"基板の上に複数の画素が2次元状に配され、光を検知するセンサパネルと、前記センサパネルの上に配され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、を含む放射線検出装置であって、前記シンチレータ層における前記複数の画素のそれぞれの間の領域に埋設された部材を含み、前記部材は、前記部材の線減弱係数をμX、前記シンチレータ層を構成する材料の線減弱係数をμSとしたときに、μX≧μSの関係が成り立ち、且つ、前記放射線が入射したときに前記シンチレータ層よりも発光量が小さい材料を含み、その上面からその下面に向かって幅が小さくなる、ことを特徴とする放射線検出装置。前記複数の画素の配列のピッチをP、前記シンチレータ層の高さをHS、前記部材の高さをHX、前記部材の上面の幅をWXU、前記部材の下面の幅をWXBとしたときに、HS/HX≦WXU-2×P/WXBWXU-2×Pの関係が成り立つ、ことを特徴とする請求項1に記載の放射線検出装置。前記画素の間隔をP、前記部材の上面の幅をWXUとしたときに、WXU≦P/4の関係が成り立つ、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の放射線検出装置。前記シンチレータ層の上面において前記部材から距離Kだけ離れた点を原点とし、放射線の入射側を第1及び第2象限とし、その反対側を第3及び第4象限とするx‐y座標において、前記複数の画素の配列のピッチをP、前記シンチレータ層の高さをHS、前記部材の高さをHX、前記部材の上面の幅をWXU、前記部材の下面の幅をWXB、前記放射線が前記原点を通って前記第2象限から前記第4象限に入射するときの入射角をθiとし、x=2×HX-WXU-WXB×cotθi/2×μS×μX×HX×K×cotθi×sin2θi2×HX×K/2×HX×tanθi-WXUWXB、y=-2×HX-WXU-WXB×cotθi/4×μS×μX×HX×K×cotθi×sin2θi-2×HX×K/2×HX-WXUWXB×cotθiとしたときに、前記部材は、y≧-HXの場合は、θiを0から180°まで変化させたときにx、yにより描かれる第1軌跡、及びx=KWXU/2において前記第1軌跡を折り返して得られる第2軌跡で囲まれる形状を有し、y<-HXの場合は、前記第1軌跡及び前記第2軌跡に加え、さらに、y=-HXで囲まれる形状を有する、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の放射線検出装置。前記部材の側面を覆うように配され、光を反射する光反射部を含み、前記シンチレータ層の高さをHS、前記部材の高さをHX、前記光反射部の高さをHRとしたときに、HS≧HR≧HXの関係が成り立つ、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の放射線検出装置。請求項1乃至5のいずれか1項に記載の放射線検出装置と、前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理部と、前記信号処理部からの信号を表示するための表示部と、前記放射線を発生させるための放射線源と、を具備することを特徴とする放射線撮像システム。放射線検出装置は、隣接画素への放射線の入射を防止すると共に、シンチレータ層において生じた光が各画素において効率的に検知されることが、より望ましい。本発明の目的は、隣接画素への放射線の入射を防止し、シンチレータ層において生じた光を効率的に検知する放射線検出装置を提供することにある。本発明の一つの側面は放射線検出装置にかかり、前記放射線検出装置は、基板の上に複数の画素が2次元状に配され、光を検知するセンサパネルと、前記センサパネルの上に配され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、を含む放射線検出装置であって、前記シンチレータ層における前記複数の画素のそれぞれの間の領域に埋設された部材を含み、前記部材は、前記部材の線減弱係数をμX、前記シンチレータ層を構成する材料の線減弱係数をμSとしたときに、μX≧μSの関係が成り立ち、且つ、前記放射線が入射したときに前記シンチレータ層よりも発光量が小さい材料を含み、その上面からその下面に向かって幅が小さくなる、ことを特徴とする。