基材の少なくとも一部がDLC膜で被覆された被覆部材の製造方法であって、基材の温度を300°C以下に維持しながら、前記基材の表面を覆う第1中間層を形成する第1中間層形成工程と、前記基材の温度を300°C以下に維持しながら、前記第1中間層の表面にイオンを衝突させて、前記第1中間層の表面を粗面化させる粗面化工程と、前記基材の温度を300°C以下に維持しながら、粗面化された第1中間層の表面を覆うDLC膜を形成するDLC膜形成工程とを含む、被覆部材の製造方法。前記第1中間層が形成される前に、前記基材の温度を300°C以下に維持しながら、前記基材の表面にイオンを衝突させて、前記基材の表面を粗面化させる前処理工程をさらに含む、請求項1記載の被覆部材の製造方法。前記DLC膜が形成される前に、前記基材の温度を300°C以下に維持しながら、前記第1中間層の表面を覆う第2中間層を形成する第2中間層形成工程をさらに含み、前記DLC膜形成工程は、前記基材の温度を300°C以下に維持しながら、前記第2中間層の表面を覆うDLC膜を形成する工程を含む、請求項1または2記載の被覆部材の製造方法。基材の少なくとも一部がDLC膜で被覆された被覆部材であって、基材と、粗面化された表面を有し、前記基材を覆う第1中間層と、前記第1中間層の表面を覆うDLC膜とを含み、前記第1中間層およびDLC膜は、前記基材の温度が300°C以下に維持された状態で形成されており、前記第1中間層の表面は、イオンの衝突によって粗面化されている、被覆部材。前記基材は、イオンの衝突によって粗面化され、前記第1中間層によって覆われた表面を有する、請求項4記載の被覆部材。前記DLC膜によって覆われた表面を有し、前記第1中間層の表面を覆う第2中間層をさらに含む、請求項4または5記載の被覆部材。DLC膜は、基材に対する密着力が弱い。そのため、基材に対するDLC膜の密着力を向上させることが望まれている。DLC膜の密着力を向上させるために、例えば、基材とDLC膜との間に中間層を形成したり、DLC膜を形成する前に窒化処理や浸炭処理例えば、プラズマ窒化やプラズマ浸炭を行って基材の表層に窒化層や浸炭層を形成したりする場合がある。しかしながら、基材とDLC膜との間に中間層を形成した場合であっても、中間層が適切でないと高い密着力を得ることができない。また、高い密着力を得るのに十分な窒化層や浸炭層を形成するには、高温環境下で窒化処理や浸炭処理を行う必要がある。そのため、基材の材料選択の幅が狭められる。よって、基材の材料選択の幅を十分に確保しながら、基材に対するDLC膜の密着力を向上させるためには、基材とDLC膜との間に適切な中間層を形成する必要がある。そこで、本発明の目的は、基材に対する密着力が高いDLC膜を有し、基材の材料選択の幅が広い被覆部材およびその製造方法を提供することである。本発明の一実施形態は、基材4の少なくとも一部がDLC膜22で被覆された被覆部材19の製造方法であって、基材の温度を300°C以下に維持しながら、前記基材の表面4aを覆う第1中間層20を形成する第1中間層形成工程と、前記基材の温度を300°C以下に維持しながら、前記第1中間層の表面20aにイオンを衝突させて、前記第1中間層の表面を粗面化させる粗面化工程と、前記基材の温度を300°C以下に維持しながら、粗面化された第1中間層の表面を覆うDLC膜を形成するDLC膜形成工程とを含む、被覆部材の製造方法を提供する請求項1。この方法によれば、イオンの衝突によって、第1中間層の表面に微細な凹凸原子レベルの凹凸が形成される。これにより、第1中間層とDLC膜との接触面積が増加して、第1中間層に対するDLC膜の密着力が増加する。また、DLC膜の一部が第1中間層の表面に形成された凹部に入り込むので、投錨効果anchoreffectによって、第1中間層に対するDLC膜の密着力がさらに高まる。すなわち、凹部に入り込んだDLC膜の一部が釘やくさびのような働きをして、第1中間層に対するDLC膜の密着力がさらに高まる。これにより、基材に対するDLC膜の密着力が高まる。また、第1中間層形成工程、粗面化工程、およびDLC膜形成工程は、基材の温度が300°C以下に維持された状態で行われるので、温度の上昇によって基材に加わるダメージが小さい。そのため、基材の材料選択の幅が広い。