III-V化合物半導体光素子を作製する方法であって、半導体メサと該半導体メサの上面のマスクとを含むメサ構造を有する基板の温度を、有機燐原料を成長炉に供給しながら結晶成長のための温度に向けて変更する工程と、前記温度の変更が完了した後に、前記成長炉でIII-V化合物半導体領域を前記基板上に前記マスクを用いて堆積する工程とを備え、前記半導体メサは、V族構成元素としてヒ素、燐および窒素を含む半導体表面を有するIII-V化合物半導体積層を含み、前記半導体メサの前記半導体表面の少なくとも一部分に、V族構成元素として燐を含む半導体が現れており、前記半導体メサの前記半導体表面の少なくとも一部分に、V族構成元素として窒素およびヒ素を含む半導体が現れており、前記半導体メサの全体として、V族構成元素としてヒ素、燐および窒素が含まれている、ことを特徴とする方法。前記半導体メサはGaAs基板上に形成されており、前記温度の変更の際に、前記基板の温度が所望の値に到達した後に、前記有機燐原料の供給を停止し、前記成長工程において前記成長炉への有機ヒ素原料および有機ガリウム原料の供給を開始してガリウムおよびヒ素を含むIII-V化合物半導体を堆積すると共に、この堆積後に窒素およびヒ素を含むIII-V化合物半導体を堆積する、ことを特徴とする請求項1に記載された方法。前記温度の変更に先立って、V族構成元素として燐を含む第1のIII-V化合物半導体層、V族構成元素としてヒ素および窒素を含む第2のIII-V化合物半導体層、およびIII族構成元素としてGaを含むと共にV族構成元素としてヒ素を含む第3のIII-V化合物半導体層を有する第1のIII-V化合物半導体多層膜を形成する工程と、前記温度の変更に先立って前記マスクを前記第1のIII-V化合物半導体多層膜上に形成した後に、該マスクを用いて前記第1のIII-V化合物半導体多層膜をエッチングして前記メサ構造を形成する工程とを更に備え、前記第1~第3のIII-V化合物半導体層の表面が、前記エッチングにより前記半導体メサの側面に現れる、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載された方法。前記第2のIII-V化合物半導体層は、GaInNAs、GaInNAsP、GaInNAsSbのいずれかからなる、ことを特徴とする請求項3に記載された方法。前記第3のIII-V化合物半導体層は、GaAsおよびGaNAsのいずれかからなる、ことを特徴とする請求項3または請求項4に記載された方法。前記第2及び第3のIII-V化合物半導体層は量子井戸構造を構成するように配置されている、ことを特徴とする請求項3または請求項4に記載された方法。前記半導体メサの前記量子井戸構造は半導体発光素子のために設けられる、ことを特徴とする請求項6に記載された方法。前記半導体メサの前記量子井戸構造は半導体光変調素子のために設けられる、ことを特徴とする請求項6に記載された方法。前記III-V化合物半導体領域は第2のIII-V化合物半導体多層膜を含み、当該方法は、前記マスクを除去した後に、前記第2のIII-V化合物半導体多層膜および前記半導体メサ上に別のマスクを形成する工程と、該別のマスクを用いて前記第2のIII-V化合物半導体多層膜および前記半導体メサをエッチングして別の半導体メサを形成する工程とを備え、前記別の半導体メサは、V族構成元素としてヒ素および窒素を含む第4のIII-V化合物半導体層と、III族構成元素としてGaを含むと共にV族構成元素としてヒ素を含む第5のIII-V化合物半導体層とを含む、ことを特徴とする請求項1~請求項8のいずれか一項に記載された方法。前記有機燐原料は、ターシャリーブチルホスフィン、トリエチル燐、トリメチル燐、およびジエチルホスフィンの少なくともいずれかを含む、ことを特徴とする請求項1~請求項9のいずれか一項に記載された方法。前記結晶成長温度は摂氏500度以上である、ことを特徴とする請求項1~請求項10のいずれか一項に記載された方法。III-V化合物半導体光素子として、例えば半導体レーザおよび半導体EA変調器を含む光集積素子がある。