本発明によれば、隣接画素への放射線の入射を防止し、シンチレータ層において生じた光を効率的に検知する放射線検出装置を提供することができる。<第1実施形態>図1乃至9を参照しながら、第1実施形態の放射線検出装置31を説明する。放射線検出装置31は、図1に例示されるように、センサパネル40、及びシンチレータ層4を備えている。センサパネル40は、基板8の上に2次元状に配された複数の画素光電変換部7を含むを備え、光を検知する。シンチレータ層4は、センサパネル40の上に配されており、放射線を光に変換する。また、放射線検出装置31は、シンチレータ層4における複数の画素のそれぞれの間の領域に埋設された部材3を含む。部材3は、放射線を吸収する材料を含み、各画素の領域のシンチレータ層に斜めに入射した放射線が他の画素の領域に直進することを防止しうる。放射線検出装置31は、センサパネル40とシンチレータ層4の間に、パッシベーション層6、及びパッシベーション層6の上に配された保護層5をさらに備えうる。保護層5は、例えば、外部環境からの化学的な影響から光電変換部7を保護しうる。パッシベーション層6は、例えば、外部環境からの物理的な影響から光電変換部7を保護しうる。また、放射線検出装置31は、シンチレータ層4及び部材3を覆うように配された基材2を備えうる。被験者の体を透過した放射線代表的には、X線は、放射線検出装置31の上面A側から入射し、基材2を通過し、シンチレータ層4において光に変換される。変換された光は、保護層5及びパッシベーション層6を通過して、基板8の上に配された光電変換部7において電気信号に変換される。このようにして、放射線検出装置31は、被験者の体内の情報を含んだ放射線を検知する。ここで、部材3は、その上面からその下面に向かって幅が小さくなるように配されている。部材3は、この形状を採ることにより、隣接画素への放射線の入射を防止すると共に、シンチレータ層において生じた光が各画素において効率的に検知されうる。部材3は、図1aに例示されるように、シンチレータ層4を完全に分離するように配されてもよいし、また、図1bに例示されるように、部材3の下面と保護層5の上面との間にシンチレータ層4が存在するように配されてもよい。この場合は、後述の条件をみたすように配されるとよい。ここで、シンチレータ層4の高さをHS、部材3の高さをHXとして、HX>HSとするときは、シンチレータ層4と保護層5との間に、屈折率の低い空気の層が形成されうる。このことは、光の散乱等による阻害要因となり、好ましくない。したがって、部材3は、HX≦HSとなるように設けられるとよい。部材3の材料は、部材3の線減弱係数をμX、シンチレータ層4を構成する材料の線減弱係数をμSとしたときに、μX≧μSの関係が成り立つように選ぶことができる。線減弱係数μX及びμSは、放射線が、物質を通過する際にその強度線量が減弱する指標を示す。例えば、物質の深さxにおける放射線強度Iは、入射時深さx=0の放射線強度をI0としたとき、I=I0×exp-μ×xと表すことができる。また、その材料の質量減弱係数と該材料の密度との乗算により得られる。また、部材3には、放射線が入射したときに、少なくともシンチレータ層4よりも発光シンチレーションしない又は、発光量が小さい材料が選ばれうる。例えば、シンチレータ層4がCsI:TIの場合は、μS=100.9である。このとき、部材3には、例えば、Ir、Pt、Os、Au、Re、W、Pd、Rh、Ag、Ru、Hg、Ta、La、Tc、TL、Pb、Cd、Sn、Bi、In、Sb、Mo、Te、Hf等の金属材料が用いられうる。また、シンチレータ層4がGd2O2S:Tbの場合は、μS=39.1である。このとき、部材3には、上記に加えて、Nb、Ba、Ra、Zr、Y、Cs、Cu等の金属材料も用いられうる。その他、シンチレータ層4がCsI:TIの場合は、部材3には、SnO2、SnO、PbO2、Bi2O3、Pb3O4、PbO、BaO、PtO等の金属酸化物材料が用いられうる。