放熱金属板に絶縁材が接合された絶縁基板と、上記絶縁材の表面に、所定の間隔をあけて一列に設けられた負極電極と第1のゲート電極と正極電極と出力電極と第2のゲート電極と、上記正極電極に設けられた第1のIGBTチップと第1のダイオードチップと、上記出力電極に設けられた第2のIGBTチップと第2のダイオードチップと、上記第1のIGBTチップのエミッタ面と上記第1のダイオードチップのアノード面と上記出力電極とを接続する板状出力電極回路と、上記第1のIGBTチップのゲート面と上記第1のゲート電極とを接続する第1の板状ゲート電極回路と、上記第2のIGBTチップのゲート面と上記第2のゲート電極とを接続する第2の板状ゲート電極回路と、上記板状出力電極回路と上記第1の板状ゲート電極回路と上記第2の板状ゲート電極回路とに、第1の面を接して設けられた絶縁シートと、上記絶縁シートの第1の面と対向する第2の面に接して設けられ、且つ上記第2のIGBTチップのエミッタ面と上記第2のダイオードチップのアノード面と上記負極電極とを接続する板状負極電極回路とを備えたことを特徴とする電力用半導体モジュール。絶縁シートと、この絶縁シートの第1の面に接して設けられた板状出力電極回路と第1の板状ゲート電極回路と第2の板状ゲート電極回路と、上記絶縁シートの第1の面と対向する第2の面に接して設けられた板状負極電極回路とが、積層一体化された回路基板であることを特徴とする請求項1に記載の電力用半導体モジュール。板状出力電極回路が、出力電極に、第1の金属スペーサを介して接合され、第1の板状ゲート電極回路が、第1のゲート電極に、第2の金属スペーサを介して接合され、第2の板状ゲート電極回路が、第2のゲート電極に、第3の金属スペーサを介して接合され、板状負極電極回路が、負極電極に、第4の金属スペーサを介して接合され、第2のIGBTチップのエミッタ面と第2のダイオードチップのアノード面とに、第5の金属スペーサを介して接合されたことを特徴とする請求項1または2に記載の電力用半導体モジュール。絶縁材に、アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウムのセラミックス粉末の少なくとも1種類を樹脂に分散させたものを用いたことを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の電力用半導体モジュール。絶縁材に、セラミックス板を用いたことを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の電力用半導体モジュール。従来の大電流を高速スイッチングする半導体装置では、正極ブスバー上に搭載された第1のIGBTチップのエミッタと第1のダイオードチップのアノードとの各々を、隣接した出力ブスバーとワイヤーボンドにより接続している。そのため、ループ形状のワイヤーボンドを設けるための空間距離が必要なこと、ワイヤーボンドと負極ブスバーとの絶縁を確保するため、さらに空間距離が必要なこと等により、正極ブスバーと、その上方に平行に固定された負極ブスバーとの間隔を狭くできず、インダクタンスの低減に限界があるとの問題があった。また、正極ブスバー上に搭載された第1のIGBTチップのエミッタと第1のダイオードチップのアノードとの各々と、隣接した出力ブスバーとの接続、ならびに、出力ブスバー上に搭載された第2のIGBTチップのエミッタと第2のダイオードチップのアノードとの各々と、負極ブスバーとの接続に、ループ形状のワイヤーボンドが用いられているので、やはり、インダクタンスの低減が制限されるとの問題があった。また、従来の大電流を高速スイッチングする半導体装置では、正極ブスバーと出力ブスバーに各チップを接続する工程と、正極ブスバーに搭載されたチップと出力ブスバーとをワイヤーボンドで接続する工程と、正極ブスバーの上方に負極ブスバーを配置する工程と、出力ブスバーに搭載されたチップと負極ブスバーとをワイヤーボンドで接続する工程とからなる一連の工程が必要であり、工程が複雑であるとともに工程数が多く、生産性が低いとの問題があった。