"レーザ光源の発振波長を吸収する材料を含む第1の膜が第2の膜の上又は上方に形成された積層体を準備する工程と、予め定められたパルス周波数のパルスを発生する前記レーザ光源による1回のパルス周期でのパルス照射で、前記第1の膜及び第2の膜を貫通する孔を形成し、前記第2の膜の下の異なる材料層を露出させる工程と、を備える太陽電池の製造方法。前記第1の膜がシリコンを含む、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記第1の膜が非晶質シリコンを含む、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記1回のパルス周期でのパルス照射で、前記第1の膜、前記第2の膜、及び第3の膜を貫通する前記孔を形成する工程を更に含む、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記第1の膜がシリコンを含み、前記第2の膜が二酸化シリコンを含み、前記第3の膜がシリコン窒化物を含み、前記第3の膜が前記第1の膜の上又は上方に形成される、請求項4に記載の太陽電池の製造方法。前記孔により露出される前記材料層は、拡散領域を含む、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記1回のパルス周期でのパルス照射は、第1のレーザパルスの照射及び第2のレーザパルスの照射を含み、前記第2のレーザパルスの照射は、前記第1のレーザパルスの照射の後で、かつ、予め定められた遅延時間を経過した後になされる、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記1回のパルス周期でのパルス照射は、第1のピーク及び第2のピークを有する時間的に非対称なレーザパルス照射を含み、前記第1のピークのエネルギーは、前記第2のピークのエネルギーより高い、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。予め定められたパルス周波数のパルスを発生するレーザ光源による1回のパルス周期でのパルス照射で、時間的に非対称であり、かつ、第1のピーク及び第2のピークを有するレーザパルスを照射する工程と、前記レーザパルスの前記第1のピークにより積層体の第1の膜及び導電性を有する第2の膜をアブレーションし、前記第1の膜及び前記第2の膜を貫通する孔を形成する工程と、前記レーザパルスの前記第2のピークにより前記積層体の第3の膜をアブレーションし、前記積層体の前記第1の膜、前記第2の膜、及び前記第3の膜を貫通する前記孔を形成し、前記孔を介して太陽電池の拡散領域を露出させる工程と、前記孔の内部を通じて前記拡散領域と接触する金属コンタクトを形成する工程と、を備え、前記1回のパルス周期でのパルス照射では、前記第1のピークが生じた後に、遅れて前記第2のピークが生じ、前記第1のピークのエネルギーは前記第2のピークのエネルギーよりも高い、太陽電池の製造方法。前記孔を通して前記拡散領域に対する金属接点を形成する工程を更に含む、請求項9に記載の太陽電池の方法。前記第2の膜が非晶質シリコンを含み、前記第3の膜が二酸化シリコンを含む、請求項9に記載の太陽電池の方法。前記第2の膜が非晶質シリコンを含む、請求項9に記載の太陽電池の方法。前記拡散領域が、多結晶シリコンの層内に形成される、請求項9に記載の太陽電池の方法。前記第1の膜がシリコン窒化物の層を含み、前記第2の膜が非晶質シリコンを含む、請求項9に記載の太陽電池の方法。太陽電池を製造する方法であって、前記方法が、ある繰り返し率でレーザパルスを照射するレーザ源の単一の繰り返し内に、第1のレーザパルス及び第2のレーザパルスを照射する工程と、前記第1のレーザパルスで積層膜の第1の膜及び第2の膜をアブレーションし、前記第1の膜及び前記第2の膜を通して孔を形成する工程であって、前記第2の膜が導電性である、工程と、前記第2のレーザパルスで前記積層膜の第3の膜をアブレーションし、前記積層膜の前記第1の膜、前記第2の膜、及び前記第3の膜を通して前記孔を形成し、前記孔を通して前記太陽電池の拡散領域を露出する工程と、を含む、太陽電池の方法。