"レーザ処理システムを使ってダイアタッチフィルム上に設けられた基板のシンギュレーションを行う、改良された方法であって、前記基板は、前記ダイアタッチフィルムと反対側の表面上に既定のストリートと材料層とを有し、第1のレーザパラメータを有する第1のレーザを前記レーザ処理システムに設け、第2のレーザパラメータを有する第2のレーザを前記レーザ処理システムに設け、第3のレーザパラメータを有する第3のレーザを前記レーザ処理システムに設け、前記第2のレーザパラメータを有する前記第2のレーザを用いてダイアタッチフィルムの裏面除去を可能にする、前記基板の最大表面テクスチャを決定し、前記第1のレーザが所望の領域内の前記基板から前記材料の層の一部を除去できるようにする前記第1のレーザパラメータを、実質的に前記材料の層の全てが前記所望の領域から除去され、前記所望の領域内の表面の表面テクスチャが前記決定された最大表面テクスチャよりも小さくなるように、決定し、前記第1のレーザパラメータを用いて、前記第1のレーザを照射して、実質的に前記ストリート内の所望の領域内の前記基板から前記材料の層を除去し、前記第2のレーザパラメータを用いて、前記第2のレーザを照射して、前記ストリートに位置合わせされた領域において、前記ダイアタッチフィルムの一部の裏面除去を行い、前記第3のレーザを照射して、前記ストリート内で前記第3のレーザを用いて前記基板のスルーカットを行い、それにより前記基板を個片化する、方法。前記第1のレーザパラメータは、約255nm~約532nmの波長、約1000ps未満のパルス幅、及び約0.1μJを超えるパルスエネルギーを含んでいる、請求項1に記載の方法。前記第2のレーザパラメータは、約1000nmを超える波長、約100nsを超えるパルス幅、及び約10μJを超えるパルスエネルギーを含んでいる、請求項1に記載の方法。前記第3のレーザパラメータは、約255nm~約532nmの波長、約500ns未満のパルス幅、及び約0.1μJを超えるパルスエネルギーを含んでいる、請求項1に記載の方法。前記第1及び第3のレーザは固体レーザであり、前記第2のレーザはガスレーザである、請求項1に記載の方法。前記第1、第2及び第3のレーザは固体レーザである、請求項1に記載の方法。前記第1及び第3のレーザは同じレーザである、請求項1に記載の方法。前記第1、第2及び第3のレーザは同じレーザである、請求項1に記載の方法。レーザ処理システムを使ってダイアタッチフィルム上に設けられた基板のシンギュレーションを行う、改良されたシステムであって、前記基板は、前記ダイアタッチフィルムと反対側の表面上に既定のストリートと材料層とを有し、所望の領域内の前記基板から前記材料の第1の層の一部を除去できるようにする第1のレーザであって、実質的に前記材料層のすべてが所望の領域から除去され、前記所望の領域内の表面の表面テクスチャが所定の最大表面テクスチャよりも小さくなるようにする第1のレーザと、前記ストリートと位置合わせされた領域内で前記第2のレーザパラメータを用いて、前記ダイアタッチフィルムの一部の裏面除去を行うことが可能な第2のレーザと、前記ストリート内で前記基板のスルーカットを行い、それによって前記基板を個片化することが可能な第3のレーザと、を備えるシステム。前記第1のレーザパラメータは、約255nm~約532nmの波長、約1000ps未満のパルス幅、及び約0.1μJを超えるパルスエネルギーを含んでいる、請求項7に記載の方法。前記第2のレーザパラメータは、約1000nmを超える波長、約100nsを超えるパルス幅、及び約10μJを超えるパルスエネルギーを含んでいる、請求項7に記載の方法。前記第3のレーザパラメータは、約255nm~約532nmの波長、約500ns未満のパルス幅、及び約0.1μJを超えるパルスエネルギーを含んでいる、請求項7に記載の方法。前記第1及び第3のレーザは固体レーザであり、前記第2のレーザはガスレーザである、請求項7に記載の方法。前記第1、第2及び第3のレーザは固体レーザである、請求項7に記載の方法。前記第1及び第3のレーザは同じレーザである、請求項7に記載の方法。前記第1、第2及び第3のレーザは同じレーザである、請求項7に記載の方法。