"支持部材上方に、複数の半導体チップを並べて配置する工程と、前記支持部材上に配置された複数の半導体チップの少なくとも側面を覆って、第1熱伝導層を形成する工程と、前記複数の半導体チップの上方に、第1絶縁層を形成する工程とを有し、前記第1熱伝導層は、前記第1絶縁層よりも熱伝導率の高い材料で形成される半導体装置の製造方法。前記第1熱伝導層は、金属、Si、PolySi、SiC、SiN、SiOC、ダイヤモンドライクカーボン、AlO,AlN、及び化合物半導体のいずれかを用いて形成される請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記複数の半導体チップを並べて配置する工程は、前記複数の半導体チップを、端子側を上側にして配置し、前記第1熱伝導層を形成する工程は、前記複数の半導体チップの上面と側面、及び、隣接する前記半導体チップの間を覆って、金属により前記第1熱伝導層を形成し、さらに、前記第1熱伝導層をシード層として、前記半導体チップの端子上方に、電解鍍金により導電部材を形成する工程と、前記半導体チップの上面の前記第1熱伝導層を、前記導電部材の外側で除去する工程とを有する請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。さらに、隣接する前記半導体チップの間に、前記第1絶縁層よりも熱伝導率の高い材料で、第2熱伝導層を形成する工程を有する請求項3に記載の半導体装置の製造方法。前記導電部材を形成する電解鍍金により、前記第2熱伝導層も形成される請求項4に記載の半導体装置の製造方法。前記複数の半導体チップを並べて配置する工程は、前記複数の半導体チップを、端子側を下側にして配置し、前記第1熱伝導層を形成する工程は、前記複数の半導体チップの上面と側面、及び、隣接する前記半導体チップの間を覆って、前記第1熱伝導層を形成し、前記第1絶縁層を形成する工程は、前記第1熱伝導層上に、前記第1絶縁層を形成し、さらに、前記支持部材を外して、前記半導体チップの前記端子側の面を露出させる工程と、前記半導体チップの端子上方に、導電部材を形成する工程と、を有する請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。支持体上に複数並べて配置された半導体チップと、少なくとも、前記複数の半導体チップの側面と、隣接する前記半導体チップ間とを覆って形成された熱伝導層と、前記複数の半導体チップの上方に形成された絶縁層とを有し、前記熱伝導層は、前記絶縁層よりも熱伝導率の高い材料で形成されている半導体装置。本発明の一目的は、複数の半導体チップを含む半導体装置であって、放熱性向上が図られた半導体装置の製造方法、及びそのような半導体装置を提供することである。本発明の一観点によれば、支持部材上方に、複数の半導体チップを並べて配置する工程と、前記支持部材上に配置された複数の半導体チップの少なくとも側面を覆って、第1熱伝導層を形成する工程と、前記複数の半導体チップの上方に、第1絶縁層を形成する工程とを有し、前記第1熱伝導層は、前記第1絶縁層よりも熱伝導率の高い材料で形成される半導体装置の製造方法が提供される。半導体チップの少なくとも側面を覆う第1熱伝導層により、放熱性向上が図られる。まず、図1A~図1Wを参照して、本発明の第1実施例によるマルチチップモジュールMCMの製造方法について説明する。図1A~図1Wは、第1実施例のMCMの製造方法の主要工程を示す概略断面図である。図1Aを参照する。支持基板1を用意する。支持基板1は、例えばシリコン基板、ガラス基板、セラミック基板等であり、厚さは例えば625μmである。支持基板1上に、熱伝導層2を形成する。熱伝導層2は、後述の熱伝導層4と同様にして、例えば金属例えばCuで形成される。熱伝導層2を介し支持基板1上に、複数の半導体チップ3a、3b等を、面内に並べて、チップボンダー等で配置する。