"レジスト膜によりマスクパターンが表面に形成されたサファイア基板をチャンバ内の基板保持部にそれぞれのサファイア基板を載置する基板搬入工程と、基板保持部とサファイア基板との間の空間に冷却ガスを充填しながらサファイア基板に対してプラズマ処理を行い、表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成するプラズマ処理工程と、を備え、プラズマ処理工程において、サファイア基板の中央領域に接する空間内の冷却ガスの圧力がサファイア基板の周縁領域に接する空間内の冷却ガスの圧力よりも低い状態にて、プラズマ処理を行う、サファイア基板のプラズマ処理方法。基板保持部とサファイア基板との間の空間内において、サファイア基板の周縁領域に接する第1空間部分に冷却ガスを供給しながら、サファイア基板の中央領域に接する第2空間部分より冷却ガスを排気することにより、第1空間部分における冷却ガスの圧力よりも第2空間部分における圧力を低くした状態でプラズマ処理を行う、請求項1に記載のサファイア基板のプラズマ処理方法。基板保持部とサファイア基板との間の空間内において、基板保持部の表面に形成された複数の突起構造が、第1空間部分から第2空間部分へ向かう冷却ガスの流れを阻害することにより、第1空間部分における冷却ガスの圧力よりも第2空間部分における圧力を低くした状態を形成する、請求項2に記載のサファイア基板のプラズマ処理方法。基板搬入工程は、トレイに開口された基板収容部にサファイア基板を収納した状態で行う、請求項1から3のいずれか1つに記載のサファイア基板のプラズマ処理方法。チャンバ内に、レジスト膜によりマスクパターンが表面に形成されたサファイア基板を保持する基板保持部を備え、基板保持部とサファイア基板との間の空間に冷却ガスを充填しながらサファイア基板に対してプラズマ処理を行い、表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成するプラズマ処理装置であって、基板保持部の上面には、サファイア基板の周縁領域に臨む第1領域に形成された複数の冷却ガス供給孔と、サファイア基板の中央領域に臨む第2領域に形成された少なくとも1つの冷却ガス排気孔を設け、複数の冷却ガス供給孔より冷却ガスを供給するとともに基板保持部とサファイア基板との間の空間内に供給された冷却ガスを冷却ガス排気孔から排気することにより、基板保持部とサファイア基板との間の空間内においてサファイア基板の周縁領域に接する第1空間部分における冷却ガスの圧力よりもサファイア基板の中央領域に接する第2空間部分における圧力を低くする冷却ガス制御部を備える、プラズマ処理装置。基板保持部の上面には、第1空間部分から第2空間部分へ向かう冷却ガスの流れを阻害する複数の突起構造が形成されている、請求項5に記載のプラズマ処理装置。基板保持部は、トレイに開口された基板収容部に収容されたサファイア基板を、基板収容部を下方から貫通して保持する、請求項5または6に記載のプラズマ処理装置。近年、LEDデバイスにおいて、デバイスからの光の外部取出し効率をさらに向上させるために、PSSにおいて凹凸構造の高アスペクト比化や微細化が求められるとともに、凹凸構造の均一化を図って、安定した品質を提供することが求められている。しかしながら、従来のエッチング処理では、サファイア基板の中央領域に形成される凹凸構造の高さPSS高さが、周縁領域に形成される凹凸構造の高さよりも低くなる傾向があり、サファイア基板の表面において高アスペクト比で且つ均一な形状を有する凹凸構造を形成することが難しいという課題がある。従って、本発明の目的は、上記課題を解決することにあって、マスクパターンが配置されたサファイア基板に対して、マスクパターンに応じた凹凸構造を形成する基板のプラズマ処理において、凹凸構造の高さの均一化を図ることができる基板のプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。本発明の第1態様によれば、レジスト膜によりマスクパターンが表面に形成されたサファイア基板をチャンバ内の基板保持部にそれぞれのサファイア基板を載置する基板搬入工程と、基板保持部とサファイア基板との間の空間に冷却ガスを充填しながらサファイア基板に対してプラズマ処理を行い、表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成するプラズマ処理工程と、を備え、プラズマ処理工程において、サファイア基板の中央領域に接する空間内の冷却ガスの圧力がサファイア基板の周縁領域に接する空間内の冷却ガスの圧力よりも低い状態にて、プラズマ処理を行う、サファイア基板のプラズマ処理方法を提供する。