"光源と、前記光源により照射され測位方向の細周期パターンおよび粗周期パターンを1つのトラック内に備えるスケールと、前記スケールからの光を受光して前記細周期パターンを検出する高分解能検出センサアレイと、前記スケールからの光を受光して前記粗周期パターンを検出する低分解能検出センサアレイと、を有する光学式エンコーダであって、前記スケールの透過率分布または反射率分布は、測位方向に垂直な方向の積分値が測位方向に均一な変調振幅となる前記細周期パターンに対応した変調成分と、測位方向に均一な変調振幅となる前記粗周期パターンに対応した変調成分と、の加算された値となる分布であることを特徴とする光学式エンコーダ。前記高分解能検出センサアレイの測位方向の幅が、前記粗周期パターンの周期の整数倍であることを特徴とする請求項1に記載の光学式エンコーダ。前記高分解能検出センサアレイの測位方向の幅が、前記粗周期パターンの周期と等しいことを特徴とする請求項2に記載の光学式エンコーダ。前記高分解能検出センサアレイと前記低分解能検出センサアレイの各センサは、夫々4相正弦波出力を得て前記4相正弦波出力を基に不要周波数成分を除去する信号処理回路に接続されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光学式エンコーダ。前記高分解能検出センサアレイと前記低分解能検出センサアレイは、分解能が切り替え可能な共通のセンサアレイで構成されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光学式エンコーダ。高分解能検出モードでは前記高分解能検出センサアレイを測位方向に第1の幅および第1の周期で構成し、低分解能検出モードでは前記低分解能検出センサアレイを測位方向に前記第1の幅の整数倍である第2の幅および前記第1の周期の整数倍である第2の周期で構成し、前記高分解能検出モードと前記低分解能検出モードを切り替えるスイッチを有することを特徴とする請求項5に記載の光学式エンコーダ。前記細周期パターンと前記粗周期パターンが測位方向に垂直な方向で分離されることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の光学式エンコーダ。前記スケールは更にアブソリュート位置検出用パターンを備え、前記アブソリュート位置検出用パターンによるアブソリュート位置情報を基に、前記高分解能検出センサアレイおよび前記低分解能検出センサアレイの出力を基にアブソリュート位置信号を合成してアブソリュート位置信号をより高分解能化させることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の光学式エンコーダ。前記高分解能検出センサアレイと前記低分解能検出センサアレイは、アブソリュート位置検出のために夫々2組設けられ、2組の前記高分解能検出センサアレイおよび2組の前記低分解能検出センサアレイで夫々周期が異なり、前記高分解能検出センサアレイおよび前記低分解能検出センサアレイからの位相情報をアブソリュート位置信号をより高分解能化させるためにアブソリュート位置信号を合成することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の光学式エンコーダ。前記低分解能検出センサアレイにおける位置検出に用いられない未使用のセンサがGNDに接続されることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の光学式エンコーダ。測位方向が回転方向であることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の光学式エンコーダ。前記粗周期パターンの周期が前記細周期パターンの周期の奇数倍であることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の光学式エンコーダ。従来例を基に分析をしていくと、複数の変調周期を含むスケールを介して反射される光強度分布には、位置検出誤差要因となる不要な空間周波数成分が含まれることが分かった。即ち、従来例では、光強度分布が細周期パターンに対応した変調成分Aと、粗周期パターンに対応した変調成分Bとの積算に相当するが、位置検出誤差要因となる不要な空間周波数成分AB、A-B、更には不要回折光による成分が含まれる。この影響によって、理想的な正弦波からの誤差が生じ、その結果、逆正接演算によって位置信号に変換する際に、位置検出誤差となるという問題がある。