"半導体構造が成長し得る材料であるドナー層と、歪み層とを有する、エピタキシャル構造を提供するステップと、前記歪み層を緩和させるように前記エピタキシャル構造を処理するステップと、を有し、前記歪み層の緩和は、前記ドナー層の面内格子定数を変化させる、方法。前記エピタキシャル構造は、前記ドナー層と前記歪み層との間に配置された緩和層をさらに有する、請求項1記載の方法。前記エピタキシャル構造は、前記ドナー層と前記歪み層との間に配置された第2の緩和層をさらに有する、請求項2記載の方法。前記エピタキシャル構造は、前記ドナー層と前記歪み層との間に配置されたキャップ層をさらに有し、前記キャップ層は、前記ドナー層からの脱離を低減または防止する、請求項2記載の方法。前記緩和層は、アルミニウムを有する、請求項2記載の方法。前記提供するステップは、第1の基板に前記エピタキシャル構造を成長させるステップを含み、前記方法は、前記エピタキシャル構造を第2の基板に接続するステップと、前記第1の基板を除去するステップと、をさらに有する、請求項1記載の方法。前記エピタキシャル構造は、ボンディング層を通じて前記第2の基板に接続され、前記処理するステップは、前記ボンディング層を加熱するステップを含む、請求項6記載の方法。前記ドナー層を第3の基板に接続するステップと、前記歪み層を除去するステップと、をさらに有する、請求項6記載の方法。前記エピタキシャル構造は、前記ドナー層と前記歪み層との間に配置された低バンドギャップ層をさらに有し、前記低バンドギャップ層は、前記ドナー層及び前記歪み層のバンドギャップよりも低いバンドギャップを持ち、前記歪み層を除去するステップは、レーザで前記低バンドギャップ層を溶融させるステップを含む、請求項8記載の方法。前記歪み層の歪みは、前記ドナー層内の歪みと少なくとも同程度である、請求項1記載の方法。前記ドナー層は、InGaNまたはGaNであり、前記歪み層は、AlGaNまたはGaNであり、前記エピタキシャル構造は、前記ドナー層と前記歪み層との間に配置された緩和層をさらに有し、前記緩和層は、アルミニウムを有する、請求項1記載の方法。前記処理するステップの後に、前記ドナー層は、少なくとも3.2Åの面内格子定数を持つ、請求項1記載の方法。前記処理するステップの後に、n型領域とp型領域との間に配置された発光層を有する構造を前記ドナー層に成長させるステップをさらに有する、請求項1記載の方法。前記処理するステップの前に、前記ドナー層は圧縮状態にあり、前記処理するステップは、前記処理するステップの後に前記ドナー層が少なくとも部分的に緩和されるように、前記ドナー層の前記面内格子定数を増加させるステップを有する、請求項1記載の方法。前記処理するステップの前に、前記ドナー層は緩和され、前記処理するステップは、前記処理するステップの後に前記ドナー層が引っ張られた状態となるように、前記ドナー層の前記面内格子定数を増加させるステップを有する、請求項1記載の方法。前記処理するステップの前に、前記歪み層は圧縮状態にある、請求項1記載の方法。前記処理するステップの前に、前記歪み層の歪みは、少なくとも0.1である、請求項1記載の方法。基板と、ボンディング層によって前記基板に取り付けられたエピタキシャル構造と、を有し、前記エピタキシャル構造は、半導体構造が成長し得る材料であるドナー層と、歪み層と、前記ドナー層と前記歪み層との間に配置された緩和層と、を有する、構造体。前記ボンディング層は、ほうりんけい酸ガラスである、請求項18記載の構造体。前記ドナー層は、InGaNまたはGaNであり、前記歪み層は、AlGaNまたはGaNであり、前記緩和層は、アルミニウムを有する、請求項18記載の構造体。図1は、参照により本願に組み込まれる、米国特許出願公開第2007/0072324号でより詳細に説明された複合成長用基板を示している。基板10は、ホスト基板12と、シード層16と、ホスト12をシード16に接合するボンディング層14とを含む。ホスト基板12は、基板10、及び、基板10の上に成長した半導体デバイス層18への機械的支持を提供する。シード層16は、デバイス層18が成長する層であり、このため、III族窒化物結晶が核形成できる材料でなければならない。ここで用いられるように、面内格子定数は、デバイス内の半導体層の実際の格子定数をいい、バルク格子定数は、緩和した、所与の組成の独立した材料の格子定数をいう。層内の歪み量は、として定義される。三元または四元のIII族窒化物組成AxByCzNのバルク格子定数は、ヴェガード則に従って推定されてもよい。ここで、aは二元化合物のバルク格子定数である。