前記被覆部材の製造方法は、前記第1中間層が形成される前に、前記基材の温度を300°C以下に維持しながら、前記基材の表面にイオンを衝突させて、前記基材の表面を粗面化させる前処理工程をさらに含んでいてもよい請求項2。この場合、イオンの衝突によって、基材の表面に微細な凹凸原子レベルの凹凸が形成される。これにより、基材と第1中間層との接触面積が増加して、基材に対する第1中間層の密着力が増加する。また、第1中間層の一部が基材の表面に形成された凹部に入り込むので、投錨効果によって、基材に対する第1中間層の密着力がさらに高まる。これにより、基材に対するDLC膜の密着力が高まる。また、前記被覆部材の製造方法は、前記DLC膜が形成される前に、前記基材の温度を300°C以下に維持しながら、前記第1中間層の表面を覆う第2中間層21を形成する第2中間層形成工程をさらに含み、前記DLC膜形成工程は、前記基材の温度を300°C以下に維持しながら、前記第2中間層の表面21aを覆うDLC膜を形成する工程を含んでいてもよい請求項3。この場合、第1中間層の表面が第2中間層によって覆われる。したがって、例えば粗面化工程においてイオンが第1中間層を貫通して、基材の表面の一部が第1中間層から露出している場合であっても、この露出した部分を第2中間層によって覆うことができる。これにより、DLC膜が基材の表面に直接堆積されることが防止される。これにより、基材に対するDLC膜の密着力の低下が防止される。本発明の他の実施形態は、基材の少なくとも一部がDLC膜で被覆された被覆部材であって、基材と、粗面化された表面を有し、前記基材を覆う第1中間層と、前記第1中間層の表面を覆うDLC膜とを含み、前記第1中間層およびDLC膜は、前記基材の温度が300°C以下に維持された状態で形成されており、前記第1中間層の表面は、イオンの衝突によって粗面化されている、被覆部材を提供する請求項4。この構成によれば、前述の効果と同様な効果を奏することができる。前記基材は、イオンの衝突によって粗面化され、前記第1中間層によって覆われた表面を有していてもよい請求項5。この場合、前述の効果と同様な効果を奏することができる。また、前記被覆部材は、前記DLC膜によって覆われた表面を有し、前記第1中間層の表面を覆う第2中間層をさらに含んでいてもよい請求項6。この場合、前述の効果と同様な効果を奏することができる。本発明における上述の、またはさらに他の目的、特徴および効果は、添付図面を参照して次に述べる実施形態の説明により明らかにされる。図1は、本発明の一実施形態に係る被覆部材の製造方法に用いるプラズマCVD装置1の構成を示す模式的な断面図である。プラズマCVD装置1は、隔壁2で取り囲まれた処理室3と、処理室3内で基材4を保持する基台5と、処理室3内に原料ガスを導入するための原料ガス導入管6と、処理室3内を真空排気するための排気系7と、処理室3内に導入されたガスをプラズマ化させるための直流パルス電圧を発生させる電源8とを備えている。基台5は、水平姿勢をなす支持プレート9と、鉛直方向に延び、支持プレート9を支持する支持軸10とを備えている。この実施形態では、基台5として、例えば、支持プレート9が上下方向に3つ並んで配置された3段式のものが採用されている。基台5は、全体が鉄鋼などの導電材料を用いて形成されている。基台5には電源8の負極が接続されている。基材4は、支持プレート9上に載置される。また、処理室3の隔壁2は、ステンレス鋼等の導電材料を用いて形成されている。隔壁2には、電源8の正極が接続されている。また隔壁2はアース接続されている。隔壁2と基台5とは絶縁部材11によって絶縁されている。そのため隔壁2はアース電位に保たれている。電源8がオンされて直流パルス電圧が発生すると、隔壁2と基台5との間に電位差が生じる。また、原料ガス導入管6は、処理室3内における基台5の上方を水平方向に延びている。原料ガス導入管6の基台5に対向する部分には、原料ガス導入管6の長手方向に沿って配列された多数の原料ガス吐出孔12が形成されている。原料ガス吐出孔12から原料ガスが吐出されることにより、処理室3内に原料ガスが導入される。原料ガス導入管6には、例えば、成分ガスとして少なくとも炭素系化合物を含む原料ガスが供給される。原料ガス導入管6には、各成分ガスの供給源ガスボンベや液体を収容する容器等からそれぞれの成分ガスを処理室3に導くための複数の分岐導入管図示せずが接続されている。