"固体撮像素子を備えて成る固体撮像装置であって、前記固体撮像素子のチップと、前記固体撮像素子へ光を結像させる結像レンズと、前記結像レンズと前記チップとの間に配置された、屈折率が1よりも大きい材料とを含み、前記屈折率が1よりも大きい材料が、平板状の部分と凸な曲面形状の部分とを有する光学部品を構成し、前記光学部品の前記凸な曲面形状の部分が、前記チップの最上層の上に接触していて、前記凸な曲面形状の部分と、前記チップの最上層との接触幅が800nm以内である、固体撮像装置。前記凸な曲面形状の部分と前記固体撮像素子の各画素の受光部との間に形成された、導波路をさらに含む、請求項1に記載の固体撮像装置。前記屈折率が1よりも大きい材料のアッベ数が50以上である、請求項1~請求項2のいずれか1項に記載の固体撮像装置。固体撮像素子を備えて成る固体撮像装置を含み、画像の撮影が行われるカメラであって、前記固体撮像素子のチップと、前記固体撮像素子へ光を結像させる結像レンズと、前記結像レンズと前記固体撮像素子のチップとの間に配置された、屈折率が1よりも大きい材料とを含み、前記屈折率が1よりも大きい材料が、平板状の部分と凸な曲面形状の部分とを有する光学部品を構成し、前記光学部品の前記凸な曲面形状の部分が、前記チップの最上層の上に接触していて、前記凸な曲面形状の部分と、前記チップの最上層との接触幅が800nm以内である、前記固体撮像装置を含むカメラ。前記固体撮像装置は、前記凸な曲面形状の部分と前記固体撮像素子の各画素の受光部との間に形成された、導波路をさらに含む、請求項4に記載のカメラ。前記固体撮像装置の前記屈折率が1よりも大きい材料のアッベ数が50以上である、請求項4~請求項5のいずれか1項に記載のカメラ。しかしながら、上述した高い解像度が得られる効果は、解像度が画素サイズよりも小さい範囲で成り立つ。この解像度は、固体撮像素子の外部に設けられた結像レンズの回折限界や収差で決まる。現在、固体撮像装置に使用している結像レンズを含む光学系では、回折限界や収差があるために、点光源を結像しても、幅を持って焦点を結ぶので、分解能に限界がある。そのため、固体撮像素子の画素サイズがあるレベルまで小さくなると、それ以上は画素サイズを小さくしても、解像度が向上しないことになる。即ち、固体撮像素子と結像レンズ等の光学系とを備えた固体撮像装置において、固体撮像素子半導体チップの構成の工夫だけでは、解像度の向上に限界が来ている。上述した問題の解決のために、本発明においては、解像度を向上することを可能にする固体撮像装置、並びに、固体撮像装置を備えたカメラを提供するものである。本発明の固体撮像装置は、固体撮像素子のチップと、固体撮像素子へ光を結像させる結像レンズと、結像レンズとチップとの間に配置された、屈折率が1よりも大きい材料とを含み、この屈折率が1よりも大きい材料が、平板状の部分と凸な曲面形状の部分とを有する光学部品を構成し、この光学部品の凸な曲面形状の部分が、チップの最上層の上に接触していて、凸な曲面形状の部分と、チップの最上層との接触幅が800nm以内である。本発明のカメラは、固体撮像素子を備えて成る固体撮像装置を含み、画像の撮影が行われるものであり、固体撮像装置が上記本発明の固体撮像装置の構成である。上述の本発明の固体撮像装置の構成によれば、結像レンズと固体撮像素子のチップとの間に、屈折率が1よりも大きい材料を含むので、この材料により結像レンズから固体撮像素子への光の結像状態を変えて、分解能を小さくすることが可能になる。上述の本発明のカメラの構成によれば、固体撮像装置が上記本発明の固体撮像装置の構成であることにより、固体撮像装置の分解能を小さくすることが可能になる。上述の本発明によれば、分解能を小さくすることが可能になるため、同じ画素サイズで従来よりも解像度を向上することが可能になる。従って、本発明により、結像レンズの回折限界や収差による限界を超えて、微細な画素でも充分に高い解像度の画像が得られる。また、結像レンズのF値に関係なく、高い解像度を達成することができる。以下、発明を実施するための最良の形態以下、実施の形態とするについて説明する。なお、説明は以下の順序で行う。1.本発明の概要2.本発明の固体撮像装置の第1の実施の形態チップ上に高屈折率材料3.本発明の固体撮像装置の第2の実施の形態近接場光の利用;球面又は円筒面4.本発明の固体撮像装置の第3の実施の形態近接場光の利用及び光導波路5.本発明の固体撮像装置の第4の実施の形態複数種類の高屈折率材料の積層;色収差の低減6.回路構成の例7.本発明の固体撮像装置の変形例8.本発明のカメラの実施の形態<1.本発明の概要>まず、本発明の具体的な実施の形態の説明に先立ち、本発明の概要を説明する。本発明は、結像レンズと固体撮像素子のチップを有して成る固体撮像装置において、結像レンズとチップとの間に、屈折率が1よりも大きい材料以下、便宜的に高屈折率材料と呼ぶこともあるを設けることを、基本的な構成としている。結像系レンズでは、回折限界があるため、点光源を結像しても、実際には幅を持って焦点を結ぶことになる。この幅をエアリーディスクと呼ぶ。回折限界を説明するための図を、図18に示す。図18に示すように、結像レンズ51と絞り52と固体撮像素子のチップ53とを有する固体撮像装置に対して、1つの点光源60からの光が入射する場合を考える。点光源60からの光が、結像レンズ51で集束されて絞り52の開口を通過して、チップ53付近で焦点を結ぶ。このときのチップ53において受光する光の強度分布を、図18の右側に示す。この強度分布からわかるように、直径Dの円に集束されており、この直径Dの円がエアリーディスクである。エアリーディスクの直径Dは、次式で示される。D=1.22λ/NAここで、λは光の波長であり、NA=nsinθであり、nは空気の屈折率、θは光の入射角である。さらに、図19に示すように、2つの点光源60A,60Bがほぼ同じエリアにある場合を考える。この場合に、2つの点光源60A,60Bが2つの像として分解できるかどうかで分解能が決まる。図19においても、図18と同様に、チップ53において受光する光の強度分布を図19の右側に示している。図19に示すように、2つの点光源60A,60Bが近い位置にあると、右側の強度分布からわかるように、2つのエアリーディスクが重なりを持つ。2つのエアリーディスクの重なり具合によっては、2つの像として分解できずに、1つの像となってしまうことになる。分解能を定義するものとして、一般的には、レーリー限界と呼ばれるものがある。これは、エアリーディスクの重なりが分解可能な限界として、分解能ω=0.61×λ/NAとなる。