"光リソグラフィパターニング用のマスクであって、不透明な不透明部分と、前記不透明部分の幅方向の両側に隣接し、透過する光の位相をシフトする、透明な第一及び第二の位相シフト部分と、前記第一及び第二の位相シフト部分の前記幅方向の外側に隣接し、透過する光の位相をシフトしない、透明な非位相シフト部分と、を備えるマスク。前記第一及び第二の位相シフト部分はそれぞれ、前記第一及び第二の位相シフト部分を透過する光が、前記非位相シフト部分を透過する光の位相と180度ずれるような厚さを有する、請求項1に記載のマスク。前記第一及び第二の位相シフト部分は、前記非位相シフト部分の厚さより小さい厚さを有する、請求項1に記載のマスク。ガラス媒体をさらに備え、前記不透明部分は、前記ガラス媒体の表面の一部の上に形成された不透明材料の層を有し、前記第一及び第二の位相シフト部分は、前記ガラス媒体の前記第一及び第二の位相シフト部分における厚さが、前記ガラス媒体の前記非位相シフト部分における厚さより小さくなるように、前記ガラス媒体に設けられた陥凹部を有する、請求項1に記載のマスク。石英媒体をさらに備え、前記不透明部分は、前記石英媒体の表面の一部の上に形成された不透明材料の層を有し、前記第一及び第二の位相シフト部分は、前記石英媒体の前記第一及び第二の位相シフト部分における厚さが、前記石英媒体の前記非位相シフト部分における厚さより小さくなるように、前記石英媒体に設けられた陥凹部を有する、請求項1に記載のマスク。前記不透明部分は、磁気書き込みヘッドの書き込み磁極の形状である、請求項1に記載のマスク。前記第一及び第二の位相シフト部分はそれぞれ、幅が0.05λ-0.60λであり、λは露光波長である、請求項1に記載のマスク。前記第一及び第二の位相シフト部分はそれぞれ、幅が約0.20λであり、λは露光波長である、請求項1に記載のマスク。フォトリソグラフィによってウェハ表面をパターニングするためのマスクであって、透明媒体と、前記透明媒体に形成された、透過する光の位相をシフトする帯状の位相シフト部分と、前記透明媒体に形成された、前記位相シフト部分の幅方向の両側に隣接する、透過する光の位相をシフトしない非位相シフト部分と、を含むマスク。前記位相シフト部分が、前記透明媒体にエッチングにより形成された陥凹部を有する、請求項9に記載のマスク。前記位相シフト部分の幅が0.2λから0.7λであり、λは露光波長である、請求項9に記載のマスク。前記位相シフト部分の幅が0.40λであり、λは露光波長である、請求項9に記載のマスク。前記透明媒体はガラスを含む、請求項9に記載のマスク。前記透明媒体は石英を含む、請求項9に記載のマスク。前記位相シフト部分は、書き込み磁極の極先端領域を画定する、請求項9に記載のマスク。光リソグラフィパターニング用のマスクであって、第一の領域と、第二の領域と、を含み、前記第一の領域は、不透明な不透明部分と、前記不透明部分の幅方向の両側に隣接し、透過する光の位相をシフトする、透明な第一及び第二の位相シフト部分と、前記第一及び第二の位相シフト部分の前記幅方向の外側に隣接し、透過する光の位相をシフトしない、透明な非位相シフト部分と、を備え、前記第二の領域は、透過する光の位相をシフトする帯状の位相シフト部分と、前記位相シフト部分の幅方向の両側に隣接する、透過する光の位相をシフトしない非位相シフト部分と、を備え、前記第一の領域の前記不透明部分の幅が、前記第二の領域の前記位相シフト部分の幅より大きい、ことを特徴とするマスク。ウェハの表面をパターニングする方法であって、前記ウェハを提供するステップと、前記ウェハ上にフォトレジストの層を堆積させるステップと、マスクを使って前記フォトレジストを光リソグラフィによりパターニングするステップと、を含み、前記マスクは、不透明な不透明部分と、前記不透明部分の幅方向の両側に隣接し、透過する光の位相をシフトする、透明な第一及び第二の位相シフト部分と、前記第一及び第二の位相シフト部分の前記幅方向の外側に隣接し、透過する光の位相をシフトしない、透明な非位相シフト部分と、を備える、ことを特徴とする方法。