"半導体基板と、それぞれが前記半導体基板に設けられ、かつ異なる波長帯を検出可能な2以上の画素と、前記2以上の画素の各々に設けられた3以上の転送電極とを備え、前記2以上の画素は、第1の画素と第2の画素とを含み、前記3以上の転送電極は、第1の厚みを有する第1のゲート電極、前記第1の厚みとは異なる第2の厚みを有する第2のゲート電極、および仮想電極を少なくとも含み、前記第1の画素内における前記第1のゲート電極のゲート長と前記第2のゲート電極のゲート長と前記仮想電極のゲート長との比率が前記第2の画素内における前記第1のゲート電極のゲート長と前記第2のゲート電極のゲート長と前記仮想電極のゲート長との比率と異なっている、イメージセンサ。前記2以上の画素は、第3の画素を含み、前記第1、第2および第3の画素内において、各々の前記第1のゲート電極のゲート長と前記第2のゲート電極のゲート長と前記仮想電極のゲート長との比率が異なっている、請求項1に記載のイメージセンサ。前記第2のゲート電極は、互いに同じ前記第2の厚みを有する第3のゲート電極と第4のゲート電極とを含み、前記第1、第2および第3の画素内において、各々の前記第3のゲート電極のゲート長および前記第4のゲート電極のゲート長の合計と、前記第1のゲート電極のゲート長と、前記仮想電極のゲート長との比率が異なっている、請求項2に記載のイメージセンサ。前記半導体基板は、シリコン基板を含み、前記3以上の転送電極は、多結晶シリコン電極を含む、請求項1~3のいずれかに記載のイメージセンサ。転送用画素をさらに備え、前記転送用画素は、前記仮想電極を含んでおらず、転送ゲートを含んでいる、請求項1~4のいずれかに記載のイメージセンサ。上記の特公平6-91659号公報に開示されたイメージセンサおよび特開2010-258155号公報で開示されたTDI方式イメージセンサでは、VPCCD構造を採用することにより仮想電極となった部分はポリシリコン電極が無くなる。このため、ポリシリコン電極で光が吸収されることで感度が低下することが改善され、感度が向上する。しかし、VPCCD構造において、仮想電極にしていない部分、つまりポリシリコン電極による垂直転送ゲートが依然形成されている部分については、ポリシリコン電極の膜厚により変化する光の干渉効果が発生する。この光の干渉効果とは、ポリシリコン電極の膜厚により、ポリシリコン電極を透過して基板に入射する光の基板による吸収率が異なる効果である。上記のイメージセンサおよびTDI方式イメージセンサで異なる波長帯を検出しようとすると、ポリシリコン電極の膜厚により変化する光の干渉効果のため、異なる波長帯のうち、1の波長帯については感度は高いが、他の波長帯については感度は低くなるという問題がある。本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、異なる波長帯の各波長帯を検出する感度を向上することができるイメージセンサを提供することである。本発明のイメージセンサは、半導体基板と、それぞれが半導体基板に設けられ、かつ異なる波長帯を検出可能な2以上の画素と、2以上の画素の各々に設けられた3以上の転送電極とを備えている。2以上の画素は、第1の画素と第2の画素とを含んでいる。3以上の転送電極は、第1の厚みを有する第1のゲート電極、第1の厚みとは異なる第2の厚みを有する第2のゲート電極、および仮想電極を少なくとも含んでいる。第1の画素内における第1のゲート電極のゲート長と第2のゲート電極のゲート長と仮想電極のゲート長との比率が第2の画素内における第1のゲート電極のゲート長と第2のゲート電極のゲート長と仮想電極のゲート長との比率と異なっている。本発明のイメージセンサによれば、異なる波長帯を検出可能な2以上の画素の各々に設けられた3以上の転送電極は、厚みの異なる第1のゲート電極および第2のゲート電極と仮想電極とを含んでいる。さらに第1の画素内における第1のゲート電極のゲート長と第2のゲート電極のゲート長と仮想電極のゲート長との比率が第2の画素内における第1のゲート電極のゲート長と第2のゲート電極のゲート長と仮想電極のゲート長との比率と異なっている。仮想電極が設けられ、また第1のゲート電極と第2のゲート電極との厚みが異なるため、第1の画素および第2の画素のそれぞれにおいて、転送電極の厚みを各波長帯に対応した吸収率の高い厚みにすることができる。これにより、第1の画素により1の波長帯の感度を向上することができ、かつ第2の画素により他の波長帯の感度を向上することができる。さらに第1および第2の画素内のそれぞれにおいて、転送電極のゲート長の比率を変えることで各波長帯に対応した吸収率の高い厚みの転送電極のゲート長を長くすることにより、光の吸収率をさらに高くすることができる。そのため、第1および第2の画素のそれぞれにおいて感度を向上することができる。