そこで、本発明は上記問題点に鑑み、一つのトラックから複数の情報を高精度に検出することが可能な光学式エンコーダを提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本出願に係る発明は、光源と、前記光源により照射され測位方向の細周期パターンおよび粗周期パターンを1つのトラック内に備えるスケールと、前記スケールからの光を受光して前記細周期パターンを検出する高分解能検出センサアレイと、前記スケールからの光を受光して前記粗周期パターンを検出する低分解能検出センサアレイと、を有する光学式エンコーダであって、前記スケールの透過率分布または反射率分布は、測位方向に垂直な方向の積分値が測位方向に均一な変調振幅となる前記細周期パターンに対応した変調成分と、測位方向に均一な変調振幅となる前記粗周期パターンに対応した変調成分と、の加算された値となる分布であることを特徴とする。本発明によれば、細周期パターンと粗周期パターンの位置検出に関して、不要な空間周波数成分の混入を抑え、細周期パターンと粗周期パターンの位置検出の分離をより高精度に行うことができる。《第1の実施形態》本実施形態は、位置に関する相対値出力と共に絶対値出力を可能とするアブソリュート方式の光学式エンコーダであり、その構成を図2に示す。このエンコーダは、可動部に取り付けられるスケール200、固定部に取り付けられるセンサユニット301、信号処理回路401、記憶装置402を備える。信号処理回路401は、センサユニット301で得られたエンコーダ信号の内挿処理や、記憶装置402への信号の書き込み、および、読み出し、位置信号の出力等を行う。相対移動距離測定のため位置に関する相対値出力を得るには、図4に示すようなスリットトラック201と、図5、図6に示すようなフォトダイオードアレイ311の1組を用れば良い。スリットトラック201は、細周期パターンと粗周期パターンを1トラック内に備える。フォトダイオードアレイ311は、細周期パターンと粗周期パターンの検出に兼用される共通のフォトダイオードアレイである。しかし、スリットトラック201に対し、細周期パターンと粗周期パターンの検出に別々のフォトダイオードアレイを用いることもできる。アブソリュート位置を検出するためには、相対移動距離を測定するためのスリットトラック201、フォトダイオードアレイ311に加え、更にスリットトラック202、フォトダイオードアレイ312を含めた2組を用いる。スリットトラック202、フォトダイオードアレイ312は、スリットトラック201、フォトダイオードアレイ311に対し、夫々僅かにずれた周期を備えてアブソリュート位置検出を可能としている。図3でセンサユニット301の具体的構成を説明する。図3aが側面図、図3bが上面図である。センサユニット301は、光源としてのLED310とセンサアレイとしてのフォトダイオードアレイ311、フォトダイオードアレイ312が同一パッケージ内に実装された受発光一体型のセンサユニットである。LED310で照射されるスケール200は、ガラス基板上にクロム反射膜が2本のスリットトラック201、202としてパターニングされている。センサユニット301内のLED310から出射した発散光束はスケール200の第1トラック201、および第2トラック202上の読み取り領域213に照射される。上面図における読み取り領域213の位置は、LED310とフォトダイオードアレイ311の受光領域の4隅を結ぶ線の中点によって囲まれる領域である。読み取り領域213から反射した光束は、センサユニット301内のフォトダイオードアレイ311、312に向けてそれぞれ反射される。そして、LED310とフォトダイオードアレイ311はスリットトラック201,202の平面と平行な同一平面上にあって、LED310から出てスリットトラック201で反射されてフォトダイオードアレイ311に至る。即ち、LED310からフォトダイオードアレイ311に至る光路の丁度中間位置にスリットトラック201が存在する関係となる。これより、スケールであるスリットトラック201、202の反射率分布が2倍拡大された像としてフォトダイオードアレイ311、312上で受光される。フォトダイオードアレイ311、フォトダイオードアレイ312によって受光された光束は電気信号に変換され、エンコーダ信号として図2に示す信号処理回路401に送られる。細周期パターンと粗周期パターンを備えたスケールスケール200の第1トラック201および第2トラック202の一部の拡大図を図4に示す。第1トラック201は測位方向移動方向に垂直な方向Y軸方向に対し一様で、測位方向X軸方向に50μmごとに異なる領域に分けられている。それぞれの領域は、反射膜に一定密度で反射膜の抜けたピンホールが形成されており、反射膜のある面積と反射膜の無い面積の比率を変化させることで平均反射率を異ならせてある。第1トラック201に関し、細周期パターンは100μm周期フォトダイオードアレイ311上の反射像周期は2倍の200μm周期である。また、粗周期パターンは700μm周期フォトダイオードアレイ311上の反射像周期は2倍の1400μm周期である。