"平面視において多角形の外形形状を有する平板状のシリコンデバイスであって、前記多角形の角部の少なくとも1個は、前記多角形を構成する複数の辺における、互いに隣り合って位置している2個の辺と、2個の前記辺のそれぞれに接して前記辺を接続する角部曲線部と、で形成されていることを特徴とするシリコンデバイス。平面視において多角形の外形形状を有する平板状のシリコンデバイスであって、前記多角形の角部の少なくとも1個は、前記多角形を構成する複数の辺における、互いに隣り合って位置している2個の辺と、2個の前記辺のそれぞれに接続された接続線部と、で形成されており、前記辺と前記接続線部との接続部において形成される前記シリコンデバイスの角度が鈍角であることを特徴とするシリコンデバイス。前記辺の少なくとも1個は、辺中央側部と辺端側部とを備え、前記辺端側部は、平面視において前記辺中央側部に対して前記シリコンデバイスが凹んだ凹部であり、前記辺は、前記辺端側部が、前記角部曲線部又は前記接続線部と接続されていることを特徴とする、請求項1又は2に記載のシリコンデバイス。前記辺の少なくとも1個は、中央凹部をさらに備え、前記中央凹部は、前記角部曲線部又は前記接続線部から離間した位置に形成されており、平面視において前記辺における他の部分に対して前記シリコンデバイスが凹んだ凹部であることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか一項に記載のシリコンデバイス。平面視において多角形の外形形状を有する平板状のシリコンデバイスを製造するシリコンデバイスの製造方法であって、前記シリコンデバイスが区画形成されたデバイスマザー基板に貫通孔を形成することによって、前記多角形の角部を形成する角部形成工程と、前記デバイスマザー基板を前記シリコンデバイスに分離する分離工程と、を有することを特徴とするシリコンデバイスの製造方法。前記シリコンデバイスの前記多角形の角部の少なくとも1個は、前記多角形を構成する複数の辺における、互いに隣り合って位置している2個の辺と、2個の前記辺のそれぞれに接して前記辺を接続する角部曲線部とで形成されており、前記角部形成工程において前記角部曲線部を形成することを特徴とする、請求項5に記載のシリコンデバイスの製造方法。前記シリコンデバイスの前記多角形の角部の少なくとも1個は、前記多角形を構成する複数の辺における、互いに隣り合って位置している2個の辺と、2個の前記辺のそれぞれに接続された接続線部とで形成されており、前記辺と前記接続線部との接続部において形成される前記シリコンデバイスの角度が鈍角であって、前記角部形成工程において前記接続線部を形成することを特徴とする、請求項5に記載のシリコンデバイスの製造方法。前記辺の少なくとも1個は、辺中央側部と辺端側部とを備え、前記辺端側部は、平面視において前記辺中央側部に対して前記シリコンデバイスが凹んだ凹部であり、前記辺は、前記辺端側部が、前記角部曲線部又は前記接続線部と接続されており、前記角部形成工程において前記辺端側部を形成することを特徴とする、請求項6又は7に記載のシリコンデバイスの製造方法。前記辺の少なくとも1個は、中央凹部をさらに備え、前記中央凹部は、前記角部曲線部又は前記接続線部から離間した位置に形成されており、平面視において前記辺における他の部分に対して前記シリコンデバイスが凹んだ凹部であり、前記角部形成工程は、前記デバイスマザー基板に貫通孔を形成することによって前記中央凹部を形成する中央凹部形成工程を含むことを特徴とする、請求項6乃至8のいずれか一項に記載のシリコンデバイスの製造方法。前記角部形成工程では、シリコンのドライエッチングによって前記貫通孔を形成することを特徴とする、請求項5乃至9のいずれか一項に記載のシリコンデバイスの製造方法。前記デバイスマザー基板における、少なくとも前記シリコンデバイスが形成される部分の厚さを所定の厚さに減ずる薄板化工程をさらに有し、前記角部形成工程は、前記デバイスマザー基板の基板面に貫通孔凹部を形成する貫通孔凹部形成工程と、前記薄板化工程によって前記貫通孔凹部の底部を除去して前記貫通孔を形成する孔貫通工程とを含むことを特徴とする、請求項5乃至10のいずれか一項に記載のシリコンデバイスの製造方法。前記デバイスマザー基板における、少なくとも前記シリコンデバイスが形成される部分の厚さを所定の厚さに減ずる薄板化工程をさらに有し、前記角部形成工程は、前記デバイスマザー基板の基板面に貫通孔凹部を形成する貫通孔凹部形成工程と、前記薄板化工程によって前記貫通孔凹部の底部の厚さを減ずる底部薄化工程と、前記底部薄化工程によって厚さが減じた前記底部に、前記貫通孔凹部の反対側から孔を形成して前記貫通孔を形成する孔貫通工程とを含むことを特徴とする、請求項5乃至10のいずれか一項に記載のシリコンデバイスの製造方法。前記分離工程は、前記デバイスマザー基板に区画形成された前記シリコンデバイスと前記シリコンデバイスとの境界部分にレーザー光線を照射して内部改質層を形成する改質層形成工程を有することを特徴とする、請求項5乃至12のいずれか一項に記載のシリコンデバイスの製造方法。前記分離工程は、前記デバイスマザー基板に区画形成された前記シリコンデバイスに対して、前記デバイスマザー基板の面方向において互いに離間させる方向に力を加えるエキスパンド工程を有することを特徴とする、請求項5乃至13のいずれか一項に記載のシリコンデバイスの製造方法。しかしながら、個別のチップに分割されたシリコンデバイスが、チップの状態で取り扱われる場合が多くなっている。また、チップの状態で、製品として出荷される場合も多くなっている。一方で、単体で扱うことができる程度の大きさのシリコンデバイスにおいては、小型化することが強度の低下を伴うことは、材料力学的に避け難い現象である。特にシリコンデバイスの外形における角部は、欠けや割れが発生し易い部分である。すなわち、シリコンデバイスをチップの状態で扱うことで、割れや欠けによってシリコンデバイスが損なわれる可能性が高くなるという課題があった。本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例にかかるシリコンデバイスは、平面視において多角形の外形形状を有する平板状のシリコンデバイスであって、前記多角形の角部の少なくとも1個は、前記多角形を構成する複数の辺における、互いに隣り合って位置している2個の辺と、2個の前記辺のそれぞれに接して前記辺を接続する角部曲線部と、で形成されていることを特徴とする。本適用例にかかるシリコンデバイスによれば、角部は、2個の辺と、2個の辺のそれぞれに接している角部曲線部とで形成されている。すなわち、角部は、角が丸められている。一般的に、尖った角部は、他の部材などに当たるなどした場合に欠けたり割れたりし易い。当該角部の尖った部分を丸めることで、欠けたり割れたりすることを抑制することができる。[適用例2]本適用例にかかるシリコンデバイスは、平面視において多角形の外形形状を有する平板状のシリコンデバイスであって、前記多角形の角部の少なくとも1個は、前記多角形を構成する複数の辺における、互いに隣り合って位置している2個の辺と、2個の前記辺のそれぞれに接続された接続線部と、で形成されており、前記辺と前記接続線部との接続部において形成される前記シリコンデバイスの角度が鈍角であることを特徴とする。