"2次側コイルと電磁的に結合する1次側コイルを含む回路の1次側Q値と前記2次側コイルとの間の電力電送効率を測定し、前記電力伝送効率を1次側コイルのQ値で補正し、得られた補正値に基づいて前記2次側コイルとの電磁結合している状態を検知する検知部、を備える電磁結合状態検知回路。前記2次側コイルと電磁結合している状態を検知することにより、前記2次側コイルの近傍における導体の存在の有無を判断する請求項1に記載の電磁結合状態検知回路。前記Q値とは、前記1次側コイルとコンデンサを含む共振回路のQ値である請求項2に記載の電磁結合状態検知回路。前記検知部は、前記1次側コイルとコンデンサを含む共振回路の該1次側コイルと該コンデンサ間にかかる第1電圧と、前記1次側コイルの両端にかかる第2電圧を取得し、第1電圧と第2電圧の比から1次側Q値を計算するQ値演算部と、前記1次側Q値をQ1、前記電力電送効率をηmaxとおいたとき、下記計算式に従って補正値を算出する補正値演算部と、前記補正値演算部で算出された補正値を、前記1次側コイルの近傍に導体が存在しないときに予め測定した補正値に基づいて設定した閾値と比較することにより、前記2次側コイルと電磁結合している状態を判断する判定部と、を備える請求項3に記載の電磁結合状態検知回路。前記検知部は、前記1次側コイルとコンデンサを含む直列共振回路の共振周波数でのインピーダンスの絶対値に対して√2倍となる帯域からQ値を求める半値幅法を用いて1次側Q値を計算するQ値演算部と、前記1次側Q値をQ1、前記電力電送効率をηmaxとおいたとき、下記計算式に従って補正値を算出する補正値演算部と、前記補正値演算部で算出された補正値を、前記1次側コイルの近傍に導体が存在しないときに予め測定した補正値に基づいて設定した閾値と比較することにより、前記2次側コイルと電磁結合している状態を判断する判定部と、を備える請求項3に記載の電磁結合状態検知回路。前記1次側コイルとコンデンサを含む並列共振回路の共振周波数でのインピーダンスの絶対値に対して1/√2倍となる帯域からQ値を求める半値幅法を用いて1次側Q値を計算するQ値演算部と、前記1次側Q値をQ1、前記電力電送効率をηmaxとおいたとき、下記計算式に従って補正値を算出する補正値演算部と、前記補正値演算部で算出された補正値を、前記1次側コイルの近傍に導体が存在しないときに予め測定した補正値に基づいて設定した閾値と比較することにより、前記2次側コイルと電磁結合している状態を判断する判定部と、を備える請求項3に記載の電磁結合状態検知回路。自動平衡ブリッジ回路及びベクトル比検出器を用いて前記共振回路のインピーダンスの実部成分及び虚部成分を求め、その比から1次側Q値を計算するQ値演算部と、前記Q値演算部により求めた1次側Q値を、前記1次側コイルの近傍における導体存在しないときに予め測定した1次側Q値に基づいて設定した閾値と比較することにより、前記2次側コイルと電磁結合している状態を判断する判定部と、を備える請求項3に記載の電磁結合状態検知回路。前記電力伝送効率は、前記1次側コイルの誘起電圧と誘導電流の積である1次側電力と、前記2次側コイルの誘起電圧と誘導電流の積である2次側電力との比である請求項4に記載の電磁結合状態検知回路。2次側コイルと電磁的に結合する1次側コイルと、前記1次側コイルを含む回路の1次側Q値と前記2次側コイルとの間の電力電送効率を測定し、前記電力伝送効率を1次側コイルのQ値で補正し、得られた補正値に基づいて前記2次側コイルとの電磁結合している状態を検知する検知部、を備える送電装置。前記2次側コイルと電磁結合している状態を検知することにより、前記2次側コイルの近傍における導体の存在の有無を判断する請求項9に記載の送電装置。前記Q値とは、前記1次側コイルとコンデンサを含む共振回路のQ値である請求項10に記載の送電装置。前記検知部は、前記1次側コイルとコンデンサを含む共振回路の該1次側コイルと該コンデンサ間にかかる第1電圧と、前記1次側コイルの両端にかかる第2電圧を取得し、第1電圧と第2電圧の比から1次側Q値を計算するQ値演算部と、前記1次側Q値をQ1、前記電力電送効率をηmaxとおいたとき、下記計算式に従って補正値を算出する補正値演算部と、前記補正値演算部で算出された補正値を、前記1次側コイルの近傍に導体が存在しないときに予め測定した補正値に基づいて設定した閾値と比較することにより、前記2次側コイルと電磁結合している状態を判断する判定部と、を備える請求項11に記載の送電装置。前記検知部は、前記1次側コイルとコンデンサを含む直列共振回路の共振周波数でのインピーダンスの絶対値に対して√2倍となる帯域からQ値を求める半値幅法を用いて1次側Q値を計算するQ値演算部と、前記1次側Q値をQ1、前記電力電送効率をηmaxとおいたとき、下記計算式に従って補正値を算出する補正値演算部と、前記補正値演算部で算出された補正値を、前記1次側コイルの近傍に導体が存在しないときに予め測定した補正値に基づいて設定した閾値と比較することにより、前記2次側コイルと電磁結合している状態を判断する判定部と、を備える請求項11に記載の送電装置。前記1次側コイルとコンデンサを含む並列共振回路の共振周波数でのインピーダンスの絶対値に対して1/√2倍となる帯域からQ値を求める半値幅法を用いて1次側Q値を計算するQ値演算部と、前記1次側Q値をQ1、前記電力電送効率をηmaxとおいたとき、下記計算式に従って補正値を算出する補正値演算部と、前記補正値演算部で算出された補正値を、前記1次側コイルの近傍に導体が存在しないときに予め測定した補正値に基づいて設定した閾値と比較することにより、前記2次側コイルと電磁結合している状態を判断する判定部と、を備える請求項11に記載の送電装置。