光集積素子は、半導体レーザのための活性層と半導体EA変調器のための光吸収層を含み、活性層の構造は光吸収層の構造と異なるので、活性層および光吸収層は別々に作製される。このようなIII-V化合物半導体光素子の作製の一例では、半導体レーザおよび半導体EA変調器等のために、以下のような半導体結晶を有機金属気相成長MOVPE法で成長する。例えば、GaInP、GaAsおよびGaInNAsの最表面を持つ半導体領域を有するエピタキシャルウエハ上に、GaInNAs井戸層を含む活性層が成長される。この結晶成長に先立って、成長炉の温度を所望の値まで上昇させる。下地の半導体結晶から燐およびヒ素が脱離することを避けるために、この昇温期間にはホスフィンPH3およびアルシンAsH3を混合したガスを供給している。このような混合ガス中において結晶成長を行うことなく昇温するとき、結晶成長した後の表面に欠陥が発生し、表面荒れが発生していた。その結果、発明者が目指す品質の半導体結晶が得られなかった。本発明の目的は、ヒ素、燐および窒素をV族構成元素として含む半導体表面を有する基板上への半導体結晶成長において、該半導体表面の品質劣化を低減可能な、III-V化合物半導体光素子を作製する方法を提供することを目的とする。本発明の一側面は、III-V化合物半導体光素子を作製する方法である。この方法は、a半導体メサと該半導体メサの上面のマスクとを含むメサ構造を有する基板の温度を、有機燐原料を成長炉に供給しながら結晶成長のための温度に向けて変更する工程と、b前記成長炉で、前記温度の変更が完了した後に、III-V化合物半導体領域を前記基板上に前記マスクを用いて堆積する工程とを備え、前記半導体メサは、V族構成元素としてヒ素、燐および窒素を含む半導体表面を有するIII-V化合物半導体積層を含み、前記半導体メサの前記半導体表面の少なくとも一部分に、V族構成元素として燐を含む半導体が現れており、前記半導体メサの前記半導体表面の少なくとも一部分に、V族構成元素として窒素およびヒ素を含む半導体が現れており、前記半導体メサの全体として、V族構成元素としてヒ素、燐および窒素が含まれている。ヒ素および窒素をV族構成元素として含むIII-V化合物半導体領域の成長温度への変更が、結晶成長に先立って行われる。この温度変更の際に、有機ヒ素原料を供給することなく有機燐原料を供給したとき、半導体メサの表面から原子の脱離による結晶品質の劣化が低減される。引き続く実施の形態における説明から理解されるように、これまでの方法では、温度変更中のガス雰囲気を形成するために、キャリアガスの水素、ホスフィンPH3およびアルシンAsH3を供給していた。しかしながら、PH3およびAsH3の混合ガスの雰囲気に替えて有機燐原料を供給することによって、半導体メサがV族構成元素として燐だけでなくヒ素および窒素を含む半導体表面を有するけれども、半導体メサの結晶の品質の劣化が低減される。本発明に係る方法では、前記半導体メサはGaAs基板上に形成されており、前記温度の変更の際に、前記基板の温度が所望の値に到達した後に、前記有機燐原料の供給を停止し、前記成長工程において、前記成長炉への有機ヒ素原料および有機ガリウム原料の供給を開始してガリウムおよびヒ素を含むIII-V化合物半導体を堆積すると共に、この堆積後に窒素およびヒ素を含むIII-V化合物半導体を堆積する。有機燐原料を供給しながら基板の温度を上昇したので、半導体メサの表面の荒れが低減される。成長炉への有機燐原料の供給を停止した後に成長炉への有機ヒ素原料および有機ガリウム原料を開始するので、半導体メサの結晶品質を損なうことなく、ガリウムおよびヒ素を含むIII-V化合物半導体の成長を行うことができる。本発明に係る方法は、c前記温度の変更に先立って、V族構成元素として燐を含む第2のIII-V化合物半導体層、V族構成元素としてヒ素および窒素を含む第1のIII-V化合物半導体層、およびIII族構成元素としてGaを含むと共にV族構成元素としてヒ素を含む第3のIII-V化合物半導体層を有する第1のIII-V化合物半導体多層膜を形成する工程と、d前記温度の変更に先立って前記マスクを前記第1のIII-V化合物半導体多層膜上に形成した後に、該マスクを用いて前記第1のIII-V化合物半導体多層膜をエッチングして前記メサ構造を形成する工程とを更に備えることができる。