"真空中での使用が要求されるデバイスチップと、前記デバイスチップと協働するICチップと、前記デバイスチップと前記ICチップとが互いの厚み方向に離間して収納されたパッケージとを備え、前記パッケージは、パッケージ本体と、前記パッケージ本体に第1接合部を介して気密的に接合されたパッケージ蓋とを有し、前記パッケージ本体の一面側に2段の凹部が設けられ、前記ICチップが、下段の前記凹部の内底面に第2接合部を介して接合され、前記デバイスチップが、上段の前記凹部の内底面における前記下段の凹部の周部の全周に亘って第3接合部を介して気密的に接合されてなり、前記パッケージ本体と前記デバイスチップと前記第3接合部と前記パッケージ蓋とで囲まれた第1気密空間が真空雰囲気であることを特徴とする真空封止デバイス。前記第3接合部は、無機系接合材料により形成されてなることを特徴とする請求項1記載の真空封止デバイス。前記パッケージ本体と前記デバイスチップと前記第3接合部とで囲まれた第2気密空間が真空雰囲気であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の真空封止デバイス。前記デバイスチップは、電磁波センサチップであり、前記パッケージ蓋は、前記電磁波センサチップでの検知対象の電磁波を透過する材料により形成されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の真空封止デバイス。前記検知対象の電磁波が赤外線であり、前記電磁波センサチップは、複数の熱型赤外線検出部が半導体基板の一表面側においてアレイ状に配置され、前記半導体基板の前記一表面側において前記熱型赤外線検出部の一部の直下に空洞部が形成されてなる赤外線センサチップであることを特徴とする請求項4記載の真空封止デバイス。ところで、上述の赤外線センサ装置430では、赤外線アレイセンサ410と信号処理用チップ437とが、パッケージ431の前記凹部の内底面431a側において、横並びで実装されている。このため、赤外線センサ装置430は、パッケージ431に赤外線アレイセンサ410のみを収納する場合に比べて、気密封止するための接合部の面積が大きくなり、リークが発生する可能性が高くなる。また、赤外線センサ装置430では、赤外線アレイセンサ410の各熱型赤外線検出部それぞれの出力信号出力電圧に、信号処理用チップ437の発熱に起因したオフセット電圧を含んでしまう。また、この赤外線センサ装置430では、赤外線アレイセンサ410において信号処理用チップ437からの距離の長短に起因して熱型赤外線検出部の温度がばらつき、赤外線アレイセンサ410の面内でS/N比がばらついてしまうことがあった。なお、信号処理用チップ437からパッケージ431を通る経路で赤外線アレイセンサ410のシリコン基板401へ伝わる熱は、主に、サーモパイルの冷接点の温度を上昇させるのでマイナスのオフセット電圧を発生させる要因となる。また、上述の赤外線センサ装置430では、信号処理用チップ437の発熱時に信号処理用チップ437から放出されるガスにより、真空度が低下し、赤外線アレイセンサ410のデバイス特性が低下してしまう懸念がある。本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、ICチップの発熱がデバイスチップに与える影響を低減することが可能な真空封止デバイスを提供することにある。本発明の真空封止デバイスは、真空中での使用が要求されるデバイスチップと、前記デバイスチップと協働するICチップと、前記デバイスチップと前記ICチップとが互いの厚み方向に離間して収納されたパッケージとを備え、前記パッケージは、パッケージ本体と、前記パッケージ本体に第1接合部を介して気密的に接合されたパッケージ蓋とを有し、前記パッケージ本体の一面側に2段の凹部が設けられ、前記ICチップが、下段の前記凹部の内底面に第2接合部を介して接合され、前記デバイスチップが、上段の前記凹部の内底面における前記下段の凹部の周部の全周に亘って第3接合部を介して気密的に接合されてなり、前記パッケージ本体と前記デバイスチップと前記第3接合部と前記パッケージ蓋とで囲まれた第1気密空間が真空雰囲気であることを特徴とする。この真空封止デバイスにおいて、前記第3接合部は、無機系接合材料により形成されてなることが好ましい。この真空封止デバイスにおいて、前記パッケージ本体と前記デバイスチップと前記第3接合部とで囲まれた第2気密空間が真空雰囲気であることが好ましい。この真空封止デバイスにおいて、前記デバイスチップは、電磁波センサチップであり、前記パッケージ蓋は、前記電磁波センサチップでの検知対象の電磁波を透過する材料により形成されてなることが好ましい。この真空封止デバイスにおいて、前記検知対象の電磁波が赤外線であり、前記電磁波センサチップは、複数の熱型赤外線検出部が半導体基板の一表面側においてアレイ状に配置され、前記半導体基板の前記一表面側において前記熱型赤外線検出部の一部の直下に空洞部が形成されてなる赤外線センサチップであることが好ましい。本発明の真空封止デバイスにおいては、ICチップの発熱がデバイスチップに与える影響を低減することが可能となる。以下では、本実施形態の真空封止デバイスについて、図1に基づいて説明する。真空封止デバイスは、真空中での使用が要求されるデバイスチップ100Aと、デバイスチップ100Aと協働するICチップ200Aと、デバイスチップ100AとICチップ200Aとが互いの厚み方向に離間して収納されたパッケージ300とを備えている。パッケージ300は、パッケージ本体301と、パッケージ本体301に第1接合部311を介して気密的に接合されたパッケージ蓋302とを有している。ここで、パッケージ300は、パッケージ本体301の一面側に2段の凹部301a,301bが設けられている。そして、パッケージ300は、ICチップ200Aが、下段の凹部301aの内底面に第2接合部312を介して接合されている。また、パッケージ300は、デバイスチップ100Aが、上段の凹部301bの内底面における下段の凹部301aの周部の全周に亘って第3接合部313を介して気密的に接合されている。また、真空封止デバイスは、パッケージ本体301とデバイスチップ100Aと第3接合部313とパッケージ蓋302とで囲まれた第1気密空間321が真空雰囲気となっている。しかして、本実施形態の真空封止デバイスでは、ICチップ200Aの発熱がデバイスチップ100Aに与える影響を低減することが可能となる。