この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、IGBTチップのコレクタに接続された正極ブスバーに相当する回路とIGBTチップのエミッタに接続された負極ブスバーに相当する回路とを狭い間隔で平行に配置でき、配線インダクタンスのさらなる低減を可能にするとともに、ワイヤーボンドを用いない生産性に優れた電力用半導体モジュールを提供することである。本発明に係わる電力用半導体モジュールは、放熱金属板に絶縁材が接合された絶縁基板と、絶縁材の表面に、所定の間隔をあけて一列に設けられた負極電極と第1のゲート電極と正極電極と出力電極と第2のゲート電極と、正極電極に設けられた第1のIGBTチップと第1のダイオードチップと、出力電極に設けられた第2のIGBTチップと第2のダイオードチップと、第1のIGBTチップのエミッタ面と第1のダイオードチップのアノード面と出力電極とを接続する板状出力電極回路と、第1のIGBTチップのゲート面と第1のゲート電極とを接続する第1の板状ゲート電極回路と、第2のIGBTチップのゲート面と第2のゲート電極とを接続する第2の板状ゲート電極回路と、板状出力電極回路と第1の板状ゲート電極回路と第2の板状ゲート電極回路とに、第1の面を接して設けられた絶縁シートと、絶縁シートの第1の面と対向する第2の面に接して設けられ、且つ第2のIGBTチップのエミッタ面と第2のダイオードチップのアノード面と負極電極とを接続する板状負極電極回路とを備えたものである。本発明に係わる電力用半導体モジュールでは、第1のIGBTチップのコレクタ面と接合する正極電極と第1のIGBTチップのエミッタ面と接合する板状出力電極回路とが平行に重ねられるとともに且つ非常に狭い間隔で配置され、第2のIGBTチップのコレクタ面と接合する出力電極と第2のIGBTチップのエミッタ面と接合する板状負極電極回路とが平行に重ねられるとともに且つ非常に狭い間隔で配置されているので、インダクタンスの低減効果を大きくできるとの効果が得られる。また、ワイヤーボンドを用いずに回路を構成するので、製造工程が多くならず、生産性を高くできるとの効果も得られる。実施の形態1.図1は本発明の実施の形態1に係わる電力用半導体モジュールの断面模式図である。図1に示すように、本実施の形態の電力用半導体モジュール100は、放熱金属板1に絶縁材2が接合された絶縁基板における絶縁材2の表面に、図面に向かって左側から、負極電極6と第1のゲート電極51と正極電極3と出力電極4と第2のゲート電極52とが所定の間隔をあけて設けられている。ここで、電極とは、放熱金属板1上に絶縁材2を介して形成された絶縁基板上に金属をパターン化された電極を示しており、負極電極6と第1のゲート電極51と正極電極3と出力電極4と第2のゲート電極52がそれに当たる。正極電極3には、第1のゲート電極51側に第1のIGBTチップ71が設けられ、出力電極4側に第1のダイオードチップ81が設けられている。出力電極4には、第2のゲート電極52側に第2のIGBTチップ72が設けられ、正極電極3側に第2のダイオードチップ82が設けられている。そして、第1のIGBTチップ71のコレクタ面と第1のダイオードチップ81のカソード面とが正極電極3と接しており、第2のIGBTチップ72のコレクタ面と第2のダイオードチップ82のカソード面とが出力電極4と接している。第1のIGBTチップ71のエミッタ面と第1のダイオードチップ81のアノード面と出力電極4とが、板状出力電極回路10で接続されている。出力電極4と板状出力電極回路10との接続は第1の金属スペーサ21を介しており、板状出力電極回路10は平面状となっている。第1のIGBTチップ71のゲート面と第1のゲート電極51とは、第1の板状ゲート電極回路31で接続されている。