前記第1~第3のIII-V化合物半導体層の表面が、前記エッチングにより前記半導体メサの側面に現れる。この方法によれば、第2のIII-V化合物半導体層からの燐の脱離に加えて第1のIII-V化合物半導体層からのヒ素の脱離が共に、温度の変更に際に低減される。前記第2のIII-V化合物半導体層は、例えばGaInNAs、GaInNAsP、GaInNAsSbのいずれかからなることが好ましい。前記第3のIII-V化合物半導体層は、例えばGaAs、GaNAsのいずれかからなることが好ましい。本発明に係る方法では、前記第2及び第3のIII-V化合物半導体層は量子井戸構造を構成するように配置されていることができる。また、前記半導体メサの前記量子井戸構造は半導体発光素子のために設けられることができる。或いは、前記半導体メサの前記量子井戸構造は半導体光変調素子のために設けられることができる。本発明に係る方法は、前記III-V化合物半導体領域は第2のIII-V化合物半導体多層膜であり、当該方法は、e前記マスクを除去した後に、前記第2のIII-V化合物半導体多層膜および前記半導体メサ上に別のマスクを形成する工程と、f該別のマスクを用いて前記第2のIII-V化合物半導体多層膜および前記半導体メサをエッチングして別の半導体メサを形成する工程と、を備えることができる。前記別の半導体メサは、V族構成元素としてヒ素および窒素を含む第4のIII-V化合物半導体層と、V族構成元素としてヒ素を含む第5のIII-V化合物半導体層とを含む。本発明に係る方法では、前記第4および第5のIII-V化合物半導体層は量子井戸構造を形成することができる。また、前記半導体メサの前記量子井戸構造は半導体発光素子のために設けられ、前記別の半導体メサの前記量子井戸構造は半導体光変調素子のために設けられることができる。或いは、前記半導体メサの前記量子井戸構造は半導体光変調素子のために設けられ、前記別の半導体メサの前記量子井戸構造は半導体発光素子のために設けられることができる。本発明の方法では、前記有機燐原料は、ターシャリーブチルホスフィン、トリエチル燐、トリメチル燐、およびジエチルホスフィンの少なくともいずれかを含むことができる。本発明の方法では、前記結晶成長温度は摂氏500度以上であることが好ましい。本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。以上説明したように、本発明によれば、ヒ素、燐および窒素をV族構成元素として含む半導体表面を有する基板上への半導体結晶成長において該半導体表面の品質劣化を低減可能な、III-V化合物半導体光素子を作製する方法がされる。本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明のIII-V化合物半導体光素子を作製する方法に係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。図1、図2、図3は、本実施の形態に係るIII-V化合物半導体光素子を作製する方法の主要な製造工程を示す図面である。これらの図面は、商業的に利用可能なウエハ上に一括して形成される多数のIII-V化合物半導体光素子のうち一のIII-V化合物半導体光素子を模式的に示している。基板11は、第1の半導体光素子のための第1のエリア11bと第2の半導体光素子のための第2のエリア11cとを含む主面11aを有する。引き続く例示的な説明では、第1の半導体光素子は分布帰還型半導体レーザを含み、第2の半導体光素子は電界吸収型光変調素子を含む。III-V化合物半導体の成長は、有機金属気相成長法で行われる。成長に際して、ガリウムGa、インジウムIn、窒素N、砒素Asおよび燐Pの原料として、それぞれTEGa、TMIn、DMHy、TBAs、TBPを用いた。図1aに示されるように、第1の半導体光素子のためのIII-V化合物半導体多層膜13を基板11の主面11a上に形成する。