被処理材が配置されるとともにプロセスガスが導入される処理空間を形成し、前記処理空間と外部とを連通する開口が上部に設けられ、前記開口の近傍の内周壁から内側に向かって突出する突部を有する処理容器、全部又は一部が誘電体で構成された前記開口を塞ぐ板状の隔壁、前記誘電体を介して前記処理空間に導入され、前記プロセスガスをプラズマ化する高周波磁場を生成する高周波磁場生成部、並びに前記開口の内部に嵌り込んだ状態で、周縁部が前記突部と係合することで、前記開口の内部で保持されるとともに前記隔壁を前記プラズマから保護する板状の保護部材、を備えるドライエッチング装置であって、前記開口は、前記隔壁の周縁部の下面が前記開口の周囲の開口端面と当接することで、前記隔壁により密閉されるとともに、その内部の前記隔壁と前記保護部材との間にはガス分配空間が形成されており、前記保護部材は、前記ガス分配空間のプロセスガスを前記処理空間に向かって放出する複数の貫通孔を有しており、前記開口端面の前記隔壁と当接する部分に、前記ガス分配空間と連通され、且つプロセスガス供給源に接続された溝が環状に設けられている、ドライエッチング装置。前記溝が、前記開口を囲うように設けられており、前記溝と前記ガス分配空間とが、前記隔壁と前記開口端面との間に一様な分布で配置された隙間を通して連通されている、請求項1記載のドライエッチング装置。前記一様な分布の隙間が、前記ガス分配空間の周囲に等間隔で配置された流路面積の等しい複数の連絡路から構成されている、請求項2記載のドライエッチング装置。ところが、上記特許文献1のドライエッチング装置では、ガス流路を隔壁の内部に設けるために、隔壁を、例えば2枚の石英板を貼り合わせた構造とするとともに、貼り合わせられる各石英板の対向面に溝を設けている。そのような隔壁は、構造が複雑となり、加工に高度な技術を要する。このため、加工に長時間を要する上、その加工の失敗により材料ロスが発生することもある。よって、隔壁がかなり高価なものとなっていた。さらに、隔壁の材料である石英板等の表面に溝を設けることで、石英板等の強度が低下することがある。隔壁の耐久性が低下すると、隔壁の交換サイクルが短縮される。したがって、ドライエッチング装置のランニングコストはさらに増大する。本発明は、隔壁の製造を容易とするとともに、その耐久性を向上させることで、ランニングコストが低減されたドライエッチング装置を提供することを目的とする。本発明の一局面は、被処理材が配置されるとともにプロセスガスが導入される処理空間を形成し、前記処理空間と外部とを連通する開口が上部に設けられ、前記開口の近傍の内周壁から内側に向かって突出する突部を有する処理容器、全部又は一部が誘電体で構成された前記開口を塞ぐ板状の隔壁、前記誘電体を介して前記処理空間に導入され、前記プロセスガスをプラズマ化する高周波磁場を生成する高周波磁場生成部、並びに前記開口の内部に嵌り込んだ状態で、周縁部が前記突部と係合することで、前記開口の内部で保持されるとともに前記隔壁を前記プラズマから保護する板状の保護部材、を備えるドライエッチング装置であって、前記開口は、前記隔壁の周縁部の下面が前記開口の周囲の開口端面と当接することで、前記隔壁により密閉されるとともに、その内部の前記隔壁と前記保護部材との間にはガス分配空間が形成されており、前記保護部材は、前記ガス分配空間のプロセスガスを前記処理空間に向かって放出する複数の貫通孔を有しており、前記開口端面の前記隔壁と当接する部分に、前記ガス分配空間と連通され、且つプロセスガス供給源に接続された溝が環状に設けられている、ドライエッチング装置である。本発明によれば、隔壁内部の空間ではなく、隔壁と保護部材との間の空間が、処理空間に向かってプロセスガスを放出する複数の貫通孔にプロセスガスを導入するための導入路として利用される。これにより、隔壁の構造を簡素化することができる。その結果、隔壁を安価かつ耐久性の高いものにすることができるので、ドライエッチング装置のランニングコストを低減することができる。また、処理容器の開口端面に、プロセスガスを一時的に滞留させるための、ガス分配空間と連通された溝を設けることで、外部から供給されるプロセスガスの圧力を均一化することが可能となる。よって、複数の貫通孔から放出されるプロセスガスの圧力を制御することが容易となる。その結果、均一なエッチング処理の実現が容易となる。