試料表面上の分析位置に所定方向から電子線を照射する電子線源と、前記試料表面上の分析位置で反射した反射電子による信号を検出する反射電子検出器と、前記試料表面上の分析位置を含む領域に前記所定方向から可視光を照射する落射光用光源部と、前記試料表面上の分析位置を含む領域で前記所定方向と逆方向に反射した可視光が検出面に入射して、前記試料表面上の分析位置を含む領域の光学像を取得する画像取得部と、前記試料表面上の一次元又は二次元範囲内で分析位置を走査させることにより、前記反射電子検出器で信号を収集し、前記信号の強度に基づいて前記試料表面上の一次元又は二次元範囲の反射電子像を取得する制御部とを備える電子線分析装置であって、前記落射光用光源部は、赤色領域の光を出射しないことを特徴とする電子線分析装置。試料表面上の分析位置に所定方向から電子線を照射する電子線源と、前記試料表面上の分析位置で反射した反射電子による信号を検出する反射電子検出器と、前記試料の分析位置を含む領域に前記所定方向と逆方向から偏光光を照射する透過光用光源部と、前記試料の分析位置を含む領域を前記所定方向と逆方向に透過した偏光光が検出面に入射して、前記試料の分析位置を含む領域の偏光像を取得する画像取得部と、前記試料表面上の一次元又は二次元範囲内で分析位置を走査させることにより、前記反射電子検出器で信号を収集し、前記信号の強度に基づいて前記試料表面上の一次元又は二次元範囲の反射電子像を取得する制御部とを備える電子線分析装置であって、前記透過光用光源部は、赤色領域の光を出射しないことを特徴とする電子線分析装置。前記落射光用光源部又は前記透過光用光源部は、ハロゲンランプと、青色領域の光のみを透過するブルーフィルタとを備えることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電子線分析装置。前記落射光用光源部又は前記透過光用光源部は、青色発光ダイオードであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電子線分析装置。前記試料表面上の分析位置から放出された特性X線による信号を検出するX線検出部を備え、前記制御部は、前記試料表面上の一次元又は二次元範囲内で分析位置を走査させることにより、前記X線検出部で信号を収集し、前記信号の強度に基づいて前記試料表面上の一次元又は二次元範囲のX線画像を取得することを特徴とする請求項1~請求項4のいずれかに記載の電子線分析装置。前記X線検出部は、前記試料表面上の分析位置から放出される特性X線を分光するX線分光器と、当該X線分光器で波長分散されたX線を検出するX線検出器とを備える波長分散型のX線検出部であることを特徴とする請求項5に記載の電子線分析装置。ところで、反射電子検出器40やX線検出部30で信号を収集する際に光学像を取得しようとすると、反射電子Qによる信号に基づいて取得された反射電子像のコントラストが劣化する等の影響を受け、反射電子像の画質が下がるという問題点があった。本件発明者らは、上記課題を解決するために、反射電子像と光学像とを同時に取得する方法について鋭意検討を行った。そこで、上述したようなEPMA201では、ハロゲンランプ61から出射される可視光Lは、図4に示すような波長分布となっており、反射電子検出器40は、図5に示すようなスペクトル応答特性となっており、その結果、反射電子検出器40が試料S表面上で-Z方向に反射した赤色領域の光を多く検出していることがわかった。よって、ハロゲンランプ61等の落射光用光源部60は、赤色領域の光を出射しないようにすることを見出した。すなわち、本発明の電子線分析装置は、試料表面上の分析位置に所定方向から電子線を照射する電子線源と、前記試料表面上の分析位置で反射した反射電子による信号を検出する反射電子検出器と、前記試料表面上の分析位置を含む領域に前記所定方向から可視光を照射する落射光用光源部と、前記試料表面上の分析位置を含む領域で前記所定方向と逆方向に反射した可視光が検出面に入射して、前記試料表面上の分析位置を含む領域の光学像を取得する画像取得部と、前記試料表面上の一次元又は二次元範囲内で分析位置を走査させることにより、前記反射電子検出器で信号を収集し、前記信号の強度に基づいて前記試料表面上の一次元又は二次元範囲の反射電子像を取得する制御部とを備える電子線分析装置であって、前記落射光用光源部は、赤色領域の光を出射しないようにしている。ここで、所定方向とは、設計者等によって予め決められた任意の一方向であり、例えば、下方等となる。