"配線基板と、前記配線基板に装着され、所定波長範囲の発光特性を有する複数の半導体発光素子と、所定の光透過特性を有すると共に、第1の面及び該第1の面とは反対側の第2の面を有して板状に形成され、前記複数の半導体発光素子に対応して前記第1の面に凹設された複数のキャビティを有する封止部材と、前記複数のキャビティのそれぞれに充填され、前記半導体発光素子が発する光の少なくとも一部を波長変換する蛍光体を含有した蛍光部と、を備え、前記配線基板の前記半導体発光素子が装着された面に前記封止部材の前記第1の面が接合されることにより、前記複数の半導体発光素子のそれぞれが、対応する前記キャビティにおいて前記蛍光部で覆われていることを特徴とする半導体発光装置。前記配線基板の前記半導体発光素子が装着された面と前記封止部材の前記第1の面が接合することにより、前記キャビティ内に前記半導体発光素子及び前記蛍光部が密封されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。JISK7129B法によって23°Cで測定した前記配線基板及び前記封止部材の水蒸気透過度は、10g/m2day以下であることを特徴とする請求項2に記載の半導体発光装置。JISK7129B法によって23°Cで測定した前記配線基板及び前記封止部材の水蒸気透過係数は、10gmm/m2day以下であることを特徴とする請求項2に記載の半導体発光装置。JISK7126B1987法によって23°Cで測定した前記配線基板及び前記封止部材の酸素透過度は、1000cm3/m2dayatm以下であることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1に記載の半導体発光装置。JISK7126B1987法によって23°Cで測定した前記配線基板及び前記封止部材の酸素透過係数は、1000cm3mm/m2dayatm以下であることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1に記載の半導体発光装置。前記封止部材は、ガラス、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、石英、及びセラミックの群から選ばれる1又は2以上の材料からなることを特徴とする請求項2乃至6のいずれか1に記載の半導体発光装置。前記蛍光体は、前記半導体発光素子から発せられた光を前記所定波長範囲とは異なる波長範囲の光に変換するものであって、前記封止部材は、前記蛍光体によって波長変換された光に対し、前記半導体発光素子から発せられた光よりも高い透過性を有すると共に、前記半導体発光素子から発せられて前記キャビティから前記封止部材へ向かう光に対し、前記蛍光体によって波長変換されて前記キャビティから前記封止部材へ向かう光よりも高い反射率を有することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1に記載の半導体発光装置。前記複数のキャビティのうちの一部のキャビティに充填された蛍光部が含有する蛍光体は、前記複数のキャビティのうちの残部のキャビティに充填された蛍光部が含有する蛍光体が有する波長変換特性と異なる波長変換特性を有することを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1に記載の半導体発光装置。前記蛍光体として、前記半導体発光素子から発せられた光を赤色領域に波長変換する第1蛍光体と、前記半導体発光素子から発せられた光を緑色領域に波長変換する第2蛍光体と、前記半導体発光素子から発せられた光を青色領域に波長変換する第3蛍光体とが用いられ、前記複数のキャビティは、前記第1蛍光体を含有した蛍光部を充填する第1キャビティと、前記第2蛍光体を含有した蛍光部を充填する第2キャビティと、前記第3蛍光体を含有した蛍光部を充填する第3キャビティとからなることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1に記載の半導体発光装置。前記蛍光部は、互いに異なる波長変換特性を備える2以上の蛍光体が積層された積層構造を有することを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1に記載の半導体発光装置。前記配線基板を介して前記半導体発光素子のそれぞれに流れる電流を制御することにより、前記封止部材の前記第2の面から放射される光の色度が可変であることを特徴とする請求項9乃至11のいずれか1に記載の半導体発光装置。前記半導体発光素子は、360~480nmの波長範囲の光を発することを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1に記載の半導体発光装置。請求項1~13のいずれかに記載の半導体発光装置を有することを特徴とする照明装置。所定波長範囲の発光特性を有する複数の半導体発光素子を配線基板に装着する工程と、所定の光透過特性を有すると共に、第1の面及び該第1の面とは反対側の第2の面を有して板状に形成された封止部材の前記第1の面に、前記複数の半導体発光素子に対応して複数のキャビティを凹設する工程と、前記半導体発光素子が発する光の少なくとも一部を波長変換する蛍光体を含有した蛍光部を前記複数のキャビティのそれぞれに充填する工程と、前記配線基板に装着された前記複数の半導体発光素子のそれぞれが、対応する前記キャビティ内に位置すると共に、前記キャビティ内に充填されている前記蛍光部で覆われるように、前記封止部材の前記第1の面を前記配線基板に接合する工程とを備えることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。前記キャビティに前記蛍光体を含有した蛍光部を充填する工程は、前記キャビティが露出すると共に当該キャビティの周囲が被覆されるように被覆材で前記封止部材の前記第1の面をマスキングする工程と、前記被覆材の上から前記蛍光部を塗布する工程と、前記蛍光部を塗布した後に、前記被覆材を前記封止部材の前記第1の面から除去する工程とからなることを特徴とする請求項15に記載の半導体発光装置の製造方法。特許文献3に示されるような半導体発光装置を製造する場合、半導体発光素子を配置した配線基板上にリフレクタを装着すると共に、このリフレクタ内を複数領域に区分するための間仕切りを装着した上で、間仕切りで区分された各領域内にそれぞれ対応する蛍光部を収容する必要があるため、製造工程が複雑になり、製造工数や製造コストの面で問題がある。このような問題は、リフレクタ及び間仕切りに代えて、熱硬化性またはUV硬化性の樹脂からなる環状の側壁及び仕切り壁を形成するようにした場合にも同様に生じる。また、上述のように、複数の半導体発光素子をいくつかのグループに分け、グループごとに間仕切りで区分するようにした場合、グループごとに半導体発光素子が偏在し、各グループからまとまって発せられた光が合成されることにより白色光が得られるため、色むらが生じるなどして白色光の品質が低下する。そこで、このような品質の低下を防止するべく、同じグループの半導体発光素子を1つにまとめずに分散させて配置するようにした場合には、更にリフレクタや環状側壁の数が増加するため、より製造工程が複雑となる。更に、上述のように構成される半導体発光装置を照明装置や表示装置に適用する場合、半導体発光装置の信頼性や耐久性を高めるべく、蛍光部のほか、リフレクタと間仕切り、あるいは環状側壁と仕切り壁を周囲の環境から保護するための保護部材を発光装置に装着する必要がある。このため、さらに製造工程が複雑になるという問題がある。本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、製造工程を簡素化可能であると共に高い信頼性及び耐久性を確保可能な半導体発光装置及びその製造方法を提供することにある。上記目的を達成するため、本発明の半導体発光装置は、配線基板と、前記配線基板に装着され、所定波長範囲の発光特性を有する複数の半導体発光素子と、所定の光透過特性を有すると共に、第1の面及び該第1の面とは反対側の第2の面を有して板状に形成され、前記複数の半導体発光素子に対応して前記第1の面に凹設された複数のキャビティを有する封止部材と、前記複数のキャビティのそれぞれに充填され、前記半導体発光素子が発する光の少なくとも一部を波長変換する蛍光体を含有した蛍光部とを備え、前記配線基板の前記半導体発光素子が装着された面に前記封止部材の前記第1の面が接合されることにより、前記複数の半導体発光素子のそれぞれが、対応する前記キャビティにおいて前記蛍光部で覆われていることを特徴とする。このように構成された半導体発光装置によれば、前記配線基板の前記半導体発光素子が装着された面と前記封止部材の前記第1の面が接合することにより、前記キャビティ内に前記半導体発光素子及び前記蛍光部が密封される。このように構成される半導体発光装置において、JISK7129B法によって23°Cで測定した前記配線基板及び前記封止部材の水蒸気透過度は、10g/m2day以下であってもよく、JISK7129B法によって23°Cで測定した前記配線基板及び前記封止部材の水蒸気透過係数は、10gmm/m2day以下であってもよい。また、このように構成される半導体発光装置において、JISK7126B1987法によって23°Cで測定した前記配線基板及び前記封止部材の酸素透過度は、1000cm3/m2dayatm以下であってもよく、JISK7126B1987法によって23°Cで測定した前記配線基板及び前記封止部材の酸素透過係数は、1000cm3mm/m2dayatm以下であってもよい。更に、このように構成される半導体発光装置において、前記封止部材は、ガラス、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、石英、及びセラミックの群から選ばれる1又は2以上の材料から構成されてもよい。このように構成された半導体発光装置によれば、半導体発光素子から発せられた光の少なくとも一部は、当該半導体発光素子に対応して封止部材の第1の面に設けられているキャビティ内に充填されて半導体発光素子を覆う蛍光部の蛍光体によって波長変換され、波長変換された光が封止部材を透過して封止部材の第2の面から放出される。また、このように構成される半導体発光装置において、前記蛍光体は、前記半導体発光素子から発せられた光を前記所定波長範囲とは異なる波長範囲の光に変換するものであって、前記封止部材は、前記蛍光体によって波長変換された光に対し、前記半導体発光素子から発せられた光よりも高い透過性を有すると共に、前記半導体発光素子から発せられて前記キャビティから前記封止部材へ向かう光に対し、前記蛍光体によって波長変換されて前記キャビティから前記封止部材へ向かう光よりも高い反射率を有するものであってもよい。このように半導体発光装置を構成した場合、蛍光体で波長変換された光は、半導体発光素子から発せられた光に比べて、より良好に封止部材を透過して封止部材の第2の面から出射される一方、半導体発光素子から発せられた光は蛍光体で波長変換された光に比べ、より良好に封止部材で反射されて、キャビティ内に充填された蛍光体により波長変換される機会を再び得ることになる。更に、上述のいずれかの半導体発光装置において、前記複数のキャビティのうちの一部のキャビティに充填された蛍光部に含有される蛍光体は、前記複数のキャビティのうちの残部のキャビティに充填された蛍光部に含有される蛍光体が有する波長変換特性と異なる波長変換特性を有していてもよい。このように半導体発光装置を構成した場合、複数のキャビティのうちの一部のキャビティに充填された蛍光部の蛍光体によって波長変換された光と、複数のキャビティのうちの残部のキャビティに充填された蛍光部の蛍光体によって波長変換された光の、少なくとも2種類の光を合成して得られた光が半導体発光装置から発せられる。また、上述のいずれかの半導体発光装置において、前記蛍光体として、前記半導体発光素子から発せられた光を赤色領域に波長変換する第1蛍光体と、前記半導体発光素子から発せられた光を緑色領域に波長変換する第2蛍光体と、前記半導体発光素子から発せられた光を青色領域に波長変換する第3蛍光体とが用いられ、前記複数のキャビティは、前記第1蛍光体を含有した蛍光部を充填する第1キャビティと、前記第2蛍光体を含有した蛍光部を充填する第2キャビティと、前記第3蛍光体を含有した蛍光部を充填する第3キャビティとからなるようにしてもよい。このように半導体発光装置を構成した場合、第1蛍光体によって赤色領域に波長変換された光と、第2蛍光体によって緑色領域に波長変換された光と、第3蛍光体によって青色領域に波長変換された光とを合成した光が半導体発光装置から発せられる。また、上述のいずれかの半導体発光装置において、前記蛍光部は、互いに異なる波長変換特性を備える2以上の蛍光体が積層された積層構造を有してもよい。このように半導体発光装置を構成した場合、積層構造を有する蛍光体の各層において波長変換された光の合成光が半導体発光装置から発せられる。また、前述のように、一部のキャビティに充填された蛍光部の蛍光体が、残部のキャビティに充填された蛍光部の蛍光体と異なる波長変換特性を有するようにした場合、あるいは上述のように、第1蛍光体、第2蛍光体及び第3蛍光体を用いるようにした場合において、前記配線基板を介して前記半導体発光素子のそれぞれに流れる電流を制御することにより、前記封止部材の前記第2の面から放射される光の色度を可変としてもよい。具体的には、上述のいずれかの半導体発光装置において、前記半導体発光素子は、360~480nmの波長範囲の光を発するものであってもよい。また、前述の目的を達成するため、本発明の半導体発光装置の製造方法は、所定波長範囲の発光特性を有する複数の半導体発光素子を配線基板に装着する工程と、所定の光透過特性を有すると共に、第1の面及び該第1の面とは反対側の第2の面を有して板状に形成された封止部材の前記第1の面に、前記複数の半導体発光素子に対応して複数のキャビティを凹設する工程と、前記半導体発光素子が発する光の少なくとも一部を波長変換する蛍光体を含有した蛍光部を前記複数のキャビティのそれぞれに充填する工程と、前記配線基板に装着された前記複数の半導体発光素子のそれぞれが、対応する前記キャビティ内に位置すると共に、前記キャビティ内に充填されている前記蛍光部で覆われるように、前記封止部材の前記第1の面を前記配線基板に接合する工程とを備えることを特徴とする。このような半導体発光装置の製造方法により、配線基板に装着された複数の半導体発光素子のそれぞれが、当該半導体発光素子に対応して封止部材の第1の面に凹設されたキャビティに充填されている蛍光部によって覆われるように、配線基板と封止部材とが接合された半導体発光装置が得られる。このように構成される半導体発光装置の製造方法において、前記キャビティに前記蛍光体を含有した蛍光部を充填する工程は、前記キャビティが露出すると共に当該キャビティの周囲が被覆されるように被覆材で前記封止部材の前記第1の面をマスキングする工程と、前記被覆材の上から前記蛍光部を塗布する工程と、前記蛍光部を塗布した後に、前記被覆材を前記封止部材の前記第1の面から除去する工程とからなるようにしてもよい。本発明の半導体発光装置によれば、配線基板に装着された複数の半導体発光素子のそれぞれが、当該半導体発光素子に対応して封止部材の第1の面に凹設されたキャビティに充填された蛍光部によって覆われるように、配線基板と封止部材とが接合されている。従って、蛍光体を含有した蛍光部を充填するためのリフレクタと間仕切り、あるいは環状側壁と仕切り壁などのような手間のかかる構成が不要となり、半導体発光装置を簡素な構成とすることができる。このような簡素な構成により、半導体発光装置の信頼性や耐久性を高めることができると共に、製造工数や製造コストを低減することが可能となる。