第1方向に配置された少なくとも1つの第1光導波路と、前記第1光道破路で前記第1方向と交差する第2方向に接続される少なくとも1つの第2光導波路と、前記第2光導波路が接続される前記第1光導波路内で前記第1方向に透過される光を断続して前記第2方向の前記第2光道破路に選択的に反射する少なくとも1つのスイッチング部とを含むことを特徴とする光スイッチ素子。前記スイッチング部は光を透過または反射する選択反射部と、前記選択反射部で光の透過及び反射を制御する制御部とを含むことを特徴とする請求項1に記載の光スイッチ素子。前記選択反射部は温度によって屈折率が変わる熱光学ポリマーを含むことを特徴とする請求項2に記載の光スイッチ素子。前記第1及び第2光道破路の上下部に配置された上部及び下部クラッドをさらに含み、前記選択反射部は前記第1光導波路内に配置されたコア熱光学ポリマーと、前記上部及び下部クラッド内に配置された上部及び下部熱光学ポリマーとを含むことを特徴とする請求項3に記載の光スイッチ素子。前記制御部は前記熱光学ポリマーを加熱するヒータ電極を含むことを特徴とする請求項4に記載の光スイッチ素子。前記ヒータ電極はトレンチ内に形成された前記上部熱光学ポリマーより小さい線幅を有し、前記上部クラッド及び前記上部熱光学ポリマー上に配置されることを特徴とする請求項5に記載の光スイッチ素子。前記選択反射部は電場の変化に応じて屈折率が変わる電気光学ポリマーを含むことを特徴とする請求項2に記載の光スイッチ素子。前記第1及び第2光道破路の上下部に配置された上部及び下部クラッドをさらに含み、前記選択反射部は前記第1光導波路内に配置されたコア電気光学ポリマーと、前記上部及び下部クラッド内に配置された上部及び下部電気光学ポリマーとを含むことを特徴とする請求項7に記載の光スイッチ素子。前記制御部は前記電気光学ポリマーに前記電場を印加する上部及び下部電極を含むことを特徴とする請求項8に記載の光スイッチ素子。前記上部電極はトレンチ内に形成された前記上部電気光学ポリマーより小さい線幅を有し、前記上部クラッド及び前記上部電気光学ポリマー上に配置され、前記下部電極は前記下部クラッド及び前記下部電気光学ポリマーの下の全面に配置されることを特徴とする請求項9に記載の光スイッチ素子。前記スイッチング部は、前記第1方向と前記第2方向との間の第3方向に配置されることを特徴とする請求項1に記載の光スイッチ素子。1つの前記第1光道破路に前記第2方向にN個の前記第2光導波路が接続され、前記スイッチング部は1XN個数を有することを特徴とする請求項11に記載の光スイッチ素子。前記第1光導波路は入力端と第1出力端に接続され、前記第2光導波路は第2~第N1出力端に接続されることを特徴とする請求項12に記載の光スイッチ素子。前記第1方向に平行なM個の前記第1光道破路と、前記第2方向に平行なN個の前記第2光道破路がマトリックス状に配列され、前記スイッチング部はMXN個数を有することを特徴とする請求項11に記載の光スイッチ素子。前記第1光道破路はM個の入力端にそれぞれ接続され、前記第2光道破路はそれぞれN個の出力端に接続されることを特徴とする請求項14に記載の光スイッチ素子。前記第1方向に配置された複数の前記第1光道破路が前記第2光道破路によって互いに接続され、前記複数の第1光道破路内で一対の前記スイッチング部は互いに平行に配置されることを特徴とする請求項1に記載の光スイッチ素子。基板上で下部クラッドを形成する段階と、前記下部クラッド上に第1光道破路と第2光道破路とを形成する段階と、前記第1光導波路及び前記第2光導波路上に上部クラッドを形成する段階と、前記上部クラッドと前記第1光道破路とを貫通して前記下部クラッドを露出させる底を有するトレンチを形成する段階と、前記トレンチ内に選択反射部を形成する段階と、前記選択反射部上に電極を形成する段階とを含むことを特徴とするスイッチ素子の製造方法。前記選択反射部の形成段階は、前記トレンチの底で前記下部クラッドの上部表面と同一のレベルを有する下部反射部を形成する段階と、前記下部反射部上で前記第1光導波路及び前記第2光道破路と同一のレベルを有するコア反射部を形成する段階と、前記コア反射部上で前記上部クラッドと同一のレベルを有する上部反射部を形成する段階とを含むことを特徴とする請求項17に記載の光スイッチ素子の製造方法。前記基板と前記下部クラッドとの間に下部電極を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項17に記載の光スイッチ素子の製造方法。本発明の課題は、光経路の変更構造が簡単であり、且つ小さいサイズの光スイッチ素子及びその製造方法を提供することにある。また、本発明の他の課題は、光損失を最小化することができる光スイッチ素子及びその製造方法を提供することにある。本発明のまた他の課題は、高速スイッチングが可能な光スイッチ素子及びその製造方法を提供することにある。前記課題を解決するために、本発明の光スイッチ素子は、第1光導波路と第2光導波路との間で熱または電場によって屈折率が変わる光を選択的に透過及び反射するスイッチング部を含む。光スイッチ素子は、第1方向に配置された少なくとも1つの第1光導波路と、前記第1光道破路で前記第1方向と交差する第2方向に接続される少なくとも1つの第2光導波路と、前記第2光導波路が接続される前記第1光導波路内で前記第1方向に透過される光を断続し、前記第2方向の前記第2光道破路に選択的に反射する少なくとも1つのスイッチング部とを含む。本発明の一実施例によると、前記スイッチング部は光を透過または反射する選択反射部と、前記選択反射部で光の透過及び反射を制御する制御部とを含むことができる。前記選択反射部は温度または電場によって屈折率が変わることができる。前記スイッチング部は前記選択反射部と前記第1光導波路の境界面で前記屈折率によって変わる光の臨界角を制御することができる。本発明の他の実施例によると、前記選択反射部は温度によって屈折率が変わる熱光学ポリマーを含むことができる。前記熱光学ポリマーは温度によって屈折率が変わることができる。前記熱光学ポリマーは常温で第1光道破路のシリカまたはシリコン酸化物と同一の屈折率を有することができる。前記熱光学ポリマーは第1光道破路で進行される光を屈折及び透過させることができる。前記熱光学ポリマーは高温で前記シリカまたは前記シリコン酸化物より低い屈折率を有する。前記熱光学ポリマーは第1光道破路で進行される光を全反射させることができる。したがって、前記選択反射部は温度によって光を透過または全反射させることができる。前記第1及び第2光道破路の上下部に配置された上部及び下部クラッドをさらに含み、前記選択反射部は前記第1光導波路内に配置されたコア熱光学ポリマーと、前記上部及び下部クラッド内に配置された上部及び下部熱光学ポリマーを含むことができる。本発明の一実施例によると、前記制御部は前記熱光学ポリマーを加熱するヒータ電極を含むことができる。前記ヒータ電極は前記上部熱光学ポリマーより小さい線幅を有し、前記上部クラッド及び前記上部熱光学ポリマー上に配置することができる。前記ヒータ電極は前記熱光学ポリマーの加熱を制御することができる。したがって、前記ヒータ電極は前記熱光学ポリマーの透過及び全反射を制御することができる。本発明の他の実施例によると、前記選択反射部は電場の変化によって屈折率が変わる電気光学ポリマーを含むことができる。前記電気光学ポリマーは電場の方向及び大きさによって屈折率がはやく変わる物質を含むことができる。