基板上に、裏面電極層、p形CIS系光吸収層、n型バッファ層、酸化亜鉛系の透明導電膜を順次積層したCIS系薄膜太陽電池の製造方法であって、上記n型バッファ層上に、紫外光を照射せずに有機金属化学気相蒸着法により第一の透明導電膜を製膜する工程と、上記製膜された第一の透明導電膜上に、紫外光を照射しながら有機金属化学気相蒸着法により第二の透明導電膜を製膜する工程と、を有することを特徴とするCIS系薄膜太陽電池の製造方法。上記紫外光の波長は、340nm以下である、請求項1記載のCIS系薄膜太陽電池の製造方法。基板上に、裏面電極層、p形CIS系光吸収層、n型バッファ層、酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜を順次積層したCIS系薄膜太陽電池であって、上記透明導電膜は、n型バッファ層上に、紫外光を照射せずに有機金属化学気相蒸着法により製膜された第一の透明導電膜と、上記第一の透明導電膜上に、紫外光を照射しながら有機金属化学気相蒸着法により製膜された第二の透明導電膜を有する、ことを特徴とするCIS系薄膜太陽電池。しかし、上述の先行技術の方法をCIS系薄膜太陽電池に適用すべく、裏面電極層、p型CIS系光吸収層、及びn型バッファ層が製膜された基板に対して、紫外光を照射しながらMOCVD法によって透明導電膜を製膜すると、透明導電膜自体の抵抗率は下がるが、CIS系薄膜太陽電池の変換効率は、結果的には変換効率が逆に低下してしまった。これは、紫外光の照射によって透明導電膜の抵抗率は下がったが、透明導電膜製膜の過程で照射された紫外光により、バッファ層とCIS系光吸収層とのpn接合ジャンクションが劣化してしまい、言い換えるならば、ダメージを受けてしまい、結果的に太陽電池の変換効率が落ちるためである。本発明の一の観点に係るCIS系薄膜太陽電池の製造方法は、基板上に、裏面電極層、p形CIS系光吸収層、n型バッファ層、酸化亜鉛系の透明導電膜を順次積層したCIS系薄膜太陽電池の製造方法であって、上記n型バッファ層上に、紫外光を照射せずに有機金属化学気相蒸着法により第一の透明導電膜を製膜する工程と、上記製膜された第一の透明導電膜上に、紫外光を照射しながら有機金属化学気相蒸着法により第二の透明導電膜を製膜する工程と、を有することを特徴とする。また、上記紫外光の波長は、340nm以下としてもよい。本発明の一の観点に係るCIS系薄膜太陽電池は、基板上に、裏面電極層、p形CIS系光吸収層、n型バッファ層、酸化亜鉛系の透明導電膜を順次積層したCIS系薄膜太陽電池であって、上記透明導電膜は、n型バッファ層上に、紫外光を照射せずに有機金属化学気相蒸着法により製膜された第一の透明導電膜と、上記第一の透明導電膜上に、紫外光を照射しながら有機金属化学気相蒸着法により製膜された第二の透明導電膜を有する、ことを特徴とする。本発明によれば、CIS系薄膜太陽電池のpn接合のダメージを抑えつつ、透明導電膜の抵抗値を下げることが可能となり、結果、CIS系太陽電池の変換効率を向上させることができる。本発明に係る実施形態について説明する。図1は、酸化亜鉛ZnO系の透明導電膜114を積層したCIS系薄膜太陽電池1を示しており、この透明導電膜114は、本発明の実施形態に係る透明導電膜の製造方法を用いて製膜されている。CIS系薄膜太陽電池1は、図1に示されるように、基板10上に太陽光等を受光して発電する太陽電池セル11が積層されたサブストレート構造を形成している。太陽電池セル11は、いわゆるCIS系薄膜太陽電池セルであって、裏面電極層111、p型CIS系光吸収層112、n型バッファ層113、透明導電膜114を順次積層した構造からなる。基板10は青板ガラス等のガラス基板から構成される。なお、この基板10は金属基板、樹脂系の基板でも良い。本実施形態において、裏面電極層111はモリブデンMoから構成される。なお、裏面電極層の材料として、モリブデン以外には、チタンTi、クロムCr等の金属から構成されてもよい。p型CIS系光吸収層112は、p型の導電性を有するI-III-VI2族カルコパイライト構造の厚さ1~3μmの薄膜であり、例えば、CuInSe2、CuInGaSe2、CuInGaSSe2等の多元化合物半導体薄膜である。p型CIS系光吸収層としては、その他、セレン化合物系CIS系光吸収層、硫化物系CIS系光吸収層及びセレン化硫化物系CIS系光吸収層があり、前記セレン化合物系CIS系光吸収層は、CuInSe2、CuInGaSe2又はCuGaSe2からなり、前記硫化物系CIS系光吸収層は、CuInS2、CuInGaS2、CuGaS2からなり、前記セレン化硫化物系CIS系光吸収層は、CuInSSe2、CuInGaSSe2、CuGaSSe2からなる。p型CIS系光吸収層112は、セレン化/硫化法や多元同時蒸着法により製膜される。なお、本実施形態において、p型CIS系光吸収層112は、セレン化法よって製膜されたCuInGaSe2によって構成される。