ガラス組成として、モルで、SiO246~60、Al2O30~6、B2O313~30、MgO0~10、CaO0~10、ZnO0~20、Li2O9~25、Na2O0~15、K2O0~7、TiO20~8含有し、Li2O/Li2ONa2OK2Oがモル比で0.48~1.00の範囲にあることを特徴とする半導体封入用無鉛ガラス。106dPasの粘度に相当する温度が650°C以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体封入用無鉛ガラス。請求項1又は2に記載のガラスからなることを特徴とする半導体封入用外套管。半導体素子の封入の際の温度が高いと、素子が劣化したり、金属の降伏点を越えて弾性を失うことによる金属線の接触不良が生じたりする。これを改善するためにはガラスの封入温度を下げることが望ましいが、単純にSiO2などのガラスの骨格成分を減らしたり、アルカリ金属成分を増やしたりする組成変更を行うとガラスの耐酸性が劣化してしまう。耐酸性の不十分なガラスを酸処理やメッキ処理すると、ガラス表面が劣化して細かいクラックを生じる。ガラス表面にこのようなクラックが存在すると様々な汚れや水分が付着しやすく、素子の表面抵抗が下がって電気製品の不具合を生じることがある。またガラスのアルカリ金属含有量を増やすと、膨張係数が金属線のそれと整合しなくなる。本発明の目的は、低温で半導体素子を封入することが可能であり、しかも耐酸性に優れた半導体封入用無鉛ガラス及び半導体封入用外套管を提供することである。本発明者等は、鋭意研究の結果、ガラス表面に生じる微細なクラックが乾燥後に生じることや、クラックの深さが数ミクロンに留まり強度には影響しないことから、酸処理中にガラス表層のアルカリ金属と酸のプロトンHとがイオン交換してガラス表面の体積が収縮し、イオン交換されていない部分に引っ張られてクラックが生じる、との知見を得た。この知見に基づき、ガラス成分中のアルカリ金属として、イオン半径の最も小さいLi2Oを主として使用することで、クラックの発生を抑制できることを見いだし、本発明として提案するものである。なおLi2Oは、B2O3含有ガラスでは分相を生じさせて耐酸性を悪化させることが知られているが、本発明ではSiO2量、Al2O3量及びB2O3量を調整することにより、分相を防止している。即ち、本発明の半導体封入用無鉛ガラスは、ガラス組成として、モルで、SiO246~60、Al2O30~6、B2O313~30、MgO0~10、CaO0~10、ZnO0~20、Li2O9~25、Na2O0~15、K2O0~7、TiO20~8含有し、Li2O/Li2ONa2OK2Oがモル比で0.48~1.00の範囲にあることを特徴とする。ここで無鉛とは、ガラス原料として積極的に鉛原料を添加しないという意味であり、不純物等からの混入を完全に排除するものではない。より具体的には、ガラス組成中のPbOの含有量が、不純物等からの混入も含めて1000ppm以下であることを意味する。本発明においては、106dPasの粘度に相当する温度が650°C以下であることが好ましい。本発明において、106dPasの粘度に相当する温度は次のようにして求めた温度を意味する。まずASTMC338に準拠するファイバ法によりガラスの軟化点を測定する。次に白金球引き上げ法により作業点領域の粘度に相当する温度を求める。最後にこれらの粘度と温度をFulcherの式に当てはめて、106dPasにおける温度を算出する。本発明の半導体封入用外套管は、上記ガラスからなることを特徴とする。本発明の半導体封入用無鉛ガラスは、低温で半導体素子を封入できる。また耐酸性に優れるため、素子封入後に酸処理を施しても、イオン交換による表面の微細クラックが生じ難いことから信頼性の高い半導体封入部品を作製することができる。本発明の半導体封入用無鉛ガラスにおいて、上記のようにガラス組成範囲を限定した理由を以下に説明する。なお、以下の表示は、特に断りがある場合を除き、モルを指す。SiO2は、主成分でありガラスの安定化に重要な成分である。また耐酸性の向上に大きな効果がある。一方、SiO2は封止温度を上昇させる成分でもある。SiO2の含有量は46~60、好ましくは47~59.9、より好ましくは48.2~57.9、さらに好ましくは50.2~53.7である。SiO2の含有量が少なすぎると上記した効果を享受し難くなる。逆にSiO2の含有量が多すぎると低温封入が困難になる。Al2O3は、Siを含有する結晶の析出を抑え、また耐水性や耐酸性を高める成分である。一方、Al2O3はガラスの粘性を上昇させる成分でもある。Al2O3の含有量は0~6、好ましくは0.1~4、さらに好ましくは0.4~3である。Al2O3の含有量が少なすぎると上記した効果が得られなくなる。