"半導体基板上の撮像領域にて行列状に配列され、光電変換により信号電荷を生成する複数の受光素子と、前記複数の受光素子の配列における各列方向の並びに沿って設けられ、前記受光素子により生成された信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直転送レジスタと、前記垂直転送レジスタにより転送された信号電荷を水平方向に転送する水平転送レジスタと、前記半導体基板上にて前記垂直転送レジスタおよび前記水平転送レジスタを構成する転送電極下に設けられるゲート絶縁膜と、を備え、前記ゲート絶縁膜は、前記垂直転送レジスタを構成する転送電極下に位置し、第1の膜厚を有する第1の部分と、前記水平転送レジスタを構成する転送電極下に位置し、前記第1の膜厚よりも薄い第2の膜厚を有する第2の部分と、を含む、固体撮像素子。前記第1の膜厚は、前記垂直転送レジスタを構成する転送電極に印加される、前記受光素子により生成された信号電荷を読み出すための読み出し電圧に対して、前記垂直転送レジスタを構成する転送電極と前記半導体基板との間での耐圧を確保する上で必要な膜厚であり、前記第2の膜厚は、前記水平転送レジスタを構成する転送電極に印加される、信号電荷を転送するための駆動電圧に対して、前記水平転送レジスタを構成する転送電極と前記半導体基板との間での耐圧を確保する上で必要な膜厚である、請求項1に記載の固体撮像素子。請求項1または請求項2に記載の固体撮像素子の製造方法であって、前記半導体基板上に、前記ゲート絶縁膜となる絶縁膜を、前記第1の膜厚となるように形成する工程と、前記第1の膜厚となるように形成した前記絶縁膜のうち、前記水平転送レジスタを構成する転送電極下の位置に対応する部分を、前記第2の膜厚となるように薄膜化することにより、前記第1の部分および前記第2の部分を形成する工程と、前記第1の部分および前記第2の部分を形成した前記絶縁膜上に、前記垂直転送レジスタを構成する転送電極および前記水平転送レジスタを構成する転送電極を形成する工程と、を含む、固体撮像素子の製造方法。請求項1または請求項2に記載の固体撮像素子の製造方法であって、前記半導体基板上に、前記ゲート絶縁膜となる絶縁膜を、前記第2の膜厚となるように形成する工程と、前記第2の膜厚となるように形成した前記絶縁膜のうち、前記垂直転送レジスタを構成する転送電極下の位置に対応する部分を、前記第1の膜厚となるように成膜することにより、前記第1の部分および前記第2の部分を形成する工程と、前記第1の部分および前記第2の部分を形成した前記絶縁膜上に、前記垂直転送レジスタを構成する転送電極および前記水平転送レジスタを構成する転送電極を形成する工程と、を含む、固体撮像素子の製造方法。請求項1または請求項2に記載の固体撮像素子と、前記固体撮像素子を駆動するための駆動信号を生成する駆動手段と、を備える、固体撮像装置。垂直転送レジスタおよび水平転送レジスタは、それぞれ、駆動電圧の印加を受けることによって駆動し、信号電荷の転送を行う。具体的には、垂直転送レジスタおよび水平転送レジスタの各転送レジスタを構成する各転送電極には、駆動電圧としてのクロックパルスが独立して与えられる。この各転送電極に与えられるクロックパルスの大きさとタイミングが適切に制御されることにより、信号電荷が蓄積される電位の井戸が移動し、転送電極の並びに沿って信号電荷が転送される。上述したように転送電極と半導体基板との間に存在するゲート絶縁膜の膜厚の決定に際しては、転送電極と半導体基板との間の耐圧絶縁耐圧が考慮される。つまり、転送電極と半導体基板との間で必要な耐圧が確保できるように、ゲート絶縁膜の膜厚が決められる。ゲート絶縁膜の膜厚が厚いほど、得られる耐圧が大きくなる。この点、垂直転送レジスタの転送電極に印加される電圧は、水平転送レジスタの転送電極に印加される電圧よりも高い。具体的には、水平転送レジスタの転送電極には、例えば0~3V程度の駆動電圧が印加されるのに対し、垂直転送レジスタの転送電極には、例えば-7.5~0V程度の駆動電圧が印加されるほか、駆動電圧に対して比較的高い例えば10~15V程度の読み出し電圧が印加される。このように、垂直転送レジスタの方が水平転送レジスタよりも、転送電極に印加される電圧が高いことから、転送電極と半導体基板との間で必要な耐圧は、垂直転送レジスタの方が水平転送レジスタよりも高い。このため、上述したように転送電極下のゲート絶縁膜の膜厚が垂直転送レジスタと水平転送レジスタとで同じである構造においては、ゲート絶縁膜の膜厚は、印加される電圧が高い方の転送レジスタである垂直転送レジスタの転送電極と半導体基板との間で必要な耐圧が確保できる厚さに設定される。したがって、従来のCCD固体撮像素子においては、水平転送レジスタの転送電極下のゲート絶縁膜の膜厚は、水平転送レジスタの転送電極と半導体基板との間の耐圧を確保する観点から必要となる膜厚に対して厚く、水平転送レジスタの転送電極と半導体基板との間の耐圧が必要以上に確保されている。つまり、従来の構造においては、水平転送レジスタの転送電極下のゲート絶縁膜の膜厚は、必要以上に厚いということができる。上述したように転送電極に駆動電圧が印加されることで信号電荷の転送が行われる転送レジスタにおいては、転送電極下に存在するゲート絶縁膜の膜厚が厚くなると、転送電極において駆動電圧が印加されることで変化する電位の、電圧の変化に対する追従性が低下する。転送電極における電圧の変化に対する電位の追従性が低下すると、電位の井戸を形成する各転送電極の電位の山と谷の高低差、つまり電位の井戸の深さについて十分な大きさを得ることができず、転送レジスタの取り扱い電荷量転送できる最大の信号電荷量が減少し、転送効率も劣化する。ここで、転送効率とは、信号電荷を転送した後の減少した信号と元の信号との割合である。また、取り扱い電荷量を確保するためには、転送レジスタの幅を広げることが考えられる。しかし、転送レジスタの幅が広くなると、固体撮像素子としてのチップサイズが大きくなり、1枚のウエハから作られるチップの個数が減少するため、コストアップが生じる。