"式Iで表される塩。[式I中、Q1及びQ2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。L1及びL2は、互いに独立に、2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基を構成しているメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。環W1及び環W2は、互いに独立に、炭素数3~36の脂肪族環を表す。R2及びR4は、互いに独立に、炭素数1~6のアルキル基を表す。R3は、炭素数1~12の炭化水素基を表す。t及びuは、互いに独立に、0~2の整数を表す。Zは、有機対イオンを表す。]前記L1が、-CO-O-は、-CQ1Q2-との結合手を表すである請求項1記載の塩。前記L2が、-CO-O-CH2-CO-O-又は-O-CH2-CO-O-各は、W1との結合手を表すである請求項1又は2記載の塩。前記Zが、アリールスルホニウムカチオンである請求項1~3のいずれか記載の塩。請求項1~4のいずれか記載の塩を含有する酸発生剤。請求項5記載の酸発生剤と樹脂とを含有し、該樹脂が、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸と作用してアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂であるレジスト組成物。さらに塩基性化合物を含有する請求項6記載のレジスト組成物。1請求項6又は7記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。従来から知られる上記の酸発生剤を含むレジスト組成物では、得られるレジストパターンのラインエッジラフネスLERが必ずしも満足できない場合があった。本発明は、以下の発明を含む。1式Iで表される塩。[式I中、Q1及びQ2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。L1及びL2は、互いに独立に、2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基を構成しているメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。環W1及び環W2は、互いに独立に、炭素数3~36の脂肪族環を表す。R2及びR4は、互いに独立に、炭素数1~6のアルキル基を表す。R3は、炭素数1~12の炭化水素基を表す。t及びuは、互いに独立に、0~2の整数を表す。Zは、有機対イオンを表す。]2前記L1が、-CO-O-は、-CQ1Q2-との結合手を表すである前記1記載の塩。3前記L2が、-CO-O-CH2-CO-O-又は-O-CH2-CO-O-各は、W1との結合手を表すである前記1又は前記2記載の塩。4前記Zが、アリールスルホニウムカチオンである前記1~前記3のいずれか記載の塩。5前記1~前記4のいずれか記載の塩を含有する酸発生剤。6前記5記載の酸発生剤と樹脂とを含有し、該樹脂が、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸と作用してアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂であるレジスト組成物7さらに塩基性化合物を含有する前記6記載のレジスト組成物。81前記6又は前記7記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。本発明の塩によれば、該塩を含むレジスト組成物により、優れたラインエッジラフネスLERを有するレジストパターンを形成することができる。式Iで表される塩本発明の塩は、式Iで表される。以下塩Iという場合がある[式I中、Q1及びQ2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。L1及びL2は、互いに独立に、2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基を構成しているメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。環W1及び環W2は、互いに独立に、炭素数3~36の脂肪族環を表す。R2及びR4は、互いに独立に、炭素数1~6のアルキル基を表す。R3は、炭素数1~12の炭化水素基を表す。t及びuは、互いに独立に、0~2の整数を表す。Zは、有機対イオンを表す。]なお、以下の説明において、塩Iのうち、正電荷を有するZで示される有機カチオンを除去してなる負電荷を有するものをスルホン酸アニオンということがある。Q1及びQ2で表される炭素数1~6のペルフルオロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。Q1及びQ2は、それぞれ独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子であることが好ましく、ともにフッ素原子であることがより好ましい。L1及びL2は、互いに独立に、2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表す。かかる2価の飽和炭化水素基としては、直鎖状カンジイル基、分岐状カンジイル基、単環式又は多環式の2価の脂環式炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせたものでもよい。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、プロパン-1,2-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基、トリデカン-1,13-ジイル基、テトラデカン-1,14-ジイル基、ペンタデカン-1,15-ジイル基、ヘキサデカン-1,16-ジイル基、ヘプタデカン-1,17-ジイル基、エタン-1,1-ジイル基、プロパン-1,1-ジイル基及びプロパン-2,2-ジイル基等の直鎖状カンジイル基;直鎖状カンジイル基に、アルキル基特に、炭素数1~4のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等の側鎖を有したもの、例えば、ブタン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,2-ジイル基、ペンタン-1,4-ジイル基、2-メチルブタン-1,4-ジイル基等の分岐状カンジイル基;シクロブタン-1,3-ジイル基、シクロペンタン-1,3-ジイル基、シクロヘキサン-1,2-ジイル基、1-メチルシクロヘキサン-1,2-ジイル基、シクロヘキサン-1,4-ジイル基、シクロオクタン-1,2-ジイル基、シクロオクタン-1,5-ジイル基等のシクロカンジイル基である単環式の2価の脂環式炭化水素基;ノルボルナン-2,3-ジイル基、ノルボルナン-1,4-ジイル基、ノルボルナン-2,5-ジイル基、アダマンタン-1,2-ジイル基、アダマンタン-1,5-ジイル基及びアダマンタン-2,6-ジイル基等の多環式の2価の脂環式炭化水素基等;が挙げられる。L1及びL2で表される炭素数1~17の2価の飽和炭化水素基におけるメチレン基が酸素原子又はカルボニル基で置き換わった基としては、例えば、以下の式b1-1、式b1-2、式b1-3、式b1-4、式b1-5、式b1-6及び式b1-7以下、式b1-1~式b1-7のように表記する。のいずれかで表される基が挙げられる。L1は、好ましくは式b1-1~式b1-4のいずれかで示される基であり、さらに好ましくは式b1-1又は式b1-3がで表される基である。L2は、好ましくは式b1-2又は式b1-7のいずれかで表される基である。なお、式b1-1~式b1-7は、その左右を式Iに合わせて記載しており、それぞれで示される2つの結合手のうち、下記式で表される基がL1を表す場合は、左側の結合手はCQ1Q2の炭素原子と結合し、右側の結合手はW1の炭素原子と結合し、下記式で表される基がL2を表す場合は、左側の結合手はW1の炭素原子と結合し、右側の結合手はW2の炭素原子と結合している。以下の式b1-1~式b1-7の具体例も同様である。式b1-1~式b1-7中、Lb2は、単結合又は炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb3は、単結合又は炭素数1~12の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb4は、炭素数1~13の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb3及びLb4の合計炭素数の上限は13である。Lb5は、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb6は、単結合又は2価の炭素数1~15の飽和炭化水素基を表す。Lb7は、2価の炭素数1~15の飽和炭化水素基を表す。但しLb6及びLb7の合計炭素数の上限は16である。Lb8は、2価の炭素数1~14の飽和炭化水素基を表す。Lb9は、単結合又は炭素数1~11の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb10は、2価の炭素数1~11の飽和炭化水素基を表す。但しLb9及びLb10の合計炭素数の上限は12である。Lb11は、単結合又は2価の炭素数1~13の飽和炭化水素基を表す。Lb12は、2価の炭素数1~14の飽和炭化水素基を表す。但しLb11及びLb12の合計炭素数の上限は14である。中でも、L1は、式b1-1で表される2価の基が好ましく、Lb2が単結合又はメチレン基である式b1-1で表される2価の基がより好ましく、Lb2が単結合で表される2価の基、即ち-CO-O-は、-CQ1Q2-との結合手を表すがさらにより好ましい。L2は、式b1-2又は式b1-7で表される2価の基が好ましく、Lb2が単結合でありLb4がメチレン基である式b1-2で表される2価の基又はLb11が単結合でありLb12がメチレン基である式b1-7で表される2価の基、即ち-CO-O-CH2-CO-O-又は-O-CH2-CO-O-各は、W1との結合手を表すがより好ましい。式b1-1で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-2で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-3で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-4で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-5で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-6で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-7で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。環W1及び環W2で表される炭素数3~36の脂肪族環とは、不飽和結合を含まない、炭素及び水素のみからなる環をいう。かかる脂肪族環としては、例えば、シクロヘキサン環、アダマンタン環等が挙げられ、アダマンタン環が好ましい。R2及びR4で表される炭素数1~6のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。R3で表される炭素数1~12の炭化水素基としては、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、単環式又は多環式の脂環式炭化水素基が挙げられる。かかる炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。式Iにおいて、式I-A[式I-A中、R2、環W1及びtは、上記と同じ意味を表す。は、結合手を表す。]で表される基としては、例えば、下記の基が挙げられる。式Iにおいて、式I-B[式I-B中、R3、R4、環W2及びuは、上記と同じ意味を表す。は、結合手を表す。]で表される基としては、例えば、以下の基等が挙げられる。塩Iを構成するスルホン酸アニオンの具体例としては、以下のものが挙げられる。Zで表される有機カチオンとしては、例えば、オニウムカチオン、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン及びホスホニウムカチオン等が挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。Zで表される有機カチオンとしては、以下の式b2-1、式b2-2、式b2-3及び式b2-4以下、式b2-1~式b2-4のように表記する。のいずれかで表される有機カチオン以下、各式の番号に応じて、カチオンb2-1、カチオンb2-2、カチオンb2-3及びカチオンb2-4ということがある。が好ましい。式b2-1~式b2-4において、Rb4、Rb5及びRb6は、それぞれ独立に、炭素数1~30の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を有していてもよく、該脂環式炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよく、Rb4、Rb5及びRb6を表す芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を有していてもよい。Rb4、Rb5及びRb6から選ばれる2つが一緒になって、イオウ原子を含む環を形成してもよい。炭素数1~30の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、ペンタデシル基、ヘキシルデシル基、ヘプタデシル基及びオクタデシル基等が挙げられ、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基及びブチル基である。炭素数3~18の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基及びアダマンチル基等が挙げられ、好ましくは、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基である。炭素数6~18の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基等が挙げられ、好ましくは、フェニル基である。炭素数1~12のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基及びドデシルオキシ基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。炭素数2~4のアシル基としては、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基が挙げられる。Rb4、Rb5及びRb6から選ばれる2つが一緒になって形成してもよい環としては、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよく、イオウ原子を1以上含むものであれば、さらに、1以上のイオウ原子及び/又は1以上の酸素原子を含んでいてもよい。該環としては、炭素数3~18の環が好ましく、炭素数4~13の環がより好ましい。Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。m2が2以上である場合、複数のRb7は互いに同一であっても異なってもよく、n2が2以上である場合、複数のRb8は互いに同一であっても異なってもよい。Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。Rb12は、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表し、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。Rb9~Rb12の脂肪族炭化水素基のうち好ましい基は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基である。Rb9、Rb10及びRb11を表す以下、Rb9~Rb11のように表記する。脂肪族炭化水素基の炭素数は、1~12が好ましい。Rb9、Rb10及びRb11を表す脂環式炭化水素基の炭素数は3~18が好ましく、4~12がより好ましい。Rb9~Rb11の脂環式炭化水素基のうち好ましい基は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基及びイソボルニル基である。Rb9とRb10とは、互いに結合してイオウ原子を含む3員環~12員環好ましくは3員環~7員環を形成していてもよく、該環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Rb9とRb10とが結合して形成する環としては、例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環及び1,4-オキサチアン-4-イウム環等が挙げられる。Rb11とRb12とは、互いに結合して-CH-CO-を含む4員環~12員環好ましくは4員環~7員環を形成していてもよく、該環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Rb11とRb12とが結合して形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環等が挙げられる。