"図形パターン毎の補正方向のパターン寸法に依存した荷電粒子の前方散乱に起因する寸法変動を補正する前方散乱補正照射係数を用いて、近接効果に起因する寸法変動を補正する近接効果補正照射係数を演算する近接効果補正照射係数演算部と、前記近接効果補正照射係数と前記前方散乱補正照射係数とを用いて照射量を演算する照射量演算部と、前記照射量に基づいて、荷電粒子ビームを用いて、試料に当該図形パターンを描画する描画部と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。前記前方散乱補正照射係数に依存した関数を用いて、かぶりに起因する寸法変動を補正するかぶり補正照射係数を演算するかぶり補正照射係数演算部をさらに備え、前記照射量演算部は、さらに、前記かぶり補正照射係数を用いて前記照射量を演算することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。ローディング効果に起因する寸法変動量を演算する寸法変動量演算部と、前記パターン寸法と近接効果密度とを用いて、パターン寸法と荷電粒子ビームの照射量との関係を示す係数であって、前記パターン寸法と前記近接効果密度とに依存して変化する裕度を演算する裕度演算部と、をさらに備え、前記照射量演算部は、さらに、前記裕度とローディング効果に起因する寸法変動量とを用いて前記照射量を演算することを特徴とする請求項1又は2記載の荷電粒子ビーム描画装置。前記パターン寸法と近接効果密度とを用いて、前記パターン寸法と前記近接効果密度とに依存した、パターン寸法と荷電粒子ビームの照射量との関係を示す係数となる第1の裕度を演算する第1の裕度演算部と、前記近接効果密度を用いて、パターン寸法と荷電粒子ビームの照射量との関係を示す係数であって、同一の近接効果密度においては前記パターン寸法によっては変化せず、前記近接効果密度に依存して変化する第2の裕度を演算する第2の裕度演算部と、をさらに備え、前記照射量演算部は、さらに、前記第1の裕度と前記第2の裕度とローディング効果に起因する寸法変動量とを用いて前記照射量を演算することを特徴とする請求項1又は2記載の荷電粒子ビーム描画装置。図形パターン毎に補正方向のパターン寸法に依存した荷電粒子の前方散乱に起因する寸法変動を補正する前方散乱補正照射係数を用いて、近接効果に起因する寸法変動を補正する近接効果補正照射係数を演算する工程と、前記近接効果補正照射係数と前記前方散乱補正照射係数とを用いて照射量を演算する工程と、前記照射量に基づいて、荷電粒子ビームを用いて、試料に当該図形パターンを描画する工程と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。しかしながら、昨今のパターンの微細化に伴って、描画されるパターンの寸法が小さくなるにつれ、従来の照射量演算モデルでは誤差が生じてしまうことがわかってきた。図11は、従来の照射量モデルの一例を説明するための図である。従来の照射量モデルでは、図11に示すように照射量Dの1/2をレジストの解像閾値となる閾値照射量Dthに設定することで、パターン300は、ビームプロファイルにおいてD/2の位置の寸法Lで描画されていた。図12は、従来の照射量モデルで寸法が小さいパターンを描画した場合の寸法の一例を説明するための図である。従来の照射量モデルで設定した照射量で線幅寸法の小さいパターンを描画した場合、ある寸法よりも小さくなってくると、図12に示すように、最大照射量D’が設定された照射量Dに届かない。そのため、Dで決まる寸法のパターン302を予定していても、実際に得られる寸法は、それよりも細い閾値照射量Dthのパターン304になってしまう。ここで、かかるずれ分も含めた照射量を初めからすべて演算するには、より小さな領域単位ですべての描画領域を計算する必要があるので処理時間が非常に長くかかってしまう。そのため、例えば、描画前に外部で予め補正量を算出しておいて、描画装置に入力されるレイアウトデータに付加情報として定義しておくことも考えられる。しかし、かかる手法では、補正計算に使用するパラメータの変更が必要になった場合に使用できなくなってしまうといった問題がある。そのため、描画装置内でより簡易に補正計算を行うことが望ましいが、従来、かかる問題を解決するための十分な手法が確立されていなかった。そこで、本発明は、上述した問題点を克服し、より小さな寸法のパターンの寸法変動を他の寸法変動要因と共に補正可能な装置および方法を提供することを目的とする。本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、図形パターン毎の補正方向のパターン寸法に依存した荷電粒子の前方散乱に起因する寸法変動を補正する前方散乱補正照射係数を用いて、近接効果に起因する寸法変動を補正する近接効果補正照射係数を演算する近接効果補正照射係数演算部と、近接効果補正照射係数と前方散乱補正照射係数とを用いて照射量を演算する照射量演算部と、照射量に基づいて、荷電粒子ビームを用いて、試料に当該図形パターンを描画する描画部と、を備えたことを特徴とする。また、前方散乱補正照射係数に依存した関数を用いて、かぶりに起因する寸法変動を補正するかぶり補正照射係数を演算するかぶり補正照射係数演算部をさらに備え、照射量演算部は、さらに、かぶり補正照射係数を用いて照射量を演算すると好適である。また、ローディング効果に起因する寸法変動量を演算する寸法変動量演算部と、パターン寸法と近接効果密度とを用いて、パターン寸法と荷電粒子ビームの照射量との関係を示す係数であって、パターン寸法と近接効果密度とに依存して変化する裕度を演算する裕度演算部と、をさらに備え、照射量演算部は、さらに、裕度とローディング効果に起因する寸法変動量とを用いて照射量を演算すると好適である。