"真空容器内にて複数種類の処理ガスを順番に基板に供給するサイクルを複数回繰り返して薄膜を形成する成膜装置において、前記真空容器内に設けられ、周方向に沿って基板を載置する基板載置領域をその上面に備えると共に、この基板載置領域を公転させるための回転テーブルと、前記回転テーブルの周方向に沿って配置され、互いに異なる種類のガスにより基板を処理するための複数の処理領域と、前記処理領域毎に、基板載置領域の外縁から内縁に亘って伸びるように設けられ、処理ガスを吐出するガス吐出口がその長さ方向に形成された処理ガスノズルと、分離ガス供給部から分離ガスが供給されると共に、前記複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するために各処理領域の間に配置された分離領域と、処理領域毎に処理ガスノズルに対して回転テーブルの回転方向の下流側にて、前記回転テーブルの周縁よりも外側位置に開口し、前記処理ガス及び分離ガスを排気するための排気口と、前記複数の処理領域の少なくとも一つにおいて、前記排気口を覆い、処理ガスノズルとこの処理ガスノズルの下流側の分離領域との間にて、基板載置領域の外縁から内縁に亘って伸びるように設けられた中空体よりなる排気部材と、を備え、この排気部材には、回転テーブルの周縁よりも外方側の位置に第1の排気用開口部が設けられると共に、基板載置領域の少なくとも内縁側の位置に第2の排気用開口部が設けられることを特徴とする成膜装置。前記排気用開口部は、中空体の下面及び側面の少なくとも一方に設けられることを特徴とする請求項1記載の成膜装置。前記排気部材は、前記真空容器に対して着脱自在に設けられていることを特徴とする請求項1又は2記載の成膜装置。前記排気用開口部は、前記排気部材の長手方向に沿って配列された複数のスリットを含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の成膜装置。前記排気部材は、処理ガスノズルと対向する側面が、ガス吐出口と略平行に設けられることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の成膜装置。前記第2の排気用開口部は、基板載置領域の内縁側に向うにつれて、開口領域が大きくなるように形成されることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の成膜装置。前記排気用開口部は排気部材の長さ方向に沿って形成され、前記排気用開口部の一部を塞ぐための蓋部材を、前記排気部材に着脱自在に設けたことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一つに記載の成膜装置。真空容器内にて複数種類の処理ガスを順番に基板に供給するサイクルを複数回繰り返して薄膜を形成する成膜装置において、前記真空容器内に設けられ、周方向に沿って基板を載置する基板載置領域をその上面に備えると共に、この基板載置領域を公転させるための回転テーブルと、前記回転テーブルの周方向に沿って配置され、互いに異なる種類のガスにより基板を処理するための複数の処理領域と、前記処理領域毎に、基板載置領域の外縁から内縁に亘って伸びるように設けられ、処理ガスを供給するガス吐出口がその長さ方向に形成された処理ガスノズルと、分離ガス供給部から分離ガスが供給されると共に、前記複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するために各処理領域の間に配置された分離領域と、処理領域毎に処理ガスノズルに対して回転テーブルの回転方向の下流側にて、前記回転テーブルの周縁よりも外側位置に開口し、前記処理ガス及び分離ガスを排気するための排気口と、前記複数の処理領域の少なくとも一つにおいて、処理ガスノズルと排気口の間にて、排気口の側方から基板載置領域の内縁に亘って伸び、かつ回転テーブルの上面から浮上して立設する板状の規制部材と、を備え、前記規制部材は、処理ガスノズルから供給される処理ガスが当該規制部材の下方側を通過して排気口に向うように、処理ガスの流れを規制することを特徴とする成膜装置。本発明はこのような事情に基づいて行われたものであり、その目的は、複数種類の処理ガスを順番に基板に供給して薄膜を形成するにあたり、面内均一性の高い成膜処理を行うことができる技術を提供することにある。本発明の成膜装置は、真空容器内にて複数種類の処理ガスを順番に基板に供給するサイクルを複数回繰り返して薄膜を形成する成膜装置において、前記真空容器内に設けられ、周方向に沿って基板を載置する基板載置領域をその上面に備えると共に、この基板載置領域を公転させるための回転テーブルと、前記回転テーブルの周方向に沿って配置され、互いに異なる種類のガスにより基板を処理するための複数の処理領域と、前記処理領域毎に、基板載置領域の外縁から内縁に亘って伸びるように設けられ、処理ガスを吐出するガス吐出口がその長さ方向に形成された処理ガスノズルと、分離ガス供給部から分離ガスが供給されると共に、前記複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するために各処理領域の間に配置された分離領域と、処理領域毎に処理ガスノズルに対して回転テーブルの回転方向の下流側にて、前記回転テーブルの周縁よりも外側位置に開口し、前記処理ガス及び分離ガスを排気するための排気口と、前記複数の処理領域の少なくとも一つにおいて、前記排気口を覆い、処理ガスノズルとこの処理ガスノズルの下流側の分離領域との間にて、基板載置領域の外縁から内縁に亘って伸びるように設けられた中空体よりなる排気部材と、を備え、この排気部材には、回転テーブルの周縁よりも外方側の位置に第1の排気用開口部が設けられると共に、基板載置領域の少なくとも内縁側の位置に第2の排気用開口部が設けられることを特徴とする。