"第一の一対の端子及び該第一の一対の端子間を接続する複数の第一の引き回し部を有する第一の配線と、第二の一対の端子及び該第二の一対の端子間を接続する少なくとも一つの第二の引き回し部を有する第二の配線とを含む配線パターン。前記第一の配線及び前記第二の配線が基材の上面の上に形成され、前記第一の配線、前記第二の配線及び前記基材の各上面が絶縁層によって覆われていることを特徴とする請求項1に記載の配線パターン。前記複数の第一の引き回し部が前記第一の一対の端子の間に亘って線状に延びており、前記少なくとも一つの第二の引き回し部が前記第二の一対の端子の間に亘って線状に延びており、前記複数の引き回し部及び前記少なくとも一つの第二の引き回し部が全長に亘って一様な幅を有し、前記複数の第一の引き回し部の幅の和が、前記少なくとも一つの第二の引き回し部の幅の和と異なっていることを特徴とする請求項1又は2に記載の配線パターン。前記複数の第一の引き回し部の幅の和が、前記少なくとも一つの第二の引き回し部の幅の和よりも大きいことを特徴とする請求項3に記載の配線パターン。前記第一の配線及び第二の配線がメッキにより形成されていることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の配線パターン。前記第一の配線及び第二の配線がメッキにより同時に形成されたものであることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項に記載の配線パターン。前記第一の引き回し部の幅と前記第二の引き回し部の幅が等しいことを特徴とする請求項1乃至6の何れか一項に記載の配線パターン。半導体基板と、該半導体基板の電極に接続されて設けられた配線パターンとを備える半導体装置であって、前記配線パターンは、第一の一対の端子及び該第一の一対の端子間を接続する複数の第一の引き回し部を有する第一の配線と、第二の一対の端子及び該第二の一対の端子間を接続する少なくとも一つの第二の引き回し部を有する第二の配線とを含むことを特徴とする半導体装置。第一の一対の端子及び該第一の一対の端子間を接続する複数の第一の引き回し部を有する第一の配線に対応した形状を有する第一の導体下地と、第二の一対の端子及び該第二の一対の端子間を接続する少なくとも一つの第二の引き回し部を有する第二の配線に対応した形状を有する第二の導体下地とを含む導体下地を形成し、前記第一の導体下地及び前記第二の導体下地に同時にメッキを行うことを特徴とする配線パターンの製造方法。ところが、配線パターンには、細い配線もあれば、太い配線もある。太い配線は、細い配線よりも抵抗が低いから、大電流に適している。太い配線は、電解メッキ時における電気力線が密になることから、厚くなる傾向にあるのに対して、細い配線は、電解メッキ時における電気力線が疎となることから、薄くなる傾向にある。このため、太い配線と細い配線が混在している場合に、配線パターンを覆うように絶縁層を形成すると、細くて薄い配線に適合するような厚さの絶縁体によってこれらの配線を絶縁被覆したとしても、太い配線が絶縁体の層から突き出てしまう。一方、太くて厚い配線に適合するような厚さの絶縁体によってこれらの配線を絶縁被覆すると、絶縁体の層が厚くなってしまい、材料コストが嵩んでしまう。そのため、太い配線の代わりに、大電流に適した細い配線を用いて、太い配線と細い配線が混在しないことが望まれる。そこで、本発明が解決しようとする課題は、第一の一対の端子及び該端子間を接続する第一の配線を有する第一の配線パターンと、第二の一対の端子及び該端子間を接続する第二の配線を有する第二の配線パターンとを含み、第一の一対の端子間には第二の一対の端子間とは異なる量の電流が供給されるような第一の配線パターンおよび第二の配線パターンを含む配線パターンであって、第一の配線パターンと第二の配線パターンとがメッキで同時に形成される場合に、これらの配線パターンを覆う絶縁層を可及的に薄くすることができるような配線パターンを提供することである。以上の課題を解決するための本発明に係る配線パターンは、第一の一対の端子及び該第一の一対の端子間を接続する複数の第一の引き回し部を有する第一の配線と、第二の一対の端子及び該第二の一対の端子間を接続する少なくとも一つの第二の引き回し部を有する第二の配線とを含む。