"第1の主面11および前記第1の主面11に平行に配置された第2の主面15を有するウェハ10を伴う逆導通パワー半導体デバイス1であって、前記デバイスは、複数のダイオードセル96および複数のIGCTセル91を具備すること、ここにおいて、各IGCTセル91は、前記第1および第2の主面11,15の間に以下の順で複数の層を具備する:-カソード電極2、-第1導電型の第1のカソード層4、-第2導電型のベース層6、-前記第1導電型のドリフト層3、-前記第1導電型のバッファ層8、-前記第2導電型の第1のアノード層5、-第1のアノード電極25。ここにおいて、各IGCTセル91は、前記第1のカソード層4の横に配置され、そして、それとは前記ベース層6によって分離されているゲート電極をさらに具備し、ここにおいて、各ダイオードセル96は、前記第1の主面11上の第2のアノード電極28、前記ドリフト層3によって前記ベース層6から分離された前記第2導電型の第2のアノード層55、および、前記第2の主面15上で前記第1のアノード層5と交互に配置された前記第1導電型の第2のカソード層45を具備し、および、ここにおいて、前記デバイスは、少なくとも一つの混合部99を具備しており、その中では前記ダイオードセル96の前記第2のアノード層55は前記IGCTセル91の前記第1のカソード層4と交互する。請求項1のデバイス1において、前記混合部99内で、各ダイードセル96は、一つの第2のアノード層55が二つの第1のカソード層4および/またはゲート電極7の間に配置されるように、配置されることを特徴とする。請求項1のデバイス1において、GCTセルcells96に対するダイオードセルcells96の比は1.1ないし1.5であり、ここにおいて、前記ダイオードセルの数は前記第2のアノード層55の数として定義され、そして、前記IGCTセルに対しては前記第1のカソード層4の数として定義されることを特徴する。請求項1または2のいずれかのデバイス1において、前記デバイス1は、第2のアノード層4を間に持つことなく、互いに隣接して直接的に配置された複数の第1のカソード層4およびゲート電極7からなる、少なくとも一つのパイロットIGCT部9を具備することを特徴とする。請求項3のデバイス1において、前記少なくとも一つのIGCT部9は、前記ウェハ面積totalwaferareaの10ないし50の全面積totalareaを有することを特徴する。請求項1または2のいずれかのデバイス1において、前記第2のアノード層55は、前記混合部99内の前記ウェハ上に均一に分散されていることを特徴する。請求項1ないし6のいずれかのデバイス1において、前記IGCTセルcells91の前記第1の主面側の部分に対する前記ダイオードセルcells96の少なくとも一つまたはすべて、または、前記IGCTセルcells91の二つの隣り合う第1の主面側の部分は、前記第1の主面11に平行な面内において50から500μmまでの最大ラテラルエクステンションlateralextensionを互いに有することを特徴する。請求項1ないし7のいずれかのデバイス1において、前記ベース層6および前記第2のアノード層55のドーピング濃度および深さの少なくとも一つは異なっており、特に前記第2のアノード層55のドーピング濃度および深さの少なくとも一つは、前記ベース層6のそれよりも低いことを特徴する。請求項1ないし8のいずれかのデバイス1において、前記第1の主面11に平行な面内における前記第2のカソード層45の全面積totalareaは前記ウェハ面積totalwaferareaの10ないし30であることを特徴する。請求項1ないし9のいずれかのデバイス1において、前記第2のカソード層layers45は、多くてもIGCTセル91に直接的に隣接する第1のカソード層4の正射影領域に制限される領域内において、前記第2のアノード層55に正射影に配置されることを特徴とする。請求項10のデバイス1において、前記第2のカソード層layers45は、第2のアノード層55に正射影な領域内に配置され、前記領域は多くても前記IGCTセル91に直接的に隣接する前記第1のカソード層4のその半分部の正射影領域に制限され、前記領域は前記第2のカソード層45に向かって配置されることを特徴とする。請求項1ないし11のいずれかのデバイス1において、前記第2のカソード層45は、前記第2導電型のアノード短絡領域regions51と交互する、前記第1導電型の分散されたカソード領域451を具備することを特徴とする。請求項1ないし12のいずれかのデバイス1において、ライフタイムキリングlifetimekilling層は、前記ダイオードセル96内に配置されるか、または、ウェハ全体thewholewafer10上の少なくとも一つの面内の連続した層として配置されることを特徴とする。