Siで構成されるチャンネル層と、前記チャンネル層上に積層された強磁性層と、前記チャンネル層と前記強磁性層との間に介在するように形成されたトンネル層とを備え、前記トンネル層が、NaCl構造のアルカリ土類酸化物で構成されており、かつ、該アルカリ土類酸化物のアルカリ土類イオンの一部が、異なる種類のアルカリ土類イオンに置換された、スピン伝導素子。前記トンネル層がMgOまたはBaOで構成されている、請求項1に記載のスピン伝導素子。前記トンネル層がMgOで構成され、前記トンネル層中のMgイオンが1~6原子パーセントの割合でBeイオンに置換された、請求項2に記載のスピン伝導素子。前記トンネル層がBaOで構成され、前記トンネル層中のBaイオンが1~7原子パーセントの割合でMgイオンに置換された、請求項2に記載のスピン伝導素子。前記チャンネル層と前記トンネル層との界面の少なくとも一部が格子整合している、請求項1-4のいずれか一項に記載のスピン伝導素子。前記トンネル層の膜厚が1.0~2.5nmである、請求項1-5のいずれか一項に記載のスピン伝導素子。前記強磁性層が単磁区化されている、請求項1-6のいずれか一項に記載のスピン伝導素子。前記強磁性層が形状異方性により磁化の方位が固定されている、請求項7に記載のスピン伝導素子。前記強磁性層は反強磁性膜で磁化の方位が固定されている、請求項7に記載のスピン伝導素子。前記強磁性層はシンセティック膜によって磁化の方位が固定されている、請求項7に記載のスピン伝導素子。請求項1-10のいずれか一項に記載のスピン伝導素子を備える、磁気ヘッド。上述したいずれのトンネル材料もアモルファスが安定状態であるが、チャンネル層の材料チャンネル材料のシリコンに対して格子定数が9以上異なるかアモルファス膜となるため、シリコン上にエピタキシャル成長しにくい。もし仮に、エピタキシャル成長が実現できたとしても、格子定数の差が大きいために、成長界面付近で格子の不整合を形成して準安定状態を形成する必要がある。このような場合には、格子の不整合が生じている部分でスピンが散乱され、効率よくスピン注入されない虞がある。本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、スピン注入効率の向上が図られたスピン伝導素子及び磁気ヘッドを提供することを目的とする。スピン注入効率の向上を実現するために、発明者らはチャンネル材料とトンネル材料との間の格子定数の違いに着目した。この格子定数の違いによる格子不整合を取り除くためには、チャンネル材料と格子定数が近いトンネル材料を選択する必要がある。そして、格子不整合をさらに取り除くには、チャンネル材料と格子定数が近いトンネル材料中のイオンを、イオン半径の異なるイオンで一部置換して、チャンネル材料の格子定数を近づけることが考えられる。そこで、発明者らは、Siで構成されるチャンネル層と、チャンネル層上に積層された強磁性層と、チャンネル層と強磁性層との間に介在するように形成されたトンネル層とを備え、トンネル層が、NaCl構造のアルカリ土類酸化物で構成されており、かつ、該アルカリ土類酸化物のアルカリ土類イオンの一部が、異なる種類のアルカリ土類イオンに置換されたスピン伝導素子を新たに見いだした。このスピン伝導素子においては、トンネル層を構成するNaCl構造のアルカリ土類酸化物のアルカリ土類イオンが、異なる種類のアルカリ土類イオンに置換されても、NaCl構造が維持され、格子定数だけが変化する。そのため、チャンネル材料のSiの格子定数に近づくように、トンネル層を構成するアルカリ土類酸化物のアルカリ土類イオンを所定のアルカリ土類イオンで置換することで、チャンネル材料とトンネル材料との間の格子不整合が有意に緩和され、スピン伝導素子におけるスピン注入効率の向上が実現される。また、トンネル層がMgOまたはBaOで構成されている態様であってもよい。さらに、トンネル層がMgOで構成され、トンネル層中のMgイオンが1~6原子パーセントの割合でBeイオンに置換された態様であってもよく、また、トンネル層がBaOで構成され、トンネル層中のBaイオンが1~7原子パーセントの割合でMgイオンに置換された態様であってもよい。