"バルク層3およびバッファ層4を有し、前記バッファ層4が、前記バッファ層4の表面5上に1つの同じ方向に配向された多数のナノワイヤー2を成長させるために前記バルク層3上に配置され、前記バッファ層4が、2μm未満の厚さを有することを特徴とする基板1。前記バッファ層4が、0.2~2μmの厚さを有することを特徴とする請求項1に記載の基板1。前記バッファ層4が、複数の副層4a、4b、4cを含むことを特徴とする請求項1または2に記載の基板1。前記バッファ層4もしくは前記副層4a、4b、4cの1つまたは複数が、半導体材料で構成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の基板1。前記バッファ層4もしくは前記副層4a、4b、4cの1つまたは複数が、窒化物をベースとしたIII-V半導体材料を含むことを特徴とする請求項4に記載の基板1。前記バッファ層4もしくは前記副層4a、4b、4cの1つまたは複数が、金属または金属合金で構成されていることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の基板1。前記バッファ層4もしくは前記副層4a、4b、4cの1つまたは複数が、絶縁体で構成されていることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の基板1。前記バッファ層4もしくは前記副層4a、4b、4cの1つまたは複数が、グラフェンで構成されていることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の基板1。前記バッファ層4もしくは前記副層4a、4b、4cの1つまたは複数が、TiNで構成されていることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の基板1。前記バッファ層4および前記副層の1つまたは複数が、それぞれ、LPCVD、APCVD、PECVD、ALD、PVD、MOVPEまたはHVPEのグループから選択される堆積技術を使用して堆積されていることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の基板1。前記バッファ層4もしくは前記副層4a、4b、4cの1つまたは複数が、放射光用のリフレクタとして機能することを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載の基板1。前記バッファ層4もしくは前記副層4a、4b、4cの1つまたは複数が、10-10/cm2より高い欠陥または転位密度を有することを特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載の基板1。前記バッファ層4もしくは前記副層4a、4b、4cの1つまたは複数が、エピタキシャル成長させられるが、10-10/cm2より高い欠陥または転位密度を有することを特徴とする請求項1から12のいずれか1項に記載の基板1。前記バルク層3が、Si100であることを特徴とする請求項1から13のいずれか1項に記載の基板1。前記バルク層3が、Si111であることを特徴とする請求項1から13のいずれか1項に記載の基板1。前記バッファ層4または前記少なくとも最も外側の副層4cが、前記バルク層3とは異なる配向を有することを特徴とする請求項1から15のいずれか1項に記載の基板1。前記バッファ層4または前記副層が、前記バルク層3の配向を維持することを特徴とする請求項1から15のいずれか1項に記載の基板1。前記バッファ層4または前記副層の少なくとも1つが、多結晶であることを特徴とする請求項1から15のいずれか1項に記載の基板1。前記基板が、複数の副層によって形成される複数の積層されたブラッグリフレクタを備え、各ブラッグリフレクタが別々の発光波長を反射することを特徴とする請求項1から18のいずれか1項に記載の基板1。ウェーハの曲率が、50km-1未満、好ましくは40km-1未満を示すことを特徴とする請求項1から19のいずれか1項に記載の基板1。ウェーハの曲率が、30km-1未満、好ましくは20km-1未満を示すことを特徴とする請求項1から19のいずれか1項に記載の基板1。