レーザ処理システムを使ってダイアタッチフィルム上に設けられた基板のシンギュレーションを行う、改良された方法であって、前記基板は、前記ダイアタッチフィルムと反対側の表面上に既定のストリートと材料層とを有し、第1のレーザパラメータを有する第1のレーザを前記レーザ処理システムに設け、第2のレーザパラメータを有する第2のレーザを前記レーザ処理システムに設け、第3のレーザパラメータを有する第3のレーザを前記レーザ処理システムに設け、前記第2のレーザパラメータを有する前記第2のレーザを用いてダイアタッチフィルムの裏面除去を可能にする、前記基板の最大表面テクスチャを決定し、前記第1のレーザが所望の領域内の前記基板から前記材料の層の一部を除去できるようにする前記第1のレーザパラメータを、実質的に前記材料の層の全てが前記所望の領域から除去され、前記所望の領域内の表面の表面テクスチャが前記決定された最大表面テクスチャよりも小さくなるように、決定し、前記第1のレーザパラメータを用いて、前記第1のレーザを照射して、実質的に前記ストリート内の所望の領域内の前記基板から前記材料の層を除去し、前記第2のレーザパラメータを用いて、前記第2のレーザを照射して、前記ストリートに位置合わせされた領域において、前記ダイアタッチフィルムの一部の裏面劣化を行い、前記第3のレーザを照射して、前記ストリート内で前記第3のレーザを用いて前記基板のスルーカットを行い、それにより前記基板を個片化する、方法。前記第1のレーザパラメータは、約255nm~約532nmの波長、約1000ps未満のパルス幅、及び約0.1μJを超えるパルスエネルギーを含む、請求項17に記載の方法。前記第2のレーザパラメータは、約1000nmを超える波長、約100nsを超えるパルス幅、及び約10μJを超えるパルスエネルギーを含む、請求項17に記載の方法。前記第3のレーザパラメータは、約255nm~約532nmの波長、約500ps未満のパルス幅、及び約0.1μJを超えるパルスエネルギーを含む、請求項17に記載の方法。前記第1及び第3のレーザは固体レーザであり、前記第2のレーザはガスレーザである、請求項17に記載の方法。前記第1、第2及び第3のレーザは固体レーザである、請求項17に記載の方法。前記第1及び第3のレーザは同じレーザである、請求項17に記載の方法。前記第1、第2及び第3のレーザは同じレーザである、請求項17に記載の方法。これらの手法に共通することは、望ましくない損傷又はデブリなしにDAFの存在下でウェハを効率的に個片化することが望ましいことである。そして必要とされていたが、従来技術により開示されていないことは、ウェハなどの電子基板から電子デバイスを効率的にレーザシンギュレーションする一方で、ダイアッタチフィルムを処理するレーザに関連する問題を回避する方法である。本発明の態様は、レーザ処理システムを使ってダイアタッチフィルムDAF上に設けられたウェハのシンギュレーションを行う、改良された方法を表している。前記ウェハは、前記DAFと反対側の表面上に既定のストリートと材料層とを有する。前記レーザ処理システムは、それぞれ可視又は紫外線UV、赤外線IR、及び可視又は紫外線UVにおける波長を含む、第1、第2及び第3のレーザパラメータを有する第1、第2及び第3のレーザを有している。前記第2のレーザパラメータを有する前記第2のレーザを用いてDAFの裏面除去を可能にする、前記ウェハの最大表面テクスチャを決定する。前記第1のレーザが所望の領域内の前記ウェハから前記材料の層の一部を除去できるようにする前記第1のレーザパラメータを、実質的に前記材料の層の全てが前記所望の領域から除去され、前記所望の領域内の表面の表面テクスチャが前記決定された最大表面テクスチャよりも小さくなるように、決定する。次いで、前記レーザパラメータを用いて、前記第1のレーザを照射して、実質的に前記ストリート内の所望の領域内の前記ウェハから前記材料の層を除去する。これに続いて、前記第2のレーザパラメータを用いて、前記第2のレーザを照射して、前記ストリートに位置合わせされた領域において、前記ダイアタッチフィルムの一部の裏面除去を行う。次に、前記第3のレーザを照射して、前記ストリート内で前記第3のレーザを用いて前記基板のスルーカットを行い、それにより前記ウェハを個片化する。また、本発明の態様は、裏面照射によりDAF内に劣化領域を形成することにより、ウェハ上のデバイスを個片化する。この材料の1つ又は複数の層は、DAF内に劣化領域を形成するために使用されるIRレーザの波長の10未満の表面粗さを残す可視又はUVレーザによりウェハの表面から除去される。