電気絶縁性の封止材により封止された半導体装置において、絶縁性を備える柱状の本体部と、前記本体部の軸方向の両端部にそれぞれ設けられた一対の電極端子とを有する受動部品と、少なくとも1つの前記電極端子にボンディングワイヤを介して接続された半導体素子と、前記受動部品と前記半導体素子とがそれぞれ接着層を介して載置され、前記本体部を基板面と略平行になるように支持しているベース基板と、を備え、前記ベース基板の前記本体部に対応する部位に、前記電極端子に対応する部位よりも高さが高い凸部が形成されていることを特徴とする半導体装置。前記凸部は、前記本体部の長手方向に沿って複数形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。電気絶縁性の封止材により封止された半導体装置において、絶縁性を備える柱状の本体部と、前記本体部の軸方向の両端部にそれぞれ設けられた一対の電極端子とを有する受動部品と、少なくとも1つの前記電極端子にボンディングワイヤを介して接続された半導体素子と、前記受動部品と前記半導体素子とがそれぞれ接着層を介して載置され、前記本体部を基板面と略平行になるように支持しているベース基板と、を備え、前記ベース基板の前記受動部品に対応する部位に凹部が形成され、前記凹部内の前記本体部に対応する部位に前記凹部の深さよりも高さの低い凸部が形成されていることを特徴とする半導体装置。電気絶縁性の封止材により封止された半導体装置において、絶縁性を備える柱状の本体部と、前記本体部の軸方向の両端部にそれぞれ設けられた一対の電極端子とを有する受動部品と、少なくとも1つの前記電極端子にボンディングワイヤを介して接続された半導体素子と、前記受動部品と前記半導体素子とがそれぞれ接着層を介して載置され、前記本体部を基板面と略平行になるように支持しているベース基板と、を備え、前記ベース基板の前記電極端子に対応する部位に開口が形成されていることを特徴とする半導体装置。ところで、このようなチップ部品状の受動部品は、一般に半田または導電性接着剤等を用いてリードフレームのインナーリード部や配線基板の電極パッド等の導体パターン部に搭載されることが多いが、この場合、半田や導電性接着剤の濡れ広がる領域を考慮した面積の導体パターンが必要となり、さらにはこの導体パターンと半導体チップとの間をボンディングワイヤによって接続を行うためのボンディング領域が必要となる。ここで特許文献1にあっては、リードフレームのダイパッド上に半導体チップとコンデンサとが近接して搭載固着され、係る半導体チップ、コンデンサおよびリードフレーム間がワイヤにより相互に接続されて、モールド樹脂により封止された構成が開示されている。なお、半導体チップ、コンデンサ等の固着手段については詳述されていない。一方、特許文献2にあっては、リードフレームのダイパッドステージ上に、半導体チップと受動部品を並んで搭載し、半導体チップと受動部品とをボンディングワイヤで接続した構成が開示されている。ダイパッドの受動部品を搭載部位には、エッチング等により凹部を形成し、受動部品の全体が、この凹部内に絶縁テープを介して搭載されている。このような構成とすることで、絶縁テープを介して受動部品を搭載するため受動部品の両端の電極端子がダイパッドに接触することを防止し、受動部品は半導体チップの回路に近い部分に配置されることで半導体装置の電気特性を向上させ、動作を安定させることができる。また、ダイパッドに凹部を構成して、この内部に収まるように受動部品を搭載しているため、受動部品を搭載する高さを低くすることができる。しかしながら、これらの先行例にあっては、受動部品をダイパッドに搭載固着する際、接着物として絶縁テープを用いているが、所定の大きさに加工されたテープ部材を準備し、テープ部材を凹部に貼り付ける工程を要するため工程が複雑化する。前記絶縁テープ部材に代えて、ペースト状の絶縁性接着剤を用いる方法も考えられるが、この方法は半導体装置の製造時に次のような問題が生じる可能性が大きい。1ダイパッド上にディスペンサ等により塗布供給されたペースト状の絶縁性接着剤上に、受動部品を載置する際、係る受動部品に付与する荷重が過大になった場合には、受動部品の電極端子とダイパッドとが接触してショートしてしまう場合がある。2逆に受動部品に付与する荷重が過少になった場合には、受動部品がダイパッド上に傾斜して搭載されてしまう場合があり、この状態で受動部品の電極端子にワイヤボンディングを行うと、ワイヤ先端が電極端子に確実に接続されない場合がある。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、電極端子とダイパッドとの接触を防止するとともに、電極端子にワイヤボンディングを確実に行うことができる半導体装置を提供することを目的とする。