第1実施例では、端子3tの配置された端子面を上側支持基板1の反対側にして、複数の半導体チップ3a、3b等が配置される。以下、半導体チップを、単にチップと呼ぶこともある。各チップ3a、3b等の平面形状は、例えば短辺の長さが5mm、長辺の長さが10mmの長方形である。チップの厚さは、例えば100μm~150μmの範囲であり、各チップで異なり得る。各チップの配置間隔隣接するチップ間の間隙の幅は、例えば500μmである。図1A等では、例として、2つの半導体チップ3a、3bを示す。図1Bを参照する。チップ3a及び3bの上面端子面と側面、及び、チップ3a及び3bの間を覆って、支持基板1の全面上に、熱伝導層4を形成する。熱伝導層4は、本実施例では金属例えばCuで形成される。金属による熱伝導層の材料元素として、Cuの他、例えば、Ti、Al,Cr、Co、Ni、Au、Ta、W等を用いることができる。熱伝導層4の成膜方法として、スパッタリング等の物理気相堆積PVDや、化学気相堆積CVD、有機金属MOCVD等を用いることができる。熱伝導層4の厚さは、熱伝導を良好とする観点から、少なくとも50nm以上であることが好ましく、200nm以上であることがより好ましい。上述の熱伝導層2も、熱伝導層4と同様な材料、成膜方法、及び厚さ範囲の金属膜で形成することができる。図1Cを参照する。熱伝導層4上にレジストを塗布して、レジスト層RL1を形成する。レジスト塗布手法は、特に限定されず、ディップコート、スピンコート、スプレーコート、蒸気コート等を用いることができる。このなかで、スプレーコートが、大きな段差を有する部材上に薄膜で均一性高くレジスト層を形成できる観点から好ましい。上記寸法例の場合、レジスト層RL1の厚さは、例えば100μmである。図1Dを参照する。レジスト層RL1の露光、及び現像を行って、チップ3a及び3bの端子3tの上方、及び、チップ3a及び3bの外側に開口が形成されたレジストパターンRP1を形成する。端子3t上の開口幅は、例えば50μmである。図1Eを参照する。熱伝導層4を給電のためのシード層として用いて、例えばCuを電解鍍金することにより、端子3tの上方のレジスト開口内に導電プラグ5tを形成するとともに、チップ3a及び3bの外側に、熱伝導層5cを形成する。導電プラグ5tを、レジスト開口内に鍍金膜を成長させるフレーム鍍金法で形成することにより、高アスペクト比とすることが容易になる。導電プラグ5tの鍍金高さは、例えば75μmである。図1Eに図示する例は、チップ3aと3bの厚さが異なり、導電プラグ5tの高さ上面の位置は、チップ3aと3bとで異なる。図1Fを参照する。レジストパターンRP1を、ドライエッチングまたはウエットエッチングで除去する。図1Gを参照する。再び全面にレジストを塗布して、レジスト層RL2を形成する。レジスト層RL2の厚さは、後に図1Iを参照して説明される工程でエッチングされる熱伝導層シード層4との選択比に応じて適宜選択されるものであり、例えば10μmである。図1Hを参照する。レジスト層RL2の露光、及び現像を行って、チップ3a及び3bの上面を露出する開口が形成されたレジストパターンRP2を形成する。図1Iを参照する。レジストパターンRP2をマスクとして、チップ3a及び3bの上面上の、導電プラグ5tの外側の熱伝導層シード層4を、例えばエッチングまたはミリングにより除去する。これにより、導電プラグ5t同士が電気的に分離される。また、チップ側面とチップ間を覆う熱伝導層4が、チップ3a及び3bから電気的に分離される。以後、導電プラグ5tの下に残る熱伝導層シード層4もまとめて、導電プラグ5tと呼ぶこととする。チップ3a及び3bの上面上の不要な熱伝導層シード層4の除去処理は、導電プラグ5tが過剰に除去されることを防ぐため、ドライエッチングやイオンミリング等の異方性処理が好ましい。図1Jを参照する。レジストパターンRP2を、ドライエッチングまたはウエットエッチングで除去する。図1Kを参照する。