請求項1ないし13のいずれかのデバイス1において、前記ウェハ10は円の形状を有し、そして、前記第1のカソード層4および前記第2のアノード層55は円の中心に対して放射状にストライプ状に配置されることを特徴とする。請求項14のデバイス1において、前記デバイス1は少なくとも一つのパイロットIGCT部9を具備し、それは複数の第1のカソード層4、ベース層6およびゲート電極7からなり、それらは第2のアノード層4を間に持つことなく、互いに隣接して直接的に配置され、そして、前記円の少なくとも一つのセグメントはパイロットIGCT部9であることを特徴とする。複数の図に用いられた複数の参照記号およびそれらの意味は参照記号のリストに要約されている。一般に、同様または同様に機能する部分には同じ参照記号が与えられている。説明される実施形態は例として示され、本発明を制限するものではない。図3は、第1の主面11および第1の主面11に平行に配置された第2の主面15を有するウェハ10を伴う逆導通パワー半導体デバイス1の形態での発明の半導体デバイスを示す。前記デバイスは、複数のダイオードセル96および複数のIGCTセル91を具備し、ここにおいて、各IGCTセル91は、第1の主面11と第2の主面15との間に以下の順で複数の層を具備している。-カソード電極2、-nドープト第1のカソード層4、-pドープトベース層6、-n-ドープトドリフト層3、-nドープトバッファ層8、-pドープト第1の別のアノード層5、および-第1のアノード電極25。各IGCTセル91はさらにゲート電極7を具備し、それは第1のカソード層4の横に配置され、そして、ベース層6によってそれから分離されている。例示的な実施形態において、バッファ層8は最大で1016cm3の最大ドーピング濃度を有する。IGCTセルの第1の主面側の複数の層つまり、第1のカソード層4、ゲート電極7を伴うベース層6は、前記IGCTセルの第2の主面側の複数の層つまり、第1のアノード層5に位置合わせされalignedても構わない。非位置合わせnonalignmentの場合、第1の主面側の層に最も近くに配置された第1のアノード層5は同じセルに属するべきである。したがって、非位置合わせの場合、前記デバイスは、一つよりも多くの第2の並んだ層sidedlayerが一つのセルに割り当てられる、または、一つの第2の並んだ層sidedlayerが二つのセルに割り当てられるように設計されても構わない。各ダイオードセル96は、第2のアノード電極28、ドリフト層3によってベース層6から分離された、第1の主面11上のpドープト第2のアノード層55、および、第1のアノード層5と交互に配置された、第2の主面15上のnドープト第2のカソード層45を具備する。第2のアノード層55は、第2のアノード電極28にコンタクトする。IGCTセルの第1のアノード電極25は、ダイオードセル96に対してのカソード電極として機能する。ダイオードセルの第1の主面側の複数の層つまり、第2のアノード層55は、前記ダイオードセルの第2の主面側の複数の層つまり、第2のカソード層45に位置合わせされても構わない。非位置合わせnonalignmentの場合、第1の主面側の層に最も近くに配置される第2のカソード層45は同じセルに属するべきである。したがって、非位置合わせの場合、前記デバイスは、一つよりも多くの第2の並んだ層sidedlayerが一つのセルに割り当てられる、または、一つの第2の並んだ層sidedlayerが二つのセルに割り当てられるように設計されても構わない。ダイオードセル96は、ダイオードとIGCTセル96,91との間に配置され且つ第1の主面11にまで延びるドリフト層3の部分によって形成された、分離領域35によって、IGCTセル91から分離されている。分離領域35はまた逆バイアス条件下での改善されたフィールド広がりのための標準エッジ終端技術を採用することができる。ライフタイムキリングlifetimekilling層は少なくともダイードセル96内に配置されても構わない。これは、作成の期間中にマスクを用いること、または、ダイオードセル96上に横方向に制限されたイオンビームを適用することによって、ダイオードセル96へのライフタイムキリング層を制限することにより行うことができる。別の例示的な実施形態では、ライフタイムキリング層は、前記主面sidesに平行に配置されている一つの面内において、ウェハの全領域上に一つの連続した層として形成されても構わない。ライフタイムキリング層が、ダイオードセルに制限されているか、または、連続層として作られているかとは独立的に、前記デバイスはライフタイムキリング層の作成のために典型的にはフォトンまたはヘリウムイオンで照射され、その後、アニールステップが続く。