Rb12の芳香族炭化水素基が有していてもよいアルコキシ基としては、上記と同じものが挙げられる。Rb12の芳香族炭化水素基が有していてもよいアルキルカルボニルオキシ基としては、例えば、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n-プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n-ブチルカルボニルオキシ基、sec-ブチルカルボニルオキシ基、tert-ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2-エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。Rb12の芳香族炭化水素基のうち好ましい基は、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-シクロへキシルフェニル基、4-メトキシフェニル基、ビフェニル基及びナフチル基である。Rb12の脂肪族炭化水素基を有する芳香族炭化水素基としては、アラルキル基が挙げられ、具体的にはベンジル基等が挙げられる。Rb13、Rb14、Rb15、Rb16、Rb17及びRb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Lb11は、酸素原子又は硫黄原子を表す。o2、p2、s2及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2が2以上である場合、複数のRb13は互いに同一であっても異なってもよく、p2が2以上である場合、複数のRb14は互いに同一であっても異なってもよく、q2が2以上である場合、複数のRb15は互いに同一であっても異なってもよく、r2が2以上である場合、複数のRb16は互いに同一であっても異なってもよく、s2が2以上である場合、複数のRb17は互いに同一であっても異なってもよい。上述の有機カチオンの中でも、カチオンb2-1が好ましく、以下の式b2-1-1で表される有機カチオン以下、カチオンb2-1-1という。がより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0である。及びトリトリルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=1であり、Rb19、Rb20及びRb21がいずれもメチル基である。がさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表し、Rb19、Rb20及びRb21から選ばれる2つが一緒になって単結合、-O-又は炭素数1~4の2価の脂肪族炭化水素基を表し、イオウ原子を含む環を形成してもよい。Rb19、Rb20及びRb21を表す脂肪族炭化水素基は、炭素数1~12であることが好ましく、炭素数1~12のアルキル基であることがより好ましい。該脂肪族炭化水素基は、置換基として、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を有していてもよい。Rb19、Rb20及びRb21を表す脂環式炭化水素基の炭素数は4~18であることが好ましい。該脂環式炭化水素基は、置換基として、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよい。v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2が2以上のとき、複数のRb19は互いに同一でも異なってもよく、w2が2以上のとき、複数のRb20は互いに同一でも異なってもよく、x2が2以上のとき、複数のRb21は互いに同一でも異なってもよい。なかでも、Rb19、Rb20及びRb21は、好ましくは、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、又は炭素数1~12のアルコキシ基であり、Rb19、Rb20及びRb21から選ばれる2つが一緒になって-O-を表し、イオウ原子を含む環を形成してもよい。カチオンb2-1-1の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-1-1のうち、イオウ原子を含む環が形成されたカチオンの具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-1のうち、イオウ原子を含む環が形成されたカチオンの具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-2の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-3の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-4の具体例としては、以下のものが挙げられる。塩Iは上述のスルホン酸アニオンと上述の有機カチオンとを任意に組み合わせて構成することができる。塩Iとしては、例えば、以下の塩が挙げられる。次に、塩Iの製造方法について説明する。例えば、式b1で表される塩の製造方法を下記に示す。式中、Q1、Q2、環W1、環W2、R2、R3、R4、t、u及びZは、それぞれ前記と同義である。式b1-aで表される化合物と式b1-bで表される化合物を塩基性触媒下で、反応させることにより、式b1-cで表される化合物を得ることができる。溶媒としては、テトラヒドロフラン等が挙げられる。塩基触媒としては、ピリジン等が挙げられる。[上式中、環W1、環W2、R2、R3、R4、t及びuは、それぞれ前記と同義である。X1及びX2は、ハロゲン原子を表す。]ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。X1とX2とはそれぞれ異なっていてもよいが、ともに塩素原子であることが好ましい。式b1-cで表される化合物と式b1-dで表される化合物とを触媒の存在下、溶媒中で反応させることにより、式b1-eで表される化合物を得ることができる。溶媒としては、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。触媒としては、炭酸カリウム、ヨウ化カリウム等が挙げられる。[上式中、環W1、環W2、R2、R3、R4、t、u及びX1は、それぞれ前記と同義である。]式b1-eで表される化合物と式b1-fで表される塩とを、触媒の存在下、溶媒中で反応させることにより、式b1で表される塩を得ることができる。溶媒としては、N,N’-ジメチルホルムアミド等が挙げられる。触媒としては、リチウムアミド等が挙げられる。式b1-fで表される塩は、特開2008-13551号公報に記載された方法で合成することができる。[上式中、Q1、Q2、環W1、環W2、R2、R3、R4、t、u及びZは、それぞれ前記と同義である。]例えば、式b2で表される塩の製造方法を下記に示す。[式中、Q1、Q2、環W1、環W2、R2、R3、R4、t、u及びZは、それぞれ前記と同義である。]式b2-aで表される化合物と式b2-bで表される化合物とを、塩基性触媒の存在下、溶媒中で反応させることにより、式b2-cで表される化合物を得ることができる。溶媒としては、テトラヒドロフラン等が挙げられる。塩基性触媒としては、ピリジン等が挙げられる。[上式中、環W1、環W2、R3、R4、u、X1及びX2は、それぞれ前記と同義である。]式b2-cで表される化合物と式b2-dで表される化合物とを、触媒の存在下で反応させることにより、式b2-eで表される化合物を得ることができる。溶媒としては、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。触媒としては、炭酸カリウム、ヨウ化カリウム等が挙げられる。[上式中、環W1、環W2、R2、R3、R4、t、u、X1及びX2は、それぞれ前記と同義である。]式b2-eで表される化合物を還元剤で還元することにより、式b2-fで表される化合物を得ることができる。溶媒としては、アセトニトリル等が挙げられる。還元剤としては、水素化ホウ素ナトリウム等が挙げられる。[上式中、環W1、環W2、R2、R3、R4、t及びuは、それぞれ前記と同義である。]式b2-gで表される塩と式b2-hで表される化合物とを反応させることにより、式b2-iで表される塩を得ることができる。式b2-gで表される塩は、例えば、特開2008-13551号公報に記載された方法で合成することができる。[上式中、Q1及びQ2は、それぞれ前記と同義である。]式b2-fで表される化合物と式b2-iで表される塩とを、溶剤中で反応させることにより、式b2で表される塩を得ることができる。溶媒としては、アセトニトリル等が挙げられる。[上式中、Q1、Q2、環W1、環W2、R2、R3、R4、t、u及びZは、それぞれ前記と同義である。]本発明の酸発生剤は、塩Iを含有する。本発明の酸発生剤は、1種又は2種以上の塩Iを含んでもよい。また、本発明の酸発生剤は、さらに、塩I以外の、酸発生剤として公知の塩例えば、塩Iに含まれる有機カチオン及び公知のアニオン塩Iに含まれるスルホン酸アニオン以外のアニオンからなる塩並びに塩Iに含まれるスルホン酸アニオン及び公知のカチオン塩Iに含まれる有機カチオン以外のカチオンからなる塩等を含んでいてもよい。以下、かかる本発明の酸発生剤に含まれる塩I以外の塩を酸発生剤Bということもある。酸発生剤Bとしては、例えば、式B1-1~式B1-17で表されるものが挙げられる。中でもトリフェニルスルホニウムカチオン又はトリトリルスルホニウムカチオンをを含むものが好ましく、式B1-1、式B1-2、式B1-3、式B1-6、式B1-11、式B1-12、式B1-13及び式B1-14でそれぞれ表される塩がより好ましい。本発明の酸発生剤は、全量が塩Iでもよい。本発明の酸発生剤が塩Iと酸発生剤Bとを含む場合、塩Iの含有量は、本発明の酸発生剤全量100質量部に対して、好ましくは10質量部以上より好ましくは30質量部以上、好ましくは90質量部以下より好ましくは70質量部以下である。<樹脂A>樹脂Aは、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となるという特性を有する樹脂である。酸の作用によりアルカリ可溶となるとは、酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となることを意味する。このような樹脂Aは、分子内にある親水性基の一部又は全部が、酸との接触により脱離し得る保護基により保護されているものであり、樹脂Aが酸と接触すると当該保護基が脱離して、親水性基が生成することにより、樹脂Aはアルカリ水溶液に可溶な樹脂となる。当該保護基により保護されている親水性基を以下、酸不安定基という。該親水性基としては、ヒドロキシ基又はカルボキシ基が挙げられ、カルボキシ基がより好ましい。樹脂Aは、酸不安定基を有するモノマー以下、モノマーa1という。を重合することによって製造できる。かかる重合の際には、モノマーa1を1種のみ使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。<モノマーa1>すでに説明したように、モノマーa1は酸不安定基を有する。親水性基がカルボキシ基である場合の酸不安定基は、該カルボキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、オキシ基と結合する該有機残基の炭素原子が第三級炭素原子である基すなわち第三アルコールのエステルが挙げられる。このような酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は例えば、以下の式1で表されるもの以下、場合により酸不安定基1という。である。式1中、Ra1、Ra2及びRa3は、それぞれ独立に、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表し、Ra1及びRa2は互いに結合して、それらが結合する炭素原子とともに炭素数3~20の環を形成してもよい。Ra1及びRa2が互いに結合して形成される環、該脂肪族炭化水素基又は該脂環式炭化水素基がメチレン基を有する場合、そのメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。は結合手を表す。Ra1~Ra3の脂肪族炭化水素基は例えば、アルキル基が挙げられる。このアルキル基の具体例は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基及びオクチル基などである。Ra1~Ra3の脂環式炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基及びシクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及びメチルノルボルニル基、並びに下記に示す基などが挙げられる。Ra1~Ra3の脂環式炭化水素基は、その炭素数が3~16の範囲であると好ましい。Ra1及びRa2が互いに結合して環を形成する場合の-CRa1Ra2Ra3で表される基としては、下記式で表される基が挙げられる。Ra1及びRa2が互いに結合して形成する環の炭素数は、好ましくは3~12である。酸不安定基1の具体例は、1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1~Ra3が全てアルキル基である基、このアルキル基のうち、1つはtert-ブトキシカルボニル基であると好ましい。、2-アルキルアダマンタン-2-イルオキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2が互いに結合し、これらが結合する炭素原子とともにアダマンチル環を形成し、Ra3がアルキル基である基及び1-アダマンタン-1-イル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基などが挙げられる。一方、親水性基がヒドロキシ基である場合の酸不安定基は、該ヒドロキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、アセタール構造又はケタール構造を含む基となったものが挙げられる。このような酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は例えば、以下の式2で表されるもの以下、場合により酸不安定基2という。である。式2中、Rb1及びRb2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表し、Rb3は、炭素数1~20の炭化水素基を表し、Rb2及びRb3は互いに結合して、それらが各々結合する炭素原子及び酸素原子とともに炭素数3~20の環を形成してもよい。Rb2及びRb3は互いに結合して形成される環又は該炭化水素基がメチレン基を有する場合、そのメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。は結合手を表す。Rb1~Rb3の炭化水素基は例えば、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基が挙げられる。ここで、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基は、Ra1~Ra3の基として説明したものと同じである。該芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、p-メチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、2,6-ジエチルフェニル基、2-メチル-6-エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。Rb1及びRb2のうち、少なくとも1つは水素原子であることが好ましい。酸不安定基2の具体例としては、以下の基が挙げられる。酸不安定基を有するモノマーa1は、好ましくは、酸不安定基と炭素-炭素二重結合とを有するモノマー、より好ましくは酸不安定基を有するメタアクリル系モノマーである。モノマーa1は、好ましくは、酸不安定基1及び/又は酸不安定基2と炭素-炭素二重結合とをともに分子内に有するモノマーであり、より好ましくは、酸不安定基1及び/又は酸不安定基2とメタアクリル基とをともに分子内に有するモノマーであり、さらに好ましくは、酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーである。本明細書において、メタアクリルとは、CH2=CH-CO-又はCH2=CCH3-CO-の構造を有する少なくとも1種を意味する。同様にメタアクリレート及びメタアクリル酸とは、それぞれアクリレート及びメタクリレートの少なくとも1種並びにアクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも1種を意味する。酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーの中でも、酸不安定基1が、炭素数5~20の脂環式炭化水素構造を有するものが好ましい。立体的に嵩高い脂環式炭化水素構造を有するモノマーa1を重合して得られる樹脂Aを含む本発明のレジスト組成物を用いてレジストパターンを製造すれば、より高解像度でレジストパターンを製造することができる。酸不安定基1を有するモノマーの中でも、式a1-1で表されるモノマー以下、モノマーa1-1という場合がある。