有機レジストが表面に形成されたアルミニウム化合物基板を真空チャンバ内に配置し、炭化水素を含むプラズマを形成するための有機部材を前記真空チャンバ内に配置し、エッチングガスを前記真空チャンバ内に導入し、前記真空チャンバ内に、前記炭化水素を含むプラズマを形成することで、前記有機レジストをマスクとして前記基板の表面をエッチングする基板エッチング方法。請求項1に記載の基板エッチング方法であって、前記エッチングガスは、塩素系ガスを含む基板エッチング方法。有機レジストが表面に形成されたアルミニウム化合物基板を真空チャンバ内に配置し、炭化水素を含むプラズマを形成するためのガスを前記真空チャンバ内に導入し、前記真空チャンバ内に、前記炭化水素を含むプラズマを形成することで、前記有機レジストをマスクとして前記基板の表面をエッチングする基板エッチング方法。請求項3に記載の基板エッチング方法であって、前記炭化水素を含むプラズマを形成する工程は、フルオロカーボン系またはフルオロハイドロカーボン系のエッチングガスと水素または炭化水素系ガスとの混合ガスのプラズマを形成する工程を含む基板エッチング方法。請求項1又は3に記載の基板エッチング方法であって、前記基板は、酸化アルミニウム基板または窒化アルミニウム基板である基板エッチング方法。有機レジストが表面に形成されたサファイア基板を真空チャンバ内に配置し、炭化水素を含むプラズマを形成するための炭化水素源を前記真空チャンバの内部に導入または配置し、前記真空チャンバ内に、前記炭化水素を含むプラズマを形成することで、前記有機レジストをマスクとして前記基板の表面をエッチングするサファイア基板の製造方法。しかしながら、エッチングガスとして塩素系ガスを用いるドライエッチングにおいては、レジスト層に対するサファイア基板のエッチングレートの比エッチング選択比が低く、エッチング加工量の倍以上の厚みのレジスト層を基板上に形成する必要があった。また、レジスト層の厚みが増大することで、レジスト層の露光精度が低下し、微細なレジストパターンを精度よく形成することが困難であった。以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、有機レジストに対する基板のエッチング選択性を高めることができる基板エッチング方法およびサファイア基板の製造方法を提供することにある。上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る基板エッチング方法は、有機レジストが表面に形成されたアルミニウム化合物基板を真空チャンバ内に配置する工程を含む。上記真空チャンバ内に、炭化水素を含むプラズマを形成するための有機部材が配置される。上記真空チャンバ内に、エッチングガスが導入される。上記真空チャンバ内に、上記炭化水素を含むプラズマを形成することで、上記有機レジストをマスクとして上記基板の表面がエッチングされる。本発明の他の形態に係る基板エッチング方法は、有機レジストが表面に形成されたアルミニウム化合物基板を真空チャンバ内に配置する工程を含む。上記真空チャンバ内に、炭化水素を含むプラズマを形成するためのガスが導入される。前記真空チャンバ内に、上記炭化水素を含むプラズマを形成することで、上記有機レジストをマスクとして上記基板の表面がエッチングされる。また、上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るサファイア基板の製造方法は、有機レジストが表面に形成されたサファイア基板を真空チャンバ内に配置する工程を含む。上記真空チャンバの内部に、炭化水素を含むプラズマを形成するための炭化水素源が導入または配置される。上記真空チャンバ内に、上記炭化水素を含むプラズマを形成することで、上記有機レジストをマスクとして上記基板の表面がエッチングされる。本発明の一実施形態に係る基板エッチング方法は、有機レジストが表面に形成されたアルミニウム化合物基板を真空チャンバ内に配置する工程を含む。上記真空チャンバの内部に、炭化水素を含むプラズマを形成するための炭化水素源が導入または配置される。上記真空チャンバ内に、上記炭化水素を含むプラズマを形成することで、上記有機レジストをマスクとして上記基板の表面がエッチングされる。上記基板エッチング方法は、炭化水素を含むプラズマの形成により、アルミニウム化合物基板のエッチングを進行させる。