参照面と被検面との間の距離を計測する計測装置であって、光源からの光を第1光と第2光とに分割し、前記第1光を前記参照面に入射させ、前記第2光を前記被検面に入射させる分割素子と、前記参照面で反射された前記第1光と前記被検面で反射された前記第2光との干渉光の位相をシフトさせる位相シフト部と、前記干渉光の強度を検出する検出部と、前記光源からの光の周波数を連続的に変更して3つ以上の周波数に設定し、前記3つ以上の周波数のそれぞれについて、前記位相シフト部によって前記干渉光の位相をシフトさせながら前記干渉光の強度を検出するように前記検出部を制御し、前記3つ以上の周波数のそれぞれについて、前記検出部によって検出される前記干渉光の強度及び前記位相シフト部による前記干渉光の位相のシフト量に基づいて、前記参照面と前記被検面との間の光路長に相当する位相を特定することで、前記距離を求める処理部と、を有し、前記処理部は、前記3つ以上の周波数のそれぞれの間の周波数差が互いに異なるように、前記3つ以上の周波数を設定することを特徴とする計測装置。前記処理部は、前記周波数差の標準偏差が前記周波数差の平均値の10以上となるように、前記3つ以上の周波数を設定することを特徴とする請求項1に記載の計測装置。前記処理部は、前記検出部によって検出される前記干渉光の強度を表す信号に対して第1周波数間隔でフーリエ変換を行って第1ピーク値を特定し、前記第1ピーク値を含む予め定められた範囲内の前記信号に対して前記第1周波数間隔よりも小さい第2周波数間隔でフーリエ変換を行って第2ピーク値を特定し、前記第2ピーク値に対応する距離を前記距離として求めることを特徴とする請求項1又は2に記載の計測装置。前記位相シフト部は、前記参照面を保持して移動するステージを含み、前記ステージを介して前記参照面を移動させることで、前記干渉光の位相をシフトさせることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の計測装置。前記位相シフト部は、前記参照面及び前記被検面と前記検出部との間に配置された偏光素子を含み、前記偏光素子によって前記検出部に入射する前記干渉光に位相を与えることで、前記干渉光の位相をシフトさせることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の計測装置。前記被検面をインコヒーレントな光で照明する照明系と、前記被検面で反射された前記インコヒーレントな光を検出して前記被検面の画像を取得する取得部を更に有し、前記処理部は、前記取得部で取得された前記画像に基づいて、前記被検面の位置を求めることを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の計測装置。前記処理部は、前記距離を求めるたびに、前記3つ以上の周波数を変更することを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載の計測装置。前記検出部は、前記被検面の上の複数の位置のそれぞれについて、前記干渉光の強度を検出する複数の検出領域を含み、前記処理部は、前記複数の位置のそれぞれについて前記距離を求めることで前記被検面の形状を求めることを特徴とする請求項1乃至7のうちいずれか1項に記載の計測装置。光源からの光を第1光と第2光とに分割し、前記第1光を参照面に入射させ、前記第2光を被検面に入射させる分割素子と、前記参照面で反射された前記第1光と前記被検面で反射された前記第2光との干渉光の位相をシフトさせる位相シフト部と、前記干渉光の強度を検出する検出部とを有する計測装置を用いて、前記参照面と前記被検面との間の距離を計測する計測方法であって、前記光源からの光の周波数を連続的に変更して3つ以上の周波数に設定するステップと、前記3つ以上の周波数のそれぞれについて、前記位相シフト部によって前記干渉光の位相をシフトさせながら前記干渉光の強度を前記検出部によって検出するステップと、前記3つ以上の周波数のそれぞれについて、前記検出部によって検出される前記干渉光の強度及び前記位相シフト部による前記干渉光の位相のシフト量に基づいて、前記参照面と前記被検面との間の光路長に相当する位相を特定することで、前記距離を求めるステップと、を有し、前記光源からの光の周波数を設定する際には、前記3つ以上の周波数のそれぞれの間の周波数差が互いに異なるように、前記3つ以上の周波数を設定することを特徴とする計測方法。