基板を準備する工程と、前記基板上に、第1保護膜を形成する工程と、前記基板上に、第2保護膜を形成する工程と、前記第1保護膜を用いてエッチングすることにより、前記基板に、第1凸部を形成して識別情報とする工程と、前記第2保護膜を用いてエッチングすることにより、前記基板に、前記第1凸部と高さが同じかそれよりも高い第2凸部を形成して素子パターンとする工程と、前記第1保護膜を除去する工程と、前記第2保護膜を除去する工程と、を有することを特徴とする基板の製造方法。インクジェットにより、前記第1保護膜を形成することを特徴とする請求項1に記載の基板の製造方法。フォトリソグラフィにより、前記第2保護膜を形成することを特徴とする請求項1又は2に記載の基板の製造方法。前記第1保護膜を用いて前記基板をエッチングする工程と、前記第2保護膜を用いて前記基板をエッチングする工程と、は同一工程であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の基板の製造方法。前記第1保護膜を用いて前記基板をエッチングする工程と、前記第1保護膜を除去する工程と、は同一工程であることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の基板の製造方法。前記第1保護膜を除去する工程において、前記第1凸部の上面を租面にすることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の基板の製造方法。しかし、レーザビーム照射による方法では、例えば、識別情報を付与した基板を他の部材に貼り合わせる際に、基板における識別情報における隆起した部分が原因で、両者を適切に貼り合わすことができないという問題があった。そこで、本発明は、他の部材と適切に貼り合わすことができる、識別情報を有する基板の製造方法を提供することを目的とする。一実施形態に係る基板の製造方法は、基板を準備する工程と、基板上に第1保護膜を形成する工程と、基板上に第2保護膜を形成する工程と、第1保護膜を用いてエッチングすることにより基板に第1凸部を形成して識別情報とする工程と、第2保護膜を用いてエッチングすることにより基板に第1凸部と高さが同じかそれよりも高い第2凸部を形成して素子パターンとする工程と、第1保護膜を除去する工程と、第2保護膜を除去する工程と、を有する。以下、図1a~eを参照しながら、本発明に係る基板の製造方法について説明する。図1a~eのそれぞれにおいて、右図は基板1を上方から見た平面図であり、左図は右図における断面図である。より詳細には、図1b~eの左図断面視は右図平面視の第1保護膜2又は識別情報を通る線分における断面図であり、さらに、図1c~eの左図は右図の第2保護膜3又は素子パターンを通る線分における断面図である。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための例示であって、本発明を以下に限定するものではない。また、各図面が示す部材の位置や大きさ等は、説明を明確にするため誇張していることがある。本実施形態に係る基板の製造方法は、基板1を準備する工程図1aと、基板1上に第1保護膜2を形成する工程図1bと、基板1上に第2保護膜3を形成する工程図1cと、第1保護膜2を用いてエッチングすることにより基板1に第1凸部を形成して識別情報とする工程図1dと、第2保護膜3を用いてエッチングすることにより基板1に第1凸部と高さが同じかそれよりも高い第2凸部を形成して素子パターンとする工程図1dと、第1保護膜2を除去する工程図1dと、第2保護膜3を除去する工程図1eと、を有する。これにより、識別情報となる第1凸部が素子パターンとなる第2凸部よりも突出することがないので、実装性に優れた基板とすることができる。つまり、第1凸部及び第2凸部が形成された側で基板1と他の部材とを貼り合せるときに、第1凸部の隆起による貼り合せムラを抑制することができるので、基板1と他の部材とを平坦性よく貼り合せることができる。以下、各工程について説明する基板1を準備する工程図1aに示すように、基板1を準備する。ここでは、最終的にLED素子を得るために、サファイアからなる成長基板1a上に、膜厚7μmの窒化物半導体からなる半導体部1bが形成された基板1を準備した。なお、基板1の構造はこれに限定されないことは言うまでもない。基板1上に第1保護膜2を形成する工程次に、図1bに示すように、半導体部1b上に第1保護膜2を形成する。第1保護膜2の材料及び膜厚については、マスクとして機能するための耐久性等を考慮して任意に選択することができる。ここでは、インクジェットにより第1保護膜2を形成した。具体的には、インクジェット装置により、主としてアクリル酸エステル類にTiO2粒子が含まれた白色のインクIP011White、セイコーエプソン株式会社を用いて第1保護膜2を形成した。このインクの最大膜厚は4μmであった。