少なくとも表裏の一方の面に機能層52を備えたマイクロエレクトロニクス又はオプトエレクトロニクス用基板50の処理に際して前記機能層52の露出表面54に対する化学-機械的研磨工程を含む基板処理方法において、前記研磨工程200、200A、200B、200C、200Dの前に還元性雰囲気下での焼鈍工程100、100A、100B、100C、101D、102Dを更に含むことを特徴とする処理方法。還元性雰囲気下での焼鈍工程を、3分未満、特別には60秒未満、更に特別には30秒未満の処理時間で実行することを特徴とする請求項1に記載の処理方法。還元性雰囲気下での焼鈍工程を、1100°C~1300°C、特別には1200°C~1230°Cの焼鈍温度で実行することを特徴とする請求項1又は2のいずれか1項に記載の処理方法。研磨工程200、200A、200B、200C、200Dの後に機能層52の厚さの少なくとも一部を酸化する酸化工程310A、312B、312Cを更に含むことを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の処理方法。研磨工程200、200A、200B、200C、200Dの前に機能層52の厚さの少なくとも一部を酸化する酸化工程311B、311Cを更に含むことを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の処理方法。少なくとも1回の脱酸工程330A、331B、332B、331C、332Cを更に含むことを特徴とする請求項4又は5に記載の処理方法。少なくとも1回の熱処理工程320A、321B、322B、321C、322Cを更に含み、該熱処理工程320A、321B、322B、321C、322Cが終了する前に機能層52に対する酸化工程を実行して機能層52の残りの部分を保護することを特徴とする請求項4~6のいずれか1項に記載の処理方法。研磨工程200、200A、200B、200C、200Dの後に還元性雰囲気下での焼鈍工程102Dを更に含むことを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の処理方法。ウエハを支持基板上へ移載してから、後に還元性雰囲気下での焼鈍工程100、100A、100B、100C、101D、102Dと研磨工程200、200A、200B、200C、200Dとに付されるべき機能層52を構成する薄膜層を前記ウエハ上に形成するために、ウエハの一方の表面下の注入領域に原子を注入する工程と、この原子注入を受けた側のウエハ面を前記支持基板に密着結合する工程と、前記注入領域においてウエハを劈開させる工程とを更に含むことを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載の処理方法。機能層52が半導体からなることを特徴とする請求項1~9のいずれか1項に記載の処理方法。前記半導体がシリコンであることを特徴とする請求項10に記載の処理方法。前記還元性雰囲気が水素を含むことを特徴とする請求項1~11のいずれか1項に記載の処理方法。前記還元性雰囲気がアルゴンを含むことを特徴とする請求項1~12のいずれか1項に記載の処理方法。少なくとも表裏の一方の面に機能層52を備え、該機能層52の露出表面54に対する化学-機械的研磨工程200、200A、200B、200C、200Dを経て製造されたマイクロエレクトロニクス又はオプトエレクトロニクス用基板において、前記研磨工程200、200A、200B、200C、200Dの前に還元性雰囲気下での焼鈍工程100、100A、100B、100C、101D、102Dも経ていることを特徴とする基板。本発明の一つの目的は、機能層の品質を更に向上させることにある。この目的は、本発明によれば、少なくとも表裏の一方の面に機能層を備えたマイクロエレクトロニクス又はオプトエレクトロニクス用基板の処理に際して機能層の露出表面に対する化学-機械的研磨工程を含む基板処理方法において、前記研磨工程の前に還元性雰囲気下での焼鈍工程を実行することにより達成される。化学-機械的研磨が研磨表面の下部材料に或る欠陥を引き起こし、特に機能層において基板厚さに不均一を生じさせる傾向があることは良く知られている。