しかしながら、従来の計測装置では、参照面と被検面との間の距離を計測可能な範囲計測範囲が非常に狭く、当然のことながら、かかる計測範囲を超える距離例えば、被検面の段差については計測することができない。従って、従来の計測装置は、計測範囲を超える段差を含む被検面の形状の計測に用いることができない。本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、参照面と被検面との間の距離の計測において、計測範囲の広範囲化に有利な技術を提供することを例示的目的とする。上記目的を達成するために、本発明の一側面としての計測装置は、参照面と被検面との間の距離を計測する計測装置であって、光源からの光を第1光と第2光とに分割し、前記第1光を前記参照面に入射させ、前記第2光を前記被検面に入射させる分割素子と、前記参照面で反射された前記第1光と前記被検面で反射された前記第2光との干渉光の位相をシフトさせる位相シフト部と、前記干渉光の強度を検出する検出部と、前記光源からの光の周波数を連続的に変更して3つ以上の周波数に設定し、前記3つ以上の周波数のそれぞれについて、前記位相シフト部によって前記干渉光の位相をシフトさせながら前記干渉光の強度を検出するように前記検出部を制御し、前記3つ以上の周波数のそれぞれについて、前記検出部によって検出される前記干渉光の強度及び前記位相シフト部による前記干渉光の位相のシフト量に基づいて、前記参照面と前記被検面との間の光路長に相当する位相を特定することで、前記距離を求める処理部と、を有し、前記処理部は、前記3つ以上の周波数のそれぞれの間の周波数差が互いに異なるように、前記3つ以上の周波数を設定することを特徴とする。本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。本発明によれば、例えば、参照面と被検面との間の距離の計測において、計測範囲の広範囲化に有利な技術を提供することができる。以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。<第1の実施形態>図1は、本発明の第1の実施形態における計測装置1の構成を示す図である。計測装置1は、参照面と被検面との間の距離を計測する光波干渉計であって、例えば、被検面の形状平面度を計測する3次元形状計測装置として好適である。計測装置1は、光源101と、ミラー102と、ビームスプリッタ103と、周波数計測部104と、レンズ105及び106と、干渉光学系ISと、ピエゾステージ131と、ピエゾ制御部132と、検出部140と、処理部150とを有する。光源101は、コヒーレントな光を出力すると共に、かかる光の周波数を可変とする即ち、互いに異なる複数の周波数を設定可能な周波数可変光源である。光源101としては、例えば、外部共振器を用いた半導体レーザECDLやフルバンドチューナブルDFBDistributedFeed-Backレーザを用いることができる。光源101は、本実施形態では、処理部150によって制御されるが、光源101を制御する光源制御部を処理部150とは別に設けてもよい。光源101からの光は、ミラー102を介して、光源101からの光を2つの光に分割分岐するビームスプリッタ103に導かれる。ビームスプリッタ103で分割された一方の光は、周波数計測部104に導かれる。周波数計測部104は、光源101から出力された光の周波数を計測し、その計測結果を処理部150に入力する。但し、光源101から出力される光の周波数を高い精度で保証することができる即ち、光源101から出力される光の周波数を計測する必要がない場合には、周波数計測部104は設けなくてもよい。ビームスプリッタ103で分割された他方の光は、ビーム径を拡大するレンズ105及び106を介して、干渉光学系ISに導かれる。干渉光学系ISは、λ/2波長板107と、偏光ビームスプリッタ108と、λ/4波長板109a及び109bと、レンズ113と、絞り114と、レンズ115と、偏光子116とを含む。λ/2波長板107は、回転可能に保持される。光源101から出力される光は直線偏光の光であるため、λ/2波長板107の回転角によって、λ/2波長板107を通過した光の偏光方向を任意の方向に制御調整することができる。