"半導体ウェハの製造法であって、以下の工程:a単結晶からスライスされた半導体ウェハを同時に両面で材料除去する加工工程、その際、前記半導体ウェハを、2つの回転する環状作業ディスクの間で加工し、その際、それぞれの作業ディスクは、5.0~20.0μmの平均粒径を有する砥粒を含有する;bアルカリ性媒体による前記半導体ウェハの両面の処理工程;c前記半導体ウェハの前面及び裏面の研削工程、その際、そのつど前記半導体ウェハの一方の面をウェハホルダによって固定的に保持し、他方で、もう一方の面を研削工具によって加工する;その際、前記研削工具は、1.0~10.0μmの平均粒径を有する砥粒を含有し、その際、前記砥粒の平均粒径は、工程aで使用される前記作業ディスクの砥粒の平均粒径より小さい;d0.1~1.0μmの平均粒径を有する砥粒を含有する研磨パッドによる前記半導体ウェハの両面の研磨工程;e砥粒を含有する研磨剤の供給下での、砥粒を含有しない一次研磨パッドによる前記半導体ウェハの前面の研磨工程;f前記前面の化学機械的研磨CMP工程を規定の順序において有する、半導体ウェハの製造法。工程aで、前記半導体ウェハが、転動装置によって回転させられる複数のキャリアの1つの切り欠き部において自由に移動可能であり、それによってサイクロイド軌道上で動かされ、その際、それぞれの作業ディスクが、砥粒を含有する作業層を有する、請求項1記載の方法。前記半導体ウェハが、前記作業ディスクの作業層によって区切られる作業間隙を加工の間にその面の一部で一時的に離れ、その際、半径方向におけるかかる偏位部の最大値が、前記半導体ウェハの直径の0を上回り、且つせいぜい20である、請求項1又は2記載の方法。前記アルカリ性媒体が、NaOHの水溶液又はKOHの水溶液である、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。工程dで使用される前記研磨パッドが、シリコンカーバイド、窒化ホウ素、ダイヤモンド及び元素のセリウム、アルミニウム、シリコン、ジルコニウムの酸化物から成る群から選択された砥粒を有する、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。工程dで、固体を含まない研磨剤溶液を、前記研磨パッドと前記半導体ウェハの2つの面との間に導入する、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。工程aの前に、前記半導体ウェハにラウンドエッジを設ける、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。前記半導体ウェハのエッジを、工程eと工程fとの間で研磨する、請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。工程e及びfに従った前記半導体ウェハの前面の研磨プロセスの間、前記半導体ウェハを、その裏面でキャリア上に固定し、その際、せいぜい3μmの厚さを有する均一な薄いセメント層を固定のために使用する、請求項1から8までのいずれか1項記載の方法。工程e及びfに従った前記半導体ウェハの前面の研磨プロセスの間、前記半導体ウェハを、キャリア上に固定されており且つ収容されるべき半導体ウェハの大きさの被覆された切り欠き部を有する保持システムによって、その裏面で接着によって前記切り欠き部において保持する、請求項1から8までのいずれか1項記載の方法。記載される問題領域から、本発明の課題の設定が生まれた。該課題は、半導体ウェハの良好な幾何学的形状のみならず良好なナノトポグラフィも達成し、且つ450mmのウェハにも適している、半導体ウェハを製造するための新規の処理シーケンスを提供することであった。本発明の課題は、規定の順序において:a単結晶からスライスされた半導体ウェハを同時に両面で材料除去する加工工程、その際、該半導体ウェハを、2つの回転する環状作業ディスクの間で加工し、その際、それぞれの作業ディスクは、5.0~20.0μmの平均粒径を有する砥粒を含有する;bアルカリ性媒体による該半導体ウェハの両面の処理工程;c該半導体ウェハの前面及び裏面の研削工程、その際、そのつど半導体ウェハの一方の面をウェハホルダによって固定的に保持し、他方で、もう一方の面を研削工具によって加工する;その際、該研削工具は、1.0~10.0μmの平均粒径を有する砥粒を含有し、その際、該砥粒の平均粒径は、工程aで使用される作業ディスクの砥粒の平均粒径より小さい;d0.1~1.0μmの平均粒径を有する砥粒を含有する研磨パッドによる半導体ウェハの両面の研磨工程;e砥粒を含有する研磨剤の供給下での、砥粒を含有しない一次研磨パッドによる該半導体ウェハの前面の研磨工程;f該前面の化学機械的研磨CMP工程を有する、半導体ウェハの製造法によって達成される。