また、シンチレータ層4がGd2O2S:Tbの場合は、部材3には、上記に加えて、OsO4、Re2O7、RuO2、ReO3、MoO2、Ta2O5、Sb2O3、BiO、WO3、ReO2等の金属酸化物材料も用いられうる。また、部材3には、無機化合物が用いられてもよい。放射線が図2に示されるように斜めに入射する場合は、この放射線が他の画素の領域に直進することを防止することができる。即ち、この放射線は、画素の両側に配された部材3について、一方の部材3の上面における該画素の側の端12から、他方の部材3の下面における該画素の側の端14に向かって入射している。このとき、この放射線が保護層5の上面に到達する点13が、その画素の領域内であればよく、例えば、部材3の中心線と保護層5の上面との交点を超えなければよい。ここで、複数の画素の配列のピッチをP、シンチレータ層4の高さをHS、部材3の高さをHX、部材3の上面の幅をWXU、部材3の下面の幅をWXBとする。このとき、HS/HX≦WXU-2×P/WXBWXU-2×Pの関係が成り立つとよい。また、部材3は、複数の画素の配列のピッチをP、部材3の上面の幅をWXUとしたとき、例えば、WXU≦P/4の関係が成り立つように設けられるとよい。部材3は、放射線の入射を妨げるため、WXU>P/4とすると、被験者情報を含む放射線を多く消失し、却って放射線検出装置31の感度を低下させうるからである。以上のような効果は、図3に例示されるように、画素アレイの列方向及び行方向の両方図3a又は一方図3b、cに部材3が配されることによって得られうる。また、この効果は、列方向の一部及び行方向の一部の両方図3d又は一方図3e、fに部材3が配されることによっても得られうる。以下、放射線検出装置31を、より具体的に検証する。まず、部材3の高さHXについて検証する。図4に例示されるように、位置10より入射角θiで入射した強度I10の放射線が、光路長Lを経て、部材3の下面の端11に到達する場合を考える。図4において、複数の画素の配列のピッチをP、シンチレータ層4の高さをHS、部材3の高さをHX、部材3の上面の幅をWXU、部材3の下面の幅をWXBとする。このとき、HX=L×cosθiより、L=HX×secθi以下、1式が得られる。したがって、端11における放射線強度をI11、シンチレータの線減弱係数をμSとしたとき、I11/I10=exp-μS×L=exp-μS×HX×secθi以下、2式が得られる。1及び2式より、HX=-cosθi/μSlnI11/I10以下、3式が得られる。例えば、シンチレータ層4がCsI:TIμS=100.9の場合、入射角θi=30°の放射線40keVが下端11において、放射線強度が1まで減衰されるためには、3式より、HX=198μmであればよい。同様にして、θi=45°の場合はHX=162μm、θi=60°の場合はHX=115μm、θi=75°の場合はHX=60μm、θi=89°ほぼ最大角の場合はHX=4μmあれば良い。このようにして、部材3について、仕様に応じて好適な高さHXを選択して設けることが可能である。次に、部材3の形状について検証する。図5に例示されるように、部材3の上面の端Pから距離Kから離れた位置16から斜めに入射した放射線入射角θiが、シンチレータ中を、光路LSを経て、部材3の側面の位置17に到達している。その後、放射線は、部材3の中を、光路LWを経て、部材3の反対側の側面の位置18に到達している。このとき、位置16から位置17までの距離をLS、部材3の上面の端Pから位置17までの横方向の距離をK1としたとき、LS=KK1/sinθi以下、4式が得られる。また、位置17から位置18までの距離をLX、位置18から部材3の上面の端Qまでの横方向の距離をK2したとき、LX=WXU-K1-K2/sinθi以下、5式が得られる。また、部材3の側面の傾きθ2は、tanθ2=WXU-WXB/2×HX以下、6式と、算出される。また、θiとθ2とは、cotθi=K1/KK1×tanθ2以下、7式の関係が成り立っていることが、図5から分かる。