λ/2波長板107の後段には、偏光ビームスプリッタ108が配置され、λ/2波長板107の回転角によって、偏光ビームスプリッタ108における光の分割比分岐比を変えることができる。偏光ビームスプリッタ108は、光源101からの光を、互いに直交する偏光方向を有する参照光第1光RLと被検光第2光TLとに分割分岐する分割素子である。参照光RLは、λ/4波長板109aを通過して、参照面110に入射する。被検光TLは、λ/4波長板109bを通過して、被検面112に入射する。被検面112で反射又は散乱された被検光TLは、λ/4波長板109bを再び通過して、偏光ビームスプリッタ108に入射する。同様に、参照面110で反射された参照光RLは、λ/4波長板109aを再び通過して、偏光ビームスプリッタ108に入射する。参照光RL及び被検光TLのそれぞれは、λ/4波長板を2回通過することで、その偏光方向が90度回転する。従って、参照光RLは偏光ビームスプリッタ108で反射され、被検光TLは偏光ビームスプリッタ108を透過するため、参照光RLと被検光TLとが空間的に重ね合わされる。偏光ビームスプリッタ108で重ね合わされた参照光RL及び被検光TLは、レンズ113によって集光される。レンズ113は、前側焦点が被検面112の近傍に位置するように配置されている。これにより、被検面112の形状の像がぼけることなく、検出部140の検出面の上に形成される。絞り114は、レンズ113の後側焦点の近傍に配置される。絞り114は、開口径が固定された開口絞りであってもよいし、開口径を可変とする虹彩絞りであってもよい。絞り114として虹彩絞りを用いた場合には、その開口径によって、光量、被写界震度、スペックルの大きさなどを調整することができる。絞り114を通過した参照光RL及び被検光TLは、レンズ115によって集光され、偏光子116に導かれる。偏光子116は、その透過軸が参照光RL及び被検光TLの偏光方向に対して45度となるように配置される。これにより、参照光RLと被検光TLとが干渉し、干渉光ILが形成される。干渉光ILは、検出部140に導かれる。検出部140は、例えば、CCDセンサやCMOSセンサなどのエリアセンサで構成され、干渉光ILの光強度を検出し、その検出結果を処理部150に入力する。本実施形態では、参照面110は、ピエゾステージ131に保持される。また、ピエゾステージ131は、ピエゾ制御部132に制御される。ピエゾ制御部132は、処理部150の制御下において、ピエゾステージ131を介して、参照面110を光軸AX1参照面110の軸に沿って移動させることで、参照面110と被検面112との間の光路長光路長差を変化させる。換言すれば、ピエゾステージ131及びピエゾ制御部132は、干渉光ILの位相を時間的にシフトさせる位相シフト部として機能する。処理部150は、CPUやメモリなどを含み、計測装置1の全体動作を制御する。処理部150は、計測装置1の各部を制御して、参照面110と被検面112との間の距離を求める処理を行う。処理部150は、光源101からの光の周波数を切り替える機能を有し、例えば、光源101からの光の周波数を連続的に変更して即ち、光源101からの光の周波数を走査して互いに異なる3つ以上の周波数に設定する。また、処理部150は、干渉光ILの位相がシフトされるタイミングと、光源101からの光の周波数を計測するタイミングと、干渉光ILの光強度を検出するタイミングとを同期させる。図2を参照して、計測装置1における参照面110と被検面112との間の距離を計測する処理を説明する。かかる処理は、上述したように、処理部150が計測装置1の各部を統括的に制御することで行われる。S202では、光源101から出力される光の周波数を設定する。具体的には、処理部150は、光源101から出力される光の周波数を連続的に変更して走査して第1の周波数に設定する。この際、処理部150は、光源101から出力された光の周波数を計測するように周波数計測部104を制御し、かかる計測結果に基づいて、光源101から出力される光の周波数を所定の周波数に安定化させる。S204では、干渉光ILの位相をシフトさせる。具体的には、処理部150は、ピエゾ制御部132を介して、参照面110を保持したピエゾステージ131を移動させて、干渉光ILの位相を、例えば、第1の状態にシフトさせる。S206では、干渉光ILの光強度を検出する。具体的には、処理部150は、S204で干渉光ILの位相をシフトさせた状態において、干渉光ILの光強度を検出部140で検出する。