タングステンカーバイドを主成分とする超硬合金バインダレス超硬合金を除くからなる基材の成形面に、ダイヤモンドライクカーボンからなる離型膜を形成した光学素子用成形型であって、前記基材と前記離型膜との間に、立方晶からなる結晶構造を有し、その表面粗さRaが0.5nm以下のタングステンカーバイド膜を介在させたことを特徴とする光学素子用成形型。前記タングステンカーバイド膜の組成が、WC1-x式中、xは0.01~0.49である請求項1記載の光学素子用成形型。前記タングステンカーバイド膜が、成膜時の基板温度が300°C以上の条件で、通常スパッタリング法により成膜されたものである請求項1又は2記載の光学素子用成形型。前記タングステンカーバイド膜は、タングステンカーバイドを99質量以上含有する膜である請求項1乃至3のいずれか1項記載の光学素子用成形型。前記離型膜が、テトラヘドラルアモルファスカーボンtaCからなる請求項1乃至4のいずれか1項記載の光学素子用成形型。タングステンカーバイドを主成分とする超硬合金バインダレス超硬合金を除くからなる基材の成形面に、立方晶からなる結晶構造を有し、その表面粗さRaが0.5nm以下であるタングステンカーバイド膜を形成し、さらに、該タングステンカーバイド膜上に、ダイヤモンドライクカーボンからなる離型膜を形成する、ことを特徴とする光学素子用成形型の製造方法。前記タングステンカーバイド膜を、成膜時の基板加熱温度が300°C以上で、通常スパッタリング法により形成する請求項6記載の光学素子用成形型の製造方法。本発明者らが検討したところ、この成形型の素材として、上記バインダレスと呼ばれるもの以外の超硬合金がより安価でありながら、成形時の特性としては十分な耐熱性、強度等を有しているため好ましいものであるが、離型膜としてダイヤモンドライクカーボン膜を用いた場合、このような超硬合金に直接成膜すると、離型膜が剥れやすく耐久性に問題があることがわかった。また、中間膜を設けることも考えられるが、特許文献1に記載されているような中間膜は、離型膜を再生しようとする場合に、離型膜と同時に中間膜を研削、研磨等により除去してから改めて中間膜及び離型膜を成膜しなければならず、その研削、研磨に手間がかかるため、離型膜の再生を効率良く実施できなかった。そこで、本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、バインダレス超硬合金以外の超硬合金を基材とした成形型について、より寿命の長い離型膜をその成形面に形成可能とすると共に、離型膜の再生操作を簡便なものとできる光学素子用成形型及びその製造方法の提供を目的とする。本発明の光学素子用成形型は、タングステンカーバイドを主成分とする超硬合金バインダレス超硬合金を除くからなる基材の成形面に、ダイヤモンドライクカーボンからなる離型膜を形成した光学素子用成形型であって、前記基材と前記離型膜との間に、立方晶からなる結晶構造を有し、その表面粗さRaが0.5nm以下のタングステンカーバイド膜を介在させたことを特徴とする。本発明の光学素子用成形型の製造方法は、タングステンカーバイドを主成分とする超硬合金バインダレス超硬合金を除くからなる基材の成形面に、立方晶からなる結晶構造を有し、その表面粗さRaが0.5nm以下であるタングステンカーバイド膜を形成し、さらに、該タングステンカーバイド膜上に、ダイヤモンドライクカーボンからなる離型膜を形成する、ことを特徴とする。本発明の光学素子用成形型及びその製造方法によれば、超硬合金の中でも比較的安価な超硬合金を成形型基材に使用した場合でも、成形面に形成した離型膜の寿命を延ばして、成形型のメンテナンス回数を低減できるため、光学素子の製造コストを低減できる。また、このようにして得られた成形型は、離型膜としてダイヤモンドライクカーボンを使用しているため、メンテナンス操作において離型膜のみを酸素プラズマによるアッシング処理することで容易に除去でき、中間膜であるタングステンカーバイド膜はこの処理に対して安定している。そのため、その後、離型膜のみを成膜することで再生操作が完了し、この点からも光学素子の製造コストを低減できる。以下、本発明について図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の光学素子用成形型の概略構成を示す側断面図である。