ウェハの第1面を支持する支持部材と、前記ウェハ内部のレーザ損傷層を分割起点として前記ウェハの第2面に分散させた圧力を印加する加圧装置と、を備えることを特徴とするウェハダイシングプレス装置。前記支持部材は、支持板と、前記支持板に設けられ、前記ウェハの第1面と対応する弾性層と、を備えることを特徴とする請求項1に記載のウェハダイシングプレス装置。前記弾性層は、ゴム、シリコン、ウレタン及びそれらの組み合わせのうちいずれか一つ以上の材料から形成されることを特徴とする請求項2に記載のウェハダイシングプレス装置。前記加圧装置は、圧力を発生させる圧力発生装置と、前記圧力発生装置で発生した圧力を前記ウェハの第2面に等しく分散させる圧力分散装置と、を備えることを特徴とする請求項1に記載のウェハダイシングプレス装置。前記圧力発生装置は、内部空間を有するフレームと、作動流体を供給する作動流体供給装置と、前記作動流体の通路を形成し、前記フレームと前記作動流体供給装置とを連結する流圧ラインと、前記作動流体供給装置に制御信号を入力する制御部と、を含むことを特徴とする請求項4に記載のウェハダイシングプレス装置。前記作動流体は、空気、窒素、不活性ガス及びそれらの組み合わせのうちいずれか一つ以上を選択することを特徴とする請求項5に記載のウェハダイシングプレス装置。前記制御部は、前記ウェハに臨界破断圧力以上の圧力が作用するように前記作動流体供給装置に圧力制御信号を入力することを特徴とする請求項5に記載のウェハダイシングプレス装置。前記圧力分散装置は、内部空間を有するフレームの一側に設けられ、前記圧力発生装置で発生した圧力を前記ウェハに伝達するダイヤフラムを備えることを特徴とする請求項4に記載のウェハダイシングプレス装置。前記ダイヤフラムは、作動流体の圧力によって変形自在な弾性材料から形成される膜を備えることを特徴とする請求項7に記載のウェハダイシングプレス装置。前記ダイヤフラムは、ゴム、シリコン、ウレタン及びそれらの組み合わせのうちいずれか一つ以上の材料から形成されることを特徴とする請求項9に記載のウェハダイシングプレス装置。本発明の目的は、生産性を向上させることが可能なウェハダイシングプレス装置、及びウェハダイシングプレス装置を用いた半導体ウェハダイシングシステムを提供することにある。本発明によると、ウェハダイシングプレス装置は、ウェハの第1面を支持する支持部材と、ウェハ内部のレーザ損傷層を分割起点としてウェハの第2面に分散させた圧力を印加する加圧装置と、を備える。また、本発明によると、支持部材は、支持板と、支持板に設けられウェハの第1面と対応する弾性層と、を備える。弾性層は、ゴム、シリコン、ウレタン及びそれらの組み合わせのうちいずれか一つ以上の材料から形成される。また、本発明によると、加圧装置は、圧力を発生させる圧力発生装置と、圧力発生装置で発生した圧力をウェハの第2面に等しく分散させる圧力分散装置と、を備える。また、本発明によると、圧力発生装置は、内部空間を有するフレームと、作動流体を供給する作動流体供給装置と、作動流体の通路を形成し、フレームと作動流体供給装置とを連結する流圧ラインと、作動流体供給装置に制御信号を入力する制御部と、を備える。また、本発明によると、作動流体供給装置が供給する作動流体は、空気、窒素、不活性ガス及びそれらの組み合わせのうちいずれか一つ以上である。また、本発明によると、制御部は、ウェハに臨界破断圧力以上の圧力が作用するように作動流体供給装置に圧力制御信号を入力するものであってもよいまた、本発明によると、圧力分散装置は、内部空間を有するフレームの一側に設けられ、圧力発生装置で発生した圧力をウェハに伝達するダイヤフラムを備える。また、本発明によると、ダイヤフラムは、作動流体の圧力によって変形自在な弾性材料から形成される膜であってもよい。