"一方の交流入力端子が第1のリアクトルを介して交流電源の一端に接続され、かつ、他方の交流入力端子が第2のリアクトルを介して交流電源の他端に接続されると共に、直流出力端子が負荷に接続されるダイオードブリッジと、前記ダイオードブリッジの一対の交流入力端子間に接続された双方向スイッチと、を備え、前記双方向スイッチをオンオフ制御して前記ダイオードブリッジの入力電流を入力電圧と同位相の正弦波に保ちつつ所定の直流出力電圧を前記負荷に供給する直流電源装置において、前記ダイオードブリッジを構成するダイオードと前記双方向スイッチを構成する半導体スイッチング素子とを、プリント基板上で平面的に線対称となる位置に配置すると共に、前記ダイオードブリッジの一方の交流入力端子と前記双方向スイッチの一端とを接続する第1の配線パターンと、前記ダイオードブリッジの他方の交流入力端子と前記双方向スイッチの他端とを接続する第2の配線パターンとを、それぞれ別のプリント基板上に形成してこれらのプリント基板を積層し、前記第1の配線パターン及び前記第2の配線パターンをほぼ同一形状に形成して両配線パターンが平面的に重なり合うように配置したことを特徴とする直流電源装置。一方の交流入力端子が第1のリアクトルを介して交流電源の一端に接続され、かつ、他方の交流入力端子が第2のリアクトルを介して交流電源の他端に接続されると共に、直流出力端子が負荷に接続されるダイオードブリッジと、前記ダイオードブリッジの一対の交流入力端子間に接続された双方向スイッチと、を備え、前記双方向スイッチをオンオフ制御して前記ダイオードブリッジの入力電流を入力電圧と同位相の正弦波に保ちつつ所定の直流出力電圧を前記負荷に供給する直流電源装置において、前記ダイオードブリッジを構成するダイオードと前記双方向スイッチを構成する半導体スイッチング素子とを、平面的に線対称となる位置に配置すると共に、前記ダイオードブリッジの一方の交流入力端子と前記双方向スイッチの一端とを接続する第1の金属バーと、前記ダイオードブリッジの他方の交流入力端子と前記双方向スイッチの他端とを接続する第2の金属バーとを互いに絶縁しつつ積層し、前記第1の金属バー及び前記第2の金属バーをほぼ同一形状に形成して両金属バーが平面的に重なり合うように配置したことを特徴とする直流電源装置。前述したように、図10に示した従来技術によれば、出力端子Nの対地寄生キャパシタンス105による漏洩電流を減少させることが可能である。しかしながら、入力端子U1,V1にも対地寄生キャパシタンス103,104が存在し、スイッチングに伴う各端子U1,V1の電位変動によりこれらのキャパシタンス103,104を介して漏洩電流が流れる。このため、図10の従来技術ではノイズの発生を十分に抑制することができないという問題があった。そこで、本発明の解決課題は、外部に流出する漏洩電流を減少させてノイズの発生を防止するようにした直流電源装置を提供することにある。上記課題を解決するため、請求項1に係る発明は、一方の交流入力端子が第1のリアクトルを介して交流電源の一端に接続され、かつ、他方の交流入力端子が第2のリアクトルを介して交流電源の他端に接続されると共に、直流出力端子が負荷に接続されるダイオードブリッジと、前記ダイオードブリッジの一対の交流入力端子間に接続された双方向スイッチと、を備え、前記双方向スイッチをオンオフ制御して前記ダイオードブリッジの入力電流を入力電圧と同位相の正弦波に保ちつつ所定の直流出力電圧を前記負荷に供給する直流電源装置において、前記ダイオードブリッジを構成するダイオードと前記双方向スイッチを構成する半導体スイッチング素子とを、プリント基板上で平面的に線対称となる位置に配置すると共に、前記ダイオードブリッジの一方の交流入力端子と前記双方向スイッチの一端とを接続する第1の配線パターンと、前記ダイオードブリッジの他方の交流入力端子と前記双方向スイッチの他端とを接続する第2の配線パターンとを、それぞれ別のプリント基板上に形成してこれらのプリント基板を積層し、前記第1の配線パターン及び前記第2の配線パターンをほぼ同一形状に形成して両配線パターンが平面的に重なり合うように配置したものである。