"以下の式を有する配位子L:式中、Xは、CまたはNであり;Rは、アルキル、アルケニル、アルキニル、アミノ、アルコキシ、シリル、ホスフィノ、メルカプチル、アリールまたはヘテロアリールから選択され;R2およびR3は、1、2、3、または4置換を表してよく;R2およびR3は、水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールおよびヘテロアリールからなる群から独立して選択され;配位子Lは、配位原子Xを介して金属Mに配位されており;Mは、遷移金属であり;配位子Lは、第2配位子に場合により連結されていて、金属Mにも配位されている;を含む化合物。金属Mが4配位である、請求項1に記載の化合物。R2およびR3が、縮合環式または複素環式環である、請求項1に記載の化合物。式:式中、L1、L2、およびL3は、Lとは異なり、独立して、金属Mに配位するC、N、O、Si、P、S、またはSe配位子である;を有する、請求項1に記載の化合物。L1、L2、およびL3の1つが、アントラセニルである、請求項4に記載の化合物。式:式中、R6は、アルキル、アルケニル、アルキニル、アミノ、アルコキシ、シリル、ホスフィノ、メルカプチル、アリールまたはヘテロアリールから選択され;R4およびR5は、1、2、3、または4置換を表してよく;R4およびR5は、水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールおよびヘテロアリールからなる群から独立して選択される;を有する、請求項4に記載の化合物。金属Mが、第3列の遷移金属である、請求項1に記載の化合物。金属Mが、Ptである、請求項1に記載の化合物。中性である、請求項1に記載の化合物。帯電している、請求項1に記載の化合物。Rが、アリールまたはヘテロアリールである、請求項1に記載の化合物。Rが、以下:からなる群から選択される、請求項1に記載の化合物。L、L1、L2、およびL3のいずれか2つが、一緒に連結されて、二座配位子を形成する、請求項4に記載の化合物。二座配位子の少なくとも1つが、Mによる5員シクロメタル化環を形成する、請求項13に記載の化合物。L、L1、L2、およびL3のいずれか3つが、一緒に連結されて、三座配位子を形成する、請求項4に記載の化合物。三座配位子が、Mによる少なくとも1つの5員シクロメタル化環を形成する、請求項15に記載の化合物。以下:からなる群から選択される、請求項1に記載の化合物。Rが、以下:からなる群から選択される、請求項17に記載の化合物。部位の三重項エネルギーが、450nmよりも高い、請求項1に記載の化合物。0.1マイクロ秒を超える長い成分を有する発光寿命を有する、請求項1に記載の化合物。有機発光デバイスを含む第1デバイスであって:アノードと;カソードと;アノードとカソードとの間に配置された有機層において、以下の式を有する配位子L:式中、Xは、CまたはNであり;Rは、アルキル、アルケニル、アルキニル、アミノ、アルコキシ、シリル、ホスフィノ、メルカプチル、アリールまたはヘテロアリールから選択され;R2およびR3は、1、2、3、または4置換を表してよく;R2およびR3は、水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールおよびヘテロアリールからなる群から独立して選択され;配位子Lは、配位原子Xを介して金属Mに配位されており;Mは、遷移金属であり;配位子Lは、第2配位子に場合により連結されていて、金属Mにも配位されている;を含む化合物をさらに含む有機層とを含む、デバイス。金属Mが4配位である、請求項21に記載の第1デバイス。R2およびR3が、縮合環式または複素環式環である、請求項21に記載の第1デバイス。前記化合物が式:式中、L1、L2、およびL3は、Lとは異なり、独立して、金属Mに配位するC、N、O、Si、P、S、またはSe配位子である;を有する、請求項21に記載の第1デバイス。L1、L2、およびL3の1つが、アントラセニルである、請求項24に記載の第1デバイス。前記化合物が、式:式中、R6は、アルキル、アルケニル、アルキニル、アミノ、アルコキシ、シリル、ホスフィノ、メルカプチル、アリールまたはヘテロアリールから選択され;R4およびR5は、1、2、3、または4置換を表してよく;R4およびR5は、水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールおよびヘテロアリールからなる群から独立して選択される;を有する、請求項24に記載の第1デバイス。金属Mが、第3列の遷移金属である、請求項21に記載の第1デバイス。金属Mが、Ptである、請求項21に記載の第1デバイス。前記化合物が、中性である、請求項21に記載の第1デバイス。前記化合物が、帯電している、請求項21に記載の第1デバイス。Rが、アリールまたはヘテロアリールである、請求項21に記載の第1デバイス。Rが、以下:からなる群から選択される、請求項21に記載の第1デバイス。L、L1、L2、およびL3のいずれか2つが、一緒に連結されて、二座配位子を形成する、請求項24に記載の第1デバイス。二座配位子の少なくとも1つが、Mによる5員シクロメタル化環を形成する、請求項33に記載の第1デバイス。L、L1、L2、およびL3のいずれか3つが、一緒に連結されて、三座配位子を形成する、請求項24に記載の第1デバイス。三座配位子が、Mによる少なくとも1つの5員シクロメタル化環を形成する、請求項35に記載のデバイス。前記化合物が、以下:からなる群から選択される、請求項21に記載の第1デバイス。Rが、以下:からなる群から選択される、請求項37に記載の第1デバイス。有機層が、発光層であり、化合物が、発光ドーパントである、請求項21に記載の第1デバイス。消費者製品である、請求項21に記載の第1デバイス。有機発光デバイスである、請求項21に記載の第1デバイス。アントラセンまたはアクリジン配位子に配位した金属を含む化合物が提供される。化合物は、式:を有する配位子Lを含む。Xは、CまたはNである。Rは、アルキル、アルケニル、アルキニル、アミノ、アルコキシ、シリル、ホスフィノ、メルカプチル、アリールまたはヘテロアリールから選択される。R2およびR3は、1、2、3、または4置換を表してよい。R2およびR3は、水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールおよびヘテロアリールからなる群から独立して選択される。