ロードロック室を含むロードロック装置であって、前記ロードロック室を真空状態にするポンプと、前記ロードロック室にガスを供給するガス供給手段と、前記ガスを冷却する冷却手段と、を有し、前記冷却手段は、真空状態にされた前記ロードロック室に前記ガスが供給されて前記ガスの温度が上昇する分だけ前記ロードロック室の基準温度より低い温度に前記ガスを冷却する、ことを特徴とするロードロック装置。前記ロードロック室と前記ガス供給手段とを接続する供給配管と、前記基準温度と前記供給配管の径と前記ガス供給手段のガス供給量とに基づいて、前記ガスの温度を制御する制御部と、を有することを特徴とする請求項1に記載のロードロック装置。前記基準温度をT0[°C]、前記ガスの温度をTg[°C]とすると、前記制御部は、T0-10[°C]≦Tg≦T0-0.01[°C]を満足するように、前記ガスの温度を制御する、ことを特徴とする請求項2に記載のロードロック装置。真空状態にされた前記ロードロック室に前記ガスが供給されて前記ガスの温度が上昇する分を予め取得する、ことを特徴とする請求項1に記載のロードロック装置。真空中で被処理体を露光する露光装置であって、請求項1ないし請求項4のうちいずれか一項に記載のロードロック装置を有する、ことを特徴とする露光装置。請求項5に記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、前記ステップで露光された前記被処理体を現像するステップと、を有することを特徴とするデバイス製造方法。投影光学系空間の圧力を周囲の圧力よりも高く維持するためには、投影光学系空間に気体を供給する必要がある。投影光学系空間に気体を供給する手段としては、装置外部から配管及びノズルを介して気体を供給することが考えられる。一般的には、大気圧空間から真空中に導入された気体は断熱膨張により温度低下すると考えられるが、投影光学系空間に気体を供給すると、供給した気体の温度が上昇することがシミュレーションにより確認された。大気圧の状態から100Pa以下の投影光学系空間に気体を供給すると、オリフィスや絞りを用いたとしても、かなりの速度で気体が投影光学系空間に流入する。これにより、供給するガスの温度が上昇すると考えられる。投影光学系空間は、一定速度で排気され、一方では、配管及びノズルを介して、一定量の気体が供給される。従って、ある程度の時間が経つと気体の流れは平衡状態に達する。ここでは、説明を簡単にするために1次元において考えると、定常断熱流れにおけるエネルギーの保存式は、以下の数式1で表される。但し、hはエントロピー、Cpは比熱、Tは絶対温度、uは気体の速度とする。また、エントロピーと比熱との関係は、以下の数式2で表される。従って、数式1及び2から、気体の温度と速度は、以下の数式3で示される関係となる。数式3は、配管内で高速であった気体が投影光学系空間に供給され、速度が低下すると温度が上昇することを示している。温度が上昇した気体が投影光学系空間に流入すると、光学素子の温度上昇や保持部材構造部材の熱膨張によるミラー位置の変動などが生じ、パターンの転写精度の劣化を引き起こす。また、真空状態にある露光装置にウェハを搬送するためのロードロックチャンバに気体を供給し、装置内の圧力を大気圧にする場合においても、供給したガスの温度が上昇する。圧力をP、温度をT、比熱比をγ、チャンバ体積をV、チャンバ内の初期状態圧力が低い状態を1、チャンバに気体を供給した後の状態を2とし、流入する気体の運動エネルギーは、気体のエンタルピーに比べて小さいと仮定する。この場合、以下の数式4で示される関係が導き出せる。例えば、T0=T1=296K、P2=0.1MPa、P1=100Pa、γ=1.4とした場合、装置内の気体の温度は414Kとなる。かかる結果は、様々な仮定を含めて計算しているが、実際の実験においても、温度が上昇することが分かっている。ロードロックチャンバを大気圧に開放する際に温度上昇が生じると、ロードロックチャンバの温度が上昇した状態でウェハを搬送することになり、ウェハを基準温度に安定させるまでに時間がかかってしまう。そこで、本発明は、ロードロック室に供給した気体の温度が上昇した場合でも、スループットの点で有利なロードロック装置を提供することを例示的目的とする。上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのロードロック装置は、ロードロック室を含むロードロック装置であって、前記ロードロック室を真空状態にするポンプと、前記ロードロック室にガスを供給するガス供給手段と、前記ガスを冷却する冷却手段と、を有し、前記冷却手段は、真空状態にされた前記ロードロック室に前記ガスが供給されて前記ガスの温度が上昇する分だけ前記ロードロック室の基準温度より低い温度に前記ガスを冷却する、ことを特徴とする。本発明の別の側面としての露光装置は、真空中で被処理体を露光する露光装置であって、上述のロードロック装置を有することを特徴とする。