半導体材料からなる出発材料を提供する工程と、該出発材料を加熱区間に移送する工程であって、半導体材料からなる溶融物が、該出発材料を供給される工程と、該溶融物の下端において、該半導体材料が所望の構造で結晶化すると伴に、凝固先端が形成するように、該加熱区間から該溶融物を下降させ、かつ/または該加熱区間を上昇させる工程と、の各ステップを含んで成る、単結晶半導体材料、特に単結晶ケイ素を生成するための方法であって、該半導体材料からなる出発材料が液体形態で提供され、そして液体形態の該溶融物に供給される、方法。液体の出発材料を提供するために、該半導体材料の粒子および/または該半導体材料の前駆体化合物がガス流中に供給され、該ガス流が該半導体材料の粒子を固体から液体状態および/またはガス状態に転化する程、そして/または該前駆体化合物を熱的に分解する程、充分に高温を有することを特徴とする、請求項1に記載の方法。該液体の出発材料が濃縮され、そして/または該ガス流から分離される反応炉容器中に、該ガス流が導かれること、および該液体の出発材料が、反応炉容器から該半導体材料からなる溶融物中に、直接供給されることを特徴とする、請求項2に記載の方法。該反応炉容器が内面を被覆されていること、特に該液体の半導体材料と接触する領域において、および凝固させた半導体材料からなる固体層と接触する領域において、被覆されていることを特徴とする、請求項3に記載の方法。該層の厚さが、センサーによって、特に超音波センサーによって監視され、そして加熱媒体および/または冷却媒体によって制御されていることを特徴とする、請求項4に記載の方法。該反応器が、生成される半導体材料から少なくとも部分的になる、固体の底領域を有することを特徴とする、請求項3~5のいずれか一項に記載の方法。該液体の半導体材料を該溶融物中に供給するために、該生成される半導体材料から少なくとも部分的になる底領域が、制御された様式で溶融する工程を特徴とする、請求項6に記載の方法。該溶融する工程が、該底領域中に並べられているか、または該底領域に割り当てられている加熱媒体および/または冷却媒体によって、制御されることを特徴とする、請求項7に記載の方法。該加熱媒体および/または冷却媒体が、少なくとも1種の誘導加熱システムおよび/または焦点を合わせることのできる光線および/または物質のビーム、例えば、レーザーまたは電子ビームを含むことを特徴とする、請求項8に記載の方法。単結晶半導体材料、特に単結晶ケイ素を生成するための設備であって、出発材料として機能する液体の半導体材料の供給源、該半導体材料からなる溶融物を生成し、そして/または維持するための加熱媒体、および好ましくは、出発材料として機能する該液体の半導体材料の該溶融物中への制御された供給のための媒体をまた含んで成る、設備。該出発材料として機能する液体の半導体材料が形成され、そして/または収集される、反応炉容器および/または収集容器を、該供給源が含むことを特徴とする、請求項10に記載の設備。該出発材料として機能する液体の半導体材料の該溶融物中への制御された供給のための手段が、溝および/またはパイプ、好ましくは石英、グラファイトおよび/または窒化ケイ素から少なくとも部分的になる溝および/またはパイプを含むことを特徴とする、請求項10または11に記載の設備。