フィルム状の電極基板を用意する工程と、高分子有機材料を光電変換機能が生ずる順に重ねた層を多層押出成形する工程と、該層を圧延ないし延伸によって成形する工程と、該フィルム状の電極基板上に圧延ないし延伸によって成形された該層をラミネートする工程とを含む有機光電変換デバイスの製造方法。上記フィルム状の電極基板上に圧延ないし延伸によって成形された該層をラミネートする工程の後に、上記層上に電極を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の有機光電変換デバイスの製造方法。上記有機光電変換デバイスは、高分子有機ELデバイスであることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機光電変換デバイスの製造方法。本発明は、上記に鑑み提案されたものであり、本発明の課題は、高分子有機光電変換デバイスを、低分子有機光電変換デバイスと同様な多層構造で実現することである。上記課題を解決するための手段は次のとおりである。1フィルム状の電極基板を用意する工程と、高分子有機材料を光電変換機能が生ずる順に重ねた層を多層押出成形する工程と、該層を圧延ないし延伸によって成形する工程と、該フィルム状の電極基板上に圧延ないし延伸によって成形された該層をラミネートする工程とを含む有機光電変換デバイスの製造方法。2上記フィルム状の電極基板上に圧延ないし延伸によって成形された該層をラミネートする工程の後に、上記層上に電極を形成する工程をさらに含むことを特徴とする1に記載の有機光電変換デバイスの製造方法。3上記有機光電変換デバイスは、高分子有機ELデバイスであることを特徴とする1又は2に記載の有機光電変換デバイスの製造方法。本発明によれば、高分子有機光電変換デバイスを現在工業化されているプラスチックフィルムの製造方法と同一の手法で形成することによって、低分子有機光電変換デバイスと同様な多層構造が実現される。高分子材料は低分子系よりも多様性があり個々の分子設計のみならずプラスチック成形を背景に機能単位の空間配置も制御可能である。特に熱溶融状態を変形してフィルム状としているので、従来の塗布による高分子膜と異なり不純物は大幅に低減され高品質の膜となっている。更に低分子系より構造が安定しており水、酸素に対する耐性も高い。また押出成形圧延延伸等でのフィルム製造の速度は数100mminと高速で且つ装置コストも低く、大量生産性が高く照明用途等に要求される低コスト実現を可能にする。以下高分子有機EL素子を例示して本発明を説明する。図1は、本発明により得られた有機EL素子構造を示したものである。電極基板となる陽極基板1に高分子有機ELフィルム2を接着して、この上に陰極電極3を付加する構成である。陽極基板の表面はITO電極とこれを一部覆う絶縁膜からなり、陽極端子4は基板裏面に形成されている。高分子有機ELフィルム、陰極電極を連続的に積層し、全体にパッシベーション膜6図はその一部を示すを被覆した連続テープの形で製造される。陰極電極は後述するように蒸着によって形成する。陰極端子5は陰極電極面上に置く。この両端子が端部に来る形でテープを切断、これが単位線状発光体7となる。図1は、この線状発光体を平面状に並べてパッシベーション膜を一部除去して陽極、陰極端子を露出して、各々の共通端子引き出し線8、9で接続したものであり、平面照明を構成する。図2は、図1における高分子有機ELフィルム2の陽極基板への接着を模式的に示したものである。フィルム状の陽極基板11はリール10に巻かれており、リールツウリールRtR機構によって走行する図では片方の巻取り用のリールは図示されていない。多層押出成形機14から押出成形で形成された高分子有機ELフィルム12は、圧延ないし延伸ローラー16によって薄膜化されラミネートローラー15によって陽極基板11に圧着される。次に連続して蒸着機13に於いて陰極電極並びにパッシベーション膜が付加される。図では圧延ないし延伸ローラーは1段のみ表示しているが、膜厚によっては多段を用いることは云うまでもない。この点は以下の図においても同様である。図3は、多層押出成形機の原理構成図である。押出機20によって溶融された有機EL材料がフィードブロック21に導入される。