"III族窒化物材料系から形成された発光活性構造と、該III族窒化物の活性構造を支持するボンディング構造と、該ボンディング構造を支持するマウント基板であって、該マウント基板は、該活性構造によって放出された所定の周波数を有する光の実質的な量を反射する材料を含む、マウント基板とを備えている、発光ダイオード。前記ボンディング構造は、ボンディング金属構造である、請求項1に記載の発光ダイオード。前記マウント基板は、III族窒化物以外の材料を含んでいる、請求項1に記載の発光ダイオード。前記マウント基板の材料は、前記活性構造によって放出された所定の周波数を有する光のうちの少なくとも50パーセントを反射する、請求項1に記載の発光ダイオード。前記マウント基板は、シリコンが前記活性構造によって放出された所定の周波数を有する光を反射するよりも多く、該活性構造によって放出された所定の周波数を有する光を反射する、請求項1に記載の発光ダイオード。前記活性構造は、前記III族窒化物材料系からのエピタキシャル層を含んでいる、請求項1に記載の発光ダイオード。前記活性構造は、ホモ接合、ヘテロ接合、単一量子井戸、多重量子井戸、および超格子構造からなる群から選択されている、請求項1に記載の発光ダイオード。前記マウント基板は、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化マグネシウム、二酸化チタン、アルミニウム、その他の金属、ポーセレン、およびその他のセラミックからなる群から選択されている、請求項1に記載の発光ダイオード。前記マウント基板は、絶縁性である、請求項1に記載の発光ダイオード。前記発光活性構造のp型部分との第1のオーミック接触と、該発光活性構造のn型部分との第2のオーミック接触とを含んでいる、請求項9に記載の発光ダイオード。前記マウント基板は、導電性である、請求項1に記載の発光ダイオード。前記導電性基板との第1のオーミック接触と、該活性構造との第2のオーミック接触とを含んでいる、請求項11に記載の発光ダイオード。前記マウント基板は、化学的に安定であり、LED製造温度に耐えることができ、少なくともシリコンと同程度の力学的強度があり、高い破壊強度を有しており、高靭性であり、高熱伝導性であり、剛性であり、ボンディングシステムにボンディングし得、LED製造のコンテクストにおいては実質的に無害である、請求項1に記載の発光ダイオード。前記マウント基板は、少なくとも約300°Cまでの温度で、物理的および化学的に安定である、請求項1に記載の発光ダイオード。前記活性構造は、窒化ガリウム、窒化インジウムガリウム、窒化アルミニウムガリウム、およびそれらの組み合わせからなる群から選択されている、請求項1に記載の発光ダイオード。前記ボンディング金属構造は、金、スズ、プラチナ、およびニッケルを含んでいる、請求項1に記載の発光ダイオード。レンズおよび蛍光体をさらに含んでおり、前記マウント基板の材料は、該蛍光体によって放出された光の実質的な量を反射する、請求項1に記載の発光ダイオード。前記マウント基板は、約350~700ナノメートルの間の周波数範囲における光の実質的な量を反射する、請求項1に記載の発光ダイオード。前記反射性材料は、前記マウント基板上の反射性コーティングを含んでおり、該マウント基板において、該コーティングは、前記活性構造によって放出された所定の周波数を有する光の実質的な量を反射する、請求項1に記載の発光ダイオード。前記反射性コーティングは、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化マグネシウム、二酸化チタン、アルミニウム、その他の金属、ポーセレン、およびその他のセラミックからなる群から選択されている、請求項19に記載の発光ダイオード。前記反射性材料は、前記マウント基板上の反射性コーティングを含んでおり、該マウント基板において、該コーティングは、前記活性構造によって放出された所定の周波数を有する光の実質的な量と、前記蛍光体によって放出された所定の周波数を有する光の実質的な量とを反射する、請求項17に記載の発光ダイオード。前記コーティングは、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化マグネシウム、二酸化チタン、アルミニウム、その他の金属、ポーセレン、およびその他のセラミックからなる群から選択されている、請求項21に記載の発光ダイオード。同様な構造と比較して増加した外部量子効率を有する発光ダイオードを形成する方法であって、該方法は、成長基板上にIII族窒化物材料系から活性構造を形成することと、該III族窒化物活性構造を搭載ウエハにボンディングすることであって、該搭載ウエハは、該活性構造によって放出された所定の周波数を有する光の実質的な量を反射する、ことと、該III族窒化物活性構造のエピタキシャル層から該成長基板を除去することと、該III族窒化物の活性構造のp型部分およびn型部分のそれぞれとのオーミック接触を追加することとを包含する、方法。III族窒化物ではない材料上に、活性構造を形成することを含んでいる、請求項23に記載の方法。成長基板上に前記活性構造を形成することを含んでおり、該成長基板は、該活性構造によって放出された所定の周波数を有する光のうちの少なくとも50パーセントを反射する、請求項23に記載の方法。金属ボンディングシステムを用いることにより、前記III族窒化物の活性構造を搭載ウエハにボンディングすることを含んでいる、請求項23に記載の方法。前記活性構造を導電性基板にボンディングすることを含んでおり、前記オーミック接触を追加するステップは、該活性構造との1つのオーミック接触を追加し、該導電性の基板との1つのオーミック接触を追加することを含んでいる、請求項23に記載の方法。絶縁基板上に前記活性構造を形成することを含んでいる、請求項19に記載の方法。前記基板上に前記活性構造を形成するステップは、炭化ケイ素の基板上にIII族窒化物のエピタキシャル層を形成することを含んでいる、請求項23に記載の方法。