電気光学ポリマーは第1光道破路のシリカまたはシリコン酸化物と屈折率が同一であれば、光を透過させることができる。電気光学ポリマーはシリカまたはシリコン酸化物より屈折率が顕著に低ければ、光を全反射させることができる。前記第1及び第2光道破路の上下部に配置された上部及び下部クラッドをさらに含み、前記選択反射部は前記第1光導波路内に配置されたコア電気光学ポリマーと、前記上部及び下部クラッド内に配置された上部及び下部電気光学ポリマーとを含むことができる。本発明の一実施例によると、前記制御部は前記電気光学ポリマーの上下部で前記電場を印加する上部電極及び下部電極を含むことができる。上部電極及び下部電極には高周波電気信号を印加することができる。したがって、前記電気光学ポリマーは高周波電気信号によって前記上部電極及び下部電極の間ではやく可変する電場から光の透過及び反射が高速スイッチングされうる。前記上部電極は前記上部電気光学ポリマーより小さい線幅を有し、前記上部クラッド及び前記上部電気光学ポリマー上に配置し、前記下部電極は前記下部クラッド及び前記下部電気光学ポリマー下の全面に配置することができる。本発明の他の実施例によると、前記スイッチング部は前記第1方向と前記第2方向のとの間の第3方向に配置することができる。本発明の一実施例によると、1つの第1光道破路に第2方向にN個の前記第2光導波路が接続され、前記スイッチング部は1XN個数を有することができる。1XN個の前記スイッチング部は前記第1光道破路で前記第2光導波路が接続される毎に前記第3方向に配置できる。前記第1光導波路は前記入力端と第1出力端に接続し、前記第2光導波路は第2~第N1出力端に接続できる。前記出力端はスイッチング部の個数より1つがさらに多いことがある。本発明の他の実施例によると、第1方向に平行なM個の前記第1光道破路と、第2方向に平行なN個の前記第2光道破路がマトリックス状に配列され、前記選択反射部はMXN個数を有することができる。複数の前記第1光道破路と前記第2光道破路が交差する毎にそれぞれ前記第3方向にスイッチング部を配置することができる。前記第1光道破路はM個の入力端にそれぞれ接続し、前記第2光道破路はそれぞれN個の出力端に接続できる。本発明の一実施例によると、前記第1方向に配置された複数の前記第1光道破路が前記第2光道破路によって互いに接続され、前記複数の第1光道破路内で一対のスイッチング部は互いに平行に配置できる。第1方向に平行に配置された複数の第1光道破路の間で第2方向の第2光道破路が接続される毎に、スイッチング部が第4方向に平行に配置できる。同様に、複数の第1光道破路の間で第3方向の第2光道破路が接続される毎に、スイッチング部が第5方向に互いに平行に配置できる。本発明の他の実施例に係る光スイッチ素子の製造方法は、基板上で下部クラッドを形成する段階と、前記下部クラッド上に第1光道破路と第2光道破路とを形成する段階と、前記第1光導波路及び前記第2光導波路上に上部クラッドを形成する段階と、前記上部クラッドと前記第1光道破路とを貫通して前記下部クラッドを露出させる底を有するトレンチを形成する段階と、前記トレンチ内に選択反射部を形成する段階と、前記選択反射部上に電極を形成する段階とを含むことができる。本発明の一実施例によると、前記選択反射部の形成段階は、前記トレンチの底で前記下部クラッドの上部表面と同一のレベルを有する下部反射部を形成する段階と、前記下部反射部上で前記第1光導波路及び前記第2光道破路と同一のレベルを有するコア反射部を形成する段階と、前記コア反射部上で前記上部クラッドと同一のレベルを有する上部反射部を形成する段階とを含むことができる。本発明の一実施例によると、前記基板と前記下部クラッドとの間の全面に下部電極を形成する段階をさらに含むことができる。前記下部電極は導電性が優れた金属を含むことができる。本発明の実施例的構成によると、第1光道破路と第2光導波路との間で温度または電場によって屈折率が変わる選択反射部を含むので、光経路の変更構造を簡単に設計することができる効果があるだけではなく、素子の大きさを顕著に減らすことができる。また、選択反射部は高周波電気信号によって第1光導波路内で進行される光を第1方向と第2方向に高速スイッチングすることができる。以上の本発明の目的、他の目的、特徴及び利点は添付の図面と係わる以下の望ましい実施形態を通じて容易に理解することができる。しかし、本発明はここで説明する実施形態に限定されず、他の形態に具体化することもできる。さらに、ここで紹介する実施形態は開示された内容が徹底且つ完全になれるように、そして当業者に本発明の思想を十分に伝達するように提供されるものである。明細書の全体にかけて同じ参照符号は同じ構成要素を示す。本明細書で使われる用語は、特定の実施形成を記述するための目的として用いられるものであり、本発明の範囲を制限するためのものではない。本明細書で、単数として使われた用語は、それについての単数であることを示す明白な背景に関する言及がない限り、複数も含むものである。また、本明細書で使われる包含するという用語は、言及された構成要素が1つまたはそれ以上の他の構成要素の存在または付加を除外するものではない。また、望ましい実施例によるので、説明の手順によって提示される参照符号はその手順に必ず限定されない。図1は、本発明の第1実施例に係る光スイッチ素子を示す平面図であり、図2は、図1のI-I’線上を切り取って示す断面図である。図1及び図2を参照すると、本発明の第1実施例に係る光スイッチ素子は、基板70上に第1方向D1に配置された第1光導波路opticalwaveguide10内で透過される光lightを断続controlし、前記第1光導波路10で第2方向D2に接続された第2光導波路20に選択的に反射するスイッチング部Sを含むことができる。スイッチング部Sは温度によって屈折率が変わる選択反射部30と、前記選択反射部30の温度を変化させるヒータ電極heaterelectrode34とを含むことができる。選択反射部30は屈折率の変化によって光の臨界角criticalangleが可変することによって、第1光導波路10内で第1方向D1に進行される光をそのまま通過させるか、または第2方向D2の第2光導波路20に反射させることができる。したがって、本発明の第1実施例に係る光スイッチ素子は第1光導波路10と第2光導波路20との間で温度によって変わる屈折率を有する選択反射部30を含むので、光経路の変更構造を簡単に設計することができる。第1光導波路10と第2光導波路20は下部クラッドlowerclad72と上部クラッドhigherclad74との間に配置することができる。第1光導波路10と第2光導波路20は不純物がドーピングされたシリカまたはシリコン酸化物を含むことができる。下部クラッド72と上部クラッド74は第1光導波路10及び第2光導波路20とを取り囲むことができる。下部クラッド72と上部クラッド74は第1光導波路10と第2光導波路20の上下にそれぞれ配置することができる。下部クラッド72は第1光導波路10と第2光導波路20の下部に平坦に配置することができる。上部クラッド74は第1光導波路10と第2光導波路20の上部と側面に配置することもできる。下部クラッド72と上部クラッド74はシリカまたはシリコン酸化物を含むことができる。第1光導波路10は光が入出力される第1単一モードコア16と、前記第1単一モードコア16の間に配置された第1多重モードコア12と、前記第1多重モードコア12と前記第1単一モードコア16との間に接続される第1テーパリングコア14とを含むことができる。