半導体基板と、前記半導体基板の表面から裏面に至る半導体領域による画素分離領域と、前記画素分離領域で分離された各画素領域内に形成され、前記半導体基板の表面側から裏面側に延在する光電変換部と前記半導体基板の表面側に存する複数のトランジスタとからなる画素と、前記半導体基板の表面上に層間絶縁膜を介して形成された複数層の配線と、前記半導体基板の光照射面となる裏面に形成された反射防止膜と、前記反射防止膜上に積層されたカラーフィルタ及びオンチップレンズとを有する固体撮像素子。半導体基板と、前記半導体基板の表面から裏面に至る半導体領域による画素分離領域と、前記画素分離領域で分離された各画素領域内に形成され、前記半導体基板の表面側から裏面側に延在する光電変換部と前記半導体基板の表面側に存する複数のトランジスタとからなる画素と、前記半導体基板の表面上に層間絶縁膜を介して形成された複数層の配線と、前記半導体基板の光照射面となる裏面に形成された反射防止膜と、前記反射防止膜上に形成されたオンチップレンズとを有する固体撮像素子。前記反射防止膜は、前記半導体基板と屈折率を異にし、且つ光照射面から屈折率の小さい膜の順に堆積され、シリコン酸化膜、シリコン酸化窒化膜、シリコン窒化膜から選ばれた2層膜で形成されている請求項1又は2記載の固体撮像素子。前記反射防止膜は、前記光照射面からシリコン酸化膜、シリコン窒化膜を順に堆積させた2層膜で形成され、前記シリコン酸化膜の膜厚を25nm以下0を含まずとし、前記シリコン窒化膜の膜厚を40nm~60nmとした請求項3記載の固体撮像素子。固体撮像素子と、光学レンズ系と、信号処理装置とを備え、前記固体撮像素子は、半導体基板と、前記半導体基板の表面から裏面に至る半導体領域による画素分離領域と、前記画素分離領域で分離された各画素領域内に形成され、前記半導体基板の表面側から裏面側に延在する光電変換部と前記半導体基板の表面側に存する複数のトランジスタとからなる画素と、前記半導体基板の表面上に層間絶縁膜を介して形成された複数層の配線と、前記半導体基板の光照射面となる裏面に形成された反射防止膜と、前記反射防止膜上に積層されたカラーフィルタ及びオンチップレンズとを有するカメラモジュール。固体撮像素子と、光学レンズ系と、信号処理装置とを備え、前記固体撮像素子は、半導体基板と、前記半導体基板の表面から裏面に至る半導体領域による画素分離領域と、前記画素分離領域で分離された各画素領域内に形成され、前記半導体基板の表面側から裏面側に延在する光電変換部と前記半導体基板の表面側に存する複数のトランジスタとからなる画素と、前記半導体基板の表面上に層間絶縁膜を介して形成された複数層の配線と、前記半導体基板の光照射面となる裏面に形成された反射防止膜と、前記反射防止膜上に形成されたオンチップレンズとを有し、前記光学レンズ系側にカラーフィルタを有するカメラモジュール。前記反射防止膜は、前記半導体基板と屈折率を異にし、且つ光照射面から屈折率の小さい膜の順に堆積され、シリコン酸化膜、シリコン酸化窒化膜、シリコン窒化膜から選ばれた2層膜で形成されている請求項5又は6記載のカメラモジュール。前記反射防止膜は、前記光照射面からシリコン酸化膜、シリコン窒化膜を順に堆積させた2層膜で形成され、前記シリコン酸化膜の膜厚を25nm以下0を含まずとし、前記シリコン窒化膜の膜厚を40nm~60nmとした請求項7記載のカメラモジュール。固体撮像素子と、光学レンズ系と、信号処理装置とを備え、前記固体撮像素子は、半導体基板と、前記半導体基板の表面から裏面に至る半導体領域による画素分離領域と、前記画素分離領域で分離された各画素領域内に形成され、前記半導体基板の表面側から裏面側に延在する光電変換部と前記半導体基板の表面側に存する複数のトランジスタとからなる画素と、前記半導体基板の表面上に層間絶縁膜を介して形成された複数層の配線と、前記半導体基板の光照射面となる裏面に形成された反射防止膜と、前記反射防止膜上に積層されたカラーフィルタ及びオンチップレンズとを有する電子機器モジュール。固体撮像素子と、光学レンズ系と、信号処理装置とを備え、前記固体撮像素子は、半導体基板と、前記半導体基板の表面から裏面に至る半導体領域による画素分離領域と、前記画素分離領域で分離された各画素領域内に形成され、前記半導体基板の表面側から裏面側に延在する光電変換部と前記半導体基板の表面側に存する複数のトランジスタとからなる画素と、前記半導体基板の表面上に層間絶縁膜を介して形成された複数層の配線と、前記半導体基板の光照射面となる裏面に形成された反射防止膜と、前記反射防止膜上に形成されたオンチップレンズとを有し、前記光学レンズ系側にカラーフィルタを有する電子機器モジュール。