"R1、R22T14BR1はDy、Tbを除く少なくとも1種の希土類元素であり、R2はDy、Tbの何れか一方又は両方を少なくとも含む希土類元素であり、TはFe又はFe及びCoを含む1種以上の遷移金属元素を表すの結晶粒を含む希土類焼結磁石体を有する希土類焼結磁石であり、前記希土類焼結磁石体中の前記結晶粒の周りを取り囲む結晶粒界に含まれるR1とR2との和に対するR2の割合が、前記結晶粒中のR1とR2との和に対するR2の割合より高く、R2の濃度が希土類焼結磁石体中心部から希土類焼結磁石体表面に向かって高くなると共に、前記希土類焼結磁石体の表面における残留磁束密度のばらつきが3.0未満であることを特徴とする希土類焼結磁石。前記希土類焼結磁石体の表面における保磁力のばらつきが、18.0未満であることを請求項1に記載の希土類焼結磁石。前記希土類焼結磁石体が複数の面を有し、前記希土類焼結磁石体の複数の面の中で前記残留磁束密度のばらつきが最小となる面が、前記希土類焼結磁石体の配向方向に対し垂直な面である請求項1又は2に記載の希土類焼結磁石。R1、R22T14BR1はDy、Tbを除く少なくとも1種の希土類元素であり、R2はDy、Tbの何れか一方又は両方を少なくとも含む希土類元素であり、TはFe又はFe及びCoを含む1種以上の遷移金属元素を表すの結晶粒を含む希土類焼結磁石体を回転させ、R2の希土類化合物を含むスラリーを前記希土類焼結磁石体に塗布し、前記希土類焼結磁石体を回転させつつ、乾燥させ、前記スラリーが乾燥された希土類焼結磁石体を熱処理することにより得られ、前記希土類焼結磁石体中の前記結晶粒の周りを取り囲む結晶粒界に含まれるR1とR2との和に対するR2の割合が、前記結晶粒中のR1とR2との和に対するR2の割合より高く、R2の濃度が希土類焼結磁石体中心部から希土類焼結磁石体表面に向かって高くなると共に、前記希土類焼結磁石体の表面における残留磁束密度のばらつきが3.0未満であることを特徴とする希土類焼結磁石。前記スラリーを、スプレーにより前記希土類焼結磁石体に吹き付け、前記希土類焼結磁石体に塗布する請求項4に記載の希土類焼結磁石。前記希土類焼結磁石体を、前記スラリーが貯留された領域に浸漬させ、前記希土類焼結磁石体に前記スラリーを塗布する請求項4に記載の希土類焼結磁石。前記スラリーは、複数のスラリー流として前記希土類焼結磁石体に塗布される請求項4に記載の希土類焼結磁石。前記スラリーは、前記希土類焼結磁石体の配置位置の鉛直方向上方から落下させて前記希土類焼結磁石体に塗布される請求項4に記載の希土類焼結磁石。周方向に配置された複数のコイルを有するステータと、前記ステータ内に回動可能に設けられ、且つ、外周面に所定間隔で請求項1乃至8の何れか1つに記載の希土類焼結磁石が設けられるロータコアを備えるロータと、を有することを特徴とするモータ。しかしながら、粉末を水や有機溶媒に分散させたスラリーに焼結体を投入する方法では、塗布されるスラリーの厚みが表面の位置によって変化し、むらが発生することがある。このように付着するスラリー付着する希土類化合物の量にむらがあると、その後、熱処理を行い製造した磁石では、表面の磁束にばらつきが発生し、残留磁束密度Brなど磁気特性にむらが発生する、という問題があった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、磁気特性のむらが抑制された希土類焼結磁石を提供することを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、R1、R22T14BR1はDy、Tbを除く少なくとも1種の希土類元素であり、R2はDy、Tbの何れか一方又は両方を少なくとも含む希土類元素であり、TはFe又はFe及びCoを含む1種以上の遷移金属元素を表すの結晶粒を含む希土類焼結磁石体を有する希土類焼結磁石であり、前記希土類焼結磁石体中の前記結晶粒の周りを取り囲む結晶粒界に含まれるR1とR2との和に対するR2の割合が、前記結晶粒中のR1とR2との和に対するR2の割合より高く、R2の濃度が希土類焼結磁石体中心部から希土類焼結磁石体表面に向かって高くなると共に、前記希土類焼結磁石体の表面における残留磁束密度Brのばらつきが3.0未満であることを特徴とする希土類焼結磁石である。R1、R22T14Bの結晶粒を含む希土類焼結磁石体に、R2の希土類化合物を含むスラリーを前記希土類焼結磁石体の表面に存在させた状態で、前記希土類焼結磁石体及びスラリーに熱処理を施し、前記スラリーに含まれているR2の希土類化合物を吸収させる。これにより、焼結磁石体の表面に存在するスラリーに含まれていたR2の希土類化合物は結晶粒界結晶粒の粒界を通じて希土類焼結磁石体の内部に取り込まれ、結晶粒界から各結晶粒の内部に拡散する。本発明は、希土類焼結磁石体中のR1、R22T14Bの結晶粒の周りを取り囲む結晶粒界に含まれるR1とR2との和に対するR2の割合が、結晶粒中のR1とR2との和に対するR2の割合より高くなるようにしている。粒界のRリッチ層は加熱により液化するため、結晶粒界中のR2の拡散速度は粒界から結晶粒の内部への拡散速度より速いと考えられる。また、熱処理温度は希土類焼結磁石体の焼結温度以下の温度として熱処理を施すことで、R2の希土類化合物は希土類焼結磁石体の結晶粒界への拡散にとどまり結晶粒の内部にまで拡散しない。拡散速度の差を利用し、熱処理温度を希土類焼結磁石体の焼結温度以下の温度に調整することで、希土類焼結磁石体の結晶粒の粒界近傍にR2が拡散することになる。また、本発明は、R2の希土類化合物を希土類焼結磁石体の表面に塗布し、供給しているため、希土類焼結磁石体内部より希土類焼結磁石体表面側にR2は多く分布する。よって、R2の濃度は希土類焼結磁石体中心部から希土類焼結磁石体表面に向かって高くなるように分布する。希土類焼結磁石体の表面からR2の希土類化合物を結晶粒界を通じて希土類焼結磁石体の内部に取り込み、結晶粒界から各結晶粒の内部に拡散させつつ、結晶粒の粒界近傍にR2を拡散させる。これにより、本発明の希土類焼結磁石は、希土類焼結磁石体中の結晶粒界に含まれるR1とR2との和に対するR2の割合が、結晶粒中のR1とR2との和に対するR2の割合より高くなる。このため、本発明の希土類焼結磁石は、残留磁束密度Brの低下をほとんど伴わずに磁石の保磁力HcJを増大させることができる。また、前記希土類焼結磁石体の表面における残留磁束密度Brのばらつきは3.0未満としている。これにより、熱処理を施した後の希土類焼結磁石は、その表面の磁束のばらつきを抑制することができ、残留磁束密度Brなど磁気特性のむらを抑制することができる。この結果、本発明の希土類焼結磁石はモータ用の永久磁石として用いた際、モータのコギングトルクを低減することができる。本発明では、前記希土類焼結磁石体の表面における保磁力HcJのばらつきが18.0未満であることが好ましい。希土類焼結磁石体の表面の保磁力HcJのばらつきを小さくすることで、希土類焼結磁石が減磁し始める減磁温度を上昇させることができる。このため、希土類焼結磁石がモータ用の永久磁石として用いられる場合、前記永久磁石の耐熱性を向上させることができる。本発明では、前記希土類焼結磁石体が複数の面を有し、前記希土類焼結磁石体の複数の面の中で前記残留磁束密度Brのばらつきが最小となる面が、前記希土類焼結磁石体の配向方向に対し垂直な面であることが好ましい。モータを回転させる場合、希土類焼結磁石の配向方向の磁束を使用するが、希土類焼結磁石の磁束がばらついているとモータを好適に回転させることが困難である。希土類焼結磁石体の面の中で残留磁束密度Brのばらつきが希土類焼結磁石体の他の面より小さい面が、希土類焼結磁石体の配向方向に対し垂直な面となることで、磁束のばらつきは小さくなる。このため、本発明の希土類焼結磁石はモータのトルク特性などモータの性能を向上させることができるので、モータ用の永久磁石として好適に用いることができる。本発明は、R1、R22T14BR1はDy、Tbを除く少なくとも1種の希土類元素であり、R2はDy、Tbの何れか一方又は両方を少なくとも含む希土類元素であり、TはFe又はFe及びCoを含む1種以上の遷移金属元素を表すの結晶粒を含む希土類焼結磁石体を回転させ、R2の希土類化合物を含むスラリーを前記希土類焼結磁石体に塗布し、前記希土類焼結磁石体を回転させつつ、乾燥させ、前記スラリーが乾燥された希土類焼結磁石体を熱処理することにより得られ、前記希土類焼結磁石体中の前記結晶粒の周りを取り囲む結晶粒界に含まれるR1とR2との和に対するR2の割合が、前記結晶粒中のR1とR2との和に対するR2の割合より高く、R2の濃度が希土類焼結磁石体中心部から希土類焼結磁石体表面に向かって高くなると共に、前記希土類焼結磁石体の表面における残留磁束密度のばらつきが3.0未満であることを特徴とする希土類焼結磁石である。