第1単一モードコア16は所定波長帯で固有なeigen1つのモードに対応する光のみを進行させることができる。モードは第1光導波路10と第2光導波路20内で道破条件を満足しながら進行される光を含むことができる。以下、モードと光を対等な関係または同一の概念として説明する。第1単一モードコア16は基板70の外部に配置される光繊維図示せずに接続することができる。第1単一モードコア16はより具体的に入力端INと第1出力端Out1に分けることができる。例えば、第1単一モードコア16は約3μm~約10μm程度の直径を有することができる。第1多重モードコア12は第1テーパリングコア14を通じて第1単一モードコア16に第1方向D1に接続することができる。第1多重モードコア12は所定波長帯で単一モードを含んだ多重モードを道破させることができる。第1多重モードコア12はスイッチング部Sで透過されるモードを第1方向D1に進行させることができる。第1多重モードコア12はスイッチング部Sで全反射されるモードを第2多重モードコア22に伝達することができる。第1多重モードコア12は第2多重モードコア22と実質的に同一のレベルに配置することができる。また、第1多重モードコア12は第2多重モードコア22と同一の材質の不純物がドーピングされたシリカまたはシリコン酸化物を含むことができる。例えば、第1多重モードコア12は約20~60μm程度の直径を有することができる。第1テーパリングコア14は第1多重モードコア12の両側で第1単一モードコア16を対称的に接続する。第1テーパリングコア14は第1多重モードコア12と第1単一モードコア16との間の厚さ及び幅差を漸進的に緩衝させることができる円錐または台形の六面体形状を有することができる。第1テーパリングコア14は第1多重モードコア12と第1単一モードコア16との間の厚さ及び幅差に比例して第1方向D1への長さが増加することができる。第1テーパリングコア14内での光の進行過程は次の通りである。第1単一モードコア16を通じて入力される光は第1テーパリングコア14で高次highOrderモードの励起なしに漸進的adiabaticにモードの大きさが拡大されて前記第1多重モードコア12に進行することができる。同様に、第1多重モードコア12内で進行される光は第1テーパリングコア14で漸進的にモードの大きさが縮小して第1単一モードコア16に出力されうる。したがって、第1光導波路10の第1テーパリングコア14は高次モード発生による損失を最小化することができる。第2光導波路20は第1光導波路10の第1多重モードコア12に接続される第2多重モードコア22と、前記第2多重モードコア22で進行される光を出力する第2単一モードコア26と、前記第2単一モードコア26と前記第2多重モードコア22との間に配置された第2テーパリングコア24とを含むことができる。第2多重モードコア22は第1多重モードコア12と同様に、所定波長帯でモードを進行させることができる。第2多重モードコア22はスイッチング部Sで全反射されるモードを第2方向D2に進行させることができる。第2多重モードコア22は第1多重モードコア12と実質的に同一のレベルに配置することができる。第2多重モードコア22は第1多重モードコア12と同一の線幅及び厚さを有することができる。また、第2多重モードコア22は第1多重モードコア12と同一の材質の不純物がドーピングされたシリカまたはシリコン酸化物を含むことができる。第1多重モードコア12と第2多重モードコア22は同一物質で構成されているので、境界面が示さないこともできる。第2単一モードコア26は第2多重モードコア22及び第2テーパリングコア24を通じて第2方向D2に進行される光を第2出力端Out2に出力することができる。第2単一モードコア26は光繊維図示せずに接続することができる。例えば、第2単一モードコア26は約3μm~約10μm程度の幅を有することができる。第2テーパリングコア24は第2多重モードコア22及び第2単一モードコア26を接続することができる。第2テーパリングコア24は第2多重モードコア22と第2単一モードコア26との間の厚さ及び幅差を漸進的に緩衝させることができる円錐または台形の六面体形状を有することができる。第2テーパリングコア24は第2多重モードコア22と第2単一モードコア26との間の厚さ及び幅差に比例して第2方向D2への長さが増加することができる。第2テーパリングコア24は第2多重モードコア22で進行されるモードの大きさを漸進的に縮小させて第2単一モードコア26に伝達することができる。スイッチング部Sは第1多重モードコア12及び第2多重モードコア22が接続される交差領域または接合領域に配置することができる。スイッチング部Sは第1方向D1と第2方向D2との間の第3方向D3に配置することができる。第1方向D1と第3方向D3が成す角と、第2方向D2と第3方向D3が成す角は互いに対称的であり、且つ同一でありうる。スイッチング部Sは第1多重モードコア12内で所定の角度に傾くように配置することができる。上述のように、スイッチング部Sは選択反射部30とヒータ電極34とを含むことができる。ヒータ電極34は選択反射部30を温度として制御する制御部であり、前記選択反射部30を加熱することができる。ヒータ電極34は複数の端子図示せずから印加される電力powerによって発熱する抵抗金属を含むことができる。前記選択反射部30は前記下部クラッド72と同一の上部表面を有する下部反射部31と、前記下部反射部31上で前記第1光導波路10及び第2光導波路20と同一のレベルを有するコア反射部32と、前記コア反射部32上で前記上部クラッド74と同一の下部表面を有する上部反射部33とを含むことができる。下部反射部31と上部反射部33は常温でそれぞれ下部クラッド72及び上部クラッド74と同一の屈折率を有することができる。コア反射部32は常温で第1単一モードコア12と同一の屈折率を有することができる。コア反射部32は第1多重モードコア12内に配置することができる。コア反射部32は温度によって屈折率が変わることができる。また、選択反射部30は屈折率の変化によって第1多重モードコア12で第1方向D1に進行される光を透過させるか、または全反射させることができる。実質的に、光は第1多重モードコア12とコア反射部32との境界面で透過、または全反射することができる。したがって、コア反射部32は温度の変化によって第1多重モードコア12で進行される光の経路を選択的に変更することができる。例えば、選択反射部30は温度の増加によって屈折率が減少する熱光学ポリマーを含むことができる。熱光学ポリマーは温度に反比例して屈折率が速く変化し、マイナスの熱光学係数が高い物質を含むことができる。シリカまたはシリコン酸化物は温度の増加によって屈折率が増加するが、熱光学係数が小さいため、熱光学ポリマーの屈折率変化量に比較して微々たる。熱光学ポリマーは温度に反比例して屈折率が変わることができる。例えば、熱光学ポリマーは下部反射部31と上部反射部33に対応する下部熱光学ポリマーと上部熱光学ポリマーとを含み、コア反射部32に対応するコア熱光学ポリマーを含むことができる。熱光学ポリマーは常温でシリカまたはシリコン酸化物と同一の屈折率を有することができる。コア反射部32は第1多重モードコア12で進行される光を透過または反射させることができる。シリカまたはシリコン酸化物と熱光学ポリマーの屈折率が同一であれば、光は第1多重モードコア12とコア反射部32との境界面で屈折なしに透過することができる。