再び全面にレジストを塗布して、レジスト層RL3を形成する。図1Lを参照する。図1Eを参照して説明した鍍金工程により、隣接するチップ3aと3bとの間に、熱伝導層5cが形成されている。熱伝導層5cは、隣接するチップ3aと3bとの間を完全に埋め込むほど厚くは形成されておらず、隣接するチップ間に凹部CPが残っている。レジスト層RL3の露光、及び現像を行って、隣接チップ間の凹部CPを露出し、チップ上面及び導電プラグ5tを覆うレジストパターンRP3を形成する。図1Mを参照する。例えば、Cuを鍍金して、凹部CPを埋め込む熱伝導層6を形成する。図1Nを参照する。レジストパターンRP3を、ドライエッチングまたはウエットエッチングで除去する。図1Oを参照する。基板全面上に、絶縁膜材料を塗布して、絶縁層7を形成する。絶縁層7は、すべてのチップの導電プラグ5tを埋め込む厚さで形成する。絶縁層の形成材料として、例えば、有機材料ではエポキシ樹脂、ポリイミド、フェノール樹脂等が好ましく、また例えば、無機材料では酸化シリコンや窒化シリコン等が好ましい。図1Pを参照する。化学機械研磨CMP等により、絶縁層7を、すべての導電プラグ5tが露出する高さまで研磨する。これにより、基板表面が平坦化され、全チップの導電プラグ5tの高さが揃う。図1Qを参照する。導電プラグ5tを覆って絶縁層7上に、シード層8を形成する。シード層8は、熱伝導層シード層4と同様な材料、成膜方法で形成することができ、例えばCuで形成され、厚さは例えば100nmである。図1Rを参照する。再び全面にレジストを塗布して、レジスト層RL4を形成する。図1Sを参照する。レジスト層RL4の露光、及び現像を行って、導電プラグ5tの上方に配置された配線形状の開口を有するレジストパターンRP4を形成する。配線幅は、例えば3μmである。基板表面が平坦化されているので、微細な配線パターンの形成が容易となる。図1Tを参照する。シード層8を給電層とし、例えばCuを電解鍍金して、レジストパターンRP4の開口内に配線パターン9を形成する。鍍金の厚さは、例えば5μmである。配線パターン9は、チップ3aの端子3tとチップ3bの端子3tとを電気的に接続する配線部分を含む。図1Uを参照する。レジストパターンRP4を、ドライエッチングまたはウエットエッチングで除去する。図1Vを参照する。配線パターン9の外側の不要なシード層8を、例えばエッチングまたはミリングにより除去する。これにより、配線パターン9の各配線部分が、電気的に分離される。配線パターン9の外側の不要なシード層8の除去処理は、配線パターン9が過剰に除去されることを防ぐため、ドライエッチングやイオンミリング等の異方性処理が好ましい。以後、配線パターン9の下に残るシード層8もまとめて、配線パターン9と呼ぶこととする。図1Wを参照する。配線パターン9を覆って基板全面上に、絶縁膜材料を塗布して、層間絶縁層10を形成する。層間絶縁層10は、例えば、絶縁層7と同様な材料で形成することができる。さらに、層間絶縁層10の上方に、公知技術を適宜用い、配線を多層に形成して、多層配線構造を形成することができる。多層配線構造とせず、1層の配線形成後に端子引き出しを行ってもよい。このようにして、第1実施例のMCMが形成される。次に、比較例のMCMについて説明する。図1Wを流用して参照する。比較例のMCMでは、チップ側面上やチップ間に、熱伝導層4、熱伝導層5c、及び熱伝導層6が形成されない。また、チップ下方の熱伝導層2も形成されていない。絶縁層7が、チップ上面を覆うとともに、チップ間にも充填されて、チップ側面も覆う。第1実施例では、熱伝導層2、熱伝導層4、熱伝導層5c、及び熱伝導層6が、金属で形成されており、例えば樹脂で形成される絶縁層7や絶縁層10に比べて、高い熱伝導率を有する。熱伝導層2は、チップ下面に接する。熱伝導層4は、チップ側面とチップ間を覆って形成される。熱伝導層5cや熱伝導層6は、チップ間を充填するように、さらに形成される。