"支持体の一面または両面を、同一面上に互いに異なる表面処理領域を有するように表面処理する段階;前記表面処理された支持体上にガラスフィラー強化プラスチック基板を形成する段階;前記ガラスフィラー強化プラスチック基板上に薄膜パターンを形成する段階;及び、前記薄膜パターンが形成されたガラスフィラー強化プラスチック基板を支持体から分離させる段階;を含むフレキシブル素子flexibledeviceの製作方法。前記支持体がガラスを含む請求項1に記載のフレキシブル素子の製作方法。前記互いに異なる表面処理領域は、プラズマ若しくはイオンビーム処理により形成される領域;または、有機シラン、有機シラザン若しくはシロキサン系列樹脂組成物の蒸着若しくは塗布により形成される領域;を含む請求項1に記載のフレキシブル素子の製作方法。前記表面処理は、プラズマ若しくはイオンビーム処理による支持体の表面改質、または、有機シラン、有機シラザン若しくはシロキサン系列樹脂または有機樹脂の薄膜コーティングによる支持体の表面改質を含む請求項1に記載のフレキシブル素子の製作方法。前記ガラスフィラー強化プラスチック基板は、架橋反応性基を有する透明シロキサン系列樹脂または有機樹脂にガラスフィラーが含浸または分散された透明複合体である請求項1に記載のフレキシブル素子の製作方法。前記ガラスフィラーは、ガラスクロスglassclothまたはガラス織物glassfabric、ガラス不織布nonwovenglassfabric、ガラスメッシュmesh、ガラスビーズglassbeads、ガラスパウダーglasspowder、ガラスフレークglassflake、チョップトガラスchoppedglass、ミルドガラスmilledglass、ヒュームドシリカゾルfumedsilicasol、コロイド状シリカcolloidalsilica及びこれらの混合物から選択されることを使用する請求項5に記載のフレキシブル素子の製作方法。前記ガラスフィラー強化プラスチック基板を、架橋反応性シロキサン系列樹脂または架橋反応性有機樹脂をガラスフィラーに含浸させること、または、圧力を加えて表面を平坦化することによって形成する請求項5に記載のフレキシブル素子の製作方法。前記ガラスフィラー強化プラスチック基板は、平坦化及び/またはガスの遮断のために硬質塗布膜が塗布されている請求項5に記載のフレキシブル素子の製作方法。前記硬質塗布膜は、架橋性有機樹脂、無機ナノ粒子が分散された架橋性有機樹脂、無機膜、及びこれらの組み合わせのうち少なくとも一つ以上を含む請求項8に記載のフレキシブル素子の製作方法。前記薄膜パターンは、薄膜トランジスターthinfilmtransistor、液晶表示素子liquidcrystaldisplay、電気泳動表示素子electrophoreticdisplay、有機発光ダイオードorganiclightemittingdiode、プラズマ表示素子plasmadisplay、タッチスクリーンパネルtouchscreenpanel、太陽電池素子solarcell、微細光学素子opticaldevicesを含む請求項1に記載のフレキシブル素子の製作方法。本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためのものであり、素子製作のための工程条件に適する耐火学性及び耐熱性などを備えたプラスチック基板を支持体上に形成し、素子製作が完了した後に支持体から容易に分離されることができるフレキシブル素子の製作方法を提供することをその目的とする。また、本発明は、安定的な素子の製作のために低い熱膨張係数を有するプラスチック基板を使用し、前記プラスチック基板を支持体上に形成したり、或いは分離させるとき、接着剤またはレーザーなどを使用しないフレキシブル素子の製作方法を提供することをその目的とする。本発明によるフレキシブル素子の製作方法は、前記言及された従来の技術とは差別されるものであり、支持体の一面または両面を、同一面上に互いに異なる表面処理領域を有するように表面処理する段階;前記表面処理された支持体上にガラスフィラー強化プラスチック基板を形成する段階;前記ガラスフィラー強化プラスチック基板上に薄膜パターンを形成する段階;及び前記薄膜パターンが形成されたガラスフィラー強化プラスチック基板を支持体から分離させる段階;を含む。以下、図面を参考して本発明のフレキシブル素子の製作方法を詳細に説明する。図1に示すように、本発明によるフレキシブル素子の製作方法は、下記の通りである。A支持体1を必要な大きさに切断した後、B前記支持体1の一面または両面を、同一面上に互いに異なる表面処理領域2、2’、2を有するように表面処理する。C前記表面処理された支持体上にガラスフィラー強化プラスチック基板3を形成する。D前記ガラスフィラー強化プラスチック基板3上に薄膜パターン4を形成し、E前記薄膜パターン4が形成されたガラスフィラー強化プラスチック基板3を支持体1から分離する。前記支持体としてはガラスを使用するのが好ましく、必ずしもこれに限定されない。前記Bで、互いに異なる表面処理領域は、プラズマ若しくはイオンビーム処理により形成される領域;または、有機シラン、有機シラザン若しくはシロキサン系列樹脂組成物の蒸着若しくは塗布により形成される領域;を含み、図1のBに示すように、2、2’、2の形態を含む。