"絶縁性基板の一方の面には、裏面電極層と光電変換層と透明電極層とが当該順で積層され、前記絶縁性基板の他方の面には、背面電極層が成膜され、前記絶縁性基板の両面に積層した層に対して互い違いにパターニングラインを形成することにより前記絶縁性基板が複数のユニットセルに分割され、前記透明電極層と前記背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第1の貫通孔を介して電気的に接続され、前記裏面電極層と前記背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第2の貫通孔を介して電気的に接続され、隣接するユニットセルが直列接続されている薄膜太陽電池において、前記光電変換層は、少なくとも、n層、i層、p層からなる積層を有し、前記透明電極層と前記光電変換層をレーザにより除去してなる分離溝を、少なくとも前記第2の貫通孔を取囲んだ位置に設け、前記分離溝の底部を、前記光電変換層の前記i層中に設けたことを特徴とした薄膜太陽電池。請求項1に記載の薄膜太陽電池において、前記分離溝の底部における、前記光電変換層の結晶化部分を、前記光電変換層の前記i層中に設けたことを特徴とした薄膜太陽電池。絶縁性基板の一方の面には、裏面電極層と光電変換層と透明電極層とが当該順で積層され、前記絶縁性基板の他方の面には、背面電極層が成膜され、前記絶縁性基板の両面に積層した層に対して互い違いにパターニングラインを形成することにより前記絶縁性基板が複数のユニットセルに分割され、前記透明電極層と前記背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第1の貫通孔を介して電気的に接続され、前記裏面電極層と前記背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第2の貫通孔を介して電気的に接続され、隣接するユニットセルが直列接続されている薄膜太陽電池において、前記光電変換層は、少なくとも、n層、i層、p層からなる積層を有し、前記透明電極層と前記光電変換層をレーザにより除去してなる分離溝を、少なくとも前記第2の貫通孔を取囲んだ位置に設け、前記分離溝の底部における、前記光電変換層の結晶化部分が、前記i層が結晶化した層であることを特徴とした薄膜太陽電池。前記絶縁性基板が、フィルム材料から形成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の薄膜太陽電池。前記フィルム材料が、ポリイミド又はポリアミドイミド又はポリエチレンナフタレート、の耐熱性フィルムであることを特徴とする請求項4に記載の薄膜太陽電池。前記光電変換層が、アモルファス半導体或いはアモルファス化合物半導体、色素増感形太陽電池、有機太陽電池のなかのいずれかであることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載の薄膜太陽電池。しかしながら、上述の図10ないし図12の構成では、以下のような問題が生じる。従来の構成では、第2の貫通孔28において透明電極層25と第2の背面電極層26とが接触しないように、透明電極層25を形成する際には、第2の貫通孔28の近傍にマスク処理を行っていた。したがって、図12bに示すように、第2の貫通孔28の近傍には、透明電極層25が形成されないので、従来の構成では、透明電極層25の有効面積が制限されていた。第2の貫通孔28は、第1の背面電極層23b及び第2の背面電極層26の電気抵抗を考慮して一定間隔をあけて配置されるので、絶縁性基板22上において透明電極層25が形成できない領域が一定の間隔で設けられることになる。したがって、透明電極層25の有効面積が小さくなり、これに比例して薄膜太陽電池21の出力も低下してしまうという問題があった。そして、第2の貫通孔28の近傍をマスク処理するので、絶縁性基板22上の透明電極層25などとマスクとが接触することにより絶縁性基板22上の透明電極層25などが損傷する可能性があった。このように絶縁性基板22上にある層が損傷すると、リーク電流などが増加することになり、薄膜太陽電池21を製造する際の不良率が増加してしまうという問題もあった。さらに、特許文献2に開示された技術では、接続孔を導電性のある材料で塞いでいるので、接続孔における絶縁性が十分でなく、リーク電流が増加してしまうという問題があった。