複数の半導体素子また半導体集積回路が形成されたウエハーから当該半導体素子または当該半導体集積回路を分離する方法であって、当該ウエハーの表面に、分離のために除去される線状の部分を露出させたマスク層を形成する工程と、当該露出部分をウエハーの厚みの3分の2以上の深さまでエッチングする工程とを含み、分離されたあとの個々の当該半導体素子または当該半導体集積回路の一つの群に他と識別できる形状を与えることを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、当該線状のパターンは、当該半導体素子または当該半導体集積回路を分離するための単純な格子線以外の部分を含むことによって、分離されたあとの個々の当該半導体素子または当該半導体集積回路に他と識別できる形状を与えることを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、識別は電気的試験の結果の良品と不良品を識別するためのものであることを特徴とする方法。請求項3に記載の方法において、良品は単純な格子線で加工された形状を有し、不良品は単純な格子線以外のパターンで加工された部分を含むことを特徴とする方法。複数の半導体素子また半導体集積回路が形成されたウエハーから当該半導体素子または当該半導体集積回路を分離する方法であって、当該ウエハーの表面に、分離のために除去される線状の部分を露出させたマスク層を形成する工程と、当該露出部分をウエハーの厚みの3分の2以上の深さまでエッチングする工程とを含み、当該線状のパターンは、当該半導体素子または当該半導体集積回路の間隔部に形成されたテスト素子が、分離後の当該半導体素子または当該半導体集積回路に付随して残ることがないように形成された線状パターンであることを特徴とする方法。請求項5に記載の方法であって、当該線状のパターンは、当該テスト素子の周囲を囲む閉じた線を含むことを特徴とする方法。複数の半導体素子また半導体集積回路が形成されたウエハーから当該半導体素子または当該半導体集積回路を分離する方法であって、当該ウエハーの表面に、分離のために除去される線状の部分を露出させたマスク層を形成する工程と、当該露出部分を当該半導体素子または当該半導体集積回路を分離できるまでエッチングする工程と、互いに分離された複数の当該半導体素子または当該半導体集積回路を流体の流れに乗せて移送する工程を含むことを特徴とする方法。複数の半導体素子また半導体集積回路が形成されたウエハーから当該半導体素子または当該半導体集積回路を分離する方法であって、当該ウエハーの表面に、分離のために除去される線状の部分を露出させたマスク層を形成する工程と、当該ウエハーをステージ上に置く工程と、当該露出部分を当該半導体素子または当該半導体集積回路を分離できるまでエッチングする工程と、当該ステージを傾斜させて、分離された当該半導体素子または当該半導体集積回路を当該ステージ近傍に用意した回収部に移す工程とを含むことを特徴とする方法。適度な形状の環状剛性フレームの枠内に張られたフレキシブルシート上にウエハーを貼付し、その状態でステージにおいて、チップが完全に分離される直前の深さまでトレンチエッチングを行ない、その状態でフレームごと次工程または次工程近傍まで搬送し、そのフレキシブルシートの平面性を壊す工程を行なって、わずかに残されてチップ間をつないでいる基板層を破壊してチップの分離を完成させることを特徴とする半導体素子または半導体集積回路の分離方法。適度な形状の環状剛性フレームの枠内に張られたフレキシブルシート上にウエハーを貼付し、その状態でステージにおいて、チップが完全に分離される直前の深さまでトレンチエッチングを行ない、その状態でフレームごと次工程または次工程近傍まで搬送し、機械的熱的衝撃を与えて、わずかに残されてチップ間をつないでいるシリコン層を破壊してチップの分離を完成させることを特徴とする半導体素子または半導体集積回路の分離方法。チャンバー内のステージに固定されていないトレーあるいはプレートを介してウエハーをステージ上に置き、チップが完全に分離される深さまでトレンチエッチングを行ない、その状態で当該トレーまたはプレートごと次工程または次工程近傍まで搬送することを特徴とする半導体素子または半導体集積回路の分離搬送方法。請求項11に記載の方法であって、ウエハーがトレーまたはプレートに接着層で固定され、当該接着層は温度によって固層/液層が遷移する材料であることを特徴とする方法。複数の半導体素子また半導体集積回路が形成されたウエハーから前記半導体素子または前記半導体集積回路を分離する方法であって、前記ウエハーを熱可塑性の樹脂を介して搬送シートに接着させる工程と、前記ウエハーの表面に、分離のために除去される線状の部分を露出させたマスク層を形成する工程と、前記マスク層をマスクとして前記ウエハーと前記樹脂および前記搬送シートをエッチングし、前記半導体素子または前記半導体集積回路を分離する工程と、前記樹脂を加熱し、前記樹脂を液状に溶かす工程と、分離された複数の搬送シート同士をつなげるよう、前記樹脂を冷却し前記液状の樹脂を硬化させる工程を含むことを特徴とする方法。