希土類焼結磁石体を回転させながらR2の希土類化合物を含むスラリーを希土類焼結磁石体に向けて供給することで、希土類焼結磁石体全体にむらなくスラリーを塗布することができる。また、本発明の希土類焼結磁石は、上述と同様、希土類焼結磁石体の表面からR2の希土類化合物を結晶粒界を通じて希土類焼結磁石体の内部に取り込み、結晶粒界から各結晶粒の内部に拡散させつつ、結晶粒の粒界近傍にR2を拡散させている。このため、本発明の希土類焼結磁石は、残留磁束密度Brの低下をほとんど伴わずに磁石の保磁力HcJを増大させることができる。また、希土類焼結磁石体の表面における残留磁束密度Brのばらつきは3.0未満としている。これにより、上述のように熱処理して製造した希土類焼結磁石はその表面の磁束のばらつきを抑制することができ、残留磁束密度Brなど磁気特性のむらを抑制することができる。このため、本発明の希土類焼結磁石はモータ用の永久磁石として用いた際、モータのコギングトルクを低減することができる。また、希土類焼結磁石体はスラリーが塗布された後、希土類焼結磁石体に塗布されたスラリーを乾燥することで、塗布したスラリーの厚みのむらが発生することをより確実に抑制することができる。本発明では、前記スラリーを、スプレーにより前記希土類焼結磁石体に吹き付け、前記希土類焼結磁石体に塗布することが好ましい。これにより希土類焼結磁石体の軸方向の全域に、より均一にスラリーを塗布することができる。本発明では、前記希土類焼結磁石体を、前記スラリーが貯留された領域に浸漬させ、前記希土類焼結磁石体に前記スラリーを塗布することが好ましい。これにより希土類焼結磁石体の全域に、簡易、かつ均一にスラリーを塗布することができる。本発明では、前記スラリーは、複数のスラリー流として前記希土類焼結磁石体に塗布されることが好ましい。これにより希土類焼結磁石体の軸方向の全域に、均一にスラリーを塗布することができる。本発明では、前記スラリーは、前記希土類焼結磁石体の配置位置の鉛直方向上方から落下させて前記希土類焼結磁石体に塗布されることが好ましい。スラリーは希土類焼結磁石体の配置位置の鉛直方向上方から落下させて希土類焼結磁石体に塗布されるため、希土類焼結磁石体の軸方向の全域に、簡単、かつ均一にスラリーを塗布することができる。本発明のモータは、本発明の希土類焼結磁石を備えるものであって、周方向に配置された複数のコイルを有するステータと、前記ステータ内に回動可能に設けられ、且つ、外周面に所定間隔で上記の何れか1つに記載の希土類焼結磁石が設けられるロータコアを備えるロータと、を有することを特徴とするモータである。本発明のモータは、磁気特性のむらが抑制された希土類焼結磁石を永久磁石として用いているため、コギングトルクやトルクリプルなどを低減することができ、モータ性能を向上させることができる。本発明によれば、磁気特性のむらが抑制された希土類焼結磁石を提供することができる。また、上記希土類焼結磁石をモータに用いることにより、モータ性能を向上させることができる。以下、本発明につき図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の発明を実施するための形態以下、実施形態というにより本発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、下記実施形態で開示した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。[実施形態]<希土類焼結磁石>本実施形態に係る希土類焼結磁石の実施形態について説明する。本実施形態に係る希土類焼結磁石は、R1、R22T14BR1はDy、Tbを除く少なくとも1種の希土類元素であり、R2はDy、Tbの何れか一方又は両方を少なくとも含む希土類元素であり、TはFe又はFe及びCoを含む1種以上の遷移金属元素を表すの結晶粒を含む希土類焼結磁石体を有する希土類焼結磁石である。また、本実施形態に係る希土類焼結磁石は、希土類焼結磁石体中の結晶粒の周りを取り囲む結晶粒界に含まれるR1とR2との和に対するR2の割合が、結晶粒中のR1とR2との和に対するR2の割合より高く、R2の濃度が希土類焼結磁石体中心部から希土類焼結磁石体表面に向かって高くなるようにしている。本明細書においては、R-T-B系希土類焼結磁石の主相に含まれる結晶粒の組成は、R1、R22T14Bという組成式で表す。この主相は、R1、R22T14B型の正方晶からなる結晶構造を有するものである。よって、R-T-B系希土類焼結磁石の主相の組成を表すRは、R1、R2の総称となる。なお、Rは少なくとも1種の希土類元素を含み、R1はDy、Tbを除く少なくとも1種の希土類元素を示し、R2はDy、Tbの何れか一方又は両方を少なくとも含む希土類元素を示し、TはFe又はFe及びCoを含む1種以上の遷移金属元素を表す。また、本実施形態において、希土類焼結磁石には、当該磁石を加工して着磁した磁石製品と、当該磁石を着磁していないものとの両方を含む。また、結晶粒界には、希土類元素の配合割合が高い希土類リッチ相、及び、ホウ素B原子の配合割合が高いホウ素リッチ相が含まれていてもよい。また、結晶粒の粒径は、通常1μmから30μm程度である。本実施形態に係る希土類焼結磁石は、R2の希土類化合物を含むスラリーを希土類焼結磁石体の表面に存在させた状態で、希土類焼結磁石体及びスラリーに熱処理を施し、スラリーに含まれているR2の希土類化合物を吸収させた希土類焼結磁石体を用いている。このような希土類焼結磁石体では、焼結磁石体の表面に存在するスラリーに含まれていたR2の希土類化合物は結晶粒界を通じて希土類焼結磁石体の内部に取り込まれ、結晶粒界から主相の各結晶粒の内部に拡散する。また、粒界のRリッチ層は加熱により液化するため、粒界中のR2の拡散速度は粒界から結晶粒中の内部への拡散速度より速いと考えられる。この拡散速度の差を利用し、熱処理温度を希土類焼結磁石体の焼結温度以下の温度に調整することで、希土類焼結磁石体の結晶粒の粒界近傍にR2が拡散することになる。このため、結晶粒界に含まれるR1とR2との和に対するR2の割合は、結晶粒中のR1とR2との和に対するR2の割合より高くなる。また、R2の希土類化合物が希土類焼結磁石体の表面に塗布され、希土類焼結磁石体の内部へ供給しているため、希土類焼結磁石体内部より希土類焼結磁石体表面側にR2は多く分布する。よって、R2の濃度は希土類焼結磁石体中心部から希土類焼結磁石体表面に向かって高くなる。本実施形態に係る希土類焼結磁石は、希土類焼結磁石体の表面からR2の希土類化合物を結晶粒界を通じて希土類焼結磁石体の内部に取り込み、結晶粒界から各結晶粒の内部に拡散させ、結晶粒の粒界近傍にR2を拡散させている。このため、本実施形態に係る希土類焼結磁石は、合金からR2を添加する場合に比べ、残留磁束密度Brの低下をほとんど伴わずに保磁力HcJを向上させることができる。スラリーに含まれるR2の希土類化合物を希土類焼結磁石体に吸収させる際、真空又はArアルゴン、ヘリウムHe等の不活性ガス雰囲気として熱処理が行なわれる。処理室内が大気圧に近い雰囲気では、スラリーに含まれていたR2の希土類化合物が焼結磁石体の内部に供給されにくくなる。スラリーに含まれるR2の希土類化合物を希土類焼結磁石体に吸収させる際、処理室内を真空又は不活性ガス雰囲気とし大気よりも低い圧力に減圧することで、R2の希土類化合物は焼結磁石体の表面から内部に供給され易くなる。これにより、希土類焼結磁石の保磁力HcJを向上させることができる。熱処理する際の熱処理温度は希土類焼結磁石体の焼結温度以下の温度で熱処理を施す。希土類焼結磁石体の焼結温度以上の温度で熱処理すると、希土類焼結磁石の組織が変成する虞があるからである。また、R2の希土類化合物が希土類焼結磁石体の結晶粒界だけでなく結晶粒の内部にまで拡散し、希土類焼結磁石体の表面における残留磁束密度Brが低下する虞があるからである。本実施形態では、希土類焼結磁石体の配向方向に垂直な面における残留磁束密度Brのばらつきは3.0未満であり、好ましくは2.5以下であり、更に好ましくは2.0である。希土類焼結磁石体の配向方向に垂直な面における残留磁束密度Brのばらつきが3.0以上の場合には、熱処理を施して製造した希土類焼結磁石は、その表面の磁束のばらつきが大きくなり、この希土類焼結磁石がモータ用に用いられる場合、コギングトルクを低減することができないからである。この残留磁束密度Brのばらつきは、希土類焼結磁石体の表面の複数箇所から一部試料片として取り出し、それぞれの試料片の残留磁束密度Brを測定する。そして測定した全て試料片の残留磁束密度Brの値の平均値を求める。そして測定した試料片の残留磁束密度Brの値と平均値との差を平均値で割り100を乗じた値を残留磁束密度Brのばらつきとする。