"溶媒に溶解または分散されたポリマー物質と小分子半導体物質のブレンドを含むインクジェット印刷またはスピンコーティング用のインクであって、前記ブレンドが少なくとも70重量の前記ポリマー物質を含み、インク濃度が少なくとも0.4w/vであるインク。前記ブレンドが少なくとも75重量の前記ポリマー物質を含む、請求項1に記載のインク。前記ブレンドが少なくとも80重量の前記ポリマー物質を含む、請求項1に記載のインク。インク濃度が少なくとも0.6w/vである、請求項1~3のいずれか一項に記載のインク。インク濃度が少なくとも0.8w/vである、請求項1~3のいずれか一項に記載のインク。前記ポリマー物質が半導体性ポリマー物質である、請求項1~5のいずれか一項に記載のインク。前記半導体性ポリマー物質が、式I式中、R1とR2は同じであるか、または異なっており、各々は、水素、1~16個の炭素原子を有するアルキル基、5~14個の炭素原子を有するアリール基ならびに1~3個のイオウ原子、酸素原子および/または窒素原子を含む5~7員のヘテロアリール基からなる群より選択され、前記アリール基またはヘテロアリール基は、非置換あるいは1~16個の炭素原子を有するアルキル基および1~16個の炭素原子を有するアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換されているの反復単位を含む共役ポリマーである、請求項6に記載のインク。前記半導体性ポリマー物質が、R1とR2は同じであるか、または異なっており、各々が、水素、1~12個の炭素原子を有するアルキル基およびフェニル基からなる群より選択され、前記フェニル基は、非置換あるいは1~12個の炭素原子を有するアルキル基および1~12個の炭素原子を有するアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換されている反復単位Iを含む共役ポリマーである、請求項7に記載のインク。前記半導体性ポリマー物質が、R1とR2は同じであるか、または異なっており、各々が、4~12個の炭素原子を有するアルキル基およびフェニル基からなる群より選択され、前記フェニル基は、非置換あるいは4~8個の炭素原子を有するアルキル基および4~8個の炭素原子を有するアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換されている反復単位Iを含む共役ポリマーである、請求項7に記載のインク。前記半導体性ポリマー物質が反復単位Iを含む共役ポリマーであり、前記ポリマーが、さらに、式II:式中、Ar1とAr2は同じであるか、または異なっており、各々は、5~14個の炭素原子を有するアリール基ならびに1~3個のイオウ原子、酸素原子および/または窒素原子を含む5~7員のヘテロアリール基からなる群より選択され、前記アリール基またはヘテロアリール基は、1~16個の炭素原子を有するアルキル基および1~16個の炭素原子を有するアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換されていてもよく;R3は、1~16個の炭素原子を有するアルキル基であるか、または非置換あるいは1~16個の炭素原子を有するアルキル基および1~16個の炭素原子を有するアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換されている5~14個の炭素原子を有するアリール基であり;nは、1以上の整数、好ましくは1または2であるの反復単位を含む、請求項7~9のいずれか一項に記載のインク。Ar1とAr2の各々がフェニル基であり、R3が、1~8個の炭素原子を有するアルキル基であるか、または非置換であるかもしくは1~8個の炭素原子を有するアルキル基で置換されていてもよいフェニル基である、請求項10に記載のインク。前記半導体性ポリマー物質がTFB[9,9’-ジオクチルフルオレン-コ-N-4-ブチルフェニル-ジフェニルアミン]nである、請求項10に記載のインク。前記小分子半導体物質が、置換ペンタセンおよび式III:式中、Ar3、Ar4、Ar5およびAr6は、独立して、単環式芳香族環を含み、Ar3、Ar4、Ar5およびAr6のうち少なくとも1つは少なくとも1個の置換基Xで置換されており、該置換基Xは、各存在において同じであっても異なっていてもよく、i1~20個の炭素原子を有する非置換もしくは置換型の直鎖、分枝鎖もしくは環状のアルキル基、1~12個の炭素原子を有するアルコキシ基、非置換であるかまたは1~8個の炭素原子を有する1個もしくは2個のアルキル基各々は同じであっても異なっていてもよいで置換されていてもよいアミノ基、アミド基、シリル基および2~12個の炭素原子を有するアルケニル基、またはiiハロゲン、ボロン酸、ジボロン酸ならびにボロン酸およびジボロン酸のエステル、2~12個の炭素原子を有するアルキレン基ならびにスタンニル基からなる群より選択される重合性もしくは反応性の基からなる群より選択され、Ar3、Ar4、Ar5およびAr6は各々、1個以上のさらなる単環式芳香族環に縮合していてもよく、Ar3、Ar4、Ar5およびAr6のうち少なくとも1つは、1~3個のイオウ原子、酸素原子、セレン原子および/または窒素原子を含む5~7員のヘテロアリール基を含むものであるの半導体性有機化合物からなる群より選択される、請求項1~12のいずれか一項に記載のインク。Ar5が、さらなるアリール基Ar7に縮合されて、式IV:式中、Ar7は、非置換あるいは1個以上の置換基Xで置換されている単環式芳香族環を表し、前記単環式芳香族環Ar7は、好ましくは、1~3個のイオウ原子、酸素原子、セレン原子および/または窒素原子を含む5~7員のヘテロアリール基であるの構造を得たものである、請求項13に記載のインク。Ar6が、さらなるアリール基Ar8に縮合されて、式V:式中、Ar8は、非置換あるいは1個以上の置換基Xで置換されている単環式芳香族環を表し、前記単環式芳香族環Ar8は、好ましくは、1~3個のイオウ原子、酸素原子、セレン原子および/または窒素原子を含む5~7員のヘテロアリール基であるの構造を得たものである、請求項14に記載のインク。Ar7が、さらなるアリール基Ar9に縮合されて、式VI:式中、Ar9は、非置換あるいは1個以上の置換基Xで置換されている単環式芳香族環を表し、前記単環式芳香族環Ar9は、好ましくは、1~3個のイオウ原子、酸素原子、セレン原子および/または窒素原子を含む5~7員のヘテロアリール基であるの構造を得たものである、請求項15に記載のインク。小分子半導体物質が、構造:式中、X1とX2は、同じであっても異なっていてもよく、請求項13において規定した置換基Xから選択され;Z1とZ2は、独立して、S、O、SeまたはNR4であり;W1とW2は、独立して、S、O、Se、NR4または-CR4=CR4-式中、R4は、Hであるか、または1~20個の炭素原子を有する非置換もしくは置換型の直鎖、分枝鎖もしくは環状のアルキル基、1~12個の炭素原子を有するアルコキシ基、非置換であるかまたは1~8個の炭素原子を有する1個もしくは2個のアルキル基各々は同じであっても異なっていてもよいで置換されていてもよいアミノ基、アミド基、シリル基および2~12個の炭素原子を有するアルケニル基からなる群より選択される置換基であるであるを含むものである、請求項13~16のいずれか一項に記載のインク。小分子半導体物質が、構造:式中、X1およびX2は請求項17において規定したとおりであり、Z1、Z2、W1およびW2は請求項17において規定したとおりであり、V1とV2は、独立して、S、O、SeまたはNR5式中、R5は、Hであるか、または1~20個の炭素原子を有する非置換もしくは置換型の直鎖、分枝鎖もしくは環状のアルキル基、1~12個の炭素原子を有するアルコキシ基、非置換であるかまたは1~8個の炭素原子を有する1個もしくは2個のアルキル基各々は同じであっても異なっていてもよいで置換されていてもよいアミノ基、アミド基、シリル基および2~12個の炭素原子を有するアルケニル基からなる群より選択される置換基であるであるを含むものである、請求項13~17のいずれか一項に記載のインク。