ICチップ200Aの発熱がデバイスチップ100Aに与える影響としては、ICチップ200Aの発熱時にICチップ200Aから放出されるガスによる真空度の低下がデバイスチップ100Aのデバイス特性に与える影響や、ICチップ200Aの発熱に起因したデバイスチップ100Aの温度上昇がデバイス特性に与える影響などが考えられる。また、本実施形態の真空封止デバイスでは、デバイスチップ100AとICチップ200Aとが互いの厚み方向に離間してパッケージ300に収納されているので、デバイスチップ100AとICチップ200Aとが横並びで収納されている場合に比べて、パッケージ本体301とパッケージ蓋302とを接合する第1接合部311の面積を小さくすることが可能となり、第1接合部311でリークが発生する可能性を低減することが可能となる。この真空封止デバイスでは、デバイスチップ100Aのパッド図示せずが、パッケージ本体301に設けられた配線図示せずとワイヤ381を介して電気的に接続されている。また、ICチップ200Aのパッド図示せずは、パッケージ本体301に設けられた配線図示せずと第2接合部312を介して電気的に接続されているが、これに限らず、ワイヤを介して電気的に接続することも可能である。ただし、前者の方が、パッケージ300の小型化を図る点で有利であり、また、ICチップ200Aの主表面側の回路部図示せずで発生した熱がデバイスチップ100Aに伝わりにくくなる点で有利である。この真空封止デバイスにおいては、第3接合部313が、無機系接合材料例えば、ガラス、AuSn、Auのような金属系接合材などにより形成されていることが好ましい。これにより、真空封止デバイスは、第3接合部313が有機系接合材料例えば、エポキシ樹脂などにより形成されている場合に比べて、第3接合部313から発生するガスを低減することが可能となり、また、第1気密空間321の気密性を高めることが可能となる。また、第1接合部311は、無機系接合材料により形成されていることが好ましい。これにより、真空封止デバイスは、第1接合部311が有機系接合材料により形成されている場合に比べて、第1の接合部311から発生するガスを低減することが可能となり、また、第1気密空間321の気密性を高めることが可能となる。また、第2接合部312は、無機系接合材料により形成されていることが好ましく、上述のような第2接合部312が電気的な接続を兼ねる場合には、金属系接合材を採用すればよい。これにより、真空封止デバイスは、第2接合部312が、有機系接合材料により形成されている場合に比べて、第2気密空間322中へ放出されるガスを低減することが可能となる。この真空封止デバイスにおいては、パッケージ本体301とデバイスチップ100Aと第3接合部313とで囲まれた第2気密空間322が、真空雰囲気であることが好ましい。これにより、真空封止デバイスは、ICチップ200Aが真空雰囲気にあるので、ICチップ200Aで発生した熱がデバイスチップ100Aに伝わりにくくなり、また、第1気密空間321と第2気密空間322との圧力差に起因して第3接合部313の気密性が低下したり、デバイスチップ100Aのデバイス特性が変動したりするのを抑制することが可能となる。真空封止デバイスは、第1気密空間321の真空度と第2気密空間322の真空度とが略同じであることが好ましい。この真空封止デバイスにおいては、デバイスチップ100Aが、例えば、電磁波センサチップであり、パッケージ蓋302が、電磁波センサチップでの検知対象の電磁波を透過する材料により形成されていることが好ましい。この真空封止デバイスにおいて、検知対象の電磁波が赤外線であり、電磁波センサチップは、後述のように複数の熱型赤外線検出部3図7、図8など参照が半導体基板1図7、図8など参照の一表面側においてアレイ状に配置され、半導体基板1の上記一表面側において熱型赤外線検出部3の一部の直下に空洞部11図7、図8など参照が形成されてなる赤外線センサチップ100であることが好ましい。この場合の真空封止デバイスは、赤外線センサである。真空封止デバイスが赤外線センサである場合、パッケージ蓋302の材料としては、例えば、シリコンやゲルマニウムなどが好ましく、シリコンを採用することにより、ゲルマニウムを採用する場合に比べて、低コスト化を図ることが可能となる。ICチップ200Aは、赤外線センサチップ100の出力信号を信号処理する機能を有したものであることが好ましい。電磁波センサチップは、赤外線センサチップ100に限らず、例えば、フォトダイオードチップや、テラヘルツ波センサチップなどでもよい。また、デバイスチップ100Aは、真空中での使用が要求されるものであれば特に限定するものではなく、電磁波センサチップに限らず、例えば、ジャイロセンサチップや、MEMS光スキャナチップMEMSミラーチップなどでもよい。また、デバイスチップ100Aと協働するICチップ200Aの機能については、デバイスチップ100Aの機能によって適宜設定すればよい。例えば、デバイスチップ100Aが電磁波センサチップの場合には、ICチップ200Aが電磁波センサチップの出力信号を信号処理する機能を有していることが好ましい。また、デバイスチップ100Aがジャイロセンサチップの場合には、ICチップ200Aがジャイロセンサチップを駆動する機能とジャイロセンサチップの出力信号を信号処理する機能とを有していることが好ましい。また、デバイスチップ100AがMEMS光スキャナチップの場合には、ICチップ200Aが、少なくともMEMS光スキャナチップを駆動する機能を有していることが好ましい。また、真空封止デバイスは、パッケージ300の第1気密空間322内にゲッタが収納されていることが好ましい。ゲッタとしては、非蒸発型ゲッタが好ましい。また、真空封止デバイスは、パッケージ300内に、デバイスチップ100AおよびICチップ200A以外の電子デバイスチップが収納されていてもよい。また、パッケージ300には、デバイスチップ100AおよびICチップ200Aに適宜接続された複数の外部接続電極図示せずが露設されている。各外部接続電極は、パッケージ本体301の他面に設けることが好ましく、パッケージ本体301の上記他面と側面とに跨って設けることが好ましい。これにより、真空封止デバイスをプリント基板などの基板に表面実装して用いることが可能となるだけでなく、半田フィレットの形成による接合信頼性の向上を図ることが可能となる。以下では、真空封止デバイスの一例である赤外線センサの各構成要素について詳細に説明する。ここでは、まず、赤外線センサチップ100について図2~図17に基づいて説明する。