"基板上に、陽極、複数の有機層及び陰極が積層されてなる有機電界発光素子において、発光層、正孔輸送層及び電子阻止層からなる群れから選ばれる少なくとも一つの層に一般式1で表されるカルバゾール化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子。ここで、Lはm価の総炭素数6~30の芳香族炭化水素基又は総炭素数3~30の芳香族複素環基であるが、カルバゾール環含有基であることはない。Rはそれぞれ独立して水素、炭素数1~10のアルキル基又は炭素数3~11のシクロアルキル基である。mは1~3の整数であり、nはそれぞれ独立して1~4の整数であるが、少なくとも1つのnは2~4の整数であり、式中に少なくとも1つの式1aで表される結合構造を有する。ここで、Rは一般式1と同意である。一般式1において、mは1~2の整数であり、nはそれぞれ独立して1~3の整数であり、少なくとも1つのnは2~3の整数である請求項1に記載の有機電界発光素子。一般式1において、カルバゾール環間の全ての結合構造が式1a、又は式1a及び下記式1bで表される結合構造である請求項2に記載の有機電界発光素子。ここで、Rは式1aと同意である。一般式1において、Lが式2~5のいずれか1つからm個の水素を除いて生じるm価の基である請求項1に記載の有機電界発光素子。式2~5中、Xはそれぞれ独立してCH又は窒素を表し、Rはそれぞれ独立して水素、炭素数1~10のアルキル基又は炭素数3~11のシクロアルキル基を表す。式3及び5中、Yは酸素又は硫黄を表し、式4中、pは0~2の整数を表す。一般式1において、Lが式2~4のいずれか1つからm個の水素を除いて生じるm価の基である請求項4に記載の有機電界発光素子。一般式1において、nの総和が2~6の整数である請求項1に記載の有機電界発光素子。カルバゾール化合物を含む有機層が、燐光発光ドーパントを含有する発光層であることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の有機電界発光素子。本発明の有機電界発光素子は、前記一般式1で表されるカルバゾール化合物以下、一般式1で表される化合物ともいうを有機層に含有する。このカルバゾール化合物は4-9-カルバゾリルカルバゾール構造を有することにより、上記のような優れた効果をもたらすと考えられる。一般式1において、Lは総炭素数6~30の芳香族炭化水素又は総炭素数3~30の芳香族複素環化合物からm個の水素をとって生じるm価の基を表す。好ましくはLは総炭素数6~18の芳香族炭化水素又は芳香族複素環化合物からm個の水素をとって生じるm価の基である。ここで、Lはカルバゾール環含有基であることはない。ここでいうカルバゾール環含有基は、置換若しくは未置換のカルバゾールからm個の水素をとって生じるm価の基である。詳しくは、カルバゾール環を構成するN又はCからm個の水素をとって生じるm価の基である。芳香族炭化水素又は芳香族複素環化合物の具体例としては、ベンゼン、ペンタレン、インデン、ナフタレン、アズレン、ヘプタレン、オクタレン、インダセン、アセナフチレン、フェナレン、フェナンスレン、アントラセン、トリンデン、フルオランテン、アセフェナントリレン、アセアントリレン、トリフェニレン、ピレン、クリセン、テトラフェン、テトラセン、プレイアデン、ピセン、ペリレン、ペンタフェン、ペンタセン、テトラフェニレン、コラントリレン、ヘリセン、ヘキサフェン、ルビセン、コロネン、トリナフチレン、ヘプタフェン、ピラントレン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、キサンテン、オキサトレン、ジベンゾフラン、ペリキサンテノキサンテン、チオフェン、チオキサンテン、チアントレン、フェノキサチイン、チオナフテン、イソチアナフテン、チオフテン、チオファントレン、ジベンゾチオフェン、ピロール、ピラゾール、テルラゾール、セレナゾール、チアゾール、イソチアゾール、オキサゾール、フラザン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、インドリジン、インドール、イソインドール、インダゾール、プリン、キノリジン、イソキノリン、イミダゾール、ナフチリジン、フタラジン、キナゾリン、ベンゾジアゼピン、キノキサリン、シンノリン、キノリン、プテリジン、フェナントリジン、アクリジン、ペリミジン、フェナントロリン、フェナジン、カルボリン、フェノテルラジン、フェノセレナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、アンチリジン、ベンゾチアゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾイソオキサゾール、ベンゾイソチアゾール又はこれら芳香環が複数連結された芳香族化合物等が挙げられる。なお、芳香環が複数連結された芳香族化合物である場合、連結される数は2~10が好ましく、より好ましくは2~7であり、連結される芳香環は同一であっても異なっていても良い。