前記孔を通して前記拡散領域に対する金属接点を形成する工程を更に含む、請求項15に記載の太陽電池の方法。前記第2のレーザパルスが、前記レーザ源によって、前記第1のレーザパルスの照射から1ns~1μs後に照射される、請求項15に記載の太陽電池の方法。前記第2の膜が非晶質シリコンを含み、前記第3の膜が二酸化シリコンを含む、請求項15に記載の太陽電池の方法。前記第2のレーザパルスが、前記第1のレーザパルスと比較して等しいか又はより少ないエネルギーを有する、請求項15に記載の太陽電池の方法。前記拡散領域が、シリコンの層内に形成される、請求項15に記載の太陽電池の方法。前記第1の膜がシリコン窒化物の層を含み、前記第2の膜が非晶質シリコンを含む、請求項15に記載の太陽電池の方法。太陽電池の誘電体膜は、製造上及び動作上の要求を満たすよう多様な特性を有する複数の層を含み得る。これらの層は、製造工程において除去されて、太陽電池の拡散領域と接触する金属コンタクトが形成される。層によっては、これらの層の除去作業に影響を及ぼし、除去が困難となることもある。本願発明の一態様において、太陽電池の誘電積層体が、レーザを用いてアブレーションされる。誘電積層体は、レーザ光源の発振波長を吸収する層を含む。所定のパルス周波数のレーザパルスを発生するレーザ光源は、誘電積層体をアブレーションし、下方に位置する材料層を露出させるように構成されている。レーザ光源は、1回のパルス周期で2つのレーザパルスのバースト照射又は1回の時間的に非対称なパルス照射を行い、1回の工程で完全なアブレーションを達成する。本願発明のこれら及びその他の特徴は、添付の図面及び特許請求の範囲を含む本開示の全体によって、当業者には容易に理解されよう。本開示において、装置、処理パラメータ、材料、処理工程、及び構造の例等、多くの具体的な詳細が提供されることにより、本願発明の実施形態の十分な理解が可能となる。しかしながら、当業者であれば、本願発明はこれらの具体的な詳細のうちの1つ以上を欠いても実施できることは理解されよう。また、本願発明の態様を不明瞭にすることを避けるべく、周知技術については図示又は説明を省略する。図1は、本願発明の一実施形態に係る太陽電池アブレーションシステム100を概略的に示す。図1の実施形態では、アブレーションシステム100は、レーザ光源102及びレーザスキャナー104を含む。レーザ光源102は市販のレーザ光源であってよい。レーザスキャナー104は、例えばドイツに本社を置くScanLabsから市販されているもののような、ガルバノメータレーザスキャナーであってよい。動作中、レーザ光源102が、設定部101に従って所定の波長のレーザパルス103を生成する。設定部101は、他のレーザ光源102の設定可能パラメータを設定するスイッチ/ノブ配列、コンピュータ可読ブログラムコード、ソフトウェアインターフェイスセッティング、及び/又は手段を含み得る。設定部101は、パルス周波数、パルス周期ごとに発生するパルス数、パルス波形、パルス振幅、パルス強度又はエネルギー、及びレーザ光源102の他のパラメータを設定するものであってよい。レーザスキャナー104は、製造される太陽電池105全体についてレーザパルス103を走査することにより、太陽電池105から材料を除去する。図2は、本願発明の一実施形態に従って製造される太陽電池105の断面を示す。図2の実施形態では、太陽電池105はN型シリコンウェハを含む太陽電池基板201を備える。本実施形態では多結晶シリコンを含む。層202の上に誘電積層体210が形成される。誘電積層体210は複数の材料層を含み、図2の実施形態では、これら材料層は、膜211、膜212、及び膜213を含む。図2に示されるように、膜211が膜212の上に、そして膜212が膜213の上に形成されてよい。一実施形態では、膜211は300~1000オングストロームの厚さに形成されたシリコン窒化物層を含み、膜212は30~50オングストロームの厚さに形成された非晶質シリコン層を含み、膜213は約120オングストロームの厚さに形成された二酸化シリコン層を含む。膜212はまた、用途によって多結晶として、ポリシリコン又はマルチシリコンを含んでもよい。