各々がゲート、ソース、およびドレインを有し、厚い酸化物を備え同じ基板に集積された一対の放射線電界効果型トランジスタと、各々がゲート、ソース、およびドレインを有し、薄い酸化物を備え同じ基板に集積された一対の金属酸化物電界効果型トランジスタと、各金属酸化物電界効果型トランジスタのドレインに電圧をかけるための手段と、電離性放射線の影響下で第二の放射線電界効果型トランジスタのゲートには順方向のバイアスをかけまた第一の放射線電界効果型トランジスタのゲートにはゼロバイアスをかけるための手段と、放射線集積回路の増幅された差分閾値電圧を測定するための手段とを有する放射線量計。各々がゲート、ソース、およびドレインを有し、同じ基板に集積されている一対の放射線電界効果型トランジスタと、一対の200kΩ以上の同じ抵抗器と、第一および第二の抵抗器に電圧をかけるための手段と、電離性放射線の影響下で第二の放射線電界効果型トランジスタのゲートには順方向のバイアスをかけまた第一の放射線電界効果型トランジスタのゲートにはゼロバイアスをかけるための手段と、放射線集積回路の増幅された差分閾値電圧を測定するための手段とを有する放射線量計。さらに、第一の金属酸化物電界効果型トランジスタのドレインをゲートに接続し、第二の金属酸化物電界効果型トランジスタのドレインをゲートに接続するための手段と、第一の金属酸化物電界効果型トランジスタのドレインおよび第二の金属酸化物電界効果型トランジスタのドレインを電源に接続するための手段と、第一の放射線電界効果型トランジスタのゲートをドレインに接続するための手段と、第一の放射線電界効果型トランジスタのドレインを第二の放射線電界効果型トランジスタのゲートに接続するための手段と、第一の金属酸化物電界効果型トランジスタのソースを第一の放射線電界効果型トランジスタのドレインに接続し、第二の金属酸化物電界効果型トランジスタのソースを第二の放射線電界効果型トランジスタのドレインに接続するための手段と、両放射線電界効果型トランジスタのドレインの間の増幅された閾値の差を読み取って照射に先立って蓄積された放射線量に対応する初期の増幅された差分閾値を得るための手段とを有する請求項1に記載の放射線量計。さらに、電源を第一および第二の抵抗器と接続するための手段、第一の放射線電界効果型トランジスタのゲートとドレインに接続するための手段と、第一の放射線電界効果型トランジスタのドレインを第二の放射線電界効果型トランジスタのゲートに接続するための手段と、第一の抵抗器を第一の放射線電界効果型トランジスタのドレインに接続し、第二の抵抗器を第二の放射線電界効果型トランジスタのドレインに接続するための手段と、第一および第二の放射線電界効果型トランジスタのドレインの間の増幅された閾値の差を読み取って照射後に蓄積された放射線量を得るための手段とを有する請求項2に記載の放射線量計。放射線電界効果型トランジスタおよび金属酸化物電界効果型トランジスタが、アルミニウムゲートまたはポリシリコンゲートを有する請求項1または3に記載の放射線量計。放射線電界効果型トランジスタが、アルミニウムゲートまたはポリシリコンゲートを有する請求項2または4に記載の放射線量計。放射線電界効果型トランジスタが、約0.5μm以上の酸化物の厚さを有する請求項1または3に記載の放射線量計。電離性放射線量を測定する方法において、1二つの放射線電界効果型トランジスタおよび二つの金属酸化物電界効果型トランジスタを有する放射線集積回路1RADIC1または二つの放射線電界効果型トランジスタおよび二つの抵抗器を有する放射線集積回路2RADIC2の初期の増幅された差分閾値電圧を測定し;2放射線集積回路1および2のために第二の放射線電界効果型トランジスタのゲートに順方向のバイアスをかけまた電離性放射線に被爆している第一の放射線電界効果型トランジスタにはゼロバイアスをかけ;3二つの放射線電界効果型トランジスタの間の照射後の増幅された差分閾値電圧を測定し、放射線集積回路に関する増幅度が下記の式であたえられ;4照射前に測定された増幅された差分閾値電圧から照射後に測定された増幅された差分閾値電圧を差し引くこと;からなる方法。放射線集積回路1および2が、17および15に等しい差分閾値電圧の変化の増幅度を有し、これらの値が、金属酸化物電界効果型トランジスタ、放射線電界効果型トランジスタ、および抵抗器のパラメータに応じて2と100の間であり得る請求項1または2に記載の放射線量計。