"式aで表される構造単位を有する樹脂。[式a中、R1は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。R2は、置換基を有していてもよい炭素数1~6の脂肪族炭化水素基、単結合又は式a-1式a-1中、sは0又は1を表す。A10及びA11は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1~5の脂肪族炭化水素基を表す。A12は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1~5の脂肪族炭化水素基を表す。X10及びX11は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。で表される基を表す。R3は、下記式bで表される基である。式b中、R34、R35、R36、R37、R38、R39、R40、R41、R42及びR43は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、アルコキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表すか、R34とR35、R35とR36、R36とR37、R36とR43、R37とR38、R38とR41、R41とR42又はR42とR43が一緒になって、環を形成してもよく、該環を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。但し、R34、R35、R36、R37、R38、R39、R40、R41、R42及びR43のいずれか1つはR2との結合手を表す。は、単結合又は二重結合を表す。x1は、1又は2を表す。x2は、0又は1を表す。x1x2は2である。x1が2である場合3939、2つのR37は同一でも異なっていてもよい。]前記式aのR2が、-CO-CH2-但し、はR3との結合手を表すである請求項1記載の樹脂。前記式aのR3が、以下の式cで表される基である請求項1又は2記載の樹脂。式c中、R44、R45、R46及びR47は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、アルコキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表す。但し、R44、R45、R46及びR47のいずれか1つはR2との結合手を表す。前記式aのR3が、以下の式dで表される基である請求項1又は2記載の樹脂。式d中、は、R2との結合手を表す。]アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸との作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る請求項1~4のいずれか記載の樹脂。請求項5記載の樹脂と、酸発生剤と、溶剤とを含有するレジスト組成物。さらに、塩基性化合物を含有する請求項6記載のレジスト組成物。1請求項6又は7記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含むレジストパターンの製造方法。従来の樹脂を含有するレジスト組成物を用いて製造されるレジストパターンは、解像度が必ずしも満足できない場合があった。本発明は、以下の発明を含む。1式aで表される構造単位を有する樹脂。[式a中、R1は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。R2は、置換基を有していてもよい炭素数1~6の脂肪族炭化水素基、単結合又は式a-1式a-1中、sは0又は1を表す。A10及びA11は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1~5の脂肪族炭化水素基を表す。A12は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1~5の脂肪族炭化水素基を表す。X10及びX11は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。で表される基を表す。R3は、下記式bで表される基である。式b中、R34、R35、R36、R37、R38、R39、R40、R41、R42及びR43は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、アルコキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表すか、R34とR35、R35とR36、R36とR37、R36とR43、R37とR38、R38とR41、R41とR42又はR42とR43が一緒になって、環を形成してもよく、該環を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。但し、R34、R35、R36、R37、R38、R39、R40、R41、R42及びR43のいずれか1つはR2との結合手を表す。は、単結合又は二重結合を表す。x1は、1又は2を表す。x2は、0又は1を表す。x1x2は2である。x1が2である場合、2つのR37は同一でも異なっていてもよい。]2前記式aのR2が、-CO-CH2-但し、はR3との結合手を表すである1記載の樹脂。3前記式aのR3が、以下の式cで表される基である1又は2記載の樹脂。式c中、R44、R45、R46及びR47は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、アルコキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表す。但し、R44、R45、R46及びR47のいずれか1つはR2との結合手を表す。4前記式aのR3が、以下の式dで表される基である1又は2記載の樹脂。式d中、は、R2との結合手を表す。]5アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸との作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る1~4のいずれか記載の樹脂。6上記5記載の樹脂と、酸発生剤と、溶剤とを含有するレジスト組成物。7さらに、塩基性化合物を含有する6記載のレジスト組成物。81上記6又は7記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含むレジストパターンの製造方法。本発明の樹脂を含有するレジスト組成物によれば、優れた解像度でレジストパターンを製造することができる。本明細書では、特に断りのない限り、化合物の構造式の説明において、炭素数を適宜選択しながら、以下の置換基の例示は、同様の置換基を有するいずれの構造式においても適用される。直鎖状、分岐状又は環状をとることができるものは、そのいずれをも含み、かつそれらが混在していてもよい。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を包含する。は結合手を表す。炭化水素基とは、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基を包含する。脂肪族炭化水素基は、鎖式及び環式の双方を含み、特に定義しない限り、鎖式及び環式の脂肪族炭化水素基が組み合わせられたものをも包含する。また、これら脂肪族炭化水素基は、その一部に炭素-炭素二重結合を含んでいてもよいが、飽和の基が好ましい。鎖式の脂肪族炭化水素基のうち1価のものとしては、典型的にはアルキル基が挙げられる。アルキル基としては、メチル基C1、エチル基C2、プロピル基C3、ブチル基C4、ペンチル基C5、ヘキシル基C6、ヘプチル基C7、オクチル基C8、デシル基C10、ドデシル基C12、ヘキサデシル基C14、ペンタデシル基C15、ヘキシルデシル基C16、ヘプタデシル基C17及びオクタデシル基C18などが挙げられる。鎖式の脂肪族炭化水素基のうち2価のものとしては、アルキル基から水素原子を1個取り去ったアルカンジイル基が挙げられる。アルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、プロパン-1,2-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基、トリデカン-1,13-ジイル基、テトラデカン-1,14-ジイル基、ペンタデカン-1,15-ジイル基、ヘキサデカン-1,16-ジイル基、ヘプタデカン-1,17-ジイル基、メチリデン基、エチリデン基、プロピリデン基、2-プロピリデン基、1-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチル-1,2-プロピレン基、1-メチル-1,4-ブチレン基、2-メチル-1,4-ブチレン基等が挙げられる。環式の脂肪族炭化水素基以下、場合により脂環式炭化水素基というは、典型的には、シクロアルキル基を意味し、以下に示す単環式及び多環式のいずれをも包含する。脂環式炭化水素基のうち1価のものとして、単環式の脂肪族炭化水素基は、以下の式KA-1~KA-7で表されるシクロアルカンの水素原子を1個取り去った基である。多環式の脂肪族炭化水素基は、以下の式KA-8~KA-21で表されるシクロアルカンの水素原子を1個取り去った基である。脂環式炭化水素基のうち2価のものとしては、式KA-1~式KA-21の脂環式炭化水素から水素原子を2個取り去った基が挙げられる。なお、上述した単環式及び多環式の脂肪族炭化水素基のうち、特に飽和の基を、場合により飽和環状炭化水素基という。また、上述した脂肪族炭化水素基のうち、特に飽和の基を、場合により飽和炭化水素基という。脂肪族炭化水素基は置換基を有していてもよい。このような置換基としては、特に限定されない限り、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アリール基、アラルキル基及びアリールオキシ基が挙げられる。ここで、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。アルコキシ基としては、メトキシ基C1、エトキシ基C2、プロポキシ基C3、ブトキシ基C4、ペンチルオキシ基C5、ヘキシルオキシ基C6、ヘプチルオキシ基C7、オクチルオキシ基C8、デシルオキシ基C10及びドデシルオキシ基C12などが挙げられる。アルキルチオ基としては、アルコキシ基の酸素原子が硫黄原子に置き換わったものが挙げられ、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基及びドデシルチオ基などが挙げられる。アシル基としては、アセチル基C2、プロピオニル基C3、ブチリル基C4、バレイル基C5、ヘキシルカルボニル基C6、ヘプチルカルボニル基C7、オクチルカルボニル基C8、デシルカルボニル基C10及びドデシルカルボニル基C12などのアルキル基とカルボニル基とが結合したもの並びにベンゾイル基C7などのアリール基とカルボニル基とが結合したものが包含される。アシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基等が挙げられる。アラルキル基としては、ベンジル基C7、フェネチル基C8、フェニルプロピル基C9、ナフチルメチル基C11及びナフチルエチル基C12などが挙げられる。アリールオキシ基としては、フェニルオキシ基C6、ナフチルオキシ基C10、アントニルオキシ基C14、ビフェニルオキシ基C12、フェナントリルオキシ基C14及びフルオレニルオキシ基C13などのアリール基と酸素原子とが結合したものが挙げられる。芳香族炭化水素基としては、典型的には、アリール基が挙げられる。アリール基としては、フェニル基C6、ナフチル基C10、アントニル基C14、ビフェニル基C12、フェナントリル基C14及びフルオレニル基C13などが挙げられる。芳香族炭化水素基は置換基を有していてもよい。このような置換基は、特に限定されない限り、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルキル基及びアリールオキシ基が挙げられる。飽和炭化水素基とは、上述した脂肪族炭化水素基のうち飽和のもの、つまり、上述した鎖式及び環式の脂肪族炭化水素基のうち飽和のものを意味する。また、飽和炭化水素基も、脂肪族炭化水素基と同様の置換基を有していてもよい。また、メタアクリル系モノマーとは、CH2=CH-CO-又はCH2=CCH3-CO-の構造を有するモノマーの少なくとも1種を意味する。同様にメタアクリレート及びメタアクリル酸とは、それぞれアクリレート及びメタクリレートの少なくとも1種及びアクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも1種を意味する。本発明の樹脂は、式aで表される構造単位以下、場合により構造単位aというを有する。[式a中、R1は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。R2は、置換基を有していてもよい炭素数1~6の脂肪族炭化水素基、単結合又は式a-1式a-1中、sは0又は1を表す。