"チャンバと、前記チャンバ内に配され、基板が載置されるステージと、ガス供給ラインを通じて、前記チャンバ内に所定のガスを導入するガス供給手段と、前記チャンバ内の圧力P1を検出する圧力センサと、前記ガスの導入圧力P2を制御する制御手段と、を備え、前記ガス供給手段が、前記チャンバ内に所定のガスを導入圧力P2で導入して前記チャンバを真空状態から大気開放する際に、前記圧力センサは、チャンバ内の圧力P1を検出し、前記制御手段は、前記P1に対して、前記P2と前記P1との差が略一定となるように、前記P2を制御すること、を特徴とする基板処理装置。前記ガス供給手段のガス供給ラインに配され、パーティクルを抑制するフィルターを、さらに備えたこと、を特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。前記ガス供給手段のガス供給ラインに配され、ガスを滞留させるバッファを、さらに備えたこと、を特徴とする請求項1または2に記載の基板処理装置。チャンバと、前記チャンバ内に配され、基板が載置されるステージと、前記チャンバ内に所定のガスを導入するガス供給手段と、前記チャンバ内の圧力P1を検出する圧力センサと、前記ガスの導入圧力P2を制御する制御手段と、を備えた基板処理装置を用いた基板処理方法において、前記チャンバ内に所定のガスを導入して前記チャンバを真空状態から大気開放する際に、前記チャンバ内の圧力P1を検出し、前記P1に対して、前記P2と前記P1との差が略一定となるように、前記P2を制御すること、を特徴とする基板処理方法。本発明は、このような従来の実情に鑑みて考案されたものであり、大気開放の時間を短縮し、スループットを向上させた基板処理装置を提供することを第一の目的とする。また、本発明は、大気開放の時間を短縮し、スループットを向上させた基板処理方法を提供することを第二の目的とする。本発明の請求項1に記載の基板処理装置は、チャンバと、前記チャンバ内に配され、基板が載置されるステージと、ガス供給ラインを通じて、前記チャンバ内に所定のガスを導入するガス供給手段と、前記チャンバ内の圧力P1を検出する圧力センサと、前記ガスの導入圧力P2を制御する制御手段と、を備え、前記ガス供給手段が、前記チャンバ内に所定のガスを導入圧力P2で導入して前記チャンバを真空状態から大気開放する際に、前記圧力センサは、チャンバ内の圧力P1を検出し、前記制御手段は、前記P1に対して、前記P2と前記P1との差が略一定となるように、前記P2を制御すること、を特徴とする。本発明の請求項2に記載の基板処理装置は、請求項1において、前記ガス供給手段のガス供給ラインに配され、パーティクルを抑制するフィルターを、さらに備えたこと、を特徴とする。本発明の請求項3に記載の基板処理装置は、請求項1または2において、前記ガス供給手段のガス供給ラインに配され、ガスを滞留させるバッファを、さらに備えたこと、を特徴とする。本発明の請求項4に記載の基板処理方法は、チャンバと、前記チャンバ内に配され、基板が載置されるステージと、前記チャンバ内に所定のガスを導入するガス供給手段と、前記チャンバ内の圧力P1を検出する圧力センサと、前記ガスの導入圧力P2を制御する制御手段と、を備えた基板処理装置を用いた基板処理方法において、前記チャンバ内に所定のガスを導入して前記チャンバを真空状態から大気開放する際に、前記チャンバ内の圧力P1を検出し、前記P1に対して、前記P2と前記P1との差が略一定となるように、前記P2を制御すること、を特徴とする。本発明の基板処理装置では、前記ガス供給手段が、前記チャンバ内に所定のガスを導入圧力P2で導入して前記チャンバを真空状態から大気開放する際に、制御手段は、前記P1に対して、前記P2と前記P1との差が略一定となるように、ガス導入圧力P2を制御している。前記P2と前記P1との差を略一定とすることで常に同じガス流量を維持することができ、これにより大気解放速度の高速化を図ることができる。その結果、本発明では大気開放の時間を短縮し、スループットを向上させ、ひいては装置全体の処理効率を向上させた基板処理装置を提供することができる。本発明の基板処理方法では、前記チャンバ内に所定のガスを導入圧力P2で導入して前記チャンバを真空状態から大気開放する際に、前記P1に対して、前記P2と前記P1との差が略一定となるように、ガス導入圧力P2を制御している。前記P2と前記P1との差が略一定とすることで常に同じガス流量を維持することができ、これにより大気解放速度の高速化を図ることができる。その結果、本発明では大気開放の時間を短縮し、スループットを向上させ、ひいては全体の処理効率を向上させた基板処理方法を提供することができる。以下、本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法の一実施形態を図面に基づいて説明する。なお、本実施形態では、本発明をマルチチャンバ方式の真空処理装置において、ロードロック室に適用した場合を一例として挙げて説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、種々の基板処理装置に適用することができる。なお、ここでロードロック室は、搬送室に接続され、そこから処理された基板を大気へ取り出す際に使用される装置のことである。