逆にAl2O3の含有量が多すぎるとガラスの粘性が高くなり過ぎて成形性が低下し易くなる。また低温封入が困難になる。B2O3は、ガラスを安定化させる成分であるとともに、ガラスの粘性を低下させる成分である。一方、B2O3は耐薬品性を低下させる成分でもある。B2O3の含有量は13~30、好ましくは14.5~25、さらに好ましくは15.5~18.2である。B2O3の含有量が少なすぎると上記した効果を享受し難くなる。逆にB2O3の含有量が多すぎると耐薬品性が悪くなる。アルカリ土類金属酸化物MgO、CaO、SrO、BaOはガラスを安定化させる効果が高い。その一方で、106dPasの粘度に相当する温度が650°C以下のガラスにおいては、アルカリ土類金属酸化物によるガラスの低温化効果は期待できず、むしろ封入温度を上昇させるおそれがある。このためアルカリ土類金属酸化物の総量は少ない方が好ましく、その含有量は合量で0~10、0~8、特に0~6であることが望ましい。なお各アルカリ土類金属酸化物成分については以下に述べる。MgOとCaOの含有量は、各々0~10、好ましくは各々0~5、さらに好ましくは各々0~2である。MgOやCaOの含有量が多すぎるとガラスの粘度が高くなり溶融が困難になる。なおCaOは上記したアルカリ土類金属酸化物共通の効果に加えて、耐薬品性を向上させる効果もある。SrOとBaOの含有量は、各々0~10.7、特に0~10、さらには0~3であることが望ましい。SrOやBaOの含有量が多すぎるとガラスの粘度が高くなり溶融が困難になる。なおBaOの含有量は質量で0~<11未満、特に0~0.7であることが望ましい。ZnOはアルカリ金属酸化物に比べて膨張を上げずに、ガラスの粘性を低下させることができる成分である。ZnOの含有量は0~20、ZnOの下限値は好ましくは1以上、特に2以上であり、上限値は好ましくは15以下、12以下、9以下、7.4以下、特に6以下である。ZnOが多すぎるとガラスが失透し易くなったり、組成のバランスを欠いて耐酸性が悪化しやすくなる。アルカリ金属酸化物Li2O、Na2O、K2Oは、ガラスの粘性を下げたり、膨張を上げたりする効果がある。特にLi2Oはガラスの粘性を低下させる効果が高いこと、及びイオン半径が小さくプロトンとイオン交換されてもガラスがあまり体積収縮しないことから、上記組成のガラスでは必須成分として使用する。一方、アルカリ金属酸化物の総量が多すぎると、膨張が高くなりすぎてジュメット等の金属線との間でクラックを生じる。またガラスの耐酸性を悪化させる。それゆえアルカリ金属酸化物は合量で10~30、特に20~30、21~28、さらには22~25であることが好ましい。なお各アルカリ金属酸化物成分については以下に述べる。Li2Oは上記したようにガラスの粘性を低下させる効果が大きいが、その含有量が多くなるとLiを含有する結晶を生じさせやすい。このためLi2Oの含有量は9~25、好ましくは9.2~20、さらに好ましくは10~20である。Li2Oの含有量が少なすぎると上記した効果を享受し難くなる。一方、Li2Oの含有量が多すぎると失透し易くなったり、耐酸性が特に悪化しやすくなる。また上述の通り、Li2Oはガラスの粘度を下げる効果と、イオン半径が最も小さくクラックの発生を防止する効果が最も高いので、本発明ではアルカリ金属酸化物の総量に占めるLi2Oの割合を一定以上とする。具体的には、Li2O/Li2ONa2OK2Oがモル比で0.48~1.00、好ましくは0.50~0.90、さらに好ましくは0.60~0.80である。この値が小さすぎるとガラスの低粘性化及びクラック発生防止の効果を得にくくなり、また大きすぎると失透し易くなる。Na2Oは上記したアルカリ金属共通の効果の他にガラスを安定化させて失透を防止する効果がある。本発明においてはガラスの安定化を考慮して導入することが望ましい。Na2Oの含有量は0~15、好ましくは1~15、2~13、3~11、4~11、特に好ましくは5~11である。Na2Oの含有量が少なすぎると上記した効果を享受し難くなる。一方、Na2Oの含有量が多すぎると、失透し易くなる。K2Oは上記したアルカリ金属共通の効果の他にガラスを安定化させ失透を防止する効果があり、本発明においては0~7含有する。上記効果を的確に得るためには、K2Oを0.6以上含有させることが好ましい。その一方でK2OはLi2Oに比較してクラックを生じさせ易い。またガラスの粘性を下げる効果が小さい。しかもK2Oの含有量が多すぎると失透し易くなる。これらの観点からは、K2Oの使用は少ない方が良く、その含有量は0~3、0~2.3、0~1、0~0.5、特に0~0.1であることが望ましい。TiO2は耐酸性を高めるために添加する成分である。