第1実施例のMCMでは、これらの熱伝導層2、4、5c、及び6を設けたことにより、例えば比較例のMCMに比べて、チップ動作時の放熱性を向上させることができる。なお、放熱性向上のためには、少なくとも、チップ側面を覆う熱伝導層4を形成することが好ましい。熱伝導層4が、チップ間を覆うことがさらに好ましい。熱伝導層2、5c、及び6のそれぞれは、適宜省くこともできる。熱伝導層2が省かれる場合は、図1Aにおいて、支持基板1上に直接、チップ3a、3b等が配置される。熱伝導層5c及び6が省かれる場合は、図1Dにおいて、チップ間に開口を持たないレジストパターンRP1が形成され、熱伝導層5cが形成されていない状態で図1E~図1Jまでの工程が実施され、図1K~図1Nの工程が省略される。図1Oにおいて、チップ間の熱伝導層4上の間隙にも、絶縁層7が形成される。熱伝導層5cは形成され、熱伝導層6が省かれる場合は、図1K~図1Nの工程が省略される。図1Oにおいて、チップ間の熱伝導層5c上の間隙CPにも、絶縁層7が形成される。第1実施例では、また、熱伝導層4を、熱伝導層として用いるともに、導電プラグ5t等を形成する電解鍍金のためのシード層として兼用することもできる。なお、以下のような変形例も考えられる。導電プラグ5tは、必ずしもシード層を用いた電解鍍金で形成しなくてもよく、例えば無電解鍍金で形成することもできる。そのような場合は、導電プラグ5tの形成工程と、熱伝導層4の形成工程とが独立に行われる。この変形例では、熱伝導層4が、チップ上面端子面をレジスト等で覆った状態で、チップ側面やチップ間に形成され、チップ上面のシード層を除去する工程は省かれる。第1実施例と同様な方法で形成したMCM、ただし、熱伝導層2、5c、及び6は省略し、熱伝導層4を形成したMCMを想定して、熱伝導シミュレーションにより放熱性を評価した。熱伝導層4の材料は、Cuとした。熱伝導層4の厚さを50nm、200nm、及び500nmと変えた。絶縁層7の材料は、ポリイミドとした。併せて、熱伝導層4等の熱伝導層が形成されていない上記比較例と同様なMCMについてのシミュレーションも行った。シミュレーションは、富士通長野システムエンジニアリング製構造解析システムVOXLECONを用いて実施した。チップ中心付近を90°Cに加温した際の、チップ内平均温度を評価した。熱伝導層が設けられていない比較例のMCMでは、チップ内平均温度が77°Cであった。熱伝導層4の厚さが、50nm、200nm、500nmの実施例のMCMでは、それぞれ、チップ内平均温度が75°C、71°C、68°Cであった。熱伝導層4により、比較例に比べて放熱性が向上することがわかった。また、熱伝導層4が厚いほど、放熱性が良いことがわかった。なお、第1実施例と同様な方法で形成したMCMに対し、高温高湿試験も実施したところ、耐湿性の向上も確認された。熱伝導層4等は、耐湿層としても機能する。次に、図2A~図2Sを参照して、第2実施例によるMCMの製造方法について説明する。図2A~図2Sは、第2実施例のMCMの製造方法の主要工程を示す概略断面図である。図2Aを参照する。仮支持部材21を用意する。仮支持部材21として、例えばシリコン基板、ガラス基板、セラミック基板等の基板や、あるいは、粘着シート等を用いることができる。仮支持部材21上に、複数の半導体チップ22a、22b等を、面内に並べて、チップボンダー等で配置する。チップサイズや、チップの配置間隔は、例えば第1実施例と同様である。第2実施例では、端子22tの配置された端子面を下側仮支持部材21側にして、チップ22a、22b等が配置される。このため、MCMに搭載されるチップの厚さがそれぞれ異なっていても、全チップの端子面の高さが揃う。図2A等では、例として、2つの半導体チップ22a、22bを示す。図2Bを参照する。チップ22a及び22bの上面端子面と反対側の面と側面、及び、チップ22a及び22bの間を覆って、仮支持部材21の全面上に、熱伝導層23を形成する。