窒化ガリウム、窒化インジウムガリウム、窒化アルミニウムガリウム、およびそれらの組み合わせからなる群から前記活性構造を形成することを含んでいる、請求項23に記載の方法。金属ボンディングシステムを用いることにより、前記III族窒化物の活性構造を前記搭載ウエハにボンディングすることを含んでおり、該金属ボンディングシステムは、金、スズ、プラチナ、およびニッケルを含んでいる、請求項23に記載の方法。前記III族窒化物の活性構造に隣接した前記金属ボンディングシステムにおける反射性のミラー層が、該活性構造からの該ミラーに衝突する光を反射することにより、結果として得られた発光ダイオードの外部量子効率を向上させることを含んでいる、請求項26に記載の方法。前記発光ダイオードを重合体のレンズに封じ込めることをさらに含んでいる、請求項23に記載の方法。前記発光ダイオードを、分散された蛍光体を有する重合体のレンズに封じ込めることを含んでいる、請求項33に記載の方法。LEDランプであって、他の同様な構造と比較して増加した外部量子効率を有し、該ランプは、リードフレームと、該リードフレーム上の発光ダイオードであって、半導体発光構造、ボンディングシステム、およびマウント基板を含んでいる、発光ダイオードと、該リードフレーム上の発光ダイオードを封じ込めているレンズと、該ダイオードによって放出された光を第2の色に変換するための蛍光体であって、該第2の色は、該ダイオードによって放出された該色と組み合わされたときに、白色光を生成する、蛍光体とを備えており、該マウント基板は、該活性構造によって放出された所定の周波数を有する光、および該蛍光体によって放出された所定の周波数を有する光の実質的な量を反射する材料を含んでいる、ランプ。前記ボンディングシステムは、金属ボンディングシステムを含んでいる、請求項35に記載のランプ。前記マウント基板は、前記発光構造において半導体材料以外の材料を含んでいる、請求項35に記載のランプ。前記マウント基板は、前記活性構造によって放出された所定の周波数を有する光、および前記蛍光体によって放出された所定の周波数を有する光の少なくとも50パーセントを反射する材料を含んでいる、請求項35に記載のランプ。前記蛍光体は、前記レンズ内に分散されている、請求項35に記載のランプ。前記発光構造は、III族窒化物材料系から形成されている、請求項35に記載のランプ。前記マウント基板は、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化マグネシウム、二酸化チタン、銀、アルミニウム、アルミニウム合金、その他の金属、ポーセレン、およびその他のセラミックからなる群から選択されている、請求項35に記載のランプ。前記ランプは可視スペクトルの青色部分で発光し、前記蛍光体は青色光を黄色光に変換する、請求項40に記載のランプ。前記蛍光体は、YAGを含んでいる、請求項42に記載のランプ。前記レンズは、重合体を含んでいる、請求項35に記載のランプ。前記重合体は、青色光または黄色光の発光によって実質的に影響を受けない、請求項40に記載のランプ。前記重合体は、シロキサンを含んでいる、請求項40に記載のランプ。前記反射性材料は、前記マウント基板上の反射性コーティングを含んでおり、該マウント基板において、該コーティングは、前記活性構造によって放出された所定の周波数を有する光、および前記蛍光体によって放出された所定の周波数を有する光の実質的な量を反射する、請求項35に記載のランプ。前記反射性コーティングは、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化マグネシウム、二酸化チタン、アルミニウム、その他の金属、ポーセレン、およびその他のセラミックからなる群から選択されている、請求項35に記載のランプ。請求項35に記載のランプを含んでいるディスプレイ。カラーピクセルと、該カラーピクセルに隣接した光ガイドと、該光ガイドに隣接しており、白色光を用いて該要素を照明するための、請求項35に記載の発光ダイオードとを備えている、ディスプレイ。前記カラーピクセルは、液晶ディスプレイを含んでいる、請求項50に記載のディスプレイ。前記光ガイドに隣接した複数の発光ダイオードを含んでいる、請求項51に記載のディスプレイ。前記ディスプレイは、ほぼ平面状の表示画面を規定しており、前記ダイオードは、該表示画面の平面の法線方向に光を配向するように配置されている、請求項52に記載のディスプレイ。III族窒化物材料系から形成された発光活性構造と、該活性構造を支持するボンディングシステムであって、該ボンディング構造は、該活性構造を支持する反射性表面と、該活性構造の反対側にある反射性表面とを有している、ボンディングシステムと、該反対側にある反射性表面を直接支持している実質的に透過性の基板とを備えている、発光ダイオード。前記ボンディングシステムは、金属ボンディングシステムを含んでいる、請求項54に記載の発光ダイオード。導電透過性の基板と、該導電性の基板との第1のオーミック接触と、前記活性構造との第2のオーミック接触とを含んでいる、請求項54に記載の発光ダイオード。絶縁基板と、前記発光活性構造のp型部分に接続された第1のオーミック接触と、該発光活性構造のn型部分に接続された第2のオーミック接触とを含んでいる、請求項54に記載の発光ダイオード。前記活性構造は、III族窒化物のp型エピタキシャル層およびn型エピタキシャル層のそれぞれを含んでいる、請求項54に記載の発光ダイオード。前記ボンディング金属システムは、金、スズ、ニッケル、銀、プラチナ、アルミニウム、ならびにそれらの組み合わせおよび合金からなる群から選択された金属を含んでいる、請求項54に記載の発光ダイオード。前記実質的に透過性の基板は、サファイアを含んでいる、請求項54に記載の発光ダイオード。前記実質的に透過性の基板は、炭化シリコンを含んでいる、請求項54に記載の発光ダイオード。前記活性構造は、単一量子井戸、多重量子井戸、および超格子構造からなる群から選択されている、請求項54に記載の発光ダイオード。