一方、熱光学ポリマーはヒータ電極34によって加熱されれば、シリカまたはシリコン酸化物より屈折率が減少することができる。選択反射部30は第1多重モードコア12との境界面で第1方向D1に進行される光を第2方向D2に第2多重モードコア22方向に反射させることができる。反射は屈折率が大きい第1多重モードコア12で屈折率が小さい熱光学ポリマーに光が入射される時に発生することができる。反射が開始される光の入射角は臨界角となることができる。一般的に光は入射角が臨界角より小さければ反射及び透過し、臨界角より大きければ全反射される。臨界角はスネルの法則によって第1多重モードコア12と選択反射部30の屈折率の比として示すことができる。選択反射部30はヒータ電極34の発熱によって屈折率が変わることによって、第1方向D1に進行される光の臨界角を変化させることができる。選択反射部30は屈折率の減少によって臨界角も減少するので、第1方向D1に進行される光を第2方向D2に全反射させることができる。入射角は第3方向D3に垂直な第4方向D4と第1方向D1が成す角度になることができる。また、臨界角は第1方向D1に進行される光が選択反射部30の表面に沿って第3方向D3に進行される時、第4方向D4と前記第1方向D1が成す角度を意味する。光が臨界角より大きい角度で入射されれば、選択反射部30と第1多重モードコア12との境界面で100反射することができる。光の入射角と反射角はスネルの法則によって互いに同一である。入射角は第4方向D4と第1方向D1が成す角度になることができる。反射角は第4方向D4と第2方向D2が成す角度になることができる。選択反射部30は屈折率の減少によって第1多重モードコア12で第1方向D1に進行される光を第2方向D2に全反射させることができる。したがって、本発明の第1実施例に係る光スイッチ素子は熱光学ポリマーの選択反射部30を加熱するヒータ電極34が発熱するか否かによってオン/オフON/OFFされうる。図3A及び図3bはそれぞれオフ状態で入力された光の透過成分と反射成分を重畳積分convolution計算結果として示すグラフである。図3A及び図3bを参照すると、選択反射部30のオフ状態で光の入力成分51と透過成分52は同一の第1方向D1に入出力されうる。図3AでX軸とY軸は図1の第1光導波路10及び第2光導波路20の位置を表現するための座標軸である。図3bの横軸は正規化されたエネルギー値の変化を示し、縦軸は図1で第3方向D3への距離を示す。入射された光に対して透過成分52は入射された光と透過成分との重畳積分から計算することができる。第1方向D1に1として正規化された光パワーが入力されれば、再び第1方向D1に約0.9708程度の透過成分52が出力されうる。光は選択反射部30で約0.0292程度の反射成分53で損失が発生することができる。反射成分53は第2方向D2に出力されうる。入力成分51に対する透過成分52の割合は常用対数値に換算されるデシベルdBに変換することができる。したがって、光は選択反射部30のオフ状態での第1方向D1に約-0.12dBの損失値に透過されうる。図4A及び図4Bはそれぞれオン状態で光の透過成分と反射成分を重畳積分計算結果として示すグラフである。図4A及び図4Bを参照すると、オン状態で光の入力成分51は第1方向D1に入力され、反射成分53は前記第1方向D1に交差する第2方向D2に出力されうる。第1方向D1に1として正規化された光パワーが入力されれば、第2方向D2に約0.942程度の反射成分53が出力されうる。入射された光は選択反射部30で約0.058程度の損失が発生することができ、一部は透過成分52に出力されうる。また、透過成分52は設計変数の最適化を通じて第2方向D2に出力されうる。したがって、本発明の第1実施例に係る光スイッチ素子は温度によって屈折率が変わる熱光学ポリマーを含んだ選択反射部30を利用して光を透過させるか、または反射させることができる。このように構成された本発明の第1実施例に係る光スイッチ素子の製造方法を説明すれば、次の通りである。図5~図12は、本発明の第1実施例に係る光スイッチ素子の製造方法を順次に示す工程断面図である。図5を参照すると、基板70上に下部クラッド72及びコア層73を形成する。下部クラッド72及びコア層73は火炎可水分解方法flamehydrolysisdeposition、熱酸化膜形成thermaloxidation、または化学気相蒸着方法chemicalvapordepositionで形成されたシリカまたはシリコン酸化物を含むことができる。下部クラッド72及びコア層73は互いに異なる屈折率を有することができる。図6及び図1を参照すると、コア層73から第1光導波路10と第2光導波路20とをフォトリソグラフィ工程でパターニングする。第1光導波路20と第2光導波路30はそれぞれ第1多重モードコア12と第2多重モードコア22とを含むことができる。フォトリソグラフィ工程はコア層73を選択的に露出するフォトレジストパターンを形成するパターニング工程と、前記フォトレジストパターンによって露出するコア層73をエッチングする除去工程とを含むことができる。パターニング工程はコア層73上の全面にフォトレジストを塗布するスピンコーティング工程と、フォトレジストをフォトマスクに沿って紫外線に露光させる露光工程と、前記紫外線に露光したフォトレジストを現像する現像工程とを含むことができる。図7を参照すると、第1多重モードコア12及び第2多重モードコア22を覆う上部クラッド74を形成する。上部クラッド74は下部クラッド72と同様に、火炎加水分解方法、または化学気相蒸着方法で基板70の全面に形成されたシリカまたはシリコン酸化物を含むことができる。図8を参照すると、第1多重モードコア12及び第2多重モードコア22を貫通するトレンチ75を形成する。トレンチ75は下部クラッド72の上部面から底面まで形成することができる。縦方向のトレンチ75の両端は第1多重モードコア12接することができる。トレンチ75は第1多重モードコア12の外郭の上部クラッド74に接して配置することができる。トレンチ75はフォトリソグラフィ工程によって形成することができる。フォトリソグラフィ工程は第1多重モードコア12及び上部クラッド74を選択的に露出するフォトレジストパターンを形成するパターニング工程と、前記フォトレジストパターンによって露出する第1多重モードコア12をエッチングする除去工程とを含むことができる。上部クラッド74、第1多重モードコア12、及び下部クラッド72は乾式エッチング方法によって非等方的にエッチングすることができる。図9を参照すると、トレンチ75の底に下部クラッド72の上部表面レベルまで下部反射部31を形成する。下部反射部31はスピンコーティング方法及び乾式エッチング方法で形成された下部熱光学ポリマーを含むことができる。下部熱光学ポリマーは常温で下部クラッド72と同一の屈折率を有することができる。下部熱光学ポリマーはスピンコーティング方法によってトレンチ75内に充填されることができる。又は、下部熱光学ポリマーは上部クラッド74の全面に形成することができる。以後、乾式エッチング方法によって上部クラッド上の下部熱光学ポリマーを除去することができる。また、下部熱光学ポリマーはトレンチ75内で下部クラッド72と同一のレベルまで除去することができる。乾式エッチング方法はタイムエッチング方法を含むことができる。トレンチ75内で下部熱光学ポリマーの上部表面のレベルはアルファステッププロファイラprofilerによって確認することができる。