しかしながら、驚くべきことに、本願発明者らは、化学-機械的研磨工程に先立つ還元性雰囲気下での焼鈍工程により単純研磨又は単純焼鈍における場合よりも一層効果的に機能層の品質を向上させ得るのみならず、単純化学-機械的研磨における有害作用の殆ど全てを排除し得ることの知見を得たのである。これは、還元性雰囲気下での焼鈍工程により既に機能層表面の平滑化が開始されるためである。このため、所望の表面粗さを得るために要する研磨時間が短縮され、結果として本発明による方法は生産能力の向上を可能にするものである。加えて、研磨時間の短縮化によって上記のような研磨による悪影響や研磨が長時間続く際に屡々発生する虞れのある膜厚均一性の欠如も抑制される。このように、本発明による方法を実施すると、機能層の品質は特に表面粗さに関して格段に優れたものとなる。表面粗さの測定は、一般には原子間力顕微鏡を使用して行うことができる。この種の原子間力顕微鏡装置においては、原子間力顕微鏡チップによる走査領域、即ち1×1μm2から10×10μm2、稀に50×50μm2、時として100×100μm2に及ぶ範囲の領域における表面粗さが測定可能である。表面粗さは、特に二つの周波数成分要素によって特徴付けられる。即ち、周波数成分の一つは高周波粗さと呼ばれる1×1μm2程度の走査領域内における粗さであり、他の一つは低周波粗さと呼ばれる10×10μm2程度又はそれ以上の走査領域における粗さである。化学-機械的研磨及び還元雰囲気下での焼鈍は、異なる周波数成分にそれらが与える影響において際立っている。例えば還元雰囲気下での焼鈍は高周波粗さの平滑化を促進するが、どちらかといえば低周波粗さに属する波状の緩やかな起伏の減少に関してはそれほど効果的ではない。一方、化学-機械的研磨は低周波粗さの改善に有効である。本発明による方法では、還元性雰囲気下での焼鈍工程において高周波粗さの平滑化を可能とし、研磨工程において波状の起伏、即ち一種の低周波粗さの改善を可能としている。ここで、高周波粗さが小さいことは良好なシールド酸化物層を得るための基本条件であり、波状起伏低周波粗さが小さいことは機能層の露出表面に他の基板を接合することが必要な場合に有利な条件である。本発明による方法は、表面粗さに関する効果に加えて、機能層における構造欠陥の密度を減少させることをも可能にするものである。特に、還元性雰囲気下での焼鈍工程は機能層表面の再構成又は再構築を開始させ得るので、機能層の厚さ内における構造欠陥を修復することができる。この修復は部分的に可能なだけであるが、それにもかかわらず、化学-機械的研磨工程を充分長い時間に亘って継続することにより、機能層の厚さ部分における機能層露出表面近傍領域で欠陥の大部分を含む材料を除去することができる。従って、本発明方法は、機能層の露出表面に向かって増加する欠陥密度勾配が存在し、それゆえ露出表面近傍領域における欠陥密度が大きい場合に特に有効である。還元性雰囲気下での焼鈍工程による欠陥修復と、研磨工程による部分的な材料除去との複合効果により、機能層の露出表面領域における欠陥を効果的に排除することが可能である。本発明の方法により、上述のようにマイクロエレクトロニクス又はオプトエレクトロニクス用の機能層としての使用に耐え得る充分な品質の機能層を有する基板を得ることができる。本発明において、還元性雰囲気は好ましくは水素を主体とする組成の気体である。また、この還元性雰囲気はアルゴンを含んでいることが好ましい。還元性雰囲気は100水素の組成とすることができる。但し、還元性雰囲気を水素とアルゴンとの混合気体とすることも有利である。この混合気体におけるH2/Ar組成比は20/80又は25/75とすることが好ましい。このような組成比においては、水素が効果を奏するに充分な濃度となる一方でアルゴンの存在により混合気体が良好な熱伝導性をもつことになるからである。雰囲気の熱伝導性を向上させることにより基板側の熱的制約が軽減され、それによってスライディングバンド型の欠陥の発生を抑制することができる。またこの種の混合気体は低腐食性であるので、特定の種類の欠陥による選択的腐食を軽減することもできる。本発明による方法の好ましい一形態では、意図的に犠牲となる酸化工程を更に含んでいる。