"ベース板上に半導体パワーチップを複数個搭載してなるパワーモジュールをヒートシンク上に固着することにより、パワーモジュールが発する熱をヒートシンクが吸収して外部に放熱するパワーモジュールの冷却装置において、前記パワーモジュールとヒートシンクとが接する側のヒートシンク面内に設けた溝に埋設した丸棒形の伝熱管と前記ベース板との隙間に、前記ベース板に接する面側が凸形状の湾曲を有する熱拡散板を挿設したことを特徴とするパワーモジュールの冷却装置。前記ヒートシンク面内に設けた溝に前記熱拡散板の周部を承接する受容部を設けたことを特徴とする請求項1に記載のパワーモジュールの冷却装置。前記受容部は前記溝の開口周部に設けられた段差を備え、前記熱拡散板は前記段差の底面で承接されることを特徴とする請求項2に記載のパワーモジュールの冷却装置。前記熱拡散板は、さらに前記伝熱管の外周と接する面側が凹形状の湾曲を有することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のパワーモジュールの冷却装置。ベース板上に半導体パワーチップを複数個搭載してなるパワーモジュールをヒートシンク上に固着することにより、パワーモジュールが発する熱をヒートシンクが吸収して外部に放熱するパワーモジュールの冷却装置において、前記パワーモジュールとヒートシンクとが接する側のヒートシンク面内に溝を設けた溝に埋設した丸棒形の伝熱管と前記ベース板との隙間に、2組に分割され且つ勝手違いの断面形状を有し、それぞれの一方の表面が前記ベース板に接し、他方の表面が前記伝熱管に接する熱拡散板を挿設したことを特徴とするパワーモジュールの冷却装置。前記ヒートシンク面内に設けた溝に前記2組に分割された熱拡散板それぞれの側縁部を承接する受容部を設けたことを特徴とする請求項5に記載のパワーモジュールの冷却装置。前記受容部は前記溝の開口周部に設けられた段差を備え、前記2組に分割された熱拡散板それぞれはその側縁部に突起を備え、前記2組に分割された熱拡散板の突起が前記段差の底面で承接されていることを特徴とする請求項6に記載のパワーモジュールの冷却装置。ベース板上に半導体パワーチップを複数個搭載してなるパワーモジュールをヒートシンク上に固着することにより、パワーモジュールが発する熱をヒートシンクが吸収して外部に放熱するパワーモジュールの冷却装置において、前記パワーモジュールとヒートシンクとが接する側のヒートシンク面内に設けた溝に埋設した丸棒形の伝熱管と前記ベース板との隙間に前記ベース板と前記伝熱管とに熱的に接触する熱拡散板を挿設し、前記熱拡散板の周部が前記溝の開口周部に設けられた受容部で承接されていることを特徴とするパワーモジュールの冷却装置。前記受容部は前記溝の開口周部に設けられた段差を備え、前記熱拡散板の側縁部または前記熱拡散板の側縁部に設けられた突起が前記段差の底面で承接されることを特徴とする請求項8に記載のパワーモジュールの冷却装置。請求項1乃至請求項9の何れか1項に記載のパワーモジュールの冷却装置において、車両走行時の走行風を利用して前記ヒートシンクが吸収した熱を放熱させるために、前記車両の下部から前記ヒートシンクのフィン部が露出するように配置したことを特徴とするパワーモジュールの冷却装置。図8,9に示した従来のパワーモジュールの冷却装置では、ヒートシンク14のフィン部14aの長手方向に沿ってヒートシンク14のベース板11~13側に埋め込まれたヒートパイプ15~17により、ヒートシンク14の長手方向に沿い放熱効果を均一化する方式が採用されている。しかしながら、図10に示した如く、半導体パワーチップ11a,11eなどのほぼ真下に設けられたヒートパイプ15の溝により、半導体パワーチップ11b,11fなどの温度上昇値に比して、半導体パワーチップ11a,11eなどの温度上昇値が大きくなるという難点があり、これらの温度上昇値の差をより小さくするために、ヒートパイプ15が埋め込まれた前記溝とベース板11~13との隙間には熱伝導性のグリース18を充填している。また、図11に示した如く、半導体パワーチップ11b,11fなどと、半導体パワーチップ11c,11gなどとのほぼ中間位置に設けられたヒートパイプ16の溝は、これらの半導体パワーチップ間の温度上昇値にはわずかの差しか生じないが、この温度上昇値をより小さくするためのヒートパイプ16が埋め込まれた前記溝とベース板11~13との隙間の充填された熱伝導性のグリース19は、上述のグリース18と同様に、例えばアルミニウなどを素材としたヒートシンク14に比してその熱伝導率が小さく、前記放熱効果を阻害する要因となっている。