なお、残留磁束密度Brは、希土類焼結磁石体の表面から取り出した試料片をアクリル棒に取り付け、振動試料型磁力計VSM:VibratingSampleMagnetometerを用いて測定することで、残留磁束密度Brが測定される。従来のように、R2の希土類化合物の粉末を水や有機溶媒に分散させたスラリーに焼結体を投入する方法では、塗布されるスラリーの厚みが表面の位置によって変化してむらが発生するため、製造した磁石の配向方向に垂直な面における残留磁束密度Brのばらつきも大きかった。これに対し、本実施形態では、後述するように、希土類焼結磁石体の表面にR2の希土類化合物を含むスラリーを希土類焼結磁石体を回転させながら塗布することで、希土類焼結磁石体の表面に塗布されるスラリーの厚みのばらつきを低減することができる。このため、希土類焼結磁石体の配向方向に垂直な面における残留磁束密度Brのばらつきを上記範囲内とすることができる。これにより、磁石の磁気特性のむらを更に抑制することができる。この結果、本実施形態に係る希土類焼結磁石が例えばモータの永久磁石として用いられた際、モータのコギングトルクを低減することができる。希土類焼結磁石体の表面に塗布されるスラリーの厚みが土類焼結磁石体の平面方向において異なると、希土類焼結磁石体内のR2の希土類化合物の拡散量が希土類焼結磁石体の平面方向において異なるため、希土類焼結磁石体の表面における保磁力HcJが異なる。希土類焼結磁石体の表面に塗布されるスラリーの厚みのばらつきを低減することで、希土類焼結磁石体の平面方向における希土類焼結磁石体内のR2の希土類化合物の拡散量のばらつきが軽減される。このため、希土類焼結磁石体の表面における保磁力HcJのばらつきを低減することができる。希土類焼結磁石体の表面における保磁力HcJのばらつきは、18.0未満であることが好ましく、より好ましくは15以下であり、更に好ましくは10以下である。希土類焼結磁石体の表面における保磁力HcJのばらつきが、18.0以上の場合には、熱処理を施して製造した希土類焼結磁石がモータ用の磁石として用いられる場合、十分な耐熱性を有することができないからである。即ち、希土類焼結磁石体の表面における保磁力HcJのばらつきを上記範囲内となるようにすることで、希土類焼結磁石が減磁し始める減磁温度を上昇させることができる。このため、本実施形態に係る希土類焼結磁石が例えばモータ用の永久磁石として用いられる場合、永久磁石の耐熱性を向上させることができる。この保磁力HcJのばらつきは、希土類焼結磁石体の表面の複数箇所から一部試料片として取り出し、それぞれの試料片の保磁力HcJを測定する。そして測定した試料片の保磁力HcJの値の平均値を求める。そして測定した試料片の保磁力HcJの値と平均値との差の値を平均値で割り100を乗じた値を保磁力HcJのばらつきとする。なお、保磁力HcJは、パルスBHトレーサーにより測定される。前記Rは、上述したように、少なくとも1種の希土類元素を含む。希土類元素とは、長周期型周期表の第3族に属するSc、Y及びランタノイド元素のことをいい、ランタノイド元素には、例えば、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等が含まれる。また、希土類元素は、軽希土類及び重希土類に分類され、重希土類元素とはGd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luをいい、軽希土類元素はそれ以外の希土類元素である。磁気特性の観点から、R1は、Nd、Prの何れか一方又は両方を主成分として含まれるものであることが好ましい。R2は、重希土類元素、特にDy、Tbの何れか一方又は両方が含まれるものであることが好ましく、Hoが更に含まれてもよい。この場合、重希土類元素は、希土類焼結磁石の異方性磁界を大きくする作用があり、磁石の保磁力を向上させることが可能である。また、前記Tとしては、希土類元素以外、例えば、Co、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、WなどのFe以外の遷移元素からなる群より選ばれる少なくとも1種の元素をさらに含んでいてもよい。前記Tは、Fe単独であってもよく、Feの一部がCoで置換されてもよい。Feの一部をCoに置換する場合、磁気特性を低下させることなく温度特性を向上させることができる。また、Coの含有量は、Feの含有量の20質量以下に抑えることが望ましい。これは、Coの含有量がFeの含有量の20質量より大きくなるようにFeの一部をCoに置換すると、磁気特性を低下させる虞がある。また、高価となってしまうからである。上記希土類焼結磁石体において、Bの一部を炭素Cに置換することができる。この場合、磁石の製造が容易となるほか、製造コストの低減も図れるようになる。また、Cは耐蝕性を有するため、Bの一部をCに置換することで、耐蝕性を向上させることができる。また、Cの置換量は、磁気特性に実質的に影響しない量とする。本実施形態に係る希土類焼結磁石は、保磁力の向上や製造コストの低減等を図る観点から、上記構成に加え、Al、Bi、Sb、Ge、Sn、Si、Ga、Zr等の元素をさらに含んでいてもよい。これらの含有量も磁気特性に影響を及ぼさない範囲とすることが好ましく、それぞれ5質量以下とすることが好ましい。また、その他、不可避的に混入する成分としては、酸素O、窒素N、C、Ca等が考えられる。これらはそれぞれ0.5質量程度以下の量で含有されていてもよい。希土類焼結磁石における希土類元素の含有量は25質量以上35質量以下であり、好ましく28質量以上33質量以下であり、Bの含有量は0.5質量以上1.5質量以下であり、好ましく0.8質量以上1.2質量以下であることが好ましい。また、Feの一部をCoに置換してCoを含める場合、Coの含有量は4質量以下の範囲が好ましく、0.1質量以上2質量以下とすることがより好ましく、0.3質量以上1.5質量以下とすることが更に好ましい。Al、Cuの何れか一方又は両方を0.02質量以上0.6質量以下の範囲で含有することができる。この範囲でAl及びCuの1種又は2種を含有させることにより、得られる磁石の高保磁力化、高耐食性化、温度特性の改善が可能となる。Alの含有量は0.03質量以上0.4質量以下であるのが好ましく、0.05質量以上0.25質量以下がより好ましい。また、Cuの含有量は0.3質量以下が好ましく但し、0を含まず、0.2質量以下ただし、0を含まないとすることがより好ましく、0.03質量以上0.15質量以下とすることが更に好ましい。希土類焼結磁石においては、磁気特性の観点から、酸素量を6000ppm以下とすることが好ましく、より好ましくは3000ppm以下、特に好ましくは2000ppm以下とする。また、炭素量を2000ppm以下とすることが好ましく、より好ましくは1500ppm以下、特に好ましくは1200ppm以下とする。さらに、窒素量を1000ppm以下とすることが好ましく、より好ましくは800ppm以下、特に好ましくは600ppm以下とする。スラリーに含有させ希土類焼結磁石体に塗布するR2の希土類化合物には、希土類元素R2R2はDy、Tbの何れか一方又は両方を含む希土類元素又はその希土類化合物が好適に用いられる。R2の希土類化合物としては、R2水素化物、R2酸化物、R2フッ化物、R2T合金TはFe又はFe及びCoを含む1種以上の遷移金属元素を表す、R2T水素化物、R2T酸化物、R2TB合金、R2TB水素化物、R2TB酸化物が挙げられる。またスラリー中には樹脂を含むことが好ましい。これにより、R2の希土類化合物の希土類焼結磁石体への密着性を上げることができる。使用する樹脂は特に限定はなく、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ブチラール樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、セルロース樹脂等が用いられる。また樹脂を溶解させるために使用される溶剤としては、樹脂を溶解できるものであれば特に限定されるものではない。希土類焼結磁石体は、例えばプレス成形などにより任意の形状に成形される。希土類焼結磁石体の形状は特に限定されるものではなく、用いる金型の形状に応じて、例えば平板状、柱状、希土類焼結磁石体の断面形状がC型の円筒状等、任意の形状とすることができる。希土類焼結磁石体の形状が平板状である場合、平面の面積が一番大きい面が希土類焼結磁石体の配向方向に対し垂直な面のとき、平面の面積が一番大きい面を残留磁束密度Brのばらつきが希土類焼結磁石体の面の中で最小となる面とする。平面の面積が一番大きい面が希土類焼結磁石体の配向方向に対し垂直な面となることで、磁束のばらつきを小さくできる。