オン状態とオフ状態の間で切換えるようにされた半導体スイッチ、および前記半導体スイッチに結合され、前記半導体スイッチを前記オン状態から前記オフ状態に切り替える複数のドライブ信号を与えるように結合される複数のドライブ回路を備え、前記複数のドライブ回路は、第1のドライブ回路と第2のドライブ回路とを備え、前記半導体スイッチが前記オン状態から前記オフ状態へ切換わる間に、前記第1のドライブ回路は、第1の時間期間第1のドライブ信号を与え、前記第2のドライブ回路は、第2の時間期間第2のドライブ信号を与え、前記半導体スイッチが前記オン状態から前記オフ状態へ切換わるとき前記半導体スイッチに前記複数のドライブ信号を与えるドライブ回路を選択してオン状態とするように結合されるセレクタ回路をさらに備え、前記ドライブ信号を与えるドライブ回路のインピーダンスは前記第1の時間期間から前記第2の時間期間へと低減され、前記第2の時間期間は、前記半導体スイッチが前記オン状態から前記第オフ状態に切換わるとき、前記半導体スイッチにかかる電圧が、電圧しきい値を超えるときに開始される、回路。前記第1のドライブ回路は、前記第1および第2の時間期間両者の間前記第1のドライブ信号を与える、請求項1記載の回路。前記半導体スイッチは、ドライブ端子と、基準電圧端子とを含み、前記第1および第2のドライブ信号は前記半導体スイッチの前記ドライブ端子に結合される、請求項1記載の回路。前記半導体スイッチは、金属-酸化膜電界効果トランジスタを備える、請求項1記載の回路。前記第1のドライブ回路は、pチャネル金属-酸化膜電界効果トランジスタおよびnチャネル金属-酸化膜電界効果トランジスタを備え、前記第2のドライブ回路は、pチャネル金属-酸化膜電界効果トランジスタおよびnチャネル金属-酸化膜電界効果トランジスタを備える、請求項1から4のいずれか1項に記載の回路。前記セレクタ回路は、入力と、前記第1および第2のドライブ回路の金属-酸化膜電界効果トランジスタを、十分にエンハンスされて十分にエンハンスされた出力特性を示す比較的安定な特性となるように個々に駆動する別々に配置される出力とを有する、請求項5記載の回路。前記セレクタ回路は、接続配線を用いて前記半導体スイッチのゲートに結合され、該結合は、前記セレクタ回路が前記第2のドライブ回路をターンオンさせる適切な時間を感知することを可能とする、請求項1記載の回路。回路を動作させる方法であって、第1の時間期間第1のドライブ信号を用いて半導体スイッチを選択的に駆動して前記半導体スイッチをオン状態からオフ状態に切換えるステップと、前記半導体スイッチにかかる電圧降下を感知して前記半導体スイッチがすでに前記オン状態から前記オフ状態に切換わり始めた後に、前記半導体スイッチを第2のドライブ信号を用いて第2の時間期間駆動して、前記オン状態から前記オフ状態に切換えるステップと、前記半導体スイッチにかかる電圧が電圧しきい値以下に降下したときに前記第2の時間期間を開始させるステップとを備え、前記ドライブ回路のインピーダンスは、前記第1の時間期間から前記第2の時間期間へと低下する、方法。前記第1のドライブ信号を用いて前記半導体スイッチを選択的に駆動するステップは、前記第1および第2の時間期間の間前記半導体スイッチを駆動するステップを備える、請求項8記載の方法。第1および第2の状態の間で切換わるようにされる半導体スイッチ、および前記半導体スイッチに結合される複数のドライブ回路を備え、前記複数のドライブ回路は、前記半導体スイッチを前記第1の状態から前記第2の状態へ切換える複数のドライブ信号を与え、前記複数のドライブ回路は、第1のドライブ回路および第2のドライブ回路を備え、前記半導体スイッチが前記第1の状態から前記第2の状態へ切換わるとき、前記半導体スイッチへ前記複数のドライブ信号を与えるドライブ回路を選択するセレクタ回路をさらに備え、前記半導体スイッチが前記第1の状態から前記第2の状態へ切換わる間に、前記第1のドライブ回路は第1の時間期間第1のドライブ信号を与え、前記第2のドライブ信号は第2の時間期間第2のドライブ信号を与え、前記セレクタ回路は、ドライブ回路インピーダンスが低下する、第2の時間期間の開始を決定し、前記第2の時間期間は、前記半導体スイッチにかかる電圧のdv/dt遷移時間に渡る前記半導体スイッチの電圧降下の高速変化が完了したときに開始される、回路。