ここで、結像レンズ51のF値が2.8であり、入射光の波長λが0.55μm550nmであるときの、入射光の光軸に垂直な方向の座標位置xμmと光強度相対値との関係を、図20に示す。座標位置xの原点は、一方の点光源からの入射光の光軸の位置になっている。図20に示す場合、F=2.8,λ=0.55μmのときの分解能は、ω=1.88μmとなる。なお、ここでのF値は、F=1/2×NAとなる。さらに、入射光の波長をλ=0.55μmに固定して、結像レンズのF値と分解能ωとの関係を、図21Aに示す。ω=0.61×λ/NAであり、F=1/2×NAであるため、ω=1.22×λ×Fが成り立ち、波長λが一定の下では、結像レンズのF値と分解能ωとは比例する。図21Aに示すように、結像レンズのF値が小さくなるほど、分解能が小さくなって、高い解像度が得られる。この図21Aに示す場合において、F=2.8程度では分解能が1.88μmとなっているのがわかる。さらに、ナイキストの定理により、分解能の半分の画素サイズであれば、レーリー限界まで分解できることになる。即ち、図21Bに示すように、明暗明の各エリアに各画素を対応させることができる画素サイズということになる。従って、F=2.8の結像レンズを使用した場合には、分解能1.88μmの半分のサイズである、0.94μmの画素サイズで、レーリー限界まで分解できることになる。このことは、0.94μm以下の画素サイズでは、画素サイズを小さくしても解像度が高くならないことを意味する。以上は、回折限界について述べたが、実際にはレンズには収差が存在する。球面収差について、図22を参照して説明する。図22に示すように、結像レンズ51の中央付近を通過する光線L1と、結像レンズ51の端を通過する光線L3とでは、焦点距離が異なるため、球面収差が発生する。この図22に示す場合には、入射光の光軸に垂直な方向の横収差Δyと、入射光の光軸に平行な方向の縦収差Δxとが存在するが、解像度に影響するのは図中の横収差Δyとなる。この場合、分解能に対応するボケ量εsは、εs=1/4×Δyとなる。収差は、この球面収差以外にも、色収差、コマ収差、非点収差、像面湾曲、歪曲等が存在し、このような収差が解像度を悪化させる。さらに、一般的なレンズの収差特性を、図23を参照して説明する。図23A~図23Dは、図22で説明した縦収差ΔxのF値依存性を示している。図23A~図23Dはレンズの焦点距離を変えており、図23Aは20mmの場合、図23Bは75mmの場合、図23Cは70mmの場合、図23Dは200mmの場合を示している。図23A~図23Dのいずれの場合も、F<5.6において収差が大きくなる傾向が見られる。各場合において、最大縦収差Δxから、横収差Δyとボケ量εsを見積もった。図23A焦点距離20mmでは、最大縦収差Δx=0.1mm、横収差Δy=17.9μm、ボケ量εs=4.5μmである。図23B焦点距離75mmでは、最大縦収差Δx=-0.1mm、横収差Δy=17.9μm、ボケ量εs=4.5μmである。図23C焦点距離70mmでは、最大縦収差Δx=-0.1mm、横収差Δy=17.9μm、ボケ量εs=4.5μmである。図23D焦点距離200mmでは、最大縦収差Δx=0.3mm、横収差Δy=53.5μm、ボケ量εs=13.4μmである。このように、これらのボケ量εsの値がF=2.8のときの分解能ω=1.88μmよりも大きい値を示しているのがわかる。このことから、F<5.6では、回折限界よりもレンズの収差の方が、解像度を決める要因として支配的になっていると考えられる。上述したような現状を鑑みて、本発明では、以下に説明する構成を採用する。即ち、固体撮像素子のチップと結像レンズとの間にある空間に、空気の屈折率1よりも高い屈折率を有する材料高屈折率材料を配置する。従来の構造は、図24Aに示すように、結像レンズ51とチップ53との間が空気屈折率n0=1である。これに対して、例えば図24Bに示すように、結像レンズ51とチップ53との間に、空気の屈折率n0=1よりも高い屈折率n1n1>1の材料54を埋め込む。これにより、結像レンズ51とチップ53とを一体化した構造とすることができる。また、この図24Bに示す構造においては、図24Aの従来の構造と焦点距離fが等しくなるように、結像レンズ51からの見込み角度θが等しくなるようにするθ1=θ0。結像レンズ51からの見込み角度θが等しく、かつ屈折率が高くなるため、NAが大きくなり、NA1>NA0となる。ここで、分解能ω=0.61×λ/NAであるので、NAが大きくなることにより、回折限界での分解能ωが小さくなる。これにより、高解像度の画像が得られると共に、画素サイズ縮小の限界がさらに小さくなる、というメリットを有する。また、上述した効果を得るためには、必ずしも、固体撮像素子のチップと結像レンズとの間の空間全体を、空気よりも高い屈折率の材料で埋め込む必要はない。例えば、図24Cに示すように、結像レンズ51とチップ53との間の空間の一部図24Cの場合は空間のチップ53側に、高い屈折率を有する材料54を埋め込むことによっても、同様な効果が得られる。さらに、従来構造とNAが等しくなるように、結像レンズ51からの見込み角度θを小さくするθ1<θ0と、球面収差が小さくなるように働く。この場合の概略構成を、図25B及び図25Cに示す。図25Aには、図24Aと同じ従来の構造を示している。図25Bは、図24Bと同様に空間全体を埋めた場合である。図25Cは、図24Cと同様に空間の一部チップ53側を埋めた場合である。図25B及び図25Cに示す各構成では、NA0=NA1とするために、結像レンズ51からの見込み角度θを小さくθ1<θ0している。球面収差によるボケの量は、結像レンズ51の直径Dと、結像レンズ51からの見込み角度θと、結像レンズ51の焦点距離fとから、次式で表すことができる。この式からわかるように、結像レンズからの見込み角度θが小さくなるほど、ボケ量εが小さくなる。なお、結像レンズ51のF値は、結像レンズ51の直径D及び焦点距離fから、F=f/Dとなる。続いて、上述した本発明の構造とすることによって、どの程度解像度が改善されるかを見積もった。まず、結像レンズからの見込み角度θが等しくなるようにしたとき図24参照において、高屈折率材料54として屈折率n1=1.6の材料を積層した場合の、積層した材料の厚みdと回折限界による分解能との関係を見積もった。結像レンズの焦点距離は、f=5.6cmとした。結像レンズ51のF値及び直径Dは、F=5.6,1.0cm、F=4.2,1.33cm、F=2.8,2.0cmの3通りに変えて、それぞれ分解能を調べた。見積もった結果を図26に示す。