"a半導体バルク材に歪み層を導入する工程と、b前記半導体バルク材の表面近傍に軽元素を注入する工程とを経て、c前記半導体バルク材の表面近傍を熱処理する工程と、d前記半導体バルクから前記バルクの厚さよりも薄い基板を分離する工程とを含むこと、と特徴とする薄型太陽電池の製造方法。前記半導体バルク材は、シリコンである、請求項1記載の薄型太陽電池の製造方法。前記軽元素は、HおよびHeである、請求項1又は2に記載の薄型太陽電池の製造方法。軽元素の注入は、イオン注入法によって為される、請求項1~3の何れか一項に記載の薄型太陽電池の製造方法。分離される基板の厚さは、100μm以下である、請求項1~4の何れか一項に記載の薄型太陽電池の製造方法。工程aにおいて、前記半導体バルク材に歪み層を導入する際、前記半導体バルク材に対する透過率が51以上の波長のレーザー光を照射することで行なう、請求項1~5の何れか一項に記載の薄型太陽電池の製造方法。工程cにおいて、熱処理は、大気圧プラズマ、レーザーアニール、及び、フラッシュランプアニールの何れかで行なう、請求項1~6の何れか一項に記載の薄型太陽電池の製造方法。工程cにおいて、熱処理は、段階的に2回以上なされ、少なくとも1回目の温度を350°C以上、2回目の温度を500°C以上として行う、請求項1から7の何れか一項に記載の薄型太陽電池の製造方法。a半導体バルク材に歪み層を導入する工程の後に、b前記半導体バルク材の表面近傍に軽元素を注入する工程を行い、次いで、e半導体バルク材の表面近傍に軽元素を注入する工程、を実施すること、を特徴とする薄型太陽電池の製造方法。工程eの後、3族あるいは5族の元素を注入する、請求項9記載の薄型太陽電池の製造方法。3族あるいは5族の元素が、Alアルミニウム、Bボロン、Pリン、Asひ素、Gaガリウム、Inインジウム、Sbアンチモンの何れかの材料である、請求項10記載の薄型太陽電池の製造方法。しかしながら、上記従来例の構成では、空孔形成が安定し難いため、シリコン基板を分離もしくは切断する際に基板割れやチッピング等の基板欠けが発生し、シリコン基板分離および切断時の不良率が約70基板割れ55枚中21枚、欠け55枚中18枚となり、切断歩留りが低いという課題が生じることになる。本発明は、上記従来例の課題を解決するもので、薄型基板形成時の切断歩留りの高い薄型太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。本発明の薄型太陽電池の製造方法は、以下の特徴を有する。1a半導体バルク材に歪み層を導入する工程と、b前記半導体バルク材の表面近傍に軽元素を注入する工程とを経て、c前記半導体バルク材の表面近傍を熱処理する工程と、d前記半導体バルクから前記バルクの厚さよりも薄い基板を分離する工程とを含む、薄型太陽電池の製造方法であること。2上記1において、半導体バルク材はシリコンであること。3上記1又は2において、軽元素はHおよびHeであること。4上記1~3の何れかにおいて、軽元素の注入は、イオン注入法によって為されること。5上記1~4の何れかにおいて、分離される基板の厚さは、100μm以下であること。6上記1~5の何れかにおいて、工程aにおいて、半導体バルク材に歪み層を導入する際、半導体バルク材に対する透過率が51以上の波長のレーザー光を照射すること。7上記1~6の何れかにおいて、工程cにおいて、熱処理は、大気圧プラズマ、レーザーアニール、及び、フラッシュランプアニールの何れかで行なうこと。8上記1~7の何れかにおいて、工程cにおいて、熱処理は、段階的に2回以上なされ、少なくとも1回目の温度を350°C以上、2回目の温度を500°C以上として行うこと。9a半導体バルク材に歪み層を導入する工程の後に、b半導体バルク材の表面近傍に軽元素を注入する工程を行い、次いで、e半導体バルク材の表面近傍に軽元素を注入する工程、を実施すること。10上記9において、工程eの後、3族あるいは5族の元素を注入すること。11上記10において、3族あるいは5族の元素が、Alアルミニウム、Bボロン、Pリン、Asひ素、Gaガリウム、Inインジウム、Sbアンチモンの何れかの材料であること。これにより、薄型基板形成時の切断歩留りの高い薄型太陽電池の製造方法を提供できる。以上のように、本発明の薄型太陽電池の製造方法によれば、基板を分離もしくは切断する際の基板割れや基板欠けが発生し難く、不良率が約50以下とより高い切断歩留りを提供することができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。実施の形態1図1は、本発明の実施の形態1における薄型太陽電池の製造方法の模式図である。図1において、面内□156mmの大きさで表面が100の面指数を持つ、半導体バルク材としてのP型のシリコンインゴット201の表面201aに対して、波長1000nmの赤外レーザー図示せずを照射し、面内を走査し、図1aに示したようにシリコンインゴット201の表面より深い位置に歪み層202を形成した。