前記第1のドライブ回路は、前記第1および第2の時間期間両者の間前記第1のドライブ信号を与える、請求項10記載の回路。前記半導体スイッチは、ドライブ端子と基準電圧端子とを含み、前記第1および第2のドライブ信号は、前記ドライブ端子に結合される、請求項10記載の回路。前記半導体スイッチは、金属-酸化膜電界効果トランジスタを備える、請求項10記載の回路。前記第1の状態はオン状態であり、前記第2の状態はオフ状態である、請求項10記載の回路。前記第2の時間期間を決定するために用いられるセンス信号が、前記半導体スイッチのドレインから接続配線を介して前記セレクタ回路に結合される、請求項10に記載の回路。前記第1のドライブ回路は、pチャネル金属-酸化膜電界効果トランジスタとnチャネル金属-酸化膜電界効果トランジスタとを含み、前記第2のドライブ回路は、pチャネル金属-酸化膜電界効果トランジスタとnチャネル金属-酸化膜電界効果トランジスタとを含み、前記セレクタ回路は、入力と、前記第1および第2のドライブ回路の金属-酸化膜電界効果トランジスタを、十分にエンハンスされて十分にエンハンスされた出力特性を示す比較的安定な特性となるように個々に駆動する別々に配置される出力とを有する、請求項10から15のいずれか1項に記載の回路。しかしながら、半導体スイッチがオフ状態からオン状態に切換わるのに要する時間を単純に低減させると、半導体スイッチがその一部をなす電子回路の他の回路の動作で問題が生じる可能性がある。一般にdv/dtと呼ばれる電圧の変化の増加率、及び、一般にdi/dtと呼ばれる電流の変化の増加率は、半導体スイッチが切換える毎に生じる電気雑音を増加させる。この電気雑音は、他の回路の動作に悪影響を及ぼす場合があり、従ってdv/dt及びdi/dtを制限し、許容できるレベルに電気雑音を維持することが望ましい場合が多い。スイッチングロスを最小にするだけでなく電気雑音を許容できるレベルに制限することへの必要性は、オフ状態からオン状態に半導体スイッチを切換えるためのドライブ信号を供給するドライブ回路の設計がトレードオフであることを意味している。スイッチングロスを低減させることが望ましい箇所に半導体スイッチを使用し、dv/dt及びdi/dtを制限する電子回路は、スイッチング電源を含む。これらのスイッチング電源では、半導体スイッチをオフ状態からオン状態及びオン状態からオフ状態に切換えるためのドライブ信号を印加するために接続されたドライブ回路が、電源コントローラ集積回路の一部を形成する場合が多い。また、ドライブ回路は、集積回路に外付けの電源コントローラ集積回路とディスクリート部品とを備えることができる。多段ドライブ回路によって半導体スイッチを切換えるための方法及び装置が開示される。1つの実施態様では、回路は、第1と第2の状態の間を切換えるように適合されている半導体スイッチを含む。第1の状態は、オン状態であり、第2の状態はオフ状態である。また回路は、半導体スイッチに接続された複数のドライブ回路を含む。複数のドライブ回路は、半導体スイッチを第1の状態から第2の状態に切換えるための複数のドライブ信号を供給するよう接続される。更に回路は、半導体スイッチが第1の状態から第2の状態に切換えるときに半導体スイッチに複数のドライブ信号を供給するドライブ回路を選択するよう接続されたセレクタ回路を含む。一実施の形態において、ドライブ信号を与えるドライブ回路のインピーダンスは前記第1の時間期間から前記第2の時間期間へと低減され、第2の時間期間は、半導体スイッチがオン状態から第オフ状態に切換わるとき、半導体スイッチにかかる電圧が、電圧しきい値を超えるときに開始される。また、別の実施の形態においては、セレクタ回路は、ドライブ回路インピーダンスが低下する、第2の時間期間の開始を決定し、第2の時間期間は、半導体スイッチにかかる電圧のdv/dt遷移時間に渡る前記半導体スイッチの電圧降下の高速変化が完了したときに開始される。本発明の更に別の特徴及び利点は、以下に示される詳細な説明、図、及び請求項から明らかになるであろう。本発明は実施形態によって詳細に例証されるが、添付図面により限定されるものではない。