"少なくとも電極、発光層、光透過性電極をこの順で備えた第一基板と、透明基板から構成される第二基板とを備えた有機発光素子であって、前記電極の少なくとも一部を覆うとともに、前記発光層の側面に配置され、絶縁性を有し、かつ、光反射性または光散乱性を有し、間隔をおいて形成された複数のエッジカバーと、前記透明基板上の少なくとも前記エッジカバーと対向する位置に光反射性または光散乱性を有し、間隔をおいて形成された複数の隔壁とが設けられたことを特徴とする有機発光素子。前記第二基板の前記第一基板と対向する面上に、カラーフィルターまたは波長変換層が形成されたことを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。前記第一基板上におけるエッジカバーの間隔が、前記第二基板上における前記隔壁の間隔の間隔よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。前記隔壁は、前記発光層の積層方向に沿った側面のうち、前記カラーフィルターまたは前記波長変換層と対向する側面が光反射性または光散乱性を有することを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。前記隔壁は、前記発光層の積層方向に沿った側面が絶縁性を有することを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。前記第二基板上の開口部を囲むように黒色隔壁が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。前記第二基板上に設けられた前記カラーフィルター上に、低屈折率層が設けられていることを特徴とする請求項2に記載の有機発光素子。前記低屈折率層上に、波長変換層が設けられていることを特徴とする請求項7に記載の有機発光素子。前記隔壁または前記光散乱層が形成された後、前記基板が、水が蒸発する温度にて加熱処理されたことを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載の有機発光素子。前記第一基板および前記第二基板の間に、透明基板からなる第三基板が挿入され、貼り合わされたことを特徴とする請求項1~9のいずれか1項に記載の有機発光素子。特許文献1に記載の有機EL表示装置では、開口部方向への発光以外に平行方向の発光が存在するために、発光効率が低下するという課題が存在する。また、特許文献1に記載の有機EL表示装置に、特許文献2および3に記載の技術を導入した場合であっても、絶縁層を挿入する作製プロセスが増えるという課題が存在する。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、消費電力が小さく、光取り出し効率に優れ、作製コストの低い有機発光素子を提供することを課題とする。上記課題を解決するために、本発明のいくつかの態様は、次のような有機発光素子を提供する。すなわち、本発明の有機発光素子は、少なくとも電極、発光層、光透過性電極をこの順で備えた第一基板と、透明基板から構成される第二基板とを備えた有機発光素子であって、前記電極の少なくとも一部を覆うとともに、前記発光層の側面に配置され、絶縁性を有し、かつ、光反射性または光散乱性を有し、間隔をおいて形成された複数のエッジカバーと、前記透明基板上の少なくとも前記エッジカバーと対向する位置に光反射性または光散乱性を有し、間隔をおいて形成された複数の隔壁とが設けられたことを特徴とする。本発明の有機発光素子において、前記第二基板の前記第一基板と対向する面上に、カラーフィルターまたは波長変換層が形成されていてもよい。本発明の有機発光素子において、前記第一基板上におけるエッジカバーの間隔が、前記第二基板上における前記隔壁の間隔の間隔よりも大きくてもよい。本発明の有機発光素子において、前記隔壁は、前記発光層の積層方向に沿った側面のうち、前記カラーフィルターまたは前記波長変換層と対向する側面が光反射性または光散乱性を有していてもよい。本発明の有機発光素子において、前記隔壁は、前記発光層の積層方向に沿った側面が絶縁性を有していてもよい。本発明の有機発光素子において、前記第二基板上の開口部を囲むように黒色隔壁が設けられていてもよい。本発明の有機発光素子において、前記第二基板上に設けられた前記カラーフィルター上に、低屈折率層が設けられていていてもよい。本発明の有機発光素子において、前記低屈折率層上に、波長変換層が設けられていてもよい。本発明の有機発光素子において、前記隔壁または前記光散乱層が形成された後、前記基板が、水が蒸発する温度にて加熱処理されていてもよい。本発明の有機発光素子において、前記第一基板および前記第二基板の間に、透明基板からなる第三基板が挿入され、貼り合わされていてもよい。本発明によれば、消費電力が小さく、発光効率に優れ、作製コストの低い有機発光素子を提供できる。1第一実施形態有機発光素子図1は、本発明に係る有機発光素子の第一実施形態を示す概略図であり、aは平面図、bはaのA-A線に沿う断面図である。図2は、図1の一部を拡大した概略断面図である。有機発光素子10は、TFT薄膜トランジスタ回路図示略を備えた第一基板11と、第一基板11の一方の面11aに設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子以下、有機EL素子と略すこともある。12と、第一基板11の一方の面11aに設けられ、有機EL素子12の側面を囲み、画素を区画するエッジカバー13と、エッジカバー13を介して有機EL素子12と対向配置され、有機EL素子12と対向する面以下、一方の面と言う。14aに波長変換層またはカラーフィルター以下、色変換層と総称する。15が設けられた第二基板封止基板14と、第二基板14の一方の面14aに設けられ、色変換層15の側面を囲み、画素を区画する隔壁16とから概略構成されている。なお、エッジカバー13と隔壁16は、突き合わされて、接合され、一体化されている。エッジカバー13は、有機EL素子12の積層方向に沿った側面の少なくとも一部が光散乱性を有している。エッジカバー13の構成としては、具体的には、有機EL素子12の積層方向に沿った側面のうち、有機層18と対向する側面13aが光散乱性を有する構成が挙げられる。隔壁16は、有機EL素子12の積層方向に沿った側面の少なくとも一部が光散乱性を有している。隔壁16の構成としては、具体的には、有機EL素子12の積層方向に沿った側面のうち、色変換層15と対向する側面16aが光散乱性を有する構成が挙げられる。エッジカバー13と隔壁16が光散乱性を有する構成としては、エッジカバー13自体、隔壁16自体が樹脂と光散乱性粒子を含む材料から形成された構成、または、エッジカバー13の側面13、隔壁16の側面16aに、樹脂と光散乱性粒子を含む材料からなる光散乱層光散乱膜が設けられた構成が挙げられる。このような光散乱層光散乱膜をエッジカバー13と隔壁16として用いることにより、視野角特性が向上する。以下、有機発光素子10を構成する各構成部材およびその形成方法について具体的に説明するが、本実施形態はこれら構成部材および形成方法に限定されるものではない。色変換層15は、波長変換層またはカラーフィルターからなり、第二基板14の一方の面14aに設けられている。すなわち、色変換層15は、第二基板14の外部光取出面光出射面に設けられている。波長変換層の蛍光体は、紫外発光有機EL素子、青色発光有機EL素子等の発光素子からの励起光を吸収し、赤色、緑色、青色に発光する赤色蛍光体層、緑色蛍光体層、青色蛍光体層から構成されている。ただし、発光素子として青色発光を適用する場合、青色蛍光体層を設けずに、青色励起光を青色画素からの発光としてもよい。また、発光素子として指向性を有する青色発光を適用する場合には、青色蛍光体層を設けず、その指向性を有する励起光を散乱し、等方発光にして外部へ取り出すことができるような光散乱層を適用してもよい。赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および青色蛍光体層は、ドット毎に分割された複数の蛍光体層からなり、複数の赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および青色蛍光体層はドットによって異なる色の色光を発光するために異なる蛍光体材料で構成されている。なお、これら複数の赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および青色蛍光体層を構成する蛍光体材料は、互いにその屈折率が異なっていてもよい。赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および青色蛍光体層は、例えば、平面視矩形状の薄膜からなる。蛍光体層の励起光入射面に、励起光を透過し、蛍光体層から放射された蛍光を反射する波長選択透過反射部材が形成されていてもよい。なお、励起光を透過するとは、励起光のピーク波長にあたる光を少なくとも透過することを意味し、また、蛍光体層で生じた蛍光を反射するとは、蛍光体層からのそれぞれの発光ピーク波長にあたる光を少なくとも反射することを意味する。また、必要に応じて、シアン、イエローに発光する蛍光体を画素に加えることが好ましい。ここで、シアン、イエローに発光する画素のそれぞれの色純度を、色度図上での赤色、緑色、青色に発光する画素の色純度の点で結ばれる三角形より外側にすることで、赤色、緑色、青色の3原色を発光する画素を使用する表示装置より色再現範囲をさらに拡げることが可能となる。蛍光体層は、以下に例示する蛍光体材料のみから構成されていてもよく、任意に添加剤等を含んでいてもよく、これらの材料が高分子材料結着用樹脂または無機材料中に分散された構成であってもよい。蛍光体層を構成する蛍光体材料としては、公知の蛍光体材料を用いることができる。このような蛍光体材料は、有機系蛍光体材料と無機系蛍光体材料に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。有機系蛍光体材料としては、青色蛍光色素として、スチルベンゼン系色素:1,4-ビス2-メチルスチリルベンゼン、トランス-4,4’-ジフェニルスチルベンゼン、クマリン系色素:7-ヒドロキシ-4-メチルクマリン等が挙げられる。有機系蛍光体材料としては、緑色蛍光色素として、クマリン系色素:2,3,5,6-1H、4H-テトラヒドロ-8-トリフロメチルキノリジン9,9a、1-ghクマリンクマリン153、3-2’-ベンゾチアゾリル-7-ジエチルアミノクマリンクマリン6、3-2’-ベンゾイミダゾリル-7-N,N-ジエチルアミノクマリンクマリン7、ナフタルイミド系色素:ベーシックイエロー51、ソルベントイエロー11、ソルベントイエロー116等が挙げられる。有機系蛍光体材料としては、赤色蛍光色素として、シアニン系色素:4-ジシアノメチレン-2-メチル-6-p-ジメチルアミノスチルリル-4H-ピラン、ピリジン系色素:1-エチル-2-[4-p-ジメチルアミノフェニル-1,3-ブタジエニル]-ピリジニウム-パークロレート、ローダミン系色素:ローダミンB、ローダミン6G、ローダミン3B、ローダミン101、ローダミン110、ベーシックバイオレット11、スルホローダミン101等が挙げられる。無機系蛍光体材料としては、青色蛍光体として、Sr2P2O7:Sn4、Sr4Al14O25:Eu2、BaMgAl10O17:Eu2、SrGa2S4:Ce3、CaGa2S4:Ce3、Ba、SrMg、MnAl10O17:Eu2、Sr、Ca、Ba2、0Mg10PO46Cl2:Eu2、BaAl2SiO8:Eu2、Sr2P2O7:Eu2、Sr5PO43Cl:Eu2、Sr,Ca,Ba5PO43Cl:Eu2、BaMg2Al16O27:Eu2、Ba,Ca5PO43Cl:Eu2、Ba3MgSi2O8:Eu2、Sr3MgSi2O8:Eu2等が挙げられる。