半導体機能部と、レーザ光を透過させる支持基板部と、を、前記半導体機能部と前記支持基板部との間に設けられた接合部を介して互いに対向させる配置工程であって、前記接合部は、接合層と、前記接合層と前記支持基板部との間に設けられレーザ光に対する吸収率が前記接合層の前記レーザ光に対する吸収率以上である光吸収層と、を含む、配置工程と、前記レーザ光を、前記支持基板部を介して前記光吸収層に照射し、前記レーザ光により加熱された前記光吸収層からの熱伝導により前記接合層を溶融させ、前記半導体機能部と前記支持基板部とを接合する工程と、を備えた半導体装置の製造方法。前記光吸収層の前記レーザ光に対する反射率は、60パーセント以下であり、前記接合層の融点は、摂氏100度以上、摂氏300度以下である請求項1記載の半導体装置の製造方法。前記支持基板部の熱伝導率は、前記接合部の熱伝導率よりも高い請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。前記光吸収層の1つの照射位置における前記レーザ光の照射時間は、40マイクロ秒以下である請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。前記光吸収層は、Cr、Ti、W、Ni、V、Mn、Fe、Co、Ge、CおよびSiから選択された少なくとも1つを含む請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。前記支持基板部は、Si、SiC、ダイヤモンド、GaN、AlGaN、AlNおよびBNのいずれかを含む請求項1~5のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。前記支持基板部は、Si基板を含み、前記光吸収層は、Cr、TiおよびCから選択された少なくとも1つを含む請求項1~5のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。前記光吸収層の厚さは、10ナノメートル以上、200ナノメートル以下であり、前記接合部の厚さは、1マイクロメートル以上である請求項1~7のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。前記接合層は、Au、Ag、In、Sn、Zn、Pb、Ga、BiおよびCdから選択された少なくとも1つを含む請求項1~8のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。半導体機能部と、支持基板部と、前記半導体機能部と前記支持基板部との間に設けられ、前記支持基板部の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する接合層と、前記接合層と前記支持基板部との間に設けられた光吸収層と、を含み、前記半導体機能部と前記支持基板部とを接合する接合部と、を備えた半導体装置。実施形態は、半導体層へのダメージを抑制する半導体装置およびその製造方法を提供する。実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体機能部と、レーザ光を透過させる支持基板部と、を、前記半導体機能部と前記支持基板部との間に設けられた接合部を介して互いに対向させる配置工程を備える。前記接合部は、接合層と、光吸収層と、を含む。前記光吸収層は、前記接合層と前記支持基板部との間に設けられ、レーザ光に対する吸収率が前記接合層の前記レーザ光に対する吸収率以上である。前記製造方法は、前記レーザ光を、前記支持基板部を介して前記光吸収層に照射し、前記レーザ光により加熱された前記光吸収層からの熱伝導により前記接合層を溶融させ、前記半導体機能部と前記支持基板部とを接合する工程をさらに備える。以下に、各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。[第1の実施形態]図1a及び図1bは、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する模式断面図である。図1aに表したように、本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、半導体機能部10と、支持基板部20と、が用いられる。本製造方法では、半導体機能部10と、支持基板部20と、を接合部30を介して互いに対向させる配置工程。接合部30は、接合層33と、光吸収層31と、を含む。光吸収層31は、接合層33と支持基板部20との間に設けられる。光吸収層31の、レーザ光に対する吸収率は、接合層33の、そのレーザ光に対する吸収率以上である。例えば、光吸収層31の吸収率は、接合層33の吸収率よりも高い。この例では、接合層33は、第1接合膜33aと、第2接合膜33bと、を含む。第1接合膜33aは、光吸収層31と、半導体機能部10と、の間に設けられる。第2接合膜33bは、第1接合膜33aと、半導体機能部10と、の間に設けられる。例えば、半導体機能部10の主面に第2接合膜33bが設けられる。一方、支持基板部20の主面に光吸収層31が設けられ、光吸収層31の上に第1接合膜33bが設けられる。そして、上記の対向させる工程配置工程においては、第1接合膜33aと第2接合膜33bとが互いに対向するように、半導体機能部10と支持基板部20とを互いに対向させる。このように、接合部30は、半導体機能部10に設けられた第2接合膜33bと、支持基板部20に設けられた光吸収層31と、を含む。接合部30は、光吸収層31の上に設けられた第1接合膜33aをさらに含む。図1bに表したように、本製造方法では、半導体機能部10と、支持基板部20と、を、接合部30を介して互いに接合する。すなわち、半導体機能部10と支持基板部20とを、接合部30を介して対向させて、第1接合膜33aの第1接合面33xと、第2接合膜33bの第2接合面33yと、を接触させる。第1接合面33xは、第1接合膜33aの表面であり、第2接合面33yは、第2接合膜33bの表面である。次に、支持基板部20を透過するレーザ光を、支持基板部20を介して光吸収層31に照射する。