光源ガスを用いてEUV光を発生するEUV光発生手段と、前記EUV光発生手段に前記光源ガスを供給する光源ガス供給手段と、を備える光源チャンバーと、前記EUV光発生手段で発生したEUV光を選択的に透過させるフィルタと、第1排気手段と、を備える補助チャンバーと、前記フィルタを透過したEUV光を検査対象に導く検査光学系と、第2排気手段と、を備える検査光学系チャンバーと、を具備するEUVマスク検査装置であって、前記光源チャンバーと前記補助チャンバーと前記検査光学系チャンバーは空間的に接続されており、前記第1排気手段及び前記第2排気手段により前記補助チャンバーと前記検査光学系チャンバーとの間で差動排気が行われる、EUVマスク検査装置。前記光源チャンバーは、第3排気手段を更に備え、前記第1排気手段と前記第3排気手段により前記補助チャンバーと前記光源チャンバーとの間で差動排気が行われる、請求項1に記載のEUVマスク検査装置。前記補助チャンバーは、前記EUV光発生手段で発生したEUV光を入射する第1ホールと、前記フィルタ透過後のEUV光を前記検査光学系に出射する第2ホールと、を有し、前記フィルタは、前記第1ホールに密着しない状態で配置されることを特徴とする、請求項1又は請求項2に記載のEUVマスク検査装置。前記補助チャンバーは、前記フィルタ透過後のEUV光を前記第2ホールに集光する凹面鏡を更に備え、前記第2ホールは前記第1ホールよりも小さいことを特徴とする、請求項3に記載のEUVマスク検査装置。前記凹面鏡は楕円反射鏡であり、前記EUV光の発生位置と前記第2ホールの位置がそれぞれ前記楕円反射鏡の2つの焦点となるように前記楕円反射鏡を配置したことを特徴とする、請求項4に記載のEUVマスク検査装置。前記第2ホールは、直径が5.2mm以下であることを特徴とする、請求項4又は請求項5に記載のEUVマスク検査装置。前記第1ホールから入射されるEUV光のエタンデュ値が1mm^2sr以下であり、前記第2ホールの直径が1mm以下であることを特徴とする、請求項4乃至6のいずれか1項に記載のEUVマスク検査装置。前記検査光学系チャンバーは水素ガスを供給する第1充填ガス供給手段を更に備え、前記第1充填ガス供給手段は、検査光学系チャンバーの水素分圧が10Pa~50Paとなるように前記水素ガスを前記検査光学系チャンバーに供給する、請求項1乃至7のいずれか1項に記載のEUVマスク検査装置。前記補助チャンバーは充填ガスを供給する第2充填ガス供給手段を更に備え、前記第2充填ガス供給手段は、補助チャンバーの水素分圧が前記検査光学系チャンバーの水素分圧よりも低くなるように水素ガスを充填ガスとして前記補助チャンバーに供給する、請求項8に記載のEUVマスク検査装置。前記補助チャンバーは充填ガスを供給する第2充填ガス供給手段を更に備え、前記第2充填ガス供給手段は、ヘリウムガスを充填ガスとして前記補助チャンバーに供給する、請求項8に記載のEUVマスク検査装置。前記フィルタは、前記第1ホールと比べて前記凹面鏡に近い位置に配置される、請求項4乃至10のいずれか1項に記載のEUVマスク検査装置。前記補助チャンバーと前記検査光学系チャンバーの間に配置される少なくとも1以上の中間チャンバーを更に具備し、前記中間チャンバーは、前記第2ホールを通過したEUV光を集光する第2の凹面鏡と、前記第2の凹面鏡で集光したEUV光を出射する第3のホールと、第4排気手段と、を備えることを特徴とする、請求項3乃至11のいずれか1項に記載のEUVマスク検査装置。前記フィルタは、EUV光を選択的に透過させるフィルタを複数配置したターレットで構成されていることを特徴とする、請求項1乃至12のいずれか1項に記載のEUVマスク検査装置。前記フィルタの厚みは100nm以下であることを特徴とする、請求項1乃至13のいずれか1項に記載のEUVマスク検査装置。所定のガスを用いてEUV光を発生するEUV光源と、検査光学系が配置される検査光学系チャンバーと、第1ホールと第2ホールとを有するチャンバーであって、前記EUV光源から発生したEUV光を前記第1ホールから入射し、前記入射したEUV光を前記第2ホールから出射することで前記EUV光源から発生したEUV光を前記検査光学系へ導く補助チャンバーと、を備えるEUVマスク検査装置で用いられるマスク検査方法であって、前記補助チャンバーと前記検査光学系チャンバーとの間で差動排気を行う排気ステップと、前記EUV光源でEUV光を発生させるEUV光発生ステップと、前記補助チャンバー内に前記第1ホールに密着しない状態で配置されたフィルタを用いてEUV光を選択的に透過させるEUV光選択ステップと、前記補助チャンバー内で前記フィルタ後段に配置された凹面鏡を用いて前記フィルタで選択的に透過したEUV光を前記第2ホールに集光する第1集光ステップと、前記第2ホールを通過した前記EUV光を検査対象に導く導光ステップと、を有するEUVマスク検査方法。上記従来のEUVマスク検査装置では、EUV用フィルタ201は、EUV光を選択的に検査部200bに通過させる機能に加えてEUV光源200aのプラズマから飛散するデブリが検査部200b側に流れることを防ぐ役割を果たしている。従って、EUV用フィルタ201に破損が生じると直ちにデブリが検査部200b側に流れ込み、検査対象であるEUVマスクの汚染に繋がる。ここで、EUV光源200aはEUV光を発生させるガスで満たされるのに対し、検査部200bは真空であるため、EUV用フィルタ201にはEUV用フィルタの表面と裏面にかかる圧力差に起因して応力が加わる。従って、上記応力が加わっても破損が生じて検査部200b内の光学部品を汚染しないようにEUV用フィルタ201としては厚さ400nm程度の厚いジルコニウムフィルタが用いられる。当該EUV用フィルタ201の波長13.5nmのEUV光透過率は21程度となる。EUV用フィルタ201を透過したEUV光L22は、多層膜鏡202aに45度で入射する。