また、パターン寸法と近接効果密度とを用いて、パターン寸法と荷電粒子ビームの照射量との関係を示す係数であって、パターン寸法と近接効果密度とに依存して変化する第1の裕度を演算する第1の裕度演算部と、近接効果密度を用いて、パターン寸法と荷電粒子ビームの照射量との関係を示す係数であって、同一の近接効果密度においてはパターン寸法によっては変化せず、近接効果密度に依存して変化する第2の裕度を演算する第2の裕度演算部と、をさらに備え、照射量演算部は、さらに、第1の裕度と第2の裕度とローディング効果に起因する寸法変動量とを用いて照射量を演算すると好適である。本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、図形パターン毎に補正方向のパターン寸法に依存した荷電粒子の前方散乱に起因する寸法変動を補正する前方散乱補正照射係数を用いて、近接効果に起因する寸法変動を補正する近接効果補正照射係数を演算する工程と、近接効果補正照射係数と前方散乱補正照射係数とを用いて照射量を演算する工程と、照射量に基づいて、荷電粒子ビームを用いて、試料に当該図形パターンを描画する工程と、を備えたことを特徴とする。本発明の一態様によれば、近接効果等の他の変動要因と共に、より小さな寸法のパターンで生じる寸法変動を補正できる。その結果、高精度な描画ができる。以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム装置の一例として、可変成形型の描画装置について説明する。また、以下に説明する式等において、xは位置を示すベクトルとする。実施の形態1.図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型VSB型の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、ブランキング偏向器212、ブランキングアパーチャ214、第1の成形アパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2の成形アパーチャ206、対物レンズ207、及び偏向器208が配置されている。描画室103内には、少なくともXY方向に移動可能なXYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画対象となる試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造するための露光用のマスクやシリコンウェハ等が含まれる。マスクにはマスクブランクスが含まれる。制御部160は、制御計算機110,120、メモリ111,121、偏向制御回路130、デジタルアナログ変換器DACアンプ132、及び磁気ディスク装置等の記憶装置140,142,144,146を有している。制御計算機110,120、メモリ111,121、偏向制御回路130、及び記憶装置140,142,144,146は、図示しないバスを介して互いに接続されている。偏向制御回路130は、DACアンプ132を介してブランキング偏向器212に接続される。制御計算機110内には、面積密度ρ算出部41、寸法変動量ΔCD算出部40、関数ρp1/2α算出部44、及び関数ρpL/2α算出部46が配置されている。面積密度ρ算出部41、ΔCD算出部40、ρp1/2α算出部44、及び関数ρpL/2α算出部46といった各機能は、プログラムといったソフトウェアで構成されても良い。或いは、電子回路等のハードウェアで構成されてもよい。或いは、これらの組み合わせであってもよい。制御計算機110に必要な入力データ或いは演算された結果はその都度メモリ111に記憶される。制御計算機120内には、近接効果補正照射係数Dpx算出部50、近接効果補正照射係数Dp’x算出部51、かぶり補正照射係数Dfx算出部52、照射量密度ρ’x算出部53、裕度DLU,L算出部54、照射量Dx算出部56、照射時間t算出部58、ショットデータ生成部60、及び描画制御部62が配置されている。近接効果補正照射係数Dpx算出部50、近接効果補正照射係数Dp’x算出部51、かぶり補正照射係数Dfx算出部52、照射量密度ρ’x算出部53、裕度DLU,L算出部54、照射量Dx算出部56、照射時間t算出部58、ショットデータ生成部60、及び描画制御部62といった各機能は、プログラムといったソフトウェアで構成されても良い。或いは、電子回路等のハードウェアで構成されてもよい。或いは、これらの組み合わせであってもよい。制御計算機120に必要な入力データ或いは演算された結果はその都度メモリ121に記憶される。記憶装置140には、図形毎に、図形コードと基準位置の座標とx方向の図形サイズとy方向の図形サイズと補正方向における図形の線幅寸法wとが定義された各図形データによる描画データが外部より入力され、格納されている。例えば、OPC処理後のパターンをフラクチャ処理を行って、パターンを複数の図形に分解した場合に、かかる複数の図形をつなぎ合わせたパターンを構成する図形毎に、上述した補正方向における図形の線幅寸法wが属性情報として定義される。なお、補正方向に複数の図形が接触してつながる場合はつながった図形全体の補正方向における線幅寸法が定義される。また、記憶装置144には、離散的な複数の裕度DLU,Lがパラメータとして外部から入力され、格納されている。裕度DLU,Lは、パターン寸法CDと近接効果密度Uとに依存した、パターン寸法CDと電子ビームの照射量Dとの関係を示す係数として定義される。言い換えれば、裕度DLU,Lは、同じ近接効果密度Uであってもパターン寸法CDが変化することで変動する値となる。