入射する光の照度に応じてデータ信号を生成する光検出回路と、点灯状態になることにより前記光検出回路に光を射出するライトユニットと、を具備する光検出装置であって、前記ライトユニットの状態を前記点灯状態にして前記光検出回路により第1のデータ信号を生成することと、前記ライトユニットの状態を消灯状態にして前記光検出回路により第2のデータ信号を生成することと、を含み、前記第1のデータ信号及び前記第2のデータ信号を比較することにより、比較した2つのデータ信号の差分データである差分データ信号を生成することを特徴とする光検出装置の駆動方法。入射する光の照度に応じてデータ信号を生成する光検出回路と、光源を備え、前記光検出回路に重畳するライトユニットと、を具備する光検出装置であって、前記ライトユニットの状態を第1の点灯状態にして前記光検出回路により第1のデータ信号を生成することと、前記ライトユニットの状態を前記第1の消灯状態にして前記光検出回路により第2のデータ信号を生成することと、前記ライトユニットの状態を第2の点灯状態にして前記光検出回路により第3のデータ信号を生成することと、前記ライトユニットの状態を前記第2の消灯状態にして前記光検出回路により第4のデータ信号を生成することと、前記ライトユニットの状態を第3の点灯状態にして前記光検出回路により第5のデータ信号を生成することと、前記ライトユニットの状態を第3の消灯状態にして前記光検出回路により第6のデータ信号を生成することと、を含み、前記第1のデータ信号及び前記第2のデータ信号を比較することにより、比較した2つのデータ信号の差分データである第1の差分データ信号を生成することと、前記第3のデータ信号及び前記第4のデータ信号を比較することにより、比較した2つのデータ信号の差分データである第2の差分データ信号を生成することと、前記第5のデータ信号及び前記第6のデータ信号を比較することにより、比較した2つのデータ信号の差分データである第3の差分データ信号を生成することと、をさらに含むことを特徴とする光検出装置の駆動方法。入射する光の照度に応じてデータ信号を生成する光検出回路と、光源を備え、前記光検出回路に重畳するライトユニットと、を具備する光検出装置であって、前記ライトユニットの状態を第1の点灯状態にして前記光検出回路により第1のデータ信号を生成することと、前記ライトユニットの状態を第2の点灯状態にして前記光検出回路により第2のデータ信号を生成することと、前記ライトユニットの状態を第3の点灯状態にして前記光検出回路により第3のデータ信号を生成することと、前記ライトユニットの状態を消灯状態にして前記光検出回路により第4のデータ信号を生成することと、を含み、前記第1のデータ信号及び前記第4のデータ信号を比較することにより、比較した2つのデータ信号の差分データである第1の差分データ信号を生成することと、前記第2のデータ信号及び前記第4のデータ信号を比較することにより、比較した2つのデータ信号の差分データである第2の差分データ信号を生成することと、前記第3のデータ信号及び前記第4のデータ信号を比較することにより、比較した2つのデータ信号の差分データである第3の差分データ信号を生成することと、をさらに含むことを特徴とする光検出装置の駆動方法。リセット信号を出力するリセット信号出力回路と、読み出し選択信号を出力する読み出し選択信号出力回路と、前記リセット信号及び前記読み出し選択信号が入力され、前記リセット信号に従ってリセット状態になり、その後入射する光の照度に応じてデータ信号を生成し、前記読み出し選択信号に従って前記データ信号を出力する光検出回路と、前記光検出回路に重畳し、光源及び前記光源の発光を制御する制御回路を備えるライトユニットと、前記光検出回路から前記データ信号を読み出す読み出し回路と、前記読み出し回路により読み出された2つのデータ信号を比較し、比較した前記データ信号の差分データである差分データ信号を生成するデータ処理回路と、を具備する光検出装置。請求項4において、前記ライトユニットは、前記光源から光が入射する導光板を備える光検出装置。表示選択信号を出力する表示選択信号出力回路と、表示データ信号を出力する表示データ信号出力回路と、前記表示選択信号が入力され、前記表示選択信号に従って前記表示データ信号が入力されることにより、表示データ信号に応じた表示状態になる表示回路と、リセット信号を出力するリセット信号出力回路と、読み出し選択信号を出力する読み出し選択信号出力回路と、前記リセット信号及び前記読み出し選択信号が入力され、前記リセット信号に従ってリセット状態になり、その後入射する光の照度に応じてデータ信号を生成し、前記読み出し選択信号に従って前記データ信号を出力する光検出回路と、前記表示回路及び前記光検出回路に重畳し、光源及び前記光源の発光を制御する制御回路を備えるライトユニットと、前記光検出回路から前記データ信号を読み出す読み出し回路と、前記読み出し回路により読み出された2つのデータ信号を比較し、比較した前記データ信号の差分データである差分データ信号を生成するデータ処理回路と、を具備する光検出装置。請求項4乃至請求項6のいずれか一項において、前記光源は、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、及び青色発光ダイオードを備える光検出装置。請求項4乃至請求項6のいずれか一項において、前記光源は、赤外線領域で発光するダイオードを備える光検出装置。従来の光検出装置の光検出回路には、外光光検出回路の置かれる環境下の光を含むも入射する。このため、外光の照度が、生成されるデータ信号のノイズとなり、被読み取り物の反射光の検出精度が低くなってしまう。例えば、指の反射光が光検出回路に入射することにより光検出装置に情報が入力される場合、指以外の手の部分の反射光と指の反射光が外光により同等の情報として識別されてしまうことがある。本発明の一態様では、外光の影響を抑制することを課題の一つとする。本発明の一態様は、光検出装置が備えるライトユニットの状態を点灯状態及び消灯状態に切り替え、点灯状態及び消灯状態のそれぞれの期間において、光検出回路により入射する光の照度に応じたデータ信号を生成し、生成した2つのデータ信号を比較し、比較したデータ信号の差分データである差分データ信号を生成することにより、外光の情報をデータ信号から除去し、外光の影響の抑制を図るものである。本発明の一態様は、入射する光の照度に応じてデータ信号を生成する光検出回路と、光源を備え、光検出回路に光を射出するライトユニットと、を具備する光検出装置であって、ライトユニットの状態を点灯状態にして光検出回路により第1のデータ信号を生成することと、ライトユニットの状態を消灯状態にして光検出回路により第2のデータ信号を生成することと、を含み、第1のデータ信号及び第2のデータ信号を比較することにより、比較した2つのデータ信号の差分データである差分データ信号を生成することをさらに含むことを特徴とする光検出装置の駆動方法である。本発明の一態様は、入射する光の照度に応じてデータ信号を生成する光検出回路と、光源を備え、光検出回路に重畳するライトユニットと、を具備する光検出装置であって、ライトユニットの状態を第1の点灯状態及び消灯状態の一方にして光検出回路により第1のデータ信号を生成することと、ライトユニットの状態を第1の点灯状態及び消灯状態の他方にして光検出回路により第2のデータ信号を生成することと、ライトユニットの状態を第2の点灯状態及び消灯状態の一方にして光検出回路により第3のデータ信号を生成することと、ライトユニットの状態を第2の点灯状態及び消灯状態の他方にして光検出回路により第4のデータ信号を生成することと、ライトユニットの状態を第3の点灯状態及び消灯状態の一方にして光検出回路により第5のデータ信号を生成することと、ライトユニットの状態を第3の点灯状態及び消灯状態の他方にして光検出回路により第6のデータ信号を生成することと、を含み、第1のデータ信号及び第2のデータ信号を比較することにより、比較した2つのデータ信号の差分データである第1の差分データ信号を生成することと、第3のデータ信号及び第4のデータ信号を比較することにより、比較した2つのデータ信号の差分データである第2の差分データ信号を生成することと、第5のデータ信号及び第6のデータ信号を比較することにより、比較した2つのデータ信号の差分データである第3の差分データ信号を生成することと、をさらに含むことを特徴とする光検出装置の駆動方法である。また、本発明の一態様は、入射する光の照度に応じてデータ信号を生成する光検出回路と、光源を備え、光検出回路に重畳するライトユニットと、を具備する光検出装置であって、ライトユニットの状態を第1の点灯状態にして光検出回路により第1のデータ信号を生成することと、ライトユニットの状態を第2の点灯状態にして光検出回路により第2のデータ信号を生成することと、ライトユニットの状態を第3の点灯状態にして光検出回路により第3のデータ信号を生成することと、ライトユニットの状態を消灯状態にして光検出回路により第4のデータ信号を生成することと、を含み、第1のデータ信号及び第4のデータ信号を比較することにより、比較した2つのデータ信号の差分データである第1の差分データ信号を生成することと、第2のデータ信号及び第4のデータ信号を比較することにより、比較した2つのデータ信号の差分データである第2の差分データ信号を生成することと、第3のデータ信号及び第4のデータ信号を比較することにより、比較した2つのデータ信号の差分データである第3の差分データ信号を生成することと、をさらに含むことを特徴とする光検出装置の駆動方法である。また、本発明の一態様は、リセット信号を出力するリセット信号出力回路と、読み出し選択信号を出力する読み出し選択信号出力回路と、リセット信号及び読み出し選択信号が入力され、リセット信号に従ってリセット状態になり、その後入射する光の照度に応じてデータ信号を生成し、読み出し選択信号に従ってデータ信号を出力する光検出回路と、光検出回路に重畳し、光源及び光源の発光を制御する制御回路を備えるライトユニットと、光検出回路からデータ信号を読み出す読み出し回路と、読み出し回路により読み出された2つのデータ信号を比較し、比較したデータ信号の差分データである差分データ信号を生成するデータ処理回路と、を具備する光検出装置である。また、本発明の一態様は、表示選択信号を出力する表示選択信号出力回路と、表示データ信号を出力する表示データ信号出力回路と、表示選択信号が入力され、表示選択信号に従って表示データ信号が入力されることにより、表示データ信号に応じた表示状態になる表示回路と、リセット信号を出力するリセット信号出力回路と、読み出し選択信号を出力する読み出し選択信号出力回路と、リセット信号及び読み出し選択信号が入力され、リセット信号に従ってリセット状態になり、その後入射する光の照度に応じてデータ信号を生成し、読み出し選択信号に従ってデータ信号を出力する光検出回路と、表示回路及び光検出回路に重畳し、光源及び光源の発光を制御する制御回路を備えるライトユニットと、光検出回路からデータ信号を読み出す読み出し回路と、読み出し回路により読み出された2つのデータ信号を比較し、比較したデータ信号の差分データである差分データ信号を生成するデータ処理回路と、を具備する光検出装置である。本発明の一態様により、外光の影響を抑制することができ、光検出回路による被読み取り物の読み取り精度を向上させることができる。本発明を説明するための実施の形態の例について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は、以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなく、その形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、各実施の形態の内容を互いに適宜組み合わせることができる。また、各実施の形態の内容を互い置き換えることができる。また、本明細書にて用いる第zzは自然数という用語は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではない。実施の形態1本実施の形態では、入射する光の照度の検出が可能な光検出装置について説明する。本実施の形態の光検出装置の例について、図1を用いて説明する。図1は、本実施の形態における光検出装置の例を説明するための図である。まず、本実施の形態の光検出装置の構成例について、図1Aを用いて説明する。図1Aは、本実施の形態における光検出装置の構成例を示すブロック図である。図1Aに示す光検出装置は、リセット信号出力回路RSTOUTともいう101aと、読み出し選択信号出力回路RSELOUTともいう101bと、ライトユニットLIGHTともいう102と、光検出回路PSともいう103pと、読み出し回路READともいう104と、を具備する。リセット信号出力回路101aは、リセット信号信号RSTともいうを出力する機能を有する。リセット信号出力回路101aは、例えばシフトレジスタを備える。上記シフトレジスタによりパルス信号を出力させることにより、リセット信号出力回路101aは、リセット信号を出力することができる。読み出し選択信号出力回路101bは、読み出し選択信号信号RSELともいうを出力する機能を有する。読み出し選択信号出力回路101bは、例えばシフトレジスタを備える。上記シフトレジスタによりパルス信号を出力させることにより、読み出し選択信号出力回路101bは読み出し選択信号を出力することができる。ライトユニット102は、光源を備え、該光源が発光することにより点灯する機能を有する発光ユニットである。なお、ライトユニット102に光制御回路を設け、該光制御回路により、点灯時のライトユニット102の光の輝度又はライトユニット102の点灯タイミングを制御してもよい。光源は、例えば発光ダイオードLEDともいうを用いて構成することができる。発光ダイオードとしては、赤外線領域の波長である光例えば波長が可視光領域以上1000nm以下である光を発する発光ダイオード赤外発光ダイオードともいう又は可視光領域の波長である光例えば波長が360nm以上830nm以下である光を発する発光ダイオード可視光発光ダイオードともいうを用いることができる。可視光発光ダイオードとしては、例えば白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、又は青色発光ダイオードのいずれか一つ又は複数を用いることができる。また、複数色の発光ダイオードにより光源を構成することもできる。