量子型赤外線受光素子に対する読み出し回路を備えた第一基板と、前記第一基板とフリップチップボンディングによって電気的に接続される、量子型赤外線受光素子を備えた第二基板と、前記第一基板と前記第二基板をフリップチップボンディングによって電気的に接続する複数の導体バンプ群と、各バンプの周囲を囲むように形成し、前記第一基板側にのみ固定され、前記第二基板との間に空隙を設けた絶縁壁と、を有することを特徴とする量子型赤外線撮像素子。前記第一基板はシリコン基板から構成され、前記第二基板は化合物半導体から構成されることを特徴とする請求項1記載の量子型赤外線撮像素子。前記第二基板はHdCdTeから構成されることを特徴とする、請求項1又は2記載の量子型赤外線撮像素子。前記導体バンプは、インジウムによって形成されることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の量子型赤外線撮像素子。前記絶縁壁は感光性ポリイミドによって形成されることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の量子型赤外線撮像素子。前記絶縁壁の高さは、前記絶縁壁形成領域における前記第二基板と前記第一基板との間の間隔の70~90の範囲であることを特徴とする、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の量子型赤外線撮像素子。量子型赤外線受光素子に対する読み出し回路を備えた第一基板上に絶縁性樹脂を塗布し、電極領域を囲むように所望の絶縁壁構造となるようにパターニングする手順と、パターニングされた前記絶縁壁構造を熱硬化させる手順と、前記第一基板側の電極上に導体バンプを形成する手順と、形成された前記導体バンプをリフローする手順と、前記第一基板と、受光素子を備えた第二基板を前記バンプによってフリップチップボンディングする手順と、を有することを特徴とする、量子型赤外線撮像素子の製造方法。前記バンプは、蒸着リフトオフで形成することを特徴とする、請求項7記載の量子型像素子の製造方法。前記バンプは、パターンめっきで形成することを特徴とする、請求項7記載の量子型赤外線撮像素子の製造方法。前記絶縁性樹脂は感光性ポリイミドであり、フォトリソグラフィによって前記感光性ポリイミドのパターニングを行うことを特徴とする、請求項7乃至9のいずれか一項に記載の量子型赤外線撮像素子の製造方法。前記感光性ポリイミドを塗布する際の膜厚は、絶縁壁形成領域における両基板間隔の100~110であることを特徴とする、請求項10記載の量子型赤外線撮像素子の製造方法。量子型赤外線撮像素子は一般的な半導体デバイスと比べて狭ピッチ、高密度バンプ配置であるため、バンプの接触を防ぐためにアンダーフィル手法を適用すると樹脂充填時にボイド気泡が発生しやすい。また、HgCdTe等の化合物半導体が非常にもろいことから、アンダーフィル樹脂のストレスでクラックが発生しやすいなどの技術的問題点を抱えている。さらに、アンダーフィル樹脂の代わりに、受光素子基板とシリコン基板にその両端が固定された絶縁壁構造を隣接バンプ間に設置する場合にも、絶縁壁からのストレスによって受光素子基板にクラックが発生することがある。本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、読み出し回路を備えた第一の基板と受光素子を備えた第二の基板をバンプ接続した量子型赤外線検知デバイスにおいて、HgCdTe等で構成される第二の基板に影響を与えることなく前記第一基板と前記第二基板の熱膨張係数の違いに起因する隣接バンプ間の接触を防止する量子型赤外線撮像素子およびその製造方法を提供することを目的とする。上記の目的を達成するために、本発明にかかる量子型赤外線撮像素子は、量子型赤外線受光素子に対する読み出し回路を備えた第一基板と、前記第一基板とFCBによって電気的に接続された、受光素子を備えた第二基板と、前記第一基板と前記第二基板をFCBによって電気的に接続する導体バンプ群と、各バンプの周囲を囲むように存在し、前記第一基板側にのみ固定され、前記第二基板との間に空隙を設けた絶縁壁と、を有する。本発明はバンプ間に、第一の基板側にのみ固定された絶縁体の仕切り構造を持たせることで、熱サイクルに起因するバンプ変形による隣接バンプ間の接触を防止する。