第1導体層と、第1面と該第1面とは反対側の第2面とを有し、該第2面が前記第1導体層と対向するように前記第1導体層上に積層されている第1樹脂絶縁層と、前記第1樹脂絶縁層内に収容されていて電極を有する電子部品と、前記第1樹脂絶縁層の第1面に形成されている第2導体層と、前記第1樹脂絶縁層を貫通し、前記第1導体層と前記第2導体層とを接続している第1ビア導体と、前記第1樹脂絶縁層に形成されていて前記電子部品の電極と前記第2導体層とを接続している接続ビア導体と、第1面と該第1面とは反対側の第2面とを有し、該第2面が前記第1樹脂絶縁層の第1面と対向するように前記第2導体層と前記第1樹脂絶縁層上に積層されている第2樹脂絶縁層と、前記第2樹脂絶縁層の第1面上に形成されている第3導体層と、前記第2樹脂絶縁層を貫通し、前記第2導体層と前記第3導体層とを接続している第2ビア導体と、を有するプリント配線板において、前記第2導体層の厚みは前記第3導体層の厚みより厚い。請求項1のプリント配線板において、前記第1樹脂絶縁層の厚みは前記第2樹脂絶縁層の厚みより厚い。請求項2のプリント配線板において、前記第1樹脂絶縁層の第1面での前記第1ビア導体の径トップ径は前記第2樹脂絶縁層の第1面での前記第2ビア導体の径トップ径より大きい。請求項1のプリント配線板において、前記第1導体層上の前記第1ビア導体の径ボトム径は前記電子部品の電極上の前記接続ビア導体の径ボトム径より小さい。請求項1のプリント配線板において:前記第2導体層の厚さを前記第3導体層の厚さで割ることで得られる値は、1.2~5である。請求項3のプリント配線板において:前記第1ビア導体のトップ径を前記第2ビア導体のトップ径で割ることで得られる値は、1.05~4である。請求項1のプリント配線板において、さらに、第1面と該第1面とは反対側の第2面とを有し、該第2面が前記第2樹脂絶縁層の第1面と対向するように前記第3導体層と前記第2樹脂絶縁層上に積層されている第3樹脂絶縁層と前記第3樹脂絶縁層の第1面上に形成されている第4導体層と前記第3樹脂絶縁層を貫通し、前記第3導体層と前記第4導体層とを接続している第3ビア導体とを有し、前記第4導体層の厚みと前記第3導体層の厚みは略等しい。請求項7のプリント配線板において、前記第2樹脂絶縁層の厚みと前記第3樹脂絶縁層の厚みは略等しい。請求項5のプリント配線板において、さらに、第1面と該第1面とは反対側の第2面とを有し、該第2面が前記第2樹脂絶縁層の第1面と対向するように前記第3導体層と前記第2樹脂絶縁層上に積層されている第3樹脂絶縁層と前記第3樹脂絶縁層の第1面上に形成されている第4導体層と前記第3樹脂絶縁層を貫通し、前記第3導体層と前記第4導体層とを接続している第3ビア導体とを有し、前記第4導体層の厚みと前記第3導体層の厚みは略等しく、前記第2樹脂絶縁層の厚みと前記第3樹脂絶縁層の厚みは略等しい。請求項1のプリント配線板において、前記第1樹脂絶縁層は補強材を有さない。請求項10のプリント配線板において、前記補強材は繊維で形成されている。請求項1のプリント配線板において、前記第1樹脂絶縁層は最外の樹脂絶縁層である。請求項12のプリント配線板において、前記第2樹脂絶縁層の第1面上にソルダーレジスト層が形成されている。請求項10のプリント配線板において、前記第2樹脂絶縁層は補強材を有している。しかしながら、特許文献1のプリント配線板に、更に絶縁層と導体層が積層されると、電子部品の電極と絶縁層上の導体層との間での接続信頼性が低くなると考えられる。特許文献1のプリント配線板は、薄型化のため補強用のコア基板を有していない上に、電子部品を絶縁層に内蔵している。このため、電子部品を内蔵する絶縁層の上に別の絶縁層が積層されると、電子部品を内蔵している層と、別の絶縁層とで、ヒートサイクル下において収縮量が大きく異なると考えられる。その結果、プリント配線板の反り量が大きくなると考えられる。そのため、電子部品の電極と絶縁層上の導体層との間の接続信頼性が低くなると考えられる。