また、本発明の他の発明は、真空容器内にて複数種類の処理ガスを順番に基板に供給するサイクルを複数回繰り返して薄膜を形成する成膜装置において、前記真空容器内に設けられ、周方向に沿って基板を載置する基板載置領域をその上面に備えると共に、この基板載置領域を公転させるための回転テーブルと、前記回転テーブルの周方向に沿って配置され、互いに異なる種類のガスにより基板を処理するための複数の処理領域と、前記処理領域毎に、基板載置領域の外縁から内縁に亘って伸びるように設けられ、処理ガスを供給するガス吐出口がその長さ方向に形成された処理ガスノズルと、分離ガス供給部から分離ガスが供給されると共に、前記複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するために各処理領域の間に配置された分離領域と、処理領域毎に処理ガスノズルに対して回転テーブルの回転方向の下流側にて、前記回転テーブルの周縁よりも外側位置に開口し、前記処理ガス及び分離ガスを排気するための排気口と、前記複数の処理領域の少なくとも一つにおいて、処理ガスノズルと排気口の間にて、排気口の側方から基板載置領域の内縁に亘って伸び、かつ回転テーブルの上面から浮上して立設する板状の規制部材と、を備え、前記規制部材は、処理ガスノズルから供給される処理ガスが当該規制部材の下方側を通過して排気口に向うように、処理ガスの流れを規制することを特徴とする。本発明によれば、回転テーブルを回転させることにより、複数の処理ガスを順番に供給して反応生成物を基板上に形成するにあたり、複数の処理領域の少なくとも一つにおいて、当該処理領域に対応する処理ガスノズルから供給される処理ガスが、回転テーブルの径方向に高い均一性を持って供給される。このため、面内均一性の高い成膜処理を行うことができる。本発明の成膜装置の一実施の形態について、図1~図7を参照しながら説明する。前記成膜装置は、図1図3のI-I’線に沿った断面図に示すように、平面形状が概ね円形である扁平な真空容器1と、この真空容器1内に設けられ、当該真空容器1の中心に回転中心を有し、水平面に沿って回転する回転テーブル2と、を備えている。真空容器1は天板11が容器本体12に対して着脱できるように構成されている。天板11の上面側における中央部には、真空容器1内の中心部領域Cにおいて互いに異なる処理ガス同士が混ざり合うことを抑制するための分離ガスを供給する分離ガス供給管30aが接続されている。図1中13は、容器本体12の上面の周縁部にリング状に設けられたシール部材例えばOリングである。回転テーブル2は、中心部にて概略円筒形状のコア部21に固定されており、このコア部21は、鉛直方向に伸びる回転軸22によって、鉛直軸回り、この例では時計回りに回転自在に構成されている。図1中23は、回転軸22を鉛直軸回りに回転させる駆動部であり、20は回転軸22及び駆動部23を収納するケース体である。このケース体20は、上面側のフランジ部分が真空容器1の底面部14の下面に気密に取り付けられている。また、このケース体20には、回転テーブル2の下方領域にN2ガスをパージガスとして供給するためのパージガス供給管30bが接続されている。真空容器1の底面14におけるコア部21の外周側は、回転テーブル2に下方側から近接するようにリング状に形成されて突出部12aを成している。回転テーブル2の表面部には、図2及び図3に示すように、回転方向周方向に沿って複数枚例えば5枚の基板であるウエハWを載置するための円形状の凹24が基板載置領域として設けられている。この凹部24は、例えばウエハWを当該凹部24に落とし込む収納すると、ウエハWの表面と回転テーブル2の表面ウエハWが載置されない領域とが揃うように、直径寸法及び深さ寸法が夫々設定されている。凹部24の底面には、ウエハWを下方側から突き上げて昇降させるための昇降ピンが貫通する貫通孔図示せずが形成されている。図2及び図3に示すように、回転テーブル2における凹部24の通過領域と各々対向する位置には、各々例えば石英からなる4本のガスノズル31,32,41,42が真空容器1の周方向回転テーブル2の回転方向に互いに間隔をおいて放射状に配置されている。これらガスノズル31,32,41,42は、例えば真空容器1の外周壁から中心部領域Cに向って基板載置領域24に対向して水平に伸びるように各々取り付けられている。この例では、後述の搬送口15から見て時計回り回転テーブル2の回転方向に、分離ガスノズル41、第1の処理ガスノズル31、分離ガスノズル42及び第2の処理ガスノズル32がこの順番で配列されている。分離ガスノズル41,42は、各々分離ガス供給部を成している。各ガスノズル31,32,41,42は、流量調整バルブを介して、以下の各供給源図示せずに夫々接続されている。即ち、第1の処理ガスノズル31は、Siシリコンを含む第1の処理ガス例えばBTBASビスターシャルブチルアミノシラン、SiH2NH-CCH332等の供給源に接続されている。第2の処理ガスノズル32は、第2の処理ガス例えばO3オゾンガスの供給源に接続されている。分離ガスノズル41,42は、分離ガスであるN2窒素ガスのガス供給源に各々接続されている。ガスノズル31,32,41,42の下面側には、その長さ方向に沿って複数箇所に、ガス吐出口33図4参照が例えば等間隔に形成されている。これらガスノズル31,32,41,42は、当該ガスノズル31,32,41,42の下端縁と回転テーブル2の上面との離間距離が例えば1mm~5mmになるように配置されている。第1の処理ガスノズル31及び第2の処理ガスノズル32の下方領域は、夫々Si含有ガスをウエハWに吸着させるための第1の処理領域P1及びウエハWに吸着したSi含有ガスとO3ガスとを反応させるための第2の処理領域P2となる。