穴開け、テクスチャ化、拡散を経た半導体基板をエッチングする工程と、エッチングされた前記半導体基板を処理する工程とを含む背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法において、前記エッチング工程は、前記半導体基板の受光面縁部と背面とに対するエッチングを含むことを特徴とする背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法。前記エッチング工程は、さらに、前記半導体基板の貫通孔に対するエッチングを含むことを特徴とする請求項1に記載の背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法。前記半導体基板の受光面縁部に対するエッチングは、さらに、前記半導体基板の側面と貫通孔縁部に対するエッチングを含むことを特徴とする請求項1に記載の背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法。前記貫通孔に対するエッチングは、前記貫通孔全体又は貫通孔の軸方向上の一部をエッチングすることを特徴とする請求項2に記載の背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法。前記エッチング工程は、化学薬品でエッチングすることを特徴とする請求項3又は4に記載の背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法。前記化学薬品は、化学溶液、化学エッチングスラリー又はプラズマガスであることを特徴とする請求項5に記載の背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法。化学溶液でのエッチングは、前記半導体基板の背面全面を化学溶液と接触させ、前記側面と貫通孔縁部の一部を化学溶液と接触させることを特徴とする請求項6に記載の背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法。化学エッチングスラリーでのエッチングは、前記半導体基板の受光面縁部と背面に化学エッチングスラリーを印刷することを特徴とする請求項6に記載の背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法。プラズマガスでのエッチングは、前記半導体基板の貫通孔と側面と背面とをプラズマガスと直接接触させることを特徴とする請求項6に記載の背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法。エッチングされた前記半導体基板に対する処理工程は、エッチングされた前記半導体基板からドープガラス層を除去し、ドープガラス層が除去された前記半導体基板の受光面にフィルムを被覆し、フィルムが被覆された前記半導体基板に電極と背面電界とを形成して背面接触式結晶シリコン太陽電池セルを得ることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法。従来の製造方法において、拡散による接合形成工程では、太陽電池セルの背面と導電孔との間に、P―N接合を短絡させてしまう導電層が形成する。こうすると、電池セルの並列抵抗が大幅に低下し、電気漏れが起こりやすいため、レーザー分離工程によりP―N接合の間の導電層を除く必要がある。しかしながら、レーザー分離では、太陽電池セルに新たな電気漏れ箇所を生じて、電池セルの性能を低下させる恐れがある。また、レーザーの電池セル自身に対するダメージも大きく、レーザー分離中に、基板割れを生じる可能性があり、電池セルの製造コストが増加する。本発明は、上述のことに鑑みてなされたものであり、拡散後のシリコン基板の背面に形成されたエミッタ接合をエッチングによって除き、即ち、背面と貫通孔との間のP-N接合導電層を除くことによって、得られる太陽電池のP-N接合を絶縁させる背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法を提供することを目的とする。上述の目的を実現するために、本発明は以下の構成を提供する。穴開け、テクスチャ化、拡散を経た半導体基板をエッチングする工程と、エッチングされた前記半導体基板を処理する工程とを含む背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法において、前記エッチング工程は、前記半導体基板の受光面縁部と背面とに対するエッチングを含むことを特徴とする背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法。