それゆえ本発明による方法は、工程aで、半導体ウェハの前面及び裏面の同時両面加工を有し、その際、工程cが、順次に前面及び裏面で行われる半導体ウェハの精密研削を提供するのに対して、この工程は、半導体ウェハの粗研削を含んでいる。工程aはDDG又はPPGであってもよい。PPGが有利である。この場合、半導体ウェハは、ラッピング及びDSPの場合と類似した形でキャリアの切欠き部に置かれている。また半導体ウェハの表面の加工に関して、前面及び裏面のFAP研磨が工程dで、且つ半導体ウェハの前面のCMP研磨が工程fで提供される。工程eは一次研磨処理であり、その際、しかしながら、DSPとは異なり、半導体ウェハの前面のみが研磨される。本発明による方法の本質的な工程及びその有利な実施態様を以下で詳説する。まず半導体ウェハを、CZ又はFZにより成長した半導体材料から成る単結晶からスライスする。半導体ウェハを、有利にはワイヤソーによりスライスする。ワイヤソーによる半導体ウェハのスライシングは、例えばUS4655191、EP522542A1、DE3942671A1又はEP433956A1から公知の方法で行う。成長した半導体材料から成る単結晶は、有利にはシリコンから成る単結晶である。半導体ウェハは、有利には単結晶シリコンウェハである。請求項1に従った方法は、工程a~fに従った所定の順序で行われる。半導体ウェハのエッジを、有利には工程f、すなわちCMP研磨の前又は後に研磨する。2回のエッジ研磨処理を実施することもまた有利であり、その際、1回目のエッジ研磨処理がCMP研磨前に行われ、2回目のエッジ研磨処理がCMP研磨後に行われ、その際、2回目のエッジ研磨処理は、有利には優しく除去するシリカゾルを用いて行われるソフトエッジ研磨。有利には、工程aに従って半導体ウェハを単結晶からスライスした後で、且つ該半導体ウェハの表面を研削する前に、粗研磨剤を用いた半導体ウェハのラウンディングの処理を行う。この場合、半導体ウェハにラウンドエッジが設けられる。このために、半導体ウェハは回転テーブル上に固定され、且つそのエッジが、同様に回転する加工工具の作業面に対して送り出される。この場合に使用される加工工具はディスクとして形成されていてよく、それらは主軸にしっかり取り付けられており、且つ半導体ウェハのエッジを加工するための作業面として用いられる円周面を有する。このために適した装置は、例えばDE19535616A1に開示されている。有利には、半導体ウェハには、該ウェハの前面及び該ウェハの裏面で同じ性質のファセットを有する該ウェハの中心面に対して対称性のプロファイル又は、しかし前面及び裏面で種々のファセット幅を有する非対称性のエッジプロファイルが備え付けられている。この場合、半導体ウェハのエッジは、目標プロファイルと形状的に似たプロファイルを取得する。使用される研削ディスクは、有利には溝付きプロファイルを有する。有利な研削ディスクは、DE102006048218A1に開示されている。作業面は、研磨布又は研磨ベルトの形態で形成されていてもよい。材料を除去する砥粒、有利にはダイヤモンドが、加工工具の作業面に固定的に定着されていてよい。使用される砥粒は粗粒を有する。JISR6001:1998に従って、該粒子メッシュサイズは♯240-♯800である。平均粒径は20~60μm、有利には25~40μm、極めて有利には25~30μm又は30~40μmである。本方法の工程aには、粗い研磨剤を用いて、単結晶からスライスされた半導体ウェハの両面の材料除去加工を行うことが含まれる。この場合、半導体ウェハの両面は材料除去加工に供される。該加工は、有利には従来技術によるDDGによって行われる。PPGによる半導体ウェハの加工が特に有利である。