"EUVリソグラフィ用のマスク105であって、基板107と、該基板107に施した多層コーティング108と、該多層コーティング108に施し吸収体材料を有するマスク構造109とを備え、該マスク構造109は、100nm未満の最大厚さ、好ましくは30nm、特に好ましくは20nm、特に10nmを超えない最大厚さを有するEUVリソグラフィ用のマスク。請求項1に記載のマスクにおいて、前記多層コーティング108は、EUVリソグラフィシステム101における前記マスク105の結像を改善するために前記マスク構造109に応じて決まる位置依存変化を含む光学設計を有するマスク。請求項2に記載のマスクにおいて、前記多層コーティング108の前記光学設計の前記位置依存変化は、前記多層コーティング108の厚さDX,Yの位置依存変化を含むマスク。請求項2又は3に記載のマスクにおいて、前記多層コーティング108の前記光学設計は、前記マスク構造109のピッチpに従った位置依存変化を含むマスク。請求項2~4のいずれか1項に記載のマスクにおいて、前記マスク構造109の前記光学設計を、前記EUVリソグラフィシステム101における前記マスク105の結像を改善するために前記位置依存変化を含む前記多層コーティング108の前記光学設計に適合させたマスク。請求項1~5のいずれか1項に記載のマスクにおいて、前記マスク構造109の前記厚さdは、前記マスク構造109のピッチp及び/又は位置依存変化を含む前記多層コーティング108の前記光学設計に従って位置依存的に変わるマスク。請求項1~6のいずれか1項に記載のマスクにおいて、前記マスク構造109は、厚さ方向Zで値が変わる構造幅bZを有する少なくとも1つの吸収体構造109b~109eを有するマスク。請求項7に記載のマスクにおいて、前記吸収体構造109b~109eの少なくとも1つのフランク112、113は、90°以外のフランク角α1、α2を有するマスク。請求項8に記載のマスクにおいて、前記フランク角α1、α2は、70°~88°又は92°~110°であるマスク。請求項1~9のいずれか1項に記載のマスクにおいて、前記マスク構造105の前記吸収体材料は、EUV領域の波長に関して、特に13.5nmで、0.05よりも大きな、好ましくは0.06よりも大きな、特に好ましくは0.07よりも大きな、特に0.08よりも大きな吸収係数を有するマスク。請求項1~10のいずれか1項に記載のマスクにおいて、前記吸収体材料を、Pt、Zn、Au、NiO、Ag2O、Ir、及びFeを含む群から選択したマスク。請求項1~11のいずれか1項に記載のマスクにおいて、前記吸収体材料を、SnO2、Co、Ni8Cr2、SnO、及びCuを含む群から選択したマスク。請求項1~12のいずれか1項に記載のマスクにおいて、前記吸収体材料を、Ag、Ac、Te、CsI、及びSnを含む群から選択したマスク。請求項1~13のいずれか1項に記載のマスクにおいて、前記吸収体材料を、Ni、Ag、及びZnTeを含む群から選択したマスク。請求項1~14のいずれか1項に記載のマスクにおいて、前記多層コーティング108は、前記マスク構造109の前記吸収体材料に適合させた被覆層111を有するマスク。EUVリソグラフィシステム101であって、請求項1~15のいずれか1項に記載のマスク105と、該マスク105を照明光で照明する照明系103と、前記マスク105を基板106に結像する対物レンズ104とを備えるEUVリソグラフィシステム。請求項16に記載のEUVリソグラフィシステムにおいて、前記マスク構造108の少なくとも1つの吸収体構造109a~109eの厚さdは、前記マスク105の結像に関連する前記EUVリソグラフィシステム101の少なくとも1つの特性値、特にテレセントリック性誤差又は像コントラストが最小値dT,MIN又は最大値dC,MAXを有する厚さdC,MAX、dT,MINからのずれが1.5nm以下であるEUVリソグラフィシステム。請求項16又は17に記載のEUVリソグラフィシステムにおいて、前記マスク構造108の少なくとも1つの吸収体構造109b~109eは、厚さ方向Zで値が変わる構造幅bZを有し、該構造幅bZを、前記マスク105の結像に関連する前記EUVリソグラフィシステム101の少なくとも1つの特性値が前記厚さ方向Zで一定の構造幅bを有する吸収体構造109aと比べて改善されるよう選択したEUVリソグラフィシステム。請求項16~18のいずれか1項に記載のEUVリソグラフィシステムにおいて、前記多層コーティング108は、位置依存変化を含む光学設計を有し、該光学設計を、前記マスク105の結像に関連する前記EUVリソグラフィシステム101の少なくとも1つの特性値が位置に依存しない光学設計を有する多層コーティングと比べて改善されるよう選択したEUVリソグラフィシステム。請求項16~19のいずれか1項に記載のEUVリソグラフィシステムにおいて、前記マスク構造109の前記光学設計を、前記少なくとも1つの特性値を改善するために前記位置依存変化を含む前記多層コーティング108の前記光学設計に適合させたEUVリソグラフィシステム。請求項16~20のいずれか1項に記載のEUVリソグラフィシステムにおいて、前記多層コーティング108は、前記マスク105の少なくとも部分領域において、前記マスク105の結像に関連する前記EUVリソグラフィシステム101の少なくとも1つの特性値を、前記多層コーティング108の反射率Rが前記EUVリソグラフィシステム101の入射角範囲に最適化される厚さと比べて改善する厚さを有するEUVリソグラフィシステム。請求項16~21のいずれか1項に記載のEUVリソグラフィシステムにおいて、前記マスク105の結像中、-0.5mrad~0.5mrad、好ましくは-0.3mrad~0.3mrad、特に-0.1mrad~0.1mradのテレセントリック性誤差を有するEUVリソグラフィシステム。