本発明の更に別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、前記ステップで露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とする。本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。本発明によれば、例えば、ロードロック室に供給した気体の温度が上昇した場合でも、スループットの点で有利なロードロック装置を提供することができる。以下、添付図面を参照して、本発明の一側面としての露光装置について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。ここで、図1は、本発明の露光装置1の構成を示す概略断面図である。露光装置1は、露光光としてEUV光例えば、波長13.4nmELを用いて、例えば、ステップアンドスキャン方式又はステップアンドリピート方式でマスク20に形成された回路パターンを被処理体40に露光する投影露光装置である。露光装置1は、本実施形態では、ステップアンドスキャン方式の投影露光装置であるが、その他の露光方式を適用することができる。露光装置1は、図1に示すように、照明装置10と、マスク20を載置するマスクステージ25と、投影光学系30と、被処理体40を載置するウェハステージ45と、隔壁50と、ガス供給手段60と、ガス冷却手段70と、制御部80とを有する。また、露光装置1は、図1に示すように、少なくともEUV光ELが通る光路を真空又は減圧環境に維持するため、真空チャンバーVCを有する。真空チャンバーVCには、ターボ分子ポンプTPが設けられ、真空チャンバーVCの内部を排気する。EUV光ELは、大気に対する透過率が低く、また、残留ガス高分子有機ガスなど成分との反応によってコンタミを生成してしまうからである。照明装置10は、投影光学系30の円弧状の視野に対する円弧状のEUV光ELによりマスク20を照明する照明装置であって、図示しないEUV光源と、図示しない照明光学系とを有する。EUV光源は、例えば、レーザープラズマ光源を用いる。但し、EUV光源は、放電プラズマ光源を用いてもよく、当業界周知のいかなる構成も適用可能である。照明光学系は、マスク20を照明する光学系であり、集光ミラー、オプティカルインテグレーター、アパーチャなどを有する。マスク20は、ミラーの上に転写されるべき回路パターン又は像が形成された反射型マスクであり、マスクステージ25に支持及び駆動される。マスク20から発せられた回折光は、投影光学系30で反射されて被処理体40上に投影される。マスク20と被処理体40とは、光学的に共役の関係に配置される。露光装置1は、ステップアンドスキャン方式の露光装置であるため、マスク20と被処理体40を縮小倍率比の速度比で走査することにより、マスク20のパターンを被処理体40上に転写する。マスクステージ25は、マスク20を支持し、図示しない移動機構に接続されている。マスクステージ25は、当業界周知のいかなる構成をも適用することができる。図示しない移動機構は、リニアモーターなどで構成され、少なくともX方向にマスクステージ25を駆動することで、マスク20を移動させることができる。露光装置1は、マスク20と被処理体40とを同期した状態で走査する。ここで、マスク20又は被処理体40面内で走査方向をX、それに垂直な方向をY、マスク20又は被処理体40面内に垂直な方向をZとする。投影光学系30は、複数の反射ミラー即ち、多層膜ミラー32を用いて、マスク20のパターンを像面である被処理体40上に縮小投影する。投影光学系30は、4枚乃至6枚程度の反射ミラー32を有する。少ない枚数の反射ミラーで広い露光領域を実現するには、光軸から一定の距離だけ離れた細い円弧状の領域リングフィールドだけを用いて、マスク20と被処理体40を同時に走査して広い面積を転写する。投影光学系30の開口数NAは、0.2乃至0.3程度である。被処理体40は、本実施形態では、ウェハであるが、ガラス基板、その他の被処理体を広く含む。被処理体40には、フォトレジストが塗布されている。ウェハステージ45は、図示しないウェハチャックを介して被処理体40を支持する。ウェハステージ45は、例えば、リニアモーターを利用してXYZ方向に被処理体40を移動する。また、マスクステージ25の位置とウェハステージ45の位置とは、例えば、レーザー干渉計などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。隔壁50は、投影光学系30を収納する投影光学系空間第1の空間POSを形成する。換言すれば、隔壁50は、投影光学系30を囲み、投影光学系空間POSと、マスク20及び被処理体40が収納されたステージ空間第2の空間STSとを隔離する。また、投影光学系空間POS及びステージ空間STSは、それぞれ基準温度に維持される。ここで、基準温度とは、投影光学系空間POS及びステージ空間STSに収納された光学部材に影響変形などを与えない即ち、露光装置1の露光性能を低下させない温度から選択される。