反射性のリードフレームを含んでいる、請求項54に記載の発光ダイオード。したがって、成長基板が除去された後、層が搭載構造上に配置された後、ならびにレンズおよび蛍光体を用いて上記構造がランプ内に形成された後でさえも、炭化ケイ素基板上に成長させられたIII族窒化物層の主要な利点を維持する発光ダイオード構造に対する必要性が存在している。概要一局面において、本発明は、III族窒化物材料系から形成された発光活性構造と、III族窒化物の活性構造を支持しているボンディング構造と、ボンディング構造を支持しているマウント基板とを含んだ発光ダイオードに関する。マウント基板は、III族窒化物以外の材料を含んでおり、これは、活性構造によって放出された所定の周波数を有する光のうちの少なくとも50パーセントを反射する。別の局面において、本発明は、同様な構造と比較して増加した外部量子効率を有する発光ダイオードを形成する方法に関する。上記方法は、成長基板上にIII族窒化物材料系からの活性構造を形成するステップと、III族窒化物の活性構造を搭載ウエハ材料にボンディングするステップであって、搭載ウエハ材料は、活性構造によって放出された所定の周波数を有する光のうちの少なくとも50パーセントを反射する、ステップと、III族窒化物の活性構造のエピタキシャル層から、成長基板を除去するステップと、III族窒化物の活性構造のp型部分およびn型部分のそれぞれに対し、オーミック接触を追加するステップとを含んでいる。さらに別の局面において、本発明は、他の類似の構造と比較して増加した外部量子効率を有するLEDランプに関する。ランプは、リードフレームと、リードフレーム上の発光ダイオードとを含んでおり、上記発光ダイオードは、半導体発光構造、ボンディングシステム、およびマウント基板を含んでいる。マウント基板は、発光構造において半導体以外の材料であって、活性構造によって放出された所定の周波数を有する光のうちの少なくとも50パーセントを反射する、材料と、リードフレーム上のダイオードを封じ込めているレンズと、ダイオードによって放出された光を第2の色に変換するための、レンズ内に分散された蛍光体であって、第2の色は、ダイオードによって放出された色と組み合わされたときに、白色光を生成する、蛍光体とを含んでいる。さらに別の局面において、本発明は、発光ダイオードに関し、上記発光ダイオードは、III族窒化物材料系から形成された発光活性構造と、活性構造を支持しているボンディングシステムであって、ボンディング構造は、活性構造を支持している反射性表面と、活性構造の反対側にある反射性表面とを有している、ボンディングシステムと、実質的に透過性の基板とを含んでいる。本発明の上述およびその他の目的および利点、ならびにそれらを実現するための方法は、添付の図面を参酌すると以下の詳細な説明に基づいて明らかになる。本発明は、さらに以下の手段を提供する。項目1III族窒化物材料系から形成された発光活性構造と、該III族窒化物の活性構造を支持するボンディング構造と、該ボンディング構造を支持するマウント基板であって、該マウント基板は、該活性構造によって放出された所定の周波数を有する光の実質的な量を反射する材料を含む、マウント基板とを備えている、発光ダイオード。項目2上記ボンディング構造は、ボンディング金属構造である、項目1に記載の発光ダイオード。項目3上記マウント基板は、III族窒化物以外の材料を含んでいる、項目1に記載の発光ダイオード。項目4上記マウント基板の材料は、上記活性構造によって放出された所定の周波数を有する光のうちの少なくとも50パーセントを反射する、項目1に記載の発光ダイオード。項目5上記マウント基板は、シリコンが上記活性構造によって放出された所定の周波数を有する光を反射するよりも多く、該活性構造によって放出された所定の周波数を有する光を反射する、項目1に記載の発光ダイオード。項目6上記活性構造は、上記III族窒化物材料系からのエピタキシャル層を含んでいる、項目1に記載の発光ダイオード。項目7上記活性構造は、ホモ接合、ヘテロ接合、単一量子井戸、多重量子井戸、および超格子構造からなる群から選択されている、項目1に記載の発光ダイオード。項目8上記マウント基板は、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化マグネシウム、二酸化チタン、アルミニウム、その他の金属、ポーセレン、およびその他のセラミックからなる群から選択されている、項目1に記載の発光ダイオード。項目9上記マウント基板は、絶縁性である、項目1に記載の発光ダイオード。項目10上記発光活性構造のp型部分との第1のオーミック接触と、該発光活性構造のn型部分との第2のオーミック接触とを含んでいる、項目9に記載の発光ダイオード。項目11上記マウント基板は、導電性である、項目1に記載の発光ダイオード。項目12上記導電性基板との第1のオーミック接触と、該活性構造との第2のオーミック接触とを含んでいる、項目11に記載の発光ダイオード。項目13上記マウント基板は、化学的に安定であり、LED製造温度に耐えることができ、少なくともシリコンと同程度の力学的強度があり、高い破壊強度を有しており、高靭性であり、高熱伝導性であり、剛性であり、ボンディングシステムにボンディングし得、LED製造のコンテクストにおいては実質的に無害である、項目1に記載の発光ダイオード。項目14上記マウント基板は、少なくとも約300°Cまでの温度で、物理的および化学的に安定である、項目1に記載の発光ダイオード。項目15上記活性構造は、窒化ガリウム、窒化インジウムガリウム、窒化アルミニウムガリウム、およびそれらの組み合わせからなる群から選択されている、項目1に記載の発光ダイオード。項目16上記ボンディング金属構造は、金、スズ、プラチナ、およびニッケルを含んでいる、項目1に記載の発光ダイオード。項目17レンズおよび蛍光体をさらに含んでおり、上記マウント基板の材料は、該蛍光体によって放出された光の実質的な量を反射する、項目1に記載の発光ダイオード。