また、取り扱い電荷量を確保するとともに、転送効率の劣化を防止するための方策として、転送電極に印加する駆動電圧の振幅を大きくすることが考えられる。しかし、駆動電圧の振幅を大きくすることは、消費電力が大きくなるというデメリットをともなう。そこで、本技術の目的は、水平転送レジスタにおいて取り扱い電荷量の確保が容易となるとともに、転送効率を向上させることができ、コストの削減および消費電力の低減を容易に実現することができる固体撮像素子およびその製造方法並びに固体撮像装置を提供することである。本技術に係る固体撮像素子は、半導体基板上の撮像領域にて行列状に配列され、光電変換により信号電荷を生成する複数の受光素子と、前記複数の受光素子の配列における各列方向の並びに沿って設けられ、前記受光素子により生成された信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直転送レジスタと、前記垂直転送レジスタにより転送された信号電荷を水平方向に転送する水平転送レジスタと、前記半導体基板上にて前記垂直転送レジスタおよび前記水平転送レジスタを構成する転送電極下に設けられるゲート絶縁膜と、を備え、前記ゲート絶縁膜は、前記垂直転送レジスタを構成する転送電極下に位置し、第1の膜厚を有する第1の部分と、前記水平転送レジスタを構成する転送電極下に位置し、前記第1の膜厚よりも薄い第2の膜厚を有する第2の部分と、を含むものである。また、本技術に係る固体撮像素子においては、好ましくは、前記第1の膜厚は、前記垂直転送レジスタを構成する転送電極に印加される、前記受光素子により生成された信号電荷を読み出すための読み出し電圧に対して、前記垂直転送レジスタを構成する転送電極と前記半導体基板との間での耐圧を確保する上で必要な膜厚であり、前記第2の膜厚は、前記水平転送レジスタを構成する転送電極に印加される、信号電荷を転送するための駆動電圧に対して、前記水平転送レジスタを構成する転送電極と前記半導体基板との間での耐圧を確保する上で必要な膜厚である。本技術に係る固体撮像素子の製造方法は、前記固体撮像素子の製造方法であって、前記半導体基板上に、前記ゲート絶縁膜となる絶縁膜を、前記第1の膜厚となるように形成する工程と、前記第1の膜厚となるように形成した前記絶縁膜のうち、前記水平転送レジスタを構成する転送電極下の位置に対応する部分を、前記第2の膜厚となるように薄膜化することにより、前記第1の部分および前記第2の部分を形成する工程と、前記第1の部分および前記第2の部分を形成した前記絶縁膜上に、前記垂直転送レジスタを構成する転送電極および前記水平転送レジスタを構成する転送電極を形成する工程と、を含むものである。本技術に係る固体撮像素子の製造方法は、前記半導体基板上に、前記ゲート絶縁膜となる絶縁膜を、前記第2の膜厚となるように形成する工程と、前記第2の膜厚となるように形成した前記絶縁膜のうち、前記垂直転送レジスタを構成する転送電極下の位置に対応する部分を、前記第1の膜厚となるように成膜することにより、前記第1の部分および前記第2の部分を形成する工程と、前記第1の部分および前記第2の部分を形成した前記絶縁膜上に、前記垂直転送レジスタを構成する転送電極および前記水平転送レジスタを構成する転送電極を形成する工程と、を含むものである。本技術に係る固体撮像装置は、前記固体撮像素子と、前記固体撮像素子を駆動するための駆動信号を生成する駆動手段と、を備えるものである。本技術によれば、水平転送レジスタにおいて取り扱い電荷量の確保が容易となるとともに、転送効率を向上させることができ、コストの削減および消費電力の低減を容易に実現することができる。本技術は、垂直転送レジスタおよび水平転送レジスタの各転送電極下に存在するゲート絶縁膜の膜厚に関し、水平転送レジスタの転送電極下のゲート絶縁膜の膜厚を、垂直転送レジスタの転送電極下のゲート絶縁膜の膜厚よりも薄くすることにより、水平転送レジスタについての取り扱い電荷量の増加、および転送効率の向上、ならびにコストの削減および消費電力の低減を実現しようとするものである。[固体撮像素子の概略構成]図1を用いて、本実施形態に係る固体撮像素子1の概略構成について説明する。本実施形態の固体撮像素子1は、奇数と偶数のラインを別々のフィールドで走査し、その2つのフィールドを合わせて1つのフレームとする走査方式を採用するいわゆるインターレース方式のCCD固体撮像素子である。ただし、走査方式は、特に限定されず、例えば、1つのフレームのすべてのラインを順番に1回で走査するノンインターレース方式等であってもよい。図1に示すように、固体撮像素子1は、半導体基板上に構成される矩形状の撮像領域2を有する。固体撮像素子1は、撮像領域2に、複数の受光素子3を備える。複数の受光素子3は、半導体基板上の撮像領域2にて行列状に配列される。つまり、複数の受光素子3は、矩形状の撮像領域2に沿って、縦方向横方向に2次元行列状に配置される。本実施形態の固体撮像素子1では、図1において、縦方向を垂直方向とし、横方向を水平方向とする。受光素子3は、フォトダイオードにより構成され、撮像領域2における画素を構成する。受光素子3は、光電変換により信号電荷を生成し、蓄積する。つまり、受光素子3は、受光面を有し、その受光面に入射した光量強度に応じた信号電荷を生成し、生成した信号電荷を蓄積する。固体撮像素子1は、受光素子3で生成された信号電荷を転送する電荷転送部転送レジスタとして、信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直転送レジスタ4を備える。垂直転送レジスタ4は、複数の受光素子3の行列状の2次元配列における各列方向垂直方向の並びに沿って設けられる。つまり、図1に示すように、複数の垂直転送レジスタ4は、行列状に配置される複数の受光素子3の垂直方向に並ぶ列毎に、各列の一側図1では左側に隣接するように、受光素子3の垂直方向の並びに沿って互いに平行に配された状態で設けられる。受光素子3により生成された信号電荷は、垂直転送レジスタ4に読み出され、垂直転送レジスタ4によって垂直方向に転送される。