基板上の部材に投影された光パタンを解析することによって、基板上の部材の三次元形状を計測する三次元形状計測装置であって、基板は、半田が塗布される領域であるランドを含み、前記三次元形状計測装置は、光パタンが投影された基板上の部材を撮像し、画像として取得する撮像手段と、半田が塗布される前の状態の基板において、ランドに接続されている所定の領域の画像を前記撮像手段により取得して、前記所定の領域における所定の基準面からの高さを計測する領域高さ計測手段と、前記領域高さ計測手段により計測された前記所定の領域の高さに基づいて、前記所定の領域における基板の高さ分布を算出する分布算出手段と、半田が塗布される前の状態の基板において、前記所定の領域内のランドの画像を前記撮像手段により取得して、ランドにおける前記所定の基準面からの高さを計測するランド高さ計測手段と、前記分布算出手段により算出された前記所定の領域における基板の高さ分布と、前記ランド高さ計測手段により計測されたランドの高さとの距離を算出する距離算出手段とを備える、三次元形状計測装置。前記分布算出手段により算出される基板の高さ分布とは、前記所定の領域における所定の基準面からの高さを近似の曲面で表したものである、請求項1に記載の三次元形状計測装置。前記距離算出手段により算出された距離を用いて、基板のランド上に塗布された半田の高さを算出する半田高さ算出手段を備える、請求項1または2に記載の三次元形状計測装置。前記所定の領域は、ランドの周囲を取り囲むようにして配置され、ランドに接続する導電線を有する配線パターンである、請求項3に記載の三次元形状計測装置。前記半田高さ算出手段は、半田を塗布された後の状態の基板において、配線パターンの画像を前記撮像手段により取得して、配線パターンの高さを計測する配線高さ計測手段と、前記配線高さ計測手段により計測された配線パターンの高さに基づいて、配線パターンにおける基板の近似曲面を算出する近似曲面算出手段と、半田を塗布された後の状態の基板において、基板のランド上に塗布された半田の画像を前記撮像手段により取得して、半田を含むランドの高さを計測する半田ランド高さ計測手段とを含み、前記近似曲面算出手段により算出された配線パターンにおける基板の近似曲面と、前記半田ランド高さ計測手段により計測された半田を含むランドの高さと、前記距離算出手段により算出された距離とを用いて、半田の高さを計測する、請求項4に記載の三次元形状計測装置。基板上の部材の三次元形状を計測する三次元形状計測方法であって、基板は、半田が塗布される領域であるランドを含むものであり、半田が塗布される前の状態の基板において、ランドに接続されている所定の領域における所定の基準面からの高さに基づくものである、所定の領域における基板の高さ分布と、半田が塗布される前の状態の基板において、所定の領域内のランドにおける所定の基準面からの高さとの距離を記憶するステップと、記憶された距離を用いて、基板のランド上に塗布された半田の高さを算出するステップとを備える、三次元形状計測方法。特許文献1によると、基板の所定領域内から基準エリアを選択する。そして、選択した基準エリアから基準平面を形成した上で基準高さを特定し、この基準高さに基づいて、半田の高さを算出することとしている。しかしながら、この基準高さは、基板の配線パターンから形成される平面に基づくものであるため、半田の高さを正確に算出することは困難である。例えば、基板のBGABallGridArrayでは、配線が基板内部に引かれることとなるため、配線パターンがランドから離れて位置することとなる。図24は、BGA100を含む基板102を示す平面図である。図25は、平面図C-Cにおける断面を模式的に示した図である。図24および図25を参照して、このような場合に、配線パターン103から基準平面101を形成すると、基準平面101が基板面102aやBGA100等のランドに沿わない形状となる。例えば基板102に反りや撓みが発生していた場合に、このような沿わない形状となる。その結果、基準平面101に基づく基準高さから、BGA100等のランド上の半田の高さを正確に算出することは困難である。