小分子半導体物質が、構造:式中、X1およびX2は請求項17において規定したとおりであり、Z1、Z2、W1およびW2は請求項17において規定したとおりであるを含むものである、請求項13~17のいずれか一項に記載のインク。小分子半導体物質が、構造:式中、Z1、Z2、W1およびW2は請求項17において規定したとおりであり、X1~X10は、同じであっても異なっていてもよく、請求項13において規定した置換基Xから選択されるを含むものである、請求項13~17のいずれか一項に記載の半導体ブレンド。前記小分子半導体物質が、式VII:式中、Aは、フェニル基またはチオフェン基であり、前記フェニル基またはチオフェン基は、非縮合型あるいはフェニル基またはチオフェン基これは非置換であってもよく、または少なくとも1個の式X11の基で置換されていてもよいと縮合している、および/またはフェニル基、チオフェン基およびベンゾチオフェン基から選択される基と縮合しており、前記フェニル、チオフェンおよびベンゾチオフェン基はいずれも非置換あるいは少なくとも1個の式X11の基で置換されており;各基X11は同じであっても異なっていてもよく、請求項13において規定した置換基Xから選択され、好ましくは式CnH2n1式中、nは0または1~20の整数であるの基であるのベンゾチオフェン誘導体である、請求項13に記載のインク。前記小分子半導体物質が、Aが:少なくとも1個の式X11の基で置換されているフェニル基と縮合しているチオフェン基;または非置換であるかまたは少なくとも1個の式X11の基で置換されていてもよいフェニル基、前記フェニル基は、さらに、チオフェン基これは非置換であってもよく、または少なくとも1個の式X11の基で置換されていてもよいと縮合していてもよい、および/またはベンゾチオフェン基と縮合していてもよく、前記ベンゾチオフェン基は、非置換あるいは少なくとも1個の式X11の基式中、X11は式CnH2n1式中、nは0または1~16の整数であるの基であるで置換されている、から選択される式VIIのベンゾチオフェン誘導体である、請求項21に記載のインク。前記小分子半導体物質が、下記の群:式中、X11は式CnH2n1式中、nは4~16の整数であるの基であるから選択される式VIIのベンゾチオフェン誘導体である、請求項21に記載のインク。前記ポリマー物質が、請求項7において規定した反復単位Iを含む半導体性共役ポリマーであり、ここで、R1とR2は同じであるか、または異なっており、各々が、4~12個の炭素原子を有するアルキル基およびフェニル基からなる群より選択され、前記フェニル基は、非置換あるいは4~8個の炭素原子を有するアルキル基および4~8個の炭素原子を有するアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換されており、前記半導体性共役ポリマーが、さらに、Ar1とAr2の各々がフェニル基であり、R3が、1~8個の炭素原子を有するアルキル基であるか、または非置換であるかもしくは1~8個の炭素原子を有するアルキル基で置換されていてもよいフェニル基である請求項10において規定したとおりの式IIの反復単位を含むものであり;前記小分子半導体物質が、式VII:式中、Aは、フェニル基またはチオフェン基であり、前記フェニル基またはチオフェン基は、フェニル基またはチオフェン基これは非置換であるかまたは少なくとも1個の式X11の基で置換されていてもよいと縮合していてもよい、および/またはフェニル基、チオフェン基およびベンゾチオフェン基から選択される基と縮合していてもよく、前記フェニル、チオフェンおよびベンゾチオフェン基はいずれも非置換あるいは少なくとも1個の式X11の基で置換されており;各基X11は同じであっても異なっていてもよく、請求項13において規定した置換基Xから選択され、好ましくは、式CnH2n1式中、nは0または1~20の整数であるの基であるのベンゾチオフェン誘導体である、請求項1~5のいずれか一項に記載のインク。前記半導体性共役ポリマーがTFB[9,9’-ジオクチルフルオレン-コ-N-4-ブチルフェニル-ジフェニルアミン]nであり;前記小分子半導体物質が、Aが:少なくとも1個の式X11の基で置換されているフェニル基と縮合しているチオフェン基;非置換であるかまたは少なくとも1個の式X11の基で置換されていてもよいフェニル基、前記フェニル基は、さらに、チオフェン基これは非置換であってもよく、または少なくとも1個の式X11の基で置換されていてもよいと縮合していてもよい、および/またはベンゾチオフェン基と縮合していてもよく、前記ベンゾチオフェン基は、非置換あるいは少なくとも1個の式X11の基式中、X11は式CnH2n1式中、nは0または1~16の整数であるの基であるで置換されている、から選択される、請求項24において規定したとおりの式VIIの化合物である、請求項24に記載のインク。前記小分子半導体物質が、下記の群:式中、X11は式CnH2n1式中、nは4~16の整数であるの基であるから選択される、請求項25に記載のインク。前記半導体性共役ポリマー物質が、TFB[9,9’-ジオクチルフルオレン-コ-N-4-ブチルフェニル-ジフェニルアミン]nであり、前記小分子半導体物質が下記式:式中、X11は式CnH2n1式中、nは4~16の整数であるの基であるを有する、請求項26に記載のインク。各基X11がヘキシル基である、請求項27に記載のインク。前記溶媒が、C1~4アルコキシベンゼンおよびC1~4アルキル置換C1~4アルコキシベンゼンからなる群より選択される、請求項1~28のいずれか一項に記載のインク。前記溶媒が、アニソール、2-メチルアニソールおよび4-メチルアニソールからなる群より選択される、請求項29に記載のインク。前記半導体性共役ポリマー物質がTFB[9,9’-ジオクチルフルオレン-コ-N-4-ブチルフェニル-ジフェニルアミン]nであり、前記小分子半導体物質が下記式:式中、X11は式CnH2n1式中、nは4~16の整数であるの基であるを有する、請求項1~30のいずれか一項に記載のインク。各基X11がヘキシル基である、請求項31に記載のインク。小分子半導体を含む溶媒の第1の溶液と、ポリマー物質を含む同じ溶媒のさらなる溶液をブレンドすることを含み、前記ブレンドが少なくとも70重量の前記ポリマー物質を含み、インク濃度が少なくとも0.4w/vである、請求項1に記載のインクの作製方法。優れたブレンド形成特性を有する半導体ブレンドであって、一般的に合成および取り扱いがより高価であり、一般的にポリマーよりも溶解度が低く、そのため溶液中で析出をもたらし得るため小分子半導体の量が少ない半導体ブレンドの必要性が存在している。本発明者らは驚くべきことに、ブレンド中に、先行技術において既報のものよりも高い割合のポリマーを有する半導体ブレンドを作製することによって、この問題に対処することが可能であることを見出した。これは半導体ブレンドの総固形分を増大させることにより達成され、これにより、スピンコーティングによって堆積させた際に、ずっと改善された特性を示すとともに、性能が小分子高含有ブレンドと同等である膜がもたらされる。本発明の第1の態様によれば、請求項1~32に特定したインクジェット印刷またはスピンコーティング用のインクが提供される。本発明の第2の態様によれば、請求項33に特定した前記インクの作製方法が提供される。1したがって、第1の実施形態において、半導体ブレンドは例えば、小分子半導体物質とポリマー物質を含むものであり、前記ブレンドは少なくとも75重量の前記ポリマー物質を含む。