この犠牲的な酸化工程は、機能層を少なくともその厚みの一部について酸化する工程と、この酸化部分から酸素を除去する工程とを含み、この意味でここでは酸化を犠牲的と呼んでいる。これらの酸化工程と酸素除去工程は、研磨工程の後及び/又は前に実行することができる。犠牲的な酸化工程は、機能層を構成する材料が易酸化材料であっても難酸化材料であっても、機能層の品質を向上させるためには付加的に実行することが好ましい。本明細書、特に請求項に記載した範囲内において、この犠牲的酸化工程は機能層の材料が易酸化性であるか否かに関らず実行され得るものと理解すべきである。研磨工程及び犠牲的酸化工程の各々は、過度の欠陥密度を有する機能層部分の除去に関与するものである。但し、研磨工程に続く犠牲的酸化工程は、研磨工程によって発生した表面欠陥の除去により特異的に関与する。また犠牲的酸化工程は、研磨工程における他の有害作用を抑制するためにも有効である。特に、比較的厚い欠陥層が当初から存在する場合はそれを除去するために長時間の研磨が必要となるが、一般に長時間の研磨は膜厚均一性の欠如をもたらす。この欠点は、除去すべき材料層が厚くなればなるほど研磨工程の実行時間が長くなるので一層深刻になる。更に、長時間の研磨工程はプロセスの進行を長引かせ、生産能力を制限することになる。本発明による方法において、付加的に犠牲的酸化工程を導入することにより、比較的大きな欠陥密度を持つ機能層部分の除去にこの犠牲的酸化工程が大きく寄与するので、研磨工程による処理量を本質的に表面粗さの平滑化に要する程度に抑えることができ、上記欠点を解消することができる。更に研磨量を実質的に抑制することにより、研磨により発生する欠陥も比較的小規模に制限することができる。本発明による方法の別の好ましい形態では、少なくとも1回の熱処理工程を更に含んでいる。この場合、個々の熱処理工程の終了前に機能層に対する酸化工程を実行し、それによって機能層の残りの部分を保護する。このような条件下における熱処理は、酸化工程中に発生した欠陥を少なくとも部分的に修復する作用を有するものでもある。本発明による方法の更に別の好ましい形態では、還元性雰囲気下での焼鈍工程を研磨工程の後に更に含んでいる。本発明による更に別の好適な形態では、ウエハを支持基板上に移載してから、後に水素雰囲気中での焼鈍工程と研磨工程とに付されるべき機能層を構成する薄膜層を前記支持基板上に形成するために、ウエハの一方の表面下の注入領域に原子を注入する工程と、この原子注入を受けた側のウエハ面を前記支持基板に密着結合する工程と、前記注入領域においてウエハを劈開させる工程とを更に含んでいる。本発明による方法の適用対象は、好ましくは半導体材料からなる機能層を設けた基板であり、この半導体材料は例えばシリコンである。特にシリコン製の機能層の場合、還元性雰囲気下での焼鈍工程をフランス公開特許第2761526号公報に記載されているような公知の方法に準じて実行することも好ましい。この場合、基板は約1050°C~1350°Cの温度範囲内で数十秒~数十分間、水素含有雰囲気下で焼鈍される。本発明における別の有利な形態においては、還元性雰囲気下での焼鈍工程が例えばヨーロッパ特許第917188号公報に記載されているような別の公知の方法により実行される。この場合、基板は水素含有雰囲気下で約1100°C~1300°Cの温度範囲内において3分未満、好ましくは60秒未満、更に好ましくは30秒未満に亘り焼鈍される。この焼鈍法は、RTARTAはRapidThermalAnnealingの略語として知られている急速昇温急速降温焼鈍に相当する。焼鈍工程は一定温度又は変化する温度条件下で実行可能であり、焼鈍温度を変化させる場合は複数段の段階的温度変化を経て焼鈍するか、複数の段階的温度領域と連続的可変温度領域とを組み合わせて焼鈍する。本発明の更に別の有利な形態においては、還元性雰囲気下での焼鈍工程が例えばフランス公開特許第2761526号公報に記載されているような更に別の公知の方法に準じて実行される。この焼鈍法によれば、基板は水素プラズマ発生チャンバー内で焼鈍される。この種の焼鈍法の利点は焼鈍温度が低いことにあり、一般にこの温度は室温から約600°Cまでの範囲内である。シリコン製の機能層に対する水素含有雰囲気下での焼鈍は、長時間焼鈍、水素プラズマ雰囲気中での焼鈍、或いはRTAとして実施したとしても、いずれにせよ幾つかの有利な作用を有している。