AlNは3.111Åのバルク格子定数を持ち、InNは3.544Åのバルク格子定数を持ち、GaNは3.1885Åのバルク格子定数を持つ。図1の複合基板のシード層がIII族窒化物材料である場合、シード層は、成長用基板上に歪んだ状態で成長する。これは、がと等しくないことを意味している。シード層16がホスト基板12に接続され、成長用基板から解放された場合、例えばボンディング層14を通じて、シード層16とホスト基板12との間の接続が適合していれば、シード層16は、少なくとも部分的に緩和し得る。例えば、III族窒化物デバイスが従来どおりAl2O3上に成長する場合、基板上に成長した第1の層は、一般的には、約3.19の格子定数を有するGaNバッファ層である。GaNバッファ層は、InGaNであることが多い発光層を含む、バッファ層の上に成長したデバイス層の全てに対して面内格子定数を設定する。InGaNは、GaNよりも大きいバルク格子定数を持つため、発光層は、GaNバッファ層の上に成長した場合、歪みを受ける。InGaNシード層を有する複合基板では、緩和後、InGaNシード層は、GaNよりも大きい面内格子定数を持ち得る。このように、InGaNシード層の面内格子定数は、GaNよりも、InGaN発光層のバルク格子定数により近づく。InGaN発光層を含む、InGaNシード層の上に成長したデバイス層は、InGaNシード層の面内格子定数を再現するであろう。従って、緩和されたInGaNシード層上に成長したInGaN発光層は、GaNバッファ層上に成長したInGaN発光層よりも、小さい歪みを受け得る。本発明の目的は、効率的に発光する半導体発光デバイスを提供することである。本発明の実施形態に従った方法は、ドナー層及び歪み層を有するエピタキシャル構造を提供するステップを含む。エピタキシャル構造は、歪み層を緩和させるために処理される。歪み層の緩和は、ドナー層の面内格子定数を変化させる。実施形態に従った構造体は、基板と、ボンディング層によって基板に取り付けられたエピタキシャル構造とを有する。エピタキシャル構造は、半導体構造が成長し得る材料であるドナー層と、歪み層と、ドナー層と歪み層との間に配置された緩和層とを有する。上記の方法及び構造体では、ドナー層は、複合基板のためのシード層を形成するために使用され得る。ドナー層は、歪み層を有するエピタキシャル構造内に成長し得る。エピタキシャル構造が緩和された場合、ドナー層及び歪み層の結合歪みエネルギーは、ドナー層のみを含むエピタキシャル構造を緩和させることによって達成し得る面内格子定数を超えて、ドナー層の面内格子定数を変えることができる。発光層を含む半導体構造は、シード層上に成長し得る。シード層は少なくとも部分的に緩和されるため、シード層上に成長した半導体構造の発光層は、従来の基板の上に成長した発光層よりも、小さい歪みを持ち得る。結果として、シード層の上に成長した発光層はより小さい歪みを持つことができるため、シード層の上に成長した発光層は、従来の発光層よりも効率的に発光し得る。図1に示されたシード層16は、成長用基板上に成長し、ホスト基板12に接合され、成長用基板から解放されて、緩和される。ここで用いられるように、シード層は、緩和後のシード層をいう。緩和前に、成長用基板上に成長するようなシード層は、ここでは、ドナー層として称される。ドナー層内の歪みエネルギーEは、として表現され得る。ここで、Yはドナー層の係数であり、dはドナー層の厚みであり、eはドナー層内の歪みである。ドナー層が、ボンディング層を通じて基板に取り付けられ、成長用基板から解放され、その後、ボンディング層のリフローを介して緩和された場合、歪みエネルギーは、ドナー層の緩和を促進する。上記のように、歪みエネルギーは、ドナー層の厚み及びドナー層内の歪みの二乗に比例する。ドナー層の組成は、面内格子定数を決定し、従って、シード層内の歪みを決定する。厚みを増やすことは、歪みエネルギーを大きくし、且つ、緩和中のバックリングに対するドナー層の剛性を大きくするため、ドナー層は、できるだけ厚い方が好ましい。InGaNドナー層の場合、所望の組成のシード層が、厚みの増加につれて、不要な欠陥及び粗い表面形態を作る傾向にある。例えば、10よりも大きいInN組成、且つ、数百ナノメートルよりも大きい厚みで、十分高品質のInGaNドナー層を成長させることは困難であろう。本発明の実施形態では、ここではドナー構造として称される、ドナー層を含む構造は、ドナー構造の厚み及び歪みエネルギーを増やすため、ここではミュール層と称される少なくとも1つの更なる層を含む。ミュール層の追加は、ドナー構造の歪みエネルギーを増加し得る。これは、シード層内の緩和量を増加し得る。また、ミュール層の追加は、ドナー構造の厚みを増加し得る。