"端子間において導電性材料からなるヒータエレメントを高さ方向に蛇行させながら略円筒形状をなすように形成されたヒータ本体と、このヒータ本体において隣接するヒータエレメント間で上端および下端に交互に開口するスリットに断続的に設けられて該隣接ヒータエレメント同士を機械的に連結する絶縁性材料からなる絶縁リブとを有することを特徴とする円筒形ヒータ。ヒータエレメントを形成する導電性材料がグラファイトであり、絶縁リブを形成する絶縁性材料が熱分解性窒化ホウ素PBNであることを特徴とする、請求項1記載の円筒形ヒータ。ヒータ本体および絶縁リブがさらに絶縁性材料によるオーバーコート被覆層で被覆され、前記絶縁リブが3層の絶縁被膜から形成されることを特徴とする、請求項1または2記載の円筒形ヒータ。請求項1記載の円筒形ヒータの製造方法であって、最終的に得ようとするヒータ本体形状に略合致する円筒形状を有すると共に隣接するヒータエレメント間のスリットに断続的に設けられて該隣接ヒータエレメント同士を機械的に連結するリブを有するように導電性材料から形成されたヒータ基材を準備し、このヒータ基材を絶縁性材料で被覆してベースコート被覆層を形成した後、ヒータ基材のリブの内面側および外面側のいずれか一方に形成されたベースコート被覆層と共に該ヒータ基材のリブを切除して内面側および外面側の他方に形成されたベースコート被覆層のみを残してこれを絶縁リブとすることを特徴とする、円筒形ヒータの製造方法。ヒータエレメントを形成する導電性材料がグラファイトであり、絶縁リブを形成する絶縁性材料が熱分解性窒化ホウ素PBNであることを特徴とする、請求項4記載の円筒形ヒータの製造方法。さらに、得られた円筒形構造体を絶縁性材料で被覆してオーバーコート被覆層を形成することを特徴とする、請求項4または5記載の円筒形ヒータの製造方法。特許文献1のようにスリットに充填物を充填する手法は、剛性を与えて変形を防止する上では効果的であるが、変形を全く許容しない構造になるために別の問題を生ずる。すなわち、特許文献1ではグラファイトなどのカーボン素材でヒータ本体を形成し、スリットにはSiCなどの絶縁材料による充填物を充填しているが、グラファイトとSiCとでは熱膨張係数が異なるため、ヒータを昇温させたときにヒータ本体と充填物とが異なる熱膨張の動きを起こし、その応力によってヒータが破損ないし折損するおそれがある。また、SiCは半導体であってPBNのような絶縁性を有しないSiCの抵抗率は103~105Ωcm程度室温であるのに対してPBNは1014Ωcm以上室温と10桁以上違うため、特許文献1のヒータを高温に昇温させると、SiCが充填されたスリット部分がヒータ本体の並列回路として働いて該スリット部分も発熱する。このため、温度分布を適正化させるための制御が困難になる。特許文献2ではスリットの開放端部に抵抗発熱部材からなるブリッジを設けて補強している段落0011などが、一つのスリットに対して開口端の一点で補強するものであるので、必ずしも十分な効果を得ることができない。少なくとも、この構造では、剛性と変形許容性のバランスを自在に調整することは不可能である。また、特許文献2では、電極に供給された電流の一部をブリッジに流すことによりヒータエレメントと共にブリッジも発熱させ、ブリッジ設置箇所主として上端部がより高い温度となるような温度分布を与えるようにするために、ブリッジを抵抗発熱部材で形成している段落0019,0020などが、既述した特許文献1と同様に、複雑な並列回路が形成されることになるので温度分布制御が困難である。さらには、ヒータエレメントグラファイトなどのカーボン素材を切り出してブリッジを一体形成する場合段落0013,0017など、たとえば当初のヒータエレメントの断面積30mm25×6を切り出して断面積3mm21×3のブリッジを形成したとすると、断面にして10倍の電流電圧が流れることになり、高温下においてはブリッジが焼損するおそれがある。