また、赤外発光ダイオードを用いることにより、外光の強度の弱い波長領域例えば900nm付近でも光検出を行うことができる。光検出回路103pは、光検出部103に設けられる。光検出部103は、光を検出する領域である。なお、本実施の形態の光検出装置では、光検出部103に複数の光検出回路103pを具備する構成にしてもよい。光検出回路103pは、入射する光の照度に応じた電圧であるデータ信号を生成する機能を有する。なお、一般的に電圧とは、二点間における電位の差電位差ともいうのことをいう。しかし、電圧と電位の値は、回路図などにおいていずれもボルトVで表されることがあるため、区別が困難である。そこで、本明細書では、特に指定する場合を除き、ある一点の電位と基準となる電位基準電位ともいうとの電位差を、該一点の電圧として用いる場合がある。光検出回路103pには、リセット信号及び読み出し選択信号が入力される。光検出回路103pは、入力されたリセット信号に従ってリセット状態になる機能を有する。なお、光検出回路103pがリセット状態のとき、データ信号は基準値となる。また、光検出回路103pは、入力された読み出し選択信号に従って生成したデータ信号を出力する機能を有する。光検出回路103pは、例えば、光電変換素子PCEともいう及び増幅用トランジスタを用いて構成される。光電変換素子は、光が入射することにより、入射した光の照度に応じて電流光電流ともいうが流れる機能を有する。増幅用トランジスタは、2つの端子と、該2つの端子間の導通状態を制御するための制御端子と、を有する。増幅用トランジスタは、入射した光の照度に応じた光電流に従って上記制御端子の電圧が変化することにより、光検出回路103pのデータ信号の値を設定する機能を有する。よって、光検出回路103pから出力されるデータ信号は、光検出回路103pに入射した光の照度に応じた値となる。さらに、読み出し選択用トランジスタを光検出回路103pに設け、読み出し選択信号に従って読み出し選択用トランジスタがオン状態になることにより、光検出回路103pからデータ信号を出力する構成にすることもできる。読み出し回路104は、光検出回路103pを選択し、選択した光検出回路103pからデータ信号を読み出す機能を有する。なお、光検出回路103pが複数である場合、一度に複数の光検出回路103pを選択してデータ信号を読み出すこともできる。読み出し回路104は、例えば選択回路例えばセレクタを用いて構成される。読み出し回路104により読み出されたデータ信号は、例えば図1Aに示すデータ処理回路DataPともいう105により処理される。データ処理回路105は、入力されたデータ信号の演算処理を行う回路である。データ処理回路105は、記憶回路例えばフレームメモリなど及び演算回路を備える。記憶回路は、データ信号のデータを記憶する機能を有し、演算回路は、複数のデータ信号の比較を行う機能を有する。なお、データ処理回路105は、光検出装置に備えられてもよく、また、別途設けられたデータ処理回路と同等の機能を有するデータ処理手段パーソナルコンピュータなどに光検出装置が電気的に接続された構成としてもよい。データ処理回路105を光検出装置に設けることにより、データ処理回路105と読み出し回路104の接続部における配線数などを低減することができる。次に、本実施の形態の光検出装置の駆動方法例として、図1Aに示す光検出装置の駆動方法例について、図1B及び図1Cを用いて説明する。図1Bは、図1Aに示す光検出装置の駆動方法例を説明するためのフローチャートであり、図1Cは、図1Aに示す光検出装置の駆動方法例を説明するためのタイミングチャートである。なお、ここでは、ライトユニット102の光源が白色発光ダイオードであるとして説明する。図1Aに示す光検出装置の駆動方法例では、図1Bに示すように、ステップS11としてデータ信号DS11の生成動作データ信号DS11生成ともいうを行う。このとき、図1Cの期間T11に示すように、ライトユニット102の状態を点灯状態及び消灯状態の一方状態ST11ともいうにする。また、光検出回路103pは、リセット信号に従ってリセット状態になり、その後、データ信号DS11を生成し、読み出し選択信号に従って、データ信号DS11を出力する。さらに、読み出し回路104は、データ信号DS11を読み出す。読み出したデータ信号DS11のデータは、データ処理回路105における記憶回路に記憶される。次に、図1Bに示すように、ステップS12としてデータ信号DS12の生成動作データ信号DS12生成ともいうを行う。このとき、図1Cの期間T12に示すように、ライトユニット102の状態を点灯状態及び消灯状態の他方状態ST12ともいうにする。また、光検出回路103pは、データ信号DS11の生成と同様に、データ信号DS12を生成して出力する。さらに、読み出し回路104は、データ信号DS12を読み出す。読み出したデータ信号DS12のデータは、データ処理回路105における記憶回路に記憶される。次に、図1Bに示すように、ステップS13として、複数のデータ信号の比較動作データ信号比較ともいうを行う。このとき、データ処理回路105は、記憶回路に記憶されたデータ信号DS11のデータ及びデータ信号DS12のデータを演算回路により比較し、データ信号DS11及びデータ信号DS12の差分のデータである差分データ信号DDS11を生成する。差分データ信号DDS11は、所定の処理を実行するためのデータ信号として用いられる。また、ライトユニット102の光源が複数の色の発光ダイオードを備える場合における、光検出装置の駆動方法例について、図2を用いて説明する。図2は、図1Aに示す光検出装置の駆動方法例を説明するための図であり、図2Aは、フローチャートであり、図2Bは、タイミングチャートである。なお、ここでは、一例として光源が3色の発光ダイオードを備える場合について説明する。ライトユニット102の光源が複数の色の発光ダイオードを備える場合における光検出装置の駆動方法例では、図2Aに示すように、ステップS21として、データ信号DS21の生成動作データ信号DS21生成ともいうを行う。このとき、図2Bの期間T21に示すように、ライトユニット102の状態を第1の点灯状態及び消灯状態の一方状態ST21ともいうにする。なお、第1の点灯状態では、第1の色の発光ダイオードが発光する。また、光検出回路103pは、リセット信号に従ってリセット状態になり、その後、データ信号DS21を生成し、読み出し選択信号に従って、データ信号DS21を出力する。さらに、読み出し回路104は、データ信号DS21を読み出す。読み出したデータ信号DS21のデータは、データ処理回路105における記憶回路に記憶される。次に、図2Aに示すように、ステップS22として、データ信号DS22の生成動作データ信号DS22生成ともいうを行う。このとき、図2Bの期間T22に示すように、ライトユニット102の状態を第1の点灯状態及び消灯状態の他方状態ST22ともいうにする。また、光検出回路103pは、データ信号DS21の生成と同様に、データ信号DS22を生成して出力する。さらに、読み出し回路104は、データ信号DS22を読み出す。読み出したデータ信号DS22のデータは、データ処理回路105における記憶回路に記憶される。次に、図2Aに示すように、ステップS23_1として、複数のデータ信号の比較動作を行う。このとき、データ処理回路105は、記憶回路に記憶されたデータ信号DS21のデータ及びデータ信号DS22のデータを演算回路により比較し、データ信号DS21及びデータ信号DS22の差分のデータである差分データ信号DDS21を生成する。また、図2Aに示すように、ステップS23_2として、データ信号DS23の生成動作データ信号DS23生成ともいうを行う。このとき、図2Bの期間T23に示すように、ライトユニット102の状態を第2の点灯状態及び消灯状態の一方状態ST23ともいうにする。なお、第2の点灯状態では、第2の色の発光ダイオードが発光する。さらに、光検出回路103pは、データ信号DS21の生成と同様に、データ信号DS23を生成して出力する。さらに、読み出し回路104は、データ信号DS23を読み出す。読み出したデータ信号DS23のデータは、データ処理回路105における記憶回路に記憶される。次に、図2Aに示すように、ステップS24として、データ信号DS24の生成動作データ信号DS24生成ともいうを行う。このとき、図2Bの期間T24に示すように、ライトユニット102の状態を第2の点灯状態及び消灯状態の他方状態ST24ともいうにする。また、光検出回路103pは、データ信号DS21の生成と同様に、データ信号DS24を生成して出力する。さらに、読み出し回路104は、データ信号DS24を読み出す。読み出したデータ信号DS24のデータは、データ処理回路105における記憶回路に記憶される。次に、図2Aに示すように、ステップS25_1として、複数のデータ信号の比較動作を行う。このとき、データ処理回路105は、記憶回路に記憶されたデータ信号DS23のデータ及びデータ信号DS24のデータを演算回路により比較し、データ信号DS23及びデータ信号DS24の差分のデータである差分データ信号DDS22を生成する。また、図2Aに示すように、ステップS25_2として、データ信号DS25の生成動作データ信号DS25生成ともいうを行う。このとき、図2Bの期間T25に示すように、ライトユニット102の状態を第3の点灯状態及び消灯状態の一方状態ST25ともいうにする。なお、第3の点灯状態では、第3の色の発光ダイオードが発光する。また、光検出回路103pは、データ信号DS21の生成と同様に、データ信号DS25を生成して出力する。さらに、読み出し回路104は、データ信号DS25を読み出す。読み出したデータ信号DS25のデータは、データ処理回路105における記憶回路に記憶される。次に、図2Aに示すように、ステップS26として、データ信号DS26の生成動作データ信号DS26生成ともいうを行う。このとき、図2Bの期間T26に示すように、ライトユニット102の状態を、第3の点灯状態及び消灯状態の他方状態ST26ともいうにする。また、光検出回路103pは、信号DS21の生成と同様に、データ信号DS26を生成して出力する。さらに、読み出し回路104は、データ信号DS26を読み出す。読み出したデータ信号DS26のデータは、データ処理回路105における記憶回路に記憶される。次に、図2Aに示すように、ステップS27として、複数のデータ信号の比較動作を行う。このとき、データ処理回路105は、記憶回路に記憶されたデータ信号DS25のデータ及びデータ信号DS26のデータを演算回路により比較し、データ信号DS25及びデータ信号DS26の差分のデータである差分データ信号DDS23を生成する。なお、差分データ信号DDS21乃至差分データ信号DDS23は、所定の処理を実行するためのデータ信号として用いられる。なお、期間T21乃至期間T26は、必ずしも連続しなくてもよく、それぞれの期間の間にライトユニット102が消灯状態となる期間を設けてもよい。また、発光ダイオードの種類は3個に限定されず、複数であればよい。また、ライトユニット102の光源が複数の色の発光ダイオードを備える場合における、光検出装置の駆動方法の他の例について、図3を用いて説明する。図3は、図1Aに示す光検出装置の駆動方法例を説明するための図であり、図3Aは、フローチャートであり、図3Bは、タイミングチャートである。なお、ここでは、一例として光源が3色の発光ダイオードを備える場合について説明する。図1Aに示す光検出装置の駆動方法の他の例では、図3Aに示すように、ステップS31として、データ信号DS31の生成動作データ信号DS31生成ともいうを行う。このとき、図3Bの期間T31に示すように、ライトユニット102の状態を第1の点灯状態状態ST31ともいうにする。なお、第1の点灯状態では、第1の色の発光ダイオードが発光する。また、光検出回路103pは、リセット信号に従ってリセット状態になり、その後、データ信号DS31を生成し、読み出し選択信号に従って、データ信号DS31を出力する。さらに、読み出し回路104は、データ信号DS31を読み出す。読み出したデータ信号DS31のデータは、データ処理回路105における記憶回路に記憶される。次に、図3Aに示すように、ステップS32として、データ信号DS32の生成動作データ信号DS32生成ともいうを行う。このとき、図3Bの期間T32に示すように、ライトユニット102の状態を第2の点灯状態状態ST32ともいうにする。なお、第2の点灯状態では、第2の色の発光ダイオードが発光する。また、光検出回路103pは、データ信号DS31の生成と同様に、データ信号DS32を生成して出力する。さらに、読み出し回路104は、データ信号DS32を読み出す。読み出したデータ信号DS32のデータは、データ処理回路105における記憶回路に記憶される。次に、図3Aに示すように、ステップS33として、データ信号DS33の生成動作データ信号DS33生成ともいうを行う。このとき、図3Bの期間T33に示すように、ライトユニット102の状態を第3の点灯状態状態ST33ともいうにする。なお、第3の点灯状態では、第3の色の発光ダイオードが発光する。また、光検出回路103pは、データ信号DS31の生成と同様に、データ信号DS33を生成して出力する。さらに、読み出し回路104は、データ信号DS33を読み出す。読み出したデータ信号DS33のデータは、データ処理回路105における記憶回路に記憶される。また、図3Aに示すように、ステップS41として、データ信号DS41の生成動作データ信号DS41生成ともいうを行う。なお、データ信号DS31の生成動作の前又はデータ信号DS33の生成動作の後にデータ信号DS41の生成動作を行う。このとき、ライトユニット102の状態を消灯状態にする。また、光検出回路103pは、データ信号DS31の生成と同様に、データ信号DS41を生成して出力する。さらに、読み出し回路104は、データ信号DS41を読み出す。読み出したデータ信号DS41のデータは、データ処理回路105における記憶回路に記憶される。次に、図3Aに示すように、ステップS51として、複数のデータ信号の比較動作を行う。このとき、データ処理回路105は、記憶回路に記憶されたデータ信号DS31乃至データ信号DS33のデータのそれぞれと、データ信号DS41のデータを演算回路により比較し、データ信号DS31及びデータ信号DS41の差分のデータである差分データ信号DDS31を生成し、データ信号DS32及びデータ信号DS41の差分のデータである差分データ信号DDS32を生成し、データ信号DS33及びデータ信号DS41の差分のデータである差分データ信号DDS33を生成する。