また、特許文献2によると、半田を塗布される前の状態の基板において、基準高さを設定し、この設定した基準高さに基づいて、半田の高さを算出することとしている。しかしながら、半田を塗布される前の基板の状態と、半田を塗布された後の基板の状態とは、例えば反りや撓み等が発生し、異なる場合がある。図26は、半田を塗布する前の基板aと、半田を塗布した後の基板bとを示す図であって、基板を厚み方向に切断した場合の断面を模式的に示した図である。図26を参照して、基準高さGは、半田を塗布する前の基板107aでは、ランド105の位置となっているが、半田を塗布した後の基板107bでは、半田部分106の位置となっている。このような場合に、半田の高さを正確に算出することは困難である。この発明の目的は、正確に半田の高さを算出することができる三次元形状計測装置を提供することである。この発明の他の目的は、正確に高さを算出することができる三次元形状計測方法を提供することである。この発明に係る三次元形状計測装置は、基板上の部材に投影された光パタンを解析することによって、基板上の部材の三次元形状を計測する。基板は、半田が塗布される領域であるランドを含む。三次元形状計測装置は、光パタンが投影された基板上の部材を撮像し、画像として取得する撮像手段と、半田が塗布される前の状態の基板において、ランドに接続されている所定の領域の画像を撮像手段により取得して、所定の領域における所定の基準面からの高さを計測する領域高さ計測手段と、領域高さ計測手段により計測された所定の領域の高さに基づいて、所定の領域における基板の高さ分布を算出する分布算出手段と、半田が塗布される前の状態の基板において、所定の領域内のランドの画像を撮像手段により取得して、ランドにおける所定の基準面からの高さを計測するランド高さ計測手段と、分布算出手段により算出された所定の領域における基板の高さ分布とランド高さ計測手段により計測されたランドの高さとの距離を算出する距離算出手段とを備える。このように、三次元形状計測装置は、所定の領域の高さに基づいて、所定の領域における基板の高さ分布を算出し、この算出した基板の高さ分布とランドの高さとの距離を算出する。この場合、所定の領域における基板の高さ分布は、例えば基板に反りや撓みが発生した場合であっても、その反りや撓みによる変化を含めたものとなる。その結果、算出した距離は、基板の歪みによる影響を抑えたものなる。そして、半田の高さを算出する際には、例えば基板に半田を塗布した後、基板に歪みが発生した場合であっても、このような歪みの影響を抑えた距離を用いることができるため、正確に半田の高さを算出することができる。好ましくは、分布算出手段により算出される基板の高さ分布とは、所定の領域における所定の基準面からの高さを近似の曲面で表したものである。さらに好ましくは、距離算出手段により算出された距離を用いて、基板のランド上に塗布された半田の高さを算出する半田高さ算出手段を備える。こうすることにより、歪みの影響を受けない距離を用いて、半田の高さを算出することができる。したがって、正確に半田の高さを算出することができる。さらに好ましくは、所定の領域は、ランドの周囲を取り囲むようにして配置され、ランドに接続する導電線を有する配線パターンである。こうすることにより、ランドに近い配線パターンを用いて距離を算出することができるため、より正確に半田の高さを算出することができる。一実施形態として、半田高さ算出手段は、半田を塗布された後の状態の基板において、配線パターンの画像を撮像手段により取得して、配線パターンの高さを計測する配線高さ計測手段と、配線高さ計測手段により計測された配線パターンの高さに基づいて、配線パターンにおける基板の近似曲面を算出する近似曲面算出手段と、半田を塗布された後の状態の基板において、基板のランド上に塗布された半田の画像を撮像手段により取得して、半田を含むランドの高さを計測する半田ランド高さ計測手段とを含み、近似曲面算出手段により算出された配線パターンにおける基板の近似曲面と、半田ランド高さ計測手段により計測された半田を含むランドの高さと、距離算出手段により算出された距離とを用いて、半田の高さを計測する。こうすることにより、半田塗布後の基板において、配線パターンにおける基板の近似曲面を算出して、半田の高さを計測する。