一方、後述する第2トラック202に関しては、細周期パターンは102.08333μm周期フォトダイオードアレイ312上の反射像周期は2倍の204.16666μm周期である。また、粗周期パターンは714.58333μm周期フォトダイオードアレイ312上の反射像周期は2倍の1429.16666μm周期である。第1トラック201、第2トラック202に関し、平均反射率の測位方向X方向分布は、以下のように形成されている。即ち、図1に示すように平均反射率差30の100μm周期細周期Pの反射率変調に、平均反射率差30の700μm周期粗周期X0の反射率変調が加算された反射率パターンとなっている。即ち、スケールの反射率分布は、測位方向に垂直な方向の積分値が測位方向に均一な変調振幅となる細周期パターンに対応した変調成分と、測位方向に均一な変調振幅となる粗周期パターンに対応した変調成分と、の加算された値となる分布である。具体的には、X方向50μmごとに、平均反射率が30、0、36、10.8、49.2、24、60、30、60、24、49.2、10.8、36、0の順で、反射膜の領域が並んでいる。即ち、100μm周期細周期P反射率変調の成分は、30、0、30、0、30、0、30、0、30、0、30、0、30、0となる。変調振幅に相当する1周期内の最大反射率と最小反射率の差は30であって、測位方向の各1周期内で均一な変調振幅を備えている。一方、700μm周期粗周期X0反射率変調の成分は、0、0、6、10,8、19,2、24、30、30、30、24、19,2、10.8、6、0となる。変調振幅に相当する1周期内の最大反射率と最小反射率の差は30であって、測位方向の各1周期内で均一な変調振幅を備えている。ここで、測位方向X方向の任意の位置における、第1トラック201の反射率分布として読み取り領域213のY方向幅の範囲でのY方向への積分を考える。その結果は、測位方向に変調振幅が一定である100μm周期細周期Pの変調成分と、測位方向に変調振幅が一定である700μm周期粗周期X0の変調成分との和となっている。同様に、第2トラック202の平均反射率の測位方向X方向分布も、細周期の反射率変調と粗周期の反射率変調とが加算された分布となっている。即ち、上述したように第2トラック202では第1トラック201における各周期と僅かにずれた周期を備え、第1トラック201と同様に夫々平均反射率差30を備えている。検出分解能の切り替え可能なフォトダイオードアレイ次に、フォトダイオードアレイ311の受光面配置を図5、図6に示し、エンコーダの出力信号に関して説明する。フォトダイオードアレイ311の受光面は、細周期パターン検出高分解能検出モード時には200μm周期であり、粗周期パターン検出低分解能検出モード時には1400μm周期で配置構成される。フォトダイオードアレイ312もフォトダイオードアレイ311と同様である。フォトダイオードアレイ311にはフォトダイオードがX軸方向に50μmピッチで28個並んでおり、一つのフォトダイオードはX方向幅X_pdが50μmであり、Y方向幅Y_pdは800μmである。フォトダイオードアレイ311の全幅X_totalは1400μmである。後に詳述するが、細周期パターン検出用のセンサアレイの測位方向の全幅は、粗周期パターンの周期に対応した低分解能検出用のセンサアレイの測位方向の幅の整数倍ここでは1倍とされる。また粗周期パターン検出用の測位方向の各受光幅は、スケールの細周期パターンの周期に対応した細周期パターン検出用センサアレイの測位方向の各受光幅の整数倍ここでは1倍とされる。これにより、細周期パターンの検出の際に、粗周期パターンの1周期分が包含されているため出力が加算される結果、粗周期パターンの影響を除去できる。同様に、粗周期パターンの検出の際に、細周期パターンの1周期分が包含されているため出力が加算される結果、細周期パターンの影響を除去できる。それぞれのフォトダイオードからの出力は、スイッチ回路を介して後段の4つのIV変換アンプに接続され、4つのIV変換アンプからの出力は、SA、SB、SA-、SB-の4相正弦波出力にそれぞれに対応する。4相正弦波出力を用いるのは、直流成分を除去して振幅を2倍に拡大した信号を得て、移動方向の判別を行うことができるようにするためである。スイッチ回路は外部からの入力によって接続を切り替えることができる。スイッチ回路への入力がハイレベルの場合は、高分解能検出モードとして図5に示すように、スケールパターン100μm反射像周期200μmの検出ピッチとなる。一方、スイッチ回路への入力がローレベルの場合は、低分解能検出モードとして図6に示すようにスケールパターン700μm反射像周期1400μmの検出ピッチとなる。即ち、フォトダイオードアレイ311は高分解能検出モード図5では測位方向に第1の幅100μm、第1の周期200μmを備え、低分解能検出モード図6では測位方向に第2の幅400μm、第2の周期1400μmを備える。