基板表面に平均周期が20nm~100nmの微細な凹凸を有する凹凸形成層を形成する第1の工程と、前記凹凸形成層の表面上に前記凹凸の形状に沿った形状を有する酸素含有皮膜を形成する第2の工程と、前記酸素含有皮膜上に触媒金属層を形成する第3の工程と、熱処理を行うことによって前記触媒金属層を溶融して孤立した複数の触媒微粒子にする第4の工程と、炭素含有ガスを利用した化学気相成長法により、前記触媒微粒子上にカーボンナノチューブを成長させる第5の工程とを有することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。前記凹凸形成層が窒化チタンからなり、前記凹凸の平均周期を前記窒化チタンの成膜雰囲気中の窒素の流量比で制御することを特徴とする請求項1に記載のカーボンナノチューブの製造方法。前記触媒金属層の膜厚が、05nm~5nmであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のカーボンナノチューブの製造方法。前記基板が、ヒートスプレッダーであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブの製造方法。ヒートスプレッダーと、前記ヒートスプレッダーの電子デバイスとの対向面に形成され、平均周期が20nm~100nmの微細な凹凸を有する凹凸形成層と、前記凹凸形成層の表面に形成された前記凹凸の形状に沿った形状を有する酸素含有皮膜と、前記酸素含有皮膜上に形成された孤立した複数の触媒微粒子と、前記触媒微粒子上に成長した複数のカーボンナノチューブとを有する熱拡散装置。しかしながら、所望のカーボンナノチューブを再現性良く製造する方法が、未だ確立されておらず、その製造方法についての解決方法は、数える程しか報告されていない。例えば、上述の製造方法では、どちらも大規模な製造設備、高精度な制御を必要とし、また、作業工数増大にも繋がり、量産には適していないという問題がある。したがって、本発明は、カーボンナノチューブの直径の制御性を高め且つ成長密度を高めることを目的とする。開示する一観点からは、基板表面に平均周期が20nm~100nmの微細な凹凸を有する凹凸形成層を形成する第1の工程と、前記凹凸形成層の表面上に前記凹凸の形状に沿った形状を有する酸素含有皮膜を形成する第2の工程と、前記酸素含有皮膜上に触媒金属層を形成する第3の工程と、熱処理を行うことによって前記触媒金属層を溶融して孤立した複数の触媒微粒子にする第4の工程と、炭素含有ガスを利用した化学気相成長法により、前記触媒微粒子上にカーボンナノチューブを成長させる第5の工程とを有することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法が提供される。また、開示する別の観点からは、ヒートスプレッダーと、前記ヒートスプレッダーの電子デバイスとの対向面に形成され、平均周期が20nm~100nmの微細な凹凸を有する凹凸形成層と、前記凹凸形成層の表面に形成された記凹凸の形状に沿った形状を有する酸素含有皮膜と、前記酸素含有皮膜上に形成された孤立した複数の触媒微粒子と、前記触媒微粒子上に成長した複数のカーボンナノチューブとを有する熱拡散装置が提供される。開示のカーボンナノチューブの形成方法及び熱拡散装置によれば、カーボンナノチューブの直径の制御性を高め且つ成長密度を高めることが可能になる。ここで、図1乃至図4を参照して、本発明の実施の形態のカーボンナノチューブの製造工程を説明する。まず、図1aに示すように、基板11上に平均周期が20nm~100nmの微細な凹凸を有する凹凸形成層12を形成する。この凹凸形成層12は、例えば、窒素含有雰囲気中でTiターゲットを用いたスパッタリング法により形成する。この時、窒素雰囲気中の窒素流量を制御することによって、凹凸形成層12の表面の微小な凹凸の平均周期を制御する。