"一対の電極の形成された2枚の平行基板の間隙に、二枚の配向制御膜および、液晶と、光、熱またはそれらの組み合わせにより重合し得る重合性化合物とを含む液晶組成物を配置し、その後当該重合性化合物を重合させてなる液晶表示装置の製造方法において、当該液晶が、誘電率異方性が負の液晶であり、当該配向制御膜が、ラビング方向が互いに平行となるようにラビング処理された垂直配向制御膜であり、電圧無印加時に、画像非表示部上にある箇所、および画像表示部上にあって点状または線状である箇所、の少なくともいずれか一つである、一画素内の特定箇所の液晶分子のみがスプレー配向を示し、前記重合が、所定電圧印加により、電圧無印加時の液晶分子のベンド配向がスプレー配向に転移した段階で、一画素内の特定箇所のみについて行われたものであって、紫外線を吸収する層のない基板側から紫外線を照射することによって行われることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。一対の電極の形成された2枚の平行基板の間隙に、二枚の配向制御膜および、液晶と、光、熱またはそれらの組み合わせにより重合し得る重合性化合物とを含む液晶組成物を配置し、その後当該重合性化合物を重合させてなる液晶表示装置の製造方法において、当該液晶が、誘電率異方性が正の液晶であり、当該配向制御膜が、ラビング方向が互いに平行となるようにラビング処理された水平配向制御膜であり、電圧無印加時に、画像非表示部上にある箇所、および画像表示部上にあって点状または線状である箇所、の少なくともいずれか一つである、一画素内の特定箇所の液晶分子のみがベンド配向を示し、前記重合が、所定電圧印加により、電圧無印加時の液晶分子のスプレー配向がベンド配向に転移した段階で、一画素内の特定箇所のみについて行われたものであって、紫外線を吸収する層のない基板側から紫外線を照射することによって行われることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。前記特定箇所がブラックマトリックス上にある、請求項1または2に記載の液晶表示装置の製造方法。前記重合の前、後あるいは前後に、前記特定箇所以外の箇所について、光、熱またはそれらの組み合わせによる重合を行ってなる、請求項1~3のいずれか1項に記載の液晶表示装置の製造方法。所定電圧印加で配向転移した状態での重合を一画素全域について行う全面重合を、前記特定箇所のみの重合と併用してなる、請求項1~4のいずれか1項に記載の液晶表示装置の製造方法。前記全面重合を、前記特定箇所重合の前または後あるいは前後に行う、請求項5に記載の液晶表示装置の製造方法。液晶の配向性を制御するための突起または電極のスリットを有さない、請求項1~6のいずれか1項に記載の液晶表示装置の製造方法。前記重合性化合物が2官能以上の多官能性重合性化合物を含む、請求項1~7のいずれか1項に記載の液晶表示装置の製造方法。前記重合性化合物がメタクリレート系モノマーを含む、請求項8に記載の液晶表示装置の製造方法。前記重合性化合物がトリメチロールプロパントリメタクリレートを含む、請求項9に記載の液晶表示装置の製造方法。しかしながら、配向転移後の配向を固定化させるには大量のモノマー添加が必要であり、液晶にモノマーが溶け切らない問題や、重合時に凝集等が発生し、表示品位を低下させずに転移後配向を固定化することが困難であるという問題が生じる。さらに、この方法ではレタデーションを変えることのできる範囲が小さく、印加電圧の変化に対する透過率の変化が小さくなる問題も生じる。本発明は、上記問題を解決し、高速応答性を有する液晶表示装置を提供することを目的としている。本発明のさらに他の目的および利点は、以下の説明から明らかになるであろう。本発明の一態様によれば、一対の電極の形成された2枚の平行基板の間隙に、二枚の配向制御膜および、液晶と、光、熱またはそれらの組み合わせにより重合し得る重合性化合物とを含む液晶組成物を配置し、その後重合性化合物を重合させてなる液晶表示装置の製造方法において、液晶が、誘電率異方性が負の液晶であり、配向制御膜が、ラビング方向が互いに平行となるようにラビング処理された垂直配向制御膜であり、電圧無印加時に、画像非表示部上にある箇所、および画像表示部上にあって点状または線状である箇所、の少なくともいずれか一つである、一画素内の特定箇所の液晶分子のみがスプレー配向を示し、重合が、所定電圧印加により、電圧無印加時の液晶分子のベンド配向がスプレー配向に転移した段階で、一画素内の特定箇所のみについて行われたものであって、紫外線を吸収する層のない基板側から紫外線を照射することによって行われることを特徴とする液晶表示装置の製造方法が提供される。