モジュール基板と、前記モジュール基板上に配置された第1の光学部品と、前記第1の光学部品に対して前記モジュール基板に垂直な方向に離間して配置された第2の光学部品とを有し、前記第1の光学部品は、前記第2の光学部品と対向し光学的に接続する第1の光学主要部と、前記第1の光学主要部の周辺に位置し前記第2の光学部品と対向しない第1の周辺部とを含み、前記第1の周辺部に、前記第1の光学部品の配置位置の基準となる第1の基準マークを備え、前記第2の光学部品は、前記第2の光学部品の配置位置の基準となる第2の基準マークを備え、前記第1の基準マークと前記第2の基準マークは、前記モジュール基板に平行な平面に投影したとき同一直線上に配置している光モジュール。請求項1に記載した光モジュールにおいて、前記第1の光学主要部は複数の光学素子を含む光モジュール。請求項1または2に記載した光モジュールにおいて、前記第1の周辺部に、複数の前記第1の基準マークを備え、前記第1の基準マークと前記第2の基準マークは、前記モジュール基板に平行な平面に投影したとき、複数の同一直線上にそれぞれ配置している光モジュール。請求項1から3のいずれか一項に記載した光モジュールにおいて、前記第1の光学部品は、受光素子を含み、前記第2の光学部品は反射鏡を含む光モジュール。請求項1から3のいずれか一項に記載した光モジュールにおいて、前記第1の光学部品は、発光素子を含み、前記第2の光学部品は反射鏡を含む光モジュール。第1の光学主要部と前記第1の光学主要部の周辺に配置された第1の周辺部を有する第1の光学部品を形成し、前記第1の周辺部に、前記第1の光学部品の配置位置の基準となる第1の基準マークを形成し、前記第1の光学主要部と光学的に接続する第2の光学部品を形成し、前記第2の光学部品に、前記第2の光学部品の配置位置の基準となる第2の基準マークを形成し、前記第1の光学部品と前記第2の光学部品をモジュール基板上に搭載し、前記第1の光学主要部と前記第2の光学部品が対向し、前記第1の周辺部と前記第2の光学部品が対向しないように、前記第1の光学部品と前記第2の光学部品を前記モジュール基板に垂直な方向に離間して配置し、前記第1の基準マークと前記第2の基準マークが、前記モジュール基板に平行な平面に投影したとき同一直線上に配置するように位置合わせして固定する光モジュールの製造方法。上述した特許文献1に記載された光モジュールにおいては、光信号をモニタしながら光導波路アレイチャンネルと光素子アレイとの光軸調芯を行うアクティブ調芯を用いているので、高精度な実装精度が得られる。しかしながら、高速化を図るため光モジュールにおけるチャンネル数を増加すると、実装時間が増大するという問題があった。一方、光モジュールの多チャンネル化などにより、位置精度のみならず角度方向についても高精度な実装精度が要求されるなど、光モジュールの実装における難易度が高まっている。しかしながら、特許文献2に記載された光モジュールは、光素子にあらかじめ実装用アライメントマーカーを設けたパッシブ実装法であるため、実装精度の高度化が困難であるという問題があった。さらに、光モジュールの小型化などのため、光モジュール内で光学部品を立体的に配置する必要が生じている。しかし、光学部品同士が垂直方向で重なり合うためアライメントマーカーの検出が困難になり、実装位置がずれてしまうという問題があった。このように、関連する光モジュールにおいては、光モジュールの高速化、小型化に伴って、実装精度の高度化を図るのが困難であり、また実装時間が増大する、という問題があった。本発明の目的は、上述した課題である、光モジュールの高速化、小型化に伴って、実装精度の高度化を図るのが困難であり、また実装時間が増大する、という課題を解決する光モジュール及びその製造方法を提供することにある。本発明の光モジュールは、モジュール基板と、モジュール基板上に配置された第1の光学部品と、第1の光学部品に対してモジュール基板に垂直な方向に離間して配置された第2の光学部品とを有し、第1の光学部品は、第2の光学部品と対向し光学的に接続する第1の光学主要部と、第1の光学主要部の周辺に位置し第2の光学部品と対向しない第1の周辺部とを含み、第1の周辺部に、第1の光学部品の配置位置の基準となる第1の基準マークを備え、第2の光学部品は、第2の光学部品の配置位置の基準となる第2の基準マークを備え、第1の基準マークと第2の基準マークは、モジュール基板に平行な平面に投影したとき同一直線上に配置している。