"磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、ガラス素板の外側端部に形成されている少なくとも面取り面の研磨を行う工程と、前記面取り面の研磨の後、前記ガラス素板の主表面の研削を、固定砥粒を用いて行う工程と、研削した前記ガラス素板を、化学強化用かごに収容して化学強化処理を行う工程と、を有し、前記化学強化用かごは、前記ガラス素板の外側端部を前記外側端部の両側から支持する溝であって、前記溝の両側の側壁が前記主表面及び前記面取り面に対して凸となるように湾曲した溝により、前記ガラス素板を支持する、ことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。前記溝の側壁は、前記ガラス素板の前記主表面と前記面取り面との間の境界エッジと接触するように湾曲している、請求項1に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。前記磁気ディスク用ガラス基板の前記主表面の算術平均粗さRaが0.15nm以下である、請求項1または2に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。請求項1~3のいずれか1項に記載の製造方法により製造された磁気ディスク用ガラス基板の前記主表面に、少なくとも磁性層を成膜することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。ガラス素板を化学強化するために前記ガラス素板を収容する化学強化用かごであって、前記ガラス素板は、外側端部に形成されている少なくとも面取り面の研磨を行った後、前記ガラス素板の主表面の研削を、固定砥粒を用いて行ったガラス板であり、前記化学強化用かごは、前記ガラス素板の外側端部を前記外側端部の両側から支持する溝であって、前記溝の両側の側壁が前記主表面及び前記面取り面に対して凸となるように湾曲した溝により、前記ガラス素板を支持する、ことを特徴とする化学強化用かご。ところで、磁気ヘッドの浮上距離に悪影響を与えないために、ガラス基板の主表面の表面凹凸は勿論、主表面とガラス基板の外周端面面取り面が接する外周の境界エッジまで表面凹凸が小さいことが望まれている。上記境界エッジに表面凹凸として点欠陥のように部分的に凹部や凸部が存在すると、磁性層の表面にもこの表面凹凸が反映されて、磁気ヘッドの浮上距離に悪影響を与えるからである。しかし、ガラス基板を作製したとき、境界エッジ近傍では、部分的に点欠陥のような表面凹凸が存在し必ずしも目標どおりの面が形成されない場合がある。このようなガラス基板は、磁気ヘッドの浮上距離を乱す原因となる虞がある。そこで、本発明は、ガラス基板の境界エッジにおいて、磁気ヘッドの浮上距離を乱す原因となる部分的な表面凹凸の形成を抑制することができる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスク用ガラス基板を提供することを目的とする。本発明者らは、磁気ディスク用ガラス基板の境界エッジを詳細に検討したところ、境界エッジに部分的に点状に欠ける微細な凹部の欠陥以降、ODチップというが発生することを見出した。しかも、発明者らは、このODチップは、化学強化工程で用いる保持具化学強化用かごの支持部がガラス基板の境界エッジが点接触して破損することによって生じる欠けであることを知見した。これにより、本発明者らは、下記発明を想到した。本発明の一態様は、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法である。当該製造方法は、ガラス素板の外側端部に形成されている少なくとも面取り面の研磨を行う工程と、前記面取り面の研磨の後、前記ガラス素板の主表面の研削を、固定砥粒を用いて行う工程と、研削した前記ガラス素板を、化学強化用かごに収容して化学強化処理を行う工程と、を有する。前記化学強化用かごは、前記ガラス素板の外側端部を前記外側端部の両側から支持する溝であって、前記溝の両側の側壁が前記主表面及び前記面取り面に対して凸となるように湾曲した溝により、前記ガラス素板を支持する。本発明の他の一態様は、前記磁気ディスク用ガラス基板の製造方法により製造された磁気ディスク用ガラス基板の前記主表面に、少なくとも磁性層を成膜することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板である。さらに、本発明の他の一態様は、ガラス素板を化学強化するために前記ガラス素板を収容する化学強化用かごである。