好ましい例としては以下のものが挙げられる:275~85重量のポリマー物質を含むものである1による半導体ブレンド;3前記ポリマー物質が半導体性ポリマー物質である1または2による半導体ブレンド;4前記半導体性ポリマー物質が、式I式中、R1とR2は同じであるか、または異なっており、各々は、水素、1~16個の炭素原子を有するアルキル基、5~14個の炭素原子を有するアリール基ならびに1~3個のイオウ原子、酸素原子および/または窒素原子を含む5~7員のヘテロアリール基からなる群より選択され、前記アリール基またはヘテロアリール基は、非置換あるいは1~16個の炭素原子を有するアルキル基および1~16個の炭素原子を有するアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換されているの反復単位を含む共役ポリマーである3による半導体ブレンド;5前記半導体性ポリマー物質が、R1とR2は同じであるか、または異なっており、各々が、水素、1~12個の炭素原子を有するアルキル基およびフェニル基からなる群より選択され、前記フェニル基は、非置換あるいは1~12個の炭素原子を有するアルキル基および1~12個の炭素原子を有するアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換されている反復単位Iを含む共役ポリマーである4による半導体ブレンド;6前記半導体性ポリマー物質が、R1とR2は同じであるか、または異なっており、各々が、4~12個の炭素原子を有するアルキル基およびフェニル基からなる群より選択され、前記フェニル基は、非置換あるいは4~8個の炭素原子を有するアルキル基および4~8個の炭素原子を有するアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換されている反復単位Iを含む共役ポリマーである4による半導体ブレンド;7前記半導体性ポリマー物質が反復単位Iを含む共役ポリマーであり、前記ポリマーが、さらに、式II:式中、Ar1とAr2は同じであるか、または異なっており、各々は、5~14個の炭素原子を有するアリール基ならびに1~3個のイオウ原子、酸素原子および/または窒素原子を含む5~7員のヘテロアリール基からなる群より選択され、前記アリール基またはヘテロアリール基は、非置換あるいは1~16個の炭素原子を有するアルキル基および1~16個の炭素原子を有するアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換されており、R3は、1~16個の炭素原子を有するアルキル基であるか、または1~16個の炭素原子を有するアルキル基および1~16個の炭素原子を有するアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換されていてもよい5~14個の炭素原子を有するアリール基であり;nは、1以上の整数、好ましくは1または2であるの反復単位を含む4~6のいずれか1つによる半導体ブレンド;8Ar1とAr2の各々がフェニル基であり、R3が、1~8個の炭素原子を有するアルキル基であるか、または非置換であるかもしくは1~8個の炭素原子を有するアルキル基で置換されていてもよいフェニル基である7による半導体ブレンド;9前記半導体性ポリマー物質がTFB[9,9’-ジオクチルフルオレン-コ-N-4-ブチルフェニル-ジフェニルアミン]nである7による半導体ブレンド;10前記小分子半導体物質が、置換ペンタセンおよび式III:式中、Ar3、Ar4、Ar5およびAr6は、独立して、単環式芳香族環を含むものであり、Ar3、Ar4、Ar5およびAr6のうち少なくとも1つは少なくとも1個の置換基Xで置換されており、該置換基Xは、各存在において同じであっても異なっていてもよく、i1~20個の炭素原子を有する非置換もしくは置換型の直鎖、分枝鎖もしくは環状のアルキル基、1~12個の炭素原子を有するアルコキシ基、非置換であるかまたは1~8個の炭素原子を有する1個もしくは2個のアルキル基各々は同じであっても異なっていてもよいで置換されていてもよいアミノ基、アミド基、シリル基および2~12個の炭素原子を有するアルケニル基、またはiiハロゲン、ボロン酸、ジボロン酸ならびにボロン酸およびジボロン酸のエステル、2~12個の炭素原子を有するアルキレン基ならびにスタンニル基からなる群より選択される重合性もしくは反応性の基からなる群より選択され、Ar3、Ar4、Ar5およびAr6は各々、非縮合型あるいは1個以上のさらなる単環式芳香族環に縮合していてもよく、Ar3、Ar4、Ar5およびAr6のうち少なくとも1つは、1~3個のイオウ原子、酸素原子、セレン原子および/または窒素原子を含む5~7員のヘテロアリール基を含むものであるの半導体性有機化合物からなる群より選択される1~9のいずれか1つによる半導体ブレンド;11Ar5が、さらなるアリール基Ar7に縮合されて、式IV:式中、Ar7は、非置換あるいは1個以上の置換基Xで置換されている単環式芳香族環を表し、前記単環式芳香族環Ar7は、好ましくは、1~3個のイオウ原子、酸素原子、セレン原子および/または窒素原子を含む5~7員のヘテロアリール基であるの構造を得たものである10による半導体ブレンド;12Ar6が、さらなるアリール基Ar8に縮合されて、式V:式中、Ar8は、非置換あるいは1個以上の置換基Xで置換されている単環式芳香族環を表し、前記単環式芳香族環Ar8は、好ましくは、1~3個のイオウ原子、酸素原子、セレン原子および/または窒素原子を含む5~7員のヘテロアリール基であるの構造を得たものである11による半導体ブレンド;13Ar7が、さらなるアリール基Ar9に縮合されて、式VI:式中、Ar9は、非置換あるいは1個以上の置換基Xで置換されている単環式芳香族環を表し、前記単環式芳香族環Ar9は、好ましくは、1~3個のイオウ原子、酸素原子、セレン原子および/または窒素原子を含む5~7員のヘテロアリール基であるの構造を得たものである12による半導体ブレンド;14小分子半導体物質が、構造:式中、X1とX2は、同じであっても異なっていてもよく、10において規定した置換基Xから選択され;Z1とZ2は、独立して、S、O、SeまたはNR4であり;W1とW2は、独立して、S、O、Se、NR4または-CR4=CR4-式中、R4は、Hであるか、または1~20個の炭素原子を有する非置換もしくは置換型の直鎖、分枝鎖もしくは環状のアルキル基、1~12個の炭素原子を有するアルコキシ基、非置換であるかまたは1~8個の炭素原子を有する1個もしくは2個のアルキル基各々は同じであっても異なっていてもよいで置換されていてもよいアミノ基、アミド基、シリル基および2~12個の炭素原子を有するアルケニル基からなる群より選択される置換基であるであるを含むものである10~13のいずれか1つによる半導体ブレンド;15小分子半導体物質が、構造:式中、X1とX2は14において規定したとおりであり、Z1、Z2、W1およびW2は14において規定したとおりであり、V1とV2は、独立して、S、O、SeまたはNR5式中、R5は、Hであるか、または1~20個の炭素原子を有する非置換もしくは置換型の直鎖、分枝鎖もしくは環状のアルキル基、1~12個の炭素原子を有するアルコキシ基、非置換であるかまたは1~8個の炭素原子を有する1個もしくは2個のアルキル基各々は同じであっても異なっていてもよいで置換されていてもよいアミノ基、アミド基、シリル基および2~12個の炭素原子を有するアルケニル基からなる群より選択される置換基であるであるを含むものである10~13のいずれか1つによる半導体ブレンド;16小分子半導体物質が、構造:式中、X1とX2は14において規定したとおりであり、Z1、Z2、W1およびW2は14において規定したとおりであるを含むものである10~13のいずれか1つによる半導体ブレンド;17小分子半導