処理ケース内に、R-T-B系焼結磁石体Rは希土類元素のうち少なくとも一種、TはFeまたはFeおよびCoと、RH供給源重希土類元素RHからなる金属または重希土類元素RHを25原子以上含む合金。但し、重希土類元素RHは、Dy、HoおよびTbのうち少なくとも一種を、スペーサを介して上下方向に多段配置した状態で加熱することにより、前記RH供給源から前記重希土類元素RHを前記R-T-B系焼結磁石体の表面に供給しつつ、前記重希土類元素RHを前記R-T-B系焼結磁石体の内部に拡散させる蒸着拡散処理において、前記スペーサは、厚みが0.1mm以上15mm以下の複数の棒状部材および/または小片状部材からなり、前記スペーサの前記R-T-B系焼結磁石体への接触面積が、前記スペーサと接触する側の前記R-T-B系焼結磁石体全面積の15以下であり、かつ、前記スペーサの前記RH供給源への接触面積が、前記スペーサと接触する側の前記RH供給源全面積の15以下であることを特徴とするR-T-B系焼結磁石の製造方法。前記スペーサを、前記R-T-B系焼結磁石体および前記RH供給源の各幅方向の両端から幅方向の寸法の1/4の領域および/または各長さ方向の両端から長さ方向の寸法の1/4の領域に、2個以上配置することを特徴とする請求項1に記載のR-T-B系焼結磁石の製造方法。前記R-T-B系焼結磁石体及び前記RH供給源を、800°C以上950°C以下に加熱して前記蒸着拡散処理を行うことを特徴とする請求項1または2に記載のR-T-B系焼結磁石の製造方法。前記処理ケース内の圧力を、0.1Pa以上50Pa以下として前記蒸着拡散処理を行うことを特徴とする請求項3に記載のR-T-B系焼結磁石の製造方法。前記蒸着拡散処後、前記処理ケース内の圧力を、200Pa以上2kPa以下として、前記R-T-B系焼結磁石及び前記RH供給源を800°C以上950°C以下に加熱して熱処理を行うことを特徴とする請求項3または4に記載のR-T-B系焼結磁石の製造方法。特許文献1、2に記載される蒸着拡散法では、熱処理による拡散反応を利用し、R-T-B系焼結磁石の主相外殻部に重希土類元素RHの濃縮層を形成する。その時、重希土類元素RHが、R-T-B系焼結磁石の表面から当該R-T-B系焼結磁石の内部に拡散すると同時に、前記R-T-B系焼結磁石の内部に含まれている軽希土類元素RLRLは、NdおよびPrの少なくとも一種を主体とする液相成分が、前記R-T-B系焼結磁石の表面に向かって拡散する。この様に、前記重希土類元素RHが、前記R-T-B系焼結磁石の表面から内部へ、前記軽希土類元素RLが、前記R-T-B系焼結磁石の内部から表面へと相互に拡散が起こることにより、R-T-B系焼結磁石表面に、軽希土類元素RLを主体とする溶出部分が形成される。この溶出部分は、R-T-B系焼結磁石を支持する支持体と反応を起こす。そのため、支持体とR-T-B系焼結磁石とが固着以下、溶着と記載するしてしまう。特許文献1、2では、RH拡散源特許文献2では、金属蒸発材料に相当とR-T-B系焼結磁石との間にNb網やエキスパンドメタルを支持体として介在させ、RH拡散源やR-T-B系焼結磁石を上下方向へ交互に積み重ねて配置している。Nb網やエキスパンドメタルは、RH拡散源やR-T-B系焼結磁石を支持するための強度が必要である。そのため、Nb網やエキスパンドメタルの開口率を大きくすることに限界がある。例えば、特許文献2では、エキスパンドメタルの開口率は、30~80で形成すればよいと記載され、一例として、約60の開口率でエキスパンドメタルを形成した場合が記載されている。このように、Nb網やエキスパンドメタルなどの支持体は開口率が制限されるため、R-T-B系焼結磁石との接触面積が大きくなる。