胴体と、前記胴体の上に突出パターンを有する第1電極と、前記胴体の上に前記第1電極と電気的に分離された第2電極と、前記突出パターンを含む第1電極の上の接合層と、前記接合層の上の発光素子と、を含むことを特徴とする、発光装置。前記接合層はAu-Snを含む金属で形成され、前記突出パターンはAuを含む金属で形成されることを特徴とする、請求項1に記載の発光装置。前記突出パターンの上面及び側面は前記接合層により囲まれて配置されることを特徴とする、請求項1に記載の発光装置。前記胴体はシリコン材質で形成され、前記胴体の上面には前記発光素子が設置されるキャビティが形成されたことを特徴とする、請求項1に記載の発光装置。前記発光素子は、第1導電型の半導体層、活性層、及び第2導電型の半導体層を含む発光構造層が形成され、前記発光構造層の下に前記接合層と接する伝導性支持基板と、前記発光構造層の上に前記第2電極と連結される電極を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光装置。前記胴体と前記第1電極及び第2電極との間に絶縁層を含み、前記絶縁層はシリコン酸化膜であることを特徴とする、請求項1に記載の発光装置。前記第1電極と前記接合層とはギャップ無しで密着されていることを特徴とする、請求項1に記載の発光装置。前記胴体の上に絶縁層を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光装置。前記胴体の下に基板をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光装置。胴体と、前記胴体の上に形成された、第1電極及び前記第1電極と分離された第2電極と、前記第1電極の上の突出パターンと、前記第1電極及び前記突出パターンの上の発光素子と、を含むことを特徴とする、発光装置。前記突出パターンはAu-Snを含む金属で形成され、前記第1電極はAuを含む金属で形成されることを特徴とする、請求項10に記載の発光装置。前記突出パターンの下面及び側面は、前記第1電極により囲まれて配置されていることを特徴とする、請求項10に記載の発光装置。前記第1電極の一部は、前記発光素子と直接接触していることを特徴とする、請求項10に記載の発光装置。前記胴体はシリコン材質で形成され、前記胴体の上面には前記発光素子が設置されるキャビティが形成されたことを特徴とする、請求項10に記載の発光装置。前記発光素子は、第1導電型の半導体層、活性層、及び第2導電型の半導体層を含む発光構造層が形成され、前記発光構造層の下に前記突出パターン及び第1電極と接する伝導性支持基板と、前記発光構造層の上にワイヤを介して前記第2電極と連結される電極を含むことを特徴とする、請求項10に記載の発光装置。前記突出パターン及び発光素子と前記第1電極はギャップ無しで密着されていることを特徴とする、請求項10に記載の発光装置。本発明は、新たな構造の発光装置及び照明システムを提供することを目的とする。本発明は、熱抵抗が低下した発光装置及び照明システムを提供することを目的とする。本発明による発光装置は、胴体、上記胴体の上に突出パターンを有する第1電極、上記胴体の上に上記第1電極と電気的に分離された第2電極、上記突出パターンを含む第1電極の上の接合層、及び上記接合層の上の発光素子を含む。本発明による発光装置は、胴体、上記胴体の上に形成された第1電極及び上記第1電極と分離された第2電極、上記第1電極の上の突出パターン、及び上記第1電極及び上記突出パターンの上の発光素子を含む。本発明によると、新たな構造を有し、熱抵抗が低下した発光装置及び照明システムを得ることができる。本発明を説明するに当たって、各層膜、領域、パターン、または構造物が、基板、各層膜、領域、パッド、またはパターンの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の層を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各層の厚さやサイズは説明の便宜及び明確性のために誇張、省略、または概略的に図示された。また、各構成要素のサイズは実際のサイズを全的に反映するのではない。以下、添付した図面を参照しながら本発明の実施形態による発光装置及び照明システムについて詳細に説明する。図1は、本発明の実施形態による発光装置を説明する断面図である。図1を参照すると、発光装置200は、胴体1、上記胴体1の表面に形成された絶縁層2、上記絶縁層2の表面に形成された第1電極3及び第2電極4、及び上記第1電極3及び第2電極4と電気的に連結され、上記胴体1の上側に設置される発光素子5を含む。