入力素子に発光ダイオードを備えるとともに出力素子に二つのトランジスタを備える半導体リレーであって、前記二つのトランジスタが、相違する耐電圧及び/又は相違する電気容量を有することを特徴とする半導体リレー。一方の前記トランジスタが、他方の前記トランジスタより、高耐電圧及び/又は高電気容量であることを特徴とする請求項1記載の半導体リレー。基準電位又は基準電位に近い電位に接続されるドレインを有する他方のトランジスタと、前記基準電位又は前記基準電位に近い電位よりも高い電位に接続されるドレインを有する一方のトランジスタを備えてなる請求項1又は2に記載の半導体リレー。被測定物の電気的特性を測定するための測定装置であって、前記被測定物に電力を供給する電源手段と、前記被測定物の電気的特性を検出する検出手段と、前記電源手段の供給する電力値と前記検出手段が検出する検出値を用いて、前記被測定物の電気的特性を算出する算出手段と、前記被測定物の一端と、前記電源手段の上流側端子を接続する第一接続端子と、前記被測定物の他端と、前記検出手段の上流側端子を接続する第二接続端子とを有し、前記第二接続端子が、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載される半導体リレーであることを特徴とする測定装置。本発明は、このような実情に鑑みてなされたもので、光信号を用いる半導体リレーにおける二つのMOSFETの関係に着想し、その好適な利用を提案するものである。請求項1記載の発明は、入力素子に発光ダイオードを備えるとともに出力素子に二つのトランジスタを備える半導体リレーであって、前記二つのトランジスタが、相違する耐電圧及び/又は相違する電気容量を有することを特徴とする半導体リレーを提供する。請求項2記載の発明は、一方の前記トランジスタが、他方の前記トランジスタより、高耐電圧及び/又は高電気容量であることを特徴とする請求項1記載の半導体リレーを提供する。請求項3記載の発明は、基準電位又は基準電位に近い電位に接続されるドレインを有する他方のトランジスタと、前記基準電位又は前記基準電位に近い電位よりも高い電位に接続されるドレインを有する一方のトランジスタを備えてなる請求項1又は2に記載の半導体リレーを提供する。請求項4記載の発明は、被測定物の電気的特性を測定するための測定装置であって、前記被測定物に電力を供給する電源手段と、前記被測定物の電気的特性を検出する検出手段と、前記電源手段の供給する電力値と前記検出手段が検出する検出値を用いて、前記被測定物の電気的特性を算出する算出手段と、前記被測定物の一端と、前記電源手段の上流側端子を接続する第一接続端子と、前記被測定物の他端と、前記検出手段の上流側端子を接続する第二接続端子とを有し、前記第二接続端子が、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載される半導体リレーであることを特徴とする測定装置を提供する。これらの発明を提供することによって、上記課題を悉く解決する。請求項1記載の発明によれば、二つのトランジスタが相違する耐電圧及び/又は相違する電気容量を有するので、従来の半導体リレーに対して、高オン耐圧、低オン抵抗且つ低オフ容量の半導体リレーを提供することができる。また、このような半導体リレーは、理想的なスイッチ素子として利用することができる。請求項2記載の発明によれば、一方のトランジスタが他方のトランジスタに比べ、高耐電圧及び/又は高電気容量であるので、一方のトランジスタを高い耐圧側に接続し、他方のトランジスタを低い耐圧側に接続して用いることのできる半導体リレーを提供することができる。請求項3記載の発明によれば、基準電位又は基準電位に近い電位に接続されるドレインを有する他方のMOSFETと、基準電位又は前記基準電位に近い電位よりも高い電位に接続されるドレインを有する一方のトランジスタが備えられているので、高耐圧、低オン抵抗且つ低オフ容量の半導体リレーを提供することができる。請求項4記載の発明によれば、請求項1乃至3いずれかに記載の半導体リレーを検出手段と被測定物を電気的に接続するための接続端子として利用するので、高オン耐圧、低オン抵抗且つ低オフ容量の理想的なスイッチ素子として機能することができる。このため、測定装置の測定時間を短縮することができる。また、複数の被測定物を接続端子の切り替えにより測定対象を次々変更させる測定装置では、検出手段を被測定対象に接続すべく、複数の接続端子が必要となるが、従来の半導体リレーよりも廉価に提供することができる。本発明を実施するための最良の形態を説明する。図1は、本発明にかかる半導体リレー10のブロック図である。本発明の半導体リレー10は、発光ダイオード11と、受光素子図示せず、第一トランジスタ12、第二トランジスタ13を備えてなる。発光ダイオード11は、入力端子inから入力される信号電流により発光する機能を有する。発光ダイオード11は、上記の如き発光機能を有するものであれば適宜採用することができる。受光素子は、発光ダイオード11の発光を受光し、この受光に応じて電圧を生じる機能を有する。この受光素子は、例えば、光電素子や太陽電池セルを採用することができる。この受光素子は、発光ダイオード11からの光を受光すると電圧を生じさせ、後述する第一トランジスタ12と第二トランジスタ13へ供給する。なお、受光素子は、第一トランジスタ12のゲート12Gと、第二トランジスタのゲート13Gに接続される。