よって、複数のR-T-B系焼結磁石を蒸着拡散法により処理した場合、多くのR-T-B系焼結磁石がNb網やエキスパンドメタルなどの支持体と溶着してしまうという問題があった。溶着を引き起こしたR-T-B系焼結磁石を支持体から無理に取り外そうとすると、R-T-B系焼結磁石自体を破壊してしまう恐れがある。そのため、慎重に取り外す必要があり、支持体とR-T-B系焼結磁石との取り外し作業の工数が増大してしまう。よって、支持体とR-T-B系焼結磁石との接触面積を出来る限り小さくし、支持体とR-T-B系焼結磁石との溶着を減少させることが望まれている。さらに、特許文献1、2のように、支持体とR-T-B系焼結磁石との接触面積が大きいと、RH拡散源により供給された重希土類元素RHが、支持体Nb網やエキスパンドメタルに多く付着してしまい、希少な重希土類元素RHを無駄にしてしまう。そのため、RH拡散源からR-T-B系焼結磁石へ重希土類元素RHを歩留まりよく供給するためにも、支持体とR-T-B系焼結磁石との接触面積を低減することが望まれている。本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、R-T-B系焼結磁石と支持体との溶着の発生を減少させるとともに、RH供給源からR-T―B系焼結磁石へ重希土類元素RHの供給を効率よくすることができる、R-T-B系焼結磁石の製造方法を提供することにある。請求項1に記載の本発明によるR-T-B系焼結磁石の製造方法は、処理ケース内に、R-T-B系焼結磁石体Rは希土類元素のうち少なくとも一種、TはFeまたはFeおよびCoとRH供給源重希土類元素RHからなる金属または重希土類元素RHを25原子以上含む合金。ただし、重希土類元素RHは、Dy、HoおよびTbのうち少なくとも一種を、スペーサを介して上下方向に多段配置した状態で加熱することにより、前記RH供給源から前記重希土類元素RHを前記R-T-B系焼結磁石体の表面に供給しつつ、前記重希土類元素RHを前記R-T-B系焼結磁石体の内部に拡散させる蒸着拡散処理において、前記スペーサは、厚みが0.1mm以上15mm以下の複数の棒状部材および/または小片状部材からなり、前記スペーサの前記R-T-B系焼結磁石体への接触面積が、前記スペーサと接触する側の前記R-T-B系焼結磁石体全面積の15以下であり、かつ、前記スペーサの前記RH供給源への接触面積が、前記スペーサと接触する側の前記RH供給源全面積の15以下であることを特徴とする。請求項2に記載の本発明は、請求項1に記載のR-T-B系焼結磁石の製造方法において、前記スペーサを、前記R-T-B系焼結磁石体および前記RH供給源の各幅方向の両端から幅方向の寸法の1/4の領域および/または各長さ方向の両端から長さ方向の1/4の領域に、2個以上配置することを特徴とする。請求項3に記載の本発明は、請求項1または2に記載のR―T-B系焼結磁石の製造方法において、前記R-T-B系焼結磁石体及び前記RH供給源を、800°C以上950°C以下に加熱して前記蒸着拡散処理を行うことを特徴とする。請求項4に記載の本発明は、請求項3に記載のR-T-B系焼結磁石の製造方法において、処理ケース内の圧力を、0.1Pa以上50Pa以下として前記蒸着拡散処理を行うことを特徴とする。請求項5に記載の本発明は、請求項3または4に記載のR-T-B系焼結磁石の製造方法において、前記蒸着拡散処理後、前記処理ケース内の圧力を、圧力200Pa以上2kPa以下として、前記R-T-B系焼結磁石体及び前記RH供給源を800°C以上950°C以下に加熱して熱処理を行うことを特徴とする。