基板と、前記基板に支持された薄膜トランジスタとを備えた半導体装置であって、前記薄膜トランジスタは、チャネル領域と、前記チャネル領域の両側にそれぞれ位置するソースコンタクト領域およびドレインコンタクト領域とを有する酸化物半導体層と、前記基板と前記酸化物半導体層との間に、前記酸化物半導体層の少なくともチャネル領域と重なるように配置されたゲート電極と、前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との間に形成されたゲート絶縁層と、前記ソースコンタクト領域と電気的に接続されたソース電極と、前記ドレインコンタクト領域と電気的に接続されたドレイン電極とを含み、前記ソース電極は、ソースバスラインと電気的に接続されており、前記ソース電極、前記ソースバスラインおよび前記ドレイン電極は第1の金属元素を含んでおり、前記酸化物半導体層は第2の金属元素を含んでおり、前記基板の法線方向から見たとき、前記ソース電極の少なくとも一部、前記ソースバスラインの少なくとも一部および前記ドレイン電極の少なくとも一部は、前記酸化物半導体層と重なっており、前記ソース電極と前記酸化物半導体層との間、前記ソースバスラインと前記酸化物半導体層との間、および、前記ドレイン電極と前記酸化物半導体層との間には、第1および第2の金属元素を含み、前記ソース電極よりも可視光に対する反射率の低い低反射層が形成されている半導体装置。前記第2の金属元素はインジウムであり、前記低反射層は金属インジウムを含む請求項1に記載の半導体装置。前記低反射層は、前記ソース電極、前記ソースバスラインおよび前記ドレイン電極と前記酸化物半導体層とが反応し、前記第1の金属元素の酸化と前記第2の金属元素の還元とが生じることによって形成された反応層である請求項1または2に記載の半導体装置。前記ソース電極、前記ソースバスラインおよび前記ドレイン電極の下面全体は前記低反射層に接触している請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置。前記基板の法線方向から見たとき、前記低反射層は、前記ソース電極の前記チャネル領域側の端部から前記ドレイン電極側に距離Dsだけ延びて前記チャネル領域の一部を覆っており、かつ、前記ドレイン電極の前記チャネル領域側の端部から前記ソース電極側に距離Ddだけ延びて前記チャネル領域の一部を覆っており、距離Dsおよび距離Ddの和はチャネル長よりも小さい請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置。前記距離DsおよびDdはいずれも0.1μm以上1.0μm以下である請求項5に記載の半導体装置。前記酸化物半導体層の少なくとも前記チャネル領域を覆うエッチストップをさらに備える請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置。前記ソース電極、前記ソースバスラインおよび前記ドレイン電極を覆う第1層間絶縁層をさらに備え、前記低反射層は、前記酸化物半導体層の上に前記ソース電極、前記ソースバスラインおよび前記ドレイン電極を形成し、これらを覆う前記第1層間絶縁層を形成した後、200°C以上400°C以下の温度でアニール処理を行うことによって形成された層である請求項1から7のいずれかに記載の半導体装置。前記基板の背面側に設けられたバックライトをさらに備える請求項1から8のいずれかに記載の半導体装置。前記第1の金属元素はチタンであり、前記酸化物半導体層はIn-Ga-Zn-O系半導体を含み、前記第2の金属元素はインジウムである請求項1から9のいずれかに記載の半導体装置。請求項1から10のいずれかに記載の半導体装置を備える液晶表示装置であって、前記基板に対向するように保持された対向基板と、前記基板と前記対向基板との間に設けられた液晶層と、光硬化性樹脂を含むシール材で形成され、前記液晶層を包囲するシール部とを備え、前記液晶表示装置は、複数の画素を有する表示領域と、前記表示領域の周縁に位置する額縁領域とを有し、前記薄膜トランジスタは前記表示領域に配置され、前記シール部は前記額縁領域に配置されており、前記額縁領域において、前記基板には、前記シール部と前記表示領域との間に、前記シール材を硬化させるための光を吸収する光吸収層が形成されており、前記対向基板には、前記シール部と前記表示領域との間に遮光層が形成されており、前記光吸収層は、前記薄膜トランジスタの前記酸化物半導体層と同じ酸化物半導体膜から形成された酸化物半導体層である液晶表示装置。請求項1から10のいずれかに記載の半導体装置を備える液晶表示装置であって、前記基板に対向するように保持された対向基板と、前記基板と前記対向基板との間に設けられた液晶層と、光硬化性樹脂を含むシール材で形成され、前記液晶層を包囲するシール部とを備え、前記液晶表示装置は、複数の画素を有する表示領域と、前記表示領域の周縁に位置する額縁領域とを有し、前記薄膜トランジスタは前記表示領域に配置され、前記シール部は前記額縁領域に配置されており、前記額縁領域において、前記基板には、前記シール部の一部と重なるように、前記シール材を硬化させるための光を反射する光反射層が形成されており、前記対向基板には、前記シール部の一部と重なり、かつ、前記光反射層と対向するように遮光層が形成されており、前記光反射層は前記ソース電極と同じ金属膜から形成された金属層であり、前記金属層と前記基板との間には、前記基板側から、前記薄膜トランジスタの前記酸化物半導体層と同じ酸化物半導体膜から形成された光吸収層と、前記第1および第2の金属元素を含み、前記光に対する反射率が前記金属層よりも低い層とが形成されている液晶表示装置。前記光吸収層の一部は、前記シール部と前記表示領域との間に位置し、かつ、前記金属層によって覆われていない請求項12に記載の液晶表示装置。前記シール部は、液晶材料を注入するための隙間を有しており、光硬化性樹脂で形成され、前記隙間を封止するための封止部をさらに備え、前記光吸収層は、前記封止部と前記表示領域との間にも配置されている請求項11に記載の液晶表示装置。前記シール部は、液晶材料を注入するための隙間を有しており、前記隙間を封止するための封止部をさらに備え、前記光反射層は、前記封止部の一部とも重なるように配置されている請求項12または13に記載の液晶表示装置。A基板上にゲート電極を形成する工程と、B前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁層を形成する工程と、C前記ゲート絶縁層の上に酸化物半導体層を形成する工程と、D前記酸化物半導体層の上に、ソース電極、前記ソース電極に接続されたソースバスライン、および前記ソース電極と電気的に分離されたドレイン電極を形成する工程と、E前記ソース電極、前記ソースバスラインおよび前記ドレイン電極を覆うように第1層間絶縁層を形成する工程と、F200°C以上400°C以下の温度でアニール処理を行って、前記ソース電極、前記ソースバスラインおよび前記ドレイン電極と前記酸化物半導体層との間に、それぞれ、前記ソース電極よりも可視光に対する反射率の低い低反射層を形成する工程とを包含する半導体装置の製造方法。前記工程Cと前記工程Dとの間に、前記酸化物半導体層のうちチャネル領域となる部分を覆うエッチストップを形成する工程をさらに包含する請求項16に記載の半導体装置の製造方法。A基板上にゲート電極を形成する工程と、B前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁層を形成する工程と、C前記ゲート絶縁層の上に酸化物半導体膜および金属膜をこの順で堆積し、得られた積層膜のパターニングを行うことにより、酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と同じパターンを有する金属層とを得る工程と、D前記金属層のパターニングを行なうことにより、前記金属層からソース電極、前記ソース電極に接続されたソースバスライン、および前記ソース電極と電気的に分離されたドレイン電極を形成する工程と、E前記ソース電極、前記ソースバスラインおよび前記ドレイン電極を覆うように第1層間絶縁層を形成する工程と、F200°C以上400°C以下の温度でアニール処理を行って、前記ソース電極、前記ソースバスラインおよび前記ドレイン電極と前記酸化物半導体層との間に、それぞれ、前記ソース電極よりも可視光に対する反射率の低い低反射層を形成する工程とを包含する半導体装置の製造方法。前記金属膜はチタン膜を含み、前記酸化物半導体層はIn-Ga-Zn-O系半導体を含む請求項16から18のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。前記工程Fにおいて、前記アニール処理の温度は350°C以上400°C以下である請求項19に記載の半導体装置の製造方法。特許文献1および2に開示された従来の酸化物半導体TFTでは、酸化物半導体層の基板側にゲート電極が配置されている。このゲート電極が遮光層としても機能し、バックライト光が酸化物半導体層に入射することを抑制できる。また、特許文献2の酸化物半導体TFTでは、基板の上方からの光が酸化物半導体層に入射することを抑制できる。