固体撮像素子1は、受光素子3で生成された信号電荷を転送する電荷転送部転送レジスタとして、垂直転送レジスタ4により転送された信号電荷を水平方向に転送する水平転送レジスタ5を備える。水平転送レジスタ5は、矩形状の撮像領域2に対して垂直方向の一側図1では下側の水平方向の辺に沿って配置される。したがって、垂直転送レジスタ4は、受光素子3から読み出された信号電荷を、水平転送レジスタ5側図1では下側に向けて垂直方向に転送する。垂直転送レジスタ4および水平転送レジスタ5により転送された信号電荷は、水平転送レジスタ5の終端側に設けられる出力部6から出力される。出力部6は、転送された信号電荷を、FDFloatingDiffusionアンプ等の出力アンプによって電気信号に変換して出力する。本実施形態の固体撮像素子1においては、垂直転送レジスタ4は、4相駆動パルスにより駆動される。このため、垂直転送レジスタ4は、4相駆動に対応する4種類の転送電極を有する。垂直転送レジスタ4において、4種類の転送電極は、2画素ごとに垂直方向に所定の順序で繰り返し設けられる。そして、垂直転送レジスタ4を構成する4種類の転送電極には、駆動電圧としての4相のクロックパルスVφ1,Vφ2,Vφ3,Vφ4が、各電極に独立して与えられる。この4相のクロックパルスVφ1,Vφ2,Vφ3,Vφ4の大きさとタイミングが適切に制御されることにより、各受光素子3から垂直転送レジスタ4に読み出された信号電荷が、垂直転送レジスタ4の電極の並びに従って転送される。本実施形態の固体撮像素子1においては、水平転送レジスタ5は、3相駆動パルスにより駆動される。このため、水平転送レジスタ5を構成する転送電極には、駆動電圧としての3相のクロックパルスHφ1,Hφ2,Hφ3が、各電極に独立して与えられる。この3相のクロックパルスHφ1,Hφ2,Hφ3の大きさとタイミングが適切に制御されることにより、垂直転送レジスタ4から水平転送レジスタ5に転送された信号電荷が、水平方向に転送される。[固体撮像素子の詳細構成]本実施形態の固体撮像素子1の詳細構成について、図1から図3を用いて説明する。なお、図2は、図1におけるA-A’位置の部分断面図に相当し、図3は、図1におけるB-B’位置の部分断面図に相当する。図2に示すように、垂直転送レジスタ4は、半導体基板10上において、信号電荷の転送方向矢印A1参照である垂直方向に並ぶ複数の転送電極以下垂直転送電極という。11により構成される。隣り合う垂直転送電極11間には、電極間のギャップ幅を規定する仕切り部が設けられる。本実施形態では、半導体基板10は、シリコンSiを材料とするシリコン基板である。また、垂直転送レジスタ4を構成する垂直転送電極11は、多結晶シリコンPoly-Siにより形成される。また、本実施形態では、垂直転送レジスタ4を構成する垂直転送電極11は、隣り合う電極同士がオーバーラップしない単層電極を構成する。なお、半導体基板10および垂直転送電極11それぞれを形成する材料は、特に限定されるものではない。図2に示すように、固体撮像素子1が備える各垂直転送レジスタ4は、4相駆動に対応する4種類の垂直転送電極11として、2種類の読み出し電極V1,V3と、2種類の非読み出し電極V2,V4を有する。これらの電極V1,V2,V3,V4は、2画素ごとに垂直方向に所定の順番で設けられる。本実施形態では、4種類の垂直転送電極11は、垂直転送レジスタ4による電荷の転送方向にならって、読み出し電極V1、非読み出し電極V2、読み出し電極V3、非読み出し電極V4の順番に配置されている。垂直転送レジスタ4を構成する各電極V1,V2,V3,V4は、配線によって種類毎に互いに電気的に接続され、種類毎に同じタイミングで4相のクロックパルスVφ1,Vφ2,Vφ3,Vφ4の印加を受ける。この各電極V1,V2,V3,V4に与えられるクロックパルスVφ1,Vφ2,Vφ3,Vφ4の大きさとタイミングが適切に制御されることにより、信号電荷が蓄積される電位の井戸が移動し、電極V1,V2,V3,V4の並びに沿って信号電荷が転送される。垂直転送レジスタ4は、垂直転送電極11において、クロックパルスとして、垂直転送電圧および読み出し電圧の印加を受ける。垂直転送電圧は、信号電荷を垂直方向に転送するための駆動電圧である。読み出し電圧は、受光素子3により生成された信号電荷の読み出しを行うための電圧である。信号電荷の読み出しとは、受光素子3に蓄積された信号電荷を垂直転送レジスタ4に転送する動作である。垂直転送レジスタ4は、読み出し電極V1,V3において、クロックパルスVφ1,Vφ3として、互いに異なる所定のタイミングで、読み出し電圧の印加を受ける。信号電荷の読み出しは、次のようにして行われる。信号電荷の読み出しに際しては、読み出し電極V1,V3に読み出し電圧が印加される。これにより、垂直転送電極11の電位が、受光素子3に対する露光時から信号電荷の読み出し時の所定の電位まで高くなり、各受光素子3と垂直転送レジスタ4との間に存在する読み出しゲートの電位が受光素子3の電位より高くなる。このような電位の変動により、受光素子3の電位と垂直転送電極11の電位との電位差によって垂直転送レジスタ4において電位の井戸が形成されるとともに、各受光素子3で信号電荷の蓄積に際して読み出しゲートの電位により形成されていた電位による障壁が除かれる。そして、各受光素子3に蓄積されていた信号電荷が、読み出しゲートを介して垂直転送レジスタ4に読み出し転送される。このようにして信号電荷の読み出しが行われることから、垂直転送レジスタ4を構成する垂直転送電極11に印加されるクロックパルスに関し、読み出し電圧は、垂直転送電圧に対して比較的高い。具体的には、垂直転送電極11に印加される垂直転送電圧が、例えば-7.5~0V程度であるのに対し、読み出し電圧は、例えば10~15V程度である。図3に示すように、水平転送レジスタ5は、半導体基板10上において、信号電荷の転送方向矢印A2参照である水平方向に並ぶ複数の転送電極以下水平転送電極という。12により構成される。隣り合う水平転送電極12間には、電極間のギャップ幅を規定する仕切り部が設けられる。