"基板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、In,Ga,Znのうち少なくとも一つを含んだ酸化物半導体を主に含有する活性層、ソース電極、及びドレイン電極を有する電界効果型トランジスタであって、前記ゲート絶縁膜と同一又は別個とされ、且つ、前記ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極とは異なる熱拡散層を有し、前記基板の熱伝導率をNsubW/mKとし、前記熱拡散層の熱伝導率をNkakuW/mKとし、前記熱拡散層の膜厚をTmmとし、前記熱拡散層の平面開口率をR0≦R≦1とし、S=T×Rとしたとき、前記基板の熱伝導率Nsubが、Nsub<1.8の条件を満たし、前記熱拡散層の熱伝導率Nkakuが、Nkaku>3.0×S及びNkaku≧Nsubの条件を満たす、電界効果型トランジスタ。前記活性層と前記熱拡散層の間に1μm以下の薄膜が少なくとも1層以上存在する、請求項1又は請求項2に記載の電界効果型トランジスタ。前記熱拡散層が、Al,Gaの少なくとも一つを含む窒化膜である、請求項3に記載の電界効果型トランジスタ。前記熱拡散層の透過率が、波長域400nm以上700nm以下の光において70以上である、請求項4に記載の電界効果型トランジスタ。前記基板は、樹脂基板である、請求項1~請求項5の何れか1項に記載の電界効果型トランジスタ。請求項6に記載の電界効果型トランジスタを備えた表示装置。請求項6に記載の電界効果型トランジスタを備えたセンサ。しかしながら、特許文献1では、基板の熱伝導率と放熱層の熱伝導率との具体的な関係については一切言及しておらず、ガラス基板よりも熱伝導率の高い膜が、放熱層としての役割を十分に果たしているか否か不明である。ここで、活性層としてIGZO系の酸化物半導体を用いた場合、発熱時の温度が100°C以上になると基板や活性層、絶縁膜、電極内に存在する微量の水分に影響を与え、所謂TFT特性を変化させてしまう。また、発熱時の温度が300°C以上になると活性層内に存在する酸素が変化し、TFT特性を変化させてしまう。また、樹脂基板を用いたフレキシブルデバイスの作製においては、基板の熱伝導率がより低くなるため蓄熱し易くなり発熱による駆動劣化がより顕著になると予想される。また、このような発熱の効果は、耐熱性の低い樹脂基板では、蓄熱による基板の寸法変化等を引き起こす原因となることが考えられる。しかしながら、特許文献1では、上記の点についても、一切言及していない。本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、駆動時の発熱温度を低下させた電界効果型トランジスタを提供することを目的とする。<1>基板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、In,Ga,Znのうち少なくとも一つを含んだ酸化物半導体を主に含有する活性層、ソース電極、及びドレイン電極を有する電界効果型トランジスタであって、前記ゲート絶縁膜と同一又は別個とされ、且つ、前記ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極とは異なる熱拡散層を有し、前記基板の熱伝導率をNsubW/mKとし、前記熱拡散層の熱伝導率をNkakuW/mKとし、前記熱拡散層の膜厚をTmmとし、前記熱拡散層の平面開口率をR0≦R≦1とし、S=T×Rとしたとき、前記基板の熱伝導率Nsubが、Nsub<1.8の条件を満たし、前記熱拡散層の熱伝導率Nkakuが、Nkaku>3.0×S及びNkaku≧Nsubの条件を満たす、電界効果型トランジスタ。<3>前記活性層と前記熱拡散層の間に1μm以下の薄膜が少なくとも1層以上存在する、<1>又は<2>に記載の電界効果型トランジスタ。<4>前記熱拡散層が、Al,Gaの少なくとも一つを含む窒化膜である、<3>に記載の電界効果型トランジスタ。<5>前記熱拡散層の透過率が、波長域400nm以上700nm以下の光において70以上である、<4>に記載の電界効果型トランジスタ。<6>前記基板は、樹脂基板である、<1>~<5>の何れか1つに記載の電界効果型トランジスタ。<7><6>に記載の電界効果型トランジスタを備えた表示装置。<8><6>に記載の電界効果型トランジスタを備えたセンサ。なお、上記eは、自然対数を意味し、^は、累乗を意味するものとする。本発明によれば、駆動時の発熱温度を低下させた電界効果型トランジスタを提供することができる。以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態に係る電界効果型トランジスタ、表示装置、センサについて具体的に説明する。