その一方でTiO2はガラスの耐失透性を悪化させやすいという特徴がある。このためTiO2を過剰に含有させると金属や耐火物との接触によってガラスが容易に失透し、この失透物の影響によって得られるガラスの寸法精度が低下するという問題を引き起こす虞がある。TiO2の含有量は0~8、好ましくは0~5、0.6~5、1.1~5、1.1~4、1.3~3、特に好ましくは1.5~2.5である。また耐酸性を向上させるために、SiO2とTiO2の含有量が合量で48.5~61、特に51~58、さらには52.1~56.5であることが好ましい。SiO2とTiO2の合量が48.5以上であれば、耐酸性がより向上するため好ましい。SiO2とTiO2の合量が61以下であれば、ガラスが固くなり難く、低温での封入がより容易になる。本発明の半導体封入用無鉛ガラスは、上記成分以外にも、ガラスの特性を損なわない範囲で種々の成分を添加することができる。例えばCeO2を清澄剤として添加可能である。この場合、CeO2の含有量は0~5、特に0.1~3であることが好ましい。またガラスの粘性を低下させるためにFを0.5まで、耐薬品性を向上させるためにBi2O3を25まで、La2O3を10まで、ZrO2を5まで含有させることができる。ただしAs2O3、Sb2O3等環境上好ましくない成分は添加すべきでない。具体的にはAs2O3やSb2O3の含有量は0.1以下に制限される。上記組成を有する本発明の半導体封入用無鉛ガラスは、106dPasの粘度に相当する温度が650°C以下、好ましくは620~635°C、更に好ましくは620~630°C、特に好ましくは620~628°Cである。106dPasの粘度の温度は、概ね半導体素子の封入温度に相当する。それゆえ本発明のガラスは、650°C以下で半導体素子を封入することができる。なお106dPasの粘度の温度を650°C以下とするためには、Li2Oをアルカリ成分の中でも多く含有させること、B2O3を必須成分として含むSiO2-B2O3-R‘2O系ガラスとすることが好ましい。また本発明の半導体封入用無鉛ガラスは、102dPasの粘度に相当する温度が1000°C以下、特に950~965°Cであることが好ましい。102dPasの粘度に相当する温度はガラスを溶融する温度である。それゆえ本発明のガラスは低温でエネルギー消費を少なく溶融することができる。なお102dPasの粘度の温度を1000°C以下とするためには、アルカリ金属酸化物やZnOを増量することにより達成することができる。特に965°C以下にするにはZnOを7.4以上とすることが好ましい。また本発明の半導体封入用無鉛ガラスは、ジュメットとシールするために、ガラスの30°C~380°Cの範囲における熱膨張係数が85~105×10-7/°C、好ましくは85~100×10-7/°C、より好ましくは90~100×10-7/°C、更に好ましくは91~98×10-7/°C、特に好ましくは92~96×10-7/°Cであることが好ましい。また本発明の半導体封入用無鉛ガラスは、体積抵抗が極力高いことが好ましい。具体的には150°Cにおける体積抵抗値が、LogρΩcmで7以上、特に9以上、さらには10以上であることが望ましい。また200°C程度の高温でダイオード等を使用する場合には、250°Cにおける体積抵抗値がLogρΩcmで7以上あることが望ましい。なおガラスの体積抵抗が低いと、例えばダイオードの場合は電極間にわずかに電気が流れるようになり、あたかもダイオードに平行して抵抗体を設置したような回路を生じてしまう。また本発明の半導体封入用無鉛ガラスは、30°C-36N硫酸の5質量溶液に60秒間浸漬した場合に、単位面積当たりの重量源μg/cm2が1000μg/cm2以下、500μg/cm2以下、300μg/cm2以下、200μg/cm2以下、150μg/cm2以下、120μg/cm2以下、100μg/cm2以下、特に80μg/cm2以下であることが好ましい。この値以下であれば、めっき処理工程においてガラス表面にクラック等が発生し難くなるため好ましい。次に本発明の半導体封入用無鉛ガラスからなる半導体封入用外套管の製造方法を説明する。工業的規模での半導体封入用外套管の製造方法は、ガラスを構成する成分を含む鉱物や精製結晶粉末を計測混合し、炉に投入する原料を調合する調合混合工程と、原料を溶融ガラス化する溶融工程と、溶融したガラスを管の形に成形する成形工程と、管を所定の寸法に切断する加工工程を含む。まずガラス原料を調合混合する。原料は、酸化物や炭酸塩など複数の成分からなる鉱物や不純物からなっており、分析値を考慮して調合すればよく、原料は限定されない。これらを重量換算で計測し、Vミキサーやロッキングミキサー、攪拌羽根のついたミキサーなど規模に応じた適当な混合機で混合し、投入原料を得る。