"[A]下記式1で表される構造単位Iを有する酸解離性基含有重合体、及び[B]下記式2で表される化合物を含有する感放射線性樹脂組成物。式1中、R1は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~3のアルキル基である。Eは、単結合又は-COO-である。R2は、炭素数1~20の2価の炭化水素基であり、この炭化水素基の水素原子の一部又は全部はフッ素原子で置換されていてもよい。nは、0~5の整数である。Mは、オニウムカチオンである。式2中、Yは、水素原子、ヒドロキシル基、アクリロイル基又はメタクリロイル基である。R3は、炭素数1~20の2価の炭化水素基又は-R-Z-R’-である。R及びR’は、それぞれ独立して、炭素数1~20の2価の炭化水素基である。Zは、-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、-NH-、-NHCO-又は-CONH-である。但し、RとR’とが互いに結合して、Zと共に環構造を形成していてもよい。X-は、-O-、-COO-、-SO3-又は-N--SO2-Rである。Rは、炭素数1~20の1価の炭化水素基であり、この炭化水素基の水素原子の一部又は全部はフッ素原子で置換されていてもよい。Qは、オニウムカチオンである。上記式1におけるMが、下記式3及び下記式4でそれぞれ表されるオニウムカチオンからなる群より選ばれる少なくとも1種のオニウムカチオンである請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。式3中、R4a、R4b及びR4cは、それぞれ独立して、炭素数1~30の1価の炭化水素基又は核原子数4~30の1価の複素環基である。但し、上記炭化水素基及び複素環基の水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。また、R4a、R4b及びR4cのうちいずれか2つが互いに結合して、それらが結合するイオウ原子と共に環状構造を形成していてもよい。式4中、R5a及びR5bは、それぞれ独立して、炭素数1~30の1価の炭化水素基又は核原子数4~30の1価の複素環基である。但し、上記炭化水素基及び複素環基の水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。また、R5a及びR5bが互いに結合して、それらが結合するヨウ素原子と共に環状構造を形成していてもよい。[B]化合物が、下記式2-1~2-6でそれぞれ表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物である請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。式2-1~2-6中、R6は、炭素数1~6の1価の鎖状炭化水素基である。R7は、それぞれ独立して、炭素数1~6の2価の鎖状炭化水素基である。Qの定義は上記式2と同じである。[A]重合体が、下記式5で表される構造単位IIをさらに有する請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。式5中、R1の定義は上記式1と同じである。R8、R9及びR10は、それぞれ独立して、炭素数1~4のアルキル基又は炭素数4~20のシクロアルキル基である。但し、R9及びR10が互いに結合して、それらが結合する炭素原子と共に、炭素数4~20のシクロアルカンジイル基を形成していてもよい。本発明は以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、LWRが小さく、かつパターン形状に優れるレジストパターンを形成可能な感放射線性樹脂組成物を提供することにある。上記課題を解決するためになされた発明は、[A]下記式1で表される構造単位Iを有する酸解離性基含有重合体以下、[A]重合体ともいう。、及び[B]下記式2で表される化合物以下、[B]化合物ともいう。を含有する感放射線性樹脂組成物である。式1中、R1は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~3のアルキル基である。Eは、単結合又は-COO-である。R2は、炭素数1~20の2価の炭化水素基であり、この炭化水素基の水素原子の一部又は全部はフッ素原子で置換されていてもよい。nは、0~5の整数である。Mは、オニウムカチオンである。式2中、Yは、水素原子、ヒドロキシル基、アクリロイル基又はメタクリロイル基である。R3は、炭素数1~20の2価の炭化水素基又は-R-Z-R’-である。R及びR’は、それぞれ独立して、炭素数1~20の2価の炭化水素基である。Zは、-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、-NH-、-NHCO-又は-CONH-である。但し、RとR’とが互いに結合して、Zと共に環構造を形成していてもよい。X-は、-O-、-COO-、-SO3-又は-N--SO2-Rである。Rは、炭素数1~20の1価の炭化水素基であり、この炭化水素基の水素原子の一部又は全部はフッ素原子で置換されていてもよい。Qは、オニウムカチオンである。本発明の感放射線性樹脂組成物は、上記特定の構造単位I及び酸解離性基を有する[A]重合体並びに上記特定構造を有する[B]化合物を含有する。[A]重合体の構造単位Iは露光により酸を発生するユニットであり、それが重合体中に存在することにより、均質な酸拡散が発現し、かつ露光部から未露光部への酸の拡散が制御される。また[B]化合物によって、露光部では酸が拡散し、未露光部における酸拡散が制御される。当該感放射線性樹脂組成物によれば、この[A]重合体と[B]化合物との組み合わせにより酸拡散が高度に制御され、その結果、LWRが小さく、かつパターン形状に優れるレジストパターンを形成することができる。上記式1におけるMが、下記式3及び下記式4でそれぞれ表されるオニウムカチオンからなる群より選ばれる少なくとも1種のオニウムカチオンであることが好ましい。式3中、R4a、R4b及びR4cは、それぞれ独立して、炭素数1~30の1価の炭化水素基又は核原子数4~30の1価の複素環基である。但し、上記炭化水素基及び複素環基の水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。また、R4a、R4b及びR4cのうちいずれか2つが互いに結合して、それらが結合するイオウ原子と共に環状構造を形成していてもよい。式4中、R5a及びR5bは、それぞれ独立して、炭素数1~30の1価の炭化水素基又は核原子数4~30の1価の複素環基である。但し、上記炭化水素基及び複素環基の水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。また、R5a及びR5bが互いに結合して、それらが結合するヨウ素原子と共に環状構造を形成していてもよい。上記[A]重合体におけるMで表されるオニウムカチオンが上記特定構造を有することで、当該感放射線性樹脂組成物の感度が向上し、結果として、得られるレジストパターンのLWRがより抑制され、またパターン形状により優れる。[B]化合物が、下記式2-1~2-6でそれぞれ表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物であることが好ましい。式2-1~2-6中、R6は、炭素数1~6の1価の鎖状炭化水素基である。R7は、それぞれ独立して、炭素数1~6の2価の鎖状炭化水素基である。Qの定義は上記式2と同じである。[B]化合物が上記特定構造を有することで、酸拡散制御性が向上する。その結果、当該感放射線性樹脂組成物から形成されるレジストパターンのLWRがさらに抑制され、またパターン形状にさらに優れる。[A]重合体が、下記式5で表される構造単位IIをさらに有することが好ましい。式5中、R1の定義は上記式1と同じである。R8、R9及びR10は、それぞれ独立して、炭素数1~4のアルキル基又は炭素数4~20のシクロアルキル基である。