配位子Lは、配位原子Xを介して金属Mに配位されている。Mは、遷移金属である。配位子Lは、第2配位子に場合により連結されていて、金属Mにも配位されている。一態様において、金属Mは4配位である。好ましくは、金属Mは、第3列の遷移金属である。より好ましくは、Mは、Ptである。別の態様において、R2およびR3は、縮合環式または複素環式環である。一態様において、化合物は、式:を有する。L1、L2、およびL3は、Lとは異なり、独立して、金属Mに配位するC、N、O、Si、P、S、またはSe配位子である。一態様において、L1、L2、およびL3の1つが、アントラセニルである。別の態様において、化合物は、式:を有する。R6は、アルキル、アルケニル、アルキニル、アミノ、アルコキシ、シリル、ホスフィノ、メルカプチル、アリールまたはヘテロアリールから選択される。R4およびR5は、1、2、3、または4置換を表してよい。R4およびR5は、水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールおよびヘテロアリールからなる群から独立して選択される。一態様において、化合物は、中性である。別の態様において、化合物は、帯電している。一態様において、Rは、アリールまたはヘテロアリールである。好ましくは、Rは、以下:からなる群から選択される。一態様において、L、L1、L2、およびL3のいずれか2つが、一緒に連結されて、二座配位子を形成する。別の態様において、二座配位子の少なくとも1つが、Mによる5員シクロメタル化環を形成する。一態様において、L、L1、L2、およびL3のいずれか3つが、一緒に連結されて、三座配位子を形成する。別の態様において、三座配位子が、Mによる少なくとも1つの5員シクロメタル化環を形成する。アントラセンまたはアクリジン配位子を含む化合物の具体例が提供される。特に、化合物は、以下:からなる群から選択される。特に好ましい化合物として、表1および2に示すように、化合物1-1~化合物54-14からなる群から選択される化合物が挙げられる。一態様において、部位の三重項エネルギーは、450nmよりも高い。別の態様において、化合物は、0.1マイクロ秒を超える長い成分を有する発光寿命を有する。有機発光デバイスを含む第1デバイスも提供される。第1デバイスは、アノードと、カソードと、アノードとカソードとの間に配置された有機層とをさらに含む。有機層は、上記のように、式Iを有する配位子Lを含む化合物を含む。Xは、CまたはNである。Rは、アルキル、アルケニル、アルキニル、アミノ、アルコキシ、シリル、ホスフィノ、メルカプチル、アリールまたはヘテロアリールから選択される。R2およびR3は、1、2、3、または4置換を表してよい。R2およびR3は、水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールおよびヘテロアリールからなる群から独立して選択される。Mは、遷移金属である。配位子Lは、配位原子Xを介して金属Mに配位されている。配位子Lは、金属Mにも配位されている第2配位子に場合により連結されている。一態様において、金属Mは4配位である。好ましくは、金属Mは、第3列の遷移金属である。より好ましくは、Mは、Ptである。別の態様において、R2およびR3は、縮合環式または複素環式環である。一態様において、化合物は、先に議論されている式IIを有する。L1、L2、およびL3は、Lとは異なり、独立して、金属Mに配位するC、N、O、Si、P、S、またはSe配位子である。別の態様において、L1、L2、およびL3の1つが、アントラセニルである。一態様において、化合物は、先に議論されている式IIIを有する。R6は、アルキル、アルケニル、アルキニル、アミノ、アルコキシ、シリル、ホスフィノ、メルカプチル、アリールまたはヘテロアリールから選択される。R4およびR5は、1、2、3、または4置換を表してよい。R4およびR5は、水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールおよびヘテロアリールからなる群から独立して選択される。一態様において、化合物は、中性である。別の態様において、化合物は、帯電している。一態様において、Rは、アリールまたはヘテロアリールである。別の態様において、Rは、以下:からなる群から選択される。一態様において、L、L1、L2、およびL3のいずれか3つが、一緒に連結されて、二座配位子を形成する。別の態様において、二座配位子の少なくとも1つが、Mによる5員シクロメタル化環を形成する。一態様において、L、L1、L2、およびL3のいずれか3つが、一緒に連結されて、三座配位子を形成する。別の態様において、三座配位子が、Mによる少なくとも1つの5員シクロメタル化環を形成する。アントラセンまたはアクリジン配位子を含むこれらの化合物を含む第1デバイスの具体例が提供される。特に、化合物は、化合物1G~化合物54Gからなる群から選択される。特に好ましい化合物として、表1および2に示すように、化合物1-1~化合物54-14からなる群から選択される化合物が挙げられる。一態様において、有機層は、発光層であり、化合物は、発光ドーパントである。一態様において、第1デバイスは消費者製品である。別の態様において、第1デバイスは有機発光デバイスである。一般に、OLEDは、アノードとカソードとの間に配置され、これらと電気的に接続された少なくとも1の有機層を含む。電流が印加されたとき、アノードは正孔を有機層に注入し、カソードは電子を有機層に注入する。注入された正孔および電子は、それぞれ、逆に帯電した電極に向かって移動する。電子および正孔が同じ分子に局在するとき、励起されたエネルギー状態を有する局在した電子-正孔対である励起子が形成される。光は、励起子が光電子放出メカニズムを介して緩和するときに発せられる。いくつかの場合において、励起子は、エキシマーまたはエキシプレックスに局在していてよい。熱緩和などの非放射メカニズムが生じてもよいが、一般には望ましくないと考えられる。一重項状態から光蛍光を放出する発光分子を用いた初期のOLEDは、例えば、米国特許第4,769,292号に開示されており、これはその全体が参照により組み込まれる。蛍光発光は、10ナノ秒未満の時間枠で一般に生じる。より最近では、三重項状態から光リン光を放出する発光材料を有するOLEDが実証されている。