また、上記胴体1の下には上記第1電極3及び第2電極4と電気的に連結される基板図6及び図7の符号300をさらに配置することもできる。上記胴体1は、電気伝導性物質または電気絶縁性物質で形成することができ、例えば、金属やセラミック材質で形成することもできる。実施形態において、上記胴体1はシリコン材質で形成されたものが例示される。上記胴体1はキャビティ6が形成されているので、上記胴体1の上面には底面と側面が形成される。上記側面は傾斜面に形成することもできる。上記絶縁層2は絶縁物質で形成され、例えばSiO2、SiNx、Al2O3のうち、少なくともいずれか1つで形成することができる。上記絶縁層2は、上記胴体1の上面、側面、及び下面に形成することができ、上記胴体1を通じて電流が漏洩することを防止することができる。例えば、上記絶縁層2は、上記胴体1を酸化させた酸化膜で形成される。他の実施形態として、図8に示すように、上記絶縁層2は形成されないこともあり、上記第1電極3及び第2電極4は、上記胴体1の真上に形成することもできる。上記第1電極3及び第2電極4は、互いに電気的に分離されて形成され、上記発光素子5に電気的に連結される。上記第1電極3及び第2電極4は上記胴体1の上に形成され、側面及び下面に延びて形成される。また、上記第1電極3及び第2電極4は上記胴体1を貫通して上記胴体1の下面に延びることもできる。上記発光素子5は、上記胴体1のキャビティ6の内に設置することもできる。例えば、上記発光素子5は、上記絶縁層2の上に設置されて、上記第1電極3及び第2電極4と上記ワイヤ7を介して電気的に連結される。また、上記発光素子5は、上記第1電極3または第2電極4の上に設置されて、上記第1電極3及び第2電極4と上記ワイヤ7を介して電気的に連結される。また、上記発光素子5は、上記第1電極3及び第2電極4のうち、いずれか1つの上に設置されて直接電気的に連結され、上記第1電極3及び第2電極4のうち、他の1つと上記ワイヤ7を介して電気的に連結される。実施形態において、上記第1電極3及び第2電極4は、上記発光素子5に電源を提供する役割をするだけでなく、上記発光素子5から放出された光を反射させて光効率を増加させる役割をする。また、実施形態において、上記第1電極3は上記発光素子5で発生した熱を外部に容易に放出できるようにするヒートシンクの役割も行うことができる。上記キャビティ6には上記発光素子5及びワイヤ7を保護するための充填材8が形成される。上記充填材8の上面は、凹形状、凸形状、平らな形状など、多様な形態に形成され、上記充填材8の形態によって上記発光素子5から放出された光の指向角が変化する。また、上記充填材8には蛍光体が含まれうる。上記蛍光体は、上記発光素子5から放出された光の色を変換させることができる。一方、上記発光素子5及び上記第1電極3は、ペーストボンディングPastebonding方式または共融ボンディングEutecticbonding方式により結合される。上記ペーストボンディング方式は、ペーストの熱伝達効率が低いので、上記共融ボンディング方式に比べて熱放出効率が低下する。したがって、実施形態による発光装置200は、共融ボンディング方式により上記発光素子5と上記第1電極3とを接合し、熱伝達効率を向上させるために共融接合層と上記第1電極3との接触面積を広める。図2は、本発明の実施形態による発光装置における発光素子の例を示す図である。実施形態による発光素子5は、成長基板51の上にアンドープド半導体層52、上記アンドープド半導体層52の上に第1導電型の半導体層53、活性層55、及び第2導電型の半導体層57を含む発光構造層が形成され、上記第1導電型の半導体層53の上に第1電極層60が形成され、上記第2導電型の半導体層57の上に第2電極層70が形成される。また、上記第1導電型の半導体層53と上記活性層55との間には第1導電型のInGaN/GaN超格子構造またはInGaN/InGaN超格子構造54を形成することもできる。また、上記第2導電型の半導体層57と上記活性層55との間には第2導電型のAlGaN層56を形成することもできる。上記成長基板51は、例えば、サファイア基板Al2O3、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Geのうち、少なくとも1つで形成され、これに対して限定されない。上記成長基板51は上記発光構造層が成長され、例えば、上記サファイア基板を使用することもできる。上記成長基板51には複数の突出パターン51aが形成され、上記突出パターン51aは上記活性層55から放出された光を散乱させて光効率を増加させることができる。例えば、上記突出パターン51aは、半球形状、多角形形状、三角錐形状、ナノ柱形状のうち、いずれか1つの形状に形成することもできる。