複数の画素を有し、前記複数の画素は、画素電極、対向電極、及び前記画素電極と前記対向電極との間に設けられた帯電層を有する表示素子を有し、前記複数の画素の初期化を行う期間において、一の画素電極と前記一の画素電極に隣接する画素電極とに、異なる電位を入力する機能を有することを特徴とする表示装置。複数の画素を有し、前記複数の画素は、画素電極、対向電極、及び前記画素電極と前記対向電極との間に設けられた帯電層を有する表示素子を有し、前記複数の画素の初期化を行う期間において、一の画素電極と前記一の画素電極に隣接する画素電極とに、異なる電位を入力する処理を行った後、前記一の画素電極と前記一の画素電極に隣接する画素電極との電位の大小関係を反転させる機能を有することを特徴とする表示装置。複数の画素を有し、前記複数の画素は、画素電極、対向電極、及び前記画素電極と前記対向電極との間に設けられた帯電層を有する表示素子を有し、前記複数の画素の初期化を行う期間において、一の画素電極と前記一の画素電極に隣接する画素電極とに、前記対向電極の電位を基準として、極性の異なる電位を入力する機能を有することを特徴とする表示装置。複数の画素を有し、前記複数の画素は、画素電極、対向電極、及び前記画素電極と前記対向電極との間に設けられた帯電層を有する表示素子を有し、前記複数の画素の初期化を行う期間において、一の画素電極と前記一の画素電極に隣接する画素電極とに、前記対向電極の電位を基準として、極性の異なる電位を入力する処理を行った後、前記一の画素電極と前記一の画素電極に隣接する画素電極との電位を、前記対向電極の電位を基準として、極性を反転させる機能を有することを特徴とする表示装置。請求項1乃至請求項4において、前記複数の画素について、1画素毎に初期化を行う機能を有することを特徴とする表示装置。請求項1乃至請求項4において、前記複数の画素について、1行毎に初期化を行う機能を有することを特徴とする表示装置。複数の画素を有し、前記複数の画素は、画素電極、対向電極、及び前記画素電極と前記対向電極との間に設けられた帯電層を有する表示素子を有し、前記複数の画素の初期化を行う期間において、ドット反転及びライン反転を組み合わせて初期化を行う機能を有することを特徴とする表示装置。複数の画素を有し、前記複数の画素は、画素電極、対向電極、及び前記画素電極と前記対向電極との間に設けられた帯電層を有する表示素子を有し、前記複数の画素の初期化を行う期間において、ドット反転、ライン反転、全面を黒画像とする処理、及び全面を白画像とする処理を組み合わせて初期化を行う機能を有することを特徴とする表示装置。しかし、特許文献1では、表示画像を切り替える際に、残像が生じるという問題があった。その原因の一つとして、図11に示すように、表示素子5001において、画素電極5003と対向電極5005の垂直方向のみに電界が印加され、粒子5007の移動が垂直方向のみに限定されることが挙げられる。その結果、粒子5007の凝集が起こり、残像が生じてしまう。上記問題に鑑み、残像の低減をはじめとする表示装置の諸性能を向上させることを課題の一とする。本明細書で開示する表示装置は、帯電物質に電界を印加することで表示を行う装置である。複数の画素を有し、該画素の初期化を行う期間において、隣接する画素電極に、異なる電位を印加する機能処理モードともいうを有する。それにより、帯電物質は、画素電極の垂直方向だけでなく、平行方向画素電極の端面方向とも呼ぶにも電界が印加され、凝集が低減される。なお、垂直方向及び平行方向とは、それぞれ画素電極の上面に対して垂直及び平行な方向を指す。本発明の一態様は、複数の画素を有し、該複数の画素は、画素電極、対向電極、及び画素電極と対向電極との間に設けられた帯電層帯電物質を有する層とも呼ぶを有する表示素子を有し、複数の画素の初期化を行う期間において、一の画素電極と該一の画素電極に隣接する画素電極とに、異なる電位を入力する機能を有する表示装置である。本発明の他の一態様は、複数の画素を有し、該複数の画素は、画素電極、対向電極、及び画素電極と対向電極との間に設けられた帯電層を有する表示素子を有し、複数の画素の初期化を行う期間において、一の画素電極と該一の画素電極に隣接する画素電極とに、異なる電位を入力した後、一の画素電極と該一の画素電極に隣接する画素電極との電位の大小関係を反転させる機能を有する表示装置である。本発明の他の一態様は、複数の画素を有し、該複数の画素は、画素電極、対向電極、及び画素電極と対向電極との間に設けられた帯電層を有する表示素子を有し、複数の画素の初期化を行う期間において、一の画素電極と該一の画素電極に隣接する画素電極とに、対向電極の電位を基準として、極性の異なる電位を入力する機能を有する表示装置である。