熱伝導層23は、例えば、第1実施例の熱伝導層4と同様な材料、成膜方法、及び厚さ範囲の金属膜で形成することができ、例えばCuで形成される。図2Cを参照する。絶縁膜材料を全面に塗布して、熱伝導層23の上面を覆う厚さで、絶縁層24を形成する。絶縁層24の厚さは、例えば500μmである。絶縁層24は、例えば、第1実施例の絶縁層7と同様な材料で形成することができる。後に図2Dを参照して説明される工程で、仮支持部材21が外され、その後は絶縁層24がチップ3a、3bの支持体となる。必要に応じて、絶縁層24の表面を研磨し平坦化してもよく、絶縁層24の上にさらに支持部材を重ねてもよい。図2Dを参照する。仮支持部材21を切り離す。例えば、仮支持部材21上に仮接着層によりチップ22a及び22bが保持されており、仮接着層を熱や溶剤処理で溶かすことにより、仮支持部材21が剥がされる。チップ22a及び22bの端子面が露出し、チップ22aと22bとの間の熱伝導層23が露出する。図2D以後、チップ端子面側を上側にして図示する。図2Eを参照する。チップ端子面を覆って、全面上に、例えばCuによりシード層25を形成する。図2Fを参照する。シード層25上にレジストを塗布して、レジスト層RL21を形成する。第1実施例と同様に、レジスト塗布手法は、特に限定されず、ディップコート、スピンコート、スプレーコート、蒸気コート等を用いることができる。基板表面が平滑な場合はスピンコートがより好ましく、各チップの端子形状が異なり基板表面に段差がある場合はスプレーコートがより好ましい。レジスト層RL21の厚さは、例えば75μmである。図2Gを参照する。レジスト層RL21の露光、及び現像を行って、チップ22a及び22bの端子22tの上方に開口が形成されたレジストパターンRP21を形成する。端子22t上の開口幅は、例えば50μmである。図2Hを参照する。シード層25を給電層とした電解鍍金により、端子22tの上方のレジスト開口内に導電プラグ26を形成する。導電プラグ26の鍍金高さは、例えば50μmである。図2Iを参照する。レジストパターンRP21を、ドライエッチングまたはウエットエッチングで除去する。図2Jを参照する。導電プラグ26の外側の不要なシード層25を、例えばエッチングまたはミリングにより除去する。これにより、導電プラグ26同士が電気的に分離される。また、熱伝導層23がチップ22a及び22bから電気的に分離される。以後、導電プラグ26の下に残るシード層25もまとめて、導電プラグ26と呼ぶこととする。第1実施例と同様に、導電プラグ26が過剰に除去されることを防ぐため、ドライエッチングやイオンミリング等の異方性処理が好ましい。図2Kを参照する。絶縁膜材料を全面上に塗布して、すべてのチップの導電プラグ26を埋め込む厚さで、絶縁層27を形成する。絶縁層27は、例えば絶縁層24と同様な材料で形成することができる。図2Lを参照する。CMP等により、絶縁層27を、すべての導電プラグ26が露出する高さまで研磨する。図2Mを参照する。導電プラグ26を覆って絶縁層27上に、例えばCuによりシード層28を形成する。図2Nを参照する。再び全面にレジストを塗布して、レジスト層RL22を形成する。図2Oを参照する。レジスト層RL22の露光、及び現像を行って、導電プラグ26の上方に配置された配線形状の開口を有するレジストパターンRP22を形成する。図2Pを参照する。シード層28を給電層とし、例えばCuを電解鍍金して、レジストパターンRP22の開口内に配線パターン29を形成する。図2Qを参照する。レジストパターンRP22を、ドライエッチングまたはウエットエッチングで除去する。図2Rを参照する。配線パターン29の外側の不要なシード層28を、例えばエッチングまたはミリングにより除去する。これにより、配線パターン29の各配線部分が、電気的に分離される。