炭化珪素からなる基板を準備する工程と、前記基板に接触するゲート酸化膜を形成する工程と、前記基板と前記ゲート酸化膜との界面を含む領域に窒素原子を導入する工程とを備え、前記窒素原子を導入する工程では、前記ゲート酸化膜が形成された前記基板を、窒素原子を含み酸素原子を含まない窒化処理ガスが1200°Cを超える温度に加熱されて形成された雰囲気ガス中において加熱することにより、前記基板と前記ゲート酸化膜との界面を含む領域に窒素原子が導入される、半導体装置の製造方法。前記窒素原子を導入する工程では、前記窒化処理ガスが1400°C以下の温度に加熱されて形成された前記雰囲気ガス中において前記基板を加熱することにより前記基板と前記ゲート酸化膜との界面を含む領域に窒素原子が導入される、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記窒素原子を導入する工程では、窒素原子を含み酸素原子を含まないガスと、窒素ガスとを含み、残部不純物からなる前記窒化処理ガスが加熱されて形成された前記雰囲気ガス中において前記基板を加熱することにより前記基板と前記ゲート酸化膜との界面を含む領域に窒素原子が導入される、請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。前記窒素原子を導入する工程では、NH3を含む前記窒化処理ガスが加熱されて形成された前記雰囲気ガス中において前記基板を加熱することにより前記基板と前記ゲート酸化膜との界面を含む領域に窒素原子が導入される、請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記窒素原子を導入する工程では、NH3と、N2とを含み、残部不純物からなる前記窒化処理ガスが加熱されて形成された前記雰囲気ガス中において前記基板を加熱することにより前記基板と前記ゲート酸化膜との界面を含む領域に窒素原子が導入される、請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記ゲート酸化膜を形成する工程では、前記基板を構成する炭化珪素のカーボン面側の面からなる前記基板の表面に接触するように前記ゲート酸化膜が形成される、請求項1~5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記ゲート酸化膜を形成する工程では、前記基板を構成する炭化珪素の{0001}面に対するオフ角が50°以上65°以下である前記基板の表面に接触するように前記ゲート酸化膜が形成される、請求項1~6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記ゲート酸化膜を形成する工程では、前記基板を構成する炭化珪素の{11-20}面からなる前記基板の表面に接触するように前記ゲート酸化膜が形成される、請求項1~5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記窒素原子を導入する工程では、CVD法により形成された炭化珪素からなる炉心管を有する炉内に配置された前記基板を加熱することにより前記基板と前記ゲート酸化膜との界面を含む領域に窒素原子が導入される、請求項1~8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。上述のように、特許文献1および2ならびに非特許文献1および2において提案されている方法では、基板とゲート酸化膜との界面を含む領域に窒素原子を導入する工程において、NOやNO2などの窒素原子および酸素原子を含む窒化処理ガス中で基板が加熱されるため、高温で基板を加熱する際には基板とゲート酸化膜との界面を含む領域において酸化が進行する。そのため、これらの方法においては、高温で基板を加熱する際に上記領域に存在する界面準位を十分に低減することができず、その結果所望のチャネル移動度を有するMOSFETを得ることは困難になるという問題がある。したがって、MOSFETのチャネル移動度の向上という観点から、基板とゲート酸化膜との界面を含む領域における酸化を抑制しつつ窒素原子を導入することにより、上記領域に存在する界面準位をより効果的に低減するための方法が要求される。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、チャネル移動度を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供することである。本発明に従った半導体装置の製造方法は、炭化珪素からなる基板を準備する工程と、基板に接触するゲート酸化膜を形成する工程と、基板とゲート酸化膜との界面を含む領域に窒素原子を導入する工程とを備えている。