電子ビーム装置を使用した、製造された基板上に点在するホットスポット領域の自動検査方法であって、前記電子ビーム装置の視界を移動させて、前記移動する視界が前記基板上のターゲット領域を覆うように、スワス経路に沿って前記基板を保持する段を移動させることと、前記移動する視界内の前記ホットスポット領域の軸外イメージングを行うことと、を含む、方法。前記移動する視野内のホットスポット領域の数を決定することと、前記移動する視界内の前記ホットスポット領域の数に基づいて、前記段の移動の速さを調整することと、をさらに含む、請求項1に記載の方法。前記移動する視野内の前記ホットスポット領域を撮像する順序を決定することと、前記決定された順序で前記移動する視野内の前記ホットスポット領域を撮像することと、をさらに含む、請求項1に記載の方法。前記スワス経路が事前に決定され、前記段が前記スワス経路に沿って連続的に移動する、請求項1に記載の方法。前記段の移動が軸外イメージング中には停止しない、請求項4に記載の方法。前記スワス経路がラスタパターンを含み、前記段の移動が前記ラスタパターンの各線の端部で回転する、請求項4に記載の方法。製造された基板上の点在する領域を検査する電子ビーム装置であって、1次電子ビームを生成する電子源と、前記1次電子ビームを前記基板の表面に集束させるように構成されているレンズ系と、前記基板から照射される点在する電子を検出するように構成されている検出器と、前記基板を保持して、前記1次電子ビームをうけて前記基板を制御可能に移動させるように構成されている段と、前記電子ビーム装置の視界を移動させて、前記移動する視界が前記基板上のターゲット領域を覆うように、スワス経路に沿った前記基板を保持する段の移動を制御し、かつ前記移動する視界内のホットスポット領域の軸外イメージングを制御するように構成されているシステム制御装置と、を備える、電子ビーム装置。前記システム制御装置が、前記移動する視界内の前記ホットスポット領域の数を決定し、かつ前記移動する視界内の前記ホットスポット領域の数に基づいて、前記段の移動の速さを調整するように構成されている、請求項7に記載の装置。前記システム制御装置がまた、前記移動する視界内の前記ホットスポット領域を撮像する順序を決定し、かつ前記決定された順序で前記移動する視野内の前記ホットスポットを走査するように構成されている、請求項7に記載の装置。前記スワス経路が事前に決定され、前記段が前記スワス経路に沿って連続的に移動する、請求項7に記載の装置。前記段の移動が軸外イメージング中には停止しない、請求項10に記載の装置。前記スワス経路がラスタパターンを含み、前記段の移動が前記ラスタパターンの各線の端部で回転する、請求項10に記載の装置。製造された基板上の多数のホットスポットを検査する速さを上げることが、非常に望ましい。一実施形態は、電子ビーム装置を使用した、製造された基板上に点在するホットスポット領域の自動検査方法に関する。電子ビーム装置の視界を移動させて、その移動する視界が基板上のターゲット領域を覆うように、基板を保持する段がスワス経路swathpathに沿って移動する。移動する視界内のホットスポット領域の軸外イメージンが行われる。移動する視界内のホットスポット領域の数を決定することが可能であり、移動する視界内のホットスポット領域の数に基づいて、段移動の速さを調整することが可能である。別の実施形態は、製造された基板上の点在する領域を検査する電子ビーム装置に関する。この装置は、少なくとも1つの電子源と、レンズ系と、検出器と、段と、システム制御装置とを含む。電子源は、1次電子ビームを生成するように構成されている。レンズ系は、1次電子ビームを基板の表面に集束させるように構成されている。検出器は、基板から照射される点在する電子を検出するように構成されている。段は、基板を保持して、1次電子ビームをうけて基板を制御可能に移動させるように構成されている。システム制御装置は、電子ビーム装置の視界を移動させて、その移動する視界が基板上のターゲット領域を覆うように、スワス経路に沿った基板を保持する段の移動を制御するように構成されている。システム制御装置はまた、移動する視界内のホットスポット領域の軸外イメージングを制御するように構成されている。他の実施形態、態様および特徴もまた、開示されている。添付の図面が必ずしも一定の比率であるというわけではないことに注意されたい。これら図面は、本開示の発明を理解しやくする説明のために提供されている。図1は、半導体ウエハ上のダイ102のアレイにおける点在するホットスポット領域104の仮定的一例の平面図を示す説明のための図である。図1の一例は説明を簡略化するために6つのダイを有する1つのアレイを示しているが、実際の半導体ウエハは、当然ながら、通常6つ以上のダイを有する。