逆に、裕度DLU,Lは、同じパターン寸法CDであっても近接効果密度Uが変化することで変動する値となる。ここでは、パターン寸法CDと近接効果密度Uとを可変にして、離散的な複数の条件での裕度DLU,Lを予め実験等により求めておく。ここで、図1では、実施の形態1を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。例えば、ここでは対物偏向を1段の偏向器208を用いて行っているが、2段以上の偏向器を用いても構わない。例えば、主副2段の主偏向器および副偏向器を用いてもよい。或いは、3段の第1の対物偏向器、第2の対物偏向器および第3の対物偏向器を用いてもよい。また、偏向制御回路130は、図示しない各DACアンプを介して、偏向器205、及び偏向器208に接続される。図2は、実施の形態1における照射量補正の仕方を説明するための概念図である。上述したように、昨今のパターンの微細化に伴って、描画されるパターンの寸法が小さくなるにつれ、従来の照射量演算モデルでは誤差が生じてしまうことがわかってきた。具体的には、従来の照射量モデルでは、描画されるパターンの寸法が、電子の前方散乱の影響半径σpsに対して十分に大きい場合に成り立つ。そのため、描画されるパターンの寸法が電子の前方散乱の影響半径σpsに対して十分に大きいとは言えない寸法まで小さくなってくると従来の照射量モデルとのずれが生じてしまう。電子の前方散乱の影響半径σpsが20~30nmに対して、例えば、パターンの線幅寸法が150nmなら前方散乱の影響を受けずに従来の照射量モデルが成り立つ。しかしながら、例えば、パターンの線幅寸法が50nm以下程度にまで小さくなってくると前方散乱の影響を受けて従来の照射量モデルでは寸法誤差が生じる。かかる前方散乱の影響を受ける程度のパターン寸法になってくると、図2aの照射量プロファイル30が示すように、最大照射量D’が設定された照射量Dに届かない。そのため、従来の手法で照射した際にパターン10のエッジ位置に蓄積される照射量を予定していても、実際に得られる寸法は、それよりも細い閾値照射量Dthのパターン12になってしまう。そこで、実施の形態1では、従来の手法で照射した際にパターン10のエッジ位置に蓄積される照射量を前方散乱補正照射係数αLxと照射量Dの積として定義する。言い換えれば、前方散乱の寄与率をαとして、照射量Dに乗じたαDを定義する。そして、図2bに示すように、かかるαDが閾値照射量Dthになるように補正する。言い換えれば、照射量プロファイル30の各値に1/2αを乗じて照射量プロファイル32に変換することで、従来の照射量モデルに合わせ込むことができる。よって、実施の形態1では、照射量を演算するにあたって、かかる前方散乱補正照射係数αLxを図形毎に求めることで、かかる前方散乱補正照射係数αLxを使って、その後の補正計算を行う。かかる手法により、補正量を無の状態の初めからすべて演算する場合に比べて演算処理量を大幅に低減できる。図3は、実施の形態1におけるパターンを構成する複数の図形の一例を示す図である。図3には、パターン20として、途中で線幅が変更になりながら延びる所謂L字型のパターンの一例を示している。かかるパターン20は、描画装置100へデータが入力される前のフラクチャ処理により複数の図形22a,b,c,に分割される。ここで、各図形において重要なサイズは、パターン20の長手方向線方向ではなく、これと直交する線幅寸法である。よって、寸法変動を補正する必要があるのは、かかるパターン20の長手方向線方向に直交する方向の線幅寸法となる。しかしながら、従来の描画データでは、分割された各図形の図形コード、座標、x方向サイズ、y方向サイズが定義されているだけで、補正したい方向補正方向の線幅寸法が定義されていない。そのため、このままでは、補正方向を特定することは困難である。そこで、実施の形態1では、描画データの各図形のパターンデータに、図形の図形コード、座標、x方向サイズ、y方向サイズの他に、さらに、補正方向の線幅寸法Lを定義するように構成した。図3の例では、例えば、分割された図形22aについて、座標x1,y1、サイズLx1,Ly1、の他に、さらに、線幅寸法L1が定義される。その他の図形22b,c,についても同様である。また、パターン20の延びる方向が途中で変更された場合でも、変更後のパターン20の長手方向線方向に直交する方向の線幅寸法を図形のパターンデータに定義しておけばよい。図3の例では、例えば、分割された図形22nについて、座標x17,y17、サイズLx17,Ly17、の他に、さらに、線幅寸法L17が定義される。なお、補正方向に複数の図形が接触してつながる場合はつながった図形全体の補正方向における線幅寸法が定義される。そして、実施の形態1では、かかる補正方向の線幅寸法Lを使って、前方散乱補正照射係数αLxを求める。かかる線幅寸法Lをパラメータとして用いることで、前方散乱補正照射係数αLxを簡易に取得できる。また、描画装置100において描画条件が変更になった場合でもかかる線幅寸法LをパラメータとしてαLxを求めることができる。よって、描画前に補正量を演算して入力データに属性情報として定義してしまう場合のように、描画条件が変更になった場合に使用できなくなるといった不具合を回避できる。図4は、実施の形態1における図形毎の描画データのフォーマットの一例を示す図である。図4では、描画装置100に入力される描画データは、図形毎に、ヘッダ、図形コードk-code、配置座標x,y、図形寸法L1,L2が定義され、ヘッダの属性情報として補正方向の線幅寸法Lがさらに定義される。