自動平衡ブリッジ回路及びベクトル比検出器を用いて前記共振回路のインピーダンスの実部成分及び虚部成分を求め、その比から1次側Q値を計算するQ値演算部と、前記Q値演算部により求めた1次側Q値を、前記1次側コイルの近傍における導体存在しないときに予め測定した1次側Q値に基づいて設定した閾値と比較することにより、前記2次側コイルと電磁結合している状態を判断する判定部と、を備える請求項11に記載の送電装置。前記電力伝送効率は、前記1次側コイルの誘起電圧と誘導電流の積である1次側電力と、前記2次側コイルの誘起電圧と誘導電流の積である2次側電力との比である請求項12に記載の送電装置。電力を無線により送電する送電装置と、該送電装置からの電力を受電する受電装置を含んで構成され、前記受電装置は、前記送電装置の1次側コイルと電磁的に結合する2次側コイルと、前記送電装置と通信する2次側通信部と、を備え、前記送電装置は、前記受電装置の2次側コイルと電磁的に結合する1次側コイルと、前記受電装置と通信する1次側通信部と、前記1次側コイルを含む回路の1次側Q値と、前記1次側通信部で受信した受電装置の情報に基づいて前記2次側コイルとの間の電力電送効率とを測定し、前記電力伝送効率を1次側コイルのQ値で補正し、得られた補正値に基づいて前記2次側コイルとの電磁結合している状態を検知する検知部と、を備える非接触電力電送システム。2次側コイルと電磁的に結合する1次側コイルを含む回路の1次側Q値と前記2次側コイルとの間の電力電送効率を測定することと、前記電力伝送効率を1次側コイルのQ値で補正し、得られた補正値に基づいて前記2次側コイルとの電磁結合している状態を検知することを含む電磁結合状態検知方法。しかしながら、特許文献1,2により提案された手法では受電側の金属筺体の影響が加味されていない。一般的な携帯機器モバイル機器への充電を考えた場合、携帯機器に何らかの金属金属筐体、金属部品等が使われている可能性が高く、パラメータの変化が金属筺体等の影響によるものか、あるいは金属異物が混入したことによるものなのかの切り分けが困難である。特許文献2を例に挙げると、渦電流損が携帯機器の金属筺体で発生しているのか、それとも送電側と受電側との間に金属異物が混入して発生しているのかがわからない。しかも、磁界共鳴方式のような配置の自由度が高い給電範囲を考えると、受電側の機器携帯電話機等の携帯機器が給電範囲にどのような置かれ方をしているかによって、受電側の機器の金属筺体による影響も変わってしまう。ここで、図1a~図1cを参照して、送電側コイル1次側コイルに対する携帯機器の位置と金属異物による影響との関係を説明する。図1aは、例えば細い導線2を環状のコア3に巻き付けて構成した1次側コイル1スパイラルコイルに対し、携帯機器4をその環状の1次側コイル1の端コア3に近い位置に配置した例を示している。この場合、1次側コイル1と携帯機器4に内蔵の2次側コイルとの間のコイル間効率は、比較的大きい値が得られる。図1bは、携帯機器4を1次側コイル1の端に配置した例であって送電側と受電側の間に金属異物5が存在する場合を示している。この場合、コイル間効率の値は中程度である。さらに図1cは、携帯機器4を1次側コイル1の中央に配置した例を示しており、この場合、コイル間効率の値は中程度である。図1の例では、1次側コイル1として磁性体を有したコア3に巻き付けられた構造のコイルの例を説明したが、コアを有していない構造のコイルであっても同様の測定結果となる。このように、1次側コイルに対して携帯機器がある位置に配置されているときには、図1a,bのような金属異物の有無でコイル間効率の値に差が発生し、この差を利用して金属異物を検出することは可能である。しかしながら、例えば携帯機器の位置が例えば環状の1次側コイルの中央に近づくことで当該携帯機器の金属筺体の影響が大きくなり、携帯機器が1次側コイルの端にある場合と比較してコイル間効率が劣化してしまう可能性がある。この金属筺体の影響度合いが異物の影響度合いを上回ってしまうと、非接触電力伝送システムによる金属異物の検出は不可能である。一般的に送信側と受信側との間に混入する金属異物は、受信側の金属筺体よりも小さなものを想定しているため、金属筺体の影響込みでかつ配置に自由度の取れる非接触電力伝送システムを構築しようとする場合、金属異物の検出精度が問題になる。本開示は、上記の状況を考慮してなされたものであり、非接触電力伝送システムにおいて、受電側2次側が有する金属筐体による影響を抑え、送電側と受電側との間に存在する金属異物の検出精度を向上させるものである。本開示の一側面は、2次側コイルと電磁的に結合する1次側コイルを含む回路の1次側Q値と2次側コイルとの間の電力電送効率を測定し、電力伝送効率を1次側コイルのQ値で補正し、得られた補正値に基づいて2次側コイルとの電磁結合している状態を検知する構成を採る。本開示の一側面によれば、2次側に金属筺体がある場合でもその影響が補正される。本開示によれば、受電側2次側の金属筺体等の影響を補正し、金属異物の検出精度を向上させることができる。また、1次側コイルの面内における2次側コイルの位置のばらつきの影響も低減することができる。以下、本開示を実施するための形態の例について、添付図面を参照しながら説明する。説明は下記の順序で行う。なお、各図において共通の構成要素には、同一の符号を付して重複する説明を省略する。1.第1の実施形態検知部:1次側のQ値とコイル間効率から金属異物を検知する例2.第2の実施形態Q値演算部:半値幅法によりQ値を計算した例3.第3の実施形態Q値演算部:インピーダンスの実部成分と虚部成分の比からQ値を計算した例4.その他種々の変形例<1.第1の実施形態>[導入説明]本開示の第1の実施形態例以下、本例ともいうでは、非接触電力伝送システムの送電装置及び受電装置を用いて、これらの装置の近くに存在する金属などの導体を検知するための構成及び方法を説明する。