"搭載基板と、前記搭載基板にフリップチップボンディングされたLEDチップと、前記搭載基板上に形成され、前記LEDチップを封止するガラス材料から成るガラス封止部と、前記搭載基板と前記LEDチップとの間に前記ガラス封止部のガラス材料が進入していない空隙である中空部と、前記中空部と連通するように、前記搭載基板の板厚方向に貫通形成された注入孔と、前記中空部の内部に充填されたガラス層から成るガラス充填部とを備えた発光装置。請求項1に記載の発光装置において、前記ガラス充填部の前記ガラス層はゾルゲルガラス層から成る発光装置。請求項1に記載の発光装置において、前記ガラス充填部の前記ガラス層はガラス材料の微粉末の焼結層から成る発光装置。請求項1~3のいずれか1項に記載の発光装置において、前記ガラス充填部には、光反射性の良好な材料、蛍光材料、熱伝導性の良好な材料から選択された少なくともいずれか1つの材料から成るフィラーが分散配置された発光装置。請求項1に記載の発光装置を製造するための製造方法であって、前記注入孔を介して前記中空部の内部に、ゾルゲルガラス層の形成材料を注入する工程と、ゾルゲル法を用い、前記ゾルゲルガラス層の形成材料を加水分解させた後に縮重合させてゾルとし、そのゾルから水分を除去して生じたゲルを焼結させてガラス化させることによりゾルゲルガラス層を形成する工程とを備え、前記ゾルゲルガラス層が前記ガラス充填部の前記ガラス層となる発光装置の製造方法。請求項1に記載の発光装置を製造するための製造方法であって、前記注入孔を介して前記中空部の内部に、ガラス材料の微粉末を注入する工程と、前記ガラス材料の微粉末を焼結させて焼結層を形成する工程とを備え、前記ガラス材料の微粉末の焼結層が、前記ガラス充填部の前記ガラス層となる発光装置の製造方法。請求項5または請求項6に記載の発光装置の製造方法において、前記ガラス充填部には、光反射性の良好な材料、蛍光材料、熱伝導性の良好な材料から選択された少なくともいずれか1つの材料から成るフィラーが分散配置された発光装置の製造方法。請求項5~7のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法において、前記中空部と連通するように、前記搭載基板の板厚方向に貫通形成された排気孔を設け、前記排気孔を介して前記中空部の内部の封止雰囲気を排気させながら、前記注入孔を介して前記中空部の内部に前記ガラス層の形成材料を注入する工程を備えた発光装置の製造方法。ガラス材料をホットプレス加工する際には、ガラス材料をガラス転移点以上の温度に加熱するため、LEDチップの本体部分を形成する半導体材料とP側アノード側コンタクト電極層コンタクト層の形成材料との熱膨張率差により、LEDチップの本体部分からP側コンタクト電極層が剥離するおそれがある。このため、LEDチップの本体部分をIII族窒化物系化合物半導体例えば、窒化ガリウム系半導体などで形成した場合には、III族窒化物系化合物半導体と熱膨張率が略同等で付着強度が大きなITOでP側コンタクト電極層を形成している特許文献1~3参照。また、ホットプレス加工はガラス材料の高粘度状態で行われるため、搭載基板とLEDチップとの間へガラス材料が十分に回り込まず、ガラス材料が進入していない中空部が形成されるが、中空部にはホットプレス加工装置内の封止雰囲気が閉じこめられて残留する。そのため、P側コンタクト電極層と中空部との界面に達した光は、P側コンタクト電極層と中空部内の封止雰囲気との屈折率差に基づいて反射されるため、光が搭載基板に到達することによる反射吸収損失を低減することができる。しかし、中空部内の封止雰囲気に接触する発光装置の構成部材P側コンタクト電極層、パッド電極、バンプ、搭載基板の内部配線パターンなどが、封止雰囲気に含まれる不純物により侵されて劣化するおそれがあり、発光装置の信頼性が低下するという問題がある。そこで、特許文献3の技術のように、中空部にアンダーフィルを充填して封止雰囲気を排除すれば、前記問題を回避できる。特許文献3の技術では、LEDチップを搭載基板にフリップチップボンディングする前に、搭載基板に予めアンダーフィルをポッティングしておき、その上にLEDチップを載置することにより、中空部にアンダーフィルを充填している。しかし、中空部内にアンダーフィルを確実に充填するには、アンダーフィルを搭載基板に対して正確にポッティングする必要があり、技術的に極めて困難であるため実用性に欠けている。