したがって、6及び7式より、K1=K×WXU-WXB×cotθi/2×HX-WXU-WXB×cotθi以下、8式が得られる。その後、4及び8式より、LS=2×HX×K×cotθi/2×HX-WXU-WXB×cotθi×sinθi以下、9式が得られる。一方、部材3及びシンチレータ層4の線減弱係数をそれぞれμX及びμS、位置16、17、18における放射線強度をそれぞれI16、I17、I18とする。このとき、I17/I16=exp-μS×LS、I18/I17=exp-μX×LXと表せる。したがって、I18/I16=exp-μS×LS×μX×LXとなる。今、位置18において放射線が完全に吸収され、I18=0となればよい。したがって、5式より、LT≡LSLXとして、LT=1/μS×LS×μXLS以下、10式が得られる。ここで、位置16を原点として、図5の右方向にx軸、上方向にy軸をとったx‐y座標を考える。即ち、放射線の入射側を第1及び第2象限とし、その反対側を第3及び第4象限とする。このとき、位置18の座標は、x18、y18=LT×sinθi、-LT×cosθi以下、11式となる。9、10及び11式より、x18、y18は、以下のようになる。x18=2×HX-WXU-WXB×cotθi/2×μS×μX×HX×K×cotθi×sin2θi2×HX×K/2×HX×tanθi-WXUWXB以下、12式が得られる。y18=-2×HX-WXU-WXB×cotθi/4×μS×μX×HX×K×cotθi×sin2θi-2×HX×K/2×HX-WXUWXB×cotθi以下、13式が得られる。したがって、部材3の形状は、θiを0から180°まで変化させた場合において12及び13式の座標により描かれる第1軌跡、部材3の中心線x=KWXU/2を軸に第1軌跡を折り返して得られる第2軌跡で囲まれるように決めることができる。また、この第1及び第2軌跡の交点がシンチレータ層4より下y18<-HXの場合は、部材3の形状は、第1及び第2軌跡に加え、さらに、y=-HXで囲まれるように決めることができる。また、この第1軌跡は、正の変数c,d,e,f,g,hを用いて、y=c×x5-d×x4e×x3-f×x2g×x-h以下、14式と近似して、設計することも可能である。ここで、図8aに、12及び13式による軌跡により定められた部材3の形状の一例を示す。その他、放射線検出装置31は、図1cに例示されるように、部材3の側面を覆うように配され、光を反射する光反射部50を、さらに含んでもよい。これにより、シンチレータ層4において発生した光は、センサパネル40に向かって効率的に反射され、MTFが向上しうる。このとき、シンチレータ層4の高さをHS、部材3の高さをHX、光反射部50の高さをHRとしたときに、HS≧HR≧HXの関係が成り立つとよい。以下では、本実施形態の効果を、第1比較例と比較することにより検証する。比較に先立って、図6を参照しながら、第1比較例の放射線検出装置について述べる。まず、無アルカリガラス基板の上に、非晶質シリコンの半導体薄膜を形成し、光電変換部光電変換素子とTFTを含む及び配線を設けた。光電変換素子は、x、y方向共に160μmの大きさでありP=160μm、x方向に2208画素、y方向に2688画素が形成されている。その後、保護層としてSiN層、およびポリイミド樹脂層を形成し、センサ基板101が得られる。次に、例えば、シンチレータ下地層としてアルミニウムの基板301を用意する。これにより、この基板301は、反射層としても作用する。この基板301に、ヨウ化セシウムCsIとヨウ化タリウムTlIについて蒸着レートをそれぞれ制御しながら蒸着を行ってシンチレータ層膜厚HS=400μmを設けた。その上に、ポリエチレンテレフタレートPETフィルムにポリオレフィン系樹脂を主成分とするホットメルト樹脂を転写接着することにより、シンチレータ保護層厚さ20μmを形成した。このようにして形成したシンチレータパネルを、アクリル系粘着材の粘着層厚さ25μm程度を用いて、センサ基板101の上に貼りつけ、さらに接着した部分から空気を抜くために脱泡処理を行った。