"放射線源から放射された放射線を通過させて第1の周期パターン像を生成する第1の格子と、前記第1の周期パターン像を部分的に遮蔽してモアレ縞が生じた第2の周期パターン像を生成する第2の格子と、2次元配列され複数の画素部により前記第2の周期パターン像を検出して画像データを生成する放射線画像検出器と、前記画像データの各画素値が異常画素値であるか否かを所定の判定基準に基づいて判定する異常画素値判定部と、前記画像データから前記異常画素値を除去する異常画素値除去部と、前記異常画素値が除去された前記画像データに基づいて位相微分画像を生成する位相微分画像生成部と、を備えることを特徴とする放射線撮影装置。前記モアレ縞に交わる第1の方向に並ぶ所定数の前記画素部を1グループとし、このグループを前記第1の方向に所定画素ずつ変更しながら順に設定するグループ設定部を備え、前記位相微分画像生成部は、前記各グループ内に含まれる前記異常画素値以外の正常画素値により強度変調信号を構成し、この強度変調信号の位相ズレ量を算出することにより位相微分画像を生成することを特徴とする請求項1に記載の放射線撮影装置。前記各グループ内の前記正常画素値の数をカウントする正常画素値計数部を備えることを特徴とする請求項2に記載の放射線撮影装置。前記正常画素値の数が基準値より少ないグループが存在する場合にエラー報知を行うエラー報知部を備えることを特徴とする請求項3に記載の放射線撮影装置。前記正常画素値の数が基準値より少ないグループが存在する場合に、該グループを、前記正常画素値の数が基準値以上となるように拡大して再設定するグループ再設定部を備えることを特徴とする請求項3に記載の放射線撮影装置。前記グループ再設定部は、再設定後のグループが、その中心を基準として前記第1の方向の正側及び負側で前記正常画素値を有する前記画素部の数がほぼ同数となるように再設定を行うことを特徴とする請求項5に記載の放射線撮影装置。前記グループ再設定部は、前記第1の方向に関する再設定後のグループの重心位置が、再設定前の元のグループの重心位置とほぼ等しくなるように再設定を行うことを特徴とする請求項5に記載の放射線撮影装置。前記グループ設定部により設定される前記グループを構成する前記画素部の数は、前記モアレ縞の周期の整数倍に含まれる前記画素部の数に等しいことを特徴とする請求項2から7いずれか1項に記載の放射線撮影装置。前記判定基準は、前記正常画素値が取り得る下限及び上限により規定されていることを特徴とする請求項1から8いずれか1項に記載の放射線撮影装置。前記モアレ縞は、前記第2の格子を、第1の格子に対して格子面内方向に相対的に傾斜して配置することにより生成されたものであり、前記第1及び第2の格子の格子方向にほぼ直交していることを特徴とする請求項1から9いずれか1項に記載の放射線撮影装置。前記モアレ縞は、前記第1及び第2の格子の対向方向の位置関係、または、前記第1及び第2の格子の格子ピッチを調整することにより生成されたものであり、前記第1及び第2の格子の格子方向にほぼ平行であることを特徴とする請求項1から9いずれか1項に記載の放射線撮影装置。前記モアレ縞は、前記第2の格子を、第1の格子に対して格子面内方向に相対的に傾斜して配置し、かつ、前記第1及び第2の格子の対向方向の位置関係、または、前記第1及び第2の格子の格子ピッチを調整することにより生成されたものであり、前記第1及び第2の格子の格子方向に直交せず、かつ平行でないことを特徴とする請求項1から9いずれか1項に記載の放射線撮影装置。前記放射線画像検出器の画素欠陥情報を記憶する画素欠陥情報記憶部を備え、前記異常画素値判定部は、前記画素欠陥情報記憶部に記憶された画素欠陥情報に基づき、画素欠陥を有する画素部の画素値を、前記判定基準に基づく判定を行わずに、異常画素値と判別することを特徴とする請求項1から12いずれか1項に記載の放射線撮影装置。前記位相微分画像を積分処理して位相コントラスト画像を生成する位相コントラスト画像生成部を備えることを特徴とする請求項1から13いずれか1項に記載の放射線撮影装置。前記第1の格子は、吸収型格子であり、入射した放射線を幾何光学的に投影することにより前記第1の周期パターン像を生成することを特徴とする請求項1から14いずれか1項に記載の放射線撮影装置。前記第1の格子は、吸収型格子または位相型格子であり、入射した放射線にタルボ効果を生じさせて前記第1の周期パターン像を生成することを特徴とする請求項1から14いずれか1項に記載の放射線撮影装置。前記放射線源から放射された放射線を部分的に遮蔽して焦点を分散化するマルチスリットを備えることを特徴とする請求項1から16いずれか1項に記載の放射線撮影装置。放射線源から放射された放射線を第1の格子を通過させて第1の周期パターン像を生成するステップと、前記第1の周期パターン像を第2の格子により部分的に遮蔽してモアレ縞が生じた第2の周期パターン像を生成するステップと、2次元配列され複数の画素部を有する放射線画像検出器により前記第2の周期パターン像を検出して画像データを生成するステップと、前記画像データの各画素値が異常画素値であるか否かを所定の判定基準に基づいて判定するステップと、前記画像データから前記異常画素値を除去するステップと、前記異常画素値が除去された前記画像データに基づいて位相微分画像を生成するステップと、を備えることを特徴とする放射線撮影方法。しかしながら、特願2010-265241号に記載の方法では、画像データを構成する複数の画素値の一部に異常が生じている場合には、異常画素値を含む強度変調信号の位相ズレ量の算出精度が低下し、位相微分画像の画質が劣化するという問題がある。