その際、前記ガラス素板は、外側端部に形成されている少なくとも面取り面の研磨を行った後、前記ガラス素板の主表面の研削を、固定砥粒を用いて行ったガラス板であり、前記化学強化用かごは、前記ガラス素板の外側端部を前記外側端部の両側から支持する溝であって、前記溝の両側の側壁が前記主表面及び前記面取り面に対して凸となるように湾曲した溝により、前記ガラス素板を支持する。上述の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板、及び化学強化用かごによれば、ガラス基板の境界エッジにおいて、磁気ヘッドの浮上距離を乱す原因となる部分的な表面凹凸の形成を抑制することができる。以下、本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板、及び化学強化用かごについて詳細に説明する。図1a~は、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板を用いて作製される磁気ディスクを説明する図である。磁気ディスク及び磁気ディスク用ガラス基板図1aに示す、ハードディスク装置に用いる磁気ディスク1は、円環状のガラス基板2の主表面に、図1bに示すように少なくとも磁性層垂直磁気記録層等を含む層3A,3Bを成膜している。より具体的には、層3A,3Bには、例えばガラス基板2の主表面上に、主表面に近いほうから順に、少なくとも付着層、下地層、磁性層磁気記録層、保護層、潤滑層が積層された構成になっている。例えばガラス基板2を、真空引きを行った成膜装置内に導入し、DCマグネトロンスパッタリング法にてAr雰囲気中で、ガラス基板の主表面上に付着層から磁性層まで順次成膜する。付着層としては例えばCrTi、下地層としては例えばCrRuを用いることができる。さらに、例えばCoTaZr/Ru/CoTaZrの軟磁性層、CoCrSiO2の非磁性グラニュラー下地層、CoCrPt-SiO2TiO2のグラニュラー磁性層等が形成される。上記成膜後、例えばCVD法によりC2H4を用いて保護層を成膜し、同一チャンバ内で、表面に窒素を導入する窒化処理を行うことにより、磁気記録媒体を形成することができる。その後、例えばPFPEポリフルオロポリエーテルをディップコート法により保護層上に塗布することにより潤滑層が形成される。磁気ディスク1は、図1cに示すように、ハードディスク装置の磁気ヘッド4A,4Bのそれぞれが、磁気ディスク1の高速回転、例えば7200rpmの回転に伴って磁気ディスク1の表面から10nm以下、例えば5nm浮上する。すなわち、図1c中の距離Hが10nm以下、例えば5nmである。この状態で、磁気ヘッド4A,4Bは、磁性層に情報を記録し、あるいは読み出しを行う。この磁気ヘッド4A,4Bの浮上によって、磁気ヘッド4A,4Bは、磁気ディスク1に対して摺動することなく、しかも近距離で磁性層に対して記録あるいは読み出しを行うので、磁気記録情報エリアの微細化と磁気記録の高密度化を実現する。このとき、磁気ディスク1のガラス基板2の中央部から境界エッジ5まで、目標とする表面精度で正確に加工され、距離Hを10nm以下に保った状態で磁気ヘッド4A,4Bを正確に動作させることができる。このような磁気ディスク1に用いるガラス基板2は、後述する工程を経て得られるが、ガラス基板2の主表面の表面粗さ、すなわち算術平均粗さRaJISB0601:2001は0.15nm以下、例えば0.03~0.15nmであることが、距離Hを10nm以下に保って磁気ヘッド4A,4Bを正確に動作させる上で好ましい。なお、算術平均粗さRaは、ガラス基板2の表面の1μm×1μmの計測エリアについて、原子間力顕微鏡を用いて256点×256点の計測を行うことにより得られる値である。本実施形態における磁気ディスクに用いるガラス基板2の材料として、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラス、アルカリアルミノシリケートガラス、アルカリボロシリケートガラスなどを用いることができる。特に、化学強化を施すことができ、また主表面の平坦度及びガラス基板の強度において優れた磁気ディスク用ガラス基板を作製することができるという点で、アルカリアルミノシリケートガラスを好適に用いることができる。