また、封止部材は蛍光部を充填するだけではなく、蛍光部や半導体発光素子などを周囲の環境から保護することができるので、蛍光部を充填するためのリフレクタや環状側壁などの部材と、発光装置を環境から保護するための保護部材とを別個に設ける必要がなくなる。このような点で、半導体発光装置の信頼性や耐久性を更に高めながら、製造工数や製造コストをより一層低減することが可能となる。また、本発明の半導体発光装置の製造方法によれば、封止部材の第1の面に凹設されたキャビティのそれぞれに蛍光体を含有した蛍光部を充填した後、複数の半導体発光素子が装着された配線基板を、当該半導体発光素子のそれぞれが、対応するキャビティ内に位置すると共に、キャビティ内に充填されている蛍光部で覆われるように、封止部材の第1の面に接合することにより半導体発光装置を得ることができるので、従来のようにリフレクタ及び間仕切りを配線基板に装着したり、環状側壁及び仕切り壁を配線基板上に形成したりする必要がなくなり、製造工程を簡素化することができる。更に、封止部材が蛍光部や半導体発光素子などを周囲の環境から保護する機能も兼ね備えているので、別途保護部材を装着する必要がなくなり、より一層製造工程が簡素化される。このように、本発明の半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法では、半導体発光装置の構造や製造工程を簡素化することができるので、前述のように、複数のキャビティのうちの一部のキャビティに充填された蛍光部に含有される蛍光体と、残部のキャビティに充填された蛍光部に含有される蛍光体とで異なる波長変換特性を有するようにしたり、複数のキャビティのうち、第1キャビティには第1蛍光体を含有する蛍光部、第2キャビティには第2蛍光体を含有する蛍光部、第3キャビティには第3蛍光体を含有する蛍光部をそれぞれ充填するようにしたりして、半導体発光素子と蛍光体との組み合わせを複数採用するような半導体発光装置の場合であっても、良好な信頼性及び耐久性を確保し、製造工数や製造コストの増大を良好に抑制することが可能となる。また、本発明の半導体発光装置において、半導体発光素子から発せられた所定波長範囲の光を当該所定波長範囲とは異なる波長範囲の光に変換する蛍光体を用いると共に、封止部材が、蛍光体によって波長変換された光に対し、半導体発光素子から発せられた光よりも高い透過性を有すると共に、半導体発光素子から発せられた光に対し、蛍光体によって波長変換された光よりも高い反射率を有する場合には、上述したような効果に加え、次のような効果を得ることができる。即ち、半導体発光素子から発せられた光は蛍光体で波長変換された光に比べ、より良好に封止部材で反射され、キャビティ内に充填された蛍光体により波長変換される機会を再び得るので、半導体発光素子から発せられた光が蛍光体によって波長変換される機会が増大する。このとき、蛍光体で波長変換された光は、半導体発光素子から発せられた光に比べて、より良好に封止部材を透過して封止部材の第2の面から出射される。このため、このような光透過特性を有していない封止部材を用いた場合に比べ、蛍光体で波長変換されて半導体発光装置から放出される光の量を増大させると共に、蛍光体で波長変換されずに半導体発光装置から放出される光の量を低減することが可能となる。以下、図面に基づき本発明の一実施形態について詳細に説明する。なお、本発明は以下に説明する内容に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において任意に変更して実施することが可能である。図1は、本発明の実施形態に係る半導体発光装置1の全体構成を示す平面図であり、図1のII-II線に沿う半導体発光装置1の断面図を図2に示す。なお、これらの図は、説明のために一実施形態として本発明の半導体発光装置を模式的に表すものであり、各部材の縮尺等を正確に表すものではない。図1及び図2に示すように、本実施形態において半導体発光装置1は、配線基板2と、この配線基板2に接合された封止部材3とを有する。配線基板2上には、配線基板2の配線パターンと電気的に接続されるようにして複数の半導体発光素子4が装着されている。一方、封止部材3は、半導体発光装置1に求められる発光特性に応じた光透過特性を有すると共に、第1の面3a及び当該第1の面3aの反対側の面となる第2の面3bを有して板状に形成されており、第1の面3aには、配線基板2に装着されたそれぞれの半導体発光素子4に対応して複数のキャビティ5が設けられている。各キャビティ5は、封止部材3の第1の面3aから半球面状の壁面を有して凹設されており、キャビティ5内に収容充填された蛍光部6が半導体発光素子4を覆っている。なお、封止部材3は、第1の面3a及び第2の面3bのほか、これら第1の面3a及び第2の面3bに対して直交した側面となる4つの第3の面3cを有している。以下では、本実施形態における半導体発光装置1の各構成について詳細に説明する。なお、以下の説明においては、特に断りがない限り、各蛍光部から出射する個々の光を一次光と称すると共に、半導体発光装置1から出射する光、即ち各一次光を集めた光を出射光と称するものとする。1.半導体発光素子発光波長半導体発光素子4は、後述する蛍光部6に含まれる蛍光体や蛍光成分以下、これらを総称して蛍光体というを励起する光を発するものであって、本発明の要旨を変更しない限りにおいて、様々な半導体発光素子を用いることができる。例えば半導体発光素子4として、360nm~480nmの波長範囲の光、即ち近紫外波長領域から青色領域の光を発するものを用いることができる。具体的には、紫外光を発する紫外発光ダイオード素子発光ピーク波長300~400nm、紫色光を発する紫色発光ダイオード素子発光ピーク波長400~440nm、及び青色光を発する青色発光ダイオード素子発光ピーク波長440~480nmなどを用いることができ、本実施形態では近紫外光を発する近紫外発光ダイオード素子例えば、発光ピーク波長380~400nmを用いている。集積密度及び配置半導体発光装置1における半導体発光素子4の集積密度は、本発明の要旨を変更しない限り特に制限はないが、4個/cm2以上が好ましく、より好ましくは16個/cm2以上であり、更に好ましくは20個/cm2以上、特に好ましくは25個/cm2以上である。また、通常は625個/cm2以下、好ましくは400個/cm2以下、より好ましくは256個/cm2以下である。半導体発光素子4の単位面積当たりの個数を、このような上限値以下とすることにより、半導体発光装置1から大光束を得やすくなり、下限値以上とすることにより、半導体発光装置1を小型化することができる。半導体発光装置1において、半導体発光素子4はランダムに配置することが可能であるが、高集積化及び半導体発光素子の制御の観点から、通常は規則的に配置することが好ましく、特に図1に示すようにマトリックス状に配置するのが好ましい。また、半導体発光素子4の配置間隔は、後述する封止部材3のキャビティ5の配置間隔によって定まる。形状半導体発光装置1の光取り出し面、即ち封止部材3の第2の面3bの側から投影した場合の半導体発光素子4の形状としては、例えば矩形状、円形状、多角形状など、本発明の要旨を変更しない限りにおいて、任意の形状とすることが可能である。但し、半導体発光素子4用の基板の加工の容易性などから、通常は矩形状、もしくはそれに近い形状とされる。なお、半導体発光装置1に用いられる半導体発光素子4は、全てが同じ形状を有していてもよいし、それぞれまたは一部が異なる形状を有していてもよい。半導体発光装置1の光取り出し面側から投影した場合の半導体発光素子4の面積は、20000μm2以上が好ましく、より好ましくは40000μm2以上、更に好ましくは80000μm2以上である。また、通常は360000μm2以下、好ましくは250000μm2以下、より好ましくは200000μm2以下である。半導体発光素子4の面積を、このように下限値以上とすることにより、効率の良い発光を得ることが可能となり、上限値以下とすることにより、目的とする単位面積当たりの個数で半導体発光素子4を配置することが可能となる。また、半導体発光素子4の形状を上述のように矩形状とする場合、通常は一辺の長さを100μm以上とするのが好ましく、より好ましくは200μm以上、更に好ましくは250μm以上、特に好ましくは300μm以上である。また、600μm以下とするのが好ましく、より好ましくは500μm以下、更に好ましくは400μm以下である。矩形状の半導体発光素子4の一辺の長さをこのような範囲内とすることにより、目的とする集積密度で、半導体発光素子4を適正に配置可能となる。具体例上述した半導体発光素子4として具体的には、発光ダイオード以下、LEDと略称するや、半導体レーザダイオード以下、LDと略称するなどを用いることができる。なお、半導体発光素子4はこれらに限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない限りにおいて、様々な半導体発光素子を用いることができる。半導体発光素子4として特に好ましいのは、発光ダイオード素子用基板上にGaN系化合物半導体層が形成されたGaN系LEDやGaN系LDである。GaN系LEDやGaN系LDは、同様の波長領域の光を発するSiC系LEDに比して、発光出力や外部量子効率が格段に大きく、蛍光体との組み合わせにより非常に低電力で非常に明るい発光を得ることができるのがその理由である。例えば、20mAの駆動電流に対し、通常GaN系LEDやGaN系LDはSiC系LEDの100倍以上の発光強度を有する。GaN系LEDやGaN系LDにおいては、AlXGaYN発光層、GaN発光層、またはInXGaYN発光層を有しているのが好ましい。そして、GaN系LEDの場合には、これらのうちInXGaYN発光層を有するものの発光強度が非常に強く、特に好ましい。また、GaN系LDの場合は、InXGaYN層とGaN層との多重量子井戸構造を有するものの発光強度が非常に強く、特に好ましい。なお、ここでXYの値は、通常0.8以上、1.2以下の範囲にある。GaN系LEDにおいては、これら発光層にZnやSiをドープしたものやドーパントなしのものが、発光特性を調整する上で好ましい。GaN系LEDの場合、通常はこれら発光層、p層、n層、電極、及び発光ダイオード素子用基板を基本構成要素として構成することが可能である。そして、発光層をn型とp型とのAlXGaYN層、GaN層、またはInXGaYN層などでサンドイッチにしたヘテロ構造を有しているものが、発光効率が高く好ましいが、更にヘテロ構造を量子井戸構造にしたものは、発光効率が更に高く、より好ましい。これらの積層方法は、一般的に発光ダイオード素子の形成方法と同様とすることができる。本実施形態に用いる半導体発光素子4は、動作時の電力が1素子当たり通常は5W以下、好ましくは4W以下、更に好ましくは3W以下であり、また、通常は0.060W以上、好ましくは0.065W以上、更に好ましくは0.070W以上である。動作時の電力が小さすぎると、光出力が総じて少なくなりコスト的にも不利となる傾向がある一方で、大きすぎると放熱が困難となって、蛍光部6、配線基板2、あるいは半導体発光素子4自身が熱劣化したり、電極マイグレーションによる故障を引き起こしたりするおそれがあるほか、半導体発光装置1の寿命が短くなるおそれもある。本実施形態では、InGaN半導体が発光層に用いられて近紫外領域の光を発するGaN系LEDを半導体発光素子4として用いており、このGaN系LEDの配線基板2への装着はフリップチップ実装によって行う。即ち、GaN系LEDの発光層を下面側、発光ダイオード素子用基板を上面側に向け、発光層に形成されている2つの電極と、配線基板2に設けられている配線パターンの電極とを金属バンプを介して接合する。また本実施形態の場合、図1に示すように、配線基板2上の1cm2の領域に、横1列で6個のGaN系LEDを6列として計36個のGaN系LEDを配置している。なお、フリップチップ実装によって配線基板2に半導体発光素子4を装着する際には、サブマウントを用いてもよい。また、半導体発光素子4の配線基板2上への装着方法は、このようなフリップチップ実装に限られるものではなく、半導体発光素子4の種類や構造に応じて適切な方法を選択可能である。例えば、半導体発光素子4を配線基板2の所定位置に接着固定した後、半導体発光素子4の上面側に位置する2つの電極を金属ワイヤによって配線基板2側の電極と接続するダブルワイヤボンディングや、導電性材料からなる半導体発光素子4の発光素子用基板を介して配線基板2側の電極に接続すると共に、半導体発光素子4の上面側に位置する1つの電極を金属ワイヤによって配線基板2側の電極に接続するシングルワイヤボンディングなどを採用することも可能である。但し、本実施形態のようにフリップチップ実装によって半導体発光素子4を配線基板2に装着するようにした場合、ワイヤボンディングの場合に比べて実装面積を小さくすることが可能であり、より高密度に半導体発光素子4を集積することができる。2.配線基板高放熱基板または絶縁性基板配線基板2には、高放熱性の放熱金属基板、または絶縁性基板がベースとして用いられる。なお、後述する水蒸気透過度、水蒸気透過係数、酸素透過度又は酸素透過係数を配線基板2全体として満たすことができれば、後述する高放熱性の放熱金属基板、または絶縁性基板に他の材料を適宜含有させた複合部材を配線基板2に用いてもよい。放熱金属基板放熱性金属基板としては、放熱性を有するアルミ基板、アルミ合金基板、銅基板、又は、銅合金基板などの各種金属基板、或いは、各種金属基板と絶縁基板との複合基板を用いることができ、中でも、コスト、軽量性、放熱性の観点からアルミ基板が配線基板2のベースとして好適である。また、封止部材3との密着性を考慮すると、アルミ基板、アルミ合金基板、銅基板、又は、銅合金基板が好適である。配線基板2は、光源である半導体発光素子4が装着される放熱金属基板と、半導体発光素子4に対する電気配線が形成された電気配線用基板とを有した金属複合基板からなる。この金属複合基板としては、このような放熱金属基板と電気配線用基板とを有して、放熱金属基板の光源実装面に貴金属メッキ膜が設けられているものであれば、特に制限されるものではない。このように放熱金属基板の光源実装面に貴金属メッキ膜を設け、この貴金属メッキ膜に光源である半導体発光素子4を装着することで、高い接合強度を確保することが可能となる。従来、光源の実装には、エポキシ系、シリコーン樹脂系の各種接着剤や、銀ペーストなどが用いられてきたが、このように貴金属メッキ膜を用いて光源を実装することにより、実装工程、熱衝撃試験等の信頼性評価試験、及び実際の使用時において、接合界面の剥離が生じるなどの不具合の発生を良好に抑制することができる。放熱性金属基板を配線基板のベースとして用いる場合、光源である半導体発光素子4の実装方法しては、公知の方法を採用することができる。この場合、半導体発光素子4側にメッキ処理を施して接合面を形成し、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂などのダイボンディング材を用い、放熱金属基板の光源実装面に形成した貴金属メッキ膜と接合させて半導体発光素子4を実装すればよい。また、ダイボンディング材のほかにも、AuSnペースト、AgSnペーストなどを用い、放熱金属基板の光源実装面に形成した貴金属メッキ膜と接合させることにより、半導体発光素子4を実装することもできる。AuSnペーストを用いれば、金属拡散結合により接合することができるので、高い接合信頼性を確保することができる。また、金属結合により放熱金属基板に半導体発光素子4を実装可能であるため、上述のようなダイボンディング材を用いて実装する場合よりも、かなり良好な放熱性が期待できる。絶縁性基板絶縁性基板としては、例えばセラミック、樹脂、ガラスエポキシ、樹脂中にフィラーを含有した複合樹脂などから選択された材料を用いて形成されたものを使用することができる。