"脆性材料基板の互いに交差するスクライブ予定ラインに沿ってスクライブする脆性材料基板のスクライブ方法であって、前記交差するスクライブ予定ラインの交点に、基板を貫通し、かつ交差するスクライブ予定ラインに沿って延びる4つのエッジ部を有する貫通孔を形成する第1工程と、基板のスクライブ予定ラインに沿ってレーザ光を照射して加熱するとともに、加熱された領域を冷却し、前記貫通孔を起点としてスクライブ予定ラインに沿って亀裂を進展させる第2工程と、を含む脆性材料基板のスクライブ方法。前記第1工程で形成される貫通孔は、隣接する2つの前記エッジ部の間に形成され孔内部に向かって膨らむように湾曲する円弧状の4つの縁部を有する星型形状である、請求項1に記載の脆性材料基板のスクライブ方法。前記第1工程で形成される貫通孔は、隣接する2つの前記エッジ部の間に形成された直線状の4つの縁部を有する矩形形状である、請求項1に記載の脆性材料基板のスクライブ方法。前記第1工程では、グリーンレーザによって貫通孔が形成される、請求項1から3のいずれかに記載の脆性材料基板のスクライブ方法。特許文献1には、初期亀裂の形成に際して、基板表面に高出力のレーザビームを集光して孔を加工し、その孔から亀裂を作成することが記載されている段落0054。しかし、初期亀裂としての孔についての詳細な記載はない。ところで、タッチパネル用のカバーガラスは、1枚のマザー基板を分断して形成される。より詳細には、マザー基板に、X,Y方向に交差する複数のスクライブ予定ラインが設定され、この複数のスクライブ予定ラインに沿ってスクライブ溝が形成される。すなわち、マザー基板をクロススクライブし、形成されたスクライブ溝に沿って分断することによって複数のカバーガラスが得られる。分断されたそれぞれのカバーガラスは、4つの角部が研磨加工によって曲線状に形成される。しかし、分断後のガラスの各角部を曲線状にする研磨加工は時間がかかる。本発明の課題は、特に互いに交差するスクライブ予定ラインに沿ってクロススクライブする際に、安定してスクライブ溝を形成でき、しかも後工程での角部の研磨加工が容易になるスクライブ方法を提供することにある。第1発明に係る脆性材料基板のスクライブ方法は、脆性材料基板の互いに交差するスクライブ予定ラインに沿ってスクライブする方法であって、第1工程と第2工程とを含む。第1工程は、交差するスクライブ予定ラインの交点に、基板を貫通し、かつ交差するスクライブ予定ラインに沿って延びる4つのエッジ部を有する貫通孔を形成する。第2工程は、基板のスクライブ予定ラインに沿ってレーザ光を照射して加熱するとともに、加熱された領域を冷却し、貫通孔を起点としてスクライブ予定ラインに沿って亀裂を進展させる。この方法では、初期亀裂としての貫通孔が、スクライブ予定ラインの交点に形成される。この貫通孔は、交差するスクライブ予定ラインに沿って延びる4つのエッジ部を有している。その後、初期亀裂にレーザ光が照射されて加熱され、さらに加熱された領域が冷却される。これにより、貫通孔の各エッジ部を起点として、亀裂がスクライブ予定ラインに沿って進展する。ここでは、貫通孔が、スクライブ予定ラインに沿って延びるエッジ部を有しているので、第2工程において亀裂がスクライブ予定ラインに沿って進展しやすく、安定して所望のスクライブ溝を形成することができる。また、スクライブ予定ラインが交差する個所、すなわち分断後の基板における4つの角部に相当する部分に貫通孔が形成されるので、分断後において、4つの角部の研磨代を少なくすることができる。第2発明に係る脆性材料基板のスクライブ方法は、第1発明の方法において、第1工程で形成される貫通孔は、隣接する2つのエッジ部の間に形成され孔内部に向かって膨らむように湾曲する円弧状の4つの縁部を有する星型形状である。ここでは、貫通孔が、4つのエッジ部及びそれらを結ぶ4つの縁部からなる星型であり、しかも4つの縁部は孔内部に向かって膨らむように湾曲する円弧状である。したがって、分断後の基板における4つの角部は、分断された時点で円弧状である。このため、分断後の工程において4つの角部を曲線状に研磨加工する際に、各角部の研磨代を少なくすることができる。