単結晶基板にエピタキシャルに成長した遷移金属単結晶薄膜を加熱し、遷移金属の表面に炭素を供給することでグラフェンを成長させるグラフェンの製造方法において、単結晶基板として、Mica100、もしくはYSZ111を用いることを特徴とするグラフェンの製造方法。遷移金属はFe、Co、Ni、Cu、Mo、Ru、Rh、Pd、W、Re、Ir、Ptまたはこれらの合金であることを特徴とする請求項1に記載のグラフェンの製造方法。遷移金属単結晶薄膜は3回対称または6回対称の表面を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のグラフェンの製造方法。遷移金属単結晶薄膜は膜厚が10nmから1000nmであることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のグラフェンの製造方法。炭素の供給方法として化学的気相成長法CVDまたは物理的気相成長法PVDを用いることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載のグラフェンの製造方法。CVD法によってCuフォイル上にグラフェンを製膜する場合、CuフォイルがCVD中に1000°Cに加熱されるため多結晶化する。この多結晶化したCuフォイルのドメインサイズは数10~数100μmであり、ドメイン同士の境界にはドメインバウンダリーが形成されてしまう。このドメインバウンダリーではグラフェンに欠陥が混入されるためキャリアが散乱され、グラフェンの移動度が低下してしまう。また、ドメインの結晶方位は001、111、110などさまざまで、グラフェンの成長速度が結晶軸によって異なり、成長を制御することが難しいと問題がある。産業応用上、グラフェンの成長制御と、ドメインバウンダリーの形成抑制は、グラフェンの膜質の制御と安定生産のために重要な課題である。本発明の目的は、高品質でドメインバウンダリーが無い均一なグラフェンを製膜することにある。上記目的を達成するため、本発明のグラフェンの製造方法では、グラフェンを、Mica100、もしくはYSZ111基板上にエピタキシャルに形成した遷移金属単結晶薄膜上に製膜することを特徴とする。Micaとはマイカ雲母のことであり、YSZとはイットリア安定化ジルコニアのことである。遷移金属単結晶薄膜はグラフェンの結晶構造と同じ対称性3回対称または6回対称を持つため、グラフェンがエピタキシャルに成長される。また、遷移金属単結晶薄膜は原子レベルで見て平坦なMica100、もしくはYSZ111基板上にエピタキシャルに形成されているため、ドメインバウンダリーを持たず、その上、原子平坦の表面を有している。そのため、グラフェンはドメインバウンダリーをもつことなく、均一かつ高品質に成長される。このとき、遷移金属単結晶薄膜はFe、Co、Ni、Cu、Mo、Ru、Rh、Pd、W、Re、Ir、Ptまたはこれらの合金であることが好ましい。これらの遷移金属では、触媒効果により、炭素原子が六員環を形成し易く、より高い結晶性のグラフェンを得ることができる。また、面心立方を持つCu111や、Ir111は、カーボンの溶解性が低いため層数の制御性が高いため特に好ましい。さらに、同じく面心立方を持つNi111は、グラフェンと結晶のミスマッチが約1と小さいため特に好ましい。さらに六方晶を有するRuやCoは、グラフェンと対称性が類似している6回対称を有するので、0001が好ましい。本発明によれば、単層グラフェンの高い膜質を維持しながら、これまで不可能であったグレインバウンダリーの形成を排除することが出来る。また、グラフェンを成長させる遷移金属単結晶薄膜の結晶方位が、グラフェンと同じ対称性の面であることから、Cuフォイルよりもより高品質のグラフェンを製膜することができる。本発明のグラフェンは、3回対称を有するMica100へき開面、YSZ111上に、3回対称または6回対称を有する遷移金属単結晶薄膜をエピタキシャル成長させ、その表面にグラフェンをエピタキシャル成長させることで得られる。グラフェンのエピタキシャル成長方法としては、CVD法またはPVD法物理的気相堆積により製膜出来る。遷移金属単結晶薄膜のエピタキシャル成長は1×10-7Pa以下の超高真空中で、蒸着法やスパッタ、MBEなどによって300°C~600°Cに加熱したMica、YSZ上に遷移金属を製膜し、その後、CVD装置、PVD装置中で600°Cから800°Cにて30分アニールすることにより固相エピタキシー的に製膜することが出来る。遷移金属単結晶薄膜の膜厚は10nm~1000nmが好ましく、特に100nm~1000nmは結晶性と表面平坦性が向上するためより好ましい。10nm以下では、原子平坦を持つ薄膜を形成することが困難であり、一方、1000nm以上では、薄膜の製膜の際の表面粗さの影響を受けてしまい、薄膜の表面は原子平坦ではあるが、マクロな表面荒れが残ってしまうため、適切ではない。グラフェンを成長させるCVDでは、1×10-7Pa以下の超高真空中や、10~10000Pa程度の低圧、大気圧などの様々な条件において、メタンなどの炭化水素ガスを遷移金属単結晶薄膜表面に吹き付けることで、メタンガスがクラッキング解離吸着されることで、表面にて炭素原子になって供給される。炭素原子は遷移金属単結晶薄膜表面の触媒効果を受け、長い距離をマイグレーションすることで、原子ステップ端に到達し、レイヤーバイレイヤーでグラフェンが成長する。高品質で均一な単層のグラフェンを製造するためには、レイヤーバイレイヤーで成長させる必要がある。