"第1の平板部と前記第1の平板部の一方の面から突出する複数個のフィンとを備える第1の部分と、前記第1の平板部の周囲に隣接する第2の平板部を備える第2の部分と、を備える放熱板と、前記放熱板の前記複数個のフィンが配置される面とは反対側の面に接着される半導体素子部と、を備える半導体装置のうち、前記半導体素子部を樹脂材料で被覆する際に、前記半導体装置を支持するための冶具であって、前記複数個のフィンが配置される側から前記第1の部分に接触することによって、前記半導体装置を支持する第1の支持部と、前記複数個のフィンが配置される側から前記第2の部分に接触することによって、前記半導体装置を支持する第2の支持部と、を備える、冶具。前記第1の支持部は、前記半導体装置を支持した状態で、前記半導体装置と離間して対向する基部と、前記基部から前記第1の部分に向かって突出する複数個の突起部と、を備え、前記第1の支持部は、前記複数個の突起部が前記第1の部分に接触することによって、前記半導体装置を支持し、前記複数個の突起部のそれぞれは、前記基部から離間するのに従って、前記基部から前記第1の部分に向かう方向に垂直な方向の断面の面積が小さくなっている、請求項1に記載の冶具。前記第1の支持部は、前記複数個の突起部のそれぞれが、隣り合うフィンの間に位置し、当該突起部の前記先端部分が前記第1の平板部に接触することによって、前記半導体装置を支持する、請求項2に記載の冶具。半導体素子部が樹脂材料で被覆された半導体モジュールを製造する製造方法であって、第1の平板部と前記第1の平板部の一方の面から突出する複数個のフィンとを備える第1の部分と、前記第1の平板部の周囲に隣接する第2の平板部を備える第2の部分と、を備える放熱板と、前記放熱板の前記複数個のフィンとは反対側の面に接着される半導体素子部と、を備える半導体装置を準備する半導体準備工程と、請求項1から3のいずれか一項に記載の冶具に、前記半導体装置を載置する載置工程と、前記放熱板に接着された前記半導体素子部の周囲に成形型をセットする型セット工程と、前記成形型のキャビティ内に樹脂材料を注入する注入工程と、を備える、半導体モジュールの製造方法。放熱板と、前記放熱板に接着されており、樹脂材料によって被覆される半導体素子部と、を備える半導体装置を備え、前記放熱板は、第1の平板部と前記第1の平板部の一方の面から突出する複数個のフィンとを備える第1の部分と、前記第1の平板部の周囲に隣接する第2の平板部を備える第2の部分と、を備え、前記半導体素子部は、前記放熱板の前記複数個のフィンが配置される面とは反対側の面に接着されており、請求項1から3のいずれか一項に記載の冶具に載置された状態で前記半導体素子が樹脂材料に被覆されることによって製造される半導体モジュール。放熱板と、前記放熱板に接着されており、樹脂材料によって被覆される半導体素子部と、を備える半導体装置を備え、前記放熱板は、第1の平板部と前記第1の平板部の一方の面から突出する複数個のフィンとを備える第1の部分と、前記第1の平板部の周囲に隣接する第2の平板部を備える第2の部分と、を備え、前記半導体素子部は、前記放熱板の前記複数個のフィンが配置される面とは反対側の面に接着されており、前記複数個のフィンのそれぞれは、前記一方の面から離間するのに従って、前記一方の面に平行な断面の面積が小さくなっており、前記第1の平板部は、隣り合うフィンの間に、前記半導体素子部を前記樹脂材料で被覆する際に前記半導体装置を支持する冶具が当接する当接部を有している、半導体モジュール。トランジスタ等の半導体素子を樹脂材料で被覆する際、通常、半導体素子が放熱板に接着された状態で成形型のキャビティ内に配置され、キャビティ内に樹脂材料が注入される。この構成では、キャビティ内への注入時の樹脂材料の圧力によって放熱板が変形し、放熱板と半導体素子との間の接着力が低下する場合がある。本明細書では、半導体素子を樹脂で適切に被覆する技術を提供する。本明細書が提供する技術は、半導体装置を支持するための冶具である。半導体装置は、放熱板と半導体素子部とを備える。