本発明は前記問題を解決するためになされたものであって、その目的は、搭載基板とLEDチップとの間に形成された中空部内の封止雰囲気に含まれる不純物により構成部材が侵されて劣化するのを防止可能な発光装置と、その製造方法とを提供することにある。本発明者らは前記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、下記のように本発明の各局面に想到した。<第1の局面>第1の局面は、搭載基板と、前記搭載基板にフリップチップボンディングされたLEDチップと、前記搭載基板上に形成され、前記LEDチップを封止するガラス材料から成るガラス封止部と、前記搭載基板と前記LEDチップとの間に前記ガラス封止部のガラス材料が進入していない空隙である中空部と、前記中空部と連通するように、前記搭載基板の板厚方向に貫通形成された注入孔と、前記中空部の内部に充填されたガラス層から成るガラス充填部とを備えた発光装置である。第1の局面によれば、中空部の内部に充填されたガラス層から成るガラス充填部を備えるため、中空部の内部に残留していた封止雰囲気が排除されることから、発光装置の構成部材の劣化を防止して発光装置の信頼性を高めることができる。そして、第1の局面におけるガラス充填部は、注入孔を介して中空部の内部にガラス層の形成材料を注入することによって得られるため、中空部の内部にガラス層を確実に充填することが可能であり、ガラス充填部を容易に形成できることから、実用性に優れている。<第2の局面>第2の局面は、第1の局面において、前記ガラス充填部の前記ガラス層はゾルゲルガラス層から成る発光装置である。第2の局面におけるガラス充填部は、注入孔を介して中空部の内部にゾルゲルガラス層の形成材料を注入し、ゾルゲル法を用いてゾルゲルガラス層を形成することによって得られる。そのため、中空部の内部にゾルゲルガラス層を確実に充填することが可能であり、ガラス充填部を容易に形成できることから、実用性に優れている。<第3の局面>第3の局面は、第1の局面において、前記ガラス充填部の前記ガラス層はガラス材料の微粉末の焼結層から成る発光装置である。第3の局面におけるガラス充填部は、注入孔を介して中空部の内部にガラス材料の微粉末を注入し、そのガラス材料の微粉末を焼結させて焼結層を形成することによって得られる。そのため、中空部の内部に焼結層を確実に充填することが可能であり、ガラス充填部を容易に形成できることから、実用性に優れている。<第4の局面>第4の局面は、第1~第3の局面において、前記ガラス充填部には、光反射性の良好な材料、蛍光材料、熱伝導性の良好な材料から選択された少なくともいずれか1つの材料から成るフィラーが分散配置された発光装置である。光反射性の良好な材料をフィラーとして用いれば、LEDチップが発生した光が、ガラス充填部に分散配置されたフィラーによって反射されるため、光が搭載基板に到達することによる反射吸収損失を低減することが可能になり、発光装置からの光の取り出し効率を高めることができる。蛍光材料をフィラーとして用いれば、LEDチップが発生した光により、ガラス充填部に分散配置されたフィラーが蛍光を発生し、その蛍光がLEDチップの光と混合する。そのため、LEDチップの光と同じ色の蛍光を発生する蛍光材料をフィラーに用いた場合には、発光装置の発光効率を高めることができる。また、LEDチップの光と異なる色の蛍光を発生する蛍光材料をフィラーに用いた場合には、LEDチップの光とは異なる発光色が得られる。熱伝導性の良好な材料をフィラーとして用いれば、LEDチップが発生した熱を、ガラス充填部を介して搭載基板へ伝導させ、発光装置から外部へ放出することが可能になるため、LEDチップの過熱を抑制して信頼性を向上できる。尚、前記特性を有するフィラーを複数種類混合して用いてもよく、その場合には複数の特性を合わせもたせることができる。<第5の局面>第5の局面は、第1の局面の発光装置を製造するための製造方法であって、前記注入孔を介して前記中空部の内部に、ゾルゲルガラス層の形成材料を注入する工程と、ゾルゲル法を用い、前記ゾルゲルガラス層の形成材料を加水分解させた後に縮重合させてゾルとし、そのゾルから水分を除去して生じたゲルを焼結させてガラス化させることによりゾルゲルガラス層を形成する工程とを備え、前記ゾルゲルガラス層が前記ガラス充填部の前記ガラス層となる発光装置の製造方法である。従って、第5の局面によれば、第2の局面と同様の作用効果が得られる。