相変化メモリPCMセルにアクセスする最終読み出し時刻を特定する段階と、前記最終読み出し時刻に対応付けられた、前記PCMセルのセット閾値電圧情報を特定する段階と、前記PCMセルに対応付けられたリセット閾値電圧ドリフトを特定する段階と、特定した前記最終読み出し時刻、前記セット閾値電圧情報、および前記リセット閾値電圧ドリフトに基づいて、前記PCMセルの初期読み出し時刻を決定する段階と、決定した前記初期読み出し時刻を示す出力信号を生成する段階とを備え、前記最終読み出し時刻および前記初期読み出し時刻は時間ウィンドウを規定し、前記時間ウィンドウの期間外では、第1限界電圧を用いて前記PCMセルにアクセスすることができない方法。前記初期読み出し時刻には、初期リセット閾値電圧情報が対応付けられ、前記PCMセルの前記初期読み出し時刻を決定する前記段階は、前記PCMセルの最終リセット閾値電圧情報を前記最終読み出し時刻に対応付ける段階と、前記セット閾値電圧情報に基づいて、前記PCMセルの初期リセット閾値電圧情報を決定する段階と、前記リセット閾値電圧ドリフトに基づく時間差、および前記最終リセット閾値電圧情報と前記初期リセット閾値電圧情報との差を決定する段階と、決定した前記時間差を前記最終読み出し時刻に適用して、前記初期読み出し時刻を決定する段階とを有する請求項1に記載の方法。前記PCMセルの前記セット閾値電圧情報に基づいて、前記第1限界電圧を決定する段階をさらに備える請求項1に記載の方法。前記初期読み出し時刻より前の第3読み出し時刻を特定する段階と、前記PCMセルに対応付けられたセット閾値電圧ドリフトを特定する段階と、前記第3読み出し時刻、前記セット閾値電圧ドリフト、および前記セット閾値電圧情報に基づいて、前記時間ウィンドウを前へと延長する時間ウィンドウ延長期間を決定する段階とをさらに備え、前記時間ウィンドウ延長期間の間は、前記PCMセルに対するいかなるアクセスにも、第2限界電圧を用いる請求項1に記載の方法。一つ以上のPCMセルのそれぞれについて、前記PCMセルを示す情報と、前記PCMセルに対する最近時のアクセスを示すタイムスタンプとを含むエントリを、経過追跡リストagetrackinglistに記憶する段階と、前記エントリのうちの一つに含まれる前記タイムスタンプから、前記PCMセルに対する前記最近時のアクセスからの経過時間ageが、前記時間ウィンドウ延長期間の長さより長いことを検出する段階と、前記検出に応答して、前記経過追跡リストから前記エントリのうちの前記一つを削除する段階とをさらに備える請求項4に記載の方法。データリフレッシュサイクルから除外すべきPCMセルを、前記経過追跡リストから決定する段階をさらに備える請求項5に記載の方法。前記リフレッシュサイクルでは、一セットのPCMセルを読み出し、前記一セットのPCMセルの前記読み出しから、それぞれがリセット状態にある一サブセットのPCMセルを特定し、前記一サブセットのPCMセルのそれぞれに対してだけ書き込みを実行して、前記一サブセットのPCMセルのそれぞれの前記リセット状態を再アサートする請求項6に記載の方法。コンピュータに、相変化メモリPCMセルにアクセスする最終読み出し時刻を特定する手順と、前記最終読み出し時刻に対応付けられた、前記PCMセルのセット閾値電圧情報を特定する手順と、前記PCMセルに対応付けられたリセット閾値電圧ドリフトを特定する手順と、特定された前記最終読み出し時刻、前記セット閾値電圧情報、および前記リセット閾値電圧ドリフトに基づいて、前記PCMセルの初期読み出し時刻を決定する手順と、決定した前記初期読み出し時刻を示す出力信号を生成する手順とを実行させるためのプログラムであって、前記最終読み出し時刻および前記初期読み出し時刻は時間ウィンドウを規定し、前記時間ウィンドウの期間外では、第1限界電圧を用いて前記PCMセルにアクセスすることができないプログラム。前記初期読み出し時刻には、初期リセット閾値電圧情報が対応付けられ、前記PCMセルの前記初期読み出し時刻を決定する手順は、前記PCMセルの最終リセット閾値電圧情報を前記最終読み出し時刻に対応付ける手順と、前記セット閾値電圧情報に基づいて、前記PCMセルの初期リセット閾値電圧情報を決定する手順と、前記リセット閾値電圧ドリフトに基づく時間差、および前記最終リセット閾値電圧情報と前記初期リセット閾値電圧情報との差を決定する手順と、決定した前記時間差を前記最終読み出し時刻に適用して前記初期読み出し時刻を決定する手順とを有する請求項8に記載のプログラム。コンピュータに、前記PCMセルの前記セット閾値電圧情報に基づいて、前記第1限界電圧を決定する手順をさらに実行させる請求項8に記載のプログラム。コンピュータに、前記初期読み出し時刻より前の第3読み出し時刻を特定する手順と、前記PCMセルに対応付けられたセット閾値電圧ドリフトを特定する手順と、前記第3読み出し時刻、前記セット閾値電圧ドリフト、および前記セット閾値電圧情報に基づいて、前記時間ウィンドウを前へと延長する時間ウィンドウ延長期間を決定する手順とをさらに実行させ、前記時間ウィンドウ延長期間の間は、前記PCMセルに対するいかなるアクセスにも、第2限界電圧を用いる請求項8に記載のプログラム。コンピュータに、一つ以上のPCMセルのそれぞれについて、前記PCMセルを示す情報と、前記PCMセルに対する最近時のアクセスを示すタイムスタンプとを含むエントリを、経過追跡リストagetrackinglistに記憶する手順と、前記エントリのうちの一つに含まれる前記タイムスタンプから、前記一つのエントリの前記PCMセルに対する前記最近時のアクセスからの経過時間ageが、前記時間ウィンドウ延長期間の長さより長いことを検出する手順と、前記検出に応答して、前記経過追跡リストから前記エントリのうちの前記一つを削除する手順とをさらに実行させる請求項11に記載のプログラム。コンピュータに、データリフレッシュサイクルから除外すべきPCMセルを、前記経過追跡リストから決定する手順をさらに実行させる請求項12に記載のプログラム。前記リフレッシュサイクルでは、一セットのPCMセルを読み出し、前記一セットのPCMセルの前記読み出しから、それぞれがリセット状態にある一サブセットのPCMセルを特定し、前記一サブセットのPCMセルのそれぞれに対してだけ書き込みを実行して、前記一サブセットのPCMセルのそれぞれの前記リセット状態を再アサートする請求項13に記載のプログラム。相変化メモリPCMセルにアクセスする最終読み出し時刻を特定する回路と、前記最終読み出し時刻に対応付けられた、前記PCMセルのセット閾値電圧情報を特定する回路と、前記PCMセルに対応付けられたリセット閾値電圧ドリフトを特定する回路と、特定された前記最終読み出し時刻、前記セット閾値電圧情報、および前記リセット閾値電圧ドリフトに基づいて、前記PCMセルの初期読み出し時刻を決定する回路と、決定された前記初期読み出し時刻を示す出力信号を生成する回路とを備え、前記最終読み出し時刻および前記初期読み出し時刻は時間ウィンドウを規定し、前記時間ウィンドウの期間外では、第1限界電圧を用いて前記PCMセルにアクセスすることができない装置。