その後、シンチレータパネルとパネル周辺部302にエポキシ系の樹脂をポッティングし、加熱処理120°C、30分程度により熱硬化させて封止を行い、センサパネルを得た。さらに、上記センサパネルの信号入力取出部に外部配線実装部品104を実装し、最後にセンサパネルを保護する筐体106を設け、第1比較例の放射線検出装置を形成した。また、比較のためのMTF評価方法は以下のようにして行った。まず、放射線検出装置を評価装置にセットし、X線源との間に軟X線除去用の20mmAlフィルターをセットした。次に、基板とX線源との間の高さを130cmに調整し、放射線検出装置を電気駆動系に接続した。この状態で、放射線検査装置の上に矩形MTFチャートを2~3°程度傾けて搭載し、管電圧80keV、管電流250mAの条件の下、50msのX線パルスを6回爆射した。次に、MTFチャートを取り除き、同様にして、6回爆射した。MTFの評価は、6回の爆射のうち線量の安定している3回をそれぞれ用いて、その画像を解析することにより行った。第1比較例の放射線検出装置のMTFは2lp/mmで0.360であった。同様にして、比較のための感度の評価方法は、上記条件の下、3回爆射して行った。この方法により測定した第1比較例の放射線検出装置の感度は5200LSBであった。次に、本実施形態のMTF及び感度の評価結果について述べる。第1比較例と同じ条件の基板に、厚さ120μm用ドライフィルムレジストDFRをラミネートした。その後、図7に例示するように、40μm幅、160μmピッチで縦横方向に開口部が形成されているフォトマスクをセットし、240mJ/cm2条件下で露光を行った。その後、現像し、十分に乾燥させることによって部材3が形成されるべき溝幅40μm、高さ120μmを形成した。次に、この基台をスクリーン印刷機にセットし、樹脂分の体積比率が4となるように調整した約500mPasのBi2O3ペーストを用い、スクリーン印刷を行った。このBi2O3の粒度分布中央値は、レーザーマイクロトラック法による測定によると、約1.0μmであった。また、スクリーン印刷はパターニングされた版を用いたが、部材3が形成されるべき溝に十分流し込み、レベリングを十分に行い、最終的にDFR面が全て覆い尽くされるまで繰り返し実施した。その後、乾燥140°C程度させ、部材3が120μmになるまで研磨を行い、その後、剥離液に浸漬させDFRを除去した。この方法によりBi2O3粒子による幅40μm、高さ120μmの部材3を形成することができた。また、上記の操作を幅30μmの開口マスクを用いて、再度繰り返すことにより、最終的にHX=240μm、WXU=40μm、WXB20μmの部材3を備えたシンチレータパネルが得られた。次に、この部材3が形成された基板を用いて、第1比較例と同様に、シンチレータ層CsI:TIを蒸着し、その後、研磨して、厚さ400μmのシンチレータ層4を形成した。以上のようにして得られた本実施形態の放射線検出装置31を、第1比較例と同様の方法で評価を行ったところ、MTFは0.500、感度は5000LSBが得られた。第1比較例の評価結果と比較して分かるように、放射線検出装置31は、感度の損失を抑えつつ、MTFを向上することができた。図9には、後述の各実施形態及び第2比較例も含めて、比較表を掲載している。<第2実施形態>第2実施形態では、部材3の高さHXについてはパラメータを振り、その他については第1実施形態と同様の方法により、放射線検出装置32を取得した。具体的には、HX=3.5、4.0、60、115、162μmとした。放射線検出装置32を製作した後、第1実施形態と同様にして、評価を行った。HX=3.5μmの場合は、MTFは0.360、感度は5200LSBであった。HX=4.0μmの場合は、MTFは0.390、感度は5200LSBであった。HX=60μmの場合は、MTFは0.430、感度は5150LSBであった。HX=115μmの場合は、MTFは0.450、感度は5050LSBであった。HX=162μmの場合は、MTFは0.460、感度は5000LSBであった。第1比較例と比較すると、放射線検出装置32は、部材3の高さHXが4μm以上、好ましくは60μm以上、より好ましくは115μm以上の場合に、感度の損失を抑えつつ、MTFを向上することができる。