前記反射防止膜は、前記半導体基板と屈折率を異にし、且つ光照射面から屈折率の小さい膜の順に堆積され、シリコン酸化膜、シリコン酸化窒化膜、シリコン窒化膜から選ばれた2層膜で形成されている請求項9又は10記載の電子機器モジュール。前記反射防止膜は、前記光照射面からシリコン酸化膜、シリコン窒化膜を順に堆積させた2層膜で形成され、前記シリコン酸化膜の膜厚を25nm以下0を含まずとし、前記シリコン窒化膜の膜厚を40nm~60nmとした請求項11記載の電子機器モジュール。ところで、4層以上のシリコン酸化膜、シリコン窒化膜で反射防止膜を構成する場合、屈折率の膜での干渉により、短い周期で上下する所謂リップルのある分光特性となり、撮像素子の感度を損失している。図5は、光照射面上の反射防止膜の膜構成の違いによる、光電変換率の波長依存性を示すグラフである。図5の横軸は照射光の波長をある。縦軸は、光の透過率とシリコン中での光の吸収率の積透過率×Si吸収率、つまり光電変換効率に比例し、感度に相当する。図5の曲線Cは、膜厚500nmのプラズマシリコン窒化PSiN膜と、膜厚5000nmのシリコン酸化SiO膜と、膜厚50nmのシリコン窒化SiN膜と、膜厚15nmのシリコン酸化SiO膜を順次下から堆積した4層膜構造の反射防止膜の分光特性を示す。曲線Cから分かるように、4層膜による反射防止膜の分光特性は、短い周期で上下するリップルのある分光特性となり、その積分値光電変換効率の積分値が感度になることから、感度をみると下方にシフトする。図5の曲線Bは、膜厚500nmのプラズマシリコン窒化PSiN膜と、膜厚50nmのシリコン窒化SiN膜と、膜厚15nmのシリコン酸化SiO膜を下から順次堆積した3層膜構造の反射防止膜の分光特性である。これは、4層膜による反射防止膜より粗い周期で上下する分光特性となっている。また、表面照射型の固体撮像素子において、感度を向上するために層内レンズを形成した固体撮像素子の場合、5層または6層の屈折率の異なる膜がシリコン基板上に存在するため、上述の感度損失はより顕著になる。但し、層内レンズを形成した場合には、多層膜による反射防止膜の効果より、層内レンズによる集光効率の方が大きく作用していた。反射防止膜の構成としては、膜の層数が多いほど撮像素子の感度を低下させる。本発明は、上述の点に鑑み、反射防止効率を向上してより感度向上を可能にした固体撮像素子及びこの固体撮像素子を備えたカメラモジュール、電子機器モジュールを提供するものである。本発明は、併せて、シェーディング、隣接画素への光学的な混色を低減した固体撮像素子、小型のセンサとレンズモジュールの実現を可能にした固体撮像素、カメラモジュール及び電子機器モジュールを提供するものである。本発明に係る固体撮像素子は、半導体基板と、前記半導体基板の表面から裏面に至る半導体領域による画素分離領域と、前記画素分離領域で分離された各画素領域内に形成され、前記半導体基板の表面側から裏面側に延在する光電変換部と前記半導体基板の表面側に存する複数のトランジスタとからなる画素と、前記半導体基板の表面上に層間絶縁膜を介して形成された複数層の配線と、前記半導体基板の光照射面となる裏面に形成された反射防止膜と、前記反射防止膜上に積層されたカラーフィルタ及びオンチップレンズとを有する。本発明に係る固体撮像素子は、半導体基板と、前記半導体基板の表面から裏面に至る半導体領域による画素分離領域と、前記画素分離領域で分離された各画素領域内に形成され、前記半導体基板の表面側から裏面側に延在する光電変換部と前記半導体基板の表面側に存する複数のトランジスタとからなる画素と、前記半導体基板の表面上に層間絶縁膜を介して形成された複数層の配線と、前記半導体基板の光照射面となる裏面に形成された反射防止膜と、前記反射防止膜上に形成されたオンチップレンズとを有する。本発明に係るカメラモジュールは、固体撮像素子と、光学レンズ系と、信号処理装置とを備える。