チャンバー内にウェーハを載置するサセプタを具備するコールドウォールタイプの気相成長装置を用いて、前記サセプタ上に載置されたウェーハの主表面にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウエーハを製造する方法であって、前記気相成長前の昇温時に、前記サセプタを前記チャンバー内壁に近づけ、該チャンバー内壁の温度を上昇させた後に、前記サセプタをもとの位置に戻し、その後、前記気相成長を行い、エピタキシャルウエーハを製造することを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。前記気相成長前の昇温時に、前記サセプタを1100°C以上に加熱することを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルウエーハの製造方法。前記気相成長前の昇温時に、前記サセプタを前記チャンバー内壁に近づけ、前記チャンバー内壁の温度を500°C以上に上昇させることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のエピタキシャルウエーハの製造方法。前記気相成長時に、前記サセプタ上に載置されたウェーハを1050~1180°Cとし、該ウェーハの主表面に原料ガス及びキャリアガスを供給することでエピタキシャル層を気相成長させることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のエピタキシャルウエーハの製造方法。コールドウォール型反応器では、サセプタの温度は容易に上昇するが、チャンバー内壁は昇温に時間がかかる。また、十分に昇温できない場合もある。サセプタの温度はエピタキシャル成長反応を効率よく進められる1100°C以上に容易に上げることができるため、速やかに気相成長反応を進めることができる。しかし、チャンバー内壁の温度はサセプタに比べて温度を上げることはできない構造になっている。よって、サセプタ温度が所定の温度に上がってからもチャンバ内壁温度の上昇を待つ必要がある。本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、気相成長前の昇温時間を短縮でき、ウォールデポの付着を少なくできるエピタキシャルウエーハの製造方法を提供することを目的とする。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、チャンバー内にウェーハを載置するサセプタを具備するコールドウォールタイプの気相成長装置を用いて、前記サセプタ上に載置されたウェーハの主表面にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウエーハを製造する方法であって、前記気相成長前の昇温時に、前記サセプタを前記チャンバー内壁に近づけ、該チャンバー内壁の温度を上昇させた後に、前記サセプタをもとの位置に戻し、その後、前記気相成長を行い、エピタキシャルウエーハを製造することを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。このように、加熱しやすいサセプタを近づけてチャンバー内壁温度を上昇させれば、チャンバー内壁もすばやく昇温させることができ、気相成長前の昇温時間を短縮でき、ウォールデポの付着を少なくできるエピタキシャルウエーハの製造方法となる。前記気相成長前の昇温時に、サセプタを1100°C以上に加熱することが好ましく、さらに、サセプタをチャンバー内壁に近づけ、チャンバー内壁の温度を500°C以上に上昇させることが好ましい。これにより、気相成長前の昇温時間を一層短縮できるとともに、ウォールデポの付着を一層少なくできる。前記気相成長時に、サセプタ上に載置されたウェーハを1050~1180°Cとし、該ウェーハの主表面に原料ガス及びキャリアガスを供給することでエピタキシャル層を気相成長させることが好ましい。これにより、気相成長反応をより適切に進行させることができる。特に、本発明ではウォールデポを低減できるので、エピタキシャル層にこれに基づく欠陥の発生を低減できる。以上説明したように、本発明のエピタキシャルウエーハの製造方法であれば、気相成長前の昇温時間を短縮でき、ウォールデポの付着を少なくできる。以下、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。上述のように、気相成長前の昇温時間を短縮でき、ウォールデポの付着を少なくできるエピタキシャルウエーハの製造方法が望まれていた。本発明者らは、上記問題点について鋭意検討を重ねた結果、加熱されたサセプタをチャンバー内壁に近づけ、該チャンバー内壁の温度を上昇させることで、気相成長前の昇温時間を短縮でき、ウォールデポの付着を少なくできることを見出して、本発明を完成させた。以下、本発明をより詳細に説明する。本発明のエピタキシャルウエーハの製造方法では、チャンバー内にウエーハWを載置するサセプタを具備するコールドウォールタイプの気相成長装置を用いる。図1に本発明のエピタキシャルウエーハの製造方法に用いることのできる枚葉式の気相成長装置の一例を示す。図1に示すように、コールドウォールタイプの気相成長装置20はチャンバー1内にウエーハWを載置するサセプタ2を具備する。さらに、気相成長装置20は、SUSからなるチャンバーベース3とそれを上下から挟み、チャンバー1を形成する透明石英部材4、4’と、チャンバー1の内部に設けられてSUSのチャンバーベースをカバーする不透明石英5、5’とウエーハWを上面で支持するサセプタ2を備えている。また、サセプタ2は回転機構6に接続されており、気相成長中は回転している。回転機構6内部はSUSが使われており、回転機構6内部をパージするガス導入管7が設けられている。