しかしながら、本発明者が検討したところ、特許文献1および2に開示された構造によって、酸化物半導体層に対する光可視光の入射を十分に抑制することは困難であることが分かった。このため、入射光に起因してTFT特性が低下するおそれがある。特許文献1および2に開示された従来の酸化物半導体TFTを備える半導体装置では、バックライト光のうちゲート電極によって反射されずに半導体装置内に入射した光の一部が、半導体装置内部で反射を繰り返す迷光となり、酸化物半導体層のチャネル部に入射する可能性がある。酸化物半導体層のチャネル部に光を照射した状態でゲート電極に電圧を印加すると、ゲートバイアスストレスによって、しきい値が大きくシフトする要因となる。特に、液晶ディスプレイなどの、バックライトを用いて画像表示を行うディスプレイに酸化物半導体TFTを用いると、バックライト光が酸化物半導体層に入射して酸化物半導体TFTのしきい値がシフトする結果、ディスプレイの動作不良を引き起こすおそれがある。また、携帯電話に搭載されている液晶ディスプレイに代表されるようなモバイル液晶ディスプレイでは、太陽光などの外光が酸化物半導体層に入射し、しきい値シフトを生じる可能性もある。しきい値シフトが生じる原因は、以下のように考えられる。酸化物半導体層として、例えばIn-Ga-Zn-O系半導体以下、IGZOと略する。層を用いる場合、IGZOは可視光に対して完全に透明ではなく、特に青色など短波長光を吸収して準位を形成する。また、酸化物半導体層とゲート絶縁膜との界面も可視光を吸収して準位を形成する。光照射によってこのような準位が形成されると、酸化物半導体TFTのしきい値が変動する。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、酸化物半導体層に対する可視光の入射を抑制してしきい値の変動を抑えることにより、信頼性の高い酸化物半導体TFTを提供することにある。本発明の半導体装置は、基板と、前記基板に支持された薄膜トランジスタとを備えた半導体装置であって、前記薄膜トランジスタは、チャネル領域と、前記チャネル領域の両側にそれぞれ位置するソースコンタクト領域およびドレインコンタクト領域とを有する酸化物半導体層と、前記基板と前記酸化物半導体層との間に、前記酸化物半導体層の少なくともチャネル領域と重なるように配置されたゲート電極と、前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との間に形成されたゲート絶縁層と、前記ソースコンタクト領域と電気的に接続されたソース電極と、前記ドレインコンタクト領域と電気的に接続されたドレイン電極とを含み、前記ソース電極は、ソースバスラインと電気的に接続されており、前記ソース電極、前記ソースバスラインおよび前記ドレイン電極は第1の金属元素を含んでおり、前記酸化物半導体層は第2の金属元素を含んでおり、前記基板の法線方向から見たとき、前記ソース電極の少なくとも一部、前記ソースバスラインの少なくとも一部および前記ドレイン電極の少なくとも一部は、前記酸化物半導体層と重なっており、前記ソース電極と前記酸化物半導体層との間、前記ソースバスラインと前記酸化物半導体層との間、および、前記ドレイン電極と前記酸化物半導体層との間には、第1および第2の金属元素を含み、前記ソース電極よりも可視光に対する反射率の低い低反射層が形成されている。ある好ましい実施形態において、前記第2の金属元素はインジウムであり、前記低反射層は金属インジウムを含む。ある好ましい実施形態において、前記低反射層は、前記ソース電極、前記ソースバスラインおよび前記ドレイン電極と前記酸化物半導体層とが反応し、前記第1の金属元素の酸化と前記第2の金属元素の還元とが生じることによって形成された反応層である。ある好ましい実施形態において、前記ソース電極、前記ソースバスラインおよび前記ドレイン電極の下面全体は前記低反射層に接触している。ある好ましい実施形態において、前記基板の法線方向から見たとき、前記低反射層は、前記ソース電極の前記チャネル領域側の端部から前記ドレイン電極側に距離Dsだけ延びて前記チャネル領域の一部を覆っており、かつ、前記ドレイン電極の前記チャネル領域側の端部から前記ソース電極側に距離Ddだけ延びて前記チャネル領域の一部を覆っており、距離Dsおよび距離Ddの和はチャネル長よりも小さい。ある好ましい実施形態において、前記距離DsおよびDdはいずれも0.1μm以上1.0μm以下である。ある好ましい実施形態において、上記半導体装置は、前記酸化物半導体層の少なくとも前記チャネル領域を覆うエッチストップをさらに備える。ある好ましい実施形態において、上記半導体装置は、前記ソース電極、前記ソースバスラインおよび前記ドレイン電極を覆う第1層間絶縁層をさらに備え、前記低反射層は、前記酸化物半導体層の上に前記ソース電極、前記ソースバスラインおよび前記ドレイン電極を形成し、これらを覆う前記第1層間絶縁層を形成した後、200°C以上400°C以下の温度でアニール処理を行うことによって形成された層である。ある好ましい実施形態において、上記半導体装置は、前記基板の背面側に設けられたバックライトをさらに備える。ある好ましい実施形態において、前記第1の金属元素はチタンであり、前記酸化物半導体層はIn-Ga-Zn-O系半導体を含み、前記第2の金属元素はインジウムである。本発明の液晶表示装置は、上記のいずれかに記載の半導体装置を備える液晶表示装置であって、前記基板に対向するように保持された対向基板と、前記基板と前記対向基板との間に設けられた液晶層と、光硬化性樹脂を含むシール材で形成され、前記液晶層を包囲するシール部とを備え、前記液晶表示装置は、複数の画素を有する表示領域と、前記表示領域の周縁に位置する額縁領域とを有し、前記薄膜トランジスタは前記表示領域に配置され、前記シール部は前記額縁領域に配置されており、前記額縁領域において、前記基板には、前記シール部と前記表示領域との間に、前記シール材を硬化させるための光を吸収する光吸収層が形成されており、前記対向基板には、前記シール部と前記表示領域との間に遮光層が形成されており、前記光吸収層は、前記薄膜トランジスタの前記酸化物半導体層と同じ酸化物半導体膜から形成された酸化物半導体層である。本発明の液晶表示装置は、上記のいずれかに記載の半導体装置を備える液晶表示装置であって、前記基板に対向するように保持された対向基板と、前記基板と前記対向基板との間に設けられた液晶層と、光硬化性樹脂を含むシール材で形成され、前記液晶層を包囲するシール部とを備え、前記液晶表示装置は、複数の画素を有する表示領域と、前記表示領域の周縁に位置する額縁領域とを有し、前記薄膜トランジスタは前記表示領域に配置され、前記シール部は前記額縁領域に配置されており、前記額縁領域において、前記基板には、前記シール部の一部と重なるように、前記シール材を硬化させるための光を反射する光反射層が形成されており、前記対向基板には、前記シール部の一部と重なり、かつ、前記光反射層と対向するように遮光層が形成されており、前記光反射層は前記ソース電極と同じ金属膜から形成された金属層であり、前記金属層と前記基板との間には、前記基板側から、前記薄膜トランジスタの前記酸化物半導体層と同じ酸化物半導体膜から形成された光吸収層と、前記第1および第2の金属元素を含み、前記光に対する反射率が前記金属層よりも低い層とが形成されている。ある好ましい実施形態において、前記光吸収層の一部は、前記シール部と前記表示領域との間に位置し、かつ、前記金属層によって覆われていない。ある好ましい実施形態において、前記シール部は、液晶材料を注入するための隙間を有しており、光硬化性樹脂で形成され、前記隙間を封止するための封止部をさらに備え、前記光吸収層は、前記封止部と前記表示領域との間にも配置されている。ある好ましい実施形態において、前記シール部は、液晶材料を注入するための隙間を有しており、前記隙間を封止するための封止部をさらに備え、前記光反射層は、前記封止部の一部とも重なるように配置されている。本発明の半導体装置の製造方法は、A基板上にゲート電極を形成する工程と、B前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁層を形成する工程と、C前記ゲート絶縁層の上に酸化物半導体層を形成する工程と、D前記酸化物半導体層の上に、ソース電極、前記ソース電極に接続されたソースバスライン、および前記ソース電極と電気的に分離されたドレイン電極を形成する工程と、E前記ソース電極、前記ソースバスラインおよび前記ドレイン電極を覆うように第1層間絶縁層を形成する工程と、F200°C以上400°C以下の温度でアニール処理を行って、前記ソース電極、前記ソースバスラインおよび前記ドレイン電極と前記酸化物半導体層との間に、それぞれ、前記ソース電極よりも可視光に対する反射率の低い低反射層を形成する工程とを包含する。ある好ましい実施形態において、上記製造方法は、前記工程Cと前記工程Dとの間に、前記酸化物半導体層のうちチャネル領域となる部分を覆うエッチストップを形成する工程をさらに包含する。