無機系蛍光体材料としては、緑色蛍光体として、BaMgAl16O27:Eu2,Mn2、Sr4Al14O25:Eu2、SrBaAl12Si2O8:Eu2、BaMg2SiO4:Eu2、Y2SiO5:Ce3,Tb3、Sr2P2O7-Sr2B2O5:Eu2、BaCaMg5PO43Cl:Eu2、Sr2Si3O8-2SrCl2:Eu2、Zr2SiO4、MgAl11O19:Ce3,Tb3、Ba2SiO4:Eu2、Sr2SiO4:Eu2、BaSrSiO4:Eu2等が挙げられる。無機系蛍光体材料としては、赤色蛍光体として、Y2O2S:Eu3、YAlO3:Eu3、Ca2Y2SiO46:Eu3、LiY9SiO46O2:Eu3、YVO4:Eu3、CaS:Eu3、Gd2O3:Eu3、Gd2O2S:Eu3、YP,VO4:Eu3、Mg4GeO5.5F:Mn4、Mg4GeO6:Mn4、K5Eu2.5WO46.25、Na5Eu2.5WO46.25、K5Eu2.5MoO46.25、Na5Eu2.5MoO46.25等が挙げられる。また、上記無機系蛍光体材料は、必要に応じて表面改質処理を施してもよく、その方法としてはシランカップリング剤等の化学的処理によるものや、サブミクロンオーダーの微粒子等の添加による物理的処理によるもの、さらに、それらの併用によるもの等が挙げられる。励起光による劣化、発光による劣化等の安定性を考慮すると、無機系蛍光体材料を使用することが好ましい。さらに、無機系蛍光体材料を用いる場合には、平均粒径d50が、0.5~50μmであることが好ましい。無機系蛍光体材料の平均粒径が0.5μm以下であると、蛍光体の発光効率が急激に低下する。また、無機系蛍光体材料の平均粒径50μmを超えると、平坦な膜を形成することが非常に困難となり、蛍光体層と、有機EL素子12との間に空隙ができてしまい有機EL素子12屈折率:約1.7と無機蛍光体層屈折率:約2.3との間の空隙屈折率:1.0、有機EL素子12からの光が効率よく蛍光体層に届かず、蛍光体層の発光効率が低下するという問題が生じる。また、蛍光体層は、上記の蛍光体材料と樹脂材料を溶剤に溶解、分散させた蛍光体層形成用塗液を用いて、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等による公知のウエットプロセス、上記の材料を抵抗加熱蒸着法、電子線EB蒸着法、分子線エピタキシーMBE法、スパッタリング法、有機気相蒸着OVPD法等の公知のドライプロセス、または、レーザー転写法等形成方法により形成することができる。また、蛍光体層は、高分子樹脂として、感光性の樹脂を用いることで、フォトリソグラフィー法により、パターニングが可能となる。ここで、感光性樹脂としては、アクリル酸系樹脂、メタクリル酸系樹脂、ポリ桂皮酸ビニル系樹脂、硬ゴム系樹脂等の反応性ビニル基を有する感光性樹脂光硬化型レジスト材料の一種類または複数種類の混合物を用いることが可能である。また、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、ディスペンサー法等のウエットプロセス、シャドーマスクを用いた抵抗加熱蒸着法、電子線EB蒸着法、分子線エピタキシーMBE法、スパッタリング法、有機気相蒸着OVPD法等の公知のドライプロセス、または、レーザー転写法等により蛍光体材料をダイレクトにパターニングすることも可能である。上記の蛍光体層の膜厚は、通常100nm~100μm程度であるが、1μm~100μmが好ましい。膜厚が100nm未満であると、光源からの発光を十分に吸収することが不可能であるため、発光効率の低下、必要とされる色に励起光の透過光が混じることによる色純度の劣化といった問題が生じる。さらに、光源からの発光の吸収を高め、色純度に悪影響を及ぼさない程度に励起光の透過光を低減するためには、膜厚として、1μm以上とすることが好ましい。また、膜厚が100μmを超えると、光源からの発光を既に十分に吸収することから、効率の上昇には繋がらず材料を消費するだけに留まり、材料コストの増加に繋がる。一方、青色蛍光体層の代わりとして光散乱層を適用する場合、光散乱粒子は、有機材料により構成されていてもよいし、無機材料により構成されていてもよいが、無機材料により構成されていることが好ましい。これにより、有機EL素子からの指向性を有する光を、より等方的に、効果的に拡散または散乱させることが可能となる。また、無機材料を使用することにより、光および熱に安定な光散乱層を提供することが可能となる。また、光散乱粒子としては、透明度が高いものであることが好ましい。また、樹脂材料と混合して用いる場合には、樹脂材料との屈折率比が上述した数値範囲に含まれるものであることが好ましい。光散乱粒子として、無機材料を用いる場合には、例えば、ケイ素、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、インジウム、亜鉛、錫、およびアンチモンからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属の酸化物を主成分とした粒子微粒子等が挙げられる。また、光散乱粒子として、無機材料により構成された粒子無機微粒子を用いる場合には、例えば、シリカビーズ屈折率:1.44、アルミナビーズ屈折率:1.63、酸化チタンビーズ屈折率アナタース型:2.50、ルチル型:2.70、酸化ジルコニアビーズ屈折率:2.05、酸化亜鉛ビーズ屈折率:2.00等が挙げられる。光散乱粒子として、有機材料により構成された粒子有機微粒子を用いる場合には、例えば、ポリメチルメタクリレートビーズ屈折率:1.49、アクリルビーズ屈折率:1.50、アクリル-スチレン共重合体ビーズ屈折率:1.54、メラミンビーズ屈折率:1.57、高屈折率メラミンビーズ屈折率:1.65、ポリカーボネートビーズ屈折率:1.57、スチレンビーズ屈折率:1.60、架橋ポリスチレンビーズ屈折率:1.61、ポリ塩化ビニルビーズ屈折率:1.60、ベンゾグアナミン-メラミンホルムアルデヒドビーズ屈折率:1.68、シリコーンビーズ屈折率:1.50等が挙げられる。上記の光散乱粒子と混合して用いる樹脂材料としては、透光性の樹脂であることが好ましい。また、樹脂材料としては、例えば、メラミン樹脂屈折率:1.57、ナイロン屈折率:1.53、ポリスチレン屈折率:1.60、メラミンビーズ屈折率:1.57、ポリカーボネート屈折率:1.57、ポリ塩化ビニル屈折率:1.60、ポリ塩化ビニリデン屈折率:1.61、ポリ酢酸ビニル屈折率:1.46、ポリエチレン屈折率:1.53、ポリメタクリル酸メチル屈折率:1.49、ポリMBS屈折率:1.54、中密度ポリエチレン屈折率:1.53、高密度ポリエチレン屈折率:1.54、テトラフルオロエチレン屈折率:1.35、ポリ三フッ化塩化エチレン屈折率:1.42、ポリテトラフルオロエチレン屈折率:1.35等が挙げられる。カラーフィルターとしては、公知のカラーフィルターを用いることができる。カラーフィルターを設けることによって、赤色画素、緑色画素、青色画素の色純度を高めることが可能となり、有機発光素子10の色再現範囲を拡大することができる。これにより、外光により、有機層18の発光が低減するのを防止することが可能となり、有機発光素子10のコントラストの低下を低減、防止することができる。カラーフィルターの厚さは、0.1μm~100μmであることが好ましい。有機EL素子12は、第一基板11の一方の面11a上に順に設けられた、第一電極画素電極17と、有機層発光層18と、第二電極19とから概略構成されている。すなわち、有機EL素子12は、第一基板11の一方の面11a上に、第一電極17および第二電極19からなる一対の電極と、これら一対の電極間に挟持された有機層18と、を備え、トップエミッション型の構造をなしている。第一電極画素電極17および第二電極対向電極19は、有機EL素子12の陽極または陰極として対で機能する。さらに、この構造には、微小共振器構造マイクロキャビティ構造を用いてもよく、微小共振器構造は、第一電極17と第二電極19との間の光学距離を調節することにより実現できる。第一電極17は、第一基板11の一方の面11aに設けられ、反射電極17Aと、反射電極17A上に設けられた透明電極17Bとから構成されている。そして、反射電極17Aと透明電極17Bからなる第一電極17のエッジ部端部が、エッジカバー13で覆われている。有機層18は、第一電極17側から第二電極19側に向かって順に積層された、正孔注入層18A、正孔輸送層18B、有機発光層18C、正孔防止層18D、電子輸送層18Eおよび電子注入層18Fから構成されている。正孔注入層18A、正孔輸送層18B、有機発光層18C、正孔防止層18D、電子輸送層18Eおよび電子注入層18Fは、それぞれ単層構造または多層構造のいずれであってもよい。また、正孔注入層18A、正孔輸送層18B、有機発光層18C、正孔防止層18D、電子輸送層18Eおよび電子注入層18Fは、それぞれ有機薄膜または無機薄膜のいずれであってもよい。正孔注入層18Aは、第一電極からの正孔の注入を効率よく行うものである。正孔輸送層18Bは、有機発光層18Cへの正孔の輸送を効率よく行うものである。電子輸送層18Eは、有機発光層18Cへの電子の輸送を効率よく行うものである。電子注入層18Fは、第二電極からの電子の注入を効率よく行うものである。正孔注入層18A、正孔輸送層18B、電子輸送層18Eおよび電子注入層18Fは、キャリア注入輸送層に該当する。なお、有機EL素子12は上記の構成に限定されるものではなく、有機層18が、有機発光層の単層構造であっても、有機発光層とキャリア注入輸送層の多層構造であってもよい。有機EL素子12の構成としては、具体的に、下記のものが挙げられる。1第一電極17と第二電極19の間に、有機発光層のみが設けられた構成2第一電極17側から第二電極19側に向かって、正孔輸送層および有機発光層がこの順に積層された構成3第一電極17側から第二電極19側に向かって、有機発光層および電子輸送層がこの順に積層された構成4第一電極17側から第二電極19側に向かって、正孔輸送層、有機発光層および電子輸送層がこの順に積層された構成5第一電極17側から第二電極19側に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層および電子輸送層がこの順に積層された構成6第一電極17側から第二電極19側に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層および電子注入層がこの順に積層された構成7第一電極17側から第二電極19側に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、正孔防止層および電子輸送層がこの順に積層された構成8第一電極17側から第二電極19側に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、正孔防止層、電子輸送層および電子注入層がこの順に積層された構成9第一電極17側から第二電極19側に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、電子防止層、有機発光層、正孔防止層、電子輸送層および電子注入層がこの順に積層された構成これら有機発光層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔防止層、電子防止層、電子輸送層および電子注入層の各層は、単層構造または多層構造のいずれであってもよい。また、有機発光層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔防止層、電子防止層、電子輸送層および電子注入層の各層は、それぞれ有機薄膜または無機薄膜のいずれであってもよい。第一基板11としては、例えば、ガラス、石英等からなる無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスチック基板、アルミナ等からなるセラミックス基板等の絶縁性基板、または、アルミニウムAl、鉄Fe等からなる金属基板、または、これらの基板の表面に酸化シリコンSiO2、有機絶縁材料等からなる絶縁物をコーティングした基板、アルミニウム等からなる金属基板の表面を陽極酸化等の方法で絶縁化処理を施した基板等が挙げられる。