また、赤色領域としては、例えば、波長700nm以上の領域等が挙げられ、本願において出射しないとは、可能な限り出射しないことをいい、赤色領域の光を少しでも減光したものも含むものとする。本発明の電子線分析装置によれば、落射光用光源部は、赤色領域の光を出射しないので、試料表面上の分析位置に所定方向から電子線と可視光とを同時に照射しても、反射電子検出器は、試料表面上で反射した可視光を検出することがなく、試料表面上の分析位置で反射した反射電子のみを検出することになる。以上のように、本発明の電子線分析装置によれば、反射電子像と光学像とを同時に取得することができる。他の課題を解決するための手段及び効果また、本発明の電子線分析装置は、試料表面上の分析位置に所定方向から電子線を照射する電子線源と、前記試料表面上の分析位置で反射した反射電子による信号を検出する反射電子検出器と、前記試料の分析位置を含む領域に前記所定方向と逆方向から偏光光を照射する透過光用光源部と、前記試料の分析位置を含む領域を前記所定方向と逆方向に透過した偏光光が検出面に入射して、前記試料の分析位置を含む領域の偏光像を取得する画像取得部と、前記試料表面上の一次元又は二次元範囲内で分析位置を走査させることにより、前記反射電子検出器で信号を収集し、前記信号の強度に基づいて前記試料表面上の一次元又は二次元範囲の反射電子像を取得する制御部とを備える電子線分析装置であって、前記透過光用光源部は、赤色領域の光を出射しないようにしている。以上のように、本発明の電子線分析装置によれば、反射電子像と偏光像とを同時に取得することができる。また、本発明の電子線分析装置において、前記落射光用光源部又は前記透過光用光源部は、ハロゲンランプと、青色領域の光のみを透過するブルーフィルタとを備えるようにしてもよい。ここで、青色領域としては、例えば、波長700nm以下の領域等が挙げられ、本願においてのみ出射するもしくはのみ透過するとは、可能な限り他の領域の光を出射もしくは透過しないことをいう。また、本発明の電子線分析装置において、前記落射光用光源部又は前記透過光用光源部は、青色発光ダイオードであるようにしてもよい。そして、本発明の電子線分析装置において、前記試料表面上の分析位置から放出された特性X線による信号を検出するX線検出部を備え、前記制御部は、前記試料表面上の一次元又は二次元範囲内で分析位置を走査させることにより、前記X線検出部で信号を収集し、前記信号の強度に基づいて前記試料表面上の一次元又は二次元範囲のX線画像を取得するようにしてもよい。以上のように、本発明の電子線分析装置によれば、X線画像と反射電子像と光学像もしくは偏光像とを同時に取得することができる。さらに、本発明の電子線分析装置において、前記X線検出部は、前記試料表面上の分析位置から放出される特性X線を分光するX線分光器と、当該X線分光器で波長分散されたX線を検出するX線検出器とを備える波長分散型のX線検出部であるようにしてもよい。以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。なお、本発明は、以下に説明するような実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の態様が含まれる。<第一の実施形態>図1は、第一の実施形態に係るEPMAの要部の構成を示す構成図である。なお、上述したEPMA201と同様のものについては、同じ符号を付している。EPMA1は、試料Sが載置される試料ステージ10と、電子線Eを試料S表面上の分析位置に照射する電子線源20と、試料S表面上の分析位置から放出された特性X線Pによる信号を検出するX線検出部30と、試料S表面上の分析位置から放出された反射電子Qによる信号を検出する反射電子検出器40と、試料S表面上の分析位置を含む領域に光L’を照射する落射光用光源部60と、試料S表面上の分析位置を含む領域で反射した光L’を検出する画像取得装置70と、EPMA1全体の制御を行うコンピュータ50とを備える。落射光用光源部60は、図4に示すような可視光Lを出射するハロゲンランプ61と、ハロゲンランプ61の前方Z方向に配置され青色領域の光のみを透過するブルーフィルタ62とを備える。図6は、ブルーフィルタのフィルタ特性の一例である。このような落射光用光源部60によれば、ハロゲンランプ61から出射された可視光Lは、ブルーフィルタ62によって青色領域の光L’が透過され、光L’が試料ステージ10に載せられた試料S表面上の分析位置にZ方向所定方向から照射される図4参照。コンピュータ50においては、CPU制御部51を備え、さらにモニタ表示装置53と操作部入力装置54とが連結されている。