"母基板と、電極が突出して設けられ、前記母基板の表面に前記電極を介して電気的に接続された状態で実装された電子部品と、前記電極と対応する位置に孔が形成され、前記基板と前記電子部品との間に、一方の面を前記基板に他方の面を前記電子部品にそれぞれ固定して設けられた異方性導電材料からなる樹脂基板と、前記樹脂基板の孔に充填された導電剤と、を備えることを特徴とする電子機器。前記樹脂基板は、前記母基板の表面における前記電子部品が実装された領域にのみ設けられていることを特徴とする請求項1に記載の電子機器。前記導電剤が、前記電子部品の電極と前記母基板とを電気的に接続していることを特徴とする請求項1または2に記載の電子機器。前記母基板と前記樹脂基板との隙間に、アンダーフィル樹脂が充填されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の電子機器。前記樹脂基板は、前記導電剤より硬化温度が低い樹脂材料によって形成されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の電子機器。前記樹脂基板の孔は、平面視で前記電極に略等しい形状に形成されていることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の電子機器。前記樹脂基板が、多層構造を有することを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の電子機器。前記導電剤は、低融点半田ボール、低融点半田ペースト、または異方性導電ペーストのいずれかであることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の電子機器。母基板に実装された電子部品に対してリワークを行うための電子部品のリワーク方法であって、交換対象の電子部品を電極部分で切削して前記母基板から除去する第1の工程と、前記母基板に残された電極の表面に半田ペーストを塗布する第2の工程と、除去された前記電子部品の電極と対応する位置に孔が形成され、かつ、前記孔に導電剤が充填された、異方性導電材料からなる半硬化状態の樹脂基板を準備する第3の工程と、前記母基板に残された前記電極の位置に前記樹脂基板に開けられた孔の位置を合わせ、前記樹脂基板を前記母基板の上に搭載する第4の工程と、新たな電子部品の電極が前記樹脂基板の孔に挿入するように、前記新たな電子部品を前記樹脂基板の上に搭載する第5の工程と、前記新たな電子部品が前記樹脂基板の上に搭載された状態で、加熱及び加圧によるリフロー処理を行う第6の工程と、を含むことを特徴とする電子部品のリワーク方法。前記第6の工程において、第1のリフロー温度で前記樹脂基板を硬化させ、前記第1のリフロー温度より高い第2のリフロー温度で、前記導電剤が硬化して前記電子部品の電極と前記母基板とを電気的に接続することを特徴とする請求項9に記載の電子部品のリワーク方法。しかしながら、前記特許文献1に開示された技術は、半導体チップと基板との間に薄いアンダーフィル樹脂シートを介在させることによって、リフロー時の熱ストレスをアンダーフィル樹脂シートに吸収させているが、アンダーフィル樹脂シートにあけられた孔には導電剤は充填されていない。言い換えると、半導体チップのバンプは、薄いアンダーフィル樹脂シートの孔を通して基板のランドに直接半田付けされている。そして、半導体チップのバンプが200°C弱の温度で半田付けされた後に、220°C以上の高温にすることによってアンダーフィル樹脂シートを硬化及び収縮させて、該半導体チップのバンプをタイトに包み込むことにより、バンプの周辺にボイド空洞を発生させないようにしている。すなわち、この技術は、薄いアンダーフィル樹脂シートを介在させることによって、半田付けリフロー時にバンプ部分に生じやすいボイドを除去するための技術であり、このような薄いアンダーフィル樹脂シートを半導体チップと基板との間に介在させても、本発明が目的としている基板の反りを抑制することはできない。