"蛍光を放つイオンを含むイットリウムアルミニウムガーネットのタイプに属する化合物であり、前記化合物を構成する骨格を、A3B’2BX43の化学式で表した時に、前記Aは、少なくともイットリウムを含み、前記B’は、少なくともマグネシウムを含み、前記Bは、少なくともアルミニウムとシリコンとを含み、前記Xは少なくとも酸素を含むことを特徴とするイットリウムアルミニウムガーネットタイプの蛍光体。前記Aは、全てが希土類である請求項1に記載のイットリウムアルミニウムガーネットタイプの蛍光体。マグネシウムの総原子数およびシリコンの総原子数は、いずれも、前記化合物を構成する陰イオン12個に対して、0.1個を越え2.0個以下である請求項1に記載のイットリウムアルミニウムガーネットタイプの蛍光体。前記マグネシウムと前記シリコンとは、前記化合物中で、互いに電荷補償するように添加されている請求項1に記載のイットリウムアルミニウムガーネットタイプの蛍光体。蛍光を放つイオンを含むLn3Al2-xMgxAlO43-xxの化学式で表される化合物であり、前記Lnは、Yを少なくとも含む希土類であり、前記xは、0<x≦2を満足する数値である請求項1に記載のイットリウムアルミニウムガーネットタイプの蛍光体。前記Lnは全てがイットリウムである請求項5に記載のイットリウムアルミニウムガーネットタイプの蛍光体。人為的に加えられたGa、Lu、ScまたはGdを含まない請求項1~6のいずれかに記載のイットリウムアルミニウムガーネットタイプの蛍光体。前記蛍光を放つイオンは、Ce3である請求項1~6のいずれかに記載のイットリウムアルミニウムガーネットタイプの蛍光体。前記Ce3が放つ光の分光分布のピークは、565nmを超え650nm以下の波長範囲内に位置する請求項8に記載のイットリウムアルミニウムガーネットタイプの蛍光体。前記Ce3が放つ光の分光分布のピークは、590nmを超え630nm以下の波長範囲内に位置する請求項8に記載のイットリウムアルミニウムガーネットタイプの蛍光体。蛍光体を構成するアルミニウムの一部を、少なくともマグネシウムとシリコンの元素組み合わせで置換することによって、発光のピーク波長を565nmよりも長波長側に移動させることを特徴とする、Ce3付活イットリウムアルミニウムガーネットのタイプに属する蛍光体の蛍光波長の制御方法。請求項1~10のいずれかに記載のイットリウムアルミニウムガーネットタイプの蛍光体を用いて構成したことを特徴とする発光装置。請求項9に記載のイットリウムアルミニウムガーネットタイプの蛍光体が放つ光を、表示または照明のいずれかの目的に利用する請求項12に記載の発光装置。蛍光体を利用して構成した、半導体発光装置、照明光源、照明装置、LEDバックライト付き液晶パネル、LEDプロジェクター、または、レーザープロジェクターのいずれかである請求項13に記載の発光装置。従来のYAG系蛍光体は、例えば、YAG:Ce系蛍光体として、放つ黄緑色系光の長波長化を図る場合に、例えば、Gd2O3などの希少かつ高価な原料が必要となる組成物にせざるを得ない課題があった。このため、発光装置の低コスト化を前提として、前記発光装置の性能改善例えば、赤色表示光の色調改善や照明光の演色性の改善が求められる中で、発光装置へのYAG系蛍光体の応用が、年々困難になる課題があった。また、従来のYAG:Ce系蛍光体の発光色の制御方法では、Gdなどの希少元素を利用することなく、565nmよりも長い波長領域、特に600nmを超える橙~赤色の波長領域に発光ピークを持つ高効率蛍光体を提供することが困難な課題もあった。一方で、従来、青色光励起が可能な酸化物の高効率赤色蛍光体が無い課題もあった。青色光励起が可能な高効率の赤色蛍光体として、Eu2で付活された硫化物蛍光体とEu2で付活された窒化物系蛍光体があるものの、硫化物蛍光体は化学的に不安定であり発光装置の信頼性の面で劣る課題を抱えていたし、窒化物系蛍光体は、希土類の中でも高価なユーロピウムを必須とするだけでなく、合成に際して特殊な装置や材料を要するために、製造コストが高くなる課題を抱えていた。従来の発光装置では、このような従来のYAG:Ce系蛍光体や高価な窒化物系赤色蛍光体等を利用していたために、例えば、白色LED照明光源では、製造コストを上げることなく、高演色性の照明光を得ることが困難という課題があった。また、例えば、前記LEDまたはLDと蛍光体とを利用するプロジェクターやLEDバックライト付きLCDなどでは、良好な色純度の赤色光を放ち、低製造コスト性をも兼ね備える赤色出力光を得ることが困難という課題もあった。本発明は、これら課題を解決するためになされたものであり、希少かつ高価な原料を必要とする組成物にすることなく、オーソドックスな設備を利用して合成し得る酸化物系の蛍光体であって、少なくとも、黄、橙または赤色蛍光体として機能し得る新規なYAG系蛍光体、特に、従来無かったCe3付活YAG系赤色蛍光体を提供することを目的とする。また、本発明は、Gd化合物などの、希少かつ高価な原料を使用することなく、YAG:Ce系蛍光体が放つ光の光色を赤色にするまで、発光ピーク波長を長波長化し得るYAG:Ce系蛍光体の発光色の制御方法を提供することを目的とする。さらに本発明は、高演色性かつ低製造コスト性の白色LED照明光源や、広色域表示が可能で低製造コスト性の、レーザープロジェクターや、LEDバックライト付きLCDなど、特に、窒化物系の赤色蛍光体を利用することなく赤色光成分の発揮性能に優れる、低製造コスト性の各種発光装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明のイットリウムアルミニウムガーネットタイプの蛍光体は、蛍光を放つイオンを含むイットリウムアルミニウムガーネットのタイプに属する化合物であり、前記化合物を構成する骨格を、A3B’2BX43の化学式で表した時に、前記Aは、少なくともイットリウムを含み、前記B’は、少なくともマグネシウムを含み、前記Bは、少なくともアルミニウムとシリコンとを含み、前記Xは少なくとも酸素を含むことを特徴とする。