本発明の第2態様によれば、基板保持部とサファイア基板との間の空間内において、サファイア基板の周縁領域に接する第1空間部分に冷却ガスを供給しながら、サファイア基板の中央領域に接する第2空間部分より冷却ガスを排気することにより、第1空間部分における冷却ガスの圧力よりも第2空間部分における圧力を低くした状態でプラズマ処理を行う、第1態様に記載のサファイア基板のプラズマ処理方法を提供する。本発明の第3態様によれば、基板保持部とサファイア基板との間の空間内において、基板保持部の表面に形成された複数の突起構造が、第1空間部分から第2空間部分へ向かう冷却ガスの流れを阻害することにより、第1空間部分における冷却ガスの圧力よりも第2空間部分における圧力を低くした状態を形成する、第2態様に記載のサファイア基板のプラズマ処理方法を提供する。本発明の第4態様によれば、基板搬入工程は、トレイに開口された基板収容部にサファイア基板を収納した状態で行う、第1態様から第3態様のいずれか1つに記載のサファイア基板のプラズマ処理方法を提供する。本発明の第5態様によれば、チャンバ内に、レジスト膜によりマスクパターンが表面に形成されたサファイア基板を保持する基板保持部を備え、基板保持部とサファイア基板との間の空間に冷却ガスを充填しながらサファイア基板に対してプラズマ処理を行い、表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成するプラズマ処理装置であって、基板保持部の上面には、サファイア基板の周縁領域に臨む第1領域に形成された複数の冷却ガス供給孔と、サファイア基板の中央領域に臨む第2領域に形成された少なくとも1つの冷却ガス排気孔を設け、複数の冷却ガス供給孔より冷却ガスを供給するとともに基板保持部とサファイア基板との間の空間内に供給された冷却ガスを冷却ガス排気孔から排気することにより、基板保持部とサファイア基板との間の空間内においてサファイア基板の周縁領域に接する第1空間部分における冷却ガスの圧力よりもサファイア基板の中央領域に接する第2空間部分における圧力を低くする冷却ガス制御部を備える、プラズマ処理装置を提供する。本発明の第6態様によれば、基板保持部の上面には、第1空間部分から第2空間部分へ向かう冷却ガスの流れを阻害する複数の突起構造が形成されている、第5態様に記載のプラズマ処理装置を提供する。本発明の第7態様によれば、基板保持部は、トレイに開口された基板収容部に収容されたサファイア基板を、基板収容部を下方から貫通して保持する、第5態様または第6態様に記載のプラズマ処理装置を提供する。本発明によれば、プラズマ処理工程において、サファイア基板の中央領域に接する空間内のHeガスの圧力がサファイア基板の周縁領域に接する空間圧力よりも低い状態にて、プラズマ処理が行われる。これにより、プラズマ処理の際に、サファイア基板の中央領域の温度が周縁領域の温度よりも高い状態とすることができ、中央領域におけるPR選択比サファイア基板のエッチングレート/レジスト膜のエッチングレートを高めることができる。よって、サファイア基板の中央領域における凹凸構造の高さすなわちアスペクト比を周辺領域における凹凸構造と同等レベルにすることで、周縁領域と中央領域との間における凹凸構造の高さのバラツキを補正して、凹凸構造の高さの均一化を図ると共に凹凸構造の高アスペクト比化を実現できる。本発明の実施の形態を説明するに先だって、本発明の課題が生じる原因について、本発明者らが見出した知見について説明する。まず、本発明者らは、従来のPSSを形成するエッチング処理を行った場合のサファイア基板の中央領域R2と、その周囲の周縁領域R1とにおけるエッチング処理時の温度分布とHeガスの圧力分布と、形成される凹凸構造の高さのバラツキとの関係に着目して分析を行った。この分析結果として、エッチング処理時の温度分布とHeガスの圧力分布とを図9のグラフに示す。なお、分析にあたっては、例えば、特許文献2に開示されているような構成のエッチング装置を用いた。図9のグラフでは、サファイア基板の径方向の位置周縁領域R1、中央領域R2を横軸に示し、Heガスの圧力分布を左側縦軸に示し、サファイア基板の温度分布を右側縦軸に示している。なお、Heガスは、サファイア基板と基板保持部との間に形成される空間内に充填され、主にエッチング処理の際にサファイア基板の温度上昇を抑制することを目的として用いられる。