"スパッタリングターゲット及び/又はプラズマを閉じ込めるためにプラズマ発生域の周囲に配置したコイルの、エロージョンされる表面の水素含有量が500μL/cm2以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット及び/又はコイル。スパッタリングターゲット及び/又はコイルの、エロージョンされる表面の水素含有量が300μL/cm2以下であることを特徴とする請求項1記載のスパッタリングターゲット及び/又はコイル。スパッタリングターゲット及び/又はコイルの、エロージョンされる表面の水素含有量が100μL/cm2以下であることを特徴とする請求項2記載のスパッタリングターゲット及び/又はコイル。スパッタリングターゲット及び/又はコイルが、Cu,Ti,Ta,Al,Ni,Co,W,Si,Pt,Mnからなる群より選択される少なくとも1種以上の元素及び不可避的不純物からなることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット及び/又はコイル。スパッタリングターゲット及び/又はプラズマを閉じ込めるためにプラズマ発生域の周囲に配置するコイルを真空雰囲気下又は不活性ガス雰囲気下で加熱することにより、該ターゲット及び/又はコイルの、エロージョンされる表面の水素含有量を500μL/cm2以下とすることを特徴とするスパッタリングターゲット及び/又はコイルの製造方法。スパッタリングターゲット及び/又はコイルの、エロージョンされる表面の水素含有量を300μL/cm2以下とすることを特徴とする請求項5記載のスパッタリングターゲット及び/又はコイルの製造方法。スパッタリングターゲット及び/又はコイルの、エロージョンされる表面の水素含有量を100μL/cm2以下とすることを特徴とする請求項6記載のスパッタリングターゲット及び/又はコイルの製造方法。スパッタリングターゲット及び/又はコイルが、Cu,Ti,Ta,Al,Ni,Co,W,Si,Pt,Mnからなる群より選択される少なくとも1種以上の元素及び不可避的不純物からなることを特徴とする請求項5~7のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット及び/又はコイルの製造方法。スパッタリング時の真空度の低下は、ターゲット及び/又はプラズマを閉じ込めるためにプラズマ発生域の周囲に配置したコイル以下コイルと略称する。表面の水素含有量に原因があることが分かり、またこの水素の増加は、ターゲット及び/又はコイルの製造工程中の、水素の吸着又は吸蔵が原因であることが分かった。したがって、この吸着又は吸蔵した水素を低減させることが必要であるが、そのためにはスパッタリング装置真空チャンバーに設置する前の、ターゲット及び/又はコイルの表面を加熱することが有効であるとの知見を得た。これによってターゲット表面の水素の吸着又は吸蔵を減少させ、スパッタリング時の真空度を向上させることができると共に、均一微細な組織を備え、プラズマが安定であり、膜の均一性ユニフォーミティに優れたスパッタリングターゲット及び/又はコイル、並びにこれらの製造方法を、提供するものである。スパッタリング終了後、ターゲットを交換する際にも、ターゲット及び/又はコイルの表面を加熱することが有効でありかつ必要となるが、ターゲット及び/又はコイルの表面の水素量とスパッタリング終了後に再稼働させる際のスパッタリングチャンバー内の真空回復時間に相関があることが分かったので、スパッタリング装置のダウンタイム改善のためにも、ターゲット及び/又はコイルの表面の水素量を規定することが必要である。本発明は、上記の問題を解決するために、真空雰囲気下、あるいは不活性ガス雰囲気下でスパッタリングターゲット及び/又はプラズマを閉じ込めるためにプラズマ発生域の周囲に配置したコイルを加熱することが、上記課題を解決する有効な方法であるとの知見を得た。