請求項2に係る発明は、一方の交流入力端子が第1のリアクトルを介して交流電源の一端に接続され、かつ、他方の交流入力端子が第2のリアクトルを介して交流電源の他端に接続されると共に、直流出力端子が負荷に接続されるダイオードブリッジと、前記ダイオードブリッジの一対の交流入力端子間に接続された双方向スイッチと、を備え、前記双方向スイッチをオンオフ制御して前記ダイオードブリッジの入力電流を入力電圧と同位相の正弦波に保ちつつ所定の直流出力電圧を前記負荷に供給する直流電源装置において、前記ダイオードブリッジを構成するダイオードと前記双方向スイッチを構成する半導体スイッチング素子とを、平面的に線対称となる位置に配置すると共に、前記ダイオードブリッジの一方の交流入力端子と前記双方向スイッチの一端とを接続する第1の金属バーと、前記ダイオードブリッジの他方の交流入力端子と前記双方向スイッチの他端とを接続する第2の金属バーとを互いに絶縁しつつ積層し、前記第1の金属バー及び前記第2の金属バーをほぼ同一形状に形成して両金属バーが平面的に重なり合うように配置したものである。本発明によれば、ダイオードブリッジを構成するダイオード、双方向スイッチを構成する半導体スイッチング素子、及び、ダイオードブリッジの各交流入力端子と双方向スイッチの両端とを接続する配線パターンまたは金属バーの平面的な配置を改良することにより、前記交流入力端子の対地寄生キャパシタンスを介して外部に流れる漏洩電流を減少させ、ノイズの発生を抑制することができる。以下、図に沿って本発明の実施形態を説明する。まず、図1は、本発明の第1実施形態の主要部を示すものである。図1a,b,cは、図10に示した回路構成の直流電源装置を構成する場合に、各素子を実装するために使用されるプリント基板201,202,203を平面的に上面から見た部品配置及び配線パターン左側に示した図、並びに、その配線パターンの回路上の部位右側に示した回路の太線部分を示している。また、図1dは、プリント基板201,202,203を側面から見た図である。但し、見易くするために、プリント基板及び配線パターンの厚さは実際よりも誇張してある。図1a~dにおいて、図10と同一の部品については同一の番号を付してあり、図1a~cの左側のハッチング部分に付したP,N,M1,U1,V1は、それぞれ右側の回路図に太線で示した同一符号の配線パターンに相当する。なお、配線パターンP,N,U1,V1は、前述した出力端子P,N、入力端子U1,V1と電気的に等価である。また、Kはダイオードのカソード、Aはアノード、Gはスイッチング素子のゲート、Dはドレイン、Sはソースを示す。この実施形態において、半導体スイッチング素子3,4及びダイオード5~8には樹脂モールドパッケージから2本または3本の配線用リードが出る形状のものを用い、多層プリント基板に実装して回路を構成する。実際には、スイッチング素子3,4及びダイオード5~8には冷却フィンが取り付けられることがあるが、便宜的に図示を省略する。図1aに示すプリント基板201には、第1層の配線パターンが形成されている。すなわち、第1層には、ダイオード5,7のカソード同士を接続する配線パターンPと、ダイオード6,8のアノード同士を接続する配線パターンNと、スイッチング素子3,4のソース同士を接続する配線パターンM1と、が形成されている。なお、図1aにおける冷却面とは、図示されていない冷却フィンを取り付けて部品を冷却するために、部品内部の半導体チップと表面までの熱抵抗を低くしている面である。図1bに示すプリント基板202には、第2層の配線パターンが形成されている。この第2層には、ダイオード5のアノード、ダイオード6のカソード、スイッチング素子3のドレインを接続する配線パターンU1請求項における第1の配線パターンが形成されている。また、図1cに示すプリント基板203には、第3層の配線パターンが形成されている。この第3層には、ダイオード7のアノード、ダイオード8のカソード、スイッチング素子4のドレインを接続する配線パターンV1請求項における第2の配線パターンが形成されている。勿論、各配線パターンが形成される層は、上記の例に何ら限定されるものではなく、例えば、第2層、第3層を入れ替えてもよい。図1a~cから明らかなように、スイッチング素子3,4及びダイオード5~8は、平面的に上面から見て中心線C1,C2を基準としてそれぞれ線対称の位置に配置されている。すなわち、中心線C1を基準とした場合、この中心線C1上にスイッチング素子3,4が配置され、その両側にダイオード5~8が線対称に配置されている。また、中心線C2を基準とした場合、中心線C2の両側にダイオード5,6及びスイッチング素子3と、ダイオード7,8及びスイッチング素子4とが線対称に配置されている。更に、図1bの配線パターンU1は、各素子との接続部分を除けば、前記中心線C1,C2を基準としてほぼ線対称の形状であり、図1cの配線パターンV1も、前記中心線C1,C2を基準としてほぼ線対称の形状である。