放熱板は、第1の平板部と第1の平板部の一方の面から突出する複数個のフィンとを備える第1の部分と、第1の平板部の周囲に隣接する第2の平板部を備える第2の部分と、を備える。半導体素子部は、放熱板の複数個のフィンが配置される面とは反対側の面に接着される。冶具は、半導体素子部を樹脂材料で被覆する際に、半導体装置を支持する。この冶具は、第1の支持部と第2の支持部とを備える。第1の支持部は、複数個のフィンが配置される側から第1の部分に接触することによって、半導体装置を支持する。第2の支持部は、複数個のフィンが配置される側から第2の部分に接触することによって、半導体装置を支持する。上記の冶具は、放熱板の第1の部分と第1の部分の周囲に位置する第2の部分との両方を支持する。この結果、半導体素子部を樹脂材料で被覆する際に、樹脂材料の圧力によって、放熱板が変形することを抑制することができる。その結果、放熱板の変形によって、半導体素子部と放熱板との間の接着力が低下することを抑制することができる。第1の支持部は、半導体装置を支持した状態で、半導体装置と離間して対向する基部と、基部から第1の部分に向かって突出する複数個の突起部と、を備えていてもよい。第1の支持部は、複数個の突起部が第1の部分に接触することによって、半導体装置を支持してもよい。複数個の突起部のそれぞれは、基部から離間するのに従って、基部から第1の部分に向かう方向に垂直な方向の断面の面積が小さくなっていてもよい。この構成によれば、第1の支持部が平板で形成されており、当該平板の一方の面で半導体装置を支持する場合と比較して、複数個のフィンが形成されている第1の部分を適切に支持し得る。第1の支持部は、複数個の突起部のそれぞれが隣り合うフィンの間に位置し、当該突起部の先端部分が第1の平板部に接触することによって半導体装置を支持してもよい。この構成によれば、突起部の先端部分がフィンに接触することによって、半導体装置を支持する場合と比較して、第1の部分を適切に支持し得る。上記の冶具を用いた半導体モジュールの製造方法も新規で有用である。この製造方法は、半導体素子部が樹脂材料で被覆された半導体モジュールを製造する製造方法である。この半導体モジュールの製造方法は、半導体準備工程と載置工程と型セット工程と注入工程とを備える。半導体準備工程では、半導体装置を準備する。半導体装置は、放熱板と半導体素子部とを備える。放熱板は、第1の部分と第2の部分とを備える。第1の部分は、第1の平板部と第1の平板部の一方の面から突出する複数個のフィンとを備える。第2の部分は、第1の平板部の周囲に隣接する第2の平板部を備える。半導体素子部は、放熱板の複数個のフィンとは反対側の面に接着される。載置工程では、上記の冶具に、半導体装置を載置する。型セット工程では、放熱板に接着された半導体素子部の周囲に成形型をセットする。注入工程では、成形型のキャビティ内に樹脂材料を注入する。上記の製造方法によれば、注入工程での樹脂材料の圧力によって、放熱板が変形することを抑制することができる。この結果、半導体素子と放熱板との間の接着力が低下することを抑制することができる。なお、上記の製造方法によって製造された半導体モジュールは、従来の半導体モジュールと比較して、放熱板の変形が抑制されており、新規で有用である。また、上記の冶具に好適に用いられる半導体モジュールも新規で有用である。この半導体モジュールは、放熱板と、放熱板に接着されており、樹脂材料によって被覆される半導体素子部と、を備える。放熱板は、第1の平板部と第1の平板部の一方の面から突出する複数個のフィンとを備える第1の部分と、第1の平板部の周囲に隣接する第2の平板部を備える第2の部分と、を備える。半導体素子部は、放熱板の複数個のフィンが配置される面とは反対側の面に接着されている。複数個のフィンのそれぞれは、一方の面から離間するのに従って、一方の面に平行な断面の面積が小さくなっている。第1の平板部は、隣り合うフィンの間に、半導体素子部を樹脂材料で被覆する際に半導体装置を支持する冶具が当接する当接部を有している。