一対の基板間に多数個の熱電変換材料のチップを並置配列すると共に、個々のチップは各基板に設けた接合電極に接合されてそれぞれ熱電変換素子を構成している熱電変換モジュールにおいて、上記基板は、少なくとも上記接合電極が設けられている部位の厚みt6が下記1式の関係:t6>3.53500×α×L-t3-t1............1ただし、t6:一対を成す2枚の基板の合計値α:基板の線熱膨張係数1/kL:基板の最長部寸法mmt3:電極層の厚みmmチップ両面の電極についての合計値t3=t2t4t5t2:電極厚みmmt4:接合材厚みmmt5:めっき材厚みmmただし、t2、t4、t5:チップ両面の電極についての合計値t1:チップ厚みmmを満たすことを特徴とする熱電変換モジュール。請求項1において、上記厚みt6が上記基板の最大厚みであり、上記チップを配設した側に上記厚みt6の20以上の深さの窪みを形成したことを特徴とする熱電変換モジュール。請求項1または2において、上記電極層厚みt3が下記2式の関係:t3>0.32×t1-0.2.........2を満たすことを特徴とする熱電変換モジュール。本発明は、チップ厚みが0.7mm未満になってもチップ上下方向の温度勾配による熱応力でチップの破壊が発生しない熱電変換モジュールを提供することを目的とする。上記の目的を達成するために、本発明は、一対の基板間に多数個の熱電変換材料のチップを並置配列すると共に、個々のチップは各基板に設けた接合電極に接合されてそれぞれ熱電変換素子を構成している熱電変換モジュールにおいて、上記基板は、少なくとも上記接合電極が設けられている部位の厚みt6が下記1式の関係:t6>3.53500×α×L-t3-t1............1ただし、t6:一対を成す2枚の基板の合計値α:基板の線熱膨張係数1/kL:基板の最長部寸法mmt3:電極層の厚みmmチップ両面の電極についての合計値t3=t2t4t5t2:電極厚みmmt4:接合材厚みmmt5:めっき材厚みmmただし、t2、t4、t5:チップ両面の電極についての合計値t1:チップ厚みmmを満たすことを特徴とする熱電変換モジュールを提供する。本発明においては、基板厚みが1式を満たすようにしたことにより、単位長さ当たりに発生する応力が軽減するので、チップの破壊が生じない。図1を参照して、本発明の熱電変換モジュールを説明する。図11は、従来の熱電変換モジュールの正面図である。一対の基板SとSとの間に多数個の熱電変換材料のチップCを並置配列すると共に、個々のチップCは各基板Sに設けた接合電極Eに接合されてそれぞれ熱電変換素子を構成している。例えば、上の基板Sが高温Thに、下の基板Sが低温Tcに保持されると、上下の基板間の温度差△T=Th-Tcに対して、仮想線破線で示したように上の基板Sと下の基板Sとの間に横方向の熱膨張差が生じる。これにより構成部材に発生する応力が非常に大きく、モジュール、素子あるいはチップが破壊するという問題があった。図12に示した本発明の熱電変換モジュールは、この問題に対処する。まず、基板Sの、接合電極Eが設けられている部位の厚みt6が下記1式の関係を満たすように厚くなっている。t6>3.53500×α×L-t3-t1............1ただし、t6:一対を成す2枚の基板の合計値α:基板の線熱膨張係数1/kL:基板の最長部寸法mmt3:電極層の厚みmmチップ両面の電極についての合計値t3=t2t4t5t2:電極厚みmmt4:接合材厚みmmt5:めっき材厚みmmただし、t2、t4、t5:チップ両面の電極についての合計値t1:チップ厚みmmt6は基板Sの最大厚みであり、上記の関係を満たすように設計することにより、モジュールの単位厚み当たりの熱応力が軽減し、同じ温度差△Tにおいても破壊応力に達しない。また、本発明の副次的効果として、上下基板間隔が広くなるため、電極間の配線および電極からのリード線の取出しが容易になる。1式において、基板の最長部寸法Lは、典型的には図13に示すように、矩形の基板Sの場合は、対角線の寸法がLに該当する。また、電極層Etの厚みt3は、図14に示すように、電極E厚みt2と、接合材B厚みt4と、めっき材P厚みt5の合計厚みである。なお、電極層Etの厚みt3は、チップ両面の電極についての合計値として考慮する。電極Eに対して接合材Bおよびめっき材Pは非常に薄いので、図112においては接合材Bおよびめっき材Pは図示を省略して電極Eのみを示した。なお、図12に示したように、基板最大厚みt6は一対を成す2枚の基板の合計値t6=t61t62であり、電極層厚みt3はチップC両面の電極についての合計値t3=t31t32である。図12に示した本発明の例では、基本的に基板最大厚みt6が図11の従来に対して1式で示すように厚くなっているのに加え、本発明の望ましい一形態により、チップCを配設した側に基板最大厚みt6の20以上の深さgの窪みGが形成されている。なお、窪み深さgは一対を成す2枚の基板についての合計値g=g1g2である。この窪みは、図12のように基板の外周部にのみ設けても良いし、一般的には図2に示したように、基板の電極Eの配置部位以外に設けることができる。窪みGの深さは、基板の最大厚みt6の20以上であることが望ましい。これより浅いと窪みによる応力緩和効果が小さい。図12の本発明の例では、更に本発明の別の望ましい形態により、電極層Etの厚みt31およびt32のうち少なくとも一方が2式の関係を満たすように厚くなっている。これは、図3に示すように、窪みGを設けない場合にも有効である。電極層Etの厚みt3は通常、電極層Etでのジュール損失や熱抵抗による損失、また製造上の制約などによって決められる。電極層Etを薄くし過ぎるとジュール損失の影響が無視できなくなるが、逆に厚くし過ぎると熱抵抗による損失が大きくなる。またエッチングにより電極層Etをパターニングする場合、厚みt3が大き過ぎるとエッチング加工が困難になる。これらの理由から、従来の市販の熱電変換モジュールでは、電極層Etの厚みt3は数十μm~300nm程度であった。これに対して本発明によれば、2式により電極層Etを従来よりも厚くして、素子あるいはモジュールの機械的強度を大幅に高めることができる。電極部で応力緩和の効果が期待できるため、チップCにかかる応力が低減し、チップ、素子、またはモジュールの破壊が抑制できる。ただし、厚くし過ぎると剛性が高くなって、逆に熱応力を増大させ、破壊しやすくなるため、電極厚みt3は3mmを上限とすることが望ましい。この形態を採用した場合も、上下の基板間隔が広くなるため、電極間の配線および電極からのリード線の引き出しが容易になる。図4に、2式を満たす範囲を斜線部で示す。図中には、ジュール損失<3のガイドラインも併せて示した。以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。実施例1本発明による1式を満たす範囲内および範囲外の条件で、更に、窪み深さt6の20以上の条件を満たす範囲内と範囲外の条件で、モジュールを作成した。上下の基板温度差ΔT=200°Cとして、破壊の有無を調べた。結果を表1にまとめて示す。表1に示すように、本発明の規定範囲内の条件で作成した本発明例では破壊が発生しなかったのに対し、本発明の規定範囲外の条件で作成した比較例では破壊が発生した。実施例2本発明による2式を満たす範囲内と範囲外の条件でモジュールを作成した。上下の基板温度差ΔT=200°Cとして、破壊の有無を調べた。結果を表1にまとめて示す。表2に示すように、本発明の規定範囲内の条件で作成した本発明例では破壊が発生しなかったのに対し、本発明の規定範囲外の条件で作成した比較例では破壊が発生した。