その場合、式1中、m個のカルバゾリル基と結合する結合位置は限定されず、連結された芳香環の末端部の環であっても中央部の環であってもよい。ここで、芳香環は芳香族炭化水素環及び芳香族複素環を総称する意味である。また、連結された芳香環に少なくとも1つの複素環が含まれる場合は芳香族複素環に含める。ここで、芳香環が複数連結された芳香族化合物から生じるm価の基が1価の基の場合は、例えば、下記式で表わされる。式11~13中、Ar1~Ar6は、置換又は無置換の芳香環を示す。上記芳香環が複数連結されて生じる基の具体例としては、例えばビフェニル、ターフェニル、ビピリジン、ビピリミジン、ビトリアジン、ターピリジン、ビストリアジルベンゼン、フェニルターフェニル、ビナフタレン、フェニルピリジン、ジフェニルピリジン、フェニルピリミジン、ジフェニルピリミジン、フェニルトリアジン、ジフェニルトリアジン、フェニルナフタレン、ジフェニルナフタレン等から水素を除いて生じる1価の基が挙げられる。一般式1において、好ましいLの形態としては、式2~5、好ましくは式2~4で表される芳香族化合物から生じるm価の基が挙げられる。これらのm価の基は、式2~5中に現れる環を形成する炭素からm個の水素を除いて生じる価の基であり、mが2以上の場合、除かれる水素は同一の環でも異なっていても良い。式2~5において、Xはそれぞれ独立してメチン又は窒素を表す。それぞれの六員環を構成するXのうち、0~3個のXが窒素であることが好ましく、より好ましくは全てがメチンである。式3及び5中、Yは酸素又は硫黄を表す。式4中、pは0~2の整数を表すが、好ましくは0又は1である。一般式1において、好ましいLを与える芳香族化合物の具体例は、ベンゼン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ビフェニル、ターフェニル、ビピリジン、ビピリミジン、ビトリアジン、ターピリジン、ビストリアジルベンゼン、フェニルピリジン、ジフェニルピリジン、フェニルピリミジン、ジフェニルピリミジン、フェニルトリアジン、ジフェニルトリアジン、フェニルジベンゾフラン、フェニルジベンゾチオフェン、ジベンゾフラニルピリジン、ジベンゾチエニルピリジンが挙げられる。より好ましくは、ベンゼン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ビフェニル、ターフェニル、ビストリアジルベンゼン、フェニルジベンゾフラン、フェニルジベンゾチオフェンが挙げられる。一般式1において、mは1~3の整数を表す。好ましくはmは1又は2であり、より好ましくはmは1である。一般式1において、nはそれぞれ独立して1~4の整数を表す。好ましくはnは1~3である。しかし、少なくとも1つのnは2~4の整数であり、式中に少なくとも1つの式1aで表される結合構造を有する。カルバゾール環間の全ての結合構造が式1a、又は式1a及び式1bで表される結合構造であることが好ましい。ここで、カルバゾール環は、一般式1中に現れる3環の縮合環をいう。nの総和カルバゾール環の総数は2~12の整数であるが、好ましくは2~9であり、より好ましくは2~6である。一般式1において、式1aで表される結合構造を1以上有する必要がある。mが2以上で、nが2以上の場合、全部が式1aで表される結合構造であるか、式1a及び式1bで表される結合構造の両者であることが好ましい。ここで、nが3以上の場合、結合構造が2以上存在することになるが、それぞれが上記結合構造であることが好ましい。なお、式1a及び式1bで表される結合構造において、一方のカルバゾール環が末端のカルバゾール環である場合は、一つの結合は水素と結合し、NはL又は他のカルバゾール環と結合することが好ましい。一般式1、式2~5、式1a~1bにおいて、Rはそれぞれ独立して水素、炭素数1~10のアルキル基又は炭素数3~11のシクロアルキル基を表す。好ましくは水素、炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~8のシクロアルキル基であり、より好ましくは水素、炭素数1~4のアルキル基又は炭素数5~7のシクロアルキル基である。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基が挙げられ、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基が挙げられる。上記アルキル基は直鎖であっても、分岐していても構わない。シクロアルキル基の具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、メチルシクロヘキシル基が挙げられ、好ましくはシクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基が挙げられる。