本発明の他の一態様は、複数の画素を有し、該複数の画素は、画素電極、対向電極、及び画素電極と対向電極との間に設けられた帯電層を有する表示素子を有し、複数の画素の初期化を行う期間において、一の画素電極と該一の画素電極に隣接する画素電極とに、対向電極の電位を基準として、極性の異なる電位を入力した後、一の画素電極と該一の画素電極に隣接する画素電極との電位を、対向電極の電位を基準として、極性を反転させる機能を有する表示装置である。本発明の他の一態様は、複数の画素を有し、該複数の画素は、画素電極、対向電極、及び画素電極と対向電極との間に設けられた帯電層を有する表示素子を有し、複数の画素の初期化を行う期間において、ドット反転及びライン反転を組み合わせて初期化を行う機能を有する表示装置である。本発明の他の一態様は、複数の画素を有し、該複数の画素は、画素電極、対向電極、及び画素電極と対向電極との間に設けられた帯電層を有する表示素子を有し、複数の画素の初期化を行う期間において、ドット反転、ライン反転、全面を黒画像とする処理、及び全面を白画像とする処理を組み合わせて初期化を行う機能を有する表示装置である。なお、本明細書では、初期化や反転を行う機能を、処理モードともよぶ。残像の低減など表示装置の性能を向上させることができる。以下に、実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、以下の実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。実施の形態1本実施の形態では、表示装置における画素の初期化の一例について説明する。図1は、画素部の断面図であり、3画素分を示している。一の画素は、画素電極103、対向電極107、及び画素電極103と対向電極107との間に設けられた帯電層108帯電物質を有する層とも呼ぶを有する表示素子101を有する。また、一の画素に隣接する画素は、画素電極103に隣接する画素電極105、対向電極107、及び帯電層108を有する表示素子101を有している。帯電層108は、複数のマイクロカプセル109を有する。そして、マイクロカプセル109は、着色された粒子111、113を有している。粒子111、113は帯電物質として機能する。図1の矢印は、表示素子101に電圧が印加された際に電界が生じる方向を示している。本発明の一態様に係る表示装置は、画素の初期化を行う期間において、一の画素の画素電極103と、該画素に隣接する画素の画素電極105とに、異なる電位を入力する機能を有する。一例としては、図1Aのように、画素電極103に電位H電位又は正電位ともいうを入力し、隣接する画素電極105に-電位L電位又は負電位ともいうを入力する。このとき、対向電極107には、基準となる電位例えば0Vを入力すればよい。すなわち、この例の場合、画素電極103及び画素電極105には、対向電極107を基準として、極性が異なる電位が入力されている。なお、対向電極107は、各画素で共通するように設けてもよいし、各画素で別々に設けてもよい。共通して設ける場合、作製及び電位の入力が容易である。このように、隣接する画素電極に異なる電位を入力することで、画素電極の垂直方向だけでなく、平行方向画素電極の端面方向にも電界を発生させることができる。すなわち、電界は、画素電極の端面方向にも成分を有する。その結果、粒子111、113は、画素電極の垂直方向及び平行方向に移動し、攪拌される。したがって、粒子111、113の凝集を低減することができる。また、表示装置は、上記のように画素電極に電位を入力する処理を行った後、各画素電極に入力する電位の極性を、対向電極107の電位を基準として反転させる機能を有する。具体的には、上記のような入力処理を行った後、図1Bのように、画素電極103に-電位を入力し、隣接する画素電極105に電位を入力する。すわなち、-電位から電位又は電位から-電位へと極性を反転させる。すなわち、対向電極107の電位を基準として画素電極の電位を反転させる。このように、入力される電位の極性を反転させることで、粒子111、113の凝集を一層低減することができる。なお、極性の反転を行う前に、所定の間隔を空けてもよい。また、画素部をいくつかの領域に分割して、その領域毎に、反転させてもよい。なお、極性の反転は、複数回行ってもよい。複数回行うことで、粒子111、113の凝集を防止する効果を向上させることができる。なお、図1A、Bでは、対向電極107の電位を基準として初期化を行っているが、限定されない。