レーザにより絶縁性の基板上に成膜された透明導電膜が加工された薄膜太陽電池において、前記透明導電膜は、多層構造であり、下層の透明導電膜のキャリア密度は、上層の透明導電膜のキャリア密度よりも低くなっていることを特徴とする薄膜太陽電池。下層の透明導電膜にはドーパントを含有しない成膜材料が使用されており、上層の透明導電膜にはドーパントを含有する成膜材料が使用されていることを特徴する請求項1に記載の薄膜太陽電池。前記透明導電膜には、テーパ角が10度以下である加工断面を有するコンタクトラインが形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の薄膜太陽電池。前記透明導電膜は、成膜材料を含む液滴を被成膜物に噴霧させることにより製造されることを特徴とする請求項1~3の何れか1項に記載の薄膜太陽電池。前記背景から、より高出力の薄膜太陽電池を得るためには、主に透明導電膜の特性の向上が挙げられる。具体的には高い可視光透過率と適度なヘイズ率、そして低いシート抵抗を有することによって薄膜太陽電池の出力を向上させることができる。しかし、このような所望の特性を有した透明導電膜を用いても、その後のコンタクトライン形成において、透明導電膜の被加工性に課題があれば薄膜太陽電池の出力を満足に向上させることはできない。図6は透明導電膜に対して第1のコンタクトラインを形成した状態を模式的に示す断面図である。例えばガラスに代表される絶縁性基板1に対して透明導電膜2を成膜し、透明導電膜2に対して第1のコンタクトライン3をレーザ照射によって加工する。図7は第1のコンタクトライン3が形成された透明導電膜2に光電変換層4を被覆させ、第2のコンタクトライン5の形成、裏面電極6の成膜、最後に第3のコンタクトライン7を形成した状態を模式的に示す断面図である。第1から第三のコンタクトラインはそれぞれの適切な条件でレーザ加工される。しかし、前述の所望の特性を有した透明導電膜を用いた弊害として、前記のレーザ加工の際にその加工断面のテーパ角が大きくなってしまう問題がある。第1のコンタクトライン3の断面のテーパ角が大きい場合、後工程で被覆される光電変換層4の成膜において、第1のコンタクトライン3を十分にカバーできない。具体的には薄膜太陽電池の場合、シリコンに代表される光電変換層4の厚さは一般的に合計2μm程度であるが、前記光電変換層4は内部でpn接合を作り出すために段階的に多層成膜するため、第1に成膜される光電変換層の厚さが300nm程度の場合、テーパ角の大きい第1のコンタクトライン3の断面では連続的にカバーすることができず、微細なクラックが光電変換層4の加工断面のエッジ部8に発生し、透明電極膜2と裏面電極6との間でリークパスを生じさせる原因となる。上記コンタクトライン起因によるリークパス発生の他に、光電変換面内の異物による透明導電膜と裏面電極との短絡、分離ラインの分離不備によるリークパスの発生がある。これら異常点は、基板がセルとして完成したあとに、セル全面に逆電圧を印加することによって短絡部に電流が集中し、発熱から溶融、蒸散させることによって異常点を除去する方法があるが、コンタクトライン起因のリークパスが多い場合、逆電圧の印加が効率的に異常箇所に作用せず、リーク改善の効果を十分に得られないという問題がある。本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、透明電極膜の特性を維持または向上させつつも、後工程のコンタクトライン形成の被加工性を確保し、コンタクトラインからのリークパスの発生を低減できる透明導電膜を備えた薄膜太陽電池を提供することにある。本発明の薄膜太陽電池は、上記の課題を解決するために、レーザにより絶縁性の基板上に成膜された透明導電膜が加工された薄膜太陽電池において、前記透明導電膜は、多層構造であり、下層の透明導電膜のキャリア密度は、上層の透明導電膜のキャリア密度よりも低くなっていることを特徴としている。上記の構成によれば、下層の透明導電膜のキャリア密度は、上層の透明導電膜のキャリア密度より低くなっているので、レーザによる下層の被加工性と上層の被加工性に差を付けることが可能となる。具体的には下層を難加工性、上層を良加工性とすることで、後工程で行うレーザ加工後の断面のテーパ角を小さくすることができる。その結果、光電変換層の被覆性が向上することで断面エッジ部にクラックが発生せず、それによりリークパスが生じることがなく高出力の薄膜太陽電池特性を得ることができる。また、上記透明導電膜は、上層の透明導電膜のキャリア密度を増加させることにより、シート抵抗を低減でき、さらには上記透明導電膜の上に形成する光電変換層との接触抵抗を低減できる。一方、下層の透明導電膜のキャリア密度を低減することにより、結晶粒が成長し、良好なヘイズ率を示す。