前記初期読み出し時刻には、初期リセット閾値電圧情報が対応付けられ、前記PCMセルの前記初期読み出し時刻を決定する前記回路は、前記PCMセルの最終リセット閾値電圧情報を前記最終読み出し時刻に対応付ける回路と、前記セット閾値電圧情報に基づいて、前記PCMセルの初期リセット閾値電圧情報を決定する回路と、前記リセット閾値電圧ドリフトに基づく時間差、および前記最終リセット閾値電圧情報と前記初期リセット閾値電圧情報との差を決定する回路と、決定された前記時間差を前記最終読み出し時刻に適用して前記初期読み出し時刻を決定する回路とを有する請求項15に記載の装置。前記PCMセルの前記セット閾値電圧情報に基づいて、前記第1限界電圧を決定する回路をさらに備える請求項15に記載の装置。前記初期読み出し時刻より前の第3読み出し時刻を特定する回路と、前記PCMセルに対応付けられたセット閾値電圧ドリフトを特定する回路と、前記第3読み出し時刻、前記セット閾値電圧ドリフト、および前記セット閾値電圧情報に基づいて、前記時間ウィンドウを前へと延長する時間ウィンドウ延長期間を決定する回路とをさらに備え、前記時間ウィンドウ延長期間の間は、前記PCMセルに対するいかなるアクセスにも、第2限界電圧を用いる請求項15に記載の装置。一つ以上のPCMセルのそれぞれについて、前記PCMセルを示す情報と、前記PCMセルに対する最近時のアクセスを示すタイムスタンプとを含むエントリを、経過追跡リストagetrackinglistに記憶する回路と、前記エントリのうちの一つに含まれる前記タイムスタンプから、前記一つのエントリの前記PCMセルに対する前記最近時のアクセスからの経過時間ageが、前記時間ウィンドウ延長期間の長さより長いことを検出する回路と、前記検出に応答して、前記経過追跡リストから前記エントリのうちの前記一つを削除する回路とをさらに備える請求項18に記載の装置。データリフレッシュサイクルから除外すべきPCMセルを、前記経過追跡リストから決定する回路をさらに備える請求項19に記載の装置。図1は、実施形態にしたがってアクセス情報を決定する対象の相変化メモリPCMセル102を含むシステム100の選択要素を示す。システム100は、たとえば、1つ以上の追加的なPCMセル不図示を有するレジスタ、キュー、キャッシュ、アレイ、またはその他のデータ記憶構造を備えてよい。一つの実施形態では、システム100は、PCMセル102の互いに反対側に接続されて、選択的にPCMセル102へのデータの書き込みおよび/またはPCMセル102からのデータの読み出しを可能にするカラム線105およびロウ線130を備える。カラム線105および/またはロウ線130は、それぞれアドレス線と呼んでよく、プログラムもしくは読み出しの間、PCMセル102にアドレッシングするべく所定の線を用いてよい。カラム線105および/またはロウ線130は、特定の一つのPCMセルまたは複数の異なるPCMセルにアクセスする際に、カラム線105および/またはロウ線130を用いるか、もしくはカラム線105および/またはロウ線130をどのように用いるかによって、ビット線および/またはワード線と呼んでもよい。PCMセル102は、たとえば、カラム線105とロウ線130との間の連続的な層に、選択的にPCMセル102を伝導電流から絶縁するオボニック閾値スイッチOTS110と、中間電極115と、特定の記憶データおよびOTS110を表す状態を維持するPCM状態材料120と、下部電極125とを有してよい。PCMセル102は、多様な実施形態において、任意の多様な追加的および/または代替的構造を有してよく、これらの構造は、個々に、または、組み合わされて、本明細書に記載する一つ以上の閾値電圧ドリフト特性を有するPCMセル102を構成する。一つの実施形態では、PCM状態材料120は、相変化材料を含む。相変化材料は、たとえば、熱、光、電圧電位、もしくは電流等のエネルギーの印加により変化しうる電気的特性たとえば、抵抗、容量等を有する材料であってよい。相変化材料の例としては、カルゴゲナイド材料またはオボニック材料が挙げられる。オボニック材料は、電圧電位、電流、光、熱等を印加されたとき、電気的または構造的に変化して半導体として動作する材料であってよい。オボニック材料は、メモリ要素において、または電子スイッチにおいて、用いられうる。カルコゲナイド材料は、周期表の第6列のうち少なくとも一つを含む材料であってよく、または、カルコゲン元素のうち一つ以上、たとえば、テルル、硫黄、もしくはセレニウム元素のうちいずれかを含む材料であってよい。一つの実施形態では、PCM状態材料120は、テルル-ゲルマニウム-アンチモンTexGeySbz材料もしくはGeSbTe合金のクラスのカルコゲナイド元素組成であってよいが、多様な実施形態はこれだけに限定されない。PCM状態材料120は、PCM状態材料120に電気信号を印加して、PCM状態材料120の相を、実質的に結晶質の状態と実質的に非晶質の状態との間で変化させることにより、少なくとも二つのメモリ状態のうち一つにプログラムされてよく、実質的に非晶質の状態におけるPCM状態材料120の抵抗は、実質的に結晶質の状態におけるPCM状態材料120の抵抗よりも高い。PCM状態材料120をプログラムして材料の状態もしくは相を変化させることは、中間電極115および下部電極125に電圧電位を印加することで、PCM状態材料120に電圧電位を発生させることによって実現してよい。印加された電圧電位に反応して電流がPCM状態材料120の一部に流れ、PCM状態材料120が加熱されうる。この加熱とその後の冷却とによって、PCM状態材料120のメモリ状態もしくは相が変化しうる。PCM状態材料120の相もしくは状態を変化させることによって、PCM状態材料120の電気的特性が変化しうる。たとえば、材料の抵抗は、PCM状態材料120の相を変化させることにより変化しうる。PCM状態材料120は、プログラム可能抵抗材料、または、単にプログラム可能材料と呼んでもよい。一つの実施形態では、約3ボルトを電極115に印加し、約ゼロボルトを電極125に印加することにより、約3ボルトの電圧電位差がPCM状態材料120の一部に印加されうる。印加された電圧電位に反応して電流がPCM状態材料120に流れ、PCM状態材料120が加熱されうる。この加熱とその後の冷却とにより、PCM状態材料120の状態もしくは相が変化しうる。セット状態では、PCM状態材料120は、結晶質もしくは半結晶質の状態にあり、リセット状態では、PCM状態材料120の少なくとも一部は、非晶質もしくは半非晶質の状態にある。非晶質もしくは半非晶質の状態にあるPCM状態材料120の抵抗は、結晶質もしくは半結晶質の状態にあるPCM状態材料120の抵抗より高い。