本適用例にかかるシリコンデバイスによれば、角部は、2個の辺と、2個の辺のそれぞれに接続された接続線部とで構成されており、辺と接続線部との接続部において形成されるシリコンデバイスの角度が鈍角である。すなわち、角部は、角が例えばいわゆる面取りされている。一般的に、尖った角部は、他の部材などに当たるなどした場合に欠けたり割れたりし易い。当該角部の尖った部分を面取りすることで、欠けたり割れたりすることを抑制することができる。[適用例3]上記適用例にかかるシリコンデバイスは、前記辺の少なくとも1個が、辺中央側部と辺端側部とを備え、前記辺端側部は、平面視において前記辺中央側部に対して前記シリコンデバイスが凹んだ凹部であり、前記辺は、前記辺端側部が、前記角部曲線部又は前記接続線部と接続されていることが好ましい。このシリコンデバイスによれば、辺端側部は、平面視において辺中央側部に対してシリコンデバイスが凹んだ凹部であり、辺端側部が、角部曲線部又は接続線部と接続されている。この形状によって、角部が他の部材と当たることを抑制することができる。また、シリコンデバイスを並べた場合、角部と他のシリコンデバイスとの間に、平面視において、辺中央側部と辺端側部との段差に相当する隙間が存在する。当該隙間によって、基板に区画形成されたシリコンデバイスの外形を加工する際に、加工中のシリコンデバイスの隣のシリコンデバイスの角部に影響を与えることを抑制することができる。[適用例4]上記適用例にかかるシリコンデバイスは、前記辺の少なくとも1個が、中央凹部をさらに備え、前記中央凹部は、前記角部曲線部又は前記接続線部から離間した位置に形成されており、平面視において前記辺における他の部分に対して前記シリコンデバイスが凹んだ凹部であることが好ましい。このシリコンデバイスによれば、平面視において辺における他の部分に対してシリコンデバイスが凹んだ中央凹部が、角部とは離れた位置に形成されている。シリコンデバイスを並べた場合、中央凹部と隣のシリコンデバイスとの間に、平面視において、中央凹部と辺の他の部分との段差に相当する隙間が存在する。当該隙間によって、基板に区画形成されたシリコンデバイスの外形を加工する際に、加工中のシリコンデバイスの隣のシリコンデバイスの中央凹部に影響を与えることを抑制することができる。隣り合うシリコンデバイスの、一方のシリコンデバイスの辺の、他方のシリコンデバイスの角部に臨む部分に中央凹部を配設することで、当該他方のシリコンデバイスの角部を加工する際に、一方のシリコンデバイスが影響を受けることを抑制することができる。[適用例5]本適用例にかかるシリコンデバイスの製造方法は、平面視において多角形の外形形状を有する平板状のシリコンデバイスを製造するシリコンデバイスの製造方法であって、前記シリコンデバイスが区画形成されたデバイスマザー基板に貫通孔を形成することによって、前記多角形の角部を形成する角部形成工程と、前記デバイスマザー基板を前記シリコンデバイスに分離する分離工程と、を有することを特徴とする。本適用例にかかるシリコンデバイスの製造方法によれば、シリコンデバイスの角部の形状は、角部形成工程においてデバイスマザー基板に貫通孔を形成することによって形成される。デバイスマザー基板に区画形成されたシリコンデバイスの外形を加工する際に、角部は、直線状の辺を形成した結果として形成されるため、角部の形状は尖った形状に限られる場合が多い。貫通孔を形成することによって角部を形成することで、角部の平面視形状を、任意の形状にすることができる。例えば角を丸めたり、面取りしたりすることができる。[適用例6]上記適用例にかかるシリコンデバイスの製造方法は、前記シリコンデバイスの前記多角形の角部の少なくとも1個が、前記多角形を構成する複数の辺における、互いに隣り合って位置している2個の辺と、2個の前記辺のそれぞれに接して前記辺を接続する角部曲線部とで形成されており、前記角部形成工程において前記角部曲線部を形成することが好ましい。このシリコンデバイスの製造方法によれば、シリコンデバイスの角部は、2個の辺と、2個の辺のそれぞれに接している角部曲線部とで形成されている。すなわち、角部は、角が丸められている。一般的に、尖った角部は、他の部材などに当たるなどした場合に欠けたり割れたりし易い。当該角部の尖った部分を丸めることで、欠けたり割れたりすることを抑制することができる。貫通孔を形成することによって角部を形成する角部形成工程においては、貫通孔を形成することによって角部を形成することで、角部の平面視形状を、任意の形状にすることができる。角部形成工程において角部曲線部を形成することで、角部曲線部を任意の形状で容易に形成することができる。[適用例7]上記適用例にかかるシリコンデバイスの製造方法は、前記シリコンデバイスの前記多角形の角部の少なくとも1個が、前記多角形を構成する複数の辺における、互いに隣り合って位置している2個の辺と、2個の前記辺のそれぞれに接続された接続線部とで形成されており、前記辺と前記接続線部との接続部において形成される前記シリコンデバイスの角度が鈍角であって、前記角部形成工程において前記接続線部を形成することが好ましい。このシリコンデバイスの製造方法によれば、シリコンデバイスの角部は、2個の辺と、2個の辺のそれぞれに接続された接続線部とで形成されており、辺と接続線部との接続部において形成されるシリコンデバイスの角度が鈍角である。すなわち、角部は、角が例えばいわゆる面取りされている。一般的に、尖った角部は、他の部材などに当たるなどした場合に欠けたり割れたりし易い。当該角部の尖った部分を面取りすることで、欠けたり割れたりすることを抑制することができる。貫通孔を形成することによって角部を形成する角部形成工程においては、貫通孔を形成することによって角部を形成することで、角部の平面視形状を、任意の形状にすることができる。角部形成工程において接続線部を形成することで、接続線部を任意の形状で容易に形成することができる。[適用例8]上記適用例にかかるシリコンデバイスの製造方法は、前記辺の少なくとも1個が、辺中央側部と辺端側部とを備え、前記辺端側部は、平面視において前記辺中央側部に対して前記シリコンデバイスが凹んだ凹部であり、前記辺は、前記辺端側部が、前記角部曲線部又は前記接続線部と接続されており、前記角部形成工程において前記辺端側部を形成することが好ましい。このシリコンデバイスの製造方法によれば、シリコンデバイスが備える辺端側部は、平面視において辺中央側部に対してシリコンデバイスが凹んだ凹部であり、辺端側部が、角部曲線部又は接続線部と接続されている。この形状によって、角部が他の部材と当たることを抑制することができる。また、シリコンデバイスを並べた場合、角部と他のシリコンデバイスとの間に、平面視において、辺中央側部と辺端側部との段差に相当する隙間が存在する。当該隙間によって、基板に区画形成されたシリコンデバイスの外形を加工する際に、加工中のシリコンデバイスの隣のシリコンデバイスの角部に影響を与えることを抑制することができる。貫通孔を形成することによって角部を形成する角部形成工程においては、貫通孔を形成することによって角部を形成することで、角部の平面視形状を、任意の形状にすることができる。角部形成工程において接続線部を形成することで、接続線部を任意の形状で容易に形成することができる。