そして、窒素原子を導入する工程では、ゲート酸化膜が形成された基板を、窒素原子を含み酸素原子を含まない窒化処理ガスが1200°Cを超える温度に加熱されて形成された雰囲気ガス中において加熱することにより、基板とゲート酸化膜との界面を含む領域に窒素原子が導入される。ここで、本発明に従った半導体装置の製造方法では、窒化処理ガスは、窒素原子を含み酸素原子を含まない一種又は複数種のガスを含み、残部不純物からなるガスであってもよいし、当該ガスに、窒素原子および酸素原子を含まない一種又は複数種のガスをさらに含むものであってもよい。また、本発明に従った半導体装置の製造方法では、実質的に酸素原子を含まない窒化処理ガスが1200°Cを超える温度に加熱されて形成された雰囲気ガス中において基板が加熱される。すなわち、本発明に従った半導体装置の製造方法では、基板は、実質的に酸素原子を含む雰囲気ガス中において1200°C以上の温度に加熱されない。ここで、実質的に酸素原子を含まない窒化処理ガスとは、酸素原子を含むガスが意図的に導入されないガスを意味しており、不純物としての酸素原子を含むガスを含む。本発明に従った半導体装置の製造方法では、基板とゲート酸化膜との界面を含む領域に窒素原子を導入する工程において、窒素原子を含み酸素原子を含まない窒化処理ガスが1200°Cを超える温度に加熱されて形成された雰囲気ガス中にて基板が加熱される。そのため、1200°Cを超える高温で基板を加熱した場合においても窒化処理ガスの分解による酸素の発生が抑制され、基板とゲート酸化膜との界面を含む領域において、酸化の進行を抑制しつつ窒素原子を導入することが可能になる。したがって、本発明に従った半導体装置の製造方法によれば、基板とゲート酸化膜との界面を含む領域に窒素原子を導入して上記領域に存在する界面準位を低減することにより、チャネル移動度を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。上記半導体装置の製造方法において、窒素原子を導入する工程では、窒化処理ガスが1400°C以下の温度に加熱されて形成された雰囲気ガス中において基板を加熱することにより基板とゲート酸化膜との界面を含む領域に窒素原子が導入されてもよい。このように、窒化処理ガスを加熱する温度は、加熱によるゲート酸化膜への損傷を回避することが可能な範囲に設定することができる。上記半導体装置の製造方法において、窒素原子を導入する工程では、窒素原子を含み酸素原子を含まないガスと、窒素ガスとを含み、残部不純物からなる窒化処理ガスが加熱されて形成された雰囲気ガス中において基板を加熱することにより基板とゲート酸化膜との界面を含む領域に窒素原子が導入されてもよい。これにより、窒素原子を含み酸素原子を含まない上記ガスから発生する窒素により、基板とゲート酸化膜との界面を含む領域における窒素原子の導入の効率低下を抑制することができる。その結果、基板とゲート酸化膜との界面を含む領域において、より効果的に窒素原子を導入することができる。上記半導体装置の製造方法において、窒素原子を導入する工程では、NH3を含む窒化処理ガスが加熱されて形成された雰囲気ガス中において基板を加熱することにより基板とゲート酸化膜との界面を含む領域に窒素原子が導入されてもよい。このように、窒化処理ガスは、取り扱いが比較的容易なNH3を含むガスであってもよい。上記半導体装置の製造方法において、窒素原子を導入する工程では、NH3と、N2とを含み、残部不純物からなる窒化処理ガスが加熱されて形成された雰囲気ガス中において基板を加熱することにより基板とゲート酸化膜との界面を含む領域に窒素原子が導入されてもよい。これにより、NH3ガスから発生する窒素により、基板とゲート酸化膜との界面を含む領域における窒素原子の導入の効率低下を抑制することができる。その結果、基板とゲート酸化膜との界面を含む領域において、より効果的に窒素原子を導入することができる。上記半導体装置の製造方法において、ゲート酸化膜を形成する工程では、基板を構成する炭化珪素のカーボン面側の面からなる基板の表面に接触するようにゲート酸化膜が形成されてもよい。また、上記半導体装置の製造方法において、ゲート酸化膜を形成する工程では、基板を構成する炭化珪素の{0001}面に対するオフ角が50°以上65°以下である基板の表面に接触するようにゲート酸化膜が形成されてもよい。また、上記半導体装置の製造方法において、ゲート酸化膜を形成する工程では、基板を構成する炭化珪素の{11-20}面からなる基板の表面に接触するようにゲート酸化膜が形成されてもよい。このような結晶面から構成される基板の表面においては酸化が進行し易いため、本発明に従った半導体装置の製造方法を好適に用いることができる。