半導体ウェハの一方の面をウェハホルダに固定チャックし、他方で、半導体ウェハのもう一方の面を研削工具によって処理する、半導体ウェハのシーケンシャル加工は、本方法におけるこの箇所では有利でない。PPGは、複数の半導体ウェハの同時両面研削法であって、その際、各半導体ウェハは、転動装置によって回転させられる複数のキャリアの1つの切り欠き部で自由に移動可能であり、それによってサイクロイド軌道上で動かされ、その際、該半導体ウェハは、2つの回転する作業ディスクの間で材料除去的に加工され、その際、各作業ディスクは、結合された砥粒を含有する作業層を含む。≧6のモース硬度を有する硬質物質が、作業層中に結合された砥粒として有利である。適した砥粒材料は、有利にはダイヤモンド、シリコンカーバイドSiC、二酸化セリウムCeO2、コランダム酸化アルミニウム、Al2O3、二酸化ジルコニウムZrO2、窒化ホウ素BN;立方晶窒化ホウ素、CBN、更には二酸化ケイ素SiO2、ボロンカーバイドB4Cから、ずっと軟質の材料、例えば炭酸バリウムBaCO3、炭酸カルシウムCaCO3又は炭酸マグネシウムMgCO3に至るまである。しかしながら、ダイヤモンド、シリコンカーバイドSiC及び酸化アルミニウムAl2O3、コランダムが特に有利である。研磨剤の平均粒径は5~20μm、有利には5~15μm及び極めて有利には5~10μmである。研磨剤粒子は、有利には個々に又はクラスタとして作業層の結合マトリックス中に結合されている。クラスタ結合の場合、有利には記載される粒径は、該クラスタ成分の一次粒径に関するものである。セラミック結合を有する作業層が、有利には使用される;合成樹脂結合が、特に有利である;クラスタを有する作業層の場合、ハイブリッド結合系も使用されるクラスタ内のセラミック結合と、クラスタと作業層マトリックスとの間の合成樹脂結合。作業層の間に形成される作業間隙中に存在する温度は、有利には加工の間、一定に保たれる。このためにキャリアは、冷却潤滑剤が上方及び下方の作業ディスクの間で交換され得る開口部を有しており、そのため上方及び下方の作業層は常に同じ温度を有することになる。これは、交番荷重下での熱膨張に基づく作業層もしくは作業ディスクの変形による、作業層の間で形成される作業間隙の不所望の変形を妨げる。そのうえ作業層中に結合された砥粒の冷却が改善され、且つ、より安定化し、それによってその有効耐用寿命が延びる。好ましくは、作業層の間で形成される作業間隙の形態は研磨中に決定され、且つ少なくとも1つの作業ディスクの作業面の形態は、機械的又は熱的に、該作業間隙の測定された形状に依存して、該作業間隙が所定の形態を有するように変化される。好ましくは、半導体ウェハは、作業面によって区切られる作業間隙を加工の間にその面の一部で一時的に離れ、その際、半径方向における偏位部の最大値は、半導体ウェハの直径の0を上回り、且つせいぜい20であり、その際、偏位部は、半径方向での作業ディスクに対して測定された長さとして定義されており、それにより半導体ウェハは、研磨中のある特定の時点において、作業間隙の内縁又は外縁から突き出している。好ましくは、加工の終了近くに、少なくとも3103N/m2sで且つせいぜい100103N/m2sの粘度を有する液状媒体が、キャリアの開口部を介して作業ディスクと半導体ウェハとの間に導入される。少なくとも作業ディスクが半導体ウェハから遠ざけられている間、この媒体が存在しているべきであり、それによって作業層による機械的除去が緩和される。それによって、さもなければ従来技術において観察される研削欠陥、例えば条痕、掻き傷又は剥離跡が回避され得る。これは先行公開されていない整理番号102009048436.1の独国出願において記載されており、これを参照をもって全面的に開示されたものとする。以下のものが、好ましくは媒体として考慮される:多価アルコールグリセリン、モノマーグリコール、オリゴマーグリコール、ポリグリコール及びポリアルコールを含有する水性混合物グリセリン、ブタノール及び界面活性剤からの水性混合物懸濁液、その際、媒体の必要とされる粘度は、固体割合によって保証され二酸化ケイ素又は酸化セリウム粒子から成るコロイド状分散液、有利には固体割合に応じて、粘度を上昇させる付加的な媒体例えばアルコールを伴う。本方法の工程bには、アルカリ性媒体による半導体ウェハの前面及び裏面の処理が含まれる。NaOH又はKOHの水溶液が、有利にはアルカリ性媒体として使用される。