さらに、プラスチック基板に無機材料をコーティングした基板、金属基板に無機絶縁材料をコーティングした基板が好ましい。このような無機材料をコーティングした基板を用いることにより、プラスチック基板を有機発光素子の基板として用いた場合に最大の課題となる水分の透過による有機EL素子の劣化有機EL素子は、特に少量の水分に対しても劣化が起こることが知られている。を解消することが可能となる。また、金属基板を有機発光素子の基板として用いた場合の最大の問題となる金属基板の突起によるリークショート有機層の膜厚は、100~200nm程度と非常に薄いため、突起による画素部での電流にリークショートが、顕著に起こることが知られている。を解消することが可能となる。また、アクティブマトリックス駆動するためのTFT回路を形成する場合には、第一基板11としては、500°C以下の温度で融解せず、歪みも生じない基板を用いることが好ましい。また、一般的な金属基板は、ガラスと熱膨張率が異なるため、従来の生産装置を用いて金属基板上にTFT回路を形成することは困難であるが、線膨張係数が1×10-5/°C以下の鉄-ニッケル系合金である金属基板を用いて、線膨張係数をガラスに合わせ込むことにより、金属基板上にTFT回路を、従来の生産装置を用いて安価に形成することが可能となる。また、プラスチック基板の場合には、耐熱温度が非常に低いため、ガラス基板上にTFT回路を形成した後、プラスチック基板にガラス基板上のTFT回路を転写することにより、プラスチック基板上にTFT回路を転写形成することができる。さらに、第一基板11の厚さは、0.1mm~3mmであることが好ましい。第一基板11に形成されるTFT回路は、有機EL素子12を形成する前に、予め第一基板11の一方の面11aに形成され、スイッチング用および駆動用として機能する。本実施形態におけるTFT回路としては、例えば、公知のTFT回路が挙げられる。また、TFT回路の代わりに、金属-絶縁体-金属MIMダイオードを用いることもできる。アクティブ駆動型有機ELディスプレイ、有機発光素子に用いることが可能なTFT回路は、公知の材料、構造および形成方法を用いて形成することができる。TFT回路の活性層の材料としては、例えば、非晶質シリコンアモルファスシリコン、多結晶シリコンポリシリコン、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料、酸化亜鉛、酸化インジウム-酸化ガリウム-酸化亜鉛等の酸化物半導体材料、または、ポリチオフェン誘導体、チオフェンオリゴマー、ポリp-フェリレンビニレン誘導体、ナフタセン、ペンタセン等の有機半導体材料が挙げられる。また、TFT回路の構造としては、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。TFT回路を構成する活性層の形成方法としては、1プラズマ誘起化学気相成長PECVD法により成膜したアモルファスシリコンに不純物をイオンドーピングする方法、2シランSiH4ガスを用いた減圧化学気相成長LPCVD法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法、3Si2H6ガスを用いたLPCVD法またはSiH4ガスを用いたPECVD法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピングを行う方法低温プロセス、4LPCVD法またはPECVD法によりポリシリコン層を形成し、1000°C以上で熱酸化することによりゲート絶縁膜を形成し、その上に、nポリシリコンのゲート電極を形成し、その後、イオンドーピングを行う方法高温プロセス、5有機半導体材料をインクジェット法等により形成する方法、6有機半導体材料の単結晶膜を得る方法等が挙げられる。本実施形態におけるTFT回路のゲート絶縁膜は、公知の材料を用いて形成することができる。例えば、PECVD法、LPCVD法等により形成されたSiO2またはポリシリコン膜を熱酸化して得られるSiO2等が挙げられる。また、本実施形態におけるTFT回路の信号電極線、走査電極線、共通電極線、第一駆動電極および第二駆動電極は、公知の材料を用いて形成することができる。これら信号電極線、走査電極線、共通電極線、第一駆動電極および第二駆動電極の材料としては、例えば、タンタルTa、アルミニウムAl、銅Cu等が挙げられる。有機発光素子10のTFT回路は、上記のような構成で形成することができるが、本実施形態は、これらの材料、構造および形成方法に限定されるものではない。アクティブ駆動型の有機発光素子に用いることが可能な層間絶縁膜は、公知の材料を用いて形成することができる。層間絶縁膜の材料としては、例えば、酸化シリコンSiO2、窒化シリコンSiNまたはSi2N4、酸化タンタルTaOまたはTa2O5等の無機材料、または、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。また、層間絶縁膜の形成方法としては、化学気相成長CVD法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられる。また、必要に応じて、フォトリソグラフィー法等により、層間絶縁膜をパターニングすることもできる。有機層18からの発光を第二基板14側から取り出すトップエミッション型の構造では、外光が第一基板11の一方の面11aに形成されたTFT回路に入射して、TFT回路の特性に変化が生じることを防ぐ目的で、遮光性を兼ね備えた遮光性絶縁膜を形成することが好ましい。また、上記の層間絶縁膜と遮光性絶縁膜を組み合わせて用いることもできる。遮光性絶縁膜の材料としては、例えば、フタロシアニン、キナクロドン等の顔料または染料をポリイミド等の高分子樹脂に分散したもの、カラーレジスト、ブラックマトリクス材料、NixZnyFe2O4等の無機絶縁材料等が挙げられるが、本実施形態はこれらの材料および形成方法に限定されるものではない。有機発光素子10をアクティブ駆動型とし、第一基板11の一方の面11aにTFT回路を形成した場合には、その表面に凹凸が形成され、この凹凸によって有機EL素子12の欠陥例えば、第一電極17の欠損、有機層18の欠損、第二電極19の断線、第一電極17と第二電極19の短絡、耐圧の低下等等が発生するおそれがある。これらの欠陥を防止するために、層間絶縁膜上に平坦化膜を設けてもよい。このような平坦化膜は、公知の材料を用いて形成することができる。平坦化膜の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化タンタル等の無機材料、ポリイミド、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。平坦化膜の形成方法としては、例えば、CVD法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセス等が挙げられるが、本実施形態はこれらの材料および形成方法に限定されるものではない。また、平坦化膜は、単層構造または多層構造のいずれであってもよい。第一電極画素電極17および第二電極対向電極19は、有機EL素子12の陽極または陰極として対で機能する。つまり、第一電極17を陽極とした場合、第二電極19は陰極となり、第一電極17を陰極とした場合、第二電極19は陽極となる。第一電極17および第二電極19を形成する電極材料としては、公知の電極材料を用いることができる。陽極を形成する電極材料としては、有機層18への正孔の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が4.5eV以上の金Au、白金Pt、ニッケルNi等の金属、および、インジウムInと錫Snからなる酸化物ITO、錫Snの酸化物SnO2、インジウムInと亜鉛Znからなる酸化物IZO等の透明電極材料等が挙げられる。また、陰極を形成する電極材料としては、有機層18への電子の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が4.5eV以下のリチウムLi、カルシウムCa、セリウムCe、バリウムBa、アルミニウムAl等の金属、または、これらの金属を含有するMg:Ag合金、Li:Al合金等の合金が挙げられる。第一電極17および第二電極19は、上記の材料を用いて、例えば、EB蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができるが、本実施形態はこれらの形成方法に限定されるものではない。また、必要に応じて、フォトリソグラフフィー法、レーザー剥離法により形成した電極をパターニングすることもでき、シャドーマスクと組み合わせることで直接パターニングした電極を形成することもできる。第一電極17および第二電極19の膜厚は、50nm以上が好ましい。膜厚が50nm未満の場合には、配線抵抗が高くなることから、駆動電圧の上昇が生じるおそれがある。有機発光素子10の色純度の向上、発光効率の向上、正面輝度の向上等の目的でマイクロキャビティ効果を用いる場合、有機層18からの発光を第二基板14側から取り出すトップエミッション型の構造では、第一電極17としては、反射電極17Aと透明電極17Bからなり、光を反射する反射率の高い反射電極を用いることが好ましい。また、有機層18からの発光を第二基板14側から取り出すトップエミッション型の構造では、第二電極19として半透明電極を用いることが好ましい。第一電極17を構成する反射電極17Aとしては、例えば、アルミニウム、銀、金、アルミニウム-リチウム合金、アルミニウム-ネオジウム合金およびアルミニウム-シリコン合金等の反射性金属電極が挙げられる。第一電極17を構成する透明電極17Bとしては、例えば、インジウムと錫からなる酸化物ITO、錫の酸化物インジウムと亜鉛からなる酸化物IZO等の透明電極材料からなるものが挙げられる。なお、第一電極17は上記の構成に限定されるものではなく、上記の反射性金属電極のみから構成されていてもよい。第二電極半透明電極19としては、金属の半透明電極単体、もしくは、金属の半透明電極と透明電極材料を組み合わせたものを用いることができる。特に、半透明電極の材料としては、反射率と透過率の観点から、銀が好ましい。半透明電極の膜厚は、5~30nmが好ましい。半透明電極の膜厚が5nm未満の場合には、光の反射が十分行えず、干渉の効果を十分得るとこができない。また、半透明電極の膜厚が30nmを超える場合には、光の透過率が急激に低下することから、有機発光素子10の輝度および発光効率が低下するおそれがある。第一電極17と第二電極19により微小共振器構造が構成されると、第一電極17と第二電極19との干渉効果により、有機層18の発光を正面方向光取り出し方向に集光することができる。その際、有機層18の発光に指向性を持たせることができるため、周囲に逃げる発光損失を低減することができ、その発光効率を高めることができる。これにより、有機層18で生じる発光エネルギーをより効率良く、隔壁16の開口部光取出部16b側へ伝搬することができ、ひいては、有機発光素子10の正面輝度を高めることができる。また、第一電極17と第二電極19により構成される微小共振器構造によれば、有機層18の発光スペクトルを調整することも可能となり、所望の発光ピーク波長および半値幅に調整することができる。これにより、隔壁16の開口部光取出部16bに蛍光体層を設けた場合、有機層18の発光スペクトルを、蛍光体層中の蛍光体を効果的に励起することが可能なスペクトルに制御することができる。なお、第二電極19として半透明電極を用いることによって、蛍光体層の光取り出し方向とは反対方向に放出される光を再利用することもできる。電荷注入輸送層は、電荷正孔、電子の電極からの注入と発光層への輸送注入をより効率よく行う目的で、電荷注入層正孔注入層18A、電子注入層18Fと電荷輸送層正孔輸送層18B、電子輸送層18Eに分類され、以下に例示する電荷注入輸送材料のみから構成されていてもよく、任意に添加剤ドナー、アクセプター等等を含んでいてもよく、これらの材料が高分子材料結着用樹脂または無機材料中に分散された構成であってもよい。