本発明は、被処理材が配置されるとともにプロセスガスが導入される処理空間を形成し、処理空間と外部とを連通する開口が上部に設けられ、開口の近傍の内周壁から内側に向かって突出する突部を有する処理容器、全部又は一部が誘電体で構成された、上記の開口を塞ぐ板状の隔壁、その誘電体を介して処理空間に導入され、プロセスガスをプラズマ化する高周波磁場を生成する高周波磁場生成部、並びに、上記の開口の内部に嵌り込んだ状態で、周縁部が上記の突部と係合することで、その開口の内部で保持されるとともに隔壁をプラズマから保護する板状の保護部材、を備えるドライエッチング装置に関する。ここで、開口は、隔壁の周縁部の下面が開口の周囲の開口端面と当接することで、隔壁により密閉される。そして、開口の内部の隔壁と保護部材との間にはガス分配空間が形成されている。保護部材は、開口の内部に嵌り込んだ状態で、周縁部が上記の突部と係合することで、開口の内部で保持される。そして、保護部材は、外部から供給されるプロセスガスを処理空間に向かって放出する複数の貫通孔を有している。隔壁と保護部材との間の隙間は、複数の貫通孔と連通されて、複数の貫通孔のそれぞれにプロセスガスを分配するガス分配空間となる。処理容器の開口端面の隔壁と当接する部分には、ガス分配空間と連通された溝が環状に設けられている。その溝は、外部のプロセスガス供給源に接続されており、そのプロセスガス供給源から供給されるプロセスガスを一時的に滞留させるとともに、一時的に滞留させたプロセスガスをガス分配空間に供給する機能を有している。つまり、上記の溝は、ガス圧力を均一化させる機能を有している。上記構成によれば、外部から供給されるプロセスガスは、処理容器の開口端面に設けられた溝に導入されて、圧力が均一化される。溝の中で圧力が均一化されたプロセスガスは、隔壁と保護部材との間のガス分配空間に導入された後、複数のガス放出部に分配されて、複数の貫通孔から処理空間に向かって放出される。以上のように、隔壁と保護部材との間にガス分配空間を形成することで、外部から供給されるプロセスガスを貫通孔にまで導くための特別の配管を設けたり、隔壁の内部にプロセスガスの流路を形成したりする必要性がなくなる。よって、スペースの有効利用が図れるとともに、例えば複数の石英板等を貼り合わせて隔壁を形成する必要性がなくなる。これにより、隔壁の構造を簡素化することができる。その結果、隔壁を低コスト化することができるとともに、耐久性を向上させることができる。また、ドライエッチング装置のランニングコストを低減することができる。さらに、上記の溝で圧力が均一化されたプロセスガスをガス分配空間に導入することで、複数の貫通孔から放出されるプロセスガスの放出圧を制御することも容易となる。その結果、均一なエッチング処理の実現が容易となる。このとき、上記の溝は、処理容器の開口端面に設けられるために、ガス分配空間と近接配置することができる。よって、溝の中で均一化された圧力のままで、プロセスガスをガス分配空間に導くことが容易となる。そして、その溝は、ガス分配空間と離間して設けられるものであることから、熱膨張によるサイズの変動が不可避である保護部材と独立にガスを圧力均一化する空間を設けることが可能となる。このように、ガス圧力を均一化する空間である溝の形状を一定に保つことが容易となる結果、ガス分配空間から放出されるプロセスガスの圧力を制御することがさらに容易となる。本発明の好ましい形態においては、上記の溝が、処理容器の開口を囲うように設けられており、その溝とガス分配空間とは、隔壁と開口端面との間に一様な分布で配置された隙間を通して連通されている。溝を処理容器の開口を囲うように環状に設けることで、圧力が均一化されたプロセスガスを、ガス分配空間の周囲から、一様な圧力でガス分配空間の内部に導入することが可能となる。これにより、ガス分配空間の周縁部のプロセスガスの圧力を、ガス分配空間の全周に亘って均一化することが容易となる。このとき、ガス分配空間の内圧は、複数の貫通孔からのプロセスガスの放出により、ガス分配空間の周縁部から、その中心に向かって低下していく。ガス分配空間の周縁部のプロセスガスの圧力を均一化することで、上記のような内圧の傾斜を、ガス分配空間の中心から周縁部を臨む全ての方向で均一化することも容易となる。したがって、例えば円柱状である処理空間の内部のプラズマ密度を処理空間の周方向に均一化することが容易となる。