請求項16~22のいずれか1項に記載のEUVリソグラフィシステムにおいて、前記対物レンズ104は、0.2以上、好ましくは0.4以上、特に好ましくは0.5以上の開口数を有するEUVリソグラフィシステム。請求項17~23のいずれか1項に記載のEUVリソグラフィシステムにおいて、少なくとも5°、好ましくは少なくとも8°の主光線角で前記マスク105を作動させるよう構成したEUVリソグラフィシステム。EUVリソグラフィシステム101におけるマスク105の結像を最適化する方法であって、該マスク105は、基板107と、該基板107に施した多層コーティング108と、該多層コーティング108に施し吸収体材料を有するマスク構造109とを備え、前記多層コーティング108の光学設計を、前記マスク構造109に応じて選択し、且つ/又は該マスク構造109の光学設計を、前記マスク105の結像に関連する前記EUVリソグラフィシステム101の少なくとも1つの特性値を改善するよう結像を最適化するために選択した方法。本発明の目的は、EUVリソグラフィ用のマスク、特に高開口数用のEUVリソグラフィシステム、及びより高い品質でマスクの結像を可能にする方法を提供することである。この目的は、EUVリソグラフィ用のマスクであって、基板と、基板に施した多層コーティングと、多層コーティングに施し吸収体材料を有するマスク構造とを備え、マスク構造が100nm未満の最大厚さ、好ましくは30nm、特に好ましくは20nm、特に10nmを超えない最大厚さを有するEUVリソグラフィ用のマスクにより、一態様に従って達成される。マスク構造又は吸収体材料の厚さを100nm未満、特に30nm未満の厚さに制限することにより、マスク構造のシャドウイング及びそれに関連した結像品質に対する悪影響を大幅に低減することができる。これは、大きな開口数及びそれに従って大きなCRAを用いてマスクを照明する場合に特に有利である。一実施形態では、EUVリソグラフィシステムにおけるマスクの結像を改善するための多層コーティングは、マスク構造に応じて決まると共に位置に従って値が変わるwhichisvalueindependenceof光学設計を有する。多層コーティングの光学設計という用語は、多層コーティングの層設計、すなわちコーティング材料、したがって個別層の屈折率の選択と、層の厚さ及びその順序との両方であると理解されることを意図したものである。この場合、多層コーティングの光学設計をマスク構造に、より正確にはマスクに局所的に設けられる吸収体構造に適合させることにより、多層コーティングの局所的光学設計が多層コーティングに施したマスク構造に応じて決まるようにすることを提案する。これにより、EUVリソグラフィシステムにおけるマスクの結像を改善又は最適化し、特に結像誤差を低減することが可能である。これは、OPC光近接効果補正又はRET超解像技術という名称で知られるマスク結像最適化に匹敵し、用いるマスク構造をその幾何学的形状に関して適合させることにより、マスク構造を投影系で撮像した際にマスクの所望の像が生成されるようにする。この場合、光学設計は、多層コーティングの個別層、例えばシリコン層又はモリブデンの層の厚さをマスク上の位置に従って相互に独立して変えることにより適合させることができる。この場合、多層コーティングの厚さは概して変わるが、必ずしもそうでない場合がある。その理由は、例えば、シリコン層を第1因子によりスケーリングすることができ、モリブデン層を第2逆数因子reciprocalfactorによりスケーリングすることができることにより、多層コーティングの全厚は一定のままになるからである。発展形態において、位置に従って値が変わる多層コーティングの光学設計は、多層コーティングの厚さの位置依存変化を含む。この場合、最も単純な場合には、多層コーティングの反射率に影響を及ぼすコーティングの全層を共通因子によりスケーリングすることができることにより、多層コーティングの全厚が位置に従って同じ因子によりスケーリングされる。通常、シリコン及びモリブデンを含む複数の二重層が多層コーティングの反射率に影響を及ぼすことにより、これら又は場合によってはこれら二重層のいくつかのみが最も単純な場合には共通の因子によりスケーリングされる。当然ながら、他の材料の組み合わせ、例えば、モリブデン及びベリリウム、ルテニウム及びベリリウム、又はランタン及びB4C等を、多層コーティングの層のシリコン及びモリブデンの代わりに用いることもできる。多層コーティングの1つ又は複数の被覆層及び任意に存在する機能中間層も、理論上は共通因子によりスケーリングできるが、絶対にそうである必要はなく、単にコーティングの厚さの不必要な増加につながり得る。結像の最適化に必要なマスクの表面全体における厚さの局所的変化又は最大厚さ変動は、この場合は概して、表面全体の平均厚さの少なくとも約0.1であり、概して平均厚さの約10以下であり、通常の値は約0.5~7である。発展形態では、多層コーティングの光学設計は、マスク構造のピッチに従った位置と共に変わる。マスク構造のピッチは、マスク構造又はマスクの個々の吸収体構造の、例えば走査方向と平行であるか又は走査方向を横断する構造方向での周期長を表す。局所的ピッチに従って、多層コーティングの光学設計、特に厚さは、マスク構造の結像を改善するよう適合させることができる。この場合、特定の結像誤差、特にテレセントリック性誤差を低減又は最小化することが可能である。別の実施形態では、EUVリソグラフィシステムにおけるマスクの結像を改善するために、マスク構造の光学設計を位置に従って変わる多層構造の光学設計に適合させる。