なお、d=5.6cmのときは、厚みdが焦点距離fと等しいので、結像レンズ51とチップ53との間が完全に高屈折率材料で埋まることになる。図26から、積層した材料の厚みdが厚くなるほど、分解能ωが小さくなることがわかる。この結果、高解像度の画像が得られると共に、画素サイズ縮小の限界が小さくなる、というメリットが生じる。次に、球面レンズでNAが一定となる条件において、高屈折率材料54として屈折率n1=1.6の材料を積層した場合の、積層した材料の厚みdと収差によるボケ量εとの関係を見積もった。結像レンズ51のF値及び直径Dは、図26と同様に3通りに変えた。見積もった結果を、図27に示す。図27から、積層した材料の厚みdが厚くなるほど、収差によるボケ量εが小さくなることがわかる。この結果、高解像度の画像が得られると共に、画素サイズ縮小の限界が小さくなる、というメリットが生じる。上述した分解能の改善効果を、図28を参照して概念的に説明する。図28に示すように、結像レンズによる分解能は、結像レンズのF値に依存性がある。結像レンズからの見込み角度θが等しくなる条件θ0=θ1,NA1>NA0の場合、本発明により、矢印Aのように変化して、回折限界による分解能が改善される。次に、NAが等しくなる条件NA0=NA1,θ1<θ0の場合、本発明により、矢印Bのように変化して、球面収差等のレンズ収差が改善される。これらの改善効果も、結像レンズのF値に依存することになる。改善効果を全てのF値にわたって平均化させるために、NA及びθが共に中間の値をとっても良い。即ち、NA1>NA0かつθ1<θ0を満たす条件でも、分解能の改善効果が得られる。この場合、図29に示すように、矢印C及び矢印Dのように変化して、分解能ωが改善される。以上の結果は、オンチップレンズやオンチップカラーフィルタが存在していても、存在していなくても、同様な結果を得る。固体撮像素子にオンチップレンズやオンチップカラーフィルタが存在している場合には、これらの上、即ち、固体撮像素子のチップの最上層の上に、高屈折率材料を形成する。固体撮像素子にオンチップレンズもオンチップカラーフィルタも存在していない場合には、受光部が形成されたシリコン等の半導体層又は、配線層を含む絶縁層の上に、高屈折率材料を形成する。本発明においては、結像レンズと固体撮像素子のチップとの間に、高屈折率材料を形成することにより、分解能を小さくする効果が得られる。そのため、固体撮像素子のチップ上に高屈折率材料をどのように積層するかは問わず、効果が得られる。例えば、固体撮像素子の最上層の上に積層しても、固体撮像素子を封止するパッケージの表面上に積層しても、いずれでも構わない。なお、チップの最上層のオンチップレンズ上に、高屈折率材料を直接積層する場合には、オンチップレンズのレンズ効果を失わないために、積層する高屈折率材料の屈折率を、オンチップレンズの屈折率より低くした方が良い。また、図30に示すように、チップ53上に積層する高屈折率材料54の厚みdを結像レンズ51の焦点深度以下とした場合には、材料54の最表面で結合したときの分解能ω ́で全体の分解能ωが決まってしまう。このため、分解能の改善効果が小さくなると考えられる。従って、高屈折率材料を結像レンズの焦点深度以上の厚みで積層することにより、分解能ωが小さくなって十分な効果があると考えられる。即ち、下記の条件を満たせば、十分な効果がある。また、高屈折率材料の屈折率n1が大きいほど、分解能を低減する作用効果も大きくなる。例えば、高屈折率材料の屈折率n1≧1.6とすれば、ある程度充分な分解能低減効果が得られる。なお、結像レンズとチップとの間の一部に高屈折率材料を設けた場合に、高屈折率材料の表面で光が反射されることを防ぐために、高屈折率材料の表面に反射防止膜を形成すると良い。反射防止膜の屈折率n2は1<n2<n11と高屈折率材料の屈折率との中間の値を満たし、反射防止膜の厚みd2は入射光の波長λに対してd2≦λ/4n2を満たすことが望ましい。好ましくは、色収差を低減するために、高屈折率材料として、アッベ数の大きい、50以上のアッベ数を有する材料を使用すると良い。また、さらに色収差を低減するために、高屈折率材料として、アッベ数が異なり、波長分散が異なる複数の材料を使用すると良い。そして、例えば、アッベ数が大きく波長分散が小さい材料を凸面型に形成し、その上にアッベ数が小さく波長分散が大きい材料を凹面型にして積層する。また、色収差によって色R,G,B毎に結像位置がずれている場合に、信号処理により各色の像を合わせるように、各色の像を縮小又は拡大する補正が行われるように、信号処理のプログラムを設定してもよい。例えば、被写体に対して像の外側に短波長の青Bの像がずれ、内側に長波長の赤Rの像がずれている場合には、青Bと赤Rの像を緑Gの像に合わせるように、縮小と拡大で補正すれば良い。高屈折率材料を、チップと結像レンズの間に形成する方法は特に問わないが、例えば、高屈折率材料を予め成型したものや、結像レンズと高屈折率材料とを一体型に成型したものを用意して、これをチップに接着する方法が考えられる。即ち、本発明においては、以下に列挙する構成とする。1固体撮像素子のチップと、固体撮像素子へ光を結像させる結像レンズと、結像レンズとチップとの間に配置された、屈折率が1よりも大きい材料高屈折率材料とを含む固体撮像装置を構成する。21において、屈折率が1よりも大きい材料高屈折率材料の層がチップの最上層の上に積層されている構成とする。31において、屈折率が1よりも大きい材料高屈折率材料の層が結像レンズと前記チップとの間全体を埋めている構成とする。この構成の場合、結像レンズと高屈折率材料とを一体形成することが可能である。41において、屈折率が1よりも大きい材料高屈折率材料が、平板状の部分と凸な曲面形状の部分とを有する光学部品を構成しており、この光学部品の凸な曲面形状の部分がチップの最上層の上に接触している構成とする。54において、凸な曲面形状の部分とチップの最上層との接触幅が800nm以内である構成とする。接触幅が可視光線の中心付近の波長540nmの1.5倍以内であるため、曲面形状の部分からチップに入った光が半導体層内で広がることが抑制される。64において、凸な曲面形状の部分と、固体撮像素子の各画素の受光部との間に形成された導波路をさらに含む構成とする。導波路により、受光部へ光を効率良く導くことができると共に、受光部へ入射する光のスポットを小さくすることができる。71~6において、屈折率が1よりも大きい材料高屈折率材料のアッベ数が50以上である構成とする。色収差を小さくすることができる。81~6において、屈折率が1よりも大きい材料高屈折率材料として、互いに波長分散の異なる複数の材料がそれぞれ設けられている構成とする。