"シリコンウェーハと隙間形成用部材とを所定距離だけ平行に離間して液膜形成用隙間を形成し、その後、該液膜形成用隙間にシリコン用のエッチング液を連続的に供給して、前記液膜形成用隙間にエッチング液膜を形成し、該エッチング液膜を形成したまま、前記シリコンウェーハと前記隙間形成用部材との少なくとも一方を回転することで、前記シリコンウェーハの隙間形成用部材との対向面にエッチングによる表面処理を施すシリコンウェーハの表面処理方法。前記隙間形成用部材は仕上げ研磨前の研磨時に使用される研磨布で、前記表面処理は、前記仕上げ研磨前の研磨が終了した直後、連続して行う請求項1に記載のシリコンウェーハの表面処理方法。ところで、近年のデバイスの微細化およびシリコンウェーハのデバイス形成領域の拡大の観点から、シリコンウェーハの表面全域にわたって高い平坦度が要求される。ウェーハ表面の平坦度は粗研磨工程での研磨処理によりその形状がほぼ決定されるものの、粗研磨処理によって得られるウェーハ表面の平坦度にも限界があり、更なる平坦度の向上が望まれている。また、仕上げ研磨工程では、スエードのような軟質の研磨布が採用されることから、仕上げ研磨後のウェーハの最外周部がダレた形状ロールオフになる傾向がある。そのため、仕上げ研磨工程におけるロールオフ量を相殺するように、予め粗研磨工程においてウェーハ最外周部を意図的にロールアップさせるような研磨処理を施す場合もあるが、粗研磨により達成可能なロールアップ量にも限界がある。そこで、発明者は鋭意研究の結果、研磨処理後、シリコンウェーハと研磨布とを所定距離だけ平行に離間させて液膜形成用隙間を形成し、この隙間にエッチング液を連続的に供給することで、エッチング液の膜エッチング液膜を現出し、このエッチング液膜を形成した状態で、シリコンウェーハと研磨布との少なくとも一方を回転させながら、シリコンウェーハの研磨面を化学的に表面処理すれば、ウェーハ表面の平坦度レベルの改善が図れることを知見し、本発明を完成させた。しかも、この液膜形成用隙間の間隔幅を適宜変更してエッチング液膜を所望の厚さとし、必要に応じてその他のエッチング条件も適宜変更すれば、各種のウェーハ加工後のウェーハ加工面の表面形状を自由に造り込めることを知見し、この発明を完成させた。すなわち、この発明は、シリコンウェーハの表面形状平坦度を自由に造り込むことができるウェーハ表面処理方法を提供するものである。請求項1に記載の発明は、シリコンウェーハと隙間形成用部材とを所定距離だけ平行に離間して液膜形成用隙間を形成し、その後、該液膜形成用隙間にシリコン用のエッチング液を連続的に供給して、前記液膜形成用隙間にエッチング液膜を形成し、該エッチング液膜を形成したまま、前記シリコンウェーハと前記隙間形成用部材との少なくとも一方を回転することで、前記シリコンウェーハの隙間形成用部材との対向面にエッチングによる表面処理を施すウェーハ表面処理方法である。特に、請求項2に記載の発明は、前記隙間形成用部材は仕上げ研磨前の研磨時に使用される研磨布で、前記表面処理は、前記仕上げ研磨前の研磨が終了した直後、連続して行う請求項1に記載のシリコンウェーハの表面処理方法である。請求項1に記載の発明によれば、シリコンウェーハと隙間形成用部材とを所定距離だけ平行に離間して液膜形成用隙間を形成し、この液膜形成用隙間にエッチング液を連続的に供給することで、液膜形成用隙間にエッチング液膜を形成する。その後、このエッチング液膜を形成したまま、シリコンウェーハと隙間形成用部材との少なくとも一方を回転させることで、シリコンウェーハの隙間形成用部材との対向面に化学的な表面処理を施す。具体的には、液膜形成用隙間にエッチング液を連続的に供給してエッチング液膜を形成した状態で、シリコンウェーハと隙間形成用部材との少なくとも一方を回転させる。