EUV光L22は、多層膜鏡202aに入射する前はランダム偏光であり、P偏光とS偏光の両方が同等のパワーで存在する光であると考えることができる。EUV光L22が多層膜鏡202aに入射すると、P偏光はほとんど反射せず、S偏光のみが約65の反射率で反射される。従って、この多層膜鏡202aで反射するEUV光L23は、入射前のEUV光L22の約32.5になっている。EUV光L23は、ブランクスを照射する前にもう1枚の多層膜鏡202bに45度で入射する。EUV光L23は、多層膜鏡202bに入射する前はほぼS波しかない。このため、EUV光L23は、多層膜鏡202bで約65の反射率で反射される。従って、EUV光L21に対するEUV光L24のパワーの割合であるEUV光利用効率は約4.4となり、非常に低かった。本発明は、上記課題を鑑み、EUV光源を用いたEUVマスク検査装置において、EUV光の利用効率を高めることを目的とする。本発明の第1の態様に係るEUVマスク検査装置は、光源ガスを用いてEUV光を発生するEUV光発生手段と、前記EUV光発生手段に前記光源ガスを供給する光源ガス供給手段と、を備える光源チャンバーと、前記EUV光発生手段で発生したEUV光を選択的に透過させるフィルタと、第1排気手段と、を備える補助チャンバーと、前記フィルタを透過したEUV光を検査対象に導く検査光学系と、第2排気手段と、を備える検査光学系チャンバーと、を具備するEUVマスク検査装置であって、前記光源チャンバーと前記補助チャンバーと前記検査光学系チャンバーは空間的に接続されており、前記第1排気手段及び前記第2排気手段により前記補助チャンバーと前記検査光学系チャンバーとの間で差動排気が行われることを特徴とする。当該構成によれば、フィルタに対して圧力差による破損が生じないため薄いフィルタを用いることができるため、EUV光の利用効率を高めることができ、また、別途補助チャンバーを光源と検査光学系の間に挿入することで、光源側から漏れ出たデブリが検査光学系へ直ちに流れ込むことを防ぐことができる。本発明の第2の態様に係るEUVマスク検査装置は、上記のEUVマスク検査装置において、前記光源チャンバーは、第3排気手段を更に具備し、前記第1排気手段と前記第3排気手段により前記補助チャンバーと前記光源チャンバーとの間で差動排気が行われることを特徴とする。当該構成によれば、光源チャンバーと補助チャンバーの間で第2の差動排気が行われることで、補助チャンバーから検査光学系チャンバーへ漏れ出る光源ガスの量を更に減らすことが可能となる。本発明の第3の態様に係るEUVマスク検査装置は、上記のEUVマスク検査装置において、前記補助チャンバーは、前記EUV光発生手段で発生したEUV光を入射する第1ホールと、前記フィルタ透過後のEUV光を前記検査光学系に出射する第2ホールと、を有し、前記フィルタは、前記第1ホールに密着しない状態で配置されることを特徴とする。当該構成によれば、フィルタに対して圧力差による破損が生じないため薄いフィルタを用いることができ、EUV光の利用効率を高めることができる。本発明の第4の態様に係るEUVマスク検査装置は、上記のEUVマスク検査装置において、前記補助チャンバーは、前記フィルタ透過後のEUV光を前記第2ホールに集光する凹面鏡を更に備え、前記第2ホールは前記第1ホールよりも小さいことを特徴とする。当該構成により補助チャンバーに設けられる第2ホールを小さくすることが可能となるため、補助チャンバーから検査光学系チャンバーへ漏れ出る光源ガスの量を減らすことが可能となる。本発明の第5の態様に係るEUVマスク検査装置は、上記のEUVマスク検査装置において、前記凹面鏡は楕円反射鏡であり、前記EUV光の発生位置と前記第2ホールの位置がそれぞれ前記楕円反射鏡の2つの焦点となるように前記楕円反射鏡を配置したことを特徴とする。当該構成によれば、補助チャンバーに設けられる第2ホールを更に小さくすることが可能となるため、補助チャンバーから検査光学系チャンバーへ漏れ出る光源ガスの量を減らすことが可能となる。本発明の第6の態様に係るEUVマスク検査装置は、上記のEUVマスク検査装置において、前記第2ホールは、直径が5.2mm以下であることを特徴とする。このように小さな第2ホールを用いることで、補助チャンバーから検査光学系チャンバーへ漏れ出る光源ガスの量を減らすことが可能となる。本発明の第7の態様に係るEUVマスク検査装置は、上記のEUVマスク検査装置において、前記第1ホールから入射されるEUV光のエタンデュ値が1mm^2sr以下であり、前記第2ホールの直径が1mm以下であることを特徴とする。一般的な露光装置とは異なり、エタンデュ値が小さなEUV光を用いてEUVマスクの検査を行うため、第2ホールを更に小さくすることができ、検査光学系チャンバーにおける光源ガスの分圧を無視できる程度まで下げることができる。本発明の第8の態様に係るEUVマスク検査装置は、上記のEUVマスク検査装置において、前記検査光学系チャンバーは水素ガスを供給する第1充填ガス供給手段を更に備え、前記第1充填ガス供給手段は、検査光学系チャンバーの水素分圧が10Pa~50Paとなるように前記水素ガスを前記検査光学系チャンバーに供給する。EUV光の吸収率が最も低い気体である水素を充填ガスとして検査光学系チャンバーに供給することで、カーボンコンタミ等の汚染によって生じるEUV光利用効率の低下を抑えることができる。本発明の第9の態様に係るEUVマスク検査装置は、上記のEUVマスク検査装置において、前記補助チャンバーは充填ガスを供給する第2充填ガス供給手段を更に備え、前記第2充填ガス供給手段は、補助チャンバーの水素分圧が前記検査光学系チャンバーの水素分圧よりも低くなるように水素ガスを充填ガスとして前記補助チャンバーに供給する。当該構成により、補助チャンバー内での水素ラジカルによる洗浄効果が実現できると同時に光源内に水素ガスが混入する割合を抑制することができる。