例えば、窒素雰囲気としてArN2雰囲気を用いた場合には、Arsccm:N2sccm=30:16~30:25の範囲で制御すれば良く、Ar/N2比Arに対するN2の流量が大きいほど凹凸の平均周期を大きくすることができる。図2は、成膜したTiN膜の電子顕微鏡写真であり、柱状構造が形成されることによって、表面に微小な凹凸が形成されていることがわかる。図3は、TiN膜の成膜条件と凹凸のサイズの相関の説明図であり、図3aは成膜レートのAr/N2比依存性の説明図であり、図3bは凹凸のサイズのAr/N2比依存性の説明図である。図3aに示すように、成膜レートはAr/N2比が大きくなるにしたがって、低減するがそれほど大きな変化はないことがわかる。図3bに示すように、凹凸のサイズは、凹凸の高さも凹凸の平面方向のサイズ周期もAr/N2比が大きくなるにしたがって大きくなることがわかる。次いで、図1bに示すように、凹凸形成層12の表面に凹凸の形状に沿った形状が現れるように薄い酸素含有皮膜13を成膜する。この酸素含有皮膜13は典型的にはSiO2膜であるが、SiON膜等の他の酸素を構成要素とする皮膜でも良い。次いで、図1cに示すように、酸素含有皮膜13上に膜厚が05nm~5nmの触媒金属層を形成したのち、熱処理を施すことによって複数の触媒微粒子14を形成する。この触媒微粒子14は酸素含有皮膜13の表面の凹凸形状の変曲点の近傍を核として形成される。したがって、触媒微粒子14の位置と数は凹凸形状により制御されることになる。なお、触媒金属層としては、Fe、Co、Niを含む遷移金属を用いる。次いで、図1dに示すように、炭素含有ガスを利用した化学気相成長法により、触媒微粒子14を成長核として長さが5μm~500μmのカーボンナノチューブ15を成長させる。触媒微粒子14は薄い触媒層に相当するので、太い多層カーボンナノチューブが得られる。なお、化学気相成長法としては、ホットフィラメントCVD法、熱CVD法やリモートプラズマCVD法等を用いる。この時、カーボンナノチューブ15の位置及び数は、触媒微粒子14の位置と数、したがって、凹凸形成層12の表面の凹凸のサイズに依存することになる。凹凸形成層12の表面の凹凸の平均周期が20nm未満であると太い多層カーボンナノチューブの成長が困難になる。一方、100nmを超えるとカーボンナノチューブの密度が低くなり熱伝達性が劣ることになる。炭素含有ガスとしては、メタン、アセチレン、ブタンを含む炭化水素、アルコール、一酸化炭素或いは二酸化炭素のいずれかの第1のガスと、H2ガス、N2ガス、O2ガス、水蒸気及びArガスから選択される一種以上のガスからなる第2のガスとの混合ガスを用いる。このカーボンナノチューブ15の間隙に有機系充填材を充填してCNTシートを構成したのち、このCNTシートを機械的に剥離することによって、熱拡散装置における熱伝達部材として用いる。有機系充填材としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド樹脂、或いは、ポリアミド系樹脂等の熱可塑性樹脂を用いる。図4は、本発明の実施の形態の熱拡散装置を用いた実装構造の概略的断面図であり、ビルドアップ基板21に実装された発熱源となる電子デバイス22とヒートスプレッダー23との間にCNTシート24を介在させる。ヒートスプレッダー23はビルドアップ基板21に対して接着剤25を用いてシーラント接着する。なお、予め発熱体となる電子デバイス22や放熱体となるヒートスプレッダーに充填材を塗布し、そこにカーボンナノチューブを転写させて熱拡散装置を作製しても良く、充填材は毛細管現象でカーボンナノチューブの間に、カーボンナノチューブとほぼ同じ高さまで充填される。このように、本発明の実施の形態においては、微細な凹凸を有する凹凸形成層を用いているので、カーボンナノチューブの位置、密度及び太さを従来よりも精度良く制御することができる。なお、カーボンナノチューブの成長基板として、ヒートスプレッダー自体を用いれば、CNTシートの剥離工程等が不要になり、また、密着性が確実になる。次に、図5及び図6を参照して、本発明の実施例1のCNTシートの製造工程を説明する。