[適用例9]上記適用例にかかるシリコンデバイスの製造方法は、前記辺の少なくとも1個が、中央凹部をさらに備え、前記中央凹部は、前記角部曲線部又は前記接続線部から離間した位置に形成されており、平面視において前記辺における他の部分に対して前記シリコンデバイスが凹んだ凹部であり、前記角部形成工程は、前記デバイスマザー基板に貫通孔を形成することによって前記中央凹部を形成する中央凹部形成工程を含むことが好ましい。このシリコンデバイスの製造方法によれば、シリコンデバイスには、平面視において辺における他の部分に対してシリコンデバイスが凹んだ中央凹部が、角部とは離れた位置に形成されている。シリコンデバイスを並べた場合、中央凹部と隣のシリコンデバイスとの間に、平面視において、中央凹部と辺の他の部分との段差に相当する隙間が存在する。当該隙間によって、基板に区画形成されたシリコンデバイスの外形を加工する際に、加工中のシリコンデバイスの隣のシリコンデバイスの中央凹部に影響を与えることを抑制することができる。隣り合うシリコンデバイスの、一方のシリコンデバイスの辺の、他方のシリコンデバイスの角部に臨む部分に中央凹部を配設することで、当該他方のシリコンデバイスの角部を加工する際に、一方のシリコンデバイスが影響を受けることを抑制することができる。貫通孔を形成することによって角部を形成する角部形成工程においては、貫通孔を形成することによって角部を形成することで、角部の平面視形状を、任意の形状にすることができる。角部形成工程において中央凹部を形成することで、中央凹部を任意の形状で容易に形成することができる。[適用例10]上記適用例にかかるシリコンデバイスの製造方法は、前記角部形成工程では、シリコンのドライエッチングによって前記貫通孔を形成することが好ましい。このシリコンデバイスの製造方法によれば、角部の形状は、シリコンのドライエッチングによって形成される。一般的に、ドライエッチングは精密な形状を形成することが可能である。ドライエッチングによって形成することで、角部の平面視形状を、容易に、任意の形状にすることができる。また、シリコンデバイスの機能部分を形成するために、ドライエッチングを用いる場合が多い。この場合、シリコンデバイスの機能部分を形成する工程において、並行して貫通孔を形成することで、加工時間を短縮することができる。シリコンデバイスの機能部分は、例えば、吐出ノズル基板における吐出ノズル孔である。[適用例11]上記適用例にかかるシリコンデバイスの製造方法は、前記デバイスマザー基板における、少なくとも前記シリコンデバイスが形成される部分の厚さを所定の厚さに減ずる薄板化工程をさらに有し、前記角部形成工程は、前記デバイスマザー基板の基板面に貫通孔凹部を形成する貫通孔凹部形成工程と、前記薄板化工程によって前記貫通孔凹部の底部を除去して前記貫通孔を形成する孔貫通工程とを含むことが好ましい。このシリコンデバイスの製造方法によれば、角部形成工程は、貫通孔凹部形成工程と、薄板化工程によって貫通孔凹部の底部を除去して貫通孔を形成する孔貫通工程とを含む。これにより、貫通孔凹部形成工程は、薄板化工程を実施する前のデバイスマザー基板であって、厚さが厚いことで強度が高いデバイスマザー基板を加工対象とすることができる。孔貫通工程が、薄板化工程によって貫通孔凹部の底部を除去する工程であるため、貫通孔凹部の深さはシリコンデバイスの厚さを超えれば充分であり、薄板化工程を実施する前のデバイスマザー基板に貫通孔を形成する場合にくらべて、必要な加工量を低減することができる。[適用例12]上記適用例にかかるシリコンデバイスの製造方法は、前記デバイスマザー基板における、少なくとも前記シリコンデバイスが形成される部分の厚さを所定の厚さに減ずる薄板化工程をさらに有し、前記角部形成工程は、前記デバイスマザー基板の基板面に貫通孔凹部を形成する貫通孔凹部形成工程と、前記薄板化工程によって前記貫通孔凹部の底部の厚さを減ずる底部薄化工程と、前記底部薄化工程によって厚さが減じた前記底部に、前記貫通孔凹部の反対側から孔を形成して前記貫通孔を形成する孔貫通工程とを含むことが好ましい。このシリコンデバイスの製造方法によれば、角部形成工程は、貫通孔凹部形成工程と、薄板化工程によって貫通孔凹部の底部の厚さを減ずる底部薄化工程と、孔貫通工程とを含む。これにより、貫通孔凹部形成工程は、薄板化工程を実施する前のデバイスマザー基板であって、厚さが厚いことで強度が高いデバイスマザー基板を加工対象とすることができる。貫通孔は、貫通孔凹部形成工程と、貫通孔凹部の底部に貫通孔凹部の反対側から孔を形成する孔貫通工程とによって形成される。貫通孔を両側から加工することで、貫通孔の開口の形状を精密に作りこむことができる。[適用例13]上記適用例にかかるシリコンデバイスの製造方法は、前記分離工程が、前記デバイスマザー基板に区画形成された前記シリコンデバイスと前記シリコンデバイスとの境界部分にレーザー光線を照射して内部改質層を形成する改質層形成工程を有することが好ましい。このシリコンデバイスの製造方法によれば、改質層形成工程によって、シリコンデバイスとシリコンデバイスとの境界部分に内部改質層が形成される。内部改質層は、内部改質層の両側を離間させる方向に力を加えることによって、内部改質層において容易に分離できる層である。研削ブレードを用いる場合では必要である研削切削代を設けることが不要であり、デバイスマザー基板を有効に使用することができる。また、内部改質層を、平面方向において、デバイスマザー基板の任意の位置に容易に形成することができる。このため、分割方法による制限を考慮することを必要とせずに、シリコンデバイスを形成する位置を、デバイスマザー基板上に効率よく設定することができる。[適用例14]上記適用例にかかるシリコンデバイスの製造方法は、前記分離工程が、前記デバイスマザー基板に区画形成された前記シリコンデバイスに対して、前記デバイスマザー基板の面方向において互いに離間させる方向に力を加えるエキスパンド工程を有することが好ましい。このシリコンデバイスの製造方法によれば、分離工程は、シリコンデバイスに対して互いに離間させる方向に力を加えるエキスパンド工程を有する。このため、デバイスマザー基板上の任意の位置に形成されたシリコンデバイスに対して、シリコンデバイスを分離させる力を加えることができる。このため、分離方法による制限を考慮することを必要とせずに、シリコンデバイスを形成する位置を、デバイスマザー基板上に効率よく設定することができる。以下、シリコンデバイス、及びシリコンデバイスの製造方法について、図面を参照して説明する。本実施形態は、シリコンデバイスの一例であるノズル基板及びノズル基板の製造工程を例に説明する。ノズル基板は、液滴吐出ヘッドを構成するものであり、液状体を液滴として吐出する吐出ノズルが形成されている基板である。なお、以下の説明において参照する図面では、図示の便宜上、部材又は部分の縦横の縮尺を実際のものとは異なるように表す場合がある。<液滴吐出装置>最初に、シリコンデバイスの一例であるノズル基板25図2参照を有する液滴吐出ヘッド20を備える液滴吐出装置1について、図1を参照して説明する。図1は、液滴吐出装置の概略構成を示す外観斜視図である。図1に示すように、液滴吐出装置1は、ヘッド機構部2と、ワーク機構部3と、機能液供給部4と、保守装置部5と、吐出装置制御部6とを備えている。ヘッド機構部2は、機能液を液滴として吐出する液滴吐出ヘッド20を有している。