本発明の半導体装置の製造方法は、A基板上にゲート電極を形成する工程と、B前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁層を形成する工程と、C前記ゲート絶縁層の上に酸化物半導体膜および金属膜をこの順で堆積し、得られた積層膜のパターニングを行うことにより、酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と同じパターンを有する金属層とを得る工程と、D前記金属層のパターニングを行なうことにより、前記金属層からソース電極、前記ソース電極に接続されたソースバスライン、および前記ソース電極と電気的に分離されたドレイン電極を形成する工程と、E前記ソース電極、前記ソースバスラインおよび前記ドレイン電極を覆うように第1層間絶縁層を形成する工程と、F200°C以上400°C以下の温度でアニール処理を行って、前記ソース電極、前記ソースバスラインおよび前記ドレイン電極と前記酸化物半導体層との間に、それぞれ、前記ソース電極よりも可視光に対する反射率の低い低反射層を形成する工程とを包含する。ある好ましい実施形態において、前記金属膜はチタン膜を含み、前記酸化物半導体層はIn-Ga-Zn-O系半導体を含む。ある好ましい実施形態において、前記工程Fにおいて、前記アニール処理の温度は350°C以上400°C以下である。本発明によると、酸化物半導体TFTを備える半導体装置において、酸化物半導体層への可視光の入射を抑制できるので、可視光の入射に起因する酸化物半導体TFTのしきい値シフトを抑えることができ、信頼性を高めることができる。また、上記半導体装置を、生産性を低下させることなく製造できる。まず、酸化物半導体TFTを備える従来の半導体装置において、半導体装置内部で反射を繰り返す迷光がTFTに与える影響を説明する。図14aは、ボトムゲート構造を有する従来の酸化物半導体TFTを備えた半導体装置3001を例示する断面図である。図示するTFT構造は、例えば特許文献2に開示されている。半導体装置3001は、基板42と、基板42の上に形成されたゲート電極44と、ゲート電極44を覆うゲート絶縁膜46と、ゲート絶縁膜46の上に形成された酸化物半導体層48と、ソース電極50と、ドレイン電極52とを有している。酸化物半導体層48は、チャネル領域48cと、チャネル領域48cの両側に配置されたソースコンタクト領域48sおよびドレインコンタクト領域48dとを有している。チャネル領域48cは、ゲート絶縁膜46を介してゲート電極44と重なっている。ソースコンタクト領域48sはソース電極50と接し、ドレインコンタクト領域48dはドレイン電極52と接している。図示しないが、基板42の裏面TFTが形成された面と反対側の表面側にはバックライトが設けられている。半導体装置3001では、バックライトから出射される光バックライト光のうち、酸化物半導体層48に向かって基板42の法線方向Dに進む光60aは、ゲート電極44によって反射され、酸化物半導体層48には入射しない。しかしながら、バックライト光のうちゲート電極44によって反射されずに半導体装置3001内に入射した光の一部60bは、ソース電極またはソースバスライン50、ドレイン電極またはドレイン配線52およびゲート電極またはゲート配線44などの金属表面で繰り返し反射され、チャネル領域48cに入射するおそれがある。本明細書では、光60bのように、半導体装置内部で繰り返し反射多重反射される光を迷光と称する。なお、ここではバックライト光を例に説明したが、外光が基板42側から半導体装置3001内部に入射する場合も同様である。また、特許文献1に開示された酸化物半導体TFT3002では、図14bに示すように、酸化物半導体層48とソース電極50との間、および酸化物半導体層48とドレイン電極52との間に、コンタクト性を改善するための金属酸化物層54、56が形成されている。しかしながら、チャネル領域48cへの光の入射を低減するように構成されていない。本発明者が調べたところ、金属酸化物層54、56の可視光に対する反射率は例えば20程度であると見込まれる。このため、金属酸化物層54、56を設けても、迷光の多重反射を十分に抑制することは困難である。さらに、半導体装置3002では、チャネル領域48cの一部はゲート電極44と重なっていないので、バックライト光がチャネル領域48cに直接入射するおそれもある。一方、図示しないが、特許文献2には、酸化物半導体TFTの観察者側、すなわちソースおよびドレイン電極よりも上方に遮光層を配置することも提案されている。従って、遮光層によって、観察者側から半導体装置に入射する光が酸化物半導体層に入ることを抑制できる。しかしながら、遮光層はソースおよびドレイン電極の上方に配置されているため、背面基板のうちゲート電極の形成されていない領域を透過して半導体装置に入射した光図14aの光60bが繰り返し反射されて酸化物半導体層に入射することを抑制できない。さらに、バックライト光などの光は、酸化物半導体TFTの近傍に入射しなくても、半導体装置内のどこかに入射すると、ソースバスラインなどの配線の表面によって反射を繰り返しながら酸化物半導体TFTの近傍まで進む可能性もある。特許文献1および2に開示された構成では、そのような光が酸化物半導体層に入射することを抑制できない。これに対し、本発明者は、酸化物半導体TFTのソース電極、ドレイン電極およびソースバスラインと酸化物半導体層との間に、可視光に対する反射率の低い低反射率層を形成することによって、上述したような迷光を低減できることを見出した。また、低反射率層として、ソースおよびドレイン電極に含まれる金属と酸化物半導体との酸化還元反応によって形成された層を用いることにより、コンタクト性を維持しつつ、かつ、製造工程を複雑にすることなく、迷光によるTFTの特性低下を実現できることを見出し、本願発明に至った。第1の実施形態以下、図面を参照しながら、本発明による半導体装置の第1の実施形態を説明する。本実施形態の半導体装置は、酸化物半導体からなる活性層を有する薄膜トランジスタ酸化物半導体TFTを備える。なお、本実施形態の半導体装置は、酸化物半導体TFTを備えていればよく、アクティブマトリクス基板、各種表示装置、電子機器などを広く含む。ここでは、酸化物半導体TFTをスイッチング素子として備えるTFT基板を例に説明する。本実施形態のTFT基板は、液晶表示装置に好適に用いられ得る。図1aおよびbは、本実施形態の半導体装置1001の断面図および平面図である。本実施形態の半導体装置TFT基板1001は、複数の画素部101を含む表示領域100と、表示領域以外の領域に形成された端子配置領域図示せずとを有している。各画素部101には、画素の列方向に沿って延びるソースバスライン13sと、画素の行方向に沿って延びるゲートバスライン3gと、酸化物半導体TFT103とが設けられている。本実施形態では、ゲートバスライン3gはゲート電極3aを含んでいる。酸化物半導体TFT103は、ソースバスライン13sとゲートバスライン3gとの交差する点の近傍に配置されている。なお、半導体装置1001はCS容量をさらに有していてもよい。各ソースバスライン13sは、表示領域100の端部まで延び、ソースゲート接続部107において、ゲート電極と同一膜から形成された配線ゲート接続配線と呼ぶ。3cと電気的に接続される。ゲート接続配線3cはさらに端子配置領域まで延びて、不図示の端子部ソース端子において外部配線と接続される。一方、図示しないが、ゲートバスライン3gも、端子配置領域まで延びて、端子部ゲート端子において外部配線と接続される。酸化物半導体TFT103の酸化物半導体層7は、ソース電極13asおよびドレイン電極13adとそれぞれ接続されている。ソース電極13asは、対応するソースバスライン13sと接続されている。ドレイン電極13adは、画素電極19と接続されている。また、酸化物半導体層7のうちチャネルが形成される領域チャネル領域7cは、ゲート電極3aと重なるように配置されている。基板1の法線方向から見たとき、酸化物半導体層7は、ソース電極13asの少なくとも一部、ドレイン電極13adの少なくとも一部およびソースバスライン13sの少なくとも一部と重なっている。図示する例では、酸化物半導体層7は、ソース電極13as、ソースバスライン13sおよびドレイン電極13adのパターン全体と重なるようなパターンを有する。なお、酸化物半導体層7は、ソース電極13asおよびドレイン電極13adの下に位置するパターンと、ソースバスライン13sの下に位置するパターンとを含む複数のパターンとに分離されていてもよい。次いで、図1bを参照しながら酸化物半導体TFT103の断面構造を説明する。図1bは、半導体装置1001の酸化物半導体TFT103のI-I’線に沿った断面を示している。酸化物半導体TFT103は、基板1の上に設けられたゲート電極3aと、ゲート電極3aを覆うゲート絶縁層5と、ゲート絶縁層5上に形成された酸化物半導体層7とを備えている。本実施形態における酸化物半導体層7は、例えばIn-Ga-Zn-O系半導体IGZO層である。酸化物半導体層7は、チャネル領域7cと、チャネル領域7cの両側にそれぞれ配置されたソースコンタクト領域7sおよびドレインコンタクト領域7dを有している。チャネル領域7cは、ゲート絶縁層5を介してゲート電極3aと重なっている。