及び式a1-2で表されるモノマー以下、モノマーa1-2という場合がある。が好ましい。樹脂Aを製造する際、これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。式a1-1及び式a1-2中、La1及びLa2は、それぞれ独立に、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-で表される基を表す。ここで、k1は1~7の整数を表し、はカルボニル基-CO-との結合手である。Ra4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。n1は0~10の整数を表す。n2は0又は1の整数を表す。なお、式a1-1においてアダマンタン環にある-CH3m1の表記は、アダマンタン環にあるメチレン基及び/又はメチン基の水素原子が、メチル基に置き換わっており、アダマンタン環に結合しているメチル基の個数がm1個であることを意味する。La1及びLa2は、好ましくは、酸素原子又は-O-CH2f1-CO-O-但し、f1は1~4の整数を表し、はカルボニル基-CO-との結合手である。で表される基であり、より好ましくは酸素原子である。f1は、より好ましくは1である。Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基は例えば、アルキル基が挙げられ、より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基及びオクチル基等が挙げられる。Ra6又はRa7の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数6以下の基である。Ra6又はRa7の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数8以下であり、より好ましくは6以下である。Ra6又はRa7が脂環式炭化水素基である場合、該脂環式炭化水素基は単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基及びシクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基、及び下記のような基等が挙げられる。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。は、アダマンタン環又はシクロヘキサン環との結合手を表す。モノマーa1-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。これらの中でも、モノマーa1-1としては、2-メチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート、2-エチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート及び2-イソプロピルアダマンタン-2-イルメタアクリレートが好ましく、2-メチルアダマンタン-2-イルメタクリレート、2-エチルアダマンタン-2-イルメタクリレート及び2-イソプロピルアダマンタン-2-イルメタクリレートがより好ましい。モノマーa1-2としては、例えば、以下のものが挙げられる。これらの中でも、モノマーa1-2としては、1-エチルシクロヘキサン-1-イルメタアクリレートが好ましく、1-エチルシクロヘキサン-1-イルメタクリレートがより好ましい。樹脂Aを、モノマーa1-1及び/又はモノマーa1-2を用いて製造する場合、得られる樹脂Aの全構造単位を100モルとしたとき、これらモノマーに由来する構造単位の含有量の合計は、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。モノマーa1-1に由来する構造単位及び/又はモノマーa1-2に由来する構造単位の含有量の合計を、このような範囲にするためには、樹脂Aを製造する際に、全モノマーの使用量に対するモノマーa1-1及び/又はモノマーa1-2の使用量を調整すればよい。さらに、酸不安定基1と炭素-炭素二重結合とをともに分子内に有するモノマーとして例えば、以下の式a1-3で表されるノルボルネン環を有するモノマー以下、モノマーa1-3という場合がある。が挙げられる。式a1-3中、Ra9は、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基、シアノ基又は-COORa13を表す。Ra13は、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の脂環式炭化水素基、又は、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基と炭素数3~20の脂環式炭化水素基とからなる基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基にメチレン基が含まれる場合、そのメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Ra10、Ra11及びRa12は、それぞれ独立に、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表し、Ra10及びRa11が互いに結合して、これらが結合している炭素原子とともに、炭素数3~20の環を形成してもよい。該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基等で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基にメチレン基が含まれる場合、そのメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。ここで、Ra9の-COORa13は、例えば、メトキシカルボニル基及びエトキシカルボニル基等のアルコキシ基にカルボニル基が結合した基が挙げられる。Ra9のヒドロキシ基を有していてもよい脂肪族炭化水素基は例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Ra13の脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び炭素数1~8の脂肪族炭化水素基と炭素数3~20の脂環式炭化水素基とからなる基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、シクロペンチル基、シクロプロピル基、アダマンチル基、アダマンチルメチル基、1-アダマンチル-1-メチルエチル基、2-オキソ-オキソラン-3-イル基及び2-オキソ-オキソラン-4-イル基などが挙げられる。Ra10~Ra12は、例えば、メチル基、エチル基、シクロへキシル基、メチルシクロへキシル基、ヒドロキシシクロへキシル基、オキソシクロへキシル基及びアダマンチル基等が挙げられる。Ra10及びRa11が互いに結合して形成される環は脂肪族環が好ましく、具体的には、シクロへキサン環及びアダマンタン環等が挙げられる。モノマーa1-3を具体的に例示すると、5-ノルボルネン-2-カルボン酸-tert-ブチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-シクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチルシクロヘキシル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-メチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-エチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-メチルシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-ヒドロキシシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチル-1-4-オキソシクロヘキシルエチル及び5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-1-アダマンチル-1-メチルエチル等が挙げられる。モノマーa1-3を用いて樹脂Aを製造した場合、この樹脂Aにはモノマーa1-3に由来する、立体的に嵩高い構造単位が含まれることになる。したがって、この構造単位を有する樹脂Aを含む本発明のレジスト組成物を用いてレジストパターンを製造すれば、より高解像度でレジストパターンを得ることができる。さらにモノマーa1-3を用いることにより、樹脂Aの主鎖に剛直なノルボルナン環を導入できるため、該樹脂Aを含む本発明のレジスト組成物から得られるレジストパターンは、ドライエッチング耐性に優れる傾向がある。上述のように、高解像度でレジストパターンを製造できることや、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ易いという点で、樹脂Aの全構造単位100モルに対する、モノマーa1-3に由来する構造単位の含有量は10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。酸不安定基2と炭素-炭素二重結合とをともに分子内に有するモノマーとしては、以下の式a1-4で表されるモノマー以下、モノマーa1-4という場合がある。が挙げられる。[式a1-4中、Ra32は、水素原子、ハロゲン原子、又は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。Ra33は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。laは0~4の整数を表す。laが2以上である場合、複数のRa33は互いに同一であっても異なってもよい。Ra34及びRa35はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表す。Xa2は、単結合又は炭素数1~17の2価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基で置換されていてもよく、該飽和炭化水素基にメチレン基が含まれる場合、そのメチレン基は、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子、スルホニル基-SO2-又は-NRc-で表される基で置き換わっていてもよい。ここで、Rcは、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。Ya3は、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基で置換されていてもよい。]Ra32及びRa33のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基及びヘキシル基等が挙げられる。Ra32及びRa33がアルキル基である場合、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。Ra32及びRa33のハロゲン原子としては例えば、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子などが挙げられる。Ra32のハロゲン原子を有してもよいアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基及びトリヨードメチル基などが挙げられる。Ra33のアルコキシ基としては例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロピポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、n-ペントキシ基及びn-ヘキトキシ基などが挙げられる。Ra33のアルコキシ基としては、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。Ra33のアシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基などが挙げられる。Ra33のアシルオキシ基としては、例えば、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基及びブチリルオキシ基などが挙げられる。Ra34及びRa35の炭化水素基としては、例えば、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基が挙げられる。該脂肪族炭化水素基は、炭素数の上限が異なる以外は、モノマーa1-1のRa6及びRa7の脂肪族炭化水素基として説明したものを含み、その具体例もRa6及びRa7の脂肪族炭化水素基として例示したものを含む。該脂肪族炭化水素基としては、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基が好ましい。該脂環式炭化水素基も、炭素数の上限が異なる以外は、モノマーa1-1のRa6及びRa7の脂環式炭化水素基として説明したものを含み、その具体例もRa6及びRa7の脂環式炭化水素基として例示したものを含む。該脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、アダマンチル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基及びイソボルニル基等が好ましい。該芳香族炭化水素基としてはアリール基が挙げられ、具体的には、フェニル基、ナフチル基、p-メチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、2,6-ジエチルフェニル基及び2-メチル-6-エチルフェニル等が挙げられる。Ra34及びRa35の炭化水素基としては、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基及びイソボルニル基等が好ましい。上述したように、Xa2及びYa3は、これらに含まれる水素原子がハロゲン原子、ヒドロキシ基等に置換されていてもよいが、このように水素原子が置換されている場合、その置換基は好ましくはヒドロキシ基である。モノマーa1-4としては、例えば、以下のものが挙げられる。樹脂Aが、モノマーa1-4に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。さらに、酸不安定基2と炭素-炭素二重結合とをともに分子内に有するモノマーとしては、式a1-5で表されるモノマー以下、モノマーa1-5という。が挙げられる。[式a1-5中、R31は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。L3、L4及びL5は、それぞれ独立に、単結合又は2価の炭素数1~10の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるに含まれる水素原子はハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基で置換されていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は-CO-、-O-、-S-又は-SO2-で置き換わってもよい。Z1は、単結合又は2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子はハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基で置換されていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は-CO-、-O-、-S-又は-SO2-で置き換わっていてもよい。S1及びS1’は、それぞれ独立に、0~3の整数を表す。]R31としては、Ra32と同じものが挙げられ、水素原子又はメチル基であることが好ましい。L3及びL4は、一方が酸素原子、他方が硫黄原子であることが好ましい。L5は、酸素原子又は硫黄原子であり、酸素原子が好ましい。s1は、1が好ましい。s1’は、0~2の整数が好ましい。Z1は、単結合、-CH2n4-O-又は-CH2n4-CO-O-各n4は1~4の整数であり、1が好ましい。各は、L5との結合手を表す。である。モノマーa1-5としては、例えば、以下のものが挙げられる。樹脂Aが、モノマーa1-5に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定モノマー>樹脂Aとしては、モノマーa1とともに、さらに酸不安定基を有さないモノマー以下酸安定モノマーという場合があるを用いて得られる共重合体であることが好ましい。酸安定モノマーとしては、ヒドロキシ基又はラクトン環を分子内に有するモノマーが好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa2という。及び/又はラクトン環を含有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa3という。に由来する構造単位を有する樹脂Aは、当該樹脂Aを含むレジスト組成物を基板に塗布したとき、基板上に形成される塗布膜、又は塗布膜から得られる組成物層と基板との間の密着性に優れるため、高解像度でレジストパターンを製造することができる。<酸安定モノマーa2>酸安定モノマーa2は、該モノマーに由来する構造単位を有する樹脂Aを含むレジスト組成物からレジストパターンを得る際の露光源の種類によって選択することが好ましい。