分離ガスノズル41,42は、各々第1の処理領域P1と第2の処理領域P2とを分離する分離領域Dを形成するためのものである。この分離領域Dにおける真空容器1の天板11には、図2及び図3に示すように、概略扇形の凸状部4が設けられており、分離ガスノズル41,42は、図4に示すように、前記凸状部4に形成された溝部43内に収められている。従って、分離ガスノズル41,42における回転テーブル2の周方向両側には、各処理ガス同士の混合を阻止するために、前記凸状部4の下面である低い天井面44が配置され、この天井面44の前記周方向両側には、当該天井面44よりも高い天井面45が配置されている。前記低い天井面44の下面と回転テーブル2の上面との離間距離は例えば1mm~4mmになるように設定されている。図5図3のH-H’線に沿った断面図に示すように、凸状部4の周縁部46真空容器1の外縁側の部位は、各処理ガス同士の混合を阻止するために、回転テーブル2の外端面に対向すると共に容器本体12に対して僅かに離間するように、L字型に屈曲している。回転テーブル2と真空容器1の底面部14との間の空間には、図1に示すように、加熱機構であるヒータユニット5が設けられ、回転テーブル2を介して回転テーブル2上のウエハWを例えば300°Cに加熱するようになっている。図1中51はヒータユニット5の側方側に設けられたカバー部材、52はこのヒータユニット7の上方側を覆う覆い部材である。また、真空容器1の底面部14には、ヒータユニット5の下方側において、ヒータユニット5の配置空間をパージするためのパージガス供給管53が周方向に亘って、複数箇所に設けられている。回転テーブル2の外周側には、真空容器1の内壁との間に、凹部状の気流通路6が、周方向に亘ってリング状に形成されている。この気流通路6には、互いに周方向に離間するように2箇所に排気口61,62が形成されている。これら2つの排気口61,62のうち、一方及び他方を夫々第1の排気口61及び第2の排気口62と呼ぶと、第1の排気口61は、第1の処理ガスノズル31と、当該第1の処理ガスノズル31よりも回転テーブル2の回転方向下流側における分離領域Dとの間において、当該分離領域D側に寄った位置に形成されている。また、第2の排気口62は、第2の処理ガスノズル32と、当該第2の処理ガスノズル32よりも回転テーブル2の回転方向下流側における分離領域Dとの間において、当該分離領域D側に寄った位置に形成されている。第1の排気口61は、第1の処理ガス及び分離ガスを排気するためのものであり、第2の排気口62は、第2の処理ガス及び分離ガスを排気するためのものである。これら第1の排気口61及び第2の排気口62は、図1に示すように、各々バタフライバルブ等の圧力調整部64が介設された排気管63により、真空排気機構である例えば真空ポンプ65に接続されている。この例では、カバー部材51に形成された開口部及び、真空容器1の下面14に形成された開口部を介して真空容器1内が排気されるが、カバー部材51に形成された開口部を第1の排気口61及び第2の排気口62としている。この第1の排気口61には、排気ダクト7が例えば着脱自在に設けられている。この排気ダクト7は、排気口61を覆い、第1の処理ガスノズル31とこの処理ガスノズル31の下流側の分離領域Dとの間にて、基板載置領域24の外縁から内縁に亘って伸びるように設けられた中空体よりなる排気部材に相当するものである。この排気ダクト7の基端側は、図6及び図7に示すように、第1の排気口61の周囲を囲むように上下方向に伸びる略円筒状のカバー体71を成しており、その下端は例えば外側に屈曲するフランジ部71aとして構成されている。また、このカバー体71には、回転テーブル2の上方側に略水平に伸びるように中空部材72が、互いの内部領域排気領域が連通するように接続されている。この中空体71は、例えば断面が四角形状の管状体により構成され、前記基板載置領域24域の外縁から内縁に亘って伸びるように設けられている。例えば中空部材72の長さ方向の大きさは、基板載置領域24に載置されたウエハの直径よりも大きく設定され、回転テーブル2の表面部と当該中空部材72の下面との距離H図6参照は、例えば1~4mm程度に設定されている。このような、カバー体71及び中空部材72は、例えば石英やセラミックス、アルミニウム、ステンレス等により構成され、前記フランジ部71aをカバー部材51の第1の排気口61の周囲に当接するように設けることにより、排気ダクト7が第1の排気口61を覆うように、着脱自在に設けられる。なお、フランジ部71aを前記排気口61の周囲にネジ止めにより固定するようにしてもよい。こうして、排気口61に排気ダクト7を設けることにより、排気口61から見ると、当該排気口61から上方側に伸び、次いで回転テーブル2の中央側に向けて水平に伸びる排気領域が形成されることになる。この例では、前記カバー体71の両側面には、例えば中空部材72側に寄った位置に、夫々上下方向に伸びるスリット7373a,73bが、その周方向に沿って複数個形成されている。これらスリット73は、回転テーブル2の周縁よりも外方側の位置に設けられる第1の排気用開口部に相当する。また、前記中空部材72の底面には、カバー体71側に寄った位置に、中空部材72の幅方向図7中Y方向に伸びるスリット74が中空部材72の長さ方向図7中X方向に沿って複数個形成されている。さらに、中空部材72の底面における、スリット74よりも中空部材72の先端側に向う領域には開口部75が形成されている。さらにまた、中空部材72の両側面には、例えばカバー体71側に寄った位置に、夫々上下方向に伸びるスリット7676a,76bが、その長さ方向に沿って複数個形成されている。これらスリット74,76及び開口部75は、第2の排気用開口部に相当するものである。