請求項1から21のいずれか1項に記載の基板および前記バッファ層4の前記表面5上に成長させられた1つまたは複数のナノ構造2を備えることを特徴とする構造。前記ナノ構造2が、GaNを含むことを特徴とする請求項22の構造。前記構造が、前記バッファ層4または前記1つまたは複数の副層4a、4b、4cのうちの少なくとも1によって形成される共通の横方向コンタクトによって電気的に接続される複数のナノ構造1を含むことを特徴とする請求項22または23の構造。各ナノ構造2が、使用に際して光を発生させるための活性領域の形成に寄与することを特徴とする請求項22から24のいずれか1項に記載の構造を備えるナノワイヤーLED構造。各ナノ構造が、ナノワイヤーコアおよびシェルを含み、前記コアのみが、シェルが設けられるナノワイヤーなどのナノ構造を構成し、前記シェルが典型的なナノワイヤーシェルよりも大きな寸法を有することを特徴とする請求項25に記載のナノワイヤーLED構造。前記ナノ構造が、複数のファセットを含むことを特徴とする請求項26に記載のナノワイヤーLED構造。前記シェルが、ピラミッドファセットおよび/または垂直側壁ファセットを示すことを特徴とする請求項27に記載のナノワイヤーLED構造。個別のデバイスそれぞれが、頂部または先端部でより狭く底部でより広いピラミッド形状と先端部および底部がほぼ同一の幅である柱状形状との範囲にある形状から選択される形状を有することを特徴とする請求項26から28のいずれか1項に記載のナノワイヤーLED構造。個別のデバイスそれぞれが、前記デバイスの長軸に垂直な円形、六角形または他の多角形の断面を有することを特徴とする請求項26から29のいずれか1項に記載のナノワイヤーLED構造個別のデバイスそれぞれの前記底部の幅が、100nmから最大5μm、好ましくは100nmから1ミクロン未満の範囲にあり、前記高さが、数100nmから10μmの範囲にあることを特徴とする請求項26から30のいずれか1項に記載のナノワイヤーLED構造。同一方向に配向された多数のナノワイヤーを備える構造を形成するための方法1であって、前記方法が、バルク層3を準備するステップと、前記バルク層3上に2μm未満の厚さを有するバッファ層4を堆積するステップと、前記バッファ層4上に1つまたは複数のナノワイヤー2を成長させるステップとを含むことを特徴とする方法。前記バッファ層が、非エピタキシャル材料を使用して成長させられることを特徴とする請求項32に記載の方法。前記バッファ層の成長において使用される前記非エピタキシャル材料が、成長温度に耐えることができる材料、好ましくは前記デバイスの熱的特性を改善する配向特性を有する材料の中から選択されることを特徴とする請求項33に記載の方法。前記非エピタキシャル材料が、AlN、TiN、グラフェンおよび他の多結晶または部分的に非晶質のカーボン膜から選択されることを特徴とする請求項34に記載の方法。バッファ層4を堆積する前記ステップが、1つまたは複数の副層4a、4b、4cを堆積するステップを含むことを特徴とする請求項32に記載の方法。前記バッファ層4の前記堆積が、前記バルク層3の配向を維持することを特徴とする請求項32または33に記載の方法。前記バッファ層4の前記堆積が、前記バルク層3の配向を変更することを特徴とする請求項32または33に記載の方法。前記バッファ層4もしくは前記副層4a、4b、4cの1つまたは複数が、LPCVD、APCVDまたはPECVDによって堆積されることを特徴とする請求項32から38のいずれか1項に記載の方法。前記バッファ層4もしくは前記副層4a、4b、4cの1つまたは複数が、ALDによって堆積されることを特徴とする請求項32から39のいずれか1項に記載の方法。前記バッファ層4もしくは前記副層4a、4b、4cの1つまたは複数が、PVDによって堆積されることを特徴とする請求項32から40のいずれか1項に記載の方法。前記バッファ層4もしくは前記副層4a、4b、4cの1つまたは複数が、MOVPEまたはHVPEによって成長させられることを特徴とする請求項32から41のいずれかに記載の方法。