本発明に係る半導体装置は、半導体基板と、該半導体基板の電極に接続されて設けられた配線パターンとを備える半導体装置であって、前記配線パターンは、第一の一対の端子及び該第一の一対の端子間を接続する複数の第一の引き回し部を有する第一の配線と、第二の一対の端子及び該第二の一対の端子間を接続する少なくとも一つの第二の引き回し部を有する第二の配線とを含む。本発明に係る配線パターンの製造方法は、第一の一対の端子及び該第一の一対の端子間を接続する複数の第一の引き回し部を有する第一の配線に対応した形状を有する第一の導体下地と、第二の一対の端子及び該第二の一対の端子間を接続する少なくとも一つの第二の引き回し部を有する第二の配線に対応した形状を有する第二の導体下地とを含む導体下地を形成し、前記第一の導体下地及び前記第二の導体下地に同時にメッキを行う方法である。本発明によれば、第一の一対の端子間を接続する第一の配線と、該第一の配線とメッキで同時に形成され第二の一対の端子間を接続する第二の配線とを含み、第一の一対の端子間には第二の一対の端子間とは異なる量の電流が供給されるような第一の配線および第二の配線を含む配線パターンであって、該配線パターンを覆う絶縁層を可及的に薄くすることができるような配線パターンを提供することができる。以下に、本発明を実施するための形態について、図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。<第1の実施の形態>図1は、本発明の第1の実施の形態に係る多層配線基板20を示した平面図であり、図2は図1における切断線IIIIに沿った矢視断面図である。図1においては、第2の配線パターン23Bのみを図示しており、第1の配線パターン23A、第1の接続用導体24A、第2の接続用導体24B、絶縁基板21、第1の絶縁層22A、及び第2の絶縁層22Bの図示を省略した。図2に示すように、本実施形態の多層配線基板20は絶縁基板21を有する。この絶縁基板21の上に2層の絶縁層が積層されていて、第1の配線パターン23Aが絶縁基板21の上に形成され、その第1の配線パターン23Aが第1の絶縁層22Aによって被覆されている。また、第2の絶縁層22Bを除く各絶縁層22上に第2の配線パターン23Bがそれぞれ形成され、それぞれの第2の配線パターン23Bが第2の絶縁層22Bによって被覆されている。第1乃至第2の配線パターン23A,23Bは、後述する第一の配線2及び第二の配線6を少なくとも有する。第1乃至第2の配線パターン23A,23Bは、第一の配線2及び第二の配線6のほかに別の配線や導体パターンを有していてもよい。また、絶縁基板21上に3層以上の絶縁層及び配線パターンが積層されていてもよい。一又は複数のビアが各絶縁層22A,24Bを貫通し、各ビアに第1の接続用導体24A又は第2の接続用導体24Bが埋め込まれ、異なる層の配線パターン23A,23Bが第1の接続用導体24Aによって導通している。第一の配線2については、何れかの接続用導体24Aが後述する第一のランド3に接続し、他の何れかの接続用導体24Aが後述する第一のランド4に接続する。また、第二の配線6についても、何れかの接続用導体24Aが後述する第三のランド7に接続し、他の何れかの接続用導体24Aが後述する第四のランド8に接続する。なお、第2最上層の絶縁層22Bに形成された接続用導体24Bはこの多層配線基板20の端子である。図1に示す多層配線基板20は配線パターン1を含む。この配線パターン1は絶縁基材としての絶縁基板21の上に形成されている。絶縁基板21は例えば樹脂、ゴム、セラミック、ガラス、酸化シリコン又は窒化シリコンからなる。絶縁層は例えば樹脂、ゴム、セラミック、ガラス、酸化シリコン又は窒化シリコンからなる。絶縁基材としては、絶縁基板21の他に絶縁膜、絶縁層、絶縁フィルム、絶縁シート、絶縁基板その他の絶縁材が好適である。配線パターン1は、例えばアディティブ法例えば、セミアディティブ法又はフルアディティブ法又はサブトラクト法によって形成されたものである。