各分岐導入管には、各供給源からの成分ガスの流量を調節するための流量調節バルブ図示せず等が設けられている。また供給源のうち液体を収容する容器には、必要に応じて、液体を加熱するための加熱手段図示せずが設けられている。排気系7は、処理室3に連通する第1排気管13および第2排気管14と、第1開閉バルブV1、第2開閉バルブV2、および第3開閉バルブV3と、第1ポンプ17および第2ポンプ18とを備えている。第1排気管13の途中部には、第1開閉バルブV1および第1ポンプ17が、処理室3側からこの順で介装されている。第1ポンプ17としては、例えば油回転真空ポンプロータリポンプやダイヤフラム真空ポンプなどの低真空ポンプが採用される。油回転真空ポンプは、ロータ、ステータおよび摺動翼板などの部品の間の気密空間および無効空間を油によって減少させる容積移送式真空ポンプである。第1ポンプ17として採用される油回転真空ポンプとしては、回転翼型油回転真空ポンプや揺動ピストン型真空ポンプが挙げられる。また第2排気管14の先端は、第1排気管13における第1開閉バルブV1と第1ポンプ17との間に接続されている。第2排気管14の途中部には、第2開閉バルブV2、第2ポンプ18、および第3開閉バルブV3が、処理室3側からこの順で介装されている。第2ポンプ18としては、例えばターボ分子ポンプ、油拡散ポンプなどの高真空ポンプが採用される。図2は、本発明の一実施形態に係る電源8から基材4に印加される直流パルス電圧の波形の一例を示すグラフである。図1および図2を参照して、電源8がオンにされると、隔壁2と基台5との間に電位差が生じる。より具体的には、負の直流パルス電圧が、基台5上にセットされた基材4に印加され、基材4が負極として機能する。電圧の波形がパルス状であるので、高電圧が印加されても処理室3内に異常放電は生じず、基材4の温度上昇が抑制される。プラズマCVD装置1によって被覆部材を製造するときの基材4の温度は、例えば、直流パルス電圧の設定電圧値、周波数f、およびデューティー比デューティー比=パルス幅τ×周波数fを所定の値に設定することにより、例えば300°C以下に維持される。図3は、本発明の一実施形態に係る被覆部材19の表層部を示す断面図である。図4は、第1中間層20の表面20aの凹凸状態を示すプロファイルである。図3を参照して、被覆部材19は、例えば、摺動部材や装飾品として用いられる。摺動部材としては、例えば、摩擦クラッチのクラッチプレート、ステアリング装置のウォーム歯面にDLC膜を形成、軸受の内輪外輪軌道面にDLC膜を形成、軸受の保持器、およびプロペラシャフト駆動軸、雄スプライン部および/または雌スプライン部にDLC膜を形成が挙げられる。被覆部材19は、基材4と、基材4の表面4aを覆う第1中間層20と、第1中間層20の表面20aを覆う第2中間層21と、第2中間層21の表面21aを覆うDLC膜22とを含む。第1中間層20、第2中間層21、およびDLC膜22は、それぞれ、膜厚が数μm~数十μm程度の薄膜である。DLC膜22の表面22aは、被覆部材19の最表面の少なくとも一部を形成している。被覆部材19が摺動部材として用いられる場合、DLC膜22の表面22aは、相手部材に摺動する摺動面として機能する。また、被覆部材19が摺動部材として用いられる場合、基材4の材質は、例えば、工具鋼、炭素鋼、およびステンレス鋼の何れかである。また、第1中間層20および第2中間層21は、例えば、CrNやTiNなどの金属膜や、Siを含む薄膜である。第1中間層20および第2中間層21は、同一の組成を有していてもよいし、互いに異なる組成を有していてもよい。また、各中間層20、21の組成は、均一であってもよいし、基材4からDLC膜22に近づくに従って変化していてもよい。すなわち、各中間層20、21は、DLC膜22に近づくに従って組成が連続的に変化する傾斜膜であってもよいし、組成がそれぞれ異なる複数の膜が積層された積層膜であってもよい。本実施形態では、第1中間層20および第2中間層21は、それぞれ、Siを含む傾斜膜である。また、図示はしないが、基材4の表面4aには、イオンの衝突によって微細な凹凸原子レベルの凹凸が形成されている。これにより、基材4の表面4aが粗面化されている。したがって、基材4と第1中間層20との接触面積が増加している。これにより、基材4に対する第1中間層20の密着力が高められている。