多層構造の光学設計の最適化に加えて、マスク構造自体の光学設計の最適化を吸収体層の構造の局所的幅の適合により行うことも可能であり、EUVリソグラフィシステムにおけるマスクの結像をさらに改善することができるように、吸収体構造に横方向勾配下記参照を与えること及び/又はマスク構造の厚さを最適化することが特に可能である。この場合、マスク構造の光学設計及び多層コーティングの光学設計の両方が、特定の結像誤差、特にテレセントリック性誤差に影響を及ぼすことを利用することができる。したがって、マスク構造により生じ、吸収体層のシャドウイング又は厳密効果に起因するテレセントリック性誤差を、最も好適な場合には、入射角に従った多層コーティングの反射率の変化により生じるテレセントリック性誤差により実質的に補償することができる。上述のように、テレセントリック性誤差への両方の寄与を考慮した全体的最適化が、補償の定量的決定に必要である。当然ながら、多層コーティングの光学設計が位置とは無関係であり、マスク構造の光学設計、特に横方向プロファイル及び/又は吸収体厚さを表面全体での平均としてのテレセントリック性誤差を最小化できるよう適切に適合させた、マスクの最適化を行うことも任意に可能である。この場合、多層コーティングの光学設計は、特に、多層コーティングの全厚表面にわたって一定である又はMo若しくはSiを含む個別層の厚さを開口数又はCRAに従ってスケーリングするよう選択することができるので、結像又は反射率が概して用いる開口数に最適化され、すなわち、この場合は多層コーティングの厚さの局所的位置依存最適化をなくすことができる。一実施形態では、マスク構造の厚さは、マスク構造のピッチ及び/又は多層コーティングの位置依存光学設計に従って位置依存的に変わる。本発明者らの知見によれば、マスク構造のシャドウイングの効果が厚さの減少に伴って低減し、これには結像特性に有利な効果があるが、マスク構造を施した多層コーティングは、特に吸収体層の厚さが比較的薄い、例えば100nm未満のマスクの結像特性に決定的な影響を及ぼす。これは以下の理由からである。結像について、テレセントリック性誤差又は像コントラスト等の有意な特性値は、マスク構造の厚さに従って単調に変わるのではなく厚さに従った周期的変動を示す。この場合、変動の周期長は、多層コーティングの光学設計に関連し、特にマスク構造の局所的ピッチに応じても決まる。結果として、マスク構造の厚さの適切な選択は、結像品質に決定的な影響を及ぼす。調査中の本発明者らの知見によれば、結像の最も関連のある特性値の変動は、マスクを作動させる開口数又はCRAとは実質的に無関係であり、すなわち、特定の主光線角又は入射角範囲に最適化したマスクの厚さを、僅かに適合させて他の主光線角にも用いることができる。別の実施形態では、マスク構造は、厚さ方向で値が変わる構造幅を有する少なくとも1つの吸収体構造を有し、すなわち、少なくとも1つの吸収体構造が横方向勾配を有する。厚さ方向に値が変わる吸収体構造の構造幅を、例えば、複数の吸収体層を重ねて施すことにより作製することができることにより、隣接する吸収体層間の移行部で構造幅が変わる階段状構造が作製される。発展形態では、吸収体構造の少なくとも1つのフランクは、90°以外のフランク角を有する。吸収体構造の幅の段状変化に加えて、又はその代わりに、例えば吸収体構造を方向性エッチングプロセスにより施す場合、吸収体構造の幅を連続的に変化させることも可能である。当然ながら、厚さ方向の構造幅の変化は、マスクの結像特性を改善するために位置に従って例えば、ピッチに従って選択することもできる。別の発展形態では、少なくとも1つのフランク角は、70°~88°又は92°~110°、特に70°~85°又は95°~110°である。バイナリマスク構造、すなわち高さ方向で一定である構造を有するマスク構造の比較的小さなずれさえも、マスクの結像中の実質的な改善に寄与し得ることが分かっている。吸収体材料の厚さを約100nmである従来の厚さと比べて減少させる場合、マスク構造の吸収体材料は、像コントラストを悪化させないために照明光の十分な吸収を確保したままとなるほど大きな吸収係数を有するべきである。したがって、吸収体材料は、EUV領域の波長に関して、特に13.5nmで、0.05よりも大きな、好ましくは0.06よりも大きな、特に好ましくは0.07よりも大きな、特に0.08よりも大きなk値屈折率の虚部を有することが有利である。マスクの一実施形態では、吸収体材料は、白金Pt、亜鉛Zn、金Au、酸化ニッケルNiO、酸化銀Ag2O、イリジウムIr、及び鉄Feを含む群から選択する。これらの材料は、EUV領域の波長に関して0.05よりも大きな吸収係数、すなわち、吸収材料として従来用いられるk値が0.0434の窒化タンタルTaNよりも大きな吸収係数を有する。別の実施形態では、吸収体材料は、二酸化スズSnO2、コバルトCo、クロムニッケル合金、特にNi8Cr2、酸化スズSnO、及び胴Cuを含む群から選択する。これらの材料は、0.06よりも大きな吸収係数k値を有する。一実施形態では、吸収体材料は、銀Ag、アクチニウムAc、テルルTe、ヨウ化セシウムCsI、及びスズSnを含む群から選択する。これらの材料は、現在関連する波長に関してk=0.07以上の吸収係数を通常は有する。別の実施形態では、吸収体材料は、それぞれが0.08よりも大きな吸収係数を有するニッケルNi、銀Ag、及びテルル化亜鉛ZnTeを含む群から選択する。特にニッケルは、0.09よりも大きな吸収係数を有するので吸収体材料として非常に適している。別の実施形態では、マスクの多層コーティングは、マスク構造の吸収体材料に適合させた被覆層を有する。