電荷注入輸送材料としては、有機EL素子用、有機光導電体用の公知の電荷注入輸送材料を用いることができる。このような電荷注入輸送材料は、正孔注入輸送材料および電子注入輸送材料に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。正孔注入層18Aおよび正孔輸送層18Bの材料としては、公知のものが用いられ、酸化バナジウムV2O5、酸化モリブデンMoO2等の酸化物や無機p型半導体材料;ポルフィリン化合物、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ビスフェニル-ベンジジンTPD、N,N’-ジナフタレン-1-イル-N,N’-ジフェニル-ベンジジンα-NPD、4,4’,4-トリスカルバゾール-9-イルトリフェニルアミンTCTA、N,N-ジカルバゾリル-3,5-ベンゼンm-CP、4,4’-シクロヘキサン-1,1-ジイルビスN,N-ジ-p-トリルアニリンTAPC、2,2’-ビスN,N-ジフェニルアミン-9,9’-スピロビフルオレンDPAS、N1,N1’-ビフェニル-4,4’-ジイルビスN1-フェニル-N4,N4-ジ-m-トリルベンゼン-1,4-ジアミンDNTPD、N3,N3,N3’,N3’-テトラ-p-トリル-[1,1’:2’,1:2,1’-クォーターフェニル]-3,3’-ジアミンBTPD、4,4’-ジフェニルシランジイルビスN,N-ジ-p-トリルアニリンDTASi、2,2-ビス4-カルバゾール-9-イルフェニルアダマンティンAd-Cz等の芳香族第三級アミン化合物;ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン化合物等の低分子含窒素化合物;ポリアニリンPANI、ポリアニリン-樟脳スルホン酸PANI-CSA、3,4-ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンサルフォネイトPEDOT/PSS、ポリトリフェニルアミン誘導体Poly-TPD、ポリビニルカルバゾールPVCz、ポリp-フェニレンビニレンPPV、ポリp-ナフタレンビニレンPNV等の高分子化合物;2-メチル-9,10-ビスナフタレン-2-イルアントラセンMADN等の芳香族炭化水素化合物等が挙げられる。正孔注入層18Aの材料としては、陽極からの正孔の注入および輸送をより効率よく行う観点から、正孔輸送層18Bの材料よりも、最高被占分子軌道HOMOのエネルギー準位が低い材料を用いることが好ましい。また、正孔輸送層18Bの材料としては、正孔注入層18Aの材料よりも、正孔の移動度が高い材料を用いることが好ましい。正孔注入層18Aおよび正孔輸送層18Bは、任意に添加剤ドナー、アクセプター等等を含んでいてもよい。そして、正孔の注入性および輸送性をより向上させるためには、正孔注入層18Aおよび正孔輸送層18Bは、アクセプターを含むことが好ましい。アクセプターとしては、有機EL素子向けの公知のアクセプター材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。アクセプターは、無機材料または有機材料のいずれであってもよい。無機材料としては、金Au、白金Pt、タングステンW、イリジウムIr、オキシ塩化リンPOCl3、六フッ化ヒ酸イオンAsF6-、塩素Cl、臭素Br、ヨウ素I、酸化バナジウムV2O5、酸化モリブデンMoO2等が挙げられる。有機材料としては、7,7,8,8,-テトラシアノキノジメタンTCNQ、テトラフルオロテトラシアノキノジメタンTCNQF4、テトラシアノエチレンTCNE、ヘキサシアノブタジエンHCNB、ジシクロジシアノベンゾキノンDDQ等のシアノ基を有する化合物;トリニトロフルオレノンTNF、ジニトロフルオレノンDNF等のニトロ基を有する化合物;フルオラニル;クロラニル;ブロマニル等が挙げられる。これらの中でも、正孔濃度を増加させる効果がより高いことから、TCNQ、TCNQF4、TCNE、HCNB、DDQ等のシアノ基を有する化合物が好ましい。正孔注入層18Aの膜厚は、1~500nmであることが好ましい。正孔輸送層18Bの膜厚は、5~500nmであることが好ましい。有機発光層18Cは、以下に例示する有機発光材料のみから構成されていてもよく、発光性のドーパントとホスト材料の組み合わせから構成されていてもよく、任意に正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤ドナー、アクセプター等等を含んでいてもよい。また、これらの各材料が高分子材料結着用樹脂または無機材料中に分散された構成であってもよい。発光効率および耐久性の観点からは、有機発光層18Cの材質は、ホスト材料中に発光性のドーパントが分散されたものが好ましい。有機発光材料としては、有機EL素子向けの公知の発光材料を用いることができる。このような発光材料は、低分子発光材料、高分子発光材料等に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。また、有機発光材料は、蛍光材料、燐光材料等に分類されるものでもよく、低消費電力化の観点から、発光効率の高い燐光材料を用いることが好ましい。有機発光層18Cに用いられる低分子発光材料ホスト材料を含むとしては、4,4’-ビス2,2’-ジフェニルビニル-ビフェニルDPVBi等の芳香族ジメチリデン化合物;5-メチル-2-[2-[4-5-メチル-2-ベンゾオキサゾリルフェニル]ビニル]ベンゾオキサゾール等のオキサジアゾール化合物;3-4-ビフェニル-4-フェニル-5-t-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾールTAZ等のトリアゾール誘導体;1,4-ビス2-メチルスチリルベンゼン等のスチリルベンゼン化合物;チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍光性有機材料;アゾメチン亜鉛錯体、8-ヒドロキシキノリナトアルミニウム錯体Alq3等の蛍光発光有機金属錯体;BeBqビスベンゾキノリノラトベリリウム錯体;4,4’-ビス-2,2-ジ-p-トリル-ビニル-ビフェニルDTVBi;トリス1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオノモノフェナントロリンEuIIIEuDBM3Phen;ジフェニルエチレン誘導体;トリス[4-9-フェニルフルオレン-9-イルフェニル]アミンTFTPA等のトリフェニルアミン誘導体;ジアミノカルバゾール誘導体;ビススチリル誘導体;芳香族ジアミン誘導体;キナクリドン系化合物;ペリレン系化合物;クマリン系化合物;ジスチリルアリーレン誘導体DPVBi;オリゴチオフェン誘導体BMA-3T;4,4’-ジトリフェニルシリル-ビフェニルBSB、ジフェニル-ジo-トリルシランUGH1、1,4-ビストリフェニルシリルベンゼンUGH2、1,3-ビストリフェニルシリルベンゼンUGH3、トリフェニル-4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニルシランTPSi-F等のシラン誘導体;9,9-ジ4-ジカルバゾール-ベンジルフルオレンCPF、3,6-ビストリフェニルシリルカルバゾールmCP、4,4’-ビスカルバゾール-9-イルビフェニルCBP、4,4’-ビスカルバゾール-9-イル-2,2’-ジメチルビフェニルCDBP、N,N-ジカルバゾリル-3,5-ベンゼンm-CP、3-ジフェニルホスホリル-9-フェニル-9H-カルバゾールPPO1、3,6-ジ9-カルバゾリル-9-2-エチルヘキシルカルバゾールTCz1、9,9’-5-トリフェニルシリル-1,3-フェニレンビス9H-カルバゾールSimCP、ビス3,5-ジ9H-カルバゾール-9-イルフェニルジフェニルシランSimCP2、3-ジフェニルホスホリル-9-4-ジフェニルホスホリルフェニル-9H-カルバゾールPPO21、2,2-ビス4-カルバゾリルフェニル-1,1-ビフェニル4CzPBP、3,6-ビスジフェニルホスホリル-9-フェニル-9H-カルバゾールPPO2、9-4-tert-ブチルフェニル-3,6-ビストリフェニルシリル-9H-カルバゾールCzSi、3,6-ビス[3,5-ジフェニルフェニル]-9-フェニル-カルバゾールCzTP、9-4-tert-ブチルフェニル-3,6-ジトリチル-9H-カルバゾールCzC、9-4-tert-ブチルフェニル-3,6-ビス9-4-メトキシフェニル-9H-フルオレン-9-イル-9H-カルバゾールDFC、2,2’-ビス4-カルバゾール-9-イルフェニル-ビフェニルBCBP、9,9’-2,6-ジフェニルベンゾ[1,2-b:4,5-b’]ジフラン-3,7-ジイルビス4,1-フェニレンビス9H-カルバゾールCZBDF等のカルバゾール誘導体;4-ジフェニルフォスフォイル-N,N-ジフェニルアニリンHM-A1等のアニリン誘導体;1,3-ビス9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルベンゼンmDPFB、1,4-ビス9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルベンゼンpDPFB、2,7-ビスカルバゾール-9-イル-9,9-ジメチルフルオレンDMFL-CBP、2-[9,9-ジ4-メチルフェニル-フルオレン-2-イル]-9,9-ジ4-メチルフェニルフルオレンBDAF、2-9,9-スピロビフルオレン-2-イル-9,9-スピロビフルオレンBSBF、9,9-ビス[4-ピレニルフェニル]-9H-フルオレンBPPF、2,2’-ジピレニル-9,9-スピロビフルオレンSpiro-Pye、2,7-ジピレニル-9,9-スピロビフルオレン2,2’-Spiro-Pye、2,7-ビス[9,9-ジ4-メチルフェニル-フルオレン-2-イル]-9,9-ジ4-メチルフェニルフルオレンTDAF、2,7-ビス9,9-スピロビフルオレン-2-イル-9,9-スピロビフルオレンTSBF、9,9-スピロビフルオレン-2-イル-ジフェニル-フォスフィンオキサイドSPPO1等のフルオレン誘導体;1,3-ジピレン-1-イルベンゼンm-Bpye等のピレン誘導体;プロパン-2,2’-ジイルビス4,1-フェニレンジベンゾエートMMA1等のベンゾエート誘導体;4,4’-ビスジフェニルフォスフィンオキサイドビフェニルPO1、2,8-ビスジフェニルフォスフォリルジベンゾ[b,d]チオフェンPPT等のフォスフィンオキサイド誘導体;4,4-ジトリフェニルシリル-p-ターフェニルBST等のターフェニル誘導体;2,4-ビスフェノキシ-6-3-メチルジフェニルアミノ-1,3,5-トリアジンBPMT等トリアジン誘導体等が挙げられる。有機発光層18Cに用いられる高分子発光材料としては、ポリ2-デシルオキシ-1,4-フェニレンDO-PPP、ポリ[2,5-ビス-[2-N,N,N-トリエチルアンモニウムエトキシ]-1,4-フェニル-アルト-1,4-フェニルレン]ジブロマイドPPP-NEt3、ポリ[2-2’-エチルヘキシルオキシ-5-メトキシ-1,4-フェニレンビニレン]MEH-PPV、ポリ[5-メトキシ-2-プロパノキシサルフォニド-1,4-フェニレンビニレン]MPS-PPV、ポリ[2,5-ビス-ヘキシルオキシ-1,4-フェニレン-1-シアノビニレン]CN-PPV等のポリフェニレンビニレン誘導体;ポリ9,9-ジオクチルフルオレンPDAF等のポリスピロ誘導体;ポリN-ビニルカルバゾールPVK等のカルバゾール誘導体等が挙げられる。有機発光材料は、低分子発光材料が好ましく、低消費電力化の観点から、発光効率の高い燐光材料を用いることが好ましい。有機発光層18Cに用いられる発光性のドーパントとしては、有機EL素子用の公知のドーパントを用いることができる。