これにより、液膜形成用隙間に供給されたエッチング液の流速が高まる。しかも、シリコンウェーハの隙間形成用部材との対向面に存在する凹凸のうち、凸部と隙間形成用部材との間は狭く、オリフィスが形成され、この部分を通過するエッチング液の流速は高まる。これにより、新鮮なエッチング液が単位時間当たりで大量に凸部と接触し、その結果、凸部のエッチング速度が高まる。一方、凹部と隙間形成用部材との間は、凸部の場合に比べて幅が広く、この部分を通過するエッチング液の流速は低下する。よって、凹部のエッチング速度は凸部の場合より低下する。これらの作用により、凹凸差は徐々に小さくなる。このようなエッチングを所定時間継続し、かつ例えばエッチング液の濃度、液温、エッチング液膜の厚さなどのエッチング条件を適宜変更することで、シリコンウェーハの隙間形成用部材との対向面の表面形状を自由に造り込むことができる。請求項2に記載の発明によれば、研磨装置にエッチング機構を備え、シリコンウェーハの表面処理を仕上げ研磨前の研磨の終了直後に連続して行うように構成したので、専用のエッチング処理装置が不要となり、コスト低減が図れるとともに研磨および表面処理のトータルな処理時間を短縮することができる。この発明は、シリコンウェーハと隙間形成用部材とを所定距離だけ平行に離間して液膜形成用隙間を形成し、その後、該液膜形成用隙間にシリコン用のエッチング液を連続的に供給して、前記液膜形成用隙間にエッチング液膜を形成し、該エッチング液膜を形成したまま、前記シリコンウェーハと前記隙間形成用部材との少なくとも一方を回転することで、前記シリコンウェーハの隙間形成用部材との対向面にエッチングによる表面処理を施すウェーハ表面処理方法である。この発明によれば、シリコンウェーハと隙間形成用部材との間に形成された液膜形成用隙間に、エッチング液を連続的に供給することでエッチング液膜を形成する。その後、エッチング液膜を形成したまま、シリコンウェーハと隙間形成用部材との少なくとも一方を回転させる。これにより、シリコンウェーハの隙間形成用部材との対向面に化学的な表面処理が施される。このようなエッチング液膜を利用したエッチングを所定時間継続し、かつ例えばエッチング液の濃度、液温、エッチング液膜の厚さなどのエッチング条件を適宜変更することで、シリコンウェーハの隙間形成用部材との対向面の表面形状を自由に造り込むことができる。ここでいうシリコンウェーハの表面形状を造り込むとは、ウェーハ表面をフラット形状にすることだけに限らず、用途によっては、意図的にウェーハ外周部をロールアップ、ロールオフさせることも含むものである。シリコンウェーハとしては、単結晶シリコンウェーハ、多結晶シリコンウェーハを採用することができる。隙間形成用部材としては、例えば研磨装置の研磨布1次研磨用、2次研磨用などを採用することができる。隙間形成用部材は円板形状の部材で、シリコンウェーハと同一直径でも、それより大径でもよい。隙間形成用部材の回転中心は、隙間形成用部材の中心軸である。特に、枚葉式片面研磨装置を用いて、隙間形成用部材とシリコンウェーハとの回転軸は一致させることが望ましい。これにより、ウェーハ周方向に均一にエッチング液が行き渡り、表面形状が均一なウェーハを得ることができる。シリコンウェーハと隙間形成用部材とを所定距離だけ平行に離間させる方法としては、シリコンウェーハの方を移動させても、隙間形成用部材の方を移動させてもよい。また、これらの両方を移動させてもよい。液膜形成用隙間とは、シリコンウェーハの隙間形成用部材との対向面と、隙間形成用部材のシリコンウェーハとの対向面との間に形成される円盤形状の隙間である。また、液膜形成用隙間の幅は、隙間全域にわたって略一定とする。シリコンウェーハと隙間形成用部材との離間距離、ひいては液膜形成用隙間の幅エッチング液膜の厚さは任意である。