生成した3つの差分データ信号は、所定の処理を実行するためのデータ信号として用いられる。なお、期間T31乃至期間T33は、必ずしも連続しなくてもよく、それぞれの期間の間にライトユニット102が消灯状態となる期間を設けてもよい。ここで、差分データ信号を生成することの利点について、図4を用いて説明する。図4は、本実施の形態の光検出装置を説明するための図である。図4Aは、本実施の形態の光検出装置を説明するための模式図である。ここでは、一例として図4Aに示すように、複数の光検出回路が設けられた光検出部103の一部の領域152に指151を接触させた場合について考える。また、ここでは、ライトユニット102の光源は、白色発光ダイオードとする。まず、光検出装置のライトユニット102が点灯状態のときの、光検出部103の線分A-Bにおける光の強度の分布例を図4Bに示す。なお、図4Bにおいて、横軸は、線分A-B上の位置を表し、縦軸は、入射する光の相対強度intensityともいうを表す。図4Bに示すように、ライトユニット102が点灯状態のとき、領域152に入射する光の強度と、領域152以外の領域に入射する光の強度の差は小さく、指151の反射光を外光と識別することが難しい。また、ライトユニット102が消灯状態のときの、線分A-Bにおける光の強度の分布例を図4Cに示す。なお、図4Cにおいて、横軸は、線分A-B上の位置を表し、縦軸は、入射する光の相対強度を表す。図4Cに示すように、ライトユニット102が消灯状態のとき、領域152に入射する光の強度は、領域152以外の領域に入射する光の強度よりさらに低く、指151の反射光を検出することが難しい。さらに、線分A-Bにおける、ライトユニット102が点灯状態のときのデータ信号及びライトユニット102が消灯状態のときのデータ信号の差である光の強度の分布例を図4Dに示す。なお、図4Dにおいて、横軸は、線分A-B上の位置を表し、縦軸は、入射する光の相対強度を表す。図4Dに示すように、データ信号の外光の情報が除去され、領域152に入射する光の強度は、領域152以外の領域に入射する光の強度より大きくなり、且つ領域152に入射する光の強度と、領域152以外の領域に入射する光の強度の差が図4Bと比較して大きい。よって、指151の反射光を外光と識別することができる。図1乃至図4を用いて説明したように、本実施の形態の光検出装置の一例は、ライトユニット及び光検出回路を具備する構成であって、ライトユニットを点灯状態及び消灯状態に切り替え、それぞれの状態のときに光検出回路により生成したデータ信号を比較して差分データ信号を生成するものである。差分データ信号を生成することにより、光の照度に応じた電圧であるデータ信号から外光の情報を除去することができるため、外光による影響を低減することができる。また、本実施の形態の光検出装置の一例では、ライトユニットの光源が複数の色の発光ダイオードである場合であっても、それぞれの発光ダイオードが発光する点灯状態及び消灯状態を切り替え、それぞれの発光ダイオードの発光状態と消灯状態を比較して差分データ信号を生成することができる。上記構成とすることにより、例えば、期間毎に異なる色の発光ダイオードを発光させる方式フィールドシーケンシャル方式ともいうにより、被読み取り物をフルカラーで検出することもでき、且つ外光による影響を低減することもできる。実施の形態2本実施の形態では、上記実施の形態1における光検出装置のライトユニットの例について説明する。本実施の形態におけるライトユニットの構成例について、図5を用いて説明する。図5は、本実施の形態におけるライトユニットの構成例を示す模式図である。図5に示すライトユニットは、光源201と、導光板202と、固定材203と、を備える。また、図5に示すライトユニットは、光検出部PDTPともいう205の光検出回路に重畳する。光源201としては、上記実施の形態1に示すように、例えば発光ダイオードなどを用いることができる。固定材203は、光源201と導光板202を固定する機能を有する。固定材203としては、遮光性を有する材料を用いることが好ましい。固定材203として遮光性を有する材料を用いることにより、光源201から射出する光が外部へ漏れることを抑制することができる。なお、固定材203は、必ずしも設けなくてもよい。図5に示すライトユニットは、光源201からの光を導光板202の中で反射させる。このとき、例えば導光板202に指204などの被読み取り物が接することにより、光源201からの光が指204に反射して光検出部205の光検出回路に入射する。また、図5に示すライトユニットは、例えば外部から制御信号が入力される又は制御回路を備えることにより光源201の状態を切り替えることができる。図5を用いて説明したように、本実施の形態のライトユニットの一例は、導光板を用いて光源の光を反射させ、被読み取り物が導光板に接触したときに、被読み取り物の反射光が光検出回路に入射する構成である。上記構成とすることにより、外光の影響を抑制することができる。実施の形態3本実施の形態では、上記実施の形態の光検出装置における光検出回路の例について説明する。本実施の形態における光検出回路の例について、図6を用いて説明する。図6は、本実施の形態における光検出回路の例を説明するための図である。まず、本実施の形態の光検出回路の構成例について、図6A乃至図6Cを用いて説明する。図6A乃至図6Cは、本実施の形態における光検出回路の構成例を示す図である。図6Aに示す光検出回路は、光電変換素子131aと、トランジスタ132aと、トランジスタ133aと、を有する。なお、光検出回路において、トランジスタは、電界効果トランジスタであり、特に指定する場合を除き、ソース、ドレイン、及びゲートを少なくとも有する。光電変換素子131aは、第1端子及び第2端子を有し、光電変換素子131aの第1端子には、リセット信号が入力される。トランジスタ132aのゲートは、光電変換素子131aの第2端子に電気的に接続される。トランジスタ133aのソース及びドレインの一方は、トランジスタ132aのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、トランジスタ133aのゲートには、読み出し選択信号が入力される。なお、トランジスタ132aのソース及びドレインの他方、並びにトランジスタ133aのソース及びドレインの他方のいずれか一方には、電圧Vaが入力される。さらに、図6Aに示す光検出回路は、トランジスタ132aのソース及びドレインの他方の電圧、並びにトランジスタ133aのソース及びドレインの他方の電圧のいずれか他方をデータ信号として出力する。図6Bに示す光検出回路は、光電変換素子131bと、トランジスタ132bと、トランジスタ133bと、トランジスタ134と、トランジスタ135と、を有する。光電変換素子131bは、第1端子及び第2端子を有し、光電変換素子131bの第1端子には、電圧Vbが入力される。なお、電圧Va及び電圧Vbの一方は、高電源電圧Vddであり、電圧Va及び電圧Vbの他方は、低電源電圧Vssである。高電源電圧Vddは、相対的に低電源電圧Vssより高い値の電圧であり、低電源電圧Vssは、相対的に高電源電圧Vddより低い値の電圧である。電圧Va及び電圧Vbの値は、例えばトランジスタの極性などにより互いに入れ替わる場合がある。また、電圧Va及び電圧Vbの差が電源電圧となる。トランジスタ134のゲートには、蓄積制御信号信号TXともいうが入力され、トランジスタ134のソース及びドレインの一方は、光電変換素子131bの第2端子に電気的に接続される。トランジスタ132bのゲートは、トランジスタ134のソース及びドレインの他方に電気的に接続される。トランジスタ135のゲートには、リセット信号が入力され、トランジスタ135のソース及びドレインの一方には、電圧Vaが入力され、トランジスタ135のソース及びドレインの他方は、トランジスタ134のソース及びドレインの他方に電気的に接続される。トランジスタ133bのゲートには、読み出し選択信号が入力され、トランジスタ133bのソース及びドレインの一方は、トランジスタ132bのソース及びドレインの一方に電気的に接続される。なお、トランジスタ132bのソース及びドレインの他方、並びにトランジスタ133bのソース及びドレインの他方のいずれか一方には、電圧Vaが入力される。また、図6Bに示す光検出回路は、トランジスタ132bのソース及びドレインの他方の電圧、並びにトランジスタ133bのソース及びドレインの他方の電圧のいずれか他方をデータ信号として出力する。図6Cに示す光検出回路は、光電変換素子131cと、トランジスタ132cと、容量素子136と、を有する。光電変換素子131cは、第1端子及び第2端子を有し、光電変換素子131cの第1端子は、リセット信号が入力される。容量素子136は、第1端子及び第2端子を有し、容量素子136の第1端子は、読み出し選択信号が入力され、容量素子136の第2端子は、光電変換素子131cの第2端子に電気的に接続される。トランジスタ132cのゲートは、光電変換素子131cの第2端子に電気的に接続され、トランジスタ132cのソース及びドレインの一方には、電圧Vaが入力される。なお、図6Cに示す光検出回路は、トランジスタ132cのソース及びドレインの他方の電圧をデータ信号として出力する。さらに、図6A乃至図6Cに示す光検出回路の各構成要素について説明する。光電変換素子131a乃至光電変換素子131cは、光が入射することにより、入射した光の照度に応じた電流を生成する機能を有する。光電変換素子131a乃至光電変換素子131cとしては、例えばフォトダイオード又はフォトトランジスタなどを用いることができる。フォトダイオードの場合、フォトダイオードのアノード及びカソードの一方が光電変換素子の第1端子に相当し、フォトダイオードのアノード及びカソードの他方が光電変換素子の第2端子に相当し、フォトトランジスタの場合、フォトトランジスタのソース及びドレインの一方が光電変換素子の第1端子に相当し、フォトトランジスタのソース及びドレインの他方が光電変換素子の第2端子に相当する。トランジスタ132a乃至トランジスタ132cは、光検出回路のデータ信号の値を設定する増幅用トランジスタとしての機能を有する。トランジスタ132a乃至トランジスタ132cとしては、例えばチャネルが形成され、元素周期表における第14族の半導体シリコンなどを含有する半導体層又は酸化物半導体層を含むトランジスタを用いることができる。なお、チャネルが形成される層をチャネル形成層ともいう。上記酸化物半導体層は、真性I型ともいう、又は実質的に真性である半導体層であり、キャリアの数が極めて少なく、キャリア濃度は、1×1014/cm3未満、好ましくは1×1012/cm3未満、さらに好ましくは1×1011/cm3未満である。また、チャネル形成層としての機能を有する上記酸化物半導体層を含むトランジスタのオフ電流は、チャネル幅1μmあたり10aA1×10-17A以下、好ましくは1aA1×10-18A以下、さらには好ましくは10zA1×10-20A以下、さらに好ましくは1zA1×10-21A以下、さらに好ましくは100yA1×10-22A以下である。トランジスタ134は、蓄積制御信号に従ってオン状態又はオフ状態になることにより、トランジスタ132bのゲートの電圧を光電変換素子131bにより生成される光電流に応じた電圧にするか否かを制御する蓄積制御トランジスタとしての機能を有する。蓄積制御信号は、例えばシフトレジスタを用いて生成することができる。なお、本実施の形態の光検出回路では、トランジスタ134を必ずしも設けなくてもよいが、トランジスタ134を設けることにより、トランジスタ132bのゲートが浮遊状態のときに、一定期間トランジスタ132bのゲートの電圧の値を維持することができる。トランジスタ135は、リセット信号に従ってオン状態又はオフ状態になることにより、トランジスタ132bのゲートの電圧を電圧Vaにリセットするか否かを制御するリセット用トランジスタとしての機能を有する。なお、本実施の形態の光検出回路では、トランジスタ135を必ずしも設けなくてもよいが、トランジスタ135を設けることにより、トランジスタ132bのゲートの電圧を所望の電圧にリセットすることができる。なお、トランジスタ134及びトランジスタ135としては、例えばトランジスタ132a乃至トランジスタ132cに適用可能な酸化物半導体層を含むトランジスタを用いることができる。上記酸化物半導体層を含むトランジスタを用いることにより、トランジスタ134又はトランジスタ135のリーク電流によるトランジスタ132bのゲートの電圧の変動を抑制することができる。トランジスタ133a及びトランジスタ133bは、読み出し選択信号に従ってオン状態又はオフ状態になることにより、光検出回路からデータ信号を出力するか否かを制御する読み出し選択用トランジスタとしての機能を有する。トランジスタ133a及びトランジスタ133bとしては、例えばトランジスタ132a乃至トランジスタ132cに適用可能なトランジスタを用いることができる。次に、図6A乃至図6Cに示す光検出回路の駆動方法例について説明する。まず、図6Aに示す光検出回路の駆動方法例について、図6Dを用いて説明する。図6Dは、図6Aに示す光検出回路の駆動方法の一例を説明するための図であり、リセット信号、読み出し選択信号、光電変換素子131a、及びトランジスタ133aのそれぞれの状態を示す。なお、ここでは、一例として光電変換素子131aがフォトダイオードである場合について説明する。図6Aに示す光検出回路の駆動方法の一例では、まず期間T41において、リセット信号のパルスが入力される。このとき、光電変換素子131aは、順方向に電流が流れる状態状態ST51ともいうになり、トランジスタ133aがオフ状態になる。さらに、このとき、トランジスタ132aのゲートの電圧は、一定の値にリセットされる。次に、リセット信号のパルスが入力された後の期間T42において、光電変換素子131aは、逆方向に電圧が印加された状態状態ST52ともいうになり、トランジスタ133aはオフ状態のままである。このとき、光電変換素子131aに入射した光の照度に応じて、光電変換素子131aの第1端子及び第2端子の間に光電流が流れる。さらに光電流に応じてトランジスタ132aのゲートの電圧の値が変化する。次に、期間T43において、読み出し選択信号のパルスが入力される。