改良された半導体スイッチ多段ドライブ回路を実施する装置及び方法の実施形態が開示される。以下の説明において、本発明を完全に理解できるように多数の特定の詳細が説明される。しかしながら、本発明を実施するために特定の詳細を利用する必要がないことは、当業者にとは明らかであろう。この実施に関する公知の方法は、本発明を曖昧にしないように詳細には説明していない。本明細書を通して、1つの実施形態又はある実施形態という表現は、実施形態に関連して説明された特定の特徴、構造、或いは特性が本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれることを意味する。従って、本明細書を通して様々な箇所での1つの実施形態では又はある実施形態ではという語句の出現は、必ずしも同じ実施形態に対して全て言及しているわけではない。更に、特定の特徴、構造、或いは特性は、1つ又はそれ以上の実施形態においてどのような適切な方法にも組み合わせることができる。次に、本発明の教示に従ってこのような回路を実現するための改良された半導体スイッチ多段ドライブ回路及び方法を説明する。本発明の実施形態は、オフ状態からオン状態、及び/又はオン状態からオフ状態に切換える半導体スイッチのスイッチングロスを低減する方法及び装置を含む。本明細書を通して、nチャネル金属酸化膜電界効果トランジスタMOSFET半導体スイッチのドライブ回路が実施形態によって示されている。しかしながら開示される技術は、この開示の利点を有する当業者にはよく知られているpチャネルMOSFET及び他のタイプの半導体スイッチに適用することができる。同様に、この開示を通して特にオフ状態からオン状態への半導体スイッチのスイッチング遷移に対して言及されている。説明される技術がオン状態からオフ状態への半導体スイッチのスイッチング遷移にも適用できることは、本開示の恩恵を有する当業者には理解されるであろう。図1は、本発明の実施形態による、ドライブ回路の恩恵を受けることのできる電源コントローラ101の1つの実施形態のブロック図を示す。電源コントローラ101は、ドライブ回路103を含む。ドライブ回路103は、MOSFET半導体スイッチ104のゲート端子と呼ばれることが多いドライブ端子106にドライブ信号を加えて、MOSFET104をオフ状態からオン状態へ及びオン状態からオフ状態へ切換える。MOSFET104は更に、電圧基準すなわちソース端子105及びドレイン端子102を含む。図2は、MOSFET202をドライブするよう接続された回路の概略図を示す。この回路は、MOSFET202をオフ状態からオン状態に切換えるドライブ信号をドライブ端子211に供給するよう接続されたpチャネルMOSFET203を含むドライブ回路201を備える。ドライブ回路201は更に、MOSFET202をオン状態からオフ状態へ切換えるドライブ信号をドライブ端子211に供給するよう接続されたnチャネルMOSFET204を備える。本開示の他のものと同様に、以下の説明は、オフ状態からオン状態へのMOSFET202のスイッチング遷移に集中しているが、当業者であれば、本教示はオン状態からオフ状態へのスイッチングにも同様に関連することが理解されるであろう。MOSFET202がオフ状態からオン状態に切換わる速度は、1つには電源レール206とゲート211間のインピーダンスによって支配される。このインピーダンスが低いほど、MOSFET202のオフ状態からオン状態への遷移が速くなる。ドライブ回路の全インピーダンスは、pチャネルMOSFET203のオン抵抗にインピーダンス210を加えたものである。pチャネルMOSFET203のオン抵抗は、そのソース端子206に対してゲート205のノードの電圧によって影響を受ける。図2に示された概略図では、ゲートドライブ制御回路209が、端子205で固定電圧を与えてMOSFET203をターンオンする。このタイプのドライブ回路では、MOSFET203のオン抵抗は、MOSFET202がオフ状態からオン状態に切換えられる間はほぼ一定である。しかし、MOSFET202がオフ状態からオン状態へ切換えるときに、ゲートドライブ制御回路209が、第1の時間期間で端子205に第1の電圧を加え、且つ第2の時間期間で第2の電圧を加える場合には、ドライブ回路201のより高度な制御を実現することができる。