項目18上記マウント基板は、約350~700ナノメートルの間の周波数範囲における光の実質的な量を反射する、項目1に記載の発光ダイオード。項目19上記反射性材料は、上記マウント基板上の反射性コーティングを含んでおり、該マウント基板において、該コーティングは、上記活性構造によって放出された所定の周波数を有する光の実質的な量を反射する、項目1に記載の発光ダイオード。項目20上記反射性コーティングは、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化マグネシウム、二酸化チタン、アルミニウム、その他の金属、ポーセレン、およびその他のセラミックからなる群から選択されている、項目19に記載の発光ダイオード。項目21上記反射性材料は、上記マウント基板上の反射性コーティングを含んでおり、該マウント基板において、該コーティングは、上記活性構造によって放出された所定の周波数を有する光の実質的な量と、上記蛍光体によって放出された所定の周波数を有する光の実質的な量とを反射する、項目17に記載の発光ダイオード。項目22上記コーティングは、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化マグネシウム、二酸化チタン、アルミニウム、その他の金属、ポーセレン、およびその他のセラミックからなる群から選択されている、項目21に記載の発光ダイオード。項目23同様な構造と比較して増加した外部量子効率を有する発光ダイオードを形成する方法であって、該方法は、成長基板上にIII族窒化物材料系から活性構造を形成することと、該III族窒化物活性構造を搭載ウエハにボンディングすることであって、該搭載ウエハは、該活性構造によって放出された所定の周波数を有する光の実質的な量を反射する、ことと、該III族窒化物活性構造のエピタキシャル層から該成長基板を除去することと、該III族窒化物の活性構造のp型部分およびn型部分のそれぞれとのオーミック接触を追加することとを包含する、方法。項目24III族窒化物ではない材料上に、活性構造を形成することを含んでいる、項目23に記載の方法。項目25成長基板上に上記活性構造を形成することを含んでおり、該成長基板は、該活性構造によって放出された所定の周波数を有する光のうちの少なくとも50パーセントを反射する、項目23に記載の方法。項目26金属ボンディングシステムを用いることにより、上記III族窒化物の活性構造を搭載ウエハにボンディングすることを含んでいる、項目23に記載の方法。項目27上記活性構造を導電性基板にボンディングすることを含んでおり、上記オーミック接触を追加するステップは、該活性構造との1つのオーミック接触を追加し、該導電性の基板との1つのオーミック接触を追加することを含んでいる、項目23に記載の方法。項目28絶縁基板上に上記活性構造を形成することを含んでいる、項目19に記載の方法。項目29上記基板上に上記活性構造を形成するステップは、炭化ケイ素の基板上にIII族窒化物のエピタキシャル層を形成することを含んでいる、項目23に記載の方法。項目30窒化ガリウム、窒化インジウムガリウム、窒化アルミニウムガリウム、およびそれらの組み合わせからなる群から上記活性構造を形成することを含んでいる、項目23に記載の方法。項目31金属ボンディングシステムを用いることにより、上記III族窒化物の活性構造を上記搭載ウエハにボンディングすることを含んでおり、該金属ボンディングシステムは、金、スズ、プラチナ、およびニッケルを含んでいる、項目23に記載の方法。項目32上記III族窒化物の活性構造に隣接した上記金属ボンディングシステムにおける反射性のミラー層が、該活性構造からの該ミラーに衝突する光を反射することにより、結果として得られた発光ダイオードの外部量子効率を向上させることを含んでいる、項目26に記載の方法。項目33上記発光ダイオードを重合体のレンズに封じ込めることをさらに含んでいる、項目23に記載の方法。項目34上記発光ダイオードを、分散された蛍光体を有する重合体のレンズに封じ込めることを含んでいる、項目33に記載の方法。項目35LEDランプであって、他の同様な構造と比較して増加した外部量子効率を有し、該ランプは、リードフレームと、該リードフレーム上の発光ダイオードであって、半導体発光構造、ボンディングシステム、およびマウント基板を含んでいる、発光ダイオードと、該リードフレーム上の発光ダイオードを封じ込めているレンズと、該ダイオードによって放出された光を第2の色に変換するための蛍光体であって、該第2の色は、該ダイオードによって放出された該色と組み合わされたときに、白色光を生成する、蛍光体とを備えており、該マウント基板は、該活性構造によって放出された所定の周波数を有する光、および該蛍光体によって放出された所定の周波数を有する光の実質的な量を反射する材料を含んでいる、ランプ。項目36上記ボンディングシステムは、金属ボンディングシステムを含んでいる、項目35に記載のランプ。項目37上記マウント基板は、上記発光構造において半導体材料以外の材料を含んでいる、項目35に記載のランプ。項目38上記マウント基板は、上記活性構造によって放出された所定の周波数を有する光、および上記蛍光体によって放出された所定の周波数を有する光の少なくとも50パーセントを反射する材料を含んでいる、項目35に記載のランプ。項目39上記蛍光体は、上記レンズ内に分散されている、項目35に記載のランプ。項目40上記発光構造は、III族窒化物材料系から形成されている、項目35に記載のランプ。項目41上記マウント基板は、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化マグネシウム、二酸化チタン、銀、アルミニウム、アルミニウム合金、その他の金属、ポーセレン、およびその他のセラミックからなる群から選択されている、項目35に記載のランプ。項目42上記ランプは可視スペクトルの青色部分で発光し、上記蛍光体は青色光を黄色光に変換する、項目40に記載のランプ。項目43上記蛍光体は、YAGを含んでいる、項目42に記載のランプ。