赤外線センサチップ100は、図2に示すように、i×j個図示例では、8×8個の画素部2が、半導体基板1の一表面側においてi行j列図示例では、8行8列の2次元アレイ状に配置されている。なお、図示例では、i=8、j=8としてあるが、i≧2、j≧2であればよい。画素部2は、図3~図8に示すように、赤外線による熱エネルギを電気エネルギに変換する熱電変換部である感温部30および感温部30の出力電圧を取り出すためのMOSトランジスタ4を具備している。上述のMOSトランジスタ4は、図7、図8および図15に示すように、半導体基板1の上記一表面側に形成された第1導電形のウェル領域41内で、第2導電形のソース領域44と第2導電形のドレイン領域43とが離間して形成されている。本実施形態では、ウェル領域41がチャネル形成用領域を構成している。なお、図3には、第1導電形をp形、第2導電形をn形としてMOSトランジスタ4をnチャネルMOSトランジスタとした場合の赤外線センサチップ100の等価回路図を示してある。また、図3の等価回路図では、感温部30を抵抗の図記号で表してある。図3、図5および図7から分かるように、赤外線センサチップ100は、各列のj個8個の画素部2の感温部30の一端がMOSトランジスタ4のソース領域44-ドレイン領域43を介して各列ごとに共通接続されたj個の第1の配線101を備えている。また、赤外線センサチップ100は、各行の感温部30に対応するMOSトランジスタ4のゲート電極46が各行ごとに共通接続されたi個8個の第2の配線102を備えている。また、赤外線センサチップ100は、各行のMOSトランジスタ4のウェル領域41が各列ごとに共通接続されたj個の第3の配線103と、各列のi個の感温部30の他端が各列ごとに共通接続されたj個の第4の配線104とを備えている。また、赤外線センサチップ100は、第1の配線101が各別に接続された出力用のj個の第1のパッドVout1~Vout8と、第2の配線102が各別に接続された画素部選択用のi個の第2のパッドVsel1~Vsel8とを備えている。さらに、赤外線センサチップ100は、各第3の配線103が共通接続された第3のパッドVchと、第4の配線104が共通接続された基準バイアス用の第4のパッドVrefinとを備えている。しかして、赤外線センサチップ100は、全ての感温部30の出力を時系列的に読み出すことができるようになっている。赤外線センサでは、ICチップ200Aによって、MOSトランジスタ4が順次、オン状態になるように各画素部2を選択するための第2のパッドVsel1~Vsel8の電位を制御することで、ICチップ200Aが、各画素部2の出力電圧を順次読み出すことができる。なお、各パッドVout1~Vout8、Vsel1~Vsel8、Vch、Vrefinそれぞれについて区別する必要がない場合には、説明の便宜上、各パッドVout1~Vout8、Vsel1~Vsel8、Vch、Vrefinのいずれも、パッド80として説明する。ここで、第1のパッドVout1~Vout8の電位をVout、第2のパッドVsel1~Vsel8の電位をVs、第3のパッドVchの電位をVwell、第4のパッドVrefinの電位をVrefとする。また、感温部30の出力電圧をVo、チャネル形成用領域であるウェル領域41とソース領域44とで構成される第1の寄生ダイオードおよびウェル領域41とドレイン領域43とで構成される第2の寄生ダイオードのしきい値電圧をVthとする。ICチップ200Aは、MOSトランジスタ4がnMOSトランジスタである場合、第2の配線102に接続されたi個のMOSトランジスタ4をオン状態とする際の第2のパッドVsel1~Vsel8の電位VsをVonとする。また、ICチップ200Aは、第2の配線102に接続されたi個のMOSトランジスタ4をオフ状態とする際の第2のパッドVsel1~Vsel8の電位VsをVoffとする。ICチップ200Aは、第2のパッドVsel1~Vsel8の電位VsをVonとしたときに、-Vth<{Vwell-VrefVo}<Vthの関係を満たすように設定されたVref、Vwellの条件で赤外線センサチップ100を制御することが好ましい。また、ICチップ200Aは、MOSトランジスタ4がpMOSトランジスタである場合、-Vth<{VrefVo-Vwell}<Vthの関係を満たすように設定されたVref、Vwellの条件で赤外線センサチップ100を制御することが好ましい。本実施形態では、半導体基板1として第2導電形のシリコン基板を用いており、第1の寄生ダイオードおよび第2の寄生ダイオードの逆方向のブレークダウン電圧が-10V程度になる一方で、Vthが0.6V~0.7V程度となる。したがって、赤外線センサは、ICチップ200Aが、例えば、第4のパッドVrefの電位Vrefを1.2V、第3のパッドVchの電位Vwellを1.2V、第2の配線102に接続されたi個のMOSトランジスタ4をオン状態とする際の第2のパッドVsel1~Vsel8の電位VsであるVonを5Vとすれば、MOSトランジスタ4がオンとなり、第1のパッドVout1~Vout8から画素部2の出力電圧VrefVoを読み出すことが可能となる。また、赤外線センサは、第2の配線102に接続されたi個のMOSトランジスタ4をオフ状態とする際の第2のパッドVsel1~Vsel8の電位VsであるVoffを0Vとすれば、MOSトランジスタ4がオフとなり、第1のパッドVout1~Vout8から画素部2の出力電圧は読み出されない。また、赤外線センサチップ100は、各MOSトランジスタ4のゲート電極46ソース電極48間に過電圧が印加されるのを防止するために、複数のツェナダイオードZD図3、図4および図17参照を備えている。各ツェナダイオードZDは、各第2の配線102それぞれにカソードが接続されている。ツェナダイオードZDは、図17に示すように、半導体基板1の上記一表面側に形成された第1導電形の第1拡散領域81内に第2導電形の第2拡散領域82が形成されたものである。そして、赤外線センサチップ100は、各ツェナダイオードZDの第1拡散領域81が共通接続された第5のパッドVzdを備えている。ここで、第5のパッドVzdの電位をVhogoとするとき、ICチップ200Aは、VhogoとVwellとを異ならせることが好ましい。そして、ICチップ200Aは、例えば、上述のように、第3のパッドVchの電位Vwellを1.2Vとする場合、第5のパッドVzdの電位Vhogoを0Vとすることが好ましい。また、赤外線センサチップ100は、半導体基板1が接続された基板バイアス用の第6のパッドVsuを備えている。