異常画素値が生じる原因として、X線画像検出器への局所的な静電気放電や、製造起因等でX線画像検出器に生じた画素欠陥等の影響が考えられる。この異常画素値を、その周辺の正常画素値を用いて補正することが考えられるが、このような補正を行った場合には、強度変調信号がなまり、位相ズレ量の算出精度が低下してしまう。本発明は、単一の画像データから位相微分画像を生成する場合に、画像データに異常画素値が生じた場合でも精度よく位相微分画像を生成可能とする放射線撮影装置及び放射線撮影方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の放射線撮影装置は、放射線源から放射された放射線を通過させて第1の周期パターン像を生成する第1の格子と、前記第1の周期パターン像を部分的に遮蔽してモアレ縞が生じた第2の周期パターン像を生成する第2の格子と、2次元配列され複数の画素部により前記第2の周期パターン像を検出して画像データを生成する放射線画像検出器と、前記画像データの各画素値が異常画素値であるか否かを所定の判定基準に基づいて判定する異常画素値判定部と、前記画像データから前記異常画素値を除去する異常画素値除去部と、前記異常画素値が除去された前記画像データに基づいて位相微分画像を生成する位相微分画像生成部と、を備えるものである。前記モアレ縞に交わる第1の方向に並ぶ所定数の前記画素部を1グループとし、このグループを前記第1の方向に所定画素ずつ変更しながら順に設定するグループ設定部を備え、前記位相微分画像生成部は、前記各グループ内に含まれる前記異常画素値以外の正常画素値により強度変調信号を構成し、この強度変調信号の位相ズレ量を算出することにより位相微分画像を生成することが好ましい。前記各グループ内の前記正常画素値の数をカウントする正常画素値計数部を備えることが好ましい。この場合、前記正常画素値の数が基準値より少ないグループが存在する場合にエラー報知を行うエラー報知部を備えることが好ましい。また、前記正常画素値の数が基準値より少ないグループが存在する場合に、該グループを、前記正常画素値の数が基準値以上となるように拡大して再設定するグループ再設定部を備えることが好ましい。この場合には、前記グループ再設定部は、再設定後のグループが、その中心を基準として前記第1の方向の正側及び負側で前記正常画素値を有する前記画素部の数がほぼ同数となるように再設定を行うことが好ましい。前記グループ再設定部は、前記第1の方向に関する再設定後のグループの重心位置が、再設定前の元のグループの重心位置とほぼ等しくなるように再設定を行なってもよい。前記グループ設定部により設定される前記グループを構成する前記画素部の数は、前記モアレ縞の周期の整数倍に含まれる前記画素部の数に等しいことが好ましい。前記判定基準は、前記正常画素値が取り得る下限及び上限により規定されていることが好ましい。前記モアレ縞は、前記第2の格子を、第1の格子に対して格子面内方向に相対的に傾斜して配置することにより生成されたものであり、前記第1及び第2の格子の格子方向にほぼ直交していることが好ましい。前記モアレ縞は、前記第1及び第2の格子の対向方向の位置関係、または、前記第1及び第2の格子の格子ピッチを調整することにより生成されたものであり、前記第1及び第2の格子の格子方向にほぼ平行であってもよい。前記モアレ縞は、前記第2の格子を、第1の格子に対して格子面内方向に相対的に傾斜して配置し、かつ、前記第1及び第2の格子の対向方向の位置関係、または、前記第1及び第2の格子の格子ピッチを調整することにより生成されたものであり、前記第1及び第2の格子の格子方向に直交せず、かつ平行でなくてもよい。前記放射線画像検出器の画素欠陥情報を記憶する画素欠陥情報記憶部を備え、前記異常画素値判定部は、前記画素欠陥情報記憶部に記憶された画素欠陥情報に基づき、画素欠陥を有する画素部の画素値を、前記判定基準に基づく判定を行わずに、異常画素値と判別することが好ましい。前記位相微分画像を積分処理して位相コントラスト画像を生成する位相コントラスト画像生成部を備えることが好ましい。前記第1の格子は、吸収型格子であり、入射した放射線を幾何光学的に投影することにより前記第1の周期パターン像を生成することが好ましい。また、前記第1の格子は、吸収型格子または位相型格子であり、入射した放射線にタルボ効果を生じさせて前記第1の周期パターン像を生成するものであってもよい。前記放射線源から放射された放射線を部分的に遮蔽して焦点を分散化するマルチスリットを備えることが好ましい。本発明の放射線撮影方法は、放射線源から放射された放射線を第1の格子を通過させて第1の周期パターン像を生成するステップと、前記第1の周期パターン像を第2の格子により部分的に遮蔽してモアレ縞が生じた第2の周期パターン像を生成するステップと、2次元配列され複数の画素部を有する放射線画像検出器により前記第2の周期パターン像を検出して画像データを生成するステップと、前記画像データの各画素値が異常画素値であるか否かを所定の判定基準に基づいて判定するステップと、前記画像データから前記異常画素値を除去するステップと、前記異常画素値が除去された前記画像データに基づいて位相微分画像を生成するステップと、を備える。