本発明の目的は、電子部品を内蔵し薄く接続信頼性の高いプリント配線板を提供することである。本発明に係るプリント配線板は、第1導体層と、第1面と該第1面とは反対側の第2面とを有し、該第2面が前記第1導体層と対向するように前記第1導体層上に積層されている第1樹脂絶縁層と、前記第1樹脂絶縁層内に収容されていて電極を有する電子部品と、前記第1樹脂絶縁層の第1面に形成されている第2導体層と、前記第1樹脂絶縁層を貫通し、前記第1導体層と前記第2導体層とを接続している第1ビア導体と、前記第1樹脂絶縁層に形成されていて前記電子部品の電極と前記第2導体層とを接続している接続ビア導体と、第1面と該第1面とは反対側の第2面とを有し、該第2面が前記第1樹脂絶縁層の第1面と対向するように前記第2導体層と前記第1樹脂絶縁層上に積層されている第2樹脂絶縁層と、前記第2樹脂絶縁層の第1面上に形成されている第3導体層と、前記第2樹脂絶縁層を貫通し、前記第2導体層と前記第3導体層とを接続している第2ビア導体と、を有する。そして、前記第2導体層の厚みは前記第3導体層の厚みより厚い。実施形態1図7、8を参照して本発明の実施形態1に係るプリント配線板が以下に説明されている。図7は実施形態1のプリント配線板を示し、図8は、実施形態1のプリント配線板にパッケージ基板100が搭載されている。そして、実施形態1のプリント配線板はマザーボードに搭載されている。図7に示されるように、半田バンプを有するプリント配線板1000は、第1導体層42と、該第1導体層上の第1樹脂絶縁層50と、該第1樹脂絶縁層上の第2導体層58と、該第1樹脂絶縁層及び第2導体層上の第2樹脂絶縁層60と、第2樹脂絶縁層上の第3導体層68とを有する。第1導体層は外部端子42を含んでいて、図7では、この外部端子に半田バンプ86Dが形成されている。第1樹脂絶縁層にICチップなどの電子部品90が内蔵されている。電子部品は電極92を有している。第1樹脂絶縁層50と第2樹脂絶縁層60は第1面と第1面とは反対側の第2面を有している。第1樹脂絶縁層の第2面は第1導体層と対向していて、第1樹脂絶縁層の第1面に複数の導体回路やビアランドを含む第2導体層58が形成されている。第1導体層と第2導体層は第1樹脂絶縁層を貫通する第1ビア導体59Aで接続されている。また、第2導体層と電子部品の電極は第1樹脂絶縁層を貫通する接続ビア導体59Bで接続されている。第1樹脂絶縁層の第1面と第2導体層上に第2樹脂絶縁層が形成されている。第1樹脂絶縁層の第1面と第2樹脂絶縁層の第2面が対向している。第2樹脂絶縁層の第1面上に第3導体層が形成されていて、第3導体層は複数の導体回路やビアランドを含んでいる。第2導体層と第3導体層は第2樹脂絶縁層を貫通している第2ビア導体69で接続されている。第2樹脂絶縁層の第1面と第3導体層上にソルダーレジスト層80が形成されている。ソルダーレジスト層は開口80aを有し、その開口80aにより露出している第2ビア導体や第3導体層上に半田バンプ86Uが形成されている。実施形態1では、ICチップ90のバック面背面に銀ペーストなどからなるダイアタッチ44が形成されている。ダイアタッチは必須でなく、ICチップのバック面が外部に露出してもよい。ダイアタッチが露出することにより、さらに、放熱性が向上する図8では、図7のプリント配線板が反転されている。プリント配線板1000の半田バンプ86Dにパッケージ基板100のパッド102が接続されている。パッケージ基板100にメモリー104が搭載されていて、ワイヤー106によりメモリーとパッケージ基板100は接続されている。一方、プリント配線板1000の半田バンプ86Uを介して、プリント配線板はマザーボード200のパッド202に接続されている。図7に示されているように、第1樹脂絶縁層50には、ICチップが内蔵されていて、第2樹脂絶縁層60にはICチップが内蔵されていない。このため、プリント配線板の温度が変化すると、第1樹脂絶縁層と第2樹脂絶縁層で伸縮量が異なると考えられる。また、硬化により第1樹脂絶縁層と第2樹脂絶縁層で収縮する量が異なると考えられる。