これは、ドナー層に対して更なる剛性を提供し、緩和中のシード層内でのバックリングを低減または防止し得る。図2は、サファイア,SiCまたはSiのような任意の適切な成長用基板であろう、成長用基板20上に成長したドナー構造25の一例を示している。任意的な核形成層22が、最初に、基板20上に成長し得る。核形成層22は、III族窒化物ドナー層24が成長し、且つ、基板20の材料上に容易に核化する材料であってもよい。例えば、サファイア基板20上に成長する場合、核形成層22は、GaNであってもよい。ドナー層24は、核形成層22の上に成長する。ドナー層24は、例えば、GaN,AlInGaN,他のIII族窒化物材料または他の材料であってもよいが、大抵の場合、InGaN層である。ドナー層24は、高品質なIII族窒化物デバイス層が成長し得る材料である。ドナー層24は、通常は歪んでいる。GaN核形成層22上に成長したInGaNドナー層24の場合、InGaNドナー層24は、圧縮歪みを受ける。ドナー層24は、ある実施形態では1~10の間、ある実施形態では1~5の間、ある実施形態では5~8の間、ある実施形態では7、ある実施形態では6、ある実施形態では3のInN組成を有するInGaN層である。ドナー層24の厚みは、例えば、ある実施形態では50nm~1ミクロンの間であってもよく、ある実施形態では100nm~500nmの間であってもよい。ある実施形態では、ミュール層の追加は、より少ないInNを有するInGaNドナー層、または、単なるGaNドナー層のような、より小さい歪みエネルギーを有するドナー層の使用を可能とする。これは、ミュール層が、ドナー層の歪みエネルギーを補うためである。ミュール層のないドナー構造では、ドナー層内のInN組成は、達し得る格子定数の上限を定める。これは、面内格子定数がバルク格子定数に達する場合、緩和を促進するための歪みエネルギーがドナー構造内にもはや存在しないためである。ミュール層を有するドナー構造では、成長過程で名目上緩和された、InN組成の低いInGaNドナー層またはGaNドナー層が、ミュール層の歪みエネルギーの緩和によってバルク格子定数を超えて引っ張られた状態へ促進され得る。ドナー層の歪みエネルギー,厚み及び格子定数のようなドナー構造の特性は、ミュール層を緩和させることによって引っ張り状態に置かれたとしてもドナー層が割れないように選択される。ある実施形態では、ひび割れを防止するため、シード層内の引っ張り歪みがわずか0.15に制限される。緩和層26は、ドナー層24上に成長する。緩和層26は、ドナー層24上に成長した場合に、部分的または完全に緩和するように選択された組成及び厚みを持つ。また、緩和層26の特性は、厚い、圧縮歪みを受けた、許容品質のミュール層27が緩和層26の上に成長できるように選択される。緩和層内に生成された欠陥は、ミュール層へのみ伝播し、その下のドナー層へは決して伝播しない。ある実施形態では、緩和層26は、例えば100オングストロームよりも小さい厚みで完全に緩和することができるAlNである。ある実施形態では、緩和層26は、高いAlN組成を有するAlGaNである。例えば、AlGaN緩和層26のAlN組成は、ある実施形態では40~100の間であってもよく、ある実施形態では70~100の間であってもよい。緩和層26は、ある実施形態では5nm~1ミクロンの間、ある実施形態では20nm~500nmの間、ある実施形態では50nm~200nmの間の厚みを持っていてもよい。ミュール層27は、緩和層26の上に成長する。ミュール層27は、歪みを受ける。例えば、ミュール層27は、少なくとも0.1の歪みを受け得る。ミュール層27内の歪みは、大抵の場合、圧縮歪みである。ミュール層の組成は、ドナー層内の面内格子定数を増やすのに十分な歪みエネルギーを提供するために選択される。ミュール層は、ドナー層内の面内格子定数を、バルク格子定数未満まで部分的な緩和、バルク格子定数まで緩和、または、バルク格子定数を超えて引っ張り、増加させてもよい。組成は、ミュール層27が大幅に緩和しないように、または、成長の間に低材料品質に悪化しないように選択される。加えて、組成は、ミュール層27が、緩和中、シード層内のバックリングを防止または低減するためにドナー構造の剛性を改善するのに十分大きい厚みにまで十分高品質で成長できるように選択される。ある実施形態では、ミュール層27は、60~80の間のAlN組成を有するAlGaNである。例えば、AlN緩和層26上に成長した、AlNが70のAlGaNミュール層27は、約0.7の圧縮歪みを持つ。これは、GaN核形成層22上に成長した、7のInN組成を有するInGaNドナー層24の歪みに相当する。