請求項17に記載の方法であって、前記フォトレジストを堆積させるステップの前に、書き込み磁極の材料を堆積させるステップをさらに含み、前記書き込み磁極の材料の層上に形成された前記フォトレジストを光リソグラフィによってパターニングするステップの後に、イオンミリングを実行して、前記書き込み磁極の材料のうち、前記マスクにより保護されていない部分を除去するステップをさらに含む方法。ウェハの表面をパターニングする方法であって、前記ウェハを提供するステップと、前記ウェハ上にフォトレジストの層を堆積させるステップと、マスクを使って前記フォトレジストを光リソグラフィによってパターニングするステップと、を含み、前記マスクは、透明媒体と、前記透明媒体に形成された、透過する光の位相をシフトする帯状の位相シフト部分と、前記透明媒体に形成された、前記位相シフト部分の幅方向の両側に隣接する、透過する光の位相をシフトしない非位相シフト部分と、を備える、ことを特徴とする方法。請求項19に記載の方法であって、前記フォトレジストを堆積させるステップの前に、書き込み磁極の材料を堆積させるステップをさらに含み、前記書き込み磁極の材料の層上に形成された前記フォトレジストを光リソグラフィによってパターニングするステップの後に、イオンミリングを実行して、前記書き込み磁極の材料のうち、前記マスクによって保護されていない部分を除去するステップをさらに含む方法。本発明は、光リソグラフィによるパターニングのためのマスクを提供する。マスクは、第一と第二の側を有する不透明部分と、不透明部分の第一と第二の側に形成された第一と第二の透明な位相シフトのための領域と、第一と第二の位相シフトのための部分を越えて延在する透明な、非位相シフト領域とを含む。本発明の別の態様において、マスクは、透明媒体と、透明媒体に形成された、位相シフト領域と、位相シフト領域に直接隣接する、非位相シフト領域と、を含み、位相シフト領域と非位相シフト領域の間の推移によって、マスクに不透明特徴部を設けることなく、ウェハ上に特徴部をパターニングできる。本発明に係るマスクを用いれば、ウェハ上に対称パターンが生成され、また、位相シフト技術を利用して、ウェハ上に非常に小さい特徴部をパターニングすることができる。新規な位相シフト技術を利用することにより、位相シフト技術で、ウェハ上に複数の方向に変化する特徴部、たとえばフレア領域を有する書き込み極等を形成することも可能となる。一貫して類似の参照符号によって類似の構成要素を示されている図面とあわせた好ましい実施形態についての以下の詳細な説明を読むことによって、本発明のこれらのおよびその他の特徴および利点が明らかになる。本発明の性質および利点ならびに好ましい使用形態を更に完全に理解するために、添付の図面とあわせた以下の詳細な説明を参照することが望ましい。以下の説明は、現時点で考えられる発明実施の最適な実施形態についての説明である。この説明は、本発明の原則を例示する目的でなされており、本明細書に記載の発明概念を限定することは意図していない。図1を参照すると、本発明を具現化したディスクドライブ100が示されている。図1に示されるように、少なくとも1つの回転可能磁気ディスク112が、スピンドル114に支えられ、ディスク駆動モータ118によって回転される。各ディスク上における磁気記録は、磁気ディスク112上における同心円状のデータトラック不図示の環状パターンの形態をとる。少なくとも1つのスライダ113が、磁気ディスク112の近くに位置決めされ、各スライダ113は、1つまたは2つ以上の磁気ヘッドアセンブリ121を支える。磁気ディスクの回転とともに、スライダ113は、所望のデータを書き込まれた磁気ディスク上の異なるトラックに磁気ヘッドアセンブリ121がアクセスできるように、ディスク表面122の上方を径方向に行き来する。各スライダ113は、サスペンション115によってアクチュエータアーム119に取り付けられる。サスペンション115は、スライダ113をディスク表面122に対して付勢する僅かなスプリング力を提供する。各アクチュエータアーム119は、アクチュエータ手段127に取り付けられる。