この発明の目的は、前記半導体パワーチップ間の温度上昇値の差をより小さくしつつ、上記放熱効果を改善できるパワーモジュールの冷却装置を提供することにある。この第1の発明は、ベース板上に半導体パワーチップを複数個搭載してなるパワーモジュールをヒートシンク上に固着することにより、パワーモジュールが発する熱をヒートシンクが吸収して外部に放熱するパワーモジュールの冷却装置において、前記パワーモジュールとヒートシンクとが接する側のヒートシンク面内に設けた溝に埋設した丸棒形の伝熱管と前記ベース板との隙間に、前記ベース板に接する面側が凸形状の湾曲を有する熱拡散板を挿設したことを特徴とする。第2の発明は、第1の発明に係るパワーモジュールの冷却装置において、前記ヒートシンク面内に設けた溝に前記熱拡散板の周部を承接する受容部を設けたことを特徴とする。第3の発明は、第2の発明に係るパワーモジュールの冷却装置において、前記受容部は前記溝の開口周部に設けられた段差を備え、前記熱拡散板は前記段差の底面で承接されることを特徴とする。第4の発明は、第1の発明~第3の発明に係るパワーモジュールの冷却装置において、前記熱拡散板は、さらに前記伝熱管の外周と接する面側が凹形状の湾曲を有することを特徴とする。第5の発明は、ベース板上に半導体パワーチップを複数個搭載してなるパワーモジュールをヒートシンク上に固着することにより、パワーモジュールが発する熱をヒートシンクが吸収して外部に放熱するパワーモジュールの冷却装置において、前記パワーモジュールとヒートシンクとが接する側のヒートシンク面内に溝を設けた溝に埋設した丸棒形の伝熱管と前記ベース板との隙間に、2組に分割され且つ勝手違いの断面形状を有し、それぞれの一方の表面が前記ベース板に接し、他方の表面が前記伝熱管に接する熱拡散板を挿設したことを特徴とする。第6の発明は、第5の発明に係るパワーモジュールの冷却装置において、前記ヒートシンク面内に設けた溝に前記2組に分割された熱拡散板それぞれの側縁部を承接する受容部を設けたことを特徴とする。第7の発明は、第6の発明に係るパワーモジュールの冷却装置において、前記受容部は前記溝の開口周部に設けられた段差を備え、前記2組に分割された熱拡散板それぞれはその側縁部に突起を備え、前記2組に分割された熱拡散板の突起が前記段差の底面で承接されていることを特徴とする。第8の発明は、ベース板上に半導体パワーチップを複数個搭載してなるパワーモジュールをヒートシンク上に固着することにより、パワーモジュールが発する熱をヒートシンクが吸収して外部に放熱するパワーモジュールの冷却装置において、前記パワーモジュールとヒートシンクとが接する側のヒートシンク面内に設けた溝に埋設した丸棒形の伝熱管と前記ベース板との隙間に前記ベース板と前記伝熱管とに熱的に接触する熱拡散板を挿設し、前記熱拡散板の周部が前記溝の開口周部に設けられた受容部で承接されていることを特徴とする。第9の発明は、第8の発明に係るパワーモジュールの冷却装置において、前記受容部は前記溝の開口周部に設けられた段差を備え、前記熱拡散板の側縁部または前記熱拡散板の側縁部に設けられた突起が前記段差の底面で承接されることを特徴とする。第10の発明は前記第1~第9の発明のパワーモジュールの冷却装置において、車両走行時の走行風を利用して前記ヒートシンクが吸収した熱を放熱させるために、前記車両の下部から前記ヒートシンクのフィン部が露出するように配置したことを特徴とする。この発明に係るパワーモジュールの冷却装置によれば、前記パワーモジュールとヒートシンクとが接するヒートシンク面内に設けた溝にヒートパイプなどの伝熱管を埋設し、この伝熱管と前記ベース板との隙間に熱伝導率の大きな熱拡散板を挿設することによりヒートシンクによる放熱効果を改善することができる。図1,2は、この発明の第1の実施の形態を示すパワーモジュールの冷却装置の模式的概念構成図を示し、図1はこの上部の平面図,図2はその側面図である。これらの図において、図8,9に示した従来例構成と同一機能を有するものには同一符号を付している。