本発明によれば、画像データの各画素値が異常画素値であるか否かを所定の判定基準に基づいて判定し、画像データから異常画素値を除去し、異常画素値が除去された画像データに基づいて位相微分画像を生成するので、画像データに異常画素値が生じた場合でも精度よく位相微分画像を生成することができる。第1実施形態図1において、X線撮影装置10は、X線源11、格子部12、X線画像検出器13、メモリ14、画像処理部15、画像記録部16、撮影制御部17、コンソール18、及びシステム制御部19を備える。X線源11は、例えば、回転陽極型のX線管図示せずと、X線の照射野を制限するコリメータ図示せずとを有し、撮影制御部17の制御に基づき、被検体Hに向けてX線を放射する。格子部12は、第1の格子21及び第2の格子22を備える。第1及び第2の格子21,22は、X線照射方向であるZ方向に関してX線源11に対向配置されている。X線源11と第1の格子21との間には、被検体Hが配置可能な間隔が設けられている。X線画像検出器13は、例えば、半導体回路を用いたフラットパネル検出器であり、第2の格子22の背後に近接して配置されている。X線画像検出器13の検出面13aは、Z方向に直交している。第1の格子21は、Z方向に直交する格子面内の一方向であるY方向に延伸された複数のX線吸収部21a及びX線透過部21bを備えた吸収型格子である。X線吸収部21a及びX線透過部21bは、Z方向及びY方向に直交するX方向に交互に配列されており、縞状のパターンを形成している。第2の格子22は、第1の格子21と同様にY方向に延伸され、かつX方向に交互に配列された複数のX線吸収部22a及びX線透過部22bを備えた吸収型格子である。X線吸収部21a,22aは、金Au、白金Pt等のX線吸収性を有する材料により形成されている。X線透過部21b,22bは、シリコンSiや樹脂等のX線透過性を有する材料や空隙により形成されている。第1の格子21は、X線源11から射出されたX線を部分的に通過させて第1の周期パターン像以下、G1像というを生成する。第2の格子22は、第1の格子21により生成されたG1像を部分的に透過させて第2の周期パターン像以下、G2像というを生成する。被検体Hが配置されていない場合において、G1像は、第2の格子22の格子パターンとほぼ一致する。詳しくは後述するが、第2の格子22に対して第1の格子21がZ軸周り格子面内方向に僅かに傾斜しており、G2像には、その傾斜角に応じた周期を有するモアレ縞が生じている。X線画像検出器13は、G2像を検出して画像データを生成する。メモリ14は、X線画像検出器13から読み出された画像データを一時的に記憶する。画像処理部15は、メモリ14に記憶された画像データに基づいて位相微分画像を生成し、この位相微分画像に基づいて位相コントラスト画像を生成する。画像記録部16は、位相微分画像と位相コントラスト画像とを記録する。コンソール18は、操作部18a及びモニタ18bを備えている。操作部18aは、キーボードやマウス等により構成され、X線源11の管電圧、管電流、照射時間等の撮影条件の設定や、撮影実行指示等の操作入力を可能とする。モニタ18bは、撮影条件等の撮影情報や、画像記録部16に記録された位相微分画像及び位相コントラスト画像の表示を行う。システム制御部19は、操作部18aから入力される信号に応じて各部を統括的に制御する。図2において、X線画像検出器13は、周知のように、入射X線により半導体膜図示せずに生じた電荷を収集する画素電極31と、画素電極31によって収集された電荷を読み出すためのTFTThinFilmTransistor32とを備えた画素部30が2次元状に多数配列されたものである。半導体膜は、例えば、アモルファスセレンにより形成されている。また、X線画像検出器13は、ゲート走査線33、走査回路34、信号線35、及び読み出し回路36を備える。ゲート走査線33は、画素部30の行ごとに設けられている。走査回路34は、TFT32をオン/オフするための走査信号を各ゲート走査線33に付与する。信号線35は、画素部30の列ごとに設けられている。読み出し回路36は、各信号線35を介して画素部30から電荷を読み出し、画像データに変換して出力する。各画素部30の詳細な層構成については、例えば、特開2002-26300号公報に記載された層構成と同様である。読み出し回路36は、積分アンプ、A/D変換器、補正回路いずれも図示せず等を備える。積分アンプは、各画素部30から信号線35を介して出力された電荷を積分して画像信号を生成する。A/D変換器は、積分アンプにより生成された画像信号を、デジタル形式の画像データに変換する。補正回路は、画像データに対して、暗電流補正、ゲイン補正、リニアリティ補正等を行う。この補正後の画像データがメモリ14に記憶される。X線画像検出器13は、入射X線を半導体膜で直接電荷に変換する直接変換型に限られず、ヨウ化セシウムCsIやガドリウムオキシサルファイドGOS等のシンチレータで入射X線を可視光に変換し、可視光をフォトダイオードで電荷に変換する間接変換型であってもよい。さらに、X線画像検出器13を、シンチレータとCMOSセンサを組み合わせて構成してもよい。図3において、X線源11から放射されるX線は、X線焦点11aを発光点としたコーンビームである。第1の格子21は、タルボ効果が生じず、X線透過部21bを通過したX線をほぼ幾何光学的に投影するように構成される。具体的には、X方向へのX線透過部21bの幅を、X線源11から照射されるX線の実効波長より十分大きな値とし、X線の大部分がX線透過部21bで回折しないようにすることで実現される。