図1に示されるようなアクチュエータ手段127は、ヴォイスコイルモータVCMであってよい。VCMは、固定磁界内を移動可能なコイルを含み、コイルの移動の方向および速度は、コントローラ129によって供給されるモータ電流信号によって制御される。ディスクストレージシステムの動作時において、磁気ディスク112の回転は、スライダに押し上げ力または持ち上げ力を及ぼすエアベアリングを、スライダ113とディスク表面122との間に生成する。エアベアリングは、したがって、通常動作時において、サスペンション115の僅かなスプリング力と打ち消しあい、実質一定の小間隔だけディスク表面から離れた僅か上方においてスライダ113を支える。ディスクストレージシステムの各種の構成要素は、動作時に、制御ユニット129によって生成されるアクセス制御信号および内部クロック信号などの制御信号によって制御される。通常、制御ユニット129は、論理制御回路、ストレージ手段、およびマイクロプロセッサを含む。制御ユニット129は、ライン123に載せる駆動モータ制御信号およびライン128に載せるヘッド位置決め及び探索制御信号などの、各種のシステム動作を制御するための制御信号を生成する。ライン128に載せる制御信号は、スライダ113をディスク112上の所望のデータトラックに最適に移動させて位置決めするための所望の電流プロフィールを提供する。書き込みヘッドおよび読み取りヘッド121との間では、記録チャネル125を通じて書き込み信号および読み取り信号がやり取りされる。図2を参照すると、スライダ113内の磁気ヘッド121の向きを詳細に確認することができる。図2はスライダ113のABSを示しており、誘導書き込みヘッドと読み取りヘッドを含む磁気ヘッドがスライダのトレーリングエッジに配置されているのが分かる。典型的な磁気ディスクストレージシステムに関する上記説明と添付した図1は、例示にすぎない。ディスクストレージシステムがディスクとアクチュエータを多数含むことができること、そして各アクチュエータが複数のスライダをサポートできることは明らかである。ここで、図3を参照すると、本発明を磁気ヘッド302に具現化することができる。磁気ヘッド302は、読み取りヘッド304と書き込みヘッド306とを含む。読み取りヘッド304は磁気抵抗センサ308を含み、これはGMR、TMRまたはその他のタイプのセンサであってもよい。磁気抵抗センサ308は、第一と第二の磁気シールド310、312の間に位置づけられる。書き込みヘッド306は、書き込み磁極314と戻り磁極316とを有する。書き込み極314は、磁気シェイピング層320の上に形成することができ、磁気バックギャップ層318は、エアベアリング面ABSから離れた領域で、書き込み極314とシェイピング層320を戻り極316に磁気的に接続する。書き込みコイル322図3Aでは断面が示されているは、書き込み極とシェイピング層314、320および戻り極316の間を通り、書き込み極314とシェイピング層320の上も通ってよい。書き込みコイル322は螺旋コイルであってもよく、あるいは、1つまたは複数のパンケーキコイルであってもよい。書き込みコイル322は、絶縁層324の上に形成することができ、アルミナおよび/またはハードベークされたフォトレジスト等のコイル絶縁層326に埋め込んでもよい。動作中、電流が書き込みコイル322の中を流れると、結果として得られる磁界によって、磁束が戻り極316、バックギャップ318、シェイピング層320、書き込み極314へと流れる。これによって、書き込み磁界が書き込み極314の先端から磁気媒体332に向かって放出される。書き込み極314は、ABSでの断面が戻り極316のABSでの断面よりはるかに小さい。したがって、書き込み極314から放出される磁界は十分に高密度で強力であり、磁気媒体332の硬磁性上層330にデータビットを書き込むことができる。磁束は次に、軟磁性下地層334を通って流れ、戻り極316に戻り、ここでは、磁束が十分に散開されて弱いゆえに、書き込み極314によって記録されたデータビットを消去することがない。