アルカリ性溶液中でのNaOH又はKOHの濃度は、有利には40~60である。処理温度は、有利には約50°C~90°C、極めて有利には80°C~90°Cである。アルカリエッチングが、研削工程後の、殊にPPG後の良好な幾何学的形状及び良好な波長の長いナノトポグラフィに悪影響を及ぼさないことがわかった。酸エッチングはこれに関して欠点であり、且つ回避されるべきである。しかしながら、アルカリエッチング後の表面粗さは、酸媒体を用いた比較可能な処理後より高い。アルカリ性媒体を用いた処理は、有利には単一ウェハ処理として行われる。これは殊に300mmより大きい直径を有する半導体ウェハにとって、すなわち殊に450mmの直径を有する半導体ウェハにとって特に有利である。本発明による方法の工程cには、工程aにおけるより微細な研磨剤を用いた半導体ウェハの材料除去加工が含まれる。本方法の工程cでは、半導体ウェハの両面が研削される。工程aとは対照的に、前面及び裏面の研削は順次に行われなければならない。DDG又はPPF精密研削は、本発明の枠内では適していない。このために、ウェハホルダに保持された半導体ウェハと、向かい合う研磨ディスクとが互いに無関係に回転され、その際、研磨ディスクは半導体ウェハに対して側方にずらして配置されており、その際、半導体ウェハの軸心が研磨ディスクの作業領域に達するように位置決めされており、その際、研磨ディスクは半導体ウェハの方向に向かって送り速度で移動され、それによって研磨ディスクと半導体ウェハとが互いに送り出され、他方で、半導体ウェハと研磨ディスクとは平行軸を中心に回転することで、半導体ウェハの表面が研削され、その際、ある一定の材料除去量に達した後、研磨ディスクが戻り速度で返送される。研磨ディスクと半導体ウェハとは、半導体ウェハの回転の間、0.03~0.5μmの距離間隔で送り出すことが有利である。極めて有利なのは、0.03~0.1μmの半導体ウェハの回転中での送り出しの選択である。有利には、♯1200以上の、極めて有利には♯1200~♯8000の粒径を有する研削ディスクが使用される。該粒径は、通常は日本工業規格JISR6001:1998に従って♯メッシュにて示される。メッシュ数から平均粒径が算出され得る:微細粒子を有する研削ディスクが使用される場合、精密研削との用語も頻繁に用いられる。かかる精密研削ディスクは、例えば♯1000~♯4000までの粒子を有しており、例えばこれらはDiscoCorporation社より商業的に入手可能である。粒径への換算に際してわかることは、例えば♯1200が9.5μmの平均粒径に、♯5000が2.5μmの平均粒径に、そして♯8000が1.2μmの平均粒径に相当することである。それゆえ精密研削の場合の平均粒径は、大体1.0μm以上で且つ10μm以下、好ましくは1.0~7μm、特に有利には1.0~4μm及び極めて有利には1.0~2μmである。研削ディスクの回転速度は1000~5000分1である。半導体ウェハの回転速度は、有利には50~300分1、極めて有利には200~300分1である。送り速度は、有利には10~20μm/分である。アルカリエッチングにより増加した表面粗さは、精密研削によって減少させることできる。約25nmの粗さRMS、250μmのフィルタに留まる。この時点までに得られる良好な幾何学的形状と良好なナノトポグラフィとは精密研削によって多少なりとも悪影響を及ぼされない。そのうえまた、ウェハが僅かに凸形で生じるように精密研削を仕立てることが有利である。有利には、半導体ウェハの前面及び裏面の精密研削後に且つ工程dに従ったFAP研磨前にエッジラウンディング工程が行われる。工程aの前に既に第一のエッジラウンディング工程が実施される場合、第2のエッジラウンディング工程において、第一のエッジラウンディングと比べてより微細な粒子を有する研削工具を使用することが有利である。このために半導体ウェハが再び回転テーブル上に固定され、且つそのエッジが、同様に回転する加工工具の作業面に対して送り出される。この場合に使用される加工工具はディスクとして形成されていてよく、それらは主軸にしっかり取り付けられており、且つ半導体ウェハのエッジを加工するための作業面として用いられる円周面を有する。作業面は、研磨布又は研磨ベルトの形態で形成されていてもよい。