X線源11の回転陽極としてタングステンを用い、管電圧を50kVとした場合には、X線の実効波長は約0.4Åである。この場合には、X線透過部21bの幅を1~10μm程度とすればよい。これにより、G1像は、第1の格子21からZ方向下流への距離に依らず、常に第1の格子21の自己像となる。G1像は、X線焦点11aからZ方向下流への距離に比例して拡大される。第2の格子22の格子ピッチp2は、前述のように、第2の格子22の格子パターンが第2の格子22の位置におけるG1像に一致するように設定されている。具体的には、第2の格子22の格子ピッチp2は、第1の格子21の格子ピッチp1、X線焦点11aと第1の格子21との間の距離L1、第1の格子21と第2の格子22との間の距離L2と、下式1をほぼ満たすように設定されている。G1像は、被検体HでX線に位相変化が生じて屈折することにより変調される。この変調量には、被検体HでのX線の屈折角φxが反映される。同図には、被検体HでのX線の位相変化を表す位相シフト分布Φxに応じて屈折するX線の経路が例示されている。符号X1は、被検体Hが存在しない場合にX線が直進する経路を示し、符号X2は、被検体Hにより屈折したX線の経路を示している。位相シフト分布Φxは、X線の波長をλ、被検体Hの屈折率分布をnx,zとして、下式2で表される。屈折角φxは、位相シフト分布Φxと、下式3の関係にある。第2の格子22の位置において、X線は、屈折角φxに応じた量だけX方向に変位する。この変位量Δxは、X線の屈折角φxが微小であることに基づいて、近似的に下式4で表される。このように、変位量Δxは、位相シフト分布Φxの微分値に比例する。そして、変位量Δxは、後述する強度変調信号の位相ズレ量ψx被検体Hがある場合とない場合とでの強度変調信号の位相ズレ量と、下式5に示すように関連している。上式3~5から、強度変調信号の位相ズレ量ψxを求めることにより、位相微分画像が得られることが分かる。なお、位相ズレ量ψxに定数を乗じたり加算したりしたものを位相微分画像と定義してもよい。図4において、G1像が第2の格子22に対してZ軸周りに僅かに傾斜するように、第1の格子21は、第2の格子22に対してZ軸周りに角度θだけ傾斜して配置される。この配置により、G2像には、Y方向に下式6で表される周期T以下、モアレ周期Tというを有するモアレ縞MSが生じる。X線画像検出器13の画素部30のX方向の大きさをDx以下、主画素サイズDxという、Y方向の大きさをDy以下、副画素サイズDyというとする。第2の格子22の傾斜角θは、モアレ周期Tが副画素サイズDyのほぼ整数倍となるように設定されている。主画素サイズDxは、副画素サイズDyとほぼ同一とする。図5において、Y方向に沿って並ぶM個の画素部30を1グループGrx,nとする。ここで、M,nは、正の整数である。nは、1グループGrx,n内の先頭の画素部30のy座標を表している。本実施形態では、1グループGrx,n内の画素数Mを、1モアレ周期Tに含まれる画素数ν図4の例では、ν=5と同一とする。Ix,yは、座標x,yの画素部30の画素値を示している。各画素値Ix,yは、メモリ13に記憶された画像データから取得される。1グループGrx,n内の画素値Ix,n~Ix,nM-1は、図6に示すように、1周期分の強度変調信号を構成する。これは、1モアレ周期T内における画素部30のy座標に応じて、G1像と第2の格子22とのX方向への重なり度合いが異なり、強度変調量が変化することによる。したがって、1グループGrx,n内の画素値Ix,n~Ix,nM-1が構成する強度変調信号は、従来の縞走査法において、第1または第2の格子を、その格子方向にほぼ垂直な方向X方向に間欠移動させながら取得した1周期分の強度変調信号に相当する。同図において、ψx,nは、被検体Hが配置されていない場合の強度変調信号破線に対する被検体Hが配置された場合の強度変調信号実線の位相ズレ量を示している。図7において、画像処理部15は、異常画素値判定部40、グループ設定部41、異常画素値除去部42、位相微分画像生成部43、位相コントラスト画像生成部44、及び正常画素値計数部45を有する。異常画素値判定部40は、メモリ14に記憶された画像データの各画素値Ix,yが異常画素値であるか否かを判定する。具体的には、異常画素値判定部40は、図8に示すように、正常な強度変調信号が取り得る所定範囲下限IMIN~上限IMAXに含まれる画素値Ix,yを正常画素値と判定し、それ以外の画素値Ix,yを異常画素値と判定する。同図では、画素値Ix,n1は、静電気放電等の影響で上限IMAXを超えているため、異常画素値と判定される。グループ設定部41は、図9に示すように、X方向に並ぶ画素部30の各列について、グループGrx,nの先頭の画素部30をY方向に1つずつ変更しながらnを1ずつ変更しながら、設定可能な最終グループに達するまで、グループGrx,nを順に設定する。異常画素値除去部42は、異常画素値判定部40の判定結果に基づき、各グループGrx,n内の画素値から異常画素値を除去する。位相微分画像生成部43は、異常画素値が除去された各グループGrx,n内の正常画素値のみを用いて強度変調信号を構成し、各強度変調信号の位相ズレ量ψx,nを算出することにより位相微分画像を生成する。具体的には、位相微分画像生成部43は、縞走査法と同様な方法により位相微分画像を生成する。この方法は、例えば、応用光学光計測入門谷田貝豊彦著丸善株式会社136~138頁により知られている。