特に半導体発光素子4からの発熱を効率よく放熱するためには、絶縁性基板が良好な熱伝導性を有していることが望ましい。この場合、例えばアルミナや窒化アルミニウムなどのセラミック基板、高熱伝導性を有するフィラーを含有した複合樹脂基板などが好適である。配線基板の形状本実施形態において配線基板2は、全体として平板状に形成されているが、図2に示すように半導体発光素子4を装着する面には、半導体発光素子4の装着位置に半導体発光素子4を取り囲むように凹部2aを形成し、この凹部2a内に各半導体発光素子4が装着されるようになっている。この凹部2aは、後述する配線基板2と封止部材3との接合の際に、キャビティ5内から溢れ出た蛍光部6を収容するために用いられる。凹部2aは必須のものではなく、必要に応じて設けられるものであって、例えばキャビティ5から蛍光部6が溢れ出るようなことがない場合や、溢れ出た蛍光部6を別の手段で収容するような場合などでは、凹部2aを設ける必要がない。また、凹部2aの形状や位置は、本実施形態のものに限定されるものではなく、例えば半導体発光素子4を取り囲む環状溝や半導体発光素子4に近接して形成された凹所など、本発明の要旨を変更しない限りにおいて様々に変更可能であって、キャビティ5から溢れ出る蛍光部6を収容可能なものであればよい。なお、配線基板2の形状は、必ずしも平坦である必要はなく、後述する封止部材3との接合が適切に行われるような形状であればよい。例えば、封止部材3の配線基板2との接合面が曲面状をなす場合、配線基板2自体もこれに合わせて曲面状をなすように形成することができる。また、配線基板2の表面に段差や凸部を設けてもよい。また、配線基板2上には、半導体発光素子4から発せられる光を反射するための反射部材が、少なくとも各半導体発光素子4の周囲に形成されていてもよい。このような反射部材は、本発明の要旨を変更しない限りにおいて、特にその形成位置や形状などに制限はない。反射部材としては、例えば後述する配線パターンと同時に配線基板2上にプリントされた金属からなる層などであってもよく、セラミック、銀、アルミニウムなどの金属や、コバール、銀-白金、銀-パラジウムなどの合金、白色ソルダーレジストなどからなる層などであってもよい。また、これらを組み合わせることにより反射部材を形成することも可能である。配線パターン上述した配線基板2には、各半導体発光素子4に電力を供給して各半導体発光素子4の発光を制御するための配線パターンが、半導体発光装置1の電気回路構成に対応して設けられる。なお、半導体発光装置1の電気回路構成については、5.半導体発光装置の構成の項で具体的に説明する。配線パターンは、半導体発光装置1の電気回路構成を実現するものであれば特に制限はなく、半導体発光装置1の種類や目的、半導体発光素子4の実装方法などに応じて適宜選択される。例えば、本実施形態のように半導体発光素子4をフリップチップ実装する場合の配線パターンは、パッドパターン、給電ランドパターン、及びこれらを接続する導線パターンなどによって構成される。給電ランドパターンは、通常は半導体発光素子4を装着する領域の外側に形成され、外部電源やコントローラと電気的に接続され、コントローラによって制御された電力を受け取るためなどに用いられる。またパッドパターンは、複数の半導体発光素子4に対応して複数設けられており、半導体発光素子4側の電極と金属バンプを介して電気的に接続される。更に、これら給電ランドパターン及びパッドパターンは、導線パターンを介して電気的に接続され、半導体発光装置1の電気回路を構成する。配線パターンは、半導体発光装置1の電気回路構成が単純な場合、配線基板2の表面など1つの面のみに形成することが可能であるが、例えば半導体発光素子4をマトリックス状に配置すると共に、複数種類の蛍光部6を用いて複数種類の一次光を得るような場合などには、多層の配線パターンを採用することができる。また、配線基板2の表面に設けられる配線パターンに用いる材料は、光に対する反射率の高いものが好ましく、本実施形態の場合は近紫外光の反射率が70以上であるのが好ましく、より好ましくは75以上、更に好ましくは80以上である。このような反射率の配線パターンを用いることで、半導体発光装置の輝度を良好なものとすることができる。配線パターンの材料としては、通常は金、銀、銅、アルミニウムなどがあり、中でも金、銀、銅が輝度向上や輝度の維持効果を得やすいという面から好ましい。配線パターンには、これらの材料のうちの1種を用いてもよく、また2種以上を組み合わせて用いてもよい。配線基板のガスバリア性配線基板2及び封止部材3によって囲まれた領域すなわち、キャビティ5及び蛍光部6に、半導体発光装置1の外部から水蒸気や酸素等の外部ガスが進入しないように、配線基板2の水蒸気透過度、水蒸気透過係数、酸素透過度、及び酸素透過係数を以下のように調整することが好ましい。具体的には、JISK7129B法によって23°Cで測定した場合に、配線基板2の水蒸気透過度は、10g/m2day以下であることが好ましく、5/m2day以下であることがより好ましく、2/m2day以下であることが特に好ましい。また、JISK7129B法によって23°Cで測定した場合に、配線基板2の水蒸気透過係数は、10gmm/m2day以下であることが好ましく、5gmm/m2day以下であることがより好ましく、2gmm/m2day以下であることが特に好ましい。更に、JISK7126B1987法によって23°Cで測定した場合に、配線基板2の酸素透過度は、1000cm3/m2dayatm以下であることが好ましく、500cm3/m2dayatm以下であることがより好ましく、200cm3/m2dayatm以下であることが特に好ましい。また、JISK7126B1987法によって23°Cで測定した場合に、配線基板2の酸素透過係数は、1000cm3mm/m2dayatm以下であることが好ましく、100cm3mm/m2dayatm以下であることがより好ましく、10cm3mm/m2dayatm以下であることが特に好ましい。また、配線基板2及び封止部材3によって囲まれた領域すなわち、キャビティ5及び蛍光部6に、半導体発光装置1の外部から水蒸気や酸素等の外部ガスが進入しないように、配線基板2の厚さを以下のように調整することが好ましい。具体的に、配線基板2の厚さは、0.2mm以上であることが好ましく、0.5mm以上であることがより好ましく、1.0mm以上であることが特に好ましい。なお、半導体発光装置の軽量化、コンパクト化の観点から、配線基板2の厚さは、10mm以下であることが好ましい。3.蛍光部蛍光部6は、半導体発光素子4から発せられる光の少なくとも一部を波長変換する蛍光体と、この蛍光体を分散保持するための充填材とからなり、前述したように、封止部材3の第1の面3aに凹設された複数のキャビティ5のそれぞれに収容され、各キャビティ5に対応して配線基板2上に装着された半導体発光素子4を覆うことにより、蛍光部6内に分散して含有される蛍光体が半導体発光素子4の周囲に分散して存在するようになっている。各蛍光部6に含有される蛍光体の種類は、半導体発光装置1に求められる発光特性に応じて適宜選択可能である。そして、各蛍光部6からは全てが同様の一次光が発せられるようにしてもよいし、一部の蛍光部6からの一次光と、残りの蛍光部6からの一次光とが異なるようにしてもよい。また、個々のキャビティ5には、単一の種類の蛍光体を含有した蛍光部6を収容するようにしてもよいし、複数種類の蛍光体を混合して含有した蛍光部6を収容するようにしてもよい。キャビティ5のそれぞれは、空隙がないように蛍光部が収容充填されていることが好ましい。これにより界面での反射回数を軽減することができるため、半導体発光素子4及び蛍光部6で波長変換された光を半導体発光装置1の外部に効率よく取り出すことができる。一部の蛍光部6からの一次光と、残りの蛍光部6からの一次光とが異なるようにする場合、例えば、半導体発光素子4から発せられる光が紫外光ないし紫色光の場合は、赤色蛍光体、緑色蛍光体、及び青色蛍光体の3種の蛍光体を用いることにより、RGB赤色、緑色及び青色の3原色の色を発生させることができる。従って、これら3原色の一次光を合成して混色することにより、白色だけではなく発光色を多彩に変化させることができると共に、様々な色温度の出射光を得ることができる。また、半導体発光素子4から発せられた光が蛍光部6内で散乱しながら蛍光体によって波長変換され、蛍光部6から一次光となって発せられるので、比較的スペクトル幅の狭い発光ダイオードなどの光を直接用いる場合に比べ、スペクトル幅の広い一次光が得られる。この結果、半導体発光装置1の出射光には優れた演色性を確保することができる。また、半導体発光素子4から発せられる光が青色光の場合は、黄色蛍光体によりY黄色に波長変換し、補色関係にある半導体発光素子4の青色光と、波長変換された黄色光とを合成して混色することにより、出射光として様々な色温度の白色光を得ることができる。あるいは、半導体発光素子4から発せられた青色光を、赤色蛍光体と緑色蛍光体とによりRG赤色と緑色に波長変換し、半導体発光素子4の青色光と、波長変換された赤色光及び緑色光とを合成して混色することにより、出射光として様々な色温度の白色光を得ることもできる。なお、半導体発光素子4から発せられる光が青色光の場合も、蛍光体の選択や組合せの比率、あるいは混色の調整により白色光以外の色の出射光を得ることが可能である。このような場合においても、蛍光部6からスペクトル幅の広い一次光が得られるので、半導体発光装置1の出射光には優れた演色性を確保することができる。蛍光体は、半導体発光素子4が発する光の少なくとも一部を波長変換することが可能なものであればよいが、本実施形態では、前述したように近紫外領域の光を発する半導体発光素子4を用いるので、このような波長領域の光の少なくとも一部を波長変換可能な蛍光体が用いられる。蛍光体の組成に特に制限はないが、母体結晶となるY2O3、YVO4、Zn2SiO4、Y3Al5O12、Sr2SiO4などに代表される金属酸化物、Ca,SrAlSiN3などに代表される金属窒化物、Ca5PO43Clなどに代表されるリン酸塩及びZnS、SrS、CaSなどに代表される硫化物、あるいはY2O2S、La2O2Sなどに代表される酸硫化物などに、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Ybなどの希土類金属のイオンや、Ag、Cu、Au、Al、Mn、Sbなどの金属イオンを付活元素または共付活元素として組み合わせたものが好ましい。母体結晶の好ましい例を表1に示す。但し、これらの母体結晶及び不活元素または共付活元素について、元素組成に特に制限はなく、同族の元素と一部置き換えることも可能であり、本実施形態の場合、得られた蛍光体は上述のように近紫外領域の波長範囲の光を波長変換するものであればよい。なお、蛍光体を例示する際には、構造の一部のみが相違する蛍光体を適宜省略し、省略箇所はカンマ,で区切って示している。例えば、Y2SiO5:Ce3、Y2SiO5:Tb3及びY2SiO5:Ce3,Tb3をY2SiO5:Ce3,Tb3と、La2O2S:Eu、Y2O2S:Eu及びLa,Y2O2S:EuをLa,Y2O2S:Euとしてまとめて示している。半導体発光装置1において、具体的には、以下に示す蛍光体を用いることが可能であるが、これらはあくまで例示であって、本発明で使用可能な蛍光体はこれに限られるものではない。なお、以下の例示においても、上述したようにして、構造の一部のみが異なる蛍光体を適宜省略して示している。赤色蛍光体本発明の要旨を変更しない限りにおいて、任意の赤色蛍光体を用いることができるが、その発光ピーク波長は、通常は570nm以上、好ましくは580nm以上、より好ましくは585nm以上で、通常は780nm以下、好ましくは700nm以下、より好ましくは680nm以下の波長範囲にあるものが好適である。中でも、赤色蛍光体として例えば、Ca,Sr,Ba2Si5N,O8:Eu、Ca,Sr,BaSiN,O2:Eu、Ca,Sr,BaAlSiN,O3:Eu、Sr,Ba3SiO5:Eu、Ca,SrS:Eu、La,Y2O2S:Eu、Euジベンゾイルメタン31,10-フェナントロリン錯体などのβ-ジケトン系Eu錯体、カルボン酸系Eu錯体、K2SiF6:Mnが好ましく、Ca,Sr,Ba2Si5N,O8:Eu、Sr,CaAlSiN,O:Eu、La,Y2O2S:Eu、K2SiF6:Mnがより好ましい。橙色蛍光体本発明の要旨を変更しない限りにおいて、任意の橙色蛍光体を用いることができるが、その発光ピーク波長は、発光ピーク波長が580nm以上、好ましくは585nm以上で、620nm以下、好ましくは600nm以下の波長範囲にあるものが好適である。中でも、橙色蛍光体として例えば、Sr,Ba3SiO5:Eu、Sr,Ba2SiO4:Eu、Ca,Sr,Ba2Si5N,O8:Eu、Ca,Sr,BaAlSiN,O3:Ceが好ましい。青色蛍光体本発明の要旨を変更しない限りにおいて、任意の青色蛍光体を用いることができるが、その発光ピーク波長は、通常は420nm以上、好ましくは430nm以上、より好ましくは440nm以上で、通常は500nm未満、好ましくは490nm以下、より好ましくは480nm以下、更に好ましくは470nm以下、特に好ましくは460nm以下の波長範囲にあるものが好適である。中でも、青色蛍光体として例えば、Ca,Sr,BaMgAl10O17:Eu、Sr,Ca,Ba,Mg10PO46Cl,F2:Eu、Ba,Ca,Mg,Sr2SiO4:Eu、Ba,Ca,Sr3MgSi2O8:Euが好ましく、Ba,SrMgAl10O17:Eu、Ca,Sr,Ba10PO46Cl,F2:Eu、Ba3MgSi2O8:Euがより好ましく、Sr10PO46Cl2:Eu、BaMgAl10O17:Euが特に好ましい。緑色蛍光体本発明の要旨を変更しない限りにおいて、任意の緑色蛍光体を用いることができるが、その発光ピーク波長は、通常は500nm以上、好ましくは510nm以上、より好ましくは515nm以上で、通常は550nm未満、好ましくは542nm以下、より好ましくは535nm以下の波長範囲にあるものが好適である。緑色蛍光体の発光ピーク波長が短すぎると緑色蛍光体が発する光が青みを帯びる傾向がある一方で、発光ピーク波長が長すぎると黄みを帯びる傾向があり、いずれの場合も緑色光としての特性が低下するおそれがある。中でも、緑色蛍光体として例えば、Y3Al,Ga5O12:Ce、CaSc2O4:Ce、Ca3Sc,Mg2Si3O12:Ce、Sr,Ba2SiO4:Eu、Si,Al6O,N8:Euβサイアロン、Ba,Sr3Si6O12:N2:Eu、SrGa2S4:Eu、BaMgAl10O17:Eu,Mnが好ましい。なお、半導体発光装置1を照明装置に用いる場合には、Y3Al,Ga5O12:Ce、CaSc2O4:Ce、Ca3Sc,Mg2Si3O12:Ce、Sr,Ba2SiO4:Eu、Si,Al6O,N8:Euβサイアロン、Ba,Sr3Si6O12:N2:Eu、α-サイアロン、La3Si6N11:Ce但し、その一部がCaやOで置換されていてもよいが好ましい。また、半導体発光装置1を画像表示装置に用いる場合は、Sr,Ba2SiO4:Eu、Si,Al6O,N8:Euβサイアロン、Ba,Sr3Si6O12:N2:Eu、SrGa2S4:Eu、BaMgAl10O17:Eu,Mnが好ましい。黄色蛍光体本発明の要旨を変更しない限りにおいて、任意の緑色蛍光体を用いることができるが、その発光ピーク波長は、通常は530nm以上、好ましくは540nm以上、より好ましくは550nm以上で、通常は620nm以下、好ましくは600nm以下、より好ましくは580nm以下の波長範囲にあるものが好適である。中でも、黄色蛍光体として例えば、Y3Al5O12:Ce、Y,Gd3Al5O12:Ce、Sr,Ca,Ba,Mg2SiO4:Eu、Ca,SrSi2N2O2:Euが好ましい。