"電子ビームを試料に走査することによって得られるプロファイル波形に基づいて、パターンの寸法を計測するパターン計測装置において、前記電子ビームを走査することによって得られるプロファイル波形から、第1の信号強度を有する点と第2の信号強度を有する2点間の距離情報を求め、当該距離情報と予め記憶されている距離情報とパターン高さとの関係を示す演算式を用いて、或いは前記距離情報を、前記距離情報とパターン高さが関連付けて記憶されたデータベースに参照して、前記パターン高さを導出する演算装置を備えたことを特徴とするパターン計測装置。請求項1において、前記演算装置は、前記演算式、或いは前記データベースを記憶するメモリを備えていることを特徴とするパターン計測装置。請求項1において、前記演算装置は、前記パターンから離間した位置の複数の走査位置から得られる信号の平均値に基づいて、前記信号強度を算出することを特徴とするパターン計測装置。請求項3において、前記演算装置は、前記平均値を示す位置を、前記第1の信号強度を有する位置とし、当該第1の信号強度を示す位置に対し、前記複数の走査位置から得られる信号の分散を示す値分、信号強度が変化した位置を前記第2の信号強度を示す位置とすることを特徴とするパターン計測装置。請求項1において、前記演算式、或いはデータベースは、試料の種類毎に用意されていることを特徴とするパターン計測装置。請求項1において、前記演算式、或いはデータベースは、電子顕微鏡の光学条件毎に用意されていることを特徴とするパターン計測装置。電子源と、当該電子源から放出される電子ビームを走査する偏向器と、試料から放出される電子を検出する検出器と、当該検出器によって検出された電子に基づいてプロファイル波形を形成する演算処理装置を備えたパターン計測装置において、当該演算装置は、前記試料上のパターンを含む領域に前記電子ビームを走査させるための制御信号を前記走査偏向器に供給する制御部と、当該走査に基づいて得られるプロファイル波形から前記パターンとは異なる位置であって、第1の信号強度を有する部位の位置情報を求め、当該位置情報とパターン高さとの関係を示す演算式を用いて、或いは前記位置情報を、当該位置情報とパターン高さが関連付けて記憶されたデータベースに参照して、前記パターン高さを導出する演算処理装置とを備えたことを特徴とするパターン計測装置。請求項7において、前記演算処理装置は、前記パターン高さを導出するパターンに対し、前記電子ビームを走査した後に、前記プロファイル波形を形成するための走査を行うよう前記偏向器を制御することを特徴とするパターン計測装置。請求項7において、前記演算処理装置は、前記パターン高さを導出するパターンに対し、選択的に前記電子ビームを走査した後に、前記プロファイル波形を形成するための走査を行うように前記偏向器を制御することを特徴とするパターン計測装置。電子ビームを試料に走査することによって得られるプロファイル波形に基づいて、パターン寸法をコンピューターに計測させるコンピュータープログラムにおいて、当該プログラムは、前記コンピューターに前記電子ビームを走査することによって得られるプロファイル波形から、第1の信号強度の位置情報を演算させ、当該位置情報と予め記憶されている位置情報とパターン高さとの関係を示す演算式を用いて、或いは前記位置情報を、前記位置情報とパターン高さが関連付けて記憶されたデータベースに参照させて、前記パターン高さを導出させることを特徴とするコンピュータープログラム。請求項10において、前記プログラムは、前記コンピューターに前記パターンから離間した位置の複数の走査位置から得られる信号の平均値に基づいて、前記信号強度を算出させることを特徴とするコンピュータープログラム。請求項11において、前記プログラムは、前記コンピューターに前記平均値を示す位置を、前記第1の信号強度を有する位置とし、当該第1の信号強度を示す位置に対し、前記複数の走査位置から得られる信号の分散を示す値分、信号強度が変化した位置を前記第2の信号強度を示す位置として、前記パターン高さを導出させることを特徴とするコンピュータープログラム。電子源と、当該電子源から放出される電子ビームを走査する偏向器と、試料から放出される電子を検出する検出器と、当該検出器によって検出された電子に基づいてプロファイル波形を形成する演算処理装置を備えたパターン計測装置において、前記試料を前記電子ビームを用いて走査したときに得られる前記試料上のパターンから離間した位置の信号を検出することによって、前記パターンの高さを推定することを特徴とするパターン計測装置。