さらに、CIS系光吸収層112の代わりに、Cu、Zn、Sn、S又はSeを含む、I2-II-IV-VI4族化合物半導体からなるCZTS系光吸収層を用いても、本発明は適用可能である。n型バッファ層113は、p型CIS系光吸収層112との電気的接合を形成するための層であり、本実施形態においては、CBDChemicalBathDeposition法によってZnO、S、OHXが製膜される。なお、n型バッファ層113としては、ZnO、S、OHX以外に、CdS、ZnS、ZnO、ZnXMg1-XO等やこれらの混晶からなるII-VI族化合物薄膜であってもよく、さらには、In2O3、In2S3、InO、S、OHX等のIn系化合物薄膜であってもよい。また、n型バッファ層113の製膜方法としては、CBD法以外に、ALDAtomicLayerDeposition法や、その他の蒸着法であってもよい。さらに、n型バッファ層113と透明導電膜114との間に、n型バッファ層113とは別に、ドーパントを含まない酸化亜鉛膜ZnO膜を備えてもよい。本実施形態において、酸化亜鉛ZnO系の透明導電膜114は、ボロンBがドープされた酸化亜鉛膜である。この透明電極膜114は、n型バッファ層113上に製膜された第1の透明電極膜114a、この第1の透明電極膜114a上に製膜された第2の透明電極膜114bから構成されている。第1の透明電極膜114aはMOCVD法に基づき製膜される際に、紫外光を照射しないで製膜されている。また第2の透明電極膜114bはMOCVD法に基づき製膜される際に、紫外光を照射して製膜されている。これら2層の透明電極膜114aおよび114bにより透明電極膜114が構成されている。なお、本実施形態において、酸化亜鉛系の透明導電膜114のドーパントとしてボロンを用いたが、本発明はこれに限らず、ドーパントとしてアルミニウムAl、ガリウムGa、又はインジウムInも適用可能である。次に、MOCVD装置の一例を図2に示し、透明導電膜114の製膜方法の一例を説明する。MOCVD装置2は、図2に示されるように、有機金属材料のジエチル亜鉛ZnC2H52、以下、DEZという、及び水H2Oと、キャリアガスとをバブリングして混合ガスを生成するバブラー21a、21b、チャンバー26内に窒素N2又はアルゴンAr等の不活性なキャリアガスを供給するキャリアガス供給源22a、n型ドーピングガスのトリエチルボランBC2H53トリエチルボランに代えてトリメチルボランCH33BやジボランB2H6等でもよいを供給するドーピングガス供給源22b、キャリアガスの流量を制御するマスフローコントローラ23a、23b、ドーピングガスの流量を制御するマスフローコントローラ23c、DEZ、水H2O、及びトリエチルボランBC2H53からなる製膜原料をバブラー21a、21bないしはドーピングガス供給源22bからチャンバー26内へ供給する供給管24a、24b、製膜原料を基板に噴射するノズル25、製膜処理の処理炉となるチャンバー26、基板を載置するホットプレート27等から構成される。そして、本MOCVD装置2には、チャンバー26内の基板載置部の上部に紫外光の照射源28となるエキシマランプが設けられており、装置上部に取り付けられたエキシマランプの紫外光を、ホットプレート27に載置された基板に照射できるように構成されている。この紫外光の照射源28としては、エキシマランプの他、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、キセノンランプ、メタルハライドランプ、あるいは重水素ランプなどを用いることができる。この紫外光の波長としては、340nm以下で、酸化亜鉛膜が吸収可能な波長を選択すればよい。続いて、MOCVD法による透明導電膜114の製膜処理フローの一例について、図2を参照して説明する。まず、基板10上に裏面電極層111、p型CIS系光吸収層112、及びn型バッファ層113を順次積層した太陽電池半製品基板12を、チャンバー26内のホットプレート27上に設置し、太陽電池半製品基板12を130~250°C後述の実施例では185°Cの温度範囲に加熱する。一方、キャリアガス供給源22aからキャリアガスをバブラー21a、21b内に供給し、水H2O、及び有機金属材料のジエチル亜鉛ZnC2H52、以下、DEZというをバブリングして混合ガスを生成する。そして、生成した混合ガスを、供給管24a、24bを介して、減圧したチャンバー26内に供給する。また同時に、窒素N2等の不活性ガスで希釈したトリエチルボランBC2H53をボロンBのn型ドーピングガスとして、ドーピングガス供給源22bから供給管24aを介して、チャンバー26内に供給する。なお、ボロンBは、抵抗率を調整するためのドーパントであり、このドーパントには、ボロンBの他に、アルミニウムAl、インジウムIn、ガリウムGaのいずれか1つ又はこれらの組合せを用いることができる。チャンバー26内へ供給されたDEZ、水H2O、及びトリエチルボランBC2H53からなる製膜原料は、ノズル25から太陽電池半製品基板12表面に吹き付けられる。