少なくとも、基板と、前記基板上に形成された多層膜と、前記多層膜の上部に形成された吸収体パターンと、前記基板の裏面に形成された導電膜とを有するEUVマスクの製造方法であって、a前記基板を準備する工程と、b前記基板上に、第1の多層膜を被着する工程と、c前記工程bの後、前記基板に対して欠陥検査を行う工程と、d前記欠陥検査の結果、欠陥が見出された場合は、前記欠陥が凹状欠陥であるか、凸状欠陥であるか、またはそれらの双方が混在する欠陥であるかを判定する工程と、e前記欠陥が、前記凹状欠陥と前記凸状欠陥との混在欠陥である場合は、それらの欠陥の大小関係を判定する工程と、f前記工程dおよび前記工程eの判定結果に応じて成膜方法を変えながら、前記第1の多層膜の上部に第2の多層膜を被着する工程と、g前記第2の多層膜の上部に前記吸収体パターンを形成し、前記基板の裏面に前記導電膜を形成する工程と、を含むことを特徴とするEUVマスクの製造方法。前記欠陥が凹状欠陥である場合は、コンフォーマル法による成膜方法を用いて、前記第1の多層膜の上部に第2の多層膜を被着し、前記欠陥が凸状欠陥である場合は、スムージング法による成膜方法を用いて、前記第1の多層膜の上部に第2の多層膜を被着することを特徴とする請求項1記載のEUVマスクの製造方法。前記コンフォーマル法による成膜方法は、ターゲット材料を前記基板に対して斜め方向から入射させる斜め堆積スパッタリング法であり、前記スムージング法による成膜方法は、前記ターゲット材料を前記基板に対して垂直に入射させるスパッタリング法であることを特徴とする請求項2記載のEUVマスクの製造方法。前記欠陥が前記凹状欠陥と前記凸状欠陥との混在欠陥であり、かつ、前記混在欠陥中の最大の欠陥が前記凹状欠陥である場合は、まず、前記コンフォーマル法による成膜方法を用いて、前記第1の多層膜の上部に前記第2の多層膜を被着し、次に、前記スムージング法による成膜方法を用いて、前記第2の多層膜の上部にさらに前記第2の多層膜を被着することを特徴とする請求項1記載のEUVマスクの製造方法。前記欠陥が前記凹状欠陥と前記凸状欠陥との混在欠陥であり、かつ、前記混在欠陥中の最大の欠陥が前記凸状欠陥である場合は、まず、前記スムージング法による成膜方法を用いて、前記第1の多層膜の上部に前記第2の多層膜を被着し、次に、前記コンフォーマル法による成膜方法を用いて、前記第2の多層膜の上部にさらに前記第2の多層膜を被着することを特徴とする請求項1記載のEUVマスクの製造方法。前記工程dでは、欠陥検査装置のフォーカスを変化させることにより、前記欠陥が存在する箇所における信号強度の変化を測定し、前記信号強度が極大となる前記フォーカスの位置に基づいて前記欠陥の種類を判定することを特徴とする請求項1記載のEUVマスクの製造方法。前記工程eでは、前記工程dで測定した前記信号強度に基づいて、前記欠陥の大小関係を判定することを特徴とする請求項6記載のEUVマスクの製造方法。前記工程cで行った前記欠陥検査の結果、前記欠陥が見出された場合は、前記工程fに先立って、加熱処理を行い、露光光に対する前記第1の多層膜の反射率を低下させることを特徴とする請求項1記載のEUVマスクの製造方法。前記第1および第2の多層膜は、Mo膜とSi膜とを交互に複数層積層した多層膜であることを特徴とする請求項1記載のEUVマスクの製造方法。EUVマスクの基板石英基板、低熱膨張ガラス基板上に単純にEUV光反射膜としての多層膜を形成する場合のみならず、多層膜の下層に平坦化のための膜を被着形成する場合においても、欠陥が凹状ピットであるか凸状バンプであるかによって、その上部に被着された多層膜の表面形状が異なってくる。すなわち、欠陥が凸状であれば、例えばスムージング法による成膜方法を利用することによって、欠陥の上部に被着される多層膜の表面を平坦化できるが、逆に欠陥が凹状である場合は、この方法を利用すると、むしろ欠陥が拡大してしまう。他方、欠陥が凹状であれば、例えばコンフォーマル法による成膜方法を利用することによって、欠陥の上部に被着される多層膜の表面を平坦化できるが、逆に欠陥が凸状である場合は、この方法を利用すると、むしろ欠陥が拡大してしまう。この様子を図2に示す。図2aは、スムージング法による成膜方法を利用して多層膜を被着したときの概略断面図であり、図2bは、コンフォーマル法による成膜方法を利用して多層膜を被着したときの概略断面図である。図中の符号11は基板、12は多層膜、13は凸状欠陥、14は凹状欠陥をそれぞれ示している。凸状欠陥13が存在する場合、図には基板11の表面が部分的に盛り上がっているように示されているが、これは模式的なものであり、実際には基板11の上にパーティクルが乗っている場合が大半である。その場合においても、凸状欠陥13の上部に被着される多層膜12の表面形状は、基板11の表面自体が部分的に盛り上がっている場合と同じような傾向になる。このように、EUVマスクに生じた位相欠陥を修正する従来方法は、同一基板に凸状欠陥と凹状欠陥とが混在する場合も含めて、不十分なものであった。そのため、基板に位相欠陥が生じた場合は、現状では、一旦被着した多層膜を剥離して基板表面の研磨や洗浄を行った後、再度多層膜を被着して検査を行う必要があることから、マスク製造工程が煩雑となっている。また、このようにして欠陥を修正した場合でも、基板表面の研磨を行う際などに新たな欠陥が発生することが多々あることから、マスクの製造歩留まりが低いという問題も生じている。特に、EUVマスクの基板材料である低熱膨張ガラスは、材料コストが高いだけでなく、非常に高い平坦度が要求されるため、EUVマスクは、非常に高価なものとなっている。本発明の目的は、欠陥の無いEUVマスクを歩留り良く、簡便に作製する技術を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうち、代表的なものの一態様を簡単に説明すれば、次のとおりである。