請求項13に記載の方法であって、前記ウエハー上に形成された複数の半導体素子また半導体集積回路は、同一形状であることを特徴とする方法。請求項13に記載の方法であって、前記分離された前記半導体素子または前記半導体集積回路におけるボンディングパッドの位置が、ボンディングワイヤーを介して接続される外部引き出し用端子の位置に近くなるよう、前記半導体素子または前記半導体集積回路の形状を調整する方法。複数の半導体素子また半導体集積回路が形成されたウエハーから前記半導体素子または前記半導体集積回路を分離する方法であって、前記ウエハーを熱可塑性の樹脂を介して搬送シートに接着させる工程と、前記ウエハーの表面に、分離のために除去される線状の部分を露出させたマスク層を形成する工程と、前記マスク層をマスクとして前記ウエハーまでエッチングする工程と、前記樹脂に対するエッチングが進まなくなるよう、前記樹脂を加熱し、前記樹脂を液状に溶かす工程、前記樹脂を冷却し前記液状の樹脂を硬化させる工程を含むことを特徴とする方法。請求項16に記載の方法であって、前記ウエハーまでエッチングする工程と、前記樹脂を液状に溶かす工程との間に、さらに前記樹脂に対するエッチングを行う工程を有することを特徴とする方法。請求項16に記載の方法であって、前記ウエハーまでエッチングする工程と、前記樹脂を液状に溶かす工程との間に、さらに前記樹脂および前記搬送シートの一部に対するエッチングを行う工程を有することを特徴とする方法。請求項16に記載の方法であって、前記ウエハー上に形成された複数の半導体素子また半導体集積回路は、同一形状であることを特徴とする方法。請求項16に記載の方法であって、前記分離された前記半導体素子または前記半導体集積回路におけるボンディングパッドの位置が、ボンディングワイヤーを介して接続される外部引き出し用端子の位置に近くなるよう、前記半導体素子または前記半導体集積回路の形状を調整する方法。上記課題に対して、本発明では、ドライエッチングによるチップ分離法の特徴を生かして、従来の方法では実現が困難であった種々の特徴を備えたチップ分離方法と搬送方法を提供するものである。上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、複数の半導体素子また半導体集積回路が形成されたウエハーから当該半導体素子または当該半導体集積回路を分離する方法であって、当該ウエハーの表面に、分離のために除去される線状の部分を露出させたマスク層を形成する工程と、当該露出部分をウエハーの厚みの3分の2以上の深さまでエッチングする工程とを含み、分離されたあとの個々の当該半導体素子または当該半導体集積回路の一つの群に他と識別できる形状を与えることを特徴とする方法が提供される。当該線状のパターンは、当該半導体素子または当該半導体集積回路を分離するための単純な格子線以外の部分を含むことによって、分離されたあとの個々の当該半導体素子または当該半導体集積回路に他と識別できる形状を与えるようにしてもよい。識別は電気的試験の結果の良品と不良品を識別するためのものであってもよい。良品は単純な格子線で加工された形状を有し、不良品は単純な格子線以外のパターンで加工された部分を含んでもよい。また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、複数の半導体素子また半導体集積回路が形成されたウエハーから当該半導体素子または当該半導体集積回路を分離する方法であって、当該ウエハーの表面に、分離のために除去される線状の部分を露出させたマスク層を形成する工程と、当該露出部分をウエハーの厚みの3分の2以上の深さまでエッチングする工程とを含み、当該線状のパターンは、当該半導体素子または当該半導体集積回路の間隔部に形成されたテスト素子が、分離後の当該半導体素子または当該半導体集積回路に付随して残ることがないように形成された線状パターンであることを特徴とする方法が提供される。当該線状のパターンは、当該テスト素子の周囲を囲む閉じた線を含んでもよい。また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、複数の半導体素子また半導体集積回路が形成されたウエハーから当該半導体素子または当該半導体集積回路を分離する方法であって、当該ウエハーの表面に、分離のために除去される線状の部分を露出させたマスク層を形成する工程と、当該露出部分を当該半導体素子または当該半導体集積回路を分離できるまでエッチングする工程と、互いに分離された複数の当該半導体素子または当該半導体集積回路を流体の流れに乗せて移送する工程を含むことを特徴とする方法が提供される。