リセットおよびセットをそれぞれ非晶質状態および結晶質状態に対応付けるのは慣例であり、少なくとも逆の慣例を採用してもよいことは理解されよう。電流を用いてPCM状態材料120を比較的高い温度に加熱し、PCM状態材料120を非晶質化して、PCM状態材料120をリセットたとえば、PCM状態材料120を論理値0にプログラムしてよい。PCM状態材料120の容積volumeを比較的低い結晶質化温度に加熱することにより、PCM状態材料120は結晶質化され、PCM状態材料120はセットたとえば、PCM状態材料120が論理値1にプログラムされうる。PCM状態材料120の容積を流れる電流の量および期間を変化させることにより、PCM状態材料120の多様な抵抗状態を実現させて、情報を記憶してよい。PCM状態材料120に記憶された情報は、PCM状態材料120の抵抗を測定することにより読み出してよい。例として、電極115および125を用いて、読み出し電圧、たとえば限界demarcation電圧、をPCM状態材料120に供給し、その結果、PCM状態材料120に印加される読み出し電圧を、たとえばセンスアンプ不図示を用いて基準電圧と比較してよい。読み出し電圧は、メモリセルが示す抵抗に比例しうる。したがって、電圧が高いほど、PCM状態材料120は、抵抗状態が比較的に高く、たとえばリセット状態にあり、電圧が低いほど、PCM状態材料120は、抵抗状態が比較的に低く、たとえばセット状態にあるということであってよい。PCM状態材料120をプログラムもしくは読み出す際、OTS110を用いてPCM状態材料120にアクセスしてよい。OTS110は、オボニック材料を含んでよく、オボニック材料に印加される電圧電位の量によってオフまたはオンされるスイッチとして動作する。オフ状態は、電気的に実質的に導通していない状態であり、オン状態は、実質的に導通した状態であってよい。たとえば、OTS110は閾値電圧を有してよく、OTS110の閾値電圧より低い電圧電位がOTS110に印加されると、OTS110はオフ状態もしくは比較的に高い抵抗状態に留まり、メモリセルには、ほぼ、もしくは、全く、電流が流れない。または、OTS110の閾値電圧より高い電圧電位がOTS110に印加されると、OTS110はオンし、つまり、比較的に低い抵抗状態で動作し、メモリセルに電流が流れる。換言すると、OTS110に所定の電圧電位、たとえば閾値電圧より低い電圧が印加されると、OTS110は、電気的に実質的に導通しない状態になるといってよい。OTS110に所定の電圧電位より高い電圧が印加されると、OTS110は、実質的に導通した状態になる。OTS110は、アクセス装置もしくは絶縁装置と呼んでもよい。一つの実施形態では、OTS110は、たとえば、カルコゲナイドもしくはオボニック材料等のスイッチング材料を含み、オボニック閾値スイッチ、または、単にオボニックスイッチと呼んでよい。OTS110のスイッチング材料は、所定の電流もしくは電圧電位の印加により、抵抗が高いオフ状態たとえば、約10メガオームより高いと抵抗が比較的に低いオン状態たとえば、約ゼロオームとの間で、繰り返し、かつ、可逆的に切り替えられる、2つの電極間に配置された実質的に非晶質状態の材料であってよい。本実施形態では、OTS110は、非晶質状態にある相変化メモリ要素に類似した電流-電圧I-V特性を有する二端子装置であってよい。しかし、相変化メモリ要素と異なり、OTS110のスイッチング材料は、相変化しなくてよい。つまり、OTS110のスイッチング材料は、プログラム可能な材料でなくてよく、その結果、OTS110は、情報を記憶することができるメモリ装置でなくてよい。たとえば、OTS110のスイッチング材料は、永久的に非晶質状態であってよく、I-V特性は、動作寿命の全体を通じて不変であってよい。図1bは、所定のPCMセルのセル電流152を、当該PCMセルに印加されるセル電圧154の関数として概念的に示すグラフ150である。より具体的には、グラフ150は、PCMセルのPCM状態材料に印加される電圧範囲において、当該メモリセルのPCM材料が結晶質もしくは半結晶質の状態本明細書ではセット状態と呼ばれるにある場合にセルに流れるセル電流の曲線156を含む。曲線156は、たとえば、PCM状態材料120がセット状態にあるときのPCMセル102の電流導通特性を表してよい。グラフ150は、PCMセルのPCM状態材料に印加される電圧範囲において、当該メモリセルのPCM材料が非晶質もしくは半非晶質の状態本明細書ではリセット状態と呼ばれるにある場合にセルに流れるセル電流の曲線158も含む。曲線158は、たとえば、PCM状態材料120がリセット状態にあるときのPCMセル102の電流導通特性を表してよい。グラフ150に示すように、セル電圧範囲154におけるセット閾値電圧VTH_SET170は、曲線156の屈曲点に対応しており、セット状態のセルである曲線156により表されるメモリセルは、屈曲点において、セル電流が、セル電圧のわずかな変化に対して非常に大きい変化を示し始める。たとえば、PCMセル102に印加される電圧が閾値電圧たとえば、VTH_SET170より低い低電圧モードもしくは低電界モードでは、PCMセル102は、オフもしくは実効的に非導通状態であり、たとえば、約10メガオームより高い、比較的に高い抵抗を示しうる。PCMセル102は、PCMセル102が導通して抵抗が比較的に低いオン状態に切り替わる、たとえばVTH_SET170等の十分な電圧が印加されるまでは、オフ状態にある。約VTH_SET170より高い電圧電位がPCMセル102に印加されると、PCMセル102に流れる電流は、印加される電圧のわずかな変化に対して大きく変化する。同様に、セル電圧範囲154におけるリセット閾値電圧VTH_RESET180は、曲線158の屈曲点に対応しており、リセット状態のセルである曲線158により表されるメモリセルは、屈曲点において、セル電流が、セル電圧のわずかな変化に対して非常に大きい変化を示し始める。たとえば、約VTH_RESET180より高い電圧電位がPCMセル102に印加されると、PCMセル102に流れる電流は、印加される電圧のわずかな変化に対して大きく変化する。図1cは、複数のPCMセルの電圧閾値の分布165を、セル電圧範囲154に沿って概念的に表したグラフ160である。より具体的には、グラフ160は、複数のPCMセルの各セット閾値電圧およびリセット閾値電圧が、セル電圧範囲154に沿ってどのように分布されるかを示す。グラフ160の第1分布DSET172は、PCM状態材料がそれぞれのセット状態にある場合における複数のPCMセルのセット閾値電圧のグループの例を示す。DSET172は、一つ以上の統計的測定値たとえば、分布平均、中央値、標準偏差等の多様な組み合わせのうち任意のものこれらに限定されないを含む一つ以上のパラメータにより特徴付けられうる。同様に、グラフ160の第2分布DRESET182は、複数のPCMセルがそれぞれリセット状態にある場合におけるセルのリセット閾値電圧のグループの例を示す。