"以下の工程を含む半導体装置の製造方法:a表面側のデバイス形成処理が完了した半導体ウエハの裏面に対して、研削処理を実行することにより、前記半導体ウエハを薄膜化する工程;b前記工程aの後、サセプタ上に、前記半導体ウエハをその表面が下を向いて、その自重によって保持した状態で、前記半導体ウエハに対して予熱処理を実行することにより、室温よりも高い温度に昇温する工程;c前記工程bの後、前記昇温状態を維持し、前記サセプタ上に、前記半導体ウエハをその表面が下を向いて、その自重によって保持した状態で、前記半導体ウエハの裏面に対して、スパッタリング成膜により、第1のメタル膜を成膜する工程、ここで、前記サセプタは円環状の形状を呈し、その円環の放射状垂直断面は、以下の各上側表面を有する:x1前記半導体ウエハの前記表面の周辺部を重力に対して保持する第1の上側表面;x2前記第1の上側表面に続いて、その外側にあって、前記第1の上側表面よりも垂直に近い傾きを有し、前記半導体ウエハの側面を横ずれに対して保持する第2の上側表面、ここで更に、前記第2の上側表面と垂直面のなす第1の角度は、0度以上、且つ、20度以下である。前記1項の半導体装置の製造方法において、前記第1の角度は、5度以上、且つ、15度以下である。前記2項の半導体装置の製造方法において、前記サセプタは、石英製である。前記3項の半導体装置の製造方法において、前記半導体装置は、パワー系半導体装置である。前記4項の半導体装置の製造方法において、前記半導体ウエハは、シリコン系ウエハである。前記5項の半導体装置の製造方法において、更に以下の工程を含む:d前記工程cの後、前記サセプタ上に、前記半導体ウエハをその表面が下を向いて、その自重によって保持した状態で、熱処理を施すことによって、前記第1のメタル膜をシリサイド化する工程。前記6項の半導体装置の製造方法において、更に以下の工程を含む:e前記工程dの後、前記半導体ウエハを前記サセプタ内に収容した状態において、前記半導体ウエハの前記表面を吸着ステージに吸着させる工程;f前記工程eの後、前記半導体ウエハを前記サセプタ内に収容し、前記半導体ウエハの前記表面を吸着ステージに吸着させた状態で、前記半導体ウエハの前記裏面に対して、スパッタリング成膜により、第2のメタル膜を成膜する工程。前記7項の半導体装置の製造方法において、前記工程aの後の前記半導体ウエハの厚さは、280マイクロメートル以下である。前記8項の半導体装置の製造方法において、前記工程bからfにおいては、前記半導体ウエハは、補強板に貼り付けられていない。前記9項の半導体装置の製造方法において、前記サセプタの円環の放射状垂直断面は、以下の上側表面を有する:x3前記第2の上側表面に続いて、その外側にあって、前記第2の上側表面よりも水平に近い傾きを有する第3の上側表面。前記1項の半導体装置の製造方法において、前記工程bからcにおいては、前記半導体ウエハは、補強板に貼り付けられていない。前記1項の半導体装置の製造方法において、前記予熱処理により昇温された温度は、摂氏250度以上である。パワーMOSFET、IGBT等のパワー系半導体装置の製造工程に於いて、半導体ウエハの裏面にメタル電極をスパッタリング成膜等により形成する際に、ガラス補強板等の補強部材をウエハに貼り付けることなく、円環状のサセプタにウエハを収容し、そのウエハをその自重により安定保持して予熱処理、成膜処理等の一連の処理を実行するプロセスが実行されている。しかし、これらの連続処理について、本願発明者らが検討したところによると、薄膜化されたウエハは、熱処理等により反りやすく、反りによりウエハが振動して、サセプタ上でずれて、一連の処理の過程で、搬送ミスやウエハクラックを惹起する可能性が高いことが明らかとなった。本願発明は、これらの課題を解決するためになされたものである。本発明の目的は、信頼性の高い半導体装置の製造プロセスを提供することにある。本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。すなわち、本願の一つの発明は、半導体ウエハの裏面研削後に、ウエハを予熱した状態でスパッタリング成膜によりメタル膜を成膜するに際して、ウエハを円環状のサセプタに非束縛状態で収容して処理するものであって、その円環の放射状垂直断面は、半導体ウエハの表面の周辺部を重力に対して保持する第1の上側表面と、第1の上側表面に続いて、その外側にあって、第1の上側表面よりも垂直に近い傾きを有し、半導体ウエハの側面を横ずれに対して保持する第2の上側表面を有し、この第2の上側表面と垂直面のなす角度は、0度以上、且つ、20度以下とするものである。本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。すなわち、半導体ウエハの裏面研削後に、ウエハを予熱した状態でスパッタリング成膜によりメタル膜を成膜するに際して、ウエハを円環状のサセプタに非束縛状態で収容して処理するものであって、その円環の放射状垂直断面は、半導体ウエハの表面の周辺部を重力に対して保持する第1の上側表面と、第1の上側表面に続いて、その外側にあって、第1の上側表面よりも垂直に近い傾きを有し、半導体ウエハの側面を横ずれに対して保持する第2の上側表面を有し、この第2の上側表面と垂直面のなす角度は、0度以上、且つ、20度以下とするので、処理中におけるウエハのずれを有効に防止することができる。実施の形態の概要先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。1.以下の工程を含む半導体装置の製造方法:a表面側のデバイス形成処理が完了した半導体ウエハの裏面に対して、研削処理を実行することにより、前記半導体ウエハを薄膜化する工程;b前記工程aの後、サセプタ上に、前記半導体ウエハをその表面が下を向いて、その自重によって保持した状態で、前記半導体ウエハに対して予熱処理を実行することにより、室温よりも高い温度に昇温する工程;c前記工程bの後、前記昇温状態を維持し、前記サセプタ上に、前記半導体ウエハをその表面が下を向いて、その自重によって保持した状態で、前記半導体ウエハの裏面に対して、スパッタリング成膜により、第1のメタル膜を成膜する工程、ここで、前記サセプタは円環状の形状を呈し、その円環の放射状垂直断面は、以下の各上側表面を有する:x1前記半導体ウエハの前記表面の周辺部を重力に対して保持する第1の上側表面;x2前記第1の上側表面に続いて、その外側にあって、前記第1の上側表面よりも垂直に近い傾きを有し、前記半導体ウエハの側面を横ずれに対して保持する第2の上側表面、ここで更に、前記第2の上側表面と垂直面のなす第1の角度は、0度以上、且つ、20度以下である。2.前記1項の半導体装置の製造方法において、前記第1の角度は、5度以上、且つ、15度以下である。3.前記1または2項の半導体装置の製造方法において、前記サセプタは、石英製である。4.前記1から3項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記半導体装置は、パワー系半導体装置である。5.前記1から4項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記半導体ウエハは、シリコン系ウエハである。6.前記5項の半導体装置の製造方法において、更に以下の工程を含む:d前記工程cの後、前記サセプタ上に、前記半導体ウエハをその表面が下を向いて、その自重によって保持した状態で、熱処理を施すことによって、前記第1のメタル膜をシリサイド化する工程。7.前記6項の半導体装置の製造方法において、更に以下の工程を含む:e前記工程dの後、前記半導体ウエハを前記サセプタ内に収容した状態において、前記半導体ウエハの前記表面を吸着ステージに吸着させる工程;f前記工程eの後、前記半導体ウエハを前記サセプタ内に収容し、前記半導体ウエハの前記表面を吸着ステージに吸着させた状態で、前記半導体ウエハの前記裏面に対して、スパッタリング成膜により、第2のメタル膜を成膜する工程。8.前記1から7項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程aの後の前記半導体ウエハの厚さは、280マイクロメートル以下である。9.前記7または8項の半導体装置の製造方法において、前記工程bからfにおいては、前記半導体ウエハは、補強板に貼り付けられていない。10.前記1から9項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記サセプタの円環の放射状垂直断面は、以下の上側表面を有する:x3前記第2の上側表面に続いて、その外側にあって、前記第2の上側表面よりも水平に近い傾きを有する第3の上側表面。11.前記1から8および10項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程bからcにおいては、前記半導体ウエハは、補強板に貼り付けられていない。