ここで、第6のパッドVsuの電位をVsubとするとき、ICチップ200Aは、Vwell=Vsubとすることが好ましい。すなわち、ICチップ200Aは、例えば、上述のように、第3のパッドVchの電位Vwellを1.2Vとする場合、第6のパッドVsuの電位Vsubを1.2Vとすることが好ましい。なお、図4の等価回路図には、ウェル領域41と半導体基板1とで構成される第3の寄生ダイオードD3、第1拡散領域81と半導体基板1とで構成される第4の寄生ダイオードD4も記載してある。また、第5のパッドVzdおよび第6のパッドVsuも、それぞれ、図2におけるパッド80を構成しているので、説明の便宜上、区別する必要がない場合には、いずれも、パッド80として説明する。赤外線センサチップ100は、感温部30が埋設された熱型赤外線検出部3とMOSトランジスタ4とを有する複数i×j個の画素部2が、半導体基板1の上記一表面側において2次元アレイ状に配置されている。ここで、半導体基板1の上記一表面は、Si100面としてある。感温部30は、複数個ここでは、6個のサーモパイル30a図5参照を直列接続することにより構成されている。各画素部2の熱型赤外線検出部3は、半導体基板1の上記一表面側において熱型赤外線検出部3の形成用領域A1図7、図8参照に形成されている。また、各画素部2のMOSトランジスタ4は、半導体基板1の上記一表面側においてMOSトランジスタ4の形成用領域A2図7、図8参照に形成されている。赤外線センサチップ100は、図5~図8に示すように、半導体基板1の上記一表面側において熱型赤外線検出部3の一部の直下に空洞部11が形成されている。熱型赤外線検出部3は、半導体基板1の上記一表面側で空洞部11の周部に形成された支持部3dと、半導体基板1の上記一表面側で平面視において空洞部11を覆う第1の薄膜構造部3aとを備えている。第1の薄膜構造部3aは、赤外線を吸収する赤外線吸収部33を備えている。ここで、第1の薄膜構造部3aは、空洞部11の周方向に沿って並設され支持部3dに支持された複数の第2の薄膜構造部3aaと、隣接する第2の薄膜構造部3aa同士を連結する連結片3c図5参照とを有している。なお、図5における熱型赤外線検出部3では、複数の線状のスリット13を設けることにより、第1の薄膜構造部3aが6つの第2の薄膜構造部3aaに分離されている。以下では、赤外線吸収部33第1の赤外線吸収部33と称するのうち第2の薄膜構造部3aaそれぞれに対応して分割された各部位を第2の赤外線吸収部33aと称する。熱型赤外線検出部3は、第2の薄膜構造部3aaごとにサーモパイル30aが設けられている。ここで、サーモパイル30aは、温接点T1が、第2の薄膜構造部3aaに設けられ、冷接点T2が、支持部3dに設けられている。要するに、温接点T1は、熱型赤外線検出部3において空洞部11に重なる領域に形成され、冷接点T2は、熱型赤外線検出部3において空洞部11に重ならない領域に形成されている。また、熱型赤外線検出部3の感温部30は、各サーモパイル30aごとに出力を取り出す場合に比べて温度変化に対する出力変化が大きくなる接続関係で、全てのサーモパイル30aが電気的に接続されている。図5における感温部30は、6個のサーモパイル30aを直列接続してある。ただし、上述の接続関係は、複数個のサーモパイル30aの全てを直列接続する接続関係に限らない。例えば、赤外線センサチップ100は、それぞれ3個のサーモパイル30aの直列回路を並列接続した感温部30とすれば、6個のサーモパイル30aが並列接続されている場合や、各サーモパイル30aごとに出力を取り出す場合に比べて、感度を高めることができる。しかも、このような赤外線センサチップ100は、6個のサーモパイル30aの全てが直列接続されている場合の感温部30に比べて、感温部30の電気抵抗を低くできて熱雑音が低減されるから、S/N比が向上する。熱型赤外線検出部3では、第2の薄膜構造部3aaごとに、支持部3dと第2の赤外線吸収部33aとを連結する2つの平面視短冊状のブリッジ部3bb,3bbが空洞部11の周方向に離間して形成されている。これにより、赤外線センサチップ100は、2つのブリッジ部3bb,3bbと第2の赤外線吸収部33aとを空間的に分離し空洞部11に連通する平面視コ字状のスリット14が形成されている。熱型赤外線検出部3のうち、平面視において第1の薄膜構造部3aを囲む部位である支持部3dは、矩形枠状の形状となっている。なお、ブリッジ部3bbは、上述の各スリット13,14により、第2の赤外線吸収部33aおよび支持部3dそれぞれとの連結部位以外の部分が、第2の赤外線吸収部33aおよび支持部3dと空間的に分離されている。ここで、第2の薄膜構造部3aaは、支持部3dからの延長方向の寸法を93μm、この延長方向に直交する幅方向の寸法を75μmとし、各ブリッジ部3bbの幅寸法を23μm、各スリット13,14の幅を5μmに設定してあるが、これらの値は一例であって特に限定するものではない。第1の薄膜構造部3aは、半導体基板1の上記一表面側に形成された熱酸化膜1bと、熱酸化膜1b上に形成されたシリコン窒化膜32と、シリコン窒化膜32上に形成された感温部30と、シリコン窒化膜32の表面側で感温部30を覆うように形成された層間絶縁膜50と、層間絶縁膜50上に形成されたパッシベーション膜60との積層構造部をパターニングすることにより形成されている。層間絶縁膜50は、BPSG膜により構成してある。パッシベーション膜60は、PSG膜と当該PSG膜上に形成されたNSG膜との積層膜により構成してあるが、これに限らず、例えば、シリコン窒化膜により構成してもよい。上述の熱型赤外線検出部3では、シリコン窒化膜32のうち第1の薄膜構造部3aのブリッジ部3bb,3bb以外の部位が第1の赤外線吸収部33を構成している。また、支持部3dは、熱酸化膜1bとシリコン窒化膜32と層間絶縁膜50とパッシベーション膜60とで構成されている。また、赤外線センサチップ100は、層間絶縁膜50とパッシベーション膜60との積層膜が、半導体基板1の上記一表面側において、熱型赤外線検出部3の形成用領域A1とMOSトランジスタ4の形成用領域A2とに跨って形成されている。そして、赤外線センサチップ100は、この積層膜のうち、熱型赤外線検出部3の形成用領域A1に形成された部分が赤外線吸収膜70図7b、図8b参照を兼ねている。ここで、赤外線吸収膜70の屈折率をn2、検出対象の赤外線の中心波長をλとするとき、赤外線吸収膜70の厚さt2をλ/4n2に設定するようにしているので、検出対象の波長例えば、8~12μmの赤外線の吸収効率を高めることができ、高感度化を図れる。