<第3実施形態>第3実施形態では、部材3の材料について変更し、その他については第1実施形態と同様の方法により、放射線検出装置33を取得した。具体的には、第1に、平均粒径1μmのSb2O3粉末を含むペーストを使用し、第2に、平均粒径2μmのSnO2粉末を含むペーストを使用した。Sb2O3の線減弱係数μX1=85.4は、シンチレータ層4CsI:TIの線減弱係数μS=100.9よりも小さい。SnO2の線減弱係数μX2=102.8であり、μSとほぼ同等である。放射線検出装置33を製作した後、第1実施形態と同様にして、評価を行った。平均粒径1μmのSb2O3粉末を含むペーストを用いた場合は、MTFは0.380、感度は4800LSBであった。平均粒径2μmのSnO2粉末を含むペーストを用いた場合は、MTFは0.500、感度は4950LSBであった。第1比較例と比較すると、放射線検出装置33は、部材3の線減弱係数μXが、シンチレータ層の線減弱係数μS以上となる場合に、感度の損失を抑えつつ、MTFを向上することができる。<第4実施形態>第4実施形態では、部材3が配置される位置について変更し、その他については第1実施形態と同様の方法により、放射線検出装置34を取得した。具体的には、図3e、f、b、c、及びdの5パターンに例示されるように、部材3を配置した。放射線検出装置34を製作した後、第1実施形態と同様にして、評価を行った。部材3を図3eに例示されるように配置した場合は、MTF0.430、感度は5100LSBであった。部材3を図3fに例示されるように配置した場合は、MTFは0.430、感度は5100LSBであった。部材3を図3bに例示されるように配置した場合は、MTFは0.460、感度は5050LSBであった。部材3を図3cに例示されるように配置した場合は、MTFは0.460、感度は5050LSBであった。部材3を図3dに例示されるように配置した場合は、MTFは0.460、感度は5050LSBであった。第1実施形態で述べたように、部材3は、画素アレイの列方向及び行方向の両方図3aに配されることによって、本発明の効果が得られた。しかし、本実施形態から分かるように、部材3は、画素アレイの列方向及び行方向の一方図3b、cに配される、若しくは、列方向の一部及び行方向の一部の両方図3d又は一方図3e、fに配されてもよい。このように、放射線検出装置34は、感度の損失を抑えつつ、MTFを向上することができる。<第5実施形態>第5実施形態では、部材3の形状について変更し、その他については第1実施形態と同様の方法により、放射線検出装置35を取得した。具体的には、第1に、WXU=40μm、WXB=40μm、HX=195μmの部材3を形成した。第2に、WXU=40μm、WXB=40μm、HX=310μmの部材3を形成した。第3に、WXU=40μm、WXB=40μm、HX=360μmの部材3を形成した。第4に、WXU=40μm、WXB=40μm、HX=380μmの部材3を形成した。これらは、DFRは厚さ120μmのものを用い、露光は、図7に例示されるように、40μm幅、160μmピッチで縦横方向に開口部が形成されているフォトマスクを用いて繰り返し為された。放射線検出装置35を製作した後、第1実施形態と同様にして、評価を行った。WXU=40μm、WXB=40μm、HX=195μmの部材3の形状の場合は、MTFは0.480、感度は5000LSBであった。WXU=40μm、WXB=40μm、HX=310μmの部材3の形状の場合は、MTFは0.550、感度は4200LSBであった。WXU=40μm、WXB=40μm、HX=360μmの部材3の形状の場合は、MTFは0.580、感度は4000であった。WXU=40μm、WXB=40μm、HX=380μmの部材3の形状の場合は、MTF0.600、感度は3800LSBであった。したがって、上記結果より、部材3は、HS/HX≦WXU-2×P/WXBWXU-2×Pの関係が成り立つとように配されるとよい、という傾向がわかる。