しかも、絶縁壁は第一の基板にのみ固定され、第二の基板には固定されていない構造であるために、第二の基板は樹脂壁からのストレスを受けることがない。以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。まず始めに、図1に本発明で使用する量子型赤外線撮像素子の構成を表す模式図を示す。第一基板はシリコン基板に読み出し回路が形成されており、第二基板は化合物半導体基板に受光素子が形成されている。なお、図1は読み出し回路が形成されている領域ではなく、フリップチップボンディングを行った電極形成領域を示している。それぞれの基板において、電極は次のように構成されている。第一基板側の電極は、読み出し回路を備えたシリコン基板1側から、例えば第1AlSi層4、第2AlSi層5、TiPd層6によって形成される3層構造を持ち、層間絶縁膜2上に配置されている。層間絶縁膜2としては、例えばSiO2やPSGPhosphoSilicateGlass等を用いることができる。また、第一基板側電極はその周囲を例えばシリコン基板1側からSiO2/SiN層で構成された保護膜3によって覆われている。第二基板側の電極は、受光素子を備えたHgCdTe基板8側から、例えば第1Au層11、Mo層12、Pt層13、第2Au層14によって形成される4層構造を持ち、nジャンクジョン9に接続されている。また、第二基板側電極はその周囲を例えばZnSで構成され、受光素子基板8上に形成された保護膜10で覆われている。さらに、第一基板側電極と第二基板側電極は、インジウム等の金属によって形成されたバンプ7によって電気的に接続されている。なお、この量子型赤外線撮像素子の構成は一例であり、量子型赤外線撮像素子として必要な効果を奏することが可能であるなら、他の構造および材質を用いたものであっても構わない。次に、図2乃至図5を基に、本発明における第一の実施形態について説明する。第一基板101はシリコン基板に周知の手法により読み出し回路が形成された構成を有している。ただし、図2乃至図5では、第一基板101は回路を含む基板全体を模式的に表しており、読み出し回路の構成は省略し、ボンディングに用いる電極102のみを記載している。図2aは第一基板101上に感光性ポリイミド等の絶縁性樹脂を塗布した状態を示す模式断面図である。電極102が形成された第一基板101上に、絶縁性樹脂として、例えば感光性ポリイミド103をスピンコートもしくはスプレーコートなどの方法で塗布する。このとき、感光性ポリイミド103を塗布する際の膜厚は、現像工程による膜減りや熱硬化処理キュア時の熱収縮を考慮し、最終的に所望の絶縁壁の高さとなるように設定する。具体的には、絶縁壁形成領域における両基板間隔の100~110ほどの厚さで感光性ポリイミドを塗布する。前記した両基板の間隔が、10μm程度で設計されている場合には、10~11μm程度の厚さの感光性ポリイミドを塗布すればよい。次に図2bに示すように、例えば格子状、円柱状など所望のパターンの絶縁壁構造に対応するマスクパターンを形成したマスク104を用いて感光性ポリイミド103に露光光105の照射を行う。塗布された感光性ポリイミド103のうち、露光により光が当たった部分103Bのみ物性が変化し、非露光部103Aの物性は変化しない。図2bで例示されているようなポジ型の感光性ポリイミドの場合には、物性の変化した部分のみ現像液によって溶解されるので露光後に感光性ポリイミド103に現像処理を行うことで図2cに例示されるような所定の絶縁壁パターンが形成される。つづいて250°C~300°C程度の温度でポリイミドに熱硬化処理キュアを行う。図2dは熱処理前後での樹脂壁の変化を表す模式図である。点線で表された樹脂壁106は熱処理によって絶縁壁107のように一定の割合で収縮し、硬化する。使用する樹脂によっては紫外線を照射して硬化を促進させることも可能である。硬化後、例えばイオンミリング等の手段によって電極102表面の酸化膜を除去してもよい。次に、バンプを形成するためのレジストパターンを形成する。蒸着リフトオフによってバンプを形成する場合、レジストには例えば図3aに例示するような庇構造204を持たせることが好ましい。以下、その理由について説明する。図3aは庇構造を持ったレジストパターンを用いてバンプ蒸着を行った結果、図3bは庇構造を持たないレジストパターンを用いて同様の行為を行った結果を例示した模式図である。