複数の半導体素子実装領域の間に形成された溝を有するベース基板と、前記ベース基板の前記半導体素子実装領域に実装された半導体素子と、前記溝の内部を含み、前記ベース基板上に形成されたモールディングと、を含むパワーモジュールパッケージ。前記半導体素子は電力素子と制御素子とを含み、前記複数の半導体素子実装領域は電力素子実装領域と制御素子実装領域とを含み、前記溝は前記電力素子実装領域と前記制御素子実装領域との間に形成される請求項1に記載のパワーモジュールパッケージ。前記半導体素子は電力素子と制御素子とを含み、前記複数の半導体素子実装領域は複数の電力素子実装領域を含み、前記溝が前記複数の電力素子実装領域夫々の間に形成される請求項1に記載のパワーモジュールパッケージ。前記半導体素子は電力素子と制御素子とを含み、前記複数の半導体素子実装領域は複数の電力素子実装領域と制御素子実装領域とを含み、前記溝が前記電力素子実装領域と前記制御素子実装領域との間に形成されるか、または、前記複数の電力素子実装領域夫々の間に形成される請求項1に記載のパワーモジュールパッケージ。前記ベース基板上に形成された回路及び接続パッドを含むメタル層をさらに含み、前記半導体素子は前記メタル層上に実装される請求項1に記載のパワーモジュールパッケージ。前記メタル層上に形成されたリードフレームと、前記半導体素子の間を連結するか、または、前記半導体素子と前記リードフレームとを電気的に連結するためのワイヤと、をさらに含む請求項5に記載のパワーモジュールパッケージ。前記モールディングは、前記ベース基板の上部及び前記ベース基板の側面を包むように形成される請求項1に記載のパワーモジュールパッケージ。前記溝は多数の溝で構成された列状である請求項1に記載のパワーモジュールパッケージ。前記ベース基板はセラミックからなる請求項1に記載のパワーモジュールパッケージ。ベース基板を準備する段階と、前記ベース基板の複数の半導体素子実装領域の間に溝を形成する段階と、前記半導体素子実装領域に半導体素子を実装する段階と、前記溝の内部を含み、前記ベース基板上にモールディングを形成する段階と、を含むパワーモジュールパッケージの製造方法。前記半導体素子は電力素子と制御素子とを含み、前記複数の半導体素子実装領域は電力素子実装領域と制御素子実装領域とを含み、前記溝を形成する段階で、前記電力素子実装領域と前記制御素子実装領域との間に溝を形成する請求項10に記載のパワーモジュールパッケージの製造方法。前記半導体素子は電力素子と制御素子とを含み、前記複数の半導体素子実装領域は複数の電力素子実装領域を含み、前記溝を形成する段階で、前記複数の電力素子実装領域夫々の間に溝を形成する請求項10に記載のパワーモジュールパッケージの製造方法。前記半導体素子は電力素子と制御素子とを含み、前記複数の半導体素子実装領域は電力素子実装領域と制御素子実装領域とを含み、前記溝を形成する段階で、前記電力素子実装領域と前記制御素子実装領域との間に溝を形成するか、または、電力素子実装領域夫々の間に溝を形成する請求項10に記載のパワーモジュールパッケージの製造方法。前記モールディングを形成する段階で、前記ベース基板の上部及び前記ベース基板の側面を包むようにモールディングを形成する請求項10に記載のパワーモジュールパッケージの製造方法。前記半導体素子を実装する段階の前に、前記ベース基板上に回路及び接続パッドを含むメタル層を形成する段階をさらに含み、前記半導体素子を実装する段階で、前記半導体素子を前記メタル層上に実装する請求項10に記載のパワーモジュールパッケージの製造方法。前記ベース基板上にリードフレームを形成する段階と、前記半導体素子の間を連結するか、または、前記半導体素子と前記リードフレームとを電気的に連結するためのワイヤを形成する段階と、をさらに含む請求項10に記載のパワーモジュールパッケージの製造方法。前記溝は多数の溝で構成された列状である請求項10に記載のパワーモジュールパッケージの製造方法。前記ベース基板はセラミックからなる請求項10に記載のパワーモジュールパッケージの製造方法。本発明は、上述の従来技術の問題点を解決するためのものであり、本発明の一側面は、高発熱が予想される半導体素子と相対的に発熱が低い半導体素子との間を熱的に分離するためのパワーモジュールパッケージ及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明は、パワーモジュールパッケージに関するものであり、複数の半導体素子実装領域の間に形成された溝を有するベース基板と、前記ベース基板の前記半導体素子実装領域に実装された半導体素子と、前記溝の内部を含み、前記ベース基板上に形成されたモールディングと、を含むことができる。ここで、前記半導体素子は、電力素子と制御素子とを含み、前記複数の半導体素子実装領域は、電力素子実装領域と制御素子実装領域とを含み、前記溝は、前記電力素子実装領域と前記制御素子実装領域との間に形成されることができる。