"式A:式A式中:M:CuI;L-L:一価の負電荷を有する二座配位子;N-N:R及びFGで置換されるジイミン配位子、置換2,2’-ビピリジン誘導体bpy又は1,10-フェナントロリン誘導体phen;R:励起状態での平坦化への銅I錯体の形状変化を防止する、少なくとも1つの立体的要求の高い置換基;FG=官能基:電子を伝導するとともに、有機溶媒における溶解度を増大させる少なくとも1つの第2の置換基、又は正孔を伝導するとともに、有機溶媒における溶解度を増大させる少なくとも1つの第2の置換基であって、該官能基は直接又は架橋を介して該ジイミン配位子に結合しているによる構造を有する、光の放出のための中性の単核銅I錯体であって、2500cm-1未満の最低励起一重項S1状態と下位にある三重項T1状態との間のΔES1-T1値と、最大20μsの発光減衰時間と、40を超える発光量子収率と、少なくとも1g/Lの有機溶媒における溶解度と、を有する、銅I錯体。ジイミン配位子N-Nが、置換2,2’-ビピリジン誘導体bpy又は1,10-フェナントロリン誘導体phenであり、該bpy配位子が、3,3’位において、任意に分岐するアルキル[CH3-CH2n-]n=1~20又はアリール又はフェニルから選ばれる置換基で置換されるか、又は該phen配位子が、2,9位において、任意に分岐するアルキル[CH3-CH2n-]n=1~20又はアリール又はフェニルで置換される、請求項1に記載の銅I錯体。励起状態での該錯体の平坦化を防止する該少なくとも1つの立体的要求の高い置換基Rが、任意に分岐するアルキル基-CH2n-CH3n=0~20、6個~20個の炭素原子を有するアリール基、アルコキシ基-O-CH2n-CH3n=0~20、アリールオキシ基及びシラン基からなる群から選ばれ、該アルキル基及びアリール基が、ハロゲン、アルコキシ基又はシラン基で任意に置換され、かつ/又は任意に融合して環化したanellated環系を形成する、請求項1又は2に記載の銅I錯体。少なくとも1つの立体的要求の高い置換基Rが、有機溶媒における該銅I錯体の溶解度を増大させ、及び/又は正孔伝導性又は電子伝導性を増大させる、請求項1~3のいずれか一項に記載の銅I錯体。励起状態での該錯体の平坦化を防止する該少なくとも1つの立体的要求の高い置換基Rが、1,10-フェナントロリン配位子の2位及び/又は9位における脂肪族基であるか、又は2,2’-ビピリジン配位子の3位及び/又は3’位における脂肪族基である、請求項1~4のいずれか一項に記載の銅I錯体。1500cm-1未満、又は1000cm-1未満、又は500cm-1未満のΔES1-T1値;40を超える、又は60を超える、又は70を超える発光量子収率;最大で10μs、又は6μs未満、又は3μs未満の発光寿命;及び/又は少なくとも10g/Lの有機溶媒における溶解度を有する、請求項1~5のいずれか一項に記載の銅I錯体。光の放出のための、又は光電子デバイスにおける発光体層での請求項1~6のいずれか一項に記載の銅I錯体の使用。光電子デバイスを製造する方法であって、請求項1~7のいずれか一項に記載の銅I錯体を使用する、光電子デバイスを製造する方法。湿式化学手段により製造を実施し、かつ該方法が、任意の第1の溶媒に溶解した第1の発光体錯体を担体上に堆積させる工程と、第2の溶媒に溶解した第2の発光体錯体を該担体上に堆積させる工程と、を含み、該第1の発光体錯体が該第2の溶媒に可溶性でなく、該第2の発光体錯体が該第1の溶媒に可溶性でなく、また、該第1の発光体錯体及び/又は該第2の発光体錯体が請求項1~6のいずれか一項に記載の銅I錯体である、請求項8に記載の光電子デバイスを製造する方法。第1の溶媒又は第3の溶媒に可溶性である第3の発光体錯体を該担体上に堆積させる工程を含み、該第3の銅I錯体が請求項1~6のいずれか一項に記載の銅I錯体である、請求項9に記載の方法。光電子デバイスが白色光OLEDであり、該第1の発光体錯体が赤色光発光体であり、該第2の発光体錯体が緑色光発光体であり、かつ該第3の発光体錯体が青色光発光体である、請求項10に記載の方法。請求項1~7のいずれか一項に記載の銅I錯体を含む、光電子デバイス。発光体層における該銅I錯体の割合が、該発光体層の総重量に関して、2重量~100重量、又は4重量~30重量である、請求項12に記載の光電子デバイス。請求項1~7のいずれか一項に記載の銅I錯体を含む発光体層を特徴とし、該発光体層における該銅I錯体の割合が、該発光体層の総重量に関して、2重量~100重量、又は4重量~30重量である、有機発光ダイオードOLEDの形態の請求項12又は13に記載の光電子デバイス。光電子デバイスが、有機発光ダイオードOLED、発光電気化学電池LEEC又はLEC、OLEDセンサ、又は外部からの自動遮断を伴うガス及び蒸気のセンサ、光温度センサ、有機太陽電池OSC、有機電界効果トランジスタ、有機レーザー、有機ダイオード、有機フォトダイオード、及びダウンコンバージョンシステムからなる群から選ばれる、請求項7に記載の使用、請求項8~10のいずれか一項に記載の方法、又は請求項12若しくは13に記載の光電子デバイス。請求項1~6のいずれか一項に記載の銅I錯体を選択する方法であって、最低励起一重項状態S1と、その下位にある三重項状態T1との間のΔES1-T1値が2500cm-1未満、又は1500cm-1未満、又は1000cm-1未満、又は500cm-1未満であり、第一原理分子算出を用いて、又は蛍光及びリン光の強度の温度依存性の測定を用いて、又は発光減衰時間の温度依存性の測定を用いて、該ΔES1-T1値を決定することと、ΔES1-T1値が2500cm-1未満、又は1500cm-1未満、又は1000cm-1未満、又は500cm-1未満である有機分子を決定することと、を特徴とする、請求項1~6のいずれか一項に記載の銅I錯体を選択する方法。