上記アンドープド半導体層52は、意図的に第1導電型のドーパントを注入したのではないが、第1導電型の伝導特性を有することもできる窒化物層であり、例えば、上記アンドープド半導体層52は、UndopedGaN層から形成することもできる。上記アンドープド半導体層52と上記成長基板51との間にバッファ層図示せずを形成することもできる。また、上記アンドープド半導体層52は必ず形成されなければならないものではないし、形成されないこともある。上記第1導電型の半導体層53は、例えば、n型半導体層を含むことができる。上記第1導電型の半導体層53は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えばInAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN、InNなどから選択され、Si、Ge、Snなどのn型ドーパントがドーピングされる。上記活性層55は、上記第1導電型の半導体層53を通じて注入される電子または、正孔と上記第2導電型の半導体層57を通じて注入される正孔または、電子が出会い、上記活性層55の形成物質に従うエネルギーバンドEnergyBandのバンドギャップBandGapの差によって光を放出する層である。上記活性層55は、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造MQW:MultiQuantumWell、量子点構造、または量子線構造のうち、いずれか1つで形成されるが、これに限定されるものではない。上記活性層55は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料から形成される。上記活性層55が上記多重量子井戸構造から形成された場合、上記活性層55は複数の井戸層と複数の障壁層が積層されて形成され、例えば、InGaN井戸層/GaN障壁層の周期で形成される。上記活性層55の上及び/または下にはn型またはp型ドーパントがドーピングされたクラッド層図示せずを形成することもでき、上記クラッド層図示せずはAlGaN層またはInAlGaN層で具現できる。上記第2導電型の半導体層57は、例えば、p型半導体層で具現できる。上記第2導電型の半導体層57は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えばInAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN、InNなどから選択することができ、Mg、Zn、Ca、Sr、Baなどのp型ドーパントがドーピングされる。上記第2導電型の半導体層57の上にはオーミック接触層58を形成することもできる。上記オーミック接触層58は、上記第2導電型の半導体層57とオーミック接触をする物質で形成され、例えば、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni、Ag、Ni/IrOx/Au、またはNi/IrOx/Au/ITOのうちの1つ以上を用いて単層または多層で具現できる。一方、上記第1導電型の半導体層53がp型半導体層を含み、上記第2導電型の半導体層57がn型半導体層を含むこともできる。また、上記第2導電型の半導体層57の上にはn型またはp型半導体層を含む第3導電型の半導体層図示せずを形成することもでき、これによって、上記発光構造層は、np、pn、npn、pnp接合構造のうち、少なくともいずれか1つを有することができる。また、上記第1導電型の半導体層53及び上記第2導電型の半導体層57の内のドーパントのドーピング濃度は均一または不均一に形成される。即ち、上記発光構造層の構造は多様に形成され、これに対して限定されない。上記第1電極層60は上記第1導電型の半導体層53の上に配置され、上記第2電極層70は上記第2導電型の半導体層57の上に配置されて、それぞれ上記活性層55に電源を提供する。上記第1電極層60及び第2電極層70はそれぞれ上記ワイヤ7を介して上記第1電極3及び第2電極4と電気的に連結される。上記発光素子5は450nm乃至480nm帯域の波長領域、好ましくは465nmの波長領域で中心波長を有し、半値幅が15~40nmの青色光を放出するGaN基盤の発光ダイオードとなることができる。図3は、本発明の実施形態による発光装置における発光素子の他の例を示す図である。図3に図示された発光素子を説明するに当たって、図2に図示された発光素子と重複する説明は省略する。図3を参照すると、発光素子5は、伝導性支持基板75と、上記伝導性支持基板75の上に第1導電型の半導体層53、活性層55、及び第2導電型の半導体層57を含む発光構造層と、上記第1導電型の半導体層53の上に形成される電極層65と、を含むことができる。