A10及びA11は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1~5の脂肪族炭化水素基を表す。A12は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1~5の脂肪族炭化水素基を表す。X10及びX11は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。で表される基を表す。R3は、下記式bで表される基である。R34、R35、R36、R37、R38、R39、R40、R41、R42及びR43は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、アルコキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表すか、R34とR35、R35とR36、R36とR37、R36とR43、R37とR38、R38とR41、R41とR42又はR42とR43が一緒になって、環を形成してもよく、該環を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。但し、R34、R35、R36、R37、R38、R39、R40、R41、R42及びR43のいずれか1つはR2との結合手を表す。、つまり、破線と下線との組み合わせは、単結合又は二重結合を表す。x1は、1又は2を表す。x2は、0又は1を表す。x1x2は2である。x1が2である場合、2つのR37は同一でも異なっていてもよい。]ハロゲン原子を有するアルキル基としては、例えば、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルクロロメチル基、ペルブロモメチル基及びペルヨードメチル基などのハロアルキル基が挙げられる。式aにおいては、R1は、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基であることが好ましく、水素原子又はメチル基であることがより好ましい。R2における脂肪族炭化水素基の置換基としては、水酸基、炭素数1~6のアルコキシ基などが挙げられる。基a-1は、その構造中に酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基の1以上を含む。酸素原子を有する基a-1としては、などが挙げられる。カルボニル基を有する基a-1としては、などが挙げられるは結合手を表す。カルボニルオキシ基を有する基a-1としては、などが挙げられる。オキシカルボニル基を有する基a-1としては、などが挙げられる。なかでも、R2は、-CO-CH2-はR3との結合手を表すが好ましい。R3は、下記式bで表される。式b中、R34、R35、R36、R37、R38、R39、R40、R41、R42及びR43は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、アルコキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表すか、R34とR35、R35とR36、R36とR37、R36とR43、R37とR38、R38とR41、R41とR42又はR42とR43が一緒になって、環を形成してもよく、該環を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。但し、R34、R35、R36、R37、R38、R39、R40、R41、R42及びR43のいずれか1つはR2との結合手を表す。は、単結合又は二重結合を表す。x1は、1又は2を表す。x2は、0又は1を表す。x1x2は2である。x1が2である場合、2つのR37は同一でも異なっていてもよい。式bにおいては、R34とR35、R35とR36、R36とR37、R36とR43、R37とR38、R38とR41、R41とR42又はR42とR43が一緒になって形成する環としては、例えば、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素及び複素環が挙げられ、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素が好ましい。ただし、x1が2の場合には、2つのR37が一緒になって環を形成してもよい。環、特に、脂環式炭化水素又は芳香族炭化水素に含まれるメチレン基が酸素原子又はカルボニル基で置き換わったものとしては、例えば、オキサノルボルナン環等が挙げられる。式bで表される基としては、例えば以下の基が挙げられる。式中、R39及びR40は、上記と同義である。R44、R45、R46及びR47は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、アルコキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表す。但し、R39、R40、R44~R47のいずれか1つはR2との結合手を表す。なかでも、R3は、上記式c’のうち、R39及びR40が水素原子である下記式cであることがより好ましい。式c中、R44、R45、R46及びR47は、上記と同義である。但し、R44、R45、R46及びR47のいずれか1つはR2との結合手を表す。式bで表される基としては、例えば、以下のものが挙げられる。式中、はR2との結合手を表す。なかでも、式dで表される基が好ましい。構造単位aとしては、例えば以下の構造単位が挙げられる。式a-1~式a-9のいずれかで表される構造単位aの具体例において、以下に示す部分構造Mを、以下に示す部分構造A1に置き換えたものも構造単位aの具体例として挙げることができる。構造単位aは、以下の式a’で表される化合物以下、化合物a’ということがあるから誘導される。[式a’中の符号はいずれも、上記と同義である。]化合物a’において、R2が-CH2-CH2-O-CO-である化合物a1は、例えば、式a1-aで表される化合物化合物a1-aと式a1-bで表される化合物化合物a1-bとを、溶剤中で反応させることにより得ることができる。ここで用いる溶剤としては、アセトニトリルが好ましい。化合物a1-aとしては、ヒドロキシエチルメタクリレートなどが挙げられる。このヒドロキシエチルメタクリレートは市場から容易に入手できる。化合物a1-bは、式a1-cで表される化合物化合物a1-cと式a1-dで表される化合物化合物a1-dとを、溶剤中で反応させることにより得ることができる。ここで用いる溶剤としては、アセトニトリルが好ましい。化合物a1-cのうち、例えば、市場から容易に入手できるものを例示すると、以下の化合物などが挙げられる。以上のような製造方法に準じて、以下に示すような、種々の化合物a’を製造することができる。樹脂Aの全構造単位100モルに対する構造単位aの含有割合は、2~40モルの範囲であると好ましく、3~35モルの範囲がより好ましく、5~30モルの範囲がさらに好ましい。本発明の樹脂Aは、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸との作用によりアルカリ水溶液に溶解し得るものであることが好ましい。酸との作用によりアルカリ水溶液に溶解し得るとは、酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となることを意味する。このような樹脂は、分子内にある親水性基の一部又は全部が、酸との接触により脱離し得る保護基により保護されているものであり、樹脂が酸と接触すると、この保護基が脱離して、樹脂はアルカリ水溶液に可溶な樹脂に転化する。このような保護基により保護されている親水性基を、以下、酸不安定基という。親水性基としては、ヒドロキシ基又はカルボキシ基が挙げられ、カルボキシ基がより好ましい。従って、本発明の樹脂Aは、構造単位a以外の構造単位、つまり、酸不安定基を有する構造単位以下、場合により構造単位a1といい、構造単位a1を誘導できるモノマーをモノマーa1というを有していることが好ましい。<酸不安定基>親水性基がカルボキシ基である酸不安定基は、カルボキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、カルボキシ基の-O-と結合する有機残基の原子が3級炭素原子である基が挙げられる。このような酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は、例えば、以下の式1で表される以下、場合により酸不安定基1という。式1中、Ra1~Ra3は、それぞれ独立に、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基を表すか、Ra1及びRa2が結合して、それらが結合する炭素原子とともに炭素数3~20の環を形成する。Ra1及びRa2が結合して形成される環及び該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。式1では、脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは炭素数1~16である。Ra1及びRa2が結合して環を形成する場合、-CRa1Ra2Ra3で表される基は、例えば、下記に示す基が挙げられる。このような環の炭素数は、好ましくは3~12の範囲である。酸不安定基1としては、1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1~Ra3が全てアルキル基である基、このアルキル基のうち、1つはtert-ブチル基であると好ましい。、2-アルキル-2-アダマンチルオキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2が結合し、これらが結合する炭素原子とともにアダマンタン環を形成し、Ra3がアルキル基である基及び1-1-アダマンチル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基などが挙げられる。親水性基がヒドロキシ基である酸不安定基は、ヒドロキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、アセタール構造を含む基となったものが挙げられる。このような酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は、例えば、以下の式2で表される以下、場合により酸不安定基2という。式2中、Rb1及びRb2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の炭化水素基を表し、Rb3は、炭素数1~20の炭化水素基を表すか、或いは、Rb2及びRb3が結合して、それらが各々結合する炭素原子及び酸素原子とともに炭素数3~20の環を形成する。該炭化水素基及び環を構成するメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。酸不安定基2では、Rb1及びRb2のうち、少なくとも1つは水素原子であると好ましい。酸不安定基2の具体例としては、以下の基が挙げられる。構造単位a1は、酸不安定基と炭素-炭素二重結合とを有するモノマーから誘導されるものが好ましく、酸不安定基を有するメタアクリル系モノマーから誘導されるものがさらに好ましい。構造単位a1は、好ましくは、酸不安定基1又は酸不安定基2を有するものであり、これらの酸不安定基をともに有していてもよい。より好ましくは酸不安定基1を有する構造単位a1である。酸不安定基1を有する構造単位a1の中でも、炭素数5~20の脂肪族環を部分構造とする酸不安定基1が好ましい。このような立体的に嵩高い基の構造単位a1を有する樹脂Aは、該樹脂Aを含有する本レジスト組成物を用いてレジストパターンを製造したとき、より良好な解像度でレジストパターンを製造することができる。脂肪族環を部分構造とする酸不安定基1を有する構造単位a1の中でも、式a1-1で表される構造単位以下、場合により構造単位a1-1という及び式a1-2で表される構造単位以下、場合により構造単位a1-2というが好ましい。式a1-1及び式a1-2中、La1及びLa2、それぞれ独立に、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-k1は1~7の整数を表し、はカルボニル基との結合手を表す。で表される基を表す。Ra4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。n1は0~10の整数を表す。La1及びLa2は、好ましくは、酸素原子又は、k1が1~4の整数である-O-CH2k1-CO-O-で表される基であり、より好ましくは酸素原子又は-O-CH2-CO-O-であり、さらに好ましくは酸素原子である。Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基のうち、好ましくは炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基である。