さらに、第1中間層20の一部が基材4の表面4aに形成された凹部に入り込んでいるので、投錨効果anchoreffectによって基材4に対する第1中間層20の密着力がさらに高められている。同様に、図3および図4に示すように、第1中間層20の表面20aには、イオンの衝突によって微細な凹凸が形成されている。図4のグラフの縦軸の単位はナノメートルである。したがって、第1中間層20の表面20aには、原子レベルの凹凸が形成されている。後述するように、この凹凸は、粗面化工程によって形成されたものである。このように、第1中間層20の表面20aが粗面化されている。したがって、第1中間層20と第2中間層21との接触面積が増加している。これにより、第1中間層20に対する第2中間層21の密着力が高められている。さらに、第2中間層21の一部が第1中間層20の表面20aに形成された凹部に入り込んでいるので、投錨効果によって第1中間層20に対する第2中間層21の密着力がさらに高められている。さらに、第2中間層21は、第1中間層20の表面20aに沿って積層されているから、図示はしないが、第2中間層21の表面21aには、第1中間層20の凹凸に対応する微細な凹凸原子レベルの凹凸が形成されている。したがって、第2中間層21とDLC膜22との接触面積が増加されている。これにより、第2中間層21に対するDLC膜22の密着力が高められている。さらに、DLC膜22の一部が第2中間層21の表面21aに形成された凹部に入り込んでいるので、投錨効果によって、第2中間層21に対するDLC膜22の密着力がさらに高められている。したがって、粗面化された基材4の表面4a、第1中間層20、および第2中間層21によって、基材4に対するDLC膜22の密着力が高められている。次に、図1および図3を参照して、プラズマCVD装置1を用いて被覆部材19を製造するときの製造方法の一例について説明する。プラズマCVD装置1を用いて基材4の表面4aにDLC膜22を形成して被覆部材19を製造するには、まず処理室3内の基台5の支持プレート9上に基材4をセットしたのち処理室3を閉じる。次いで第1、第2、および第3開閉バルブV1、V2、V3を閉じた状態で第1ポンプ17を駆動させたのち、第1開閉バルブV1を開くことにより処理室3内を真空排気する。処理室3内が第1ポンプ17によって所定の真空度まで真空排気された時点で第1開閉バルブV1を閉じるとともに第3開閉バルブV3を開いて第2ポンプ18を駆動させた後、第2開閉バルブV2を開くことにより、第1および第2ポンプ17、18によって処理室3内をさらに真空排気する。処理室3内が所定の真空度に達した時点で第2開閉バルブV2を閉じ、第2ポンプ18を停止させ、第3開閉バルブV3を閉じるとともに第1開閉バルブV1を開いて第1ポンプ17だけで排気を続けながら、図示しない供給源から原料ガス導入管6を通して原料ガスを処理室3内に導入する。このとき処理室3内に導入される原料ガスは、例えば、水素ガスおよびアルゴンガスである。水素ガスおよびアルゴンガスは、それぞれ、プラズマを安定化させる作用をする。原料ガスは、水素ガスおよびアルゴンガスに限らず、アルゴンガスだけであってもよい。次いで電源8をオンして、負の直流パルス電圧例えば、-1000Vを基台5に印加する。これにより、隔壁2と基台5との間に電位差が生じ、処理室3内にプラズマが発生する。このプラズマの発生により、処理室3内において原料ガスからイオンやラジカルが生成されるとともに、このイオンやラジカルが電位差に基づいて基材4の表面4aに打ち付けられて、基材4の表面4aに微細な凹凸原子レベルの凹凸が形成される前処理工程。また、イオンやラジカルが基材4の表面4aに打ち付けられることにより、基材4の表面4aに吸着されている異分子等をスパッタリング除去したり、表面を活性化したり、原子配列等を改質したりできるイオンボンバード処理。電源8をオンにしてから予め定める処理時間が経過すると、電源8をオフにし、さらに、処理室3への原料ガス水素ガスおよびアルゴンガスの供給を停止する。次いで処理室3内を真空排気した状態で、図示しない供給源から原料ガス導入管6を通して原料ガスを処理室3内に導入する。このとき処理室3内に導入される原料ガスは、例えば、Siを含むガスたとえば、H2、TMSテトラメチルシランガス、SiCH34、およびCH4メタンの混合ガスである。