例においては、図9fに示されるように、半導体ウェハ1の裏面1cを研削及び研磨を行うこととなるが、半導体ウェハ1の外周部に非接合領域35が発生しないことから、半導体ウェハ1の外周部での破断を防止することができる。なお、比較例においては、この段差加工領域34は、配線層厚暫減領域32よりもさらに半導体ウェハ1の内側半導体ウェハの中心部側まで行う必要があり、実際に必要な段差加工領域34の幅は、例えば数ミリ程度のものとなる。さらに、この段差加工領域34には製品として有効な半導体素子を形成することができない。本実施形態においても、半導体ウェハ1の外周部での破断を防止するために、半導体ウェハ1の外周部に段差加工を行う。しかしながら、本実施形態においては、絶縁膜12を設けたことにより、エッジカット領域31の外周部近傍の一部を除いて、エッジカット領域31の一部に位置する絶縁膜12の上面12aと、配線層厚暫減領域32及び配線層一定領域33に位置する絶縁膜12の上面12aもしくは配線層11の上面11aとは、連続した1つの平坦な面となり、且つ、その面の高さは全体に亘って略同一となるため、図4a及びbに示すように、段差加工の加工幅は比較例と比べて小さくすることができる図9d参照。本実施形態によれば、配線層11を有する半導体ウェハ1において、エッジカット領域31と配線層厚暫減領域32とに位置する配線層11が薄くなっていても、その厚さを補うように絶縁膜12を形成することから、エッジカット領域31の外周部近傍の一部を除いて、エッジカット領域31の一部に位置する絶縁膜12の上面12aと、配線層厚暫減領域32及び配線層一定領域33に位置する絶縁膜12の上面12aもしくは配線層11の上面11aとは、連続した1つの平坦な面となり、且つ、その面の高さは全体に亘って略同一とすることができる。従って、半導体ウェハ1を直接接合する際に生じる非接合領域35を無くし、必要とする段差加工領域34の幅を小さくすることができる。その結果、段差加工にかかるコストを減らすことができる。さらに、本実施形態においては、配線層厚暫減領域32も半導体素子の形成領域として使用することが可能であるため、製品として有効な半導体チップの取り数を増やすことができる。また、本実施形態においては、接合する半導体ウェハ1は2枚に限るものではなく、複数の半導体ウェハ1を接合しても良い。従来は、複数の半導体ウェハ1を積層させる場合には、半導体ウェハ1の外周部での破断を防止するために、上に積層される半導体ウェハ1ほど、より大きな幅で段差加工領域34を形成する必要があったが、本実施形態においては、このような必要はなく、従って、製品として有効な半導体チップの取り数を減らすことを避けることができる。なお、本実施形態においては、半導体ウェハ1を被接合ウェハ2に接合しているが、半導体ウェハ1が接合されるウェハは特に限定されるものではなく、図8のように、本実施形態を用いて同じように加工された半導体ウェハ1どうしを接合しても良い。本発明の実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。