一般式1及び式2~5、式1a~1bにおいて、それぞれ同一の記号及び式は特に断らない限り同一の意味を有すると解される。本発明のカルバゾール化合物は、4位がハロゲン原子で置換されたカルバゾール誘導体を出発原料とし、目的とする化合物の構造に応じて原料を選択し、公知の手法を用いて合成することができる。例えば、4位がフッ素原子で置換されたカルバゾール誘導体の4‐フルオロカルバゾール骨格は、JournalofOrganicChemistry,2008,No.73,p7603-p7610に示される合成例を参考にして以下の反応式により合成することができる。前述の反応式で得られるカルバゾール化合物の窒素上の水素を、例えばウルマン反応などのカップリング反応により、対応する置換基に置換させることで、一般式1で表される化合物を合成することができる。一般式1で表されるカルバゾール化合物の具体例を以下に示すが、本発明の有機電界発光素子に用いられる材料はこれらに限定されない。一般式1で表されるカルバゾール化合物は、基板上に、陽極、複数の有機層及び陰極が積層されてなる有機EL素子において、発光層、正孔輸送層及び電子阻止層の少なくとも1つの有機層に含有させることにより、優れた有機電界発光素子を与える。含有させる有機層としては発光層、正孔輸送層が好ましい。より好ましくは、燐光発光ドーパントを含有する発光層のホスト材料として含有させることがよい。次に、本発明の有機EL素子について説明する。本発明の有機EL素子は、基板上に積層された陽極と陰極の間に、少なくとも一つの発光層を有する有機層を有し、且つ発光層、正孔輸送層及び電子阻止層の少なくとも一つの有機層は、一般式1で表される化合物を含む。有利には、発光層又は正孔輸送層中に一般式1で表される化合物を含み、更に有利には燐光発光ドーパントと共に一般式1で表される化合物を発光層中に含む。次に、本発明の有機EL素子の構造について、図面を参照しながら説明するが、本発明の有機EL素子の構造は何ら図示のものに限定されるものではない。図1は本発明に用いられる一般的な有機EL素子の構造例を示す断面図であり、1は基板、2は陽極、3は正孔注入層、4は正孔輸送層、5は発光層、6は電子輸送層、7は陰極を各々表わす。本発明の有機EL素子では発光層と隣接して励起子阻止層を有してもよく、また、発光層と正孔注入層との間に電子阻止層を有しても良い。励起子阻止層は発光層の陽極側、陰極側のいずれにも挿入することができ、両方同時に挿入することも可能である。本発明の有機EL素子では、基板、陽極、発光層及び陰極を必須の層として有するが、必須の層以外の層に、正孔注入輸送層、電子注入輸送層を有することがよく、更に発光層と電子注入輸送層の間に正孔阻止層を有することがよい。なお、正孔注入輸送層は、正孔注入層と正孔輸送層のいずれか又は両者を意味し、電子注入輸送層は、電子注入層と電子輸送層のいずれか又は両者を意味する。なお、図1とは逆の構造、すなわち、基板1上に陰極7、電子輸送層6、発光層5、正孔輸送層4、陽極2の順に積層することも可能であり、この場合も、必要により層を追加したり、省略したりすることが可能である。-基板-本発明の有機EL素子は、基板に支持されていることが好ましい。この基板については、特に制限はなく、従来から有機EL素子に慣用されているものであればよく、例えば、ガラス、透明プラスチック、石英などからなるものを用いることができる。-陽極-有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい4eV以上金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはAu等の金属、CuI、インジウムチンオキシドITO、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXOIn2O3-ZnO等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は100μm以上程度、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常10~1000nm、好ましくは10~200nmの範囲で選ばれる。-陰極-一方、陰極としては、仕事関数の小さい4eV以下金属電子注入性金属と称する、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm~5μm、好ましくは50~200nmの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極又は陰極のいずれか一方が、透明又は半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。また、陰極に上記金属を1~20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。-発光層-発光層は燐光発光層であり、燐光発光ドーパントとホスト材料を含む。