体物質が、構造:式中、Z1、Z2、W1およびW2は14において規定したとおりであり、X1~X10は、同じであっても異なっていてもよく、10において規定した置換基Xから選択されるを含むものである10~13のいずれか1つによる半導体ブレンド;18前記小分子半導体物質が、式VII:式中、Aは、フェニル基またはチオフェン基であり、前記フェニル基またはチオフェン基は、非縮合型あるいはフェニル基またはチオフェン基これは非置換であってもよく、または少なくとも1個の式X11の基で置換されていてもよいと縮合している、および/またはフェニル基、チオフェン基およびベンゾチオフェン基から選択される基と縮合しており、前記フェニル、チオフェンおよびベンゾチオフェンthiphene基はいずれも非置換あるいは少なくとも1個の式X11の基で置換されており;各基X11は同じであっても異なっていてもよく、10において規定した置換基Xから選択され、好ましくは、式CnH2n1式中、nは0または1~20の整数であるの基であるのベンゾチオフェン誘導体である10による半導体ブレンド;19前記小分子半導体物質が、Aが:少なくとも1個の式X11の基で置換されているフェニル基と縮合しているチオフェン基;または非置換であるかまたは少なくとも1個の式X11の基で置換されていてもよいフェニル基、前記フェニル基は、さらに、非縮合型あるいはチオフェン基これは非置換であってもよく、または少なくとも1個の式X11の基で置換されていてもよいと縮合している、および/またはベンゾチオフェン基と縮合しており、前記ベンゾチオフェン基は、非置換あるいは少なくとも1個の式X11の基式中、X11は式CnH2n1式中、nは0または1~16の整数であるの基であるで置換されている、から選択される式VIIのベンゾチオフェン誘導体である18による半導体ブレンド;20前記小分子半導体物質が、下記の群:式中、X11は式CnH2n1式中、nは4~16の整数であるの基であるから選択される式VIIのベンゾチオフェン誘導体である18による半導体ブレンド;21前記ポリマー物質が、4において規定した反復単位Iを含む半導体性共役ポリマーであり、ここで、R1とR2は同じであるか、または異なり、各々が、4~12個の炭素原子を有するアルキル基およびフェニル基からなる群より選択され、前記フェニル基は、非置換あるいは4~8個の炭素原子を有するアルキル基および4~8個の炭素原子を有するアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換されており、前記半導体性共役ポリマーが、さらに、Ar1とAr2の各々がフェニル基であり、R3が、1~8個の炭素原子を有するアルキル基であるか、または非置換であるかもしくは1~8個の炭素原子を有するアルキル基で置換されていてもよいフェニル基である7において規定したとおりの式IIの反復単位を含むものであり;前記小分子半導体物質が、式VII:式中、Aは、フェニル基またはチオフェン基であり、前記フェニル基またはチオフェン基は、非縮合型あるいはフェニル基またはチオフェン基これは非置換であってもよく、または少なくとも1個の式X11の基で置換されていてもよいと縮合している、および/またはフェニル基、チオフェン基およびベンゾチオフェン基から選択される基と縮合しており、前記フェニル、チオフェンおよびベンゾチオフェン基はいずれも非置換あるいは少なくとも1個の式X11の基で置換されており;各基X11は同じであっても異なっていてもよく、10において規定した置換基Xから選択され、好ましくは、式CnH2n1式中、nは0または1~20の整数であるの基であるのベンゾチオフェン誘導体である半導体ブレンドであって;少なくとも75重量の前記半導体性共役ポリマー物質を含むものである、1による半導体ブレンド;22前記半導体性共役ポリマー物質がTFB[9,9’-ジオクチルフルオレン-コ-N-4-ブチルフェニル-ジフェニルアミン]nであり;前記小分子半導体物質が、Aが:少なくとも1個の式X11の基で置換されているフェニル基と縮合しているチオフェン基;非置換であるかまたは少なくとも1個の式X11の基で置換されていてもよいフェニル基、前記フェニル基は、さらに非縮合型unfazedあるいはチオフェン基これは非置換であってもよく、または少なくとも1個の式X11の基で置換されていてもよいと縮合している、および/またはベンゾチオフェン基と縮合しており、前記ベンゾチオフェン基は、非置換あるいは少なくとも1個の式X11の基式中、X11は式CnH2n1式中、nは0または1~16の整数であるの基であるで置換されている、から選択される21において規定したとおりの式VIIの化合物である半導体ブレンドであって;少なくとも75重量の前記半導体性共役ポリマー物質を含むものである、21による半導体ブレンド;23前記小分子半導体物質が、下記の群:式中、X11は式CnH2n1式中、nは4~16の整数であるの基であるから選択される半導体ブレンドであって;75~85重量の前記半導体性共役ポリマー物質を含むものである、22による半導体ブレンド;24前記半導体性共役ポリマー物質がTFB[9,9’-ジオクチルフルオレン-コ-N-4-ブチルフェニル-ジフェニルアミン]nであり、前記小分子半導体物質が下記式:式中、X11は式CnH2n1式中、nは4~16の整数であるの基であるを有するものである半導体ブレンドであって;75~85重量の前記半導体性共役ポリマー物質を含むものである、23による半導体ブレンド;ならびに25各基X11がヘキシル基である半導体ブレンドであって、75重量の前記半導体性共役ポリマー物質を含むものである24による半導体ブレンド。26さらなる例では、溶媒に溶解または分散されたポリマー物質と小分子半導体物質のブレンドを含むインクであって、前記ブレンドが少なくとも70重量のポリマー物質を含み、前記溶媒中の前記ブレンドの濃度が、前記ブレンドの堆積層の飽和移動度が、同じポリマー物質と同じ小分子半導体物質の50:50重量基準の混合物を含むブレンドを含む層同じ溶媒中で、前記溶媒に溶解または分散された少なくとも70重量のポリマー物質を含む前記ブレンドの濃度の半分である濃度を有するインクから堆積されるで得られるものより最大で10小さくなるように選択されるインクを提供する。好ましいさらなる例としては、以下のものが挙げられる:27前記ブレンドが70~85重量のポリマー物質を含む、26によるインク;28前記ブレンドが75重量のポリマー物質を含む、26によるインク;29前記溶媒中の前記ブレンドの濃度が、前記ブレンドの堆積層の飽和移動度が、同じポリマー物質と同じ小分子半導体物質の50:50重量基準の混合物を含むブレンドを含む層同じ溶媒中で、前記溶媒に溶解または分散された少なくとも70重量のポリマー物質を含む前記ブレンドの濃度の半分である濃度を有するインクから堆積されるで得られるものより最大で5小さくなるように選択される26~28のいずれか1つによるインク;30前記溶媒中の前記ブレンドの濃度が、前記ブレンドの堆積層の飽和移動度が、同じポリマー物質と同じ小分子半導体物質の50:50重量基準の混合物を含むブレンドを含む層同じ溶媒中で、前記溶媒に溶解または分散された少なくとも70重量のポリマー物質を含む前記ブレンドの濃度の半分である濃度を有するインクから堆積されるで得られるものと少なくとも同じとなるように選択される26~28のいずれか1つによるインク;31前記溶媒中の前記ブレンドの濃度が少なくとも0.6w/vである26~30のいずれか1つによるインク;32前記溶媒中の前記ブレンドの濃度が少なくとも0.8w/vである26~30のいずれか1つによるインク;33前記ポリマー物質が半導体ポリマー物質である26~32のいずれか1つによるインク;34前記半導体ポリマー物質が上記の4~9のいずれか1つによる半導体ポリマー物質である33によるインク;35前記小分子半導体物質