図示されているように、ホットスポット領域各々は、Xで印を付けられている104は、ウエハ上のさまざまな位置に点在する可能性がある。一実施例では、ホットスポット領域が、設計データおよび/または以前の検査結果に基づいて、ユーザによって手動で選択可能である。図2は、点在するホットスポット領域を検査する従来の方法200のフローチャートである。この方法200では、電子ビーム検査装置の視界FOVをホットスポット領域の中央に置くように、ウエハを保持する段が移動する。その後、段の移動が停止する204、ついで、ホットスポット領域の軸上イメージングe-ビーム走査206を行う。ついで、ホットスポット領域が撮像されるウエハにあるかどうかに関する決定208を行うことができる。撮像されるホットスポット領域がさらにある場合、ついで、方法200は戻り、段が移動して202、撮像される次のホットスポット領域の中央に置かれる。撮像されるホットスポット領域がない場合、ついで、このウエハのホットスポット走査が終了する210。図3は、図2について図1の仮定的一例に適用されるように、点在するホットスポット領域を検査する従来の方法を示す図である。図示されているように、段が移動して304、中心軸走査FOV302はホットスポット領域104の中心に置かれるように、中心軸走査FOV302を再配置する。中心軸FOV302のサイズは、撮像装置の仕様および性能によって制限され、特に、たとえば検出器アレイの画素サイズおよび画素数によって制限される。その後、段は停止し、FOV302内のホットスポット領域104を電子ビーム撮像装置によって撮像する。ついで、段が移動し304、FOV302が次のホットスポット領域104の中心に置かれるように、FOV302を再配置する。段は再び停止し、FOV302内のホットスポット領域104を電子ビーム撮像装置によって撮像する。以降、すべてのホットスポット領域が撮像されるまで続けられる。出願人は、上記の従来のホットスポットの走査技術に伴う欠点および不利な点を確認している。特に、検査員がホットスポット領域にわたって電子ビームを走査せずに画像情報を得る場合、従来の技術には、相当なむだ時間がある。相当なむだ時間は、以下によるものである:a段を停止させるために段を減速させ、段を再び移動させるために段を加速させるのにかかる時間、およびb段をホットスポット領域間で移動させるのにかかる時間。このむだ時間は、段の最大加速度および急加速段の質量に結びつけられているにより、あまり短縮することができない。それを考慮すると、全検査時間は、むだ時間に走査時間を加えたものに等しい。特定の例では、むだ時間は全検査時間の30~40と同じ程度となる可能性がある。本出願は、時間ごとに検査されるホットスポットの数に関して、そのスループットを著しく増加させることが可能な自動電子ビーム検査工具を用いて、点在する多数のホットスポット領域を検査する方法および装置を開示している。さらに後述するように、ターゲット基板の可変速度の帯状化swathingおよび軸外走査を使用して、特定の状況下でターゲット基板上のホットスポットをより急速に走査することができる。図4は、本発明の一実施形態による点在するホットスポット領域を検査する方法400のフローチャートである。図示されているように、この方法400では、段が経路に沿って連続的に移動する402。たとえば、e-ビーム装置のFOVがターゲット基板領域を覆うように、経路は、たとえばラスタースキャンパターンに続く経路などの所定経路であってもよい。この連続移動によって、ホットスポットの撮像前に段移動を完全に停止させ、ホットスポットの撮像後にさらにスタンドから段を再加速させるのに必要なむだ時間が、有利にも低減する。さらに図示されているように、方法400は、移動するFOV内のホットスポット領域の数を決定する404。これは、ホットスポットのいくつかがFOVから抜け出るとともに他のホットスポットがFOVに入るために変化する動的な数である。FOVが一定の領域を有していてもよいので、この数は、FOV内におけるホットスポットの密度に線形に対応する。ホットスポットの数または密度に基づいて、方法400は、所定経路に沿った段移動の速さを動的に調整する406。一般に、FOV内のより多くの数または密度のホットスポットに対して段速度は低減し、FOV内のより少ない数または密度のホットスポットに対して段速度は増加する。ホットスポット密度が高い場合、この動的な速度調節には、FOV内のさまざまなホットスポットを軸外走査するために充分な時間が与えられる。