このようなドーパントとしては、紫外発光材料であれば、p-クォーターフェニル、3,5,3,5-テトラ-tert-ブチルセクシフェニル、3,5,3,5-テトラ-tert-ブチル-p-クィンクフェニル等の蛍光発光材料等が挙げられる。また、青色発光材料であれば、スチリル誘導体等の蛍光発光材料;ビス[4,6-ジフルオロフェニル-ピリジナト-N,C2’]ピコリネートイリジウムIIIFIrpic、ビス4’,6’-ジフルオロフェニルポリジナトテトラキス1-ピラゾイルボレートイリジウムIIIFIr6等の燐光発光有機金属錯体等が挙げられる。また、緑色発光材料であれば、トリス2-フェニルピリジナートイリジウムIrppy3等の燐光発光有機金属錯体等が挙げられる。有機発光層18Cの膜厚は、5~500nmであることが好ましい。正孔防止層18D、電子輸送層18Eおよび電子注入層18Fの材料としては、公知のものが用いられ、低分子材料であれば、n型半導体である無機材料;1,3-ビス[2-2,2’-ビピリジン-6-イル-1,3,4-オキサジアゾ-5-イル]ベンゼンBpy-OXD、1,3-ビス5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾールー2-イルベンゼンOXD7等のオキサジアゾール誘導体;3-4-ビフェニル-4-フェニル-5-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾールTAZ等のトリアゾール誘導体;チオピラジンジオキシド誘導体;ベンゾキノン誘導体;ナフトキノン誘導体;アントラキノン誘導体;ジフェノキノン誘導体;フルオレノン誘導体;ベンゾジフラン誘導体;8-ヒドロキシキノリノラート-リチウムLiq等のキノリン誘導体;2,7-ビス[2-2,2’-ビピリジン-6-イル-1,3,4-オキサジアゾ-5-イル]-9,9-ジメチルフルオレンBpy-FOXD等のフルオレン誘導体;1,3,5-トリ[3-ピリジル-フェン-3-イル]ベンゼンTmPyPB、1,3,5-トリ[3-ピリジル-フェン-3-イル]ベンゼンTpPyPB等のベンゼン誘導体;2,2’,2-1,3,5-ベンジントリイル-トリス1-フェニル-1-H-ベンゾイミダゾールTPBI等のベンゾイミダゾール誘導体;3,5-ジピレン-1-イルピリジンPY1等のピリジン誘導体;3,3’,5,5’-テトラ[m-ピリジル-フェン-3-イル]ビフェニルBP4mPy等のビフェニル誘導体;4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBPhen、2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBCP等のフェナントロリン誘導体;トリス2,4,6-トリメチル-3-ピリジン-3-イルフェニルボラン3TPYMB等のトリフェニルボラン誘導体;ジフェニルビス4-ピリジン-3-イルフェニルシランDPPS等のテトラフェニルシラン誘導体等が挙げられ、高分子材料であれば、ポリオキサジアゾールPoly-OXZ、ポリスチレン誘導体PSS等が挙げられる。特に、電子注入層17Fの材料としては、フッ化リチウムLiF、フッ化バリウムBaF2等のフッ化物;酸化リチウムLi2O等の酸化物等が挙げられる。電子注入層18Fの材料としては、陰極からの電子の注入および輸送をより効率よく行う観点から、電子輸送層18Eの材料よりも最低空分子軌道LUMOのエネルギー準位が高い材料を用いることが好ましい。また、電子輸送層18Eの材料としては、電子注入層18Fの材料よりも、電子の移動度が高い材料を用いることが好ましい。電子輸送層18Eおよび電子注入層18Fは、任意に添加剤ドナー、アクセプター等等を含んでいてもよい。そして、電子の輸送性および注入性をより向上させるためには、電子輸送層18Eおよび電子注入層18Fは、ドナーを含むことが好ましい。ドナーとしては、有機EL素子用の公知のドナー材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。ドナーは、無機材料または有機材料のいずれであってもよい。無機材料としては、リチウム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属;マグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属;希土類元素;アルミニウムAl;銀Ag;銅Cu;インジウムIn等が挙げられる。有機材料としては、芳香族3級アミン骨格を有する化合物、フェナントレン、ピレン、ペリレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン等の置換基を有していてもよい縮合多環化合物、テトラチアフルバレンTTF類、ジベンゾフラン、フェノチアジン、カルバゾール等が挙げられる。芳香族3級アミン骨格を有する化合物としては、アニリン類;フェニレンジアミン類;N,N,N’,N’-テトラフェニルベンジジン、N,N’-ビス-3-メチルフェニル-N,N’-ビス-フェニル-ベンジジン、N,N’-ジナフタレン-1-イル-N,N’-ジフェニル-ベンジジン等のベンジジン類;トリフェニルアミン、4,4’4-トリスN,N-ジフェニル-アミノ-トリフェニルアミン、4,4’4-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ-トリフェニルアミン、4,4’4-トリスN-1-ナフチル-N-フェニル-アミノ-トリフェニルアミン等のトリフェニルアミン類;N,N’-ジ-4-メチル-フェニル-N,N’-ジフェニル-1,4-フェニレンジアミン等のトリフェニルジアミン類等が挙げられる。上記の縮合多環化合物が置換基を有するとは、縮合多環化合物中の1つ以上の水素原子が、水素原子以外の基置換基で置換されていることを指し、置換基の数は特に限定されず、全ての水素原子が置換基で置換されていてもよい。そして、置換基の位置も特に限定されない。置換基としては、炭素数1~10のアルキル基、炭素数1~10のアルコキシ基、炭素数2~10のアルケニル基、炭素数2~10のアルケニルオキシ基、炭素数6~15のアリール基、炭素数6~15のアリールオキシ基、水酸基、ハロゲン原子等が挙げられる。アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状または環状のいずれであってもよい。直鎖状または分枝鎖状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert-ペンチル基、1-メチルブチル基、n-ヘキシル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、2,2-ジメチルブチル基、2,3-ジメチルブチル基、n-ヘプチル基、2-メチルヘキシル基、3-メチルヘキシル基、2,2-ジメチルペンチル基、2,3-ジメチルペンチル基、2,4-ジメチルペンチル基、3,3-ジメチルペンチル基、3-エチルペンチル基、2,2,3-トリメチルブチル基、n-オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。環状のアルキル基は、単環状または多環状のいずれであってもよく、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、1-アダマンチル基、2-アダマンチル基、トリシクロデシル基等が挙げられる。アルコキシ基としては、アルキル基が酸素原子に結合した一価の基が挙げられる。アルケニル基としては、炭素数が2~10のアルキル基において、炭素原子間の1つの単結合C-Cが二重結合C=Cに置換されたものが挙げられる。アルケニルオキシ基としては、アルケニル基が酸素原子に結合した一価の基が挙げられる。アリール基は、単環状または多環状のいずれであってもよく、環員数は特に限定されず、好ましいものとしては、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基等が挙げられる。アリールオキシ基としては、アリール基が酸素原子に結合した一価の基が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。これらの中でも、ドナーとしては、電子濃度を増加させる効果がより高いことから、芳香族3級アミン骨格を有する化合物、置換基を有していてもよい縮合多環化合物、アルカリ金属が好ましい。電子輸送層18Eの膜厚は、5~500nmであることが好ましい。電子注入層18Fの膜厚は、0.1~100nmであることが好ましい。なお、有機層18を構成する各層の材料について説明したが、例えば、ホスト材料は正孔輸送材料または電子輸送材料としても使用でき、正孔輸送材料および電子輸送材料もホスト材料として使用できる。エッジカバー13自体、隔壁16自体を形成する材料以下、隔壁材料と言う。、あるいは、エッジカバー13の側面13aや隔壁16の側面16aに設けられた光散乱層光散乱膜を形成する材料以下、光散乱膜材料と言う。としては、樹脂と光散乱性粒子を含む材料が用いられる。樹脂としては、例えば、アクリレート樹脂、メラミン樹脂、ナイロン、ポリスチレン、メラミンビーズ、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、ポリエチレン、ポリメタクリル酸メチル、ポリMBS、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、テトラフルオロエチレン、ポリ三フッ化塩化エチレン、ポリテトラフルオロエチレン等が挙げられる。光散乱性粒子は、無機材料または有機材料のいずれであってもよい。光散乱性粒子として、無機材料を用いる場合には、例えば、ケイ素、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、インジウム、亜鉛、錫およびアンチモンからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属の酸化物を主成分とした粒子微粒子等が挙げられる。また、光散乱性粒子として、無機材料により構成された粒子無機微粒子を用いる場合には、例えば、シリカビーズ、アルミナビーズ、酸化チタンビーズ、酸化ジルコニアビーズ、酸化亜鉛ビーズ、チタン酸バリウムBaTiO3等が挙げられる。光散乱性粒子として、有機材料により構成された粒子有機微粒子を用いる場合には、例えば、ポリメチルメタクリレートビーズ、アクリルビーズ、アクリル-スチレン共重合体ビーズ、メラミンビーズ、高屈折率メラミンビーズ、ポリカーボネートビーズ、スチレンビーズ、架橋ポリスチレンビーズ、ポリ塩化ビニルビーズ、ベンゾグアナミン-メラミンホルムアルデヒドビーズ、シリコーンビーズ等が挙げられる。エッジカバー13や隔壁16において、効果的に光を散乱させるためには、光散乱性粒子の粒径がミー散乱の領域にあることが必要であるので、光散乱性粒子の粒径は100nm~500nmであることが好ましい。また、隔壁材料および光散乱膜材料は、光重合開始剤、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、1-2-メトキシ-2-メチルエトキシ-2-プロパノール等の消泡剤レベリング剤を含んでいてもよい。さらに、隔壁材料および光散乱膜材料は、白色レジストを含んでいることが好ましい。白色レジストとしては、例えば、芳香環を有しないカルボキシル基含有樹脂、光重合開始剤、水添エポキシ化合物、ルチル型酸化チタンおよび希釈剤を含む材料が挙げられる。隔壁材料を構成する樹脂としてアルカリ可溶性樹脂を選択し、白色レジストを添加することによって、隔壁材料をフォトレジスト化することができ、隔壁をフォトリソグラフィー法によってパターニングすることが可能となる。エッジカバー13の側面13aや隔壁16の側面16aに光散乱層を設ける場合、その光散乱層の膜厚は、300nm~500μmであることが好ましい。このようにエッジカバー13自体、隔壁16自体を上記の隔壁材料で形成するか、あるいは、エッジカバー13の側面13aや隔壁16の側面16aに光散乱層を設けることにより、有機層18から発せられた指向性を有する光を、より等方的に、効果的に拡散または散乱させることが可能となる。