本発明は、上述した従来技術の不利欠点を解消し、剛性と変形許容性のバランスを自在に調整可能な円筒形ヒータおよびその製造方法を提供することを課題とする。上記課題を解決するため、本願の請求項1に係る発明は、端子間において導電性材料からなるヒータエレメントを高さ方向に蛇行させながら略円筒形状をなすように形成されたヒータ本体と、このヒータ本体において隣接するヒータエレメント間で上端および下端に交互に開口するスリットに設けられて該隣接ヒータエレメント同士を機械的に連結する絶縁性材料からなる絶縁リブとを有することを特徴とする円筒形ヒータである。請求項2に係る発明は、請求項1記載の円筒形ヒータにおいて、ヒータエレメントを形成する導電性材料がグラファイトであり、絶縁リブを形成する絶縁性材料が熱分解性窒化ホウ素PBNであることを特徴とする。請求項3に係る発明は、請求項1または2記載の円筒形ヒータにおいて、ヒータ本体および絶縁リブがさらに絶縁性材料によるオーバーコート被覆層で被覆され、前記絶縁リブが3層の絶縁被膜から形成されることを特徴とする。請求項4に係る発明は、請求項1記載の円筒形ヒータの製造方法であって、最終的に得ようとするヒータ本体形状に略合致する円筒形状を有すると共に隣接するヒータエレメント間のスリットに設けられて該隣接ヒータエレメント同士を機械的に連結するリブを有するように導電性材料から形成されたヒータ基材を準備し、このヒータ基材を絶縁性材料で被覆してベースコート被覆層を形成した後、ヒータ基材のリブの内面側および外面側のいずれか一方に形成されたベースコート被覆層と共に該ヒータ基材のリブを切除して内面側および外面側の他方に形成されたベースコート被覆層のみを残してこれを絶縁リブとすることを特徴とする。請求項5に係る発明は、請求項4記載の円筒形ヒータの製造方法において、ヒータエレメントを形成する導電性材料がグラファイトであり、絶縁リブを形成する絶縁性材料が熱分解性窒化ホウ素PBNであることを特徴とする。請求項6に係る発明は、請求項4または5記載の円筒形ヒータの製造方法において、さらに、得られた円筒形構造体を絶縁性材料で被覆してオーバーコート被覆層を形成することを特徴とする。請求項1に係る発明によれば、円筒形ヒータにおいて、隣接するヒータエレメント同士がスリット内に設けられる絶縁リブによって機械的に連結されるので、端子部で自立させたときにヒータ本体がヒータエレメントの自重で撓んだり変形することを防止し、ウエハなど被加熱物の温度分布を良好に維持することができる。絶縁リブは、ヒータの剛性を向上させると同時にある程度の変形を許容するので、異種材料で形成されるヒータ本体と絶縁リブの熱膨張係数が異なることによる破断や破損を防止することができる。さらに、絶縁リブの位置大きさ数を適宜に設定することによってヒータの剛性と変形許容性のバランスを自在に調整することができる効果がある。請求項2に係る発明によれば、加工性に優れたグラファイトによるヒータ基材と絶縁性に優れたPBN絶縁リブとの好適な組み合わせによる円筒形ヒータを提供することができる。請求項3に係る発明によれば、ヒータ本体ヒータエレメントおよび絶縁リブがさらにPBNなどの絶縁性材料によるオーバーコート被覆層で被覆される。この場合、導電性材料からなるヒータ本体は少なくとも1層ベースコート被覆層および/またはオーバーコート被覆層で絶縁被覆されることになるので、ヒータとしての製品寿命や絶縁性を向上させることができる。さらに、絶縁リブはベースコート被覆層およびその内外面のオーバーコート被覆層の計3層で形成されることになるので、その絶縁性を高めると共に、その強度も増大するので取扱性や製品寿命を向上させることができる。請求項4に係る発明によれば、請求項1記載の構成を有する円筒形ヒータを製造するための好適な方法が提供される。この製造方法によれば、導電性材料から一体的に形成されるリブ付ヒータ基材に対してCVDなどでベースコート被覆層を形成するので、その際の成膜条件設定が容易であり、均一な膜厚で成膜させることができる効果がある。