ここでいうエッチング液とは、遊離砥粒を含まず、かつシリコンへのエッチング腐食力を有した溶液をいう。エッチング液としては、例えばNaOH,KOH,TMAHなどのアルカリ性エッチング液を採用することができる。その他、過酸化水素などの酸性エッチング液も採用することができる。エッチング液エッチング成分の濃度は、例えばアルカリ性エッチング液の場合には0.01~50重量のものを使用することが望ましい。アルカリ濃度が高すぎる場合には、ウェーハ表面の粗さヘイズなどを悪化させる恐れがある。液膜形成用隙間へのエッチング液の好ましい供給位置は、隙間形成用部材の中央部回転中心である。この場合、シリコンウェーハと隙間形成用部材とが同一の軸線上で回転する際に、エッチング液を液膜形成用隙間の半径方向外側へ向かって略均等に流出でき、シリコンウェーハの面内均一エッチング性を高めることができる。シリコンウェーハと隙間形成用部材とは、何れか一方を回転させても、両方を回転させてもよい。その回転方向は、互いに異なる方向でも、同一方向でもよい。シリコンウェーハまたは隙間形成用部材の回転速度はいずれも1~1000rpmに調整することが望ましい。回転速度が1rpm未満の場合には、液膜を安定的に形成することが困難となり、エッチング液の供給ムラを生じるおそれがある。回転速度が1000rpmを超える場合には、装置振動によりエッチング処理後のウェーハ形状が悪化するおそれがある。この発明では、隙間形成用部材を研磨布とし、液膜形成用隙間のシリコンウェーハ側の形成壁面を粗研磨面とするようにしてもよい。この場合には、エッチング液により、シリコンウェーハの粗研磨面の平坦度が改善される。研磨布としては、不織布にウレタンを含浸させて発泡させた研磨布または乾式発泡ウレタンからなる研磨布や、ポリエステル製の不織布などを採用することができる。研磨布は研磨作用面に砥粒が固定された固定砥粒方式のものでもよい。研磨布は硬質なものが望ましく、具体的には、JISK6253-1997/ISO7619により規定されたショアD硬度で70~90、圧縮率が1~5、特に2~3の研磨布を採用することが望ましい。使用される研磨装置としては、例えば1枚のシリコンウェーハを研磨する枚葉式のものでも、複数枚のシリコンウェーハを同時に研磨するバッチ式のものでもよい。枚葉式の場合、研磨ヘッドを定位置で回転させるものでも、水平に移動させるものでもよい。また、シリコンウェーハの片面のみを研磨する片面研磨式のものでも、表裏両面を同時に研磨する両面同時研磨式のものでもよい。いずれの場合でも、ウェーハ表面の平坦度が、従来はGBIRで0.4μm以上であったものを、GBIRで0.3μm以下にまで改善することができる。シリコンウェーハと隙間形成用部材との離間距離は、使用するエッチング液の粘性にもよるが、0.1mm~1mmが望ましい。間隔が広すぎる場合にはエッチング処理中、液膜形成を維持することが困難となる。次に、図1~図4を参照して、この発明の実施例1に係るウェーハ表面処理方法を説明する。まず研磨装置を説明する。図2および図3において、10はこの発明の実施例1に係るウェーハ表面処理方法で使用される枚葉式の片面研磨装置で、上面に、表裏面を粗研磨した後の1枚のシリコンウェーハWが、表面粗研磨面を上に向けて真空貼着された円形のウェーハ保持板11と、ウェーハ保持板11の上方に対向して配置され、下面に研磨布隙間形成用部材12が貼着された研磨定盤13とを備えている。シリコンウェーハWは、直径300mm、P型、初期酸素濃度1.0×1018atoms/cm3、比抵抗が10mΩcm、面方位は100のものである。研磨布12としては、不織布にウレタンを含浸させて発泡させた厚さ1.2mm、アスカーA硬度で90Aのものが採用されている。