S208では、処理部150は、干渉光ILの位相を規定回数シフトさせたかどうかを判定する。干渉光ILの位相を規定回数シフトさせていない場合には、S204に移行し、干渉光ILの位相を、例えば、第1の状態とは異なる第2の状態にシフトさせて、干渉光ILの光強度を検出する。干渉光ILの位相をシフトさせS204、干渉光ILの光強度を検出するS206動作は、少なくとも3回行う即ち、規定回数は3回以上に設定する必要があり、一般的には、4回行われる所謂、4バケット法。このように、干渉光ILの位相を3回以上シフトさせて干渉光ILの光強度を検出することで、その周波数における干渉光ILの位相を算出することが可能となる。一方、干渉光ILの位相を規定回数シフトさせている場合には、S210に移行する。S210では、処理部150は、光源101から出力される光の周波数を所定回数設定したかどうかを判定する。光源101から出力される光の周波数を所定回数設定していない場合には、S202に移行して、光源101から出力される光の周波数を第1の周波数とは異なる第2の周波数に設定する。光源101から出力される光の周波数を第2の周波数に設定した状態においても、干渉光ILの位相をシフトさせS204、干渉光ILの光強度を検出するS206。ここで、光源101から出力される光の周波数については、3つ以上の周波数を設定する即ち、所定回数は3回以上に設定する必要がある。光源101に設定する周波数の数が多ければ多いほど、参照面110と被検面112との間の距離の計測精度は向上するが、計測時間が長くなってしまう。従って、要求される計測精度と許容される計測時間を考慮して、光源101に設定する周波数の数は決定される。本実施形態では、光源101に設定する周波数の数を16として説明する。S212では、処理部150は、S202で設定した各周波数における位相を特定する。具体的には、S202で設定した周波数のそれぞれについて、S206で検出された干渉光ILの光強度及びS204でシフトさせた干渉光ILの位相のシフト量に基づいて、参照面110と被検面112との間の光路長に相当する位相を特定する。S214では、処理部150は、S212で特定した各周波数における位相に基づいて、参照面110と被検面112との間の距離を算出する。以下、S212及びS214について詳細に説明する。例えば、光源101に設定する周波数の数を16とし、干渉光ILの位相をシフトさせる回数を4とすると、干渉光ILの光強度光強度分布を表す信号データとして64個の信号が得られる。処理部150は、検出部140の検出面を構成する画素ごとに、以下の式1で定義されるフーリエ変換を行って、解析信号Shを求める。式1において、hは、参照面110と被検面112との間の距離であり、Kは、光源101に設定する周波数の数である。また、fkは、光源101に設定する周波数の値であり、φfkは、各周波数における位相である。hを大きな間隔にすれば、参照面110と被検面112との間の距離の計測精度は低下するが、計算時間が短くなる。一方、hを小さな間隔にすれば、参照面110と被検面112との間の距離の計測精度は向上するが、計算時間が長くなる。本実施形態では、処理部150は、S202において、光源101からの光の周波数の間隔が不均一となるように、即ち、周波数のそれぞれの間の周波数差が互いに異なるように、光源101からの光の周波数を設定している。図3は、光源101に設定される3つ以上の周波数のそれぞれの間の周波数差を説明するための図である。実線は、本実施形態において、光源101に設定される周波数f1乃至f16を示している。また、点線は、光源101からの光の周波数の間隔を等間隔とした場合に、光源に設定される周波数を示している。周波数f1乃至f16のそれぞれの間の周波数差ΔfnΔf1乃至Δf15の標準偏差σは、以下の式2で表される。なお、Δf ̄は、周波数差Δf1乃至Δf15の平均値、即ち、光源101からの光の周波数の間隔を等間隔とした場合の周波数差周波数の間隔である。本実施形態のように、光源101に設定する周波数のそれぞれの間の周波数差を不均一にすると、互いに異なる複数の合成波長を生成することができる。合成波長は光のものさしに相当するため、生成される合成波長の違いが大きいほど、参照面110と被検面112との間の距離を広い範囲で計測することが可能となる即ち、計測範囲を広範囲化することができる。