好ましくは、前記エッチング工程は、さらに、前記半導体基板の貫通孔に対するエッチングを含む。好ましくは、前記半導体基板の受光面縁部に対するエッチングは、さらに、前記半導体基板の側面と貫通孔縁部に対するエッチングを含む。好ましくは、前記貫通孔に対するエッチングは、前記貫通孔全体又は貫通孔の軸方向上の一部をエッチングする。好ましくは、前記エッチング工程は、化学薬品でエッチングする。好ましくは、前記化学薬品は、化学溶液、化学エッチングスラリー又はプラズマガスである。好ましくは、化学溶液でのエッチングは、前記半導体基板の背面全面を化学溶液と接触させ、前記側面と貫通孔縁部の一部を化学溶液と接触させる。好ましくは、化学エッチングスラリーでのエッチングは、前記半導体基板の受光面縁部と背面に化学エッチングスラリーを印刷する。好ましくは、プラズマガスでのエッチングは、前記半導体基板の貫通孔と側面と背面とをプラズマガスと直接接触させる。好ましくは、エッチングされた前記半導体基板に対する処理工程は、エッチングされた前記半導体基板からドープガラス層を除去し、ドープガラス層が除去された前記半導体基板の受光面にフィルムを被覆し、フィルムが被覆された前記半導体基板に電極と背面電界とを形成して背面接触式結晶シリコン太陽電池セルを得る。上述の構成からすれば、本発明の実施例による背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法では、シリコン基板の受光面縁部をエッチングするとともに、シリコン基板の背面に拡散により形成されたエミッタ接合をエッチングにより除去することによって、得られる太陽電池セルの背面と貫通孔との間に、短絡を生じる導電層が存在しない。即ち、背面と貫通孔との間のP-N接合が断ち切られ、電池セルの並列抵抗と転換効率が向上する。従来技術に比べて、この方法では、レーザー分離工程を省いたため、レーザー分離による電池セルの電気漏れのリスクと電池セルの割れ率を低下させた。また、レーザー分離工程を省いたことにより、製造工程が簡単になり、設備コストが減少し、大規模な工業生産に有利である。以下、本発明の上述の目的、特徴及び利点をより分かりやすくするために、図面を参照しながら本発明を実施するための形態について詳しく説明する。以下の説明では、本発明が十分理解されるように、多くの具体的な例を示すが、本発明はそれ以外の形態によっても実施可能で、当業者は、本発明の主旨を逸脱しない範囲で、同等なものを採用することができるため、本発明は下記の具体的な実施例によって限定されるものではない。さらに、本発明について、模式図を参照しながら詳しく説明し、本発明の実施例を説明する時、説明の便宜上、素子構造を示す断面図は通常の比例と異なり、局部拡大される場合があり、かつ、模式図はあくまでも例示であるため、本発明は図面の比例によって限定されるものではない。なお、実際の制作では、長さ、幅及び厚さを含めた3次元のサイズが必要である。従来の背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法において、穴開け、テクスチャ化後の拡散による接合形成工程では、太陽電池セルの背面と導電孔との間に、P―N接合を短絡させてしまう導電層が形成する。こうすると、電池セルの並列抵抗が大幅に低下し、電気漏れが起こりやすいため、P―N接合を断ち切るために、従来の方法では、焼結工程の後、レーザー分離工程により、導電孔の周囲に分離溝を設けて、P―N接合の間の導電層を除いている。従来技術を検討した結果、発明者らは、以下のことを見出した。焼結工程において、電池セルが熱を受けて変形し、表面が平でなくなる可能性があるため、レーザー分離時のレーザーのアライメント精度に対する要求が高く、アライメント精度が低い場合、ズレが生じ新たな電気漏れ箇所を形成し、電池セルの性能が低下する。また、レーザーでは、電池セルにダメージを与え、割れを生じる可能性があるため、電池セルの不良品率が向上し、電池セルの製造コストが向上する。そのため、本発明は、半導体基板に拡散を行った後、背面に形成されたエミッタ接合をエッチングによって除き、即ち、背面と貫通孔との間のP-N接合導電層を除くことによって、P-N接合を絶縁させることを基本構想とした構成を提供する。以下、シリコン基板を半導体基板として、幾つかの実施例によって本発明の構成について説明する。実施例1図1を参照して説明する。図1は本発明の実施例1による背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法のフローチャートである。