なお、図中、同一又は対応する機能を有する部材構成要素には同じ符号を付して適宜説明を省略する。1.電界効果型トランジスタ本発明の実施形態に係る電界効果型トランジスタについて、TFTを一例に挙げて具体的に説明する。<TFTの概略構成>本発明の実施形態に係るTFTは、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有し、ゲート電極に電圧を印加して、活性層に流れる電流を制御し、ソース電極とドレイン電極間の電流をスイッチングする機能を有するアクテイブ素子である。そして、本発明の実施形態に係るTFTではさらに、ゲート絶縁膜と同一又は別個とされ、且つ、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極とは異なる熱拡散層を有している。TFTの素子構造としては、ゲート電極の位置に基づいた、いわゆる逆スタガ構造ボトムゲート型とも呼ばれる及びスタガ構造トップゲート型とも呼ばれるのいずれの態様であってもよい。また、活性層とソース電極及びドレイン電極適宜、ソースドレイン電極という。との接触部分に基づき、いわゆるトップコンタクト型、ボトムコンタクト型のいずれの態様であってもよい。なお、トップゲート型とは、ゲート絶縁膜の上側にゲート電極が配置され、ゲート絶縁膜の下側に活性層が形成された形態であり、ボトムゲート型とは、ゲート絶縁膜の下側にゲート電極が配置され、ゲート絶縁膜の上側に活性層が形成された形態である。また、ボトムコンタクト型とは、ソースドレイン電極が活性層よりも先に形成されて活性層の下面がソースドレイン電極に接触する形態であり、トップコンタクト型とは、活性層がソースドレイン電極よりも先に形成されて活性層の上面がソースドレイン電極に接触する形態である。図1Aは、本発明の実施形態に係るTFTであって、トップゲート構造でトップコンタクト型のTFTの一例を示す模式図である。図1Aに示すTFT10Aでは、基板12の一方の主面上に本発明の実施形態に係る熱拡散層14と、活性層16とが、順に積層されている。そして、この活性層16上にソース電極18及びドレイン電極20が互いに離間して設置され、更にこれらの上にゲート絶縁膜22と、ゲート電極24とが順に積層されている。図1Bは、本発明の実施形態に係るTFTであって、トップゲート構造でボトムコンタクト型のTFTの一例を示す模式図である。図1Bに示すTFT10Bでは、基板12の一方の主面上に本発明の実施形態に係る熱拡散層14が積層され、この熱拡散層14上にソース電極18及びドレイン電極20が互いに離間して設置されている。そして、活性層16と、ゲート絶縁膜22と、ゲート電極24と、が順に積層されている。図1Cは、本発明の実施形態に係るTFTであって、ボトムゲート構造でトップコンタクト型のTFTの一例を示す模式図である。図1Cに示すTFT10Cでは、基板12の一方の主面上にゲート電極24と、ゲート絶縁膜22と、活性層16と、が順に積層されている。そして、この活性層16の表面上にソース電極18及びドレイン電極20が互いに離間して設置され、ソース電極18やドレイン電極、活性層16上に本発明の実施形態に係る熱拡散層14が積層されている。図1Dは、本発明の実施形態に係るTFTであって、ボトムゲート構造でボトムコンタクト型のTFTの一例を示す模式図である。図1Dに示すTFT10Dでは、基板12の一方の主面上にゲート電極24と、ゲート絶縁膜22と、が順に積層されている。そして、このゲート絶縁膜22の表面上にソース電極18及びドレイン電極20が互いに離間して設置され、更にこれらの上に、活性層16と、本発明の実施形態に係る熱拡散層14と、が順に積層されている。なお、本実施形態に係るTFTは、上記以外にも、様々な構成をとることが可能であり、適宜、活性層上に保護層や基板上に絶縁層等を備える構成であってもよい。熱拡散層14の配置は、図1A~Dに示すように、活性層16の発熱を拡散するという観点から活性層16の直下又は直上であることが好ましく、TFTの特性に影響を与えてしまうことから、活性層とゲート絶縁膜の界面と反対側に設置されることがより好ましいが、特に限定されることはなく、基板12のゲート電極24側とは反対側の面に配置してもよく、また、活性層16を挟んで上下両方に配置してもよい。また、活性層16と熱拡散層14の間に1μm以下の薄膜をすくなくとも1層以上配置するようにしてもよい。例えば、ボトムゲート型酸化物TFT10C10Dにおいては、活性層16の上部に配置される不図示の保護層が駆動安定化に重要であるため、熱拡散層14は保護層とは別個として保護層の上に配置することが好ましい。また、ボトムゲート型酸化物TFT10C10Dにおいて、ゲート電極24と基板12との間に、熱拡散層14を配置することもできる。