極性を有する半導体薄膜をゾルゲル法で形成するプロセスにおいて、スピンコート法でゾル液を基板上に塗布する際、または炉内でゾルゲル膜を乾燥結晶化する際に、電界印加状態で行うことを特徴とする薄膜形成方法、及びこの方法を用いた半導体薄膜。請求項1において、電界を印加した状態に加えて、さらにマイクロ波を照射することを特徴とする薄膜形成方法、及びこの方法を用いた半導体薄膜。酸化亜鉛、及びこれを母体とする半導体薄膜をゾルゲル法で形成するプロセスにおいて、スピンコート法でゾル液を基板上に塗布する際、または炉内でゾルゲル膜を乾燥結晶化する際に、電界印加状態で行うことを特徴とする薄膜形成方法、及びこの方法を用いた半導体薄膜。請求項3において、電界を印加した状態に加えて、さらにマイクロ波を照射することを特徴とする薄膜形成方法、及びこの方法を用いた半導体薄膜。請求項1から4において、基板の上部に負の電圧を印加して、薄膜表面が正に分極するように電界を形成することを特徴とする薄膜形成方法、及びこの方法を用いた半導体薄膜。前記半導体薄膜を用いて作成した発光素子、あるいは受光素子とこの製造方法。原料費と製造コストが安く、かつ歩留まりが良い半導体薄膜と、この半導体薄膜を用いた発光素子、並びに受光素子と、これらの製造方法を得ることが課題である。本発明の目的は、上記の課題に鑑み、酸化亜鉛薄膜を用いてゾルゲル法の手法により、原料費と製造コストが安く、かつ歩留まりが良い半導体薄膜と、この酸化亜鉛半導体薄膜を用いた発光素子、並びに受光素子と、これらの製造方法を提供することにある。本発明に係るゾルゲル法酸化亜鉛薄膜とこれを用いた発光素子、及び受光素子、並びにその製造方法は、上記の目的を達成するため、次のように構成される。第1のゾルゲル酸化亜鉛薄膜、及びその製造方法請求項1に対応は、以下の通りである。照射するマイクロ波の波長に関しては、図1に示すように、亜鉛原子と酸素原子の結合を考える。この結合が回転する際、回転のエネルギーは、マクロな回転物のエネルギーのように連続ではなく、約0046meVに量子化されており、これは波長約27cmのマイクロ波に相当する。すなわち、マイクロ波照射により回転のエネルギーを効率的に亜鉛―酸素結合に与え結合に回転を起こさせ、電界方向に結合の向きをそろえることを特徴とする。印加する電界強度に関しては、200Vcmの電界の下で波長27cmのマイクロ波照射することにより、ゾルゲル膜の結晶性が効率的に向上することが確認されている。亜鉛―酸素結合は、Zn―O-のようにイオン性を有しており、任意の方向を向いた結合がマイクロ波エネルギーを吸収して回転する際、膜面と垂直に印加された電界のために、Zn―O-結合もこの方向を向いた安定な配置をとり、周囲の元素とも結合を作り、最終的には結晶性の良いゾルゲル膜が形成されることを特徴とする。具体的な原料としては、最初、還流装置に酢酸亜鉛二水和物、2-プロパノール、モノエタノールアミン等を入れ、加水分解重合反応を起こさせる。次に、スピンコーターにより基板を回転させながら、この上にゾル状の液体を滴下し、これを均一に塗布する。これを、図3に示すように、電界印加の下でマイクロ波照射を行う。最後に、この基板を電界印加とマイクロ波照射が可能な電気炉に移し乾燥結晶化を行う。このようにして作成したゾルゲル酸化亜鉛薄膜のX線回折スペクトルを図5に示す。六方晶の002面からの回折強度が電界印加することにより増加しており、結晶化の進展と六方晶c軸の電界方向への整列の様子が読み取れる。この六方晶は正に分極した亜鉛面を上に向けた構造であり、基板の上方に負の電極を配置するような電界の方向が有効であることも示されている。第2の発光素子と受光素子とその製造方法請求項2に対応は、以下の通りである。すなわち、第1の酸化亜鉛薄膜を用いてpn接合を作成するものであるが、そのpn接合としては、図6に示すように、p型のSi基板上にn型ゾルゲル膜を作成するヘテロ接合構造、n型のゾルゲル膜上にパルスレーザ蒸着PLD法等の他の薄膜形成技術によりp型の酸化亜鉛薄膜を堆積させる構造、ゾルゲル法によりp型、n型の両方を作成するホモ接合構造の3つの構造が可能である。の構造は安価であり、受光素子に適している。の構造は、他の薄膜形成技術を併用するために、ややコストが上昇するが、高精度の発光素子に適している。の構造は、大面積、低コストの発光素子と受光素子の両方に適している。本発明によれば、高品質の酸化亜鉛薄膜を低コストで大面積の領域に容易に形成することができ、さらに、この薄膜を用いることにより、高効率の発光素子と受光素子を低コストで大面積の領域に容易に形成することができる。