窒化物緩衝層を含むテンプレートにおいて、基板と、前記基板上に形成されて多数個の空隙構造を有する窒化物緩衝層を含み、前記窒化物緩衝層は、上側に多数個のナノ構造物を形成する第1の窒化物層、及び前記多数個のナノ構造物上側にルーフ構造を形成する第2の窒化物層を含み、前記多数個のナノ構造物の上段部には隣接する部分と相違するエッチング特性を有する多数個のエッチングバリアが形成されたことを特徴とするテンプレート。前記エッチングバリアは、前記の第1の窒化物層上に異物質がドーピングされて形成されることを特徴とする請求項1に記載のテンプレート。前記異物質は、インジウムIn、アルミニウムAl、マグネシウムMg及びシリコンSiの1以上の物質を含むことを特徴とする請求項2に記載のテンプレート。窒化物緩衝層を含むテンプレートの製造方法において、基板上に3族物質を含む第1の窒化物層を成長させること;前記の第1の窒化物層の上側に、前記の第1の窒化物層とエッチング特性が相違する多数個のエッチングバリアbarrierを形成すること;クロライドchloride系列のガスで前記の第1の窒化物層を前記エッチングバリアのパターンによってエッチングして柱状のナノ構造物nanostructureを形成すること;及び前記ナノ構造物上側に第2の窒化物層を成長させて、内部に多数個の空隙を備える窒化物緩衝層を形成すること;を含むテンプレートの製造方法。前記エッチングバリアの形成は、異物質がドーピングされた窒化物薄膜を成長させる工程からなり、前記異物質がドーピングされた位置に前記エッチングバリアが形成されることを特徴とする請求項4に記載のテンプレートの製造方法。前記ナノ構造物は、前記エッチングバリアが形成された位置に形成されることを特徴とする請求項5に記載のテンプレートの製造方法。前記異物質は、前記の第1の窒化物層の前記3族物質より原子半径が大きいことを特徴とする請求項5に記載のテンプレートの製造方法。前記異物質は、インジウムIn、アルミニウムAl、マグネシウムMg及びシリコンSiの少なくとも一つの物質を含むことを特徴とする請求項5に記載のテンプレートの製造方法。前記エッチングバリアの形成は、前記の第1の窒化物層を成長させた後インシチュin-situで行うことを特徴とする請求項4に記載のテンプレートの製造方法。前記の第1の窒化物層の成長は、前記基板上側に複数個の工程ガスを供給して行い、前記エッチングバリアの形成は、前記複数個の工程ガスと共に前記異物質を含むドーピングガスをさらに供給して、前記の第1の窒化物層を成長させることを連続する工程で行うことを特徴とする請求項4に記載のテンプレートの製造方法。前記エッチングバリアの形成は、前記異物質がドーピングされた第1の窒化物薄膜を成長させること、前記異物質がドーピングされない第2の窒化物薄膜を成長させること、及び前記異物質がドーピングされた第3の窒化物薄膜を成長させることを含むことを特徴とする請求項4に記載のテンプレートの製造方法。窒化物多重層を含むテンプレートを用いて垂直型窒化物発光素子を製造する方法において、成長基板上にエッチングバリアbarrierが形成されたアンドーピング窒化物層を成長させること;クロライドchloride系列のガスで前記エッチングバリアが形成されたパターンに従い、前記アンドーピング窒化物層をエッチングして柱状のナノ構造物nanostructureを形成すること;前記ナノ構造物の上側にn型窒化物層、活性層及びp型窒化物層を成長させて内部に多数個の空隙が形成された窒化物多重層を形成すること;前記窒化物多重層上側に導電性基板を設けること;前記多数個の空隙が形成された部分を切断面にして前記成長基板を除去すること;及び前記切断面を加工して電極パッドを形成すること;を含む垂直型窒化物半導体発光素子の製造方法。前記エッチングバリアは、前記アンドーピング窒化物層の上側にドーピングされた異物質によって形成され、前記異物質がドーピングされた位置は隣接する前記アンドーピング窒化物層と相違するエッチング特性を有することを特徴とする請求項12に記載の垂直型窒化物半導体発光素子の製造方法。前記異物質は、インジウムIn、アルミニウムAl、マグネシウムMg及びシリコンSiの少なくとも一つの物質を含むことを特徴とする請求項13に記載の垂直型窒化物半導体発光素子の製造方法。