ガス供給手段60は、供給配管62を介して、投影光学系空間POSにガス例えば、窒素などの不活性ガスを供給する。これにより、投影光学系空間POSの圧力をステージ空間STSの圧力よりも高く維持することが可能となり、ステージ空間STSからの炭素化合物の流入を低減又は防止することができる。本実施形態では、投影光学系空間POSは数Pa程度、ステージ空間STSは10-4Pa程度に維持される。投影光学系空間POSは、ターボ分子ポンプTPによって一定速度で排気されると共に、ガス供給手段60から供給配管62を介して一定量のガスが供給される。従って、ある程度の時間が経つとガスの流れは平衡状態に達し、上述したように、数式1乃至数式3に示した関係が導かれる。即ち、供給配管62を介して投影光学系空間POSに供給されたガスが投影光学系空間POSで減速し、ガスの温度が上昇してしまう。換言すれば、供給配管62におけるガスの速度と、投影光学系空間POSにおける供給配管62の供給口近傍ガスの速度との速度差によって、供給されるガスの温度が上昇する。そこで、本実施形態の露光装置1は、ガス冷却手段70を有し、投影光学系空間POSに供給したガスの温度が上昇することによって、投影光学系空間POSの温度が基準温度よりも高くなることを防止している。ガス冷却手段70は、ガス供給手段60が投影光学系空間POSに供給するガスを冷却する。ガス冷却手段70は、例えば、ペルチェ素子やコンプレッサーなどで構成される。ペルチェ素子でガス冷却手段70を構成した場合、ガス供給手段60が供給するガスの温度を1/100[°C]単位で温調冷却することができる。なお、本実施形態では、ステージ空間STSにガスを供給する図示しないガス供給手段とステージ空間STSとの間にもガス冷却手段70を有し、ステージ空間STSに供給されるガスも冷却する。制御部80は、図示しないCPU、メモリを有し、露光装置1の動作を制御する。制御部80は、照明装置10、マスクステージ25、ウェハステージ45及びガス冷却手段70と制御可能に接続されている。CPUは、MPUなど名前の如何を問わずいかなるプロセッサも含み、各部の動作を制御する。メモリは、ROM及びRAMより構成され、露光装置1を動作するファームウェアを格納する。制御部80は、本実施形態では、投影光学系空間POSに供給するガスの温度を制御する。具体的には、制御部80は、投影光学系空間POSの基準温度及び供給配管62の配管径と、ガス供給手段60が投影光学系空間POSに供給するガス量に基づいて、投影光学系空間POSに供給されるガスの温度を制御する。なお、投影光学系空間POSに供給するガスは、シミュレーションによって、場所によっては10°C程度上昇することがわかっている。そこで、制御部80は、ガス冷却手段70を介して、投影光学系空間POSに供給するガスの温度を温度上昇分だけ冷却して供給する。これにより、投影光学系空間POSに供給されたガスは、投影光学系空間POSにおいて、略基準温度となる。例えば、制御部80は、投影光学系空間POSの基準温度をT0[°C]、投影光学系空間POSに供給するガスの温度をTg[°C]とすると、以下の数式5を満足するように、投影光学系空間POSに供給するガスの温度を制御する。換言すれば、投影光学系空間POSに供給されるガスは、基準温度に対して、0.01°C乃至10°Cだけ下げた温度で供給される。このように、投影光学系空間POSに供給されるガスの温度上昇分をガス冷却手段70で冷却して、投影光学系空間POSにガスを供給することによって、投影光学系空間POSの温度を基準温度に維持することができる。なお、T0-0.01[°C]としているのは、0.01°C程度のガスの温度変化であれば、投影光学系空間POSの光学部材の温度変化は0.01°C以下となるからでる。例えば、鏡筒構造物の温度が0.01°C変化した場合、ミラー間隔の変化量は30nm程度であり、この程度の変化量であれば補正することができる。実際には、投影光学系空間POSに供給するガスの温度は、圧力も関係するため、上述したほど上昇しない。但し、シミュレーション結果から、供給するガスの量が少ない場合で0.01°C、供給するガスの量が多い場合で10°C上昇するため、ガス冷却手段70は、ガスの供給量に応じて、ガスの温度を0.01°C乃至10°C下げる。また、冷却されたガスが流れることによって、供給配管62は、基準温度よりも低くなり、周囲の部材を冷却してしまう可能性がある。そこで、本実施形態では、供給配管62に断熱部材64を設け、周囲の部材が冷却されることを防止している。なお、周辺の部材が冷却されることを防止するために、供給配管62を二重配管で構成し、内側の配管にガスを流してもよい。ここで、図2を参照して、露光装置1の露光動作露光方法について説明する。図2は、露光装置1の露光動作を説明するためのフローチャートであって、図2aは、露光装置1の全体の露光動作を示し、図2bは、図2aに示すステップ1030を詳細に示している。