位相微分画像生成部43は、下記の連立方程式7~9を演算し、演算結果を次式10に適用することにより、位相ズレ量ψx,nを算出する。ここで、参照位相δkは、下式11で表される。なお、位相微分画像生成部43は、連立方程式7~9において、各左辺の和から異常画素値に対応する走査位置kの項を除外して演算を行う。ここで、異常画素値に対応する走査位置kの項が除外されることにより、参照位相δkは非等間隔となる。例えば、図8で示したように、画素値Ix,n1が異常画素値である場合には、k=1の項が連立方程式7~9の各左辺の和から除外され、非等間隔の参照位相δ0,δ2~δM-1に対応する正常画素値Ix,n,Ix,n2~Ix,nM-1を用いて演算が行われる。これは、同図に示すように、正常画素値Ix,n,Ix,n2~Ix,nM-1のみを正弦波でフィッティングし、このフィッティング波形の位相ズレ量ψx,nを算出することに相当する。位相コントラスト画像生成部44は、位相微分画像生成部43により生成された位相微分画像をX方向に沿って積分処理することにより、位相シフト分布を表す位相コントラスト画像を生成する。正常画素値計数部45は、異常画素値判定部40により判定された異常画素値以外の正常画素値の数を、各グループGrx,nごとにカウントする。システム制御部19は、正常画素値のカウント数Cが所定の基準値S例えば3より少ないグループGrx,nが存在するか否かを判定する。カウント数Cが基準値Sより少ないグループGrx,nが存在する場合には、そのグループGrx,nに対応する強度変調信号の位相ズレ量ψx,nが精度よく算出されないため、システム制御部19は、モニタ18bを制御して、異常が生じている旨のエラーメッセージの表示エラー報知を行う。ここで、システム制御部19及びモニタ18bがエラー報知部を構成する。なお、このエラー報知を、音声やランプの点灯等により行ってもよい。なお、上記の連立方程式7~9でパラメータがa0,a1,a2の3個であることから分かるように、位相ズレ量ψx,yの算出には、正常画素値の数が最低3個必要である。このため、基準値Sを3とすることが好ましい。また、いわゆるサンプリング定理を満たすためには、正常画素値の数は、最低4個必要であるため、より厳しく、基準値Sを4とすることも好ましい。次に、図10に示すフローチャートに沿ってX線撮影装置10の作用を説明する。被検体Hが配置され、操作部18aにより撮影指示がなされるとステップS10でYES、X線源11によりX線が放射され、被検体H、第1及び第2の格子21,22を介して生成されたG2像がX線画像検出器13により検出され画像データが生成されるステップS11。メモリ14に画像データが格納されると、異常画素値判定部40により、画像データの各画素値Ix,yが異常画素値であるか否かが判定されるステップS12。この判定が終了すると、グループ設定部41により、グループGrx,nが設定されステップS13、このグループGrx,n内の正常画素値の数が正常画素値計数部45によりカウントされるステップS14。システム制御部19により、グループGrx,n内の正常画素値のカウント数Cが所定の基準値Sより少ないか否かが判定されステップS15、カウント数Cが基準値Sより少ない場合にはステップS15でYES、モニタ18にエラーメッセージの表示が行われるステップS16。この場合には、位相微分画像及び位相コントラスト画像の生成が行われずに動作が終了する。一方、カウント数Cが基準値S以上の場合にはステップS15でNO、異常画素除去部42によりグループGrx,n内の画素値から異常画素値が除去されるステップS17。そして、位相微分画像生成部42により、異常画素値が除去された各グループGrx,n内の正常画素値のみを用いて強度変調信号が構成され、その位相ズレ量ψx,nが算出されるステップS18。ステップS13で設定したグループGrx,nが最終グループであるか否かが判定されステップS19、最終グループでない場合にはステップS19でNO、グループ設定部41により、グループGrx,nの先頭の座標をY方向に1画素分変更されステップS20、新たなグループGrx,nが設定されるステップS13。なお、ステップS20において、グループGrx,nをY方向に変更し、Y方向に関して設定可能な最終グループに達した場合には、X方向に隣接する画素列について同様にグループGrx,nが設定される。このように、グループGrx,nが変更されながら、ステップS13~S19が繰り返し実行される。そして、グループGrx,nが最終グループに達した場合にはステップS19でYES、1画面分の位相ズレ量ψx,nの算出結果により位相微分画像が生成されるステップS21。そして、位相コントラスト画像生成部44により、位相微分画像に対して積分処理が行われて、位相コントラスト画像が生成されるステップS22。モニタ18bには、位相微分画像及び位相コントラスト画像が画像表示されるステップS23。このように、画像データから異常画素値が除去されたうえで、位相ズレ量ψx,nが算出されるため、異常画素値が生じた場合でも、精度よく位相微分画像及び位相コントラスト画像が生成される。なお、上記実施形態では、図5に示すように、1グループGrx,n内の画素数Mを、1モアレ周期Tに含まれる画素数νと同一としているが、図11に示すように、1グループGrx,n内の画素数Mを、1モアレ周期Tに含まれる画素数νのN倍ここで、Nは2以上の整数と同一としてもよい。