ここで示した成形型1は、タングステンカーバイドを主成分とする基材2上型及び下型の一対から構成されると、その基材2の成形面に形成されたタングステンカーバイド膜3と、さらに、そのタングステンカーバイド膜の表面に形成された離型膜4と、から構成される。ここで、基材2は、タングステンカーバイドWCを主成分とする超硬合金からなるが、本発明においてはバインダレス超硬合金と呼ばれる特定の形態のバインダ成分を少量含有する超硬合金は除かれる。本明細書において、バインダレス超硬合金とは、タングステンカーバイドが99質量以上、バインダ成分が1質量以下で含有するものであって、該バインダ成分全てが素材中に金属炭化物として存在するか、タングステンカーバイド中に固溶したものをいう。すなわち、本発明における基材2は、バインダレス超硬合金以外の超硬合金を素材として形成されるが、このような超硬合金としては、タングステンカーバイドが99質量以下、バインダ成分が1質量以上であって、該バインダ成分が素材中に金属相として存在するものや、タングステンカーバイドが99質量未満、バインダ成分が1質量超であって、該バインダ成分が素材中に金属炭化物として存在するものや固溶したもの、が挙げられる。このなかには、金属や金属炭化物が2種類以上の複数種が混在しているものや窒化物、または炭窒化物として存在するものも挙げられる。タングステンカーバイドが99質量以下、バインダ成分が1質量以上であって、該バインダ成分が素材中に金属相として存在するものとしては、例えば、タングステンカーバイドが98.5質量、クロムCrが0.9質量、コバルトCoが0.5質量からなるBL100住友電工ツールネット株式会社製、商品名、タングステンカーバイドが92.0質量、コバルトCoが8.0質量からなるF08冨士ダイス株式会社製、商品名等が挙げられる。また、タングステンカーバイドが99質量未満、バインダ成分が1質量超であって、該バインダ成分が素材中に金属炭化物等として存在するものとしては、例えば、タングステンカーバイドが95質量、チタン炭化物等が2.8質量、タンタル炭化物等が2.2質量のJ05冨士ダイス株式会社製、商品名等が挙げられる。本発明で使用する超硬合金において、タングステンカーバイド中に含有されるバインダ成分としては、通常、超硬合金中に含有されるタングステンカーバイド以外の成分をいい、例えば、クロムCr、コバルトCo、ニッケルNiが典型的なバインダ成分であり、それ以外に炭化チタンTiC、炭化タンタルTaC等の金属炭化物をも含む。この基材2は、ガラスレンズの成形に足るだけの強度を有するもので、その成形面はプレス成形により所望の光学素子形状となるように形成されている。ここで、基材2の成形面における表面粗さRaは、例えば、1nm以下という非常に滑らかな面として形成する。次に、本発明におけるタングステンカーバイド膜3は、タングステンカーバイドを主成分とし、立方晶からなる結晶構造を有し、その表面粗さRaが0.5nm以下の膜である。このタングステンカーバイド膜3は、成形型の基材2の成形面表面に形成され、さらにその上に後述する離型膜4が形成されるもので、基材2の表面と離型膜4との間に介在する中間膜である。このタングステンカーバイド膜3は、基材2と離型膜4との剥離強度が良好であるため、その結晶構造が立方晶である。立方晶の場合、タングステンカーバイドの組成はWC1-x式中、xは0.01~0.49で表わされる。この立方晶による結晶構造であるか否かはX線回折法により回折ピーク位置を確認すれば容易に判断できる。X線回折法は通常の方法でもよいが薄膜なため基板の影響を受けやすく、基板の影響を受けにくい斜入射X線回折法がより好ましい。また、タングステンカーバイド膜3は、その組成としてタングステンカーバイドを99質量以上含有する純度の高い膜が好ましい。このときタングステンカーバイド膜の表面粗さRaを0.5nm以下と緻密な密度の高い膜とすることで、基材2及び離型膜4との間において密着性等が改善され剥離強度が大きくなり、膜寿命を延ばすことができると考えられる。なお、本明細書において表面粗さRaは、JISB0601:2001に基づくもので、測定範囲は1μm四方で、膜をシリコンウェハー上に成膜した場合の粗さである。さらに、光学素子の成形操作を繰り返し行う場合、その最表面に形成された離型膜4は徐々に損傷していくため、所定の回数を成形したところで離型膜4を再生する。