本発明の第10の態様に係るEUVマスク検査装置は、上記のEUVマスク検査装置において、前記補助チャンバーは充填ガスを供給する第2充填ガス供給手段を更に備え、前記第2充填ガス供給手段は、ヘリウムガスを充填ガスとして前記補助チャンバーに供給する。当該構成によれば、補助チャンバーにEUV光の発光を比較的妨げないヘリウムガスを供給することで、補助チャンバーより光源側にヘリウムガスが漏れ出してもプラズマ放電が妨げられないため、高い発光効率を維持することができる。本発明の第11の態様に係るEUVマスク検査装置は、上記のEUVマスク検査装置において、前記フィルタは、前記第1ホールと比べて前記凹面鏡に近い位置に配置される。フィルタをこのように配置することで、フィルタにぶつかるデブリの速度を落とすことができると共に、フィルタの熱破壊を抑えることができる。本発明の第12の態様に係るEUVマスク検査装置は、上記のEUVマスク検査装置において、前記補助チャンバーと前記検査光学系チャンバーの間に配置される少なくとも1以上の中間チャンバーを更に具備し、前記中間チャンバーは、前記第2ホールを通過したEUV光を集光する第2の凹面鏡と、前記第2の凹面鏡で集光したEUV光を出射する第3のホールと、第4排気手段と、を備える。補助チャンバーと検査光学系チャンバーの間に更に中間チャンバーを配置することで、検査光学系チャンバーに漏れ出す光源ガスの量を更に減らすことができ、同時に、光源内に水素ガスが混入する割合を大幅に抑制することができる。本発明の第13の態様に係るEUVマスク検査装置は、上記のEUVマスク検査装置において、前記フィルタは、EUV光を選択的に透過させるフィルタを複数配置したターレットで構成されていることを特徴とする。当該構成によれば、デブリ衝突によるフィルタ破損が生じても、ターレットを回転させることで直ちに別のフィルタを用いることができる。また、本発明のEUVマスク検査方法は、所定のガスを用いてEUV光を発生するEUV光源と、検査光学系が配置される検査光学系チャンバーと、第1ホールと第2ホールとを有するチャンバーであって、前記EUV光源から発生したEUV光を前記第1ホールから入射し、前記入射したEUV光を前記第2ホールから出射することで前記EUV光源から発生したEUV光を前記検査光学系へ導く補助チャンバーと、を備えるEUVマスク検査装置で用いられるマスク検査方法であって、前記補助チャンバーと前記検査光学系チャンバーとの間で差動排気を行う排気ステップと、前記EUV光源でEUV光を発生させるEUV光発生ステップと、前記補助チャンバー内に前記第1ホールに密着しない状態で配置されたフィルタを用いてEUV光を選択的に透過させるEUV光選択ステップと、前記補助チャンバー内で前記フィルタ後段に配置された凹面鏡を用いて前記フィルタで選択的に透過したEUV光を前記第2ホールに集光する第1集光ステップと、前記第2ホールを通過した前記EUV光を検査対象に導く導光ステップと、を有する。本発明によれば、EUV光源から発生するEUV光の利用効率を高めたEUVマスク検査装置を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。以下の説明は、本発明の実施形態を説明するものであり、本発明が以下の実施形態に限定されるものではない。説明の明確化のため、以下の記載は、適宜、省略及び簡略化がなされている。又、当業者であれば、以下の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能である。実施の形態1本発明の実施の形態に係るEUVマスク検査装置について、図1を参照して説明する。図1は、EUVマスク検査装置300の構成を示す模式図である。ただし、図では電源類は省略している。EUVマスク検査装置300は、半導体製造工程におけるEUVリソグラフィExtremelyUltravioletLithographyで利用されるEUVマスクの欠陥を検出する。なお、EUVマスク検査装置300は、検査対象として、基板上に多層膜が付けられたブランクスあるいはパターン形成されたマスクのいずれにも適用できる。ここでは、これらをEUVマスクと称する。EUVマスク検査装置300は、大別すると、光源300a、照明光伝送部300b、検査部300c、から構成される。光源300aは、排気用配管311aを備える光源チャンバー312aと、当該光源チャンバー312a内部に配置されるEUV光発生部301とから構成される。EUV光発生部301は、内部に放電用の電極を備えており、ガス供給用配管310aから供給される光源ガスに放電を行うことでEUV光を発生させる。ガス供給用配管310aは図示せぬガスボンベと接続されており、当該ガス供給用配管310aを通じてEUV光を発生させるための光源ガスがEUV光発生部301に供給される。具体的には、キセノンをベースとした、Xe、Ne、Arの3種類の混合ガス以下、Xe混合ガスと呼ぶ。が光源ガスとして用いられ、当該Xe混合ガスがガス供給用配管310aを通じてEUV光発生部301内へ供給される。排気用配管311aは、図示せぬ真空ポンプと接続されており、当該真空ポンプにより光源チャンバー312aの排気が行われる。光源チャンバー312a内部は、ガス供給用配管310aを通じて供給されるXe混合ガスで満たされている。光源チャンバー312aの圧力は、EUV光の発生に適した全圧50Pa~150Pa程度の圧力に設定される。光源チャンバー312aの圧力は、図示せぬ圧力計によってモニターされ、別途設けられた圧力制御装置が、圧力計からのデータに基づいてガス供給用配管310a及び排気用配管311aに取り付けられたバルブを制御することで圧力が一定に保たれる。EUV光発生部301は、Xe混合ガスへの放電により生成されるXeプラズマからの発光を利用してEUV光を発生させる。発生したEUV光は、光源チャンバー312aに取り付けられたダクト302中を通り、照明光伝送部300bへ進む。