配線パターン1の形成工程には、導体層を成膜するメッキ工程例えば、電解メッキ工程又は無電解メッキ工程又は気相成長工程例えば、スパッタリング工程が少なくとも1回含まれる。配線パターン1は、導体下地例えば、シード層と導体層例えば、メッキ層の積層体である。配線パターン1は導体の単層であってもよいし、更に多くの導体層を積層したものでもよい。配線パターン1は、銅その他の金属からなる。この際、一対の第一のランド3,4第一の一対の端子と、複数本の第一の線条体5第一の引き回し部を有する第一の配線2に対応した形状を有する第一の導体下地と、一対のランド7,8第二の一対の端子と、一本の第二の線条体9第二の引き回し部を有する第二の配線6に対応した形状を有する第二の導体下地とを含む導体下地を形成し、第一の導体下地及び第二の導体下地に同時にメッキを行うことにより、配線パターンを製造する。配線パターン1は、第一の配線2及び第二の配線6を少なくとも有する。配線パターン1は、第一の配線2及び第二の配線6のほかに別の配線や導体パターンを有していてもよい。図1では、第一の配線2の数が2であり、第二の配線6の数が3であるが、配線パターン1が有する第一の配線2の数及び第二の配線6の数は任意である。第一の配線2は、一対の第一のランド3,4と、複数本の第一の引き回し線条体5と、を有する。図1に示される第一の線条体5の本数が2本であるが、第一の線条体5の本数は3本以上であってもよい。なお、線条体とは、直線状、曲線状、折れ線状その他の線状に形作られるように延びているとともに、その延びる方向に沿って長さを有するとともに、その延びる方向に直交する方向に沿って幅を有するものである。第一のランド3,4及びこれらの第一の線条体5が絶縁基材の上に形成されている。第一のランド3と第一のランド4が離れており、複数本の第一の線条体5が第一のランド3から第一のランド4にかけて線状に延びている。これらの第一の線条体5の一端に第一のランド3が接続され、これらの第一の線条体5の他端に第一のランド4が接続されている。第一のランド3,4及びこれらの第一の線条体5が一体に形成されている。これらの第一の線条体5は幅が等しいことが好ましい。これらの第一の線条体5の幅が等しい場合には、メッキ工程により配線パターンを形成する際に第一の線条体5を互いに同等の厚みに形成することができる。なお、何れかの第一の線条体5の幅が異なっていてもよいし、全ての第一の線条体5の幅が異なっていてもよい。第一の線条体5の幅は全長に亘って一様であることが好ましい。図1では、全ての第一の線条体5が直線状である。なお、何れかの第一の線条体5が直線状であり、他の第一の線条体5が曲線状であってもよい。また、全ての第一の線条体5が曲線状であってもよい。全ての第一の線条体5が直線状又は曲線状である場合、これらの第一の線条体5が互いに平行であることが好ましい。何れかの第一の線条体5が他の第一の線条体5に対して傾斜していてもよいが、何れの第一の線条体5も交差しない。本実施形態の複数本の第一の線条体5は互いに長さが等しい。第一のランド3,4は、いわゆるティアドロップ型滴型に成形されている。第一のランド3,4の形状がティアドロップ型ではなく、三角形、四角形その他の多角形であってもよいし、円形又は楕円形であってもよい。第二の配線6は、一対の第二のランド7,8と、一本の第二の引き回し線条体9と、を有する。第二のランド7,8及び第二の線条体9は絶縁基材の上に形成されている。第二のランド7と第二のランド8が離れており、第二の線条体9が第二のランド7から第二のランド8にかけて線状に延びている。第二の線条体9の一端に第二のランド7が接続され、第二の線条体9の他端に第二のランド8が接続されている。第二のランド7,8及び第二の線条体9が一体に形成されている。第二の配線6の第二の線条体9と第一の配線2の第一の線条体5は幅がほぼ等しい。配線パターン1をアディティブ法で形成する場合、配線パターン1を形成する部分以外をマスクし、これをメッキ液に浸漬すると、マスク以外の部分以下、マスク開口部という。に金属が析出する。その場合、第一の配線2の第一の線条体5に対応する第一のマスク開口部と、第二の配線6の第二の線条体9に対応する第二のマスク開口部は幅がほぼ等しいので、第一のマスク開口部における電気力線と第二のマスク開口部における電気力線は密度がほぼ等しくなる。