また、熱拡散層14をゲート電極24やゲート絶縁膜22等の構成とは別個に配置せず、ゲート絶縁膜22自体に熱拡散層14の機能を持たせることもできる。また、不図示の層間絶縁膜や絶縁膜自体に熱拡散層14の機能を持たせることもできる。以下、活性層16と熱拡散層14の間に1μm以下の薄膜を活性層16の下方に1層配置する場合の一例を挙げる。図2Aは、本発明の実施形態に係るTFTであって、トップゲート構造でトップコンタクト型のTFTの一例を示す模式図である。図2Aに示すTFT10Eでは、基板12の一方の主面上に本発明の実施形態に係る熱拡散層14と、絶縁層26と、活性層16とが、順に積層されている。そして、この活性層16上にソース電極18及びドレイン電極20が互いに離間して設置され、更にこれらの上にゲート絶縁膜22と、ゲート電極24とが順に積層されている。図2Bは、本発明の実施形態に係るTFTであって、トップゲート構造でボトムコンタクト型のTFTの一例を示す模式図である。図2Bに示すTFT10Fでは、基板12の一方の主面上に本発明の実施形態に係る熱拡散層14と、絶縁層26とが順に積層され、この絶縁層26上にソース電極18及びドレイン電極20が互いに離間して設置されている。そして、活性層16と、ゲート絶縁膜22と、ゲート電極24と、が順に積層されている。図2Cは、本発明の実施形態に係るTFTであって、ボトムゲート構造でトップコンタクト型のTFTの一例を示す模式図である。図2Cに示すTFT10Gでは、基板12の一方の主面上に本発明の実施形態に係る熱拡散層14と、ゲート電極24と、ゲート絶縁膜22と、活性層16と、が順に積層されている。そして、この活性層16の表面上にソース電極18及びドレイン電極20が互いに離間して設置されている。図2Dは、本発明の実施形態に係るTFTであって、ボトムゲート構造でボトムコンタクト型のTFTの一例を示す模式図である。図2Dに示すTFT10Hでは、基板12の一方の主面上に本発明の実施形態に係る熱拡散層14と、ゲート電極24と、ゲート絶縁膜22と、が順に積層されている。そして、このゲート絶縁膜22の表面上にソース電極18及びドレイン電極20が互いに離間して設置され、更にこれらの上に、活性層16が積層されている。次に、活性層16と熱拡散層14の間に1μm以下の薄膜を活性層16の上方に1層配置する場合の一例を挙げる。図3Aは、本発明の実施形態に係るTFTであって、トップゲート構造でトップコンタクト型のTFTの一例を示す模式図である。図3Aに示すTFT10Iでは、基板12の一方の主面上に活性層16が積層されている。そして、この活性層16上にソース電極18及びドレイン電極20が互いに離間して設置され、更にこれらの上にゲート絶縁膜22と、ゲート電極24と、本発明の実施形態に係る熱拡散層14と、が順に積層されている。図3Bは、本発明の実施形態に係るTFTであって、トップゲート構造でボトムコンタクト型のTFTの一例を示す模式図である。図3Bに示すTFT10Jでは、基板12の一方の主面上にソース電極18及びドレイン電極20が互いに離間して設置されている。そして、活性層16と、ゲート絶縁膜22と、ゲート電極24と、本発明の実施形態に係る熱拡散層14と、が順に積層されている。図3Cは、本発明の実施形態に係るTFTであって、ボトムゲート構造でトップコンタクト型のTFTの一例を示す模式図である。図3Cに示すTFT10Kでは、基板12の一方の主面上にゲート電極24と、ゲート絶縁膜22と、活性層16と、が順に積層されている。そして、この活性層16の表面上にソース電極18及びドレイン電極20が互いに離間して設置されている。そして、ソース電極18及びドレイン電極20の間で活性層16上には保護膜28が積層され、保護膜28やソース電極18、ドレイン電極20上には本発明の実施形態に係る熱拡散層14が積層されている。なお、ボトムゲート構造の場合には、TFTの安定性のためにバックチャネルの保護が重要と考え、保護膜28を積層している。図3Dは、本発明の実施形態に係るTFTであって、ボトムゲート構造でボトムコンタクト型のTFTの一例を示す模式図である。図3Dに示すTFT10Lでは、基板12の一方の主面上にゲート電極24と、ゲート絶縁膜22と、が順に積層されている。そして、このゲート絶縁膜22の表面上にソース電極18及びドレイン電極20が互いに離間して設置され、更にこれらの上に、活性層16が積層されている。活性層16の周囲は保護膜28で覆われており、保護膜28の周囲はさらに、本発明の実施形態に係る熱拡散層14で覆われている。なお、ボトムゲート構造の場合には、TFTの安定性のためにバックチャネルの保護が重要と考え、活性層16を保護膜28で覆っている。