即ち、これらの有利な作用とは、機能層表面における自然酸化膜の分解と機能層の平均膜厚を減少させ得るシリコンエッチング作用SiH2及びSiH4は揮発性である、酸素析出物と、結晶欠陥を安定化する役割を果たす可能性のあるその他の酸化物障壁の溶解による欠陥の修復作用、原子スケールにおけるテラスの出現を伴う機能層表面粗さの低減及び平滑化作用である。特に、水素によるシリコン酸化物の分解はシリコン原子の再構成を著しく容易にする。水素含有雰囲気下での焼鈍工程によって特に表面において活性化されたシリコン原子は、それら自身が安定性の大きなエネルギー状態となるまで表面で移動する。従って、露出表面の突出部に存在するシリコン原子は凹部側へ移動する傾向がある。このように、水素含有雰囲気下での焼鈍工程は表面粗さを低減する傾向がある。欠陥の修復に関して、酸素析出物及びその他の酸化物障壁の溶解作用は、COPCrystalOriginatedParticleの略語として知られる欠陥の場合に特に有効である。COP欠陥は、大きさが数百から数千Å程度の欠陥の集まりであり、結晶面内に形成されるその配向壁は高々数十Å程度の厚さを持つ酸化物によって安定化されている。COP欠陥はCZシリコンにおいて顕著に発生する。更に本発明は、少なくとも表裏の一方の面に機能層を備え、この機能層の露出表面に対する化学-機械的研磨工程を経て得られるマイクロエレクトロニクス又はオプロエレクトロニクス用基板も提供し、この基板は研磨工程の前に還元性雰囲気下での焼鈍工程を経ていることを特徴とするものである。本発明の上述以外の特徴と目的及び利点は、添付図面を参照して以下に述べる実施形態の説明から明らかである。本発明による方法の5つの実施形態を具体例として以下に説明する。尚、以下においてはこれら5つの実施形態をシリコンオンインシュレータ基板の製造に関して例示するが、これらの例示は何ら限定的な意図を持つものではない。シリコンオンインシュレータ基板はSOI基板とも称される。これに関連して、本発明による方法はSMART-CUT登録商標法として知られる特定方式の方法によるSOI基板の製造において特に有利な用途を見いだしている。SMART-CUT法を実行する特定の方法の一つはフランス公開特許第2681472号公報に記載されている。SMART-CUT法によるSOI基板の製造では、その表裏の一方の面にシリコン機能層52を形成した基板が製造される。このシリコン層は、埋込み酸化物層56として知られる絶縁層の上に載っている。その態様の一つとしてSMART-CUT法は、半導体ウエハの一方の表面下の注入領域に原子を注入する工程と、原子注入を受けたウエハを支持基板と密着接合する工程と、注入領域においてウエハを劈開する工程とを備えており、これらの工程は、注入を受けた側の表面と注入領域との間に位置するウエハ部分を支持基板上に移載し、この支持基板上にシリコン薄膜層を形成することを目的としている。原子を注入するという表現は、原子種又はイオン種を材料に添加しうるあらゆる衝突を意味するものとするが、材料中においてこれら化学種は極大密度をとり、この極大値は衝撃表面に対して所定の深さにあるものとする。原子種又はイオン種は、やはり極大値周囲に分布してなるエネルギーにより材料内に打ち込まれる。材料への原子種の注入は、イオンビーム注入装置、プラズマ浸漬注入装置等により実行可能である。劈開という用語は、注入された化学種がこの材料中において極大密度となる位置又はその近傍における注入材料のあらゆる断裂を意味するものとする。この断裂は、必ずしも注入材料の結晶面に沿って発生する必要はない。SMART-CUT法によりSOI基板を作製するには幾つかの方法が考えられる。第1の方法では、シリコンウエハの注入面を絶縁酸化物層例えばシリコンの酸化等により被覆し、その移載先に使用する支持基板には一方の面がやはりシリコンで構成された支持基板を用いる。第2の方法では、全体が半導体例えばシリコンで構成されている薄膜を、絶縁層で被覆された支持基板又は全体が絶縁体例えば石英で構成されている支持基板のいずれかに移載する。第3の方法では、絶縁層で被覆された薄膜を、やはり絶縁体で被覆された支持基板又は全体が絶縁体で構成されている支持基板のいずれかに移載する。