また、希土類焼結磁石体の形状が四角柱である場合、希土類焼結磁石体の一対の側面が希土類焼結磁石体の配向方向に対し垂直な面のとき、希土類焼結磁石体の一対の側面を残留磁束密度Brのばらつきが希土類焼結磁石体の他の面の中で最小となる面とする。この希土類焼結磁石体の一対の側面が希土類焼結磁石体の配向方向に対し垂直な面となることで、磁束のばらつきを小さくできる。<希土類焼結磁石の製造方法>上述したような構成を有する希土類焼結磁石の好適な製造方法について図面を用いて説明する。図1は、本発明の実施形態に係る希土類焼結磁石の製造方法を示すフローチャートである。図1に示すように、本実施形態に係る希土類焼結磁石の製造方法は、以下の工程を含んでなる。R1、R22T14Bの結晶粒を含む希土類焼結磁石体を供給する磁石体準備工程ステップS11前記希土類焼結磁石体を回転させる回転工程ステップS12前記希土類焼結磁石体に、R2の希土類化合物を含むスラリーを塗布する塗布工程ステップS13前記スラリーが塗布され、回転が開始された希土類焼結磁石体を回転させつつ、乾燥させる乾燥工程ステップS14前記希土類焼結磁石体の回転を停止する回転停止工程ステップS15前記スラリーが乾燥された希土類焼結磁石体を熱処理する熱処理工程ステップS16本実施形態に係る希土類焼結磁石を製造する際には、磁石製造装置を用いて希土類焼結磁石を製造する。図2は、磁石製造装置の構成を簡略に示す図である。図2に示すように、磁石製造装置10は、焼結体準備機構11と、塗布機構12と、乾燥機構13と、熱処理機構14と、搬送機構15と、制御機構16とを有する。なお、制御機構16は、各部の動作を制御する機構である。なお、本実施形態に係る希土類焼結磁石の製造は、磁石製造装置10を用いる場合に限定されるものではない。前記希土類焼結磁石体を回転させながらスラリーを塗布できる装置であればよい。以下、本実施形態に係る希土類焼結磁石を図2に示す磁石製造装置10を用いて製造する場合について説明する。<磁石体準備工程:ステップS11>磁石体準備工程ステップS11は、焼結体準備機構11において希土類焼結磁石を製造するために用いられる希土類焼結磁石体を準備する工程である。図3は、本発明の実施形態に係る希土類焼結磁石を製造するために用いられる希土類焼結磁石体の製造方法を示すフローチャートである。図3に示すように、希土類焼結磁石体の製造方法は、以下の工程を含んでなる。合金を準備する合金準備工程ステップS21合金を粗粉砕して粉末とする粗粉砕工程ステップS22粗粉砕した粉末を更に微粉砕する微粉砕工程ステップS23微粉砕した原料粉末を成形する成形工程ステップS24成形体に加熱する処理を行い焼成を行う焼成工程ステップS25焼結体の表面を処理する表面処理工程ステップS26合金準備工程ステップS21は、所望の組成を有する希土類磁石体が得られるような合金を準備する工程である。合金準備工程ステップS21では、例えば、希土類磁石の組成に対応する金属等の元素を含む単体、合金や化合物等を、真空又はアルゴン等の不活性ガス雰囲気下で溶解した後、これを用いて鋳造法やストリップキャスト法等を用いて合金の製造を行うことによって所望の組成を有する合金を作製する。合金としては、希土類磁石における主相を構成する組成の合金主相合金と、粒界相を構成する組成の合金粒界相合金との2種類を使用することもできる。所望の組成を有する合金を作製した後、粗粉砕工程ステップS22に移行する。粉砕工程ステップS22は、合金を粗粉砕して粉末とする工程である。粉砕工程ステップS22では、得られた合金を粗粉砕して、数百μm程度の粒径を有する粉末とする。合金の粗粉砕は、例えば、ジョークラッシャー、ブラウンミル、スタンプミル等の粗粉砕機を用いるか、または、合金に水素を吸蔵させた後、異なる相間の水素吸蔵量の相違に基づく自己崩壊的な粉砕を生じさせる水素吸蔵粉砕ことによって行うことができる。合金を粗粉砕してした後、微粉砕工程ステップS23に移行する。微粉砕工程ステップS23は、粗粉砕により得られた粉末を更に微粉砕する工程である。微粉砕工程ステップS23では、粗粉砕した粉末を更に微粉砕することで、好ましくは1μm以上10μm以下、より好ましくは3μm以上5μm以下の粒径を有する希土類磁石体の原料粉末以下、単に原料粉末というを得る。微粉砕は、粉砕時間等の条件を適宜調整しながら、ジェットミル、ボールミル、振動ミル、湿式アトライター等の微粉砕機を用いて粗粉砕した粉末の更なる粉砕を行なうことで実施される。なお、合金の製造において主相合金と粒界相合金の2種類を調整した場合は、各合金に対して粗粉砕及び微粉砕をそれぞれ行い、これにより得られた2種類の微粉末を混合することによって原料粉末を調製してもよい。粗粉砕した粉末を更に微粉砕した後、成形工程ステップS24に移行する。成形工程ステップS24は、微粉砕した原料粉末を目的の形状に成形する工程である。成形工程ステップS24では、成形は、磁場を印加しながら行い、原料粉末に所定の配向を生じさせる。成形は、例えば、プレス成形により行うことができる。具体的には、原料粉末を金型キャビティ内に充填した後、充填された粉末を上パンチと下パンチとの間で挟むようにして加圧することによって、原料粉末を任意の形状に成形することができる。成形によって得られる成形体の形状は特に制限されるものではなく、用いる金型の形状に応じて、例えば平板状、柱状、リング状等、所望とする希土類磁石体の形状に応じて任意の形状とすることができる。本実施形態では、平板状の成形体とする。成形時の加圧は、0.5ton/cm2以上1.4ton/cm2以下で行うことが好ましい。また、印加する磁場は、12kOe以上20kOe以下とすることが好ましい。なお、成形方法としては、上記のように原料粉末をそのまま成形する乾式成形のほか、原料粉末を油等の溶媒に分散させたスラリーを成形する湿式成形を適用することもできる。微粉砕した原料粉末を目的の形状に成形して成形体を得た後、焼成工程ステップS25に移行する。焼成工程ステップS25は、成形体に加熱する処理を行い焼成を行う工程である。焼成工程ステップS25では、成形体に対して、例えば、真空中又は不活性ガスの存在下、1010°C以上1110°C以下、2時間以上6時間以下で加熱する処理を行うことにより焼成を行う。これにより、原料粉末が液相焼結を生じ、主相の体積比率が向上した焼結体希土類磁石体の焼結体が得られる。焼結体を得た後、表面処理工程ステップS26に移行する。表面処理工程ステップS26は、焼結体の表面を酸溶液によって処理する工程である。表面処理工程ステップS26では、得られた焼結体に対しては、適宜所望の大きさや形状に加工した後、焼結体の表面を例えば酸溶液によって処理する。焼結体の表面処理に用いる酸溶液としては、硝酸、塩酸等の水溶液と、アルコールとの混合溶液が好適である。この表面処理は、例えば、焼結体を酸溶液に浸漬したり、焼結体に酸溶液を噴霧したりすることによって行うことができる。かかる表面処理によって、焼結体に付着していた汚れや酸化層等を除去して清浄な表面を得ることができ、後述するR2の希土類化合物の付着及び拡散が有利となる。汚れや酸化層等の除去を更に良好に行う観点からは、酸溶液に超音波を印加しながら表面処理を行ってもよい。このように、磁石体準備工程ステップS11では、焼結体の表面処理を行い、希土類焼結磁石体が得られる。準備される希土類焼結磁石体は、成形工程ステップS24で原料粉末を成形することで所定形状に成形されるが、更に任意の形状に加工してもよい。このとき、希土類焼結磁石体は例えばプレス成形、打ち抜き、切削などにより所定形状に成形される。磁石体準備工程ステップS11では、成形工程ステップS24において成形体の形状を平板状としている。このため、本実施形態では、平板状の希土類焼結磁石体を用いた場合を例として説明する。焼結体準備機構11は、複数の希土類焼結磁石体21を準備し、希土類焼結磁石体21を保有する。磁石製造装置10は、焼結体準備機構11で準備される希土類焼結磁石体21を搬送機構15によって塗布機構12に搬送する。搬送機構15は、焼結体を搬送させる搬送機構であり、焼結体準備機構11で準備された希土類焼結磁石体21を塗布機構12まで搬送する。搬送機構15としては、種々の手段を用いることができ、例えば、ベルトコンベアや、ロボットアーム等を用いることができる。磁石製造装置10は、希土類焼結磁石体21を搬送機構15によって塗布機構12に搬送した後、回転工程ステップS12に移行する。<回転工程:ステップS12>回転工程ステップS12は、磁石製造装置10は、搬送機構15によって焼結体準備機構11から搬送される希土類焼結磁石体を塗布機構12で保持し、回転させる工程である。図4は、塗布機構の構成を簡略に示す模式図である。