したがって、半田塗布前の基板の状態と半田塗布後の基板の状態とが変化していた場合であっても、正確に半田の高さを算出することができる。この発明の他の局面においては、基板上の部材の三次元形状を計測する三次元形状計測方法に関する。基板は、半田が塗布される領域であるランドを含むものである。三次元形状計測方法は、半田が塗布される前の状態の基板において、ランドに接続されている所定の領域における所定の基準面からの高さに基づくものである、所定の領域における基板の高さ分布と、半田が塗布される前の状態の基板において、所定の領域内のランドにおける所定の基準面からの高さとの距離を記憶するステップと、記憶された距離を用いて、基板のランド上に塗布された半田の高さを算出するステップとを備える。こうすることにより、所定の領域の高さに基づくものである、所定の領域における基板の高さ分布と、ランドの高さとの距離を記憶する。この場合、所定の領域における基板の高さ分布は、例えば基板に反りや撓みが発生した場合であっても、その反りや撓みによる変化を含めたものとなる。その結果、記憶した距離は、基板の歪みによる影響を抑えたものなる。そして、半田の高さを算出する際には、例えば基板に半田を塗布した後、基板に歪みが発生した場合であっても、このような歪みの影響を抑えた距離を用いることができるため、正確に半田の高さを算出することができる。この発明によれば、三次元形状計測装置は、所定の領域の高さに基づいて、所定の領域における基板の高さ分布を算出し、この算出した基板の高さ分布とランドの高さとの距離を算出する。この場合、所定の領域における基板の高さ分布は、例えば基板に反りや撓みが発生した場合であっても、その反りや撓みによる変化を含めたものとなる。その結果、算出した距離は、基板の歪みによる影響を抑えたものなる。そして、半田の高さを算出する際には、例えば基板に半田を塗布した後、基板に歪みが発生した場合であっても、このような歪みの影響を抑えた距離を用いることができるため、正確に半田の高さを算出することができる。以下、図面を参照して、この発明の一実施形態に係る三次元形状計測装置について説明する。図1は、この発明の一実施形態に係る三次元形状計測装置10の一例を示す概略構成図である。図2は、図1に示す三次元形状計測装置10のブロック図である。図1および図2を参照して、三次元形状計測装置10は、計測する計測対象15の表面に光パタンを投影する投光部11と、光パタンが投影された計測対象15を撮像し、その画像を取得する撮像部12と、撮像部12によって撮像された画像に含まれる光パタンを解析する画像解析駆動制御部13と、計測対象15を水平移動させる搬送部14とを備える。投光部11は、計測対象15の表面に光パタンを投影する。投光部11は、光を照射する光源22と、投光レンズ24と、光源22から照射された光にパタンを持たせるためのパタン生成素子26と、光線を透過または遮光することで光パタンを照射する光パタン照射領域16および光パタン非照射領域17の境界を明確にするための光線分離部27とを備える。なお、この実施形態では、投影する光パタンとして、正弦波状のものを用いる。また、投光部11は、その光軸が撮像部12の光軸に対して所定の角度を有するように設けられている。これにより、計測対象15に投影した光パタンのずれに基づいて、計測対象15の高さを算出する。撮像部12は、光パタンが投影された計測対象15を撮像して、その画像を取得する。撮像部12は、ラインセンサ40と、撮像レンズ41とを備える。画像解析駆動制御部13は、撮像部12によって撮像された画像に含まれる光パタンを縞解析法によって解析し、計測対象15の三次元形状を算出すると共に、コントローラ42に各種指示を行う。また、画像解析駆動制御部13は、撮像部12からの画像をデジタルデータで取り込むキャプチャボード43と、各種の制御を行うCPUCentralProcessingUnit44と、各種の情報を記憶するRAMRandomAccessMemory45とを備える。搬送部14は、ラインセンサ40の主走査方向長手方向、および主走査方向と垂直な方向以下副走査方向というに計測対象15を水平移動させる。