一方、ホットスポット密度が低い場合、この動的な速度調節によって、FOVがその経路部分を通って走行する時間が低減するその一方で、その中のホットスポットのまばらな集合を走査することがなお可能である。ホットスポット密度の関数として、段速度スワス速度がどのように動的に変化し得るかの一例を、図6に関して後述する。本発明の一実施形態によると、FOV内の任意のホットスポット領域を、軸外しイメージング軸外e-ビーム走査によって撮像することができる。ホットスポット領域の軸外イメージングのために、e-ビーム装置のFOVは、ホットスポット領域の中央に置かれていない。換言すれば、電子ビームの柱の光軸は、ホットスポット領域内にあるように配置されていない。複数のホットスポット領域が移動するFOV内にある場合、ついで、ホットスポット領域を走査する順序もまた、この方法400において決定される408。FOV内の複数のホットスポット領域を走査する順序の一例を、図7に関して後述する。ホットスポット領域の軸外しイメージングによって、結果として走査されたデータにおける異常が増加する可能性があるが、出願人は、場合によっては、より高い検査装置のスループットが要求される場合、全検査時間の減少によってこの欠点が補って余りあると考えている。FOVを各ホットスポット領域の中央に置いた後に段移動を停止させ、そのホットスポット領域が撮像された後で段移動を再加速させる必要がないために、全検査時間は実質的に減少することができる。図5は、図4について図1の仮定的一例に適用されるように、点在するホットスポット領域を検査する方法を示す図である。図4に関して前述したように、段は、スワス経路504に沿って連続的に移動する402ので、軸外偏向FOV502がターゲットウエハ領域を覆う。なお、軸外偏向FOV502は、装置の撮像性能たとえば検出器アレイの画素サイズおよび画素数に結びつけられず、したがって、従来の方法300の中心軸走査FOV302よりも50~100倍またはそれを超えるの大きさであってもよい。図5の例示的一例では、軸外偏向FOV502は単一のダイ102のサイズであるが、軸外偏向FOV502はダイのサイズに結びつけられる必要はなく、電子ビーム装置の軸外イメージングの性能に依存していてもよい。図示されている例示的なスワス経路504は、線を有するスワスパターンまたはラスタパターンであり、その線は、領域が隙間なく覆われるようにその寸法がFOV502の幅以下の間隔を置いて配置されている。1つ以上のホットスポットが同時にFOV502に存在するように、FOV502の寸法は、ホットスポット104の密度に対して十分に大きくてもよい。図示されているように、段移動は、そのパターンの各線の端部で回転してもよい。FOV502が移動して帯状化されてターゲット基板の領域を覆うので、ホットスポット104は、FOV502に入ったり出たりして移動する。図4に関して上述したように、段移動の速さスワス速度は、移動するFOV502内のホットスポットの数に基づいて動的に調整されることができる406。FOV502内の例示的なホットスポット密度に対応するスワス速度のプロファイルを、図6に関して以下に述べる。少なくともホットスポット領域がFOV502内に存在する場合、ついで、ホットスポット領域の軸外イメージングe-ビーム走査410を行うことができる。軸外イメージングの性質は、図2および図3に関して上述した方法とは異なり、ホットスポット領域のイメージングが行われる前にFOV502が各ホットスポット領域の中央に置かれるように移動しないという事実に関連する。むしろ、FOV502の中心は、ターゲット領域にわたりFOVを走査するために、スワス経路504に沿った状態を維持する。図4に関して上述したように、複数のホットスポット領域がFOV502内にある場合、ついで、FOV502内のホットスポットを撮像するために順序を決定する408。いくつかのホットスポットを有するFOV502に対してホットスポット領域を撮像する順序を決定する一例を、図7に関して以下にさらに述べる。図6は、本発明の一実施形態による、FOV内におけるホットスポットの密度602と対応する段位置の関数としてのスワス速度のプロファイルの一例を示す。図示されているように、低いスワス速度速さは高いホットスポット密度に対応し、高いスワス速度は低いホットスポット密度に対応する。たとえば、点614での比較的低い速さは、点612での比較的高いホットスポット密度に対応する。別の例として、点622でのゼロのホットスポット密度は、点624での最大速さに対応する。図7は、本発明の一実施形態による、視界内のホットスポットを走査する順序を示す概略図である。この図は、例示的な時点FOVスナップショット702での軸外偏向FOV502の拡大図である。