また、図12に示すように、1グループGrx,n内の画素数Mは、1モアレ周期Tに含まれる画素数νまたはそのN倍と一致しなくてもよい。さらに、図13に示すように、1グループGrx,n内の画素数Mは、1モアレ周期Tに含まれる画素数νより少なくてもよい。また、上記実施形態では、グループ設定部41は、図9に示すように、グループGrx,nをY方向に1画素ずつ変更しているが、グループGrx,nを、Y方向に2以上の画素数を単位として変更してもよい。この場合には、グループ設定部41は、図14に示すように、グループGrx,nを、グループGrx,nに含まれる画素数M個ずつ変更することが好ましい。画素部30のサイズを、Dx=M×Dyの関係を満たすようにX線画像検出器13を構成することで、位相微分画像及び位相コントラスト画像のX方向及びY方向への解像度がほぼ均一化される。また、上記実施形態では、第2の格子22のX線吸収部22aの延伸方向をY方向とし、これに対して第1の格子21のX線吸収部21aの延伸方向を角度θだけ傾斜させているが、逆に、第1の格子21のX線吸収部21aの延伸方向をY方向とし、これに対して第2の格子22のX線吸収部22aの延伸方向を角度θだけ傾斜させてもよい。さらには、y方向に対して、第1の格子21のX線吸収部21aの延伸方向と、第2の格子22のX線吸収部22aの延伸方向とを逆方向に傾斜させ、両者が角度θをなすようにしてもよい。また、上記実施形態では、異常画素値判定部40は、正常な強度変調信号が取り得る所定範囲下限IMIN~上限IMAXに画素値Ix,yが含まれるか否かに基づいて異常画素値を判定しているが、図15に示すように、判定対象の画素部30の画素値Ix,jが、それに隣接する画素部30の画素値Ix,j-1,Ix,j1から推定される範囲Wに含まれるか否かに基づいて異常画素値を判定してもよい。同図の場合には、画素値Ix,jは、範囲Wに含まれないため、異常画素値と判定される。また、上記実施形態では、カウント数Cが基準値Sより少ない場合に、位相微分画像及び位相コントラスト画像の生成が行わずに動作を終了しているが、この終了動作を行わずに位相微分画像及び位相コントラスト画像の生成を行い、これらを画像表示するとともにエラー報知を行ってもよい。この場合、カウント数Cが基準値Sより少ないグループについては、該グループの強度変調信号の位相ズレ量を算出せずに位相微分画像を生成した後、該グループに対応する画素を周辺画素の画素値を用いて補間すればよい。また、上記実施形態では、X線画像検出器13は、第2の格子22の背後に近接して配置され、第2の格子22により生成されるG2像をほぼ等倍率で検出しているが、X線画像検出器13と第2の格子22との間に間隔を設けてもよい。X線画像検出器13と第2の格子22とのZ方向への間隔をL3とすると、下式12の倍率Rで拡大されたG2像がX線画像検出器13により検出される。この場合には、X線画像検出器13により検出されるモアレ縞の周期T’は、上式6で表されるモアレ周期TのR倍すなわちT’=RTとなる。このため、モアレ周期T’に基づいて、同様にグループGrx,nの設定を行えばよい。第2実施形態上記実施形態では、異常画素値判定部40は、画素部30が製造起因等でX線画像検出器13に生じた画素欠陥を有するか否かに関わらず画素値の判定を行なっているが、画素欠陥を有する画素部30の画素値は異常画素値と判定される可能性が高いため、異常画素値判定部40で異常画素値の判定を行う前に、予め該画素値を異常画素値と判別しておいてもよい。本実施形態では、図16に示すように、画素欠陥情報記憶部51が付加された画像処理部50を用いる。画素欠陥情報記憶部51には、X線画像検出器13の製造時の検査工程で得られた画素欠陥情報が記憶されている。異常画素値判定部40は、画素欠陥情報記憶部51に記憶された画素欠陥情報に基づき、画素欠陥を有する画素部30の画素値を予め異常画素値と判別しておく。異常画素値判定部40は、メモリ14に記憶された画像データの各画素値Ix,yの判定を行う際に、画素欠陥情報に基づいて異常画素値と判別した画素値Ix,yを除外する。本実施形態のX線撮影装置のその他の構成は、第1実施形態と同一であるため、各部の説明は省略する。図17に、本実施形態のX線撮影装置の作用を説明するフローチャートを示す。本実施形態のX線撮影装置では、異常画素値判定部40が所定の判定基準下限IMIN及び上限IMAXに基づく正常画素値及び異常画素値の判定ステップS33が行われる前に、画素欠陥情報に基づいて異常画素値の判別ステップS32が行われる。これ以外のステップS30,S31,S34~44は、第1実施形態の各ステップと同一であるため、説明は省略する。本実施形態によれば、画素欠陥情報に基づく異常画素値を事前に判別するため、異常画素値判定部40による判定動作が軽減され、高速化する。第3実施形態上記実施形態では、グループGrx,n内の正常画素値のカウント数Cが所定の基準値Sより少ない場合に、そのまま動作を終了するか、または位相微分画像及び位相コントラスト画像の生成を行っている。カウント数Cが基準値Sより少ないグループGrx,nが存在する場合には、位相微分画像及び位相コントラスト画像の生成を行ったとしても、その部分で画質が劣化してしまう。そこで、本実施形態では、カウント数Cが基準値Sより少ないグループGrx,nを、カウント数Cが基準値S以上となるように拡大することで、画質の劣化を防止する。本実施形態では、図18に示すように、グループ再設定部61が付加された画像処理部60を用いる。