第一トランジスタ12は、電界効果トランジスタであり、特に、金属酸化膜半導体の電界効果トランジスタを採用することができる。このため、受光素子からの電圧を受けた場合、第一トランジスタ12のゲート12Gとソース12S間に電圧が生じることになる。第二トランジスタ13は、電界効果トランジスタであり、特に、金属酸化膜半導体の電界効果トランジスタを採用することができる。このため、受光素子からの電圧を受けた場合、第二トランジスタ13のゲート13Gとソース13S間に電圧が生じることになる。第一トランジスタ12のゲート12Gとソース12Sと、第二トランジスタ13のゲート13Gとソース13S間に電圧が生じると、第一トランジスタ12と第二トランジスタ13とが導通状態となり、第一トランジスタ12のドレイン12Dと第二トランジスタ13のドレイン13Dが導通されることになる。第一トランジスタ12のドレイン12Dと第二トランジスタ13のドレイン13Dが導通されると、半導体リレー10の出力端子outとして出力されることになる。このように、入力端子inから信号電流が供給されると、発光ダイオード11が発光し、この発光を受光素子が受光し電圧を生じ、この電圧を第一トランジスタ12と第二トランジスタ13が受けてゲートGソースS間に電圧が生じ、第一トランジスタ12のドレイン12Dと第二トランジスタのドレイン13Dが導通し、出力端子outが導通することになる。また、入力端子inからの信号電流が停止されると、発光ダイオード11の発光が止まる。発光ダイオード11の発光が止まると、受光素子は光を受光しなくなるので電圧が下がる。このとき、第一トランジスタ12のゲート12Gと第二トランジスタ13のゲート13Gに供給されていた電圧が供給されなくなるため、ゲート12Gソース12S間とゲート13Gソース13S間の夫々の電圧が速やかに下がることになる。そうすると、第一トランジスタ12のドレイン12Dと第二トランジスタ13のドレイン13Dの導通が遮断されることになる。本発明の半導体リレー10の第一トランジスタ12と第二トランジスタ13は、相違する耐電圧に形成されている。本実施形態では、第一トランジスタ12が、第二トランジスタ13よりも高耐電圧に形成されている。スイッチ素子のような半導体リレーとして用いる場合には、高電圧に印加される一方端と、低電圧に印加される他方端とを接続する場合に、一方端を第一トランジスタ12のドレイン12Dと接続し、他方端を第二トランジスタ13のドレイン13Dと接続する。このように半導体リレー10の第一トランジスタ12と第二トランジスタ13を設定することにより、高オン耐圧、低オン抵抗且つ低オフ容量の半導体リレー10として使用することができる。なお、この耐電圧差は、特に限定されるものではないが、一方端に200~300Vが設定され、他方端に基準電位0~20Vが設定されるような場合に好適に利用することができる。また、第一トランジスタ12と第二トランジスタ13は、相違する電気容量を有するように形成されることもできる。本実施形態では、第一トランジスタ12が、第二トランジスタ13よりも高い電気容量を有するように形成されている。このような場合であって、スイッチ素子のような半導体リレーとして用いる場合に、高電圧に印加される一方端と、低電圧に印加される他方端とを接続する場合に、一方端を第一トランジスタ12のドレイン12Dと接続し、他方端を第二トランジスタ13のドレイン13Dと接続する。このように半導体リレー10の第一トランジスタ12と第二トランジスタ13を設定することにより、高オン耐圧、低オン抵抗且つ低オフ容量の半導体リレー10として使用することができる。本発明の半導体リレー10は、上記の如く、高電位の一端とその高電位に比して低電位となる他端とを接続する場合に用いることができるが、低電位が基準電位に設定されるとき又は、基準電位に近い電位基準電位から±30V程度の範囲、例えば、低電位が20Vに設定されるときに、高電位がその低電位よりも数倍~数十倍に設定される例えば、高電位が250V場合に、このような高電位の一端と低電位の他端とを接続する際にも好適に使用することができる。この場合、第一トランジスタ12のドレイン12Dが高電位側の一端と接続され、第二トランジスタ13のドレイン13Dが低電位側の他端と接続されることになる。以上が、本発明の半導体リレーの構成と動作の説明である。次に、本発明にかかる半導体リレーを用いる測定装置5について説明する。この測定装置5は、被測定物Rの電気的特性例えば、抵抗値を測定するための装置である。この測定装置5は、電源手段51、検出手段52、算出手段図示せず、第一接続端子53、第二接続端子54、複数の接触子Pを有している。なお、図2で示される実施形態では、一つの被測定物Rが示され、その被測定物Rの両端部一端部R1、他端部R2に夫々接触子P接触子P1と接触子P2が示されている。この図2は、動作原理を説明するための図であり、実際には、複数数百~数千の被測定物が存在するとともに、これら被測定物の両端に夫々接触子Pが配置され、電源手段51や検出手段52が、第一接続端子53及び第二接続端子54のON/OFFを切り替えることにより、被測定物Rの電気的特性が測定されることになる。電源手段51は、被測定物Rに測定に必要な電力を供給する。この電源手段51は、電気的特性を測定するために、所定の電圧を印加することのできる電源を採用することができる。