酸化物半導体層7のソースコンタクト領域7sの上にはソース電極13asが設けられている。ソースコンタクト領域7sとソース電極13asとの間には低反射層4sが形成されており、ソース電極13asは低反射層4sを介してソースコンタクト領域7sと電気的に接続されている。低反射層4sは、酸化物半導体層7とソースバスライン13sとの間にも形成されている。また、酸化物半導体層7のドレインコンタクト領域7dの上にはドレイン電極13adが設けられている。ドレインコンタクト領域7dとドレイン電極13adとの間には低反射層4dが形成されており、ドレイン電極13adは低反射層4dを介してドレインコンタクト領域7dと電気的に接続されている。本明細書において、低反射層4s、4dは、ソースバスライン13s、ソース電極13asおよびドレイン電極13adに含まれる金属元素例えばチタンと、酸化物半導体層7に含まれる金属元素例えばインジウムとを含み、ソースバスライン13s、ソース電極13asおよびドレイン電極13adよりも可視光に対する反射率の低い層を指すものとする。本実施形態における低反射層4s、4dは、例えば、ソースバスライン13s、ソース電極13asおよびドレイン電極13adに含まれる金属元素と酸化物半導体層7の酸化物半導体との酸化還元反応によって形成された反応層である。酸化物半導体TFT103は、ソース電極13as、ソースバスライン13sおよびドレイン電極13adの上に形成された層間絶縁層20で覆われている。層間絶縁層20の構造および材料は特に限定しない。本実施形態における層間絶縁層20は、第1層間絶縁層パッシベーション膜20Aと、第1層間絶縁層20Aの上に形成された第2層間絶縁層20Bとを含んでいる。第2層間絶縁層20Bの上には画素電極19が配置されている。画素電極19は、第1および第2層間絶縁層20A、20Bに形成されたコンタクトホール内で、ドレイン電極13adと接している。本実施形態では、ゲート電極3aのチャネル長方向の幅Gは、ソース電極13asのチャネル領域7c側の端部とドレイン電極13adのチャネル領域7c側の端部とのチャネル長方向の距離見かけ上のチャネル長Lよりも大きい。また、ゲート電極3aは、基板1の裏面側から見たとき、チャネル領域7cの全体と、ソースコンタクト領域7sの一部およびドレインコンタクト領域7dの一部と重なるように配置されており、いわゆるオフセット領域が設けられていない。このような構成により、基板1を透過したバックライト光が直接酸化物半導体層7のチャネル領域7cに入射することを効果的に抑制できる。本実施形態の半導体装置1001は、ソースバスライン13s、ソース電極13asおよびドレイン電極13dの基板側に低反射層4s、4dが設けられているので、次のような利点を有する。図1bに示すように、半導体装置1001の内部に入射したバックライト光や太陽光などの光29の一部は、低反射層4s、4dとゲート電極3aまたはゲートバスライン3gとの間で多重に反射される。低反射層4s、4dの反射率は、ソース電極13asなどの金属層の反射率よりも小さいことから、光29の強度は、多重反射されている間に低減される。従って、多重反射によってチャネル領域7cに入射する光の量を従来よりも小さく抑えることができる。このように、本実施形態によると、酸化物半導体TFT103の光による劣化を抑制でき、信頼性を高めることができる。基板1の法線方向から見たとき、低反射層4sは、ソース電極13asのチャネル領域側cの端部からドレイン電極13ad側に距離Dsだけ延びてチャネル領域7cの一部を覆っていることが好ましい。同様に、低反射層4dは、ドレイン電極13adのチャネル領域7c側の端部からソース電極13as側に距離Ddだけ延びてチャネル領域7cの一部を覆っていることが好ましい。この場合、低反射層4sおよび4dが互いに接しないように、距離Dsおよび距離Ddを制御する必要がある。すなわち、距離DsおよびDdの和はチャネル長Lよりも小さくなるように設定される。これにより、ソース電極13asおよびドレイン電極13adのチャネル領域7c側の側面で、光29が反射することを抑制できる。従って、チャネル領域7cへの光29の入射をより効果的に低減できる。低反射層4sの端部とソース電極13asの端部とのチャネル長方向における距離Dsは例えば0.1μm以上1.0μm以下であることが好ましい。同様に、低反射層4dの端部とドレイン電極13adの端部とのチャネル長方向における距離Ddは例えば0.1μm以上1.0μm以下であることが好ましい。距離Ds、Ddが0.1μm以上であれば、ソース電極13asおよびドレイン電極13adのチャネル領域7c側の側面における光の反射をより確実に低減できる。一方、距離Ds、Ddが1μmを超えると、チャネル長すなわち、反射層4sのチャネル領域7c側の端部と反射層4dのチャネル領域7c側の端部とのチャネル方向の距離が確保できないおそれがある。低反射層4sは、ソース電極13asの下面全体と接するように形成されていることが好ましい。これにより、ソース電極13asの下面による光29の反射を抑制できるので、より顕著な効果が得られる。同様の理由から、低反射層4dはドレイン電極13adの下面全体と接するように形成されていることが好ましい。また、低反射層4sは、ソースバスライン13sの下面のうち少なくともゲート電極3aおよびゲート接続配線3cの近傍に位置する部分と接するように形成されていることが好ましく、これにより、入射光の多重反射をより効果的に抑制できる。さらに効果的に抑制するためには、低反射層4sは、ソースバスライン13sの下面全体と接するように形成される。次いで、本実施形態における低反射層4s、4dの組成を説明する。後述するように、本実施形態では、酸化物半導体層7の上に、ソースバスライン13s、ソース電極13asおよびドレイン電極13adとなる金属膜を形成し、アニール処理を行うことによって、酸化物半導体層7と金属膜との間に低反射層4s、4dを形成する。ここでは、ソースバスライン13s、ソース電極13asおよびドレイン電極13adの材料金属材料としてチタン、酸化物半導体としてIGZOを用い、アニール温度を350°Cに設定して反射層4s、4dを形成し、その組成を調べたので説明する。オージェ電子分光法により低反射層4s、4d中のチタンおよびインジウムの結合状態を解析した結果を図2に示す。図2の横軸は、ソースバスラインチタン層13sの上面からの深さ、縦軸は検出強度を表している。解析結果から、低反射層4s、4d内では、チタンは酸化物性の結合状態となっており、インジウムは金属性の結合状態となっていることが確認できた。これは、低反射層4s、4dが、配線材料であるチタンと酸化物半導体であるIGZOとの間で酸化還元反応が生じ、チタンの酸化とインジウムの還元とが同時に起こることによって形成された反応層であることを示している。この反応により生じた反応層の組成は、例えばTi39、In7、Ga6、Zn1、O47である。得られた低反射層の可視光に対する反射率を調べたところ、例えば16であり、Ti層の可視光に対する反射率30の略1/2であることが分かった。低反射層およびTi層の可視光に対する反射率は、例えば分光測色計を用いて測定され得る。ここでは、ミノルタ製分光測色計CM-2002を用い、正反射を含むモードSCIモードで、酸化物半導体層側から低反射層あるいはTi層の下面の反射率を測定した。なお、特許文献1では、IGZO層とソースおよびドレイン電極とを積層し、例えば350°Cでアニール処理を行って、IGZO層とソースおよびドレイン電極との間に金属酸化物層を形成している。この金属酸化物層は、後で詳述するように、アニール雰囲気中の酸素による酸化反応も生じながら形成される点で本実施形態の低反射層とは異なる。また、特許文献1では、ゲート電極のチャネル長方向の幅は、チャネル領域のチャネル長よりも小さく、基板を透過したバックライト光が直接酸化物半導体層に入射するおそれがある。さらに、TFTを形成する領域TFT形成領域内に島状の酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層と電極とのコンタクト性を改善する目的で、酸化物半導体層のソースコンタクト領域およびドレインコンタクト領域に金属酸化物層を形成している。従って、この構成では、TFT形成領域以外の領域において、ソースバスラインの下面での光の反射を抑制することは困難である。次に、図面を参照しながら、半導体装置1001の製造方法の一例を説明する。図3a~hは、それぞれ、基板1上に、酸化物半導体TFT103を形成する方法を説明するための工程断面図である。まず、図3aに示すように、基板1にゲート電極厚さ:例えばTi/Al/Ti積層膜330nm3aおよびゲートバスライン図示せずを形成する。基板1としては、例えばガラス基板などの透明絶縁性の基板を用いることができる。ゲートバスラインおよびゲート電極3aは、スパッタ法で基板1上にゲート配線膜を形成した後、フォトリソ法によりゲート配線膜のパターニングを行うことによって形成できる。ここでは、ゲート配線膜として、基板1側からチタン膜、アルミニウム膜およびチタン膜をこの順で有する3層構造の積層膜を用いる。