真空容器1内の説明に戻ると、天板11の下面における中央部には、図1に示すように、中心部領域Cの外側に、周方向に亘って概略リング状に形成されると共に、その下面が凸状部4の下面天井面44と同じ高さに形成された突出部47が設けられている。この突出部47よりも回転テーブル2の回転中心側におけるコア部21の上方側には、中心部領域Cにおいて第1の処理ガスと第2の処理ガスとが互いに混ざり合うことを抑制するためのラビリンス構造48が配置されている。真空容器1の側壁には、図2及び図3に示すように、図示しない外部の搬送アームと回転テーブル2との間において、ウエハWの受け渡しを行うための搬送口15が形成されており、この搬送口15はゲートバルブGにより気密に開閉自在に構成されている。また、回転テーブル2の凹部24は、この搬送口15に臨む位置にて搬送アームとの間でウエハWの受け渡しが行われることから、回転テーブル2の下方側において、当該受け渡し位置に対応する位置には、凹部24を貫通してウエハWを裏面から持ち上げるための受け渡し用の昇降ピン及びその昇降機構いずれも図示せずが設けられている。また、この成膜装置には、装置全体の動作のコントロールを行うためのコンピュータからなる制御部100が設けられており、この制御部100のメモリ内には、後述の成膜処理を行うためのプログラムが格納されている。このプログラムは、後述の装置の動作を実行するようにステップ群が組まれており、ハードディスク、コンパクトディスク、光磁気ディスク、メモリカード、フレキシブルディスク等の記憶媒体から制御部内にインストールされる。次に、上述実施の形態の作用について説明する。先ず、ゲートバルブGを開き、回転テーブル2を間欠的に回転させながら、図示しない搬送アームにより搬送口15を介して、回転テーブル2上に例えば5枚のウエハWを載置する。このウエハWには、ドライエッチング処理やCVDchemicalVaporDeposition法等を用いた配線埋め込み工程が既に施されており、当該ウエハWの内部には電気配線構造が形成されている。次いで、ゲートバルブGを閉じ、真空ポンプ65により真空容器1内を引き切りの状態にすると共に、回転テーブル2を例えば120rpmで時計回りに回転させながらヒータユニット5によりウエハWを例えば300°Cに加熱する。続いて、処理ガスノズル31,32から夫々Si含有ガス及びO3ガスを所定の流量で吐出すると共に、分離ガスノズル41,42から分離ガスを所定の流量で吐出する。そして、圧力調整部64により、真空容器1内を予め設定した処理圧力例えば500Paに調整する。ウエハWは回転テーブル2の回転により、第1の反応ガスノズル31が設けられる第1の処理領域P1と第2の反応ガスノズル32が設けられる第2の処理領域P2とを交互に通過するため、Si含有ガスが吸着し、次いでO3ガスが吸着して酸化シリコンの原子層が1層あるいは複数層形成され、こうして酸化シリコンの原子層が順次積層されて所定の膜厚のシリコン酸化膜が成膜される。このとき分離ガス供給管30aからも分離ガスであるN2ガスを供給し、これにより中心部領域Cから回転テーブル2の表面に沿ってN2ガスが吐出する。前記第2の反応ガスノズル32から下方側に吐出され、回転テーブル2の表面に沿って回転方向下流側に向かうO3ガスは、図8に示すように、中心部領域Cから吐出されるN2ガスの流れと第2の排気口62の吸引作用により当該排気口62に向かおうとする。この際、その一部は下流側に隣接する分離領域Dに向かうが、凸状部4は天井面44の下方側へのガスの侵入を防止するために、回転テーブル2との間に狭隘な空間を形成するように構成されると共に、分離領域DからはN2ガスが処理領域P2側へ流れてくるため、O3ガスは扇型の凸状部4の下方側にほとんど流入できない。こうして、O3ガスは中心部領域Cから吐出されているN2ガス及び分離領域DからのN2ガスと共に、回転テーブル2の周縁と真空容器1の内周壁との隙間から排気領域6を介して第2の排気口62に排気される。また、第1の反応ガスノズル31から下方側に吐出され、回転テーブル2の表面に沿って回転方向上流側及び下流側に夫々向かうBTBASガスは、その回転方向上流側及び下流側に隣接する扇型の凸状部4の下方側に全く侵入できないかあるいは侵入したとしても第2の処理領域P2側に押し戻される。こうして、中心部領域Cから吐出されているN2ガス及び分離領域からのN2ガスと共に、第1の排気口61に排気される。この際、第1の排気口61には排気ダクト7が設けられており、第1の処理領域P1の雰囲気は、排気口61を覆うカバー体71に設けられたスリット77を介して回転テーブル2の周縁よりも外側から吸引されると共に、回転テーブル2の径方向に伸びる中空部材72に設けられたスリット74,76及び開口部75を介して回転テーブル2の中央側からも吸引される。ここで、第1の処理ガスノズル31の回転方向の下流側には当該処理ガスノズル31と並ぶように、中空部材72が設けられているので、第1のガスノズル31から吐出されたBTBASガスの大部分は、図6に示すように、当該中空部材72に向って流れていく。そして、中空部材72の側壁72aに衝突し、スリット74,76や開口部75を介して中空部材72内に入り込む。また、BTBASガスの一部は、スリット73を介してカバー体71に入り込み、排気口61から排気されて行く。中空部材72にはその長さ方向に沿ってスリットや開口部が形成され、第1の処理ガスノズル31にはその長さ方向に沿ってガス吐出口が形成されているので、処理ガスノズル31から吐出したBTBASガスは、図8に示すように、回転テーブル2の回転方向に流れて、中空部材72に吸引される。このため、第1の処理ガスノズル31からのBTBASガスは、回転テーブル2上のウエハWに対して、その径方向に高い均一性を持って供給されることになる。