Baldoら、HighlyEfficientPhosphorescentEmissionfromOrganicElectroluminescentDevices、Nature,vol.395,151-154,1998;Baldo-IおよびBaldoら、Veryhigh-efficiencygreenorganiclight-emittingdevicesbasedonelectrophosphorescence、Appl.Phys.Lett.,vol.75,No.3,4-61999Baldo-IIこれらの全体が、参照により組み込まれる。リン光については、参照により組み込まれる米国特許第7,279,704号の第5~6段落にさらに詳細に記載されている。図1は、有機発光デバイス100を示す。図は、必ずしも原寸に比例して描かれていない。デバイス100は、基板110、アノード115、正孔注入層120、正孔輸送層125、電子ブロック層130、発光層135、正孔ブロック層140、電子輸送層145、電子注入層150、保護層155、およびカソード160を含んでいてよい。カソード160は、第1導電層162および第2導電層164を有する複合カソードである。デバイス100は、記載した層を順に堆積することにより作製されてよい。これらの種々の層の特性および機能、ならびに例としての材料は、参照により組み込まれる米国特許第7,279,704号の第6~10段落に、さらに詳細に記載されている。これらの各層に対するさらなる例が利用可能である。例えば、可撓性かつ透明な基板-アノードの組み合わせが、その全体が参照により組み込まれる米国特許第5,844,363号に開示されている。p-ドープ正孔輸送層の例は、50:1のモル比でF.sub.4-TCNQがドープされたm-MTDATAであり、その全体が参照により組み込まれる米国特許出願公開第2003/0230980号に開示されている。発光材料およびホスト材料の例は、その全体が参照により組み込まれる、Thompsonらの米国特許第6,303,238号に開示されている。n-ドープ電子輸送層の例は、1:1のモル比でLiがドープされたBPhenであり、その全体が参照により組み込まれる米国特許出願公開第2003/0230980号に開示されている。その全体が参照により組み込まれる米国特許第5,703,436号および同第5,707,745号は、上部の、透明かつ電気伝導性の、スパッタ-堆積したITO層と共に、Mg:Agなどの金属の薄層を有する複合カソードを含むカソードの例を開示している。ブロック層の理論および使用は、その全体が参照により組み込まれる米国特許第6,097,147号および米国特許出願公開第2003/0230980号に、より詳細に記載されている。注入層の例は、その全体が参照により組み込まれる米国特許出願公開第2004/0174116号に開示されている。保護層の記載は、その全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願公開第2004/0174116号に見出され得る。図2は、反転OLED200を示す。デバイスは、基板210、カソード215、発光層220、正孔輸送層225、およびアノード230を含む。デバイス200は、記載した層を順に堆積することにより作製されてよい。最も一般的なOLED構成は、アノードの上に配置されたカソードを有するが、デバイス200はアノード230の下にカソード215を有するため、デバイス200が反転OLEDと称されてもよい。デバイス100に関して記載したものと同様の材料が、デバイス200の対応する層に用いられてよい。図2は、デバイス100の構造からどのようにいくつかの層が省略され得るかの一例を提供する。図1および2に示されている簡単な層状構造は、非限定的な例として提供されており、本発明の実施形態は、広範な他の構造と関連して用いられ得ると理解される。記載されている具体的な材料および構造は、本質的に例示的なものであり、他の材料および構造が用いられてよい。機能的なOLEDは、設計、性能、およびコスト要因に基づいて、記載の種々の層を様々な様式で組み合わせることにより達成されても、あるいは層が完全に省略されてもよい。具体的に記載していない他の層が含まれていてもよい。具体的に記載した材料以外の材料が用いられてよい。本明細書において提供される例の多くは、単一の材料を含むものとして種々の層を記載しているが、ホストおよびドーパントの混合物などの材料の組み合わせ、またはより一般には混合物が用いられてよい。また、層は、種々の副層を有してよい。本明細書における種々の層に付与されている名称は、厳密に限定的であることを意図していない。例えば、デバイス200において、正孔輸送層225は、正孔を輸送し、正孔を発光層220に注入しており、正孔輸送層または正孔注入層と記載されてよい。一実施形態において、OLEDは、カソードとアノードとの間に配置された有機層を有すると記載されてよい。この有機層は、単一の層を含んでいてもよく、または例えば図1および2に関連して記載されているような異なる有機材料の複数の層をさらに含んでもよい。例えば、その全体が参照により組み込まれる、Friendらの米国特許第5,247,190号に開示されている、ポリマー材料PLEDで構成されるOLEDなどの、具体的に記載されていない構造および材料が用いられてもよい。さらなる例として、単一の有機層を有するOLEDが用いられてよい。OLEDは、例えば、その全体が参照により組み込まれるForrestらの米国特許第5,707,745号に記載されているように、積み重ねられていてよい。OLED構造は、図1および2に示されている簡単な層状構造から逸脱してよい。例えば、基板は、取り出しを改善するために、例えば、その全体が参照により組み込まれるForrestらの米国特許第6,091,195号に記載されているメサ構造、および/または、その全体が参照により組み込まれるBulovicらの米国特許第5,834,893号に記載されているピット構造などの角度のついた反射面を含んでいてよい。別途特定しない限り、種々の実施形態の層のいずれもが、任意の好適な方法により堆積されてよい。有機層については、好ましい方法として、熱蒸着、インクジェット例えば、その全体が参照により組み込まれる米国特許第6,013,982号および第6,087,196号に記載されている、有機気相成長OVPD例えば、その全体が参照により組み込まれるForrestらの米国特許第6,337,102号に記載されている、および有機蒸気ジェット印刷OVJPによる堆積例えば、その全体が参照により組み込まれる米国特許出願第10/233,470号に記載されているが挙げられる。