白金を含む金属膜を、マスク層を介してドライエッチングする金属膜のドライエッチング方法であって、水素ガスと二酸化炭素ガスとメタンガスと希ガスとを含む混合ガスからなるエッチングガスのプラズマを発生させて、前記金属膜をドライエッチングすることを特徴とする金属膜のドライエッチング方法。請求項1記載の金属膜のドライエッチング方法であって、前記金属膜が、白金及びマンガンを含むことを特徴とする金属膜のドライエッチング方法。請求項1又は2記載の金属膜のドライエッチング方法であって、前記希ガスがアルゴンガスであることを特徴とする金属膜のドライエッチング方法。請求項1~3いずれか1項記載の金属膜のドライエッチング方法であって、前記マスク層が、タンタルからなることを特徴とする金属膜のドライエッチング方法。請求項1~4いずれか1項記載の金属膜のドライエッチング方法であって、圧力が6.65Pa~133Paの雰囲気下で、前記金属膜をドライエッチングすることを特徴とする金属膜のドライエッチング方法。しかしながら、ハロゲンガスは強酸を発生させるため、エッチング装置の構成部品の腐食が促進されるという問題がある。また、側壁形状を垂直に近付けることが困難で、得られるホールやトレンチの形状はテーパ状となるという問題もある。本発明は、上記従来の事情に対処してなされたもので、ハロゲンガスを用いることなく、かつ、ホールやトレンチの側壁形状をより垂直に近付けることのできる金属膜のドライエッチング方法を提供しようとするものである。本発明の金属膜のドライエッチング方法の一態様は、白金を含む金属膜を、マスク層を介してドライエッチングする金属膜のドライエッチング方法であって、水素ガスと二酸化炭素ガスとメタンガスと希ガスとを含む混合ガスからなるエッチングガスのプラズマを発生させて、前記金属膜をドライエッチングすることを特徴とする。本発明によれば、ハロゲンガスを用いることなく、かつ、ホールやトレンチの側壁形状をより垂直に近付けることのできる金属膜のドライエッチング方法を提供することができる。以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。まず、本発明の金属膜のドライエッチング方法の実施形態に用いるプラズマエッチング装置の構成例について説明する。図1は、金属膜のドライエッチングに使用することのできるプラズマエッチング装置の断面概略構成を模式的に示す図である。プラズマエッチング装置1は、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウム等からなり円筒形状に成形された処理チャンバー処理容器2を有しており、この処理チャンバー2は接地されている。処理チャンバー2内の底部にはセラミックスなどの絶縁板3を介して、被処理物、例えば半導体ウエハWを載置するための略円柱状のサセプタ支持台4が設けられている。さらに、このサセプタ支持台4の上には、下部電極を兼ねたサセプタ載置台5が設けられている。このサセプタ5には、ハイパスフィルターHPF6が接続されている。サセプタ支持台4の内部には、温調媒体室7が設けられており、この温調媒体室7には、温調媒体が導入管8を介して導入されて循環し排出管9から排出される。そして、その温調媒体の熱がサセプタ5を介して半導体ウエハWに対して伝熱され、これにより半導体ウエハWが所望の温度に制御される。サセプタ5は、その上側中央部が凸状の円板状に成形され、その上に半導体ウエハWと略同形の静電チャック11が設けられている。静電チャック11は、絶縁材の間に電極12を配置して構成されている。そして、電極12に接続された直流電源13から例えば1.5kVの直流電圧が印加されることにより、例えばクーロン力によって半導体ウエハWを静電吸着する。絶縁板3、サセプタ支持台4、サセプタ5、静電チャック11には、半導体ウエハWの裏面に、伝熱媒体例えばHeガス等を供給するためのガス通路14が形成されており、この伝熱媒体を介してサセプタ5の熱が半導体ウエハWに伝達され半導体ウエハWが所定の温度に維持されるようになっている。サセプタ5の上端周縁部には、静電チャック11上に載置された半導体ウエハWを囲むように、環状のフォーカスリング15が配置されている。このフォーカスリング15は、例えば、シリコンなどの導電性材料から構成されている。サセプタ5の上方には、このサセプタ5と平行に対向して上部電極21が設けられている。この上部電極21は、絶縁材22を介して、処理チャンバー2の上部に支持されている。上部電極21は、電極板24と、この電極板24を支持する導電性材料からなる電極支持体25とによって構成されている。電極板24は、導電体または半導体で構成され、多数の吐出孔23を有する。この電極板24は、サセプタ5との対向面を形成する。上部電極21における電極支持体25の中央にはガス導入口26が設けられ、このガス導入口26には、ガス供給管27が接続されている。さらにこのガス供給管27には、バルブ28、並びにマスフローコントローラ29を介して、処理ガス供給源30が接続されている。処理ガス供給源30から、プラズマ処理のための処理ガスが供給される。