レーザ光により加熱された光吸収層31からの熱伝導により第1接合膜33aおよび第2接合膜33bを溶融させ、半導体機能部10と支持基板部20とを接合する。このとき、レーザ光を光吸収層31の主面31xに沿って走査し、上記の溶融と上記の接合を、例えば、接合面33fの全面に渡って行う。本製造方法によって製造された半導体装置110は、半導体機能部10と、支持基板部20と、接合部30と、を含む。接合部30は、半導体機能部10と支持基板部20との間に設けられる。接合部30は、支持基板部20の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する接合層33と、接合層33と支持基板部20との間に設けられた光吸収層31と、を含む。接合部30は、半導体機能部10を支持基板部20に接合する。半導体機能部10は、例えば、結晶成長用の基板上に成長された半導体層を含む。この半導体層は、半導体装置の機能素子となる。例えば、支持基板部20に接合される半導体機能部10の接合面に、第2接合膜33bとなる接合メタル層を形成する。第2接合膜33bの材料として、例えば、はんだ材を用いることができる。または、第2接合膜33bの材料として、合金化することにより低融点となる金属を用いても良い。例えば、ウェーハの一部に設けられた半導体機能部10を部分的に接合する場合には、半導体機能部10の形状に接合部30をパターニングしても良い。本実施形態においては、レーザ光照射によって接合面において溶融を生じさせる。このため、支持基板部20として、照射するレーザ光を透過させる材料を用いる。例えば、支持基板部20は、レーザ光に対して光学的に透明である。支持基板部20によりレーザ光が吸収される場合も、エネルギー損失が低いことが望ましい。また、機能素子の特性の観点からは、支持基板部20の熱伝導率は高いほど良い。一方、半導体機能部10を支持基板20に接合する観点からは、熱伝導が低いほど有利である。これらをバランスよく適合させる材料として、例えば、シリコンSi、シリコンカーバイドSiC、ダイアモンド、窒化ガリウムGaN等の半導体基板、または、窒化アルミニウムAlN、窒化ボロンBN等の焼結基板が挙げられる。これらを支持基板部20に用いることが好ましい。調達コストや生産性を考慮した場合、支持基板部20にSi基板を用いることが好ましい。さらに、半導体機能部10との間の電気的な接続を考慮する場合、半導体基板は、n形またはp形にドープされ、導電性を有していることが望ましい。支持基板部20の半導体機能部10の側の面には、レーザ光を効率的に吸収する光吸収層31と、第1接合膜33aと、が順に設けられる。光吸収層31は、例えば、レーザ光に対し低反射高光吸収率を有する。これにより、光吸収層31において、レーザ光を効率よく熱に変換できる。光吸収層31の反射率をRm、支持基板部20の光吸収率をr0<r≪1-Rmとすれば、支持基板部20に入射したレーザ光のうちで、光吸収層31において吸収されるエネルギーEA31は、EA31=1-Rm1-r1と表される。一方、支持基板部20において吸収されるレーザ光のエネルギーEA20は、基板内部での反射分が加わり、EA20=r11-rRm2と表される。EA31とEA20との関係は、以下の数式3で表される。この式から分かるように、Rmが高いほど、支持基板部20で吸収されるエネルギーEA20の、光吸収層31で吸収されるエネルギーEA31に対する比率EA20/EA31が大きくなる。rが0でない場合、支持基板部20においてレーザ光が吸収される。上記を考慮して、光吸収層31の反射率Rmは、例えば、60パーセント以下とする。これにより、支持基板部20の加熱を避けつつ光吸収層31を効率的に加熱することができる。また、光吸収層31の厚さは、熱拡散の観点から薄いほど良い。光吸収層31の反射率は、光吸収層31の屈折率nikkは、光吸収層31の消衰係数、および支持基板部20の屈折率nsubで表すと、である。レーザ光の光吸収層31への侵入長Lは、で表される。ここで、λは、レーザ光の波長である。光吸収層31の厚さを侵入長Lよりも薄くすると、レーザ光の吸収効率が低下する。侵入長Lの小さい材料においては、反射率Rmが高い。このため、吸収長Lには下限が存在する。したがって、光吸収層31の厚さと、吸収長Lと、をバランスよく適合させる物性値を持つ材料を光吸収層31に用いることが好ましい。例えば、光吸収層31の厚さは、10ナノメートルnm以上、2マイクロメートルμm以下の範囲である事が好ましく、効率をより高くするために、10nm以上、200nm以下の厚さであることがさらに好ましい。また、レーザ光の侵入長Lは、1μm以下とすることが望ましい。レーザ光の進入長Lが長いと、必要な光吸収層31の厚さも長くなるため、加熱領域が広くなる。これは、目標とする温度まで昇温させる間に蓄えられる熱エネルギーが増大することを意味し、最終的な基板温度の上昇を招く。一方、光吸収層31が侵入長Lよりも薄いと、光吸収層31での光吸収が減少するとともに接合層の反射が増え、反射光による基板加熱が増大することがある。レーザ光の侵入長を1μm以下とすることで、熱の蓄積量の少ない、薄い光吸収層31を利用できる。光吸収層31に用いる材料は、照射するレーザ光の波長によって異なる。例えば、近赤外領域、および、それよりも短波長側の領域では、Cr、Ti、W、Ni、V、Mn、Fe、CoおよびCダイヤモンドを除くを光吸収層31に用いることができる。可視光~紫外領域においては、Cr、Ti、W、Ni、V、Mn、Fe、CoおよびCダイヤモンドを除くに加えて、SiおよびGeも用いることができる。さらに、光吸収層31の材料は、支持基板部20に含まれる基板に適合するように選択することが好ましい。例えば、支持基板部20がSi基板を含む場合、光吸収層31は、Cr、TiおよびCから選択された少なくとも1つを含む。また、光吸収層31の厚さは、10nm以上、200nm以下であることが望ましい。CrおよびTiは、光吸収の機能に加えて、支持基板部20と、接合部30と、の間の密着性を向上させる。カーボンC但し、結晶質ではないは、レーザ光を効率良く吸収する。