本発明は、この知見に基づいて、1スパッタリングターゲット及び/又はプラズマを閉じ込めるためにプラズマ発生域の周囲に配置したコイルの、エロージョンされる表面の水素含有量が500μL/cm2以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット及び/又はコイル2スパッタリングターゲット及び/又はコイルの、エロージョンされる表面の水素含有量が300μL/cm2以下であることを特徴とする上記1記載のスパッタリングターゲット及び/又はコイル3スパッタリングターゲット及び/又はコイルの、エロージョンされる表面の水素含有量が100μL/cm2以下であることを特徴とする上記2記載のスパッタリングターゲット及び/又はコイル4スパッタリングターゲット及び/又はコイルが、Cu,Ti,Ta,Al,Ni,Co,W,Si,Pt,Mnからなる群より選択される少なくとも1種以上の元素及び不可避的不純物からなることを特徴とする上記1~3のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット及び/又はコイル、を提供する。また、本発明は、5スパッタリングターゲット及び/又はプラズマを閉じ込めるためにプラズマ発生域の周囲に配置するコイルを真空雰囲気下又は不活性ガス雰囲気下で加熱することにより、該ターゲット及び/又はコイルの、エロージョンされる表面の水素含有量を500μL/cm2以下とすることを特徴とするスパッタリングターゲット及び/又はコイルの製造方法6スパッタリングターゲット及び/又はコイルの、エロージョンされる表面の水素含有量を300μL/cm2以下とすることを特徴とする上記5記載のスパッタリングターゲット及び/又はコイルの製造方法7スパッタリングターゲット及び/又はコイルの、エロージョンされる表面の水素含有量を100μL/cm2以下とすることを特徴とする上記6記載のスパッタリングターゲット及び/又はコイルの製造方法8スパッタリングターゲット及び/又はコイルが、Cu,Ti,Ta,Al,Ni,Co,W,Si,Pt,Mnからなる群より選択される少なくとも1種以上の元素及び不可避的不純物からなることを特徴とする上記5~7のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット及び/又はコイルの製造方法、を提供する。本発明は、ターゲット及び/又はコイルの製造工程、特にスパッタリング装置真空チャンバーに設置する前の、ターゲット及び/又はコイルの表面を加熱することが有効であり、これによってターゲット表面の水素の吸着又は吸蔵を減少させ、スパッタリング時の真空度を向上させることができると共に、均一微細な組織を備え、プラズマが安定であり、膜の均一性ユニフォーミティに優れたスパッタリングターゲット及びコイルを得ることができるという効果を備えている。本願発明は、スパッタリング装置真空チャンバーに設置する前の、スパッタリングターゲット及び/又はコイルの表面を、真空雰囲気下、あるいは不活性ガス雰囲気下で加熱する。加熱方法は任意に選択できる。あくまでも水素吸蔵の原因となる水素ガスの使用は避けなければならない。通常、エロージョンを受けるのは主としてスパッタリングターゲットであるが、コイルもエロージョンを受けるので、プラズマを閉じ込めるためのコイルを使用する場合には、コイルも同様に脱水素することが必要となる。この加熱による脱水素を行ったスパッタリングターゲット及び/又はコイルは、スパッタリング装置真空チャンバーに速やかにできれば直前に設置するのが望ましいと言える。その間に、水素の吸着又は吸蔵の可能性が高くなるからである。この設置までの時間は5時間以内、好ましくは3時間以内、さらに好ましくは1時間以内とするのが良い。脱水素を行ったスパッタリングターゲット及び/又はコイルをスパッタリング装置チャンバー内に設置し真空吸引する際に、時間的余裕がない場合長時間かかる場合においては、脱水素を行ったスパッタリングターゲット及び/又はコイルを、予めシール真空密閉して置くこともできる。この場合には、シール真空密閉の程度にもよるが、通常100時間程度、さらに密閉度を高めると12カ月程度の保管が十分可能である。開封真空密封解除後は、速やかに、スパッタリング装置チャンバー内に設置すれば良い。従来技術では、このようなスパッタリングターゲット及び/又はコイルの脱水素のための加熱を、スパッタリング装置真空チャンバーに設置する前に行うことはなかった、と言える。加熱方法は、スパッタリングターゲット及び/又はコイルを加熱できる方法であれば何でもよい。好ましくは、該ターゲット及び/又はコイルの全体よりも、表面のみを加熱できる方法であればよい。