複数の材料の波長分散を打ち消すようにして、色収差を低減することができる。91~8において、屈折率が1よりも大きい材料高屈折率材料の結像レンズ側の表面に反射防止膜を有し、反射防止膜の屈折率が1と屈折率が1よりも大きい材料高屈折率材料との中間の値である構成とする。10固体撮像素子のチップと、固体撮像素子へ光を結像させる結像レンズとを含む固体撮像装置を製造する際に、チップと結像レンズとの間に屈折率が1よりも大きい材料高屈折率材料を形成する。1110の製造方法において、屈折率が1よりも大きい材料高屈折率材料を成型して光学部品を作製し、この光学部品をチップの最上層に接着する。12固体撮像素子のチップと、固体撮像素子へ光を結像させる結像レンズと、結像レンズとチップとの間に配置された、屈折率が1よりも大きい材料高屈折率材料とを含む固体撮像装置を含むカメラを構成する。<2.本発明の固体撮像装置の第1の実施の形態>本発明の固体撮像装置の第1の実施の形態の概略構成図を、図1に示す。本実施の形態は、図24Cや図25Cで説明した構成と同様に、結像レンズ11と固体撮像素子のチップ13との間の空間の一部に、空気屈折率1よりも高い屈折率n1>1を有する材料から成る、埋め込み層14を設けている。埋め込み層14は、固体撮像素子のチップ13の上に積層されている。埋め込み層14の表面から、結像レンズ11及び絞り12までの間は、従来の構成と同様に、何もない空間となっている。埋め込み層14の材料には、受光検出する波長帯域の光に対して、透過率が高い材料、望ましくは、透明である材料を使用する。このような埋め込み層14の材料としては、例えば、酸化シリコンSiO2等の酸化物、窒化シリコンSiNが挙げられる。酸化物は、ガラスの状態とするのが好適である。前述したように、本発明においては、固体撮像素子のチップ上に埋め込み層をどのように積層するかは問わず、分解能を改善する効果が得られる。従って、本実施の形態において、固体撮像素子のチップ13の最上層の上に埋め込み層14を積層しても、固体撮像素子のチップ13を封止するパッケージの上に埋め込み層14を積層しても、いずれでも構わない。ここで、特に、オンチップカラーフィルタ及びオンチップレンズを有する固体撮像素子のチップの最上層の上に埋め込み層14を積層する場合の概略断面図を、図2に示す。図2に示すように、各画素において、半導体基体21にフォトダイオードから成る受光部22が形成されており、この受光部22の上方に、オンチップカラーフィルタ23及びオンチップレンズ24が形成されている。そして、オンチップレンズ24上に埋め込み層14が積層され、この埋め込み層14でオンチップレンズ24による凹凸を埋めている。埋め込み層14は、画素ごとではなく、チップ全体にわたって形成されている。なお、図2においては、受光部22とオンチップカラーフィルタ23との間の構成は、記載を省略している。図2に示す構成では、オンチップレンズ24上に直接埋め込み層14を積層しているので、前述したように、埋め込み層14の屈折率をオンチップレンズ24の屈折率よりも低くすることが望ましい。埋め込み層14の形成方法は、例えば、埋め込み層14の材料を成型したものや、結像レンズ11と埋め込み層14とを一体型で成型したものを用意して、これをチップ13の上面に接着させる方法がある。また、埋め込み層14を構成する高屈折率材料のアッベ数が50以上であれば、色収差が小さくなり好都合である。上述の本実施の形態の構成によれば、固体撮像素子のチップ13と結像レンズ11との間に、屈折率が1よりも大きい材料による埋め込み層14が形成されているので、埋め込み層14により分解能を小さくすることが可能になる。分解能を小さくすることが可能になるため、同じ画素サイズで従来よりも解像度を向上することが可能になる。従って、結像レンズ11の回折限界や収差による限界を超えて、微細な画素でも充分に高い解像度の画像が得られる。また、結像レンズ11のF値に関係なく、高い解像度を達成することができる。続いて、上述した第1の実施の形態の構成を一部変更した変形例を、図3に示す。図3に示すように、埋め込み層14の上に反射防止膜15を形成している。この反射防止膜15の屈折率n2は、n1>n2>1を満たす。このように、埋め込み層14の上に反射防止膜15を形成したことにより、埋め込み層14の表面における、入射光の反射を抑制して、光をチップ13内の受光部に効率良く入射させることができる。より好ましくは、反射防止膜15の膜厚d2が、入射する可視光線の波長λに対して、d2=λ/4n2を満たすように、反射防止膜15を形成する。これにより、さらに効果的に、表面における入射光の反射を抑制することができる。<3.本発明の固体撮像装置の第2の実施の形態>本発明の固体撮像装置の第2の実施の形態の概略構成図を、図4A及び図4Bに示す。図4Aは図1と同様の全体図であり、図4Bは図4Aの要部の拡大図である。この第2の実施の形態は、解像度をさらに改善することを目的として、高屈折率材料を、下に凸な曲面形状球面或いは円筒面の部分を有する光学部品として、固体撮像素子のチップの表面に接触させて、近接場光を利用するものである。即ち、図4A及び図4Bに示すように、高屈折率材料を、固体撮像素子のチップ13側の下に凸な曲面形状球面或いは円筒面の部分16Aと、結像レンズ11側の平板状の部分16Bとから成る光学部品16として構成する。そして、チップ13の表面に、光学部品16の曲面形状の部分16Aを接触させている。このように構成したことにより、曲面形状の部分16Aの周囲の空間は、曲面形状の部分16Aよりも屈折率が低い。そのため、曲面形状の部分16Aに入射した光が、図4Bに示すように、曲面の内側を進み、絞られた所で近接場光となって、チップ13の表面に入射する。これにより、回折限界や収差の影響を避けることが可能となる。なお、光学部品16の曲面形状の部分16Aは、各受光部即ち各画素と1対1で対応するように、形成することが望ましい。上述の本実施の形態の構成によれば、固体撮像素子のチップ13と結像レンズ11との間に、屈折率が1よりも大きい材料による光学部品16が設けられているので、この光学部品16により、分解能を小さくすることが可能になる。分解能を小さくすることが可能になるため、同じ画素サイズで従来よりも解像度を向上することが可能になる。従って、結像レンズ11の回折限界や収差による限界を超えて、微細な画素でも充分に高い解像度の画像が得られる。また、結像レンズ11のF値に関係なく、高い解像度を達成することができる。