図9に示すように、エッチング処理の際に、サファイア基板の中央領域R2の温度T2が、周縁領域R1の温度T1よりも低くなっている。さらに、Heガスの圧力については、中央領域R2の圧力P2が、周縁領域R1の圧力P1よりも高くなっている。これらの分析結果に基づき検討すると、サファイア基板のエッチング処理では、基板温度が高くなる程PR選択比が高くなるため、基板温度が高い部分にて凹凸構造のアスペクト比高さが高くなり、その結果、基板温度が低い部分にて凹凸構造のアスペクト比が低くなる傾向にあることを見出した。特許文献2に開示されているようなエッチング装置では、基板と基板保持部との間の空間に、基板保持部の中央に形成されたガス供給孔よりHeガスが供給され、この空間内にHeガスが充填された状態でエッチング処置が行われる。このような構成では、空間内に充填されたHeガスが基板の周縁部より漏洩するため、図5に示すように、基板の中央領域においてHeガスの圧力が高くなり、周縁領域において圧力が低くなる。Heガスは、エッチング処理時における基板の温度上昇を抑制するために、基板と基板保持部との間の空間内に充填されるものである。基板の中央領域ではHeガスの圧力が高くなるため、基板の温度上昇を抑制する効果が高くなり、その結果、中央領域において基板温度が低くなる。一方、基板の周縁領域ではHeガスの圧力が低くなるため、基板の温度上昇を抑制する効果が低減する。加えて基板の縁は基板保持部からはみ出しているためプラズマに晒されると高温になりやすい。その結果、周縁領域において基板温度が高くなる。このように基板の中央領域の温度が周縁領域よりも低くなることから、凹凸構造の高さにバラツキが生じているものと考えられる。一方、PSS加工においては、サファイア基板の温度が高いほどPR選択比が高くなるためアスペクト比の高いPSSを得られることが発明者らの研究によって確認されている。本発明は、これらの新たな知見を総合的に検討した結果完成したものであり、単に凹凸構造のバラツキを低減するのみならず、凹凸構造を全体として高アスペクト比とすることができるサファイア基板のプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供するものである。また、トレイを用いたサファイア基板のエッチング処理では、トレイの主材質としてSiCが用いられ、レジスト膜としてはカーボン系の材料が用いられることが多い。このような場合にあっては、レジストに含まれるカーボンCがエッチングによってサファイアAl2O3から放出された酸素O2と反応して除去されるため、サファイアで囲まれた中央領域ではトレイに近接する周辺領域よりもレジストの消耗が早くなるといういわゆるローディング効果が生じる。このためPR選択比がサファイア基板の中央領域よりも周辺領域がさらに高くなる。このような分析結果に基づく新たな知見より、本発明者らは、トレイを用いたサファイア基板のエッチング処理において、サファイア基板の温度分布を中央領域が高くなるように補正することで、中央領域および周縁領域のPR選択比を調整し、エッチング処理により形成される凹凸構造の高さの均一化と共に凹凸構造の高アスペクト比化を図るという本発明の考え方を見出したものである。以下に、本発明にかかる実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。実施の形態本発明の一の実施の形態に係るプラズマエッチング処理装置の一例としてICP誘導結合プラズマ型のドライエッチング装置1の構成図を図1に示す。ドライエッチング装置1は、その内部が基板2にプラズマ処理を行う処理室を構成するチャンバ真空容器3を備える。チャンバ3の上端開口は石英等の誘電体により形成された天板4により密閉状態で閉鎖されている。天板4上にはICPコイル5が配置されている。ICPコイル5にはマッチング回路を含む第1の高周波電源部7が電気的に接続されている。天板4と対向するチャンバ3内の底部側には、バイアス電圧が印加される下部電極としての機能及び基板2の保持台としての機能を有する基板ステージ9が配置されている。チャンバ3には、例えばロードドック室図示せずと連通する開閉可能な搬入出口が設けられており、図示しない搬送機構により基板2を収納したトレイ15の搬入搬出動作が行われる。また、チャンバ3に設けられたエッチング用のガス導入口3bを通して、チャンバ3内に複数種類のガスが供給可能とされている。本実施の形態では、複数種類のガスとして、例えば、BCl3、Cl2、Ar、O2、CF4などが用いられる。