照明光伝送部300bは、排気用配管311bを備える補助チャンバー312bと、当該補助チャンバー312b内部に配置されるEUV用フィルタ303と凹面鏡304とから構成される。また、補助チャンバー312bは、EUV光を入射するための第1ホール305aとEUV光を出射するための第2ホール305bとを有する。排気用配管311bは、図示せぬ真空ポンプと接続されており、当該真空ポンプにより補助チャンバー312bの排気が行われる。当該真空ポンプが行う排気により、補助チャンバー312bの圧力は1Pa程度まで減圧される。ダクト302を通ってきたEUV光は、第1ホール305aより、補助チャンバー312b内部へ入射される。ここで第1ホール305aは、当該第1ホール305aの位置におけるEUV光のビーム径よりもわずかに大きい穴となっており、本実施の形態1のEUVマスク検査装置300では、10mm~20mm程度の大きさとなっている。第1ホール305aから入射したEUV光は、EUV用フィルタ303を透過する。EUV用フィルタ303は、EUV光を選択的に透過させる薄膜フィルタ型SPFとして作用するフィルタであり、図1のように、第1ホール305aから一定の距離だけ離れた位置に配置される。従って、第1ホール305aは、EUV用フィルタ303で密閉されておらず、光源チャンバー312a内部の空間Aと補助チャンバー312b内部の空間Bは繋がっている。EUV用フィルタ303としては、波長13.5nmを中心とするEUV光の透過率が他の波長に比較して高いジルコニウムZrやシリコンSi等の材料からなるものが選ばれる。なお、EUV用フィルタ303には、ジルコニウム単体のものを用いても良いが、前述の特開2006-279036号公報に示されたようなジルコニウムとシリコンを交互に積み重ねたものを用いても良い。EUV用フィルタ303の厚みは、数nm~約100nm程度の中から選択することができる。ここでは、具体的に、厚さ約50nmのEUV用フィルタを用いている。また、EUV用フィルタ303は、EUV光を選択的に透過させる機能に加えて、光源300aで発生し、ダクト302及び第1ホール305aを通過してきたデブリが凹面鏡304に衝突することを防ぐ保護バリアとしての機能も有している。凹面鏡304は、EUV用フィルタ303を通過したEUV光を所定の位置に集光させる。より具体的には、凹面鏡304は、楕円面鏡であり、EUV光発生部301におけるEUV光発生位置と第2ホール305bの位置がそれぞれ当該楕円面鏡の2つの焦点の位置関係を満たすように楕円面鏡が配置される。第2ホール305bは、補助チャンバー312bに設けられたピンホールであり、当該第2ホール305bの位置におけるEUV光のビーム径よりもわずかに大きい穴となっている。ここで、当該第2ホール305bを介して補助チャンバー312bと検査光学系チャンバー312cとが連結されているため、補助チャンバー312b内部の空間Bと検査光学系チャンバー312c内部の空間Cも繋がっている。従って、本発明のEUVマスク検査装置300を構成する光源チャンバー312aと補助チャンバー312bと検査光学系チャンバー312cの3つのチャンバーはすべて空間的に接続されている。ここで、EUV光は凹面鏡304によって当該第2ホール305bの位置で集光されるため、第2ホール305bの大きさは第1ホール305aと比べて小さくすることができる。従って、後述する補助チャンバー312bと検査光学系チャンバー312cの間で行う差動排気の効率を高めることが可能になる。以上のように、第1ホール305aから入射されたEUV光は、EUV用フィルタ303を透過し、凹面鏡304で絞られながら上方に進み、第2ホール305bが配置された位置で集光することで第2ホール305bを通過し、後述する検査光学系へ出射されるEUV31~EUV33。検査部300cは、排気用配管311cを備える検査光学系チャンバー312cと、当該検査光学系チャンバー312c内部に配置される検査光学系とから構成される。なお、検査光学系は、複数の光学機器306~309等で構成される。排気用配管311cは、図示せぬ真空ポンプと接続されており、当該真空ポンプにより検査光学系チャンバー312cの排気が行われる。第2ホール305bを通過したEUV光は、検査対象であるマスクブランクス上で集光するように凹面鏡306で反射される。凹面鏡306で反射されたEUV光は、平面多層膜鏡307に当たって折り返され、XYステージ308に載置された検査対象であるマスクブランクス350における微小領域を照明する。ここで、マスクブランクス350に適当な大きさの欠陥が存在する場合、マスクブランクス350から散乱光S点線で示された光が発生する。当該散乱光Sが、シュバルツシルト光学系309を構成する球面多層膜鏡で反射され、図示せぬ光検出器で受光されることにより、マスクブランクスの欠陥が検出される。以上の構成によれば、EUV用フィルタ303の両面に圧力差が生じないため、従来のEUVマスク検査装置と比較してEUV用フィルタを薄くすることができ、EUV光利用効率を向上させることができる。また、当該EUV用フィルタ303を配置する補助チャンバー312bを光源チャンバー312a及び検査光学系チャンバー312cの中間地点に新たに設けたことで、光源300a側で発生したデブリが直接検査部300c側へ流入することを防ぐことができる。次に、照明光伝送部300bが有する機能について説明する。本実施の形態において、照明光伝送部300bでは、EUV用フィルタ303が第1ホール305aから一定の距離だけ離れた位置に配置されている。すなわち、EUV用フィルタ303は、光源チャンバー312aの空間と補助チャンバー312bの空間の圧力差によって破損することを防ぐため、第1ホール305aと密着していない。従って、光源チャンバー312aと補助チャンバー312bは、空間的に分離されておらず、上述の通り空間的に繋がっている。