前記固体撮像素子は、半導体基板と、前記半導体基板の表面から裏面に至る半導体領域による画素分離領域と、前記画素分離領域で分離された各画素領域内に形成され、前記半導体基板の表面側から裏面側に延在する光電変換部と前記半導体基板の表面側に存する複数のトランジスタとからなる画素と、前記半導体基板の表面上に層間絶縁膜を介して形成された複数層の配線と、前記半導体基板の光照射面となる裏面に形成された反射防止膜と、前記反射防止膜上に積層されたカラーフィルタ及びオンチップレンズとを有する。本発明に係るカメラモジュールは、固体撮像素子と、光学レンズ系と、信号処理装置とを備える。前記固体撮像素子は、半導体基板と、前記半導体基板の表面から裏面に至る半導体領域による画素分離領域と、前記画素分離領域で分離された各画素領域内に形成され、前記半導体基板の表面側から裏面側に延在する光電変換部と前記半導体基板の表面側に存する複数のトランジスタとからなる画素と、前記半導体基板の表面上に層間絶縁膜を介して形成された複数層の配線と、前記半導体基板の光照射面となる裏面に形成された反射防止膜と、前記反射防止膜上に形成されたオンチップレンズとを有する。前記光学レンズ系側にカラーフィルタを有する。本発明に係る電子機器モジュールは、固体撮像素子と、光学レンズ系と、信号処理装置とを備える。前記固体撮像素子は、半導体基板と、前記半導体基板の表面から裏面に至る半導体領域による画素分離領域と、前記画素分離領域で分離された各画素領域内に形成され、前記半導体基板の表面側から裏面側に延在する光電変換部と前記半導体基板の表面側に存する複数のトランジスタとからなる画素と、前記半導体基板の表面上に層間絶縁膜を介して形成された複数層の配線と、前記半導体基板の光照射面となる裏面に形成された反射防止膜と、前記反射防止膜上に積層されたカラーフィルタ及びオンチップレンズとを有する。本発明に係る電子機器モジュールは、固体撮像素子と、光学レンズ系と、信号処理装置とを備える。前記固体撮像素子は、半導体基板と、前記半導体基板の表面から裏面に至る半導体領域による画素分離領域と、前記画素分離領域で分離された各画素領域内に形成され、前記半導体基板の表面側から裏面側に延在する光電変換部と前記半導体基板の表面側に存する複数のトランジスタとからなる画素と、前記半導体基板の表面上に層間絶縁膜を介して形成された複数層の配線と、前記半導体基板の光照射面となる裏面に形成された反射防止膜と、前記反射防止膜上に形成されたオンチップレンズとを有する。前記光学レンズ系側にカラーフィルタを有する。本発明における固体撮像素子では、裏面照射型のCMOS固体撮像素子に構成され、半導体基板の光照射面となる裏面に反射防止膜が形成されるので、反射防止効率が向上し光電変換効率が向上する。さらに、反射防止膜上にカラーフィルタ及びオンチップレンズが積層されるので、最上層のオンチップレンズが半導体基板の光照射面となる裏面に近づき、撮像面内の入射角の違いに起因するシェーディングと、隣接画素への光学的な混色とが低減する。本発明における固体撮像素子では、裏面照射型のCMOS固体撮像素子に構成され、半導体基板の光照射面となる裏面に反射防止膜が形成されるので、反射防止効率が向上し光電変換効率が向上する。さらに、反射防止膜上にオンチップレンズが形成されるので、最上層のオンチップレンズが半導体基板の光照射面となる裏面に近づき、撮像面内の入射角の違いに起因するシェーディングと、隣接画素への光学的な混色とが低減する。本発明に係る固体撮像素子によれば、裏面照射型のCMOS固体撮像素子の裏面の光照射面に反射防止膜を形成することにより、光電変換効率が向上し、裏面照射型固体撮像素子の感度の更なる向上を図ることができる。また、反射防止膜上にカラーフィルタ及びオンチップレンズを積層するので、最上層のオンチップレンズと光電変換する半導体基板面が近づき、画面内の入射角の違いに起因するシェーディングと、隣接画素への光学的な混色を低減することができる。また、シェーディングと、光学的な混色を従来の表面照射型固体撮像素子と同等まで許容すれば、撮像領域周辺での入射角を大きくとることができ、すなわち射出瞳距離を短くすることができ、固体撮像素子とレンズを一体化して1つのデバイスとして構成した小型モジュール例えばカメラモジュール、電子モジュール等の実現を可能にする。さらに、反射防止膜を2層膜とするときは、工程数の削減が可能になり、コスト低減を図ることができる。