"コア基板の上下面に複数の絶縁層が積層されて成る絶縁基板と、前記コア基板を貫通するように互いに隣接して設けられており、接地用電位に接続される接地用のスルーホール導体および電源電位に接続される電源用のスルーホール導体と、前記絶縁基板の下面に互いに隣接して設けられており、前記接地用のスルーホール導体の下方で該接地用のスルーホール導体に接続された接地用の外部接続パッドおよび前記電源用のスルーホール導体の下方で前記電源用のスルーホール導体に接続された電源用の外部接続パッドと、下面側の前記絶縁層をそれぞれ貫通するように設けられており、前記接地用のスルーホール導体と前記接地用の外部接続パッドとをそれぞれ2箇所で接続する接地用のビア接続経路および前記電源用のスルーホール導体との前記電源用の外部接続パッドとをそれぞれ2箇所で接続する電源用のビア接続経路と、を有する配線基板であって、前記接地用のビア接続経路と前記電源用のビア接続経路とは、互いに向き合う方向に片寄って配置されていることを特徴とする配線基板。本発明は、接地用のスルーホール導体およびこれに接続される接地用の外部接続パッドと電源用のスルーホール導体およびこれに接続される電源用の外部接続パッドとが互いに隣接して配置されており、1つの接地用や電源用の外部接続パッドとこれに接続されるスルーホール導体とを接続するビア接続経路を2つ設ける場合において、これらの外部接続パッドとそれに接続されるスルーホール導体における電位の低下を極めて小さく抑えることができ、それにより半導体集積回路素子に対して十分な電源供給を行なって半導体集積回路素子を良好に作動させることが可能な小型の配線基板を提供することにある。本発明の配線基板は、コア基板の上下面に複数の絶縁層が積層されて成る絶縁基板と、前記コア基板を貫通するように互いに隣接して設けられており、接地用電位に接続される接地用のスルーホール導体および電源電位に接続される電源用のスルーホール導体と、前記絶縁基板の下面に互いに隣接して設けられており、前記接地用のスルーホール導体の下方で該接地用のスルーホール導体に接続された接地用の外部接続パッドおよび前記電源用のスルーホール導体の下方で前記電源用のスルーホール導体に接続された電源用の外部接続パッドと、下面側の前記絶縁層をそれぞれ貫通するように設けられており、前記接地用のスルーホール導体と前記接地用の外部接続パッドとをそれぞれ2箇所ずつで接続する接地用のビア接続経路および前記電源用のスルーホール導体との前記電源用の外部接続パッドとをそれぞれ2箇所ずつで接続する電源用のビア接続経路と、を有する配線基板であって、前記接地用のビア接続経路と前記電源用のビア接続経路とは、互いに向き合う方向に片寄って配置されていることを特徴とするものである。本発明の配線基板によれば、接地電位に接続される接地用のスルーホール導体とこれに接続される接地用の外部接続パッドとをそれぞれ2箇所ずつで接続する接地用のビア接続経路と、電源電位に接続される電源用のスルーホール導体とこれに接続される電源用の外部接続パッドとをそれぞれ2箇所ずつで接続する電源用のビア接続経路とを、互いに隣接するもの同士で互いに向き合う方向に片寄って配置したことから、接地用のビア接続経路と電源用のビア接続経路とが近接して対向することになり、その結果、両者間の電磁的な結合が強くなり、これらの接地用および電源用のスルーホール導体とこれに接続される接地用および電源用の外部接続パッドとの間に過渡的な電流が流れたとしても、両者の間の電磁結合によるリターンパスが良好に形成され、これらの間における電位の低下を極めて小さく抑えることが可能となる。したがって、本発明の配線基板によれば、搭載される半導体集積回路素子に対して十分な電源供給を行なって半導体集積回路素子を良好に作動させることが可能な小型の配線基板を提供することができる。次に本発明の配線基板における実施形態の一例を添付の図1および図2を基にして説明する。図1はビルドアップ法により形成された本例の配線基板を示す概略断面図であり、図2は図1示した配線基板における要部斜視図である。なお、図1においてはハッチングを省略してある。また、図2においては本例の配線基板におけるビア接続経路の理解を容易とするために必要な部分のみを示し、一部は破線で示している。図1に示すように、本例の配線基板は、コア基板1の上下面にビルドアップ絶縁層2が積層された絶縁基板10を有している。そして絶縁基板10の上面中央部には半導体集積回路素子Sを搭載するための搭載部10aが形成されており、絶縁基板10の下面は外部の電気回路基板と接続するための接続面となっている。コア基板1は、厚みが50~800μm程度であり、例えばガラス繊維束を縦横に織ったガラスクロスにビスマレイミドトリアジン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成る絶縁基板1の上下面に銅箔や銅めっき層から成るコア導体層4が被着されているとともに絶縁基板1の上面から下面にかけて貫通する複数のスルーホール導体5が形成されている。なお、スルーホール導体5の直径は100~300μm程度であり、その内部は樹脂により充填されている。ビルドアップ絶縁層2は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含む絶縁材料から成り、その表面には銅めっき層から成るビルドアップ導体層3が被着形成されている。さらに各絶縁層2にはそれぞれを貫通する複数のビアホール導体6が形成されている。そしてビルドアップ導体層3は、ビアホール導体6を介して上下のものが互い接続されているとともにスルーホール導体5に電気的に接続している。