"地電位GNDに対する太陽光発電機10の電位を設定するための回路装置20であって、前記太陽光発電機10の負の出力11は少なくとも1つの抵抗器21を介して接地接続部15へ接続され、かつ前記太陽光発電機10の正の出力12は、少なくとも1つの第2の抵抗器22とブレークダウンダイオード23とを備える直列回路を介して接地接続部15へ接続され、この接地接続部15へ前記地電位GNDが印加されることを特徴とする回路装置20。地電位GNDに対する太陽光発電機10の電位を設定するための回路装置20であって、前記太陽光発電機10の正の出力12は少なくとも1つの抵抗器21を介して接地接続部15へ接続され、かつ前記太陽光発電機10の負の出力11は、少なくとも1つの第2の抵抗器22とブレークダウンダイオード23とを備える直列回路を介して接地接続部15へ接続され、この接地接続部15へ前記地電位GNDが印加されることを特徴とする回路装置20。前記ブレークダウンダイオード23はツェナーダイオード、アバランシェダイオードまたはサプレッサダイオードである請求項1または請求項2に記載の回路装置20。前記ブレークダウンダイオード23は、複数のツェナーダイオード、アバランシェダイオードまたはサプレッサダイオードの直列回路によって形成される請求項1または請求項2に記載の回路装置20。前記ブレークダウンダイオード23は、前記太陽光発電機10の絶縁限界電圧と同じ大きさの絶縁破壊電圧を有する請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の回路装置20。前記第2の抵抗器22は1キロオームを超える抵抗値を有する請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の回路装置。前記第2の抵抗器22の前記抵抗値は前記第1の抵抗器21の抵抗値より少ない請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の回路装置。前記第2の抵抗器22の前記抵抗値は前記第1の抵抗器21の抵抗値より何倍も少ない請求項7に記載の回路装置20。少なくとも1つの太陽光発電機10と少なくとも1つのインバータ30とを有する太陽光発電設備であって、前記少なくとも1つの太陽光発電機10の電位を設定するための請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の回路装置20を有することを特徴とする太陽光発電設備。少なくとも2つの太陽光発電機10a、10bと、前記少なくとも2つの太陽光発電機10a、10b毎の個々の回路装置20a、20bとを有する請求項9に記載の太陽光発電設備。前記インバータ30、前記太陽光発電機10、または前記太陽光発電機10が前記インバータ30へ経由して接続される直流線13、14の絶縁抵抗を決定するための少なくとも1つの絶縁測定デバイス50を備えた請求項9または請求項10に記載の太陽光発電設備。したがって、本発明の1つの目的は、太陽光発電機の電位がPV発電機の絶縁を保護し、かつ可能な限り腐食を防止する値へ単純かつ複雑でない方法で設定される、当初言及した種類の回路装置を提供することにある。この目的は、独立請求項に記載されている特徴を有する回路装置および太陽光発電設備によって達成される。効果的な展開および改良は、個々の従属請求項に規定されている。第1の変形例において、この目的は、PV発電機の電位を地電位に関連して設定するための回路装置によって達成される。この回路装置は、PV発電機の負の接続部が少なくとも1つの抵抗を介して接地接続部へ接続され、かつPV発電機の正の接続部が少なくとも1つの第2の抵抗器およびブレークダウンダイオードを備える直列回路を介して接地接続部へ接続され、地電位がこの接地接続部へ印加されることにおいて区別化される。第2の変形例において、この目的は、PV発電機の正の接続部が少なくとも1つの抵抗を介して接地接続部へ接続され、かつPV発電機の負の接続部が少なくとも1つの第2の抵抗器とブレークダウンダイオードとを備える直列回路を介して接地接続部へ接続され、地電位がこの接地接続部へ印加されることにおいて区別化される回路装置によって達成される。本出願の目的に沿って、ブレークダウンダイオードは、逆バイアス方向に規定の大きさの絶縁破壊電圧を有するダイオードである。絶縁破壊電圧が超過されると、ダイオードの電流/電圧特性は急勾配で高まる。例示として、1つまたは複数の直列接続のツェナーダイオード、アバランシェダイオード、またはサプレッサダイオードを、ブレークダウンダイオードとして使用することが可能である。サプレッサダイオードは、TVS過渡電圧サプレッサダイオードとも称される。PV発電機の出力電圧がブレークダウンダイオードの絶縁破壊電圧より低い間は、回路装置に起因してPV発電機の負の第1の変形例、または正の第2の変形例接続は事実上地電位にある。