その一方で、上記基板エッチング方法は、プラズマによって生成された、炭化水素源に由来する上記炭化水素系の反応物をレジスト上に堆積させることで、プラズマによるレジストのエッチングの進行を抑制する。したがって、上記基板エッチング方法によれば、レジストのエッチングレートを低下させることができるので、レジストに対する基板のエッチング選択性を高めることができ、レジストを厚く形成せずとも、基板の表面に微細な凹凸パターンを形成することができる。上記基板の構成材料であるアルミニウム化合物には、サファイア等のアルミニウム酸化物、アルミニウム窒化物などが含まれる。上記炭化水素を含むプラズマは、上記真空チャンバの内部に導入、配置または形成された炭化水素源の存在下で形成されたエッチングガスのプラズマである。真空チャンバの内部に導入される炭化水素源には、気体の有機物質が含まれる。真空チャンバの内部に配置された炭化水素源には、バルク状固体の有機物質と、真空チャンバの内壁面や各種構成部品防着板、ステージなどに形成された有機膜が含まれる。これにより、基板のエッチング時、エッチングガスのプラズマにより、上記有機物質から炭化水素系の反応物を生成することができる。上記エッチングガスとしては、Cl2、BCl3などの塩素系ガスを用いることができる。プラズマにより形成された塩素系ラジカルは基板表面と反応し、AlCl等の揮発性物質を生成させる。一方、炭化水素系の反応物CxHyx、yは自然数は、揮発せずに基板上に堆積しつつ、プラズマ中のイオンによるスパッタ作用で基板表面から除去される。以上の過程が継続されることで、レジストをエッチングから保護しつつ、基板のエッチングを進行させることができる。上記炭化水素を含むプラズマは、塩素系のエッチングガスと水素または炭化水素系ガスとの混合ガスのプラズマで形成されてもよい。あるいは、上記炭化水素を含むプラズマは、フルオロカーボン系またはフルオロハイドロカーボン系のエッチングガスと水素または炭化水素系ガスとの混合ガスのプラズマで形成されてもよい。本発明の一実施形態に係るサファイア基板の製造方法は、有機レジストが表面に形成されたサファイア基板を真空チャンバ内に配置する工程を含む。上記真空チャンバの内部に、炭化水素を含むプラズマを形成するための炭化水素源が導入または配置される。上記真空チャンバ内に、上記炭化水素を含むプラズマを形成することで、上記有機レジストをマスクとして上記基板の表面がエッチングされる。上記サファイア基板の製造方法によれば、レジストのエッチングレートを低下させることができるので、レジストに対する基板のエッチング選択性を高めることができる。これにより、レジストの厚みを低減できるとともに、表面に微細な凹凸パターンが形成されたサファイア基板を製造することができる。以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。<第1の実施形態>図1は、本発明の第1の実施形態に係るエッチング装置の構成構成図である。本実施形態のエッチング装置1は、真空チャンバ10を有する。真空チャンバ10は、真空ポンプ15に接続されており、内部が所定の圧力に減圧されることが可能である。真空チャンバ10の内部には、基板Sを支持するステージ11と、ステージ11と対向するように真空チャンバ10の上壁に配置された対向電極12とが設置されている。さらに、真空チャンバ10の内部へエッチングガスエッチャントを導入するためのガス導入管13が、真空チャンバ10に接続されている。エッチングガスには例えば塩素系ガスが用いられ、本実施形態では、BCl2がメインガスとして用いられる。ステージ11は接地電位に接続されており、対向電極12は、ブロッキングコンデンサ21を介して高周波電源22に接続されている。対向電極12は、高周波電源22から所定周波数例えば13.56MHzの高周波電力が印加されることでステージ11と容量結合し、エッチングガスのプラズマPを形成する。なお、プラズマPは、上述の容量結合型プラズマCCP:CapacitiveCoupledPlasmaに限られず、例えば対向電極12の代わりに高周波コイルアンテナを設置した、誘導結合型プラズマICP:InductiveCoupledPlasmaであってもよい。基板Sは、アルミニウム酸化物、アルミニウム窒化物等のアルミニウム化合物で形成され、本実施形態では、基板Sには、LEDLightEmittingDiode基板としてサファイア基板が用いられる。