半導体多層膜13は、クラッド層15、活性層17および回折格子層19を含む。基板11は、例えば半導体基板であり、より具体的にはGaAs基板であることができる。半導体多層膜13の表面13aは、第1の半導体光素子の第1のエリア13bと第2の半導体光素子の第2のエリア13cとを含む。半導体多層膜13は、必要な場合には、バッファ層21を含むことができる。活性層17は、第1の光ガイド層18a、井戸層18b、障壁層18c、第2の光ガイド層18dを含むことができる。障壁層18cは井戸層18bの間に設けられている。障壁層18cのバンドギャップは井戸層18bのバンドギャップよりも大きい。井戸層18bおよび障壁層18cからなる積層は、第1の光ガイド層18aと第2の光ガイド層18dとの間に設けられている。井戸層18bのバンドギャップは、第1および第2の光ガイド層18a、18dのバンドギャップよりも小さい。第2の光ガイド層18の表面には、回折格子のための周期構造23が形成されている。第2の光ガイド層18dの表面は、回折格子層19で覆われている。第2の光ガイド層18dの屈折率は回折格子層19の屈折率と異なっており、第2の光ガイド層18dおよび回折格子層19は、分布帰還型半導体レーザのための回折格子を構成する。活性層17の構造は、回折格子に関連している半導体レーザの発振波長に合わせて作製される。半導体多層膜13の一例は下記のものである。基板11:シリコン添加n型GaAsバッファ層21:シリコン添加n型GaAs、200nmクラッド層15:n型GaInP、1.5μmこれ以外の材料として、例えばn型AlGaAs等を使用できる活性層17光ガイド層18a、18d:アンドープGaAs、140nmこれ以外に、例えばGaAsP等井戸層18b:アンドープGaInNAs、7nmこれ以外に、例えばGaInNAsP、GaInNAsSb、GaNAs等障壁層18c:アンドープGaAs、8nmこれ以外に、例えばGaNAs、GaAsP等回折格子層19:GaInP、180nm図1bに示されるように、第1のエリア11b上の半導体多層膜13上にマスク27を形成する。マスク27は絶縁体からなり、絶縁体は、例えばシリコン酸化物、シリコン窒化物等である。引き続く工程では、マスク27を用いて半導体多層膜13をエッチングして、第2の半導体光素子のための半導体多層膜を堆積するエリアを形成する。図1cに示されるように、マスク27を用いて半導体多層膜13をエッチングして、メサ構造29を有する基板E1を形成する。エッチングとしては、例えばウエットエッチング、ドライエッチングを用いることができる。メサ構造29は、第1のエリア11b上に設けられており、また半導体メサ31とマスク27とを含む。マスク27は半導体メサ31の上面31a上に位置する。半導体メサ31はIII-V化合物半導体積層を含む。半導体メサ31は、例えば活性層17aおよび回折格子層19aを含む。また、本実施の形態ではクラッド押す15は実質的にエッチングされないけれども、半導体メサ31は、必要な場合にはクラッド層15aの少なくとも一部分を含むことができる。つまり、半導体メサ31は、一または複数のIII-V化合物半導体混晶からなりヒ素、燐および窒素をV族構成元素として含む半導体表面31a、31cを有する。半導体メサ31は、V族構成元素としてヒ素、燐および窒素を含む半導体表面31cを有する。半導体表面31cはエッチングにより形成される。半導体メサ31の表面31cの少なくとも一部分例えば井戸層18b、光ガイド層18a、18dおよび障壁層18c、つまり活性層17aの側面17cに、V族構成元素としてヒ素を含む半導体例えば、GaInNAs、GaAs、GaNAs等が現れている。半導体メサ31の表面側面および/または上面31cの少なくとも一部分例えばクラッド層15aの表面15c、回折格子層19aの側面19cに、V族構成元素として燐を含む半導体例えばGaInPが現れている。半導体メサ31の表面31cの少なくとも一部分例えば井戸層18cの側面に、V族構成元素として窒素を含む半導体例えばGaInNAsが現れている。したがって、半導体メサ31の全体として、V族構成元素としてヒ素、燐および窒素が含まれている。