その結果、被処理材の各部のエッチング処理の程度を均一化することが容易となる。本発明の一形態においては、上記の一様な分布の隙間が、ガス分配空間の周囲に等間隔で配置される。隙間は、流路面積の等しい複数の連絡路として構成されることが好ましい。このように、上記の一様な分布の隙間を、互いに独立した複数の連絡路とすることで、ガス分配空間に供給されるプロセスガスの流量を調節することが容易となり、エッチングの均一性が向上する。以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。図1に、本発明の一実施形態に係るドライエッチング装置の概略構成を、前方から見た一部断面図により示す。図2に、開口が設けられた処理容器の上部を上面図により示す。図3に、図2のIIIIII線による矢視断面図を拡大して示す。図示例のドライエッチング装置10は、プラズマを利用してシリコンウエハ等の被処理材12をエッチングするドライエッチング装置であり、被処理材12をエッチングするための処理空間14を形成する処理容器16を備える。処理空間14には、被処理材12が配置されるとともに、電磁波によりプラズマ化されるプロセスガスが導入される。処理空間14は、例えば中心軸が上下方向を向く円柱状または角柱状等の形状を有する。図示例の装置では、処理空間14は、中心軸が上下方向を向く円柱状である。処理容器16の内部には、被処理材12が載置されるステージ18が設けられる。エッチング時の処理空間14は、真空圧で維持される。通常の場合、ステージ18に載置された被処理材12は、処理空間14の中心または重心付近に位置付けられる。また、プロセスガスは、例えばフッ素系のガスである。処理容器16の上端部以下、容器上端部という20は、処理容器16から取り外し可能に構成されている。容器上端部20は平板状部材であり、その中央部には処理容器16の内部に電磁波を導入するための開口26が容器上端部20の厚さ方向に貫通している。この開口26は、処理容器16の内部に電磁波を導入する機能を有している。また、この開口26によって形成される空間は、後述する保護部材24を保持するための中空部20aとなっている。処理容器16の側部16bの適宜位置には、処理容器16に被処理材12を出し入れするための出し入れ口が設けられている。出し入れ口は図示を省略している。処理容器16の底部16cには、図示しない排気ポンプと接続されたガス排気口16dが設けられる。処理容器16の内部の空気及びプロセスガスは、上記排気ポンプによりガス排気口16dから外部に排出される。プロセスガスは、図示しないプロセスガス供給部により外部からドライエッチング装置10に導入される。プロセスガスの導入量は、例えば制御弁を使用して調整される。上記排気ポンプによるガスの排出量、及び上記プロセスガスの導入量は、作業者の入力を受け付け、また所定のソフトウェアプログラムを実行する図示しないコントローラにより制御される。処理容器16の開口26は、石英等の誘電体を材料とする隔壁22により塞がれる。そして、隔壁22よりも処理容器16の内部側には、プラズマを遮蔽して隔壁22を保護する保護部材24が設けられる。隔壁22及び保護部材24はともに円形の板材であり、所定の隙間D図3参照を設けて同軸心に重ねて配置される。隔壁22は保護部材24よりも径が大きく、厚みも大きい。隔壁22は、容器上端部20の上面における開口26の周囲の部分以下、開口端面20bというの上に載置されている。このとき、隔壁22の周縁部の下面以下、周縁部下面22aは、開口端面20bと当接している。一方、保護部材24は、開口26の内部に嵌り込んだ状態で、周縁部の下面が、後で説明する係合部40突部と係合している。これにより、保護部材24は、中空部20aの内部に保持されている。そして、保護部材24と被処理材12とは所定の距離だけ離間されている。保護部材24には、厚み方向に貫通する複数の貫通孔30が形成されている。それらの貫通孔30の一端は処理空間14に向かって開口しており、外部から供給されるプロセスガスは、それらの開口から処理空間14に向かって放出される。複数の貫通孔30の他端は、隔壁22と保護部材24との隙間Dに向かって開口している。このように、隔壁22と保護部材24との隙間Dは、複数の貫通孔30と連通されて、外部から供給されるプロセスガスを各貫通孔30に分配するガス分配空間34を形成している。