いずれの場合においても劈開及び移載後、支持基板の一方の面上に薄膜層を移載したSOI基板50が得られ、この薄膜層の露出表面は劈開表面に相当する。劈開後、基板50はマイクロエレクトロニクス分野における通常の方法に従って除塵、洗浄及びリンスされる。ここにおいて、本発明による方法は、前記露出表面の表面粗さ及び移載される薄膜層の欠陥密度を減少させるために有効に利用される。即ち、SOI基板50は本発明による方法に従って還元性雰囲気下での焼鈍工程100と研磨工程200とを経て処理される。尚、以下に述べるいずれの実施形態に関しても、還元性雰囲気下での焼鈍工程は前述のRTA急速昇温急速降温焼鈍法に従って実行されるものとする。RTA法に従って還元性雰囲気下での焼鈍工程100を実行するチャンバーの一例を図1に示す。このチャンバー1は、外壁2、リアクター4、ウエハ基板支持ステージ6、上下二列のハロゲンランプヒーター8、10及び二組のサイドランプヒーターを備えている。特に外壁2は、図示しない前後側壁の他に底壁12、天壁14、及び外壁2の長手方向両端にそれぞれ位置する二つの端面壁16、18を備えており、端面壁16、18の一方にはドア20が設けられている。リアクター4は、二つの端面壁16、18間で長手方向に延在する石英管により構成されている。端面壁16、18には、ガス入口21又はガス出口22が連通している。ガス出口22はドア20を含む端面壁18の脇に位置している。ハロゲンランプヒーター8、10の各列は、リアクター4と底壁12との間、及びリアクター4と天壁14との間の各空間内に配置され、それぞれリアクターの上下に位置している。ハロゲンランプヒーター8、10の各列は、リアクター4の長手軸に対して直行する向きに水平配置された17個のランプヒーター26からなる。二組のサイドランプヒーター図1には現れていないは、ハロゲンランプヒーター8、10の各ランプヒーター26の長手方向両端部に対面する図面表裏方向で向かい合った前後側壁とリアクター4との間の空間に一本ずつ、このリアクターの長手軸に対して平行に延在配置されたランプヒーターによって構成される。基板支持ステージ6はリアクター4内をスライド移動可能である。このステージは、水素含有雰囲気下での焼鈍工程100に付すべき基板50を支持し、またこの基板をチャンバ1内に搬入配置し、或いはチャンバ1から搬出することを可能にするものである。この形式のチャンバ1は、例えばSTEAG登録商標という商品名で型番SHSAST2800として市販されている。以下に述べる本発明による方法の5つの実施形態は、それ自体が露出表面54を有する機能層52を備えたSOI基板50の処理に関するものである。この露出表面54は、前述のようにSMART-CUT登録商標法によって得られた劈開表面である。基板50には、機能層52の下層に埋込み酸化物層56が形成されており、この埋込み酸化物層56の下層は支持基板58である。本発明による方法の5つの実施形態で採用しているパラメータは、以下に述べるようにファインプロダクト仕様に準拠するものである。ここで、ファインプロダクトとは、そのSOI層、即ち機能層52の厚さが約2000Åであり、埋込み絶縁層56の厚さが約4000ÅであるSOI基板である。更に厚い機能層52及び/又は更に厚い埋込み酸化物層を有するSOI基板を作製するには、注入された原子種の層が衝撃表面よりも更に深くに位置するように、より高エネルギーで注入工程を実行する。この場合、原子種を深く注入すればするほど機能層52における欠陥密度を許容範囲に戻すために劈開後に除去すべき材料が増加することを考慮する必要がある。これは、より深く原子種を注入するほど欠陥領域の幅が増加するためである。図2に示す第1実施形態においては、基板50はSMART-CUTプロセスにおける劈開工程と洗浄工程の後に還元性雰囲気下での焼鈍工程100と、それに続く化学-機械的研磨工程200とに付される。これら二つの工程の前においては、機能層52の露出表面領域54における欠陥59の密度並びに表面粗さは満足できる状態ではない。還元性雰囲気下での焼鈍工程100は前述RTA法に従って実行される。