庇構造がない場合、バンプ207の蒸着を行う際に、図3bのようにレジスト206が蒸着した金属によって覆われてしまい、レジスト206を除去することが困難となってしまう。しかし、レジストに庇構造を持たせることで、図3aのようにバンプ207蒸着後もレジスト206が外部に露出した状態を保つことができるため、現像液によるリフトオフが可能となる。レジストに庇構造を持たせる方法として、2段露光を用いたレジストパターン形成手順について以下で説明する。図4a、図4bは2段露光による庇構造を持ったレジスト作成手順を例示する模式図である。まず、第一基板101上に第一層目のレジストを塗布し、マスク108を通して露光光109を照射する。露光光109が当たった部分のレジストは変性する。非露光部分のレジストを110A、露光部分のレジストを110Bで表す。次に、塗布されたレジスト110A、110Bに重ねて第二層目のレジストとして新たなレジストを塗布し、マスク108よりも光を通す幅の小さいマスク111を通して露光光109を照射する。光が当たった部分のレジストも同様に変性する。非露光部分のレジストを112A、露光部分のレジストを112Bで表す。現像液によって、露光された部分のレジスト110B、112Bが除去され、図4cに例示されるような庇構造を持ったレジストバターンが形成される。なお、庇構造を持ったレジスト全体レジスト110Aとレジスト112Aの総称をレジスト113として定義し、以後記載するものとする。本実施例における庇構造の水平突起長は片側3μm程度であるが、この値は使用する装置、蒸着源、膜厚などによって異なるものであり、ここでの記載は庇構造の長さを何ら限定するものではない。レジストパターン形成後、バンプとして使用する金属の蒸着を行う。本実施の形態においては、インジウムをバンプとして使用している。インジウムは柔らかいために、ある程度の変形を吸収する緩衝材の役割を果たすことができ、また融点が低く、他の金属例えばAuに程よく接合するなどの特性がある。このため、量子型赤外線撮像素子の製造プロセスとの整合性がよい。このことから、量子型赤外線撮像素子のバンプにはインジウムを用いることが一般的であるが、インジウム以外の金属を用いることも可能であり、ここでの記載はバンプの材質をインジウムのみに限定するものではない。図4dはインジウム蒸着後の状態を例示した模式図である。インジウムは電極102上およびレジスト113上にそれぞれ蒸着される。インジウム蒸着後、アセトン等の剥離液によって、リフトオフ洗浄を行う。図5aはリフトオフ洗浄後の状態を例示した模式図である。剥離液によってレジスト113が除去されると同時に、レジスト113上に形成されたインジウム114も除去され、電極102上に形成されたインジウム115のみが第一の基板101上電極102上に残る。また、ポリイミドからなる絶縁壁107は熱硬化処理が行われているため、リフトオフ剥離液により溶解せずに第一基板101上に残る。次に、200°C程度でインジウム115をリフローする。図5bはインジウムをリフローした状態を例示した模式図である。硬化した感光性ポリイミドの樹脂壁107の耐熱性は300°C以上あり、200°C程度のリフロー処理によって影響を受けることはない。次に、図5cに示すように、バンプ115のリフロー後、第二基板117側の電極118とリフロー済みバンプ116をフリップチップ接合する。フリップチップ接合時に熱と荷重が加わることで、インジウムと電極との界面で相互拡散が生じ、バンプと電極が接合される。なお、第二基板117は、周知の方法によりHgCdTe基板上に受光素子領域が形成され、第一基板に形成された読み出し回路と接続するための電極118があらかじめ形成された構成を有している。ただし、図中では、第二基板117は受光素子を含む基板全体を模式的に表しており、受光素子の構成は省略し、ボンディングに用いる電極118のみを記載している。図5cに示すように、第一基板101側の電極102と第二基板117側の電極118がバンプ116によって電気的に接続されており、隣接バンプ間を仕切る絶縁壁107は第一基板101側のみに固定され、第二の基板117側には接触しない。絶縁壁の高さは、基本的には受光素子が形成されたHgCdTe基板等からなる第二の基板に接しない範囲であれば高いほどよい。しかし、バンプ作成時の誤差等が発生しうることを考慮すると、第二の基板に接触せず、かつバンプ間の接触を防止する絶縁壁として機能し得る高さ、例えばFCB後の絶縁壁形成領域における両基板間隔の70~90程度あればよいと考えられる。