また、上記第1導電型の半導体層53と上記活性層55との間には第1導電型のInGaN/GaN超格子構造、またはInGaN/InGaN超格子構造54を形成することもできる。また、上記第2導電型の半導体層57と上記活性層55との間には第2導電型のAlGaN層56を形成することもできる。また、上記第1導電型の半導体層53には、柱またはホール形態の光抽出構造53aを形成することができ、上記光抽出構造53aは上記活性層55から放出された光が効果的に外部に抽出できるようにする。上記光抽出構造53aは、ケミカルエッチングのようなケミカル処理を通じて上記第1導電型の半導体層53の上面にラフネスの形態凹凸形状で形成される。例えば、上記光抽出構造53aは、半球形状、多角形形状、三角錐形状、ナノ柱形状のうち、いずれか1つの形状に形成することができ、上記光抽出構造53aは光結晶photoniccrystalに形成することもできる。上記伝導性支持基板75は上記発光構造層を支持し、上記電極層65と共に上記発光構造層に電源を提供することができる。上記伝導性支持基板75は、支持層75c、オーミック接触層75a、上記支持層75cとオーミック接触層75aとの間に接合層75bを含むことができる。上記支持層75cは、Cu、Ni、Mo、Al、Au、Nb、W、Ti、Cr、Ta、Pd、Pt、Si、Ge、GaAs、ZnO、SiCのうち、少なくともいずれか1つを含むことができる。また、上記オーミック接触層75aは、AgまたはAlを含む金属で形成されて、上記第2導電型の半導体層57とオーミック接触を行う機能と反射層の機能もすることができる。または、上記オーミック接触層75aはオーミック接触のための層と反射のための層が別途に備えられることもできる。例えば、上記オーミック接触のための層は上記第2導電型の半導体層57とオーミック接触をする物質で形成され、例えば、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni、Ag、Ni/IrOx/Au、またはNi/IrOx/Au/ITOのうち、1つ以上を用いて単層または多層で具現できる。上記接合層75bは、Cu、Ni、Ag、Mo、Al、Au、Nb、W、Ti、Cr、Ta、Al、Pd、Pt、Si、Al-Si、Ag-Cd、Au-Sb、Al-Zn、Al-Mg、Al-Ge、Pd-Pb、Ag-Sb、Au-In、Al-Cu-Si、Ag-Cd-Cu、Cu-Sb、Cd-Cu、Al-Si-Cu、Ag-Cu、Ag-Zn、Ag-Cu-Zn、Ag-Cd-Cu-Zn、Au-Si、Au-Ge、Au-Ni、Au-Cu、Au-Ag-Cu、Cu-Cu2O、Cu-Zn、Cu-P、Ni-P、Ni-Mn-Pd、Ni-P、Pd-Niのうち、いずれか1つまたは2つ以上を含む層から形成することもできる。上記発光構造層は、複数のIII族乃至V族元素の化合物半導体層を含むことができる。上記発光構造層の上面及び側面にはパッシベーション層80を形成することもできる。上記第1導電型の半導体層53は、例えば、n型半導体層を含むことができる。上記第1導電型の半導体層53は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えばInAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN、InNなどから選択され、Si、Ge、Snなどのn型ドーパントがドーピングされる。上記活性層55は、上記第1導電型の半導体層53を通じて注入される電子または、正孔と上記第2導電型の半導体層57を通じて注入される正孔または、電子とが互いに会って、上記活性層55の形成物質に従うエネルギーバンドEnergyBandのバンドギャップBandGapの差によって光を放出する層である。上記活性層55は、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造MQW:MultiQuantumWell、量子点構造、または量子線構造のうち、いずれか1つで形成されるが、これに限定されるものではない。上記活性層55は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料から形成される。上記活性層55が上記多重量子井戸構造から形成された場合、上記活性層55は複数の井戸層と複数の障壁層とが積層されて形成され、例えば、InGaN井戸層/GaN障壁層の周期で形成される。上記活性層55の上及び/または下にはn型またはp型ドーパントがドーピングされたクラッド層図示せずを形成することもでき、上記クラッド層図示せずはAlGaN層またはInAlGaN層で具現できる。