項目44上記レンズは、重合体を含んでいる、項目35に記載のランプ。項目45上記重合体は、青色光または黄色光の発光によって実質的に影響を受けない、項目40に記載のランプ。項目46上記重合体は、シロキサンを含んでいる、項目40に記載のランプ。項目47上記反射性材料は、上記マウント基板上の反射性コーティングを含んでおり、該マウント基板において、該コーティングは、上記活性構造によって放出された所定の周波数を有する光、および上記蛍光体によって放出された所定の周波数を有する光の実質的な量を反射する、項目35に記載のランプ。項目48上記反射性コーティングは、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化マグネシウム、二酸化チタン、アルミニウム、その他の金属、ポーセレン、およびその他のセラミックからなる群から選択されている、項目35に記載のランプ。項目49項目35に記載のランプを含んでいるディスプレイ。項目50カラーピクセルと、該カラーピクセルに隣接した光ガイドと、該光ガイドに隣接しており、白色光を用いて該要素を照明するための、項目35に記載の発光ダイオードとを備えている、ディスプレイ。項目51上記カラーピクセルは、液晶ディスプレイを含んでいる、項目50に記載のディスプレイ。項目52上記光ガイドに隣接した複数の発光ダイオードを含んでいる、項目51に記載のディスプレイ。項目53上記ディスプレイは、ほぼ平面状の表示画面を規定しており、上記ダイオードは、該表示画面の平面の法線方向に光を配向するように配置されている、項目52に記載のディスプレイ。項目54III族窒化物材料系から形成された発光活性構造と、該活性構造を支持するボンディングシステムであって、該ボンディング構造は、該活性構造を支持する反射性表面と、該活性構造の反対側にある反射性表面とを有している、ボンディングシステムと、該反対側にある反射性表面を直接支持している実質的に透過性の基板とを備えている、発光ダイオード。項目55上記ボンディングシステムは、金属ボンディングシステムを含んでいる、項目54に記載の発光ダイオード。項目56導電透過性の基板と、該導電性の基板との第1のオーミック接触と、上記活性構造との第2のオーミック接触とを含んでいる、項目54に記載の発光ダイオード。項目57絶縁基板と、上記発光活性構造のp型部分に接続された第1のオーミック接触と、該発光活性構造のn型部分に接続された第2のオーミック接触とを含んでいる、項目54に記載の発光ダイオード。項目58上記活性構造は、III族窒化物のp型エピタキシャル層およびn型エピタキシャル層のそれぞれを含んでいる、項目54に記載の発光ダイオード。項目59上記ボンディング金属システムは、金、スズ、ニッケル、銀、プラチナ、アルミニウム、ならびにそれらの組み合わせおよび合金からなる群から選択された金属を含んでいる、項目54に記載の発光ダイオード。項目60上記実質的に透過性の基板は、サファイアを含んでいる、項目54に記載の発光ダイオード。項目61上記実質的に透過性の基板は、炭化シリコンを含んでいる、項目54に記載の発光ダイオード。項目62上記活性構造は、単一量子井戸、多重量子井戸、および超格子構造からなる群から選択されている、項目54に記載の発光ダイオード。項目63反射性のリードフレームを含んでいる、項目54に記載の発光ダイオード。摘要III族窒化物材料系から形成された発光活性構造と、III族窒化物の活性構造を支持するボンディング構造と、ボンディング構造を指示するマウント基板とを含む、発光ダイオードが開示される。マウント基板は、活性構造によって放出された所定の周波数を有する光の少なくとも50パーセントを反射する材料を含んでいる。詳細な説明発光ダイオード、III族窒化物、サファイア基板および炭化ケイ素基板の性質は、当該技術分野において一般に周知であり、本明細書においては詳細に記載されない。適切な参考文献は、Sze、PHYSICSOFSEMICONDUCTORDEVICES、2dEdition1981;Schubert、LIGHT-EMITTINGDIODES、CambridgeUniversityPress2003、およびZetterling、PROCESSTECHNOLOGYFORSILICONCARBIDEDEVICES、ElectronicMaterialsInformationService2002を含む。図1は、本発明にしたがう発光ダイオードの断面図を示しており、その全体は20で示されている。ダイオード20は、ブラケット形状の矢印21によって示されている発光活性構造を含んでいる。例示的な実施形態において、活性構造21は、III族窒化物材料系から形成されている。図1は、活性構造をエピタキシャル層22および23それぞれはn型およびp型であるとして示している。図1は、限定的なものではなく、例示的なものであるが、ダイオード20全体の有用な配置のうちの1つを示している。さらに、全ての図面において、ダイオード、エピタキシャル層、リードフレーム、レンズ、およびその他の要素のような項目は、例示を目的として提供されており、一定の比率で提供されてはいないことに留意されたい。次に、ダイオード20は、オーミック層28と、単一の層24として示されたボンディングシステムとを含んでいる。図1は、明瞭化のために、ボンディングシステム24を単一の金属層として示しているが、例示的な実施形態において、ボンディング構造は、適切な金属およびそれらの合金から形成され得、ダイオードの構造的要求および機能的要求を満たす場合には、非金属から形成され得る。複数の金属の代表的な組み合わせは、同一出願人による同時継続中の、2006年6月30日に出願された米国特許出願第11/428,158号Nickel-TinBondingSystemforSemiconductorWafersandDevices、および2006年9月22日に出願された米国特許出願第11/534,317号ModifiedGold-TinSystemWithIncreasedMeltingTemperatureforWaferBondingに記載されている。