本発明はこのような実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、透明電極層の有効面積を広げて薄膜太陽電池の出力を増加させるとともに、第2の貫通孔における絶縁性を確保して薄膜太陽電池を製造する際の不良率を低下させることが可能な薄膜太陽電池及びその製造方法を提供することにある。上記従来技術の有する課題を解決するために、本発明は、絶縁性基板の一方の面には、裏面電極層と光電変換層と透明電極層とが当該順で積層され、前記絶縁性基板の他方の面には、背面電極層が成膜され、前記絶縁性基板の両面に積層した層に対して互い違いにパターニングラインを形成することにより前記絶縁性基板が複数のユニットセルに分割され、前記透明電極層と前記背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第1の貫通孔を介して電気的に接続され、前記裏面電極層と前記背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第2の貫通孔を介して電気的に接続され、隣接するユニットセルが直列接続されている薄膜太陽電池において、前記光電変換層は、少なくとも、n層、i層、p層からなる積層を有し、前記透明電極層と前記光電変換層をレーザにより除去してなる分離溝を、少なくとも前記第2の貫通孔を取囲んだ位置に設け、前記分離溝の底部を、前記光電変換層の前記i層中に設けたことを特徴とする。そして、光電変換層の積層順は、n層、i層、p層の順であっても良いし、p層、i層、n層の順であっても良く、さらに、n層、i層、p層からなる光電変換層が、多段に積層された、タンデムセル構成であっても、それ以上の積層構成であっても良く、これらに限定されない。また、前記背面電極層は、第1の背面電極層と第2の背面電極層とを当該順で前記絶縁性基板の他方の面上に積層する構成であってもよく、この場合、前記透明電極層と前記第2の背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第1の貫通孔を介して電気的に接続され、前記裏面電極層と前記第1の背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第2の貫通孔を介して電気的に接続され、第2の貫通孔周囲の透明電極と、光電変換層のi層に達しかつ貫通しない深さまでをレーザにより除去することで、透明電極層と第2の背面電極層とが電気的に絶縁されている構造である。さらに、少なくとも前記第2の貫通孔を取囲んだ位置に設けた分離溝の底部において、前記光電変換層の結晶化部分を、前記光電変換層の前記i層中に設けた構成とすることを特徴とする。ここで、光電変換層の結晶化した部分とは、光電変換層にレーザが照射されることによって、少なくとも光電変換層の一部が、アモルファス状態から結晶化された部分を言い、光電変換層を成膜する時の条件により、光電変換層を部分的に結晶化させる部分としての微結晶層とは区別される。以降、この発明においては、レーザ照射での加工によって、少なくとも一部が結晶化されることを、結晶化と言う。また、絶縁性基板の一方の面には、裏面電極層と光電変換層と透明電極層とが当該順で積層され、前記絶縁性基板の他方の面には、背面電極層が成膜され、前記絶縁性基板の両面に積層した層に対して互い違いにパターニングラインを形成することにより前記絶縁性基板が複数のユニットセルに分割され、前記透明電極層と前記背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第1の貫通孔を介して電気的に接続され、前記裏面電極層と前記背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第2の貫通孔を介して電気的に接続され、隣接するユニットセルが直列接続されている薄膜太陽電池において、前記光電変換層は、少なくとも、n層、i層、p層からなる積層を有し、前記透明電極層と前記光電変換層をレーザにより除去してなる分離溝を、少なくとも前記第2の貫通孔を取囲んだ位置に設け、前記分離溝の底部における、前記光電変換層の結晶化部分が、前記i層が結晶化した層であることを特徴とする。すなわち、透明電極層と光電変換層をレーザにより除去してなる分離溝を、少なくとも第2の貫通孔を取囲んだ位置に設けて、この分離溝の底部を、光電変換層の前記i層中に設けるか、あるいは、分離溝底部の光電変換層の結晶化部分を前記光電変換層の前記i層中に設けようにしたので、分離溝底部の結晶化が、i層によるものとなり、結晶化部分の低抵抗化が抑制できるため、第2の貫通孔を取囲む分離溝外側の透明電極層と第2の貫通孔の孔側面とを同通する背面電極層とが電気的に絶縁できる。