DRESET182も、たとえば統計的測定値等の一つ以上のパラメータによって特徴付けられうる。限定ではなく例示として、DSET172は、VTH_SET170を中心とし、セット閾値電圧の全てが配置される広がり174を有するよう示される。他方、DRESET182は、VTH_RESET180を中心とし、広がり184を有するよう示される。DSET172およびDRESET182のいずれかまたは両方の、セル電圧範囲154に沿った位置および/または形状は、多様な実施形態で異なってよいことは理解されよう。図2Aは、複数のPCMセルの電圧閾値分布205が、セル電圧範囲210に沿って、時間の経過によりシフトする量がどのように増加するかを概念的に表すグラフ200である。グラフ200は、たとえば、グラフ160の特性のうちいくつかまたは全てを含んでよい。グラフ200の分布DSETt1220は、複数のPCMセルのそれぞれについてのセット閾値電圧のグループの例を示しており、各セット閾値電圧は、対応するPCMセルにSET状態がアサートされた後のt1時間単位における電圧である。グラフ200における別の分布dRESETt1224は、複数のPCMセルのそれぞれについてのリセット閾値電圧のグループの例を示しており、各リセット閾値電圧は、対応するPCMセルにRESET状態がアサートされた後のt1時間単位における電圧である。PCMシステムのオボニック材料もしくはその他のPCM状態材料の構造緩和structuralrelaxationにより、SETおよびRESETの両方の閾値電圧は、時間の経過とともに上昇する。このような上昇を、本明細書では、閾値電圧ドリフトと呼ぶ。一つの実施形態では、分布DSETt1220における各セット閾値電圧により表される各PCMセルにおいて、当該メモリセルにSET状態がアサートされると、当該PCMセルのOTSおよび/またはPCM状態材料は、個別に、もしくは、組み合わさって、PCMセルにあるレベルの構造的応力を示す。構造的応力のレベルは、SET状態がアサートされた後、時間の経過により低下し、それにより、当該PCMセルのセット閾値電圧の電圧レベルが上昇する方向にドリフトする。グループとして考えた場合、複数のPCMセルが示す上昇230によって、たとえば、SET状態がアサートされてからt1時間単位後における分布DSETt1220が、SET状態がアサートされてからt2時間単位後における分布DSETt2222に移動する。同様に、分布DRESETt1224における各リセット閾値電圧により表される各PCMセルにおいて、当該メモリセルにRESET状態がアサートされると、当該PCMセルのOTSおよび/またはPCM状態材料は、個別に、もしくは、組み合わさって、PCMセルにあるレベルの構造的応力を示す。構造的応力のレベルは、RESET状態がアサートされた後、時間の経過により低下し、それにより、当該PCMセルのリセット閾値電圧の電圧レベルが上昇する方向にドリフトする。グループとして考えた場合、複数のPCMセルが示す同様の上昇235によって、たとえば、RESET状態がアサートされてからt1時間単位後における分布DRESETt1224が、RESET状態がアサートされてからt2時間単位後における分布DRESETt2226に移動する。図2Bは、PCMセルのリセット閾値電圧の閾値電圧ドリフトΔVdriftRESET260を概念的に表すグラフ240である。ΔVdriftRESET260は、時間範囲250におけるリセット閾値電圧領域VTH_RESET245に沿った変化を含む。セット閾値電圧領域VTH_SETに沿った変化に対する同様の閾値電圧ドリフトΔVdriftSET不図示を対数時間スケールに沿ってプロットしてよい。一つの実施形態では、セット閾値電圧ドリフトΔVdriftSETは、ΔVdriftRESETの傾きRdrift.RESETとは異なる傾きdrift.SETを有してよいが、多様な実施形態はこの点に関して限定されない。ΔVdriftRESET260は単に例示であり、ΔVdriftRESET260および/またはΔVdriftSETは、多様な時間値のうち任意のものの対数に対して線形な閾値電圧値の多様な変化のうち任意のものを示してよいことは理解されよう。多様な実施形態において、閾値電圧の変化、たとえばΔVdriftRESET260等のリセット閾値電圧ドリフトまたはセット閾値電圧ドリフトΔVdriftSET、不図示は、対数時間250に対して線形に変化する事実に基づいて、PCM装置のアクセス情報を決定する。より具体的には、アクセス情報の決定は、一つの実施形態によると、傾きRdrift.RESETを表す情報を算出もしくは取得することを含んでよい。一つの実施形態では、閾値電圧ドリフトΔVdriftの傾きRdriftは、PCM装置性能の設計試験により決定してよい。限定ではなく例示として、一つのPCMセルまたは複数のセルの閾値電圧VTHは繰り返し評価してよく、たとえば、特定の状態たとえば、SET状態またはRESET状態がPCMセルにアサートされてから時間t1後に評価し、アサートされてから時間t2後に再び評価してよい。傾きRdriftは、たとえば、以下のように算出してよい。1Rdrift=VTHt2-VTHt1/logt2-logt1=VTHt2-VTHt1/logt2/t1Rdriftは、SET状態のPCM状態材料を有するPCMセルの評価では、Rdrift.SET値であり、RESET状態のPCM状態材料を有するPCMセルの評価では、Rdrift.RESET値である。図3Aは、限界電圧VDM340の有効値を特定するためのセル電圧310の範囲に沿った電圧閾値分布305の使用を示すグラフ300である。グラフ300の特性は、たとえば、グラフ160における対応特性を含んでよい。一つの実施形態では、限界電圧VDM340は、あるPCMセルが特定の状態、たとえば、SET状態またはRESET状態にあるかを識別するのに用いるべく、決定される。当該PCMセルの状態を決定するべく、VDM340をPCMセルに、たとえば、PCMセルのPCM状態材料に印加してよく、その結果、PCMセルに電流が流れる場合は、PCM状態材料がSET状態にあるということであり、PCMセルに電流が流れない場合は、PCM状態材料がRESET状態にあるということである。多様な実施形態において、用いるべきVDM340は、閾値電圧ドリフトの効果を考慮に入れて決定される。グラフ300は、PCMセルを含むPCM装置の性能要件として所与のものとされる、所定期間tfinにおけるセット閾値電圧分布DSETtfinを示す。一つの実施形態では、tfinは、データがPCMセルにアサートたとえば、SETまたはRESETによりされた後、PCMセルの当該データが読み出し可能状態に維持されなければならない最小要求期間を表す。PCM装置性能の設計試験から、tfin時間単位後の閾値電圧ドリフトによって、当該PCM装置のセット閾値電圧がDSETtfin320にドリフトすると決定されうる。