他の好適な堆積方法として、スピンコーティングおよび他の溶液系プロセスが挙げられる。溶液系プロセスは、好ましくは、窒素または不活性雰囲気中で行われる。他の層については、好ましい方法として熱蒸着が挙げられる。好ましいパターン化方法として、マスクを通しての堆積、冷間圧接例えば、その全体が参照により組み込まれる米国特許第6,294,398号および第6,468,819号に記載されている、ならびにインクジェットおよびOVJDなどの堆積方法のいくつかと関連させたパターン化が挙げられる。他の方法が用いられてもよい。堆積される材料は、材料が特定の堆積方法と適合可能となるように改変されてよい。例えば、分岐した、または分岐していない、好ましくは少なくとも3個の炭素を含むアルキルおよびアリール基などの置換基は、溶液処理を経る能力を向上させるために小分子において用いられてよい。20個以上の炭素を有する置換基が用いられてよく、3~20個の炭素が好ましい範囲である。非対称構造を有する材料は、対称構造を有するものよりも良好な溶液処理性を有し得る、なぜなら、非対称材料が、より低い再結晶化傾向を有し得るからである。デンドリマー置換基は、小分子が溶液処理を経る能力を向上させるために用いられてよい。本発明の実施形態に従って作製されるデバイスは、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニタ、テレビ、広告板、室内または屋外の照明灯および/または信号灯、ヘッドアップディスプレイ、完全に透明なディスプレイ、可撓性ディスプレイ、レーザプリンタ、電話機、携帯電話、携帯情報端末PDA、ラップトップコンピュータ、デジタルカメラ、カムコーダ、ビューファインダ、マイクロディスプレイ、乗物、大面積壁面、映画館またはスタジアムのスクリーン、あるいは標識を含めた広範な消費者製品に組み込まれ得る。パッシブマトリックスおよびアクティブマトリックスを含めた、本発明の実施形態により作製されたデバイスを制御するために、種々の制御メカニズムが用いられ得る。デバイスの多くは、18°C~30°C、より好ましくは室温20~25°Cなどの人にとって快適な温度範囲での使用が意図されている。本明細書に記載されている材料および構造は、OLED以外のデバイスにも用途を有し得る。例えば、有機太陽電池および有機光検出器などの他の光電子デバイスは、これらの材料および構造を使用することができる。より一般には、有機トランジスタなどの有機デバイスが、これらの材料および構造を使用することができる。用語ハロ、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、アルケニル、アルキニル、アリールキル、複素環式基、アリール、芳香族基、およびヘテロアリールは、当該分野に公知であり、参照により本明細書に組み込まれる米国特許第7,279,704号の第31~32段落に定義されている。青色有機発光デバイス、特に、より濃い青色x≦0.17、y≦0.30は、魅力的なトピックである。青色蛍光エミッタを用いたOLEDは、かなり安定であり得るL0=1000cd/m2において>10000時間が、その効率は低いEQE<10。逆に、青色リン光エミッタを用いたOLEDは、非常に効率的であり得るEQE>15が、その安定性は低いL0=1000cd/m2において<5000時間。したがって、青色OLEDは、顕著な課題を有し得る。励起子の全てが、リン光デバイスにおいて利用され得る。したがって、理論的には、リン光デバイスが有利である。しかし、青色発光レジメンにおいて、リン光デバイスは、高エネルギーのリン光発光化合物および高三重項エネルギーのホストの使用を必要とする。結果として、青色発光リン光デバイスにおいて用いられる化合物は、限定されたπ共役のみを有することができる。限定されたπ共役は、デバイス操作の間に電荷を安定化することを不可能にし、結果として、デバイス操作寿命を短くする場合がある。本明細書に開示されているように、安定な蛍光エミッタ、例えば、PtII-アントラセンまたはアクリジン化合物からの遅延蛍光は、この課題に直接取り組む。デバイス操作の間、スピン統計によると、25の一重項励起子と75の三重項励起子とが形成される。PtII-アントラセンは、一重項励起子から直接発光して、結果として、即発蛍光を生ずることができる。一重項励起子のいくらかは、三重項状態への系間交差を経ることもできる。電荷再結合の際に直接的に形成されたまたは一重項状態からの系間交差によって間接的に形成された三重項励起子は、ひいては発光する一重項励起子の発生を無効にする可能性がある。これは、遅延蛍光と呼ばれ、即発蛍光と同じ発光を有する、なぜなら、これらが、同じ一重項状態に由来するからである。遅延蛍光プロセスを通して、大部分の三重項励起子が、発光をもたらすのに用いられ、結果として、改善されたOLEDデバイス効率を生じる。全体のデバイス効率は、エミッタのフォトルミネセンス量子収量PLQYに依然として制限される。本明細書に提供されている化合物は、高いPLQYを達成し得ると考えられる、なぜなら、アントラセンの9および/もしくは10位またはアクリジンの9位が置換されているからである。特に、提供される化合物は、式Iを有するアントラセン配位子上の10位の水素以外に置換基を有する。理論によって拘束されないが、Hがアントラセンの9および/または10位にあるとき、PLQYは、置換基がアルキルまたはアリールであるときよりも低いと考えられる。例えば、アントラセンは、約40の溶液PLQYを有するが、9,10-ジフェニルアントラセンは、100の溶液PLQYを有する。アントラセンまたはアクリジン配位子に配位した金属を含む化合物が提供される。化合物は、式:を有する配位子を含む。Xは、CまたはNである。Rは、アルキル、アルケニル、アルキニル、アミノ、アルコキシ、シリル、ホスフィノ、メルカプチル、アリールまたはヘテロアリールから選択される。Rは、好ましくはハロゲン以外の置換基である、なぜなら、ハロゲン含有化合物が、速いデバイス劣化をもたらす場合があるからである。理論によって拘束されないが、炭素-ハロゲン結合は開裂し易く、結果として、より速いデバイス劣化をもたらし得ると考えられる。