そのため、第一の線条体5と第二の線条体9をほぼ等しい厚さで成長させることができる。従って、配線パターン1の上に絶縁層を薄く成膜しても、第一の配線2及び第二の配線6が絶縁層から突き出ていない。絶縁層の成膜時や硬化時の加熱によって絶縁層と絶縁基材の積層体が反るように変形するが、絶縁層を薄く成膜することができるから、そのような反りを防止することができる。また、第一のランド3と第一のランド4の間に複数本の第一の線条体5が設けられているから、これらのランド3,4間の抵抗を低減することができる。つまり、大きな電流に適した第一の配線2と、大きな電流に適さない第二の配線6を絶縁層と絶縁基材との間に混在させることができる。本実施形態では、第二の配線6が第二の線条体9を一本だけ含むものを例示して説明したが、第二の配線6の第二の線条体9と第一の配線2の第一の線条体5は幅がほぼ等しい場合には、第二の配線6が第二の線条体9を二本以上含むものであってもよい。この場合、第一の配線2の第一の線条体5の本数と、第二の配線6の第二の線条体9の本数が異なっていてよい。即ち、第一の配線2の第一の線条体5の幅の和が、第二の配線6の第二の線条体9の幅の和と異なっていてよい。尚、上述の実施形態においては、第一の配線2の第一の線条体5の幅の和が、第二の配線6の第二の線条体9の幅の和よりも大きい。<第2の実施の形態>図3は、第2の実施の形態に係るフレキシブル配線シート30の断面図である。図3に示すように、絶縁性ベースフィルム31の上に配線パターン32が形成され、絶縁性カバーレイフィルム33が接着剤等によって絶縁性ベースフィルム31に貼着され、配線パターン32が絶縁性カバーレイフィルム33によって被覆されている。配線パターン32は、上述した第一の配線2及び第二の配線6を少なくとも有する。配線パターン32は、第一の配線2及び第二の配線6のほかに別の配線や導体パターンを有していてもよい。絶縁性ベースフィルム31と絶縁性カバーレイフィルム33のどちらか一方又は両方に複数の開口が形成され、配線パターン32の一部が開口の下に重なっている。第一の配線2の第一のランド3,4が開口にそれぞれ重なり、第二の配線6に第三のランド7及び第四のランド8が開口に重なる。<第3の実施の形態>図4は、第3の実施の形態に係る部品埋込型配線板40の断面図である。図4に示すように、半導体チップ41がベースプレート42の表側の面上に搭載され、その半導体チップ41の裏側の面がダイボンディング材43によってベースプレート42に接着されている。ベースプレート42の裏面には、オーバーコート層52が成膜されている。半導体チップ41は、パッケージされたものでもよいし、ベアチップでもよい。半導体チップ41が半導体パッケージである場合、そのパッケージ方式は任意である。好ましくは、半導体チップ41は、チップサイズにパッケージしたものであって、いわゆるCSPChipSizePackageである。特に、半導体チップ41は、CSPの中でも特にWLPWaferLevelPackageであることが好ましい。WLPとは、個片化する前の半導体ウエハの表面を樹脂によって封止した後に、それをチップサイズに個片化したものである。ベースプレート42の上に絶縁性の封止層44が積み重ねられている。半導体チップ41が封止層44に埋め込まれ、この封止層44が半導体チップ41を覆っている。封止層44は、ガラス繊維強化エポキシ樹脂、ガラス布エポキシ樹脂、カーボン繊維強化エポキシ樹脂、カーボン布エポキシ樹脂、ガラス繊維強化ポリイミド樹脂、ガラス布ポリイミド樹脂、カーボン繊維強化ポリイミド樹脂、カーボン布ポリイミド樹脂その他の繊維強化樹脂からなる。封止層44には複数のビアが開けられ、接続用導体45が各ビアに埋め込まれている。半導体チップ41の表側の面に複数の端子が設けられ、接続用導体45が半導体チップ41の端子にそれぞれ接続されている。封止層44の上には多層配線構造46が設けられている。