図10を参照すると、下部反射部31上から第1多重モードコア12の上部表面レベルまでコア反射部32を形成する。コア反射部32はスピンコーティング方法及び乾式エッチング方法でトレンチ75内に形成されたコア熱光学ポリマーを含むことができる。コア熱光学ポリマーは常温で第1多重モードコア12と同一の屈折率を有することができる。コア熱光学ポリマーはスピンコーティング方法によってトレンチ75内に充填され、上部クラッド74の全面に形成することができる。コア熱光学ポリマーは乾式エッチング方法によって上部クラッド74の全面から除去され、トレンチ75内で第1多重モードコア12の上部表面と同一のレベルまで除去することができる。同様に、コア熱光学ポリマーの上部表面のレベルはアルファステッププロファイラによって確認することができる。図11を参照すると、トレンチ75内のコア反射部32上に上部反射部33を形成する。上部反射部33はスピンコーティング方法及び乾式エッチング方法でトレンチ75内に形成された上部熱光学ポリマーを含むことができる。上部熱光学ポリマーは常温で上部クラッド74と同一の屈折率を有することができる。上部熱光学ポリマーはスピンコーティング方法によってトレンチ75内に充填され、上部クラッド74の全面に形成することができる。上部熱光学ポリマーは乾式エッチング方法によって上部クラッド74の表面上で平坦に除去することができる。図12を参照すると、選択反射部30上にヒータ電極34を形成する。ヒータ電極34は抵抗金属を含むことができる。ヒータ電極34は抵抗金属の蒸着工程とフォトリソグラフィ工程により形成することができる。蒸着工程は選択反射部30及び上部クラッド74上の全面に抵抗金属を形成するe-ビーム蒸着方法e-beamevaporationdepositionまたは熱蒸着方法thermalevaporationdepositionを含むことができる。フォトリソグラフィ工程は抵抗金属を選択的に露出するフォトレジストパターンを形成するパターニング工程と、フォトレジストパターンによって露出する抵抗金属を除去する除去工程とを含むことができる。除去工程は湿式あるいは乾式エッチング方法を含むことができる。ヒータ電極34はフォトレジストパターンの下部で除去工程から除去されずに選択反射部30上に残存する抵抗金属を含むことができる。抵抗金属はニッケルとクロムの合金、チタン、金を含むことができる。したがって、本発明の第1実施例に係る光スイッチ素子の製造方法は第1多重モードコア12を貫通するトレンチ75内に熱光学ポリマーを含む選択反射部30と前記選択反射部30上に積層されるヒータ電極34とを形成することができる。図13は、本発明の第2実施例に係る光スイッチ素子を示す平面図であり、図14は、図13のI-I’線上を切断して示す断面図である。図13及び図14を参照すると、本発明の第2実施例に係る光スイッチ素子は、第1方向D1の第1光導波路10内で透過される光を電気光学効果electro-opticeffectで断続し、第2方向D2の第2光導波路20に選択的に反射するスイッチング部Sを含むことができる。スイッチング部Sは電場の大きさ及び方向によって屈折率が変わる選択反射部30、前記選択反射部30の上下で電場を印加する下部電極36及び上部電極34を含むことができる。選択反射部30は屈折率の変化によって光の臨界角を満足させることによって、第1光導波路10内で第1方向D1に進行される光をそのまま透過させるか、または第2方向D2の第2光導波路20に全反射させることができる。選択反射部30は入射された光を前記第1光導波路10の第1出力端Out1と、第2光導波路20の第2出力端Out2に対して選択的に出力させることができる。したがって、本発明の第2実施例に係る光スイッチ素子は第1光導波路10と第2光導波路20との間で電気光学効果によって可変する屈折率を有する選択反射部30を含むので、光経路の変更構造を簡単に設計することができる。選択反射部30は下部電極36及び上部電極34に印加される高周波電気信号radiofrequencyelectricalsignalによって第1光導波路10内で進行される光を第1方向D1と第2方向D2に高速スイッチングすることができる。第1光導波路10と第2光導波路20は基板70上の下部クラッド72と上部クラッド74との間に配置することができる。上部クラッド74は第1光導波路10及び第2光導波路20を取り囲むことができる。第1光導波路10と第2光導波路20は不純物がドーピングされたシリカまたはシリコン酸化物を含むことができる。下部クラッド72と上部クラッド74はシリカまたはシリコン酸化物を含むことができる。第1光導波路10は光が入出力される入力端IN及び第1出力端Out1を有する第1単一モードコア16と、前記第1単一モードコア16の間に配置された第1多重モードコア12と、前記第1多重モードコア12と前記第1単一モードコア16との間に接続される第1テーパリングコア14とを含むことができる。第2光導波路20は第1光導波路10の第1多重モードコア12に接続される第2多重モードコア22と、前記第2多重モードコア22で進行される光を第2出力端Out2に出力する第2単一モードコア26と、前記第2単一モードコア26と前記第2多重モードコア22との間に配置された第2テーパリングコア24とを含むことができる。第1光導波路10と第2光導波路20は実質的に同一の物質からなるので、図14で説明の便宜上、スイッチング部Sの左側を前記第1光導波路10の第1多重モードコア12に示し、右側を前記第2光導波路20の第2多重モードコア22に示す。スイッチング部Sは第1多重モードコア12及び第2多重モードコア22が接続される交差領域または接合領域に配置することができる。スイッチング部Sは第1方向D1と第2方向D2との間の第3方向D3に配置することができる。第1方向D1と第3方向D3が成す角、第2方向D2と第3方向D3が成す角は互いに対称的であり、且つ同一でありうる。したがって、スイッチング部Sは前記第1方向D1の第1多重モードコア12を横切る第3方向D3に配置することができる。スイッチング部Sは屈折率の変化によって光を第1光導波路10から第2光導波路20に選択的に反射する選択反射部30と、前記選択反射部30の上下で前記選択反射部30に電場を印加する下部電極36と上部電極34とを含むことができる。下部電極36と上部電極34は選択反射部30を電場で制御する制御部になることができる。下部電極36と上部電極34に交流成分の高周波電気信号を印加することができる。下部電極36と上部電極34は導電性が優れた金属を含むことができる。下部電極36は基板70と下部クラッド72の間に配置することができる。下部電極36は基板70上の全面に配置することができる。上部電極34と下部電極36はそれぞれ選択反射部30に接触するか、または離隔することができる。選択反射部30は電気光学ポリマーとして導電性を有しない。したがって、選択反射部30は上部電極34と下部電極36のそれぞれに電気的に接触されなくても良い。例えば、選択反射部30は第1多重モードコア12の下部面と下部電極36との間の下部クラッド72内での深さまで配置されうる。前記選択反射部30は前記下部クラッド72と同一の上部表面を有する下部反射部31と、前記下部反射部31上で前記第1光導波路10及び第2光導波路20と同一のレベルを有するコア反射部32と、前記コア反射部32上で前記上部クラッド74と同一の下部表面を有する上部反射部33とを含むことができる。