搬送部14は、計測対象15を載置するための搬送ステージ46と、搬送ステージ46を駆動するサーボモータ47とを備える。三次元形状計測装置10は、搬送部14により計測対象15を副走査方向図1中の矢印の方向に移動させつつラインセンサ40により逐次撮像することによって、計測対象15全体の三次元形状を計測することが可能になる。ここで、撮像部12のラインセンサ40は、その主走査方向の軸が搬送ステージ46の計測面と平行で、かつ、搬送方向と垂直になるように設けられている。このようにラインセンサ40の光軸と搬送ステージ46の計測面とを平行にすることにより、計測対象15の上面を均一な倍率で撮像することができる。また、ラインセンサ40の光軸と搬送方向とを垂直にしているので、搬送しながら撮影した複数のライン画像からなる2次元画像には、直角部分が直角部分として撮像される。ここで、三次元形状計測装置10の動作について説明する。まず、画像解析駆動制御部13からコントローラ42を介しての命令によって、搬送部14のサーボモータ47が搬送ステージ46を初期設定位置にセットする。この初期設定位置は、撮像部12が計測対象15を撮像する際の副走査方向の撮像開始位置を決定するものであり、撮像部12の撮像領域が、搬送部14の搬送ステージ46に載せられた計測対象15の副走査方向における端部に来るような位置であることが好ましい。そして、投光部11が計測対象15に光パタンを投影する。撮像部12は、光パタンが投影された計測対象15を走査し、この計測対象15の画像を取得する。撮像部12によって取得された画像は、画像解析駆動制御部13に送信され、キャプチャボード43によってデジタルデータに変換される。そして、CPU44が光パタンを解析することによって、計測対象15の高さ情報が算出される。また、画像中の光パタンを解析する際に、空間縞解析法を用いてよい。なお、詳細な計測対象15の高さ情報の算出方法は公知であり、例えば、特開2009-31105号公報、および特開2007-114071号公報に記載の方法を利用することができる。ここで、このような三次元形状計測装置10を用いて、基板に塗布された半田の高さを計測して、はんだ付けの検査を実施する場合について説明する。まず、基板について説明する。図3は、半田塗布前の基板25の状態を示す図であって、平面図と、平面図A-Aにおける断面図とを示している。図4は、半田塗布後の基板25の状態を示す図であって、平面図と、平面図B-Bにおける断面図とを示している。なお、図3および図4においては、基板25の一部を示している。図3および図4を参照して、基板25上には、銅箔や金などの導電性の材料から形成され、半田を塗布する箇所であるランド30と、内部に導電線を有する配線パターン31と、基板25の厚み方向に貫通するスルーホール32と、基板25の品番等を示す文字等であるシルク33と、基板25のランド30や配線パターン31以外の箇所であり絶縁性の材料から形成されるレジスト34とを含む。ランド30と配線パターン31とは、基板25内部の導電線等で接続された状態であって、基板25の上面25aからのそれぞれの高さ図3中のL、Rで示す線は、平行と見なせる。そして、図4に示すように、ランド30に半田29が塗布される。次に、はんだ付けの検査の際の三次元形状計測装置10の状態について説明する。図5は、はんだ付けの検査の際の三次元形状計測装置10の状態を示す模式図である。図5を参照して、搬送ステージ46の計測面上図5においては図示せずに、計測対象15として、基板掴持部48に両端を挟まれて固定された状態の基板25が載置される。この基板掴持部48の両側の高さは水平である。このとき、高さを計測する際の基準となる所定の基準面は、基板25の撮像部12側の上面25aと接する基板掴持部48の面48aである。図5中の点線でこの基準面48aを示している。そして、計測する高さは、基準面48aから撮像部12側に向かう方向を正に取った値である。すなわち、基準面48aが高さ0点となる。例えば、基板25上の部材31における点Qまでの高さは、図5中のhで示される値となる。ここで、基板25に塗布された半田29の高さを計測して、半田29の高さを検査する場合について説明する。