また、CPU51が処理する機能をブロック化して説明すると、試料ステージ10を制御する試料ステージ制御部51aと、CCDカメラ71から光学像を取得してモニタ53に表示する画像取得制御部51bと、X線検出部30や反射電子検出器40から試料S表面上の分析位置のX線画像元素又は組成に関する情報や反射電子像組成や凹凸形状に関する情報を取得する分析制御部51cとを有する。次に、EPMA1を用いて試料Sを分析する分析方法について説明する。まず、分析者は、試料ステージ10の上面に試料Sを載置する。次に、分析者は、落射光用光源部60の電源を入れることにより、落射光用光源部60からZ方向に出射された光L’が、ハーフミラー92によって進行方向をX方向に変える。そして、X方向に進行する光L’が、有孔平面ミラー91によって進行方向を変え、試料S表面上の分析位置を含む領域にZ方向から照射される。そして、試料S表面上の分析位置を含む領域で-Z方向に反射した光L’が有孔平面ミラー91によって進行方向を-X方向に変える。-X方向に進行する光L’がハーフミラー92を透過し、CCDカメラ71の検出面にリレーレンズ72を介して導かれる。その結果、画像取得制御部51bは、CCDカメラ71で検出された光L’に基づいて、試料Sの分析位置を含む領域の光学像をモニタ53に表示する。これにより、分析者は、光学像を観察しながら、操作部54を用いて試料ステージ10をX方向やY方向やZ方向に移動させることにより、最適な焦点が得られるように配置するとともに、試料S表面上の分析範囲の位置分析位置情報を設定する。次に、分析制御部51cは、電子線源20の電源を入れることにより、電子線源部20から出射された電子線Eを試料S表面上の分析位置を含む領域に所定方向Z方向から照射する。このとき、分析制御部51cは、試料ステージ制御部51aによって試料ステージ10をX方向やY方向やZ方向に移動させながら、試料S表面上の分析範囲内で分析位置を走査させることにより、反射電子検出器40やX線検出部30で信号を収集する。また、画像取得制御部51bは、CCDカメラ71で光L’を検出させる。その結果、分析制御部51cが、信号の強度に基づいて試料S表面上の分析範囲のX線画像や反射電子像を取得すると同時に、画像取得制御部51bは、光L’に基づいて試料S表面上の分析範囲の光学像を取得する。以上のように、本発明のEPMA1によれば、落射光用光源部60は、青色領域の光L’を出射しているので、試料S表面上の分析位置に所定方向Z方向から電子線Eと光L’とを同時に照射しても、反射電子検出器40は、試料S表面上で反射した光L’を検出することがなく、試料S表面上の分析位置で反射した反射電子Qのみを検出するので、X線画像と反射電子像と光学像とを同時に取得することができる。<第二の実施形態>図2は、第二の実施形態に係るEPMAの要部の構成を示す構成図である。なお、上述したEPMA1と同様のものについては、同じ符号を付している。EPMA101は、試料Sが載置される試料ステージ110と、電子線Eを試料S表面上の分析位置に照射する電子線源20と、試料S表面上の分析位置から放出された特性X線Pによる信号を検出するX線検出器30と、試料S表面上の分析位置から放出された反射電子Qによる信号を検出する反射電子検出器40と、試料S表面上の分析位置を含む領域に光L’を照射する落射光用光源部84と、試料Sの分析位置を含む領域に偏光光L’’を照射する透過光用光源部80と、試料S表面上の分析位置を含む領域で反射したかもしくは試料Sの分析位置を含む領域を透過した光L’、L’’を検出する画像取得装置170と、EPMA101全体の制御を行うコンピュータ150とを備える。試料ステージ110は、移動体である試料台と、パルスモータを含むX方向駆動機構図示せずと、パルスモータを含むY方向駆動機構図示せずと、パルスモータを含むZ方向駆動機構図示せずとを備える。試料台の中央部には、開口が形成されており、偏光光L’’が開口を通過するようになっている。落射光用光源部84は、青色領域の光L’のみを出射する青色発光ダイオードを備える。このような落射光用光源部84によれば、青色発光ダイオードから出射された青色領域の光L’が、試料ステージ110に載置された試料S表面上の分析位置にZ方向所定方向から照射される。透過光用光源部80は、青色領域の光L’のみを出射する青色発光ダイオード81と、青色発光ダイオード81の前方X方向に配置され所定の偏光光のみを通過させる偏光子82と、偏光子82の前方X方向に配置された反射鏡83とを備える。