複数の貫通孔30は、ガス分配空間34の中心から放射状に等間隔で並べて設けたり、ガス分配空間34の全面に一様な分布で設けたり、複数の同心円を描くように並べて設けたりすることができる。容器上端部20の上面には所定数のリテーナ38が取り付け可能となっており、隔壁22は、周縁部下面22aが開口端面20bと当接した状態で、複数のリテーナ38により容器上端部20に固定される。容器上端部20の開口端面20bには、開口26を囲うように、ガス分配空間34と連通された溝44が環状に形成されている。この溝44が、外部から供給されるプロセスガスの圧力を均一化する機能する。溝44は、開口26から少なくとも距離L図2参照だけ離間して設けられている。溝44は、容器上端部20の内部に形成された導入路45を介して外部のプロセスガス供給源図示省略に接続されており、この導入路45を通じて溝44にプロセスガスが導入される。図示例では、導入路45は1つであるが、これに限られず、複数の導入路45を通して溝44にプロセスガスを導入することができる。また、図示例では、導入路45は溝44の底部に開口しているが、これに限られず、溝44の側部に開口させることもできる。さらに、開口端面20bで溝44の外側には、溝44を囲うように窪みが環状に形成されている。その窪みにはOリング36A第1Oリングが嵌め込まれている。Oリング36Aが隔壁22の周縁部下面22aと当接することで、溝44よりも外側で、周縁部下面22aと開口端面20bとの隙間がシールされている。その結果、開口26は、隔壁22により密閉される。中空部20a開口26の内径は、保護部材24の外径よりも若干大きく、かつ、容器上端部20の厚みは、保護部材24の厚みよりも大きくされている。それにより、保護部材24の全体を、中空部20aの内部に収容することが可能となる。処理容器16の側部16bの上端面以下、側部上端面という16fは、容器上端部20の下面と密接するような平面に形成されている。側部上端面16fにも、窪みが環状に形成されており、その窪みにOリング36B第2Oリングが嵌め込まれている。Oリング36Bが容器上端部20の下面と当接することで、容器上端部20の下面と側部上端面16fとの隙間がシールされている。中空部20aの他端開口容器上端部20の下面における中空部の開口には、環状で平板状の係合部材40が取り付けられている。中空部20aの他端開口の周囲には、係合部材40の厚みと等しい段差が環状に設けられている。その段差が設けられた部分は、円柱状である中空部20aと同軸心であり、係合部材40が過不足なく嵌り込むような、円環状の凹部を形成している。係合部材40は、容器上端部20に所定数のネジ42により留められている。係合部材40の内周側の部分は、保護部材24の周縁部の下面と全周に亘って当接するように、中空部20aの他端開口の周縁から中央側に突き出している。一方、上述したとおり、中空部20aの一端開口容器上端部20の上面における中空部の開口は隔壁22の下面により塞がれているので、保護部材24は、係合部材40と隔壁22との間に挟まれることで、中空部20aの内部で保持される。係合部材40の上面の保護部材24と当接する部分には、窪みが環状に設けられており、その窪みにはOリング36C第3Oリングが嵌め込まれている。Oリング36Cが保護部材24の周縁部の下面と当接することで、保護部材24と係合部材40との隙間がシールされている。さらに、処理容器16の側部16bの開口16gの径は、係合部材40の外径よりも小さくなっている。その結果、係合部材40の下面は、外周側から所定幅の部分が側部上端面16fと重なっている。そして、ネジ42が係合部材40を容器上端部20に留める位置は、ネジ42の頭部が側部上端面16fと重なる位置に設定されている。その結果、処理容器16に容器上端部20が取り付けられた状態では、ネジ42の頭部は、処理空間14に露出しておらず、側部上端面16fにより覆われた状態となっている。これにより、ネジ42の頭部にプラズマが作用することで生じる異物が処理空間14に混入するのを防止することができる。次に、溝44についてさらに説明する。溝44は、プロセスガスを一時的に滞留させるものであり、これにより、溝44の内部でプロセスガスの圧力が均一化される。