このとき、光電変換素子131aは状態ST52のままであり、トランジスタ133aがオン状態になり、トランジスタ132aのソース及びドレイン、並びにトランジスタ133aのソース及びドレインを介して電流が流れ、図6Aに示す光検出回路は、トランジスタ132aのソース及びドレインの他方、並びにトランジスタ133aのソース及びドレインの他方のいずれか他方の電圧をデータ信号として出力する。以上が図6Aに示す光検出回路の駆動方法例である。次に、図6Bに示す光検出回路の駆動方法例について、図6Eを用いて説明する。図6Eは、図6Bに示す光検出回路の駆動方法例を説明するための図である。図6Bに示す光検出回路の駆動方法例では、まず期間T51において、リセット信号のパルスが入力され、また、期間T51から期間T52にかけて蓄積制御信号のパルスが入力される。なお、期間T51において、リセット信号のパルスの入力開始のタイミングは、蓄積制御信号のパルスの入力開始のタイミングより早くてもよい。このとき、期間T51において、光電変換素子131bが状態ST51になり、トランジスタ134がオン状態になることにより、トランジスタ132bのゲートの電圧は、電圧Vaと同等の値にリセットされる。さらに、リセット信号のパルスが入力された後の期間T52において、光電変換素子131bが状態ST52になり、トランジスタ134がオン状態のままであり、トランジスタ135がオフ状態になる。このとき、光電変換素子131bに入射した光の照度に応じて、光電変換素子131bの第1端子及び第2端子の間に光電流が流れる。さらに光電流に応じてトランジスタ132bのゲートの電圧の値が変化する。さらに、蓄積制御信号のパルスが入力された後の期間T53において、トランジスタ134がオフ状態になる。このとき、トランジスタ132bのゲートの電圧は、期間T52における光電変換素子131bの光電流に応じた値に保持される。なお、期間T53は必ずしも設けなくてもよいが、期間T53を設けることにより、光検出回路において、データ信号を出力するタイミングを適宜設定することができ、例えば複数の光検出回路において、それぞれデータ信号を出力するタイミングを適宜設定することができる。さらに、期間T54において、読み出し選択信号のパルスが入力される。このとき、光電変換素子131bが状態ST52のままであり、トランジスタ133bがオン状態になる。さらに、このとき、トランジスタ132bのソース及びドレイン、並びにトランジスタ133bのソース及びドレインを介して電流が流れ、図6Bに示す光検出回路は、トランジスタ132bのソース及びドレインの他方、並びにトランジスタ133bのソース及びドレインの他方のいずれか他方の電圧をデータ信号として出力する。以上が図6Bに示す光検出回路の駆動方法例である。次に、図6Cに示す光検出回路の駆動方法例について、図6Fを用いて説明する。図6Fは、図6Cに示す光検出回路の駆動方法例を説明するための図である。図6Cに示す光検出回路の駆動方法例では、まず、期間T61において、リセット信号のパルスが入力される。このとき、光電変換素子131cが状態ST51になり、トランジスタ132cのゲートの電圧は、一定の値にリセットされる。次に、リセット信号のパルスが入力された後の期間T62において、光電変換素子131cが状態ST52になる。このとき、光電変換素子131cに入射した光の照度に応じて、光電変換素子131cの第1端子及び第2端子の間に光電流が流れる。さらに光電流に応じてトランジスタ132cのゲートの電圧が変化する。次に、期間T63において、読み出し選択信号のパルスが入力される。このとき、光電変換素子131cは状態ST52のままであり、トランジスタ132cのソース及びドレインの間に電流が流れ、図6Cに示す光検出回路は、トランジスタ132cのソース及びドレインの他方の電圧をデータ信号として出力する。以上が図6Cに示す光検出回路の駆動方法例である。図6A乃至図6Fを用いて説明したように、本実施の形態の光検出回路は、光電変換素子及び増幅用トランジスタを有し、読み出し選択信号に応じてデータ信号を出力する光検出回路を有する構成である。上記構成にすることにより、期間毎にデータ信号を生成することができる。実施の形態4本実施の形態では、情報の出力が可能であり、且つ光が入射することにより情報の入力が可能な光検出装置について説明する。なお、情報の出力が可能であり、且つ光が入射することにより情報の入力が可能な光検出装置を入出力装置ともいう。本実施の形態における光検出装置の例について、図7を用いて説明する。図7は、本実施の形態における光検出装置の例を説明するための図である。まず、本実施の形態における光検出装置の構成例について、図7Aを用いて説明する。図7Aは、本実施の形態における光検出装置の構成例を示すブロック図である。図7Aに示す光検出装置は、表示選択信号出力回路DSELOUTともいう301と、表示データ信号出力回路DDOUTともいう302と、リセット信号出力回路RSTOUTともいう303aと、読み出し選択信号出力回路RSELOUTともいう303bと、ライトユニット304と、X個Xは自然数の表示回路DISPともいう305kと、Y個Yは自然数の光検出回路305pと、読み出し回路306と、を具備する。表示選択信号出力回路301は、複数の表示選択信号信号DSELともいうを出力する機能を有する。表示選択信号出力回路301は、例えばシフトレジスタを備える。上記シフトレジスタによりパルス信号を出力させることにより、表示選択信号出力回路301は、表示選択信号を出力することができる。表示データ信号出力回路302には、画像信号が入力される。表示データ信号出力回路302は、入力された画像信号を元に表示データ信号信号DDともいうを生成し、生成した表示データ信号を出力する機能を有する。表示データ信号出力回路302は、例えばシフトレジスタ、記憶回路、及びアナログスイッチを備える。シフトレジスタによりパルス信号を出力させ、パルス信号に従って画像信号信号IMGともいうのデータを記憶回路に記憶し、アナログスイッチをオン状態にすることにより、表示データ信号出力回路302は、記憶した画像信号のデータを表示データ信号として出力することができる。リセット信号出力回路303aは、リセット信号を出力する機能を有する。リセット信号出力回路303aは、例えば上記実施の形態1に示すリセット信号出力回路と同じ構成にすることができる。読み出し選択信号出力回路303bは、読み出し選択信号を出力する機能を有する。読み出し選択信号出力回路303bは、例えば上記実施の形態1に示す読み出し選択信号出力回路と同じ構成にすることができる。ライトユニット304は、光源を備え、光源が発光することにより点灯する機能を有する。ライトユニット304は、例えば上記実施の形態1又は実施の形態2に示すライトユニットと同じ構成にすることができる。また、ライトユニット304とは別に上記実施の形態2に示す構成のライトユニットを設けてもよい。例えばライトユニット304の光源が複数色の発光ダイオードを備える構成とし、別のライトユニットの光源が赤外発光ダイオードを備える構成とすることによりフルカラーで表示を行い、且つ高い検出精度で光検出を行うことができる。表示回路305kには、表示選択信号が入力され、入力された表示選択信号に従って表示データ信号が入力される。表示回路305kは、入力された表示データ信号に応じた表示状態になる機能を有する。表示回路305kは、例えば選択用トランジスタ及び表示素子を備える。上記選択用トランジスタは、表示選択信号に応じてオン状態又はオフ状態になることにより、表示素子に表示データ信号を出力するか否かを制御する機能を有し、表示素子は、入力された表示データ信号に応じた表示状態になる機能を有する。表示素子としては、例えば液晶素子又は発光素子などを用いることができる。液晶素子は、電圧が印加されることにより光の透過率が変化する素子であり、発光素子は、電流又は電圧によって輝度が制御される素子である。発光素子としては、エレクトロルミネセンス素子EL素子又は電界発光素子ともいうなどを用いることができる。ここで、表示回路305kの回路構成例について、図7Bを用いて説明する。図7Bは、図7Aに示す光検出装置における表示回路の回路構成例を示す回路図である。図7Bに示す表示回路は、トランジスタ341と、液晶素子342と、を備える。トランジスタ341のソース及びドレインの一方には、表示データ信号が入力され、トランジスタ341のゲートには、表示選択信号が入力される。液晶素子342は、第1端子及び第2端子を有し、液晶素子342の第1端子は、トランジスタ341のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、液晶素子342の第2端子には、共通電圧が入力される。液晶素子342は、第1端子としての機能を有する画素電極、第2端子としての機能を有する共通電極、及び液晶により構成される。また、液晶としては、例えば電気制御複屈折型液晶ECB型液晶ともいう、二色性色素を添加した液晶GH液晶ともいう、高分子分散型液晶、又はディスコチック液晶などを用いることができる。また、液晶としては、ブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相を示す液晶は、例えばブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物により構成される。ブルー相を示す液晶は、応答速度が1msec以下と短く、光学的等方性であるため、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。よって、ブルー相を示す液晶を用いることにより、動作速度を向上させることができる。なお、表示回路に容量素子を設けてもよい。容量素子は、第1端子及び第2端子を有し、容量素子の第1端子は、トランジスタ341のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、容量素子の第2端子には、共通電圧が入力される。容量素子は、保持容量としての機能を有し、第1端子の一部又は全部としての機能を有する第1の電極と、第2端子の一部又は全部としての機能を有する第2の電極と、誘電体と、を含む。容量素子の容量は、トランジスタ341のオフ電流などを考慮して設定すればよい。また、表示回路305kが図7Bの構成である場合の光検出装置の表示方式を透過型、半透過型、又は反射型とすることができる。また、表示回路305kが図7Bの構成である場合の光検出装置の表示方式としては、例えばTNTwistedNematicモード、IPSInPlaneSwitchingモード、STNSuperTwistedNematicモード、VAVerticalAlignmentモード、ASMAxiallySymmetricAlignedMicro-cellモード、OCBOpticallyCompensatedBirefringenceモード、FLCFerroelectricLiquidCrystalモード、AFLCAntiFerroelectricLiquidCrystalモード、MVAMulti-DomainVerticalAlignmentモード、PVAPatternedVerticalAlignmentモード、ASVAdvancedSuperViewモード、又はFFSFringeFieldSwitchingモードなどを用いてもよい。光検出回路305pは、画素部305に設けられる。光検出回路305pは、入射する光の照度に応じた電圧を生成する機能を有する。また、光検出回路305pには、リセット信号及び読み出し選択信号が入力される。また、光検出回路305pは、リセット信号に従ってリセット状態になる機能を有する。また、光検出回路305pは、読み出し選択信号に従ってデータ信号を出力する機能を有する。光検出回路305pは、例えば上記実施の形態1の光検出装置における光検出回路例えば図1Aにおける光検出回路103pと同じ構成にすることができ、光検出回路305pとしては、例えば上記実施の形態3に示す光検出回路を用いることができる。なお、1個以上の表示回路305kにより画素が形成される。また、1個以上の表示回路305k及び1個以上の光検出回路305pにより画素を構成してもよい。読み出し回路306は、光検出回路305pを選択し、選択した光検出回路305pからデータ信号を読み出す機能を有する。読み出し回路306は、例えば上記実施の形態1の光検出装置における読み出し回路と同じ構成にすることができる。読み出し回路306により読み出されたデータ信号は、例えば図7Aに示すように、データ処理回路307により処理される。データ処理回路307は、入力されたデータ信号の演算処理を行う回路である。データ処理回路307は、上記実施の形態1に示すデータ処理回路と同じ構成にすることができる。次に、本実施の形態における光検出装置の駆動方法例として、図7Aに示す光検出装置の駆動方法例について説明する。なお、ここでは一例として表示回路305kの構成を、図7Bに示す構成とし、ライトユニット304の光源が赤、緑、青の三色の発光ダイオードを備える場合について説明する。例えば、図7Aに示す光検出装置の駆動方法は、読み取り動作及び表示動作に分けられる。読み取り動作では、上記実施の形態1に示す光検出装置と同様にライトユニット304の状態が第1の点灯状態乃至第3の点灯状態及び消灯状態になり、それぞれの状態のときに光検出回路305pによりデータ信号を生成して読み出し回路306によりデータ信号を読み出し、データ処理回路307において第1の点灯状態乃至第3の点灯状態のデータ信号と、消灯状態のデータ信号との比較を行う。詳細については、上記実施の形態1の説明を援用する。また、表示動作では、ライトユニット304の状態が第1の点灯状態、第2の点灯状態、第3の点灯状態と順次切り替わり、各点灯状態において、表示選択信号に従ってトランジスタ341がオン状態になる。このとき、液晶素子342に表示データ信号に応じた電圧が印加され、液晶素子342は、印加される電圧に応じた表示状態になる。その後、表示選択信号に従ってトランジスタ341がオフ状態になる。なお、1つ前の読み取り期間において生成したデータ信号を表示データ信号に反映させて、表示期間において表示動作を行ってもよい。図7を用いて説明したように、本実施の形態の光検出装置は、表示回路及び光検出回路を備える構成である。上記構成とすることにより、光検出回路によって生成したデータ信号に応じて表示回路の表示状態を設定することができるため、例えばタッチパネルとして機能させることもできる。