低分解能検出モード低分解能検出モード時の700μmの検出ピッチにおいては、各々4つの隣接するフォトダイオードが電気的に接続される。これにより、図6のA、B、A-、B-夫々がスケールパターン100μm周期の変調成分の反射像周期と一致する200μmの幅で加算されることになり、100μm周期の変調成分が出力に与える影響を低減することができる。第2トラック202の細周期は102.08333μm反射像周期204.16666μmであるが、各々4つの隣接するA、B、A-、B-夫々が変調成分の反射像周期と概略一致する200μmの幅で加算される。このため、変調成分の低減効果は十分得られる。なお、低分解能検出モード時に位置検出に用いられないフォトダイオードアレイ311,312の未使用のセンサはGNDに接続されている図6。高分解能検出モード高分解能検出モード時の100μmの検出ピッチにおいては、信号に関わるフォトダイオードの全幅が1400μmとなり、スケールパターン700μm周期の変調成分の反射像周期と一致する。このため、700μm周期の変調成分によって出力振幅が変動する影響を低減することができる。即ち、図5において離散して配置されるA、B、A-、B-夫々がスケールパターン700μm周期の変調成分の反射像周期と一致する1400μmの範囲で加算されることになり、700μm周期の変調成分が出力に与える影響を低減することができる。第2トラック202の粗周期は714.58333μm反射像周期1429.16666μmであるが、離散して配置されるA、B、A-、B-夫々が変調成分の反射像周期と概略一致する1400μmの範囲で加算される。このため、変調成分の低減効果は十分得られる。位相信号の形成4相正弦波の相対位相はそれぞれの検出ピッチに対し、SAを基準とすると、SBは約90度、SA-は約180度、SB-は約270度の関係にある。これらの出力は、図2中の信号処理回路401において、SA=SA-SA-SB=SB-SB-なる演算を行って、直流分が除去された2相正弦波状信号SA、SBを生成し、さらにこれらの逆正接演算を行うことで位相信号を得る。各周波数成分の発生メカニズムと不要成分の除去ここで、各周波数成分の発生メカニズムと不要成分の除去について説明する。スケールパターンからの回折角度分布は、反射率分布のフーリエ変換によって得られる。本実施形態の第1トラック201では平均反射率の測位方向X方向分布が、一定振幅の100μm周期の反射率変調と、一定振幅の700μm周期の反射率変調との和になっている。これにより、主要な回折成分は、0次光に加え、粗周期700μm周期による±1次回折光と、細周期100μm周期による±1次回折光の5成分となる。これらの回折光に関して回折光同士の干渉による干渉縞の空間周波数は、干渉し合う回折光の回折角の差分によって決定される。粗周期が細周期の7倍であることから、細周期による回折角度は粗周期による回折角度の7倍となる。これより、粗周期の2倍拡大像の空間周波数を1f1fの空間周波数成分は、0次光と粗周期による±1次回折光の干渉によって発生するとすると、0次光と細周期による±1次回折光の干渉によって7fの空間周波数成分が発生する。検出されるべき1fの空間周波数成分と7fの空間周波数成分の他に、以下の不要な空間周波数成分2f、6f、8f、14fが発生する。即ち、空間周波数成分2fは、粗周期による±1次回折光同士の干渉によって発生し、空間周波数成分6fは、細周期による1次-1次回折光と粗周期による1次-1次回折光の干渉によって発生する。また空間周波数成分8fは、細周期による1次-1次回折光と粗周期による-1次1次回折光の干渉によって発生し、空間周波数成分14fは、細周期による±1次回折光同士の干渉によって発生する。スケールからの反射回折像に含まれる空間周波数成分を図7に示す。ここで第1トラック201に関し、低分解能検出モード反射回折像を700μmの検出ピッチで検出時の、正弦波状信号SAに含まれる高調波成分の計算結果を図8に示す。図8では、不要な周波数成分は低減され、空間周波数成分1fのみが存在し、ほぼ理想的な正弦波が得られていることが分かる。不要成分の除去に関しては、以下に示す通りである。低分解能検出モードでは、隣接する4つのフォトダイオード図6のA、B、A-、B-の出力が加算される。即ち、スケールパターン100μm周期の変調成分の反射像周期と一致する200μmの幅が加算されることになり、100μm周期の変調成分が出力に与える影響を低減することができる。これにより、不要周波数成分1fが除去できる。更に不要周波数成分2f、6f、8f、14fといった偶数次成分は、センサアレイに接続される信号処理回路で、SA=SA-SA-によって除去される。その結果、不要な周波数成分は低減され、1fに関してほぼ理想的な正弦波が得られる。なお、第2トラック202においても、周期がほぼ等しいので同様の効果となる。