"上面を有する基材と、前記基材の前記上面に設けられた複数の繊維状突起物と、を備え、前記複数の繊維状突起物は、前記基材の前記上面に固定された複数の固定端と、前記固定端の反対側の複数の自由端とを有し、前記複数の繊維状突起物は、前記複数の繊維状突起物の前記複数の固定端が位置する固定端側領域と、前記複数の繊維状突起物の前記複数の自由端が位置する自由端側領域とを形成し、前記固定端側領域に比べて前記自由端側領域において前記複数の繊維状突起物の液体に接する総表面積がより小さい、センサ基板。前記複数の繊維状突起物間の間隔が前記固定端側領域に比べて前記自由端側領域においてより広い、請求項1に記載のセンサ基板。前記固定端側領域に比べて前記自由端側領域において前記複数の繊維状突起物の平均径がより大きい、請求項1に記載のセンサ基板。前記複数の繊維状突起物の総表面積は前記自由端側領域に比べて前記固定端側領域においてより大きい、請求項1に記載のセンサ基板。前記固定端側領域において前記複数の繊維状突起物は網目形状に配置されている、請求項1に記載のセンサ基板。前記固定端側領域に比べて前記自由端側領域において前記液体の拡散速度がより大きい、請求項1に記載のセンサ基板。前記自由端領域の幅は前記複数の自由端から前記複数の固定端までの長さの2分の1以下である、請求項6に記載のセンサ基板。前記複数の繊維状突起物はシリコン酸化物からなる、請求項1に記載のセンサ基板。前記複数の繊維状突起物はアモルファスの二酸化珪素からなる、請求項1に記載のセンサ基板。前記複数の繊維状突起物は前記基材の前記上面に直接接合している、請求項1に記載のセンサ基板。上面を有する基材と、前記基材の前記上面に設けられた複数の繊維状突起物と、を備え、前記複数の繊維状突起物は、前記基材の前記上面に固定された複数の固定端と、前記複数の固定端の反対側の複数の自由端とをそれぞれ有し、前記複数の繊維状突起物は、前記複数の繊維状突起物の前記複数の固定端が位置する固定端側領域と、前記複数の繊維状突起物の前記複数の自由端が位置する自由端側領域とを形成し、前記複数の繊維状突起物の周辺における空隙率が前記自由端側領域に比べて前記固定端側領域においてより低い、センサ基板。前記基材には前記上面から下面まで貫通する複数の貫通孔が形成されている、請求項1から11のいずれか一項に記載のセンサ基板。アレイ状に配置された複数のセンサ基板を備え、前記複数のセンサ基板のうちの少なくとも1つは請求項1から請求項12のいずれか一項に記載のセンサ基板である、アレイ基板。実施の形態1図1は本発明の実施の形態1におけるアレイ基板1001の上面斜視図である。アレイ基板1001は、シリコンからなる基板1と、基板1上にアレイ状に配置された複数のセンサ基板1002とを備える。センサ基板1002は反応場を有する。図2は図1に示すアレイ基板1001センサ基板1002の線2-2における断面図である。センサ基板1002の辺の長さ又は直径は100μm~300μm程度である。センサ基板1002は、シリコンからなる基材44と、基材44の上面144に直接接合する複数の繊維状突起物3とを備える。複数の繊維状突起物3は酸化珪素を主成分として含有する。直接接合とは、基材44上に繊維状突起物3が直接形成され、基材44と繊維状突起物3を構成する原子または分子が直接結合している状態を指し、この状態では通常は分子間が共有結合をしている。実施の形態1では、基材44の表面上面144の珪素原子と繊維状突起物3中の珪素原子とが雰囲気中の酸素原子を介して共有結合している。また、基材44と繊維状突起物3とが接合する面には接着剤などを用いておらず、基材44と繊維状突起物3を構成する原子または分子以外の材料は含まれていない。基材44は、単結晶シリコンからなるシリコン基板を用いたが、ほかに例えば、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、ガラス等を用いることができる。繊維状突起物3は、例えば酸化珪素を主成分としたシリコン酸化物からなり、好ましくはアモルファスの二酸化珪素からなる。繊維状突起物3の太さは0.01μm~1μm程度である。繊維状突起物3は、基材44の表面144に固定された固定端103と、固定端103の反対側の自由端203とを有する。複数の繊維状突起物3は、複数の固定端103が位置する固定端側領域91と、複数の自由端203が位置する自由端側領域92とを形成する。