すなわち、この還元性雰囲気下での焼鈍工程は、基板50を導入する際のチャンバーが未だ加温されていない状態でチャンバー1内に基板50を導入配置する工程と、大気圧に等しい圧力又は大気圧領域内にある圧力において、水素とアルゴンとの混合気体を水素25、アルゴン75の容積比率でチャンバー内に導入する工程と、ハロゲンランプヒーター26を点灯することにより昇温速度約50°C/秒で処理温度までチャンバ1内の温度を上昇させる工程と、1200°C~1230°Cの温度範囲内で好適に選択された処理温度、好ましくは1230°Cの処理温度で、20秒間、基板50をチャンバ1内に滞在させる工程と、ハロゲンランプヒーター26を消灯し、温度範囲に応じて変動する数十°C/秒の降温速度で冷却空気の循環により基板50を冷却する工程、とを備えている。急速な加熱冷却勾配と短い定温状態とを伴う上記条件下における還元性雰囲気下での焼鈍工程100によれば、実質的に材料を除去することなく基板の表面粗さを低減させることができる。この場合、除去される材料の厚さは20Åに満たない。表面粗さの低減は、本質的に表面の再構成と平滑化により達成されものであり、エッチングによるものではない。加えて、原子注入及び劈開工程において発生した機能層52のシリコン結晶欠陥59は、この還元性雰囲気下での焼鈍工程100により少なくとも部分的に修復される。従って機能層52における欠陥59の密度が低下する。結果として、それを超えると欠陥59の密度が過大となって許容し難いものとなる機能層52の膜厚も減少する。更に、この焼鈍工程をRTA法に従って還元性雰囲気下で実行100することにより、或る種の欠陥による腐食が埋込み酸化物層56まで広がることも防止できる。還元性雰囲気下での焼鈍工程100は、他にも多くの利点を提供するものである。すなわち、この焼鈍工程は基板50の高い生産性との両立が容易であり、使用法が容易であり、既存設備を用いて実施可能である。一般に、表面粗さは、その粗さを測定すべき表面を走査して測定された最小高さと最大高さとの差により表されるか、rms値により表される。最小高さと最大高さとの差は、以下P-Vで表すPeakValleyという語に基づく。還元性雰囲気下での焼鈍工程100の後、1×1μm2の面積の表面領域を走査して測定した粗さは、rms値で50から1~1.5Åに即ちP-V値で500Åを超える値から約20Åに減少し、10×10μm2の面積領域を走査して測定した粗さは、rms値で50から5~15Åに即ちP-V値で500Åを超える値から40~50Åに減少した。研磨工程200は、当業者に公知の従来の化学-機械的研磨法により実行される。還元性雰囲気下での焼鈍工程100により既にかなり平滑化された表面を出発点とする研磨処理であるため、表面粗さ、特に低周波粗さを所望の目標値にするには研磨工程200として僅か200~400Åの研磨厚を対象とする研磨で充分である。典型的な例を挙げると、研磨後の表面粗さは測定面積1×1μm2の走査の場合にrms値で約0.8~1.5Åであり、測定面積10×10μm2の走査の場合にrms値で約1~2Åである。また、この研磨工程200により、露出表面54の近傍で欠陥59を含む膜厚部分を機能層52から除去することも可能である。本発明による方法の第2実施形態を図3に示す。既に述べたように、この第2実施形態は、例えばSMART-CUT法における劈開工程と洗浄工程とを経て得られたSOI基板50に対して実行される。この第2実施形態においては、基板50は還元性雰囲気下での焼鈍工程100Aに付され、その後に化学-機械的研磨工程200Aに付され、最後に熱処理320Aを伴う犠牲的酸化工程300Aに付される。ここで、第2実施形態における還元性雰囲気下での焼鈍工程100A及び化学-機械的研磨工程200Aは第1実施形態について述べたものと同一である。犠牲的酸化工程300Aは、研磨工程200Aの後に残った露出表目付近の欠陥59を除去することを目的としている。このような欠陥59は、先行する原子注入又は劈開によって発生することもあれば、研磨工程200A中に発生することもある。犠牲的酸化工程300Aは、酸化工程310Aと酸素除去工程330Aとを備えている。熱処理320Aは、酸化工程310Aと酸素除去工程330Aとの間の時期に実行される。酸化工程310Aは、700°C~1100°Cの温度範囲内で実施することが好ましい。