以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。実施の形態1最初に本発明の実施の形態1のマルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサの構成について説明する。図1を参照して、マルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサ100は、複数の異なる波長帯を検出可能に構成されている。マルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサ100は、3種の波長帯をそれぞれ検出する3つのTDI方式CCDイメージセンサ101~103を有している。第1~第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101~103は、1チップに集積されている。なお、本実施の形態では3種の波長帯を検出する場合について説明するが、4種以上の波長帯を検出することも可能である。たとえば、4種の波長帯を検出する場合には、第4の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサがさらに設けられる。次に、マルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサを構成するTDI方式CCDイメージセンサの回路構成および画素の構成について説明する。以下、主に第1の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサについて説明する。第2および第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサもそれぞれ第1の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサと同様の構成を有している。図2および図3を参照して、第1の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101では、半導体基板20の表面にVPCCD構造を有する画素11aとVPCCD構造を有しない転送用画素2とが設けられている。半導体基板20はたとえばSiシリコン基板である。画素1が2次元アレイ状図2の例では、垂直6画素×水平10画素に配列された受光部9と、転送用画素2が2次元アレイ状図2の例では、垂直2画素×水平10画素に配列された転送部10とが設けられている。画素1は水平方向D2に延在し、垂直方向D1へ4つ並設された転送電極7を有している。転送電極7は垂直転送ゲートを構成している。転送電極7は、VPCCD構造を有しており、第1のゲート電極7a、第2のゲート電極7bおよび仮想電極7cを有している。第2のゲート電極7bは、第3のゲート電極7b1と第4のゲート電極7b2とを含んでいる。第1のゲート電極7a、第2のゲート電極7bはたとえばポリシリコン多結晶シリコンなどで形成されている。転送用画素2は水平方向D2に延在し、垂直方向D1へ4つ並設された転送電極転送ゲート7を有している。転送電極7は垂直転送ゲートを構成している。転送電極7は、仮想電極7cを含んでおらず、転送ゲートを構成する第1のゲート電極7a、第2のゲート電極7bおよび転送部ゲート電極7dを有している。第2のゲート電極7bは、第3のゲート電極7b1と第4のゲート電極7b2とを含んでいる。図示されていないが、画素2の上方には被写体からの光が入射しないように遮光膜が設けられている。画素1および画素2に与える垂直転送クロックは、配線12a~12d、コンタクト13a~13d、配線14a~14dを介して電気的に接続された入力ピン15a~15dから与えられる。配線14aが第1のゲート電極7aと電気的に接続されている。配線14bと配線14dとが第2のゲート電極7bに電気的に接続されている。さらに詳しくは配線14bは第3のゲート電極7b1と電気的に接続されており、配線14dは第4のゲート電極7b2と電気的に接続されている。配線14cは転送部ゲート電極7dと電気的に接続されている。なお、配線14cは仮想電極7cと電気的に接続されていない。各画素列間に画素分離領域11が形成されている。また、転送部10と水平CCD3との間には電荷蓄積部4が設けられている。水平CCD3と反対側の端には、過剰電荷を排出するための電荷排出部5が設けられている。主に図3を参照して、半導体基板20の表面に不純物領域からなる垂直転送チャネル19が形成されている。各画素列の垂直転送チャネル19と隣接する垂直転送チャネル19図示せずとの間に画素分離領域11が形成されており、画素分離領域11に横型オーバーフロードレインが形成されている。