出力電圧がさらに上昇すれば、この接続における電位は上昇するが、その勾配は低いものでしかなく、第2の抵抗器の第1の抵抗器に対する抵抗値の割合によって管理される。この抵抗値が適切に選択されれば、これは、PV発電機の絶縁限界電圧が超過されることを防止する。これは、地電位に対して高い電位が常時存在するわけではないことに起因して、一方では直接的な絶縁破壊を防止し、かつ他方ではPV発電機におけるPVモジュールの電気絶縁体の永続的な荷電を防止する。PV発電機は、PV発電機の電圧の大きさがそれを提供する限り、地電位に対する特有の正または負のバイアス電圧電位で可能な限り運転される。第1の変形例による回路装置の一実施形態の場合、これは、例えば薄膜技術を用いるPVモジュールのTCO電極の腐食防止に関連して望ましい。第2の変形例による回路装置の一実施形態の場合、これは、例えば裏側に接点を有する多結晶PVモジュールの効率に関連して望ましい。第3の変形例によれば、この目的は、少なくとも1つのPV発電機と少なくとも1つのインバータとを有するPV設備によって達成され、このPV設備は、少なくとも1つのPV発電機の電位を設定するためのもの等の回路装置を有する。その優位点は、第1および第2の態様のものに一致する。図1は、PV設備を示す略図である。PV設備は、負極とも称される負の接続部11と、正極とも称される正の接続部12とを有するPV発電機10を備える。PV発電機10は、その接続部11,12、および直流線13,14を介して、インバータ30の対応する極性の直流入力31,32へ接続される。インバータ30は、さらに交流出力33を有し、PV発電機10により生成され、かつインバータ30により変換される電力は、この交流出力33を介して送電網40へ供給される。例示として、インバータ30は、3相交流給電用に設計される。インバータ30は、好ましくは、例えば電流が送電網へと通って供給される変圧器を有することによって直流絶縁性である。したがって、直流入力31,32は当初、交流出力33に関して浮動性である。図1は、本出願の目的にとって極めて重要なPV設備の要素のみを示している。例として、インバータ30の交流側には、図示されていないスイッチング、または保護部材例えば、断路器、ACコンタクタ、および/またはフィルタ例えば、正弦波フィルタ、および/または送電網監視デバイスが設けられてもよい。また、インバータ30は、例示されている3相設計以外の方法、例えば単相設計で設計可能である。同様に、直流側のPV発電機10とインバータ30との間の接続部にも、図示されていないスイッチング部材例えば、DCコンタクタ、および/または保護部材等のさらなる要素を配置することができる。例示として、図1におけるPV発電機10は、単一の太陽電池の回路記号によって記号化されている。図示されているPV設備の実装において、PV発電機10は、単一のPVモジュールであっても、または一つに接続された、具体的にはストリング構成の複数のPVモジュールであってもよい。上述の要素に加えて、図1に示されているようなPV設備は、PV発電機10の電位を設定するための回路装置20を備える。回路装置20は、PV発電機10の負の接続部11および正の接続部12へ接続される。さらに、地電位GNDが印加される接地接続部15への接続部も設けられる。回路装置20は、第1の抵抗器21を備え、PV発電機10の負の接続部11はこの第1の抵抗器21を介して接地接続部15へ接続される。回路装置20は、さらに、ブレークダウンダイオード23と直列に接続される第2の抵抗器22を有する。PV発電機10の正の接続部12は、第2の抵抗器22およびブレークダウンダイオード23を介して接地接続部15へ接続され、ブレークダウンダイオード23は、正の接続部12上に正電位が存在するときは地電位GNDに対して逆バイアスされるように配置される。この例示的な実施形態では、一例としてツェナーダイオードがブレークダウンダイオード23として使用される。よって、説明を簡単にするために、本明細書では、以下、ブレークダウンダイオード23をツェナーダイオード23とも称する。しかしながら、代替として、アバランシェダイオード、またはTVSダイオードを用いることも可能である。また、特に目的が数百ボルトの絶縁破壊電圧を達成することである場合には、ブレークダウンダイオード23が、直列に接続された複数のこのようなダイオードによって、例えば複数のツェナーダイオードによって形成されることも実現可能である。図示されている回路装置20の使用は、インバータ30のDC電圧入力31,32が浮動性であるように設計されるか、地電位GNDへの、または地電位GNDへ接続される電圧源への高インピーダンス接続しか持たないかのいずれかであることを想定している。この例示的な実施形態に記述される回路装置20は、本明細書において後述されるように、好ましくは地電位に対して正電位にあるように意図されるPVモジュールと共に用いるように設計される。