本実施形態では、水平転送レジスタ5を構成する水平転送電極12は、多結晶シリコンPoly-Siにより形成される。また、本実施形態では、水平転送レジスタ5を構成する水平転送電極12は、隣り合う電極同士がオーバーラップしない単層電極を構成する。なお、水平転送電極12を形成する材料は、特に限定されるものではない。図2に示すように、固体撮像素子1が備える水平転送レジスタ5は、3相駆動に対応する3種類の水平転送電極12として、電極H1,H2,H3を有する。これらの電極H1,H2,H3は、水平方向に所定の順番で設けられる。本実施形態では、3種類の水平転送電極12は、水平転送レジスタ5による電荷の転送方向にならって、電極H1、電極H2、電極H3の順番に配置されている。水平転送レジスタ5を構成する各電極H1,H2,H3は、配線によって種類毎に互いに電気的に接続され、種類毎に同じタイミングで3相のクロックパルスHφ1,Hφ2,Hφ3の印加を受ける。この各電極H1,H2,H3に与えられるクロックパルスHφ1,Hφ2,Hφ3の大きさとタイミングが適切に制御されることにより、信号電荷が蓄積される電位の井戸が移動し、電極H1,H2,H3の並びに沿って信号電荷が転送される。水平転送レジスタ5は、水平転送電極12において、クロックパルスとして、水平転送電圧の印加を受ける。水平転送電圧は、信号電荷を水平方向に転送するための駆動電圧である。水平転送レジスタ5において水平転送電極12に印加される水平転送電圧は、垂直転送レジスタ4において垂直転送電極11に印加される垂直転送電圧よりも高い。一方、水平転送レジスタ5において水平転送電極12に印加される水平転送電圧は、垂直転送レジスタ4において垂直転送電極11に印加される読み出し電圧よりも低い。具体的には、上記のとおり垂直転送電極11に印加される垂直転送電圧が例えば-7.5~0V程度、読み出し電圧が例えば10~15V程度であるのに対し、水平転送電極12に印加される水平転送電圧は、例えば0~3V程度である。そして、図2および図3に示すように、固体撮像素子1においては、垂直転送レジスタ4を構成する垂直転送電極11、および水平転送レジスタ5を構成する水平転送電極12の各電極下、つまり各転送レジスタ4,5を構成する転送電極11,12と半導体基板10との間に、ゲート絶縁膜13が存在する。つまり、固体撮像素子1は、半導体基板10上にて垂直転送レジスタ4および水平転送レジスタ5を構成する転送電極11,12下に設けられるゲート絶縁膜13を備える。ゲート絶縁膜13は、絶縁材料として、均一な半導体基板10と、垂直転送レジスタ4を構成する垂直転送電極11、および水平転送レジスタ5を構成する水平転送電極12との間に介在する。つまり、半導体基板10上において、垂直転送レジスタ4および水平転送レジスタ5を構成する転送電極11,12が、ゲート絶縁膜13を介して、所定の方向に並べられて形成される。ゲート絶縁膜13の材料としては、例えば、2酸化シリコンSiO2、窒化シリコンSi3N4、リンシリケートガラスPSG、ボロンリンシリケートガラスBPSG、酸化タンタルTa2O5等が用いられる。ゲート絶縁膜13は、例えば2酸化シリコンを材料として形成されるシリコン酸化膜等として1種類の膜種からなる単層構造であってもよく、例えば上記の材料のうちの複数種類の材料により形成される複数の膜種が積層されて形成される積層構造であってもよい。以上のような構成を備える本実施形態の固体撮像素子1においては、半導体基板10と転送電極11,12との間に形成されるゲート絶縁膜13に関し、垂直転送レジスタ4の垂直転送電極11下に存在するゲート絶縁膜13と、水平転送レジスタ5の水平転送電極12下に存在するゲート絶縁膜13とで、異なる膜厚が採用されている。両者を比較した場合、水平転送電極12下のゲート絶縁膜13の膜厚の方が、垂直転送電極11下のゲート絶縁膜13の膜厚よりも薄い。したがって、図2および図3に示すように、垂直転送レジスタ4の垂直転送電極11下のゲート絶縁膜13の膜厚をd1とし、水平転送レジスタ5の水平転送電極12下のゲート絶縁膜13の膜厚をd2とすると、ゲート絶縁膜13は、d1>d2となるように形成される。このように、本実施形態の固体撮像素子1においては、ゲート絶縁膜13は、垂直転送レジスタ4の垂直転送電極11と半導体基板10との間に挟まれる垂直転送電極下膜部13Aと、水平転送レジスタ5の水平転送電極12と半導体基板10との間に挟まれる水平転送電極下膜部13Bとを含む。そして、ゲート絶縁膜13は、水平転送電極下膜部13Bの膜厚d2が垂直転送電極下膜部13Aの膜厚d1よりも薄くなるように形成される。したがって、本実施形態の固体撮像素子1では、垂直転送電極下膜部13Aが、垂直転送レジスタ4を構成する転送電極である垂直転送電極11下に位置し、第1の膜厚膜厚d1を有する第1の部分に相当する。また、水平転送電極下膜部13Bが、水平転送レジスタ5を構成する転送電極である水平転送電極12下に位置し、第1の膜厚膜厚d1よりも薄い第2の膜厚膜厚d2を有する第2の部分に相当する。垂直転送電極下膜部13Aおよび水平転送電極下膜部13Bの具体的な膜厚は、例えば次のとおりである。ゲート絶縁膜13の種類や構造や製造方法等により、絶縁強度が異なるため、多少の誤差はあるものの、垂直転送電極下膜部13Aにおいて必要な膜厚最小膜厚は、30nmナノメートル程度である。そして、垂直転送電極下膜部13Aの最小膜厚としての30nm程度の値に対して、製造ばらつき等が考慮され、垂直転送電極下膜部13Aの膜厚は、30-60nm程度の範囲で設定される。垂直転送電極下膜部13Aの膜厚について、上記の30-60nm程度という数値範囲における上限の値60nmは、ゲート絶縁膜13の膜厚が大きくなることによる取り扱い電荷量の減少や転送効率の劣化を防止する観点から規定された値である。つまり、ゲート絶縁膜13の膜厚が、60nmよりも極端に厚くなると、取り扱い電荷量の減少や転送効率の劣化が生じやすくなるため、垂直転送電極下膜部13Aの膜厚の上限最大膜厚は、60nm程度に設定される。