すなわち、前記レジスト組成物を、KrFエキシマレーザ露光波長:248nm、電子線あるいはEUV光などの高エネルギー線露光に用いる場合には、酸安定モノマーa2として、フェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2-0例えば、ヒドロキシスチレン類等が好ましい。一方、ArFエキシマレーザ露光波長:193nmを用いる場合は、酸安定モノマーa2として、後述の式a2-1で表される酸安定モノマーが好ましい。酸安定モノマーa2は、露光源の種類に応じて好適なモノマー1種のみを用いてもよく、露光源の種類に応じて好適なモノマー2種以上を用いてもよく、或いは、露光源の種類に応じて好適なモノマーと、それ以外の酸安定モノマーa2とを組み合わせた2種以上を用いてもよい。酸安定モノマーa2としては、以下の式a2-0で表されるモノマー以下、酸安定モノマーa2-0という。が挙げられる。[式a2-0中、Ra30は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。Ra31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maは0~4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31は互いに同一であっても異なってもよい。]Ra30のハロゲン原子及びハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基の具体例は、前記モノマーa1-4のRa32の説明で例示したものと同じものを挙げることができる。これらのうち、Ra30は、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。Ra31のアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、炭素数1又は2のアルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ra31のアルコキシ基の具体例は、前記モノマーa1-4のRa33の説明で例示したものと同じものを挙げることができる。これらのうち、Ra31は、炭素数1~4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。maは0、1又は2が好ましく、0又は1がより好ましく、0がさらに好ましい。このような酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位を有する樹脂Aを製造する場合は、酸安定モノマーa2-0にあるフェノール性ヒドロキシ基が保護基で保護されてなるモノマーを用いることもできる。例えば、酸で脱離する保護基で保護されたフェノール性ヒドロキシ基は、酸との接触により脱保護されるため、これを用いて重合した重合体から、容易に酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位を有する重合体を得ることができる。ただし、樹脂Aは上述のとおり、酸不安定基を有するモノマーa1に由来する構造単位を有しているので、フェノール性ヒドロキシ基が保護基で保護されてなるモノマーに由来する構造単位を脱保護する際には、この酸不安定基を著しく損なわないよう、塩基との接触により脱保護することが好ましい。保護基としては例えば、アセチル基等が好ましい。塩基としては、例えば、4-ジメチルアミノピリジン、トリエチルアミン等が挙げられる。酸安定モノマーa2-0としては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。酸安定モノマーa2-0としては、4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンが好ましい。4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンを用いて、樹脂Aを製造する際には、これらにあるフェノール性ヒドロキシ基が保護基で保護したものを用いることが好ましい。樹脂Aが、酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~95モルの範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、15~80モルの範囲がさらに好ましい。酸安定モノマーa2としては、酸安定モノマーa2-1は以下の式a2-1で示されるものである。式a2-1中、La3は、酸素原子又は-O-CH2k2-CO-O-を表し、k2は1~7の整数を表す。はカルボニル基-CO-との結合手を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。式a2-1では、La3は、好ましくは、酸素原子又は-O-CH2f2-CO-O-ここでf2は、1~4の整数であるであり、より好ましくは酸素原子である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。酸安定モノマーa2-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。これらの中でも、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート、3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート及びメタアクリル酸1-3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルオキシカルボニルメチルが好ましく、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート及び3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレートがより好ましく、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタクリレート及び3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタクリレートがさらに好ましい。樹脂Aが、酸安定モノマーa2-1に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、3~40モルの範囲が好ましく、5~35モルの範囲がより好ましく、5~30モルの範囲がさらに好ましく、5~20モルの範囲がさらに好ましい。酸安定モノマーa2-1に由来する構造単位の含有量が上記範囲内であると、レジストパターンはラインエッジラフネスに優れる傾向がある。<酸安定モノマーa3>酸安定モノマーa3は、ラクトン環を含有する酸安定モノマーである。かかるラクトン環は、例えば、β-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環及びδ-バレロラクトン環のような単環式でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ-ブチロラクトン環及びγ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。酸安定モノマーa3は好ましくは、以下の式a3-1、式a3-2又は式a3-3で表されるものである。樹脂Aの製造においては、これらのうち1種のみを使用してもよく、2種以上を併用してもよい。なお、以下の説明においては、式a3-1で表される酸安定モノマーa3を酸安定モノマーa3-1といい、式a3-2で表される酸安定モノマーa3を酸安定モノマーa3-2といい、式a3-3で表される酸安定モノマーa3を酸安定モノマーa3-3という場合がある。式a3-1、式a3-2及び式a3-3のいずれか中、La4、La5及びLa6は、それぞれ独立に、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-を表す。k3は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra18、Ra19及びRa20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra21は、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表す。p1は0~5の整数を表す。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表す。q1及びr1は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。p1、q1又はr1が2以上のとき、それぞれ、複数のRa21、Ra22又はRa23は、互いに同一であっても異なってもよい。式a3-1~式a3-3において、La4、La5及びLa6は、La3で説明したものが挙げられる。La4、La5及びLa6は、それぞれ独立に、酸素原子又は-O-CH2d1-CO-O-であることが好ましくここでd1は、1~4の整数である、より好ましくは酸素原子である。Ra18、Ra19及びRa21は、好ましくはメチル基である。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。p1、q1及びr1は、それぞれ独立に、好ましくは0~2の整数であり、より好ましくは0又は1である。酸安定モノマーa3-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-2としては、例えば以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とシクロヘキサン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-3は例えば、以下のものが挙げられる。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3の中でも、メタアクリル酸5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イル、メタアクリル酸テトラヒドロ-2-オキソ-3-フリル、メタアクリル酸2-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イルオキシ-2-オキソエチルといったメタクリレートエステル類がより好ましい。樹脂Aが、モノマーa3-1に由来する構造単位、モノマーa3-2に由来する構造単位及びモノマーa3-3に由来する構造単位からなる群より選ばれる少なくとも1種の構造単位酸安定モノマーa3に由来する構造単位を有する場合、その合計含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~60モルの範囲が好ましく、5~50モルの範囲がより好ましく、10~40モルの範囲がさらに好ましく、15~40モルの範囲がとりわけ好ましい。また、モノマーa3-1に由来する構造単位、モノマーa3-2に由来する構造単位及びモノマーa3-3に由来する構造単位それぞれの含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~60モルが好ましく、10~55モルがより好ましく、20~50モルがさらに好ましい。<その他の酸安定モノマーa4>さらに、その他の酸安定モノマー以下酸安定モノマーa4という場合がある。としては、式a4-1で表される無水マレイン酸、式a4-2で表される無水イタコン酸、及び、式a4-3で表されるノルボルネン環を有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa4-3という。などが挙げられる。式a4-3中、Ra25及びRa26は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3の脂肪族炭化水素基、シアノ基、カルボキシ基又は-COORa27を表すか、或いはRa25及びRa26は互いに結合して-CO-O-CO-を形成する。Ra27は、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の脂環式炭化水素基、又は、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基と炭素数3~20の脂環式炭化水素基とからなる基を表す。該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。但し-COORa27が酸不安定基となるものは除く例えば、Ra27は、第三級炭素原子が-O-と結合するものを含まないモノマーa4-3のRa25及びRa26において、ヒドロキシ基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Ra27の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~8、より好ましくは炭素数1~6の基である。脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数4~18、より好ましくは炭素数4~12の基である。このRa27としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、シクロペンチル基、シクロプロピル基、アダマンチル基、アダマンチルメチル基、アダマンタン-1-イル-1-メチルエチル基、2-オキソ-オキソラン-3-イル基及び2-オキソ-オキソラン-4-イル基などが挙げられる。ノルボルネン環を有する酸安定モノマーa4-3としては、例えば、2-ノルボルネン、2-ヒドロキシ-5-ノルボルネン、5-ノルボルネン-2-カルボン酸、5-ノルボルネン-2-カルボン酸メチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-ヒドロキシ-1-エチル、5-ノルボルネン-2-メタノール、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物などが挙げられる。樹脂Aが、式a4-1で表される無水マレイン酸に由来する構造単位、式a4-2で表される無水イタコン酸に由来する構造単位及びモノマーa4-3に由来する構造単位からなる群より選ばれる少なくとも1種の構造単位酸安定モノマーa4に由来する構造単位を有する場合、その合計含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、2~40モルの範囲が好ましく、3~30モルの範囲がより好ましく、5~20モルの範囲がさらに好ましい。更に、酸安定モノマーa4としては、例えば、式a4-4で表されるスルトン環を有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa4-4という場合がある。などが挙げられる。式a4-4中、La7は、酸素原子又は-O-CH2k4-CO-O-を表し、k4は1~7の整数を表す。はカルボニル基-CO-との結合手を表す。Ra28は、水素原子又はメチル基を表す。W16は、置換基を有していてもよいスルトン環を含む基を表す。スルトン環としては、下記に示すものが挙げられる。スルトン環を含む基は、下記スルトン環にある水素原子の1つが除かれて結合手になったものである。置換基を有していてもよいスルトン環を含む基とは、上述の結合手になった水素原子以外の水素原子がさらに置換基で置換されたものであり、該置換基としては、ヒドロキシ基、シアノ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のフッ素化アルキル基、炭素数1~6のヒドロキシアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数1~7のアルコキシカルボニル基、炭素数1~7のアシル基及び炭素数1~8のアシルオキシ基が挙げられる。酸安定モノマーa4-4としては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。樹脂Aが、酸安定モノマーa4-4に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、2~40モルの範囲が好ましく、3~35モルの範囲がより好ましく、5~30モルの範囲がさらに好ましい。また、酸安定モノマーa4としては、例えば、以下に示すようなフッ素原子を有するモノマー以下、モノマーa4-5という。も挙げられる。モノマーa4-5の中でも、単環式又は多環式の脂環式炭化水素基を有するメタアクリル酸5-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸6-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸4,4-ビストリフルオロメチル-3-オキサトリシクロ[4.2.1.02,5]ノニルが好ましい。樹脂Aが、モノマーa4-5に由来する構造単位を有する場合、その合計含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、1~20モルの範囲が好ましく、2~15モルの範囲がより好ましく、3~10モルの範囲がさらに好ましい。<モノマーa5>酸安定モノマーとしては、式3で表される基を有するモノマー以下モノマーa5という場合がある。が挙げられる。