高分解能検出モードでは、図5に示すA、B、A-、B-の夫々7つの離散するフォトダイオードの出力が加算される。即ち、スケールパターン700μm周期の変調成分の反射像周期と一致する1400μmの範囲でA、B、A-、B-の夫々が加算されることで、700μm周期の変調成分が出力に与える影響を低減することができる。これにより、不要周波数成分1fが除去できる。また、不要周波数成分2f、6f、8fも、1400μmの範囲でA、B、A-、B-の夫々が加算されることで平均化され、除去できる。更に7fの2倍波にあたる不要周波数成分14fの成分は、センサアレイに接続される信号処理回路で、SA=SA-SA-によって除去される。その結果、不要な周波数成分は低減され、7fに関してほぼ理想的な正弦波が得られる。なお、第2トラック202においても、周期がほぼ等しいので同様の効果となる。アブソリュート位置検出次に、アブソリュート位置検出を行う手順を説明する。既述したように、アブソリュート位置検出を行うために、スリットトラック201を検出するフォトダイオードアレイ311の他に、スリットトラック202を検出するフォトダイオードアレイ312を備える。第1トラック201に対し第2トラック202の周期は僅かに異なっており、またフォトダイオードアレイ311、312は夫々が細周期パターン検出の高分解能検出センサアレイと粗周期パターン検出の低分解能検出センサアレイとして兼用される。そして、以下のように、夫々2組設けられる高分解能検出センサアレイおよび低分解能検出センサアレイからの位相情報を基に、より精度の高いアブソリュート位置信号となるように順次に高分解能化させるためにアブソリュート位置信号を合成する。即ち、スイッチ回路への入力がハイ検出ピッチ100μmの時の第1トラックにおける位相信号をφ1、第2トラックにおける位相信号をφ2とする。また、スイッチ回路への入力がロー検出ピッチ700μmの時の第1トラックにおける位相信号をφ1 ́、第2トラックにおける位相信号をφ2 ́とする。スイッチ回路への入力の切り替え前後で、時間差をおかずに信号を取得することにより、同一位置でのφ1、φ2、φ1 ́、φ2 ́を得ることができる。ここで、スケールが高速移動中は同期性が低下するが、その場合は以下に説明するように複数回の取り込みを行って、位相の平均を取るようにして同期性を確保しても良い。すなわち、まず、検出ピッチ100μmでSA、SA-、SB、SB-を取得し、スイッチ回路への入力をハイからローへ切り替える。続いて、検出ピッチ700μmでSA、SA-、SB、SB-を取得し、スイッチ回路への入力をローからハイへ切り替え、再度検出ピッチ100μmでSA、SA-、SB、SB-を取得する。それぞれの取得タイミングのインターバルはほぼ一定とする。これらから演算した1回目のφ1、φ2と2回目φ1、φ2の平均を取ることによって、φ1、φ2とφ1 ́、φ2 ́の同期性を向上させることができる。このようにして得られた位相信号φ1、φ2、φ1 ́、φ2 ́より、異なる周期の位相信号P1、P2、P3、P4を次の演算によって生成する。P1=φ1 ́-φ2 ́P2=φ1-φ2P3=φ1 ́P4=φ1P1は周期T1=34.3mmの周期信号で、これを最上位信号とする。P2は周期T2=4.9mmの周期信号で、これを中上位信号とする。P3は周期T3=0.7mmの周期信号で、これを中下位信号とする。P4は周期T4=0.1mmの周期信号で、これを最下位信号とする。次に、図9を参照して、本実施形態において、アブソリュート位置信号を合成するに際して必要となる初期化動作の手順について説明する。まず、所定の方向にスケール200を移動させる。そして、P1のゼロクロス通過後の、最初のP2のゼロクロスを検出し、さらにその直後のP3のゼロクロスを検出し、さらにその直後のP4のゼロクロスを検出する。その点を仮想原点に設定する。この仮想原点におけるP1、P2、P3の位相信号をそれぞれP1_offset、P2_offset、P3_offsetとする。この初期化動作時に、信号処理回路401はP1_offset、P2_offset、P3_offsetを記憶装置402に書き込む。この初期化処理は、例えばエンコーダ出荷時に行う他、任意のタイミングで行って良い。次に、各周期信号よりアブソリュート位置信号を合成する手順について説明する。まず、中間信号Q1、Q2を、上述したP1~P4、T1~T4を使用し、以下の演算によって取得する。Q1=Round[P1-P1_offset-P2-P2_offset×T2/T1]P2-P2_offset×T2/T1Q2=Round[Q1-P3-P3_offset×T3/T1]P3-P3_offset×T3/T1ここで、Round[]は四捨五入の処理を行う関数である。続いて、アブソリュート位置信号S_absを以下のようにして取得する。