表面のみ加熱する方法としては、レーザー、赤外線、ランプによるものが挙げられる。これらは、スパッタリングターゲット又はコイルの変形を防止することができる。また、アルミニウムの材料を使用した場合には、この部材の溶解を防止することができる。これにより、スパッタリング装置真空チャンバーに導入するターゲット及び/又はコイルのエロージョンされる表面の水素含有量を500μL/cm2以下としたスパッタリングターゲット及び/又はコイルの製造が可能となる。これによってスパッタ後の真空チャンバー内の水素分圧の上昇を防止して、真空度を良くすることができる。スパッタリングターゲット及び/又はコイルは消耗品であり、エロージョンを受けてターゲット及び/又はコイル自体は経時的に損耗していく、すなわち新たなエロージョン面が出現して行くものなので、常識的には、ターゲット及び/又はコイルのエロージョンが開始され、それが進行するにしたがって、常に水素が放出されると考えられるからである。ターゲット及び/又はコイル自体がスパッタリング時の真空度に直接影響を与えるという発想には結びつかない。すなわち、水素又は水分の含有が問題となる場合には、ターゲット及び/又はコイル全体エロージョンを受ける全域について、水素又は水分を低減する必要があり、単に表面の機械研磨により解決できると、考えることができない。しかしながら、スパッタリングターゲット及び/又はコイルの水素又は水分の吸着吸蔵の原因を究明すると、ターゲット及び/又はコイル内部の問題ではなく、ターゲット及び/又はコイル表面の機械加工時の問題であることが判明した。したがって、ターゲット及び/又はコイル作製の初期の段階、すなわちスパッタリングターゲット及び/又はコイル作製の機械加工時に吸着吸蔵した水素や水分を除去することが可能であり、これによって、真空チャンバー内の水素分圧の上昇を効果的に抑制することが可能となった。さらに、この水素含有量を300μL/cm2以下とすることにより、さらに水素分圧の上昇の防止効果を高めることができる。さらに、この水素含有量を100μL/cm2以下とすることにより、さらに水素分圧の上昇の防止効果を高めることができる。また、スパッタ中に水素ガスが放出されると、プラズマに影響してスパッタレートの低下及びバラツキが大きくなる原因となるおよそバラツキが5程度から15程度に大きくなる。また、スパッタリングターゲット及び/又はコイルの水素含有量を500μL/cm2以下、さらに300μL/cm2以下、さらに100μL/cm2以下とすることにより、水素分圧の上昇の防止効果に加えて、成膜中の水素低減により、膜の均一性を向上することができる。又、膜中の含有水素を低減することにより、耐エレクトロマイグレーション性を向上することができる。本発明のスパッタリングターゲット及び/又はコイルとしては、水素を吸蔵し易い、Cu,Ti,Ta,Al,Ni,Co,W,Si,Pt,Mnからなる群より選択される少なくとも1種以上の元素に効果的に適用できる。特に、代表的なのはタンタルTa及びチタンTiスパッタリングターゲット及び/又はコイルである。これらは、精緻な表面加工を伴うことが多く、水素を吸蔵する機会が多いためであり、またスパッタ膜の水素の含有が問題となるからである。したがって、特にこれらの金属素材に適用するのが好適と言える。しかし、このタンタルTa及びチタンTiスパッタリングターゲット及び/又はコイルに限定されないことは言うまでもない。本発明のスパッタリングターゲット及び/又はコイルは、通常、次の工程によって製造する。その一例を示すと、上記に述べたタンタルを用いた例では、例えば4N99.99以上の高純度タンタルを使用し、これをターゲット及び/又はコイルの原料とする。これを電子ビーム溶解等により溶解精製して純度を高め、これを鋳造してインゴット又はビレットを作製する。電子ビーム溶解法に限定する必要はないのであり、他の溶解法でも良いのであるが、もし高純度化を狙うとすれば、電子ビーム溶解法は、好適な溶解法であり、6Nレベルの純度の材料を得ることが可能である。次に、このインゴット又はビレットを焼鈍-鍛造、圧延、焼鈍熱処理、仕上げ加工等の一連の加工を行う。鍛造あるいは圧延によって、鋳造組織を破壊し、気孔や偏析を拡散あるいは消失させることができ、さらにこれを焼鈍することにより再結晶化させ、この冷間鍛造又は冷間圧延と再結晶焼鈍の繰返しにより、組織の緻密化、微細化と強度を高めることができる。