溝44とガス分配空間34とは、上述したとおり、少なくとも距離Lだけ隔てられており、溝44とガス分配空間34との間の部分には、流路面積が互いに等しい所定数図示例では4つの連絡路46が等間隔で形成されている。これらの連絡路46により、溝44とガス分配空間34とが連通されている。したがって、溝44、ガス分配空間34及び連絡路46は、全て、隔壁22の1つの面下面に接している。このように、ガス分配空間34に、その周囲の一様な分布の隙間である複数の連絡路46を介して、プロセスガスを溝44から供給することで、ガス分配空間34の周縁部でプロセスガスの圧力を均一にすることができる。その結果、貫通孔30からのプロセスガスの放出により、ガス分配空間34の周縁部から中央部に向かって減少する内圧の傾斜を、ガス分配空間34の中心から周縁部を臨むほぼ全ての方向で一様なものにすることができる。これにより、被処理材12に到達するプラズマの密度を均一化することが容易となる。より詳しく説明すると、上記内圧の傾斜により、プロセスガスから生成されるプラズマの密度は、保護部材24の近傍では、処理空間14の中央部で小さく、周縁部で大きくなる。しかしながら、保護部材24と被処理材12との間にはある程度の距離があるために、プラズマが被処理材12に到達するまでに、後述のコイル48の形状による効果で、プラズマが、処理空間14の周縁部から中央部に回り込む。これにより、プラズマが被処理材12に到達する時点では、プラズマの密度は、処理空間14の周縁部から中央部まで均一化される。これに対して、ガス分配空間34の周縁部でプロセスガスの圧力に差異があると、保護部材24の近傍における処理空間14の周縁部のプラズマの密度にも差異が生じる。そのような密度分布の周方向における不均一さは、周方向の長さが径方向の長さの最大で6倍以上である円周=半径×2×πだからであることから、プラズマが被処理材12に到達する時点までに解消されることなく維持されてしまうことが多い。そのような場合には、エッチング処理の程度が処理空間14の周方向において不均一なものとなる。図示例のドライエッチング装置10では、ガス分配空間34の周囲に配した環状の溝44からガス分配空間34にプロセスガスを導入する構成を採用したことで、ガス分配空間34の周縁部でプロセスガスの内圧を均一にすることができる。これにより、被処理材12に到達するプラズマの密度を処理空間14の径方向及び周方向の両方で容易に均一化することができる。よって、被処理材12の全ての部分でエッチング処理の程度を均一にすることができる。なお、図示例では、ガス分配空間34の周囲に複数の連絡路46を設けているが、これに限られず、ガス分配空間34の周囲に全周に亘る隙間を均一に設けて、溝44からガス分配空間34にプロセスガスを導入することもできる。さらに、容器上端部20には、コイル48が、コイル支持部50により固定されている。コイル48は、図示しない高周波電源と接続されており、プロセスガスをプラズマ化するための高周波磁場を生成するICP誘導結合プラズマ生成ユニットを構成している。コイル48により生成された高周波磁場は、開口26を通して処理容器16の内部に形成される。さらに、隔壁22、コイル48、及びコイル支持部50を全て覆うように、カバー51が容器上端部20の上面に取り付けられている。コイル48は、細長い帯状の金属板を螺旋状に形成したものであり、その軸心が隔壁22及び保護部材24の中心軸と一致するように、コイル支持部50によって支持されている。コイル48は、図示例のような一重の螺旋状とすることもできるし、フェルマーの螺旋のような二重の螺旋状とすることもできる。ステージ18には、内部電極52が内蔵されており、この内部電極52も図示しない高周波電源と接続されている。内部電極52に高周波電力を投入することにより、処理空間14にて発生したプラズマをステージ18側へ引き付けるバイアスを付与することができる。なお、ステージ18と内部電極52とを別体とする必要性はなく、ステージ18を内部電極と兼用することもできる。さらに、容器上端部20は、電動機28aを含む回動機構28により回動されることで、処理容器16から取り外される。回動機構28は、電動機28aの出力回転軸28bに取り付けられたアーム28cが、容器上端部20の一端部に連結されている。アーム28cが、電動機28aの回転出力により例えば90°以上の所定の角度範囲で回動されることで、容器上端部20の処理容器16に対する取り付け及び取り外しが行われる。