固定端側領域91に比べて自由端側領域92は基材44の表面144からより遠くに位置する。固定端側領域91には複数の自由端203は位置していない。自由端側領域92には複数の固定端103は位置していない。複数の繊維状突起物3は、複数の繊維状突起物3Bと、複数の繊維状突起物3Bより長い複数の繊維状突起物3Aとを含む。図3Aから図3Cはセンサ基板1002の要部拡大図であり、走査型電子顕微鏡SEMによるSEM写真である。図3Bは図3Aに示すセンサ基板1002の自由端側領域92のSEM写真である。図3Cは図3Aに示すセンサ基板1002の固定端側領域91のSEM写真である。図4は図2に示すセンサ基板1002の線4-4における断面図であり、自由端側領域92における繊維状突起物3の断面図である。図5は図2に示すセンサ基板1002の線5-5における断面図であり、固定端側領域91における繊維状突起物3の断面図である。自由端側領域92には長い繊維状突起物3Aが主に存在する。固定端側領域91には長い繊維状突起物3Aと短い繊維状突起物3Bとが混在している。固定端側領域91での単位面積あたりの繊維状突起物3の数繊維状突起物3A、3Bの数の合計である密度は、自由端側領域92での単位面積あたりの繊維状突起物3Aの数である密度より高い。実施の形態1によるセンサ基板1002では、自由端側領域92に存在する繊維状突起物3Aの密度は10000本/mm2より少なく、固定端側領域91に存在する繊維状突起物3の数が10000本/mm2より多いことが望ましい。したがって、固定端側領域91に存在する繊維状突起物3の表面積の合計である総表面積繊維状突起物3A、3Bの総表面積は、自由端側領域92に存在する繊維状突起物3の総表面積に比べて大きくなる。したがって、固定端側領域91に比べて自由端側領域92において複数の繊維状突起物3の液体に接する総表面積がより小さい。繊維状突起物3の間隔は、固定端側領域91に比べて自由端側領域92の方がより広い。実施の形態1によるセンサ基板1002では、自由端側領域92での複数の繊維状突起物3Aの間の間隔は1μm以上であることが望ましい。一方で、固定端側領域91での複数の繊維状突起物3間の間隔は1μm未満であることが望ましい。上記構成により、固定端側領域91に比べて自由端側領域92における液体の拡散速度はより大きくなる。複数の繊維状突起物3が存在するある領域において、複数の繊維状突起物3の周囲の複数の繊維状突起物3で占められていない部分の体積のその領域の体積に対する比を空隙率と定義する。自由端側領域92の空隙率は固定端側領域91の空隙率より高いことが望ましい。実施の形態1におけるセンサ基板1002では、自由端側領域92の空隙率は90以上であり、固定端側領域91の空隙率は90未満である。なお、繊維状突起物3Aの径は、繊維状突起物3Bの径より大きいことが望ましい。実施の形態1におけるセンサ基板1002では、繊維状突起物3Aの径は150nm以上であり、繊維状突起物3Bの径は150nm未満である。径が大きいことにより単位面積あたりの複数の繊維状突起物3の数である密度は低くなって結果的に総表面積が小さくなる。径が小さいことにより複数の繊維状突起物の密度を実現しやすく結果的に総表面積が大きくなる。なお、拡散速度の大きい自由端側領域92の幅は、基材44の表面144から繊維状突起物3Aの自由端203Aまでの高さの2分の1以下であることが望ましい。複数の繊維状突起物3は、互いに絡み合うように密集し形成されていても、様々な方向へ枝分かれしていてもよい。繊維状突起物3が互いに絡み合い、複数の枝分かれをしていることで、複数の繊維状突起物3が強固に構成される。あるいは、複数の繊維状突起物3が互いに同方向に配向して形成されていてもよい。なお、基板1と基材44とは生産性の観点から同一材料であることが望ましいが、樹脂からなる基板1に凹部を形成し、センサ基板1002を配置させることも可能である。次に実施の形態1によるセンサ基板1002の製造方法を説明する。ここで述べる製造方法によって本発明の構成を制限するものではない。まず、基材44に複数の繊維状突起物3を形成する。基材44の表面144にPtをスパッタリングすることにより触媒層を成膜する。Ptよりなる触媒層の膜厚は1nm~20nm程度が望ましい。