この時の歪み注入深さdは約50μmとし、歪み層202の幅wは約2~5μmとした。また、歪みの導入量は、注入領域の幅wの範囲内での平均は約1×1019~6×1022個/cm3とした。次いで、シリコンインゴット201の表面に対して、イオン注入装置図示せずを照射し、面内を走査し、図1bに示したように歪み層202の近傍歪み注入領域含むとなる位置にHイオンを注入し、H元素注入層203を形成した。この時のH元素の導入量はドーズ量で約1×1015~1×1017/cm2、深さ方向における密度分布ピーク値で約1×1020~3×1022/cm3とし、注入深さpは約40~50μmとした。更に、シリコンインゴット201の表面に対して、大気圧プラズマ装置図示せずを用いて大気圧下でAr,He,N2などの不活性ガスプラズマを照射し、面内を走査し、基板表面温度で約400~700°Cの範囲にて加熱処理を実施し、図1cに示すように、歪み層202が存在していた領域にH元素起因の空孔層204を形成した。そして、同様に大気圧プラズマ装置を用いてガスプラズマを照射し、面内を走査し、基板表面温度で約600~900°Cの範囲にて加熱処理を実施し、図1dに示すように、熱衝撃により空孔層204を境にした、厚さ約50μmの薄型シリコン基板205をシリコンインゴット201から分離した。続けて、薄型シリコン基板205の分離面205aに、プラズマドーピング法により、例えばN型不純物であるAsひ素を、数密度で例えば1×1019~1×1022/cm3の範囲でドーピングし、Xeランプ図示せずにより約800~1100°Cの範囲で3~20minの熱処理を実施した。そして、基板表面の歪み緩和を兼ねたドーパントの活性化を行い、薄型シリコン基板205の分離面205a表面にN層207を形成した。そして、図1eに示すように、薄型シリコン基板205の分離面205a表面をHF水溶液でエッチングし、分離面205a表面にCVD法によりH含有のSiN膜とAg電極を形成し、裏面205bシリコンインゴットの201a面にペーストを用いたAl電極を形成し、太陽電池として動作することを確認した。更に、薄型シリコン基板205を分離した後の、分離後のシリコンインゴット206は、不活性雰囲気とした中で、大気圧プラズマ装置により、ガスプラズマを照射し、面内を走査し、基板表面温度で約1000~1450°Cの範囲にて加熱処理を実施し、表面に残存している歪みを除去しつつ、表面のラフネスが3μm以下となるまで熱処理を実施した。このように、分離後のシリコンインゴット206の表面を平坦化処理することで、連続して薄型シリコン基板205を分離することが可能となる。上記の実施の形態により、シリコンインゴットからの薄型シリコン基板の分離を実施した結果を図3に示す。図3より、55枚中48枚が基板割れおよびチッピング等の基板欠けも無く分離でき、分離時の不良率を12.7まで低減でき、切断歩留りを著しく向上することができた。また、上記の実施の形態にて、厚さ約30μm、および約80μmの薄型シリコン基板205を実施した場合の製造方法上の条件と効果を図2に示す。同図に示すように、何れの製造条件においても、本実施の形態が従来例に比べて切断歩留りを著しく向上することができた。また、図1dで用いた、シリコンインゴット201表面に対しての熱処理をレーザーアニール法で実施した場合、フラッシュランプアニールで実施した場合、および熱処理炉で実施した場合の結果も図3に示す。何れの手法でも、従来例より切断歩留りを著しく向上することができた。実施の形態2図4は、本発明の実施の形態2における薄型太陽電池の製造方法の模式図である。図4において、図1と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。図4において、図4aおよび図4bの手順は、図1aおよび図1bと同じであるため省略する。そして、図4cに示すように、シリコンインゴット201の表面に、プラズマドーピング法により、例えばN型不純物であるAsひ素を、数密度で例えば1×1019~1×1022/cm3の範囲でドーピングし、ドーピング層208を形成した。次いで、シリコンインゴット201の表面に対して、大気圧プラズマ装置図示せずを用いて大気圧下でAr,He,N2などの不活性ガスプラズマを照射し、面内を走査し、基板表面温度で約400~700°Cの範囲にて加熱処理を実施し、図4dに示すように、歪み層202が存在していた領域にH元素起因の空孔層204を形成した。更に、Xeランプ図示せずにより、約800~1100°Cの範囲で3~20minの熱処理を実施し、基板表面の歪み緩和と共に、ドーパントの活性化を行い、図4eに示すように、薄型シリコン基板205の表面205a側にN層207を形成しつつ、熱衝撃により空孔層204を境にした、厚さ約50μmの薄型シリコン基板205をシリコンインゴット201から分離した。