ここで、各分離領域Dにおいては、雰囲気中を流れる反応ガスであるSi含有ガスあるいはO3ガスの侵入を阻止するが、ウエハWに吸着されているガス分子はそのまま分離領域つまり扇型の凸状部4による低い天井面44の下方を通過し、成膜に寄与することになる。また、中心部領域Cからは分離ガスが回転テーブル2の周縁に向けて吐出されているので、この中心部領域Cを通って、BTBASガスが第2の処理領域P2に流入することや、O3ガスが第1の処理領域P1に流入することが阻止される。また、分離領域Dにおいては、扇型の凸状部4の周縁部が下方に屈曲され、ガスの通過を実質阻止しているので、第1の処理領域P1のBTBASガス第2の処理領域P2のO3ガスは、回転テーブル2の外側を介して第2の処理領域P2第1の処理領域P1に流入することも阻止される。従って2つの分離領域Dによって第1の処理領域P1の雰囲気と第2の処理領域P2の雰囲気とが完全に分離され、BTBASガスは排気口61に、またO3ガスは排気口62に夫々排気される。こうして成膜処理が終了すると、各ウエハは搬入動作と逆の動作により順次搬出される。こうして、ウエハWの搬出を回転テーブル2を間欠的に回転させて行い、回転テーブル2の5つの凹部24内から夫々ウエハWを搬出する。ここで処理パラメータの一例について記載しておくと、回転テーブル2の回転数は、300mm径のウエハWを被処理基板とする場合例えば1rpm~500rpmこの例では120rpm、プロセス圧力は例えば133Pa~1333Paこの例では500Pa、ウエハWの加熱温度は例えば300°C、BTBASガス及びO3ガスの流量は例えば夫々100sccm及び10000sccm、分離ガスノズル41、42からのN2ガスの流量は例えば20000sccm、真空容器1の中心部の分離ガス供給管51からのN2ガスの流量は例えば5000sccmである。また1枚のウエハに対する反応ガス供給のサイクル数、即ちウエハが処理領域P1、P2の各々を通過する回数は目標膜厚に応じて変わるが、多数回例えば600回である。上述の実施の形態によれば、回転テーブル2の回転方向に複数のウエハWを配置し、回転テーブル2を回転させて第1の処理領域P1と第2の処理領域P2とを順番に通過させていわゆるALDあるいはMLDを行うようにしているため、高いスループットで成膜処理を行うことができる。そして、前記回転方向において第1の処理領域P1と第2の処理領域P2との間に分離領域Dを設けると共に、中心部領域Cから回転テーブル2の周縁に向けて分離ガスを吐出し、分離ガス及びと処理ガスを回転テーブル2の周縁の外方側からに設けられた排気口61,62を介して排気しているため、両反応ガスの混合を防止することができ、この結果良好な成膜処理を行うことができる。また、第1の排気口61に排気ダクト7を設けたので、既述のように、第1の処理ガスノズル31からのBTBASガスが、ウエハWの径方向に対して高い均一性を持って供給される。このため、ウエハWに対して面内均一性が高い状態でBTBASガスを吸着させることができ、後述の実施例より明らかなように、面内均一性の高い成膜処理を行うことができる。さらに、既述のように、回転テーブル2の回転方向に向かうBTBASガスのガス流れが形成されることから、ウエハW全体にBTBASガスが十分に行き渡り、BTBASガスの吸着効率が高くなる。このため、後述の実施例より明らかなように、サイクルレート回転テーブル2の1回転あたりの成膜量が大きい成膜処理を行うことができる。従って、アスペクト比の高い凹部を備えたパターンに対して成膜処理を行う場合であっても、高いカバレッジで薄膜を形成することができる。さらに、排気ダクト7は着脱自在に設けられているので、成膜処理に応じて、排気ダクト7を取り付けたり、外したりすることができて、1台の成膜装置にて実施できる成膜処理の自由度が大きくなる。また、排気ダクト7は、第1の処理領域P1の回転方向下流側に位置する分離領域Dの近傍に、中空部材72が基板載置領域24の内縁から外縁に亘るように設けられている。このため、分離領域Dから当該第1の処理領域P1に流れるN2ガスが速やかに排気ダクト7を介して排気される。これにより、処理領域P1内に流れ込むN2ガスの量が低減するので、N2ガスによるBTBASガスの希釈の程度が小さくなる。この点からも、BTBASガスの高い吸着効率を確保することができる。一方、排気ダクト7を設けない構成では、図9に示すように、第1のガスノズル31から第1の処理領域P1に供給されたBTBASガスは、回転テーブル2の周縁に設けられた第1の排気口61に向って速やかに流れて行く。従って、ウエハWの径方向に高い均一性を持ってBTBASガスを供給することが難しい。また、回転方向下流側から処理領域P1内にN2ガスが流れ込んでくるため、N2ガスによってBTBASガスが希釈され、BTBASガスの吸着効率が低下するおそれもある。さらに、排気ダクト7のカバー体71にはスリット73第1の排気用開口部が設けられ、回転テーブル2の周縁よりも外側からも排気が行われる。このため、回転テーブル2の中央側から第1の排気用開口部を介してBTBASガスを排気ダクト7内に引き込むことによって、BTBASガスの流れ方を調整し、回転テーブル2の周縁近傍領域では、処理領域P1のBTBASガス及び、回転方向下流側の分離領域からの分離ガスを確実に排気している。このため、回転テーブル2の外側に設けられた第1の排気用開口部と、回転テーブル2の中央側に設けられた第2の排気用開口部からの排気とを組み合わせることによって、十分な排気力を確保しながら、処理領域におけるBTBASガスの流れ方を調整することができる。