多層コーティングは、吸収体材料でコーティングされるので、多層コーティング上の吸収体層の接着性は、吸収体層を施す被覆層の材料に応じて決まる。したがって、被覆層及び吸収体層の材料を適合するよう選択する、すなわち、同様の化学的特性又は構造的特性を有する材料を用いることにより、被覆層上の吸収体層の良好な接着を確保することが有利である。本発明の別の態様は、EUVリソグラフィシステムであって、上述のように構成したマスクと、マスクを照明光で照明する照明系と、マスクを基板に結像する対物レンズとを備えるEUVリソグラフィシステムにおいて行う。すでに上述したように、例えば吸収層の厚さを薄くすることにより低減することができるシャドウイング効果又は厳密効果を生むように、反射型マスクはテレセントリックビーム経路内で作動されない。一実施形態では、マスク構造の少なくとも1つの吸収体構造の厚さは、マスクの結像に関連するEUVリソグラフィシステムの少なくとも1つの特性値、特にテレセントリック性誤差又は像コントラストが最小又は最大となる厚さからのずれが、1.5nm以下、好ましくは0.5nm以下、特に0.2nm以下である。上述のように、テレセントリック性誤差又は像コントラスト等の結像に関連する特性値は、マスク構造の厚さに従って変わる。したがって、マスク構造又は吸収体の厚さは、例えばテレセントリック性誤差を最小化又は像コントラストを最大化するという点で、上記特性値を最適化、すなわち最大化又は最小化するよう調整することができる。この場合、マスク構造の厚さは、マスクの表面全体にわたって一定であるよう選択することができる。しかしながら、結像をさらに最適化するために、マスク構造の厚さを局所的に変える、すなわち、個々の吸収体構造の厚さを例えば多層コーティングの光学設計の局所的ピッチ及び/又は位置依存変化に従って変えることも可能である。別の実施形態では、マスク構造が有する構造幅は、厚さ方向で値が変わり、結像に関連するEUVリソグラフィシステムの少なくとも1つの特性値、特にテレセントリック性誤差及び像コントラストを厚さ方向で一定の構造幅を有するマスク構造と比べて改善するよう選択される。結像に関連する特性値が結像誤差である場合、これは、厚さ方向の吸収体構造の構造幅の適切な選択により低減又は最小化することができる。しかしながら、他の特性値、例えば像コントラストも、吸収体構造の横方向勾配により改善することができる。別の実施形態では、多層コーティングは、マスクの結像に関連するEUVリソグラフィシステムの少なくとも1つの特性値、特にテレセントリック性誤差又は像コントラストを位置に依存しない光学設計を有する多層コーティングと比べて改善するよう選択した光学設計の位置依存変化を有する。上述のように、多層コーティングの光学設計は、例えば、用いるマスク構造に応じた層厚特にピッチの局所的変化により最適化することができる。適切に選択した光学設計、例えば、位置に従った多層コーティングの適切に選択した厚さにより、テレセントリック性誤差を低減又は最小化することが特に可能であり、又は結像の他の特性値を改善又は最適化することができる。この場合、光学設計の位置依存変化は、位置に依存せず特定の開口数又は特定のCRAに及び場合によっては特定の照明設定に最適化した光学設計に基づき行うことができる。一実施形態では、少なくとも1つの特性値をさらに改善するために、マスク構造の光学設計を多層コーティングの光学設計の位置依存変化に適合させる。すでに上述したように、結像は、マスク構造の光学設計を多層コーティングの光学設計に適合させることによりさらに改善することができ、特に、テレセントリック性誤差を低減又は最小化することができる。この場合、特に吸収体層の厚さ及び吸収体層の横方向プロファイルを適切に適合させることができる。一実施形態では、マスクの少なくとも部分領域において多層コーティングが有する厚さは、マスクの結像に関連するEUVリソグラフィシステムの少なくとも1つの特性値、特にテレセントリック性誤差及び像コントラストを、多層コーティングの反射率がEUVリソグラフィシステムの入射角範囲に最適化される厚さと比べて改善するよう選択する。この実施形態では、多層コーティングの厚さは、少なくとも部分領域において、特にマスクの表面全体にわたって、EUVリソグラフィシステムの入射角範囲に最適化した、すなわち反射率が最大限であり、入射角範囲全体で可能な限り一定である一定の層厚を有する層設計からずれている。所定の開口数に関して最大限且つ可能な限り一定の反射率を達成するために、このような光学設計は、多層コーティングの各個別層の層厚の位置に依存しない最適化を含み得る。これにより、交互層材料の厚さが周期的に繰り返されなくなり得る非周期設計多層コーティングが形成される。位置に依存しないこの設計に基づき、部分領域において、光学設計の局所的適合又はその場所のマスク構造特にピッチに応じた厚さの局所的変化がそれぞれ行われる。別の実施形態では、EUVリソグラフィシステムは、マスクの結像中、-0.5mrad~0.5mrad、好ましくは-0.3mrad~0.3mrad、特に-0.1mrad~0.1mradのテレセントリック性誤差を有する。このように小さなテレセントリック性誤差は、マスクの上記最適化によりもたらすことができる。一実施形態では、対物系は、0.2以上、好ましくは0.4以上、特に好ましくは0.5以上の開口数を有する。高開口数では、主光線角が開口数の増加と共に増加するので、厚さが小さい吸収体層の選択が特に有利である。別の実施形態では、EUVリソグラフィシステムを、少なくとも5°、好ましくは少なくとも8°の主光線角でマスクを作動させるよう構成する。