このように、ドライブ回路201のインピーダンスは、以下に説明されるようにオフ状態からオン状態へのMOSFET202の遷移中に変化する場合がある。図3は、MOSFET203のようなMOSFETに典型的な出力特性曲線と一般にされる2つの曲線301を示す。これらの曲線は、端子206と214との間に流れる電流の関数として端子206と214との間の電圧を示している。MOSFET203は、306で示される領域で動作するように通常は設計されている。この領域での出力特性は、電圧と電流との間にほぼ線形の関係を示しており、従って実質的に抵抗特性を示す。曲線303は、ソース端子206に対してゲート端子205に印加された特定電圧での出力特性を示す。曲線302は、ゲート端子205とソース端子206との間に印加されたより高い相対電圧での出力特性を示す。本明細書では、曲線302は、十分に強化された出力特性と呼ばれ、温度及び製造のばらつきによってMOSFET203のゲート閾値電圧が大きく変化する曲線303の部分的に強化された特性に比べて、製造のばらつき及び温度に関して比較的安定した特性である。図に示すように、特性302は領域306でより急な勾配を有し、従って曲線303より低い抵抗を示す。1つの実施形態において、この低い抵抗は、本発明の教示に従って、上記に説明されたMOSFET202のオフ状態からオン状態への遷移中にドライブ回路201のインピーダンスが変化することができる第2の時間期間に使用される。このようなドライブ回路201のインピーダンスが変化する利点は、図4A、4Bに示されている。図4Aの曲線400は、MOSFET202がオフ状態からオン状態へ切換えるときの基準電圧端子208に対する、ゲート端子211とドレイン端子213それぞれのゲート電圧曲線403とドレイン電圧曲線402をそれぞれ示す。ドレイン端子213の電圧は、ゲート端子211の電圧よりも普通ははるかに高い値になるが、本明細書ではゲート電圧曲線403と同じ電圧スケールで示されている。図4A、4Bの曲線400、401は、縮尺通りに描かれていないが、本開示の対象であるゲートドライブ回路の作用を示すために使用される。図4A、4Bに示されるスイッチング波形をもたらす正確な半導体スイッチパラメータは、本発明の教示をあいまいにしないように、本明細書には示されていないが、本開示の恩恵を受ける当業者には明らかであろう。第1の時間期間411の間に、ゲート電圧曲線403は上昇し、ドレイン電圧曲線402は下降し始める。MOSFET202のゲート211の静電容量の特性に起因して、MOSFET202のゲート211の電圧は、ドレイン213の電圧が値416に達するまでは電圧レベル413に一時的にクランプされる。MOSFET202のゲート211の電圧のクランプがとれると、第2の時間期間412内で最終値414まで上昇し、その継続時間は、上記のようにドライブ回路201のインピーダンスによって支配される。図示された実施形態に示されるように、第2の時間期間412は第1の時間期間411の後であり、ドレイン電圧曲線402がすでに下降が開始し終わった後に開始する。第2の時間期間412全体を通して、ゲート電圧曲線403が上昇すると、全ゲート電圧414がゲート211に存在するときにMOSFET202のオン抵抗が最小値まで下降する。図4Bは、図2に関して上述されたゲートドライブ回路インピーダンスを変化させる影響を示す。図4Aと同様に、図4Bの曲線401は、MOSFET202がオフ状態からオン状態へ切換わるときに基準電圧端子208に対して、それぞれゲート端子211とドレイン端子213のゲート電圧曲線404とドレイン電圧曲線409をそれぞれ示している。ドライブ回路インピーダンスが第2の時間期間407の最初で低くなる場合には、第2の時間期間407中のMOSFET202のゲート電圧曲線404の上昇時間は、ゲート電圧曲線410で示される時間まで短縮され、MOSFET202のドレイン電圧は、曲線405によって示されるようにより急速に下降するので、曲線406によって示される以前の特性に対してオフ状態からオン状態への遷移中の損失が低減される。図示された実施形態に示されるように、第2の時間期間407は第1の時間期間408の後にあり、ドレイン電圧曲線409が既に下降開始が終わった後に開始する。