以下、各構成要素について詳述する。なお、代表例として図1Aに示すトップゲート構造でトップコンタクト型のTFT10Aを製造する場合について具体的に説明するが、本発明は他の形態のTFTを製造する場合についても同様に適用することができる。<TFTの詳細構成>-基板-まず、TFT10Aを形成するための基板12を用意する。基板12の形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することが出来る。基板12の構造は単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。そして、本発明の実施形態に係る基板12は、熱伝導率の低い基板であり、この熱伝導率をNsubW/mKとしたとき、熱伝導率Nsubが、Nsub<1.8W/mKの条件を満たしている。この条件を満たすと、駆動条件がVg=20V、Vds=50Vである場合の駆動時の発熱温度最大温度が100°C以上となってしまい、駆動時の発熱温度を100°C未満に低下させる特別な構成熱拡散層14の導入を特に必要とするからである。又は、本発明の実施形態に係る基板12は、Nsub<0.56W/mKの条件を満たしている。この条件を満たすと、駆動条件がVg=20V、Vds=50Vである場合の駆動時の発熱温度最大温度が300°C以上となってしまい、駆動時の発熱温度を300°C未満に低下させる特別な構成熱拡散層14の導入を特に必要とするからである。基板12の材質としては、Nsub<1.8W/mK、又はNsub<0.56W/mKの条件を満たしていれば、特に限定はなく、また材質自体がsub<1.8W/mK、又はNsub<0.56W/mKの条件を満たさない場合でも、所定の元素を基板12にドープして満たすようにしてもよい。例えば、ガラスNsub=1.0W/mK、YSZイットリウム安定化ジルコニウムNsub=1.4W/mK等の無機基板、樹脂基板や、その複合材料等を用いることが出来る。中でも軽量である点、可撓性を有する点から樹脂基板やその複合材料が好ましい。一部熱伝導率の記載は省略するものの具体的には、ポリブチレンテレフタレートNsub=0.21~0.25W/mK、ポリエチレンテレフタレートNsub=0.20~0.33W/mK、ポリエチレンナフタレートNsub=0.20~0.33W/mK、ポリブチレンナフタレート、ポリスチレンNsub=0.108W/mK、ポリカーボネートNsub=0.19W/mK、ポリスルホン、ポリエーテルスルホンNsub=0.32W/mK、ポリアリレートNsub=0.24W/mK、アリルジグリコールカーボネート、ポリアミドNsub=0.24W/mK、ポリイミドNsub=0.28~0.34W/mK、ポリアミドイミドNsub=0.38W/mk、ポリエーテルイミドNsub=0.22W/mK、ポリベンザアゾールNsub=0.23W/mk、ポリフェニレンサルファイド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリクロロトリフルオロエチレンNsub=0.20~0.22W/mK等のフッ素樹脂、液晶ポリマー、アクリル樹脂Nsub=0.21W/mK、エポキシ樹脂Nsub=0.17~0.21W/mK、シリコン樹脂Nsub=0.15~0.17W/mK、アイオノマー樹脂、シアネート樹脂、架橋フマル酸ジエステル、環状ポリオレフィン、芳香族エーテル、マレイミドーオレフィン、セルロース、エピスルフィド化合物等の合成樹脂基板、酸化珪素粒子との複合プラスチック材料、金属ナノ粒子、無機酸化物ナノ粒子、無機窒化物ナノ粒子等との複合プラスチック材料、カーボン繊維、カーボンナノチューブとの複合プラスチック材料、ガラスフェレーク、ガラスファイバー、ガラスビーズとの複合プラスチック材料、粘土鉱物や雲母派生結晶構造を有する粒子との複合プラスチック材料、薄いガラスと上記単独有機材料との間に少なくとも1回の接合界面を有する積層プラスチック材料、無機層と有機層を交互に積層することで、少なくとも1回以上の接合界面を有するバリア性能を有する複合材料、ステンレス基板或いはステンレスと異種金属を積層した金属多層基板、アルミニウム基板或いは表面に酸化処理例えば陽極酸化処理を施すことで表面の絶縁性を向上させた酸化皮膜付きのアルミニウム基板等を用いることが出来る。基板12が、特に樹脂基板である場合は、Nsub<1.8W/mK、又はNsub<0.56W/mKの条件を満たし易く、駆動条件がVg=20V、Vds=50Vである場合の駆動時の発熱温度最大温度が100°C以上又は300°C以上となってしまい、駆動時の発熱温度を100°C未満又は300°C未満に低下させる特別な構成熱拡散層14の導入を特に必要とする。