本発明の基礎をなす課題は、上記の欠点を示さない、銅I錯体をベースとする新たな材料を提供することであった。発明の説明驚くべきことに、本発明の課題は、本明細書に記載のCuI化合物によって対処される。言い換えれば、本発明は、以下の特徴を有する新規なCuI化合物の生成及び提供に関係するものである:わずか数μsという比較的短い発光減衰時間、40を超える高い発光量子収率、不要な形状変化の大幅な抑制、及び技術的な必要要件を満たす種々の溶媒における溶解度。本発明の有機溶媒は、分岐アルカンを含む、ペンタン、ヘキサン、ヘプタンのようなアルカン、またハロゲン化アルカン、ジクロロメタン、クロロホルム、1,2-ジクロロエタンdichloroethane、1,1,1-トリクロロエタンtrichloroethane、四塩化炭素、ペルクロロエチレン、芳香族炭化水素、またハロゲン化芳香族炭化水素:ベンゼン、トルオール、クロロベンゼン1,2-ジクロロベンゼン、エーテル:テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ケトン:アセトン、メチルエチルケトン、並びにアセトニトリル、ニトロメタン、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、メタノール、エタノール及びエチルアセテートである。本発明の好ましい実施の形態では、銅I錯体が、以下の溶媒、例えば、ジクロロメタンdichloromethane、クロロホルム、1,2-ジクロロエタン、1,1,1-トリクロロエタン、ペルクロロエチレン、トルオール、クロロベンゼンchlorobenzene、1,2-ジクロロベンゼン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、アセトン、メチルエチルケトン、ニトロメタン、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、メタノール及びエタノールのような極性炭化水素の少なくとも1つによく溶解する。一重項捕獲発光減衰時間が可能な限り最小であるにもかかわらず、発光量子収率が高い発光体分子を開発するために、特に重要なことは、励起三重項状態T1から一重項状態S0への禁制遷移の制約を緩和することである。かかる発光体を使用するOLEDはこの効率において著しく小さいロールオフ挙動を示し、光電子デバイスの動作寿命をより長くする。上記の課題は、特定の電子構造、すなわち一重項-三重項エネルギー差を有するとともに、本発明により、CuI錯体について本明細書に初めて記載される一重項捕獲効果を示す発光体分子を使用することによって、本発明により対処される。図2aには、小さいか又は効果がわずかであるスピン軌道相互作用を伴う遷移金属錯体例えば、第一周期の遷移金属の金属錯体、又は配位子中心での三重項状態を伴う金属錯体に関するエネルギー準位図を示す。この図を参照して、これらの分子の光物理的エレクトロルミネッセンス特性を説明する。例えば光電子デバイスにおいて起こる正孔-電子再結合により、統計的に平均して、一重項状態1つの一重項パスpathの25占有、及びΔE1S1-T1で下位にある三重項状態の3つの準安定状態3つの三重項パスの75占有がもたらされる。概して遷移金属錯体において10-12sより速い、T1状態への項間交差ISCプロセスに起因して、S1状態への励起が緩和する。三重項状態の放射発光減衰時間は、第一周期の遷移金属のこれらの金属錯体としては極めて長い例えば100μs~1000μs超。本発明によると、現行の技術水準の上記の欠点は、最低励起一重項状態S1とその下位にある三重項状態T1との間のエネルギー差ΔES1-T1が2500cm-1未満であるCuI錯体を選ぶことによって回避することができる。これは、図2bに示されるCuI錯体に関するエネルギー準位図によって説明される。このエネルギー差は、ボルツマン分布に従い又は熱エネルギーkBTに従い、T1状態からのS1状態の熱による再集合化を可能にする程十分に小さい。このプロセスは式1により進行する:この式において、IntS1→S0/IntT1→S0はS1状態からの発光とT1状態からの発光との強度比である。kBはボルツマン定数であり、Tは絶対温度である。kS1/kT1は、それぞれの電子基底状態S0への転換プロセスの速度比である。CuI錯体では、この比は102~104である。本発明に従うと、速度比が約103~約104の分子が好まれる。ΔEは図2bではエネルギー差ΔE2S1-T1を表す。本明細書に記載の熱による再集合化のプロセスは、集合化した三重項から一重項状態S1を介して発光チャネルを開放する。S1状態からS0状態への遷移が強く許容されるため、三重項励起エネルギーが一重項状態を介した発光としてほぼ完全に得られる。エネルギー差ΔEがより小さければ、この効果はより顕著なものとなる。そのため、最低励起一重項状態と、その下位にある三重項状態との間のΔE=ΔES1-T1値が1500cm-1未満、好ましくは1000cm-1未満、より好ましくは500cm-1未満であるCuI錯体が好まれる。この効果は数値例により説明される。エネルギー差ΔEが800cm-1であり、室温適用T=300Kで、kBTが210cm-1及び速度比が108である場合、およそ20という式1による一重項発光と三重項発光との強度比が得られる。これは一重項発光プロセスがこれらの例示的な値を有する分子にとって極度に優勢であることを意味する。結果としてこの例示的な分子の発光寿命も変化する。熱による再集合化により平均寿命τavがもたらされる。これは式2により説明することができる:この式では、τS1は再集合化のない蛍光寿命であり、τavはT1及びS1という2つの状態による再集合化チャネルの開放時に求められる発光寿命である図2bを参照されたい。