が10~20のいずれか1つによる小分子半導体物質である26~34のいずれか1つによるインク;36前記溶媒が、メチルベンゼントルエン、キシレンまたはトリメチルベンゼンなど、C1~4アルコキシベンゼンおよびC1~4アルキル置換C1~4アルコキシベンゼンアニソール、メチルアニソール、ジ-もしくはトリ-メチルアニソール、ジ-もしくはトリ-メトキシベンゼンまたはエトキシベンゼンなど、ハロゲン化ベンゼンモノ-、ジ-もしくはトリ-クロロベンゼンまたはブロモベンゼン、クロロもしくはブロモトルエンなど、非芳香族化合物デカヒドロナフタレン、オクタン、ノナン、デカンまたはドデカンなど、ハロゲン化非芳香族化合物クロロホルムまたはジクロロメタンなどおよび縮合ベンゼン1-メチルナフタレンまたは1-メトキシナフタレンなどからなる群より選択される26~35のいずれかによるインク;37前記溶媒が、トルエン、アニソール、エトキシベンゼン、クロロベンゼン、デカヒドロナフタレン、オクタン、クロロホルムおよび1-メチルナフタレンからなる群より選択される36によるインク;38前記ポリマー物質が、4において規定した反復単位Iを含む半導体性共役ポリマーであり、ここで、R1とR2は同じであるか、または異なり、各々が、4~12個の炭素原子を有するアルキル基およびフェニル基からなる群より選択され、前記フェニル基は、非置換あるいは4~8個の炭素原子を有するアルキル基および4~8個の炭素原子を有するアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換されており、前記半導体性共役ポリマーが、さらに、Ar1とAr2の各々がフェニル基であり、R3が、1~8個の炭素原子を有するアルキル基であるか、または非置換であるかもしくは1~8個の炭素原子を有するアルキル基で置換されていてもよいフェニル基である7において規定したとおりの式IIの反復単位を含むものであり;前記小分子半導体物質が、式VII:式中、Aは、フェニル基またはチオフェン基であり、前記フェニル基またはチオフェン基は、非縮合型あるいはフェニル基またはチオフェン基これは非置換であってもよく、または少なくとも1個の式X11の基で置換されていてもよいと縮合している、および/またはフェニル基、チオフェン基およびベンゾチオフェン基から選択される基と縮合しており、前記フェニル、チオフェンおよびベンゾチオフェン基はいずれも非置換あるいは少なくとも1個の式X11の基で置換されており;各基X11は同じであっても異なっていてもよく、10において規定した置換基Xから選択され、好ましくは、式CnH2n1式中、nは0または1~20の整数であるの基であるのベンゾチオフェン誘導体であり;前記半導体ブレンドが少なくとも70重量の前記ポリマー物質を含み;前記溶媒が、トルエン、アニソール、エトキシベンゼン、クロロベンゼン、デカヒドロナフタレン、オクタン、クロロホルムおよび1-メチルナフタレンからなる群より選択され;前記溶媒中の前記ブレンドの濃度が、前記ブレンドの堆積層の飽和移動度が、同じポリマー物質と同じ小分子半導体物質の50:50重量基準の混合物を含むブレンドを含む層同じ溶媒中で、前記溶媒に溶解または分散された少なくとも70重量のポリマー物質を含む前記ブレンドの濃度の半分である濃度を有するインクから堆積されるで得られるものより最大で10小さくなるように選択される、26~37のいずれか1つによるインク;39前記半導体性共役ポリマー物質がTFB[9,9’-ジオクチルフルオレン-コ-N-4-ブチルフェニル-ジフェニルアミン]nであり;前記小分子半導体物質が、Aが:少なくとも1個の式X11の基で置換されているフェニル基と縮合しているチオフェン基;非置換であるかまたは少なくとも1個の式X11の基で置換されていてもよいフェニル基、前記フェニル基は、さらに、非縮合型あるいはチオフェン基これは非置換であってもよく、または少なくとも1個の式X11の基で置換されていてもよいと縮合している、および/またはベンゾチオフェン基と縮合しており、前記ベンゾチオフェン基は、非置換あるいは少なくとも1個の式X11の基式中、X11は式CnH2n1式中、nは0または1~16の整数であるの基であるで置換されている、から選択される38において規定したとおりの式VIIの化合物であり;前記半導体ブレンドが少なくとも70重量の前記ポリマー物質を含むものであり;前記溶媒が、トルエン、アニソール、エトキシベンゼン、クロロベンゼン、デカヒドロナフタレン、オクタン、クロロホルムおよび1-メチルナフタレンからなる群より選択され;;前記溶媒中の前記ブレンドの濃度が、前記ブレンドの堆積層の飽和移動度が、同じポリマー物質と同じ小分子半導体物質の50:50重量基準の混合物を含むブレンドを含む層同じ溶媒中で、前記溶媒に溶解または分散された少なくとも70重量のポリマー物質を含む前記ブレンドの濃度の半分である濃度を有するインクから堆積されるで得られるものより最大で5小さくなるように選択される、38によるインク;40前記小分子半導体物質が、下記の群:式中、X11は式CnH2n1式中、nは4~16の整数であるの基であるから選択され;前記半導体ブレンドが70~85重量の前記ポリマー物質を含み;前記溶媒が、トルエン、アニソール、エトキシベンゼン、クロロベンゼン、デカヒドロナフタレン、オクタン、クロロホルムおよび1-メチルナフタレンからなる群より選択され;前記溶媒中の前記ブレンドの濃度が、前記ブレンドの堆積層の飽和移動度が、同じポリマー物質と同じ小分子半導体物質の50:50重量基準の混合物を含むブレンドを含む層同じ溶媒中で、前記溶媒に溶解または分散された少なくとも70重量のポリマー物質を含む前記ブレンドの濃度の半分である濃度を有するインクから堆積されるで得られるものと少なくとも同じとなるように選択される、39によるインク;ならびに41前記半導体性共役ポリマー物質がTFB[9,9’-ジオクチルフルオレン-コ-N-4-ブチルフェニル-ジフェニルアミン]nであり、前記小分子半導体物質が、下記式:式中、X11は式CnH2n1式中、nは4~16の整数であるの基であるを有し;前記半導体ブレンドが少なくとも70重量の前記半導体性共役ポリマー物質を含み;前記溶媒が、トルエン、アニソール、エトキシベンゼン、クロロベンゼン、デカヒドロナフタレン、オクタン、クロロホルムおよび1-メチルナフタレンからなる群より選択され;前記溶媒中の前記半導体ブレンドの濃度が少なくとも0.6w/vである、39~40によるインク;42各基X11がヘキシル基であり、前記半導体ブレンドが75重量のポリマー物質を含むものであり;前記溶媒中の前記半導体ブレンドの濃度が少なくとも0.8w/vである、41によるインク。本発明の第3の態様では、26~42のいずれか1つによるインクから堆積される半導体ブレンドを提供する。好ましい実施形態では、該ブレンドを該インクからスピンコーティングによって堆積させる。本発明の第4の態様では、半導体性層に、前記半導体ブレンドが1~25のいずれか1つによる半導体ブレンドであることを特徴とする半導体ブレンドの層が含まれている半導体デバイスを提供する。本発明の第4の態様の好ましい実施形態では、該デバイスは有機薄膜トランジスタであり、該有機薄膜トランジスタは、あるチャネル長さを有するチャネル領域を間に有するソース電極とドレイン電極、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極ならびにチャネル領域と、ゲート電極および半導体性層との間に配設される誘電層を備えたものであり、前記半導体性層は1~25のいずれか1つによる半導体ブレンドの層を含む。本発明の第5の態様では、半導体性層に、前記半導体ブレンドを26~42のいずれか1つによるインクから堆積させたものであることを特徴とする半導体ブレンドの層が含まれている、半導体デバイスを提供する。