本発明では上記課題を解決するために、電気絶縁性の封止材により封止された半導体装置において、絶縁性を備える柱状の本体部と、前記本体部の軸方向の両端部にそれぞれ設けられた一対の電極端子とを有する受動部品と、少なくとも1つの前記電極端子にボンディングワイヤを介して接続された半導体素子と、前記受動部品と前記半導体素子とがそれぞれ接着層を介して載置され、前記本体部を基板面と略平行になるように支持しているベース基板と、を備え、前記ベース基板の前記本体部に対応する部位に、前記電極端子に対応する部位よりも高さが高い凸部が形成されていることを特徴とする半導体装置が提供される。本発明は、受動部品がベース基板と略平行になるように支持され、かつ電極端子はベース基板との接触が防止されるよう構成したので、電極端子とベース基板との接触を防止するとともに、受動部品にワイヤボンディングを確実に行うことができる。以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。図1は、実施の形態の半導体装置を示す斜視図である。半導体装置10は、SOPSmallOutlinePackageタイプのLSIパッケージであり、後述する半導体素子をリードフレームに設置して電気絶縁性を備える封止部材30にて封止されている。また、封止部材30の両側面には、それぞれ半導体素子に電気的に接続された4本のアウターリード23が設けられている。封止部材30の構成材料としては、例えばエポキシ樹脂等が挙げられる。図2は、第1の実施の形態の半導体装置の内部を示す平面図である。なお、以下では図2中の上側を上、下側を下、右側を右という。半導体装置10は、半導体素子11と、受動部品15と、複数のワイヤボンディングワイヤ18と、ダイパッドベース基板21とダイパッド21の周囲に設けられた複数のインナーリード22とアウターリード23と一対の支持部24、24とを備えるリードフレーム20とを有している。リードフレーム20の構成材料としては特に限定されないが、例えば鉄Fe-ニッケル合金、銅Cuおよび銅合金の導体等が挙げられる。また、リードフレーム20の板厚は例えば0.125mm、0.15mm、0.2mmまたは0.25mm程度である。各インナーリード22は、それぞれ1つのアウターリード23に電気的に接続されている。半導体素子11は、ダイパッド21上に層状の接着剤32を介して配置されている。また、半導体素子11は、その表面上に配設された複数の電極パッド12を備えている。接着剤32の構成材料としては特に限定されないが、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等からなる熱硬化性または熱可塑性の樹脂が挙げられる。また、これらに銀Ag、ニッケルNi、カーボンC等の導電性粒子が含まれていてもよい。電極パッド12は、それぞれワイヤ18により複数のインナーリード22にそれぞれ電気的に接続されている。図3は、受動部品を示す斜視図である。図3に示すように、受動部品15は、半導体素子11の近傍図2中右側に配置されている。この受動部品15は、ダイパッド21上に絶縁性を備える接着剤接着層33を介して配置されている。接着剤33の構成材料としては特に限定されないが、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等からなる熱硬化性の樹脂で構成されている。受動部品15は柱状直方体をなしており、絶縁性を備え、中央に設けられた素体部本体部17と、素体部17の両端部にそれぞれ設けられた電極端子16、16とを有している。そして受動部品15は、電極端子16、16およびワイヤ18、18を介して半導体素子11上の電極パッド12に接続されている。この受動部品15としては、特に限定されないが例えばバイパスコンデンサパスコンとして機能するコンデンサやノイズフィルタとしてのインダクタや抵抗等が挙げられる。なお、受動部品15とインナーリード22とがワイヤ18を用いて電気的に接続されていてもよい。ワイヤ18は、例えば金、アルミニウム等の金属で構成されている。図4は、第1の実施の形態の半導体装置のリードフレームを示す図であり、図4aは、リードフレームを示す部分平面図であり、図4bは、図4aに示すリードフレームのA-A線での断面図であり、図4cは、図4aに示すリードフレームのB-B線での断面図である。これらの図に示すように、ダイパッド21の電極端子16、16に対応する部位には電極端子16、16の形状大きさに対応する凹部27、27が設けられている。これらの凹部27、27に挟まれたダイパッド21の部位が高位部28を構成している。