他のパラメータは上記で定義されている。式2も数値例により説明される。800cm-1という推定エネルギー差ΔE、及び50nsという蛍光S1状態の減衰時間では、2つの状態の、すなわちT1状態から熱的に再集合化されたS1状態の発光減衰時間τav≒2μsが得られる。この減衰時間は、非常に良好なIrIII又はPtIIの三重項発光体の減衰時間よりも短い。要約すると、このようにして理想的には、CuI錯体に関するこの一重項捕獲プロセスを使用して、ほぼ全て、すなわち最大100の励起子を捕捉し、一重項発光を介してそれらを光へと変換させることが可能である。加えて、概して数百μs~数msというCuI錯体の純粋な三重項発光体に関する値をはるかに下回るように発光減衰時間を短縮させることが可能である。したがって、本発明に従う各錯体の使用は光電子デバイスに特に好適である。上記の特性を有する、すなわち一重項-三重項エネルギー差ΔES1-T1が小さい本発明によるCuI錯体は好ましくは、以下に示される一般式Aにより説明される。これらのCuI錯体の光学特性を制御する電子遷移は、金属から配位子への顕著な電荷移動特質を示す。この遷移のタイプは、量子力学に基づく交換積分の比較的小さな値と相関関係にあり、このことは当業者にとって既知である。これにより、所望の小さいエネルギー差ΔES1-T1がもたらされる。本発明は別の態様では、最低励起一重項状態S1と、その下位にある三重項状態T1との間のΔES1-T1値が、2500cm-1未満、好ましくは1500cm-1未満、特に好ましくはpreferably1000cm-1未満、最も好ましくは500cm-1未満である銅I錯体を選択する方法に関する。ΔES1-T1値の決定は、当該技術分野で既知のコンピュータープログラムを使用した例えばCC2算出に関連するTDDFT算出を実行するTurbomoleプログラムを使用した量子力学的算出により実施することができるか、又は以下で説明するように実験により求めることができる。エネルギー差ΔES1-T1、より具体的には式Aにより記載される錯体のエネルギー差ΔES1-T1は、交換積分に2を乗算することで量子力学的手段により近似値として示すことができる。交換積分の値は、金属の関与するd軌道と配位子のπ軌道に基づくいわゆる電荷移動特質に直接依存する。これは、異なる分子軌道間の電子遷移が電荷移動CTプロセスであることを意味する。上記の分子軌道の重なりが小さければ、電子電荷移動特質がより顕著なものとなる。そのためこれは交換積分の低減、及びひいてはエネルギー差ΔES1-T1の低減に関連する。これらの光物理的量子力学的特性のために、2500cm-1未満又は1500cm-1未満又は1000cm-1未満又は更には500cm-1未満の本発明のエネルギー差ΔES1-T1を実現することが可能である。ΔES1-T1値は実験により以下のように求めることができる:所与のCuI錯体では、エネルギー差ΔES1-T1=ΔEは上で規定した式1を用いて単純に求めることができる。再配列によって、以下が与えられる:強度IntS1→S0及びIntT1→S0の測定には、任意の市販の分光光度計を使用することができる。絶対温度Tの逆数に対して種々の温度で測定される対数化したlogarithmized強度比ln{IntS1→S0/IntT1→S0}のグラフプロットは一般的に直線を与える。この測定は室温300Kから77K又は4.2Kまでの温度範囲この温度はクライオスタットを用いて確認される内で行われる。この強度は、それぞれ積分蛍光バンド強度及び積分リン光バンド強度を表す補正したスペクトルであるIntS1→S0及びIntT1→S0から求められ、IntS1→S0及びIntT1→S0は分光光度計で与えられるプログラムを用いて求めることができる。三重項バンドが一重項バンドよりも低いエネルギー準位にあり、温度が低下するにつれて強度が増すことから、各遷移バンド強度を容易に特定することができる。測定は無酸素希薄溶液およそ10-2mol×L-1中で、又は対応する分子の薄膜上で、又は対応する分子でドープした膜上で行う。使用するサンプルが溶液である場合、低温でガラスを形成する溶媒又は溶媒混合物、例えば2-メチル-テトラヒドロフラン、ブチロニトリル、トルオール、エタノール又は脂肪族炭化水素を使用することが望まれる。使用するサンプルが膜である場合、CuI錯体発光体分子のものよりもかなり大きい一重項エネルギー及び三重項エネルギーを有するマトリクス、例えばPMMAポリメチルメタクリレートの使用が好適である。この膜は溶液から塗布することができる。直線の傾きは-ΔE/kBである。kB=1.380×10-23JK-1=0.695cm-1K-1の場合、エネルギー分離を直接求めることが可能である。ΔES1-T1値の単純なおおよその推定は、低温例えばクライオスタットを使用して77K又は4.2Kで蛍光及びリン光のスペクトルを記録することによっても得ることができる。そのため、ΔES1-T1値は、蛍光バンド及びリン光バンドの高エネルギー傾きフランクslopeflanks間のエネルギー差におおよそ相当する。ΔES1-T1値を決定する別の方法は、市販されている計器を用いて発光減衰時間τavを測定することによるものである。ここでは、クライオスタットを使用して、4.2K、又は例えば20Kと、300Kとの間の範囲について発光減衰時間を測定する。式4及び三重項状態について低温で測定した発光減衰時間τT1を用いて、測定値のあてはめを式4により行い、ΔES1-T1値を得ることができる。注記:τT1値は測定値をプロットする場合に見られることがあるプラトーによって表されることが多い。このようなプラトーが見られる場合、4.2Kまで冷却する必要は一般にない。図8に例を示す。有機分子のCT特質がより顕著なものであれば、溶媒極性の関数としての電子遷移エネルギーの変動がより大きくなる。