また、チャンバ3に設けられた排気口3cには、真空ポンプや圧力制御弁等から構成される圧力制御部13が接続されている。次に、本実施の形態のドライエッチング装置1にて取り扱われる基板2を保持するトレイ15について、図2および図3の模式斜視図を用いて説明する。トレイ15は薄板円板状のトレイ本体15aを備える。トレイ15の材質としては、例えばアルミナAl2O3、窒化アルミニウムAlN、ジルコニアZrO、イットリアY2O3、窒化シリコンSiN、炭化シリコンSiC等のセラミクス材や、アルマイトで被覆したアルミニウム、表面にセラミクスを溶射したアルミニウム、樹脂材料で被覆したアルミニウム等の金属がある。Cl系プロセスの場合にはアルミナ、イットリア、炭化シリコン、窒化アルミニウム等、F系プロセスの場合には石英、水晶、イットリア、炭化シリコン、アルマイトを容射したアルミニウム等を採用することが考えられる。なお、本実施の形態では、炭化シリコンSiCを主材料として形成されたトレイ15が用いられる。トレイ本体15aには、上面15bから下面15cまで厚み方向に貫通する4個の基板収容孔19が設けられている。基板収容孔19は、上面15b及び下面15cから見てトレイ本体15aの中心に対して等角度間隔で配置されている。それぞれの基板収容孔19の内壁15dには、孔中心に向けて突出する基板支持部21が設けられている。本実施の形態では、基板支持部21は内壁15dの全周に設けられており、平面視で円環状である。それぞれの基板収容孔19にはそれぞれ1枚の基板2が収容される。基板収容孔19に収容された基板2は、その外周縁部2aの下面部分が基板支持部21の上面21aに支持される。また、基板収容孔19はトレイ本体15aを厚み方向に貫通するように形成されているので、トレイ本体15aの下面側から見ると、基板収容孔19により基板2の下面が露出した状態とされている。トレイ本体15aには、外周縁を部分的に切り欠いたノッチ15eが形成されており、搬送時などでトレイ15を取り扱う際に、センサ等を用いてトレイ15の向きを容易に確認できる。次に、図1~図3を参照して、基板ステージ9について説明する。図1に示すように、基板ステージ9は、セラミクス等の誘電体部材により形成されたステージ上部23と、表面にアルマイト被覆を形成したアルミニウム等により形成され、バイアス電圧が印加される下部電極として機能する金属ブロック24と、絶縁体25と、金属製のシールド27とを備える。基板ステージ9の最上部に配置されるステージ上部23は、金属ブロック24の上面に固定されており、ステージ上部23および金属ブロック24の外周が絶縁体25により覆われて、さらに絶縁体25の外周が金属により形成されたシールド27により覆われている。図2に示すように、ステージ上部23は円板状に形成されており、ステージ上部23の上端面は、トレイ15の下面15cを支持するトレイ支持部28となっている。また、トレイ15のそれぞれの基板収容孔19と対応する短円柱状の4個の基板保持部29がトレイ支持部28から上向きに突出している。さらにステージ上部23上には、トレイ支持部28を囲むように配置され、ステージ上部23から上向きに突出して形成された環状のガイドリング30が配置されている。このガイドリング30は、ステージ上部23において、トレイ15の配置位置を案内する役目を担っている。図1に示すように、ステージ上部23に設けられた個々の基板保持部29の保持面31付近にはESC電極静電吸着用電極40が内蔵されている。これらのESC電極40は電気的に互いに絶縁されており、直流電源を内蔵するESC駆動電源部41から静電吸着用の直流電圧が印加される。図1に示すように、それぞれの基板保持部29の保持面31の周縁部分には複数の冷却ガス供給孔71が設けられており、保持面31の中央部には冷却ガス排気孔73が設けられている。これら冷却ガス供給孔71と冷却ガス排気孔73は冷却ガス供給路72bと冷却ガス排気路74bによって冷却ガス制御部75に接続されている。本実施の形態では、冷却ガスとしてヘリウムHeガスが用いられ、プラズマ処理中において、基板保持部29の保持面31と基板2との間に形成される空間内に冷却ガスが供給されることで基板2の冷却が行われる。なお、冷却ガス制御部75の詳細構成については後述する。金属ブロック24には、バイアス電圧としての高周波を印加する第2の高周波電源部56が電気的に接続されている。第2の高周波電源部56はマッチング回路を備えている。また、金属ブロック24内には、金属ブロック24を冷却するための冷媒流路60が形成されており、冷却ユニット59より温度調節された冷媒が冷媒流路60に供給されることで、金属ブロック24が冷却される。