このため、カーボンを用いると低エネルギーのレーザ光で接合層33の溶融が可能となる。すなわち、カーボンを光吸収層31に用いると、レーザ光のスポット照射範囲を広くすることが可能となり、生産性を向上できる。実施形態において、例えば、支持基板部20が支持基板21としてAlN基板を含む場合、光吸収層31は、Cr、Ti、C、SiおよびGeから選択された少なくとも1つを含む。例えば、支持基板部20が支持基板21としてSiC基板を含む場合、光吸収層31は、Cr、Ti、C、SiおよびGeから選択された少なくとも1つを含む。例えば、支持基板部20が支持基板21としてGaN基板を含む場合、光吸収層31は、Cr、Ti、C、SiおよびGeから選択された少なくとも1つを含む。例えば、支持基板部20が支持基板21としてBN基板を含む場合、光吸収層31は、Cr、Ti、C、SiおよびGeから選択された少なくとも1つを含む。AlN基板、SiC基板、GaN基板及びBN基板は、可視光を透過する。したがって、これらの基板を支持基板21に用いることにより、例えば、可視光レーザを用いて光吸収層31を加熱することが可能となる。可視光を吸収するSiまたはGeを光吸収層31に用いることができる。また、SiおよびGeの光吸収率は比較的高いので、SiまたはGeを含む光吸収層31を用いると、低エネルギーのレーザ光を用いることが可能となる。紫外線を含む短波長領域のレーザを用いる場合、レーザ光を透過する支持基板21の選択範囲は狭まるが、Al及びAgを除く多くの金属を光吸収層31に用いることができる。例えば、第1接合膜33aとしてレーザ光を吸収する金属を用いることで、第1接合膜33aに用いられる金属の層の一部を光吸収層31として用いることができる。第1接合膜33aは、第2接合膜33bと同じ、または、類似した性質の材料であることが好ましい。また、第1接合膜33aの材料と、第2接合膜33bの材料と、が合金化し低融点となる構成であっても良い。第1接合膜33aおよび第2接合膜33bの融点は、例えば、100°C以上、300°C以下である事が望ましい。これにより、半導体機能部10に設けられる電極への影響を抑制できる。第1接合膜33aおよび第2接合膜33bのそれぞれの厚さの下限は、第1接合面33xおよび第2接合面33yの微細な凹凸の高さを吸収し、ボイド等の発生を抑制する厚さである。また、第1接合膜33aと第2接合膜33bとを合わせた接合層33の厚さの上限は、それぞれの熱伝導率により定まり、例えば、3μmである。さらに、光吸収層31と、第1接合膜33aと、第2接合膜33bと、を合わせた厚さは、3μm以下であることが望ましい。生産性や加工性、電気抵抗等の観点から、第1接合膜33aおよび第2接合膜33bには、互いに異なる材料を用いる方が良い場合がある。図2a~図2cは、第1実施形態に係る半導体製造方法を例示する模式断面図である。図2aに示すように、半導体機能部10と、第2接合膜33b例えばはんだ材と、の間に中間層17を設けても良い。例えば、中間層17の全体、または、中間層17の半導体機能部に接する第1の部分17aを反射層としても良い。例えば、半導体機能部10の機能が発光である場合、半導体機能部10から放射される光に対する中間層17の反射率を、第2接合膜33bよりも高くする。これにより、第2接合膜33bにおける光の損失を抑制でき、半導体機能部10から外部への光取り出し効率を向上できる。また、例えば、半導体機能部10にコンタクトする電極が、中間層17となる。例えば、中間層17を介して、半導体機能部10と、支持基板部20と、を電気的に接続する。上記のように、中間層17の第1の部分17aが、半導体機能部10の放射する光を反射する反射電極層であっても良い。中間層17のうちの第1の部分17aと第2接合膜33bとの間の第2の部分17bを、例えば、スペーサ層とすることができる。スペーサ層は、例えば、熱拡散を遅延させる機能を持つ。また、スペーサ層に金属の拡散を抑える機能を持たせても良い。スペーサ層として機能する第2の部分17bには、例えば、はんだ材やTi等の金属を用いることができる。このようなスペーサ層を設けることにより、例えば、半導体機能部10と第1の部分17aとの界面、半導体機能部10、および、第1の部分17aの熱による損傷を抑制できる。なお、スペーサ層を設ける場合には、例えば、半導体装置全体の熱抵抗率を有意に上昇させない材料を選択し、厚さを制御する。また、図2bに示すように、光吸収層31と第1接合膜33aとの間に、第1のバリア層32を挿入しても良い。この第1バリア層32には、光吸収層31および第1接合層33aとは異なる材料を用いる。第1のバリア層32は、光吸収層31を介して接合層33から支持基板21へ移動する金属AgまたはAuなどの拡散を抑制する。第1のバリア層32は、材料が互いに異なる複数の層を含んでも良い。第1のバリア層32の熱伝導率は、第1接合膜33aの熱伝導率に比べ十分に高いことが望ましい。第1のバリア層の厚さは、第1接合膜33aに比べて十分に薄いことが望ましい。また、図2cに示すように、支持基板21と光吸収層31との間に別の材質からなる第2のバリア層22を設ける。これにより、光吸収層31に含まれる金属の支持基板21への拡散を抑制し、支持基板21と光吸収層31との間の抵抗を低減、或いは、抵抗の上昇を抑制することができる。レーザ光の光吸収層31への到達を阻害しないよう、第2のバリア層22の厚さは10nm以下、好ましくは5nm以下とする。また、第2のバリア層22は、レーザ光に対して透明でも良い。図3a~図3cは、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す模式断面図である。この例では、サファイア基板15上に結晶成長した窒化物を含む半導体機能部10を、Si基板である支持基板21を含む支持基板部20へ接合する例を挙げて説明する。図3aは、半導体機能部10と、支持基板部20と、を対向させた状態を示している。図3bは、第1接合面33xと、第2接合面33yと、を接触させ、加圧して密着させた状態を示している。図3cは、支持基板部20の側から光吸収層31にレーザ光を照射する状態を示している。