ワーク機構部3は、液滴吐出ヘッド20から吐出された液滴の吐出対象であるワークWを載置するワーク載置台33を有している。機能液供給部4は、貯留タンクと、中継タンクと、供給管とを有し、当該供給管が、液滴吐出ヘッド20に接続されており、供給管を介して機能液が液滴吐出ヘッド20に供給される。保守装置部5は、液滴吐出ヘッド20の検査又は保守を実施する各装置を備えている。吐出装置制御部6は、これら各機構部等を総括的に制御する。さらに、液滴吐出装置1は、床上に設置された複数の支持脚8と、支持脚8の上側に設置された定盤9とを備えている。定盤9の上面には、ワーク機構部3が配設されている。ワーク機構部3は、定盤9の長手方向X軸方向に延在している。ワーク機構部3の上方には、定盤9に固定された2本の支持柱で支持されているヘッド機構部2が配設されている。ヘッド機構部2は、ワーク機構部3と直交する方向Y軸方向に延在している。定盤9の傍らには、ヘッド機構部2の液滴吐出ヘッド20に連通する供給管を有する機能液供給部4の貯留タンクなどが配置されている。ヘッド機構部2の一方の支持柱の近傍には、保守装置部5がワーク機構部3と並んでX軸方向に延在して配設されている。定盤9の下側に、吐出装置制御部6が収容されている。ヘッド機構部2は、液滴吐出ヘッド20を有するヘッドユニット21と、ヘッドユニット21を支持するヘッドキャリッジ22とを有し、ヘッドキャリッジ22をY軸方向に移動させることで、液滴吐出ヘッド20をY軸方向に自在に移動させる。また、移動した位置に保持する。ワーク機構部3は、ワーク載置台33をX軸方向に移動させることで、ワーク載置台33に載置されたワークWをX軸方向に自在に移動させる。また、移動した位置に保持する。液滴吐出ヘッド20を、Y軸方向の吐出位置まで移動させて停止させ、下方にあるワークWのX軸方向の移動に同調させて、液状体を液滴として吐出させる。X軸方向に移動させるワークWと、Y軸方向に移動させる液滴吐出ヘッド20とを相対的に制御することにより、ワークW上の任意の位置に液滴を着弾させることで、所望する描画などを行うことが可能である。<液滴吐出ヘッド>次に、液滴吐出ヘッド20について、図2を参照して説明する。図2は、液滴吐出ヘッドの概略構成を示す図である。図2aは、液滴吐出ヘッドの概略構成を示す外観斜視図であり、図2bは、液滴吐出ヘッドの構造を示す斜視断面図であり、図2cは、液滴吐出ヘッドの吐出ノズルの部分の構造を示す断面図である。図2に示したY軸、及びZ軸は、液滴吐出ヘッド20が液滴吐出装置1に装着された状態において、図1に示したY軸、及びZ軸と一致している。図2aに示したように、液滴吐出ヘッド20は、ノズル基板25を備えている。ノズル基板25には、多数の吐出ノズル24が略一直線状に並んだノズル列24Aが2列形成されている。吐出ノズル24から機能液を液滴として吐出し、対向する位置にある描画対象物などに着弾させることで、当該位置に機能液を配置する。ノズル列24Aは、液滴吐出ヘッド20が液滴吐出装置1に装着された状態で、図1に示したY軸方向に延在している。ノズル列24Aにおいて吐出ノズル24は等間隔のノズルピッチで並んでおり、2列のノズル列24A間で、吐出ノズル24の位置がY軸方向に半ノズルピッチずれている。したがって、液滴吐出ヘッド20としては、Y軸方向に半ノズルピッチ間隔で機能液の液滴を配置することができる。ノズル基板25が液滴吐出ヘッド20に組み込まれた状態で、液滴吐出ヘッド20の外面となる面をノズル形成面25aと表記する。図2b及びcに示すように、液滴吐出ヘッド20は、ノズル基板25に圧力室プレート51が積層されており、圧力室プレート51に振動板52が積層されている。圧力室プレート51には、液滴吐出ヘッド20に供給される機能液が常に充填される液たまり55が形成されている。液たまり55は、振動板52と、ノズル基板25と、圧力室プレート51の壁とに囲まれた空間である。機能液は、機能液供給部4から液滴吐出ヘッド20に供給され、振動板52の液供給孔53を経由して液たまり55に供給される。また、圧力室プレート51には、複数のヘッド隔壁57によって区切られた圧力室58が形成されている。振動板52と、ノズル基板25と、2個のヘッド隔壁57とによって囲まれた空間が圧力室58である。圧力室58は吐出ノズル24のそれぞれに対応して設けられており、圧力室58の数と吐出ノズル24の数とは同じである。圧力室58には、2個のヘッド隔壁57の間に位置する供給口56を経由して、液たまり55から機能液が供給される。ヘッド隔壁57と圧力室58と吐出ノズル24と供給口56との組は、液たまり55に沿って1列に並んでおり、1列に並んだ吐出ノズル24がノズル列24Aを形成している。図2bでは図示省略したが、図示した吐出ノズル24を含むノズル列24Aに対して液たまり55に関して略対称位置に、1列に並んで配設された吐出ノズル24がもう1列のノズル列24Aを形成している。当該ノズル列24Aに対応するヘッド隔壁57と圧力室58と供給口56との組が、1列に並んでいる。振動板52の圧力室58を構成する部分には、それぞれ圧電素子59の一端が固定されている。圧電素子59の他端は、固定板図示省略を介して液滴吐出ヘッド20全体を支持する基台図示省略に固定されている。圧電素子59は、電極層と圧電材料とを積層した活性部を有している。圧電素子59は、電極層に駆動電圧を印加することで、活性部が長手方向図2b又はcにおける振動板52の厚さ方向に縮む。電極層に印加されていた駆動電圧が解除されることで、活性部が元の長さに戻る。電極層に駆動電圧が印加されて、圧電素子59の活性部が縮むことで、圧電素子59の一端が固定された振動板52が圧力室58と反対側に引張られる力を受ける。振動板52が圧力室58と反対側に引張られることで、振動板52が圧力室58の反対側に撓む。これにより、圧力室58の容積が増加することから、機能液が液たまり55から供給口56を経て圧力室58に供給される。次に、電極層に印加されていた駆動電圧が解除されると、活性部が元の長さに戻ることで、圧電素子59が振動板52を押圧する。振動板52が押圧されることで、圧力室58側に戻る。これにより、圧力室58の容積が急激に元に戻る。すなわち増加していた容積が減少することから、圧力室58内に充填されていた機能液に圧力が加わり、当該圧力室58に連通して形成された吐出ノズル24から機能液が液滴となって吐出される。<ノズル基板及びマザーノズル基板>次に、ノズル基板25及びマザーノズル基板25Aについて、図3を参照して説明する。ノズル基板25は、複数のノズル基板25が区画形成されるマザーノズル基板25Aの形で製造される。図3は、ノズル基板及びマザーノズル基板の概要を示す説明図である。図3aは、個別のノズル基板の平面形状を示す平面図であり、図3bは、マザーノズル基板の平面形状、及び区画形成されるノズル基板の配列を示す平面図である。図3aに示すように、ノズル基板25は、平面視の外形が略長方形形状の板状の部材である。ノズル基板25は、略長方形形状の板に多数の吐出ノズル24が略一直線状に並んだノズル列24Aが2列、形成されている。上述したように、図3aに示したノズル形成面25aは、ノズル基板25が液滴吐出ヘッド20に組み込まれた状態で、液滴吐出ヘッド20の外面となる面である。略長方形形状の4個所の角の近くに、取付孔26a、取付孔26b、取付孔26c、及び取付孔26dが形成されている。