これらの出願の内容の全体は、参照により本明細書に援用される。一部の実施形態において、ボンディング構造は、発光構造21に隣接した比較的高い反射率の金属層を含み得、光の抽出と外部量子効率とを向上させるためのミラーとして機能し得る。ボンディング基板24は、エピタキシャル層22および23ならびにオーミック層28を図1において25で示されているマウント基板に付着させている。本発明の方法的局面に関連して記載されているように、そして当該技術分野においてほぼ周知であるように、エピタキシャル層22および23は、炭化ケイ素のような成長基板図示されず上で成長させられる。この予備構造は、その後、金属構造24を用いることにより、マウント基板25にボンディングされる。その後、成長基板は除去され、エピタキシャル層22および23またはその他の活性構造が、ダイオード20の発光面として残る。マウント基板25は、ボンディング構造24を支持しており、III族窒化物以外の材料から形成されており、上記マウント基板25は、活性構造21によって放出された所定の周波数を有する光の少なくとも50パーセントを露出された表面から反射する。一般的に、マウント基板25はまた、活性構造によって放出された所定の周波数を有する光を反射し得る等価なシリコン構造よりも、活性構造によって放出された所定の周波数を有する光を反射するものとしても記載され得る。加えて、本明細書において記載されている実施形態は、特に蛍光体のコンテクストで有用なので、マウント基板はまた、好適には、変換後に蛍光体によって放出された光のうちの相当な量ほとんどの場合では、少なくとも50を反射し得る。マウント基板25は、その発光特性を最初に選択される。これは当然ながら、適切な発光ダイオードにおいて使用するためのその他の条件の全てを満たす。したがって、マウント基板25は、化学的に安定な材料から形成され得、LED製造温度通常は、少なくとも約300°Cまでに耐えることができ、少なくともシリコンと同程度の力学的強度があり、高い破壊強度を有しており、高靭性であり、高熱伝導性であり、剛性であり、ボンディングシステムにボンディングし得、製造のコンテクストにおいては実質的に無害であり得る。したがって、例示的な実施形態において、マウント基板は、酸化アルミニウムアルミナ、窒化ホウ素、酸化マグネシウム、二酸化チタン、アルミニウム、その他の金属、ポーセレン、およびその他のセラミックからなる群から選択される。図1は、マウント基板25が導電性である場合の実施形態を示している。したがって、1つのオーミック接触26が、マウント基板25の裏面に配置され得、リードフレーム27への電気的接触を形成している。また、別のオーミック接触30が、活性構造21に対して形成されており、図1においては、n型エピタキシャル層22に対して形成されている。III族窒化物材料系は、当該技術分野において一般に周知であり、エピタキシャル層22および23が、典型的には窒化ガリウム、窒化アルミニウムガリウム、窒化インジウムガリウム、または一部の場合では、窒化インジウムアルミニウムガリウムから形成されるという点に留意することを除いては、詳細には記載されない。これらの化合物は、一般に、GaN、AlxGa1-xN、InxGa1-xN、およびInxAlyGa1-x-yNとして示される。ここで、xおよびyは、示されている元素の原子分率を表している。当該技術分野において周知なように、活性構造の主波長は、III族窒化物における元素特に、インジウムの原子分率を制御することにより、ある程度制御され得る。これは、インジウムの原子分率の小さい化合物ほどその安定性が大きいことにより、ある程度相殺される。加えて、活性構造21は、エピタキシャル層22および23として示されてはいるが、これは、ホモ接合、ヘテロ接合、単一量子井戸、多重量子井戸、および超格子構造からなる群から選択され得ることが、理解され得る。図2は、全体が32で示されているダイオードの実施形態を示しており、ここではマウント基板33は、導電性ではなく絶縁性である。活性構造は、ここでもまた、21で示されており、n型エピタキシャル層22、p型エピタキシャル層23、ボンディングシステム24、およびオーミック層28を含んでいる。しかしながら、マウント基板33は絶縁性なので、ボンディングパッド34が、オーミック層28へのそしてp型層23への接触を提供している。図2に示されている実施形態において、n型層へのオーミック接触は、ここでもまた、30で示されている。p型およびn型のIII族窒化物の両方へのオーミック接触に適切な材料は、当該技術分野において周知なので、本明細書においては詳細に記載されない。追加的な点として、図2に示されているオーミック接触層28は、残りの記載に関する明瞭化を目的として、単一の層として示されている。多くの実際の状況において、オーミック層28は、いくぶんより複雑であり得る。典型的に、そのような層は、p型のIII族窒化物層23とのそして、図2に示されているような配置で層23の下にあるオーミック接触を含み得る。このオーミック接触は、典型的には銀Agから形成されたミラーによって裏張りbackされ、光抽出を向上させている。言い換えると、銀は、このタイプの素子において、特に追加的な製造ステップの間に、移動させられる傾向を有しているので、層の残りは、障壁金属系によって、最も典型的には、チタンタングステンTi-W合金から形成される。複数の金属層のそのような組み合わせは、例えば、同一出願人による同時継続中の、2005年1月18日に出願された米国特許出願第11/037,965号現在は米国特許出願公開第20060060879号として公開に記載されており、その内容の全体は、参照により本明細書に援用される。図1および図2は、例示的な実施形態を示しており、ダイオード20または32は、基板25または33上のエピタキシャル層22および23、ならびにリードフレーム27上の基板によって、配置されている。