したがって、発光エネルギーの強い極性依存性が小さいΔES1-T1値の指標となる。分子構造の安定化四配位CuI錯体は、電子基底状態において金属原子のほぼ四面体の配位を示す。金属から配位子への顕著な電荷移動特質により電子励起状態へと遷移する場合、金属原子が形式的に酸化しCuIIとなり、二次平面配位に向けた関連する形状変化が起こる。この形状変化は錯体の平坦化と称することができる。このプロセスによって、ルミネッセンスを消光するための極めて有効な機構がもたらされる。本発明の銅I錯体では、この消光機構は、ジイミン配位子N-Nにおけるとりわけ、1,10-フェナントロリンの2位及び9位における、又は2,2’-ビピリジンの3位及び3’位における立体的要求の高いstericallydemanding置換基の存在によって、Cu原子における形状変化が障害を受けることにより防止されるか、又は大幅に軽減される。同時に、かかる置換は、溶媒、夾雑物、容易に配位するマトリクス材料によるCu中心との求核反応を防止することを助ける。既にメチル基によって、得られるCu錯体の剛化はもたらされている。したがって、立体的要求の高い置換基は、メチルを除く、アルキル基-CH2n-CH3n=0~20また分岐アルキル基、6個~20個の炭素原子を有するアリール基例えば-Ph、アルコキシ基-O-CH2n-CH3n=0~20、アリールオキシ基例えば-OPh、又はシラン基例えば-SiMe3である。アルキル基及びアリール基は、例えば、ハロゲン、アルコキシ基又はシラン基等で置換されていてもよく、又は環化した環系annelatedringsystems:縮合環系をもたらすものであってもよい実施例2を参照されたい。ケミカルリードChemicalLead:化学的基本構造発光体Aは以下の特徴を包含する:式AMはCuIである。L-Lは一価の負電荷を有する二座配位子である。配位子N-Nは、置換ジイミン配位子、とりわけ、置換2,2’-ビピリジン誘導体bpy又は置換1,10-フェナントロリン誘導体phenである。Rは、励起状態での錯体の平坦化への形状変化を防止する、3,3’位bpy又は2,9位phenにおける立体的要求の高い置換基である。立体的要求の高い置換基は、とりわけ、アルキル基-CH2n-CH3n=0~20また分岐アルキル基、6個~20個の炭素原子を有するアリール基例えば-Ph、アルコキシ基-O-CH2n-CH3n=0~20、アリールオキシ基例えば-OPh、又はシラン基例えば-SiMe3である。アルキル基及びアリール基は、例えば、ハロゲン、アルコキシ基又はシラン基等で置換されていてもよく、又は環化した環系をもたらすものであってもよい。2つのR基が式Aに示されているが、本発明の錯体は、本発明の1つの実施の形態においてR基を1つのみ含有するものであってもよい。FG=官能基は、錯体の付加的な機能をもたらす更なる置換基である。官能基FGは、直接又は適切な架橋を介してジイミン置換基に連結している以下を参照されたい。官能基は電子伝導体の特徴を有する基であってもよい。官能基は正孔伝導体の特徴を含む基であってもよい。官能基は錯体の溶解度に影響を及ぼす基であってもよい。ジイミン配位子ジイミン配位子は好ましくは2,2’-ビピリジン配位子又は置換1,10-フェナントロリン配位子のいずれかである。種々の置換bpy配位子及び置換phen配位子の合成は科学文献に繰返し記載されておりGChelucciRPThummelChemRev20021023129、CKaesAKatzMWHosseiniChemRev20001003553、MSchmittelHAmmonEurJInorgChem1998785MHellerUSSchubertJOrgChem2002678269、当業者に知られている。置換2,2’-ビピリジン配位子置換基R1は、分岐していても若しくはハロゲンで置換されていてもよいアルキル基[CH3-CH2n-]n=1~20、又は、アルキル基、ハロゲンF、Cl、Br、I、シラン-SiR’3若しくはエーテル基-OR’R’はR1のように定義されるで置換されていてもよいアリール基とりわけフェニルであってもよい。の印を付けた位置で、ジイミン配位子を官能基FGで置換する。以下に記載される官能基の連結も、の印を付けた位置で起こる以下を参照されたい。一方では、の位置で官能基とジイミン配位子との結合が起こり得る。このように、直接的なCFG-CNN結合が形成される。なお、CNNは、の印が付けられたジイミン配位子のC原子を表し、CFGは官能基のC原子を表す。の印が付けられた原子が窒素原子である場合には、NFG-CNN結合が得られる。ここでは、NFGはの印が付けられた窒素原子を表す。他方、官能基は架橋を介してジイミン配位子に結合していてもよく、ここでは、例えば、エーテル、チオエーテル、エステル、アミド、メチレン、シラン、エチレン、エチンの架橋が可能である。これに基づき、以下に架橋の例を挙げる:CFG-O-CNN、CFG-S-CNN、-CFG-CO-O-CNN-、CFG-CO-NH-CNN-、CFG-CH2-CNN、CFG-SiR’2-CNN、CFG-CH=CH-CNN、CFG-C≡C-CNN、NFG-CH2-CNN。直接又は架橋を介して官能基をジイミン配位子に結合させる方法は、当業者に知られている鈴木カップリング、Stillカップリング、Heckカップリング、薗頭カップリング、熊田Kumadaカップリング、Ullmannカップリング、Buchwald-Hartwigカップリング、及びそれらの変法;チオエーテル化、エステル化、sp3炭素又は芳香族化合物等における求核置換及び求電子置換。