蛍光体の組み合わせ本発明の要旨を変更しない限りにおいて、半導体発光装置1に求められる発光特性に応じ、蛍光体を様々に組み合わせることができる。例えば、前述したように、半導体発光素子4から紫外光ないし紫色光を発するようにして、赤色蛍光体、緑色蛍光体及び青色蛍光体の3種の蛍光体を用いれば、RGB赤色、緑色及び青色の3原色の色を発生させることができる。そこで、封止部材3に形成される複数のキャビティ5を、赤色蛍光体を含有した蛍光部6を収容するキャビティ5と、緑色蛍光体を含有した蛍光部6を収容するキャビティ5と、青色蛍光体を含有した蛍光部6を収容するキャビティ5とに区分してこれらを分散配置すれば、各蛍光部6から出射される3原色の一次光を合成することにより、白色だけではなく様々な色の出射光を、様々な色温度で得ることが可能となる。また、このように1つのキャビティ5に1種類の蛍光体を含有した蛍光部6を収容するのではなく、1つのキャビティ5に複数種類の蛍光体を含有した蛍光部6を収容するようにすることもできる。この場合、例えばそれぞれのキャビティ5には赤色蛍光体、緑色蛍光体及び青色蛍光体の3種の蛍光体を混合して含有した蛍光部6を収容すると共に、複数のキャビティ5のうちの一部のキャビティ5に収容された蛍光部6に含有される赤色蛍光体、緑色蛍光体及び青色蛍光体の比率と、残部のキャビティ5に収容された蛍光部6に含有される赤色蛍光体、緑色蛍光体及び青色蛍光体の比率とを調整することにより、2種類の異なる色温度の白色光を得るようにすることが可能である。蛍光体の粒径蛍光部6に含有される蛍光体は、半導体発光素子4から発せられる光が蛍光部6内で十分に散乱可能な粒径を有していることが好ましいが、蛍光体の粒径に特に制限はなく、例えば、中央粒径D50で、通常は0.1μm以上、好ましくは2μm以上、更に好ましくは5μm以上であり、また通常は100μm以下、好ましくは50μm以下、更に好ましくは20μm以下である。蛍光体の中央粒径D50がこのような範囲にある場合には、半導体発光素子4から発せられた光が、蛍光部6において十分に散乱される。そして、半導体発光素子4から発せられた光が蛍光部6内の蛍光体に十分に吸収されるため、蛍光体による波長変換が効率よく行われる。また、1つの蛍光部6に複数種類の蛍光体を含有する場合には、半導体発光素子4から発せられた光が、蛍光部6において十分に散乱されることで、それぞれの種類の蛍光体にむらなく光が吸収されると共に、蛍光体から発せられる光も蛍光部6内で良好に散乱するので、蛍光体から発せられた光の合成も良好に行われる。蛍光部6に含有される蛍光体の中央粒径D50が上記範囲より大きい場合には、半導体発光素子4から発せられた光が蛍光部6において十分に散乱されないばかりでなく、蛍光体が蛍光部6内を十分に埋め尽くすことができないため、半導体発光素子4から発せられた光が蛍光体に十分吸収されず、蛍光体による波長変換が効率よく行われなくなるおそれがある。一方、蛍光部6に含有される蛍光体の中央粒径D50が上記範囲より小さい場合には、蛍光体の発光効率が低下するため、照度が低下するおそれがある。蛍光体の粒度分布QDは、蛍光部6における粒子の分散状態をそろえるために小さい方が好ましいが、小さくするためには分級収率が下がってコストアップを招くことになるので、通常は0.03以上、好ましくは0.05以上、より好ましくは0.07以上であり、また通常は0.4以下、好ましくは0.3以下、より好ましくは0.2以下とするのがよい。蛍光体の濃度蛍光部6における蛍光体の濃度が低すぎる場合、半導体発光素子から発せられる光が十分に吸収されずに封止体3からそのまま外方に放射されてしまう恐れがある。また、蛍光体の濃度が高すぎる場合には、濃度消光が発生し蛍光体から十分な光を得ることができなくなる。従って、蛍光部6における蛍光体の濃度は、半導体発光素子から発せられる光が十分に吸収されると共に、濃度消光を生じないような範囲に設定されるのが好ましい。蛍光部6における蛍光体の濃度は、本発明の要旨を変更しない限りにおいて任意に設定可能であるが、例えば、通常は5重量以上、好ましくは6重量以上、より好ましくは7重量以上で、また通常は90重量以下、好ましくは70重量以下、より好ましくは40重量以下、更に好ましくは25重量以下、特に好ましくは20重量以下とするのがよい。充填材蛍光体と混合され、蛍光体を分散させて保持することにより蛍光部6を形成する充填材は、特に限定されるものではないが、蛍光体を良好に分散させて保持することが可能であるだけではなく、キャビティ5内に蛍光体と共に充填される際に適切な流動性を有する一方で、半導体発光素子4を覆った後に硬化可能な材料であるのが好ましい。このような硬化性材料としては、無機系材料及び有機系材料、並びに両者の混合物のいずれを用いることも可能である。無機系材料としては、例えば、金属アルコキシド、セラミック前駆体ポリマーもしくは金属アルコキシドを含有する溶液をゾル-ゲル法により加水分解重合した溶液、またはこれらの組み合わせを固化した無機系材料例えば、シロキサン結合を有する無機系材料などがある。一方、有機系材料としては、例えば、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂UV硬化性樹脂などがある。具体的には、ポリメタアクリル酸メチルなどのメタアクリル樹脂、ポリスチレンやスチレン-アクリロニトリル共重合体などのスチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、ブチラール樹脂、ポリビニルアルコール、エチルセルロースやセルロースアセテート及びセルロースアセテートブチレートなどのセルロース系樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂などがある。従来の半導体発光装置において、充填材としては一般的にエポキシ樹脂が用いられてきたが、本実施形態の半導体発光装置1においては、半導体発光素子4からの発光に対して劣化が少なく、耐熱性にも優れたケイ素含有化合物を使用するのが好ましい。ケイ素含有化合物とは、分子中にケイ素原子を有する化合物をいい、ポリオルガノシロキサンなどの有機材料シリコーン系材料、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素などの無機材料、及びホウケイ酸塩、ホスホケイ酸塩、アルカリケイ酸塩などのガラス材料がある。これらは1種単独、または2種以上を任意の比率及び組み合わせで用いることができる。これらの中でも、透明性、接着性、ハンドリングの容易さ、ならびに硬化物が応力緩和力を有する点から、シリコーン系材料が好ましい。半導体発光装置用のシリコーン樹脂に関しては、例えば特開平10-228249号公報、特許第2927279号公報、特開2001-36147号公報などに、充填材としての使用が示されている。また、光取り出し効率の観点から、充填材は膜厚を1mmとしたときの350nm~500nmの波長領域の光の透過率が80以上であるのが好ましく、より好ましくは85以上であり、通常は98以下となっている。4.封止部材本実施形態において封止部材3は、第1の面3a及び第2の面3bを有した板状に形成されており、各蛍光部6から発せられる一次光を透過して第2の面3bから放射する光透過特性を有している。封止部材3の材料としては、このような光透過特性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えばガラス、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、石英、セラミックなどを用いることができる。本実施形態では、一次光の透過性や優れた耐久性を考慮し、封止部材3の材料としてガラスを用いている。加工性及び密封性の観点から、封止部材3は、例えばアクリル樹脂例えば、三菱レーヨン社製アクリシラップ等、エポキシ樹脂例えば、ジャパンエポキシレジン社製2液型エポキシ樹脂YL7301、三菱ガス化学社製2液型エポキシ樹脂マクシーブ、有機変性シリコーン樹脂例えば、信越化学社製SCR-1012、フッ素樹脂例えば、太平化成社製フッ素樹脂エイトシール3000等が好ましい。また、ガスバリア性の観点からは、ガラスが好適である。また、光取り出し効率の観点から、例えば約1mmの膜厚を有する封止部材3において、350nm~500nmの波長領域の光の透過率が80以上であることが好ましく、より好ましくは85以上であり、通常は98以下となっている。なお、後述する水蒸気透過度、水蒸気透過係数、酸素透過度又は酸素透過係数を封止部材3全体として満たすことができれば、上述した具体的な材料に他の材料を適宜含有させた複合材料を封止部材3に用いてもよい。封止部材3の硬度は、例えば、JISK72151986におけるショアDが20以上であることが好ましく、40であることがより好ましく、60であることが更に好ましい。一定の硬度を有する封止部材3の方が取り扱いが容易であり、封止部材3が変形しにくいこと、凹設されたキャビティ内部の蛍光部を保護するために好ましいこと、キャビティの容量が一定に保持できること、その結果として半導体発光装置の色ずれが生じることを防止することができること、或いは、製造工程において封止部材の取り扱いを容易にすることができるためである。封止部材のガスバリア性配線基板2及び封止部材3によって囲まれた領域すなわち、キャビティ5及び蛍光部6に、半導体発光装置1の外部から水蒸気や酸素等の外部ガスが進入しないように、封止部材3の水蒸気透過度、水蒸気透過係数、酸素透過度、及び酸素透過係数を以下のように調整することが好ましい。具体的には、JISK7129B法によって23°Cで測定した場合に、封止部材3の水蒸気透過度は、10g/m2day以下であることが好ましく、5/m2day以下であることがより好ましく、2/m2day以下であることが特に好ましい。また、JISK7129B法によって23°Cで測定した場合に、封止部材3の水蒸気透過係数は、10gmm/m2day以下であることが好ましく、5gmm/m2day以下であることがより好ましく、2gmm/m2day以下であることが特に好ましい。更に、JISK7126B1987法によって23°Cで測定した場合に、封止部材3の酸素透過度は、1000cm3/m2dayatm以下であることが好ましく、500cm3/m2dayatm以下であることがより好ましく、200cm3/m2dayatm以下であることが特に好ましい。また、JISK7126B1987法によって23°Cで測定した場合に、封止部材3の酸素透過係数は、1000cm3mm/m2dayatm以下であることが好ましく、100cm3mm/m2dayatm以下であることがより好ましく、10cm3mm/m2dayatm以下であることが特に好ましい。また、配線基板2及び封止部材3によって囲まれた領域すなわち、キャビティ5及び蛍光部6に、半導体発光装置1の外部から水蒸気や酸素等の外部ガスが進入しないように、封止部材3の厚さを以下のように調整することが好ましい。具体的に、封止部材3の厚さは、0.2mm以上であることが好ましく、0.5mm以上であることがより好ましく、1.0mm以上であることが特に好ましい。なお、半導体発光装置の軽量化、コンパクト化の観点から、封止部材3の厚さは、10mm以下であることが好ましい。なお、蛍光部6から発せられた一次光は、少なくとも一部が封止部材3内において散乱するため、一次光の異なる複数種類の蛍光部6を採用した場合には、封止部材3内において一次光が良好に合成され、むらのない良質の出射光を得ることができる。従って、必要に応じて封止部材3内に一次光の散乱を促進する添加物を加えてもよいし、封止部材3の第2の面3bに、封止部材3内における一次光の散乱を促進したり、外部への出射を促進するような表面処理を施したりしてもよい。また、封止部材3の側面となる4つの第3の面3cについては、封止部材3内からの光の漏出を防止するため、各蛍光部6から発せられる光や半導体発光素子4が発する光に対して高い反射機能を有した材料を塗布したり貼付したりしてもよい。封止部材3の第2の面3bに対する表面処理の例を、図3~図8に示す。これら図3~図8は、第3の面3bに上述した表面処理を施した封止部材3を示す斜視図であるが、いずれも表面処理を模式的に表すものであり、縮尺等を正確に示すものではない。図3は、第2の面3bを微細凹凸が形成された粗面とした封止部材3の例を示す斜視図である。また図4は、このような粗面に代えて、第2の面3bにV溝三角プリズム形状を付与した封止部材3の例を示す斜視図である。図4の例では、第2の面3bに互いに平行な複数のV溝を形成することにより、三角形断面のプリズム状の畝3dとV溝とが交互に並設され、V溝三角プリズム形状をなしている。なお、V溝やプリズム状の畝の延設方向、大きさ及び数は図4のものに限定されるものではなく、半導体発光装置2に求められる発光特性、封止部材3の光学的特性、あるいは蛍光部6からの発光特性などに応じて適宜設定可能である。また、畝3dやV溝の大きさは、それぞれ同一とせずに異ならせることも可能であり、大きさの異なる畝3dやV溝の分布を、半導体発光装置2に求められる発光特性、封止部材3の光学的特性、あるいは蛍光部6からの発光特性などに応じて適宜設定することも可能である。また、図5は、このようなV溝三角プリズム形状に代えて、円筒プリズム形状を第2の面3bに付与した封止部材3の例を示す斜視図である。図5の例では、半円形状の断面を有したプリズム状の畝3eが複数平行に形成されている。なお、半円形状断面を有したプリズム状の畝3eの延設方向、大きさ及び数は図5の例に限定されるものではなく、半導体発光装置2に求められる発光特性、封止部材3の光学的特性、あるいは蛍光部6からの発光特性などに応じて適宜設定可能である。また、畝3eの大きさは、それぞれ同一とせずに異ならせることも可能であり、大きさの異なる畝3eの分布を、半導体発光装置2に求められる発光特性、封止部材3の光学的特性、あるいは蛍光部6からの発光特性などに応じて適宜設定することも可能である。図6は、第2の面3bに複数のフレネルレンズ3fを形成した封止部材3の例を示す斜視図である。図6の例では、封止部材3の第1の面3aに形成されているキャビティ5に対向する位置に同様のフレネルレンズがそれぞれ形成されている。なお、フレネルレンズの数、位置、大きさあるいは光学特性などは図6の例に限定されるものではなく、半導体発光装置2に求められる発光特性、封止部材3の光学的特性、あるいは蛍光部6からの発光特性などに応じて適宜設定可能である。また、フレネルレンズに代えて、凸レンズまたは凹レンズを形成するようにしてもよい。この場合も、凸レンズもしくは凹レンズの数、位置、大きさまたは光学特性などは、半導体発光装置2に求められる発光特性、封止部材3の光学的特性、あるいは蛍光部6からの発光特性などに応じて適宜設定可能である。図7は、第2の面3bに複数の角錐状凸部3gを形成した封止部材3の例を示す斜視図であり、図7の例では同様の形状をした四角錐の角錐状凸部3gが規則的に配列されている。なお、角錐は四角錐に限定されるものではなく、三角錐や六角錐などでもよいし円錐であってもよい。また、角錐の数、位置あるいは大きさなどは図7の例に限定されるものではなく、半導体発光装置2に求められる発光特性、封止部材3の光学的特性、あるいは蛍光部6からの発光特性などに応じて適宜設定可能である。更に、それぞれの角錐を同一とせずに異ならせることも可能であり、異なる角錐の分布を、半導体発光装置2に求められる発光特性、封止部材3の光学的特性、あるいは蛍光部6からの発光特性などに応じて適宜設定することも可能である。図8は、角錐状凸部に代えて複数の半球状凸部3hを第2の面3bに形成した封止部材3の例を示す斜視図であり、図8の例では同様の形状をした半球状凸部3hが規則的に配列されている。