この配置において、活性構造21は、それぞれのダイオード20および32の発光面を形成している。本発明は、このコンテクストで有用である。なぜならば、基板は、活性構造21からの光の外部生成と干渉しないからである。この配置は、基板25または33が、活性構造21を出る光を物理的に遮断することを妨げるが、基板は、リードフレーム27、レンズ、蛍光体図3、またはこれらの要素の任意の組み合わせから上記基板に反射された光を潜在的に吸収し得る。別の実施形態においては、図2において破線によって示されているように、基板33は、本来反射性であるかどうかに関わらず、反射性材料29を用いてコーティングされ得る。反射性材料29は、反射性基板と同じ条件を満たし得、同じ金属群から選択され得る。一部の状況において、コーティングは、反射目的のための基準を満たす材料から形成され得るが、必ずしも基板全体の構造的要求を満たすとは限らない。そのような実施形態において、基板は、低反射性材料のうちの1つから形成され得、この基板に対する構造的要求を満たし得る一方で、コーティングは、反射目的に適した反射性材料から形成され得る。図3は、全体が35で示されているLEDランプのコンテクストで本発明を示している。図1および図2と同様に、図3は本質的に概略的なので、特定の項目は、実際のサイズと比較して正しい比率で示されてはいない。特に、LEDランプにおいて、ダイオードチップ20または21は、レンズ36と比べると、比較的小さなものであり得る。レンズ36は、リードフレーム27上のダイオード20または21を封じ込めており、基板が導電性であるか絶縁性であるかに依存して、1つ以上のワイア37が、オーミック接触30を外部リード40および41に接続するために用いられ得る。ランプのコンテクストにおいて、ダイオード20または32は、典型的には、適切な半田付けまたは接着剤を用いて、リードフレーム27上に搭載されているが、当該技術分野においては周知なので、これは、明瞭化を目的として、図3においては省かれている。例示的な実施形態において、ランプ35は、図3においては点領域42によって概略的に示されている蛍光体を含んでいる。背景において述べられたように、蛍光体は、典型的には、光の励起に応答して蛍光を発する鉱物粒子である。III族窒化物材料系に基づいた白色発光ダイオードに対しては、蛍光体42は、主に赤色周波数および黄色周波数を発することにより、ダイオード20または32によって放出された所定の周波数を補完し、その結果、組み合わせが白色光を生成するように選択される。この点に対して最も一般的であって例示的な蛍光体は、イッテリウムアルミニウムガーネットY3Al5O12一般にYAGと呼称されるおよびそれに類似した化合物である。蛍光体42は、典型的にはレンズ36内に含まれており、これは典型的には重合体を含んでいるが、ガラスまたはその他の透明な材料から形成され得る。重合体は有機分子であり、多くの場合に、青色周波数および紫外周波数の光に応答するので、レンズ36は、青色光または黄色光の発光による影響が少ないか、あるいは実質的に影響を受けない、重合体から形成されていることが好ましい。特に、シロキサンベースの重合体しばしば略式にシリコンsiliconeと呼称されるが、このコンテクストに適切なものである。図3および図4は、ダイオード20、32の上の重合体のレンズ内に分散された蛍光体42および51をそれぞれ示しているが、蛍光体の位置は、これらに限定されないということに留意されたい。蛍光体は、一部の状況においては、チップ20、32上またはレンズ例えば、36の境界内部表面に直接的に配置され得、あるいは意図した目的を満たすその他の任意の位置またはパターンに配置され得る。言い換えると、反射性のマウント基板は、蛍光体42、51の配置に関する幅広い可能性との組み合わせで、その利点を提供する。図4は、サイドルッカーsidelookerダイオード構造のコンテクストで本発明を示しており、その全体は45で示されている。サイドルッカーという用語は、一般に、特定のパッケージ環境に配置および配列された、本発明にしたがうダイオード20および32のことをいう。サイドルッカーダイオードは、典型的には、反射性のパッケージ46とダイオード20または32とを含んでいる。反射性のパッケージ46は、しばしば白色の重合体樹脂から形成されており、ハウジング46に対して凹状の輪郭を有している重合体のレンズ47の内側にダイオード20または32が搭載されている。これは、一般に受け入れられた商業的な配置であるが、凹状レンズ47は、サイドルッカーダイオード45の上表面50が、例えば、フラットディスプレイのディフューザ図6のような、照明される対象と同一平面上に配置されることを許容する。示されているダイオード45のようなサイドルッカーダイオードは、フルカラーディスプレイに対するバックライトとして頻繁に用いられるので、これらはまた、典型的に、ダイオード20または21からの光を黄色光に変換する蛍光体51の領域をも含んでおり、この黄色光は、上述のように、ダイオード20、21によって放出された青色光と組み合わさることにより、白色光の出力を提供する。上述の実施形態に関連して述べられたように、蛍光体51の示された位置は、限定的なものではなく、例示的なものである。サイドルッカーパッケージ45はまた、適切なパッケージ接触48、49のボンディングパッドと、ダイオード20または32からパッケージ接触へのワイヤ例えば、58をも含み得る。これらは、図4においては、明瞭化のために単純化されているが、当該技術分野においては周知である。本発明にしたがう反射性基板は、サイドルッカーダイオードに関連する特別な利点を提供する。サイドルッカーダイオードは、典型的には、凹面レンズを含んでいるので、サイドルッカーダイオードは、より一般的なランプパッケージおよび凸面レンズよりも、高い確率で内反射を提供する。このように、従来のサイドルッカーダイオードにおいては、内反射の傾向が大きいので、本発明は、反射性基板が、基板による光子吸収の数を最小化することによって、ダイオードの外部量子効率を増加させる方法で特別な利点を提供する。