なお、本発明においては、蒸着拡散処理前のR-T-B系焼結磁石をR-T-B系焼結磁石体とし、蒸着拡散処理後のR-T-B系焼結磁石をR-T-B系焼結磁石とし、それぞれ区別して表記する。本発明によれば、特許文献1、2に使用されているNb網やエキスパンドメタルなどの支持体ではなく、特定形状のスペーサを用いることにより、RH供給源やR-T-B系焼結磁石体との接触面積を大幅に削減することができる。よって、R-T-B系焼結磁石とスペーサとの溶着の発生を低減することができ、R-T-B系焼結磁石との取り外し工数を大幅に削減することができる。また、接触面積が小さいため、RH供給源からR-T―B系焼結磁石体へ重希土類元素RHを効率良く供給することができ、重希土類元素RHの歩留まりを向上させることができる。本発明において、スペーサとR-T-B系焼結磁石体との接触面積とは、スペーサを構成する個々の棒状部材または小片状部材において、スペーサと接触する側のR-T-B系焼結磁石体の面と平行する横断面のうち最大面積の総和と定義する。例えば、スペーサと接触する側の面の全面積が1000mm2幅20mm×長さ50mmのR-T-B系焼結磁石体に、直径3mm×長さ25mmの断面縦断面円形の棒状部材からなるスペーサを周面が接するように2本配置した場合、断面円形の棒状部材の、R-T-B系焼結磁石体の面と平行する横断面のうちの最大面積とは、円の中心を通る横断面、つまり、直径×長さとなる。この場合、接触面積は、150mm23mm×25mm×2本/1000mm220mm×50mm×100=15となる。断面縦断面が三角形や台形などの棒状部材または小片状部材の場合、R-T-B系焼結磁石体の面と平行する横断面のうちの最大面積とは、三角形であれば底辺×長さ、台形であれば長い方の底辺×長さ、となる。なお、上記においては、スペーサとR-T-B系焼結磁石体との接触面積について説明したが、スペーサとRH供給源との接触面積も同様である。スペーサの縦断面形状が円形の場合、スペーサはRH供給源やR-T-B系焼結磁石体と線接触しているため、実際の接触面積は、上記に定義した接触面積よりも小さくなる。よって、本発明においては、スペーサとRH供給源やR-T-B系焼結磁石体との接触面積が、同じである場合は、スペーサの縦断面形状が、面接触する多辺形状よりも線接触する円形状の方が、実際の接触面積が小さいため好ましい。本発明における蒸着拡散処理とは、R-T-B系焼結磁石体とRH供給源を加熱することにより、RH供給源から重希土類元素RHをR-T-B系焼結磁石体の表面に供給しつつ、重希土類元素RHをR-T-B系焼結磁石体の内部に拡散させることによって、Brの低下を抑制しつつ、HcJを向上させるものである。特許文献1、2に記載されるような、Nb網やエキスパンドメタルなどの支持体を用いた場合は、R-T-B系焼結磁石体やRH拡散源を支持するための強度が必要であった。そのため、Nb網やエキスパンドメタルの開口率を大きくすることに限界があった。一般に市場に提供されているNb網やエキスパンドメタルの開口率は通常60程度であり、最大でも80程度である。すなわち、支持体の接触面積は、R-T-B系焼結磁石体やRH供給源の支持体と接する側の全面積の通常40程度であり、最小でも20程度である。これに対し、本発明における特定形状からなるスペーサは、R-T-B系焼結磁石体やRH供給源を小さな接触面積で支持することができる。本発明の目的を達成するためには、スペーサの接触面積をR-T-B系焼結磁石体やRH供給源のスペーサと接する側の全面積の15以下とすることが必要である。好ましくは、接触面積を10以下、さらに好ましくは、5以下にする。