また、排気ダクト7を設けることにより、回転テーブル2上のウエハが排気ダクト7の下方側を通過する際、ウエハ上の雰囲気が排気ダクト7の排気用開口部に吸引される。この際、排気ダクト7は、ウエハWの直径よりも長く構成され、排気ダクト7の下面に形成された排気用開口部は、ウエハWの直上に位置するため、ウエハW全面の上部雰囲気が排気ダクト7によって確実に吸引される。続いて、本発明の成膜装置の他の実施の形態について図10により説明する。この例が上述の第1の実施の形態の成膜装置と異なる点は、第1の処理ガスノズル31と排気ダクト7Aを互いに平行に配置したことである。排気ダクト7Aは、例えば中空部材72の第1のガスノズル31側の側面720が第1のガスノズル31のガス吐出孔33と略平行になるように配置されている。その他の構成は、上述の第1の実施の形態と同様であり、排気ダクト7Aの側面及び下面には第1の排気用開口部及び第2の排気用開口部スリットや開口部が夫々形成されている。このため、第1の処理ガスノズル31の吐出孔33と排気ダクト7Aの排気用開口部との距離は、前記処理ガスノズル31の長さ方向に沿って、ほぼ揃えられていることになる。このような構成では、排気口61を介して排気ダクト7Aを排気すると、処理ガスノズル31近傍の雰囲気は、ガスノズル31の長さ方向に排気量が揃えられた状態で排気ダクト7Aに排気される。これにより、BTBASガスが、第1の処理ガスノズル31の長さ方向に高い均一性を持って供給されることになり、回転テーブル2上のウエハWに対して、面内均一性が高い成膜処理を実施することができる。続いて、本発明の成膜装置のさらに他の実施の形態について図11により説明する。この例が上述の第1の実施の形態の成膜装置と異なる点は、第1のガスノズル31と排気ダクト7Bを互いに平行に配置すると共に、排気ダクト7Bの排気用開口部の開口領域を、その基端側よりも先端側回転テーブル2の中央側が大きくなるように構成したことである。第1のガスノズル31は、基板載置領域24の内縁から外縁に亘って伸びるように設けられており、排気ダクト7Bは、例えば中空部材72の第1のガスノズル31側の側面721が第1のガスノズル31のガス吐出孔33と略平行になるように配置されている。また、この例の中空部材72Bは、その平面形状が、前記先端側に向けて徐々に大きくなる台形状に構成されている。そして、中空部材72Bの形状に合わせて、裏面側に形成された開口部75B排気用開口部も、前記先端側に向けて徐々に大きくなる台形状に構成されている。その他の構成は、上述の第1の実施の形態と同様である。このような構成では、図10の構成と同様に、第1のガスノズル31が排気ダクト7Bと略平行に配置されているので、回転テーブル2上のウエハWに対して、径方向の均一性が高い状態でBTBASガスが供給され、より面内均一性の高い成膜処理を行うことができる。また、排気ダクト7Bは、真空ポンプ65から最も遠い先端側に向うに連れて徐々に排気量が小さくなるが、この例の中空部材72Bは、排気用開口部が先端側に向けて徐々に大きくなるように構成されている。このため、排気量が小さい領域では開口領域を大きくとることでBTBASガスを取り込みやすくして、排気ダクト7Bの長さ方向に沿って、ガスの排気量を揃えている。さらに、排気ダクト7は、成膜処理の種別に応じて、第1の排気用開口部及び第2の排気用開口部を、その長さ方向の異なる位置に形成するようにしてもよい。このように第1の排気用開口部及び第2の排気用開口部の形成部位や開口面積を変えると、カバー体71や中空体72の排気能力を調整することができ、ガス通流空間のコンダクタンスを調整することができる。また、本発明の排気ダクト7では、回転テーブル2の周縁よりも外側に第1の排気用開口部を形成すると共に、回転テーブル2の中央側に第2の排気用開口部を形成していることから、排気口61に近い第1の排気用開口部の開口面積を調整することにより、中空体72の排気能力が変化の程度が大きくなる。図12に示す排気ダクト7Cは、その先端側基板載置領域24の内縁側に第2の排気用開口部をなすスリット76C及び開口部75Cを形成した例である。このように、第2の排気用開口部を先端側に設けると、図13に示すように、排気ダクト7の先端側からBTBASガスが吸引されるため、第1の処理ガスノズル31から吐出されたBTBASガスは、排気ダクト7Cの先端側に向うように流れ、先端側のスリット76cから排気ダクト7C内に取り込まれる。このため、第1の処理領域P1では、回転テーブル2の中央側に向う流れが形成される。このように、排気ダクト7の長さ方向の排気用開口部の形成部位に応じて、処理領域P1内の処理ガスの流れ方が変化するので、排気ダクト7を着脱自在に設け、成膜処理の種別に応じて最適な位置に排気用開口部が形成された排気ダクトを複数個用意しておき、処理によって適宜排気ダクトに交換すれば、1台の成膜装置において、複数の種別の成膜処理を最適な処理条件で行うことができて、有益である。なお、成膜処理の種別が異なる場合には、薄膜の種類が異なる場合や、同じ種類の薄膜であっても目標とする膜厚が異なる場合、同じ種類の薄膜であっても、回転テーブル2の回転速度や処理圧力、処理ガスの供給量等の処理条件が異なる場合も含まれる。また、図14に示すように、例えば排気ダクト7Dの長さ方向に沿って、複数個のスリット開口部77を配列して形成すると共に、このスリット77の一部分を塞ぐように例えば石英により構成され、排気部材7Dに対して着脱自在に設けられた蓋部材78を用意する。そして、成膜処理の種別に応じて、排気ダクト7Dの長さ方向において最適な位置に第2の排気用開口部が形成されるように、蓋部材78によりスリット77の開閉を行うようにしてもよい。また、スリット77ではなく、大きな排気ダクト7の長さ方向に伸びる開口部を形成しておき、当該開口部を蓋部材78にて部分的に塞いで、排気用開口部の開口領域の大きさを調整するようにしてもよい。