ここで、MgO及びBaOは、同じNaCl構造を有するアルカリ土類酸化物であり、格子定数はそれぞれ4.313ÅMgO、5.526ÅBaOである。MgOの結晶軸方位を45度回転させると5.958Åとなり、シリコンの格子定数5.4309Åに対して10程度の差がある。そこで、トンネル材料がMgOの場合は、一部のMgイオンをよりイオン半径の小さいBeイオンに置換することで、トンネル材料の格子定数がチャンネル材料のシリコンに近づく。同様に、トンネル材料がBaOの場合は、一部のBaイオンをよりイオン半径の小さいMgイオンに置換することで、トンネル材料の格子定数がチャンネル材料のシリコンに近づく。また、チャンネル層とトンネル層との界面の少なくとも一部が格子整合している態様であってもよい。さらに、トンネル層の膜厚が1.0~2.5nmである態様であってもよい。また、強磁性層が単磁区化されている態様であってもよく、強磁性層は、形状異方性により磁化の方位が固定されている態様や、反強磁性膜で磁化の方位が固定されている態様、シンセティック膜によって磁化の方位が固定されている態様であってもよい。なお、本発明のスピン伝導素子は、磁気ヘッド、スピントランジスタ、メモリ、センサ、論理回路等に適用することができる。本発明によれば、スピン注入効率の向上が図られたスピン伝導素子及び磁気ヘッドが提供される。以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。図1に示すように、スピン伝導素子の一つである磁気センサー1は、チャンネル層10と、第一強磁性層20Aと、第二強磁性層20Bとを有し、Z軸方向の外部磁界を検出するものである。チャンネル層10は、第一強磁性層20Aから第二強磁性層20Bまで延びており、チャンネル層10の厚み方向から見て、矩形状をなしている。チャンネル層10に流れる電流及びスピン流は、主にX軸方向に流れる構造となっている。チャンネル層10には、導電性を付与するためのイオンが添加されていても良い。イオン濃度は、例えば1.0×1015~1.0×1022cm-3とすることができる。チャンネル層10は、スピン寿命の長い材料であることが好ましく、Siで構成されている。また、チャンネル層10における第一強磁性層20Aから第二強磁性層20Bまでの距離は、チャンネル層10のスピン拡散長以下であることが好ましい。第一強磁性層20A及び第二強磁性層20Bは、チャンネル層10へスピンを注入するための注入電極、あるいはチャンネル層10を伝導してきたスピンを検出するための受け取り電極として機能する。第一強磁性層20Aは、チャンネル層10の第一領域11上に設けられている。第二強磁性層20Bは、チャンネル層10の第二領域12上に設けられている。第一強磁性層20A及び第二強磁性層20Bは、それぞれY軸方向を長軸とした直方体形状を有しており、Y軸方向とX軸方向のアスペクト比の違いによって反転磁場の差をつけている。第一強磁性層20A及び第二強磁性層20BのY軸方向に関する幅は、同一とすることができ、X軸方向の幅が異なることで第一強磁性層20A及び第二強磁性層20Bの保磁力に違いを持たせることができる。図1に示すように、第一強磁性層20Aの磁化方向G1は、例えば第二強磁性層20Bの磁化方向G2と同一にすることができる。この場合、第一強磁性層20A及び第二強磁性層20Bの磁化固定を容易に行える。第一強磁性層20A及び第二強磁性層20Bは、強磁性材料からなる。第一強磁性層20A及び第二強磁性層20Bの材料は、例えば、TbFeCo、FePt、CoPt、FePd、MnAl、CrCoであり、その他の材料として、Al、Cr、Mn、Co、Fe、Ni、Pd、Pt、Tbからなる群から選択される金属、前記群の元素を1以上含む合金、又は、前記群から選択される1以上の元素と、B、C、N、Si、Geからなる群から選択される1以上の元素とを含む化合物とすることができる。