下部反射部31と上部反射部33はそれぞれ下部クラッド72及び上部クラッド74と同一の屈折率を有することができる。また、コア反射部32は第1単一モードコア12と同一の屈折率を有することができる。コア反射部32は電場の方向及び大きさによって屈折率が変わることができる。コア反射部32は屈折率の変化によって第1多重モードコア12で第1方向D1に進行される光を透過させるか、または全反射させることができる。したがって、コア反射部32は下部電極36及び上部電極34で誘導される電場によって第1多重モードコア12で進行される光の経路を選択的に変更することができる。例えば、選択反射部30は電場の印加によって屈折率が減少する電気光学ポリマーを含むことができる。電気光学ポリマーは電場の方向及び大きさによって屈折率が早く変わる物質を含むことができる。電気光学ポリマーは誘電分極を有することができる。誘電分極は電気光学ポリマー内で一方向に配列することができる。したがって、電気光学ポリマーは電場が誘電分極に並んだ方向に印加されるか、または前記誘電分極に反対方向に印加される場合、屈折率が変わることができる。第1光導波路10と第2光導波路20とを構成するシリカまたはシリコン酸化物は電場によって屈折率がほとんど変化しない。電気光学ポリマーはシリカまたはシリコン酸化物と屈折率が同一であれば、光を透過させることができる。電気光学ポリマーはシリカまたはシリコン酸化物より屈折率が顕著に低ければ、光を全反射させることができる。電気光学ポリマーの屈折率が変わって光の入射角が臨界角に到達する時、光は全反射することができる。電気光学ポリマーは電場の強度が増加すれば、屈折率の変化が加速化することができる。例えば、電気光学ポリマーは下部反射部31と上部反射部33に対応する下部電気光学ポリマーと上部電気光学ポリマーとを含み、コア反射部32に対応するコア電気光学ポリマーを含むことができる。第1光導波路10と選択反射部30はそれぞれ第1方向D1と第3方向D3に配置することができる。光の入射角は第3方向D3に垂直な第4方向D4と第1方向D1が成す角度として固定することができる。選択反射部30は電気光学効果による屈折率の変化に対応して第1光導波路10で進行される光を全反射させることができる。すなわち、選択反射部30は第1方向D1の光をそのまま透過させるか、または光を第2方向D2に反射させることができる。選択反射部30は下部電極36と上部電極34との間に誘導される電場によって入射される光をスイッチングすることができる。したがって、本発明の第2実施例に係る光スイッチング素子は上部電極34と下部電極36に印加される高周波電気信号によって選択反射部30で光の透過及び全反射を高速スイッチングすることができる。このように構成された本発明の第2実施例に係る光スイッチ素子の製造方法を説明すれば次の通りである。図15~図25は、本発明の第2実施例に係る光スイッチ素子の製造方法を順次に示す工程断面図である。図15を参照すると、基板70上に下部電極36を形成する。下部電極36は導電性が高い金属層を含むことができる。下部電極36は金属層の蒸着工程で基板70の全面に形成することができる。金属層は基板70の全面にe-ビーム蒸着方法e-beamevaporationdepositionまたは熱蒸着方法thermalevaporationdepositionで蒸着することができる。図16を参照すると、下部電極36を含む基板70の全面に下部クラッド72及びコア層73を形成する。下部クラッド72は火炎加水分解蒸着方法、熱酸化膜形成方法または化学気相蒸着方法で形成されたシリカまたはシリコン酸化物を含むことができる。下部クラッド72及びコア層73は屈折率が互いに異なることができる。図17及び図13を参照すると、コア層73から第1光導波路10と第2光導波路20をフォトリソグラフィ工程でパターニングする。第1光導波路20と第2光導波路30はそれぞれ第1多重モードコア12と第2多重モードコア22とを含むことができる。フォトリソグラフィ工程はコア層73を選択的に露出するフォトレジストパターンを形成するパターニング工程と、前記フォトレジストパターンによって露出するコア層73をエッチングする除去工程とを含むことができる。パターニング工程はコア層73上の全面にフォトレジストを塗布するスピンコーティング工程と、フォトレジストをフォトマスクに沿って紫外線に露光させる露光工程と、前記紫外線に露光されたフォトレジストを現像する現像工程とを含むことができる。図18を参照すると、第1多重モードコア12及び第2多重モードコア22を覆う上部クラッド74を形成する。上部クラッド74は下部クラッド72と同様に、火炎加水分解蒸着方法、または化学気相蒸着方法で基板70の全面に形成されたシリカまたはシリコン酸化物を含むことができる。図19を参照すると、第1多重モードコア12及び第2多重モードコア22を貫通するトレンチ75を形成する。トレンチ75は下部クラッド72の上部面から底面まで形成することができる。縦方向のトレンチ75の両端は第1多重モードコア12隣接することができる。トレンチ75は第1多重モードコア12の外郭の上部クラッド74に接して配置することができる。トレンチ75はフォトリソグラフィ工程によって形成することができる。フォトリソグラフィ工程は第1多重モードコア12及び上部クラッド74を選択的に露出するフォトレジストパターンを形成するパターニング工程と、前記フォトレジストパターンによって露出する第1多重モードコア12をエッチングする除去工程とを含むことができる。上部クラッド74、第1多重モードコア12、及び下部クラッド72は乾式エッチング方法によって非等方的にエッチングすることができる。図20を参照すると、トレンチ75の底から下部クラッド72上部表面のレベルまで下部反射部31を形成する。下部反射部31はスピンコーティング方法及び乾式エッチング方法で形成された下部電気光学ポリマーを含むことができる。下部電気光学ポリマーは常温で下部クラッド72と同一の屈折率を有することができる。下部電気光学ポリマーはスピンコーティング方法によってトレンチ75内に充填されることができる。又は、下部電気光学ポリマーは上部のクラッド74の全面に形成することができる。以後、下部電気光学ポリマーは乾式エッチング方法によって上部クラッド上から除去することができる。また、下部電気光学ポリマーはトレンチ75内で下部クラッド72と同一のレベルまで除去することができる。トレンチ75内で下部電気光学ポリマーの上部表面のレベルはアルファステッププロファイラによって確認することができる。図21を参照すると、下部反射部31上から第1多重モードコア12の上部表面レベルまでコア反射部32を形成する。コア反射部32はスピンコーティング方法及び乾式エッチング方法でトレンチ75内に形成されたコア電気光学ポリマーを含むことができる。コア電気光学ポリマーはスピンコーティング方法によってトレンチ75内に充填され、上部クラッド74の全面に形成することができる。コア電気光学ポリマーは乾式エッチング方法によって上部クラッド74の全面から除去され、トレンチ75内で第1多重モードコア12の上部表面と同一のレベルまで除去することができる。同様に、コア電気光学ポリマーの上部表面のレベルはアルファステッププロファイラによって確認することができる。図22を参照すると、トレンチ75内のコア反射部32上に上部反射部33を形成する。上部反射部33はスピンコーティング方法及び乾式エッチング方法でトレンチ75内に形成された上部電気光学ポリマーを含むことができる。