半球状凸部3hの数、位置あるいは大きさなどは図8の例に限定されるものではなく、半導体発光装置2に求められる発光特性、封止部材3の光学的特性、あるいは蛍光部6からの発光特性などに応じて適宜設定可能である。更に、それぞれの半球状凸部3hを同一とせずに異ならせることも可能であり、異なる半球状凸部3hの分布を、半導体発光装置2に求められる発光特性、封止部材3の光学的特性、あるいは蛍光部6からの発光特性などに応じて適宜設定することも可能である。このように、封止部材3の第2の面3bには、封止部材3内における一次光の散乱を促進したり外部への出射を促進したりするべく、様々な表面処理を施すことが可能である。なお、上述した表面処理の形態は一例であって、表面処理はこれらに限定されるものではなく、また上述した表面処理を複数組み合わせて封止部材3の第2の面3bに施すことも可能である。キャビティ配線基板2との接合面となる封止部材3の第1の面3aには、配線基板2に装着された半導体発光素子4のそれぞれに対応する位置に、半導体発光素子4ごとにキャビティ5が凹設されている。従って、本実施形態においてキャビティ5は、配線基板2上にマトリックス状に配置された半導体発光素子4に対応し、図1に示すようにマトリックス状に配置されている。隣り合うキャビティ5の間隔は、本発明の要旨を変更しない限りにおいて任意に設定可能であるが、それぞれ相手側のキャビティ5にある半導体発光素子4からの発光の影響を抑制できる程度に離間しているのが好ましい。これにより、光取り出し効率の向上が期待される。具体的には50μm以上、好ましくは100μm以上、更に好ましくは200μm以上であることが好ましく、集積化や一次光の合成の観点からは1.5mm以下であることが好ましい。また、キャビティ5の開口面積や深さも、本発明の要旨を変更しない限りにおいて特に制限がなく、通常は半導体発光素子4の大きさに応じて適宜定めることが可能である。開口面積については、例えば5mm2以下であることが好ましく、より好ましくは1mm2以下、更に好ましくは0.25mm2以下であるのがよい。このような開口面積とすることによって、半導体発光素子4の高集積化が可能となり、大光束が得られるようになる。一方、キャビティ5の深さについては、例えば、通常は200μm以上、好ましくは250μm以上、更に好ましくは300μm以上であり、また通常は3000μm以下、好ましくは2000μm以下、更に好ましくは1500μm以下である。これにより半導体発光素子4から発せられる光を効率よく波長変化することが可能となる。各キャビティ5は、封止部材3の第1の面3aから半球面状に凹設されており、図2に示すように、封止部材3を配線基板2に接合したときに、配線基板2上の半導体発光素子4のそれぞれが、対応するキャビティ5の内側に位置するようになっている。このとき各キャビティ5には、上述したように蛍光体を含有した蛍光部6が収容されており、封止部材3と配線基板2との接合によって、配線基板2上の半導体発光素子4のそれぞれが、対応するキャビティ5内に収容された蛍光部6で覆われることにより、蛍光部6が含有する蛍光体が半導体発光素子4の周囲に存在している。本実施形態において各キャビティ5は同じ大きさに形成されているが、キャビティ5の大きさは必ずしも同一でなくてもよく、キャビティ5の壁面形状も、本実施形態のような半球面状に限定されるものではない。即ち、キャビティ5の大きさや形状は、半導体発光装置1に求められる発光特性、収容する蛍光部6の種類や特性、半導体発光素子4の特性などに応じて適宜選択することが可能である。また、キャビティ5は、ウェットエッチング、ドライエッチング、レーザビーム照射、サンドブラスト、研削加工などの方法を用いることによって形成することが可能であり、本実施形態における具体的な形成方法については、6.半導体発光装置の製造方法の項で説明する。光学フィルタ機能このようにして形成された各キャビティ5の壁面に、キャビティ5内に収容された蛍光部6に含有されている蛍光体で波長変換された光を良好に透過させる一方で、半導体発光素子4が発する光の透過を抑制するようなコーティングを施すことにより、封止部材3に光学フィルタとしての機能を付加するのが好ましい。例えば、このような封止部材3の機能は、半導体発光素子4が発する光に対し、キャビティ5内に収容された蛍光部6に含有されている蛍光体で波長変換された光よりも高い反射率を有するコーティング層7を形成することによって得られる。例えば、本実施形態のような近紫外領域の光を発する半導体発光素子4を用い、蛍光部6に含有される蛍光体によって近紫外領域の光より長い波長領域の可視光を得るようにする場合、高屈折率層と低屈折率層とを交互に複数積層した多層誘電体積層膜からなる干渉膜によりコーティング層7を形成する。具体的には、例えば高屈折率層としてTiO2からなる薄膜を、また低屈折率層としてSiO2からなる薄膜を、それぞれ蒸着またはスパッタリングによりキャビティ5に交互に複数回積層することにより例えばそれぞれ16層ずつの32層、キャビティ5の壁面全体にわたってこのようなコーティング層7を形成する。こうして形成されたコーティング層7は、近紫外領域の光より長い波長領域の可視光に対して90以上の透過率を有すると共に、近紫外領域の光に対して90以上の反射率を有する。このようなコーティング層7を各キャビティ5の壁面に形成した場合、半導体発光素子4から発せられた近紫外光は、その一部が蛍光部6に含有されている蛍光体によって波長変換され近紫外領域の光より長い波長領域の可視光となってキャビティ5のコーティング層7に達し、残りの近紫外光も蛍光体によって波長変換されずにコーティング層7に達する。このときコーティング層7は、半導体発光素子4が発した近紫外光に対し、蛍光体で波長変換されて得られた可視光よりも高い反射率を有し、当該可視光に対しては半導体発光素子4が発した近紫外光よりも高い透過率を有している。従って、蛍光体から発せられた可視光の多くは封止部材3内を通過した後、封止部材3の第2の面3bから放射される一方、半導体発光素子4から発せられてコーティング層7に達した近紫外光の多くはコーティング層7によって反射され、再び蛍光部6に含有される蛍光体によって波長変換される機会を得る。この結果、コーティング層7を有していない場合に比べ、蛍光体で波長変換されて半導体発光装置1から放出される可視光の量を増大させると共に、蛍光体で波長変換されずに半導体発光装置1から放出される近紫外光の量を低減することができる。なお、このコーティング層7は、本実施形態のようにキャビティ5の壁面に形成する代わりに、封止部材3の第2の面3b上に形成することも可能である。この場合、半導体発光素子4から発せられた後、蛍光体で波長変換されずに封止部材3内を進んでコーティング層7に達した近紫外光は、封止部材3内で散乱するなどして必ずしも発生元の半導体発光素子4に対応したキャビティ5内に戻るとは限らず、別の半導体発光素子4に対応したキャビティ5内に戻る可能性がある。このため、キャビティ5によって蛍光部6に含有される蛍光体が異なる場合には、所望の出射光の特性を精度よく得られなくなる可能性がある。しかしながら、このコーティング層7は平坦な第2の面3bに形成すればよいので、半球面状のキャビティ5の壁面にコーティングを行う場合に比べ、コーティング層7の形成が容易になる。従って、このようなコーティング層7は、キャビティ5によって蛍光部6に含有される蛍光体が異なる場合よりも、同じ蛍光体を含有した蛍光部6を各キャビティ5に収容するようにした場合の方が適している。コーティング層7の構成及び材質などは、上述のものに限定されるものではなく、同様の機能を有したものであれば適用可能であって、半導体発光素子4が発する光の波長領域や、蛍光体による波長変換で得られる光の波長領域などに応じて適宜選択すればよい。例えば、本実施形態ではキャビティ5の壁面全体にコーティング層7を形成するようにしたが、キャビティ5の壁面の一部にのみコーティング層7を形成するようにしてもよいし、キャビティ5の壁面を含めて封止部材3の第1の面3aの全体にコーティング層7を形成するようにしてもよい。また、コーティング層7に代えて、封止部材3の本体にコーティング層7と同様の機能を持たせるようにしてもよい。なお、このような機能を封止部材3に設けることによって上述したような効果を得ることができるが、半導体発光装置1に必ず設けなければならないものではなく、必要に応じて省略することも可能である。また、半導体発光素子4の特性や、半導体発光装置1に求められる発光特性などに応じ、所定の波長領域の光を良好に透過させると共に、当該波長領域以外の光に対しては良好に反射するような機能、或はその逆に所定の波長領域の光に対しては良好に反射すると共に、当該波長領域以外の光を良好に透過させるような光学バンドパスフィルタ機能を封止部材3に持たせるようにしてもよい。5.半導体発光装置の構成半導体発光装置の構造上述したように、本実施形態において半導体発光装置1は、複数の半導体発光素子4が装着された配線基板2と、第1の面3a及び第2の面3bを有して板状に形成され、第1の面3aにキャビティ5が凹設された封止部材3と、キャビティ5のそれぞれに収容された蛍光部6とを有している。そして、図2に示すように、半導体発光素子4が装着されている配線基板2の面と、封止部材3の第1の面3aとが対向するように、配線基板2と封止部材3とを接合することにより、配線基板2上の半導体発光素子4が、それぞれ対応するキャビティ5内に収容されている蛍光部6によって覆われ、蛍光部6内に含有された蛍光体が半導体発光素子4の周囲に存在するようになっている。このように、半導体発光装置1は、配線基板2と封止部材3とを接合することにより、各蛍光部6及び半導体発光素子2がキャビティ5内に封止されるので、封止部材3によって各蛍光部6及び半導体発光素子2を外部の環境から保護することができる。従って、別途保護部材を設ける必要がなくなり、簡単な構成で半導体発光装置1の信頼性及び耐久性を向上することができる。また、例えば配線基板2と封止部材3とを接合する際にシール性の優れた接着剤を用いたり、配線基板2と封止部材3とを接合した後に、配線基板2と封止部材3との接合周縁部分にシールを形成したりすることにより密封性を高めれば、半導体発光装置1の信頼性及び耐久性を更に向上することができる。当該接着剤には、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂等を用いることができる。配線基板2と封止部材3との密着性を考慮して、接着剤を選択することがより好ましい。また、配線基板2及び封止部材3によって囲まれた領域すなわち、キャビティ5及び蛍光部6に、半導体発光装置1の外部から水蒸気や酸素等の外部ガスが進入しないように、当該接着剤の水蒸気透過度、水蒸気透過係数、酸素透過度、及び酸素透過係数を以下のように調整することが好ましい。具体的には、JISK7129B法によって23°Cで測定した場合に、当該接着剤の水蒸気透過度は、10g/m2day以下であることが好ましく、5/m2day以下であることがより好ましく、2/m2day以下であることが特に好ましい。また、JISK7129B法によって23°Cで測定した場合に、当該接着剤の水蒸気透過係数は、10gmm/m2day以下であることが好ましく、5gmm/m2day以下であることがより好ましく、2gmm/m2day以下であることが特に好ましい。更に、JISK7126B1987法によって23°Cで測定した場合に、当該接着剤の酸素透過度は、1000cm3/m2dayatm以下であることが好ましく、500cm3/m2dayatm以下であることがより好ましく、200cm3/m2dayatm以下であることが特に好ましい。そして、JISK7126B1987法によって23°Cで測定した場合に、当該接着剤の酸素透過係数は、1000cm3mm/m2dayatm以下であることが好ましく、100cm3mm/m2dayatm以下であることがより好ましく、10cm3mm/m2dayatm以下であることが特に好ましい。なお、上述した水蒸気透過度、水蒸気透過係数、酸素透過度又は酸素透過係数を当該接着剤全体として満たすことができれば、上述した具体的な材料に他の材料を適宜含有させた複合材料を当該接着剤に用いてもよい。また、配線基板2及び封止部材3によって囲まれた領域すなわち、キャビティ5及び蛍光部6に、半導体発光装置1の外部から水蒸気や酸素等の外部ガスが進入しないように、当該接着剤の厚さを以下のように調整することが好ましい。具体的に、当該接着剤の厚さは、0.2mm以上であることが好ましく、0.5mm以上であることがより好ましく、1.0mm以上であることが特に好ましい。なお、半導体発光装置の軽量化、コンパクト化の観点から、当該接着剤の厚さは、10mm以下であることが好ましい。本実施形態では、配線基板2に横1列で6個の半導体発光素子4が6列装着されることにより、合計36個の半導体発光素子4がマトリックス状に配置されている。これに対応し、封止部材3の第1の面3aには36個のキャビティ5が凹設されている。各キャビティ5に収容された蛍光部6に含有される蛍光体をすべて同一とし、いずれも同じ一次光を得るようにすることも可能であるが、本実施形態では複数種類の蛍光体を用い、複数種類の一次光を得るようにしている。本実施形態では半導体発光素子4として、近紫外光を発するGaN系LEDを用いているので、これに対応して蛍光体には近紫外光を波長変換する赤色蛍光体、緑色蛍光体、及び青色蛍光体の3種の蛍光体を用いる。そして、36個のキャビティ5のうち、12個のキャビティ第1キャビティ5には赤色蛍光体を含有した蛍光部6が、残り24個のうちの12個のキャビティ第2キャビティ5には緑色蛍光体を含有した蛍光部6が、また残りの12個のキャビティ第3キャビティ5には青色蛍光体を含有した蛍光部6が収容されている。これらのキャビティ5の配置に特に制限がないが、本実施形態では図9のように各キャビティ5を配置している。図9は、半導体発光装置1における蛍光部6の配置の一例を示す模式図である。図9において、赤色蛍光体を含有する蛍光部6を収容したキャビティ5には符号Rを付し、緑色蛍光体を含有する蛍光部6を収容したキャビティ5には符号Gを付し、青色蛍光体を含有する蛍光部6を収容したキャビティ5には符号Bを付している。図9に示すように、縦方向及び横方向では同じ種類の蛍光体を含有する蛍光部6を収容したキャビティ5が隣り合わないようにすることで、それぞれの蛍光部6から出射された一次光を良好に合成してむらのない出射光を得ることができる。このような半導体発光装置1では、それぞれの半導体発光素子4から発せられた近紫外光が、各半導体発光素子4を覆う蛍光部6内で散乱しながら、蛍光部6に含有されている蛍光体に吸収される。そして、蛍光部6に含有された蛍光体が赤色蛍光体の場合には赤色光が、緑色蛍光体の場合には緑色光が、また青色蛍光体の場合には青色光がそれぞれ蛍光体から発せられる。こうして蛍光体から発せられた一次光は、蛍光体によって波長変換されなかった近紫外光と共にキャビティ5の壁面に達する。このとき、半導体発光素子4が発する近紫外光に対しては、近紫外光より長い波長領域の可視光よりも高い反射率を有し、当該可視光に対しては近紫外光よりも高い透過性により良好な透過性を有するコーティング層7が、前述のようにキャビティ5の壁面に形成されている場合は、各蛍光体から発せられた赤色光、緑色光及び青色光の多くがコーティング層7を良好に透過して封止部材3内に達する一方、蛍光体によって波長変換されずにキャビティ5の壁面のコーティング層7に達した近紫外光の多くは、コーティング層7によって反射されて蛍光部6内に戻る。こうして封止部材3内に達した赤色光、緑色光及び青色光は、封止部材3内で散乱して合成され、封止部材3の第2の面3bから白色光となって放射される。