一実施形態では、層202は、約2000オングストロームの厚さに形成された多結晶シリコンを含む。P型拡散領域203及びN型拡散領域204が層202に形成される。太陽電池には数個の拡散領域があるが、分かりやすくするべく、図2には導電型ごとに1つのみを示している。拡散領域203及び204には金属コンタクト図4参照が電気的に結合し、またこれら拡散領域203及び204、並びに金属コンタクトは、太陽電池の裏面側である基板201の裏面に形成される。こういったことから、太陽電池105は、裏面コンタクト太陽電池の一例である。通常の動作時に太陽に面して太陽放射を集める太陽電池105の前面は、裏面の反対側にある。図2の実施形態では、基板201の前面側の表面はランダムな角錐体230によってテクスチャー加工されている。この前面のテクスチャー加工面上には、シリコン窒化物を含む反射防止層231が形成されている。非晶質シリコン膜212はHV劣化を防ぎ、またUV安定性をはじめとする有利な特性をもたらす。非晶質シリコンはまた、誘電積層体210の導電性を高め、横方向導電路をもたらし、分極の発生を防止する。太陽電池に非晶質シリコンを用いることについてはまた、本件と同一出願人の2010年3月30日に出願された、LeakagePathwayLayerforSolarCellと題する米国特許出願第12/750,320にも開示されている。典型的な太陽電池は、一般的に、UV~IRの範囲の波長を吸収する半導体材料を含み、パッシベーションと信頼性向上とを目的とした透明な誘電積層体を有する。高効率の半導体デバイス上の誘電体膜へのダメージを抑えてアブレーションするには、熱及び光の吸収を最小にするべく、短パルス幅かつ長波長のパルスレーザが望ましい。透過型誘電積層体のアブレーションは非熱型の間接誘導アブレーションとして知られている。この方法は、レーザエネルギーが誘電積層体を透過して半導体中で吸収されることによってアブレーションを行う。これにより誘電体膜を突破するアブレーション力が得られることになり、これは1回のパルスで行うことが可能である。例えば太陽電池105など他の太陽電池において、誘電積層体内の薄い吸収性膜によって、導電性又は他の有益な太陽電池の電気的特性が向上する。アブレーションに用いられるレーザの波長に対する薄膜の吸収性が高い場合、薄膜のアブレーション処理が直接誘導されることもあり得る。このことは、薄膜がまずアブレーションされることによって、この薄膜と半導体との間に残るすべての層が影響を受け、それらの層のアブレーションが妨げられてしまうことを意味する。この結果、アブレーションは不完全となり、残留する層を除去するためにはレーザ後工程、他のアブレーション工程、又は異なる波長のレーザへの切り替えのいずれかが必要となる。これらの解決法は追加的な処理工程及び/又は追加的な機器を必要とし、製造コストを増大させる。誘電積層体の全層を透過するレーザ波長を用いることが、考えられる好ましい解決法である。しかしながら、例えば太陽電池105におけるような非晶質シリコン及びシリコンなど、誘電積層体中の吸収性材料が半導体基板に類似する場合、薄膜を透過する波長は、半導体基板も透過してしまう。よって、基板材料に損傷を与えることなく、つまりエミッタ再結合を引き起こすことなく、間接的アブレーションの発生を達成することは困難となる。このことは、他の形態の再結合を有する、低効率の太陽電池構造においては許容されるとしても、高効率の太陽電池においては、光及び熱吸収は最小限に抑えられなければならない。このような不完全なアブレーションに関する問題の解決法の1つは、複数レーザパルスを用いて誘電積層体の層を穿孔することである。しかし、ウェハの穿孔は、複数の経路を追加することによってスループットを増大させるか、又はレーザをウェハ上の特定の点の上方に固定して維持することなしでは、実行は比較的困難である。これは、ガルバノメータ系システムにおいてはとりわけ実行困難である。その理由は、レーザパルスが同一の位置で生じる必要があり、かつ、高いスループットを得るにはレーザビームを高速で動かすことが求められるからである。