入力電源とトランスの一次巻線とに直列に接続されたスイッチング素子と、当該スイッチング素子をオンオフ制御してスイッチング動作させるスイッチング制御回路とを備え、前記トランスに生じる二次起電力を整流平滑して直流電力を出力するスイッチング電源装置であって、前記入力電源の投入時に、前記入力電源又は前記スイッチング素子の高圧電極から入力される高圧電源を使って前記スイッチング制御回路に動作電流を供給する起動用電流供給回路と、前記スイッチング動作が開始された後の定常時に、前記トランスの二次起電力による低圧電源を使って前記スイッチング制御回路に動作電流を供給する定常時電流供給回路と、前記定常時に前記起動用電流供給回路をオフ状態に設定する起動時制御回路と、前記起動用電流供給回路がオフ状態で、前記高圧電源から前記起動用電流供給回路を経由して接地端子に流れるもれ電流の経路に、前記低圧電源を使って前記もれ電流を阻止もしくは低下させるバイアス電圧を供給するバイアス電圧供給回路とを具備することを特徴とするスイッチング電源装置。前記起動用電流供給回路は、前記スイッチング制御回路への動作電流の供給をオンオフするデプレッションモードFETを具備し、前記バイアス電圧供給回路は、前記デプレッションモードFETのソース端子に前記もれ電流を阻止する前記バイアス電圧を供給することを特徴とする請求項1記載のスイッチング電源装置。前記起動用電流供給回路は、前記スイッチング制御回路への動作電流の供給をオンオフするエンハンスメントモードFETと、前記高圧電源を使って前記エンハンスメントモードFETのゲート端子にオン電圧を供給するジャンクションFETとを具備し、前記バイアス電圧供給回路は、前記高圧電源から前記ジャンクションFETを経由して接地端子に流れる前記もれ電流の経路に、前記低圧電源を使って前記もれ電流を低下させるバイアス電圧を供給することを特徴とする請求項1記載のスイッチング電源装置。前記起動用電流供給回路は、前記スイッチング制御回路への動作電流の供給をオンオフするエンハンスメントモードFETと、前記高圧電源を使って前記エンハンスメントモードFETのゲート端子にオン電圧を供給するデプレッションモードFETとを具備し、前記バイアス電圧供給回路は、前記高圧電源から前記ジャンクションFETを経由して接地端子に流れる前記もれ電流の経路に、前記低圧電源を使って前記もれ電流を阻止させるバイアス電圧を供給することを特徴とする請求項1記載のスイッチング電源装置。しかしながら、図5に示す従来技術では、定常的にはスイッチ素子N1をオフ状態となるため、定常的に生じる電力損失を削減することができるが、スイッチ素子N2がオンであるため、スイッチ素子N1、抵抗R1、スイッチ素子N2の経路で50μA以下のもれ電流が流れる。定常的に流れるもれ電流は、50μA以下と低いが、スイッチ素子N1のドレイン電圧が高いため、消費電力が大きくなってしまうという問題点があった。仮に、スイッチ素子N2がオン状態でのスイッチ素子N1のゲート-ソース間電圧が-5Vスイッチ素子N1のソース電圧Vsが5V、抵抗R1が2.5MΩだとすると、もれ電流ドレイン電流は2μAとなり、スイッチ素子N1のドレイン電圧が380Vならば、スイッチ素子N1の消費電力は0.78mWになってしまう。また、図6に示す従来技術では、スイッチ素子N1のドレイン電圧がトランスTで昇圧され、スイッチ素子N1の消費電力がさらに大きくなってしまうという問題点があった。仮に、スイッチ素子N2がオン状態でのスイッチ素子N1のゲート-ソース間電圧が-5Vスイッチ素子N1のソース電圧Vsが5V、抵抗R1が2.5MΩだとすると、もれ電流は2μAとなり、スイッチ素子N1のドレイン電圧が500Vならば、スイッチ素子N1の消費電力は1mWになってしまう。本発明の目的は、上記問題点に鑑みて従来技術の上記問題を解決し、起動用電流供給回路による定常時の消費電力を削減することができるスイッチング電源装置を提供することにある。