この際、中空体72Dの上面や下面、先端の端面70にも第2の排気用開口部を形成し、これら排気用開口部の一部又は全部を蓋部材78により塞ぐようにしてもよい。また、側面に形成されたスリット77に対しては、その上下方向の長さを短くするように、蓋部材78により塞ぐようにしてもよい。さらに、蓋部材78により、カバー体71に設けられた第1の排気用開口部の一部又は全部を塞ぐようにしてもよい。また、成膜処理の面内均一性は、吸着ガスの吸着状態に依存するため、排気ダクト7は、少なくとも吸着反応を発生させる処理ガスが供給される処理領域に配設されることが好ましい。但し、図15に示すように、排気ダクトを、第1の処理領域P1及び第2の処理領域P2を臨むように、夫々設けるようにしてもよい。この場合、排気ダクト700は、第2の処理領域P2とその下流側の分離領域Dとの間に、当該分離領域D1側に寄った位置に設けられる。このような構成では、図15に点線にて模式的に示すように、第2の処理ガスノズル32からのO3ガスは、回転テーブル2の回転方向に通流していく。このため、排気ダクト7を設けずに、直接排気口62に向けて通流する場合に比べて、当該処理領域P2に満遍なくO3ガスが供給されるため、結果的にO3ガスとウエハWとの接触時間が長くなり、十分に酸化反応を進行させることができる。さらに、図16及び図17に示すように、処理領域の少なくとも一つにおいて、第1の処理ガスノズル31と排気口61の間にて、排気口61の側方から基板載置領域24の内縁に亘って伸び、かつ回転テーブル2の上面から浮上して立設する板状の規制部材9を設けるようにしてもよい。この規制部材9は、処理ガスノズル31から供給される処理ガスが当該規制部材9の下方側を通過して排気口61に向うように、処理ガスの流れを規制するものである。この規制部材9の基端側91は、回転テーブル2の外方において下方側に伸び、例えばその下端縁はカバー部材51と当接するように設けられている。さらに、規制部材9は、排気口61の側方から基板載置領域24の内縁に亘って伸びるように設けられ、例えばその上端縁は蓋体11の下面に接続されている。そして、規制部材9の下端縁は、回転テーブル2の上面との間に、例えばその長さ方向に沿って隙間90が形成されるように設けられる。この隙間90は、例えばガス通流空間におけるコンダクタンスが既述の排気ダクト7と同程度になるように、その形状や大きさが設定される。このような構成では、第1の処理ガスノズル31からのBTBASガスは、排気口61に向おうとするが、当該ガスノズル31の下流側に立設された規制部材9に衝突し、規制部材9の下部の隙間90を通過して、排気口61に排気される。こうして、図18に示すように、第1の処理ガスノズル31からのBTBASガスは、回転テーブル2の回転方向に流れ、回転テーブル2上のウエハWに対して、その径方向に高い均一性を持って供給されるため、面内均一性の高い成膜処理を行うことができる。この例においては、規制部材9の上端は天井部材11の下面に接続されるようにしたが、規制部材9の上端と天井部材11の下面との間に隙間を形成するようにしてもよい。以上において、本発明は、図19~図21に示すように、第1の処理ガスノズル31に、ノズルカバー34を設けるようにしてもよい。このノズルカバー34は、ガスノズル31,32の長さ方向に沿って伸長し、その縦断面がコ字型をなす基部35を備えており、この基部35によりガスノズル31,32の上方及び側方が被覆される。そして基部35の下端の左右から水平方向に、つまり回転テーブル2の回転方向の上流側、下流側に整流板36A,整流板36Bが突出している。これら整流板36A,36Bの下面は、例えば処理ガスノズル31の吐出口33の下端とほぼ同じ高さ位置に形成されている。このような構成では、図21に処理ガスの流れを示すように、処理ガスノズル31から吐出されたBTBASガスは、整流板36A,36Bにより、整流板36A,36Bの下方から上方への舞い上がりが規制されている。これにより、BTBASガスがウエハWの直上を流れていきやすく、ウエハとの接触機会が増える。このため、第1の処理領域P1において、さらに確実にBTBASガスをウエハに吸着させることができ、ウエハWに面内均一性が高い状態で成膜処理を行うことができる。以上において、排気ダクト7の第1の排気用開口部は、回転テーブル2の周縁よりも外方側に設けられればよく、上述のスリット73には限られない。また、排気ダクト7の第2の排気用開口部は、基板載置領域24の少なくとも内縁側の位置に、その側面又は下面の少なくとも一方に設けられればよい。基板載置領域24の少なくとも内縁側に第2の排気用開口部を形成すれば、第1の処理ガスノズル31からのBTBASガスを回転テーブル2の中央側に向けて流すことができるので、結果として、ウエハWの径方向に高い均一性を持ってBTBASガスを供給することができるからである。また、本発明は2種類の反応ガスを用いることに限られず、3種類以上の反応ガスを順番に基板上に供給する場合にも適用することができる。その場合には、例えば第1の反応ガスノズル、分離ガスノズル、第2の反応ガスノズル、分離ガスノズル、第3の反応ガスノズル及び分離ガスノズルの順番で真空容器1の周方向に各ガスノズルを配置し、少なくとも一つの処理領域に、本発明の排気ダクト又は規制部材を配置すればよい。さらに、本発明では、一つの処理領域に排気ダクトと規制部材を組み合わせて設けるようにしてもよいし、一方の処理領域に排気ダクトを設けるようにし、他方の処理領域に規制部材を設けるようにしてもよい。