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基は、それぞれ独立に、好ましくは炭素数8以下のアルキル基又は炭素数8以下の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは炭素数6以下のアルキル基又は炭素数6以下の脂環式炭化水素基である。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。構造単位a1-1の具体例は以下のとおりである。式a1-1-1~式a1-1-38のいずれかで表される構造単位a1-1の具体例において、上述した部分構造Mを部分構造A1に置き換えたものも構造単位a1-1の具体例として挙げることができる。なかでも、式a1-1-1、式a1-1-2及び式a1-1-3のいずれかで表される構造単位a1-1並びにこれらの構造単位a1-1の部分構造Mが部分構造A1に置き換えられたものが好ましく、式a1-1-1、式a1-1-2及び式a1-1-3のいずれかで表される構造単位a1-1がより好ましく、式a1-1-1及び式a1-1-2のいずれかで表される構造単位a1-1がさらに好ましい。なお、これら好ましい構造単位a1-1を有する樹脂Aは、樹脂Aを製造する際に、2-メチル-2-アダマンチルメタアクリレート、2-エチル-2-アダマンチルメタアクリレート又は2-イソプロピル-2-アダマンチルメタアクリレートなどを製造用原料[モノマーa1]として用いればよい。一方、構造単位a1-2の具体例は以下のとおりである。式a1-2-1~式a1-2-12のいずれかで表される構造単位a1-2の具体例において、部分構造Mを部分構造A1に置き換えたものも構造単位a1-2の具体例として挙げることができる。なかでも、式a1-2-1、式a1-2-2、式a1-2-4及び式a1-2-5のいずれかで表される構造単位a1-2並びにこれらの構造単位a1-2の部分構造Mが部分構造A1に置き換えられたものがより好ましく、式a1-2-4及び式a1-2-4のいずれかで表される構造単位並びにこれらの構造単位a1-2の部分構造Mが部分構造A1に置き換えられたものがさらに好ましい。このような構造単位a1-2を有する樹脂Aを製造するためには、2-メチル-2-シクロヘキシルメタアクリレートなどをモノマーa1として用いればよい。構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を有する樹脂Aを製造する場合、樹脂Aの全構造単位を100モルとしたとき、構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2の合計含有割合は、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲が一層好ましい。構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2の合計含有割合を、このような範囲にするためには、樹脂Aを製造する際に、全モノマーの使用量に対する、構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を誘導するモノマーa1の使用量を調整すればよい。酸不安定基を有する構造単位a1として、例えば、以下の式a1-3で表されるノルボルネン環を有するモノマー以下、場合によりモノマーa1-3というから誘導されるものであってもよい。式a1-3中、Ra9は、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3のアルキル基、カルボキシル基、シアノ基又は-COORa13Ra13は、炭素数1~20の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成する水素原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。で表される基を表す。Ra10~Ra12は、それぞれ独立に、炭素数1~20の脂肪族炭化水素基を表すか、或いは、Ra10及びRa11が結合して、これらが結合している炭素原子とともに、炭素数3~20の環を形成する。なお、この脂肪族炭化水素基を構成する水素原子は、ヒドロキシ基などに置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Ra9のヒドロキシ基を有するアルキル基は、例えば、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Ra10及びRa11が結合して形成される環としては、脂環式炭化水素が好ましく、具体的には、シクロへキサン環及びアダマンタン環などが挙げられる。モノマーa1-3としては、5-ノルボルネン-2-カルボン酸-tert-ブチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-シクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチルシクロヘキシル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-メチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-エチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-メチルシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-ヒドロキシシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチル-1-4-オキソシクロヘキシルエチル及び5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-1-アダマンチル-1-メチルエチルなどが挙げられる。モノマーa1-3を用いて樹脂Aを製造した場合、この樹脂Aにはモノマーa1-3に由来する、立体的に嵩高い構造単位a1が含まれることになる。このように立体的に嵩高い構造単位a1を有する樹脂Aを含有する本レジスト組成物により、レジストパターンを製造すれば、より良好な解像度でレジストパターンを得ることができる。さらにモノマーa1-3を用いることにより、樹脂Aの主鎖に剛直なノルボルナン環を導入できるため、樹脂Aを含有する本レジスト組成物は、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ易いという傾向がある。上述のように、良好な解像度でレジストパターンを製造でき、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ易いという観点から、樹脂Aの全構造単位100モルに対する、モノマーa1-3に由来する構造単位a1の含有割合は10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。酸不安定基2を有するモノマーa1としては、例えば、以下の式a1-4で表されるモノマー以下、モノマーa1-4という。が挙げられる。式a1-4中、Ra32は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。Ra33は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。laは0~4の整数を表す。laが2以上である場合、複数のRa33はそれぞれ独立である。Ra34及びRa35はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表す。Xa2は、単結合又は炭素数1~17の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成する水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基及び炭素数2~4のアシルオキシ基からなる群より選ばれる基に置換されていてもよい。該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基又は-NRd-で表される基に置き換わっていてもよい。ここで、Rdは、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。Ya3は、炭素数1~18の炭化水素基であり、該炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基で置換されていてもよい。式a1-4においては、Ra32及びRa33がアルキル基である場合、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基及びエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ra33のアルコキシ基としては、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。Ra34及びRa35の炭化水素基は、鎖式炭化水素基として、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基が好ましく、脂環式炭化水素基として、シクロヘキシル基、アダマンチル基、2-アルキル-2-アダマンチル基、1-1-アダマンチル-1-アルキル基及びイソボルニル基が好ましく、芳香族炭化水素基として、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、p-メチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、2,6-ジエチルフェニル基及び2-メチル-6-エチルフェニルが好ましい。Xa2の脂肪族炭化水素基は、鎖式炭化水素基が好ましく、アルカンジイル基がより好ましい。なお、Ya3の炭化水素基、好ましくは、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基である。Xa2及びYa3の置換基としては、好ましくはヒドロキシ基である。モノマーa1-4の具体例は以下のとおりである。ここに示すモノマーa1-4の具体例において、以下に示す部分構造Vを、以下に示す部分構造Pに置き換えたものもモノマーa1-4の具体例として挙げることができる。樹脂Aが、モノマーa1-4に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。酸不安定基2を有するモノマーa1においても、メタアクリル系モノマーが好ましく、このようなメタアクリル系モノマーとしては、例えば、式a1-5で表されるモノマー以下、場合によりモノマーa1-5というが挙げられる。式a1-5中、R31は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。L1~L3は、酸素原子、硫黄原子又は-O-CH2k1-CO-O-で表される基を表す。ここで、k1は1~7の整数を表し、はカルボニル基-CO-との結合手である。Z1は、単結合又は炭素数1~6のアルカンジイル基であり、該アルカンジイル基を構成するメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。s1及びs2は、それぞれ独立して、0~4の整数を表す。式a1-5においては、R31は、水素原子及びメチル基が好ましい。L1は、酸素原子が好ましい。L2及びL3は、それぞれ独立に酸素原子又は硫黄原子であることが好ましく、一方が酸素原子、他方が硫黄原子であることがより好ましい。s1は、1が好ましい。s2は、0~2の整数が好ましい。Z1としては、単結合又は-CH2-CO-O-が好ましい。モノマーa1-5は、例えば、以下のものが挙げられる。ここでは、R31がメチル基である具体例を示すことにするが、このメチル基を水素原子に置き換えたものも、モノマーa1-5の具体例である。樹脂Aが、モノマーa1-5に由来する構造単位a1を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。また、構造単位a1がアダマンタン環を有する構造単位、特に構造単位a1-1を含む場合、構造単位a1の総量100モルに対して、構造単位a1-1の割合を15モル以上とすることが好ましい。この範囲にすることにより、樹脂Aを含有するレジスト組成物から得られるレジストパターンのドライエッチング耐性がより良好になる傾向がある。<酸安定構造単位>樹脂Aは、構造単位a及び構造単位a1に加えて、酸不安定基を有さない構造単位以下、場合により酸安定構造単位というを有していることが好ましい。酸安定構造単位は、構造単位a1の含有割合を基準にして、酸安定性構造単位の含有割合を定めることが適している。構造単位a1の含有割合と酸安定性構造単位の含有割合との比は、構造単位a1/酸安定構造単位で表して、好ましくは10~80モル/90~20モルであり、より好ましくは20~60モル/80~40モルである。なお、樹脂Aに酸安定構造単位を導入する場合に、構造単位a1の含有割合を基準にして、酸安定性構造単位の含有割合を定めるときには、構造単位aを酸安定構造単位に含めて含有割合を算出する。