本発明に係る固体撮像素子によれば、裏面照射型のCMOS固体撮像素子の裏面の光照射面に反射防止膜を形成し、この反射防止膜上にオンチップレンズを形成することにより、裏面照射型固体撮像素子の感度の更なる向上を図ると共に、更に、最上層のオンチップレンズと光電変換する半導体基板面が近づき、画面内の入射角の違いに起因するシェーディングと、隣接画素への光学的な混色を更に低減することができる。本発明に係るカメラモジュールによれば、上記固体撮像素子を備えることにより、感度向上し、シェーディング、隣接画素への光学的な混色を低減し、さらに小型のカメラモジュールを実現することができる。固体撮像素子の反射防止膜上にオンチップレンズを形成し、光学レンズ側にカラーフィルタを配置するときは、オンチップレンズと半導体基板裏面がさらに近づけることができ、シェーディング、混色が更に低減する。本発明に係る電子機器モジュールによれば、上記固体撮像素子を備えることにより、感度向上し、シェーディング、隣接画素への光学的な混色を低減し、さらに小型の電子機器モジュールを実現することができる。固体撮像素子の反射防止膜上にオンチップレンズを形成し、光学レンズ側にカラーフィルタを配置するときは、オンチップレンズと半導体基板裏面がさらに近づけることができ、シェーディング、混色が更に低減する。以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。図1は、本発明に係る固体撮像素子を、裏面照射型のCMOS固体撮像素子に適用した一実施の形態を示す画素部分の概略構成図である。図2は、その1画素の詳細断面図である。本実施の形態に係る裏面照射型のCMOS固体撮像素子31は、図1に示すように、第1導電型のシリコン半導体基板32に第2導電型の半導体領域からなる画素分離領域33を形成し、この画素分離領域33で区画された各画素領域内に第2導電型半導体領域で囲われるように、光電変換部となるフォトダイオード34と、このフォトダイオード34に蓄積された信号電荷を読み出すための所要数のMOSトランジスタ35を形成して構成さる。画素分離領域33は、基板32の表面から裏面に至ように深さ方向に形成される。MOSトランジスタ35は基板32の表面側に形成され、フォトダイオード34は一部MOSトランジスタ35の下方に延びるように基板32の裏面側に延在して形成される。基板32の表面上には、MOSトランジスタ35のゲート電極37が形成されると共に、その上に層間絶縁膜38を介して多層の配線層39が形成され、さらに層間絶縁膜38上に支持基板40が形成される。支持基板40としては、例えばシリコン基板を用いることができる。一方、半導体基板32の裏面上に後述する本発明に係る反射防止膜41を介してオンチップカラーフィルタ42が形成され、このカラーフィルタ42上に各画素に対応するようにオンチップレンズ43が形成される。このCMOS固体撮像素子31においては、基板裏面よりオンチップレンズ43を通してフォトダイオード34に対して光Lが照射されるようになされる。この固体撮像素子31の単位画素の具体的構成の一例を図2に示す。この例では、第1導電型であるn型のシリコン半導体基板32に各画素領域101を区画するように第2導電型であるp型の半導体領域からなる画素分離領域33が形成される。この画素分離領域33は比較的低濃度のp型半導体領域で形成される。画素領域101のn型半導体基板32には、その表面にp型画素分離領域33に接続して一部画素領域101内に延在するようにp型半導体ウェル領域51が形成される。光電変換部となるフォトダイオード34は、p型画素分離領域33及びp型半導体ウェル領域51により囲まれたn型半導体基板32で形成される。すなわち、フォトダイオード34は、n半導体領域32Aとその表面側の高不純物濃度のn半導体領域32Bとにより形成される。n半導体領域32Bの表面側の界面には、暗電流発生を抑制するための高不純物濃度のp型半導体領域からなるpアキュミュレーション層53が形成される。さらに、各画素領域に共通に、n型半導体基板32の裏面、すなわちn半導体領域32Aの裏面側の界面に暗電流発生を抑制するための高不純物濃度のp型半導体領域からなるpアキュミュレーション層54が形成される。このフォトダイオード34は、n半導体領域32Bの表面及びn半導体領域32Aの裏面にpアキュミュレーション層53及び54を有するので、いわゆるHADセンサとして構成される。