"樹脂基材に接着された銅箔からなり、エッチングによる回路形成を行う電子回路用銅箔において、前記銅箔の、前記樹脂基材との非接着面側に、Co比率が50以上90以下のNi-Co合金層を形成したことを特徴とする電子回路用銅箔。前記樹脂基材に接着された銅箔は、銅張り積層板である請求項1記載の電子回路用銅箔。前記樹脂基材との非接着面が、光沢面である請求項1又は2記載の電子回路用銅箔。前記Ni-Co合金層は、めっきにより形成される請求項1~3いずれか記載の電子回路用銅箔。樹脂基材に接着された銅箔からなり、エッチングによる回路形成を行う電子回路用銅箔の表面処理方法において、前記銅箔の、前記樹脂基材との非接着面側に、Co比率が50以上90以下のNi-Co合金層を形成し、その銅箔を前記樹脂基材に接着し、前記非接着面の全面をソフトエッチングした後、その非接着面上にフォトレジストを塗布し、露光、エッチングを行って回路形成を行うことを特徴とする電子回路用銅箔の表面処理方法。しかしながら、従来の銅箔ではパターニング工程の際に以下に挙げる問題点が発生した。従来技術では、粗化処理を行った後の防錆処理において、基材との非接着面の銅箔面に、銅よりもエッチングレートの遅いNi-Co合金層を設け例えば、特許文献1、パターニング工程に先立って非接着面の全面にソフトエッチングを行う。このソフトエッチングの際、非接着面に設けた合金層の溶解速度は、Ni,Coの比率によって変動し、銅箔表面の溶解状態が異なってくる。そのため、合金層のNi,Coの比率によっては、回路形成前の銅箔表面の全面を酸でソフトエッチングする際にエッチングむらが発生し、ソフトエッチング後の電子回路形成に影響を及ぼして、パターン不良となったり、あるいは外観検査において不良扱いとなるなどの懸念があった。本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、エッチングによる回路形成を行うに際し、エッチング前の銅箔の表面状態を均一に保ち、パターン欠陥を防止できる電子回路用銅箔及びその表面処理方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために創案された本発明は、樹脂基材に接着された銅箔からなり、エッチングによる回路形成を行う電子回路用銅箔において、前記銅箔の、前記樹脂基材との非接着面側に、Co比率が50以上90以下のNi-Co合金層を形成した電子回路用銅箔である。前記樹脂基材に接着された銅箔は、銅張り積層板であると良い。前記樹脂基材との非接着面が、光沢面であると良い。前記Ni-Co合金層は、めっきにより形成されると良い。また本発明は、樹脂基材に接着された銅箔からなり、エッチングによる回路形成を行う電子回路用銅箔の表面処理方法において、前記銅箔の、前記樹脂基材との非接着面側に、Co比率が50以上90以下のNi-Co合金層を形成し、その銅箔を前記樹脂基材に接着し、前記非接着面の全面をソフトエッチングした後、その非接着面上にフォトレジストを塗布し、露光、エッチングを行って回路形成を行う電子回路用銅箔の表面処理方法である。本発明によれば、銅箔の非接着面に形成するNi-Co合金層のCo比率を制御することにより、エッチングによる回路形成を行うに際し、エッチング前の銅箔の表面状態を均一に保ち、パターン欠陥を防止することができる。以下、本発明の好適な一実施の形態について説明する。本発明者らはソフトエッチング後の銅箔の表面状態と、パターニング工程後の電子回路のパターン不良と、Ni-Co合金層のCo比率と、の関係について鋭意検討を行った。その結果、Ni-Co合金層のCo比率を50以上90以下とし、銅箔の厚み方向のエッチング速度を制御することで、パターニング工程前の銅箔全面のソフトエッチングの際に表面の凹凸を抑制し、電子回路のパターン欠陥を抑えることができるとの知見を得た。この知見により達成された本実施の形態に係る電子回路用銅箔は、樹脂基材に接着された銅箔の、樹脂基材との非接着面に、Co比率が50以上90以下のNi-Co合金層を形成したものである。銅箔は、電解箔および圧延箔のいずれの銅箔も使用可能である。銅箔の厚さは特に限定されず、一例では10μm程度である。