<酸安定構造単位a2>酸安定構造単位は、ヒドロキシ基又はラクトン環を有する構造単位が好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定構造単位以下、場合により酸安定構造単位a2という及び/又はラクトン環を有する酸安定構造単位以下、場合により酸安定構造単位a3というを有する樹脂Aは、樹脂Aを含有する本レジスト組成物を基板に塗布したとき、基板上に形成される塗布膜又は塗布膜から得られる組成物層が基板との間に優れた密着性を発現し易くなり、好な解像度で、レジストパターンを製造することができる。酸安定構造単位a2を樹脂Aに導入する場合、樹脂Aを含有するレジスト組成物からレジストパターンを製造する際の露光源の種類によって、各々、好適な酸安定構造単位a2を1種又は2種以上選択することができる。例えば、レジスト組成物を、KrFエキシマレーザ波長:248nmを露光源とする露光、電子線又はEUV光などの高エネルギー線を露光源とする露光に用いる場合には、酸安定構造単位a2として、フェノール性水酸基を有する酸安定構造単位a2-0を樹脂Aに導入することが好ましい。短波長のArFエキシマレーザ波長:193nmを露光源とする露光を用いる場合は、酸安定構造単位a2として、後述の式a2-1で表される酸安定構造単位を樹脂Aに導入することが好ましい。<酸安定構造単位a2-1>酸安定構造単位a2としては、以下の式a2-1で表されるもの以下、酸安定構造単位a2-1というが挙げられる。なお、酸安定構造単位a2を誘導するモノマーなどを酸安定モノマーa2などということがある。式a2-1中、La3は、酸素原子又は-O-CH2k2-CO-O-k2は1~7の整数を表す。を表し、はカルボニル基-CO-との結合手を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。式a2-1においては、La3は、好ましくは、酸素原子又は、k2が1~4の整数である-O-CH2k2-CO-O-で表される基であり、より好ましくは、酸素原子又は、-O-CH2-CO-O-であり、さらに好ましくは酸素原子である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。酸安定構造単位a2-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。式a2-1-1~式a2-1-17のいずれかで表される酸安定構造単位a2-1の具体例において、部分構造Mを部分構造A1に置き換えたものも酸安定構造単位a2-1の具体例として挙げることができる。なかでも、式a2-1-1、式a2-1-2、式a2-1-13及び式a2-1-15のいずれかで表される酸安定構造単位a2-1並びにこれらの酸安定構造単位a2-1の部分構造Mが部分構造A1に置き換わったものが好ましく、式a2-1-1、式a2-1-2、式a2-1-13及び式a2-1-15のいずれかで表される酸安定構造単位a2-1がさらに好ましい。これらの酸安定構造単位a2-1を有する樹脂Aは、3-ヒドロキシ-1-アダマンチルメタアクリレート、3,5-ジヒドロキシ-1-アダマンチルメタアクリレート又はメタアクリル酸1-3,5-ジヒドロキシ-1-アダマンチルオキシカルボニルメチルなどを、樹脂A製造用のモノマーとして用いればよい。樹脂Aが、酸安定構造単位a2-1を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、3~40モルの範囲から選ばれ、5~35モルの範囲がより好ましく、5~30モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定構造単位a2-0>酸安定構造単位a2は、以下の式a2-0で表されるもの以下、酸安定構造単位a2-0という。も挙げることができる。式a2-0中、Ra30は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。Ra31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maは0~4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31はそれぞれ独立である。式a2-0においては、Ra30は、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基及びエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ra31は、炭素数1~4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。maは0、1又は2が好ましく、0又は1がより好ましく、0が特に好ましい。酸安定構造単位a2-0の具体例を、該安定構造単位a2-0を誘導するモノマー以下、酸安定モノマーa2-0というを挙げることで例示する。ここに例示する具体例において、ベンゼン環に結合しているメチル基やエチル基を、Ra31として例示したその他の置換基に置き換えたものも、酸安定モノマーa2-0の具体例である。このような酸安定モノマーa2-0を用いて、樹脂Aを製造する場合は、該酸安定モノマーa2-0にあるフェノール性水酸基が適当な保護基で保護されているモノマー保護フェノール性水酸基を有するモノマーを用いることもできる。ここでいう保護基としては、例えば、アセチル基などが好ましい。アセチル基で保護されたフェノール性水酸基は、酸との接触により該アセチル基が脱保護されるため、アセチル基で保護された酸安定構造単位a2-0の前駆構造単位からは、脱保護することにより、酸安定構造単位a2-0が得られる。ただし、樹脂Aは上述のとおり、酸不安定基を持つ構造単位a1を有しているので、フェノール性水酸基が適当な保護基で保護されてなる前駆構造単位を脱保護する際には、構造単位a1の酸不安定基を著しく損なわないようにして、脱保護を実施する必要がある。上述の酸安定モノマーa2-0のなかでも、4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンが特に好ましい。4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンを用いて、樹脂Aを製造する際には、これらにあるフェノール性水酸基が適当な保護基で保護したものを用いてもよい。樹脂Aが、酸安定構造単位a2-0を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~95モルの範囲から選ばれ、10~80モルの範囲がより好ましく、15~80モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定構造単位a3>酸安定構造単位a3が有するラクトン環は、例えば、β-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環及びδ-バレロラクトン環のような単環式でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ-ブチロラクトン環及びγ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。酸安定構造単位a3は好ましくは、以下の式a3-1、式a3-2又は式a3-3で表されるものである。樹脂Aは、これらのうち1種のみを有していてもよく、2種以上を有していてもよい。なお、以下の説明においては、式a3-1で示されるものを酸安定構造単位a3-1といい、式a3-2で示されるものを酸安定構造単位a3-2といい、式a3-3で示されるものを酸安定構造単位a3-3という。式a3-1、式a3-2及び式a3-3中、La4、La5及びLa6は、それぞれ独立に、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は1~7の整数を表す。を表す。はカルボニル基との結合手を表す。Ra18、Ra19及びRa20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra21は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表し、p1が2以上の場合、複数のRa21はそれぞれ独立である。Ra22及びRa23は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表し、p1は、0~5の整数を表す。q1は、0~3の整数を表す。r1は、0~3の整数を表す。q1が2以上の場合、複数のRa22は、同一でも異なっていてもよく、r1が2以上の場合、複数のRa23は、同一でも異なっていてもよい。式a3-1~式a3-3において、La4~La6は、それぞれ独立に、酸素原子又は、k3が1~4の整数である-O-CH2k3-CO-O-で表される基が好ましく、酸素原子又は、-O-CH2-CO-O-がより好ましく、さらに好ましくは酸素原子である。Ra18~Ra21は、好ましくはメチル基である。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。p1、q1及びr1は、好ましくは0~2の整数であり、より好ましくは0又は1である。γ-ブチロラクトン環を有する酸安定構造単位a3-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定構造単位a3-2としては、例えば以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とシクロヘキサン環との縮合環を有する酸安定構造単位a3-3は例えば、以下のものが挙げられる。式a3-1-1~式a3-1-11のいずれかで表される酸安定構造単位a3-1、式a3-2-1~式a3-2-11のいずれかで表される酸安定構造単位a3-2及び式a3-3-1~式a3-3-6のいずれかで表される酸安定構造単位a3-3において、部分構造Mを部分構造A1に置き換えたものも、各々酸安定構造単位a3-1、酸安定構造単位a3-2及び酸安定構造単位a3-3の具体例として挙げることができる。また、この例示において、ラクトン環が有する置換基Ra21~Ra23としてメチル基を有するものも例示したが、このメチル基を上述のような基に置き換えたものも、酸安定構造単位a3の具体例として挙げられる。酸安定構造単位a3の中でも、α-メタアクリロイロキシ-γ-ブチロラクトン、β-メタアクリロイロキシ-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイロキシ-β,β-ジメチル-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイロキシ-α-メチル-γ-ブチロラクトン、β-メタアクリロイロキシ-α-メチル-γ-ブチロラクトン、メタアクリル酸5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イル、メタアクリル酸テトラヒドロ-2-オキソ-3-フリル及びメタアクリル酸2-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イルオキシ-2-オキソエチルなどから誘導される酸安定構造単位a3が好ましい。樹脂Aが、酸安定構造単位a3-1、酸安定構造単位a3-2及び酸安定構造単位a3-3からなる群より選ばれる酸安定構造単位a3を有する場合、その合計含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~70モルの範囲から選ばれ、10~65モルの範囲が好ましく、10~60モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定モノマーa4>酸安定構造単位は、以下の酸安定モノマーa4から誘導される構造単位であってもよい。酸安定モノマーa4としては、以下の式a4-1で表される無水マレイン酸、式a4-2で表される無水イタコン酸、及び、式a4-3で表されるノルボルネン環を有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa4-3というなどが挙げられる。式a4-3中、Ra25及びRa26は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3のアルキル基、シアノ基、カルボキシ基又は基-COORa27Ra27は、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。但し-COORa27が酸不安定基となるものは除くすなわち、Ra27は、3級炭素原子が-O-と結合するものを含まないを表すか、或いはRa25及びRa26が結合して-CO-O-CO-を形成する。式a4-3においては、Ra25及びRa26におけるヒドロキシ基を有していてもよいアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などが好ましい。