好ましい態様では、前記デバイスは有機薄膜トランジスタであり、該有機薄膜トランジスタは、間にあるチャネル長さを有するチャネル領域ソース電極とドレイン電極、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極ならびにチャネル領域と、ゲート電極および半導体性層との間に配設される誘電層を備えたものであり、前記半導体性層は、26~42のいずれか1つによるインクから堆積させる半導体ブレンドの層を含む。好ましくは、半導体性層を前記インクからスピンコーティングによって堆積させる。良好な性能を有する半導体ブレンドの作製には、少なくとも50重量の小分子半導体を有することが必要であるという先行技術における教示とは反対に、本発明者らは、少なくとも75重量のポリマーを含むブレンドを作製することが可能であることを見出した。ポリマー高含有半導体ブレンドの高い性能は、ブレンドの総固形分を、小分子高含有ブレンドと同等の性能が得られるように増大させることにより得られる。ポリマー高含有ブレンド少なくとも70質量のポリマーを使用することにより、半導体層が、総固形分が高い半導体ブレンドを配合したインクから堆積されることによって、有機薄膜トランジスタOTFTおよび前記層を備えている他のデバイスの移動度が改善され得る。インク中のブレンドの総固形物濃度が低いインクから堆積させたポリマーが少なくとも70質量である半導体ブレンドは、低い飽和移動度を有することがわかった先行技術における教示のとおりが、同じブレンドを高濃度インクから堆積させると、これにより有意に高い移動度がもたらされる典型的には、1桁高くまでことがわかったため、インク中の総固形分の制御の影響はデバイスの飽和移動度に対して枢要な影響を有する。本発明との関連において、半導体ブレンドの総固形分は、w/vすなわち、固形物の重量/溶媒の容量として測定されるインク中の前記ブレンドの濃度をいう。国際公開第2004/057688号パンフレットには、上記において論考したように、ブレンド系には、該ブレンド中にせめて30質量の小分子成分が必要とされこれでは不充分な結果が得られる、最良の結果は、40:60~60:40のポリマー:小分子半導体比を有するブレンドで得られると教示されている。本発明において、本発明者らは、25重量以下の小分子半導体を含むブレンドを用いて高い移動度のデバイスを得ることができることを示した。これは、ずっと高い、例えば少なくとも2倍高い総固形分のポリマーを有するインクの使用によって達成される。インク中のブレンドの厳密な濃度をどれだけにすべきかは、ブレンド中のポリマーの量、ポリマーの化学構造および分子量ならびに小分子半導体の化学構造ならびにブレンドにおいて得るべき所望の移動度に応じて異なる。例えば、約300,000の分子量を有するTFBポリマーを使用し、小分子半導体A下記の構造:TFBの75:25のブレンドを含む層で得られるものと同様の飽和移動度を有することが所望される場合、小分子半導体A:TFBの25:75のブレンドを含む層を堆積させて同様の飽和移動度を有する半導体ブレンドの層を得るのに必要とされるインク濃度はo-キシレン中0.8w/vであり、これは、75:25の小分子半導体A:TFBのブレンドを含む層を堆積させるために使用されるインク濃度の2倍である。本発明では、該ブレンド系に対して使用され得る小分子材料の量を少なくすることができるため、先行技術のブレンドおよびインクと比べて重大な進歩を提供する。これは、小分子高含有ブレンドアプローチと比べて、以下のような2つの大きな利点を有する。i使用すべき小分子材料が少なくなる、したがって、潜在的に半導体ブレンド材料のコストが低減されるポリマー合成の方が成熟したプロセスであるため;およびii溶液中の小分子材料の有効濃度が低くなる、したがって、溶液中での小分子成分の晶出の尤度が低減される。本発明によるブレンドの調製に使用されるポリマー物質は、絶縁性物質であっても半導体物質であってもよい。これは、半導体性の有機小分子の低い溶解度および不充分な膜形成特性を解決する目的に適した任意のポリマー物質、例えば、Smithet.al.,AppliedPhysicsLetters,Vol93,2533012008;Oheet.al.,AppliedPhysicsLetters,Vol93,0533032008;Madecet.al.,JournalofSurfaceScienceNanotechnology,Vol7,455-4582009;およびKanget.al.,J.Am.Chem.Soc.,Vol130,12273-752008などの先行技術において報告されているような当業者に知られたものであり得る。半導体性ポリマーである場合、これは、好ましくは、4において規定した式Iの反復単位を含む共役ポリマーである。好ましくは、式Iの反復単位を含む前記共役ポリマーは、さらに、上記の7において規定した式IIの反復単位を含むものである。使用される好ましい半導体物質としては、TFB[9,9’-ジオクチルフルオレン-コ-N-4-ブチルフェニル-ジフェニルアミン]nが挙げられる。本発明によるブレンドの調製に使用される小分子半導体物質は、目的に適した任意の小分子半導体物質、例えば、上記の先行技術において報告された当業者に知られたもの、または国際公開第2010/061176号パンフレットに記載された小分子半導体であり得る。本発明における使用のための小分子半導体物質の好ましい例は、上記の10~20において規定した式III~VIIの半導体性有機化合物である。特に好ましいのは20において規定したものである。本発明における使用のためのそれぞれ4~9および10~20において規定したポリマーおよび小分子半導体において、R1、R2、R3、Ar1およびAr2の規定におけるアルキル基は1~16個の炭素原子を有するアルキル基であり、その例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピルおよびブチルが挙げられる。本発明における使用のためのそれぞれ4~9および10~20において規定したポリマーおよび小分子半導体において、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8、Ar9、X、X1、X2、R4およびR5の規定におけるアルキル基は、1~20個の炭素原子を有するアルキル基であり、その例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピルおよびブチルが挙げられる。本発明における使用のためのそれぞれ4~9および10~20において規定したポリマーおよび小分子半導体において、R1、R2、R3、Ar1およびAr2の規定におけるアリール基は、5~14個の炭素原子を有するアリール基である。例としては、フェニル、インデニル、ナフチル、フェナントレニルおよびアントラセニル基が挙げられる。より好ましいアリール基としてはフェニル基が挙げられる。本発明における使用のためのそれぞれ4~9および10~20において規定したポリマーおよび小分子半導体において、R1、R2、Ar1およびAr2の規定におけるヘテロアリール基は、1~3個のイオウ原子、酸素原子および/または窒素原子を含む5~7員のヘテロアリール基であり、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8およびAr9の規定におけるヘテロアリール基は、1~3個のイオウ原子、酸素原子、セレン原子および/または窒素原子を含む5~7員のヘテロアリール基である。例としては、フリル、チエニル、ピロリル、アゼピニル、ピラゾリル、イミダゾリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、1,2,3-オキサジアゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、チアジアゾリル、ピラニル、ピリジル、ピリダジニル、ピリミジニルおよびピラジニル基が挙げられる。