主光線角は、開口数の増加と共にほぼ線形に同じく増加するので、上述の不利な効果が主光線角の増加に伴い徐々に生じることから、この場合の最適化したマスクには特に有利な効果がある。本発明の別の態様は、EUVリソグラフィシステムにおけるマスクの結像を最適化する方法であって、マスクは、基板と、基板に施した多層コーティングと、多層コーティングに施し吸収体材料を有するマスク構造とを備え、マスク構造に従った多層コーティングの光学設計及び/又はマスク構造の光学設計を、結像に関連するEUVリソグラフィシステムの少なくとも1つの特性値を改善し、特に最大化又は最小化するよう結像を最適化するために選択する方法に関する。例えば、テレセントリック性誤差、像コントラスト、及び/又は結像中のアポダイゼーションを、マスクの光学設計の適合により改善又は最適化することができる。多層コーティングの光学設計を最適化するために、特に個別層の厚さを位置に従って適合させることができる。マスク構造の光学設計を最適化するために、マスク構造の厚さ及び/又は吸収体層若しくは吸収体構造の横方向プロファイルを適切に適合させることができる。マスクをEUVリソグラフィに設ける場合、マスクを作動させるEUVリソグラフィシステムの開口数又は主光線角CRAに従って吸収材料のタイプ及び/又は厚さの適合を行うことも概して有利である。適切な吸収体材料は、また場合によっては層厚も、選択した開口数に応じて決まり、これは、吸収体材料の厚さが最小限であり、用いる吸収体材料の適合が最大限である場合、各開口範囲にとって有利ではないことが分かっている。その代わりに、最適な結像品質を達成するために、吸収体材料の層厚及びタイプを慎重に選択しなければならない。単一の吸収体層を有するマスク構造の代わりに、異なる材料も含み得る2つ以上の重ねた吸収体層を施すことも可能である。上述のように、この場合、吸収体層は例えば、マスク構造が矩形プロファイルの代わりに階段状プロファイル又は傾斜縁を有するプロファイルを有するように、異なる横方向長さを有し得る。このような横方向プロファイルは、適切なエッチングプロセスにより調整することができる。結果として、EUVマスクにおいて、吸収体層の横方向プロファイルの適切な適合により補正を行うことができ、この補正は、例えばシャドウイングの補正又はテレセントリック性誤差の低減の役割を果たす。当然ながら、多層コーティングは、高開口数での動作用に適切に変更することもできる。その理由は、多層コーティングが広い角度範囲で反射型の働きをしなければならないように、マスクを用いる際の角度範囲も開口数と共に増加するからである。この場合、多層コーティング及び吸収体層の両方の適合を、投影対物系ジョーンズ瞳の照明分布及び透過並びに結像に関連する他のパラメータを考慮して最適な結像が可能であるよう特に行うことができる。この場合、特に物体面における照明分布例えば、σ設定も、マスクの光学設計の適合に加えて、用いるマスク構造に適合させることができるいわゆる光源/マスク最適化。本発明の他の特徴及び利点は、発明上重要な詳細を示す図面の各図を参照して以下の本発明の実施形態の説明から、また特許請求の範囲から理解されるであろう。個々の特徴は、本発明の変形形態で個別に又は任意の組み合わせで実施することができる。実施形態を概略図に示し、以下の説明において説明する。図1は、ビーム整形系102、照明系103、及び投影系104を有し、これらそれぞれを別個の真空ハウジングに収容し、ビーム整形系102のEUV光源図示せずから始まってビーム経路内に連続的に配置した、EUVリソグラフィシステム101を示す。例えば、プラズマ源又はシンクロトロンをEUV光源として用いることができる。約5nm~約20nmの波長範囲でEUV光源から放出される放射線を、最初にコリメータ図示せずにおいて集束させ、この場合は13.5nmである所望の作動波長を、下流のモノクロメータ図示せずで入射角を変えることにより除去する。波長及び空間分布に関してビーム整形系102において処理した放射線を、照明系103に導入し、照明系103は、約8°の主光線角CRAでマスク105に指向させた照明放射線を整形する役割を果たす光学素子図示せずを有する。マスク105は、投影系104により縮小してウェーハ106に結像される。この目的で、投影系104は、他の反射光学素子図示せずを有する。投影系104以下で投影対物系とも称するの開口数に対する主光線角CRAの事実上線形の依存性を図2に示す。主光線角CRAの直線の上にある第1線は、マスク105に当たる放射線の最大入射角を示し、下方の第2線は、マスク105に対する照明光の最小入射角を示す。角度は理論上0°であるが、構成空間に関する技術的理由から0°よりも僅かに大きくなるよう通常は選択する。本例では、最小入射角は、開口数NAの増加と共に線形に増加する。しかしながら、当然、構成タイプすなわち最小入射角は例えば開口数とは無関係であり得るので、必ずしもそうである必要はない。図2に示す例では、マスク105に当たる放射線の角度範囲は、開口数NAの増加と共に増加する。比較的大きな主光線角又は大きな開口数でのEUVリソグラフィシステム101の動作中のマスク105に対する厳密効果の発生を、図3a~図3cを参照して以下で説明する。マスク105は、例えばULE商標又はZerodur登録商標を含むガラス基板107を有し、これに多層コーティング108を施す。この場合、多層コーティングは、約λ=13.5nmの波長の照明光に関して高反射性であるシリコン又はモリブデンの多数の交互層108a、108bを有する。図3aにおいて照明放射線を吸収する吸収層として働く窒化タンタルTaNの構造化層を含むマスク構造109を、多層コーティング108に施す。左側の図は、マスク構造109が複数のH構造109aを有する場合の照明光110の入射を示す。