また、本実施の形態の光検出装置は、光源が複数色の発光ダイオードを備える構成にすることにより、例えばフィールドシーケンシャル方式で表示動作及び読み取り動作を行うこともできる。これにより、カラーフィルタを用いなくともフルカラーで表示動作及び読み取り動作を行うことができ、画素の表示回路の数を低減することができる。実施の形態5本実施の形態では、上記実施の形態に示す酸化物半導体層を含むトランジスタに適用可能なトランジスタについて説明する。本実施の形態に示す酸化物半導体層を含むトランジスタは、高純度化することにより、真性I型ともいう、又は実質的に真性にさせた酸化物半導体層を有するトランジスタである。高純度化とは、酸化物半導体層中の水素を極力排除すること、及び酸化物半導体層に酸素を供給して酸化物半導体層中の酸素欠乏に起因する欠陥を低減することを含む概念である。本実施の形態のトランジスタの構造例について、図8を用いて説明する。図8は、本実施の形態におけるトランジスタの構造例を示す断面模式図である。図8Aに示すトランジスタは、ボトムゲート構造のトランジスタの一つであり、逆スタガ型トランジスタともいう。図8Aに示すトランジスタは、導電層401aと、絶縁層402aと、酸化物半導体層403aと、導電層405aと、導電層406aと、を含む。導電層401aは、基板400aの上に設けられ、絶縁層402aは、導電層401aの上に設けられ、酸化物半導体層403aは、絶縁層402aを介して導電層401aの上に設けられ、導電層405a及び導電層406aは、酸化物半導体層403aの一部の上にそれぞれ設けられる。さらに、図8Aにおいて、トランジスタの酸化物半導体層403aの上面の一部上面に導電層405a及び導電層406aが設けられていない部分は、酸化物絶縁層407aに接する。図8Bに示すトランジスタは、ボトムゲート構造の一つであるチャネル保護型チャネルストップ型ともいうトランジスタであり、逆スタガ型トランジスタともいう。図8Bに示すトランジスタは、導電層401bと、絶縁層402bと、酸化物半導体層403bと、絶縁層427と、導電層405bと、導電層406bと、を含む。導電層401bは、基板400bの上に設けられ、絶縁層402bは、導電層401bの上に設けられ、酸化物半導体層403bは、絶縁層402bを介して導電層401bの上に設けられ、絶縁層427は、絶縁層402b及び酸化物半導体層403bを介して導電層401bの上に設けられ、導電層405b及び導電層406bは、絶縁層427を介して酸化物半導体層403bの一部の上にそれぞれ設けられる。また、導電層401bを酸化物半導体層403bの全てと重なる構造にすることもできる。導電層401bを酸化物半導体層403bの全てと重なる構造にすることにより、酸化物半導体層403bへの光の入射を抑制することができる。また、これに限定されず、導電層401bを酸化物半導体層403bの一部と重なる構造にすることもできる。図8Cに示すトランジスタは、ボトムゲート構造のトランジスタの一つである。図8Cに示すトランジスタは、導電層401cと、絶縁層402cと、酸化物半導体層403cと、導電層405cと、導電層406cと、を含む。導電層401cは、基板400cの上に設けられ、絶縁層402cは、導電層401cの上に設けられ、導電層405c及び導電層406cは、絶縁層402cの一部の上に設けられ、酸化物半導体層403cは、絶縁層402c、導電層405c、及び導電層406cを介して導電層401cの上に設けられる。また、導電層401cを酸化物半導体層403cの全てと重なる構造にすることもできる。導電層401cを酸化物半導体層403cの全てと重なる構造にすることにより、酸化物半導体層403cへの光の入射を抑制することができる。また、これに限定されず、導電層401cを酸化物半導体層403cの一部と重なる構造にすることもできる。さらに、図8Cにおいて、トランジスタにおける酸化物半導体層403cの上面及び側面は、酸化物絶縁層407cに接する。なお、図8A乃至図8Cにおいて、酸化物絶縁層の上に保護絶縁層が設けてもよい。図8Dに示すトランジスタは、トップゲート構造のトランジスタの一つである。図8Dに示すトランジスタは、導電層401dと、絶縁層402dと、酸化物半導体層403dと、導電層405d及び導電層406dと、を含む。酸化物半導体層403dは、絶縁層447を介して基板400dの上に設けられ、導電層405d及び導電層406dは、それぞれ酸化物半導体層403dの一部の上に設けられ、絶縁層402dは、酸化物半導体層403d、導電層405d、及び導電層406dの上に設けられ、導電層401dは、絶縁層402dを介して酸化物半導体層403dの上に設けられる。さらに、図8A乃至図8Dに示す各構成要素について説明する。基板400a乃至基板400dとしては、例えばバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板を用いることができる。また、基板400a乃至基板400dとして、結晶化ガラスを用いることもできる。また、基板400a乃至基板400dとして、プラスチック基板を用いることもできる。絶縁層447は、基板400dからの不純物元素の拡散を防止する下地層としての機能を有する。絶縁層447としては、例えば窒化シリコン層、酸化シリコン層、窒化酸化シリコン層、酸化窒化シリコン層、酸化アルミニウム層、又は酸化窒化アルミニウム層を用いることができる。また、絶縁層447に適用可能な材料の層の積層により絶縁層447を構成することもできる。また、絶縁層447として、遮光性を有する材料の層と、上記絶縁層447に適用可能な材料の層との積層を用いることもできる。また、遮光性を有する材料の層を用いて絶縁層447を構成することにより、酸化物半導体層403dへの光の入射を抑制することができる。なお、図8A乃至図8Cに示すトランジスタにおいて、図8Dに示すトランジスタと同様に、基板とゲート電極としての機能を含む導電層の間に絶縁層を設けてもよい。導電層401a乃至導電層401dのそれぞれは、トランジスタのゲート電極としての機能を有する。導電層401a乃至導電層401dとしては、例えばモリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、若しくはスカンジウムなどの金属材料、又はこれらを主成分とする合金材料の層を用いることができる。また、導電層401a乃至導電層401dの形成に適用可能な材料の層の積層により、導電層401a乃至導電層401dを構成することもできる。絶縁層402a乃至絶縁層402dのそれぞれは、トランジスタのゲート絶縁層としての機能を有する。絶縁層402a乃至絶縁層402cとしては、例えば酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、酸化アルミニウム層、窒化アルミニウム層、酸化窒化アルミニウム層、窒化酸化アルミニウム層、又は酸化ハフニウム層を用いることができる。また、絶縁層402a乃至絶縁層402cに適用可能な材料の層の積層により絶縁層402a乃至絶縁層402cを構成することもできる。また、絶縁層402dとしては、酸化物絶縁層を用いることができ、例えば酸化シリコン層などを用いることができる。酸化物半導体層403a乃至酸化物半導体層403dのそれぞれは、トランジスタのチャネル形成層としての機能を有する。酸化物半導体層403a乃至酸化物半導体層403dに適用可能な酸化物半導体としては、例えば四元系金属酸化物、三元系金属酸化物、又は二元系金属酸化物などを用いることができる。四元系金属酸化物としては、例えばIn-Sn-Ga-Zn-O系金属酸化物などを用いることができる。三元系金属酸化物としては、例えばIn-Ga-Zn-O系金属酸化物、In-Sn-Zn-O系金属酸化物、In-Al-Zn-O系金属酸化物、Sn-Ga-Zn-O系金属酸化物、Al-Ga-Zn-O系金属酸化物、又はSn-Al-Zn-O系金属酸化物などを用いることができる。二元系金属酸化物としては、例えばIn-Zn-O系金属酸化物、Sn-Zn-O系金属酸化物、Al-Zn-O系金属酸化物、Zn-Mg-O系金属酸化物、Sn-Mg-O系金属酸化物、In-Mg-O系金属酸化物、又はIn-Sn-O系金属酸化物などを用いることができる。また、酸化物半導体としては、例えばIn-O系金属酸化物、Sn-O系金属酸化物、又はZn-O系金属酸化物などを用いることもできる。また、酸化物半導体としては、上記酸化物半導体として適用可能な金属酸化物にSiO2を含む酸化物を用いることもできる。In-Zn-O系金属酸化物を用いる場合、例えば、In:Zn=50:1乃至In:Zn=1:2モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=25:1乃至In2O3:ZnO=1:4、好ましくはIn:Zn=20:1乃至In:Zn=1:1モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=10:1乃至In2O3:ZnO=1:2、さらに好ましくはIn:Zn=15:1乃至In:Zn=1.5:1モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=15:2乃至In2O3:ZnO=3:4の組成比である酸化物ターゲットを用いてIn-Zn-O系金属酸化物の半導体層を形成することができる。例えば、In-Zn-O系酸化物半導体の形成に用いるターゲットは、原子数比がIn:Zn:O=P:Q:Rのとき、R>1.5PQとする。Inの量を多くすることにより、トランジスタの移動度を向上させることができる。また、酸化物半導体として、InMO3ZnOmmは0より大きい数で表記される材料を用いることができる。ここで、Mは、Ga、Al、Mn、及びCoから選ばれた一つ又は複数の金属元素を示す。例えばMとしては、Ga、Ga及びAl、Ga及びMn、又はGa及びCoなどが挙げられる。導電層405a乃至導電層405d及び導電層406a乃至導電層406dのそれぞれは、トランジスタのソース電極又はトランジスタのドレイン電極としての機能を有する。導電層405a乃至導電層405d及び導電層406a乃至導電層406dとしては、例えばアルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、若しくはタングステンなどの金属材料、又はこれらの金属材料を主成分とする合金材料の層を用いることができる。また、導電層405a乃至導電層405d、及び導電層406a乃至導電層406dに適用可能な材料の層の積層により導電層405a乃至導電層405d、及び導電層406a乃至導電層406dのそれぞれを構成することができる。例えば、アルミニウム又は銅の金属層と、チタン、モリブデン、又はタングステンなどの高融点金属層との積層により導電層405a乃至導電層405d及び導電層406a乃至導電層406dを構成することができる。また、複数の高融点金属層の間にアルミニウム又は銅の金属層が設けられた積層により導電層405a乃至導電層405d、及び導電層406a乃至導電層406dを構成することもできる。また、ヒロックやウィスカーの発生を防止する元素Si、Nd、Scなどが添加されているアルミニウム層を用いて導電層405a乃至導電層405d、及び導電層406a乃至導電層406dを構成することにより、耐熱性を向上させることができる。また、導電層405a乃至導電層405d及び導電層406a乃至導電層406dとして、導電性の金属酸化物を含む層を用いることもできる。導電性の金属酸化物としては、例えば酸化インジウムIn2O3、酸化スズSnO2、酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム酸化スズ合金In2O3―SnO2、ITOと略記する、若しくは酸化インジウム酸化亜鉛合金In2O3―ZnO、又はこれらの金属酸化物に酸化シリコンを含むものを用いることができる。さらに、導電層405a乃至導電層405d及び導電層406a乃至導電層406dの形成に用いられる材料を用いて他の配線を形成してもよい。絶縁層427は、トランジスタのチャネル形成層を保護する層チャネル保護層ともいうとしての機能を有し、絶縁層427としては、例えば絶縁層447に適用可能な材料の層を用いることができる。また、絶縁層427に適用可能な材料の層の積層により絶縁層427を構成することもできる。酸化物絶縁層407a及び酸化物絶縁層407cとしては、酸化物絶縁層を用いることができ、例えば酸化シリコン層などを用いることができる。また、酸化物絶縁層407a及び酸化物絶縁層407cに適用可能な材料の層の積層により酸化物絶縁層407a及び酸化物絶縁層407cを構成することもできる。さらに、本実施の形態のトランジスタの作製方法の例として、図8Aに示すトランジスタの作製方法例について、図9A乃至図9Dを用いて説明する。図9A乃至図9Dは、図8Aに示すトランジスタの作製方法例を説明するための断面模式図である。まず、基板400aを準備し、基板400aの上に第1の導電膜を形成し、第1の導電膜を選択的にエッチングすることにより導電層401aを形成する図9A参照。例えば、第1のフォトリソグラフィ工程により第1の導電膜の一部の上に第1のレジストマスクを形成し、第1のレジストマスクを用いて第1の導電膜をエッチングすることにより導電層401aを形成することができる。なお、この場合、導電層401aの形成後に第1のレジストマスクを除去する。例えば、導電層401aに適用可能な材料の膜を用いて第1の導電膜を形成することができる。また、第1の導電膜に適用可能な材料の膜を積層させ、第1の導電膜を形成することもできる。なお、インクジェット法を用いてレジストマスクを形成してもよい。インクジェット法を用いることにより、フォトマスクが不要になるため、製造コストを低減することができる。また、多階調マスクを用いてレジストマスクを形成してもよい。多階調マスクは、透過した光が複数の強度となる露光マスクである。多階調マスクを用いることにより、膜厚の異なる部分を有するレジストマスクを形成することができるため、一つのレジストマスクを用いて複数種のエッチングを行うことができるため、製造コストを低減することができる。次に、導電層401aの上に第1の絶縁膜を形成することにより絶縁層402aを形成し、絶縁層402aの上に酸化物半導体膜を形成し、その後酸化物半導体膜のエッチング及び第1の加熱処理を行うことにより酸化物半導体層403aを形成する図9B参照。例えば、スパッタリング法やプラズマCVD法などを用いて第1の絶縁膜を形成することができる。