取付孔26a,26b,26c,26dは、ノズル基板25を圧力室プレート51に取り付けるために用いる孔である。ノズル基板25の略長方形形状を構成する4辺の長い辺を長辺27、短い辺を短辺28と表記する。2個の長辺27を長辺27a又は長辺27bと表記し、2個の短辺28を短辺28a又は短辺28bと表記する。図3aに示した平面視で、短辺28a、長辺27a、短辺28b、及び長辺27bは、時計まわりにこの順で位置している。長辺27は、長辺主部271と、長辺端部273と、長辺端部274とを有している。長辺端部273と、長辺端部274とは、長辺主部271の両側にそれぞれ接続しており、長辺主部271に対して、長辺端部273と長辺端部274とが凹んでいる。長辺主部271の中央には、長辺凹部275が形成されている。長辺凹部275も、長辺主部271に対して凹んでいる。短辺28は、短辺主部281と、短辺端部283と、短辺端部284とを有している。短辺端部283と、短辺端部284とは、短辺主部281の両側にそれぞれ接続しており、短辺主部281に対して、短辺端部283と短辺端部284とが凹んでいる。長辺端部273、長辺端部274、短辺端部283、及び短辺端部284が、辺端側部に相当する。長辺主部271、及び短辺主部281が、辺中央側部に相当する。長辺凹部275が、中央凹部に相当する。短辺28aと長辺27aとは、短辺28aの短辺端部284と長辺27aの長辺端部273とが円弧部29a29を介して接続されることによって、円弧部29を介して接続されている。長辺27aと短辺28bとは、長辺27aの長辺端部274と短辺28bの短辺端部283とが面取部31を介して接続されることによって、面取部31を介して接続されている。短辺28bと長辺27bとは、短辺28bの短辺端部284と長辺27bの長辺端部273とが円弧部29b29を介して接続されることによって、円弧部29を介して接続されている。長辺27bと短辺28aとは、長辺27bの長辺端部274と短辺28aの短辺端部283とが円弧部29c29を介して接続されることによって、円弧部29を介して接続されている。円弧部29が、角部曲線部に相当する。面取部31が、接続線部に相当する。ノズル基板25は、マザーノズル基板25A上に区画形成され、マザーノズル基板25Aを分割することにより取り出される。図3bに示すように、マザーノズル基板25Aは、円形のシリコンウェハーである。マザーノズル基板25Aには、102個のノズル基板25が区画形成されている。マザーノズル基板25A上に区画形成されたノズル基板25の長辺27に平行な方向をV軸方向、短辺28に平行な方向をH軸方向と表記する。マザーノズル基板25AのH軸方向における中央では、6個のノズル基板25がV軸方向に並んで形成されている。V軸方向の寸法が、V軸方向に6個のノズル基板25を並べられなくなる部分からは、V軸方向に5個のノズル基板25が並んで形成されている。V軸方向に6個並んだ列のノズル基板25のV軸方向の位置と、5個並んだ列のノズル基板25のV軸方向の位置とは、ノズル基板25のV軸方向の長さの略半分だけずれている。同様に、V軸方向に5個並んだ列のノズル基板25のV軸方向の位置と、4個並んだ列のノズル基板25のV軸方向の位置とは、ノズル基板25のV軸方向の長さの略半分だけずれている。V軸方向に4個並んだ列のノズル基板25のV軸方向の位置と、3個並んだ列のノズル基板25のV軸方向の位置と、及びV軸方向に3個並んだ列のノズル基板25のV軸方向の位置と、2個並んだ列のノズル基板25のV軸方向の位置とは、ノズル基板25のV軸方向の長さの略半分だけずれている。<ノズル基板製造工程>次に、マザーノズル基板25Aに吐出ノズル24などを形成し、個別のノズル基板25に分離する、ノズル基板25の製造工程について、図4、図5、及び図6を参照して説明する。図4は、ノズル基板の製造工程を示すフローチャートである。図5は、ノズル基板の製造工程におけるマザーノズル基板の断面を示す説明図である。図6は、角部貫通孔の形状例を示す説明図である。マザーノズル基板25Aは、素材のシリコンウェハーの状態の基板も、ノズル基板25を形成する途中の状態の基板も、ノズル基板25が分割すればノズル基板25となる状態に区画形成された状態の基板も、マザーノズル基板25Aと表記する。マザーノズル基板25Aが、デバイスマザー基板に相当する。最初に、図4のステップS1では、第一エッチング用のレジスト膜71を形成する。図5aに示したように、角孔開口72aやノズル孔開口74aなどを開口させたレジスト膜71を、マザーノズル基板25Aの1面に形成する。ノズル孔開口74aは、吐出ノズル24を形成するためにレジスト膜71に形成された開口部である。角孔開口72aは、角部貫通孔86を形成するためにレジスト膜71に形成された開口部である。角部貫通孔86は、上述した、短辺端部284と長辺端部273と円弧部29a、長辺端部274と短辺端部283と面取部31、短辺端部284と長辺端部273と円弧部29b、長辺端部274と短辺端部283と円弧部29c、及び長辺凹部275などの外形形状を形成するために形成する孔である。次に、図4のステップS2では、第一エッチングを実施する。第一エッチングは、例えばドライエッチングである。図5bに示したように、レジスト膜71の角孔開口72aやノズル孔開口74aなどに露出したシリコン基板をエッチングして、角孔凹部72やノズル孔凹部74などを形成する。角孔凹部72は、角部貫通孔86の一部を構成する凹部である。ノズル孔凹部74は、吐出ノズル24の一部を構成する凹部である。第一エッチングにおけるエッチング条件は、最も精度が要求される吐出ノズル24の一部を構成するノズル孔凹部74を形成するための条件を優先させて決定する。角孔凹部72を形成する第一エッチングが、貫通孔凹部形成工程に相当する。角孔凹部72が、貫通孔凹部に相当する。次に、図4のステップS3では、熱酸化によって、酸化膜76を形成する。第一エッチングで使用したレジスト膜71を除去し、図5cに示すように、角孔凹部72やノズル孔凹部74の面を含むマザーノズル基板25Aの全面に酸化膜76を形成する。次に、図4のステップS4では、マザーノズル基板25Aの薄化工程を実施する。ノズル基板25の製造工程に投入されるマザーノズル基板25Aは、強度をもたせるために、ノズル基板25の所定の厚さより厚い厚さを有するシリコンウェハーである。薄化工程は、ノズル基板25を形成する部分の厚さを、ノズル基板25の所定の厚さに調整する工程である。図5dに示すように、マザーノズル基板25Aの周縁に縁部125Aを残して薄化凹部125を形成することによって、ノズル基板25を形成する部分の厚さを、ノズル基板25の所定の厚さに調整する。薄化凹部125は、マザーノズル基板25Aの、角孔凹部72やノズル孔凹部74が形成された面の反対側の面を研削して形成する。図5の図5d以降の図におけるマザーノズル基板25Aは、図5aからcにおけるマザーノズル基板25Aとは、図における上下を反転させて図示している。薄化工程が、薄板化工程に相当する。次に、図4のステップS5では、第二エッチング用のレジスト膜81を形成する。図5eに示したように、角孔開口82aやノズル孔開口84aなどを開口させたレジスト膜81を、マザーノズル基板25Aの、薄化凹部125の底面を含む面に形成する。