まず、図5aに示すように、表面にSiO2膜32を形成したシリコン基板31上に、厚さが300nmのTiN膜33を成膜する。この時の成膜条件としては、Ar:N2=30sccm:20sccmの流量比で0.2Paにした窒素含有雰囲気中で300WのRF電力を印加してTiターゲットを用いてスパッタリングを行う。成膜したTiN膜33の表面の凹凸の高さは30nm程度であった。TiNは、他金属と比べ、耐熱性という面においても非常に優れており、後のカーボンナノチューブ成長における熱処理工程においても、触媒金属又は他金属と合金化することもなく、触媒の微粒子化をアシストするその凹凸形状をも充分保つことができる。次いで、図5bに示すように、CVD法を用いてTiN膜33の表面に厚さが10nm~30nmのSiO2膜34を成膜する。このSiO2膜34は十分薄いのでTiN膜33の表面の凹凸形状を反映した表面構造となる。次いで、図5cに示すように、スパッタリング法を用いて、厚さが05nm~5nmのFe膜35を触媒金属層として成膜する。次いで、図5dに示すように、600°C~800°Cで5分~90分間の熱処理を行うことによって、Fe膜35を溶融してFe微粒子36に変換する。このFe微粒子36のSiO2膜34の表面の凹凸形状の変曲点の近傍を核として形成される。次いで、図6eに示すように、ホットフィラメントCVD法により、長さが5nm~500μmのカーボンナノチューブ37を成長させる。原料ガスとしてアセチレンとアルゴンの混合ガス分圧比1:9を用い、成膜質内の総ガス圧を、ホットフィラメント温度を1000°Cとする。カーボンナノチューブ37の長さは成長時間により制御する。次いで、図6fに示すように、熱可塑性樹脂シートをカーボンナノチューブ37上に載置したのち、加熱することによって熱可塑性樹脂シートを溶融してカーボンナノチューブ37の間隙を熱可塑性樹脂38で充填する。熱可塑性樹脂38は、毛細管現象により、カーボンナノチューブ37の間に、カーボンナノチューブ37とほぼ同じ高さまで充填される。次いで、図6gに示すように、熱可塑性樹脂38を硬化させたのち、シリコン基板31から機械的に剥離することによってCNTシート39が得られる。図7は、CNTシートをサーマルインターフェースマテリアルとして用いた半導体装置の実装方法の説明図である。図7aに示すように、ビルドアップ基板41上に半導体装置42を搭載する。次いで、図7bに示すように、半導体装置42の背面にCNTシート39を載置する。次いで、図7cに示すように、ヒートスプレッダー43を接着剤44によりビルドアップ基板41にシーラント接着する。この時、CNTシート39は柔軟性を有しているので、半導体装置42とヒートスプレッダー43に対して密着し、半導体装置42の発熱を効率良くヒートスプレッダー43に伝達することができる。このように、本発明の実施例1においては、カーボンナノチューブの位置、数及び太さをTiN膜の表面の凹凸形状で制御しているので、CNTシートの熱伝導率を向上することができる。次に、図8及び図9を参照して、本発明の実施例2の熱拡散装置の製造工程を説明する。まず、図8aに示すように、ヒートスプレッダー43の表面に、例えば、メタルマスク45を設けてスパッタリング法を用いて選択的にTiN膜33を形成する。なお、メタルマスク45上への堆積物は図示を省略する。なお、ヒートスプレッダーの材質は通常、熱伝導率の高いCu等が用いられている。また、TiNを形成しない領域を覆う目的で用いているメタルマスクは、特に、メタルである必要はなく、その目的を果たせるものであれば何でも良い。次いで、図8bに示すように、CVD法を用いてTiN膜33の表面に厚さが10nm~30nmのSiO2膜34を成膜する。このSiO2膜34は十分薄いのでTiN膜33の表面の凹凸形状を反映した表面構造となる。次いで、図8cに示すように、スパッタリング法を用いて、厚さが05nm~5nmのFe膜35を触媒金属層として成膜する。