図5は、実施の形態1における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図5において、実施の形態1における描画方法は、面積密度ρ算出工程S100と、寸法変動量ΔCD算出工程S102と、関数ρp1/2αLx算出工程S108と、近接効果補正照射係数Dp’x算出工程S112と、照射量密度ρ’x算出工程S115と、かぶり補正照射係数Dfx算出工程S116と、関数ρpL/2αLx算出工程S118と、近接効果補正照射係数Dpx算出工程S120と、裕度DLU,L算出工程S122と、照射量Dx算出工程S124と、描画工程S126という一連の工程を実施する。なお、実施の形態1では、前方散乱に起因した寸法変動と、近接効果に起因した寸法変動と、かぶりに起因した寸法変動と、ローディング効果に起因した寸法変動とをすべて補正しているが、これに限るものではない。例えば、前方散乱に起因した寸法変動と、近接効果に起因した寸法変動とを補正した照射量を求めてもよい。これにより、前方散乱に起因した寸法変動と、近接効果に起因した寸法変動とが補正できる。言い換えれば、前方散乱に起因した寸法変動と、近接効果、かぶり或いはローディング効果に起因した寸法変動のうちの1つ以上とを補正した照射量を求めてもよい。まず、制御計算機110は、記憶装置140から描画データを読み出す。そして、以下の演算を実施する。面積密度ρ算出工程S100として、面積密度ρ算出部41は、試料101の描画領域を所定のサイズの複数のメッシュ領域に仮想分割して、メッシュ領域毎に、図形パターンが占める面積密度を演算する。面積密度ρ算出部41は、ローディング効果の影響半径の例えば1/10のサイズのメッシュ領域毎に面積密度ρLxを演算する。面積密度ρLxを演算するメッシュサイズとしては、例えば、100~500μm程度が好適である。寸法変動量ΔCD算出工程S102として、ΔCD算出部40は、描画データに定義された図形パターン毎に、ローディング効果に起因した寸法変動量ΔCDxを算出する。ΔCD算出部40は、寸法変動量演算部の一例である。寸法変動量ΔCDxは、分布関数gLx、面積密度ρLx、ローディング効果補正係数γ、及び位置依存の寸法変動量Pxを用いて、以下の式1で定義される。なお、分布関数gLxは、例えば、ガウシアン分布関数等を用いると好適である。また、面積密度ρLxは、ローディング効果の影響半径の例えば1/10のサイズのメッシュ領域毎に演算された値を用いるとよい。演算されたΔCDxは記憶装置142に一時的に格納される。ρp1/2αLx算出工程S108として、ρp1/2α算出部44は、かぶり効果補正用の近接効果に起因する寸法変動を補正するための面積密度を算出する。本工程では、図形毎のパターン面積に1/2αLxの重みを付けて面積密度を算出する。実施の形態では、この重み付きの面積密度を、重みの付いていない面積密度ρを用いて、便宜上、ρ/2αLxと表現する。演算された関数ρp1/2αLxは記憶装置142に一時的に格納される。αLxは、パターン寸法Lxに依存した係数となる。αLxは、パターン寸法Lxと規格化された分布関数gpsxを用いて、以下の式2で定義される。なお、分布関数gpsxは、前方散乱の影響半径σpsを用いて、以下の式3で定義される。また、面積密度ρp1は、かぶり効果補正用に、本来の近接効果補正用のメッシュサイズよりも大きなメッシュサイズΔp1のメッシュ領域毎に演算された値を用いるとよい。例えば、メッシュサイズΔp1が5~10μmのメッシュ領域毎に演算されるとよい。そして、当該図形パターンの端部の座標をxとしたときのαLxを求める。言い換えれば、例えば、当該図形パターンの寸法Lの中心位置を分布関数の中心とした場合に、x=L/2としたときのαLxを求める。これにより、前方散乱の寄与率となる前方散乱補正照射係数が得られる。近接効果補正照射係数Dp’x算出工程S112として、Dp’x算出部51は、ρp1/2αLxを用いて、かぶり補正計算に用いるための近接効果に起因する寸法変動を補正する近接効果補正照射係数Dp’xを演算する。Dp’xは、ρp1/2αLx、分布関数gpx、近接効果補正係数ηを用いて、以下の式4で定義される。なお、分布関数gpxは、例えば、ガウシアン分布関数等を用いると好適である。また、式4中の第2項のρp1/2αLxは、既に求めた関数ρp1/2αLxを用いることで演算処理時間を短縮できる。ここでは、かぶり補正計算用にメッシュサイズΔp1が本来の近接効果補正用のメッシュサイズΔpLよりも大きな寸法としているため演算回数が減り、演算処理時間を短縮できる。以上により、前方散乱に起因する寸法変動を補正しながら近接効果に起因する寸法変動も補正することができるかぶり補正計算用のDp’xを取得できる。照射量密度ρ’x算出工程S115として、照射量密度ρ’x算出部53は、照射量密度ρ’xを演算する。照射量密度ρ’xは、前方散乱補正照射係数αLxに依存した関数である。ρ’xは、かぶり補正計算用の近接効果補正照射係数Dp’x、ρp1/2αLx、かぶり補正計算用の近接効果メッシュサイズΔp1、及びかぶり効果補正用のメッシュサイズΔfを用いて、以下の式5で定義される。メッシュサイズΔfは、かぶり効果の影響半径の例えば1/10のサイズが好適である。例えば、100~500μm程度が好適である。ここでは、ρ’xを照射量密度と命名しているが、これは便宜上の名称であって他の名称でももちろん構わない。単に、関数ρ’xでもよい。かぶり補正照射係数Dfx算出工程S116として、Dfx算出部52は、前方散乱補正照射係数αLxに依存した関数である照射量密度ρ’xを用いて、かぶりに起因する寸法変動を補正するかぶり補正照射係数Dfxを演算する。Dfx算出部52は、かぶり補正照射係数演算部の一例である。