"マグネトロンカソードスパッタリングを用いて、合金成分として少なくとも第1材料と第2材料とを含みおよび可変の合金比率を有する合金で、幅と長さを有する基板3を被覆する方法であって、当該方法が、aマグネトロンスパッタリングカソードであって、a1合金成分を含むターゲット1およびa2ターゲット1の表面上に少なくとも1つの侵食領域5を形成するために、基板3から見た場合にターゲット1の後ろに用意されている磁石アレンジメント2を有するマグネトロンスパッタリングカソードを含み、bターゲット1の表面が、少なくとも第1材料の第1領域11と第2材料の第2領域12とを含み、c第1領域11と第2領域12とが、互いに隣接し、およびターゲット1の表面上に共通境界線4を形成しており、およびd侵食領域5の第1部分5-1が、第1ターゲット領域11上にあり、および侵食領域5の第2部分5-2が、第2ターゲット領域12上にあるように、侵食領域5が、境界線4の領域内に位置しており、e合金比率を変えることであって、e1侵食領域5を境界線4に対して実質的に垂直に移動し、および/またはe2ターゲット1の表面に平行な平面において境界線4と侵食領域の長手方向との間の鋭角αを調整し、および/またはe3磁石アレンジメントの表面と、基板3に向かい合っているターゲット1の表面との間の角度βを調整することによって合金比率を変えることによって特徴付けられている、基板3を被覆する方法。基板3および/または磁石アレンジメント2を基板表面に対して平行に移動することによって、好ましくは、互いに垂直な方向への移動によって、磁石アレンジメント2と基板3の表面との間の相対的な位置を変える工程を含む、請求項1に記載の方法。基板2の幅を横切って延在している細長いマグネトロンスパッタリングカソードを含み、ターゲット1の表面に平行な平面内において境界線4に対して平行にまたは鋭角αで、その長手方向に磁石アレンジメント2を軸合わせする、請求項1または2に記載の方法。磁石アレンジメント2をターゲット表面に対する軸のまわりに角度βで傾ける、請求項1~3のいずれか1項に記載の方法。合金比率を、基板3上のマグネトロンスパッタリングカソードの位置に依存して変える、請求項1~4のいずれか1項に記載の方法。マグネトロンカソードスパッタリングを用いて、合金成分として少なくとも第1材料と第2材料とを含みおよび可変の合金比率を有する合金で基板3を被覆する装置であって、当該装置が、aマグネトロンスパッタリングカソードであって、a1ターゲット1およびa2ターゲット1の表面上に侵食領域5を形成するために、基板3から見た場合にターゲット1の後ろに用意されている磁石アレンジメントを含むマグネトロンスパッタリングカソードを含み、bターゲット1の表面が、第1材料の少なくとも第1領域11と第2材料の第2領域12とを含み、第1領域11と第2領域12とが、互いに隣接し、およびターゲット1の表面上に共通境界線4を形成しており、およびc磁石アレンジメント2が、c1ターゲット表面に対して平行な方向に、およびターゲット1の境界線に対して垂直に、または境界線4に対して角度αで移動可能であり、および/またはc2ターゲット表面に対して軸のまわりに角度βで傾くことができ、またはターゲット表面が、磁石アレンジメント2に対して軸のまわりに角度βで傾くことができ、および/またはc3境界線4に対して角度αで調節可能であることを特徴とする、基板3を被覆する装置。マグネトロンスパッタリングカソードが、長いカソードとして作られている、請求項6に記載の装置。磁石アレンジメント2が、永久磁石または電磁石を含む、請求項6または7に記載の装置。ターゲット表面上に侵食領域5を形成するマグネトロンカソードスパッタリングを用いて、合金成分として少なくとも第1材料と第2材料とを含みおよび可変の合金比率を有する合金で基板3を被覆するためのターゲットであって、ターゲット1の表面が、少なくとも第1材料の第1領域と第2材料の第2領域12とを含み、第1領域11と第2領域12とが、互いに隣接し、およびターゲット1の表面上に共通境界線4を形成しており、侵食領域5が、境界線4に対して平行にまたは鋭角αで位置している、ターゲット。