磁気センサー1は、更に、第一参照電極30Aと第二参照電極30Bとを備えている。第一参照電極30Aは、チャンネル層10の第三領域13上に設けられている。第二参照電極30Bは、チャンネル層10の第四領域14上に設けられている。また、チャンネル層10は、第一強磁性層20Aから第二強磁性層20Bまで延びる方向とは異なる方向に、第一強磁性層20Aから第一参照電極30Aまで延びており、チャンネル層10は、第二強磁性層20Bから第一強磁性層20Aまで延びる方向とは異なる方向に、第二強磁性層20Bから第二参照電極30Bまで延びている。第一参照電極30A及び第二参照電極30Bは、導電性材料からなり、例えばAlなどのSiに対して低抵抗な非磁性金属からなる。第三領域13と第四領域14との間に、第一領域11及び第二領域12が存在している。チャンネル層10上には、第一参照電極30A、第一強磁性層20A、第二強磁性層20B、及び第二参照電極30Bが、X軸方向に所定の間隔を置いて、この順に配置されている。磁気センサー1は、更に、トンネル層22A、22Bを備えている。トンネル層22A、22Bは、チャンネル層10と、第一強磁性層20A及び第二強磁性層20Bとの間にそれぞれ設けられている。これにより、第一強磁性層20A及び第二強磁性層20Bからチャンネル層10へスピン偏極した電子を高効率に注入することが可能となり、磁気センサー1の電位出力を高めることが可能となる。トンネル層22A、22Bは、絶縁性材料の膜からなるトンネル障壁であり、NaCl構造のアルカリ土類酸化物であるBaOのBaイオンをMgイオンで一部置換したBaMgOで構成されている。トンネル層22A、22Bの膜厚は、抵抗の増大を抑制し、トンネル絶縁層として機能させる観点から2.5nm以下であることが好ましく、BaMgOが膜として形成できる膜厚である1.0nm以上であることが好ましい。磁気センサー1は、更に、絶縁膜あるいは絶縁体を備えている。絶縁膜は、チャンネル層10の露出を防ぎ、チャンネル層10を電気的及び磁気的に絶縁する機能を有する。絶縁膜は、チャンネル層10の表面例えば下面、側面、または上面の必要な領域を覆っていることが好ましい。絶縁膜10aが、チャンネル層10の下面に設けられており、絶縁膜10bが、チャンネル層10の上面上に設けられている。具体的に、絶縁膜10bは、チャンネル層10の第一領域11と第二領域12との間に存在する領域の上面、チャンネル層10の第一領域11と第三領域13との間に存在する領域の上面、第二領域12と第四領域14との間に存在する領域の上面上に設けられている。この絶縁膜10b上に、第一参照電極30A、第一強磁性層20A、第二強磁性層20B、及び第二参照電極30Bに接続する配線を設ければ、この配線によってチャンネル層10のスピンが吸収されることを抑制できる。また、絶縁膜10b上に配線を設けることにより、配線からチャンネル層10へ電流が流れることも抑制できる。続いて、磁気センサー1を作製する手順について、その一例を説明する。まず、予め準備したSOI基板Si100nm/SiOx200nm/Si基板に、アライメントマークを形成する。アライメントマークを目印として、基板上において、例えば分子線エピタキシーMBE法によって、絶縁膜10aを形成する。続いて、例えばMBE法によって、絶縁膜10a上にチャンネル層10を形成する。チャンネル層10に、導電性を付与するためのイオンを注入して、チャンネル層10の伝導特性を調節する。その後、900°Cの温度で熱アニールによってイオンを拡散させる。次いで、RCA洗浄により、チャンネル層10の表面の付着物、有機物、及び酸化膜の除去し、その後、HF洗浄液を用いて表面を水素で終端させた。その後、基板をMBE装置ベース真空度2.0×10-9Torr以下に搬入した後、基板加熱によるフラッシング処理により基板表面の水素を脱離させ、清浄表面を形成した。堆積時の真空度は5×10-8Torr以下であり、BaMgO膜厚1.2nm、Fe膜厚10nm、Ru膜厚1.5nm、Ta膜厚1nmの順に成膜を行う。