そして、本発明の薄膜太陽電池によれば、前記絶縁性基板が、フィルム材料から形成され、フィルム材料が、ポリイミド又はポリアミドイミド又はポリエチレンナフタレート、の耐熱性フィルムである。また、本発明の薄膜太陽電池によれば、前記光電変換層が、アモルファス半導体或いは微結晶を含むアモルファス半導体、色素増感形太陽電池、有機太陽電池のなかのいずれかである。本発明に係る薄膜太陽電池によれば、絶縁性基板の一方の面には、裏面電極層と光電変換層と透明電極層とが当該順で積層され、前記絶縁性基板の他方の面には、背面電極層が成膜され、前記絶縁性基板の両面に積層した層に対して互い違いにパターニングラインを形成することにより前記絶縁性基板が複数のユニットセルに分割され、前記透明電極層と前記第2の背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第1の貫通孔を介して電気的に接続され、前記裏面電極層と前記背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第2の貫通孔を介して電気的に接続され、隣接するユニットセルが直列接続されている薄膜太陽電池において、前記光電変換層は、少なくとも、n層、i層、p層からなる積層を有し、前記透明電極層と前記光電変換層をレーザにより除去してなる分離溝を、少なくとも前記第2の貫通孔を取囲んだ位置に設け、前記分離溝の底部を、前記光電変換層の前記i層中に設けるか、前記分離溝の底部における、前記光電変換層の結晶化部分が、前記i層が結晶化した層であるように構成するようにしたので、第2の貫通孔を取囲む分離溝外側の透明電極層と第2の貫通孔の孔側面とを同通する背面電極層とを電気的に絶縁するようにでき、従来のように、第2の貫通孔を含む近傍をマスクして透明電極層を積層しない領域を作る場合と比べて、透明電極層の有効面積を広げて薄膜太陽電池の出力を増加させることができる。また、従来のように第2の貫通孔の近傍にマスク処理を行う必要がなくなることで、薄膜太陽電池の製造時の歩留まりが向上する。加えて、第2の貫通孔の近傍にマスク処理を行う必要がなくなるので、マスクと基板上の層とが接触して基板上の層が損傷することもなくなる。これにより、薄膜太陽電池においてリーク電流が増加することもなくなり、薄膜太陽電池を製造する際の不良率を低下させることができる。しかも、第2の貫通孔の周囲で少なくとも透明電極が分離されて、発電領域荷における透明電極層と背面電極層が分離されるため第2の貫通孔における絶縁性も確保することができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。図1は、実施形態に係る薄膜太陽電池の平面図である。図2のaは、図1のE-E線断面図であり、bは、aにおけるH部の拡大図である。また、図3のaは、図1のG-G線断面図であり、bは、aにおけるJの拡大図である。図1に示すように、本発明の実施形態に係る薄膜太陽電池1は、複数の第1の貫通孔7と、第2の貫通孔8が設けられており、薄膜太陽電池1の表面側受光面側が第1のパターニングライン9で、複数に分割した単位太陽電池を形成している。この第1のパターニングライン9は、第1の貫通孔7と第2の貫通孔8とのまとまりで区切るように、構成している。そして、薄膜太陽電池1の表面側非受光面側は、第1のパターニングライン9で区切られた第1の貫通孔7と第2の貫通孔8に対して、第1の貫通孔7と第2の貫通孔8を分離する位置に第2パターニングライン10が設けられて分割する構成となっている。図1で示す本発明の実施形態に係る薄膜太陽電池1と、従来の図10に示す薄膜太陽電池21との平面図での相違点は、図10では、薄膜太陽電池21の両側に透明電極層25を成膜しない領域が存在したが、図1においては、そのような箇所は無く、全面に透明電極層5が存在する点にある。次に、本発明の実施形態に係る薄膜太陽電池1の断面構造について、図2と図3により、説明する。本実施形態に係る薄膜太陽電池1は、絶縁性基板2を備えている。この絶縁性基板2は、フィルム材料から形成されており、例えば、ポリイミドやポリアミドイミド又はポリエチレンナフタレート、あるいはアラミド等の材料から形成されている。図2に示すように、絶縁性基板2の両面には、Ag等の金属からなる金属電極層3が形成されている。