請求項5に係る発明によれば、加工性に優れたグラファイトによるヒータ基材と絶縁性に優れたPBNリブとの好適な組み合わせから円筒形ヒータを製造することができる。請求項6に係る発明によれば、ヒータ本体の基材露出面がPBNなどの絶縁性材料によるオーバーコート被覆層で被覆されるので、優れた製品寿命や絶縁性を有する円筒形ヒータを製造することができる。この製造方法によれば、ベースコートとオーバーコートによるダブルコートの絶縁層が形成されるので、比較的容易な成膜条件で大きな膜厚を得ることができる効果がある。CVDによるPBN成膜は通常は0.3mm程度が限度であり、それ以上の膜厚を得ようとしてもPBNに割れや浮きが生じやすくなるが、ダブルコートとすることでそのような欠点を生じさせずに大きな膜厚0.5~1mmのPBN被膜を容易に得ることができる。以下に本発明の実施形態について添付図面を参照して説明するが、本発明はこれら実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内において広く変形態様を取り得ることに留意されたい。図1ないし図3に示す円筒形ヒータ10は、端子ボルト挿通穴11a,11aを有する端子11,11間において、ヒータエレメント12を高さ方向に蛇行させながら略円筒形状をなすように形成されたヒータ本体13と、このヒータ本体13において隣接するヒータエレメント12間で上端および下端に交互に開口するスリット14に断続的に設けられて該隣接ヒータエレメント同士を機械的に連結する絶縁リブ15とを有して構成されている。この実施形態では、ヒータエレメント12ないしヒータ本体13はグラファイトからなり、絶縁リブ15はPBNからなる。言うまでもないことであるが、図示の円筒形ヒータ10の形状は一例にすぎず、全体形状としての円筒形状の径寸法や、ヒータエレメント12の蛇行形状や蛇行の折り返し数、厚さなどは用途などに応じて任意に設計選定することができる。スリット14に設けられて隣接ヒータエレメント12同士を機械的に連結するリブ15は、ヒータ本体13の剛性を高めると同時に、これがスリット14内に断続的に設けられることによってある程度の変形許容性をヒータ本体13に与えるので、ヒータ10が高温で使用された場合であっても、熱膨張係数の異なる材料グラファイトとPBNで形成されるヒータ本体13とリブ15の熱膨張差に起因する破断や破損を防止する。さらに、このリブ15がPBNなどの絶縁性材料で形成されているので、ヒータエレメント12間での導通を起こすことがない。次に、図4および図5を参照して、このヒータ10の製造方法について説明する。まず、リブ付の円筒形グラファイト基材16を準備する図4:S1。このグラファイト基材16は、前述した完成品としてのヒータ10の形状図1~図3と略同形状に形成されている。すなわち、端子11,11間においてグラファイト線材が高さ方向に蛇行しながら略円筒形状をなすように形成され、隣接するグラファイト線材間で上端および下端に交互に開口するスリットヒータ10におけるスリット14に対応するに断続的にグラファイトリブ19が設けられ、このグラファイトリブ19で隣接グラファイト線材同士を機械的に連結する構造を有している。グラファイト線材は完成品としてのヒータ10においてヒータエレメント12の基材を形成し、グラファイト線材間のスリットは完成品としてのヒータ10におけるスリット14に対応し、グラファイトリブ19は完成品としてのヒータ10においてスリット14内に断続的に設けられるPBNリブ15に対応した位置に設けられている。グラファイト線材の厚さは特に限定されないが、たとえば2~8mm程度の厚さのものを使用することができ、この実施形態ではグラファイト線材より薄いグラファイトリブ19が、グラファイト基材16の内面17側で面一となるように設けられている。