また、光散乱性粒子として無機材料を用いることにより、光および熱に安定な隔壁または光散乱層を形成することができる。また、エッジカバー13および隔壁16は、上記のような材料で形成されているので、有機EL素子12の積層方向に沿った側面が絶縁性を有している。したがって、エッジカバー13により、第一電極17と第二電極19が短絡することがない。エッジカバー13や隔壁16の形状は、例えば、出射基板第二基板14側よりも入射基板第一基板11側において、開口部が広くなるような、テーパー形状が望ましいが、錘状形状や強テーパー形状などの構造でもよく、本発明はこれに限定されない。第二基板14としては、光透過性の高いものが用いられ、例えば、ガラス、石英等からなる無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスチック基板等が挙げられる。第二基板14の厚さは、0.1mm~3mmであることが好ましい。有機発光素子10によれば、有機EL素子12の側面を囲み、画素を区画するエッジカバー13が、有機EL素子12の積層方向に沿った側面のうち、有機層18と対向する側面13aが光散乱性を有する構成をなし、かつ、隔壁16が、有機EL素子12の積層方向に沿った側面のうち、色変換層15と対向する側面16aが光散乱性を有する構成をなしているので、有機層18から発せられた指向性を有する光を、より等方的に、効果的に拡散または散乱させることが可能となる。したがって、有機発光素子10は、消費電力を大きくすることなく、光の取り出し効率に優れたものとなる。有機発光素子の製造方法次に、有機発光素子10の製造方法の概略を説明するが、本実施形態は、この製造方法に限定されるものではない。第一電極の形成第一基板11の一方の面11aに、スパッタリング法、真空蒸着法等により反射電極17Aを形成する。次いで、反射電極17Aの上に、スパッタリング法、真空蒸着法等により透明電極17Bを形成する。次いで、フォトリソグラフィー法により、反射電極17Aと透明電極17Bの積層体を、所定の幅のストライプにパターニングして、第一電極17を形成する。エッジカバーの形成樹脂、光散乱性粒子、光重合開始剤および芳香族系溶剤からなる白色感光性組成物を攪拌混合して、白色のネガ型レジストを調製する。次いで、スピンコーティング法により、第一基板11の一方の面11a上および第一基板11の一方の面11aに形成された第一電極17上にネガ型レジストを塗布する。この際、第一電極17のエッジ部端部において、第一電極17と第二電極17の間でリークを起こすことを防止する目的で、第一電極17のエッジ部端部を覆うように、ネガ型レジストを塗布する。次いで、第一電極17に塗布したネガ型レジストを乾燥して、第一電極17上に塗膜を形成する。次いで、フォトリソグラフィー法により、塗膜を所定の形状にパターニングして、エッジカバー13を形成する。有機層の形成エッジカバー13が設けられた第一基板11の第一電極17上に、正孔注入層18A、正孔輸送層18B、有機発光層18C、正孔防止層18D、電子輸送層18Eおよび電子注入層18Fをこの順に積層し、有機層18を形成する。有機層18を構成する各層の形成方法としては、公知のウエットプロセス、ドライプロセス、レーザー転写法等が用いられる。ウエットプロセスとしては、上記の各層を構成する材料を溶媒に溶解または分散させた液体を用いる、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法;インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等が挙げられる。上記の塗布法や印刷法に用いられる液体は、レベリング剤、粘度調整剤等、液体の物性を調整するための添加剤を含んでいてもよい。ドライプロセスとしては、上記の各層を構成する材料を用いる、抵抗加熱蒸着法、電子線EB蒸着法、分子線エピタキシーMBE法、スパッタリング法、有機気相蒸着OVPD法等が用いられる。第二電極の形成有機層18上に、スパッタリング法、真空蒸着法等により半透明電極からなる第二電極19を形成する。次いで、フォトリソグラフィー法により、第二電極19を、第一電極17のストライプパターンに対向するように、所定の幅のストライプにパターニングする。隔壁の形成エッジカバー13の形成と同様にして、第二基板14の一方の面14aに形成された色変換層15を囲むように、第二基板14の一方の面14aに隔壁16を形成する。第一基板と第二基板の接合上述のようにして作製した有機EL素子12が形成された第一基板11と、第二基板14とを、エッジカバー13と隔壁16を介して接合する。第一基板11と第二基板14を接合するには、例えば、エッジカバー13における第二基板14側の面に熱硬化性の接着剤を塗布し、この接着剤を介して、エッジカバー13と隔壁16を密着させた後、加熱して、接着剤を硬化させる。熱硬化性の接着剤としては、エアロゲル接着剤、アクリル系接着剤、シリコン系接着剤等が用いられる。これにより、有機発光素子10が得られる。また、第二基板14上において隔壁16が占める面積が、第一基板11上においてエッジカバー13が占める面積よりも広いことが好ましい。これより、第一基板11と第二基板14の位置ずれが生じた場合においても、第一基板11のエッジカバー13と第二基板14の隔壁16により散乱が生じ、発光効率が大きく低下することなく、輝度ムラが存在しない光を開口部から取り出せる。有機発光素子10の製造方法によれば、エッジカバー13を形成する工程および隔壁16を形成する工程において、上記のネガ型レジストを用いるので、所定の形状のエッジカバー13および隔壁16を容易に形成することができる。なお、本実施形態では、エッジカバー13を形成する工程および隔壁16を形成する工程において、エッジカバー13自体および隔壁16自体を、ネガ型レジストを用いて形成する場合を例示したが、本実施形態はこれに限定されるものではない。本実施形態にあっては、エッジカバー13を形成した後、エッジカバー13の側面13aにネガ型レジストを用いて光散乱層を形成してもよく、隔壁16を形成した後、隔壁16の側面16aにネガ型レジストを用いて光散乱層を形成してもよい。2第二実施形態有機発光素子図3は、本発明に係る有機発光素子の第二実施形態を示す概略断面図である。図3において、図1に示した有機発光素子10と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。有機発光素子20は、TFT薄膜トランジスタ回路図示略を備えた第一基板11と、第一基板11の一方の面11aに設けられた有機EL素子12と、有機EL素子12と対向配置され、一方の面14aにカラーフィルター21が設けられた第二基板14と、カラーフィルター21の第二基板14と接している面とは反対側の面以下、一方の面と言う。21aに設けられた低屈折率層22と、低屈折率層22のカラーフィルター21と接している面とは反対側の面以下、一方の面と言う。22aに設けられた波長変換層23と、第一基板11の一方の面11aに設けられ、有機EL素子12の側面を囲み、画素を区画するエッジカバー13と、第二基板14の一方の面14aに、黒色隔壁24を介して設けられ、低屈折率層22および波長変換層23の側面を囲み、画素を区画する隔壁16と、第一基板11に設けられたエッジカバー13と第二基板14に設けられた隔壁16との間に介在し、これら第一基板11と第二基板14を接合する接着層25とから概略構成されている。エッジカバー13は、有機EL素子12の積層方向に沿った側面の少なくとも一部が光散乱性を有している。エッジカバー13の構成としては、具体的には、有機EL素子12の積層方向に沿った側面のうち、有機層18と対向する側面13aが光散乱性を有する構成が挙げられる。隔壁16は、有機EL素子12の積層方向に沿った側面の少なくとも一部が光散乱性を有している。隔壁16の構成としては、具体的には、有機EL素子12の積層方向に沿った側面のうち、低屈折率層22および波長変換層23と対向する側面16aが光散乱性を有する構成が挙げられる。カラーフィルター21、波長変換層23としては、上述の第一実施形態と同様のものが用いられる。低屈折率層22は、第二基板14の一方の面14aに設けられ、有機層18から発光し、第二基板14に入射する光の入射角を小さくする性質を有する層である。有機層18から発光する光を、低屈折率層22を透過させることによって、第二基板14に入射する光の入射角が小さくなり、第二基板14に入射した光を外部に確実に取り出すことが可能となる。これにより、有機発光素子20から、非常に効率良く蛍光を外部に取り出すことが可能となる。低屈折率層22は、光の屈折率が1.01~1.30の範囲である透明材料で形成されたものである。低屈折率層22の屈折率が1.30を超えると、有機発光素子20からの光の取り出し効率を向上させることが困難になる。低屈折率層22は屈折率が低いことが好ましいが、後述するシリカエアロゲルを用いて屈折率を低くするには限界があり、1.01が実用上の下限である。低屈折率層22の材料としては、例えば、屈折率1.35~1.4程度のフッ素樹脂、屈折率1.4~1.5程度のシリコーン樹脂、屈折率1.003~1.3程度のシリカエアロゲル、屈折率1.2~1.3程度の多孔質シリカ等の透明材料が挙げられるが、本実施形態は、これらの材料に限定されるものではない。低屈折率層22の屈折率は低いほど望ましく、低屈折率層22中に空孔や空隙が存在する観点から、低屈折率層22は、シリカエアロゲルや多孔質シリカ等によって形成されたものがより好ましい。シリカエアロゲルは屈折率が非常に低いので特に好ましい。シリカエアロゲルは、米国特許第4402827号公報、特許第4279971号、特開2001-202827等に開示されているように、アルコキシランの加水分解、重合反応によって得られたシリカ骨格からなる湿潤状態のゲル状化合物を、アルコールあるいは二酸化炭素等の溶媒の存在下、この溶媒の臨界点以上の超臨界状態で乾燥することによって製造される。また、低屈折率層22の膜厚は、100nm~50μmであることが好ましい。低屈折率層22の膜厚が50μmよりも厚くなると、特に、有機層18から斜め方向に低屈折率層22に入射した光が、低屈折率層22と第二基板14の界面に達するまでに、第二基板14に対して水平方向第二基板14の厚さ方向と垂直な方向への進行距離が長くなる。これにより、第二基板14から外部に取り出される光の発光領域が、有機層18自体の発光領域に対して拡大されるため、特に高精細を目的とするディスプレイ等に対しては好ましくない。また、製造プロセスに与える影響も懸念されることから、低屈折率層22は、薄膜であることがより好ましい。黒色隔壁24としては、スピンコーティング法などにより、第二基板14の一方の面14aに塗布された黒色のネガ型レジストなどで形成されたものが挙げられる。接着層25を構成する接着剤としては、上述の第一実施形態において、第一基板11と第二基板14の接合に用いたものと同様のものが用いられる。有機発光素子20によれば、第一基板11の一方の面11aに設けられ、有機EL素子12の側面を囲み、画素を区画するエッジカバー13が、有機EL素子12の積層方向に沿った側面のうち、有機層18と対向する側面13aが光散乱性を有する構成をなしているので、有機層18から発せられた指向性を有する光を、より等方的に、効果的に拡散または散乱させることが可能となる。また、第二基板14の一方の面14aに設けられ、低屈折率層22および波長変換層23の側面を囲み、画素を区画する隔壁16が、有機EL素子12の積層方向に沿った側面のうち、低屈折率層22および波長変換層23と対向する側面16aが光散乱性を有する構成をなしているので、有機層18から発せられた指向性を有する光を、より等方的に、効果的に拡散または散乱させることが可能となる。したがって、有機発光素子20は、消費電力を大きくすることなく、光の取り出し効率に優れ、新たに絶縁層を挿入する必要のない発光素子となる。