従って、排気用配管311aに接続された真空ポンプにより、光源300a側で光源ガスを排気しているものの、補助チャンバー312b内に、当該空間接続部分より光源ガスが一部流れ込んでくる。光源ガスのベースであるキセノンはEUV光の吸収率が比較的高いため、伝搬光路におけるキセノン分圧が高いと、当該キセノンによるEUV光吸収によりEUV光の利用効率が低下する。EUV光の吸収損失は、伝搬光路の長さとキセノン分圧に依存する。ここで、補助チャンバー内の伝搬光路が約20cm~50cm程度の長さであるのに対し、検査光学系内の伝搬光路は検査光学系の配置の関係上約2m程度と比較的長くなる。図2は、伝搬光路が2mである場合のEUV光の透過率とキセノン分圧との関係を示したグラフである。図2のグラフから読み取れるように、伝搬光路が2mと比較的長い場合、キセノン分圧が1Pa以下であっても吸収損失が無視できなくなる。従って、検査光学系における伝搬光路のキセノン分圧を特に低く抑えることがEUV光利用効率向上の観点から好ましい。そこで、先ずは光源チャンバー312aと補助チャンバー312bとの間つまり空間Aと空間Bでダクト302を介して差動排気を行うことにより、補助チャンバー312b内部のキセノン分圧を1Pa程度まで減圧する。具体的には、排気用配管311aに接続される真空ポンプと排気用配管311bに接続される真空ポンプでそれぞれ排気することにより、ダクト302第1ホール305aを隔てて第1の差動排気が行われる。キセノン分圧1Paの補助チャンバー312bにおいて、20cmの伝搬光路におけるEUV光の透過率は88.3となる。なお、補助チャンバー312bの伝搬光路は50cm程度まで長くすることもできる。その際は、キセノン分圧を0.3Pa程度まで減圧すればよい。次に、第2ホール305bを隔てて第2の差動排気が行われる。すなわち、排気用配管311bと311cにそれぞれ接続された真空ポンプを用いて補助チャンバー312b内部と検査光学系チャンバー312c内部をそれぞれ排気することで、第2ホール305b前後つまり空間Bと空間Cで差動排気が行われる。ここで、第2ホール305bは、凹面鏡304の集光作用により、第1ホール305aと比較して小さなピンホールとなっている。従って、第2の差動排気は、第1の差動排気と比較して強力な差動排気が可能となる。当該第2の差動排気により、検査光学系チャンバー312c内空間Cのキセノン分圧が更に1/100程度、すなわち0.01Pa程度まで抑制される。その結果、検査光学系チャンバー312c内では、キセノンによるEUV光の吸収は極めて少なく、2m当たりの透過率は98.8になる。以上のように、照明光伝送部300bを、EUV光源300aと検査部300cの中間に別途設け、第1ホール305aと第2ホール305bを隔てて2段階の差動排気を行うことで伝搬光路の大部分を占める検査光学系が配置される検査光学系チャンバー312cのキセノン分圧を大幅に下げることができる。また、照明光伝送部300bに配置されるEUV用フィルタ303は、補助チャンバー312b内で保持されているだけであり、ガスを密封して差圧を設けるようには構成されていない。したがって、EUV光源300aから発生するデブリが衝突して、EUV用フィルタ303に微小な穴が多数形成されようとも、補助チャンバー312b内のキセノン分圧、及び空間C内のキセノン分圧が増大することはなく、EUV光が減衰することはない。従って、EUV用フィルタ303は、破損に対する許容性が向上し従来のEUV用フィルタと比較して薄いものを用いることができ、結果、EUV光の透過率が上がるため、EUV光の利用効率を向上させることができる。また、照明光伝送部300bに凹面鏡を別途配置し、EUV光を第2ホール305bの位置で集光させることで、第2ホール305bの大きさを小さくすることができ、第2の差動排気の効率を向上させることができる。当該構成により、検査部300c内のキセノン分圧を更に下げることが可能となる。ピンホールの直径をどれだけ小さくできるかは、EUV光源より取り出されるEUV光のエタンデュ光源プラズマの大きさとEUV光取り出し立体角の積に依存する。エタンデュの小さい照射光は輝度が高く、シャープな光となるのに対して、エタンデュの大きい照射光は輝度が低く、ぼやけた光となる。どのようなエタンデュを有するEUV光を用いるかは、当該EUV光の使用目的によって変化する。例えば、EUV光を露光に用いるEUV露光装置では、比較的大きい照射領域にEUV光を照射して露光を行う。一般的には、1mm×26mmの照射領域にEUV光を照射する。従って、EUV光源から発生するEUV光のエタンデュは3mm2sr程度と比較的大きく、凹面鏡を用いても焦点の大きさを小さく絞りきることはできない。従って、このようなEUV光を用いる場合は、ピンホールの大きさを大きくしなければならないため、検査部300cのキセノン分圧が高くなる。一方、EUV光をマスクブランクスの検査に用いるEUVマスク検査装置では、EUV光露光装置と比較してかなり小さな照射領域にEUV光を照射する。具体的には、EUVマスク検査装置では0.5mm×0.5mm程度の広さを検査領域とし、直径0.8mm程度の丸形のEUV光を照射する。従って、EUVマスク検査装置では、エタンデュが比較的小さいEUV光を検査用照明光として用いることができる。具体的には、EUV光源より取り出されたEUV光のエタンデュが1mm2sr程度であれば、半角45度で集光する場合、直径約0.9mmの集光サイズになる。従って、第2ホールとして直径1mmのピンホールを用いても、EUV光はカットされずに全て通過させることができる。直径1mmの小さなピンホールを用いてピンホール前後で差動排気を行う場合、ピンホール前の空間に1Paのキセノンが満たされていたとしても、ピンホール後では、1E-4Pa以下にできるようになり、ピンホール後の空間におけるEUV光の吸収損失は無視できる程度になる。