本発明のスイッチング電源装置は、入力電源とトランスの一次巻線とに直列に接続されたスイッチング素子と、当該スイッチング素子をオンオフ制御してスイッチング動作させるスイッチング制御回路とを備え、前記トランスに生じる二次起電力を整流平滑して直流電力を出力するスイッチング電源装置であって、前記入力電源の投入時に、前記入力電源又は前記スイッチング素子の高圧電極から入力される高圧電源を使って前記スイッチング制御回路に動作電流を供給する起動用電流供給回路と、前記スイッチング動作が開始された後の定常時に、前記トランスの二次起電力による低圧電源を使って前記スイッチング制御回路に動作電流を供給する定常時電流供給回路と、前記定常時に前記起動用電流供給回路をオフ状態に設定する起動時制御回路と、前記起動用電流供給回路がオフ状態で、前記高圧電源から前記起動用電流供給回路を経由して接地端子に流れるもれ電流の経路に、前記低圧電源を使って前記もれ電流を阻止もしくは低下させるバイアス電圧を供給するバイアス電圧供給回路とを具備することを特徴とする。さらに、本発明のスイッチング電源装置においては、前記起動用電流供給回路は、前記スイッチング制御回路への動作電流の供給をオンオフするデプレッションモードFETを具備し、前記バイアス電圧供給回路は、前記デプレッションモードFETのソース端子に前記もれ電流を阻止する前記バイアス電圧を供給することを特徴とする。さらに、本発明のスイッチング電源装置においては、前記起動用電流供給回路は、前記スイッチング制御回路への動作電流の供給をオンオフするエンハンスメントモードFETと、前記高圧電源を使って前記エンハンスメントモードFETのゲート端子にオン電圧を供給するジャンクションFETとを具備し、前記バイアス電圧供給回路は、前記高圧電源から前記ジャンクションFETを経由して接地端子に流れる前記もれ電流の経路に、前記低圧電源を使って前記もれ電流を低下させるバイアス電圧を供給することを特徴とする。さらに、本発明のスイッチング電源装置においては、前記起動用電流供給回路は、前記スイッチング制御回路への動作電流の供給をオンオフするエンハンスメントモードFETと、前記高圧電源を使って前記エンハンスメントモードFETのゲート端子にオン電圧を供給するデプレッションモードFETとを具備し、前記バイアス電圧供給回路は、前記高圧電源から前記ジャンクションFETを経由して接地端子に流れる前記もれ電流の経路に、前記低圧電源を使って前記もれ電流を阻止させるバイアス電圧を供給することを特徴とする。本発明によれば、起動用電流供給回路をオフ状態とした時に、高圧電源から起動用電流供給回路を経由して接地端子に流れるもれ電流の経路に、もれ電流を阻止もしくは低下させるバイアス電圧を、低圧電源を使って供給することにより、起動用電流供給回路による定常時の消費電力を削減することができるという効果を奏する。第1の実施の形態図1を参照すると、第1の実施の形態のスイッチング電源装置は、図6に示す従来のスイッチング電源装置における起動用電流供給回路の構成に加えて、ダイオードD3と並列に接続された抵抗R3が設けられていると共に、抵抗R2を流れる電流の変動を防止するための定電流回路としてPチャネルのエンハンスメントモードFETからなるスイッチ素子PQ1とが設けられている。スイッチ素子PQ1のソース端子はスイッチ素子N1のゲート端子と抵抗R1との接続点に接続され、スイッチ素子PQ1のドレイン端子は接地端子に接続されている。また、スイッチ素子PQ1のゲート端子はダイオードD3と抵抗R2との接続点に接続されている。商用交流電源ACの投入直後のスイッチ素子N1がオン状態起動時では、並列に接続された抵抗R3及びダイオードD3に電流が流れて平滑コンデンサC3を充電し、平滑コンデンサC3の充電電圧が所定の電圧に達すると、スイッチング制御回路1がオンしてスイッチング動作を開始させる。同時に起動時制御回路4は、スイッチ素子N2をオン状態にしてスイッチ素子N1をオフさせる。定常時になり、スイッチ素子N1がオフ状態になると、スイッチ素子N1のソース電圧Vsは、定常時の動作電圧Vccを抵抗R3及び抵抗R2と抵抗R1とで分圧した電圧になる。従って、抵抗R3の抵抗値でスイッチ素子N1のソース電圧Vsが決定される。第1の実施の形態では、スイッチ素子N1のソース電圧Vsとスイッチ素子N1のゲート電圧0Vとの電位差、すなわち、スイッチ素子N1のゲート-ソース間電圧がピンチオフ電圧以下になるように、抵抗R3の抵抗値が設定されている。抵抗R3は、バイアス電圧供給回路として機能する。