すなわち図1,2に示した構成図では、ヒートシンク21におけるヒートパイプ15,ヒートパイプ17それぞれの埋設位置が図8,9に示した構成図におけるヒートシンク14での埋設位置とは大きく異なり、全ての半導体パワーチップに重ならないようにヒートパイプの溝が設けられており、図のとおり半導体パワーチップ11a,11eなどの搭載位置から外れた位置図1,2の例では重ならない位置にヒートパイプ15の溝が設けられ、同様に、半導体パワーチップ11d,11hなどの搭載位置から外れた位置にヒートパイプ17の溝が設けられている。その結果、図1,2に示したパワーモジュールの冷却装置の構成では、半導体パワーチップ11a~11hなどの温度上昇値それぞれの差をより小さくすることができるとともに、後述の図3~7に示すこの発明の第1~第4の実施例構成のようにパワーモジュールの冷却装置を形成することにより、これらの温度上昇値もより小さくすることができる。図3は、この発明の第1の実施例を示す構成図であり、図1,2に示したパワーモジュールの冷却装置における部分詳細構成図を示している。すなわち、図3に示した如く、半導体パワーチップ11b,11fなどと、半導体パワーチップ11c,11gなどとのほぼ中間位置に設けられたヒートパイプ16の溝とベース板11~13との隙間には、例えば、ヒートシンク21と同一素材の熱拡散板31が挿入され、この熱拡散板31を図4に示すように形成することにより、ベース板11~13からのヒートパイプ16への直接の熱伝導を改善することができ、また、前記溝に段差を持たせたことによりベース板11~13から熱拡散板31を経由してヒートシンク21に放熱する経路ができ、その結果、これらの半導体パワーチップでの温度上昇値をより小さくなり、従って、その温度差もより少なくすることができる。なお、熱拡散板31と、ヒートパイプ16およびベース板11~13との間の僅かな隙間には熱伝導性のグリースを充填することが望ましい。図4は図3に示した熱拡散板の詳細構成図を示し、この図のように、熱拡散板31のベース板11~13側に凸状の僅かな湾曲を、また、熱拡散板31のヒートハイプ16側に凹状の僅かな湾曲をそれぞれ持たせることに持たせることにより、ベース板11~13と熱拡散板31との接触部および熱拡散板31とヒートパイプ16との接触部それぞれの熱抵抗をより低減することができる。図5は、この発明の第2の実施例を示す構成図であり、図1,2に示したパワーモジュールの冷却装置における図3とは異なった部位での部分詳細構成図を示している。すなわち、図5に示した如く、半導体パワーチップ11a,11eなどの搭載位置に対して外れた位置にヒートパイプ15の溝を設け、また、ベース板11~13との隙間には、図3に示した熱拡散板31と同一素材,形状の熱拡散板32を挿入することにより、ベース板11~13からのヒートパイプ15への直接の熱伝導を改善できるともに、半導体パワーチップ11a,11eなどと、半導体パワーチップ11a,11fなどとの温度上昇値の差をより少なくすることができる。なお、図3と同様に、熱拡散板32と、ヒートパイプ15およびベース板11~13との間の僅かな隙間には熱伝導性のグリースを充填することが望ましい。また、ヒートパイプ17に対しても、図5に示した構成を用いることができる。図6は、この発明の第3の実施例を示す構成図であり、図1,2に示したパワーモジュールの冷却装置における部分詳細構成図を示している。すなわち、図6に示した如く、半導体パワーチップ11b,11fなどと、半導体パワーチップ11c,11gなどとのほぼ中間位置に設けられたヒートパイプ16の溝とベース板11~13との隙間には、例えば、ヒートシンク21と同一素材の熱拡散板33が挿入される。この熱拡散板33の断面形状は、ヒートパイプ16と接する側にはヒートパイプ16の外周とほぼ同一形状の湾曲を持たせるとともにベース板11と接する側は平らとすることにより、熱拡散板33からヒートパイプ16への熱伝導をより改善することができ、また、前記溝に段差を持たせたことによりベース板11~13から熱拡散板33を経由してヒートシンク21に放熱する経路ができ、その結果、これらの半導体パワーチップでの温度上昇値を小さくしつつ、その差を少なくすることができる。なお、熱拡散板33と、ヒートパイプ16およびベース板11~13との間の僅かな隙間には熱伝導性のグリースを充填することが望ましい。また、ヒートパイプ15,17に対しても、図6に示した構成を用いることができる。図7は、この発明の第4の実施例を示す構成図であり、図1,2に示したパワーモジュールの冷却装置における部分詳細構成図を示している。