例えば、高密度プラズマCVD法例えばμ波例えば、周波数2.45GHzのμ波を用いた高密度プラズマCVD法を用いて第1の絶縁膜を形成することにより、絶縁層402aを緻密にすることができ、絶縁層402aの絶縁耐圧を向上させることができる。また、絶縁層402aに適用可能な材料の膜を用いて第1の絶縁膜を形成することができる。また、第1の絶縁膜に適用可能な材料の膜を積層させ、第1の絶縁膜を形成することもできる。また、スパッタリング法を用いて酸化物半導体膜を形成することができる。なお、このとき、希ガス雰囲気下、酸素雰囲気下、又は希ガスと酸素の混合雰囲気下で酸化物半導体膜を形成してもよい。また、酸化物半導体層403aに適用可能な酸化物半導体材料を用いて酸化物半導体膜を形成することができる。例えば、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol数比]の組成比である酸化物ターゲットを用いて酸化物半導体膜を形成することができる。また、例えば、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比]の組成比である酸化物ターゲットを用いて酸化物半導体膜を形成してもよい。なお、用いられる酸化物ターゲットにおける、全体の体積に対して全体の体積から空隙などが占める空間を除いた部分の体積の割合充填率ともいうは、90以上100以下、さらには95以上99.9以下であることが好ましい。充填率の高いターゲットを用いることにより、緻密な酸化物半導体膜を形成することができる。また、スパッタリングガスとして、例えば水素、水、水酸基、又は水素化物などの不純物が除去された高純度ガスを用いて酸化物半導体膜を形成することが好ましい。また、酸化物半導体膜を形成する前に、予備加熱を行ってもよい。上記予備加熱を行うことにより、絶縁層402a及び酸化物半導体膜の水素、水分などの不純物を脱離することができる。また、予備加熱室にて上記予備加熱を行う場合、予備加熱室に設ける排気手段として例えばクライオポンプを用いることが好ましい。また、基板400aを減圧状態にし、基板400aの温度を100°C以上600°C以下、好ましくは200°C以上400°C以下として酸化物半導体膜を形成してもよい。基板400aを加熱することにより、酸化物半導体膜の不純物濃度を低減することができ、また、スパッタリング法による酸化物半導体膜の損傷を軽減することができる。また、例えば吸着型の真空ポンプなどを用いて酸化物半導体膜を形成する成膜室内の残留水分を除去することができる。吸着型の真空ポンプとしては、例えばクライオポンプ、イオンポンプ、又はチタンサブリメーションポンプなどを用いることができる。また、ターボポンプにコールドトラップを加えたものを用いて成膜室内の残留水分を除去することもできる。また、酸化物半導体膜を形成する前に、逆スパッタを行うことにより、絶縁層402aの表面に付着している粉状物質パーティクル、ごみともいうを除去することが好ましい。逆スパッタとは、アルゴン、窒素、ヘリウム、又は酸素雰囲気下で、ターゲット側に電圧を印加せずに、基板側にRF電源を用いて電圧を印加し、プラズマを形成して基板の表面を改質する方法である。また、例えば、第2のフォトリソグラフィ工程により酸化物半導体膜の一部の上に第2のレジストマスクを形成し、第2のレジストマスクを用いて酸化物半導体膜をエッチングすることができる。なお、この場合酸化物半導体膜のエッチング後に第2のレジストマスクを除去する。このとき、例えばドライエッチング、ウェットエッチング、又はドライエッチング及びウェットエッチングの両方を用いて酸化物半導体膜をエッチングすることができる。また、例えば燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液などをエッチング液として用いることにより酸化物半導体膜をエッチングすることができる。また、エッチング液としてITO07N関東化学社製を用いて酸化物半導体膜をエッチングしてもよい。また、例えば400°C以上750°C以下、又は400°C以上基板の歪み点未満の温度で第1の加熱処理を行う。第1の加熱処理により脱水化又は脱水素化を行うことができる。なお、加熱処理を行う加熱処理装置としては、電気炉、又は抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導又は熱輻射により被処理物を加熱する装置を用いることができ、例えばGRTAGasRapidThermalAnneal装置又はLRTALampRapidThermalAnneal装置などのRTARapidThermalAnneal装置を用いることができる。LRTA装置は、例えばハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、又は高圧水銀ランプなどのランプから発する光電磁波の輻射により、被処理物を加熱する装置である。また、GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。高温のガスとしては、例えば希ガス、又は加熱処理によって被処理物と反応しない不活性気体例えば窒素を用いることができる。例えば、第1の加熱処理として、650°C~700°Cに加熱した不活性ガス中で数分間加熱する方式のGRTAを行ってもよい。なお、第1の加熱処理に用いるガスに水、水素などが含まれないことが好ましい。例えばガスの純度を、6N99.9999以上、好ましくは7N99.99999以上、すなわち不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とすることが好ましい。また、第1の加熱処理で酸化物半導体層を加熱した後、その加熱温度を維持しながら又はその加熱温度から降温する過程で、第1の加熱処理を行った炉と同じ炉に高純度の酸素ガス、高純度のN2Oガス、又は超乾燥エア露点が-40°C以下、好ましくは-60°C以下の雰囲気を導入してもよい。このとき、酸素ガス又はN2Oガスは、水、水素などを含まないことが好ましい。また、加熱処理装置に導入する酸素ガス又はN2Oガスの純度を、6N以上、好ましくは7N以上、すなわち、酸素ガス又はN2Oガス中の不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とすることが好ましい。酸素ガス又はN2Oガスの作用により、酸化物半導体層403aに酸素が供給され、酸化物半導体層403aを高純度化させることができる。なお、酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜のエッチングを行った後に第1の加熱処理を行ってもよい。また、酸化物半導体膜を形成し、第1の加熱処理を行った後に酸化物半導体膜のエッチングを行ってもよい。また、上記以外にも、酸化物半導体層形成後であれば、酸化物半導体層403aの上に導電層405a及び導電層406aを形成した後、又は導電層405a及び導電層406aの上に酸化物絶縁層407aを形成した後に第1の加熱処理を行ってもよい。また、酸化物半導体膜を2回に分けて成膜し、それぞれの酸化物半導体膜を成膜した後に加熱処理を行うことにより、膜表面に対して垂直にc軸配向した結晶領域を有する酸化物半導体膜を形成してもよい。例えば、膜厚が3nm以上15nm以下の第1の酸化物半導体膜を成膜し、さらに第1の加熱処理として、窒素、酸素、希ガス、又は乾燥エアの雰囲気下で450°C以上850°C以下、好ましくは550°C以上750°C以下の加熱処理を行い、表面を含む領域に結晶領域板状結晶を含むを有する第1の酸化物半導体膜を形成する。そして、第1の酸化物半導体膜よりも厚い第2の酸化物半導体膜を形成する。さらに第2の加熱処理として、450°C以上850°C以下、好ましくは600°C以上700°C以下の加熱処理を行い、第1の酸化物半導体膜を結晶成長の種として、第1の酸化物半導体膜から第2の酸化物半導体膜にかけて上方に向かって結晶成長させ、第2の酸化物半導体膜の全体を結晶化させることにより、膜表面に対して垂直にc軸配向した結晶領域を有する酸化物半導体膜を形成することができる。上記酸化物半導体膜は、1層のみの酸化物半導体膜を形成する場合と比較して膜厚が厚い。次に、絶縁層402a及び酸化物半導体層403aの上に第2の導電膜を形成し、第2の導電膜を選択的にエッチングすることにより導電層405a及び導電層406aを形成する図9C参照。例えば、第3のフォトリソグラフィ工程により第2の導電膜の一部の上に第3のレジストマスクを形成し、第3のレジストマスクを用いて第2の導電膜をエッチングすることにより導電層405a及び導電層406aを形成することができる。なお、この場合導電層405a及び導電層406aの形成後に第3のレジストマスクを除去する。例えば、導電層405a及び導電層406aに適用可能な材料の膜を用いて第2の導電膜を形成することができる。また、第2の導電膜に適用可能な材料の膜を積層させ、第2の導電膜を形成することもできる。第2の導電膜としては、例えばアルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、若しくはタングステンなどの金属材料、又はこれらの金属材料を主成分とする合金材料の膜を用いることができる。また、第2の導電膜に適用可能な膜の積層膜により第2の導電膜を形成することができる。なお、紫外線やKrFレーザ光やArFレーザ光を用いた露光処理により第3のレジストマスクを形成することが好ましい。酸化物半導体層403aの上で隣り合う導電層405aの下端部と導電層406aの下端部との間隔幅により、後に形成されるトランジスタのチャネル長Lが決定される。なお、第3のレジストマスクの形成の際、チャネル長L=25nm未満となるように露光を行う場合には、数nm~数10nmと極めて波長が短い超紫外線ExtremeUltravioletを用いて露光を行うとよい。超紫外線による露光は、解像度が高く焦点深度も大きい。従って、後に形成されるトランジスタのチャネル長Lを10nm以上1000nm以下とすることができる。また、導電層405a及び導電層406aを形成した後に予備加熱を行ってもよい。上記予備加熱は、上記予備加熱と同様に行うことができる。次に、酸化物半導体層403aに接するように酸化物絶縁層407aを形成する。例えば、希ガス代表的にはアルゴン雰囲気下、酸素雰囲気下、又は希ガスと酸素の混合雰囲気下で、水又は水素などの不純物が混入しない方法例えばスパッタリング法などを用いて酸化物半導体層403a、導電層405a、及び導電層406aの上に第2の絶縁膜を形成することにより酸化物絶縁層407aを形成することができる。水又は水素などの不純物が混入しない方法を用いて酸化物絶縁層407aを形成することにより、酸化物半導体層のバックチャネルの抵抗の低下を抑制することができる。また、酸化物絶縁層407a形成時の基板温度は、室温以上300°C以下であることが好ましい。また、例えば酸化シリコンターゲット又はシリコンターゲットなどを用いて第2の絶縁膜を形成することができる。例えば、シリコンターゲットを用い、酸素を含む雰囲気下でスパッタリング法により、第2の絶縁膜として酸化シリコン膜を形成することができる。また、スパッタリングガスとして、例えば水素、水、水酸基、又は水素化物などの不純物が除去された高純度ガスを用いて第2の絶縁膜を形成することが好ましい。また、酸化物絶縁層407aを形成する前にN2O、N2、又はArなどのガスを用いたプラズマ処理を行い、露出している酸化物半導体層403aの表面に付着した吸着水などを除去してもよい。プラズマ処理を行った場合、その後、大気に触れることなく、酸化物絶縁層407aを形成することが好ましい。さらに、不活性ガス雰囲気下、又は酸素ガス雰囲気下で第2の加熱処理好ましくは200°C以上400°C以下、例えば250°C以上350°C以下を行ってもよい。例えば、第2の加熱処理として、窒素雰囲気下で250°C、1時間の加熱処理を行う。第2の加熱処理を行うと、酸化物半導体層403aの上面の一部が酸化物絶縁層407aと接した状態で加熱される。以上の工程を経ることによって、水素、水分、水酸基、又は水素化物水素化合物ともいうなどの不純物を酸化物半導体層から意図的に排除し、且つ酸素を酸化物半導体層に供給することができる。よって、酸化物半導体層は高純度化する。以上の工程でトランジスタが作製される図9D参照。また、酸化物絶縁層407aとして欠陥を多く含む酸化シリコン層を用いると、酸化物半導体層403a中に含まれる水素、水分、水酸基、又は水素化物などの不純物を酸化物絶縁層407aに拡散させ、酸化物半導体層403a中に含まれる該不純物をより低減させることができる。酸化物絶縁層407aの上にさらに保護絶縁層を形成してもよい。例えば、RFスパッタリング法を用いて絶縁膜を形成することにより保護絶縁層を形成する。RFスパッタリング法は、量産性がよいため、保護絶縁層の成膜方法として好ましい。以上が図8Aに示すトランジスタの作製方法の一例である。なお、本実施の形態のトランジスタの作製方法では、酸素プラズマによる酸素ドーピング処理を行ってもよい。例えば2.45GHzの高密度プラズマにより酸素ドーピング処理を行ってもよい。なお、ゲート絶縁層形成後、酸化物半導体膜成膜後、第1の加熱処理後、ソース電極又はドレイン電極となる導電層形成後、又は酸化物絶縁層形成後に酸素ドーピング処理を行うことができる。酸素ドーピング処理を行うことにより作製されるトランジスタの電気特性のばらつきを低減することができる。なお、図8Aに示すトランジスタの作製方法の一例を示したが、これに限定されず、例えば図8B乃至図8Dに示す各構成要素において、名称が図8Aに示す各構成要素と同じであり且つ機能の少なくとも一部が図8Aに示す各構成要素と同じであれば、図8Aに示すトランジスタの作製方法の一例の説明を適宜援用することができる。図8及び図9を用いて説明したように、本実施の形態のトランジスタは、ゲート電極としての機能を有する第1の導電層と、ゲート絶縁層としての機能を有する絶縁層と、絶縁層を介して第1の導電層に重畳し、チャネルが形成される酸化物半導体層と、酸化物半導体層に電気的に接続され、ソース電極及びドレイン電極の一方としての機能を有する第2の導電層と、酸化物半導体層に電気的に接続され、ソース電極及びドレイン電極の他方としての機能を有する第3の導電層と、を含み、該酸化物半導体層は、酸化物絶縁層に接する構造である。また、チャネルが形成される酸化物半導体層は、高純度化させることによりI型又は実質的にI型となった酸化物半導体層である。