本発明のCe3付活イットリウムアルミニウムガーネットのタイプに属する蛍光体の蛍光波長の制御方法は、蛍光体を構成するアルミニウムの一部を、少なくともマグネシウムとシリコンの元素組み合わせで置換することによって、発光のピーク波長を565nmよりも長波長側に移動させることを特徴とする。本発明の発光装置は、前記本発明のイットリウムアルミニウムガーネットタイプの蛍光体、特に、Ce3付活蛍光体を用いて構成したことを特徴とする。本発明によれば、希少かつ高価な原料を必要とする組成物にすることなく、特に黄橙色光または赤色光を放つ蛍光体として機能し得る新規なYAG系蛍光体を提供することができる。また、本発明によれば、希少かつ高価な原料を使用することなく、YAG:Ce系蛍光体が放つ光の光色を赤色にするまで、発光ピーク波長を長波長化することができる。さらに本発明によれば、特に、黄橙色、橙色または赤色光成分の発揮性能に優れる、低製造コスト性の各種発光装置を提供することができる。実施形態1以下、本発明のイットリウムアルミニウムガーネットタイプの蛍光体YAG系蛍光体を説明する。本発明のYAG系蛍光体は、蛍光を放つイオンを含むイットリウムアルミニウムガーネットのタイプに属する化合物であり、前記化合物を構成する骨格を、A3B’2BX43の化学式で表した時に、前記Aは、少なくともイットリウムを含み、前記B’は、少なくともマグネシウムを含み、前記Bは、少なくともアルミニウムとシリコンとを含み、前記Xは少なくとも酸素を含むことを特徴とする。なお、前記Aの一部はアルカリ土類金属とすることもできるが、前記Aは、少なくともイットリウムを含み、全てが希土類であることが好ましい。前記B’は、少なくともマグネシウムを含み、Al、Ga、In、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Cr、Fe、Mn、Ni、Co、Cu、Zn、Sc、Teのいずれかを含むものとして構成することができるが、前記B’は、マグネシウムとアルミニウムの組み合わせか、または、全てがマグネシウムであることが好ましい。前記Bは、少なくともアルミニウムとシリコンを含み、Ge、Sn、Ga、As、V、Fe、Znを含むものとして構成することができるが、前記Bは、アルミニウムとシリコンの組み合わせであることが好ましい。また、前記Xは、全てが酸素であることが好ましいが、窒素を含むものとして構成することもできる。本発明のYAG系蛍光体では、マグネシウムの総原子数およびシリコンの総原子数は、いずれも、前記化合物を構成する陰イオン12個に対して、0.1個を越え2.0個以下であることが好ましく、前記マグネシウムと前記シリコンとは、前記化合物中で、互いに電荷補償するように添加されていることが好ましい。本発明のYAG系蛍光体のより好ましい形態は、蛍光を放つイオンを含むLn3Al2-xMgxAlO43-xxの化学式で表される化合物であり、前記Lnは、Yを少なくとも含む希土類であり、前記xは、0<x≦2を満足する数値、特に、0.1≦x≦2を満足する数値である。なお、前記Lnは全てがイットリウムであることが好ましい。このようにすると、ガーネットの結晶構造を持つ新規な化合物となり、新規なYAG系蛍光体を提供できることになる。特に、少なくともGdを利用することなく、従来のYAG:Ce系蛍光体の発光波長を長波長側に移動して、黄、橙、または赤色のいずれかの発光を放つYAG:Ce系蛍光体を得ることができるようになるので、少なくともGdの使用量を抑制した新規な組成の黄~赤色光を放つYAG系蛍光体を提供するものになる。このようにして、希土類や希少金属の使用を多少なりとも控えた新規な化合物としてのYAG系蛍光体になり、従来と同等、あるいは、従来に無い新規な機能を持つYAG系蛍光体、特に、YAG:Ce系蛍光体を提供するものになる。より具体的に説明すると、A3B’2BX43の化学式で表され、前記Aは、少なくともイットリウムを含み、前記Xは、少なくとも酸素を含む化合物において、前記B’は、少なくともマグネシウムを含み、前記Bは、少なくともアルミニウムとシリコンとを含むようにすると、少なくとも前記YAG:Ce系蛍光体において、発光の長波長側へのシフトが認められる。この傾向は、前記B’におけるマグネシウムが占める割合と、前記Bにおけるシリコンが占める割合を共に増すと顕著になり、前記Xの主体90原子以上を酸素にして、前記B’の全てをマグネシウムにし、前記Bの2/3をシリコンにし、前記Bの1/3をアルミニウムにするとより顕著になる。このため、従来、室温下で強い発光ものが無かった橙色や赤色の蛍光を放つYAG:Ce系蛍光体を得る上で好ましいものになる。なお、前記Ln3Al2-xMgxAlO43-xxの化学式で表される化合物において、前記Lnは、部分的に、アルカリ土類金属で置換することもできる。この場合、前記A、B’、B、Xのいずれかを構成する元素で電荷補償することになる。また、前記Al2-xMgxは、部分的に、Ga、In、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Cr、Fe、Mn、Ni、Co、Cu、Zn、Scなどで置換したものとして構成することもできる。この場合、必要に応じて、前記A、B’、B、Xのいずれかを構成する元素で電荷補償することになる。さらに、前記AlO43-xxは、部分的に、GeO4、SnO4、GaO4、SiO3Nなどで置換したものとして構成することもできる。この場合も、必要に応じて、前記A、B’、B、Xのいずれかを構成する元素で電荷補償することになる。このため、本発明のYAG系蛍光体は、前記ガーネット構造を損ねず、かつ、少なくともYとAlとMgとSiとOを含む組成範囲で、様々な変形例をとり得るものとなる。