AlGaNを有する高品質のミュール層27は、InGaNを有する高品質のドナー層24より非常に厚く成長することができる。ミュール層27は、ある実施形態では100nm~20ミクロンの間の厚みであってもよいし、ある実施形態では1ミクロン~5ミクロンの間の厚みであってもよい。図3は、成長用基板20上に成長したドナー構造25の他の例を示している。図2のように、核形成層22,ドナー層24及び緩和層26が成長用基板20上に成長する。更なる緩和層28は、緩和層26の上に成長する。緩和層26上に成長した更なる緩和層28は、緩和層26から、例えばGaNまたはAlN組成の低いAlGaNであろう、より容易に成長したミュール層30までの格子定数にステップダウンを与える。例えば、緩和層26は、AlNであってもよいし、または、70~100の間のAlN組成を有するAlGaNであってもよい。中間層28は、例えば、20~40の間のAlN組成を有するAlGaNであってもよい。中間層28は、ある実施形態では10nm~1ミクロンの間、ある実施形態では20nm~500nmの間、ある実施形態では50nm~200nmの間の厚みを持っていてもよい。ミュール層30は、例えば、ある実施形態では100nm~20ミクロンの間の厚みまで成長したGaNであってもよいし、ある実施形態では1~5ミクロンの間の厚みまで成長したGaNであってもよい。InGaNドナー層24,AlN緩和層26,AlN組成が30のAlGaN中間層28及びGaNミュール層30を有するドナー構造では、GaNミュール層30が、約0.7の圧縮歪みを持つ。ある実施形態では、ミュール層及びドナー層の組成及び厚みは、ドナー層内の圧縮歪みエネルギーがミュール層内の圧縮歪みエネルギーと等しくなるように選択される。ある実施形態では、ミュール層及びドナー層の組成及び厚みは、ドナー層内の圧縮歪みエネルギーがおおよそミュール層内の圧縮歪みエネルギーと等しくなるように選択される。ドナー層内の歪みエネルギー及びミュール層内の歪みエネルギーを含む、ドナー構造内の総歪みエネルギーは、ドナー構造が緩和された場合、ドナー層内の格子定数を所望の面内格子定数に変えるために選択される。第1の例では、6のInNを有し、2500Åの厚みの、歪みを受けたInGaNドナー層24が、緩和されたGaN核形成層22上に成長する。AlN緩和層26がドナー層の上に成長するのに続いて、70のAlNを有し、40000Åの厚みの、AlGaNミュール層27が成長する。ドナー層は、成長するにつれて約0.66の圧縮歪みを持ち、ミュール層は、成長するにつれて約0.74の圧縮歪みを持つ。下記のような完全な緩和後では、ミュール層は、3.134Åの面内格子定数を持ち、シード層は、3.212Åの面内格子定数を持つ。第2の例では、6のInNを有し、2500Åの厚みの、InGaNドナー層24が、GaN核形成層22上に成長する。AlN緩和層26がドナー層の上に成長するのに続いて、30のAlNを有するAlGaN緩和層28が成長する。AlN層26は、3.11Åの面内格子定数を持ち、AlGaN層28は、3.165Åの面内格子定数を持つ。緩和層28の上に成長した40000Åの厚みのGaNミュール層30は、層28の格子定数である3.165Åを再現する。ドナー層は、成長するにつれて約0.66の圧縮歪みを持ち、ミュール層は、成長するにつれて約0.73の圧縮歪みを持つ。下記のような完全な緩和後では、ミュール層は、3.189Åの面内格子定数を持ち、シード層は、3.212Åの面内格子定数を持つ。第3の例では、2500Åの厚みのGaNドナー層24が、GaN核形成層22上に成長する。AlN緩和層26がドナー層の上に成長するのに続いて、30のAlNを有するAlGaN緩和層28が成長する。40000Åの厚みのGaNミュール層30が緩和層28の上に成長する。ドナー層は、成長した状態で緩和されており歪みなし、ミュール層は、成長するにつれて状態で約0.73の圧縮歪みを持つ。下記のような完全な緩和後では、ミュール層は、3.189Åの面内格子定数を持ち、シード層は、3.212Åの面内格子定数を持つ。ある実施形態では、ミュール層は、ドナー層の前に成長する。例えば、高いInN組成を有するInGaNミュール層が成長用基板の上に成長するのに続いて、低いInN組成を有するInGaNドナー層が成長してもよい。InGaNドナー層は、ミュール層での高いInN組成のため、InGaNミュール層よりも良い品質の材料であってもよい。ミュール層及びドナー層の結合歪みエネルギーは、緩和中、ドナー層が所望の面内格子定数を有するシード層まで緩和するように選択される。