以下、金属などの導体を検知することを、金属を検知するともいう。なお、本明細書でいう導体には、広義の導体すなわち半導体も含まれる。はじめに磁界共鳴方式の非接触電力伝送システムにおける送電側1次側と受電側2次側のコイル間の電力伝送効率コイル間効率について説明する。コイル間効率の理論最大値ηmaxは、式1で示されることが知られている。ここで、S及びQは以下の式で表される。Qは非接触電力伝送システム全体のQ値、Q1は1次側のQ値、Q2は2次側のQ値を示す。すなわち磁界共鳴方式において、コイル間効率ηmaxは、1次側コイルと2次側コイルの電磁結合の度合いである結合係数kと、それぞれ無負荷の共振回路のQ値である1次側のQ値Q1と、2次側のQ値Q2から理論的に一意に求められる。ゆえに結合係数kが低くても送電側と受電側の双方のQ値が高ければ、高効率での電力伝送が可能である。電磁結合を利用する本例では、結合係数kが低くても、1次側及び2次側の直列共振回路のQ値を高くして、1次側コイルと2次側コイルの配置の自由度を高めるようにしている。一例として、1次側コイルと2次側コイルの結合係数kを0.5以下、1次側コイル又は2次側コイルの少なくとも一方のQ値を100以上として設計している。後述する第2及び第3の実施形態でも同様である。ただし、本例は、この数値例に限られるものではないことは勿論である。では、式1~3より受信側の金属筺体の影響がどのパラメータに効くのかを確認する。図1で示したような大きな1次側コイル1と小さな2次側コイルを仮定する。結合係数kは、これらの位置関係によって変化する可能性があるパラメータである。特開2008-136311号公報、特表2009-504115号公報等に、磁界共鳴方式において結合係数kを均一に保つ1次側の構成が提案されており、このような1次側の工夫により結合係数kに関しては均一にできる。そこで本開示では、結合係数kが均一に保たれていると想定し、以下ではQ値について検討する。2次側コイルのQ値についてだが、2次側コイルは携帯機器等の金属筐体内に内蔵されているのであるから、携帯機器を大きな1次側コイルのどこにおいても2次側コイルと金属筺体の位置関係は、一定である。すなわち1次側コイルに大きな金属でも付いていない限り、金属異物が入ってきた場合以外は2次側コイルのQ値は一定に保たれると考えられる。机等の影響に関しては、平面状の1次側コイルのうち該机等と対向している側に磁性体を貼る等の工夫により、容易に取り除くことが可能である。よって携帯機器の金属筺体の影響を大きく受けるのは、1次側のQ値であることがわかる。図2a~cに、金属の位置を変えて1次側のQ値を測定したときの測定条件を示す。1次側コイル1に、複数の細い銅線を縒りあわせた導線であるリッツ線線径φ1.0mmを巻いた150mm縦×190mm横のスパイラルコイルを用いた。また、2次側に、金属筐体に見立てた50mm縦×60mm横×0.05mm厚さの金属片6を用いた。金属片6には、アルミウムとステンレスの2種類を用いた。そして、1金属片6が1次側コイル1の中央にある場合図2a、2中央から横方向にシフト移動した場所にある場合図2b、31次側コイル1の端にある場合図2cの3か所で測定を行った。金属の位置ごとの1次側のQ値の測定結果を表1に示す。この表1に示す測定結果より、金属片6の位置や金属の材質によっても1次側のQ値の変化が大きいことが確認できる。前述の式1~式3より、1次側のQ値はコイル間効率渦電流損に大きく影響することから、コイル間効率の低下渦電流損増大は、小さな金属異物よりも金属筺体の影響度合いのばらつきが支配的であり、小さな金属異物の検出が難しいことがわかる。そこで、ダイナミックに変化する1次側のQ値を測定し、コイル間効率と1次側のQ値を用いることによって、2次側の金属筺体の影響を加味した閾値を設定することを検討する。[Q値の測定原理]1次側のQ値の測定原理について、図3を参照して説明する。図3は、本開示の第1の実施形態例に係る、非接触電力伝送システムに用いられる送電装置1次側の概要を示している。この図3に示した送電装置10の回路は、1次側のQ値の測定原理を表した最も基本的な回路構成磁界結合の場合の一例である。この回路を利用したQ値測定は、測定器等でも用いられている手法であり、公知である。以下、送電装置10の回路構成及びQ値測定方法について簡単に説明する。送電装置10の1次側コイル15の近くに例えば金属片があると、磁力線が金属を通過して金属に渦電流が発生する。これは1次側コイル15からみると、金属と1次側コイル15が電磁的に結合して、1次側コイル15に実抵抗負荷がついたように見え、1次側のQ値を変化させる。このQ値を測定することで、1次側コイル15の近くにある金属電磁結合している状態の検知につなげる。本例の送電装置10は、交流信号を発生させる交流電源12及び抵抗素子13を含む信号源11と、コンデンサ14と、1次側コイル15送電コイルを備える。抵抗素子13は、交流電源12の内部抵抗出力インピーダンスを図示化したものである。信号源11に対しコンデンサ14と1次側コイル15コイルの一例が直列共振回路共振回路の一例を形成するように接続されている。そして、測定したい周波数において共振するように、コンデンサ14のキャパシタンスの値C値、及び1次側コイル15のインダクタンスの値L値が調整されている。信号源11とコンデンサ14を含む送電部は、1次側コイル15を通じて外部へ非接触で電力を伝送する。直列共振回路を構成する1次側コイル15とコンデンサ14間の電圧をV1共振回路に掛かる電圧の一例、1次側コイル15両端の電圧をV2とすると、直列共振回路のQ値は、式4で表される。