なお、横型オーバーフロードレインは形成されていなくてもよい。画素分離領域11として、高濃度不純物領域からなる電荷排出ドレイン16、高濃度不純物領域からなるチャネルストップ17および不純物領域18が形成されている。上述において、半導体基板20としてP型Si基板、垂直転送チャネル19としてN型不純物領域、電荷排出ドレイン16として高濃度N型不純物領域、チャネルストップ17として高濃度P型不純物領域、不純物領域18としてP型不純物領域がそれぞれ適用され得る。続いて、第1の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101の転送動作について説明する。再び図1を参照して画素1の信号電荷は時間遅延積分TDI動作により垂直方向D1へ転送される。受光部9において時間遅延積分された信号電荷は、転送部10を電荷蓄積部4へ向かって垂直方向D1へと転送される。電荷蓄積部4にいったん蓄積された信号電荷は、1水平期間ごとに水平CCD3へと転送され、次に水平CCD3内を水平方向D2へと転送されて、出力アンプ6から読み出される。次に、マルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサを構成する第1~第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサの画素の構成について説明する。図4~図6を参照して、マルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサでは、第1~第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサはそれぞれ第1~第3の画素1a~1bを有している。第1~第3の画素1a~1bはそれぞれ異なる波長帯を検出可能に構成されている。第1の画素1a~第3の1cの各々は第1のゲート電極7a、第2のゲート電極7bおよび仮想電極7cを有している。第1のゲート電極7aと第2のゲート電極7bとは異なる厚みを有している。つまり第1のゲート電極7aの第1の厚みt1と第2のゲート電極7bの第2の厚みt2とは異なる厚みに形成されている。なお、仮想電極7cは、第1のゲート電極7aおよび第2のゲート電極7bを形成するポリシリコン層の膜厚がゼロの場合に相当する。図4を参照して、第1の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101の画素1aでは、第1のゲート電極7aを形成する1層目ポリシリコン層の厚み膜厚t1と、第2のゲート電極7bを形成する2層目ポリシリコン層の厚み膜厚t2とは異なる厚みで形成されている。第2のゲート電極7bは、第3のゲート電極7b1と第4のゲート電極7b2とに分離して形成されている。すなわち、第3のゲート電極7b1と第4のゲート電極7b2とは互いに同じの第2の厚みt2で形成されている。図5および図6を参照して、第2および第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ102,103の第2の画素1bおよび第3の画素1cでも、それぞれ第1のゲート電極7aを形成する1層目ポリシリコン層の厚み膜厚t1と、第2のゲート電極7bを形成する2層目ポリシリコン層の厚み膜厚t2とは異なる厚みで形成されている。第1~第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101~103は1チップ上に集積されており、半導体の製造プロセスにおいて、それぞれの1層目ポリシリコン層が同時に形成されるため、それぞれの1層目ポリシリコン層の厚みt1は同一膜厚となる。第1~第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101~103の2層目ポリシリコン層の厚みt2についても、同様に同一膜厚となる。第1~第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101~103では、それぞれにおいて1層目ポリシリコン層の厚みt1と2層目ポリシリコン層の厚みt2とは異なる膜厚となる。ポリシリコン層の膜厚により光の干渉効果が変化する。したがって、第1~第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101~103の第1~第3の画素1a~1cでは、ポリシリコン層の膜厚により変化する光の干渉効果にあわせて、第1のゲート電極7a、第2のゲート電極7bおよび仮想電極7cはそれぞれ、第1~第3の波長帯のそれぞれに対応した吸収率の高い厚みに形成されている。