すなわち、図7に示した如く、半導体パワーチップ11b,11fなどと、半導体パワーチップ11c,11gなどとのほぼ中間位置に設けられたヒートパイプ16の溝とベース板11~13との隙間には、例えばヒートシンク21と同一素材、且つ2分割されたそれぞれの断面形状が略三角形状の勝手違いの熱拡散板34,35それぞれを挿入することにより、熱拡散板34,35からヒートパイプ16への熱伝導をより改善することができ、また、前記溝に段差を持たせたことによりベース板11~13から熱拡散板34,35を経由してヒートシンク21に放熱する経路ができ、その結果、これらの半導体パワーチップでの温度上昇値を小さくしつつ、その差を少なくすることができる。さらに、図7に示したような構成にすることにより、ベース板15~17と熱拡散板34,35および熱拡散板34,35とヒートパイプ16との接触を確実なものとすると同時に、ヒートパイプ16に無理な力が加わらないようにするこができる。なお、熱拡散板34,35と、ヒートパイプ16およびベース板11~13との間の僅かな隙間には熱伝導性のグリースを充填することが望ましい。また、ヒートパイプ15,17に対しても、図7に示した構成を用いることができる。図12は、この発明の第2の実施の形態を示すパワーモジュールの冷却装置の模式的概念構成図を示し、図12aはこの上部の部分平面図,図12bはその部分側面図である。すなわち図12に示した構成では、ヒートシンク22の溝に埋設されたヒートパイプ23は、パワーモジュールのベース板26での半導体パワーチップCp1A,1BとCp2A,2Bとのほぼ中間位置に、前記双方のチップの搭載位置には重ならないように配置され、また、ヒートシンク22の溝に埋設されたヒートパイプ24,25それぞれは、パワーモジュールのベース板26での半導体パワーチップCp4A,4Bや、Cp6A,6Bの搭載位置に重なっているが、その重なり幅をそれぞれの半導体パワーチップの幅の1/2未満にしている。なお、ヒートパイプ23~25それぞれとベース板26との間の隙間には熱伝導性のグリースを充填している。図13は、パワーモジュールの冷却装置の実験モデルを用いた解析により得られた温度上昇値の特性グラフであり、その実線グラフは上述の図12に示したパワーモジュールの冷却装置の構成での値であり、また、破線グラフはヒートパイプ23が半導体パワーチップCp1A,1BおよびCp2A,2Bの搭載位置に重ならない中間位置、ヒートパイプ24が半導体パワーチップCp3A,3BおよびCp4A,4Bの搭載位置に重ならない中間位置、ヒートパイプ25が半導体パワーチップCp5A,5Bの搭載位置にほぼ一致する位置にそれぞれ配置されたときの値である。すなわち、図13に示した実線グラフの特性から明らかなように、破線グラフにおける半導体パワーチップCp5A,5Bの温度上昇値が62.4Kと他のチップに比して極端に高くなっており、これを解消して各チップ間の温度上昇値を均一化するためにも、半導体パワーチップとヒートパイプとの重なり幅を最大1/2チップ幅に抑える必要があり、実線グラフで示した図12に示したパワーモジュールの冷却装置の構成では半導体パワーチップCp1A,Cp1B~Cp6A,Cp6Bの温度上昇値それぞれの差がより小さくなっている。なお、図12に示した構成図においても、図3~図7に示した熱拡散板31~35の何れかを挿入することにより、熱伝導性を改善することができる。図14は、この発明の第3の実施の形態を示すパワーモジュールの冷却装置の模式的概念構成図としての部分側面図である。すなわち図14に示した構成は、一つの溝に対して2個の半導体パワーチップが重なる例を示したものであり、ヒートシンク27におけるヒートパイプ28,29それぞれの埋設位置が、図示の如く、パワーモジュールのベース板30での半導体パワーチップCp2,Cp3およびCp5,Cp6の搭載位置に重なっているが、半導体パワーチップCp2,Cp3それぞれの幅をaとし、Cp2での重なり幅をbとし、Cp3での重なり幅をcとすると、a/2>bcの関係を持たせた配置にしている。同様に、半導体パワーチップCp5,Cp6それぞれの幅をkとし、Cp5での重なり幅をmとし、Cp6での重なり幅をnとすると、k/2>mnの関係を持たせた配置にしている。なお、ヒートパイプ28,29とベース板30との間の隙間には熱伝導性のグリースを充填している。また、図14に示した構成図においても、図3~図7に示した熱拡散板31~35の何れかを挿入することにより、熱伝導性を改善することができる。