従って、本発明の目的は、インバータの増幅原理を適用してミリRadの感度と温度補償性能を有する個人用放射線量計として放射線集積回路を提供することである。本発明は、0.01cGYから2cGY電離性放射線のきわめて低い線量を測定する固体放射線量計、より詳しくはRADFETまたはMOSFETをベースにした放射線集積回路RADICあるいはRADFETおよび抵抗器をベースにした回路に関する。いずれかのRADICの照射中、基準回路の第一のRADFET左はバイアスが外され、インバータ回路の第二のRADFET右はバイアスがかけられる。従って、第二のRADFETの閾値電圧は、第一のRADFETのそれよりもかなり高い程度まで線量によって変化する。測定中、第二のRADFET右の閾値電圧の変化は、そのインバータ回路によって増幅される。出力電圧の変化は、下の式であらわされるように増幅された差分閾値電圧の変化に等しくなるであろう。ΔUout=AuΔUt従って、本発明は、従来の二重式IGFETおよび積層接続式RADFET放射線量計の低放射線感度の問題を解決するものである。本発明の第二の目的は、この放射線集積回路が最小の温度効果を有し、温度変化に対して比較的鈍感であることである。これは、二つのRADFETからの差分閾値電圧を測定することによって達成される。温度が二つのRADFETに及ぼす効果を確実に等しくするために、RADFETとMOSFETまたは二つとRADFETを備えた回路を同じシリコン基板すなわち同じチップで作成する。各RADFETのゲート酸化物の厚さは、好ましくは1μmである。本発明は、以下の本発明の詳細な説明および添付図面を参照することによってよりよく理解される。図3は、二つのMOSFETでつくられたインバータを示す。図中、T1は、管理用MOSFETトランジスタであり、T2は、装荷用MOSFETトランジスタである。本発明の背景の部分で参照したR.H.クロフォードの書物からの先行技術にもとづくこのインバータの増幅係数は、下の式で表される。ただし、βは、下の式であたえられる。図4は、MOSFETと抵抗器でつくられたインバータを示す。図中、T1は、管理用トランジスタであり、RDは、装荷用抵抗器である。同じくR.H.クロフォードの書物からの先行技術に基くこの第二のインバータの増幅係数は、傾斜の大きさあるいは遷移導電率および装荷抵抗に比例し、下記の式で表される。ただし、RD∥rdは、並列接続の装荷抵抗器RDと動的ドレイン抵抗rdの等価抵抗である。図5は、本発明の基本実施形態を示す。RADFETQ2は、そのゲートG2、ドレインD2、およびソースS2が互いに接続され、さらに共通のソースSに接続されている。RADFETQ1は、そのゲートG1が電池4によってバイアスがかけられ、そのドレインD1およびソースS1が共通のソースSに接続されている。二つのMOSFETQ3およびQ4は、それらのドレインD3およびD4、ゲートG3およびG4、ソースS3およびS4が共通のソースSに接続されている。両RADFETQ1およびQ2ならびに両MOSFETQ3およびQ4は、同じ電離性放射線を受ける。これらのMOSFETは、100nm以下の薄い酸化物の厚さを有し、これらのRADFETは、1μm以下の薄い酸化物の厚さを有する。放射線感度は、酸化物の厚さに比例するため、MOSFETは、RADFETと比べると感度がきわめて低い。バイアスがかけられたRADFETQ1では、バイアスがかけられないRADFETQ2より放射線感度がかなり高いことが分かっている。図6は、示度モードにある本発明の基本実施形態を示す。同図は、放射線量を測定できる状態にある放射線集積回路さらなるRADIC1の同じRADFETQ1およびQ2ならびに同じMOSFETQ3およびQ4を示している。二つのRADFETのソースS1およびS2は、互いに接続されて接地されている。RADFETQ2のゲートG2は、それ自身のドレインD2に接続され、このドレインは、RADFETQ1のゲートG1にも接続されている。MOSFETQ3のゲートG3およびドレインD3は、互いに接続されている。MOSFETQ4のゲートG4よびドレインD4も、同じく互いに接続されている。MOSFETQ3のソースS3は、RADFETQ1のドレインD1に接続され、MOSFETQ4のソースS4は、RADFETQ2のドレインD2に接続されている。電源Uddは、二つのMOSFETのドレインD3およびD4に接続されている。