この具体例は、発光中心イオンを含む、例えば、以下の化合物である。Y3Al1.5Mg0.5AlO42.5SiO40.5、Y3AlMgAlO42SiO4、Y3Mg2AlO4SiO42、Y,La3Mg2AlO4SiO42、Y,Gd3Mg2AlO4SiO42、Y,Mg3Al,ZrMgAlO42SiO4、Y,Ca3Al,ZrMgAlO42SiO4、Y,Ca3Al,HfMgAlO42SiO4、Y3Al,GaMgAlO42SiO4、Y3AlMgAlO4SiO3NSiO4。本発明のYAG系蛍光体は、例えば、Ga、Lu、Sc、およびGdなどのレアアース/レアメタルを含めて構成することもできるが、好ましい本発明のYAG系蛍光体は、人為的に加えられたGa、Lu、ScまたはGdを含まないものとする。このような元素を含む化合物は、希少で高価であるだけでなく、少なくとも、黄色~赤色蛍光体としての機能を持たせる場合の、対コストメリットが相対的に小さい。このため、このようにすると、Ga化合物、Lu化合物、Sc化合物、あるいは、Gd化合物の使用を控えた低製造コストの新規なYAG系蛍光体になる。また、本発明のYAG系蛍光体は、Mg以外のアルカリ土類金属Ca、Sr、Baを含まないことも好ましいし、前記Lnの原子数は、前記Xの原子数の12個に対して3個であることも好ましい。このようにすると、従来知られるYAG系蛍光体に対して、組成の面で十分な差別化を図った無機化合物になる。前記発光中心イオンは、蛍光体母体として機能する化合物本発明では、前記YAG系化合物であるの結晶中で、電子エネルギー遷移によって蛍光を放ち得るイオンであり、例えば、ns2形イオン発光中心と呼ばれるイオンSn2、Sb3、Tl、Pb2、Bi3など、遷移金属イオン発光中心と呼ばれるイオンCr3、Mn4、Mn2、Fe3など、希土類イオン発光中心と呼ばれるイオンCe3、Pr3、Nd3、Sm3、Eu3、Gd3、Tb3、Dy3、Ho3、Er3、Tm3、Yb3、Sm2、Eu2、Yb2などから選ばれる少なくとも一つのイオンである。本発明のYAG系蛍光体は、前記YAG系化合物に、これら発光中心イオンを、少なくとも一つ含むようにして構成する。このようにすると、前記YAG系化合物は、外部刺激例えば、粒子線α線、β線、電子線や電磁波γ線、X線、真空紫外線、紫外線、可視光他の照射などによって励起され、蛍光を放つものになる。前記蛍光は、紫外線、可視光、赤外線から選ばれるいずれかの電磁波であれは発光装置用として足りるが、実用面で好ましい前記蛍光は可視光である。このような蛍光にすると、表示装置や照明装置用として利用できるものになる。なお、前記発光中心イオンを、Mn4、Mn2、Ce3、Pr3、Eu3、およびTb3から選ばれる少なくとも一つのイオンにすると、利用用途が多い可視光成分青、青緑、緑、黄、橙、赤、白のいずれかを放つ蛍光体になる。特に、前記発光中心イオンを、Ce3、Pr3、Eu3、およびTb3から選ばれる少なくとも一つの希土類イオン、または、Mn2の遷移金属イオンとすると、表示装置や照明装置用としての利用用途がいっそう多い、緑色光、橙色光、赤色光を放つYAG系蛍光体になるので好ましい。本発明のYAG系蛍光体にあっては、YAG系蛍光体が放つ蛍光は、Ce3が放つ光を少なくとも含むことが好ましく、特に好ましい前記蛍光を放つイオンは、Ce3である。このようにすると、従来から前記発光装置用として広く利用または利用検討されているCe3付活黄色または橙色蛍光体Y,Gd3Al5O12:Ce3である。を代替し、かつ、希少で高価なGd化合物を、蛍光体の製造工程で用いる必要性が少ない低製造コスト性の黄色または橙色蛍光体、あるいは、Eu2付活窒化物系赤色蛍光体例えば、Sr2Si5N8:Eu2、CaAlSiN3:Eu2、あるいはSrAlSi4N7:Eu2である。を代替し、かつ、大気中での取り扱いが困難な蛍光体原料アルカリ土類金属窒化物などや技術的に高度で特殊かつ高価な製造設備を、蛍光体の製造工程で用いる必要性が少ない低製造コスト性の赤色蛍光体になる。このため、比較的高価な上記従来の黄色または橙色蛍光体や、極めて高価な従来の窒化物系赤色蛍光体を代替して、黄色光、橙色光または赤色光の特性を損ねることなく、発光装置の低製造コスト化を図ることができる。また、従来、前記Y,Gd3Al5O12:Ce3蛍光体や窒化物系赤色蛍光体の導入に伴う製造コストの上昇を理由として見送られてきた発光装置の性能改善も推進可能となる。このため、橙色~赤色の出力光の色調が改善された表示装置や、出力光の演色性が改善された照明光源/照明装置などの開発を促し、これら発光装置の上市が可能になる。なお、本発明のYAG:Ce系蛍光体においては、前記Ce3が放つ光の分光分布のピークは、565nmを超え650nm以下、特に、590nmを超え630nm以下の波長範囲内に位置するものにできる。このため、黄色光や橙色光はもちろんのこと、従来のYAG系蛍光体では実現が困難であった赤色光も、希少な化合物を蛍光体原料として使用することなく、オーソドックスな原料だけを利用して提供できる蛍光体になる。一方で、Ce3の発光は、パリティー許容となる5d1→4f1の電子エネルギー遷移に基づくことが知られている。これに起因して、Ce3の光吸収と発光のエネルギー差は小さく、Ce3の発光準位の寿命は、10-8~10-7s10~100nsと極めて短い。事実、励起スペクトルのピークは、従来のYAG:Ce系蛍光体よりも僅かに長波長域の、450nmを超え500nm未満、特に、450nmを越え480nm未満の青色から緑青色に亘る波長範囲内に位置するものであり、1/10残光は1.0msec以下の超短残光性である。このため、本発明のYAG:Ce系蛍光体は、短波長可視光青~緑青色光を吸収して黄緑~赤色の光を放ち得る、超短残光性の蛍光体として機能するものになる。