酸化工程310Aはドライ方式又はウェット方式のいずれでも実施可能である。ドライ方式による場合、酸化工程310Aは例えば酸素ガス中で基板50を加熱することにより実施される。ウェット方式による場合は、酸化工程310Aは例えば水蒸気で満たされた雰囲気中で基板50を加熱することにより実施される。当業者に知られている従来法によるウェット方式又はドライ方式の酸化処理を利用する場合は、酸化性雰囲気として塩酸を用いることも可能である。このような酸化工程310Aにより露出表面に酸化物層60が生成される。熱処理工程320Aは、機能層52を構成する材料の品質を向上させるためのあらゆる熱的工程により実施可能である。この熱処理工程320Aは、一定温度又は可変温度において実施可能である。後者の場合、熱処理工程320Aは、例えば温度を二値間で連続的に漸次変化させるか、二値間で周期的に段階的に変動させるなどして行うことができる。熱処理工程320Aは、少なくとも部分的に1000°Cを超える温度、より好ましくは約1100~1200°Cの温度で実施することが好ましい。熱処理工程320Aは、非酸化性雰囲気下で実施することが好ましい。熱処理320Aのための雰囲気は、アルゴン、窒素、水素、或いはこれらの代りに前述したような混合気体で構成することができる。また熱処理工程320Aは真空下で行っても良い。酸化工程310Aは、熱処理工程320Aの前に実施することが好ましい。この場合、熱処理工程320Aの最中に酸化物層60が機能層の残りの部分を保護し、ピット形成現象が防止される。ピット形成現象は当業者には良く知られている。この現象は、或る種の半導体が窒素やアルゴンなどの非酸化性雰囲気中または真空下で焼鈍された場合に、その表面に凹部が発生する現象を言う。特にシリコンの場合、シリコンが剥き出しの状態、即ち酸化物被膜が全く形成されていない状態ではピット形成現象が発生しやすい。有利な一態様によれば、酸化工程310Aは熱処理工程320Aの温度上昇開始と同時に開始され、該熱処理工程の終了前に終了する。熱処理工程320Aは、基板50の製造加工プロセスにおける先行工程で発生した欠陥を少なくとも部分的に修復することを可能にする。更に詳しくは、熱処理工程320Aは、酸化工程310Aで機能層52に発生する積層欠陥、HF欠陥等のような結晶欠陥を熱処理で修復し得るような温度及び時間で実行可能である。HF欠陥とは、フッ化水素酸浴中で基板50を処理した後に埋込み酸化物層56中の装飾的ハローによってその存在が明らかとなる欠陥を意味する。また熱処理工程320Aは、例えばSMART-CUT法において移載工程中に移載された層と支持基板58との間の界面の接合強度の強化にも有利に作用する。酸素除去工程330Aは溶液中で行うことが好ましい。この溶液は、例えば10又は20フッ化水素酸溶液である。係る溶液中に基板50を浸漬することにより、膜厚が一千乃至数千Åの酸化物層60を除去するには数分の処理で充分である。以上に述べた本発明による方法の第2実施形態では、還元性雰囲気下での焼鈍工程100で機能層52から少なくとも15Åのシリコンと、研磨工程200で機能層52から300Åのシリコンと、犠牲的酸化工程300で機能層52から650Åのシリコンとがそれぞれ除去される。このように、本発明による方法により除去される機能層52の膜厚部分は、第2実施形態においては全体で約950Å程度である。一般的には本発明による方法の第2実施形態では800~1100Åを好適に除去可能である。本発明による方法の第2実施形態における各工程後に測定した表面粗さを表1に比較表の形で示す。本発明による方法の第3実施形態を、図4に示す。既に述べた実施形態の場合と同様に、本実施形態も一例としてSMART-CUT法における劈開工程並びに洗浄工程を経て得られたSOI基板50に対して実行される。劈開工程及び洗浄工程の後、基板50は、熱処理工程321Bを伴う第1の犠牲的酸化工程301Bと、還元性雰囲気下での焼鈍工程100Bと、化学-機械的研磨工程200Bと、熱処理工程322Bを伴う第2の犠牲的酸化工程302Bとに付される。本実施形態における還元性雰囲気下での焼鈍工程100B及び化学-機械的研磨工程200Bは、前述第1実施形態に関して述べたものと同一である。