生成される合成波長の違いを大きくするためには、周波数のそれぞれの間の周波数差がランダムとなるように、光源101からの光の周波数を設定するとよい。但し、周波数差が不均一であっても、例えば、周波数差が等差数列的に変化するなど、周波数差の変化に規則性がある場合には、生成される合成波長の違いが小さくなる。また、本実施形態では、参照面110と被検面112との間の距離を算出するために、第1算出処理ラフ計算と第2算出処理精密計算を行う。ここで、第1算出処理は、検出部140で検出される干渉光ILの光強度を表す信号に対して第1周波数間隔でフーリエ変換を行って第1ピーク値を特定する処理である。また、第2算出処理は、第1算出処理で特定した第1ピーク値を含む予め定められた範囲内の信号に対して、第1周波数間隔よりも小さい第2周波数間隔でフーリエ変換を行って第2ピーク値を特定する処理である。図4は、本実施形態における解析信号Shの一例を示す図である。図4では、参照面110と被検面112との間の距離光路長差を25mm、光源101に設定する周波数fnの数を16、周波数差Δfnの標準偏差σを周波数差Δfnの平均値の25としている。また、図4では、参照面110と被検面112との間の距離h[mm]を横軸に採用し、解析信号Shの大きさを縦軸に採用している。図4aは、第1算出処理に対応し、干渉光ILの光強度を表す信号に対して、50mmの範囲を10μmの周波数間隔でフーリエ変換を行うことで得られた解析信号Shを示している。図4aを参照するに、h=25mmの近傍に、最も大きいピーク値第1ピーク値が現れていることがわかる。このようなピーク値は、光源101からの光の周波数の間隔を等間隔とした場合には現れない。図4aでは、最も大きいピーク値の次に大きいピーク値、即ち、2番目に大きいピーク値は、0.63程度である。最も大きいピーク値が0.63程度になる線幅は約40μmであるため、この場合、40μm以下の間隔で解析信号Shを求めれば、最も大きいピーク値の位置を正しく特定することができる。図4bは、第2算出処理に対応し、干渉光ILの光強度を表す信号に対して、上述した第1ピーク値を含む0.5mmの範囲を0.1μmの周波数間隔でフーリエ変換を行うことで得られた解析信号Shを示している。第2算出処理では、第1算出処理よりも小さい間隔で解析信号Shを求めているため、ピーク値第2ピーク値を高精度に特定することができる。第1算出処理を行わずに、干渉光ILの光強度を表す信号に対して、50mmの範囲を0.1μmの周波数間隔でフーリエ変換を行うと、10μmの周波数間隔でフーリエ変換を行う場合よりも約100倍の時間を要する。従って、本実施形態のように、第1算出処理ラフ計算と第2算出処理精密計算を行うことによって、参照面110と被検面112との間の距離の算出に要する時間を大幅に短縮することができる。なお、光源101に設定する周波数のそれぞれの間の周波数差の不均一性が小さい場合には、解析信号Shにおいて、最も大きいピーク値と次に大きいピーク値とが近くなる。従って、第1算出処理において、最も大きいピーク値を誤って特定する可能性が大きくなる。本発明者は、鋭意検討の結果、周波数差Δfnの標準偏差σが周波数差Δfnの平均値Δf ̄の10未満である場合には、検出部140の検出誤差や環境変動などに起因して、ピーク値を誤って特定する可能性が飛躍的に大きくなることを見出した。従って、周波数差Δfnの標準偏差σが周波数差Δfnの平均値Δf ̄の10以上、更には、20以上となるように、光源101からの光の周波数を設定するとよい。また、周波数差Δfnの標準偏差σが周波数差Δfnの平均値Δf ̄の10以上であっても、ピーク値を誤って特定する可能性がゼロにならない場合も考えられる。このような場合には、光源101に設定する周波数をランダムに変更して、参照面110と被検面112との間の距離の計測を複数回行えばよい。例えば、1回の計測でピーク値を誤って特定する確率が1であったとしても、2回連続でピーク値を誤って特定する確率は0.01であり、ピーク値を誤って特定することを大幅に減少させることができる。このように、本実施形態では、光源101からの光の周波数を連続的に変更して3つ以上の周波数に設定する。この際、3つ以上の周波数のそれぞれの間の周波数差が互いに異なるように、3つ以上の周波数を設定している。