蛍光部6からの一次光のスペクトル幅が比較的広く、このようにして赤色光、緑色光及び青色光が合成されることにより、連続スペクトルを有した光に近い出射光を得ることが可能となり、優れた演色性を確保することができる。また、コーティング層7を設けた場合には、コーティング層7で反射された近紫外光が蛍光部6に含有される蛍光体によって波長変換される機会を再び得る。この結果、コーティング層7を設けていない場合に比べ、蛍光体で波長変換されて半導体発光装置1から放出される可視光の量を増大させると共に、蛍光体で波長変換されずに半導体発光装置1から放出される近紫外光の量を低減することが可能となる。図9に示すキャビティ5の配置は一例であって、これに限定されるものではなく、半導体発光装置1に求められる発光特性などに応じてさまざまに設定可能である。例えば、その変形例を第1変形例として図10に示す。図10は、半導体発光装置1における蛍光部6の配置の第1変形例を、図9と同様にして示す模式図である。図10に示すように、第1変形例では同じ種類の蛍光体を含有した蛍光部6を収容するキャビティ5が縦1列に並ぶようになっている。図9及び図10に例示するように、赤色蛍光体、緑色蛍光体及び青色蛍光体を別個に含有した蛍光部6を用いる場合、例えば赤色蛍光体を含有する蛍光部6を収容したキャビティ5に配置されている半導体発光素子4のみに通電した場合には、半導体発光装置1の出射光が赤色光となる。また、緑色蛍光体を含有する蛍光部6を収容したキャビティ5に配置されている半導体発光素子4のみに通電した場合には、半導体発光装置1の出射光が緑色光となり、青色蛍光体を含有する蛍光部6を収容したキャビティ5に配置されている半導体発光素子4のみに通電した場合には、半導体発光装置1の出射光が青色光となる。一方、例えば赤色蛍光体を含有する蛍光部6を収容したキャビティ5に配置されている半導体発光素子4にのみ通電せず、他の半導体発光素子4に通電した場合には、緑色光と青色光との合成光が得られる。このように、いずれか1種類の蛍光体に対応した半導体発光素子4にのみ通電せずに、他の半導体発光素子4に通電すれば、通電した半導体発光素子4に対応する蛍光体による2種類の一次光を合成した出射光が得られる。そして、全ての半導体発光素子4に通電した場合には、赤色光、緑色光及び青色光を合成した出射光が得られ、このときの各半導体発光素子4に対する供給電力を調整することにより、白色光を含む様々な色度の出射光を得ることができる。このように、本実施形態では、各半導体発光素子4に供給する電力を調整することにより、半導体発光装置1から出射する光の色度、輝度、彩度及び色温度を任意に調整することが可能となる。なお、蛍光部6に含有させる蛍光体の種類や数は上述した例に限定されるものではなく、任意のものを使用可能であり、半導体発光装置1に求められる発光特性に応じて適宜選択することができる。例えば、1つの蛍光部6に複数の蛍光体が含有されるようにすることも可能である。この場合、例えば、半導体発光素子4を本実施形態と同じく近紫外光を発するGaN系LEDとし、近紫外光を波長変換する赤色蛍光体、緑色蛍光体及び青色蛍光体を充填材に混合して各蛍光部6を形成する。ここで、各蛍光部6における赤色蛍光体、緑色蛍光体及び青色蛍光体の含有量及び含有比率を同一とした場合には、それぞれの蛍光部6から得られる一次光も同一となる。即ち、赤色蛍光体、緑色蛍光体及び青色蛍光体の比率を調整することにより、例えば所望の固定的な色温度の白色光を出射するような半導体発光装置1を得ることができる。一方、赤色蛍光体、緑色蛍光体及び青色蛍光体の比率を調整し、複数のキャビティ5のうちの一部に収容される蛍光部6と残部に収容される蛍光部6とで、異なる一次光を得るようにすることもできる。例えば、一部の蛍光部6が発する白色光の色温度と、残部の蛍光部6が発する白色光の色温度とを異なるように、赤色蛍光体、緑色蛍光体及び青色蛍光体の比率を調整することができる。このように2種類の蛍光部6を形成した場合の、一方の蛍光部6を収容したキャビティ5と、他方の蛍光部6を収容したキャビティ5との配置の例を、本実施形態の第2変形例として図11に示す。図11は、半導体発光装置1における蛍光部6の配置の第2変形例を示す模式図である。図11において、第1の色温度T1例えば2600Kの一次光を発する蛍光部6を収容したキャビティ5にはW1を付し、第2の色温度T2例えば9000Kの一次光を発する蛍光部6を収容したキャビティ5にはW2を付している。図11に示すように、縦方向及び横方向では同一の蛍光部6を収容したキャビティ5が隣り合わないようにすることによって、それぞれの蛍光部6からの一次光を良好に合成して、色温度にむらのない出射光を得ることができる。なお、図11に示す2種類のキャビティ5の配置は一例であって、これらキャビティ5は任意に配置することが可能である。第2変形例のように発光色の色温度が相互に異なる2種類の蛍光部6を用いた場合、例えば第1の色温度T1の一次光を発する蛍光部6を収容したキャビティ5に配置されている半導体発光素子4のみに通電した場合、半導体発光装置1の出射光は第1の色温度T1の白色光となる。また、第2の色温度T2の一次光を発する蛍光部6を収容したキャビティ5に配置されている半導体発光素子4のみに通電した場合、半導体発光装置1の出射光は第2の色温度T2の白色光となる。そして、全ての半導体素子4に通電した場合には、第1の色温度T1の白色光と第2の色温度T2の白色光とを合成した出射光が得られる。従って、このときの各半導体発光素子4に対する供給電力を調整することにより、半導体発光装置1の出射光として、色温度T1~T2の範囲の任意の色温度の白色光を得ることが可能となる。このような半導体発光装置1においても、それぞれの半導体発光素子4から発せられた近紫外光が、各半導体発光素子4を覆う蛍光部6内で散乱しながら、蛍光部6に含有されている蛍光体で波長変換されることにより一次光が発せられる。こうして蛍光体から発せられた一次光は、蛍光体によって波長変換されなかった近紫外光と共にキャビティ5の壁面に達する。このときも、半導体発光素子4が発する近紫外光に対して、近紫外光より長い波長領域にある可視光よりも高い反射率を有し、当該可視光に対しては近紫外光よりも高い透過率により良好な透過性を有するコーティング層7が、キャビティ5の壁面に形成されている場合は、各蛍光体から発せられた一次光の多くがコーティング層7を良好に透過して封止部材3内に達する一方、蛍光体によって波長変換されずにキャビティ5の壁面のコーティング層7に達した近紫外光の多くは、コーティング層7によって反射されて蛍光部6内に戻る。こうして封止部材3内に達した第1の色温度T1の白色光及び第2の色温度T2の白色光は、封止部材3内で散乱して合成され、封止部材3の第2の面3bから出射光となって放射される。蛍光部6からの一次光のスペクトル幅が比較的広く、このようにして第1の色温度T1の白色光及び第2の色温度T2の白色光が合成されることにより、この場合にも連続スペクトルを有した光に近い出射光を得ることが可能となり、優れた演色性を確保することができる。また、この場合にも、封止部材3がコーティング層7を有していれば、コーティング層7で反射された近紫外光が、蛍光部6に含有される蛍光体によって波長変換される機会を再び得る。この結果、コーティング層7を設けていない場合に比べ、蛍光体で波長変換されて半導体発光装置1から放出される可視光の量を増大させると共に、蛍光体で波長変換されずに半導体発光装置1から放出される近紫外光の量を低減することが可能となる。このように、複数種類の蛍光体を用いると共に、組み合わせる蛍光体の種類を適宜選択することにより、半導体発光装置1の発光色を多彩に変化させることが可能であり、昼光色~昼白色~白色~温白色~電球色などの照明光、CIE標準の光A、B、C、及びD65、太陽光自然光スペクトルを有する光など、近紫外光から近赤外光の広範囲スペクトルを有する出射光を得ることが可能である。半導体発光装置1からの出射光を白色光とする場合に、好ましい蛍光体の一次光の波長範囲の組み合わせ例は以下のとおりである。2色混合の場合一次光の波長がそれぞれ400nm~490nm青色及び560nm~590nm黄色の組み合わせ、480nm~500nm青緑色及び580nm~700nm赤色の組み合わせが好ましく、中でも400nm~490nm青色及び560nm~590nm黄色の組み合わせが好ましい。3色混合の場合一次光の波長がそれぞれ430nm~500nm、500nm~580nm及び580nm~700nmの組み合わせ、430nm~480nm、480nm~500nm及び580nm~700nmの組み合わせ、430nm~500nm、560nm~590nm及び590nm~700nmの組み合わせが好ましい。中でも、430nm~500nm、500nm~580nm及び580nm~700nmの組み合わせが好ましい。4色混合の場合一次光の波長がそれぞれ430nm~500nm、500nm~580nm、580nm~620nm及び620nm~700nmの組み合わせ、430nm~480nm、480nm~500nm、500nm~580nm及び580nm~700nmの組み合わせ、430nm~480nm、480nm~500nm、560nm~590nm及び590nm~700nmの組み合わせが好ましい。中でも、430nm~500nm、500nm~580nm、580nm~620nm及び620nm~700nmの組み合わせが好ましい。5色混合の場合一次光の波長がそれぞれ430nm~480nm、480nm~500nm、500nm~580nm、580nm~620nm及び620nm~700nmの組み合わせが好ましい。半導体発光装置の回路構成半導体発光装置1では、上述したように蛍光部6から発せられる一次光により所望の出射光を得るべく、各半導体発光素子4に対して適切に電力を供給するための電気回路が構成されている。本実施形態において、このような電気回路は、前述したように配線基板2の配線パターンによって実現される。また、各半導体発光素子4に供給される電力を調整して、各蛍光部6から発せられる一次光を合成することで所望の出射光を得るようにする場合には、配線基板2の配線パターンに接続されるコントローラが設けられる。なお、このようなコントローラは、配線基板2上に設けるようにすることも可能である。この場合には、コントローラと配線基板2とを電気ケーブル等で接続する必要がなくなり、製造工程を簡素化できると共に、半導体発光装置1を照明装置や画像表示装置などに適用した場合に、装置をコンパクトに構成することが可能となる。半導体発光装置1の電気回路は、半導体発光装置1の構成や必要とされる発光特性などに応じてさまざまに構成可能であるが、例えば本実施形態の蛍光部6の配置の一例を示す図9、またはその第1変形例を示す図10の半導体発光装置1のように3種類の蛍光部6を設けた場合の電気回路の例を図12に示す。なお、図12において、赤色蛍光体を含有する蛍光部6を収容したキャビティ5に位置する半導体発光素子を符号4r、緑色蛍光体を含有する蛍光部6を収容したキャビティ5に位置する半導体発光素子を符号4g、青色蛍光体を含有する蛍光部6を収容したキャビティ5に位置する半導体発光素子を符号4bで示すものとする。図12に示すように、赤色蛍光体を含有する蛍光部6に対応した半導体発光素子4rが直列に接続されている。そして、これら半導体発光素子4rの最もアノード側が、グランドとの間で電源電圧Vccを供給する電源ラインに、電流調整用の抵抗Rrを介して接続され、最もカソード側がトランジスタQrのコレクタに接続されている。また、トランジスタQrのエミッタはグランドに接続されている。トランジスタQrはベース信号に応じてオン状態とオフ状態とに切り換え可能であって、トランジスタQrがオン状態となったときに、電源電圧Vccを供給する電源ラインから抵抗Rrを介して各半導体発光素子4rに駆動電流が流れ、各半導体発光素子4rが発光する。抵抗Rrは、トランジスタQrがオン状態となったときに各半導体発光素子4rに供給される駆動電流を定めるために設けられている。抵抗Rrに印加される電圧は、電源電圧Vccから半導体発光素子4rの順方向電圧Vfの合計と、トランジスタQrのコレクタ-エミッタ間の飽和電圧とを差し引いた電圧となる。従って、このとき抵抗Rrに印加される電圧と、トランジスタQrがオン状態となったときに半導体発光素子4rに流す所望の電流値とから抵抗Rrの抵抗値を求めることができる。緑色蛍光体を含有する蛍光部6に対応した半導体発光素子4gも直列に接続され、半導体発光素子4rと同様に、これら半導体発光素子4gの最もアノード側が、グランドとの間で電源電圧Vccを供給する電源ラインに電流調整用の抵抗Rgを介して接続され、最もカソード側がトランジスタQgのコレクタに接続されている。また、トランジスタQgのエミッタはグランドに接続されており、トランジスタQgはトランジスタQrと同様にベース信号に応じて作動する。従って、トランジスタQgがオン状態となると、電源電圧Vccを供給する電源ラインから抵抗Rgを介して各半導体発光素子4gに駆動電流が流れ、各半導体発光素子4gが発光する。なお、抵抗Rgの抵抗値も、抵抗Rrの場合と同様に、半導体発光素子4gの順方向電圧Vfの合計と、トランジスタQgのコレクタ-エミッタ間の飽和電圧とに基づき求められる。青色蛍光体を含有する蛍光部6に対応した半導体発光素子4bも直列に接続され、半導体発光素子4rと同様に、これら半導体発光素子4bの最もアノード側が、グランドとの間で電源電圧Vccを供給する電源ラインに電流調整用の抵抗Rbを介して接続され、最もカソード側がトランジスタQbのコレクタに接続されている。また、トランジスタQbのエミッタはグランドに接続されており、トランジスタQbはトランジスタQrと同様にベース信号に応じて作動する。従って、トランジスタQbがオン状態となると、電源電圧Vccを供給する電源ラインから抵抗Rbを介して各半導体発光素子4bに駆動電流が流れ、各半導体発光素子4bが発光する。なお、抵抗Rbの抵抗値も、抵抗Rbの場合と同様に、半導体発光素子4bの順方向電圧Vfの合計と、トランジスタQbのコレクタ-エミッタ間の飽和電圧とに基づき求められる。トランジスタQr、トランジスタQg及びトランジスタQb、並びに抵抗Rr、Rg及びRbは、PWM制御部8と共に半導体発光装置1のコントローラを構成する。トランジスタQr、トランジスタQg及びトランジスタQbのベースは、PWM制御部8に電気的に接続され、PWM制御部8が出力する駆動パルス信号を受けるようになっている。このPWM制御部8が出力する駆動パルス信号はパルス幅が可変の信号であって、駆動パルス信号がHレベルにあるときに、当該駆動パルス信号を受けたトランジスタQr、トランジスタQgまたはトランジスタQbがオン状態となり、駆動パルス信号がLレベルにあるときに、当該駆動パルス信号を受けたトランジスタQr、トランジスタQgまたはトランジスタQbがオフ状態となる。図13は、このような駆動パルス信号をPWM制御部8からトランジスタQr、トランジスタQg及びトランジスタQbの各ベースに送ったときの、半導体発光素子4r、半導体発光素子4g及び半導体発光素子4bに流れる電流の一例を、それぞれIr、Ig及びIbで模式的に示すタイムチャートである。駆動パルス信号はいずれも周期toでPWM制御部8から送出されるようになっており、これに対応してそれぞれの半導体発光素子の電流も、図13に示すように周期toでパルス状に流れる。半導体発光素子4rは電流Irが流れているときに発光し、半導体発光素子4gは電流Igが流れているときに発光し、半導体発光素子4bは電流Ibが流れているときに発光するので、図13の例では緑色光の発光時間tgが最も短い一方で、青色光の発光時間tbが最も長く赤色光の発光時間trが両者の中間にあることになる。