基板107の表面に対して直交する次元をこの場合はZとし、これは、TaN構造109の厚さが約50nmである次元に相当する。H構造109aは、図3aに示すXYZ座標系のX軸方向よりもY軸方向に大きく延びる。照明光110のビームが方向Zに対して角度β>0°、例えば6°、8°、又は12°でマスク105に当たる場合、この例では破線で示す反射ビームについてH構造109aにおいてシャドウイング効果が生じる。右側の図に示すマスク構造109では、吸収体構造109’がV構造の形態であることにより、このシャドウイング効果が生じない。マスク構造、例えば左側の図のH構造109aの幅は、X方向におけるその長さbに対応する。H構造のピッチは、H構造の周期長を示し、図3aにおけるX方向でpとする。これは、Y方向に関して右側の図に示すV構造109’にも当てはまる。図3bは、対物レンズ104の物体面内の視点からの、50nmの厚さd1を有するH構造109aにおけるシャドウイング効果を示す。照明光は、左側から多層コーティング108に当たってそこで反射し、右側のH構造109aにおいて、純粋に幾何学的なタイプの、多層コーティング108での照明光の反射の有効箇所に応じたシャドウイングが生じることが分かる。図3cは、より小さな厚さd2=20nmを有する吸収体層H構造109におけるシャドウイング効果を示す。図3bを図3cと比べると、吸収体の厚さが小さいほどシャドウイングが低減し、照明放射線の反射が増えることが分かる。図4a、図4bは、図3b、図3cに示す厚さd1=50nm及びd2=20nmに関して、H構造及びV構造のピッチ、さらにHVバイアス、すなわちH構造及びV構造の限界寸法CD間の差に従ってウェーハ106上に12nmのCDすなわち構造幅を有する構造を作製するためのウェーハスケール、すなわち結像倍率に従って1/4でのCDすなわちマスク上の構造幅を示す。ウェーハ上で所定のCDを作製するためのマスク上の構造のCDがピッチに応じて決まることに加えて、図4a、図4bにおいて、50nmの厚さd1を有するマスク構造を用いた場合よりも20nmの厚さd2を有するマスク構造を用いた場合の方が、HVバイアスが実質的に小さいことも明らかに分かる。結果として、約0.55の開口数に対応する約10°の主光線角CRAを用いた場合、20nmの厚さを有するマスク構造の選択が、50nmの厚さd1を有する吸収体層を用いるよりも有利である。それは、これによりHVバイアスが低減されるからである。H構造109aが、概して対物レンズ104の物体面におけるその位置に従ってより広範に結像されることに加えて、H構造では、波面の視野依存傾斜ゼルニケ係数Z2、Z3に対応するマスクの焦点位置に応じた像の変位も生じる。全波面を解析した場合、収差として視野依存歪み項Z2、Z3、焦点変動Z4、及び非点収差Z5、Z6が得られる。これらは、コマZ7、Z8及び二次非点収差Z12、Z13等の高次の波面誤差を伴う。図5で見ることができるように、言及した効果は、概してマスク構造109吸収体層の厚さの増加と共に高まる。結果として、マスク構造109の厚さを30nm以下、例えば20nm以下、特に10nm以下に減らすことが有利である。しかしながら、この場合、マスク構造109がその吸収特性を維持することを確実にすべきである。すなわち、マスク構造用に選択した吸収体材料は、吸収体層の選択した厚さで、像コントラストを低下させないように照明光110を吸収する機能を保持するのに十分なほど大きな吸収係数を有するべきである。マスク構造109に可能な吸収体材料を、吸収係数k係数の順に以下に列挙するが、以下の一覧は、種々の標準加工物standardworksからのデータを材料データと組み合わせたものであり、こうした理由で、いくつかの材料は異なるk値で複数回記載される。これらの差は、k値の実験的測定が困難であることである程度説明がつく。材料のタイプに加えて、吸収体材料を施すのに用いたコーティング方法もk値に影響を及ぼし得る。k>0.09Nik=0.091100k>0.8Ag:k=0.082400ZnTe:k=0.082000k>0.07Ag:k=0.078893Ac:k=0.077757Te:k=0.076700CsI:k=0.074462Cu:k=0.074400Ni:k=0.072428Sn:k=0.072003Co:k=0.070000k>0.06SnO2:k=0.066637Co:k=0.065988Ni8Cr2:k=0.064931SnO:k=0.062664Cu:k=0.060941k>0.05Pt:k=0.059502Zn:k=0.055417Au:k=0.055400NiO:k=0.054749Ag2O:k=0.054140Ir:k=0.053200Fe:k=0.051962Au:k=0.051322驚くべきことに、マスク構造109、109’に関して最大限に強力な吸収材料の使用が、いずれの場合も、すなわち開口数NAに関係なく有利であるが、図6に示すようにこの場合はそうではない。この図では、50nm及び20nmの厚さを有するTaNを含む吸収体層と、上記一覧の材料のうち最大の吸収係数を有するニッケルNiの吸収体層とについて、0.32、0.45、及び0.55の開口数NAに関するテレセントリック性誤差を示す。予想通りに、厚さ20nmのニッケルの吸収体層は、0.45及び0.55の開口数NAではテレセントリック性誤差mradを低減するので有利である。しかしながら、これは開口数0.32には当てはまらない。この場合、厳密効果により、テレセントリック性誤差が吸収体層の厚さの増加と共に減少し、窒化タンタルを用いた場合よりもニッケルを吸収体として用いた場合に大きくなる。