すなわち、チャンネル層10上に、トンネル層22A、22BとなるBaMgO膜と、第一強磁性層20A及び第二強磁性層20BとなるFe膜強磁性膜とをこの順に形成する。その結果、チャンネル層10とトンネル層22A、22Bとの界面の少なくとも一部が格子整合する。次いで、これらのBaMgO膜及び強磁性膜を例えば電子ビームEB法にて、マスクを用いて加工する。たとえば、特開2010-199320号公報に開示されているように、マスクを用いて、イオンミリングあるいは化学的なエッチングによりチャンネル層10を形成する。さらに、チャンネル層10の上のBaMgO膜及び強磁性膜を、例えば電子ビームEB法にて形成する。これをさらにイオンミリングあるいは化学的エッチングにより、チャンネル層10の第一領域11上に、トンネル層22Aを介して第一強磁性層20Aが形成され、チャンネル層10の第二領域12上に、トンネル層22Bを介して第二強磁性層20Bが形成される。なお、上述のとおり、必要に応じて、第一強磁性層20A及び第二強磁性層20B上に、例えばMBE法によって、さらに反強磁性層を形成してもよい。そして、第一強磁性層20Aまたは第二強磁性層20Bの磁化方向を固定するために、磁場下でのアニールを行う。その後、例えばイオンミリングによって、チャンネル層10上に形成された不要なトンネル膜や強磁性膜を除去する。次いで、不要な障壁膜や強磁性膜が除去されたチャンネル層10上に絶縁膜10bを形成する。また、チャンネル層10の第三領域13及び第四領域14上の絶縁膜10bを除去し、第一参照電極30A及び第二参照電極30Bをそれぞれ形成する。以下、磁気センサー1の作用効果を説明する。まず、第一強磁性層20A及び第二強磁性層20Bの磁化方向を固定する。図1に示す例では、第一強磁性層20Aの磁化方向G1は、第二強磁性層20Bの磁化方向G2と同一方向Y軸方向に固定している。例えば第一強磁性層20A及び第一参照電極30Aを電流源に接続することにより、第一強磁性層20Aに検出用電流を流すことができる。非磁性のチャンネル層10からトンネル層22Aを介して、強磁性体である第一強磁性層20Aへ電流が流れることにより、第一強磁性層20Aの磁化の向きG1に対応する向きのスピンを有する電子がチャンネル層10へ注入される。注入されたスピンは第二強磁性層20B側へ拡散していく。このように、チャンネル層20に流れる電流及びスピン流が、主にX軸方向に流れる構造とすることができる。ここで、チャンネル層10に外部磁場を印加しないとき、すなわち外部磁場がゼロのとき、チャンネル層10の第一領域11と第二領域12との間の領域を拡散するスピンの向きは回転しない。よって、予め設定された第二強磁性層20Bの磁化の向きG2と同一方向のスピンが第二領域12まで拡散してくることとなる。従って、外部磁場がゼロのとき、抵抗出力あるいは電圧出力が極値となる。なお、電流や磁化の向きで極大値あるいは極小値をとりうる。出力は、第二強磁性層20B及び第二参照電極30Bに接続した電圧測定器などの出力測定器により評価することができる。対して、チャンネル層10へ外部磁場を印加する場合を考える。なお、図1の例では、外部磁場はZ軸方向から印加する。外部磁場を印加すると、チャンネル層10内を拡散してきたスピンの向きは、外部磁場の軸方向Z軸方向を中心として回転するいわゆるHanle効果。このスピンがチャンネル層10の第二領域12まで拡散してきたときの回転の向きと、予め設定された第二強磁性層20Bの磁化の向きG2、すなわちスピンと、の相対角により、チャンネル層10と第二強磁性層20Bの界面の電圧出力や抵抗出力が決定される。外部磁場を印加する場合、チャンネル層10を拡散するスピンの向きは回転するので、第二強磁性層20Bの磁化の向きG2と向きが揃わない。よって、抵抗出力あるいは電圧出力は、外部磁場がゼロのときに極大値をとる場合、外部磁場を印加するときには極大値以下となり、外部磁場がゼロのときに極小値をとる場合、外部磁場を印加すると極小値以上となる。