本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の組成は限定するものではないが、本実施形態のガラス基板2は好ましくは、酸化物基準に換算し、モル表示で、SiO2:50~75、Al2O3:1~20、LiO2、Na2O及びK2Oから選択される少なくとも1種の成分:合計で12~35、MgO、CaO、SrO、BaO及びZnOから選択される少なくとも1種の成分:合計で0~20、ZrO2、TiO2、La2O3、Y2O3、Ta2O5、Nb2O5及びHfO2から選択される少なくとも1種の成分:合計で0~10、を有する組成からなるアルミノシリケートガラスである。なお、アモルファスのアルミノシリケートガラスであることが好ましい。また、ガラス基板2は、円環状の薄板のガラス基板である。ガラス基板2のサイズは限定されないが、例えば、公称直径2.5インチの磁気ディスク用ガラス基板に好適である。以下、ガラス基板2の製造工程について説明する。図2は、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法のフローの一例を説明する図である。1ガラスブランクの作製板状のガラスブランクの作製ステップS10では、例えばフロート法が用いられる。板状ガラスの作製では先ず、錫などの溶融金属の満たされた浴槽内に、溶融ガラスを連続的に流し入れることで例えば上述した組成の板状ガラスを得る。溶融ガラスは厳密な温度操作が施された浴槽内で進行方向に沿って流れ、最終的に所望の厚さ、幅に調整された板状ガラスが形成される。この板状ガラスから、磁気ディスク用ガラス基板の元となる所定形状の板状のガラスブランクが切り出されて作製される。浴槽内の溶融錫の表面は水平であるために、フロート法により得られる板状のガラスブランクは、その表面の平坦度が十分に高いものとなる。また、板状ガラスブランクの作製は、フロート法の他に、例えばプレス成形法を用いることもできる。プレス成形による板状のガラスブランクの作製では、受けゴブ形成型である下型上に、溶融ガラスからなるガラスゴブガラス塊が供給され、下型と対向するゴブ形成型である上型を使用してガラスゴブがプレス成形される。これにより、磁気ディスク用ガラス基板の元となる円板状のガラスブランクが作製される。なお、板状のガラスブランクは、上述した方法に限らず、ダウンドロー法、リドロー法、フュージョン法などの公知の製造方法を用いて製造することができる。フロート法やダウンドロー法、リドロー法、フュージョン法などの公知の製造方法で作られた板状ガラスから、磁気ディスク用ガラス基板の元となる円板状のガラスブランクが切り出されて作製される。以下の工程については、プレス法で作製された円板状のガラスブランクの場合について記載する。2コアリング工程次に、円板状のガラスブランクを、磁気ディスク用ガラス基板のガラス素板として用いて、このガラス素板に対してコアリング工程が行われるステップS20。すなわち、円筒状のダイヤモンドドリルを用いて、円板状のガラス素板の中心部に内孔を形成することにより、円環状で板状のガラス素板がつくられる。3ラッピング工程次に、ガラス素板12の両主表面に対して、必要に応じて、アルミナ系遊離砥粒を用いたラッピング加工を行うステップS30。具体的には、ガラス素板12の両面に上下からラップ定盤を押圧させ、上記遊離砥粒を含む研削液をガラス素板12の主表面上に供給し、これらを相対的に移動させてラッピング加工を行う。なお、フロート法でガラス素板を作製した場合には、作製後の主表面が精度高く形成されるので、このラッピング加工を省略してもよい。4チャンファリング工程コアリング工程の後、円板状のガラス素板の外側端部及び内側端部の面外周端面及び内周端面に面取り面を形成するチャンファリング工程が行われるステップS40。チャンファリング工程では、コアリング工程によって円環状に加工されたガラス素板の外周端面および内周端面に対して、例えば、ダイヤモンド砥粒を用いたメタルボンド砥石等によって面取りが施される。このチャンファリング工程により、ガラス素板の端部には、磁気ディスク端部の半径方向に向く、すなわち主表面に対して垂直方向を向く側壁面と、面取り面を含む面が外周端面、内周端面として形成される。5端面研磨工程次に、円環状のガラス素板の端面研磨エッジポリッシングが行われるステップS50。端面研磨では、円環状のガラス素板の内周端面及び外周端面をブラシ研磨により鏡面仕上げを行う。このとき、図3に示すように、スペーサ10をガラス素板12間に挟んで積層した複数のガラス素板12を、研磨ブラシ14を用いて研磨を行う。さらに、研磨に用いる研磨液は、酸化セリウム等の微粒子を遊離砥粒として含む。端面研磨を行うことにより、ガラス素板12の端面での塵等が付着した汚染、ダメージあるいは傷等の損傷の除去を行うことにより、サーマルアスペリティの発生の防止や、NaやK等のコロージョンの原因となるイオン析出の発生を防止することができる。