まず、被処理体40が、露光装置1に搬送され、ウェハステージ45に載置されるステップ1010。被処理体40がウェハステージ45に載置されると、ターボ分子ポンプTPによってステージ空間STSが排気されると共に、図示しないガス供給手段を介してステージ空間STSにガスが供給されるステップ1020。なお、ステージ空間STSを排気する際に、投影光学系空間POSも同時に排気してもよい。ステージ空間STSにおけるガスの流れが平衡状態に達すると、投影光学系空間POSが排気されると共に、ガス供給手段60を介して投影光学系空間POSにガスが供給されるステップ1030。なお、投影光学系空間POSに供給されるガスは、ガス冷却手段70によって、投影光学系空間POSに供給した際に上昇する温度量だけ冷却されている。具体的には、図2bに示すように、予め、投影光学系空間POSに供給した際に上昇するガスの温度量を取得するステップ1032。ガスの温度量は、実際の実験から取得してもよいし、シミュレーションから取得してもよい。なお、シミュレーションからガスの温度量を取得する場合には、上述したように、投影光学系空間POSの基準温度及び供給配管62の配管径およびガス供給量から、上昇するガスの温度量を算出すればよい。そして、ステップ1032で取得した温度量に基づいて即ち、かかる温度量だけ、投影光学系空間POSに供給されるガスを冷却するステップ1034。投影光学系空間POSにおけるガスの流れが平衡状態に達すると、マスク20のパターンを被処理体40に露光するステップ1040。この際、投影光学系空間POSの圧力は、ステージ空間STSの圧力よりも高く維持され、ステージ空間STSから投影光学系空間POSにコンタミが流入することを防止している。また、投影光学系空間POSに供給されるガスは、上述したように冷却されているため、投影光学系空間POSにおいて略基準温度となり、投影光学系空間POSの内部の温度上昇を防止する。換言すれば、投影光学系空間POSに供給されるガスは、投影光学系空間POSに収納された光学部材に影響を与えることなく、露光装置1の露光性能の低下を防止する。なお、本実施形態では、予め取得した上昇するガスの温度量に基づいて、投影光学系空間POSに供給するガスを冷却している。但し、投影光学系空間POSに供給されたガス又は投影光学系空間POSの温度を測定し、かかる測定結果をフィードバックさせながら、投影光学系空間POSに供給するガスを冷却してもよい。露光において、照明装置10から射出されたEUV光は、マスク20を照明する。マスク20を通過してマスクパターンを反映するEUV光は、投影光学系30を介して、被処理体40に結像される。本実施形態において、像面は円弧状リング状の像面となり、マスク20と被処理体40とを走査することにより、マスク20の全面を露光する。露光装置1は、上述したように、優れた露光性能高転写精度を実現し、高いスループットで経済性よく、従来よりも高品位なデバイス半導体素子、LCD素子、撮像素子CCDなど、薄膜磁気ヘッドなどを提供することができる。図3は、露光装置1の変形例である露光装置1Aの構成を示す概略断面図である。露光装置1Aは、露光装置1と同様の構成を有し、更に、ロードロック室100を有する。ロードロック室100は、露光装置1Aの外部から被処理体40を搬入し、露光された被処理体40を露光装置1Aの外部に搬出するために設けられている。露光装置1Aの内部は真空又は減圧環境であるため、真空チャンバーVCに被処理体40を搬入しようとすると、露光装置1の真空又は減圧環境を破壊しなければならない。そこで、本実施形態では、ロードロック室100を用いる。露光装置1Aの外部から被処理体40を搬入する際は、ロードロック室100と露光装置1Aの真空チャンバーVCの間に配置されたゲート弁102を閉じ、ロードロック室100を大気圧に解放する。次いで、ロードロック室100と外部とをつなぐゲート弁104を開き、ゲート弁104から被処理体40を搬入する。ロードロック室100に被処理体40を搬入した後、ゲート弁104を閉じ、ター分子ポンプTPによってロードロック室100を排気し、ロードロック室100を真空状態にする。ロードロック室100が真空状態になった後、ゲート弁102を開くことで、真空チャンバーVCの真空状態を破壊することなく、被処理体40を搬入することができる。真空チャンバーVCに被処理体40を搬入した後、ゲート弁102を閉じ、ガス供給手段120から供給配管122を介して、ロードロック室100にガスを供給する。ロードロック室100の圧力が大気圧になったらゲート弁104を開き、被処理体40をロードロック室100に搬入する。真空又は減圧環境にあるロードロック室100にガスを供給し、大気圧まで圧力を戻す際には、投影光学系空間POSに供給したガスと同様に、ロードロック室100に供給したガスの温度が上昇する。圧力をP、温度をT、比熱比をγ、ロードロック室100の体積をV、ロードロック室100の初期状態を1圧力が低い状態、ロードロック室100にガスを供給した後の状態を2とする。