この構成によれば、隣り合うフィンの間に、冶具の第1の支持部に形成されている突起部を配置し易く、放熱板が変形することを好適に抑制することができる。本明細書が提供する技術によれば、放熱板の変形が抑制されるため、放熱板と半導体素子との接着状態を適切に維持することができる。これにより、半導体モジュールの耐久性を向上することができる。半導体モジュールの構成図1に示すように、半導体モジュール10は、半導体装置12と冷却器50とを備える。半導体装置12は、半導体素子部20と放熱板40とを備える。半導体素子部20は、複数個図1では2個の半導体素子22,24と、絶縁材26と、複数本図1では5本のバスバー28a~28eを備える。半導体素子22の一方の面の電極図1の上面側の電極は、バスバー28aを介して外部に接続される。以下では、図面の上側を単に上、下側を単に下と呼ぶ。例えば、バスバー28aに接触している半導体素子22の一方の面を、半導体素子22の上面と呼ぶ。半導体素子22の下面の電極は、バスバー28b,28cを介して、半導体素子24の上面の電極に接続されている。半導体素子24の下面の電極は、バスバー28d,28eを介して、外部に接続される。なお、半導体素子22,24とバスバー28a~28eとは、図示省略された半田によって接着されている。バスバー28b,28dの下面は、絶縁材26の上面に接着されている。絶縁材26の下面は、放熱板40の上面に接着されている。即ち、放熱板40には、半導体素子部20が載置されている。バスバー28b,28dと放熱板40とは、絶縁材26によって電気的に絶縁されている。半導体素子部20は、絶縁材26の下面を除いて、樹脂材料30によって被覆されている。これにより、外部からの湿気、汚染物質等から半導体素子22,24が保護される。放熱板40は、第1の部分46と第2の部分48とを備える。半導体素子部20は、第1の部分46上に接着されている。第1の部分46は、平板部42と複数個図1では10個のフィン44とを備える。平板部42は、矩形状の平板である。なお、バスバー28b,28dは、平板部42の上面に接着されている。平板部42の下面には、複数個のフィン44が形成されている。フィン44は、平板部42の下面から下方に突出している。フィン44は、図1の紙面と垂直方向に直線状に伸びている。フィン44は、図1の紙面と垂直方向において、平板部42の長さと略同一の長さを有する。第2の部分48は、第1の部分46の周囲を一巡して囲っている。第2の部分48は、平板部42に連続する平板形状を有する。フィン44は、平板部42の下面に平行な断面で見たときに、平板部42から離間するに従って、即ち、図1の下方に向かうに従って、その断面積が徐々に小さくなっている。言い換えると、フィン44は、図1の紙面に平行な断面において、下方の辺が上方の辺よりも短い台形形状を有する。複数個のフィン44は、図1の左右方向に、等間隔に配置されている。なお、隣接するフィン44は互いに離間しており、隣接するフィン44の間は、平面形状になっている即ち平板部42が位置している。放熱板40の下面側には、冷却器50が配置されている。即ち、半導体装置12は、冷却器50に載置されている。冷却器50には、冷却水が通過する冷媒流路52が形成されている。放熱板40は、冷媒流路52内に複数個のフィン44が配置されている状態で、冷却器50に固定される。放熱板40は、第2の部分48において、冷却器50に支持されている。なお、放熱板40は、複数個図1では2個のボルト70によって、冷却器50に固定されている。半導体モジュール10の使用時には、冷却水が冷媒流路52を通過する。これにより、半導体素子部20が冷却される。半導体モジュールの製造方法図2に示すように、半導体モジュール10の製造方法では、まず、半導体装置12を準備する。具体的には、複数個の半導体素子22,24を、絶縁材26を介して放熱板40に接着する。さらに、複数個の半導体素子22,24に、バスバー28a~28eを接着して、半導体装置12を準備するS12。次いで、半導体装置12を、冶具60に載置するS14。図3を参照して冶具60を説明する。