ここで、六方晶の単結晶炭化珪素の0001面はシリコン面、000-1面はカーボン面とそれぞれ定義される。また、カーボン面側の面とは、カーボン面として定義される000-1面とのなす角が10°以下である面を意味している。また、{11-20}面からなる基板の表面とは、基板を構成する炭化珪素の{11-20}面に対するオフ角が0°以上10°以下である基板の表面を意味している。上記半導体装置の製造方法において、窒素原子を導入する工程では、CVD法により形成された炭化珪素からなる炉心管を有する炉内に配置された基板を加熱することによりゲート酸化膜と基板との界面を含む領域に窒素原子が導入されてもよい。このように、窒素原子を導入する工程において、耐熱性に優れた炉心管を有する炉を採用することにより、窒化処理ガスを上記温度範囲に加熱することがより容易になる。以上の説明から明らかなように、本発明に従った半導体装置の製造方法によれば、チャネル移動度を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。また、本明細書中においては、個別方位を、集合方位を<>、個別面を、集合面を{}でそれぞれ示す。また、負の指数については、結晶学上、-バーを数字の上に付けることになっているが、本明細書中では、数字の前に負の符号を付けている。以下、本発明の一実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図1を参照して、まず、工程S10として、基板準備工程が実施される。この工程S10では、以下に説明する工程S11およびS12が実施されることにより、炭化珪素からなり、{0001}面に対するオフ角が8°以下である主表面10Aを有する基板10が準備される。まず、工程S11として、ベース基板準備工程が実施される。この工程S11では、図2を参照して、たとえば4H-SiCからなるインゴット図示しないをスライスすることにより、炭化珪素からなるベース基板11が準備される。次に、工程S12として、エピタキシャル成長層形成工程が実施される。この工程S12では、図2を参照して、エピタキシャル成長により、ベース基板11の主表面11A上に半導体層12が形成される。これにより、ベース基板11と半導体層12とを含む基板10が準備される。次に、工程S20として、活性領域形成工程が実施される。この工程S20では、以下に説明する工程S21およびS22が実施されることにより、基板10に活性領域が形成される。まず、工程S21として、イオン注入工程が実施される。この工程S21では、図3を参照して、まず、たとえばAlアルミニウムイオンが、基板10の主表面10Aを含む領域に注入されることにより、p型のボディ領域14が形成される。次に、たとえばPリンイオンが、上記Alアルミニウムイオンの注入深さよりも浅い注入深さでボディ領域14内に注入されることにより、ボディ領域14内にn型のソース領域15が形成される。そして、たとえばAlアルミニウムイオンが、上記Pリンイオンの注入深さと同等の注入深さでボディ領域14内に注入されることにより、ソース領域15に隣接するp型のコンタクト領域16が形成される。また、半導体層12において、ボディ領域14、ソース領域15およびコンタクト領域16のいずれも形成されない領域は、ドリフト領域13となる。次に、工程S22として、活性化アニール工程が実施される。この工程S22では、基板10を加熱することにより、上記工程S21において導入された不純物が活性化される。これにより、不純物が導入された領域において所望のキャリアが生成する。このようにして、基板10に活性領域が形成される。次に、工程S30として、ゲート酸化膜形成工程が実施される。この工程S30では、図4を参照して、たとえば酸素を含む雰囲気中において基板10を加熱することにより、基板10の主表面10Aに接触し、SiO2二酸化珪素からなるゲート酸化膜20が形成される。次に、工程S40として、窒素原子導入工程が実施される。この工程S40では、ゲート酸化膜20が形成された基板10を、たとえばNH3ガスなどの窒素原子を含み酸素原子を含まない窒化処理ガスが1200°Cを超える温度に加熱されて形成された雰囲気ガス中において加熱することにより、基板10とゲート酸化膜20との界面を含む領域に窒素原子が導入される。具体的には、図5を参照して、まず、CVDChemicalVaporDeposition法により形成された炭化珪素からなる炉心管4を有する炉3内の支持台5上に基板10が配置される。次に、窒化処理ガスが、図中矢印に示すように炉心管4内に導入される。そして、窒化処理ガスが、1200°Cを超える温度に加熱されることにより形成された雰囲気ガス中において基板10が加熱され、基板10とゲート酸化膜20との界面を含む領域に窒素原子が導入される。