つまり、一又は複数の絶縁層47が封止層44の上に積層され、オーバーコート層48が第2の絶縁層47Bの上に成膜され、配線パターン49が第1の絶縁層47Aと封止層44との間、隣り合う絶縁層47の間、第2の絶縁層47Bとオーバーコート層48との間にそれぞれ形成されている。なお、絶縁層47が一層も無く、オーバーコート層48が封止層44の上に成膜され、そのオーバーコート層48と封止層44との間に配線パターン49が形成されていてもよい。配線パターン49は、上述した第一の配線2及び第二の配線6を少なくとも有する。配線パターン49は、第一の配線2及び第二の配線6のほかに別の配線や導体パターンを有していてもよい。複数のビアが各絶縁層47を貫通し、各ビアに接続用導体50が埋め込まれ、異なる層の配線パターン49が接続用導体50によって導通している。第1の配線パターン49Aが接続用導体45によって半導体チップ41の端子に導通している。オーバーコート層48は、ソルダーレジストである。つまり、オーバーコート層48には複数の開口が開けられており、半田バンプ51が各開口内に形成されている。これら半田バンプ51は、第2の配線パターン49Bに接続されている。<第4の実施の形態>図5は、第4の実施の形態に係る半導体装置101の一部を破断した状態で示した半導体装置101の斜視図である。図6は、半導体装置101の一部を破断した状態で示した半導体装置101の要部の斜視図である。図7は、半導体装置101の要部の断面図である。半導体装置101は、チップサイズにパッケージしたものであって、いわゆるCSPChipSizePackageである。特に、この半導体装置101は、個片化する前の半導体ウエハの表面を樹脂によって封止した後に、それをチップサイズに個片化したものである。つまり、半導体装置101は、CSPの中でも特にWLPWaferLevelPackageである。半導体装置101は、半導体基板102、パッシベーション層104、第一の絶縁層105、第二の絶縁層106、配線107、アウター端子109、バンプ110、封止層111及び配線パターン112等を備える。半導体基板102は、シリコンといった半導体材料等からなる。半導体基板102の表側の表層には、集積回路が形成されている。半導体基板102の表側の面が、パッシベーション層104によって被覆されている。パッシベーション層104は、酸化シリコン又は窒化シリコンを含有する。パッシベーション層104は、絶縁層である。パッシベーション層104が、絶縁層105によって被覆されている。絶縁層105は、樹脂、酸化シリコン又は窒化シリコンを含有する。なお、絶縁層105が形成されていなくてもよい。絶縁層105絶縁層105が無い場合には、パッシベーション層104が、絶縁層106によって被覆されている。絶縁層106は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂その他の樹脂を含有する。例えば、絶縁層106には、ポリイミドPI、ポリベンゾオキサゾールPBO、エポキシ系、フェノール系、シリコン系等のプラスチック材料又はこれらの複合材料等を用いることができる。半導体基板102の表側の面の上には、複数のインナー端子103が形成されている。インナー端子103は、半導体基板102の表層に形成された集積回路の配線の一部であったり、各種電気素子例えば、ダイオード、トランジスタ、抵抗、コンデンサ等の電極であったりする。パッシベーション層104及び絶縁層105のうちインナー端子103に重なる位置には、コンタクトホール105aが形成されている。配線パターン112が、絶縁層105絶縁層105が無い場合には、パッシベーション層104の上に形成されている。配線パターン112は、第一の配線120及び第二の配線130を少なくとも有する。配線パターン112が有する第一の配線120の数及び第二の配線130の数は任意である。配線パターン112は、第一の配線120及び第二の配線130のほかに別の配線や導体パターンを有していてもよい。配線パターン112は、導体下地例えば、シード層112aと導体層例えば、メッキ層112bの積層体である。配線パターン112は導体の単層であってもよいし、更に多くの導体層を積層したものでもよい。第一の配線120は、上述した第一の配線2と同様に設けられている。