前記成長基板の除去は、前記多数個の空隙が形成された部分にレーザーを照射して前記成長基板を除去することを特徴とする請求項13に記載の垂直型窒化物半導体発光素子の製造方法。前記成長基板の除去は、前記窒化物多重層を冷却して前記多数個の空隙が形成された部分の亀裂を誘導することを特徴とする請求項13に記載の垂直型窒化物半導体発光素子の製造方法。本発明は、前記のような問題点を解決するために、多孔性構造の窒化物緩衝層を備え、基板の格子定数の差により発生する応力を低減し、転位を解消できるテンプレートの製造方法及びこれを用いた垂直型窒化物半導体発光素子の製造方法を提供するためのものである。前記の本発明の目的は、基板上に3族物質を含む第1の窒化物層を成長させること、前記の第1の窒化物層の上側に、前記の第1の窒化物層とエッチング特性が相違する多数個のエッチングバリアbarrierを形成すること、クロライドchloride系列のガスで前記の第1の窒化物層を前記エッチングバリアのパターンに沿ってエッチングして柱状のナノ構造物nanostructureを形成すること、そして前記ナノ構造物の上側に第2の窒化物層を成長させ、内部に多数個の空隙を備える窒化物緩衝層を形成することを含むテンプレートの製造方法によって達成できる。一方、前記の本発明の目的は、成長基板上にエッチングバリアbarrierが形成されたバッファ層成長させること、クロライドchloride系列のガスで前記エッチングバリアが形成されたパターンに沿って前記バッファ層をエッチングして柱状のナノ構造物nanostructureを形成すること、前記ナノ構造物の上側にn型窒化物層、活性層及びp型窒化物層を成長させて内部に多数個の空隙が形成された窒化物多重層を形成すること、前記窒化物多重層の上側に導電性基板を設けること、前記の多数個の空隙が形成された部分を切断面にして前記成長基板を除去すること、そして前記切断面を加工して電極パッドを形成することを含む垂直型窒化物半導体発光素子の製造方法によって達成することもできる。本発明によると、アンドーピング窒化物層に形成される多数個の空隙によって格子間応力が緩和され、転位欠陥が減少してテンプレートに成長する窒化物層の品質を改善させることができる。さらに、本発明のテンプレートを用いて発光素子を製造すると、製造工程の作業性が改善され、発光素子の発光効率を改善することができる。以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施例を具体的に説明する。但し、下記の実施例では、発光素子の製造に用いられるテンプレートを中心に説明するが、本発明がこれに限定されるのではなく、これ以外にも窒化物の成長に用いられる多様なテンプレートに適用できる。図1は、本発明の好ましい第1実施例にかかるテンプレートの断面を図示した断面図である。図1に示されたように、本実施例にかかるテンプレート10は、基板100及び基板100上に成長する窒化物緩衝層200を含んで構成される。そして、窒化物緩衝層200は多数個の空隙214が形成された多孔性構造からなり、窒化物緩衝層200の上側に他の窒化物層が積層成長することもできる。基板100は、窒化物層の成長が始まる基礎面を形成し、窒化物層の格子成長に適した材質からなる。本実施例では、六方晶系構造からなり、高温で安定した特性を有するサファイアAl2O3基板を用いる。但し、これ以外にもスピネルMgAlO4、シリコンカーバイドSiC、シリコンSi、酸化亜鉛ZnO、砒化ガリウムAsGa、窒化ガリウムGaN等の材質で構成された基板を用いることができる。そして、サファイア基板100上面には窒化物緩衝層200が形成される。本実施例では、サファイア基板100のように六方晶系構造を有する窒化ガリウムGaN:galliumnitride層を用いて窒化物緩衝層200を構成し、これ以外の3族窒化物層を用いて窒化物緩衝層200を構成することもできる。図1に示されたように、窒化物緩衝層200は、GaN材質の第1の窒化物層210及び第2の窒化物層220で構成される。第1の窒化物層210は、サファイア基板100に成長し、その後、異方性エッチングanisotropicetching工程によって上層部に多数個のナノ構造物213が形成される。そして、第2の窒化物層がナノ構造物213上にルーフroof構造を形成するように成長し、図1に示されたように、多数個の空隙214を備えた窒化物緩衝層200を形成する。