複数の光電変換装置と、複数の前記光電変換装置間を接続するインターコネクタとを有し、前記光電変換装置の裏面には、裏面電極である金属箔が形成され、前記金属箔は、突出部を有し、前記インターコネクタは、1つの前記光電変換装置の受光面に形成された受光面電極と、他の前記光電変換装置の前記突出部の受光面側に接している光電変換装置モジュール。前記金属箔は、銅箔である請求項1に記載の光電変換装置モジュール。複数の前記光電変換装置の受光面側には、透明基板を配置し、複数の前記光電変換装置の裏面側には、バックシートを配置して、前記透明基板と前記バックフィルムの間で、複数の前記光電変換装置、及び前記インターコネクタを封止材で固定する請求項1または2に記載の光電変換装置モジュール。光電変換装置本体の受光面電極にインターコネクタを接続する第1工程と、透明基板上に第1封止材フィルムを配置し、前記第1封止材フィルム上に前記インターコネクタを接続した複数の前記光電変換装置本体を、前記光電変換装置の受光面側が前記第1封止材フィルムに接するように配置する第2工程と、前記光電変換装置本体間の前記インターコネクタが突出した側に、金属箔を突出させて前記光電変換装置本体の各々の上に配置する第3工程と、前記金属箔上に第2封止材フィルムを配置し、前記第2封止材フィルム上にバックシートを配置する第4工程と、前記透明基板と前記バックフィルム間をラミネートした後、加熱する第5工程とを備えた光電変換装置モジュールの製造方法。第1導電型のシリコン基板と、前記シリコン基板の受光面に形成された第2導電型の半導体層と、前記半導体層上に形成された受光面電極と、前記シリコン基板の裏面に形成された複数のコンタクトホールを有する裏面パッシベーション膜と、前記コンタクトホールの、前記シリコン基板の裏面に接して形成されたアルミニウム電極と、前記アルミニウム電極に接する金属箔とを有する光電変換装置。前記第1導電型は、p型である請求項5に記載の光電変換装置。前記金属箔は、銅箔である請求項5または6に記載の光電変換装置。前記金属箔は、すべての前記アルミニウム電極を覆う請求項5~7のいずれかに記載の光電変換装置。前記金属箔は、突出部を有し、前記突出部にはインターコネクタを接続する請求項5~8のいずれかに記載の光電変換装置。図11は、図9に示す光電変換装置を使用した場合の光電変換装置モジュールの一例であり、断面を表す模式図である。複数の光電変換装置120をインターコネクタ153で接続し基材である透明基板のガラス172とバックシート174の間に挟み、封止材であるEVAエチレンビニルアセテート173で封止している。なお、図11では、両サイドのインターコネクタを省略している。光電変換装置120の裏面電極127はアルミニウムであるので、インターコネクタ153の半田がつかないことから、EVA173によってインターコネクタ153を裏面電極127に接触させている。図12は、図11に示す光電変換装置モジュールの製造方法の一例である。図12に示すように模式的断面図を参照して説明する。なお、図12では、両サイドのインターコネクタを省略している。まず、図12aに示すように、光電変換装置120の受光面電極に、インターコネクタ153を接続する。次に、図12bを用いて次工程を説明する。図12bは、受光面側が下となっている。図12bに示すように、ガラス172上に封止材フィルムであるEVAフィルム181を配置し、その上にインターコネクタ153を受光面の電極に接続した複数の光電変換装置120を、受光面側がEVAフィルム181に接するように配置する。この際、インターコネクタ153を曲げて、隣りの光電変換装置120の裏面電極127上に配置する。次に、図12cに示すように、光電変換装置120及びインターコネクタ153上にEVAフィルム182を載せ、その上にフレキシブル性を有するバックシート174を載せる。次に、図12dに示すように、ガラス172とバックシート174間を真空引きすることで、ラミネートする。この際、インターコネクタ153は裏面電極127に接して重なる。その後、加熱することで、EVAフィルムが硬化し、光電変換装置モジュール191が作製される。しかしながら、図12bで説明したように、インターコネクタ153を接続した光電変換装置120を、EVAフィルム181に配置する際、光電変換装置120の裏面電極127上にインターコネクタを配置させるため、インターコネクタ153を曲げる必要があった。インターコネクタ153は、光電変換装置120の受光面電極に接続しているため、インターコネクタを曲げる際に、受光面電極との接続箇所を基点として、光電変換装置が割れたり、欠けたりして、歩留り低下の要因になる可能性があった。本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、インターコネクタを曲げることなく、容易に製造することが可能な光電変換装置モジュールの構造を提供することにある。