図6は、検査を実施する際の全体の流れを示すフローチャートである。図7は、ティーチング過程における処理を示すフローチャートである。図8は、半田塗布前の基板25において、配線パターンの近似面を作成する際の処理を示すフローチャートである。図9は、半田塗布前の基板25において、ランドの近似面を作成する際の処理を示すフローチャートである。図10は、オフセットを算出する際の処理を示すフローチャートである。図11は、検査過程における処理を示すフローチャートである。図12は、検査を実施する際のCPU44における機能を示す機能ブロック図である。図6~図12を参照して説明する。まず、図6を参照して、三次元形状計測装置10は、半田29の高さを検査するにあたり、基板25の名称や基板25のサイズ等の基板情報の入力をRAM45等から受け付ける。また、基板25上の検査を実施する領域である検査ブロックの情報の入力を受け付ける図6において、ステップS11、以下ステップを省略する。ここで、CPU44は、設計情報取得機能50として作動する。そして、搬送部14により、図3に示すような半田塗布前の基板25、すなわちベアボード生基板が所定の位置に搬入されS12、ティーチング工程を行うS13。ティーチング工程では、半田29の高さを計測するための基準を設定する。なお、ティーチング工程の詳細については、後述する。そして、ティーチング工程を終了すると、半田29が塗布される。その後、搬送部14により、図4に示すような半田塗布後の基板25が所定の位置に搬入されてS14、半田29の高さを検査するS15。なお、検査の詳細については、後述する。このようなS14~S15の処理は、基板毎に繰り返し実施されることとなる。次に、図7を参照して、S13におけるティーチング工程について説明する。まず、搬入されたベアボードに対して、撮像部12によりベアボードの画像を撮影する。ここで、撮像部12は、画像取得機能51、すなわち撮像手段として作動する。そして、撮影した画像を所定の大きさで分割して複数のブロックとし、その1つのブロックを、検査を実施する検査ブロックとするS21。なお、この画像の分割の数等は、例えば、予め設定されたデータを利用するものであってもよいし、ユーザが手動で設定してもよいし、他の方法であってもよい。図13は、分割された検査ブロック35の一例を示す図である。図13を参照して、検査ブロック35には、配線パターン35aやランド35cが含まれている。そして、検査ブロック35において、配線パターンの近似面を作成するS22。この近似面は、平面または2次曲面以下、曲面というである。図14は、基板を厚み方向に切断した場合の断面を模式的に示した図であって、平面に近似される面を作成される基板49aの例を示している。図15は、基板を厚み方向に切断した場合の断面を模式的に示した図であって、曲面に近似される面を作成される基板49bの例を示している。図15を参照して、曲面の場合には、基板49bに例えば微小な反りや撓み等が生じている状態である。このような微小な反りや撓みは、1つの検査ブロック35に収まる基板の画像の範囲が広い場合に生じるものである。この実施形態では、曲面を採用し、近似面として近似曲面を作成する。ここで、配線パターンの近似面Srは、以下の式で表される。なお、a~fは、係数である。なお、配線パターンの近似面Srの作成処理の詳細については、後述する。また、検査ブロック35において、ランドの近似面を作成するS23。ここで、ランドの近似面Slは、以下の式で表される。なお、a~e、gは、係数であり、a~eは、配線パターンの近似面Srと同じ係数である。配線パターンの近似面Srとランドの近似面Slとは、平行と見なせる。なお、ランドの近似面の作成処理の詳細については、後述する。そして、作成した配線パターンの近似面Srとランドの近似面Slとに基づいて、オフセットを算出するS24。このオフセットは、半田29の高さを計測する際に用いる値である。そして、算出したオフセットをRAM45に記録するS25。なお、オフセットの算出処理の詳細については、後述する。このようなS22~S25の処理は、複数の検査ブロック毎に繰り返し実施される。