次いで、図9dに示すように、600°C~800°Cで5分~90分間の熱処理を行うことによって、Fe膜35を溶融してFe微粒子36に変換する。このFe微粒子36のSiO2膜34の表面の凹凸形状の変曲点の近傍を核として形成される。次いで、図9eに示すように、メタルマスク45を除去したのち、ホットフィラメント化学気相成長法により、長さが5nm~500μmのカーボンナノチューブ37を成長させる。次いで、図9fに示すように、熱可塑性樹脂シートをカーボンナノチューブ37上に載置したのち、加熱することによって熱可塑性樹脂シートを溶融してカーボンナノチューブ37の間隙を熱可塑性樹脂38で充填する。熱可塑性樹脂38は、毛細管現象により、カーボンナノチューブ37の間に、カーボンナノチューブ37とほぼ同じ高さまで充填される。次いで、熱可塑性樹脂38を硬化させることによって、熱拡散装置が得られる。図10は、本発明の実施例2の熱拡散装置を用いた半導体装置の実装工程の説明図である。図10aに示すように、ビルドアップ基板41上に半導体装置42を搭載する。次いで、図10bに示すように、半導体装置42の背面にCNTシート39が当接するようにしてヒートスプレッダー43を接着剤44によりビルドアップ基板41にシーラント接着する。この時、CNTシート39は柔軟性を有しているので、半導体装置42に対して密着し、半導体装置42の発熱を効率良くヒートスプレッダー43に伝達することができる。このように、本発明の実施例2においては、カーボンナノチューブをヒートスプレッダーに直接成長させているので、CNTシートの剥離工程やCNTシートの載置工程や接着剤が不要になる。また、カーボンナノチューブはヒートスプレッダー上に直接成長しているので密着性にも問題はない。ここで、実施例1及び実施例2を含む本発明の実施の形態に関して、以下の付記を付す。付記1基板表面に平均周期が20nm~100nmの微細な凹凸を有する凹凸形成層を形成する第1の工程と、前記凹凸形成層の表面上に前記凹凸の形状に沿った形状を有する酸素含有皮膜を形成する第2の工程と、前記酸素含有皮膜上に触媒金属層を形成する第3の工程と、熱処理を行うことによって前記触媒金属層を溶融して孤立した複数の触媒微粒子にする第4の工程と、前記炭素含有ガスを利用した化学気相成長法により、前記触媒微粒子上にカーボンナノチューブを成長させる第5の工程とを有することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。付記2前記凹凸形成層が窒化チタンからなり、前記凹凸の平均周期を前記窒化チタンの成膜雰囲気中の窒素の流量比で制御することを特徴とする付記1に記載のカーボンナノチューブの製造方法。付記3前記触媒金属層の膜厚が、05nm~5nmであることを特徴とする付記1または付記2に記載のカーボンナノチューブの製造方法。付記4前記触媒金属層が、少なくともFe、Co、Niを含む遷移金属であることを特徴とする付記1乃至付記3のいずれか1に記載のカーボンナノチューブの製造方法。付記5前記炭素含有ガスは、炭化水素、アルコール、一酸化炭素或いは二酸化炭素のいずれかの第1のガスと、H2ガス、N2ガス、O2ガス、水蒸気及びArガスから選択される一種以上のガスからなる第2のガスとの混合ガスであることを特徴とする付記1乃至付記4のいずれか1に記載のカーボンナノチューブの製造方法。付記6前記基板が、ヒートスプレッダーであることを特徴とする付記1乃至付記5のいずれか1に記載のカーボンナノチューブの製造方法。付記7ヒートスプレッダーと、前記ヒートスプレッダーの電子デバイスとの対向面に形成され、平均周期が20nm~100nmの微細な凹凸を有する凹凸形成層と、前記凹凸形成層の表面に形成された前記凹凸の形状に沿った形状を有する酸素含有皮膜、前記酸素含有皮膜上に形成された孤立した複数の触媒微粒子と、前記触媒微粒子上に成長した複数のカーボンナノチューブとを有する熱拡散装置。付記8前記複数のカーボンナノチューブの間隙が有機系充填材で充填されていることを特徴とする付記7に記載の熱拡散装置。