また、本発明によると、ダイヤフラムは、ゴム、シリコン、ウレタン及びそれらの組み合わせのうちいずれか一つ以上の材料から形成される。また、本発明によると、半導体ウェハダイシングシステムは、ウェハにレーザ損傷層を形成するようにレーザ光を照射するレーザ装置、レーザ損傷層が形成されたウェハを研磨する研磨装置、および、ウェハの第1面を支持する支持部材とウェハ内部のレーザ損傷層を分割起点として機能するようにウェハの第2面に圧力を印加する加圧装置と、を有するウェハダイシングプレス装置からを構成されている。また、本発明によると、レーザ装置は、ウェハ内部にレーザ損傷層を形成するようにレーザ光を照射するステルスレーザ装置であってもよい。また、本発明によると、研磨装置はウェハの背面を研磨するものであってもよいまた、本発明によると、ウェハダイシングプレス装置の支持部材は、支持板と、支持板に設けられウェハの第1面と対応する弾性層と、を含む。また、本発明によると、ウェハダイシングプレス装置の加圧装置は、圧力を発生させる圧力発生装置と、圧力発生装置で発生した圧力をウェハの第2面に等しく分散させる圧力分散装置と、を含む。また、本発明によると、圧力発生装置は、内部空間を有するフレームと、作動流体を供給する作動流体供給装置と、作動流体の通路を形成し、フレームと作動流体供給装置とを連結する流圧ラインと、作動流体供給装置に制御信号を入力する制御部と、を含む。また、本発明によると、圧力分散装置は、内部空間を有するフレームの一側に設けられ、作動流体の圧力をウェハに伝達するダイヤフラムを備える。また、本発明によると、半導体ウェハダイシングシステムは、ウェハの活性面にテープを付着するテープ付着装置をさらに備える。本発明によるウェハダイシングプレス装置では、レーザ光照射によってウェハ内部に分割起点として機能するレーザ損傷層を形成し、ダイヤフラムを利用してウェハ全体に等しく均一な圧力を作用させることによって、1回のレーザ光照射及び1回のプレスだけでウェハに形成されている多数の半導体素子を個別に分離することができる。これにより、ウェハダイシング時間及び費用を低減することができる。また、ダイシング圧力がウェハ全体に等しく作用するだけでなく、ウェハに臨界破断圧力以上の最小圧力だけ正確に作用させることができるため、圧力不均一による局所的な分離の失敗や、過剰な圧力による異物発生及び半導体素子領域の破損を防止することができる。以下、添付された図面を参照しつつ、本発明のさまざまな実施形態について詳細に説明する。本発明の実施形態は、当技術分野で当業者に本発明についてさらに完全に説明するために提供されるものであり、下記実施形態は、さまざまな異なる形態に変形され、本発明の範囲が、下記実施形態に限定されるものではない。これらの実施形態は、本開示をさらに忠実であって完全なものにし、当業者に本発明の思想を完全に伝達するために提供されるものである。また、図面で各層の厚みや大きさは、説明の便宜性及び明確性のために誇張されている。本明細書で同じ符号は、同じ要素を指す。明細書全体にわたって、層、領域または基板のような1つの構成要素が他の構成要素上に、連結され、または下に位置すると言及するときは、1つの構成要素が直接に他の構成要素上に、連結され、または下に接触したりするなど、その間に介在されるさらに他の構成要素が存在しうると解釈されてもよい。一方、1つの構成要素が、他の構成要素の直接に上に、直接に連結され、または直接に下に位置すると言及するときは、その間に介在する他の構成要素が存在しないと解釈される。一実施形態図1は、本発明の一実施形態によるウェハダイシングプレス装置100の圧力印加前の状態を示す概念図であり、図2は、図1のウェハダイシングプレス装置100の圧力印加状態を示す概念図である。図1及び図2に図示されているように、ウェハダイシングプレス装置100は、支持部材10及び加圧装置20を含む。