上記第2導電型の半導体層57は、例えば、p型半導体層で具現できる。上記第2導電型の半導体層57は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えばInAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN、InNなどから選択され、Mg、Zn、Ca、Sr、Baなどのp型ドーパントがドーピングされる。一方、上記第1導電型の半導体層53がp型半導体層を含み、上記第2導電型の半導体層57がn型半導体層を含むこともできる。また、上記第2導電型の半導体層57と上記伝導性支持基板75との間にはn型またはp型半導体層を含む第3導電型の半導体層図示せずを形成することもでき、これによって、上記発光構造層はnp、pn、npn、pnp接合構造のうち、少なくともいずれか1つを有することができる。また、上記第1導電型の半導体層53及び上記第2導電型の半導体層57の内のドーパントのドーピング濃度は均一または不均一に形成される。即ち、上記発光構造層の構造は多様に形成され、これに対して限定されない。また、上記第2導電型の半導体層57と上記伝導性支持基板75との間には上記電極層65と少なくとも一部分がオーバーラップされる位置に電流遮断領域図示せずが形成され、上記電流遮断領域は上記伝導性支持基板75より電気電導度の低い物質または電気絶縁性物質で形成されるか、上記第2導電型の半導体層57にプラズマダメージを加えて形成される。上記電流遮断領域は電流が広く広まって流れるようにして上記活性層55の光効率を増加させることができる。上記電極層65は上記ワイヤ7を介して上記第2電極4と電気的に連結され、上記伝導性支持基板75は上記第1電極3と接触して電気的に連結される。上記発光素子5は450nm~480nm帯域の波長領域、好ましく465nmの波長領域で中心波長を有し、半値幅が15~40nmの青色光を放出するGaN基盤の発光ダイオードとなることができる。図4は、本発明の第1実施形態による発光装置における発光素子と第1電極との接合領域を拡大した図である。図4を参照すると、第1実施形態による発光装置200は上記第1電極3の上面に突出パターン31を含み、上記突出パターン31を含む第1電極3の上面に接合層9が形成される。そして、上記接合層9の上に上記発光素子5が配置される。例えば、上記発光素子5の伝導性支持基板70または成長基板51は上記接合層9に接することができる。上記突出パターン31は、上記発光素子5が配置される領域に上記発光素子5と垂直方向にオーバーラップするように配置される。上記突出パターン31は、上記第1電極3の上面に一定周期で形成され、上記第1電極3の上面を平らに形成した後、マスクパターンを用いて金属を選択的に蒸着する方法により形成することができる。例えば、上記第1電極3は、Auを含む金属層から形成され、上記突出パターン31はAuを含む金属層から形成される。上記接合層9は、上記第1電極3の突出パターン31に対応するリセス窪みを有することができ、上記第1電極3との間にギャップが形成されないように密接に接合される。例えば、上記接合層9は、Au-Snを含む金属層から形成される。上記のような接合構造は上記第1電極3の上に突出パターン31を形成し、上記発光素子5の下面に上記接合層9を形成した後、上記接合層9に熱を加えて溶融させた状態で力を加えて上記接合層9と上記第1電極3とを接合させる方法を用いる。第1実施形態による発光装置200は、上記第1電極3の上に突出パターン31を形成し、上記突出パターン31を上記接合層9が覆いかぶせるようにして上記第1電極3と上記接合層9との接触面積を増加させる。即ち、上記突出パターン31の上面及び側面は上記接合層9により囲まれて配置される。したがって、上記第1電極3と上記接合層9との間の熱抵抗が低下して、上記発光装置200の熱放出性能を向上させることができる。一方、図9に図示された他の実施形態による発光装置における上記突出パターン31は、1つのみ形成されることも可能である。この場合、上記突出パターン31を形成する過程が一層容易になるという長所がある。図5は、本発明の第2実施形態による発光装置における発光素子と第1電極との接合領域を拡大した図である。図5を参照すると、第2実施形態による発光装置200は、上記発光素子5の下面に突出パターン5aを含み、上記突出パターン5aの下に上記第1電極3が配置される。上記突出パターン5aは、上記発光素子5の下面に一定周期で形成され、例えば、上記突出パターン5aはAu-Snを含む金属層から形成される。上記第1電極3は上記突出パターン5aに対応するリセスを有することができる。