12.前記1から11項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記予熱処理により昇温された温度は、摂氏250度以上である。本願における記載形式、基本的用語、用法の説明1.本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクションに分けて記載する場合もあるが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。更に、本願において、半導体装置というときは、主に、各種トランジスタ能動素子などの単体デバイスや、これらを中心に、抵抗、コンデンサ等を半導体チップ等たとえば単結晶シリコン基板上に集積したものをいう。なお、単体といっても、実際は、微小な素子を複数集積したものもある。ここで、各種トランジスタの代表的なものとしては、MOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistorに代表されるMISFETMetalInsulatorSemiconductorFieldEffectTransistorや、IGBTInsulatedgateBipolarTransistorを例示することができる。また、MOSといっても、絶縁膜を酸化物に限定しているわけではない。2.同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、AからなるX等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかに、そうでない場合を除き、A以外の要素を主要な構成要素のひとつとするものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、Aを主要な成分として含むX等の意味である。たとえば、シリコン部材等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、SiGe合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。同様に、酸化シリコン膜、酸化シリコン系絶縁膜等と言っても、比較的純粋な非ドープ酸化シリコンだけでなく、FSGFluorosilicateGlass、TEOSベース酸化シリコン、SiOCまたはカーボンドープ酸化シリコンまたはOSG、PSG、BPSG等の熱酸化膜、CVD酸化膜、SOG、ナノクラスタリングシリカNanoClusteringSilicaNSC等の塗布系酸化シリコン、これらと同様な部材に空孔を導入したシリカ系Lowk絶縁膜ポーラス系絶縁膜、およびこれらを主要な構成要素とする他のシリコン系絶縁膜との複合膜等を含むことは言うまでもない。また、酸化シリコン系絶縁膜と並んで、半導体分野で常用されているシリコン系絶縁膜としては、窒化シリコン系絶縁膜がある。この系統の属する材料としては、SiN,SiCN,SiNH,SiCNH等がある。ここで、窒化シリコンというときは、特にそうでない旨明示したときを除き、SiNおよびSiNHの両方を含む。同様に、SiCNというときは、特にそうでない旨明示したときを除き、SiCNおよびSiCNHの両方を含む。なお、SiCは、SiNと類似の性質を有するが、SiONは、むしろ、酸化シリコン系絶縁膜に分類すべき場合が多い。3.同様に、図形、位置、属性等に関して、好適な例示をするが、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、厳密にそれに限定されるものではないことは言うまでもない。4.さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。5.ウエハというときは、通常は半導体装置半導体集積回路装置、電子装置も同じをその上に形成する単結晶シリコンウエハを指すが、エピタキシャルウエハ、SOI基板、LCDガラス基板等の絶縁基板と半導体層等の複合ウエハ等も含むことは言うまでもない。6.本願において、ウエハに対する処理を連続的に実行するとは、たとえば、バッチを25枚として、バッチ単位で処理するとすれば、第1番目のウエハがロードロック室からスパッタリング成膜室へ移動すると同時又はその後続いて、第2番目のウエハがロードロック室に導入され、第2番目のウエハがロードロック室からスパッタリング成膜室へ移動すると同時又はその後続いて、第3番目のウエハがロードロック室に導入される言う具合に、できるだけロードロック室やスパッタリング成膜室の各成膜領域の利用率を高めるように連続的又は断続的に処理することを言う。なお、種々の都合で適宜、処理の間隙や待機時間等を設けてもよい。7.本願において、処理チャンバ、ロードロック室等に関して、空間的に独立とは、真空室としたときに独立していることであり、幾何学的には、当該チャンバ空間領域1とそれ以外の領域空間領域2間にマクロな断面積を有する空間通路マクロ空間通路というがないことを言う。また、空間的に一体とは、真空室としたときに、実質的に連結した一つの真空室を成し、全体の気圧が定常状態ではほぼ均一であることをいい、幾何学的には、当該空間領域内の任意の2点がその内部のみを通過するマクロ空間通路により連結可能なことを言う。ただし、これらの場合において、マクロ空間通路の途中には、真空ポンプ等の両端に顕著な圧力差を生ずる要素がないことを条件とする。8.本願において、パワー系半導体装置とは、たとえば、パワーMOSFET,IGBT,LDMOSFETLaterallyDiffusedMOSFET等、および、これらのうち少なくとも一つを有する集積回路を指す。パワーMOS系半導体装置、IGBT系半導体装置、LDMOS系半導体装置等についても同様である。9.本願において、ウエハをサセプタ内に収容した状態とは、ウエハがサセプタに接触して保持されている状態及びウエハがサセプタに接触していないが、ウエハがサセプタ内にある状態を言う。すなわち、ウエハの主要部がサセプタのウエハ載置部と上端部の間にあることをいう。すなわち、サセプタへの収容状態である。なお、サセプタに接触して収容されている状態を特にサセプタへの載置状態という。また、ウエハをサセプタ上に、その自重によって保持した状態とは、ウエハがサセプタ内に収容され、そのウエハがサセプタに接触して保持され、且つ、上方からのウエハ押さえ爪、ウエハ押さえ治具等の機械的固定手段や、下方からの真空チャック、静電チャック等の吸着手段によって強制的に固定されていない状態を言う。すなわち、自由載置状態である。更に、サセプタへの載置状態か、単なるサセプタへの収容状態かに係らず、機械的固定手段や吸着手段によってウエハが束縛されている状態を束縛状態という。ここで、機械的固定手段による束縛を機械束縛と、吸着手段による束縛を吸着束縛という。従って、自由載置状態は、サセプタへの非束縛載置状態ということができる。10.本願に於いて、円環状又はリング状ウエハサセプタまたは単にサセプタについて、円環の放射状垂直断面というときは、図4のX-O断面をいう。すなわち、円環の中心から放射状に延びる直線を含む半平面で円環を切断したときに断面をいう。なお、円環状又はリング状といっても、完全性を要求しないのはいうまでもない。11.本願に於いて、薄膜化されたウエハまたは薄膜ウエハというときのウエハの厚さは、280マイクロメートル以下である。また、薄膜ウエハについて、補強板というときは、ウエハと同様な面積と形状を有する板状部材であって、薄膜化された時点のウエハの厚さよりも厚いものをいう。実施の形態の詳細実施の形態について更に詳述する。各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するために、ハッチングを付すことがある。なお、ウエハの裏面に対するメタル成膜技術について開示した先行特許出願としては、たとえば日本特願第2009-299072号日本出願日:2009年12月29日がある。1.本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法により製造したパワーMOSFETの一例の説明主に図14ここでは、パワー系半導体装置の一例としてパワーMOSFET用途の一例を挙げるとすれば、たとえば、PC電源用DC-DCコンバータのハイサイドスイッチを例に取り具体的に説明するが、本願の発明はそれに限定されることなく、たとえば、IGBT等にも適用できることは言うまでもない。ここでは、チップサイズが、縦2ミリメートル、横3ミリメートル程度のデバイスを例にとり具体的に説明するが、本願発明はそれに限定されるものではなく、正方形又は長方形等の各種のサイズのチップ形状のデバイスに適用できることは言うまでもない。