すなわち、これにより、抵抗R2と抵抗R1との接続点には、高圧電源が入力されるD/ST端子からスイッチ素子N1に流れるもれ電流ドレイン電流を阻止するバイアス電圧が低圧電源である動作電圧Vccから抵抗R3を介して供給される。従って、定常時には、スイッチ素子N1にもれ電流が流れることなく、スイッチ素子N1のドレイン電圧よりも低い動作電圧Vccから抵抗R3、抵抗R2、抵抗R1、スイッチ素子N2の経路で電流が流れることになり、消費電力を低減させることができる。動作電圧Vccが最低動作電圧の9Vである場合、図1に示すように、抵抗R1が2.5MΩ、抵抗R3が0.5MΩとし、抵抗R2の抵抗値は抵抗R3の抵抗値に比較して十分に小さいので無視すると、スイッチ素子N1のソース電圧Vsは、7.5Vになる。ここで-7.5Vがスイッチ素子N1のピンチオフ電圧以下であれば、スイッチ素子N1にもれ電流が流れることなく、動作電圧Vcc9Vから抵抗R3、抵抗R2、抵抗R1、スイッチ素子N2の経路で3μAの電流が流れる。従って、消費電力は、9V3μA=0.027mWとなり、従来技術と比較して大幅に消費電力を低減させることができる。また、動作電圧Vccが最大動作電圧の30Vである場合、同様に、スイッチ素子N1のソース電圧Vsは、25Vになり、動作電圧Vcc30Vから抵抗R3、抵抗R2、抵抗R1、スイッチ素子N2の経路で10μAの電流が流れる。従って、消費電力は、30V10μA=0.3mWとなり、これも従来技術と比較して大幅に消費電力を低減させることができる。以上のように、第1の実施の形態によれば、スイッチ素子N1がオフ状態で、高圧電源からスイッチ素子N1を経由して接地端子に流れるもれ電流の経路に、端子Vccからの低圧電源を使ってもれ電流を阻止するバイアス電圧を、抵抗R3を介して供給することにより、定常時の消費電力を削減することができるという効果を奏する。第2の実施の形態第2の実施の形態では、チップの構造上、デプレッションモードFETを使用できない場合に、エンハンスメントモードFETと、ジャンクションFETjunctiongatefieldeffecttransistorとを組み合わせて起動用電流供給回路を構成している。図2を参照すると、D/ST端子とVcc端子との間にNチャネルMOSFETからなるスイッチ素子N3と、抵抗R2と、ダイオードD3とが直列に接続されている。また、D/ST端子と接地端子との間にJFET5と、抵抗R4、R5と、スイッチ素子N2とが直列に接続されていると共に、JFET5のゲート端子は接地端子に接続され、抵抗R5とスイッチ素子N2との接続点がスイッチ素子N3のゲート端子に接続されている。JFET5は、スイッチ素子N2がオフ状態起動時において、D/ST端子から入力される高圧電源を使ってスイッチ素子N3のゲート端子にオン電圧を供給する。さらに、Vcc端子にダイオードD4のアノードが接続され、ダイオードD4のカソードが抵抗R4と抵抗R5との接続点との間に接続されている。ここで、D/ST端子に入力される電圧を500V、動作電圧Vccを9.6V、スイッチ素子N2がオン状態でのJFET5のソース電圧を15V、抵抗R4の抵抗値を3MΩ、抵抗R5の抵抗値を1MΩ、ダイオードD4の順方向電圧を0.6Vとし、スイッチ素子N2がオン状態定常時における、ダイオードD4が接続されていない場合の消費電力と、図2に示すように、ダイオードD4が接続されている場合の消費電力とを検証する。図2において、ダイオードD4が接続されていない場合には、JFET5には、3.75μAのもれ電流が流れることになり、消費電力は、500V3.75μA=1.88mWになってしまう。これに対し、図2に示すように、ダイオードD4が接続されている場合には、図3に示す等価回路から明らかなように、抵抗R4と抵抗R5との接続点の電圧が9Vになり、JFET5に流れるもれ電流は、2μAに低減する。ダイオードD4は、バイアス電圧供給回路として機能する。すなわち、抵抗R4と抵抗R5との接続点には、高圧電源が入力されるD/ST端子からJFET5に流れるもれ電流を低下させるバイアス電圧が低圧電源である動作電圧VccからダイオードD4を介して供給される。従って、D/ST端子に入力される電圧500Vによる消費電力は、500V2μA=1mW、また、動作電圧Vcc9.6Vによる消費電力は、9.6V21MΩ=0.09mWとそれぞれなり、合計の消費電力は1.09mWに低減させることができる。