上記の様に、走査電子顕微鏡で試料表面を走査した際に検出される二次電子SecondaryElectron:SEから得られるプロファイルと、電子線シミュレーション等から作成したプロファイルと断面形状が関連付けて記憶されたライブラリーとの照合により、試料の断面形状を推定する方法が知られている。一方、試料表面を電子線で照射した際に、試料に照射した電子数と試料から放出される電子数が異なると試料は帯電する。試料の帯電は、SEの軌道に影響を与え、検出信号に変化が現れる。特許文献1乃至3に説明されているように、ライブラリを参照することによって、パターンの断面形状を予測、或いは測定する装置では、このような帯電状態に応じたライブラリを用意する必要があり、そのデータ量が膨大になる可能性がある。一方、ライブラリに記憶されているデータが不足していると、高精度な三次元計測が望めない。以下に、帯電等の存在に依らず、高精度にパターンの高さ計測を行うことを目的とするパターン計測装置、及びコンピュータープログラムを提案する。上記目的を達成するための一態様として、試料に電子ビームを走査することによって得られる検出信号に基づいて、パターンのエッジから離間した所定の信号強度を有する部位を検出し、当該部位の位置情報に基づいて、パターンの高さを導出するパターン測定装置、及びコンピュータープログラムを提案する。上記一態様によれば、帯電等の存在によらず、高精度にパターンの高さ測定を行うことができる。荷電粒子線装置の一種であるSEMの測定、或いは検査対象の1つである半導体ウェハ上には微細な配線パターンが形成されている。半導体ウェハの形成法として、ウェハ上にレジストと呼ばれる塗布剤を塗布し、配線パターンのマスクを重ねて、その上から可視光または紫外光を照射することで、レジストを感光させ、配線パターンを形成させる方法が採用されている。形成される配線パターンは照射する可視光線,紫外線あるいは電子ビームの強度や絞りによってパターン側部の傾斜や形状が変化する。半導体の電気的な特性には半導体パターンの高さ、ライン幅、側壁の傾斜角のほか、ラインの角の丸みといったパターン形状も影響する。このため、高精度に電気特性を管理するには、パターンの三次元形状を検査する必要がある。三次元形状を知るためには、ウェハを切断し、断面形状を測定することで正確な断面形状を得ることはできるが、手間とコストがかかる。そこで電子顕微鏡画像を用いて、非破壊、非接触でパターンの断面形状を測定する手法が提案されている。この手法は、パターンの断面形状とプロファイルが関連付けて記憶されたライブラリを参照することによって、パターンの断面形状を予測、或いは測定する手法がある。しかしながら、走査電子顕微鏡で半導体ウェハなどの微細パターンを走査した際、試料の帯電によってSE検出量が変化し、プロファイルが変化することがある。プロファイルの変化は試料の帯電状態によって異なるため、微細パターンのSEプロファイルから立体形状を予測する際、この帯電の影響の切り分けは困難であり、プロファイルから形状情報、特に高さの情報を求めることが難しい場合がある。そこで、本実施例では試料に荷電粒子線を走査することによって得られる検出信号に基づいて、パターンのエッジから離間した所定の信号強度を有する部位を検出し、当該部位の位置情報に基づいて、パターンの高さを導出する方法、装置、及びコンピュータープログラムを提案する。凹凸のあるパターンにおいて、電子線を走査すると、電子は試料内を散乱し、表面からは二次電子や後方散乱電子が放出される。二次電子の放出分布は電子が散乱する材料によって決まる。また、パターン近傍では、二次電子の検出角検出が可能な角度が小さくなることから検出信号量の小さい領域が発生する。影の発生領域は、検出角によって決まるためパターンの高さによって変化する。よって、更に具体的な実施例として、影の領域からパターンの高さを推定する手法を提案する。また、この際、走査方向による帯電の影響を除くため、パターンの前後左右の影の平均距離を用いて高さを推定する。また、凹凸パターンにおいて、電子線を凸部に照射すると電子は試料内を散乱し、一部はパターン側壁から突き抜ける。電子がパターン側壁から突き抜ける際のエネルギーおよび角度分布は材料によって決定する。突き抜けた電子は下地表面凹面に衝突、散乱し、下地面に帯電を形成する。この際形成される帯電範囲は凸部の高さで決まる。凸部を照射し、帯電を形成した後、凸凹部を2次元走査すると帯電が形成された範囲が分かる。帯電範囲は凸部の高さを反映するため、帯電範囲から凸部の高さを推定する。