画素電極103と画素電極105とに異なる電位を入力することで、画素電極の平行方向に電界を発生させることができる。例えば、画素電極103に電位を入力し、画素電極105に0Vを入力すればよい。その後、画素電極103と画素電極105との電位の大小関係を入れ替えることで、逆方向の電界を生じさせることができる。例えば、画素電極103に0Vを入力し、画素電極105に電位を入力する。以上のように、画素の初期化を行った後、ビデオ信号の入力を行う機能を有することで、残像が低減された表示を行うことができる。以下に、帯電層108について詳細に説明する。帯電層108は、複数のマイクロカプセル109と、樹脂115とを有する。マイクロカプセル109は、樹脂115中で分散して固定されている。樹脂115は、バインダとしての機能を有する。樹脂115は、透光性を有するとよい。樹脂115の代わりに、空気又は不活性ガスなどの気体を充填してもよい。その場合、画素電極103と対向電極107との一方又は両方に、粘着剤又は接着剤等を含む層を形成して、マイクロカプセル109を固定するとよい。マイクロカプセル109は、膜117と、液体119と、粒子111と、粒子113とを有する。液体119と、粒子111と、粒子113とは、膜117の中に封入されている。膜117は、透光性を有する。なお、マイクロカプセル109の断面形状は、円形に限定されず、楕円形や、凹凸を有する形状であってもよい。液体119は、分散液としての機能を有する。液体119により、粒子111及び粒子113を膜117内に分散させることができる。なお、液体119は、透光性を有し、無着色であることが好ましい。粒子111と粒子113とは、互いに異なる色とする。例えば、一方は黒色であり、他方は白色であるとよい。なお、粒子111と粒子113とは、互いの電荷密度が異なるように帯電されており、帯電物質として機能する。例えば、一方は正に帯電され、他方は負に帯電されるとよい。これにより、画素電極103と対向電極107との間に電位差が生じると、粒子111と粒子113とは、電界方向に応じて移動する。こうして、表示素子101の反射率が変化することにより、階調を制御することができる。なお、マイクロカプセル109の構造は、上記に限定されない。例えば、液体119は、着色されていてもよい。また、粒子の色は、白色及び黒色だけでなく、赤色、緑色、青色、シアン、マゼンタ、イエロー、エメラルドグリーン、朱色などの中から選択することが可能である。また、粒子の色の種類は、1種類であっても、3種類以上であってもよい。また、表示素子101は、マイクロカプセル型に限定されず、マイクロカップ型、水平移動型、垂直移動型、ツイストボール型球状又は円筒状等、粉体移動型、電子粉流体登録商標型、帯電トナー、エレクトロウェッティング方式、エレクトロクロミズム方式、又はエレクトロデポジション方式などを適用することができる。帯電層108が有する粒子等の帯電物質の移動により、表示を行うことが可能な素子全般を指す。なお、対向電極107側から表示画面を閲覧する場合、対向電極107は透光性を有する材料で形成する。透光性を有する材料としては、例えば、インジウム錫酸化物ITO、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物ITSO、有機インジウム、有機スズ、酸化亜鉛ZnO、インジウム亜鉛酸化物IZO、ガリウムを含む酸化亜鉛、酸化スズSnO2、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物などを用いることができる。この場合、画素電極103は、上記の透光性を有する材料、又は、金属材料を用いることができる。特に、可視光に対して反射率が低い金属材料、又は可視光に対して吸収率が高い金属材料を用いて形成することが好ましい。そうすることで、画素電極103での反射が生じにくくなるため、表示画面に対する視認度が向上する。反射率が低い金属としては、例えばクロム等を用いることができる。また、画素電極103側から表示画面を閲覧してもよく、その場合、画素電極103は上記の透光性を有する材料で形成する。この場合、対向電極107は、画素電極103より反射率が低い金属を用いて形成することが好ましい。上記の反射率の低い金属を用いることができる。また、対向電極107側及び画素電極103側の両方から表示画面を閲覧してもよく、その場合、対向電極107及び画素電極103はともに、上記の透光性を有する材料で形成する。