基板上で、銅又は銅合金の回路構造の表面の滑らかなエッチング方法であって、銅又は銅合金の表面を、iCuIIイオン、iiFeII/FeIIIレドックス系その際、FeIIIイオン濃度は20g/l未満である、iii[式中、R=H、C1~C4アルキルである][式中、R=H、C1~C4アルキル、n=1~6、かつM=H、金属イオンである][式中、n=1~6、かつM=H、金属イオンである][式中、n=1~6、かつR、R’=H、C1~C6アルキルである][式中、R、R’=H、C1~C6アルキルである][式中、R、R’=H、C1~C6アルキルである][式中、R、R’=H、C1~C6アルキルである][式中、R=H、C1~C6アルキルである]からなる群から選択される少なくとも1つの有機硫黄光沢添加剤化合物を含むエッチング溶液と接触させ、その際外部電流源を加工物に適用しない、方法。前記FeIIIイオンの濃度が、1~15g/lの範囲である、請求項1に記載の方法。前記FeIIIイオンの濃度が、3~10g/lの範囲である、請求項1に記載の方法。Rが、有利には、H、CH3及びC2H5からなる群から選択される、請求項1から3までのいずれか1項に記載の方法。R’が、有利には、H、CH3及びC2H5からなる群から選択される、請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法。nが、有利には2、3又は4である、請求項1から5までのいずれか1項に記載の方法。前記少なくとも1つの有機硫黄光沢添加剤が、3-ベンズチアゾールイル-2-チオ-プロピルスルホン酸、3-メルカプトプロパン-1-スルホン酸、エチレンジチオジプロピルスルホン酸、ビス-p-スルホフェニル-ジスルフィド、ビス-ω-スルホブチル-ジスルフィド、ビス-ω-スルホヒドロキシプロピル-ジスルフィド、ビス-ω-スルホプロピル-ジスルフィド、ビス-ω-スルホプロピル-スルフィド、メチル-ω-スルホプロピル-ジスルフィド、メチル-ω-スルホプロピル-トリスルフィド、O-エチル-ジチオ炭酸-S-ω-スルホプロピル-エステル、チオグリコール酸、チオリン酸-O-エチル-ビス-ω-スルホプロピル-エステル、チオリン酸-トリス-ω-スルホプロピル-エステル、及びそれらの対応する塩からなる群から選択される、請求項1又は2に記載の方法。前記溶液が、さらに、ポリエーテル又はポリアミンを含む、請求項1から7までのいずれか1項に記載の方法。前記ポリエーテルが、次の化学式[式中、R=H、フェニル、C1~C3アルキルであり、かつn=100~3000である]を有する、請求項8に記載の方法。前記溶液が、さらに、0.01mg/l~100mg/lの濃度で塩化物イオンを含む、請求項1から9までのいずれか1項に記載の方法。前記エッチングを、10~60分の時間で実施する、請求項1から10までのいずれか1項に記載の方法。前記エッチングを、20~30°Cの温度で実施する、請求項1から11までのいずれか1項に記載の方法。ライン及びバイアを含む基板上での銅又は銅合金の回路構造の電着方法であって、以下、i.少なくとも1つのバイアバイアは5μm~30μmの範囲の内法幅の寸法、25μm~500μmの深さを有する内部表面を含む及び少なくとも1つのラインラインは、0.3μm~100μmの範囲の内法幅の寸法、0.1μm~100μmの深さを有する内部表面を含むを含む基板を提供する工程、及びii.前記基板を、陰極として連結された塩基性金属層を有する、その組成において請求項1から12に記載のエッチング溶液に対応する電解銅メッキ浴中に浸漬する工程その際、そのシステムは、さらに不溶性の寸法安定性の陽極を含む、及びiii.不溶性の寸法安定性の陽極と塩基性金属層との間に電圧を適用して、電流を、それらの間に、ライン及びバイアを含む構造において銅を電着するために十分な時間流す工程、並びにiv.電圧を止め、請求項1から12までのいずれか1項に記載の方法による電解銅メッキ浴中で回路構造をエッチングする工程を含む、電着方法。ライン及びバイアを含む基板上での銅又は銅合金の回路構造の電着方法であって、以下、i.プリント回路板を提供する工程、ii.回路板を誘電体でそれらの少なくとも1つの側面上で被覆する工程、及びiii.レーザーアブレーションを使用してそれらにトレンチ及びバイアを製造するための誘電体を構築する工程、iv.誘電体の全面上にプライマー層を堆積する工程、又は製造されたトレンチ及びバイアにのみプライマー層を堆積する工程、v.前記プライマー層上に銅又は銅合金を、その組成において請求項1から12に記載のエッチング溶液に対応する銅メッキ浴中で堆積する工程その際トレンチ及びバイアは、それらに導体構造を形成するために銅又は銅合金で完全に満たされる、並びにvi.トレンチ及びバイアを除いて、銅又は銅合金層及びプライマー層を取り除いて、プライマー層が方法工程v.において全面上に堆積される場合に誘電体を曝す工程その際、除去は、請求項1から12までのいずれか1項に記載の方法による電解銅メッキ浴中である、を含む、電着方法。