rs:周波数fにおける実効抵抗値電圧V1がQ倍されて電圧V2が得られる。1次側コイル15に金属片が近づくと実効抵抗値rsが大きくなり、Q値が下がる。このように金属片が1次側コイル15に近づくと、測定されるQ値電磁結合している状態が変化する。一般に共振回路のQ値はコンデンサのQ値をQc、コイルのQ値をQLとすると、1/{1/Qc1/QL}の関係で表される。この測定に用いたコンデンサ14のQ値は1次側コイル15のQ値に対して十分高く設計されており、直列共振回路のQ値への影響は無視できる。ただし、逆に1次側コイル15のQ値をコンデンサ14のQ値に対して十分に高くなるよう設計してもよいし、どちらも同程度のQ値であってもよい。確認のため交流電源12で所定の周波数の正弦波を発生させたときの1次側コイル15の両端電圧V2と、1次側コイル15とコンデンサ14間の電圧V1を測定したときのそれぞれの波形の一例を、図4に示す。この例では、正弦波の電圧V2の振幅は8.64V、電圧V1の振幅は46.4mVであるから、正弦波の電圧V2の振幅は電圧V1の振幅の約186倍となっており、直列共振回路のQ値は186であると考えられる。なお、送電装置10の直列共振回路について説明したが、図示しない受信装置も同様に共振回路を備えている。また、図3は直列共振回路を備える送信側の基本の回路を示したものであるから、上記回路の機能を備えていれば詳細な構成は種々の形態が考えられる。[電磁結合状態検知方法]以下、本開示の第1の実施形態例に係る1次側Q値を用いた結合状態検知方法を説明する。前述の磁界共鳴方式におけるコイル間効率を算出する式23よりとおくと、が得られる。この式6のSを式1に代入すると、Q2を除いたηmax,Q1,Xの三変数による等式が成立する。1次側Q値Q1とコイル間効率ηmaxの値がわかればXの値が求まることとなる。1次側Q値Q1は前述の方法で測定することができ、またコイル間効率ηmaxの値は前述の特許文献2段落0041~0043等参照に記載された手法1次側の電流値電圧値と2次側の電流値電圧値をモニタする。により測定することができる。式5に示すように、Xの値はコイル間効率ηmaxの値より1次側のQ値のばらつきが省かれた式であるから、Xの値を用いて金属異物の検出を行うことにより、金属筺体に起因する1次側Q値のばらつきの影響を低減できる。式6を式1に代入し、Xについて解くととなり、測定した二変数Q1,ηmaxによってXの値をリアルタイムで求めることが可能である。[送電装置の構成例]次に、本開示の第1の実施形態例に係る送電装置1次側の具体例を説明する。図5は、1次側Q値を測定する機能を盛り込んだ送電装置1次側のより詳細な内部構成例を示すブロック図である。送電装置10は、前述した電磁結合状態検知方法により金属等の導体を検知する検知回路を備えており、電磁結合状態検知装置の一例である。この送電装置10は、後述する受電装置との組み合わせにより非接触電力伝送システムを構成する。送電装置10は、送電制御部21と、送電ドライバ22と、直列共振回路を形成するコンデンサ14及び1次側コイル15と、分圧用の抵抗素子23a,23b,24a,24bと、増幅部25,27と、整流部26,28と、アナログ-デジタル変換器以下、ADCという。29を備える。さらに、検知部30と通信部36を備える。この検知部30と通信部36は、従来技術に対して新規な部分である。本例の送電装置10では、コンデンサ14の一端に抵抗素子23aと抵抗素子23bの直列回路を接続し、他端に抵抗素子24aと抵抗素子24bの直列回路を接続する。そして、抵抗素子23aと抵抗素子23bにより適当な電圧に分圧された信号電圧V1に相当を、増幅部25及び整流部26を介してADC29へ供給する。同様に、抵抗素子24aと抵抗素子24bにより適当な電圧に分圧された信号電圧V2に相当を、増幅部27及び整流部28を介してADC29へ入力する。ADC29は、整流部26及び整流部28で整流されたアナログの直流信号をデジタルの直流信号に変換して検知部30へ出力する。検知部30は、制御部の一例であり、その全体又は一部は例えばMPUMicroProcessingUnitから構成され、送電装置10全体の制御を行う。検知部30は、Q値演算部31と、電流電圧検出部32と、X値演算部33と、判定部34としての機能と、メモリ35を備え、送電制御部21へ制御信号を出力し、交流電圧の発生を制御する。Q値演算部31は、ADC29から出力される1次側コイル15の両端電圧V2に対応する信号の振幅を、1次側コイル15とコンデンサ14間の電圧V1に対応する信号の振幅で除算して1次側Q値=V2/V1を計算し、計算結果をX値演算部33へ出力する。またQ値演算部31は、その計算結果を送電制御部21へ出力する。このように、各信号の振幅を除算することにより1次側Q値をリアルタイムに測定する。電流電圧検出部32は、1次側コイル15に発生する誘起電圧1次側電圧及び誘導電流1次側電流を検出し、検出結果をX値演算部33へ出力する。また、電流電圧検出部32は、通信部36が受電装置の2次側コイルに発生する誘起電圧2次側電圧及び誘導電流2次側電流の情報を受電装置から受信し、その情報をX値演算部33へ出力する。X値演算部33は、補正値演算部の一例であり、電流電圧検出部32から入力される1次側電圧及び1次側電流の積から1次側電力を計算し、通信部36で受信した2次側電圧及び2次側電流の積から2次側電力を計算する。そして、1次側電力と2次側電力の比をコイル間効率ηmaxとして算出する。X値演算部33は、Q値演算部31から入力される1次側Q値Q1及びコイル間効率ηmaxの値を用い、式7に沿ってX値を計算し、判定部34へ出力する。なお、コイル間効率ηmaxの演算を、電流電圧検出部32で行うようにしてもよい。