次に多層化マニホールド22で各層の膜厚に比例したスペースと層順からなる多層構造の原型が形成され、Tダイ金型23により最終膜厚まで成形されて、出口スリット24から射出される。図3はこの構成の中心部縦断面において、4層膜が形成される状態を模式的に示したものである。多層化マニホールド22においてそれぞれ厚みの異なる層流32-1~32-4の平行な流れが形成され、続いてTダイ金型23に流入して徐々に膜厚が比例して薄くなり、最終的にダイの出口スリット34で決まる膜厚、幅を持つ多層膜35が形成される。図4は、図2の有機EL一括多層フィルム化方法に対して、有機EL層を幾つかに分割してそれぞれに対応する押出成形機を42-1~42-3のように複数設置する方法を示す。フィルム状の陽極基板41はリール40に巻かれており、RtR機構によって走行する図では片方の巻取り用のリールは図示されていない。単層ないし多層押出成形機42-1から押出成形で形成された高分子有機ELフィルムは、圧延ないし延伸機43-1により薄膜化され、ラミネートローラー44-1によって陽極基板41に圧着される。以下単層ないし多層押出成形機42-2、42-3についても同様に前の高分子有機ELフィルム上にラミネートされる。次に連続して蒸着機45に於いて陰極電極並びにパッシベーション膜が付加される。図5は、ベースフィルムを用いて押出成形された高分子有機EL多層フィルムを薄膜化する方法を示す。押出成形機50-1によって成形されたmmオーダーの厚みのベースフィルム52-1上に、高分子有機EL用多層押出成形機51によって成形され圧延ないし延伸ローラー51-1により更に薄膜化された高分子有機EL多層フィルムをラミネートローラー531によってラミネートする。更に押出成形機50-2によってmmオーダーの厚みのベースフィルム52-2を成形し、ラミネートローラー532によって高分子有機EL多層フィルム上にラミネートする。この積層フィルムは圧延ないし延伸機54によって薄膜化され、ベースフィルムは、ベースフィルム巻取りローラー56-1及び56-2によって巻き取られる。高分子有機ELフィルムは、ラミネートローラー58に巻かれた後、リール55に巻かれRtR機構で走行する陽極基板57上に該ラミネートローラー58によってラミネートされ、蒸着機59により陰極電極が形成される。なお図4、5では押出成形に続いて圧延延伸により薄膜化しているが、押出成形により十分な薄膜化がなされる場合には、圧延延伸の工程は省略することができる。図6はフィルム状の陽極基板の構造を示す。基板材料は主として透明プラスチックで広幅のロールにITO電極61を成膜し、使用する幅にスリッティングした連続テープ60を陽極基板の基材テープとして用いる。68は基板の貫通孔でテープ走行のモニタ及び陰極部の位置等合わせに用いる。この基材テープの全面にCuをスパッタ等で成膜し、フォトリソ工程により図6に示すようにITO上のCuを基材テープの周辺部を残してエッチングで除去し、ITO補強電極62を形成する。同図AA’断面に対応した図6に示すように基材テープ背面の一部のCuを残し陽極端子63とする。図6BB’断面に対応する図6に示すように、端子部以外の背面のCuは除去され、EL発光の出射面となる。図6、におけるF、Gは切断部である。図6の64はITO補強電極の側断面で、ITOとの接触を示しており、更にこの表面にNi、Au等をメッキしてITO抵抗による電圧降下を大幅に低減する。陽極基板の最終形態は図6に示すように基材テープの側面と周辺部をSiOx絶縁層65で被覆、特にITO面の一部に陰極端子部に対応するSiOx層66を設ける。この膜によって陽極と陰極の絶縁を取る。図6は、図6のCC’断面、図6はEE’断面を示す。図7は、図2、図4、図5に示すようにRtR走行して高分子有機ELフィルムをラミネートした陽極基板基材テープに連続して陰極電極を形成する方法を示す。高分子有機ELフィルムをラミネートされた陽極基板70は、大気圧プラズマ表面処理71、差動排気系72を経て陰極蒸着チャンバー73に導入される。基材テープは回転ドラム75に密着しており、複数のLiF又はMoOx及びAlの蒸着源74によって陰極電極が成膜される。