つまり、第一の配線120は、一対の第一のランド121,122と、複数本の第一の線条体123と、を有する。第二の配線130は、上述した第二の配線6と同様に設けられている。つまり、第二の配線130は、一対の第二のランド131,132と、一本の第二の線条体133と、を有する。第一の線条体123と第二の線条体133は幅が等しいことが好ましい。第一の配線120の第一のランド121が、パッシベーション層104及び絶縁層105に開けられたコンタクトホール105aを通じて、インナー端子103にそれぞれ接続されている。第二の配線130の第三のランド131が、コンタクトホール105aを通じてインナー端子103にそれぞれ接続されている。また、配線パターン112が有する他の配線や導体パターンが、コンタクトホール105aを通じてインナー端子103上に接続されている。絶縁層106が配線パターン112の上から絶縁層105絶縁層105が無い場合には、パッシベーション層104の上に成膜され、配線パターン112が絶縁層106によって絶縁被覆されている。複数のビアが各絶縁層22を貫通し、各ビアに接続用導体113が埋め込まれている。第一の配線120の第一のランド122が接続用導体113にそれぞれ接続されている。第二の配線130の第四のランド132が接続用導体113にそれぞれ接続されている。配線パターン112が有する他の配線や導体パターンが、接続用導体113に接続されている。複数の配線107が、絶縁層106上に形成されている。配線107は、導体下地シード層107aと導体層107bの積層体である。なお、配線107は導体の単層であってもよいし、更に多くの導体層を積層したものでもよい。配線107の一部端部が接続用導体113にそれぞれ積み重ねられている。第一の配線120の第一のランド122が接続用導体113によって配線107にそれぞれ導通している。第二の配線130の第四のランド132が接続用導体113によって配線107にそれぞれ導通している。配線パターン112が有する他の配線や導体パターンが、接続用導体113によって配線107に導通している。ランド108上には、アウター端子109がそれぞれ形成され、配線107がアウター端子109にそれぞれ接続されている。アウター端子109は、突起状に設けられた柱状電極である。アウター端子109は、銅その他の金属からなる。遮光性の封止層111が絶縁層106上に形成され、配線107が封止層111によって覆われている。アウター端子109が封止層111を貫通するように封止層111に埋設されている。アウター端子109の頭頂面が封止層111によって覆われていないが、アウター端子109の周面が封止層111によって覆われて保護されている。封止層111の表面が、アウター端子109の頭頂面と面一に設けられているか、又は、アウター端子109の頭頂面よりも僅かに高い位置にある。封止層111は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂その他の絶縁性樹脂を含有し、好ましくは、絶縁性樹脂エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等にフィラー例えば、ガラスフィラーを配合した繊維強化樹脂からなる。バンプ110がアウター端子109の頭頂面上に形成されている。バンプ110は半田バンプである。半導体装置101の製造方法は、以下のような手順になる。つまり、集積回路及びパッシベーション層104が形成された半導体ウエハを分断する前に、絶縁層105を形成し、その後、配線パターン112を形成する。配線パターン112をアディティブ法で形成する場合、第一の配線120の第一の線条体123に対応する第一のマスク開口部と、第二の配線130の第二の線条体133に対応する第二のマスク開口部は幅がほぼ等しいので、第一のマスク開口部における電気力線と第二のマスク開口部における電気力線は密度がほぼ等しくなる。そのため、第一の線条体123と第二の線条体133をほぼ等しい厚さで成長させることができる。従って、その後に絶縁層106を薄く成膜しても、第一の配線120及び第二の配線130が絶縁層106から突き出ていない。