文献に記載されている配位子4,4’-ビス5-ヘキシルチオ-2,2’-ビチエン-5’-イル-2,2’-ビピリジンは、Stilleカップリングによるbpy配位子ligandとの電子伝導置換基の結合例を示すものであるCYChenMWangJYLiNPootrakulchoteLAlibabaeiChNgocleJDDecoppetJHTsaiCGraetzelCGWuSMZakeeruddinMGraetzelACSNano200933103。置換bpyを合成するための更なる可能性は、R基及び官能基で既に置換された2つの置換ピリジンのカップリングである。したがって、これにより得られるbpy配位子は対称に置換され得る。該方法及び関連文献はGChelucciにより総説にまとめられているGChelucciRPThummelChemRev20021023129。特定の実施の形態では、R1基も、電子を伝導するか、正孔を伝導するか、又は溶解度を増大させる置換基としてもよい。これにより、以下のジイミン配位子がもたらされる:置換1,10-フェナントロリン配位子置換基R1は、分岐していても若しくはハロゲンF、Cl、Br、Iで置換されていてもよいアルキル基[CH3-CH2n-]n=1~20、又は、アルキル基、ハロゲンF、Cl、Br、I、シラン-SiR’3若しくはエーテル基-OR’R’はR1のように定義されるで置換されていてもよいアリール基とりわけフェニルである。官能基をフェナントロリン配位子とカップリングさせるために、bpy配位子に関して既に記載したそれらの方法を使用してもよい:の印が付けられた位置で、ジイミン配位子を、以下に更に定義される官能基で置換する。その場で、CFG-CNN結合又はNFG-CNN結合式中、CFG=官能基のC原子、NFG=官能基のN原子、CNN=ジイミン配位子のC原子であるを介するか、又は架橋、例えばCFG-O-CNN、CFG-S-CNN、-CFG-CO-O-CNN-、CFG-CO-NH-CNN-、CFG-CH2-CNN、CFG-SiR’2-CNN、CFG-CH=CH-CNN、CFG-C≡C-CNN、NFG-CH2-CNNを介して、官能基FGはジイミン配位子に結合される。直接又は架橋を介して官能基をジイミン配位子に結合させる方法は、当業者に知られている。実施例1~実施例9は置換phen配位子を合成するための可能性を説明するものである。本発明の実施の形態では、R1残基restが、電子を伝導するか、正孔を伝導するか、又は溶解度を増大させる置換基である。これによりThis、以下のジイミン配位子がもたらされる:他のジイミン配位子ジイミン配位子は以下の分子から選ばれるものであってもよい:式中、置換基R1、R1’及びR1’’は、分岐していても若しくはハロゲンF、Cl、Br、Iで置換されていてもよいアルキル基[CH3-CH2n-]n=1~20、又は、アルキル基、ハロゲンF、Cl、Br、I、シラン-SiR’3若しくはエーテル基-OR’R’はR1、R1’又はR1’’のように定義されるで置換されていてもよいアリール基とりわけフェニルである。置換基は上記で定義したとおりであるbpy配位子及びphen配位子。L-L配位子の定義一価の負電荷を有する配位子L-Lは以下の分子の1つであってもよい:置換基R2、R2’及びandR2’’は、分岐していても若しくはハロゲンF、Cl、Br、Iで置換されていてもよいアルキル基[CH3-CH2n-]n=0~20、又は、アルキル基、ハロゲンF、Cl、Br、I、シラン-SiR’’’3若しくはエーテルハロゲン-OR’’’R’’’はR2、R2’又はR2’’のように定義されるで置換されていてもよいアリール基とりわけフェニルである。官能基FGの定義:官能基FGは、1度又は複数回N-N配位子に連結していてもよい。同一又は異なる官能基を使用してもよい。官能基は対称又は非対称で存在していてもよい。合成経路に起因して、同一の官能基の二重置換が通常好ましい。電子伝導体電子伝導体材料はもっぱら芳香族化合物であるため、従来のカップリング反応を用いて置換が可能である。カップリング反応としては、鈴木カップリング、Stillカップリング、Heckカップリング、薗頭カップリング、熊田カップリング、Ullmannカップリング、Buchwald-Hartwigカップリング、及びそれらの変法を使用することができる。ハロゲン化物Cl、Br、I、とりわけBrで置換されるphen誘導体又はbpy誘導体は、好適な脱離基を保有する対応する電子伝導性材料と反応する。好ましいものは、対応するアリールボロン酸とエステルとを使用した鈴木カップリング、及びアリール-N-結合を生成するBuchwald-Hartwigカップリングである。さらに、官能基に応じて一般的な連結反応、例えば、官能基FGとジイミン配位子との間に架橋を介する連結反応も使用することができる。-OH基の存在下ではエステル化及びエーテル化が用いられ、-NH2基ではイミン及びアミドの形成が用いられ、-COOH基ではエステル化が用いられ得る。ジイミンの置換パターンはそれに応じて適応するものでなければならない上記のジイミン配位子の項を参照されたい。官能基を連結させる方法は、当業者に知られている。電子輸送置換基としては、例えば以下の基を使用することができる結合の連結位置にの印を付けている。置換基R及びR’は、分岐していても若しくはハロゲンF、Cl、Br、Iで置換されていてもよいアルキル[CH3-CH2n-]n=0~20、又は、アルキル基、ハロゲンF、Cl、Br、I、シラン-SiR’’’3若しくはエーテル基-OR’’’R’’’はRのように定義されるで置換されていてもよいアリール基とりわけフェニルである。正孔伝導体概して、正孔伝導体としては、電子伝導体に関するものと類似するものが適用される。ジイミン配位子への正孔伝導体の連結は最も都合がよいことに、パラジウム触媒カップリング反応を通じて実現することができ、また、架橋を介して更なる連結も可能である。正孔輸送置換基としては、例えば以下の基を使用することができるの印が付いた位置で連結が起こる。