より好ましいヘテロアリール基としては、フリル、チエニル、ピロリルおよびピリジルが挙げられ、チエニルが最も好ましい。本発明における使用のためのそれぞれ4~9および10~20において規定したポリマーおよび小分子半導体において、R1、R2、R3、Ar1およびAr2の規定におけるアルコキシ基は、1~16個の炭素原子を有するアルコキシ基であり、その例としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシおよびブトキシが挙げられる。本発明における使用のためのそれぞれ4~9および10~20において規定したポリマーおよび小分子半導体において、X、X1、X2、R4およびR5の規定におけるアルコキシ基は、1~12個の炭素原子を有するアルコキシ基であり、その例としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシおよびブトキシが挙げられる。本発明における使用のためのそれぞれ4~9および10~20において規定したポリマーおよび小分子半導体において、X、X1、X2、R4およびR5の規定におけるアルケニル基は、2~12個の炭素原子を有するアルケニル基であり、その例としては、エテニル、プロペニルおよび2-メチルプロペニルが挙げられる。本発明における使用のためのそれぞれ4~9および10~20において規定したポリマーおよび小分子半導体において、X、X1、X2、R4およびR5の規定における非置換または置換型のアミノ基は、非置換あるいは1個または2個のアルキル基で置換されていてもよいアミノ基であり、該アルキル基は同じであっても異なっていてもよく、各々は、1~8個の炭素原子、好ましくは1~4個の炭素原子を有する。好ましい例としては、アミノ、メチルアミノ、エチルアミノおよびメチルエチルアミノが挙げられる。上記の10~17による式III~VIの化合物において、アルキル基は、1~20個の炭素原子を有する直鎖、分枝鎖もしくは環状の基であり、非置換型であっても置換型であってもよい。例示的な置換基としては、1~12個の炭素原子を有するアルコキシ基、ハロゲン原子、非置換あるいは1個または2個のアルキル基該アルキル基は同じであっても異なっていてもよく、各々、1~8個の炭素原子を有するで置換されていてもよいアミノ基、2~12個の炭素原子を有するアシルアミノ基、ニトロ基、2~7個の炭素原子を有するアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、5~14個の炭素原子を有するアリール基、ならびに1~3個のイオウ原子、酸素原子、セレン原子および/または窒素原子を含む5~7員のヘテロアリール基が挙げられる。上記の10~13による式III~VIの化合物において、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8およびAr9は単環式芳香族環を含むものである。これらは、好ましくは、1~3個のイオウ原子、酸素原子、セレン原子および/または窒素原子を含む5~7員のヘテロアリール基から選択され;該単環式の環は、より好ましくは、フェニル、インデニル、ナフチル、フェナントレニル、アントラセニル、フリル、チエニル、ピロリルおよびピリジルから選択され、最も好ましくは、フェニルまたはチエニルである。本発明のインクの調製における使用に適した溶媒としては、メチルベンゼントルエン、キシレンまたはトリメチルベンゼンなど、C1~4アルコキシベンゼンおよびC1~4アルキル置換C1~4アルコキシベンゼンアニソール、メチルアニソール、ジ-、トリ-メチルアニソール、ジ-、トリ-メトキシベンゼンまたはエトキシベンゼンなど、ハロゲン化ベンゼンモノ-、ジ-もしくはトリ-クロロベンゼンまたはブロモベンゼン、クロロもしくはブロモトルエンなど、非芳香族化合物デカヒドロナフタレン、オクタン、ノナン、デカンまたはドデカンなど、ハロゲン化非芳香族化合物クロロホルムまたはジクロロメタンなどおよび縮合ベンゼン1-メチルナフタレンまたは1-メトキシナフタレンなどが挙げられる。本発明のインクの調製における使用に特に適した溶媒は、本発明のポリマーと小分子半導体が溶解し、該ブレンドが慣用的な様式例えば、スピンコーティングで堆積されることを可能にし、その後、蒸発し得る任意の溶媒である。特に好ましい溶媒は、C1~4アルコキシベンゼンおよびC1~4アルキル置換C1~4アルコキシベンゼンである。C1~4アルコキシベンゼンは、1~4個の炭素原子を有するアルコキシ基で置換されているベンゼン基であり、その例としては、メトキシベンゼン、エトキシベンゼン、プロポキシベンゼン、イソプロポキシベンゼンおよびブトキシベンゼンが挙げられる。好ましい例はアニソールとエトキシベンゼンであり、アニソールが特に好ましい。C1~4アルキル置換C1~4アルコキシベンゼンは、1~4個の炭素原子を有する単一のアルキル基その例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピルおよびブチル基が挙げられるで置換されている上記のアルコキシベンゼンである。好ましいC1~4アルキル置換C1~4アルコキシベンゼンとしては、2-、3-または4-位がメチルまたはエチル基で置換されているアニソール、および2-、3-または4-位がメチルまたはエチル基で置換されているエトキシベンゼンbezeneが挙げられる。2-メチルアニソールおよび4-メチルアニソールが特に好ましい。本発明による有機薄膜トランジスタは、有機半導体層を備えている任意の有機薄膜トランジスタであり得る。該トランジスタはp型であってもn型であってもよい。好適なトランジスタの構成としては、トップ/ゲート型トランジスタおよびボトム/ゲート型トランジスタが挙げられる。これらの構造は発明の背景において論考している。本発明は、以下の図面を参照しながら以下の実施例を考慮することによって、さらに理解され得よう。以下の実施例は、高い移動度の有機薄膜トランジスタOTFTデバイスを得るための本発明の一部の特定のブレンドの使用を中心に扱ったものである。小分子-ポリマーブレンド系の2つの具体例を、以下の調製手順に従って調製したトップゲート、ボトムコンタクト型デバイス構成で得られたデバイスの結果に基づいた実際の実施例として示す。TFTの製作OTFT基板の予備洗浄および自己組織化単分子膜SAMの前処理デバイスの製作の第1工程では、チャネル領域内で均一な表面エネルギーが得られ、接触抵抗が最小限となることを確実にするため、デバイス基板の予備洗浄と自己組織化単分子膜の適用が必要とされる。基板は、ガラス表面の上面に直接堆積させた金のソース電極とドレイン電極からなるものである。基板を酸素プラズマによってクリーニングし、残留フォトレジスト材料ソース-ドレイン電極の画定に使用あればの除去を確実にした。プラズマ処理後、チャネル領域SAMフェネチル-トリクロロシランを20mMの濃度のトルエンの液相から、トルエン溶液中に基板を2分間浸漬floodさせることによって適用した。基板をスピンコーター上でスピンさせ、次いでトルエン中、続いてイソプロパノール中ですすぎ洗浄することにより溶液を除去した。同じプロセスを繰り返し、電極SAM材料ペンタフルオロベンゼンチオールを、イソプロパノール中で同じ濃度で2分間適用した。再度、基板をイソプロパノール中ですすぎ洗浄し、未反応物質あればを基板から除去した。これらの工程はすべて大気中で行った。次いで、試料を乾燥窒素環境に移し、60°Cで10分間焼成し、試料の脱水を確実にした。半導体ブレンド材料溶液の調製およびスピンコーティング本開示において、本発明者らは、半導体ブレンドに小分子を低い容量含有量で配合することの重要性を強調するため、5つの型の半導体ブレンドを検討している以下の表1参照。