第1のゲート電極51と第1の板状ゲート電極回路31との接続も、第2の金属スペーサ22を介しており、第1の板状ゲート電極回路31も平面状となっている。そして、第2のIGBTチップ72のゲート面と第2のゲート電極52とは、第2の板状ゲート電極回路32で接続されている。第2のゲート電極52と第2の板状ゲート電極回路32との接続も、第3の金属スペーサ23を介しており、第2の板状ゲート電極回路32も平面状となっている。絶縁シート13が、その第1の面を板状出力電極回路10と第1の板状ゲート電極回路31と第2の板状ゲート電極回路32とに接触させて、設けられている。板状負極電極回路9が、絶縁シート13の第1の面と対向する第2の面に接して設けられている。そして、板状負極電極回路9は、第2のIGBTチップ72のエミッタ面と第2のダイオードチップ82のアノード面と負極電極6とを、接続している。すなわち、第1の板状ゲート電極回路31と板状出力電極回路10と第2の板状ゲート電極回路32との各電極回路と、絶縁シート13と、板状負極電極回路9とが積層構造となっている。そして、この積層構造における、板状負極電極回路9の負極電極6側の端部には絶縁シート13が設けられておらず、板状負極電極回路9と負極電極6とが第4の金属スペーサ24を介して接続されている。また、上記積層構造における、第2のゲート電極52側の、第2のIGBTチップ72のエミッタ面から第2のダイオードチップ82のアノード面までの範囲が投影される部分にも絶縁シート13は設けられておらず、板状負極電極回路9と、第2のIGBTチップ72のエミッタ面および第2のダイオードチップ82のアノード面とが、第5の金属スペーサ25を介して接続されている。また、第2のゲート電極32側では、絶縁シート13は第2のゲート電極32の全てを覆うように設けられているが、板状負極電極回路9は、少なくとも第5の金属スペーサ25と接続される部分まであれば良い。板状電極回路とは、絶縁シート13を介して上下に形成されたパターン化した一体物の板状の金属回路であり、絶縁シート13の第1の面には板状出力電極回路10、第1の板状ゲート電極回路31と第2の板状ゲート電極回路32が形成され、絶縁シート13の第2の面には板状負極電極回路9が形成されている。金属スペーサとは、上記電極、IGBTチップのエミッタ面、ダイオードチップのアノード面と上記板状電極回路とを電気的に接続するために用いられる金属からなるものである。また、正極電極3と出力電極4と負極電極6と第1のゲート電極51と第2のゲート電極52との各々に、正極電極端子53と出力電極端子54と負極電極端子55と第1のゲート電極端子56と第2のゲート電極端子57とが、絶縁基板に略垂直な方向に設けられている。また、絶縁基板の周囲部に枠体15が固定されており、絶縁基板と枠体15とで形成された凹部には、各電極と各チップと各電極回路と各電極端子の根元部と絶縁基板の絶縁材2面とを封止する封止樹脂16が設けられている。本実施の形態の電力用半導体モジュール100では、絶縁基板の金属板1に、例えば、熱伝導性に優れた銅やアルミニウムが用いられる。また、絶縁材2は、絶縁性を有するともに熱伝導性に優れた物が用いられる。例えば、熱伝導性に優れたアルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等のセラミックス粉末の少なくとも1種類をエポキシ等の樹脂に分散させた絶縁材が挙げられ、これらの絶縁材は安価に製造できる。各電極に用いられる金属としては、アルミニウム、銅、銅合金等が挙げられるが、熱伝導性から銅が好ましい。各電極の間隔は、用いられる半導体チップの駆動電圧と封止樹脂の絶縁特性とにより決定され、例えば、1200V系のIGBTチップとダイオードチップを用い、封止樹脂16にシリコーンゲルを用いた場合、2mm程度の電極間隔が必要となってくる。