また、図4~図6を参照して、それぞれ異なる波長帯を検出する第1~第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101~103の第1~第3の画素1a~1cの各々は、1層目ポリシリコン層からなる第1のゲート電極7aと、2層目ポリシリコン層からなる第2のゲート電極7bと、仮想電極7cとのゲート長構成比を変えて構成されている。すなわち、第1~第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101~103の第1~第3の画素1a~1cにおいて、第1のゲート電極7aのゲート長L1と、第2のゲート電極7bのゲート長L2と、仮想電極7cのゲート長L3との比率はそれぞれ異なるように形成されている。図4を参照して、第1の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101の第1の画素1a内において、仮想電極7cのゲート長L3は、第1のゲート電極7aのゲート長L1および第2のゲート電極7bのゲート長L2のそれぞれより長くなるように設けられている。ここでの第2のゲート電極7bのゲート長L2は、第3のゲート電極7b1のゲート長L2aと第4のゲート電極7b2のゲート長L2bとの合計の長さである。第1の画素1aでは、第1の波長帯に対して、ポリシリコン層の厚みがゼロの場合にSi基板20での光の吸収率が最も高くなる。そのため、ポリシリコン層の厚みがゼロに相当する仮想電極7cのゲート長L3を長くすることで第1の波長帯の光の吸収率が高くなる。図5を参照して、第2の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ102の第2の画素1b内において、第2のゲート電極7bのゲート長L2は、第1のゲート電極7aのゲート長L1および仮想電極7cのゲート長L3のそれぞれより長くなるように設けられている。ここでも第2のゲート電極7bのゲート長L2は、第3のゲート電極7b1のゲート長L2aと第4のゲート電極7b2のゲート長L2bとの合計の長さである。第2の画素1bでは、第2の波長帯に対して、ポリシリコン層の厚みt2の場合にSi基板20での光の吸収率が最も高くなる。そのため、ポリシリコン層の厚みt2の第2のゲート電極7b第3のゲート電極7b1および第4のゲート電極7b2のゲート長L2第3のゲート電極7b1のゲート長L2aと第4のゲート電極7b2のゲート長L2bとの合計の長さを長くすることで第2の波長帯の光の吸収率が高くなる。図6を参照して、第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ103の第3の画素1c内において、第1のゲート電極7aのゲート長L1は、第2のゲート電極7bのゲート長L2および仮想電極7cのゲート長L3のそれぞれより大きくなるように設けられている。ここでも第2のゲート電極7bのゲート長L2は、第3のゲート電極7b1のゲート長L2aと第4のゲート電極7b2のゲート長L2bとの合計の長さである。第3の画素1cでは、第3の波長帯に対して、ポリシリコン層の厚みt1の場合にSi基板20での光の吸収率が最も高くなる。そのため、ポリシリコン層の厚みt1の第1のゲート電極7aのゲート長L1を長くすることで第3の波長帯の光の吸収率が高くなる。図4~図6に示すように、マルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサでは、第1~第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサのそれぞれ第1~第3の画素1a~1cにおいて、それぞれ光の吸収率を高くすることで、第1~第3の波長帯の全てに対して感度が高くなる。次に、本実施の形態の作用効果について比較例と比較して説明する。まず、TDI方式CCDイメージセンサの各波長帯におけるSi基板での光の吸収率透過率について、ポリシリコン電極膜厚依存性を説明する。図7を参照して、各波長帯におけるSi基板での光の吸収率について、ポリシリコン電極膜厚依存性を計算した結果が示されている。図7では、1層目ポリシリコン層の膜厚t1と、2層目ポリシリコン層の膜厚t2とを、同一膜厚として、その膜厚を可変させて、各波長帯におけるSi基板での吸収率の変化がプロットされている。図7で示されるSi基板での吸収率の高低により、感度の高低が生じる。図7に示されるように、各波長帯でポリシリコン電極膜厚により光の干渉特性が異なることから、第1の波長帯で高い吸収率が得られるポリシリコン電極膜厚であっても、第2、第3の波長帯では、吸収率のピーク位置からはずれ、高い吸収率が得られない。