本発明の他の一態様によれば、一対の電極の形成された2枚の平行基板の間隙に、二枚の配向制御膜および、液晶と、光、熱またはそれらの組み合わせにより重合し得る重合性化合物とを含む液晶組成物を配置し、その後重合性化合物を重合させてなる液晶表示装置の製造方法において、液晶が、誘電率異方性が正の液晶であり、配向制御膜が、ラビング方向が互いに平行となるようにラビング処理された水平配向制御膜であり、電圧無印加時に、画像非表示部上にある箇所、および画像表示部上にあって点状または線状である箇所、の少なくともいずれか一つである、一画素内の特定箇所の液晶分子のみがベンド配向を示し、重合が、所定電圧印加により、電圧無印加時の液晶分子のスプレー配向がベンド配向に転移した段階で、一画素内の特定箇所のみについて行われたものであって、紫外線を吸収する層のない基板側から紫外線を照射することによって行われることを特徴とする液晶表示装置の製造方法が提供される。上記発明態様により、高速応答性を有する液晶表示装置を製造することができる。特定箇所がブラックマトリックス上にあること、重合の前、後あるいは前後に、特定箇所以外の箇所について、光、熱またはそれらの組み合わせによる重合を行ってなること、所定電圧印加で配向転移した状態での重合を一画素全域について行う全面重合を、特定箇所のみの重合と併用してなること、全面重合を、特定箇所重合の前または後あるいは前後に行うこと、液晶の配向性を制御するための突起または電極のスリットを有さないこと、重合性化合物が2官能以上の多官能性重合性化合物を含むこと、重合性化合物がメタクリレート系モノマーを含むこと、とりわけ、重合性化合物がトリメチロールプロパントリメタクリレートを含むこと等が好ましい。本発明により、高速応答性を有する液晶表示装置を製造することができる。以下に、本発明の実施の形態を図、実施例等を使用して説明する。これらの図、実施例等および説明は本発明を例示するものであり、本発明の範囲を制限するものではない。本発明の趣旨に合致する限り他の実施の形態も本発明の範疇に属し得ることは言うまでもない。図中、同一の符号は同一の要素を示す。なお、垂直配向制御膜と水平配向制御膜については同じ符号を使用してある。同様に、負の誘電率異方性を有する液晶または液晶分子と正の誘電率異方性を有する液晶または液晶分子についても同じ符号を使用してある。本発明に係る液晶表示装置は、一対の電極の形成された2枚の平行基板の間隙に、二枚の配向制御膜および、液晶と、光、熱またはそれらの組み合わせにより重合し得る重合性化合物とを含む液晶組成物を配置し、その後重合性化合物を重合させて得られる。このとき、液晶として誘電率異方性が正の液晶を使用する場合には、配向制御膜が、ラビング方向が互いに平行となるようにラビング処理された水平配向制御膜であり、電圧無印加時に、一画素内の特定箇所の液晶分子のみがベンド配向を示すようになっている。このような構造を実現するには、たとえば、配向制御膜として、ラビング方向が互いに平行となるようにラビング処理された水平配向制御膜を使用し、所定電圧印加により、電圧無印加時の液晶分子のスプレー配向がベンド配向に転移した段階で、一画素内の特定箇所のみについて上記重合を行う方法がある。この所定電圧は、電圧無印加時の液晶分子のスプレー配向がベンド配向に転移する電圧の中から実情に応じて任意に選択することができる。配向制御膜の材料としては、公知のどのようなものを採用してもよいが、ラビング方向は互いに平行であることが必要である。互いに直交する等の非平行の場合や逆平行ラビングの進行方向が逆である平行の場合には、所望の初期液晶配向が得られない。上記重合は、光、熱またはそれらの組み合わせにより行うが、光を使用することが好ましく、光の中でも紫外線がより好ましい。以下、主に紫外線照射について説明する。電圧無印加時の液晶分子のスプレー配向がベンド配向に転移した段階にあるかどうかは、予め実験等で容易に定めることができる。どの程度まで重合させるかについては特に制限はなく、実情に応じて任意に定めればよい。