二つのMOSFETは、同じものでなければならない。二つのRADFETもやはり同じものでなければならない。二つのMOSFETおよび二つのRADFETは、同じダイで作成される。従って、二つのRADFETは、照射に先立って、同じ温度変化特性、同じ初期閾値電圧、および同じ酸化物電荷をもっていなければならない。二つのMOSFETも、やはり同じ温度特性と同じ閾値電圧をもっていなければならない。RADFETQ1とMOSFETQ3は、RADFETQ1の閾値電圧の変化を増幅させることのできるインバータである。閾値電圧の変化の増幅は、下記の等式であたえられる。RADFETのパラメータが、W1=1200μm、L1=50μm、dox=1μmであり、MOSFETのパラメータが、W2=20μm、L2=2400μm、dox=0.1μmである場合には、閾値電圧の変化の増幅度は、17である。出力電圧Uoutは、RADFETのドレインD1とD2の間で測定される。照射に先立って、電圧Uoutは、第一の増幅された差分閾値として測定される。照射後、出力電圧Uoutは、再度測定される。出力電圧Uoutは、照射前後の出力電圧の差あるいは受けた放射線量による増幅された差分閾値電圧ΔUTに等しい。RADFETQ2およびMOSFETQ4は、インバータと同じ温度およびドリフト特性を有する基準回路である。従って、この放射線集積回路の温度効果は除去されている。図7は、本発明の第二の実施形態を示す。RADFETQ6のゲートG6、ドレインD6、およびソースS6は互いに接続され、さらに共通のソースS6に接続されている。RADFETQ5は、そのゲートG5が電池4によってバイアスがかけられ、そのドレインD5およびソースS5が共通のソースSに接続されている。両RADFETQ5およびQ6は、同じ電離性放射線を受ける。これらのRADFETは、1μm以下の薄い酸化物の厚さを有する。照射中、RADFETQ5は電池4によってバイアスがかけられ、RADFETQ6は、バイアスが外される。従って、RADFETQ5は、RADFETQ6よりかなり高い放射線感度を有することになる。図8は、示度モードにある本発明の第二の実施形態を示す。図8は、放射線量を測定するために用意された放射線集積回路2さらなるRADIC2の同じRADFETQ5およびQ6ならびに同じ抵抗器2および3を示している。二つのRADFETのソースS1およびS2は、互いに接続されて接地されている。RADFETQ6のゲートG6は、それ自体のドレインD6に接続され、このドレインは、RADFETQ5のゲートG5にも接続されている。抵抗器2は、RADFETQ5のドレインD5に接続され、抵抗器3は、RADFETQ6のドレインD6に接続されている。電源Uddは、二つの抵抗器2および3に接続されている。二つのRADFETQ5およびQ6は、同じものでなければならず、同じダイで作成される。従って、二つのRADFETQ5およびQ6は、照射に先立って、同じ温度変化特性、同じ初期閾値電圧、および同じ酸化物電荷をもっていなければならない。RADFETQ5と抵抗器2は、RADFETQ5の閾値電圧の変化を増幅させることのできるインバータである。閾値電圧の変化の増幅は、下記の等式であたえられる。RADFETのパラメータが、W1=4000μm、L=40μm、R1=1000kΩである場合には、閾値電圧の変化の増幅度は、15である。RADFETQ6および抵抗器3は、インバータと同じ温度およびドリフト特性を有する基準回路である。従って、この放射線集積回路の温度効果は最小化されている。RADIC2の測定温度感度は、0.5mV/Cである。出力電圧Uoutは、受けた放射線量による増幅された差分閾値電圧ΔUTに等しい。この放射線回路S=ΔUout/Dの放射線感度は、照射中のバイアスがかけられた電圧がUbias=3.3Vの場合は240mV/cGYである。測定された放射線感度を考慮すれば、温度が±1°Cに制御される場合には約0.01cGYあるいは10mRadである。図9は、放射線集積回路RADIC2に関するガンマ線の照射線量に応じた実験出力電圧の変化を示す。従って、本発明の放射線集積回路RADIC1およびRADIC2は、先行技術の二重式IGFET放射線量計および積層接続式RADFET放射線量計より敏感で正確な放射線量計回路であることが理解される。特権の独占性を請求する本発明の実施形態は、特許請求の範囲に定義される。