このような構成にすることにより、本実施形態によれば第二の基板に物理的影響を与えることなく隣接バンプ間の絶縁を確保できるため、デバイスの品質、耐久性を向上させることができる。特許文献1として前記した特開平6236981号の構造を用いた場合、樹脂壁を受光素子基板であるHgCdTe基板側にも設置する必要がある。しかしながら、HgCdTe基板は熱に弱く、約100°Cほどで変性してしまうため、受光素子に影響を与えずに絶縁性樹脂を熱硬化することは困難である。また、隣接バンプの接触は基板間ギャップの中央部で起こることが多いが、その部分が空隙となっているため絶縁壁が十分に効果を発揮できるとは考えにくい。しかし、本実施の形態によれば、このような問題に対応することが可能である。また、特許文献2として前記した特開平8288335号の構造を用いた場合、絶縁壁が移動することで微細なゴミが発生しやすくなり、コンタミネーションの原因となる。それ以外にも、絶縁壁がHgCdTe基板に衝突することでクラックが発生する原因となるなどの問題が考えられるが、本実施の形態によれば、このような問題に対応することが可能である。次に、図6乃至図8を基に、本発明の第二の実施形態にかかる量子型赤外線撮像素子の製造方法について説明する。第一の実施形態では、インジウムバンプの形成を蒸着リフトオフ法で行った。第二の実施形態では、インジウムバンプの形成を蒸着リフトオフではなくパターンめっきで行っている。第一基板301は周知の手法により読み出し回路が形成された構成を有している。ただし、図6乃至図8では、第一基板301は回路を含む基板全体を模式的に表しており、読み出し回路の構成は省略し、ボンディングに用いる電極302のみを記載している。図6aは第一基板301上にめっきシード膜を成膜した状態を例示する模式断面図である。まず、第一の実施形態と同様に、読み出し回路を備えた第一の基板301上に電極302を形成した後に、めっきシード層303を成膜する。ここで、めっきシード層の材質には、例えば第一基板側からTiCuの層状構造等を用いてもよい。第一基板側電極302のとりうる構造および材質は第一の実施形態と同様である。第一の実施形態と同様の手順で、絶縁壁構造の形成までのプロセスを行う。図6bはめっきシード層303が成膜された第一基板301上に絶縁性樹脂304を塗布した状態を例示した模式図である。例えば感光性ポリイミド等の絶縁性樹脂をスピンコートもしくはスプレーコートなどの方法でめっきシード層303上に塗布する。感光性ポリイミド304を塗布する際の膜厚は、現像工程による膜減りやキュア時の熱収縮を考慮し、最終的な絶縁壁の高さとなるように設定するのは、第一の実施形態と同様である。具体的には、絶縁壁形成領域における両基板間隔の100~110ほどの厚さで感光性ポリイミドを塗布する。前記した両基板の間隔が、10μm程度で設計されている場合には、10~11μm程度の厚さの感光性ポリイミドを塗布すればよい。絶縁隔壁の高さは、基本的には受光素子が形成されたHgCdTe基板等からなる第二の基板に接しない範囲であれば高いほどよい。しかし、バンプ形成時の誤差等が発生し得ることを考慮すると、第二の基板に接触せず、かつバンプ間の接触を防止する絶縁壁として機能する高さ、例えばFCB後の絶縁壁形成領域における両基板間隔の70~90あればよいと考えられる。次に図6cに示すように、例えば格子状、円柱状など所望のパターンの絶縁壁構造に対応するマスクパターンを形成したマスク305を用いて、感光性ポリイミド304に露光光306の照射を行う。塗布された感光性ポリイミド304のうち、露光光306が当たった部分304Bのみ物性が変化し、非露光部304Aの物性は変化しない。図3で例示されているようなポジ型の感光性ポリイミドの場合には、物性の変化した部分のみ現像液によって溶解されるので露光後に感光性ポリイミド304に現像処理を行うことで図6dに例示されるような所定の絶縁壁パターンが形成される。第一の実施形態同様、つづいて250°C~300°C程度の温度でポリイミドに熱硬化処理を行う。図7aは熱処理前後での樹脂壁の変化を表す模式図である。点線で表された樹脂壁307は熱処理によって308のように一定の割合で収縮し、硬化する。使用する樹脂によっては紫外線を照射して硬化を促進させる場合もある。硬化後、例えばイオンミリング等の手段によってシード層303表面の酸化膜を除去することもある。