例えば、n2=1.4、λ=10μmの場合には、t2≒1.8μmとすればよい。なお、本実施形態では、層間絶縁膜50の膜厚を0.8μm、パッシベーション膜60の膜厚を1μmPSG膜の膜厚を0.5μm、NSG膜の膜厚を0.5μmとしてある。また、各画素部2は、空洞部11の内周形状が矩形状である。各画素部2における連結片3cは、図5および図11aに示すように、平面視X字状に形成されており、第2の薄膜構造部3aaの延長方向に交差する斜め方向において隣接する第2の薄膜構造部3aa,3aa同士、第2の薄膜構造部3aaの延長方向において隣接する第2の薄膜構造部3aa,3aa同士、第2の薄膜構造部3aaの延長方向に直交する方向において隣接する第2の薄膜構造部3aa,3aa同士を連結している。サーモパイル30aは、シリコン窒化膜32上で第2の薄膜構造部3aaと支持部3dとに跨って形成されたn形ポリシリコン層34とp形ポリシリコン層35との一端部同士を第2の赤外線吸収部33aの赤外線入射面側で接続部36により電気的に接続した複数個図5に示した例では、9個の熱電対を有している。接続部36は、金属材料例えば、Al-Siなどにより形成されている。また、サーモパイル30aは、半導体基板1の上記一表面側で互いに隣り合う熱電対のn形ポリシリコン層34の他端部とp形ポリシリコン層35の他端部とが接続部37により接合され電気的に接続されている。接続部37は、金属材料例えば、Al-Siなどにより形成されている。サーモパイル30aは、n形ポリシリコン層34の上記一端部とp形ポリシリコン層35の上記一端部と接続部36とで温接点T1を構成している。また、サーモパイル30aは、n形ポリシリコン層34の上記他端部とp形ポリシリコン層35の上記他端部と接続部37とで冷接点T2を構成している。なお、赤外線センサチップ100は、n形ポリシリコン層34、p形ポリシリコン層35の各々において、上述のブリッジ部3bb,3bbに形成されている部位および半導体基板1の上記一表面側のシリコン窒化膜32上に形成されている部位でも赤外線を吸収することができる。また、赤外線センサチップ100は、空洞部11の形状が、四角錐状であり、平面視における中央部の方が周部に比べて深さ寸法が大きくなっているので、第1の薄膜構造部3aの中央部に温接点T1が集まるように各画素部2におけるサーモパイル30aの平面レイアウトを設計してある。ここで、図5の上下方向における真ん中の2つの第2の薄膜構造部3aaでは、図5および図9に示すように、3つの第2の薄膜構造部3aaの並設方向に沿って温接点T1を並べて配置してある。これに対し、図5の上下方向における上側の2つの第2の薄膜構造部3aaでは、図5および図10に示すように、3つの第2の薄膜構造部3aaの並設方向において真ん中の第2の薄膜構造部3aaに近い側に温接点T1を集中して配置してある。また、図5の上下方向における下側の2つの第2の薄膜構造部3aaでは、3つの第2の薄膜構造部3aaの並設方向において真ん中の第2の薄膜構造部3aaに近い側に温接点T1を集中して配置してある。しかして、本実施形態における赤外線センサチップ100では、図5の上下方向における上側、下側の第2の薄膜構造部3aaの複数の温接点T1の配置が、真ん中の第2の薄膜構造部3aaの複数の温接点T1の配置と同じである場合に比べて、温接点T1の温度変化を大きくできるので、感度を向上させることが可能となる。なお、本実施形態では、空洞部11の最深部の深さを所定深さdp図7b、図8b参照とするとき、所定深さdpを200μmに設定してあるが、この値は一例であり、特に限定するものではない。ただし、所定深さdpは、半導体基板1の厚み寸法よりも小さく設定する必要がある。また、第2の薄膜構造部3aaは、シリコン窒化膜32の赤外線入射面側においてサーモパイル30aを形成していない領域に、赤外線を吸収するn形ポリシリコン層からなる赤外線吸収層39が形成されている。この赤外線吸収層39は、第2の薄膜構造部3aaの反りを抑制する機能も有している。また、隣接する第2の薄膜構造部3aa,3aa同士を連結する連結片3cには、当該連結片3cを補強するn形ポリシリコン層からなる補強層39b図11参照が設けられている。ここで、補強層39bは、赤外線吸収層39と連続一体に形成されている。しかして、赤外線センサチップ100では、連結片3cが補強層39bにより補強されているので、使用中の外部の温度変化や衝撃に起因して発生する応力による破損を防止することが可能となり、また、製造時の破損を低減でき、製造歩留まりの向上を図ることが可能となる。なお、本実施形態では、図11に示す連結片3cの長さ寸法L1を24μm、幅寸法L2を5μm、補強層39bの幅寸法L3を1μmに設定してあるが、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。ただし、半導体基板1としてシリコン基板を用いており、補強層39bがn形ポリシリコン層により形成される場合には、空洞部11の形成時に補強層39bがエッチングされるのを防止するために、補強層39bの幅寸法は、連結片3cの幅寸法よりも小さく設定し、平面視において補強層39bの両側縁が連結片3cの両側縁よりも内側に位置する必要がある。また、赤外線センサチップ100は、図11および図16bに示すように、連結片3cの両側縁と第2の薄膜構造部3aaの側縁との間にそれぞれ面取り部3d,3dが形成され、X字状の連結片3cの略直交する側縁間にも面取り部3eが形成されている。しかして、赤外線センサチップ100では、図11aに示すように面取り部が形成されていない場合に比べて、連結片3cと第2の薄膜構造部3aaとの連結部位での応力集中を緩和でき、製造時に発生する残留応力を低減できるとともに製造時の破損を低減でき、製造歩留まりの向上を図れる。また、赤外線センサチップ100は、使用中の外部の温度変化や衝撃に起因して発生する応力による破損を防止できる。なお、図11に示した例では、各面取り部3d,3eをRアールが3μmのR面取り部としてあるが、R面取り部に限らず、例えば、C面取り部としてもよい。また、赤外線センサチップ100は、図5、図9および図10に示すように、各熱型赤外線検出部3に、支持部3dと一方のブリッジ部3bbと第2の赤外線吸収部33aと他方のブリッジ部3bbと支持部3dとに跨るように引き回されたn形ポリシリコン層からなる故障診断用配線故障診断用のヒータ139を設けてある。また、赤外線センサチップ100は、全ての故障診断用配線139を直列接続してある。