そして、反対側への光の透過を防止するため、対向電極107側及び画素電極103側に偏光板をクロスニコルに配置することが好ましい。以上のような表示素子が配置された画素に対し、上述したような初期化を行うことで、残像が低減された表示を行うことができる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態2本実施の形態では、実施の形態1で示した画素の初期化について、具体例を説明する。図2は、画素部の上面図であり、5×5=25の画素電極に電位が入力される様子を示している。図2Aの例では、一の画素電極103に電位を入力し、隣接する全ての画素電極105に-電位を入力する。このように、隣接する画素電極に異なる極性の電位を入力して画素の初期化を行うことで、画素電極の平行方向にも電界が生じ、粒子の凝集を低減することができる。また、図2Aのように電位を入力した後、図2Bのように、一の画素電極103に-電位を入力し、隣接する全ての画素電極105に電位を入力してもよい。すなわち、各々の画素電極に入力する電位の極性を反転させる。このように、入力する電位の極性を反転させることで、粒子の凝集を一層低減することができる。図2Cの例では、図2Aの-電位の代わりに0Vを入力し、電位が印加された画素電極103と、0Vが入力された画素電極105との間に電界を生じさせる。こうすることで、画素電極の平行方向にも電界が生じ、粒子の凝集を低減することができる。また、図2Cのように電位を入力した後、図2Dのように、一の画素電極103に0Vを入力し、隣接する全ての画素電極105に電位を入力してもよい。すなわち、電位の大小関係を反転させる。このように、0Vと電位を反転させることで、粒子の凝集を一層低減することができる。図2Eの例では、図2Aの電位の代わりに0Vを印加し、0Vが印加された画素電極103と、-電位が印加された画素電極105の間に電界を生じさせる。こうすることで、画素電極の平行方向にも電界が生じ、粒子の凝集を低減することができる。また、図2Eのように電位を入力した後、図2Fのように、一の画素電極103に-電位を入力し、隣接する全ての画素電極105に0Vを入力してもよい。すなわち、電位の大小関係を反転させる。このように、0Vと-電位を反転させることで、粒子の凝集を一層低減することができる。このように、図2では、1画素毎1ドット毎に初期化を行う。そのため、反転を行う場合、ドット反転とも言う。ドット反転を複数回行い、初期化を行ってもよい。以上のように、画素の初期化を行った後、それぞれの画素電極にビデオ信号を入力する機能を有することで、残像が低減された表示を行うことができる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態3本実施の形態では、画素の初期化について、実施の形態2とは異なる具体例を説明する。図3は、図2と同様に、画素部の上面図であり、5×5=25の画素電極に電位が入力される様子を示している。図3Aの例では、一の行の画素電極103に電位を入力し、上下に隣接する行の画素電極105に-電位を入力する。このように、画素電極の1行毎に異なる極性の電位を入力して、画素の初期化を行うことで、画素電極の平行方向にも電界が生じ、粒子の凝集を低減することができる。また、図3Aのように電位を入力した後、図3Bのように、一の行の画素電極103に-電位を入力し、上下に隣接する行の画素電極105に電位を入力してもよい。すなわち、各々の画素電極に入力する電位の極性を反転させる。このように、入力する電位の極性を反転させることで、粒子の凝集を一層低減することができる。図3Cの例では、図3Aの-電位の代わりに0Vを印加し、電位が印加された画素電極103と、0Vが印加された画素電極105の間に電界を生じさせる。こうすることで、画素電極の平行方向にも電界が生じ、粒子の凝集を低減することができる。また、図3Cのように電位を入力した後、図3Dのように、一の行の画素電極103に0Vを入力し、上下に隣接する行の画素電極105に電位を入力してもよい。すなわち、電位の大小関係を反転させる。このように、0Vと電位を反転させることで、粒子の凝集を一層低減することができる。図3Eの例では、図3Aの電位の代わりに0Vを印加し、0Vが印加された画素電極103と、-電位が印加された画素電極105の間に電界を生じさせる。こうすることで、画素電極の平行方向にも電界が生じ、粒子の凝集を低減することができる。また、図3Eのように電位を入力した後、図3Fのように、一の行の画素電極103に-電位を入力し、上下に隣接する行の画素電極105に0Vを入力してもよい。すなわち、電位の大小関係を反転させる。