次に、図8を参照して、S22における配線パターンの近似面の作成処理について説明する。まず、S21および図13に示すように、検査ブロック35の画像を取得するとS31、配線パターンの領域を抽出するS32。ここで、CPU44は、配線パターン抽出機能53として作動する。図16は、検査ブロック35上において、配線パターンの領域35aを抽出した状態を示す図である。図16を参照して、配線パターンの領域35aをハッチングで示している。そして、抽出した配線パターンの領域35aの中から、オフセット算出用の領域を選択する。図17は、図16に示す抽出した配線パターンの領域35aの中から、オフセット算出用の領域35bを選択した状態を示す図である。図17を参照して、このオフセット算出用の領域35bをハッチングで示している。ここで、領域の選択は、ランド35cの周囲を取り囲むようにして配置されている領域を選択する。また、検査ブロック35内に位置するランド35cに近い領域だけでなく、ランド35cから離れた領域も含めるように選択する。また、6地点を含めるように選択する。すなわち、近似面を作成するための条件を満たすように選択する。そして、条件を満たすと判断すればS33において、YES、選択したオフセット算出用の領域35bの高さを計測するS34。ここで、CPU44は、領域高さ計測手段として作動し、オフセット算出用の領域35bが所定の領域となる。そして、選択したオフセット算出用の領域35bの位置、すなわちx位置、y位置、およびz位置を示す座標x、y、zを用いて、配線パターンの近似面Srの係数a~fを算出するS35。ここで、この座標x、yは、撮像部12で撮影した際に得た画像上の値であり、座標zがS34において計測した値である。これにより、配線パターンの近似面Srを作成する。すなわち、配線パターンの近似面Srとは、配線パターンの高さ分布を表すものである。ここで、CPU44は、近似面算出機能56、すなわち分布算出手段として作動する。なお、S33において、条件を満たさない場合にはS33において、NO、S31において取得する画像の領域を拡大し、再度、S32からの処理を行うS36。ここで、CPU44は、画像拡張判定機能52として作動する。次に、図9を参照して、S23におけるランドの近似面の作成処理について説明する。まず、上記した配線パターンの近似面の作成処理S31と同様に、検査ブロック35の画像を取得するとS41、ランドの領域を抽出するS42。ここで、CPU44は、ランド抽出機能54として作動する。なお、S36において、画像の領域を拡大した場合には、ここでも同様に、画像の領域を拡大した状態でランドの領域を抽出する。図18は、検査ブロック35上において、ランドの領域35cを抽出した状態を示す図である。図18を参照して、ランドの領域35cをハッチングで示している。そして、抽出したランドの領域35cの高さを計測するS43。ここで、CPU44は、ランド高さ計測手段として作動する。そして、配線パターンの近似面Srの係数a~fのうち、同じ係数であるa~eを読み出しS44、抽出したランド領域35cの位置、すなわちx位置、y位置、およびz位置を示す座標x、y、zを用いて、ランドの近似面Slの係数gを算出するS45。この座標x、yは、撮像部12で撮影した際に得た画像上の値であり、座標zがS43において計測した値である。これにより、ランドの近似面Slを作成する。ここで、配線パターンの近似面Srの高さ方向を示す係数f以外が、ランドの近似面Slと同じであり、配線パターンの近似面Srとランドの近似面Slとは、平行である。次に、図10を参照して、S24におけるオフセットの算出処理について説明する。まず、S35において算出した配線パターンの近似面Srの係数a~fを読み出すS51。また、S44およびS45において算出したランドの近似面Slの係数a~e、gを読み出すS52。そして、配線パターンの近似面Srとランドの近似面Slとの距離差を算出するS53。この距離をオフセットOffLとし、オフセットをRAM45に記録するS54。ここで、CPU44は、ランドオフセット算出機能58、すなわち距離算出手段として作動する。また、RAM45は、ランドオフセット記録機能61として作動する。