この場合、ロードロック室100に供給するガスの温度をTRとし、供給するガスの運動エネルギーはガスのエンタルピーに比べて小さいと仮定すると以下の数式6が成り立つ。数式6は、ロードロック室100に供給されるガスの温度が上昇することを示している。数式6は、様々な仮定によって計算されているが、実際の実験においてもロードロック室100に供給されるガスの温度が上昇することが分かっている。ロードロック室100に供給されるガスの温度が上昇すると、ロードロックチャンバ室100に収納されている部材の温度が上昇してしまう。従って、被処理体40をロードロック室100に搬入した被処理体40を保持部に載置した際に、被処理体40の温度が基準温度よりも上昇し、基準温度に戻すまでの時間が長くなってしまう。これにより、ロードロック室100から真空チャンバーVCに被処理体40を搬送するまでの時間が長くなり、スループットの低下を招いてしまう。そこで、本実施形態では、上述したように、ロードロック室100に供給されるガスの温度上昇量を予め実験又はシミュレーションで求め、ガス冷却手段130を用いて、かかる温度上昇量を冷却したガスを供給する。これにより、ロードロック室100に供給したガスの温度が基準温度よりも高くなることを防止することができる。なお、ガス冷却手段130の構成は、ガス冷却手段70と同様な構成であるため、ここでの詳細な説明は省略する。ガス冷却手段130がガスを冷却する量は、ロードロック室100の圧力及び大気開放時間によって決まる。なお、ロードロック室100に供給するガスは、実験やシミュレーションによって、6°C程度上昇することがわかっている。ガス冷却手段130は、ガスの温度を0.01°C乃至10°C下げることができるため、ロードロック室100に供給するガスの温度を十分に冷却することができ、ロードロック室100に供給された際のガスの温度は、略基準温度となる。このように、大気開放時のロードロック室100の温度は略基準温度となるため、ロードロック室100において被処理体40が基準温度で安定するまで待つ時間が短くなり、スループットの低下を防止することができる。次に、図4及び図5を参照して、露光装置1又は1Aを利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図4は、デバイスICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ1回路設計では、デバイスの回路設計を行う。ステップ2マスク製作では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ3ウェハ製造では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ4ウェハプロセスは、前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ5組み立ては、後工程と呼ばれ、ステップ4によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程ダイシング、ボンディング、パッケージング工程チップ封入等の工程を含む。ステップ6検査では、ステップ5で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷ステップ7される。図5は、ステップ4のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ11酸化では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ12CVDでは、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ13電極形成では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ14イオン打ち込みでは、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ15レジスト処理では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ16露光では、露光装置1又は1Aによってマスクの回路パターンをウェハに露光する。ステップ17現像では、露光したウェハを現像する。ステップ18エッチングでは、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19レジスト剥離では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重の回路パターンが形成される。かかるデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、露光装置1又は1Aを使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。