酸化物半導体層を高純度化させることにより、酸化物半導体層のキャリア濃度を1×1014/cm3未満、好ましくは1×1012/cm3未満、さらに好ましくは1×1011/cm3未満にすることができ、温度変化による特性変化を抑制することができる。また、上記構造にすることにより、チャネル幅1μmあたりのオフ電流を10aA1×10-17A以下にすること、さらにはチャネル幅1μmあたりのオフ電流を1aA1×10-18A以下、さらにはチャネル幅1μmあたりのオフ電流を10zA1×10-20A以下、さらにはチャネル幅1μmあたりのオフ電流を1zA1×10-21A以下、さらにはチャネル幅1μmあたりのオフ電流を100yA1×10-22A以下にすることができる。トランジスタのオフ電流は、低ければ低いほどよいが、本実施の形態のトランジスタのオフ電流の下限値は、約10-30A/μmであると見積もられる。さらに、特性評価用回路によるリーク電流測定を用いた、本実施の形態のトランジスタの一例のオフ電流の値の算出例について以下に説明する。まず、特性評価用回路の構成について、図10を用いて説明する。図10は、特性評価用回路の構成を示す回路図である。図10に示す特性評価用回路は、複数の測定系801を備える。複数の測定系801は、互いに並列に接続される。ここでは、一例として8個の測定系801が並列に接続される構成とする。測定系801は、トランジスタ811と、トランジスタ812と、容量素子813と、トランジスタ814と、トランジスタ815と、を含む。トランジスタ811のソース及びドレインの一方には、電圧V1が入力され、トランジスタ811のゲートには、電圧Vext_aが入力される。トランジスタ811は、電荷注入用のトランジスタである。トランジスタ812のソース及びドレインの一方は、トランジスタ811のソース及びドレインの他方に接続され、トランジスタ812のソース及びドレインの他方には、電圧V2が入力され、トランジスタ812のゲートには、電圧Vext_bが入力される。トランジスタ812は、リーク電流評価用のトランジスタである。なお、ここでのリーク電流とは、トランジスタのオフ電流を含むリーク電流である。容量素子813の第1の電極は、トランジスタ811のソース及びドレインの他方に接続され、容量素子813の第2の電極には、電圧V2が入力される。なお、ここでは、電圧V2は、0Vである。トランジスタ814のソース及びドレインの一方には、電圧V3が入力され、トランジスタ814のゲートは、トランジスタ811のソース及びドレインの他方に接続される。なお、トランジスタ814のゲートと、トランジスタ811のソース及びドレインの他方、トランジスタ812のソース及びドレインの一方、並びに容量素子813の第1の電極との接続箇所をノードAともいう。なお、ここでは、電圧V3は、5Vである。トランジスタ815のソース及びドレインの一方は、トランジスタ814のソース及びドレインの他方に接続され、トランジスタ815のソース及びドレインの他方には、電圧V4が入力され、トランジスタ815のゲートには、電圧Vext_cが入力される。なお、ここでは、電圧Vext_cは、0.5Vである。さらに、測定系801は、トランジスタ814のソース及びドレインの他方と、トランジスタ815のソース及びドレインの一方との接続箇所の電圧を出力電圧Voutとして出力する。ここでは、トランジスタ811の一例として、酸化物半導体層を含み、チャネル長L=10μm、チャネル幅W=10μmのトランジスタを用いる。また、トランジスタ814及びトランジスタ815の一例として、酸化物半導体層を含み、チャネル長L=3μm、チャネル幅W=100μmのトランジスタを用いる。また、トランジスタ812の一例として、酸化物半導体層を含み、酸化物半導体層の上部にソース電極及びドレイン電極が接し、ソース電極及びドレイン電極と、ゲート電極とのオーバーラップ領域を設けず、幅1μmのオフセット領域を有するボトムゲート構造のトランジスタを用いる。オフセット領域を設けることにより、寄生容量を低減することができる。さらにトランジスタ812としては、チャネル長L及びチャネル幅Wの異なる6条件のトランジスタを用いる表1参照。図10に示すように、電荷注入用のトランジスタと、リーク電流評価用のトランジスタとを別々に設けることにより、電荷注入の際に、リーク電流評価用のトランジスタを常にオフ状態に保つことができる。電荷注入用のトランジスタを設けない場合には、電荷注入の際に、リーク電流評価用トランジスタを一度オン状態にする必要があるが、オン状態からオフ状態の定常状態に到るまでに時間を要するような素子では、測定に時間を要してしまう。また、電荷注入用のトランジスタと、リーク電流評価用のトランジスタとを別々に設けることにより、それぞれのトランジスタを適切なサイズとすることができる。また、リーク電流評価用トランジスタのチャネル幅Wを、電荷注入用のトランジスタのチャネル幅Wよりも大きくすることにより、リーク電流評価用トランジスタのリーク電流以外の特性評価回路のリーク電流成分を相対的に小さくすることができる。その結果、リーク電流評価用トランジスタのリーク電流を高い精度で測定することができる。同時に、電荷注入の際に、リーク電流評価用トランジスタを一度オン状態とする必要がないため、チャネル形成領域の電荷の一部がノードAに流れ込むことによるノードAの電圧変動の影響もない。一方、電荷注入用トランジスタのチャネル幅Wを、リーク電流評価用トランジスタのチャネル幅Wよりも小さくすることにより、電荷注入用トランジスタのリーク電流を相対的に小さくすることができる。また、電荷注入の際に、チャネル形成領域の電荷の一部がノードAに流れ込むことによるノードAの電圧変動の影響も小さい。また、図10に示すように、複数の測定系を並列接続させた構造にすることにより、より正確に特性評価回路のリーク電流を算出することができる。次に、図10に示す特性評価回路を用いた、本実施の形態のトランジスタの一例のオフ電流の値の算出方法について説明する。まず、図10に示す特性評価回路のリーク電流測定方法について、図11を用いて説明する。図11は、図10に示す特性評価回路を用いたリーク電流測定方法を説明するためのタイミングチャートである。図10に示す特性評価回路を用いたリーク電流測定方法は、書き込み期間及び保持期間に分けられる。それぞれの期間における動作について、以下に説明する。まず、書き込み期間において、電圧Vext_bとして、トランジスタ812がオフ状態となるような電圧VL-3Vを入力する。また、電圧V1として、書き込み電圧Vwを入力した後、電圧Vext_aとして、一定期間トランジスタ811がオン状態となるような電圧VH5Vを入力する。これによって、ノードAに電荷が蓄積され、ノードAの電圧は、書き込み電圧Vwと同等の値になる。その後、電圧Vext_aとして、トランジスタ811がオフ状態となるような電圧VLを入力する。その後、電圧V1として、電圧VSS0Vを入力する。その後、保持期間において、ノードAが保持する電荷量の変化に起因して生じるノードAの電圧の変化量の測定を行う。電圧の変化量から、トランジスタ812のソース電極とドレイン電極との間を流れる電流値を算出することができる。以上により、ノードAの電荷の蓄積とノードAの電圧の変化量の測定とを行うことができる。このとき、ノードAの電荷の蓄積及びノードAの電圧の変化量の測定蓄積及び測定動作ともいうを繰り返し行う。まず、第1の蓄積及び測定動作を15回繰り返し行う。第1の蓄積及び測定動作では、書き込み期間に書き込み電圧Vwとして5Vの電圧を入力し、保持期間に1時間の保持を行う。次に、第2の蓄積及び測定動作を2回繰り返し行う。第2の蓄積及び測定動作では、書き込み期間に書き込み電圧Vwとして3.5Vの電圧を入力し、保持期間に50時間の保持を行う。次に、第3の蓄積及び測定動作を1回行う。第3の蓄積及び測定動作では、書き込み期間に書き込み電圧Vwとして4.5Vの電圧を入力し、保持期間に10時間の保持を行う。蓄積及び測定動作を繰り返し行うことにより、測定した電流値が、定常状態における値であることを確認することができる。言い換えると、ノードAを流れる電流IAのうち、過渡電流測定開始後から時間経過とともに減少していく電流成分を除くことができる。その結果、より高い精度でリーク電流を測定することができる。一般に、ノードAの電圧VAは、出力電圧Voutの関数として式1のように表される。また、ノードAの電荷QAは、ノードAの電圧VA、ノードAに接続される容量CA、定数constを用いて、式2のように表される。ここで、ノードAに接続される容量CAは、容量素子813の容量と容量素子813以外の容量成分の和である。ノードAの電流IAは、ノードAに流れ込む電荷またはノードAから流れ出る電荷の時間微分であるから、ノードAの電流IAは、式3のように表される。なお、ここでは、一例として、Δtを約54000secとする。このように、ノードAに接続される容量CAと、出力電圧Voutから、リーク電流であるノードAの電流IAを求めることができるため、特性評価回路のリーク電流を求めることができる。次に、上記特性評価回路を用いた測定方法による出力電圧の測定結果及び該測定結果より算出した特性評価回路のリーク電流の値を示す。図12に、一例として、条件4、条件5、及び条件6における上記測定第1の蓄積及び測定動作に係る経過時間Timeと、出力電圧Voutとの関係を示す。図13に、上記測定に係る経過時間Timeと、該測定によって算出された電流IAとの関係を示す。測定開始後から出力電圧Voutが変動しており、定常状態に到るためには10時間以上必要であることがわかる。また、図14に、上記測定により得られた値から見積もられた条件1乃至条件6におけるノードAの電圧とリーク電流の関係を示す。図14では、例えば条件4において、ノードAの電圧が3.0Vの場合、リーク電流は28yA/μmである。リーク電流にはトランジスタ812のオフ電流も含まれるため、トランジスタ812のオフ電流も28yA/μm以下とみなすことができる。また、図15、図16、及び図17に、85°C、125°C、及び150°Cにおける上記測定により見積もられた条件1乃至条件6におけるノードAの電圧とリーク電流の関係を示す。図15乃至図17に示すように、150°Cの場合であっても、リーク電流は、100zA/μm以下であることがわかる。以上のように、チャネル形成層としての機能を有し、高純度化された酸化物半導体層を含むトランジスタを用いた特性評価用回路において、リーク電流が十分に低いため、該トランジスタのオフ電流が十分に小さいことがわかる。また、上記トランジスタのオフ電流は、温度が上昇した場合であっても十分に低いことがわかる。実施の形態6本実施の形態では、上記実施の形態における表示回路を備える光検出装置の構造例について説明する。本実施の形態における光検出装置は、例えばトランジスタなどの半導体素子が設けられた第1の基板アクティブマトリクス基板と、第2の基板と、を含む。まず、本実施の形態におけるアクティブマトリクス基板の構造例について、図18及び図19を用いて説明する。図18及び図19は、本実施の形態における光検出装置におけるアクティブマトリクス基板の構造例を示す図であり、図18Aは、平面模式図であり、図18Bは、図18Aにおける線分A-Bの断面模式図であり、図19Aは、平面模式図であり、図19Bは、図19Aにおける線分C-Dの断面模式図である。なお、図19では、光検出回路の一例として、図6Aに示す構成に図6Bに示すトランジスタ134を加えた構成の光検出回路を用いる場合を示す。また、図18及び図19では、酸化物半導体層を含むトランジスタの一例として、上記実施の形態における、図8Aを用いて説明した構造のトランジスタを用いる場合を示す。図18及び図19に示すアクティブマトリクス基板は、基板500と、導電層501a乃至導電層501hと、絶縁層502と、半導体層503a乃至半導体層503dと、導電層504a乃至導電層504kと、絶縁層505と、半導体層506と、半導体層507と、半導体層508と、絶縁層509と、導電層511a乃至導電層511cと、を含む。導電層501a乃至導電層501hのそれぞれは、基板500の一平面に設けられる。導電層501aは、表示回路における表示選択用トランジスタのゲート電極としての機能を有する。導電層501bは、表示回路における保持容量の第1の電極としての機能を有する。導電層501cは、光検出回路における読み出し選択用トランジスタのゲート電極としての機能を有する。導電層501dは、光検出回路における増幅用トランジスタのゲート電極としての機能を有する。導電層501fは、光検出回路における蓄積制御用トランジスタのゲート電極としての機能を有する。導電層501gは、光検出回路における光電変換素子の第1端子及び第2端子の一方に電圧Vbを入力する電圧供給線としての機能を有する。導電層501hは、光検出回路における蓄積制御トランジスタのゲートに蓄積制御信号を入力する信号線としての機能を有する。絶縁層502は、導電層501a乃至導電層501hを介して基板500の一平面に設けられる。絶縁層502は、表示回路における表示選択用トランジスタのゲート絶縁層、表示回路における保持容量の誘電体層、光検出回路における蓄積制御用トランジスタのゲート絶縁層、光検出回路における増幅用トランジスタのゲート絶縁層、及び光検出回路における読み出し選択用トランジスタのゲート絶縁層としての機能を有する。半導体層503aは、絶縁層502を介して導電層501aに重畳する。半導体層503aは、表示回路における表示選択用トランジスタのチャネル形成層としての機能を有する。半導体層503bは、絶縁層502を介して導電層501cに重畳する。半導体層503bは、光検出回路における読み出し選択用トランジスタのチャネル形成層としての機能を有する。半導体層503cは、絶縁層502を介して導電層501dに重畳する。半導体層503cは、光検出回路における増幅用トランジスタのチャネル形成層としての機能を有する。半導体層503dは、絶縁層502を介して導電層501fに重畳する。半導体層503dは、光検出回路における蓄積制御用トランジスタのチャネル形成層としての機能を有する。導電層504aは、半導体層503aに電気的に接続される。導電層504aは、表示回路における表示選択用トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方としての機能を有する。導電層504bは、導電層501b及び半導体層503aに電気的に接続される。