R2およびR3は、1、2、3、または4置換を表してよい。R2およびR3は、水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールおよびヘテロアリールからなる群から独立して選択される。配位子Lは、配位原子Xを介して金属Mに配位されている。Mは、遷移金属である。配位子Lは、金属Mにも配位されている第2配位子に場合により連結されている。一態様において、金属Mは4配位である。好ましくは、金属Mは、第3列の遷移金属である。より好ましくは、Mは、Ptである。別の態様において、R2およびR3は、縮合環式または複素環式環である。一態様において、化合物は、式:を有する。L1、L2、およびL3は、Lとは異なり、独立して、金属Mに配位するC、N、O、Si、P、S、またはSe配位子である。一態様において、L1、L2、およびL3の1つが、アントラセニルである。別の態様において、化合物は、式:を有する。R6は、アルキル、アルケニル、アルキニル、アミノ、アルコキシ、シリル、ホスフィノ、メルカプチル、アリールまたはヘテロアリールから選択される。R4およびR5は、1、2、3、または4置換を表してよい。R4およびR5は、水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールおよびヘテロアリールからなる群から独立して選択される。一態様において、化合物は、中性である。別の態様において、化合物は、帯電している。一態様において、Rは、アリールまたはヘテロアリールである。好ましくは、Rは、以下:からなる群から選択される。理論によって拘束されないが、多座配位子、すなわち、二座および三座が、金属Mにより強くキレートするため、熱蒸発およびデバイス操作において高い安定性を提供することができると考えられる。二座または三座のシクロメタル化様式は、好ましくは5員の金属環である、なぜなら、5員の金属環は、化学的にかなり安定であり、結果として高いデバイス安定性を生じるからである。一態様において、L、L1、L2、およびL3のいずれか2つが、一緒に連結されて、二座配位子を形成する。例えば、L1およびL2、L2およびL3、L1およびL、またはL3およびLの少なくとも1つが、一緒に連結されて、二座配位子を形成する。別の態様において、二座配位子の少なくとも1つが、Mによる5員シクロメタル化環を形成する。一態様において、L、L1、L2、およびL3のいずれか3つが、一緒に連結されて、三座配位子を形成する。例えば、L1、L2、およびL3またはL1、LおよびL3の1つが、一緒に連結されて、三座配位子を形成する。別の態様において、三座配位子が、Mによる少なくとも1つの5員シクロメタル化環を形成する。置換アントラセンまたはアクリジン配位子を含む化合物の具体例が提供される。特に、化合物は、以下:からなる群から選択される。好ましい化合物として、Rを好ましい置換基として有する先に提供した一般構造を有する化合物が挙げられる。特に、好ましい化合物は、以下からなる群から選択される:一態様において、部位の三重項エネルギーは、450nmよりも高い。別の態様において、化合物は、0.1マイクロ秒を超える長い成分を有する発光寿命を有する。有機発光デバイスを含む第1デバイスも提供される。第1デバイスは、アノードと、カソードと、アノードとカソードとの間に配置された有機層とをさらに含む。有機層は、上記の式Iを有する配位子Lを含む化合物を含む。Xは、CまたはNである。Rは、アルキル、アルケニル、アルキニル、アミノ、アルコキシ、シリル、ホスフィノ、メルカプチル、アリールまたはヘテロアリールから選択される。R2およびR3は、1、2、3、または4置換を表してよい。R2およびR3は、水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールおよびヘテロアリールからなる群から独立して選択される。配位子Lは、配位原子Xを介して金属Mに配位されている。Mは、遷移金属である。配位子Lは、金属Mにも配位されている第2配位子に場合により連結されている。一態様において、金属Mは4配位である。好ましくは、金属Mは、第3列の遷移金属である。より好ましくは、Mは、Ptである。別の態様において、R2およびR3は、縮合環式または複素環式環である。一態様において、化合物は、式:を有する。L1、L2、およびL3は、独立して、金属Mに配位するC、N、O、Si、P、S、またはSe配位子である。別の態様において、L1、L2、およびL3の1つが、アントラセニルである。一態様において、化合物は、式:を有する。R6は、アルキル、アルケニル、アルキニル、アミノ、アルコキシ、シリル、ホスフィノ、メルカプチル、アリールまたはヘテロアリールから選択される。R4およびR5は、1、2、3、または4置換を表してよい。R4およびR5は、水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールおよびヘテロアリールからなる群から独立して選択される。一態様において、化合物は、中性である。化合物は、デバイス製作方法として真空熱蒸発が用いられ得るように、好ましくは中性である。理論によって拘束されないが、中性化合物によるデバイスもより安定であり得ると考えられる。別の態様において、化合物は、帯電している。一態様において、Rは、アリールまたはヘテロアリールである。別の態様において、Rは、以下:からなる群から選択される。一態様において、L、L1、L2、およびL3のいずれか2つが、一緒に連結されて、二座配位子を形成する。例えば、L1およびL2、L2およびL3、L1およびL、またはL3およびLの少なくとも1つが、一緒に連結されて、二座配位子を形成する。別の態様において、二座配位子の少なくとも1つが、Mによる5員シクロメタル化環を形成する。一態様において、L、L1、L2、およびL3のいずれか3つが、一緒に連結されて、三座配位子を形成する。例えば、L1、L2、およびL3またはL1、LおよびL3の1つが、一緒に連結されて、三座配位子を形成する。別の態様において、三座配位子が、Mによる少なくとも1つの5員シクロメタル化環を形成する。置換アントラセンまたはアクリジン配位子を含む化合物を含む第1デバイスの具体例が提供される。特に、化合物は、以下:からなる群から選択される。特に好ましい化合物として、表1および2に示すように、化合物1-1~化合物54-14からなる群から選択される化合物が挙げられる。