可視又はUV波長レーザを用いたウェハのスルーカットの後、テープが伸張されてデバイスが分離され、DAFは、テープを伸張することによりDAFにほとんどの張力がかかるストリートに位置合わせされた劣化領域を有しているので、DAFは所望の場所で分離できる。劣化領域を形成することは、所望の領域内のDAFの除去よりも少ないエネルギーしか必要とせず、また分離後に生成されるデブリをより少なくできる。裏面DAF除去とは、DAFに優先的に吸収されウェハに対して実質的に透過的であるレーザ波長を選択することにより、ウェハを通してレーザパルスをDAFに照射することにより、DAFを除去又は劣化させることをいう。IR領域の波長を有するレーザは、シリコン及びゲルマニウムを含む多くのウェハ材料に対して実質的に透過的であるが、容易にDAFに吸収される。これにより、レーザ処理システムがウェハを通してDAF上にレーザパルスの焦点を合わせることが可能になる。本発明の態様は、ウェハを通してIRレーザ放射線を照射することによりDAFの裏面除去を可能とするために、暴露可視又はUVレーザを用いてウェハの前面又は上面の1つ又は複数の層内の材料を除去して、ウェハの表面を露出される。ウェハの表面を通してレーザ出力をDAFに効率的に伝達するために、ウェハの新たな露出面は、過剰な散乱又は拡散なしにレーザエネルギーを伝達する程度に十分平滑でなければならない。長さ約75ミクロンの線に沿ってミクロン単位で測定されたRMS平均高さ分布によって測定された露出ウェハ表面の表面粗さは、使用されるレーザ放射線の波長の長さの10未満でなければならない。この場合、10.6ミクロンのCO2レーザを使用するには、RMS表面粗さが1.06ミクロン未満であることが必要である。本発明の態様による表面層の除去の後に、表面粗さがレーザ波長の10未満であるシリコンウェハを通して10.6ミクロンで作動するCO2ガスレーザでDAFの裏面除去を行えば、過剰なデブリ又はウェハへの熱損傷を回避しつつ、DAFを所望の領域から迅速かつ綺麗に除去することができる。ESIモデル9900超薄型ウェハダイシングシステムは、本発明の態様を実施するために適合可能な例示的なレーザ処理システムである。このレーザ処理システムは、アメリカ合衆国オレゴン州97239,ポートランドのエレクトロサイエンティフィックインダストリーズインコーポレーテッドにより製造されている。このシステムは、ウェハをダイシングするために3つのレーザ及び3組のレーザ光学系、すなわち表面層を除去する可視又はUV波長レーザ及び光学系、DAFの裏面除去又は劣化を行うIRレーザ及び光学系、及びウェハをスルーカットする可視又はUV波長レーザ及び光学系を使用することによって適合されていてもよい。あるいは、レーザ処理システムは、2つのレーザ及び2組のレーザ光学系、すなわち表面層を除去し、ウェハをスルーカットする可視又はUVレーザ及び光学系と、DAFの裏面除去又は劣化を行うIRレーザ及び光学系とを使用することによって適合されてもよい。また、レーザ処理システムは、IR波長と可視又はUV波長の両方の波長を取り扱うために、IR波長と可視又はUV波長との間で切替可能で、ウェハを効率的に処理できる程度に十分な出力を有する単一のレーザを使用することによって適合されていてもよい。このようなウェハからの電子デバイスのシンギュレーションは、DAF上のウェハのシンギュレーションに関連する問題を解決する他の手法に必要とされるように、ウェハの処理中に移動又は再配置する必要がないので、効率的である。また、本発明の実施形態は、デブリの量及び赤外線IRレーザによるDAFの除去によって生じる熱損傷が限定的であるため、シンギュレーション後にデブリが実質的になく、損傷のないウェハを提供する。加えて、設計上、電子デバイスに取り付けられたままであるDAFは、実質的にデブリがなく、デバイスに対して正確にトリミングされる。本発明の実施形態は、レーザ処理システムのダイアタッチフィルムDAF上に設けられたウェハのシンギュレーションを行う改良された方法を表す。ウェハは、DAFの反対側の表面上に既定のストリート及び材料層を有する。レーザ処理システムは、第1、第2及び第3のレーザパラメータを有する第1、第2及び第3のレーザを有する。所定の第2のレーザパラメータを用いた第2のレーザでDAFの裏面の除去が可能となるウェハの最大表面テクスチャが決定される。第1のレーザにより所望の領域内のウェハから材料層の一部を除去できるようにする第1のレーザパラメータは、実質的にすべての材料層が所望の領域から除去され、所望の領域内で得られる表面の表面テクスチャが上記決定された最大表面テクスチャより小さくなるように決定される。