これらの特長は、例えば、青色LEDを利用する白色LEDの出力光の演色性や、青色LDと蛍光体とを利用するレーザープロジェクターおよびLED-LCDなどの表示色域を改善するものとなる。このようにして、本発明のYAG:Ce系蛍光体は、特に、近年、開発が活発化している、固体発光素子LED、LDなどを利用する発光装置の性能改善を促し、性能改善が図られた発光装置を提供できるものとなる。本発明のYAG系蛍光体は新規物質ではあるが、従来のYAG系蛍光体と同様のオーソドックスな固相反応を用いて合成することができる。つまり、オーソドックスなセラミックス原料粉末例えば、Y2O3、CeO2、Al2O3、MgOまたは塩基性炭酸マグネシウムbasic-MgCO3、SiO2などを用い、化学量論的組成かこれに近い組成となるように原料粉末を調合し、自動乳鉢などを利用して原料粉末を混合し、アルミナるつぼなどの焼成容器に混合原料を仕込んだ後、箱型電気炉などを用いて、1500~1700°Cの焼成温度で原料同士を数時間加熱反応させると少なくとも合成できる。なお、新規物質となる本発明のYAG系蛍光体は、その性状を限定されるものではない。単結晶、薄膜状、厚膜状、塊状、粒状、粉末状、ナノ粒子状、セラミックス状、透光性セラミックス状など、様々な性状のものを形成でき、様々な性状で実用できることは、当業者であれば容易に類推できる。本発明のYAG系蛍光体は、例えば、溶媒水、有機溶剤、樹脂や水ガラスなどと適宜混合して、スラリー状、ペースト状、ゾル状、ゲル状としたものにして利用することもできる。実施形態2以下、本発明のYAG:Ce系蛍光体の蛍光波長の制御方法を説明する。本発明のYAG:Ce系蛍光体の蛍光波長の制御方法は、YAG:Ce系の蛍光体を構成するアルミニウムの一部を、少なくともマグネシウムとシリコンの元素組み合わせで置換することによって、発光のピーク波長を、565nmよりも長波長側に、好ましくは580nm、より好ましくは600nmよりも長波長側に移動させることを特徴とする。なお、本発明のYAG:Ce系蛍光体の蛍光波長の制御方法は、YAG:Ce系蛍光体を構成する骨格を、Ln3Al’2AlO43の化学式で表し、前記Lnを、少なくともイットリウムとセリウムとを含む希土類とし、前記Al’を、第一のアルミニウムとし、前記Aを、第二のアルミニウムとした場合に、前記第一のアルミニウムの一部を少なくともマグネシウムで置換し、前記第二のアルミニウムの一部を少なくともシリコンで置換することによって、発光のピーク波長を、565nmよりも長波長側に、好ましくは580nm、より好ましくは600nmよりも長波長側に移動させることを特徴とするものとして表現することもできる。なお、前記第一のアルミニウムの全てをマグネシウムで置換した場合が、前記第一のアルミニウムの一部を少なくともマグネシウムで置換する場合の、マグネシウム置換量の上限である。また、前記第二のアルミニウムの2/3をシリコンで置換した場合が、前記第二のアルミニウムの一部を少なくともシリコンで置換する場合の、シリコン置換量の上限である。つまり、マグネシウムの総原子数およびシリコンの総原子数は、いずれも、前記化合物を構成する陰イオン12個に対して、2.0個以下であることが好ましく、前記マグネシウムと前記シリコンとは、前記化合物中で、互いに電荷補償するように添加されていることが好ましい。このようにすると、Mgと、Siの置換量が増加するにつれて、YAG:Ce系蛍光体の蛍光のピーク波長は約560nmから630nm付近にまで長波長移動し、黄緑、黄、橙、および赤の色調の蛍光を得ることができるようになる。なお、YAG:Ce系蛍光体を、例えば、Ln3Al2-xMgxAlO43-xxの化学式で表される化合物であり、前記Lnは、YとCeとを少なくとも含む希土類として、YAG:Ce系蛍光体が放つ蛍光の光色を、発光ピークが600nm以上650nm未満の波長範囲内にある赤色光に制御するには、Ce3の付活量によって多少変動するものの、前記xの数値を1≦x≦2を満足する数値となるようにする。また、橙色光に光色制御するには、前記xの数値を0<x≦1を満足する数値となるようにする。本発明のYAG:Ce系蛍光体の蛍光波長の制御方法は、Ga、Lu、ScまたはGdを蛍光体が含まないようにすることも好ましい。このようにすると、希少で高価な、Ga化合物、Lu化合物、Sc化合物あるいはGd化合物を、使用することなく、YAG:Ce系蛍光体の色調を黄緑~赤まで制御できる前記蛍光波長の制御方法になる。このため、コストの面で有利なYAG:Ce系蛍光体の蛍光波長の制御方法になる。また、従来の前記蛍光波長の制御方法との差別化も十分図ることができ、これを代替するものになる。なお、本発明は、前記本発明のYAG:Ce系蛍光体の蛍光波長の制御方法によって製造したYAG:Ce系蛍光体と、当該製造したYAG:Ce系蛍光体を用いて構成した発光装置に関するものともなる。実施形態3以下、本発明の発光装置を説明する。本発明の発光装置は、先に説明した本発明のYAG系蛍光体を用いて構成したことを特徴とする。そして、好ましい形態では、前記本発明のYAG系蛍光体が放つ光を、表示または照明のいずれかの目的に利用する。なお、前記本発明の発光装置としては、例えば、LEDまたはレーザーダイオードと蛍光体とを利用する各種発光装置が挙げられる。また、前記、LEDまたはレーザーダイオードと蛍光体とを利用する各種発光装置の具体例は、半導体発光装置としての白色LED、光源装置やプロジェクター、LEDバックライトを含むLED照明光源や照明装置、およびLEDバックライト付きLCDなどの表示装置や照明装置の他、センサーや増感器などである。前記実施形態1のYAG系蛍光体は新規物質であり、特に本発明のYAG:Ce系蛍光体は、実施形態1で説明したように、従来のYAG:Ce系蛍光体に無い特徴を有するので、これによって、希少元素を過剰に用いることなく、従来の希少元素を用いて構成したガーネット型の結晶構造を持つ黄色~橙色蛍光体、または、従来の前記Eu2付活窒化物系赤色蛍光体と同等の特性を持つ発光装置を提供することになる。