一態様において、有機層は、発光層であり、化合物は、発光ドーパントである。一態様において、第1デバイスは消費者製品である。別の態様において、第1デバイスは有機発光デバイスである。他の材料との組み合わせ有機発光デバイスにおける特定の層に有用である、本明細書に記載の材料は、デバイスに存在する種々の他の材料と組み合わせて用いられてよい。例えば、本明細書に開示されている発光ドーパントは、存在していてよい種々のホスト、輸送層、ブロック層、注入層、電極および他の層と併せて用いられてよい。以下に記載または称される材料は、本明細書に開示されている化合物と組み合わせて有用であり得る材料の非限定的な例であり、当業者は、組み合わせて有用であり得る他の材料を特定するための文献を容易に閲覧することができる。HIL/HTL:本発明の実施形態において用いられる正孔注入/輸送材料は特に限定されず、正孔注入/輸送材料として典型的に用いられる限りにおいていずれの化合物が用いられてもよい。材料の例として、限定されないが:フタロシアニンまたはポルフィリン誘導体;芳香族アミン誘導体;インドロカルバゾール誘導体;フッ化炭化水素を含有するポリマー;導電ドーパントを有するポリマー;導電性ポリマー、例えばPEDOT/PSS;ホスホン酸およびシラン誘導体などの化合物から誘導される自己集合モノマー;金属酸化物誘導体、例えばMoOx;p型半導体有機化合物、例えば、1,4,5,8,9,12-ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル;金属錯体、ならびに架橋性化合物が挙げられる。HILまたはHTLにおいて用いられる芳香族アミン誘導体の例として、限定されないが以下の一般構造:が挙げられる。Ar1~Ar9のそれぞれは、芳香族炭化水素環式化合物、例えば、ベンゼン、ビフェニル、トリフェニル、トリフェニレン、ナフタレン、アントラセン、フェナレン、フェナントレン、フルオレン、ピレン、クリセン、ペリレン、アズレンからなる群;芳香族複素環式化合物、例えば、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ピリジルインドール、ピロロジピリジン、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、オキサトリアゾール、ジオキサゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、オキサジン、オキサチアジン、オキサジアジン、インドール、ベンズイミダゾール、インダゾール、インドキサジン、ベンゾオキサゾール、ベンズイソオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、イソキノリン、シンノリン、キナゾリン、キノキサリン、ナフチリジン、フタラジン、プテリジン、キサンテン、アクリジン、フェナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、ベンゾフロピリジン、フロジピリジン、ベンゾチエノピリジン、チエノジピリジン、ベンゾセレノフェノピリジン、およびセレノフェノジピリジンからなる群;ならびに芳香族炭化水素環式基および芳香族複素環式基から選択される同じタイプまたは異なるタイプの基であって、直接、または酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子、鎖構造単位および脂肪族環式基のうちの少なくとも1つを介して互いに結合している2~10個の環式構造単位からなる群から選択される。ここで、各Arは、水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールアルキル、ヘテロアルキル、アリール、およびヘテロアリールからなる群から選択される置換基によってさらに置換されている。一態様において、Ar1~Ar9は、以下:からなる群から独立して選択される。kは、1~20の整数であり;X1~X8は、CHまたはNであり;Ar1は、上記と同じ基である。HILまたはHTLにおいて用いられる金属錯体の例として、限定されないが以下の一般式:が挙げられる。Mは、40より大きい原子量を有する金属であり;Y1-Y2は、二座配位子であり、Y1およびY2は、C、N、O、P、およびSから独立して選択され;Lは、補助配位子であり;mは、1から、金属に結合され得る配位子の最大数までの整数値であり;mnは、金属に結合され得る配位子の最大数である。一態様において、Y1-Y2は、2-フェニルピリジン誘導体である。別の態様において、Y1-Y2は、カルベン配位子である。別の態様において、Mは、Ir、Pt、Os、およびZnから選択される。さらなる態様において、金属錯体は、溶液vs.Fc/Fc対において約0.6V未満の最低酸化電位を有する。ホスト:本発明の実施形態における有機ELデバイスの発光層は、発光材料として少なくとも金属錯体を好ましくは含有し、ドーパント材料として金属錯体を用いたホスト材料を含有していてもよい。ホスト材料の例は、特に限定されず、ホストの三重項エネルギーがドーパントの三重項エネルギーよりも大きい限りにおいて、いずれの金属錯体または有機化合物が用いられてもよい。ホストとして用いられる金属錯体の例は、以下の一般式:を有することが好ましい。Mは金属であり;Y3-Y4は二座配位子であり、Y3およびY4は、C、N、O、P、およびSから独立して選択され;Lは、補助配位子であり;mは、1から、金属に結合され得る配位子の最大数までの整数値であり;mnは、金属に結合され得る配位子の最大数である。一態様において、金属錯体は:である。O-Nは、原子OおよびNに配位された金属を有する二座配位子である。別の態様において、Mは、IrおよびPtから選択される。さらなる態様において、Y3-Y4は、カルベン配位子である。