また、前記半導体素子は、電力素子と制御素子とを含み、前記複数の半導体素子実装領域は、複数の電力素子実装領域を含み、前記溝が、前記複数の電力素子実装領域夫々の間に形成されることができる。また、前記半導体素子は、電力素子と制御素子とを含み、前記複数の半導体素子実装領域は複数の電力素子実装領域と制御素子実装領域とを含み、前記溝が、前記電力素子実装領域と前記制御素子実装領域との間に形成されるか、または、前記複数の電力素子実装領域夫々の間に形成されることができる。また、前記ベース基板上に形成された回路及び接続パッドを含むメタル層をさらに含み、前記半導体素子は、前記メタル層上に実装されることができる。また、前記メタル層上に形成されたリードフレームと、前記半導体素子の間を連結するか、または、前記半導体素子と前記リードフレームとを電気的に連結するためのワイヤと、をさらに含むことができる。また、前記モールディングは、前記ベース基板の上部及び前記ベース基板の側面を包むように形成されることができる。また、前記溝は、多数の溝で構成された列状であることができる。また、前記ベース基板は、セラミックからなることができる。他の本発明のパワーモジュールパッケージの製造方法は、ベース基板を準備する段階と、前記ベース基板の複数の半導体素子実装領域の間に溝を形成する段階と、前記半導体素子実装領域に半導体素子を実装する段階と、前記溝の内部を含み、前記ベース基板上にモールディングを形成する段階と、を含むことができる。また、前記半導体素子は、電力素子と制御素子とを含み、前記複数の半導体素子実装領域は、電力素子実装領域と制御素子実装領域とを含み、前記溝を形成する段階で、前記電力素子実装領域と前記制御素子実装領域との間に溝を形成することができる。また、前記半導体素子は、電力素子と制御素子とを含み、前記複数の半導体素子実装領域は複数の電力素子実装領域を含み、前記溝を形成する段階で、前記複数の電力素子実装領域夫々の間に溝を形成することができる。また、前記半導体素子は、電力素子と制御素子とを含み、前記複数の半導体素子実装領域は電力素子実装領域と制御素子実装領域とを含み、前記溝を形成する段階で、前記電力素子実装領域と前記制御素子実装領域との間に溝を形成するか、または、電力素子実装領域夫々の間に溝を形成することができる。また、前記モールディングを形成する段階で、前記ベース基板の上部及び前記ベース基板の側面を包むようにモールディングを形成することができる。また、前記半導体素子を実装する段階の前に、前記ベース基板上に回路及び接続パッドを含むメタル層を形成する段階をさらに含み、前記半導体素子を実装する段階で、前記半導体素子を前記メタル層上に実装することができる。また、前記ベース基板上にリードフレームを形成する段階と、前記半導体素子の間を連結するか、または、前記半導体素子と前記リードフレームとを電気的に連結するためのワイヤを形成する段階と、をさらに含むことができる。また、前記溝は、多数の溝で構成された列状であることができる。また、前記ベース基板は、セラミックからなることができる。本発明の特徴及び利点は、添付図面に基づいた以下の詳細な説明によってさらに明らかになるであろう。本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び特許請求の範囲に用いられた用語や単語は、通常的かつ辞書的な意味に解釈されてはならず、発明者が自らの発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されるべきである。本発明によるパワーモジュールパッケージ及びその製造方法は、高発熱が予想される半導体素子の実装領域と相対的に発熱が低い半導体素子の実装領域との間に溝を形成するため、半導体素子の間を熱的に分離することができ、これにより、高発熱が予想される電力素子からの発熱が制御素子に及ぶ影響を予め防止することができるという効果を期待することができる。また、本発明のベース基板上に形成された溝が基板の水平方向に伝達される熱を遮断するため、半導体素子の間に熱伝導によって発生する問題点を予防することができるという長所がある。また、本発明は、ベース基板上に形成された溝によってベース基板とモールディングとの接着力が向上し、これにより、基板の長期信頼性が改善されるという効果を有する。また、本発明は、ベース基板上に形成された溝の領域の基板厚さが減少し、半導体素子から発生する熱の伝達経路が短縮されることにより、熱をより効率的に放出することができるという長所がある。本発明の目的、特定の長所及び新規の特徴は、添付図面に係る以下の詳細な説明及び好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ異なる図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。また、本発明を説明するにあたり、係わる公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不明瞭にする可能性があると判断される場合には、その詳細な説明を省略する。