冶具60は、第1の支持部62と、第2の支持部64と、を備える。第2の支持部64は、放熱板40の第2の部分48の下面の全域に亘って対向している。第2の支持部64は、放熱板40の第2の部分48の下面に面接触することによって、半導体装置12を支持する。第1の支持部62は、放熱板40の第1の部分46に対向している。第1の部分46が第2の部分48に一巡して囲まれている関係から、第1の部分46に対向する第1の支持部62は、第2の部分48に対向する第2の支持部64に一巡して囲まれている。第1の支持部62は、基部66と、複数個図3では9個の突起部68と、を備える。基部66は、矩形状の平板である。基部66は、その全周において、第2の支持部64に接続されている。半導体装置12が載置された状態で、基部66は、複数個のフィン44の下端から離間した位置で、半導体装置12と対向する。複数個の突起部68は、基部66の上面から上方に向かって突出している。突起部68は、図3の紙面に垂直な方向に沿った突条である。突起部68の上端部は、第2の支持部64の上面よりも上方に位置する。なお、突起部68の上端は、鋭角に尖っている。複数個の突起部68は、図3の左右方向に等間隔に配置されている。詳しくは、突起部68は、半導体装置12が載置された状態で、隣り合うフィン44の間に位置する。半導体装置12は、突起部68が、隣り合うフィン44の間に位置するように載置される。この結果、突起部68の上端が、第1の部分46の平板部42に接触する。平板部42と突起部68の上端とが接触し始めた位置では、第2の支持部64と第2の部分48とは、未だ接触していない。半導体装置12は、第2の支持部64と第2の部分48とが接触するまで、冶具60に向かって押圧される。この結果、半導体装置12は、突起部68の上端が平板部42に食い込んだ状態で、冶具60に支持される。上記の構成によれば、突起部68の寸法精度を厳密に管理しなくても、冶具60を用いて、半導体装置12を、安定して支持することができる。また、フィン44は、平板部42の下面に平行な断面で見たときに、下方に向かうに従って、その断面積が徐々に小さくなっている。即ち、隣り合うフィン44の間隔は、下方に向かって広がっている。この結果、突起部68の基部66側の端部を幅広くすることができる。これにより、突起部68の強度を確保することができる。また、半導体装置12が冶具60に載置される際に、フィン44と突起部68とが干渉することを抑制することができる。図2に戻って、S16では、半導体素子部20の周りに成形型80をセットする。次いで、S18では、成形型80のキャビティ82内に樹脂材料を注入する。樹脂材料が凝固すると、成形型80と冶具60とを取り外すS20。その後、冷却器50が取り付けられて、半導体モジュール10が製造される。樹脂注入工程S16では、樹脂材料が凝固する前に、樹脂材料をキャビティ82の全体に行き渡らせるため、加圧された樹脂材料がキャビティ82に注入される。この結果、半導体装置12の下方に位置する放熱板40の第1の部分46は、樹脂材料に押圧される。従来では、放熱板40には複数個のフィン44が配置されているため、樹脂注入工程時に、第1の部分46が支持されていなかった。従って、樹脂注入工程において、第1の部分46が下方に撓んだ状態に変形することがあった。これに対して、放熱板40に接着されている絶縁材26は、放熱板40の変形に追従することができない。この結果、絶縁材26と放熱板40との接着力が低下することによって、絶縁材26と放熱板40との間の密着性が維持されない場合があった。このような構成では、半導体装置12の熱が放熱板40にスムースに伝達されず、半導体装置12の熱が適切に放熱されない等によって、半導体モジュール10の耐久性が低下する場合があった。本実施例の冶具60を用いると、樹脂注入工程において、第1の部分46が突起部68に支持されているため、第1の部分46が下方に撓んで変形することが抑制される。この結果、絶縁材26と放熱板40との間の密着性が維持された半導体モジュール10を製造することができる。