更に、複数パルスを用いる場合、いかなる再結合の問題、及び基板への機械的損傷も生じないようにするには、熱収支をうまく管理することが必要となる。図2の実施形態において、図1のアブレーションシステム100を用いてシリコン窒化物膜211、非晶質シリコン膜212、及びシリコン酸化膜213をアブレーションすることにより、これらの膜を貫通する孔を形成して拡散領域203及び204を露出させる。このアブレーション処理を図3に示す。ここではアブレーション工程により孔220が形成され、拡散領域203及び204を露出させている。これにより、図4に示すように、孔220内に金属コンタクト221を形成することが可能となる。この金属コンタクト221により、拡散領域203及び204と外部電気回路とが電気的に接続できるようになる。一実施形態では、非晶質シリコン膜212が、レーザ光源102によって生成されるレーザの波長を吸収する。すなわち、非晶質シリコン膜212がレーザ光源102の発振波長においてレーザパルス103のエネルギーを吸収することにより、1回のパルス周期のパルス照射で1回のレーザパルスを用いてシリコン酸化膜213のアブレーションを完全に行うことは、比較的困難となる。一実施形態では、レーザ光源102は、波長が532nmのレーザビームを生成する。一実施形態では、レーザ光源102は、1回のパルス周期でのパルス照射でレーザパルスのバーストを照射することにより、単一のアブレーション工程で孔220を形成するように構成されている。図5は、本願発明の一実施形態に係るレーザ光源102によって照射されるレーザパルスのバーストを概略的に示す。図5の実施形態では、レーザパルス510及び511のバーストが、レーザ光源102によって順次照射される。レーザ光源102は、レーザパルス510及び511を所定の周波数で照射するように構成されている。各パルス周期でのパルス照射は、図5において501すなわち501-1、501-2、等で表される。なお、図5及び6には2回のパルス周期でのパルス照射が示されているが、本願発明の実施形態によれば、1回のパルス周期でのパルス照射で、誘電積層体のアブレーションを完全に行うことが可能である。1回のパルス周期でのパルス照射501で、レーザパルス511は、レーザパルス510の後で、かつ、所定の遅延時間502で表されるを経過した後に照射される。遅延時間502は、例えば1ns~1μsであってよい。一般的に、レーザパルス510と511との間の遅延時間は、レーザスキャナー104の動きが比較的遅いことによって、太陽電池上のアブレーションされる点においてレーザパルス510と511とが著しく離れてしまうことのないように、選択される。レーザパルス511の振幅は、レーザパルス510の振幅よりも小さい。すなわち、レーザパルス511のパルスエネルギーは、レーザパルス510のパルスエネルギーより少ない例えば約37~50程度少ないエネルギー。レーザパルス510が、シリコン窒化物膜211及び非晶質シリコン膜212をアブレーションし、これらの膜を貫通する孔を形成する。同一のパルス周期でのパルス照射で遅延時間502の後に、レーザパルス511がシリコン酸化膜213をアブレーションし、誘電積層体210を貫通する孔を完成させ、それによって多結晶シリコン層202を露出させる。レーザパルス511のレーザエネルギーがより少ないことにより、シリコン酸化膜213の下方の材料への損傷は最小限に抑えられる。用途によって、レーザパルス511のエネルギーは、レーザパルス510のエネルギーと等しくても、これより少なくてもよい。レーザパルス510及び511のパルスエネルギーは、アブレーションされる膜の種類及び厚さに応じて異なってよい。一実施形態では、シリコン窒化物膜211の厚さが300オングストローム、非晶質シリコン膜212の厚さが40オングストローム、及びシリコン酸化膜213の厚さが120オングストロームの場合、レーザパルス510のパルスエネルギーは10μJである。この実施形態では、レーザパルス511のパルスエネルギーは、レーザパルス510のパルスエネルギーの約37に設定されている。図5を更に参照すると、レーザパルス510はパルス幅503を有し、レーザパルス511はパルス幅504を有する。