なお、動作電圧Vccが12.6Vの場合には、抵抗R4と抵抗R5との接続点の電圧が12Vになり、JFET5に流れるもれ電流は、1μAに低減する。従って、D/ST端子に入力される電圧500Vによる消費電力は、500V1μA=0.5mW、また、動作電圧Vccを12.6Vによる消費電力は、12.6V21MΩ=0.16mWとそれぞれなり、合計の消費電力は0.66mWにさらに低減させることができる。以上のように、第2の実施の形態によれば、スイッチ素子N3がオフ状態で、高圧電源からJFET5を経由して接地端子に流れるもれ電流の経路に、端子Vccからの低圧電源を使ってもれ電流を低下させるバイアス電圧を、ダイオードD4を介して供給することにより、定常時の消費電力を削減することができるという効果を奏する。第3の実施の形態第3の実施の形態では、デプレッションモードFETとエンハンスメントモードFETとを組み合わせて起動用電流供給回路を構成している。図4を参照すると、D/ST端子とVcc端子との間にエンハンスメントモードのMOSトランジスタからなるスイッチ素子N4と、抵抗R2と、ダイオードD3とが直列に接続されている。デプレッションモードFETからなるスイッチ素子N5のドレイン端子がD/ST端子に接続され、スイッチ素子N5のソース端子がスイッチ素子N4のゲート端子に接続されている。スイッチ素子N5のゲート端子はスイッチ素子N2を介して接地端子に接続され、スイッチ素子N5のゲート端子とソース端子との間に抵抗R6が接続されている。また、Vcc端子にダイオードD5のアノードが接続され、ダイオードD5のカソードが抵抗R7を介してスイッチ素子N5のソース端子とスイッチ素子N4のゲート端子との接続点に接続されている。スイッチ素子N5は、スイッチ素子N2がオフ状態起動時において、D/ST端子から入力される高圧電源を使ってスイッチ素子N4のゲート端子にオン電圧を供給する。ここで、D/ST端子に入力される電圧を500V、動作電圧Vccを9V、スイッチ素子N2がオン状態でのスイッチ素子N5のソース電圧を5V、抵抗R6の抵抗値を2.5MΩ、抵抗R7の抵抗値を0.5MΩ、ダイオードD4の順方向電圧を0.6Vとし、スイッチ素子N2がオン状態定常時における、ダイオードD5が接続されていない場合の消費電力と、図4に示すように、ダイオードD5が接続されている場合の消費電力とを検証する。図4において、ダイオードD5が接続されていない場合には、スイッチ素子N5には、2μAのもれ電流が流れることになり、消費電力は、500V2μA=1mWになってしまう。これに対し、図4に示すように、ダイオードD5が接続されている場合には、抵抗R6と抵抗R7との接続点の電圧が7Vになる。ダイオードD5及び抵抗R7は、バイアス電圧供給回路として機能する。すなわち、抵抗R6と抵抗R7との接続点には、高圧電源が入力されるD/ST端子からスイッチ素子N5に流れるもれ電流を阻止するバイアス電圧が低圧電源である動作電圧VccからダイオードD5及び抵抗R7を介して供給される。なお、抵抗R7は、スイッチ素子N2がオン状態でのスイッチ素子N5のソース電圧よりも高く、且つスイッチ素子N4のピンチオフ電圧よりも低い電圧に、動作電圧Vccを電圧降下させるために設けられている。抵抗R6と抵抗R7との接続点の電圧が、5Vよりも高いので、スイッチ素子N5にはもれ電流が流れることなく、動作電圧Vcc9Vから抵抗R7、抵抗R6、スイッチ素子N2の経路で3μAの電流が流れる。従って、消費電力は、9V3μA=0.027mWとなり、大幅に消費電力を低減させることができる。以上のように、第3の実施の形態によれば、スイッチ素子N4がオフ状態で、高圧電源からスイッチ素子N5を経由して接地端子に流れるもれ電流の経路に、端子Vccからの低圧電源を使ってもれ電流を阻止するバイアス電圧を、ダイオードD5及び抵抗R7を介して供給することにより、定常時の消費電力を削減することができるという効果を奏する。以上、本発明を具体的な実施形態で説明したが、上記実施形態は一例であって、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更して実施できることは言うまでも無い。