図4に示すように、塗布機構12は、希土類焼結磁石体21にスラリー22を塗布する塗布手段23と、希土類焼結磁石体21を保持し、希土類焼結磁石体21を回転させる回転保持手段24とを有する。塗布手段23は、スプレーヘッド25と、スプレーヘッド25の下面に設けられた複数の噴射口26と、スプレーヘッド25の鉛直方向下側に配置され、噴射口26から放出されたスラリー22を回収するスラリー回収部27とを有する。塗布手段23は、後述する塗布工程ステップS13において希土類焼結磁石体21にスラリー22を塗布する。また、回転保持手段24は、接触部28と、回転部29と、着脱部30とを有する。なお、回転保持手段24は、回転軸に垂直な対称面を軸として、左右対称の形状であり、希土類焼結磁石体21の両端に2つの接触部28をそれぞれ接触させて、希土類焼結磁石体21を挟み込む構造である。磁石製造装置10は、搬送機構15によって塗布機構12に搬送された希土類焼結磁石体21を回転保持手段24で保持した後、塗布機構12の回転保持手段24の回転部29により接触部28を回転させて、希土類焼結磁石体21の回転を開始する。2つの接触部28は、希土類焼結磁石体21と接触する部材であり、回転部29、着脱部30により保持されている。2つの接触部28は、向かい合うように配置されており、希土類焼結磁石体21は、2つの接触部28に挟まれて配置される。つまり、希土類焼結磁石体21は、両端本実施形態では、希土類焼結磁石体21の長手方向の端部が、接触部28と接触する。回転部29は、接触部28に対応して設けられており、接触部28を回転させる駆動機構である。回転部29は、接触部28を、希土類焼結磁石体21の長手方向に平行な軸を回転軸として図中R方向に回転させる。回転部29によって接触部28を回転させる方法は、特に限定されない。例えば、接触部28を連結している軸と、回転モータとを伝達ベルトプーリで連結し、回転モータの回転を、伝達ベルトを介して接触部28に伝達することで、接触部28を回転させる方法がある。また、接触部28はモータを直接連結し、接触部28を回転させるようにしてもよい。着脱部30は、接触部28を回転自在に支持しており、回転軸に平行な方向図中矢印A方向に移動させることできる。接触部28を回転軸に平行な方向図中矢印A方向に移動させることで、着脱部30を回転軸に平行な方向に移動させ、2つの接触部28間の距離を調整することができる。これにより、2つの接触部28間の距離を広げ、希土類焼結磁石体21の長手方向の長さよりも長くすることで、希土類焼結磁石体21を着脱可能としている。また、着脱部30は、希土類焼結磁石体21を保持した状態で移動することもできる。このように、回転保持手段24は、接触部28を着脱部30により回転軸に平行な方向に移動させることで、希土類焼結磁石体21を着脱し、回転部29により接触部28を回転軸周りに回転させることで、希土類焼結磁石体21を回転軸周りに回転させる。磁石製造装置10は、回転保持手段24により希土類焼結磁石体21を回転させた後、塗布工程ステップS13に移行する。<塗布工程:ステップS13>塗布工程ステップS13では、回転している希土類焼結磁石体21に、希土類化合物を含むスラリーを塗布する。塗布手段23は、スプレーヘッド25と、スプレーヘッド25の下面に設けられた複数の噴射口26と、スプレーヘッド25の鉛直方向下側に配置され、噴射口26から放出されたスラリー22を回収するスラリー回収部27とを有する。スプレーヘッド25は、スラリー循環部31から供給されるスラリー22を一時的に貯留し、一定圧以上に圧縮する貯留部である。複数の噴射口26は、スプレーヘッド25の下面に列上に形成され、スプレーヘッド25から一定圧以上で供給されたスラリー22を霧状に噴射させる。スラリー回収部27は、スプレーヘッド25の噴射口26から噴射され、希土類焼結磁石体21に付着しなかったスラリー22を回収する。また、スラリー回収部27は、受け皿で構成され、側面が傾斜面となっており、側面に付着したスラリー22を回収する回収口が形成された下面に流れる構成となっている。スラリー22を希土類焼結磁石体21に塗布する際は、図4に示すように、塗布機構12は、回転保持手段24で保持した希土類焼結磁石体21を回転させつつ、スプレーヘッド25とスラリー回収部27との間に移動させる。塗布機構12は、回転保持手段24で保持した希土類焼結磁石体21を回転させつつ、塗布手段23によるスラリー22の塗布を行う。塗布手段23は、噴射口26からスラリー22を噴射することで、噴射口26の鉛直方向下側にある希土類焼結磁石体21にスラリー22を塗布することができる。噴射口26から放出されたスラリー22が落下する位置にある希土類焼結磁石体21は、姿勢を変化させながらスラリー22と接触する。これにより、希土類焼結磁石体21は、略全面がスラリー22の到達位置を通過し、噴射口26から放出されたスラリー22が塗布される。また、希土類焼結磁石体21に塗布されなかった、つまり付着しなかったスラリー22は、希土類焼結磁石体21よりも鉛直方向下側にあるスラリー回収部27によって回収される。また、図5は、塗布手段の構成を簡略に示す模式図である。図5に示すように、塗布手段23は、スプレーヘッド25にスラリー22を供給すると共に、スラリー回収部27からスラリー22を回収して循環させるスラリー循環部31を有する。スラリー回収部27に受け止められたスラリー22は配管32aからスラリータンク33に回収される。スラリータンク33は、スラリー22を貯留するタンクであり、一定量のスラリー22が貯められている。スラリータンク33は、配管32bを介して、スプレーヘッド25と接続し、回収したスラリー22は循環させ、再びスプレーヘッド25に供給する。また、塗布機構12は、スラリー循環部31で循環されるスラリー22の濃度を調整する濃度調整部34を有する。濃度調整部34は、溶剤タンク35と、ポンプ36とを有する。溶剤タンク35は、スラリー22を構成する溶剤溶媒が貯留されたタンクであり、配管37を介してスラリータンク33に接続されている。濃度調整部34は、配管37に設けられたポンプ36により、溶剤タンク35に貯留された溶剤をスラリータンク33に供給し、スラリータンク33内のスラリー22の密度を一定範囲に維持する。スラリー22の密度を維持することで、溶媒溶剤と溶質希土類化合物との割合を一定範囲にすることができ、スラリー22の濃度を一定範囲にすることができる。このように、複数の噴射口26から希土類焼結磁石体21に向けてスラリー22を噴射することで、焼結体の表面にスラリー22を塗布することができる。また、本実施形態のようにスラリー22を噴射させるのみの構成とすることで、簡単な構成でスラリー22を焼結体に向けて移動させることができる。また、本実施形態のように、噴射口26を複数設け、さらに、列上に設けることで、焼結体の位置に応じて、スラリー22が片寄ることを抑制し、均一に塗布することができる。つまり、スラリー流が開口の中央にまとまっても、噴射口26を複数個設け、所定の間隔で配置することで、列上の端部側にも適切にスラリー22を放出することができる。また、焼結体へのスラリー22の塗布方法は、スプレーを用いてスラリー22を塗布する方法に限定されるものではなく、スラリー22を塗布する種々の手段を用いることができる。例えば、図6に示すように、スラリー22が溜められているスラリー槽38に希土類焼結磁石体21を浸漬して回転させ希土類焼結磁石体21にスラリー22を塗布するようにしてもよい。また、図7に示すように、スプレーヘッド25の下面に設けたノズル39から鉛直方向下側真下にスラリー22をスラリー流として放出落下し、希土類焼結磁石体21を回転させながら希土類焼結磁石体21にスラリー22を塗布するようにしてもよい。また、ノズル39を複数設け、さらに、列上に設けることで、焼結体の位置に応じて、スラリー22が片寄ることを抑制し、均一に塗布することができる。つまり、スラリー流が開口の中央にまとまっても、ノズル39を複数個設け、所定の間隔で配置することで、列上の端部側にも適切にスラリー22を放出することができる。また、ノズル39からスラリー22を放出して塗布する方法の場合、ノズル39から鉛直方向下側にスラリー22を放出させる構造とすることで、制御が簡単となり、構造が簡単になるが、本発明はこれに限定されず、スラリー22を焼結体に塗布することができればよく、ノズル39から斜め方向や、横方向にスラリー22を放出させる構成としてもよい。なお、希土類焼結磁石体21に塗布する膜の厚みは、スラリー22の濃度を調整することで、調整可能である。即ちスラリー22の濃度を高くすることで膜厚を高くすることができ、スラリー22の濃度を低くすることで膜厚を低くすることができる。