燐光発光ドーパント材料としては、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金及び金から選ばれる少なくとも1つの金属を含む有機金属錯体を含有するものがよい。かかる有機金属錯体は、前記先行技術文献等で公知であり、これらが選択されて使用可能である。燐光発光ドーパントの発光波長は550nm以下に発光極大波長を有することが望ましい。好ましい燐光発光ドーパントとしては、Ir等の貴金属元素を中心金属として有するIr3等の錯体類、2Iracac等の錯体類、Ptacac等の錯体類が挙げられる。これらの錯体類の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されない。前記燐光発光ドーパントが発光層中に含有される量は、1~50重量の範囲にあることが好ましい。より好ましくは5~30重量である。発光層におけるホスト材料としては、前記一般式1で表される化合物を用いることが好ましい。しかし、該化合物を発光層以外の他の何れかの有機層に使用する場合は、発光層に使用する材料は一般式1で表される化合物以外の他のホスト材料であってもよい。また、一般式1で表される化合物と他のホスト材料を併用してもよい。更に、公知のホスト材料を複数種類併用して用いてもよい。使用できる公知のホスト化合物としては、正孔輸送能又は電子輸送能を有し、かつ発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高いガラス転移温度を有する化合物であることが好ましい。このような他のホスト材料は、多数の特許文献等により知られているので、それらから選択することができる。ホスト材料の具体例としては、特に限定されるものではないが、インドール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8-キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾール誘導体の金属錯体に代表される各種金属錯体、ポリシラン系化合物、ポリNビニルカルバゾール誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。-注入層-注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、正孔注入層と電子注入層があり、陽極と発光層又は正孔輸送層の間、及び陰極と発光層又は電子輸送層との間に存在させてもよい。注入層は必要に応じて設けることができる。-正孔阻止層-正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。正孔阻止層には公知の正孔阻止層材料を用いることができる。また、正孔阻止層材料としては、後述する電子輸送層の材料を必要に応じて用いることができる。-電子阻止層-電子阻止層とは、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料から成り、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔が再結合する確率を向上させることができる。電子阻止層の材料としては、前記一般式1で表される化合物を用いることが好ましいが、該化合物を他の何れかの有機層に使用する場合は、後述する正孔輸送層の材料を必要に応じて用いることができる。電子阻止層の膜厚は好ましくは3~100nmであり、より好ましくは5~30nmである。-励起子阻止層-励起子阻止層とは、発光層内で正孔と電子が再結合することにより生じた励起子が電荷輸送層に拡散することを阻止するための層であり、本層の挿入により励起子を効率的に発光層内に閉じ込めることが可能となり、素子の発光効率を向上させることができる。励起子阻止層は発光層に隣接して陽極側、陰極側のいずれにも挿入することができ、両方同時に挿入することも可能である。励起子阻止層の材料としては、例えば、1,3-ジカルバゾリルベンゼンmCPや、ビス2-メチル-8-キノリノラト-4-フェニルフェノラトアルミニウムIIIBAlqが挙げられる。-正孔輸送層-正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、正孔輸送層は単層又は複数層設けることができる。正孔輸送材料は、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。正孔輸送材料としては、前記一般式1で表される化合物を用いることが好ましいが、該化合物を他の何れかの有機層に使用する場合は、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。使用できる公知の正孔輸送材料としては例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物を用いることが好ましく、芳香族第3級アミン化合物を用いることがより好ましい。