また、樹脂基板は、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、加工性、低通気性、又は低吸湿性等に優れていることが好ましい。前記樹脂基板は、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層や、樹脂基板の平坦性や下部電極との密着性を向上するためのアンダーコート層等を備えていてもよい。また、本発明における基板12の厚みに特に制限はないが、50μm以上1000μm以下が好ましく、50μm以上500μm以下であることがより好ましい。基板12の厚みが50μm以上であると、基板12自体の平坦性がより向上する。また、基板12の厚みが500μm以下であると、基板12自体の可撓性がより向上し、フレキシブルデバイス用基板としての使用がより容易となる。なお、本実施形態で、基板12や熱拡散層14の熱伝導率は、レーザーフラッシュ法、熱線法、平板熱流計法、又は温度傾斜法等の測定方法によって特定することができる。-活性層-次に、基板12上に、活性層16を形成する。溶液法の記載もお願いいたします活性層16は、In,Ga,Znのうち少なくとも一種を含んだ酸化物半導体を主に含有している。特に、In,Ga,Znのうちの少なくとも2種を含む酸化物半導体例えばIn-Zn-O系、In-Ga-O系、Ga-Zn-O系が好ましく、In,Ga,Znを全て含む酸化物半導体がより好ましい。In-Ga-Zn-O系酸化物半導体としては、結晶状態における組成がInGaO3ZnOmmは6未満の自然数で表される酸化物半導体が好ましく、特に、InGaZnO4がより好ましい。この組成の酸化物半導体の特徴としては、電気伝導度が増加するにつれ、電子移動度が増加する傾向を示す。ただし、IGZOの組成比は、厳密にIn:Ga:Zn=1:1:1となる必要はない。また、活性層は、上記のような酸化物半導体を主成分として含有していれば良く、その他に不純物等を含有していても良い。ここで、主成分とは、活性層を構成する構成成分のうち、最も多く含有される成分を表す。なお、活性層16の層構造は、2層以上から構成されていてもよい。また、活性層16は、非晶質又は結晶質のいずれであってもよい。ただし、非晶質の場合には、低温で成膜可能であるために、可撓性のある基板12上に好適に形成される。なお、活性層16が非晶質であるかどうかは、X線回折測定により確認することができる。即ち、X線回折測定により、結晶構造を示す明確なピークが検出されなかった場合は、その活性層16は非晶質であると判断することができる。活性層16の膜厚は、特に限定されないが、薄膜の平坦性及び成膜時間の観点から5nm以上150nm以下であることが好ましい。活性層16の成膜方法としては、特に限定されないが、気相成膜法や溶液法ゾルゲル、MOD、ナノ粒子、CSD等を用いることができる。中でも大面積の成膜が容易という観点から、In,Ga,Znのうち少なくとも一種を含んだ酸化物半導体の多結晶焼結体をターゲットとして、気相成膜法を用いるのが好ましい。気相成膜法の中でも、スパッタリング法、パルスレーザー蒸着法PLD法が適している。さらに、量産性の観点から、スパッタリング法が好ましい。例えば、RFマグネトロンスパッタリング蒸着法により、真空度及び酸素流量を制御して成膜される。活性層16の成膜後は、デバイスに応じて当該薄膜をパターンニングする。パターンニングはフォトリソグラフィー及びエッチングにより行うことが出来る。具体的には、残存させる部分にフォトリソグラフィーによりレジストパターンを形成し、塩酸、硝酸、希硫酸、又は燐酸、硝酸及び酢酸の混合液等の酸溶液によりエッチングすることによりパターンを形成する。なお、溶液法の場合は、フォトリソグラフィーなどを用いずにインクジェットやディスペンサー等を用いて直接パターニングをしてもよい。-熱拡散層-活性層16上には、熱拡散層14を形成する。この熱拡散層14は、以下の条件を満たす。すなわち、熱拡散層14の熱伝導率をNkakuW/mKとし、熱拡散層14の膜厚をTmmとし、熱拡散層14の平面開口率をR0≦R≦1とし、S=T×Rとしたとき、基板12の熱伝導率Nsubが、Nsub<0.56の条件を満たす場合、熱拡散層14の熱伝導率Nkakuが、Nkaku>0.4×S及びNkaku≧Nsubの条件を満たす。基板12の熱伝導率Nsubが上記条件を満たす場合、駆動条件がVg=20V、Vds=50Vであるときの駆動時の発熱温度最大温度が300°C以上となり得るが、熱拡散層14の熱伝導率Nkakuについて上記条件を満たすようにすれば、上記駆動時の発熱温度を300°C未満に低下させることができる。また、基板12の熱伝導率Nsubが、Nsub<1.8の条件を満たす場合、熱拡散層14の熱伝導率Nkakuが、Nkaku>3.0×S^、X線センサなどの各種センサ、MEMSとして、好適に用いられるものである。