支持部材10には、内部にレーザ損傷層Lが形成されたウェハWが載置され、テープTが接着されたウェハWの第1面Waを支持する。支持部材10は、ウェハW以上の大きさを有する支持板11、及びウェハWの第1面Waと対応する支持板11の一側面に形成される弾性層12を含む。弾性層12は、ゴム、シリコン、ウレタン及びそれらの組み合わせのうちいずれか一つ以上の材料から形成されている。前述のウェハWは、レーザ光照射によって、内部に分割起点として機能するレーザ損傷層Lが形成されており、ウェハWの第1面Wa、すなわち、活性面WC図7参照にテープTが接着され、活性面WCに形成された半導体素子領域を外部異物や衝撃から保護する。ここで、ウェハWの第1面Waと活性面WCは、一致しても一致しなくともよい。半導体素子領域は、ウェハWの第1面Waと対応する弾性層12によって、外部の異物や衝撃、後述する加圧装置20から印加される過剰な圧力から保護される。弾性層12は、ウェハWの特定部分に圧力が過重にかかることを防止する役割も行うことができる。すなわち、ウェハWの特定部分に過剰な圧力がかかれば、弾性層12が変形し、圧力が低い部分に圧力を伝達させることもできる。一方、図2に図示されているように、加圧装置20は、ウェハW内部のレーザ損傷層Lを分割起点として機能するように、ウェハWの第2面Wbに分散させた圧力を発生させる圧力発生装置21、及び圧力発生装置21で発生した圧力をウェハWの第2面Wa全面に等しく印加する圧力分散装置22を含む。圧力発生装置21は、内部空間Aを形成するフレーム211と、内部空間Aに作動流体1を供給する作動流体供給装置212と、作動流体1の通路が形成し、フレーム211と作動流体供給装置212とを連結する流圧ライン213と、作動流体供給装置212に制御信号を入力する制御部214と、を備える。作動流体供給装置212から供給される作動流体1は、ガスであってもよく、そのうちでも、空気、窒素、あるいはヘリウム、ネオン、アルゴンなどの不活性ガスであってもよい。また、図5に図示されているように、作動流体供給装置212は、空圧ポンプAPであってもよい。また、制御部214は、図6に図示されているように、ウェハWに臨界破断圧力P1以上の圧力Pを印加するように、作動流体供給装置212に圧力制御信号を入力することが可能である。ここで、ウェハWに加えられる圧力Pは、臨界破断圧力P1以上であると同時に、図6に図示されているように、必要以上にウェハWに過剰な圧力がかからないように、最小の圧力で最適化されることが望ましい。一方、図2に図示されているように、圧力分散装置22は、内部空間Aが形成されるフレーム211の一側に設けられ、圧力発生装置21で発生した圧力をウェハWに伝達するダイヤフラム221を備える。ダイヤフラム221は、作動流体1の圧力によって変形自在な弾性材料から形成される膜であり、ウェハWとの密着性と圧力分散効率とを高めるために、弾性変形が容易なクッション表面を有することが可能であり、そのために、ゴム、シリコン、ウレタン及びそれらの組み合わせのうちいずれか一つ以上を含んだ材料から形成されている。図2は、図1のウェハダイシングプレス装置100の圧力印加状態を示す概念図であり、図3及び図4は、ウェハWのクラックC1、C2の進行状態を示す概念図である。ウェハダイシングプレス装置100の圧力印加状態について説明すると、まず、図3に図示されているように、プレス211の内部空間Aに作動流体1が供給され、比較的小さい圧力F1が発生する。これにより、ダイヤフラム221が、作動流体1の圧力F1によって、ウェハW側に変形しつつ、ウェハWと密着し、ウェハWに圧力を伝達する。このとき、作動流体1の圧力F1は、一定の温度で、ガスの圧力と体積とは互いに反比例するというボイルの法則によって、ダイヤフラム221の表面に等しく均一に作用する。