第1保護膜2は識別情報となる第1凸部を形成するためのマスクとして機能するため、任意の文字、記号若しくは図形又はそれらの組み合わせ等に適宜変更する必要がある。したがって、一定の形状を有する所謂エッチングマスク等を用いて第1保護膜2を形成するのは好ましくなく、任意の形状を適宜選択可能なインクジェットを用いて第1保護膜2を形成することが好ましい。基板1上に第2保護膜3を形成する工程次に、図1cに示すように、半導体部1b上に第2保護膜3を形成する。第2保護膜3の材料及び膜厚については、マスクとして機能するための耐久性等を考慮して任意に選択することができる。ここでは、フォトリソグラフィにより第2保護膜3を形成した。具体的には、第2保護膜3としてレジストOFPR8600、東京応化工業株式会社を、半導体部1bの全面に最大膜厚5μmで形成した。その後、露光装置により所望の領域を露光し、TMAHTetraMethylAmmoniumHydroxideからなる現像液で現像した。第2保護膜3は後に素子パターンとなる第2凸部を形成するためのマスクとして機能するため、精度に劣るインクジェット等ではなく、フォトリソグラフィやスクリーン印刷により形成することができる。特に、フォトリソグラフィであれば、精度に優れ且つ再現性よく第2保護膜3を形成することができるので好ましい。第1保護膜2を用いて基板1をエッチングする工程次に、図1dに示すように、第1保護膜2を用いて基板1をエッチングすることにより、基板1に第1凸部を形成して識別情報とする。具体的には、第1保護膜2及び第2保護膜3が上面に形成された基板1をRIEReactiveIonEtching装置に設置し、Cl2、SiCl4及びCH4の混合ガスを用いて、本来の半導体部1bの上面から4.5μmの深さまでエッチングした。このとき、第1保護膜2としてのインクも完全に除去されており、第1凸部の上方に当たる半導体部1bの一部もエッチングされていた。つまり、第1凸部を形成するために半導体部1bをエッチングする途中で、マスクとしての第1保護膜2もエッチングにより除去され、続いて第1凸部の上方の一部が除去されたことになる。これにより、第2凸部の上面の高さから第1凸部が突出することを確実に抑制することができる。さらに、本実施形態では、第1保護膜としてTiO2粒子を含むインクを用いたので、粒子の存在に起因して第1凸部の上面を租面とすることができた。これにより、より容易に識別情報を視認することができた。識別情報としては、例えば、LOTNO、製造年月日及び電気特性の少なくともひとつを含めることができる。また、それらの情報をバーコードとすることも可能である第2保護膜3を用いて基板1をエッチングする工程ここでは、識別情報を形成するために第1保護膜2を用いて基板1をエッチングする工程と同時に、第2保護膜3を用いてエッチングすることにより、基板1に第1凸部と高さが同じかそれよりも高い第2凸部を形成して素子パターンとしている。第1保護膜2を用いて基板1をエッチングする工程と、第2保護膜3を用いて基板1をエッチングする工程と、は別工程とすることもできるが、両者を同一工程とすることで工程を簡略化することができる。第1保護膜2を除去する工程本実施形態では、第1保護膜2を用いて基板1をエッチングする工程において、第1保護膜2を除去している。第1保護膜2を用いて基板1をエッチングする工程と、第1保護膜2を除去する工程と、は別工程とすることもできるが、両者を同一工程とすることで工程を簡略化することができる。第2保護膜3を除去する工程最後に、半導体部1b上に残った第2保護膜3を除去する。ここでは、アミン系のレジスト剥離液を用いて、第2保護膜3を除去した。レジスト剥離後の識別情報は視認性が良く、目視においても十分に認識可能であった。実装性の確認次にこのサンプル第1基板を、半導体部1b側を接着側にして、貼り合せ用のサファイアからなる基板第2基板と、エポキシ系の接着剤により接合を行った。この後の目視の検査にて、基板同士はムラなく均一に接合できていることが確認できた。第1基板と第2基板をムラなく均一に貼り合せることにより、次のメリットが期待できる。例えば、第1基板となる基板1から成長基板1aを除去するためには、通常、第1基板の半導体部1bと第2基板とを貼り合せた後で、レーザリフトオフ法や研磨等により、第1基板から成長基板1aを除去することになる。このとき、第1基板と第2基板との貼り合せにムラが生じれば、レーザ照射や研磨により半導体部1bが部分的にダメージを受けてしまい、最終的に得られる素子特性を低下させる恐れがある。特に、素子サイズが小さくなればなるほど半導体部1bへのダメージの影響は大きくなるので、基板の実装性はより重要となる。本実施形態では、第1基板と第2基板とを貼り合せた後にレーザリフトオフ法により成長基板1aを除去したが、第1凸部の隆起に伴う素子特性の悪化は確認できなかった。