本発明の一態様であるEUVマスクの製造方法は、a前記基板を準備する工程と、b前記基板上に、第1の多層膜を被着する工程と、c前記工程bの後、前記基板に対して欠陥検査を行う工程と、d前記欠陥検査の結果、欠陥が見出された場合は、前記欠陥が凹状欠陥であるか、凸状欠陥であるか、またはそれらの双方が混在する欠陥であるかを判定する工程と、e前記欠陥が、前記凹状欠陥と前記凸状欠陥との混在欠陥である場合は、それらの欠陥の大小関係を判定する工程と、f前記工程dおよび前記工程eの判定結果に応じて成膜方法を変えながら、前記第1の多層膜の上部に第2の多層膜を被着する工程と、g前記第2の多層膜の上部に前記吸収体パターンを形成し、前記基板の裏面に前記導電膜を形成する工程と、を含んでいる。本願において開示される発明のうち、代表的なものの一実施の形態によって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。欠陥の無いEUVマスクを歩留り良く、簡便に作製することができる。EUVマスクを使って集積回路パターンを転写する半導体集積回路装置の製造歩留りを向上させることができる。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、実施の形態では、特に必要なときを除き、同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。さらに、実施の形態を説明する図面においては、構成を分かり易くするために、断面図であってもハッチングを省略する場合がある。本発明の実施の形態であるEUVマスクの製造方法について、図1プロセスフロー図、および図3~図5主要工程におけるマスクブランクの要部断面図を参照しながら説明する。まず、通常の方法で研磨および洗浄を行った基板を準備し工程S1、この基板の上部に多層膜を被着する工程S2。ここでは、基板として、低熱膨張ガラス基板を使用したが、石英ガラスなど、他の材料からなる基板を使用してもよい。また、多層膜として、Mo膜とSi膜とを交互に40層ずつ積層したものを使用したが、これに限定されるものではなく、例えばMo膜とSi膜とを交互に50層~60層ずつ積層したものを使用してもよい。さらに、多層膜の材料は、露光波長に応じてMoやSi以外のものを使用することもできる。次に、上記多層膜の上部にSi膜、Ru膜あるいはCr膜などからなるキャッピング層を形成した後、位相欠陥検査工程S3を行って位相欠陥の有無を調べ、欠陥があった場合には、その位置情報を記憶しておく。ここでは、位相欠陥検査の方法として、露光光と同一波長の光波長13.5nmのEUV光を用いる暗視野検査法を採用した。暗視野検査法は、位相欠陥検査感度が高いだけでなく、その信号強度が欠陥のボリュームと相関が取れるという特長を有している。なお、位相欠陥検査の他の方法として、例えば遠紫外光を用いた光検査法を採用することもできる。上記位相欠陥検査の結果、欠陥が見出されなかった場合は、キャッピング層の上部に通常の方法で吸収体層を被着し工程S4、続いて、基板の裏面に導電膜を被着する工程S5ことにより、マスクブランクの作製が完了する工程S20。なお、導電膜の被着後、マスクブランクの表面にレジストを塗布することでマスクブランクの作製が完了する場合もある。ここでは、吸収体層としてTaBN膜を使用するが、露光光を十分に減光、遮光できるものであれば、他の材料、例えばTaN膜やWN膜などを使用することもできる。また、吸収体層を被着した後、その表面に酸化改質処理などを施し、パターン検査用の遠紫外光に対する反射率特性を調整しておくことが望ましい。さらに、必要に応じてキャッピング層と吸収体層との間に、パターン欠陥修正時における多層膜の保護を目的としたバッファ層を形成してもよい。基板の裏面の導電膜は、マスクを静電吸着方式で露光装置のマスクステージに吸着させるためのものである。ここでは、導電膜としてCr膜またはCrN膜を使用するが、これらに限定されるものではない。また、導電膜を被着する際は、マスクブランクに要求される平坦度が得られるように、膜の応力を調整しておく。一方、上記位相欠陥検査工程S3の結果、欠陥が見出された場合は、その欠陥が凹状ピット欠陥であるか、凸状バンプ欠陥であるかの判定を行う工程S6。具体的には、欠陥検査装置のフォーカスを変化させることによって、欠陥箇所における検査信号強度の変化を測定し、この検査信号強度が極大となるフォーカス位置に基づいて欠陥の種類を判定する。この検査方法は、非接触検査であるために好ましいが、これ以外の方法、例えば原子間力顕微鏡を用いた吸収体パターン28の修正などを行う際に、下層の多層膜24などにダメージを与えたり、コンタミネーションを付着させたりするのを防ぐバリア層であり、吸収体パターン28が形成されていない反射面上のバッファ層27は、マスク製造工程の最終段階で除去される。但し、EB修正などが用いられる場合は、このバッファ層27バリア層を省略することもできる。図示は省略するが、吸収体パターン28の表面には、酸化処理などによって半導体欠陥検査が高感度にできるよう、波長が250nm付近あるいは193nm付近の欠陥検査光に対する反射率を抑えた膜が形成されている。このように、本実施の形態によれば、欠陥の無いEUVマスクを歩留り良く、簡便に作製することができるので、EUVマスクの製造コストを低減することができる。これにより、EUVマスクを使って集積回路パターンを転写する半導体集積回路装置の製造歩留りを向上させることができる。以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。