磁気台座336を、エアベアリング面ABSに設置し、戻り極316に取り付けて、書き込みコイル322の下側ヘッドからの漂遊磁界が、媒体332に記録された磁気信号に影響を与えるのを防止する。書き込み磁界の勾配を増大させるため、したがって、書き込みヘッド306のデータ書き込み速度を増大させるために、トレーリングラップアラウンド磁気シールド338を設けることができる。トレーリングラップアラウンド磁気シールド338は、非磁性トレーリングギャップ層339によって書き込み極から分離される。トレーリングシールド338は書き込み極314からの磁界を引き付け、それによって書き込み極314から放出される磁界の角度を若干傾斜させる。このように書き込み磁界が傾斜することで、磁界勾配の増大によって書き込み磁界の極性を切り替えることのできる速度が増大する。トレーリング戻り磁極340を設置して、トレーリングシールド338と磁気的に連結することができる。したがって、トレーリング戻り極340は、トレーリング磁気シールド338を書き込みヘッド306の裏部分、たとえばシェイピング層320の後端およびバックギャップ層318に磁気的に連結できる。磁気トレーリングシールドはまた、第二の戻り極であり、磁束が媒体332を取って、戻り極316へと伝導されることに加え、磁束はまた、媒体332を通ってトレーリング戻り極340にも流れる。トレーリング磁気シールド338は、非磁性トレーリングギャップ層342によって書き込み極314から分離され、このトレーリングギャップ層はコイル322の上側部分を書き込み極314から分離するのにも使用することができる。トレーリンクギャップ層342は、アルミナ、Ruまたはその他の非磁性材料等の材料で構成することができ、厚さは、書き込み磁界勾配を十分に増大させ、同時にトレーリングシールド338への書き込み電界の損失を最小限にするように選択される。図4は、書き込み極314を上から見た図である。図からわかるように、書き込み極は、これがエアベアリング面ABSまで延び、そこで終わる狭い極先端部402と、フレア部406と、狭い極先端部402とフレア部406の間でフレア地点404を画定する接合部を有する。極先端部402は、相互に略平行で、ABSに垂直な辺410を有する。したがって、極先端部402は、ABSからフレア部404まで、ほぼ一定の幅を有する。しかしながら、フレア部406は、相互に平行でなく、ABSに関して、たとえば30~60度の角度を形成するように広がる辺408を有する。したがって、フレア部406の幅は一定でなく、ABSからの距離が大きくなるにつれて増大する。書き込み極314の極先端部402の幅たとえば、辺410の間の距離等は、磁気書き込みヘッドのトラック幅を規定する主要なパラメータの1つである。前述のように、磁気記録システムのデータ密度を高めるためには、このトラック幅を小さくしなければならない。書き込み極314の製造には、特定の光リソグラフィによるパターニングとイオンミリング作業または反応イオンエッチング工程がかかわる。一般に、書き込み極の材料の層たとえば、磁気モーメントの高い磁性材料と薄い非磁性層の積層体をフルフィルムとして堆積させる。次に、書き込み極材料の上にマスクを形成し、このマスクは通常、所望の書き込み極の形状を有する。その後、イオンミリング等の材料除去工程を行い、書き込み極材料のうちのマスクによって保護されていない部分を除去して、書き込み極を画定する。現在、マスク形成に用いられる光リソグラフィ工程の分解能限界は、書き込み極のトラック幅の幅が従来のバイナリマスクではそれ以上削減できないところに到達している。この例は、図5を参照するとわかる。図5において、基板502は、書き込み極積層材料504によって覆われている。フォトレジスト層506を書き込み磁極層504の上に堆積させる。次に、マスク構造508を用いて、フォトレジスト層506をパターニングする。マスク構造508は、ガラス510等の透明基板と、不透明のマスク材料Cr等512を含み、マスク材料には光が通過できる開口部514が形成され、光は矢印516によって示される。