図2aに示されるように、半導体多層膜13のエッチングの後に、引き続く結晶成長のために成長炉32に基板E1をセットする。基板E1の温度を結晶成長のための温度TG1に向けて変更する。この温度上昇は、有機燐原料GTBPを成長炉32に供給しながら行われる。結晶成長温度TG1は摂氏500度以上であることが好ましい。また、結晶成長温度TG1は摂氏600度以下であることが好ましい。ヒ素および窒素をV族構成元素として含むIII-V化合物半導体領域の成長のための温度への変更が結晶成長に先立って行われる。この温度変更の際に、有機ヒ素原料を供給することなく有機燐原料GTBPおよびキャリアガス例えばH2を供給したとき、半導体メサ31の表面31cから燐の脱離による結晶品質の劣化が低減される。引き続く実施の形態における説明から理解されるように、これまでの方法では、温度変更中のガス雰囲気を形成するために、キャリアガスの水素、ホスフィンPH3およびアルシンAsH3を混合したガスを供給していた。しかしながら、混合ガスの雰囲気に替えて有機燐原料GTBPを供給することによって、半導体メサ31の結晶の品質の劣化が低減される。有機燐原料は、ターシャリーブチルホスフィン、トリエチル燐、トリメチル燐、およびジエチルホスフィンの少なくともいずれかを含むことができる。図2bに示されるように、温度の変更が完了した後に、第2の半導体光素子のためのIII-V化合物半導体多層膜33を成長炉32で基板E1上にマスク27を用いて成長する。半導体多層膜33は、窒素およびヒ素をV族構成元素として含むIII-V化合物半導体領域を有する。半導体多層膜33は吸収層37を含む。半導体メサ31のエッチングの程度に応じて、半導体多層膜33はクラッド層を含むことができる。吸収層37は、第1の光ガイド層38a、井戸層38b、障壁層38c、第2の光ガイド層38dを含むことができる。障壁層38cは井戸層38bの間に設けられている。障壁層38cのバンドギャップは井戸層38bのバンドギャップよりも大きい。井戸層38bおよび障壁層38cからなる積層は、第1の光ガイド層38aと第2の光ガイド層38dとの間に設けられている。井戸層38bのバンドギャップは、第1および第2の光ガイド層38a、38dのバンドギャップよりも小さい。吸収層37の構造は、半導体レーザの発振波長の光を変調可能なように作製される。半導体多層膜33の一例は下記のものである。吸収層37光ガイド層38a、38d:アンドープGaAs、140nmこれ以外に、例えばGaAsP等井戸層38b:アンドープGaInNAs、7nmこれ以外に、例えばGaInNAsP、GaInNAsSb、GaNAs等障壁層38c:アンドープGaAs、8nmこれ以外に、例えばGaNAs、GaAsP等障壁層38c:アンドープGaAs、8nmこの場合、半導体メサ31はGaAs基板上に形成されている。温度上昇の際に、基板E1の温度が所望の値に到達した後に、有機燐原料GTBPの供給を停止する。そして、成長炉32への有機ヒ素原料GTBAおよび有機ガリウム原料GTEGの供給を開始して、ガリウムおよびヒ素を含むIII-V化合物半導体、例えばGaAsを成長する。有機燐原料GTBPを供給しながら基板E1の温度を上昇したので、半導体メサ33の表面33bの荒れが低減される。成長炉32への有機燐原料GTBPの供給を停止した後に成長炉32への有機ヒ素原料GTBAを開始するので、半導体メサ31の結晶品質を損なうことなく、半導体多層膜33のためのGaAs半導体の成長できる。半導体多層膜33の成長の後にマスク27を除去する。この後に、半導体メサ31および半導体多層膜33上に別のマスク40を形成する。マスク40は絶縁体からなり、絶縁体は、例えばシリコン酸化物、シリコン窒化物等である。マスク40は、半導体メサ31と半導体多層膜33との境界を横切って設けられており、光導波路のための半導体積層を形成するための形状を有する。図2cおよび図2dに示されるように、マスク40を用いて半導体メサ31および半導体多層膜33をエッチングして、半導体メサ41、43を有する基板E2を形成する。