ターゲット1の表面が長方形である、請求項9に記載のターゲット。ターゲット1の表面上に異なる材料のストリップを形成し、該ストリップの境界線4がターゲットの長手方向側に対して角度αで傾くように、ターゲット1の表面の領域11、12が、台形形状で用意されている、請求項9または10に記載のターゲット。ターゲット1の表面が、3つの領域11、12を含み、1つの領域11が第1材料から作られており、および第1領域11に隣接している2つの領域12が第2材料から作られている、請求項11に記載のターゲット。ターゲット1の表面が、4つの領域11、12を含み、2つの領域11が第1材料から作られており、およびその他の2つの領域12が、第2材料から作られており、ならびに異なる材料の領域が、交互に用意されている、請求項12に記載のターゲット。ターゲット1が、複数の個々の構成片から成り、構成片の表面が、ターゲットの表面の領域を形成しており、ならびに個々の構成片の少なくとも1つが、第1材料から作られており、および個々の構成片の少なくとも更なる1つが、第2材料から作られている、請求項8~13のいずれか1項に記載のターゲット。しかしながら、研究開発の分野では、特定の目的のために特定の層の合金組成が最良の結果をもたらすことについてほとんどの場合に知られていない。主に、明らかに異なる原子量を有する材料を用いる場合にカソードスパッタリング中の堆積の間に合金組成が変わり得ることは更なる問題である。従って、基板上に堆積される層の合金組成は、例えば、PtMnを用いる場合などにスパッタリングターゲットの合金組成と比較してより多くまたはより少なく変化し得る。さらに、この変化は、例えば、処理圧力、被覆速度などの被覆処理パラメータに依存する。完成時において基板上の合金の組成は重要であるので、スパッタリングターゲットの最適な合金組成を決定することはしばしば困難である。カソードスパッタリングを用いて堆積される薄層の合金を調整するために頻繁に使用されるほとんど融通の利かない方法は、互いに非常に近くてよい異なる合金組成を有する一連のスパッタリングのターゲットの使用に基づく。とりわけ、高価な材料PtMn、FePtなどを用いる場合にこの方法は非常に高価である。対応する合金を有する複数のターゲットを製造および/または購入しなければならず、異なるターゲットを用いる対応する一連の試験後に、完成時におけるその1つのターゲットのみが最適な合金に近づいて、実際に用いられ得る。これらの一連の試験において、対応するターゲットは、対応する真空システム内に入れられ、および取り出され、非常に時間がかかる。被覆プロセス自体を用いて、すなわち被覆プロセスおよび/または被覆配置形状、geometryに対して外側で調整可能な変化を用いて基板上の合金層の合金組成を調整することは、それと比較して明らかにより簡単、より速くおよび一般的に更に費用効率の高い方法である。これに関して非常に頻繁に使用される方法は、いわゆる同時スパッタリングcosputteringである。この方法によると、基板は、典型的には、それぞれ異なるターゲット材料を用いて、2つのまたはそれより多いスパッタリングカソードによって同時に被覆される。両方のカソードの電力比powerratioを変えることによって、基板上の2つの材料の比率、すなわち合金組成が変わる。主に、相対的に大きい基板を用いる場合にこの技術に関連して、基板上に均一な合金を作り、同時に均一な層厚さを達成することは困難である。層厚さの均一性を改善するために基板を堆積の間に回転する。別の方法によれば、2つのまたは2つより多い材料の複数の層が、交互に基板に適用され、および次いで、典型的には真空で適度な高温に曝される焼き戻しtempering。これは、材料の混合または均一化をもたらし、従って最終的に所望の合金を製造する拡散プロセスを生じさせると言われている。合金組成は、主要層の厚さを選択することによって調整される。