図3aに表す半導体機能部10は、例えば、窒化物半導体層を含む。窒化物半導体層は、厚さ200μmのサファイア基板15の上に積層された厚さ7μm程度の半導体層である。半導体機能部10は、例えば、半導体発光素子の発光部を含む。中間層17のうちの第1の部分17aは、窒化物半導体層13の側から順に積層した厚さ140nmのAg膜と、厚さ60nmのNi膜と、を有する。第1の部分17aは、窒化物半導体層13から放射される発光を反射する。さらに、中間層17の第2の部分17bは、厚さ60nmのTiを含み、第1の部分17aを保護する。例えば、第2の部分17bは、第1の部分17aと、接合層33と、の間の金属原子の相互拡散を防止する。さらに、第2の部分17bに熱伝導率の低い材料を用いることにより、第2の部分17bは、接合層33から半導体機能部10への熱の伝導を遅らせる遅延層として機能する。第2接合膜33bは、第2の部分17bの側から順に積層した厚さ1100nmのAuと、厚さ620nmのAuSnと、を有する。一方、支持基板部20は、厚さ300μmのp形Si基板支持基板21と、厚さ約208nmの反射防止層23と、を含む。反射防止層23は、p形Si基板のレーザ光の照射側に設けられる。反射防止層23には、例えば、SiO2とSi3N4との混合体屈折率1.86を用いることができる。また、反射防止層23には、Y2O3やAl2O3などを用いても良い。なお、これらの材料の屈折率は、1.86に比較的近い。支持基板21の屈折率が高いため、支持基板21の内部で多重反射によるレーザ光の干渉が生じる場合がある。支持基板21の第1接合面33xとは反対側の面に反射防止層23を設けることで、この多重反射を抑制できる。反射防止層23は、接合工程の後に、研磨などの方法で除去することが可能である。反射防止層23は、絶縁体であっても良い。一方、第1接合面33xの側の支持基板21の面上には、光吸収層31として厚さ60nmのCr層を形成する。さらに、Cr層の上に、第1接合膜33aとして厚さ760nmのAuSnはんだ層を積層する。中間層17の第1の部分17bがAgを含み、第1接合膜33aおよび第2接合膜33bがAuを含む場合、これらの金属が支持基板21へ拡散し合金化し、合金化した領域が高抵抗化することがある。高抵抗化した部分が生じると、支持基板21を介した電流の通電の妨げとなる。本実施形態では、例えば、中間層17の第2の部分17bおよび光吸収層31が、AgやAuの拡散を抑制する。次に、図3bに表したように、第2接合膜33bと第1接合膜33aとを対向させて半導体機能部10及び支持基板部20を上部ホルダ40aと下部ホルダ40bとの間に配置する。そして、サファイア基板15の裏面側、および、支持基板部20の裏面側反射防止層23の側から圧力FPを加え、第1接合膜33aと第2接合膜33bとを密着させる。図3cに表したように、支持基板部20の裏面側から波長1550nmのレーザ光LLを照射する。下部ホルダ40b、反射防止層23および支持基板21は、波長1550nmのレーザ光を透過する。したがって、下部ホルダ40bおよび支持基板部20を透過したレーザ光LLは、光吸収層31に照射される。これにより、レーザ光LLの照射位置41における光吸収層31が加熱され、発生した熱が拡散し照射位置41の近傍加熱領域44の温度が上昇する。接合層33の内の加熱領域44の一部の領域43の温度が、その融点よりも高くなると、第1接合膜33aと第2接合膜33bとが溶融し、一体となって接合される。さらに、レーザ光LLを光吸収層31の主面に沿って走査することにより、第1接合膜33aと第2接合膜33bとを溶融し、半導体機能部10と支持基板部20とを接合することができる。例えば、支持基板21の熱伝導率を、接合層33の熱伝導率の1倍以上、10倍以下の範囲において、接合層33以上にする。これにより、光吸収層31で発生した熱エネルギーは、接合層33よりも支持基板21により多く流入する。例えば、加熱される接合層33の層厚は、支持基板21の厚さの400分の1以下とする。支持基板21の厚さは、1mm以下であり、特殊な場合でも2mm以下である。したがって、接合層33のうちで昇温させるべき部分の厚さは最大でも5μm以下とする。さらに、第1接合膜33aの厚さは4μm以下としても良い。例えば、第1接合膜33aと第2接合膜33bとの間の接触熱抵抗を考慮しても、第1接合膜33aを加熱し、さらに、第2接合膜33bを、接合界面33fから500nm以上の範囲まで加熱することが望ましい。実施形態に係る製造方法では、レーザ光LLの照射エネルギー密度と、照射時間と、を適切に制御する。これにより、接合層33を速やかに溶融し、同時に、支持基板21におけるレーザ照射位置の昇温を接合界面付近の領域に限定することが可能である。レーザ照射により生じる熱は、支持基板部20の広い範囲に広がり、支持基板21の温度をある温度に上昇させる。レーザ光LLの照射エネルギーの総量を最小に抑えることにより、支持基板21の温度の上昇が抑制される。すなわち、本実施形態によれば、半導体機能部10および支持基板部20の全体を加熱する接合方法に比べて、半導体機能部10及び支持基板部20の温度の上昇を抑制できる。これにより、半導体機能部10と、支持基板21と、の間の線熱膨張係数の違いによる応力など、温度の昇降による問題を抑制できる。図4a、図4b、図5、図6a、図6b、図7a及び図7bは、本実施形態に係る製造方法に係る特性を示すグラフ図である。これらの図は、本実施形態に係る製造方法における特性のシミュレーション結果を示す。シミュレーションにおける空間分解能は20nmとし、熱応力の影響及び熱伝導率の温度依存性は省略している。また、接合膜33aと接合膜33bとの間の接合面33fにおける接触熱抵抗は、接合部33の厚さを20nm増やすことで代用している。シミュレーションで用いられる熱伝導率TC、比熱HS、および密度DWを表1に示す。シミュレーションにおいては、接合層33における加熱領域領域43、図3参照の温度が、レーザ照射前の温度から260度以上上昇するという条件を想定している。この条件は、室温20°Cにおいて、280°Cまで加熱することに相当し、AuSnはんだの融解のための条件に対応する。