本発明の光電変換装置モジュールは、複数の光電変換装置と、複数の光電変換装置間を接続するインターコネクタとを有し、光電変換装置の裏面には、裏面電極である金属箔が形成され、金属箔は、突出部を有し、インターコネクタは、1つの光電変換装置の受光面に形成された受光面電極と、他の前記光電変換装置の突出部の受光面側に接している。ここで、本発明の光電変換装置モジュールは、金属箔は、銅箔であってもよい。また、本発明の光電変換装置モジュールは、複数の光電変換装置の受光面側には、透明基板を配置し、複数の光電変換装置の裏面側には、バックシートを配置して、透明基板とバックフィルムの間で、複数の光電変換装置、及び前記インターコネクタを封止材で固定してもよい。本発明の光電変換装置モジュールの製造方法は、光電変換装置本体の受光面電極にインターコネクタを接続する第1工程と、透明基板上に第1封止材フィルムを配置し、第1封止材EVAフィルム上にインターコネクタを接続した複数の光電変換装置本体を、光電変換装置の受光面側が第1封止材フィルムに接するように配置する第2工程と、光電変換装置本体間のインターコネクタが突出した側に、金属箔を突出させて光電変換装置本体の各々の上に配置する第3工程と、金属箔上に第2封止材フィルムを配置し、第2封止材フィルム上にバックシートを配置する第4工程と、透明基板とバックフィルム間をラミネートした後、加熱する第5工程とを備える。本発明の光電変換装置は、第1導電型のシリコン基板と、シリコン基板の受光面に形成された第2導電型の半導体層と、半導体層上に形成された受光面電極と、シリコン基板の裏面に形成された複数のコンタクトホールを有する裏面パッシベーション膜と、コンタクトホールの、シリコン基板の裏面に接して形成されたアルミニウム電極と、アルミニウム電極に接する金属箔とを有する。ここで、本発明の光電変換装置は、第1導電型は、p型であってもよい。また、本発明の光電変換装置は、金属箔は、銅箔であってもよい。また、本発明の光電変換装置は、金属箔は、すべてのアルミニウム電極を覆ってもよい。また、本発明の光電変換装置は、金属箔は、突出部を有し、突出部にはインターコネクタを接続してもよい。本発明によれば、光電変換装置の裏面電極である金属箔の突出部に、インターコネクタを接続させるので、インターコネクタを曲げることなく、容易に製造することが可能な光電変換装置モジュールの構造を提供することができる。図1は、本発明の光電変換装置の一例を表す模式的な図であり、光電変換装置の入射光側の面である受光面の図である。図1に示すように、光電変換装置40は、光電変換装置本体50と裏面電極である金属箔48からなる。光電変換装置本体50の受光面には、反射防止膜43、受光面電極51が形成され、受光面電極51は、メイン電極52とサブ電極44からなる。サブ電極44は、キャリアを収集する電極であり、離間して複数形成されている。また、メイン電極52は、光電変換装置同士を接続する際に用いるインターコネクタを接続するための電極である。図2は、図1で示したA-A′の断面を示す模式的な図である。光電変換装置本体50は、金属箔48上に配置されている。厚みが100μm程度の第1導電型であるp型のシリコン基板41の入射光側の面である受光面以下p型シリコン基板の受光面という。に第2導電型であるn型半導体層42が形成され、受光面表面はテクスチャ構造である凹凸構造となっている。その上には反射防止膜43が形成されている。p型シリコン基板41の受光面には受光面電極が形成され、反射防止膜43を貫通して受光面電極がn型半導体層42と接している。n型半導体層42とは、少なくともサブ電極44が接していればよい。図2に現れているのは、サブ電極44である。なお、図2では、受光面表面の凹凸構造を省略している。また、p型シリコン基板41の受光面の反対側の面である裏面以下p型シリコン基板の裏面という。には、裏面パッシベーション膜47がパターニングされて形成され、パターニングに対応した裏面電界層46が複数形成されている。裏面電界層46は、任意の箇所に形成されていてもよい。裏面電界層46は、BSFBackSurfaceField効果を有する。そして、各々の裏面電界層46には、取り出し電極としてアルミニウム電極45が接している。裏面電極である金属箔48は、少なくともすべてのアルミニウム電極45を覆う大きさが必要である。また、インターコネクタを接続する領域が設けられてもよい。図1、図2では、光電変換装置40の右側にインターコネクタを接続するための領域である突出部を設けている。以下に、本発明の光電変換装置の製造方法の一例を示す。図3は、本発明の光電変換装置の製造フロー図である。まず、テクスチャリング工程S1。Sはステップを表す。以下同様。