しかして、赤外線センサチップ100のi×j個の故障診断用配線139の直列回路へ通電することで、ブリッジ部3bbの折れなどの破損の有無を検出することが可能である。要するに、赤外線センサチップ100は、製造途中での検査時や使用時において、i×j個の故障診断用配線139の直列回路への通電の有無によって、ブリッジ部3bbの折れや故障診断用配線139の断線などを検出することが可能である。また、赤外線センサチップ100では、上述の検査時や使用時において、i×j個の故障診断用配線139の直列回路へ通電して各感温部30の出力を検出することにより、感温部30の断線の有無や感度のばらつき感温部30の出力のばらつきなどを検知することが可能となる。ここにおいて、感度のばらつきに関しては、画素部2ごとの感度のばらつきを検知することが可能であり、例えば、第1の薄膜構造部3aの反りや第1の薄膜構造部3aの半導体基板1へのスティッキングなどに起因した感度のばらつきを検知することが可能となる。ここで、赤外線センサチップ100では、平面視において、故障診断用配線139を複数の温接点T1の群の付近において折り返され蛇行した形状としてある。したがって、この赤外線センサチップ100では、故障診断用配線139へ通電することにより発生するジュール熱によって、各温接点T1を効率良く温めることが可能となる。上述の故障診断用配線139は、n形ポリシリコン層34およびp形ポリシリコン層35と同一平面上に同一厚さで形成されている。上述の赤外線吸収層39および故障診断用配線139は、n形ポリシリコン層34と同じn形不純物例えば、リンなどを同じ不純物濃度例えば、1018~1020cm-3で含んでおり、n形ポリシリコン層34と同時に形成されている。また、p形ポリシリコン層35のp形不純物として例えばボロンを採用すればよく、不純物濃度を例えば1018~1020cm-3程度の範囲で適宜設定すればよい。本実施形態の赤外線センサチップ100では、n形ポリシリコン層34およびp形ポリシリコン層35それぞれの不純物濃度が1018~1020cm-3であり、熱電対の抵抗値を低減でき、S/N比の向上を図ることが可能となる。なお、赤外線吸収層39および故障診断用配線139は、n形ポリシリコン層34と同じn形不純物を同じ不純物濃度でドーピングしてあるが、これに限らず、例えば、p形ポリシリコン層35と同じ不純物を同じ不純物濃度でドーピングしてもよい。ところで、赤外線センサチップ100は、n形ポリシリコン層34、p形ポリシリコン層35、赤外線吸収層39、および故障診断用配線139の屈折率をn1、検出対象の赤外線の中心波長をλとするとき、n形ポリシリコン層34、p形ポリシリコン層35、赤外線吸収層39、および故障診断用配線139それぞれの厚さt1をλ/4n1に設定するようにしている。しかして、赤外線センサチップ100では、検出対象の波長例えば、8~12μmの赤外線の吸収効率を高めることができ、高感度化を図ることが可能となる。例えば、n1=3.6、λ=10μmの場合には、t1≒0.69μmとすればよい。また、本実施形態では、n形ポリシリコン層34、p形ポリシリコン層35、赤外線吸収層39、および故障診断用配線139それぞれの不純物濃度が1018~1020cm-3であるので、赤外線の吸収率を高くしつつ赤外線の反射を抑制することができて、感温部30の出力のS/N比を高めることが可能となる。また、本実施形態における赤外線センサチップ100では、赤外線吸収層39および故障診断用配線139をn形ポリシリコン層34と同一工程で形成できるから、低コスト化を図れる。また、赤外線センサチップ100は、図8、図12および図13に示すように、感温部30の接続部36と接続部37とが、半導体基板1の上記一表面側において、層間絶縁膜50によって絶縁分離されている。すなわち、温接点T1側の接続部36は、層間絶縁膜50に形成したコンタクトホール50a1,50a2を通して、両ポリシリコン層34,35の上記各一端部と電気的に接続されている。また、冷接点T2側の接続部37は、層間絶縁膜50に形成されたコンタクトホール50a3,50a4を通して、両ポリシリコン層34,35の上記各他端部と電気的に接続されている。また、MOSトランジスタ4は、上述のように、半導体基板1の上記一表面側においてMOSトランジスタ4の形成用領域A2に形成されている。MOSトランジスタ4は、図7、図8および図15に示すように、半導体基板1の上記一表面側に第1導電形であるp形pのウェル領域41が形成され、ウェル領域41内に、第2導電形であるn形nのドレイン領域43と第2導電形であるn形nのソース領域44とが離間して形成されている。さらに、ウェル領域41内には、ドレイン領域43とソース領域44とを囲む第1導電形であるp形pのチャネルストッパ領域42が形成されている。ウェル領域41においてドレイン領域43とソース領域44との間に位置する部位の上には、シリコン酸化膜熱酸化膜からなるゲート絶縁膜45を介してn形ポリシリコン層からなるゲート電極46が形成されている。また、ドレイン領域43上には、金属材料例えば、Al-Siなどからなるドレイン電極47が形成され、ソース領域44上には、金属材料例えば、Al-Siなどからなるソース電極48が形成されている。ゲート電極46、ドレイン電極47およびソース電極48は、上述の層間絶縁膜50によって絶縁分離されている。ここで、ドレイン電極47は、層間絶縁膜50に形成したコンタクトホール50dを通してドレイン領域43と電気的に接続され、ソース電極48は、層間絶縁膜50に形成したコンタクトホール50eを通してソース領域44と電気的に接続されている。赤外線センサチップ100の各画素部2では、図3、図5に示すように、MOSトランジスタ4のソース電極48と感温部30の一端とが電気的に接続され、感温部30の他端が第4の配線104に電気的に接続されている。また、各画素部2では、MOSトランジスタ4のドレイン電極47が、第1の配線101と電気的に接続され、ゲート電極46が、n形ポリシリコン配線からなる第2の配線102と電気的に接続されている。また、各画素部2では、図7、図8に示すように、MOSトランジスタ4のチャネルストッパ領域42上に、金属材料例えば、Al-Siなどからなる電極49が形成されている。しかして、ウェル領域41は、チャネルストッパ領域42および電極49を介して、第3の配線103と電気的に接続されている。なお、電極49は、層間絶縁膜50に形成したコンタクトホール50fを通してチャネルストッパ領域42と電気的に接続されている。