MEMSデバイス200作製において犠牲層を処理するための方法であって、エアロゲル犠牲層220、214を形成するように、基板210上にエアロゲル材料のパターン層を塗布するステップ110と、前記エアロゲル犠牲層220、214の上に、前記エアロゲル材料のパターン層に設けられた1つまたは複数の間隙を通って前記基板210に結合される、少なくとも1つの非犠牲シリコン層230を塗布するステップ120と、前記エアロゲル犠牲層220、214を除去液に露出することによって、前記エアロゲル犠牲層220、214を除去するステップ130とを含む方法。請求項1に記載の方法において、前記基板210が、前記エアロゲル材料のパターン層が塗布されるとき前記エアロゲル材料が積層される凹部211を含む方法。請求項1に記載の方法において、前記エアロゲル犠牲層220、214の1つまたは複数の露出領域に保護層222を塗布するステップをさらに含み、前記エアロゲル犠牲層220、214を除去するステップが、前記除去液が前記エアロゲル犠牲層220、214に達することができるように、前記保護層を破るステップをさらに含む方法。上記の理由、および明細書を読み理解すれば当業者には明らかになるであろう下記の他の理由から、当技術分野ではMEMSデバイス作製の改善されたシステムおよび方法が必要とされている。本発明の実施形態はMEMSデバイス作製のための方法およびシステムを提供し、これは以下の明細書を読み、検討することによって理解されるであろう。一実施形態では、MEMSデバイス作製において犠牲層を処理するための方法は、基板上にエアロゲル犠牲層を形成するようにエアロゲル材料のパターン層を塗布するステップと、エアロゲル犠牲層の上に、エアロゲル材料のパターン層に設けられた1つまたは複数の間隙を通って基板に結合される、少なくとも1つの非犠牲シリコン層を塗布するステップと、エアロゲル犠牲層を除去液に露出することによって、エアロゲル犠牲層を除去するステップとを含む。本発明の実施形態は、好ましい実施形態の説明および以下の図に照らして考慮するとき、より簡単に理解することができ、他の利点および使用がより容易に明らかになるであろう。慣例に従って、説明される様々な特徴は等縮尺では描かれておらず、本発明に関連する特徴を強調して描かれている。参照符号は、図および説明を通して同様の要素を示す。以下の詳細な説明では、その一部を形成し、本発明を実施することができる特定の例示的な実施形態を示す、添付の図面を参照する。これらの実施形態は当業者が本発明を実施することができるように十分に詳細に説明され、他の実施形態を使用することができ、本発明の範囲から逸脱せずに、論理的、機械的および電気的変更を行うことができることが理解されよう。従って、以下の詳細な説明は、限定的な意味で解釈されるものではない。本発明の実施形態は、完成したMEMSデバイスに開空間または空洞を設けるように、MEMS作製プロセス中に犠牲層を形成するためにエアロゲルを使用する。エアロゲルは、塗布され硬化した後、MEMS作製中に後続の層を物理的に支持することができるが容易に除去することができる、低密度だが構造的に強固な下地層を形成する。エアロゲル犠牲層は低密度の特徴により、中実の犠牲層のごく一部分の質量しか含まず、エッチャントを排出する前または廃棄副産物の除去の問題が生じる前に、比較的より大きい体積のエアロゲルをエッチングすることができる。犠牲層を形成するシリカ材料は、酸化物線維の織布へと硬化して、単位体積あたりのほとんどが空洞から構成される多孔性のスポンジ様構造を形成するため、エアロゲル犠牲層の小さい質量が実現される。エアロゲル犠牲層はこの多孔性構造を有することにより、2つの利点がある。第一に、溶解エッチャントを引き込む毛管現象を促進し、新しいエッチャントを層を通して速やかに行き渡らせる。第二に、多孔性エアロゲル材料は、液体に露出されるとき、液体の表面張力により縮んで崩壊する傾向があり、縮んだエアロゲルを実際にエッチングする前に、新しいエッチャントが犠牲層へとより多く流出するための通路が通される。エアロゲル材料に関するさらなる詳細は、2009年7月23日に公開された米国特許公開第2009/0184088号に見ることができ、これを参照によって本明細書に援用する。いくつかのMEMS用途では、MEMSデバイス内に目的の空洞を形成するのに十分な犠牲領域を開けるために、エアロゲル層のみを崩壊させるだけで十分とすることができる。以下でより詳細に説明する表面張力/崩壊効果を使用することによって、非犠牲構造に影響を与えにくい品質を選択することができるので、エアロゲル犠牲層を除去するためにより多様な液体を使用することができる。さらに、エアロゲル犠牲層を除去するために強酸のエッチャントとは対照的に不活性化学物質を使用することにより、MEMSの設計者は、MEMSデバイスの犠牲層の除去中に侵されるべきでない部分を作製するために、より多様な材料から選択することができる。図1は、本発明の1つの実施形態によるMEMSデバイスを作製するための方法を示すフローチャートである。図1の方法を説明するにあたり、図2Aおよび2Bに示すMEMSデバイス200を参照する。MEMSデバイス200は、特定のMEMSデバイスまたは特定の種類のMEMSデバイスではなく一般的なMEMSデバイスを表すものであることを、当業者は本明細書を読めば理解するであろう。すなわち、図1に示す方法は、MEMSデバイスの構造内に開口領域すなわち、空洞を必要とするあらゆるMEMSデバイス設計を作製するための実施形態を範囲内に含むものである。さらに、本明細書を検討すれば、図1に説明する個別のステップがそれぞれ、当業者には既知のMEMS作製技術を使用して達成されることを、当業者であれば理解するであろう。