第3発明に係る脆性材料基板のスクライブ方法は、第1発明の方法において、第1工程で形成される貫通孔は、隣接する2つのエッジ部の間に形成された直線状の4つの縁部を有する矩形形状である。ここでは、貫通孔が矩形状である。このため、第2発明ほどではないが、分断後の工程において4つの角部を曲線状に研磨加工する際に、各角部の研磨代を少なくすることができる。第4発明に係る脆性材料基板のスクライブ方法は、第1から第3発明の方法において、第1工程では、グリーンレーザによって貫通孔が形成される。以上のように本発明では、脆性材料基板をクロススクライブする際に、安定してスクライブ溝を形成でき、しかも後工程での角部の研磨加工が容易になる。[装置構成]図1は、本発明の一実施形態による方法を実施するためのスクライブ装置の概略構成を示す図である。なお、図1では、第1工程後の様子、すなわちガラス基板に貫通孔が形成され、第2工程であるスクライブ加工を行っている様子を示している。スクライブ装置1は、例えば、マザーガラス基板を、タッチパネルのカバーガラスに使用される複数のガラス基板に分断するための装置である。ここでのガラス基板は、表面に強化層が形成された化学強化ガラスが主に用いられている。この化学強化ガラスは、イオン交換処理によって表面に圧縮応力を持たせた強化層を有している。<スクライブ装置>スクライブ装置1は、レーザビームをガラス基板Gに向けて照射する照射部2と、冷却部3と、図示しない移動部と、を備えている。冷却部3は、図示しない冷媒源から供給される冷媒を、ノズル4を介して噴射して冷却スポットCPを形成する。移動部は、照射部2及び冷却部3のノズル4を、ガラス基板Gに設定されたスクライブ予定ラインSLに沿って、ガラス基板Gとの間で相対移動させる。照射部2は、レーザビームLBを照射するレーザ発振器例えば、CO2レーザを有し、このレーザビームLBを、光学系を介してガラス基板G上にビームスポットLSとして照射する。<貫通孔形成装置>スクライブ装置1には、貫通孔形成用の照射部図示せずが設けられている。この貫通孔形成用の照射部は、ガラス基板Gにスクライブ溝を形成する際の亀裂進展の起点となる貫通孔を形成するものである。貫通孔形成用の照射部は、例えばグリーンレーザを発射するレーザ発振器と、光学系と、を備えている。[スクライブ方法]ここで、本発明の方法と比較するために、従来のタッチパネルのカバーガラスの加工手順を、図2を用いて簡単に説明する。まず、マザー基板が用意されa、このマザー基板Gに対して、基板端部にカッターホイール等によって初期亀裂図示せずが形成される。そして、マザー基板Gに対して、スクライブ予定ラインに沿ってレーザビームが照射及び走査され、さらに冷却されてスクライブ溝SGが形成されるb。その後、スクライブ溝SGの両側に分断力が加えられ、これによりマザー基板Gは複数のガラス基板に分断される。次に、分断されたガラス基板の角部が曲線形状になるように研磨されるc,d。次に、本件発明の一実施形態による加工手順を、図3を用いて説明する。まず、第1工程において、マザー基板Gaに対して、基板の表面から裏面に貫通する複数の貫通孔Hが形成されるb。これらの貫通孔Hは、基板に対して、例えばグリーンレーザを照射することによって形成される。各貫通孔Hは、互いに直交するX方向及びY方向図3参照のスクライブ予定ラインの交点に形成される。また、各貫通孔Hは、図3bから明らかなように、スクライブ予定ラインに沿って延びるエッジを有する星型形状である。より詳しくは、各貫通孔Hは、図3に拡大して示すように、スクライブ予定ラインSLに沿って延びる4つのエッジ部11a~11dと、隣接する2つのエッジ部11a-11b,11b-11c,11c-11d,11d-11aの間に形成され孔内部に向かって膨らむように湾曲する円弧状の4つの縁部12a~12dと、を有する星型形状である。次に第2工程では、図1及び図3に示されるように、照射部1からレーザビームLBが照射される。このレーザビームLBは、ビームスポットLSとしてマザー基板G上に照射される。