つまり、1E-4Paのキセノン中の光路長2mにおけるEUV光の透過率は99.99以上となり、吸収はほぼ無視することができる。次に、上記第2ホール305bピンホール前後で行う差動排気によるEUV光利用効率の向上に関して、具体的な数値を用いて定量的に説明する。ピンホール後の空間を排気する真空ポンプとして、一般的なターボ分子ポンプを用いる場合、当該真空ポンプにおける排気速度Sは1m3/s程度である。ここで、ピンホール前の空間に満たされたガス中のキセノンの分圧P1が1Paとする。この時に、ピンホール後のキセノン分圧P2は、次式で表される。P2=CP1-P2/Sここで、Cはこのピンホールでのコンダクタンスただし分子流領域である。これは、ピンホールの半径をr、ピンホール板の厚みをt、キセノンガスの分子量をMとすると、次式で表される。C=0.523r3/√Mt[m3/s]一例として、ピンホールの大きさがr=0.5mm、t=1mmの場合、C=5.7E-5となる。従って、直径1mmのピンホールを用いると、ピンホール板後のキセノン分圧P2は約5.7E-5Paとなり、EUV光の吸収はほぼ無視できるようになる。従って、検査光学系300c内の空間でEUV光が大きく減衰することはない。また、逆に説明するならば、マスク側空間の光路長が2mの場合、EUV光のパワーがキセノン吸収によって99まで低下することを認めるならば、キセノン分圧を約0.0081Pa以下に抑える必要がある。S=1m3/sのポンプでピンホール後の空間を排気する場合、ピンホール前のキセノン分圧P1が1Pa程度であるならば、コンダクタンスCは0.008m3/s以上にする必要がある。ピンホール板の厚みtが1mmであるならば、ピンホールの直径は約5.2mmとなる。次に、本発明のEUVマスク検査装置におけるEUV光利用効率について説明する。本発明で用いる厚さ50nmのジルコニウムフィルタであるEUV用フィルタ303の波長13.5nmのEUV光透過率は84程度である。凹面鏡305入射前のEUV光はランダム偏光であり、凹面鏡はS偏光のみ反射するため、反射率65の凹面鏡305による反射後のEUV光は入射前と比較して32.5になる。ブランクスを照射する前に凹面鏡306及び多層膜鏡307でそれぞれ反射されるが、凹面鏡305でS偏光のみが反射されているため凹面鏡306及び多層膜鏡307でそれぞれ65で反射される。また、EUV用フィルタ303で密閉しないことによるキセノンガスの漏れに起因するEUV光透過率は、キセノン分圧1Paの補助チャンバー側で88.3であり、検査光学系チャンバー側では上述の通り5.2mm程度の大きさのピンホールを用いて約99となる。以上より、本実施の形態1に係るEUVマスク検査装置では、EUV光の利用効率が12.1となり、従来技術のEUVマスク検査装置におけるEUV光の利用効率4.4と比較して2倍以上に改善されている。なお、上記説明では、ピンホールを5.2mmとして説明したが、光源から取り出されるEUV光のエタンデュを0.06mm2srとし、ピンホールを1mmとすれば、このピンホール前後で差動排気を行いやすくなるため、差動排気に用いる真空ポンプの能力を下げることができる。従って、真空ポンプの小型化低コスト化が可能となる。また、逆に考えて、EUV用フィルタ303として、透過率32.2である厚さ270nmより薄いジルコニウムフィルタを用いれば、従来技術の4.4の利用効率を上回ることができる。従って、本発明のEUVマスク検査装置では、厚さ270nm以下透過率32.2以下のジルコニウムフィルタをEUV用フィルタ303として用いることにより、従来のEUVマスク検査装置と比べてEUV光の利用効率を向上させることができる。従って、EUV用フィルタを用いて光源チャンバー312aと補助チャンバー312bとを空間的に分離しなくても、上述の差動排気を行うことにより、漏れ込んだキセノンによる吸収損失を非常に小さくすることができる。その結果、EUV用フィルタ303の厚みを薄くすることによるEUV光利用効率の向上が漏れ込んだキセノンによるEUV光吸収によって生じるEUV光利用効率の低下と比較して遥かに大きいため、全体としてEUV光の利用効率を大幅に向上させることができる。以上説明したように、EUVマスク検査装置300では、補助チャンバーと検査光学系チャンバーの間で強力な差動排気を行っているため、検査光学系チャンバーのキセノン分圧を下げることができ、EUV光源より漏れ出したキセノンのEUV光吸収によるEUV光の減衰を抑えることができる。従来のEUVマスク検査装置では、フィルタ前後にかかる圧力差や光源で発生するデブリの衝突によりフィルタが破れた場合には、直ちに検査光学系にデブリが流れ込み、マスク汚染に繋がる。また、機密が保てなくなり検査光学系の真空度が低下し、キセノンガスによるEUV光吸収が増大することでEUV光が減衰し、EUV光の利用効率が低下していた。一方、本発明のEUVマスク検査装置は、フィルタには圧力差が加わらないため、圧力差によるフィルタ破壊は起こらない。また、デブリが衝突することでフィルタが破れても、当該フィルタは、光源と検査光学系の間に別途設けた補助チャンバー内に配置されているため、デブリが検査光学系に直ちに流れ込むといった事態にはならない。また、本発明のEUVマスク検査装置では、補助チャンバーと検査光学系チャンバーの間で差動排気を行っているため、EUV光の伝搬光路が長い検査光学系チャンバー内におけるキセノンガスの分圧が抑えられている。従って、フィルタが破れてもEUV光の減衰はほとんど起きない。また、フィルタ後方に配置した楕円面鏡を用いてEUV光を一旦集光し、補助チャンバーに設けられたピンホールを通って検査光学系チャンバーにEUV光が進む構成とすることで、強力な差動排気を行うことができる。従って、検査光学系チャンバーに流れ込むキセノンをほぼ完全に排除できるため、フィルタで気密を保つ必要がない。