このように、マスク508は、フォトレジスト506の選択された部分を露光させることにより、フォトレジスト層506をパターニングできる。ネガティブフォトレジストを使用する場合は、開口部514は、フォトレジスト506の除去するほうのパターンを画定するように構成することができる。次に、パターニングの後、フォトレジストの露光部分を除去し、図6、図7に示されるようなフォトレジストマスクが残る。図7は、図6の線7-7の視点から見たときの、図6の示される構造を上から見た図である。イオンミリングを実行し、図8に示されるように、磁性材料504の部分を除去することができる。残りのレジスト506は、その後、はがすことができる。上記の工程は書き込み極を形成することができるが、ある分解能に関する固有の限界により、書き込み極のトラック幅を削減できる量が制限される。図9は、ウェハ全体を通じたマスク508の開口部514から放出される光の振幅を示すグラフである。線902は、左側開口部514aからの光の振幅を示し、左の開口部は右側開口部514b図5からの光を表す。図からわかるように、光が当たる領域と光が当たらない領域の間の遷移は明確で急峻なものではなく、露光が減衰するような状態を含む。図10は、左側開口部514aと右側開口部514b図5からの光の露光を複合した状態の振幅を示す。これは、図9の線902、904を重ねたものとして見ることができ、レジスト層506が受ける光の振幅である。図10からわかるように、線1002は、ウェハのある部分の複合された光全体の強度を示し、中央領域1004は、本来は光があるべきでなく、ウェハのトラック幅を規定する部分であるが、実際には大量の光がある。これは、言うまでもなく容認できないことであり、トラック幅が非常に小さい場合はより顕著となる。図11は、上記のように光が重複されることによる効果を軽減するために使用できる位相シフトマスク1102を示す。図11に示すマスク構造1102は、図5のマスク構造508に似ているが、開口部の1つたとえば、514bがこれに連結された位相シフト層1104を有する点が異なる。この位相シフト層1104は、光がそこを通過する期間をシフトさせ、開口部514bからの光がもう一方の開口部514aから放出される光と180度位相がずれるようにする、透明の耐火性材料である。この光の振幅が図12のグラフによって表されており、線1202は、左側開口部514aからの光の振幅を示し、線1204は、右側開口部514bから放出される光を示す。図のように、これらの異なる開口部514aと514bからの光の振幅は、大きさは同じ絶対値であるが、相互に反対である。この光を重ねて絶対値で示すと図13の線1302のようになり、ここで、光の磯を反対にすると、遷移がはるかに鮮明となり、書き込み極の領域において、所望のゼロ振幅が得られる。しかしながら、上述のような位相シフト方式は、書き込み極等の構造を形成する上では有利でない。たとえば、前述のように、書き込み極にはフレア部がある。書き込み極の片側を、書き込み極の反対側をパターニングする光と180度位相のずれた光でパターニングすると、書き込み極のフレア部は非対称となる可能性がある。さらに、この位相シフトは、等断面の中心線を実際にシフトさせてしまい、狭い書き込み極先端部の焦点が合わなくなることがある。そこで、この位相シフト技術を、極先端部の幅が一定なだけでなく、図4に関して前述したフレア部も有する磁気書き込み手段を画定するために、どのように実装できるかが問題となる。本発明はこの問題を解決し、位相シフト技術を、フレア領域と一定幅の極先端領域の両方を有する書き込み極の構成に使用することを可能にする。図14、図15は、本発明の一実施形態に係る新規な位相シフトマスクを示す。図14は、マスク1402の一部の断面図図15の線14-14の視点で見た図であり、図15は、マスク1402を上から見た図図14の線15-15の視点で見た図である。図14に示されているように、マスクは、ガラス等の材料で構成される透明媒体1401を有する。1402は、その中心に示されている不透明部分1404を有する。