また、電極の厚みは、厚いほど熱の拡散に有利ではあるが、モジュールサイズが大きくなるので、絶縁材2の熱伝導性を考慮して、適宜決められる。また、板状の各電極回路および各スペーサに用いられる金属としても、アルミニウム、銅、銅合金等が挙げられるが、電極に用いたのと同じ材質の金属を用いるのが好ましい。また、各電極端子にも金属が用いられるが、特に電気抵抗の少ない銅合金が好ましい。本実施の形態では、各電極端子の形状としてピン構造が例示されているが、スプリング形状でも良い。各電極端子は、板状負極電極回路9とこれに積層される絶縁シート13とに設けられた電極通過孔36を通過して、各電極に接続されている。そして、この電極通過孔36と各電極の直径との間隔も、用いられる半導体チップの駆動電圧と封止樹脂の絶縁特性とにより決定され、例えば、1200V系のIGBTチップとダイオードチップを用い、封止樹脂16にシリコーンゲルを用いた場合、2mm程度の間隔が必要である。本実施の形態に係わる電力用半導体モジュールの製造方法の一例を説明する。まず、絶縁材2の放熱金属板1が接合された面と対向する面に設けられた金属板をエッチング等により加工し、絶縁材2の面に正極電極3と出力電極4と負極電極6と第1のゲート電極51と第2のゲート電極52とを、所定の寸法と所定の間隔とで設け、電極基板とする。次に、電極基板における、正極電極3に第1のIGBTチップ71と第1のダイオードチップ81とをはんだ等の導電性接着剤で接合し、出力電極4に第2のIGBTチップ72と第2のダイオードチップ82とをはんだ等の導電性接着剤で接合する。さらに、各電極に電極端子を、はんだ等の導電性接着剤で接合する。次に、シート状絶縁層の両面に金属板が接合された積層板を、エッチング等により加工し、シート状絶縁層の、一方の面に第1の板状ゲート電極回路31と板状出力電極回路10と第2の板状ゲート電極回路32とを形成し、他方の面に板状負極電極回路9を形成する。そして、各電極回路が形成された積層板のシート状絶縁層を加工して、絶縁シート13とする。それは、第1の板状ゲート電極回路31が設けられた側の端部にあるシート状絶縁層を切削により凹状に除去し、板状負極電極回路9の面を露出させることと、板状出力電極回路10と第2の板状ゲート電極回路32との間のシート状絶縁層とを切削により除去し、板状負極電極回路9の面が露出する開口を設けることである。さらに、絶縁シート13と板状負極電極回路9とに、各電極端子が貫通する電極通過孔36を形成する。このようにして、第1の板状ゲート電極回路31と板状出力電極回路10と第2の板状ゲート電極回路32との各々と、絶縁シート13と、板状負極電極回路9とが、積層され一体化された回路基板35を得る。図2に、回路基板35の断面模式図aと上面模式図bと下面模式図cとを示す。次に、正極電極3に第1のIGBTチップ71と第1のダイオードチップ81が設けられ、且つ出力電極4に第2のIGBTチップ72と第2のダイオードチップ82とが設けられた電極基板に、回路基板35を積層する。そして、板状出力電極回路10を、第1のIGBTチップ71のエミッタ面と第1のダイオードチップ81のアノード面と出力電極4とに接合する。板状出力電極回路10と出力電極4との接合は第1の金属スペーサ21を介して行う。また、第1の板状ゲート電極回路31を、第1のIGBTチップ71のゲート面と第1のゲート電極51とに接合し、第2の板状ゲート電極回路32を、第2のIGBTチップ72のゲート面と第2のゲート電極52とに接合する。第1の板状ゲート電極回路31と第1のゲート電極51との接合は第2の金属スペーサ22を介して行い、第2の板状ゲート電極回路32と第2のゲート電極52との接合は第3の金属スペーサ23を介して行う。また、板状負極電極回路9を、第2のIGBTチップ72のエミッタ面と第2のダイオードチップ82のアノード面と負極電極4とに接合する。