図1に示すように、基板ステージ9には、トレイ支持部28上に配置された状態のトレイ15をその下面側から押し上げて突き上げてトレイ15とともにそれぞれの基板2を上昇させる複数本のトレイ押上ロッド18が備えられている。それぞれのトレイ押上ロッド18は、トレイ支持部28の上面より突出した押上位置と、トレイ支持部28内に格納された格納位置との間で駆動機構17により昇降駆動される。ドライエッチング装置1には、図示しない制御部が備えられている。ドライエッチング装置1が備えるそれぞれの構成部である、第1の高周波電源部7、第2の高周波電源部56、ESC駆動電源部41、駆動機構17、冷却ユニット59、および圧力制御部13などの動作が他の構成部の動作と関連付けられながら統括的に制御部により制御される。本実施の形態のドライエッチング装置1では、基板2としてサファイア基板が取り扱われ、エッチング処理プラズマ処理として、サファイア基板2の表面に微小な凹凸構造を形成する加工PSS:PatternedSapphireSubstrateが行われる。なお、このように基板2の表面に微小な凹凸構造を形成する加工を基板表面の粗面化加工または表面テキスチャ加工と言うこともできる。ここで、基板ステージ9に形成された基板保持部29の平面図を図4に示し、断面図を図5に示す。図4および図5に示すように、基板保持部29は、基板2が載置される保持面31を備えている。保持面31は、基板2の形状に合わせて大略円形状に形成されており、図4に示すように、その外周の一部に直線部分が形成されている場合であっても良い。保持面31の外周全体を囲むように保持面31より第1壁部61が突出して形成されており、第1壁部61の内側には保持面31より第2壁部62が突出して形成されている。さらに、第2壁部62により囲まれた保持面31の領域内には、円柱状の突起部分である多数のディンプル部63が形成されている。図5に示すように、基板保持部29の保持面31に基板2が載置されると、基板2の下面が、第1壁部61、第2壁部62、およびそれぞれのディンプル部63の上面と接触して支持された状態とされる。また、基板2の下面と保持面31との間には、第1壁部61および第2壁部62により囲まれた空間Sが形成される。この空間内にHeガスが導入されることにより、エッチング処理時に基板2の冷却が行われる。保持面31における第2壁部62の内側近傍には複数の冷却ガス供給孔71が配置されており、例えば、それぞれの冷却ガス供給孔71が、第2壁部62に沿った同心円上に均等な間隔ピッチにて配置されている。これらの冷却ガス供給孔71は冷却ガス供給路72bに連通されており、冷却ガス供給路72bよりそれぞれの冷却ガス供給孔71を通して空間S内にHeガスが導入可能とされている。また、保持面31の中央には、空間S内に導入されたHeガスを排気する冷却ガス排気孔73が形成されている。冷却ガス排気孔73は、例えば、保持面31の中心に1個形成されており、冷却ガス排気路74bに連通されている。なお、冷却ガス排気孔73は複数形成されているような場合であっても良い。図1に示すように、それぞれの基板保持部29の保持面31に形成された冷却ガス供給孔71は、共通の冷却ガス供給路72bに連通されており、冷却ガス排気孔73は、共通の冷却ガス排気路74bに連通されている。次に、冷却ガス制御部75について説明する。図5に示すように、冷却ガス制御部75は、空間S内において基板2の周縁領域R1に接する第1空間部分S1へそれぞれの冷却ガス供給孔71を通して冷却ガスを供給するとともに、基板2の中央領域R2に接する第2空間部分S2から冷却ガス排気孔73を通して冷却ガスを排気する。冷却ガス制御部75は、冷却ガス供給孔71から供給する冷却ガスの流量と冷却ガス排気孔73から排気する冷却ガスの流量を制御することで、第2空間部分S2の冷却ガスの圧力が第1空間部分S1よりも低い状態となるようにするものである。ここで、冷却ガス制御部75の構成図を図10に示す。図10に示すように冷却ガス制御部75は、冷却ガス供給部図示せずに接続された冷却ガス供給路72aと冷却ガス供給路72bを接続する供給側内部流路72cと、冷却ガス排気路74bと排気設備図示せずにつながる冷却ガス排気路74aを接続する排気側内部流路74cを備えている。供給側内部流路72cには、流量調整部76と開閉バルブ77が設けられている。流量調整部76は供給側内部流路72c内を通る冷却ガスの流量を所定の値に保つように調整する。