この例では、FOVスナップショット702がホットスポット領域704として示されている。4つのホットスポット領域704に隣接する数字は、例示的な順序を示しており、この順序において、FOVスナップショット702内のホットスポットを撮像することができる電子ビームによって走査する。この例示的な順序で、ホットスポット番号1が走査され、ついで番号2、そして番号3、ついで番号4が走査される。たとえば、ホットスポット番号1は、順序が1番目であると決定することができる。というのは、そのホットスポットが、移動するFOVから最初に出ることになっているからである。ホットスポット番号2は、順序が2番目であると決定することができる。というのは、そのホットスポットが、移動するFOVから2番目に出ることになっているからである。ホットスポット番号3は、順序が3番目であると決定することができる。というのは、そのホットスポットが、移動するFOVから3番目に出ることになっているからである。最後に、ホットスポット番号4は、順序が4番目であると決定することができる。というのは、そのホットスポットが、移動するFOVから4番目に出ることになっているからである。換言すると、この例では、ホットスポット番号nは、順序がn番目であると決定することができる。というのは、そのホットスポットが、移動するFOVからn番目に出ることになっているからである。図8は、本発明の一実施形態による自動欠陥検査のために構成される走査型電子ビームe-ビーム装置の概略横断面図である。図示されているように、eビーム装置は、電子銃802および電子ビーム柱電子柱810を含む。電子銃802では、電子エミッタ803が電子の発生源であり、銃レンズ804が放射された電子を集束して電子ビームを形成する。ビーム制限開口部805が、柱の光軸801に沿って電子銃802から出て電子柱810に入るビームの大きさを制限するために利用されてもよい。電子柱810では、ターゲット半導体ウエハまたは他のターゲット基板816を照射する所望のビーム電流を選択するために、柱ビーム-電流選択開口部812を使用してもよい。走査型偏向器813が、制御可能にウエハ818の領域にわたりビームを走査たとえばラスタ走査するために構成されてもよい。走査制御装置846が、走査型偏向器813に連結されてもよく、かつ上記の偏向を制御するのに使用されてもよい。対物レンズ814が、制御可能に偏向したビームをウエハ816上に集束するように構成されている。半導体製造工程の一部として、欠陥の自動検査および/または再検査、あるいは臨界寸法の自動測定のために、可動式基板ホルダ818がウエハ816を保持し、電子柱810の下にウエハ816を搬送する移動させるように構成されてもよい。検出器832は、2次電子および/またはバック信号電子を検出するように配置される。検出器832に連結されているデータ処理システム848を使用して、分析用の有用な画像を形成することができるように検出データを記憶して処理する。この装置は、システム制御装置840をさらに含む。システム制御装置840は、処理装置、実行可能な命令およびデータ用の記憶装置、および他のさまざまな構成要素を含んでいてもよい。システム制御装置840は、走査制御装置846、データ処理システム848、および他のさまざまな装置の構成要素さまざまなレンズなどのための電圧源または電流源などに連通可能に連結されていてもよい。データ処理システム848は、処理装置、実行可能な命令およびデータ用記憶装置、および他のさまざまな構成要素を含んでいてもよい。上記記載において、本発明の実施形態を完全に理解するために、数多くの具体的な詳述がなされている。しかし、本発明の図示された実施形態に関する上記の記載は、網羅的であることを意図するものではなく、あるいは本発明を開示されている厳密な形態に制限することを意図するものではない。当業者であれば、本発明は、特定の詳細のうちの1つ以上を用いず、または、他の方法や構成要素などによって実施されることができることを理解するであろう。他の例では、本発明の態様を不明確にすることを避けるために、よく知られた構造物または操作を示さず、あるいは詳細に記載していない。説明の便宜上、本発明の特定の実施形態および実施例が、本願明細書において記載されているが、当業者が理解するであろうために、さまざまな同等の改変が本発明の範囲内で可能である。上述の詳細な記載を考慮して、これらの改変が本発明になされてもよい。以下のクレームにおいて使用される用語は、本発明を明細書およびクレームで開示されている特定の実施形態に制限すると解釈されるべきではない。むしろ、本発明の範囲は、以下のクレームによって定義されることとなり、以下のクレームは確立したクレーム解釈の原則に従っていると解釈されるであろう。