図14は、本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法により製造されたパワーMOSFETの一例を示すデバイス上面図である。これに基づいて、本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法により製造したパワーMOSFETの一例を説明する。図14に示すように、正方形又は長方形の板状のシリコン系半導体基板個々のチップに分割する前はウエハである上に素子を形成したパワーMOSFET素子チップ8トレンチゲートパワーMOS型半導体装置は中央部にあるソースパッド領域11アルミニウム系パッドが主要な面積を占めている。その下には、それらの幅またはピッチよりも十分長く延びる帯状ゲート電極柱状トレンチゲート電極に対応と帯状ソースコンタクト領域が交互に多数形成された帯状繰り返しデバイスパターン領域Rリニアセル領域がある。より正確には、リニアセル領域Rは、ソースパッド領域11の下方のほぼ全体に広がっており、破線で囲った部分はその一部である。このリニアセル領域Rの周辺には、ゲート電極を周辺から外部に引き出すゲートパッド領域13がある。更にその周りには、アルミニウムガードリング19が設けられている。そして、チップ8の最外周部はウエハをダイシング等により分割する際の領域、すなわち、スクライブ領域14である。2.本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における関連するデバイス断面プロセスフローの概要説明主に図15から図24このセクションでは、0.15マイクロメートルプロセスのリニアトレンチゲート型パワーMOSFETの例について、図15から図24に基づいて、セクション1における図14の帯状繰り返しデバイスパターン領域切り出し部分リニアセル領域Rに対応するデバイス断面等について、プロセスフローを説明する。以下では、パワーMOSFETの一例として、トレンチゲート型パワーMOSFETを例に取り具体的に説明するが、本願の発明はそれに限定されることなく、たとえば、プレーナ型Vertical-MOSFET、LD-MOSFET用途の一例を挙げるとすれば、たとえば、携帯電話等のアンテナモジュール等のハイパワーアンプ等にも適用できることは言うまでもない。図15は、本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるトレンチゲートセル部のデバイス断面フロー図ソースコンタクト溝形成用レジストパターン形成工程である。図16は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるトレンチゲートセル部のデバイス断面フロー図ソースコンタクト溝形成工程である。図17は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるトレンチゲートセル部のデバイス断面フロー図ソースコンタクト溝形成用レジストパターン除去工程である。図18は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるトレンチゲートセル部のデバイス断面フロー図ソースコンタクト溝延長工程である。図19は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるトレンチゲートセル部のデバイス上面図pボディコンタクト領域導入工程である。図20は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるトレンチゲートセル部図19のX-X’断面に対応するのデバイス断面フロー図pボディコンタクト領域導入工程である。図21は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるトレンチゲートセル部のデバイス断面フロー図バリアメタル膜成膜工程である。図22は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるトレンチゲートセル部のデバイス断面フロー図アルミニウム系メタル膜成膜工程である。図23は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるトレンチゲートセル部のデバイス断面フロー図バックグラインディング工程である。図24は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるトレンチゲートセル部のデバイス断面フロー図裏面多層メタル膜成膜工程である。ここでは、200ファイのn型シリコン単結晶ウエハシリコン系ウエハにn型エピタキシャル層たとえばエピタキシャル層の厚さは、4マイクロメートル程度を形成したn型エピタキシャルウエハ1を原材料ウエハとして使用する例を説明するが、ウエハの径は300ファイでも450ファイでも、その他たとえば、n型シリコン単結晶ウエハにバックグラインディング後に裏面にn型を形成してもよいでもよい。また、ウエハの導電型はp型等でもよい。更に、ウエハの形式はエピタキシャルウエハに限らず、他の半導体基板や絶縁性基板等であってもよい。また、必要があれば、シリコン系以外の半導体ウエハ又は基板であってもよい。図15に示すように、半導体ウエハ1は、主にnシリコン基板部1sとエピタキシャル層1eからなり、エピタキシャル層1e内には、もともとのn型エピタキシャル層であるn型ドリフト領域2があり、その上部には、p型チャネル領域p型ベース領域3、nソース領域4等が形成されている。エピタキシャル層1eから上部が突出するように、複数のトレンチゲート電極ポリシリコン電極6が周期的に設けられており、各トレンチゲート電極6の中下部周辺には、ゲート絶縁膜7が設けられている。半導体ウエハ1のデバイス面側1aには、層間絶縁膜21が形成されており、各トレンチゲート電極6を完全にカバーしている。この層間絶縁膜21としては、下層から、たとえば60nm程度の厚さを有する窒化シリコン膜窒化シリコン系絶縁膜、300nm程度の厚さを有するPSG膜酸化シリコン系絶縁膜、95nm程度の厚さを有するSOG膜酸化シリコン系絶縁膜等からなる多層絶縁膜を例示することができる。層間絶縁膜21上には、加工のためのレジスト膜9が形成されている。このレジスト膜9をエッチングマスクとして、ドライエッチングを実行すると、図16に示すように、凹部ソースコンタクト溝22が形成される。次に、不要になったレジスト膜9を除去すると図17に示すように状態となる。次に、パターニングされた層間絶縁膜21をエッチングマスクとして、更にドライエッチングを実行すると、図18に示すように、凹部ソースコンタクト溝22がp型チャネル領域3の上端まで延長される。この時点の図18に対応する図20にも対応しているデバイス上面ウエハ上面を図19に示す。図19において、セル繰り返し単位領域Gを図20にも対応して示す。図18に続き、図20に示すように、ソースコンタクト溝22たとえば溝底幅300nm程度、深さ850nm程度、アスペクト比2以上、5以下程度であり、平均的には、2.8程度であるを通して、イオン注入により、p型チャネル領域3の表面領域に、pボディコンタクト領域5を導入する。次に、図21に示すように、半導体ウエハ1のデバイス面側1aのほぼ全面に、バリアメタル膜23を形成する。なお、バリアメタル膜23は、たとえば、下層バリアメタル膜、上層バリアメタル膜等で構成され、下層バリアメタル膜一部はシリサイド化メタルとしては、チタンのほか、TiW,Ta,W,WSi等が使用可能である。また、上層バリアメタル膜としては、窒化チタンのほか、TiW,TaN等が使用可能である。続いて、シリサイデーションアニールを実施する。シリサイデーションアニールを実施すると、シリコン部材と接しているチタン膜部分が、その全厚にわたりチタンシリサイド化するが、図示が煩雑になるので、これらの変化は表示しない。次に、図22に示すように、バリアメタル膜23上のほぼ全面に、ソース電極となるアルミニウム系メタル膜24を成膜する。なお、ソース電極材料としては、ここで説明するシリコン添加アルミニウム系メタルAlSiのほか、AlCu,純Al、銅系メタル部材等が使用可能である。その後、アルミニウム系メタル膜24をパターニングし、その上に、ファイナルパッシベーション絶縁膜たとえば2マイクロメータ程度の厚さを有する塗布系ポリイミド樹脂膜等の有機系絶縁膜を形成して、必要な開口を形成する。次に、図23に示すように、バックグラインディング処理研削処理を施し、元のウエハ厚さたとえば750マイクロメートル程度をたとえば100から280マイクロメートル程度すなわち、300マイクロメートル未満まで薄くする。なお、薄膜化するウエハの厚さは、後の処理が可能であれば、更に薄くすることができる。次に、図24に示すように、ウエハ1の裏面1bに多層メタル膜15裏面メタル電極膜をスパッタリング成膜により、成膜する。