従って、計測装置1は、参照面110と被検面112との間の距離の計測において、計測範囲の広範囲化を実現することができる。なお、本実施形態では、計測装置1が参照面110と被検面112との間の距離を計測する場合について説明した。但し、計測装置1は、被検面112の形状を計測することも可能である。上述したように、検出部140は、CCDセンサやCMOSセンサなどのエリアセンサで構成されている。従って、被検面112の上の複数の位置のそれぞれについて、干渉光ILを検出する複数の検出領域を含むように、検出部140を構成することが可能である。そして、処理部150は、複数の検出領域のそれぞれで検出される干渉光ILの光強度に基づいて、複数の位置のそれぞれについて参照面110と被検面112との間の距離を求めることで被検面112の形状を求めることができる。また、検出部140を複数の検出領域を含むように構成できない場合には、被検面112と検出部140との相対的な位置関係を変更し、各位置関係について参照面110と被検面112との間の距離を求めることで被検面112の形状を求めることも可能である。<第2の実施形態>図5は、本発明の第2の実施形態における計測装置1Aの構成を示す図である。計測装置1Aは、計測装置1と比較するに、干渉光ILの位相を時間的にシフトさせる位相シフト部として機能するピエゾステージ131及びピエゾ制御部132の代わりに、干渉光ILの位相を空間的にシフトさせる偏光素子160を有する。偏光素子160は、検出部140に入射する干渉光ILに位相を与えることで、干渉光ILの位相をシフトさせる。偏光ビームスプリッタ108で重ね合わされた参照光RL及び被検光TLのそれぞれは、λ/4波長板117を通過することで右回り円偏光及び左回り円偏光に変換され、参照面110及び被検面112と検出部140との間に配置された偏光素子160に導かれる。図6a及び図6bは、偏光素子160の構成を示す図である。偏光素子160は、図6aに示すように、複数の偏光子要素162を含む。偏光子要素162の大きさは、検出部140の検出面を構成する画素の大きさと等しく、偏光子要素162のそれぞれは、偏光子要素162と検出部140の検出面を構成する画素とが1:1で対応するように配置されている。偏光素子160は、検出部140の検出面の近傍に配置することが好ましく、偏光素子160と検出部140とを一体的に構成してもよい。図6bは、図6aに示す領域αに位置する4つの偏光子要素162a乃至162dを示す図である。偏光素子160は、4つの偏光子要素162a乃至162dを周期的に配列することで構成されている。4つの偏光子要素162a乃至162dは、それぞれの透過軸の方向が0度、45度、90度、135度となるように配置されている。右回り円偏光に変換された参照光RL及び左回り円偏光に変換された被検光TLは、偏光素子160を通過することで互いに干渉し、干渉光ILを形成する。本実施形態では、4つの偏光子要素162a乃至162dのそれぞれを通過した光が形成する干渉光ILの位相はπ/2ずつ異なるため、干渉光ILの位相に時間的にシフトさせた場合と同様に、4バケット法によって干渉光ILの位相を求めることができる。図7は、計測装置1Aにおける参照面110と被検面112との間の距離を計測する処理を説明するためのフローチャートである。計測装置1Aでは、上述したように、偏光素子160によって干渉光ILの位相を空間的にシフトさせている。従って、計測装置1における参照面110と被検面112との間の距離を計測する処理図2と比較して、計測装置1Aにおける参照面110と被検面112との間の距離を計測する処理では、図7に示すように、S204及びS208を行う必要がない。従って、本実施形態では、計測装置1が参照面110と被検面112との間の距離の計測に要する計測時間を短くすることができる。また、干渉光ILの位相を時間的にシフトさせる場合と比較して、振動や温度変化などの環境変動に強いという利点もある。<第3の実施形態>図8は、本発明の第3の実施形態における計測装置1Bの構成を示す図である。計測装置1Bは、計測装置1の構成に加えて、被検面112をインコヒーレントな光で照明する照明系としてのインコヒーレント光源118を更に有する。また、本実施形態では、検出部140は、インコヒーレント光源118によって被検面112を照明した際に、被検面112で反射された光インコヒーレントな光を検出して被検面112の画像を取得する取得部としても機能する。