従って、外部磁場がゼロのときに出力のピークが現れ、外部磁場を増加または減少させると、出力が減少していく。つまり、外部磁場の有無によって出力が変化するので、本実施形態に係る磁気センサー1を磁気検出素子として使用できる。なお、磁気センサー1では、上述のように外部磁場がゼロで出力のピークが出る。よって、例えば磁気ヘッドなどに磁気センサー1を適用して、外部磁場の正負のタイミングを読み取る場合、磁壁の磁場がキャンセルするゼロのところで出力ピークがでるので、ここで反転したと判断することができる。また、磁気センサー1ではヒステリシスがないことも特徴である。以上で説明したとおり、磁気センサー1におけるトンネル層22A、22BはBaMgOで構成されており、図3及び図4のグラフから、MgOもBaOもほぼ同様のHanle結果が得られることがわかる。BaとMgとの比率すなわち、組成比xは、ICP発光分析の結果を用いた。評価用のBa1-XMgXO膜膜厚3nmを用いた。図5aは、BaOトンネル材料のBaイオンをMgイオンで一部置換して、Ba1-xMgxOの組成比を変えたときの格子定数の変化を示したグラフであり、このグラフから、Mgの組成比xを1原子パーセントから7原子パーセントまで増加させていくと、次第にシリコンの格子定数5.4309Åに近づいていくことがわかる。図5bは、BaOトンネル材料のBaイオンをMgイオンで一部置換して、Ba1-xMgxOの組成比を変えたときのスピン出力の変化を示したグラフであり、このグラフから、Mgの組成比xを1原子パーセントから7原子パーセントまで増加させていくと、スピン出力が次第に増加していくことがわかる。すなわち、図5aおよびbのグラフから、BaMgOトンネル材料中のBaイオンを1~7原子パーセントの割合でMgイオンに置換することで、チャンネル材料のシリコンとトンネル材料のBaMgOとの間の格子不整合が有意に緩和され、スピン伝導素子におけるスピン注入効率が向上したものと考えられる。なお、図5aのグラフにおいて、Mgの組成比を8原子パーセント以上にした場合、格子定数の変化は小さくなり、Mgの置換が困難であることが示されている。また、スピン出力も、Mgの組成比を高くすることで増大する傾向にあるが、8原子パーセント以上になると下がる傾向にある。これは、BaOをMgで置換してSiとの格子定数に近くすると、その置換によるスピンの散乱の因子も同時に生じることに起因し、Mgの組成比が高くなるとむしろ出力が下がる傾向にある。Mgの置換量が8原子パーセント以下の場合は置換量に対して格子定数が直線的に変化するが、8原子パーセント以上にした場合には直線からはずれる傾向が見られている。これは8原子パーセント以上にした場合においてBaイオンをMgイオンで置き換えられず、逆に、不純物としてスピンの散乱体として機能している可能性が考えられる。上述した実施形態においては、トンネル材料をBa1-xMgxOとして図5のような結果が得られたが、トンネル材料がMg1-xBexOの場合においても図6に示すように同様の結果が得られる。図6aは、MgOトンネル材料のMgイオンをBeイオンで一部置換して、Mg1-xBexOの組成比を変えたときの格子定数の変化を示したグラフであり、このグラフから、Beの組成比xを1原子パーセントから6原子パーセントまで増加させていくと、格子定数がBeの置換量に対して直線的に減少する。格子定数が減少することによりMgOの基本格子が45度傾いた方向を基本格子として考えた場合に、次第にシリコンの格子定数5.4309Åに近づいていくことがわかる。図6bは、MgOトンネル材料のMgイオンをBeイオンで一部置換して、Mg1-xBexOの組成比を変えたときのスピン出力の変化を示したグラフであり、このグラフから、Beの組成比xを1原子パーセントから6原子パーセントまで増加させていくと、スピン出力が次第に増加していくことがわかる。