において、p型シリコン基板41の表面の全面に、アルカリ液を用いたテクスチャエッチングにより、テクスチャ構造である凹凸構造を形成する。次に、pn接合形成工程S2において、拡散材料としてPOCl3を用いチューブ炉にて800°C以上の温度で、p型シリコン基板41を熱処理してp型シリコン基板41の表面の全面にリンを気相拡散して、n型半導体層42を形成する。ここで、n型半導体層42の形成は、気相拡散ではなくn型不純物のリンを含む塗布液をp型シリコン基板41の受光面となる面に塗布して熱処理を行う塗布拡散法を用いても構わない。次に、反射防止膜形成工程S3において、n型半導体層42上に、ガス種としてシラン及びアンモニアを用いたプラズマCVD法により、膜厚70nm程度の窒化シリコン膜を反射防止膜43として形成する。次に、裏面エッチング工程S4において、p型シリコン基板41の受光面にエッチング防止のための耐酸性を有する保護テープを貼り、p型シリコン基板41の裏面をフッ酸と硝酸の混合液を使用してウエットエッチングすることで、p型シリコン基板41の裏面に形成されたn型半導体層を除去するとともに、p型シリコン基板41の裏面を平坦化する。この際、p型シリコン基板41の端面に形成された凹凸構造及びn型半導体層も除去される。次に、裏面パッシベーション膜形成工程S5において、平坦化されたp型シリコン基板41の裏面に、プラズマCVD法によって窒化シリコン膜を、裏面パッシベーション膜47として形成する。次に、裏面パッシベーション膜パターニング工程S6において、フォトリソグラフィ法により、裏面パッシベーション膜47を所定の裏面電界層パターンにエッチングし、裏面パッシベーション膜47を貫通するコンタクトホールを形成する。次に、裏面電界層形成工程S7において、コンタクトホール部分に、スクリーン印刷法によって、アルミニウム粉末、ガラスフリット、樹脂、有機溶媒等からなるアルミニウムペーストを印刷、乾燥し、700°C以上にて焼成することにより、コンタクトホールに対応した箇所のp型シリコン基板41の裏面にアルミニウムを拡散させて拡散層である裏面電界層46を形成する。アルミニウムは、シリコンに対してp型不純物になるので、アルミニウム拡散層である裏面電界層46はp型半導体層となる。裏面電界層46のp型不純物濃度は、p型シリコン基板41のp型不純物濃度よりも高い。また、上記焼成で、コンタクトホールには、アルミニウム電極45が形成される。次に、受光面電極形成工程S8において、スクリーン印刷法を用いて、銀粉末、ガラスフリット、樹脂、有機溶媒等からなる銀ペーストを印刷、乾燥し、500°C以上で焼成して銀からなる受光面電極51を形成する。尚、受光面電極51は、焼成時に反射防止膜43をファイヤースルーし、すなわち、貫通して形成するため、n型半導体層42と電気的に接続する。受光面電極51を形成する際、メイン電極52、サブ電極44を、それぞれ異なる銀ペーストを使用して形成した場合、焼成後、少なくともサブ電極44がn型半導体層42と接して形成されていればよい。このようにして、光電変換装置本体50を作製する。次に、裏面電極形成工程S9において、光電変換装置本体50を裏面電極である金属箔48上に配置する。金属箔48は、少なくともすべてのアルミニウム電極45を覆うように配置する。よって、アルミニウム電極45の形状、個数を変更しても問題ない。さらに、インターコネクタを接続する領域を設けて配置すれば、後の光電変換装置モジュールの作製工程で、受光面電極に接続したインターコネクタを隣の光電変換装置の裏面に回しこむ必要はないので、インターコネクタの接続が容易になる。なお、金属箔48は薄いので、図2では、光電変換装置本体50と金属箔48の間に空間があるかのように示しているが、実際は、裏面の形状に沿って配置され、ほとんどの領域で、金属箔48と裏面パッシベーション膜47は接している。このようにして、光電変換装置を作製する。図4は、本発明の光電変換装置モジュールの一例を示す模式図である。図4aは、断面を表す模式図であり、図4bは、図4aの円で囲んだ範囲の拡大図である。光電変換装置40同士をインターコネクタ53で接続し、透明基板であるガラス72とバックシート74の間に挟み、封止材であるEVA73で封止している。インターコネクタ53は、光電変換装置40の受光面に形成された受光面電極と、光電変換装置の金属箔48を接続しており、金属箔48側の接続箇所では、金属箔48の突出部の受光面側で接している。50は光電変換装置本体である。なお、図4では、両サイドのインターコネクタを省略している。図5は、図4の光電変換装置モジュールの光電変換装置の接続を受光面側から見た図である。図5では、2枚の光電変換装置の接続を示す。2枚の光電変換装置40A、40Bは、メイン電極52と金属箔48をインターコネクタ53で接続している。図6は、図4に示す本発明の光電変換装置モジュールの製造方法の一例である。