第2の時間期間が開始する時間は、ドライブ回路インピーダンスが変化しない上述の最も単純なドライブ回路の動作を説明するのにも使用されていたので図2には示されていないが、例えばゲートドライブ回路209をMOSFET202のゲート端子211に接続することによるような、幾つかの方法で感知することができる。しかしながら、MOSFET202がオフ状態からオン状態へ遷移している間、第1の時間期間で端子205に第1固定電圧を供給し、及び第2の時間期間で第2固定電圧を供給することによってドライブ回路201のインピーダンスを低減させることは、大量生産の回路で使用される場合に一貫性のない結果をもたらす。MOSFET203の出力特性は、温度及び製造のばらつきによってかなり変動する。このため、動作中のこの回路の正確な性能、従って得られるはずの利点を予測することは難しい。図5は、本発明の教示による恩恵を受ける回路の別の実施形態を示す。第1ドライブ回路501は、pチャネルMOSFET503及びnチャネルMOSFET504を含む。第2ドライブ回路518は、pチャネルMOSFET513及びnチャネルMOSFET514を含む。本明細書では、インピーダンス510は、ドライブ回路501、518の両方とも同じインピーダンスを与えるので、これらの外側に示されている。ゲートドライブ制御及びセレクタ回路509は、入力507と、MOSFET503、504、513、514を別々にドライブするための個別の出力を有する。動作中、オフ状態からオン状態へのMOSFET502のスイッチングの間、MOSFET503が第1の時間期間にターンオンされ、第1ドライブ信号を供給する。次にセレクタ回路509が第2の時間期間の間にMOSFET513をターンオンし、第2ドライブ信号を供給する。図5に示される実施形態では、ゲートドライブ制御及びセレクタ回路509は、接続517を使用してMOSFET502のゲート511に接続されている。1つの実施形態では、この接続は、ゲートドライブ制御及びセレクタ回路509が第2ドライブ回路518をターンオンする正確な時間を感知することができる1つの方法を提供する。ドライブ又はゲート端子511と基準電圧又はソース端子508との間の電圧が回路509の設計で定められた電圧閾値に達すると、第2の時間期間が上記で図4に関して説明されたように開始する。実施形態に応じて、回路509内のセレクタ回路が、第1の時間期間の終わりにMOSFET503をターンオフするか、又は第1と第2の時間期間の両方でMOSFET503をオンのまま保持するように設計することができる。図5に示された実施形態は、MOSFET205のゲート電圧がドライブ回路201のインピーダンスを変えるために変化する図2に関して説明された方式とは異なる。例えば、1つの相違点は、1つの実施形態の両方のMOSFET503、513は、十分強化されるようにドライブされ、従って図3の曲線302に関して上述された十分に強化された出力特性の比較的安定した特性を示すので、第1の時間期間から第2の時間期間へのインピーダンス変化の程度を正確に予測できることである。更に、ドライブ回路501と518の結合インピーダンスは、例えば、MOSFET503を第2の時間期間の持続時間の間にターンオフするか、或いはオンのままにすることができるので、図2のドライブ回路よりも制御が容易である。1つの実施形態においては、2つより多い複数のドライブ回路が用いられる場合に、第1と第2の時間期間中にオン及びオフにされるMOSFETの種々の組合せを選択することによって可能な結合インピーダンスの変化において更に高い融通性が存在する。全ての場合に、MOSFETが十分強化された特性を有してドライブされるので、オフ状態からオン状態へ切換わるときの出力特性、従ってMOSFET502の特性は、容易に予測される。2つより多い複数のドライブ回路が用いられる場合には、MOSFET502が、複数のドライブ回路の結合インピーダンスが変化することになる複数の期間を使用してオフ状態からオン状態に切換えることができることも明らかである。本開示の以下の説明は、本発明の教示を曖昧にしないために2つのドライブ回路の使用に向けられる。