なお、凹部27の深さとしては、電極端子16の形状等に応じて形成され特に限定されないが、例えば5μm~80μm程度である。図5は、図2に示す半導体装置のA-A線での断面図であり、図6は、図2に示す半導体装置のB-B線での断面図である。図6に示すように受動部品15は、電極端子16、16の図6中上下方向の長さ以下、高さというが、素体部17の高さよりも高く形成されている。より詳しくは、電極端子16、16の断面積は、素体部17の断面積よりも若干大きく形成されている。これにより電極端子16、16の上部および下部が、素体部17よりも若干高くなるようにはみだすように位置している。受動部品15は、素体部17が接着剤33を介して高位部28に基板面と略平行になるように固着されており、電極端子16、16の一部下端部は、凹部27、27内の空間にそれぞれ位置する。これにより、電極端子16、16とダイパッド21との間に所定の間隙が形成されている。このため、半導体装置10によれば、簡易な構成で受動部品15とダイパッド21との接触を容易かつ確実に防止することができる。また、半導体装置10の小型化薄型化を図ることができる。なお、本実施の形態では、凹部27、27は、別個のものとしたがこれに限らず、凹部が一体的に形成されていてもよい。以下、半導体装置10の変形例を示す。図7は、第1の実施の形態の半導体装置のリードフレームの変形例を示す図であり、図7aは、半導体装置のリードフレームを示す平面図であり、図7bは、図7aに示すリードフレームのA-A線での断面図であり、図7cは、図7aに示すリードフレームのB-B線での断面図である。図7に示すように、半導体装置10は、ダイパッド21上に、平面視で受動部品15を囲むように環状の凹部27が形成され、凹部27の内部に、その高さが凹部27の深さと略等しい高位部28凸部が形成された構成となっていてもよい。次に、本発明の半導体装置の製造方法について図2~図6に示す半導体装置10を製造する場合を一例として説明する。図8~図10は、第1の実施の形態の半導体装置の製造方法を示す断面図である。まず、図8に示すように、薄板の金属を加工して受動部品15の電極端子16、16の形状に対応する凹部27、27が形成されたダイパッド21、インナーリード22、アウターリード23、支持部24、および外枠31周辺フレーム部分を有するリードフレーム20を用意する。凹部27、27の製造方法は特に限定されないが、例えばエッチングハーフエッチング等により化学的に製造する方法やスタンピング/金型による型押し整形やバイト研削等の機械的な加工により製造する方法等が挙げられる。次に、図9aに示すように、ダイパッド21の半導体素子11を配置する部位にノズル200から接着剤32を吐出する。次に、図9bに示すように、接着剤32を介してダイパッド21と半導体素子11とを接着固着する。次に、図9cに示すように、凹部27、27および高位部28にノズル210から接着剤33を吐出する。次に、図9dおよび図9d1に示すように、受動部品15を、素体部17が高位部28上に位置し、電極端子16、16がそれぞれ凹部27、27上に位置するように配設し、受動部品15とダイパッド21とを未硬化の接着剤33を介して仮接着する。このとき受動部品15に図中矢印で示す方向に所定の圧力を加えることにより、受動部品15が安定する。ここで、受動部品15に加える圧力は、接着剤33の粘度に応じて適宜調整され、例えば0.5N~4N程度である。次に、図10eに示すように、所定温度で加熱して接着剤33を硬化させることにより、受動部品15が接着剤33を介してダイパッド21に固着する。次に、図10fに示すように、ワイヤ18を用いて半導体素子11と各電極端子16とをそれぞれ接続する。次に、図10gに示すように、封止部材30を用いて封止する。次に、図示しないアウターリードの整形加工を行う。以上で半導体装置10が完成する。この半導体装置10の製造方法によれば、受動部品15の電極端子16、16に対応する部位に凹部27、27を設け、高位部28にて素体部17をダイパッド21と略平行に支持するようにしたので受動部品15をダイパッド21に対して傾くことなく配置することができる。よって、受動部品15に対してワイヤボンディングを容易かつ確実に行うことができ、また、ダイパッド21上に配設された未硬化の接着剤33上に受動部品15を載置する際、受動部品15に付与する荷重が過大になった場合でも電極端子16とダイパッド21との間に所定の間隙が形成されているため電極端子16とダイパッド21への接触を防止することができる。これにより、簡易な工程で電極端子16とダイパッド21とのショートを防止することができる。