このような透過光用光源部80によれば、青色発光ダイオード81から出射された光L’は、偏光子82によって偏光光L’’のみとされ、偏光光L’’が反射鏡83で反射され試料ステージ110に載置された試料Sの分析位置に所定方向と逆方向-Z方向から照射される。画像取得装置170は、光L’や偏光光L’’を検出する検出面を有するCCDカメラ71と、CCDカメラ71の検出面の前方に配置されたリレーレンズ72と、所定の偏光光のみを透過させる検光子73と、検光子移動機構図示せずとを備える。検光子73は、コンピュータ150の画像取得制御部151bによって検光子移動機構へ必要な駆動信号が出力されることにより、第一位置か、第一位置より下方に位置する第二位置かのいずれの位置に配置されるようになっている。具体的には、検光子73は、透過光用光源部80から偏光光L’’が出射された際落射光用光源部84から光L’が出射されない際には、CCDカメラ71の検出面に向かう光が通過する第一位置光学系への導入位置に配置され、一方、落射光用光源部84から光L’が出射された際透過光用光源部80から偏光光L’’が出射されない際には、CCDカメラ71の検出面に向かう光が通過しない第二位置退避位置73’に配置されるようになっている。なお、検光子移動機構は、上記のように分析者の操作によって検光子73を移動させる機構の他、落射光用光源部84や透過光用光源部80への電源投入を検知して自動的に検光子73を移動させる機構であってもよい。コンピュータ150においては、CPU制御部151を備え、さらにモニタ表示装置53と操作部入力装置54とが連結されている。また、CPU151が処理する機能をブロック化して説明すると、試料ステージ110を制御する試料ステージ制御部51aと、CCDカメラ71から光学像や偏光像を取得してモニタ53に表示する画像取得制御部151bと、X線検出部30や反射電子検出器40から試料S表面上の分析位置のX線画像元素又は組成に関する情報や反射電子像組成や凹凸形状に関する情報を取得する分析制御部51cとを有する。次に、EPMA101を用いて試料Sを分析する分析方法について説明する。まず、分析者は、試料ステージ110の上面に試料Sを載置する。次に、分析者は、落射光用光源部84の電源を入れることにより、落射光用光源部84からZ方向に出射された光L’が、ハーフミラー92によって進行方向をX方向に変える。そして、X方向に進行する光L’が、有孔平面ミラー91によって進行方向を変え、試料S表面上の分析位置を含む領域にZ方向から照射される。そして、試料S表面上の分析位置を含む領域で-Z方向に反射した光L’が有孔平面ミラー91によって進行方向を-X方向に変える。-X方向に進行する光L’がハーフミラー92を透過し、CCDカメラ71の検出面にリレーレンズ72を介して導かれる。その結果、画像取得制御部151bは、CCDカメラ71で検出された光L’に基づいて、試料Sの分析位置を含む領域の光学像をモニタ53に表示する。これにより、分析者は、光学像を観察しながら、操作部54を用いて試料ステージ110をX方向やY方向やZ方向に移動させることにより、最適な焦点が得られるように配置するとともに、試料S表面上の分析範囲の位置分析位置情報を設定する。その後、分析者は、落射光用光源部84の電源を切るとともに、透過光用光源部80の電源を入れることにより、透過光用光源部80から出射された偏光光L’’が試料の分析位置を含む領域に所定方向と逆方向-Z方向から照射される。次に、分析制御部51cは、電子線源20の電源を入れることにより、電子線源20から出射された電子線Eを試料S表面上の分析位置を含む領域に所定方向Z方向から照射する。このとき、分析制御部51cは、試料ステージ制御部51aによって試料ステージ110をX方向やY方向やZ方向に移動させながら、試料S表面上の分析範囲内で分析位置を走査させることにより、反射電子検出器40やX線検出部30で信号を収集する。また、画像取得制御部151bは、CCDカメラ71で偏光光L’’を検出させる。その結果、分析制御部51cが、信号の強度に基づいて試料S表面上の分析範囲のX線画像や反射電子像を取得すると同時に、画像取得制御部151bは、偏光光L’’に基づいて試料S表面上の分析範囲の偏光像を取得する。以上のように、本発明のEPMA101によれば、透過光用光源部80は、青色領域の偏光光L’’を出射するので、試料Sの分析位置に電子線Eと偏光光L’’とを同時に照射しても、反射電子検出器40は、試料Sを透過した偏光光L’’を検出することがなく、試料S表面上の分析位置で反射した反射電子Qのみを検出するので、X線画像と反射電子像と偏光像とを同時に取得することができる。