ここで、絶縁性基板2のF側である受光側面上の金属電極層3は、裏面電極層3aとして機能し、絶縁性基板2のR側である非受光側面上の金属電極層3は、第1の背面電極層3bとして機能する。そして、裏面電極層3a上には、光電変換層4と透明電極層5を当該順で積層し、絶縁性基板2の他方の面上の第1の背面電極層3b上には、第2の背面電極層6を積層する。図2bの第1の貫通孔7においては、その孔の内面側壁部において、透明電極層5と第2の背面電極層6が電気的に接続している。次に、第2の貫通孔8においては、図3に示すように、絶縁性基板2のF側である受光側面上にある裏面電極層3には、光電変換層4と透明電極層5とが当該順で積層されている。そして、第2の貫通孔8近傍には、透明電極層5を貫通する溝である第3のパターニングライン12が形成されており、この第3のパターニングライン12は、第2の貫通孔8を囲む連続溝構造となっており、第3のパターニングライン12で囲まれた内側と外側の透明電極層55aと5bが分離されている。図4には、本発明の実施形態における第2の貫通孔8付近の拡大平面図を示す。図4においては、第2の貫通孔8の周囲を取り巻くように、第3のパターニングライン分離溝12を設けている。図4の例においては、第3のパターニングライン12は、第2の貫通孔8と同心円状の形状をなしているが、これに限定されるものでなく、第2の貫通孔8とは中心が異なる円や楕円、正方形、矩形あるいは多角形のような形状でもよく、特に形成形状は限定しないが、発電面積を大きくできる観点からは、第3のパターニングライン12で囲まれた透明電極層5の内側5aと外側5bのが互いに絶縁されていれば、第3のパターニングライン12は第2の貫通孔8に近い方が良い。しかし、第3のパターニングライン12が第2の貫通孔8に近い場合には、第3のパターニングライン12によって分離された領域間5aと5bでの絶縁が取れていることが重要であり、後に述べる本発明の特徴による構成を満たすことで、実現する。第3のパターニングライン12は、図3bに示すように、透明電極層5をレーザ加工などで除去することで、形成できる。ここで、光電変換層4としては、アモルファス半導体やアモルファス化合物半導体、色素増感形太陽電池、又は有機太陽電池を用いることができる。また、図2bに示す絶縁性基板2のF側である受光側面上に積層された層裏面電極層3a、光電変換層4、透明電極層5は、図1に示すように、レーザ加工による第1のパターニングライン9により複数に分割されている。そして、絶縁性基板2のR側である非受光側面上に積層された層第1の背面電極層3b、第2の背面電極層6も同様に、図1に示すレーザ加工による第2のパターニングライン10により複数に分割されている。ここで、第1のパターニングライン9及び第2パターニングライン10は、絶縁性基板2において互い違いに配置されている。図1及び図2に示すように、絶縁性基板2には、絶縁性基板2を貫通する第1の貫通孔7が設けられている。透明電極層5と第2の背面電極層6とは、第1の貫通孔7の側壁部上で互いに重なり合うような形で接続している。これにより、絶縁性基板2のF側である受光側面上の各層とR側である非受光側面上の各層とからなるユニットセル単位太陽電池が形成されている。また、図1及び図3に示すように、絶縁性基板2には、絶縁性基板2を貫通する第2の貫通孔8が設けられている。裏面電極層3aと第1の背面電極層3bとは、第2の貫通孔8の側壁部を介して電気的に接続されている。すなわち、隣接し合うユニットセルが第2の貫通孔8により電気的に接続されている。詳細には、第1及び第2の貫通孔7,8は、第1及び第2の背面電極層3b,6→第1の貫通孔7→透明電極層5→光電変換層4→裏面電極層3a→第2の貫通孔8→第1の背面電極層3bの順に接続するために利用されている。以上のように、隣接し合うユニットセルを電気的に直列接続することにより、薄膜太陽電池1が構成されている。そして、本実施形態の特徴としては、図3に示すように、透明電極5の発電部は第2の貫通孔8の周囲において第3のパターニングライン12において分離されている。以上のような構成から、透明電極層55bと第2の背面電極層6とは、第2の貫通孔8周囲の透明電極5に設けられた第3のパターニングライン12により電気的に絶縁されている。次に、本発明に係る第1の実施形態の特徴部分を図5により説明する。