また、PVD成長としてはMBE分子線エピタキシーやPLDパルスレーザー堆積などによりグラフェンを成長させることが可能である。MBEでは超高真空中例えば、10-7~10-8Pa程度でグラファイトを2000°Cに加熱することで原子状の炭素を発生させ、分子線となった原子状炭素を、加熱した遷移金属単結晶表面上に供給することで、表面の原子状炭素がレイヤーバイレイヤー成長を行い、高品質なグラフェンを製膜することが可能である。PLDでは超高真空中例えば、10-5~10-7Pa程度でグラファイトをKrFのエキシマレーザーにてアブレーションすることで、瞬時に蒸発した炭素が分子線の状態で加熱された格子整合基板に供給され、レイヤーバイレイヤー成長を行うことで、高品質な単層グラフェンを製膜することが可能である。遷移金属単結晶薄膜の形態としては、グラフェンの結晶構造とエピタキシャル関係にある3回対称、または、6回対称でかつ表面は原子平坦でなければならない。[実施例]10cm角の単結晶のMica基板13を電子線蒸着装置に設置し、5×10-4Paまで真空引きを行う。その後、Mica基板13を600°Cまで加熱し、1時間保持することで、表面についた水や不純物を取り除く。そして、純度99.99のCuを電子線加熱によって昇華させ、600°Cに保持したMica基板13に500nm製膜することで遷移金属単結晶薄膜12を形成した。この遷移金属単結晶薄膜12のCu薄膜が製膜されたMica基板13をCVD装置に配置し、5×10-2Paまで真空引きを行う。そして、水素を6.7×102Pa5Torr導入し、30°C/minで800°Cまで加熱した後、800°Cを保持した状態で30minアニールを行う。このアニールによって遷移金属単結晶薄膜12のCu薄膜がMica基板13の結晶方位にそってエピタキシャルに結晶化し、Cu111単結晶薄膜となる。続いて、1000°Cまで30°C/minで加熱し、水素と同じ流量のメタンを導入するガス圧は約5.0×103約38Torrとなる。そして、基板温度とガス圧を保持した状態で30min製膜を行い、製膜後は100°C/secにて急冷を行うことで図1のようにグラフェン10をエピタキシャルに成長することが出来る図1、ならびに下記する図2において、単層グラフェンを串団子状に示してある。。また、基板をYSZ11114を用いた以外はMica基板の場合と同様の条件を用いて、図2の構成を形成することで、グラフェン10が形成される。次に、PVDを用いる方法について説明する。Mica基板13を超高真空チャンバーに導入し、10-7Pa以下の真空状態で600°C、30minのアニール処理することで表面の水分や不純物を取り除く。その後、基板温度を600°Cに保持したまま、Ni多結晶ターゲットをKrFのエキシマレーザーでアブレーションすることにより、Ni薄膜を100nm製膜することで、遷移金属単結晶薄膜12とした。このNi薄膜表面を、RHEED高速電子線回折を用いて表面の状態を観測しながら、アモルファスカーボンターゲットをアブレーションすることで単層のグラフェン10を製膜した。図3はCVD製膜後の遷移金属単結晶薄膜12のCu111の光学顕微鏡像である。この図より、Cu111は非常に平坦であり、Cuフォイルで見られるドメインバウンダリーは観測されないことが明らかである。図4に、本発明により作製したグラフェンのラマンシフトを示す。結晶性を示すラマンピークには、先ずDピークと呼ばれるものがある。このDピークとは、ディスオーダーのDの略称であり、欠陥や結晶性の乱れに起因するピークで、1350cm-1付近に出るものである。Gピークとは、グラファイトピークのGの略称であり、六員環構造を有する結晶に特有の、六員環の伸縮モードに起因するものであり、鋭いGピークを示す場合は、六員環が揃った伸縮をしていることであり、欠陥の無い、良好な結晶性であることを示している。このGピークは1600cm-1付近に出るものである。さらに、2Dピークとは、結晶性を示すものではなく、Gピークと2Dピークとの大きさの比率で、グラフェンの層数が判る。Gピークよりも2Dピークのほうが大きい場合は、グラフェンは単層である。2Dピークは2700cm-1付近に出る。図4に示すようにCVDにて形成したグラフェン10はグラフェン特有の1600cm-1付近のGピークと2700cm-1付近の2Dピークが観測され、Dピークは観測されていない。またGピークよりも2Dピークのほうが大きくなっている。このことから、本実施例で作製されたグラフェンは、欠陥や結晶性の乱れが無いものであり、結晶性が良い、高品質な単層グラフェンであることが判る。さらに、本測定では、3点の測定点でほぼ同じ波形を示すことから、均一に製膜されていることが分かる。図5に、本方法により作製した単層グラフェン10の移動度を示す。比較のためCuフォイル上に直接、CVDにてグラフェンを製膜したものの移動度を示している。図5に示すように、Mica、YSZ上にCu111単結晶薄膜を形成し、CVDにてグラフェンを製膜したものの移動度は、Cuフォイル上に直接CVD製膜したものに比べ、2倍程度の移動度の向上が見られる。また、Mica上にNi111を形成し、PVDにて製膜した場合は、CVDよりもさらに高い移動度を示した。これは、単結晶金属上に製膜した場合はドメインのサイズが大きくなり、ドメインバウンダリーによるキャリアの散乱が低減されていることを意味している。また超高真空のPVDを用いることで、グラフェン中の不純物の影響が排除でき、さらに移動度が向上した。以上の結果より本発明の効果が実証された。