板状負極電極回路9と負極電極6との接合は第4の金属スペーサ24を介して行い、板状負極電極回路9と第2のIGBTチップ72のエミッタ面および第2のダイオードチップ82のアノード面との接合は第5の金属スペーサ25を介して行う。これら、各電極回路と、各電極、IGBTチップ、ダイオードチップ、各金属スペーサとの接合は、はんだ等の導電性接着剤で行われる。次に、絶縁基板の周囲部に枠体15を接着固定し、絶縁基板と枠体15とで形成された凹部に、封止樹脂16を注入して、各電極と各チップと各電極回路と電極端子の根元部と絶縁基板の絶縁材2の面とを封止することにより、電力用半導体モジュール100が製造される。本実施の形態の電力用半導体モジュール100は、正極電極3にコレクタ面を接して設けられた第1のIGBTチップ71のエミッタ面に、出力電極4に接続する板状出力電極回路10が設けられているので、第1のIGBTチップ71のコレクタ回路である正極電極3とエミッタ回路である板状出力電極回路10とを、平行に重ねるとともに、非常に狭い間隔で配置でき、出力電極4にコレクタ面を接して設けられた第2のIGBTチップ72のエミッタ面に、負極電極6に接続する板状負極電極回路9が設けられているので、第2のIGBTチップ72のコレクタ回路である出力電極4とエミッタ回路である板状負極電極回路9とを、平行に重ねるとともに、非常に狭い間隔で配置でき、電力用半導体モジュールのインダクタンスを大きく低減できる。また、電力用半導体装置に配線にワイヤーボンドが用いた場合、並列に多くのワイヤーボンドが必要であり製造工程が多くなるが、本実施の形態の電力用半導体モジュールでは、板状電極回路で配線回路を形成したワイヤーボンドを用いない構造であるので、製造工程が多くならず、生産性が優れている。また、本実施の形態の電力用半導体モジュールには、配線回路に、上記製造方法に記載した、第1の板状ゲート電極回路31と板状出力電極回路10と第2の板状ゲート電極回路32との各電極回路と、絶縁シート13と、板状負極電極回路9とが積層され一体化した回路基板35を用いることができる。この、一体化した回路基板35を用いた電力用半導体モジュールも、正極電極3と板状出力電極回路10とが平行に重なるとともに、且つ非常に狭い間隔で配置でき、出力電極4と板状負極電極回路9とが平行に重なるとともに、非常に狭い間隔で配置でき、インダクタンスの低減効果が大きい。さらに、正極電極3に第1のIGBTチップ71と第1のダイオードチップ81が設けられ、且つ出力電極4に第2のIGBTチップ72と第2のダイオードチップ82とが設けられた電極基板に、この一体化した回路基板35を重ねることにより、各電極と各半導体チップとの各々と、各電極回路とを、一括に接合でき、さらに製造工程が少なくなり、より生産性が優れている。また、本実施の形態では、各電極回路と各電極との接合を、金属スペーサを介して行っているが、エッチングにより各電極を形成する時に、エッチング量を変化させて、各々、所望の厚みとして、金属スペーサを省いても良い。すなわち、金属スペーサが、板状負極電極回路9と第2のIGBTチップ72のエミッタ面および第2のダイオードチップ82のアノード面との接合に用いる1種類のみとなり、生産性が向上する。実施の形態2.図3は本発明の実施の形態2に係わる電力用半導体モジュールの断面模式図である。図3に示すように、本実施の形態の電力用半導体モジュール200は、絶縁材2に熱抵抗の低いセラミックス板を用いた以外、実施の形態1の電力用半導体モジュールと同様である。本実施の形態で用いられるセラミックス板には、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素等が挙げられる。本実施の形態の電力用半導体モジュールも、各電極、半導体チップ、板状電極回路が実施の形態1の電力用半導体モジュールと同様であるので、インダクタンスの低減効果が大きく、生産性に優れている。また、絶縁材2にセラミックス板を用いているので、放熱性にも優れている。