ノズル孔開口84aは、吐出ノズル24を形成するためにレジスト膜81に形成された開口部である。角孔開口82aは、角部貫通孔86を形成するためにレジスト膜81に形成された開口部である。次に、図4のステップS6では、第二エッチングを実施する。第二エッチングは、例えばドライエッチングである。図5fに示したように、レジスト膜81の角孔開口82aやノズル孔開口84aなどに露出したシリコン基板をエッチングして、角孔貫通部82やノズル孔貫通部84などを形成する。角孔貫通部82は、薄化凹部125の底面から角孔凹部72に貫通する孔である。ノズル孔貫通部84は、薄化凹部125の底面からノズル孔凹部74に貫通する孔である。角孔貫通部82を形成する第二エッチングが、孔貫通工程に相当する。次に、図4のステップS7では、酸化膜除去工程を実施する。酸化膜除去工程では、第二エッチングで使用したレジスト膜81、及び酸化膜76を除去する。次に、ステップS8では、図5gに示すように、角孔貫通部82や角孔凹部72の壁面や、ノズル孔貫通部84やノズル孔凹部74の壁面を含むマザーノズル基板25Aの全面に酸化膜78を形成する。角孔貫通部82及び角孔凹部72の壁面に酸化膜78が形成されて角部貫通孔86が形成される。ノズル孔貫通部84及びノズル孔凹部74の壁面に酸化膜78が形成されて吐出ノズル24が形成される。図5gに示した吐出ノズル24は円柱状の孔であるが、吐出ノズル24の形状は、好適な吐出を実施するために、様々な形状の工夫がなされており、例えば、図2cに示したような断面形状を有している。複雑な断面形状の吐出ノズル24を形成するためには、開口の大きさが異なるレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程や、等方性エッチングを実施するエッチング工程や、異方性エッチングを実施するエッチング工程を適宜組み合わせて実施する。角部貫通孔86が、貫通孔に相当する。ここで、図5gに示した角部貫通孔86の平面視形状について、図6を参照して説明する。図6aに示したマザーノズル基板25Aは、図3bに示したマザーノズル基板25Aと同等のものである。図6bに平面視形状を示した角部貫通孔861は、図6aにBで示した円の部分のように、長辺27bと短辺28aとの角部の形状を形成する角部貫通孔86である。角部貫通孔861には、1個のノズル基板25の長辺27bの長辺端部274、短辺28aの短辺端部283、及び円弧部29cが形成されている。短辺端部283となる部分近くの端からH軸方向に延在する分割線381は、分割された片側が短辺28aの短辺主部281となる分割線38である。長辺端部274となる部分近くの端からV軸方向に延在する分割線471は、分割された片側が長辺27bの長辺主部271となる分割線47である。図6cに平面視形状を示した角部貫通孔862は、図6aにCで示した円の部分のように、長辺27bと短辺28aとの角部の形状、及び短辺28aと長辺27aとの角部の形状を形成する角部貫通孔86である。角部貫通孔862には、1個のノズル基板25の長辺27bの長辺端部274、短辺28aの短辺端部283、及び円弧部29cと、1個のノズル基板25の短辺28aの短辺端部284、長辺27aの長辺端部273、及び円弧部29aと、が形成されている。短辺端部284となる部分近くの端からH軸方向に延在する分割線382は、分割された片側が短辺28aの短辺主部281となる分割線38である。短辺端部283となる部分近くの端からH軸方向に延在する分割線383は、分割された片側が短辺28aの短辺主部281となる分割線38である。長辺端部273又は長辺端部274となる部分近くの端からV軸方向に延在する分割線472は、分割された片側が長辺27aの長辺主部271となり、片側が長辺27bの長辺主部271となる分割線47である。図6dに平面視形状を示した角部貫通孔863は、図6aにDで示した円の部分のように、長辺27bと短辺28aとの角部の形状、短辺28bと長辺27bとの角部の形状、及び長辺27aの長辺凹部275の形状を形成する角部貫通孔86である。角部貫通孔863には、1個のノズル基板25の長辺27bの長辺端部274、短辺28aの短辺端部283、及び円弧部29cと、1個のノズル基板25の短辺28bの短辺端部284、長辺27bの長辺端部273、及び円弧部29bと、1個のノズル基板25の長辺27aの長辺凹部275と、が形成されている。長辺端部273となる部分の近くの端からV軸方向に延在する分割線473は、分割された片側が長辺27bの長辺主部271となり、片側が長辺27aの長辺主部271となる分割線47である。長辺端部274となる部分の近くの端からV軸方向に延在する分割線474は、分割された片側が長辺27bの長辺主部271となり、片側が長辺27aの長辺主部271となる分割線47である。短辺端部284又は短辺端部283となる部分近くの端からH軸方向に延在する分割線384は、分割された片側が短辺28bの短辺主部281となり、分割された片側が短辺28aの短辺主部281となる分割線38である。図6eに平面視形状を示した角部貫通孔864は、図6aにEで示した円の部分のように、ノズル基板25の4個所の角部の形状を形成する角部貫通孔86である。角部貫通孔864には、1個のノズル基板25の長辺27bの長辺端部274、短辺28aの短辺端部283、及び円弧部29cと、1個のノズル基板25の短辺28aの短辺端部284、長辺27aの長辺端部273、及び円弧部29aと、が形成されている。角部貫通孔864には、また、1個のノズル基板25の短辺28bの短辺端部284、長辺27bの長辺端部273、及び円弧部29bと、1個のノズル基板25の短辺28bの短辺端部283、長辺27aの長辺端部274、及び面取部31と、が形成されている。短辺端部284又は短辺端部283となる部分近くの端からH軸方向に延在する分割線385及び分割線386は、分割された片側が短辺28bの短辺主部281となり、分割された片側が短辺28aの短辺主部281となる分割線38である。長辺端部273又は長辺端部274となる部分近くの端からV軸方向に延在する分割線475及び分割線476は、分割された片側が長辺27aの長辺主部271となり、片側が長辺27bの長辺主部271となる分割線47である。図6fに平面視形状を示した角部貫通孔865は、図6aにFで示した円の部分のように、長辺27aと短辺28bとの角部の形状、短辺28aと長辺27aとの角部の形状、及び長辺27bの長辺凹部275の形状を形成する角部貫通孔86である。角部貫通孔865には、1個のノズル基板25の長辺27aの長辺端部274、短辺28bの短辺端部283、及び面取部31と、1個のノズル基板25の短辺28aの短辺端部284、長辺27aの長辺端部273、及び円弧部29aと、1個のノズル基板25の長辺27bの長辺凹部275と、が形成されている。短辺端部283又は短辺端部284となる部分の近くの端からH軸方向に延在する分割線387は、分割された片側が短辺28bの短辺主部281となり、分割された片側が短辺28aの短辺主部281となる分割線38である。長辺端部274となる部分の近くの端からV軸方向に延在する分割線477は、分割された片側が長辺27aの長辺主部271となり、片側が長辺27bの長辺主部271となる分割線47である。