赤色光、緑色光及び青色光の発光強度は、それぞれの発光時間によって定まり、赤色光、緑色光及び青色光の発光強度によって、半導体発光装置1の発光色が定まるので、PWM制御部8が出力する駆動パルス信号のパルス幅を、トランジスタQr、トランジスタQg及びトランジスタQbに対してそれぞれ個別に可変調整することで、所望の発光色を得ることが可能となる。なお、図13の例ではトランジスタQr、トランジスタQg及びトランジスタQbに対する駆動パルス信号を同じタイミングで送出するようにしているが、駆動パルス信号の送出タイミングはこれに限定されるものではなく、例えばそれぞれ位相が異なるようにして送出するようにしてもよい。この場合、赤色光、緑色光及び青色光を合成して出射光を得るときには、各半導体発光素子を連続的に発光させることができないが、各半導体発光素子には電源から分散して電力を供給することができるので、電源容量を少なくすることができる。また、この場合には電流調整用の抵抗Rr、Rg及びRbを共通化することもできる。図12の電気回路の例では、半導体発光素子4r、半導体発光素子4g及び半導体発光素子4bはそれぞれ直列に接続するようにしたが、接続方法はこれに限定されるものではなく、半導体発光素子4r、半導体発光素子4g及び半導体発光素子4bのそれぞれにおいて、並列接続と直列接続とを併用してもよいし、全部を並列に接続してもよい。更に、図12の電気回路の例では、PMW制御部8の駆動パルス信号によってトランジスタQr、トランジスタQg及びトランジスタQbをそれぞれオン-オフ作動させるようにしたが、これに代えて駆動パルス信号によりトランジスタQr、トランジスタQg及びトランジスタQbに流れる電流も併せて制御するようにしてもよい。この場合には電流調整用の抵抗Rr、抵抗Rg及び抵抗Rbが不要となる。また、抵抗Rr、抵抗Rg及び抵抗Rbに代えて定電流回路をそれぞれ挿入し、図12の例と同様にトランジスタQr、トランジスタQg及びトランジスタQbをそれぞれオン-オフ作動させるようにしてもよい。次に、半導体発光装置1の電気回路のもう1つの例として、本実施形態の蛍光部6の配置の第2変形例を示す図11の半導体発光装置1のように、2種類の蛍光部6を設けた場合の電気回路を図14に示す。なお、図14において、第1の色温度T1の一次光を発する蛍光部6を収容したキャビティ5に位置する半導体発光素子を符号4w1、第2の色温度T2の一次光を発する蛍光部6を収容したキャビティ5に位置する半導体発光素子を符号4w2で示すものとする。図14に示すように、トランジスタQ1及びトランジスタQ2のコレクタは、グランドとの間で電源電圧Vccを供給する電源ラインに接続され、トランジスタQ1のエミッタはトランジスタQ3のコレクタに、またトランジスタQ2のエミッタはトランジスタQ4のコレクタにそれぞれ接続されている。また、トランジスタQ3及びトランジスタQ4のエミッタはそれぞれグランドに接続されている。そして、第1の色温度T1の一次光を発する蛍光部6に対応した半導体発光素子4w1が直列に接続され、最もアノード側がトランジスタQ1のエミッタとトランジスタQ3のコレクタとの接続点に接続され、最もカソード側が電流調整用の抵抗Rwの一端側に接続されている。また、第2の色温度T2の一次光を発する蛍光部6に対応した半導体発光素子4w2も直列に接続され、最もカソード側がトランジスタQ1のエミッタとトランジスタQ3のコレクタとの接続点に接続され、最もアノード側は、半導体発光素子4w1と同じく電流調整用の抵抗Rwの一端側に接続されている。更に、抵抗Rwの他端側は、トランジスタQ2のエミッタとトランジスタQ4のコレクタとの接続点に接続されている。4つのトランジスタQ1~Q4は、いずれもそれぞれのベース信号に応じてオン状態とオフ状態とに切り換え可能であって、トランジスタQ2及びトランジスタQ3がオフ状態にある間にトランジスタQ1及びトランジスタQ4が同期してオン状態となり、トランジスタQ1及びトランジスタQ4がオフ状態にある間にトランジスタQ2及びトランジスタQ3が同期してオン状態となるようになっている。そして、トランジスタQ1及びトランジスタQ4がオン状態になったときに、電源電圧Vccを供給する電源ラインから、トランジスタQ1、抵抗Rw及びトランジスタQ4を介して各半導体発光素子4w1に駆動電流が流れることにより、各半導体発光素子4w1が発光する。一方、トランジスタQ2及びトランジスタQ3がオン状態になったときには、電源電圧Vccを供給する電源ラインから、トランジスタQ2、抵抗Rw及びトランジスタQ3を介して各半導体発光素子4w2に駆動電流が流れることにより、各半導体発光素子4w2が発光する。抵抗Rwは、半導体発光素子4w1または半導体発光素子4w2に供給される駆動電流を定めるために設けられている。抵抗Rwに印加される電圧は、電源電圧Vccから各半導体発光素子4w1または各半導体発光素子4w2の順方向電圧Vfの合計と、トランジスタQ1のコレクタ-エミッタ間の飽和電圧及びトランジスタQ4のコレクタ-エミッタ間の飽和電圧の和とを差し引いた電圧となる。従って、このとき抵抗Rwに印加される電圧と、トランジスタQ1及びトランジスタQ4がオン状態にあるときに半導体発光素子4w1及び半導体発光素子4w2に流す所望の電流値とから抵抗Rwの抵抗値を求めることができる。なお、4つのトランジスタQ1~Q4の電気的特性は実質的に同一であり、トランジスタQ1のコレクタ-エミッタ間の飽和電圧及びトランジスタQ4のコレクタ-エミッタ間の飽和電圧の和に代えて、トランジスタQ2のコレクタ-エミッタ間の飽和電圧及びトランジスタQ3のコレクタ-エミッタ間の飽和電圧の和を用いてもよい。図14の電気回路においても、4つのトランジスタQ1~Q4、及び抵抗Rwは、PWM制御部9と共に半導体発光装置1のコントローラを構成する。4つのトランジスタQ1~Q4のベースはPWM制御部9に電気的に接続され、PWM制御部9が出力する駆動パルス信号を受けるようになっている。このPWM制御部9が出力する駆動パルス信号はパルス幅が可変の信号であって、駆動パルス信号がHレベルにあるときに、4つのトランジスタQ1~Q4のうちで当該駆動パルス信号を受けたものがオン状態となり、駆動パルス信号がLレベルにあるときに、4つのトランジスタQ1~Q4のうちで当該駆動パルス信号を受けたものがオフ状態となる。図15は、このようにしてPWM制御部9から駆動パルス信号を4つのトランジスタQ1~Q4のベースにそれぞれ送ったときの、トランジスタQ1~Q4の作動状態と、抵抗Rwに流れる電流の一例を模式的に示すタイムチャートである。抵抗Rwに流れる電流は、半導体発光素子4w1または半導体発光素子4w2に流れる電流に対応しており、図15に示す正の電流が半導体発光素子4w1に流れる駆動電流I1に相当し、負の電流の絶対値が半導体発光素子4w2に流れる駆動電流I2に相当する。また、駆動パルス信号はいずれも周期t0でPWM制御部9から送出されるようになっており、これに対応してそれぞれの半導体素子の電流も、図15に示すように周期t0でパルス状に流れる。具体的には、PWM制御部9からの駆動パルス信号によりトランジスタQ1及びトランジスタQ4がオン状態となったときには、トランジスタQ2及びトランジスタQ3がオフ状態となっており、上述したように半導体発光素子4w1に駆動電流I1が流れ、駆動電流I1が流れている間、半導体発光素子4w1が発光する。一方、PWM制御部9からの駆動パルス信号によりトランジスタQ2及びトランジスタQ3がオン状態となったときには、トランジスタQ1及びトランジスタQ4がオフ状態となっており、上述したように半導体発光素子4w2に駆動電流I2が流れ、駆動電流I2が流れている間、半導体発光素子4w2が発光する。従って、図15の例では、半導体発光素子4w1の発光時間t1の方が、半導体発光素子4w2の発光時間t2より長く、発光時間t1と発光時間t2との和が周期t0となっている。色温度T1の白色光及び色温度T2の白色光の発光強度は、それぞれの発光時間によって定まり、色温度T1の白色光及び色温度T2の白色光の発光強度によって、半導体発光装置1から出射される白色光の色温度が定まるので、PWM制御部9が出力する駆動パルス信号におけるパルス幅t1とパルス幅t2との比率を可変調整することで、所望の色温度の白色光を得ることが可能となる。なお、図14の例では、半導体発光素子4w1及び半導体発光素子4w2はそれぞれ直列に接続するようにしたが、接続方法はこれに限定されるものではなく、半導体発光素子4w1及び半導体発光素子4w2のそれぞれにおいて、並列接続と直列接続とを併用してもよいし、全部を並列に接続してもよい。更に、図14の例では、PMW制御部9の駆動パルス信号によって4つのトランジスタQ1~Q4をそれぞれオン-オフ作動させるようにしたが、これに代えて駆動パルス信号によりこれらトランジスタQ1~Q4に流れる電流も併せて制御するようにしてもよい。この場合には電流調整用の抵抗Rwが不要となる。また、抵抗Rwに代えて定電流回路を挿入し、図14の例と同様に4つのトランジスタQ1~Q4をそれぞれオン-オフ作動させるようにしてもよい。また、図14の例では、トランジスタQ1及びトランジスタQ4がオン状態にあるときにはトランジスタQ2及びトランジスタQ3をオフ状態とし、トランジスタQ2及びトランジスタQ3がオン状態にあるときにはトランジスタQ1及びトランジスタQ4をオフ状態としたが、4つのトランジスタQ1~Q4がいずれもオフ状態となる期間を設けるようにしてもよい。なお、第1の色温度T1の一次光を発する蛍光部6と第2の色温度T2の一次光を発する蛍光部6とを組み合わせて使用する場合、図14のような電気回路に代えて、前述した図12と同様の電気回路を適用することも可能である。この場合には、各半導体発光素子を同時に、あるいは連続的に発光させることが可能となる。6.半導体発光装置の製造方法本実施形態の半導体発光装置1は、封止部材3にキャビティ5を形成するための工程、キャビティ5に蛍光部6を収容するための工程、配線基板2に半導体発光素子4を装着するための工程、及び半導体発光素子4が装着された配線基板2とキャビティ5に蛍光部6が収容された封止部材3とを接合するための工程を主要な製造工程とする製造方法によって製造される。封止部材の製造工程この製造工程では、封止部材3にキャビティ5を形成する。封止部材3は、蛍光部6から発せられた一次光を透過するものであれば、本発明の要旨を変更しない限りにおいて、その材質が限定されるものではない。従って、封止部材3におけるキャビティ5の形成方法も、本発明の要旨を変更しない限りにおいて、封止部材3の材質やキャビティ5の仕様に応じ適宜選択すればよい。本実施形態では、ガラスからなる封止部材3を用いており、本実施形態では、ウェットエッチングにより封止部材3にキャビティ5を形成する。以下では、図16を用いてキャビティ5の形成方法を説明する。まず、図16のaに示すように、第1の面3a及び第2の面3bを有して板状をなすガラス材を封止部材3として準備する。次に、図16のbに示すように、エッチング液に対して耐性を有するマスキング材10を用い、封止部材3の全体にわたってマスキング処理を行う。このとき、少なくとも封止部材3の第1の面3aについては、スクリーン印刷法によってマスキング処理を行い、キャビティ5の形成位置において、キャビティ5の開口形状に応じて封止部材3の第1の面3aを露出させる。次に、水にフッ化水素と硫酸とを含有させて調製したエッチング液中に、この封止部材5を所定の時間にわたって浸漬することにより、図16のcに示すように、封止部材3の第1の面3aにキャビティ5を凹設する。こうしてエッチング処理を行った後、封止部材3を洗浄してエッチング液を除去し、更に封止部材3を覆うマスキングを除去することにより、図16のdに示すようにキャビティ5を有した封止部材3を得る。なお、キャビティ5の壁面に、半導体発光素子4が発する光に対し蛍光部6で波長変換された光よりも高い反射率を有し、蛍光部6で波長変換された光に対しては半導体発光素子4が発する光より高い透過率により良好な透過性を有するコーティング層7を設ける場合には、図16のdに示すようにキャビティ5を有した封止部材3を得た後、高屈折率層と低屈折率層とを交互に複数積層した多層誘電体積層膜からなる干渉膜をキャビティ5の壁面に形成することでコーティング層7を得る。例えば、半導体発光素子4が発する近紫外光に対して、近紫外光より長い波長領域の可視光よりも高い反射率を有し、当該可視光に対しては近紫外光より高い透過率を有することにより良好な透過性を有するコーティング層7を形成する場合、高屈折率層としてTiO2からなる薄膜を、また低屈折率層としてSiO2からなる薄膜を、それぞれ蒸着またはスパッタリングによりキャビティ5に交互に複数回積層してコーティング層7を形成する。このようなコーティング層7は、前述したように封止部材3の第2の面3bに形成することも可能であり、この場合にはキャビティ5の形成前にコーティング層7を形成することもできる。また、封止部材3の素材そのものにコーティング層7と同様の機能を持たせた場合には、上述したようなコーティング層7を形成するための工程が不要となる。キャビティ5を形成する際に本実施形態で採用したウェットエッチングは、上述の方法に限定されるものではなく、マスキング処理の方法やエッチング液の種類などを適宜選択可能である。例えば、スパッタリングなどにより封止部材3の全体をクロムなどの金属で被覆した後、キャビティ5の形成位置の金属被覆のみを、キャビティ5の開口形状に応じて除去してから、エッチング液によるエッチングを行ってもよい。また、ウェットエッチングに代えて、ドライエッチング、レーザビーム照射、サンドブラスト、研削加工などの方法を用いることもできる。蛍光部の形成工程こうして得られた封止部材3の各キャビティ5に対し、蛍光体と充填材とが混合されて流動性を有する蛍光部用材料6’を充填して蛍光部6を形成する。蛍光部用材料6’の充填は、本発明の要旨を変更しない限りにおいて、様々な方法を採用することが可能であるが、本実施形態においては、スキージを用いて蛍光部用材料6’を塗布することにより、各キャビティ5に蛍光部用材料6’を充填して蛍光部6を形成する。以下では、このような蛍光部6の形成工程について、図17を用いて説明する。まず、図17のaに示すように、キャビティ5が形成されている封止部材3の第1の面3aに、各キャビティ5に対応して開口を有したメタルマスク被覆材11を密着させることにより、各キャビティ5を露出させると共に各キャビティ5の周囲をメタルマスク11で被覆する。次に、図17のbに示すように、メタルマスク11上に蛍光部用材料6’を載せ、スキージ12を図17のcに示す矢印Aの方向に摺動させることにより、メタルマスク11の開口を介して各キャビティ5内に蛍光部用材料6’が充填される。こうして、各キャビティ5内への蛍光部用材料6’の充填が完了すると、図17のdに示すように、封止部材3に密着しているメタルマスク11を取り外すことにより、キャビティ5に収容された蛍光部6が形成される。このとき、使用したメタルマスク11の厚みによっては、封止部材3の第1の面3aから蛍光部6が盛り上がった状態となることもある。なお、例えば含有する蛍光体が異なるような複数種類の蛍光部6を、上述したスキージ12の摺動により形成する場合は、同種の蛍光部6を収容するキャビティ5を残し、それ以外のキャビティ5を全てメタルマスク11で覆った後、メタルマスク11で覆われていないキャビティ5に、上述のようにして蛍光部用材料6’を充填するといった作業を、それぞれの種類の蛍光部6ごとに蛍光部6の種類の数だけ繰り返せばよい。本実施形態ではスキージを用いて蛍光部用材料6’を封止部材3に塗布することで、各キャビティ5に蛍光部用材料6’を充填して蛍光部6を形成するようにしたが、蛍光部用材料6’の塗布の方法はこれに限定されるものではなく、例えばスクリーン印刷などの印刷によって行うようにしてもよい。また、塗布に代えて、ポッティングにより各キャビティ5内に蛍光部用材料6’を充填して蛍光部6を形成するようにしてもよい。