さらに、サセプタ2は上下動してチャンバー1の内壁上部の透明石英部材4に近づき、また元の位置に戻れるように、支持構造10で支持される。チャンバー1には、チャンバー1内に原料ガス例えばSiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH4、及びドーパントガスなど及びキャリアガス例えば、水素を含む気相成長ガスをサセプタ2の上側の領域に導入してサセプタ2上のウエーハWの主表面上に供給する気相成長用ガス導入管8が設けられている。また、チャンバー1は、気相成長用ガス導入管8が設けられた側と反対側にガス排出管9が設けられている。なお、本発明のエピタキシャルウエーハの製造方法に用いることのできるバッチ式の気相成長装置としては、上記のようにサセプタがチャンバーの内壁に近づき、また元の位置に戻れるような装置であればよい。本発明では、気相成長前の昇温時に、サセプタ2をチャンバー1の内壁に近づけ、該チャンバー1の内壁の温度を上昇させた後に、サセプタ2をもとの位置に戻す。これにより、容易に昇温するサセプタ2がチャンバー1の内壁上部の透明石英部材4のサセプタ2側の内壁の昇温を助け、気相成長前の昇温時間を短縮することができる。さらに、これにより、チャンバー1の内壁が充分に昇温し、ウォールデポの付着も妨げられる。ここで、サセプタ2をチャンバー1の内壁に近づけるとは、通常、気相成長時の位置にあるサセプタ2を、支持構造10等で、その位置よりもチャンバー1の内壁側に近づけることを意味し、サセプタ2をもとの位置に戻すとは、近づけられたサセプタ2を気相成長時の位置に戻すことをいう。なお、チャンバー1内、及びサセプタ2の加熱は公知の加熱装置不図示で行うことができる。例えば、チャンバー1及びサセプタ2の加熱装置としては、いわゆるランプ加熱方式が例示される。この際に、サセプタ2を1100°C以上に加熱することが好ましく、サセプタ2をチャンバー1の内壁に近づけ、チャンバー1の内壁の温度を500°C以上に上昇させることが好ましい。これにより、気相成長前の昇温時間を一層短縮することができ、ウォールデポの付着もより少なくなる。次に、具体的にウエーハWの主表面にエピタキシャル層を気相成長させる工程について、説明する。最初に、投入温度例えば650°Cに調整したチャンバー1内にウエーハWを投入し、その主表面が上を向くように、サセプタ2上面のザグリに載置する。ここでチャンバー1にはウエーハWが投入される前段階から、気相成長用のガス導入管8及びパージガス導入管7をそれぞれ介して水素ガスが導入されている。次に、サセプタ2上のウエーハWを加熱装置により水素熱処理温度例えば1050~1200°Cまで加熱する。この際に、加熱されたサセプタ2をチャンバー1の内壁に近づけ、サセプタ2をもとの位置に戻すことで、チャンバー1の内壁の温度を上昇させる。次に、ウエーハWの主表面に形成されている自然酸化膜を除去するための気相エッチングを行う。なお、この気相エッチングは、具体的には、次工程である気相成長の直前まで行われる。次に、ウエーハWを所望の成長温度例えば1050~1180°Cとし、気相成長用ガス導入管8を介してウエーハWの主表面上に原料ガス例えば、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH4及びドーパントガスなどやキャリアガス例えば、水素ガスを、パージガス導入管7を介してパージガス例えば、水素ガスをそれぞれ略水平に供給することによってウエーハWの主表面上にエピタキシャル層を気相成長してエピタキシャルウエーハを製造することができる。最後に、エピタキシャルウエーハを取り出し温度例えば、650°Cまで降温し、チャンバー1外へと搬出する。その後、HClエッチング工程としてチャンバー1を1100~1200°Cまで加熱し、HClガスを流して、サセプタ2やチャンバー1の内壁に堆積したポリSi、ポリ塩化シランを除去してもよい。この時、チャンバー1の昇温時にサセプタ2を上昇させ、上部の透明石英部材4のサセプタ2側の内壁に近接させ、所定の温度まで上がった後にサセプタ2をもとの位置に戻し、通常通りのエッチングを行ってもよい。以下、本発明の実施例および比較例を挙げてさらに詳細に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。実施例図1に示す枚様式の気相成長装置を準備した。水素雰囲気下、加熱装置でサセプタを700°Cから1200°Cまで加熱し、加熱されたサセプタを1200°Cで保持して、チャンバー内壁に近づけ、チャンバー内壁の温度を上昇させた。図2にチャンバー内壁の温度変化をパイロメータで測温した結果を示す。図2の横軸は後述する比較例のチャンバー内壁が500°Cとなるまでの時間を1として、経過時間を示したものである。その後、サセプタをもとの位置に戻し、原料ガスとしてSiCl4を用い、キャリアガスとして水素ガスを用いてウエーハの主表面にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウエーハを製造した。比較例図1の枚様式の気相成長装置を準備した。サセプタを移動させずに通常用いられるヒーターでチャンバー内の温度を上昇させた。図2にチャンバー内壁の温度変化をパイロメータで測温した結果を示す。その後、実施例と同一の条件でウエーハの主表面にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウエーハを製造した。図2に示されるようにチャンバー内壁が約500°Cに到達する時間が短縮できた。また、実施例において昇温から気相成長に要した時間は比較例と比べて80となった。さらに、実施例、比較例の条件でエピタキシャルウエーハの製造を続けたところ、得られたエピタキシャルウエーハ上のウォールデポが原因と思われる欠陥の発生が約30減少した。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。