更に、配線パターンU1と配線パターンV1とは、各素子との接続部分を除けばほぼ同一形状となっている。このため、図1dに示すように、プリント基板202,203を積層すると、配線パターンU1と配線パターンV1ダイオードブリッジの入力端子に相当するとは、各素子との接続部分を除けば、平面的にほぼ重なり合うことになる。次に、図1dにおいて、Eは直流電源装置の接地部位であるフレームを示しており、このフレームEは、前述した接地電位Eと電気的に等価である。図示するように、配線パターンU1とフレームEとの間には寄生キャパシタンス103が存在すると共に、配線パターンV1とフレームEとの間には寄生キャパシタンス104が存在する。寄生キャパシタンス103,104は、実際には空間に分布しているが、図1dでは複数のコンデンサを並列に配置することで模式的に表してある。一般に、キャパシタンスは電極面積と電極間距離、電極間に存在する物質の誘電率によって決まるものであるが、図1a~dに示したような各部品の配置構造により、本実施形態における寄生キャパシタンス103,104はほとんど等しくなる。一方、図11に示したように、入力端子U1の電位すなわち寄生キャパシタンス103の両端電圧と、入力端子V1の電位すなわち寄生キャパシタンス104の両端電圧とは、逆向きで大きさが等しい。従って、寄生キャパシタンス103,104を介して流れる漏洩電流も、逆向きで大きさが等しくなる。更に、寄生キャパシタンス103,104を構成する模式的な各コンデンサは、平面的にほとんど同じ位置に分布しているので、寄生キャパシタンス103の漏洩電流Iuはそのまま寄生キャパシタンス104の漏洩電流Ivとなって最短距離で回路内を循環するため、外部への流出がほとんどなくなる。次に、図2は本発明の第2実施形態の回路図である。この実施形態は、半導体スイッチング素子として、逆方向電圧に対して耐圧を持ち、逆方向電流を流さないIGBT、いわゆる逆阻止IGBTを用い、このスイッチング素子20,21を逆方向に並列接続して双方向スイッチを構成した例である。図3は、図2の回路に対応する部品配置、配線パターン及び対応する回路を示している。図3a,b,cは、図2に示した直流電源装置を構成する場合のプリント基板301,302,303を平面的に見た部品配置及び配線パターン左側に示した図、並びに、対応する回路図右側に示した図である。これらの図3a,b,c及び図2では、同一部品に同一番号を付してある。なお、図3a,b,cにおいて、Cはスイッチング素子20,21のコレクタ、Eはエミッタ、Gはゲートを示している。この第2実施形態においても、スイッチング素子20,21及びダイオード5~8が平面的に中心線C1,C2を基準としてそれぞれ線対称の位置に配置されている。また、図3bの配線パターンU1は、各素子との接続部分を除けば、前記中心線C1,C2を基準として線対称の形状であり、図3cの配線パターンV1も、同様に前記中心線C1,C2を基準として線対称の形状である。更に、配線パターンU1と配線パターンV1とは、各素子との接続部分を除けばほぼ同一形状であるため、プリント基板302,303を積層した際に、配線パターンU1と配線パターンV1とは、各素子との接続部分を除けば、平面的にほぼ重なり合うことになる。この第2実施形態の作用効果は実質的に第1実施形態と同様であり、図2の寄生キャパシタンス103,104を介して外部に流れる漏洩電流を減少させることができる。図4は、本発明の第3実施形態の主要部を示している。この実施形態は、半導体スイッチング素子として第1実施形態と同様にMOSFETを用いると共に、図10のスイッチング素子3,4に相当するものとして各2個のスイッチング素子31,33の直列回路及びスイッチング素子32,34の直列回路を構成し、出力端子P,N間にコンデンサ9a,9bの直列回路を接続してその中性点Mをスイッチング素子33,34同士の接続点に接続したものである。この第3実施形態では、スイッチング素子31~34にそれぞれコンデンサ9aまたは9bの電圧が印加されるため、出力電圧Voutが等しければ、図10のスイッチング素子3,4に比べて1/2の耐圧を有するスイッチング素子31~34を使用することができる。なお、図11に示した原理により、中性点Mは出力端子P,Nの中間電位すなわち接地電位Eに保たれるため、中性点Mをフレームに直接接続することも可能である。図5は、図4の回路に対する部品配置、配線パターン及び対応する回路を示している。図5a,b,cは、図4に示した直流電源装置を構成する場合のプリント基板401,402,403を平面的に見た部品配置及び配線パターン左側に示した図、並びに、対応する回路図右側に示した図である。