この場合、鋳造品インゴット又はビレットから直接ターゲット及び/又はコイルを製造することもできる。この後、機械加工、研磨加工等の仕上げ加工によって、最終的なターゲット及び/又はコイル形状に仕上げる。コイルの原料となる棒状材料線状材料を含むについては、前記インゴット又はビレットを鍛伸又は押出しにより棒状とし、必要に応じてこれを線引きした後、この棒状材料線状材料をコイルの原料とする。また、コイルを作製する場合は、棒状のコイル材を螺旋状に連続的に屈曲して製作できるが、いくつかの類似形状のコイル断片を作製し、これらを最終的に溶接して作製することもできる。通常、上記の製造工程によってタンタルターゲット及び/又はコイルを製造するが、この製造工程は、一例を示すもので、本願発明は、スパッタリングターゲット及び/又はコイルの加熱の条件の選択に特徴を有するもので、溶解鋳造、鍛造、熱処理等の製造工程を発明とするものではないので、他の工程によって製造することは、当然可能であり、本願発明はそれらを全て包含するものである。また、本発明は、ターゲット及び/又はコイルがエロージョンを受ける際に発生する水素を低減する発明に関するが、このようにエロージョンを受けるターゲット及び/又はエロージョンを受けるコイルを備えるスパッタリング装置並びにこのような機器が存在する真空機器に、同様に適用できることは言うまでもない。次に、実施例について説明する。なお、本実施例は発明の一例を示すためのものであり、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想に含まれる他の態様及び変形を含むものである。以下に示す実施例は、Taを代表的に使用しているが、上記Cu,Ti,Ta,Al,Ni,Co,W,Si,Pt,Mnからなる群より選択される少なくとも1種以上の元素は、同様な工程を経て製造可能であり、効果的に水素吸蔵を抑制できる。以下に、実施例及び比較例の機械加工の詳細と評価結果を説明する。なお、実施例及び比較例では、水素ガス量の測定が必要となるが、以下により測定を行った。それぞれの水素含有量の試料について、20mm×10mm×8mmtに乾式で切り出したサンプルを使用した。このサンプルを800°Cまで加熱して表面から放出される水素ガスを質量分析計に導入し定量した。質量分析計の測定条件は、昇温脱離ガス質量分析計アネルバ社製、AGS-7000を用いた。試料を真空加熱用の石英管内にセットし、ロータリーポンプで5分間予備排気した後、高真空下で10分間排気して吸着水を取り除いた。そして、バックグラウンドのイオン強度が低下したことを確認し、室温から800°Cまで20°C/minで昇温した。その後、800°Cで5分間保持し、続いて5分間放冷したときの発生ガスを測定した。一定量の水素を注入して定量した。実施例1純度99.997のタンタル原料を電子ビーム溶解し、これを鋳造して厚さ200mm、直径200mmφのインゴット又はビレットとした。次に、このインゴット又はビレットを室温で鍛伸した後、1500Kの温度での再結晶焼鈍を行い、厚さ100mm、直径100mmφの材料を得た。次に、これを冷間で鍛伸と据え込み鍛造及び1173Kの再結晶焼鈍を行い、次いで再度冷間圧延し、1173K900°Cで焼鈍の工程を2回繰り返し、仕上げ加工を行って厚さ10mm、直径320mmφのターゲット材とした。次に、上記のようにして作製したターゲット仕上げ加工により、表面粗さを調整し、下記の条件で、ターゲットの脱水素を行なった。ターゲットの表面粗さ:0.2μmターゲットの加熱条件:真空雰囲気、温度900°C、2時間加熱による脱水素を行ったスパッタリングターゲットは、2時間以内にスパッタリング装置真空チャンバーに設置した。この結果、実施例1の水素ガス量は6μL/cm2となった。また、スパッタ前の真空度は1×107Paとなり、良好な結果となった。実施例2上記実施例1と同じ条件で作製したターゲット材を仕上げ加工により、表面粗さを調整し、下記の条件で、ターゲットの脱水素を行なった。ターゲットの表面粗さ:0.2μmターゲットの加熱条件:真空雰囲気、温度700°C、2時間加熱による脱水素を行ったスパッタリングターゲットは、1時間以内にスパッタリング装置真空チャンバーに設置した。