ナノワイヤー成長用の開口として機能するように前記バッファ層上に配置されるマスク層内の穴部が使用され、前記穴部の径が200nm未満であることを特徴とする請求項32から42のいずれか1項に記載の方法。前記バッファ層および前記副層に対して堆積される材料が、半導体材料、例えば窒化物をベースとしたIII-V半導体、金属または金属合金、絶縁体およびグラフェンからなるグループから選択されることを特徴とする請求項33から43のいずれか1項に記載の方法。ナノワイヤーをベースとするLEDアレイを作る方法であって、請求項1に記載の基板を準備するステップと、発光ダイオード用のコアを形成するナノワイヤーを成長させるステップと、前記ナノワイヤー上にシェルを成長させるステップとを含み、前記シェルの形状およびサイズが、頂部または先端部でより狭く底部でより広いピラミッド形状と先端部および底部においてほぼ同一の幅である柱状形状との範囲にある形状を形成するように制御されることを特徴とする方法。垂直方向、横方向などの言及はすべて、理解を容易にするためにのみ導入され、具体的な向きに限定していると考えられるべきでない。さらに、図面中の構造の寸法は、必ずしも縮尺通りではない。下記における本発明の好ましい実施形態は、主としてナノワイヤー発光ダイオードLEDおよびそうした構造の必要性の点から説明されるが、本発明の基板およびバッファ層、ならびにそれらの上へのナノワイヤー成長は、他のオプトエレクトロニクデバイスおよび電子デバイスを作製し、それらの必要性を満たすために使用することができることを理解されたい。LEDに対して、窒化物をベースとした半導体材料は、少なくとも光を発生させるデバイスの部分にとって大変重要である。典型的なGaNナノワイヤーのLEDの作製は、1000°Cあたりの高い成長温度を含む。基板/バッファの多層材料は、この熱雰囲気によって選択されなければならない。そうした材料の例は、Al2O3アイソレーター、AlN、GaN、Si半導体、およびW金属である。1000°Cよりもはるかに低い融点を有する共晶二成分化合物を形成する可能性のある隣接する層の組合せに関して、余分な予防措置を講じなければならない。したがって、中間層の組合せが、バリヤー層として使用されることがある。当業者はこれらのリスクに熟知しているので、これらのバリヤー層を実施形態おいて明示的には開示しない。図1は、20~1000μmの範囲の厚さを有するバルク層3を備えた基板1および3~10μmの範囲の厚さを有するエピタキシャル歪み調整バッファ層4を含む従来技術のナノワイヤーをベースとした構造を概略的に示す。ナノワイヤー2は、バッファ層4から突出している。ナノワイヤー2は、バッファ層4の結晶配向によって決定される1つの方向に整列している。図2は、20~1000μmの範囲の厚さを有するバルク層3を備えた基板1および好ましくは2μm未満、より好ましくは0.2~2μmの範囲の厚さを有するエピタキシャル歪み調整バッファ層4を含む本発明による構造を概略的に示す。ナノワイヤー2は、バッファ層4から突出している。ナノワイヤー2は、バッファ層4の配向によって決定される1つの方向に整列している。バッファ層の全体的な結晶構造は、多くの場合ナノワイヤーの結晶構造と同じであり、または少なくとも類似している。しかし、最終的にナノワイヤーを一定方向に成長させるのは、バッファ層構造の原子の構成である。ナノワイヤーの好ましい全体的な配列の変更は、下記において説明されるような処理ステップで実現することができる。そのような場合、ナノワイヤー結晶の配向は、通常、バッファ層結晶の配向に合わせられる。例示によって、図2における構造において、ナノワイヤーをベースとした構造は、ナノワイヤーをベースとしたLED構造を形成する放射状のコア-シェル構造を備える。コア-シェル構造は、AlGaN、InGaNおよび/またはGaNの副層を備える中間の量子井戸層を有するn型GaNナノワイヤーコアおよびp型GaNシェルを備えることができる。図2は、成長マスクを使用する選択領域成長を使用して成長させたナノワイヤーを示すが、成長マスクには限定されない。図3は、1つまたは複数の副層4a、4b、4cを有するバッファ層4を備える本発明の一実施形態を概略的に示す。バッファ層4もしくは前記1つまたは複数の副層4a、4b、4cは、別の層において半導体材料、金属/金属合金、および/または絶縁体を備えることができる。