これらの図5a,b,c及び図4では、同一部品に同一番号を付してある。なお、図5aにおいて、M2,M3は、スイッチング素子31,33のソース同士、スイッチング素子32,34のソース同士をそれぞれ接続する配線パターンである。この第3実施形態においても、スイッチング素子31~34及びダイオード5~8が、平面的に中心線C1,C2を基準としてそれぞれ線対称の位置に配置されている。また、図5bの配線パターンU1は、各素子との接続部分を除けば、前記中心線C1,C2を基準としてほぼ線対称の形状であり、図5cの配線パターンV1も、同様に前記中心線C1,C2を基準としてほぼ線対称の形状である。更に、配線パターンU1と配線パターンV1とは、平面的にほぼ同一形状であり、プリント基板402,403を積層した際に、配線パターンU1と配線パターンV1とが平面的にほぼ重なり合うようになっている。この第3実施形態の作用効果も実質的に第1実施形態、第2実施形態と同様であり、図4の寄生キャパシタンス103,104を介して外部に流出する漏洩電流を減少させることができる。図6は、本発明の第4実施形態の主要部を示している。この実施形態は、半導体スイッチング素子として第2実施形態と同様に逆阻止IGBTを用いると共に、2個のスイッチング素子41,42の逆並列回路とスイッチング素子43,44の逆並列回路との接続点を、コンデンサ9a,9b間の中性点Mに接続したものである。この場合、出力電圧Voutが等しければ、図2のスイッチング素子20,21に比べて1/2の耐圧を有するスイッチング素子41~44を用いることができる。また、中性点Mをフレームに直接接続することも可能である。図7は、図6の回路に対する部品配置、配線パターン及び対応する回路を示している。図7a,b,cは、図6に示した直流電源装置を構成する場合のプリント基板501,502,503を平面的に見た部品配置及び配線パターン左側に示した図、並びに、対応する回路図右側に示した図である。これらの図7a,b,c及び図6では、同一部品に同一番号を付してある。なお、図7aにおいて、Mはスイッチング素子41,43のエミッタ及びスイッチング素子42,44のコレクタを一括して接続する配線パターンであり、中性点Mと電気的に等価である。この第4実施形態においても、スイッチング素子41~44及びダイオード5~8が、平面的に中心線C1,C2を基準としてそれぞれ線対称の位置に配置されている。また、図7bの配線パターンU1は、各素子との接続部分を除けば、平面的に前記中心線C1,C2を基準としてほぼ線対称の形状であり、図7cの配線パターンV1も、同様に前記中心線C1,C2を基準としてほぼ線対称の形状である。更に、配線パターンU1と配線パターンV1とは、各素子との接続部分を除けば、平面的にほぼ同一形状であり、プリント基板502,503を積層すると、配線パターンU1と配線パターンV1とは平面的にほぼ重なり合うことになる。この第4実施形態の作用効果も実質的に第1~第3実施形態と同様であり、図6の寄生キャパシタンス103,104を介して外部に流れる漏洩電流を減少させることができる。なお、各実施形態における部品配置や配線パターンは何ら限定的なものではない。例えば、図1,図3,図5,図7では各素子の冷却面を全て図の上側に配置しているが、図8に示すように、各素子の冷却面が向かい合うように配置して各素子を共通の冷却板600に取り付けてもよい。更に、双方向スイッチとしては、例えば、図9a,b,cに示すような半導体スイッチング素子とダイオードとの組み合わせにより構成してもよい。図9a,b,cにおいて、D1~D4はダイオード、Q1,Q2は半導体スイッチング素子、T1,T2は双方向スイッチの両端子である。なお、スイッチング素子Q1,Q2にはIGBTを用いてもよい。これらの双方向スイッチを用いた場合の対応する配線パターンは図示を省略するが、前述した各実施形態と同様に、配線パターンU1,V1を極力同一形状で重なり合うようにすることで、寄生キャパシタンスを介した漏洩電流の流出を最小限にすることができる。なお、上述した各実施形態では、プリント基板上の配線パターンによって回路を構成する場合を示したが、例えば冷却板の上にダイオード及びスイッチング素子を平面的に線対称に配置し、第1,第2の配線パターンU1,V1の代わりに銅バー等からなる第1,第2の金属バーを互いに絶縁しつつ積層して配線する場合でも、これらの金属バーをほぼ同一形状に形成して両金属バーが平面的に重なり合うように配置することにより、同様の作用効果を得ることができる。"