図1は、本発明の実施形態によるマルチチャンバ方式の真空処理装置1の概略構成図である。この真空処理装置1は、被処理基板以下単に基板ともいう。を収容するロードロック室3A,3B3と、基板に対して所定の真空処理を行う処理室4A~4D4と、ロードロック室3A,3Bと処理室4A~4Dとの間における基板の受け渡しを行うためのコア室搬送室5とを備えている。ロードロック室3A,3B3はそれぞれ同一の構成を有しており、内部に所定枚数の基板を収容できる基板ストッカ図示略が設置されている。ロードロック室3A,3Bには排気システムがそれぞれ接続されており、互いに独立して真空排気可能とされている。なお、ロードロック室3A,3Bは図示の例のように複数設置される場合に限らず、単数であってもよい。処理室4A~4D4は、エッチング室、加熱室、成膜室スパッタ室、CVD室等で構成され、本実施形態ではいずれも成膜室とされている。処理室4A~4Dには排気システム図示略がそれぞれ接続されており、互いに独立して真空排気可能とされている。また、各処理室4A~4Dには、プロセスに応じた所定の成膜ガス反応ガス、原料ガス、不活性ガス等のガス供給源図示略がそれぞれ接続されている。コア室5は、内部に基板搬送ロボット6を有しており、ロードロック室3A,3Bと処理室4A~4Dとの間、あるいは処理室4A~4Dの間において、基板2の受け渡しを行うように構成されている。コア室5には排気システム図示略が接続されており、独立して真空排気可能とされている。また、コア室5にはガス源図示略が接続されており、ガス源から導入される調圧ガスによって所定圧に維持可能とされている。そして、図2は、ロードロック室3において、本発明に係る基板処理装置の一構成例を模式的に示す断面図である。本発明の基板処理装置10は、チャンバ11と、前記チャンバ11内に配され、基板2が載置されるステージ12と、ガス供給ライン13aを通じて、前記チャンバ11内に所定のガスを導入するガス供給手段13と、前記チャンバ11内の圧力P1を検出する圧力センサ15と、前記ガス導入圧力P2を制御する制御手段と、を備える。チャンバ11には排気手段14が接続されており、独立して真空排気可能とされている。また、チャンバ11にはガス供給手段13が接続されており、ガス供給手段13から導入されるガスによって所定圧に維持可能とされている。ステージ12は、前記チャンバ11内に配され、面12a上に基板2が載置される。また、ステージ12には、複数の貫通孔19が設けられており、この貫通孔に、基板2を昇降させるための昇降ピン20が、ステージ12の表面上面に対して突没可能に挿通されている。昇降ピン20はロッド21に固着され、伸縮可能なベローズ22を介して、エアシリンダ等の駆動機構23に接続されている。そして、エアシリンダ等の駆動機構23によりロッド21を昇降させることにより、基板2を受け渡しする場合には、昇降ピン20をステージ12の表面上面から突出させ、基板2をステージ12の表面12a上面に載置する場合には、昇降ピン20をステージ12の表面12a上面から陥没させる。ガス供給手段13は、例えば前記チャンバ11を真空状態から大気開放する際に、ガス供給ライン13aを通じて、チャンバ11内へ所定のガスを導入する。ガス供給手段13が導入するガスは、特に限定されるものではないが、例えば窒素、アルゴン、ヘリウム、キセノン等、化学的に安定なガスが挙げられる。また、ガス供給ライン13aの途中には、VENTバルブ13bが配されている。圧力センサ15は、チャンバ11内の圧力P1をモニタリングする。電子式ガス圧力制御装置APR:オートプレッシャーレギュレータ16は、ガス供給手段13からチャンバ11内に導入されるガスの圧力を制御する。APRは、ガス供給ライン13aにおけるガス導入圧力P2を制御し、これによりチャンバ11内に導入されるガスの圧力を制御する。圧力センサ15と電子式ガス圧力制御装置APR16とは、例えばコンピュータ17を介して接続されている。また、APRの代わりに、流体の質量流量を計測し制御を行う機器たとえばMFC:マスフローコントローラを用いても良い。MFCであれば、直接流量を制御できる。そして、このようなマルチチャンバ方式の真空処理装置1において、ロードロック室3を用いた基板2の処理室への一般的な搬送工程は以下のようになる。まず基板2が大気から導入されたロードロック室3が排気され真空になる。続いて、ロードロック室3に隣接するコア室5に設置された基板搬送ロボット6によって、基板2は、ロードロック室3からコア室5を経由し処理室4へ搬送される。その後、処理室4プロセスチャンバ内において、基板2に対して処理操作例えば、エッチング、酸化、化学気相蒸着等が実施される。処理後の基板2は、処理室4への搬送時と同様に、基板搬送ロボット6によって処理室からコア室5を経由しロードロック室3へ戻される。ロードロック室3は、前述したロードロック室3から処理室4への基板搬送以降、ずっと真空に保持されている。基板2がロードロック室3に戻った後、ガス供給手段13においてVENTバルブ13bを開いて窒素N2等のパージガスを供給し、ロードロック室3の圧力を大気圧に戻す大気開放。ロードロック室3の圧力が大気圧に達した後、処理済みの基板2を基板カセットに移し、次の処理工程に供える。