この方法が機能するように、拡散プロセスを適切な温度および合理的に短時間で行え得ることは必要である。従って、この方法は限られた数の材料金属もに限定される。更に、従来技術は、米国特許第5,190,630号A、米国特許第4,505,798号A、欧州特許第1626432号A1、米国特許第2005/0274610号A1およびWO第03/71579号A1から知られている。基板上に均一な合金の薄層を適用する装置および方法を提供することは本発明の目的であり、合金組成は制御された様式で調整または変化され得る。適用される層の合金成分または合金要素、alloycomponentの個々の濃度が基板上の配置に応じて制御された様式で変化するように、基板上の合金組成を局所的に変えること、すなわち、合金勾配をもたらすことは本明細書の更なる目的である。合金組成の変化および合金勾配の調整の両方が合金比率の変化をもたらす。本発明によれば、これらの目的は、特許請求の範囲の特徴によって達成される。本発明は、マグネトロンカソードスパッタリングを用いて、幅と長さが等しくてよい幅と長さを有する基板を合金で被覆する原理的な概念に基づいており、ターゲットと、被覆すべき基板から見た場合にターゲットの後ろに用意されているマグネトロン磁石アレンジメントとを用いる。本発明によると特定のターゲットが用いられており、その表面が少なくとも2つの領域から作られ、該少なくとも2つの領域が、層の合金を形成することになる異なる材料からそれぞれ作られている。異なる材料がターゲット表面上に用意されており、操作中に両方の領域から材料が、侵食領域またはトレンチにおいて同時に除去される。ターゲットの2つの材料領域の間の境界線に対して侵食領域またはトレンチを適切に配置することによって、基板上の侵食領域またはトレンチ溝および従ってそれに応じた合金比率が変わる。本発明によると、この配置位置付けは、磁石アレンジメントをターゲットの材料境界線に対して移動、回転および/または傾けることによって実現される。2つの領域の間の境界線が侵食領域の進行方向に平行に延在している場合に、2つの材料の所定量が侵食領域の長さに沿って除去され、および所定合金が、侵食領域の長手方向に基板上に形成される。境界線に対して垂直に侵食領域を移動することによって合金比率は変わり得る。侵食領域が、基板が移動する前に移動する場合に、合金組成が調整される。進行中の操作の間において侵食領域を移動すると同時に基板を移動することは基板の移動方向に沿った基板上に合金勾配の形成をもたらす。2つの領域の間の境界線が、例えば、侵食領域の方向に対して20°よりも小さい鋭角で延在している場合に、合金勾配は、侵食領域の方向に被覆される基板上に形成される。なぜなら、侵食領域の進行に沿って2つの材料の異なる量が除去され、ならびに従って1つの面において1つの領域の更なる材料、および他の面において他の領域の更なる材料が除去され、その間において合金組成の連続的な遷移が達成されるからである。磁石アレンジメントの表面と、基板に向かい合っているターゲットの表面との間の角度βを調整することによっても合金比率の変化を達成できる。本発明によると、プラズマは、また、円形または楕円形の断面を有してよく、侵食領域が、それに応じて円または楕円として形成される。ターゲットの境界線に対して垂直にプラズマを移動することによって、被覆される基板上の合金組成が変わる。2以上の材料を有する合金から層を形成することが意図される場合に、ターゲット表面上に異なる様式で異なる材料の領域を用意できる。例えば、異なる材料の領域がターゲット表面上に星形状になるように用意できる。ターゲット表面に平行なこのような星形状アレンジメントに対して円形または楕円形の侵食領域を移動することによって、合金を形成する材料の個々の量が自由に選択できる。本発明の実施形態に従って、基板表面に対して磁石アレンジメントを移動することおよび/または磁石アレンジメントに対して基板を移動することによって、好ましくは、互いに垂直な方向への移動によって、合金比率を変えることができる。