そのため、プリント配線板10に反りやうねりが発生しやすいと考えられる。しかしながら、実施形態1では、第2導体層の厚みd1は第3導体層の厚みd2より厚い。導体層は樹脂絶縁層より剛性に優れるので、第2導体層を厚くすることでプリント配線板の反りやうねりを防止できると考えられる。第3導体層の厚みは第2導体層より薄い。第2導体層と同様に第3導体層の厚みが厚いと、第3導体層に微細な配線を形成することが困難になる。そのため、2層の樹脂絶縁層で形成されるはずのプリント配線板が3層の樹脂絶縁層で形成される。その結果、硬化による収縮量が大きくなり、プリント配線板の反りやうねりが大きくなると考えられる。実施形態1では、第2導体層は電子部品を内蔵している第1樹脂絶縁層と電子部品を内蔵していない第2樹脂絶縁層の間に存在している。隣接する樹脂絶縁層間で伸縮量が比較されると、電子部品の有無により、第1樹脂絶縁層と第2樹脂絶縁層で温度変化による伸縮量の差や硬化による収縮量の差が最も大きいと考えられる。従って、第1樹脂絶縁層と第2樹脂絶縁層の界面に大きな応力が働くと考えられる。第1樹脂絶縁層と第2樹脂絶縁層の界面を起点としてプリント配線板に反りやうねりが発生すると考えられる。その反りやうねりを効果的に防止するため、実施形態1では、第1樹脂絶縁層と第2樹脂絶縁層の間に厚い導体層が形成されている。また、第1樹脂絶縁層と第2樹脂絶縁層の界面に掛かる応力を小さくするため、第3導体層の厚みは第2導体層の厚みより薄い。また、反り量は、内蔵されている電子部品から離れるほど大きくなると考えられる。そのため、電子部品を内蔵することで発生する反りを所定の導体層で抑制するには、電子部品から遠い導体層ほど厚みを厚くする必要があると考えられる。しかしながら、実施形態1では、電子部品を内蔵している第1樹脂絶縁層上の第2導体層の厚みが、第3導体層の厚みよりも厚い。そのため、実施形態1のプリント配線板は反りやうねりを効率的に抑制できる。第2導体層58の厚さd1/第3導体層68の厚さd2は1.2~5であることが望ましい。第2導体層58の厚みd1は10μmから125μmであり、第3導体層68の厚みd2は7μmから30μmである。第1導体層42の厚みd4は10μmから75μmである。第1導体層の厚みは第3導体層の厚み以上であって、第2導体層の厚み以下である。第2導体層58の厚さd1/第1導体層68の厚さd4は1~3であって、第1導体層の厚みd4/第3導体層の厚みd2は1~2であることが望ましい。プリント配線板の反りやうねりが小さくなる。もしくは、樹脂絶縁層の層数を減らすことができる。第1導体層の厚みは第3導体層の厚みより厚く、第2導体層の厚みより薄いことが好ましい。第1導体層の厚み/第3導体層の厚みは1.1~1.5であることが望ましく、第2導体層の厚み/第1導体層の厚みは1.5~3であることが望ましい。この範囲であると、第1導体層と第3導体層に微細な導体回路を形成することができる。そのため、樹脂絶縁層の層数が少なくなるので、プリント配線板の反り量が小さくなる。第2導体層の厚みが必要以上に厚くならない。効果的にプリント配線板の反りが低減される。そのため、第2導体層にも信号線を形成することができる。樹脂絶縁層の層数が少なくなる。従って、反り量が小さく薄いプリント配線板が得られる。第1導体層の厚みd4は第2導体層の厚みd1と同等であって、第3導体層の厚みd2より厚いことが好ましい。第1導体層の厚み/第3導体層の厚みは1.2~3であることが望ましい。第1樹脂絶縁層の両面に厚みの厚い第2導体層58、第1導体層42を設けることで、第1樹脂絶縁層の反りが抑えられる。第1導体層42は、他の基板や電子部品と接続するための外部端子を含む。第1導体層は第1樹脂絶縁層50の第2面と同一レベルまたは第2面から凹んでいる。凹むことが望ましい。ICチップの背面が第1樹脂絶縁層の第2面に向くようにICチップが第1樹脂絶縁層の第2面側に内蔵されると、第2面側の第1樹脂絶縁層は第1面側の第1樹脂絶縁層よりICチップの影響を受けると考えられる。