このように、0Vと-電位を反転させることで、粒子の凝集を一層低減することができる。なお、図3では1行毎に異なる電位を入力したが、図4のように、1列毎に異なる電位を入力してもよい。図4A~図4Fは、それぞれ図3A~図3Fについて行と列とを入れ替えて電位を入力するものである。図4の場合も画素電極の平行方向にも電界が生じ、粒子の凝集を低減することができる。このように、図3及び図4では、1行毎及び1列毎1ライン毎に初期化を行う。そのため、反転を行う場合、ライン反転とも言う。ライン反転を複数回行い、初期化を行ってもよい。以上のように画素の初期化を行った後、それぞれの画素電極にビデオ信号を入力することで、残像が低減された表示を行うことができる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態4本実施の形態では、画素の初期化について、実施の形態2とは異なる具体例を説明する。図5は、図2と同様に、1ドット毎に初期化を行う例を示している。そして、図5は、画素電極201において初期化を行っていない点で、図2と異なる。すなわち、画素部の一部の画素電極201の初期化を省略することが可能である。初期化の省略により、初期化のための電位の入力の回数を減らすことができるため、消費電力の低減などが可能である。なお、初期化を行わない画素電極201同士は、隣接させないことが好ましい。そうすることで、初期化を省略した場合においても粒子の凝集を極力低減することができる。また、上記のような初期化の省略は、図3又は図4のような1ライン毎に初期化を行う場合にも適用することができる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態5本実施の形態では、上記の実施の形態を組み合わせた初期化の一例を示す。図6は、画素の初期化及びビデオ信号入力のフローチャートである。図6Aは、画素の初期化301を行った後、ビデオ信号の入力302を行うものである。図6Aでは、初期化301として、ステップA乃至ステップDを行う。まず、ステップAでは、図2Aで示した1ドット毎の初期化を行う。そして、ステップBにおいて、図2Bで示した1ドット毎の初期化を行う。すなわち、ステップA及びステップBでは、ドット反転による初期化を行う。次いで、ステップCでは、全ての画素電極に電位を入力する全面を白画像とする処理を行うことで初期化を行う。そして、ステップDでは、全ての画素電極に-電位を入力する全面を黒画像とする処理を行うことで初期化を行う。すなわち、全面を同一の画像とする初期化を行う。なお、ステップCとステップDとを入れ替えてもよい。このような初期化を行った後、ビデオ信号の入力302を行い、画像を表示する。なお、各ステップの間、及び初期化301とビデオ信号の入力302との間は、所定の間隔を空けてもよい。その場合、各ステップの間の間隔より、初期化301とビデオ信号の入力302との間の間隔を長くすることが好ましい。以上のように、画素の初期化において、ステップA及びステップBのドット反転による初期化を行うことで、画素電極の平行方向にも電界が生じ、粒子の凝集を低減することができる。その結果、ビデオ信号の入力302の際に、残像が低減された表示を行うことができる。なお、ステップA及びステップBは、図2C~図2Dで示した0Vを入力する初期化を適用することや、図3及び図4で示した1ライン毎の初期化を適用してもよい。また、図6Bに示すように、ステップA及びステップBを複数回行うことで、粒子の凝集を一層低減することができる。また、図6Cに示すように、ステップC全面を白画像にする及びステップD全面を黒画像にするの初期化を、最初に行ってもよい。また、図6Dに示すように、図6Cの初期化の順序を入れ替えてもよい。すなわち、ステップC→ステップA→ステップD→ステップBとして、反転による初期化と、全面を白画像黒画像にする初期化とを混在させてもよい。また、図6Eでは、ステップA及びステップBにおいてドット反転を行い、ステップa及びステップbにおいてライン反転を行う。このように、ドット反転による初期化とライン反転による初期化とを組み合わせて行ってもよい。また、図6Fに示すように、図6Eの初期化の順序を入れ替えてもよい。すなわち、ステップA→ステップa→ステップB→ステップbとして、ドット反転による初期化とライン反転による初期化とを混在させてもよい。以上のような初期化を適宜組み合わせて行うことで、ビデオ信号の入力302の際に、残像が低減された表示を行うことができる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態6本実施の形態では、表示装置の構造の一例を説明する。