次に原料をガラス溶融炉に投入し、ガラス化する。溶融炉は、ガラス原料を溶融しガラス化するための溶融槽と、ガラス中の泡を上昇除去するための清澄槽と、清澄されたガラスを成形に適当な粘度まで下げ、成形装置に導くための通路フィーダーとを有するものが一般的である。溶融炉は、耐火物や内部を白金で覆った炉が使用され、バーナーによる加熱やガラスへの電気通電によって加熱される。投入された原料は通常1100°C~1600°Cの溶解槽でガラス化され、さらに1100°C~1400°Cの清澄槽に入る。ここでガラス中の泡を浮上させて泡を除去する。清澄糟から出たガラスは、フィーダーを通って成形装置に移動するうちに温度が下がり、ガラスの成形に適した粘度104~106dPasになる。次いで成形装置にてガラスを管状に成形する。成形法としてはダンナー法、ベロ法、ダウンドロー法、アップドロー法が適用可能である。その後、ガラス管を所定の寸法に切断することにより、半導体封入用外套管を得ることができる。ガラス管の切断加工は、管1本ずつをダイヤモンドカッターで切断することも可能であるが、大量生産に適した方法として、多数の管ガラスを1本に結束してからダイヤモンドホイールカッターで切断し、一度に多数の管ガラスを切断する方法が一般的に用いられている。次に本発明のガラスからなる外套管を用いた半導体素子の封入方法を述べる。まず外套管内で、ジュメット線などの金属線が半導体素子を両側から挟み込んだ状態となるように冶具を用いてセットする。その後、全体を650°C以下の温度に加熱し、外套管を軟化変形させて半導体素子を気密封入する。ところで上記方法により作製された半導体素子の気密封入体は、外部に露出した金属線端部の表面に熱処理の影響で酸化膜が形成されており、このままの状態では半田コーティング、Snメッキ、Niメッキ等を施すことができない。そのため気密封入体に酸処理を施して、金属線端部表面に形成された酸化膜を剥離することが行われる。酸処理としては、50°Cの有機スルホン酸で5~10分間処理したり、36N硫酸80質量に過酸化水素15を0.1質量添加したもので80°C20秒間処理したり、36N硫酸5で20~80°Cで1分間処理したりする方法が採用される。続いて、金属線の酸化膜が取り除かれた気密封入体を市水で洗浄した後、SnやNi硫酸メッキ、或いは半田ディップなどの工程を経て金属線端部が被覆することにより、シリコンダイオード、発光ダイオード、サーミスタなどの小型の電子部品を作製することができる。なお本発明の半導体封入用無鉛ガラスは、ガラス管に成形して使用する以外にも、例えば、粉末状にしてペースト化し、半導体素子に巻き付けて焼成することで半導体素子を封入することもできる。以下、実施例に基づいて本発明を説明する。なお本発明は、下記実施例に限定されるものではない。表1~3は、本発明の実施例試料No.1~5、7~16及び比較例試料No.6を示している。各試料は次のようにして調製した。ます表中に記載のガラス組成となるように、ガラス原料を調合し、白金ポットを用いて1200°Cで3時間溶融し、成形して各種の評価に供した。なおガラス原料としては、珪石粉、酸化アルミニウム、硼酸、酸化亜鉛、炭酸リチウム、硝酸ソーダ、炭酸カリウム、酸化チタン、酸化セリウム等を使用した。次に得られた試料について、熱膨張係数、106dPasの粘度に相当する温度及び耐酸性目視及び重量減少を評価した。表1~3から明らかなように、本発明の実施例である試料No.1~5及び7~16は、106dPasの粘度に相当する温度が650°C以下であり、650°C以下の温度で半導体素子の封入が可能であることが確認された。またクラックの発生が認められなかった。熱膨張係数は、直径約3mm、長さ約50mmの円柱状の測定試料を用いて、自記示差熱膨張計により30~380°Cの温度範囲における平均線熱膨張係数を測定した値である。封入温度は次のようにして求めた。まずASTMC338に準拠するファイバ法により軟化点を測定した。次に、白金球引き上げ法により作業点領域の粘度に相当する温度を求めた。最後に、これらの粘度と温度をFulcherの式に当てはめて、106dPasの粘度に相当する温度を算出した。耐酸性重量減少は、30×30×5mmのガラス板を作成し、それの鏡面研磨を行なった。これを洗浄後120°Cで2時間以上乾燥して重量を計測し、30°C-36N硫酸の5質量溶液に60秒間浸漬したのち、60秒洗浄し、120°Cで2時間以上乾燥させた後の重量を計測して重量減少を求め、単位表面積μg/cm2あたりの重量減少で表示した。耐酸性外観観察は、重量減少測定で用いた試料の表面を100倍の顕微鏡で観察し、ランダムに見た3箇所の表面におけるクラック数を合計し、1つ以下の場合を○、2つ以上の場合を×とした。