置換基R、R’’及びR’’’は、分岐していても若しくはハロゲンF、Cl、Br、Iで置換されていてもよいアルキル[CH3-CH2n-]n=0~20、又は、アルキル基、ハロゲンF、Cl、Br、I、シラン-SiR’’’’3若しくはエーテル基-OR’’’’R’’’’はRのように定義されるで置換されていてもよいアリールとりわけフェニルである。溶解度湿式化学プロセスを用いて光電子デバイスを製造する場合、溶解度を明確に調整することが有益である。これにより、既に堆積された層の完全又は部分的な溶解を回避することができる。特別な置換基を導入することによって、溶解度特徴は強い影響を受け得る。そのため、その時の製造工程の物質のみを溶解し、下位の層複数可の物質を溶解しない直交溶媒orthogonalsolventsを使用することが可能である。非極性媒体における溶解度非極性官能基FGは、非極性溶媒における溶解度を増大させるとともに、極性溶媒における溶解度を低減させる。非極性基は、例えば、分岐していることがあるアルキル基[CH3-CH2n-]n=1~30、例えば、ハロゲンで置換された分岐アルキル基である。とりわけ、フッ素で部分的に又は完全に置換したpartiallyorperfluorinatedアルキル基、並びにフッ素で完全に置換したオリゴエーテル及びポリエーテル、例えば[-CF22-O]n-及び-CF2-On-n=2~500である。更なる非極性基は、エーテル-OR、チオエーテル-SR、種々の置換基を有するシランR3Si-R=アルキル又はアリール、シロキサンR3Si-O-、オリゴシロキサンR’-R2Si-On-R’=R、n=2~20、ポリシロキサンR’-R2Si-On-n>20;オリゴホスファゼン/ポリホスファゼンR’-R2P=N-n-n=1~200である。極性媒体における溶解度以下のような極性官能基は極性媒体における溶解度を増大させる:アルコール基:-OHチオアルコールThioalcohols-SHカルボン酸、ホスホン酸、スルホン酸基及びそれらの塩、並びにエステルR=H、アルキル、アリール、ハロゲン;カチオン:アルカリ金属、アンモニウム塩:-COOH、-POOH2、-PSOH2、-SOOH2、-COOR、-POOR2、-PSOR2、-SOOR2、-CONHR、-PONR22、-PSNR22、-SONR22スルホキシド:-SOR、-SO2Rカルボニル基:-CORアミン:-NH2、-NR2、-NCH2CH2OH2ヒドロキシルアミン=NORオリゴエステル、-OCH2O-n、-OCH2CH2O-nn=2~200正電荷を有する置換基:例えば、アンモニウム塩-NR3X-、ホスホニウム塩-PR3X-負電荷を有する置換基:例えば、ホウ酸塩-BR3-、アルミン酸塩-AlR3-アニオンはアルカリ金属イオン又はアンモニウムイオンであってもよい。自由に移動できるイオンの存在を回避するために、正電荷及び負電荷を有する置換基を官能基FGにおいて結合してもよい。それ故、本発明は更なる態様において、第1の溶媒に溶解した第1の発光体錯体を担体上に堆積させるとともに、第2の溶媒に溶解した第2の発光体錯体を担体上に堆積させる工程を含み、第1の発光体錯体が第2の溶媒に可溶性でなく、第2の発光体錯体が第1の溶媒に可溶性でなく、また、第1の発光体錯体及び/又は第2の発光体錯体が本発明のCuI錯体である、光電子デバイスを製造する方法、とりわけ湿式化学製造方法に関する。本方法は、第1の溶媒又は第3の溶媒に溶解した第3の発光体錯体を担体上に堆積させる工程を更に含んでいてもよく、第3の錯体は本発明のCuI錯体である。好ましい実施の形態において、光電子デバイスは白色光OLEDであり、第1の発光体錯体は赤色光発光体であり、第2の発光体錯体は緑色光発光体であり、かつ第3の発光体錯体は青色光発光体である。実施例1非極性溶媒における溶解度を増大させる1,10-フェナントロリン配位子2,9-ジメチル-4,7-ジn-ブチル-1,10-フェナントロリン、Phen2文献MSchmittelHAmmonEurJOrgChem1998785に従って4,7-ジクロロ-2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリンPhen1を合成する。n-ブチル基での置換のために、n-HexMgBr及びCuBrを等モル量添加する。シリカゲルによるカラムクロマトグラフィを用いてPhen2の精製を行う。室温実施例25,8-ジn-ブチル-1,2,3,4,9,10,11,12-オクタヒドロジベンゾ[b,j]-[1,10]フェナントロリン、Phen4文献MSchmittelHAmmonEurJOrgChem1998785に従ってフェナントロリンジクロリドPhen3を合成する。Phen2と同様にPhen4の合成を実施する。室温実施例32,4,7,9-テトラn-ヘプチル-1,10-フェナントロリン、Phen7文献GButtRDTopsomJHeterocyclicChem198118641に従って2,4,7,9-テトラ-メチル-1,10-フェナントロリンPhen5を合成する。2,4,7,9-テトラブロモメチレン-1,10-フェナントロリンPhen6を、NBSを用いた側鎖臭素化brominationを介して合成し、カラムクロマトグラフィSiO2によって単離する。n-HexLiとの反応によりPhen7がもたらされる。実施例42,9-ジメチル-4,7-ジ-p-ヘキシルフェニル-1,10-フェナントロリン、Phen94,7-ジブロモ-2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリンPhen8MSchmittelHAmmonEurJOrgChem1998785及び市販されているp-ヘキシルフェニルボロン酸から開始して、鈴木カップリングによってPhen9配位子を合成する。