支持基板21の光吸収がない場合以後、条件CAと、支持基板21の光吸収率が4cm-1である場合以後、条件CB、支持基板21の光吸収率が10cm-1である場合以後、条件CCの3つ条件における特性について説明する。図4a及び図4bは、半導体機能部10および支持基板部20における熱の拡散をシミュレーションし、温度分布を調べた結果を示すグラフである。図4aは、図4bにおける接合面33fの周辺を拡大したグラフである。横軸は、接合面33fに対して垂直な方向の位置xPを示し、縦軸は、光吸収層31の温度を基準とした規格化温度NTである。図4aおよび図4bに表したように、t1からt8へと照射時間tLを長くするにつれて、支持基板21の温度及び半導体機能部10の温度が上昇する。これは、照射時間tLが長くなると共に、周辺への熱の拡散が大きくなることを示している。このシミュレーションでは、光吸収層31はCr層である。レーザ光の波長1550nmにおけるCrの侵入長は29.4nmであり、CrとSiとの界面における反射率Rmは、25.68である。例えば、厚さ100nmのCr層は、照射されたレーザ光の約72を熱に変換する。厚さ60nmのCr層では、約65が熱に変換される。Cr層中の光吸収の分布を考慮すると、レーザ光の照射側から見て、最初の20nmにおいて36.7が変換され、次の20nmで18.6が変換される。更に、次の20nmでは、9.4のエネルギーが熱に変換される。図5は、接合層33の温度を加熱前の温度から260度上昇させるためのレーザ光の照射時間tLと、光吸収層31のピーク温度TPと、の関係を示す。横軸は、レーザ照射時間tL、縦軸は、ピーク温度TPである。ピーク温度TPは、レーザ照射時間内に接合層33を260度上昇させるのに十分なエネルギーを与えた時に達する光吸収層31の最高温度と、室温と、の差である。図5に表したように、ピーク温度TPは、レーザ照射時間tLを長くすると抑制することができる。すなわち、接合層33の温度を目標温度に上昇させる際、照射時間tLが短いと光吸収層31のピーク温度TPを高温にすることを要し、照射時間tLが長いと光吸収層31のピーク温度TPを低く抑えることができる。一方、図4a及び図4bに表したように、照射時間tLが長くなると、支持基板21および半導体機能部10の温度が上昇する。したがって、光吸収層31のピーク温度TPが極端に高くならない範囲で、照射時間tLを短く設定し、支持基板21および半導体機能部10の温度を抑制することが望ましい。例えば、接合層33に含まれるAuSnは熱伝導率が低い。このため、過度に短い時間で温度を上げようとすると、光吸収層31が高温となり過ぎ、適当でない。例えば、光吸収層31の温度上昇分を500度以下に抑え、接合層33に含まれるAuSnの温度を融点まで上昇させるには、レーザ光の照射時間を0.6マイクロ秒μs以上とする。尚、図5には、条件CA、CBおよびCCについて、レーザ光の照射時間とピーク温度の関係を示したが、それぞれの条件の間では殆ど差異がない。図6a及び図6bは、接合層33の温度を260度上昇させる場合の支持基板21の定常温度Ts初期温度からの温度上昇分と、レーザ光の照射時間tLと、の関係を示すグラフである。図6bは、図6aに破線で示した照射時間tLの短い範囲を拡大して示したグラフである。横軸に、レーザ照射時間tL、縦軸に、定常温度TSを示している。ここで、定常温度TSは、定常状態となった支持基板21の温度と、室温と、の差である。図6aおよび図6bに示すように、定常温度TSは、レーザ照射時間tLに対して単調増加する。条件CAでは、支持基板の光吸収が0零であるから、定常温度Tsは、光吸収層31からの熱伝導による温度の上昇分に相当する。条件CBおよびCCでは、それぞれ、支持基板21内での光吸収による温度上昇が、条件CAの上昇分に付加される。すなわち、光吸収率が高くなるにつれて、支持基板21の温度上昇が大きくなる。半導体機能部10への熱ダメージを抑制するためには、支持基板21の温度は低いほど良い。支持基板21の温度の上限は、例えば、接合面の面積、膨張係数の差、及び、支持基板21の厚さなどの様々な要素に依存する。また、温度の上限は、製造ラインに許容される歩留まり、および、経験値などに依存する場合もある。例えば、支持基板21Si基板の温度を60°C以下、即ち、温度上昇分を40度以内に抑えるとする。これに対応するレーザ照射時間tLは、条件CAの場合、40マイクロ秒μs以下であり、条件CBの場合、27μs以下、条件CCの場合17μs以下である。したがって、支持基板21の1つの照射位置におけるレーザ光の照射時間は、条件CAの場合、0.6~40μs、条件CBの場合、0.6~27μs、条件CCの場合、0.6~17μsとなる。図7a及び図7bは、接合層33の温度を260度上昇させるレーザ光のエネルギー密度PLと、レーザ照射時間tLと、の関係を示すグラフである。横軸は、レーザ照射時間tL、縦軸は、レーザ光のエネルギー密度PLである。図7bは、図7aにおける照射時間0~5μsの間を拡大して示している。図7aおよび図7bに表したように、条件CA、CB、CCの順で、レーザ光のエネルギー密度PLが高くなる。条件CA、CB、CCの間で、大きな差異はない。例えば、照射時間tLが1μsの場合、16~21kW/mm2のエネルギー密度PLを要する。このようなエネルギー密度PLは、例えば、1kWのファイバーレーザの出力光を、半径120μm~140μmのスポットにフォーカスすることで実現できる。また、照射時間が20μsのときは、2.3~2.9kW/mm2のエネルギー密度PLとなる。このときは、スポットの半径を330~370μmまで拡大でき、例えば、1辺の長さが500μmのLEDチップ1個を、ワンショットで接合することができる。次に、光吸収層31にCr、Co、Fe、Ni、TiまたはWを用いた場合のシミュレーション結果を示す。光吸収層31に用いられる各材料に関し、表2に示す屈折率RI、Si界面の反射率Rf、侵入長L、熱伝導率TC、比熱HS、密度DWが用いられている。光吸収層31の厚さは100nmである。