プラズマ処理装置内で使用するためのライナーアセンブリであって、プラズマ処理装置の側壁の内側にスリップするような寸法に作られた外壁を有する円筒体を含み、貫通して形成され、極座標アレイ状に配置された複数のスロットを円筒体は有し、少なくとも1つのスロットは、基板がライナーを通過できるように構成されるライナーアセンブリ。複数のスロットは、同じ大きさである請求項1記載のライナーアセンブリ。複数のスロットは、等間隔に離間している請求項1記載のライナーアセンブリ。複数のスロットは、90度間隔を空けた4つのスロットである請求項1記載のライナーアセンブリ。円筒体は、外壁に結合された底部と、底部に結合され、処理装置の基板支持体の上にスリップするような寸法に作られた内壁を更に含む請求項1記載のライナーアセンブリ。円筒体は、内部に形成されたクーラント通路を更に含む請求項1記載のライナーアセンブリ。側壁と底壁を有するチャンバ本体であって、チャンバの側壁と底壁は、プラズマを含むための処理容積を画定し、側壁は貫通して形成されたスリットバルブトンネルを有するチャンバ本体と、チャンバ本体上に配置された蓋アセンブリと、処理容積内部に配置され、複数のスロットを含むライナーアセンブリであって、複数のスロットが、スリットバルブトンネルと揃った第1スロットと、少なくとも1つの第2スロットを含み、第1及び第2スロットがライナーアセンブリを介して軸対称RF帰還電流経路を生成するように配置されるライナーアセンブリを含むプラズマ処理装置。第1及び第2スロットは、同じ大きさである請求項7記載のプラズマ処理装置。複数のスロットは、等間隔に離間している請求項8記載のプラズマ処理装置。複数のスロットは、ライナーアセンブリを貫通して形成された第3スロットを更に含み、第1、第2及び第3スロットは、120度離間している請求項8記載のプラズマ処理装置。複数のスロットは、ライナーアセンブリを貫通して形成された第3スロットと、ライナーアセンブリを貫通して形成された第4スロットを更に含み、第1、第2、第3及び第4スロットは、90度離間している請求項8記載のプラズマ処理装置。ライナーアセンブリは、チャンバ本体の側壁の内側にスリップするような寸法で作られた外壁と、外壁に結合された底部を更に含む請求項7記載のプラズマ処理装置。ライナーアセンブリは、底部に結合され、基板支持体の上にスリップするような寸法で作られた内壁を更に含む請求項12記載のプラズマ処理装置。ライナーアセンブリが、内部に形成されたクーラント流路を更に含む請求項7記載のプラズマ処理装置。基板をプラズマ処理する方法であって、チャンバ本体の内側を覆うライナーアセンブリを有するプラズマ処理装置内に基板を搬送する工程であって、貫通して形成され、処理中にライナーアセンブリを通るRF電流の流れの対称的な分布を提供するように選択された2以上のスロットをライナーアセンブリは有する工程と、ガス供給源からチャンバ本体内に処理ガスを導入する工程と、電力を電極に結合して、チャンバ本体内で処理ガスをプラズマに励起する工程と、プラズマの存在下で基板を処理する工程を含む方法。