長辺端部273となる部分の近くの端からV軸方向に延在する分割線478は、分割された片側が長辺27aの長辺主部271となり、片側が長辺27bの長辺主部271となる分割線47である。図6gに平面視形状を示した角部貫通孔866は、図6aにGで示した円の部分のように、長辺27aと短辺28bとの角部の形状、及び長辺27bの長辺凹部275の形状を形成する角部貫通孔86である。角部貫通孔866には、1個のノズル基板25の長辺27aの長辺端部274、短辺28bの短辺端部283、及び面取部31と、1個のノズル基板25の長辺27bの長辺凹部275と、が形成されている。短辺端部283となる部分の近くの端からH軸方向に延在する分割線389は、分割された片側が短辺28bの短辺主部281となる分割線38である。長辺端部274となる部分の近くの端からV軸方向に延在する分割線479は、分割された片側が長辺27aの長辺主部271となり、片側が長辺27bの長辺主部271となる分割線47である。分割線479と反対側の端からV軸方向に延在する分割線480は、分割された片側が長辺27bの長辺主部271となる分割線47である。図6hに平面視形状を示した角部貫通孔867は、図6aにHで示した円の部分のように、長辺27aと短辺28bとの角部の形状を形成する角部貫通孔86である。角部貫通孔867には、1個のノズル基板25の長辺27aの長辺端部274、短辺28bの短辺端部283、及び面取部31が形成されている。短辺端部283又は短辺端部284となる部分の近くの端からH軸方向に延在する分割線390は、分割された片側が短辺28bの短辺主部281となる分割線38である。長辺端部274となる部分の近くの端からV軸方向に延在する分割線481は、分割された片側が長辺27aの長辺主部271となる分割線47である。図6iに平面視形状を示した角部貫通孔868は、図6aにIで示した円の部分のように、長辺27bと短辺28bとの角部の形状、及び長辺27aの長辺凹部275の形状を形成する角部貫通孔86である。角部貫通孔868には、1個のノズル基板25の長辺27bの長辺端部273、短辺28bの短辺端部284、及び円弧部29bと、1個のノズル基板25の長辺27aの長辺凹部275と、が形成されている。短辺端部284となる部分の近くの端からH軸方向に延在する分割線391は、分割された片側が短辺28bの短辺主部281となる分割線38である。長辺端部273となる部分の近くの端からV軸方向に延在する分割線482は、分割された片側が長辺27aの長辺主部271となり、片側が長辺27bの長辺主部271となる分割線47である。分割線482と反対側の端からV軸方向に延在する分割線483は、分割された片側が長辺27aの長辺主部271となる分割線47である。次に、図4のステップS9では、分割線38及び分割線47の部分に改質層を形成する。また、マザーノズル基板25Aにおけるノズル基板25以外の、縁部125Aなどにも、分割用の改質層を形成する。改質層は、多光子吸収による改質領域を連続させたものである。多光子吸収は、レーザー加工装置を用いて、レーザー光を加工対象物に照射し、改質させる部分に当該レーザー光を集光させることによって生じさせる。わずかな力を加えるだけで、改質領域を起点にして、改質領域が形成された加工対象物を分断することができる。次に、ステップS10では、マザーノズル基板25Aを、個別のノズル基板25のチップに分離する。分離する工程は、テープ担体貼り付け工程と、エキスパンド工程と、剥離工程と、を有する。テープ担体貼り付け工程は、伸縮性を有するテープ担体に、改質層を形成したマザーノズル基板25Aを貼り付ける工程である。エキスパンド工程は、テープ担体に2次元の引張力を加えて平面的に引き伸ばすことで、テープ担体に貼り付けられたマザーノズル基板25Aを、個別のノズル基板25のチップに分割する工程である。伸縮性を有するテープ担体は引き伸ばされるが、マザーノズル基板25Aは伸びることができないため、改質層が形成された分割線38及び分割線47の部分で分割される。剥離工程は、テープ担体からノズル基板25のチップを剥離させる工程である。ステップS10を実施して、ノズル基板25の製造工程を終了する。以下、実施形態による効果を記載する。本実施形態によれば、以下の効果が得られる。1ノズル基板25の長辺27と短辺28との角部の3個所は、円弧部29を介して接続されている。角が円弧であることによって、尖った角にくらべて、角部が硬い物体などに衝突した際に欠けたり割れたりすることを抑制することができる。2ノズル基板25の長辺27と短辺28との角部の1個所は、面取部31を介して接続されている。面取部31を介して接続することで、面取部31と長辺27長辺端部274又は短辺28短辺端部283とで形成する角の角度が鈍角になっている。これにより、例えば90度の尖った角にくらべて、角部が硬い物体などに衝突した際に欠けたり割れたりすることを抑制することができる。3マザーノズル基板25Aにおいて、例えば、V軸方向に6個並んだ列のノズル基板25のV軸方向の位置と、5個並んだ列のノズル基板25のV軸方向の位置とは、ノズル基板25のV軸方向の長さの略半分だけずれている。ノズル基板25のV軸方向の位置を同じにした場合、マザーノズル基板25AにおいてはV軸方向に5個並んだ列に、並べることができるノズル基板25は4個のみである。V軸方向におけるノズル基板25の位置をずらすことによって、同じ大きさの基板において、ノズル基板25の取数を多くすることができる。4長辺主部271に対して、長辺端部273と長辺端部274とが凹んでおり、短辺主部281に対して、短辺端部283と短辺端部284とが凹んでいる。角部貫通孔86の平面視形状は、当該凹みを含んだ形状となっている。凹み部分がない場合にくらべて角部貫通孔86の断面積が大きくなるため、角部貫通孔86の形成を容易にすることができる。分割線47又は分割線38の位置を加工する際に、例えば、図6eに示した分割線475において分離されるノズル基板25の端まで加工しても、分割線476において分離されるノズル基板25に対して、少なくとも短辺端部283及び短辺端部284と短辺主部281との段差分の隙間がある。これにより、分割線47又は分割線38を加工する際に、隣のノズル基板25に影響を与えることを抑制することができる。5マザーノズル基板25Aをノズル基板25に分離するために、最初に角部貫通孔86を形成する。角部貫通孔86の断面形状は、レジスト膜に形成する開口の形状によって容易に任意の形状にすることができる。このため、角部の円弧部29や面取部31を容易に形成することができる。6長辺27は、長辺主部271に対して凹んだ長辺凹部275を有している。分割線38の位置を加工する際に、例えば、図6fに示した分割線387において分離されるノズル基板25の端まで加工しても、隣のノズル基板25における分割線387に臨む長辺27に対して、少なくとも長辺凹部275の長辺主部271との段差分の隙間がある。これにより、V軸方向における位置がずれているノズル基板25の分割線38を加工する際に、隣のV軸方向における位置がずれているノズル基板25に影響を与えることを抑制することができる。7角部貫通孔86は、薄化工程の後で角孔貫通部82を形成することによって形成する。薄化工程において研削される面は、角孔凹部72が形成された面の反対側の面である。