そして、この原料ガスを処理室3内に導入しながら、電源8をオンにして、基台5に負の直流パルス電圧を印加させる。これにより、処理室3内にプラズマが発生し、これによって、基材4の表面4aを覆う第1中間層20が形成される第1中間層形成工程。電源8をオンにしてから予め定める処理時間が経過すると、電源8をオフにする。さらに、処理室3への原料ガスSiを含むガスの供給を停止する。次いで処理室3内を真空排気した状態で、図示しない供給源から原料ガス導入管6を通して原料ガスを処理室3内に導入する。このとき処理室3内に導入される原料ガスは、例えば、水素ガスおよびアルゴンガスである。原料ガスは、水素ガスおよびアルゴンガスに限らず、アルゴンガスのみであってもよい。次いで電源8をオンにして、例えば前処理工程のときよりも低い負の直流パルス電圧を基台5に印加する。具体的には、例えば、-1500Vの直流パルス電圧を基台5に印加する。これにより、隔壁2と基台5との間に電位差が生じ、処理室3内にプラズマが発生する。このプラズマの発生により、処理室3内において原料ガスからイオンやラジカルが生成されるとともに、このイオンやラジカルが、電位差に基づいて、前処理工程のときよりも大きな力で基材4の表面4aに打ち付けられて、第1中間層20の表面20aに微細な凹凸原子レベルの凹凸が形成される粗面化工程。すなわち、前処理工程のときよりも低い負の直流パルス電圧を基台5に印加させることにより、前処理工程のときよりも高低差の大きい凹凸が形成される。これにより、第1中間層20の表面20aが粗面化される。電源8をオンにしてから予め定める処理時間が経過すると、電源8をオフにし、さらに、処理室3への原料ガス水素ガスおよびアルゴンガスの供給を停止する。次いで処理室3内を真空排気した状態で、図示しない供給源から原料ガス導入管6を通して原料ガスを処理室3内に導入する。このとき処理室3内に導入される原料ガスは、例えば、Siを含むガスたとえば、TMSおよびCH4の混合ガスである。そして、この原料ガスを処理室3内に導入しながら、電源8をオンにし、基台5に負の直流パルス電圧を印加させる。これにより、処理室3内にプラズマが発生し、これによって、粗面化された第1中間層20の表面20aを覆う第2中間層21が形成される第2中間層形成工程。例えば粗面化工程においてイオンやラジカルが第1中間層20を貫通して、基材4の表面4aの一部が第1中間層20から露出している場合であっても、第2中間層21を形成することにより、この露出した部分を第2中間層21によって覆うことができる。これにより、基材4の表面4aがDLC膜22によって直接覆われることが防止される。これにより、基材4に対するDLC膜22の密着力の低下が防止される。電源8をオンにしてから予め定める処理時間が経過すると、電源8をオフにし、さらに、処理室3への原料ガス水素ガスおよびアルゴンガスの供給を停止する。次いで処理室3内を真空排気した状態で、図示しない供給源から原料ガス導入管6を通して原料ガスを処理室3内に導入する。このとき処理室3内に導入される原料ガスは、例えば、炭素系化合物に、さらに水素ガス、およびアルゴンガス等を加えたものである。炭素系化合物としては、例えばメタンCH4、アセチレンC2H2、ベンゼンC6H6等の、常温、常圧下で気体もしくは液体である炭化水素化合物の1種または2種以上が挙げられる。次いで電源8をオンにし、隔壁2と基台5との間に電位差を生じさせることにより、処理室3内にプラズマを発生させる。このプラズマの発生により、処理室3内において原料ガスからイオンやラジカルが生成されるとともに、このイオンやラジカルが電位差に基づいて基材4の表面4aに引き付けられる。そして基材4の表面4aで化学反応が生じて、DLC膜22が形成されるDLC膜形成工程。これにより、基材4の少なくとも一部がDLC膜22で被覆された被覆部材19が形成される。この製造方法の一例によって製造された被覆部材19本発明の一実施形態に係る被覆部材19のDLC膜22の密着力剥離荷重は、13.9Nであった。また、前述の製造方法の一例において、粗面化工程および第2中間層形成工程を行わずに製造した被覆部材比較に係る被覆部材のDLC膜の密着力剥離荷重は、10.9Nであった。したがって、粗面化工程および第2中間層形成工程を行うことにより、DLC膜の密着力を向上させることができる。したがって、被覆部材の信頼性および耐久性を向上させることができる。