"逆相関係にある一対の差動信号のうちの第一の差動信号を増幅するとともに,前記第一の差動信号を同相で出力する第一の増幅回路と,前記差動信号のうちの第二の差動信号を増幅するとともに,前記第二の差動信号の位相を反転させて出力する第二の増幅回路と,前記第一の増幅回路からの出力信号と前記第二の増幅回路からの出力信号を合成して出力する出力端子とを備え,前記第二の増幅回路は,複数のトランジスタをカスコード接続したカスコード回路であることを特徴とする差動単相変換回路。請求項1において,前記第一の増幅回路は,第一のゲート接地トランジスタを有し,前記第一の差動信号が,前記第一のゲート接地トランジスタのソース端子に入力され,前記第一のゲート接地トランジスタのソース端子は,電流源と接続し,前記第二の増幅回路は,ソース接地トランジスタ及び第二のゲート接地トランジスタを有し,前記ソース接地トランジスタのドレイン端子に,前記第一のゲート接地トランジスタのソース端子を接続し,前記第二の差動信号が,前記ソース接地トランジスタのゲート端子に入力されることを特徴とする差動単相変換回路。請求項2において,前記ソース接地トランジスタ,前記第一のゲート接地トランジスタ,前記第二のゲート接地トランジスタは同一のサイズであり,電流量が等しいことを特徴とする差動単相変換回路。請求項2において,前記電流源は,トランジスタを有して構成されることを特徴とする差動単相変換回路。請求項4において,前記ソース接地トランジスタ,前記第一のゲート接地トランジスタ,前記第二のゲート接地トランジスタ及び前記電流源のトランジスタは同一のサイズであり,電流量が等しいことを特徴とする差動単相変換回路。しかしながら,図5の回路では,温度が変化したり,プロセス条件が変化したときでも,高いCMRRCommonModeRejectionRatio:同相信号除去比特性を得ようとした場合,差動信号の正相入力側と逆相入力側に温度やプロセス条件のばらつきが異なるN型とP型のトランジスタを使用し,且つ接続方法も異なるため,CMRR特性にもばらつきが生じ,調整が困難となる。さらに,正相側と逆相側とでは,周波数特性も異なり,広い周波数範囲にわたり,高いCMRR特性を得ることは難しい。そこで,本発明は,温度やプロセス条件のばらつきの影響を受けず,高いCMRR特性を有する差動単相変換回路を提供することにある。上記目的を達成するための差動単相変換回路は,逆相関係にある一対の差動信号のうちの第一の差動信号を増幅するとともに,上記第一の差動信号を同相で出力する第一の増幅回路と,上記差動信号のうちの第二の差動信号を増幅するとともに,上記第二の差動信号の位相を反転させて出力する第二の増幅回路と,上記第一の増幅回路からの出力信号と上記第二の増幅回路からの出力信号を合成して出力する出力端子とを備え,上記第二の増幅回路は,複数のトランジスタをカスコード接続したカスコード回路であることを要件とする。開示の差動単相変換回路によれば,カスコード回路を含む増幅回路を有することにより,第一の増幅回路と第二の増幅回路とを同一のトランジスタを用いて構成することが可能となり,正相側と逆相側の温度,プロセス条件のばらつきの影響を受けずに,高いCMRR特性を得ることができる。図1は,本発明の実施の形態における差動単相変換回路の第一の構成例を示す図である。差動入力端子IN,INXにおける一方の端子正相入力端子INは,キャパシタC1を介して,ソース接地トランジスタM1のゲート端子に接続する。ソース接地トランジスタM1のソース端子は接地され,ドレイン端子は,ゲート接地トランジスタM2のソース端子に接続する。すなわち,ソース接地トランジスタM1とゲート接地トランジスタM2とはカスコード接続され,ソース接地トランジスタM1とゲート接地トランジスタM2は,カスコード回路を構成する。