その後多段の有機パッシベーション蒸着系76、酸化物蒸着系77を用いて酸化膜-有機膜の交互多層膜のパッシベーション層を形成図では1段のみ示した、差動排気系72’を経由してリール78に巻き取られる。[実施例1]陽極基板の出発材としてITOがスパッタされた厚み0.1mmの幅広のPENロールフィルムをスリッタによって幅20mmのリールにカットしたものを用いた。このリールをRtR機構を内臓したマグネトロンスパッタ装置により、ITO面は幅18mmのマスクをかけ、残る部分は全面100nmのCuをスパッタ、背面のCu除去と電極形成はRtRフォトリソ装置を用いて行った。この基材テープの両面に幅20mmのレジストフィルムを貼り付け、該テープ側面にNi、Auの順で10μmのメッキ膜を形成、このリールにRtR機構を内臓したマグネトロンスパッタ装置により、SiOxx1.6を300nmスパッタした後、大気圧プラズマ装置によりエッチングを行った。高分子有機EL材料としては、基材をPVKとする分散系を用いた。正孔輸送層はPVKPEDOT、電子輸送層はPVKPBD、発光層は低分子の発光体をPVKにドープした。緑色はCoumarin6、赤色はDCM、青色はTPBを用いた。最終的な膜厚は各電荷輸送層が75~80nm、発光層が各15nm、5層の総膜厚を200nmとした。5層用の多層押出成形機のマニホールドを上記膜厚に比例した間隔とし、Tダイ金型の出口スリット間隙を5μm、幅を18mmとした。Tダイ金型の内面はCMP研磨を施し更にDLCをCVDによって被覆した。Tダイ金型の出口から出た有機ELフィルムは5段の熱圧延ローラーによって薄膜化され図2に示すような機構によって陽極基板テープに圧着、これを図6に示したRtR陰極並びにパッシベーション成膜機でまず陰極はLiFを0.5nm、Alを300nm蒸着した。パッシベーション膜はSiOx膜30nm、ポリ尿素系化合物の蒸着重合膜2μmを交互に積み重ねた多層構造で5ペア積層した。[実施例2]陽極基板の出発材としてITOがスパッタされた厚み0.1mmの幅広のPENロールフィルムをスリッタによって幅20mmのリールにカットしたものを用いた。このリールをRtR機構を内臓したマグネトロンスパッタ装置により、ITO面は幅18mmのマスクをかけ、残る部分は全面100nmのCuをスパッタ、背面のCu除去と電極形成はRtRフォトリソ装置を用いて行った。この基材テープの両面に幅20mmのレジストフィルムを貼り付け、該基材テープ側面にNi、Auの順で10μmのメッキ膜を形成、このリールにRtR機構を内臓したマグネトロンスパッタ装置により、SiOxx1.6を300nmスパッタした後、大気圧プラズマ装置によりエッチングを行った。高分子有機EL材料としては、正孔輸送層はTPDを側鎖に有する高分子、電子輸送層はPBDを側鎖に有する高分子、発光層は側鎖にイリジウム錯体系のRGBに対応する燐光材料をそれぞれ有する高分子を用いた。最終的な膜厚は各電荷輸送層が75~80nm、発光層が各15nm、5層の総膜厚を200nmとした。RGB発光層3層用の多層押出成形機及び正孔、電子輸送層各々の押出成形機と個別の押出成形機を用いた。発光層用、正孔、電子輸送層用Tダイ金型の出口スリット間隙を5μm、幅は全て18mmとした。各Tダイ金型の内面はCMP研磨を施し更にDLCをCVDによって被覆した。押し出された膜は冷却することなく直ちに5段のホットローラーによって所与の厚さまで一軸延伸した。ホットローラーの表面は、プラズマCVMによる表面加工と最終仕上げにEEMElastEmissionMachiningを用いて1nm程度の表面粗さに仕上げたものを用いた。最終膜厚に達した有機ELフィルムは図4に示すような機構によって陽極基板テープに圧着、これを図6に示したRtR陰極並びにパッシベーション成膜機で、まず陰極はLiFを0.5nm、Alを300nm蒸着した。パッシベーション膜は、SiOx膜30nm、ポリ尿素系化合物の蒸着重合膜2μmを交互に積み重ねた多層構造で5ペア積層した。以上実施例1、2として高分子有機EL素子を例示して本発明を説明したが、本発明はこれに限らず、高分子有機材料を用いた太陽電池等を含む高分子有機光電変換デバイス全般の製造に適用できる。