グループ再設定部61は、画素値計数部45によるグループGrx,n内の正常画素値のカウント数Cが基準値Sより少ない場合に、そのグループGrx,nの領域を、Y方向正側または負側、若しくは正側及び負側に拡大し、カウント数Cが基準値S以上となるように再設定する。例えば、基準値Sが4で、グループGrx,nに含まれる画素部30の数が5の場合に、そのグループGrx,n内の正常画素値のカウント数Cが2であった場合には、グループ再設定部61は、このグループGrx,n外から2個の正常画素値を追加するようにグループGrx,nを再設定する。例えば、図19に示すように、グループGrx,n内のY方向正側に連続する3個の画素部30の画素値が異常画素値である場合には、グループ再設定部61は、グループGrx,n外でY方向正側に位置する2個の正常画素値を追加するようにグループGrx,nを再設定する。これにより、再設定後のグループGrx,nは、その中心を基準として、Y方向正側及び負側で正常画素値を有する画素部30の数が同数に保たれる。これに代えて、グループ再設定部61は、図20に示すように、グループGrx,n外のY方向正側及び負側から1つずつ正常画素値を追加してもよい。これにより、再設定後のグループGrx,nに含まれる正常画素値を有する複数の画素部30の重心位置が、元のグループGrx,nに含まれる複数の画素部30の重心位置中心位置と同一とほぼ等しくなる。本実施形態のX線撮影装置のその他の構成は、第1実施形態と同一であるため、各部の説明は省略する。図21に、本実施形態のX線撮影装置の作用を説明するフローチャートを示す。本実施形態のX線撮影装置では、グループGrx,n内の正常画素値のカウント数Cが所定の基準値Sより少ないか否かが判定されステップS55、カウント数Cが基準値Sより少ない場合にステップS55でYES、グループ再設定部61により、前述のようにグループGrx,nの再設定が行われるステップS56。これ以外のステップS50~54,S57~63は、第1実施形態の各ステップと同一であるため、説明は省略する。第4実施形態上記実施形態では、第1及び第2の格子21,22の格子面内方向への相対的な傾斜によりG2像にモアレ縞を生じさせているが、本実施形態では、第1及び第2の格子21,22を傾斜させずに、上式1の関係を僅かに崩すように第1及び第2の格子21,22の位置関係距離L1,L2、若しくは第1及び第2の格子21,22の格子ピッチp1,p2を調整することで、図22に示すように、X方向に周期を有するモアレ縞MSをG2像に生じさせる。第2の格子22の位置でのG1像のX方向へのパターン周期p3は、第2の格子22の格子ピッチp2とは僅かにずれている。モアレ縞MSは、X方向に、下式13で表される周期Tを有する。本実施形態では、グループ設定部41は、図23に示すように、Y方向に並ぶ画素部30の各行について、グループGrn,yの先頭の画素部30をX方向に1つずつ変更しながらnを1ずつ変更しながら、設定可能な最終グループに達するまで、グループGrn,yを順に設定する。異常画素値除去部42は、異常画素値判定部40の判定結果に基づき、各グループGrn,y内の画素値から異常画素値を除去する。位相微分画像生成部43は、異常画素値が除去された各グループGrn,y内の正常画素値のみを用いて強度変調信号を構成し、各強度変調信号の位相ズレ量ψn,yを算出することにより位相微分画像を生成する。位相ズレ量ψn,yの算出方法は、第1実施形態と同様である。具体的には、下記の連立方程式14~16を演算し、演算結果を次式17に適用すればよい。位相微分画像生成部43は、連立方程式14~16において、各左辺の和から異常画素値に対応する走査位置kの項を除外して演算を行う。ここで、異常画素値に対応する走査位置kの項が除外されることにより、参照位相δkは非等間隔となる。なお、本実施形態においてもX線画像検出器13と第2の格子22との間に間隔L3を設けてもよい。この場合には、上式13で表されるモアレ周期Tに、上式12で表される倍率Rを乗じたモアレ周期T’に基づいてグループGrn,yを設定すればよい。本実施形態においても第1実施形態と同様に、1グループGrn,y内の画素数Mは、1モアレ周期Tに含まれる画素数νまたはそのN倍と一致しなくてもよい。さらに、グループ再設定部61は、グループGrn,yを、X方向に2以上の画素数を単位として変更してもよい。本実施形態のX線撮影装置のその他の構成は、第1実施形態と同一であるため、各部の説明は省略する。なお、第1実施形態で示した第1及び第2の格子21,22の格子面内方向への相対的な傾斜と、第4実施形態で示した第1及び第2の格子21,22の位置関係や格子ピッチのずれが同時に生じることにより、X方向とY方向とのいずれにも平行でない方向に周期を有するモアレ縞がG2像に生じることがある。この場合には、モアレ縞はX方向及びY方向に成分を有するため、第1実施形態または第4実施形態のいずれかの方法を用いることにより位相微分画像を生成することが可能である。また、この場合には、X方向とY方向とのいずれにも平行でない斜め方向に並ぶ複数の画素30によりグループを構成し、同様に位相微分画像を生成することも可能である。その他の実施形態上記各実施形態では、被検体Hを配置した状態でのみ撮影を行なっているが、被検体Hを配置せずに同様に撮影を行うことにより、位相微分画像を生成して、これをオフセット画像として記憶しておき、被検体Hを配置して撮影が行われた場合に生成された位相微分画像からオフセット画像を減算してもよい。