次に、バンプを形成するためのレジストパターンを形成する。図7b、図7cはパターンめっきによるレジストパターン形成手順の一例を示す模式図である。まず、第一基板301上にレジスト311を塗布し、電極302に対応する位置のみ光が通過するよう調整されたフォトマスク309を通して露光光310を照射する。露光光310が当たった部分のレジスト311は変性する。非露光部分のレジストを311A、露光部分のレジストを311Bで表す。現像液によって、露光部分のレジスト311Bが除去され、図7cに示されるような、電極302上部が露出したレジストパターンが形成される。なお、前記レジストパターンは、ネガ型レジストを使用した場合でも作成可能である。ネガ型レジストを使用する場合は、電極302に対応する位置のみ光を遮断するよう調整されたフォトマスクを通して露光光310を照射する。露光によって変性しなかった部分のレジストが現像液によって除去され、電極302上部が露出したレジストパターンが形成される。レジストパターン形成後、インジウム等のバンプとして使用する金属のめっきを行う。図7dはめっき後の状態を例示した模式図である。レジスト311Aに覆われていない電極302上部のめっきシード層303上にのみインジウム312が付着し、バンプを形成する。インジウムめっき後、レジストの除去を行う。図8aはレジスト除去後の状態を示す模式図である。レジスト剥離液によってレジスト311Aが除去され、インジウムバンプ312と絶縁壁構造308が第一基板301上に残る。その後、イオンミリング等によって余分なシード層303を除去する。シード層除去後の状態を図8bに例示する。200°C程度でインジウムバンプ312をリフローする。図8cはインジウムをリフローした状態を例示した模式図である。硬化した感光性ポリイミド樹脂壁308の耐熱性は300°C以上あり、200°C程度のリフロー処理によって影響を受けることはない。図8dはフリップチップボンディング後の状態を例示した模式図である。インジウムバンプ312のリフロー後、第二基板315側の電極314とリフロー済みインジウムバンプ313をフリップチップボンディングする。第二基板315には、周知の方法によりHdCdTe基板上に受光素子領域が形成され、第一基板301に形成された読み出し回路と接続するための電極314があらかじめ形成された構成を有している。ただし、図中では、第二基板315は受光素子を含む基板全体を模式的に表しており、受光素子の構成は省略し、ボンディングに用いる電極314のみを記載している。図8dに示すように、第一基板301側の電極302と第二基板315側の電極314がバンプ313によって電気的に接続されており、隣接バンプ間を仕切る絶縁壁308は第一基板301側のみに固定され、第二基板315側には接触しない。図9は絶縁壁の平面構造を例示した模式図である。このように、第一の実施形態、第二の実施形態ともに、前記絶縁壁パターンは、格子状図9a、バンプ周囲を囲む円状構造図9b、隣接バンプ間にある壁状構造図9c等の平面構造をとってもよい。また、第一の実施形態、第二の実施形態ともに絶縁壁の形成はインジウムバンプの形成前に行っている。これは、感光性ポリイミド等のバンプ間隔壁に使用する絶縁体の種類によっては、絶縁体形成途中の熱処理例えば感光性ポリイミドの熱硬化処理等の温度がインジウムバンプの融点より高くなる可能性があること、また、バンプを形成後に絶縁樹脂を塗布する場合、大きな凹凸が生じてしまい、十分な露光フォーカスマージンを確保することが難しいという問題があるためである。なお、前記第一、第二の実施の形態では、絶縁壁パターンをポジ型の感光性ポリイミドを使用して作成したが、ネガ型の感光性ポリイミドを使用して作成することも可能である。ネガ型感光性ポリイミドを使用する場合は、露光により光が当たった部分のみ物性が変化し、現像液によって溶解されなくなる。そこで、樹脂壁として残したい部分のみ光を透過させるようなマスクパターンを形成したマスクを使用して、感光性ポリイミドに露光光の照射を行えばよい。また、第一の実施形態及び第二の実施形態では感光性ポリイミドを用いたフォトリソグラフィによって絶縁壁構造を作成する手順について例示したが、絶縁壁パターンを作成する方法はこれに限らない。例えば非感光性の絶縁樹脂に、フォトレジストを用いたフォトリソグラフィ等を適用することによっても同様の構造を作成することが可能である。