判定部34は、X値演算部33から入力されるX値を、不揮発性のメモリ35に保存されている閾値と比較して、比較の結果に基づいて金属等の導体が近くにあるか否かを判定する。例えば、判定部34は、測定したX値を、閾値例えば金属異物がないときの90と比較し、当該X値が90より小さい場合には2次側コイルとの間に金属異物があると判定してもよい。1次側コイル15の近傍に何もない又は2次側コイルに何も置かれていない状態での1次側Q値やX値の閾値を予め測定して、メモリ35に保存しておく。通信部36は、1次側通信部の一例であり、後述する受電装置の通信部との間で通信を行う。例えば受電装置の2次側コイルに発生する誘起電圧2次側電圧及び誘導電流2次側電流の情報を受信したり、検知回路20の制御に従い受電装置に対してQ値を測定中であることを通知したりする。通信規格としては、例えばIEEE802.11規格の無線LANやBluetooth登録商標等を使用することができる。なお、1次側コイル15と受電装置の2次側コイルを介して情報を伝送する構成としてもよい。[受電装置の構成例]次に、本開示の第1の実施形態例に係る受電装置2次側の具体例を説明する。図6は、携帯機器に適用される受電装置2次側の内部構成例を示すブロック図である。受電装置40は、並列共振回路を形成する2次側コイル41及びコンデンサ42と、整流部43と、給電部44と、給電制御部45と、負荷変調部46と、電流電圧検出部47と、通信部48を備える。本例の受電装置40の回路構成は、周知の構成であるので、以下では簡単に説明する。受電装置40では、給電部44に対し、2次側コイル41及びコンデンサ42よりなる並列共振回路が、整流部43を介して接続されている。測定したい周波数において共振するように、コンデンサ42のキャパシタンスの値C値、及び2次側コイル41のインダクタンスの値L値が調整されている。コンデンサ42及び整流部43で構成される受電部は、2次側コイル41を通じて外部から非接触で電力を受電する。2次側コイル41の交流の誘起電圧は、整流部43により直流電圧に変換されて給電部44へ供給される。給電部44は、整流部43での変換で得られた直流電圧の電圧レベルを調整して電源電圧を生成し、負荷50又は各ブロックへ電力を供給する。負荷50は、例えばコンデンサ二次電池あるいは電気信号を処理する電子回路などである。給電制御部45は、給電部44での電源電圧の生成や負荷50等への電力の供給を制御する。また、給電制御部45は、負荷変調部46の動作を制御する。負荷変調部46は、給電制御部45の制御に従い負荷変調処理を行う。送電装置101次側がQ値を計測する際に、受電装置402次側の負荷が変化する条件下では1次側Q値が変化し、誤差となってしまう。そのため2次側の負荷が一定の条件下において、1次側の負荷を計測するのが望ましい。そこで、直列接続した抵抗素子46Rとスイッチング素子46Tで構成した負荷変調部46を、給電部44の前段に並列に接続する。そして、送電装置10がQ値測定中である場合は、給電制御部45が、通信部48を介して送電装置10が測定中であるという通知を受信し、スイッチング素子をオンする。抵抗素子46Rの抵抗値を負荷50の抵抗値と比較して十分に大きいものとすることにより、負荷50の影響を抑えられる。このように、給電部44前段の負荷変調部46を制御することによって、1次側Q値を測定する際に2次側の負荷抵抗値を一定にすることが可能となる。これにより1次側Q値の測定精度を向上させることができる。なお、スイッチング素子46Tには、一例としてパワーMOSトランジスタ等のトランジスタを用いることができる。電流電圧検出部47は、2次側コイル41に発生する誘起電圧2次側電圧及び誘導電流2次側電流を検出し、検出結果を通信部48へ出力する。通信部48は、2次側通信部の一例であり、送電装置10の通信部36との間で通信を行う。例えば受電装置40の2次側コイル41に発生する誘起電圧2次側電圧及び誘導電流2次側電流の情報を送電装置10へ送信したり、送電装置10からQ値を測定中であるという通知を受信したりする。通信規格は、送電装置10の通信部36と同様のものが適用される。なお、本例では、送電装置10は送電機能のみ、また受電装置40は受電機能のみを有する構成として説明したが、これに限られない。例えば送電装置10が受電機能を有し、1次側コイル15を通じて外部から電力を受電できるようにしてもよいし、逆に受電装置40が送電機能を有し、2次側コイル41を通じて外部へ電力を送電できるようにしてもよい。[金属筐体に起因する1次側Q値バラツキの補正効果]本開示の第1の実施形態例に係る結合状態検知方法による、金属筐体に起因する1次側Q値バラツキの補正効果を説明する。図7a~cは、携帯機器の金属筐体の金属種類を変えて各パラメータを測定したときの測定条件を示している。状況1は、主として2次側携帯機器4Aの持つアルミニウムが1次側に対向していると仮定した場合である図7a。また状況2は、1において小さな金属異物5が混入した場合を仮定した場合である図7b。この2では、大きな金属筺体が1次側より見えているため、小さな金属異物5が混入しても1次側Q値はほとんど変化しない。一方、2次側Q値と結合係数kは金属筐体の影響を受けて劣化する。さらに状況3は、主として2次側携帯機器4Bの持つステンレスが1次側に対向していると仮定した場合図7cである。上記状況1~3で各パラメータを測定したときの測定結果を、表2に示す。表2の3より、1次側コイル15にステンレスの金属筐体を持つ携帯機器4Aが近づくことにより、1次側Q値は大きく劣化することがわかる。既述の表1では金属サイズは50mm縦×60mm横であったが、携帯機器の金属筺体はもう少し大きな可能性があるため劣化すると判断し、1次側のQ値を40と仮定した。