このとき、窒化物緩衝層200内側に多数個のエッチングバリア212が備えられる。エッチングバリア212は、第1の窒化物層上に異物質がドーピングされた領域であり、該当領域はドーピングされた異物質によって相違する格子構造を形成することにより、隣接した窒化物層と相違するエッチング特性を有する。ここで、異物質とは、第1の窒化物層210の格子を形成する3族元素と異なる物質を意味し、該当格子構造で3族元素の代わりに置換されて格子を形成できる2族、3族、又は4族等の物質でも良い。このような異物質がドーピングされた位置は、エッチング工程時の異物質がドーピングされない窒化物層に比べてエッチングがうまく行われないエッチングバリア212の特性を有する。よって、異方性エッチング工程進行時に、エッチングバリア212のパターンに沿って一定の大きさのナノ構造物213を形成でき、このようなナノ構造物213から均一な大きさの空隙214を形成することができる。図2は、図1のテンプレートを製造する段階を図示した順序図であり、図3は図2のテンプレートを製造する段階を概略的に図示したものである。以下では、図2及び図3を参照して窒化物緩衝層の成長方法について具体的に説明する。先ず、図3のaに示されたように、サファイア基板上に0.2~10μmの厚さに第1の窒化物層210を成長させるS10。本工程は、MOCVDmetalorganicchemicalvapordeposition装置、HVPEhydridevaporphaseepitaxy装置またはMBEmolecularbeamepitaxy装置で行うことができ、本実施例では窒化物層格子の良好な成長のためにMOCVD装置を用いる。MOCVD装置内部にサファイア基板100を安着させ、水素H2キャリアガスと一緒にトリメチルガリウムTMGa及びアンモニアNH3を供給して、u-GaNundopped-GaN材質の第1の窒化物層210を成長させる。このとき、成長工程初期には500~700°Cの低温で約10分~30分、20nmのu-GaN層を成長させてバッファを形成した後、温度を1000~1200°Cまで上昇させて約2μmの厚さに更にu-GaN層を成長させて第1の窒化物層を形成する。そして、第1の窒化物層上にエッチングバリアを形成する段階を行うS20。本段階では、以前の段階と同様に、MOCVD装置内部にu-GaN層の成長のためのトリメチルガリウムTMGa及びアンモニアNH3を供給するが、さらに異物質を含む工程ガスを供給する。よって、本段階はMOCVD装置でインシチュin-situで行い、前述の第1の窒化物層の成長段階と連続して行うことができる。本実施例では、異物質としてマグネシウムMgを使用し、トリメチルガリウムTMGa、アンモニアNH3と一緒にCp2Mgbismagnesiumを少量供給して窒化物層薄膜211を成長させる。このとき、Cp2Mgで熱分解されたマグネシウム原子は、窒化物層薄膜211のGaN格子中、Gaの位置で格子構造を形成する。ここで、マグネシウムの原子は、Ga原子より大きい原子半径を有するため、ドーピングされたマグネシウム原子によって該当格子は勿論、これと隣接する格子構造にまで変形が生じることになる。よって、鏡のようにmirror-like滑らかな窒化物層の上面に、所定パターンで六角形状のヒルロックhillrockが形成される。このように、ドーピングされた異物質によって格子構造が変形した位置は、隣接の窒化物層に比べてエッチング工程時にエッチングが十分に行われないエッチングバリア212を形成する。本実施例では、エッチングバリアを形成するための異物質としてマグネシウムを用いたが、これは一例に過ぎなく、本発明がこれに限定されるのではない。これ以外にも、2族、3族、4族の多様な元素を異物質として利用でき、好ましくは、本段階をインシチュin-situ方式で行うことができるように、発光素子の窒化物層の成長時に使用されるマグネシウムMg、インジウムIn、アルミニウムAl、シリコンSiのいずれか又は多数個の物質を用いることができる。このように、第1の窒化物層上にエッチングバリアが形成されたら、ナノ構造物structureを形成するためのエッチング工程を行うS30。このとき、MOCVD装置で連続的にエッチング工程を行う場合、以前の段階でチャンバ内壁にコーティングされた窒化物層がエッチングされて多量のパーティクルが発生する恐れがある。