基板Sの表面には、所定形状にパターニングされた、有機材料からなるレジストRが形成されている。レジストRは、基板Sの表面にドット状、ストライプ状等の所定の凹凸パターンを形成するためのエッチングマスクとして機能する。また、真空チャンバ10の内部には、防着板14が配置されている。防着板14は、ステージ11と対向電極12との間のプラズマ形成空間の周囲を囲むように設置され、真空チャンバ10の内壁面へのエッチング反応物の付着を防止する。そして、本実施形態のエッチング装置1は、プラズマPの形成空間に面する位置に配置された有機部材31を有する。図1に示す例では、有機部材31は、ステージ11の上面に配置され、基板Sの周囲を囲む環状に形成されている。なお、有機部材31は、環状に形成される場合に限られず、基板Sの周囲の複数箇所に分割して配置されてもよい。有機部材31の構成材料としては、種々の樹脂材料を用いることができ、例えば、ポリイミドPIやポリテトラフルオロエチレンPTFE、ポリ尿素などが用いられる。また、レジストRと同種の有機物質で形成されたバルクあるいは成形体が、有機部材31として用いられてもよい。有機部材31は、後述するように、炭化水素を含むプラズマPを形成するための炭化水素源として用いられる。次に、上記エッチング装置1を用いた基板Sのエッチング方法について説明する。所定形状にパターニングされたレジストRを表面に有する基板Sがステージ11の上面に設置された後、真空チャンバ10は、真空ポンプ15の駆動により所定の圧力例えば5.0×10E-3Pa~5×10E-4Paに減圧される。そして、ガス導入管13を介して真空チャンバ10の内部にエッチングガスBCl3が導入される。一方、高周波電源22により対向電極12へ高周波電力が印加されることで、真空チャンバ10の内部にエッチングガスのプラズマPが形成される。プラズマにより形成されたエッチングガスのラジカルは、レジストRによって被覆されていない基板Sの表面と反応し、AlCl、BO等の揮発性物質を生成させる。反応式は以下のとおりである。BCl3Al2O3→AlCl↑BO↑...1これにより、レジストRをエッチングマスクとする基板Sのエッチングが進行する。一方、プラズマPに含まれるイオンは、ステージ11に向かってバイアスされ、基板Sの表面をスパッタする。このとき、レジストRもまたイオンによりスパッタされることでエッチングされる。本実施形態のエッチング装置1においては、ステージ11の上面に有機部材31が配置されている。有機部材31は、プラズマPの形成空間に臨むように配置されることで、基板Sと同様にプラズマPによるアタックを受けてスパッタされ、そのスパッタ粒子がプラズマPによって分解される。したがって、プラズマPには、有機部材31の分解生成物である炭化水素系の反応物CxHyx、yは自然数が含まれることになる。炭化水素系の反応物は、揮発せずに基板Sの表面に堆積しつつ、プラズマ中のイオンによるスパッタ作用で基板Sの表面から除去される。一方、上記炭化水素系の反応物は、レジストRの表面にも堆積するため、レジストRのエッチングの進行を抑制する保護膜として機能する。これにより、レジストRのエッチングレートを低下させることができるので、レジストRに対する基板Sのエッチング選択性を高めることができ、レジストRを厚く形成せずとも、表面に微細な凹凸パターンが形成されたサファイア基板を製造することができる。なお、プラズマPによって生成される炭化水素反応物は、有機部材31に由来する炭化水素成分のみならずレジストRに由来する炭化水素成分も含まれる。本実施形態では、炭化水素源である有機部材31をレジストRとは別に設けることで、炭化水素反応物の生成量を増加させて、レジストRの保護機能を得るようにしている。図3は、基板Sのエッチングレート及びレジストRに対するエッチング選択比基板のエッチングレート/レジストのエッチングレートとの関係を示す一実験結果であり、Aは有機部材31があるときの実験結果、Bは有機部材31がないときの実験結果をそれぞれ示す。このときの実験条件としては、BCl3の流量が30sccm、プロセス圧力が0.5Pa、アンテナパワーが600W、バイアスパワーが60Wである。エッチングレート及び選択比は、有機部材31が無いときに比べて、有機部材31が有るときの方がいずれも高い。