上部電気光学ポリマーはスピンコーティング方法によってトレンチ75内に充填され、上部クラッド74の全面に形成することができる。上部電気光学ポリマーは乾式エッチング方法によって上部クラッド74の表面上で平坦に除去することができる。図23を参照すると、選択反射部30の電気光学ポリマーで誘電分極を一方向に整列する。誘電分極39は電気的に絶縁性を有する誘電体に誘導電場40が印加されれば、電気的に極性を帯びた分子が全体的に前記誘導電場40と反対方向に整列され、前記誘電体が一定の方向に分極される現象と定義することができる。したがって、選択反射部30はポーリングpolling電極44と下部電極36との間に生成される誘導電場40によって物質内で整列される誘電分極39を有することができる。誘電分極39は図23の以外には示さないが、他の図でも選択反射部30内に存在することができる。ポーリング電極44は上部クラッド74上で離隔して配置することができる。ポーリング電極44と下部電極36には直流成分の高電圧を印加することができる。図24を参照すると、選択反射部30上に上部電極34を形成する。上部電極34は導電性が高い金属層を含むことができる。上部電極34は下部電極36と同様に、金属層の蒸着工程とフォトリソグラフィ工程によって形成することができる。したがって、本発明の第2実施例に係る光スイッチ素子の製造方法は下部電極36と上部電極34との間で第1多重モードコア12を貫通するトレンチ75内に選択反射部30を形成することができる。図25は、本発明の第3実施例に係る光スイッチ素子を示す平面図である。図25を参照すると、第3実施例に係る光スイッチ素子は、第1方向D1に配置される第1光導波路10に第2方向D2に接続される複数の第2光道破路20が分岐される毎に、第3方向D3に配置された複数のスイッチング部S1~S7を含むことができる。したがって、本発明の第3実施例に係る光スイッチ素子は、第1光導波路10に2光導波路20が接続される毎に複数のスイッチング部S1~S7を第3方向D3に配置することができるので、光経路の変更構造が簡単になることができる。第1光導波路10は光が入出力される入力端INと第1出力端Out1に延長される第1単一モードコア16及び第1テーパリングコア14間で複数の第2光道破路20が分岐される第1多重モードコア12を含むことができる。入力端INと第1出力端Out1は第1多重モードコア12の両側に第1方向D1に配置された第1単一モードコア16に対応することができる。第1多重モードコア12は第1単一モードコア16と第1テーパリングコア14との間で入出力される光を第1方向D1に進行させることができる。第1多重モードコア12は複数のスイッチング部S1~S7で光を第1方向D1に進行させることができる。また、第1多重モードコア12は複数のスイッチング部S1~S7で全反射される光を第2多重モードコア22に伝達することができる。複数のスイッチング部S1~S7は第1多重モードコア12内でそれぞれ第1方向D1に離隔して配置することができる。複数のスイッチング部S1~S7は本発明の第1及び第2実施例で説明したように、光を第1光導波路10から第2光道破路20に選択的に反射する選択反射部と、前記選択反射部を温度または電場で制御する制御部とを含むことができる。第2光道破路20は第1多重モードコア12に接続される第2多重モードコア22と、前記第1多重モードコア12に対向する前記第2多重モードコア22の他端に接続される第2テーパリングコア24と、前記第2テーパリングコア24から延長される第2単一モードコア26とを含むことができる。第2多重モードコア22と第2テーパリングコア24は全部第2方向D2に配置することができる。第2単一モードコア26は第2テーパリングコア24から第2方向D2に延長することができる。また、第2単一モードコア26は第2方向D2から第1方向D1に方向変更が可能である。第2単一モードコア26は曲線損失が発生しない曲率に方向変更が可能である。第2単一モードコア26は第2~第8出力端Out2~Out8に光を出力することができる。出力端Out1~Out8はスイッチング部S1~S7の個数より1つがさらに多いことがある。図25における出力端Out1~Out8は理解を助けるために、1X8個を示し、出力端Out1~Out8の番号は下方向に対して順次に示した。本発明はここに限定されず、他の形態の1XN個の出力端を有する光スイッチ素子に実現することができる。第1光導波路10に入力された光は動作されるスイッチング部S1~S7の手順によって出力されうる。例えば、第2スイッチング部S2が動作されれば、光は第7出力端Out7に出力されうる。第1光導波路10の入力端INに入力された光は複数のスイッチング部S1~S7が全部動作されない場合、第1出力端Out1に出力されうる。したがって、本発明の第3実施例に係る光スイッチング素子は、1つの第1光導波路10にN個の第2光道破路20が接続される分岐点毎に配置される1XN個のスイッチング部Sを含むことができる。図26は、本発明の第4実施例に係る光スイッチ素子を示す平面図である。図26を参照すると、第4実施例に係る光スイッチ素子は、第1方向D1に平行なM個の第1光道破路10と、第2方向D2に平行なN個の第2光道破路20によって定義されるマトリックスmatrixの各ノードで第3方向D3に配置されたMXN個数のスイッチング部S11~SMNを含むことができる。したがって、本発明の第4実施例に係る光スイッチ素子は複数の第1光導波路10と第2光道破路20が交差する毎にそれぞれ第3方向D3にスイッチング部S11~SMNを配置することができるので、光経路の変更構造が簡単になることができる。複数の第1光道破路10は第1方向D1に平行に配置される第1多重モードコア12を含むことができる。複数の第2光道破路20は第1方向D1と交差する第2方向D2に平行に配置された第2多重モードコア22を含むことができる。複数の第1多重モードコア12と第2多重モードコア22はマトリックス状に配置することができる。複数のスイッチング部S11~SMNはマトリックス内で複数の第1多重モードコア12と第2多重モードコア22が交差するそれぞれのノードごとに配置することができる。複数のスイッチング部S11~SMNは第3方向D3に配置することができる。複数のスイッチング部S11~SMNは第1多重モードコア12と第2多重モードコア22とを横切ることができる。複数のスイッチング部S11~SMNは第1及び第2実施例で説明したように、光を第1光導波路10から第2光道破路20に選択的に反射する選択反射部と、前記選択反射部を温度または電場で制御する制御部とを含むことができる。複数の第1光道破路10は第1多重モードコア12で第1方向D1に接続された第1テーパリングコア14と、第1単一モードコア16とを含むことができる。第1光道破路10の第1単一モードコア16は第3方向D3に配置することができる。第1単一モードコア16は第3方向D3から第1方向D1に方向変更が可能である。第1単一モードコア16は曲線損失が発生されない曲率に方向変更が可能である。複数の第2光道破路20は第2多重モードコア22で第2方向D2に接続された第2テーパリングコア24と第2単一モードコア26とを含むことができる。第2光道破路20の第2単一モードコアは第3方向D3に配置することができる。同様に、第2単一モードコア26は曲線損失が発生されない曲率に第2方向D2から第3方向D3に方向変更が可能である。第1単一モードコア16は入力端In1~InMから延長することができる。