Dfxは、分布関数gfx、照射量密度ρ’x、かぶり補正係数θ、近接効果補正係数ηを用いて、以下の式6で定義される。なお、分布関数gfxは、例えば、ガウシアン分布関数等を用いると好適である。また、式6中の第2項のρ’xは、既に求めた関数ρ’xを用いることで演算処理時間を短縮できる。以上により、前方散乱に起因する寸法変動を補正しながら近接効果とさらにかぶりに起因する寸法変動も補正することができるDfxを取得できる。関数ρpL/2αLx算出工程S118として、ρpL/2α算出部46は、かぶり効果補正用ではない本来の近接効果に起因する寸法変動を補正するための面積密度を算出する。本工程では、図形毎のパターン面積に1/2αLxの重みを付けて面積密度を算出する。演算された関数ρpL/2αLxは記憶装置142に一時的に格納される。αLxは、上述した式2,式3を用いればよい。また、面積密度ρpLは、本来の近接効果の影響半径の例えば1/10のメッシュサイズΔpLのメッシュ領域毎に演算された値を用いるとよい。例えば、メッシュサイズΔpLが1μm程度のメッシュ領域毎に演算されるとよい。なお、ρpL/2α算出部46は、図1において制御計算機110内に配置されているが、制御計算機120内に配置されてもよい。近接効果補正照射係数Dpx算出工程S120として、Dpx算出部50は、ρpL/2αLxを用いて、本来の近接効果に起因する寸法変動を補正する近接効果補正照射係数Dpxを演算する。Dpx算出部50は、近接効果補正照射係数演算部の一例である。Dpxは、ρpL/2αLx、分布関数gpx、近接効果補正係数ηを用いて、以下の式7で定義される。なお、分布関数gpxは、例えば、ガウシアン分布関数等を用いると好適である。また、式7中の第2項のρpL/2αLxは、既に求めた関数ρpL/2αLxを用いることで演算処理時間を短縮できる。以上により、前方散乱に起因する寸法変動を補正しながら近接効果に起因する寸法変動も補正することができるDpxを取得できる。裕度DLU,L算出工程S122として、DLU,L算出部54は、パターン寸法Lと近接効果密度Uとを用いて、パターン寸法Lと電子ビームの照射量Dとの関係を示す係数であって、パターン寸法Lと近接効果密度Uとに依存して変化する裕度DLU,Lを演算する。DLU,L算出部54は、裕度演算部の一例である。図6は、実施の形態1におけるパターン寸法CDと照射量Dとの相関データの一例を示すグラフである。縦軸はパターン寸法CDを示し、横軸は照射量Dを対数で示している。ここでは、例えば、近接効果密度Ux=00,0.550,1100の各場合について実験により求めている。近接効果密度Ux=0は実際にはパターンが無いことになってしまうので、周囲に何もない状態で測定用のラインパターンを例えば1つ描画することで近似して求めることができる。逆に、近接効果密度Ux=1は周囲を含めてメッシュ内全体がパターンになってしまい寸法が測れないので、周囲がパターンで埋め尽くされた状態で測定用のラインパターンを例えば1つ描画することで近似して求めることができる。ここで、設定する近接効果密度Uxは、0,50,100の各場合に限るものではない。例えば、10以下のいずれかと、50と、90以上のいずれかとの3つを用いても好適である。また、3種類に限らず、その他の数の種類で測定してもよい。例えば4種類以上測定しても構わない。裕度DLU,Lは、例えば、かかるグラフの傾きを示す。パターン寸法Lが、前方散乱の影響を受けない程度に大きいサイズまでは、裕度DLU,Lは、パターン寸法Lに関わらず、近接効果密度Uxに対して一定値を得ることができる。しかし、パターン寸法Lが、前方散乱の影響を受ける程度以下まで小さくなってくると、近接効果密度Uxが一定であってもパターン寸法Lに依存して変化する。そのため、実施の形態1では、予め、評価パターンを用いて実験等によりパターン寸法Lと近接効果密度Uとに依存して変化する離散的な複数の裕度DLU,Lを求めておき記憶装置144に記憶しておく。そして、DLU,L算出部54は、記憶装置144から離散的な複数のDLU,Lデータを読み出し、フィッティングすることで連続したDLU,Lを求めることができる。なお、近接効果密度Uxは、近接効果メッシュ内のパターン面積密度ρpxに分布関数gpxを近接効果の影響範囲σp以上の範囲で畳み込み積分した値で定義される。近接効果メッシュは、上述した近接効果の影響半径σpの例えば1/10程度のサイズが好適であり、例えば、1μm程度のサイズが好適である。照射量Dx算出工程S124として、Dx算出部56は、近接効果補正照射係数Dpxと前方散乱補正照射係数αLxとを用いて照射量Dxを演算する。Dx算出部56は、照射量演算部の一例である。実施の形態1では、さらに、かぶり補正照射係数Dfxを用いてかかる照射量Dxを演算する。実施の形態1では、さらに、裕度DLU,Lとローディング効果に起因する寸法変動量ΔCDとを用いて照射量Dxを演算する。照射量Dxは、基準照射量Dbase、Dpx、αLx、Dfx、DLU,L、及びΔCDxを用いて、以下の式8で定義される。式8から照射量を演算することで、前方散乱に起因する寸法変動を補正しながら近接効果とかぶりとローディング効果とに起因する寸法変動も合わせて補正することができる。かぶりとローディング効果とに起因する寸法変動の補正を行わず、前方散乱に起因する寸法変動を補正しながら近接効果に起因する寸法変動を合わせて補正する場合には、Dfx、DLU,L、及びΔCDxを使用しなければよい。ローディング効果に起因する寸法変動の補正を行わず、前方散乱に起因する寸法変動を補正しながら近接効果とかぶりに起因する寸法変動を合わせて補正する場合には、DLU,L、及びΔCDxを使用しなければよい。