エッチングとしては、例えばウエットエッチング、ドライエッチングを用いることができる。図2cおよび図2dは、それぞれ、基板E2の異なる断面を模式的に示している。図2cは、半導体多層膜33をエッチングすることにより得られた半導体メサ43の断面を示しており、図2dは、半導体多層膜13をエッチングすることにより得られた半導体メサ41の断面を示している。半導体メサ41、43は、それぞれ、第1および第2のエリア11b、11c上に設けられており、また半導体メサ41、43上には、マスク40が設けられている。半導体メサ41、43の各々はIII-V化合物半導体積層を含む。半導体メサ41のIII-V化合物半導体積層は、例えば活性層17bおよび回折格子層19bを含み半導体メサ43のIII-V化合物半導体積層は、例えば吸収層37bを含む。本実施例では、クラッド層15aは実質的にエッチングされないけれども、必要な場合には、半導体メサ41、43は、さらにクラッド層15bの少なくとも一部分を含むことができる。エッチングの後にマスク40を除去することなく引き続く半導体の成長のために、基板E2を再び成長炉32にセットする。まず、半導体メサ41、43を埋め込むための再成長を行う。基板E2の温度を結晶成長のための温度TG2に向けて変更する。必要な場合には、この温度上昇も有機燐原料GTBPを成長炉32に供給しながら行うことができる。結晶成長温度TG2は摂氏500度以上であることが好ましい。また、結晶成長温度TG2は摂氏600度以下であることが好ましい。成長温度が比較的高い場合には、ヒ素供給源および燐供給源を含む混合ガスを供給することにより、昇温中における結晶品質の劣化を低減できる。埋め込みのためのIII-V化合物半導体は、V族構成元素として窒素を含まない。温度の変更が完了した後に、マスク40を用いて埋込層45図2cおよび図2dにおいて破線で示されているを成長する。埋込層45の材料は、例えばGaAs等であることができる。図3aに示されるように、マスク40を除去した後に、埋込層45および半導体メサ41、43上に、クラッド層47を成長する。クラッド層47の材料は、例えばp型GaInP等であることができ、その膜厚は1.5マイクロメートルであることができる。クラッド層47上に、コンタクト層49を成長する。コンタクト層49の材料は、例えばp型GaAs等であることができ、その膜厚は200nmであることができる。これらの工程により、主要な半導体成長が完了した。コンタクト層を成長した後に、いわゆるGaInNAs系半導体のアニールのために基板E3を熱処理する。この熱処理の一例は、例えばアニール温度摂氏600度、TBAsガス雰囲気中で、10分である。図3bに示されるように、成長炉32から基板E3を取り出した後に、コンタクト層49を部分的に除去してコンタクト層49a、49bを形成する。コンタクト層49a、49b上にそれぞれ第1の電極51a、51bを形成すると共に、基板11の裏面に第2の電極53を形成する。これらの工程により、III-V化合物半導体光素子を作製するための主要な工程が説明された。この説明においては、III-V化合物半導体光素子として半導体レーザとEA変調素子を集積する光集積素子を作製したけれども、本実施の形態は、これらの半導体素子の組み合わせに限定されることない。また、上記の作製方法では、半導体レーザのための半導体多層膜を成長した後にEA変調素子のための半導体多層膜を成長しているけれども、EA変調素子のための半導体多層膜を成長した後に半導体レーザのための半導体多層膜を成長してもよい。さらに、活性層の形成に先立って回折格子を形成してもよい。引き続き実施例を説明する。図4および図5は、サセプタ温度上昇および半導体成長のためのタイミングを示す図面である。反応炉内のサセプタ温度を摂氏25度から摂氏500度まで約15分間で上昇させた。この温度上昇の間、結晶成長は行っていない。図4および図5において、時刻t0~t1は温度上昇期間P0であり、例えば約15分程度である。時刻t4以降は成長期間P4である。時刻t1~t2は、温度変更のための操作をしないインターミッション期間P1であり、例えば約1秒である。