また、本実施の形態の構成によれば、光学部品16が、チップ13側の下に凸な曲面形状16Aの部分と平板状の部分16Bとから成り、曲面形状の部分16Aをチップ13の表面に接触させている。これにより、曲面形状の部分16Aによって入射光が近接場光となってチップ13の表面に入射するので、回折限界や収差の影響を避けることが可能となる。ここで、FDTD法による波動シミュレーションを用いて、第2の実施の形態のように下に凸な曲面構造とした場合の効果を確認した。シミュレーションに使用した構造を、図31A及び図31Bに示す。図31Aは従来の構造であり、図31Bが本発明の第2の実施の形態の構造である。なお、図31A及び図31Bでは、図1や図4等とは、結像レンズとチップとの上下が逆になっている。絞り52は、結像レンズ51の被写体側光50が入射する側に配置し、結像レンズ51の屈折率はn=1.8とした。固体撮像素子のチップは、シリコンn=屈折率4.161に、屈折率n=1.4の層62が厚さ2μmで形成されている構成とした。図31Bでは、この層62に高屈折率材料の層63の曲面形状の部分が接触している構成とした。高屈折率材料の層63は、屈折率がn=1.8であり、画素のピッチは1.2μmとして、曲面形状の部分の下に凸な曲面の半径Rを、0.5μmと0.6μmの2通りとした。入射光の波長λは、540nmとした。シミュレーションの結果を、図32A~図32Cに示す。図32Aは、図31Aの従来の構造の場合である。図32Bは、図31Bで曲面の半径Rが0.5μmの場合であり、図32Cは、図31Bで曲面の半径が0.6μmの場合である。図32A~図32Cより、従来構造に比べて、本発明の構成では、チップの表面において結像レンズから結像された光のスポットが絞られていることがわかる。例えば、図32Bにおいて、矢印Aで示すように、チップ内に入る光のスポットが絞られている。従って、本発明の構成とすることにより、解像度が改善される。また、図33に断面図を示すように、高屈折率材料層63の曲面形状球面又は円筒面の部分と、層62の表面との接触幅w1を変えて、シリコン61の表面における光の広がり幅w2を、光学シミュレーションによって調べた。入射光の波長λは、540nmとした。シミュレーションの結果として、接触幅w1nmと光の広がり幅w2nmとの関係を、図34に示す。図34に示すように、λ=540nmにおいて、接触幅が800nmまでの範囲であれば、シリコン61中での光の広がり幅が抑制される効果が確認された。光の広がり幅は光の波長λに比例するので、接触幅の許容値としては波長λの1.5倍以内となる。<4.本発明の固体撮像装置の第3の実施の形態>本発明の固体撮像装置の第3の実施の形態の概略構成図を、図5に示す。図5Aは図1や図4Aと同様の全体図であり、図5Bは図5Aの要部の拡大図である。この第3の実施の形態は、図4A及び図4Bに示した、近接場光を利用する第2の実施の形態の構成に加えて、光の広がりを抑制して受光部に入射する光量を改善することを目的として、導波路を設けたものである。即ち、図5A及び図5Bに示すように、シリコン17の上の層絶縁層等18に、表面からシリコン17までをつなぐように、柱状の導波路19が形成されている。導波路19の内部には、周囲の層18よりも屈折率の高い材料を使用して、導波路19の外壁で光が反射して受光部の方へ導かれるようにする。導波路19は、各受光部即ち各画素と1対1で対応するように形成する。導波路19の形状は、例えば、円柱状や楕円柱状や四角柱状等とする。そして、層18の上には、図4A及び図4Bに示したと同様の構成である、光学部品1616A,16Bが設けられている。光学部品16の曲面形状の部分16Aは、導波路19と1対1で対応しており、各受光部即ち各画素と1対1で対応している。シリコン17の上の層18に導波路19を構成したことにより、層18に入射した光は、導波路19の壁面に沿って受光部へ向かうので、受光部が形成されているシリコン17に入射する光の広がり幅スポット径が導波路19の幅以下に抑制される。そのため、シリコン17の表面におけるスポット径を小さくして、各画素の受光部に充分な量の光を入射させることができる。本実施の形態の固体撮像装置は、例えば以下に説明するようにして、製造することができる。まず、図6Aに示すように、光学部品16となる基板材料25を用意する。次に、図6Bに示すように、基板材料25の表面に、レジスト26を塗布する。次に、図6Cに示すように、レジスト26を露光現像して、台形の断面形状とする。次に、図6Dに示すように、ポストベークを行って、レジスト26を溶解リフローさせて、台形の断面形状から曲面形状に変化させる。次に、図7Eに示すように、上方からRIE反応性イオンエッチング法により、エッチング加工27を行う。これにより、図7Fに示すように、レジスト26の形状が基板材料25に転写されていく。そして、最終的には、図7Gに示すように、基板材料25にレジスト26の形状が完全に転写されて、曲面形状の部分16Aを有する光学部品16が形成される。その後、図7Hに示すように、光学部品16の上下を反転させて、シリコン17の上の層18の内部に導波路19が形成された、チップ13の表面に、導波路19と光学部品16の曲面形状の部分16Aとの位置を合わせるように、取り付ける。このようにして、本実施の形態の固体撮像装置を製造することができる。また、本実施の形態の固体撮像装置は、以下に説明するようにしても、製造することができる。例えば、図8Aに平面図を示し、図8Bに断面図を示すように、厚い平板状の基板16Bに、下に凸な球面形状16Aが画素毎に形成された、ガラス基板から成る光学部品16を、射出成型等で予め作製しておく。次に、図9に示すように、導波路19を有する固体撮像素子のチップ13に、光学部品16を張り合わせる。このとき、例えば、画素のピッチを1.2μmとし、球面形状16Aの半径R=0.5μmとし、ガラス基板の厚みを5cmとし、導波路19のピッチを0.6μmとすることができる。なお、図9に示すチップ13には、導波路19の上にさらにオンチップカラーフィルタOCCF23が形成されている。チップ13との張り合わせを行う際には、例えば図10に示すように、固体撮像素子の受光面28Aの周囲の部分28Bにあるマーカー29を使用して、チップ13の各画素の上に、球面形状の部分16Aをアライメントで位置合わせすると良い。チップ13とガラス基板との貼り合わせには、ガラス基板よりも屈折率が低い、紫外線硬化する材料を使用すると良い。なお、導波路19は、層18を必ずしも全て貫通している必要はなく、層18の深さ方向の一部の区間に形成されている構成とすることも可能である。