このように30-60nm程度の範囲で設定される垂直転送電極下膜部13Aの膜厚に対し、水平転送電極下膜部13Bの膜厚は、垂直転送電極下膜部13Aの膜厚よりも数nmから数十nm薄い膜厚に設定される。ゲート絶縁膜13の膜厚設定の一例としては、垂直転送電極下膜部13Aの膜厚が40nmである場合、水平転送電極下膜部13Bの膜厚は15nmに設定される。ただし、垂直転送電極下膜部13Aの膜厚と水平転送電極下膜部13Bの膜厚との差や比率等は、特に限定されるものではない。垂直転送電極下膜部13Aの膜厚が、ゲート絶縁膜の種類や構造や製造方法等により、固体撮像素子において従来からゲート絶縁膜の膜厚として適した膜厚であるのに対し、水平転送電極下膜部13Bの膜厚は、垂直転送電極下膜部13Aの膜厚に対して数nmから20nm程度薄い値であればよい。ゲート絶縁膜13の膜厚の設定に際しては、垂直転送レジスタ4および水平転送レジスタ5を構成する転送電極11,12と半導体基板10との間の耐圧絶縁耐圧が考慮される。つまり、ゲート絶縁膜13の膜厚を決定するための指標として、転送電極11,12と半導体基板10との間で必要な耐圧が確保できることがある。そこで、上述したようにゲート絶縁膜13における垂直転送電極下膜部13Aと水平転送電極下膜部13Bとで互いに異なる膜厚を有する構成において、垂直転送電極下膜部13Aの膜厚は、垂直転送レジスタ4を構成する垂直転送電極11と半導体基板10との間でのみ必要な耐圧が確保される膜厚に設定され、水平転送電極下膜部13Bの膜厚は、水平転送レジスタ5を構成する水平転送電極12と半導体基板10との間でのみ必要な耐圧が確保されるように設定される。つまり、垂直転送電極11下と水平転送電極12下とで、半導体基板10との間で必要とされる耐圧が異なることから、垂直転送電極下膜部13Aおよび水平転送電極下膜部13Bそれぞれにおいて、最小限必要な耐圧が確保できるように、膜厚が設定される。垂直転送電極11下と水平転送電極12下とで、半導体基板10との間で必要とされる耐圧が異なることは、各転送電極11,12に印加される電圧の大きさが異なることに基づく。上述したように、水平転送電極12には、例えば0~3V程度の駆動電圧が印加されるのに対し、垂直転送電極11には、例えば-7.5~0V程度の駆動電圧のほか、例えば10~15V程度の読み出し電圧が印加される。したがって、ゲート絶縁膜13の膜厚が厚いほど、得られる耐圧が大きくなることから、各転送電極11,12で印加される電圧に対して最小限必要な耐圧が確保できるように膜厚の設定を行うことにより、水平転送電極下膜部13Bの膜厚の方が、垂直転送電極下膜部13Aの膜厚よりも薄くなる。具体的には、水平転送電極12下において半導体基板10との間で必要な耐圧は、垂直転送電極11下において半導体基板10との間で必要な耐圧と比べて7.5-10V程度低い値となる。したがって、ゲート絶縁膜13における耐圧と膜厚との関係に基づくと、ゲート絶縁膜13の種類や構造や製造方法等にもよるが、必要な耐圧を確保する観点からは、水平転送電極下膜部13Bの膜厚は、垂直転送電極下膜部13Aの膜厚に対して少なくとも10nm以上は薄くできる。以上のように、本実施形態の固体撮像素子1においては、垂直転送電極下膜部13Aの膜厚である第1の膜厚d1は、垂直転送レジスタ4を構成する垂直転送電極11に印加される、受光素子3により生成された信号電荷を読み出すための読み出し電圧に対して、垂直転送電極11と半導体基板10との間での耐圧を確保する上で必要な膜厚である。また、水平転送電極下膜部13Bの膜厚である第2の膜厚d2は、水平転送レジスタ5を構成する水平転送電極12に印加される、信号電荷を転送するための駆動電圧に対して、水平転送電極12と半導体基板10との間での耐圧を確保する上で必要な膜厚である。本実施形態の固体撮像素子1によれば、次のような効果が得られる。本実施形態の固体撮像素子1によれば、水平転送電極12と半導体基板10との間に存在するゲート絶縁膜13の膜厚を、他の部分に対して部分的に薄くすることができる。これにより、水平転送レジスタ5の部分において、取り扱い電荷量を増加することができ、転送効率を向上させることができる。すなわち、ゲート絶縁膜13の膜厚が薄くなると、水平転送電極12において転送電圧が印加されることで変化する電位の、電圧の変化に対する追従性が向上する。水平転送電極12における電圧の変化に対する電位の追従性が向上すると、電位の井戸を形成する各水平転送電極12の電位の山と谷の高低差、つまり電位の井戸の深さについて十分な大きさを得ることができるため、取り扱い電荷量が増加し、転送効率が向上する。また、水平転送レジスタ5において電位の井戸の深さを深くすることができることから、取り扱い電荷量の確保が容易となる。このため、従来と同様の取り扱い電荷量を確保するためには、水平転送レジスタ5の幅の寸法を短くすることができる。これにより、固体撮像素子としてのチップサイズを小さくすることができ、1枚のウエハから得られるチップの個数を増やすことが可能となり、コストを削減することができる。チップサイズの縮小下に関し、具体的には、ゲート絶縁膜13において水平転送電極12下の水平転送電極下膜部13Bを、他の部分に対して部分的に10nm薄くした場合、水平転送レジスタ5の面積を約1割縮小できることが見込まれる。また、取り扱い電荷量の確保が容易となり、転送効率が向上することから、所望される取り扱い電荷量および転送効率を得るための電位の井戸を形成するために必要な水平転送電圧を低く電圧の振幅を小さく抑えることができる。これにより、消費電力を低減させることができる。消費電力の低減に関し、具体的には、ゲート絶縁膜13において水平転送電極12下の水平転送電極下膜部13Bを、他の部分に対して部分的に10nm薄くした場合、水平転送レジスタ5で消費される電力を約1割削減できることが見込まれる。以上のように、本実施形態の固体撮像素子1によれば、水平転送レジスタ5において取り扱い電荷量の確保が容易となるとともに、転送効率を向上させることができ、コストの削減および消費電力の低減を容易に実現することができる。