裏面メタル電極膜15は、ウエハ1に近い側から、たとえば、ニッケルシリサイド膜15sたとえば、組立工程でも強度確保等のために形成される、裏面チタン膜15a金およびニッケルの拡散防止層、裏面ニッケル膜15bチップボンディング材との接着層、裏面金膜15cニッケルの酸化防止層等からなる。その後、個々のチップに分割すると、図14に示すようなデバイスとなる。このウエハ裏面多層メタル成膜プロセスは、次セクションにおいて、詳しく説明する。3.本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法に使用するメタル成膜装置等の説明主に図1から図12このセクションでは、前セクションの図24で説明したウエハ裏面多層メタル成膜プロセスに使用するウエハ処理装置多層スパッタリング成膜装置について更に説明する。なお、200φウエハ用の市販の好適な装置としては、株式会社アルバックULVAC,Inc.の多層スパッタリング成膜装置SRH-420等を例示することができる。以下に説明する装置の特徴は、通常、薄膜ウエハ厚さ280マイクロメートル程度以下のウエハの処理で使用するウエハを貼り付けて補強するための薄膜化されたウエハよりも厚いガラス板等の補強板を使用せず、多層金属膜形成プロセス等を実行できるところにある。また、加熱処理等を非束縛状態で処理できるため、押さえ爪や押さえ治具等の仕様による温度分布の不均一を回避できるメリットもある。図1は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法に使用するウエハ裏面多層メタル成膜装置の上面図である。図2は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法に使用するウエハ裏面多層メタル成膜装置の上面図図1においてターゲット切替機構を透明化して、その下の部分を見やすくしたものである。図3は図1および図2に示すウエハ裏面多層メタル成膜装置におけるウエハの移動の仕方を説明するための内部搬送ロボット、各ウエハステージ、ステージ上のウエハ、およびウエハサセプタの斜視図である。図4は図3のウエハサセプタの上面図である。図5は図4のX-X’断面に対応するウエハサセプタの断面図内部搬送ロボットに保持されているときである。図6は図1および図2に示すウエハ裏面多層メタル成膜装置の冷却ウエハステージ63b、63cの正断面構造図である。図7は図1および図2に示すウエハ裏面多層メタル成膜装置のランプ加熱ウエハステージ63aの正断面構造図である。図8は図1および図2に示すウエハ裏面多層メタル成膜装置のロードロック室61の正断面構造図脱ガス処理中である。図9は図1および図2に示すウエハ裏面多層メタル成膜装置を見やすいように横長に展開したときの模式断面図である。図10は図9のウエハ裏面多層メタル成膜装置におけるマルチターゲット成膜処理領域62b部分周辺の拡大断面図である。図11は図9および図10に示すマグネトロン用マグネット群の下面拡大図である。図12は図9および図10に示すターゲット切替機構59の拡大断面図である。図13は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ裏面多層メタル層成膜プロセスのプロセスブロックフロー図である。これらに基づいて、本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法に使用するメタル成膜装置およびそれを用いたウエハ裏面多層メタル層成膜プロセス等を説明する。まず、図1から図12により、ウエハ裏面多層メタル成膜プロセスに使用する単一チャンバ型多層スパッタリング成膜装置51の構造等を説明する。図1または図2に示すように、単一チャンバ型多層スパッタリング成膜装置51は、ロードポート部52と成膜処理部53から構成されている。このロードポート部52には、被処理ウエハ1を収容したウエハ搬送容器またはウエハカセット54が置けるようになっており、被処理ウエハ1は、外部ロボット56の先端部56a上面は弾性体パッドとなっているによって、そのデバイス面1aを保持されて、リフトステージ50上に置かれ、その後、リフトステージ50が降下して、ウエハ1をウエハサセプタ65金属または耐熱性無機材料にセットする。ここで、必要であれば、ウエハ1の方位ノッチまたはオリエンテーションフラットの方向を合わせる。なお、サセプタ65の材質については、ステンレス等の金属または、石英、シリコン、SiC等の耐熱性無機材料が可能であるが、セクション4のような摂氏250度以上の加熱を伴うプロセスに於いては、ウエハ状の熱分布の均一化等の観点から耐熱性無機材料が好適である。また、耐熱性無機材料の中では、石英耐熱性絶縁体が、熱伝導率が低い点で特に有効である。従って、本願に於いては、特に、そうでない旨記載した場合を除き、サセプタ65は石英製である。成膜処理部53内には、ロードロック室61とスパッタリング成膜処理室57が設けられており、ロードロック室61は、その外部と空間的に独立可能となっている。スパッタリング成膜処理室57内には、単一ターゲット成膜処理領域62a、62cおよびマルチターゲット成膜処理領域62bが設けられており、これらに対応して、ランプ加熱ウエハステージ63aおよび冷却ウエハステージ63b、63cが設けられている。また、スパッタリング成膜処理室57内には、ロードロック室61に対応して、真空フランジ付きウエハステージ63dが設けられており、この真空フランジ付きウエハステージ63dおよびウエハステージ63a、63b、63c間でウエハ1をウエハサセプタ65とともに移送する内部搬送ロボット58が設けられている。更に、成膜処理部53には、マルチターゲット成膜処理領域62bのターゲットを切り替えるターゲット切替機構59上部電極又はカソードが設けられており、そこには、たとえば、チタンターゲット64t非磁性ターゲット、ニッケルターゲット64n磁性ターゲット等がセットされている。通常、このターゲット切替機構59、すなわち、ターゲット保持回転テーブルには、3枚のターゲットがセット可能となっており、ここでは、一つの空きポジション64xがある。次に、図3により、内部搬送ロボット58、ウエハサセプタ65、ウエハステージ63a、63b、63c等を更に説明する。図3に示すように、内部搬送ロボット58は、上下移動および両方向に回転可能となっており、4つのウエハサセプタ65ウエハ1がセットされたを同時に搬送可能となっている。このとき、ウエハ1は、その裏面1bを上にして、ウエハサセプタ65内に収容されている。各ステージ支持台55上のウエハステージ63a、63b、63cは、必要に応じて種々の構造をしており、たとえば、ロードロック室61脱ガス室用のウエハステージ63dには、Oリング60をセットできるフランジ部があり、ウエハ1の高さを上げるための金属ステージ99等が設けられている。次に、図4および図5図4のX-X’断面により、ウエハサセプタ65の詳細構造等を説明する。図4に示すように、ウエハサセプタ65は円環状の金属たとえば、ステンレススチールまたは耐熱性無機材料たとえば、石英で構成され、周辺に位置ずれ防止ノッチ65nが設けられており、搬送時および成膜処理時の位置ずれを防止している。ここでは、多層成膜プロセスが、全体として摂氏250度以上の処理を伴う場合には、たとえば石英ウエハ製のサセプタ65を用い、摂氏250度以上の処理を伴わない場合には、たとえばステンレススチール製たとえばオーステナイト系非磁性ステンレススティール製のサセプタ65を用いている。図5に内部搬送ロボット58によって保持された状態のウエハ1を保持したウエハサセプタ65の断面を示す。図5に示すように、ウエハ1はその裏面1bを上にむけた状態でウエハサセプタ65の内部平坦部により、その周辺部を保持されており、ウエハサセプタ65はその周辺部を内部搬送ロボット58の先端部によって保持されている。次に、非加熱ステージ63b、63cの断面構造を図6により説明する。図6に示すように、たとえば銅製の水冷ホルダ部66冷却用ベース金属板上の同じくたとえば銅製の金属スペーサ67を介して、内部に電極を有するセラミック製の静電チャックElectrostaticchuck68が設けられており、その上に、ウエハ1のデバイス面1aを傷つけないように、たとえばポリイミドフィルム等のウエハ表面保護層70が設けられている。ウエハサセプタ65はサセプタ位置決め用絶縁リング69aを介して冷却用ベース金属板66上に保持されており、その状態では、ウエハ1はウエハサセプタ65から離れて、ウエハ表面保護層70によって支えられている。次に、ランプ加熱ウエハステージ63aの断面構造を図7により説明する。図7に示すように、ステージ支持台55上に反射板73があり、この周辺には金属製のウエハホルダベース71があり、このウエハホルダベース71の開口部の上に石英窓98が設けられている。この石英窓98と反射板73の間には、ランプヒータ72が設けられている。