材料を除去する砥粒、好ましくはダイヤモンドが、加工工具の作業面に固定的に定着されていてよい。使用される砥粒は微細な粒子を有する。JISR6001:1998に従って、該粒子は♯800より微細であるべきであり、有利には♯800-♯8000である。平均粒径は0.5~20μm、有利には0.5~15μm、特に有利には0.5~10μmであり、且つ極めて有利には0.5~5μmである。工程dにおいて、半導体ウェハの両面は、0.1~1.0μmの平均粒径を有する砥粒を含有する研磨パッドによって研磨される。半導体ウェハの前面及び裏面の研磨は同時に行われることができる。こために慣例のDSP研磨機が適しており、その際、使用される研磨パッドは砥粒を含有する。しかしながら、2つの面の研磨は順次に行ってもよく、その際、この場合には、シリコンウェハは硬質のリテーナプレートを有する保持システムにおいて研磨され、すなわちメンブレンを有する保持システムは使用されない。砥粒を含む研磨パッドによる順次研磨は、殊に、非常に大きな直径を有する、すなわち300mmより大きい直径-特に450mmより大きい直径を有するウェハの研磨に際して-前面及び裏面の研磨工程を、ウェハエッジ領域EROの最適な研磨に関して、目的に合わせて相互に適合させる可能性を切り開く。順次研磨の枠内では、2つの研磨工程の間で、例えば測定装置KobelcoLER310を用いてウェハエッジプロファイルの測定を実施し、及びそのようにして第二の研磨プロセスを第一のものに適合させる可能性が付加的に存在している。この測定により、1mm未満のエッジ除外部を有する領域を特徴付けることも可能である。研磨工程の間、有利には、固体を含んでいない研磨剤溶液が、半導体ウェハの研磨されるべき面と研磨パッドとの間に導入される。研磨剤溶液は、最も簡単な場合には、水であり、有利には、半導体工業における使用のために慣例の純度を有する脱イオン水DIWである。しかしながら、研磨剤溶液は、化合物、例えば炭酸ナトリウムNa2CO3、炭酸カリウムK2CO3、水酸化ナトリウムNaOH、水酸化カリウムKOH、水酸化アンモニウムNH4OH、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH又はそれらの任意の所望の混合物も含有してよい。炭酸カリウムの使用が特に有利である。この場合、研磨剤溶液のpH値は、有利には10~12の範囲にあり、且つ該研磨剤溶液中の上記化合物の割合は、有利には0.01~10質量、特に有利には0.01~0.2質量である。そのうえまた研磨剤溶液は、1つ以上の更なる添加剤、例えば表面活性剤、例えば湿潤剤及び界面活性剤、保護コロイドとして作用する安定化剤、防腐剤、殺生剤、アルコールおよび錯形成剤を含有してよい。研磨パッド中に結合された砥粒材料を含有する研磨パッドが使用されるFAPパッド。適した砥粒材料は、例えば元素のセリウム、アルミニウム、シリコン、ジルコニウムの酸化物の粒子、並びに硬質物質、例えばシリコンカーバイド、窒化ホウ素及びダイヤモンドの粒子を含む。特に適した研磨パッドは、複製微細構造によって形作られた表面トポグラフィーを有する。上記微細構造ポストは、例えば円筒形または多角形の断面を有するピラーの形態又は錐体または角錐台の形態を有する。かかる研磨パッドのより詳細な記載は、例えばWO92/13680A1及びUS2005/227590A1に含まれている。極めて有利なのは、例えばUS6602117B1に記載されるような、酸化セリウムからの砥粒がその中にしっかりと結合されている研磨パッドの使用である。砥粒の平均粒径は、特に有利には0.1~0.6μmである。極めて有利なのは、0.1~0.25μmの平均粒径である。FAP研磨のために、有利には面当たり2μm以上の除去を伴って作業され、その際、これに関して2~4μmの領域が特に有利であり、且つ極めて有利には2~3μmの領域において作業される。FAP研磨は、第一に、精密研削によって作り出される損傷を無くすことを可能にする。第二に、精密研削後に残留する約25nmの粗さは、4nm以下に明らかに減少されるRMS、250μmのフィルタ。殊に高ドープ半導体ウェハの場合に観察されるストリエーションがFAPによって除去され得る。これに関して、先行公開されていない整理番号102009057593.6の独国特許出願の全体が引用される。