結果として、所定の開口数又は所定の主光線角CRAに関するマスク構造の適切な材料及び適切な吸収体材料の確定は、簡単ではない。すなわち、どの材料及びどの厚さが所定のNAに特に有利であるか、すなわち厳密効果及びシャドウイングに起因して生じる投影対物系104の結像誤差を最小化するかを、容易に予測することはできない。当然ながら、結像を種々の結合誤差に関して最適化することができ、理想的には、結像誤差を最適化することにより他の結像誤差を同時に最適化するか、又は他の結像誤差に関してごく僅かな適合を行わなければならない。例えば、吸収体層の厚さ及び吸収体材料を、マスクが約180°の範囲の位相シフトを有する減衰位相マスクとして働くよう選択することで、像コントラストを最適化することができる。吸収体材料の選択時に考慮しなければならない別の点は、吸収体材料と多層コーティング108図3cを参照との適合性に関係する。多層コーティング108は、保護のために、例えばクロムを吸収体材料として用いる場合はルテニウムを含み得る被覆層111を有する。被覆層111の材料及び吸収体層の材料は、吸収体層109が被覆層111に可能な限り良好に接着し、層間剥離等の望ましくない効果が生じないよう吸収体層109を被覆層111に施すことが容易に可能であるよう選択すべきである。要約すると、吸収体層の厚さ及び吸収体材料は、最適な結像品質を得るために、開口数及び他の条件、例えば被覆層の材料等に従って適切に選択しなければならない。結像品質を改善するために、特にマスク構造109、又はより正確には個々の吸収体構造109b~109eが、横方向勾配、すなわち、基板107に伴うXY平面に対して垂直な厚さ方向Zで値が変わる幅bZを有し得る。図7を参照されたい。図7に示す吸収体構造109b~109eにおいて、2つの相互に対応するフランク112、113の少なくとも一方が、多層コーティング108と90°以外のフランク角α1、α2を画定する。図7にも示すように、フランク角α1、α2は、90°以外であってもよく、例えばグレースケールマスクを用いた方向性エッチングにより異形吸収体構造109b~109eを作製することが可能である。これは、結像品質の改善に必要なフランク角α1、α2が直角とはごく僅かに、すなわち通常は最大20°、すなわち通常は70°~110°の範囲内で異なるからである。図7において同じく分かるように、吸収体構造109b~109eのいわゆる限界寸法線幅は、横方向勾配がある場合に厚さの半分d/2に関して求める。当然ながら、例えば横方向長さの異なる複数の吸収体層を重ねて施す場合、厚さ方向Zにおける幅bZの段状又は階段状変化を、傾斜フランク112、113による幅bZの連続変化の代わりに行うことも可能である。フランク角α1、α2を適当に選択することによる結像品質の最適化の実施例を、吸収体構造109b、109cに関する厳密効果のシミュレーションにより行い、第1フランク角α1を最適化のために変え、第2フランクα2を90°となるよう選択した。0.25の開口数NAとσ設定0.5の従来のコヒーレント照明とを、シミュレーションの基礎とした。吸収体構造として、ウェーハ上に入射主光線の平面と平行な方向で測定して27nmの幅bを有する線を用い、周期長又はピッチを変えた。この場合、吸収体構造の厚さdは70nmであり、TaNをシミュレーション用の吸収体材料n=0.94290.0408iとして用いた。モリブデン及びシリコンの40個の二重層を、多層コーティング108の基礎とした。nMo=0.9230.00622iの屈折率及び2.78nmの厚さDMoを、モリブデン層のシミュレーション用に選択した。したがって、nSi=0.9990.00182iの屈折率及び4.17nmの厚さDSiを、シリコン層のシミュレーション用とした。バイナリ吸収体構造として以下の結果を得たα1=α2=90°これに対して、第1フランク角α1の変化又は最適化について以下の結果を得た。この場合、マスクCDという用語は、マスク上の線幅であると理解されることを意図したものであり、結像倍率は考慮に入れないウェーハスケール。したがって、表1及び表2におけるマスクCDの値は、マスク上の実際の線幅を得るために結像倍率でなおもスケーリングしなければならない。1/4に縮小される結像の本実施例では、結果として、これらの値を4倍にしなければならない。表1及び表2を参照して分かるように、マスク上の線幅を、ウェーハへの結像中に所望の一定の線幅を得るためにこの場合はピッチに従って変えた。ピッチに従ったマスク上の線幅のこのような変化を、光近接効果補正とも称する。表に記載したテレセントリック性誤差を、図8にもグラフで示し、第1棒は表1におけるテレセントリック性誤差に相当し、第2棒は表2におけるテレセントリック性誤差に相当する。図8を参照して明確に分かるように、横方向勾配の適切な選択により、結像を最適化することができるか又はテレセントリック性誤差を実質的に低減することができ、ピッチに応じた第1フランク角α1の最適値は、90°以外であってもよい。したがって、結像を最適化するために、フランク角α1を、マスク構造109に従った位置又は局所的ピッチに従って適切に変えることができる。製造の複雑さの低減を意図する場合、ピッチとは無関係の均一なフランク角をマスク構造109全体で画定することもできる。これは、マスク構造の局所的ピッチが比較的小さな範囲内でのみ変わる場合に特に有利である。横方向プロファイルを用いたマスク構造の幾何学的形状の最適化に加えて、又はその代わりに、多層コーティング108の光学設計も結像品質を改善するために最適化することができる。この場合、EUV放射線用の従来の多層コーティング108は、例として図9に示すように、入射角に応じた反射率Rを有する。