さらに、このビルドアップ導体層3のうち、上面側における最外層のビルドアップ絶縁層2上に被着された一部は、搭載部10aにおいて半導体集積回路素子Sの電極端子Tに電気的に接続される円形の半導体素子接続パッド7を形成しており、これらの半導体素子接続パッド7は半導体集積回路素子Sの電極端子Tに対応した格子状の並びに形成されている。また、下面側における最外層のビルドアップ絶縁層2上に被着された一部は、外部電気回路基板の配線導体に電気的に接続される円形の外部接続パッド8であり、この外部接続パッド8は格子状の並びに複数並んで形成されている。さらに、最外層のビルドアップ絶縁層2およびその上のビルドアップ導体層3上には、半導体素子接続パッド7および外部接続パッド8を露出させるソルダーレジスト層9が被着されている。そして、半導体素子接続パッド9の露出部に半導体集積回路素子Sの電極端子Tが電気的に接続されるとともに外部接続パッド8の露出部に図示しない外部電気回路基板の配線導体が半田ボールを介して電気的に接続される。なお、半導体素子接続パッド7や外部接続パッド8には、半導体素子Sに接地電位を供給するためのものと、半導体素子Sに電源電位を供するするためのものと、半導体素子Sと外部との間で信号を授受するためのものとがあり、それぞれが対応するスルーホール導体5およびビア導体6を介して互いに電気的に接続されている。そして、本例の配線基板においては図2に示すように、接地地用のスルーホール導体5Gおよびこれに接続される接地用の外部接続パッド8Gと電源用のスルーホール導体5Pおよびこれに接続される電源用の外部接続パッド8Pは互いに隣接して配置されている。接地用のスルーホール導体5Gには、接地用の半導体素子接続パッド7Gが上面側のビア6aおよび上面側のビアランド3Laおよび上面側のスルーホールランド4Laから成る1つのビア接続経路6Gaを介して電気的に接続されている。また、電源用のスルーホール導体5Pには、電源用の半導体素子接続パッド7Pが上面側のビア6aおよびビアランド3Laおよびスルーホールランド4Laから成る1つのビア接続経路6Paを介して電気的に接続されている。なお、ビアランド3Laは上面側のビルドアップ導体層3から形成されており、スルーホールランド4Laは上面側のコア導体層4から形成されている。他方、接地用の外部接続パッド8Gは、接地用のスルーホール導体5Gの下方に位置し、下面側のビア6bおよび下面側のビアランド3Lbおよび下面側のスルーホールランド4Lbから成る2つのビア接続経路6Gbを介して接地用のスルーホール導体5Gに電気的に接続されている。また、電源用の外部接続パッド8Pは、電源用のスルーホール導体5Pの下方に位置し、下面側のビア6bおよび下面側のビアランド3Lbおよび下面側のスルーホールランド4Lbから成る2つのビア接続経路6Pbを介して電源用のスルーホール導体5Pに電気的に接続されている。なお、ビアランド3Lbは下面側のビルドアップ導体層3から形成されており、スルーホールランド4Lbは下面側のコア導体層4から形成されている。そして本例の配線基板においては、1つの接地用や電源用の外部接続パッド8G,8Pとこれに接続されるスルーホール導体5G,5Pとを接続する2つずつのビア接続経路6Gbおよび6Pbは、それぞれがスルーホール導体5G,5Pを中心にして互いに90 ゚の位置に片寄って設けられており、さらに隣接する外部接続パッド8G,8Pおよびスルーホール導体5G,5Pの間では、これらの2つずつのビア接続経路6Gbと6Pbとが互いに対向する側に配置されている。すなわち、接地電位に接続されるスルーホール導体5Gとこれに接続される接地用の外部接続パッド8Gとをそれぞれ2箇所ずつで接続する接地用のビア接続経路6Gbおよび電源電位に接続されるスルーホール導体5Pとこれに接続される電源用の外部接続パッド8Pとをそれぞれ2箇所ずつで接続する電源用のビア接続経路6Pbとが、互いに隣接するもの同士の間で互いに向き合う方向に片寄って配置されており、そのことが重要である。本例の配線基板によれば、接地電位に接続されるスルーホール導体5Gとこれに接続される接地用の外部接続パッド8Gとをそれぞれ2箇所ずつで接続する接地用のビア接続経路6Gb,6Gbおよび電源電位に接続されるスルーホール導体5Pとこれに接続される電源用の外部接続パッド8Pとをそれぞれ2箇所ずつで接続する電源用のビア接続経路6Pbとを、互いに隣接するもの同士で互いに向き合う方向に片寄って配置したことから、接地用のビア接続経路6Gbと電源用のビア接続経路6Pbとが近接して対向することになり、その結果、両者間の電磁的な結合が強くなり、これらの接地用および電源用のスルーホール導体5G,5Pとこれに接続される接地用および電源用の外部接続パッド8G,8Pとの間に過渡的な電流が流れたとしても、接地用のビア接続経路6Gbと電源用のビア接続経路6Pbとの間の電磁結合によるリターンパスが良好に形成され、接地用および電源用のスルーホール導体5G,5Pとこれに接続される接地用および電源用の外部接続パッド8G,8Pとの間における電位の低下を極めて小さく抑えることが可能となる。したがって、本例の配線基板によれば、搭載される半導体集積回路素子Sに対して十分な電源供給を行なって半導体集積回路素子Sを良好に作動させることが可能な小型の配線基板を提供することができる。なお、本発明者が図2に示した本例の配線基板をモデル化した本発明のシミュレーションモデルと図4に示した従来の配線基板をモデル化した従来のシミュレーションモデルとを作成し、直流電流密度シミュレータを用いて行なったシミュレーションによると、導体集積回路素子Sに対する電源供給において過渡電流が流れた際の電圧降下は図2に示した本発明のビア接続経路では、図4に示した従来のビア接続経路よりも1Vあたり0.2~0.3mV改善される結果が確認できた。"