"CuもしくはCu合金からなる基板の素子搭載面の上にはんだ層を介して半導体素子が接続され、基板と半導体素子がエポキシ樹脂からなる封止樹脂体で封止されてなる半導体装置の製造方法であって、封止樹脂体を成形する前段で、基板の表面のうち、少なくとも外部に露出する箇所にPAI含有プライマーをプライマー処理し、145°C~165°Cの成形温度範囲で封止樹脂体を成形する半導体装置の製造方法。前記プライマー処理の前段で基板の表面からCu酸化被膜を除去する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。少なくともプライマー処理が真空雰囲気下、もしくは不活性ガス雰囲気下でおこなわれる請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。本発明は上記する問題に鑑みてなされたものであり、Cu素材の基板表面にPAI含有プライマー処理をおこなった後にエポキシ樹脂からなる封止樹脂材を成形して半導体装置を製造する製造方法に関し、成形温度を最適な温度範囲に制御することにより、封止樹脂体と基板の接着強度を従来構造の半導体装置に比して格段に高くすることのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。前記目的を達成すべく、本発明による半導体装置の製造方法は、CuもしくはCu合金からなる基板の素子搭載面の上にはんだ層を介して半導体素子が接続され、基板と半導体素子がエポキシ樹脂からなる封止樹脂体で封止されてなる半導体装置の製造方法であって、封止樹脂体を成形する前段で、基板の表面のうち、少なくとも外部に露出する箇所にPAI含有プライマーをプライマー処理し、145°C~165°Cの成形温度範囲で封止樹脂体を成形するものである。本発明の製造方法は、基板のうち、はんだ層を介して半導体素子と接続される領域以外の領域、すなわち、本来的には封止樹脂体と密着する領域露出表面に封止樹脂体の成形の前段でPAIポリアミドイミド含有プライマーをプライマー処理しておくことと、エポキシ樹脂からなる封止樹脂材の射出射出成形、トランスファー成形などの際の成形温度を145°C~165°Cの温度範囲でおこなうこと、を特徴とするものである。前者の特徴構成により、基板の露出表面の凹凸処理が不要となり、凹凸内に生じ得るボイドによって接着強度が低下するといった課題を解消でき、基板の該露出表面の酸化を抑制することができる。一方、後者の特徴構成により、基板のCuがPAI含有プライマー内に広範囲に拡散することを防止でき、PAIの有する高接着力性能、高耐熱性能を期待することができ、このプライマーを介して封止樹脂体と基板の高い接続強度を奏するものとなる。なお、既述する特許文献2で開示する170°C以上の温度条件では、基板のCuがプライマー内に拡散しながら酸化され易くなってしまい、PAIの有する上記特性を期待し難くなってしまうことが本発明者等の知見によって分かっている。ここで、封止樹脂体を成形する前段とは、封止樹脂体の成形前の多様な段階を包含する意味であり、基板に半導体素子がはんだ付けされた後に基板の露出表面にプライマー処理をおこなってもよいし、基板表面のうち、はんだ層形成箇所にマスキングを施してその他の表面部位にプライマー処理を施し、マスキングを剥がして半導体素子をはんだ付けしてもよい。また、基板とは、回路基板、もしくは回路基板と絶縁基板の組み合わせ、もしくは回路基板と絶縁基板と応力緩和基板の組み合わせなど、のすべてを総称するものである。また、この絶縁基板は、たとえば純Alからなる基板とAlNからなる基板を積層してなる積層体DBAであってもよいことは勿論のことである。また、この半導体装置は、上記基板の下方に、ヒートシンク板や、ヒートシンク板と冷媒還流路を具備する冷却器とのアルミダイキャスト一体成形体を具備するものであってもよい。また、封止樹脂体がエポキシ樹脂からなることで比較的硬質な封止樹脂体で半導体素子等を防護することができるため、ケースレス構造の半導体装置に好適である。なお、封止樹脂体の放熱性を高めるべく、エポキシ樹脂にシリカやアルミナ、窒化ホウ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化マグネシウム等の熱伝導性フィラーが含有された素材を適用してもよい。また、PAI含有プライマーとは、PAIを主成分として含み、その他の成分は任意であって、エポキシ樹脂やポリオール樹脂などの他の樹脂成分、硬化剤フェノール樹脂やアミノ樹脂などからなるなどが所望の含有割合で混合されたプライマー組成物のことである。なお、PAIにエポキシ樹脂を加えることで低温硬化性、高接着性が得られる。