処理チャンバー2の底部には排気管31が接続されており、この排気管31には排気装置35が接続されている。排気装置35はターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており、処理チャンバー2内を所定の減圧雰囲気、例えば1Pa以下の所定の圧力まで真空引き可能なように構成されている。また、処理チャンバー2の側壁にはゲートバルブ32が設けられており、このゲートバルブ32を開いた状態で、半導体ウエハWを隣接するロードロック室図示せずとの間で搬送する。上部電極21には、第1の高周波電源40が接続されており、その給電線には整合器41が介挿されている。また、上部電極21にはローパスフィルターLPF42が接続されている。この第1の高周波電源40は、13.56~100MHzの範囲の周波数を有している。このように高い周波数を印加することにより処理チャンバー2内に好ましい解離状態でかつ高密度のプラズマを形成することができる。下部電極としてのサセプタ5には、第2の高周波電源50が接続されており、その給電線には整合器51が介挿されている。この第2の高周波電源50は、第1の高周波電源40より低い周波数の範囲を有しており、このような範囲の周波数を印加することにより、被処理基板である半導体ウエハWに対してダメージを与えることなく適切なイオン作用を与えることができる。第2の高周波電源50の周波数は、例えば1~10MHzの範囲が好ましい。上記構成のプラズマエッチング装置1は、制御部60によって、その動作が統括的に制御される。この制御部60には、CPUを備えプラズマエッチング装置1の各部を制御するプロセスコントローラ61と、ユーザインターフェース部62と、記憶部63とが設けられている。ユーザインターフェース部62は、工程管理者がプラズマエッチング装置1を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、プラズマエッチング装置1の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。記憶部63には、プラズマエッチング装置1で実行される各種処理をプロセスコントローラ61の制御にて実現するための制御プログラムソフトウエアや処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、ユーザインターフェース部62からの指示等にて任意のレシピを記憶部63から呼び出してプロセスコントローラ61に実行させることで、プロセスコントローラ61の制御下で、プラズマエッチング装置1での所望の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能な記憶媒体例えば、ハードディスク、CD、フレキシブルディスク、半導体メモリ等などに格納された状態のものを利用したり、或いは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。上記構成のプラズマエッチング装置1によって、半導体ウエハWのプラズマ処理を行う場合、まず、半導体ウエハWは、ゲートバルブ32が開放された後、図示しないロードロック室から処理チャンバー2内へと搬入され、静電チャック11上に載置される。そして、直流電源13から直流電圧が印加されることによって、半導体ウエハWが静電チャック11上に静電吸着される。次いで、ゲートバルブ32が閉じられ、排気装置35によって、処理チャンバー2内が所定の真空度まで真空引きされる。その後、バルブ28が開放されて、処理ガス供給源30から所定の処理ガス例えば、水素ガスと二酸化炭素ガスとメタンガスと希ガスの混合ガスが、マスフローコントローラ29によってその流量が調整されつつ、処理ガス供給管27、ガス導入口26を通って上部電極21の中空部へと導入され、さらに電極板24の吐出孔23を通って、図1の矢印に示すように、半導体ウエハWに対して均一に吐出される。そして、処理チャンバー2内の圧力が、所定の圧力に維持される。その後、第1の高周波電源40から所定の周波数、所定の電力の高周波電力が上部電極21に印加される。これにより、上部電極21と下部電極としてのサセプタ5との間に高周波電界が生じ、エッチングガスが解離してプラズマ化する。また、必要に応じて、第2の高周波電源50から所定の周波数、所定の電力の高周波電力が下部電極としてのサセプタ5に印加される。これにより、被処理基板である半導体ウエハWに対して適切なイオン作用を与えることができる。そして、所定のプラズマ処理が終了すると、高周波電力の供給及び処理ガスの供給が停止され、上記した手順とは逆の手順で、半導体ウエハWが処理チャンバー2内から搬出される。図2は、本発明の一実施形態に係る金属膜のドライエッチング方法を説明するための半導体ウエハWの要部断面概略構成を示す図である。本実施形態では、図2aに示すように、半導体ウエハWは、シリコンからなる基部101の上に形成された白金マンガン層102と、この白金マンガン層102の上に積層された所定の開口パターン104を有するマスク層としてのタンタルTa層103とを具備している。