しかしながら、実施形態1では、第1導体層42が第1樹脂絶縁層50の第2面から凹んでいて、第1樹脂絶縁層内に形成されているので、第2面側の第1樹脂絶縁層は第1導体層で補強されると考えられる。そのため、第1樹脂絶縁層にICチップを埋め込むことで発生する応力は、第1導体層を第1樹脂絶縁層の第2面側に埋め込むことにより緩和されると考えられる。第1樹脂絶縁層にクラックが発生し難い。第1樹脂絶縁層50の厚みf1は55μmから190μmであり、電子部品90の厚みより15~40μm程度厚い。第1樹脂絶縁層は複数の樹脂絶縁層50A、50Bで形成されてもよい図10。図10では、第1樹脂絶縁層は2層の樹脂絶縁層で形成されている。2層の樹脂絶縁層を第1ビア導体が貫通している。この場合、第1樹脂絶縁層は電子部品を内蔵している各樹脂絶縁層を含む。各樹脂絶縁層の厚みは略同じであることが好ましい。第2樹脂絶縁層60の厚みf2は20μmから50μmである。第2樹脂絶縁層の厚みは第1樹脂絶縁層の厚みより薄いことが好ましい。硬化による収縮が小さくなるので、プリント配線板の反り量やうねり量が小さくなる。第1ビア導体59Aのボトム径e1は30μmから120μmであり、トップ径e2は30μmから200μmである。第2ビア導体69のボトム径e5は30μmから80μmであり、トップ径e6は30μmから100μmである。接続ビア導体59Bのボトム径e3は30μmから80μmであり、トップ径e4は30μmから100μmである。図7に示されているように、ボトム径は導体層やビア導体、電子部品の電極上のビア導体用開口の径であり、トップ径は樹脂絶縁層の第1面でのビア導体用開口の径である図11参照。第1ビア導体59Aのトップ径が、第2ビア導体69のトップ径よりも大きいことが好ましい。電子部品を内蔵している第1樹脂絶縁層に占めるビア導体の体積が大きくなる。これにより、第1樹脂絶縁層の剛性が高くなるので、プリント配線板が反り難くなる。第1ビア導体のトップ径/第2ビア導体のトップ径は1.05~4であることが望ましい。接続ビア導体59Bのトップ径も第2導体のトップ径より大きいことが望ましい。接続ビア導体のトップ径/第2ビア導体のトップ径は1.05~3であることが望ましい。さらに、第1樹脂絶縁層の剛性が高くなる。また、第2樹脂絶縁層に小さなビア導体を形成することができる。従って、第2樹脂絶縁層に形成可能なビア導体の数が増える。また、第2導体層に形成されるビアランドが小さくなるので、樹脂絶縁層の層数が少なくなる。その結果、反り量が小さく薄いプリント配線板が得られる。接続ビア導体のトップ径は第1ビア導体のトップ径と同等もしくは第1ビア導体のトップ径より小さい。接続ビア導体のトップ径が第1ビア導体のトップ径より小さい場合、電極数の多いICチップを内蔵することができる。図1~図8を参照し、実施形態1のプリント配線板の製造方法が以下に説明される。厚さ0.2~0.8mmの両面銅張積層板30と、厚さ5~100μmの銅箔40が準備される図1A。両面銅張積層板30に銅箔40が接着剤又は超音波接続により接合される図1B。銅箔上に所定パターンのめっきレジストが形成され、めっきレジスト非形成部に電解めっきによりニッケル膜42Nが形成される。ニッケル膜の厚さは5μmである。ニッケル膜上に電解めっきで金膜42Aとニッケル膜420Nが形成される。ニッケル膜420N上に電解銅めっきで第1導体層42が形成される。第1導体層の厚みは10~75μmである。めっきレジストが除去される図1C。銅箔40のICチップ取り付け位置にAu-Snペーストなどの導電性ペーストによりダイアタッチ44が形成される図1D。該ダイアタッチ44上にICチップなどの電子部品90が搭載される図2A。実施形態1では、ICチップの背面がダイアタッチに接着される。電子部品の厚みTは40~150μmである。熱処理でダイアタッチが硬化する。シリカなどの無機粒子とエポキシ樹脂を含むBステージの樹脂フィルムが電子部品90と第1導体層上に積層される。樹脂フィルムの厚みは電子部品の厚みTより15~40μm程度厚い。