上記の理由から、そのようなMEMS作製技術の詳細は本明細書ではこれ以上説明しない。方法は、エアロゲル犠牲層を形成するように基板上にエアロゲル材料のパターン層を塗布するステップ110から開始する。図2に示すように、基板210上でMEMSデバイス200の設計において空洞が必要な1つまたは複数の場所に、エアロゲル材料の犠牲層220を塗布する。いくつかの実施形態では、基板210は、円滑で平坦な上面ではなく、エアロゲル材料のパターン層が塗布されると少なくとも一部が充填される凹部211を含むことができる。1つの実施形態では、基板210は、MEMSデバイス200の非犠牲層を形成するシリコンまたは他の材料である。他の実施形態では、基板210自体が、非犠牲材料212および先に塗布されたエアロゲル材料の犠牲層214の組み合わせを含むことができる。犠牲層220は、基板210上に追加的構造を形成するための構造的基礎を提供する。エアロゲル材料の密度および孔寸法は、本明細書を読めば、当業者はエアロゲル層をスピンコーティングする既知のプロセスおよび基準を使用して別個に制御することができる。方法は、120で、エアロゲル犠牲層220上に少なくとも1つの非犠牲シリコン層230を塗布するステップへと続く。犠牲層220は、その後に塗布される非犠牲シリコン層230が基板210に接触し、従って犠牲層220が除去されると基板210に確実に残るように、パターン化されている。すなわち、犠牲層220が基板210上に連続的な膜として塗布された場合、次いで犠牲層220が除去されたときに、非犠牲シリコン層230およびその上にある構造が単純に取り去られる。従って、基板210上にあるエアロゲル材料のパターン層の1つまたは複数の間隙には、その後に塗布される非犠牲シリコン層230を基板210に取り付けることが可能になる全体的に222で示す。エアロゲル犠牲層220は液体に対して脆弱であるので、MEMSデバイス200の作製中に、液体との予期しない接触から保護する必要がある。パターン化されたエアロゲル膜のこれらの縁部は、エアロゲル犠牲層220が早過ぎる除去または他の損傷を受けないように、その後の処理中に液体から保護するべきである。従って一実施形態では、方法は任意で、エアロゲル犠牲層220の1つまたは複数の露出部分224に保護層222を塗布することが可能であるブロック140および140’で示す。作製中にそのような液体が存在することが予測される場合、エアロゲル犠牲層220上に非犠牲シリコン層230を塗布する前ブロック140で示すまたは塗布した後ブロック140’で示すに、保護層222を塗布することができる。エアロゲル犠牲層220の除去前に液体が存在しない作製プロセスでは、保護層222の塗布は必ずしも必要ではなく、そのため任意である。方法は、130で、エアロゲル犠牲層220を除去液に露出することによって、エアロゲル犠牲層220を除去するステップへと続く。保護層222が塗布された実施形態では、エアロゲル犠牲層220を除去するステップは、除去液がエアロゲル犠牲層220に達することができるように、所望の場所の保護層222を破る追加のステップを含むブロック145で示す。図2Bは、犠牲層220および214が除去されて空洞290が開いたMEMSデバイス220の図を示す。一実施形態では、エアロゲル犠牲層220は、エアロゲル材料を溶解する化学エッチャントを導入することによって除去される。化学エッチャントの使用は、例えば、可動部分と干渉する可能性を防ぐためにエアロゲル犠牲層220を溶解し廃棄物を除去する必要がある実施形態で適切である。適切な化学エッチャントの例には、フッ酸、リン酸または有機溶媒を含むがこれに限定されない。エアロゲル材料は低密度および多孔性構造であるため、溶解する物理的質量はより少なく、単位体積あたりの化学エッチャントが比較的少なくてよいことを意味する。さらに、生成される廃棄材料が比較的少ないことにより、新しいエッチャントが空洞へと流入することを妨げる廃棄材料がより少なく、除去する必要のある廃棄材料がより少ない。エアロゲルの中実部分のみを溶解する必要があるので、犠牲層のエッチングがより速くなり、非犠牲材料の小さいが限定的なエッチングを制限する。別の実施形態では、エアロゲル犠牲層220は、エアロゲル材料を崩壊させる不活性化学物質を導入することによって除去される。不活性化学物質の使用は、空洞内に少量の廃棄材料が残ることが許容可能であり、他の構造と干渉しない実施形態例えば、エアロゲル犠牲層220の除去によって形成される空洞が流体管路として使用される場合で適切である。不活性化学物質はエアロゲル材料を顕著には溶解しない。しかし、液体の表面張力によってエアロゲル材料を崩壊させ、従ってMEMSデバイス200内でエアロゲル犠牲層220が以前あった部分に空洞を開ける。適切な不活性化学物質の例には、アルコール、アセトン、または水を含むがこれに限定されない。化学物質がMEMSデバイス200の残りの構造に対して不活性であるかどうかは、当業者は、本明細書を読めば、そのような残りの構造の化学特性に基づいて容易に判断できるであろう。一般に、エアロゲル犠牲層220を除去してMEMSデバイス200内に所望の空洞を開けた後は、空洞内の可動部分を損傷しないように、または異物材料の汚染を生じないように、他のプロセスは避けるべきである。本明細書では特定の実施形態を図示し説明したが、図示された特定の実施形態の代わりに、同じ目的を達成するために算出された任意の配置を使用することができることが当業者には理解されよう。本出願は、本発明のどのような修正または変形も含むものである。従って、本発明は特許請求の範囲およびその均等物によってのみ限定されることが明白に意図されている。