その結果、フィルタの破損に対する許容度が上がるため、フィルタがデブリの衝突によってピンホールが空いても、フィルタを使い続けることが可能となる。このことにより、本発明のEUVマスク検査装置では、フィルタの使用期間つまり寿命が長くなり、メンテナンスコストも低減できるようになった。実施の形態2本発明の実施の形態2に係るEUVマスク検査装置について、図3を参照して説明する。但し、図1に示すEUVマスク検査装置と同一部分については一部説明を省略する。本実施の形態2に係るEUVマスク検査装置において、検査光学系チャンバー312cは、ガス供給配管310cを更に備える。ガス供給配管310cは、図示せぬガスボンベと接続されており、当該ガス供給用配管310cより検査光学系チャンバー312c内へ充填ガスが供給される。ここで、充填ガスは、検査光学系チャンバーを清浄化するために供給されるガスであり、具体的には水素ガスが検査光学系チャンバー312cに供給される。一般的に、装置の使用に伴い所謂カーボンコンタミが発生し、検査光学系を構成する各種ミラーに付着する場合がある。ミラー表面に付着したカーボンコンタミはEUV光を乱反射させるため、カーボンコンタミの蓄積と共にEUV光の利用効率が低下していく。特に、平面多層膜鏡307は検査対象であるマスクブランクス直前に配置されるため、平面多層膜鏡307で反射されるEUV光の密度が高い。従って、平面多層膜鏡307においてカーボンコンタミが蓄積すると、乱反射によりEUV光の利用効率は急激に低下する。そこで、上記カーボンコンタミによるEUV光の利用効率低下を抑えるために、水素ガスが前記ガス供給配管310cを通じて供給される。EUV光が当たるミラー近傍では、EUV光によって水素分子が励起されることにより、水素ラジカルが生じる。当該発生したラジカルがミラー表面に付着したカーボンコンタミを分解除去することで、EUV光の利用効率低下が軽減される。なお、検査光学系チャンバー312cの圧力は、光源チャンバー312aと同様図示せぬ圧力計によってモニターされる。圧力制御装置は、当該圧力計からのデータに基づいて水素ガスの供給速度や真空ポンプによる排気速度を制御することで、検査光学系チャンバー312c内の水素分圧を所定の値に保つ制御を行う。図4は、伝搬光路が2mである場合のEUV光の透過率と水素分圧との関係を示したグラフである。グラフからわかるように、水素は、波長13.5nmのEUV光の透過率が非常に高い。従って、上記水素ラジカルによるミラー清浄効果と水素によるEUV光の吸収損失とを比較して、検査光学系チャンバー312cに供給される水素ガスの分圧が最適な値に設定される。ここでは、検査光学系チャンバー312cの水素ガスの分圧を10Pa~50Paの間に設定すると、水素ラジカルによる洗浄作用によるEUV光利用効率向上が水素ガスによるEUV光吸収による損失を上回るため好ましい。実施の形態3本発明の実施の形態3に係るEUVマスク検査装置について、図5を参照して説明する。但し、図1に示すEUVマスク検査装置と同一部分については一部説明を省略する。本実施の形態3に係るEUVマスク検査装置において、補助チャンバー312bは、ガス供給配管310bを更に備える。ガス供給配管310bは、図示せぬガスボンベと接続されており、当該ガス供給用配管310bより補助チャンバー312b内へ充填ガスが供給される。ここで、補助チャンバー312bに供給される充填ガスとして水素ガスとヘリウムガスの2種類のガスを用いることができる。図6は、EUVマスク検査装置を構成する3つのチャンバーに供給されるガスの種類を示している。供給例1では、光源チャンバー312aに光源ガスであるキセノンが、補助チャンバー312b及び検査光学系チャンバー312cには水素ガスが供給される。これら2つのチャンバーに供給される水素ガスは、それぞれミラー表面に付着するカーボンコンタミを洗浄するために供給される。ここで、補助チャンバー312bに配置される凹面鏡304は、EUV光の密度が小さいためカーボンコンタミによる影響は平面多層膜鏡307による影響と比べて小さい。そこで、補助チャンバー312bの水素分圧は検査光学系チャンバー312cの水素分圧と比較して小さく設定される。具体的には、検査光学系チャンバー312cの水素分圧が10Pa~50Pa程度に設定されるのに対し、補助チャンバー312bの水素分圧は1Pa~10Pa程度に設定される。また、このように、補助チャンバー312bの水素分圧を小さく設定することで、補助チャンバー312bから光源チャンバー312aに流れ込む水素ガスの量を少なくすることができる。次に供給例2について説明する。供給例2では、供給例1と比べて、補助チャンバー312bに水素ガスではなくヘリウムガスを供給する。補助チャンバー312b内部をヘリウムで満たすことで、EUV光発生部301内にヘリウムが多少流れ込むことはあるが、検査光学系チャンバー312cに満たされている水素がEUV光発生部301内に流れ込む量を低減することができる。その結果、EUV光発生部301内に含まれる水素の分圧を大幅に低減でき、プラズマ放電におけるEUV光の発光性能の低下を防ぐことができる。つまり、補助チャンバー312bにガス供給用配管310bを通じて水素を充填ガスとして供給した場合、EUV光発生部301内に流れ込む水素の量が多くなる。水素は、ヘリウムと比較してEUV光の吸収が低いことや洗浄作用といった利点がある一方で、ヘリウムと比較してプラズマ放電によるEUV光の発光性能を低下させる。従って、本供給例2では、補助チャンバー312bの充填ガスとしてヘリウムを用いることで、EUV光源300aの発光性能を低下させずに、最も伝搬光路の長い検査光学系300cについては水素で満たすことができる。従って、EUV光源300a側では高いEUV光の発光性能を維持しつつ、検査光学系300cにおいては低いEUV光吸収を実現することで、全体としてEUV光の利用効率を向上させることが可能となる。