"透光性を有するとともに、実装面並びに前記実装面に設けられた基板側第1電極及び基板側第2電極を有する回路基板と、前記回路基板の実装面に実装される光電変換素子であって、前記実装面と対向する第1の面にそれぞれ設けられた、光の入射部又は出射部である入出射部及び前記基板側第1電極に接続される素子側第1電極を有するとともに、前記第1の面と反対側の第2の面に素子側第2電極を有する光電変換素子と、前記光電変換素子と前記回路基板との間に充填された充填部材と、前記素子側第2電極から前記基板側第2電極に渡る膜状の導電部材とを備える光電変換モジュール。前記導電部材と前記充填部材との間に、前記充填部材よりも軟らかい緩衝部材を更に備える請求項1に記載の光電変換モジュール。前記回路基板の前記実装面とは反対側の背面に一体に設けられたポリマー光導波路部材と、前記ポリマー光導波路部材と前記光電変換素子とを光学的に結合するミラーとを更に備える請求項1又は2に記載の光電変換モジュール。前記回路基板は可撓性を有する、請求項3に記載の光電変換モジュール。前記回路基板は、前記ポリマー光導波路部材のクラッド層の一部を兼ねる、請求項4に記載の光電変換モジュール。前記導電部材は銀ペーストからなる、請求項1乃至5の何れか一項に記載の光電変換モジュール。特許文献1が開示する光伝送用プリント板ユニットにおいては、サブマウントチップが必要であり、部品点数が多い上に、実装面積が大きい。また、その製造の際、光電変換素子をサブマウントチップに実装する段階でサブマウントチップに対する光電変換素子の位置合わせが必要であり、サブマウントチップを光導波路基板に実装する段階で光導波路基板に対するサブマウントチップの位置合わせが必要であり、製造が煩雑である。本発明は、上述した事情に鑑みてなされ、その目的とするところは、一方の面に入出射部及び第1電極を有し、他方の面に第2電極を有する光電変換素子が、生産性及びスペース効率に優れた簡単な接続構造にて基板に実装された光電変換モジュールを提供することにある。上記目的を達成するため、本発明の一態様によれば、透光性を有するとともに、実装面並びに前記実装面に設けられた基板側第1電極及び基板側第2電極を有する回路基板と、前記回路基板の実装面に実装される光電変換素子であって、前記実装面と対向する第1の面にそれぞれ設けられた、入出射部及び前記基板側第1電極に接続される素子側第1電極を有するとともに、前記第1の面と反対側の第2の面に素子側第2電極を有する光電変換素子と、前記光電変換素子と前記回路基板との間に充填された充填部材と、前記素子側第2電極から前記基板側第2電極に渡る膜状の導電部材とを備える光電変換モジュールが提供される。本発明によれば、一方の面に入出射部及び第1電極を有し、他方の面に第2電極を有する光電変換素子が、生産性及びスペース効率に優れた簡単な接続構造にて基板に実装された光電変換モジュールが提供される。以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図1は、光アクティブケーブル10の外観を概略的に示す斜視図である。光アクティブケーブル10は、光電気複合ケーブル11と、光電気複合ケーブル11の両端に取り付けられた光送信器12及び光受信器14とからなる。光アクティブケーブル10は、例えば、デジタルAV機器間の接続に適用される。図2は、光電気複合ケーブル11の一部とともに、光送信器12を拡大して示す斜視図である。光送信器12は例えば金属製のハウジング16を有し、ハウジング16は例えば箱形状を有する。ハウジング16の一端からは、シール部材18を介して光電気複合ケーブル11が延出する一方、ハウジング16の他端には、開口が形成されている。ハウジング16の開口内には、例えば1枚のリジッドな回路基板20の端部が位置している。回路基板20の端部は、デジタルAV機器に設けられたスロットに挿入可能である。図3は、光送信器12を分解して概略的に示す斜視図であり、ハウジング16は、例えば相互に分離可能な第1ケース16a及び第2ケース16bからなる。回路基板20は、例えばガラスエポキシ製のリジッドな基板であって、第2ケース16bに対して固定されている。