特に、好ましい発光装置は、実施形態1で説明した本発明のYAG:Ce系蛍光体を用いて構成した前記発光装置である。前記本発明のYAG:Ce系蛍光体は、実施形態1で説明したように、従来の発光装置に広く用いられてきたオーソドックスなCe3付活黄~橙色蛍光体Y,Gd3Al5O12:Ce3などである。には無い、希少金属元素Gd他を使用する必要性が薄いという特長を有し、前記Ce3付活黄~橙色蛍光体において希少金属元素を削減するか、前記Ce3付活黄~橙色蛍光体を代替し得る。また、従来の前記Eu2付活窒化物系赤色蛍光体には無い、特殊な設備等を必要とせず、オーソドックスなセラミックス材料と製造技術とを用いて製造できるという特長を有し、前記Eu2付活窒化物系赤色蛍光体を代替し得る。これによって、低製造コスト化が図られた、黄、橙または赤色の出力光の色調や残光性能が改善され、低製造コスト化が図られた表示装置としての発光装置や、照明光の演色性が改善され、低製造コスト化が図られた照明光源や照明装置としての発光装置等になる。図1Aと図1Bは、いずれも本発明の発光装置の技術思想を示す図である。図1Aおよび図1Bにおいて、励起源1は、実施形態1で説明した前記本発明のYAG系蛍光体2aを励起するための励起線または励起光3を放つ励起源であり、例えば、粒子線α線、β線、電子線や電磁波γ線、X線、真空紫外線、紫外線、可視光特に短波長可視光紫色光や青色光などを放つ粒子線あるいは電磁波の放射装置などである。各種の、放射線発生装置、電子ビーム放射装置、放電光発生装置、固体発光素子や固体発光装置などがこれに相当し、代表的なものとしては、電子銃、X線管球、希ガス放電装置、水銀放電装置、発光ダイオード、半導体レーザーを含むレーザー光発生装置、無機あるいは有機のエレクトロルミネッセンス素子などが挙げられる。また、図1Aおよび図1Bにおいて、出力光4は、前記励起源1が放つ励起線または励起光3によって励起された前記本発明のYAG系蛍光体2aが放つ蛍光であり、発光装置において照明光や表示光として利用するものである。図1Aは、本発明のYAG系蛍光体2aが放つ出力光4が、励起線または励起光3が本発明のYAG系蛍光体2aを照射する方向に、少なくとも放たれる構造の発光装置を示す概念図である。なお、図1Aに示す技術思想を有する発光装置としては、白色LED光源や、蛍光ランプ、電子管などが挙げられる。一方、図1Bは、本発明のYAG系蛍光体2aが放つ出力光4が、励起線または励起光3が本発明のYAG系蛍光体2aを照射する方向とは逆の方向に、少なくとも放たれる構造の発光装置を示す概念図である。なお、図1Bに示す技術思想を有する発光装置としては、プラズマディスプレイ装置や、反射板付き蛍光体ホイールを利用する光源装置およびプロジェクターなどが挙げられる。本発明の好ましい発光装置は、蛍光体を利用して構成した、半導体発光装置、照明光源、照明装置、LEDバックライト付き液晶パネル、LEDプロジェクター、または、レーザープロジェクターのいずれかである。以下、具体例として、半導体発光装置を取り上げて、本発明の発光装置の実施形態を詳説する。半導体発光装置図2は、本発明の実施形態の第一番目の具体例となる半導体発光装置を示す模式断面図である。図2は断面図であるが、図面の見易さを考慮して透光性樹脂10の断面を示すハッチングは省略している。また、図3~5は、本発明の半導体発光装置が放つ出力光の分光分布の一例を示す図である。図2において、基板5は、固体発光素子6を固定するための基台となるものであり、例えば、セラミックスAl2O3、AlNなど、金属Al、Cuなど、ガラス、樹脂シリコーン樹脂、フィラー入りシリコーン樹脂などなどから構成される。また、基板5上には配線導体7が設けられ、固体発光素子6の給電電極8と配線導体7とを金線などを用いて電気的に接続することによって、固体発光素子6に給電している。固体発光素子6は、直流、交流、又はパルスの中から選ばれる少なくともいずれかの電圧を印加する電力供給によって、電気エネルギーを光エネルギー例えば、青色光に変換する電光変換素子であり、例えば、LED、レーザーダイオードLD、無機エレクトロルミネッセンスEL素子、有機EL素子などである。また、高出力かつ狭スペクトル半値幅の一次光を得る目的で好ましい固体発光素子6は、LED又はLDである。なお、図2は、固体発光素子6を、InGaN系化合物を発光層とするLEDとした場合を意識したものである。波長変換層9は、蛍光物質からなる蛍光体2を含み、固体発光素子6が放つ一次光を、当該一次光よりも相対的に長波長側に移動した光に波長変換するためのものであり、実施形態1で説明した本発明のYAG系蛍光体2aを少なくとも含んでなる構造物である。波長変換層9は、例えば、樹脂蛍光膜、透光性蛍光セラミックス、蛍光ガラスなどから構成されるが、本実施形態では、透光性樹脂10中に、前記本発明のYAG系蛍光体2aを少なくとも含んでなる構造物である蛍光体2を分散させた樹脂蛍光膜で構成した場合とした。前記本発明の実施形態1のYAG:Ce系蛍光体2bは単独で使用することもできるが、前記波長変換層9には、必要に応じて、前記本発明の実施形態1のYAG:Ce系蛍光体2bとは異なる蛍光体2cを含むようにしてもよい。また、発光色または組成のいずれかの面で異なる前記本発明の実施形態1のYAG:Ce系蛍光体2bを複種類組み合わせて用いるようにしてもよい。前記本発明の実施形態1のYAG:Ce系蛍光体2bとは異なる蛍光体2cとしては、固体発光素子6が放つ一次光を吸収して、当該一次光よりも相対的に長波長側に移動した光に波長変換するものであれば、特に限定されるものではない。青色光、緑青光、青緑色光、緑色光、黄色光、橙色光、赤色光を放つ蛍光体から適宜選択して、半導体発光装置が、所望の出力光を放つようにするか、所望の照明状態が得られるようにする。