但し、R9及びR10が互いに結合して、それらが結合する炭素原子と共に、炭素数4~20のシクロアルカンジイル基を形成していてもよい。[A]重合体は、酸解離性基として構造単位IIをさらに有することで、酸解離容易性が高まる。その結果、当該感放射線性樹脂組成物から得られるレジストパターンのLWRがさらに抑制され、またパターン形状にさらに優れる。本発明の感放射線性樹脂組成物によれば、LWRが小さく、かつパターン形状に優れたレジストパターンを形成することができる。<感放射線性樹脂組成物>本発明の感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体及び[B]化合物を含有する。また、本発明の効果を損しない範囲で、任意成分を含有してもよい。以下、各構成成分について説明する。<[A]重合体>[A]重合体は構造単位Iを有する酸解離性基含有重合体である。構造単位Iは露光により分解し、酸を発生するユニットであるが、それが[A]重合体中に存在することにより、均質な酸拡散が発現し、かつ露光部から未露光部への酸の拡散が制御されるものである。また、[A]重合体は、アルカリ不溶性又はアルカリ難溶性を示す重合体であり、酸の作用により脱離可能な保護基酸解離性基を有し、酸の作用によりこの保護基が脱離してアルカリ可溶性を示す。[A]重合体は、酸解離性基を1種又は2種以上有していてもよい。酸解離性基を有する構造単位としては、特に限定されないが、後述する構造単位IIが好適なものとして挙げられる。[構造単位I]構造単位Iは上記式1で表される構造単位である。上記式1中、R1は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~3のアルキル基である。Eは、単結合又は-COO-である。R2は、炭素数1~20の2価の炭化水素基であり、この炭化水素基の水素原子の一部又は全部はフッ素原子で置換されていてもよい。nは、0~5の整数である。Mは、オニウムカチオンである。上記R1で表される炭素数1~3のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基等が挙げられる。この中で、水素原子又はメチル基が好ましい。上記R2で表される炭素数1~20の2価の炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、n-ブチレン基、n-ペンチレン基等の鎖状炭化水素基;シクロペンタン、シクロヘキサン、ジシクロペンタン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン、アダマンタン等の脂環式炭化水素から2個の水素原子を除いた2価の脂環式炭化水素基;この脂環式炭化水素基を一部に有する2価の炭化水素基;フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基等の芳香族炭化水素基;芳香環を一部に有する2価の炭化水素基等が挙げられる。上記2価の炭化水素基は、水素原子の一部又は全部がフッ素で置換されていてもよい。nとしては、好ましくは1~4である。式1における-R2-CF2n-で表される構造のうち好ましいものとしては、-CF2-CF2-、-CHF-CF2-、-CF2-CF2-CF2-、-CF2-CF2-CF2-CF2-、-CH2-CH2-CF2-CF2-、-CH2-CH2-CH2-CF2-CF2-、-CH2-CH2-CH2-CH2-CF2-CF2-、-CH2-CH2-CH2-CH2-CH2-CF2-CF2-、-CH2-CH2-CHF-CF2-、-CH2-CH2-CH2-CHF-CF2-、-CH2-CH2-CH2-CH2-CHF-CF2-、-CH2-CH2-CH2-CH2-CH2-CHF-CF2-、-CH2-CF2-、-CH2-CH2-CF2-、-CH2-CH2-CH2-CF2-、-CH2-CH2-CH2-CH2-CF2-が挙げられる。上記Mで表されるオニウムカチオンとしては、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオンが好ましく、上記式3で表されるオニウムカチオンスルホニウムカチオン及び上記式4で表されるオニウムカチオンヨードニウムカチオンからなる群より選ばれる少なくとも1種のオニウムカチオンがより好ましい。上記式3中、R4a、R4b及びR4cは、それぞれ独立して、炭素数1~30の1価の炭化水素基又は核原子数4~30の1価の複素環基である。但し、上記炭化水素基及び複素環基の水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。また、R4a、R4b及びR4cのうちいずれか2つが互いに結合して、それらが結合するイオウ原子と共に環状構造を形成していてもよい。上記式4中、R5a及びR5bは、それぞれ独立して、炭素数1~30の1価の炭化水素基又は核原子数4~30の1価の複素環基である。但し、上記炭化水素基及び複素環基の水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。また、R5a及びR5bが互いに結合して、それらが結合するヨウ素原子と共に環状構造を形成していてもよい。上記式3におけるR4a、R4b及びR4c並びに上記式4におけるR5a及びR5bで表される炭素数1~30の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチレン基、n-ペンチレン基等の1価の鎖状炭化水素基;シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ジシクロペンタニル基、トリシクロデシル基、テトラシクロドデシル基、アダマンチル基等の1価の脂環式炭化水素基;上記脂環式炭化水素基を一部に有する1価の炭化水素基;フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニル基、o-トリル基、m-トリル基、p-トリル基、p-ヒドロキシフェニル基、p-メトキシフェニル基、メシチル基、o-クメニル基、2,3-キシリル基、2,4-キシリル基、2,5-キシリル基、2,6-キシリル基、3,4-キシリル基、3,5-キシリル基、p-フルオロフェニル基、p-トリフルオロメチルフェニル基、p-クロロフェニル基、p-ブロモフェニル基、p-ヨードフェニル基等の置換されていてもよい1価の芳香族炭化水素基;上記芳香族炭化水素基を一部に有する1価の炭化水素基等が挙げられる。上記式3におけるR4a、R4b及びR4c並びに上記式4におけるR5a及びR5bで表される核原子数4~30の1価の複素環基としては、例えば、フリル基、チエニル基、ピラニル基、ピロリル基、チアントレニル基、ピラゾリル基、イソチアゾリル基、イソオキサゾリル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、3-テトラヒドロチオフェン-1,1-ジオキシド基等が挙げられる。上記炭化水素基及び複素環基が有する置換基としては、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン化炭化水素基、アルコキシ基、アミノ基、チオール基が好ましい。上記式3で表されるスルホニウムカチオンとしては、例えば、下記式i-1~i-27で表されるカチオン等が挙げられる。また、上記式4で表されるヨードニウムカチオンとしては、例えば、下記式ii-1~ii-25で表されるカチオン等が挙げられる。この中で、i-1、i-23、ii-1、ii-21及びii-22が好ましい。なお、上記Mで表される1価のオニウムカチオンは、例えば、AdvancesinPolymerScience,Vol.62,p.1-481984に記載されている一般的な方法に準じて合成することができる。[A]重合体は、上記Mで表される1価のオニウムカチオンを1種又は2種以上含んでいてもよい。構造単位Iとしては、例えば、下記式1-1~1-10で表される構造単位が挙げられる。