これにより、薄膜太陽電池の特性を維持向上できる。以上のように、上記の構成によれば、透明電極膜の特性を維持または向上させつつも、後工程のコンタクトライン形成の被加工性を確保し、コンタクトラインからのリークパスの発生を低減できる透明導電膜を備えた薄膜太陽電池を実現できる。また、本発明の薄膜太陽電池では、下層の透明導電膜にはドーパントを含有しない成膜材料が使用されており、上層の透明導電膜にはドーパントを含有する成膜材料が使用されていることが好ましい。また、本発明の薄膜太陽電池では、前記透明導電膜には、テーパ角が10度以下である加工断面を有するコンタクトラインが形成されていることが好ましい。これにより、レーザ加工後の透明導電膜部の断面のテーパ角が約10度以下となり、良好な被覆性が得られる。また、本発明の薄膜太陽電池では、前記透明導電膜は、成膜材料を含む液滴を被成膜物に噴霧させることにより製造されることが好ましい。これにより、下層と上層とで成膜材料の切り替えを容易にし、一度の成膜プロセス内で多層構造の透明導電膜を成膜することができる。本発明の薄膜太陽電池は、以上のように、前記透明導電膜は、多層構造であり、下層の透明導電膜のキャリア密度は、上層の透明導電膜のキャリア密度より低くなっている構成である。それゆえ、透明電極膜の特性を維持または向上させつつも、後工程のコンタクトライン形成の被加工性を確保し、コンタクトラインからのリークパスの発生を低減できる透明導電膜を備えた薄膜太陽電池を実現できる。第1の実施例;第1の実施形態以下、先ず本発明の第1の実施形態第1の実施例について、図1~3を参照して説明する。図1は、絶縁性基板1に透明導電膜2を成膜した状態を示す断面図である。絶縁性基板1としては主にフロートガラスが用いられるが、光電変換層の吸収域において透明な材料であればよい。前記絶縁性基板1に対して、透明導電膜2を成膜する。透明導電膜2はスパッタリング法や蒸着法、ミスト法などで成膜される。第一に成膜される層は下層の透明導電膜2aの層であり、その膜厚は300~500nm程度であることが望ましい。続いて前記下層の透明導電膜2aの層が成膜された絶縁性基板1に対して、上層の透明導電膜2bの層を被覆する形で成膜する。上層の透明導電膜2bの層の膜厚は下層の透明導電膜2aの層と同様に300~500nm程度であることが望ましい。尚、本実施例では下層の透明導電膜2aの層、上層の透明導電膜2bの層それぞれの種類は酸化スズとした。積層された前記透明導電膜2の層は下層の透明導電膜2aの層のキャリア密度は上層の透明導電膜2bの層のキャリア密度よりも低いことを特徴とする。また、下層、上層共に同一成膜プロセス内で連続して成膜されることが望ましい。それぞれ別のプロセスで成膜する場合には、下層の透明導電膜2aの層が成膜された後に付着することが考えられるパーティクルや異物を十分に除去してから上層の透明導電膜を成膜する必要がある。下層の透明導電膜2aの層、および上層の透明導電膜2bの層を併せた全体の膜厚は、約600~1000nm前後であることが好ましい。しかし、透明導電膜2の層のシート抵抗値が12Ω/□以下、ヘイズ率が7~15、光透過率が80以上であれば、その膜厚に関して制限されるものではない。尚、透明導電膜2を成膜する被成膜物である絶縁性基板1がフロートガラスのような成分にナトリウムなどのアルカリ金属を含む場合には、被成膜物から透明導電膜へのアルカリ成分の拡散を防止するために、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウムなどのアルカリバリア層を被成膜物である絶縁性基板1と透明導電膜2の間に形成することが好ましい。また、被成膜物上に、被成膜物とその上に設けられるアルカリバリア層もしくは透明導電膜との屈折率の差を軽減するための層を有していてもよい。図2は、図1に示された構成に対してコンタクトラインを形成した状態を模式的に示す断面図である。図3は、図2に示された構成に対して、光電変換層4を成膜した状態を模式的に示す断面図である。表1は、レーザの照射条件を示した表である。また、表2は本実施例における透明導電膜の構成と、比較例としての単層で成膜した透明導電膜の構成とについて、キャリア密度、膜厚、シート抵抗、ヘイズ率、光透過率それぞれの平均値を示した表である。成膜された透明導電膜2の層に対してレーザ照射によって第1のコンタクトライン3を形成する。ここで透明導電膜2の層のレーザに対する被加工性は、キャリア密度が大きい方が低エネルギーで加工できる、すなわち加工性に優れることが知られている参考文献1;溶接学会論文集第27巻第1号p48-542009YAGレーザを用いたSnO系薄膜パターンの高速加工とその加工メカニズムに関する研究。よって、本実施例において、積層された透明導電膜2に意図的にキャリア密度に差を付けることで、透明導電膜2内での被加工性に差を付けることができる。