ホストとして用いられる有機化合物の例は、芳香族炭化水素環式化合物、例えば、ベンゼン、ビフェニル、トリフェニル、トリフェニレン、ナフタレン、アントラセン、フェナレン、フェナントレン、フルオレン、ピレン、クリセン、ペリレン、アズレンからなる群;芳香族複素環式化合物、例えば、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ピリジルインドール、ピロロジピリジン、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、オキサトリアゾール、ジオキサゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、オキサジン、オキサチアジン、オキサジアジン、インドール、ベンズイミダゾール、インダゾール、インドキサジン、ベンゾオキサゾール、ベンズイソオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、イソキノリン、シンノリン、キナゾリン、キノキサリン、ナフチリジン、フタラジン、プテリジン、キサンテン、アクリジン、フェナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、ベンゾフロピリジン、フロジピリジン、ベンゾチエノピリジン、チエノジピリジン、ベンゾセレノフェノピリジン、およびセレノフェノジピリジンからなる群;ならびに芳香族炭化水素環式基および芳香族複素環式基から選択される同じタイプまたは異なるタイプの基であって、直接、または酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子、鎖構造単位および脂肪族環式基のうちの少なくとも1つを介して互いに結合している2~10個の環式構造単位からなる群から選択される。ここで、各基は、水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールアルキル、ヘテロアルキル、アリール、およびヘテロアリールからなる群から選択される置換基によってさらに置換されている。一態様において、ホスト化合物は、分子内に以下の基:のうちの少なくとも1つを含有する。R1~R7は、水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールアルキル、ヘテロアルキル、アリール、およびヘテロアリールからなる群から独立して選択され、アリールまたはヘテロアリールであるとき、先に言及したArと同様の定義を有する。kは、0~20の整数である。X1~X8は、CHまたはNから選択される。HBL:正孔ブロック層HBLは、発光層を離れる正孔および/または励起子の数を低減するのに用いられ得る。デバイスにおいてかかるブロック層が存在することで、ブロック層を欠く同様のデバイスと比較して実質的により高い効率をもたらし得る。また、ブロック層は、発光をOLEDの所望の領域に制限するのに用いられ得る。一態様において、HBLにおいて用いられる化合物は、上記のホストとして用いられるものと同じ分子を含有する。別の態様において、HBLにおいて用いられる化合物は、分子内に以下の基:のうちの少なくとも1つを含有する。kは、0~20の整数であり;Lは、補助配位子であり、mは1~3の整数である。ETL:電子輸送層ETLは、電子を輸送することが可能である材料を含んでいてよい。電子輸送層は、固有のもの非ドープであっても、ドープされていてもよい。ドーピングは、導電率を向上させるのに用いられ得る。ETL材料の例は特に限定されず、電子を輸送するのに典型的に用いられる限りにおいて、いずれの金属錯体または有機化合物が用いられてもよい。一態様において、ETLにおいて用いられる化合物は、分子内に以下の基:のうちの少なくとも1つを含有する。R1は、水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールアルキル、ヘテロアルキル、アリール、およびヘテロアリールからなる群から選択され、アリールまたはヘテロアリールであるとき、先に言及したArと同様の定義を有する。Ar1~Ar3は、先に言及したArと同様の定義を有する。kは、0~20の整数である。X1~X8は、CHをまたはNから選択される。別の態様において、ETLにおいて用いられる金属錯体は、限定されないが、以下の一般式:を含有する。O-NまたはN-Nは、原子O、NまたはN,Nに配位された金属を有する二座配位子であり;Lは、補助配位子であり;mは、1から、金属に結合され得る配位子の最大数までの整数値である。OLEDデバイスの各層において用いられる先に言及したあらゆる化合物において、水素原子が部分的または完全に重水素化されていてもよい。本明細書に開示されている材料に加えておよび/またはこれと組み合わせて、多くの正孔注入材料、正孔輸送材料、ホスト材料、ドーパント材料、励起子/正孔ブロック層材料、電子輸送および電子注入材料がOLEDにおいて用いられてよい。本明細書に開示されている材料と組み合わせてOLEDにおいて用いられ得る材料の非限定例を以下の表3に列挙する。表3は、非限定的な分類の材料、各分類についての非限定的な化合物例、および材料を開示している参照文献を列挙する。実験化合物例化合物のいくつかを以下のように合成した:ジフェニルホスフィン5.80mL、33.3mmolの200mLのTHF溶液を、-78°Cまで冷却した。BuLi14.67mL、36.7mmol、ヘキサン中2.5Mを滴下し、橙色-赤色溶液を与え、これを室温まで30分間加温した後、-78°Cまで再冷却した。次いで、30mLのTHF中の1,3-ビスブロモメチルベンゼン3.78g、14.33mmolを滴下し、溶液を、一晩かけて室温までゆっくりと加温させた。2時間加熱還流した後、混合物を室温まで冷却し、BH3THF100mL、100mmol、THF中1Mをカニューレを介して滴下した。反応物を一晩撹拌し、この時点で、TLC1/1ジクロロメタン/ヘキサンによって出発物質は示されなかった。反応物を300mLの氷上に注ぎ、ジクロロメタンで抽出した。溶媒を除去した後、粗物質を1/1ジクロロメタン/ヘキサンによるシリカゲルクロマトグラフィに付して所望の生成物を付与し、NMRによって確認した。出発物質2.5g、4.98mmolをジプロピルアミン50mL、365mmolに溶解し、16時間加熱還流し、この時点で、NMRにより、出発物質が存在しないことが示唆された。溶媒を除去した後、粗生成物を、1/1のヘキサン/ジクロロメタンによって溶離する、トリエチルアミンで前処理したシリカゲルカラムにおけるクロマトグラフィに付した。生成物1.8gを無色油として得、NMRによって確認した。50mLの水に溶解したテトラクロロ白金酸カリウムII1.575g、3.79mmolを50mLのアセトニトリル中の1,3-ビスジフェニルホスフィノメチルベンゼン1.8g、3.79mmolに添加した。