よって、本エッチング工程は、エクスシチュex-situ工程により行われ、一例として高温のエッチング環境を提供できるHVPEhydridevaporphaseepitaxy装置を用いる。第1の窒化物層にエッチングバリアが形成された基板をMOCVD装置からHVPE装置に移動し、HVPE装置の内部温度を800°C以上に上昇させる。そして、クロライドchloride系列のガスとアンモニアNH3ガスを供給して異方性エッチングを行う。本実施例では、クロライドchloride系列ガスの一例として塩化水素HClを用いる。ここで、塩化水素HClだけを供給したり、アンモニアNH3ガスだけを供給する場合にも第1の窒化物層をエッチングする効果が見られるが、この場合は、エッチングが行われない部分の窒化物層構造まで不安定になる恐れがある。よって、塩化水素HClガス及びアンモニアNH3ガスをそれぞれ0~1000sccmと100~2000sccmの範囲で組み合わせて供給することが好ましく、本実施例ではそれぞれ300sccm及び1000sccmで供給してエッチング工程を行う。図4はエッチングバリアを形成しない状態で15分間エッチング工程を行った第1の窒化物層の断面をSEM撮影した様子であり、図5はエッチングバリアを形成した状態で15分間エッチング工程を行った第1の窒化物層の断面をSEM撮影したものである。図4及び図5に示されたように、エッチング工程が行われることにより、第1の窒化物層210の上面は下向きに異方性エッチングが行われると共に、窪んだ形状の多数個のバレーvalley構造を形成し、エッチングが行われなかった部分では多数個のナノ構造物213を形成する図3のc参照。但し、図4のようにエッチングバリア212が形成されない状態では窒化物層の上面でランダムにエッチングが行われるため、ナノ構造物の大きさ及び形状が非常に不規則になるしかない。これに比べて、本実施例のように窒化物層上面にエッチングバリア212が形成された場合は、窒化物層上面中のエッチングバリアが位置していない部分でエッチングが行われ、エッチングバリア212が形成された位置にはそれぞれナノ構造物が形成される図5参照。このように、本実施例のようにエッチングバリア212を用いて窒化物層をエッチングするようにすると、位置別エッチング選択性に優れるため、一定の大きさのナノ構造物213を形成することができる。また、エッチングバリアを用いず窒化物層をエッチングする場合は、ナノ構造物の端部が尖った形状からなっているため、第2の窒化物層の成長時に水平成長を誘導することが困難だったが図4参照、本実施例によると、ナノ構造物213の端部が丸いつぼみ状を有するため、第2の窒化物層220の成長時に水平成長を誘導して空隙を形成することが容易だという長所がある。前述のエッチング工程によりナノ構造物を形成すると、第1の窒化物層210を所定時間冷却させる段階を行う。冷却段階は、HVPE装置により自然冷却方式で行われ、本工程により第1の窒化物層210を安定化させることができる。本冷却段階は、15~60分間行うことができ、本実施例では30分間自然冷却を行う。その後、第2の窒化物層220を成長させるために基板をHVPE装置からMOCVD装置に移動させる。このとき、MOCVD装置以外の他の装置で第2の窒化物層を成長させることもできるが、本実施例では数μmの範囲内で第2の窒化物層の水平方向の成長を誘導できるようにMOCVD装置を用いる。先ず、基板100をMOCVD装置内部に搬入させた後、第2の窒化物層220の成長環境を組成するためにヒーターを駆動して工程空間の温度を上昇させる。工程空間の温度を上昇させる間は、持続的にアンモニアNH3ガスを供給できる。このようにアンモニアNH3ガスを供給することにより、温度上昇中に成長済みの第1の窒化物層210にクラックcrackが発生することを防止でき、基板を移動させる過程で第1の窒化物層210上に形成され得る酸化膜を除去することができる。そして、MOCVD装置の温度が十分に上昇すると、水素H2キャリアガスと一緒にトリメチルガリウムTMGa及びアンモニアNH3を供給してGaN材質の第2の窒化物層を成長させるS40、図3のd参照。ここで、第2の窒化物層220の成長工程初めには第2の窒化物層220がナノ構造物213の上側で水平成長が行われるように一般的なGaN成長環境に比べて低圧高温の環境を組成することが好ましい。