エッチングレートが向上する理由は、BCl3のBによる還元作用によりAl2O3のOが抜かれるが、同様にCでも同じ効果が得られることによる。エッチング選択比の向上率の理由は、有機部材31を由来とする炭化水素系の反応物によって、レジストRのエッチングレートが低下したことによる。以上のように、本実施形態によれば、レジストRの厚みを大きくすることなく、基板Sの表面に所望の凹凸パターンを形成することができる。これにより、レジスト塗布工程を簡素化できるとともに、レジスト材の材料コストを削減することができる。また、レジストRの厚みを低減できることで、露光条件の調整が容易になり、これにより露光精度の向上が図れるようになる。さらに、パターン精度の優れたレジストRを基板Sの表面に形成できるため、基板Sの表面に微細な凹凸パターンを高精度に形成することができる。これにより、デバイスの性能を向上させることができる。炭化水素源としての有機部材31は、独立した部材で構成される場合に限られず、真空チャンバ10内の構成部品の表面に形成された有機膜などであってもよい。図2に、プラズマPの形成空間に対向する防着板14の内面に、炭化水素源としての有機膜32を形成したエッチング装置2の構成例を示す。この構成例によっても図1を参照して説明した実施形態と同様な作用効果を得ることができる。<第2の実施形態>図4は、本発明の第2の実施形態に係るエッチング装置3の概略構成図である。図において、上述の第1の実施形態と対応する部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。本実施形態のエッチング装置3においては、エッチングガスとして、塩素系ガスと炭化水素系ガスとの混合ガスが用いられる。特に本実施形態では、塩素系ガスとしてBCl3が用いられ、炭化水素系ガスとしてメタンCH4が用いられる。炭化水素系ガスは、炭化水素を含むプラズマPを形成するための炭化水素源として用いられる。塩素系ガス及び炭化水素系ガスは、各々所定の流量に制御されてガス導入管13を介して真空チャンバ10内へ導入される。エッチング装置3は、対向電極12に高周波電力を印加することで、導入されたエッチングガスのプラズマを形成する。これにより、ステージ11上に配置された基板Sが、レジストRをマスクとしてエッチングされる。上記エッチングガスBCl3CH4と基板Sとの間の反応は、典型的には以下のとおりである。Al2O3BCl3CH4→AlCl↑BO↑CO↑CxHy↓...22式の反応生成物において、AlCl、BO及びCOは揮発し、CxHyは揮発せずに基板S上に堆積する。基板S上の炭化水素系反応物CxHyは、レジストRのエッチングの進行を抑制する保護膜として機能し、レジストRのエッチングレートを低下させる。これにより、レジストRに対する基板Sのエッチング選択性を高めることができる。図5は、エッチングガスBCl3CH4に対するCH4の割合とエッチングレート及びエッチング選択比との関係を示す一実験結果である。このときの実験条件としては、ガスの総流量が30sccm、プロセス圧力が0.5Pa、アンテナパワーが200W、バイアスパワーが40Wである。図5に示すように、エッチングガス中のCH4の割合が増加するにつれて、レジストRに対する基板Sのエッチング選択比は向上する一方、エッチングレートは低下することが確認された。これは、炭化水素系反応物CxHyの生成量の増加により、レジストRの保護効果が高まる反面、基板S上の反応物CxHyのスパッタによる除去効率が低下するためであると考えられる。図5の結果から、レジストRの保護の実効性と生産性を考慮したとき、エッチングガスBCl3CH4に対するCH4の割合は、10以上50以下とすることができる。本実施形態においても、上述の第1の実施形態と同様な作用効果を得ることができる。すなわち本実施形態によれば、レジストRの厚みを大きくすることなく、基板Sの表面に所望の凹凸パターンを形成することができる。これにより、レジスト塗布工程を簡素化できるとともに、レジスト材の材料コストを削減することができる。また、レジストRの厚みを低減できることで、露光条件の調整が容易になり、これにより露光精度の向上が図れるようになる。さらに、パターン精度の優れたレジストRを基板Sの表面に形成できるため、基板Sの表面に微細な凹凸パターンを高精度に形成することができる。