図3および図4に示されているレンズおよび蛍光体の構造は、本発明の特定の利点を強調している。背景において述べられたように、ダイオードの外部量子効率は、パッケージが生成する光の量を表しており、通常は印加された電流に比例する。現実の実施において、レンズの縁に衝突する光子の一部ダイオードによって放出された光子および蛍光体によって放出された光子の両方は、Snellの法則に基づいて、ならびに入射角および関連する屈折率に依存して反射されてパッケージに戻され得る。反射された光子が、本発明にしたがう反射性基板25または33に衝突すると、それらは、反射し返され得、ランプ35または45の外に出る統計的に大きな確率を有し得る。同じ利点は、蛍光体図3における42および図4における51に対しても当てはまる。蛍光体に衝突する光子の一部しかし全てではないは、変換を生成するので、光子の一部は、蛍光体の粒子から反射され、基板25または33へと反射し返され得る。本発明は、反射性基板を提供するので、このことは、そのような反射された光子が最終的にパッケージを出る可能性をさらに増加させ、ランプ35または45の外部出力を増加させ、結果的に、ランプ35または45の効率を増加させ得る。図5は、透過性の基板55を組み込んだダイオード54の形態で、本発明の別の実施形態を概略的に示している。上述の実施形態の利点の1つは、マウント基板の反射性が、この基板による光の吸収を、最小化または排除するという点である。図5に示されているダイオード54において、透過性の基板55は、特定の数の光子を吸収し得る。しかしながら、この実施形態において、ボンディング金属系56は、活性構造21を支持する1つの反射性表面57を有しており先の例における要素と同じ要素は、先の例における参照番号と同じ参照番号を有している、別の反射性表面60が、活性構造21の反対側にあり、基板55によって直接的に支持されている。これは、2つの反射性表面60および57を提供するので、透過性の基板55に入る光子の一部は、基板55に面する反射性表面60によって、再び外に向けて反射され得る。一部の実施形態において、リードフレーム27は、破線部61によって示された反射性表面を含み得る。リードフレーム27上の反射性表面61は、ボンディング構造56に接する反射性表面60の代わりに、あるいは反射性表面60と共に、用いられ得る。加えて、一部の場合において、平面状の反射性表面に対するオプションとして、反射性表面が粗いroughすなわち、複数の小さな反射性構造から形成されていることが有利である。図5はさらに、透過性の基板55が導電性ではなく絶縁性である実施形態を示している。したがって、図2と同様に、オーミック接触30および59は、基板55に対してではなく、活性構造21におけるエピタキシャル層22および23に対して形成されている。言い換えると、金属ボンディングパッド34は、オーミック層59およびp型層23に対して、外部接触を提供している。金属ボンディングシステム56上の反射性表面57および60を有する透過性の基板は、導電性基板と共に組み込まれ得ること、ならびにそのような構造は、図1に類似したものであり得るということが、当然に理解され得る。しかしながら、一般に、ドーパントを追加すると、所与の任意の結晶材料の透過性を低減させる傾向があるので、透過性材料は、より一般的には絶縁性である。金属層59の構造は、図5において示されているよりも、より精緻なものであり得ることに留意されたい。特に、図2に関連して述べられているオーミック接触、ミラー層、および障壁層の組み合わせは、図5の実施形態にも組み込まれ得る。図6は、全体が62で示された、一部分が分解されたディスプレイを示しており、これは、本発明にしたがうダイオードおよびランプを組み込んでいる。図6は、携帯電話、個人用情報端末、ラップトップコンピュータ、およびその他のアプリケーション例えば、フラットパネルビデオ、コンピュータモニタ、全地球測位システムにおいて関連したカラーディスプレイに用いられるバックライト構造を概略的に示している。バックライト構造の当業者は、多くの場合において、バックライト構造が、多くの追加的な関連要素、例えば、投影フィルム、トップマスクtopmask、ハウジング、反射体、および照明管理フィルムlightmanagementfilmを含んでいるということを理解し得る。これらの要素は、当該技術分野において一般に周知なので、さらに、これらの特定の記載は、本発明の記載を必ずしも良くするわけではないので、これらの要素は、特に断りがない限り、本明細書においては詳細に記載されない。ディスプレイ62は、カラーピクセルを含んでおり、その全体は、支持フレーム64およびその土台65におけるスクリーン63によって示されている。光ガイド66が、ピクセル63に隣接して配置されている。例示的な実施形態において、カラーピクセルは、当該技術分野において周知なタイプの液晶ディスプレイを含んでおり、これは、特に断りがない限り、本明細書においては詳細に記載されない。光ガイド66は、典型的には、光ガイドに優れた光伝搬能力を提供する反射率を有する適切な重合体から形成されている。ディスプレイ62は、本発明の1つ以上の任意の実施形態にしたがう、少なくとも1つの発光ダイオード67好適には複数のそのようなダイオードを含んでおり、特に図4に関連して記載されたサイドルッカーダイオードを含んでいる。図6に示されているように、ディスプレイ62は、光ガイド66を用いてほぼ平面状の表示画面を規定しており、上記光ガイド66は、平面状の表示画面にほぼまたは厳密に平行に方向付けられている。発光ダイオード67は、表示画面の平面の法線方向に光を配向するように配置されており、すなわち、この目的のために、発光ダイオード67は、光ガイド66の縁のまわりに配置されている。図面および明細書において、本発明の好適な実施形態が述べられ、特定の用語が用いられてきたが、これらは、単に一般的な説明的な意味で用いられており、限定を目的としては用いられていない。本発明の範囲は、請求の範囲によって規定される。"