-電子輸送層-電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、電子輸送層は単層又は複数層設けることができる。電子輸送材料正孔阻止材料を兼ねる場合もあるとしては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよい。電子輸送層には従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。以下、本発明を実施例によって更に詳しく説明するが、本発明は勿論、これらの実施例に限定されるものではなく、その要旨を越えない限りにおいて、種々の形態で実施することが可能である。以下に示すルートにより本発明に用いた一般式1で表される化合物を合成した。尚、化合物番号は、上記化学式に付した番号に対応する。合成例1化合物1-3の合成窒素雰囲気下、オルトフルオロフェニルボロン酸を600g、2ブロモアセトアニリド400g、テトラキスパラジウム132g0011mol、炭酸ナトリウム109gの水溶液、トルエン1000ml、エタノールを400ml加え、90°Cで加熱しながら一晩撹拌した。反応溶液を室温まで冷却した後に、トルエン500ml、蒸留水を撹拌しながら加えた。有機層を蒸留水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後に、硫酸マグネシウムをろ別し、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製を行い、白色固体として中間体Aを321gを得た。窒素雰囲気下、中間体Aを320g、酢酸パラジウムIIを160g、酢酸銅252g014mol、トルエン1390ml加え、110°Cで加熱しながら一晩撹拌した。反応溶液を室温まで冷却した後に、トルエン500ml、蒸留水を撹拌しながら加えた。有機層を蒸留水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後に、硫酸マグネシウムをろ別し、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製を行い、白色固体として中間体Bを120gを得た。窒素雰囲気下、中間体Bを82g、テトラヒドロフラン60ml、ジメチルスルホキシド30ml、水酸化カリウムを100g、蒸留水加え、80°Cで加熱しながら30分撹拌した。反応溶液を室温まで冷却した後に、酢酸エチル300ml、蒸留水を撹拌しながら加えた。有機層を蒸留水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後に、硫酸マグネシウムをろ別し、溶媒を減圧留去し、黄色固体として中間体Cを64g得た。窒素雰囲気下、中間体Cを64g、2ヨードジベンゾフランを215g、ヨウ化銅362g019mol、リン酸三カリウム403g、trans12シクロヘキサンジアミン231ml、14ジオキサンを162ml加え、120°Cで一晩撹拌した。反応溶液を室温まで冷却した後に、析出した結晶をろ取し、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製を行い、白色固体として中間体Dを70gを得た。窒素雰囲気下、水素化ナトリウム620品19g、脱水NNジメチルホルムアミド12mlを加え、室温で05時間撹拌した。得られた懸濁液にカルバゾール67g0040molのDMF25ml溶液を加え、室温で30分撹拌した。得られた懸濁液に中間体D70g加え、130°Cで3日間撹拌した。反応溶液を室温まで冷却した後に、蒸留水を撹拌しながら加え、析出した固体をろ取した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー、晶析精製を行い、白色固体として化合物1-3を22g00044mol、収率222得た。APCITOFMSmz498M、1HNMR測定結果測定溶媒:CD2Cl2を図2に示す。合成例2化合物1-15の合成窒素雰囲気下、中間体Cを76g、3ヨード9フェニルカルバゾールを100g、ヨウ化銅209g011mol、リン酸三カリウム233g、trans12シクロヘキサンジアミン132ml、14ジオキサンを135ml加え、120°Cで4時間撹拌した。反応溶液を室温まで冷却した後に、析出した結晶をろ取し、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製を行い、白色固体として中間体Eを98gを得た。窒素雰囲気下、水素化ナトリウム620品22g、DMF14mlを加え、室温で05時間撹拌した。得られた懸濁液にカルバゾール78g0047molのDMF33ml溶液を加え、室温で30分撹拌した。得られた懸濁液に中間体Eを98g加え、130°Cで3日間撹拌した。反応溶液を室温まで冷却した後に、蒸留水を撹拌しながら加え、析出した黄色固体をろ取した。