したがって、図5aに例示されるように、グラファイト基材16は、断面で見ると、完成品としてのヒータ10においてヒータパターンを形成するヒータエレメント12となる全厚部分20と、スリット14となる貫通部分21と、PBNリブ15に対応する位置に設けられるグラファイトリブ19とを有する。前述したように、この実施形態では、グラファイトリブ19はグラファイト基材16の内面17側に薄く形成されており、グラファイトリブ19の外面18側は凹溝16とされている。次いで、このグラファイト基材16の全面をPBNでベースコートする図4:S2。これにより、貫通部分21および凹溝22の開口部を除くグラファイト基材16の外面16b、貫通部分21の開口部を除くグラファイト基材16の内面17、貫通部分21の内側面、および凹溝22の内側面および底面に、PBN被覆層2323a~23eが連続して形成される図5b。ベースコートによるPBN被覆層23の厚さは0.3~0.5mm程度である。次いで、グラファイトリブ19を、グラファイト基材16の外面側凹溝22の底面上のPBN被覆層29eと共に切除して、グラファイト基材16の内面17上のPBN被覆層23bのみを残してこれをPBNリブ15とする図4:S3。すなわち、凹溝22にカッティングツールを入れ、図5bにおいて幅Wで示される範囲内で、厚さDで示される高さ範囲を切除する。これにより、凹溝22底面のPBN被覆層23eと共にグラファイトリブ19の全厚が切除され、凹溝22の裏面側には裏面側PBN被覆層22b切除幅部分のみが残されることになる図5c。このとき、切除された部分のグラファイト基材20が、凹溝22の裏面側で露出している図5cにグラファイト露出面を符号24で示す。次いで、全面をPBNでオーバーコートする図4:S4,図5d。これにより、ベースコートによるPBN被覆層2323a~23eの上にさらにオーバーコートによるPBN被覆層2525a~25fが形成されるので、ダブルコーティングによって十分な厚さのPBN被覆層を均一に成膜させることができる。しかも、図4:S3の後に得られる図5cの状態においては露出しているグラファイト露出面24も、PBNオーバーコートによってPBN被覆層25eで被覆されるので、グラファイト基材20を完全に絶縁させることができる。これにより、図1および図2に示されるヒータ10が完成する図4:S5。オーバーコートによるPBN被覆層25の厚さは0.5~0.6mm程度である。以上の説明から理解されるように、グラファイト基材20におけるリブ部グラファイトリブ19は、PBNベースコート図4:S2によってPBN被覆層23b切除幅部分およびPBN被覆層23eを表裏内外に形成するための基体としての存在意義のみを持ち、図4:S3工程によってその外面側の被覆層23e切除幅部分と共に切除されるので、完成品としてのヒータ10には残存しない。言い換えれば、当初のグラファイト基材20が有していたグラファイトリブ19が、完成品としてのヒータ10においては絶縁性のPBNリブ15に置き換えられることになる。なお、図4:S3の工程を行うに際して、この実施形態では、PBNベースコート後の凹溝22幅Wより小さい幅で切除している図5cが、凹溝22内面のPBN被覆層23dの内面に沿って幅Wの全範囲で切除しても良い。また、この実施形態では厚さDの範囲を切除しているが、切除厚さについては必ずしも厳密にDと合致しなくても良く、すなわち、凹溝22底面のPBN被覆層23eおよびグラファイトリブ19を完全に切除した上で、さらに裏面側PBN被覆層23b切除幅部分にまで達する深さまで切除しても、該裏面側PBN被覆層23bの少なくとも一部の厚さが裏面側に残されていれば良い。また、この実施形態では、グラファイトリブ20の外面側からカッティングツールを入れて、凹溝22底面のPBN被覆層23eと共にグラファイトリブ19を切除し、内面17側のPBN被覆層23b切除幅部分を残すものとした図5cが、反対に、グラファイトリブ20の内面17側からカッティングツールを入れて、内面側のPBN被覆層23b切除幅部分と共にグラファイトリブ19を切除し、凹溝22底面のPBN被覆層23eのみを残すようにしても良い。