かぶりに起因する寸法変動の補正を行わず、前方散乱に起因する寸法変動を補正しながら近接効果とローディング効果とに起因する寸法変動を合わせて補正する場合には、Dfxを使用しなければよい。このように、補正する内容に合わせて適宜式を調整すればよい。いずれの場合でも、前方散乱に起因する寸法変動を補正できる。そして、演算された照射量Dxは、記憶装置146に格納される。その際、照射量Dxは、照射時間算出部58によって、照射時間tに換算されたデータとして格納されると好適である。照射時間tは、照射量Dxを電流密度Jで割ることで求めることができる。一方、かかる照射量演算を行う処理と並行して、ショットデータ生成部58は、記憶装置140から描画データを入力し、複数段のデータ変換処理を行って、装置固有のショットデータを生成する。ショットデータ生成部58は、描画データに定義された複数の図形パターンを1度の電子ビーム200で照射可能なサイズ成形可能なサイズのショット図形に変換し、各ショット図形の照射位置、ショット図形の種類、及びショット図形サイズ等が定義されたショットデータを生成する。かかるショットデータは、記憶装置146に格納される。描画工程S122として、描画制御部62の制御の下、まず、偏向制御回路130は、記憶装置146から照射量Dxデータを読み出し、ショット図形毎に、各ショット図形に定義された照射量照射時間だけ電子ビーム200を照射し、照射時間tが経過したら電子ビーム200を遮へいするように偏向するための偏向量を演算する。そして、かかる偏向量の偏向電圧をDACアンプ132を介して対応するブランキング偏向器212に印加する。また、偏向制御回路130は、ショットデータに沿って、定義された描画位置に電子ビーム200を偏向するための偏向量を演算する。同様に、各ショット図形に定義された図形種及びサイズの図形に成形するための偏向量を演算する。そして、図示しないDACアンプを介して各偏向量の偏向電圧を対応する偏向器205,208に印加する。そして、描画制御部62の制御の下、描画部150は、求めた照射量Dxに基づいて、電子ビーム200を用いて、試料101に当該図形パターンを描画する。具体的には、以下の動作を行なう。電子銃201放出部から放出された電子ビーム200は、ブランキング偏向器212内を通過する際にブランキング偏向器212によって、ビームONの状態では、ブランキングアパーチャ214を通過するように制御され、ビームOFFの状態では、ビーム全体がブランキングアパーチャ214で遮へいされるように偏向される。ビームOFFの状態からビームONとなり、その後ビームOFFになるまでにブランキングアパーチャ214を通過した電子ビーム200が1回の電子ビームのショットとなる。ブランキング偏向器212は、通過する電子ビーム200の向きを制御して、ビームONの状態とビームOFFの状態とを交互に生成する。例えば、ビームONの状態では電圧を印加せず、ビームOFFの際にブランキング偏向器212に電圧を印加すればよい。かかる各ショットの照射時間tで試料101に照射される電子ビーム200のショットあたりの照射量が調整されることになる。以上のようにブランキング偏向器212とブランキングアパーチャ214を通過することによって生成された各ショットの電子ビーム200は、照明レンズ202により矩形例えば長方形の穴を持つ第1の成形アパーチャ203全体を照明する。ここで、電子ビーム200をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第1の成形アパーチャ203を通過した第1のアパーチャ像の電子ビーム200は、投影レンズ204により第2の成形アパーチャ206上に投影される。偏向器205によって、かかる第2の成形アパーチャ206上での第1のアパーチャ像は偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させる可変成形を行なうことができる。かかる可変成形はショット毎に行なわれ、通常ショット毎に異なるビーム形状と寸法に成形される。そして、第2の成形アパーチャ206を通過した第2のアパーチャ像の電子ビーム200は、対物レンズ207により焦点を合わせ、偏向器208によって偏向され、連続的に移動するXYステージ105に配置された試料101の所望する位置に照射される。XYステージ105は移動しているため、偏向器208はXYステージ105の移動に追従するように電子ビーム200を偏向する。以上のように実施の形態1によれば、近接効果等の他の変動要因と共に、荷電粒子の前方散乱に起因する寸法変動を補正できる。その結果、描画されるパターンの寸法が電子の前方散乱の影響半径に対して十分に大きいとは言えない寸法であっても、高精度な描画ができる。図7は、実施の形態1におけるパターンを構成する複数の図形の他の一例を示す図である。上述したように、各図形において重要なサイズは、パターン20の長手方向線方向ではなく、これと直交する線幅寸法である。よって、マスク製造に係わるプロセス起因して寸法変動を補正する必要があるのは、かかるパターン20の長手方向線方向に直交する方向の線幅寸法となる。しかしながら、従来の描画データでは、分割された各図形の図形コード、座標、x方向サイズ、y方向サイズが定義されているだけで、補正したい方向補正方向が定義されていない。そのため、このままでは、補正方向自体も特定することは困難である。ここで、補正方向自体が特定できれば、図形コード、x方向サイズ、y方向サイズから補正方向の線幅寸法Lを求めることは可能である。そこで、描画データの各図形のパターンデータに、図形の図形コード、座標、x方向サイズ、y方向サイズの他に、さらに、補正方向を定義するように構成してもよい。