以上の様に試料の帯電の有無に関わらず、パターンの形状情報、特に高さを推定する方法を提案する。試料から放出される二次電子と比較して、試料に入射する電子ビームは高いエネルギーを持っている。凸部分に衝突し、突き抜けた電子は、高いエネルギーを持っているものが多く、エネルギーが低い電子に比べると、相対的に帯電の影響を受けにくい。よって、多くのバリエーションが考えられる帯電状態毎に、ライブラリ等を作成しなくても、高精度に高さ推定を行うことが可能となる。以下、図面を用いて高さ計測を行うためのパターン計測装置、及びコンピュータープログラムについて説明する。図1に、試料に800eVの電子線を照射したときの、試料内で散乱する電子の軌跡を示す。試料に照射される電子線を、これ以降PEPrimaryElectron:一次電子と呼ぶ。試料に照射されたPEは試料内で弾性散乱および非弾性散乱を繰り返す。試料内でPEの散乱する範囲を以降、散乱球と呼ぶ。電子の散乱は試料との衝突によって生じるため、散乱球のサイズおよび形状は試料の散乱断面積によって異なる。また、PEが試料に照射され、弾性、非弾性散乱を繰り返すことにより、試料表面からはSESecondaryElectron:二次電子やBSEBackScatteringElectron:後方散乱電子が放出される。SEおよびBSEの放出数は試料の散乱断面積によって異なる。試料の散乱断面積は、試料の材質およびPEのエネルギーによって変化する。また、試料内に蓄積された電荷の一部は基板電流Isとして失われる。このとき、PEの数-の数>0であれば正帯電、PEの数-の数<0の場合は負帯電が試料に形成される。図2aに示すような絶縁体パターンがウェハに存在した場合、パターンに対してXY方向に電子線を走査することで、図2bの様な2次元のSE像が得られる。パターンの角部エッジでは、平坦部に比べてSE,BSEが多く放出されるため、輪郭が強調される。図2のラインパターンを横切る方向直交方向に電子線を走査したときのプロファイルを図3に示す。ラインが導体など、帯電の影響が小さい場合には、ラインのエッジのピークは左右対称となる。一方、試料が帯電するとラインのエッジのピークは左右非対称となる。これは先に照射されたエッジの帯電の影響を受けて、後に照射するエッジから放出されたSEの検出数が変化するためであり、帯電によってプロファイルが変化する。また、下地材料が誘電体である場合、ラインが存在することにより、下地表面に形成される帯電の分布がラインの左右で異なる。図4に例示するように、下地表面が正帯電する場合、電子線をX方向に走査した際のSE軌道a,bとプロファイルcを示す。この場合、ラインの右側を照射した際に、下地表面およびラインの正帯電により軌道の変化したSEがラインに衝突し、検出数が減少することが考えられる。SE検出数の減少はSEM画像では陰影影として現れる。SEの軌道が変化することで、下地のプロファイルにも非対称性があらわれる。本発明ではこの影の領域を基にラインの高さを推定する。図5に影の範囲の判定フローを示す。ここでは、図2のラインパターンに対する判定を示す。ラインに対して直交方向に電子線を走査する。走査線毎にプロファイルを抽出する。またパターンから十分離れた個所で平坦部の平均検出信号および標準偏差σを導出する。パターンの左右で平均検出信号に対してσ以上の差が表れる位置P1を求める。走査線毎にパターンの左右での検出信号が最小となる位置P2を求める。ラインの左右に対して上記処理を実施し、|P1-P2|から影の範囲DR,DLを求める。帯電によるSE軌道変化の影響をキャンセルするため、パターン左右での距離DR,DLの平均化し、Daveを求める。各走査線から求めた距離Daveを平均化することで、平均距離Dave′を導出する。得られた平均距離Dave′から高さ情報を含むデータベースとの照合あるいは関係式から高さを推定する。ここで、ラインの高さと帯電範囲が一義的に対応付くデータベースまたは関係式は、実験または電子線のシミュレーションで事前に求めておく。また、パターンが密集しており、各パターンの影が重なるような場合には、ラインエンドなどのパターンの上下左右に障害物がない場所で、走査方向を180度回転することでパターン左右での平均距離Dave′を求める。上述のような演算処理は、例えばSEMに接続された演算処理装置、或いは外部の演算処理装置にて実行する。例えば外部の演算処理装置にて上述した演算を行う場合、SEMによって得られた検出信号を取得した上で、上述のような演算処理を実行する。図14は、SEM1401を含むパターン計測システムの概要を示す図である。