本発明で適用される反応ガスとしては、上述の例の他に、DCSジクロロシラン、HCDヘキサクロロジシラン、TMAトリメチルアルミニウム、3DMASトリスジメチルアミノシラン、TEMAZテトラキスエチルメチルアミノジルコニウム、TEMAHテトラキスエチルメチルアミノハフニウム、Sr2ストロンチウムビステトラメチルヘプタンジオナト、Tiチタニウムメチルペンタンジオナトビステトラメチルヘプタンジオナト、モノアミノシランなどを挙げることができる。以下に、既述の成膜装置を用いて行った実験例について説明する。実験例1図1に示す成膜装置を用い、上記のプロセス条件の下、回転テーブル2の回転数を変えて、成膜サイクルを2分間実施して、ウエハW上に薄膜を形成した。次いで、得られた薄膜の膜厚、膜厚の面内均一性及びサイクルレートについて測定した実施例1。また、比較例1として、図1の成膜装置において排気ダクト7を設けない構成についても、同様の実験を行った。前記膜厚の面内均一性についての測定結果を図22に示す。図22中、横軸は回転テーブル2の回転数rpm、縦軸は膜厚の面内均一性を夫々示し、実施例1のデータについては■、比較例1のデータについては▲で夫々プロットした。また、薄膜の膜厚及びサイクルレートについての測定結果を図23に夫々示す。図23中、横軸は回転テーブル2の回転数rpm、左縦軸は膜厚nm、横縦軸はサイクルレートnm/1サイクルを夫々示す。また、膜厚のデータについては棒グラフ、サイクルレートのデータについてはプロットにて夫々示している。この際、棒グラフについては左側が比較例1の結果、右側が実施例1の結果を夫々示し、サイクルレートについては実施例1は■、比較例1は▲で夫々プロットした。図22では面内均一性の数値が小さいほど、薄膜の膜厚の面内均一性が良好であることを示しているが、この結果より、排気ダクト7を設けた実施例1の構成の方が、薄膜の膜厚の面内均一性の数値が小さく、前記面内均一性が良好であることが確認された。また、回転テーブル2の回転数が大きくなるほど、排気ダクト7の有無による面内均一性の差異が大きくなることが認められた。これらのことより、排気ダクト7を設けることによって、処理ガスが回転テーブル2上のウエハWに対して面内均一性が良好な状態で供給されることが理解される。また、本発明の排気ダクト7を設けることにより、回転テーブル2の回転数が例えば200rpm以上と高いプロセスにおいても、面内均一性の低下を抑えて、良好な成膜処理を行うことができることが認められた。また、図23に示す結果より、回転数が180rpmよりも小さい場合には、実施例1の方が膜厚が大きくなることが認められた。この理由として、排気ダクト7を設けることによって、処理ガスが広範囲に拡散し、処理ガスの吸着効率が向上したためと推察される。また、分離ガスが処理領域に流れ込みにくくなるため、当該分離ガスによる処理ガスの希釈が弱まり、この点からも処理ガスの吸着効率が向上するためと推察される。シミュレーション1図1に示す成膜装置の処理領域P1について、圧力分布と、第1の処理ガスの拡散状態と、第1の処理ガスの流跡について、シミュレーション解析を行った。解析条件は、ウエハ温度が400°C、プロセス圧が266Pa2Torr、処理ガスノズル31からのBTBASガス流量が0.9slm、分離ガスノズル41、42からのN2ガス流量が夫々0.33slm、0.067slm、分離ガス供給管30aからのN2ガス流量が2.5slm、パージガス供給管30bからのN2ガス流量が0.067slm、回転テーブルの回転数を60rpmとした。このとき、排気ダクト7を設けた場合実施例1と、排気ダクト7を設けない場合比較例1について、夫々評価を行った。前記圧力分布についてのシミュレーション結果について、実施例1は図24に、比較例1は図25に夫々示す。また、第1の処理ガスの拡散状態について、実施例1は図26に、比較例1は図27に夫々示す。さらに、第1の処理ガスの流跡について、実施例1は図28に、比較例1は図29に夫々示す。この結果、実施例1では比較例1に比べて圧力が高い領域が多く、処理ガスの拡散領域が広く、さらに処理ガスが回転テーブル2の回転方向に流れることが認められた。排気ダクト7を設けることによって、処理ガスが回転方向に流れ、処理ガスが広範囲に拡散しながら排気されていくことから、圧力が高い領域に多くなるものと推察される。シミュレーション2図1に示す成膜装置の処理領域P1について、シミュレーション1の評価条件回転テーブル2の回転数は240rpmとしたにて、圧力分布と、第1の処理ガスの拡散状態について、シミュレーション解析を行った。このとき、排気ダクト7の全てのスリットを開放した場合実施例2と、中空部材72の分離領域D側の側面のスリット76bを閉じた場合実施例3と、中空部材72の分離領域D側の側面のスリット76bと中空部材72の下面に形成されたスリット75を閉じた場合実施例4について、夫々評価を行った。実施例2のシミュレーション結果について、圧力分布は図30に、ガスの拡散状態は図31に夫々示す。また、前記実施例3のシミュレーション結果について、圧力分布は図32に、ガスの拡散状態は図33に夫々示す。さらに、前記実施例4のシミュレーション結果について、圧力分布は図34に、ガスの拡散状態は図35に夫々示す。これらの結果、スリットを開閉して、第2の排気用開口部の形成部位を変えることにより、真空容器1内の圧力分布及びガスの拡散状態が変化することが認められた。これにより、排気ダクト7の長さ方向の第2の排気用開口部の形成部位を変えることにより、排気力が変わって処理ガスの流れ方が変化し、圧力分布や拡散状態が変化することが理解される。また、排気口61に近いスリットを最も多く閉じた実施例4では、実施例2及び実施例3に比べて、処理ガスがより広く拡散していることが認められた。これにより、排気ダクト7の先端側に近い領域から処理ガスを取り込むように、排気用開口部の形成部位を調整すると、処理ガスがより広く拡散することが理解される。"