[固体撮像素子の製造方法]続いて、本実施形態の固体撮像素子1の製造方法の一例について、図4から図6を用いて説明する。なお、図4から図6においては、直線O1よりも左側の部分が、垂直転送レジスタ4が設けられる部分の断面を示し、直線O1よりも右側の部分が、水平転送レジスタ5が設けられる部分の断面を示す。また、以下に説明する固体撮像素子1の製造方法においては、ゲート絶縁膜13が、2酸化シリコンSiO2からなる単層構造のシリコン酸化膜として形成される場合を例に説明する。本実施形態の固体撮像素子1の製造方法では、図4に示すように、まず、半導体基板10上に、ゲート絶縁膜13となる絶縁膜13aを、第1の膜厚d1となるように形成する工程が行われる。すなわち、シリコン基板である半導体基板10の上面に、例えば、半導体基板10に酸化シリコンを付着させる方法の一つであるCVDChemicalVaporDeposition法化学気相成長法により、SiO2が堆積させられ、膜厚d1のシリコン酸化膜である絶縁膜13aが形成される。このように、本工程では、垂直転送電極下膜部13Aおよび水平転送電極下膜部13Bの膜厚のうち、最終的に垂直転送電極下膜部13Aの膜厚となる厚い方の膜厚第1の膜厚で、シリコン酸化膜である絶縁膜13aが形成される。なお、本例は、絶縁膜13aが1種類の膜種からなる場合であるが、絶縁膜13aは、SiO2を一度に堆積することによって形成してもよく、SiO2を複数回に分けて堆積することで形成してもよい。また、絶縁膜13aを形成する方法としては、CVD法の他、例えば、半導体基板10のシリコン結晶自体を酸化する熱酸化法など、適宜周知の方法が採用される。次に、図5に示すように、第1の膜厚d1となるように形成した絶縁膜13aのうち、水平転送電極12下の位置に対応する部分を、第2の膜厚d2となるように薄膜化することにより、垂直転送電極下膜部13Aおよび水平転送電極下膜部13Bを形成する工程が行われる。すなわち、フォトリソグラフィ法によるフォトエッチングにより、絶縁膜13aのうち、最終的に水平転送レジスタ5を構成する水平転送電極12の下に位置するゲート絶縁膜13の部分に対応する部分について、第1の膜厚d1と第2の膜厚d2の差分を除去する工程が行われる。具体的には、半導体基板10上に形成された膜厚d1の絶縁膜13aに対して、最終的に水平転送電極12下となる部分以外の部分が、フォトレジストが塗布されることにより被膜される。そして、ウエットエッチング等のエッチング法により、絶縁膜13aにおける水平転送電極12下となる部分が、膜厚d2となるように薄膜化される。その後、絶縁膜13aの上に塗布されたフォトレジストは、有機溶剤等によって除去される。このように、本工程では、垂直転送電極下膜部13Aの膜厚となる厚い方の膜厚第1の膜厚の絶縁膜13aが部分的に薄膜化されることにより、垂直転送電極下膜部13Aおよび水平転送電極下膜部13Bの膜厚のうち、最終的に水平転送電極下膜部13Bの膜厚となる薄い方の膜厚第2の膜厚の部分が形成される。これにより、ゲート絶縁膜13が有する垂直転送電極下膜部13Aおよび水平転送電極下膜部13Bが形成される。なお、半導体基板10上に形成された絶縁膜13aを部分的に薄膜化する方法としては、特に限定されることなく適宜周知の方法が採用される。そして、図6に示すように、垂直転送電極下膜部13Aおよび水平転送電極下膜部13Bを形成した絶縁膜13a上に、垂直転送レジスタ4を構成する垂直転送電極11および水平転送レジスタ5を構成する水平転送電極12を形成する工程が行われる。すなわち、垂直転送レジスタ4については、垂直転送電極下膜部13A上に、垂直方向に並ぶ複数の垂直転送電極11が形成され、水平転送レジスタ5については、水平転送電極下膜部13B上に、水平方向に並ぶ複数の水平転送電極12が形成される。垂直転送電極11および水平転送電極12は、CVD法、フォトリソグラフィ法、ドライエッチング法等の周知の方法が適宜用いられ、多結晶シリコンPoly-Siからなる単層電極として所定のパターンに形成される。以上のような工程が行われることにより、半導体基板10と転送電極11,12との間に、垂直転送レジスタ4の部分と水平転送レジスタ5の部分とで異なる膜厚のゲート絶縁膜13、つまり垂直転送電極下膜部13Aおよび水平転送電極下膜部13Bが形成される。本実施形態の固体撮像素子1の製造方法としては、次のような方法が用いられてもよい。本実施形態の固体撮像素子1の製造方法の他の例について、図5から図7を用いて説明する。本例では、先に、薄い方の膜厚である第2の膜厚d2で、ゲート絶縁膜13となる絶縁膜を形成し、その絶縁膜を部分的に厚膜化する。図7に示すように、まず、半導体基板10上に、ゲート絶縁膜13となる絶縁膜13bを、第2の膜厚d2となるように形成する工程が行われる。すなわち、シリコン基板である半導体基板10の上面に、例えばCVD法により、膜厚d2のシリコン酸化膜である絶縁膜13bが形成される。本工程では、垂直転送電極下膜部13Aおよび水平転送電極下膜部13Bの膜厚のうち、最終的に水平転送電極下膜部13Bの膜厚となる薄い方の膜厚第2の膜厚で、シリコン酸化膜である絶縁膜13bが形成される。次に、第2の膜厚d2となるように形成した絶縁膜13bのうち、垂直転送電極11下の位置に対応する部分を、第1の膜厚d1となるように成膜することにより、垂直転送電極下膜部13Aおよび水平転送電極下膜部13Bを形成する工程が行われる図5参照。すなわち、フォトリソグラフィ法によるフォトエッチングにより、絶縁膜13bのうち、最終的に垂直転送レジスタ4を構成する垂直転送電極11の下に位置するゲート絶縁膜13の部分に対応する部分について、第1の膜厚d1と第2の膜厚d2の差分を積層する工程が行われる。具体的には、半導体基板10上に形成された膜厚d2の絶縁膜13bに対して、最終的に垂直転送電極11下となる部分以外の部分が、フォトレジストが塗布されることにより被膜される。