回路基板20には、例えば銅等の金属からなる所定の導体パターンが形成されており、導体パターンは、回路基板20の端部に配置された複数の電極端子22を含む。電極端子22は、デジタルAV機器に設けられた電極端子に電気的に接続される。回路基板20には、信号処理用のLSI大規模集積回路23とともにコネクタ24が取り付けられている。光電気複合ケーブル11は、複数本の導線25を含み、導線25は、シール部材18を通じて、ハウジング16の内部まで延びている。そして、ハウジング16の内部に位置する導線25の先端部は、回路基板20に半田付けされている。コネクタ24及び導線25は、導体パターンを通じてLSI23に電気的に接続され、LSI23が電極端子22に電気的に接続されている。一方、光電気複合ケーブル11は、例えば1本の光ファイバー28を含み、光ファイバー28も、シール部材18を通じて、ハウジング16の内部まで延びている。そして、ハウジング16の内部に位置する光ファイバー28の先端は、一実施形態の光電変換モジュール26の一端に固定されている。光電変換モジュール光電変換モジュール26の他端はコネクタ24に接続されている。光送信器12の光電変換モジュール26は、デジタルAV機器から受け取った電気信号を光信号に変換して光ファイバー28に伝送する機能を有する。図4は、光電変換モジュール26の第2ケース16b側を示す斜視図である。光電変換モジュール26は、FPC基板フレキシブルプリント回路基板30を含み、FPC基板30は、例えば、ポリイミド製の可撓性及び透光性を有するフィルム32と、フィルム32に設けられた例えば銅等の金属からなる導体パターンとからなる。なお、透光性は、フィルム32に孔を開けることによって確保されていてもよい。FPC基板30の一端側には、ポリマー光導波路部材33がフィルム32と一体に設けられている。ポリマー光導波路部材33には、FPC基板30の一端にて開口する溝が形成され、溝内に光ファイバー28の先端部が固定されている。光ファイバー28と反対側のポリマー光導波路部材33の端面には、金属膜が蒸着によって形成され、金属膜がミラー34を構成している。図5は、光電変換モジュール26の第1ケース16a側を示す斜視図である。FPC基板30の導体パターンは、フィルム32の他端部に形成された複数の電極端子35を含み、電極端子35がコネクタ24に電気的に接続される。なお導体パターンは、例えば、フィルム32に成膜された金属膜をエッチングすることにより作製することができる。ポリマー光導波路部材33と反対側のFPC基板30の一方の面実装面には、所定の位置にICチップ36が例えばフリップチップ実装されている。また、図6に拡大して示したように、FPC基板30の実装面には、光電変換素子38としてのLDレーザダイオード等の発光素子が実装され、ICチップ36及び光電変換素子38は導体パターンに電気的に接続されている。ICチップ36は、光電変換素子38を駆動するための駆動回路を構成している。光電変換素子38とFPC基板30との間には、透光性及び電気絶縁性を有する樹脂製の充填部材40が設けられている。充填部材40は、例えば、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなる。そして、FPC基板30とは反対側の光電変換素子38の面から、FPC基板30の導体パターンに渡って、膜状の導電部材42が設けられている。図7は、FPC基板30側の光電変換素子38の面出射面を概略的に示す平面図であり、出射面には、アノード電極素子側第1電極44と、出射部46が設けられている。つまり、光電変換素子38としての発光素子は、面発光型である。光電変換素子38は、出射面と反対側にカソード電極を有し、アノード電極44とカソード電極の間に電圧が印加されると、出射部46から光を出射する。図8は、光電変換モジュール26のICチップ36及び光電変換素子38近傍の縦断面を概略的に示す図である。ポリマー光導波路部材33は、アンダークラッド層48、コア50、及び、オーバークラッド層52を含む。アンダークラッド層48は、FPC基板30に積層され、光信号の進行方向から見た断面形状が四角形のコア50がアンダークラッド層48上を延びている。