なお、ゲート配線膜として、例えば、チタン、モリブデン、タンタル、タングステン、銅などの単層膜、それらを含む積層膜、あるいは合金膜などを用いても良い。続いて、図3bに示すように、ゲートバスラインおよびゲート電極3aを覆うように、ゲート絶縁層5を形成する。ゲート絶縁層5は、CVD法により絶縁膜を形成し、フォトリソ法によってパターニングを行うことによって形成され得る。絶縁膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜であってもよいし、それらの膜からなる積層膜であってもよい。ここでは、基板1側から窒化シリコン膜および酸化シリコン膜をこの順で有する積層膜厚さ:375nmを用いる。このように、ゲート絶縁層5の上面が酸化シリコンで構成されていると、その上に形成される酸化物半導体層に酸素欠損が生じた場合にも、酸化シリコンから酸素を補填できるので好ましい。次いで、図3cに示すように、ゲート絶縁層5上に酸化物半導体層7を形成する。具体的には、スパッタ法を用いて、例えば厚さが10nm以上300nm以下のIGZO膜をゲート絶縁層5上に形成する。この後、フォトリソグラフィにより、IGZO膜のパターニングを行い、酸化物半導体層7を得る。酸化物半導体層7のパターンは、ゲート電極3aの上に位置し、チャネル領域となる部分と、ソースバスライン、ソース電極およびドレイン電極の下に配置される部分とを含む。酸化物半導体層7は、後から形成されるソースバスライン、ソース電極およびドレイン電極のパターン全体がその上に配置されるようなパターンを有することが好ましい。ここでは、酸化物半導体層7として、Inインジウム、GaガリウムおよびZn亜鉛を1:1:1の割合で含むIn-Ga-Zn-O系半導体層IGZO層を形成するが、In、GおよびZnの割合は適宜選択され得る。IGZO膜の代わりに、他の酸化物半導体膜を用いて酸化物半導体層7を形成してもよい。例えばZn-O系半導体ZnO膜、In-Zn-O系半導体IZO膜、Zn-Ti-O系半導体ZTO膜、Cd-Ge-O系半導体膜、Cd-Pb-O系半導体膜などを用いてもよい。酸化物半導体膜として、アモルファス酸化物半導体膜を用いることが好ましい。低温で製造でき、かつ、高い移動度を実現できるからである。次いで、図3dに示すように、酸化物半導体層7の上に、ソースバスライン不図示、ソース電極13asおよびドレイン電極13ad例えば厚さが30nm以上150nm以下のチタン単層膜を形成する。ソースバスライン、ソース電極13asおよびドレイン電極13adは、酸化物半導体層7の上面に配置される。酸化物半導体層7のうちチャネル領域となる領域7cはこれらの配線で覆われず、露出している。ソースバスライン、ソース電極13asおよびドレイン電極13adは、例えばスパッタ法により金属膜を堆積し、この金属膜をフォトリソグラフィによりパターニングすることによって形成できる。金属膜として、ここではチタンTi膜を用いる。金属膜として、チタン膜を下層とし、その上に、アルミニウム、モリブデン、タンタル、タングステン、銅またはそれらの合金からなる膜を有する積層膜を用いてもよい。その場合、下層となるチタン膜の厚さは例えば30nm以上150nm以下である。チタン膜が30nm以上であれば、後の工程で所定の厚さの低反射層を形成でき、かつ、酸化物半導体層と反応しなかったチタンをソースバスラインとして残すことができる。金属膜として積層膜を用いる場合、積層膜のうち酸化物半導体層7の上面と接する層最下層がチタン膜であることが好ましい。これにより、より反射率の低い低反射層が得られる。なお、チタン膜の代わりにアルミニウム膜、モリブデン膜などであっても、反射率を抑制する効果は得られる。次いで、図3eに示すように、ソースバスライン、ソース電極13asおよびドレイン電極13adの上に、第1層間絶縁層パッシベーション膜20Aを形成する。ここでは、第1層間絶縁層20Aとして、CVD法により酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜またはそれらの積層膜を形成する。第1層間絶縁層20Aの厚さは100nm以上500nm以下であることが好ましい。次いで、大気雰囲気中で200~400°Cの温度領域で、2時間のアニール処理を行った。これにより、図3fに示すように、ソースバスライン13s、ソース電極13asと酸化物半導体層7との間に低反射層4sが形成され、ドレイン電極13adと酸化物半導体層7との間に低反射層4dが形成される。この後、第1層間絶縁層20Aに、ドレイン電極13adの表面の一部を露出する開口部14Aを設ける。アニール処理では、ソースバスライン13s、ソース電極13asおよびドレイン電極13adに含まれる金属チタンが、酸化物半導体層7との界面から酸化物半導体層7側に拡散する。この結果、拡散したチタンと、酸化物半導体層7のIGZOとの間で酸化還元反応が生じ、チタンが酸化されると同時に、IGZO中のインジウムが還元されて金属インジウムとなる。この反応によって生じる反応層が低反射層4s、4dとなる。このように、低反射層4s、4dは、アニール処理において配線材料との反応によって還元された金属インジウムを含む。透明なIGZO側から入射した光の低反射層4s、4dによる反射率は、低反射層4s、4dの屈折率nおよび消衰係数κによって決まる。低反射層4s、4dを配置することによって、ソース電極13asなど金属膜による反射を抑制しようとすると、例えば低反射層4s、4dの消衰係数κを、IGZOのκκ≒0よりも大きく、かつ、金属配線材料のκチタン:例えば2~3よりも小さくすればよい。上述したように、低反射層4s、4dが金属インジウムを含んでいると、そのκを0より大きく金属のκよりも小さくすることができるので、反射防止効果を発現する。チタンとIGZOとを反応させて低反射層4s、4dを形成する場合、アニール処理の温度は、300°C以上400°C以下であることがより好ましい。さらに好ましくは350°C以上400°C以下である。アニール温度が高いほど反射率をより低減できるからである。本発明者が検討したところ、280°Cで1時間アニール処理を行って得られた反応層の反射率は25であったが、350°Cで1時間アニール処理を行って得られた反応層の反射率は16であり、アニール処理前の反射率30と比べて大幅に低下することが分かった。なお、特許文献1に開示された方法では、ソースおよびドレイン配線、酸化物半導体層を露出した状態でアニール処理を行うので、これらの配線と酸化物半導体層との界面に生じた反応層において、配線材料の金属との酸化還元反応によって還元された金属インジウム金属結合性のインジウムは、アニール雰囲気中の酸素によって再び酸化される。金属インジウムが酸化されると、その金属性結合が共有結合性の結合へと変化し、より透明な層すなわちκ≒0となる。このように、特許文献1の方法で形成された反応層は、金属インジウムを実質的に含まず、その消衰係数κはIGZOのκと略等しくなるので、κが大きい金属膜との界面における反射を防止する効果に乏しい。これに対し、本実施形態では、パッシベーション膜で覆われた状態でアニールを行うため、インジウムの金属結合性がアニール雰囲気中の酸素と反応して共有結合性に戻ることを防止できる。従って、本実施形態の方法で形成された低反射層4s、4dは、金属インジウムを含むので、IGZOのκκ≒0より大きく、且つ、配線材料の金属のκよりも小さいκを有し、より高い反射防止効果を示すことができる。本実施形態では、低反射層4s、4dを形成する際、チタンの一部は酸化物半導体層7内を厚さ方向のみでなく横方向基板1に平行な方向にも拡散する。このため、低反射層4sのチャネル領域7c側の端部は、ソース電極13asのチャネル領域7c側の端部よりもドレイン電極13ad側に距離Dsだけ延びる。同様に、低反射層4dのチャネル領域7c側の端部は、ドレイン電極13adのチャネル領域7c側の端部よりもソース電極13as側に距離Ddだけ延びる。前述したように、距離Ds、Ddは0.1μm以上1.0μm以下であることが好ましい。距離Ds、Ddは、アニール条件アニール温度および時間を調整することによって制御され得る。続いて、図3gに示すように、第1層間絶縁層20Aの上に、例えばポジ型の感光性樹脂膜を用いて第2層間絶縁層20B厚さ:例えば2μmを形成する。第2層間絶縁層20Bは、有機材料からなる層であることが好ましい。この後、第2層間絶縁層20Bに、ドレイン電極13adの表面の一部を露出する開口部14Bを設ける。続いて、図3hに示すように、画素電極19を形成する。ここでは、第2層間絶縁層20Bの上および開口部14B内に、例えばスパッタ法により導電膜を堆積する。導電膜として、例えばITOインジウム錫酸化物膜厚さ:50~200nm、IZO膜やZnO膜酸化亜鉛膜などの透明導電膜を用いてもよい。次いで、フォトリソグラフィにより導電膜をパターニングすることにより、画素電極19が得られる。画素電極19は、開口部14B内でドレイン電極13adと電気的に接続されるように配置される。このようにして、酸化物半導体TFT103を備える半導体装置1001が製造される。本実施形態における酸化物半導体TFT103の形成方法は上記方法に限定されない。