時刻t2~t3は、ガスを供給しないインターミッション期間P2であり、例えば約1秒である。時刻t3~t4は、成長に先立ってV族ガスのみを供給するインターミッション期間P3であり、例えば約1秒である。温度上昇の条件は、以下のものである。図4aは、条件1のためのガス供給のタイミングを示す。条件1では、キャリアガス水素の流量=30slm、ホスフィンの流量=3.0×10-2mol/分、アルシンの流量=3.0×10-2mol/分の3種類のガスを流しながら、混合ガス雰囲気中で温度を上昇した。図4bは、条件2-1および条件2-2のためのガス供給のタイミングを示す。条件2-1では、キャリアガス水素の流量=30slm、ターシャリーブチルホスフィンの流量=5.0×10-3mol/分、ターシャリーブチルアルシンの流量=1.0×10-2mol/分の3種類のガスを流しながら、混合ガス雰囲気中で温度を上昇した。また、条件2-2では、キャリアガス水素の流量=30slm、ターシャリーブチルホスフィンの流量=1.0×10-2mol/分、ターシャリーブチルアルシンの流量=1.0×10-2mol/分の3種類のガスを流しながら、混合ガス雰囲気中で温度を上昇した。図5aは、条件3のためのガス供給のタイミングを示す。条件3では、キャリアガス水素の流量=30slm、ホスフィンの流量=3.0×10-2mol/分の2種類のガスを流しながら、混合ガス雰囲気中で温度を上昇した。図5bは、条件4のためのガス供給のタイミングを示す。条件4では、キャリアガス水素の流量=30slm、ターシャリーブチルホスフィンの流量=5.0×10-3mol/分の2種類の混合ガスを流しながら、温度を上昇した。図6は、エピタキシャル成長を行った成長炉を模式的に示す図面である。成長炉32では、ガス供給のために代表的に5つのライン61a~61eが示されている。ライン61a~61eは、それぞれ、有機ガリウムソース、有機インジウムソース、有機燐ソース、有機ヒ素ソース、有機窒素ソースに接続されている。ライン61a~61eは、バルブ63a~63eを介して反応管67の一端に接続されている。また、ライン61a~61eは、バルブ65a~65eを介して排気ライン61fに接続され、排気ライン61fはさらに排気ポンプに接続されている。反応管67内にはサセプタ69が設けられており、サセプタ69上には複数の基板Wがチャージされている。サセプタ69は回転可能である。サセプタ69の温度が成長のために上昇される。反応管67の他端は、反応生成物および残余のガスを排気するためのポンプに接続されている。本実験のために、ホスフィンのラインおよびアルシンのラインがさらに設けられる。結晶成長を行う温度まで温度の上昇が完了した後、基板上に活性層を成長した。活性層は下から順に、140nmのアンドープGaAsガイド層、7nmのアンドープGaInNAs井戸層、8nmのアンドープGaAs障壁層、7nmのアンドープGaInNAs井戸層、そして140nmのアンドープGaAsガイド層とを含む。活性層上にp型ドープしたGaInPクラッド層を成長し、その上にp型ドープGaAsコンタクト層を成長して、エピタキシャルウエハを作製した。続いて、このエピタキシャルウエハの熱アニール処理を行った。この後に、光学顕微鏡によるエピタキシャルウエハの表面の観察とフォトルミネッセンスPL評価を実施した。その結果は以下に示す。条件1では、エピタキシャルウエハ表面には多数の荒れが現れた。成長したGaInNAs活性層に対応するPLスペクトルのピーク強度も弱く、その強度は、最も良好な条件のエピタキシャルウエハの値に対して0.1以下相対値である。PLスペクトルの半値幅は100meVであった。条件2-1では、エピタキシャルウエハ表面には多数の荒れが現れた。成長したGaInNAs活性層に対応するPLスペクトルのピーク強度も弱く、その強度は0.1以下相対値である。PLスペクトルの半値幅は90meVであった。条件2-2では、エピタキシャルウエハ表面には多数の荒れが現れた。成長したGaInNAs活性層に対応するPLスペクトルのピーク強度も弱く、その強度は0.1以下相対値である。