非磁性基体上に少なくとも中間層、第2下地層および磁気記録層を順次積層されている垂直記録媒体であって、該中間層が、RuまたはRu基合金の単一層、またはCoおよびCrを含む非磁性合金層とRuまたはRu基合金の層との積層構造であり、該第2下地層が、30at以上75at以下のCo、および20at以上60at以下のCr、0.1at以上10at以下のWを含み、該第2下地層が0.1nm以上1.0nm以下の膜厚を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。該中間層が0.1nm以上30nm以下の膜厚を有することを特徴とする請求項1に記載の垂直磁気記録媒体。前記磁気記録層が、非磁性酸化物または非磁性窒化物のマトリクス中に磁性結晶粒子が分散されているグラニュラー構造を有する材料から形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の垂直磁気記録媒体。従来の積層構成を変化させることなく、磁気記録層の磁気異方性を高めて記録信号の熱的安定性を向上させることを目的とする。上記の問題を鋭意検討した結果、中間層中のRuまたはRu基合金の層と磁気記録層との間に、CoCrWからなる薄層を導入することによって、磁気異方性の指標である保磁力を増大できることを見いだし、本発明の完成に至った。本発明の垂直磁気記録媒体は、非磁性基体上に少なくとも中間層、第2下地層および磁気記録層を順次積層された構造を有し、中間層が、RuまたはRu基合金の単一層、またはCoおよびCrを含む非磁性合金層とRuまたはRu基合金の層との積層構造であり、第2下地層が、30at以上75at以下のCo、および20at以上60at以下のCr、0.1at以上10at以下のWを含み、第2下地層が0.1nm以上1.0nm以下の膜厚を有することを特徴とする。ここで、中間層が0.1nm以上30nm以下の膜厚を有することが望ましい。また、磁気記録層が、非磁性酸化物または非磁性窒化物のマトリクス中に磁性結晶粒子が分散されているグラニュラー構造を有する材料を用いて形成されていることが望ましい。本発明の垂直磁気記録媒体においては、RuまたはRu基合金の層を含む中間層と、特定の組成を有するCoCrWを含み、特定の膜厚を有する第2中間層との積層構造の上に、磁気記録層を形成したことによって、磁気記録層の磁気異方性の向上および垂直磁気記録媒体の記録信号の熱安定性の向上を実現することができた。このことによって、本発明の垂直磁気記録媒体は、高密度での磁気記録に対応することができる。本発明の垂直磁気記録媒体は、非磁性基体上に、少なくとも中間層、第2下地層および磁気記録層が順次積層された構造を有する。ここで、中間層は、RuまたはRu基合金の単一層、またはCoおよびCrを含む非磁性合金層とRuまたはRu基合金の層との積層構造である。また、該第2下地層は、0.1nm以上1nm以下の膜厚を有し、30at以上75at以下のCo、および20at以上60at以下のCr、0.1at以上10at以下のWを含む。本発明の垂直磁気記録媒体は、任意選択的に、非磁性基体と中間層との間に、軟磁性裏打ち層、第1下地層などの層を含んでもよく、磁気記録層の上に、保護層、液体潤滑剤層などの層を含んでもよい。図1に、本発明の垂直磁気記録媒体の一例を示す。図1に示す垂直磁気記録媒体は、非磁性基体10、軟磁性裏打ち層20、第1下地層30、中間層40、第2下地層50、磁気記録層60、保護層70、および液体潤滑剤層80を含む。非磁性基体10としては、当該技術において知られている、表面が平滑である様々な基体を用いることができる。たとえば、従来の磁気記録媒体に用いられる、NiPメッキを施したAl合金、強化ガラス、結晶化ガラスなどを、非磁性基体10として用いることができる。軟磁性裏打ち層20は、磁気記録層への記録の際に、磁気ヘッドが発生する磁束を磁気記録層に集中させる機能を有する層である。軟磁性裏打ち層20は、FeTaC、センダストFeSiAl合金などの結晶性材料、またはCoZrNb、CoTaZrなどのCo合金を含む非晶質材料を用いて形成することができる。