また,ゲート接地トランジスタM2のドレイン端子は,キャパシタC3を介して単相信号出力端子OUTに接続されている。もう一方の端子INX逆相入力端子は,キャパシタC2を介して,ゲート接地トランジスタM3のソース端子に接続する。ゲート接地トランジスタM3のソース端子は定電流源と接続する。また,ゲート接地トランジスタM3のドレイン端子は,ゲート接地トランジスタM2のドレイン端子と共通であり,キャパシタC3を介して単相信号出力端子OUTに接続されている。各トランジスタM1,M2,M3には,同一のトランジスタが用いられる。ゲート接地トランジスタM2及びM3の各ドレイン端子と電源電圧VDD間には,負荷R1が接続される。ソース接地トランジスタM1のゲート端子には,ゲートバイアス電圧Vb1が印加され,ゲート接地トランジスタM2及びM3の各ゲート端子には,負荷R2を介して,ゲートバイアス電圧Vb2が印加される。次に,第一の構成例の動作について説明する。IN端子より、キャパシタC1を介して差動信号の片方の入力信号正相信号がソース接地トランジスタM1のゲート端子に入力される。IN端子からの入力信号は,ゲートバイアス電圧Vb1が乗せられた信号である。このIN端子からの入力信号は,ソース接地トランジスタM1により,位相が反転されてすなわち,逆相信号の位相と同位相となって,ゲート接地トランジスタM2により増幅されて,ゲート接地トランジスタM2のドレイン端子から出力される。一方、INX端子より、キャパシタC2を介して差動信号のもう片方の入力信号逆相信号がゲート接地トランジスタM3のソース端子に入力される。INX端子からの入力信号は,ゲートバイアス電圧Vb2が乗せられた信号である。この入力信号は,ゲート接地トランジスタM3により増幅されて,ゲート接地トランジスタM3のドレイン端子から出力される。このとき,このINX端子からの入力信号の位相は反転せずに,入力信号と同位相のままである。従って,ゲート接地トランジスタM2及びM3のドレイン端子それぞれからの出力信号は,同位相となって合成され,キャパシタC3を介して,OUT端子から出力される。このように,差動信号は,損失が少ない状態で単相に変換され出力される。カスコード回路におけるゲート接地トランジスタM2のドレイン側からソース接地トランジスタM1側を見たインピーダンスが高いため,ゲート接地トランジスタM3のドレイン端子から出力されるINX端子側の出力信号は,OUT端子側に出力され,IN端子側からの出力信号と合成される。各トランジスタM1,M2,M3には,同一のトランジスタが用いられるので,温度やプロセス条件が変化した場合でも,IN端子側とINX側端子が同一に変化するため,その変化が相殺され,温度やプロセス条件の影響を受けにくい。さらに,各トランジスタの利得Avは,Av=gm×Routで定義されるgm:相互コンダクタンス,Rout:負荷抵抗。トランジスタM1,M2,M3のサイズを等しくし,それぞれに等しい電流が流れるように,トランジスタM1のゲートバイアス電圧や定電流源の電流値を設定することにより,IN端子側の増幅回路ソース接地トランジスタM1及びゲート接地トランジスタM2をカスコード接続したカスコード回路と,INX端子側の増幅回路ゲート接地トランジスタM3のgmとRoutがほぼ等しくなる,すなわち,利得Avがほぼ等しくなる。これにより,両出力信号が同じ振幅となり,同相の両出力信号は同一の比率で合成される。また,カスコード回路のソース接地トランジスタM1の利得は約1倍であり,トランジスタの高周波伝達特性を低下させるいわゆるミラー効果の影響を抑えることができるため,周波数特性が向上し,広い周波数帯域において,回路のCMRRCommonModeRejectionRatio:同相信号除去比特性を向上させることができる。図2は,本発明の実施の形態における差動単相変換回路の第二の構成例を示す図である。