レーザパルス510と503とは、相互に比較的近接して照射されるバーストである。バーストモードを備えた市販のレーザ103は、ドイツに本社を置くLumeraLaserGmbHから入手可能である。一実施形態では、所定のパルス周波数200kHz501-1の間隔で、パルス幅503は14psであり、20nsの遅延時間502を経過した後に、パルス幅504はまた14psである。他の実施形態では、レーザ光源102は、1回のパルス周期でのパルス照射で1回の時間的に非対称なレーザパルスを照射し、単一のアブレーション工程で孔220を形成するように構成されている。この実施形態を図6に概略的に示す。ここでは、所定のパルス周波数のパルスを発生するレーザ光源102が、1回のパルス周期でのパルス照射601すなわち601-1、601-2、等で、1回の時間的に非対称なレーザパルス610を照射する。その呼称が示唆するように、レーザパルス610は時間的に非対称であり、レーザパルス610のより早期の部分に第1のピーク605、そのパルスのより後期の部分に第2のピーク606を有する。一般的には、図6に示されるように、レーザパルス610の早期の部分は、レーザパルス610の後期の部分と比較してより高い強度を有するように構成されている。レーザパルス610のこれら2つの部分間の相対強度は、早期の部分を照射した後の残留物が後期の部分の間に除去され、レーザ損傷を引き起こすことなくレーザアブレーションを完全に行えるよう制御される。アブレーション中、レーザエネルギーは継続的に維持されることから、早期の部分を照射後の残留物は、依然として昇温状態にあることとなり、室温でのアブレーションよりも低いフルエンスで除去が可能である。所定のパルス周期でのパルス照射ごとに1回の時間的に非対称なパルスを生成するように構成され得るレーザ光源102は、例えばSPILasersより市販されている。一実施形態では、ピーク605がシリコン窒化物膜211及び非晶質シリコン膜212をアブレーションし、これらの膜を貫通する孔を形成し、ピーク606が、シリコン酸化膜213をアブレーションして誘電積層体210を貫通する孔を完成させ、これによって多結晶シリコン層202を露出させる。ピーク606の強度がより低いことにより、シリコン酸化膜213の下方の材料への損傷が最小限に抑えられる。一実施形態では、レーザパルス610の波長は532nmである。ピーク605及び606の強度は、アブレーションされる膜の種類及び厚さに応じて異なってよい。一実施形態では、シリコン窒化物膜211の厚さが300オングストローム、非晶質シリコン膜212の厚さが40オングストローム、及びシリコン酸化膜213の厚さが120オングストロームである場合、ピーク605の強度は10μJであり、ピーク606の強度は3μJである。パルス610はパルス幅604を有し、ピーク605が幅602、ピーク606が幅603を有する。述べたばかりの実施形態では、所定のパルス周波数200kHzで、パルス幅604が20ns、パルス幅602が10ps、そしてパルス幅603が20nsである。図7は、誘電体膜210を貫通するようにアブレーションするべく、図5におけるような2つのレーザパルスのバーストを用いた場合と、高パルスエネルギーを有する1回のレーザパルスを用いた場合と、及び異なるパルスエネルギーの3つのレーザパルスを用いた場合とを比較した、試験の概要を示す。図7において、縦軸は、露出された拡散領域の目標接触抵抗に対する接触抵抗測定値を相対的に示す。1と表示される列は1回のパルスレーザを用いた場合の試験結果、2と表示される列は2つのレーザパルスのバーストを用いた場合の試験結果、3と表示される列は3つのレーザパルスを用いた場合の試験結果を示す。図7から明らかなように、バーストモードで照射された2つのレーザパルスが有利に最小の接触抵抗となった。太陽電池の製造プロセスにおいて誘電積層体をアブレーションする技術を開示した。本願発明の具体的な実施形態を提供したが、これらの実施形態は説明を目的としたものであり、限定的なものでないことは理解されよう。多くの追加的な実施形態が、本開示を読む当業者にとっては明らかとなろう。"