本発明の光モジュールの製造方法は、第1の光学主要部と第1の光学主要部の周辺に配置された第1の周辺部を有する第1の光学部品を形成し、第1の周辺部に、第1の光学部品の配置位置の基準となる第1の基準マークを形成し、第1の光学主要部と光学的に接続する第2の光学部品を形成し、第2の光学部品に、第2の光学部品の配置位置の基準となる第2の基準マークを形成し、第1の光学部品と第2の光学部品をモジュール基板上に搭載し、第1の光学主要部と第2の光学部品が対向し、第1の周辺部と第2の光学部品が対向しないように、第1の光学部品と第2の光学部品をモジュール基板に垂直な方向に離間して配置し、第1の基準マークと第2の基準マークが、モジュール基板に平行な平面に投影したとき同一直線上に配置するように位置合わせして固定する。本発明の光モジュール及びその製造方法によれば、光モジュールの高速化、小型化に伴って要求される実装精度の高度化を図ることが可能であり、また、実装時間の増大を抑制することができる。以下に、図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。第1の実施形態図1A、1Bは、本発明の第1の実施形態に係る光モジュールの構成を示す図であり、図1Aは平面図、図1Bは側面図である。本発明の光モジュール100は、モジュール基板110、モジュール基板110上に配置された第1の光学部品120、および第1の光学部品120に対してモジュール基板110に垂直な方向に離間して配置された第2の光学部品130とを有する。第1の光学部品120は、第2の光学部品130と対向し光学的に接続する第1の光学主要部121と、第1の光学主要部121の周辺に位置し第2の光学部品130と対向しない第1の周辺部122を含んで構成される。また、第1の周辺部122には、第1の光学部品120の配置位置の基準となる第1の基準マーク123が配置されている。一方、第2の光学部品130には、第2の光学部品130の配置位置の基準となる第2の基準マーク133が配置されている。そして、第1の基準マーク123と第2の基準マーク133は、モジュール基板に平行な平面に投影したとき同一直線A-A上に配置している。このように、本実施形態の光モジュール100においては、第1の基準マーク123が第2の光学部品130と対向しない第1の周辺部122に配置された構成としている。そのため、第1の光学部品120と第2の光学部品130がモジュール基板に垂直な方向に配置され、モジュール基板に平行な平面に投影したとき重なり合う領域がある場合であっても、第1の基準マーク123と第2の基準マーク133が重なり合うことはない。したがって、第1の基準マーク123と第2の基準マーク133が同一直線上に配置するように、第1の光学部品120と第2の光学部品130の位置合わせを行うことが可能になる。以上より、本実施形態によれば、光モジュールの高速化、小型化に対応した実装精度の高度化を図ることが可能であり、また、アクティブ調芯が不要であるので実装時間の増大を抑制することができる。第1の光学主要部121には例えば、受光素子を含む構成を用いることができる。このとき、多チャンネル化に対応した複数の受光素子からなる受光素子アレイとしてもよい。これに限らず、第1の光学主要部121は半導体レーザなどの発光素子を含むこととしてもよい。また、多チャンネル化に対応した複数の半導体レーザからなる半導体レーザアレイを用いることもできる。第2の光学部品130は例えば、反射鏡を含む構成とすることができる。反射鏡は、曲面からなる反射面を備えた集光ミラーであっても、レンズと平面ミラーを組み合わせた構成であってもよい。また、図1Bに示すように、第2の光学部品130は反射鏡131が平面光導波路PlanarLightwaveCircuit:PLC基板132に接続された構成としてもよい。なお、図1Aでは、第1の光学部品120を構成する第1の周辺部122が、第2の光学部品130が占める領域を越えて配置している場合を示した。しかし、これに限らず、図2に示すように、第2の光学部品130が第1の周辺部122と対向する領域において切り欠いた構成であってもよい。この場合には、第1の光学部品120と第2の光学部品130を同一の外形寸法とすることができるので、光モジュール100のさらなる小型化を図ることができる。また、図1Aでは、第1の光学部品120が第1の周辺部122に1個ずつ第1の基準マーク123を備え、第1の基準マーク123と第2の基準マーク133が2箇所で同一の直線A-A上に配置する場合について示した。しかし、これに限らず、図3に示すように、第1の周辺部122に2個ずつ第1の基準マーク123を備え、第1の基準マーク123と第2の基準マーク133が直線A-Aに加えて第1の直線B-Bと第2の直線C-C上に配置する構成としてもよい。