深さは、前記面sideから層が延び、前記層が配置される最大距離を意味し、例えば、Pベース層6に対しては、それは、第1の主面11からの最大距離であり、そして、前記第1の主面11への正射影である。第1の主面11は、ゲート電極7がウェハ10から突出する面内に配置される。前記デバイスは、少なくとも一つの混合部mixedpart99を具備しており、その中ではダイオードセルcells96はIGCTセルcells91と交互している。例示的な実施形態では、ダイオードセル96は、一つのダイオードが二つの隣り合うIGCTセル91内に配置されるように、配置される。それは、各ダイオードセル96が、一つの第2のアノード層55が、二つの隣り合うIGCTセル91間に、つまり、これらのIGCTセル91に属している第1のカソード層4間および/またはそれらのゲート電極7間に配置されるように、配置されることを意味する。別の例示的な実施形態では、IGCTセル96に対するダイオードセル96の比が1.1から1.5までの間で変わるように、複数のIGCTセルが直接的に互いに隣り合って配置されていても構わない。ダイオードセルの数は第2のアノード層の数として定義され、そして、IGCTセルに対しては第1のカソード層の数として定義される。また、混合部に対してはダイオードセルは第2のアノード層および第1のカソード層の配置としてのIGCTの配置として解釈されるべきである。この特許出願では、ダイオードセル96の位置決めpositioningに関しては第2のカソード層55の位置決め、つまり、ダイオードセルの第1の主面側の層layersの位置決めとして理解されるべきでる。IGCTセルの位置決めに関しては第1のカソード層4およびゲート電極7およびベース層6の位置決め、つまり、IGCTセルの第1の主面側の層layersの位置決めとして理解されるべきでる。すべての実施形態において、第2の主面15上の層layers、つまり、第1のアノード層5および第2のカソード層45は、ダイオードセル96に対しては第2のカソード層45が第2のアノード層55に対して正射影/反対側に配置されるように、第1の主面上の層layersに位置合わせされても構わない。IGCTセル91に対しては第1のカソード層およびゲート電極7は第1のアノード層5に対して正射影/反対側に配置される。代替的には、前記第1の主面側の層と前記第2の主面側の層との間に位置合わせがない。この実施形態では、少なくともダイオードセル91があるのと同数のIGCTセルがある。その比は、例えば、良いIGCT特性を達成するためには、少なくとも1:3とすることができる。そのような比が伴っていても、ダイオードモード内で良い特性を保証するために十分なダイオードセル96がまだある。別の例示的な実施形態では、第1の主面上の前記構造は第2の主面の前記構造と位置合わせされている。それは、ダイオードセル内では第2のアノード層が第2カソード層に対して正射影/反対側に配置されることを意味する。IGCTセル内では、第1のカソード層およびゲート電極は第1のアノード層に対して正射影/反対側に配置される。ダイオードセル96は、IGCTモードでのデバイスの動作の期間中にダイオードセル96内にプラズマが形成されるような小さいサイズを有していても構わない。この効果は、ダイオードセルcells96の少なくとも一つまたはすべてが第1の主面11に平行な面内において50から500μmまでの最大ラテラルエクステンションlateralextensionを有することによって達成され得る。前記効果を達成するために、IGCTセルcells91の少なくとも一つまたはすべてもまた第1の主面11に平行な面内において50から500μmまでの最大ラテラルエクステンションを有する。別の例示的な実施形態では、IGCTおよびダイオードセルの少なくとも一つまたはすべては第1の主面11に平行な面内において50から500μmまでの最大ラテラルエクステンションを有する。セルのラテラルエクステンションは、二つの隣り合うセル間の距離、つまり、直接的に隣り合うIGCTセルの第1の主面側の層layersの一つと第2のアノード層55との間、または、二つの直接的に隣り合うIGCTセルの第1の主面側の層layers間の距離として理解することができる。別の例示的な実施形態では、第2のカソード層layers45は、第2のアノード層55に対して正射影に領域内に配置され、それは最大で直接的に隣接したIGCTセルの第1のカソード層4の正射影領域に限定される。第1のカソード層4は、一つの第1の半分部halfpartを具備しており、それは第2の半分部よりも第2のカソード層45に近くに配置される。第2のカソード層45が配置される前記領域は、さらに、ダイオードセル領域およびIGCTセル91に直接的に隣接する第1のカソード層4の前記第1の半分部の正射影領域によって、制限され得る。