上記のように、本発明におけるスペーサを用いることにより、Nb網やエキスパンドメタルなどの支持体を用いる場合に比べ、スペーサとR-T-B系焼結磁石体およびRH供給源との接触面積を大幅に低減することができる。そのため、R-T-B系焼結磁石との溶着の発生を減少させることができるとともに、RH供給源からR-T-B系焼結磁石体への重希土類元素RHの供給を効率よくすることができ、重希土類元素RHの歩留まり処理前後のRH供給源の重量の差分と、処理後のR-T-B系焼結磁石において磁石内部に拡散された重希土類元素RHの重量成分分析による測定結果との比率を向上させることができる。以下に、本発明を実施するための形態を図面に基づき説明する。各図面において、同じ部分には同じ符号を付している。図1は、処理ケース1内において、RH供給源2とR-T-B系焼結磁石体3を、スペーサ4を介して上下方向に多段配置した本発明の実施形態の一例を示す説明図である。図1に示すように、処理ケース1の底部上にRH供給源2を配置し、当該RH供給源2上に2本の棒状部材からなるスペーサ4を配置している。そのスペーサ4上にR-T-B系焼結磁石体3を配置し、さらに、当該R-T-B系焼結磁石体3上にスペーサ4を配置している。このように、スペーサ4を介して上下方向にRH供給源2とR-T-B系焼結磁石体3を交互に多段配置しているスペーサ4は、安定してRH供給源2とR-T-B系焼結磁石体3を上下方向に交互に多段配置することができれば、その配置位置は特に限定されない。例えば、2本の棒状部材を任意の位置に配置したり、複数の小片状部材を任意の位置に散在させればよい。好ましい形態として、前記スペーサを、前記R-T-B系焼結磁石体および前記RH供給源の各幅方向の両端から幅方向の寸法の1/4の領域および/または各長さ方向の両端から長さ方向の寸法の1/4の領域に、2個以上配置することが好ましい。以下に詳述する。図2~図4は、好ましい形態として、スペーサの配置領域を示す説明図である。図2では、R―T-B系焼結磁石体3の幅方向Wの両端から幅方向の寸法の1/4図中1/4Wの領域5斜線部に4個の小片状部材からなるスペーサ4を配置している。また、図3では、R-T-B系焼結磁石体3の長さ方向Lの両端から長さ方向の寸法の1/4図中1/4Lの領域5斜線部に2個の小片状部材からなるスペーサ4を配置している。さらに、図4は、図2と図3を合わせた領域5斜線部に3個の小片状部材からなるスペーサ4を配置している。このように、R-T-B系焼結磁石体3の中心部ではなく、長さ方向又は幅方向の両端部に2個以上スペーサ4を配置した方が、より安定してRH供給源2とR-T-B系焼結磁石体3を上下方向に交互に多段配置することができる。処理ケース1及びスペーサ4は、Mo、W、Taなどの高融点金属や、窒化硼素、ジルコニア、アルミナ、イットリア、カルシア、マグネシアなどを含むセラミックス材料等、蒸着拡散処理時に、変形や変質を発生し難い材料で構成することが好ましい。また、Mo等の高融点金属の表面に、ジルコニア、アルミナ、イットリア等の酸化物を溶射してもよい。スペーサ4は、RH供給源2やR-T-B系焼結磁石体3の大きさに応じて、接触面積が15以下となるように選定する。また、スペーサ4の厚さは、0.1mmから15mmの範囲に設定することが好ましい。RH供給源2とR-T-B系焼結磁石体3の距離が近すぎると、RH供給源2やR-T-B系焼結磁石体3の寸法ばらつきなどにより、両者が接触してしまう可能性がある。そのため、スペーサ4の厚さは、0.1mm以上とするのが好ましい。