本システムには、SEM本体1401、当該SEM本体の制御装置1406、及び演算処理装置1407が含まれている。制御装置1406は、演算処理装置1407から与えられる制御信号に応じて、SEMの各構成要素を制御する。演算処理装置1407には、制御装置1406に所定の制御信号を供給する光学条件設定部1409、得られた画像情報や、レシピ情報を記憶するメモリ1416、及びSEMによって得られた検出信号を処理する入力信号演算部1410が内蔵されている。更に演算処理装置1409は、入力手段を備えた入力装置1408と接続されている。入力装置1408に設けられた表示装置には、操作者に対して画像や計測結果等を表示するGUIGraphcalUserInterface等が表示される。電子源1402より放出された電子ビームは、走査偏向器1403により一次元的、或いは二次元的に走査され、試料に照射される。電子ビームの走査によって、試料から放出された電子は、検出器1405にて捕捉され、制御装置1406に内蔵されたA/D変換器でデジタル信号に変換される。演算処理装置1407に内蔵されるCPU、ASIC、FPGA等の画像処理ハードウェアによって、目的に応じた画像処理が行われる。入力信号演算部1410には、SEMによって得られた検出信号を二次元的に配列して二次元像を形成する画像形成部1411、検出信号、或いは画像信号に基づいて試料上の位置に対する輝度の変化を示す波形を形成する信号波形形成部1412、及び当該信号波形形成部1412にて形成された信号波形に基づいて所定の演算を実行する信号解析部1413が内蔵されている。なお、演算処理装置1407における制御や処理の一部又は全てを、CPUや画像の蓄積が可能なメモリを搭載した電子計算機等に割り振って、コンピュータープログラムに従って処理制御することも可能である。また、SEMの制御とパターン測定に要する演算を一括して1つの制御演算装置で行うようにしても良い。高さ演算部1413では、所定の演算式に従って、パターン高さを計算する。演算によって高さを求める場合、予め平均距離Dave′のような帯電発生領域の位置に関する値と、高さの関係を示す演算式を、メモリ1416に登録しておき、当該演算式に基づいて、高さの演算を実行する。更に、位置距離に関する値は、最終的にパターン高さの演算に用いられれば良く、上述のようにパターンから離間した領域の平均信号強度と標準偏差に基づいて求められる信号強度から位置情報を求めるようにしても良いし、検出信号を加算平均して得られるプロファイル波形のピーク位置を検出し、当該ピーク位置、或いは当該ピーク位置から所定距離離間した個所と、パターン高さとの関係を示す演算式に基づいて、測定対象となるパターン高さを求めるようにしても良い。この場合、上述の例では帯電発生領域と基準位置平均検出信号位置との間の距離が大きく成る程、パターンの高さは低いことになるため、その関係を示す演算式を予め登録しておくと良い。更に、エッジ部分プロファイルのピークトップと帯電分布領域プロファイルのピークボトムとの距離との関係を、演算式、或いはデータベースとして登録するようにしても良い。この場合、ピークトップとピークボトムの大きさが大きい程、パターンの高さが高いことになる。ピーク位置の検出に基づいて、帯電発生領域の位置や距離を特定する場合、閾値法等、公知のピーク検出法の適用が可能である。また、SEM画像と設計データ設計データから作成される図形データとの間でマッチングを行い、ピークボトム帯電によって二次電子が引き戻され、画像上、暗くなっている部分が設計データ上のどの位置に相当するかを判定し、その位置情報を、ピークボトムの位置情報と試料高さを関連付けて記憶するデータベースに参照することによって、試料高さを求めるようにしても良い。一方、ノイズ等の混入によって、正確なピーク位置が検出できない場合は、上述のように平均信号強度を求め、当該平均強度を示す位置と、当該平均強度に対し、検出信号の分散を示す値例えば標準偏差分、信号強度が変化した位置との差分DR,DLを求める手法を適用することが望ましい。また、データベースに基づいて試料高さを計測する場合、メモリ1416に図15に例示するようなデータベースを登録しておき、得られた検出信号を参照して、パターン高さを求めるようにしても良い。なお、演算に基づいてパターン高さを求める場合、平均距離Dave′以外に、例えば帯電状態がより強く発生するラインの重みを強くして重み付け平均を求めるような演算等、帯電の発生状況に応じた種々の演算を行うことが考えられる。