得られた黄色固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーを行い、白色固体として化合物1-15を24g00042mol、収率18得た。APCITOFMSmz574MH、1HNMR測定結果測定溶媒:CD2Cl2を図3に示す。合成例3化合物1-21の合成窒素雰囲気下、中間体Cを51g、ヨードベンゼンを56g、ヨウ化銅017g089mmol、リン酸三カリウム293g、trans12シクロヘキサンジアミン105g、14ジオキサンを150ml加え、115°Cで2時間撹拌した。反応溶液を室温まで冷却した後に、析出した結晶をろ取し、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製を行い、白色固体として中間体Fを56gを得た。窒素雰囲気下、水素化ナトリウム630品19g、DMF50mlを加え、室温で05時間撹拌した。得られた懸濁液に中間体C94g507mmolのDMF35ml溶液を加え、室温で20分撹拌した。得られた懸濁液に中間体FのDMF溶液を132g加え、115°Cで一晩撹拌した。反応溶液を室温まで冷却した後に、蒸留水を撹拌しながら加え、析出した黄色固体をろ取した。得られた黄色固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーを行い、白色固体として中間体Gを38g89mmol、収率18得た。窒素雰囲気下、水素化ナトリウム630品062g、DMF50mlを加え、室温で05時間撹拌した。得られた懸濁液にカルバゾール27g164mmolのDMF25ml溶液を加え、室温で30分撹拌した。得られた懸濁液に中間体Gを35gのDMF溶液を加え、115°Cで一晩撹拌した。反応溶液を室温まで冷却した後に、蒸留水を撹拌しながら加え、析出した黄色固体をろ取した。得られた黄色固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーを行い、白色固体として化合物1-21を15g26mmol、収率32得た。APCITOFMSmz574MH、1HNMR測定結果測定溶媒:CD2Cl2を図4に示す。合成例4化合物1-27の合成窒素雰囲気下、水素化ナトリウム630品273g、DMF50mlを加え、室温で05時間撹拌した。得られた懸濁液に3-ヨードカルバゾール188g00642molのDMF30ml溶液を加え、室温で20分撹拌した。得られた懸濁液に中間体F84gのDMF溶液を加え、120°Cで69時間撹拌した。反応溶液を室温まで冷却した後に、蒸留水を撹拌しながら加え、析出した黄色固体をろ取した。得られた黄色固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーを行い、白色固体として中間体Hを149g0028mol、収率87得た。窒素雰囲気下、中間体Hを140g、カルバゾールを87g、ヨウ化銅099g00052mol、リン酸三カリウム222g、trans12シクロヘキサンジアミン598g、14ジオキサンを400ml加え、110°Cで8時間撹拌した。反応溶液を室温まで冷却した後に、析出した結晶をろ取し、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製を行い、白色固体として化合物1-27を124g00217mol、収率83得た。APCITOFMSmz574MH、1HNMR測定結果測定溶媒:CD2Cl2を図5に示す。また、上記合成例及び明細書中に記載の合成方法に準じて、化合物1-8、1-11、1-17、1-25、1-28、1-30、2-13、2-22、2-23及び3-6を合成し、有機EL素子の作製に供した。実施例1図1に示す有機EL素子において、電子輸送層と陰極との間に電子注入層を追加した素子を作製した。膜厚110nmの酸化インジウムスズITOからなる陽極が形成されたガラス基板上に、各薄膜を真空蒸着法にて、真空度20×105Paで積層させた。まず、ITO上に正孔注入層として、銅フタロシアニンCuPCを25nmの厚さに形成した。次に、正孔輸送層としてN,N-ジナフタレン-1-イル-N,N-ジフェニル-ベンジデンNPBを90nmの厚さに形成した。次に、正孔輸送層上に、発光層のホスト材料としての化合物1-3とドーパントとしての青色燐光材料であるイリジウム錯体イリジウムビスピリジネートNC2ピコリネートFIrpicとを異なる蒸着源から、共蒸着し、30nmの厚さに発光層を形成した。FIrpicの濃度は10であった。次に、電子輸送層としてAlq3を30nm厚さに形成した。更に、電子輸送層上に、電子注入層としてフッ化リチウムLiFを10nm厚さに形成した。最後に、電子注入層上に、電極としてアルミニウムAlを70nm厚さに形成し、有機EL素子を作製した。