これにより、デバイスの性能を向上させることができる。<第3の実施形態>続いて、本発明の第3の実施形態について説明する。本実施形態では、第2の実施形態と同様に、図4に示したエッチング装置3が用いられる。本実施形態では、エッチングガスとして、フルオロハイドロカーボン系ガスと水素H2との混合ガスが用いられる。フルオロハイドロカーボン系ガスとしては、CHF3、CH2F2、CH3Fなどが挙げられ、本実施形態ではCHF3が用いられる。上記各ガスは、エッチングガスとしてだけでなく、炭化水素を含むプラズマPを形成するための炭化水素源として用いられる。フルオロハイドロカーボン系ガス及び水素は、各々所定の流量に制御されてガス導入管13を介して真空チャンバ10内へ導入される。エッチング装置3は、対向電極12に高周波電力を印加することで、導入されたエッチングガスのプラズマを形成する。これにより、ステージ11上に配置された基板Sが、レジストRをマスクとしてエッチングされる。上記エッチングガスCHF3H2と基板Sとの間の反応は、典型的には以下のとおりである。Al2O3CHF3H2→AlF↓CO↑CxHy↓...33式の反応生成物において、COは揮発し、AlF、CxHyは揮発せずに基板S上に堆積する。プラズマ中のイオンは、基板S上のAlFをスパッタ除去することで、基板Sのエッチングを進行させる。また、基板S上の炭化水素系反応物CxHyは、レジストRのエッチングの進行を抑制する保護膜として機能し、レジストRのエッチングレートを低下させる。これにより、レジストRに対する基板Sのエッチング選択性を高めることができる。図6は、エッチングガスCHF3H2のH2の流量sccmとエッチングレート及びエッチング選択比との関係を示す一実験結果である。このときの実験条件としては、CHF3の流量が50sccm、プロセス圧力が0.3Pa、アンテナパワーが350W、バイアスパワーが250Wである。図6に示すように、エッチングガス中のH2の割合が増加するにつれて、レジストRに対する基板Sのエッチング選択比は向上する一方、エッチングレートは低下することが確認された。これは、炭化水素系反応物CxHyの生成量の増加により、レジストRの保護効果が高まる反面、基板S上の反応物CxHyのスパッタによる除去効率が低下するためであると考えられる。図6の結果から、レジストRの保護の実効性と生産性を考慮したとき、H2の流量は、20sccm以上40sccm以下とすることができる。また、エッチングガスCHF3H2に対するH2の割合は、10以上50以下とすることができる。本実施形態においても、上述の第1の実施形態と同様な作用効果を得ることができる。すなわち本実施形態によれば、レジストRの厚みを大きくすることなく、基板Sの表面に所望の凹凸パターンを形成することができる。これにより、レジスト塗布工程を簡素化できるとともに、レジスト材の材料コストを削減することができる。また、レジストRの厚みを低減できることで、露光条件の調整が容易になり、これにより露光精度の向上が図れるようになる。さらに、パターン精度の優れたレジストRを基板Sの表面に形成できるため、基板Sの表面に微細な凹凸パターンを高精度に形成することができる。これにより、デバイスの性能を向上させることができる。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。例えば以上の第1の実施形態では、炭化水素源としての有機部材31、32をステージ11の上面あるいは防着板14の内面にそれぞれ形成したが、有機部材の配置例は上記の例に限定されない。例えば、プラズマ形成空間に露出する真空チャンバの内面、対向電極を固定する固定部周辺、さらには、基板Sをトレイに載せてステージ上に載置する場合には当該トレイの表面に、上記有機部材が配置あるいは形成されてもよい。また、以上の第2の実施形態では、エッチングガスとして塩素系ガスと炭化水素系ガスとの混合ガスを用いたが、塩素系ガスと水素との混合ガスでエッチングガスを構成してもよい。同様に、以上の第3の実施形態では、エッチングガスとしてフルオロハイドロカーボン系ガスと水素との混合ガスを用いたが、フルオロハイドロカーボン系ガスに代えてフルオロカーボン系ガスCF4、C3F8、C4F8などを、水素に代えて炭化水素系ガスCH4などを用いてもよい。これらのエッチングガスによっても、上述と同様の効果を得ることができる。