具体的には、下層の透明導電膜2aの層に低キャリア密度の酸化スズ、上層の透明導電膜2bの層に高キャリア密度の酸化スズを成膜することで、透明導電膜2の下層が難加工性、上層が良加工性となり、下層側の加工断面のテーパ角を大きく、上層側の加工断面のテーパ角を小さくすることができた。図4は、単層で成膜した透明導電膜に第1のコンタクトライン3を形成したときの膜厚の分布を示すグラフである。図5は、本実施例によって成膜した透明導電膜に第1のコンタクトライン3を形成したときの膜厚の分布を示すグラフである。図4及び5より、本実施例の構造をとることで、単層の透明導電膜を成膜したものに比べて、レーザ加工後の加工断面のテーパ角を小さくすることができる。図4に示されるように単層の透明導電膜を成膜した場合比較例、加工断面のテーパ角は約23.1度であった。一方、図5に示されるように、本実施例で成膜した透明導電膜では、レーザ加工後の加工断面のテーパ角は、約3.7度であった。このように透明導電膜を2層にすることにより、レーザ加工後の加工断面のテーパ角を約1/6以下まで小さくすることができた。これにより、後工程の光電変換層の成膜においてもコンタクトラインを連続的にカバーすることが可能になり、加工断面のエッジ部にクラックが発生せず、リークパスが生じることなく高出力の薄膜太陽電池を得ることができた。尚、一般的に透明導電膜においてキャリア密度が小さいとシート抵抗が増加するが、本実施例では上層の透明導電膜層にキャリア密度が大きい材料を使用しているため、光電変換層4に直に接する面では透明導電膜2の低抵抗性を維持することができ、本実施例の構造をとっても、所望の透明導電膜特性を犠牲にすることはない。本実施例ではテーパ角が約3.7度であったが、テーパ角が約10度以下であればコンタクトラインを連続的にカバーすることができ良好な特性の薄膜太陽電池を得ることができる。また、本実施例では透明導電膜を2層構造としたが、3層構造以上の多層構造としても上記のテーパ角とすることができ、良好な特性の薄膜太陽電池を得ることができることは言うまでもない。また、本実施例では透明導電膜として酸化スズを用いたが、酸化亜鉛等であっても同様のテーパ角を得ることができ、良好な特性の薄膜太陽電池を得ることができる。第2の実施例;第2の実施形態透明導電膜の材料においては、添加するドーパント濃度によって透明導電膜内のキャリア密度を制御し、導電性を確保することが可能である。ドーパント剤としては、フッ素化合物を含んでいる。ここで、フッ素化合物としては、フッ化水素、フッ化アンモニウム等が用いられる。第2の実施例では、透明導電膜2の下層の透明導電膜2aはドーパントを含有しない成膜材料を使用し、上層の透明導電膜2bはドーパントを含有する成膜材料を使用することで、下層の透明導電膜2aを難加工性、上層の透明導電膜2bを良加工性へと切り分けることができる。よって後工程のコンタクトライン形成の際でも、加工断面のテーパ角を小さくすることができた。第3の実施例;第3の実施形態本実施例においては、透明導電膜はミスト法で成膜する方法が有用である。ミスト法は大気圧で成膜することができるため、真空容器およびポンプ類などの製造設備が不要である。また、ミスト法においては有機金属化合物のような危険物質を用いないため、簡易な構成で安価な成膜装置を使用することができる。ミスト法は特に、成膜材料である成膜溶液に対して応用性が高く、第1の実施例、第2の実施例で示した通り、成膜材料に対して溶液種やドーパント濃度を簡便に変更しやすい。また、成膜材料の供給路の切り替えることで噴霧する材料を容易に変更することができ、また成膜対象を搬送する中で噴霧域を複数用意することで、一度の成膜プロセスの中で簡単に二層に分けて成膜することができ、本発明を実施する最も効率のよい手段である。補足なお、本発明は、以下のように表現することもできる。1レーザにより絶縁性の基板上に成膜された透明導電膜を加工する薄膜太陽電池において、前記透明導電膜は多層構造であり、下層の透明導電膜のキャリア密度は上層の透明導電膜のキャリア密度より低い透明導電膜を有する薄膜太陽電池。21において、下層の透明導電膜はドーパントを含有しない成膜材料を使用しており、上層の透明導電膜はドーパントを含有する成膜材料を使用することを特徴する薄膜太陽電池。1または2記載の透明導電膜において、前記透明導電膜に対し、前記レーザを用いて行った加工断面のテーパ角が10度以下であることを特徴とする透明導電膜。41から3の何れかに記載の透明導電膜において、前記透明導電膜が成膜材料を含む液滴を被成膜物に噴霧させることにより製造することを特徴とする透明導電膜。本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。