6固定砥粒による研削工程固定砥粒による研削工程では、研削装置を用いて円環状で板状のガラス素板12の両側の主表面に対して研削加工を行うステップS60。研削装置は、上下一対の定盤上定盤および下定盤を有しており、上定盤および下定盤の間に円環状のガラス素板12が狭持される。そして、上定盤または下定盤のいずれか一方、または、双方を移動操作することにより、円環状のガラス素板12と各定盤とを相対的に移動させることで、固定砥粒によってガラス素板の両主表面を研削することができる。例えばダイヤモンド砥粒粒子サイズ:直径1~20μmを固定砥粒として用いたダイヤモンドシートが、ガラス素板12と接触する上定盤及び下定盤の面に設けられて研削が行われる。研削量は両面合わせて10~200μmである。図4aに示すようなガラス素板12の主表面が固定砥粒により研削されて主表面の表層部分が除去されることにより、図4bに示すように、ガラス素板12の主表面と外周端面の面取り面とが接する境界エッジ12a,12bが角張って形成される。境界エッジ12a,12bを角張って形成するのは、主表面の中央部分の領域から外周の境界エッジ12a,12bまで、磁気ヘッドが目標とする距離浮上することができ、境界エッジ12a,12bまで、磁性層の書き込み、読み出しの動作を安定して行わせるためである。7第1研磨主表面研磨工程次に、円環状のガラス素板12の主表面に第1研磨が施されるステップS70。第1研磨を行う研磨装置は、固定砥粒による研削と同様に、上下一対の定盤上定盤および下定盤を有しており、上定盤および下定盤の間に円環状のガラス素板12が狭持される。そして、上定盤または下定盤のいずれか一方、または、双方を移動操作することにより、円環状のガラス素板12と各定盤とを相対的に移動させることで、各定盤に設けられた研磨パッドを用いて、ガラス素板の両主表面を研磨することができる。第1研磨は、この研磨装置を用いて遊離砥粒で行われる。研磨剤である遊離砥粒には、粒子サイズ直径が略0.5~2.0μmの酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン等の微粒子が用いられる。この粒子サイズは、6の研削に用いるダイヤモンド砥粒の粒子サイズに比べて小さい。第1研磨は、6の研削により主表面に残留した傷、歪みの除去、うねり、微小うねりの調整を目的とする。8化学強化工程次に、第1研磨後の円環状のガラス素板12は化学強化されるステップS80。化学強化液として、例えば硝酸カリウム60重量と硝酸ナトリウム40重量の混合液等を用いることができる。化学強化では、化学強化液が、例えば300°C~500°Cに加熱され、洗浄した複数のガラス素板12が化学強化用かごに収容されて、例えば200°C~300°Cに予熱された後、複数のガラス素板12が化学強化用かごに収容された状態で化学強化液中に、例えば1時間~4時間浸漬される。このように、ガラス素板12を化学強化液に浸漬することによって、ガラス素板12の表層にあるLiイオン及びNaイオンが、化学強化液中のイオン半径が相対的に大きいNaイオン及びKイオンにそれぞれ置換され、ガラス素板12の表面に圧縮層が形成されることにより強化される。なお、化学強化処理された円環状のガラス素板12は洗浄される。例えば、硫酸で洗浄された後に、純水等で洗浄される。なお、ガラス素板12を収納する化学強化用かごについては後述する。9第2研磨最終研磨工程次に、化学強化されて十分に洗浄されたガラス素板12に第2研磨が施されるステップS90。第2研磨は、主表面の鏡面研磨を目的とする。第2研磨では例えば、第1研磨と同様の構成の研磨装置を用いる。このとき、第1研磨と異なる点は、遊離砥粒の種類及び粒子サイズが異なることと、パッドの硬度が異なることである。パッドは、発泡ウレタン等のウレタン製研磨パッド、スエードパッド等が用いられる。第2研磨に用いる遊離砥粒として、例えば、研磨液に混濁させたシリカからなるコロイダルシリカ等の微粒子粒子サイズ:直径10~50nm程度が用いられる。この微粒子は、第1研磨で用いる遊離砥粒に比べて細かい。シリカからなるコロイダルシリカ等の微粒子が混濁した研磨液スラリーには、スラリーに対してシリカが例えば0.1~40質量、好ましくは、3質量~30質量含むことが、研磨の加工効率を確保し、表面粗さを高める点で好ましい。10洗浄工程研磨されたガラス素板12は洗浄されるステップS100。洗浄では、中性洗浄液あるいはアルカリ性洗浄液を用いた洗浄であることが、洗浄によってガラス表面に傷等の欠陥を形成せず、さらに表面粗さを粗くさせない点で好ましい。