"銅、コバルト、ニッケル、ルテニウムのうちのいずれかの金属材料の表面に導電性ポリマーの溶液又は分散液を塗布して塗膜を形成した後、マイクロ波処理することで前記金属材料表面にグラフェン薄膜を形成することを特徴とするグラフェン薄膜の製造方法。前記金属材料が、板状又は箔状であることを特徴とする請求項1に記載のグラフェン薄膜の製造方法。前記導電性ポリマーが、ポリピロール又はポリチオフェンにp型又はn型ドーパントをドープした導電性ポリマーであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のグラフェン薄膜の製造方法。前記マイクロ波処理を、常温下、常湿度下、常圧下及び空気存在下で実施することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載のグラフェン薄膜の製造方法。上記のように、従来のグラフェン薄膜の作成方法においては、精巧で高価な設備と、複雑かつ煩雑で厳密な製造工程管理が必要であった。本発明のグラフェン薄膜の作成方法は、簡易で安価な設備と簡便な工程でグラフェン薄膜の作製方法を提供するものである。本発明は、マイクロ波を使用することで、従来のいかなるグラフェン薄膜の作製と異なり、常温下、常湿度下、常圧下、空気雰囲気でも、簡便な工程と安価な設備でグラフェン薄膜作製を可能にした。すなわち、本発明は、触媒材料表面に導電性ポリマー薄膜を形成した後、マイクロ波処理することで金属材料表面にグラフェン薄膜を製造するものであって、以下の特徴を有している。1銅、コバルト、ニッケル、ルテニウムのうちのいずれかの金属材料の表面に導電性ポリマーの溶液又は分散液を塗布して塗膜を形成した後、マイクロ波処理することで前記金属材料の表面にグラフェン薄膜を形成することを特徴とするグラフェン薄膜の製造方法。2前記金属材料が、板状又は箔状であることを特徴とする前記1に記載のグラフェン薄膜の製造方法。3前記導電性ポリマーが、ポリピロール又はポリチオフェンにp型又はn型ドーパントをドープした導電性ポリマーであることを特徴とする前記1又は前記2に記載のグラフェン薄膜の製造方法。4前記マイクロ波処理を、常温下、常湿度下、常圧下及び空気存在下で実施することを特徴とする前記1から前記3のいずれかに記載のグラフェン薄膜の製造方法。本発明により、簡易で安価な設備と簡便な工程で、グラフェン薄膜の作製が可能となった。本発明に用いられる金属材料として、銅、コバルト、ニッケル、ルテニウムを挙げることができる。中でも銅、コバルト、ニッケルが反応率と収率の面から好ましい。さらに銅が好ましい。粒子状や繊維状といった様々な形態を持った金属材料の使用が可能であるが、板状と箔状が、生成したグラフェンが透明電極等への応用が期待されていることから好ましい。本発明に用いられるp型又はn型ドーパントをドープするポリマーとしては、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類、ポリアセチレン類、および、ポリフェニレンビニレン類等が挙げられる。中でもポリピロールおよびポリチオフェンが、反応率と収率の面から好ましい。上記ポリマーをドープするドーパントとしては、p型ドーパントと称されるI2、Br2、AsF5、HNO3、FeCl3、TCNQをはじめとする高分子鎖から電子を奪うものを使用しても、逆に、Na、Li、NH3、テトラブチルアンモニウム等高分子鎖に電子を与えるn型ドーパントを使用しても良い。導電性ポリマーとして好適な例としては、ポリピロールを硝酸でドープした導電性ポリマー、ポリチオフェンをポリスチレンスルホン酸でドープした導電性ポリマーなどを挙げることができる。これらの導電性ポリマーを溶媒に溶解または分散させた液状組成物を調製し、この液状組成物を金属材料表面に塗布することで塗膜を形成する。塗布法は、スピンコーティングやバーコーティングの他通常一般に用いられる方法により行うことができ、高速のグラビアコーティング等も摘要可能である。また、塗料の塗布膜厚は、乾燥後の塗膜厚が薄膜になるように選ぶ。乾燥後の塗膜厚は、500nm以下が好ましい。また、100nm以下がさらに好ましい。乾燥後の塗膜厚が厚くなってもグラフェンは形成されるものの、グラフェン以外の不純物も副生するため、それらを除去しなければ高純度のグラフェン薄膜を得ることができない。金属材料表面に形成された前記導電性ポリマーを、不活性ガスや還元剤水素を使用せず、常温下、常湿度下、常圧下、空気存在下、マイクロ波処理することでグラフェン薄膜が作製できる。