このとき、前記支持体上に互いに異なる表面処理領域を有するように、一部面を相違に表面処理したり、或いはパターンが形成されることができるように表面処理することは、支持体上に形成されるプラスチック基板が容易に分離されることができるようにするためのことであり、2’、2の形態がより好ましい。前記支持体の表面処理は、プラズマ若しくはイオンビーム処理による支持体の表面改質、または、有機シラン、有機シラザン若しくはシロキサン系列樹脂または有機樹脂の薄膜コーティングによる支持体の表面改質を含む。即ち、支持体の表面をプラズマ若しくはイオンビーム処理したり、或いは有機シラン若しくは有機シラザンを表面に蒸着したり、或いはシロキサン樹脂を含む有機樹脂をコーティングして薄膜を形成することであり、ガラスフィラー強化プラスチック基板形成に使われる樹脂と異なる有機官能基を有する有機樹脂コーティングを含むことができる。これは支持体とガラスフィラー強化プラスチック基板との間の強い直接的な物理的または化学的結合を緩衝する役割をすることによって、従来の接着剤を使用する技術とは差別される。このとき、前記表面処理は、支持体の全面或いは一部面に一定のパターンを有する形態であり、例えば、支持体の四つの辺に一定の幅を有する領域に選択的にすることができ、この場合、前記言及された表面処理のうち少なくとも一つ以上が混合的に適用されることができる。前記表面処理に使われる有機シラン及び有機シラザンとしては、3アミノプロピルトリメトキシシラン、3メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、エポキシシクロヘキシルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、1H,1H,2H,2Hヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラザンなどが使われることができる。また、前記表面処理に使われる有機樹脂としては、3,4ジヒドロキシフェニルLアラニン、メタクリル、アクリル、エポキシ、ビニル、アミンなどを含む樹脂が使われることができる。前記Cで、前記ガラスフィラー強化プラスチック基板は、架橋反応性基を有する透明シロキサン系列樹脂または有機樹脂にガラスフィラーglassfillerが含浸または分散された透明複合体を有するものであり、熱硬化触媒または光硬化触媒により架橋されて支持体上に形成されることができ、このとき、表面を平坦化するために圧力を加えて形成することができる。このように、特別にガラスフィラー強化プラスチック基板を使用すると、熱膨張係数を低くすることができ、可撓性を向上させることができ、機械的及び熱的安定性を向上させることができるため好ましい。前記ガラスフィラーは、ガラスクロスglasscrossまたはガラス織物glassfabric、ガラス不織布nonwovenglassfabric、ガラスメッシュmesh、ガラスビーズglassbeads、ガラスパウダーglasspowder、ガラスフレークglassflake、チョップトガラスchoppedglass、ミルドガラスmilledglass、ヒュームドシリカゾルfumedsilicasol、コロイド状シリカcolloidalsilica及びこれらの混合物から選択されることができる。このとき、ガラス織物を使用する場合、ガラスフィラー強化プラスチック基板の厚さは、ガラス織物の厚さ、数量、含浸される樹脂の量、及び平坦化のために加えられる圧力の強度などにより決定されることができる。また、前記ガラスフィラー強化プラスチック基板は、平坦化及び/またはガス水分の遮断、物理的及び化学的損傷防止のために硬質塗布膜が形成されることができる。前記塗布膜は、架橋性有機樹脂、無機ナノ粒子が分散された架橋性有機樹脂、無機膜のうち少なくとも一つ以上を含む形態である。前記塗布膜は、メタクリル、アクリル、及びエポキシ樹脂などから選択されることができ、前記無機膜は、SiO2またはAl2O3を含むことができるが、必ずしもこれに限定されない。前記Dで、薄膜パターンは、例えば、薄膜トランジスターthinfilmtransistor、液晶表示素子liquidcrystaldisplay、電気泳動表示素子electrophoreticdisplay、有機発光ダイオードorganiclightemittingdiode、プラズマ表示素子plasmadisplay、タッチスクリーンパネルtouchscreenpanel、太陽電池素子solarcell、微細光学素子opticaldevicesなどを含むことができる。前記本発明によって、Eで、従来レーザーの照射またはウェットエッチングwetetchingを含む溶媒使用などの分離工程を追加することなく、薄膜パターンが形成されたガラスフィラー強化プラスチック基板を支持体から容易に分離することができる。以上で説明した通り、本発明によるフレキシブル素子の製作方法は、支持体の表面処理を用いて素子が製作されたガラスフィラー強化プラスチック基板を支持体から簡単に分離することができるため、フレキシブル素子をより容易に製作することができるという長所がある。以下、本発明を実施例により詳細に説明する。ただし、下記実施例は例示に過ぎず、本発明の内容は下記実施例により限定されない。