そして、CVD法等により、SiO2が堆積させられ、絶縁膜13bにおける垂直転送電極11下となる部分が、膜厚d1となるように厚膜化される。その後、絶縁膜13bの上に塗布されたフォトレジストは、有機溶剤等によって除去される。このように、本工程では、水平転送電極下膜部13Bの膜厚となる薄い方の膜厚第2の膜厚の絶縁膜13bが部分的に厚膜化されることにより、垂直転送電極下膜部13Aおよび水平転送電極下膜部13Bの膜厚のうち、最終的に垂直転送電極下膜部13Aの膜厚となる厚い方の膜厚第1の膜厚の部分が形成される。これにより、ゲート絶縁膜13が有する垂直転送電極下膜部13Aおよび水平転送電極下膜部13Bが形成される。なお、半導体基板10上に形成された絶縁膜13bを部分的に厚膜化する方法としては、特に限定されることなく適宜周知の方法が採用される。そして、上述した製造方法の場合と同様に、垂直転送電極下膜部13Aおよび水平転送電極下膜部13Bを形成した絶縁膜13b上に、垂直転送レジスタ4を構成する垂直転送電極11および水平転送レジスタ5を構成する水平転送電極12を形成する工程が行われる図6参照。以上のような工程によっても、半導体基板10と転送電極11,12との間に、垂直転送電極下膜部13Aおよび水平転送電極下膜部13Bが形成される。以上説明した本実施形態の固体撮像素子1は、水平転送レジスタ5の駆動方式として、3相駆動方式を採用するが、水平転送レジスタ5の駆動方式として、2相駆動方式を採用してもよい。この場合、例えば図8に示すように、水平転送レジスタ5は、2相駆動に対応する2種類の水平転送電極12として、電極H1,H2を有し、これらの電極H1,H2は、水平方向に交互に設けられる。そして、水平転送レジスタ5を構成する各電極H1,H2は、配線によって種類毎に互いに電気的に接続され、種類毎に同じタイミングで2相のクロックパルスHφ1,Hφ2の印加を受ける。この各電極H1,H2に与えられるクロックパルスHφ1,Hφ2の大きさとタイミングが適切に制御されることにより、信号電荷が蓄積される電位の井戸が移動し、電極H1,H2の並びに沿って信号電荷が転送される。なお、水平転送レジスタ5の駆動方式としては、4相駆動方式が採用されてもよい。この場合、図示は省略するが、水平転送レジスタ5は、4相駆動に対応する4種類の水平転送電極12として、電極H1,H2,H3,H4を有し、これらの電極H1,H2,H3,H4は、水平方向に順番に設けられる。そして、水平転送レジスタ5を構成する各電極H1,H2,H3,H4は、配線によって種類毎に互いに電気的に接続され、種類毎に同じタイミングで4相のクロックパルスHφ1,Hφ2,Hφ3,Hφ4の印加を受ける。また、本実施形態の固体撮像素子1は、水平転送レジスタ5を構成する水平転送電極12の構造として、多結晶シリコンからなる単層構造を採用するが、水平転送電極12の構造としては、多結晶シリコンからなる2層構造を採用してもよい。この場合、例えば図9に示すように、水平転送レジスタ5を構成する水平転送電極12は、隣り合う電極同士がオーバーラップする2層電極を構成する。2層構造を有する水平転送電極12は、1層目の電極12aと、2層目の電極12bとを有し、これらの電極の間には、電極間を絶縁する層間絶縁膜図示略が形成される。1層目の電極12aと2層目の電極12bとの間に形成される絶縁膜としては、SiO2からなるシリコン酸化膜等が用いられる。そして、図9に示すように水平転送電極12が2層構造を有する構成において、水平転送レジスタ5の駆動方式として、2相駆動方式が採用される場合、水平方向に隣り合う1組の1層目の電極12aおよび2層目の電極12b毎に、交互に2相のクロックパルスHφ1,Hφ2が印加される。つまり、クロックパルスHφ1の印加を受ける電極12a,12bの組と、クロックパルスHφ2の印加を受ける電極12a,12bの組とが、水平方向に交互に配置される。このように水平転送電極12が2層構造を有する場合、上述したような固体撮像素子1の製造方法における水平転送電極12を形成する工程において、次のような工程が行われる。垂直転送電極下膜部13Aおよび水平転送電極下膜部13Bを形成する工程が行われ、フォトレジストが除去された後、水平転送電極下膜部13B上に、第1層電極となる電極12aが多結晶シリコンにより形成加工される。1層目の電極12aは、隣り合う電極12a同士の間に、所定の間隔を隔てるように形成される。次に、水平転送電極下膜部13B上に形成された1層目の電極12aの表面に、1層目の電極12aと2層目の電極12bとの間の層間絶縁膜となる絶縁膜が、SiO2等により形成される図示略。その後、所定の間隔を隔てて形成された1層目の電極12aの電極間を埋めるように、第2層電極となる電極12bが、多結晶シリコンにより形成加工される。以上のようにして、水平転送電極下膜部13B上において、2層構造の水平転送電極12が形成される。水平転送電極12が2層構造を有することにより、隣り合う水平転送電極12同士の間隔を狭くすることが容易となり、信号電荷の転送効率を高くすることができる。また、水平転送電極12が2層構造を有する構成においては、上述したように1層目の電極12aと2層目の電極12bとの間に層間絶縁膜が形成される。このような電極間の層間絶縁膜は、垂直転送電極11においても、垂直転送電極11が2層構造を有する場合に形成される。本実施形態の固体撮像素子1において、2層構造の転送電極11,12のそれぞれで電極間に形成される層間絶縁膜の膜厚については、垂直転送電極11と水平転送電極12とで特に区別されない。一方、転送電極11,12における層間絶縁膜の膜厚が薄くなると、異なるクロックパルスHφ1,Hφ2が印加される異相間異電位間の電極間容量が増加する。異相間の電極間容量が増加することは、転送レジスタの低電圧駆動や高速駆動の妨げとなる。このため、仮に、水平転送電極12の電極間に形成される層間絶縁膜の膜厚が、垂直転送電極11の電極間に形成される層間絶縁膜の膜厚よりも薄くされた場合、水平転送レジスタ5において低電圧駆動や高速駆動を達成することが困難となる。