銅箔を接着する基板としての樹脂基材には、例えばポリイミドが好適であり、この他にもポリフェニレンエーテル、ポリカーボネート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトンなどが使用可能である。この樹脂基材の厚さは特に限定されない。本実施の形態では、銅箔の粗化面M面を樹脂基材との接着面、光沢面S面を非接着面とし、光沢面S面にNi-Co合金層を形成する。なお、本発明に係るNi-Co合金層は、非接着面が粗化面M面および光沢面S面のいずれの場合であっても適用可能であり、粗化面M面を非接着面とする銅箔であっても良い。Ni-Co合金層のCo比率は、50以上90以下とするのが良い。Co比率が50より少ない場合、銅箔の非接着面の全面をソフトエッチングする際に合金層の溶解速度が遅くなり、ライン速度低下を招くことから生産性上も好ましくない。また、合金層の残りむらが原因となり後のパターンエッチングの際のエッチングむらとなるため、品質低下を招く。Co比率が90より大きい場合は、ソフトエッチングの際に合金層の溶解が早く進みすぎ、その下の粗化処理および銅箔自体へのアタックが増大するため、オーバエッチング気味となり好ましくない。このNi-Co合金層を銅箔の非接着面に形成した後、銅箔の接着面を樹脂基材に接着させることで、電子回路用銅箔が製造される。Ni-Co合金層の形成方法は特に限定されないが、めっき法で形成するのが簡便である。下記に、好適なめっき条件の一例を示す。Ni-Coめっき条件Ni:1~20g/LCo:1~40g/L液温:20°C~60°C電流密度Dk:1~20A/dm2時間:1~20秒本実施の形態では、樹脂基材に接着された銅箔は銅張り積層板であり、この銅張り積層板の銅箔の、樹脂基材との非接着面に、Co比率が50以上90以下のNi-Co合金層を形成する。なお、銅箔の樹脂基材への接着方法は特に限定されず、接着剤を介して銅箔と樹脂基材とを接着した3層CCLとしても良く、銅箔に樹脂材料を高温高圧下でコーティングした2層CCLとしても良い。この電子回路用銅箔に表面処理を施して回路形成を行う際には、次のような手順で行われる。まず、電子回路用銅箔の非接着面ここでは光沢面の全面をソフトエッチングし、銅箔の非接着面側に形成されている物理的な欠陥圧延傷、酸化被膜等を除去して平滑化し、レジストとの密着性を向上させるための微小な粗化面を形成する。ソフトエッチング剤には、例えば過酸化水素水を主成分とするソフトエッチング剤が使用される。ソフトエッチング後、その非接着面上にフォトレジストを塗布し、所望の回路パターンを有するマスクを用いて露光を行う。露光後、塩化第二銅水溶液、あるいは塩化第二鉄水溶液等を用いて非接着面をエッチングし、電子回路を形成する。エッチングの際、Ni-Co合金層はレジストと銅箔の間の層に位置するが、銅箔表面の溶解速度は、このNi-Co合金層により抑制される。よって、上記のめっき条件でNi-Co合金層を形成した電子回路用銅箔に対してエッチングすることにより、銅箔表面に凹凸の少ない平滑な表面形状が得られ、その結果として、電子回路形成後のパターン欠陥を抑制でき、外観不良等も抑えることができる。なお、本実施の形態はあくまでも一例であり、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち本発明は、本発明の技術思想の範囲内から類推可能なものや変形を全て包括するものである。例えば、上記実施の形態では、銅箔と樹脂基材との接着前にNi-Co合金層を形成するようにしたが、Ni-Co合金層の形成は、銅箔と樹脂基材の接着後であっても良い。この場合、スパッタリング法などを用いることにより、樹脂基材と接着した銅箔の非接着面にNi-Co合金層を形成することができる。以下に、本発明の実施例および比較例を説明する。[実施例1]12μm圧延銅箔の光沢面S面にNi-Co合金めっきを施した。めっき条件は以下の通りである。Ni-Coめっき条件Ni:15g/LCo:20g/L液温:40°C電流密度Dk:5A/dm2時間:20秒搬送速度:2.0m/分このときのNi/Co比率は50/50であった。このNi-Co合金めっき層を設けた光沢面S面をエッチング側として銅箔をポリイミド基板に貼り付け、実施例1の銅張り積層板とした。その後、銅箔の全面にソフトエッチングを行った。なおソフトエッチング条件は以下の通りである。