ダイヤフラム221は、ウェハWの全面にわたって、このように均一な圧力F1を伝達する。ウェハW内部のレーザ損傷層Lに均一な圧力F1が伝達され、分割起点として各レーザ損傷層Lにおいて均一にクラックC1が形成される。これと同時に、弾性層12は、ウェハWの特定部分に過剰な圧力がかかれば、弾性層12が変形し、圧力が低い部分に圧力を伝達させることによってウェハWの特定部分に過剰な圧力がかかることを防止する。次に、図4に図示されているように、プレス211の内部空間Aに作動流体1が持続的にさらに供給され、比較的大きい圧力F2が発生する。ダイヤフラム221は、作動流体1の圧力F2によって、ウェハW側にさらに大きく変形しつつ、ウェハWとさらに密着する。これにより、ウェハWにさらに大きい圧力を伝達する。このとき、作動流体1の圧力F2は、一定の温度でガスの圧力と体積とは互いに反比例するというボイルの法則によって、ダイヤフラム221の表面に等しく均一に作用する。ダイヤフラム221は、ウェハWの全面にわたって、このような均一かつ、圧力F1より大きい圧力F2を伝達することができる。ウェハW内部のレーザ損傷層Lに均一な圧力F2が伝達され、各レーザ損傷層Lでは、完全なクラックC2が発生し、完全分断される。ここで、前述のクラックC1、C2の方向は、ウェハWの結晶構造によって、上下方向に進み、クラックC1、C2がウェハWの半導体素子領域を侵犯することを防止することができる。このとき、弾性層12は、ウェハWに必要以上の圧力が作用しても、ウェハWの活性層を保護し、半導体素子領域の破損を防止することができる。従って、ダイヤフラム221を利用し、ウェハW全体に等しく均一な圧力を印加することによって、ウェハを速かに完全分断することができる。また、ウェハに臨界破断圧力以上の最小圧力を正確に作用させることにより、圧力不均一による局部的な分断失敗や、過剰な圧力による異物の発生、及び半導体素子領域の破損を防止することができる。図7は、本発明の一実施形態によるウェハダイシングプレス装置を適用した半導体ウェハダイシングシステム1000を示す概念図である。図7に図示されているように、半導体ウェハダイシングシステム1000は、テープ付着装置110と、レーザ装置120と、研磨装置130と、ウェハダイシングプレス装置100と、を含む。テープ付着装置110は、ウェハWの活性面WCにテープTを付着させる。ここで、テープTは、ウェハWの活性面WCを保護し、半導体素子部分に異物が付着したり、外部の衝撃によって半導体素子部分が破損したりすることを防止する。レーザ装置120は、ウェハWにレーザ損傷層Lを形成するようにレーザ光Kを照射する。レーザ装置120には、ウェハW内部にレーザ損傷層Lを形成するようにレーザ光Kを照射するステルスレーザ装置が適用されてもよい。レーザ装置120は、図7に図示されているように、ウェハWの内部に集光点を合わせてレーザ光Kを照射することによって、ウェハW内部に多光子吸収による光学的損傷部を形成させることができる。このとき、ウェハW内部に光学的損傷部を十分に形成させるため、レーザ光Kが照射される量である絶対照射量が必要であり、このため、レーザ光Kの移動時間、すなわち、最小スキャニング時間がかかる。半導体ウェハダイシングシステム1000では、ウェハダイシングプレス装置100が、ウェハW全体に等しく均一な圧力を印加し、クラックを直線的に、かつ速かに形成することができるために、レーザ装置120を1回照射するだけでもウェハを完全に分割することができる。従って、レーザ光照射によってウェハ内部に分割起点として機能するスキャンレーザ損傷層を1つ形成し、ダイヤフラムを利用してウェハ全体に等しく均一な圧力を1回印加することによって1回のレーザ光照射及び1回のプレスだけで、個々の半導体素子を完全に分離することができる。