図2において,図1の第一の構成例と同一の要素については,同一の参照符号が付される。第二の構成例では,第一の構成例における定電流源をソース接地トランジスタM4で構成する。ソース接地トランジスタM4のゲート端子には,負荷R3を介して,ゲートバイアス電圧Vb1が印加される。ソース接地トランジスタM4のソース端子は接地され,ドレイン端子は,ゲート接地トランジスタM3のソース端子と接続する。各トランジスタM1,M2,M3,M4には,同一のトランジスタが用いられる。次に,第二の構成例の動作について説明する。第二の構成例の動作は第一の構成例の動作と同様である。すなわち,IN端子より、キャパシタC1を介して差動信号の片方の入力信号正相信号がソース接地トランジスタM1のゲート端子に入力される。IN端子からの入力信号は,ゲートバイアス電圧Vb1が乗せられた信号である。このIN端子からの入力信号は,ソース接地トランジスタM1により,位相が反転されてすなわち,逆相信号の位相と同位相となって,ゲート接地トランジスタM2のドレイン端子から出力される。一方、INX端子より、キャパシタC2を介して差動信号のもう片方の入力信号逆相信号がゲート接地トランジスタM3のソース端子に入力される。INX端子からの入力信号は,ゲートバイアス電圧Vb2が乗せられた信号である。この入力信号は,ゲート接地トランジスタM3のドレイン端子から出力される。このとき,このINX端子からの入力信号の位相は反転せずに,入力信号と同位相のままである。従って,ゲート接地トランジスタM2及びM3のドレイン端子それぞれからの出力信号は,同位相となって合成され,キャパシタC3を介して,OUT端子から出力される。このように,差動信号は,損失が少ない状態で単相に変換され出力される。また,各トランジスタM1,M2,M3,M4には,同一のトランジスタが用いられる。このトランジスタM4のサイズを,トランジスタM1,M2,M3のサイズと等しくし,等しい電流が流れるように,トランジスタM4に印加されるゲートバイアス電圧をトランジスタM1のゲートバイアス電圧Vb1と同一とすることにより,それぞれのトランジスタの各端子の電位が,温度の変化やプロセスのばらつきに対して同様に変化する。このため,温度やプロセス条件が変化した場合でも,IN端子側の増幅回路とINX端子側の増幅回路の利得がほぼ等しくなり,温度やプロセス条件の影響を受けず,CMRR特性の劣化をさらに抑えることができる。図3は,第一の構成例及び第二の構成例の差動単相変換回路のCMRR特性の温度特性を示す図である。図3は,周波数3GHzにおける第一の構成例回路構成1及び第二の構成例回路構成2の温度に対するCMRR特性を示し,両回路構成とも,動作温度範囲内において,十分に高いCMRR特性が得られる。図4は,第一の構成例及び第二の構成例の差動単相変換回路のCMRR特性の周波数特性を示す図である。図4は,温度30°Cにおける第一の構成例回路構成1及び第二の構成例回路構成2の周波数に対するCMRR特性を示し,両回路構成に共通のデータである。広範囲な周波数帯にわたって,十分に高いCMRR特性が得られる。上述の実施の形態では,IN端子側の入力信号正相信号をカスコード回路のソース接地トランジスタM1に入力し,INX端子側の入力信号逆相信号をゲート接地トランジスタM3に入力する構成を例示したが,入力信号は逆であってもよい。すなわち,IN端子側の入力信号正相信号をゲート接地トランジスタM3に入力し,INX端子側の入力信号逆相信号をカスコード回路のソース接地トランジスタM1に入力する構成であってもよい。正相信号と逆相信号のいずれか一方を,カスコード回路のソース接地トランジスタM1に入力することで位相を反転させた後,両信号を同一のトランジスタで増幅する構成とすることで,温度変化やプロセス条件のばらつきが吸収され,また,カスコード回路を用いることで,周波数特性を向上させることができる。"