図4に、容器上端部20が処理容器16から取り外された状態を示す。図5に、図4の状態で容器上端部20を下面側から見た様子を示す。図5に示すように、容器上端部20が処理容器16から取り外された状態では、ネジ42の頭部が覆われることなく、係合部材40の表面に露出している。よって、ネジ42を、ドライバ等を使用して取り外すことにより、係合部材40を容器上端部20から容易に取り外すことができる。係合部材40を容器上端部20から取り外すと、保護部材24を容器上端部20の中空部20aの下面開口から取り出すことができる。したがって、保護部材24を容易に交換することができる。このとき、保護部材24を中空部20aから取り出しやすいように、保護部材24の外周部に、指等を差し入れることができる切欠を設けるのが好ましい。以下、これまでに説明した構成のドライエッチング装置10の動作を説明する。保護部材24を交換する際には、容器上端部20を処理容器16から取り外した状態図4の状態にして、作業者が、全てのネジ42を取り外す。そして、係合部材40を容器上端部20から取り外した後、使用後の保護部材24を中空部20aの他端開口から取り出す。その後、未使用の保護部材24エッチングを開始する前の保護部材24を中空部20aの内部に挿入し、係合部材40を容器上端部20に取り付け、ネジ42で係合部材40を容器上端部20に固定する。その後、回動機構28により容器上端部20を回動させて、容器上端部20を処理容器16に取り付ける。次に、作業者が上述した被処理材出し入れ口を通してステージ18に未処理の被処理材12をセットする。その後、処理空間14が適切な真空圧となるようにコントローラにより制御しながら、処理空間14にプロセスガスを導入する。高周波電源からコイル48に高周波電力を投入するとともに、別の高周波電源からステージ18の内部電極52に高周波電力を投入する。コイル48に電力が投入されると、コイル48が高周波磁場を生成する。生成された高周波磁場は隔壁22の誘電体を伝播し、処理空間14に形成される。高周波磁場に補足された電子の作用によりプロセスガスがイオン化され、隔壁22の近傍にトロイダル状又はドーナツ状のプラズマが発生する。ステージ18の内部電極52への高周波電力の投入により、プラズマが被処理材12へ向けて引き付けられるように下方へ拡散する。隔壁22から被処理材12までは所定の距離だけ離間しているため、この拡散過程でプラズマの密度が均一化される。均一化したプラズマが被処理材12に到達することによって、被処理材12のエッチング処理が開始される。被処理材12のエッチング処理が終了すると、作業者は、被処理材出し入れ口を通して処理済みの被処理材12を処理空間14から取り出し、続けて、未処理の被処理材12をステージ18にセットする。セットされた被処理材12にエッチング処理を行う。エッチング処理が終了すると、作業者は、処理済みの被処理材12を取り出し、以降、同様に未処理の被処理材12のセット、エッチング処理、及び処理済みの被処理材12の取り出しを繰り返す。このように被処理材12のエッチング処理を繰り返す間に、保護部材24は次第に削られる。保護部材24が最低限厚さになると保護部材24を交換する必要があるため、作業者は、保護部材24の厚さを定期的に計測等することによって、保護部材24の交換時期を判断する。保護部材24が最低限厚さになるまで削られたかどうかは、保護部材24のプラズマにより削られ易い部分の上面に最低限厚さと同じ深さの孔を設け、その孔の底が抜けたときに、最低限厚さまで保護部材24が削られたと判断することができる。実施形態では、隔壁22及び保護部材24はいずれも誘電体を材料とする平板であるとしたが、これに限定されない。隔壁22及び保護部材24は、例えば湾曲した形状であってもよい。これによって、種々の高周波磁場生成部に適した形状の隔壁及び保護部材を適用することができる。また、実施形態ではコイル48は一重または二重の螺旋構造であるとしたが、コイル48に代えて、プラズマを利用するドライエッチング装置として通常使用されるコイル及びアンテナ等の任意のものが適用されてよい。処理容器16の上部以外に開口26が設けられる場合であっても、またコイル48以外の高周波磁場生成部が適用される場合であっても、本実施形態又は変形例に係る隔壁を適用することができる