片面研磨装置10は、ウェーハ面内の平坦度を高めるため、往復移動部14により研磨定盤13を水平方向へ往復移動可能となっている。そのため、研磨定盤13および研磨布12は、ウェーハ保持板11より大径に形成されている。研磨定盤13の中心部および研磨布12の中心部には、それぞれの表裏面を貫通してノズル孔15が1本形成されている図1および図4。ノズル孔15には、研磨工程では研磨液aが流入され、またエッチングを伴う表面処理工程では、アルカリ性のエッチング液bが流入される。さらに、リンス工程では超純水cが流入される。研磨液aとしては、KOH溶液をベースとし、平均粒径約20nmのシリカ粒子が0.5重量混入されたコロイダルシリカが使用される。なお、研磨液aに代えて遊離砥粒を含まない無砥粒の研磨液を採用してもよい。エッチング液bとしては、遊離砥粒を含まない30容量アルカリ濃度;3重量、40°CのNaOH溶液が使用される。なお、エッチング液bとしては、仕上げ研磨に使用する研磨液と同種のものを採用した方が望ましい。これは、次の仕上げ研磨を行う際に、研磨液の薬液成分の変動を排除するためである。具体的には、仕上げ研磨用の研磨液がNaOHであれば、エッチング液bもNaOH、仕上げ研磨用の研磨液がKOHであればエッチング液bもKOHとする。シリコンウェーハWの片面研磨時には、研磨定盤13を50~100rpmで回転させながら徐々に下降し、その研磨布12を、研磨定盤13とは反対方向へ50~100rpmで回転するウェーハ保持板11上のシリコンウェーハWの表面に、研磨圧力100~300g/cm2で押し付ける。この研磨中、ノズル孔15から40°Cの研磨液aを常時0.5リットル/分で供給する。研磨定盤13と研磨布12との中心線は合致し、同一の軸線中心線を中心にして同期回転する。シリコンウェーハWとウェーハ保持板11との中心線は合致し、同一の軸線を中心にして同期回転する。研磨時間は17分間、表面処理中は研磨定盤13を水平方向へ往復移動させる。その結果、シリコンウェーハWの表面が研磨される。次に、この発明の実施例1に係るウェーハ表面処理方法を説明する。まず、研磨工程を説明する。研磨工程では、片面研磨装置10を用いて、シリコンウェーハWの表面のみが研磨される。すなわち、研磨定盤13を50~100rpmで回転させながら、研磨定盤13とは反対方向へ50~100rpmで回転中のウェーハ保持板11に向かって徐々に下降させる。これにより、研磨布12がシリコンウェーハWの表面に、100~300g/cm2で押し付けられた状態で17分間、ウェーハ表面を研磨する。このとき、ノズル孔15から、常時、0.5リットル/分で研磨液aをシリコンウェーハWの表面に供給する。また、研磨定盤13を水平方向へ常時往復移動させる。これにより、シリコンウェーハWの表面が研磨され、前述した両面研磨時のウェーハ表面の加工ダメージが除去されるとともに、ウェーハ表面が平坦化される。表面処理工程では、研磨の終了後、研磨定盤13を100μmだけ水平に上昇させる。これにより、シリコンウェーハWと研磨布12との間に100μmの液膜形成用隙間16が形成される。次に、この状態を維持して、ノズル孔15から研磨液aに代えて遊離砥粒を含まないエッチング液bを3.0リットル/分で、表面処理中は常時供給する。これにより、液膜形成用隙間16に厚さ100μmのエッチング液膜17が形成される。しかも、この状態を維持して、研磨工程時と同様に、研磨定盤13をその中心線を中心にして50~100rpmで回転させるとともに、ウェーハ保持板11およびシリコンウェーハWを、互いに一致した中心線を中心にして研磨定盤13とは反対方向へ50~100rpmで回転させる。このとき、表面処理時間は3分間で、表面処理中は研磨定盤13を水平方向へ常時往復移動させる。その結果、シリコンウェーハWの研磨面に対して、エッチングを伴う表面処理が施される。