したがって、例示として、PV発電機10は、薄膜技術を用いるPVモジュールを有する。ツェナーダイオード23は、PV発電機の正の接続部12における地電位GNDに対する所望される最大電圧と同程度の大きさである絶縁破壊電圧を有する。絶縁破壊電圧は、効果的には、所望される最大電圧より僅かに低い。概して、PV発電機10の絶縁限界電圧は所望される最大電圧と見なされる。PV発電機10は、浮動性であり、かつ地電位GNDに対して、これらの抵抗値を無視できるほど十分に高いインピーダンスを有することが想定されている。PV発電機10の電圧がツェナーダイオード23の絶縁破壊電圧より低ければ、ツェナーダイオード23および第2の抵抗器22から形成される分岐は、第1の抵抗器21より著しく高いインピーダンスを有する。したがって、PV発電機10の全体電圧は、第2の抵抗器22およびツェナーダイオード23によって形成される直列回路を通じて降下される。その結果、PV発電機10の負の接続部11は事実上地電位GNDになる。PV発電機10の電圧がさらに上がれば、ツェナーダイオード23の絶縁破壊電圧より高い電圧成分は、第1の抵抗器21および第2の抵抗器22を通じてこれらの抵抗値の割合で降下される。第2の抵抗器22を通って降下される電圧が過度には高くないこと、および絶縁限界電圧が正極において超過されることを保証するためには、第2の抵抗器22の抵抗値は、少なくとも第1の抵抗器21のものより低いものであるべきであり、かつ第2の抵抗器22の抵抗値は、好ましくは第1の抵抗器21のものの何倍も低い。以下、例示として、PV発電機10における電位プロファイルを、第1の抵抗器21が100キロオームの値を有し、かつ第2の抵抗器22が25キロオームの値を有する状況におけるその出力電圧の関数として考察する。ツェナーダイオード23としては、800Vの絶縁破壊電圧を有するダイオードの使用を想定する。出力電圧が絶縁破壊電圧800Vを下回る間、PV発電機10の負の接続部11は、事実上地電位GNDにある。出力電圧がさらに、例えば1000Vまで上がれば、これはツェナーダイオード23の絶縁破壊電圧を200V上回る結果となる。この200Vは、抵抗器21および22を通じてこれらの抵抗値の割合で降下され、換言すれば、第1の抵抗器21を通じて160V、および第2の抵抗器22を通じて40Vが降下される。したがって、PV発電機10の正極12は、地電位GNDに対して840Vの電位にあり、かつ負極11は地電位に対して-160Vの電位にある。PV発電機10の最大電圧が1500Vであるものとすれば、正極12における電位は、相応して地電位GNDに対して940Vであり、かつ負極11は、地電位に対して-560Vの電位にある。想定されている、例えば1000Vの絶縁限界電圧は超過されない。したがって、回路装置20は、PV発電機10の正の接続部12が永続的に高い正電位に保たれることなく、許容される絶縁限界電圧が超過されることを防止する。これは、PV発電機10における、直接的な絶縁破壊、並びにPVモジュールの電気絶縁の永続的荷電の双方を防止する。さらに、PV発電機10の電圧の大きさがこれを許容することを条件として、PV発電機10は、可能な限り地電位GNDに対する正のバイアス電圧電位で運転され、これは、薄膜技術を用いるPV発電機10におけるTCO電極の腐食防止に関してもやはり望ましい。さらに、第1の抵抗器21および第2の抵抗器22は、PV発電機10の電圧がツェナーダイオード23の絶縁破壊電圧を超過する場合、またはPV発電機10において、直流線13,14上で、またはインバータ30の直流入力段上で地電位に関連して短絡、所謂地絡が発生する場合に、電流の流れを制限する。地絡の場合、第1の抵抗器21には、最大でPV発電機10の全体電圧が存在する可能性がある。したがって、故障が発生した場合、故障場所で発生が許容される所定の電力損失は、例えば最大60Wである、という法的要件に従うために、第1の抵抗器21は、少なくとも、PV発電機10から予期される最大電圧においてこの電力損失が超過されないように十分に大きなものに選択されるべきである。図2は、電位を設定するための回路装置を備える、PV設備のさらなる実施形態例を示す。本図では、図1に示されている要素と同じ、または機能上同等の要素に図1と同じ参照記号を付している。図1における実施形態例とは対照的に、図2に示されているPV設備には、2つのPV発電機10a,10bが存在する。PV発電機10a,10bは、各々電位を設定するための回路装置が装備され、これらの回路装置は相応して参照記号20a,20bで識別されている。2つのPV発電機10a,10bは、対応する直流線13a,13b、および14a,14bを介し、スイッチング部材16a,16bを介し、かつ共通の直流線13,14を介してインバータ30に接続される。