上記式1-1~1-10中、R1及びMの定義は、上記式1と同じである。この中で、上記式1-1、1-2、1-4、1-5及び1-6でそれぞれ表される構造単位が好ましい。構造単位Iを与える単量体としては、例えば、下記式m-1-1~m-1-23で表される重合性化合物等が挙げられる。この中で、上記式m-1-1、m-1-14、m-1-15、m-1-16及びm-1-17でそれぞれ表される重合性化合物が好ましい。[構造単位II][A]重合体は、構造単位Iに加えて、上記式5で表される構造単位IIを有することが好ましい。構造単位IIは、酸の作用により脱離可能な保護基酸解離性基を有し、酸の作用により該保護基が脱離して[A]重合体にアルカリ可溶性を発現させる機能を有する。上記式5中、R1の定義は上記式1と同じである。R8、R9及びR10は、それぞれ独立して、炭素数1~4のアルキル基又は炭素数4~20のシクロアルキル基である。但し、R9及びR10が互いに結合して、それらが結合する炭素原子と共に、炭素数4~20のシクロアルカンジイル基を形成していてもよい。上記R8、R9及びR10で表される炭素数1~4のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等が挙げられる。この中で、メチル基及びエチル基が好ましい。上記R8、R9及びR10で表される炭素数4~20のシクロアルキル基としては、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の単環のシクロアルキル基;ノルボルニル基、ジシクロペンタニル基、ジシクロペンテニル基、トリシクロデシル基、テトラシクロドデシル基、アダマンチル基等の有橋脂環骨格を有するシクロアルキル基等が挙げられる。上記R9及びのR10が互いに結合して、それらが結合する炭素原子と共に形成する炭素数4~20のシクロアルカンジイル基としては、例えば、上記シクロアルキル基から水素原子を1つ除いた基が挙げられる。この中で、シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、シクロオクタンジイル基、ノルボルナンジイル基、アダマンタンジイル基及びテトラシクロドデカンジイル基が好ましく、シクロペンタンジイル基、アダマンタンジイル基及びテトラシクロドデカンジイル基がさらに好ましい。構造単位IIとしては、下記式5-1~式5-17で表される構造単位が好ましい。上記式中、R1の定義は上記式1と同じである。この中で上記式5-2、5-3、5-4、5-10、5-11、5-12、5-16及び5-17でそれぞれ表される構造単位が好ましく、上記式5-2、5-3、5-10、5-11及び5-17でそれぞれ表される構造単位がより好ましい。[構造単位III][A]重合体は、ラクトン構造を有する構造単位及び環状カーボネート構造を有する構造単位からなる群より選ばれる少なくとも1種の構造単位IIIを有することが好ましい。ラクトン構造を有する構造単位としては、例えば、メタアクリル酸-5-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[5.2.1.03,8]デカ-2-イルエステル、メタアクリル酸-10-メトキシカルボニル-5-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[5.2.1.03,8]ノナ-2-イルエステル、メタアクリル酸-4-メトキシカルボニル-6-オキソ-7-オキサ-ビシクロ[3.2.1]オクタ-2-イルエステル、メタアクリル酸-7-オキソ-8-オキサ-ビシクロ[3.3.1]ノナ-2-イルエステル、メタアクリル酸-4-メトキシカルボニル-7-オキソ-8-オキサ-ビシクロ[3.3.1]ノナ-2-イルエステル、メタアクリル酸-2-オキソテトラヒドロピラン-4-イルエステル、メタアクリル酸-4-エチル-2-オキソテトラヒドロピラン-4-イルエステル、メタアクリル酸-4-プロピル-2-オキソテトラヒドロピラン-4-イルエステル、メタアクリル酸-2,2-ジメチル-5-オキソテトラヒドロフラン-3-イルエステル、メタアクリル酸-4,4-ジメチル-5-オキソテトラヒドロフラン-3-イルエステル、メタアクリル酸-4,4-ジメチル-2-オキソテトラヒドロフラン-3-イルエステル、メタアクリル酸-5,5-ジメチル-2-オキソテトラヒドロフラン-3-イルエステル、メタアクリル酸-5-オキソテトラヒドロフラン-2-イルメチルエステル、メタアクリル酸-3,3-ジメチル-5-オキソテトラヒドロフラン-2-イルメチルエステル、メタアクリル酸-4,4-ジメチル-5-オキソテトラヒドロフラン-2-イルメチルエステル等の化合物由来の構造単位及び下記式iii-1~iii-28で表される構造単位等が挙げられる。上記式中、R1の定義は、上記式1と同じである。この中で、iii-6で表される構造単位が好ましい。環状カーボネート構造を有する構造単位としては、例えば、下記式iv-1~iv-21で表される構造単位等が挙げられる。上記式中、R1の定義は、上記式1と同じである。この中で、上記式iv-22で表される構造単位が好ましい。<その他の構造単位>[A]重合体は、構造単位I~III以外にも、その他の構造単位として、例えば、メタアクリル酸ヒドロキシアルキルエステル、メタアクリル酸ヒドロキシシクロアルキルエステル、メタアクリル酸ヒドロキシアリールエステル、カルボキシル基含有メタアクリル酸エステルに由来する構造単位等を有していてもよい。この中で、メタアクリル酸ヒドロキシシクロアルキルエステル及びメタアクリル酸ヒドロキシアリールエステルにそれぞれ由来する構造単位が好ましく、メタアクリル酸ヒドロキシアダマンチルエステル、メタアクリル酸ヒドロキシフェニルエステル及びメタアクリル酸ヒドロキシナフチルエステルにそれぞれ由来する構造単位がより好ましい。なお、当該感放射線性樹脂組成物は、共重合比や分子量の異なる二種以上の[A]重合体を含有してもよく、[A]重合体と共に他の重合体を含有していてもよい。上記他の重合体を構成する構造単位としては、上述した構造単位IIや上記その他の構造単位が挙げられる。上記構造単位Iの含有割合としては、当該感放射線性樹脂組成物に含有される重合体の全構造単位に対して、好ましくは0.1~20モル、より好ましくは0.1~15モルである。この含有割合で用いることにより、パターン形状の向上やLWR低減等の効果がより十分に発現する。上記構造単位IIの含有割合としては、当該感放射線性樹脂組成物に含有される重合体の全構造単位に対して、好ましくは20~80モル、より好ましくは25~75モルである。この含有割合で用いることにより、解像性に優れると共に、基板との密着性に優れたレジストパターンを形成できる組成物が得られる。上記構造単位IIIの含有割合としては、当該感放射線性樹脂組成物に含有される重合体の全構造単位に対して、好ましくは10~80モル、より好ましくは20~70モルである。この含有割合で用いることにより、レジスト被膜と基板との密着性に優れると共に、パターン形成性に優れる組成物が得られる。上記その他の構造単位の含有割合としては、当該感放射線性樹脂組成物に含有される重合体の全構造単位に対して、好ましくは40モル以下、より好ましくは30モル以下である。この含有割合で用いることにより、パターン形成性に優れる組成物が得られる。<[A]重合体の合成方法>[A]重合体の合成方法は、特に限定されるものではないが、例えば、所望の構造単位組成に対応する重合性不飽和単量体を、ラジカル重合開始剤や、必要に応じて連鎖移動剤等の存在下、適当な溶媒中で重合することにより合成することができる。ラジカル重合開始剤は、十分な重合速度を実現するために、十分高い濃度になるように添加することが好ましい。上記ラジカル重合開始剤としては、特に限定されるものではないが、熱重合開始剤、レドックス重合開始剤、光重合開始剤が挙げられる。具体的には、例えばパーオキシドやアゾ化合物等の重合開始剤が挙げられる。