また、15mm以下とすることで、効率良く重希土類元素RHをR-T-B系焼結磁石体3へ供給することができる。スペーサ4は、図1においては、棒状部材を用いているが、その他に小片状部材などを用いることができる。これらのスペーサは、RH供給源2やR-T-B系焼結磁石体3の形状や大きさによって選定することが好ましい。以下に棒状部材、小片状部材について、それぞれ詳述する。棒状部材は、その長さ方向をRH供給源2やR-T-B系焼結磁石体3との接触面と平行方向に配置すればよく、その断面縦断面形状は任意である。RH供給源2やR-T-B系焼結磁石体3と面接触してもよいが、線接触の方が好ましく、例えば、断面形状は円形や楕円形などの場合が好ましい。図5では、棒状部材4aは、RH供給源2やR-T-B系焼結磁石体3の両端部に平行に2本配置している。しかし、特にその角度や方向などを厳密に管理する必要はなく、斜めに配置しても良い。斜めに配置する時は、RH供給源2とR-T-B系焼結磁石体3を多段配置した時に、不安定にならないように棒状部材4aを配置すれば良い。また、棒状部材4aは、転動防止のため両端部を湾曲させてもよい。棒状部材4aは、図6に示すように、4本を組み合して枠状にしてもよい、さらに、4本をつなげて一体品として使用してもよい。図7は、小片状部材4bを配置した一例を示す平面図である。図7では、R-T-B系焼結磁石体3上の四隅に円柱形状の小片状部材4bを配置している。小片状部材4bは、RH供給源2とR-T-B系焼結磁石体3を上下方向に安定して多段配置できれば、RH供給源2やR-T-B系焼結磁石体3に配置する場所やその形状は任意である。例えば、多面体からなる略球状のものを、RH供給源2やR-T-B系焼結磁石体3上の数箇所に、散在させてもよい。また、多面体からなる略球状以外のサイコロ形状、円すい形状や角すい形状であってもよい。図8は、R-T-B系焼結磁石体上に棒状部材4aと小片状部材4bを組み合わせて配置した一例を示す平面図である。図8に示す通り、棒状部材4aをR-T-B系焼結磁石体3の両端部に配置し、小片状部材4bをR-T-B系焼結磁石体3のほぼ中心位置に配置してもよい。以上のように、複数の棒状部材および/または小片状部材からなるスペーサを用いることにより、Nb網やエキスパンドメタルなどの支持体を用いる場合と比べて、接触面積を低減させることが可能となる。RH供給源2は、重希土類元素RHからなる金属又は重希土類元素RHを25原子以上含む合金であり、当該重希土類元素RHは、Dy、HoおよびTbのうち少なくとも1種である。例えばDyメタル、Tbメタル、Hoメタル、DyFe合金、TbFe合金、HoFe合金などである。Dy、Tb、Ho、Fe以外に他の元素を含んでいても良い。RH供給源2は、塊状バルク体、板状など、大きさは特に限定されないが、重希土類元素RHを25原子以上含むことが好ましい。重希土類元素RHの含有量が25原子よりも少なくなると、RH供給源2からの重希土類元素RHの供給量が少なくなり、所望のHcJ向上効果を得るためには処理時間が非常に長くなるため、好ましくない。蒸着拡散処理を行う処理条件は公知の方法で行えば良い。好ましい方法の一例を以下に詳述する。まず、処理ケース1内にRH供給源2とR-T-B系焼結磁石体3とをスペーサ4を介して上下方向に交互に多段配置し、その処理ケース1を蒸着拡散処理装置内図示せずに配置する。その後、RH供給源2とR-T-B系焼結磁石体3を、800°C以上950°C以下に加熱して蒸着拡散処理を行う。温度が800°C未満であると、重希土類元素RHのR-T-B系焼結磁石体3への供給不足が発生する恐れがある。