<第6の局面>第6の局面は、第1の局面の発光装置を製造するための製造方法であって、前記注入孔を介して前記中空部の内部に、ガラス材料の微粉末を注入する工程と、前記ガラス材料の微粉末を焼結させて焼結層を形成する工程とを備え、前記ガラス材料の微粉末の焼結層が、前記ガラス充填部の前記ガラス層となる発光装置の製造方法である。従って、第6の局面によれば、第3の局面と同様の作用効果が得られる。<第7の局面>第7の局面は、第5または第6の局面において、前記ガラス充填部には、光反射性の良好な材料、蛍光材料、熱伝導性の良好な材料から選択された少なくともいずれか1つの材料から成るフィラーが分散配置された発光装置の製造方法である。従って、第7の局面によれば、第4の局面と同様の作用効果が得られる。<第8の局面>第8の局面は、第5~第7の局面において、前記中空部と連通するように、前記搭載基板の板厚方向に貫通形成された排気孔を設け、前記排気孔を介して前記中空部の内部の封止雰囲気を排気させながら、前記注入孔を介して前記中空部の内部に前記ガラス層の形成材料を注入する工程を備えた発光装置の製造方法である。第8の局面によれば、ガラス層の形成材料を中空部の内部に容易に注入することが可能になるため、発光装置の製造効率を向上できる。以下、本発明を具体化した各実施形態について図面を参照しながら説明する。尚、各実施形態において、同一の構成部材および構成要素については符号を等しくすると共に、同一内容の箇所については重複説明を省略する。また、各図面では、説明を分かり易くするために、各実施形態の構成部材の寸法形状および配置箇所を誇張して模式的に図示してあり、各構成部材の寸法形状および配置箇所が実物とは異なっている。<第1実施形態>図1に示すように、第1実施形態の発光装置10は、搭載基板11、P側アノード側内部配線パターン回路パターン12、N側カソード側内部配線パターン13、P側外部配線パターン14、N側外部配線パターン15、ビアホール16,17、バンプ18,19、LEDチップ素子20、ガラス封止部30、中空部31、注入孔32、ガラス充填部33、フィラー34などから構成されている。LEDチップ20は、成長基板21、バッファ層22、N型半導体層23、発光層24、P型半導体層25、P側コンタクト電極層26、P側パッド電極27、N側パッド電極28などから構成されている。搭載基板11はセラミックの板材から成り、搭載基板11の表面上にはP側内部配線パターン12およびN側内部配線パターン13が形成され、搭載基板11の裏面上にはP側外部配線パターン14およびN側外部配線パターン15が形成されている。搭載基板11にはその板厚方向にビアホール16,17が貫通形成されており、P側内部配線パターン12とP側外部配線パターン14とはビアホール16を介して接続され、N側内部配線パターン13とN側外部配線パターン15とはビアホール17を介して接続されている。各配線パターン12~15は、導電性の高い金属の多層膜例えば、銅またはタングステン、ニッケル、金を下層からこの順番で積層した多層膜などから成る。ビアホール16,17内には導電性の高い金属例えば、銅、タングステンなどから成るプラグが埋設されている。成長基板21はサファイア酸化アルミニウムの板材から成る。成長基板21の表面上には、バッファ層22、N型半導体層23、発光層24、P型半導体層25、P側コンタクト電極層26がこの順番で積層形成されている。バッファ層22は、成長基板21上にN型半導体層23を形成するために用いられ、例えば、窒化アルミニウムから成る。N型半導体層23およびP型半導体層25は、エピタキシャル成長により形成されたIII族窒化物系化合物半導体例えば、窒化ガリウム系半導体などから成る。発光層24は、エピタキシャル成長により形成されたIII族窒化物系化合物半導体を複数ペア積層例えば、InGaN層とAlGaNバリア層とを交互に6ペア積層させた構造のMQWmultiplequantumwell層から成る。尚、発光層24を省いてもよい。P側コンタクト電極層26は、ガラス封止部30の形成時に加熱されても、LEDチップ20の本体部分であるP型半導体層25からP側コンタクト電極層26が剥離しない材料によって形成されている。例えば、各層23~25をIII族窒化物系化合物半導体で形成した場合には、III族窒化物系化合物半導体と熱膨張率が略同等で付着強度が大きなITOによってP側コンタクト電極層26が形成されている。P側コンタクト電極層26の表面上には、P側パッド電極27が形成されている。P側パッド電極27は、例えば、ニッケルと金の合金などから成る。