送電を目的として、インバータ30は、この場合もAC電圧出力33を介して送電網40へ結合される。この場合もやはり、PV発電機10は、例えば薄膜技術を用いるPVモジュールを備える。スイッチング部材16a,16bは、例えば2つのPV発電機10a,10bの一方にシャドーイング、または部分的なシャドーイングが生じた場合、または保守および修理のために、PV発電機10a,10b双方の選択的な接続および切断を可能にする。各回路装置20a,20bの設計は、図1における第1の実施形態例において記述されている回路装置20のものに一致し、よって相応して各々第1の抵抗器21aまたは21b、第2の抵抗器22aまたは22b、およびツェナーダイオード23aまたは23bを備える。回路装置20の単純かつ低コスト設計を考慮すれば、各PV発電機10には、図示されているように、固有の回路装置20a,20bを装備することが効果的である。さらに、スイッチング部材16a,16bの開放によりPV発電機10a,10bがインバータ30から分断される場合、回路装置20a,20bは、堅実な電位設定を保証し、具体的には、個々のPV発電機10a,10bの正極12a,12bにおける考え得る最大の正電位の制限を保証する。図1における実施形態例とのさらなる相違点は、直流回路内に絶縁測定デバイス50が設けられることにある。このような絶縁測定デバイス50は、図示されているようにインバータ30から分離されて設けられても、これに統合されてもよい。絶縁測定デバイス50は、インバータ30の直流入力31,32の双方の極へ接続される。絶縁測定デバイスの接続部における絶縁抵抗は、適切な方法を用いて決定される。絶縁抵抗が予め決められた最小値より少なければ、インバータ30において、直流線13または14、13a,13b、または14a,14bにおいて、もしくはPV発電機10a,10bの一方の内部において、絶縁に問題があるものと推測することが可能である。このような絶縁測定デバイス50においては、通常、絶縁抵抗を測定するために、その接続部と地電位との間に抵抗器が使用される。絶縁測定デバイスにおいて使用されるこのような抵抗器の値は、第1の抵抗器21の値および第2の抵抗器22の値を選択するに当たって適切な形式で考慮されなければならない。さらに、回路装置20から結果的に生じる地電位GND周辺の電位分布の意図的な不均衡も、絶縁測定デバイス50内の地電位GNDへの電流の流れの不均衡を評価する際には、誤り検出を除外するために考慮されなければならない。図2に示されている事例のように、回路装置20a,20bの相互接続から結果的に得られる有効抵抗値が、スイッチング部材16a,16bの異なる切換状態の結果として変われば、絶縁測定デバイス50の抵抗器による不均衡を評価する際にこれもまた考慮されなければならない。図3は、電位を設定するための回路装置を有するPV設備のさらなる実施形態例を示す略図である。この場合もやはり、図1のものと同じ、または機能的に同等の要素は同じ参照記号で示されている。PV設備は、この場合も、負の接続部11および正の接続部12を有するPV発電機10を備える。図1に示されている実施形態例の場合と同様に、PV発電機は直流線13,14を介してインバータ30へ接続され、インバータ30は、この場合もやはりAC電圧出力33を介して、給電のために送電網40へ結合される。インバータ30の設計に関しては、図1に関する記述を参照されたい。PV設備は、この場合も、PV発電機10の電位を設定するための回路装置20を有し、回路装置20は第1の抵抗器21と、第2の抵抗器22と、ブレークダウンダイオード23とを備える。例示として、この場合もやはりブレークダウンダイオード23はツェナーダイオードであってもよく、よって本明細書では以下、これをツェナーダイオード23と称する。これまでの2つの実施形態例とは対照的に、この事例では、PV発電機10の正の接続部12が第1の抵抗器21を介して接地接続部15へ接続されるのに対して、PV発電機10の負の接続部11が第2の抵抗器22とツェナーダイオード23とを備える直列回路を介して接地接続部15へ接続される。先例と同様に、ツェナーダイオード23はこの場合、逆バイアス方向に配置される。したがって、回路装置20は先の実施形態例と同様に設計されるが、PV発電機10は、裏側に接点を有する多結晶PVモジュールがPVモジュール10として使用される場合には、例えば効率面で効果的であるという理由で、可能な限り地電位GNDに対して負のバイアス電圧電位で運転される。さらにこれは、図1および図2における実施形態例の場合と同じ方法で、許容可能な絶縁限界電圧が超過されることを防止する。図2に示されているような、複数のPV発電機が存在するPV設備にも、当然ながら、図3に示されているような回路装置20が別々に装備されてもよい。図3に示されているような回路装置20の使用法は、絶縁測定デバイス関連でも同様に可能である。"