図6は、本発明の教示の恩恵を受ける回路の別の実施形態を示す。ここでもやはり、2つのドライブ回路601、618は、MOSFET602のゲートに第1と第2のドライブ信号をそれぞれ別々に供給する第1と第2ドライブ回路として機能する。しかしながら、第2の時間期間の開始を決定するのに使用される感知信号は、ゲートドライブ制御及びセレクタ回路609から接続617を介してMOSFET602のドレイン613に接続されている。図4Bに関して、これはまた、MOSFET602両端の電圧の1時間期間にわたるMOSFET602両端の電圧降下の急激な変化dv/dtの遷移415が終わった時間、或いは、MOSFET602両端の電圧がdv/dt遷移415後に電圧閾値まで低下するか又はこれに達した時間を検出する1つの方法であることが分かる。この点で、本発明の教示によってMOSFET602両端の電圧が特性406ではなく特性405に従うのを確実にするのは、第2の時間期間407を開始する正確な時間である。図7は、本発明の教示による恩恵を受ける回路の別の実施形態を示す。図示された実施形態に示されるように、電流センサー720は、MOSFET702に接続され、MOSFET702のドレイン端子713とソース708端子間に流れる電流を感知する。電流センサー720は、本発明の教示を曖昧にしないために本明細書で示されていない公知の種々の技術を使用して、MOSFET702を通って流れる電流を感知することができる。電流センサー720は、接続717を介してゲートドライブ制御及びセレクタ回路709に接続される。このようにオフ状態からオン状態への遷移中にMOSFET702に流れる電流を感知することによって、回路709内のセレクタ回路は、この情報を使用してMOSFET702に流れる電流が第2の時間期間407が開始する正確な時間を決定するための電流閾値を越える時間を感知するように設計することができる。図8は、本発明の教示の恩恵を受ける回路の別の実施形態を示す。図示された実施形態に示されるように、ゲートドライブ及びセレクタ回路801は、入力802と2つの出力803、804とを有する。出力803は、第1ドライブ回路805への入力である。ゲートドライブ及びセレクタ回路801は、接続810を介して第1ドライブ回路805の出力を感知するように接続されている。ドライブ回路805は、半導体スイッチ或いはMOSFET807のドライブ端子すなわちゲート806をオフ状態からオン状態に切換えるようドライブし、且つオン状態からオフ状態へドライブするドライブ信号を供給する回路を含む。図示された実施形態に示されるように、第2ドライブ回路808は、MOSFET807がオフ状態からオン状態に切換わるときに、出力809からMOSFET807ドライブ端子すなわちゲート806に第2ドライブ信号を供給するだけである。従って、この実施形態では、MOSFET807がオン状態からオフ状態へ切換わるときには、ドライブ回路805からの1つのドライブ信号だけが供給される。ゲートドライブ制御及びセレクタ回路801は、MOSFET807のゲート806の電圧がpチャネルMOSFET811のゲート閾値電圧及び電源レール812の電圧の値によって決定された閾値に達したことを接続810によって感知したときには、MOSFET811はターンオフし、インバータゲート813、814の出力は極性が変化し、これにより、NORゲート815の出力804の極性がハイ状態に変わる。これは第2ドライブ回路808をターンオンし、本発明の教示に従ってMOSFET807のゲート806へのドライブを向上させる。第1ドライブ回路805はMOSFET807の望ましいターンオン特性を提供するように設計することができ、一方、第2ドライブ回路808は、MOSFET807が本発明の教示に従って最終オン抵抗値に落ち着くときに損失を低減させるための閾値にゲートが達すると、MOSFET807へのゲートドライブを向上させることが理解される。上述の詳細な説明において、本発明の方法及び装置をその特定の例示的な実施形態に関して説明してきた。しかしながら、本発明の広範な精神及び範囲から逸脱することなく、本発明に種々の修正及び変更を行うことができる点は明らかであろう。従って、本明細書及び図は、限定ではなく例示的なものと考えるべきである。