鈴木カップリング極性溶媒、とりわけ水における溶解度を増大させる1,10-フェナントロリン配位子実施例54,7-ビスメトキシ-トリエチレングリコールglycol-2,9-ジメチル-[1,10]フェナントロリン-4-オール、Phen10a文献BKoningJWdeBoerAMeetsmaRMKelloggARKIVOC2004189と同様にジエーテルPhen10a及びモノエーテルPhen10bを合成する。カラムクロマトグラフィを用いて単離を実施する。当量一晩on実施例64,7-ビスメトキシ-ポリエチレングリコール-2,9-ジメチル-[1,10]フェナントロリン、Phen11aPhen10a/bと同様に配位子Phen11a/bの合成を行う。n≒8に相当する平均モル質量Mn=350g/molを有するメトキシポリエチレングリコールCAS番号9004-74-4を使用する。当量一晩n≒8正孔伝導体基で官能化される1,10-フェナントロリン配位子実施例74,7-ビス[ジフェニルアミノフェニルボロン酸]-2,9-ジメチル-[1,10]フェナントロリン、Phen12市販の4-ジフェニルアミノフェニルボロン酸をPhen8とカップリングすると、Phen12となる。鈴木カップリング実施例84,7-ビス[4-9H-カルバゾールcarbazol-イルフェニルボロン酸]-2,9-ジメチル-[1,10]フェナントロリン、Phen13市販の4-9H-カルバゾール-イルフェニルボロン酸をPhen8とカップリングすると、Phen13となる。鈴木カップリング電子伝導性基で官能化される1,10-フェナントロリン配位子実施例94,7-ビス1,2,4-トリアゾール-2,9-ジメチル-[1,10]フェナントロリン、Phen14文献XJFengPLWuHLTamKFLiMSWongKWCheahChemEurJ20091511681に従って臭素化brominated1,2,4-トリアゾールを合成する。n-BuLi及びBOMe3との反応、並びに希HClによる続く加水分解により、ボロン酸を合成する。ボロン酸を実施例7と同様に反応させると、Phen14配位子となる。鈴木カップリング有機溶媒における溶解度を増大させる1,10-フェナントロリン配位子実施例10:4,7-ビスヘキシルオキシ-2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリン、Phen164,7-ビス2-エチルヘキシルオキシ-2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリン、Phen17文献AFLarsenTUlvenOrgLett2011133546に従って2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリン-4,7-ジオールであるPhen15をそれぞれ合成した。NaHによる脱プロトン化及び各アルキルブロミドとの反応によってHFrisellBAkermarkOrganometallics199514561、アルキル化配位子Phen16及びPhen17が得られた。ヘキシル2-エチルヘキシル一価の負電荷を有するL-L配位子の合成実施例11:2-2-ピリジニル-1H-インドール、N-N1文献RPThummelVHegdeJOrgChem1989541720に従い、フィッシャーのインドール合成において、1-2-ピリジニルpyrdinylエタノンをフェニルヒドラジンと反応させて、2-2-ピリジニル-1H-インドールとした。分時間実施例12:ビス1-ピラゾリルボレート、N-N2文献STrofimenkoJAmChemSoc1967896288に従って、ピラゾールを溶融塊であるNaBPh4と反応させて、ジフェニルジ1H-1-ピラゾリルボレートの対応するナトリウム塩とし、これを、更なる塩メタセシスにおいて可溶性テトラブチルアンモニウム-ジフェニルジ1H-1-ピラゾリルボレートへと変換させた。溶融塊時間分CuI錯体の合成:上記のPhen配位子を用いて、以下の一価の負電荷を有するビスホスファンbisphosphaneを有する、対応する電気的に中性のCuPhenP-P錯体を合成する:文献JCPetersJCThomasInorgSynth20043411に従って[n-Bu4N]P-Pを合成する。窒素雰囲気の下、等モル量の[n-Bu4N]P-P及び[CuCH3CN4]PF6をアセトニトリル中に撹拌させる。2時間後に、対応するPhen配位子を添加する。生成物が沈殿するので、これを濾過する。水、冷アセトニトリル及びジエチルエーテルで洗浄した後、生成物を真空下で乾燥させる。このようにして、以下の錯体を合成する:実施例13:CuPhen2P-P実施例14:CuPhen4P-P実施例15:CuPhen7P-P実施例16:CuPhen9P-P実施例17:CuPhen10aP-P実施例18:CuPhen11aP-P実施例19:CuPhen12P-P実施例20:CuPhen13P-P実施例21:CuPhen14P-P実施例22:CuPhen16P-P実施例23:CuPhen17P-P実施例24実施例25実施例26Cudmphennido-CBPPh22CB=C2B9H10合成経路:時間分330mg0.44mmolのテトラプロピルアンモニウム7,8-ビス-ジフェニルホスフィノ-7,8-ジカルバ-nido-ウンデカルボレートundecarborateNPr4nido-CBPPh22-ZakharkinLIKalininVNTetrahedronLett19657407に従って合成されると、163mg0.44mmolのCuCH3CN4PF6-との50mlのアセトニトリル溶液を窒素下で2時間25°Cにおいて撹拌した。続いて、91mg0.44mmolのネオクプロインdmphenを添加した。