この場合は、モジュール基板110に平行な平面上の2方向においてそれぞれ2箇所、合計4箇所で位置合わせを行うので、さらに実装精度を高度化することが可能となる。次に、本実施形態の光モジュール100の製造方法について説明する。以下では、第1の光学部品120として受光素子アレイを、第2の光学部品130として図1Bに示した平面光導波路PLC基板132に接続された反射鏡131を用いた場合を例として説明する。まず、半導体基板上に第1の光学主要部を構成する複数の受光素子と、第1の周辺部を構成する受光素子の両端部である半導体基板領域を備えた受光素子アレイを形成する。この半導体基板領域に第1の基準マークとして、例えば十字形のアライメントマーカーをエッチング処理などにより作成する。また、複数の受光素子と光学的に接続する反射鏡を形成し、この反射鏡にも第2の基準マークとして例えば十字形のアライメントマーカーを作成する。次に、受光素子アレイと反射鏡をモジュール基板としてのセラミックパッケージに搭載する。本実施形態では、反射鏡131は図1Bに示すように平面光導波路PLC基板132を介してセラミックパッケージに搭載した。このとき、複数の受光素子と反射鏡が対向し、半導体基板領域と反射鏡が対向しないように、受光素子アレイと反射鏡をセラミックパッケージの底面に垂直な方向に離間して配置する。つまり、受光素子アレイと反射鏡をセラミックパッケージ内で立体的に配置することにより、光モジュールの小型化を図ることできる。そして、受光素子アレイと反射鏡のそれぞれのアライメントマーカーがセラミックパッケージの底面に平行な平面に投影したとき同一直線上に配置するように位置合わせを行い、固定する。以上の工程により、光モジュール100が完成する。このように、本実施形態の光モジュールの製造方法によれば、受光素子アレイのアライメントマーカーが形成された半導体基板領域に対向する位置には反射鏡は形成されない。そのため、受光素子アレイと反射鏡のそれぞれのアライメントマーカーが重なり合うことがないので、光モジュールの小型化を実現した構成においても実装精度の高度化を図ることができる。第2の実施形態次に、本発明の第2の実施形態について説明する。図4A、4Bは、本実施形態による受光モジュール200の構成を示す図であり、図4Aは平面図、図4Bは側面図である。また、図5A、5Bは、本実施形態による受光モジュール200の一部の構成を示す拡大図であり、図5Aは平面図、図5Bは側面図である。本実施形態では光モジュールとして、DP-QPSK方式に対応したデジタルコヒーレントレシーバに用いられる受光モジュール200に適用した場合を例として説明する。ここで、DP-QPSK方式とは、偏波多重4相位相変調DualPolarizationQuadraturePhaseShiftKeying:DP-QPSK方式のことを言う。受光モジュール200は、平面光導波路PLC基板210、フォトダイオードPD220、および平面光導波路PLC基板210から出射された光の光路変更を行いフォトダイオードPD220に結合させる集光ミラー230を有する。平面光導波路PLC基板210は偏光ビームスプリッタPBSとビームスプリッタBSを備え、コヒーレントミキサーとしての機能を有する。平面光導波路PLC基板210は、光ファイバからの光を平面光導波路PLC基板210に結合させるレンズ211とともに素子キャリア212に実装される。またフォトダイオードPD220は、インピーダンス変換増幅器TransimpedanceAmplifier:TIA221および配線基板222とともに基板キャリア223に実装される。これらの部材がセラミックパッケージ240に収納され、受光モジュール200を構成している。DP-QPSK方式に対応した受光モジュール200においては、信号光をTE偏波成分とTM偏波成分に分岐し、局部発振光と遅延干渉させることによって、2対からなる4種の信号、すなわち合計8ポート分の出力信号が得られる。これらの信号を差動型のインピーダンス変換増幅器TIA221で受信することにより、光ファイバを伝送してきた変調信号光を復調する。受光モジュール200ではこのように、平面光導波路PLC基板210からの8ポート分の光出力を受信するため、フォトダイオードPD素子が8個、信号復調のための差動型のインピーダンス変換増幅器TIA221は4個必要である。そのため、フォトダイオードPD220には8個のフォトダイオードPD素子からなるフォトダイオードPDアレイが用いられる。