上述した例では、パターン20が分割された図形22aについて、座標x1,y1、サイズLx1,Ly1、線幅寸法L1が定義されていたが、図7では、座標x1,y1、サイズLx1,Ly1、補正方向Yが定義される。同様に、その他の図形22b,c,についても同様である。また、パターン20の延びる方向が途中で変更された場合でも、変更後のパターン20の長手方向線方向に直交する方向を補正方向として、図形のパターンデータに定義しておけばよい。図7の例では、例えば、分割された図形22nについて、座標x17,y17、サイズLx17,Ly17、の他に、さらに、補正方向Xが定義される。そして、αLx算出部42は、まず、かかる補正方向から補正方向のパターン寸法Lを算出する。そして、以降は上述した内容と同様に演算すればよい。実施の形態2.実施の形態1では、ローディング効果の補正について、近接効果の補正とは別のパラメータを用いて照射量を演算する例を示した。実施の形態2では、基板の位置毎に、近接効果補正を維持しながらローディング効果による寸法変動量もあわせて補正する基準照射量Dbaseと近接効果補正係数ηとの組を用いた場合について説明する。以下、特に説明した点以外の内容は、実施の形態1と同様である。図8は、実施の形態2における描画装置の構成を示す概念図である。図8において、制御計算機120内に、さらに、基準照射量DbaseΔCD算出部70、近接効果補正係数ηΔCD算出部72、及び裕度DLU算出部74を追加した点以外は、図1と同様である。基準照射量DbaseΔCD算出部70、近接効果補正係数ηΔCD算出部72、及び裕度DLU算出部74は、制御計算機120内の他の機能と同様、プログラムといったソフトウェアで構成されても良い。或いは、電子回路等のハードウェアで構成されてもよい。或いは、これらの組み合わせであってもよい。制御計算機120に必要な入力データ或いは演算された結果はその都度メモリ121に記憶される。図9は、実施の形態2における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図9において、実施の形態2における描画方法は、ΔCD算出工程S102の後に、基準照射量DbaseΔCD算出工程S104と、近接効果補正係数ηΔCD算出工程S106とが追加され、裕度DLU,L算出工程S122の後に、裕度DLU算出工程S123が追加された点、近接効果補正照射係数Dp’x算出工程S112の代わりに近接効果補正照射係数Dp’x算出工程S115が追加された点、かぶり補正照射係数Dfx算出工程S116の代わりにかぶり補正照射係数Dfx算出工程S117が追加された点、近接効果補正照射係数Dpx算出工程S120の代わりに近接効果補正照射係数Dpx算出工程S121が追加された点、及び、照射量Dx算出工程S124の代わりに照射量Dx算出工程S125が追加された点以外は、図5と同様である。記憶装置144には、実施の形態1と同様、離散的な複数の裕度DLU,Lがパラメータとして外部から入力され、格納されている。実施の形態2では、その他にも、離散的な複数の裕度DLUがパラメータとして外部から入力され、格納されている。裕度DLUは、近接効果密度Uに依存した、パターン寸法CDと電子ビームの照射量Dとの関係を示す係数として定義される。言い換えれば、裕度DLUは、同じ近接効果密度Uならばパターン寸法CDが変化しても変動しない値となる。例えば、パターン寸法Lが、前方散乱の影響を受けない程度に大きいサイズの評価パターンを用いてパターン寸法CDと照射量Dとの相関データを実験的に求める。例えば、近接効果密度Ux=00,0.550,1100の各場合について実験により求める。そして、裕度DLUは、例えば、パターン寸法CDと照射量Dとの相関データのグラフの傾きを示す。これにより、パターン寸法CDには依存せず近接効果密度Uに依存した、離散的な複数の裕度DLUを求めることができる。離散的な複数の裕度DLUは、記憶装置144に記憶しておく。記憶装置144には、さらに、ローディング効果に起因した寸法変動量ΔCDと近接効果補正を維持しながら寸法変動量ΔCDを同時に補正可能な基準照射量Dbaseとの相関データが格納される。同様に、ローディング効果に起因した寸法変動量ΔCDと近接効果補正を維持しながら寸法変動量ΔCDを同時に補正可能な近接効果補正係数ηとの相関データが格納される。ここで、基準照射量Dbase毎に近接効果補正がよく合う近接効果補正係数ηが存在する。よって、ΔCD毎に、基準照射量Dbaseと近接効果補正係数ηとの組が定める。描画前に、予め寸法変動量ΔCDを可変にして、かかる相関データを寸法変動量ΔCD毎に、予め実験により求めておく。このように、記憶装置144には、ローディング効果に起因した寸法変動量ΔCDに依存した基準照射量DbaseΔCDのデータと、同様に寸法変動量ΔCDに依存した近接効果補正係数ηΔCDのデータとが格納される。実施の形態2において、面積密度ρ算出工程S100からΔCD算出工程S102までの各工程の内容は実施の形態1と同様である。基準照射量DbaseΔCD算出工程S104として、DbaseΔCD算出部70は、記憶装置144からΔCDxを読み出し、ΔCDxを用いて、基準照射量DbaseΔCDを算出する。近接効果補正係数ηΔCD算出工程S106として、ηΔCD算出部72は、記憶装置144からΔCDxを読み出し、ΔCDxを用いて、近接効果補正係数ηΔCDを算出する。以上により、近接効果補正を維持しながら寸法変動量ΔCDを同時に補正可能な基準照射量DbaseΔCDと近接効果補正係数ηΔCDとの組を取得できる。ρp1/2αLx算出工程S108の内容は実施の形態1と同様である。