上記の例は、ドナー層の面内格子定数を大きくするために、圧縮状態のミュール層を用いるが、他の実施形態では、ドナー層に圧縮を与えるため、あるいは、ドナー層の面内格子定数を小さくするため、引っ張り状態のミュール層が用いられてもよい。図2及び図3に示された、上記のドナー構造25は、以下のような複合基板の中に形成されてもよい。図4では、ドナー構造25は、ボンディング層34を通じて、中間基板32に接続される。ある実施形態では、ボンディング層34は、SiO2、ほうりんけい酸ガラスBPSG、または、例えば、蒸着、スパッタリング、堆積作用によって堆積された他の市販のガラスである。中間基板は、例えば、サファイア、Si、または、他の任意の適切な材料であってもよい。ボンディング層34は、ドナー構造25または中間基板32、あるいは、その両方に形成されてもよい。成長用基板20は、その成長用基板材料に適した技術によって除去される。例えば、サファイア基板は、ドナー層の前に成長用基板の上に成長する、後述のリフトオフ層のような任意の適切な層のレーザ融解によって除去されてもよい。SiC基板は、エッチングによって除去されてもよい。核形成層22は、ドナー層24の表面を露出するため、例えば、エッチングによって除去されてもよい。ある実施形態では、ドナー構造25は、成長用基板からドナー層を後で分離するのを促進するHのような注入種が注入された犠牲半導体層を含む。ドナー層は、例えば、注入領域に犠牲層を膨張させて引き裂かせる熱を加えることにより、注入種を活性化させることによって成長用基板から分離される。犠牲層の注入、及び、注入種を活性化させることによって成長用基板から半導体構造を分離することは、参照により本願に組み込まれる、米国特許出願公開第2005/0026394号及び米国特許第5,374,564号に詳述されている。トレンチが、例えば、エッチングによって、ドナー層24、あるいは、ドナー層及びミュール層29の両方に形成されてもよい。図4に示された構造は、ボンディング層34のフローを介してドナー構造25を膨張させるために、例えば800°Cよりも大きい温度まで加熱されてもよい。ミュール層29は、例えば、図2に示されたミュール層27、または、図3に示されたミュール層30であってもよい。厚い、圧縮歪みを受けたミュール層29は、膨張し、ドナー層24の膨張を促進する。ミュール層29及びドナー層24は、全体的または部分的に緩和してもよい。緩和されたドナー層24は、図4におけるシード層38として示されている。シード層38の面内格子定数は、なお歪みを受け、成長用基板20に取り付けられた場合、歪みを受けたドナー層24の面内格子定数を超えて増加される。緩和後、シード層での面内格子定数は、ある実施形態では少なくとも3.192Åであってもよく、ある実施形態では少なくとも3.199Åであってもよく、ある実施形態では少なくとも3.2Åであってもよく、ある実施形態では少なくとも3.224Åであってもよい。2つのボンディングステップが、所望の配向のIII族窒化物シード層24を有する複合基板を形成するために必要とされ得る。図2及び図3で上述したような、サファイアまたはSiC成長用基板上に成長したIII族窒化物層は、一般的に、c面ウルツ鉱として成長する。このウルツ鉱型III族窒化物構造は、ガリウム表面としても称されるIII族表面及び窒素表面を持つ。III族窒化物は、底面成長用基板に隣接する表面が窒素表面となる一方、成長層の上面がガリウム表面となるように、好ましくは成長する。従来のようにドナー層をサファイアまたはSiC上に単に成長させ、ドナー層をホストに接続し、成長用基板を除去することは、窒素表面が露出したIII族窒化物シード層を具備する複合基板をもたらすであろう。III族窒化物は、好ましくは、ガリウム表面、即ち、上面としてガリウム表面上に成長し、このため、窒素表面での成長は、結晶内に欠陥を不必要に取り込み、結果的に、結晶配向が、上面として窒素表面を有する配向から上面としてガリウム表面を有する配向へ切り替わるので、低品質材料をもたらしたりする可能性がある。上面としてガリウム表面を有するシード層24を具備する複合基板を形成するため、成長用基板の除去によって露出された窒素表面を残して、シード層材料がガリウム表面を通じて中間基板に接合されるように、ドナー層は、図2及び図3に示されるように、従来、成長用基板上に成長し、中間基板に接合され、図4に示されるように、成長用基板から分離される。図5では、シード層38の窒素表面は、例えば、サファイア、Siまたは任意の他の適切な材料であろう、ホスト基板40に接合される。ある実施形態では、任意的なボンディング層42が、シード層38とホスト基板40との間に配置される。