図15に例示するデータベースは、異なるパターン高さPatternheightと、パターンと帯電発生領域との間の距離Distanceに関する情報が関連付けて記憶されている。また、この情報はSEMの光学条件毎に登録されており、且つこのようなデータベースは、試料の種類パターンの形状、材質等の組み合わせごとに登録されている。判定部1415では、得られた検出信号に基づいて、データベースを参照することによって、パターンの高さ情報を導出する。このようなデータベースを参照することで、パターン高さを正確に特定することが可能となる。次に、本実施例における高さ計測の原理について説明する。図2のパターンに対して、図6aの様にパターンの凸部を照射すると、PEは試料内を散乱し、一部の電子はパターン側壁から放出される貫通する。以降、パターン側壁から放出された一次電子をPE′とする。放出されたPE′は、放出時のエネルギー、角度に従い、下地表面に衝突する。PE′は下地表面でも散乱し、SE′,BSE′を放出する。図6bに示すような帯電が下地表面にも形成されるここでは、PE′<SE′BSE′の正帯電を考える。ここで、パターン全体を2次元走査すると、ラインの周辺に陰影が表現されたSEM画像が得られる。凸部の照射により下地表面に正帯電が形成された場合、下地表面から放出されたSEの一部は正帯電の作る電界に従って再び表面に戻されるため、検出数が減少する。ここで、ラインの高さが変化した場合について想定する。試料内の電子散乱は、試料の散乱断面積で決まるため、ラインの材料およびPEの条件が同じである場合、試料内での散乱球の大きさ、形状は同じとなる。このため、異なる高さのラインでも、放出されるPE′のエネルギー、角度の分布は変わらない。ラインの側壁から放出されるPE′の放出分布が同じであるため、ラインの高さが異なることで、下地表面へのPE′の衝突範囲が変化する。すなわち、下地表面に形成される帯電の範囲が変化する。図7に異なる高さのラインに対してラインを照射した際に、下地表面に形成される帯電の分布を示す。図7aは、パターンに突入した後、PE′が試料に再突入する現象の概要を示す図であり、図7b~eは、その際の帯電分布を示す図である。帯電分布701は、帯電分布領域の外側より内側の方が、相対的に帯電が強く発生し、正帯電の場合、SEM像で観察すると、強い帯電が生じている領域の方が他の領域に比べて相対的に暗くなる電子が引き戻される。ラインの高さが増加するにつれ、PE′の照射範囲が広がり、帯電の分布も広がっている様子が確認できる。下地表面に形成された帯電は、SEの軌道に影響を与え、プロファイルに変化が現れる。このため、プロファイルの変化から帯電範囲が推定できる。帯電形成後に、2次元の電子線走査を行うことで帯電範囲を推定する。図8に、図7で示した各ライン高さの帯電状態に対して、2次元の電子線走査を行った際のプロファイルを示す。ライン高さが増加するにつれ、検出信号が最小となるまでの距離が増加する。帯電範囲はパターン高さによって決まるため、帯電範囲と高さのデータベースまたは関係式からパターンの高さを推定する。図9に、ライン高さと検出信号が最小値となるまでの距離のグラフを示す。ラインの高さと検出信号が最小となるラインからの距離が線形で近似できる。図10に帯電を利用したパターン高さ推定の処理フローを示す。まず高さを推定したい凸部のみを走査し、下地表面に帯電を形成する。凸部の指定は、事前に取得した2次元走査画像を元に、ユーザが画面内で照射範囲を指定する。また、設計データを元に凸部を抽出し、照射範囲を決定しても良い。指定した領域内を電子線で走査し、下地表面に帯電を形成する。次に形成した帯電範囲を求めるため、通常の2次元の走査を行う。ここでは、下地表面に形成した帯電を壊さないため、試料に照射する電流量および画像化する際のフレーム数は可能な限り抑えることが望ましい例えば、照射電流量×フレーム数を帯電形成時の1/10とするなど。得られた画像から、2次元の波形を作成し、帯電の範囲を決定する。パターンからの距離を平均化し、帯電範囲Daveを求める。得られた帯電範囲Daveを用いて実施例1と同様にデータベース照合あるいは関係式から高さを推定する。また、ラインスペースなど、パターンが密集している場合、スペース幅が帯電範囲Daveよりも小さい場合がある。この場合は、ラインの端部にて上記処理を実施することにより高さを推定することが可能である。次に、試料の膜厚を測定する手法について、説明する。帯電する試料にPEを照射すると、試料表面および内部に帯電が形成される。