小分子とポリマー物質のブレンドを、まず、個々の成分TFBと小分子半導体Aの別々の溶液別々のインクを無水o-キシレンで所望の濃度w/vに調製し、次いで、これらの個々のインクを容量基準で混合することにより調製した。各ブレンドについて、個々の成分を、それぞれのインク濃度のブレンドの溶液に調製した例えば、0.4w/vは1mlの溶媒中4mgの固形分TFBと小分子Aに相当し、0.8w/vは1mlの溶媒あたり8mgの固形分に相当する。次いで、該成分を、容量基準で目標のブレンド比が得られるように混合した。各ブレンドの堆積は、スピンコーターを600rpmのコーティング速度で用いて30秒間行い、次いで80°Cで10分間乾燥させた。次いで、誘電層をこの半導体膜上に堆積させた。誘電層の堆積使用した誘電材料は、フッ素化ポリマーであるポリテトラフルオロエチレンPTFEであった。使用することができたであろう他の好適なフッ素化ポリマーとしては、ペルフルオロシクロオキシ脂肪族ポリマーCYTOP、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂PFA、フッ素化エチレン-プロピレンFEP、ポリエチレンテトラフルオロエチレンETFE、ポリフッ化ビニルPVF、ポリエチレンクロロトリフルオロエチレンECTFE、ポリフッ化ビニリデンPVDF、ポリクロロトリフルオロエチレンPCTFE、ペルフルオロエラストマーFFKMKalrezRTMまたはTecnoflonRTMなど、フルオロエラストマーVitonRTMなど、ペルフルオロポリエーテルPFPEならびにテトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレンおよびフッ化ビニリデンのポリマーTHVが挙げられる。フッ素化ポリマーは、いくつかの有利な特性、例えば:i優れたスピンコーティング特性、例えば:a多種多様な表面に対するぬれ性;およびb膜形成多層コーティング実施の選択肢を伴うii化学的不活性iii準完全quasi-total溶媒オルソゴナリティorthogonality:そのため、誘電材料のスピンコーティングに使用される溶媒に有機半導体性層が溶解するリスクが最小限となる、iv高い疎水性:これは、水分取込みが少なくなり、フッ素化ポリマー誘電材料中のイオン不純物の移動度が低くなるもたらされるヒステリシスが低いため好都合であり得るを有するため、特に有機薄膜トランジスタOTFTの分野において誘電材料の魅力的な選択肢である。ゲート電極の堆積最後にゲート電極を、5nmのクロム、続いて200nmのアルミニウムシャドーマスクを介するの熱蒸発によって堆積させ、図4に模式的形態で示した所望の有機薄膜トランジスタを得た。この図において、13と14はソース電極とドレイン電極であり、15は電極SAMであり、16はチャネルSAMであり、17は半導体ブレンド層であり、18は誘電層であり、19はゲート電極である。デバイスの特性評価上記のようにして作製したデバイスを、周囲条件でデバイス封入は使用しなかった、HewlettPackard4156C半導体パラメータ解析装置を用いて出力および伝達のデバイス特性を測定することにより測定した。デバイスの移動度は飽和領域における伝達データから計算した。以下に論考する図5および6の標題に示した飽和移動度は飽和領域の移動度を示し、ここで、ドレイン電極はソース電極に対して-40Vバイアスされている。この領域では、ドレイン電流はドレインバイアスに対して飽和であると言え、そのため、ドレインバイアスを高くしてもドレイン電流は高くならない。さらに、移動度は、どれだけ多くの電流がデバイス中に送達されるかの尺度であり、必ずしも半導体物質自体の固有の移動度をいうのではないしかし、多くの場合は実際そうである。例えば、チャネル領域内に同じ半導体物質を有するデバイスは、別のデバイスと比べて高い接触抵抗を示し、したがって、より低いデバイス移動度が示されることがあり得る。チャネル長さの関数としての飽和移動度を、5種類すべての半導体ブレンドについて上記のようにして測定した。各ブレンドの結果を図5に示す。チャネル長さが短いデバイスすなわち、10μm以下の移動度は、表示の解像度を最大にする観点から適用に最も重要である。チャネル長さの短縮に伴う移動度の低減は、デバイス内の接触抵抗これは、半導体とソースまたはドレイン電極間の界面において呈示されるの存在の結果である。まず、ブレンド試料S5、S1およびS2デバイスを用いて作製したデバイスを検討すると、ブレンド中の小分子成分が75S5または50含有量S1のどちらでも非常に類似した移動度性能が示されることが観察される。しかしながら、25の小分子ブレンドS2デバイスでは、すべてのチャネル長さで、2~3倍のかなり低い移動度が示される。小分子成分は該ブレンド中少なくとも30質量であるべきと報告している先行技術文献国際公開第2004/057688号パンフレットで報告された結果を考慮すると、これは、ブレンド中の小分子材料の含有量が少ないため、予測可能な結果であるように思われる。次に、ブレンド中のポリマー成分と小分子成分の比率はS2と同じであるすなわち、TFB:小分子半導体Aが75:25が、ブレンド溶液の総固形分をS3とS4の場合のように増大させたものをみると、図5に示されたデータは、デバイスの移動度が、小分子高含有ブレンドすなわち、75の小分子半導体A-S5で観察された元のレベルまで回復し得ることを示す。低い小分子含有量を有するブレンドのデバイスの移動度が高いことは、高い移動度のデバイスを得るためには少なくとも30質量の小分子成分が必要とされるという国際公開第2004/057688号パンフレットなどの先行技術で示されたものとは対照的である。理論に拘束されることを望まないが、本発明者らは、これは、高い移動度のデバイスを得るためには膜表面が小分子で良好に被覆されている必要があるということが理由であろうと考える。低い含有量の小分子を有するブレンドを低濃度インクから堆積させると、単純に、得られる膜中の小分子が良好な小分子層の形成に充分でない。半導体ブレンドの固形分TFBと小分子Aの含有量を増大させることにより、小分子材料がこの緊要な層の形成に充分となる。本発明の低い小分子含有量のブレンドを使用するアプローチの利点としては、溶液の安定性の改善および材料コストの削減の可能性が挙げられる。溶液の安定性の改善は、小分子成分の溶解度がポリマー物質と比べて低い場合に実現され得る。この場合、室温において、ブレンドが小分子高含有であるよりポリマー高含有である場合、小分子半導体は溶液中で晶出または沈降しにくい。この実施例では、飽和移動度に対するブレンド中の小分子半導体Aの含有量の効果を調べるため、上記のようにして調製したデバイスの平均飽和移動度を、ブレンド中に種々の量の小分子半導体Aを有するブレンドについて測定した。得られた結果を図6に示す。図6からわかるように、小分子半導体AとTFBのブレンドについて、小分子半導体A分率がポリマー高含有半導体ブレンド中15~30である場合、卓越した飽和移動度が得られる。小分子半導体Aの代わりに、本発明者らは同じ量の下記の小分子半導体Bを代用し、種々の比率の小分子半導体B:TFBのブレンドを有するOTFTデバイスを調製すること以外は、同じ手順を実施例1および2の場合と同様に行う。チャネル長さの関数としての飽和移動度を、すべての半導体ブレンドについて上記のようにして測定し、飽和移動度に対するブレンド中の小分子半導体Aの含有量の効果を調べるため、上記のようにして調製したデバイスの飽和移動度を、ブレンド中に種々の量の小分子半導体Aを有するブレンドについて上記のようにして測定する。種々の変形および改善が、本明細書に記載の本発明の範囲から逸脱することなく行われ得る。例えば、デバイス製作には、スピンコーティングの代わりにインクジェット印刷またはフレキソ印刷が使用され得る。"