状況3での2次側のQ値と結合係数kは、状況1のものとほぼ同等とした。これらの条件によりコイル間効率とX値を算出した結果を表2に示している。表2のコイル間効率に着目すると、金属異物の影響よりもむしろ金属筺体の影響が大きく、金属異物が混入されている2のコイル間効率67.20257032よりも、3のコイル間効率57.58070118の方が落ちてしまっている。これでは閾値を設定しても金属異物を高い精度で検出することは困難である。一方、X値を見てみると、金属異物が混入されている2がもっとも低い値0.383406になっているのがわかる。このようにX値を用いて電磁結合状態を判定する際に金属筺体の影響を差し引くことによって、金属異物の検出精度を向上させることができる。なお、携帯機器に金属筺体がある場合のX値と、金属筺体がない場合のX値では、もっと顕著な差が生まれる。[金属異物検出処理]次に、図8のフローチャートを参照して、本開示の第1の実施形態例に係る金属異物検出処理例を説明する。まず、送電装置10の検知部30図5参照は、交流電源が発生させる正弦波の周波数を掃引し、最大となる1次側のQ値を探す必要がある。すなわち、送電装置10から出力する正弦波の周波数を連続的に変化させて、最大となる1次側のQ値を走査する。例えば送電ドライバ22図5参照で任意のAHzの正弦波を生成して出力しステップS1、Q値演算部31は送電装置10の電圧V1と電圧V2から1次側Q値を測定するステップS2。ここで、検知部30は、測定した1次側Q値が検知部30の備えるレジスタ一時記憶部の一例図示略に記憶されている値以下、レジスタ値という。よりも大きいか否かを判定するステップS3。この値を図示しないワークメモリ又はメモリ35に記憶させておくようにしてもよい。ステップS3の判定処理において、1次側Q値がレジスタ値よりも大きい場合、検知部30は、レジスタ値を更新しステップS4、次に正弦波の周波数をAHzからBHzだけ増加させるステップS5。そして、送電ドライバ22でABHzの正弦波を生成して出力し、ステップS2の1次側Q値を測定する。そしてステップS3に移行する。一方、ステップS3の判定処理において、1次側Q値がレジスタ値よりも小さい場合、検知部30は、1次側Q値を確定するステップS6。ここで、検知部30は、確定した1次側Q値が異常値であるか否かを判定するステップS7。確定した1次側Q値が異常値閾値の範囲外を示した場合、送電装置10の動作を強制終了させるステップS8。なお、このステップS7,S8の処理は省略することもできる。ステップS7の判定処理において、確定した1次側Q値が正常値閾値の範囲内である場合、検知部30は送電装置10から受電装置40への電力の伝送を開始するとともに、X値演算部33はDC-DC効率すなわちコイル間効率を算出するステップS9。X値演算部33は、コイル間効率と1次側Q値より式7を利用してX値式7参照を算出するステップS10。ここで、判定部34は、算出したX値が予めメモリ35に記憶させた閾値Z以下であるか否かを判定するステップS11。X値が閾値Z以下である場合には金属異物ありと判断し、電力の伝送を強制終了させるステップS12。一方、X値が閾値Zより大きい場合、判定部34は、金属異物なしと判断し電力の伝送を続ける。この一連の処理をある間隔で行うことによって、金属筺体の影響によらず金属異物を検出することが可能になる。つまり、判定部34は、所定時間経過したか否かを判定しステップS13、所定時間経過した場合はステップS1へ移行し、ステップS1~ステップ13の一連の処理を繰り返す。[第1の実施形態の効果]第1の実施形態によれば、送電装置101次側のQ値と非接触電力伝送システムのコイル間効率電力電送効率を測定し、コイル間効率を1次側コイルのQ値で補正する。そして、得られた補正値X値が障害物のないときの閾値から変化したことを検出し、非接触電力伝送システム付近に金属異物が存在することを検知する。それゆえ、2次側携帯機器等の金属筺体の影響が補正され、金属異物の検出精度を向上させることが可能となる。また平面状の1次側コイルに対して2次側コイルを任意の場所においたとき、1次側コイルの面内における2次側コイルの位置のばらつきの影響も低減することが可能となる。したがって、ユーザの安全性及び使い勝手の向上につながる。なお、本実施形態では、送電装置10が直列共振回路を備える例を説明したが、共振回路としてその他の共振回路を用いてもよい。図9abにそれぞれ例を示す。図9aの例では、コンデンサ14Bと1次側コイル15の並列共振回路に対し、コンデンサ14Aを直列に接続して共振回路を構成している。また、図9bの例では、コンデンサ14Aと1次側コイル15の直列共振回路に対し、コンデンサ14Bを並列に接続して共振回路を構成している。検知部30は、図9abに示す共振回路に得られる、1次側コイル15及びコンデンサ14A間の電圧V1と、1次側コイル15両端の電圧V2を利用して、1次側Q値を計算する。以上、説明した直列共振回路及びその他の共振回路は、一例であり、共振回路の構成をこれらの例に限定するものではない。受電装置40においても送電装置10と同様に、種々の共振回路を適用できる。<2.第2の実施形態>第1の実施形態例では、検知部30のQ値演算部31は、直列共振回路の1次側コイルとコンデンサ間の電圧V1、送電コイル両端の電圧V2からQ値を求めているが、第2の実施形態例では、半値幅法によりQ値を求める。半値幅法では、直列共振回路を構成した場合において、図10のグラフに示すように共振周波数f0でのインピーダンスZpeakの絶対値に対して√2倍のインピーダンスとなる帯域周波数f1~f2より、式8で求められる。また、並列共振回路を構成した場合では、図11のグラフに示すように共振周波数f0でのインピーダンスZpeakの絶対値に対して1/√2倍のインピーダンスとなる帯域周波数f1~f2より、式8で求められる。