図11に示すように、試料表面を1次元走査した後に試料を2次元走査すると、帯電の履歴によるコントラストの変化が見られる正帯電の場合は周囲よりも暗い線明暗の程度を斜線の数で表現している、負帯電の場合は周囲よりも明るい線。以降、試料が正に帯電し、暗い線が発生する場合を考える。このとき、PEを1次元走査すると、PEのエネルギーによって暗い線の幅が変化する。これは試料内でPEが散乱する範囲散乱球が変化するためであり、散乱範囲はPEのエネルギーの増加と共に大きくなる。図12に膜厚2μmのSiO2膜と膜厚200nmのBARC/SiN/poly-Si/Siからなる積層膜を異なる加速で照射した際の、暗い線の幅Lcの変化を示す。SiO2膜では、PEのエネルギーに比例して、暗い線幅Lcが増加する。一方、BARC積層膜ではエネルギー15keVまではLcは増加するが、2keVで減少が見られる。積層膜では、照射エネルギー2keVでは、試料内を散乱した電子が表面のSiN膜を貫通し、散乱範囲が狭まるためである。このため、照射エネルギーを変えた際の暗い線の幅の変化から膜厚を推定することができる。図13に、暗い線の幅の変化からの膜厚推定フローを示す。まず試料表面に帯電を形成し、暗い線を発生させるため、1次元の走査を行う。その後、暗い線の幅を計測するため、1次元走査を行った範囲を含めて、2次元走査を行う。ここでは、暗い線の範囲をより明確に画像化するため、1次元走査に対して、90度回転させてSE像を取得する。得られたSE像から暗い線の幅を抽出する。上記の処理を照射エネルギーを変えて実施し、暗い線の線幅が減少する照射エネルギーを求める。暗い線幅が最大となる照射エネルギーが、PEが膜内を貫通し始める照射エネルギーとなる。PEの照射エネルギーから電子の侵入長、すなわち膜厚を求める。侵入長の導出には、金谷-岡山の飛程の式1を用いる。次に、単なるラインパターンではなく、他のパターンの高さを計測する手法を説明する。図16は、FinFETFinFieldEffectTransistorと呼ばれるトランジスタの構造を示す図である。図16aは、Fin-FETの斜視図、図16bは上視図SEMで取得される画像である。FinFETはMOSFETの方式の1つであり、伝導性のチャンネルが素子のゲートを構成する薄いフィン状のシリコンに覆われている。図16の例では、ソース1602とドレイン1603との間にゲート1601が配置されている。この中でゲート1601に関する寸法例えばゲート長Gは、トランジスタの特性を評価する上で重要な指標である。ゲート長Gは、SEM像上での測定が可能であるが、ゲート1601の高さは二次元画像からの観察が難しい。そこで、本実施例では、これまで説明してきた高さ計測法を用いて、ゲート1601等の高さを計測する手法について説明する。まず、ゲートの高さG1を測定するためには、領域1604を含む走査領域をビーム走査し、帯電領域1607を形成した後、寸法DG1を測定する。寸法DG1は例えば上述のように、平均距離Dave′を求めることによって算出する。このようにして求められた寸法DG1を用いて、例えばを求めることによって、ゲート1601の高さを求める。kG1とkG2は、所定の係数であり、例えばSEMによって基準となる試料の断面計測によって予め求めておいた試料高さと、寸法Dとの関係を表す係数である。基準となるパターンから係数を求めておくことによって、同等のパターンの高さ測定に適用することができる。また、予め基準パターンの高さが判っている場合はその値から係数を求めるようにしても良い。更に、PEの軌道シミュレーションに基づいて寸法Dとパターン高さとの関係がある程度分かるような場合には、その値に基づいて係数を求めるようにしても良い。また、何等かの理由によりDG1を計測することが難しい場合例えば、他のパターンが近接した位置に配置され、帯電領域1607の特定が難しいような場合、他の関連する複数のパターンの高さ情報を加算、或いは減算することによって求めるようにしても良い。例えば領域1605をビーム走査することによって得られる帯電領域1608に関する寸法DG2から求められる高さAと、領域1606をビーム走査することによって得られる帯電領域1609に関する寸法DSから求められる高さBが分かれば、A-Bを演算することにより、G2を求めることができる。即ち、を求めることによって、直接的に高さが分からない部分であっても、その高さ計測を行うことが可能となるkGA1,kGA2,kGB1,kGB2は所定の係数。以上のような手法によれば、Fin-FETのように、異なる高さの部位が複合したパターンであっても、高精度に高さ計測を行うことが可能となる。"