例えば図4a~cを参照しながら以下に説明するように、酸化物半導体層となる酸化物半導体膜例えばIGZO膜とソースバスライン、ソース電極およびドレイン電極となる金属膜例えばチタン膜とを同時にパターニングすることもできる。まず、図3aおよびbを参照しながら前述した方法と同様の方法で、基板1の上にゲートバスライン、ゲート電極3aおよびゲート絶縁層5を形成する。次いで、図4aに示すように、ゲート絶縁層5の上に、酸化物半導体膜7’および金属膜13’をこの順で堆積する。金属膜13’は、チタン膜であってもよいし、チタン膜の上に、モリブデン、タンタル、タングステン、銅またはそれらの合金からなる膜を有する積層膜であってもよい。この後、図4bに示すように、酸化物半導体膜7’および金属膜13’をフォトリソ法によって同時にパターニングする。これにより、酸化物半導体層7および金属層13からなる積層膜を得る。次いで、図4cに示すように、ハーフ露光技術を用いたフォトリソ法によって、金属層13のうち酸化物半導体層7のチャネル領域7c上に位置する部分を除去する。これにより、チャネル領域7cを露出させるとともに、金属層13をソースバスライン不図示およびソース電極13asとドレイン電極13adとに分離する。この後、図3e~図3hを参照しながら前述した方法と同様の方法で、酸化物半導体TFT103を得る。次に、本実施形態の半導体装置1001における接続部107の構造を説明する。図5a~cは、それぞれ、接続部107の構造を例示する断面図であり、図1に示すII-II’線に沿った断面を示している。図5aに示す構造では、ゲート電極3aと同じ導電膜から形成されたゲート接続配線3cは、ゲート絶縁層5に設けられたコンタクトホール内で、酸化物半導体層7および低反射層4sを介してソースバスライン13sと接続されている。本実施形態では、ソースバスライン13sの下面全体に酸化物半導体層7が配置されているため、図5aに示すように、ソースバスライン13sとゲート接続配線3cとの間に酸化物半導体層7および低反射層4sが介在する。酸化物半導体層7はメタル材料よりも高抵抗であるため、図5aのような接続部107を用いると、接続抵抗が大きくなるという問題がある。このため、接続抵抗に配慮した設計を行う必要がある。なお、接続抵抗を低減するためには、ソースバスライン13sとゲート接続配線3cとを、酸化物半導体よりも抵抗の低いメタル材料や画素電極材料を用いて接続することが好ましい。ただし、メタル材料や画素電極材料を用いると、最小加工寸法などの制約から接続部107の寸法が大きくなるおそれがある。従って、画素の開口率が低下したり、液晶パネルの表示領域の周縁に位置する領域額縁領域の寸法が増大する懸念がある場合には、図4aのような構造の接続部107を用いることが好ましい。図5bは、画素電極材料ITO、IZOなどからなる導電層19cを用いて、ソースバスライン13sとゲート接続配線3cとを接続する構造の一例を示す。図5bに示す接続部108では、導電層19cは、画素電極と同一の透明導電膜をパターニングすることによって形成される。この構造によると、低抵抗の画素電極材料を用いるので、図5aに示す構造よりも接続抵抗を低減することができる。なお、この構造では、接続部108に生じる段差が、酸化物半導体層の厚さの分だけ従来よりも大きくなる。このため、スパッタ法で形成される導電層19cによって接続部108に生じる段差コンタクトホールの深さを十分に被覆することは困難である。特に、接続部107において、ソースバスライン13sの端部と酸化物半導体層7の端部とが、基板1の法線方向から見たときに整合するように設計されていると、フォトリソの重ねあわせ、エッチングシフトなどのプロセスバラツキによって、ソースバスライン13sの端部より酸化物半導体層107の端部が内側に入るハング形状となる。このような形状になると、接続部107のコンタクトホールの側壁で導電層19cが断線するおそれがある。従って、基板1の法線方向から見たとき、接続部108におけるソースバスライン13sの端部が、酸化物半導体層7の上面の上に位置するように設計されることが好ましい。これにより、テーパー形状を有するコンタクトホールが形成されるので、必要なプロセスマージンを確保し、導電層19cの断線による接続不良を抑制できる。あるいは、図5cに示すように、ゲート接続配線3cと導電層19cとを接続するための第1接続部109aと、導電層19cとソースバスライン13sとを接続するための第2接続部109bとを備えていてもよい。これにより、接続部109a、109bに要する面積は大きくなるものの、接続抵抗を増大させることなく、ソースバスライン13sとゲート接続配線3cとをより確実に接続できる。第2の実施形態以下、本発明による半導体装置の第2の実施形態を説明する。本実施形態は、酸化物半導体層7上に、チャネル領域7cを保護するためのエッチストップ9を有している。図6は、本実施形態の半導体装置1002における酸化物半導体TFT203の断面図である。簡単のため、図1と同様の構成要素には同じ参照符号を付し、説明を省略する。なお、半導体装置1002の平面図は、図1に示す平面図と同様であるため、省略する。本実施形態における酸化物半導体TFT203では、図6に示すように、酸化物半導体層7の上面のうちチャネル領域7cとなる部分と接するようにエッチストップ9が形成されている。エッチストップ9は、酸化物半導体層7の上面のうち少なくともチャネル領域7cと接するように形成されていればよい。ソースおよびドレイン電極13as、13adは、エッチストップ9および酸化物半導体層7の上に配置されている。ソースバスライン不図示の少なくとも一部も酸化物半導体層7上に配置されている。酸化物半導体層7とソースバスライン、ソース電極13asおよびドレイン電極13adとの間には、低反射層4s、4dが形成されている。この実施形態では、ソースバスライン、ソース電極13asおよびドレイン電極13adの下面のうちエッチストップ9と接する領域以外は、低反射層4s、4dと接触している。低反射層4s、4dの組成は、図2を参照しながら前述した組成と同じであってもよい。本実施形態でも、前述の実施形態と同様に、ソースバスライン、ソース電極13asおよびドレイン電極13adの下面が低反射層4s、4dと接しているので、半導体装置1002に入射した光がソースバスライン、ソース電極13as、ドレイン電極13ad、ゲートバスラインおよびゲート電極3aの表面で繰り返し反射して酸化物半導体層7のチャネル領域7cに入射することを抑制できる。また、基板1の裏面から見て、チャネル領域7cは、ゲート電極3aによって遮光されているので、基板1の裏面側からの光がチャネル領域7cに直接入射することを抑制できる。基板1の法線方向から見たとき、低反射層4sのチャネル領域7c側の端部E1は、ソース電極13asのうち酸化物半導体層7と接する部分のチャネル領域7c側の端部E2よりもドレイン電極14ad側に位置していることが好ましい。すなわち、低反射層4の一部はエッチストップ9の下方に配置されていることが好ましい。同様に、低反射層4dのチャネル領域7c側の端部E3は、ドレイン電極13adのうち酸化物半導体層7と接する部分のチャネル領域7c側の端部E4よりもソース電極13as側に位置していることが好ましい。これにより、ソース電極13asおよびドレイン電極13adのうちエッチストップ9の側壁と接する部分で、光29が反射することを抑制できる。従って、チャネル領域7cへの光29の入射をより効果的に低減できる。端部E1と端部E2とのチャネル長方向における距離Dsは例えば0.1μm以上1.0μm以下である。同様に、端部E3と端部E4とのチャネル長方向における距離Ddは例えば0.1μm以上1.0μm以下である。また、酸化物半導体層7の少なくともチャネル領域7cをエッチストップ9で保護するので、特にソース電極13asとドレイン電極13adとを分離するためのエッチング工程において、酸化物半導体層7に対するプロセスダメージを抑えることができる。従って、酸化物半導体層7の劣化低抵抗化をより効果的に抑制できる。エッチストップ9は、絶縁膜であればよいが、SiO2膜などの酸化物膜を用いることが好ましい。酸化物膜を用いると、酸化物半導体層7に酸素欠損が生じた場合に、酸化物膜に含まれる酸素によって酸素欠損を回復することが可能となるので、酸化物半導体層7の酸化欠損をより効果的に低減できる。本実施形態の半導体装置1002におけるソースゲート接続部の構造は、図5a~cを参照しながら前述した構造の何れかと同様であってもよい。次に、本実施形態の半導体装置1002の製造方法の一例を説明する。まず、図7a~hは、それぞれ、基板1上に酸化物半導体TFT203を形成する方法を説明するための工程断面図である。簡単のため、図6と同様の構成要素には同じ参照符号を付し、説明を省略する。まず、図7a~cに示すように、ガラス基板などの基板1の上に、ゲートバスライン、ゲート電極3a、ゲート絶縁層5および酸化物半導体層7を形成する。これらの形成方法および材料は、図3a~cを参照しながら前述した方法と同様であってもよい。続いて、図7dに示すように、酸化物半導体層7のチャネル領域となる領域上にエッチストップ9を形成する。