ウエハホルダベース71上にはサセプタ位置決め用絶縁リング69bを介してウエハサセプタ65が置かれており、その中にウエハ1がその裏面1bを上に向けて保持されている。次に、ロードロック室61の断面構造外部と遮断されている状態を図8図3参照により説明する。図8に示すように、ロードロック室61は、それ以外の部分とOリング60を有するウエハゲート77と同様にOリング60を有する真空フランジ付きウエハステージ63dによって、遮断されている。ロードロック室61の上方には、ガス供給ライン76ガス供給ノズルが設けられており、その直下には反射板73、ランプヒータ72、石英窓98等から構成されたウエハ裏面加熱機構80も設けられている。真空フランジ付きウエハステージ63d上には、金属ステージ99を介して、ウエハサセプタ65が置かれている。このとき、ウエハ1はウエハサセプタ65に保持されており、ウエハ1と金属ステージ99は離れている。次に、図9により、ウエハ処理装置51多層スパッタリング成膜装置の真空系、ロードロック室脱ガス室61、各スパッタリング成膜処理室57、成膜処理領域62a、62b、62c等を更に説明する。図9に示すように、各ウエハステージ63a、63b、63c、63dの主要部はスパッタリング成膜処理室57内にあり、昇降可能となっており、ロードロック室61はウエハステージ63dの上昇によって、成膜処理室57と空間的に独立になるようにされている。一方、成膜処理領域62a、62b、62cもそれぞれ各ウエハステージ63a、63b、63cが上昇することによって、ウエハ1に対する処理が実施可能な状態になるが、各成膜処理領域62a、62b、62cと成膜処理室57のその他の部分は、空間的に独立ではなく、基本的にほぼ同一の気圧となっている。次に真空系について説明する。図9なお、図9及び図10においては、図示の都合上、ウエハサセプタ65を省略しているに示すように、ロードロック室61はターボ分子ポンプ81、ドライ粗引きポンプ78等で構成された真空系ロードロック真空系で真空引きされる。このロードロック真空系が動作中は、ロードロック排気バルブ87および分子ポンプバルブ82が開状態である。このとき、通常、成膜処理室57の真空系成膜処理室真空系も動作状態である。成膜処理室真空系は主にクライオポンプ79で構成されており、このポンプの動作中は、メイン排気バルブ86が開状態であり、粗引きバルブ84、クライオポンプ排気バルブ85、ドライポンプバルブ83等は閉状態である。なお、クライオポンプ79による排気開始時の粗引きにおいては、メイン排気バルブ86およびクライオポンプ排気バルブ85を閉状態として、粗引きバルブ84、ドライポンプバルブ83等を開状態として、排気管88真空排気系を介してドライ粗引きポンプ78により粗引きを実行する。ここで、通常の状態では、分子ポンプバルブ82とドライポンプバルブ83は同時に開状態としない。次に、各成膜処理領域62a、62b、62cの構造を説明する。図9に示すように、成膜処理領域62a、62cは、成膜処理室57の内壁91が外部に向けて一部突出して円筒状の下方が開放された部屋状の区画部屋状区画または円筒状区画をその主要部としている。この円筒状区画内には、膜付着防止シールド75使用時は接地電位にされるが設けられており、円筒状区画の上部内側には、たとえばシリサイド膜形成用ニッケルターゲット64s磁性ターゲット、金ターゲット64a非磁性ターゲット、またはそれを取り付ける上部電極カソード電極が、それぞれ設けられている。更に、円筒状区画の上部外側には、マグネトロン用マグネット群マグネット搭載回転板74がそれぞれ設けられている。これと同様に、図9に示すように、成膜処理領域62bは、成膜処理室57の内壁91が外部に向けて一部突出して円筒状の下方が開放された部屋状の区画部屋状区画または円筒状区画をその主要部としている。この円筒状区画内には、同様に膜付着防止シールド75使用時は接地電位にされるが設けられている。ここで、成膜処理領域62bは、複数のターゲットを切り替えて使用するため、円筒状区画に空間的に連結して、ターゲット切替機構59上部電極又はカソードを収容するための拡張区画90が設けられている。ここには、先と同様に、マグネトロン用マグネット群マグネット搭載回転板74や、カソードを構成するチタンターゲット64t非磁性ターゲット、ニッケルターゲット磁性ターゲット64nが設置されているが、構造が複雑であるので、拡大した図10により説明する。図10に示すように、この部分の成膜処理室57の壁面たとえばアルミニウム系金属製は、内壁91と外壁89の2重構造となっており、その間にターゲット切替機構59が収容され、水平に回転可能となっている。ターゲット切替機構59は、複数のターゲットをその下面に保持して回転可能なターゲット保持板、その回転機構等から構成されている。外壁89の外側には、マグネットターゲット間隔壁92を介して、マグネトロン用マグネット群74マグネット搭載回転板が設けられており、ウエハ処理時には回転機構により回転するようになっている。マルチターゲット成膜処理領域62bの円筒状区画の上方側面側には、ガス供給用のノズル76ガス供給ラインが設けられている。なお、他の成膜処理領域62a、62cの構造も図10の単一ターゲット成膜処理領域周辺部Lとほぼ同様の構造をしている。ただし、他の成膜処理領域62a、62cの場合は、ターゲットは移動せず、固定されている。その他の部分、すなわち、膜付着防止シールド75、ガス供給用のノズル76、マグネトロン用マグネット群74、マグネットターゲット間隔壁92たとえばオーステナイト系非磁性ステンレススティール製等はほぼ同様の構造をしている。次に、図10その他のマグネトロン用マグネット群74図9の各マグネトロン用マグネット群74について同じの詳細構造を図11マグネット搭載回転板の下面拡大図により説明する。図11に示すように、金属板74たとえばオーステナイト系非磁性ステンレススティール製上に円形の永久磁石94n,94nが、たとえば回転中心93を共有する2つの同心円上にCの字状に配列されている。このとき、永久磁石94n,94nは、同心円の円周に沿って、表面が交互にN極、S極となることによって封じ込め磁場を形成するように配列されている。次に、図10のターゲット切替機構59の主要部であるターゲット搭載回転板の詳細断面構造を図12により説明する。図12に示すように、ターゲット搭載回転板59たとえば銅製には、たとえば3個の円形開口が設けられており、必要に応じて、そこにターゲットを取り付ける。ここでは、磁性ターゲットとしてニッケルターゲット64nたとえば直径290ミリメートル程度、厚さ5ミリメートル程度を、非磁性ターゲットとしてチタンターゲット64tたとえば直径304ミリメートル程度、厚さ12ミリメートル程度を取り付けている。各ターゲットはバッキングメタルプレート95第1及び第2のバッキングプレートであり、たとえば銅製、直径360ミリメートル程度、厚さ5ミリメートル程度を介して、取り付けられている。マグネットターゲット間距離Dマグネトロン用マグネット群の下端からターゲットの下面までの距離は、ニッケルターゲット64n磁性ターゲットについては、たとえば22ミリメートル程度、チタンターゲット64t非磁性ターゲットについては、たとえば29ミリメートル程度を例示することができる。なお、磁性ターゲット64nにおいては、周辺で磁場が弱くなる場合があるので、その場合はターゲットの径をバッキングプレートの径よりも小さめにするとそのような問題を回避することができる。また、そのように径を小さくしたターゲットの周辺には、不所望な膜が付着する場合があるので、その場合は膜付着防止のため付着防止リング97たとえばオーステナイト系非磁性ステンレススティール製を設けるとそのような問題を回避することができる。もちろん、これらの対策は必須ではない。また、磁性ターゲット64n側の下面において、磁場を十分に確保しようとすると、非磁性ターゲット64t側の下面において、磁場が強くなりすぎる場合があるので、その場合はバッキングプレート95と非磁性ターゲット64tの間にスペーサ板96スペーサプレートであり、たとえば銅製、直径304ミリメートル程度、厚さ0.5ミリメートル程度を介在させるとそのような問題を回避することができる。もちろん、これらの対策は必須ではない。4.本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ裏面多層メタル層成膜プロセスパワーMOS系デバイスの例等の説明主に図13により、図1から図12、図23および図24を参照このセクションでは、セクション3で説明した多層スパッタリング成膜装置51を使用したウエハ裏面多層メタル層成膜プロセスについて、パワーMOS系デバイス裏面電極構造は図24に示すを例にとり説明する。