上述の本実施の形態の構成によれば、第2の実施の形態の構成に加えて、さらに、受光部が形成されたシリコン17と光学部品16との間の層18に導波路19が形成されている。これにより、シリコン17に入射する光の広がり幅スポット径が導波路19の幅以下に抑制されるため、シリコン17の表面におけるスポット径を小さくして、各画素の受光部に充分な量の光を入射させることができる。ところで、図32B及び図32Cに示したシミュレーションの結果では、センサー表面でスポットが確かに絞られているが、フォトダイオードが形成される、シリコン61表面ではスポットが広がっている。本発明の第3の実施の形態のように、各画素に導波路を形成することにより、シリコン表面でのスポットを小さくすることができる。このことを、シミュレーションにより確認した。図35A~図35Bに示すように、センサー表面に屈折率n=1.6の導波路64を設けた構造について、図31A~図31Bと同様にシミュレーションを行った。なお、比較のために、従来構造の図35Aにも導波路64を設けた。導波路64の直径は0.6μm、導波路64の内部の屈折率はn=1.6として、その他の条件は、図31A~図31Bと同じとした。シミュレーションの結果を、図36A~図36Cに示す。図36Aは、図35Aの従来の構造の場合である。図36Bは、図35Bで曲面の半径Rが0.5μmの場合であり、図36Cは、図35Bで曲面の半径Rが0.6μmの場合である。図36B及び図36Cから、導波路64を設けることにより、シリコンの表面及びシリコンの内部でもスポットが絞られているのがわかる。例えば、図36Bにおいて、矢印Bで示すように、シリコン内に入る光のスポットが絞られている。このことは、さらに解像度が改善されていることを意味する。<5.本発明の固体撮像装置の第4の実施の形態>本発明の固体撮像装置の第4の実施の形態の概略構成図を、図11に示す。本実施の形態は、色収差を低減することを目的として、波長分散の大きい材料の層と波長分散の小さい材料の層とを積層して、複数層により埋め込み層を構成したものである。即ち、図11に示すように、アッベ数が大きい50以上の材料から成る凸面型の層31と、アッベ数が小さい50以下の材料から成る凹面型の層32とを形成して、これらの層31,32を積層して埋め込み層14を構成する。この埋め込み層14の上には、図3に示したと同様の反射防止膜15が形成されている。埋め込み層14のうち、下層の凸面型の層31は、アッベ数が大きいため、波長分散は小さい。また、上層の凹面型の層32は、アッベ数が小さいため、波長分散は大きい。これら波長分散の異なる2層31,32を積層することにより、各層で生じる色収差を打消し合うようにして、全体の色収差を低減することができる。前述したように、1層で埋め込み層14を構成する場合でも、埋め込み層14のアッベ数が50以上であれば色収差が小さくなる。しかしながら、アッベ数を50以上としても色収差が生じる場合には、本実施の形態の構成を採用して、波長分散の異なる複数層により埋め込み層を構成することにより、さらに色収差を低減することができる。本実施の形態の固体撮像装置は、例えば、図12に示すような工程によって製造することができる。まず、図12Aに示すように、固体撮像素子のチップ13を用意する。次に、図12Bに示すように、チップ13の表面に、紫外線照射により硬化する、光学接着剤33を塗布する。一方、図12Cに示すように、アッベ数が50以上の材料から成る凸面型の層31と、アッベ数が50以下の材料から成る凹面型の層32とを張り合わせてガラス基板埋め込み層14を構成する。さらに、ガラス基板埋め込み層14の表面に、反射防止膜15を蒸着により形成して、光学部品を作製する。反射防止膜15は、例えば、屈折率1.6で、厚さ80nmに形成することができる。次に、図12Dに示すように、光学接着剤33の上に、光学部品をマウントする。続いて、図12Eに示すように、紫外線照射34によって、光学接着剤33を硬化させて、光学部品とチップ13とを接着する。このようにして、本実施の形態の固体撮像装置を製造することができる。上述の本実施の形態の構成によれば、固体撮像素子のチップ13と結像レンズ11との間に、屈折率が1よりも大きい材料による埋め込み層14が形成されているので、埋め込み層14により分解能を小さくすることが可能になる。分解能を小さくすることが可能になるため、同じ画素サイズで従来よりも解像度を向上することが可能になる。従って、結像レンズ11の回折限界や収差による限界を超えて、微細な画素でも充分に高い解像度の画像が得られる。また、結像レンズ11のF値に関係なく、高い解像度を達成することができる。また、本実施の形態の構成によれば、アッベ数の大きい凸面型の層31の上に、アッベ数の小さい凹面型の層32を積層している。これにより、下層の凸面型の層31は波長分散が小さくなり、上層の凹面型の層32は波長分散が大きくなる。これら波長分散の異なる2層31,32を積層することにより、各層31,32で生じる色収差を打消し合うようにして、全体の色収差を低減することができる。なお、波長分散が異なる複数の層は、必ずしも図11に示したように互いに密着させて埋め込み層を構成する必要はない。例えば、結像レンズと固体撮像素子のチップとの間に、波長分散が異なる複数の層が、層間に空間を有するように配置された構成とすることも可能である。この構成においても、図11に示した構成と同様に、色収差を低減する効果が得られる。<6.回路構成の例>本発明は、CCD固体撮像素子CCDイメージセンサー、CMOS型固体撮像素子CMOSイメージセンサーを問わず、各種の固体撮像素子に適用することができる。本発明を適用する固体撮像素子の回路構成の例を、以下に示す。本発明を適用する、CMOS型固体撮像素子CMOSイメージセンサーの回路構成の例を、図13に示す。図13に示すように、各画素に、受光部のフォトダイオードPD及びセルアンプ41を有している。各画素のセルアンプ41は、垂直信号線42及び水平信号線43に接続されている。垂直信号線42は、垂直シフトレジスタ44に接続されている。水平信号線43は、ノイズキャンセル回路45と、水平選択トランジスタ46とを介して、水平出力線47に接続されている。水平選択トランジスタ46のゲートは、水平シフトレジスタ48に接続されている。垂直シフトレジスタ44及び水平シフトレジスタ48により、各画素が駆動して、各画素に蓄積された信号電荷が電圧に変換されて読み出される。本発明を適用する、CCD固体撮像素子CCDイメージセンサーの回路構成の例を、図14に示す。図14に示すように、各画素に、受光部のフォトダイオードPD及び読み出しトランジスタ71を有している。