有機発光素子の製造方法次に、有機発光素子20の製造方法の概略を説明するが、本実施形態は、この製造方法に限定されるものではない。第一基板の作製上述の第一実施形態と同様にして、第一基板11上に、第一電極17、エッジカバー13、有機層18、第二電極19を順に形成する。第二基板の作製上述の第一実施形態と同様にして、第二基板14上に、黒色隔壁24、カラーフィルター21を順に形成する。次いで、上述の第一実施形態と同様にして、第二基板14の一方の面14aに形成された黒色隔壁24上に、隔壁16を形成する。次いで、上述の第一実施形態と同様にして、第二基板14の一方の面14aに形成されたカラーフィルター21の一方の面21aに、低屈折率層22を形成する。波長変換層の形成次いで、上述の第一実施形態と同様にして、第二基板14の一方の面14a上に形成された低屈折率層22の一方の面22aに、波長変換層23を形成する。以上の工程により、図4に示すように、第二基板14の一方の面14a上に、黒色隔壁24、カラーフィルター21、低屈折率層22、波長変換層23および隔壁16が形成される。第一基板と第二基板の接合上述の第一実施形態と同様にして、有機EL素子12が形成された第一基板11と、第二基板14とを、接着層25を介して接合する。これにより、有機発光素子20が得られる。有機発光素子20の製造方法によれば、エッジカバー13を形成する工程および隔壁16を形成する工程において、上記のネガ型レジストを用いるので、所定の形状のエッジカバー13および隔壁16を容易に形成することができる。なお、本実施形態では、エッジカバー13を形成する工程および隔壁16を形成する工程において、エッジカバー13自体および隔壁16自体を、ネガ型レジストを用いて形成する場合を例示したが、本実施形態はこれに限定されるものではない。本実施形態にあっては、エッジカバー13を形成した後、エッジカバー13の側面13aにネガ型レジストを用いて光散乱層を形成してもよく、隔壁16を形成した後、隔壁16の側面16aにネガ型レジストを用いて光散乱層を形成してもよい。また、本実施形態では、エッジカバー13と隔壁16を、接着層25のみを介して接合する場合を例示したが、本実施形態はこれに限定されるものではない。本実施形態にあっては、エッジカバーと隔壁の接合面のそれぞれに嵌合部を設け、その嵌合部同士を嵌合させてもよい。具体的には、エッジカバーの接合面に嵌合突起を設け、隔壁の接合面に嵌合凹部を設けて、これら嵌合突起と嵌合凹部を嵌合することにより、エッジカバーと隔壁を接合してもよい。これにより、第一基板と第二基板の間で位置ずれが生じるのを防止することができる。3第三実施形態有機発光素子図5は、本発明に係る有機発光素子の第三実施形態を示す概略断面図である。図5において、図1に示した有機発光素子10と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。有機発光素子30は、TFT薄膜トランジスタ回路図示略を備えた第一基板11と、第一基板11の一方の面11aに設けられた有機EL素子12と、第一基板11の一方の面11aに設けられ、有機EL素子12の側面を囲み、画素を区画するエッジカバー13と、エッジカバー13を介して有機EL素子12と対向配置された第二基板封止基板14と、第二基板14の一方の面14aに、エッジカバー13に対向するように設けられ、画素を区画する隔壁16と、第二基板14の一方の面14aに設けられ、有機EL素子12と対向配置された第三基板31とから概略構成されている。エッジカバー13は、有機EL素子12の積層方向に沿った側面の少なくとも一部が光散乱性を有している。エッジカバー13の構成としては、具体的には、有機EL素子12の積層方向に沿った側面のうち、有機層18と対向する側面13aが光散乱性を有する構成が挙げられる。隔壁16は、有機EL素子12の積層方向に沿った側面の少なくとも一部が光散乱性を有している。隔壁16の構成としては、具体的には、有機EL素子12の積層方向に沿った側面のうち、第三基板31と対向する側面16aが光散乱性を有する構成が挙げられる。第三基板31としては、光透過性の高いものが用いられ、例えば、ガラス、石英等からなる無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスチック基板等が挙げられる。第三基板31の厚さは、10μm~1mmであることが好ましい。有機発光素子30第一基板11の一方の面11aに設けられ、有機EL素子12の側面を囲み、画素を区画するエッジカバー13が、有機EL素子12の積層方向に沿った側面のうち、有機層18と対向する側面13aが光散乱性を有する構成をなしているので、有機層18から発せられた指向性を有する光を、より等方的に、効果的に拡散または散乱させることが可能となる。また、第二基板14の一方の面14aに設けられ、第三基板31の側面を囲み、画素を区画する隔壁16が、有機EL素子12の積層方向に沿った側面のうち、第三基板31と対向する側面16aが光散乱性を有する構成をなしているので、有機層18から発せられた指向性を有する光を、より等方的に、効果的に拡散または散乱させることが可能となる。したがって、有機発光素子30は、消費電力を大きくすることなく、光の取り出し効率に優れ、新たに絶縁層を挿入する必要のない発光素子となる。有機発光素子の製造方法次に、有機発光素子30の製造方法の概略を説明するが、本実施形態はこの製造方法に限定されるものではない。第一基板の作製上述の第二実施形態と同様にして、第一基板11上に、第一電極17、エッジカバー13、有機層18、第二電極19を順に形成する。隔壁の形成上述の第一実施形態と同様にして、第二基板14の一方の面14aに、隔壁16を形成する。有機EL素子と第三基板の接合上述のようにして作製した有機EL素子12の第二電極19と、第三基板31とを、接着剤を介して接合する。有機EL素子12の第二電極19と第三基板31を接合するには、例えば、第三基板31の第二電極19と対向させる面に熱硬化性の接着剤を塗布し、この接着剤を介して、第二電極19と第三基板31を密着させた後、加熱して、接着剤を硬化させる。熱硬化性の接着剤としては、エアロゲル接着剤、アクリル系接着剤、シリコン系接着剤等が用いられる。第一基板と第二基板の接合上述のようにして作製した第三基板31が接合された第一基板11と、第二基板14とを、エッジカバー13と隔壁16を介して接合する。第一基板11と第二基板14を接合するには、例えば、エッジカバー13における第二基板14側の面に熱硬化性の接着剤を塗布し、この接着剤を介して、エッジカバー13と隔壁16を密着させた後、加熱して、接着剤を硬化させる。熱硬化性の接着剤としては、エアロゲル接着剤、アクリル系接着剤、シリコン系接着剤等が用いられる。これにより、有機発光素子30が得られる。有機発光素子30の製造方法によれば、エッジカバー13を形成する工程および隔壁16を形成する工程において、上記のネガ型レジストを用いるので、所定の形状のエッジカバー13および隔壁16を容易に形成することができる。なお、本実施形態では、エッジカバー13を形成する工程および隔壁16を形成する工程において、エッジカバー13自体および隔壁16自体を、ネガ型レジストを用いて形成する場合を例示したが、本実施形態はこれに限定されるものではない。本実施形態にあっては、エッジカバー13を形成した後、エッジカバー13の側面13aにネガ型レジストを用いて光散乱層を形成してもよく、隔壁16を形成した後、隔壁16の側面16aにネガ型レジストを用いて光散乱層を形成してもよい。照明装置上述の第一~第三実施形態の有機発光素子は、各種照明装置に適用することができる。図6に示す照明装置40は、電流または電圧を発生する駆動部41と、この駆動部41からの電流または電圧により発光する発光部42とを備えてなる照明装置である。照明装置40において、発光部42は、上述の第一~第三実施形態の有機発光素子のいずれかから構成されている。以下の説明において、発光部42が上述の第二実施形態の有機発光素子20である場合を例示するが、本実施形態はこれに限定されない。本実施形態の照明装置40において、発光部42は、上述の第一または第三実施形態の有機発光素子から構成されていてもよい。照明装置40では、駆動部41から、第一電極17と第二電極19の間に挟まれた有機層18に電圧を印加することにより、所定の画素に対応する有機発光素子20を発光させて、光を射出させることができる。なお、照明装置40の発光部42として、上述の第一~第三実施形態の有機発光素子を用いる場合、有機発光素子の有機層には、上述の第一~第三実施形態における遷移金属錯体に加えて、従来公知の有機EL発光材料が含有されていてもよい。本実施形態の照明装置40は、上述の第一~第三実施形態における遷移金属錯体を用いた有機発光素子を発光部42として備えることにより、発光効率に優れる照明装置となる。また、上述の第一~第三実施形態の有機発光素子は、えば、図7に示すシーリングライト照明装置50にも適用できる。図7に示すシーリングライト50は、発光部51と、吊下線52と、電源コード53とを備えてなる照明装置である。シーリングライト50において、発光部51は、上述の第一~第三実施形態の有機発光素子のいずれかから構成されている。本実施形態のシーリングライト50は、上述の第一~第三実施形態における遷移金属錯体を用いた有機発光素子を発光部51として備えることにより、発光効率に優れる照明装置となる。また、上述の第一~第三実施形態の有機発光素子は、えば、図8に示す照明スタンド照明装置60にも適用できる。図8に示す照明スタンド60は、発光部61と、スタンド62と、メインスイッチ63と、電源コード64とを備えてなる照明装置である。照明スタンド60において、発光部61は、上述の第一~第三実施形態の有機発光素子のいずれかから構成されている。本実施形態の照明スタンド60は、上述の第一~第三実施形態における遷移金属錯体を用いた有機発光素子を発光部61として備えることにより、発光効率に優れる照明装置となる。電子機器上述の第一~第三実施形態の有機発光素子は、各種電子機器に適用することができる。以下、上述の第一~第三実施形態の有機発光素子を備えた電子機器について、図9~12を用いて説明する。上述の第一~第三実施形態の有機発光素子は、例えば、図9に示す携帯電話に適用できる。図9に示す携帯電話70は、音声入力部71、音声出力部72、アンテナ73、操作スイッチ74、表示部75および筐体76等を備えている。そして、表示部75として上述の第一~第三実施形態の有機発光素子を好適に適用できる。上述の第一~第三実施形態の有機発光素子を携帯電話70の表示部75に適用することによって、良好な発光効率で映像を表示することができる。また、上述の第一~第三実施形態の有機発光素子は、例えば、図10に示す薄型テレビに適用できる。図10に示す薄型テレビ80は、表示部81、スピーカ82、キャビネット83およびスタンド84等を備えている。そして、表示部81として上述の第一~第三実施形態の有機発光素子を好適に適用できる。上述の第一~第三実施形態の有機発光素子を薄型テレビ80の表示部81に適用することによって、良好な発光効率で映像を表示することができる。また、上述の第一~第三実施形態の有機発光素子は、例えば、図11に示す携帯型ゲーム機に適用できる。図11に示す携帯型ゲーム機90は、操作ボタン91、92、外部接続端子93、表示部94および筐体95等を備えている。そして、表示部94として上述の第一~第三実施形態の有機発光素子を好適に適用できる。上述の第一~第三実施形態の有機発光素子を携帯型ゲーム機90の表示部94に適用することによって、良好な発光効率で映像を表示することができる。さらに、上述の第一~第三実施形態の有機発光素子は、例えば、図12に示すノートパソコンに適用できる。図12に示すノートパソコン100は、表示部101、キーボード102、タッチパッド103、メインスイッチ104、カメラ105、記録媒体スロット106および筐体107等を備えている。