研磨装置130は、レーザ損傷層Lが形成されたウェハWの背面または、非活性面Wdを研磨する装置であり、ウェハWの背面Wdを研磨し、ウェハ厚H1をウェハ厚H2とすることにより、ウェハを軽薄化することができる。このとき、研磨を行う段階で、レーザ損傷層Lを分割起点として微細なクラックが発生させることもできる。図7に示すウェハダイシングプレス装置100は、前述のように、ウェハWの第1面Waを支持する支持部材10、ウェハW内部のレーザ損傷層Lを分割起点として機能するようにウェハWの第2面Wbに圧力を印加する加圧装置20、を備える。ここで、ウェハダイシングプレス装置100の支持部材10は、支持板11と、支持板11に設けられ、ウェハWの第1面Waと対応する弾性層12と、を備える。また、ウェハダイシングプレス装置100の加圧装置20は、圧力を発生させる圧力発生装置21と、圧力発生装置21で発生した圧力をウェハWの第2面Wbに等しく分散させる圧力分散装置22と、を含む。圧力発生装置21は、内部空間Aを形成するフレーム211と、内部空間Aに作動流体1を供給する作動流体供給装置212と、作動流体1の通路を形成し、フレーム211と作動流体供給装置212とを連結する流圧ライン213と、作動流体供給装置212に制御信号を入力する制御部214と、を含む。また、圧力分散装置22は、内部空間Aが形成されるフレーム211の一側に設けられ、作動流体1の圧力をウェハWに伝達するダイヤフラム221を備える。ダイヤフラム221は、作動流体1の圧力によって変形自在な弾性材料から形成される膜である。図8は、本発明の一実施形態によるウェハダイシングプレス装置100を適用した半導体ウェハダイシングシステム1000における半導体ウェハダイシング方法を示すフローチャートである。半導体ウェハダイシング方法について説明すると、半導体ウェハダイシングシステム1000における半導体ウェハダイシング方法は、図8に示すように、図7のテープ付着装置110を利用し、ウェハWの活性面WCにテープTを付着するテープ付着段階S1と、次に、図7のレーザ装置120を利用し、ウェハW内部にレーザ損傷層Lを形成するようにレーザ光Kを照射するレーザ光照射段階S2と、次に、図7の研磨装置130を利用し、ウェハWを薄く研磨することができるように、レーザ損傷層Lが形成されたウェハWの背面Wdを研磨するウェハ研磨段階S3と、次に、図7のウェハダイシングプレス装置100を利用し、ウェハWの第1面Waを支持し、ウェハW内部のレーザ損傷層Lを分割起点として機能するように、ウェハWの第2面Wbに圧力を印加するダイヤフラムプレッシング段階S4と、を含む。ここで、ウェハダイシングプレス装置100の作動流体供給装置212に、制御信号を入力する制御部214は、図6に図示されているように、ウェハWに臨界破断圧力P1以上の圧力Pが作用するように、作動流体供給装置212に圧力制御信号を入力することができる。ここで、ウェハWに加えられる圧力Pは、臨界破断圧力P1以上であると同時に、図6に図示されているように、必要以上にウェハWに圧力を加えないように、最小の圧力で最適化されることが望ましい。前述した方法以外にも、制御部214は、ウェハWに対して圧力Pを段階的に印加したり、衝撃を小さくするために圧力Pの昇圧速度または降圧速度を遅くしたり、圧力Pの昇降を多数回反復させるなど、ウェハWの厚み、レーザ損傷層Lの特性、クラックの形態などを考慮して、多様な形態で圧力印加制御形態を最適化し、これをプログラミングし、制御信号を入力することができる。本発明は、前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の思想を害さない範囲内で、当業者による変形が可能であるということは言うまでもない。従って、本発明で権利を請求する範囲は、詳細な説明の範囲内で決まるものではなく、特許請求の範囲と、その技術的思想とによって限定されるものである。