反応物を18時間加熱還流した。水を添加し、反応物をジクロロメタンで抽出した。溶媒の体積を減らし、生成物をMeOHで沈殿させ、MeOHおよびエーテルで洗浄して乾燥した。粗固体を昇華させ200°C、10-5mbar、1.7gの生成物を薄黄色固体として付与した。生成物をNMRによって確認した。250mLの三ツ口フラスコに、1,10-フェナントロリン0.66g、3.66mmol、炭酸カリウム5.55g、40.2mmol、1,3-ジヨードベンゼン6.02g、18.25mmol、3H-イミダゾ[4,5-b]ピリジン4.75g、39.9mmol、およびヨウ化銅I0.75g、3.94mmolを添加し、続いて50mLのDMFを添加した。混合物を15分間脱気し、次いで120°Cで24時間加熱した。室温まで冷却した後、100mLの水を添加し、4×100mLのCH2Cl2で抽出した。抽出物を100mLの水で洗浄し、乾燥し、蒸発させた。粗生成物を、CH2Cl2、次いで98:2のCH2Cl2:MeOHで溶離する、シリカカラムにおけるクロマトグラフィに付した。第1画分は、所望の生成物と一付加生成物との混合物を含有しており、これらを、真空蒸留220°C、60mbarによって分離して、1.2gの所望の生成物を白色固体として付与した。生成物をNMRおよびGC/MSによって確認した。1,3-ビス3H-イミダゾ[4,5-b]ピリジン-3-イルベンゼン2.78g、8.90mmolをガラス製耐圧瓶において10mLのDMFに懸濁させた。次いでヨードメタン5.54mL、89mmolを添加し、混合物を油浴において90°Cまで20時間加温した。冷却後、エーテルを添加して生成物を沈殿させ、これを濾過してエーテルで洗浄し、5.0gの所望の生成物を得、これをNMRによって確認した。1,3-ビス1-H-ベンゾ[d]イミダゾール-1-イルベンゼンをZhangらChem.Commun.2008、46、6170の方法に従って合成した。350mLのガラス製耐圧瓶に、1,3-ビス1-H-ベンゾ[d]イミダゾール-1-イルベンゼン7.0g、22.6mmol、ジメチルホルムアミド200mLおよびヨードメタン21.0mL、337mmolを仕込んだ。フラスコを密閉し、油浴に置いて、80°Cまで22時間加熱した。周囲温度まで冷却した後、生成物を濾過し、エーテルで洗浄して、黄褐色固体を付与した。所望の生成物をNMRによって確認した。塩化銅I0.50g、5.05mmol、リチウムtert-ブトキシド0.40g、5.05mmolおよび35mLのTHFを50mLの丸底フラスコに置き、18時間撹拌した。次いで、ビスベンズイミダゾールヨージド塩0.50g、0.84mmolを添加し、反応混合物を20時間撹拌した。次いで、粗生成物を濾過し、さらなるTHFで洗浄した。次いで、生成物を200mLのジクロロメタンで3時間撹拌し、濾過し、濾液を蒸発させ、黄褐色粉末を付与した。所望の生成物をNMRによって確認した。100mLの丸底フラスコに、ビスベンズイミダゾールヨージド塩0.50g、0.84mmol、酸化銅I0.60g、4.20mmolおよび50mlのDMSOを仕込み、150°Cで18時間撹拌した。次いで塩化白金II0.21g、0.80mmolを添加し、反応物をさらに5時間撹拌した後、水100mLで希釈した。生成物をジクロロメタンで抽出し、ジクロロメタンを用いて溶離する、シリカゲルカラムにおけるクロマトグラフィに付し、生成物を黄色固体として与えた。所望の生成物をNMRによって確認した。5mLの1,4-ジオキサン中のマグネシウムに10mLの1,4-ジオキサン中の9-ブロモ-10-フェニルアントラセンを滴下する。添加終了後、30分間還流して室温まで冷却する。20mLの1,4-ジオキサン中の塩化白金錯体を添加し、反応混合物を一晩中加熱還流する。室温まで冷却し、水でクエンチし、ジクロロメタンで3回抽出する。溶媒を除去し、粗生成物をシリカゲルにおけるクロマトグラフィに付す。塩化銅I、リチウムtert-ブトキシドおよびTHFを丸底フラスコに入れ、18時間撹拌する。ビスアザベンズイミダゾールヨージド塩を添加し、20時間撹拌する。粗生成物を濾過し、さらなるTHFで洗浄する。粗生成物を200mLのジクロロメタン中で3時間撹拌し、濾過し、濾液から溶媒を蒸発させて、黄褐色粉末を与える。100mLの丸底フラスコにビスアザベンズイミダゾールヨージド塩、酸化銅IおよびDMSOを仕込み、150°Cで18時間撹拌する。塩化白金IIを添加し、反応物をさらに5時間撹拌する。水で希釈し、ジクロロメタンで抽出する。溶媒の除去後、粗生成物をシリカゲルカラムにおけるクロマトグラフィに付する。10mLの1,4-ジオキサン中の9-ブロモ-10-フェニルアントラセンを5mLの1,4-ジオキサン中のマグネシウムに滴下する。添加終了後、30分間還流し、室温まで冷却する。20mLの1,4-ジオキサン中の塩化白金錯体を添加し、反応混合物を一晩中加熱還流する。室温まで冷却し、水でクエンチし、ジクロロメタンで3回抽出する。溶媒を除去し、粗生成物をシリカゲルにおけるクロマトグラフィに付す。上記中間体をDevelayetal.InorganicChemistry4723、11129-11142頁2008の方法に従って合成した。錯体をWillisonetal.、Inorg.Chem.474、1258-1260頁2008の手順に従って調製した。10mLの1,4-ジオキサン中の9-ブロモ-10-フェニルアントラセンを5mLの1,4-ジオキサン中のマグネシウムに滴下する。添加終了後、30分間還流し、室温まで冷却する。20mLの1,4-ジオキサン中の塩化白金錯体を添加し、反応混合物を一晩中加熱還流する。室温まで冷却し、水でクエンチし、ジクロロメタンで3回抽出する。溶媒を除去し、粗生成物をシリカゲルにおけるクロマトグラフィに付す。本明細書に記載されている種々の実施形態は、単なる例であり、本発明の範囲を限定することは意図されないことが理解される。例えば、本明細書に記載されている材料および構造の多くが、本発明の精神から逸脱することなく他の材料および構造によって置換されていてもよい。したがって、特許請求の範囲に記載されている本発明は、当業者に明らかであるように、本明細書に記載されている特定の例および好ましい実施形態からの変形例を含むことができる。本発明がなぜ作用するかに関する種々の理論は限定的であることは意図されていないことが理解される。"