例えば、上記第1電極3はAuを含む金属層から形成される。上記のような接合構造は上記発光素子5の下面に突出パターン5aを形成し、上記第1電極3に熱を加えて溶融させた状態で力を加えて上記突出パターン5aと上記第1電極3とを接合させる方法を用いる。この場合、上記第1電極3の一部分は上記発光素子5と直接接触することもできる。第2実施形態による発光装置200は、上記発光素子5の下に突出パターン5aを形成し、上記突出パターン5aを上記第1電極3が覆いかぶせるようにして上記突出パターン5aと上記第1電極3との接触面積を増加させる。即ち、上記突出パターン5aの下面及び側面は上記第1電極3により囲まれて配置される。したがって、上記突出パターン5aと上記第1電極3との間の熱抵抗が低下して上記発光装置200の熱放出性能を向上させることができる。一方、図10及び図11に図示された他の実施形態による発光装置において、上記第1電極3に上記絶縁層2が露出するように複数のホール孔32が形成され、発光素子5の下に形成された複数の突出パターン5aは上記複数のホール32の内に配置される。この場合、上記複数の突出パターン5aと上記第1電極3との接触面積はより増加するようになり、上記発光素子5から上記胴体1に熱伝達がより効果的になされることができる。また、上記突出パターン5aは、上記絶縁層2を含む胴体1と接触するようになって、熱伝達がより効果的になされることができる。実施形態による発光装置200は、複数個が基板の上にアレイされ、上記発光装置200から放出される光の経路上に光学部材である導光板、プリズムシート、拡散シート、蛍光シートなどが配置される。このような発光装置、基板、及び光学部材はバックライトユニットとして機能し、あるいは照明ユニットとして機能することができ、例えば、照明システムは、バックライトユニット、照明ユニット、指示装置、ランプ、及び街灯を含むことができる。図6は、本発明の実施形態による発光装置を使用したバックライトユニットを図示する図である。但し、図6のバックライトユニット1100は照明システムの一例であり、これに対して限定されるものではない。図6を参照すると、上記バックライトユニット1100は、ボトムフレーム1140、上記ボトムフレーム1140の内に配置された光ガイド部材1120、及び上記光ガイド部材1120の少なくとも一側面または下面に配置された発光モジュール1110を含むことができる。また、上記光ガイド部材1120の下には反射シート1130が配置される。上記ボトムフレーム1140は、上記光ガイド部材1120、上記発光モジュール1110、及び上記反射シート1130が収納されるように上面が開口されたボックスbox形状に形成され、金属材質または樹脂材質で形成されるが、これに対して限定されない。上記発光モジュール1110は、基板300と、上記基板300に搭載された複数個の実施形態による発光装置200を含むことができる。上記複数個の発光装置200は、上記光ガイド部材1120に光を提供することができる。図示したように、上記発光モジュール1110は、上記ボトムフレーム1140の内側面のうちの少なくともいずれか1つに配置され、これによって上記光ガイド部材1120の少なくとも1つの側面に向けて光を提供することができる。但し、上記発光モジュール1110は、上記ボトムフレーム1140の下に配置されて、上記光ガイド部材1120の下面に向けて光を提供することもでき、これは上記バックライトユニット1100の設計に従って多様に変形可能であるので、これに対して限定されない。上記光ガイド部材1120は、上記ボトムフレーム1140の内に配置される。上記光ガイド部材1120は、上記発光モジュール1110から提供された光を面光源化して、表示パネル図示せずにガイドすることができる。上記光ガイド部材1120は、例えば、導光板LGP;LightGuidePanelでありうる。上記導光板は、例えばPMMApolymethylmetaacrylateのようなアクリル樹脂系列、PETpolyethyleneterephthlate、PCpolycarbonate、COC、及びPENpolyethylenenaphthalate樹脂のうちの1つで形成される。上記光ガイド部材1120の上側には光学シート1150を配置することもできる。上記光学シート1150は、例えば拡散シート、集光シート、輝度上昇シート、及び蛍光シートのうち、少なくとも1つを含むことができる。例えば、上記光学シート1150は、上記拡散シート、集光シート、輝度上昇シート、及び蛍光シートが積層されて形成される。この場合、上記拡散シート1150は、上記発光モジュール1110から出射された光を均等に拡散させ、上記拡散された光は上記集光シートにより表示パネル図示せずに集光される。