生成物Cudmphennido-CBPPh22が黄色粉末として沈殿するので、これを濾別する。未処理生成物を水、冷アセトニトリル及びジエチルエーテルで洗浄し、真空下で乾燥させる。収率:300mg88。元素分析:C-61.23、H-5.36、N-3.52。予測C40H42N2B9CuP2について:C-62.11、H-5.47、N-3.62。ES-MS:e/z=773.4Mジクロロメタン/トルオール混合物からの晶出によって、X線構造解析に好適なCudmphennido-CBPPh22×CH2Cl2の結晶が得られた。図3に、Cudmphennido-CBPPh22分子のORTEP図を示す。固体サンプルを用いて室温で測定したそのルミネッセンス特徴を図4に示す。表1.窒素保護雰囲気の下で測定したCudmphennido-CBPPh22に関する光ルミネッセンスデータ40のφPL測定値における、T=77K600μsからfrom300K14μsへの、温度の上昇に伴う40倍を超える発光減衰時間の顕著な減少は、より短い発光電子状態の熱占有を裏付けるものであり、すなわち、一重項捕獲効果の発生を裏付けるものである。実施例27:Cudmdpphennido-CBPPh22CB=C2B9H10合成経路:時間分188mg0.25mmolのテトラプロピルアンモニウム-7,8-ビス-ジフェニルホスフィノ-7,8-ジカルバ-nido-ウンデカルボレートNPr4nido-CBPPh22-と、93mg0.25mmolのCuCH3CN4PF6-との50mlのアセトニトリル溶液を窒素下で2時間25°Cにおいて撹拌した。続いて、90mg0.25mmolのバトクプロインdmdpphenを添加した。生成物Cudmdpphennido-CBPPh22が黄色粉末として沈殿するので、これを濾別する。未処理生成物を水、冷アセトニトリル及びジエチルエーテルで洗浄し、真空下で乾燥させる。収率:200mg86。固体サンプルを用いて室温で測定したCudmdpphennido-CBPPh22のルミネッセンス特徴を図5に示す。実施例28:Cudbphennido-CBPPh22CB=C2B9H10合成経路:時間分150mg0.2mmolのテトラプロピルアンモニウム-7,8-ビス-ジフェニルホスフィノ-7,8-ジカルバ-nido-ウンデカルボレートNPr4nido-CBPPh22-と、74mg0.2mmolのCuCH3CN4PF6-との50mlのアセトニトリル溶液を窒素下で2時間25°Cにおいて撹拌した。続いて、58mg0.2mmolの2,9-ジ-n-ブチルフェナントロリンdbphenを添加した。生成物Cudmphennido-CBPPh22が黄色粉末として沈殿するので、これを濾別する。未処理生成物を水、冷アセトニトリル及びジエチルエーテルで洗浄し、真空下で乾燥させる。収率:145mg85。元素分析:C-63.51、H-6.12、N-3.14。予測C46H54N2B9CuP2について:C-64.41、H-6.35、N-3.27。ES-MS:e/z=858.5MCudbphennido-CBPPh22は、ジクロロメタンとトルオールとの混合物から晶出する。図6に、Cudbphennido-CBPPh22分子のORTEP図を示す。固体サンプルを用いて室温で測定したCudbphennido-CBPPh22の光ルミネッセンススペクトルを図7に示す。表2.窒素保護雰囲気の下で測定したCudbphennido-CBPPh22に関する光ルミネッセンスデータ測定された高い量子収率での、T=77K700μsから300K11μsへの、温度の上昇に伴う60倍を超える発光減衰時間の顕著な減少は、より短い発光電子状態の熱占有を裏付けるものであり、すなわち、一重項捕獲効果の発生を裏付けるものである。図8は、Cudbphennido-CBPPh22固体サンプルで測定した温度の関数としての発光減衰時間の依存性を示す。T=100K未満では、約440μsのT1状態の発光減衰時間を示すプラトーが見られる。曲線は式4による適合関数を示す。τS1及びΔES1-T1に関して得られるfir値を図8に示す。更なる実施例実施例29実施例30実施例31実施例32上記のPhen配位子及び一価の負電荷を有するL-L配位子を用いて、対応する電気的に中性のCuPhenL-L錯体を合成した:窒素保護雰囲気の下、THF中においてnBuLiを用いて室温で2-2-ピリジニルインドールN-N1を脱プロトン化し、1時間撹拌して、等モル量の[CuCH3CN4]PF6を添加した。2時間後に、対応するPhen配位子を添加した。生成物が沈殿するので、これを濾別した。水、冷アセトニトリル及びジエチルエーテルで洗浄した後、生成物を真空下で乾燥させた。CuPhen16N-N1室温時間実施例32:CuPhen17N-N1室温時間実施例33:CuBCPN-N1室温時間実施例34:CuPhen17N-N室温時間実施例35実施例36実施例37窒素保護雰囲気の下、THF中においてnBuLiを用いて室温で8-キノリノールを脱プロトン化し、1時間撹拌して、等モル量の[CuCH3CN4]PF6を添加した。2時間後に、対応するPhen配位子を等モル量添加した。生成物が沈殿するので、これを濾別した。水、冷アセトニトリル及びジエチルエーテルで洗浄した後、生成物を真空下で乾燥させた。CuPhen16N-O室温時間実施例38:CuPhen17N-O室温時間実施例39:CuBCPN-O室温時間実施例40窒素雰囲気の下、等モル量の[n-Bu4N]N-N2及び[CuCH3CN4]PF6をアセトニトリル中で撹拌した。2時間後に、対応するPhen配位子を等モル量添加した。生成物が沈殿するので、これを濾別した。水、冷アセトニトリル及びジエチルエーテルで洗浄した後、生成物を真空下で乾燥させた。CuPhen16N-N2実施例41:CuPhen17N-N2"