それは、第2のカソード層layers45は第2のアノード層55に正射影な領域内に配置され、それは多くてもIGCTセル91に直接的に隣接する第1のカソード層4のその半分部の正射影領域に制限され、それは前記第2のカソード層45に向かって配置されること、を意味する。ベース層複数6および第2のアノード層55複数のドーピング濃度および深さは同じまたは互いに独立に選ぶことができる。例えば、第2のアノード層複数55のドーピング濃度および/または深さは、ベース層複数6のそれよりも小さく選択することができる。その場合、第2のアノード層55内には低い注入効率があり、そして、したがって、深い第2のアノード層55を伴うデバイスよりも小さいライフタイム制御が必要とされる。第1の主面11に平行な面内における第2のカソード層45の全面積totalareaは代表的には全ウェハ面積totalwaferareaの10ないし30に選ぶことができる。図4に示されるように、第2のカソード層45は、第2導電型のアノード短絡領域regions51と交互する分散されたカソード領域451から形成されていても構わない。アノード短絡領域regions51は、前記第1の主面11上の前記デバイスの構造に対して、つまり、第2のカソード層45の他に第1のカソード層5に対して位置合わせされる必要なく、そして、アノード短絡領域regions51は、第2のアノード層55または第1のカソード層4に対してそれぞれ正射影に配置される必要はない。IGCT-ダイオードモード間の高速な切り替えを可能とするために、ダイオードセル96つまり、第2のアノード層55は混合部99内のウエハ上に均一に分散されていても構わない。ウェハ10上にパイロットIGCT部9を持つことも有利であり得り、それはIGCTセルcells91のみ代表的には6以上、代表的には少なくとも10からなり、それらは互いに直接的に隣接して配置され、そして、パイロットIGCT部9内ではダイオードセルを持たな。そのようなパイロットIGCT部9は、第1のカソード層4の第1の主面11および共通で、連続したベース層6と一緒の複数のゲート電極7上に成り、それらは第2のアノード層4を間に持つことなく、互いに隣接して直接的に配置されている。そのようなパイロットIGCT部は、単一IGCT部9とすることもでき、または、複数つまり2以上のそのようなパイロットIGCT部はデバイス内に配置されても構わない。IGCT部9の全面積totalareaは全ウェハ面積totalwaferareaの10ないし50とすることができる。このようなIGCT部9があることで、デバイスのターンオフ特性を改善することができる。さらに別の実施形態では、ウェハ10は円の形状を有し、そして、第1のカソード層4および第2のアノード層55は円の中心に対して放射状にストライプ状に配置される。ダイオードセル96は、図5に示されるように円の中心の周りに規則正しく配置されても構わない。別の代替的では、セグメントと交互する円のセグメント内に配置された複数のIGCT部9があり、その中ではIGCTセルcells95はダイオードセルcells96と交互し、したがって、ダイオードセルcells96を伴うIGCTセルcells91が混合された領域99を形成する。それは、複数の第1のカソード層4、ベース層6およびゲート電極7が、第2のアノード層4を間に持つことなく、互いに隣接して直接的に配置されていることを意味する。別の実施形態では、導電型は取り換えられ、つまり、第1導電型の全ての層はp型例えば、ドリフト層3および第2導電型の全ての層はn型例えば、ベース層6である。用語具備することcomprisingは他の要素またはステップを除外はせず、そして、不定冠詞aまたはanは複数を除外しないことに留意すべきである。また、異なる実施形態に関連して説明された要素を組み合わせてもよい。特許請求の範囲中の参照符号は、特許請求の範囲を限定するものとして解釈されるべきではないことにも留意すべきである。これらの例は本発明の範囲を限定するものではない。上述の設計および配置は、単に、ベース層sおよびウェルゾーンzonesに対しての任意の種類の可能な設計および配置の例である。本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他の特定の形態で実施できることは、当業者には理解されるであろう。開示された実施形態は、したがって、すべての点において例示的であると考慮され、そして、制限されない。本発明の範囲は、前述の説明よりむしろ添付の特許請求の範囲によって示され、その意味および範囲および均等物内に入る全ての変更はその中に含まれると意図されている。"