[式3中、R10は、炭素数1~6のフッ化アルキル基を表す。]R10のフッ化アルキル基としては、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、1,1-ジフルオロエチル基、2,2-ジフルオロエチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、1,1,2,2-テトラフルオロプロピル基、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロプロピル基、ペルフルオロエチルメチル基、1-トリフルオロメチル-1,2,2,2-テトラフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、1,1,2,2-テトラフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3,4,4-オクタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、1,1-ビストリフルオロメチル-2,2,2-トリフルオロエチル基、2-ペルフルオロプロピルエチル基、1,1,2,2,3,3,4,4-オクタフルオロペンチル基、ペルフルオロペンチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルオロペンチル基、1,1-ビストリフルオロメチル-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル基、ペルフルオロペンチル基、2-ペルフルオロブチルエチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルオロヘキシル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-ドデカフルオロヘキシル基、ペルフルオロペンチルメチル基及びペルフルオロヘキシル基が挙げられる。R10のフッ化アルキル基は、その炭素数が1~4であると好ましく、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基及びペルフルオロプロピル基がより好ましく、トリフルオロメチル基が特に好ましい。式3で表される基を有するモノマーa5としては、例えば、以下で表されるものが挙げられる。樹脂Aが、モノマーa5に由来する構造単位に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~90モルの範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。<モノマーa6>酸安定モノマーとしては、さらに、式4で表される基を有するモノマー以下モノマーa6という場合がある。が挙げられる。[式4中、R11は置換基を有してもよい炭素数6~14の芳香族炭化水素基を表す。R12は、シアノ基又は置換基を有してもよい炭素数1~12の炭化水素基を表し、該炭化水素基は、ヘテロ原子を含んでいてもよい。A2は、単結合、-CH2m-SO2-O-又は-CH2m-CO-O-を表し、該-CH2m-に含まれるメチレン基は、オキシ基、カルボニル基又はスルホニル基で置き換わっていてもよく、該-CH2m-に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。は、式4中のに対応し、モノマーa6の他の部分との結合手を表す。mは、1~12の整数を表す。]R11における炭素数6~14の芳香族炭化水素基は、例えば、フェニル基、ビフェニル基、フルオレニル基、ナフチル基及びアントリル基などが挙げられる。これら芳香族炭化水素基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数1~4のアルキル基、ハロゲン原子、フェニル基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フェニルオキシ基及びtert-ブチルフェニル基などである。ここでいう炭素数1~4のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基及びブチル基が挙げられ、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。R11としては、以下の基が挙げられる。なお、は炭素原子との結合手である。R12における炭素数1~12の炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基が挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-ウンデシル基及びドデシル基などの直鎖状でも、イソプロピル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、メチルペンチル基、エチルペンチル基、メチルヘキシル基、エチルヘキシル基、プロピルヘキシル基及びtert-オクチル基などの分岐鎖状でもよいが、好ましくはイソプロピル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基及びエチルヘキシル基である。脂環式炭化水素基としては、以下に表される基が挙げられる。R12が脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基である場合、これら脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基はヘテロ原子を含んでいてもよい。ヘテロ原子としては、ハロゲン原子、硫黄原子、酸素原子又は窒素原子などである連結基として、スルホニル基、カルボニル基を含む形態でもよい。このようなヘテロ原子を含むR12としては、以下の基が挙げられる。R12が芳香族炭化水素基である場合、その具体例は、R11の場合で説明したものと同じである。A2としては、下記の基が挙げられる。式A2-1で表される基は単結合を表す。式3で表される基を含むモノマーa6としては、例えば、式a6-1で表されるモノマーが挙げられる。[式a6-1中、R13は、水素原子又はメチル基を表す。R11、R12及びA2は、前記と同義である。]式a6-1で表されるモノマーとしては、例えば、以下で表される化合物が挙げられる。樹脂Aが、モノマーa6-1に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~90モルの範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。好ましい樹脂Aは、モノマーa1と、酸安定モノマーa2及び/又は酸安定モノマーa3とを重合させて得られる共重合体である。この好ましい共重合体において、モノマーa1として、上述のモノマーa1-1及びモノマーa1-2の少なくとも1種を用いることが好ましく、モノマーa1-1を用いることがさらに好ましい。酸安定モノマーa2としては、酸安定モノマーa2-1が好ましく、酸安定モノマーa3としては、酸安定モノマーa3-1及び酸安定モノマーa3-2の少なくとも1種が好ましい。酸安定モノマーとモノマーa1とを併用して樹脂Aを製造する場合、モノマーa1の使用量を基準にして、酸安定性モノマーの使用量を定めるとよい。モノマーa1の使用量と酸安定モノマーの使用量の割合は、モノマーa1/酸安定モノマーで表して、好ましくは10~80モル/90~20モルであり、より好ましくは20~60モル/80~40モルである。また、アダマンチル基を有するモノマー特に、モノマーa1-1を、モノマーa1に用いる場合、該モノマーa1の使用量の総量100モルに対して、アダマンチル基を有するモノマーの使用量を15モル以上とすることが好ましい。このようにすると、樹脂Aを含むレジスト組成物から得られるレジストパターンのドライエッチング耐性がより良好になる傾向がある。樹脂Aは、モノマーa1と、必要に応じて、酸安定モノマーa2、酸安定モノマーa3及び酸安定モノマーa4からなる群より選ばれる酸安定モノマーとを用い、これらが上述のとおりの樹脂Aの全構造単位に対する好適な含有量になるようにして使用量を調節した後、公知の重合法例えばラジカル重合法により製造することができる。樹脂Aの重量平均分子量は、好ましくは2,500以上であり、より好ましくは3,000以上である。該重量平均分子量の上限は50,000以下が好ましく、30,000以下がさらに好ましい。なお、ここでいう重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものであり、該分析の詳細な分析条件は、本願の実施例で詳述する。<塩基性化合物以下、塩基性化合物Cという。>本発明のレジスト組成物は、さらに、塩基性化合物Cを含有していてもよい。ここでいう塩基性化合物とは、酸を捕捉するという特性を有する化合物、特に、既に説明した酸発生剤から発生する酸を捕捉するという特性を有する化合物を意味し、当該技術分野ではクエンチャーといわれている。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えば、アミン及びアンモニウムヒドロキシドを挙げることができる。アミンは、脂肪族アミンでも、芳香族アミンでもよい。脂肪族アミンは、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンのいずれでもよい。芳香族アミンは、アニリンのような芳香環にアミノ基が結合したものや、ピリジンのような複素芳香族アミンのいずれでもよい。好ましい塩基性化合物Cとして、以下の式C2で表される芳香族アミン、特に、以下の式C2-1で表されるアニリン類が挙げられる。ここで、Arc1は、芳香族炭化水素基を表す。Rc5及びRc6は、それぞれ独立に、水素原子、脂肪族炭化水素基好ましくは、炭素数1~6の脂肪族炭化水素基であり、より好ましくは、炭素数1~6のアルキル基である。、脂環式炭化水素基好ましくは、炭素数5~10の脂環式炭化水素基である。又は芳香族炭化水素基好ましくは、炭素数6~10の芳香族炭化水素基である。を表し、該脂肪族炭化水素基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基、又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該アミノ基はさらに、炭素数1~4のアルキル基を有していてもよい。Rc7は、脂肪族炭化水素基好ましくは、炭素数1~6の脂肪族炭化水素基であり、より好ましくは、炭素数1~6のアルキル基である。、炭素数1~6のアルコキシ基、脂環式炭化水素基好ましくは、炭素数5~10の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは、炭素数5~10のシクロアルキル基である。、芳香族炭化水素基好ましくは、炭素数6~10の芳香族炭化水素基である。又はニトロ基を表し、該脂肪族炭化水素基、該アルコキシ基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基、又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該アミノ基はさらに、炭素数1~4のアルキル基を有していてもよい。m3は0~3の整数を表す。m3が2以上のとき、複数のRc7は、互いに同一でも異なってもよい。式C2で表される芳香族アミンは例えば、1-ナフチルアミン及び2-ナフチルアミン等が挙げられる。式C2-1で表されるアニリン類は例えば、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン及びジフェニルアミン等が挙げられる。また、以下の式C3、式C4、式C5、式C6、式C7、式C8、式C9、式C10及び式C11のいずれかで表される化合物以下、これらの化合物を、式番号に応じて、化合物C3~化合物C11のように表記する。も用いることができる。ここで、Rc8、並びに、芳香族炭素と結合するRc20、Rc21、Rc23、Rc24、Rc25、Rc26、Rc27及びRc28は前記Rc7で説明したいずれかの基を表す。。窒素原子と結合するRc9、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13、Rc14、Rc16、Rc19及びRc22は、それぞれ独立に、前記Rc5及びRc6で説明したいずれかの基を表す。o3、p3、q3、r3、s3、t3及びu3は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。o3が2以上であるとき、複数のRc20は互いに同一でも異なってもよく、p3が2以上であるとき、複数のRc21は互いに同一でも異なってもよく、q3が2以上であるとき、複数のRc24は互いに同一でも異なってもよく、r3が2以上であるとき、複数のRc25は互いに同一でも異なってもよく、s3が2以上であるとき、複数のRc26は互いに同一でも異なってもよく、t3が2以上であるとき、複数のRc27は互いに同一でも異なってもよく、u3が2以上であるとき、複数のRc28は互いに同一でも異なってもよい。Rc15は、脂肪族炭化水素基好ましくは、炭素数1~6の脂肪族炭化水素基である。、脂環式炭化水素基好ましくは、炭素数3~6の脂環式炭化水素基である。又はアルカノイル基好ましくは、炭素数2~6のアルカノイル基である。を表す。n3は0~8の整数を表す。n3が2以上のとき、複数のRc15は、互いに同一でも異なってもよい。Lc1及びLc2は、それぞれ独立に、2価の脂肪族炭化水素基好ましくは、炭素数1~6の脂肪族炭化水素基であり、より好ましくは、炭素数1~6程度のアルキレン基である。、カルボニル基、-C=NH-、-C=NRc3-但し、Rc3は、炭素数1~4のアルキル基を表す。、チオキシ基-S-、ジスルフィド結合-S-S-又はこれらの組合せを表す。アルカノイル基としては、アセチル基、2-メチルアセチル基、2,2-ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、2,2-ジメチルプロピオニル基等が挙げらる。塩基性化合物C3としては例えば、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタン等も用いることができる。化合物C4としては例えば、ピペラジン等が挙げられる。化合物C5としては例えば、モルホリン等が挙げられる。化合物C6としては例えば、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物等が挙げられる。化合物C7としては例えば、2,2’-メチレンビスアニリン等が挙げられる。化合物C8としては例えば、イミダゾール及び4-メチルイミダゾール等が挙げられる。化合物C9としては例えば、ピリジン、4-メチルピリジン等が挙げられる。化合物C10としては例えば、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン及び2,2’-ジピコリルアミン等が挙げられる。化合物C11としては例えば、ビピリジン等が挙げられる。アンモニウムヒドロキシドとしては例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3-トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド及びコリン等が挙げられる。塩基性化合物Cとしては、これらの中でもジイソプロピルアニリンが好ましく、2,6-ジイソプロピルアニリンがより好ましい。本発明のレジスト組成物は、式Vで表される化合物を含んでいてもよい。[式V中、R31、R41、R51及びR61は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3~30の飽和環状炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数2~20のアルケニル基を表す。A21は、置換基を有していてもよい炭素数1~36の炭化水素基を表し、該炭化水素基はヘテロ原子を含んでいてもよい。]R31、R41、R51及びR61におけるアルキル基は、直鎖状又は分岐状のいずれであってもよい。直鎖状のアルキル基は、炭素数が1~15であることが好ましく、1~10がより好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デカニル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。分岐状のアルキル基は、炭素数が3~20であり、3~15であることが好ましく、3~10がより好ましい。具体的には、例えば、1-メチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、1-エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基等が挙げられる。R31、R41、R51及びR61における飽和環状炭化水素基は、炭素数が5~30であることが好ましく、5~20がより好ましく、6~15がさらに好ましく、6~12が特に好ましい。具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどから1個の水素原子を除いた基などが挙げられる。R31、R41、R51及びR61におけるアルケニル基は、直鎖状または分岐状のいずれであってもよい。好ましくは、直鎖状のアルケニル基であり、上に例示したアルキル基の末端に-CH=CH2が導入されたものがより好ましい。アルケニル基の炭素数は、2~5が好ましく、4が特に好ましい。