基板が移動する前に磁石アレンジメントを移動させる場合に合金組成が調整される。磁石アレンジメントを移動すると同時に基板を移動することは、相対的な移動に沿った基板上の合金勾配の形成をもたらす。本発明の好ましい実施形態によれば、基板の幅に沿って延在している細長いマグネトロンスパッタリングカソード、すなわち長いカソードと、幅および長さを有する細長い磁石アレンジメントとを用いる場合、ターゲット表面上の境界線に対して平行にまたは鋭角αで磁石アレンジメントの長さを軸合わせすることによって合金比率が変えられる。本発明によると、ターゲット表面に対する軸のまわりに磁石アレンジメントを角度βで傾けることによって合金比率が変わり得る。磁石アレンジメントを傾けることは、互いに相対的にターゲットに沿って形成されている2つの侵食トレンチ上のターゲット除去速度を変え、合金の組成または濃度および/または合金勾配を変えることができる。マグネトロンスパッタリングカソードにおいて、永久磁石が磁石アレンジメントのためにしばしば用いられる。本発明によると、代替的に永久磁石の代わりに電磁石を用いることもできる。本発明の好ましい実施形態によると、ターゲットは実質的に長方形である。被覆の間に、被覆すべき基板が、ターゲットの垂直方向に平行な方向に磁石アレンジメントから離れるように向かい合った面においてターゲットよりも下側を移動する2つの領域の間の境界線が、侵食領域の方向に対して鋭角αで延在することを達成するために、ターゲット表面の領域が台形であってよく、異なる材料のストリップが長方形ターゲットの表面上に形成されておりこれらのストリップの境界線がターゲットの長手方向側に対して所定角度で傾くように、これらの台形領域が用意されている。長い範囲のカソードスパッタリングのために、およびとりわけ長いカソードを有するマグネトロンカソードスパッタリングのために一般に構造化された装置において、レーストラック形状の侵食領域がターゲット上に形成され、2つの細長いトレンチがターゲットの長手方向に形成されている。これらの2つのトレンチのために、材料間の均一な遷移が実現されるはずである。従って、好ましくは、3つの台形領域が設けられる。従って、異なる材料の領域の間の境界が、レーストラック形状の侵食領域の直線領域の方向に対して鋭角αで延在している構造を達成することができ、1つの末端において1つの領域の更なる材料および他の末端において他の領域の更なる材料を除去することができる。長いカソードの長手方向に対して実質的に垂直に、相対的に基板を移動する場合、対応する異なる合金組成が、基板の垂直方向において得られる。次いで、ターゲットの長さに沿ったおよび従って基板の幅を横切る所定の合金組成を達成するために、侵食領域が2つの領域の間の境界線に沿って実質的に平行に延在していることが確実にされていなければならない。このために、その表面が複数の個々の長方形領域から成り、領域の材料が互い違いになっているターゲットを用いることは好ましい。従って、異なる材料のストリップがターゲット表面上に形成され、これらのストリップの境界線がターゲットの長手方向に平行に延在している。4つの領域を用い、常に2つの領域が同じ材料から作られている場合に、2つの材料の間の2つの均一な境界線をターゲット上で達成することができ、侵食領域のレーストラック状構造の場合に望ましい。ターゲットの垂直方向に、すなわち領域間の境界線に対して垂直に侵食領域を移動することによって、ターゲットの1つまたはその他の材料領域上に位置している侵食領域部分の寸法に応じて2つの材料間の比率を調整できる。異なる領域から成るターゲット表面構造を達成するため、ターゲットは、複数の個々の構成片から組み合わせられてよく、その表面は、ターゲット表面の領域を形成する。この場合に、個々の構成片の少なくとも1つが、第1材料から作られており、個々の構成片の少なくとも更なる1つが、第2材料から作られている。