また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、複数の半導体素子また半導体集積回路が形成されたウエハーから当該半導体素子または当該半導体集積回路を分離する方法であって、当該ウエハーの表面に、分離のために除去される線状の部分を露出させたマスク層を形成する工程と、当該ウエハーをステージ上に置く工程と、当該露出部分を当該半導体素子または当該半導体集積回路を分離できるまでエッチングする工程と、当該ステージを傾斜させて、分離された当該半導体素子または当該半導体集積回路を当該ステージ近傍に用意した回収部に移す工程とを含むことを特徴とする方法が提供される。また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、適度な形状の環状剛性フレームの枠内に張られたフレキシブルシート上にウエハーを貼付し、その状態でステージにおいて、チップが完全に分離される直前の深さまでトレンチエッチングを行ない、その状態でフレームごと次工程または次工程近傍まで搬送し、そのフレキシブルシートの平面性を壊す工程を行なって、わずかに残されてチップ間をつないでいる基板層を破壊してチップの分離を完成させることを特徴とする半導体素子または半導体集積回路の分離方法が提供される。また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、適度な形状の環状剛性フレームの枠内に張られたフレキシブルシート上にウエハーを貼付し、その状態でステージにおいて、チップが完全に分離される直前の深さまでトレンチエッチングを行ない、その状態でフレームごと次工程または次工程近傍まで搬送し、機械的熱的衝撃を与えて、わずかに残されてチップ間をつないでいるシリコン層を破壊してチップの分離を完成させることを特徴とする半導体素子または半導体集積回路の分離方法が提供される。また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、チャンバー内のステージに固定されていないトレーあるいはプレートを介してウエハーをステージ上に置き、チップが完全に分離される深さまでトレンチエッチングを行ない、その状態で当該トレーまたはプレートごと次工程または次工程近傍まで搬送することを特徴とする半導体素子または半導体集積回路の分離搬送方法が提供される。ウエハーがトレーまたはプレートに接着層で固定され、当該接着層は温度によって固層/液層が遷移する材料であってもよい。また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、複数の半導体素子また半導体集積回路が形成されたウエハーから前記半導体素子または前記半導体集積回路を分離する方法であって、前記ウエハーを熱可塑性の樹脂を介して搬送シートに接着させる工程と、前記ウエハーの表面に、分離のために除去される線状の部分を露出させたマスク層を形成する工程と、前記マスク層をマスクとして前記ウエハーと前記樹脂および前記搬送シートをエッチングし、前記半導体素子または前記半導体集積回路を分離する工程と、前記樹脂を加熱し、前記樹脂を液状に溶かす工程と、分離された複数の搬送シート同士をつなげるよう、前記樹脂を冷却し前記液状の樹脂を硬化させる工程を含むことを特徴とする方法が提供される。前記ウエハー上に形成された複数の半導体素子また半導体集積回路は、同一形状であってもよい。前記分離された前記半導体素子または前記半導体集積回路におけるボンディングパッドの位置が、ボンディングワイヤーを介して接続される外部引き出し用端子の位置に近くなるよう、前記半導体素子または前記半導体集積回路の形状を調整してもよい。また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、複数の半導体素子また半導体集積回路が形成されたウエハーから前記半導体素子または前記半導体集積回路を分離する方法であって、前記ウエハーを熱可塑性の樹脂を介して搬送シートに接着させる工程と、前記ウエハーの表面に、分離のために除去される線状の部分を露出させたマスク層を形成する工程と、前記マスク層をマスクとして前記ウエハーまでエッチングする工程と、前記樹脂に対するエッチングが進まなくなるよう、前記樹脂を加熱し、前記樹脂を液状に溶かす工程、前記樹脂を冷却し前記液状の樹脂を硬化させる工程を含むことを特徴とする方法が提供される。前記ウエハーまでエッチングする工程と、前記樹脂を液状に溶かす工程との間に、さらに前記樹脂に対するエッチングを行う工程を有してもよい。前記ウエハーまでエッチングする工程と、前記樹脂を液状に溶かす工程との間に、さらに前記樹脂および前記搬送シートの一部に対するエッチングを行う工程を有してもよい。前記ウエハー上に形成された複数の半導体素子また半導体集積回路は、同一形状であってもよい。前記分離された前記半導体素子または前記半導体集積回路におけるボンディングパッドの位置が、ボンディングワイヤーを介して接続される外部引き出し用端子の位置に近くなるよう、前記半導体素子または前記半導体集積回路の形状を調整してもよい。以上説明したように、本発明によれば、従来の方法では実現が困難であった種々の特徴を備えたチップ分離方法と搬送方法を提供することができる。