以下に、本発明の好適な実施形態実施例を添付図面に基づいて説明する。発明の概要、原理、製造方法本発明においては、Zn―O-結合の固有回転エネルギーに等しいエネルギーを有するマイクロ波を電界印加状態で照射することにより、結合を電界方向に回転させて結晶化を起こさせ、高品質の酸化亜鉛薄膜を得るものである。このように、電界と電磁波の両者を同時に活用しようという新規の着想は、パルスレーザ蒸着PLD装置に電界を印加して高品質の酸化亜鉛薄膜を得る検討過程の中から生まれた。従来、ゾルゲル法により酸化亜鉛薄膜を形成すると、多くの結晶粒が生成し、これらの結晶粒は粒径と結晶方位がばらばらであり、高温で結晶化アニールを行っても、結晶化が十分に進まず、かつ結晶粒界が多量に残り、電子と正孔による発光を伴う再結合が起こりにくいという問題があった。そこで、これを改善するために、第一に、ゾル状態の酸化亜鉛を基板上にスピンコート法で塗布する際、第二に、ゲル状態の酸化亜鉛薄膜を乾燥、及び結晶化する際、電界印加状態でマイクロ波を照射してZn―O-結合を回転させ電界方向にそろえて、結晶品質の良い酸化亜鉛薄膜を形成するものである。この酸化亜鉛薄膜を用いて、図6からのpn接合を形成することで発光素子と受光素子が得られる。実施例1として、酸化亜鉛薄膜の製造方法を説明する。最初、還流装置に酢酸亜鉛二水和物、2-プロパノール、モノエタノールアミンを入れ、80°Cで1時間、攪拌して加水分解重合反応を起こさせ、ゾル状態を作る。このとき、亜鉛イオンの濃度は、030mollとする。次に、図3に示すように、電界印加―マイクロ波照射が可能なスピンコーター装置を用いて、シリコンp型、基板、あるいは石英基板上にゾル状の液体を塗布する。電界強度は、200Vcm、マイクロ波の波長は27cm、基板の回転速度は2000rpm、回転時間は20秒間とする。このスピンコートにより基板上に約0.2μmの酸化亜鉛薄膜が形成される。次に、図4に示すように、電界印加―マイクロ波照射が可能な電気炉を用いて、300°C、10分間の乾燥と、550°C、2時間の結晶化を行う。最後に、酸素中で550°C、2時間の熱処理を行う。乾燥工程では薄膜中の水分と有機物が除かれ、結晶化工程では酸化亜鉛の六方晶系の結合が形成される。これにより、導電型がn型で電子濃度が2×1017cm―3の酸化亜鉛薄膜を得ることができる。p型酸化亜鉛薄膜を形成する場合は、出発原料にp型不純物となる窒素原子を供給する酢酸アンモニウムを加え、300°C、10分間の乾燥工程の後の結晶化は450°C、2時間の条件で行い、窒素原子の脱離を抑えながら結晶化を進ませる。最後に、酸素中で550°C、2時間の熱処理を行う。これにより、導電型がp型で正孔濃度が3×1017cm―3の酸化亜鉛薄膜を得ることができる。実施例2として、発光素子、及び受光素子の製造方法を説明する。図6に示すように、石英基板上に実施例1で示した手順で、スピンコートを用いてn型酸化亜鉛薄膜を0.2μm堆積させる。次に、300°C、10分間の乾燥と、550°C、2時間の結晶化を行う。この工程の後に、スピンコート法をもう一度用いて、p型酸化亜鉛薄膜を2μm堆積させる。この後、500°C、10分間の乾燥と、450°C、2時間の結晶化を行う。続いて、酸素中で550°C、2時間の熱処理を行う。これにより、酸化亜鉛ゾルゲル膜によるpn接合が形成される。続いて電極を付けるために、塩化アンモニウムの5水溶液を用いてp型半導体層の一部をエッチングで除去する。最後に、真空蒸着装置を用いてインジウムInをp型半導体層上と、エッチングで現れたn型半導体層上の両方に堆積させる。このようにしてダイオードが完成する。このダイオードに約10Vの順バイアス電圧を印加すると約10mAの順電流が流れ、発光が観察される発光素子。このダイオードに約5Vの逆バイアス電圧を印加した状態で、波長380nmの紫外光を照射すると光電流が流れる受光素子。最後に、これらの素子をパッケージに搭載することで発光装置と受光装置が完成する。以上の実施形態で説明された構成、形状、大きさおよび配置関係については本発明が理解実施できる程度に概略的に示したものにすぎず、また数値および各構成の組成材質等については例示にすぎない。従って本発明は、説明された実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に示される技術的思想の範囲を逸脱しない限り様々な形態に変更することができる。