DSETtfin320の形状も、この設計試験から決定してよい。限定でなく例示として、DSETtfin320の形状は、平均電圧VTH_SETtfin322、VTH_SETtfin322を包囲し、DSETtfin320のセット閾値電圧が含まれるDSET広がり324等の一つ以上のパラメータによって特徴付けられると決定されうる。DSETtfin320が決定されると、DSETtfin320より高いあるVDM340が実施形態にしたがって特定される。限定ではなく例示として、VDM340は以下のように算出してよい。2.1VDM≧VTH_SETtfinDSET広がり、または、2.2VDM=VTH_SETtfinDSET広がりε1ここで、ε1は、PCMセルがセット状態にあることを明確に識別するための所定の公称値である。一つの実施形態では、ε1は、たとえば、制御回路および/またはメモリアレイの寄生parasiticsに起因する測定電圧の変動を説明するのに必要な電圧マージンである。VDM340をDSETtfin320より高く設定することにより、SET状態にあるPCMセルのいずれもが、性能要件により規定されるtfin時間単位の全体にわたり、VDM340によって活性化されることが保証される。決定されたDSETtfin320、および/または関連するVDM340によって、PCM装置のリセット閾値の下限が設定されうる。たとえば、PCMセルのVTH_RESETは、規定のtfin時間単位の間においてDSETtfin320に重なると、SET状態にあるとして誤って読み出されるリスクが必ずある。このリスクを低減するべく、多様な実施形態では、RESETまたはその他の状態がアサートされた後に満了する時間単位tinitの数値を、それ以前にはPCMセルが読み出されないであろうところの初期時刻として特定する。tinitの値は、たとえば、最初はVDM340より低い、たとえば、最初はDSETtfin320に重なる、全てのRESET状態にあるPCMセルのVTH_RESETが、データが読み出されないうちにVDM340より高くドリフトしていることが保証されるように決定してよい。一つの実施形態では、PCM装置のリセット閾値電圧分布DRESETtinit330は、VTH_RESETtinit332を中心とし、広がり334を有する。DRESETtinit330は、以下により、VDM340より高く設定してよい。3.1VTH_RESETtinit≧VDMDRESET広がり、または3.2VTH_RESETtinit=VDMDRESET広がりε2ここで、ε2は、PCMセルがRESET状態にあることを明確に識別するための所定の公称値である。一つの実施形態では、ε2は、とえば、制御回路および/またはメモリアレイの寄生に起因する測定電圧の変動を説明するのに必要な電圧マージンである。DSETtfin320をVDM340より高く設定することにより、PCMセルにRESET状態がアサートされた後、tinit時間単位より長時間にわたり、当該PCMセルは、当該RESET状態にある間は、VDM340によって活性化されないことが保証されうる。図3Bは、PCMセルのデータが読み出されうる時間ウィンドウtfin-tinitを一つの実施形態にしたがって特定するための、セル電圧範囲360に沿った閾値電圧ドリフトおよび電圧閾値分布355の使用を示すグラフ350である。グラフ350の特性は、たとえば、グラフ300の対応特性を含みうる。所定の性能要件tfinについて、最終リセット閾値電圧分布DRESETtfin366を決定してよい。一つの実施形態では、DRESETtfin366は、PCMセルに電力を与える電源電圧VCC375以下に設定される。限定ではなく例示として、DRESETtfinは、以下によって配置してよい。4.1VTH_RESETtfin≦VCC-DRESET広がり、または、4.2VTH_RESETtfin=VCC-DRESET広がり-ε3ここで、DRESETtfinは、VTH_RESETtfinを中心としており、ε3は、DRESETがVCCを含まないことを明確に識別するための所定の公称値である。一つの実施形態では、ε3は、たとえば、制御回路および/またはメモリアレイの寄生parasiticsに起因する測定電圧の変動を説明するのに必要な電圧マージンである。PCM装置の多様な追加的もしくは代替的な動作要件のいずれによってもDRESETtfin366の配置が影響されうることは理解されよう。図3Aを参照して上記したように、tfinは、セット閾値電圧分布DSETtfin362、限界電圧VDM370、および初期時刻tinitにおけるリセット閾値電圧分布DRESETtinit364のうち一つ以上を決定するための基礎であってよい。より具体的には、DSETtfin362、VDM370、およびDRESETtinit364は、DSETtfin320、VDM340、およびDRESETtinit330にそれぞれ対応してよい。決定されたDRESETtinit330は、実際の時間量tinitを決定するために用いてよい。限定ではなく例示として、DRESETtfin366とDRESETtinit364との差、たとえば、おのおのの平均値VTH_RESETtfinおよびVTH_RESETtinitの差によって、時間ウィンドウtfin-tinitの期間に生じる全リセット電圧ドリフトΔVdrift.RESET380を決定してよい。ΔVdrift.RESET380から、tinit385の値を、たとえば、以下により決定してよい。5tinit≧tfin/10Xここで、6X=ΔVdrift.RESET/Rdrift.RESET=VTH_RESETtfin-VTH_RESETtinit/Rdrift.RESET図4は、延長時間ウィンドウおよび/または延長時間ウィンドウについての第2限界電圧VDM430を、一つの実施形態にしたがって特定するためのセル電圧範囲410に沿った電圧閾値分布405の使用を示すグラフ400である。グラフ400の特性は、たとえば、グラフ350の対応特性を含みうる。グラフ400は、セット閾値電圧分布DSETt1424、限界電圧VDM435、およびリセット閾値電圧分布DRESETtref426を含む。一つの実施形態では、DSETt1424、VDM435、およびDRESETtref426は、本明細書に記載した、DSETtfin362、VDM370、およびDRESETtinit364を決定する技術にしたがったものであってよい。多様な実施形態において、PCMセルのデータを読み出すための時間ウィンドウtfin-tinitを、より長い時間ウィンドウtfin-t0に延長してよく、t0は、RESETまたはその他の状態がアサートされた後、PCMセルが最初に読み出し可能になるタイミングを規定するtinit時間単位よりも早い新たな初期時刻を表す。