開閉バルブ77は冷却ガスの供給を停止するための開閉バルブである。排気側内部流路74cには圧力調整バルブ79と圧力測定部80が設けられている。圧力調整バルブ79は主に保持面31と基板2の空間のうち基板2の中心領域に接する部分第2空間部分S2の冷却ガスの圧力を調整する。圧力測定部80は、第2空間部分S2における冷却ガスの圧力を測定する。冷却ガス制御部75は、供給側内部流路72cと排気側内部流路74cを接続する圧力調整流路78aを備えている。圧力調整流路78aは圧力測定部78cと圧力調整バルブ78bを備えている。圧力測定部78cは、保持面31と基板2との間の空間のうち基板2の周縁領域に接する部分第1空間部分S1の冷却ガスの圧力を測定する。圧力調整バルブ78bは供給側内部流路72cから排気側内部流路74cへ逃がす冷却ガスの流量を調整することにより、主に第1空間部分S1における冷却ガスの圧力を調整する。さらに冷却ガス制御部75は、供給側内部流路72cと排気側内部流路74cを接続する2つのバイパス流路82a,83aを備えている。各々のバイパス流路は常時は閉じている開閉バルブ82b,83bを備えている。供給側内部流路72cや冷却ガス供給路72bに残留する冷却ガスを速やかに排気したい場合には、開閉バルブ82b,83bを開いて排気を行う。次に、上述したような構成を有するドライエッチング装置1を用いて、複数の基板2に対してエッチング処理を行う方法について説明する。なお、以降に説明するそれぞれの処理は、ドライエッチング装置1が備える制御部によりそれぞれの構成部が予め設定されたプログラムおよび運転条件に基づいて制御されることにより実施される。トレイ搬入処理まず、トレイ搬入処理を実施する。具体的には、ドライエッチング装置1において、チャンバ3を開放状態とさせる。その後、4個の基板収容孔19にそれぞれ基板2が収容された状態のトレイ15を、搬送機構によりチャンバ3内に搬入する。チャンバ3内では、駆動機構17によって駆動されたトレイ押上ロッド18が上昇し、ハンド部からトレイ押上ロッド18の上端にトレイ15が移載される。トレイ15の移載後、搬送機構はチャンバ3外へ待避し、チャンバ3が閉鎖される。上端にトレイ15を支持したトレイ押上ロッド18は、その押上位置から基板ステージ9内に格納される格納位置に向けて降下する。トレイ15は下面15cが基板ステージ9のステージ上部23のトレイ支持部28まで降下し、トレイ15はステージ上部23のトレイ支持部28によって支持される。トレイ15がトレイ支持部28に向けて降下する際に、ステージ上部23の基板保持部29がトレイ15の対応する基板収容孔19内にトレイ15の下面15c側から進入する。トレイ15の下面15cがトレイ支持部28に当接する前に、基板保持部29の上端面である保持面31が、基板2の下面に当接する。さらにトレイ15を下降させてトレイ15の下面15cをトレイ支持部28上に載置すると、それぞれの基板2の縁部2aが基板支持部21の上面21aから持ち上げられて、トレイ15と基板2とが互いに離間した状態となる。なお、トレイ15は、ガイドリング30によりその配置位置が位置決めされるため、それぞれの基板2は基板保持部29に対して高い位置決め精度で配置される。その後、それぞれの基板保持部29に内蔵されたESC電極40に対してESC駆動電源部41から直流電圧を印加する。エッチング処理次に、エッチング処理を実施する。具体的には、エッチング処理用のガスとしては、BCl3が主体のガスにCF4ガスを所定の混合比率にて混合した混合ガスが用いられ、ガス導入口3bを通じて混合ガスがチャンバ3内に供給される。それとともに、圧力制御部13によりチャンバ3内は所定圧力に調整される。続いて、第1の高周波電源部7からICPコイル5に高周波電圧を印加する。これによりチャンバ3内にプラズマが発生する。また、チャンバ3内にプラズマが発生することにより基板2と基板保持部29の間に静電吸着力が発生し、それぞれの基板保持部29の保持面31に基板2が静電吸着される。基板2の下面はトレイ15を介することなく保持面31上に直接配置されている。したがって、基板2は保持面31に対して高い密着度で保持される。その後、それぞれの基板保持部29の保持面31と基板2の下面との間に存在する空間S内の第1空間部分S1に、それぞれの冷却ガス供給孔71を通して冷却ガスとしてHeガスが供給され、この空間Sに冷却ガスが充填される。それとともに、空間S内に充填されたHeガスは、空間S内の第2空間部分S2より冷却ガス排気孔73を通して、Heガスが排気される。