PLスペクトルの半値幅は88meVであった。条件2-1とほぼ同じ結果であり改善は見られない。条件3では、エピタキシャルウエハ表面の荒れは、条件1および2によるエピタキシャルウエハ表面に比べて低減されていた。成長したGaInNAs活性層に対応するPLスペクトルのピーク強度は0.5以下相対値である。PLスペクトルの半値幅は75meVであった。条件4では、エピタキシャルウエハ表面の荒れは光学顕微鏡では観測されなかった。成長したGaInNAs活性層に対応するPLスペクトルのピーク強度は1.0以下相対値である。PLスペクトルの半値幅は、60meVであった。図7は、条件4におけるエピタキシャルウエハ表面の原子間力顕微鏡像を示す図面である。GaInNAs系半導体材料を用いた光集積デバイス用のエピタキシャル結晶成長をGaAs基板上に行うとき、V族として燐を含む半導体、例えばGaInP表面と、V族としてヒ素を含む半導体、例えばGaAs表面またはGaInNAs表面とが共に、エピタキシャルウエハの表面に露出されている。このエピタキシャルウエハ上に活性層の結晶成長を行い、GaAs障壁層およびGaInNAs量子井戸層等を成長することが必要となる。この結晶成長を有機金属気相成長法で実施する場合、結晶成長炉内のサセプタ温度が常温から結晶成長する温度GaAs、GaInNAsのための成長温度まで到達するまでの期間、これまで、リアクタに、キャリアガスの水素、PH3、AsH3を供給して、これらの混合したガス雰囲気を形成していた。このガス雰囲気では、III族元素が供給されていないので、結晶が成長されることはない。このような燐およびヒ素の両方を含む雰囲気にする理由は、摂氏500度あるいはそれに近い温度への昇温中において、GaInP表面からは燐が脱離することを抑制すると共に、GaAsおよびGaInNAs表面からはヒ素が脱離することを抑制するためである。しかし、このガス雰囲気では結晶成長した後の最表面に多数の欠陥が観測され、つまり、表面荒れが発生していた。発明者の検討によれば、GaInP表面において多数の欠陥が発生しており、燐の脱離による欠陥が原因であると考えられる。PH3ガスを雰囲気中に含むけれども、この雰囲気中の燐の分圧は、燐の脱離を十分に抑制できるガス圧力よりも小さいと考えられる。そこで、GaAs、GaInNAsのための成長温度の当たりで十分な燐分圧は提供するために、本実施の形態で説明したような検討を行った。条件1では、燐脱離に対してはPH3の分解からのP分圧をかけ、ヒ素脱離に対してはAsH3の分解からのAs分圧をかける。しかし、この手法では、雰囲気中にP分圧とAs分圧が混在し、実効的なP分圧が十分でない可能性がある。このため、表面からP脱離が発生して、表面荒れおよび量子井戸の結晶性PL強度の低下が生じたと考えられる。これに対して、条件4では、燐脱離に対してのTBPのみの分解からのP分圧をかける。これにより、P脱離を抑制できる十分な分圧が提供されると考えられる。一方で、As脱離に対するAs分圧が加えられていないが、GaInNAs系半導体を成長するための温度せいぜい摂氏500度程度近辺の範囲内では、As脱離の平衡度は小さく、As分圧が小さくてもAs脱離による表面荒れ、結晶欠陥の発生およびPL特性への影響は小さいと考えられる。一方、条件3は、条件4とは、次の点で異なる。GaInNAs系半導体材料を結晶成長させる温度である、温度上昇の到達温度摂氏500度程度の領域では、TBPの分解効率に比べてPH3の分解効率がより小さいので、P脱離の抑制に必要なP分圧を提供できないと考えられる。このような観点からも、GaInNAs系半導体量子井戸構造を形成するときの成長温度摂氏500度程度近辺を採用する結晶成長でも、温度上昇の際のガス雰囲気はTBPといった有機燐源が好適であると考えられる。好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本実施の形態では、例えば、具体的な構造の量活性層および吸収層を説明したけれども、本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。