よって、本実施例では、第2の窒化物層220成長工程初めには1150~1250°Cの高温と200mb以下の低圧環境でGaN層が水平方向に成長してルーフ構造を形成するように誘導する。第2の窒化物層220が水平成長してナノ構造物の上側にルーフ構造を形成した後は、工程環境をそれぞれ1000~1200°Cの温度及び300mb以上の圧力に調節してGaN層を垂直方向に1~5μm程度成長させる。但し、本段階の具体的な工程条件は、ナノ構造物213の大きさ又は形成しようとする空隙214のサイズ等を考慮して当業者が変更して実施できる。このような過程によって成長した窒化物緩衝層200は、内部に多数個の空隙214構造を備える。特に、本発明の場合は高さが一定でつぼみ状の端部を有するナノ構造物を利用するため、容易に空隙214構造を形成できるだけでなく、比較的均一に分布する一定の大きさの空隙214を備えることができる。このような空隙214構造は、窒化物層とサファイア基板間の格子定数及び熱膨張係数の差によって発生する応力stressを緩和させることができる。そして、基板と隣接した窒化物層で発生する転位dislocationが空隙構造によって解消されると共に、窒化物層上側に行われることを遮断させることができる。実際に、本実施例によって成長した窒化物緩衝層の転位密度を測定した結果、窒化物緩衝層の厚さが2~4μmの場合も106/cm2程の転位密度が測定され、これは従来に比べて転位密度が1以下に減少された数値である。よって、本発明にかかるテンプレートは、応力が緩和され、転位密度が減少した窒化物緩衝層を備えるため、窒化物緩衝層の上面に良好な結晶品質を有する発光素子の窒化物層を成長させることができ、実験の結果、従来に比べて発光効率が30~40程度改善された発光素子を製造することができる。一方、本発明にかかるテンプレートは、前述の実施例以外にも様々な方式に応用して製作できる。例えば、本発明にかかるテンプレートは一つの異物質を利用してエッチングバリアを形成したが、これ以外にも二つ以上の異物質をドーピングしてエッチングバリアを形成できる。この場合、ドーピングされた異物質の種類に応じてエッチングバリアのエッチング特性が相違する。よって、エッチング工程時に様々な大きさと様々な端部形状を有するナノ構造物を形成できる。別の例としては、本発明にかかるテンプレートは異物質を含むドーピングガスを供給してランダムなパターンでエッチングバリアを形成したが、これ以外にもマスク等を利用する別途のパターン形成装置により設計された位置にエッチングバリアを形成することができる。この場合、エッチングバリアのパターンを制御できるため、ナノ構造物及び空隙の形成位置を制御することができる。また別の例としては、本発明にかかるテンプレートは、同一な平面上にエッチングバリアを単層で形成したが、これ以外にも多層構造のエッチングバリアを形成することもできる。例えば、エッチングバリアを形成する段階で、トリメチルガリウムTMGa及びアンモニアNH3と一緒にCp2Mgbismagnesiumを供給してマグネシウムドーピングされた第1の窒化物薄膜を形成し、Cp2Mgbismagnesiumの供給を所定時間中断してアンドーピングされた第2の窒化物薄膜を形成した後、再度Cp2Mgbismagnesiumの供給を再開してマグネシウムドーピングされた第2の窒化物薄膜を形成することができる。この場合、エッチング工程により二種類の高さを有するナノ構造物を形成することができるため、ナノ構造物によって形成される空隙の形状を多様化できる。このように、本発明は様々な形態にエッチングバリアを形成することにより、ナノ構造物及び空隙の形状、大きさ及びパターンを多様に制御できる。よって、使用される用途に応じて使用者が望む空隙構造を有するテンプレートを提供することができる。本発明にかかるテンプレートは、前述のように窒化物緩衝層上側に発光素子の窒化物層を成長させることができ、図6はこのような方式で製造された水平型窒化物半導体の断面を図示したものである。図6に示されたように、水平型窒化物半導体発光素子20は、テンプレート10の上側にn型窒化物層310、活性層320及びp型窒化物層330が順に積層される構造である。よって、MOCVD装置でテンプレート10の窒化物緩衝層200を成長させた後、連続工程で発光素子の窒化物層を成長させることができる。