そして、第1のレーザが照射され、上記レーザパラメータを用いて実質的にストリート内の所望の領域内のウェハから材料層を除去する。これに続いて、第2のレーザが照射され、ストリートと位置合わせされた領域において所定の第2のレーザパラメータを用いてダイアタッチフィルムの一部の裏面除去を行う。次に、第3のレーザが照射され、実質的にストリート内の所定の第3のレーザパラメータを用いてウェハのスルーカットを行い、それによりウェハを個片化する。裏面DAF除去とは、DAFに優先的に吸収されウェハに対して実質的に透過的であるレーザ波長を選択することにより、ウェハを通してレーザパルスをDAFに照射することにより、DAFを除去することをいう。IR領域の波長を有するレーザは、シリコン及びゲルマニウムを含む多くのウェハ材料に対して実質的に透過的であるが、容易にDAFに吸収される。これにより、レーザ処理システムがウェハを通してDAF上にレーザパルスの焦点を合わせることが可能になる。図4は、シリコンに対する吸収とセンチメートルの逆数の単位で計測した波数をプロットしたグラフである。矢印A及びBは、CO2レーザ10.6ミクロン及び9.4ミクロンによって放出された主波長を表し、この範囲内では、シリコンは、非常に吸収が低く、したがってレーザ波長の透過が非常に高いことを示している。本発明の実施形態は、ウェハを通してIRレーザ放射線を照射することにより、DAFの裏面除去を可能にするために、可視又はUVレーザでウェハの前面又は上面上の1つ又は複数の層内の材料を除去して、ウェハ自体の表面を暴露する。図5a~図5fは、テープ58によって支持されたDAF56上のウェハ50の断面図を示すことにより、この工程を示している。図5aでは、テープ58によって支持されたDAF56上のウェハ50は、示されたストリート54を有する能動回路を含む表面層52を有する。第1のレーザパルス60は、材料52を除去し、ウェハ50の表面を露出させるために、ストリート領域54に照射される。図5bは、表面層52の一部除去後のウェハ50を示し、表面層52の一部除去によりウェハの表面62が露出している。また、材料除去後にストリート63の領域がそのままであることが示されている。図5cは、DAF56の表面上のウェハの露出した表面62を通して焦点が合わせられる第2のレーザパルス64を示している。図5dに示されるように、第2のレーザパルス64は、ウェハの露出した領域62と揃えられたDAF領域66を除去するか、あるいはDAF領域66内での劣化を引き起こしている。図5eでは、第3のレーザパルス68が、ウェハの露出した表面62に照射される。図5fでは、第3のレーザパルス68が、除去又は劣化したDAF66に揃えてスルーカット70をウェハ50内に形成し、それによってウェハ50のシンギュレーションを行っている。また、本発明の実施形態は、裏面照射によりDAF内に劣化領域を形成することにより、ウェハ上のデバイスを個片化する。図6a~図6fは、この工程を示す。図6aでは、DAF86及びテープ88上にストリート84を有する上面層82を備えたウェハ80は、可視又はUVレーザ90に照射される。図6bは、露出したウェハの表面92とともに上面層82を示している。ストリート93の一部は、露出したウェハ92に隣接したままでもよいことに留意されたい。この材料の1つ又は複数の層は、DAF内に劣化領域を形成するために使用されるIRレーザの波長の10未満の表面粗さを残す可視又はUVレーザによりウェハの表面から除去される。図6cは、ウェハの露出面92を通ってDAF86に照射されるIRレーザパルス94を示している。図6dは、DAF86内に作り出された劣化領域96を示している。図6eは、スルーカットを形成するために、ウェハ80に照射される可視又はUVレーザパルス98を示している。図6fは、DAF86の劣化領域96で終端するウェハ80内のスルーカット100を示している。図6gは、ウェハ80を分離するために、矢印の方向に伸長されたテープ88を示している。DAF86は、スルーカット100に揃えられた劣化領域96を有しているので、伸長テープ88により張力が劣化領域96に加えられ、それによって劣化領域96での分離102を生じさせ、所望の場所でDAFを分離させる。劣化領域を形成することは、DAFの完全除去よりも少ないエネルギーしか必要とせず、また分離後に生成されるデブリをより少なくできる。