さらに具体的なラジカル重合開始剤としては、t-ブチルハイドロパーオキサイド、t-ブチルパーベンゾエート、ベンゾイルパーオキサイド、2,2-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2-アゾビスイソブチロニトリルAIBN、1,1-アゾビスシクロヘキサンカルボニトリル、ジメチル-2,2-アゾビスイソブチレートMAIB等が挙げられる。上記連鎖移動剤としては、ピラゾール誘導体、アルキルチオール類等が挙げられる。上記重合操作については通常のバッチ重合、滴下重合等の方法を用いることができる。例えば、上記構造単位I、II及びその他の構造単位のそれぞれを形成する単量体について、必要な種類及び量を有機溶媒に溶解させ、ラジカル重合開始剤、及び必要に応じて連鎖移動剤等の存在下で重合することにより[A]重合体が得られる。重合溶媒は一般に単量体、ラジカル重合開始剤及び連鎖移動剤を溶解できる有機溶媒が用いられる。有機溶媒としてケトン系溶媒、エーテル系溶媒、非プロトン系極性溶媒、エステル系溶媒、芳香族系溶媒、鎖状又は環状脂肪族系溶媒が挙げられる。ケトン系溶媒としては、メチルエチルケトン、アセトン等が挙げられる。エーテル系溶媒としては、例えば、メトキシジメチルエーテルメチラール、ジエチルエーテル等のジアルキルエーテル;テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン等の環状エーテル等が挙げられる。非プロトン系極性溶媒としては、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキサイド等が挙げられる。エステル系溶媒としては、例えば、酢酸エチル、酢酸メチル等の酢酸アルキルが挙げられる。芳香族系溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン等のアルキル基含有芳香族炭化水素溶媒;クロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素溶媒等が挙げられる。脂肪族系溶媒としては、ヘキサン等の鎖状脂肪族系溶媒;シクロヘキサン等の環状脂肪族系溶媒等が挙げられる。重合温度は、一般に20°C~120°C、好ましくは50°C~110°C、さらに好ましくは60°C~100°Cである。通常の大気雰囲気でも重合できる場合もあるが、窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気下での重合が好ましい。得られる[A]重合体の分子量は単量体量と連鎖移動剤量との比率を制御することで調整できる。重合時間は一般に0.5時間~144時間、好ましくは1時間~72時間、より好ましくは2時間~24時間である。[A]重合体は、分子鎖末端に連鎖移動剤由来の残基を有してもよく、分子鎖末端に連鎖移動剤由来の残基を有さなくてもよく、また、分子鎖末端に連鎖移動剤由来の残基が一部残存する状態であってもよい。当該感放射線性樹脂組成物に用いられる[A]重合体及び他の重合体は、ハロゲン、金属等の不純物が少ないのは当然のことながら、残留単量体やオリゴマー成分が既定値以下、例えばHPLCによる分析で0.1質量以下であることが好ましく、それにより、レジストとしての感度、解像度、プロセス安定性、パターン形状等をさらに改善できるだけでなく、液中異物や感度等の経時変化が少ないレジストとして使用できる感放射線性樹脂組成物が得られる。上記重合体の精製法としては、例えば以下の方法が挙げられる。金属等の不純物を除去する方法としては、ゼータ電位フィルターを用いて重合体溶液中の金属を吸着させる方法や蓚酸やスルホン酸等の酸性水溶液で重合体溶液を洗浄することで金属をキレート状態にして除去する方法等が挙げられる。また、残留単量体やオリゴマー成分を規定値以下に除去する方法としては、水洗や適切な溶媒を組み合わせることにより残留単量体やオリゴマー成分を除去する液々抽出法、特定の分子量以下のもののみを抽出除去する限外ろ過等の溶液状態での精製方法や、重合体溶液を貧溶媒へ滴下することで重合体を貧溶媒中に凝固させることにより残留単量体等を除去する再沈澱法やろ別した重合体スラリーを貧溶媒で洗浄する等の固体状態での精製方法が挙げられる。また、これらの方法を組み合わせることもできる。上記再沈澱法に用いられる貧溶媒としては、精製する重合体の物性等に左右され一概には例示することはできないが、当業者であれば重合体の物性等に合わせて適宜選定することができる。[A]重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量以下、Mwともいう。は、通常、1,000~300,000、好ましくは2,000~300,000、さらに好ましくは2,000~20,000である。[A]重合体のMwが1,000未満では、レジストとしての耐熱性が低下する傾向があり、一方300,000を超えると、レジストとしての現像性が低下する傾向がある。また、[A]重合体のMwとゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCによるポリスチレン換算数平均分子量以下、Mnともいう。との比Mw/Mnは、好ましくは1~5、さらに好ましくは1~3、特に好ましくは1~1.6である。<[B]化合物>当該感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体に加え、酸の拡散を制御するための上記式2で表される[B]化合物を含有する。[B]化合物は、露光工程で発生する酸に対して塩基として働く一方、活性光線又は放射線の照射により分解して塩基性を消失する。従って、[B]化合物を含有する当該感放射線性樹脂組成物によれば、露光部では酸が拡散し、未露光部における酸拡散は制御されるので、良好なコントラストが得られる。上記式2中、Yは、水素原子、ヒドロキシル基、アクリロイル基又はメタクリロイル基である。R3は、炭素数1~20の2価の炭化水素基又は-R-Z-R’-である。R及びR’は、それぞれ独立して、炭素数1~20の2価の炭化水素基である。Zは、-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、-NH-、-NHCO-又は-CONH-である。但し、RとR’とが互いに結合して、Zと共に環構造を形成していてもよい。X-は、-O-、-COO-、-SO3-又は-N--SO2-Rである。Rは、炭素数1~20の1価の炭化水素基であり、この炭化水素基の水素原子の一部又は全部はフッ素原子で置換されていてもよい。Qは、オニウムカチオンである。上記R3、R及びR’で表される炭素数1~20の2価の炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、n-ブチレン基、n-ペンチレン基等の鎖状炭化水素基;シクロペンタン、シクロヘキサン、ジシクロペンタン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン、ノルボルナン、アダマンタン等の脂環式炭化水素から2個の水素原子を除いた脂環式炭化水素基;上記脂環式炭化水素基を一部に有する2価の炭化水素基;フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基等の芳香族炭化水素基;上記芳香族炭化水素基を一部に有する2価の炭化水素基等が挙げられる。これらの炭化水素基は、水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい。但し、X-が-SO3-である場合、SO3-基と結合する炭素原子がフッ素原子又はパーフルオロアルキル基で置換されている化合物は、好ましくない。RとR’とが互いに結合して、Zと共に形成する環構造としては、例えば、Zが-O-の場合、単環状エーテル構造、多環状エーテル構造等;Zが-CO-の場合、単環状ケトン構造、多環状ケトン構造等;Zが-COO-の場合、単環状ラクトン構造、多環状ラクトン等が挙げられる。