それぞれの列の画素に対して平行に、垂直CCD転送レジスタ72が設けられており、各画素の読み出しトランジスタ71は、各列の垂直CCD転送レジスタ72に接続されている。各垂直CCD転送レジスタ72は、一方の端部が水平CCD転送レジスタ73に接続されている。水平CCD転送レジスタ73は、一方の端部が出力アンプ74に接続されている。この回路構成は、いわゆるインターライン転送IT型のCCD固体撮像素子である。読み出しトランジスタ71と垂直CCD転送レジスタ72と水平CCD転送レジスタ73とにより、各画素に蓄積された信号電荷が転送され、出力アンプを経て出力される。また、図13及び図14に示した回路構成に限らず、他の回路構成の固体撮像素子にも、本発明を適用することができる。<7.本発明の固体撮像装置の変形例>上述した各実施の形態では、1つの結像レンズに対して、固体撮像素子のチップが1個である場合を説明した。本発明では、1つの結像レンズに対して複数個の固体撮像素子のチップを有する構成にも適用することが可能である。即ち、固体撮像素子のチップを3個使用する、いわゆる三板式等にも、本発明を適用することが可能である。複数個の固体撮像素子のチップを有する構成に、本発明を適用する場合には、それぞれのチップと結像レンズとを結ぶ光路に、屈折率が1より高い材料が存在するように構成する。屈折率が1より高い材料を、複数個のチップへの光路の分岐点よりも結像レンズ側に配置する場合には1個で済む。屈折率が1より高い材料を、光路の分岐点よりもチップ側に配置する場合には、チップと同じ個数が必要になる。上述した第4の実施の形態では、波長分散の異なる複数の層を設けることにより、色収差を補正していたが、その他の方法によって色収差を補正することも可能である。例えば、色収差による赤Rと緑Gと青Bの色ずれを低減するために、信号処理による補正を行っても良い。一般的に、色収差は、短波長の光が結像系レンズの手前側に結像して、長波長側の光が結像系レンズの奥側に結像することで生じる。従って、例えば、被写体に対して像の外側に短波長の青Bが、そして内側に長波長の赤Rがずれている場合には、ここでの信号処理は、青Bと赤Rを緑Gの像に合わせるように、縮小と拡大で補正する。<8.本発明のカメラの実施の形態>本発明のカメラは、上述した本発明に係る固体撮像装置を備えて、カメラを構成したものである。本発明のカメラとしては、スチルカメラ、ビデオカメラ、カメラ機能付き携帯機器等が挙げられる。本発明のカメラの実施の形態を、以下にいくつか示す。本発明のカメラの一実施の形態の概略構成図ブロック図を、図15に示す。本実施の形態のカメラは、光学系結像レンズ81と、固体撮像素子82と、駆動回路83と、信号処理回路84とを備えている。固体撮像素子82は、CCD固体撮像素子やCMOS型固体撮像素子等である。光学系結像レンズ81は、被写体からの像光入射光を固体撮像素子82の撮像面上に結像させる。これにより、固体撮像素子82の受光部フォトダイオードにおいて一定期間信号電荷が蓄積される。駆動回路83は固体撮像素子82の信号電荷の蓄積読み出し等の駆動を制御する。信号処理回路84は、固体撮像素子82の出力信号に対して種々の信号処理を施して出力する。本実施の形態のカメラは、光学系結像レンズ81、固体撮像装置82、駆動回路83、信号処理回路84がモジュール化したカメラモジュールの形態を含む。本実施の形態のカメラでは、結像レンズ81と、固体撮像素子チップ82との間の空間に、前述した埋め込み層14等の、空間よりも屈折率の高い材料を配置して、カメラを構成する。本発明のカメラの他の実施の形態の概略構成図ブロック図を、図16に示す。なお、本実施の形態のカメラでは、固体撮像素子としてCCD固体撮像素子を使用している。このカメラは、結像レンズ101、CCD102、撮像回路103、積分回路104、信号処理回路105、AE自動露光調節演算/制御回路106、AWB自動ホワイトバランス演算/制御回路107、タイミング発生器108を備えている。さらに、表示系109、記録系110、スミア検出回路111、スミア量検出回路112を備えている。図16に示す各部の間で、以下のように信号が供給される。CCDCCD固体撮像素子102からの撮像信号は、撮像回路103に供給される。撮像回路103は、図示しないが、CDS二重相関サンプリング回路、AGC自動利得調整器、A/D変換器等を含む。撮像回路103よりの出力信号映像信号は、信号処理回路105に供給される。また、CCD102からの撮像信号は、スミア検出回路111にも供給されて、スミアが検出され、そのスミア検出回路111からのスミア検出信号がスミア量検出回路112に供給されて、スミア量が算出される。スミア検出回路111からのスミア検出信号は、タイミング発生器108及びAE演算/制御回路106に供給される。スミア量検出回路112からのスミア量信号は、AE演算/制御回路106に供給される。AE演算/制御回路106からのAE制御信号は、結像レンズ101及び撮像回路103に供給される。AE演算/制御回路106からの制御信号がタイミング発生器108に供給されて、タイミング発生器108において各種のタイミング信号が発生して、CCD102及びAE演算/制御回路106に供給される。撮像回路103の出力信号が積分回路104に供給され、その積分出力が、AWB演算/制御回路107に供給される。AWB演算/制御回路107からの制御信号は、信号処理回路105、積分回路104及びスミア量検出回路112に供給される。スミア量検出回路112からのスミア量信号がAWB演算/制御回路107に供給される。積分回路104よりの積分出力がAE演算/制御回路106に供給されると共に、AE演算/制御回路106からの制御信号が積分回路104に供給される。信号処理回路105からの映像信号がLCD液晶表示装置等の表示系109に供給されて、映像が表示されると共に、その映像信号が記録系110に供給されて、外部記録媒体に記録される。以下、より具体的に、図16のカメラの各部の動作を説明する。積分回路104は、被写体の明るさに対応した自動露光調節AEを行うための自動露光調節積分値の信号を生成し、この信号をAE演算/制御回路106に供給する。また、積分回路104は、被写体の色情報に対応した自動ホワイトバランス制御を行うための自動ホワイトバランス制御積分値の信号を生成し、この信号をAWB演算/制御回路107に供給する。AE演算/制御回路106は、タイミング発生器108からのタイミング信号に同期する。