炭化珪素単結晶基板又は基板上に成膜された炭化珪素単結晶エピタキシャル膜にイオン注入する工程と、該炭化珪素単結晶基板上又は該炭化珪素単結晶エピタキシャル膜上に窒素を含有した炭素膜を形成する工程と、注入イオンの活性化熱処理を行う工程とを含む炭化珪素半導体デバイスの作製方法。上記炭素膜は、炭素ターゲットを用いスパッタリング法により形成することを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体デバイスの作製方法。上記スパッタリング法に用いるスパッタガスは、ArにN2を3~10含有していることを特徴とする請求項2に記載の炭化珪素半導体デバイスの作製方法。上記注入イオンの活性化熱処理は、1600°C~1800°Cで行うことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかの1項に記載の炭化珪素半導体デバイスの作製方法。本発明は、各種イオンをイオン注入した後に活性化させるための熱処理を行う場合に、炭化珪素表面が荒れてしまうことを防ぐ炭化珪素半導体デバイスの作製方法を提供することを課題とする。上記の課題は、以下の炭化珪素半導体デバイスの作製方法によって解決される。1炭化珪素単結晶基板又は基板上に成膜された炭化珪素単結晶エピタキシャル膜にイオン注入する工程と、該炭化珪素単結晶基板上又は該炭化珪素単結晶エピタキシャル膜上に窒素を含有した炭素膜を形成する工程と、注入イオンの活性化熱処理を行う工程とを含む炭化珪素半導体デバイスの作製方法。2上記炭素膜は、炭素ターゲットを用いスパッタリング法により形成することを特徴とする1に記載の炭化珪素半導体デバイスの作製方法。3上記スパッタリング法に用いるスパッタガスは、ArにN2を3~10含有していることを特徴とする2に記載の炭化珪素半導体デバイスの作製方法。4上記注入イオンの活性化熱処理は、1600°C~1800°Cで行うことを特徴とする1ないし3のいずれかに記載の炭化珪素半導体デバイスの作製方法。本発明によれば、従来600°Cという高温での成膜が必要であった炭素保護膜の形成が、ArガスにN2を適量添加することで300°Cまで低温化して成膜しても同等な表面荒れを実現できる。これにより特殊な高温対応のスパッタリング装置を用いることなしに一般的な300°Cまでのヒータを装備した装置で保護膜を形成できる。また基板温度を低温化したことで、昇温や降温などに時間が短縮され、炭化珪素半導体デバイスの生産性が向上される。本発明の原理上記の問題を解決するには低温で成膜した炭素膜を用いて活性化熱処理を行っても十分な表面荒れの低減効果を得られるようにする必要がある。具体的には300°C以下の成膜温度が望ましい。一般的な仕様のスパッタ装置で加熱できる温度は300°Cが上限のものが多いためである。しかしながら低温で成膜すると従来技術では表面荒れの低減効果を十分に得られない。本発明では、活性化熱処理中、クラックが入らない膜を低温で形成する保護膜として窒素を含有した炭素膜CNを用いると効果があることがわかった。スパッタガスArにN2を3から10添加することでCN膜を作製できる。このCN膜を300°C以下で形成しても従来のArスパッタで600°Cで形成した炭素膜を保護膜として活性化熱処理した表面荒れ状態と300°C以下で形成したCN膜を保護膜として活性化熱処理した場合と同等な表面を実現する。実施例活性化熱処理しても炭化珪素表面が荒れないような炭素保護膜の形成方法について実施例を用いて説明する。結晶構造が4H炭化珪素でC面やSi面の基板で4°オフ基板又は炭化珪素エピタキシャル膜付きの4°オフ基板を有機洗浄、RCA洗浄した後、イオン注入装置により500°Cに基板を加熱した状態でボックスプロファイルが045μmから085μm加速エネルギーが290から700keVで総ドーズ量が2×1014cm2になるように窒素を注入した。その後、更にボックスプロファイルが035加速エネルギーが20から350keVで総ドーズ量が8×1014cm2になるように燐を注入した。