S_abs=Round[Q2-P4×T4/T1]P4×T4/T1このようにして得られたアブソリュート位置信号S_absを信号処理回路401から出力する。なお、本実施形態はリニアスケールの実施形態となっているが、ロータリースケールであっても同様な効果が得られる。また、本実施形態では積算される受光面の組み合わせを時系列で切り替えることで複数の検出ピッチに対応しているが、複数の検出ピッチに対応した演算回路を複数備えても良く、さらにそれぞれの検出ピッチに対応した受光面を別々に備えても良い。以上のように、本発明によれば1トラック上に形成された複数の周期信号を検出する場合に、いずれの周期からも正弦波に近い波形が得られるため、高精度な位置検出が可能となる。《第2の実施形態》本実施形態では、第1の実施形態に対しスケール200のパターンが異なっている。それ以外の構成、信号処理は第1の実施形態と同様なので説明を省略する。スケール200の第1トラック201および第2トラック202の一部の拡大図を図10に示す。第1トラック201は、単位ブロックパターン211を測位方向X軸方向と測位方向に垂直な方向Y軸方向にそれぞれ周期的に並べたパターンとなっている。第1トラック201の単位ブロックパターン211は、X方向幅X0が700μm、Y方向幅Y0が50μmである。単位ブロックパターン211は、X軸方向50μmの幅でピッチP100μmごとに等間隔に配置されたパターン列からなる領域領域Aと、700μm周期の変調パターン列からなる領域領域Bよりなる。領域Aと領域BのY軸方向の幅は共に25μmである。領域Bには、X方向幅50μmの11個の反射パターン列が並べられている。それぞれ反射パターンのY軸方向の幅は、W1=5μm、W2=9μm、W3=16μm、W4=20μm、W5=25μm、W6=25μm、W7=25μm、W8=20μm、W9=16μm、W10=9μm、W11=5μmである。同様に、第2トラック202の単位ブロックパターンは、X方向幅X0が714.58333μm、Y方向幅Y0が50μmである。単位ブロックパターンは、X軸方向51.041667μmの幅でピッチP102.08333μmごとに等間隔に配置されたパターン列からなる領域領域Aと、714.58333μm周期の変調パターン列からなる領域領域Bよりなる。領域Aと領域BのY軸方向の幅は共に25μmである。領域Bには、X方向幅51.041667μmの11個の反射パターン列が並べられている。それぞれ反射パターンのY軸方向の幅は、W1=5μm、W2=9μm、W3=16μm、W4=20μm、W5=25μm、W6=25μm、W7=25μm、W8=20μm、W9=16μm、W10=9μm、W11=5μmである。第1トラック201の反射率分布を読み取り領域213のY方向幅400μmの範囲で積分した場合のX方向分布を図11に示す。積分された結果は、第1の実施形態と同様、測位方向に変調振幅が一定である100μm周期細周期の変調成分と、測位方向に変調振幅が一定である700μm周期粗周期の変調成分との和になっている。第2のトラック202も第1のトラック同様に、測位方向に変調振幅が一定である102.08333μm周期細周期の変調成分と、測位方向に変調振幅が一定である714.58333μm周期粗周期の変調成分との和になっている。本実施形態では、より簡素なスケールパターンで第1の実施形態と同様な効果が得られる。《第3の実施形態》本実施形態では、第1の実施形態に対しスケール200のパターンが異なっている。また、センサの検出ピッチは100μmと600μmの切り替えとなっている。それ以外の構成、信号処理は実施形態1と同様なので説明を省略する。本実施形態における第1のトラック201および第2のトラック202のスケールパターンを図12に示す。第1のトラック201は、センサ走査領域に対し両側に、X軸方向50μmの幅でピッチP=100μmごとに等間隔に配置されたパターン列からなる領域領域Cを有する。さらに、センサ走査領域に対し中央の、反射部と非反射部の境界線がピッチX0=600μmの正弦波状に形成された反射膜パターンよりなる領域領域Dを有する。領域DのY方向幅は200μmである。センサユニット301の読み取り領域213が中央部のY幅を含む範囲を常に読み取るように、センサユニット301を位置決めする。ここで、センサユニット301の読み取領域213のY方向幅400μmの範囲でのY方向への積分を考える。その結果は、第1の実施形態と同様、測位方向に対して一定変調振幅の100μm周期細周期の変調成分と、測位方向に対して一定変調振幅の600μm周期粗周期の変調成分との和になっている。同様に、第2のトラック202は、センサ走査領域に対し両側に、X軸方向50μmの幅でピッチP=101.4085μmごとに等間隔に配置されたパターン列からなる領域領域Cを有する。