異なる個々のターゲット構成片のターゲットを組み合わせる代わりに、1つの材料のターゲットを作り、少なくともターゲット表面に様々な領域を形成するように、所望位置に第2材料の層を適用することもできる。これは、所望合金の2つの材料の1つが非強磁性である場合にとりわけ好都合である。この場合に、ターゲットは、強磁性材料から作られており、第2非強磁性材料が、ベース材料に適用される。2以上の材料の合金を作ることもできる。このために、所望材料の複数の領域が、ターゲット上に適切な様式で用意される必要がある。ターゲット表面に対するこの磁石アレンジメントを例えば、長手方向にまたはターゲット境界線に対して垂直な方向に移動することによって、マグネトロン磁石アレンジメントの配置によって決定される侵食領域の配置を移動できる。それに応じて実現されるターゲットを用いて濃度勾配を作る場合に濃度勾配の急さを、このような移動によって調整できる。本発明によると、例えば2元系合金についての、長いカソードの長手方向に対する合金勾配、すなわち合金組成の変化を、被覆される基板の配置に対して基板上の合金層にもたらすことができる。本発明に従って、合金勾配の急さまたは材料濃度の平均値の値は、機械パラメータを変えることによって調整できる。更に、基板表面を横切る異なる値を有する所定の均一な合金濃度を調整することも可能である。合金比率は、基板上のマグネトロンスパッタリングカソードの配置に応じて変わる。以下に、本発明が添付図面を参照して更に詳細に説明される。本発明は、例えば、SingulusTechnologiesAGの種類TIMARISの被覆システムにも用いるようないわゆるライナーダイナミックデポジションまたはLDD、線形動的堆積、lineardynamicdeposition技術に基づく。そこで用いられている基本原理は、例えば、既に上記で引用したWO第03/071579号などから知られている。図1は、本発明に従って使用できる対応カソードスパッタリングシステムの構造を概略的に示す。長いカソードの形態をしたデバイスは、長いターゲット1と、その上に用意されておりそれに応じた細長いマグネトロン磁石アレンジメント2とを含む。磁極N-S-Nを有する磁石アレンジメント2は磁場を発生させ、図1aにおいて磁場はターゲット1の下側に表される磁力線Mによって示される。ターゲット1の材料の層は、磁場配置の方向から見た場合にターゲット1より下側に用意されている基板3に適用され得る。図1bは、上面図においてターゲット1の下で達成される、被覆領域における静的な被覆速度を示す。基板3上に均一な層をもたらすために、基板3は、矢印を用いて図1aおよび図1bに示されるようにターゲットより下側のその平面内を移動する。図2aは、図1aに係る被覆装置に用いることができるターゲットを示す。図2aに示す上面図においてターゲットは長方形を有し、従って、長いカソードの縦方向と横方向を規定している縦面と横面を有する。ターゲットの後ろの磁石アレンジメント2を図1aに示すように配置することによって、レーストラックracetrackとも言うレーストラック状侵食またはエロージョン、erosion領域またはトレンチ溝5が操作中に形成される。この配置においてまたは得られるトレンチにおいて、材料が、ターゲットから除去され、および次いで基板上に堆積できる。本発明によるとカソードスパッタリングは、その表面が少なくとも2つの異なる材料を含むターゲットを使用する。図2bは、第1材料の第1領域11と第2材料の第2領域12とを有するこのようなターゲット1の表面の上面図を例示的に示す。2つの結合領域11と12は境界線4を形成している。操作中、侵食領域レーストラック5はターゲット表面上に形成し、図2bは侵食領域5の所定領域を図示し、幅方向のその伸長extensionが一点鎖線で表される。基板上に合金を形成するために、両方の材料が同時に除去されるように侵食領域5が用意されなければならない、すなわち境界線4が侵食領域5の範囲内になければならない。侵食領域5はターゲットの境界線4によって2つの侵食サブ領域5-1および5-2図2においてそれぞれ境界線4より上側および下側に分割されており、第1合金材料および第2合金材料がそれぞれ除去される。