デバイスの熱的特性を改善し、成長温度に耐えることができる、配向特性を有する非エピタキシャル材料が好ましく、例として、限定されることなく、AlN、TiN、グラフェン、および他の多結晶または部分的に非晶質のカーボン膜が挙げられる。本発明の一実施形態において、バッファ層または副層のそれぞれは、その厚さ全体にわたって均質な組成を有する。少なくともこの組成は、意図的には変えられない。所望の光学的および/または電気的特性を得るために、様々な材料を組み合わせることができる。例えば、1つまたは複数のリフレクタ層が、バッファ層4の副層スタック内に含まれてよい。垂直および横方向における導電率も、例えば、横方向に高い導電率を有するように調整することができ、この構造の各ナノワイヤーを接続する電流拡散層を提供する。ナノワイヤー構造は、バッファ層4または前記1つまたは複数の副層4a、4b、4cのうちの少なくとも1つによって形成された共通の横方向コンタクトによって電気的に接続される。低い欠陥密度および高い結晶完成度が必要でない場合は、バッファ層4または副層4a、4b、4cを形成するために使用することができる利用可能ないくつかの堆積方法がある。様々な堆積方法を様々な副層に使用することができる。原子層堆積ALDによって堆積されたバッファ層は、優れた配向特性を有する。プラズマ化学気相成長法PECVD、低圧化学気相成長法LPCVDおよび大気圧化学気相成長法APCVDを使用することができる。例えば、配向されたAlNは、LPCVDおよびAPCVDによって成長させることができ、グラフェンおよび他の多結晶または部分的に非晶質のカーボン膜もLPCVDまたはRF-CVDを利用することによって堆積させることができる。一般に、PECVDは、他の2つと比較して、配向能力が劣る。スパッタリングまたは蒸着に基づいた物理的気相成長技術も使用することができるが、スパッタリングは、通常、配向された堆積には適していない。真空蒸着法は、金属または金属合金の配向された堆積用にしばしば好まれる。よい例は、通常、グレインサイが大きくばらついた多結晶ではあるが、基板に垂直に均一に111配向させて容易に成長/蒸着することができるアルミニウム層である。しかし、660°Cの低融点のため、アルミニウムの利用は限定される。格子不整合層も、エピタキシャル法によって成長させることができる。金属有機物化学気相成長法MOCVD、水素化物気相エピタキシーHVPEなどのエピタキシー法は、通常非常に高い完成度の結晶および結晶界面を作製するために使用される。しかし、格子不整合の基板上に成長させるために使用する場合、層の転位密度は高い。バッファ層4もしくは1つまたは複数の副層4a、4b、4cは、10-10/cm2より高い欠陥または転位密度を有し、それでも商用デバイス用に使用することができる。層の品質は、多くの場合、低温で、厚い歪み調整バッファ層を成長させることによってある程度改善することができる。結晶を完全にするという制約がない場合は、厚い歪み調整バッファ層は冗長になる。配向されたバッファ層の酸化によって、元の基板の配向を維持することができる。例示的な例は、配向を維持しながらAl2O3に酸化することができる蒸着されたアルミニウムである。しかし、バッファ層の堆積によって、配向も変わりうる。同一方向に配向した多数のナノワイヤー構造を備える構造を形成する方法であって、本方法は、バルク層3を準備するステップと、バルク層3上に2μm未満の厚さのバッファ層4を堆積するステップと、バッファ層4上に1つまたは複数のナノワイヤー2を成長させるステップとを含む。本発明の方法により、ブラッグリフレクタおよび通常のリフレクタ層の両方の作製が可能となる。堆積によって、すなわちエピタキシーによってではなく作られたブラッグリフレクタは、エピタキシャルのブラッグリフレクタに比べて作製が容易で安価である。したがって、この方法は、複数の副層によって形成される多数の積層ブラッグリフレクタを使用する、多色デバイスの作製に適しており、各ブラッグリフレクタは、基板上部の着色光発光源と共に使用されて別々の発光波長を反射する。