続いて、図8~図10を参照して、比較例のマルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサについて説明する。比較例のマルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサでは、第1~第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサはそれぞれ第1~第3の画素1a~1cを有している。第1~第3の画素1a~1cは、それぞれ同じ構造に形成されている。第1~第3の画素1a~1cでは、第1のゲート電極7aを形成する1層目ポリシリコン層の厚み膜厚t1と、第2のゲート電極7b第3のゲート電極7b1および第4のゲート電極7b2を形成する2層目ポリシリコン層の厚み膜厚t2とは同じ厚みで形成されている。また、第1~第3の画素1a~1cでは、第1のゲート電極7aのゲート長L1と、第2のゲート電極7bのゲート長L2と、仮想電極7cのゲート長L3との構成比率はそれぞれ同一に形成されている。なお、第2のゲート電極7bのゲート長L2は、第3のゲート電極7b1のゲート長L2aと第4のゲート電極7b2のゲート長L2bとの合計の長さである。比較例の第1の画素1aと第2の画素1bとのそれぞれでは、第1のゲート電極7aと第2のゲート電極7bが同じ厚みで形成されている。ポリシリコン電極膜厚に応じて光の干渉効果が変化するため、第1の画素1aと第2の画素1bのそれぞれは、一方の波長帯については感度が高いが、他方の波長帯については感度が低くなる。そのため、比較例のマルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサでは、第1画素1a~第3の画素1cにおいて、第1~第3の波長帯の全てについて感度を高くすることはできない。それに対して、本実施の形態のマルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサイメージセンサによれば、異なる波長帯を検出可能な2以上の画素の各々に設けられた3以上の転送電極7は、厚みの異なる第1のゲート電極7aおよび第2のゲート電極7bと仮想電極7cとを含んでいる。さらに少なくとも第1の画素1a内における第1のゲート電極7aのゲート長L1と第2のゲート電極7bのゲート長L2と仮想電極7cのゲート長L3との比率が第2の画素1b内における第1のゲート電極7aのゲート長L1と第2のゲート電極7bのゲート長L2と仮想電極7cのゲート長L3との比率と異なっている。仮想電極7cが設けられ、また第1のゲート電極7aと第2のゲート電極7bとの厚みが異なるため、第1の画素1aおよび第2の画素1bのそれぞれにおいて、転送電極7の厚みを各波長帯に対応した吸収率の高い厚みにすることができる。これにより、第1の画素1aにより1の波長帯の感度を向上することができ、かつ第2の画素1bにより他の波長帯の感度を向上することができる。さらに第1および第2の画素1a,1b内のそれぞれにおいて、転送電極7のゲート長の比率を変えることで各波長帯に対応した吸収率の高い厚みの転送電極7のゲート長を長くすることにより、光の吸収率をさらに高くすることができる。そのため、第1および第2の画素1a,1bのそれぞれにおいて感度を向上することができる。これにより、少なくとも2つの波長帯について感度を向上することができる。また、本実施の形態のイメージセンサでは、第1、第2および第3の画素1a~1c内において、各々の第1のゲート電極7aのゲート長L1と第2のゲート電極7bのゲート長L2と仮想電極7cのゲート長L3との比率が異なっている。これにより、3つ以上の波長帯について感度を向上することができる。また、本実施の形態のイメージセンサでは、第1~第3の画素1a~1c内において、第3のゲート電極7b1のゲート長L2aと第4のゲート電極7b2のゲート長L2bとの合計と、第1のゲート電極7aのゲート長L1と仮想電極7cのゲート長L3との比率が異なっている。これにより、4相駆動にすることができる。また、本実施の形態のイメージセンサでは、半導体基板20は、Siシリコン基板を含み、3以上の転送電極7は、多結晶シリコン電極を含んでいる。これにより、上述のSi基板での光の吸収率についてのポリシリコン電極膜厚依存性を有効に利用することができる。また、本実施の形態のイメージセンサでは、転送用画素2は、仮想電極7cを含んでおらず、転送ゲート7を含んでいる。これにより、転送用画素2で信号電荷を転送することができる。以下、さらに詳しく本実施の形態の作用効果について説明する。