また、前記特許文献2に開示された技術は、回路基板の端子電極に対応する部分に孔のあいた樹脂フィルムを該回路基板の上に介在させ、その樹脂フィルムの貫通孔に導電性樹脂を充填して回路基板の端子電極を導電性樹脂によって外部に露出させて外部配線を半田付けすることにより、半田付け時の熱ストレスが直接基板側に伝わらないようにしているが、この技術では、半導体パッケージの多数のバンプを基板に半田付けするときの熱ストレスを抑制する技術に展開することはできない。さらには、薄い樹脂フィルムを回路基板上に介在させても、熱ストレスによる回路基板の反りを抑制することはできない。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、リフロー加熱によって反りが生じないような電子部品実装基板を備えた電子機器、及び電子部品例えば、半導体パッケージを母基板へリワークするときのリフローによる熱応力が母基板に直接加わらないような電子部品のリワーク方法を提供することを目的とする。上記の目的を達成するために、本発明は、母基板と、電極が突出して設けられ、前記母基板の表面に前記電極を介して電気的に接続された状態で実装された電子部品と、前記電極と対応する位置に孔が形成され、前記基板と前記電子部品との間に、一方の面を前記基板に他方の面を前記電子部品にそれぞれ固定して設けられた異方性導電材料からなる樹脂基板と、前記樹脂基板の孔に充填された導電剤と、を備えることを特徴とする。また、本発明は、母基板に実装された電子部品に対してリワークを行うための電子部品のリワーク方法であって、交換対象の電子部品を電極部分で切削して前記母基板から除去する第1の工程と、前記母基板に残された電極の表面に半田ペーストを塗布する第2の工程と、除去された前記電子部品の電極と対応する位置に孔が形成され、かつ、前記孔に導電剤が充填された、異方性導電材料からなる半硬化状態の樹脂基板を準備する第3の工程と、前記母基板に残された前記電極の位置に前記樹脂基板に開けられた孔の位置を合わせ、前記樹脂基板を前記母基板の上に搭載する第4の工程と、新たな電子部品の電極が前記樹脂基板の孔に挿入するように、前記新たな電子部品を前記樹脂基板の上に搭載する第5の工程と、前記新たな電子部品が前記樹脂基板の上に搭載された状態で、加熱及び加圧によるリフロー処理を行う第6の工程と、を含むことを特徴とする。本発明によれば、母基板に搭載されている半導体部品の切削や部分加熱加圧方式によってリワークを行うときのリフロー時の加熱によって発生する母基板の反りを抑制し、母基板に搭載されている周囲部品に与えるダメージを低減させることができる。また、リワーク部品のリワーク後における基板への接続状態の信頼性を向上させることができる。すなわち、本発明によれば、電子部品例えば、半導体パッケージのリワーク性を改善した電極端子の接続構造を有する電子部品実装基板を実現することができる。また、このような電極端子の接続構造を備えた電子部品実装基板を実装した電子機器を実現することができる。本発明に係る電子部品例えば、半導体パッケージのリワーク方法は、ボール電極バンプが配列された表面実装タイプのBGABallGridArray型半導体パッケージの切削や部分加熱加圧法によるリワーク時において、リワーク部品の端子位置に対応する位置に孔を開けて導電剤を充填した、異方性導電材料からなる半硬化状態の樹脂平板を、母基板とリワーク部品との間に介在させたことを特徴としている。これによって、リワーク時のリフロー加熱による母基板の反りを抑制することができるので、電子部品例えば、半導体パッケージと母基板との接続部分の信頼性が一段と向上する。尚、本発明において電子部品のリワーク追加または交換作業との用語は、リペア修理を含んだ概念として使用する。また、本発明において異方性導電材料との用語は、接着,導電,及び絶縁という3つの機能を同時に有する材料を意味している。以下、本発明に係る電子部品のリワーク方法について、半導体パッケージを例に挙げて、図面を参照しながら好適な実施形態の幾つかを詳細に説明する。