このように、この工程S40において、耐熱性に優れた炉心管4を有する炉3を採用することにより、窒化処理ガスを上記温度範囲に加熱することがより容易になる。また、この工程S40では、窒化処理ガスが1400°C以下の温度、より好ましくは1300°C以下の温度に加熱されて形成された雰囲気ガス中において基板10が加熱されてもよい。このように、窒化処理ガスを加熱する温度は、加熱によるゲート酸化膜20への損傷を抑制することが可能な範囲に設定することができる。また、上述のように、窒化処理ガスは、取り扱いが比較的容易なNH3ガスを含むものであってもよいが、これに限られるものではない。たとえば、窒化処理ガスは、NH3ガスと、N2ガスとを含み、残部不純物からなるガスであってもよい。このとき、NH3ガスの分圧は、たとえば6×103Pa以上6×104Pa以下とされる。このように、窒化処理ガス中にN2ガスを添加してNH3ガスを希釈することにより、NH3ガスからのN2ガスの発生が抑制される。これにより、基板10とゲート酸化膜20との界面を含む領域における窒素原子の導入の効率低下が抑制され、その結果基板10とゲート酸化膜20との界面を含む領域において、より効果的に窒素原子を導入することができる。また、窒化処理ガスは、窒素原子を含み酸素原子を含まないガスとしてNH3およびヒドラジンのうちの一種又は複数種のガスを含んでいてもよく、たとえばArアルゴンやHeヘリウムなどの窒素原子および酸素原子を含まないガスのうち一種又は複数種のガスをさらに含んでいてもよい。次に、工程S50として、ゲート電極形成工程が実施される。この工程S50では、図6を参照して、たとえばLPLowPressureCVD法により、不純物が添加されたポリシリコン膜が形成される。これにより、一方のボディ領域14上から他方のボディ領域14上にまで延在するようにゲート酸化膜20上に接触するゲート電極30が形成される。次に、工程S60として、層間絶縁膜形成工程が実施される。この工程S60では、図7を参照して、たとえばCVD法により、SiO2二酸化珪素からなる層間絶縁膜40が、ゲート酸化膜20とともにゲート電極30を取り囲むように形成される。次に、工程S70として、オーミック電極形成工程が実施される。この工程S70では、図8を参照して、まず、ソース電極50を形成すべき領域において、層間絶縁膜40およびゲート絶縁膜20が除去され、ソース領域15およびコンタクト領域16が露出した領域が形成される。そして、当該領域にたとえばNiからなる金属膜が形成される。一方、ベース基板11の主表面11Aとは反対側の主表面11B上に、同様にNiからなる金属膜が形成される。そして、上記金属膜を加熱することにより、上記金属膜の少なくとも一部がシリサイド化され、基板10に対して電気的に接続されたソース電極50およびドレイン電極70が形成される。次に、工程S80として、パッド電極形成工程が実施される、この工程S80では、図9を参照して、たとえば蒸着法により、Alアルミニウムなどの導電体からなるソースパッド電極60が、ソース電極50および層間絶縁膜40を覆うように形成される。また、ドレイン電極70上において、ソースパッド電極60と同様に、たとえば蒸着法によりAlアルミニウムなどの導電体からなるドレインパッド電極80が形成される。以上の工程S10~S80が実施されることによりMOSFET1が製造され、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法が完了する。以上のように、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、基板10とゲート酸化膜20との界面を含む領域に窒素原子を導入する工程S40において、窒素原子を含み酸素原子を含まない窒化処理ガスが1200°Cを超える温度に加熱されて形成された雰囲気ガス中にて基板10が加熱される。そのため、1200°Cを超える高温で基板10を加熱した場合においても窒化処理ガスの分解による酸素の発生が抑制され、基板10とゲート酸化膜20との界面を含む領域において、酸化の進行を抑制しつつ窒素原子を導入することが可能になる。このように、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、基板10とゲート酸化膜20との界面を含む領域に存在する界面準位を低減することにより、チャネル移動度を向上させることが可能な半導体装置の製造方法となっている。