第1と第2の犠牲的酸化工程301B及び302Bは、前述の犠牲的酸化工程300Aと同様に、酸化工程311Bと312B、及び酸素除去工程331Bと332Bを備えている。これらの第1と第2の犠牲的酸化工程301B及び302B、並びに熱処理工程321B及び322Bも、それぞれ前述の第2実施形態に関して既に述べたものと同様である。本発明による方法の第3実施形態においては、第1の犠牲的酸化工程301Bで機能層52から650Åのシリコンと、還元性雰囲気下での焼鈍工程100Bで機能層52から15Å未満のシリコンと、研磨工程200Bで機能層52から300Åのシリコンと、第2の犠牲的酸化工程302Bで機能層52から650Åのシリコンとがそれぞれ除去される。従って本発明の方法によって機能層から除去される膜厚部分は、第3実施形態においては全体で約1600Å程度である。本発明による方法の第3実施形態における各工程後に測定した表面粗さを表2に比較表の形で示す。本発明による方法の第4実施形態を図5に示す。既に述べた実施形態の場合と同様に、本実施形態も一例としてSMART-CUT法における劈開工程を経て得られたSOI基板50に対して実行される。劈開工程及び洗浄工程の後、基板50は、還元性雰囲気下での焼鈍工程100Cと、熱処理工程321Cを伴う第1の犠牲的酸化工程301Cと、化学-機械的研磨工程200Cと、熱処理工程322Cを伴う第2の犠牲的酸化工程302Cとに付される。本実施形態における還元性雰囲気下での焼鈍工程100C及び化学-機械的研磨工程200Cは、前述第1実施形態に関して述べたものと同一である。第1と第2の犠牲的酸化工程301C及び302Cも、前述の犠牲的酸化工程300Aと同様に、酸化工程311Cと312C及び酸素除去工程331Cと332Cとを含んでいる。第1と第2の犠牲的酸化工程301C及び302C、並びに熱処理工程321C及び322Cは、本発明による方法の前述第2実施形態に関して既に説明したものと同様である。本発明のこの第4実施形態においては、還元性雰囲気下での焼鈍工程100Cで機能層52から15Å未満のシリコンと、第1の犠牲的酸化工程301Cで機能層52から650Åのシリコンと、研磨工程200Cで機能層52から300Åのシリコンと、第2の犠牲的酸化工程302Cで機能層52から650Åのシリコンとがそれぞれ除去される。従って本発明による方法で機能層52から除去された膜厚部分は、第4実施形態においては全体で約1600Å程度である。本発明による方法の第4実施形態における各工程後に測定した表面粗さを比較表の形で表3に示す。本発明による方法の第5実施形態を図6に示す。既に述べた実施形態の場合と同様に、本実施形態も例えばSMART-CUT法における劈開工程を経て得られたSOI基板50に対して実行される。劈開工程及び洗浄工程の後、基板50は、還元性雰囲気下での第1焼鈍工程101Dと、化学-機械的研磨工程200Dと、還元性雰囲気下での第2焼鈍工程102Dとに供される。本実施形態における還元性雰囲気下での焼鈍工程101Dと102D及び化学-機械的研磨工程200Dは、第1実施形態に関して述べたものと同様である。本発明によるこの第5実施形態においては、還元性雰囲気下での第1焼鈍工程101Dで機能層52から15Å未満のシリコンと、研磨工程200Dで機能層52から400Åのシリコンと、還元性雰囲気下での第2焼鈍工程102Dで機能層52から15Å未満のシリコンとがそれぞれ除去される。従って、本発明による方法で機能層52から除去された膜厚部分は、第5実施形態においては全体で約400Å程度である。本発明による方法の第5実施形態における一つの変形例として、既に述べたような熱処理や、その代替としてやはり既に述べたような熱処理を伴う犠牲的酸化を上述の第5実施形態にも導入することは勿論可能である。表4に本発明による方法の第5実施形態における各工程後に測定した表面粗さを比較表の形で示す。上述した本発明による方法の第5実施形態は、劈開後の表面粗さが小さい場合に特に有利である。これは特に、原子注入が数種のエネルギーにより実施される場合フランス公開特許第2774510号公報参照及び/又は数種の原子種で実施される場合、或いはまた劈開が機械的制約を伴う場合フランス公開特許第2748851号公報参照などが該当する。