絶縁層106の成膜時や硬化時の加熱によって半導体ウエハが反るように変形するが、絶縁層106を薄く成膜することができるから、そのような反りを防止することができる。そのため、半導体ウエハをハンドリングしやすくなる。また、絶縁層106が薄いから、絶縁層106の材料コストも削減することができる。絶縁層106の成膜後は、絶縁層106にビア106aを形成する。次に、ビア106a内に接続用導体113を埋め込む。その後、配線107及びアウター端子109をパターニングした後、封止層111を形成する。次に、その封止層111の表面及びアウター端子109の頭頂面を研削し、半導体ウエハの裏面も研削する。次に、バンプ110を形成する。その後、半導体ウエハを封止層111等とともに分断する。こうして、複数の半導体装置101が製造される。なお、バンプ110が無くてもよい。バンプ110が無い状態の半導体装置101を図4に示された半導体チップ41として用いてもよい。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、本発明の範囲は、上述の実施の形態に限定するものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲とその均等の範囲を含む。以下に、この出願の願書に最初に添付した特許請求の範囲に記載した発明を付記する。付記に記載した請求項の項番は、この出願の願書に最初に添付した特許請求の範囲の通りである。付記<請求項1>第一の一対の端子及び該第一の一対の端子間を接続する複数の第一の引き回し部を有する第一の配線と、第二の一対の端子及び該第二の一対の端子間を接続する少なくとも一つの第二の引き回し部を有する第二の配線とを含む配線パターン。<請求項2>前記第一の配線及び前記第二の配線が基材の上面の上に形成され、前記第一の配線、前記第二の配線及び前記基材の各上面が絶縁層によって覆われていることを特徴とする請求項1に記載の配線パターン。<請求項3>前記複数の第一の引き回し部が前記第一の一対の端子の間に亘って線状に延びており、前記少なくとも一つの第二の引き回し部が前記第二の一対の端子の間に亘って線状に延びており、前記複数の引き回し部及び前記少なくとも一つの第二の引き回し部が全長に亘って一様な幅を有し、前記複数の第一の引き回し部の幅の和が、前記少なくとも一つの第二の引き回し部の幅の和と異なっていることを特徴とする請求項1又は2に記載の配線パターン。<請求項4>前記複数の第一の引き回し部の幅の和が、前記少なくとも一つの第二の引き回し部の幅の和よりも大きいことを特徴とする請求項3に記載の配線パターン。<請求項5>前記第一の配線及び第二の配線がメッキにより形成されていることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の配線パターン。<請求項6>前記第一の配線及び第二の配線がメッキにより同時に形成されたものであることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項に記載の配線パターン。<請求項7>前記第一の引き回し部の幅と前記第二の引き回し部の幅が等しいことを特徴とする請求項1乃至6の何れか一項に記載の配線パターン。<請求項8>半導体基板と、該半導体基板の電極に接続されて設けられた配線パターンとを備える半導体装置であって、前記配線パターンは、第一の一対の端子及び該第一の一対の端子間を接続する複数の第一の引き回し部を有する第一の配線と、第二の一対の端子及び該第二の一対の端子間を接続する少なくとも一つの第二の引き回し部を有する第二の配線とを含むことを特徴とする半導体装置。<請求項9>第一の一対の端子及び該第一の一対の端子間を接続する複数の第一の引き回し部を有する第一の配線に対応した形状を有する第一の導体下地と、第二の一対の端子及び該第二の一対の端子間を接続する少なくとも一つの第二の引き回し部を有する第二の配線に対応した形状を有する第二の導体下地とを含む導体下地を形成し、前記第一の導体下地及び前記第二の導体下地に同時にメッキを行うことを特徴とする配線パターンの製造方法。"