ここでは、酸化物半導体層7およびゲート絶縁膜5の上に、CVD法でエッチストップとなる絶縁膜を堆積した後、フォトリソ法によって絶縁膜のパターニングを行い、エッチストップ9を得る。絶縁膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜またはそれらの積層膜を用いることができる。絶縁膜の厚さは例えば30nm以上300nm以下である。エッチストップ9を形成すると、後で行うソースおよびドレイン電極を分離するためのエッチング工程の際に、酸化物半導体層7にエッチングダメージが生じることを抑制できる。従って、エッチングダメージに起因するTFT特性の劣化を抑制できる。ただし、エッチストップ9を形成しない場合図3と比べて工程数が増加するので、生産性は低くなる。次いで、図7eに示すように、エッチストップ9上および酸化物半導体層7上に、ソース電極およびドレイン電極例えば厚さが30nm以上150nm以下のチタン単層膜13as、13adを形成し、酸化物半導体層7上にソースバスライン図示せずを形成する。次いで、ソースバスライン、ソース電極13asおよびドレイン電極13adの上に、パッシベーション膜として第1層間絶縁層厚さ:100nm以上500nm以下20Aを形成する。ソースバスライン、ソース電極13asおよびドレイン電極13adは、酸化物半導体層7の上面と接するように配置される。ソースバスライン、ソース電極13asおよびドレイン電極13adの形成方法および材料は、図3dを参照しながら前述した方法および材料と同じであってもよい。また、第1層間絶縁層20Aの形成方法および材料は、図3eを参照しながら前述した方法および材料と同じであってもよい。次いで、大気雰囲気中で200~400°Cの温度領域で、2時間のアニール処理を行う。これにより、図7fに示すように、ソース電極13asと酸化物半導体層7との間に低反射層4sが形成され、ドレイン電極13adと酸化物半導体層7との間に低反射層4dが形成される。この後、第1層間絶縁層20Aに、ドレイン電極13adの表面の一部を露出する開口部14Aを設ける。次いで、図7gおよびhに示すように、第2層間絶縁層20B例えばポジ型の感光性樹脂膜および画素電極19を形成する。これらの材料および形成方法は、図3gおよび図3hを参照しながら前述した材料および方法と同様であってもよい。このようにして、酸化物半導体TFT203を備えた半導体装置1002が製造される。本実施形態の半導体装置の構成は、図6に示す構成に限定されない。例えば図8に示す半導体装置1003では、ソース電極13asは、エッチストップ9に形成された開口部内で、低反射層4sを介して酸化物半導体層7と接続されていてもよい。このような構成によると、ソースおよびドレイン電極を分離するためのエッチング工程による酸化物半導体層7へのダメージをより低減できる。ただし、ソース電極13asの下面の一部にしか低反射層4sが配置されないので、迷光を抑制する効果は、図6に示す半導体装置1002よりも小さくなる。なお、図示していないが、ドレイン電極13adも、エッチストップ9に形成された開口部内で、低反射層4dを介して酸化物半導体層7と接続されていてもよい。図9a~cは、半導体装置1003のソースゲート接続部の構造を例示する断面図である。ソースゲート接続部では、例えば図9aに示すように、ソースバスラインソース配線13sとゲート接続配線3cとを、低反射層4sおよび酸化物半導体層7を介して電気的に接続してもよい。あるいは、図9bに示すように、導電層19cを介してソース配線13sとゲート接続配線3cとを接続してもよい。この場合、接続部においては、酸化物半導体層7とソース配線13sとの間のエッチストップ9が除去されていることが好ましい。これにより、ソース配線13sの下面に低反射層4sが形成されるので、ソース配線13sとゲート接続配線3cとの間で光が多重反射することを抑制できる。さらに、図9cに示すように、導電層19cとゲート接続配線3cとを接続する第1接続部と、導電層19cとソース配線13sとを接続する第2接続部とを形成してもよい。この場合、第2接続部において、酸化物半導体層7とソース配線13sとの間のエッチストップ9が除去されていることが好ましい。これにより、ソース配線13sの下面に低反射層4sが形成されるので、ソース配線13sと第1接続部のゲート接続配線3cとの間で光が多重反射することを抑制できる。第3の実施形態以下、本発明による半導体装置の第3の実施形態を説明する。本実施形態の半導体装置は、酸化物半導体TFTを備え、かつ、液晶注入方法として滴下法を用いて製造された液晶表示装置である。液晶表示装置は、1対の基板と、それらの基板の間に設けられた液晶層とを備えている。滴下法では、まず、一方の基板に、液晶層となる領域を包囲するようにシール材を塗布し、その内側に液層材料を滴下する。この後、2枚の基板を貼り合せて液晶パネルを形成し、液晶パネルにおいてシール材で包囲された部分全体に液晶材料を充填する。次いで、シール材に紫外光UV光を照射して、シール材を硬化させる。酸化物半導体TFTを備える従来の液晶表示装置では、シール材の硬化に用いるUV光が、2枚の基板の間で反射を繰り返し、酸化物半導体TFTのチャネル領域に入射するおそれがある。チャネル領域にUV光が入射すると、以下に説明するように、TFTの特性劣化を引き起こす要因となる。このため、従来は、シール材の近傍にはTFTを配置することができず、表示領域以外の領域額縁領域の面積が増大するという問題があった。図13は、酸化物半導体TFTのチャネル領域にUV光を照射する前および照射した後の電圧―電流特性を示すグラフである。特性の評価に用いた酸化物半導体TFTは、例えば図14aに示す従来のTFT構造を有するIGZO-TFTである。図13から分かるように、酸化物半導体TFTのチャネル領域にUV光が照射されると、立ち上り電圧およびしきい値電圧がマイナス側低電圧側にシフトしていく傾向がある。従って、酸化物半導体TFTを例えば画素駆動用TFTとして用いる場合、画素電極に書き込まれた電位の保持特性が劣化し、輝度ムラやフリッカーといった表示不良を引き起こすおそれがある。従って、滴下法で使用するシール材や、後述する真空法で用いる光硬化樹脂を硬化させる際の光が迷光となって酸化物半導体TFTのチャネル領域に照射されないよう対策する必要がある。そこで、本実施形態では、シール材の近傍に入射した光の多重反射を低減するために、シール材が塗布される領域と表示領域との間に、光吸収層UV吸収層として酸化物半導体層を形成する。酸化物半導体層はUV光を吸収するため、UV光が多重反射されて表示領域内に入射することを抑制できる。図10aおよびbは、それぞれ、本実施形態の液晶表示装置の周縁部の一部を示す平面図および拡大断面図である。液晶表示装置2001は、液晶層30と、液晶層30の背面側に配置された背面基板32と、液晶層30の観察者側に配置された前面基板34とを有している。また、液晶表示装置2001は、基板32の法線方向から見たとき、複数の画素を含む表示領域36と、表示領域36を包囲する額縁領域37とを有している。額縁領域37には、液晶材料を封入するためのシール部38が形成されている。表示領域36において、背面基板32には酸化物半導体TFT103が設けられている。酸化物半導体TFT103は、図1を参照しながら前述した構成を有している。代わりに図6を参照しながら前述した構成を有していてもよい。また、前面基板34には、カラーフィルタ図示せずやブラックマトリクス遮光層35が形成されている。額縁領域37において、背面基板32には酸化物半導体層7eが形成されている。酸化物半導体層7eは、酸化物半導体TFT103の活性層と同一の半導体膜厚さ:例えば10nm以上300nm以下から形成されている。背面基板32の法線方向から見たとき、酸化物半導体層7eは、シール部38と表示領域36との間に、表示領域36を包囲するように形成されていることが好ましい。これにより、液晶パネルの周縁部から表示領域36に入射する光の量をより確実に低減できる。なお、酸化物半導体層7eは、シール部38の表示領域36側に配置されていればよく、表示領域36を完全に包囲していなくてもよい。一方、額縁領域37において、前面基板34にはブラックマトリクス35が形成されている。基板32の法線方向から見たとき、シール部38は、ブラックマトリクス35および酸化物半導体層7eの外側に形成されている。液晶表示装置2001では、一方の基板に塗布されたシール材は、外部からのUV照射光によって硬化し、シール部38となる。従って、液晶パネルの周縁部全体に、例えば前面基板34側からUV光39aが照射される。照射されたUV光の一部39b、39cは、液晶パネル内部に入射するが、ブラックマトリクス35または酸化物半導体層7eによって吸収され、表示領域36には入射しない。従って、液晶表示装置2001内部での多重反射によってUV光が酸化物半導体TFT103のチャネル領域に入射することを抑制できる。また、UV光の多重反射による迷光が低減されるので、酸化物半導体TFT103とシール部38との間隔を小さくすることが可能になる。従って、額縁領域37の面積を小さくできる狭額縁化。