図19は、基板25を厚み方向に切断した場合の断面を模式的に示した図であって、配線パターンの近似面Srを二点鎖線で示し、ランドの近似面Slを三点鎖線で示し、オフセットである距離OffLを示している。図19を参照して、配線パターンのオフセット算出用の領域35bにおいて配線パターンの近似面Sr配線パターンの高さの分布が算出されて、ランドの領域35cにおいてランドの近似面Slランドの高さの分布が算出される。次に、図11を参照して、半田29の高さの検査について説明する。まず、基板25には、半田29が塗布されている状態である。そして、基板25には、半田塗布前とは異なる歪みや傾き等が発生している場合がある。このような半田塗布後の基板25が、S14において搬送されると、図12のS21と同じ位置の検査ブロックを取得するS61。このときの検査ブロックは、例えば、塗布された半田29上の計測点Pを含むものとする。図20は、取得した基板25の検査ブロックを厚み方向に切断した場合の断面を模式的に示した図であって、半田29上の計測点Pにおけるz-x断面図である。x軸が紙面の左右方向主走査方向を示し、z軸が高さ方向を示し、y軸は紙面の表裏方向副走査方向となる。そして、取得した検査ブロックにおいて、配線パターンの高さを計測して、配線パターンの近似面SRを作成するS62。なお、配線パターンの近似面SRの詳細な作成方法は、上記した図8と同様であるため、説明は省略する。ここで、CPU44は、配線高さ計測手段、および近似曲面算出手段として作動する。図20において、配線パターンの近似面SRを点線で示している。なお、ランドの近似面SLは、配線パターンの近似面SRに平行であり、配線パターンの近似面SRに平行なランドの近似面SLを一点鎖線で示している。そして、検査ブロックにおいて、半田領域を抽出しS63、S54においてRAM45に記憶したオフセットOffLを読み出すS64。ここで、CPU44は、半田抽出機能55、およびランドオフセット読み込み機能62として作動する。そして、抽出した半田領域において、半田29の高さを計算するS65。ここで、CPU44は、CPU44は、高さ計測機能57、ランドオフセット減算機能59、すなわち半田高さ算出手段として作動する。そして、計算した結果に基づいて、半田の良、不良を検査する。ここで、CPU44は、検査機能60として作動する。ここで、S65における半田29の高さの計算方法について、具体的に説明する。この場合、S63において、抽出した半田領域には、計測点Pが含まれているものとし、計測点Pにおける半田29の高さの計算方法について説明する。図21は、図20と同様に計測点Pにおけるz-x断面図である。図20と同様に、x軸が紙面の左右方向主走査方向を示し、z軸が高さ方向を示し、y軸は紙面の表裏方向副走査方向となる。そして、計測点Pと撮像部12とを通る線l上において、配線パターンの近似面SRとの交点をAとし、ランドの近似面SLとの交点をBとし、高さ0点、すなわちx軸との交点をCとする。そして、点A、点P、点B、および点Cのx位置およびy位置を座標Xp、Ypとする。まず、ACの長さを算出する。ここで、点Aは、配線パターンの近似面SR上の点であるため、x、yにXp、Ypを代入して、ACの長さは、以下の式より算出される。このとき、ZaがACの長さとなる。また、PCの長さを算出する。すなわち、計測点Pの高さを計測する。計測点Pは、半田29上の点であって、この半田29はランド35c上に塗布されるものである。したがって、計測点Pの高さは、半田29を含むランド35cの高さである。ここで、CPU44は、半田ランド高さ計測手段として作動する。そして、配線パターンの近似面SR上の点Aにおける接線Laとx軸とでなす角度θを算出する。図22は、図21の半田29およびランド35cの部分を拡大した図であって、接線Laと角度θとを示す図である。ここで、接線Laは、座標Xp、Ypにおける接線であるため、接線Laの傾きtanθは、配線パターンの近似面SRの式を偏微分し、x、yにXp、Ypを代入することにより得ることができる。なお、ランドの近似面SL上の点Bにおける接線Lbとx軸とでなす角度も同じθであり、ランドの近似面SLの式を偏微分しても同じ結果となる。