ここで、フォトダイオードPD220とインピーダンス変換増幅器TIA221との間の距離が長くなると高周波特性が悪化する。したがって、良好な電気特性を得るためには、フォトダイオードPD220とインピーダンス変換増幅器TIA221は可能な限り接近させて実装することが望ましい。そこで、フォトダイオードPD220とインピーダンス変換増幅器TIA221を隣接して配置し、平面光導波路PLC基板210からの出射光を折り曲げてフォトダイオードPD220で受光する構成とした。これにより、受光モジュール200の高速化、小型化を図ることができる。実装時間の増大を抑制するためにはアクティブ調芯を用いないで、フォトダイオードPD220と集光ミラー230に設けたアライメント用マーカーの位置精度のみを基準として集光ミラー230の搭載を行う必要がある。一方、関連するパッシブ実装法では、アライメント用マーカーをフォトダイオードPDおよびミラーに設け、それぞれのマーカーが重なるように実装を行う。しかしながら、この場合、フォトダイオードPD上のマーカーがミラーの影に重なり、マーカーの重なりが確認できないという問題が生じる。また、マーカー確認用レーザ光の波長に対する透過率が大きい材料をミラーの材料に用いた場合であっても、屈折により光路が微妙にずれるため、高精度な実装を行うことが困難である。そこで、本実施形態においては図5Aに示すように、集光ミラー230と対向しないフォトダイオードPD220の周辺部に第1のアライメントマーカー224を設けることとした。これにより、第2のアライメントマーカー231を備えた集光ミラー230の実装時にアライメントマーカーが集光ミラー230の影に隠れ、アライメントマーカーの重なりが確認できないという問題を解決することができる。そして、第1のアライメントマーカー224と第2のアライメントマーカー231が一直線上に配置するように実装することにより、高精度な実装を行うことを可能とした。次に、本実施形態の受光モジュール200の製造方法について説明する。図6A、6Bおよび図7A、7Bは、本実施形態による受光モジュール200の製造方法を説明するための図であり、それぞれ図6A、図7Aは平面図、図6B、図7Bは側面図である。図6A、6Bに示すように、まず、基板キャリア223上に高周波用電気配線を備えた配線基板222を搭載し、インピーダンス変換増幅器TIA221を配線基板222の配線パターンを基準として基板キャリア223上に実装する。続いて、8個のフォトダイオード素子を含むフォトダイオードPD220をインピーダンス変換増幅器TIA221に合わせて実装する。次に、図7A、7Bに示すように、素子キャリア212に搭載された平面光導波路PLC基板210の出射端に集光ミラー230を実装する。続いて、フォトダイオードPD220などを搭載した基板キャリア223をセラミックパッケージ240内に実装する。最後に、集光ミラー230などを搭載した素子キャリア212をセラミックパッケージ240内に実装する。このとき、8個のフォトダイオード素子と集光ミラー230が対向し、フォトダイオード素子が形成されていないフォトダイオードPD220の周辺部と集光ミラー230が対向しないように、セラミックパッケージ240の底面に垂直な方向に離間して配置する。そして、フォトダイオードPD220のフォトダイオード素子が形成されていない周辺部に設けた第1のアライメントマーカー224と、集光ミラー230に設けた第2のアライメントマーカー231を用いて位置合わせを行う。すなわち、第1のアライメントマーカー224と第2のアライメントマーカー231が、セラミックパッケージ240の底面に平行な平面に投影したとき同一直線上に配置するように位置合わせして固定する。このように、本実施形態の受光モジュールの製造方法によれば、フォトダイオード素子が形成されていないフォトダイオードPD220の周辺部には対向する集光ミラー230が配置されていない。そのため、フォトダイオードPD220と集光ミラー230のそれぞれのアライメントマーカーが重なり合うことがないので、受光モジュールの高速化、小型化を実現した構成においても実装精度の高度化を図ることができる。本発明は上記実施形態に限定されることなく、特許請求の範囲に記載した発明の範囲内で、種々の変形が可能であり、それらも本発明の範囲内に含まれるものであることはいうまでもない。この出願は、2010年12月21日に出願された日本出願特願2010-284140を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。