この膜厚を制御することにより繊維状突起物3の径や成長速度を制御することができる。その後、温度1000°C~1200°C、酸素分圧1Pa~1000Paの雰囲気で基材44を熱処理することにより、触媒層が粒子化し、基材44に繊維状突起物3を形成することができる。生産性や、繊維状突起物3の耐熱性を考慮すると、上記の熱処理では、温度1100°C~1200°C、酸素分圧10Pa~200Paの雰囲気で基材44を熱処理することがより好ましい。この熱処理においては、昇温過程での昇温速度を調整することにより、基材44上に異なる大きさの粒子化された触媒を得ることができる。例えば、昇温速度が1000°C/min程度の場合、大きい粒子と小さい粒子を共に得ることができ、その結果として長さ方向の密度の差や、繊維状突起物3の径の差が発生する。このように、触媒層の厚さや昇温速度を調整することにより、長さ分布、密度の異なる繊維状突起物3を得ることができる。繊維状突起物3は基材44の表面144のシリコンと、熱処理工程で供給される酸素ガスとを原料として形成される。したがって、基材44の表面144と繊維状突起物3とが直接接合し、強固に結合する。なお、触媒層を成膜する際にあらかじめ、大きさの異なる金属ナノ粒子を触媒として使用する場合であっても、長さ方向に密度の差、径の差を発生させることができる。なお、繊維状突起物3は、上記熱処理工程における酸素ガスの拡散方向に沿うようにして形成することができる。酸素分圧が高いと複数の繊維状突起物3が互いに絡み合うように密集し、それぞれ縮れた形状となる。酸素分圧が低いと複数の繊維状突起物3が互いに同方向に配向した形状となる。さらに、繊維状突起物3を形成する際に適宜酸素濃度を変更させることによって、長さ分布、密度差の異なる繊維状突起物3を得ることができる。例えば、まず低酸素濃度で長い繊維状突起物3Aを成長させた後に、高酸素濃度に変更して短い繊維状突起物3Bを成長させることができる。あるいは、まず高酸素濃度で短い繊維状突起物3Bを成長させた後に、低酸素濃度に変更し長めの繊維状突起物3Aを成長させることができる。なお、シリコンからなる基材44の表面144の一部に二酸化珪素からなる層を形成することにより、繊維状突起物3の形成を抑制することができる。二酸化珪素からなる層に触媒層を堆積させても、そこから繊維状突起物3は形成されない。また、所望の位置のみに触媒層を形成することで、その位置のみに繊維状突起物3を形成することができる。なお、触媒層にPtを用いたが、例えばFe、Co、Ni、Au等であっても所望の形状を得ることができる。なお、実施の形態1では、繊維状突起物3を形成する方法として、基材44に触媒層を堆積させる方法を例に挙げたが、その他の方法であってもよい。例えば、繊維状突起物3の他の形成方法として、基材44の表面144に形成したシード層から形成する方法がある。以下に実施の形態1のセンサ基板1002の効果を説明する。従来のセンサ基板では、以下に説明するように検出精度が低くなる場合がある。表面積を大きくするためのポーラス材料として、親水性が高い構造体を用いてもよい。親水性の高いポーラス材料では、反応場にプローブ物質を含む液体を滴下した際に液体の拡散速度が大きい。したがって液体が不用意な範囲にまで浸透し、結果としてプローブ物質の吸着が広範囲に広がって反応場が形成される領域が本来不要な範囲にまで広がる。これにより、その領域において単位面積当たりのプローブ物質吸着量が減ることとなり、結果として反応場の相互作用強度が下がるため検出感度も下がる。一方、反応場が形成される領域において親水性が低い構造体を用いてもよい。この場合には、液体を滴下した際に液体が構造体の表面ではじかれるので、プローブ物質の吸着が必要量まで進まず、反応場の形成が不均一となり正確な濃度が判断出来なくなる。さらに、上記センサ基板をアレイ状に配置してアレイ基板として用いた場合、センサ基板の表面の反応場の親水性が高い場合に液体が不用意に広がると、隣接する箇所に形成する隣のセンサ基板の表面の反応場に混ざってしまう可能性がある。これは、異なる種類のプローブ物質をそれぞれの反応場に形成したい場合においは、異なる反応場間の距離を短くすることができない。結果として同じアレイ基板上に多数の異なる反応場を形成出来なくなる。