配線基板と封止部材との接合半導体発光素子4が装着された配線基板2と、上述のようにして各キャビティ5に蛍光部6が収容された封止部材3とを接合することにより、半導体発光装置1が得られる。このような接合工程に先立つ配線基板2への各半導体発光素子4の装着は、一般的によく知られている方法により行うことができるので、ここでは詳細な説明を省略するが、本実施形態の場合、配線基板2への半導体発光素子4の装着は、前述したようにフリップチップ実装によって行われる。配線基板2への半導体発光素子4の装着は、これに限定されるものではなく、半導体発光素子4の種類や構造に応じて適切な方法を選択可能であって、前述したように、ダブルワイヤボンディングや、シングルワイヤボンディングなどを採用することも可能である。以下では、配線基板2と封止部材3とを接合するための製造工程について、図18を用いて説明する。まず、図18のaに示すように、各キャビティ5内に蛍光部6を収容した封止部材3を、第1の面3aが上になるようにして固定する。そして、封止部材3の第1の面3aには、外縁部から所定の範囲にかけて接着剤図示省略を塗布する。次に、図18のbに示すように、半導体発光素子4を装着した面が下に向いて封止部材3の第1の面3aと対向するように、封止部材3の上方に配線基板2を位置させる。このとき、各半導体発光素子4が、それぞれ対応するキャビティ5の真上に位置するように、即ち、例えば平面視したときのキャビティ5の中心と半導体発光素子4の中心とが一致するように、配線基板2と封止部材3との位置合わせを行う。次に、図18のbに示す矢印Bの方向に配線基板2を移動させ、図18のcに示すように、配線基板2を封止部材3に接合する。これにより、配線基板2に装着されている半導体発光素子4がそれぞれ対応するキャビティ5内に位置するようになり、キャビティ5内に収容されている蛍光部6によって半導体発光素子4が覆われる。このとき、半導体発光素子4の進入によってキャビティ5から溢れ出る蛍光部6や、前述のようにキャビティ5への蛍光部6の収容時に封止部材3の第1の面3aから盛り上がっていた蛍光部6は、各半導体発光素子4の装着位置において配線基板2に形成された凹所2a内に収容される。このようにして配線基板2と封止部材3とが接合されることにより、封止部材3に塗布された接着剤で封止部材3が配線基板2に固定されると共に、各半導体発光素子4及び蛍光部6がキャビティ5内に封止される。蛍光体と共に蛍光部6を形成する充填材は、少なくとも上述の接合工程が終了するまでは流動性を有しており、本実施形態においては熱硬化性樹脂を用いている。そこで、図18のcに示すように配線基板2と封止部材3とを接合した後、所定温度例えば150°Cで所定時間例えば1時間にわたって半導体発光装置1を加熱することにより、各キャビティ5内に収容されている蛍光部6を硬化させる。なお、充填材は熱硬化性樹脂に限定されるものではなく、例えば光硬化性樹脂UV硬化樹脂など様々な硬化性材料を用いることができる。また、蛍光部6を硬化させずに流動性を有したままキャビティ5内に封入しておくことも可能である。以上のような製造工程により、本実施形態の半導体発光装置1を得ることができる。従って、従来のように個別にリフレクタ及び間仕切りを配線基板に装着したり、環状側壁及び仕切り壁を配線基板上に形成したりする必要がなくなり、製造工程を簡素化することができる。更に、封止部材3が蛍光部6や半導体発光素子4などを周囲の環境から保護する機能も兼ね備えているので、別途保護部材を装着する必要がなくなり、より一層製造工程が簡素化される。7.半導体発光装置の用途本発明の半導体発光装置の用途は特に制限されるものではなく、一般的な発光装置が用いられる各種の分野に適用することが可能である。本発明の半導体発光装置の用途の具体例として、例えば、従来の白熱灯や蛍光灯などのランプの代替としての照明灯、薄型照明などといった種々の照明装置用の光源、及び液晶ディスプレイなどの画像表示装置用の光源バックライト及びフロントライトなどがある。前述したように本発明による半導体発光装置は様々な色度、彩度及び輝度の光を得ることが可能であると共に、優れた演色性を確保できるので、照明装置や画像表示装置の光源として好適である。また、本発明の半導体発光装置は、封止部材によって蛍光部や半導体発光素子が保護されるようになっているので信頼性及び耐久性に優れており、長寿命の半導体発光装置を得ることができるという点でも、照明装置や画像表示装置の光源として好適である。なお、本発明の半導体発光装置を照明装置や画像表示装置の光源として用いる場合には、単一の半導体発光装置を用いてもよいし、複数の半導体発光装置を用いてもよい。以下では、本発明の半導体発光装置を照明装置の光源として用いた場合の応用例について説明する。旅客用航空機の照明装置旅客用航空機の客室灯は、乗員や乗客の精神安定や注意喚起を図る上で重要な役割を果たす。即ち、客室灯が発する光の色温度や色度、輝度、彩度などを変えることにより、乗員や乗客の身体状態や精神状態、あるいは周囲の環境に適合した照明光を得ることが好ましい。例えば、乗客の乗降時には青色の比率を高めて緊張感を喚起すると共に輝度を明るくし、リラックス時や就寝時には比較的低い色温度例えば2700Kの白色光、食事の際には3000K前後の白色光とし、非常時などの注意喚起時には赤色で点灯または点滅させることが好ましい。本発明の半導体発光装置が発する光は、良好な演色性を確保しつつ、色温度や色度、輝度、彩度を様々に変更可能であるので、このような要求を満たす照明装置を得ることが可能である。また、上述のように本発明の半導体発光装置は信頼性及び耐久性に優れているので、客室灯の作動不良によるサービス低下も抑制することができる。自動車の照明装置自動車の客室灯の場合においても、客室灯が発する光は運転者をはじめとする乗員の身体状態や精神状態に影響を及ぼす。乗用車の場合には走行中に客室灯を点灯する機会が少ないが、長距離バスや路線バスなどでは客室灯を点灯する機会が多く、上述した旅客用航空機の場合と同様の機能を客室灯に持たせることが好ましい。また、乗用車やトラックなどの場合であっても、客室灯を点灯した場合には、乗員の身体状態や精神状態に応じて色温度や色度、輝度、彩度が変化する光を客室灯が発するのが好ましい。例えば、本発明の半導体発光装置を光源とする照明装置を客室灯として用い、寒色系照明光~白色照明光~暖色系照明光と連続的または段階的に変更可能として、精神状態が高揚するほど照明光を寒色系側に変更するようにしてもよい。また、客室灯に限らず、自動車の各種表示装置に本発明の半導体発光装置を使用することが可能である。例えば、車室内の空調装置と連動して発光色が変化する半導体発光装置を空調装置の吹出口などに設け、空調温度が高いほど暖色系の光を発し、空調温度が低いほど寒色系の光を発するようにして、空調装置の空調温度を感覚的に把握できるようにしてもよい。このように、車載装置の作動状態に応じ、表示色や色温度などが様々に変化するような表示装置として本発明の半導体発光装置を使用することが可能である。以上で本発明の一実施形態に係る半導体発光装置についての説明を終えるが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない限りにおいて様々に変更することが可能である。例えば、キャビティ5及び蛍光部6の構造を以下ように変更することができる。以下において図19~図23を参照しつつ、キャビティ5及び蛍光部6の構造の変形例を説明する。なお、上述した実施例と同一構造の部分については、同一符号を付し、その説明を省略する。8.キャビティ及び蛍光部の構造の変形例キャビティ構造の変形例として、例えば図19a及びbに示すように、その表面が平坦な形状を有し、断面形状が略矩形状のキャビティ15を形成してもよい。すなわち、キャビティ15の形状は、略直方体状又は略立方体状である。このような構造により、キャビティ15の側面は半導体発光素子4の側面と、キャビティ15の底面は半導体発光素子4の上面及び下面と略平行になる。また、半導体発光素子4の側面及上面からキャビティ15の表面までの距離はほぼ等しく、半導体発光素子4の周囲側面及び上面に均一の厚さの蛍光部が形成されている。なお、ここで、半導体発光素子4の上面を配線基板2と接合する面とは反対側の面とし、下面を配線基板2と接合する面とする。キャビティ構造の他の変形例としては、例えば図20a及びbに示すように、半楕円形状の断面形状を有するキャビティ15を形成してもよい。すなわち、キャビティ25の形状は、砲弾型状である。また、キャビティ構造の他の変形例としては、例えば図21a及びbに示すように、三角形状の断面形状を有するキャビティ35を形成してもよい。すなわち、キャビティ35の形状は、円錐状又は角錐状である。更に、キャビティ構造の他の変形例としては、例えば図22a及びbに示すように、矩形状の断面形状を有するキャビティ45を形成してもよい。すなわち、キャビティ45の形状は、円柱状又は角柱状である。ここで、図22に示したキャビティ45は、図19に示したキャビティ15と比較して、半導体発光素子4の側面周囲の空間よりも上面周囲の空間が大きくなっている。このため、図22a及びbに示す半導体発光装置1においては、半導体発光素子4の上面周囲に位置する蛍光部の厚さが大きくなり、側面周囲に位置する蛍光部の厚さが小さくなる。また、図20及び図22のキャビティ構造の変形例においては、キャビティの形状が縦長な構造であるため、半導体発光素子から放出される光を、キャビティの側面蛍光部と封止部材との境界面において反射させることにより、キャビティ部から放出される光の配光性を上面に多くすることができる。また、図21のキャビティ構造の変形例においては、キャビティの側面蛍光部と封止部材との境界面が底面と垂直ではないため、半導体発光素子から放出される光を、キャビティの側面蛍光部と封止部材との境界面において全反射することを防ぎ、キャビティ部から放出される光の取り出しを向上させることができる。蛍光部構造の変形例として、例えば図19b、図20b、図21b及び図22bに示すように、積層構造を有する蛍光部16を形成してもよい。すなわち、蛍光部6は単層体であったが、蛍光部16は積層体となる。このような積層体である蛍光部16を用いる場合、少なくとも1種、あるいは複数種の蛍光体を含有する層を複数層積層したものを蛍光部16とすることができる。ここで、当該蛍光体は、各層中に均一に、あるいは連続した濃度分布を持って含有される。このような蛍光部16を用いることにより、蛍光部16から出射する一次光は、半導体発光素子4から放射される光を、各層中の蛍光体が波長変換した光の合成光となる。従って、各層の組み合わせにより、蛍光部16から出射する一次光の色度等を適宜変更することが可能になる。蛍光部16の具体的な構造としては、図19b、図20b、図21b及び図22bに示すように、例えば半導体発光素子4から放射される光を赤色領域に波長変換する赤色蛍光体を含有する赤色蛍光体含有層16rと、半導体発光素子4から放射される光を緑色領域に波長変換する緑色蛍光体を含有する緑色蛍光体含有層16gと、半導体発光素子4から放射される光を青色領域に波長変換する青色蛍光体を含有する青色蛍光体含有層16bとを、半導体発光素子4を覆うように順次積層した構造が挙げられる。蛍光体含有層の積層順序は限定されるものではないが、半導体発光素子4を覆うように赤色蛍光体含有層16rが設けられ、赤色蛍光体含有層16rを覆うように緑色蛍光体含有層16gが設けられ、緑色蛍光体含有層16gを覆うように青色蛍光体含有層16bが設けられ、青色蛍光体含有層16bがキャビティの表面に接触するような積層順序が好ましい。このような順序で積層する理由としては、蛍光体による変換後の波長が短波長である蛍光体含有層が半導体発光素子4側に配置されると、党外変換後の波長の光が、より表面側すなわち、キャビティ側の蛍光体含有層の蛍光体の励起に寄与して発光効率が低下してしまうことがあるからである。従って、上記のような積層構造とすることにより、良好な発光効率を維持しつつ所望の白色光を得ることができる。なお、蛍光部16の具体的な構造はこれらに限定されるものではなく、任意の波長領域に波長変換する蛍光体を含有する層を用いて蛍光部16を構成してもよい。蛍光部16の膜厚蛍光体含有層を積層体とする場合には積層体全体の膜厚は、通常20μm以上、好ましくは50μm以上、さらに好ましくは75μm以上である。また通常3000μm以下、好ましくは2000μm以下、さらに好ましくは1500μm以下である。これにより、半導体発光素子4から放射される光を効率よく波長変換することが可能となる。また、各蛍光部16の個々の大きさは、本発明の目的及び効果を損なわない限り特に制限はなく、通常半導体発光素子4の大きさに応じて適宜選択されるが、中でも投影面積が5mm2以下であることが好ましく、より好ましくは1mm2以下、さらに好ましくは0.25mm2以下である。上記値以下とすることにより、半導体発光装置1内に半導体発光素子4を高集積化することが可能となり、大光束が得られるものとすることができる。なお、本発明でいう蛍光部16の投影面積とは、各蛍光部16を、半導体発光装置1の光取り出し面側から投影した形状の面積をいうこととする。また、蛍光部16中に複数の半導体発光素子4を含む場合は、その数に応じて蛍光部16の寸法を大きくすることが好ましい。ここで、蛍光部16は、蛍光部6と同様に、半導体発光素子4及び配線基板2を封止するための封止部材3、及び半導体発光素子4から発せられる光の少なくとも一部、もしくは全部を吸収し、任意の波長に波長変換する無機または有機の蛍光体を含有するものとすることができる。また、蛍光部16は必要に応じチキソ剤や屈折率調整剤、光拡散剤等を含有していてもよい。また、各蛍光部16間の距離は、各蛍光部6間の距離と同様に、隣接する半導体発光素子間で、相互に出射する光を吸収すること等を低減する程度離れていることが好ましい。これにより光取り出し効率が向上することが期待される。具体的には、各蛍光部間の隙間は、50μm以上、好ましくは100μm以上、さらに好ましくは200μm以上であることが好ましく、集積化の観点からは1.5mm以下であることが好ましい。上述した実施例及び変形例においては、半導体発光素子4が蛍光体を含有する蛍光部によって被覆されていたが、このような構造に限定されることはなく、他の構造であってもよい。例えば図23に示すように、半導体発光素子4が蛍光体を含有しない被覆部材50によって被覆され、当該被覆部材50を覆うように蛍光部6が設けられてもよい。被覆部材50は、半導体発光素子4から発される光が透過できる材料からなり、一般には、上述した蛍光部から蛍光体を取り除いた材料からなる。より具体的には、被覆部材50は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、及びフッ素樹脂等他に好適なものがあれば、教えくださいの透光性樹脂であってよい。このような被覆部材50によって半導体発光素子4を被覆することにより、蛍光部6が半導体発光素子4において発生する熱の影響を受けることがなくなり、半導体発光装置1自体の発光特性及び信頼性の向上を図ることができる。なお、図23においては、被覆部材50上に蛍光部6を形成したが、蛍光部6に代えて赤色蛍光体含有層16r、緑色蛍光体含有層16g、及び青色蛍光体含有層16bからなる蛍光部16を形成してもよい。また、図23における半導体発光装置1においては、半導体発光素子4が被覆部材50によって覆われ、更に被覆部材50が蛍光部6によって覆われていたが、このような積層構造に限定されることなく、被覆部材50と蛍光部6又は蛍光部16と形成位置を入れ替えてもよい。すなわち、半導体発光素子4が蛍光部6又は蛍光部16によって覆われ、更に蛍光部6又は蛍光部16が被覆部材50によって覆われてもよい。"