そして、表示部101として上述の第一~第三実施形態の有機発光素子を好適に適用できる。上述の第一~第三実施形態の有機発光素子をノートパソコン100の表示部101に適用することによって、良好な発光効率で映像を表示することができる。以上、図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されないことは言うまでもない。上記の実施形態において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。例えば、上記の実施形態で説明した表示装置には、光取り出し側に偏光板を設けることが好ましい。偏光板としては、従来の直線偏光板とλ/4板とを組み合わせたものを用いることができる。このような偏光板を設けることによって、表示装置の電極からの外光反射、もしくは、基板や封止基板の表面での外光反射を防止することができ、表示装置のコントラストを向上させることができる。その他、蛍光体基板、表示装置、照明装置の各構成要素の形状、数、配置、材料、形成方法等に関する具体的な記載は、上記の実施形態に限定されることなく、適宜変更が可能である以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。実施例1有機EL基板の作製厚さ0.7mmのガラス基板上に、スパッタリング法により、銀からなる膜厚100nmの反射電極を成膜し、その反射電極上に、スパッタリング法により、膜厚20nmの透明電極IZOを成膜することによって、第一電極陽極を形成した。その後、従来のフォトリソグラフィー法により、第一電極の幅が2mm幅の90本のストライプにパターニングした。これを、水洗後、アルカリ性水溶液中にて超音波洗浄を30分行い、再び水洗後、超純水にて超音波洗浄を15分行い、110°Cにて30分乾燥させた。その基板を、UVオゾンクリーナーを用いてUV-オゾン処理を大気雰囲気下で行った。エポキシ系樹脂屈折率:1.59、アクリル系樹脂屈折率:1.49、ルチル型酸化チタン屈折率:2.71、粒径250nm、光重合開始剤および芳香族系溶剤からなる白色感光性組成物を攪拌混合して、白色隔壁材料のネガ型レジストを調製した。上記の第一電極の透明電極上に、スピンコーター法により、ネガ型レジストを塗布した。その後、80°Cにて10分間プリベークして、膜厚50μmの塗膜を形成した。この塗膜に所望の画像パターンが形成できるようなマスク画素ピッチ500μm、線幅50μmを被せた後、塗膜にi線300mJ/cm2を照射し、露光した。次いで、アルカリ現像液を用いて現像して、白色隔壁が形成された画素パターン状の構造物を得た。次いで、熱風循環式乾燥炉を用い、140°Cにて60分間ポストベークして、画素を仕切る白色隔壁を形成した。なお、白色隔壁の表面の反射率を測定したところ96.5であった。次に、第一電極および白色隔壁を形成した基板を、インライン型抵抗加熱蒸着装置内の基板ホルダーに固定し、1×10-4Pa以下の真空まで減圧し、有機発光層を含む有機層を構成する各層を形成した。以下、有機EL層を構成する各層の形成方法を詳細に説明する。まず、正孔注入材料として1,1-ビス-ジ-4-トリルアミノ-フェニル-シクロヘキサンTAPCを用い、抵抗加熱蒸着法により膜厚100nmの正孔注入層を形成した。次いで、正孔輸送材料としてN,N’-di-l-ナフチル-N,N’-ジフェニル-1,1’-ビフェニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミンNPDを用い、抵抗加熱蒸着法により膜厚40nmの正孔輸送層を形成した。次いで、正孔輸送層上の所望の画素位置に、青色の有機発光層厚さ:30nmを形成した。この青色の有機発光層は、1,4-ビス-トリフェニルシリル-ベンゼンUGH-2ホスト材料と、ビス[4,6-ジフルオロフェニル-ピリジナト-N,C2’]ピコリネートイリジウムIIIFIrpic青色燐光発光ドーパントとを、それぞれ蒸着速度1.5Å/sec、0.2Å/secで共蒸着することによって形成した。次いで、有機発光層の上に、2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBCPを用いて、正孔防止層厚さ:10nmを形成した。次いで、正孔防止層上に、トリス8-ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq3を用いて電子輸送層厚さ:30nmを形成した。次いで、電子輸送層上に、フッ化リチウムLiFを用いて電子注入層厚さ:0.5nmを形成した。以上の処理によって、有機層を構成する各層を形成した。この後、第二電極として半透明電極を形成した。まず、基板を金属蒸着用チャンバーに固定し、半透明電極形成用のシャドーマスクと基板をアライメントした。なお、シャドーマスクとしては、第一電極のストライプと対向する向きに、2mm幅のストライプ状に半透明電極を形成できるように開口部が設けられたマスクを用いた。次いで、電子注入層の表面に、真空蒸着法により、マグネシウムと銀とを、それぞれ蒸着速度0.1Å/sec、0.9Å/secで共蒸着することによって、マグネシウム銀を所望のパターンで形成厚さ:1nmした。さらに、その上に、干渉効果を強調する目的、および、第二電極での配線抵抗による電圧降下を防止する目的で、銀を1Å/secの蒸着速度で所望のパターンで形成厚さ:19nmした。以上の処理によって、半透明電極を形成した。ここで、第一電極と第二電極の間では、マイクロキャビティ効果干渉効果が発現し、正面輝度を高めることが可能となる。これにより、有機層からの発光エネルギーを効率良く光取出部側に伝搬させることができる。以上の処理によって、有機EL素子が形成された有機EL基板を得た。光取出基板の作製厚さ0.7mmのガラス基板を水洗後、純水超音波洗浄10分、アセトン超音波洗浄10分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄5分を行い、100°Cにて1時間乾燥させた。まず、ガラス基板の一面に、スピンコーター法により、黒色隔壁材料のBKレジスト東京応化工業社製を塗布した。その後、70°Cにて15分間プリベークして、膜厚1μmの塗膜を形成した。この塗膜に所望の画像パターンが形成できるようなマスク画素ピッチ500μm、線幅50μmを被せた後、i線100mJ/cm2を照射し、露光した。次いで、炭酸ナトリウム水溶液を用いて現像し、純水でリンス処理を行い、黒色隔壁が形成された画素パターン状の構造物を得た。次いで、ガラス基板の一面に、スピンコーター法により、上記の白色隔壁材料のネガ型レジストを塗布した。その後、70°Cにて15分間プリベークして、膜厚30μmの塗膜を形成した。この塗膜に、下層に形成した黒色隔壁とアライメントを合わせて、所望の画像パターンが形成できるようなマスク画素ピッチ500μm、線幅50μmを被せた後、i線300mJ/cm2を照射し、露光した。次いで、炭酸ナトリウム水溶液を用いて現像し、純水でリンス処理を行い、白色隔壁が形成された画素パターン状の構造物を得た。次いで、熱風循環式乾燥炉を用い、140°Cにて60分間ポストベークして、画素を仕切る膜厚30μmの隔壁を形成した。なお、隔壁の表面の反射率を測定したところ89.6であった。有機EL基板と光取出基板の組み立て以上のようにして作製した有機EL基板と光取出基板とを、画素配置位置の外側に形成されている位置合わせマーカーにより位置合わせを行った。なお、予め有機EL基板および光取出基板には、熱硬化樹脂を塗布した。有機EL基板と光取出基板を位置合わせした後、熱硬化樹脂を介して両基板を密着し、90°Cにて2時間加熱することにより、熱硬化樹脂を硬化し、有機EL基板と光取出基板を貼り合せた。なお、両基板を貼り合わせる工程は、有機層が水分により劣化することを防止するために、ドライエアー環境下水分量:-80°Cで行った。これにより実施例1の有機発光素子を作製した。光取り出し効率の測定実施例1の有機発光素子について、実際に外部に取り出された光の外部量子収率10mA/cm2時を測定したところ、6.24であった。比較例1白色隔壁を形成しなかった以外は実施例1と同様に作製した有機EL基板と、白色隔壁を形成しなかった以外は実施例1と同様に作製した光取出基板とを貼り合せて、比較例1の有機発光素子を作製した。比較例1の有機発光素子について、実際に外部に取り出された光の外部量子収率10mA/cm2時を測定したところ、4であった。その結果、実施例1の方が比較例1よりも、1.56倍高い発光効率が得られることが確認された。実施例2蛍光体層の形成実施例1と同様にして作製した光取出基板の白色隔壁によって区画された領域に、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層を形成した。赤色蛍光体層の形成においては、まず、平均粒径4μmの赤色蛍光体CaS:Eu20gに、10wtポリビニルアルコール水溶液30gを加え、分散機により攪拌して赤色蛍光体形成用塗液を調製した。次いで、ディスペンサー手法により、ブラックマトリクスで区画された領域に、赤色蛍光体形成用塗液をパターン塗布した。次いで、真空オーブン200°C、10mmHgの条件で4時間加熱乾燥し、屈折率1.6の赤色蛍光体層を膜厚25μmでパターン形成した。緑色蛍光体層の形成においては、まず、20gの平均粒径4μmの緑色蛍光体Ga2SrS4:Euに、10wtポリビニルアルコール水溶液30gを加え、分散機により攪拌して緑色蛍光体形成用塗液を調製した。次いで、ディスペンサー手法により、ブラックマトリクスで区画された領域に、緑色蛍光体形成用塗液をパターン塗布した。次いで、真空オーブン200°C、10mmHgの条件で4時間加熱乾燥し、屈折率1.6の緑色蛍光体層を膜厚25μmでパターン形成した。有機EL基板と光取出基板の組み立て実施例1と同様にして作製した有機EL基板と、蛍光体層が形成された光取出基板とを、実施例1と同様にして貼り合せた。これにより、実施例2の有機発光素子を作製した。光取り出し効率の測定実施例2の有機発光素子について、実際に外部に取り出された光の外部量子収率10mA/cm2時を測定したところ、赤色蛍光体を用いた場合は4.7、緑色蛍光体を用いた場合は9.2であった。比較例2白色隔壁を形成しなかった以外は実施例1と同様に作製した有機EL基板と、白色隔壁を形成しなかった以外は実施例2と同様に作製した光取出基板とを貼り合せて、比較例2の有機発光素子を作製した。比較例2の有機発光素子について、実際に外部に取り出された光の外部量子収率10mA/cm2時を測定したところ、赤色蛍光体を用いた場合は3、緑色蛍光体を用いた場合は6.0であった。その結果、実施例2の方が比較例2よりも、1.56倍高い発光効率が得られることが確認された。実施例3カラーフィルターおよび蛍光体層の形成実施例1と同様にして作製した光取出基板の白色隔壁によって区画された領域に、インクジェット法により、カラーフィルターを、それぞれ厚さ1μmで形成した。次いで、カラーフィルターの上に、実施例2と同様にして、蛍光体層を形成した。有機EL基板と光取出基板の組み立て実施例1と同様にして作製した有機EL基板と、カラーフィルターおよび蛍光体層が形成された光取出基板とを、実施例1と同様にして貼り合せた。これにより、実施例3の有機発光素子を作製した。光取り出し効率の測定実施例3の有機発光素子について、実際に外部に取り出された光の外部量子収率10mA/cm2時を測定したところ、赤色蛍光体を用いた場合は3.7、緑色蛍光体を用いた場合は8.4であった。比較例3白色隔壁を形成しなかった以外は実施例1と同様に作製した有機EL基板と、白色隔壁を形成しなかった以外は実施例3と同様に作製した光取出基板とを貼り合せて、比較例3の有機発光素子を作製した。比較例3の有機発光素子について、実際に外部に取り出された光の外部量子収率10mA/cm2時を測定したところ、赤色蛍光体を用いた場合は2.4、緑色蛍光体を用いた場合は5.4であった。その結果、実施例3の方が比較例3よりも、1.56倍高い発光効率が得られることが確認された。"