反射率Rは、0°~約10°の入射角範囲で67よりも高いが、多層コーティング108の例示的な周期設計において実質的にこの範囲でも約2変わる。用いる入射角範囲にわたる反射率Rのこの変化は、対物瞳におけるアポダイゼーションの変化をもたらし、傾斜が非対称変化に起因した大部分を構成する。この効果による結果の1つは、結像中のテレセントリック性誤差である。マスク構造109もテレセントリック性誤差をもたらすので図6を参照、多層コーティング108のテレセントリック性誤差は、マスク105、すなわち多層コーティング108及びそれに施したマスク構造109の総合的効果がテレセントリック性誤差を、又はより包括的にはアポダイゼーションを最小化するよう選択することができる。多層コーティング108の光学設計を最適化するために、特にシリコン又はモリブデンの個別層108a、108bの厚さを適当に選択することができる。この場合、第1に、多層コーティング108全体被覆層111を含まない。図3cを参照を主光線角又は開口数に従って固定することにより、例えば図9に示すように、最大限であり入射角にわたって可能な限り均一な反射率Rをもたらすようにする。開口数に最適化した設計に基づき、続いて、位置依存最適化、最も単純な場合には位置依存因子を用いた多層コーティング108の厚さの局所的スケーリングを行うことができる。厳密効果を考慮してこのような多層コーティング108をシミュレートするために、0.45の開口数NA、8°の主光線角、及びσ設定020/090の輪帯照明を基礎とし、これはすなわち、σ値の下限を0.2、σ値の上限を0.9とした輪帯照明である。ウェーハ上で16nmの幅bを有する線を吸収体構造として選択し、周期長又はピッチp図3aを参照を変えた。この場合、吸収体構造の厚さdは56nmであり、TaNを吸収体材料n=0.94290.0408iとして用い、バイナリ吸収体の幾何学的形状α1=α2=90°をシミュレーションに用いた。モリブデン及びシリコンを含む40個の二重層が、多層コーティング108を構成するものとした。モリブデン層のシミュレーションについて、屈折率をnMo=0.9230.00622iとし、厚さDMoを2.82nmとした。したがって、nSi=0.9990.00182iの屈折率及び4.23nmの厚さDSiを、シリコン層のシミュレーションの基礎とした。すなわち、多層コーティングの厚さDを、0.25の開口数NAに関する表1及び表2と共に上述したコーティングに関して1.4増加させ、又はf=1.014倍した。シミュレーションの結果を以下の表に記載する。表3を参照して分かるように、テレセントリック性誤差はピッチに応じて決まる。したがって、マスク構造109の局所幾何学的形状、又はより正確にはマスク構造109の局所的周期長ピッチに応じて決まる多層コーティング108の厚さDの位置依存変化を行うことが有利である。ピッチに従ったこのような厚さ最適化の結果を以下の表で見ることができる。初期多層MLという用語は、表3を参照して説明した多層コーティングであると理解されることを意図したものであり、この多層コーティングは、開口数0.45に最適化し、開口数0.25及び通常照明に最適化した表1及び表2の多層コーティングよりも1.4増加した厚さを有するものである。表3及び表4に記載したテレセントリック性誤差を比較する図10を特に参照して分かるように、多層コーティング108の厚さDX,Yをピッチに従って適合させることにより、テレセントリック性誤差の実質的な低減を達成することが可能である。表4に記載した値で、吸収体構造又はマスク構造109の限界寸法すなわち線幅を同時に適合又は最適化OPCし、最適化中に照明調整も考慮した。図11及び図12を参照して以下で説明するように、像コントラスト図11を参照又はテレセントリック性誤差図12を参照等の関連の特性値を最適化するために、マスク構造109又は吸収体層の厚さを適切に最適化することができる。この目的で、6°又は8°の主光線角に従った2つの異なる開口数0.33又は0.45に関する厳密効果を考慮して、2次元シミュレーション計算を行った。多層コーティング108を上述のように選択し、1.0062又は1.0160のスケーリング因子fを表1及び表2に記載のコーティングの厚さに関して用いた。σ値0.5の通常設定を照明として選択し、ピッチpを1.11×13.5nm/NAとし、ニッケルを吸収体層の材料として選択した。図11及び図12を参照して分かるように、テレセントリック性誤差及び像コントラストの両方が、吸収体層又はマスク構造109の厚さに従って変わり、テレセントリック性誤差が最小となる厚さdT,MINは、像コントラストが最大となる厚さdC,MAXと事実上同一である。結果として、吸収体層の厚さdを最大値dC,MAX又は最小値dT,MINの領域で適切に選択すれば、走査に関連する特性値の両方を共に最適化することができる。理想的には、厚さdは、像コントラストの最大値dC,MAX又はテレセントリック誤差の最小値dT,MINに対応する。いずれの場合も、極値からの厚さdの距離は、最大1.5nm、有利には最大0.5nmであるべきである。当然ながら、上述のステップの全てをマスク105の結像の最適化のために総合することができる。すなわち、マスク構造109の光学設計厚さ及び横方向プロファイル及び多層コーティング108の光学設計の両方を同時に最適化することができ、特に最適化の相互依存を考慮することも望ましい。最適化に照明分布を含めることもさらに可能である。すなわち、結像の最適化のために、照明設定単数又は複数及びマスク多層コーティング及びマスク構造の相互作用を考慮することも可能であり、すなわち、照明設定をマスク構造光源/マスク最適化に従って最適化することができる。"