本発明の実施形態は、ウェハをレーザ処理システム上に固定し、位置合わせした状態で、DAFを除去又は変質させるためにウェハの底面側のDAF又はDAF内部にレーザパルスの焦点を合わせる。DAFの裏面除去は、揮発したDAF材料用の通路を形成し、材料を冷却及び再堆積させることなく逃すために、除去工程をウェハの縁部で開始し、内部に向かって進めることに依存している。レーザパルスによって作り出された高圧ガスは、気化又は溶解したDAF材料をレーザ加工部位から排出し、それによってデブリを形成することを防いでいる。また、本発明の実施形態は、裏面レーザ処理によりDAF内に劣化領域を形成することにより、ウェハ上のデバイスを個片化する。この場合、使用するレーザエネルギーは、DAFを切除又は気化するには十分ではなく、むしろDAF内に劣化領域を生させ、これによりDAFは、テープを伸張することによって生じる張力を受けたときに、所望の場所で綺麗かつ容易に分離し、デバイスを分離する。本発明の実施形態は、ウェハの表面から1つ又は複数の材料層を除去して、第2のレーザがウェハを通してDAFを除去又は劣化することを可能にする。ウェハの表面を通してレーザ出力をDAFに効率的に伝達するために、ウェハの新たな露出面は、過剰な散乱又は拡散なしにレーザエネルギーを伝達する程度に十分平滑でなければならない。長さ約75ミクロンの線に沿った測定点のミクロン単位で測定された高さの最大差によって測定される、露出ウェハ表面の表面粗さは、使用されるレーザ放射線の波長の長さの10未満でなければならない。例えば、10.6ミクロンのCO2レーザを使用するには、表面粗さが1.06ミクロン未満であることが必要である。本発明の実施形態に係る表面層の除去の後に、表面粗さがレーザ波長の10未満であるシリコンウェハを通して10.6ミクロンで作動するCO2ガスレーザでDAFの裏面除去を行えば、過剰なデブリ又はウェハへの熱損傷を回避しつつ、DAFを所望の領域から迅速かつ綺麗に除去することができる。図7は、ウェハの表面114を露出させるために除去された材料の表面層112,113を有するウェハ110の顕微鏡写真を示す。材料は、10~1000ピコ秒のパルス持続時間、及び表面層112,113に焦点を合わせた45ミクロンの正方形スポットトップハットビームを用いて355nmで200uJ未満のパルスエネルギーで、パルスを放出する16WのUVレーザ図示せずを使用して除去された。この顕微鏡写真には、3つの線分116,118,120が示されており、3つの線分に沿って表面の高さのサンプルが測定され、その平均を求めた。理解できるように、平均を求めた全サンプルの高さの最大差は、0.568であり、これは所望の最大値1.06より小さい。これらの測定からのデータは、表1に示されている。図8は、本発明の実施形態に係る処理後のDAF132,133を被せたテープ130を示す顕微鏡写真である。所望の結果である、DAF132,133内に形成された切溝134のデブリのない平滑な縁部136を示すために、ウェハ図示せずが取り除かれている。切溝134は、ウェハ図示せずを通してDAFに焦点が合わされたクリップトガウスビームを用いる10.6ミクロンで作動する200WのCO2レーザ図示せずを使用して、DAF132,133内に形成されたものである。クリップトガウスビームとは、レーザパルスの中央部のみを通して最外部のレーザエネルギーの伝達を遮断するように円形又は他の形状にすることが可能な開口部にレーザパルスを通すことをいう。図9は、本発明の実施形態に係る個片化された電子デバイスを形成するために、下にあるDAF142とともに個片化されたシリコンウェハ140の一部の顕微鏡写真を示している。表面層図示せずは、表面層で10ミクロン焦点に焦点を合わせた正方形ビームを用いて355nmで作動する16WのUVレーザ図示せずで除去された。そして、DAF142は、DAF142で50ミクロン点に焦点を合わせた正方形ビームを用いて9.4ミクロンで作動する200WのCO2IRレーザ図示せずで処理された。これに続いて、ウェハ140は、ウェハ140で10ミクロン焦点に焦点を合わせた正方形ビームを用いて355nmで作動する16WのUVレーザ図示せずでスルーカットされた。DAF142は、シリコンウェハ140に連続的に取り付けられ、所望の結果である、許容できるサイズ及びデブリ限度の範囲内にあることに留意されたい。ESIモデル9900超薄型ウェハダイシングシステムは、本発明の態様を実施するために適合可能な例示的なレーザ処理システムである。