実施例2~11発光層のホスト材料として、化合物1-8、化合物1-11、化合物1-15、化合物1-17、化合物1-21、化合物1-27、化合物1-30、化合物2-13、化合物2-23又は化合物3-6を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。比較例1~2発光層のホスト材料として、mCP又は下記化合物H-1を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。上記実施例及び比較例で得られた有機EL素子に外部電源を接続し直流電圧を印加したところ、表1のような発光特性初期特性を有することが確認された。なお、素子発光スペクトルの極大波長はいずれも475nmであり、FIrpicからの発光が得られていることがわかった。表1において、化合物はホスト材料として使用した化合物であり、輝度、電圧、及び発光効率は、25mAcm2での値を示す。表1より、実施例1~11において、一般式1で表される化合物を発光層に用いた場合は、燐光ホスト材料として一般的に知られているmCPや、カルバゾールの置換位置が異なるH-1を用いた場合に比べ、高い発光効率特性を有していることが判る。実施例12膜厚110nmのITO基板からなる陽極が形成されたガラス基板上に、各薄膜を真空蒸着法にて、真空度20×105Paで積層させた。まず、ITO上に正孔注入層として、CuPCを25nmの厚さに形成した。次に、正孔輸送層としてNPBを40nmの厚さに形成した。次に、正孔輸送層上に、ホスト材料としての化合物1-3とドーパントとしてのIr3とを異なる蒸着源から、共蒸着し、40nmの厚さに発光層を形成した。この時、Ir3の濃度は10wtであった。次に、電子輸送層としてAlq3を20nmの厚さに形成した。更に、電子輸送層上に、電子注入層としてLiFを1nmの厚さに形成した。最後に、電子注入層上に、電極としてAlを70nmの厚さに形成し、有機EL素子を作製した。実施例13~25発光層のホスト材料として、化合物1-8、化合物1-11、化合物1-15、化合物1-17、化合物1-21、化合物1-25、化合物1-27、化合物1-28、化合物1-30、化合物2-13、化合物2-22、化合物2-23又は化合物3-6を用いた以外は実施例12と同様にして有機EL素子を作製した。比較例3~4発光層のホスト材料としてCBP又はH-1を用いた以外は実施例12と同様にして有機EL素子を作製した。実施例12~25及び比較例3~4で得られた有機EL素子に外部電源を接続し直流電圧を印加したところ、表2のような発光特性を有することが確認された。なお、素子発光スペクトルの極大波長はいずれも530nmであり、Ir3からの発光が得られていることがわかった。表2において、化合物はホスト材料として使用した化合物であり、輝度、電圧及び発光効率は、20mAcm2での駆動時の値を示し、また、輝度半減時間は、20mAcm2の一定電流駆動で評価し、この結果を初期輝度1000cdm2の場合に換算した値を示す。表2より、一般式1で表される化合物を発光層に用いた実施例12~25は、燐光ホスト材料として一般的に知られているCBPや、カルバゾールの置換位置が異なるH-1を用いた場合に比べ、高い発光効率特性を有していることが判る。更に、駆動寿命特性が良好で高い安定性を有していることも示している。以上の結果より、一般式1で表されるカルバゾール化合物は、4-9-カルバゾリルカルバゾール構造を有することで、分子軌道の広がりを制御でき、電荷バランスの最適化と両電荷安定性が向上した効果をもたらすと考えられる。また、該化合物を発光層に用いることにより、高効率な有機EL燐光素子を実現することが明らかである。本発明で用いられるカルバゾール化合物は、4-9-カルバゾリルカルバゾール構造を有する。複数のカルバゾールが連結した化合物については、特許文献5にも示すような3-9-カルバゾリルカルバゾール構造のみからなる化合物が知られている。本発明化合物は、4-9-カルバゾリルカルバゾール構造を有することにより他の位置のみでカルバゾールが連結する場合と比較して、高い正孔輸送性を示す。また、連結基を特定の芳香族基に置換することにより、高い正孔輸送性を担保しながら電子輸送性も向上させることができると考えられる。従って、本発明で用いられるカルバゾール化合物をホスト材料として使用した場合、両電荷の輸送性が高くなり、発光層中での再結合確率が上昇すると考えられる。以上の効果により、本発明の有機EL素子は高い発光効率を達成し、駆動寿命が長く、耐久性の高い有機EL素子を実現することができると考えられる。本発明による有機EL素子は、発光特性、駆動寿命ならびに耐久性において、実用上満足できるレベルにあり、フラットパネルディスプレイ携帯電話表示素子、車載表示素子、OAコンピュータ表示素子やテレビ等、面発光体としての特徴を生かした光源照明、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源、表示板や標識灯等への応用において、その技術的価値は大きいものである。"