偏微分した結果を以下に示す。この式に、x、yにXp、Ypを代入すると以下のようになり、角度θを算出することができる。また、計測点Pを通り、接線La、Lbに平行な直線をLpとし、点Aを通り、La、Lb、Lpに垂直な直線をLtとし、LpとLtとの交点をMとし、LbとLtとの交点をNとする。図23は、交点M、Nを示す図である。そして、半田29の高さをDとすると、D=AN-AMで算出する。すなわち、この場合、半田29の高さDを計測するための基準は、オフセットから算出されるランドの高さとなる。ここで、ANの長さは、S64で読み出したOffLの値であり、AMの長さは、APcosθであり、APの長さは、AC-PCで算出することができる。その結果、Dは、以下の式で算出されることとなる。なお、このようなS62~S65の処理は、複数の検査ブロック毎に繰り返し実施される。このように、この発明に係る三次元形状計測装置10は、所定の領域、ここでは、配線パターンの高さに基づいて、所定の領域における高さ分布を算出し、この算出した高さ分布とランドの高さとの距離オフセットを算出する。この場合、所定の領域における高さ分布は、例えば基板25に反りや撓みが発生した場合であっても、その反りや撓みによる変化を含めたものとなる。その結果、算出した距離は、基板25の歪みによる影響を抑えたものなる。そして、半田29の高さを算出する際には、例えば基板25に半田29を塗布した後、基板25に歪みが発生した場合であっても、このような歪みの影響を抑えた距離を用いることができるため、正確に半田29の高さを算出することができる。また、この場合、オフセットは、配線パターンとランドとの両方を考慮して算出された値であるため、従来のように配線パターンのみから算出されることなく、正確に半田29の高さを算出することができる。また、この場合、半田塗布前の基板25においてオフセットを算出し、半田塗布後の基板25において、再度配線パターンにおける基板25の近似面を算出して、半田29の高さを計測する。したがって、半田塗布前の基板25の状態と半田塗布後の基板25の状態とが変化していた場合であっても、正確に半田29の高さを算出することができる。また、この場合、半田29のみを高さを算出することができ、工業規格等に定められた定量的な半田量を検査に採用することができ、検査を適切に行うことができる。また、基板25の反りや撓みは、一般的に基板25毎に異なるものである。しかしながら、この場合、基板25毎にオフセットを算出して、半田29の高さを算出することができ、基板25毎に正確に半田29の高さを算出することができる。なお、上記の実施の形態においては、2次曲面の例について説明したが、これに限ることなく、平面や他の形状の面にも適用することができる。この場合、1で示したS22における配線パターンの近似面Sr、および2で示したS23におけるランドの近似面Slは、以下の式で示すことができる。そして、ACの長さを算出する際のx、yにXp、Ypを入力すると、以下の式で示すことができる。そして、5および6で示した配線パターンの近似面SR上の点Aにおける接線Laとx軸とでなす角度θを算出する際の式は、以下の式で示すことができる。なお、上記の実施の形態においては、所定の領域として、配線パターンを採用する例について説明したが、これに限ることなく、例えば、ランドの近傍のレジストの領域であってもよいし、他の領域であってよい。また、上記の実施の形態においては、撮像部12により撮像した画像を取得して、配線パターンの高さやランドの高さを計測することにより、オフセットを算出し、この算出したオフセットを用いて、半田の高さを算出する例について説明したが、これに限ることなく、例えば、予めオフセットの値をユーザにより設定されることにより、この設定されたオフセットを用いて、半田の高さを算出することとしてもよい。以上、図面を参照してこの発明の実施形態を説明したが、この発明は、図示した実施形態のものに限定されない。図示された実施形態に対して、この発明と同一の範囲内において、あるいは均等の範囲内において、種々の修正や変形を加えることが可能である。