なお、固体発光素子6を、青色光を放つLEDまたはLDとした場合の半導体発光装置用として好ましい高効率蛍光体として、Eu2またはCe3の少なくともいずれかで付活した酸化物系酸化物や酸ハロゲン化物など、窒化物系窒化物や酸窒化物などまたは硫化物系硫化物や酸硫化物などの蛍光体例えば下記、ならびに、下記と同じ結晶構造を有するEu2付活蛍光体またはCe3の付活蛍光体があり、これらのいずれかを利用することが好ましい。緑色蛍光体1Ba,Sr2SiO4:Eu22Y3Al5O12:Ce33Ca3Sc2Si3O12:Ce34CaSc2O4:Ce35β-Si3N4:Eu26SrSi2O2N2:Eu27Ba3Si6O12N2:Eu28Sr3Si13Al3O2N21:Eu29YTbSi4N6C:Ce310SrGa2S4:Eu2黄または橙色蛍光体1Sr,Ba2SiO4:Eu22Y,Gd3Al5O12:Ce33α-Ca-SiAlON:Eu24Y2Si4N6C:Ce3赤色蛍光体1Sr2Si5N8:Eu22CaAlSiN3:Eu23SrAlSi4N7:Eu24CaS:Eu2本発明の実施形態1のYAG:Ce系蛍光体2bは、440nm以上480nm未満の波長領域内に励起スペクトルのピークを持つので、本実施形態の発光装置は、440nm以上480nm未満の波長領域内に発光ピークを持つ青色光を発する固体発光素子6と、565nmを超え650nm以下、好ましくは580nmを越え640nm以下の波長領域内に発光ピークを持つ黄色、橙色、または赤色光のいずれかを発する本発明の実施形態1のYAG:Ce系蛍光体2bを少なくとも含む波長変換層9とを少なくとも備えることを特徴とする。なお、固体発光素子と蛍光体の好ましい組み合わせとして、例えば下記があり、下記いずれかの組み合わせとして半導体発光装置を構成するか、または、下記の組み合わせに基づく出力光を最終的に放つようにすることが好ましい。1青色固体発光素子と、緑色蛍光体と、黄色蛍光体または橙色蛍光体との組み合わせ。2青色固体発光素子と、緑色蛍光体と、赤色蛍光体との組み合わせ。3青色固体発光素子と、黄色蛍光体または橙色蛍光体と、赤色蛍光体との組み合わせ。4青色固体発光素子と、赤色蛍光体との組み合わせ。本発明の実施形態では、半導体発光装置を構成する上記黄色蛍光体または橙色蛍光体あるいは赤色蛍光体として、本発明の実施形態1のYAG:Ce系蛍光体を少なくとも用いる。これら半導体発光装置の製造について簡単に説明すると、例えば、配線導体7を形成した基板5上に実装技術を用いて固体発光素子6を固定し、ワイヤーボンディング技術等を用いて、固体発光素子6の給電電極8と配線導体7とを電気的に接続する。一方で、シリコーン樹脂などの透光性樹脂10と蛍光体2などを十分混合し、所定の粘度となるように調整した蛍光体ペースト蛍光体ペースト中の蛍光体の重量割合は数~数10程度を作製する。その後、例えば、固体発光素子6上に蛍光体ペーストを滴下するなどして、固体発光素子6の光取り出し面を蛍光体ペーストで覆うようにする。蛍光体ペーストを乾燥させるなどして固化することによって前記波長変換層9を形成し、半導体発光装置とする。なお、詳細は、背景技術で説明した特許文献等に記載されている通りである。以下、本実施例の半導体発光装置の動作を簡単に説明する。固体発光素子6に通電して所定の電力を供給すると固体発光素子6が一次光を放出する。なお、本実施形態の好ましい形態では、一次光は、440nm以上480nm未満の波長範囲内に発光ピークを有する青色光である。このような一次光は、実施形態1のYAG:Ce系蛍光体2によって、高い波長変換効率で黄色、橙色、または赤色の光に波長変換される。前記一次光は、波長変換層9に含まれた蛍光体2を照射し、一部が蛍光体2に吸収される。蛍光体2に吸収された前記一次光は、蛍光体2によって波長変換され、固体発光素子6が放つ一次光を、相対的に長波長側低エネルギー側に移動した光に波長変換する。そして、蛍光体2によって波長変換された波長変換光も透光性樹脂10を通り抜けて半導体発光装置から出射する。一方、蛍光体2に吸収されなかった前記一次光も、一般には、透光性樹脂10を通り抜けて半導体発光装置から出射する。この結果、半導体発光装置からは、蛍光体2による波長変換光と、通常、蛍光体2に吸収されなかった一次光の両方が出射することになり、これら双方が加色混合された光成分が半導体発光装置から出力される。波長変換層9の厚みや光透過率、波長変換層9に含まれる蛍光体2の種類や混合割合、固体発光素子が放つ前記一次光の波長などは適宜調整できるものであるので、所望とする光源色や照明光特に白色系光が得られるように光源設計すればよい。なお、前記一次光は青緑色光として発光装置を構成してもよい。Ce3で付活された蛍光体は、一般に、最も長波長側に位置する前記励起ピークの長波長側の光を、高い光子変換効率内部量子効率で吸収した光よりも長波長の光に波長変換し得ることが知られているので、このようにしても、高光束の光を放つ半導体発光装置を提供できることになる。本発明の半導体発光装置は、例えば、図3~5にその出力光の分光分布の一例を示すように、440nm以上480nm未満の波長領域内に発光ピークを有する青色の光成分12と、565nmを越え650nm以下の波長領域内に発光ピークを有する黄色、橙色、または赤色の暖色系の光成分13とを少なくとも放つものとすることができる。図3aは、青色光を放つInGaN系化合物を発光層とするLED以後、InGaN青色LEDと略記する。と、580nm付近に発光ピークを持つ暖色系の光成分13を放つ本発明の実施形態1のYAG:Ce系蛍光体とを少なくとも用いて、昼光色相当となる相関色温度6700Kの擬似白色の出力光を放つようにした場合をシミュレーションした分光分布の一例である。