イオン注入後にDCマグネトロンスパッタ装置で炭素ターゲットを用いて純Arガス又はN2を添加したArガスをスパッタガスとして炭素薄膜を形成した。基板温度は室温RT、300°C及び600°Cで行い、DCパワーは直径12インチのターゲットで1000W印加した。炭素膜厚は15nmから30nmの範囲で成膜した。炭素膜成膜後活性化熱処理を行った。試料を熱処理炉に挿入後、真空引きを行った。真空引きは1×102Pa以下まで行った。その後Arガスを導入し、80~760Torrの圧力で1600°Cから1800°Cの範囲で1分間から5分間の熱処理を行った。熱処理後、取り出し可能な温度まで冷却して、アッシング装置で炭素膜のアッシングを行った。アッシングは、リアクティブイオンエッチング装置でO2を導入して12Paの圧力でRFパワー500W印加して酸素プラズマ中で行った。アッシング時間は5分である。アッシング後は、原子間力顕微鏡AFMや走査型電子顕微鏡SEMなどでイオン注入した基板表面の荒れを評価した。図1に従来のArスパッタで600°Cの温度で成膜した炭素膜を活性化熱処理した場合のAFM測定結果を、図2にそのSEM観察結果を示す。アッシング前の状態で熱処理後に炭素膜にクラックが発生しており、クラック部分の基板表面がむき出しになることで表面が少しエッチングされてしまったような部分シミのような痕ができている。この現象は常に発生するわけではないが数サンプルに1回ぐらいの割合で発生し解決の必要な問題である。これは炭素膜に大きな応力がかかるためと推定される。この問題を解決するには成膜温度の低温化が必要であるが、成膜温度を低温にすると従来技術ではイオン注入面の表面荒れが大きくなってしまうという問題がある。そこで本発明では低温で成膜しても硬度が高い炭素膜で応力が従来の膜より小さく、1600°C以上の熱処理が行われてもクラックが入らない炭素膜の作製方法としてArにN2を添加した。表1に、炭素膜スパッタ時の成膜温度RT、300°C及び600°CとスパッタガスをArを用いた場合B及びAr5N2を用いた場合Aについての熱処理後の表面荒れの関係を示す。表面荒れはAFMでの測定結果である。従来方法として通常用いられるArガスでのスパッタリングBでは、基板温度600°Cで行ってもRMS=037nmであり、基板温度を低下させてしまうとRMSは徐々に悪化し、室温RTで成膜した場合は、RMS14nm以上と大きく荒れてしまうことがわかる。これに対し、スパッタガスにN2を流量比で5添加したArガスを用いてスパッタリングした場合Aは、すべての成膜温度においてArスパッタの場合より表面荒れが小さくなる。ArN2でスパッタリングした場合は300°Cまで成膜温度を低くしても従来のArスパッタの600°Cの場合とほぼ同等の表面荒れにすることができることが分かる。図3に、スパッタガスArで600°Cで成膜した炭素膜を用いて活性化熱処理したエピタキシャル基板表面のAFM像を示す。従来方法のArスパッタ600°Cの試料は、図1、図2に示したような現象シミのような痕が発生しなかった場合のデータである。図4に、スパッタガスAr5N2で300°Cで成膜した炭素膜を用いて熱処理したエピタキシャル基板表面のAFM像を示す。Arスパッタ600°Cの試料はRMS=037nmであり、ArN2スパッタ300°Cの試料はRMS=036nmであった。このように、ArにN2を5添加したガスで成膜することで成膜温度を300°Cまで低減させても従来と同等の表面荒れを実現できた。図5にArに添加するN2量を変化させた場合の表面荒れの関係をしめす。N2添加なし、又は15添加した場合は表面荒れが増加し、RMSが悪化している。本発明で説明したArガスへのN2添加量が3~10の範囲で表面荒れが小さくできることが確認された。以上のようにスパッタガスにArN2ガスを用いて、N2添加量を適正にすることで窒素が含有された炭素膜にすることができ、この膜を300°C以下の温度で成膜した試料を活性化アニールすることで、従来と同等な表面荒れを実現でき、従来方法では時たま見られた炭素膜へのクラックの発生のない炭素保護膜を実現できる。