図5は、図3bのK部の拡大図であり、絶縁性基板2上に、裏面電極層3aと光電変換層4と透明電極層5とが当該順で積層されており、本実施例においては、光電変換層4が、第1のn層41と、実質的に真性な層である第1のi層42と、第1のp層43をこの順に積層した積層構造からなる第1の光電変換ユニットと、その上に積層される、第2のn層44と、実質的に真性な層である第2のi層45と、第2のp層46をこの順に積層した積層構造からなる第2の光電変換ユニットによる、タンデムセル構造を示している。そして、第3のパターニングライン12aを、透明電極層5側にレーザを照射することで形成するが、第3のパターニングライン12aを断面としてみた時、その光電変換層部が側面と底部からなる溝加工された表面が、結晶化することで、電気抵抗が低下する低抵抗化部分が形成される。この結晶化部13aに関して、第3のパターニングライン12aの断面における底部での結晶化部13aが、図5のように、第2のi層45中にあるか、あるいは、第1のi層42中にあることが、本願発明として重要な構成となる。すなわち、第3のパターニングライン12aの溝底部での結晶化部13aが、i層図5の例では第2のi層45中に存在するため、結晶化部13bの底部はi層の結晶化部分であるので、抵抗が高い状態にできるため、透明電極層5aと5bとは、絶縁分離がなされる。次に、本発明に係る第2の実施形態の特徴部分について、図6により説明する。ここで、図5との共通部分に関しては、同一の符号を付し、説明は省略する。図6における図5との違いは、第3のパターニングライン12bを断面としてみた時、第3のパターニングライン12bの溝底部が、第1のi層42中であり、その溝底部での結晶化部13bが、第1のn層41に近接しているが、結晶化部13bは第1のn層41には及んでいない点である。ここで、図6の構成は、第1のi層42中でなくて、第2のi層45中であっても良いことは、述べるまでもない。このように、図6に示す構成であっても、第3のパターニングライン12bの溝底部での結晶化部13bが、i層図6の例では第1のi層42中に存在するため、結晶化部13bの底部はi層の結晶化部分であるので、抵抗が高い状態にできるため、透明電極層5aと5bとは、絶縁分離がなされる。次に、本発明に係る第2の実施形態の特徴部分について、図7により説明する。ここで、図5との共通部分に関しては、同一の符号を付し、説明は省略する。図7における図5との違いは、第3のパターニングライン12cを断面としてみた時、第3のパターニングライン12cの溝底部での結晶化部13c表面が、第2のi層45と、第2のp層46との境界上である点である。この構成の場合、第3のパターニングライン12cの溝底部での結晶化部13cは、第2のi層45中になるので、第2のi層45が結晶化した部分であることから、図5や図6と同様に、抵抗が高い状態とすることができ、透明電極層5aと5bとは、絶縁分離がなされる。ここで、図5~図7における実施例では、第1の光電変換ユニットと第2の光電変換ユニットを積層したタンデムセル構造を例として示したが、これに限定されるものでは無く、n層、i層、p層からなる光電変換ユニットが1段の場合であっても、3段積層するトリプルであっても、それ以上の多積層タイプであっても良い。図5~図7に示す実施例に対して、図8の比較例1のように、第3のパターニングライン12dの溝底部における結晶化部13dが、第2のp層46中にある場合には、結晶化部13dは、第2のp層46が結晶化したものとなるので、抵抗を低くすることができず、したがって、透明電極層5aと5bを十分な絶縁として分離できない。また、図9に示す比較例2のように、第1のp層43あるいは第2のn層44中、または、第1のp層43と第2のn層44にまたがる層に、第3のパターニングライン12eの溝底部における結晶化部13eが設けられるような構成となる場合も、第3のパターニングライン12eの溝底部の結晶化部13eは、低抵抗化を実現することができないため、透明電極層5aと5bを十分な絶縁として分離することができない。以上のように、本発明により、透明電極層5を貫通孔8の周囲で絶縁の高い状態として分離することができ、従来のように第2の貫通孔の近傍にマスク処理を行う必要がなくなり、薄膜太陽電池1の製造時の歩留まりが向上する。加えて、第2の貫通孔8の近傍にマスク処理を行う必要がなくなるので、マスクと絶縁性基板2上の層とが接触して絶縁性基板2上の層が損傷することもなくなる。これにより、薄膜太陽電池1においてリーク電流が増加することもなくなり、薄膜太陽電池1を製造する際の不良率を低下させることができる。"