R31、R41、R51及びR61における上記の基は、置換基を有していてもよい。該置換基としては、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、アルキル基、アルキルオキシ基、ヒドロキシアルキルオキシ基、アルキルオキシアルキルオキシ基、アルキルオキシカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルアルキルオキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールアルキル基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子が好ましい。ハロゲン化アルキル基としては、アルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられ、特にフッ素化アルキル基が好ましい。アルキル基としては、R’1~R’4におけるものと同じものが挙げられる。アリール基としては、たとえば、フェニル基、ビフェニル基、フルオレニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基等の基が挙げられる。ヘテロアリール基としては、これらのアリール基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換された基が挙げられる。アリールアルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等が挙げられる。アリールアルキル基中のアルキル鎖の炭素数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。これらのアリール基、ヘテロアリール基、アリールアルキル基は、炭素数1~10のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子等の置換基を有していてもよい。該置換基におけるアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1~8であることが好ましく、炭素数が1~4であることがさらに好ましい。また、該ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。該ハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子などが挙げられ、フッ素原子であることが好ましい。R31、R41、R51及びR61は、直鎖状のアルキル基もしくはアルケニル基、または飽和環状炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキル基がより好ましい。また、R31、R41、R51及びR61のうちの1つが炭素数4以上、好ましくは5~10のアルキル基であることが好ましく、さらに、R31、R41、R51及びR61のうちの1つが炭素数3以下、好ましくは2以下のアルキル基であり、他の3つが、炭素数4以上のアルキル基であることが好ましい。A21における炭化水素基は、飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基、アリールアルキル基が挙げられる。飽和炭化水素基としては、R31、R41、R51及びR61における炭素数1~20のアルキル基、炭素数3~20の飽和環状炭化水素基と同様のものが挙げられる。不飽和炭化水素基の炭素数は、2~5が好ましく、2~4が好ましく、3が特に好ましい。不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基アリル基、ブチニル基、1-メチルプロペニル基、2-メチルプロペニル基などが挙げられ、特にプロペニル基が好ましい。芳香族炭化水素基は、炭素数は、6~36であり、6~30であることが好ましく、6~20がより好ましく、6~15がさらに好ましく、6~12が特に好ましい。芳香族炭化水素基としては、アリール基が挙げられる。アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、フルオレニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基等が挙げられる。アリールアルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等が挙げられる。アリールアルキル基中のアルキル鎖の炭素数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。A21における上記の基は、置換基を有していてもよい。該置換基としては、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、オキソ基等などが挙げられ、特にハロゲン原子、水酸基が好ましい。また、A’1はヘテロ原子を含んでいてもよく、ヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子等が挙げられる。アルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが特に好ましい。アリール基としては上記と同様のものが挙げられる。アルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。ハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。式Vで表される化合物が式IVで表される化合物であることが好ましい。[式IV中、R3、R4、R5及びR6は、それぞれ独立に、炭素数1~6のアルキル基を表す。A2は、置換基を有していてもよい2価の炭素数3~36の飽和環状炭化水素基又は置換基を有していてもよい2価の炭素数6~20の芳香族炭化水素基を表し、該飽和環状炭化水素基及び該芳香族炭化水素基はヘテロ原子を含んでいてもよい。]炭素数1~6のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、t-ペンチル基、ネオペンチル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、1,2-ジメチルプロピル基、1-エチルプロピル基、n-ヘキシル基、1-メチルペンチル基、n-ヘプチル基が挙げられる。2価の炭素数3~36の飽和環状炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、2-メチルシクロヘキシル基、3-メチルシクロヘキシル基、4-メチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の炭素数3~8のシクロアルキル基;シクロブチルメチル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘプチルメチル基、シクロオクチルメチル基等の炭素数5~12のシクロアルキルメチル基;1-アダマンチル基、1-アダマンチルメチル基等の炭素数5~12の他の飽和環状炭化水素基;等の1価の基の水素原子を1つ結合手に置き換えた2価の基が挙げられる。2価の炭素数6~20の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、2-メチルフェニル基、3-メチルフェニル基、4-メチルフェニル基、2-エチルフェニル基、3-エチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-t-ブチルフェニル基、2,3-ジメチルフェニル基、2,4-ジメチルフェニル基、2,5-ジメチルフェニル基、2,6-ジメチルフェニル基、3,4-ジメチルフェニル基、3,5-ジメチルフェニル基等の炭素数6~12のアルキル置換フェニル基;1-ナフチル基、2-ナフチル基、2-メチル-1-ナフチル基、3-メチル-1-ナフチル基、4-メチル-1-ナフチル基、5-メチル-1-ナフチル基、6-メチル-1-ナフチル基、7-メチル-1-ナフチル基、8-メチル-1-ナフチル基、1-メチル-2-ナフチル基、3-メチル-2-ナフチル基、4-メチル-2-ナフチル基、5-メチル-2-ナフチル基、6-メチル-2-ナフチル基、7-メチル-2-ナフチル基、8-メチル-2-ナフチル基等の炭素数10~12のアルキル置換ナフチル基;等の1価の基の水素原子を1つ結合手に置き換えた2価の基が挙げられる。ヘテロ原子を含む2価の炭素数3~36の飽和環状炭化水素基としては、ピロリジン基、ピラゾリジン基、イミダゾリジン基、イソオキサゾリジン基、イソチアゾリジン基、ピペリジン基、ピペラジン基、モルフォリン基、チオモルフォリン基、ジアゾール基、トリアゾール基、テトラゾール基等の1価の基の水素原子を1つ結合手に置き換えた2価の基が挙げられる。ヘテロ原子を含む2価の炭素数6~20の芳香族炭化水素基としては、ピリジル基、ジピリジル基等の1価の基の水素原子を1つ結合手に置き換えた2価の基が挙げられる。該飽和環状炭化水素基及び該芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、チオール基、シロキサン基、さらに置換基を有していてもよい総炭素数30以下の炭化水素基若しくはO、N、S等のヘテロ原子を含む複素環基、又は、二価の置換基としてオキシ基=O等が挙げられる。式Vで表される化合物に含まれるカチオンとしては、式IA-1~式IA-8で表されるカチオンが挙げられる。式Vで表される化合物に含まれるアニオンとしては、式IB-1~式IB-11で表されるカチオンが挙げられる。式Vで表される化合物としては、式V-1~式V-31で表される化合物が挙げられ、式IVで表される化合物に相当する式V-1~式V-27で表される化合物が好ましく、式V-1~式V-5で表される化合物及び式V-12~式V-20で表される化合物がより好ましく、式V-12~式V-16で表される化合物がさらに好ましい。式IVで表される化合物は公知の方法で製造することができる。例えば、テトラメチルアンモニウムハイドライドとヒドロキシアダマンタンカルボン酸との中和反応によって製造することができる。<溶剤以下、溶剤Dという。>本発明のレジスト組成物は、溶剤Dを含むことが好ましい。かかる溶剤Dは、用いる塩Iの種類及びその量と、樹脂Aの種類及びその量と、酸発生剤Bの種類及びその量とに応じ、さらに後述するレジストパターンの製造において、基板上にレジスト組成物を塗布する際の塗布性が良好となるという点から適宜、最適なものを選ぶことができる。好適な溶剤Dの例としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチル等のエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノン等のケトン類;γ-ブチロラクトン等の環状エステル類を挙げることができる。溶剤Dは、1種のみを使用してもよく、2種以上を併用してもよい。<その他の成分>本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、上記以外の構成成分以下成分Fという場合がある。を含んでいてもよい。成分Fは特に限定されず、当該技術分野で公知の添加剤、例えば、樹脂A以外の高分子化合物、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤及び染料等が挙げられる。<本発明のレジスト組成物及びその調製方法>本発明のレジスト組成物は、塩I、樹脂A、並びに、必要に応じて用いる溶剤D、酸発生剤B、塩基性化合物C及び/又は成分Fを混合することで調製することができる。かかる混合において、その混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10~40°Cの範囲から、用いる塩I等の種類や塩I等の溶剤Dに対する溶解度等に応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、0.5~24時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合等を用いることができる。本発明のレジスト組成物を調製する際に用いる各成分の使用量を選択することにより、本発明のレジスト組成物中の各成分の含有量を調節することができる。このように、各成分を混合した後、孔径0.01~0.2μm程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。樹脂Aの含有量は、レジスト組成物の固形分の総質量に対して、80質量以上99質量以下であることが好ましい。なお本明細書において組成物の固形分とは、後述する溶剤Dを除いたレジスト組成物成分の合計を意味する。例えば、溶剤Dの含有量が90質量である本発明のレジスト組成物において、レジスト組成物の固形分は10質量に相当する。組成物の固形分及びこれに対する各成分の含有量は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。本発明のレジスト組成物における塩Iの含有量は、レジスト組成物の固形分の総質量に対して、0.01~40質量が好ましく、1~30質量がより好ましく、3~25質量がさらに好ましい。本発明のレジスト組成物が酸発生剤Bを含む場合、その含有量は、樹脂A100質量部に対して、好ましくは0.01質量部以上であり、より好ましくは1質量部以上であり、さらに好ましくは3質量部以上である。また、樹脂A100質量部に対して、酸発生剤Bが好ましくは30質量部以下であり、より好ましくは25質量部以下であり、さらに好ましくは20質量部以下である。本発明の酸発生剤の含有量は、樹脂A100質量部に対して、好ましくは1質量部以上より好ましくは3質量部以上、好ましくは30質量部以下より好ましくは25質量部以下である。本発明のレジスト組成物が塩基性化合物Cを含む場合、レジスト組成物の固形分の総質量に対する塩基性化合物Cの含有量は、0.01~1質量程度が好ましい。塩基性化合物Cの含有量は、塩I及び酸発生剤Bの合計含有量よりも低くしておくことが好ましい。本発明のレジスト組成物が式Vで表される化合物を含む場合、式Vで表される化合物の含有量は、レジスト組成物の固形分の総質量に対して、0.001~10質量が好ましく、より好ましくは0.05~8質量、さらに好ましくは0.01~5質量である。また、レジスト組成物が式IVで表される化合物を含む場合、式IVで表される化合物の含有量は、レジスト組成物の固形分の総質量に対して、0.001~10質量が好ましく、より好ましくは0.05~8質量、さらに好ましくは0.01~5質量である。溶剤Dの含有量は、レジスト組成物総質量に対して90質量以上が好ましく、より好ましくは92質量以上であり、さらに好ましくは94質量以上であり、99.9質量以下が好ましく、より好ましくは99質量以下である。このような含有量で溶剤Dを含む本発明のレジスト組成物は、レジストパターンの製造において、厚み30~300nm程度の組成物層を形成しやすい。なお、本発明のレジスト組成物が成分Fを含む場合、当該成分Fの種類に応じて、適切な含有量を調節できる。<レジストパターンの製造方法>本発明のレジストパターンの製造方法は、1本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含むものである。以下、ここに示す工程の各々を、工程1~工程5のようにいう。工程1における本発明のレジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーター等、半導体の微細加工のレジスト材料塗布用として広く用いられている塗布装置によって行うことができる。当該塗布装置の条件塗布条件を種々調節することで、該塗布膜の膜厚は調整可能であり、適切な予備実験等を行うことにより、所望の膜厚の塗布膜になるように塗布条件を選ぶことができる。本発明のレジスト組成物を塗布する前の基板は、微細加工を実施しようとする種々のものを選ぶことができる。なお、本発明のレジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、反射防止膜を形成したりすることもできる。この反射防止膜の形成には例えば、市販の有機反射防止膜用組成物を用いることができる。かくして基板上にレジスト組成物からなる塗布膜が形成される。工程2においては、基板上に塗布された本発明のレジスト組成物、すなわち塗布膜を乾燥させて、溶剤溶剤Dを除去する。このような乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いた加熱手段いわゆるプリベーク、又は減圧装置を用いた減圧手段により、或いはこれらの手段を組み合わせることにより行われる。乾燥条件は、本発明のレジスト組成物に含まれる溶剤Dの種類等に応じて選択でき、例えばホットプレートを用いる加熱手段では、ホットプレートの表面温度を50~200°C程度の範囲にして行うことが好ましい。また、減圧手段では、減圧機の中に、塗布膜が形成された基板を封入した後、該減圧機の内部圧力を1~1.0×105Pa程度にすればよい。かくして塗布膜を乾燥させることにより、該基板上には組成物層が形成される。工程3は該組成物層に、露光機を用いて露光する工程である。露光は、微細加工を実施しようとする所望のパターンが形成されたマスクフォトマスクを介して行われる。露光機の露光光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2エキシマレーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザ等からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。