3.電気光学装置及びセンサ本実施形態の電気光学装置又はセンサは、前述の本発明のTFTを備えて構成される。電気光学装置の例としては、表示装置例えば液晶表示装置、有機EL表示装置、無機EL表示装置、等がある。センサの例としては、CCDChargeCoupledDevice又はCMOSComplementaryMetalOxideSemiconductor等のイメージセンサや、X線センサ等が好適である。本実施形態の電気光学装置又はセンサは、低い消費電力により良好な特性を示す。ここで言うところの特性とは、電気光学装置表示装置の場合には表示特性、センサの場合には感度特性を示す。以下、本発明によって製造される薄膜トランジスタを備えた電気光学装置又はセンサの代表例として、液晶表示装置、有機EL表示装置、X線センサについて説明する。4.液晶表示装置図4に、本発明の電気光学装置の一実施形態の液晶表示装置について、その一部分の概略断面図を示し、図5にその電気配線の概略構成図を示す。図4に示すように、本実施形態の液晶表示装置100は、図1Aに示したトップゲート構造でトップコンタクト型のTFT10Aと、TFT10Aのパッシベーション層102で保護されたゲート電極24上に画素下部電極104およびその対向上部電極106で挟まれた液晶層108と、各画素に対応させて異なる色を発色させるためのRGBカラーフィルタ110とを備え、TFT10Aの基板12側およびRGBカラーフィルタ110上にそれぞれ偏光板112a、112bを備えた構成である。また、図5に示すように、本実施形態の液晶表示装置100は、互いに平行な複数のゲート配線112と、該ゲート配線112と交差する、互いに平行なデータ配線114とを備えている。ここでゲート配線112とデータ配線114は電気的に絶縁されている。ゲート配線112とデータ配線114との交差部付近に、TFT10Aが備えられている。TFT10Aのゲート電極24は、ゲート配線112に接続されており、TFT10Aのソース電極18はデータ配線114に接続されている。また、TFT10Aのドレイン電極20はゲート絶縁膜22に設けられたコンタクトホール116を介してコンタクトホール116に導電体が埋め込まれて画素下部電極104に接続されている。この画素下部電極104は、接地された対向上部電極106とともにキャパシタ118を構成している。図4に示した本実施形態の液晶装置においては、トップゲート構造のTFT10Aを備えるものとしたが、本発明の表示装置である液晶装置において用いられるTFTはトップゲート構造に限定されることなく、ボトムゲート構造のTFTであってもよい。本発明により製造されるTFTは、駆動時の発熱を低下させることができるため、安定性、信頼性が非常に高いことから、大画面の液晶表示装置の製造に適している。また、低温でのアニール処理によって十分な特性を有するTFTを作製することができるため、基板としては樹脂基板プラスチック基板を用いることができる。従って、本発明によれば、大面積で均一、安定なフレキシブルな液晶表示装置を提供することができる。5.有機EL表示装置図6に、本発明の電気光学装置の一実施形態のアクティブマトリックス方式の有機EL表示装置について、その一部分の概略断面図を示し、図7に電気配線の概略構成図を示す。有機EL表示装置の駆動方式には、単純マトリックス方式とアクティブマトリックス方式の2種類がある。単純マトリックス方式は低コストで作製できるメリットがあるが、走査線を1本ずつ選択して画素を発光させることから、走査線数と走査線あたりの発光時間は反比例する。そのため高精細化、大画面化が困難となっている。アクティブマトリックス方式は画素ごとにトランジスタやキャパシタを形成するため製造コストが高くなるが、単純マトリックス方式のように走査線数を増やせないという問題はないため高精細化、大画面化に適している。本実施形態のアクティブマトリックス方式の有機EL表示装置200は、図1Aに示したトップゲート構造のTFT10Aが、パッシベーション層202を備えた基板12上に、駆動用TFT204およびスイッチング用TFT206として備えられ、該TFT204および206上に下部電極208および上部電極210に挟まれた有機発光層212からなる有機EL発光素子214を備え、上面もパッシベーション層216により保護された構成となっている。また、図7に示すように、本実施形態の有機EL表示装置200は、互いに平行な複数のゲート配線220と、該ゲート配線220と交差する、互いに平行なデータ配線222および駆動配線224とを備えている。ここで、ゲート配線220とデータ配線222、駆動配線224とは電気的に絶縁されている。