950°Cを超えると前記重希土類元素RHがR-T-B系焼結磁石体3に過剰に供給され、スペーサとの溶着箇所が増大してしまう恐れがある。なお、前記蒸着拡散処理では、処理ケース1内の雰囲気圧力を、0.1Pa以上50Pa以下とすることが好ましい。0.1Pa未満の雰囲気圧力で蒸着拡散処理を行うと、重希土類元素RHが過剰に供給されてしまうことがあり、R-T-B系焼結磁石3とスペーサ4との溶着箇所が増大してしまう恐れがある。一方、50Paを超えて行うと、前記重希土類元素RHのR-T-B系焼結磁石体3への供給を十分に確保できない恐れがある。前記蒸着拡散処理後、さらに処理ケース1内の雰囲気圧力を200Pa以上2kPa以下、RH供給源とR-T-B系焼結磁石を800°C以上950°C以下に加熱して熱処理を行うことが好ましい。200Pa以上2kPa以下の雰囲気圧力とすることで、RH供給源2から重希土類元素RHがR-T-B系焼結磁石体3の表面に供給されなくなり、拡散のみが進行する。また、800°C以上950°C以下の温度範囲にすることで、R-T-B系焼結磁石の内部へより均質に前記重希土類元素RHを拡散することができる。前記蒸着拡散処理を行う蒸着拡散処理装置が、一室の処理室からなり、当該処理室で前記熱処理を引き続き行う場合、不活性ガスを流気させて、雰囲気圧力を200Pa以上2kPa以下に調整してから前記熱処理を行えばよい。前記蒸着拡散処理を行う蒸着拡散処理装置が、前記蒸着拡散処理を行う処理室と前記熱処理を行う処理室との2つの処理室を有する場合、当該熱処理を行う処理室を、200Pa以上2kPa以下の雰囲気圧力で800°C以上950°C以下の処理温度にあらかじめ設定しておき、前記蒸着拡散処理を行う処理室にて前記蒸着拡散処理を行った後、前記熱処理を行う処理室に処理ケース1を搬送台図示せずにて搬送させ、前記熱処理を行えば良い。前記熱処理は、必ずしも前記蒸着拡散処理装置と同じ装置で行う必要はなく、別の装置で行っても良い。蒸着拡散処理後のR-T-B系焼結磁石に表面処理を施すことが好ましい。表面処理は、公知の表面処理で良く、例えばAl蒸着や電気Niめっきや樹脂塗装などの表面処理を行うことができる。表面処理を行う前に、サンドブラスト処理、バレル処理、機械研磨等公知の前処理を行っても良い。また、寸法調整のための加工研磨を行っても良い。寸法調整のための研磨量は、1~300μm、好ましくは、5~100μm、さらに好ましくは、10~30μmである。これらの表面処理や加工研磨の工程を経ても、HcJ向上効果はほとんど変わらない。以下の全ての実験は、蒸着拡散処理を行うために、まず、処理ケース1内の底部上にRH供給源2を配置する。次に、当該RH供給源2上にスペーサ4を配置し、その上にR-T-B系焼結磁石体3を配置する。このように、スペーサを介して交互にRH供給源2とR-T-B系焼結磁石体3を上下方向に多段配置する。実験に使用するための処理ケース1は、高さ430×幅420×長さ520mmの大きさのものを準備した。実施例1組成がNd19.3Pr5.7Dy4.3B0.95Co2.0Al0.15Cu0.1Ga0.08残部Fe質量からなるR-T-B系焼結磁石体3を準備した。磁気特性は、Br=1.31T、HcJ=1740kA/mであった。R-T-B系焼結磁石体3を厚み20×幅65×長さ90mmに加工した。RH供給源2も、加工したR-T-B焼結磁石体3とほぼ同寸法のDyメタルを準備した。また、スペーサ4は、断面が円形の棒状部材4aを準備した。棒状部材4aの外径はφ3mmで、長さは60mmであった。図5のように、処理ケース1内に、棒状部材4aを配置したスペーサ4を介して、RH供給源2とR-T-B系焼結磁石体3を上下方向に交互に多段配置した。