LEDチップ20の各層23~26の一部はエッチング処理により削り取られ、N型半導体層23の表面が露出されており、その露出されたN型半導体層23の表面上にはN側パッド電極28が形成されている。N側パッド電極28は、例えば、導電性の高い金属の多層膜例えば、アルミニウム、ニッケル、金を下層からこの順番で積層した多層膜などから成る。各パッド電極27,28はLEDチップ20の同一面側裏面側に形成されている。LEDチップ20は、P側内部配線パターン12およびN側内部配線パターン13の上にそれぞれ、バンプ18,19を用いてフリップチップボンディングされることにより、搭載基板11に搭載されている。すなわち、P側パッド電極27とP側内部配線パターン12とがバンプ18を介して接続され、N側パッド電極28とN側内部配線パターン13とがバンプ19を介して接続されている。バンプ18,19は、例えば、金、ハンダなどから成る。ガラス封止部30は、無機封止材料である透明なガラス材料例えば、酸化亜鉛系ガラスなどから成り、搭載基板11に搭載されたLEDチップ20をガラス封止している。ガラス封止部30の形成方法は、まず、板状のガラス材料を搭載基板11と平行になるようにLEDチップ20の上方に配置した状態で、ガラス材料および搭載基板11をホットプレス加工装置の金型にセットし、次に、封止雰囲気例えば、不活性ガスである窒素ガスなど中で金型を加熱しながらガラス材料と搭載基板11とを加圧するホットプレス加工により、ガラス材料を搭載基板11に熱圧着させ、ガラス材料によってLEDチップ20を封止させる。このとき、ホットプレス加工はガラス材料の高粘度状態で行われるため、搭載基板11とLEDチップ20との間へガラス材料が十分に回り込まず、搭載基板11とLEDチップ20との間には、ガラス材料が進入していない空隙である中空部31が形成される。注入孔32は、搭載基板11の裏面側と中空部31とを連通するように、ホットプレス加工以前に予め搭載基板11の板厚方向に貫通形成されている。ガラス充填部33は、中空部31および注入孔32の内部に充填されたゾルゲルガラス層から成る。第1実施形態におけるガラス充填部33の形成方法は、まず、矢印αに示すように、搭載基板11の裏面側から注入孔32を介して中空部31内に、ゾルゲルガラス層の形成材料例えば、テトラエトキシシランなどの金属アルコキシドなどを注入し、次に、その形成材料を加水分解させた後に縮重合させてゾルとし、続いて、そのゾルから水分を除去して生じたゲルを焼結させてガラス化させることにより、ゾルゲルガラス層を形成する。[第1実施形態の作用効果]第1実施形態の発光装置10によれば、以下の作用効果を得ることができる。[1]ガラス封止部30のホットプレス加工時には、ホットプレス加工装置内の封止雰囲気が中空部31内に閉じこめられて残留する。そのため、中空部31内の封止雰囲気に接触する発光装置10の構成部材内部配線パターン12,13、バンプ18,19、P側コンタクト電極層26、P側パッド電極27、N側パッド電極28などが、封止雰囲気に含まれる不純物により侵されて劣化するおそれがあり、発光装置10の信頼性が低下するという問題がある。しかし、発光装置10では、中空部31および注入孔32の内部に充填されたゾルゲルガラス層から成るガラス充填部33を備えるため、中空部31内の封止雰囲気が排除されることから、前記問題を解決することが可能であり、構成部材の劣化を防止して発光装置10の信頼性を高めることができる。尚、注入孔32の内部にガラス充填部33を充填する必要は無く、中空部31の内部にのみガラス充填部33を充填すればよい。[2]ガラス充填部33は、搭載基板11の注入孔32を介して中空部31内にゾルゲルガラス層の形成材料を注入し、ゾルゲル法を用いてゾルゲルガラス層を形成することによって得られる。そのため、中空部31内にゾルゲルガラス層を確実に充填することが可能であり、ガラス充填部33を容易に形成できることから、実用性に優れている。尚、注入孔32の配置箇所や、注入孔32の断面形状および断面寸法φ1については、ゾルゲルガラス層の形成材料を確実に注入できるように適宜設定すればよい。また、注入孔32を介して中空部31内の不活性ガスを排出させることにより、中空部31内を真空状態にしておけば、ゾルゲルガラス層の形成材料を中空部31内に容易に注入することができる。[3]ガラス充填部33を構成するゾルゲルガラス層の形成材料に、下記特性を有する各種材料のフィラー34を混入させておくことにより、ガラス充填部33にフィラー34を分散配置させてもよい。