また、フォトダイオード34は、n半導体領域32Aがp型半導体ウェル領域51の下方に延在するので、画素領域の全体にわたるように大面積で形成される。一方、MOSトランジスタ35は、p型半導体ウェル領域51に形成される。すなわち、例えば1画素を1フォトダイオードと4つのMOSトランジスタで構成するときは、MOSトランジスタ35は、読出しトランジスタ、リセットトランジスタ、アンプトランジスタ及び垂直選択トランジスタを有する。図2では、p型半導体ウェル領域51内にフォトダイオード34に近接して一方nソースドレイン領域61が形成され、この一方のnソースドレイン領域61と他方のソースドレイン領域を兼ねるフォトダイオード34のn半導体領域52間のp型半導体ウェル領域51上にゲート絶縁膜を介してゲート電極37が形成されて読出しトランジスタTr1が形成される。そして、p型半導体ウェル領域51の他部に、各対応したnソースドレイン領域62、63が形成され、両nソースドレイン領域62及び63間のp型半導体ウェル領域51上にゲート絶縁膜を介してゲート電極37が形成されて、他のMOSトランジスタ、すなわちリセットトランジスタTr2、アンプトランジスタTr3、垂直選択トランジスタTr4が形成される。半導体基板の表面上には、例えばシリコン酸化膜等による層間絶縁膜38を介して多層の配線層39が形成され、層間絶縁膜38上に例えばシリコン基板による支持基板40が接合される。半導体基板の裏面の光照射面56には、本発明の反射防止膜41が形成され、の反射防止膜41上にオンチップカラーフィルタ42を介してオンチップレンズ43が形成される。そして、本実施の形態においては、特に図3に示すように、基板裏面側の光照射面56上の反射防止膜41が、シリコン基板32と屈折率の異なる2層の膜66、67による反射防止膜411によって形成される。なお、図3では反射防止膜411の構成を明瞭にするため、反射防止膜411以外の部分は図1及び図2と同様であるので、フォトダイオード、MOSトランジスタ及び配線層等を省略した。この2層膜の反射防止膜411は、シリコン酸化SiO膜、シリコン窒化SiN膜、シリコン酸化窒化SiON膜、多結晶シリコンから選ばれた2層の膜66、67で形成することができる。図4は反射防止膜411の構成例を示している。図4Aでは、シリコン基板裏面の光照射面56上にシリコン酸化SiO膜66、シリコン窒化SiN膜67を順次堆積させて2層膜の反射防止膜411を構成する。図4Bでは、シリコン基板裏面の光照射面56上にシリコン酸化SiO膜66、シリコン酸化窒化SiON膜67を順次堆積させて2層膜の反射防止膜411を構成する。図4Cでは、シリコン基板裏面の光照射面56上にシリコン酸化窒化SiON膜66、シリコン窒化SiN膜67を順次堆積させて2層膜の反射防止膜411を構成する。シリコン酸化窒化膜は、窒素Nの組成比で屈折率が変わり、窒素Nの組成比が多くなるにつれて屈折率が大きくなる。膜66、67は、光照射面56から屈折率の小さい膜の順に堆積される。反射防止膜411としては、シリコン酸化SiO膜66とシリコン窒化SiN膜67の組み合わせが好ましい。このとき、シリコン酸化SiO膜66の膜厚としては、25nm以下0を含まずとすることが好ましい。シリコン酸化膜の膜厚は、1nm程度でも可能であり、限りなく薄くても可能である。また、シリコン窒化膜67の膜厚は、40nm~60nmの範囲とするこが好ましい。シリコン酸化膜66の膜厚が25nm以下であれば、後述する図5の曲線Aで示す本発明に係る分光特性が、4層膜曲線C参照の平均的な分光特性よりも高くなり、光電変換効率の向上が図れる。シリコン窒化膜67の膜厚が40nm~60nmの範囲であれば、上記と同様の理由により光電変換効率の向上が図れる。図5において、曲線Aは本実施の形態に係るシリコン酸化膜66とシリコン窒化膜67の2層膜による反射防止膜411の光電変換効率の波長依存性を示す分光特性である。この曲線Aは、シリコン酸化膜66の膜厚15nm程度、シリコン窒化膜67の膜厚を50nm程度としたときの特性である。4層膜曲線C参照、3層膜曲線Bに比べて光電変換効率が向上し、撮像素子の感度が向上している。