一つの実施形態では、t0は、PCMセルを含むPCM装置の別の性能要件であり、たとえば、特定の状態たとえば、SETまたはRESETがPCMセルにアサートされた後、少なくともt0時刻ほどの早い時期に、読み出しが可能となることを要求する。延長時間ウィンドウの記載の混乱を回避するべく、性能要件時刻tfinを時刻t1と表し、以前の初期時刻tinitを時刻trefと表す。一つの実施形態では、t1-t0への時間ウィンドウの延長は、時間ウィンドウの延長部の間、たとえば、t0からtrefの間、低いほうの限界値VDM430を用いて、PCMセルがSET状態にあるかRESET状態にあるかを識別することにより、行う。より具体的には、何らかの状態たとえば、SETおよび/またはRESETが、現在時刻の最後のtref時間単位内にアサートされ、かつ、t0時間単位より長くそのアサートされた状態にあるPCMセルにVDM430を印加してよい。VDM430の値は、たとえば、時間ウィンドウt1-trefの間に生じるセット電圧ドリフトΔVdrift.SET440を説明accountforすることにより決定してよい。一つの実施形態では、ΔVdrift.SET440は、DSETt1424とDSETtref422との差、たとえば、おのおのの平均値VTH_SETt1およびVTH_SETtrefの差によって決定してよい。限定ではなく例示として、たとえば、以下のようにΔVdrift.SET440をVDM435に適用して、VDM430を決定してよい。7.1VDM≧VDM-t1-trefのΔVdrift.SET=VDM-Rdrift.SETlogt1/tref7.2VDM=VDM-Rdrift.SETlogt1/trefε4ここで、ε4は、PCMセルがSET状態にあることを明確に識別するための所定の公称値である。一つの実施形態では、ε4は、たとえば、制御回路および/またはメモリアレイの寄生に起因する測定電圧の変動を説明するのに必要な電圧マージンである。または、VDM430は、ΔVdrift.SET440をDSETt1424に適用することによりDSETtref422を決定した後、DSETtref422に基づいて決定してよい。この決定は、以下にしたがったものであってよい。8.1VTH_SETtref=VTH_SETt1-RDriftSETlogt1/tref8.2VDM≧VTH_SETtrefDSET広がり8.3VDM=VTH_SETtrefDSET広がりε4ここで、t0における以前の分布DSETt0420からドリフトしてきた分布であるDSETtref422は、時刻trefにおいて平均値VTH_SETtrefを中心とする。図5に、一つの実施形態に係るPCMアクセス情報を決定するコンピューティングシステム500が示される。コンピューティングシステム500は、単に例示であり、本明細書に記載の技術を実装するべく多様な追加的または代替的なコンポーネントおよび/またはアーキテクチャのいずれを含んでもよいことは理解されよう。システム500は、デスクトップコンピュータ、メインフレーム、サーバ、携帯情報端末PDA、ラップトップコンピュータもしくはポータブルコンピュータ、ウェブタブレット、無線電話、ページャー、インスタントメッセージング装置、デジタル音楽プレーヤ、デジタルカメラ、またはその他の同様の装置等の多様な有線または無線のコンピューティングシステムのいずれを含んでよく、またこれらに限定されない多様な有線または無線のコンピューティングシステムを含んでよい。システム500は、ローカルエリアネットワークLAN、無線LANWLAN、仮想LANVLAN、インターネット、パーソナルエリアネットワークWPAN、セルラーネットワーク等の一つ以上において用いられてよく、および/または、これらの一つ以上に接続されてよいが、本発明の範囲は、この点において限定されない。システム500は、バス550を介して互いに接続されたコントローラ510、入出力I/O装置520たとえば、キーパッド、ディスプレイ、データストレージ530、ネットワークインターフェース540、およびランダムアクセスメモリRAM560を備えてよい。一つの実施形態では、バッテリ580もしくはその他の電源によって、システム500に電力を供給してよい。本発明の範囲は、これらコンポーネントのいずれかまたは全てを含む実施形態に限定されないことは理解されるべきである。コントローラ510は、たとえば、一つ以上のマイクロプロセッサ、デジタルシグナルプロセッサ、マイクロコントローラ等を有してよい。データストレージ530は、システム500が送受信するメッセージを格納するべく用いられてよい。RAM560は、システム500の動作中にコントローラ510によって実行される命令を記憶するべく任意に用いられてよく、また、ユーザデータを記憶するべく用いられてよい。I/O装置520は、メッセージを生成するべく用いられてよい。システム500は、ネットワークインターフェース540を用いて、たとえば、無線周波数RF信号の有線通信ネットワークまたは無線通信ネットワークとの間でメッセージを送受信してよい。ネットワークインターフェース540の例としては、たとえばダイポールアンテナ等のアンテナ、無線送受信機等が挙げられるが、本発明の範囲はこの点において限定されない。図6は、一つ以上のPCMセルのアクセス情報を決定する一つの実施形態に係るアクセス装置600の選択要素を示す。一つの実施形態では、アクセス装置600は、コンピューティングシステム100等のコンピュータ、または、本明細書に記載の技術を実装するべくハードウェアロジックたとえば、回路、状態機械、データストレージ等および/またはソフトウェアロジックたとえば、プロセッサおよびメモリにより実行されるプログラムを有するコンピューティングシステム100内のコンポーネントたとえば、プロセッサ、メモリコントローラ、コントローラハブ、ストレージ、RAM、ネットワークインターフェース等を備えてよい。アクセス装置600によって決定されるアクセス情報は、一つの実施形態では、一つ以上のPCMセルに、いつ、および/または、どのように、たとえば、読み出し、リフレッシュ、SET状態のアサート、RESET状態のアサート等のアクセスを行うか否かを決定するものであってよい。たとえば、アクセス情報は、PCMセルからデータを読み出す時間ウィンドウを記述もしくは示すものであってよい。たとえば、アクセス情報は、時間ウィンドウを決定するのに用いられるセット閾値電圧もしくはその分布および/またはリセット閾値電圧もしくはその分布の一つ以上の特性を特定もしくは示すものであってよい。または、あるいは、加えて、アクセス情報は、PCMセルにアクセスするべく、たとえば、PCMセルの現在の状態たとえば、SET状態またはRESET状態を決定するべく用いられる一つ以上の限界電圧を特定もしくは示すものであってよい。多様な追加的または代替的な種類のアクセス情報を、多様な実施形態にしたがってアクセス装置600によって決定してよいことは理解されよう。