しかし、各ブラッグリフレクタにより、バッファ層の厚さにおよそ0.5μmが追加され、単色デバイスの場合に比べてバッファ層が厚くなる。堆積方法は、上記に例示されている。原則として、本発明による2つのタイプの堆積がある。iバルク層の配向の維持、およびiiバルク層、すなわち、優越配向がなくまたは様々な配向を有する一般的な意味での基板上で、所定の結晶配向を有するナノワイヤーを成長させるための配向されたバッファ層の生成である。第1のタイプiにおいて、半導体ナノワイヤーは、普通、111立方晶形の閃亜鉛鉱または0001六方晶形のウルツ鉱方向に成長させられる。ナノワイヤーアレイを配向させて成長させるために、111または0001基板が通常使用され、その結果ナノワイヤーを基板表面に垂直に配向する。配向に関して結晶基板上に材料を制御して堆積することによって、配向を維持することが容易となり、このことにより多層構造上に配向された成長を行うことが容易となる。第2のタイプiiにおいて、LPCVDまたはAPCVDによって作製されたAlN、もしくは真空蒸着されたAlなどの一部の材料および堆積方法に対して、材料層それ自体が、優勢な111方向に整列する傾向がある。これは、多くの大面積の堆積方法が利用可能なTiNに対しても当てはまる。そうした材料の使用によって、最終層に方向情報を導入することができるため、下層に対する選択の自由度が増加し、これはナノワイヤーの核形成に指定される。ナノワイヤーは、様々な材料上に核を形成することができるが、均質な核形成は、類似する材料基板上にナノワイヤーを成長させることによって非常に容易になる。GaNナノワイヤーなどの窒化物をベースとした構造に対して、成長用の最適な基板表面は、GaN、InN、またはAlN、およびそれらの組合せなどの窒化物をベースとした半導体である。AlNだけでなくTiNも、SiO、TiOまたはSiNの副層を隣接することができる。優先的な終了層AlNまたは一連のGaNおよびAlNを、ALD、CVDおよびMOCVD法を用いて容易に成長させることができる。この場合、AlNまたはTiNを、方向性情報を向上させるために使用することができ、終了表面層にGaを追加することにより核形成の均質性が向上する。ナノワイヤーを成長させるために、例えばLPCVDを使用して、グラフィーム、多結晶のカーボン、または部分的にアモルファスのカーボンの層を堆積することによって、基板に垂直な成長方向を得ることができる。この理由は、高温耐性のカーボン膜の結晶学的な特性によるものであり、すなわち、ダイヤモンド状またはグラフェン状の材料のグレインが形成されるためである。特別の核形成ステップおよび核形成温度が、Si、Cなどの材料上にGaNなどのイオン材料の成長を開始するために、しばしば必要とされる。しかし、核形成ステップは、しばしば成長条件に対する方向性の制約を弱め、通常短くしておくべきである。グレイン構造は、ナノワイヤーとフィルムとの間の格子歪みの緩和に役立つ可能性があるが、あまりにもランダムなグレイン構造は、膜の方向特性および温度耐性を制限することになる。バッファ層中に、もしくはバッファ層の1つまたは複数の副層中にカーボン膜を使用するさらなる利点は、その優れた熱伝導特性ならびにその固有の透明性である。WO2008/085129は、窒化物ナノワイヤー、およびそうした窒化物ナノワイヤーを生産する方法に関する。この出願の方法は、本発明によるバッファ層上の成長に対して実施することができる。具体的には、窒化物をベースとした半導体ナノワイヤーは、選択領域成長技術によって本発明によるバッファ層上で遂行することができるが、窒素ソース流量は、ナノワイヤー形成中に実質的に一定である。成長中にIII/V比率を変えることによって、少なくとも部分的にナノワイヤーを囲むシェル層を得ることができる。本発明のおかげで、WO2008/085129の方法を使用して、Si基板などの比較的安い基板上に、単結晶でなく、またはきわめて低レベルの欠陥を有するバッファ層を有するナノワイヤーを成長させることが可能である。図4は、本発明による、Si基板上の低品質バッファ層上に形成されたGaNナノワイヤーのナノワイヤーアレイを示す。図5は、本発明による低品質バッファ層を示す。