軟磁性裏打ち層20の膜厚は、記録に使用する磁気ヘッドの構造および特性によって最適値が変化するが、生産性との兼ね合いから、10nm以上500nm以下程度であることが望ましい。第1下地層30は、その上に形成される中間層40、第2下地層50および/または磁気記録層60の結晶配向性、結晶粒径などを制御する機能を有する。第1下地層30は、NiおよびFeを少なくとも含む面心立方fcc構造を有する材料を用いて形成することができる。膜厚の増大に伴う結晶粒径の増大、および遷移ノイズなどの磁気記録媒体性能を考慮すると、第1下地層30は、1nm以上20nm以下、好ましくは3nm以上10nm以下の膜厚を有することが望ましい。中間層40は、第2下地層50とともに、その上に形成される磁気記録層60の結晶配向性、結晶粒径、粒界偏析などを制御する機能を有する。中間層40は、単一層または2層の積層構成であってもよい。単一層からなる中間層40は、Ru、またはRuと、C、Cu、W、Mo、Cr、Ir、Pt、Re、Rh、Ta、Vからなる群から選択される1種または複数種の金属とからなるRu基合金を用いて形成することができる。2層の積層構成である中間層は、Ruまたは前述のRu基合金から形成される上層と、CoおよびCrを含む非磁性合金から形成される下層とで構成される。中間層40は、0.1nm以上30nm以下、好ましくは1nm以上20nm以下の範囲内の膜厚積層構成の場合は総膜厚を有することが望ましい。第2下地層50は、その上に形成される磁気記録層60の結晶配向性、結晶粒径、粒界偏析などを制御する機能を有する。第2下地層50は、Co、CrおよびWを含む材料を用いて形成される。当該材料は、材料中の全原子数を基準として、30at以上75at以下のCo、20at以上60at以下のCr、および0.1at以上10at以下のWを含む。第2下地層50は、0.1nm以上1.0nm以下の膜厚を有する。磁気記録層60は、非磁性酸化物または非磁性窒化物のマトリクス中に磁性結晶粒子が分散されているグラニュラー構造磁性材料を用いて形成することができる。磁性結晶粒子は、Co、Ni、およびFeからなる群から選択される少なくとも1種の金属を含み、Cr、Pt、Ta、B、Nb、NおよびCuからなる群から選択される少なくとも1種の金属をさらに含んでもよい。磁性結晶粒子は、たとえばCoPt、CoCrPt、CoCrPtB、CoCrPtTaを用いて形成することができる。一方、グラニュラー構造のマトリクスとなる非磁性酸化物または非磁性窒化物は、SiO2、TiO2、Al2O3、AlN、Si3N4などを含む。用いることができるグラニュラー構造磁性材料は、CoPt-SiO2、CoCrPtO、CoCrPt-SiO2、CoCrPt-TiO2、CoCrPt-Al2O3、CoPt-AlN、CoCrPt-Si3N4などを含むが、これらに限定されるものではない。グラニュラー構造磁性材料を用いることによって、磁気記録層60内の近接する磁性結晶粒間の磁気的分離を促進して媒体特性の改善ノイズの低減、SNRの向上、記録分解能の向上などを図ることができる。磁気記録層60の膜厚は、特に限定されるものではない。しかしながら、高い生産性および高い記録密度を両立させる観点から、磁気記録層60は、30nm以下、好ましくは15nm以下の膜厚を有することが望ましい。保護層70は、下にある磁気記録層60以下の各構成層を保護するための層である。保護層70として、たとえば、カーボンを主成分とする薄膜を用いることができる。その他にも、当該技術において磁気記録媒体保護層用の材料として知られている種々の薄膜材料を使用して、保護層70を形成してもよい。液体潤滑剤層80は、記録/読み出し用ヘッドが磁気記録媒体上を浮上または接触する際の潤滑を付与するための層である。液体潤滑剤層80は、たとえば、パーフルオロポリエーテル系の液体潤滑剤、または当該技術において知られている種々の液体潤滑剤材料を使用して形成することができる。非磁性基体10の上に積層される各層は、磁気記録媒体の分野で通常用いられる様々な成膜技術によって形成することが可能である。