図13は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ裏面多層メタル層成膜プロセスのプロセスブロックフロー図である。これに基づいて、本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ裏面多層メタル層成膜プロセス等を説明する。図13および図1に示すように、図23の状態の被処理ウエハ1がウエハ搬送容器54たとえば、ウエハ1の裏面1bを上に向けて収容されているに収容された状態で、多層スパッタリング成膜装置51のロードポート部52に受け入れられると、処理対象ウエハ1は外部ロボット56によって、ウエハ搬送容器54から取り出されて、その裏面を上に向けた状態でリフトステージ50上に置かれる。その後、リフトステージ50が降下して、ウエハ1をウエハサセプタ65内に収容するサセプタへの搭載工程101。この時点のウエハ1のサセプタ65への収容状態は、自由載置状態である。次に、図8に示すように、ウエハ1を載せたウエハサセプタ65は、ウエハゲート77を介して、外部ロボット56によって、ロードロック室61内に導入され、ウエハ1の裏面1bを上にむけた状態で、ウエハステージ63d上に置かれるロードロック室への導入工程102。この時点のウエハ1のサセプタ65への収容状態も、自由載置状態である。このとき、ロードロック室61内に先行して処理された別のウエハがあるときは、その別のウエハの取出しを先に行う。以上のサセプタおよびロードロック室へのセット並びにサセプタおよびロードロック室からの取り出しに要する時間は、たとえば、1分40秒程度である。次に、ウエハゲート77が閉じて、ロードロック室61の真空引きが開始されることにより、脱ガス処理103が実行される。具体的には、先ず、真空引きにより、真空度を、たとえば5x10-3パスカル程度以上に上昇させる所要時間30秒程度。続いて、ランプ72が点灯して、ウエハ1の温度を摂氏200度程度まで上昇させる。この状態ランプ加熱および真空引きは継続で脱ガス処理ウエハ上の水分を除去する処理をたとえば50秒程度実行する。脱ガス処理103が終了すると、ランプ72が消灯する。以上より、ロードロック室61に関する処理時間は、ウエハ当たり、たとえば3分程度ロードロック関連単位処理時間というである。次に、図8において、ウエハステージ63dが降下してこのとき他のステージ63a、63b、63cも同時に降下する、図3に示す要領で、内部搬送ロボット58によって、ウエハ1を載せたウエハサセプタ65は、ウエハステージ63aこの場合は待機ステージに移送される。このとき、各ウエハステージ63a、63b、63cに他のウエハを載せたウエハサセプタ65がある場合は、それらも同時に次のステージに移送される。図7および図9に示すように、ウエハサセプタ65上に載せられたウエハ1がランプ加熱ウエハステージ63a上に置かれると、ウエハステージ63aが上昇して、ランプヒータ72が点灯して、予備過熱工程ウエハ温度は、たとえば摂氏350度程度摂氏250度より高い温度、予備加熱時間60秒程度が実行される。なお、通常、この時点でウエハ1の反りが最大となる。この時点のウエハ1のサセプタ65への収容状態は、自由載置状態である。続いて、そのままの状態でシリサイド形成用のニッケル膜第1のメタル膜をスパッタリング成膜するNi成膜工程111図13が実行される。成膜条件としては、たとえば、膜厚50nm程度,処理時間10秒程度、DCパワー4キロワット程度、アルゴン流量10sccm程度、ガス圧0.4パスカル程度、ウエハ温度摂氏350度程度を例示することができる。続いて、DCパワーがオフされる外はそのままの状態で、アロイ処理112図13すなわち、ニッケルシリサイド膜15s図24のシリサイド化処理が実行される。アロイ処理条件としては、たとえば、処理時間60秒程度、アルゴン流量10sccm程度、ガス圧0.4パスカル程度、ウエハ温度摂氏350度程度を例示することができる。アロイ処理112が終了すると、ランプヒータ72が消灯され、その状態で他のウエハの処理が完了するのを待つ予備待機工程という。この予備待機工程の間、アルゴンガス等のプロセスガスを停止すると、スパッタリング成膜処理室57の全体としての真空度が上昇することがある。このような場合は、必須ではないが、成膜プロセス中と同程度のアルゴンガス等のプロセスガスたとえば、この場合は、アルゴン流量10sccm程度を流し続けると、そのような問題を回避することができる。予備待機工程が終了すると、先と同様に、他の処理中のウエハの移送と同時に、ウエハサセプタ65に載せられた状態でウエハ1は、内部搬送ロボット58によって、冷却ウエハステージ63b上へ移送される。次に、図9に示す冷却ウエハステージ63bが上昇して、マルチターゲット成膜処理領域62bでのスパッタリング成膜によるチタン膜の成膜が実行される図13のチタン成膜工程105。成膜条件としては、たとえば、膜厚100nm程度,処理時間15秒程度、DCパワー8キロワット程度、アルゴン流量15sccm程度、ガス圧0.3パスカル程度を例示することができる。ここで、ウエハステージ等の設定は、静電チャックオフ、室温で水冷状態である。チタン成膜工程105が終了すると、DCパワーは一度オフされる。続いて、ウエハステージ等の設定を室温で水冷状態のまま、静電チャックをオン状態印加電圧はたとえば2キロボルト程度にするとともに、ターゲットをニッケルターゲット64nに切り替えて、スパッタリング成膜によるニッケル膜第2のメタル膜の成膜を実行する図13のニッケル成膜工程106。成膜条件としては、たとえば、膜厚200nm程度,処理時間35秒程度、DCパワー4キロワット程度、アルゴン流量10sccm程度、ガス圧0.4パスカル程度を例示することができる。この時点のウエハ1のサセプタ65への収容状態は、束縛状態である。このニッケル成膜工程106においては、図6に示すように、正常であれば、サセプタ65から、少し浮き上がった状態でウエハ1はサセプタ65に収容されている、冷却ウエハステージ63bの静電チャックにより、吸着される。このとき、サセプタ65におけるウエハ1の配置が正常でないと、この吸着動作によって、ウエハが破壊される恐れがある図30参照。ニッケル成膜工程106が終了すると、DCパワー、静電チャックの印加電圧はオフされ、その状態で他のウエハの処理が完了するのを待つ予備待機工程という。この予備待機工程の間、アルゴンガス等のプロセスガスを停止すると、スパッタリング成膜処理室57の全体としての真空度が上昇することがある。このような場合は、必須ではないが、成膜プロセス中と同程度のアルゴンガス等のプロセスガスたとえば、この場合は、アルゴン流量15sccm程度を流し続けると、そのような問題を回避することができる。なお、この点は、先の単一ターゲット成膜処理領域62a待機領域における待機工程104でも同じで、たとえばアルゴン流量10sccm程度を流し続けると、同様にそのような問題を回避することができる。マルチターゲット成膜処理領域62bにおける予備待機工程が終了すると、先と同様に、他の処理中のウエハの移送と同時に、ウエハサセプタ65に載せられた状態でウエハ1は、内部搬送ロボット58によって、冷却ウエハステージ63c上へ移送される。次に、図9に示すように、冷却ウエハステージ63cが上昇して、単一ターゲット成膜処理領域62cにおけるスパッタリング成膜による金成膜工程107図13が実行される。成膜条件としては、たとえば、膜厚100nm程度,処理時間15秒程度、DCパワー2キロワット程度、アルゴン流量15sccm程度、ガス圧0.6パスカル程度を例示することができる。金成膜工程107が終了すると、DCパワーはオフされ、その状態で他のウエハの処理が完了するのを待つ予備待機工程という。この予備待機工程の間、アルゴンガス等のプロセスガスを停止すると、スパッタリング成膜処理室57の全体としての真空度が上昇することがある。このような場合は、必須ではないが、先と同様に、成膜プロセス中と同程度のアルゴンガス等のプロセスガスたとえば、この場合は、アルゴン流量15sccm程度を流し続けると、そのような問題を回避することができる。単一ターゲット成膜処理領域62cにおける予備待機工程が終了すると、先と同様に、他の処理中のウエハの移送と同時に、ウエハサセプタ65に載せられた状態でウエハ1は、内部搬送ロボット58によって、ロードロック室61で使用するウエハステージ63d上へ移送される。次に、図8に示すように、ウエハステージ63dが上昇して、ロードロック室61が外部から空間的に独立した状態になると、ガス供給ライン76からエアが供給されて、外気と同一気圧になる。そこで、ウエハゲート77が開き、図1に示す外部ロボット56がウエハ1を載せたウエハサセプタ65をロードポート部52上へ排出する図13のロードロック室からの排出工程108。そこで、リフトステージ50が上昇して、ウエハ1を持ち上げた状態で、外部ロボット56がウエハ1をウエハ搬送容器54へ移送する図13のサセプタからの取り出し工程109。