コア50の数は、光ファイバー28の数に対応して1本であり、光ファイバー28の先端部と同軸上に位置している。オーバークラッド層52は、アンダークラッド層48と協働してコア50を囲むように、アンダークラッド層48及びコア50の上に積層されている。アンダークラッド層48、コア50、及び、オーバークラッド層52の材料としては、特に限定されることはないが、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂及びポリイミド系樹脂等を用いることができる。コア50の一端は、ポリマー光導波路部材33の溝の端面に位置し、光ファイバー28の端部と当接して光学的に結合されている。一方、コア50の他端には、ミラー34が設けられ、ミラー34は、光電変換素子38の出射部46に対応するように配置されている。つまり、コア50の他端と光電変換素子38との間にて、光路は、ミラー34によって90°曲げられ、FPC基板30を貫通している。ICチップ36の電極は例えばAuからなるバンプ54を介して、FPC基板30の導体パターンに接続されている。より詳しくは、ICチップ36の1つの電極は、バンプ54を介して、導体パターンの一部を構成するアノード電極基板側第1電極56に接続されている。アノード電極56は、フィルム32上をICチップ36から光電変換素子38まで延びている。そして、光電変換素子38のアノード電極44も、例えばAuからなるバンプ58を介して、アノード電極56に接続されている。バンプ58を介してアノード電極56に実装されている点において、光電変換素子38は、フリップチップ実装されているということができる。光電変換素子38とFPC基板30との間に充填された充填部材40は、バンプ58を囲んでおり、充填部材40によって、光電変換素子38はFPC基板30に対して堅固に固定されている。また、充填部材40は、アノード電極44,56及びバンプ58と導電部材42との間の電気的な絶縁性を確保している。なお、充填部材40は、光電変換素子38の縁からはみ出ていてもよく、光電変換素子38の側面に付着していてもよいが、FPC基板30と反対側の光電変換素子38の面上面には付着していない。充填部材40は、光電変換素子38の上面の一部に付着するが、全面を覆わないように設けても良い。光電変換素子38の上面には、カソード電極素子側第2電極62が設けられている。カソード電極62は、膜状の導電部材42によって覆われている。FPC基板30の導体パターンはカソード電極基板側第2電極64を含み、導電部材42は、カソード電極64も覆っている。つまり、導電部材42は、カソード電極62から、充填部材40の上を通って、カソード電極64にまで渡っており、カソード電極62とカソード電極64を電気的に接続している。導体パターンのカソード電極64は、ICチップ36に電気的に接続されており、ICチップ36は、アノード電極56及びカソード電極64を介して、光電変換素子38のアノード電極44とカソード電極62の間に電圧を印加する。上述した光電変換モジュール26の製造工程において、光電変換素子38は、好ましくは、以下のようにしてFPC基板30に実装される。まず、光電変換素子38のアノード電極44上にバンプ58を付与する。それから、光電変換素子38をホルダで保持しながら、FPC基板30に対して位置合わせする。位置合わせには、例えば光学カメラが用いられる。それから、光電変換素子38をFPC基板30に対して接近させ、バンプ58をアノード電極56に接触させる。この状態で、加熱、加重して、バンプ58を介して、アノード電極56とアノード電極44を接続する。このとき超音波を印加してもよい。この後、充填装置を用いて、FPC基板30と光電変換素子38との間に樹脂を充填し、樹脂を硬化させて充填部材40を形成する。それから、光電変換素子38のカソード電極62からFPC基板30のカソード電極64に渡って例えば銀ペーストをディスペンサを用いて付与し、銀ペーストを硬化させて導電部材42を形成する。これにより、光電変換素子38の実装が終了する。以上で光送信器12の光電変換モジュール26についての説明を終了するが、光受信器14も光電変換モジュール26を有する。