<実施例1>ガラス基板を10×10cmの大きさに切断した後、酸素プラズマ処理をした。次に、ガラス基板の四つの辺の幅1cmの領域を除いた残りの中央領域には1H,1H,2H,2Hヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシランを蒸着処理した。表面処理が完了したガラス基板上に厚さ50μmのEglassガラス織物glassfabric、Nittobo社、Japanを位置させ、メタクリル基及びフェニル基を有するシロキサン樹脂MD或いはHMDHybrimer、KAIST、Koreaを塗布して含浸させた。次に、圧力を加えながら窒素雰囲気下で365nm波長の紫外線に5分間露出させることによってガラス繊維強化プラスチック基板を支持体上に形成させた。表面処理されたガラス基板上に形成されたガラス繊維強化プラスチック基板上に原子層蒸着法ALD;atomiclayerdeposition及びRFスパッタリング法RFsputteringにより150°Cで酸化物半導体薄膜トランジスターoxidesemiconductorthinfilmtransistorを製作した。製作が終了された後、別途の追加工程無しにガラス繊維強化プラスチック基板をガラス基板から分離した。<実施例2>ガラス基板を10×10cmの大きさに切断した後、酸素プラズマ処理をした。次に、ガラス基板の四つの辺の幅1cmの領域を除いた残りの中央領域にはエポキシ基及びフェニル基を有するシロキサン樹脂EDHybrimer、KAIST、Koreaを薄膜コーティングして表面処理した。表面処理が完了したガラス基板上に厚さ25μmのEglassガラス織物glassfabric、Nittobo社、Japanを2枚重ねて位置させ、メタクリル基及びフェニル基を有するシロキサン樹脂MD或いはHMDHybrimer、KAIST、Koreaを塗布して含浸させた。次に、圧力を加えながら365nm波長の紫外線に5分間露出させることによってガラス繊維強化プラスチック基板を支持体上に形成させた。表面処理されたガラス基板上に形成されたガラス繊維強化プラスチック基板上に原子層蒸着法ALD;atomiclayerdeposition及びRFスパッタリング法RFsputteringにより150°Cで酸化物半導体薄膜トランジスターoxidesemiconductorthinfilmtransistorを製作した。製作が終了された後、別途の追加工程無しにガラス繊維強化プラスチック基板をガラス基板から分離した。<実施例3>ガラス基板を10×10cmの大きさに切断した後、酸素プラズマ処理をした。次に、ガラス基板の四つの辺の幅1cmの領域にはポリドーパミン水溶液樹脂を薄膜コーティングして表面処理し、これを除いた残りの中央領域には1H,1H,2H,2Hヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシランを蒸着処理した。表面処理が完了したガラス基板上に厚さ25μmのEglassガラス織物glassfabric、Nittobo社、Japanを2枚重ねて位置させ、エポキシ基及びフェニル基を有するシロキサン樹脂EDHybrimer、KAIST、Koreaを塗布して含浸させた。次に、365nm波長の紫外線に5分間露出させることによってガラス繊維強化プラスチック基板を支持体上に形成させた。表面処理されたガラス基板上に形成されたガラス繊維強化プラスチック基板上に原子層蒸着法ALD;atomiclayerdeposition及びRFスパッタリング法RFsputteringにより150°Cで酸化物半導体薄膜トランジスターoxidesemiconductorthinfilmtransistorを製作した。製作が終了された後、別途の追加工程無しにガラス繊維強化プラスチック基板をガラス基板から分離した。<実施例4>ガラス基板を10×10cmの大きさに切断した後、酸素プラズマ処理をした。次に、ガラス基板の四つの辺の幅1cmの領域を除いた残りの中央領域にはエポキシ基及びフェニル基を有するシロキサン樹脂を薄膜コーティングして表面処理した。表面処理が完了したガラス基板上に厚さ25μmのEglassガラス織物glassfabric、Nittobo社、Japanを2枚重ねて位置させ、メタクリル基及びフェニル基を有するシロキサン樹脂MD或いはHMDHybrimer、KAIST、Koreaを塗布して含浸させた。次に、365nm波長の紫外線に5分間露出させることによってガラス繊維強化プラスチック基板を支持体上に形成させた。表面処理されたガラス基板上に形成されたガラス繊維強化プラスチック基板上にphotoCVDphotoassistedchemicalvapordeposition法、及びRFPECVDrfplasmaenhancedchemicalvapordeposition法により250°Cで非晶質シリコン薄膜太陽電池aSithinfilmsolarcellを製作した。製作が終了された後、別途の追加工程無しにガラス繊維強化プラスチック基板をガラス基板から分離した。前記実施例1~4のフレキシブル素子は、支持体上に形成されたガラス繊維強化プラスチック基板が容易に分離されることを確認することができた。"