この中で、多環状ケトン構造及び多環状ラクトン構造が好ましく、ノルボルナノン構造及びノルボルナンラクトン構造がより好ましく、ノルボルナノン構造がさらに好ましい。上記Qで表されるオニウムカチオンとしては、[A]重合体におけるMで表されるオニウムカチオンと同様、上記式3で表されるオニウムカチオンスルホニウムカチオン及び上記式4で表されるオニウムカチオンヨードニウムカチオンからなる群より選ばれる少なくとも1種のオニウムカチオンであることが好ましい。その中でも、上記式3で表されるオニウムカチオンスルホニウムカチオンが好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオンがさらに好ましい。[B]化合物は、上記式2-1~2-6でそれぞれ表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。上記式2-1~2-6中、R6は、炭素数1~6の1価の鎖状炭化水素基である。R7は、それぞれ独立して、炭素数1~6の2価の鎖状炭化水素基である。Qの定義は上記式2と同じである。上記R6で表される1価の鎖状炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基等が挙げられる。この中で、n-ブチル基、n-ペンチル基及びn-ヘキシル基が好ましく、n-ブチル基がより好ましい。上記R7で表される2価の鎖状炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、i-プロピレン基、n-ブチレン基、n-ペンチレン基等が挙げられる。この中で、エチレン基、n-プロピレン基及びi-プロピレン基が好ましく、エチレン基がより好ましい。上記式2-1~2-6で表される化合物の中でも、式2-1、2-2、2-3及び2-4で表される化合物が好ましく、式2-1で表される化合物がより好ましい。[B]化合物の含有量としては、レジストとしての感度及び現像性を確保する観点から、[A]重合体100質量部に対して、0.1~20質量部であることが好ましく、さらに好ましくは0.5~10質量部である。この含有量で用いることにより、LWRの改良効果が十分得られると共に、高感度の感放射線性樹脂組成物を得ることができる。<任意成分>当該感放射線性樹脂組成物は、任意成分として、必要に応じ、[C]感放射線性酸発生剤、[D]酸拡散制御剤、[E]溶媒、[F]添加物等を含有してもよい。<[C]感放射線性酸発生剤>当該感放射線性樹脂組成物は、必要に応じて、[A]成分、[B]成分以外の[C]感放射線性酸発生剤以下、[C]酸発生剤ともいう。を含有してもよい。上記[C]酸発生剤としては、スルホニウム塩やヨードニウム塩等のオニウム塩、有機ハロゲン化合物、ジスルホン類やジアゾメタンスルホン類等のスルホン化合物を挙げることができる。上記[C]酸発生剤の好ましい具体例としては、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート等のトリフェニルスルホニウム塩化合物;4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート等の4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム塩化合物;4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート等の4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウム塩化合物;ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート等のジフェニルヨードニウム塩化合物;ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート等のビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム塩化合物;1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート等の1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム塩化合物;1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート等の1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム塩化合物;1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート等の1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウム塩化合物;N-トリフルオロメタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-パーフルオロ-n-オクタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-3-テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル-1,1-ジフルオロエタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-カンファースルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド等のビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド類化合物等を挙げることができる。[C]酸発生剤は、単独で又は2種以上を混合して使用できる。[C]酸発生剤の含有量は、レジストとしての感度及び現像性を確保する観点から、[A]重合体100質量部に対して、30質量部以下であることが好ましく、0.1~20質量部であることがさらに好ましい。[C]酸発生剤の含有量が30質量部以下であると、放射線に対する透明性に優れる感放射線性樹脂組成物を得ることができる。<[D]酸拡散制御剤>当該感放射線性樹脂組成物は、[D]酸拡散制御剤但し、[B]化合物を除く。を含有していてもよい。当該感放射線性樹脂組成物が含有する[B]化合物は酸拡散制御性を有するため、その他に酸拡散制御剤を併用しなくても、良好な解像度、パターン形状、LWR特性を得ることができるが、他に[D]酸拡散制御剤を用いてもよい。[D]酸拡散制御剤としては、含窒素化合物が好ましく用いられる。上記含窒素化合物としては、例えば、下記式6で表される化合物以下、含窒素化合物Iともいう。、同一分子内に2つの窒素原子を有する化合物以下、含窒素化合物IIともいう。、同一分子内に3つ以上の窒素原子を有するポリアミノ化合物及び窒素原子含有重合性化合物の重合体以下、まとめて含窒素化合物IIIともいう。、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等を挙げることができる。上記式6中、R15a、R15b及びR15cは、それぞれ独立して、水素原子、置換されていてもよい直鎖状、分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基である。含窒素化合物Iとしては、例えば、n-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン、シクロヘキシルアミン等のモノシクロアルキルアミン類;ジ-n-ブチルアミン、ジ-n-ペンチルアミン、ジ-n-ヘキシルアミン、ジ-n-ヘプチルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジ-n-ノニルアミン、ジ-n-デシルアミン、シクロヘキシルメチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジシクロアルキルアミン類;トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-ノニルアミン、トリ-n-デシルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン等のトリシクロアルキルアミン類;2,2’,2-ニトロトリエタノール等の置換アルキルアミン;アニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、2-メチルアニリン、3-メチルアニリン、4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、ナフチルアミン、2,4,6-トリ-tert-ブチル-N-メチルアニリン、N-フェニルジエタノールアミン、2,6-ジイソプロピルアニリン等の芳香族アミン類を挙げることができる。