なお、半導体機能部10、接合層33および支持基板20には、表1に示した物性値を用い、支持基板21の光吸収率は、10cm-1条件CCとしている。図8a、図8b、図9a、図9b、図10a及び図10bは、本実施形態に係る別の製造方法における特性を示すグラフ図である。図8a及び図8bは、接合層33の温度を加熱前の温度より260度上昇させるためのレーザ光の照射時間tLと、光吸収層31のピーク温度TPと、の関係を示すグラフである。図8bは、図8aにおける0~5μsの範囲を拡大して示す。この例は、室温を20°Cとした時に、接合層33に含まれるAuSnハンダが280°C以上となるようにレーザ光のエネルギーを調整することに対応する。図8a及び図8bから分かるように、光吸収層31のピーク温度TPと、レーザ光の照射時間tLと、の関係は、Tiを除く他の金属において、Crと殆ど同じ特性を示す。光吸収層31がTi層のときのピーク温度TPは、他の金属に比べて若干高温となる。これは、Tiの熱伝導率が他の金属と比べて低いため、光吸収層31から熱が拡散し難いためである。図9a及び図9bは、接合層33の温度を260度上昇させる場合の支持基板21の定常温度TS初期温度からの温度上昇分と、レーザ光の照射時間tLと、の関係を示すグラフである。図9bは、図9aに破線で示した照射時間tLの短い範囲を拡大して示したグラフである。横軸に、レーザ照射時間tL、縦軸に、定常温度TSを示している。図9a及び図9bに表したように、定常温度TSは、レーザ照射時間tLの増大に対し単調に増加する。定常温度TSは、Cr、Ti、Co、Fe、W、Niの順で高くなる。表2を参照すれば、定常温度TSは、各金属と支持基板21との間の界面の反射率Rfに依存していることがわかる。ここに示す金属のうちで、Niは反射率が最も高く、その分、照射するレーザ光がより高エネルギーである。例えば、Niにおいては、照射時間20μsにおいて、Crよりも15度ほど高温に加熱される。このように、Niを光吸収層31に用いると、他の材料よりも支持基板21の温度を上昇させる。その一方で、Niは、侵入長Lが浅い分、光吸収層31の厚さを薄くする事ができる。半導体機能部10の目的や用途に応じて、Niを光吸収層31として用いることができる。図10a及び図10bは、接合層33の温度を260度上昇させる場合のレーザ光のエネルギー密度PLと、レーザ照射時間tLと、の関係を示す。横軸はレーザ照射時間tL、縦軸はレーザ光のエネルギー密度PLである。図10bは、図10aにおける照射時間tLが0~5μsの間を拡大して示している。レーザ光のエネルギー密度PLは、照射時間tLが短くなるほど高くなる。また、レーザ光のエネルギー密度PLは、光吸収層31の材料に関して、Cr、Ti、Co、Fe、W、Niの順で高くなる。すなわち、レーザ光のエネルギー密度PLは、光吸収層31と支持基板21との界面における反射率Rfに依存している。すなわち、反射率Rfが低いほど、照射するレーザ光のエネルギーPLを低くすることができる。本実施形態に係る製造方法は、支持基板部20の温度上昇を抑制しつつ、接合界面の周辺を選択的に加熱し、支持基板部20と半導体機能部10とを接合することを可能とする。そして、本実施形態に係る製造方法は、熱膨張の違いによる応力または熱による、半導体機能部10へのダメージを最小限に抑制する。なお、2層の有機ポリマーの界面に色素等の光吸収体を配置し、色素にレーザ光を照射し、色素周辺のポリマーを部分的に加熱して2層のポリマーを融着する手法がある。この方法は、熱可塑性が高く熱伝導率が低い有機ポリマーを用いるため、半導体製造には適さない。また、例えば、透明な実装基板を介してレーザ光を照射しハンダを溶融することにより、半導体チップを実装基板に接着する技術があるが、この場合には、レーザ光で加熱される光吸収層は用いられない。また、実装基板の熱伝導率は、ハンダの熱伝導率よりも低い。このため、ハンダの溶融とともに半導体チップの温度も上昇し、半導体機能部が熱ダメージを受ける場合がある。これに対して、本実施形態では、半導体機能部10および支持基板20の両方の温度上昇を抑制できる。これにより、半導体機能部10の熱ダメージを抑制することができる。[第2の実施形態]図11a、図11bおよび図12は、第2の実施形態係る半導体装置の製造方法を例示する模式断面図である。図11aは、半導体機能部10と、支持基板部20と、を対向させた状態を示している。図11bは、第1接合面33xと第2接合面33yとを接触させ、加圧して密着させた状態を示している。図12は、支持基板部20の側から光吸収層31にレーザ光を照射し、接合層33を溶融する状態を示している。本実施形態では、光吸収層31として、第1接合膜33aと同じ材料が用いられている。すなわち、例えば、第1接合膜33aとなる層の一部が光吸収層31として機能する。これ以外の構成は、第1の実施形態と同様である。この例では、支持基板21の上に、光吸収機能と接合機能とを有する層が設けられ、その層のうちの表面部分が第1接合膜33aとなる。その層のうちで、支持基板21と第1接合膜33aとの間の部分例えば支持基板21に接する部分が光吸収層31となる。光吸収機能と接合機能とを有する材料を、光吸収層31及び第1接合膜33a接合層33に用いる場合において、接合層33第1接合膜33aの層厚をレーザ光の侵入長Lと同等にすることができる。これにより、例えば、光吸収層31と接合層33とを別々に設ける場合よりも、レーザ光により加熱される接合層33のピーク温度を低く抑えることができる。さらに、本実施形態では、接合層33の厚さの上限は、前述した4μmと、侵入長Lと、のうちで長い方となり、接合層33の厚さの制限が緩和される。また、前述したように、接合層33と支持基板21との間に設けられる層は、金属原子の拡散を抑制する機能を果たす。これにより、接合層33に含まれるAuや、中間層17の第1の部分17aに含まれるAgなどが支持基板21に拡散し高抵抗層を形成することを抑制できる。したがって、本実施形態は、接合層33および中間層17が、支持基板21を高抵抗化する元素を含まない場合に適用する。[第3の実施形態]図13は、第3の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する模式断面図である。