このように液体が浸透するスポット径が広がってしまったり、液滴がはじかれてしまったりすることによって正確な解析が出来ず、結果としてセンサ基板の検出精度が低下する。実施の形態1におけるセンサ基板1002に0.01μm~1μmの径を持つ繊維状突起物3を形成できるので、表面積の大きさを充分確保でき、感度を向上することができる。さらに、繊維状突起物3の密度を自由端側領域92と固定端側領域91で大きく異ならせることにより、自由端側領域92は、固定端側領域91に比べて液体の拡散速度が大きい。したがって、自由端側領域92の繊維状突起物3Aには液体がはじけずに固定化され、固定端側領域91の繊維状突起物3Bは液体である試料溶液の拡散を抑制する。その結果、アレイ基板1001の各センサ基板1002の繊維状突起物3に固定された検出用物質と試料となる溶液とを相互作用させる際に、溶液のスポット径が広がることなく、繊維状突起物3上に確実に溶液が捕捉されるので、確実に検出用物質と試料との相互作用を起こすことができる。蛍光強度などによりその相互作用の度合いを確実に検出することができる。したがって、解析が正確になり、検出精度の高いセンサ基板1002及びそれを用いたアレイ基板1001を得ることができる。また、繊維状突起物3は酸化珪素を主成分として含有しているので蛍光強度が低く、ノイズの発生を抑制することが出来る。さらに酸化珪素は安定な材料であるので、様々な表面処理を施すことができる。また、一回のプロセスで複数の繊維状突起物3を形成することができるので、生産性に優れる。図6は実施の形態1における他のセンサ基板1003の断面図である。図6において、図2に示すセンサ基板1002と同じ部分には同じ参照番号を付す。図6に示すセンサ基板1003では、図2に示すセンサ基板1002の複数の繊維状突起物3Bは互いに融着して、網目形状を有する固定端側領域91を構成する。自由端側領域92は空隙率が高く、固定端側領域91の空隙率は自由端側領域92より低くなっている。上記構成は、基材44から発生するSi系ガスと、気相側から拡散してくる酸素が反応して基材44の表面144に繊維状突起物3を形成することで、容易に繊維状突起物3の断面方向に密度差を形成することができる。上記構成により、単位面積当たりの複数の繊維状突起物3の総表面積を増加することができる。なお、上記構成は、熱処理において、まず1000°C~1100°Cで繊維状突起物33A、3Bを形成し、その後、1200度以上に温度を上げることにより、固定端側領域91で繊維状突起物33A、3Bが熱溶融され、融着されることにより繊維状突起物33A、3Bを網目状に形成することができる。もしくは例えば繊維状突起物3の形成時に適宜酸素濃度を変更させるなど、繊維状突起物3の成長条件を変えることにより長さ方向に密度差を生じさせることができる。Ptの代わりにシリコン粒子を基材44の表面144に付着させて熱処理することにより繊維状突起物3を形成することができる。この方法では、シリコン以外のガラス等よりなる基材44に繊維状突起物3を形成することができ、触媒を使用することなく繊維状突起物3を形成することができる。シリコン粒子とは、例えばシリコン、一酸化シリコン粒子、あるいはシリコンの合金であるシリサイド粒子である。シリコン粒子の径は例えば、5μm以下で小さい方が好ましい。小さいシリコン粒子を用いることで、繊維状突起物3の形成時に必要となるシリコンの蒸発量を増大させることができる。シリコン粒子が付着した基材44を、上記と同様の高温、低酸素濃度下で熱処理することにより、無触媒下で繊維状突起物3を形成することができる。なお、一酸化シリコン粒子を用いることにより上記温度より低い温度である900度程度であっても繊維状突起物3を形成することができる。低酸素濃度は、例えば全圧1000Pa~5000Pa時における酸素分圧が50Pa以下程度であることが望ましい。なお、上記熱処理において、昇温過程においては出来るだけ酸素を取り除いた雰囲気で基材44を熱処理し、昇温後の温度維持過程においては少量の酸素を追加した低酸素分圧の雰囲気で基材44を熱処理することにより、繊維状突起物3の生産性が向上する。また、上記方法によると繊維状突起物3は、シリコン粒子と熱処理で供給される酸素ガスとを原料とするので、結晶性のシリコンウエハを用いる必要は無く、センサ基板1002の低コスト化を実現できる。また、繊維状突起物3は、用途に応じた様々な材料よりなる基材44上に形成できる。