アクセス装置600は、アクセス情報を決定するのに用いる一つ以上の性能要件、動作条件、もしくはその他の入力データを受信するべく外部ロジック不図示に接続されてよい。このような入力データのいくつかまたは全ては、アクセス装置600の製造時に提供してよい。または、あるいは、加えて、このような入力データのいくつかまたは全ては、アクセス装置600の動作中に提供して、たとえば、PCMセルへのアクセスの改善を目的として、当該動作を動的に再構成するようにしてよい。限定でなく例示として、アクセス装置600は、tfin、t0、VCC、VTH_SETtfin等のうち一つ以上を記述した入力データを受信してよい。または、あるいは、加えて、アクセス装置600は、このような入力データを自ら算出するべくPCM構造の性能を評価するためのロジックを備えてよい。アクセス装置600は、たとえば、アクセス装置600によって決定されるアクセス情報にしたがってアクセスされるデータを記憶するメモリセル含むPCMアレイ650等の一つ以上のPCM構造レジスタ、キュー、キャッシュ、バッファ等を備えてよい。限定でなく例示として、PCMアレイ650は、Y×XのPCMセルアレイに含まれるセルに選択的にアクセスするべく、ロウデコーダ655およびカラムデコーダ660を有してよい。または、あるいは、加えて、アクセス装置600は、たとえば、アクセス装置600自らがPCMアレイ650等のPCM構造を備えていない場合等は、アクセス装置600から遠隔に存在する一つ以上のPCMセルにアクセスするためのアクセス情報を決定してよい。アクセス装置600は、本明細書に記載のアクセス情報を生成するべく、一つ以上のハードウェアロジックたとえば、FPGA、ASIC、状態機械等および/またはソフトウェアロジックたとえば、メモリのプログラムを実行するプロセッサを備えてよい。このようなロジックは、少なくともプロセッサもしくはその他の回路がこのようなロジックの基礎となっている限りにおいて、回路ロジックおよび/または回路と代替的に呼んでもよい。限定ではなく例示として、アクセス装置600は、閾値電圧および/または複数のPCMセルの閾値電圧分布の一つ以上の特性を特定する閾値電圧ロジック610を備えてよい。このような特定としては、VTH_SET、VTH_RESET、DSET広がり、DRESET広がり等が挙げられるが、これらに限定されない。一つの実施形態では、これらの特性のうちいくつかまたは全ては、それぞれ、特定の時刻に対して特定的であってよく、たとえば、tfin、tinit、t0等の一つ以上に特定的であってよい。追加的に、または、代替的に、アクセス装置600は、PCMセルが読み出される最初および最終の期間を規定する、たとえばtfin-tinitおよび/またはtfin-t0等の一つ以上の時間ウィンドウを決定する時間ウィンドウロジック615を備えてよい。一つの実施形態では、時間ウィンドウロジック615は、本明細書に記載の技術にしたがって、たとえば、アクセス装置600に供給された入力データおよび/または閾値電圧ロジック610によって提供された閾値電圧情報に基づいて、時間ウィンドウ情報を決定してよい。追加的に、または、代替的に、アクセス装置600は、PCMセルのデータを読み出すときに用いられる、たとえばVDMおよび/またはVDM等の一つ以上の限界電圧を決定する限界電圧ロジック620を備えてよい。一つの実施形態では、限界電圧ロジック620は、本明細書に記載の技術にしたがって、たとえば、アクセス装置600に提供された入力データおよび/または閾値電圧ロジック610によって提供された閾値電圧情報に基づいて、限界電圧情報を決定してよい。追加的に、または、代替的に、アクセス装置600は、決定されたアクセス情報にしたがって、たとえばPCMアレイ650等のPCM構造にアクセスする読み出し/書き込みロジック625を備える。一つの実施形態では、読み出し/書き込みロジック625は、PCMアレイ650の一つ以上のビットに対して読み出し、書き込み、リフレッシュ等を実行するべく、PCMアレイ650とアドレスおよび/またはデータ信号640を交換する。一つの実施形態では、アドレスおよび/またはデータ信号640のタイミングは、時間ウィンドウロジック615によって提供された時間ウィンドウ情報に基づいたものであってよい。または、あるいは、加えて、読み出し/書き込みロジック625は、PCMアレイ650の一つ以上のビットの状態を評価するときに印加する限界電圧を決定する限界電圧信号DM645を供給してよく、限界電圧信号DM645により示される電圧レベルは、アクセス装置600によって決定される、および/またはアクセス装置600に供給される閾値電圧分布情報に基づく。追加的に、または、代替的に、アクセス装置600は、読み出し/書き込みロジック625が所定のPCMセルにアクセスするのを許可されるタイミングを制御するタイマーロジック605を備えてよい。一つの実施形態では、アクセス装置600は、タイマーロジック605とともに動作する経過追跡リストagetrackinglist630をさらに備える。PCMアレイ650の多様な位置がアクセスされるので、タイマーロジック605は、それぞれのアドレス情報632を、PCMアレイ650の対応位置をアクセスした時刻を示す対応するタイムスタンプ情報634とともに、経過追跡リスト630に書き込んでよい。または、あるいは、加えて、タイマーロジック605は、経過追跡リスト630のエントリのタイムスタンプ情報が、当該エントリが経過追跡リスト630に所定の最大時間存在していたことを示す場合、当該エントリをリストから抹消するべく、クロックもしくはその他の時間ベースの情報にアクセスしてよい。限定ではなく例示として、エントリは、最後にアクセスされてから、tref時間単位経過した後に、経過追跡リスト630から抹消してよい。一つの実施形態では、PCM位置を経過追跡リスト630から抹消することは、一つの限界電圧たとえば、VDM430を使用して当該PCM位置にアクセスすることから、別の限界電圧たとえば、VDM435を使用して当該PCM位置にアクセスすることに移行することに対応する。代替的な実施形態では、PCM位置を経過追跡リスト630から抹消することは、当該PCM位置の時間ウィンドウの開始に対応し、当該PCM位置は、新たに読み出し可能となる。一つの実施形態では、タイマーロジック605は、追加的に、または、代替的に、リフレッシュスキームを実行するべく読み出し/書き込みロジック625を制御してよい。限定ではなく例示として、タイマーロジック605は、前回のリフレッシュサイクルのtfin時間単位毎にリフレッシュサイクルを実行する読み出し/書き込みロジック625に命令してよい。このようにリフレッシュサイクルをタイミングすることによって、PCMセルのリセット閾値電圧が、PCMセルが書き込み可能でなくなる電源電圧レベルVCCにまでドリフトするリスクが低減する。一つの実施形態では、タイマーロジック605および読み出し/書き込みロジック625によって実行されるリフレッシュサイクルにおいては、PCMアレイ650の全データを読み出す。