さらに、センサ走査領域に対し中央の、反射部と非反射部の境界線がピッチX0=608.4507μmの正弦波状に形成された反射膜パターンよりなる領域領域Dを有する。領域DのY方向幅は200μmである。センサユニット301の読み取領域213が中央部のY幅を含む範囲を常に読み取るように、センサユニット301を位置決めする。ここで、センサユニット301の読み取り領域213のY方向幅400μmの範囲でのY方向への積分を考える。その結果は、第1の実施形態と同様、測位方向に対して一定変調振幅の101.4085μm周期細周期の変調成分と、測位方向に対して一定変調振幅の608.4507μm周期粗周期の変調成分との和になっている。本実施形態では、領域Cと領域Dを測位方向に垂直な方向で分離して形成することにより、粗周期600μm周期による±1次回折光と、細周期100μm周期による±1次回折光の相互干渉を低減することができる。これにより、第1の実施形態のように粗周期と細周期の比率を奇数倍としなくても、ほぼ理想的な正弦波が得られる。また、領域Dを第2の実施形態に示したような離散的な透過、反射のパターンとしても、同様な効果を得ることができる。次に、フォトダイオードアレイ311の受光面配置を図13、図14に示し、エンコーダの出力信号に関して説明する。フォトダイオードアレイ312もフォトダイオードアレイ311と同様である。フォトダイオードアレイ311にはフォトダイオードがX軸方向に50μmピッチで24個並んでおり、一つのフォトダイオードはX方向幅X_pdが50μmであり、Y方向幅Y_pdは800μmである。フォトダイオードアレイ311の全幅X_totalは1200μmである。それぞれのフォトダイオードからの出力は、スイッチ回路を介して後段の4つのIV変換アンプに接続されている。4つのIV変換アンプからの出力は、SA、SB、SA-、SB-の4相正弦波出力にそれぞれに対応する。スイッチ回路は外部からの入力によって接続を切り替えることができる。入力がハイレベルの場合は図13に示すようにスケールパターン100μm反射像周期200μmの検出ピッチとなり、入力がローレベルの場合は図14に示すようにスケールパターン600μm反射像周期1200μmの検出ピッチとなる。600μmの検出ピッチにおいては、それぞれ4つの隣接するフォトダイオードが電気的に接続される。これにより、スケールパターン100μm周期の変調成分の反射像周期と一致する200μmの幅が積算されることになり、100μm周期の変調成分が出力に与える影響を低減することができる。第2トラック202の細周期は101.4085μmであるが、変調成分の低減効果は十分得られる。100μmの検出ピッチにおいては、信号に関わるフォトダイオードの全幅が1200μmとなり、スケールパターン600μm周期の変調成分の反射像周期と一致するため、600μm周期の変調成分によって出力振幅が変動する影響を低減することができる。第2トラック202の粗周期は608.4507μmであるが、変調成分の低減効果は十分得られる。4相正弦波の相対位相はそれぞれの検出ピッチに対し、SAを基準とすると、SBは約90度、SA-は約180度、SB-は約270度の関係にある。これらの出力は、信号処理回路401において、SA=SA-SA-SB=SB-SB-なる演算を行って、直流分が除去された2相正弦波状信号SA、SBを生成し、さらにこれらの逆正接演算を行うことで位相信号を得る。スイッチ回路への入力がハイ検出ピッチ100μmの時の第1トラックにおける位相信号をφ1、第2トラックにおける位相信号をφ2とする。また、スイッチ回路への入力がロー検出ピッチ600μmの時の第1トラックにおける位相信号をφ1 ́、第2トラックにおける位相信号をφ2 ́とする。スイッチ回路への入力の切り替え前後で、時間差をおかずに信号を取得することにより、同一位置でのφ1、φ2、φ1 ́、φ2 ́を得ることができる。このようにして得られた位相信号φ1、φ2、φ1 ́、φ2 ́より、異なる周期の位相信号P1、P2、P3、P4を次の演算によって生成する。P1=φ1 ́-φ2 ́P2=φ1-φ2P3=φ1 ́P4=φ1P1は周期T1=43.2mmの周期信号で、これを最上位信号とする。P2は周期T2=7.2mmの周期信号で、これを中上位信号とする。P3は周期T3=0.6mmの周期信号で、これを中下位信号とする。P4は周期T4=0.1mmの周期信号で、これを最下位信号とする。以下の処理は第1の実施形態と同様なので省略する。本実施形態では、信号に寄与しない余計な回折光成分が発生しにくいだけでなく、信号に寄与する回折光成分同士の相互干渉を低減することができ、正弦波状信号の歪を低減することができる。《第4の実施形態》本実施形態は変位方向が回転方向である光学式ロータリーエンコーダであり、その構成を図15に示す。このエンコーダは、回転可動部に取り付けられるロータリースケール210、固定部に取り付けられるセンサユニット302、信号処理回路401、記憶装置402とからなる。