被検面112の表面が粗い場合、コヒーレントな光で被検面112を照明すると、スペックルが発生する。スペックルが発生すると、検出部140において明瞭な画像を取得することができないため、光軸AX2被検面112の軸に直交する方向横方向における被検面112の位置寸法、座標を高精度に計測することが困難である。そこで、本実施形態では、被検面112の横方向の位置を求める際には、インコヒーレント光源118からのインコヒーレントな光で被検面112を照明することで取得される画像を用いる。被検面112の横方向の位置は、処理部150において、例えば、エッジ検出などの画像認識処理を行うことで求めることができる。また、被検面112の光軸AX2に沿った方向縦方向の位置を求める際には、光源101からのコヒーレントな光で被検面112を照明することで取得される画像を用いる。図9を参照して、計測装置1Bにおける被検面112の横方向及び縦方向の位置を計測する処理を説明する。かかる処理は、処理部150が計測装置1Bの各部を統括的に制御することで行われる。S902では、インコヒーレント光源118からのインコヒーレントな光で被検面112を照明する。S904では、インコヒーレントな光で被検面112を照明した状態において、被検面112で反射したインコヒーレントな光を検出部140で検出して被検面112の画像を取得する。かかる被検面112の画像は、処理部150に入力される。S906では、被検面112の横方向の位置を算出する。具体的には、処理部150は、S904で取得された被検面112の画像に対してエッジ検出などの画像認識処理を施すことで即ち、被検面112の画像を解析して、被検面112の横方向の位置を算出する。S908乃至S918は、図2に示すS202乃至S212と同様であるため、ここでの詳細な説明は省略する。S920では、被検面112の縦方向の位置を算出する。具体的には、処理部150は、S918で特定した各周波数における位相に基づいて、参照面110と被検面112との間の距離を求めることで被検面112の縦方向の位置を算出する。S922では、被検面112の形状を算出する。具体的には、処理部150は、S906で算出した被検面112の横方向の位置とS920で算出した被検面112の縦方向の位置とを組み合わせて、被検面112の3次元の位置情報、即ち、被検面112の形状を算出する。このように、本実施形態では、被検面112の横方向の位置を算出する際にはインコヒーレント光源118を、被検面112の縦方向の位置を算出する際には光源周波数可変光源101を用いることで、被検面112の形状を高精度に計測することができる。なお、S922で算出した被検面112の形状は、例えば、処理部150などにおいてユーザが被検面112の対象領域を指定することで、計測装置1Bに備えられたディスプレイなどに表示することができる。また、被検面112の形状についてのデータベースを予め用意しておけば、被検面112の形状についての合否を自動的に判定して、その判定結果を出力することも可能である。また、S920において被検面112の縦方向の位置を算出する際に、S906で算出した被検面112の横方向の位置を用いてもよい。例えば、被検面112の穴の深さを計測したい場合には、まず、インコヒーレントな光で被検面112を照明することで取得される画像から穴の領域を特定する。次に、コヒーレントな光で被検面112を照明することで取得される画像を用いて、穴の領域内及びその周辺領域のそれぞれについて縦方向の位置の平均値を算出する。これらの平均値の差分をとれば、穴の深さを算出することができる。平均値を用いることで、画素ごとに生じる計測誤差の影響が小さくなるため、穴の深さを高精度に計測することができる。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、各実施形態の計測装置は、機械部品などの物品の製造に適用することができる。かかる物品の製造方法は、上述した計測装置を用いて被検面を計測する工程と、かかる工程での計測結果に基づいて、被検面が所定の形状となるように加工研磨などする工程とを含む。かかる物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能品質生産性生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。