この点、本実施形態の固体撮像素子1は、水平転送電極12下のゲート絶縁膜13を垂直転送電極11下のゲート絶縁膜13に対して部分的に薄膜化するものであるため、水平転送電極12において2層構造が採用された場合であっても、異相間の電極間容量を増加させることがない。したがって、本実施形態の固体撮像素子1によれば、低電圧駆動による低消費電力化を達成することが可能となり、高速駆動時にも転送効率を劣化させることなく信号電荷を転送することが可能となる。なお、水平転送電極12の層構造は、単層構造、2層構造のほか、3層構造等であってもよい。また、本実施形態に係る固体撮像素子1は、水平転送レジスタ5として、撮像領域2の一側に配置される1本の水平転送レジスタ5を備えるが、複数の水平転送レジスタを備える構成であってもよい。例えば、固体撮像素子1が2本の水平転送レジスタ5を備える場合、2本の水平転送レジスタ5は、撮像領域2の両側にそれぞれ1本ずつ配置されたり、撮像領域2の一側に2本配置されたりする。[固体撮像装置の構成]以下では、本実施形態の固体撮像素子1を備える固体撮像装置50について、図10を用いて説明する。本実施形態に係る固体撮像装置50は、例えば、いわゆるデジタルカメラと称されるデジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯電話器等に内蔵されるカメラユニット等において、撮像装置モジュールを構成する。固体撮像装置50は、本実施形態に係る固体撮像素子1と、固体撮像素子1を所定のタイミングで駆動するための駆動信号を生成するタイミングジェネレータ51とを備える。タイミングジェネレータ51は、固体撮像素子1を駆動するための各種のパルス信号を生成する機能と、生成したパルス信号を、固体撮像素子1を駆動するためのドライブパルスに変換するドライバとしての機能とを有する。また、固体撮像装置50は、タイミングジェネレータ51等に電源を供給するバッテリ等の電源部、撮像により生成した画像データ等を記憶する記憶部、装置全体を制御する制御部等を有する。本実施形態では、固体撮像素子1が有する電源部、記憶部、および制御部を構成する回路は、固体撮像素子1とは別回路別チップとして設けられる。ただし、これらの各部を構成する回路は、固体撮像素子1と同一のチップに設けたり、複数のチップに機能を分割して設けたりしてもよい。タイミングジェネレータ51は、固体撮像素子1が備える垂直転送レジスタ4を駆動する4相駆動パルスを固体撮像素子1に入力する。つまり、タイミングジェネレータ51は、垂直転送レジスタ4を構成する4種類の垂直転送電極11V1,V2,V3,V4に、駆動電圧としての4相のクロックパルスVφ1,Vφ2,Vφ3,Vφ4を、各電極に独立して供給印加する。固体撮像素子1は、タイミングジェネレータ51からのクロックパルスVφ1,Vφ2,Vφ3,Vφ4の入力を独立して受けるための入力部を有する。すなわち、固体撮像素子1は、クロックパルスVφ1が入力される信号入力端子である第1駆動信号入力部52aと、クロックパルスVφ2が入力される信号入力端子である第2駆動信号入力部52bと、クロックパルスVφ3が入力される信号入力端子である第3駆動信号入力部52cと、クロックパルスVφ4が入力される信号入力端子である第4駆動信号入力部52dとを有する。各駆動信号入力部52a,52b,52c,52dに入力されるクロックパルスVφ1,Vφ2,Vφ3,Vφ4は、バスラインや所定の配線等を介して、各垂直転送レジスタ4を構成する各垂直転送電極11に印加される。この4相のクロックパルスVφ1,Vφ2,Vφ3,Vφ4の大きさとタイミングが、固体撮像素子1が有する制御部によって適切に制御されることにより、各受光素子3から垂直転送レジスタ4に読み出された信号電荷が、垂直転送レジスタ4の電極の並びに従って転送される。タイミングジェネレータ51は、固体撮像素子1が備える水平転送レジスタ5を駆動する3相駆動パルスを固体撮像素子1に入力する。つまり、タイミングジェネレータ51は、水平転送レジスタ5を構成する3種類の水平転送電極12H1,H2,H3に、駆動電圧としての3相のクロックパルスHφ1,Hφ2,Hφ3を供給印加する。固体撮像素子1は、タイミングジェネレータ51からのクロックパルスHφ1,Hφ2,Hφ3の入力を独立して受けるための入力部を有する。すなわち、固体撮像素子1は、クロックパルスHφ1が入力される信号入力端子である第1駆動信号入力部53aと、クロックパルスHφ2が入力される信号入力端子である第2駆動信号入力部53bと、クロックパルスHφ3が入力される信号入力端子である第3駆動信号入力部53cとを有する。各駆動信号入力部53a,53b,53cに入力されるクロックパルスHφ1,Hφ2,Hφ3は、バスラインや所定の配線等を介して、水平転送レジスタ5を構成する各水平転送電極12に印加される。この3相のクロックパルスHφ1,Hφ2,Hφ3の大きさとタイミングが、固体撮像素子1が有する制御部によって適切に制御されることにより、垂直転送レジスタ4から水平転送レジスタ5に転送された信号電荷が、水平方向に転送される。以上のような構成を備える本実施形態の固体撮像装置50においては、タイミングジェネレータ51が、固体撮像素子1を駆動するための駆動信号を生成する駆動手段として機能する。そして、本実施形態の固体撮像素子1を備える固体撮像装置50によれば、上述したように固体撮像素子1が備える水平転送レジスタ5において取り扱い電荷量の確保が容易となるとともに、転送効率を向上させることができ、コストの削減および消費電力の低減を容易に実現することができる。以上説明した本実施形態の固体撮像素子1において、固体撮像素子1が備える転送レジスタの信号電荷の転送方向等に関して用いる垂直、水平の語は、慣用的に用いられる語であり、固体撮像素子1が備える転送レジスタによる信号電荷の転送方向の方向性を限定するものではない。すなわち、例えば垂直転送レジスタ4による信号電荷の転送方向を第1の方向とした場合、水平転送レジスタ5による信号電荷の転送方向は、第1の方向に直交する第2の方向ということができる。"