また、上記本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、基板10を構成する炭化珪素のカーボン面側の主表面10Aを有する基板10や、基板10を構成する炭化珪素の{0001}面に対するオフ角が50°以上65°以下である主表面10Aを有する基板10や、基板10を構成する炭化珪素の{11-20}面からなる主表面10Aを有する基板10が準備されてもよく、そして当該主表面10A上に接触するようにゲート酸化膜20が形成されてもよい。このような結晶面から構成される基板10の主表面10A上においては、炭化珪素の酸化が特に進行し易いため、基板10とゲート酸化膜20との界面を含む領域における酸化を抑制することが可能な上記本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を好適に用いることができる。また、このような結晶面から構成される基板10の主表面10A上にゲート酸化膜20を形成することにより、MOSFET1のチャネル移動度をより向上させることができる。MOSFETのチャネル移動度と、基板とゲート酸化膜との界面を含む領域に窒素原子を導入する工程における基板の加熱温度との関係について、本発明の半導体装置の製造方法の効果を確認する実験を行なった。まず、図2~図4を参照して、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法により、活性領域が形成された基板を準備し、当該基板の主表面上にゲート酸化膜を形成した。また、基板としては、0001面に対する対するオフ角が8°以下である主表面を有する基板を準備した。次に、ゲート酸化膜が形成された基板を、NH3を含む窒化処理ガス中において1150°C、1200°C、1250°Cおよび1300°Cの温度でそれぞれ加熱した。そして、図6~図9を参照して、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法によりMOSFETを完成させ、それぞれの加熱温度で製造した場合についてMOSFETのチャネル移動度を調査した実施例1。また、比較例として、NOを含む窒化処理ガス中において基板を加熱した場合についても同様にMOSFETのチャネル移動度を調査した比較例1。表1は、実施例1および比較例1におけるMOSFETのチャネル移動度と窒素原子を導入する工程における基板の加熱温度との関係を示している。上記実験結果について以下に説明する。表1から明らかなように、比較例1では、1300°Cで基板を加熱した場合には、1150°C以上1250°C以下の温度で基板を加熱した場合に比べてチャネル移動度が低下したのに対し、実施例1では、1150°C以上1300°C以下の温度範囲において基板の加熱温度の上昇に伴いチャネル移動度も増加した。このことから、NH3を含む窒化処理ガスを採用した場合には、窒素原子を導入する工程での基板の加熱温度が1150°C以上1300°C以下の範囲において、加熱温度の上昇によりチャネル移動度が向上するため、より高いチャネル移動度を達成可能であることが確認された。次に、MOSFETのチャネル移動度に対して、基板のゲート酸化膜を形成する主表面の面方位が与える影響を調査する実験を行なった。まず、実施例1と同様に、ゲート酸化膜が形成された基板を準備した。ここで、本実施例では、{03-38}面からなる主表面を有する基板を準備し、当該主表面上に接触するようにゲート酸化膜を形成した。そして、実施例1と同様に、MOSFETを完成させ、それぞれの加熱温度で製造した場合についてMOSFETのチャネル移動度を調査した実施例2。また、比較例として、NOを含む窒化処理ガス中において基板を加熱した場合についても同様にMOSFETのチャネル移動度を調査した比較例2。表2は、実施例2および比較例2におけるMOSFETのチャネル移動度と窒素原子を導入する工程における基板の加熱温度との関係を示している。上記実験結果について以下に説明する。表2から明らかなように、上記実施例1および比較例1と同様に、比較例2においては、1300°Cで基板を加熱した場合に1150°C以上1250°C以下の温度で基板を加熱した場合に比べてチャネル移動度が低下したのに対し、実施例2においては、1150°C以上1300°C以下の温度範囲において基板の加熱温度の上昇に伴いチャネル移動度も増加した。このことから、{03-38}面からなる主表面上にゲート酸化膜を形成した場合であっても、NH3を含む窒化処理ガスを採用したすることにより、1150°C以上1300°C以下の温度範囲においては加熱温度の上昇によりチャネル移動度が向上するため、より高いチャネル移動度を達成可能であることが確認された。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。