この不透明部分は、Cr等の不透明材料1408の層を有し、これは図15に示されているように、所望の書き込み極のパターンの形状で構成される。マスク1402はまた、不透明部分1404の各側に、第一と第二の透明な位相シフト部分1410を有し、位相シフト部分1410を越えて、非位相シフされない部分1412を有する。図からわかるように、図14、図15において、位相シフト部分1410と非位相シフト部分1412は、不透明層1408によって画定される、書き込み極画定不透明部分1408に関して対称である。これは、有利な点として、書き込み極のフレア部が非対称になるのを防止し、また有利な点として、極先端部のシフトを防止する。位相シフト部分1410の幅は、それぞれ20~80nmまたは約40nmと、比較的狭い不透明部分1404から隣接する非位相シフト部分1412まで測定。図14に関して、透明部分1410、1412を通過する光の位相シフトは、透明媒体たとえば、ガラス1401の厚さを変更することによって実現される。透明媒体1401を通過する光の屈折は、それが通過する媒体の厚さに応じて、媒体1401を通過する光の位相をシフトする。したがって、部分1410を部分1412よりはるかに薄くすることによって、薄い部分1410を通過する光の位相を、より厚い部分1412の位相と180度ずらすことができる。このように薄い部分1410と厚い部分1412を有するマスクを構成する方法について、以下に詳しく説明する。図16は、書き込み極が形成されることになるトラック幅領域におけるウェハでの光の強度プロファイルをグラフで示す。線1602は、ウェハに当たる光の強度を示す。図のように、位相シフト部分1410図14、図15により、光強度プロファイル1602は、所望の書き込み極トラック幅の位置縁辺において、急峻なプロファイル1604を示している。強度プロファイル1602はまた、強度が0に近い平坦な底部1606も含んでいる。図17、図18は、本発明の別の実施形態に係るマスク構造1702を示す。この実施形態では、位相シフトだけで書き込み極の極先端部が画定されるため、この構造の画定には不透明材料が不要である。不透明材料部分で画定される唯一の部分は、書き込みヘッドの、より大きなフレア領域である。図18は、マスク構造1702を上から見た図であり、図17は、極先端領域の線17-17から見たマスク構造1702の断面図である。図18からわかるように、マスク1702は透明媒体1701を含み、その中には外側の非位相シフト領域1706より厚さの薄い、中央に位置する位相シフト部1704がある。位相シフト領域の幅は、20~80nmまたは約60nmである。前述の実施形態と同様に、このように領域1704の厚さが薄いことにより、そこを通過する光を厚い領域1706を通過する光に関してシフトさせる。異なる位相間の遷移は、中央に位置する位相シフト部1704に対応する領域におけるウェハの光強度が急激に低下する。このようなウェハの光強度の急激な減少は図19に示されており、線1902はウェハの光強度を示す。図からわかるように、位相シフトの結果、非常に急峻な側壁1904と平坦でなく、丸みを帯びた底部1906ができる。再び図18を参照すると、Cr等の不透明層1802は、光がマスク1702のフレア領域に対応するウェハの部分に当たらないようにするために、書き込み極画定マスク1702の、より大きなフレア部分に必要となる。これは、光強度の急峻な低下を単独で生じさせる100透過位相シフトの使用は、書き込み極の極先端領域を画定する場合など、狭い構造についてのみ可能である。次に図20~図26を参照し、図14、図15に関して説明したようなマスクを構成する方法を説明する。特に図20を参照し、ガラス2002のような透明基板を提供する。Cr2004のような不透明材料の層をガラス2002の上に堆積させる。次に、第一のフォトレジストマスク2006を不透明層2004の上に形成する。フォトレジストマスクを、以下に示すように、ガラス2002の位相シフト領域の位置を決定するように構成された溝2008を有するようにパターニングする。