これで、多層メッキ単位サイクル100図13を一巡して、サセプタへ搭載工程101の開始前に戻ったことになる。通常の量産工程では、このようなサイクルを順次繰り返して、多数のウエハの処理をできるだけ各ステージ63a、63b、63c、63dの空き時間が短くなるように、連続的に実行する。5.本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ裏面多層メタル層成膜プロセス等に使用する装置構造の詳細説明主に図25から図34このセクションでは、セクション4のプロセスを実行するに当たり、ウエハ1のベンドによる各種トラブルを回避するためのセクション3で説明した成膜等装置、特に図4および図5のウエハサセプタ65サセプタの断面形状の工夫について説明する。なお、以下では、主に200Φ径が200ミリメートル程度ウエハついて、説明するが、ベンド量の管理は、ウエハの径に依存せず管理すべきものであるので、以下の論議は、ウエハの径に係らず当てはまると考えられる。このセクションでは、主にナイフエッジウエハエッジトリミングしていないウエハを主に扱うが、エッジトリミングしたウエハでもよいことは言うまでもない。図25は図7のランプ加熱ウエハステージ63aおよびその周辺の更に詳細を説明するための装置断面図である。図26は図25の加熱用ステージ端部切り出し部Cの拡大断面図である。図27はランプ加熱ウエハステージ63a上におけるウエハとウエハサセプタの各部の関係を説明するためのウエハおよびその周辺のサセプタの平面図である。図28は本願の前記前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における成膜および加熱プロセスに使用するリング状ウエハサセプタの放射状垂直断面図26のサセプタ周辺切り出し部Pおよび図27のA-A’断面すなわち放射状垂直断面に対応するの主要角度および主要寸法の一例を示すサセプタ部分断面図一部に平坦なウエハをその自重によって保持した状態を示す。ここでは、エッジトリミングしたウエハを示すである。なお、長さの単位はミリメートルで、角度の単位は度で表示する。図29は本願の前記前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における成膜および加熱プロセスに使用するリング状ウエハサセプタの放射状垂直断面図26のサセプタ周辺切り出し部Pおよび図27のA-A’断面すなわち放射状垂直断面に対応するの断面構造の一例を示すサセプタ部分断面図一部に平坦なウエハをその自重によって保持した状態を示す。ここでは、エッジトリミングしていないウエハを示すである。図30はウエハのずれによって起こる問題を説明するための図27のA-F断面に対応する冷却ウエハステージ63c上におけるサセプタ等の全体断面図である。図31は本願の前記前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における成膜および加熱プロセスに使用するリング状ウエハサセプタの放射状垂直断面図26のサセプタ周辺切り出し部Pおよび図27のA-A’断面すなわち放射状垂直断面に対応するの断面構造の一例を示すサセプタ部分断面図一部に湾曲したウエハをその自重によって保持した状態を示す。ここでは、エッジトリミングしていないウエハを示すである。図32はベンド量が6ミリメートルの200Φウエハを例にとり、側方内面第2の上側表面と垂直面のなす角Θ1テーパ角度と湾曲したウエハ端部とサセプタ内面のクリアランスCBの関係を例示した説明図である。図33は各ベンド量および側方内面第2の上側表面と垂直面のなす角Θ1テーパ角度に対するサセプタ内面のクリアランスCBの関係を整理した相互関係説明図である。図34はベンド量が6ミリメートルの200Φウエハを例にとり、側方内面第2の上側表面と垂直面のなす角Θ1テーパ角度と湾曲したウエハ端部とサセプタ内面のクリアランスCBの関係をプロットしたデータプロット図図32に対応である。これらに基づいて、本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ裏面多層メタル層成膜プロセス等に使用する装置構造の詳細を説明する。図7のランプ加熱ウエハステージ63aおよびその周辺の更に詳細構造を図25に示す。図25に示すように、ステージ支持台55上に反射板73があり、この周辺には金属製のウエハホルダベース71があり、このウエハホルダベース71の開口部の上に石英窓98が設けられている。この石英窓98と反射板73の間には、ランプヒータ72が設けられている。ウエハホルダベース71上にはサセプタ位置決め用絶縁リング69bを介してウエハサセプタ65が置かれており、その中にウエハ1がその裏面1bを上に向けて保持されている。すなわち、ウエハ1はサセプタ65上において、自由載置状態にある。ウエハ1の側方は、一定の距離を置いて成膜処理室の内壁91で取り巻かれており、ウエハ1の上方は、一定の距離を置いて成膜処理室の外壁89で覆われている。成膜処理室の外壁89の内側には、バッキングメタルプレート95を介して、シリサイド膜形成用ニッケルターゲット64sが取り付けられており、バッキングメタルプレート95と成膜処理室の外壁89の間には、マグネトロン用マグネット群74が取り付けられている。シリサイド膜形成用ニッケルターゲット64sの周辺に取り付けられた膜付着防止シールド75は、リング状サセプタ65の全域外周近傍にまで延びている。更に図25の加熱用ステージ端部切り出し部Cの詳細を図26に示す。図26に示すように、リング状サセプタ65は、その下半部内側が、リング状のサセプタ位置決め用絶縁リング69bの上半部外側面とかみ合うことにより、リング状サセプタ65等の自重により固定される。次に、サセプタ65上において、自由載置状態にあるウエハ1とサセプタ65との平面的関係を図27サセプタ65上に裏向きに置かれたウエハ1を下から、すなわち、表面1a側から見たものに示す。図27に示すように、ウエハ1には、通常、方位を確認するためにノッチ20が設けられており、ウエハ1たとえば200Φウエハの表面1aの周辺から、たとえば2ミリメートル程度の領域は、周辺デバイス非形成領域16とよばれ、この領域にはチップ領域8は、形成されない。一方、ウエハ1の内部領域、すなわちデバイス形成領域10には、マトリクス状にチップ領域8がはみ出さない範囲で敷き詰められる。この図では、図を見やすくするために、一部にものチップ領域8を描いた。このデバイス形成領域10と周辺デバイス非形成領域16の境界17を一点鎖線で示す。ここで、最外部の一点鎖線は、サセプタ65のウエハ保持部41第1の上側表面またはウエハ載置部の最外周41pであり、正常な場合、ウエハ保持部最内周41iは、デバイス形成領域10と周辺デバイス非形成領域16の境界17よりも外側にある。また、通常、リング状のサセプタ65の中心とウエハ1の中心を一致させて載置した場合、ウエハ1の外周とサセプタ65のウエハ保持部41の最外周41pとの間には、たとえば、0.25ミリメートル程度図28参照の余裕CF平坦なウエハ端部とサセプタ内面のクリアランスが設けられている。次に、本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における多層メタル成膜プロセスに使用するリング状サセプタ65の図4のX-O断面に対応する断面、すなわち、円環の放射状垂直断面図26のサセプタ周辺切り出し部Pにほぼ対応するを図28に示し、その寸法、主要部の角度等の一例を示す。ここでは、ウエハの厚さを、たとえば、120マイクロメートル程度0.12ミリメートル程度とした。他の図では、主にエッジトリミングしていないウエハを図示したが、この図に於いては、参考として、エッジトリミングしたウエハを図示した。次に、図28にほぼ対応する図26のサセプタ周辺切り出し部Pの拡大断面図を図29図示したのは、エッジトリミングしていないウエハであるに示す。なお、リング状サセプタ65の円環の放射状垂直断面は、この回転角で切っても、外周の一部図4の位置ずれ防止ノッチ65nを除いて、基本的に同一である。図29に示すように、リング状サセプタ65の内、ウエハ1と必ず接触する部分は、ウエハ保持部またはウエハ載置部41第1の上側表面であり、通常、水平に近い面を構成している。このウエハ載置部41第1の上側表面に続いて、この外側にある上側表面が側方内面42第2の上側表面であり、ウエハ載置部41よりも垂直に近い傾斜を持っている。この側方内面42第2の上側表面と垂直面のなす角をテーパ角度Θ1または第1の角度という。この側方内面42第2の上側表面は、サセプタ65の上端部65t上端水平面まで続いても良い。その場合は、上方内面がない場合の輪郭Tのようになる。一方、中間に、上方内面43第3の上側表面のように、側方内面42第2の上側表面よりも水平に近い付加的な面を介在させることもできる。