この結果、実施例2の水素ガス量は100μL/cm2となった。また、スパッタ前の真空度は1×107Paとなり、良好な結果となった。実施例3上記実施例1と同じ条件で作製したターゲット材を仕上げ加工により、表面粗さを調整し、下記の条件で、ターゲットの脱水素を行なった。ターゲットの表面粗さ:02μmターゲットの加熱条件:アルゴンガス雰囲気、温度700°C、2時間加熱による脱水素を行ったスパッタリングターゲットは、2時間以内にスパッタリング装置真空チャンバーに設置した。この結果、実施例3の水素ガス量は300μL/cm2となった。また、スパッタ前の真空度は2×107Paとなり、良好な結果となった。実施例4上記実施例1と同じ条件で作製したターゲット材を仕上げ加工により、表面粗さを調整し、下記の条件で、ターゲットの脱水素を行なった。ターゲットの表面粗さ:02μmターゲットの加熱条件:真空雰囲気、温度500°C、2時間加熱による脱水素を行ったスパッタリングターゲットは、1時間以内にスパッタリング装置真空チャンバーに設置した。この結果、実施例4の水素ガス量は350μL/cm2となった。また、スパッタ前の真空度は5×107Paとなり、良好な結果となった。比較例1上記実施例1と同じ条件で作製したターゲット材を仕上げ加工により、表面粗さを調整し、下記の条件で、ターゲットの脱水素を行なった。ターゲットの表面粗さ:02μmターゲットの加熱条件:真空雰囲気、温度500°C、2時間スパッタリングターゲットは、1時間以内にスパッタリング装置真空チャンバーに設置した。この結果、比較例1の水素ガス量は550μL/cm2となった。また、スパッタ前の真空度は1×106Paとなり、不良であった。これは、加熱温度が低く、脱水素が十分でなかったことが原因と考えられた。比較例2上記実施例1と同じ条件で作製したターゲット材を仕上げ加工により、表面粗さを調整し、下記の条件で、ターゲットの脱水素を行なった。ターゲットの表面粗さ:02μmターゲットの加熱条件:大気、温度700°C、2時間スパッタリングターゲットは、1時間以内にスパッタリング装置真空チャンバーに設置した。この結果、比較例2の水素ガス量は800μL/cm2となった。また、スパッタ前の真空度は5×106Paとなり、不良であった。これは、大気加熱が原因で、脱水素が十分でなかったことが原因と考えられた。比較例3上記実施例1と同じ条件で作製したターゲット材を仕上げ加工により、表面粗さを調整した。スパッタリングターゲットは、1時間以内にスパッタリング装置真空チャンバーに設置した。この結果、比較例3の水素ガス量は1000μL/cm2となった。また、スパッタ前の真空度は1×105Paとなり、不良であった。これは、加熱による脱水素を行わなかったため、加工中に入る水素が残存したことが原因と考えられた。実施例5高純度チタンのインゴットを700°Cで熱間加工し、その後、275度で加工比を2.0として温間加工を行い、600°Cで1時間ターゲット全体に均一な熱処理を施して厚さ10mm、直径320mmφのターゲット材とした。以下に、実施例及び比較例の機械加工の詳細と評価結果を説明する。次に、上記のようにして作製したターゲット仕上げ加工により、表面粗さを調整し、下記の条件で、ターゲットの脱水素を行なった。ターゲットの表面粗さ:0.2μmターゲットの加熱条件:真空雰囲気、温度900°C、2時間脱水素を行ったスパッタリングターゲットを、予めシール真空密閉して保管し、その後1ヵ月を経過した後、前記シール真空密閉を解除し、1時間以内にスパッタリング装置真空チャンバーに設置した。この結果、実施例5の水素ガス量は10μL/cm2となった。また、スパッタ前の真空度は1×107Paとなり、良好な結果となった。実施例6上記実施例5と同じ条件で作製したターゲット材を仕上げ加工により、表面粗さを調整し、下記の条件で、ターゲットの脱水素を行なった。ターゲットの表面粗さ:0.2μmターゲットの加熱条件:真空雰囲気、温度700°C、2時間脱水素を行ったスパッタリングターゲットを、予めシール真空密閉して保管し、その後1ヵ月を経過した後、前記シール真空密閉を解除し、1時間以内にスパッタリング装置真空チャンバーに設置した。この結果、実施例6の水素ガス量は130μL/cm2となった。また、スパッタ前の真空度は1×107Paとなり、良好な結果となった。