<3.第3の実施形態>第3の実施形態例は、第1及び第2の実施形態例と異なり、検知部30のQ値演算部31が、共振回路のインピーダンスの実部成分と虚部成分の比からQ値を計算する例である。本例では、自動平衡ブリッジ回路及びベクトル比検出器を用いてインピーダンスの実部成分と虚部成分を求める。図12は、第3の実施形態例に係る、インピーダンスの実部成分と虚部成分の比からQ値を計算するための自動平衡ブリッジの回路図である。図12に示す自動平衡ブリッジ回路60は一般によく知られた反転増幅回路と同様の構成である。反転増幅器63の反転入力端子-にコイル62を接続し、非反転入力端子をグラウンドに接続する。そして帰還抵抗素子64によって反転増幅器63の出力端子より反転入力端子-に負帰還をかける。また、コイル62に交流信号を入力する交流電源61の出力電圧V1と、反転増幅器63の出力電圧V2をベクトル比検出器65に入力する。コイル62は、図5の1次側コイル15又は図6の2次側コイル41に対応する。この自動平衡ブリッジ回路60は、負帰還の作用によって常に反転入力端子-の電圧がゼロになるように動作する。また、交流電源61にからコイル62に流れた電流は、反転増幅器63の入力インピーダンスが大きいことから、ほぼ全てが帰還抵抗素子64に流れ込む。その結果、コイル62にかかる電圧は交流電源61の電圧V1と同じになると共に、反転増幅器63の出力電圧はコイル62を流れる電流Iと帰還抵抗値Rsの積になる。この帰還抵抗値Rsは、既知のリファレンス抵抗値である。したがって、電圧V1と電圧V2を検出してその比をとればインピーダンスが求まる。ベクトル比検出器65は、電圧V1と電圧V2を複素数として求めるため、交流電源61の位相情報一点鎖線を利用する。本例では、このような自動平衡ブリッジ回路60及びベクトル比検出器65などを用いて共振回路のインピーダンスZLの実部成分RL、虚部成分XLを求め、その比からQ値を求める。下記の式9及び式10は、Q値を求める過程を表した計算式である。<4.その他>なお、上述した本開示の第1~第3の実施形態例では、共振周波数でのQ値を測定しているが、多少検知感度が落ちることを許容すれば、Q値を測定する周波数は共振周波数と必ずしも一致している必要はなく、共振周波数からずれた周波数で測定したQ値を用いてもよい。また、本開示を電磁誘導方式に適用する場合には1次側及び/又は2次側のQ値を上げておくとよい。これにより、コイル間効率の変化、すなわちX値の変化を検出しやすくなる。また、本開示に係る1次側コイル及び2次側コイルとしてコアを有していないコイルの例を説明したが、磁性体を有したコアに巻きつけられた構造のコイルを採用してもよい。さらにまた、本開示の第1~第3の実施形態例では、2次側の携帯機器に携帯電話機を適用した例を説明したが、この例に限定されることなく、携帯音楽プレーヤ、デジタルスチルカメラ等、電力を必要とする種々の携帯機器に適用できる。なお、本開示は以下のような構成も取ることができる。12次側コイルと電磁的に結合する1次側コイルを含む回路の1次側Q値と前記2次側コイルとの間の電力電送効率を測定し、前記電力伝送効率を1次側コイルのQ値で補正し、得られた補正値に基づいて前記2次側コイルとの電磁結合している状態を検知する検知部、を備える電磁結合状態検知回路。2前記2次側コイルと電磁結合している状態を検知することにより、前記2次側コイルの近傍における導体の存在の有無を判断する前記1に記載の電磁結合状態検知回路。3前記Q値とは、前記1次側コイルとコンデンサを含む共振回路のQ値である前記2に記載の電磁結合状態検知回路。4前記検知部は、前記1次側コイルとコンデンサを含む共振回路の該1次側コイルと該コンデンサ間にかかる第1電圧と、前記1次側コイルの両端にかかる第2電圧を取得し、第1電圧と第2電圧の比から1次側Q値を計算するQ値演算部と、前記1次側Q値をQ1、前記電力電送効率をηmaxとおいたとき、下記計算式に従って補正値を算出する補正値演算部と、前記補正値演算部で算出された補正値を、前記1次側コイルの近傍に導体が存在しないときに予め測定した補正値に基づいて設定した閾値と比較することにより、前記2次側コイルと電磁結合している状態を判断する判定部と、を備える前記3に記載の電磁結合状態検知回路。5前記検知部は、前記1次側コイルとコンデンサを含む直列共振回路の共振周波数でのインピーダンスの絶対値に対して√2倍となる帯域からQ値を求める半値幅法を用いて1次側Q値を計算するQ値演算部と、前記1次側Q値をQ1、前記電力電送効率をηmaxとおいたとき、下記計算式に従って補正値を算出する補正値演算部と、前記補正値演算部で算出された補正値を、前記1次側コイルの近傍に導体が存在しないときに予め測定した補正値に基づいて設定した閾値と比較することにより、前記2次側コイルと電磁結合している状態を判断する判定部と、を備える前記3に記載の電磁結合状態検知回路。6前記1次側コイルとコンデンサを含む並列共振回路の共振周波数でのインピーダンスの絶対値に対して1/√2倍となる帯域からQ値を求める半値幅法を用いて1次側Q値を計算するQ値演算部と、前記1次側Q値をQ1、前記電力電送効率をηmaxとおいたとき、下記計算式に従って補正値を算出する補正値演算部と、前記補正値演算部で算出された補正値を、前記1次側コイルの近傍に導体が存在しないときに予め測定した補正値に基づいて設定した閾値と比較することにより、前記2次側コイルと電磁結合している状態を判断する判定部と、を備える前記3に記載の電磁結合状態検知回路。