図7は、画素回路及び駆動回路の一例である。図7Aにパッシブマトリクス型の表示装置、図7Bにアクティブマトリクス型の表示装置を示す。それぞれマトリクス状に配置された複数の画素801に表示素子601を有する。表示素子601の構造及び駆動方法は、上記実施の形態で示した表示素子の構成を適用することができる。図7Aに示すパッシブマトリクス型では、画素801は、複数の交差する配線803、805と、該交差する配線803、805の間に電気的に接続される表示素子601とを有する。また、配線803は、駆動回路811に電気的に接続され、配線805は、駆動回路813に電気的に接続されている。そして、表示素子601は、駆動回路811及び駆動回路813から入力される電位に応じて、階調表示を行う。また、図7Bに示すアクティブマトリクス型では、画素801は、複数の交差する配線803、805と、トランジスタ807と、表示素子601と、容量素子809とを有する。そして、トランジスタ807のゲートが配線805に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が配線803に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が表示素子601及び容量素子809に電気的に接続されている。また、配線803は、駆動回路811に電気的に接続され、配線805は駆動回路813に電気的に接続されている。トランジスタ807は、駆動回路813から入力される電位に応じて導通又は非導通が制御される。そして、表示素子601は、トランジスタ807が導通している際に駆動回路811から入力される電位に応じて、階調表示を行う。なお、容量素子809は、表示素子601に印加される電圧を保持する機能を有している。次に、画素部の断面構造を示す。図8Aはパッシブマトリクス型の断面構造である。基板901と対向基板903との間に表示素子601を有する。そして、基板901側に、画素電極603、609を紙面と垂直方向に延伸して設けることで、複数の配線803が形成されている。一方、対向基板903側には、対向電極605を紙面と平行方向に延伸して設けることで、複数の配線805が形成されている。なお、図8Aでは対向電極605は1つしか示していないが、複数の対向電極605が紙面に平行して存在している。すなわち、複数の配線803と複数の配線805が交差する部分に表示素子601が形成されている。図8Bはアクティブマトリクス型の断面構造である。基板901と対向基板903との間に、トランジスタ807及び容量素子809を含む層と、該層上に表示素子601とを有する。そして、トランジスタ807及び容量素子809は、画素電極603と電気的に接続されている。なお、図8Bでは省略しているが、画素電極609にもトランジスタ及び容量素子が電気的に接続されている。基板901及び対向基板903は、ガラス基板、樹脂基板、半導体基板、金属基板、又は、それらの上に窒化膜又は酸化膜等の絶縁膜を設けたものを適宜用いることができる。トランジスタ807は、ボトムゲート構造の薄膜トランジスタであり、電極911、絶縁膜913、電極915、電極917、及び半導体層919を有している。ここで、電極911はゲート電極である。また、絶縁膜913はゲート絶縁膜である。そして、電極915又は電極917は、一方がソース電極であり、他方がドレイン電極として機能する。容量素子809は、電極921、電極917、及び絶縁膜913を有している。ここで、電極921は、容量素子809の下部電極であり、電極911上記ゲート電極と同層に形成された導電層である。また、絶縁膜913は、上記ゲート絶縁膜と容量素子809の誘電体とを兼ねている。そして、電極917は、絶縁膜913上に延伸して形成された導電層であり、上記ソース電極又はドレイン電極の一方と容量素子809の上部電極とを兼ねている。電極911、電極921、電極915、及び電極917は、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、導電層の単層又は積層により形成されている。絶縁膜913は、酸化珪素膜又は窒化珪素膜等を用いて、単層又は積層で形成されている。半導体層919は、非晶質半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は微結晶半導体を用いて形成することができる。