溝2008のパターンは、図21を参照するとよりわかりやすい。次に、図22を参照し、反応イオンエッチングを行って、不透明層2004のうち、フォトレジストマスク2006によって保護されていない部分を除去する。不透明層がCrである場合、反応イオンエッチングはCl2/O2/Heプラズマ化学反応を使って実行できる。次に、石英エッチング等の化学除去工程を実行し、残っている不透明層2004をハードマスクとして使用し、透明層2002の一部を除去する。これにより、図23に示されるような構造が残る。エッチングの程度は、エッチングされた領域の中の、ガラス2002の残りの厚さによって、そこを通る光がエッチングされていない領域を通過する光と180度位相がずれるようになるところまでである。次に、図24、図25を参照し、第二のフォトレジストマスク2402を残りの不透明層の一部に形成する。図のように、第二のフォトレジスト層は、不透明層のうち、完成マスクにおいても残っている部分をカバーし、不透明層のその他の部分はカバーされないままである。図25において,不透明層2004のうち、フォトレジスト層の下の内側部分の端縁は破線で示され、第二のフォトレジストマスクの下に隠れていることを示している。次に、反応イオンエッチングを実行して、不透明部分の不要な部分を除去し、図26の断面図に示されるような構造となる。その後、残っている第二のフォトレジストマスク層2402をはがすことができ、その結果、図14、図15に関して前述したようなマスク構造が残る。図27~図31を参照し、図17、図18に関して説明したマスクを構成するための方法を説明する。特に図27を参照し、ガラスまたは石英のような透明基板2702を提供し、Cr2704のような不透明材料の層を透明基板2702の上に堆積させる。フォトレジストマスク2706を不透明層2704の上に形成し、溝2708が形成されるようにパターニングし、これは、図28を参照するとよりわかりやすい。次に、反応イオンエッチング等の材料除去工程を実行して、不透明層2704のうち、マスク2706により保護されるべき部分を除去し、すると図29に示されているような構造が残る。不透明領域2704がCrの場合、反応イオンエッチングをCl2/O2/Heプラズマ化学反応で実行できる。石英エッチング等、他の材料除去工程によって透明基板2702の溝内の部分を除去し、図30に示されるように、透明基板の中に陥凹部を形成する。前述の実施形態と同様に、透明層2702は、そこを通過する光が透明層2702のくぼんでいない部分を通過する光と180度位相がずれるような量だけ陥没させる。次に、第二のフォトレジストマスク3102を形成して、完成後のマスク構造の中に残る不透明層の部分をカバーする。このフォトレジストマスク3102は、図31において、不透明層2704の上下部分をカバーすることができ、その一方で、不透明層2704の側面部分は保護されないままとする。不透明層2704のうち、フォトレジスト3102の下に隠れている縁辺部は破線で示され、これらがフォトレジスト3102の下に隠れていることを示す。たとえばCl2/O2/Heプラズマ化学等、別の反応イオンエッチングを行って、不透明層2704の保護されていない部分を除去してもよい。その後、フォトレジスト3102をはがすことができ、図17、図18に示されるような構造が残る。特記すべき点として、上記の説明は、磁気書き込みヘッドの磁極の構成に新規な位相シフトマスク技術を使用することに関するものであったが、これは例にすぎない。上記の位相シフト技術は、他のさまざまな光リソグラフィにより画定される2D構造、たとえば、これらに限定されないが、磁気読み取りセンサ/書き込み手段および超小型回路等の形成にも利用可能である。各種の実施形態が上述されてきたが、これらは、限定のためではなく例として示されたものにすぎない。当業者にならば、発明の範囲内に入るその他の実施形態も明らかになるであろう。したがって、発明の広さおよび範囲は、上述されたいかなる例示的実施形態によっても限定されるべきでなく、以下の特許請求の範囲およびそれらの均等物にしたがって定められるべきである。"