さらに、本実施形態によると、酸化物半導体TFT103の活性層となる酸化物半導体層を形成する際に、同一の半導体膜を用いて酸化物半導体層7eを形成することができる。従って、製造工程数を増加させることなく、光によるTFT特性の低下を抑制できる。図11は、本実施形態の他の液晶表示装置の周縁部の一部を示す拡大断面図である。簡単のため、図10と同様の構成要素には同じ参照符号を付し、説明を省略する。液晶表示装置2002では、シール部38は、その一部がブラックマトリクス35と重なるように配置されている。また、背面基板34には、酸化物半導体層7e、低反射層4eおよび金属層13eがこの順で積層された膜積層膜41が形成されている。基板32の法線方向から見たとき、酸化物半導体層7e、低反射層4eおよび金属層13eからなる積層膜41は、シール部38と表示領域36との間に、表示領域36を包囲するように形成されていることが好ましい。なお、これらの層は、シール部38の表示領域36側に配置されていればよく、表示領域36を完全に包囲していなくてもよい。本実施形態における金属層13eは、ブラックマトリクス35のうちシール部38と重なる部分と対向するように配置され、光反射層UV反射層として機能する。また、酸化物半導体層7eの一部33は金属層13eで覆われていないことが好ましい。酸化物半導体層7eのうち金属層13eで覆われていない部分33は光吸収層UV吸収層として機能する。本実施形態でも、酸化物半導体層7eは、酸化物半導体TFT103の活性層と同一の半導体膜から形成されている。また、金属層13eは、ソースおよびドレイン電極と同一の金属膜から形成されている。低反射層4eは、金属層13eと酸化物半導体層7eとの間にアニール処理によって形成された反応層であり、酸化物半導体TFT103における低反射層4s、4d図1と同時に形成される。液晶表示装置2002では、一方の基板に塗布されたシール材の一部は、外部から前面基板34を透過したUV光39aによって直接照射されて硬化し、他の一部は、外部から前面基板34を透過した後、金属層13eの表面で反射された光39bによって硬化する。本実施形態でも、UV光の一部39b、39cは、液晶パネル内部に入射するが、ブラックマトリクス35または酸化物半導体層7eによって吸収され、表示領域36には入射しない。従って、液晶表示装置2002内部での多重反射によってUV光が酸化物半導体TFT103のチャネル領域に入射することを抑制できる。本実施形態では、シール部38の一部をブラックマトリクス35の周縁部と重なるように配置できる。その上、UV光の多重反射による迷光が低減されるので、酸化物半導体TFT103とシール部38との間隔を小さくすることが可能になる。従って、額縁領域37の面積を小さくできる狭額縁化。さらに、酸化物半導体層7e、低反射層4eおよび金属層13eからなる積層膜41を、静電気対策用保護配線や信号線として用いてもよい。これにより、さらなる狭額縁化を実現できる。本実施形態によると、酸化物半導体TFT103を形成する工程と同一の工程により、酸化物半導体層7e、低反射層4eおよび金属層13eを形成することができる。従って、製造工程数を増加させることなく、光によるTFT特性の低下を抑制できる。図示するように、酸化物半導体層7eの上面の一部が金属層13eから露出していると、酸化物半導体層7eのうち金属層13eで覆われていない部分33をUV吸収層として機能させることができるので、迷光をさらに効果的に低減できる。UV吸収層として機能する部分33は、シール部38および金属層13eよりも表示領域36側に配置されていることが好ましい。なお、積層膜41の表示領域36側に、積層膜41とは別個に、酸化物半導体層単層からなるUV吸収層を形成してもよい。第4の実施形態以下、本発明による半導体装置の第4の実施形態を説明する。本実施形態の半導体装置は、酸化物半導体TFTを備え、かつ、液晶注入方法として真空法を用いて製造された液晶表示装置である。真空法では、まず、一方の基板に、液晶層となる領域を包囲するように、光硬化性のシール材を塗布する。このとき、後から液晶を注入するための隙間を設けておく。次いで、2枚の基板を貼り合せて、UV光の照射によってシール材を硬化させ、注入前パネルを得る。この後、真空容器内に注入前パネルを設置して真空引きを行い、注入前パネルの内部を真空状態にする。次いで、シール材の隙間部分注入口を液晶材料内に漬け込み、真空容器内を大気状態とする。これによって、注入口から液晶材料がパネル内部に注入される。注入後、注入口から液晶材料が漏れ出すことを防止するために、UV光または可視光で硬化する光硬化樹脂封止材を用いて注入口を封止する。酸化物半導体TFTを備える従来の液晶表示装置では、シール材や液晶材料の注入口を封止する封止材の硬化に用いるUV光などの光が、パネル内部で反射を繰り返し、酸化物半導体TFTのチャネル領域に入射するおそれがある。チャネル領域に光が入射すると、TFTの特性劣化を引き起こす要因となる。このため、従来は、シール材や封止材の近傍にはTFTを配置することができず、額縁領域の面積が増大するという問題があった。これに対し、本実施形態では、シール材および封止材を付与する領域に、酸化物半導体層、低反射層および金属層からなる積層膜と、ブラックマトリクスとを形成する。これにより、光の多重反射を抑制し、かつ、額縁領域を小さくすることが可能になる。図12aおよびbは、それぞれ、本実施形態の液晶表示装置の周縁部の一部を示す平面図および拡大断面図である。簡単のため、図10及び図11と同様の構成要素には同じ参照符号を付し、説明を省略する。液晶表示装置2003は、基板32の法線方向から見たとき、複数の画素を含む表示領域36と、表示領域36を包囲する額縁領域37とを有している。額縁領域37には、液晶層30を包囲するシール部38と、シール部38で形成された液晶材料の注入口を封止する封止部40とが形成されている。液晶表示装置2003の背面基板34には、酸化物半導体層7e、低反射層4eおよび金属層13eからなる積層膜41がこの順で形成されている。基板32の法線方向から見たとき、シール部38および封止部40は、その一部がブラックマトリクス35および積層膜41と重なるように配置されている。積層膜41は、表示領域36を包囲するように形成されていることが好ましい。金属層13eは、ブラックマトリクス35のうち封止部40と重なる部分と対向するように配置され、光反射層として機能する。また、酸化物半導体層7eの上面の一部は金属層13eで覆われていないことが好ましい。酸化物半導体層7eの上面のうち金属層13eで覆われていない部分は光吸収層として機能する。本実施形態でも、酸化物半導体層7eは、酸化物半導体TFT103の活性層と同一の半導体膜から形成されている。また、金属層13eは、ソースおよびドレイン電極と同一の金属膜から形成されている。低反射層4eは、金属層13eと酸化物半導体層7eとの間にアニール処理によって形成された反応層であり、酸化物半導体TFT103における低反射層4s、4d図1と同時に形成される。液晶表示装置2003では、シール材や封止材の一部は、外部から前面基板34を透過した光例えばUV光39aによって直接照射されて硬化し、他の一部は、外部から前面基板34を透過した後、金属層13eの表面で反射された光39bによって硬化する。本実施形態でも、シール材や封止材を硬化させるための光の一部39b、39cは、パネル内部に入射するが、ブラックマトリクス35または酸化物半導体層7eによって吸収され、表示領域36には入射しない。従って、液晶表示装置2003内部での多重反射によってUV光が酸化物半導体TFT103のチャネル領域に入射することを抑制できる。また、本実施形態によると、封止部40の一部をブラックマトリクス35の周縁部と重なるように配置できる。その上、迷光が低減されるので、酸化物半導体TFT103とシール部38および封止部40との間隔を小さくすることが可能になる。従って、額縁領域37の面積を小さくできる狭額縁化。さらに、酸化物半導体層7e、低反射層4eおよび金属層13eからなる積層膜41を、静電気対策用保護配線や信号線として用いてもよい。これにより、さらなる狭額縁化を実現できる。本実施形態によると、酸化物半導体TFT103を形成する工程と同一の工程により、酸化物半導体層7e、低反射層4eおよび金属層13eを形成することができる。従って、製造工程数を増加させることなく、光によるTFT特性の低下を抑制できる。前述の実施形態と同様に、酸化物半導体層7eの上面の一部33が金属層13eから露出していると、その露出部分33が光吸収層として機能するので、迷光をさらに効果的に低減できる。光吸収層として機能する部分は、封止部40および金属層13eよりも表示領域36側に配置されていることが好ましい。なお、積層膜41の表示領域36側に、積層膜とは別個に、酸化物半導体層単層からなる光吸収層を形成してもよい。なお、真空法を用いた液晶表示装置において、光反射層を配置せず、光吸収層のみを配置しても、迷光によるTFT特性の低下を抑制することができる。光吸収層として酸化物半導体層を用いることができる。この場合、基板の法線方向から見たとき、シール部および封止部は、光吸収層である酸化物半導体層およびブラックマトリクスの外側に配置されることが好ましい。