なお、前述した半導体装置10の製造方法ではダイパッド21と半導体素子11とを接着した後に、接着剤33を配設しているが、接着剤33をダイパッド21に配設した後に、ダイパッド21と半導体素子11とを接着してもよい。また、接着剤32としてペースト状のものを用いたが、これに限らずフィルム状の接着剤を用いてもよく、例えば予めフィルム状の接着剤32を半導体素子11の下面に貼り付けておいてもよい。次に、半導体装置の第2の実施の形態について説明する。図11は、第2の実施の形態の半導体装置を示す断面図である。なお、以下の図面では、図面を見やすくするため封止部材30の図示を省略している。以下、第2の実施の形態の半導体装置について、前述した第1の実施の形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。半導体装置10aは、リードフレーム20aダイパッド21aの構成が第1の実施の形態のリードフレーム20ダイパッド21と異なっている。ダイパッド21aには、図11中左側の電極端子16電極端子16、16のうちのいずれか一方に対応する部位のみに凹部27が設けられている。そしてダイパッド21aの、右側の他方の電極端子16に対応する部位はグラウンド電位に接続されている。よって、右側の電極端子16がグラウンド電位に接続されている場合は、右側の電極端子16がダイパッド21aに接触した場合でも凹部27によってダイパッド21aと左側の電極端子16とは離間されているため、右側の電極端子16と左側の電極端子16とのショートを防止することができ、受動部品15の動作機能が損なわれることを防止できる。この第2の実施の形態の半導体装置10aによれば、第1の実施の形態の半導体装置10と同様の効果が得られる。次に、半導体装置の第3の実施の形態について説明する。図12は、第3の実施の形態の半導体装置のリードフレームを示す図であり、図12aは、半導体装置のリードフレームを示す平面図であり、図12bは、図12aに示すリードフレームのA-A線での断面図であり、図12cは、図12aに示すリードフレームのB-B線での断面図である。以下、第3の実施の形態の半導体装置について、前述した第1の実施の形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。半導体装置10bは、リードフレーム20bダイパッド21bの構成が第1の実施の形態のリードフレーム20ダイパッド21と異なっている。ダイパッド21bには、素体部17に対応する部位に、ダイパッド21bの他の部分よりも高さの高い高位部28aが設けられている。この高位部28aは、例えばエッチング等により形成することができる。図13は、第3の実施の形態の半導体装置を示す断面図である。図13に示すように、素体部17が接着剤33を介して高位部28aに支持されることにより電極端子16、16とダイパッド21bの電極端子16、16にそれぞれ対応する部位27a、27aとの間に所定の間隙が形成されている。この第3の実施の形態の半導体装置10bによれば、第1の実施の形態の半導体装置10と同様の効果が得られる。次に、半導体装置の第4の実施の形態について説明する。図14は、第4の実施の形態の半導体装置のリードフレームを示す図であり、図14aは、半導体装置のリードフレームを示す平面図であり、図14bは、図14aに示すリードフレームのA-A線での断面図であり、図14cは、図14aに示すリードフレームのB-B線での断面図である。以下、第4の実施の形態の半導体装置について、前述した第3の実施の形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。半導体装置10cは、リードフレーム20cダイパッド21cの構成が第3の実施の形態のリードフレーム20bダイパッド21bと異なっている。ダイパッド21cには、素体部17に対応する部位に他の部分よりも高さの高い複数本実施の形態では2つの高位部凸部28bが設けられている。図15は、第4の実施の形態の半導体装置を示す断面図である。この高位部28bは、例えばダイパッド21cの図15中下側からのパンチング等により形成することができる。素体部17が接着剤33を介して高位部28b、28bに支持されることにより電極端子16、16とダイパッド21cの電極端子16、16にそれぞれ対応する部位27b、27bとの間に所定の間隙が形成されている。この第4の実施の形態の半導体装置10cによれば、第3の実施の形態の半導体装置10bと同様の効果が得られる。そして、第4の実施の形態の半導体装置10cによれば、高位部28b、28bによって受動部品15をより安定して支持することができる。また、製造時においてもワイヤボンディングを容易かつ確実に行うことができる。次に、半導体装置の第5の実施の形態について説明する。