また、本発明による半導体装置の製造方法の好ましい実施の形態として、前記プライマー処理の前段で基板の表面からCu酸化被膜を除去する製造方法を挙げることができる。Cu酸化被膜を除去する方法としては、酸化被膜除去剤を用いて洗浄する方法を挙げることができ、Cu素材の基板の露出表面に形成され易い酸化被膜を予め除去しておくことで基板とプライマーとの接着性が良好となる。さらに、本発明による半導体装置の製造方法の好ましい実施の形態として、少なくともプライマー処理が真空雰囲気下、もしくは不活性ガス雰囲気下でおこなわれる製造方法を挙げることができる。ここで、少なくともプライマー処理がとは、プライマー処理工程を真空雰囲気減圧雰囲気を含む下等でおこなうこと、プライマー処理工程に加えて射出成形工程トランスファー成形を真空雰囲気下等でおこなうこと、プライマー処理工程と射出成形工程に加えて樹脂が硬化するまでのキュア工程までの全工程を真空雰囲気下等でおこなうこと、などを包含する意味である。本発明者等の検証によれば、PAI含有プライマーで基板の露出表面をプライマー処理すること、145°C~165°Cの成形温度範囲で封止樹脂体を成形すること、に加えて、真空雰囲気下等でプライマー処理等をおこなうことで封止樹脂体と基板の接着強度が一層高めることが知見として得られている。上記する本発明の製造方法で得られた半導体装置は、上記のごとく基板と封止樹脂体の接着強度が極めて高いものであることから、耐衝撃性、耐久性に優れており、さらには、基板の露出表面にプライマー処理を施すだけの簡易な製法改良ゆえに基板表面に凹凸を付したりすることに比べて製法も簡易となり、このことは製造コスト低減に繋がる。これらのことから、上記する本発明の製造方法で得られた半導体装置は、搭載部品等に対して高耐久性と製造コスト低減を要求する近時のハイブリッド車や電気自動車に車載されるインバータ等への適用に最適である。以上の説明から理解できるように、本発明の半導体装置の製造方法によれば、基板のうち、本来的には封止樹脂体と密着する領域露出表面に封止樹脂体の成形の前段でPAI含有プライマーをプライマー処理しておくこと、および、エポキシ樹脂からなる封止樹脂材の射出の際の成形温度を145°C~165°Cの温度範囲でおこなうこと、によって、封止樹脂体と基板の接着強度を高めることができる。以下、図面を参照して本発明の半導体装置の製造方法とこの方法によって製造された半導体装置の一実施の形態を説明する。なお、製造される半導体装置は図示例のものに何等限定されるものではなく、他の構成要素として、他の構成要素、たとえば、絶縁基板や応力緩和板、ヒートシンクや冷却器などがさらに付加された半導体装置であってもよく、これらの積層体がケース内に収容された形態、ケース内に封止樹脂体がポッティングされた形態などであってもよい。半導体装置とその製造方法の実施の形態図1は本発明の製造方法で製造された半導体装置の一実施の形態の縦断面図である。図示する半導体装置10は、CuもしくはCu合金からなる基板2回路基板の上にはんだ層3を介して半導体素子1ICチップやトランジスタ、ダイオードなどが接続され、回路基板2の露出表面にPAI含有プライマー層5が形成され、PAI含有プライマー層5の表面、はんだ層3の露出部および半導体素子1が比較的硬質のエポキシ樹脂からなる封止樹脂体4で包囲されてその全体が大略構成されており、ケースレス構造を呈するものである。ここで、封止樹脂体4を形成するエポキシ樹脂内には、シリカやアルミナ、窒化ホウ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化マグネシウム等の熱伝導性フィラーが含有されていてもよい。はんだ層3は、Pb系はんだ、Pbフリーはんだのいずれであってもよいが、環境影響負荷低減を図るべく、Sn-Ag系はんだ、Sn-Cu系はんだ、Sn-Ag-Cu系はんだ、Sn-Zn系はんだ、Sn-Sb系はんだなどのPbフリーはんだからなるものが好ましい。PAI含有プライマーは、PAIを主成分として含み、その他の成分としては、エポキシ樹脂やポリオール樹脂などの他の樹脂成分、硬化剤フェノール樹脂やアミノ樹脂などからなるなどが所望の含有割合で混合されたプライマー組成物からなる。次に、図示する半導体装置10の製造方法を概説する。まず、基板2の表面のうち、はんだ層3が形成される箇所に不図示のマスキングを施してその他の表面部位にPAI含有プライマーを塗工プライマー処理し、これが硬化してPAI含有プライマー層5が形成された段階でマスキングを剥がす。次に、半導体素子1を基板2の中央領域にはんだ層3を介してはんだ付けし、基板2と半導体素子1の組み付けユニットを不図示の成形型内に収容し、エポキシ樹脂をトランスファー成形し、熱硬化させて封止樹脂体4が成形されることで図1で示す半導体装置10が製造される。