信号処理回路401は、センサユニット302で得られたエンコーダ信号の内挿処理や、記憶装置402への信号の書き込み、および、読み出し、位置信号の出力、等を行う。本実施形態におけるロータリースケール210のトラック構成を図16に示す。本実施形態では、9ビットのアブソリュート位置検出パターンであるM系列パターンからなるM系列トラック204と放射状トラック203より構成される。ここで、M系列とは、シフトレジスタ出力の排他的論理和を帰還させることで発生する符号である。放射状トラック203の一部の拡大図を図17に示す。放射状トラック203は、センサ走査領域に対し両側に、反射膜スリットが等角度間隔Pに配置されている領域領域Cを有する。さらに、センサ走査領域に対し中央の、反射部と非反射部の境界線がピッチθ0=P×6の正弦波状に形成された反射膜パターンよりなる領域領域Dを有する。領域Dの半径方向幅は200μmである。センサユニット301は、領域Dの半径幅を含む範囲を常に読み取るように位置決めされている。角度間隔Pは360/768度であり、θ0は360/128度である。センサユニット302の構成を図18に示し、説明する。図18aが側面図、図18bが上面図である。センサユニット302は、LED310とフォトダイオードアレイ311、M系列用フォトダイオードアレイ313が同一パッケージ内に実装された受発光一体型のセンサユニットである。センサユニット302内のLED310から出射した発散光束はロータリースケール210の放射状トラック203、およびM系列トラック204に照射される。放射状トラック203、およびM系列トラック204から反射した光束は、センサユニット302内のフォトダイオードアレイ311、M系列用フォトダイオードアレイ313に向けてそれぞれ反射される。フォトダイオードアレイ311、M系列用フォトダイオードアレイ313上で、放射状トラック203、M系列トラック204の反射率分布が2倍拡大された像として受光される。M系列用フォトダイオードアレイ313はM系列を検出できるように、M系列の最小線幅の2倍拡大像に対応した幅のフォトダイオードが配列されている。フォトダイオードアレイ311、M系列用フォトダイオードアレイ313によって受光された光束は電気信号に変換され、エンコーダ信号として図18に示す信号処理回路401に送られる。アブソリュート位置検出に関しては、先ずアブソリュート位置検出用パターンであるM系列トラック204からの反射光束より、P1を取得する上位信号。アブソリュート位置検出用パターンによるアブソリュート位置情報を基に、以下、アブソリュート位置信号を合成してアブソリュート位置信号を順次により高分解能化させる。即ち、スイッチ回路への入力がロー検出ピッチ600μmの時の放射状トラック203における位相信号φ1 ́を取得し、P2とする中位信号。また、スイッチ回路への入力がハイ検出ピッチ100μmの時の放射状トラック203における位相信号φ1を取得し、P3とする下位信号。上位信号P1はM系列パターンより生成したT1=1周期/1回転のアブソリュート位置信号である。P2はT2=128周期/1回転の周期信号である。P3はT3=768周期/1回転の周期信号である。P1は位相信号でないので、9ビットの値を0~2πに正規化する。次に、各周期信号よりアブソリュート位置信号を合成する手順について説明する。まず、中間信号Q1、Q2を以下の演算によって取得する。Q1=Round[P1-P1_offset-P2-P2_offset×T2/T1]P2-P2_offset×T2/T1ここで、Round[]は四捨五入の処理を行う関数である。続いて、アブソリュート位置信号S_absを以下のようにして取得する。S_abs=Round[Q1-P3×T3/T1]P3×T3/T1このようにして得られたアブソリュート位置信号S_absを信号処理回路から出力する。中位信号P2を生成することで、M系列トラック204によって得るアブソリュート位置検出精度の要求が緩和され、アブソリュート位置信号の合成がしやすくなる。本実施形態では、円周方向約600μmピッチの位置検出ができれば十分であるので、例えばスケールが回転中心に対し数十μm偏心して取り付いている場合でも、その影響は許容できる。以上のように、ロータリーエンコーダにおいても、第1の実施形態と同様の効果により、内挿誤差の少ない中位、下位信号を生成でき、高精度な位置検出が可能となる。変形例以上、スケールの反射率分布を、細周期パターンに対応した変調成分と粗周期パターンに対応した変調成分との加算された値となるようにしたが、反射率分布の替わりにスケールの透過率分布を同様のものとしても良い。また、本発明の技術思想の下で上述した各実施形態に記載した技術事項を適宜組み合わせて用いることも勿論可能である。"