図1に示すように、この方法は、以下の工程を含む。工程S101は、シリコン基板に穴開けを行う工程である。レーザーによりシリコン基板に少なくとも一つの貫通孔を形成する。これにより、貫通孔内に電極を配置して電池セルの受光面の電流を電池セルの背面に伝導することができることによって、電池セルの正極と負極をともに背面に位置させて、受光面のグリッド線による光の遮断を避けることができる。本発明の実施例において、穴開けに用いられるレーザーの波長は、1064nm、1030nm、532nm又は355nmであってもよい。穴開け後のシリコン基板の構造模式図を図2に示す。図2において、1はシリコン基板、2は受光面、3は背面、4は貫通孔、5は貫通孔内壁である。工程S102は、シリコン基板の表面にテクスチャ化を行い、表面テクスチャを形成する工程である。本発明の実施例において、シリコン基板1の両面にテクスチャ化を行う。このテクスチャ化は、化学反応によって光沢のあるシリコン基板の表面に凹凸を形成して、光の表面での伝播経路を延長することによって、シリコン基板の光を収集する能力を向上させることを目的としたものである。テクスチャ化後のシリコン基板の構造模式図を図3に示す。図3において、6はテクスチャ面である。なお、テクスチャ化の前に、シリコン基板1の表面の油や金属不純物を取り除いて、シリコン基板1の表面の分離傷層を除去する必要がある。工程S103は、シリコン基板の表面にP-N接合を拡散により形成する工程である。ドーピング原子を、シリコン基板1の2つのテクスチャ面6と貫通孔内壁5と側面に拡散させる。拡散後のシリコン基板の構造模式図を図4に示す。図4において、7はP型又はN型のエミッタ接合である。P型のシリコン基板に拡散を行って表面にN型のエミッタ接合を形成し、あるいは、N型のシリコン基板に拡散を行って表面にP型のエミッタ接合を形成して、P-N接合を形成することによって、シリコン基板に光起電力効果を有させる。なお、拡散の濃度、深さ及び均一性は太陽電池セルの性能に直接影響する。工程S104は、シリコン基板の受光面縁部と背面とをエッチングする工程である。シリコン基板1の受光面縁部と背面とをエッチングする。図5に示すように、8はエッチングにより受光面の縁部に形成されたエッチング溝であり、拡散による接合形成の際に縁部に形成された、P-N接合の両端を短絡させてしまう導電層を除くためのものである。拡散による接合形成の際にシリコン基板1の背面に形成されたエミッタ接合を除くために、シリコン基板1の背面をエッチングする。本発明の実施例において、エッチングの際に、シリコン基板1の受光面縁部と背面とに化学エッチングスラリーを印刷し、かつ、シリコン基板1の受光面縁部に化学エッチングスラリーを印刷する時、シリコン基板1の背面全面に化学エッチングスラリーを印刷することを選択し、さらに、化学エッチングスラリーの印刷後、シリコン基板1を室温で3分乾燥し、最後に、30°Cの水溶液で洗浄することによって、エッチングを行うことができる。工程S105は、シリコン基板上のドープガラス層を除去する工程である。この工程により、拡散の際にシリコン基板1の表面に形成されたドープガラス層を除去する。工程S106は、シリコン基板の受光面にフィルムを被覆する工程である。シリコン基板1の受光面2にフィルムを被覆する。このフィルムは、日光の反射を低下させて、太陽エネルギーを最大限に利用するためのものである。本発明の実施例において、PECVDPlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition、プラズマ促進化学気相蒸着によってシリコン基板1に減反射フィルムを形成する。図6において、9は減反射フィルムである。なお、PECVDを用いたのは本発明の一実施例に過ぎず、これによって、本発明が限定されるものではない。本発明の他の実施例において、フィルム被覆の方法として、当業者に周知のほかの方法を採用することもできる。工程S107は、フィルム被覆後のシリコン基板に電極と背面電界とを印刷する工程である。本発明の実施例において、スクリーン印刷によって、背面電極と、受光面電極と、背面電界とをシリコン基板に印刷してもよい。スクリーン印刷後のシリコン基板の構造模式図を図7に示す。図7において、10は貫通孔背面電極、11は背面電極、12は背面電界、13は受光面電界、14は貫通電極である。なかでも、受光面電極13と貫通電極14と貫通孔背面電極10とは、別々で形成されてもよく、また、これらの電極は同じ材料又は異なる材料で形成されてもよい。さらに、本発明の他の実施例において、真空蒸発又はスパッタリング等の方法によって電極と電界とをシリコン基板1に形成してもよい。