とりわけそれによって、FAPにより短い波長のナノトポグラフィの改善が達成される。本発明による方法の工程eには、一次研磨パッドによる半導体ウェハの前面の研磨が含まれる。半導体ウェハの裏面は研磨されない。研磨の間、コロイド状に分散したシリカゾルを基礎とする研磨剤が、研磨パッドと半導体ウェハの前面との間に導入される。この場合、半導体ウェハは、FAP研磨される裏面が研磨機の支持体プレートに固定され、その際、固定のために、せいぜい3μmの厚さを有する均一な薄いセメント層が使用され、且つ最終的に半導体ウェハの前面が研磨に供される。使用されるセメント層に関して、整理番号102009057593.6の先行公開されていない独国特許出願の全体が引用される。選択的に半導体ウェハは、研磨の間、キャリア上に固定されており且つ収容されるべき半導体ウェハの大きさの被覆された切り欠き部を有する保持システムによって、研磨されるべきでない面が接着によって切り欠き部において保持される。半導体ウェハを収容するための切り欠き部を有する、かかる保持システムはテンプレートとも呼ばれる。使用されるテンプレートに関して、整理番号102009051007.9の未公開独国特許出願の全体が引用される。典型的な一次研磨パッドが、前面の研磨に際して使用される。商業的に入手可能な研磨パッドは、例えばDCPシリーズのパッド並びにRohmHaas社の商品名IC1000TM、PolytexTM又はSUBATMのパッドである。その中に砥粒を含有しない典型的な硬質の一次研磨パッドが含まれる。砥粒は研磨剤の形態で供給される。一次研磨は、FAPによって生じる微細損傷を無くすのに役立つ。前面での材料除去量は、有利には約1.0~2.0μm、特に有利には約1.0~1.5μmである。工程eに続けて、有利には半導体ウェハのエッジ研磨が行われる。しかしながら、これは既に述べたように工程fの後に行ってもよい。商業的に入手可能な自動式エッジ研磨ユニットがこのために適している。US5,989,105は、かかるエッジ研磨用装置を開示しており、その際、研磨ドラムはアルミニウム合金から成り、且つそれに加えられた研磨パッドを有する。半導体ウェハは、たいてい平坦なウェハホルダ、いわゆるチャック上に固定されている。半導体ウェハのエッジはチャックから突き出しているため、研磨ドラムに自由に接触可能である。チャックに対してある一定の角度が傾けられた、中心で回転し、且つ研磨パッドが加えられた研磨ドラムと、半導体ウェハを有するチャックとが互いに送り出され、且つ研磨剤を連続的に供給しながら、ある一定の接触圧により互いに押し付けられる。エッジ研磨に際して、半導体ウェハをその上で保持するチャックが中心で回転される。有利には、チャックの1回転は20~300秒、特に有利には50~150秒続く回転時間。研磨パッドで被覆されており、且つ有利には300~1500分1、特に有利には500~1000分1の回転速度にて中心で回転される研磨ドラム、及びチャックとは互いに送り出され、その際、研磨ドラムは、半導体ウェハに対する取り付け角で斜めに調整され、且つ半導体ウェハはチャック上に、それが僅かにチャックより突き出して、研磨ドラムと接触可能となるように固定されている。取り付け角は、有利に30~50 ゚である。半導体ウェハと研磨ドラムとは、研磨剤の連続的な供給下で、有利には0.1~1リットル/分、特に有利には0.15~0.40リットル/分の研磨剤流量で、ある一定の接触圧により互いに押し付けられ、その際、該接触圧は、ロールに取り付けられた重りによって調節されることができ、有利には1~5kg、特に有利には2~4kgである。有利には、研磨ドラムと半導体ウェハとは、半導体ウェハもしくは該半導体ウェハを保持するチャックの2~20回転後、特に有利には2~8回転後に互いに遠ざけられる。好ましくは、半導体ウェハのエッジ研磨は、有利には半導体ウェハを中心で回転するチャック上に固定すること、該半導体ウェハを、チャックに対して傾けられた、中心で回転する、固定的に結合された砥粒FAP研磨パッドを含有する研磨パッドが加えられた研磨ドラムを送り出すこと、及び半導体ウェハと研磨ドラムとを、固体を含有しない研磨剤溶液の連続的な供給下で互いに押し付けることによって行われる。