なお、各実施形態に用いる図面において、同一の構成要素は原則として同一符号を付し、かつ、重複する説明は可能な限り省略する。《第1実施形態》図1は、本発明の第1実施形態において半導体パッケージを母基板にリワークした状態を示す断面図である。図1に示すように、半導体パッケージのリワーク時において、リワーク部品1すなわち、リワークによって交換された新しいBGA型半導体パッケージと母基板2との間に、リワーク部品1のそれぞれのボール電極1aと対応する位置に孔4aを開けて導電剤3を充填した、異方性導電材料からなる半硬化状態の樹脂平板4を介在させる。樹脂平板4は、リワークによる加熱及び加圧によって硬化する熱硬化性を有していて、リワーク時においてリワーク部品1と母基板2とに接着されている。また、樹脂平板4の孔4aに充填された導電剤3が、リワーク部品1のボール電極1aと母基板2のランド2aとを電気的に接続している。さらに、取り外された半導体部品図示せずの切削後に塗布された半田ペースト5によって、リワーク部品1のボール電極1aと母基板2のランド2aとが半田付けされている。また、取り外された半導体部品の切削後に塗布されたアンダーフィル樹脂6が、母基板2と樹脂平板4との隙間に充填されている。このとき、樹脂平板4の一方の面がリワーク部品1と接着し、該樹脂平板4の他方の面が母基板2と接着することにより、リワーク時のリフロー加熱によって生じる母基板2の反りを抑制することができる。さらに、リワーク部品1のリワーク完了後には、樹脂平板4は補強材として作用するので、リワーク部品1のボール電極1aと母基板2のランド2aとの接続状態の信頼性を向上させることができる。すなわち、本発明の第1実施形態に係る半導体パッケージのリワーク方法においては、図1に示すように、リワーク部品1の多数のボール電極1aと対応する位置に開けられた孔4aに導電剤3を充填した異方性導電材料からなる半硬化状態の樹脂平板4を、リワーク部品1と母基板2との間に介在させ、かつ、リワーク部品1と母基板2は、樹脂平板4の孔4aに充填された導電剤3によって接続された構成を実現している。次に、本発明の第1実施形態に係る半導体パッケージのリワーク方法の処理工程について説明する。図2は、本発明の第1実施形態に係る半導体パッケージのリワークの流れを示す工程図である。まず、図2aのリワーク対象部材準備工程に示すように、リワーク対象部材すなわち、リワークを行う母基板2とリワークによって取り替えるリワーク前部品10を準備する。このときのリワーク前部品10は、アンダーフィル樹脂6が塗布されたリワーク対象BGAである。次に、図2bの切削工程に示すように、リワーク前部品10の半田付け部分を母基板2のパッド上に薄く残すように、半田付け部分を平らな状態に切削して該リワーク前部品10を除去する。そして、切断された半田付けの平らな部分に半田ペースト5を塗布する。なお、母基板2のパッド上には前工程でアンダーフィル樹脂6が塗布されている。次に、図2cの導電剤の充填工程に示すように、これから搭載するリワーク部品1のボール電極1aと対応する位置に多数の孔4aが開けられた半硬化状態の樹脂平板4の各孔4aに、あらかじめ導電剤3を充填印刷する。なお、半硬化状態の樹脂平板4の厚さは、リワーク部品1のバンプボール電極1aの高さ以下とし、孔4aの径はバンプボール電極1aの径以上とする。また、樹脂平板4の材質は熱硬化系の樹脂例えば、エポキシ系樹脂とする。その後、図3aの樹脂平板の搭載工程に示すように、図2cの導電剤の充填工程で用意した、孔4aに導電剤3の充填された樹脂平板4を、図2bの切削工程で準備した母基板2の上に搭載する。このとき、樹脂平板4と母基板2とが密着するように、少し強めの荷重7を加えて樹脂平板4を母基板2の上に搭載する。次に、図3aの樹脂平板の搭載工程において樹脂平板4と母基板2とが密着した状態になったら、図3bの交換部品の搭載工程に示すように、新規に交換するためのリワーク部品1を、母基板2上の樹脂平板4の上に搭載する。このとき、リワーク部品1のそれぞれのボール電極1aが樹脂平板4の対応する孔4aに挿入するようにリワーク部品1を搭載する。