このような電源手段51として、例えば、定電流電源を用いることができる。被測定物Rを測定する場合には、電源手段51の上流側端子が被測定物Rの一端部R1に電気的に接続され、電源手段51の下流側端子が被測定物Rの他端部R2に、検出手段52を介して電気的に接続される。検出手段52は、被測定物Rの電気的特性を検出する。この検出手段52は、被測定物Rの電気的特性を検出することができるが、被測定物Rを流れる電流を検出することができる電流計を採用することができる。被測定物Rを測定する場合には、この検出手段52の上流側端子が被測定物Rの他端部R2と電気的に接続され電源手段51と直列接続される、検出手段52の下流側端子が電源手段51の下流側端子と電気的に接続される。算出手段は、電源手段51の供給する電力値と検出手段52が検出する検出値を用いて、被測定物Rの電気的特性を算出する。より具体的に、この算出手段は、電源手段51の供給する電圧値Vと、検出手段52が検出する電流値Iを基に、被測定物Rの抵抗値Rを算出することになる。この算出手段は、これらの電圧値と電流値を、オームの法則を用いて、抵抗値を算出するように処理されることになる。第一接続端子53は、被測定物Rの一端部R1と、電源手段51の上流側端子を接続する。この第一接続端子53は、後述する接触子P一本に対して一つ配置される。このため、測定対象となる被測定物Rにのみ、電源手段51が電気的に接続されるように第一接続端子53が動作することになる。より具体的には、測定対象となる被測定物Rに電源手段51を接続させるため、当該被測定物Rの第一接続端子53のみがON状態となり、電源手段51と電気的に接続されることになる。また、一方で、測定対象ではない被測定物とは電源手段51が電気的に接続されないように、測定対象でない被測定物と電気的に接続可能となる第一接続端子53はOFF状態となる。上記のような第一接続端子53のON/OFF動作を行うことにより、所望する被測定物Rにのみ電源手段51の電力が供給されるように調整される。図2の実施形態では、電源手段51の上流側端子が被測定物Rの一端部R1と電気的に接続可能な第一接続端子53aと、電源手段51の上流側端子が被測定物Rの他端部R2と電気的に接続可能な第一接続端子53bとが示されている。この実施形態では、被測定物Rの両端部いずれも電源手段51の上流側端子と接続することができように設定されている。なお、複数の被測定物Rが存在している場合には、所望する被測定物Rの所定の部位に電源手段51の上流側端子が接続することができるように配置される。第二接続端子54は、被測定物Rの他端部R2と、検出手段52の上流側端子を接続する。この第二接続端子54は、後述する接触子P一本に対して一つ配置される。このため、測定対象となる被測定物Rにのみ、検出手段52が電気的に接続されるように第二接続端子54が動作することになる。より具体的には、測定対象となる被測定物Rに検出手段52が接続されるため、当該被測定物Rの第二接続端子53のみがON状態となり、検出手段52と電気的に接続されることになる。また、一方で、測定対象ではない被測定物とは検出手段52が電気的に接続されないように、測定対象でない被測定物と電気的に接続可能となる第二接続端子54はOFF状態となる。上記のような第二接続端子54のON/OFF動作を行うことにより、所望する被測定物Rにのみ検出手段52の電力が供給されるように調整される。図2の実施形態では、検出手段52の上流側端子が被測定物Rの一端部R1と電気的に接続可能な第二接続端子54aと、検出手段52の上流側端子が被測定物Rの他端部R2と電気的に接続可能な第二接続端子54bとが示されている。この実施形態では、被測定物Rの両端部いずれも検出手段52の上流側端子と接続することができように設定されている。なお、複数の被測定物Rが存在している場合には、所望する被測定物Rの所定の部位に検出手段52の上流側端子が接続する電源手段51、被測定物R、検出手段52が直列接続されることができるように配置される。図3は、図2の実施形態で示される測定装置5の一部拡大図である。第二接続端子54bの周囲を拡大して示したものである。この第二接続端子54が接続される両端は、一方端が電源手段51の上流側端子からの電力の影響を受け高電位になるに対して、他方端が電源手段51の下流側端子及び/又は基準電圧V0を受けて低電位又は基準電位になることになる図2及び図3参照。このため、上記説明した如く、高電位の一方端と低電位の他方端を接続するに好適な本発明の半導体リレー10を利用することができる。この第二接続端子54に半導体リレー10を用いることにより、理想的なスイッチ素子として利用することができるので、高オン耐圧、低オン抵抗且つ低オフ容量の理想的なスイッチ素子として機能することができる。このため、測定装置の測定時間を短縮することができる。接触子Pは、被測定物Rに設定される所定の測定点図2で示される一方端R1や他方端R2に対して、電気的に接続されることになる。この接触子Pは、例えば、導電性を有する針形状のものや、導電性のコイルばねを利用するものを例示することができる。なお、図2実施形態では、被測定物Rの一端部R1に接触子P1が導通接触されており、被測定物Rの他端部R2に接触子P2が導通接触されている。以上が本発明に係る半導体リレーを用いた測定装置の説明である。