いずれにしても、この残されたPBN被覆層23b切除幅部分または23eの全厚または少なくともその一部の厚さが、オーバーコートによるPBN被覆層25fと共に上下3層のPBN被覆層合計厚が0.8~1.0mm程度となって、完成品としてのヒータ10におけるPBNリブ15を形成する。また、図5aに示すグラファイト基材16は、外面18に開口する凹溝22の内面17側にグラファイトリブ19が形成されているが、グラファイトリブ19の位置は限定的ではない。たとえば、図示の形態とは反対に、内面17に開口する凹溝の外面17側にグラファイトリブが形成されていても良いし、表裏両面に開口する凹溝の間グラファイト基材16の厚さ方向中間部にグラファイトリブが形成されていても良い。いずれの場合も、前述したと同様にして図3:S2でPBNベースコートを行った後に、グラファイトリブの表面側または裏面側のいずれかのPBN被覆層23と共にグラファイトリブを切除し、切除されずに残された単一のPBN被覆層23凹溝22の底面を被覆する23e、または内面側被覆層23bの切除幅部分と、図4:S4で行われるオーバーコートによってこのPBN被覆層の内外面に形成されるPBN被覆層2525bと25fとで合計3層のPBN被覆層となって、十分な厚さを有するPBNリブ15が形成される。PBNリブ15絶縁リブの形成箇所、数および寸法などは、ヒータエレメント12の自重によるヒータ本体13の歪みや変形を防止しつつある程度の変形を許容して破断や破損を防止することができるよう配慮して、適宜に設定される。すなわち、本発明によれば、その使用環境や用途などに応じてヒータ本体13の剛性と変形許容性のバランスを自在に調整して最適化することができる。さらには、図4:S5で得られた円筒形ヒータ10図1~図3において、より変形許容性を大きくすることが望まれる場合は、絶縁リブ15の大きさ高さや厚さを部分的に切除したり、一部の絶縁リブ15を全切除して所望の変形許容性を与えるように後加工して最終製品としても良い。ベースコートによるPBN被覆層23の形成図4:S2およびオーバーコートによるPBN被覆層25の形成図4:S4の形成は、いずれもCVDで行うことが好ましい。CVD法によるこれらの成膜自体は当業界において公知であるので、詳細な説明を割愛する。本発明では、これら公知のCVD成膜手法を任意に採用することができる。なお、このヒータ10にあっては端子ボルト図示せずなどを介して外部電源からの電力をヒータエレメント12に給電する必要があるので、ベースコートによるPBN被覆層23の形成図4:S2およびオーバーコートによるPBN被覆層25の形成図4:S4後にも、端子ボルト挿通穴11aやその表裏開口部においてはグラファイト基材16が露出して給電経路を確保しなければならない。このため、PBN被覆工程図4:S2,S4を行う際に適宜これらの箇所をマスキングしておき、あるいはPBN被覆工程後に被覆部を切除するなどの後処理を行う。これらの処理も当業界において公知であるので、詳細な説明を割愛する。既述実施形態において、ヒータエレメント12を形成する導電性材料にはグラファイトを用いると共にベースコート/オーバーコート被覆層23,25を形成する絶縁性材料にはPBNを用いたが、これらの材料の組み合わせは限定的ではない。たとえば、ベースコート/オーバーコート被覆層23,25を形成する絶縁性材料としてはPBNの他にもAlN、SiN、GaN、CrN、TiN、NbNなどの窒化系材料も好適に使用可能であり、用途や使用環境、加工や成膜条件などによって適宜に選択して使用することができる。また、ベースコート被覆層23とオーバーコート被覆層25は異なる絶縁性材料で形成されても良い。"