また、半導体の材料としては、シリコン、ゲルマニウム、有機半導体、又は酸化物半導体等を用いることができる。また、p型トランジスタとしてもよく、n型トランジスタとしてもよい。なお、チャネルエッチ型又はチャネルストップ型としてもよく、トップゲート構造としてもよい。また、薄膜トランジスタとせずに、半導体基板を用いたトランジスタバルクトランジスタとも呼ぶとしてもよい。また、トランジスタ807は、シングルドレイン構造、LDD低濃度ドレイン構造、ゲートオーバーラップドレイン構造など各種構造を適用することができる。そして、トランジスタ807及び容量素子809と、画素電極603との間には絶縁膜923が形成されている。絶縁膜923は、酸化珪素若しくは窒化珪素等の無機材料、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、アクリル樹脂、若しくはエポキシ樹脂等の有機材料、又はシロキサン材料等を用いて、単層又は積層で形成されている。また、基板901側又は対向基板903側に、カラーフィルタCFを設ける構成や、ブラックマトリクスBMを設ける構成等を適宜採用してもよい。なお、基板901側及び対向基板903側の両方に、CFやBMを設けてもよい。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態7本実施の形態では、表示装置の作製方法の一例を説明する。なお、材料や構造などは、上記実施の形態で示す構成を適宜用いることができる。まず、図8Aを用いてパッシブマトリクス型の表示装置の作製方法を説明する。基板901上に、紙面と垂直方向に延伸するように、画素電極603、609となる配線を形成する。ここで、画素電極603、609は、該画素電極となる導電膜を成膜した後、エッチング等により加工する。次に、画素電極603、609上に、帯電層606帯電物質を有する層とも呼ぶを形成する。例えば、画素電極603、609上に、マイクロカプセル607が分散されて固定された樹脂617を設ける。続いて、樹脂617上帯電層606上に、紙面と平行方向に延伸するように、対向電極605となる配線を形成する。なお、予め対向電極605が形成された樹脂617を、画素電極603、609上に設けてもよい。次に、対向電極605上に、対向基板903を設ける。対向基板903は、シール材を用いて基板901と貼り合わせる。なお、対向電極605が形成された対向基板903を、シール材を用いて基板901と貼り合わせてもよい。また、マイクロカプセル型の代わりに電子粉流体型とする場合、正に帯電したある色の高分子ポリマー微粒子と、負に帯電した異なる色の高分子ポリマー微粒子を画素電極603と対向電極605の間に設ける構成とすればよい。このように、上述した他の方式を用いて表示素子を構成することもできる。以上のようにして、パッシブマトリクス型の表示装置を作製することができる。次に、図8Bを用いて、アクティブマトリクス型の作製方法の一例を説明する。パッシブマトリクス型と同様の工程については省略する。基板901上に、トランジスタ807及び容量素子809を形成する。トランジスタ807及び容量素子809上に絶縁膜923を形成する。絶縁膜923上に画素電極603、609を形成する。ここで、画素電極603、609は、該画素電極となる導電膜を成膜した後、エッチング等により加工する。次に、画素電極603、609上に、帯電層606帯電物質を有する層とも呼ぶを形成する。例えば、画素電極603、609上に、マイクロカプセル607が分散されて固定された樹脂617を設ける。続いて、樹脂617上帯電層606上に、対向電極605を形成する。なお、予め対向電極605が形成された樹脂617を、画素電極603、609上に設けてもよい。次に、対向電極605上に、対向基板903を設ける。対向基板903は、シール材を用いて基板901と貼り合わせる。なお、対向電極605が形成された対向基板903を、シール材を用いて基板901と貼り合わせてもよい。以上のようにして、アクティブマトリクス型の表示装置を作製することができる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態8本実施の形態では、表示装置の作製方法について、実施の形態7と異なる一例を示す。なお、材料や構造などは、上記実施の形態で示す構成を適宜用いることができる。まず、基板901上に剥離層931を形成する図9A参照。剥離層931は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、珪素等の材料を用いて、単層又は積層させて形成することができる。