さらに、図3aの樹脂平板の搭載工程と同様に、リワーク部品1と樹脂平板4とが密着するように、少し強めの荷重7を加えて搭載する。これにより、リワーク部品1と樹脂平板4と母基板2とが互いに密着した状態となる。次に、図3cのリフロー工程に示すように、リワーク部品1と樹脂平板4と母基板2とを密着させた状態でリフローを行い、リワーク部品1と樹脂平板4と母基板2とを確実に接合させる。ここで、図3cのリフロー工程における樹脂平板4の硬化と導電剤3の硬化のタイミングついて説明する。図4は、リワーク温度による半硬化樹脂の硬化と導電剤の硬化タイミングを示す特性図であり、横軸に時間、縦軸に温度を示している。すなわち、図4に示すように、樹脂平板4の硬化と導電剤3の硬化のタイミングは、まず、時刻t1における温度θ1のときに半硬化状態の樹脂平板4が硬化し、さらに温度を上昇させて、リワーク部品1と母基板2との剛性を高くした状態ですなわち、時刻t2における温度θ2のときに導電剤3が硬化する。そのため、樹脂平板4は、孔4aに充填した導電剤3より硬化温度の低い材料を用意する必要がある。なお、ここでは印刷済みの基材を母基板2へ搭載したが、先に母基板2へ基材を搭載してから印刷処理を行ってもよい。また、リワーク前部品10の削除時に母基板2へ塗布するアンダーフィル樹脂6については、必要に応じて追加塗布してもよい。《第2実施形態》本発明の第2実施形態に係る半導体パッケージのリワーク方法おいては、半導体パッケージをリワークするときに限定されることなく、リフロー加熱によって生じる反りの大きい半導体部品を母基板へ初期搭載するときにおいても、その半導体部品の反りを抑制して母基板へ搭載することができる。また、リフロー加熱によって生じる反りの大きい母基板へ半導体部品を初期搭載するときにおいても、母基板の反りを抑制して半導体部品を搭載することができる。《第3実施形態》図5は、本発明の第3実施形態において、孔の形状を任意にした樹脂平板の斜視図であり、aは平面視で円形の孔4aを有する樹脂平板4、bは平面視で四角形の孔8aを有する樹脂平板8を示している。すなわち、第1実施形態では、図5aに示すように、樹脂平板4の孔4aの形状を円形にしたが、これに限ることなく、半導体パッケージのバンプの形状に合わせて、図5bに示すように、樹脂平板8の孔8aの形状を四角形にしてもよいし、その他の形状にしてもよい。《第4実施形態》図6は、本発明の第4実施形態において、構造を変化させた樹脂平板の斜視図であり、aは1層構造の樹脂平板4、bは3層構造の樹脂平板9を示している。すなわち、第1実施形態では、図6aに示すように、1層構造の熱硬化性樹脂からなる樹脂平板4にしたが、図6bに示すように、タック剤11、セラミック12、及び接着剤13からなる3層構造の樹脂平板9にしてもよい。《第5実施形態》図7は、本発明の第5実施形態において、樹脂平板の孔に充填する導電剤を低融点の半田ボールにした状態を示す断面図である。すなわち、図7に示すように、樹脂平板4の孔4aに充填する導電剤を低融点半田ボール15にしてもよい。この場合の充填方法は、樹脂平板4の孔4aに低融点半田ボール15を入れ、樹脂平板4の下にあらかじめ貼付された粘着シート14に付着した低融点半田ボール15以外の低融点半田ボール図示せずは、樹脂平板4を逆さまにして廃棄する。すなわち、粘着シート14の上に樹脂平板4を載せてから低融点半田ボール15を充填する。また、導電剤3は、低融点の半田ペーストや、ACPAntisotropicConductivePaste:異方性導電ペーストなどであってもよい。なお、粘着シート14は、リワーク部品1の搭載時に該リワーク部品1を押し付けて半田バンプにて突き破って接続する。《まとめ》以上、本発明に係る半導体パッケージのリワーク方法の実施形態について図面を参照して詳述してきたが、本発明の具体的に構成は、これらの実施形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があってもそれらは本発明に含まれる。"