続けて、図4fで示したように、薄型シリコン基板205の分離面205a表面をHF水溶液でエッチングし、分離面205a表面にCVD法によりH含有のSiN膜とAg電極を形成し、裏面205bシリコンインゴットの201a面にペーストを用いたAl電極を形成し、太陽電池として動作することを確認した。なお、薄型シリコン基板205を分離した後の分離後のシリコンインゴット206は、不活性雰囲気とした中で、大気圧プラズマ装置により、ガスプラズマを照射し、面内を走査し、基板表面温度で約1000~1450°Cの範囲にて加熱処理を実施した。更に、表面に残存している歪みを除去しつつ、表面のラフネスが3μm以下となるまで熱処理を実施した。このように、分離後のシリコンインゴット206の表面を平坦化処理することで、連続して薄型シリコン基板205を分離することが可能となる。上記の実施の形態により、シリコンインゴットからの薄型シリコン基板の分離を実施した結果を図3に示す。図3より、55枚中34枚が基板割れおよびチッピング等の基板欠けも無く分離でき、分離時の不良率を38.0まで低減でき、切断歩留りを著しく向上することができた。また、上記の実施の形態にて、厚さ約30μmおよび約80μmの薄型シリコン基板205を実施した場合の製造方法上の条件と効果を図5に示した。このように、何れの製造条件においても、本実施の形態が従来例に比べて切断歩留りを著しく向上することができた。また、図4eで用いた、シリコンインゴット201表面に対しての熱処理をレーザーアニール法で実施した場合、フラッシュランプアニールで実施した場合、および熱処理炉で実施した場合の結果も図3に示す。何れの手法でも、従来例より切断歩留りを著しく向上することができた。以上のように、従来例に比べて切断歩留りが著しく改善した理由について発明者らの推測を以下に述べる。まず、H元素注入後に十分な空孔を形成するための熱処理における温度が高いことが考えられる。従来例では、H元素注入後に熱処理を300°C程度で実施していた。これは、前工程で注入したH元素がシリコン基板から脱離シリコン基板外への放出することを抑えなければならず、その結果、空孔形成が安定しなかったためと考えられる。しかし、本実施の形態では、次に記述する理由により、400~700°Cの高温での熱処理が可能となり、シリコン基板中に安定に空孔を形成することができたためと推測できる。次に、400~700°Cの高温での熱処理が可能となった理由について述べる。一般にシリコン表面からイオン注入法によりHイオンを注入して、その後の熱処理により特定の深さ領域にH元素起因の空孔を形成させて、Si結合を脆弱にして熱衝撃等で切断させる場合、高入射エネルギーのHイオン注入により、結晶欠陥密度はシリコンインゴット表面ほど高いプロファイルになりやすい。これに比べて本実施の形態では、結晶欠陥密度を特定の深さ領域に集中でき、シリコンインゴット表面よりも結晶欠陥密度の高い領域をH元素注入層の近傍に形成することができるため、後工程の熱処理で、例えば400~700°Cのような高温域で熱処理を実施した場合でも、歪み起因の不純物ゲッタリング作用と推測される作用によって、H元素が基板表面に抜けるよりも歪み層側に拡散しやすくなる。その結果、シリコンインゴットの特定の深さ領域にH元素起因の空孔を形成しやすくなると推測する。すなわち、レーザーにより導入された歪みの存在と、注入された高濃度H元素の存在との相乗効果により、安定した空孔層を形成することができたため、切断歩留りが著しく向上できたと考える。なお、本実施の形態では、半導体バルク材に歪み層を導入する工程を実施し、次いで、半導体バルク材の表面近傍に軽元素を注入する工程を実施した場合のみを記載したが、当該工程の順序を逆にしても従来例よりも高い切断歩留りを実現できる。但し、半導体バルク材の表面近傍に軽元素を注入する工程を実施し、次いで、半導体バルク材に歪み層を導入する工程を実施した場合、本実施の形態で示した結果よりも、各々の実施条件で概ね10~17程度の切断歩留り低下が生じるため、本実施の形態の順で実施することが好ましい。なお、本実施の形態ではレーザーにより導入した歪みの注入深さ、および分離後の薄型シリコン基板の厚さが50μmの場合についてのみ述べたが、一般にイオン注入によるH元素の導入は、サブμmオーダーを得意としており、深さ数μm以上の注入となると、イオンの加速エネルギーkeVオーダーからMeVオーダーへと、非線形的に大きくする必要があり、注入深さの伸び率よりもインゴット表面の結晶欠陥密度の増加率の方が大きくなる傾向がある。そのため、数μm以上の深さで本実施の形態が効果を発揮できる。また、H元素の注入深さを100μmオーダーにしようとすると、シリコンインゴット表面にすべり線が生じるなど、H元素による結晶欠陥の導入が著しく多くなり、深さ100μm以下が実用的であり、歪みの注入深さ、および分離後の薄型シリコン基板の厚さが概ね1μm以上100μm以下であることが好ましい。"