<第6実施形態>第6実施形態では、部材3の形状について変更し、その他については第1実施形態と同様の方法により、放射線検出装置36を取得した。具体的には、第1に、図8bに例示されるように、WXU=99μm、WXB=14μm、HX=120μmの階段形状の部材3を形成した。これは、DFRは40μmのDFRを使用し、露光を繰り返して行い、形成した。これは、各繰り返しにおけるフォトマスクを、図7に例示される開口幅401を、100μm、80μm、60μm、40μm、20μm、10μmと狭くして、得られた。同様の条件により成膜した基板の断面のSEM観察像を、画像処理することにより側面形状を計測したところ、側面形状のσは2.5であった。第2に、図8cに例示されるように、WXU=60μm、WXB=50μm、HX=120μmの矩形形状の部材3を形成した。これは、前述の第1の形状と同様にして、開口幅401が60μmのフォトマスクを用いて、得られた。このときの側面形状のσは21.2であった。また、第3に、WXU=40μm、WXB=50μm、HX=120μmの台形形状の部材3を、同様の方法で形成した。このときの側面形状のσは25.2であった。放射線検出装置36を製作した後、第1実施形態と同様にして、評価を行った。第1のWXU=99μm、WXB=14μm、HX=120μmの階段形状の部材3の場合は、MTFは0.600、感度は3800であった。第2のWXU=60μm、WXB=50μm、HX=120μmの矩形形状の部材3の場合は、MTFは0.490、感度は4400LSBであった。第3のWXU=40μm、WXB=50μm、HX=120μmの台形形状の部材3の場合は、MTFは0.480、感度は4000LSBであった。このように、放射線検出装置36は、側面形状のσは20以下の場合に、感度の損失を抑えつつ、MTFが向上しうる。<第7実施形態>第7実施形態では、部材3の幅WXUと画素の間隔Pの関係について変更し、その他については第1実施形態と同様の方法により、放射線検出装置37を取得した。具体的には、第1に、前述と同様の手法で、WXU=35μm、WXB=20μm、HX=240μmの部材3を形成した。このとき、WXU/P=0.228である。第2に、同様の手法で、WXU=45μm、WXB=20μm、HX=240μmの部材3を形成した。このとき、WXU/P=0.281である。放射線検出装置37を製作した後、第1実施形態と同様にして、評価を行った。WXU=35μm、WXB=20μm、HX=240μmの部材3の場合は、MTFは0.490、感度は5050LSBであった。WXU=45μm、WXB=20μm、HX=240μmの部材3の場合は、MTFは0.500、感度は4800LSBであった。したがって、上記結果より、部材3は、WXU≦P/4の関係が成り立つように設けられるとよい、という傾向が分かる。<第8実施形態>第8実施形態について説明するに先立って、図6を参照しながら、第2比較例の放射線検出装置について述べる。第2比較例では、シンチレータ層にGd2O2S:Tbシンチレータ粉末を用い、前述と同様の方法により、センサ基板101を得た。次に、基板301をスクリーン印刷機にセットし、SUS100メッシュの版をクリアランス2.5mmでセットした。一方、粒度分布中央値が約6μmのGd2O2S:Tbのシンチレータ1kgに、ビヒクル120gを添加し、遊星撹拌装置で撹拌し、0.3rpmにおける回転粘度が約350Pasの高粘度シンチレータペーストを作成した。このペーストを用いて、基板301の上に、0.2MPaの印圧でスクリーン印刷を行った。印刷した後の基板301は、レベリング30分程度を実施し、次に、乾燥120°C、30分程度させ、その後、厚さ約60μmのシンチレータ層4を得た。このスクリーン印刷を3回繰り返すことにより、最終的に、厚さ約180μmのシンチレータ層4を形成した。この基板301にアクリル系粘着剤を約10μm塗布し、センサ基板101の上に貼り付けた。その後、シンチレータ層4の形成された基板301の上に形成するシンチレータ保護層には、厚さ20μmのPETフィルムにポリオレフィン系樹脂を主成分とするホットメルト樹脂を転写接着させたものを用いた。