上記の製造方法で製造された半導体モジュール10では、第1の部分46の平板部42に、複数個の突起部68の上端が食い込んだ際に、複数個の凹溝49が形成される。この構成によれば、第1の部分46の表面積を大きくすることができると共に、冷媒流路52を流れる冷却水が乱流となるため、半導体素子部20の冷却効果を向上することができる。実施例1と異なる点について説明する。図4に示すように、平板部242の下面に形成されている複数個のフィン244は、平板部242から下方に突出している。フィン244の第1の平板部246の下面に平行な断面の面積は一定である。言い換えると、フィン244の図2の紙面に平行な断面は、長方形である。なお、隣り合うフィン244の間には、凹溝49は形成されておらず、フィン244の下面に、凹溝249が形成される。その他の半導体装置200の各部の構成は、半導体装置12の構成の各部と同様である。冶具260は、複数個の突起部68を備えていない。冶具260は、第1の支持部262の基部266から上方に突出する複数個図4では10個の突起部268を備える。突起部268の上端部は、第2の支持部264の上面よりも下方に位置する。突起部268の上端は尖っている。複数個の突起部268は、半導体装置220が載置された状態で、複数個のフィン244に対向するように、図4の左右方向に等間隔に配置されている。その他の冶具260の各部の構成は、冶具60の構成の各部と同様である。半導体装置220が冶具260に載置されると、フィン244の下端は、突起部268の上端に接触する。フィン244と突起部268とが接触し始めた位置では、第2の支持部264と第2の部分248とは、未だ接触していない。半導体装置220は、第2の支持部264と第2の部分248とが接触するまで、冶具260に向かって押圧される。この結果、半導体装置220は、突起部268の上端部がフィン244に食い込んだ状態で冶具260に支持される。上記の構成によれば、突起部268の寸法精度を厳密に管理しなくても、冶具260を用いて、半導体装置220を安定して支持することができる。この結果、実施例1と同様に、絶縁材26と放熱板240との間の密着性が維持された半導体モジュールを製造することができる。なお、突起部268の上端部がフィン244に食い込んだ際に形成される複数個の凹溝249により、凹溝49と同様に、第1の部分246の表面積を大きくすることができると共に、冷媒流路を流れる冷却水が乱流となるため、半導体素子部の冷却効果を向上することができる。以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。上記の実施例1では、半導体装置12が冶具60に載置された状態で、隣り合うフィン44の1個の間隔に対して、1個の突起部68が位置する。しかしながら、例えば、図5に示すように、隣り合うフィン44の全ての間に、突起部568が設けられていなくてもよい。この場合、複数個のフィン44は、図5の左右方向に一定の間隔で設けられていなくてもよい。具体的には、隣り合うフィン44の間隔のうち、突起部568が位置するフィン44の間隔を、突起部568が位置されないフィン44の間隔よりも広くしてもよい。この構成によれば、図5の左右方向における突起部568の幅を広くすることができ、突起部568の強度を高くすることができる。上記の実施例2では、冶具260に設けられた突起部268が、放熱板240に接触し、かつ、食い込むことによって、冶具260は、半導体装置200を支持している。しかしながら、冶具260は、突起部268を備えていなくてもよい。例えば、冶具260は、基部266の上面平面状であるがフィン244の下端に接触することによって、半導体装置200を支持してもよい。この変形例では、複数個のフィン244の下端面が、同一平面上に位置するように、フィン244の寸法精度を管理する必要がある。一方で、上記の各実施例では、本変形例と比較して、フィン244の寸法精度を適切に管理しなくて済む。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。"