図16は、第5の実施の形態の半導体装置のリードフレームを示す図であり、図16aは、半導体装置のリードフレームを示す平面図であり、図16bは、図16aに示すリードフレームのA-A線での断面図であり、図16cは、図16aに示すリードフレームのB-B線での断面図であり、図16dは、図16aに示すリードフレームのC-C線での断面図である。以下、第5の実施の形態の半導体装置について、前述した第1の実施の形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。半導体装置10dは、リードフレーム20dダイパッド21dの構成が第1の実施の形態のリードフレーム20ダイパッド21と異なっている。ダイパッド21dには、電極端子16、16に対応する部位に、それぞれ凹部27c、27cが設けられており、素体部17に対応する部位に、凹部27cよりも高くダイパッド21の他の部位よりも低い凹部27cの深さよりも低い高位部28cが設けられている。高位部28cの図16a中左右方向の端部が、それぞれガイド部29、29を構成している。この高位部28cは、例えばパンチングにより形成することができる。図17は、第5の実施の形態の半導体装置を示す断面図であり、図18は、第5の実施の形態の半導体装置の受動部品の配置を説明する平面図である。図17に示すように、素体部17が接着剤33を介して高位部28cにより支持され、電極端子16、16と凹部27c、27cとの間にそれぞれ間隙が形成される。また、図18に示すように、ガイド部29、29により素体部17が挟み込まれることにより、受動部品15の左右方向の移動が規制される。この第5の実施の形態の半導体装置10dによれば、第1の実施の形態の半導体装置10と同様の効果が得られる。そして、第5の実施の形態の半導体装置10dによれば、受動部品15の位置決めが容易になり、製造時の生産性および製造歩留まりを向上させることができる。次に、半導体装置の第6の実施の形態について説明する。図19は、第6の実施の形態の半導体装置のリードフレームを示す図であり、図19aは、半導体装置のリードフレームを示す平面図であり、図19bは、図19aに示すリードフレームのA-A線での断面図であり、図19cは、図19aに示すリードフレームのB-B線での断面図であり、図19dは、図19aに示すリードフレームのC-C線での断面図である。以下、第6の実施の形態の半導体装置10eについて、前述した第1の実施の形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。半導体装置10eは、リードフレーム20eダイパッド21eの構成が第1の実施の形態のリードフレーム20ダイパッド21と異なっている。ダイパッド21eには、高位部28の近傍に、素体部17を図19中左右方向から挟み込むためのガイド部29a、29aが形成されている。図20は、第6の実施の形態の半導体装置の受動部品の配置を説明する平面図である。このように、素体部17が接着剤33を介して高位部28により支持され、ガイド部29a、29aの間に位置している。ガイド部29a、29aにより素体部17が挟み込まれることにより、受動部品15の図20中左右方向の移動が規制される。この第6の実施の形態の半導体装置10eによれば、第1の実施の形態の半導体装置10と同様の効果が得られる。そして、第6の実施の形態の半導体装置10eによれば、受動部品15の位置決めが容易になり、製造時の生産性および製造歩留まりを向上させることができる。ところで、半導体装置の動作を安定させて電気特性を向上させるために、半導体素子を、導電性接着剤を介してダイパッド上に搭載固着する半導体装置においては、エポキシ系樹脂をバインダとして銀の粒子を含んだような導電性接着剤が、製造時の作業性の観点では扱いやすく、ある程度の接着力が得られやすいために広く用いられている。しかし導電性接着剤は、導電性を確保するために導電粒子を多数含むため、導電粒子を含まない絶縁性接着剤に比べて一般に接着力が低い場合が多い。このため導電性接着剤を用いて半導体チップをダイパッドに接続搭載した半導体装置においては、熱応力が加わった場合または半導体装置が高湿度の環境下に置かれた場合に、導電性接着剤と半導体チップとの界面、または導電性接着剤とダイパッドとの界面において剥離が生じる場合がある。とりわけ、近年、環境対応の要請から、半導体装置をシステムボード等にリフローソルダリング等によって実装する際には、錫Sn-銀Ag半田或いは錫-銀-銅Cu半田等鉛Pbを含有しない半田が使用されるため、従来の錫-鉛半田のような鉛を含有する半田を用いて実装する場合に比べて、実装する際の温度がより高くなることから、この温度に耐える高い信頼性を有する半導体装置が望まれている。