このレーザ処理システムは、アメリカ合衆国オレゴン州97239,ポートランドのエレクトロサイエンティフィックインダストリーズインコーポレーテッドにより製造されている。このシステムは、刊行物Model9900SiteRequirementsandInstallationGuideESI部品番号187054aに記載されており、参照によりその全体が本明細書に含まれる。本発明の一実施形態では、このシステムは、図10に示されるように、ウェハをダイシングするために3つのレーザ及び3組のレーザ光学系を使用することによって適合される。まず、可視又はUV波長レーザ150は、テープ186に取り付けられたDAF184上に保持されたウェハ180上のストリート188内の表面層182を除去するために、可視又はUVレーザ光学系154により照射される可視又はUVレーザパルス152を生成する。2番目に、IRレーザ160は、ストリート188内の表面層182の除去の後、ウェハ180を通してDAF184の裏面除去又は劣化を行うために、IRレーザ光学系164により照射されるIRレーザパルス162を生成する。3番目に、可視又はUV波長レーザ170は、ウェハ180をスルーカットするために、可視又はUV光学系174により照射される可視又はUVレーザパルス172を生成する。アメリカ合衆国カリフォルニア州95054,サンタクララのコヒレントインコーポレーテッドによって製造されたCoherentAviaを、第1の可視又はUVレーザ150及び第3の可視又はUVレーザ170として使用することができる。このレーザは、パルス繰り返し率100kHz以下、平均出力16W、355nm波長で作動するQスイッチNd:YVO4従来型固体ダイオード励起レーザである。可視又はUVレーザ光学系154,174は、AOM又はEOMなどの時間型パルス成形光学系、回析ビーム成形光学系又はコリメータなどの空間型パルス成形光学系、AOM又は検流計などのビームステアリング光学系、及び成形されステアリングされたレーザパルスをワークピースに照射するフィールド型光学系を含み得る。IRレーザ160は、アメリカ合衆国カリフォルニア州95054,サンタクララのコヒレントインコーポレーテッドによって製造されたCoherentDiamondKSeriesCO2laserであってもよく、これはパルス繰り返し率100kHz以下、平均出力200W超、9.6ミクロン波長で作動する。IR光学系164は、可視又はUVレーザ光学系154,174と同じ素子を含み、IR光学系164がIR波長の処理用に最適化されている点を除いて同じ基本機能を有する。あるいは、本システムの実施形態は、図11に示されるように、2つのレーザ及び2組のレーザ光学系を使用することによりレーザ処理システムを適合させる。まず、可視又はUVレーザ190は、ストリート218内の表面層212を除去し、次いでIRレーザパルス198によるテープ216上のDAF214の除去又は劣化の後、ウェハ210をスルーカットするために、可視又はUVレーザ光学系194により照射される可視又はUVレーザパルス192を生成する。2番目に、IRレーザ196は、DAF214の裏面除去又は劣化を実行するために、IRレーザ光学系200により照射されるIRレーザパルス198を生成する。可視又はUVレーザ194は、355nmで作動するCoherentAviaとすることができ、IRレーザ196は、9.6ミクロンで作動するCoherentDiamondKSeriesCO2laserとすることができる。可視又はUVレーザ光学系194は、可視又はUVレーザ光学系154,174と同じであり、IRレーザ光学系200はIR光学系164と同じである。図12は、単一レーザを使用することによって適合されるレーザ処理システムを示している。このレーザ処理システムは、光スイッチ244によってIRパルス248と可視又はUVパルス246とを切り替えることが可能なレーザパルス242を生成する単一レーザ240を使用することによって適合される。さらに、このシステムは、まずストリート領域268内から表面層262を除去してウェハ260の表面を露出させ、次いでIRレーザ光学系252を使用してIRレーザパルス248を照射して、ウェハ260を通してテープ266上のDAF264の裏面除去又は劣化を行い、続いて可視又はUVレーザ光学系250を用いて可視又はUVレーザパルス246を照射して、ウェハをスルーカットするために、IRレーザ光学系252と、可視又はUVレーザパルス246を照射する可視及びUVレーザ光学系250とを追加することによって適合される。