図6に示すように模式的断面図を参照して説明する。なお、図6では、両サイドのインターコネクタを省略している。まず、図6aに示すように、光電変換装置本体50の受光面電極にインターコネクタを接続する。その後、ガラス72上に封止材フィルムである第1EVAフィルム81を配置し、その上にインターコネクタ53が接続された複数の光電変換装置本体50を、受光面側が第1EVAフィルムに接するように配置する。次に、図6bに示すように、光電変換装置本体50間のインターコネクタ53が突出した側に、金属箔48を突出させて光電変換装置本体50の各々の上に配置する。次に、図6cに示すように、金属箔48上に、第2EVAフィルム82を載せ、その上にフレキシブル性を有するバックシート74を載せる。次に、図6dに示すように、ガラス72とバックシート74間を真空引きすることで、ラミネートする。この際、まっすぐに配置したインターコネクタ53と金属箔48は、ラミネートのためにかけた力によって曲がり、一部が重なって接する。予め、導電性接着剤、導電性ペースト、半田等を用いて、インターコネクタ53と金属箔48を接続しておいてもよい。次に、加熱することで、EVAフィルムが硬化し、インターコネクタ53が金属箔48と接し光電変換装置モジュール91が作製される。したがって、上記のように、光電変換装置の裏面電極である金属箔の突出部に、インターコネクタを接続させるので、インターコネクタを受光面から隣の光電変換装置の裏面に達するように曲げることなく、容易に光電変換装置モジュールを製造することができる。また、インターコネクタを曲げる際の光電変換装置の割れ、欠け等の発生の可能性も抑制することができる。スライスされた外形156mm×156mm、厚さ150μmのp型シリコン基板41を用いて光電変換装置本体50を作製した。その後、金属箔48として銅箔を用いて光電変換装置本体50を銅箔に配置して光電変換装置40を作製し、光電変換装置40を用いて光電変換モジュールを作製した。銅箔の厚みは50μmである。図7は、実施例のインターコネクタと銅箔の接続前の、接続箇所を拡大した模式図である。光電変換装置本体50の端からインターコネクタ53が突出した突出部L1の長さを5mm、光電変換装置本体50の端から金属箔48が突出した突出部L2の長さを5mmとした。また、比較例として、図11に示す光電変換装置モジュール191の構造としたものを作製した。なお、光電変換装置120の受光面電極及び裏面電界層は、実施例の光電変換装置40と同様に形成した。また、使用したp型シリコン基板も、実施例と同じ大きさのものを用いた。表1に、実施例、比較例の光電変換装置モジュールの特性結果を示す。表のJscは短絡電流密度、Vocは開放電圧、FFは曲線因子、Effは光電変換効率である。表1の値は、それぞれ、5サンプルについて測定を行い、その平均値とした。また、比較例をリファレンスとして、比較例の各特性値を1.000とした場合の値としている。表1の結果から、実施例は、各特性値とも比較例に対し高い値を得ることができた。特に、実施例では、比較例に対しJscが高い結果が得られた。また、裏面構造が銅箔かアルミニウム蒸着膜かの比較となるので、アルミニウムと銅の反射率の差が表れたものと見られ、銅箔にしたとしても接触抵抗の影響は見られなかった。これはFFの結果からも明らかである。光電変換装置において、厚みが100μm程度の薄いシリコン基板を用いた場合、光電変換効率をより高くするには、光電変換装置を透過した光である850nm以上の長波長域の光を反射させて再度光電変換装置内部に入射させる光閉じ込め技術が必要になる。この透過光を再度光電変換装置内部に入射させる効果をBSRBackSurfaceReflector効果という。実施例に用いた光電変換装置では、裏面電極である銅箔が裏面反射膜の役目も果たし、比較例に用いた光電変換装置では、裏面電極127であるアルミニウム蒸着膜が裏面反射膜の役目も果たす。図8は、裏面に形成した実施例、比較例の各膜に対する分光反射率の測定結果である。図8から、長波長域で銅箔はアルミニウム蒸着膜よりも高い分光反射率を示すことが確認できた。したがって、表1の結果から、実施例の光電変換装置モジュールは、各光電変換装置の裏面電極に銅箔を用いているので、BSR効果を有効にして、光電変換効率特性に優れた光電変換装置モジュールを提供することができた。さらに、銅箔を用いることで、銀、金等の貴金属を用いるのに対しコストを抑えることが可能である。また、光電変換装置の裏面電極である銅箔に、インターコネクタを接続させるので、インターコネクタを受光面から隣の光電変換装置の裏面に達するように曲げることなく、容易に光電変換装置モジュールを製造することができた。今回、p型シリコン基板について記載したが、n型シリコン基板でも同様の結果が得られた。