読み出し動作によって、SET状態にあるPCMセルのメモリ材料が、自身のセット閾値電圧VTH_SETとして、より低い値に再初期化される。PCMアレイ650の全データを読み出すことによって、現在RESET状態にあるPCMセルを読み出し/書き込みロジック625によって特定することが可能になる。その後、読み出し/書き込みロジック625は、特定されたPCMセルにRESET状態を再アサートして、それらのリセット閾値電圧VTH_RESETとしてより低い値に再初期化してよい。一つの実施形態では、リフレッシュスキームによって、RESET状態にあるPCMセルが再アサートされるだけであり、SET状態にあるPCMセルが同じく再アサートされることはない。このようにRESET状態のPCMセルだけを再アサートすることにより、リフレッシュサイクルの電力消費が低下する。図7は、PCM装置のアクセス情報を決定する一つの実施形態に係る方法700の選択要素を示す。方法700は、たとえば、アクセス装置600によって実行してよい。一つの実施形態では、方法700は、710において、PCMセルにアクセスする最終読み出し時刻、たとえば、tfinを特定する。本明細書に記載したように、最終読み出し時刻は、PCM装置の性能要件として供給されてよく、および/または、一つ以上のPCMセルのリセット閾値電圧が、PCM装置のセルに電力を供給する電源電圧レベルVCC等の所定の電圧上限値に、もしくはそのちょうど下になる時刻を表してよい。方法700は、さらに、720において、最終読み出し時刻に対応付けられた、PCMセルのセット閾値電圧情報を特定してよい。限定ではなく例示として、DSETtfin、VTH_SETtfin、および/またはDSETの広がりのうち一つ以上を、たとえば、PCM装置性能の設計試験に基づいて特定してよい。方法700は、さらに、730において、PCMセルに対応付けられたリセット閾値電圧ドリフトを特定してよい。一つの実施形態では、リセット閾値電圧ドリフトは、リセット状態のアサート後に満了した時間の対数で変化する。特定した最終読み出し時間、セット閾値電圧情報、およびリセット閾値電圧ドリフトに基づいて、方法700は、740において、PCMセルの初期読み出し時刻を決定してよく、最終読み出し時刻および初期読み出し時刻によって、その期間外では、PCMセルに第1限界電圧を用いてアクセスすることができないところの時間ウィンドウが規定される。さらに、740での決定に基づいて、方法700は、750で、決定した初期読み出し時刻を示す出力信号を生成してよい。限定ではなく例示として、信号を送信して、tinitおよび/または時間ウィンドウtfin-tinitの識別子を記憶してよい。データストレージ装置を動作させる技術およびアーキテクチャが本明細書に記載される。上記の記載では、説明の目的において、多様な特定的な詳細を明記して、所定の実施形態が完全に理解できるようにした。しかし、所定の実施形態は、これらの特定的な詳細がなくても実施可能であることは、当業者には明らかであろう。その他の例では、記載が曖昧にならないように、構造および装置をブロック図形式で示した。明細書において一つの実施形態もしくはある実施形態と言及する場合、その実施形態に関連付けて記載された特定の特性、構造、もしくは特徴が、本発明の少なくとも一つの実施形態に含まれるということが意図されている。明細書の各所で一つの実施形態においてという文言が現れても、必ずしも全てが同一の実施形態を言及するのではない。詳細な記載のいくつかの部分は、コンピュータメモリ内のデータビットに対する動作のアルゴリズムおよび符号による表現として提示した。これらのアルゴリズム的な記載および表現は、コンピュータ分野の当業者が、当分野のその他の当業者に、自身の仕事の実質を最も効果的に伝えるべく用いられる手段である。アルゴリズムは、本明細書において、また一般的に、所望の結果に導く手順の自己一貫性のあるシーケンスであると考えられている。手順は、物理量の物理的操作を求めるものである。必ずではないが、通常は、これらの量は、記憶、転送、合成、比較、およびその他の操作を実行することができる電気または磁気信号の形態を持つ。時に、一般的に用いられているということが主な理由で、これらの信号をビット、値、要素、符号、文字、項、数字等と呼ぶことが便利であることが分かっている。しかし、これらの文言および同様の文言は、適切な物理量に対応付けられるのであり、これらの量に適用される単に便宜的な呼称であることに注意するべきである。本明細書における記載から明らかなように、特段の断りがない限り、記載の全体を通して、処理、計算、算出、決定、表示等の文言を用いた議論は、コンピュータシステムのレジスタおよびメモリ内の物理電子量として表されるデータを操作して、コンピュータシステムのメモリ、レジスタ、もしくはその他の同様な情報ストレージ、送信装置、または表示装置内の物理量として同様に表されるその他のデータに変換するコンピュータシステムもしくは同様の電子コンピュータ装置の動作および処理を表すことは理解されよう。所定の実施形態は、本明細書に記載の動作を実行する装置にも関する。この装置は、要求される目的専用に構成されてよく、または、コンピュータに格納されるコンピュータプログラムにより選択的に起動もしくは再設定される汎用コンピュータであってよい。このようなコンピュータプログラムは、それぞれコンピュータシステムバスに接続される、たとえば、フロッピー登録商標ディスク、光ディスク、CD-ROM、光磁気ディスク、読み出し専用メモリROM、動的RAMDRAM等のランダムアクセスメモリRAM、EPROM、EEPROM、磁気もしくは光カード、または、電子的命令を格納するのに適切な任意の媒体等の任意の種類のコンピュータ可読記憶媒体に記憶してよいが、これらに限定されない。本明細書に提示するアルゴリズムおよびディスプレイは、なんらかの特定のコンピュータもしくはその他の装置に本来関連するものではない。本明細書の教示にしたがって多様な汎用システムをプログラムとともに用いてよく、または、要求される方法の段階を実行するより特化された装置を構築することが便利であるかもしれない。これら多様なシステムに要求される構造は、本明細書の記載から明らかとなろう。さらに、所定の実施形態は、なんらかの特定のプログラミング言語を参照して記載しなかった。本明細書に記載のこれらの実施形態による教示を実施するべく多様なプログラミング言語を用いてよいことは理解されよう。本明細書における記載に加えて、開示した実施形態および実施例に、その範囲から逸脱することなく、多様な変更を加えてよい。したがって、本明細書の説明および例は、限定ではなく例示として解釈されるべきである。本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲を参照することによってだけ、測られるべきである。