Ra27の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~8のアルキル基及び炭素数4~18の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは炭素数1~6のアルキル基及び炭素数4~12の脂環式炭化水素基であり、メチル基、エチル基、プロピル基、2-オキソ-オキソラン-3-イル基及び2-オキソ-オキソラン-4-イル基などがさらに好ましい。酸安定モノマーa4-3としては、例えば、2-ノルボルネン、2-ヒドロキシ-5-ノルボルネン、5-ノルボルネン-2-カルボン酸、5-ノルボルネン-2-カルボン酸メチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-ヒドロキシ-1-エチル、5-ノルボルネン-2-メタノール及び5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物などが挙げられる。樹脂Aが、式a4-1で表される無水マレイン酸に由来する構造単位、式a4-2で表される無水イタコン酸に由来する構造単位及びモノマーa4-3に由来する構造単位からなる群より選ばれる構造単位を有する場合、その合計含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、2~40モルの範囲から選ばれ、3~30モルの範囲が好ましく、5~20モルの範囲がさらに好ましい。また、酸安定モノマーa4としては、例えば、以下に示すようなフッ素原子を有するモノマー以下、酸安定モノマーa4-4というであってもよい。このような酸安定モノマーa4-4の中でも、単環式又は多環式の脂肪族環を有するメタアクリル酸5-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸6-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸4,4-ビストリフルオロメチル-3-オキサトリシクロ[4.2.1.02,5]ノニルが好ましい。樹脂Aが、酸安定モノマーa4-4に由来する構造単位を有する場合、その合計含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、1~20モルの範囲から選ばれ、2~15モルの範囲が好ましく、3~10モルの範囲がさらに好ましい。また、酸安定モノマーa4として、以下に示す式3で表される基を有する酸安定モノマー以下、場合により酸安定モノマーa4-5というが挙げられる。[式3中、R10は、炭素数1~6のフッ化アルキル基を表す。]フッ化アルキル基としては、ジフルオロメチル基、パーフルオロメチル基、1,1-ジフルオロエチル基、2,2-ジフルオロエチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、パーフルオロエチル基、1,1,2,2-テトラフルオロプロピル基、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロプロピル基、パーフルオロエチルメチル基、1-トリフルオロメチル-1,2,2,2-テトラフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、1,1,2,2-テトラフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3,4,4-オクタフルオロブチル基、パーフルオロブチル基、1,1-ビストリフルオロメチル-2,2,2-トリフルオロエチル基、2-パーフルオロプロピルエチル基、1,1,2,2,3,3,4,4-オクタフルオロペンチル基、パーフルオロペンチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルオロペンチル基、1,1-ビストリフルオロメチル-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル基、パーフルオロペンチル基、2-パーフルオロブチルエチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルオロヘキシル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-ドデカフルオロヘキシル基、パーフルオロペンチルメチル基及びパーフルオロヘキシル基が挙げられる。式3においては、フッ化アルキル基は、炭素数が1~4であるものが好ましく、パーフルオロメチル基、パーフルオロエチル基及びパーフルオロプロピル基がより好ましく、パーフルオロメチル基が特に好ましい。酸安定モノマーa4-5としては、例えば、以下で表されるものが挙げられる。ここに示した酸安定モノマーa4-5の具体例において、以下に示す部分構造M’を、以下に示す部分構造A1’に置き換えたものも、酸安定モノマーa4-5の具体例として挙げることができる。また、酸安定モノマーa4-5としては、以下のものも挙げることができる。樹脂Aが、酸安定モノマーa4-5に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、1~30モルの範囲から選ばれ、3~25モルの範囲が好ましく、5~20モルの範囲がさらに好ましい。また、酸安定モノマーa4として、以下に示す式4で表される基を有する酸安定モノマーが挙げられる。式4中、R11は置換基を有してもよい炭素数6~12の芳香族炭化水素基を表す。R12は、置換基を有してもよい炭素数1~12の炭化水素基を表し、該炭化水素基は、ヘテロ原子を含んでいてもよい。A3は、単結合、-CH2m10-SO2-O-又は-CH2m10-CO-O-を表し、ここに示すアルキレン鎖-CH2m10-を構成するメチレン基は、酸素原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよく、当該アルキレン鎖に含まれる水素原子は、フッ素原子に置き換わっていてもよい。m10は、1~12の整数を表す。]式4においては、R11の芳香族炭化水素基の置換基としては、炭素数1~4のアルキル基、ハロゲン原子、フェニル基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フェニルオキシ基及びtert-ブチルフェニル基などが挙げられる。R11としては、以下の基が挙げられる。R12の脂肪族炭化水素基は、ヘテロ原子を含んでいてもよい。ヘテロ原子としては、ハロゲン原子、硫黄原子、酸素原子及び窒素原子などが挙げられる。また、連結基として、スルホニル基、カルボニル基を含む形態でもあってもよい。このようなヘテロ原子を含むR12としては、以下の基が挙げられる。A3としては、下記に示す基が挙げられる。式4で表される基を含む酸安定モノマーa4としては、例えば、式a4-6で表されるもの以下、場合により酸安定モノマーa4-6というが挙げられる。式a4-6中、R13は、水素原子又はメチル基を表す。R11、R12及びA3は、前記と同義である。]酸安定モノマーa4-6としては、例えば、以下のものが挙げられる。ここに示した酸安定モノマーa4-6の具体例において、酸安定モノマーa4-5の具体例と同様に、部分構造M’を部分構造A1’に置き換えたものも、酸安定モノマーa4-6の具体例として挙げることができる。樹脂Aが、酸安定モノマーa4-6に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、1~30モルの範囲から選ばれ、3~25モルの範囲が好ましく、5~20モルの範囲がさらに好ましい。酸安定モノマーa4としては、以下の式a4-7で示されるモノマー以下、場合により酸安定モノマーa4-7というであってもよい。式a4-7中、W2は、炭素数3~36の脂環式炭化水素を表す。A4は、単結合又は炭素数1~17の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよいが、A4のうち、酸素原子に結合している原子は炭素原子である。R14は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のハロアルキル基を表す。R15及びR16は、それぞれ独立に、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のハロアルキル基を表す。]式a4-7においては、W2は、炭素数が5~18の範囲が好ましく、6~12の範囲がより好ましい。具体的には、上述した式KA-1~式KA-19で示した脂環式炭化水素の形式で示した脂肪族環を挙げることができる。すなわち、式a4-8においてで示される部分構造は、式KA-1~式KA-19の脂環式炭化水素を構成する水素原子の1個がA4との結合手に、脂環式炭化水素の環原子である炭素原子の1つに結合している2つの水素原子が、-O-CO-R15又は-O-CO-R16との結合手に置き換わったものを挙げることができる。W2としては、シクロヘキサン環、アダマンタン環及びノルボルネン環が特に好ましい。A4の脂肪族炭化水素基における置換基としては、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、アシル基、アリール基、アラルキル基及びアリールオキシ基が好ましい。A4としては、例えば、アルカンジイル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた脂肪族炭化水素基であることが適している。このような脂肪族炭化水素基としては、以下の式Xx-A、式Xx-B及び式Xx-Cで表される基などが挙げられる。式中、XX1及びXX2は、それぞれ独立に、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルカンジイル基を表し、XX1及びXX2がともに単結合であることはなく、式Xx-A、式Xx-B及び式Xx-Cで表される基の総炭素数は17以下である。A4は、単結合又は-CH2s1-CO-O-は-O-との結合手を表し、s1は1~6の整数を表す。で表される基が好ましく、単結合又は-CH2-CO-O-は-O-との結合手を表すで表される基がより好ましい。R14は、水素原子又はメチル基が好ましい。R14~R16におけるハロゲン原子としては、フッ素原子が特に好ましい。R15及びR16のハロアルキル基のうち、好ましくは、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基及びペルフルオロブチル基であり、より好ましく歯ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基及びペルフルオロプロピル基である。酸安定モノマーa4-7としては、例えば、以下に示すものが挙げられる。なお、R14~R16及びA4は、前記と同義である。なかでも、以下のものが好ましい。酸安定モノマーa4-7として、より具体的には、以下で表されるものが挙げられる。ここに示した酸安定モノマーa4-7の具体例において、酸安定モノマーa4-5の具体例と同様に、部分構造M’を部分構造A1’に置き換えたものも、酸安定モノマーa4-7の具体例として挙げられる。好ましい酸安定モノマーa4-7は、例えば、式a4-7-aで表される化合物と、式a4-7-bで表される化合物とを反応させることにより製造することができる。式a4-7-aで表される化合物は、例えば、特開2002-226436号公報に記載されている1-メタクリロイルオキシ-4-オキソアダマンタンなどが挙げられる。式a4-7-bで表される化合物としては、例えば、ペンタフルオロプロピオン酸無水物、ヘプタフルオロ酪酸無水物及びトリフルオロ酢酸無水物などが挙げられる。この反応は、用いる式a4-7-bで表される化合物の沸点温度付近で加温することにより、実施することが好ましい。[式a4-7-a及び式a4-7-b中、W2、A4、R14、R15及びR16は、前記と同義である。]樹脂Aが、酸安定モノマーa4-7に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、1~30モルの範囲から選ばれ、3~25モルの範囲が好ましく、5~20モルの範囲がさらに好ましい。<樹脂の製造>樹脂Aは、化合物a’と、モノマーa1と、必要に応じて、酸安定モノマーとを共重合させたものであり、より好ましくは、化合物a’と、モノマーa1と、酸安定モノマーa2及び/又は酸安定モノマーa3とを共重合させたものである。モノマーa1としては、アダマンチル基を有するモノマーa1[構造単位a1-1を誘導するモノマーa1]及びシクロへキシル基を有するモノマーa1[構造単位a1-2を誘導するモノマーa1]のうち、少なくとも1種を用いることが好ましく、アダマンチル基を有するモノマーa1を用いることがさらに好ましい。酸安定モノマーとしては、ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定構造単位a2-1を誘導するモノマー及びラクトン環を有する酸安定構造単位a3を誘導するモノマー[酸安定モノマーa3]を用いることが好ましい。酸安定モノマーa3としては、酸安定構造単位a3-1及び酸安定構造単位a3-2の少なくとも1種を誘導する酸安定モノマーを用いることが好ましい。