さらに、空間S内に供給されたHeガスは、それぞれの冷却ガス供給孔71の近傍の第1空間部分S1から、冷却ガス排気孔73の近傍の第2空間部分S2へと流れることになるが、それぞれの冷却ガス供給孔71と冷却ガス排気孔73との間には、多数のディンプル部63が配置されているため、Heガスに対して流れの抵抗が与えられる。第1空間部分S1及び第2空間部分S2におけるHeガスの圧力は、冷却ガス制御部75によって調整される。ここで、このようにHeガスの供給および排気が行われている状態における空間S内のHeガスの圧力分布実施例について、図6のグラフに示す。図6に示すように、基板2の周縁領域R1でのHeガスの圧力P3よりも、中央領域R2のHeガスの圧力P4が低くなっている。これは、上述した従来の圧力分布図9とは全く逆の傾向となっている。なお、図6において、従来の圧力分布を比較のために二点鎖線にて示す。このように空間S内に冷却ガスが十分に充填された状態所定の圧力に保たれた状態にて、第2の高周波電源部56により基板ステージ9の金属ブロック24にバイアス電圧を印加し、チャンバ3内で発生したプラズマを基板ステージ9側へ引き寄せる。これにより、基板2に対するエッチング処理が行われて、基板2の表面に対するPSS加工が実施される。1枚のトレイ15で4枚の基板2を基板ステージ9上に載置できるので、バッチ処理が可能である。ここで、サファイア基板2の表面に対するエッチング処理を行うことにより実施されるPSS加工についてその概略を、図7A~Eの説明図を用いて説明する。まず、図7Aに示すように、基板2の表面には突起状の複数のレジスト51レジスト膜が配置されている。これらのレジスト51は、基板2の表面に形成される凹凸構造に応じたマスクパターンを形成する。次に、基板2に対するエッチング処理が開始されると、レジスト51により覆われていない基板2の表面がプラズマに曝されてエッチングされる。具体的には、基板2の表面に対しては、イオンエッチングと、活性種ラジカルとの化学反応によるエッチングが行われる。一方、レジスト51自体もプラズマに曝されるため、基板2に対するエッチングの進行とともに、エッチングされることになる。具体的には、レジスト51に対しては、イオンエッチングが行われるとともに、基板2に対するエッチングにより発生したOやClによるエッチングが併せて行われる。さらに、エッチングの進行に伴い、アルミニウムやレジスト由来のカーボン系の副生成物デポデポジションが発生する。このデポ52はサファイア基板2の表面やレジスト51に付着する。サファイア基板2の表面やレジスト51の頂部では、デポ52の付着量よりもイオンエッチングによる除去量が勝っているため、デポ52の膜は形成されない。一方、レジスト51の側面ではイオンエッチングの作用が弱いため、付着したデポ52が残存して膜を形成する図7B参照。このデポ52の膜は、エッチングの進行に伴って成長し、その一部は基板2の表面を徐々に覆いながら広がっていく。このように、マスクとして機能するデポ52が基板2のエッチングの進行に伴って広がることで、基板2の表面において、レジスト51およびデポ52にて覆われた部分に、テーパ面を有する円錐台状の突起53が形成される図7C参照。エッチングの進行に伴い、レジスト51が後退するすなわち、容積が減少すると、レジスト51の側面や突起53のテーパ面におけるイオンエッチング効果が次第に強くなり、デポ52も消失する図7D参照。この段階で基板2に対するエッチングを停止すれば、その頂部にレジスト51が配置された複数の円錐台状の突起53から成る凹凸構造を備えたPSSが得られる。その後、さらにエッチングを継続すると、レジスト51が完全に消滅して、図7Eに示すように、複数の円錐状の突起53から成る高さHを有す凹凸構造を備えたPSSが得られる。このような基板2に対するエッチング処理の際に、基板2と基板保持部29との間の空間S内に充填されたHeガスの圧力が、周縁領域R1の圧力P3が高く、中央領域R2の圧力P4が低くなるような圧力分布に制御されている。そのため、基板2の中央領域R2では、Heガスによる冷却効果が周縁領域R1に比して抑えられることになる。その結果、図6のグラフに示すように、基板2の中央領域R2における温度T4を、周縁領域R1における温度T3よりも高くすることができる。よって、基板2の中央領域R2において、PR選択比の低下を補正して高めることができ、基板2の周縁領域R1に形成される凹凸構造の高さと、中央領域R2に形成される凹凸構造の高さとの均一化を図ることができる。