また、上述のツェナダイオードZDは、図17に示すように、第1拡散領域81上にアノード電極83が形成され、第2拡散領域82上に2つのカソード電極84a,84bが形成されている。このツェナダイオードZDは、アノード電極83が、第5のパッドVzdと電気的に接続され、一方のカソード電極84aが、1つの第2の配線102を介して当該第2の配線102に接続されたMOSトランジスタ4のゲート電極46と電気的に接続され、他方のカソード電極84bが、当該第2の配線102に接続された第2のパッドVsel1~Vsel8の1つと電気的に接続されている。上述の赤外線センサチップ100によれば、通電されることにより発生するジュール熱によって温接点T1を温める故障診断用配線139を備えているので、故障診断用配線139へ通電してサーモパイル30aの出力を測定することにより、サーモパイル30aの断線などの故障の有無を判断することが可能となって、信頼性の向上を図れる。しかも、赤外線センサチップ100は、故障診断用配線139が、熱型赤外線検出部3において半導体基板1の空洞部11に重なる領域でサーモパイル30aと重ならないように配置されているので、故障診断用配線139によるサーモパイル30aの温接点T1の熱容量の増大を防止でき、感度および応答速度の向上を図ることが可能となる。ここで、赤外線センサチップ100は、使用時において自己診断を行わない通常時において、故障診断用配線139も外部からの赤外線を吸収するので、複数の温接点T1の温度の均一化を図れ、感度の向上を図ることが可能となる。なお、赤外線センサチップ100では、赤外線吸収層39および補強層39bも外部からの赤外線を吸収するので、複数の温接点T1の温度の均一化を図れ、感度の向上を図ることが可能となる。また、赤外線センサチップ100の使用時の自己診断は、例えば、ICチップ200Aに設けられた自己診断回路により定期的に行うようにすればよいが、必ずしも定期的に行う必要はない。また、赤外線センサチップ100は、第1の薄膜構造部3aが、複数の線状のスリット13を設けることによって、空洞部11の内周方向に沿って並設されそれぞれ熱型赤外線検出部3において空洞部11を囲む部位である支持部3dから内方へ延長された複数の第2の薄膜構造部3aaに分離されている。そして、赤外線センサチップ100は、各第2の薄膜構造部3aaごとにサーモパイル30aの温接点T1が設けられるとともに、各サーモパイル30aごとに出力を取り出す場合に比べて温度変化に対する出力変化が大きくなる接続関係で全てのサーモパイル30aが電気的に接続されているので、応答速度および感度の向上を図ることが可能となる。また、赤外線センサチップ100では、隣接する第2の薄膜構造部3aa,3aa同士を連結する連結片3cが形成されていることにより、各第2の薄膜構造部3aaの反りを低減でき、構造安定性の向上を図れ、感度が安定する。また、赤外線センサチップ100は、n形ポリシリコン層34とp形ポリシリコン層35と赤外線吸収層39と補強層39bと故障診断用配線139とが同一の厚さに設定されているので、第2の薄膜構造部3aaの応力バランスの均一性が向上し、第2の薄膜構造部3aaの反りを抑制することができ、製品ごとの感度のばらつきや、画素部2ごとの感度のばらつきを低減することが可能となる。また、赤外線センサチップ100は、故障診断用配線139が、第1の熱電要素であるn形ポリシリコン層34もしくは第2の熱電要素であるp形ポリシリコン層35と同じ材料により形成されているので、故障診断用配線139を第1の熱電要素もしくは第2の熱電要素と同時に形成することが可能となり、製造プロセスの簡略化による低コスト化を図れる。また、赤外線センサチップ100は、赤外線吸収部33および故障診断用配線139を備えた複数の画素部2が、半導体基板1の上記一表面側で2次元アレイ状に設けられている。したがって、この赤外線センサチップ100の構成では、製造時や使用時の自己診断に際して各画素部2それぞれの故障診断用配線139に通電することにより、各画素部2それぞれの感温部30の感度のばらつきを把握することが可能となる。上述の赤外線センサチップ100の外周形状は矩形状正方形状ないし長方形状である。上述の赤外線センサチップ100では、半導体基板1として上記一表面が100面の単結晶のシリコン基板を用いて、エッチング速度の結晶面方位依存性を利用した異方性エッチングにより形成する空洞部11を四角錐状の形状としてあるが、四角錐状の形状に限らず、四角錐台状の形状でもよい。また、半導体基板1の上記一表面の面方位は特に限定するものではなく、例えば、半導体基板1として上記一表面が110面の単結晶のシリコン基板を用いてもよい。また、半導体基板1の導電形は、n形に限らず、例えば、図18~図20に示すようにp形でもよい。図18は、p形の半導体基板1がチャネル形成用領域を構成し、ドレイン領域43およびソース領域44の導電形をn形nとする例である。また、図19は、p形の半導体基板1に形成したp形pのウェル領域41がチャネル形成用領域を構成し、ドレイン領域43およびソース領域44の導電形をn形nとする例である。また、図20は、p形の半導体基板1に形成したn形のウェル領域41がチャネル形成用領域を構成し、ドレイン領域43およびソース領域44の導電形をp形pとする例である。なお、赤外線センサチップ100は、熱電変換部である感温部30を具備する複数の画素部2が半導体基板1の一表面側においてアレイ状に配置されているが、構造は特に限定するものではなく、感温部30を構成するサーモパイル30aの数も複数に限らず、1つでもよい。また、感温部30は、1ないし複数のサーモパイル30aにより構成されるものに限らず、例えば、熱電対でもよいし、抵抗ボロメータでもよいし、焦電素子でもよく、感温部30の構成に応じて、ICチップ200Aの回路部の回路構成を適宜変更すればよい。また、上述の赤外線センサチップ100では、第1の熱電要素の材料としてn形ポリシリコン層、第2の熱電要素の材料としてp形ポリシリコンを採用しているが、これらに限らず、例えば、第1の熱電要素の材料としてn形シリコンゲルマニウム、第2の熱電要素の材料としてp形シリコンゲルマニウムを採用してもよい。ICチップ200Aは、ASIC:ApplicationSpecificICであり、シリコン基板を用いて形成されている。このICチップ200Aの外周形状は、矩形状正方形状ないし長方形状である。なお、ICチップ200Aは、ASICに限定するものではなく、適宜の集積回路からなる回路部が形成されたチップであればよい。