樹脂Aは、このようなモノマーを公知の重合法例えばラジカル重合法に供することにより製造することができる。樹脂Aが構造単位a1-1を有する場合には、該構造単位a1-1の含有割合を、酸不安定基を有する構造単位の合計100モルに対して15モル以上とすることが好ましい。このようにすると、樹脂Aを含有する本レジスト組成物から得られるレジストパターンのドライエッチング耐性がより良好になる傾向がある。樹脂Aの重量平均分子量は、2,500以上50,000以下であると好ましく、3,000以上30,000以下がさらに好ましい。重量平均分子量は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものであり、該分析の詳細な分析条件は、本願の実施例で詳述する。<レジスト組成物>本発明のレジスト組成物は、樹脂A以外に、酸発生剤B及び溶剤D等の構成成分を含有し、さらに必要に応じて、当技術分野でクエンチャーと呼ばれる塩基性化合物などの添加剤を含有することがある。樹脂Aを含有するレジスト組成物は、樹脂Aの作用により、優れた解像度で、レジストパターンを製造できる。<酸発生剤B>当技術分野で使用される酸発生剤は、非イオン系とイオン系とに分類される。本発明のレジスト組成物に含有される酸発生剤Bは、非イオン系酸発生剤であっても、イオン系酸発生剤であっても、これらの組み合わせであってもよい。非イオン系酸発生剤には、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類例えば2-ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、N-スルホニルオキシイミド、N-スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、DNQ4-スルホネート、スルホン類例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン等が含まれる。イオン系酸発生剤は、オニウムカチオンを含むオニウム塩例えば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩及びヨードニウム塩などが代表的である。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン及びスルホニルメチドアニオンなどがある。酸発生剤Bとしては、本発明の技術分野で使用される酸発生剤特に光酸発生剤だけでなく、光カチオン重合の光開始剤、色素類の光消色剤又は光変色剤等の放射線光によって酸を発生する公知化合物及びそれらの混合物も、適宜使用できる。例えば、特開昭63-26653号、特開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038号、特開昭63-163452号、特開昭62-153853号、特開昭63-146029号や、米国特許第3,779,778号、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、欧州特許第126,712号等に記載されている、放射線によって酸を発生する化合物を、酸発生剤Bとして使用できる。本レジスト組成物に含有される酸発生剤Bは、以下の式B1で表される酸発生剤以下、場合により酸発生剤B1というが好ましい。酸発生剤B1において、正電荷を有するZは有機カチオンといい、該有機カチオンを除去してなる負電荷を有するものをスルホン酸アニオンということがある。式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、置換基を有していてもよい炭素数1~17の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。ペルフルオロアルキル基としては、例えば、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。式B1においては、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子が好ましく、Q1及びQ2がともにフッ素原子がより好ましい。Lb1において、脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基が酸素原子又はカルボニル基に置き換わったものとしては、例えば、以下の式b1-1~式b1-6のいずれかで示される基が挙げられる。なお、式b1-1~式b1-6は、その左右を式B1に合わせて記載しており、左側の結合手は、CQ1Q2と結合し、右側の結合手はYと結合している。は結合手を表し、一方はYと、他方はCQ1Q2の炭素原子と結合している。式b1-1~式b1-6中、Lb2は、単結合又は炭素数1~15の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は、飽和の脂肪族炭化水素基脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。Lb3は、単結合又は炭素数1~12の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。Lb4は、炭素数1~13の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。但しLb3及びLb4の合計炭素数の上限は13である。Lb5は、炭素数1~15のの脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。Lb6及びLb7は、それぞれ独立に、炭素数1~15の脂肪族炭化水素基を表し、これらの脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。但しLb6及びLb7の合計炭素数の上限は16である。Lb8は、炭素数1~14の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。Lb9及びLb10は、それぞれ独立に、炭素数1~11の脂肪族炭化水素基を表し、これらの脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。但しLb9及びLb10の合計炭素数の上限は12である。なかでも、式b1-1で表される2価の基をLb1とするものが好ましく、Lb2が単結合又はメチレン基である式b1-1で表される2価の基を、Lb1として有するものがより好ましい。Lb1は、好ましくは式b1-1~式b1-4のいずれかで表される基であり、さらに好ましくは式b1-1~式b1-3のいずれかで表される基である。式b1-1で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-2で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-3で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。Lb1の脂肪族炭化水素基における置換基は、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基及びグリシジルオキシ基などが挙げられる。Yは、アルキル基及び脂環式炭化水素基が好ましく、炭素数1~6のアルキル基及び炭素数3~12の脂環式炭化水素基がさらに好ましく、炭素数3~12の脂環式炭化水素基が特に好ましい。Yの脂肪族炭化水素基における置換基としては、例えば、ハロゲン原子但し、フッ素原子を除く、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基、グリシジルオキシ基又は-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基式中、Rb1は、炭素数1~16の炭化水素基を表す。j2は、0~4の整数を表す。などが挙げられる。芳香族炭化水素基及びアラルキル基は、例えば、アルキル基、ハロゲン原子又はヒドロキシ基がさらに置換されていてもよい。Yにおいて、脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基が酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わったものとしては、例えば、環状エーテル基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基の1つ又は2つが酸素原子に置き換わった基、環状ケトン基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基の1つ又は2つがカルボニル基に置き換わった基、スルトン環基脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びスルホニル基に置き換わった基及びラクトン環基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びカルボニル基に置き換わった基などが挙げられる。Yの脂環式炭化水素基の好ましい基は、以下に示す式Y1~式Y5のいずれかで表される脂環式炭化水素基であり、なかでも、式Y1及び式Y2のいずれかで表される脂環式炭化水素基が特に好ましい。これらの脂環式炭化水素基を構成する水素原子は置換基に置換されていてもよい。置換基を有する脂環式炭化水素基の具体例は例えば、以下のものである。Yの脂環式炭化水素基は、式Y1及び式Y2で示したようにアダマンタン環を有する基が好ましく、これらが置換基を有する場合、その置換基はヒドロキシ基が好ましい。すなわち、置換基を有する脂環式炭化水素基としては、ヒドロキシアダマンチル基がより好ましい。スルホン酸アニオンとしては、式b1-1-1~式b1-1-9で表されるアニオンを挙げることができる。この式b1-1-1~式b1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンにおいて、Lb1は式b1-1で表される基が好ましい。また、Rb2及びRb3は、それぞれ独立に、Yの脂肪族炭化水素基に任意に有する置換基であり、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチル基が特に好ましい。式b1-1-1~式b1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンとしては、例えば、特開2010-204646号公報に記載されているスルホン酸アニオンを挙げることができる。好ましいスルホン酸アニオンとして、Lb1が、式b1-1で表される基であり、Yが、式Y1又は式で表される脂環式炭化水素基である具体例を挙げる。Yが無置換の脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-1~式b1-s-9のいずれかで表されるものが挙げられる。Yがヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-10~式b1-s-18のいずれかで表されるものが挙げられる。Yが環状ケトン基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-19~式b1-s-29のいずれかで表されるものが挙げられる。Yが芳香族基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-30~式b1-s-35のいずれかで表されるものが挙げられる。Yが、前記ラクトン環基又は前記スルホン酸環基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-36~式b1-s-41のいずれかで表されるものが挙げられる。また、Yはアルキル基であってもよい。このようなスルホン酸アニオンとしては例えば、以下の式b1-s-42で表されるものが挙げられる。酸発生剤B1中の有機カチオンZは例えば、オニウムカチオン、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン及びホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、さらに好ましくは、以下の式b2-1~式b2-4のいずれかで表される有機カチオンである。式b2-1~式b2-4において、Rb4~Rb6は、それぞれ独立に、炭素数1~30の炭化水素基を表し、この炭化水素基のうちでは、炭素数1~30のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基及び炭素数6~18の芳香族炭化水素基が好ましい。前記アルキル基は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を有していてもよく、前記脂環式炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよく、前記芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を有していてもよい。Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1~18のアルキル基又は炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。Rb9~Rb11は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基であり、この脂肪族炭化水素基がアルキル基である場合、その炭素数は1~12であると好ましく、この脂肪族炭化水素基が脂環式炭化水素基である場合、その炭素数は3~18であると好ましく、4~12であるとさらに好ましい。Rb12は、炭素数1~18の炭化水素基を表す。この炭化水素基のうち、芳香族炭化水素基は、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基を有していてもよい。Rb9とRb10及び/又はRb11とRb12は、それぞれ独立に、互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環を形成していてもよく、これらの3員環~12員環例えば、脂環式炭化水素を構成するメチレン基が、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっている環である。Rb13~Rb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Lb11は、酸素原子又は硫黄原子を表す。o2、p2、s2及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2が2以上であるとき、複数のRb13はそれぞれ独立であり、p2が2以上であるとき、複数のRb14はそれぞれ独立であり、s2が2以上であるとき、複数のRb15はそれぞれ独立であり、t2が2以上であるとき、複数のRb18はそれぞれ独立である。アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n-プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n-ブチルカルボニルオキシ基、sec-ブチルカルボニルオキシ基、tert-ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2-エチルヘキシルカルボニルオキシ基などが挙げられる。Rb9~Rb12のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基などが好ましい。Rb9~Rb11の脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2-アルキル-2-アダマンチル基、1-1-アダマンチル-1-アルキル基及びイソボルニル基などが好ましい。Rb12の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-シクロへキシルフェニル基、4-メトキシフェニル基、ビフェニリル基及びナフチル基などが好ましい。Rb12の芳香族炭化水素基とアルキル基が結合したものは、典型的にはアラルキル基である。Rb9とRb10とが結合して形成する環としては、例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環及び1,4-オキサチアン-4-イウム環などが挙げられる。Rb11とRb12とが結合して形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環などが挙げられる。式b2-1~式b2-4で表される有機カチオンの具体例は、特開2010-204646号公報に記載されたものを挙げることができる。例示した有機カチオンの中でも、カチオンb2-1が好ましく、以下の式b2-1-1で表される有機カチオン以下、カチオンb2-1-1という。がより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0である。又はトリトリルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=1であり、Rb19、Rb20及びRb21がいずれもメチル基である。がさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。この脂肪族炭化水素基は、炭素数1~12であるものが好ましく、炭素数1~12のアルキル基及び炭素数4~18の脂環式炭化水素基がより好ましい。この脂肪族炭化水素気は、置換基として、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよい。v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2が2以上のとき、複数のRb19は同一でも異なっていてもよく、w2が2以上のとき、複数のRb20は同一でも異なっていてもよく、x2が2以上のとき、複数のRb21は同一でも異なっていてもよい。なかでも、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基である。カチオンb2-1-1としては、例えば、以下のカチオンが挙げられる。カチオンb2-3としては、例えば、以下のカチオンが挙げられる。酸発生剤B1は、上述したスルホン酸アニオン及び有機カチオンの組合せである。スルホン酸アニオンと有機カチオンとは任意に組み合わせることができ、その組み合わせを表1に示す。なお、表1において、式b1-s-1で表されるスルホン酸アニオンなどを、その式番号に応じて、b1-s-1などと表し、式b2-c-1で表される有機カチオンなどを、その式番号に応じて、b2-c-1などと表すことにする。さらに好ましい酸発生剤B1を具体的に示す。このような酸発生剤B1は、以下の式B1-1~式B1-17のいずれかで表されるものである。中でも、式B1-2、式B1-3、式B1-6、式B1-7、式B1-11~B1-14のいずれかで表されるものがより好ましい。また、式B1-2、式B1-3、B1-6、式B1-7及び式B1-11のいずれかで表されるものがより好ましい。<塩基性化合物以下、場合により塩基性化合物Cという>本レジスト組成物に含有されていてもよい塩基性化合物Cとは、酸を捕捉するという特性を有する化合物、特に、既に説明した酸発生剤Bから発生する酸を捕捉するという特性を有する化合物を意味する。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えばアミン及び塩基性のアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンのいずれでもよい。脂肪族アミンとしては、1級アミン、2級アミン及び3級アミンが挙げられる。塩基性化合物Cとして、好ましくは、式C1で表される化合物~式C8で表される化合物が挙げられ、より好ましくは式C1-1で表される化合物が挙げられる。[式C1中、Rc1、Rc2及びRc3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~10の脂環式炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。][式C1-1中、Rc2及びRc3は、前記と同義である。Rc4は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表す。m3は0~3の整数を表し、m3が2以上のとき、複数のRc4は同一でも異なっていてもよい。][式C2、式C3及び式C4中、Rc5、Rc6、Rc7及びRc8は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。Rc9は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数3~6の脂環式炭化水素基又は炭素数2~6のアルカノイル基を表す。n43は0~8の整数を表し、n43が2以上のとき、複数のRc9は、それぞれ独立である。]アルカノイル基としては、アセチル基、2-メチルアセチル基、2,2-ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、2,2-ジメチルプロピオニル基等が挙げられる。[式C5及び式C6中、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13及びRc16は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。Rc14、Rc15及びRc17は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。o3及びp3は、それぞれ独立に0~3の整数を表し、o3が2以上であるとき、複数のRc14は同一でも異なっていてもよく、p3が2以上であるとき、複数のRc15は同一でも異なっていてもよい。Lc1は、炭素数1~6のアルカンジイル基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。][式C7及び式C8中、Rc18、Rc19及びRc20は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。q3、r3及びs3は、それぞれ独立に0~3の整数を表し、q3が2以上であるとき、複数のRc18は同一でも異なっていてもよく、r3が2以上であるとき、複数のRc19は同一でも異なっていてもよく、s3が2以上であるとき、複数のRc20は同一でも異なっていてもよい。Lc2は、単結合又は炭素数1~6のアルカンジイル基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。]式C1で表される化合物としては、1-ナフチルアミン、2-ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン及び4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタンなどが挙げられ、これらの中でも、ジイソプロピルアニリンが好ましく、2,6-ジイソプロピルアニリン特に好ましい。式C2で表される化合物としては、ピペラジンなどが挙げられる。式C3で表される化合物としては、モルホリンなどが挙げられる。式C4で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。式C5で表される化合物としては、2,2’-メチレンビスアニリンなどが挙げられる。式C6で表される化合物としては、イミダゾール、4-メチルイミダゾールなどが挙げられる。式C7で表される化合物としては、ピリジン、4-メチルピリジンなどが挙げられる。式C8で表される化合物としては、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン、2,2’-ジピコリルアミン及びビピリジンなどが挙げられる。アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3-トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムサリチラート及びコリンなどが挙げられる。塩基性化合物Cとしては、なかでもジイソプロピルアニリンが好ましく、2,6-ジイソプロピルアニリンが特に好ましい。<溶剤D>本レジスト組成物に含有される溶剤Dは、用いる樹脂Aの種類及びその量、酸発生剤Bの種類及びその量などに応じ、さらに後述するレジストパターンの製造において、基板上に本レジスト組成物を塗布する際の塗布性が良好となるという点から適宜、最適なものを選ぶことができる。好適な溶剤Dとしては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルなどのエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノンなどのケトン類;γ-ブチロラクトンなどの環状エステル類を挙げることができる。溶剤Dは、1種のみを使用してもよく、2種以上を併用してもよい。<その他の成分>本レジスト組成物は、必要に応じて、樹脂A、酸発生剤B、溶剤D及び必要に応じて用いられる塩基性化合物C以外の構成成分を含有していてもよい。この構成成分を成分Fという。かかる成分Fとしては、当該技術分野において広く用いられている添加剤であり、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤及び染料などが挙げられる。<レジスト組成物の調製>本レジスト組成物は、樹脂A、酸発生剤B及び溶剤D又は樹脂A、酸発生剤B、塩基性化合物C及び溶剤Dを混合することにより調製することができる。さらに、必要に応じて成分Fを混合することもある。その混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10~40°Cの範囲から、樹脂Aなどの種類や、樹脂Aなどの溶剤Dに対する溶解度などに応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、0.5~24時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合などを用いることができる。