次に、このようにして形成したシンチレータパネルとパネル周辺部302にエポキシ系の樹脂をポッティングし、加熱処理120°C、30分程度することにより熱硬化させ封止を行い、センサパネルを得た。さらに、上記センサパネルの信号入力取出部に外部配線実装部品104を実装し、最後にセンサパネルを保護する筐体106を設け、第2比較例の放射線検出装置を形成した。前述と同様にして、MTF及び感度を評価したところ、MTFは0.320、感度は2700LSBであった。以下に述べる第8実施形態では、いくつかの異なる材料の部材3を形成し、その他については第2比較例と同様の条件となるように、放射線検出装置38を取得した。部材3には、具体的には、第1に、Bi2O3を使用し、第2に、MoO3を使用し、第3に、Co3O4を使用した。例えば、第1のBi2O3の部材3の場合は、以下のようにして取得した。まず、第2比較例と同じ条件の基板に、厚さ120μm用DFRをラミネートした。その後、図7に例示するように、40μm幅、160μmピッチで縦横方向に開口部が形成されているフォトマスクをセットし、240mJ/cm2条件下で露光を行った。その後、現像し、十分に乾燥させることによって部材3が形成されるべき溝幅40μm、高さ120μmを形成した。次に、この基台をスクリーン印刷機にセットし、樹脂分の体積比率が4となるように調整した約500mPasのBi2O3ペーストを用い、スクリーン印刷を行った。このBi2O3の粒度分布中央値は、レーザーマイクロトラック法による測定によると、約1.0μmであった。また、スクリーン印刷はパターニングされた版を用いたが、部材3が形成されるべき溝に十分流し込み、レベリングを十分に行い、最終的にDFR面が全て覆い尽くされるまで繰り返し実施した。その後、乾燥140°C程度させ、部材3が120μmになるまで研磨を行い、その後、剥離液に浸漬させDFRを除去した。この方法によりBi2O3粒子による幅40μm、高さ120μmの部材3を形成した。また、上記の操作を幅30μmの開口マスクを用いて、再度繰り返すことにより、最終的にHX=120μm、WXU=40μm、WXB20μmの部材3を備えたシンチレータパネルが得られた。次に、この部材3が形成された基板を用いて、第2比較例と同様に、シンチレータ層Gd2O2S:Tbを蒸着し、その後、研磨して、厚さ400μmのシンチレータ層4を形成した。以上のようにして放射線検出装置38を製作した後、前述と同様の方法でMTF及び感度の評価を行った。第1の部材3の場合は、線減弱率係数μX1=109.4は、シンチレータ層4Gd2O2S:Tbの線減弱率係数μS=39.1より大きい。また、第2の平均粒径1μmのMoO3粉末を含むペーストを用いた部材3の場合は、線減弱率係数μX2=39.1は、μSと同等である。また、第3の平均粒径1μmのCo3O4粉末を含むペーストを用いた部材3の場合は、線減弱率係数μX3=16.4は、μSより小さい。第1のBi2O3を用いた部材3の場合は、MTFは0.380、感度は2650LSBであった。第2のMoO3を用いた部材3の場合は、MTFは0.360、感度は2600LSBであった。第3のCo3O4を用いた部材3の場合は、MTFは0.320、感度は2600LSBであった。第2比較例と比較すると、放射線検出装置38は、部材3の線減弱係数μXが、シンチレータ層の線減弱係数μS以上となる場合に、感度の損失を抑えつつ、MTFを向上することができる。以上の各実施形態を述べたが、本発明はこれらに限られるものではなく、目的、状態、用途、機能、およびその他の仕様の変更が適宜可能であり、他の実施形態によっても実施されうることは言うまでもない。また、放射線検出装置31乃至38は、放射線撮像システムに適用されうる。例えば、放射線源から発せられた放射線代表例としては、X線は被験者を透過し、該被験者の体内の情報を含む放射線が、放射線検出装置31乃至38により検知されうる。これにより得られた情報は、例えば、信号処理部により所定の処理が行われ、画像信号として、例えば、ディスプレイのような表示部に転送され、画像が表示されうる。"