本発明の一実施形態では、レーザ240は、Ndをドープしたガラスファイバを利用するNd:VO4結晶ファイバレーザを利用するものなどの従来の固体ダイオード励起ファイバレーザと、光励起器、共振器及び増幅器として配置された従来のファイバ固体レーザの様々な組合せとの両方を含む、固体レーザファミリーの1つである。レーザ240は、1064nm波長領域におけるIR放射線を532nm可視又は355nmUVなどのより短い波長に変換する一カリウムリン酸塩KDP、三ホウ酸リチウムLBO又はβ-ホウ酸バリウムBBOなどの高調波を生成する結晶を含む場合がある。この高調波を生成する能力は、レーザ240の内部にあってもよく、あるいは光スイッチ244の一部として外部にあってもよく、システムがIRパルス248又は可視もしくはUVパルス246のいずれかを放出できるように配置され得る。また、レーザ240又は光スイッチ244は、ウェハ260を通るレーザ放射線の透過を改善するために、1064nmのIR波長を1300ミクロンよりも長い波長に変換する光学パラメータ発振器OPOを含んでもよい。これらのパルス246,248は、IRレーザ光学系252又は可視もしくはUV光学系250のそれぞれによってストリート268、ウェハ260又はDAF264に照射される。IR光学系246及び可視又はUV光学系250は、図10及び11における対応物に類似して構築されている。この場合、レーザ処理システム図示せずは、レーザ240、光スイッチ244、IRレーザ光学系252又は可視もしくはUV光学系250を制御することにより、レーザ出力を、低出力、すなわち材料をストリートから除去し、スルーカットするときの出力約10~20Wから、より高い出力、すなわちDAFを除去又は劣化させるときの出力200Wに切り替えなければならない。1つ又は複数の材料層182を除去してウェハ表面180を露出させるためのレーザパルスパラメータは、約255nm~532nmの波長、10ps~100nsのパルス幅、1パルス当たり約0.1μJ~1.0mJのパルスエネルギー、100kHzを超えるパルス繰り返し率、及びガウス、トップハット円形又はトップハット方形を含むパルス形状を含んでいる。DAF214の裏面除去のためのレーザパラメータは、約1.064ミクロン~10.6ミクロンの波長、パルス状又はシャッター状いずれかの連続波CW動作、パルス動作の場合は10μJを超えるパルスエネルギーあるいはCW動作の場合は200Wを超えるレーザ出力、及びガウス、トップハット円形又はトップハット方形を含むパルス形状を含んでいる。ウェハ180をスルーカットするためのレーザパラメータは、約255nm~532nmの波長、10ps~500nsのパルス幅、1パルス当たり約0.1μJ~10.0mJのパルスエネルギー、100kHzを超えるパルス繰り返し率、及びガウス、トップハット円形又はトップハット方形を含むパルス形状を含んでいる。このようなウェハからの電子デバイスのシンギュレーションは、DAF上のウェハのシンギュレーションに関連する問題を解決する他の手法に必要とされるように、ウェハの処理中に移動又は再配置する必要がないので、効率的である。また、本発明の実施形態は、デブリの量及び赤外線IRレーザによるDAFの除去によって生じる熱損傷が限定的であるため、シンギュレーション後にデブリが実質的になく、損傷のないウェハを提供する。加えて、設計上、電子デバイスに取り付けられたままであるDAFは、実質的にデブリがなく、デバイスに対して正確にトリミングされる。このようにウェハを処理するために3つのレーザを使用する利点としては、システムコストが高くなるが、スループットを上げることができる点にある。2つのレーザを使用すると、より少ないシステムコストの増加で、3つのレーザを使用するよりは少ないがスループットを上げることができる。1つのレーザを使用する解決法は、システムコストが最も少ないが、それに対応してシステムのスループットがより低くなることがある。本発明の上述した実施形態の詳細に対して、その基本的な原理から逸脱することなく多くの変更がなされてもよいことは、当業者には明白であろう。したがって、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によってのみ決定されるべきである。"