以後、配線パターン29の下に残るシード層28もまとめて、配線パターン29と呼ぶこととする。第1実施例と同様に、配線パターン29が過剰に除去されることを防ぐため、ドライエッチングやイオンミリング等の異方性処理が好ましい。図2Sを参照する。配線パターン29を覆って基板全面上に、絶縁膜材料を塗布して、層間絶縁層30を形成する。層間絶縁層30は、例えば絶縁層24と同様な材料で形成することができる。さらに、層間絶縁層30の上方に、公知技術を適宜用い、配線を多層に形成して、多層配線構造を形成することができる。多層配線構造とせず、1層の配線形成後に端子引き出しを行ってもよい。このようにして、第2実施例のMCMが形成される。第2実施例では、熱伝導層23が、チップ端子面と反対側の面、チップ側面、及びチップ間を覆って形成される。熱伝導層23は、例えば金属で形成され、例えば樹脂で形成される絶縁層24や絶縁層27や絶縁層30に比べて、高い熱伝導率を有する。熱伝導層23により、放熱性向上が図られる。なお、第1実施例の熱伝導層2、4、5c、6、及び、第2実施例の熱伝導層23は、金属で形成したが、熱伝導層2、5c、6、23、及び、第1実施例の変形例のように電解鍍金の給電層シード層として用いない場合の熱伝導層4は、導電性でなくてもよく、金属以外で形成することもできる。金属以外に、熱伝導層に利用可能な高熱伝導率材料として、例えば、Si、PolySi、SiC、SiN、SiOC、ダイヤモンドライクカーボンDLC、AlO,AlN、化合物半導体等が考えられる。これらの材料の成膜方法として、例えば、PVD、CVD、MOCVD、有機金属気相エピタキシMOVPE等が挙げられる。第1実施例の熱伝導層5cや熱伝導層6は、鍍金で形成したが、金属以外の上記高熱伝導率材料は、鍍金で成膜できない。鍍金以外で第1実施例の熱伝導層5cや熱伝導層6を形成する場合は、以下のような形成方法が挙げられる。例えば、熱伝導層5c及び6の形成されるチップ間領域を開口するレジストパターンを形成し、全面に高熱伝導率材料を堆積し、不要部の高熱伝導率材料をレジストパターンごと除去するリフトオフ法が挙げられる。なお、熱伝導層6のみ、リフトオフで形成することも可能である。また例えば、全面に高熱伝導率材料を堆積し、必要箇所のみ高熱伝導率材料層上にレジストパターンを形成し、レジスト開口部の不要な高熱伝導率材料層をエッチングまたはミリングにて除去する方法が挙げられる。第1及び第2実施例は、以下のようにまとめて捉えることができる。支持部材第1実施例の支持基板1、第2実施例の仮支持部材21上に、複数の半導体チップ第1実施例のチップ3a、3b等、第2実施例のチップ22a、22b等が並べて配置される。支持部材上に配置された複数の半導体チップの少なくとも側面を覆って、熱伝導層第1実施例の熱伝導層4、第2実施例の熱伝導層23が形成される。上記支持部材に対し、複数の半導体チップの上方に、絶縁層例えば第1実施例の絶縁層7、第2実施例の絶縁層24が形成される。上記熱伝導層第1実施例の熱伝導層4、第2実施例の熱伝導層23は、上記絶縁層例えば第1実施例の絶縁層7、第2実施例の絶縁層24よりも熱伝導率の高い材料で形成される。このような熱伝導層により、半導体装置の放熱性の向上を図ることができる。第1実施例では、完成した半導体装置に、支持体として支持基板1が残る。第2実施例では、最初の支持体である仮支持部材21が工程途中で外され、完成した半導体装置には、支持体として、工程途中で形成される絶縁層24が残る。半導体チップの少なくとも側面を覆って、熱伝導層第1実施例の熱伝導層4、第2実施例の熱伝導層23が形成されている。完成した半導体装置の支持体第1実施例の支持基板1、第2実施例の絶縁層24に対し、半導体チップ上方に、絶縁層例えば第1実施例の絶縁層7、例えば第2実施例の絶縁層27が形成されている。上記熱伝導層第1実施例の熱伝導層4、第2実施例の熱伝導層23は、上記絶縁層例えば第1実施例の絶縁層7、例えば第2実施例の絶縁層27よりも熱伝導率の高い材料で形成されている。