尚、下記特性を有するフィラー34を複数種類混合して用いてもよく、その場合には複数の特性を合わせもたせることができる。光反射性の良好な材料をフィラー34として用いれば、発光層24で発生した光が、ガラス充填部33に分散配置されたフィラー34によって反射されるため、光が搭載基板11に到達することによる反射吸収損失を低減することが可能になり、発光装置10からの光の取り出し効率を高めることができる。光反射性の良好な材料には、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、硫酸バリウム、硫化亜鉛、窒化ホウ素などがあるが、特に酸化チタンは安価に流通しており化学的にも安定であるため好適である。蛍光材料をフィラー34として用いれば、発光層24で発生した光により、ガラス充填部33に分散配置されたフィラー34が蛍光を発生し、その蛍光が発光層24の光と混合する。そのため、発光層24の光と同じ色の蛍光を発生する蛍光材料をフィラー34に用いた場合には、発光装置10の発光効率を高めることができる。また、発光層24の光と異なる色の蛍光を発生する蛍光材料をフィラー34に用いた場合には、発光層24の光とは異なる発光色が得られる。熱伝導性の良好な材料をフィラー34として用いれば、LEDチップ20が発生した熱を、ガラス充填部33を介して搭載基板11へ伝導させ、発光装置10から外部へ放出することが可能になるため、LEDチップ20の過熱を抑制して信頼性を向上できる。熱伝導性の良好な材料には、例えば、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ダイヤモンド、炭化ケイ素などがあるが、特に窒化アルミニウムは安価に流通しており化学的にも安定であるため好適である。<第2実施形態>図1に示すように、第2実施形態の発光装置50は、搭載基板11、P側内部配線パターン12、N側内部配線パターン13、P側外部配線パターン14、N側外部配線パターン15、ビアホール16,17、バンプ18,19、LEDチップ20、ガラス封止部30、中空部31、注入孔32、ガラス充填部33、フィラー34、排気孔51などから構成されている。第2実施形態の発光装置50において、第1実施形態の発光装置10と異なるのは、排気孔51が設けられている点だけである。排気孔51は、搭載基板11の裏面側と中空部31とを連通するように、搭載基板11の板厚方向に貫通形成されている。第2実施形態におけるガラス充填部33の形成方法は、まず、矢印βに示すように、搭載基板11の裏面側から排気孔51を介して中空部31内の封止雰囲気を排気させながら、矢印αに示すように、搭載基板11の裏面側から注入孔32を介して中空部31内に、ゾルゲルガラス層の形成材料を注入し、次に、第1実施形態と同様にゾルゲルガラス層を形成する。第2実施形態によれば、第1実施形態の前記作用効果に加えて、ゾルゲルガラス層の形成材料を中空部31内に容易に注入することが可能になるため、発光装置50の製造効率を向上できる。尚、排気孔51の配置箇所や、排気孔51の断面形状および断面寸法φ2については、中空部31内の封止雰囲気を確実に排気できるように適宜設定すればよい。<別の実施形態>本発明は前記各実施形態に限定されるものではなく、以下のように具体化してもよく、その場合でも、前記各実施形態と同等もしくはそれ以上の作用効果を得ることができる。[A]ガラス充填部33を、ゾルゲルガラス層ではなく、ガラス材料の微粉末の焼結層によって形成してもよい。この場合、ガラス充填部33は、搭載基板11の注入孔32を介して中空部31内にガラス材料の微粉末を注入し、そのガラス材料の微粉末を焼結させて焼結層を形成することによって得られる。そのため、中空部31内に焼結層を確実に充填することが可能であり、ガラス充填部33を容易に形成できることから、実用性に優れている。[B]注入孔32および排気孔51は1個に限らず複数個設けてもよい。[C]前記各実施形態を適宜組み合わせて実施してもよく、その場合には組み合わせた実施形態の作用効果を合わせもたせたり、相乗効果を得ることができる。本発明は、前記各局面および前記各実施形態の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲で種々の変形態様も本発明に含まれる。本明細書の中で明示した論文、公開特許公報、特許公報などの内容は、その全ての内容を援用によって引用することとする。"