次に説明する第7の実施の形態の半導体装置は、このような点を鑑みた装置である。図21は、第7の実施の形態の半導体装置の内部を示す平面図であり、図22は、図21に示す半導体装置のリードフレームを示す図であり、図22aは、半導体装置のリードフレームを示す平面図であり、図22bは、図22aに示すリードフレームのA-A線での断面図であり、図22cは、図22aに示すリードフレームのB-B線での断面図である。以下、第7の実施の形態の半導体装置10fについて、前述した第1の実施の形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。図21に示す半導体装置10fは、リードフレーム20fダイパッド21fの構成が第1の実施の形態のリードフレーム20ダイパッド21と異なっている。図21および図22に示すように、リードフレーム20fのダイパッド21fには凹部27以外のダイパッド21fの略全面に、に所定の深さ本実施の形態では凹部27と略同じ深さを有する複数の凹部段差部211が行列状に形成されている。この凹部211は、ダイパッド21fの下面凹部27を有する面の反対側の面にも形成されている。凹部211は例えばエッチングで形成することができる。このように規則的に凹部211が配置されることにより、図22bおよび図22cに示すように、ダイパッド21fの表面に凹凸が交互に現れる。そして、この凹凸の上に接着剤32を介して半導体素子11が配置されている。この第7の実施の形態の半導体装置10fによれば、第1の実施の形態の半導体装置10と同様の効果が得られる。そして、第7の実施の形態の半導体装置10fによれば、投錨効果アンカー効果により、半導体素子11と接着剤32との接着強度が向上することにより、半導体素子11とダイパッド21fとがより強固に固着される。また、凹部211は、ダイパッド21fの下面にも形成されているため、封止部材30とダイパッド21fとの接着強度も向上する。次に、半導体装置の第8の実施の形態について説明する。図23は、第8の実施の形態の半導体装置の内部を示す平面図である。以下、第8の実施の形態の半導体装置10gについて、前述した第1の実施の形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。半導体装置10gは、リードフレーム20gダイパッド21gの構成が第1の実施の形態のリードフレーム20ダイパッド21と異なっている。ダイパッド21gの電極端子16、16に対応する部位には、それぞれ開口26、26が設けられている。図24は、図23の半導体装置のA-A線での断面図であり、図25は、図23の半導体装置のB-B線での断面図である。ダイパッド21gの下面には開口26、26を覆うように樹脂製のフィルム部材35が接着されている。そして本実施の形態の受動部品15は、素体部17が高位部28上に位置するように、フィルム部材35上に配設された接着剤33を介してダイパッド21g上に固着されている。フィルム部材35の構成材料としては特に限定されないが、樹脂が好ましく、例えばポリイミド等が挙げられる。また、半導体装置10gを製造する際には、フィルム部材35をダイパッド21gに固着させた後に接着剤33を配設してもよいし、フィルム部材35をダイパッド21gに仮接着させた後に接着剤33を配設し、その後接着剤33と受動部品15との本接着工程においてフィルム部材35とダイパッド21gとを固着させてもよい。また、封止部材30での封止の前工程で固着させてもよい。この第8の実施の形態の半導体装置10gによれば、第1の実施の形態の半導体装置10と同様の効果が得られる。そして、第8の実施の形態の半導体装置10gによれば、接着剤33とフィルム部材35とがともに樹脂で構成されている場合、界面のはがれが生じにくいという利点がある。次に、半導体装置の第9の実施の形態について説明する。図26は、第9の実施の形態の半導体装置の内部を示す平面図であり、図27は、図26に示す半導体装置のリードフレームを示す図であり、図27aは、半導体装置のリードフレームを示す平面図であり、図27bは、図27aに示すリードフレームのA-A線での断面図であり、図27cは、図27aに示すリードフレームのB-B線での断面図である。以下、第9の実施の形態の半導体装置10hについて、前述した第2の実施の形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。半導体装置10hは、リードフレーム20hダイパッド21hの構成が第2の実施の形態のリードフレーム20aダイパッド21aと異なっている。