スイッチング用TFT10Abのゲート電極24は、ゲート配線220に接続されており、スイッチング用TFT10Abのソース電極18はデータ配線222に接続されている。また、スイッチング用TFT10Abのドレイン電極20は駆動用TFT10Aのゲート電極24に接続されるとともに、キャパシタ226を用いることで駆動用TFT10aをオン状態に保つ。駆動用TFT10aのソース電極18は駆動配線224に接続され、ドレイン電極20は有機EL発光素子214に接続される。図6に示した本実施形態の有機EL装置においては、トップゲート構造のTFT10aおよび10bを備えるものとしたが、本発明の表示装置である有機EL装置において用いられるTFTは、トップゲート構造に限定されることなく、ボトムゲート構造のTFTであってもよい。本発明により製造されるTFTは、駆動時の発熱を低下させることができるため、安定性、信頼性が非常に高いことから、大画面の有機EL表示装置の製造に適している。また、低温でのアニール処理によって十分な特性を有するTFTを作製することができるため、基板としては樹脂基板プラスチック基板を用いることができる。従って、本発明によれば、大面積で均一、安定なフレキシブルな有機EL表示装置を提供することができる。なお、図6に示した有機EL表示装置において、上部電極210を透明電極としてトップエミッション型としてもよいし、下部電極208およびTFTの各電極を透明電極とすることによりボトムエミッション型としてもよい。6.X線センサ図8に、本発明のセンサの一実施形態であるX線センサについて、その一部分の概略断面図を示し、図9にその電気配線の概略構成図を示す。図8は、より具体的にはX線センサアレイの一部を拡大した概略断面図である。本実施形態のX線センサ300は基板12上に形成されたTFT10Aおよびキャパシタ310と、キャパシタ310上に形成された電荷収集用電極302と、X線変換層304と、上部電極306とを備えて構成される。TFT10A上にはパッシベーション膜308が設けられている。キャパシタ310は、キャパシタ用下部電極312とキャパシタ用上部電極314とで絶縁膜316を挟んだ構造となっている。キャパシタ用上部電極314は絶縁膜316に設けられたコンタクトホール318を介し、TFT10Aのソース電極18およびドレイン電極20のいずれか一方図8においてはドレイン電極20と接続されている。電荷収集用電極302は、キャパシタ310におけるキャパシタ用上部電極314上に設けられており、キャパシタ用上部電極314に接している。X線変換層304はアモルファスセレンからなる層であり、TFT10Aおよびキャパシタ310を覆うように設けられている。上部電極306はX線変換層304上に設けられており、X線変換層304に接している。図9に示すように、本実施形態のX線センサ300は、互いに平行な複数のゲート配線320と、ゲート配線320と交差する、互いに平行な複数のデータ配線322とを備えている。ここでゲート配線320とデータ配線322は電気的に絶縁されている。ゲート配線320とデータ配線322との交差部付近に、TFT10Aが備えられている。TFT10Aのゲート電極24は、ゲート配線320に接続されており、TFT10Aのソース電極18はデータ配線322に接続されている。また、TFT10Aのドレイン電極20は電荷収集用電極302に接続されており、さらにこの電荷収集用電極302は、キャパシタ310に接続されている。本実施形態のX線センサ300において、X線は図8中、上部上部電極306側から照射され、X線変換層304で電子-正孔対を生成する。このX線変換層304に上部電極306によって高電界を印加しておくことにより、生成した電荷はキャパシタ310に蓄積され、TFT10Aを順次走査することによって読み出される。本実施形態のX線センサ300は、駆動時の発熱を低下させることができるため、安定性、信頼性が高いことから、大画面化に適している。また、活性層16がIGZOで構成される場合、移動度が高いため、感度特性に優れており、X線デジタル撮影装置に用いた場合に広ダイナミックレンジの画像が得られる。特に本実施形態のX線デジタル撮影装置は、静止画撮影のみ可能なものではなく、動画による透視と静止画の撮影が1台で行えるX線デジタル撮影装置に用いるのが好適である。さらにTFT10Aにおける活性層16が非晶質である場合には均一性に優れた画像が得られる。なお、図8に示した本実施形態のX線センサにおいては、トップゲート構造のTFTを備えるものとしたが、本発明のセンサにおいて用いられるTFTはトップゲート構造に限定されることなく、ボトムゲート構造のTFTであってもよい。以下に実施例を説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではない。基板の熱伝導率がTFTに与える影響の検証について熱伝導率の異なるガラス基板とシリコン基板上ガラス基板:熱伝導率Nsub=1W/mK、シリコン基板熱伝導率Nsub=100W/mKに、それぞれボトムゲート-トップコンタクト型のTFTを作製した。活性層は、組成比がIn:Ga:Zn=1.0:1.0:0.9のIGZO膜厚50nmとした。ソース、ドレイン、ゲート電極はMo、絶縁層にはSiO2を用いた。パターニングには、フォトリソグラフィーとウェットエッチングを用い、IGZOのエッチングにはシュウ酸を、Mo電極のエッチングには燐硝酢酸、絶縁層のエッチングには、バッファードフッ酸を用いた。レジストにはTSMR9000-LB、現像液にはTMAH5溶液を用いた。素子サイズは、L/W=5/25素子にて、駆動条件がVg=20V、Vds=50Vである場合の素子駆動時の温度マップ基板温度50°Cを測定した。測定装置は、日本バーンズ製InfraScopeIIを用いた。図10は、素子駆動時の温度マップ基板温度50°Cを測定した結果を示す図であり、Aはガラス基板の場合の温度マップを示し、Bはシリコン基板の場合の温度マップを示している。図10に示すように、温度マップの測定の結果、熱伝導率の低いガラス基板上では100°C以上の温度上昇が観測された。また、熱伝導率の高いシリコン基板においては、温度上昇はほとんど観測されなかった。温度が上昇するにつれて、ドレイン電流Idが低下していることが分かった。図11は、ゲート電圧VgをVg=20Vに固定し、S-D間への印加電界Eを変数として、発熱温度をプロットした図である。図11に示すように、基板の熱伝導率の違いによって発熱温度に違いが生じていることが分かる。次に、発熱がTFT特性に与える影響について述べる。図12は、Vds=1Vの場合のId及びIgとVgの関係をプロットした図である。図13は、Vds=25Vの場合のId及びIgとVgの関係をプロットした図である。図12に示すように、駆動条件がVds=1Vの場合には、熱伝導率の違いにおいてTFT特性に大きな差異は認められない。一方、図13に示すように、駆動条件がVds=25Vの場合には、TFTのVg-ID曲線でVg=20V以上の領域で異常が生じていることが確認された。図14は、素子サイズは、L/W=5/100素子にて、駆動条件がVds=Vg=20Vの場合の駆動時間と閾値シフトΔVthとの関係を示す図である。図14に示すように、駆動時間発熱時間が長くなるにつれて、信頼性を示す閾値シフトの値が増大していることが分かる。そして、熱伝導率の低いガラス基板の方が、閾値シフトの増大が顕著に表れていることが分かる。以上の影響は、樹脂基板等の熱伝導率が低い基板において、さらに大きくなることが予想される。そこで、以下の方法を用いて、TFTに熱拡散層を設け、さらにその熱伝導率を規定することによって、上記影響を抑制することを試みた。熱拡散層の熱伝導率の決定についてムラタソフトウェア製Femtetを用い、有限要素法によるシミュレーションを実施し、熱拡散層の設計を行った。図15は、シミュレーションで用いた構造体を示す図であって、Aは構造体の斜視図であり、Bは構造体の断面図である。図15の構造体500は、基板502上に、熱拡散層504と絶縁層506と発熱体508とが順に積層された構成である。そして、この熱拡散層の設計では、具体的に、駆動条件がVg=20V、Vds=50Vであるときの発熱温度が100°C未満又は300°C未満になるような設計を実施した。また、設計では、パラメトリック解析を実施し、発熱温度の最大値を抽出した。境界条件等のパラメータは、以下の通りである。境界条件:外部境界条件自然対流メッシュサイズ:0.4また、発熱体508の条件は以下の通りとした。サイズ:1×1×0.01mm熱伝導率:10W/mK発熱量:0.4W熱伝達:20W/m2/deg及びNkaku≧Nsubの条件を満たす必要があることが分かった。また、Tmax100°C未満となる領域は、基板502の熱伝導率Nsubが、Nsub<1.8W/mKの条件を満たすとき、熱拡散層504の熱伝導率Nkakuが、Nkaku>3.0×S-0.97×e-1.2×Nsub且つNkaku≧Nsubの条件を満たす必要があることが分かった。なお、上記式中のeは、自然対数を意味し、^は、累乗を意味するものとする。また、例えば図28のEは、10を意味するものとする。また、上記式は、素子の駆動条件がVg=20V、Vds=50Vであるときの発熱温度が100°C未満又は300°C未満になるような設計を実施しているが、この駆動条件はあくまでも一例であり、素子の駆動条件が他の条件であっても、上記式は、発熱温度が100°C未満又は300°C未満になり得る。"