溶剤Dの含有割合は、本レジスト組成物総質量に対して、90質量以上であると好ましい。溶剤Dの含有割合が90質量である本レジスト組成物では、該本レジスト組成物総質量に対する固形分の含有割合は10質量に該当する。このような含有割合で溶剤Dを含有する本レジスト組成物は、例えば後述するレジストパターンの製造方法において、厚み30~300nm程度の組成物層を形成可能な薄膜レジストとして適している。この観点からは、本レジスト組成物総質量に対する溶剤Dの含有割合は、より好ましくは92質量以上であり、さらに好ましくは94質量以上であり、99.9質量以下であり、好ましくは99質量以下である。樹脂A含有割合は、本レジスト組成物の固形分の総質量に対して、80質量以上であると好ましい。酸発生剤Bが酸発生剤B1である場合、酸発生剤B1の含有量は、本レジスト組成物に含有される樹脂100質量部に対して、好ましくは1質量部以上であり、より好ましくは3質量部以上であり、また、40質量部以下であり、より好ましくは35質量部以下である。本発明のレジスト組成物に塩基性化合物Cを用いる場合、その含有割合は、本レジスト組成物の固形分の総質量に対して、0.01~1質量程度であると好ましい。上述した成分の含有量は、レジスト組成物を調製する際の各成分の使用量により制御することができる。組成物中の固形分とは、溶剤Eを除いたレジスト組成物成分の合計を意味する。各成分の含有量及び固形分は、レジスト組成物を調製した後には、レジスト組成物を、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段に供して求めることができる。成分Fを本レジスト組成物に用いる場合には、当該成分Fの種類に応じて、適切な含有割合を調節することもできる。樹脂A、酸発生剤B及び溶剤D、任意に塩基性化合物C及び成分Fを混合した後、孔径0.2μm程度のフィルターを用いてろ過等することが好ましい。<レジストパターンの製造方法>本発明のレジストパターンの製造方法は、1本レジスト組成物を基板上に塗布する工程、2基板上に塗布された本レジスト組成物から溶剤を除去することにより、該基板上に組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を現像する工程を含む。工程1における本レジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーターなど、半導体の微細加工のレジスト材料塗布用として広く用いられている塗布装置によって行うことができる。このように、基板上にレジスト組成物からなる塗布膜が形成される。塗布装置の条件塗布条件を種々調節することで、塗布膜の膜厚は調整可能であり、適切な予備実験等を行うことにより、所望の膜厚の塗布膜になるように塗布条件を選ぶことができる。本レジスト組成物を塗布する前の基板は、微細加工を実施しようとする種々のものを選ぶことができる。なお、本レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、反射防止膜を形成したりすることもできる。この反射防止膜の形成には例えば、市販の有機反射防止膜用組成物を用いることができる。工程2においては、基板上に塗布された本レジスト組成物、すなわち塗布膜から溶剤溶剤Dを除去する。このような溶剤除去は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いた加熱手段又は減圧装置を用いた減圧手段により、或いはこれらの手段を組み合わせて、塗布膜から溶剤を蒸発させることにより行われる。加熱手段や減圧手段の条件は、本レジスト組成物に含まれる溶剤Dの種類などに応じて調整されるが、例えばホットプレートを用いる加熱手段ホットプレート加熱では、ホットプレートの表面温度を50~200°C程度の範囲にしておけばよい。また、減圧手段では、適当な減圧機の中に、塗布膜が形成された基板を封入した後、減圧機の内部圧力を1~1.0×105Pa程度にすればよい。かくして塗布膜から溶剤を除去することにより、該基板上には組成物層が形成される。工程3は該組成物層を露光する工程であり、好ましくは、露光機を用いて該組成物層を露光するものである。この際には、微細加工を実施しようとする所望のパターンに応じたマスクを介して露光が行われる。露光機の露光光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2レーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザ等からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するものなど、種々のものを用いることができる。また、該露光機は液浸露光機であってもよい。上述のとおり、マスクを介して露光することにより、該組成物層には露光された部分露光部及び露光されていない部分未露光部が生じる。露光部の組成物層では該組成物層に含まれる酸発生剤Bが露光エネルギーを受けて酸を発生し、さらに発生した酸との作用により、樹脂Aにある酸不安定基が脱保護反応を生じ、結果として露光部の組成物層にある樹脂Aはアルカリ水溶液に可溶なものとなる。一方、未露光部では露光エネルギーを受けていないため、樹脂Aはアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶のままとなる。かくして、露光部にある組成物層と未露光部にある組成物層とは、アルカリ水溶液に対する溶解性が著しく相違することとなる。工程4においては、露光部で生じうる脱保護基反応を、さらにその進行を促進するための加熱処理が行われる。かかる加熱処理は前記工程2で示したホットプレートを用いる加熱手段などが採用される。なお、工程4におけるホットプレート加熱では、ホットプレートの表面温度は50~200°C程度が好ましく、70~150°C程度がさらに好ましい。工程5は、加熱後の組成物層を現像する工程であり、好ましくは、加熱後の組成物層を現像装置により現像するものである。ここでいう現像とは、加熱後の組成物層をアルカリ水溶液と接触させることにより、露光部の組成物層を該アルカリ水溶液に溶解させ、未露光部の組成物層を基板上に残すことにより、基板上にレジストパターンが製造される。ここで用いられるアルカリ水溶液は、アルカリ現像液と称されて、本技術分野で用いられるものを用いることができる。該アルカリ水溶液としては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液や2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液などが挙げられる。基板上に製造されたレジストパターンは、好ましくは超純水等でリンス処理を行い、さらに基板及びレジストパターン上に残存している水分を除去する。<用途>本レジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、EB用のレジスト組成物又はEUV露光機用のレジスト組成物、さらに液浸露光用のレジスト組成物として好適である。実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す及び部は、特記しないかぎり質量基準である。樹脂Aの組成比樹脂A製造に用いた各モノマーに由来する構造単位の、樹脂Aに対する共重合比は、重合終了後の反応液における未反応モノマー量を、液体クロマトグラフィーを用いて測定し、得られた結果から重合に用いられたモノマー量を求めることにより算出した。重量平均分子量は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。なお、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーの分析条件は下記のとおりである。カラム:TSKgelMultiporeHXLMx3guardcolumn東ソー社製溶離液:テトラヒドロフラン流量:10mL/min検出器:RI検出器カラム温度:40°C注入量:100μl分子量標準:標準ポリスチレン東ソー社製合成例1式M-Iで表される化合物の合成式I-1で表される化合物7.00部及びアセトニトリル35.00部を仕込み、23°Cで30分間攪拌し、40°Cに昇温した。得られた溶液に、式I-2で表される化合物7.02部を添加し、70°C1-クロロブタン140部および触媒としてチタニウムイソプロポキシド0.6部を、反応まで昇温し、さらに2時間攪拌した。得られた反応液を冷却し、ろ過し、ろ液を回収することにより、式I-3で表される化合物を含む溶液を得た。式I-3で表される化合物を含む溶液に、式I-4で表される化合物5.06部を添加し、23°Cで24時間攪拌した。得られた反応混合物を濃縮し、得られた濃縮物をカラム分取固定床:メルク製シリカゲル60-200メッシュ、展開溶媒:n-ヘプタン/酢酸エチル=5/1することにより、式M-Iで表される化合物5.98部を得た。MS質量分析:360.08分子イオンピーク樹脂Aの合成樹脂Aの合成において使用した化合物モノマーを下記に示す。以下、これらのモノマーを、その符号に応じて、モノマーM-A~モノマーM-Dという。合成例2樹脂A1の合成モノマーとして、モノマーM-A、モノマーM-B、モノマーM-C及びモノマーM-Dを用い、そのモル比モノマーM-A:モノマーM-BモノマーM-C:モノマーM-Dが30:10:50:10となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを73°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量9.6×103の樹脂A1共重合体を収率67で得た。この樹脂A1は、以下の構造単位を有するものである。合成例3樹脂A2の合成モノマーとして、モノマーM-A、モノマーM-B及びモノマーM-Cを用い、そのモル比モノマーM-A:モノマーM-B:モノマーM-Cが30:10:60となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のMIK4-メチル-2-ペンタノンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを80°Cで約8時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、メタノールに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量4.6×103の樹脂A2共重合体を収率97で得た。この樹脂A2は、以下の構造単位を有するものである。実施例及び比較例以下の表2の各成分を混合して溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。<樹脂>合成例2~3で得られた樹脂A1、樹脂A2<酸発生剤>酸発生剤B1<塩基性化合物>塩基性化合物C1:ジイソプロピルアニリンクエンチャーC1:2,6-ジイソプロピルアニリン塩基性化合物C2:テトラnブチルアンモニウムサリチラート<溶剤E>D1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート400.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル150.0部γ-ブチロラクトン5.0部電子線用レジスト組成物としての評価シリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて90°Cで60秒処理し、表2のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が0.04μmとなるようにスピンコートした。レジスト組成物塗布後は、ダイレクトホットプレート上にて、表2の温度で60秒間プリベークPBした。得られた各ウェハー、電子線描画機株日立製作所製のHL-800D50keVを用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。露光後は、ホットプレート上にて表2の温度で60秒間ポストエキスポジャーベークPEBを行った。さらに2.38重量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。各レジスト膜において、50nm幅のラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量を実効感度とした。解像度評価:実効感度において、レジストパターンを走査電子顕微鏡で観察し、50nmを解像しているものを○、50nmを解像していいない、もしくは、解像しているが、トップが丸いか、裾引きがあるか、パターン倒れが観察されるものは×とした。その結果を表3に示す。本レジスト組成物実施例1および2は、優れた解像度でレジストパターンを製造することができた。一方、比較例1のレジスト組成物では、得られたレジストパターンが不良であった。"