任意的なボンディング層42は、1つ以上の酸化物、窒化物、炭化物、あるいは、シリコンのフッ化物、アルミニウム、ホウ素、リン、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、インジウム、スズ、アンチモン、鉛、ビスマス、チタン、タングステン、マグネシウム、カルシウム、カリウム、ニッケル、イットリウム、ジルコニウム、ハフニウム、ネオジム及びタンタルであってもよい。ホスト基板への接合後、中間基板及びボンディング層は、レーザ融解またはエッチングのような、その基板及びボンディング層に適した技術によって除去される。レーザ融解のためのレーザは、レーザエネルギーが、ボンディング層または中間基板によってではなく、ミュール層または緩和層によって吸収されるように選択される。最終的な複合基板では、シード層38の窒素表面は、III族窒化物シード層38のガリウム表面がデバイス層の成長のために露出されるように、予備的なボンディング層42を通じてホスト基板40に接合される。ミュール層29及び緩和層26は、図5に示されるように、任意的なボンディング層42を通じてホスト基板40に接合されたシード層38を残して、例えばエッチングまたはレーザ融解によって除去されてもよい。ある実施形態では、ミュール層29の全部または一部が、アルミニウム含有層を露出するために、エッチングによって除去される。この層は酸化され、それから、緩和層26及び任意の残っているミュール層29がエッチングによって除去される。ある実施形態では、図5に示される向きでシード層38の上面にある緩和層26及びミュール層29が、ミュール層ではなく緩和層によって吸収される周波数のレーザビームに対して露出される。緩和層とミュール層との間のインタフェースは、融解し、ミュール層が緩和層から分離されるのを可能とする。ある実施形態では、緩和層29が、緩和層ではなくシード層によって吸収される周波数のレーザビームに対して露出される。緩和層とシード層との間のインタフェースは、融解し、緩和層がシード層から分離されるのを可能とする。ある実施形態では、低バンドギャップリフトオフ層が、ミュール層及び緩和層のレーザリフトオフを促進するために、ドナー構造に組み込まれる。図6は、リフトオフ層を含むドナー構造の一部を示している。リフトオフ層44は、ドナー層24の後であって緩和層26及びミュール層29の前、あるいは、ドナー層24及び緩和層26の後であってミュール層29の前に成長する。リフトオフ層44は、例えば、高いInN組成層を有する薄いInGaN層であってもよい。リフトオフ層44でのInN組成は、リフトオフ層がレーザリフトオフに用いられるレーザによって放射された周波数の光を吸収するように選択される。当該レーザ周波数は、レーザがリフトオフ層の前に見るドナー構造の層が当該レーザ光を吸収しないように選択される。ある実施形態では、リフトオフ層44のバンドギャップは、次に最も小さいバンドギャップを有するドナー構造内の層、大抵の場合はドナー層24、のバンドギャップよりも極めて小さくなるように選択される。リフトオフ層は、ある実施形態では、2~25の間のInN組成を有するInGaNであってもよい。リフトオフ層は、10nm~500nmの厚みであってもよい。図6に示されたドナー層24は、図4及び図5を参照して上述されたように、緩和されたシード層として、ボンディング層を通じてホスト基板に接続されてもよい。ミュール層29及び緩和層26は、リフトオフ層44を融解し緩和層26及びミュール層29をドナー層24から解放するために、ミュール層の上面からレーザビームを発光させることによって除去されてもよい。ある実施形態では、例えば、インジウムがInGaNドナー層24から脱離するのを防止するために、キャップ層がドナー層の上に形成される。キャップ層は、例えば、GaNであってもよい。図2及び図3に示されたドナー構造では、キャップ層80が、図8に示されるように、ドナー層24と緩和層26との間に配置されてもよい。図6の部分的なドナー構造では、キャップ層は、リフトオフ層44と緩和層26との間に配置されてもよい。III族窒化物デバイスが、図5に示された複合基板のシード層38上に成長してもよい。以下の例では、半導体デバイスは、可視光または紫外線を放射するIII族窒化物LEDであるが、本発明の実施形態は、レーザダイオード、電界効果トランジスタ及び検出器のようなLED以外の他の半導体光電気的または電気的デバイスや、III族リン化物、IIIV族、IIVI族のようなIII族窒化物以外の材料系からなるデバイスや、他のデバイスを成長させるために用いられてもよい。デバイス層がシード層38の上に成長する。