図2bは、侵食領域が境界線に対しておおよそ対称的に位置し、および2つの部分的な侵食領域がおおよそ同じ幅を有し、いずれの場合にも2つの材料の実質的に同じ量が除去されている状況を示す。進行中の操作において基板が移動する前に、侵食領域5の配置が境界線4に対して移動する場合に、1または他の材料のより多くを除去することおよび合金組成を調整することを達成できる。図2cに示されるように、進行中の操作において磁石アレンジメント2ならびに従って侵食領域および基板を、好ましくは互いに垂直な方向に同時に移動することは基板の移動方向への合金勾配をもたらす。第1材料の濃度が連続して減少すると同時に第2材料の濃度が連続的に増加する。図3aに係る実施形態では、ターゲット1の長手方向において侵食サブ領域5-1および5-2の幅が変化するように、ターゲット1上の侵食領域5の方向が境界線4に対して鋭角αで傾いている。従って、ターゲット1上の配置に応じて異なる合金組成が達成される。図3bは、本発明の更なる実施形態に係るターゲットを示し、前記ターゲットが3つの個々の構成片11、12-1、12-2から成り、図3bの上面図において、それぞれが台形形状を有し;結合領域は、異なる材料:領域12-1材料2、領域11材料1および領域12-2材料2から作られている。異なる材料を有する領域の間にそのようにして形成された境界線4-1、4-2は侵食領域5に対して鋭角αで傾いている。図3に係るターゲットがそれから成る個々の構成片の台形形状に起因しておよびそれらの配置に起因して、両方の材料は、レーストラック5の長い領域上に同時ではあるが異なる量、除去される。とりわけ、長軸方向を考慮して、まず、ターゲットの1つの面、すなわち図3aおよび3bにおける右面においてより多くの材料1がスパッタリングされ、およびその他の面、すなわち左面においてより多くの材料2がスパッタリングされる。その直径がターゲットの長さにほとんど対応する基板が、被覆の間にターゲットの下をターゲットの垂直な方向に沿って、すなわち図3bに示されるY方向に通過する場合、2つの材料の濃度勾配がX方向に基板上に形成され、図3bの図において材料2が左面で優勢であり、および材料1が右面で優勢である。左から右に材料2の濃度が連続的に減少すると同時に材料1の濃度が連続的に増加する。図4は、本発明の実施形態に係る被覆装置の断面図を概略的に示す。図4に示すような図3bのターゲットの断面は図3bのY軸に沿った断面である。磁極N、SおよびNを有する永久磁石を備えたヨークプレートを含んでおりターゲットより上に配置されている磁石アレンジメント2は磁場を発生させる。ターゲットの下において低圧プラズマ6-1、6-2がターゲットの材料から作られる。ここで、基板3は被覆されるために用意されている。磁石アレンジメントの上の矢印によって示されるように、永久磁石2の移動によって基板上に形成し、磁石アレンジメントによって生じる侵食領域5-10、5-20は、ターゲットの長手方向の延長に対して垂直図4において左または右に移動できる。図5によると、磁石アレンジメントを備えたヨークプレート2は、長いカソードの縦軸Lのまわりにすなわち、図5において仮想平面に対して垂直な軸のまわりに傾くことができる。この傾きによって、ターゲット1に沿って形成されている2つの侵食領域5-10、5-20上のターゲット除去速度が互いに変化でき、および基板上の合金比率およびその勾配がそれに応じて変化できる。図6は、本発明の上述した使用から得られる基板上の材料分布を例示的に示す。図3に示すようなターゲットを備えた被覆によってこの場合、材料1はパラジウムであり、材料2は鉄である図6に示すような濃度分布が、被覆後の基板3の表面上で得られる。基板の左側に主に鉄が堆積されるが、パラジウム濃度は右側で高い。その間に、鉄濃度の減少およびパラジウム濃度の増加によって特徴付けられる連続的な遷移がある。