7自動平衡ブリッジ回路及びベクトル比検出器を用いて前記共振回路のインピーダンスの実部成分及び虚部成分を求め、その比から1次側Q値を計算するQ値演算部と、前記Q値演算部により求めた1次側Q値を、前記1次側コイルの近傍における導体存在しないときに予め測定した1次側Q値に基づいて設定した閾値と比較することにより、前記2次側コイルと電磁結合している状態を判断する判定部と、を備える前記3に記載の電磁結合状態検知回路。8前記電力伝送効率は、前記1次側コイルの誘起電圧と誘導電流の積である1次側電力と、前記2次側コイルの誘起電圧と誘導電流の積である2次側電力との比である前記4に記載の電磁結合状態検知回路。92次側コイルと電磁的に結合する1次側コイルと、前記1次側コイルを含む回路の1次側Q値と前記2次側コイルとの間の電力電送効率を測定し、前記電力伝送効率を1次側コイルのQ値で補正し、得られた補正値に基づいて前記2次側コイルとの電磁結合している状態を検知する検知部、を備える送電装置。10前記2次側コイルと電磁結合している状態を検知することにより、前記2次側コイルの近傍における導体の存在の有無を判断する前記9に記載の送電装置。11前記Q値とは、前記1次側コイルとコンデンサを含む共振回路のQ値である前記10に記載の送電装置。12前記検知部は、前記1次側コイルとコンデンサを含む共振回路の該1次側コイルと該コンデンサ間にかかる第1電圧と、前記1次側コイルの両端にかかる第2電圧を取得し、第1電圧と第2電圧の比から1次側Q値を計算するQ値演算部と、前記1次側Q値をQ1、前記電力電送効率をηmaxとおいたとき、下記計算式に従って補正値を算出する補正値演算部と、前記補正値演算部で算出された補正値を、前記1次側コイルの近傍に導体が存在しないときに予め測定した補正値に基づいて設定した閾値と比較することにより、前記2次側コイルと電磁結合している状態を判断する判定部と、を備える前記11に記載の送電装置。13前記検知部は、前記1次側コイルとコンデンサを含む直列共振回路の共振周波数でのインピーダンスの絶対値に対して√2倍となる帯域からQ値を求める半値幅法を用いて1次側Q値を計算するQ値演算部と、前記1次側Q値をQ1、前記電力電送効率をηmaxとおいたとき、下記計算式に従って補正値を算出する補正値演算部と、前記補正値演算部で算出された補正値を、前記1次側コイルの近傍に導体が存在しないときに予め測定した補正値に基づいて設定した閾値と比較することにより、前記2次側コイルと電磁結合している状態を判断する判定部と、を備える前記11に記載の送電装置。14前記1次側コイルとコンデンサを含む並列共振回路の共振周波数でのインピーダンスの絶対値に対して1/√2倍となる帯域からQ値を求める半値幅法を用いて1次側Q値を計算するQ値演算部と、前記1次側Q値をQ1、前記電力電送効率をηmaxとおいたとき、下記計算式に従って補正値を算出する補正値演算部と、前記補正値演算部で算出された補正値を、前記1次側コイルの近傍に導体が存在しないときに予め測定した補正値に基づいて設定した閾値と比較することにより、前記2次側コイルと電磁結合している状態を判断する判定部と、を備える前記11に記載の送電装置。15自動平衡ブリッジ回路及びベクトル比検出器を用いて前記共振回路のインピーダンスの実部成分及び虚部成分を求め、その比から1次側Q値を計算するQ値演算部と、前記Q値演算部により求めた1次側Q値を、前記1次側コイルの近傍における導体存在しないときに予め測定した1次側Q値に基づいて設定した閾値と比較することにより、前記2次側コイルと電磁結合している状態を判断する判定部と、を備える前記11に記載の送電装置。16前記電力伝送効率は、前記1次側コイルの誘起電圧と誘導電流の積である1次側電力と、前記2次側コイルの誘起電圧と誘導電流の積である2次側電力との比である前記12に記載の送電装置。17電力を無線により送電する送電装置と、該送電装置からの電力を受電する受電装置を含んで構成され、前記受電装置は、前記送電装置の1次側コイルと電磁的に結合する2次側コイルと、前記送電装置と通信する2次側通信部と、を備え、前記送電装置は、前記受電装置の2次側コイルと電磁的に結合する1次側コイルと、前記受電装置と通信する1次側通信部と、前記1次側コイルを含む回路の1次側Q値と、前記1次側通信部で受信した受電装置の情報に基づいて前記2次側コイルとの間の電力電送効率とを測定し、前記電力伝送効率を1次側コイルのQ値で補正し、得られた補正値に基づいて前記2次側コイルとの電磁結合している状態を検知する検知部と、を備える非接触電力電送システム。182次側コイルと電磁的に結合する1次側コイルを含む回路の1次側Q値と前記2次側コイルとの間の電力電送効率を測定することと、前記電力伝送効率を1次側コイルのQ値で補正し、得られた補正値に基づいて前記2次側コイルとの電磁結合している状態を検知することを含む電磁結合状態検知方法。さらに、上述した一実施形態例における一連の処理は、ハードウェアにより実行することができるが、ソフトウェアにより実行させることもできる。一連の処理をソフトウェアにより実行させる場合には、そのソフトウェアを構成するプログラムが専用のハードウェアに組み込まれているコンピュータMPU等、または、各種の機能を実行するためのプログラムをインストールしたコンピュータにより、実行可能である。また、本明細書において、時系列的な処理を記述する処理ステップは、記載された順序に沿って時系列的に行われる処理はもちろん、必ずしも時系列的に処理されなくとも、並列的あるいは個別に実行される処理例えば、並列処理あるいはオブジェクトによる処理をも含むものである。以上、本開示は上述した各実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された要旨を逸脱しない限りにおいて、その他種々の変形例、応用例を取り得ることは勿論である。"