本発明の処理ケース内1を、900°Cになるまで昇温した後、圧力10-3Paの真空中で2時間蒸着拡散処理を行った。蒸着拡散処理の後、さらに、900°C、圧力1.5kPaで6時間熱処理を行いR-T-B系焼結磁石を作製した。実施例2実施例1と同じ組成、磁気特性であるR-T-B系焼結磁石体3を厚み20×幅130×長さ210mmに加工した。RH供給源2も、加工したR-T-B焼結磁石体3とほぼ同寸法のDyメタルを準備した。また、スペーサ4は、断面が円形の棒状部材4aを準備した。円形の外径はφ5mm×110mmとφ5×200mmの2種類であった。図6のように、処理ケース1内に、棒状部材4aを枠状に配置したスペーサ4を介して、RH供給源2とR-T-B系焼結磁石体3を上下方向に交互に多段配置し、実施例1と同じ蒸着拡散処理を行い、R-T-B系焼結磁石を作製した。実施例3実施例1と同じ組成、磁気特性であるR-T-B系焼結磁石体3を厚み20×幅110×長さ110mmに加工した。RH供給源2も、加工したR-T-B焼結磁石体3とほぼ同寸法のDyメタルを準備した。また、スペーサ4は、円柱の小片状部材4bを準備した。外径はφ4mmで、厚みは5mmであった。図7のように、処理ケース1内に、小片状部材4bを4隅に配置したスペーサ4を介して、RH供給源2とR-T-B系焼結磁石体3を上下方向に交互に多段配置し、実施例1と同じ蒸着拡散処理を行い、R-T-B系焼結磁石を作製した。比較例1スペーサの換わりに直径2mmのNb製の線材で編んだ網3メッシュ、開口率56を使用したことを除き、実施例1と同じ条件でR-T-B系焼結磁石を作製した。実施例4蒸着拡散処理の雰囲気圧力を3.0Paで行ったことを除き、実施例1と同じ条件でR-T-B系焼結磁石を作製した。実施例1~4、比較例1の結果を表1に示す。表1において圧力は、蒸着拡散処理時の雰囲気圧力処理ケース内の圧力を示す。△HcJは、処理前のR-T-B系焼結磁石体のHcJ1740kA/mと処理後のHcJの差分を示す。△Brは、処理前のR-T-B系焼結磁石体のBr1.31Tと処理後のBrの差分を示す。溶着率は、R-T-B系焼結磁石をスペーサより取り外した時に溶着の有無を確認し、溶着が発生したR-T-B系焼結磁石の数を、処理した全体の個数で割ることにより、溶着した割合をで示す。接触面積は、スペーサの接触面積をR-T-B系焼結磁石体のスペーサと接触する側の全面積で割ることにより、スペーサの接触面積における、R-T-B系焼結磁石体と接触している割合をで示す。Dy歩留まりは、R-T-B系焼結磁石とRH供給源Dyメタルの蒸着拡散処理前後の重量変化からR-T-B系焼結磁石のDy増加量/Dyメタルの減少量×100で算出した値である。処理数は、実施例1、実施例2、実施例3、実施例4、比較例1それぞれに使用した、R-T-B系焼結磁石の数を示す。比較例1は、R-T-B系焼結磁石に網目状に溶着が発生していた。全ての実施例において、比較例1と比べて溶着率が半分以下となり、大幅に減少した。さらに、Dy歩留まりも比較例1と比べて改善された。また、実施例4では、R-T-B系焼結磁石とスペーサとの溶着は見られず、Dy歩留まりも比較例と比べて大幅に改善された。以上のように、実施例によれば、R-T-B系焼結磁石の溶着の発生を大幅に減少させることができる。これにより、蒸着拡散処理後の取り外し工数を大幅に削減することができ、量産に適した蒸着拡散処理を行うことが可能となる。また、接触面積が小さいため、RH供給源からR-T―B系焼結磁石へ重希土類元素RHの供給を効率よくすることができ、重希土類元素RHの歩留まりを向上させることができる。