本発明の一実施形態において、ナノワイヤー成長用開口として機能する、本発明によるバッファ層上に配置されるマスク層内の穴部を利用する選択領域成長技術が使用される。穴部の径の選択は、単結晶で、転位のないナノワイヤー得るために重要である。穴部の径が大きすぎる場合は、ナノワイヤーは、太すぎて、転位を防ぐことができない、または単結晶とならない可能性がある。限界の穴部の径は、バッファ層の品質および組成ならびにナノワイヤーの組成、さらにナノワイヤー核形成および成長中の条件に依存するが、一般に、穴部の径は、好ましくは200nm未満、より好ましくは150nm未満である。本発明の実施形態においても、穴部の径は、100nm未満が好ましく、より好ましくは50nm未満である。ナノワイヤー作製方法を教示するため参照により本明細書に組み込まれる、例えば、Seifertらによる米国特許第7,829,443号に記載されているように、本明細書に記載される作製方法は、好ましくはナノワイヤーコアを利用して、コア上に半導体シェル層を成長させ、LEDを形成するコアシェルナノワイヤーをベースとした構造を形成するが、本発明は、それに限定されないことに留意されたい。例えば、代替の実施形態において以下に記載されるように、コアのみがナノ構造例えば、ナノワイヤーを構成することができ、シェルは、任意に、典型的なナノワイヤーシェルよりも大きな寸法を有することができる。さらに、デバイスを、多くのファセットを含むように成形することができ、様々なタイプのファセット間の面積比を制御することができる。このことは、ピラミッドファセットおよび垂直側壁ファセットによって、図6に例示される。図6aは、ナノワイヤーコア62およびシェル64を含む柱状のナノ構造60を示し、図6bは、シェルがピラミッド66を形成するようにナノワイヤーコア62上に成長させられる別の変形形態を示す。図6は、単に概略図であって、縮尺通りではなく、さらにシェルが単層として示されているが、いくつかの層を含みうることに留意されたい。発光層が、支配的なピラミッドファセットまたは側壁ファセットを有するテンプレート上に形成されるように、LEDを作製することができる。発光層の形状と無関係にコンタクト層について同じことが言える。連続する例えばシェル層を使用することによって、最終的な個別のデバイス例えばpnまたはpinデバイスが、デバイスの長軸に垂直な円形、または六角形、または他の多角形の断面を有するピラミッド形状すなわち、頂部または先端がより狭く、底部がより広いと柱状形状例えば、先端と底部がほぼ同じ幅との間のいずれかの形状を有しうるようになる。したがって、完成したシェルを有する個別のデバイスは、様々なサイズを有することがある。例えば、サイズは、変わることがあり、底部の幅が100nmから数例えば5μm、例えば100nmから1ミクロン未満までの範囲に及び、高さが数100nmから数例えば10μmまでの範囲に及ぶ。本発明による方法を用いて、ナノワイヤー用の以前のバッファ層と比較して、著しく反りが低減された大面積ウェーハを作ることが可能である。反りは、本明細書では曲率として表現され、測定されたウェーハの曲率は、50km-1より小さく、好ましくは40km-1より小さく、いくつかの実施形態では、曲率は、30km-1より小さく、好ましくは20km-1より小さい。本明細書で使用される曲率は、SemiconductorTODAYCompoundsadvancedSilicon、第4巻、第3号、2009年、4月/5月、82~86ページに掲載の、E.armourらによる文献LEDgrowthcompatibilitybetweens,4and6sapphireにおいて定義されており、本文献はその全体が参照により本明細書に組み込まれる本文献の図4を参照されたい。したがって、反りBおよび曲率Kは、以下のように関連づけられる。K=1/RB=KD2/8式中、Rは、ウェーハの曲率半径であり、Dは、基板の直径である例えば、2、4または6インチ。本発明は、現在最も実際的なものであると考えられるもの、および好ましい実施形態に関して記載されているが、本発明は、開示された実施形態に限定されず、それどころか、添付の特許請求の範囲の範囲内の様々な変更形態および等価な構成を包含することが意図されていることを理解されたい。"