そして、照射部1から出射されるレーザビームLBが、スクライブ予定ラインSLに沿ってマザー基板Gと相対的に移動させられる。マザー基板GはビームスポットLSによってマザー基板Gの軟化点よりも低い温度に加熱される。また、冷却スポットCPをビームスポットLSの移動方向後方において追従させる。以上のようにして、レーザビームLBの照射によって加熱されたビームスポットLSの近傍には圧縮応力が生じるが、その直後に冷媒の噴射によって冷却スポットCPが形成されるので、垂直クラックの形成に有効な引張応力が生じる。この引張応力により、マザー基板Gに形成された貫通孔Hを起点としてスクライブ予定ラインSLに沿った垂直クラックが形成され、所望のスクライブ溝cが形成される。その後、スクライブ溝SGの両側に分断力が加えられ、これによりマザー基板Gは複数のガラス基板に分断される。次に、分断されたガラス基板の角部が曲線形状になるように研磨されるd,e。ここでは、貫通孔Hは、孔内部に向かって膨らむように湾曲する円弧状の縁部を有する星型に形成されているので、分断後の各基板の4つの角部は曲線状に面取りされた形状である。したがって、研磨工程において研磨すべき量研磨代が非常に少なくなり、研磨作業が容易にかつ短時間で行える。[貫通孔の他の例]貫通孔の形状は図3に示すような星型に限定されない。例えば、図4に示すように、矩形であってもよい。具体的には、図4に示す貫通孔H’は、スクライブ予定ラインSLに沿って延びる4つのエッジ部21a~21dと、隣接する2つのエッジ部21a-21b,21b-21c,21c-21d,21d-21aの間に形成された直線状の4つの縁部22a~22dと、を有する矩形形状である。このような貫通孔H’であっても、星型の貫通孔Hに比較して基板角部の研磨代は多くなるが、従来の加工方法に比較して、研磨量を少なくすることができる。表1に、グリーンレーザによってマザー基板に3種類の形状の貫通孔を形成し、その後レーザ出力を変えてスクライブした場合の、スクライブ溝の評価を示している。なお、ここでのガラス基板は、ソーダライムガラスである。○:スクライブ可能曲がり:スクライブ予定ラインからの最大ずれ量を示し、単位は[μm]である。以上の実験例において、第1工程貫通孔の形成及び第2工程スクライブの各条件は以下の通りである。[第1工程]第1工程では、レーザスポットを、集光点を回転させながら高さ方向Z軸方向に移動させて加工した。すなわち、レーザスポットを螺旋状に移動させながら貫通孔を形成した。波長:532nmレーザ出力:5W繰り返し周波数:20kHz集光点回転半径:500rpsZ軸移動距離:40μm走査速度:30mms[第2工程]波長:10.6μmレーザ出力:120~200W繰り返し周波数:10kHz走査速度:250mmsまた、表1のレーザ出力140Wの場合の、分断前の貫通孔付近の拡大写真と、分断後の曲がりを示す拡大写真を図5に示す。図5において、aは直径4mmの円形の貫通孔を形成し、その後スクライブ加工及び分断をした場合の例、bは1辺が4mmの矩形の貫通孔を形成し、その後スクライブ加工及び分断をした場合の例、cは1辺が4mmの星型の貫通孔を形成し、その後スクライブ加工及び分断をした場合の例である。各図において、上段は分断ブレーク前の亀裂進展スクライブ痕の様子を示し、下段は分断後のスクライブの曲がりを示している。以上の実験結果から、貫通孔の形状にかかわらず、スクライブは可能であるが、貫通孔の形状が円形の場合は、曲がりが大きく、矩形及び星型の場合は曲がりが小さいことがわかる。すなわち、スクライブの起点となる貫通孔のスクライブ予定ラインに沿った部分の形状がエッジ鋭角であるほど、スクライブの曲がりが小さくなることがわかった。[他の実施形態]本発明は以上のような実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変形又は修正が可能である。前記実施形態では、第2工程レーザ照射及び冷却処理において、スクライブ溝を形成する場合について説明したが、第2工程によってガラスを分断するような場合にも、本発明を同様に適用することができる。"