これにより、主表面の算術平均粗さRaを0.15nm以下、例えば0.03~0.15nmとすることができる。中性洗浄液の他に、純水、酸酸性洗浄液、IPAイソプロピルアルコール等を用いた複数の洗浄処理を施すこともできる。こうして、ガラス素板12を洗浄することにより、磁気ディスク用ガラス基板2が作製される。化学強化用かご図5a~cは、ガラス素板12を収納する化学強化用かご20を説明する図である。化学強化用かご20は、複数のガラス素板12を並べて収容して化学強化液中に浸漬するために用いられる。化学強化用かご20は、ステンレス製の側板22,24の間に3つのステンレス製の支持部材26,28,30が設けられている。支持部材26,28,30は、ガラス素板12それぞれを所定位置に収容するように支持する。支持部材26,28,30には、ガラス素板12の外側端部を外側端部の両側から支持する溝32が設けられている。溝32の両側の側壁は、ガラス素板12の主表面及び面取り面に対して凸となるように湾曲している。図5bに示すように、溝32内にガラス素板12が位置決めされて、ガラス素板12は化学強化用かご20にて支持される。すなわち、ガラス素板12は、支持部材26,28,30それぞれの溝32によって支持される。溝32の溝幅は最も狭いところでもガラス素板12の板厚に対してわずかに大きくなるように溝32が形成されている。また、ガラス素板12の両側から支持する支持部材26,28の溝32の溝底間の距離は、ガラス素板12の直径より大きくなっている。これは、300°C~500°Cの化学強化液にガラス素板12が浸漬されて、ガラス素板12が熱膨張しても、化学強化処理後、化学強化用かご20からガラス素板12を容易に取り出せるようにするためである。したがって、図5cに示すようにガラス素板12が化学強化用かご20に収容されたとき、3つの溝32のいずれかにおいて奥行き方向及び幅方向に隙間ができるため、ガラス素板12は、溝32の底部に対して僅かに傾く。このとき、溝32の側壁は、ガラス素板12の主表面と接触し易くなる。溝32の側壁は、湾曲しているので、ガラス素板12の主表面が溝32の側壁と接触し、さらにぶつかっても、ODチップが発生する可能性は少なくなる。また、溝32の側壁は湾曲しているので、ガラス素板12が溝32の側壁と接触する部分は変動するので、境界エッジ12a,12bの近傍でODチップが発生し難い。すなわち、ガラス素板12の最終製品形態であるガラス基板2の境界エッジ12a,12bにおいて、磁気ヘッドの浮上距離を乱す原因となる部分的な表面凹凸、すなわち上記ODチップの発生を抑制することができる。また、本実施形態では、境界エッジ12a,12bが溝32の側壁と接触してもよい。境界エッジ12a,12bが溝32の側壁と接触し、あるいはぶつかっても、側壁は湾曲しているので、上記ODチップは発生し難い。このように、本実施形態は、上記ODチップのような微細な欠けを抑制することができる。なお、ODチップのような微細な欠けが発生し易い場合、製造するガラス基板の歩留まりに影響を与える大きな欠けも発生し易くなる。本実施形態は、ODチップのような微細な欠けに比べて大きな欠けの発生も抑制するので製造するガラス基板の歩留まりの低下を抑制することができる。なお、上述したように、ガラス素板12の端面研磨を行った後、固定砥粒による研削を行うので、端面研磨の際にガラス素板12の主表面を支持するとき主表面に傷が付いても、この傷を固定砥粒による研削で除去することができる。しかし、このような工程の順番では、ガラス素板12の境界エッジ12a,12bが角張って形成されるので、従来の化学強化用かごに収容して化学強化を行う場合、境界エッジ12a,12bの欠けODチップが発生しやすい。一方、ガラス素板12の固定砥粒による研削の後、端面研磨を行った場合、境界エッジ12a,12bは角張らないので、化学強化用かごに収容して化学強化を行っても境界エッジ12a,12bの欠けODチップが発生しにくい。しかし、境界エッジ12a,12bは丸まっている他、端面研磨時に主表面の端部形状がダレてしまうロールオフ傾向となるため、主表面の中央領域から境界エッジ12a,12bの端まで、磁気ヘッド4A,4Bによる読み取り、書き込みの機能を安定して行い難い。本実施形態のように、化学強化用かご20の溝32がガラス素板12の外側端部を外側端部の両側から支持し、この溝32の両側の側壁がガラス素板12の主表面及び面取り面に対して凸となるように溝32の側壁を湾曲形状に形成することにより、ガラス素板12の角張った境界エッジ12a,12bの欠けODチップが発生し難くなる。