また、濃度調整部34は、スラリー22を基準値±0.050g/ccの範囲、つまり、スラリー22の密度を0.100g/ccの範囲に維持することが好ましく、±0.035g/ccの範囲、つまり、スラリー22の密度を0.070g/ccの範囲とすることがより好ましい。スラリー22を上記範囲とすることで、製造した磁石間で性能のムラが発生することを抑制することができる。なお、スラリー22の濃度は、目的とする厚みで希土類焼結磁石体21に塗布できる濃度以上であればよく、下限値は特に限定されない。また、スラリー22の濃度は、70wt以下とすることが好ましく、60wt以下とすることがより好ましい。スラリー22の濃度を70wt以下とすることで、スラリー22を焼結体上で適切に移動させることができ、回転させることで、スラリー22の厚みを均一にさせることができる。磁石製造装置10は、塗布機構12で希土類焼結磁石体21にスラリー22を塗布した後、乾燥工程ステップS14に移行する。<乾燥工程:ステップS14>乾燥工程ステップS14は、希土類焼結磁石体21に付着した塗布されたスラリー22を乾燥させる工程である。搬送機構15は、塗布機構12から乾燥機構13へ希土類焼結磁石体21を搬送する。このとき、回転保持手段24は、希土類焼結磁石体21を回転させたまま乾燥機構13に移動させる。乾燥機構13は、回転保持手段24により保持された希土類焼結磁石体21を回転させたまま塗布機構12で焼結体に塗布されたスラリー22に含まれる溶剤を揮発させ、スラリー22が塗布された焼結体を回転させつつ乾燥する。乾燥機構13は、種々の乾燥方法を用いることができ、例えば、加熱、送風により乾燥させる方法を用いることができる。また、自然乾燥によりスラリー22が塗布された希土類焼結磁石体21を乾燥させてもよい。磁石製造装置10は、希土類焼結磁石体21に付着したスラリー22を乾燥させた後、回転停止工程ステップS15に移行する。<回転停止工程:ステップS15>回転停止工程ステップS15は、回転保持手段24の回転部29の駆動を停止し、希土類焼結磁石体21の回転を停止させる工程である。磁石製造装置10は、搬送機構15により回転保持手段24に保持されている希土類焼結磁石体21を回収した後、熱処理工程ステップS16に移行する。<熱処理工程:ステップS16>熱処理工程ステップS16は、希土類焼結磁石体21に熱処理を施す。熱処理を施すことにより、表面に付着したスラリー22に含まれていたR2の希土類化合物を拡散させる工程である。熱処理機構14は、乾燥機構13でスラリー22が乾燥された希土類焼結磁石体21に熱処理を施す機構である。熱処理機構14は、搬送された希土類焼結磁石体21を所定の時間、所定の温度で加熱する。磁石製造装置10は、熱処理を施し、希土類焼結磁石体21にR2の希土類化合物を拡散させることで、希土類焼結磁石を製造し、処理を終了する。また、熱処理を施して、スラリー22に含まれていたR2の希土類化合物を希土類焼結磁石体21に吸収させる際、真空又は不活性ガス雰囲気として減圧して熱処理を行なうようする。不活性ガスとしては、Ar、He等が用いられる。真空又は不活性ガス雰囲気として減圧して熱処理することでR2の希土類化合物は焼結磁石体の表面から内部に供給し易くなる。熱処理温度は、希土類焼結磁石体21の焼結温度以下の温度とする。希土類焼結磁石体21の焼結温度以上の温度で熱処理すると、希土類焼結磁石の組織が変成する虞があるからである。また、R2の希土類化合物が希土類焼結磁石体21の結晶粒界だけでなく結晶粒の内部にまで拡散し、希土類焼結磁石体21の表面における残留磁束密度Brが低下する虞があるからである。熱処理温度は、具体的には600°C以上1000°C以下、好ましくは800°C以上950°C以下である。また、熱処理の後に時効処理を施すことができる。時効処理を施すことで保磁力が向上する。時効処理温度としては、400°C以上650°C以下、より好ましくは450°C以上600°C以下である。このように、磁石製造装置10は、希土類焼結磁石体21を回転させつつ、スラリー22を塗布し、乾燥終了まで回転させ続けることで、希土類焼結磁石体21に均一にスラリー22を塗布することができる。磁石製造装置10は、スラリー22を均一に塗布した希土類焼結磁石体21を熱処理することで、希土類焼結磁石体21の表面における保磁力HcJ、残留磁束密度Br等のばらつきを抑制することができる。このように、希土類焼結磁石体21の表面における保磁力HcJや残留磁束密度Br等のばらつきを抑制できることで、磁石としての性能を高くすることができ、例えばモータの磁石として用いた場合に、コギング等を発生しにくくさせることができる。本実施形態のようにR2の希土類化合物を溶かしたスラリー22を希土類焼結磁石体21に塗布して、R2の希土類化合物を希土類焼結磁石体21に付着させるようにすることで、R2の希土類化合物が希土類焼結磁石体21の表面以外に付着することを抑制することができるので、R2の希土類化合物を効率よく利用することができる。R2の希土類化合物を蒸着により付着させる方法では、希土類焼結磁石体21以外の領域にも希土類化合物が付着する。本実施形態では、塗布手段23により希土類焼結磁石体21を回転させつつ噴射口26からR2の希土類化合物を含むスラリー22を噴射し、希土類焼結磁石体21に塗布させることができる。これにより、希土類焼結磁石体21以外の部分に希土類化合物が付着することを抑制することができるので、効率よくR2の希土類化合物を使用することができる。また、本実施形態のように、スラリー22を回収し、循環し、再利用することで、無駄なくR2の希土類化合物を使用することができる。本実施形態のように、接触部28が希土類焼結磁石体21の両端のみと接触する構成とすることで、希土類焼結磁石体21の接触部28と接触する部分以外の全面にスラリー22を塗布することができる。このため、接触部28により希土類焼結磁石体21のスラリー22が塗布されない部分を少なくすることができる。これにより、より均一な性能の磁石を製造することができる。なお、本実施形態では、2つの接触部28を希土類焼結磁石体21の両端と接触させ、挟み込む形状としているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、希土類焼結磁石体21の一方の端部のみを接触部28で保持するようにしてもよい。本実施形態のように、希土類焼結磁石体21の回転を開始させ、希土類焼結磁石体21を回転させながらスラリー22の塗布を開始することで、希土類焼結磁石体21上にスラリー22が必要以上溜まることを抑制できると共に、スラリー22が飛び散ることを抑制することができる。また、短時間で適切に、スラリー22の塗布を終了させることができるので、エネルギー効率、作業効率を高くすることができる。また、効率よくスラリー22を塗布することができる。なお、本実施形態では、希土類焼結磁石体21にスラリー22を塗布する前に希土類焼結磁石体21の回転を開始させたが、本発明はこれには限定されるものではない。例えば、塗布機構12は、スラリー22を塗布した後、希土類焼結磁石体21を回転させ、希土類焼結磁石体21の表面に付着したスラリー22の厚みを均一にするようしてもよい。また、R2の希土類化合物を希土類焼結磁石体21に付着させる方法として、めっき法や蒸着法なども挙げられる。めっき法を用いる場合、希土類焼結磁石体21の角部のめっき膜厚みが希土類焼結磁石体21の他の表面の数倍例えば2倍~3倍となる、いわゆるドッグボーン現象が生じてしまい、R2の希土類化合物により形成される膜を均一に得ることができない。また、蒸着法を用いる場合、希土類焼結磁石体21とR2の希土類化合物を含むバルク体との距離により希土類焼結磁石体21の表面に形成されるR2の希土類化合物を含む膜の厚さは影響を受ける。そのため、安定した膜厚を有する磁石は得難く、安定した特性を有する磁石を得るのは困難である。また、熱処理しながら蒸着する場合、蒸着に用いる冶具などが歪むため、希土類焼結磁石体21とR2の希土類化合物を含むバルク体との距離を均一に維持することはより困難である。更に、R2などの希土類化合物を希土類焼結磁石体21の表面に拡散すると、希土類焼結磁石体21の角部は拡散面が多いため、保磁力HcJの向上、残留磁束密度Brの低下は大きくなる傾向にあるが、蒸着法ではR2の反応性は高いため、保磁力HcJ、残留磁束密度Brのばらつきは更に大きく顕著に現れる傾向にある。これに対し、本実施形態によれば、希土類焼結磁石体21を回転させながら希土類焼結磁石体21の表面にスラリー22を塗布しているため、希土類焼結磁石体21の表面にスラリー22を均一の厚さに、短時間で簡易かつ低コストで塗布することができる。以上のように、本実施形態のようにして希土類焼結磁石体21の表面にスラリー22を塗布し、乾燥させることで希土類焼結磁石を得ることができる。