導電層504bは、表示回路における表示選択用トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方としての機能を有する。導電層504cは、絶縁層502を介して導電層501bに重畳する。導電層504cは、表示回路における保持容量の第2の電極としての機能を有する。導電層504dは、半導体層503bに電気的に接続される。導電層504dは、光検出回路における読み出し選択用トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方としての機能を有する。導電層504fは、導電層501e及び半導体層503cに電気的に接続される。導電層504fは、光検出回路における増幅用トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方としての機能を有する。導電層504gは、導電層501eに電気的に接続される。導電層504gは、光検出回路における増幅用トランジスタのソース電極及びドレイン電極に一方に電圧を入力する電圧供給線としての機能を有する。導電層504eは、半導体層503bに電気的に接続される。導電層504eは、光検出回路における増幅用トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方、並びに光検出回路における読み出し選択用トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方としての機能を有する。導電層504iは、半導体層503dに電気的に接続される。導電層504iは、光検出回路における蓄積制御用トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方としての機能を有する。導電層504hは、導電層501d及び半導体層503dに電気的に接続される。導電層504hは、光検出回路における蓄積制御用トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方としての機能を有する。導電層504jは、導電層501fに電気的に接続される。導電層504jは、光検出回路における蓄積制御用トランジスタのゲートに蓄積制御信号を入力する信号線としての機能を有する。導電層504kは、導電層501gに電気的に接続される。導電層504kは、光検出回路における光電変換素子の第1端子及び第2端子の一方としての機能を有する。絶縁層505は、導電層504a乃至導電層504kを介して半導体層503a及び半導体層503dに接する。半導体層506は、導電層504kに電気的に接続される。半導体層507は、半導体層506に接する。半導体層508は、半導体層507に接する。絶縁層509は、絶縁層505、半導体層506、半導体層507、及び半導体層508に重畳する。絶縁層509は、表示回路及び光検出回路における平坦化絶縁層としての機能を有する。なお、必ずしも絶縁層509を設けなくてもよい。導電層511aは、導電層504bに電気的に接続される。導電層511aは、表示回路における表示素子の画素電極としての機能を有する。導電層511bは、導電層504cに電気的に接続される。導電層511bは、表示回路における保持容量の第2の電極に電圧を供給するための配線としての機能を有する。導電層511cは、導電層504i及び半導体層508に電気的に接続される。さらに、本実施の形態の光検出装置の構造例について、図20を用いて説明する。図20は、本実施の形態の光検出装置における表示回路の構造例を示す断面模式図であり、図20Aは、表示回路の断面模式図であり、図20Bは、光検出回路の断面模式図である。なお、一例として表示素子を液晶素子とする。図20に示す光検出装置は、図18及び図19に示すアクティブマトリクス基板に加え、基板512と、導電層513と、液晶層514と、を含む。導電層513は、基板512の一平面に設けられる。導電層513は、表示回路における共通電極としての機能を有する。液晶層514は、導電層511a及び導電層513の間に設けられ、絶縁層509を介して半導体層508に重畳する。液晶層514は、表示回路における表示素子の液晶としての機能を有する。なお、表示回路において、液晶層514と重畳するようにカラーフィルタを設けてもよい。カラーフィルタを設けることにより、ライトユニットの光源が白色発光ダイオードの場合であってもフルカラー表示を行うことができる。基板500及び基板512としては、図8Aにおける基板400aに適用可能な基板を用いることができる。導電層501a乃至導電層501hとしては、図8Aにおける導電層401aに適用可能な材料の層を用いることができる。また、導電層401aに適用可能な材料の層を積層して導電層501a乃至導電層501hを構成してもよい。絶縁層502としては、図8Aにおける絶縁層402aに適用可能な材料の層を用いることができる。また、絶縁層402aに適用可能な材料の層を積層して絶縁層502を構成してもよい。半導体層503a乃至半導体層503dとしては、図8Aに示す酸化物半導体層403aに適用可能な材料の層を用いることができる。なお、半導体層503a乃至半導体層503dとして、元素周期表における第14族の半導体シリコンなどを用いた半導体層を用いてもよい。導電層504a乃至導電層504kとしては、図8Aにおける導電層405a又は導電層406aに適用可能な材料の層を用いることができる。また、導電層405a又は導電層406aに適用可能な材料の層を積層して導電層504a乃至導電層504kを構成してもよい。絶縁層505としては、図8Aにおける酸化物絶縁層407aに適用可能な材料の層を用いることができる。また、酸化物絶縁層407aに適用可能な層を積層して絶縁層505を構成してもよい。半導体層506は、一導電型P型及びN型の一方の半導体層である。半導体層506としては、例えばシリコンを含有する半導体層を用いることができる。半導体層507は、半導体層506より抵抗の高い半導体層である。半導体層507としては、例えば真性のシリコンを含有する半導体層を用いることができる。半導体層508は、半導体層506とは異なる導電型P型及びN型の他方の半導体層である。半導体層508としては、例えばシリコンを含有する半導体層を用いることができる。絶縁層509としては、例えばポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、などの有機材料の層を用いることができる。また絶縁層509としては、低誘電率材料low-k材料ともいうの層を用いることもできる。導電層511a乃至導電層511c及び導電層513としては、例えば透光性を有する導電材料の層を用いることができ、透光性を有する導電材料としては、例えばインジウム錫酸化物、酸化インジウムに酸化亜鉛を混合した金属酸化物IZO:indiumzincoxideともいう、酸化インジウムに酸化珪素SiO2を混合した導電材料、有機インジウム、有機スズ、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、又は酸化チタンを含むインジウム錫酸化物などを用いることができる。また、導電層511a乃至導電層511c及び導電層513は、導電性高分子導電性ポリマーともいうを含む導電性組成物を用いて形成することもできる。導電性組成物を用いて形成した導電層は、シート抵抗が10000Ω/□以下、波長550nmにおける透光率が70以上であることが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗率は、0.1Ωcm以下であることが好ましい。導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子が用いることができる。π電子共役系導電性高分子としては、例えばポリアニリン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、又はアニリン、ピロール及びチオフェンの2種以上の共重合体若しくはその誘導体などがあげられる。液晶層514としては、例えばTN液晶、OCB液晶、STN液晶、VA液晶、ECB型液晶、GH液晶、高分子分散型液晶、又はディスコチック液晶などを含む層を用いることができる。図18乃至図20を用いて説明したように、本実施の形態の光検出装置の構造例は、トランジスタ、画素電極、及び光電変換素子を含むアクティブマトリクス基板と、対向基板と、アクティブマトリクス基板及び対向基板の間に液晶を有する液晶層と、を含む構造である。上記構造にすることにより、同一工程により光検出回路及び表示回路を作製することができるため、製造コストを低減することができる。実施の形態7本実施の形態では、上記実施の形態4における光検出装置を備えた電子機器について説明する。本実施の形態の電子機器の構成例について、図21A乃至図21Fを用いて説明する。図21A乃至図21Fは、本実施の形態の電子機器の構成例を示す図である。図21Aに示す電子機器は、携帯型情報通信端末である。図21Aに示す携帯型情報通信端末は、少なくとも入出力部1001を具備する。また、図21Aに示す携帯型情報通信端末は、例えば入出力部1001に操作部1002を設けることができる。例えば、上記実施の形態の表示回路を備える光検出装置を入出力部1001に用いることにより、例えば指又はペンにより携帯型情報通信端末の操作又は携帯型情報通信端末への情報の入力を行うことができる。図21Bに示す電子機器は、例えばカーナビゲーションを含む情報案内端末である。図21Bに示す情報案内端末は、入出力部1101、操作ボタン1102、及び外部入力端子1103を具備する。例えば、上記実施の形態の表示回路を備える光検出装置を入出力部1101に用いることにより、例えば指又はペンにより情報案内端末の操作又は情報案内端末への情報の入力を行うことができる。図21Cに示す電子機器は、ノート型パーソナルコンピュータである。図21Cに示すノート型パーソナルコンピュータは、筐体1201と、入出力部1202と、スピーカ1203と、LEDランプ1204と、ポインティングデバイス1205と、接続端子1206と、キーボード1207と、を具備する。例えば、上記実施の形態の表示回路を備える光検出装置を、入出力部1202に用いることにより、例えば指又はペンによりノート型パーソナルコンピュータの操作又はノート型パーソナルコンピュータへの情報の入力を行うことができる。また、上記実施の形態の光検出装置をポインティングデバイス1205に用いてもよい。図21Dに示す電子機器は、携帯型遊技機である。図21Dに示す携帯型遊技機は、入出力部1301と、入出力部1302と、スピーカ1303と、接続端子1304と、LEDランプ1305と、マイクロフォン1306と、記録媒体読込部1307と、操作ボタン1308と、センサ1309と、を有する。例えば、上記実施の形態の表示回路を備える光検出装置を、入出力部1301及び入出力部1302、又は入出力部1301若しくは入出力部1302に用いることにより、例えば指又はペンにより携帯型遊技機の操作又は携帯型遊技機への情報の入力を行うことができる。図21Eに示す電子機器は、電子書籍である。図21Eに示す電子書籍は、少なくとも筐体1401と、筐体1403と、入出力部1405と、入出力部1407と、軸部1411と、を有する。筐体1401及び筐体1403は、軸部1411により接続され、図21Eに示す電子書籍は、該軸部1411を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことができる。また、入出力部1405は、筐体1401に組み込まれ、入出力部1407は、筐体1403に組み込まれる。また、入出力部1405及び入出力部1407の構成を互いに異なる画像を入出力する構成としてもよく、例えば両方の入出力部で一続きの画像を表示する構成としてもよい。入出力部1405及び入出力部1407を異なる画像を表示する構成にすることにより、例えば右側の入出力部図21Eでは入出力部1405に文章画像を表示し、左側の入出力部図21Eでは入出力部1407に画像を表示することができる。また、図21Eに示す電子書籍は、筐体1401又は筐体1403に操作部などを備えてもよい。例えば、図21Eに示す電子書籍の構成を電源ボタン1421と、操作キー1423と、スピーカ1425と、を有する構成にすることもできる。図21Eに示す電子書籍は、操作キー1423を用いることにより、複数の頁がある画像の頁を送ることができる。また、図21Eに示す電子書籍の入出力部1405及び入出力部1407、又は入出力部1405又は入出力部1407にキーボードやポインティングデバイスなどを設けた構成としてもよい。また、図21Eに示す電子書籍の筐体1401及び筐体1403の裏面や側面に、外部接続用端子イヤホン端子、USB端子、又はACアダプタ又はUSBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など、記録媒体挿入部などを設けてもよい。さらに、図21Eに示す電子書籍に電子辞書としての機能を持たせてもよい。例えば、上記実施の形態の表示回路を備える光検出装置を入出力部1405及び入出力部1407、又は入出力部1405若しくは入出力部1407に用いることにより、例えば指又はペンにより電子書籍の操作又は電子書籍への情報の入力を行うことができる。また、図21Eに示す電子書籍を無線通信でデータを送受信できる構成としてもよい。これにより、電子書籍サーバから所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする機能を付加させることができる。図21Fに示す電子機器は、ディスプレイである。図21Fに示すディスプレイは、筐体1501と、入出力部1502と、スピーカ1503と、LEDランプ1504と、操作ボタン1505と、接続端子1506と、センサ1507と、マイクロフォン1508と、支持台1509と、を有する。例えば、上記実施の形態の表示回路を備える光検出装置を入出力部1502に用いることにより、例えば指又はペンによりディスプレイの操作又はディスプレイへの情報の入力を行うことができる。図21を用いて説明したように、本実施の形態の電子機器は、上記実施の形態の表示回路を備える光検出装置を用いた入出力部を具備する構成である。上記構成にすることにより、外光の影響を抑制することができ、入出力部の検出精度を向上させることができる。