紫外線照射による場合には、紫外線の波長、照射エネルギー、照射時間等の因子により、好ましい照射条件を容易に選択することができるので有利である。紫外線照射は、たとえば、マスク31を使用して図3のようにして行う。図3は電圧印加により、液晶分子をベンド状態にして紫外線照射を行う様子を示している。紫外線を使用する場合には、図3のように、カラーフィルターCF34やブラックマトリックスBM32等紫外線を吸収する層のない基板面側から照射を行う。なお、図3中符号33は薄膜トランジスタTFTを表す。配向制御膜は符号2で表されている。このようにして、一画素内の特定箇所のみについて重合を行うことにより、その部分については、Vcr以下の電圧たとえば電圧無印加状態になっても液晶分子がベンド配向を保つことができる。このようにすると、他の部分の液晶分子がスプレー配向であっても、電圧を印加する際、この部分を核としてベンド配向への転移が進行するため、高速応答性を有する液晶表示装置を実現することができる。あるいは、一画素内の特定箇所のみについては、プレチルトを付けた状態またはプレチルトが他に比べて大きい状態の領域このような領域を高プレチルト域と呼ぶ場合があるとすることができる。この場合でも配向の変化速度を大きくでき、高速応答性を有する液晶表示装置を実現することができる。以下においては、一画素内の特定箇所のみについて重合を行うことについて、その効果をベンド配向またはスプレー配向の維持とのみ説明する場合が多いが、高プレチルト域としての性質のみを有するようになる場合や両者の性質を有するようになる場合も本発明に係る効果と考えることができる。なお、初期電圧無印加時でスプレー配向の場合、液晶分子が基板面に対して小さい角度をなすほど高プレチルトであり、初期電圧無印加時でベント配向の場合、液晶分子が基板面に垂直な方向に対して小さい角度をなすほど言い換えれば、基板面とのなす角度が大きいほど高プレチルトである。液晶として誘電率異方性が負の液晶を使用する場合には、配向制御膜が、ラビング方向が互いに平行となるようにラビング処理された垂直配向制御膜であり、電圧無印加時に、一画素内の特定箇所の液晶分子のみがスプレー配向を示すようになっていることが必要である。このような構造は、配向制御膜として、ラビング方向が互いに平行となるようにラビング処理された垂直配向制御膜を使用し、所定電圧印加により、電圧無印加時の液晶分子のベンド配向がスプレー配向に転移した段階で、上記重合を、一画素内の特定箇所のみについて行うことで得られる。配向制御膜のラビング方向、重合条件、紫外線照射条件等については、液晶として誘電率異方性が正の液晶を使用する場合と同様である。配向制御膜の材料については、垂直配向制御膜であれば公知の材料の中から任意に選択することができる。一画素内の特定箇所のみについて重合を行うことにより、その部分については、Vcr以下たとえば電圧無印加状態の電圧になっても液晶分子がスプレー配向を保つことができる。あるいは高プレチルト域を造ることができる。このようにすると、他の部分の液晶分子がベンド配向であっても、電圧を印加する際、この部分を核としてスプレー配向への転移が進行するため、高速応答性を有する液晶表示装置を実現することができる。上記において、一画素内の特定箇所は、本発明の趣旨に反しない限り任意に定めることができる。ここで、一画素内には、図6に示すように、ゲートバスライン61、データバスライン62、TFT33、補助容量電極63等の非表示部の上の部分も含まれる。上記重合を行った部分は、液晶分子が他の部分とは異なる配向挙動を示し、色彩等が異なって見える場合があるので、できるだけ目立たない場所に設けることが好ましい。従って上記特定箇所が非表示部上の部分であることが好ましい。たとえば、COTColorfilterOnthinfilmTransistorのような場合には、CFがTFTと同じ側に設けられ、BMがTFT上に設けられることが多いので、このBM上に上記特定箇所を設け、CFのない基板側から紫外線照射を行えば、画素の開口率を下げることなく、容易に本発明の構造を実現することができる。この場合の特定箇所の形状には特に制限はなく、線状であっても、点状等任意の形状であってもよい。上記特定箇所が画像表示部上にある場合、または画像表示部上を含む場合には、上記重合を行った部分の色彩等が他とは異なって見える場合があるので、できるだけ目立たないように、点状または線状に設けることが好ましい。