過水硫酸系水溶液:CPE-700三菱ガス化学社製温度:常温浸漬:10秒銅箔単体では約1μmエッチングされる条件ソフトエッチング後にフォトレジストを塗布して露光、エッチングを行い、回路を形成した。回路のリードは50mm角の銅箔の中に0.2mm幅のラインを1ピース当たり50本描いたものを1条件につき300ピース準備した。回路形成後のサンプルに対して、50倍の実体顕微鏡によりリード形状及びPI面ポリイミド表面の観察を行った。その際に、リード形状幅の1/3以上の突起や欠けがある場合は不良と判断した以後の実施例及び比較例も同様の判断基準とした。観察の結果、実施例1の銅張り積層板では、エッチング後のパターン不良及び外観不良率は0.6であった。[実施例2]12μm圧延銅箔の光沢面S面にNi-Co合金めっきを施した。めっき条件は以下の通りである。Ni-Coめっき条件Ni:10g/LCo:35g/L液温:40°C電流密度Dk:5A/dm2時間:10秒搬送速度:2.0m/分このときのNi/Co比率は25/75であった。このNi-Co合金めっき層を設けた光沢面S面をエッチング側として銅箔をポリイミド基板に貼り付け、実施例2の銅張り積層板とした。その後、銅箔の全面にソフトエッチングを行った後にフォトレジストを塗布して露光、エッチングを行い、回路を形成した。回路形成後のサンプルに対して観察を行った結果、実施例2の銅張り積層板では、エッチング後のパターン不良及び外観不良率は0.3であった。[実施例3]12μm圧延銅箔の光沢面S面にNi-Co合金めっきを施した。めっき条件は以下の通りである。Ni-Coめっき条件Ni:10g/LCo:40g/L液温:40°C電流密度Dk:5A/dm2時間:10秒搬送速度:2.0m/分このときのNi/Co比率は10/90であった。このNi-Co合金めっき層を設けた光沢面S面をエッチング側として銅箔をポリイミド基板に貼り付け、実施例3の銅張り積層板とした。その後、銅箔の全面にソフトエッチングを行った後にフォトレジストを塗布して露光、エッチングを行い、回路を形成した。回路形成後のサンプルに対して観察を行った結果、実施例3の銅張り積層板では、エッチング後のパターン不良及び外観不良率は0.6であった。[比較例1]12μm圧延銅箔の光沢面S面にNi-Co合金めっきを施した。めっき条件は以下の通りである。Ni-Coめっき条件Ni:20g/LCo:15g/L液温:40°C電流密度Dk:5A/dm2時間:10秒搬送速度:2.0m/分このときのNi/Co比率は55/45であった。このNi-Co合金めっき層を設けた光沢面S面をエッチング側として銅箔をポリイミド基板に貼り付け、比較例1の銅張り積層板とした。その後、銅箔の全面にソフトエッチングを行った後にフォトレジストを塗布して露光、エッチングを行い、回路を形成した。回路形成後のサンプルに対して観察を行った結果、比較例1の銅張り積層板では、エッチング後のパターン不良及び外観不良率は6.7と、実施例1,2,3に比して増加していた。[比較例2]12μm圧延銅箔の光沢面S面にNi-Co合金めっきを施した。めっき条件は以下の通りである。Ni-Coめっき条件Ni:10g/LCo:40g/L液温:40°C電流密度Dk:5A/dm2時間:10秒搬送速度:2.0m/分このときのNi/Co比率は5/95であった。このNi-Co合金めっき層を設けた光沢面S面をエッチング側として銅箔をポリイミド基板に貼り付け、比較例2の銅張り積層板とした。その後、銅箔の全面にソフトエッチングを行った後にフォトレジストを塗布して露光、エッチングを行い、回路を形成した。回路形成後のサンプルに対して観察を行った結果、比較例2の銅張り積層板では、エッチング後のパターン不良率は3.3と、実施例1,2,3に比して増加していた。以上の結果を表1に示す。表1から明らかなように、Ni-Co合金めっきのCo比率が50~90の範囲にある実施例1~3では、ソフトエッチングの際の表面形状の制御性に優れ、後の電子回路形成時のパターン不良低減につながることが分かった。これに対してCo比率が50より小さい比較例1では、ソフトエッチング時のNi-Co合金めっき層の溶解性が悪くなって残渣むらが生じやすくなり、エッチング不良が増大した。またCo比率が90より大きい比較例2では、ソフトエッチング時の溶解性が急激に増加し、エッチング速度の制御が困難になることが分かる。"