図15は、この発明の第4の実施の形態を示すパワーモジュールの冷却装置の模式的概念構成図としての部分側面図である。すなわち、図15に示した構成が上述の図14に示した構成と異なる点は、ヒートシンク27とベース板30との間に銅板などの熱伝導板37を挿設していることである。図16は、パワーモジュールの冷却装置の実験モデルを用いた解析により得られた温度上昇値の特性グラフであり、その実線グラフは上述の図15に示したパワーモジュールの冷却装置の構成での値であり、また、破線グラフは上述の図14に示したパワーモジュールの冷却装置の構成での値である。すなわち、図16に示した実線グラフの特性から明らかなように、図15に示したパワーモジュールの冷却装置の構成では半導体パワーチップCp1~Cp6それぞれの温度上昇値の差を、図14に示したパワーモジュールの冷却装置の構成に比して、より小さくすることができる。なお、図15に示した構成図においても、図3~図7に示した熱拡散板31~35の何れかを挿入することにより、熱伝導性を改善することができる。なお、先述の図13に示した特性グラフと上述の図16に示した特性グラフと温度上昇値が異なるのは、図13の構成では半導体パワーチップがIGBTであるのに対して、図14,図15の構成では半導体パワーチップが比較的温度上昇値の大きいダイオードチップであることやヒートパイプの本数の差に起因している。図17は、この発明の第5の実施の形態を示すパワーモジュールの冷却装置の模式的概念構成図としての部分側面図である。すなわち、図17に示した構成が上述の図14に示した構成と異なる点は、ヒートシンク27に代えて、貫通穴を有するヒートシンク27aとし、この貫通穴にヒートパイプ28,29を挿設していることであり、このような構成にすることにより、上述の図15に示した構成と同様の効果を得ることができる。このとき、温度上昇値を小さくするために、前記貫通穴とヒートパイプとの隙間に熱伝導性のグリースや半田を充填する、または、ヒートパイプを拡管して貫通穴に密着させることなどが行われる。なお、図17に示した構成の場合にも、図12や図13に示した構成のように、半導体パワーチップとヒートパイプとの重なり幅を半導体パワーチップ幅の1/2未満とすることにより、半導体パワーチップ間の温度上昇値の差をより小さくすることが可能となる。図18は、この種のパワーモジュールの冷却装置が使用される鉄道車両用電力変換装置の回路構成図であり、主変圧器MTrの二次巻線から得られる単相交流電圧を3レベルコンバータConverterにより直流電圧に変換し、この直流電圧を3レベルインバータInverterにより所望の周波数,振幅の三相交流電圧に変換し、この三相交流電圧により電動機IMを可変速駆動する回路構成である。また図19は、上述の鉄道車両用電力変換装置が搭載される鉄道車両の模式的断面構成図であり、Converter,Inverterをパワーユニットとし、車両走行時の走行風を利用して前記パワーユニットのヒートシンク冷却体が吸収した熱を放熱させるために、前記車両の下部からヒートシンクのフィン部冷却フィンが露出するように配置している。図20は、この発明の第6の実施の形態を示すパワーモジュールの冷却装置の模式的概念構成図であり、上述の図18,図19に示したConverterの一部を形成する半導体パワーモジュール41~46、ヒートシンク50、ヒートパイプ51~53などから構成されている。このとき、ヒートパイプ50のフィン部50aは走行風に沿うように設置されている。図21は、図20に示した構成において、走行風の入口の空気温度と発熱している半導体パワーモジュール41~46それぞれの表面温度との差実測値を示す特性グラフであり、実線グラフはヒートパイプ51~53を設置したときの値を示し、破線グラフはヒートパイプ51~53を省略したときの値を示している。すなわち、ヒートパイプ51~53を設けたことにより、図21に示した実線グラフと破線グラフとから明らかなように、半導体パワーモジュール41~46それぞれの温度差の違いがより小さくすることができ、また、実線グラフから明らかなように、風上と風下での半導体パワーモジュール間の値の違いもより小さくすることができる。なお、図20に示した構成ではヒートパイプをパワーモジュール各列に対して3本ずつ設けた場合について示しているが、ヒートパイプの本数は適宜決定されるものである。"