本明細書において、第1、第2などの用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別するために用いられるものであり、構成要素は前記用語によって限定されない。以下、添付の図面を参照して、本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。パワーモジュールパッケージ図1は、本発明の一実施例によるパワーモジュールパッケージの構成を示す断面図である。図1に図示するように、パワーモジュールパッケージ100は、複数の半導体素子実装領域の間に形成された溝111を有するベース基板110と、ベース基板110の半導体素子実装領域に実装された半導体素子130と、溝111の内部を含み、ベース基板110上に形成されたモールディング160と、を含む。ここで、ベース基板110は、熱伝達効率を考慮し、セラミックからなることができるが、これに限定されるものではない。また、モールディング160は、ベース基板110の上部及びベース基板110の側面を包むように形成することができる。例えば、図1に図示するように、モールディング160は、溝111の内部に満たされる形態に形成されるため、半導体素子実装領域の間に形成された溝111による熱遮断だけでなく、モールディング160による2次熱遮断がなされるため、放熱効果をさらに向上させることができる。また、モールディング160は、ベース基板110に形成された溝111に満たされる形態に形成されるため、モールディング160とベース基板110との接着力を増大させ、これにより、基板とモールディング材との間に発生するデラミネーションDelaminationなどのような問題が減少するため、基板の長期信頼性を向上させることができるという効果を期待することができる。また、半導体素子130は、電力素子131と制御素子133とを含むことができる。例えば、電力素子131は、IGBTInsulatedGateBipolarTransistor、ダイオードDiodeなどであり、制御素子133は、制御ICControlIntegratedCircuitなどを含むことができる。ここで、複数の半導体素子実装領域は、電力素子実装領域と制御素子実装領域とを含むことができる。この際、電力素子実装領域と制御素子実装領域夫々は、複数の領域に区分されることができる。例えば、図2に図示するように、半導体素子実装領域は、Aの電力素子実装領域とBの制御素子実装領域とに区分されることができる。また、図3に図示するように、A領域内で、A-1領域、A-2領域、A-3領域及びA-4領域に区分されることができる。図3から図5に図示するように、溝111は、多数の溝で構成された列状であることができ、これに限定されるものではない。より具体的には、溝111は、電力素子実装領域と制御素子実装領域との間に形成されるか、複数の電力素子実装領域夫々の間に形成されるか、または、これらが組合された構造に形成されることができる。例えば、図3及び図4のA-1、A-2、A-3、A-4は、電力素子実装領域であり、Bは、制御素子実装領域である場合、溝は、電力素子実装領域Aと制御素子実装領域Bとの間に形成されるか、複数の電力素子実装領域夫々の間であるA-1/A-2とA-3/A-4との間、A-3とA-4との間に形成されることができる。また、図4に図示するように、運用者の必要に応じて、高い放熱特性が求められる領域制御素子実装領域Bへの熱伝達を最小化するために、電力素子実装領域と制御素子実装領域との間に、2列以上の溝111を形成することも可能である。また、図5に図示するように、制御素子実装領域Bの縁に2列以上の溝111を形成することも可能である。また、図3のI-I線を基準とした溝の断面は、図6に示すとおりであり、溝111の加工形態は、図7に示すとおりである。図6及び図7に図示するように、溝111がベース基板110の厚さ方向に任意の深さに加工されるため、溝111の下部のベース基板110の厚さは、減少するようになる。これにより、溝111の下部に対するベース基板110の熱伝逹経路が減るため、放熱効果がさらに増大する。一方、図1に図示するように、パワーモジュールパッケージ100は、ベース基板110上に形成された回路及び接続パッドを含むメタル層120をさらに含むことができ、この際、半導体素子130は、メタル層120上に実装される。また、パワーモジュールパッケージ100は、メタル層120上に形成されたリードフレーム140をさらに含むことができる。この際、リードフレーム140は、半導体素子130が実装されていないメタル層図1の左側、右側に実装される。また、パワーモジュールパッケージ100は、半導体素子130の間を連結するか、または半導体素子130とリードフレーム140とを電気的に連結するためのワイヤ150をさらに含むことができる。パワーモジュールパッケージの製造方法図8は、本発明の一実施例によるパワーモジュールパッケージの製造方法を説明するためのフローチャートである。