この膜再生時には、ダイヤモンドライクカーボンからなる離型膜4を酸素プラズマによるアッシング処理にて除去した後、中間膜であるタングステンカーバイド膜3上に再度ダイヤモンドライクカーボンの膜を形成するもので、中間膜の安定性が成形操作におけるコスト低減にも寄与する。本発明におけるダイヤモンドライクカーボン膜3は、このような膜再生時の安定性も良好である。このタングステンカーバイド膜3は、公知の成膜方法により基材2の成形面表面に形成すればよく、蒸着、スパッタ等のPVD物理的気相成長法、熱CVD、MOCVD、プラズマCVD等のCVD化学的気相成長法等が挙げられ、なかでもスパッタ法が簡便で好ましい。また、スパッタ法としては、金属タングステンをターゲットとし、アルゴンガス及び炭化水素ガスを導入する反応スパッタ法でも、タングステンカーバイドをターゲットとし、アルゴンガスを導入する通常スパッタ法でも、いずれの方法も使用できる。反応スパッタの場合は、導入する炭化水素ガス流量に応じてタングステン/炭素W/C比率が調整可能で、傾斜膜を成膜できる利点がある。また、通常スパッタの場合は、成膜操作が容易で、タングステン/炭素W/C比率が[1.3/1]と安定した膜が得られる。中間膜としてのタングステンカーバイド膜の成膜は、従来公知の成膜装置を使用し、公知の条件で成膜すればよい。以下、高周波マグネトロンスパッタ法を用いた場合を例に説明する。まず、成膜対象である基材2とターゲットであるタングステンカーバイドを対向して配置し、周囲環境を低圧状態にした後、基材2とWCターゲットとの間に高周波電圧を印加する。高周波電圧が印加されてWCターゲットから飛び出した電子が低圧環境を高速移動し、低圧環境中にわずかにある気体分子に衝突し、気体分子の電子をはじき飛ばし、イオンを生成する。高速移動する電子やイオンは、マグネットにより作られた磁場の影響を受けて、WCターゲットに衝突する。そして、WCターゲットに衝突したイオンは、WCターゲットの粒子金属元素をはじき飛ばすスパッタリング現象。はじき飛ばされたWCターゲットの粒子が基材2に衝突、付着し、タングステンカーバイド膜3を形成する。このとき、成膜条件を下記のようにすることが好ましい。まず、成膜環境をArガス等の希ガスとし、その成膜時圧力は2Pa以下が好ましく、1Pa以下がより好ましく、0.5Pa以下がさらに好ましい。圧力が高くなると膜の緻密性が低下するため、できるだけ低圧の方が好ましい。また、中間膜の密着性は特に成膜時の基板加熱温度により大きく左右される。基板加熱温度は、高温にすると密着性が向上することから、例えば、300°C以上が好ましく、350°C以上がより好ましく、400°C以上が特に好ましい。この基板加熱温度を250°C程度とすると、密着性が低下してしまい、結局離型膜の耐久性を向上できない可能性がある。さらに、基板バイアスは高すぎるとイオンの入射により膜が削られ、イオンが膜中に混入し応力が高くなってしまうため、0~-200Vであることが好ましく、印加がないと密着性が劣る傾向があるため、-50V以下が好ましく、-100V以下がより好ましい。次に、離型膜4は、本発明においてはダイヤモンドライクカーボンDLCからなる。ダイヤモンドライクカーボンは非常に硬く、表面が滑らかな炭素の被膜で、トライボロジー性が優れていると共に、その表面が非常に滑らかであり、摩擦特性、潤滑性に優れているため、成形後の光学素子と成形型とを離型するのに優れた離型膜である。このダイヤモンドライクカーボンからなる離型膜4も、公知の成膜方法によりタングステンカーバイド膜3上に形成すればよく、蒸着、スパッタ等のPVD物理的気相成長法、熱CVD、MOCVD、プラズマCVD等のCVD化学的気相成長法等が挙げられる。このとき、形成されるダイヤモンドライクカーボンは、離型膜として公知の水素化テトラヘドラルアモルファス炭素膜a-C:H膜、硬質炭素膜、テトラヘドラルアモルファス炭素膜taC膜が挙げられ、熱的変質の少なさの点で、taC膜が好ましい。このtaC膜を形成する場合には、特に、フィルタードアークカソーディックバキュームアーク法FCVA法による成膜が好ましい。なお、上記説明では、超硬合金製の基材2に対して中間膜を直接成膜するように説明しているが、基材2とタングステンカーバイド膜3の間に下地膜を形成してもよい。このとき下地膜としては、チタン、クロム、ニッケル、タンタル、タングステン等の金属膜が挙げられる。