すなわち、図6aおよびbのグラフから、MgBeOトンネル材料中のMgイオンを1~6原子パーセントの割合でBeイオンに置換することで、チャンネル材料のシリコンとトンネル材料のMgBeOとの間の格子不整合が有意に緩和され、スピン伝導素子におけるスピン注入効率が向上したものと考えられる。本発明の磁気センサー1は、図8に示すような磁気ヘッド100Aや、スピントランジスタやメモリ、センサ、論理回路等に適用することができる。なお、磁気ヘッドに最適化する場合には、外部磁場は図1のY軸方向から入射される場合が好ましく、この場合、図7に示す磁気センサー1Aのように、強磁性層20A、20BはX軸あるいはZ軸に固定される。強磁性層20A、20Bの磁化方向の固定方法は、反強磁性膜で磁化方向をX方向に固定するか、あるいは、Z方向に磁気異方性を持つ垂直磁化膜が好ましい。図8は、薄膜磁気記録再生ヘッドである磁気ヘッド100Aを示す概略断面図である。上述した図7の磁気センサー1Aを磁気ヘッド100Aの読取ヘッド部100aに適用することができる。磁気ヘッド100Aは、そのエアベアリング面AirBearingSurface:媒体対向面ABSが磁気記録媒体120の記録面120aに対向配置されるような位置で磁気情報の記録及び読み取り動作を行う。上述の磁気センサー1Aのチャンネル層10の前端面図7におけるチャンネル層10の紙面手前側の面が、このエアベアリング面ABSに対応するように配置されることとなる。磁気記録媒体120は、記録面120aを有する記録層120bと、記録層120bに積層される軟磁性の裏打ち層120cとを含んで構成されており、図8のZ軸方向で示す方向に、磁気ヘッド100Aに対して相対的に進行する。磁気ヘッド100Aは、磁気記録媒体120から記録を読み取る読取ヘッド部100aの他に、磁気記録媒体120への記録を行う記録ヘッド部100bを備える。読取ヘッド部100a及び記録ヘッド部100bは、基板101上に設けられており、アルミナ等の非磁性絶縁層により覆われている。図8に示すように、読取ヘッド部100aの上に、書き込み用の記録ヘッド部100bが設けられている。記録ヘッド部100bにおいて、リターンヨーク130上にコンタクト部132及び主磁極133が設けられており、これらが磁束のパスを形成している。コンタクト部132を取り囲むように薄膜コイル131が設けられており、薄膜コイル131に記録電流を流すと主磁極133の先端から磁束が放出され、ハードディスク等の磁気記録媒体120の記録層120bに情報を記録することができる。以上のように、本発明の磁気センサー1を用いて、記録媒体などの微小な領域から磁束を検出可能な磁気ヘッド100Aを提供できる。なお、本発明は上述した実施形態に限らず、様々な変形が可能である。たとえば、第一強磁性層20A及び第二強磁性層20Bの部分における電極構造は、図9に示すようなシンセティック膜により磁化される積層構造とすることが可能である。図9の積層構造は、Si上に、BaMgO膜厚1.2nm、Fe膜厚10nm、Ru膜厚1.5nm、Ta膜厚1nmが順次成膜された構造であり、チャンネル層10、トンネル層22A、22B、強磁性層20A、20B、保護膜層24、Ru層26、強磁性層28に相当する。また、第一強磁性層20A及び第二強磁性層20Bの磁化方向は、第一強磁性層20A及び第二強磁性層20B上に設けられた反強磁性層または形状異方性により、固定されていても良い。例えば、第一強磁性層20A及び第二強磁性層20Bにおいて、X軸方向とY軸方向のアスペクト比の違いによって、反転磁場の差を付ける。あるいは、第一強磁性層20A及び第二強磁性層20Bに、磁化の向きを固定するための反強磁性層を備えても良い。この場合、反強磁性層を設けない場合よりも、高い保磁力を一方向に有する第一強磁性層20Aあるいは第二強磁性層20Bが得られる。なお、トンネル材料の置換するイオンは、同じイオン価数の元素で置換を行うことが好ましい。さらに、最外殻に回る電子の軌道が類似している元素で置換することがさらに好ましく、上述した実施形態においては、Be、Mg、Ca、Sr、Baで一部置換する方法がよい。