その後、熱処理で樹脂フィルムは硬化する。第1樹脂絶縁層が銅箔と第1導体層上に形成される。電子部品が第1樹脂絶縁層に収容される図2B。第1樹脂絶縁層の厚みは55~190μmであり、電子部品の厚みより15~40μm程度厚い。電子部品の電極の上面から第1樹脂絶縁層の第1面までの距離Lは15~40μmである。第1樹脂絶縁層50にレーザで、第1ビア導体を形成するための開口50aと、接続ビア導体を形成するための開口50bが形成される図2C。開口50aのトップ径e2と開口50bのトップ径e4は異なっていてe2はe4より大きいことが好ましい。e2/e4は1.1~2であることが好ましい。第1ビア導体が太くなるので、電子部品が内蔵されていない部分の第1樹脂絶縁層が第1ビア導体で補強される。プリント配線板の反りやうねりが抑えられる。無電解めっき処理により第1樹脂絶縁層50の表面に無電解めっき膜51が形成される図2D。電解めっき膜51上に所定パターンのめっきレジスト54が形成される図3A。電解めっき処理により、開口50a、開口50bがめっきで充填されると共に、めっきレジスト非形成部に電解めっき膜56が形成される図3B。めっきレジスト54が除去され、電解めっき膜56間の無電解めっき膜51が除去される。第2導体層58及び第1ビア導体59A、接続ビア導体59Bが完成する図3C。第2導体層と第1樹脂絶縁層上に第2樹脂絶縁層60が形成される図3D。第2樹脂絶縁層の厚みは25~45μmであることが好ましい。第2樹脂絶縁層はシリカなどの無機粒子とエポキシ樹脂を含む。さらに、第2樹脂絶縁層はガラスクロスなどの補強材を含んでも良い。第2樹脂絶縁層60にレーザで、第2ビア導体を形成するための開口60aが形成される図4A。第2ビア導体のトップ径は第1ビア導体や接続ビア導体のトップ径より小さいことが好ましい。樹脂絶縁層の層数が少なくなる。無電解めっき処理により第2樹脂絶縁層60の表面に無電解めっき膜61が形成される図4B。無電解めっき膜61上に所定パターンのめっきレジスト64が形成される図4C。電解めっき処理により、開口60aはめっきで充填されると共に、めっきレジスト非形成部に電解めっき膜66が形成される図5A。めっきレジスト64が除去され、電解めっき膜66間の無電解めっき膜61が除去される。第3導体層68及び第2ビア導体69が完成する図5B。第3導体層の厚みは第2導体層の厚みより薄い。さらに、第3導体層の厚みは第1導体層の厚みより薄いことが好ましい。第2樹脂絶縁層と第3導体層上に開口80aを備えるソルダーレジスト層80が形成される図6A。両面銅張積層板30と銅箔40が分離される図6B。銅箔40が選択エッチング液でエッチングにより除去される図6C。エッチング液として、例えば、特開2005-105411に開示されているエッチング液が用いられる。続いて、外部端子42上のニッケル膜42Nが選択エッチング液でエッチングにより除去される。外部端子上の金膜が露出する。プリント配線板10が完成する。エッチング液として、例えば、日本化学産業株式会社製のNickelselectiveetchantNCが用いられる。ソルダーレジスト層80の開口80aにより露出する第3導体層または第2ビア導体に半田バンプ86Uが形成され、第1導体層42に半田バンプ86Dが形成される。半田バンプを有するプリント配線板1000が完成する図7。そして、半田バンプ86Dを介してパッケージ基板100がプリント配線板10に搭載され、半田バンプ86Uを介してドータボード200にプリント配線板1000が実装される図8。実施形態2実施形態1では樹脂絶縁層の層数が2層である。但し、層数は2層に限定されない。上述の図3D~図5Bと同様の工程により、第2樹脂絶縁層と第3導体層上に第3樹脂絶縁層70、第3ビア導体79と第4導体層78を形成することができる。第3樹脂絶縁層の厚みは第2樹脂絶縁層の厚みと同じである。第3ビア導体用の開口のトップ径とボトム径の大きさは第2ビア導体用の開口のトップ径とボトム径の大きさと同様である。