上記構成の半導体ウエハWを、プラズマエッチング装置1の処理チャンバー2内に収容し、サセプタ5の上に載置してプラズマエッチングを行う。本実施形態では、図2bに示すように、タンタルTa層103をマスクとして、白金マンガン層白金及びマンガンを含む金属膜102をエッチングする。このプラズマエッチングには、水素ガスと二酸化炭素ガスとメタンガスと希ガスとを含む混合ガスからなるエッチングガスを用いる。このように、本実施形態で使用するエッチングガスは、ハロゲンガスを含んでいないので、プラズマエッチング装置1の構成部品の腐食を抑制することができる。また、一酸化炭素等の毒性の高いガスも使用していないので、より安全性を高めることができる。上記のプラズマエッチングは、所定の減圧雰囲気、例えば、6.65Pa50mTorr~133Pa1Torrの雰囲気下で行うことが好ましい。すなわち、カルボニル基の発生、カルボキシル基及び有機錯体の発生を優先させる観点からは、処理チャンバー2内の圧力を6.65Pa50mTorr以上として白金マンガン層のエッチングを行うことが好ましい。通常、処理チャンバー2内の圧力がある程度高くなると陽イオンによるスパッタリングが抑制されるので、処理チャンバー2内の圧力を6.65Pa50mTorr以上に設定すると、水素ガスやアルゴンガスから生じるプラズマの陽イオンによるスパッタリングを抑制することができ、これによって化学反応、具体的には、カルボニル基の発生、カルボキシル基及び有機錯体の発生を優先させることができる。また、タンタル層のパターン形状の崩れの抑制の観点からも、処理チャンバー2内の圧力を高めて陽イオンによるスパッタを抑制し、タンタル層のエッチングをより抑制することが好ましい。一方、有機錯体の気化を促進する観点からは、処理チャンバー2内の圧力をある程度低くすることが好ましく、133Pa1Torr以下とすることが好ましい。実施例として、以下の条件で、タンタルTa層103をマスクとして、白金及びマンガンを含む金属膜である白金マンガン層102をプラズマエッチングした。エッチングガス:H2/CH4/Ar/CO2=300/100/100/40sccm圧力:13.3Pa100mTorr上部電極の高周波電力:200W下部電極の高周波電力:500Wバックヘリウム圧力中央部/周縁部:1995/53200Pa15/40Torr温度:90/60/60°C時間:720秒この結果、図3aに示すように、側壁形状が略垂直で、側壁と鉛直線とのなす角度鉛直線を挟む狭角が90°に近い85°程度の形状にエッチングすることができた。これに対して、H2/Ar/COの混合ガスからなるエッチングガスを用いた比較例では、図3bに示すように、実施例の場合に比べてより側壁形状がテーパ状で、側壁と鉛直線とのなす角度鉛直線を挟む狭角が80°程度となった。白金マンガン層のエッチングのメカニズムは、主として以下のような化学反応によると推測される。すなわち、白金マンガン層の表面には、二酸化炭素等から生じた炭素デポ層が堆積するが、アルゴンプラズマが衝突すること等によって励起された水素プラズマによって炭素デポ層がアッシングされる。さらに、アルゴンプラズマの陽イオンが炭素デポ層へ入射して当該炭素デポ層へエネルギーを付与し、エネルギーを与えられた炭素デポ層は、二酸化炭素から生じた酸素と結合してカルボニル基を発生させる。このカルボニル基に水素が結合してカルボキシル基-COOHが発生する。このカルボキシル基は、配位子として、白金マンガン層中の白金と配位結合して有機錯体、例えば、PtCOOHnを生じさせる。このように、有機錯体の生成には、白金マンガン層中の白金が用いられるため、白金マンガン層の一部も有機錯体に変質する。一般に金属の有機錯体の飽和蒸気圧は低いため、有機錯体も容易に気化し、その結果白金マンガン層の一部がエッチングされる。図4は、本発明の金属膜のドライエッチング方法を適用することのできる他の半導体ウエハWの構造を模式的に示すものである。この半導体ウエハWでは、シリコン基板に形成された酸化層201の上に、下側から順に、タンタルTa層202、白金マンガンPtMn層203、コバルト鉄CoFe層204、ルテニウムRu層205、コバルト鉄ホウ素CoFeB層206、酸化マグネシウムMgO層207、コバルト鉄ホウ素CoFeB層208、タンタルTa層209、ルテニウムRu層210、タンタルTa層211、窒化シリコンSiN層212が形成され、その上に所定形状にパターニングされた酸化シリコンSiO層213が形成されている。このような積層構造を有する半導体ウエハWにおける白金マンガンPtMn層203のドライエッチングに本発明の金属膜のドライエッチング方法を、好適に適用することができる。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。例えば、上記の実施形態及び実施例では、白金マンガン層をドライエッチングする場合について説明したが、白金のみからなる白金層や、白金及び他の金属を含む層をドライエッチングする場合についても適用することができる。また、上記の実施形態及び実施例で使用したガス系は、CoFeB磁性体のドライエッチングに使用することができる。