本発明によるパワーモジュールパッケージの製造方法を、図1から図5、及び図8を参照して説明する。まず、ベース基板110を準備するS101。ここで、ベース基板110は、熱伝達効率を考慮し、セラミックからなることができ、これに限定されるものではない。次に、ベース基板110上に回路及び接続パッドを含むメタル層120を形成するS103。この際、回路及び接続パッドを含むメタル層120は、銅を始め、回路基板分野において回路用金属として用いられるものであれば、制限されずに適用可能である。もし、ベース基板110上に半導体素子130を直接実装する場合、段階S103は、省略することができる。次に、ベース基板110の複数の半導体素子実装領域の間に溝111を形成するS105。ここで、溝111は、多数の溝で構成された列状であることができる。本発明の実施例において、半導体素子130は、電力素子131と制御素子133とを含むことができる。また、複数の半導体素子実装領域は、電力素子実装領域と制御素子実装領域とを含むことができる。この際、電力素子実装領域と制御素子実装領域夫々は、複数の領域に区分されることができる。例えば、図2に図示するように、半導体素子実装領域は、Aの電力素子実装領域とBの制御素子実装領域とに区分されることができる。また、図3に図示するように、A領域内で、A-1領域、A-2領域、A-3領域及びA-4領域に区分されることができる。図3から図5に図示するように、溝111は、半導体素子間の熱伝達による影響を最小化することができるように形成される。より具体的には、溝111は、電力素子実装領域と制御素子実装領域との間に形成されるか、複数の電力素子実装領域夫々の間に形成されるか、または、これらが組合された構造に形成されることができる。例えば、図3及び図4のA-1、A-2、A-3、A-4は、電力素子実装領域であり、Bは、制御素子実装領域である場合、溝は電力素子実装領域Aと制御素子実装領域Bとの間に形成されるか、複数の電力素子実装領域夫々の間であるA-1/A-2とA-3/A-4との間、A-3とA-4との間に形成されることができる。また、図4に図示するように、運用者の必要に応じて、高い放熱特性が求められる領域制御素子実装領域Bへの熱伝達を最小化するために、電力素子実装領域と制御素子実装領域との間に、2列以上の溝111を形成することも可能である。また、図5に図示するように、制御素子実装領域Bの縁に、2列以上の溝111を形成することも可能である。次に、半導体素子実装領域に半導体素子130を実装するS107。例えば、電力素子131は、IGBTInsulatedGateBipolarTransistor、ダイオードDiodeなどであり、制御素子133は、制御ICControlIntegratedCircuitなどを含むことができる。本段階の前にメタル層120が形成された場合、半導体素子130をメタル層120上に実装する。次に、ベース基板110上にリードフレーム140を形成するS109。本段階の前にメタル層120が形成された場合、リードフレーム140をメタル層120上に形成する。次に、半導体素子130の間を連結するか、または、半導体素子130とリードフレーム140とを電気的に連結するためのワイヤ150を形成するS111。次に、溝111の内部を含み、ベース基板110上にモールディング160を形成するS113。ここで、モールディング160は、ベース基板110の上部及びベース基板110の側面を包むように形成する。図1に図示するように、モールディング160は、ベース基板110上のメタル層120及び半導体素子130を全て包み、ベース基板110の側面が包まれるように形成される。この際、放熱特性を考慮し、ベース基板110の下面が露出した形態を有するようにモールディング160を形成する。また、モールディング160は、溝111の内部に満たされる形態に形成されるため、半導体素子実装領域の間に形成された溝111による熱遮断だけでなく、モールディング160による2次熱遮断がなされるため、放熱効果をさらに向上させることができる。また、モールディング160は、ベース基板110に形成された溝111に満たされる形態に形成されるため、モールディング160とベース基板110との接着力を増大させ、これにより、基板の長期信頼性を向上させることができるという効果を期待することができる。以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは、本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明によるパワーモジュールパッケージ及びその製造方法は、これに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。本発明の単純な変形乃至変更は、いずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は、添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。