そして、記録系110で画像記録を行う際に適正な明るさ及び露光量になるように結像レンズ101のレンズ絞り手段のレンズ絞り値、CCD102の電子シャッタの電子シャッタスピードを制御する。また、AE演算/制御回路106は、撮像回路103内のAGC回路のゲイン制御及び積分回路104の積分動作の制御をも行う。AWB演算/制御回路107は、タイミング発生器108からのタイミング信号に同期して、記録系110で画像記録を行う際に適正なホワイトバランスになるように信号処理回路105のR赤信号のゲインおよびB青信号のゲインを制御する。スミア検出回路111は、CCD固体撮像素子102の受光面のオプティカルブラック領域に設けた、スミア検出枠の画素に出力される信号レベルが、所定のしきい値内にある場合に、スミアを検出する。所定のしきい値内にない場合には、スミアは発生していないものと見なす。同時に、スミアを検出したときには、スミア量検出回路112を動作状態にする。スミアを検出しないときは、スミア量検出回路112を動作させない。本実施の形態のカメラでは、結像レンズ101と、CCD固体撮像素子チップ102との間の空間に、前述した埋め込み層14等の、空間よりも屈折率の高い材料を配置して、カメラを構成する。本発明のカメラのさらに他の実施の形態の概略構成図ブロック図を、図17に示す。なお、本実施の形態のカメラでも、固体撮像素子としてCCD固体撮像素子を使用している。なお、図17においては、結像レンズ等の光学系は、図示を省略している。このカメラは、CCD固体撮像素子120と、このCCD固体撮像素子120を駆動するための駆動制御部としての駆動電源131ドライバ132タイミング信号発生部133とを備えて成る。CCD固体撮像素子120は、半導体基板に、フォトダイオードPDによる受光部121が多数、2次元マトリクス状に配置されている。各列の受光部121と平行に垂直CCD転送レジスタ123が形成されている。受光部121と垂直CCD転送レジスタ123との間には、受光部121に蓄積された信号電荷を読み出すための読み出しゲート部122が形成されている。垂直CCD転送レジスタ123の一端には、水平CCD転送レジスタ125が接続されている。受光部121と、読み出しゲート部122と、垂直CCD転送レジスタ123とによりユニットセル画素124が構成される。また、各ユニットセル124の境界部分には、チャネルストップCSが設けられている。そして、本実施形態では、インターライン転送IT方式のCCD固体撮像素子120を6相もしくは8相で駆動する構成としている。図17において、CCD固体撮像素子120には、駆動電源131から、ドレイン電圧VDD及びリセットドレイン電圧VRDが印加され、ドライバ132にも所定の電圧が供給される。また、垂直CCD転送レジスタ123には、6相もしくは8相駆動に対応する複数本本例では1ユニットセル当たり6本もしくは8本の垂直転送電極128128-1~128-6もしくは128-1~128-8が設けられる。このカメラにおいて、CCD固体撮像素子120の受光部121に蓄積された信号電荷は、読み出しゲート部122に読出パルスXSGに対応するドライブパルスが印加されることにより、垂直CCD転送レジスタ123に読み出される。垂直CCD転送レジスタ123は、6相8相の垂直転送クロックV1~V6V8に基づくドライブパルスφV1~φV6φV8によって転送駆動される。そして、垂直CCD転送レジスタ123は、読み出された信号電荷を水平ブランキング期間の一部にて1走査線1ラインに相当する部分ずつ順に垂直方向に転送する。また、水平CCD転送レジスタ125は、例えば2相の水平転送クロックH1,H2に基づくドライブパルスφH1,φH2によって転送駆動される。そして、水平CCD転送レジスタ125は、複数本の垂直CCD転送レジスタ123から移された1ライン分の信号電荷を、水平ブランキング期間後の水平走査期間において順次水平方向に転送する。このため、2相駆動に対応する複数本2本の水平転送電極129129-1,129-2が設けられている。水平CCD転送レジスタ125の転送先の端部には、例えば、フローティングディフュージョンアンプFDA構成の電荷電圧変換部126が設けられている。この電荷電圧変換部126は、水平CCD転送レジスタ125によって水平転送されてきた信号電荷を、順次電圧信号に変換して出力する。この電圧信号は、被写体からの光の入射量に応じたCCD出力VOUTとして導出される。また、タイミング信号生成部133は、CCD固体撮像素子120を駆動するための種々のパルス信号LレベルとHレベルの2値を生成する。ドライバ132は、タイミング信号生成部133から供給された種々のパルスを、所定レベルのドライブパルスにしてCCD固体撮像素子120に供給する。タイミング信号生成部133は、例えば、水平同期信号HDや垂直同期信号VDに基づいて、各種信号を生成して、ドライバ132に供給する。即ち、受光部121に蓄積された信号電荷を読み出す読出パルスXSG、信号電荷を垂直方向に転送駆動する垂直転送クロックV1~V6V8、信号電荷を水平方向に転送駆動する水平転送パルスH1,H2、並びに、リセットパルスRG等を生成する。ドライバ132は、タイミング信号生成部133から供給された種々のパルスを、所定レベルの電圧信号ドライブパルスに変換し、或いは別の信号に変換し、CCD固体撮像素子120に供給する。例えば、タイミング信号生成部133からのn相の垂直転送クロックV1~V6V8は、ドライバ132を介してドライブパルスφV1~φV6φV8とされて、対応する所定の垂直転送電極128に印加される。同様に、2相の水平転送クロックH1,H2は、ドライバ132を介してドライブパルスφH1,φH2とされ、対応する所定の水平転送電極129-1,129-2に印加される。本実施の形態のカメラでは、図示しない結像レンズと、CCD固体撮像素子120のチップとの間の空間に、前述した埋め込み層14や光学部品16等の、空間よりも屈折率の高い材料を配置して、カメラを構成する。なお、CCD固体撮像素子120を駆動するための駆動制御部131,132,133は、CCD固体撮像素子120のチップの内部に設けた構成も、CCD固体撮像素子120のチップの外部に設けた構成も、いずれの構成も可能である。上述した3つの本発明のカメラの実施の形態においては、前述した固体撮像装置の第1~第4の実施の形態の実施の形態と組み合わせても良く、またその他の固体撮像装置の構成としても良い。本発明のカメラは、図15~図17に示した各実施の形態に限らず、その他の様々な構成を採用することができる。本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。"