第2単一モードコア26は出力端Out1~OutNに延長することができる。スイッチング部S11~SMNは入力端In1~InMと出力端Out1~OutNの積に対応する個数を有することができる。図26では、理解を助けるために、第1多重モードコア12の手順によって先ず1からM番まで番号が付くし、第2多重モードコア22の手順によって、N番まで番号が付けられたMXN個のスイッチング部S11~SMNを示した。本発明はここに限定されず、マトリックス内で他の形態の順番を有する光スイッチ素子に実現することもできる。入力端In1~InMから入力される光は次のように複数のスイッチング部S11~SMNの動作によって出力端Out1~OutNに出力されうる。第1光道破路10に入力された光は該当の第1光道破路10に配置された少なくとも1つのスイッチング部S11~SMNの動作によって出力が決められる。また、光は動作されるスイッチング部S11~SMNのうちの1つに接続された第2光導波路20を通じて出力されうる。例えば、第23スイッチング部S23が動作されれば、第2入力端In2から入力された光は第2出力端Out2に出力されうる。より具体的に、第2入力端In2に接続された2番目の第1光導波路10を通じて入力された光は第23スイッチング部S23で2番目の第2光導波路20に反射した後第2出力端Out2に出力されうる。ここで、2番目の第1光導波路10を共有した複数のスイッチング部S21、S22、S23、、S2Mは第2入力端IN2からの距離に対応する手順によって光をスイッチングする有効権限を有することができる。光は第23スイッチング部S23が先ず動作されれば、第2Nスイッチング部S2Nが動作されても2番目の第2光導波路20を通じて第2出力端Out2に出力されうる。この時、第22スイッチング部S22が同時に動作されれば、3番目の第2光導波路20を通じて第3出力端Out3に先ず出力すされうる。したがって、本発明の第4実施例に係る光スイッチング素子はM個の第1光道破路10と、N個の第2光道破路20によって定義されるマトリックスのノードごとに配置されるMXN個のスイッチング部S11~SMNを含むことができる。図27は、本発明の第5実施例に係る光スイッチ素子を示す平面図である。図27を参照すると、第5実施例に係る光スイッチ素子は、第1方向D1に配置された複数の第1光道破路10の間で第2方向D2と第3方向D3に互いに交差するcrossed複数の第2光道破路20が前記第1光道破路10と接続される毎に、第4方向D4と第5方向D5に配置された2X2個数のスイッチング部S11、S12、S21、S22を含むことができる。第11及び第22スイッチング部S11、S22は複数の第1光道破路10に第2方向D2に第2光道破路20が接続される毎に第4方向D4に平行に配置することができる。また、第12及び第21スイッチング部S12、S21は複数の第1光道破路10に第3方向D3に第2光道破路20が接続される毎に第5方向D5に平行に配置することができる。したがって、本発明の第5実施例に係る光スイッチ素子は、複数の第1光道破路10の間に少なくとも1つの第2光道破路20が接続される毎に、一対の第11及び第22スイッチング部S11、S22または第12及び第21スイッチング部S12、S21を平行に配置することができるので、光経路の変更構造が簡単になることができる。複数の第1光道破路10は第1方向D1に互いに平行に配置することができる。複数の第1光道破路10は第1及び第2入力端In1、In2と第1及び第2出力端Out1、Out2に延長することができる。複数の第1光道破路10は第1及び第2入力端In1、In2と第1及び第2出力端Out1、Out2に延長される第1単一モードコア16と、第1テーパリングコア14と、前記第1テーパリングコア14の間で第2光道破路20が接続される第1多重モードコア12とを含むことができる。第1多重モードコア12はスイッチング部S11、S12、S21、S22で透過される光を第1方向D1に進行させることができる。第1多重モードコア12は第11及び第21スイッチング部S11、S21で第2及び第3方向D3に全反射される光を第2光道破路20に伝達することができる。また、第1多重モードコア12は第12及び22スイッチング部S12、S22で全反射される光を第1方向D1に進行させることができる。複数の第2光道破路20は第2多重モードコアを含むことができる。複数の第2光道破路20は複数の第1多重モードコア12の間でそれぞれ第2方向D2と第3方向D3に配置することができる。複数の第2光道破路20は第1多重モードコア12の間で交差することができる。複数の第2光道破路20は交差領域で光の干渉なしに第2方向D2と第3方向D3に進行させることができる。交差する部分で進行される光の損失及び干渉を最小化するために、交差角度を増加させることができる。複数のスイッチング部S11、S12、S21、S22は第1多重モードコア12内でそれぞれ第1方向D1に離隔して配置することができる。1番目の第1光導波路10に配置された第11及び第12スイッチング部S11、S12はそれぞれ第2光道破路20に接続され、第1方向D1に離隔することができる。同様に、2番目の第1光導波路10に配置された第21及び第22スイッチング部S21、S22はそれぞれ第2光道破路20に接続され、第1方向D1に離隔することができる。複数のスイッチング部S11、S12、S21、S22は本発明の第1及び第2実施例で説明したように、光を選択的に反射する選択反射部と、前記選択反射部を温度または電場で制御する制御部とを含むことができる。図27において、理解を助けるために、入力端In1、In2と出力端Out1、Out2はそれぞれ2つずつに示し、スイッチング部S11、S12、S21、S22は2X2個を示し、スイッチング部S11、S12、S21、S22の番号は第1多重モードコア12の手順と入力端IN1、IN2から近い手順に付けした。本発明はここに限定されず、入力端と出力端の増加によって他の形態の2XN、NX2、NXN個のスイッチング部を有する光スイッチ素子に実現することができる。複数のスイッチング部S11、S12、S21、S22は互いに連動されて動作することができる。例えば、第11スイッチング部S11が動作すれば、第22スイッチング部S22も動作することができる。第1入力端IN1から入力された光は第11スイッチング部S11の動作によって第2光導波路20に沿って進行され、第22スイッチング部S22の動作によって第2出力端Out2に出力されうる。第1入力端IN1から入力された光は第11スイッチング部S11が動作しなければ、第12スイッチング部S12を通過して第1出力端Out1に出力されうる。同様に、第21及び第12スイッチング部S21、S12も動作が連動されうる。したがって、本発明の第5実施例に係る光スイッチング素子は複数の第1光導波路10間で複数の第2光道破路20が交差する毎に、前記第1光道破路10でそれぞれ互いに異なる方向に配置された2X2、2XN、NX2、NXN個数のスイッチング部を含むことができる。以上、添付の図面を参照して本発明の実施例を説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を持つ者は本発明の技術的思想や必須な特徴を変更しなくても他の具体的な形態に実施することができることを理解することができる。したがって、上述の実施例にはすべての面で例示的であり、限定的ではないと理解しなければならない。