デバイス層は、シード層38と同じ面内格子定数を持つことができる。デバイス層は、n型領域とp型領域との間に挟まれた発光または活性領域を含む。n型領域は、一般的には、最初に成長し、例えば、n型の又は意図的にドープされない、バッファ層又は核形成層のような準備層、即ち、後でホスト基板40,ボンディング層42,シード層38または複合基板全体の除去を促進する層、及び発光領域が効率的に発光するために望ましい特定の光学的又は電気的特性のために設計されたn型あるいはp型のデバイス層といった、異なる組成及びドーパント濃度の複数の層を含んでいてもよい。発光または活性領域は、n型領域の上に成長する。適切な発光領域の例は、単一の厚いまたは薄い発光層、あるいは、バリア層によって分離された多重の薄いまたは厚い量子井戸発光層を含む多重量子井戸発光領域を含む。p型領域は、発光領域の上に成長する。n型領域のように、p型領域は、意図的にドープされない層またはn型層を含む、異なる組成、厚み、ドーパント濃度の複数の層を含んでいてもよい。図7は、フリップチップデバイスを示す。デバイス層18は、シード層38,ボンディング層42及びホスト基板40を含む複合基板のシード層38上に成長する。pコンタクト金属が形成され、それから、pコンタクト48,p型領域及び活性領域の一部が、nコンタクト金属46が配置されるn型領域の一部を露出するために、除去される。図7に示されたデバイスでは、複数のnコンタクト領域がpコンタクト領域の間に入っている。他の実施形態では、単一のnコンタクト領域及び単一のpコンタクト領域が形成される。pコンタクト48及びnコンタクト46は、デバイスの同じ側に形成される。コンタクトは、一般的に、反射性を有し、デバイスは、一般的に、図7に示される配置のデバイスの上面を通じて光が抽出されるように、成長方向に対して反対側のマウント50に搭載される。デバイスは、nコンタクト46及びpコンタクト48とマウント50との間のインターコネクト図示省略を通じてマウント50に搭載される。例えば、インターコネクトは、両端部が金でできたインターコネクトであってもよく、デバイスは、サーモソニックボンディングによりマウントに取り付けられてもよい。あるいは、インターコネクトは、はんだであってもよく、デバイスは、リフローはんだ付けによりマウントに取り付けられてもよい。複合基板は、図7に示されるように、デバイスの一部のままであってもよく、あるいは、複合基板全体,ホスト基板40またはボンディング層42は、レーザリフトオフ、エッチング、あるいは、グラインディングまたは化学機械研磨のような機械的プロセスのような、除去される材料に適した技術によって除去されてもよい。エピタキシャル構造は、例えば、光電気化学的エッチングにより、薄くされてもよい。薄くされた後に残っているエピタキシャル構造の上面は、光抽出を改善するために、例えば格子または光学結晶構造の表面を、例えば粗面化あるいはパターニングすることによって、テクスチャ化されてもよい。波長変換素子、干渉フィルタ、または、レンズのような技術で知られる構造が、エピタキシャル構造の上に形成されてもよい。フリップチップに加えて他のデバイス構造が用いられてもよい。ある代替案では、光は、エピタキシャル構造の上面、即ち、nコンタクト46及びpコンタクト48が形成される表面を通じてデバイスから抽出されてもよい。ある実施形態では、p型領域の上部は、粗い表面を形成するコンディション下で成長してもよく、分かれた、粗いp型層は、p型領域の上に成長してもよく、あるいは、p型層の滑らかな表面は、例えば光電気化学的エッチングにより成長後エッチングまたは粗面化されてもよい。透明な導電性酸化物のような透明な導電体の層が、p型表面の上に形成されてもよい。例えば、透明な導電材料は、インジウムスズ酸化物、亜鉛酸化物、または、ルテニウム酸化物であってもよい。p型構造の一部及び発光領域は、n型層を露出するために、除去される。nコンタクト46は、露出したn型層上に形成される。pコンタクト48は、透明な導電体の一部に形成され、この透明な導電体は、p型領域38を通じて、電流を横方向に伝搬させる。nコンタクト46及びpコンタクト48は、ある程度制限されてもよく、または、透明に作られてもよい。透明材料の表面を通じて光が抽出されるように、デバイスが搭載されてもよい。他の代替案では、垂直射出LEDが形成される。pコンタクトは、p型領域の表面上に形成され、エピタキシャル構造は、pコンタクトを通じてマウントに取り付けられる。複合基板の全部または一部は、n型領域の表面を露出するために、除去されてもよい。