工程S108は、焼結する工程である。焼結によって、シリコン基板1と、印刷された受光面電極13、貫通電極14、貫通孔背面電極10、背面電極11、背面電界12との間に合金が形成されることによって、電極とシリコン基板との間に抵抗接点を形成することができる。スクリーン印刷と焼結によって電極と電界を製作できる。上述の工程からすれば、本発明の実施例による背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法では、シリコン基板の受光面縁部をエッチングするとともに、シリコン基板の背面に拡散により形成されたエミッタ接合をエッチングにより除去することによって、得られる太陽電池セルの背面と貫通孔との間に短絡を生じる導電層が存在しない。即ち、背面と貫通孔との間のP-N接合が断ち切られ、貫通孔内のエミッタ接合が電気絶縁されて、電池セルの並列抵抗と転換効率が向上する。従来技術に比べて、この方法では、レーザー分離工程を省いたため、レーザー分離による電池セルの電気漏れのリスクと電池セルの割れ率を低下させた。また、レーザー分離工程を省いたことにより、製造工程が簡単になり、設備コストが減少し、大規模な工業生産に有利である。実施例2図8は本発明の実施例2による背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法のフローチャートである。図8に示すように、この方法は、以下の工程を含む。本発明の実施例において、工程S201~S203は実施例1の工程S101~S103と同じであるため、ここでは説明を省略する。工程S204は、シリコン基板の側面と、背面3と、貫通孔4の全体とをエッチングする工程である。図9はエッチング後のシリコン基板の構造模式図である。図9に示すように、エッチング後、貫通孔内壁5及び側面のいずれにもエミッタ接合が形成されていない。本発明の実施例において、エッチングの際に、シリコン基板1のすべての側面の全面、背面全面及び貫通孔全体を化学溶液と完全に接触させてもよい。接触方法としては、フッ化水素HF溶液でシリコン基板のすべての側面、背面全面及び貫通孔全体を完全に浸漬してもよく、フッ化水素HF溶液でシリコン基板のすべての側面、背面全面及び貫通孔全体をリンスしてもよく、あるいはスプレーの方法を用いてもよい。本実施例は、浸漬でエッチングすることが好ましい。さらに、エッチングの際に、プラズマガスでシリコン基板1のすべての側面、背面全面及び貫通孔全体を15分エッチングしてもよい。そのプラズマガスは、SF6の流量が200sccm、O2の流量が30sccm、N2の流量が300sccmであり、圧力を50Pa、グロー出力を700Wとするものである。エッチング後の工程S205~S208は実施例1の工程S105~S108と同じであるため、ここでは説明を省略する。図10は本発明の実施例によるスクリーン印刷後のシリコン基板の構造模式図である。図10において、貫通孔内壁にエミッタ接合が形成されていない。実施例3図11は、本発明の実施例3による背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法のフローチャートである。図11に示すように、この方法は、以下の工程を含む。本発明の実施例において、工程S301~S303は実施例2の工程S201~S203と同じであるため、ここでは説明を省略する。工程S304は、シリコン基板の側面、背面全面及び貫通孔の一部をエッチングする工程である。図12はエッチング後のシリコン基板の構造模式図である。図12に示すように、貫通孔をエッチングする際に、貫通孔の軸方向上の一部を選択的にエッチングする。このようにエッチングした場合、貫通孔内壁5の一部にエミッタ接合が形成されている。また、シリコン基板の側面をエッチングする際に、シリコン基板のすべての側面の全面をエッチングしてもよく、すべての側面の一部をエッチングしてもよい。本発明の実施例において、エッチングの際に、背面を化学溶液に所定の深さで浸潤してもよい。これにより、側面の一部と貫通孔の一部をエッチングすることができる。エッチング後の工程S305~S308は実施例2の工程S205~S208と同じであるため、ここでは説明を省略する。図13は本発明の実施例によるスクリーン印刷後のシリコン基板の構造模式図である。図13において、貫通孔内壁にエミッタ接合が形成されていない。以上、本発明について最良の実施の形態を参照して詳細に説明したが、実施形態はあくまでも例示的なものであり、これらに限定されない。また上述の説明は、本発明に基づきなしうる細部の修正或は変更など、いずれも本発明の請求の範囲に属するものとする。