たとえば、図7に示される第1~第3の波長帯がマルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサ100で検出される波長帯である場合、図7に示されるように第1の波長帯については、ポリシリコン電極膜厚がゼロに相当する仮想電極において、Si基板での吸収率が最も高い。第2の波長帯については、図7に示されるようにポリシリコン電極膜厚がTaの場合にSi基板での吸収率が最も高い。第3の波長帯については、図7に示されるようにポリシリコン電極膜厚がTbの場合にSi基板での吸収率が最も高い。そのため、図4および図7を参照して、第1のゲート電極7aを形成する1層目ポリシリコン層の厚みt1が第3の波長帯で感度が最高となるポリシリコン電極膜厚Tbとされ、第2のゲート電極7bを形成する2層目ポリシリコン層の厚みt2が第2の波長帯で感度が最高となるポリシリコン電極膜厚Taとされる。そして、第1の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101については、仮想電極7cにおいてSi基板での吸収率が最高となるため、仮想電極7cのゲート長L3を第1のゲート電極7aのゲート長L1および第2のゲート電極7bのゲート長L2のそれぞれより長くなるように設けることで、第1の波長帯の光の吸収率を高くすることができる。このため、第1の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101の感度を高くすることができる。第2の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ102については、第2のゲート電極7b第3のゲート電極7b1および第4のゲート電極7b2においてSi基板での吸収率が最高となるため、第2のゲート電極7bのゲート長L2第3のゲート電極7b1のゲート長L2aと第4のゲート電極7b2のゲート長L2bとの合計の長さを第1のゲート電極7aのゲート長L1および仮想電極7cのゲート長L3のそれぞれより長くなるように設けることで、第2の波長帯の光の吸収率を高くすることができる。このため、第2の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ102の感度を高くすることができる。第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ103については、第1のゲート電極7aにおいてSi基板での吸収率が最高となるため、第1のゲート電極7aのゲート長L1を第2のゲート電極7bのゲート長L2第3のゲート電極7b1のゲート長L2aと第4のゲート電極7b2のゲート長L2bとの合計の長さおよび仮想電極7cのゲート長L3のそれぞれより長くなるように設けることで、第3の波長帯の光の吸収率を高くすることができる。このため、第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ103の感度を高くすることができる。つまり、第1~第3の画素1a~1cにおいて、第1~第3の波長帯に対して、Si基板での吸収率が最も高いポリシリコン電極膜厚で形成された転送電極7のゲート長を最も長くすることで大きく感度を向上することができる。上述のように、本実施の形態のマルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサイメージセンサによれば、各波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101~103全ての感度を向上させることができる。実施の形態2本発明の実施の形態2では、実施の形態1と比較して第2のゲート電極の構成が主に異なっている。なお、本実施の形態のこれ以外の構成は上述した実施の形態1と同様であるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。図11~図13を参照して、本実施の形態のマルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサでは、第1~第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサの第1~第3の画素1a~1cの各々は、第1のゲート電極7a、第2のゲート電極7bおよび仮想電極7cを有している。本実施の形態では、第1~第3の画素1a~1cの各々において、実施の形態1と異なり、第2のゲート電極7bが1つである。つまり、第2のゲート電極7bが、実施の形態1と異なり、第3のゲート電極7b1、第4のゲート電極7b2に分離されて形成されていない。本実施の形態のイメージセンサによれば、3相駆動にすることができる。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"