本実施形態では、第2接合膜33bと第1接合膜33aとに、Au/Inの積層構造を適用する。それ以外は、第1の実施形態と同じである。図13に表したように、半導体機能部10の側では、中間層17に近い方から第2Au層35b及び第2In層36bをこの順に積層する。第2Au層35bの厚さを、例えば、900nmとし、第2In層36bの厚さを、例えば、400nmとする。一方、支持基板部20の側では、光吸収層31に近い方から第1Au層35a及び第1In層36aをこの順に積層する。第1Au層35aの厚さを、例えば400nmとし、第1In層36aの厚さを、例えば800nmとする。半導体機能部10と支持基板部20とを対向させた時に、第1In層36aと第2In層36bとが向き合う。すなわち、第1In層36aと第2In層36bとを接触させて、半導体機能部10と支持基板部20とを接合する。以下、本実施形態に係る製造方法に関するシミュレーション結果について説明する。接合界面における接触熱抵抗を、厚さ20nmのIn層で代用している。Inの融点は156.6°Cである。本シミュレーションでは、溶解したInをAuへ侵食させることにより合金化する場合を想定し、接合層33を220°Cまで昇温させることを条件とした。この条件は、室温を20°Cのときに200度昇温する場合に相当する。尚、その他の構成は、第1の実施形態と同じとした。シミュレーションに使用した物性値は、表1の通りである。図14、図15a、図15b、図16aおよび図16bは、本実施形態に係る製造方法のシミュレーション結果を示すグラフである。図14は、接合層33の温度を加熱前の温度より200度上昇させるためのレーザ光の照射時間tLと、光吸収層31のピーク温度TPと、の関係を示すグラフである。横軸はレーザ光の照射時間tL、縦軸はピーク温度TPである。図14に表したように、接合層33の温度を目標温度に上昇させるには、照射時間tLが短いと光吸収層31のピーク温度TPを高温することを要し、照射時間tLが長いと光吸収層31のピーク温度TPを低く抑えることができる。この場合も、条件CA、CBおよびCCの間で、優位な差は生じない。例えば、ピーク温度TPを500°C以下とする場合、レーザ光の照射時間tLは、0.2μs以上であれば良い。すなわち、第1の実施形態AuSnに比べて、レーザ光の照射時間tLが短くなり、支持基板21の温度の上昇を抑制することができる。図15a及び図15bは、接合層33の温度を200度上昇させる場合の支持基板21の定常温度Ts初期温度からの温度上昇分と、レーザ光の照射時間tLと、の関係を示す。図15bは、図15aに破線で示したレーザ光の照射時間tLの短い範囲を拡大して示したグラフである。横軸はレーザ照射時間tL、縦軸は定常温度TSである。支持基板21の温度上昇の制限を、第1の実施形態と同じ40度とした場合、定常温度TSに達するレーザ光の照射時間tLは、条件CCでは、32μs、条件CBでは、約50μsである。条件CAでは、定常温度TSは、シミュレーションした時間内では40度に到達しない。このように、第1の実施形態に比べて支持基板21の定常温度TSが上限に達する時間が長くなる。すなわち、レーザ光の照射時間tLが、第1の実施形態よりも緩和される。図16aおよび図16bは、接合層33の温度を200度上昇させる場合のレーザ光のエネルギー密度PLと、レーザ光の照射時間tLと、の関係を示す。横軸はレーザ照射時間tL、縦軸はレーザ光のエネルギー密度PLを示している。図16bは、図16aにおけるレーザ光の照射時間0~5μsの間を拡大して示している。レーザ光のエネルギー密度PLは、照射時間tLが長くなるにつれて低下する。条件CA、CB、CCの順で、レーザ光のエネルギー密度PLは高い方にシフトするが、その差は大きくない。例えば、レーザ光の照射時間が1μsの場合、接合層33の温度を200度上昇させるために10~15kW/mm2のエネルギー密度を要する。次に、第3の実施形態の特性を、第1の実施形態と比較して説明する。図17、図18a、図18b、図19aおよび図19bは、第1及び第3の実施形態に係る製造方法における特性を示すグラフである。図17は、接合層33を所定の温度とするレーザ光の照射時間tLと、光吸収層31のピーク温度TPと、の関係について、第1実施形態と第3実施形態との特性を示している。AuInを含む接合層33の昇温温度は、AuSnを含む接合層33の昇温温度よりも60度低い。このため、第3の実施形態に係る製造方法では、レーザ光の照射時間tLを短縮することができる。図18aおよび図18bは、支持基板21の定常温度TSと、レーザ光の照射時間tLと、の関係について、AuSnを含む接合層33と、AuInを含む接合層33と、の特性を示している。図18bは、図18aに破線で示した照射時間の短い範囲を拡大して示した図である。横軸はレーザ照射時間tL、縦軸は定常温度TSである。第3の実施形態において、定常温度TSは、レーザ照射時間tLに対して単調増加する。条件CA、CB、CCの順で、支持基板21の温度上昇が大きくなる。これは、第1の実施形態AuSnにおいても同じである。一方、条件CA、CBおよびCCのうちの同じ条件で比較した場合、AuInを含む接合層33よりも、AuSnを含む接合層33を用いた方が、定常温度TSが高く、支持基板21の温度上昇が大きい。AuInを含む接合層33を用いることで、支持基板21の温度上昇をより抑制し、半導体機能部10への熱ダメージをより低減できる。図19aおよび図19bは、レーザ光のエネルギー密度PLと、照射時間tLと、の関係において、AuSnを含む接合層33と、AuInを含む接合層33と、の特性を示す。横軸はレーザ照射時間tL、縦軸はレーザ光のエネルギー密度PLを示している。図19bは、図19aにおけるレーザ光の照射時間tLが0~5μsの間を拡大して示している。AuInを含む接合層33を用いた場合、AuSnを含む接合層33を用いた場合も、共に条件CA、CB、CCの順で、レーザ光のエネルギー密度PLが高くなる。