この第1の透明導電膜114aの製膜工程では、照射源28から紫外光が照射されない状態で、酸化亜鉛ZnOからなる第1の透明導電膜114aが形成される第1の透明導電膜製膜工程。引き続き第2の透明導電膜製膜工程に移る。ホットプレート27上に戴置された上述の第1の透明導電膜114aを積層した基板に対して、照射源28から紫外光を照射する。第1の透明導電膜114aを積層した基板に対して紫外光を照射するとともに、第1の透明導電膜製膜工程と同様に、バブラー21aおよび21bで生成された混合ガス水およびDEZを含む混合ガスを、供給管24a、24bを介して、減圧したチャンバー26内に供給する。また同時に、窒素N2等の不活性ガスで希釈したトリエチルボランBC2H53をボロンBのn型ドーピングガスとして、ドーピングガス供給源22bから供給管24aを介して、チャンバー26内に供給する。なおこの際も、ドーパントとして、ボロンBに代えて、アルミニウムAl、インジウムIn、ガリウムGaのいずれか1つ又はこれらの組合せを用いることができる。チャンバー26内へ供給されたDEZ、水H2O、及びトリエチルボランBC2H53からなる製膜原料は、ノズル25から太陽電池半製品基板12表面に吹き付けられる。これにより、紫外線を照射した状態で、第2の透明導電膜114bが製膜され第2の透明導電膜製膜工程、CIS系薄膜太陽電池1が完成する。このように、本実施形態のCIS系薄膜太陽電池1においては、n型バッファ層113上に、紫外光を照射しないで製膜された第1の透明導電膜114aが積層され、その上に紫外光を照射して製膜された第2の透明導電膜114bが積層されている。この効果としては、第2の透明導電膜114bを製膜する際の紫外光は、予め製膜された第1の透明導電膜114aに吸収されるため、CIS系薄膜太陽電池1内のpn接合のダメージを抑制できる。さらに、第2の透明導電膜114bは、紫外光が照射された状態で製膜されるため、従来の紫外光の照射がないMOCVD法で製膜された透明導電膜に比べて、低抵抗な膜となる。結果、本実施形態に係る発明によれば、pn接合のダメージを抑えつつ、透明導電膜114の抵抗率を下げることが可能となり、結果、CIS系薄膜太陽電池1自体の変換効率を向上させることができる。図3に従来技術に係る従来例と、本発明に係る実施例を示す。図3に示すサンプルA~Cの例は、基板図示せず上に、裏面電極層図示せず、CuInGaSe2からなるp型CIS系光吸収層112、膜厚120nmのZnO、S、OHXからなるn型バッファ層113、ボロンがドープされた酸化亜鉛BZOからなる透明導電膜114が順に積層されたCIS系薄膜太陽電池である。ここで、サンプルA~Cの各々は、透明導電膜に違いがある。詳述すると、まず、従来例となるサンプルAの透明導電膜1114Aは、紫外光の照射なしにMOCVD法によって製膜されたものであり、膜厚が1600nm、抵抗率が1.5×10-2Ωcmである。従来例となるサンプルBの透明導電膜1114Bは、紫外光が照射された状態でMOCVD法を用いて製膜された透明導電膜のみで構成されており、膜厚が1600nm、抵抗率が1.0×10-3Ωcmである。本発明の実施例となるサンプルCの透明導電膜114は、上述の本発明の実施形態を適用して、紫外光の照射なしにMOCVD法によって製膜された膜厚800nmの第1の透明導電膜114aと、紫外光が照射された状態でMOCVD法により製膜された膜厚800nmの第2の透明導電膜114bの2層構造で構成されたものである。図4に、サンプルA~Cの太陽電池特性である、変換効率:Eff、開放電圧:VOCV、短絡電流密度:JSCmA/cm2、曲線因子:FFFillFactorを示す。図4に示すように、サンプルAとサンプルBの変換効率を比較すると、サンプルAの変換効率は12.2であり、サンプルBの変換効率は12.4であった。上述したように、サンプルAの透明導電膜1114Aに比べてサンプルBの透明導電膜1114Bの抵抗率は小さいにもかかわらず、サンプルAとサンプルBの変換効率はほぼ同様の値となっている。この理由としては、サンプルBの透明導電膜1114Bを製膜するにあたり、紫外光による透明導電膜1114Bの低抵抗化の効果を、紫外光によるpn接合のダメージというマイナス要因が相殺したものと考えられる。一方、図4に示すサンプルCの変換効率は、サンプルAおよびサンプルBの変換効率を大きく上回る14.2であった。この結果から、本発明に係るサンプルCにおいては、紫外光によるpn接合のダメージを抑えつつ、透明導電膜の低抵抗化が可能となり、結果、変換効率の向上を達成できたことがわかる。また、本発明に係る他の実施例として、n型バッファ層113の膜厚を10nmに変更したサンプルDを作製し、その変換効率を測定した。なお、サンプルDの構成は、n型バッファ層113の膜厚以外は、全てサンプルCと同じ構成である。他の実施例として作製したサンプルDの変換効率は、15.6であった。この結果から、n型バッファ層113の膜厚を変更したとしても、本発明の効果が十分に得られることが分かる。