又は、これらの元素を主成分とする合金材料を用いて形成してもよいし、これらの元素を主成分とする化合物材料を用いて形成してもよい。これらの材料を用いて、スパッタリング法、プラズマCVD法、塗布法、印刷法等により、厚さ30nm~200nmで剥離層931を形成することができる。また、剥離層931上にバッファ層として機能する絶縁膜窒化珪素膜又は酸化珪素膜等を形成してもよい。該絶縁膜を設けることで、後の剥離工程で剥離層931の表面での剥離が容易になる。次に、剥離層931上に画素電極603、609を形成する。ここで、画素電極603、609は、該画素電極となる導電膜を成膜した後、エッチング等により加工する。画素電極603、609上に絶縁膜933を形成する。絶縁膜933は、酸化珪素又は窒化珪素等の無機材料、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、アクリル樹脂、又はエポキシ樹脂等の有機材料、シロキサン材料等を用いて、単層又は積層で形成する。これらの材料を用いて、CVD法、スパッタ法、SOG法、液滴吐出法、スクリーン印刷法等により絶縁膜933を形成することができる。そして、絶縁膜933上にトランジスタ807及び容量素子809を形成する。また、トランジスタ807及び容量素子809と、画素電極603とを電気的に接続する。なお、図9Aでは、画素電極609に電気的に接続されるトランジスタ及び容量素子は省略している。次に、基板901の端部に設けられた絶縁膜933の一部をエッチング等により除去した後、トランジスタ807及び容量素子809を覆って絶縁膜935を形成する。絶縁膜935は、バリア層として機能し、窒素含有層窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪素等を含む層を用いて形成することができる。次に、絶縁膜935にレーザー光を照射して溝937を形成する図9B参照。そして、少なくとも溝937を覆うように、セパレートフィルム939を設ける図9C参照。次に、絶縁膜935上に、第1の有機樹脂941を形成する。セパレートフィルム939を設けることで、第1の有機樹脂941が溝937に侵入して剥離層931と接着することを防止できる。なお、第1の有機樹脂941は、基板支持基板とも呼ぶとして機能する。続いて、溝937をきっかけとして、剥離層931の表面において、素子層943を基板901から剥離する図9D参照。そして、剥離後にセパレートフィルム939を取り除く。次に、画素電極603、609上に、他の実施の形態で示したように、帯電層606帯電物質を有する層とも呼ぶを形成する図9E参照。なお、剥離した素子層943の上下を反転させて用いている。そして、帯電層606上に、対向電極605が形成された第2の有機樹脂945を設ける。そして、加熱処理を行い、第1の有機樹脂941と第2の有機樹脂945とを接着させる。第2の有機樹脂945は、対向基板として機能する。なお、帯電層606、対向電極605、及び対向基板の形成順序は、上記実施の形態と同様に行ってもよい。上記第1の有機樹脂941及び第2の有機樹脂945は、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂又はシアネート樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。他にも、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂又はフッ素樹脂等の熱可塑性樹脂を用いてもよい。有機樹脂を用いることで、可撓性を有する表示装置を作製することができる。なお、以上の作製方法を応用して、パッシブマトリクス型の表示装置を作製することもできる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態9本実施の形態では、電子機器の一例を説明する。図10A及び図10Bは、電子ペーパー電子書籍、電子ブック等ともいうである。それぞれ本体4001の表示部4101及び本体4002の表示部4102に、本明細書で開示した表示装置を適用することができる。また、電子ペーパーに限らず、図10Cのテレビ、図10Dの携帯電話、図10Eのパーナルコンピュータ、又は図10Fのゲーム機器等の電子機器において、本体4003~4006の表示部4103~4106に、本明細書で開示した表示装置を適用することができる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。