また、着磁させることで、磁石製品が得られる。さらに、希土類焼結磁石は希土類焼結磁石の表面にNiめっきを施すなど表面処理して耐蝕性を向上させるようにしてもよい。この希土類焼結磁石は、例えばロータ表面に磁石を取り付けた表面磁石型SurfacePermanentMagnet:SPMモータ、IPMInteriorPermanentMagnetモータ,PRMPermanentmagnetReluctanceMotorなどの磁石として好適に用いられる。特にSPMモータは、ギャップ磁束密度を高め易く且つノイズ発生が少ない等の利点を有することから、ハードディスクドライブのハードディスク回転駆動用スピンドルモータやボイスコイルモータ、自動車の電動パワーステアリング用モータ、工作機械のサーボモータ、携帯電話のバイブレータ用モータ、プリンタ用モータ等の用途として好適に用いられる。<モータ>本実施形態に係る希土類焼結磁石をモータに用いた好適な実施形態について説明する。ここでは、本実施形態に係る希土類焼結磁石をSPMモータに適用した一例について説明する。図8は、SPMモータの一実施形態の構成を簡略に示す縦断面図であり、図9は、図8中、A-A方向の断面を簡略に示す図である。図8、9に示すように、モータ40は、ハウジング41内に円筒状のステータ42と、円柱状のロータ43と、回転軸44とを有する。回転軸44はロータ43の横断面の中心を貫通している。ステータ42は、その筒壁周壁の内部の周方向に所定間隔で複数のスロット45を有する。そのスロット45にはコイル45aが巻きつけられている。ロータ43は、鉄材等からなる円柱状のロータコア46鉄芯と、そのロータコア46の外周面に所定間隔で設けられた複数の永久磁石47を有する。ロータ43は、回転軸44とともにステータ42内の空間内で回動可能に設けられている。永久磁石47には本実施形態に係る希土類焼結磁石が用いられる。モータ40は、永久磁石47として本実施形態に係る希土類焼結磁石を用いているので、永久磁石47の表面における保磁力HcJ、残留磁束密度Br等のばらつきを抑制できる。このため、モータ40の回転中、コイル45aの作る反磁界によって減磁が生じるのを抑制することができる。これにより、モータ40は、コギングトルクやトルクリプルなどの発生を低減することができるので、モータのトルク特性などモータの性能を向上させることができる。以下、本発明を実施例及び比較例を挙げてさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。<希土類焼結磁石の製造>[実施例1]希土類焼結磁石体の製造以下に示す方法で希土類焼結磁石体焼結体磁石21を製造した。まず、主に磁石の主相を形成する主相系合金と、主に粒界を形成する粒界系合金を、ストリップキャストSC法で鋳造した。主相系合金の組成は23.0wtNd-2.6wtDy-5.9wtPr-0.5wtCo-0.18wtAl-1.1wtB-bal.Feで、粒界系合金の組成は30.0wtDy-0.18wtAl-0.6wtCu-bal.Feであった。次いで、これらの原料合金をそれぞれ水素粉砕により粗粉砕した後、高圧N2ガスによるジェットミル粉砕を行い、それぞれ平均粒径Dが4μmの微粉末とした。得られた主相系合金の微粉末と、粒界系合金の微粉末とを、主相系合金:粒界系合金=9:1の割合で混合して、希土類焼結磁石体の原料粉末である磁性粉末を調製した。次いで、この磁性粉末を用い、成型圧1.2t/cm2、配向磁場15kOeの条件で磁場中成型を行い、成型体を得た。成型体は平板状の形状とし、平板面が配向方向と垂直である。次いで、得られた成型体を、1060°C、4時間の条件で焼成することで、上記の組成を有する希土類焼結磁石の希土類焼結磁石体21を製造した。その後、製造した希土類焼結磁石体21を、3wtHNO3/C2H5OHの混合溶液に3分間浸漬させた後、C2H5OHで洗浄する処理を2回行い、希土類焼結磁石体21の表面処理を行った。また、これらの処理は、いずれも超音波を印加しながら行った。スラリーの製造次に、希土類焼結磁石体21に付着させるスラリー22は、以下のようにして製造した。まず、イソプロピルアルコール550質量部中にブチラール樹脂商品名:BM-S、積水化学社製5質量部を溶解し、樹脂溶液を作製した。次にこの樹脂溶液とDy水素化物DyH2平均粒径D:5μm445質量部をボールミルに投入し、Ar雰囲気下で3mmのジルコニアボールで10時間分散を行い、スラリーを製造した。なお、使用したDy水素化物は、Dy粉末を水素雰囲気下350°Cで1時間吸蔵させ、これに続いてAr雰囲気下、600°Cで1時間処理することにより作製したものである。このようにして得られたDyH2は、X線回折測定を行い、JCPDSカード旧ASTMカード47-978のErH2からの類推により、DyH2であると同定することができる。スラリーの塗布、乾燥上記のようにして製造したスラリー22を塗布機構12のスラリータンク33に投入し、500cc/minの流量で循環させた。また、循環中の溶剤揮発による濃度変動を防ぐために、濃度調整部34により、スラリー22の密度が、1.258g/ccから1.263g/ccの範囲となるように、調整した。測定結果に応じてポンプ36を駆動し、溶剤タンク35からスラリータンク33に溶剤を投入した。次に、希土類焼結磁石体21を回転保持手段24により保持した状態で、回転部29により、回転速度20rpmで回転させた。この回転している希土類焼結磁石体21に対して、噴射口26から5秒間、スラリー22をスプレー方式で噴射し、スラリー22の塗布を行い、その後、希土類焼結磁石体21を回転させたまま乾燥を行なった。これにより希土類焼結磁石体21の表面にDyH2を含むスラリー層を形成した。なお、スラリー層の膜厚は20μm程度となるようにスラリー22を塗布した。スラリー層の膜厚を20μm程度とすることで、希土類焼結磁石体21の表面にDyH2を5.0mg/cm2の割合で付着させることができる。その後、乾燥後の希土類焼結磁石体21に対し、900°C、5時間の熱処理を行った後、540°C、1時間の時効処理を更に行うことにより、希土類焼結磁石を製造した。なお、得られた希土類焼結磁石の大きさは、2mm厚み:磁気異方化方向×45mm×30mmであった。[実施例2]実施例2は、塗布機構12の構成として図6に示すように希土類焼結磁石体21をスラリー槽38に浸漬して希土類焼結磁石体21にスラリー22を塗布する方法を用いて行った。実施例2は、図6に示すように希土類焼結磁石体21をスラリー槽38に5秒浸漬し、その後、回転部29により20rpmで、回転させたこと以外は実施例1と同様の条件で希土類焼結磁石を製造した。[実施例3]実施例3は、塗布機構12の構成として図7に示すように希土類焼結磁石体21にスラリー22をスラリー流として放出して希土類焼結磁石体21にスラリー22を塗布する方法を用いて行った。実施例3は、図7に示すようにスプレーヘッド25の下面に設けたノズル39から鉛直方向下側真下にスラリー22をスラリー流として放出落下し、希土類焼結磁石体21を回転させながら希土類焼結磁石体21にスラリー22を塗布するようにしたこと以外は、実施例1と同様の条件で、希土類焼結磁石を製造した。実施例3では、上記のようにして製造したスラリー22を塗布機構12のスラリータンク33に投入し、500cc/minの流量で循環させた。循環中の溶剤揮発による濃度変動を防ぐために、濃度調整部34でスラリー22の密度が1.258g/ccから1.263g/ccの範囲となるように、調整した。スラリー22の密度に応じてポンプ36を駆動し、溶剤タンク35からスラリータンク33に溶剤を投入した。次に、希土類焼結磁石体21を回転保持手段24により保持した状態で、回転速度20rpmで回転させた。この回転している希土類焼結磁石体21に対して、ノズル39から5秒間スラリー22の塗布を行い、その後、希土類焼結磁石体21を回転させたまま乾燥した。[実施例4]実施例4は、実施例3で回転速度を10rpmにした他は実施例1と同様の条件で希土類焼結磁石を作製した。[実施例5]実施例5は、実施例3で回転速度を30rpmにした他は実施例1と同様の条件で希土類焼結磁石を作製し、同様に特性を計測した。[実施例6]実施例6は、実施例3でスラリー22の供給位置を側面に変更した他は実施例1と同様の条件で希土類焼結磁石を作製した。[実施例7]実施例7は、実施例3で回転速度を60rpmに変更した他は実施例1と同様の条件で希土類焼結磁石を作製した。[実施例8]実施例8は、実施例3で回転速度を1rpmに変更した他は実施例1と同様の条件で希土類焼結磁石を作製した。