実施の形態4本発明の実施の形態4に係るEUVマスク検査装置について、図7を参照して説明する。但し、図1に示すEUVマスク検査装置と同一部分については一部説明を省略する。本実施の形態4に係るEUVマスク検査装置において、検査部300cは、EUV光照射用の穴が設けられたオリフィス330で第1検査部300c-1と第2検査部300c-2に分離されている。光検出器や各種ミラー等の検査光学系が配置された第1検査光学系チャンバー312c-1内の空間C-1とEUVマスクが配置された第2検査光学系チャンバー312c-2内の空間C-2は、それぞれ排気用配管311c-1及び311c-2に接続された真空ポンプを用いて個別に排気している。このように構成することで、当該オリフィス330前後で更に第3の差動排気を行うことが可能である。また、このように構成することで、EUVマスクは、EUV光の照射領域を除いて大部分がオリフィス330で覆われているため、EUV光源300aで発生し、照明光伝送部300bを通って検査光学系300c-1にデブリが舞い込んだとしても検査対象であるEUVマスクに付着することを防ぐことができる。ここで、EUV光の照射領域は0.8mm2の小領域であるため、オリフィス330の穴は1mm2~2mm2程度の大きさにすることができる。以上各実施の形態で説明したように、本発明によれば、EUV光の利用効率を大幅に高めることができる。このため、EUV光源における必要なEUVパワーを従来よりも下げることができる。これにより、EUV光源の寿命を長くすることができたり、又は、より小型で低コストなEUV光源に置き換えることができる。このことは、EUV光源で発生させるEUVパワーが従来と同等の場合、マスクの検査領域への照明光パワーを高められることとなる。これにより、検査感度を向上することができたり、検査時間を短縮することも可能となる。また、EUV用フィルタに応力が加わらないことから、EUV光源内に満たされるXe混合ガスの圧力を高めることができる。このため、EUV光の発光点のサイズを0.4mm程度まで小さくすることができる。これにより、EUV光のエタンデュを低減でき、EUVマスク面への照明光の輝度を高めることも可能である。なお、一般的にDPP方式のEUV光源では、Xe混合ガスの圧力を下げるとプラズマが広がることは広く知られており、例えば、前述のPaulABlackborowetalのEUVSourceDevelopmentatEnergetiqにおいて、この傾向を表す実験結果が示されている。また、本発明のEUVマスク検査装置は適宜その構成が変更可能であることは言うまでもない。例えば、補助チャンバーと検査光学系チャンバーの間に中間チャンバーを更に設けても良い。当該中間チャンバーに、凹面鏡を別途配置し、第2ホールを通過したEUV光を再度集光する構成であっても良い。集光した場所に第3のホールピンホールを配置し、当該ピンホールを通過したEUV光が検査光学系側に導かれる構成であっても良い。また、上記中間チャンバーにガス供給手段と排気手段を設け、補助チャンバー及び検査光学系チャンバーとの間で差動排気が可能な構成としても良い。更に多くの差動排気を行うことで検査光学系チャンバーに洩れ出る光源ガスを更に減らすことができる。また、光源チャンバーと補助チャンバーの間に小型の中間チャンバーを配置し、当該チャンバーに接続された真空ポンプを用いて更に差動排気を行うことで補助チャンバーのキセノン分圧を更に下げるよう構成していても良い。なお、このような中間チャンバーを複数配置し、多段差動排気を可能とする構成であっても良い。また、本発明のEUVマスク検査装置で用いられるフィルタとして、例えば図8に示すフィルタを用いても良い。図8のEUV用フィルタには、EUV用フィルタ303を多数備えたターレット320が用いられている。具体的には、ターレット320には4枚のEUV用フィルタ303が並べられている。前述したように、EUV用フィルタ303は非常に薄く、デブリの衝突によって劣化しやすい。そこで、図8に示すEUV用フィルタのように、EUV用フィルタ303に破損が生じた場合、ターレット320を回転させることで、瞬時に新しいEUV用フィルタ303と交換できる構成とするとなお良好である。本発明のEUVマスク検査装置では、EUV用フィルタは、第1ホール305aと密着しておらず、第1ホール305aから所定の距離離れて配置されているため、ターレット320を容易に回転させることができる。その結果、EUVフィルタ303の交換時における装置のダウンタイムを数秒程度と非常に短くできる。ここで、ターレット320EUV用フィルタ303は、第1ホール305aより大きく距離を離して配置されることが望ましい。より具体的には、EUV用フィルタ303は、第1ホール305aと凹面鏡304の中間地点よりも凹面鏡寄りの場所に配置されていることが望ましい。更に望ましくは、EUV用フィルタ303は、凹面鏡304直前の位置に配置されることが望ましい。第1ホール305aから十分な距離を取ることで、EUV用フィルタ303に到達したEUV光源300a側から漏れてくるデブリの速度は低下しているため、EUV用フィルタ303の破損を抑えることができる。また、EUV用フィルタ303を、第1ホール305aより大きく距離を離して配置することで、EUV用フィルタ303に照射されるEUV光の単位面積当たりの発熱を抑え、放射冷却効率が向上する。従って、このようにEUV用フィルタ303を配置することによりEUV用フィルタ303の熱破壊を抑えることができる。なお、本発明に係るEUVマスク検査装置は、EUV露光に用いられる、ブランクスあるいはパターン付きEUVマスクの欠陥検査を対象とするものであるが、これに限定されるものではない。本発明は、欠陥検査だけでなく、小型のEUV光源からのEUV光に基づく様々な計測装置にも適用できる。例えば、マスクブランクスのEUVのパターン検査装置などにも応用が可能である。