これにより、薄化工程において、異物が72角部貫通孔86に入ることを抑制することができる。8角部貫通孔86は吐出ノズル24を形成する工程において、吐出ノズル24と並行して形成する。これにより、角部貫通孔86を形成するための加工工程を当該工程だけのために設けることが不要であり、角部貫通孔86を形成するために加工時間が増加することを抑制することができる。また、角部貫通孔86と吐出ノズル24とを、共通のレジスト膜71によって形成することができるため、角部貫通孔86と吐出ノズル24とを形成するためにそれぞれ個別のレジスト膜を形成する場合にくらべて、角部貫通孔86と吐出ノズル24との相対的な位置精度を高くすることができる。すなわち、吐出ノズル24に対する角部の相対的な位置精度を高くすることができる。9ノズル基板25の4個の角は、3個所に円弧部29が形成されており、1個所に面取部31が形成されている。これにより角部の形状によってノズル基板25の姿勢を判別することができる。10マザーノズル基板25Aの分割線38及び分割線47における分割は、分割線38及び分割線47に改質層を形成し、エキスパンド工程によって分離する。レーザー加工装置を用いる改質層の形成は、マザーノズル基板25Aの面方向における任意の位置から加工を開始し、任意の位置で加工を停止したり加工方向を変えたりすることが、容易にできる。これにより、マザーノズル基板25Aにおけるノズル基板25の配列が、ノズル基板25の端の位置が揃っていない配列であっても、分割線38及び分割線47に、容易に改質層を形成することができる。以上、添付図面を参照しながら好適な実施形態について説明したが、好適な実施形態は、前記実施形態に限らない。実施形態は、要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論であり、以下のように実施することもできる。変形例1前記実施形態においては、シリコンデバイスとして、液滴吐出ヘッド20が備えるノズル基板25を例にして説明したが、前記実施形態において説明したシリコンデバイスの形状やシリコンデバイスの製造方法は、他のシリコンからなるデバイスの形状や製造方法にも適用することができる。特に薄板化したデバイスへの適用が効果的である。例えば、可視や赤外のイメージセンサー、シリコンマイクロフォン、シリコン圧力センサー、シリコンジャイロセンサー素子、マイクロアクチュエーターを応用した光学デバイス、超音波アレイ素子、インクジェットヘッドやそれらに適用されるノズルプレート等の部品、レーザー走査用ミラーデバイス、シリコン発振器やクロック、シリコン製のフィルター、μ発電デバイス等が挙げられる。変形例2前記実施形態においては、ノズル基板25の長辺27は、辺中央側部に相当する長辺主部271に対して、辺端側部に相当する長辺端部273と長辺端部274とが凹んでいる。短辺28は、辺中央側部に相当する短辺主部281に対して、辺端側部に相当する短辺端部283と短辺端部284とが凹んでいる。しかし、シリコンデバイスの外形を構成する辺が辺中央側部と辺端側部とを有することも、辺中央側部に対して、辺端側部が凹んでいることも必須ではない。辺の形状は、段差がない直線状の形状であってもよい。変形例3前記実施形態においては、ノズル基板25の長辺27は中央凹部に相当する長辺凹部275を備えていたが、シリコンデバイスの外形を構成する辺が中央凹部を備えることは必須ではない。辺の形状は、段差がない直線状の形状であってもよい。変形例4前記実施形態においては、角部貫通孔86は、角孔凹部72を形成し、薄化工程を実施した後に角孔貫通部82を形成することで形成していた。しかし、貫通孔を複数の孔形成工程によって形成することは必須ではない。貫通孔は、1回の貫通孔形成工程によって、貫通孔を形成するために充分な長さの孔又は充分な深さの凹部を形成することによって形成してもよい。変形例5前記実施形態においては、長辺27aと短辺28bとは、長辺27aの長辺端部274と短辺28bの短辺端部283とが接続線部に相当する面取部31を介して接続されることによって、面取部31を介して接続されていた。しかし、接続線部が面取りによって形成されることは必須ではない。辺と接続線部とで形成する角度は、135度意外の角度であってもよい。また、接続線部は、直線に限らず、曲線であってもよい。変形例6前記実施形態においては、素材としてのマザーノズル基板25Aはノズル基板25の厚さより厚い厚さを有し、薄板化工程に相当する薄化工程を実施することによって、ノズル基板25の厚さを整えていた。しかし、薄板化工程を実施することは必須ではない。デバイスマザー基板として、シリコンデバイスの厚さに調整したシリコン基板を用いてもよい。変形例7前記実施形態においては、短辺28や長辺27における、短辺主部281と短辺端部283又は短辺端部284との段差部分や、長辺主部271と長辺端部273又は長辺端部274との段差部分では、短辺主部281と短辺端部283又は短辺端部284と、又は長辺主部271と長辺端部273又は長辺端部274とが、短辺主部281又は長辺主部271に略直交する段差部で接続されている。しかし、辺中央側部と辺端側部との接続部分の形状が当該形状であることは必須ではない。デバイスマザー基板において隣り合う位置に形成される一方のシリコンデバイスの辺端側部ともう一方のシリコンデバイスの辺端側部とが円弧で接続される形状であってもよい。段差部が辺に対して傾いた直線又は曲線であってもよい。変形例8前記実施形態においては、中央凹部に相当する長辺凹部275の底と長辺主部271とは、長辺凹部275の底及び長辺主部271に略直交する段差部で接続されている。しかし、中央凹部と辺との接続部分の形状が当該形状であることは必須ではない。デバイスマザー基板において隣り合う位置に形成される一方のシリコンデバイスの中央凹部の底と、もう一方のシリコンデバイスの中央凹部の底又は辺端側部とが円弧で接続される形状であってもよい。段差部が中央凹部の底や辺に対して傾いた直線又は曲線であってもよい。変形例9前記実施形態においては、ノズル基板25の4個の角部は、3個所には角部曲線部に相当する円弧部29が形成されており、1個所に接続線部に相当する面取部31が形成されていた。しかし、角部の3個所に角部曲線部が形成され、1個所に接続線部が形成されることは必須ではない。角部曲線部が形成される角部や、接続線部が形成される角部は、何個所であってもよい。シリコンデバイスにおける角部の全てに、角部曲線部又は接続線部が形成される構成であってもよい。変形例10前記実施形態においては、角部曲線部に相当する円弧部29a、円弧部29b、及び円弧部29cの形状は互いに略同一であった。また、円弧部29a、円弧部29b、又は円弧部29cに連続する辺端側部に相当する長辺端部273、長辺端部274、短辺端部283、及び短辺端部284の形状も、互いに略同一であった。しかし、これらの形状が互いに略同一であることは必須ではない。角部曲線部や辺端側部の形状は、各角部ごとに異なる形状であってもよい。角部曲線部や辺端側部の形状を各角部ごとに異ならせることで、角部の角部曲線部や辺端側部の形状によって、どの角部であるか判別することができる。変形例11前記実施形態においては、液滴吐出ヘッド20は、多数の吐出ノズル24が略一直線状に並んだノズル列24Aを2列備えていたが、液滴吐出ヘッドが備えるノズル列は何列であってもよい。"