近接効果補正照射係数Dp’x算出工程S114として、Dp’x算出部51は、ρp1/2αLxを用いて、かぶり補正計算に用いるための近接効果に起因する寸法変動を補正する近接効果補正照射係数Dp’xを演算する。Dp’xは、ηの代わりに、近接効果補正係数ηΔCDxを用いて、式4の代わりに、以下の式9で定義される。以上により、前方散乱に起因する寸法変動を補正しながら近接効果に起因する寸法変動も補正することができるかぶり補正計算用のDp’xを取得できる。また、同時にローディング効果を補正する。但し、ローディング効果の補正については、このままでは前方散乱に起因した誤差が残るため、その分については後で補正する。照射量密度ρ’x算出工程S115として、照射量密度ρ’x算出部53は、照射量密度ρ’xを演算する。ここで、照射量密度ρ’xを求める際、実施の形態2では、基準照射量DbaseΔCDと基準照射量Dbaseとを用いて上述した式5を補正する。実施の形態2における照射量密度ρ’xは、式5の代わりに、以下の式10で定義される。かぶり補正照射係数Dfx算出工程S117として、Dfx算出部52は、前方散乱補正照射係数αLxに依存した関数である照射量密度ρ’xを用いて、かぶりに起因する寸法変動を補正するかぶり補正照射係数Dfxを演算する。Dfx算出部52は、かぶり補正照射係数演算部の一例である。Dfxは、分布関数gfx、照射量密度ρ’x、かぶり補正係数θ、近接効果補正係数ηを用いて、以下の式11で定義される。ここで、ρ’xは、式10で定義されたものを用いる。以上により、前方散乱に起因する寸法変動を補正しながら近接効果とさらにかぶりに起因する寸法変動も補正することができるDfxを取得できる。また、同時にローディング効果を補正する。但し、ローディング効果の補正については、このままでは前方散乱に起因した誤差が残るため、その分については後で補正する。裕度DLU,L算出工程S122において、裕度DLU,L第1の裕度を演算する。裕度DLU,L算出工程S122の内容については、実施の形態1と同様である。DLU,L算出部54は、第1の裕度演算部の一例である。実施の形態2では、上述したように、さらに、裕度DLU算出工程S123が実施される。裕度DLU算出工程S123として、DLU算出部74は、近接効果密度Uxを用いて、パターン寸法Lと電子ビームの照射量Dとの関係を示す係数であって、同一の近接効果密度Uxにおいてはパターン寸法Lによっては変化せず、近接効果密度Uxに依存して変化する裕度DLU第2の裕度を演算する。DLU算出部54は、第2の裕度演算部の一例である。DLU算出部74は、記憶装置144から離散的な複数のDLUデータを読み出し、フィッティングすることで連続したDLUを求めることができる。照射量Dx算出工程S125として、照射量Dx算出部56は、近接効果補正照射係数Dpxと前方散乱補正照射係数αLxと裕度DLU,Lと裕度DLUとローディング効果に起因する寸法変動量ΔCDxとを用いて照射量Dxを演算する。照射量Dxは、基準照射量DbaseΔCD、Dpx、Dfx、DLU,L、DLU、及びΔCDxを用いて、以下の式12で定義される。式12から照射量を演算することで、前方散乱に起因する寸法変動を補正しながら近接効果とかぶりとローディング効果とに起因する寸法変動も合わせて補正することができる。かぶりに起因する寸法変動の補正を行わず、前方散乱に起因する寸法変動を補正しながら近接効果とローディング効果とに起因する寸法変動を合わせて補正する場合には、Dfxを使用しなければよい。このように、補正する内容に合わせて適宜式を調整すればよい。実施の形態2では、ローディング効果の補正について、DbaseΔCDと、ηΔCDとで補正する。但し、このままでは、前方散乱に起因した誤差が残るため、その分について、DLU,L、DLU、及びΔCDxを用いた項で補正する。以上のように実施の形態2によれば、ΔCDに依存したDbaseΔCDと、ηΔCDとを用いた場合でも、近接効果等の他の変動要因と共に、電子の前方散乱に起因する寸法変動を補正できる。その結果、描画されるパターンの寸法が電子の前方散乱の影響半径に対して十分に大きいとは言えない寸法であっても、高精度な描画ができる。以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。上述した実施の形態1において、ΔCD算出工程S100がρ算出工程S100の次に配置されているがこれに限るものではない。ΔCD算出工程S100は照射量Dx算出工程S124が開始されるまでに行われていればどこでも良い。同様に、DLU,L算出工程S122についても照射量Dx算出工程S124が開始されるまでに行われていればどこでも良い。また、実施の形態2において、DbaseΔCD算出工程S104とηΔCD算出工程S106は、どちらを先に実施しても構わない。或いは、並列処理してもよい。また、ΔCD算出工程S100はDbaseΔCD算出工程S104とηΔCD算出工程S106のうちの先に実施される工程が開始されるまでに行われていればどこでも良い。また、DLU,L算出工程S122とDLU算出工程S123は、どちらを先に実施しても構わない。或いは、並列処理してもよい。DLU,L算出工程S122とDLU算出工程S123は、照射量Dx算出工程S125が開始されるまでに行われていればどこでも良い。また、前方散乱補正照射係数αLxは、用いられた各式の計算の都度、各式の中で式23の定義に従って計算されると好適である。また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置100を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置及び方法は、本発明の範囲に包含される。"