参考のため、図3bに、InGaN青色LEDと、575nm付近に発光ピークを持つ黄色光成分を放つ従来のYAG:Ce系蛍光体としてのY,Gd3Al5O12:Ce3とを用いて、相関色温度6700Kの擬似白色の出力光を放つようにした場合をシミュレーションした分光分布の一例も示した。図3aと図3bを対比して判るように、本発明によれば、Gdを用いて色調を制御した従来のYAG:Ce系蛍光体を利用した場合とほぼ同等の発光スペクトル形状の白色系光を、Gdを用いることなく得ることができる。なお、図3aに示す本発明による出力光と、図3bに示す従来の出力光の平均演色評価数Raは、各々、84.8と80.9であり、本発明の方が自然光に近い光である。図4aは、青色光を放つInGaN青色LEDと、530nm付近に発光ピークを持つ緑色蛍光体としての従来のYAG:Ce系蛍光体Y3Ga2Al3O12:Ce3と、625nm付近に発光ピークを持つ赤色の光成分13を放つ、本発明の実施形態1のYAG:Ce系蛍光体とを用いて、電球色相当となる相関色温度2800Kの三波長形の白色系出力光を放つようにした場合をシミュレーションした分光分布の一例である。参考のため、図4bには、InGaN青色LEDと、緑色蛍光体としての従来のYAG:Ce系蛍光体Y3Ga2Al3O12:Ce3と、650nm付近に発光ピークを持つ赤色光成分を放つCaAlSiN3:Eu2赤色蛍光体とを用いて、相関色温度2800Kの三波長形の白色系出力光を放つようにした場合をシミュレーションした分光分布の一例も示した。さらに、図4cには、InGaN青色LEDと、575nm付近に発光ピークを持つ黄色光成分を放つ従来のYAG:Ce系蛍光体としてのY,Gd3Al5O12:Ce3とを用いて相関色温度2800Kの擬似白色の出力光を放つようにした場合をシミュレーションした分光分布の一例を示した。図4aの白色系出力光は、平均演色評価数Raが83.1であり、図4cに示した擬似白色の出力光Ra=54.5よりも大幅に大きく、図4bに示した窒化物系の赤色蛍光体を利用する三波長形の白色系出力光Ra=81.2に対しても同等以上のRaの数値が得られる。このことは、本発明にかかる図4aの白色系出力光が自然光に近い照明光として利用できることを示している。また、本発明の実施形態1のYAG:Ce系蛍光体が、CaAlSiN3:Eu2赤色蛍光体等の窒化物系赤色蛍光体を代替し得ることを示すものともなる。図5aは、450nm付近に発光ピークを持つInGaN青色LEDと、530nm付近に発光ピークを持つ緑色蛍光体としての従来のYAG:Ce系蛍光体Y3Ga2Al3O12:Ce3と、625nm付近に発光ピークを持つ実施形態1のYAG:Ce系の赤色蛍光体とを用いて、相関色温度が12000Kの三波長形の白色系出力光を放つようにした場合をシミュレーションした分光分布の一例である。参考のため、図5bに、InGaN青色LEDと、555nm付近に発光ピークを持つ黄緑色光成分を放つ従来のYAG:Ce系蛍光体Y3Al5O12:Ce3とを用いて、相関色温度12000Kの擬似白色の出力光を放つようにした場合をシミュレーションした分光分布の一例も示した。図5aの白色系出力光は、図5bに分光分布を示す擬似白色とは異なり、相対的に、540~600nmの黄緑~橙色の光成分の出力が小さく、510~525nmの色純度の良好な緑色の光成分の出力と、620~650nmの色純度の良好な赤色の光成分の出力とが強いので、赤緑青の比較的強い光成分を利用して、広色域で高光出力の多色表示用として利用できる。図6は、図5aに分光分布の一例を示す半導体発光装置を用いて構成した表示装置の表示色域の概要を、CIE色度図を用いて示す図である。図6において、aとbは、各々、擬似白色と三波長形の出力光を放つ半導体発光装置を用いて表示装置を構成した場合の表示色域である。三波長形とすることによって、赤緑青のいずれの光成分強度も強くなるので、図6aに示すような広色域であっても高輝度表示ができることとなる。本発明では、このような広色域の高輝度表示を、希少金属元素の使用を控えて実現する表示装置を提供できることとなる。本発明の実施形態1のYAG:Ce系蛍光体は、青色の光を吸収して、黄色や橙色、さらには、赤色の光に波長変換する蛍光体である。また、本発明の半導体発光装置は、実施形態1のYAG:Ce系蛍光体を少なくとも含んで構成することを特徴としている。このため、本発明の半導体発光装置は、565nmを越え650nm以下の波長領域内に発光ピークを有する、黄色、橙色、あるいは赤色の暖色系の光成分を少なくとも放つものになる。これら暖色系光成分は、照明光源が放つ光の分光分布を自然光の分光分布に近づける作用を有するため、図4aに一例を示したように、照明光の演色性を高める効果がある。一方、比較的強い赤色光成分は、図5aに分光分布の一例を示して触れたように、表示装置の広色域化を可能にする効果がある。実施形態1のYAG:Ce系蛍光体は、実施形態1で説明したように、青色光励起が可能な従来の黄色蛍光体、橙蛍光体、および、赤色蛍光体とは異なり、GdやEuなどの希少元素を必要とせず、かつ、オーソドックスなセラミックス技術を用いて製造できる酸化物系の蛍光体であるため、低コスト化の面で有利なことを最大の特徴とする。このため、これを用いて構成した本実施形態の半導体発光装置は、照明光の演色性の改善や表示装置の広色域化に対する高コスト化因子を持たないので、特性改善がなされた半導体発光装置の上市は容易なものとなる。また、従来、コストアップを理由として、上市が見送られてきた半導体発光装置の実用も促すものとなる。発光装置の図示については省略するものの、本実施形態の半導体発光装置は、照明光源用や液晶ディスプレイのバックライト用、さらに表示装置用などとして広く利用可能である。また、これら照明光源等の発光装置は、本実施形態の半導体発光装置と同様、GdやEuなどの希少元素や特殊な設備を用いる必要性のない実施形態1のYAG系蛍光体を用いて、高演色性の照明光源や広色域表示可能な表示装置を提供できるという利点を有するものとなる。