この際、上記集光シートから出射される光はランダムに偏光された光であるが、上記輝度上昇シートは上記集光シートから出射された光の偏光度を増加させることができる。上記集光シートは、例えば、水平または/及び垂直プリズムシートでありうる。また、上記輝度上昇シートは、例えば、照度強化フィルムDualBrightnessEnhancementfilmでありうる。また、上記蛍光シートは蛍光体が含まれた透光性プレートまたはフィルムとなることもできる。上記光ガイド部材1120の下には上記反射シート1130が配置される。上記反射シート1130は、上記光ガイド部材1120の下面を通じて放出される光を上記光ガイド部材1120の出射面に向けて反射することができる。上記反射シート1130は、反射率の良い樹脂材質、例えば、PET、PC、PVCレジンなどで形成されるが、これに対して限定されない。図7は、本発明の実施形態による発光装置を使用した照明ユニットの斜視図である。但し、図7の照明ユニット1200は照明システムの一例であり、これに対して限定されない。図7を参照すると、上記照明ユニット1200は、ケース胴体1210、上記ケース胴体1210に設置された発光モジュール1230、及び上記ケース胴体1210に設置され、外部電源から電源が提供される連結端子1220を含む。上記ケース胴体1210は放熱特性の良好な材質で形成することが好ましく、例えば金属材質または樹脂材質で形成される。上記発光モジュール1230は、基板300と、上記基板300に搭載される少なくとも1つの実施形態による発光装置200を含むことができる。上記基板300は、絶縁体に回路パターンが印刷されたものであることがあり、例えば、一般印刷回路基板PCB:PrintedCircuitBoard、メタルコアMetalCorePCB、軟性FlexiblePCB、セラミックPCBなどを含むことができる。また、上記基板300は光を効率的に反射する材質で形成されるか、表面が光が効率的に反射されるカラー、例えば白色、銀色などで形成される。上記基板300の上には上記少なくとも1つの実施形態による発光装置200が搭載される。上記発光装置200は、それぞれ少なくとも1つの発光ダイオードLED:LightEmittingDiodeを含むことができる。上記発光ダイオードは、赤色、緑色、青色、または白色の有色光をそれぞれ発光する有色発光ダイオード及び紫外線UV;UltraVioletを発光するUV発光ダイオードを含むことができる。上記発光モジュール1230は、色感及び輝度を得るために多様な発光ダイオードの組合を有するように配置される。例えば、高演色性CRIを確保するために、白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード、及び緑色発光ダイオードを組合せて配置することができる。また、上記発光モジュール1230から放出される光の進行経路上には蛍光シートがさらに配置され、上記蛍光シートは上記発光モジュール1230から放出される光の波長を変化させる。例えば、上記発光モジュール1230から放出される光が青色波長帯を有する場合、上記蛍光シートには黄色蛍光体が含まれ、上記発光モジュール1230から放出された光は上記蛍光シートを経て最終的に白色光と見えるようになる。上記連結端子1220は、上記発光モジュール1230と電気的に連結されて電源を供給することができる。図7の図示によると、上記連結端子1220はソケット方式により外部電源に螺合されるが、これに対して限定されるものではない。例えば、上記連結端子1220はピンpin形態に形成されて外部電源に挿入されるか、配線により外部電源に連結することもできる。前述したような照明システムは、上記発光モジュールから放出される光の進行経路上に、光ガイド部材、拡散シート、集光シート、輝度上昇シート、及び蛍光シートのうち、少なくともいずれか1つが配置されて、希望する光学的効果を得ることができる。前述したように、実施形態による照明システムは、実施形態による発光装置を含むことで、熱抵抗が低下して信頼性及び光効率の高い光を放出することができる。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるのではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するのでない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用が可能であることが同業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。