このように、エッチング液膜17を形成したまま、シリコンウェーハWと研磨布12とを互いに反対方向へ回転させることで、遠心力の作用により、液膜形成用隙間16に供給されたエッチング液bの流速が高まる。しかも、シリコンウェーハWの研磨布12との対向面に存在する凹凸のうち、凸部Waと研磨布12との間Bが狭いため、ここにオリフィスが形成され、この部分を通過するエッチング液bの流速が高まる。これにより、新鮮なエッチング液bが、液膜形成用隙間16の一般的な幅隙間部分に比べて単位時間当たり大量に凸部Waと接触し、その結果、凸部Waのエッチング速度が高まる。一方、凹部Wbと研磨布12との間Aは、凸部Waとの場合に比べて幅が広く、この部分を通過するエッチング液bの流速は遅くなり、凹部Wbのエッチング速度が凸部Waの場合より低下する。これらの作用により、凹凸差は徐々に小さくなって行く。よって、シリコンウェーハWの平坦度レベルを改善することができる。また、使用後のエッチング液bは、液膜形成用隙間16の外周の開口から外へ流出する。また、片面研磨装置10にエッチング機構を備え、シリコンウェーハWの表面処理を仕上げ研磨前の研磨の終了直後に連続して行うように構成したので、専用のエッチング処理装置が不要となり、コスト低減が図れるとともに研磨および表面処理のトータルな処理時間を短縮することができる。リンス工程では、表面処理工程の終了後、エッチング液bに代えて超純水cをノズル孔15から液膜形成用隙間16に5.0リットル/分で供給しながら、表面処理工程の場合と同一条件で、研磨定盤13と、シリコンウェーハWが真空吸着されたウェーハ保持板11とを回転させる。また、リンス工程中、研磨定盤13を水平方向へ常時往復移動させる。これにより、シリコンウェーハWの表面処理面と、研磨布12とがリンスされる。リンス時間は1分間である。ここで、実験に基づき、実施例1のウェーハ表面処理方法に則ってシリコンウェーハの研磨面を表面処理した場合試験例1,2と、そうでない場合比較例1,2とのウェーハ表面の平坦度の違いを報告する。比較例1比較例1では、実施例1の片面研磨装置を使用し、実施例1の研磨工程と同一条件でシリコンウェーハの表面を研磨し、表面処理およびリンスは行わなかった。このときの研磨面の平坦度レベルは、GBIRで0.45μm土井精密株式会社製のWaferComによる評価、以下同じであった図5。比較例2比較例2では、実施例1の表面処理工程において、研磨定盤を上昇させてエッチング液を液膜形成用隙間に供給するのではなく、研磨定盤の加圧を中止して無荷重で表面処理を行った。その他の条件は実施例1と同一であり、シリコンウェーハの研磨面に、表面処理とリンスとを順に施した。リンス後、シリコンウェーハを乾燥させ、この表面処理面の平坦度レベルを評価した結果、GBIRで0.43μmであり、比較例1のシリコンウェーハとほとんど変化はなかった図6。試験例1試験例1では、実施例1の表面処理工程において、レジスト膜均一性、SOI膜厚均一性等を目的として意図的にウェーハ外周部をロールアップさせるため、研磨定盤を10mm上昇させてエッチング液を液膜形成用隙間に供給した。その他は、実施例1と同一条件でシリコンウェーハの研磨面に、表面処理とリンスとを施した。乾燥後、ウェーハ表面処理面の平坦度レベルを評価したところ、目標範囲内のGBIRで0.67umであった。図7。試験例2試験例2では、実施例1と同一条件で、シリコンウェーハの表面について、研磨と、表面処理と、リンスとを順次施した。リンス後、乾燥を経て、シリコンウェーハの表面処理面の平坦度レベルを評価した。その結果、シリコンウェーハの表面処理面の平坦度はGBIRで0.22umであって、通常研磨の比較例1と比べて高いウェーハ表面の平坦度を得ることができた図8。"