この製造過程において、トランスファー成形の際の成形温度を145°C~165°Cの温度範囲でおこなうことにより、基板2のCuがPAI含有プライマー層5の内部に拡散することのを防止することができ、PAIの有する高接着力性能、高耐熱性能を期待することのできるプライマー層5を介して封止樹脂体4と基板2を高い接続強度で接続することができる。また、プライマー処理工程を真空雰囲気もしくは窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガス雰囲気下でおこなうこと、もしくは、プライマー処理工程に加えて射出成形工程を真空雰囲気下等でおこなうこと、もしくはプライマー処理工程と射出成形工程に加えて樹脂が硬化するまでのキュア工程までの全工程を真空雰囲気下等でおこなうことにより、封止樹脂体4と基板2の接着強度を一層高めることができる。基板の表面のフライマー層と封止樹脂体の接着強度を評価する実験とその結果本発明者等は、本発明の製造方法で得られた基板の表面のフライマー層と封止樹脂体の接着強度を評価する実験をおこなった。ここで、図2は、実験で使用した試験体と試験概要を模擬した図である。同図において、Cu素材の基板試験片M3の表面にPAI含有プライマーを塗布し、乾燥させてPAI含有プライマー層M1を形成し、PAI含有プライマー層M1の上にエポキシ樹脂をトランスファー成形し、アフターキュア硬化させて封止樹脂体試験片M2を成形してPAI含有プライマー層M1と接着させ、試験片Mを製作した。本実験では、成形時の温度条件を種々変化させ、大気雰囲気下、4時間の硬化時間で試験片を作成し、それぞれの試験片に対してシェアテスターTを使用して移動方向はX方向接着強度を測定している。ここで、シェアテスターTのシェア速度は50μms、シェア高さは30μm、測定温度は25±3°Cである。封止樹脂材の硬化温度と基板-封止樹脂体の接着強度の関係に関する実験結果を図3に示している。同図では、各試験片の接着強度を近似曲線で繋いだグラフをともに示している。同グラフより、エポキシ樹脂からなる封止樹脂材の硬化温度が145°C、165°Cでともに変曲点を迎え、145°C~165°Cの間で16MPa程度と最も高い接着強度を示すことが実証されている。なお、図8で示す従来構造の半導体装置P1,P2の試験体も図2と同じような方法で作成しており、シェアテスターTを使用して上記条件で接着強度を測定したものである。図8の結果と図3の結果を比較すると明らかであるが、従来構造の半導体装置P1の試験体の接着強度に対して2倍以上、従来構造の半導体装置P2の試験体の接着強度に対して3倍以上の接着強度を有することが分かる。この実験結果より、エポキシ樹脂からなる封止樹脂材の硬化温度、すなわち、成形温度を145°C~165°Cの間に調整するのがよいと規定することができる。次に、本発明者等は、トランスファー成形とアフターキュアの際の温度条件、時間条件、雰囲気条件を種々変化させて試験片を作成し、それぞれの試験片に対して上記と同様にシェアテスターTを使用して移動方向はX方向接着強度を測定している。実施例1の試験片は、プライマー処理前に酸化銅被膜を除去し、プライマー処理、トランスファー成形、キュアの全工程を真空雰囲気下でおこなったものである。また、実施例2の試験片は、成形温度が150°Cで硬化時間が2時間のもの、実施例3の試験片は、成形温度が150°Cで、プライマー処理、トランスファー成形、キュアの全工程を真空雰囲気下でおこなったものである。さらに、実施例4の試験片は、プライマー処理前に酸化銅被膜を除去し、成形温度が150°Cで硬化時間が2時間であって、プライマー処理、トランスファー成形、キュアの全工程を真空雰囲気下でおこなったものである。測定結果を図4に示している。同図において、温度制御のみの場合の接着強度約15MPaを点線で示している。実施例1~4の中でも、プライマー処理前に酸化銅被膜の除去をおこない、全工程を真空雰囲気下でおこなう実施例4の結果が温度制御のみの場合よりも格段に高い接着強度を有することが実証されている。また、図5には、Cu素材の基板とPAI含有プライマー層の界面の状態を示したTEM画像図を示しており、封止樹脂材の硬化温度が175°Cの場合のものである。この硬化温度で封止樹脂材を成形すると、基板のCuが酸化銅としてプライマー層に拡散することが確認できる。以上、本発明の実施の形態を図面を用いて詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲における設計変更等があっても、それらは本発明に含まれるものである。"