このような熱伝導層により、半導体装置の放熱性の向上を図ることができる。以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。以上説明した第1及び第2実施例を含む実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。付記1支持部材上方に、複数の半導体チップを並べて配置する工程と、前記支持部材上に配置された複数の半導体チップの少なくとも側面を覆って、第1熱伝導層を形成する工程と、前記複数の半導体チップの上方に、第1絶縁層を形成する工程とを有し、前記第1熱伝導層は、前記第1絶縁層よりも熱伝導率の高い材料で形成される半導体装置の製造方法。付記2前記第1熱伝導層は、金属、Si、PolySi、SiC、SiN、SiOC、ダイヤモンドライクカーボン、AlO,AlN、及び化合物半導体のいずれかを用いて形成される付記1に記載の半導体装置の製造方法。付記3前記複数の半導体チップを並べて配置する工程は、前記複数の半導体チップを、端子側を上側にして配置し、前記第1熱伝導層を形成する工程は、前記複数の半導体チップの上面と側面、及び、隣接する前記半導体チップの間を覆って、金属により前記第1熱伝導層を形成し、さらに、前記第1熱伝導層をシード層として、前記半導体チップの端子上方に、電解鍍金により導電部材を形成する工程と、前記半導体チップの上面の前記第1熱伝導層を、前記導電部材の外側で除去する工程とを有する付記1または2に記載の半導体装置の製造方法。付記4さらに、隣接する前記半導体チップの間に、前記第1絶縁層よりも熱伝導率の高い材料で、第2熱伝導層を形成する工程を有する付記3に記載の半導体装置の製造方法。付記5前記導電部材を形成する電解鍍金により、前記第2熱伝導層も形成される付記4に記載の導体装置の製造方法。付記6前記第1絶縁層を形成する工程は、前記導電部材を覆って、前記半導体チップ上に、前記第1絶縁層を形成し、さらに、前記第1絶縁層を研磨して、前記導電部材を露出させる工程を有する付記3~5のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。付記7前記支持部材上に、前記第1絶縁層よりも熱伝導率の高い材料で形成された第3熱伝導層が形成されており、前記複数の半導体チップは、前記第3熱伝導層上に配置される付記3~6のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。付記8前記複数の半導体チップを並べて配置する工程は、前記複数の半導体チップを、端子側を下側にして配置し、前記第1熱伝導層を形成する工程は、前記複数の半導体チップの上面と側面、及び、隣接する前記半導体チップの間を覆って、前記第1熱伝導層を形成し、前記第1絶縁層を形成する工程は、前記第1熱伝導層上に、前記第1絶縁層を形成し、さらに、前記支持部材を外して、前記半導体チップの前記端子側の面を露出させる工程と、前記半導体チップの端子上方に、導電部材を形成する工程と、を有する付記1または2に記載の半導体装置の製造方法。付記9さらに、前記導電部材を覆って、前記半導体の端子側の面上に、第2絶縁層を形成する工程と、前記第2絶縁層を研磨して、前記導電部材を露出させる工程とを有し、前記第1熱伝導層は、前記第2絶縁層よりも熱伝導率の高い材料で形成される付記8に記載の半導体装置の製造方法。付記10さらに、前記導電部材上方に、配線パターンを形成する付記6または9に記載の半導体装置の製造方法。付記11支持体上に複数並べて配置された半導体チップと、少なくとも、前記複数の半導体チップの側面と、隣接する前記半導体チップ間とを覆って形成された熱伝導層と、前記複数の半導体チップの上方に形成された絶縁層とを有し、前記熱伝導層は、前記絶縁層よりも熱伝導率の高い材料で形成されている半導体装置。"