つまり、本発明は、照明光源や表示装置などの発光装置を幅広く網羅するものでもあり、前記発光装置に関するものともなる。例えば、前記発光装置は、本実施形態の半導体発光装置を用いて構成したことを特徴とするものとすることができる。例えば、本発明の照明光源は、少なくとも一つの前記本実施形態の半導体発光装置と、前記半導体発光装置を動作させる点灯回路と、照明器具との電気的な接続部品口金などと照明器具を少なくとも組み合わせて構成すれば足りるものになる。必要に応じて、さらに照明器具を組み合わせれば、照明装置や照明システムを構成することにもなる。例えば、本発明の表示装置は、本実施形態の半導体発光装置をマトリックス状に配置し、マトリックス状に配置した前記半導体発光装置をON-OFFする信号回路を少なくとも組み合わせて構成すれば足りるものになる。別の形態の、本発明の表示装置は、例えば、LEDバックライト機能付き液晶パネルである。当該表示装置は、例えば、本実施形態の半導体発光装置をライン状またはマトリックス状に配置しバックライトとして利用する。前記バックライトと、前記バックライトを点灯する点灯回路、または、前記バックライトをON-OFF制御する制御回路の少なくともいずれかと、液晶パネルとを少なくとも組み合わせて構成すれば足りるものになる。詳しい説明は省略するが、前記発光装置は、実施形態1のYAG:Ce系蛍光体と青色光を発する固体発光素子例えば、青色LDを利用した光源装置や固体発光素子を利用するプロジェクターLEDプロジェクターやレーザープロジェクターなどとすることもできる。例えば、前記プロジェクターは、少なくとも実施形態1のYAG:Ce系蛍光体と青色光を発する固体発光素子例えば、青色LDを利用した光源装置と、前記光源装置を動作させる駆動回路と、前記光変調素子と、光変調素子を制御する制御回路とを少なくとも組み合わせて構成すれば足りる。必要に応じて、さらにスクリーンを組み合わせて表示装置を構成することもできる。これら表示装置の表示色域の一例は、図6中のaであり、ここでの説明は省略する。これら光源装置やプロジェクター等も、前記した実施形態の半導体発光装置と同様、GdやEuなどの希少元素や特殊な設備を用いる必要性のないYAG系蛍光体を用いて、広色域表示可能な表示装置を提供できるという利点を有するものとなる。なお、本発明は、上記説明した、半導体発光装置や光源装置およびこれを利用した発光装置以外の他の発光装置にも広く利用可能であり、特に前記暖色系の光成分を少なくとも放つ低製造コスト性の発光装置を提供し得ることは当業者にとって明らかである。実施例以下、本発明のYAG系蛍光体の実施例を説明する。固相反応を利用するオーソドックスなセラミックス技術を用いて本発明のYAG系蛍光体を合成し、その特性を評価した。なお、実施例で使用した原料は、以下の化合物粉末とした。酸化イットリウムY2O3:純度3N、信越化学工業株酸化セリウムCeO2:純度4N、信越化学工業株酸化ユーロピウムEu2O3:純度3N、信越化学工業株酸化アルミニウムθ-Al2O3:純度>4N5、住友化学株酸化マグネシウムMgO:純度4N、株高純度化学研究所二酸化珪素SiO2:純度>3N、日本アエロジル株なお、原料同士の反応性を高める目的で、酸化アルミニウムについては、住友化学株製のAKP-G008を使用した。また、実施例で使用した反応促進剤は、以下の化合物粉末とした。弗化アルミニウムAlF3:純度3N、株高純度化学研究所炭酸カリウムK2CO3:純度2N5、関東化学株実施例1~3実施例1~3のYAG系蛍光体は、0.98Y3Al2-xMgxAlO43-xが実在し、これが合成されたことを示す根拠となるものである。なお、イットリウムアルミニウムガーネットのタイプに属する化合物を構成する骨格を、A3B’2BX43の化学式で表した時に、実際に、前記B’の格子位置をMgが置換し、Bの格子位置をSiが置換するのか、それとも、B’の格子位置をSiが置換し、Bの格子位置をMgが置換するのか、あるいは、前記Aの格子位置をMgが置換し、B’の格子位置をYが置換するのかなどについては、今後の学術的な精査が望まれる。合成された化合物は、Y1-yCey3Al2-1-yxSi1-yxAlO43-1-yxMgO41-yxの化学式で表される化合物つまり、Y,Ce3Al,Si2AlO4,MgO43である。、あるいは、Y,Mg1-yCey3Al2-1-yxY1-yxAlO43-1-yxなどである可能性も否定しきれないが、組成の面で同じものになるので、ここでは、便宜上、これらをまとめて、前記Y1-yCey3Al2-1-yxMg1-yxAlO43-1-yx3であることを確認した。図10は、実施例4のYAG系蛍光体の発光スペクトル24と励起スペクトル25を、実施例1~3と同様にして評価した結果をまとめた図である。なお、図10において、発光スペクトル測定時の励起波長と励起スペクトル測定時のモニタ波長は、各々、250nmと発光ピーク波長611nmとし、発光スペクトルと励起スペクトルのピークを100として規格化している。図10から判るように、実施例4のEu3付活YAG系蛍光体の発光スペクトル24は、橙~赤色の波長領域内の590~710nm付近に複数のピークを持つ形状であり、実施例4の励起スペクトル25は240nm付近にピークを持った。このことは、実施例4の蛍光体が、紫外線で励起されて、赤色の光成分を放つYAG系赤色蛍光体であることを示している。なお、Eu3で付活した蛍光体の先行技術文献の記載内容などから、590~710nm付近の複数の発光ピークはEu3の発光であることは明らかである。本発明では、このようにして、赤色光を放つEu3付活YAG系赤色蛍光体を得ることもできた。なお、説明は省略するが、同様にして、緑色光を放つTb3付活YAG系緑色蛍光体など、Ce3やEu3以外の発光中心イオンを添加したYAG系蛍光体も得ることもできた。"