含窒素化合物IIとしては、例えば、エチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノベンゾフェノン、4,4’-ジアミノジフェニルアミン、2,2-ビス4-アミノフェニルプロパン、2-3-アミノフェニル-2-4-アミノフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-3-ヒドロキシフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-4-ヒドロキシフェニルプロパン、1,4-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、1,3-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、ビス2-ジメチルアミノエチルエーテル、ビス2-ジエチルアミノエチルエーテル、1-2-ヒドロキシエチル-2-イミダゾリジノン、2-キノキサリノール、N,N,N’,N’-テトラキス2-ヒドロキシプロピルエチレンジアミン、N,N,N’,N,N-ペンタメチルジエチレントリアミン等を挙げることができる。含窒素化合物IIIとしては、例えば、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、2-ジメチルアミノエチルアクリルアミドの重合体等を挙げることができる。アミド基含有化合物としては、例えば、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-オクチルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-ノニルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-デシルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-2-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-N-メチル-1-アダマンチルアミン、S---1-t-ブトキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、R--1-t-ブトキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、N-t-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン、N-t-ブトキシカルボニルピロリジン、N-t-ブトキシカルボニルピペラジン、N,N-ジ-t-ブトキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N,N-ジ-t-ブトキシカルボニル-N-メチル-1-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N,N’N’-テトラ-t-ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,7-ジアミノヘプタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,8-ジアミノオクタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,9-ジアミノノナン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,10-ジアミノデカン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,12-ジアミノドデカン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N-t-ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニル-2-メチルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニル-2-フェニルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニルピロリジン等のN-t-ブトキシカルボニル基含有アミノ化合物のほか、ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N-メチルピロリドン、N-アセチル-1-アダマンチルアミン、イソシアヌル酸トリス2-ヒドロキシエチル等を挙げることができる。ウレア化合物としては、例えば、尿素、メチルウレア、1,1-ジメチルウレア、1,3-ジメチルウレア、1,1,3,3-テトラメチルウレア、1,3-ジフェニルウレア、トリ-n-ブチルチオウレア等を挙げることができる。含窒素複素環化合物としては、例えば、イミダゾール、4-メチルイミダゾール、4-メチル-2-フェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、2-フェニルベンズイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチル-1H-イミダゾール等のイミダゾール類;ピリジン、2-メチルピリジン、4-メチルピリジン、2-エチルピリジン、4-エチルピリジン、2-フェニルピリジン、4-フェニルピリジン、2-メチル-4-フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、4-ヒドロキシキノリン、8-オキシキノリン、アクリジン、2,2’:6’,2-ターピリジン等のピリジン類;ピペラジン、1-2-ヒドロキシエチルピペラジン等のピペラジン類のほか、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペリジンエタノール、3-ピペリジノ-1,2-プロパンジオール、モルホリン、4-メチルモルホリン、1-4-モルホリニルエタノール、4-アセチルモルホリン、3-N-モルホリノ-1,2-プロパンジオール、1,4-ジメチルピペラジン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等を挙げることができる。[D]酸拡散制御剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、15質量部以下であることが好ましく、10質量部以下であることがさらに好ましく、5質量部以下であることが特に好ましい。上記含有量で用いることにより、感度及び露光領域の現像性に優れると共に、パターン形状や寸法忠実度に優れる感放射線性樹脂組成物を得ることができる。<[E]溶媒>当該感放射線性樹脂組成物は、通常、[E]溶媒を含有する。