また、該露光機は液浸露光機であってもよい。また、露光機は、電子線、超紫外光EUVを照射するものであってもよい。本明細書において、これらの放射線を照射することを総称して露光という場合がある。上述のとおり、マスクを介して露光することにより、該組成物層には露光された部分露光部及び露光されていない部分未露光部が生じる。露光部の組成物層では該組成物層に含まれる塩I及び酸発生剤Bが露光エネルギーを受けて酸を発生し、さらに発生した酸の作用により、樹脂Aにある酸不安定基が脱保護反応により親水性基を生じるため、露光部の組成物層にある樹脂Aはアルカリ水溶液に可溶なものとなる。一方、未露光部では露光エネルギーを受けないため、樹脂Aはアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶のままとなる。かくして、露光部にある組成物層と未露光部にある組成物層とは、アルカリ水溶液に対する溶解性が著しく相違することとなる。工程4では、露光後の組成物層に加熱処理いわゆるポストエキスポジャーベークが行われる。かかる加熱処理は前記工程2で示したホットプレートを用いる加熱手段等が好ましい。工程4においてホットプレートを用いる加熱手段を行う場合、ホットプレートの表面温度は50~200°C程度が好ましく、70~150°C程度がより好ましい。当該加熱処理により、上記脱保護反応が促進される。工程5は、加熱後の組成物層を現像装置により現像する工程である。現像する工程で、加熱後の組成物層をアルカリ水溶液と接触させると、露光部の組成物層は該アルカリ水溶液に溶解して除去され、未露光部の組成物層は基板上に残るため、当該基板上にレジストパターンが製造される。前記アルカリ水溶液としては、アルカリ現像液と称される本技術分野で公知のものを用いることができる。該アルカリ水溶液としては例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液や2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液等が挙げられる。現像後、製造されたレジストパターンに、超純水等でリンス処理を行うことが好ましい。さらに基板及びレジストパターン上に残存している水分を除去することが好ましい。<用途>本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線EB照射用のレジスト組成物又はEUV露光用のレジスト組成物、さらに液浸露光用のレジスト組成物として好適である。実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す及び部は、特記しないかぎり質量基準である。また重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。なお、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーの分析条件は下記のとおりである。カラム:TSKgelMultiporeHXLMx3guardcolumn東ソー社製溶離液:テトラヒドロフラン流量:10mL/min検出器:RI検出器カラム温度:40°C注入量:100μl分子量標準:標準ポリスチレン東ソー社製また、化合物の構造は、質量分析LCはAgilent製1100型、MASSはAgilent製LC/MSD型を用い、分子ピークを測定することで確認した。以下の実施例ではこの分子ピークの値をMASSで示す。実施例1:式I1で表される塩の合成2-エチル-2-アダマンタノール27.11部及びテトラヒドロフラン200.00部を仕込み、室温で攪拌し、2-エチル-2-アダマンタノールの溶解確認後、ピリジン14.27部を仕込み、40°Cに昇温した。さらに、クロロアセチルクロリド25.47部及びテトラヒドロフラン50部の混合溶液を1時間かけて滴下した。滴下後、40°Cで8時間攪拌し、5°Cに温度を下げた。5°Cに冷却したイオン交換水100.00部を添加、攪拌し、分液により水層を回収した。回収された水層に酢酸エチル65.00部を添加し、分液して有機層を回収した。回収された有機層に、5°Cの10炭酸カリウム水溶液65.00部を添加して洗浄し、分液して有機層を回収した後、回収された有機層にさらに、イオン交換水65.00部を添加して水洗し、分液を行って有機層を回収した。この水洗操作を3回繰り返して行った。回収された有機層を濃縮し、得られた濃縮物にn-ヘプタン50.00部を添加し、攪拌した後、ろ過後、乾燥して、式I1-aで表される化合物18.98部を得た。式I1-aで表される化合物5.12部及びN,N’-ジメチルホルムアミド25.00部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した。得られた混合物に、炭酸カリウム1.66部及びヨウ化カリウム0.84部を仕込み、50°Cで1時間攪拌した。得られた混合物を、40°Cまで冷却し、1,3-アダマンタンジオール3.31部をN,N’-ジメチルホルムアミド25.00部に溶解した溶液を1時間かけて滴下し、75°Cで5時間攪拌した。得られた混合物を、23°Cまで冷却し、クロロホルム60.00部及び1N塩酸60.00部を加えて攪拌し、分離した。回収された有機層をイオン交換水60.00部で水層が中性になるまで水洗を繰り返した。回収された有機層を濃縮した後、以下の条件でカラムシリカゲル60-200メッシュ;メルク社製展開溶媒:酢酸エチル分取することにより、式I1-bで表される化合物2.69部を得た。式I1-cで表される塩を、特開2008-13551号公報に記載された方法で合成した。式I1-cで表される化合物2.26部、クロロホルム15.00部、式I1-bで表される化合物2.33部、モレキュラーシーブ商品名:モレキュラーシーブ5A和光純薬製2.50部及びリチウムアミド0.07部を仕込み、80°Cで24時間加熱還流した後、ろ過した。得られたろ液に、シュウ酸0.14部及びイオン交換水5.00部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を6回行った。得られた有機層に活性炭1.00部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した後、ろ過した。ろ液を濃縮した後、得られた濃縮物に、アセトニトリル5.00部を添加して溶解し、濃縮し、酢酸エチル10部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にtert-ブチルメチルエーテル10部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮した後、得られた濃縮物をカラムメルクシリカゲル60-200メッシュ展開溶媒:クロロホルム/メタノール=5/1分取することにより、式I1で表される塩0.11部を得た。MSESISpectrum:M263.1MSESI-Spectrum:M-545.2実施例2:式I2で表される塩の合成2-メチル-2-アダマンタノール25.00部及びテトラヒドロフラン200部を仕込み、室温で攪拌し、2-メチル-2-アダマンタノールの溶解確認後、ピリジン14.27部を仕込み、40°Cに昇温した。さらに、クロロアセチルクロリド25.47部及びテトラヒドロフラン50部の混合溶液を1時間かけて滴下した。滴下後、40°Cで8時間攪拌し、5°Cに温度を下げた。5°Cに冷却したイオン交換水100部を添加、攪拌し、分液により水層を回収した。回収された水層に酢酸エチル65部を添加し、分液して有機層を回収した。回収された有機層に、5°Cの10炭酸カリウム水溶液65部を添加して洗浄し、分液して有機層を回収した後、回収された有機層にさらに、イオン交換水65部を添加して水洗し、分液を行って有機層を回収した。この水洗操作を3回繰り返して行った。回収された有機層を濃縮し、得られた濃縮物にn-ヘプタン40.00部を添加し、攪拌した後、ろ過後、乾燥して、式I2-aで表される化合物17.62部を得た。式I2-bで表される化合物15.00部及びN,N’-ジメチルホルムアミド75部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した。得られた混合物に、炭酸カリウム6.40部及びヨウ化カリウム1.92部を仕込み、50°Cで1時間攪拌した。得られた混合物に、式I2-aで表される化合物16.87部をN,N’-ジメチルホルムアミド33.74部に溶解した溶液を1時間かけて滴下し、50°Cで5時間攪拌した。得られた混合物を、23°Cまで冷却し、酢酸エチル300部及びイオン交換水150部を加えて攪拌し、分離した。回収された有機層をイオン交換水150部で水層が中性になるまで水洗を繰り返した。回収された有機層を濃縮し、得られた濃縮物にn-ヘプタン150部を添加し、攪拌した後、ろ過後、乾燥して、式I2-cで表される化合物22.67部を得た。式I2-cで表される化合物15.00部及びアセトニトリル75部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した後、5°Cまで冷却した。得られた混合物に、水素化ホウ素ナトリウム0.71部及びイオン交換水10.63部を仕込み、5°Cで3時間攪拌した。得られた混合物に、イオン交換水50部及び酢酸エチル100部を加えて攪拌し、分離した。回収された有機層をイオン交換水50.00部で水層が中性になるまで水洗を繰り返した。回収された有機層を濃縮した後、以下の条件でカラムシリカゲル60-200メッシュ;メルク社製展開溶媒:酢酸エチル分取することにより、式I2-dで表される化合物12.43部を得た。式I2-eで表される塩を、特開2008-127367号公報に記載された方法で合成した。式I2-eで表される塩10.00部及びアセトニトリル60部を仕込み、40°Cで30分間攪拌し、式I2-fで表される化合物4.44部を仕込み、50°Cで1時間攪拌することにより、式I2-gで表される化合物を含む溶液を得た。得られた式I2-gで表される化合物を含む溶液に、式I2-dで表される化合物9.19部を仕込み、23°Cで1時間攪拌した。得られた反応マスに、クロロホルム100部及びイオン交換水50部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を5回行った。得られた有機層に活性炭1.00部を仕込み、23°Cで30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮した後、得られた濃縮物に、アセトニトリル50部を添加して溶解し、濃縮し、酢酸エチル50部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にtert-ブチルメチルエーテル50部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮した後、得られた濃縮物をカラムメルクシリカゲル60-200メッシュ展開溶媒:クロロホルム/メタノール=5/1分取することにより、式I2で表される塩16.84部を得た。MSESISpectrum:M263.1MSESI-Spectrum:M-559.2実施例3:式I3で表される塩の合成式I2-eで表される塩10.96部及びアセトニトリル65.76部を仕込み、40°Cで30分間攪拌し、式I2-fで表される化合物4.44部を仕込み、50°Cで1時間攪拌することにより、式I3-gで表される化合物を含む溶液を得た。得られた式I3-gで表される化合物を含む溶液に、式I2-dで表される化合物9.19部を仕込み、23°Cで1時間攪拌した。得られた反応マスに、クロロホルム100部及びイオン交換水50部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を5回行った。得られた有機層に活性炭1.00部を仕込み、23°Cで30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮した後、得られた濃縮物に、アセトニトリル50部を添加して溶解し、濃縮し、酢酸エチル80部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にtert-ブチルメチルエーテル60部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮することにより、式I3で表される塩17.09部を得た。MSESISpectrum:M305.1MSESI-Spectrum:M-559.2実施例4:式I4で表される塩の合成式I4-aで表される化合物50.00部及びテトラヒドロフラン250部を、反応器中に仕込み、30°Cで30分間攪拌した後、トリメチルシリルクロリド50.23部を滴下した。得られた混合液を0°Cまで冷却した後、式I4-bで表される化合物純度32東京化成製157.20部を30分かけて滴下し、さらに、23°Cまで昇温した後、同温度で1時間攪拌した。得られた反応混合物に、1N塩酸125部を仕込み、攪拌静置し、分液することで水層を回収した。回収された水層に、tert-ブチルメチルエーテル125部を加えて攪拌静置し、分液することで水層を回収した。回収された水層に、クロロホルム125部を加えて攪拌静置し、分液することで有機層を回収した。。回収された有機層をろ過した後、得られたろ液を濃縮した。濃縮残渣に、アセトニトリル28.33部及びtert-ブチルメチルエーテル354.15部を仕込み、23°Cで30分間攪拌し、析出した結晶をろ過することにより、式I4-cで表される化合物53.00部を得た。式I4-dで表される化合物13.12部及びクロロホルム73.86部を、反応器中に仕込み、30°Cで30分間攪拌した後、式I4-cで表される塩20.71部及びイオン交換水62.27部を添加した。次いで、35塩酸6.90部を滴下した後、23°Cで12時間攪拌した。得られた反応混合物に、28アンモニア水12.00部を滴下した後、分液することで有機層を回収した。回収された有機層に、イオン交換水50部を仕込み、攪拌、静置及び分液といった水洗操作を計5回行った。得られた有機層に活性炭2.00部を仕込み、23°Cで30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮物に、アセトニトリル30部及びtert-ブチルメチルエーテル150部を加えて攪拌し、ろ過することにより、式I4-eで表される塩14.28部を得た。式I4-eで表される塩10.32部及びアセトニトリル61.91部を仕込み、40°Cで30分間攪拌し、式I2-fで表される化合物4.44部を仕込んだ。これを50°Cで1時間攪拌することにより、式I4-fで表される化合物を含む溶液を得た。得られた式I4-fで表される化合物を含む溶液に、式I2-dで表される化合物9.20部を仕込み、50°Cで3時間攪拌した。得られた反応マスに、クロロホルム120部及びイオン交換水50部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を5回行った。得られた有機層に活性炭1.00部を仕込み、23°Cで30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮した後、得られた濃縮物に、アセトニトリル40部を添加して溶解し、濃縮し、酢酸エチル70部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にtert-ブチルメチルエーテル50部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮することにより、式I4で表される化合物16.41部を得た。MSESISpectrum:M277.1MSESI-Spectrum:M-559.2実施例5:式I5で表される塩の合成1-エチルシクロヘキサノール19.28部及びテトラヒドロフラン150部を仕込み、室温で攪拌し、1-エチルシクロヘキサノールの溶解確認後、ピリジン14.27部を仕込み、40°Cに昇温した。さらに、クロロアセチルクロリド25.47部及びテトラヒドロフラン50部の混合溶液を1時間かけて滴下した。滴下後、40°Cで8時間攪拌し、5°Cに温度を下げた。5°Cに冷却したイオン交換水100部を添加、攪拌し、分液により水層を回収した。回収された水層に酢酸エチル80部を添加し、分液して有機層を回収した。回収された有機層に、5°Cの10炭酸カリウム水溶液80部を添加して洗浄し、分液して有機層を回収した後、回収された有機層にさらに、イオン交換水80部を添加して水洗し、分液を行って有機層を回収した。この水洗操作を3回繰り返して行った。回収された有機層を濃縮した後、以下の条件でカラムメルクシリカゲル60-200メッシュ展開溶媒:n-ヘプタン/酢酸エチル=1/3分取することにより、式I5-aで表される化合物14.23部を得た。式I2-bで表される化合物15.00部及びN,N’-ジメチルホルムアミド75部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した。得られた混合物に、炭酸カリウム6.40部及びヨウ化カリウム1.92部を仕込み、50°Cで1時間攪拌した。得られた混合物に、式I5-aで表される化合物14.23部をN,N’-ジメチルホルムアミド30部に溶解した溶液を1時間かけて滴下し、50°Cで5時間攪拌した。得られた混合物を、23°Cまで冷却し、酢酸エチル300部及びイオン交換水150部を加えて攪拌し、分離した。