"はんだ合金により導電性部材間を接合してなる半導体装置において、前記はんだ合金は、主成分としてSnおよびSbを含有するものとし、前記SnとSbとから生成される金属間化合物の粒径サイズを20μm以上とすることを特徴とする半導体装置。請求項1記載の半導体装置において、前記はんだ合金のSb含有量を、85重量以上、30重量以下とすることを特徴とする半導体装置。請求項1又は2記載の半導体装置の製造方法であって、はんだ合金による接合時に、はんだ合金を溶融した後の冷却速度、即ち、はんだ合金の液相線から固相線を通過する冷却勾配°C/secを、2.5~0.1とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。半導体装置の開発においては、小型化や高出力化に伴うチップの発熱密度上昇や、高温環境下への設置等への対応が望まれており、半導体装置に用いられるはんだ合金も、高温動作、及び高温環境下に優れることが望まれている。これらに対応したはんだ合金としては、高融点のはんだが理想的であり、融点共晶温度221°CのSnAg系はんだ合金に比べて、融点の高いSnSb系はんだ合金包晶点245°Cが好適である。上記のSnSb系のはんだ合金に関しては、種々の特許提案がなされている例えば、特許文献1,2参照。上記のようなSnSb系はんだ合金を用いたとしても、半導体装置の絶縁基板や放熱ベースの材質やサイズにより、はんだ接合部に発生する熱ひずみが大きくなると、クラックき裂が進行し、半導体装置のヒートサイクル時の信頼性が低下するという問題点があった。この発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、本発明の課題は、SnSb系はんだ合金を用いた半導体装置において、ヒートサイクル時の耐クラック性をより向上した半導体装置とその製造方法を提供することにある。前記の課題を達成するために、この発明によれば、はんだ合金により導電性部材間を接合してなる半導体装置において、前記はんだ合金は、主成分としてSnおよびSbを含有するものとし、前記SnとSbとから生成される金属間化合物の粒径サイズを20μm以上とすることを特徴とする。上記において、粒径サイズの上限値は、半導体装置の製造上の理由から必然的に決まる。通常、はんだ接合部の厚さは150~200μmである。また、前記金属間化合物の結晶成長速度を考慮すると、概ね、粒径サイズの上限は200μmである。また、前記半導体装置において、前記はんだ合金のSb含有量を、包晶点で決まる組成比に基づき85重量以上とし、半導体装置の各部材の温度保障及びはんだ材料の加工性の点から30重量以下とすることが好ましい。また、上記半導体装置の製造方法の発明としては、はんだ合金による接合時に、はんだ合金を溶融した後の冷却速度、即ち、はんだ合金の液相線から固相線を通過する冷却勾配°C/secを、2.5~0.1とすることを特徴とする。これにより、ヒートサイクル時の耐クラック性をより向上する上で好適な前記金属間化合物の粒径サイズが得られる。上記において、冷却速度の上限は、後述するき裂進展距離に基づいて定めた値であり、下限は、はんだ接合用の加熱炉の徐冷速度から必然的に決まる値である。本発明によれば、主成分としてSnおよびSbを含有するはんだ合金を用いてはんだ接合する場合において、はんだ合金溶融後の冷却速度°C/secを、2.5~0.1とすることにより、前記SnとSbとから生成される金属間化合物の粒径サイズを20μm以上とし、これにより、半導体装置のヒートサイクル時の耐クラック性をより向上することができる。以下、この発明の実施形態について、図を参照しながら説明する。図1は前述のようにこの発明が適用される半導体装置としての一例としてのIGBTモジュールの模式的断面図を示し、その説明は省略する。図2および図3は、はんだ接合部に発生するき裂進展経路に関する概念的説明に関わる模式的説明図を示し、図2は従来の冷却速度が比較的早い場合のき裂進展経路の模式的説明図、図3は本願発明に係り、冷却速度が比較的遅い場合のき裂進展経路の模式的説明図である。