しかも、境界エッジ12a,12bは角張っているので、境界エッジ12a,12bの端まで、磁気ヘッドによる読み取り、書き込みの機能が安定して行われる。なお、今日、ガラス基板3の主表面の算術平均粗さRaが0.15nm以下になるように、主表面の表面加工精度が高く要求されている。このため、従来問題とはならなかったODチップの発生が、DFHヘッド等の磁気ヘッド4A,4Bにおいて問題となっている。本実施形態の方法は、このような問題に対して有効な解決手段となっている。実施例、比較例1,2本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の効果を確認するために、上述した実施形態の製造方法を一部変更して外径65mmの磁気ディスク用のガラス基板2を種々作製した。作製したガラス基板2のガラス組成は、上述した本実施形態のガラス組成を満たす。下記表1には、ガラス基板の製造方法の工程の順番と、化学強化用かごの溝の側壁の形状と、ODチップの発生の有無と、ガラス基板の端部形状の評価結果を示している。ODチップの発生の有無は、ビデオスコープにより検査し、ODチップの有無を目視で評価した。端部形状とは、ガラス基板の主表面のうち境界エッジを含む縁部において、境界エッジまで平坦に形成されているか否かを表す表面形状をいう。ここで、端部形状はダブオフ値を用いて評価した。図6a,bは、ダブオフ値の算出方法を概念的に説明するために、ガラス基板の端部の断面を拡大して表した図である。ダブオフ値を算出するためには、ガラス基板の中心点と、その中心点から外縁に向けて30mm離れた主表面上の位置X1とする。と、その中心点から外縁に向けて31.5mm離れた主表面上の位置X2とする。とが、図6a,bに示すように定義される外径65mmのガラス基板の場合。なお、ガラス基板の中心点とX1とX2は、ガラス基板を上から見たときには同一線上にある。このとき、X1とX2を結ぶ基準線Lに対して主表面が突出している場合には、ガラス基板の端部はロールオフ形状図6aの場合であり、その最大突出量をダブオフ値Dプラス値とする。逆に、X1とX2を結ぶ基準線に対して主表面が凹んでいる場合には、ガラス基板の端部はスキージャンプ形状図6bの場合であり、その最大凹み量をダブオフ値Dマイナス値とする。ダブオフ値の測定には表面形状測定装置PhaseShift社製、MicroXAMを用いた。1枚の円環状のガラス基板に対するダブオフ値の算出は以下のようにして行う。一方の面について90度間隔で4点X1とX2について4個の組合せのダブオフ値を算出し、得られた4個のダブオフ値のうち絶対値が最も大きい値をその面のダブオフ値プラス値またはマイナス値であるとする。同様にして、他方の面についてもダブオフ値を算出する。そして、両面のダブオフ値の平均値を、そのガラス基板のダブオフ値プラス値またはマイナス値であるとする。得られたガラス基板のダブオフ値が21nm以下である場合、端部における主表面の表面形状は略平坦であるので、ガラス基板を合格と評価し、21nmより大きい場合、図6aのようなロールオフ形状が顕著となるので、ガラス基板を不合格と評価した。下記実施例、比較例1,2では、ダブオフ値Dはいずれも正であった。実施例及び比較例1では、化学強化用かごの支持部材の溝の側壁を、主表面及び面取り面に対して凸となるように湾曲した形状とし、比較例2では、化学強化用かごの支持部材の溝の側壁を、溝底の面の垂直方向に対して傾めに傾斜した直線形状とした。一方、実施例及び比較例2の工程では、端面研磨の後、固定砥粒による研削を行い、比較例1の工程では、固定砥粒による研削の後、端面研磨を行った。実施例、比較例1,2では成形直後のガラスブランクの成形直後の板厚を1.1mmとし、洗浄後のガラス素板12の板厚を0.8mmとした。その際、ラッピングにおける取り代は200μmとし、固定砥粒における取り代は60μmとし、第1研磨における取り代は37μmとし、第2研磨における取り代は3μmとした。表1より明らかなように、端面研磨の後、固定砥粒による研削を行い、かつ、化学強化用かごの支持部材の溝の側壁を、主表面及び面取り面に対して凸となるように湾曲した形状とすることで、ガラス基板の端部形状のダレがなく、ODチップも発生しない、磁気ヘッド4A,4Bに最適な磁気ディスク用ガラス基板2を作製できることがわかる。以上、本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板、及び化学強化用かごについて詳細に説明したが、本発明は上記実施形態及び実施例に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。"