回収された有機層をイオン交換水150部で水層が中性になるまで水洗を繰り返した。回収された有機層を濃縮し、得られた濃縮物にn-ヘプタン150部を添加し、攪拌した後、ろ過後、乾燥して、式I5-cで表される化合物19.98部を得た。式I5-cで表される化合物13.57部及びアセトニトリル70部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した後、5°Cまで冷却した。得られた混合物に、水素化ホウ素ナトリウム0.71部及びイオン交換水10.63部を仕込み、5°Cで3時間攪拌した。得られた混合物に、イオン交換水50部及び酢酸エチル100部を加えて攪拌し、分離した。回収された有機層をイオン交換水50.00部で水層が中性になるまで水洗を繰り返した。回収された有機層を濃縮した後、以下の条件でカラムシリカゲル60-200メッシュ;メルク社製展開溶媒:酢酸エチル分取することにより、式I5-dで表される化合物10.79部を得た。式I2-eで表される塩10.00部及びアセトニトリル60部を仕込み、40°Cで30分間攪拌し、式I2-fで表される化合物4.44部を仕込み、50°Cで1時間攪拌することにより、式I2-gで表される化合物を含む溶液を得た。得られた式I2-gで表される化合物を含む溶液に、式I5-dで表される化合物8.32部を仕込み、23°Cで1時間攪拌した。得られた反応マスに、クロロホルム100部及びイオン交換水50部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を5回行った。得られた有機層に活性炭1.00部を仕込み、23°Cで30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮した後、得られた濃縮物に、アセトニトリル50部を添加して溶解し、濃縮し、酢酸エチル50部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にtert-ブチルメチルエーテル50部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮することにより、式I5で表される塩14.88部を得た。MSESISpectrum:M263.1MSESI-Spectrum:M-521.2樹脂Aの合成樹脂の合成において使用した化合物モノマーを下記に示す。以下、これらのモノマーをモノマーA~モノマーFという。合成例1樹脂A1の合成モノマーD、モノマーE、モノマーB、モノマーC及びモノマーFを、そのモル比モノマーD:モノマーE:モノマーB:モノマーC:モノマーFが、30:14:6:20:30の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物に、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルとを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1.00molと3.00molとなるように添加し、これを73°Cで約5時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒質量比メタノール:水=4:1に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過回収し、再度、ジオキサンに溶解させ、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過回収するという操作を2回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が約8.1×103である共重合体を収率65で得た。この共重合体は、モノマーD、モノマーE、モノマーB、モノマーC及びモノマーに各々由来する、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂A1とする。合成例2樹脂A2の合成モノマーA、モノマーE、モノマーB、モノマーC及びモノマーFを、そのモル比モノマーA:モノマーE:モノマーB:モノマーC:モノマーFが、30:14:6:20:30の割合となるように混合し、さらに、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルとを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1.00molと3.00molとの割合で添加し、これを73°Cで約5時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒質量比メタノール:水=4:1に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過回収し、再度、ジオキサンに溶解させ、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過回収するという操作を3回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が約7.8×103である共重合体を収率68で得た。この共重合体は、モノマーA、モノマーE、モノマーB及びモノマーCに各々由来する、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂A2とする。合成例3樹脂A3の合成モノマーA、モノマーB及びモノマーCを、そのモル比モノマーA:モノマーB:モノマーCが、50:25:25となるように混合し、さらに、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルとを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1molと3molとの割合で添加し、これを80°Cで約8時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒質量比メタノール:水=4:1に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過回収し、再度、ジオキサンに溶解させ、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過回収するという操作を3回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が約9.2×103である共重合体を収率60で得た。この共重合体は、モノマーA、モノマーB及びモノマーCに各々由来する、以下の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂A3とする。合成例4樹脂A4の合成モノマーA11.18部、p-アセトキシスチレン14.60部、モノマーB3.55部に1,4-ジオキサン28.82部を加えて溶液とし、87°Cまで昇温した。得られた溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル2.96部を添加し、87°Cで6時間保温した。冷却後反応液をメタノール291.41部とイオン交換水124.89部の混合液に注いで重合物を沈殿ろ過した。得られたろ過物及び4-ジメチルアミノピリジン2.93部を、得られたろ過物と同量のメタノールに加えて15時間加熱還流した。冷却後、得られた反応液に氷酢酸2.16部を加え中和した後、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解させた後、大量の水に注いで沈殿させる操作を3回繰り返して精製し、重量平均分子量が約3.4×103の共重合体27.71部を得た。この共重合体は、モノマーA、p-ヒドロキシスチレン及びモノマーCに各々由来する、以下の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂A4とする。合成例5樹脂A5の合成モノマーA10.54部、p-アセトキシスチレン14.60部、モノマーB3.55部に1,4-ジオキサン47.09部を加えて溶液とし、87°Cまで昇温した。得られた溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル2.96部を添加し、87°Cで6時間保温した。冷却後反応液をメタノール285.67部とイオン交換水122.43部の混合液に注いで重合物を沈殿ろ過した。得られたろ過物及び4-ジメチルアミノピリジン2.93部を、得られたろ過物と同量のメタノールに加えて15時間加熱還流した。冷却後、得られた反応液に氷酢酸2.16部を加え中和した後、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解させた後、大量の水に注いで沈殿させる操作を3回繰り返して精製し、重量平均分子量が約3.7×103の共重合体28.15部を得た。この共重合体は、モノマーA、p-ヒドロキシスチレン及びモノマーCに各々由来する、以下の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂A5とする。合成例6樹脂A6の合成モノマーA11.18部、p-アセトキシスチレン15.09部、モノマーB3.55部に1,4-ジオキサン28.82部を加えて溶液とし、82°Cまで昇温した。得られた溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.86部を添加し、82°Cで6時間保温した。冷却後反応液をメタノール291.41部とイオン交換水124.89部の混合液に注いで重合物を沈殿ろ過した。得られたろ過物及び4-ジメチルアミノピリジン2.93部を、得られたろ過物と同量のメタノールに加えて15時間加熱還流した。冷却後、得られた反応液に氷酢酸2.16部を加え中和した後、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解させた後、大量の水に注いで沈殿させる操作を3回繰り返して精製し、重量平均分子量が約8.5×103の共重合体22.42部を得た。この共重合体は、モノマーA、p-ヒドロキシスチレン及びモノマーCに各々由来する、以下の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂A6とする。実施例6~16及び比較例1<レジスト組成物の調製>表1に示す成分を、表1に示す質量部で、以下に示す溶剤と混合して溶解させ、得られた混合物を孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。<樹脂>A1:合成例1で得られた樹脂A1A2:合成例2で得られた樹脂A2A3:合成例3で得られた樹脂A3<酸発生剤>I1:実施例1で得られた式I1で表される塩I2:実施例2で得られた式I2で表される塩I3:実施例3で得られた式I3で表される塩I4:実施例4で得られた式I4で表される塩I5:実施例5で得られた式I5で表される塩B1:B2:<塩基性化合物:クエンチャー>C1:2,6-ジイソプロピルアニリン<溶剤>プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート265部2-ヘプタノン20.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル20.0部γ-ブチロラクトン3.5部<レジストパターンの製造及びその評価>12インチのシリコン製ウェハー上に、有機反射防止膜用組成物[ARC-29;日産化学株製]を塗布して、205°C、60秒の条件でベークすることによって、厚さ780Åの有機反射防止膜を形成させた。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥プリベーク後の膜厚が85nmとなるようにスピンコートした。レジスト組成物塗布後、得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表1のPB欄に記載された温度で60秒間プリベークPBして、組成物層を形成した。こうして組成物層レジスト組成物膜を形成したウェハーに、液浸露光用ArFエキシマレーザステッパー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=135、3/4AnnularX-Y偏光]を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。尚、液浸媒体としては超純水を使用した。露光後、ホットプレート上にて、表1のPEB欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベークPEBを行い、さらに2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。各レジスト組成物からのレジストパターン形成において、50nmのラインアンドスペースパターンの線幅が1:1となる露光量を実効感度とした。以上のようなレジストパターンの製造において、以下の項目を評価した。<ラインエッジラフネス評価LER>実効感度で得られたレジストパターンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察し、レジストパターンの側壁の凹凸の振れ幅LERが、3.5nm以下であるものを◎◎、3.5nmを超え、4nm以下であるものを◎4nmを超え、4.5nm以下であるものを○、4.5nmを超えるものを×とした。以上のようにして求められたラインエッジラフネス評価LERの結果を、上述の水準評価で表し、かつ、カッコ内にLERnmを数値で記した。結果を表2にまとめる。実施例17~20及び比較例2<レジスト組成物の調製>表3に示す成分を、表3に示す質量部で、以下に示す溶剤と混合して溶解させ、得られた混合物を孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。<樹脂>A4:合成例4で得られた樹脂A4A5:合成例5で得られた樹脂A5A6:合成例6で得られた樹脂A6<酸発生剤>I2:実施例2で得られた式I2で表される塩B2:<塩基性化合物:クエンチャー>C2:テトラブチルアンモニウムヒドロキシドC3:<溶剤>プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート400部プロピレングリコールモノメチルエーテル100部γ-ブチロラクトン5部電子線照射によるレジストパターンの製造及びその評価シリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて90°Cで60秒処理し、上記のレジスト組成物を乾燥プリベーク後の膜厚が0.06μmとなるようにスピンコートした。その後、ダイレクトホットプレート上にて、表3のPB欄に示す温度で60秒間プリベークして、組成物層を形成した。このように組成物層を形成したそれぞれのウェハに、電子線描画機株日立製作所製のHL-800D50keVを用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。露光後、ホットプレート上にて表3のPEB欄に示す温度で60秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。ラインエッジラフネス評価LER:80nmのラインアンドスペースパターンの線幅が1:1となる露光量で得られたレジストパターンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察し、レジストパターンの側壁の凹凸の振れ幅LERが、5nm以下であるものを◎、5nmを超えるものを×とした。以上のようにして求められたラインエッジラフネス評価LERの結果を、上述の水準評価で表し、かつ、カッコ内にLERnmを数値で記した。結果を表4にまとめる。EUV露光によるレジストパターンの製造及びその評価シリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて90°Cで60秒処理した上で、表3のレジスト組成物を乾燥プリベーク後の膜厚が0.05μmとなるようにスピンコートした。その後、ダイレクトホットプレート上にて、表3のPB欄に示す温度で60秒間プリベークして、組成物層を形成した。このように組成物層を形成したウェハに、EUV露光機を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。露光後、ホットプレート上にて表2のPEB欄に示す温度で60秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。ラインエッジラフネス評価LER:50nmのラインアンドスペースパターンの線幅が1:1となる露光量で得られたレジストパターンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察し、レジストパターンの側壁の凹凸の振れ幅LERが、5nm以下であるものを◎、5nmを超えるものを×とした。その結果を表5に示す。以上のようにして求められたラインエッジラフネス評価LERの結果を、上述の水準評価で表し、かつ、カッコ内にLERnmを数値で記した。結果を表5にまとめる。式Iで表される塩を含有する本発明のレジスト組成物は、そのラインエッジラフネスLERが○、◎又は◎◎の結果であり、ラインエッジラフネスLERが良好なレジストパターンを製造できた。一方、塩Iを含まない比較例1のレジスト組成物は、ラインエッジラフネスLERが不良×であった。"