下地膜の金属としては超硬合金製の基材に含まれる成分であるとより好ましい。以下、本発明を実施例及び比較例により説明する。実施例1図1の成形型の基材2として、タングステンカーバイトを92質量、コバルトを8質量含有する超硬合金冨士ダイス株式会社製、商品名:F08を用い、その成形面に、成膜装置神港精機株式会社製、商品名:SRV6320を用いてマグネトロンRFスパッタ法で、厚さ約50nmのチタンからなる下地膜図示せずを形成し、さらに、その上に中間膜として厚さ100nmのタングステンカーバイド膜3を形成した。このタングステンカーバイド膜3を形成するためのスパッタ条件は、アルゴンガス雰囲気下、基板加熱温度400°C、スパッタ出力1000W、基板バイアス-100V、成膜時圧力0.3Paとして、純度2Nのタングステンカーバイドをターゲットとした。さらに、厚さ約100nmのダイヤモンドライクカーボン膜を成膜し、本発明の光学素子用成形型を得た。このときの成膜条件は、圧力0.1Pa以下、基板バイアス-75Vでフィルタードアークカソーディックバキュームアーク法FCVA法を用いた。中間膜の結晶構造は、斜入射X線回折法で結晶構造を調べたところ、立方晶であることが確認できた。表面粗さRaは原子間力顕微鏡日本ビーコ株式会社製、商品名:NanoscopeD3000で調べたところ0.19nmであった。比較例1実施例1と同一の超硬合金製の基材の成形面に、チタン製の下地膜、タングステンカーバイド製の中間層を設けずに、直接、ダイヤモンドライクカーボン膜を成膜した以外は、実施例1と同様に成形型を得た。比較例2成形型の基材として、タングステンカーバイド99質量、クロム0.9質量含有するバインダレスの超硬合金住友石炭鉱業株式会社製、商品名:M78を使用した以外は、比較例1と同様に中間層を設けずに成形型を得た。なお、ここで使用した超硬合金に含有されるクロムは素材中に金属炭化物として存在するか、タングステンカーバイド中に固溶した状態にある。比較例3成形型の基材として、タングステンカーバイド99質量、クロム0.9質量含有するバインダレスの超硬合金住友石炭鉱業株式会社製、商品名:M78を使用した以外は、実施例1と同様の操作により成形型を得た。中間膜の結晶構造は、斜入射X線回折法で結晶構造を調べたところ、立方晶であることが確認できた。表面粗さRaは原子間力顕微鏡日本ビーコ株式会社製、商品名:NanoscopeD3000で調べたところ0.19nmであった。比較例4中間層であるタングステンカーバイド膜の成膜時の基板加熱温度を250°Cとした以外は、実施例1と同一の操作により成形型を得た。このとき、中間膜の結晶構造は、斜入射X線回折法で測定したところ立方晶であることが確認できた。表面粗さRaは原子間力顕微鏡日本ビーコ株式会社製、商品名:NanoscopeD3000で調べたところ0.53nmであった。試験例実施例1及び比較例1~4で得られた成形型を用いて、ホウケイ酸ガラス製のガラス素材オハラ株式会社製、商品名:L-BAL42;ガラス転移点Tg:506°Cをプレス成形により、φ10mmの両凸レンズを成形した。この成形操作を繰り返して行い、離型膜の耐久ショット数について調べ、その結果を表1に示した。この結果から、実施例1で得られた、所定の超硬合金にタングステンカーバイド膜を中間膜としてダイヤモンドライクカーボンからなる離型膜を設けた構成の成形型は、比較例1のように中間膜を設けずにダイヤモンドライクカーボンからなる離型膜を設けた場合に比べて、離型膜の耐久性が非常に良好なものとなり、実用性に優れていることがわかった。比較例2は既に製品製造に使用されている構成で、バインダレス超硬合金製の場合には直接ダイヤモンドライクカーボン膜を形成してもその耐久性は優れたものであった。また、比較例3にはバインダレス超硬合金に実施例1と同様のタングステンカーバイド膜中間膜を設けた場合について示したが、この構成も耐久性は十分であることがわかった。さらに、実施例1と同様に、所定の超硬合金であってタングステンカーバイド膜を中間膜として設ける場合でも、そのタングステンカーバイド膜の表面粗さRaが0.53nmと粗い場合には、離型膜自体が疎に形成されていると考えられ、耐久性が低下することが比較例4で示されている。この比較例4で形成したタングステンカーバイド膜は、基板加熱温度が低温であった以外は実施例1と同一の条件で形成したものである。