マイクロ波処理における昇温が瞬時に起こるため、金属材料表面に導電性ポリマーを塗布してマイクロ波処理を行うことにより、金属材料表面における、グラフェン形成速度が、酸化反応や燃焼反応といった副反応を上回ってグラフェン薄膜が生成すると推測される。このことは、塗膜厚が厚くなると金属材料の表面から遠い部分に不純物が発生することからもわかる。マイクロ波照射装置の周波数は、それ以外の領域でも機能すると推測されるが、一般的な領域、すなわち、0.5~6.5GHz程度が好ましい。出力は、一般的な領域、すなわち、100W~1000W程度が好ましい。出力がこの範囲以下であれば、照射時間を延長することで、一方、出力がこの範囲以上であれば、照射時間を短縮することで良好なグラフェン薄膜を得ることができる。照射時間は、マイクロ波照射装置の周波数および出力が前記の領域であれば、数秒から数分で良好なグラフェン薄膜を形成できる。導電性ポリマーの種類によって照射時間は自ずと異なり、照射時間を延長したり短縮し対処できる。金属材料表面に形成されたグラフェン薄膜は、他の適切な基体に移行することで様々な用途に供することができる。他の基体への移行は、次の手法が一般的である。すなわち、例えば、基体に透明なポリスチレンフィルムを選択する場合、ガラス転移温度より少し高い温度にポリスチレンフィルムを加熱した後、本発明で得られたグラフェン薄膜上に圧着する。その後、金属材料をエッチング液で溶解することで、生成したグラフェン薄膜をポリスチレンフィルムに転写することができる。もちろん、ポリスチレン以外の樹脂も転写の基体として使用できる。ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、PAN、PVAといった様々な透明汎用樹脂をはじめとし、ナイロン6やナイロン66のようなナイロン類、PMMAのようなポリアクリレート類、PETやPBTのようなポリエステル類、ポリカーボネート類、ポリイミド類、TACのようなセルロース系樹脂も例として挙げることができる。こうして得られた本発明が供するグラフェン薄膜を転写した、透明なポリスチレン樹脂は、タッチパネルや透明電極として使用することができる。以下の実施例で本発明を更に詳しく説明するが、これらに実施例は、例示的なものであり、本発明は、これらの実施例により限定されるものではない。実施例1約100μの銅箔をスピンコーターに設置し、ポリスチレンスルホン酸でドープしたポリエチレンジオキシチオフェンの1重量水溶液エイチシースタルク社製を約1mL滴下した。次に、500rpmで10秒間、続いて1000rpmで10秒間、さらの1500rpmで10秒間、銅箔を回転した。銅箔をスピンコーターから取り出し、室温で30分風乾した。十分乾燥した塗膜を形成した銅箔をマイクロ波照射装置に設置しマイクロ波照射を開始した。マイクロ波照射装置は、周波数2.5GHz、出力1000Wで、約15秒照射した。その後、処理品を取り出した。これらの操作は全て通常の空気雰囲気で実施した。実施例2銅箔に代えて、ニッケル箔を使用した以外は実施例1と同様の操作を行った。実施例3ポリスチレンスルホン酸でドープしたポリエチレンジオキシチオフェンの1重量水溶液に代えて、1,3,6,7-テトラシアノ-14,5,8-テトラアザナフタレンでドープしたポリ3-メチル-4-ピロールカルボン酸エチル1重量のジメチルアセトアミド溶液化研産業社製を使用した以外は実施例1と同様の操作を行った。実施例4マイクロ波照射装置に周波数0.75GHz、出力600Wで、約30秒照射した以外は実施例1と同様の操作を行った。実施例5ポリスチレンスルホン酸でドープしたポリエチレンジオキシチオフェンの水溶液の濃度を2重量に増加した以外は実施例1と同様の操作を行った。上記の実施例で得られた生成物のラマン散乱スペクトルを測定し1000~3000cm-1で観察されたピークの面積比を表1として一覧した。実施例5を除いて、いずれの実施例においても明確な2DバンドのピークとGバンドのピークが出現する一方、Dバンドのピークは、殆ど検出されることはなく、グラフェンが生成していることがわかる。実施例5では、2DバンドのピークとGバンドのピークの存在は確認できるものの、Dバンドのピークが顕著で、グラフェンの生成は認められるものの、非晶質炭素化合物が多く生成していると推測される。実施例5では、マイクロ波処理前、塗膜が厚膜故にグラフェン薄膜以外に非晶質炭素化合物が不純物として生成しているが、非晶質炭素化合物を除去することによりグラフェン薄膜を得ることができる。"