これにより、半導体ウェハの前面及び/又は裏面の隣接領域を損なうことなく、目的に合わせてウェハエッジに影響を及ぼし、ひいては、例えば所望の形状特性及び表面特性をウェハエッジ上でのみ調節することが可能である。それに加えて、エッジ粗さ及びエッジ欠陥率の低下を実現するために、同じFAP研磨パッドで、優しく除去するシリカゾルを用いた短時間の研磨工程を続けて行ってよい。次いで、2つの研磨工程は互いに適合させることができるので、ウェハ前面及びウェハ裏面にウェハパーシャルサイトが不利に影響を及ぼすことなく、目的に合わせてウェハエッジ形状及びウェハエッジ表面に有利に影響を及ぼすことができる。基本的に、それゆえ半導体ウェハは、有利には、固定的に結合された砥粒を含む硬質且つほとんど圧縮性でない研磨パッドがその表面に接着されている研磨ドラムによって、アルカリ性溶液の供給下で研磨される。有利には、引き続き第二の工程において、同じ研磨パッドで、シリカゾル、例えばSiO2約1質量を有するGlanzox3900の供給下で平滑化工程が行われる。Glanzox3900は、FujimiIncoporated日本国から濃縮液として提供される研磨剤スラリの商品名である。この濃縮液の塩基溶液は10.5のpHを有し、且つ30~40nmの平均粒径を有するコロイド状SiO2約9質量を含有する。エッジ研磨に際して使用される研磨剤溶液は、最も簡単な場合には、水であり、有利には、半導体工業における使用のために慣例の純度を有する脱イオン水DIWであるしかしながら、研磨剤溶液は、化合物、例えば炭酸ナトリウムNa2CO3、炭酸カリウムK2CO3、水酸化ナトリウムNaOH、水酸化カリウムKOH、水酸化アンモニウムNH4OH、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH又はそれらの任意の所望の混合物も含有してよい。炭酸カリウムの使用が極めて有利である。研磨剤溶液のpH値は、有利には10~12の範囲にあり、且つ該研磨剤溶液中の上記化合物の割合は、有利には0.01~10質量、特に有利には0.01~0.2質量である。エッジ研磨の有利な第二の工程に際しては、砥粒を含有する研磨剤が使用される。この工程は有利には工程fの後に起こり、その際、第一のエッジ研磨は、工程eと工程fとの間で行われる。該研磨剤スラリ中の砥粒材料の割合は、有利には0.25~20質量、特に有利には0.25~1質量である。平均粒径は5~300nm、特に有利には5~50nmである。砥粒材料は、基板材料を機械的に除去する材料を有し、有利には元素のアルミニウム、セリウム又はシリコンの1つ以上の酸化物を有する。コロイド状に分散したシリカを含有する研磨剤スラリが特に好ましい。有利には、それゆえエッジ研磨に際して、研磨パッド中に結合された砥粒材料を含有する研磨パッドが使用される。その際に使用される研磨パッドは、この場合、工程dで使用されるFAP研磨パッドに相当する。本方法の工程fには、半導体ウェハの前面の化学機械的研磨、すなわち半導体ウェハの前面の慣例のCMP研磨が含まれる。ここでも半導体ウェハの裏面は、有利にはワックス又はテンプレートによって、公知eで記載したように固定される。使用されるCMP研磨パッドは、多孔質マトリックスを有する研磨パッドである。有利には、研磨パッドは熱可塑性又は熱硬化性のポリマーを有する。材料として、複数の物質、例えばポリウレタン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリアクリレート、ポリエステル等が考慮に入れられる。有利には、研磨パッドは、固体の微孔質ポリウレタンを有する。ポリマーで含浸されている、発泡プレート又はフェルト基材又は繊維基材から成る研磨パッドを使用することも有利である。被覆/含浸された研磨パッドは、基材中で被覆物中とは異なる細孔分布と孔径とを有するように構成されていてもよい。研磨パッドは、本質的に平坦か又は穿孔が施されていてもよい。研磨パッドの多孔性を制御するために、充填材を研磨パッド内に導入してよい。商業的に入手可能な研磨パッドは、例えばRodelInc社のSPM3100である。研磨剤として、有利にはシリカゾルが供給され、すなわち、研磨の間、半導体ウェハの前面と研磨パッドとの間に導入される。材料除去量は、有利には、半導体ウェハの前面でせいぜい0.5μmである。"