軟磁性裏打ち層20から保護層70に至る各層の形成には、たとえば、スパッタ法DCマグネトロンスパッタ法、RFマグネトロンスパッタ法などを含む、真空蒸着法などを用いることができる。また、カーボンを主成分とする保護層70の形成においては、前記の方法に加えてプラズマCVD法を用いることもできる。一方、液体潤滑剤層80の形成には、たとえば、ディップ法、スピンコート法などの塗布技術を用いることができる。実施例1非磁性基体10として、表面が平滑なNiPメッキを施したAl基板富士電機デバイステクノロジー社製S13アルミ基板を準備し、これを洗浄した。洗浄した非磁性基体10を、DCマグネトロンスパッタ装置内に導入した。続いて、圧力0.67PaのArガス中にてCo54Fe9Ta6Zrターゲット全原子を基準として、54atのFe、9atのTa、6atのZr、および残余のCoで構成される。以下同様。ターゲットを用いて、膜厚30nmのCo54Fe9Ta6Zr非晶質軟磁性裏打ち層20を形成した。次に、圧力0.67PaのArガス中にてNi20Cr2Siターゲットを用いて、膜厚6nmのNi20Cr2Si第1下地層30を形成した。得られたNi20Cr2Si膜はfcc構造を有した。引き続いて、圧力4.0PaのArガス中にてRuターゲットを用いて、膜厚8nmのRu中間層40を形成した。次に、圧力0.67PaのArガス中にてCo26Cr2Wターゲットを用いて、Co26Cr2W第2下地層50を形成した。ここで、第2下地層50の膜厚を、膜厚0.3nmから1.5nmの範囲で変化させた。引き続いて、圧力5.3Paにて90Co12Cr16Pt-10SiO2ターゲットを用いて、膜厚5nmのCoCrPt-SiO2磁気記録層60を形成した。最後に、カーボンターゲットを用いて、膜厚2.5nmのカーボン保護層70を形成して、垂直磁気記録媒体を得た。実施例2第2下地層50の形成の際に、ターゲットの組成をCo38Cr2Wに変更したことを除いて、実施例1と同様の手順により、垂直磁気記録媒体を作製した。実施例3第2下地層50の形成の際に、ターゲットの組成をCo42Cr2Wに変更したことを除いて、実施例1と同様の手順により、垂直磁気記録媒体を作製した。比較例1第2下地層4を形成しなかったことを除いて、実施例1と同様の手順により、垂直磁気記録媒体を作製した。評価実施例1および比較例1で得られた垂直磁気記録媒体について、Kerr効果測定装置を用いて保磁力Hcを測定した。図2に、実施例1における第2下地層50の膜厚と得られた垂直磁気記録媒体の保磁力Hcとの関係を示す。図2から分かるように、比較例1膜厚0nmの場合に比較して、実施例1において0.5~1.0nmの膜厚を有するCoCrW第2下地層50を形成した垂直磁気記録媒体において保磁力Hcが17~20増大することすなわち、磁気記録層の磁気異方性が増大することが認められる。また、保磁力Hcは、第2下地層50の膜厚の増加に伴って単調に増加するのではなく、膜厚0.7nmにおいて最大値を採っている。すなわち、最大の保磁力Hcを実現するための第2下地層50の膜厚に最適値が存在することが分かる。同様の検討を実施例2および3について行ったところ、実施例1と同様に、最大の保磁力Hcを実現するための第2下地層50の膜厚に最適値が存在することがわかった。第2下地層50の膜厚の最適値、および最適膜厚における保磁力Hcを第1表に示す。実施例4第2下地層50の膜厚を0.5nmに固定し、第2下地層50の形成をArおよびO2の混合ガス中で行ったことを除いて、実施例1と同様の手順により垂直磁気記録媒体を作成した。この際に、O2の濃度を0.5~3の範囲で変化させた。本例の第2下地層50は、CoCrW合金と、Co、Crおよび/またはWの酸化物とを含む。第2下地層50形成時のO2濃度と、得られた垂直磁気記録媒体の保磁力Hcとの関係実施例1の結果O2濃度=0を含むを、図3に示す。図3から分かるように、第2下地層50形成時のO2濃度の上昇に伴って、保磁力Hcが単調に減少している。この結果は、第2下地層50において、酸化物を含む組成たとえば、酸化物を粒界とするグラニュラー構造などが不適当であることを示唆している。