実施例7上記実施例5と同じ条件で作製したターゲット材を仕上げ加工により、表面粗さを調整し、下記の条件で、ターゲットの脱水素を行なった。ターゲットの表面粗さ:02μmターゲットの加熱条件:アルゴンガス雰囲気、温度700°C、2時間脱水素を行ったスパッタリングターゲットを、予めシール真空密閉して保管し、その後1ヵ月を経過した後、前記シール真空密閉を解除し、1時間以内にスパッタリング装置真空チャンバーに設置した。この結果、実施例7の水素ガス量は300μL/cm2となった。また、スパッタ前の真空度は2×107Paとなり、良好な結果となった。実施例8上記実施例5と同じ条件で作製したターゲット材を仕上げ加工により、表面粗さを調整し、下記の条件で、ターゲットの脱水素を行なった。ターゲットの表面粗さ:02μmターゲットの加熱条件:真空雰囲気、温度500°C、2時間脱水素を行ったスパッタリングターゲットを、予めシール真空密閉して保管し、その後1ヵ月を経過した後、前記シール真空密閉を解除し、1時間以内にスパッタリング装置真空チャンバーに設置した。この結果、実施例8の水素ガス量は400μL/cm2となった。また、スパッタ前の真空度は6×107Paとなり、良好な結果となった。また、上記実施例1~4において作製したタンタルターゲットを脱水素した後、上記と同様に真空密閉して保管し、その後1ヵ月を経過した後、前記シール真空密閉を解除し、1時間以内にスパッタリング装置真空チャンバーに設置した。この結果、水素ガス量の上昇は見られず、また、スパッタ前の真空度の低下も見られず、タンタルターゲットにおいても、チタンターゲットと同様に良好な結果となった。比較例4上記実施例5と同じ条件で作製したターゲット材を仕上げ加工により、表面粗さを調整し、下記の条件で、ターゲットの脱水素を行なった。ターゲットの表面粗さ:02μmターゲットの加熱条件:真空雰囲気、温度500°C、2時間スパッタリングターゲットは、1時間以内にスパッタリング装置真空チャンバーに設置した。この結果、比較例4の水素ガス量は550μL/cm2となった。また、スパッタ前の真空度は1×106Paとなり、不良であった。これは、加熱温度が低く、脱水素が十分でなかったことが原因と考えられた。比較例5上記実施例5と同じ条件で作製したターゲット材を仕上げ加工により、表面粗さを調整し、下記の条件で、ターゲットの脱水素を行なった。ターゲットの表面粗さ:02μmターゲットの加熱条件:大気、温度700°C、2時間スパッタリングターゲットは、1時間以内にスパッタリング装置真空チャンバーに設置した。この結果、比較例5の水素ガス量は950μL/cm2となった。また、スパッタ前の真空度は5×106Paとなり、不良であった。これは、大気加熱が原因で、脱水素が十分でなかったことが原因と考えられた。比較例6上記実施例5と同じ条件で作製したターゲット材を仕上げ加工により、表面粗さを調整した。スパッタリングターゲットは、1時間以内にスパッタリング装置真空チャンバーに設置した。この結果、比較例6の水素ガス量は1200μL/cm2となった。また、スパッタ前の真空度は1×105Paとなり、不良であった。これは、加熱による脱水素を行わなかったため、加工中に入る水素が残存したことが原因と考えられた。実施例と比較例の総合評価上記実施例及び比較例については、タンタルTaとチタンTiについて説明したが、Cu,Al,Ni,Co,W,Si,Pt,Mnからなる元素についても、同様の結果が確認できた。これらの元素については、ターゲットの製造工程における加工の種類と熱処理条件が、各元素によって異なるだけで、作製したターゲットを仕上げ加工し、かつ表面粗さを調整し、さらにターゲットの脱水素を行なった材料が本願発明の条件にあるものについては、水素ガス量を300μL/cm2以下に十分に低減することができ、またスパッタ前の真空度は1×107Pa以下となり、良好な結果が得られた。逆に、本願発明の条件から逸脱するものについては、水素ガス量が増大し、またスパッタ前の真空度は1×107Paを達成できず、不良であった。また、上記実施例及び比較例については、ターゲットについて説明したが、プラズマを閉じ込めるためにプラズマ発生域の周囲に配置したコイルについても、同様の処理を行うことにより、同結果が得られることを確認した。"