このように被検体Hを配置せずに行う撮影についても本発明を適用可能である。また、上記実施形態では、被検体HをX線源11と第1の格子21との間に配置しているが、被検体Hを第1の格子21と第2の格子22との間に配置してもよい。また、上記第実施形態では、X線源11から射出されるコーンビーム状のX線を射出するX線源11を用いているが、平行ビーム状のX線を射出するX線源を用いることも可能である。この場合には、上式1に代えて、p2=p1をほぼ満たすように第1及び第2の格子21,22を構成すればよい。また、上記実施形態では、X線源11から射出されたX線を第1の格子21に入射させており、X線源11は単一焦点であるが、X線源11の射出側直後に、WO2006/131235号公報等に記されたマルチスリット線源格子を設けることにより、X焦点を分散化してもよい。マルチスリットの格子線は、Y方向に延伸しており、第1及び第2の格子21,22の少なくとも一方の格子線と平行である。この場合、マルチスリットのX方向への格子ピッチp0は、下式18を満たす必要がある。ここで、距離L0は、マルチスリットから第1の格子21までのZ方向への距離を表す。その他の構成や作用については、上記各実施形態と同一である。本実施形態では、マルチスリットの位置がX線焦点の位置となるため、上式1において、距離L1を、距離L0に置き換えればよい。なお、このようにマルチスリットを設ける場合においてもX線画像検出器13と第2の格子22との間に間隔L3を設けてもよい。この場合には、上式6または上式13で表されるモアレ周期Tに、上式12で表される倍率Rを乗じたモアレ周期T’に基づいてグループGrx,nまたはグループGrn,yを設定すればよい。マルチスリット23を設けた場合においても、第2の格子22により生成されるG2像は、X線源11のX線焦点11aを原点とし、X線焦点11aからX線画像検出器20までの距離に比例して拡大されるため、G2像の倍率Rについては、上式14をそのまま距離L1を距離L0で置き換えずに用いればよい。また、上記実施形態では、第1の格子21が入射X線を幾何光学的に投影するように構成しているが、WO2004/058070号公報等で知られているように、第1の格子21をタルボ効果が生じる構成としてもよい。第1の格子21でタルボ効果を生じさせるためには、X線の空間干渉性を高めるように、小焦点のX線源を用いるか、上記マルチスリットを用いて小焦点化すればよい。また、第1の格子21でタルボ効果を生じさせる場合には、第1の格子21を、吸収型格子に代えて、位相型格子とすることが可能である。第1の格子21でタルボ効果が生じる場合には、第1の格子21の自己像G1像が、第1の格子21からZ方向下流にタルボ距離Zmだけ離れた位置に生じるため、第1の格子21から第2の格子22までの距離L2をタルボ距離Zmに設定する必要がある。タルボ距離Zmは、第1の格子21の構成とX線のビーム形状とに依存する。第1の格子21が吸収型格子であり、X線源11から射出されるX線がコーンビーム状である場合には、タルボ距離Zmは、下式19で表される。ここで、mは正の整数である。この場合には、格子ピッチp1,p2は、上式1をほぼ満たすように設定されるただし、マルチスリットを用いる場合には、距離L1は距離L0に置き換えられる。また、第1の格子21がX線にπ/2の位相変調を与える位相型格子であり、X線源11から射出されるX線がコーンビーム状である場合には、タルボ距離Zmは、下式20で表される。ここで、mは0または正の整数である。この場合には、格子ピッチp1,p2は、上式1をほぼ満たすように設定されるただし、マルチスリットを用いる場合には、距離L1は距離L0に置き換えられる。また、第1の格子21がX線にπの位相変調を与える位相型格子であり、X線源11から射出されるX線がコーンビーム状である場合には、タルボ距離Zmは、下式21で表される。ここで、mは0または正の整数である。この場合には、G1像のパターン周期が第1の格子21の格子周期の1/2倍となるため、格子ピッチp1,p2は、次式22をほぼ満たすように設定されるただし、マルチスリットを用いる場合には、距離L1は距離L0に置き換えられる。また、第1の格子21が吸収型格子であり、X線源11から射出されるX線が平行ビーム状である場合には、タルボ距離Zmは、下式23で表される。ここで、mは正の整数である。この場合には、格子ピッチp1,p2は、p2=p1の関係をほぼ満たすように設定される。また、第1の格子21がX線にπ/2の位相変調を与える位相型格子であり、X線源11から射出されるX線が平行ビーム状である場合には、タルボ距離Zmは、下式24で表される。ここで、mは0または正の整数である。この場合には、格子ピッチp1,p2は、p2=p1の関係をほぼ満たすように設定される。そして、第1の格子21がX線にπの位相変調を与える位相型格子であり、X線源11から射出されるX線が平行ビーム状である場合には、タルボ距離Zmは、下式25で表される。ここで、mは0または正の整数である。この場合には、G1像のパターン周期が第1の格子21の格子周期の1/2倍となるため、格子ピッチp1,p2は、p2=p1/2の関係をほぼ満たすように設定される。上記各実施形態は、矛盾しない範囲で相互に組み合わせてもよい。本発明は、医療診断用の放射線撮影装置の他に、工業用の放射線撮影装置等に適用することが可能である。また、放射線は、X線以外に、ガンマ線等を用いることも可能である。"