そして、AuInを含む接合層33を用いた方が、AuSnを含む接合層33を用いる場合よりもレーザ光のエネルギー密度PLを低くすることができる。これにより、例えば、同じ出力のレーザを用いる場合でも、AuInを含む接合層33を用いた方が、レーザ光のスポットを大きくすることが可能となる。これにより、例えば、1つの照射位置において、より広い面積の接合層33を溶融できる。[第4の実施形態]図20aおよび図20bは、第4の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する模式断面図である。図20aは、半導体機能部10と、支持基板部50と、を対向させた状態を示している。図20bは、第1接合膜33aと第2接合膜33bとを接触させ、支持基板部50の側から光吸収層31にレーザ光を照射する状態を示している。本実施形態では、半導体機能部10が、支持基板部50に選択的に接合される。例えば、図20aに示すように、支持基板部50において、支持基板31の上に選択的に設けられた第1接合膜33aと、半導体機能部10に設けられた第2接合部33bと、を対向させる。支持基板31と第1接合膜33aとの間には、光吸収層31が選択的に設けられる。次に、図20bに示すように、第1接合膜33aと第2接合膜33bとを接触させた状態で、半導体機能部10と支持基板部50とに圧力FPを加えて密着させる。そして、支持基板部50を介してレーザ光を選択的に照射し、光吸収層31を加熱して接合層33を溶融し、支持基板部50に半導体機能部10を接合する。図20aおよび図20bに示す例では、半導体機能部10は、例えば、支持基板部50に接合される半導体チップである。また、支持基板部50には、半導体機能部10とは異なる機能を有する素子部51を設けても良い。例えば、素子部51は、半導体機能部10を制御する電子デバイスであり、半導体機能部10は、半導体発光素子である。これにより、半導体発光素子と、その制御部と、を集積した発光装置を形成することができる。図21aおよび図21bは、第4の実施形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を示す模式断面図である。図21aは、半導体機能部10と、支持基板部50と、を対向させた状態を示している。図21bは、第1接合膜33aと第2接合膜33bとを接触させ、支持基板部50の側から光吸収層31にレーザ光を照射する状態を示している。この例では、半導体機能部10は、基板53の一部の上に設けられる。図21aに示すように、複数の半導体機能部10を含む基板53と、支持基板部50と、を対向させる。次に、第1接合膜33aと第2接合膜33bとを接触させ、支持基板部50を介してレーザ光を照射し、半導体機能部10と、支持基板部50と、を接合する。さらに、基板53の裏面側からレーザ光を照射し、基板53と、半導体機能部10と、の界面を溶融し、基板53を半導体機能部10から分離する。これにより、支持基板部50の上に、半導体機能部10と、素子部51と、を配置した集積デバイスを形成することができる。前述したように、半導体機能部10を半導体発光素子とし、素子部51をその制御部とすることができる。また、別の機能素子を組み合わせても良い。上記の第1~第4の実施形態によれば、短時間のレーザ照射により支持基板部20の温度上昇を抑制して、支持基板部20と半導体機能部10とを互いに接合することができる。レーザ光が照射される接合部30よりも熱伝導率が高い支持基板21を用いることにより、支持基板21の温度上昇を抑制する。例えば、樹脂等を用いる接着法と同程度の温度で、半導体機能部10と支持基板部20とを互いに接合することができ、半導体機能部10に生じる熱ダメージを抑制できる。さらに、金属の接合部30を用いることにより、支持基板部20と半導体機能部10との間の電気伝導を確保でき、チップ表面と裏面との間で電流を流す縦型デバイスを容易に実現できる。また、実施形態に係る製造方法では、レーザ光が照射された部分が選択的に局所的に加熱される。このため、半導体機能部10と支持基板部20との熱膨張率の違いによる応力や、ウェーハの反りが抑制される。これにより、例えば、ウェーハの破断や粉砕を抑制でき、製造歩留まりを向上させることができる。ウェーハの反りや応力は、接合面積が大きくなるほど増大し、半導体機能部10のサイズを制限する。また、接合時の熱が、半導体機能部10に設けられた電極などの金属部の劣化や層における拡散を引き起こす可能性がある。実施形態に係る製造方法は、これらの不具合を回避し、製造効率を向上させると共に、製品の品質向上にも寄与することができる。実施形態によれば、半導体層と支持基板との接合において、半導体層へのダメージを抑制する半導体装置およびその製造方法が提供される。なお、本願明細書において、窒化物半導体とは、BxInyAlzGa1-x-y-zN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、0≦xyz≦1のIII-V族化合物半導体を含み、さらに、V族元素としては、N窒素に加えてリンPや砒素Asなどを含有する混晶も含むものとする。またさらに、導電形などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、窒化物半導体に含まれるものとする。なお、本願明細書において、垂直及び平行は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれは良い。以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、半導体装置の製造方法に用いられる半導体機能部、支持基板部および接合部の各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。その他、本発明の実施の形態として上述した半導体装置およびその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての半導体装置およびその製造方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。