第4導体層の厚みは第3導体層の厚みと同様であり、第2導体層の厚み/第4導体層の厚みの関係は第2導体層の厚み/第3導体層の厚みの関係と同様である。第1導体層の厚み/第4導体層の厚みの関係は、第1導体層の厚み/第3導体層の厚みの関係と同様である。図6Aと同様に第3樹脂絶縁層と第4導体層上にソルダーレジスト層が形成される。それ以降、実施形態1と同様な工程で半田バンプを有するプリント配線板が製造される図9。実施例図1~図6を参照し、実施例のプリント配線板の製造方法が以下に説明される。厚さ0.8mmの両面銅張積層板30と、厚さ5μmの銅箔40が準備される図1A。両面銅張積層板30に銅箔40が超音波により接合される図1B。銅箔上に所定パターンのめっきレジストが形成され、めっきレジスト非形成部に電解めっきによりニッケル膜42Nが形成される。ニッケル膜の厚さは5μmである。ニッケル膜上に電解めっきで金膜42Aとニッケル膜420Nが形成される。ニッケル膜420N上に電解銅めっきで第1導体層42が形成される。第1導体層の厚みは15μmである。めっきレジストが除去される図1C。銅箔40のICチップ取り付け位置にAu-Snペーストによりダイアタッチ44が形成される図1D。該ダイアタッチ44上にICチップ90が搭載される図2A。ICチップの背面がダイアタッチに接着される。電子部品の厚みTは100μmである。熱処理でダイアタッチが硬化する。シリカ粒子とエポキシ樹脂を含むBステージの樹脂フィルムが電子部品90と第1導体層上に積層される。その後、熱処理で樹脂フィルムは硬化する。第1樹脂絶縁層が銅箔と第1導体層上に形成される。ICチップが内蔵される図2B。第1樹脂絶縁層の厚みは140μmである。第1樹脂絶縁層50にレーザで、第1ビア導体を形成するための開口50aと、接続ビア導体を形成するための開口50bが形成される図2C。開口50aのトップ径e2は120μmであり、開口50bのトップ径e4は60μmである。両者のボトム径e1、e3は45μmである。無電解銅めっき処理により第1樹脂絶縁層50の表面に無電解銅めっき膜51が形成される図2D。無電解銅めっき膜51上に所定パターンのめっきレジスト54が形成される図3A。電解銅めっき処理により、開口50a、開口50bが銅めっきで充填されると共に、めっきレジスト非形成部に電解銅めっき膜56が形成される図3B。めっきレジスト54が除去され、電解銅めっき膜56間の無電解銅めっき膜51が除去される。第2導体層58及び第1ビア導体59A、接続ビア導体59Bが完成する図3C。第2導体層の厚みは30μmである。第2導体層と第1樹脂絶縁層上に第2樹脂絶縁層60が形成される。図3D。第2樹脂絶縁層の厚みは35μmである。第2樹脂絶縁層はシリカ粒子とエポキシ樹脂とガラスクロスを含む。第2樹脂絶縁層60にレーザで、第2ビア導体を形成するための開口60aが形成される図4A。開口60aのトップ径は50μmであり、ボトム径は45μmである。無電解銅めっき処理により第2樹脂絶縁層60の表面に無電解銅めっき膜61が形成される図4B。無電解銅めっき膜61上に所定パターンのめっきレジスト64が形成される図4C。電解銅めっき処理により、開口60aは銅めっきで充填されると共に、めっきレジスト非形成部に電解銅めっき膜66が形成される図5A。めっきレジスト64が除去され、電解銅めっき膜66間の無電解銅めっき膜61が除去される。第3導体層68及び第2ビア導体69が完成する図5B。第3導体層の厚みは12μmである。第2樹脂絶縁層と第3導体層上に開口80aを備えるソルダーレジスト層80が形成される図6A。両面銅張積層板30と銅箔40が分離される図6B。銅箔40が特開2005-105411に開示されているエッチング液で除去される。続いて、外部端子上のニッケル膜42Nが選択エッチング液でエッチングにより除去される。外部端子上の金膜が露出する。エッチング液として、例えば、日本化学産業株式会社製のNickelselectiveetchantNCが用いられる。プリント配線板10が完成する図6C。