ICチップ200Aは、主表面側に、上述の回路部図示せずが形成されている。この回路部は、例えば、赤外線センサチップ100を制御する制御回路を備えている。また、この回路部は、赤外線センサチップ100の複数の出力用のパッド80に電気的に接続された複数の入力用のパッドの出力電圧を増幅する増幅回路と、複数の入力用のパッドの出力電圧を択一的に上記増幅回路に入力するマルチプレクサとを備えている。ここで、上記増幅回路の出力は、画素部2における温接点T1と冷接点T2との温度差に応じた出力である。そして、ICチップ200Aは、外部の表示装置に、赤外線画像を表示させることができる。また、回路部は、上述の自己診断回路も備えている。ICチップ200Aの回路部の回路構成は、特に限定するものではない。また、赤外線センサは、パッケージ300の上段の凹部301bの内底面に電子デバイスチップであるサーミスタ図示せずを実装して、このサーミスタとICチップ200Aとを電気的に接続し、上記増幅回路の出力とサーミスタの出力とに基づいて各画素部2の温度を求める演算回路を設けるようにしてもよい。パッケージ300のパッケージ本体301は、多層セラミック基板からなり、上段の凹部301bの内底面に、赤外線センサチップ100のパッド80がワイヤ381を介して電気的に接続される配線第1導体パターンが形成され、下段の凹部301aの内底面に、ICチップ200Aのパッド図示せずが第2接合部312を介して電気的に接続される配線第2導体パターンが形成されている。また、パッケージ本体301には、赤外線センサチップ100が接続された第1導体パターンとICチップ200Aが接続された第2導体パターンとを接続する配線図示せずが埋設されている。また、パッケージ300には、赤外線センサチップ100およびICチップ200Aに適宜接続された外部接続電極が露設されている。なお、ワイヤ381としては、Alワイヤに比べて耐腐食性の高いAuワイヤを用いることが好ましい。なお、ICチップ200Aは、パッケージ本体301に対して、例えば、常温接合法や、Au-Sn共晶もしくはAu-Si共晶を利用した共晶接合法などにより接合してもよい。パッケージ300は、パッケージ蓋302が、赤外線センサチップ100での検知対象の赤外線を透過する材料により形成されている。ここで、赤外線センサは、パッケージ蓋302の材料として、シリコンやゲルマニウムを採用し、且つ、第1接合部311の材料として半田などの導電性材料を採用し、パッケージ蓋302と、パッケージ本体301に形成した電磁シールド層図示せずとを電気的に接続することが好ましい。これにより、赤外線センサは、電磁ノイズの影響を低減することが可能となる。パッケージ蓋302は、平板状の形状としてあるが、これに限らず、例えば、少なくとも一部がレンズを構成する形状でもよい。本実施形態の赤外線センサでは、パッケージ蓋302の少なくとも一部をレンズの形状に形成すれば、パッケージ蓋302を平板状の形状とする場合に比べて、赤外線センサチップ100での受光効率の向上を図ることが可能となる。また、本実施形態の赤外線センサでは、赤外線センサチップ100の検知エリアをパッケージ蓋302により設定することが可能となる。上述のレンズとしては、平凸型の非球面レンズが好ましい。これにより、赤外線センサは、レンズの薄型化を図りながらも、赤外線センサチップ100での赤外線の受光効率の向上による高感度化を図ることが可能となる。上述の少なくとも一部がレンズの形状であるパッケージ蓋302は、赤外線センサチップ100の半導体基板1とは別の半導体基板を用いて形成されている。更に説明すれば、レンズは、所望のレンズ形状に応じて半導体基板ここでは、シリコン基板との接触パターンを設計した陽極を半導体基板の一表面側に半導体基板との接触がオーミック接触となるように形成した後に半導体基板の構成元素の酸化物をエッチング除去する溶液からなる電解液中で半導体基板の他表面側を陽極酸化することで除去部位となる多孔質部を形成してから当該多孔質部を除去することにより形成された半導体レンズここでは、シリコンレンズにより構成されている。しかして、レンズは、導電性を有している。なお、この種の陽極酸化技術を応用した半導体レンズの製造方法については、例えば、特許第3897055号公報、特許第3897056号公報などに開示されている半導体レンズの製造方法を適用することができる。本実施形態では、赤外線センサチップ100の検知エリアを上述の半導体レンズからなるレンズにより設定することができ、また、レンズとして、球面レンズよりも短焦点で且つ開口径が大きく収差が小さな半導体レンズを採用することができるから、短焦点化により、パッケージ300の薄型化を図ることが可能となる。本実施形態の赤外線センサは、赤外線センサチップ100の検知対象の赤外線として、人体から放射される10μm付近の波長帯8μm~13μmの赤外線を想定しており、レンズの材料として、硫化亜鉛や砒化ガリウムなどに比べて環境負荷が少なく且つ、ゲルマニウムに比べて低コスト化が可能であり、しかも、硫化亜鉛に比べて波長分散が小さなシリコンを採用している。上述のパッケージ蓋302には、赤外線センサチップ100での検知対象の赤外線の波長を含む所望の波長域の赤外線を透過し当該波長域以外の赤外線を反射する光学多層膜多層干渉フィルタ膜からなるフィルタ部図示せずを設けることが好ましい。このようなフィルタ部を設けることにより、所望の波長域以外の不要な波長域の赤外線や可視光をフィルタ部によりカットすることが可能となり、太陽光などによるノイズの発生を抑制することが可能となり、高感度化を図ることが可能となる。以上説明した本実施形態の赤外線センサでは、パッケージ300内で、赤外線センサチップ100とICチップ200Aとが、互いの厚み方向において離間して配置されている。しかして、本実施形態の赤外線センサでは、ICチップ200Aの発熱に起因した赤外線センサチップ100の面内でのオフセット電圧のばらつきを抑制できて、赤外線センサチップ100の面内でのS/N比のばらつきを抑制することが可能となる。要するに、本実施形態の赤外線センサでは、赤外線センサチップ100の各熱型赤外線検出部3の出力のS/N比のばらつきを抑制することが可能となる。赤外線センサは、赤外線センサチップ100およびICチップ200Aを、赤外線センサチップ100の厚み方向に沿った中心線とICチップ200Aの厚み方向に沿った中心線とが略一致するように配置することが好ましい。これにより、赤外線センサは、赤外線センサチップ100の各熱型赤外線検出部3の出力のS/N比のばらつきを、より抑制することが可能となる。"