このような付加的な面を介在させると、ウエハ1の周辺部におけるスパッタリング成膜時の膜厚の低下を防止することができる。また、この場合に於いて、更に、側方内面42第2の上側表面と上方内面43第3の上側表面の間に、側方内面と上方内面に面取りがある場合の輪郭Sで示すようにラウンド部面取り部を設けても良い。このような、上方内面43第3の上側表面と水平面のなす角を上方切り取り角度Θ2という。上方切り取り角度Θ2は、たとえば、13度程度範囲としては、8度から40度程度とすることができるが、上記の効果を達成するには、上端部65t上端水平面と上方内面43第3の上側表面の境界を膜付着防止シールド75の内端75i付近に位置させることが有効である。一方、側方内面42第2の上側表面と上方内面43第3の上側表面の境界の高さと、上端部65t上端水平面の高さの差は、最大ベンド量を6ミリメートルとすると、ウエハ載置部41第1の上側表面を基準とする側方内面42第2の上側表面と上方内面43第3の上側表面の境界の高さを最大ベンド量以上に確保する必要から、1ミリメートル程度上限値は、2ミリメートル程度とするのが好適である。なお、ウエハ載置部41第1の上側表面の下方の下方内側面44は、ウエハ載置部41の強度を確保強度確保するために、下からの加熱光の分布を乱さない範囲加熱光強度分布で、ウエハ載置部41第1の上側表面の下方を厚くすることが有効である。ここでは、たとえば下方内側面44の上半部をほぼ垂直として、下半部を後退するようにテーパを付けている。しかし、この部分は、強度確保と加熱光強度分布を考慮して種々変更可能である。次に、図27のA-F断面に対応した断面図を図30に示し、ベンドしたウエハ1のサセプタ上位置シフトの様子を説明する。これは例えば、以下のような状況を想定している。すなわち、図24に示した多層メタル膜形成プロセスに於いて、ウエハ湾曲に起因するサセプタ上位置シフトが発生するのは、ほぼ第1のメタル膜の成膜工程111シリサイド形成用ニッケル膜成膜工程又はそのための予熱工程に於いてであると考えられる。このサセプタ上位置シフトが発生したウエハは、そのサセプタに収容されたまま、次々にその工程に移送される。そのようにして、たとえば、冷却ウエハステージ63bによる第2のメタル膜成膜工程106図13に来ると、静電チャックによるチャッキング、すなわち、束縛状態となる。このとき、ウエハにサセプタ上位置シフトがあると問題が発生する可能性が高くなる。これを以下に説明する。まず、このようにシリサイド形成用ニッケル膜成膜工程又はそのための予熱工程で発生したウエハのサセプタ上位置シフトの態様を図30に例示する。図30に示すように、第1のメタル膜の成膜工程111ランプ加熱ウエハステージ63aにおいて、ウエハ1のベンド量が大きく、且つテーパ角度Θ1が比較的なだらかであると、側方内面42第2の上側表面とウエハ1との接触角Θ3が小さくなり、滑りやすくなる。このとき、機械的振動等が加わるとウエハ1は容易にずれて側方内面42第2の上側表面を這い上がることとなる。この這い上がった状態で、冷却ウエハステージ63bにおいて第2のメタル膜成膜工程106に移行すると、ウエハ1は、図30に示すように、冷却ウエハステージ63bによってウエハ載置部41第1の上側表面より若干、上に持ち上げられた状態で、静電チャックによって吸着束縛されることとなるこのときウエハ1は、まだ、サセプタに収容された状態である。しかし、ウエハ1の一方の端部は、サセプタ65の側方内面42第2の上側表面に乗り上げたままなので、吸着時に、機械的に破壊される結果となる。次に、ベンドしているが、サセプタ上でシフトしていないウエハ1についての図27のA-A’断面を図31および図32に示して、ウエハのベンド量、湾曲したウエハ端部とサセプタ内面のクリアランスCB、テーパ角度Θ1第1の角度、サセプタ上位置シフト等の関係を説明する。図31に示すように、湾曲したウエハ端部とサセプタ内面のクリアランスCBは、平坦なウエハ端部とサセプタ内面のクリアランスCFにウエハ反り量Bに対応して増加する側方内面42第2の上側表面の後退分とウエハのベンドによる後退分を加えたものということになる。図32には、テーパ角度Θ1第1の角度を0度、5度、10度、15度、20度、25度、30度、37度従来の標準仕様の各値に対するクリアランスCBを平坦ウエハからベンド量Bが、6ミリメートルのウエハまで、1ミリメートル刻みに図式的に表示したものである。各テーパ角度Θ1に対するクリアランスCBΘ1をミリメートル単位で示すと以下の通りである。すなわち、CB0=0.42、CB5=0.98、CB10=1.5、CB15=2.06、CB20=2.65、CB25=3.29、CB30=3.98、CB37=5.06である。このクリアランスCBは、機械的振動がウエハ1に作用した場合のウエハの初期振幅とほぼ等しいと考えられる。この初期振幅が大きいと、ウエハは、容易に図30のような状態になると考えられる。図29に示すように、平坦ウエハ1シフトしていない場合の周辺部とウエハ載置部41第1の上側表面の重なり長さは、図28から、1.5ミリメートル程度であるが、初期振幅が重なり長さを超えるとサセプタ上位置シフトが発生する可能性が出てくる。そして、初期振幅が重なり長さの2倍3ミリメートル程度を超えると、サセプタ上位置シフトの発生が急速に増加すると考えられる。従って、図34に示すように、テーパ角度Θ1第1の角度は、0度以上で且つ20度程度以下に設定するのが好適である。しかし、下限については、0度程度でも良いが、0度程度の場合は、ウエハ周辺の成膜厚さが減少する恐れがあるので、ウエハの周辺近傍までデバイス形成領域10図27としたい場合は、下限を5度程度とするのが特に好適である。また、図33に示すように、上限についても、20度程度でも良いが、量産プロセスの安定性を特に重視する場合は、15度程度とするのが特に好適である。6.本願の全般に関する考察並びに各実施の形態に関する補足的説明薄膜ウエハの処理は、ハンドリングの容易さから、ウエハの被処理対象面と逆の面に硝子板やシリコンウエハ等の補強板を貼り付けた状態で実行されることがある。しかし、このような補強板方式は、比較的高価なプロセスとして知られている。そこで、前記実施の形態では、このような補強板を使用せず、比較的ベンド量が大きい場合であっても、薄膜ウエハをリング状のサセプタ上に自由載置状態で保持して、加熱および成膜処理が可能な方法を検討したものである。これによって、前記各説明に示したように、主にサセプタのウエハの横方向の移動を制限する側壁の傾斜を適正化急峻化することで、サセプタ上位置シフトの発生が有効に防止できることが明らかとなった。前記説明では、サセプタ上位置シフトに起因する搬送ミスやウエハ割れについては、主に加熱成膜プロセスの後に行われるサセプタに収容した状態での吸着束縛等の過程で発生するものを例に取り具体的に説明したが、搬送ミスやウエハ割れは、ウエハの主要部はサセプタに収容されているが、ウエハの一部が外部にはみ出している場合等では、搬送時に他の構造物に触れて破壊する等の問題が発生する。また、トリミングしていないウエハでは、僅かのずれであっても、サセプタや他の構造物、ハンドリング装置との接触等によって、クラックが発生する恐れがある。7.サマリ以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本願の発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。例えば、前記実施の形態では、パワーMOSFETを例にとり具体的に説明したが、本願の発明はそれに限定されるものではなく、IGBT,LDMOSFET等のその他の単体や、それらを含む集積回路素子その他に広く適用できることは言うまでもない。また、前記実施の形態では、Nチャネル型パワーMOSFET等のNチャネル型デバイスについて具体的に説明したが、本願の発明はそれに限定されるものではなく、Pチャネル型パワーMOSFET等のPチャネル型デバイスにも適用できることは言うまでもない。その場合には、前記実施の形態において、PとNを総入れ替えするPN反転操作を実行すればよい。更に、前記実施の形態では、ウエハ等の基板の裏面の多層金属膜の形成に適用した例を具体的に説明したが、本願の発明はそれに限定されるものではなく、ウエハ等の基板の裏面の絶縁膜と金属膜から構成された多層膜、ウエハ等の基板のデバイス面第1主面の多層金属膜および絶縁膜と金属膜から構成された多層膜の形成にも適用できることは言うまでもない。また、前記実施の形態では、主にシリコン系基板を用いたパワー系MOSFETおよびIGBTを具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、SiC系基板、GaN基板、GaAs基板、InP基板等を用いたものにも適用できることは言うまでもない。"