本実施の形態に係る裏面照射型のCMOS固体撮像素子31によれば、基板裏面の光照射面に2層膜による反射防止膜411、好ましくはシリコン酸化膜とシリコン窒化膜の2層膜の反射防止膜を形成することにより、入射光の反射防止効率が向上し、撮像素子の感度を向上することができる。2層膜による反射防止膜411の形成は、特に裏面照射型のCMOS固体撮像素子であるために、多層の配線層の制約を受けずに形成可能となる。本実施の形態の固体撮像素子31では、基板裏面に臨むフォトダイオード34が画素領域全体に形成されるので、フォトダイオード34の開口が100になり、光電変換効率の更なる向上が得られ、高感度の固体撮像素子が得られる。また、2層膜の反射防止膜411を有するので、光照射面の最上層であるオンチップレンズ43と光電変換するシリコン面が近づくことにより、撮像面内の入射角の違いに起因するシェーディングと、隣接画素への光学的な混色を低減することができる。また、シェーディングと光学的混色を従来の表面照射型のCMOS固体撮像素子と同等まで許容すれば、撮像領域周辺での入射角を大きくとることができ、いわゆる出射瞳距離を短くすることができ、固体撮像素子とレンズを一体化して1つのデバイスとして構成した小型モジュール例えばカメラモジュール、電子モジュール等の実現を可能にする。さらに2層膜による反射防止膜411を有することで、製造工程の削減、及び工程削減によるコストダウンを図ることができる。図1で示す本発明に係る反射防止膜41として、図4では、2層膜の反射防止膜411を構成したが、その他、図6に示すように、1層膜による反射防止膜422を構成することができる。この場合の1層膜の反射防止膜412は、膜厚方向で屈折率がステップ的に異なるように形成する。例えばシリコン酸化窒化SiON膜を用い、その窒素組成比を膜厚方向で変えて1層膜の反射防止膜を形成することができる。本発明は、上述した実施の形態固体撮像素子を組み込んで撮像カメラ、各種モジュールを構成することができる。図7は、裏面の光照射面に2層膜または1層膜の反射防止膜41を形成した、上述の裏面照射型のCMOS固体撮像素子31と光学レンズ系85の部分の実施の形態を示す。カラーフィルタは、反射防止膜41とオンチップレンズ43または89との間に配置することもでき、または撮像カメラ、モジュールの機種に応じて図7に示すように、光学レンズ系85側において、その固体撮像素子に対抗する側またはその反対側に配置することもできる。図8は、本発明に係る電子機器モジュール、カメラモジュールの実施の形態を示す概略構成を示す。図8のモジュール構成は、電子機器モジュール、カメラモジュールの双方に適用可能である。本実施の形態のモジュール110は、上述した実施の形態のいずれかの固体撮像素子、例えば裏面照射型固体撮像素子31、光学レンズ系111、入出力部112信号処理装置DigitalSignalProcessors113、光学レンズ系制御用の中央演算装置CPU114を1つに組み込んでモジュールを形成する。また、電子機器モジュール、あるいはカメラモジュール115としては、例えば裏面照射型固体撮像素子31あるいは71、光学レンズ系111及び入出力部112のみでモジュールを形成することもできる。また、例えば裏面照射型固体撮像素子31あるいは71、光学レンズ系111、入出力部112及び信号処理装置DigitalSignalProcessors113を備えたモジュール116を構成することもできる。本実施の形態に係るカメラモジュール、電子機器モジュールによれば、固体撮像素子への入射光の反射防止効率が向上し、モジュールおける固体撮像素子の感度を向上することができる。また、撮像面内の入射角の違いに起因するシェーディングと、隣接画素への光学的な混色が低減する。シェーディングと光学的混色を従来の表面照射型の固体撮像素子と同等まで許容すれば、出射瞳距離を短くすることができ、より小型のモジュールを実現することができる。なお、本発明の固体撮像素子、特に裏面照射型の固体撮像素子を撮像カメラに適用した場合にも、固体撮像素子への入射光の反射防止効率が向上し、撮像カメラの感度を向上することができる。また、撮像面内の入射角の違いに起因するシェーディングと、隣接画素への光学的な混色が低減する。シェーディングと光学的混色を従来の表面照射型の固体撮像素子と同等まで許容すれば、出射瞳距離を短くすることができ、より小型の撮像カメラを実現することができる。