図26および図27に示すように、ダイパッド21hは、下側の電極端子16受動部品15の一方の電極端子16に対応する部位に、第1の実施の形態のダイパッド21を切り欠いた形状の切り欠き部25が設けられている。そして、下側の電極端子16は、ダイパッド21hから平面視で切り欠き部25に突出している。この第9の実施の形態の半導体装置10hによれば、第2の実施の形態の半導体装置10aと同様の効果が得られる。以上、本発明の半導体装置および半導体装置の製造方法を、図示の実施の形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物や工程が付加されていてもよい。また、本発明は、前述した各実施の形態のうちの、任意の2以上の構成特徴を組み合わせたものであってもよい。なお、前述した各実施の形態ではSOPタイプのLSIパッケージについて説明したが、本発明はこれに限らずSOJSmallOutlineJleadedPackageやQFPQuadFlatPackageタイプのLSIパッケージに対しても適用することができる。さらに、本発明はリードフレーム型の半導体装置に限らず半導体チップおよび受動部品を搭載設置するダイパッド部が導体で構成される半導体装置全般に適用することができる。また、前述した各実施の形態では、受動部品15にワイヤ18を介して半導体素子11が接続される構成としたが、本発明はこれに限定されず、受動部品にワイヤを介して別個の半導体パッケージや発光素子等が接続される構成としてもよい。また、本発明は、導電性を有するダイパッドを備える種々の半導体装置に対して適用することができる。付記1電気絶縁性の封止材により封止された半導体装置において、絶縁性を備える柱状の本体部と、前記本体部の軸方向の両端部にそれぞれ設けられた一対の電極端子とを有する受動部品と、少なくとも1つの前記電極端子にボンディングワイヤを介して接続された半導体素子と、前記受動部品と前記半導体素子とがそれぞれ接着層を介して載置され、前記本体部が基板面と略平行になるように支持し、かつ、前記電極端子に接触しないように形成された部位を有するベース基板と、を備えることを特徴とする半導体装置。付記2前記ベース基板の前記電極端子に対応する部位に凹部が形成されていることを特徴とする付記1記載の半導体装置。付記3前記凹部は、前記電極端子のそれぞれに対応する部位に複数形成されていることを特徴とする付記2記載の半導体装置。付記4前記凹部は、前記電極端子のいずれか一方に形成されていることを特徴とする付記2記載の半導体装置。付記5前記ベース基板の前記本体部に対応する部位に凸部が形成されていることを特徴とする付記1記載の半導体装置。付記6前記凸部は、前記本体部の長手方向に沿って複数形成されていることを特徴とする付記5記載の半導体装置。付記7前記ベース基板の前記受動部品に対応する部位に凹部が形成され、前記凹部内の前記本体部に対応する部位に前記凹部の深さよりも高さの低い凸部が形成されていることを特徴とする付記1記載の半導体装置。付記8前記受動部品の長手方向に略直交する方向への移動を規制するガイド部が設けられていることを特徴とする付記2記載の半導体装置。付記9前記ベース基板の略全面に亘って複数の凹凸が形成されていることを特徴とする付記1記載の半導体装置。付記10前記複数の凹凸は、規則的に配置されていることを特徴とする付記9記載の半導体装置。付記11前記複数の凹凸は、前記ベース基板の前記半導体素子が載置される面の反対面側にも形成されていることを特徴とする付記9記載の半導体装置。付記12前記ベース基板の前記電極端子に対応する部位に開口が形成されていることを特徴とする付記1記載の半導体装置。付記13前記ベース基板の前記半導体素子が載置される面の反対面側に前記開口を覆うように形成された樹脂部材が配設されていることを特徴とする付記12記載の半導体装置。付記14前記受動部品の一方の前記電極端子が、平面視で前記ベース基板から突出していることを特徴とする付記1記載の半導体装置。付記15柱状の本体部と前記本体部の軸方向の両端部にそれぞれ設けられた一対の電極端子を備える受動部品と、半導体素子とをワイヤボンディングにて接続して構成される半導体装置の製造方法であって、ベース基板用基材に凹部を形成してベース基板を得る工程と、前記凹部に接着部材を供給する工程と、前記本体部が前記接着部材を介して前記ベース基板上に位置し、前記電極端子がそれぞれ前記接着部材を介して前記凹部に対応する部位に位置するように前記受動部品を配設する工程と、前記受動部品に所定の圧力を加えることにより前記受動部品と前記ベース基板とを仮接着する工程と、前記接着部材を硬化させて前記受動部品と前記ベース基板とを本接着する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。