上記感放射線性樹脂組成物の調製に使用される溶媒としては、上記[A]重合体、[B]化合物及び任意成分を、溶解又は分散させることができるものであればよく、特に限定されないが、例えば、2-ペンタノン、2-ヘキサノン、2-ヘプタノン、2-オクタノン等の直鎖状又は分岐状のケトン類;シクロペンタノン、シクロヘキサノン等の環状のケトン類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類;ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル等のジエチレングリコールジアルキルエーテル類;2-ヒドロキシプロピオン酸メチル、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル等の2-ヒドロキシプロピオン酸アルキル類;3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル等の3-アルコキシプロピオン酸アルキル類;酢酸n-ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等のエステル類;N-メチルピロリドン等のラクタム類:γ-ブチロラクトン等のラクトン類等が挙げられる。[E]溶媒は、1種又は2種以上用いることができる。この中で、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、直鎖状、分岐状又は環状のケトン類、2-ヒドロキシプロピオン酸アルキル類、3-アルコキシプロピオン酸アルキル類及びラクトン類からなる群より選ばれる少なくとも1種を用いることが好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、2-ヘプタノン、シクロヘキサノン、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸エチル及びγ-ブチロラクトンからなる群より選ばれる少なくとも1種を用いることがより好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン及びγ-ブチロラクトンからなる群より選ばれる少なくとも1種を用いることがさらに好ましい。<[F]添加剤>当該感放射線性樹脂組成物は、[F]添加剤として、例えば、脂環族添加剤、界面活性剤、増感剤等を含有してもよい。[脂環族添加剤]脂環族添加剤は、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接着性等をさらに改善する作用を示す成分である。脂環族添加剤は、酸解離性基を有していてもよい。上記脂環族添加剤としては、例えば、1-アダマンタンカルボン酸t-ブチル、1-アダマンタンカルボン酸t-ブトキシカルボニルメチル、1-アダマンタンカルボン酸αブチロラクトンエステル、1,3-アダマンタンジカルボン酸ジ-t-ブチル、1-アダマンタン酢酸t-ブチル、1-アダマンタン酢酸t-ブトキシカルボニルメチル、1,3-アダマンタンジ酢酸ジ-t-ブチル、2,5-ジメチル-2,5-ジアダマンチルカルボニルオキシヘキサン等のアダマンタン誘導体類;デオキシコール酸t-ブチル、デオキシコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸2-エトキシエチル、デオキシコール酸2-シクロヘキシルオキシエチル、デオキシコール酸3-オキソシクロヘキシル、デオキシコール酸テトラヒドロピラニル、デオキシコール酸メバロノラクトンエステル等のデオキシコール酸エステル類;リトコール酸t-ブチル、リトコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸2-エトキシエチル、リトコール酸2-シクロヘキシルオキシエチル、リトコール酸3-オキソシクロヘキシル、リトコール酸テトラヒドロピラニル、リトコール酸メバロノラクトンエステル等のリトコール酸エステル類;アジピン酸ジメチル、アジピン酸ジエチル、アジピン酸ジプロピル、アジピン酸ジn-ブチル、アジピン酸ジt-ブチル等のアルキルカルボン酸エステル類等を挙げることができる。なお、上記脂環族添加剤は、1種又は2種以上を用いることができる。[界面活性剤]界面活性剤は、塗布性、ストリエーション、現像性等を改良する作用を示す成分である。上記界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンn-オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンn-ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤のほか、以下全て商品名で、KP341信越化学工業社製、ポリフローNo.75,同No.95共栄社化学社製、エフトップEF301,同EF303,同EF352トーケムプロダクツ社製、メガファックF171,同F173大日本インキ化学工業社製、フロラードFC430,同FC431住友スリーエム社製、アサヒガードAG710,サーフロンS-382,同SC-101,同SC-102,同SC-103,同SC-104,同SC-105,同SC-106旭硝子社製等を挙げることができる。上記界面活性剤は、1種又は2種以上を用いることができる。界面活性剤の配合量としては、[A]重合体100質量部に対して、2質量部以下であることが好ましい。[増感剤]増感剤は、放射線のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを光酸発生剤に伝達し、それにより酸の生成量を増加する作用を示し、当該感放射線性樹脂組成物のみかけの感度を向上させる効果を有するものである。増感剤としては、例えば、カルバゾール類、ベンゾフェノン類、ローズベンガル類、アントラセン類、フェノール類等を挙げることができる。上記増感剤は、1種又は2種以上を用いることができる。増感剤の配合量としては、[A]重合体100質量部に対して、50質量部以下であることが好ましい。<感放射線性樹脂組成物の調製方法>当該感放射線性樹脂組成物は、通常、全固形分濃度[E]溶媒以外の成分の合計質量の組成物に対する割合が1~50質量、好ましくは3~25質量となるように、[E]溶媒に溶解したのち、例えば、孔径0.2μm程度のフィルターでろ過し、感放射線性樹脂組成物溶液として調製される。以下、実施例を挙げて、本発明の実施の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。下記の各合成例における各物性測定は、下記方法で行った。[重量平均分子量Mw及び数平均分子量Mn]合成例1~7、12及び13については、東ソー社製GPCカラムG2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本を用い、流量1.0mL/分、溶出溶媒としてテトラヒドロフラン、カラム温度40°Cの分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCにより測定した。合成例8~11については、GPCカラムとして、東ソー社製GPCカラムTSKgelα-2500、TSKgelα-Mを用い、流量1.0mL/分、溶出溶媒として、LiBrを30mmol/LとH3PO4を10mmol/L溶解させたジメチルホルムアミドを用い、カラム温度40°Cの分析条件で、MALLSWyatt社製、DAWNDSP、セルタイプK5、レーザー波長632.8nmを検出器として用いるゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCにより測定した。[13CNMR分析]日本電子社製JNM-EX270を用いて測定した。<[A]重合体の合成>[A]重合体の合成に用いた各単量体を以下に示す。[合成例1]上記単量体M-119.30g46モル、単量体M-75.12g4モル及び単量体M-525.58g50モルを2-ブタノン100gに溶解し、さらに2,2’-アゾビスイソブチロニトリルAIBN1.89g単量体の合計モル数に対し5モルを溶解させた単量体溶液を準備した。