この発明は、半導体装置のはんだ接合部における主としてヒートサイクルによる熱疲労寿命は、はんだ接合部に発生する繰り返し応力によるき裂進展距離に支配されるという着眼に基づく。前記特許文献1や2等の従来のSnSb系のはんだ合金においては、SnとSbとから生成される金属間化合物の粒径サイズが粗大となると、クラックが発生する問題があり、金属間化合物を微細化して分散させる方がよいとされていた例えば、特許文献1の段落[0021]および特許文献2の段落[0014]参照。この発明においては、上記従来の通念とは異なり、金属間化合物の粒径サイズを粗大化することにより、前記き裂進展経路が金属間化合物の粒子を迂回するようにして、き裂進展長さ、即ち、き裂進展距離を短くすることをねらいとしている。これについて、図2および図3に基づいて以下に詳述する。図2に示すように、冷却速度が25°Csecより早い場合のはんだ組織のき裂進展経路は、Sn相内を、略直線的に進む。これに対し、冷却速度が25°Csec以下の場合のはんだ組織のき裂経路は、図3に示すように、Sn相をき裂進展するが粗大SnSb金属間化合物粒子を避けてSn相を蛇行するように進展するため、き裂進展距離き裂進展長さが短くなる。また、冷却速度を遅くすることにより、はんだ接合層に発生する残留応力を小さくすることができるため、上記のき裂進展距離が短くなる利点の他に、き裂が発生するまでのサイクルを延ばすことができる。また、き裂発生後の進展速度を抑制することができる利点もある。次に、図4および図5に基づいて、はんだ接合時の冷却速度とSnSb金属間化合物の粒径サイズとの関係、および、はんだ接合時の冷却速度とヒートサイクル試験におけるき裂進展長さとの関係について実験した結果の一例を述べる。これは、Sn13重量Sbはんだ合金にて接合した半導体装置の絶縁基板と放熱ベース間のはんだ接合部の実験結果の一例である。図4から明かなように、冷却速度が早くなるほど金属間化合物の微細化が見られる。そして、冷却速度°C/secを、2.5~0.1とすることにより、前記SnとSbとから生成される金属間化合物の粒径サイズを20μm以上とすることができる。これにより、半導体装置のヒートサイクル時の耐クラック性をより向上することができる。また、図5の冷却速度とヒートサイクル試験におけるき裂進展長さとの関係についての実験結果によれば、き裂進展長さは、冷却速度が25°Csec以下になると55°Csec以上に比べて短くなっていることがわかる。なお、図5のヒートサイクル試験の条件は、40°C⇔105°C、1時間/サイクル、1500サイクルである。前述のように、はんだ合金のSb含有量は、包晶点で決まる組成比に基づき85重量以上とし、半導体装置の各部材の温度保障及びはんだ材料の加工性の点から30重量以下することが好ましいが、前記図4および図5の結果は、Sn13重量Sb以外の組成比の場合にも略同様の結果が得られる。ところで、図8に示すSnSbの二元状態図に基づき、前記組成比の好適範囲について以下に詳述する。なお、図8b図は、a図の一部拡大図を示す。図8から明かなように、包晶点245°CにおけるSb含有量は約85重量であり、金属間化合物を得る観点から、これをSb含有量の下限とする。一方、上限値30重量は、半導体装置としての加熱上限許容温度約400°Cと、Sb含有量が多い場合のはんだ合金の溶融温度との兼ね合いから、決定している。また、はんだ合金は、主成分としてSnおよびSbを含有するものとし、添加物は、できる限り少ない方が好ましい。その理由は、添加物により、金属間化合物の好適な成長が抑制される可能性があるからである。次に、図6および7について述べる。図6および7は、冷却速度とはんだ接合部におけるSn相の硬さ、および、冷却速度とはんだ接合部におけるSnSb金属間化合物の硬さとの関係について、参考までに実験した結果を示す図である。各組織の硬さは冷却速度によらず一定であり、耐クラック性には影響しない。"