点の大きさ、線の太さ、点や線の数は、液晶表示装置の画質に与える影響を考慮して任意に定めることができる。図7~9にその例を示す。図中、黒塗りの部分が特定箇所である。本発明の構成には、MVAmultidomainVerticalAlignment方式で使用されるような液晶の配向性を制御するための突起や電極のスリットを設けることは不要である。敢えて設ける必要がある場合には設けてもよいが、特定箇所を突起や電極のスリットの近傍を避けて設けることが好ましい。色彩の差異等が目立ちやすいからである。上記点や線が許容可能なものであるかどうかや、突起や電極のスリットの近傍に上記箇所がないことは、実際に液晶表示パネルを組み立て、画質をチェックすることにより確認することができる。上記重合を行った後には、上記特定箇所以外の箇所に存在する重合性化合物を、液晶分子の配向挙動に対し影響の少ない状態で重合し、液晶層の組成を安定化しておくことが好ましい。上記特定箇所以外の箇所に存在する重合性化合物について重合を行わせないまま放置すると自然状態で重合が進み、表示パネルの画質に影響を与える可能性が考えられる。上記特定箇所以外の箇所に存在する重合性化合物についての重合は、液晶分子の配向挙動に対し影響の少ない方法であれば、どのような方法を採用してもよい。液晶分子の配向挙動に対し影響の少ない方法かどうかは液晶表示パネルとしての画質に悪影響が出ないかどうかで確認することができる。具体的には、電圧を印加しない状態または前の印加電圧より低い電圧を印加して、光、熱またはそれらの組み合わせによる重合を行う方法がある。この場合、紫外線の照射強度を小さくし、照射時間を短くする等の条件を選択することができる。上記特定箇所以外の箇所において重合を行うには、マスクを使用してもよいが、マスクを使用せず、表示パネルの全面に対し重合を行ってもよい。従って、この場合には光照射ではなく、熱を使用する重合も容易に行うことができる。光照射を行う場合にも、事前に加熱処理して、未反応の重合性化合物を既反応領域すなわち上記特定箇所にも分散させておくことが有用な場合もある。全面重合は、特定箇所の重合に先立って行ってもよく、後に行ってもよく、特定箇所の重合の前後に行ってもよいが、特定箇所の重合の効果等を考慮すると、後に行うことが最も有効である。また、これらの全面重合については、特定箇所の重合に先立って行う場合についても、特定箇所の重合の後に行う場合についても、液晶層に電圧を印加せずに行ってもよいが、所定電圧を印加した状態で行うと、さらに配向の変化速度を大きくでき、高速応答性を有する液晶表示装置を実現することができる場合がある。本発明に係る液晶組成物は、上記液晶と重合性化合物とを含有する。重合開始剤、増感剤等を含んでいてもよい。本発明に係る液晶組成物に使用する液晶については、特に制限はなく、本発明の趣旨に反しない限り、公知のどのような液晶を使用することも可能である。好ましい液晶としては、ネマティック液晶を例示することができる。本発明に係る液晶組成物に使用する重合性化合物としては、光、熱またはそれらの組み合わせにより重合し得る重合性官能基を有するものであれば特に制限はなく、液晶パネルにおいて液晶とともに使用される公知のどのような重合性の化合物を使用することもできる。モノマーやオリゴマーを使用できる。重合性官能基としては、アクリレート基、メタクリレート基、エポキシ基、ビニル基、アリル基、不飽和二重結合等の光官能性を有する基を挙げることができる。なお、電圧印加時における液晶分子の配向状態をより得やすくするには、この重合性化合物が、液晶分子のダイレクタ方向を規制することが可能な分子構造を有することが好ましい。このような分子構造としてはアルキル鎖を使用することができる。従って、本発明に係る重合性化合物としては、たとえば、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル等のアクリレート基、メタクリレート基やエポキシ基、ビニル基、アリル基などの重合性官能基を持つ化合物を例示することができる。一般的には、本発明に係る液晶組成物が2官能以上の多官能重合性化合物を含むことが好ましい。架橋構造を生じ、電圧印加時の液晶分子の配向状態を強固に保持できるようになるからである。本発明に係る重合性化合物として、より具体的には、液晶に対する溶解度の大きいメタクリレート系モノマーが好ましい。