[比較例1]比較例1は、希土類焼結磁石体21を回転させることなくスラリー22の塗布及び乾燥を行って希土類焼結磁石を作製したものである。比較例1は、実施例1で作製したスラリー22をスラリー槽38図6参照に投入し、超音波を印加しながら10秒間浸漬した後、引き上げて乾燥した。これにより、希土類焼結磁石体21の表面にDyH2を付着させた他は実施例1と同様の条件で希土類焼結磁石を作製した。[比較例2]比較例2は、希土類焼結磁石体21の表面にDyH2を高温高真空度で蒸着拡散させ、希土類焼結磁石を作製した。具体的には、希土類焼結磁石体21を0.3硝酸水溶液で酸洗し、乾燥させた後、図10に示すような処理容器内に配置した。図10は、希土類焼結磁石体21の表面にDyH2を蒸着拡散させるために用いた処理容器の一例を示す図である。図10に示すように、処理室51はMoなど高融点金属材料から形成され、処理室51の内部には、網52を支持する一対の支持台53を設けた。網52に焼結磁石体21図10中では、2つおよびRHバルク体54図10中では、2つを設置し、処理室51内で希土類焼結磁石体21とRHバルク体54とは5mm~9mm程度間隔を有した状態で対向配置させた。RHバルク体54は、純度99.9のDyから形成され、縦30mm×幅30mm×高さ5mmのものを用いた。次いで、図10の処理容器を真空熱処理炉において加熱し、熱処理を行った。熱処理は、熱処理温度を900°Cとして180分、圧力を1.0×102Paとして行った。なお、熱処理温度は焼結磁石体およびRHバルク体の温度をいう。熱処理を行った後、圧力を2Paとして、500°Cで60分、時効処理を行った。熱処理することで、RHバルク体52から蒸発させたDyH2を焼結磁石体21の表面に析出させ、焼結磁石体21の内部に拡散させた。この結果、希土類焼結磁石体21の表面にDyH2を蒸着拡散させた希土類焼結磁石を作製した。<特性評価>製造した希土類焼結磁石の特性を以下の方法で測定した。なお、特性としては、希土類焼結磁石の希土類焼結磁石体21の表面に塗布したDyH2の塗布量付着量及び磁気特性を測定した。磁気特性は、塗布による保磁力向上幅ΔHcJ及び塗布による残留磁束密度低下幅ΔBrを測定した。また、希土類焼結磁石体21と、実施例1、8、比較例1のスラリーの塗布方法でDyH2を塗布した希土類焼結磁石を用いて磁場解析シミュレーションを行い、希土類焼結磁石が減磁し始める減磁温度とコギングトルクを測定した。[DyH2の塗布量]まず、希土類焼結磁石体21をDyH2のスラリー22を塗布する前の質量とスラリー22を塗布して乾燥させた後の質量とを測定し、これらを比較することによって、焼結体へのDyH2の塗布量を算出した。この結果から希土類焼結磁石体21の単位表面積あたりのDyH2の塗布量mg/cm2を算出した。希土類焼結磁石体21は上述のように平板の形状のものを用いている。各々の希土類焼結磁石体21のDyH2の塗布量は、希土類焼結磁石体21の面積が最も大きい面を、図11に示すように、以下のような第1領域から第9領域に9分割し、その各領域の塗布面の中心付近の膜厚を、マイクロメータを用いて測定した。なお、希土類焼結磁石体21は平板の形状のものを用いたので、回転軸に平行な方向は面の長手方向であり、回転軸に直交する方向は面の短手方向である。回転軸に直交する方向面の短手方向の一方の端で、回転軸に平行な方向面の長手方向の一方の端:第1領域回転軸に平行な方向において第1領域の隣の領域:第2領域回転軸に直交する方向の一方の端で、回転軸に平行な方向の他方の端:第3領域回転軸に直交する方向において中央となる領域で、第1領域に隣接する領域:第4領域回転軸に直交する方向において中央となる領域で、第2領域に隣接する領域:第5領域回転軸に直交する方向において中央となる領域で、第3領域に隣接する領域:第6領域回転軸に直交する方向の他方の端で、第4領域に隣接する領域:第7領域回転軸に直交する方向の他方の端で、第5領域に隣接する領域:第8領域回転軸に直交する方向の他方の端で、第6領域に隣接する領域:第9領域膜厚の計測をする際、上記のように9つに分けた領域の第1領域から第3領域が、浸漬時に鉛直方向上方となった領域であり、第7領域から第9領域が、浸漬時に鉛直方向下方となった領域である。[ΔHcJ、ΔBr]磁気特性ΔHcJ、ΔBrの計測は、上記のように図11に示すように9つに分けた領域の第1領域から第9領域の各々の中心付近から1mm角の試料片を取り出した。取り出した各領域の試料片の一部はパルスBHトレーサーにより測定し、保磁力HcJを求めた。また、アクリル棒に固定し、振動試料型磁力計VSM:VibratingSampleMagnetometerを用いて測定して残留磁束密度Brを測定した。この得られた結果から、保磁力向上幅ΔHcJ、塗布による残留磁束密度低下幅ΔBrを各々算出した。以上の実施例1から実施例8及び比較例1のスラリーの塗布方法でDyH2を塗布した希土類焼結磁石の測定結果を表1、2に示す。測定したDyH2塗布量、膜厚、平均値及び最大値と最小値との差Rを表1に示す。また、塗布による保磁力向上幅ΔHcJ、塗布による残留磁束密度低下幅ΔBrを表2に示す。表1に示すように、希土類焼結磁石体21を回転させない比較例1よりも回転させる実施例1から実施例8ことで、より均一にスラリー22を塗布できることがわかる。また、回転速度を適切にすること実施例1から実施例6で、適正な膜厚にできることがわかる。具体的には、回転速度を早くしすぎる実施例7と、膜厚が薄くなり、回転速度が遅すぎる実施例8と、膜厚が厚くなることがわかる。表2に示すように、希土類焼結磁石体21を回転させない比較例1よりも回転させる実施例1から実施例8ことで得られる希土類焼結磁石はその表面における保磁力HcJ、残留磁束密度Brのばらつきが小さくなり、保磁力HcJ、残留磁束密度Brをより均一にできることがわかる。また、回転速度が遅すぎる実施例8と、得られる希土類焼結磁石はその表面における保磁力HcJ、残留磁束密度Brのばらつきが大きくなり、回転速度を適切にすること実施例1から実施例7で、得られる希土類焼結磁石は適正な保磁力HcJ、残留磁束密度Brとできることがわかる。よって、希土類焼結磁石体を適切な回転速度で回転させながらスラリーを塗布することで得られる希土類焼結磁石はその表面における保磁力HcJ、残留磁束密度Brのばらつきを抑制できる。また、希土類焼結磁石体21の表面にDyH2を高温高真空度で蒸着拡散させて得られる希土類焼結磁石はその表面における保磁力HcJ、残留磁束密度Brのばらつきは、十分抑制することができなかった比較例2。<減磁温度とコギングトルク>次に、スラリー22を塗布する前の希土類焼結磁石体21基材、実施例1、8、比較例1に用いた希土類焼結磁石を用いて磁場解析シミュレーションを行い、減磁温度とコギングトルクを測定した。ここでは、図8、9に示すモータ40をSPMモータからIPMモータとして用い、スラリー22を塗布する前の希土類焼結磁石体21基材、実施例1、8、比較例1に用いた希土類焼結磁石をIPMモータ用の永久磁石として適用して磁場解析シミュレーションを行なった。図8、9に示すモータ40と同一の構成については同一符号を付して重複した説明は省略する。図12は、磁場解析シミュレーションに用いたモータの構成の一例を簡略に示す横断面図である。図12に示すように、モータ60は、ロータコア46の内部に、基材、実施例1、8、比較例1に用いた希土類焼結磁石を永久磁石61を有する。ロータコア46の内部に永久磁石61を配置した後、磁場を印加して磁場解析シミュレーションを行なった。基材の減磁温度及びコギングトルクと、実施例1、8、比較例1に用いた希土類焼結磁石の減磁温度及びコギングトルクとを表3に示す。なお、表3中、コギングトルクは、スラリー22を塗布する前の希土類焼結磁石体21の振幅を1とした。表3に示すように、希土類焼結磁石体21を回転させずにスラリー22を塗布する比較例1よりも回転させながらスラリー22を塗布する実施例1、8ことで、減磁温度を上昇させ、コギングトルクを小さくできることがわかる。また、回転速度が遅すぎると実施例8と、保磁力HcJ、残留磁束密度Br等のばらつきが大きくなることで、減磁温度が低下し、コギングトルクが大きくなることから、回転速度を適切にすること実施例1で、減磁温度を上昇させ、コギングトルクを小さくできることがわかる。よって、希土類焼結磁石体を適切な回転速度で回転させながらスラリーを塗布して得られる希土類焼結磁石は、減磁温度が上昇しコギングトルクが小さくなるので、モータ用の永久磁石として用いることでモータのトルク特性などモータの性能を向上させることができる。このことから希土類焼結磁石体を適切な回転速度で回転させながらスラリーを塗布して得られる希土類焼結磁石は、モータ用の永久磁石として好適に用いることができる。"