繊維状突起物3を例えばサファイヤ、ガラス石英などの透明な材料よりなる基材44上に形成することで透過光による観察が可能になり、また位置合わせが容易になるなど操作性が向上する。あるいは、繊維状突起物3はガラスファイバーシートなどのフレキシブルな材料よりなる基材44上に形成させることができる。また、シリコン粒子をバインダ等と混合し,印刷、インクジェット法等により、任意の場所のみにシリコン粒子を配置することで、繊維状突起物3を任意の場所のみに容易に形成することができる。なお、シリコン粒子を用いて繊維状突起物3を形成する場合、シリコンからなる基材44を用いなくても繊維状突起物3を形成できる。たとえば、シリコン粒子を実施の形態1で述べたような低酸素濃度、高温雰囲気下に投入するとシリコン粒子が蒸発を起こし繊維状突起物3に化学変化を起こす。このとき、シリコン粒子の大きさ、酸素雰囲気、高温雰囲気などを変えることで繊維状突起物3の表面積を変えることができるので、基材44に繊維状突起物3を塗布する際に表面積を領域によって変更することができる。このように、シリコン粒子より繊維状突起物3を形成する場合は、基材44にシリコン粒子をあらかじめつける必要がないので、基材44の耐熱性に制限されることなく、さまざまな材料の基材44に繊維状突起物3を塗布させることができる。なお、この場合には、基材44と繊維状突起物3は直接接合はしていないが、繊維状突起物3の塗布後、温度を所定の値まで上げることで繊維状突起物3を基材44に直接接合できる場合もある。例えば、基材44がガラスよりなる場合、500°C程度にまで温度を上げることで繊維状突起物3を基材44に直接接合させることができる。ITO基板などの光透過性の電極を形成した基材44上に繊維状突起物3を形成することにより、電場を印加しながら電気的計測により反応場における相互作用の検査を行うことが可能である。また、シリコン粒子の表層部のみに繊維状突起物3を形成することが出来る。その場合、シリコン粒子層の上に繊維状突起物3よりなる層が形成されるので,繊維状突起物3の層が極めて薄い場合でも破壊することなく形成することができる。実施の形態2図7は実施の形態2におけるセンサ基板1004の断面図である。センサ基板1004はろ過フィルターとして機能する。図7において、図2に示す実施の形態1におけるセンサ基板1002と同じ部分には同じ参照番号を付す。センサ基板1004は、基材44と、基材44の上面144に直接接合する複数の繊維状突起物3とを備える。複数の繊維状突起物3は酸化珪素を主成分としている。基材44には上面144からその反対側の下面244まで貫通する複数の貫通孔45が形成されている。センサ基板をろ過フィルターとして用いる場合は、センサ基板は通常ポーラス材料によって構成することができる。ポーラス材料を用いたセンサ基板は、どの部分においてもポーラス状態に差がほとんど生じていないので、液体が浸透する際に不用意に広がってしまったり、浸透が不十分であったりする場合がある。液体をろ過し貫通孔に通すためには、液体が繊維状物質上に滴下される際に、不用意に広がることなく、必要な領域の繊維状物質のみに浸透することができる必要がある。すなわち、溶液をろ過する際に、フィルターとなる繊維状物質の保水率が高すぎると効率的に液体をろ過できなくなる、一方で、フィルターとなる繊維状物質の保水率が低く、撥水性であると、溶液が飛び散ってしまう恐れがある。実施の形態2におけるセンサ基板1004では、液体が自由端側領域92に滴下され、貫通孔45を通って基材44の下面244に到る。センサ基板1004では、自由端側領域92に形成された繊維状突起物33Aは高い保水率を有するので、液体が浸透する際に溶液が飛び散ってしまうことを低減することができる。さらに、固定端側領域91に位置する繊維状突起物33A,3Bは低い保水率を有するので、液体が浸透する際に不用意に広がってしまうことを低減することができる。このように液体を効率的にろ過させる構造となっているので、センサ基板1004は高いフィルター効率を有する。なお、本発明は実施の形態1、2に限定されるものではない。実施の形態1、2において、上面下面等の方向を示す用語は、基材44や繊維状突起物3等のセンサ基板の構成部材の相対的な方向にのみ依存する相対的な方向を示し、鉛直方向等の絶対的な方向を示すものではない。"