さらに、本実施形態では、基材4および第1中間層20にイオンを衝突させて微細な凹凸原子レベルの凹凸を形成するので、例えば、第2中間層21の表面21aの凹凸に倣ってDLC膜22の表面22aに凹凸が形成されたとしても、この凹凸の高低差は非常に小さい。一方、例えば、基材4の表面4aにショットブラストを行った場合には、基材4の表面4aにイオンを衝突させた場合に比べて、高低差の大きい凹凸が基材4の表面4aに形成される。そのため、ショットブラストを行った場合には、高低差の大きい凹凸がDLC膜22の表面22aに形成されることがある。被覆部材19が摺動部材として用いられる場合に高低差の大きい凹凸がDLC膜22の表面22aに形成されていると、被覆部材19が相手部材を攻撃して、例えば、相手部材が削れたり、相手部材が早期に摩耗したりすることがある。よって、本実施形態のように、イオンの衝突によって凹凸を形成することにより、被覆部材19の攻撃性が高まることを抑制することができる。なお、前述の剥離荷重は、日本機械学会基準JSMES0101996において規定されたスクラッチ試験によってDLC膜を剥離させて、DLC膜に局所的な剥離が生じたときの測定値モード2の測定値である。この発明の実施の形態の説明は以上であるが、この発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。例えば前述の実施形態では、基材4にDLC膜22が被覆されている場合について説明したが、Siを含むDLC膜22が基材4に被覆されていてもよい。また、前述の実施形態では、第1中間層20、第2中間層21、およびDLC膜22が直流パルスプラズマCVD法によって形成されている場合について説明したが、第1中間層20、第2中間層21、およびDLC膜22は、直流プラズマCVD法によって形成されていてもよいし、プラズマCVD法以外の方法によって形成されていてもよい。しかしながら、基材4の温度上昇を抑制できる点で、直流パルスプラズマCVD法によって第1中間層20、第2中間層21、およびDLC膜22を形成することが好ましい。また、直流パルスプラズマCVD法によれば、直流パルス電圧の設定電圧値、周波数f、およびデューティー比を調整することにより、前述の前処理工程および粗面化工程において、イオンおよびラジカルが基材4の表面4aおよび第1中間層20の表面20aに打ち付けられる時間を変更することができる。これにより、基材4の表面4aおよび第1中間層20の表面20aの凹凸状態を調整することができる。一方、直流プラズマCVD法では、直流電圧が基材4に印加され続けるので、直流パルスプラズマCVD法のように、基材4の表面4aおよび第1中間層20の表面20aの凹凸状態を調整することができない。そのため、基材4の表面4aおよび第1中間層20の表面20aに所望の凹凸を形成することが困難である。したがって、凹凸状態を調整できる点からも直流パルスプラズマCVD法を採用することが好ましい。また、前述の実施形態では、第1中間層20とDLC膜22との間に第2中間層21が形成されている場合について説明したが、第2中間層21が省略され、第1中間層20の表面20aがDLC膜22によって直接覆われていてもよい。また、前述の実施形態では、基材4の表面4aおよび第1中間層20の表面20aが粗面化されている場合について説明したが、基材4の表面4aは、粗面化されていなくてもよい。また、これらの表面4a、20aと同様の方法によりイオンの衝突により、第2中間層21の表面21aが粗面化されていてもよい。この場合、第2中間層21とDLC膜22との接触面積が増加するので、第2中間層21に対するDLC膜22の密着力が高まる。さらに、DLC膜22の一部が第2中間層21の表面21aに形成された凹部に入り込むので、投錨効果によって第2中間層21に対するDLC膜22の密着力がさらに高まる。したがって、基材4に対するDLC膜22の密着力がさらに高まる。以上、本発明を具体的な態様により詳細に説明したが、上記の内容を理解した当業者は、その変更、改変および均等物を容易に考えられるであろう。したがって、本発明はクレームの範囲とその均等の範囲とするべきである。本出願は、2010年5月31日に日本国特許庁に提出された特願2010-124553号に対応しており、この出願の全開示はここに引用により組み込まれるものとする。