例えば、ホスト基板は、導電性ボンディング、または、nコンタクトが形成され得るシード層を露出するために除去されてもよく、ホストの全部または一部,ボンディング層及びシード層は、デバイス層のn型領域を露出するために除去されてもよい。nコンタクトは、露出された表面、または、n型領域の側面のような他の露出されたn型表面上に形成される。nコンタクトは、半導体構造の一方の側例えば、上面に形成され、pコンタクトは、半導体構造の他方の側例えば、底面に形成される。nコンタクトへの電気的コンタクトは、ワイヤボンドまたは導電性のブリッジのような任意の適切な構造で作られてもよい。nコンタクトの範囲は、デバイスの上部から光が抽出され得るように、制限されてもよい。ある実施形態では、例えば、散乱を増やすことによって、デバイスからの光抽出を増やすための構造がデバイスに含まれる。例えば、エピタキシャル構造の表面が粗面化されてもよい。ある実施形態では、散乱は、光学結晶、または、III族窒化物構造の表面に組み込まれるか形成される格子によって引き起こされる。そのような構造では、光屈折率の変化が周期的に、材料中の発光領域によって放射された光の波長に近い間隔で提供される。周期及び振幅のような、周期的な屈折率変化のパラメータは、所望の発光パターンに抽出される光量を増やすために選択されてもよい。例えば、格子または光学結晶の大きさ及び間隔は、半導体構造の上面に対する法線方向へ抽出される光量を最大化するために、選択されてもよい。パラメータの選択及び光学結晶の形成については、全てが参照により本願に組み込まれる、米国特許第7,642,108号、7,442,965号、7,442,964号、7,294,862号、7,279,718号、7,012,279号及び6,956,247号に詳述されている。1つ以上の波長変換素子が、白色光または他の色の単色光を作るために、デバイスの上に配置されてもよい。LEDによって放射された未変換の光は、光の最後のスペクトルの一部であってもよいが、これは必須ではない。通常の組み合わせの例は、黄色発光蛍光体と組み合わされた青色発光LED、緑色発光蛍光体及び赤色発光蛍光体と組み合わされた青色発光LED、青色発光蛍光体及び黄色発光蛍光体と組み合わされた紫外線発光LED、並びに、青色発光蛍光体,緑色発光蛍光体及び赤色発光蛍光体と組み合わされた紫外線発光LEDを含む。他の色の光を放射する波長変換材料が、デバイスから放射される光のスペクトルを調整するために、加えられてもよい。複数の波長変換材料が、単一の波長変換層に混合されてもよいし、あるいは、独立した層として形成されてもよい。適切な波長変換構造の例は、LEDに接着または接合された形成済みのセラミック蛍光体層、あるいは、電気光学的に堆積、ステンシル印刷、スクリーン印刷、スプレー、堆積、蒸着、スパッタ、またはLEDに他の方法で施された有機的カプセル化材料内に配置された粉末状の蛍光体を含む。上述された実施形態は、III族窒化物構造のようなIIIV構造でのミュール層を用いるが、本発明の実施形態は、Siのような他の材料系に実装されてもよい。例えば、ミュール層は、従来方法によって組み立てられたストレインドシリコンよりも潜在的に廉価でより少ない欠陥をもつストレインドシリコンの組み立てを可能とすることができるであろう。従来方法は、Siへの緩和されたSiGeヘテロ構造の成長を採用し、それから、引っ張り歪みとともに成長する緩和されたSiGeへの薄いSiドナー層の成長を採用する。薄いSiドナー層は、ホスト及びSi基板に移され、SiGeは、上述されたように注入犠牲層を活性化することによって除去される。緩和されたSiGe中に生成された転移は、Siストレインドドナー層へ不必要に伝播する。ミュール層を含むデバイスでは、厚い圧縮歪みを受けたSiGeミュール層が、Si上に成長し間には緩和層がない、キャリア基板に移される。薄いSiドナー層のみを残して、Siの大部分は除去される。構造は、SiGeを緩和させ、Siドナー層を引っ張り歪みに引き入れるため、アニールされる。SiGeミュール層の代わりとして、緩和されたSiGe層に続いて、緩和されたSiGe層よりも大きいGe組成を有する引っ張り歪みを受けたSiGeミュール層が成長してもよい。ストレインドSiGeミュール層は、一般的に、欠陥を生成しないが、緩和されたSiGe層及び純粋なGeミュール層では、欠陥の全てが、緩和層に生成され、下のドナー層ではなくミュール層のみへ伝搬する。以上、本発明について詳述したが、当業者であれば、本開示により、ここで述べられた本発明の考えを逸脱しない範囲で、種々の変形を本発明に適用できることを理解するであろう。従って、本発明の範囲が、説明及び既述された特定の実施形態に限定される意図はない。"