一方で、50gの2-ブタノンを投入した300mLの三口フラスコを30分窒素パージし、その後、反応釜を攪拌しながら80°Cに加熱し、事前に準備した上記単量体溶液を滴下漏斗を用いて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合溶液は水冷することにより30°C以下に冷却し、1,000gのメタノールへ投入し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別された白色粉末を2回200gずつのメタノールにてスラリー状にして洗浄した後、ろ別し、50°Cにて17時間乾燥し、白色粉末の重合体A-1を得た36.3g、収率72.5。この重合体A-1は、Mwが6,800、Mw/Mn分子量分散度が1.35であり、13C-NMR分析の結果、単量体M-7由来の構造単位:単量体M-1由来の構造単位:単量体M-5由来の構造単位の含有割合モル比が4.0:45.8:50.2の共重合体であった。また、得られた重合体A-1の分子量1,000未満の低分子量成分の含有割合をGPCで測定した結果、0.1モル未満であった。[合成例2、4、5、6、8、9、10、11及び12]合成例1において、下記表1に示す単量体の種類及び量を用いた以外は、合成例1と同様にして、それぞれ重合体A-2、A-4、A-5、A-6、A-8、A-9、A-10、A-11及びa-1を得た。得られた重合体の収率、Mw、Mw/Mn及び各重合体中の各構造単位の含有割合モルの測定結果を表2に示す。[合成例3、7及び13]合成例1において、下記表1に示す単量体の種類及び量を用い、単量体M-3を重合前から三口フラスコ側に投入しておいた以外は、合成例1と同様にして、重合体A-3、A-7及びA-9を得た。得られた重合体の収率、Mw、Mw/Mn及び各重合体中の各構造単位の含有割合モルの測定結果を表2に示す。<感放射線性樹脂組成物の調製>感放射線性樹脂組成物の調製に用いた[B]化合物、[C]感放射線性酸発生剤、[D]酸拡散抑制剤及び[E]溶媒について以下に示す。[[B]化合物]下記式B-1~B-5でそれぞれ表される化合物[[C]感放射線性酸発生剤]C-1:トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート[[D]酸拡散制御剤]D-1:N-t-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジンD-2:トリ-n-オクチルアミン[[E]溶媒]E-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートE-2:シクロヘキサノンE-3:γ-ブチロラクトン[実施例1]重合体A-1100質量部、化合物B-17質量部、並びに溶媒E-11,700質量部、E-2700質量部及びE-330質量部を混合し、得られた混合液を孔径200nmのメンブランフィルターでろ過することにより、実施例1の感放射線性樹脂組成物を調製した。[実施例2~16及び比較例1~4]実施例1において、各成分の種類及び量を下記表3に示す通りにした以外は、実施例1と同様にして、実施例2~16及び比較例1~4の感放射線性樹脂組成物を調製した。なお、-はその成分を使用しなかったことを示す。<感放射線性樹脂組成物の評価1>実施例1~11及び比較例1~3の各感放射線性樹脂組成物について、以下の方法により、感度、パターン形状及びLWRについての評価を行った。これらの評価結果を表4に示す。[感度]ウェハ表面に膜厚1,050ÅのARC66日産化学工業製膜を形成したシリコンウェハを用い、各組成物溶液を、基板上にクリーントラックACT12東京エレクトロン製を用い、スピンコートにより塗布し、ホットプレート上にて、表4に示す温度で60秒間プレベークPBを行って膜厚0.09μmのレジスト被膜を形成した。その後レジスト被膜上にLithiusPro-iを用い、TCX041JSR製をスピンコートにより塗布し、ホットプレート上90°CでPBを行い、膜厚0.09μmのトップコート膜を形成した。上記のようにして形成した被膜に、ニコン製ArFエキシマレーザー露光装置S610C開口数1.30を用いて、マスクパターンを介して露光した。表4に示す温度で60秒間PEBを行った後、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により、23°Cで60秒間現像し、水洗し、乾燥して、ポジ型のレジストパターンを形成した。このとき、直径0.044μmのラインアンドスペースパターン1L1Sを得るためのマスクを介して得られたパターンが直径0.044μmのサイズになるような露光量を最適露光量とし、この最適露光量単位:mJ/cm2を感度とした。[パターン形状パターンの断面形状]上述した感度の測定の際に得られた0.044μmラインアンドスペースパターンの断面形状を、日立ハイテクノロジーズ社製S-4800にて観察し、パターン形状を評価した。矩形形状を示していた場合をA良好と、矩形以外の形状を示していた場合をB不良と評価した。[LWRラインウィドゥスラフネス]上記最適露光量において、基板上のレジスト被膜に形成された0.044μm1L1Sパターンを、測長SEM日立製作所社製、型番CG4000を用いて、パターン上部から観察し、パターン幅を任意のポイントで測定し、その測定値のばらつきを3シグマとして求め、LWR単位:nmとした。このLWRは小さいほど好ましく、3.0nm以下である場合をA良好と、3.0nmを超える場合をB不良と評価した。表4の結果により、実施例1~11の感放射線性樹脂組成物は、比較例1~3の感放射線性樹脂組成物に比べて、ArF露光において、LWRが小さく、かつ矩形の断面を有する優れたパターン形状を有するレジストパターンを形成できることが示された。<感放射線性樹脂組成物の評価2>実施例12~16及び比較例4の各感放射線性樹脂組成物については、以下の方法により、感度、ナノエッジラフネス及び解像度についての評価を行った。これらの評価結果を表5に示す。[感度]東京エレクトロン製のクリーントラックACT-8内で、シリコンウエハー上に感放射線性樹脂組成物をスピンコートした後、表5に示す温度で90秒間PBを行い、膜厚60nmのレジスト被膜を形成した。その後、簡易型の電子線描画装置日立製作所社製、型式HL800D、出力;50KeV、電流密度;5.0アンペア/cm2を用いて上記形成したレジスト被膜に電子線を照射した。電子線の照射後、表5に示す温度で90秒間PEBを行った。その後、2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用い、23°Cで1分間、パドル法により現像した後、純水で水洗し、乾燥して、レジストパターンを形成した。このとき、線幅150nmのライン部と、隣り合うライン部によって形成される間隔が150nmのスペース部即ち、溝とからなるラインアンドスペースパターン1L1Sを1対1の線幅に形成する露光量を最適露光量とし、この最適露光量を感度単位:μC/cm2とした。[ナノエッジラフネス]設計線幅150nmのラインアンドスペースパターン1L1Sのラインパターンを、半導体用走査電子顕微鏡高分解能FEB測長装置、商品名S-9220、日立製作所社製にて観察した。観察された形状について、図1及び図2に示すように、シリコンウエハー1上に形成したレジスト被膜のライン部2の横側面2aに沿って生じた凹凸の最も著しい箇所における線幅と、設計線幅150nmとの差ΔCDとから、ナノエッジラフネス単位:nmを算出した。[解像度]ラインアンドスペースパターン1L1Sについて、最適露光量により解像されるラインパターンの最小線幅を解像度単位:nmとした。表5の結果により、実施例12~16の感放射線性樹脂組成物は、比較例1の感放射線性樹脂組成物に比べて、電子線に有効に感応し、ナノエッジラフネスが小さく、かつ解像度にも優れたレジストパターンを形成できることが示された。以上、表4及び表5の結果から示されるように、本発明の感放射線性樹脂組成物によれば、ArF等の紫外線及び電子線等の荷電粒子線のいずれの場合にも、LWRやナノエッジラフネスが抑制され、矩形の良好なパターン形状を有し、解像度にも優れるレジストパターンを形成することができるといえる。"