図7aおよび7bは、パラジウムの例を用いている図6に示されるような、基板の直径に沿った合金材料の1つの濃度を示す。図7aおよび7bによると、濃度例えば、Pd濃度は左から右に連続的に増加する。濃度の異なる増加は、図4に示されるような磁石アレンジメントの横方向の移動によって達成される。図8は、図5に示すように磁石アレンジメントを傾けることによって相対的な量が調整され得ることを図示する。本発明の更なる実施形態によれば、基板の全体の幅を横切って均一な合金層も製造できる。この目的のために図9aに示すようなターゲット1が用いられ得る。図9aに係るターゲットは、3つの材料の構成片の代わりに例えば4つから組み合わされており、2つの構成片11-1、11-2が材料1と、材料2の2つの構成片12-1、12-2とから作られている。個々のターゲットの構成片は長方形であり、ターゲット1および基板3の長手方向に延在している材料境界4-1、4-2および4-3が得られる。図9bに係るデバイスは、図4および5に示されるデバイスに対応しているが、しかしながら図9bにおいて図9aに係るターゲットが用いられる。ヨークプレート2を移動することによって、基板上に形成される合金の材料1と材料2の量を調整できる。図9bに示される調整において、主に材料2のみがターゲットから除去され、この材料の均一層が基板上に形成される。図9bに示すように、磁石アレンジメントを左に移動することによって、得られる合金の材料1、2の量が、目標の方法で広範囲にわたり制御され得る。そのようにして得られる2つの異なる合金組成の濃度が図10に示される。合金組成は基板3上の配置において一定である;しかしながら、合金を形成している1つの材料の量を目標の方法で調整できる。ターゲットを適切に構築することによって、他の合金組成または勾配を得ることもできる。例えば、合金勾配を堆積および調整するために、4つの部分のターゲットにおける台形のターゲット部分を使用することができる。2つより多くの材料によって3つ以上の成分を有する合金を製造することもできる。本発明によると、ヨークプレート上に永久磁石に代わり電磁石を用いることもできる。本発明の更なる実施形態図11によると、単一のベース領域12のターゲット1を作って第1材料1のみをベース領域12の表面の所望領域11-1、11-2に適用することもできる。このような構造は図11に例示的に示される;この例においてベース部分12が強磁性材料2から作られている。材料1は例えば、非強磁性であり得る。従って、本発明に従ってカソードスパッタリングを用いて基板上に層を作る場合に少なくとも2つの合金成分を有する合金を適用できる。本発明の第1実施形態に係る台形ターゲット構成片を用いる場合に、合金組成の勾配を基板上の配置に対して生じてよく、台形の急さが濃度勾配の基礎的機能を決定する。台形ターゲット構成片の代わりに長方形ターゲット構成片を用いる場合、特定の均一濃度が基板直径を横切ってもたらされ得る。ターゲットの長手方向の伸長に対して垂直な侵食領域の移動は、ターゲットの垂直方向に磁石アレンジメントを移動することによってもたらされてよく、勾配の急さは、台形ターゲット構成片を用いる場合に変化し得る。長方形ターゲット構成片を用いる場合に、磁石アレンジメントのこのような移動は、均一な合金組成の変化をもたらすことができ、効果は、3つのターゲット領域の代わりに4つを用いる場合にとりわけ顕著である。ターゲットの長手方向に平行な軸のまわりに磁石アレンジメントを傾けることによって、ターゲットの長手方向の延長に対して垂直な侵食トレンチにおける除去速度を変化することができる。従って、長方形ターゲット領域についての平均速度または均一な合金組成を変えることができる。このような傾きは、合金成分の異なる特定のスパッタリング速度のための補償を可能にする。個々のターゲット構成片のターゲットを形成することに代えて、所望領域に用いられる材料の1つをターゲットのベース領域上に適用することもできる。これは、材料の1つとして強磁性のベース領域、および更なる非強磁性材料を使用する場合にとりわけ適切である。"