光受信器14の光電変換モジュール26は、光ファイバー28から受け取った光信号を電気信号に変換し、コネクタ24及び電極端子22を通じて外部装置に伝送する機能を有する。そのために、光受信器14の光電変換モジュール26においては、光電変換素子38はPDフォトダイオード等の受光素子であり、ICチップ36は増幅回路である。受光素子は、出射部ではなく入射部を有する。なお本明細書では、出射部及び入射部を入出射部ともいう。上述した一実施形態の光電変換モジュール26によれば、膜状の導電部材42によって、光電変換素子38のカソード電極62がFPC基板30のカソード電極64に接続されており、サブマウントチップが不要である。膜状の導電部材42の形成には、高い位置精度は不要であり、このため、光電変換モジュール26の生産性は高い。また、サブチップが不要であるため、スペース効率が高く、光電変換モジュール26自体の小型化が可能である。また、上述した一実施形態の光電変換モジュール26に用いられる光電変換素子38においては、一方の面にアノード電極44が設けられ、他方の面にカソード電極62が設けられているので、アノード電極及びカソード電極が同一面内に設けられている場合に比べて、光電変換素子38の小型化が図られる。このため、光電変換モジュール26の小型化も図られる。更に、上述した一実施形態の光電変換モジュール26に用いられる光電変換素子38は、光電変換素子38のカソード電極62が膜状の導電部材42を通じてFPC基板30のカソード電極64に接続されており、ワイヤで接続されている場合に比べて、放熱性に優れている。本発明は、上述した一実施形態に限定されることはなく、一実施形態に変更を加えた形態も含む。例えば、上述した一実施形態の光電変換モジュール26では、FPC基板30が可撓性を有していたが、可撓性を有さない回路基板を用いてもよい。上述した一実施形態の光電変換モジュール26は、図9に示すように、緩衝部材66を更に有していてもよい。緩衝部材66は、光電変換素子38及び充填部材40と導電部材42との間に設けられ、充填部材40及び導電部材42よりも軟質である。緩衝部材66は、光電変換素子38、充填部材40及び導電部材42の間で線膨張の差に伴う応力が発生したとしても、応力を緩和する。この結果、応力による光電変換素子38の故障が防止される。上述した一実施形態の光電変換モジュール26では、FPC基板30に1個の光電変換素子38が実装されていたが、複数個の光電変換素子38が実装されていてもよい。或いは、図10に示すように、複数個の光電変換素子が一体に形成されたアレイ状の光電変換素子68が実装されていてもよい。上述した一実施形態の光電変換モジュール26では、膜状の導電部材42が、光電変換素子38の上面から、FPC基板30のカソード電極64に向かう方向にのみ延びていたが、導電部材42が全方向に延びていてもよい。則ち、導電部材42が、光電変換素子38を覆うようにドーム状をなしていてもよい。この場合、更に放熱性が向上する。上述した一実施形態の光電変換モジュール26に用いられた光電変換素子38では、入出射部46と同じ面にアノード電極44が設けられ、反対側の面にカソード電極62が設けられていたが、光電変換素子38の構成によっては、入出射部46と同じ面にカソード電極が設けられ、反対側の面にアノード電極が設けられていてもよい。上述した一実施形態の光電変換モジュール26では、FPC基板30がフィルム32上にアンダークラッド層48が設けられていたけれども、フィルム32がアンダークラッド層を兼ねていてもよい。上述した一実施形態の光電変換モジュール26は、FPC基板30と一体のポリマー光導波路部材33を有していたけれども、ポリマー光導波路部材33を有さなくてもよい。則ち、別の手段によって、光ファイバー28と光電変換素子38とが光学的に結合されていてもよい。最後に、本発明の光電変換モジュール26を備える光アクティブケーブル10は、デジタルAV機器以外に、例えばスイッチングハブ等のネットワーク機器にも適用可能である。また、本発明の光電変換モジュールは、光アクティブケーブル10以外に、パーソナルコンピュータ等の情報処理機器に内蔵される光インターコネクトにも適用可能である。"