ジメタクリレートモノマーやトリメチロールプロパントリメタクリレートを例示することができる。液晶に対する溶解度が数重量にもなるトリメチロールプロパントリメタクリレートTMPTがより好ましい。このような重合性化合物を重合させると液晶層に接して、ポリマーよりなる樹脂膜が形成され、この樹脂膜が液晶分子の配向状態を規制する役割を担うものと考えられる。このようにして、液晶中での重合性化合物の析出や重合時の凝集を起こさず、転移後の液晶分子の配向を均一に固定化できるようになる。次に本発明の実施例を詳述する。[実施例1]実施例1は、TFT方式の液晶表示装置への応用である。液晶は正の誘電率異方性を有するネマティック液晶を用いる。配向制御膜は水平配向制御膜である。液晶組成物中にはTMPTが1.5重量添加されている。交流電圧20Vをパネル全面に印加した状態で、一定時間経過させて、液晶分子の配向を、スプレー状態からベンド状態ヘ転移する。この状態で、紫外線を、図3に示すように、TFT33側から、マスク31を介して照射する。対向基板側はCF34があるため本目的の照射には不適当である。その後、マスクを使用せず、電圧無印加で、液晶表示パネルの全面に紫外線を照射する。このようにして、画素中の特定箇所にのみ、液晶分子のベンド状態が保持された構造を実現することができる。[実施例2]液晶として負の誘電率異方性を有するネマティック液晶を用い、実施例1と同様の実験を行ったところ、TMPTを1.5重量添加すれば、紫外線を照射した箇所では2週間後でも液晶分子のOCS状態が維持されていることが確認された。[実施例3]画素を四つA,B,C,Dに区切り、その一つDを特定箇所として、実施例2と同様の処理を行った。この結果、電圧無印加の状態に対し10Vの電圧を印加したところ、色調の変化から、図4-Aの斜線で示すように、1秒後にD部分のみが所定の色調を示し、図4-Bの斜線で示すように、10秒後に他の部分も所定の色調を示すようになった。[実施例4]この例は、図5に示すように、OCB方式を採用し、CF34がTFT33と同じ側に設けられ、BM32がTFT33に重ね合わせるようにして設けられている、所謂COT構造である。この場合、遮光部材が無いため対向基板側から紫外線を照射することができる。マスク31が表示部を隠蔽し、所定の電圧を印加した状態でBM32上のTMPTに紫外線を照射した。その後、マスクを使用せず、電圧無印加で、液晶表示パネルの全面に紫外線を照射した。このようにして、画素中の特定箇所にのみ、液晶分子のベンド状態が保持された構造を実現することができる。このようにすると、液晶パネルの始動時に、非表示部の液晶分子のベンド状態が核となって、他のスプレー状態の液晶分子部分が素早く変化し、高速応答性を実現できると共に、非表示部では、液晶分子の動きが重合で生成したポリマーに規制されることによりレタデーション変化が小さくなるが、非表示部であるため、実際の表示に対する影響はなく、表示部分では、充分に大きなレタデーション変化を実現することができるようになる。[実施例5]スプレー配向について検討した。マスクを用いた特定箇所重合一画素内の特定箇所のみで行われた重合により、配向転移の核となり得る高プレチルト域を画素部の特定位置に設けた後、マスクを除去し、電圧を印加した状態で液晶表示パネルの全面に紫外線を照射して全面重合を行った。これにより、パネル内の残存モノマーを低減できると共に、表示部の全域のプレチルトを少し高める効果が得られた。その結果、ベンド配向の成長速度が上がり、核で発生したベンド配向を速やかに画素全域に広げることが可能となった。具体的には、ベンド転移時間が、室温で3秒、-30°Cで15秒となった。なお、ベンド転移時間は、1cm角の端画素が6V印加時に全域配向転移を終える時間である。通常のOCBでは、室温で60秒、-30°Cで200秒を要していた。[実施例6]スプレー配向について検討した。マスクを用いた特定箇所重合により、配向転移の核となり得る高プレチルト域を画素部の特定位置に設ける前に、マスクを用いない状態でかつ電圧を印加した状態で全面重合を行った。これにより、パネル内の残存モノマーを予め減らしておけると共に、表示部の全域のプレチルトを少し高める効果が得られた。これにより、ベンド配向の成長速度が上がり、核で発生したベンド配向を速やかに画素全域に広げることが可能となった。なお、ベント配向についても実施例5,6と同様の効果を得ることができた。"