本実施例のようにテンプレート10の第1、第2の窒化物層210、220をアンドーピングGaN材質で成長させる場合は、第2の窒化物層を成長させた後、温度と工程ガスを制御しながら、n型窒化物層、活性層及びp型窒化物層を順に成長させる。但し、これ以外にも第1の窒化物層のエッチング工程を行った後、第2の窒化物層としてn型窒化物層を成長させ、n型窒化物層上にさらに活性層及びp型窒化物層を成長させることもできる。このように、本発明による水平型窒化物半導体発光素子は、基板100と隣接した窒化物層に多数個の空隙が形成されるため、窒化物層の応力及び転位密度が減少して内部量子効率が改善され、分極現象を改善することができる。また、このような空隙は、隣接する窒化物層と相違する屈折率を有する。よって、基板方向に進行する光が多数個の空隙を経ながら散乱または屈折して経路が転換されるため、発光素子の光抽出効率を改善することができる。一方、本発明は垂直型窒化物半導体発光素子を製造する工程にも利用することができ、図7では、本発明を利用した垂直型窒化物半導体発光素子の製造方法を概略的に図示している。先ず、前述のテンプレートを製造する方法と同様に、窒化物層成長基板100にアンドーピング窒化物層を成長させ、アンドーピング窒化物層上に所定パターンでエッチングバリアを形成した後、エッチング工程を行う。そして、エッチング工程によって形成されるナノ構造物の上側に直接n型窒化物層410、活性層420及びp型窒化物層430を順に成長させて発光素子の窒化物多重層を形成する。その後、アンドーピング窒化物層とn型窒化物層の境界部に多数個の空隙が配置される図7のa参照。窒化物多重層の成長が完了したら、p型窒化物層上側に導電性接着層440を形成してから導電性基板450を付着する。ここで、導電性基板450は外部回路と電気的に連結されp側電極を形成する。そして、窒化物層から成長基板100を除去する段階を行う図7のb参照。ここで、成長基板100に成長した窒化物層中、多数個の空隙214が形成された位置は、窒化物層がナノ構造物nanostructure形態で存在するため、他の位置の窒化物層に比べて相対的に弱い構造を有する。よって、本発明では多数個の空隙214が形成された位置を除去面にして成長基板100を容易に分離させることができる。このとき、成長基板100と隣接する位置の窒化物層にレーザーを照射して基板を除去するレーザーリフトオフLLO:laserliftoff方式を利用することができる。但し、従来は窒化物層が堅固な格子構造を形成していたため、レーザー照射時に窒化物層が激しく毀損して収率が低調になるという問題があったが、本発明によると、多数個の空隙214によって相対的に弱い構造を有する位置にレーザーを照射することにより、窒化物層の毀損を最少化させることができる。前述のLLO方式以外にも、窒化物層と成長基板100の温度を制御して成長基板を分離させることもできる。一般的に、サファイア材質の成長基板と窒化物層は、熱膨張係数の差が大きいため、成長基板上に窒化物層が成長した高温の環境から冷却が行われると、熱変形によって窒化物層に大きな応力が発生することになる。実験の結果、成長基板を冷却することにより多数個の空隙が形成される部分に沿って亀裂が発生し、この部分に少量のエネルギーをさらに提供することにより成長基板を分離させることができる。このように、本発明は多数個の空隙が形成された位置を基準に成長基板を容易に分離できる。そして、成長基板分離時に窒化物層に加えられる応力の変化もまた相対的に少なく発生するため、従来と比べて良好な品質の自立膜freestandinglayerを形成することができる。また、成長基板100が分離されると、電極パッド360を設けるために、n型窒化物層410が露出されるように除去面を加工する段階を行う。従来の場合は、除去面加工時にはn型窒化物層410が露出されたかを見計らいながら本段階を行わなければらないという困難があったが、本発明によると、アンドーピング窒化物層120とn型窒化物層410の境界で除去面が形成されるため、本段階をより容易に行うことができる。このように、本発明は良好な品質の窒化物層の形成に寄与するだけでなく、発光素子の製造時に作業性が改善され、発光効率及び耐久性に優れた発光素子を提供することができる。