また、エッチング処理中は、Heガスによる冷却に加えて、冷却ユニット59によって冷媒流路60中で冷媒を循環させて金属ブロック24を冷却し、それによってステージ上部23及び保持面31に保持された基板2が冷却される。その後、所定の処理時間経過すると、第2の高周波電源部56による基板ステージ9の金属ブロック24へのバイアス電圧の印加を停止するとともに、エッチング処理用のガスの供給を停止して、基板2に対するエッチング処理が完了する。その後、第1の高周波電源部7によるICPコイル5への高周波電圧の印加を停止する。トレイ搬出処理続いて、チャンバ3内からそれぞれの基板2をトレイ15とともに搬出するトレイ搬出処理を実施する。具体的には、駆動機構17によりそれぞれのトレイ押上ロッド18を上昇させて、その上端でトレイ15の下面15cが押し上げられ、ステージ上部23のトレイ支持部28からトレイ15が浮き上がる。トレイ押上ロッド18とともにトレイ15がさらに上昇すると、トレイ15の基板支持部21と基板2の縁部2aの下面とが接触して、それぞれの基板2がトレイ15により支持された状態にて押し上げられ、基板保持部29の保持面31から浮き上がる。その後、チャンバ3が開放されて、4個の基板収容孔19にそれぞれ基板2が収容された状態のトレイ15が、トレイ押上ロッド18から搬送機構に受け渡されて、トレイ15に支持された状態の基板2が搬出される。本実施の形態に基板2のエッチング処理方法によれば、エッチング処理工程において、サファイア基板2の中央領域R2に接する空間S内の第2空間部分S2のHeガスの圧力P4が第1空間部分S1のHeガスの圧力P3よりも低い状態にて、エッチング処理が行われる。これにより、エッチング処理の際に、基板2の中央領域R2の温度T4が周縁領域R1の温度T3よりも高い状態とすることができ、中央領域R2におけるPR選択比を、従来の手法に比して高めることができる。よって、サファイア基板2の周縁領域R1と中央領域R2との間における凹凸構造の高さのバラツキを補正して、凹凸構造の高さの均一化を図ることができる。このように空間S内におけるHeガスの圧力差の形成は、基板保持部29の保持面31において、周縁領域R1に相当する領域に複数の冷却ガス供給孔71を形成して、中央領域R2に相当する領域に冷却ガス排気孔73を形成して、Heガスの供給および排気を行うことにより実現できる。また、保持面31において、冷却ガス供給孔71と冷却ガス排気孔73との間に複数のディンプル部63を配置することにより、Heガスの流れに対して抵抗を付けるすなわち、流れを阻害することができ、圧力差を高めることが可能となる。また、基板保持部29の保持面31において、周縁領域R1に第1壁部61および第2壁部62の2重の壁部が設けられていることにより、空間S内に充填されたHeガスが周縁領域R1より漏れる量を低減することができ、圧力差の形成に寄与する。このように空間S内に充填されたHeガスに圧力差を設けることで、基板2の中央領域R2の温度T4を、周縁領域R1の温度T3よりも高めることが可能となる。これにより、このような温度の補正により、PR選択比を補正することが可能となり、凹凸構造の高さの均一化が図れる。なお、基板2の温度差としては、中央領域R2の温度T4が、周縁領域R1の温度T3よりも、5~10°C程度高くなるように、Heガスの圧力差が調整されることが望ましい。また、中央領域R2の温度T4が周縁領域R1の温度T3より高く設定されれば、中央領域R2におけるPR選択比を高める効果を得ることができるが、凹凸構造の高さの均一化効果を高めるためには、中央領域R2内の温度分布が均一な温度であることが好ましい。上述の説明では、図4に示すように、基板保持部29の保持面31に多数の円柱状のディンプル部63が突起構造として形成されている場合を例として説明したが、このような突起構造としては、円柱状のディンプル部の他にも様々な構造のものを採用することができる。このような突起構造は、基板2の裏面を支持しかつHeガスの流れに対して抵抗を付けることができるような構造であれば良く、例えば、図8に示すように、同心円上に不連続に配置された複数の部分壁部64として形成しても良い。また、このような部分壁部64は、ディンプル部63と混在させても良い。なお、本実施の形態において、基板2の周縁領域R1と中央領域R1とは、両者に対比において、周縁側であるか中央側であるかを理解できるように区分される領域であれば良い。なお、上記様々な実施形態のうちの任意の実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。"