ここで、ロードロック室3を大気開放する際の一例として、例えばロードロック室3のチャンバ11内の圧力は10-2Pa程度であり、計算上はほぼ0ゼロとして無視できる。大気圧は0.1MPaとする。また、チャンバ11の容積を10Lとする。よって、このロードロック室3を大気圧にするには10L×0.1MPaのガスを導入する必要がある。なお、上記数値は一例でありこれに限定されるものではない。ここで、図3は、大気開放時のチャンバ11内の圧力P1及びガス導入圧力P2の変化と、時間との関係を示すグラフである。従来、ロードロック室3において、チャンバ11内に所定のガスを導入してチャンバ11を真空状態から大気開放する際に、図3に示すように、ガス導入圧力P2は一定であった。ガス導入開始後、チャンバ11内の圧力P1は少しずつ圧力上昇するため、P1が大気圧付近に近づくと、ガス導入圧力P2と間の差圧が小さくなり、ガス流量が低下してしまっていた。その結果、チャンバ内の圧力上昇速度が低下してしまい、大気解放に14秒かかってしまっている。このように、真空処理装置において、基板は必ずロードロック室を介して出し入れするため、ロードロック室の大気開放の時間が長いと、ロードロック室3のスループットが低下し、装置全体の処理能力が低下してしまう問題があった。これに対し、本発明では、基板処理装置10ロードロック室3において、前記ガス供給手段13が、前記チャンバ11内に所定のガスを導入圧力P2で導入して前記チャンバを真空状態から大気開放する際に、前記圧力センサ15は、チャンバ11内の圧力P1を検出し、前記制御手段ガス流量計16は、前記P1に対して、前記P2と前記P1との差が略一定となるように、前記P2を制御している。図4に示すように、本発明では、チャンバ11内の圧力P1が上昇するにしたがって、ガス導入圧力P2も上昇させている。ここでは、P1に対し1.1気圧の差圧を維持するように、P2を制御している。前記P2と前記P1との差を略一定とすることで常に同じガス流量を維持することができ、これにより一定の圧力上昇速度を維持することができる。その結果、大気解放速度の高速化を図ることができる。図4に示した例では、本発明によって大気解放を10秒で完了することができる。その結果、本発明では、大気開放の時間を短縮し、スループットを向上させ、装置全体の処理効率を向上することができる。装置を制御するコンピュータ図示略は、ロードロック室3の圧力が大気圧に達した大気開放が終了した情報を受けた時点で、ロードロック室3は基板搬送可能状態と判断する。VENTバルブ13bを閉じ、搬送室5の大気側搬送ロボット6にて処理済みの基板2を基板カセットに移しアンロード、次の処理工程に供える。なお、本発明の基板処理装置10において、ガス供給手段13のガス供給ライン13aに配され、パーティクルを抑制するフィルター30を、さらに備えていてもよい。ガス供給ライン13aにフィルター30を配することで、ガス導入時のパーティクルの発生を防止することができる。このようなフィルター30としては、例えばセラミック焼結体からなるフィルターを用いることができる。フィルター30を配する場合、フィルター30はガス流量計16と、VENTバルブ13bとの間に設置する。さらに、本発明の基板処理装置10において、前記ガス供給手段13のガス供給ライン13aに配され、ガスを滞留させるバッファ13cを、さらに備えていてもよい図3。ガス供給ライン13aにバッファ13cを設けることで、圧力低下を抑制することができる。また、ガス供給ライン13aの配管に、通常よりも太い配管を用いることでも、同様の効果を得ることができる。例えば通常6.35mm径1/4inchφの配管を用いている場合、9.5mm径3/8inchφの配管を用いる場合が挙げられる。なお、配管径の数値はこれに限定されるものではない。以上説明したように、本発明では、チャンバ11内に所定のガスを導入圧力P2で導入して前記チャンバ11を真空状態から大気開放する際に、チャンバ11内の圧力P1に対して、前記P2と前記P1との差が略一定となるようにガス導入圧力P2を制御することで、常に同じガス流量を維持することができる。これにより大気解放速度の高速化を図ることができる。その結果、本発明では大気開放の時間を短縮し、スループットを向上させ、ひいては全体の処理効率を向上することができる。なお、上述した実施形態では、チャンバを真空状態から大気開放する際に、圧力センサがチャンバ内の圧力P1を検出し、制御手段がP1に応じてガス導入圧力P2を制御した場合を例に挙げて説明したが、本発明では、圧力P1を検出する圧力センサは必ずしも備えていなくてもよい。すなわち、チャンバを真空状態から大気解放するに際し、単位時間あたりのガス導入量と、ガス導入開始からの経過時間との関係が予めわかっていれば、制御手段は、この関係に基づいてガス導入圧力P2を制御することも可能である。例えば、制御手段が記憶装置を備えたPCの場合、記憶装置が上記関係を情報として蓄積した状態にあり、PCがガス導入圧力P2を制御をする形態が挙げられる。以上、本発明の基板処理装置および基板処理方法について説明してきたが、本発明は上述した例に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。"