半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成された梁状の振動体と、前記振動体の表面に配置された駆動素子および検出素子とからなり、前記半導体基板に印加される力学量の作用により弦振動周波数が変化する第1の振動子と、前記半導体基板の表面上であって、前記半導体基板に印加される力学量の作用により振動周波数が変化しない位置に設けたクロック信号発生用の第2の振動子と、を有する物理量センサ。前記第1の振動子は複数であることを特徴とする請求項1に記載の物理量センサ。上記した従来の物理量センサにおいて、被測定体7に生じた歪や張力に対応する情報をデジタル信号の形式で出力する場合などには水晶発振子等の機械振動子を含む発振回路を設けて基準クロック信号を発生させる必要がある。しかしながら、この機械振動子を物理量センサ以外の位置に設けると、センサシステムが大型化するという課題を有していた。本発明は上記従来の問題点を解決するもので、基準クロック信号を精度よく発生させるとともに、センサを小型化し、物体に働く歪や荷重を、常に安定した状態で検出を行う物理量センサを提供することを目的とするものである。上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。本発明の請求項1に記載の発明は、半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成された梁状の振動体と、前記振動体の表面に配置された駆動素子および検出素子とからなり前記半導体基板に印加される力学量の作用により弦振動周波数が変化する第1の振動子と、前記半導体基板の表面上であって、前記半導体基板に印加される力学量の作用により振動周波数が変化しない位置に設けたクロック信号発生用の第2の振動子と、を有するもので、この構成によれば、センサを小型化できるとともに、物体に働く歪や荷重を常に安定した状態で検出できるという効果を有するものである。本発明の請求項2に記載の発明は、特に前記第1の振動子は複数であることを特徴としたもので、この構成によれば、これら複数の振動子の振動周波数の差を検出することにより検出感度を向上できるという効果を有するものである。以上のように本発明の物理量センサは、半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成された梁状の振動体と、前記振動体の表面に配置された駆動素子および検出素子とからなり前記半導体基板に印加される力学量の作用により弦振動周波数が変化する第1の振動子と、前記半導体基板の表面上であって、前記半導体基板に印加される力学量の作用により振動周波数が変化しない位置に設けたクロック信号発生用の第2の振動子と、を有するもので、センサを小型化できるとともに、物体に働く歪や荷重を常に安定した状態で検出できるという優れた効果を奏するものである。実施の形態1以下、本発明の実施の形態1における物理量センサについて、図面を参照しながら説明する。図1aは本発明の実施の形態1における物理量センサの上面図、図1bは図1aのA-A線断面図、図1cは図1aのB-B線断面図である。図1a~cにおいて、21はシリコン等からなる半導体基板で、この半導体基板21の表面には酸化シリコン層や窒化シリコン層からなる絶縁層が形成されている。22は第1の振動子であり、前記半導体基板21の中央部をエッチング処理して形成した梁状の振動体23と、前記梁状の振動体23の表面上で、各々中央部および両端部に配置された検出素子24、駆動素子25とからなる。26は前記梁状の振動体23の両端を支持するとともに、この梁状の振動体23を取り囲む周辺固定部である。ここで前記検出素子24、駆動素子25は順に下部電極、PZT等からなる圧電体層、上部電極図示せずを積層して形成したものである。31は前記周辺固定部26の表面上で、前記梁状の振動体23の長手方向に垂直な位置に形成されている第2の振動子であり、前記検出素子24、駆動素子25と同様にして、下部電極、PZT等からなる圧電体層、上部電極図示せずとからなる。そして、前記検出素子24、駆動素子25、第2の振動子31は配線パターン図示せずにより周辺固定部26に電気的に接続されている。本発明の実施の形態1における物理量センサは、半導体基板21における前記周辺固定部26の底面においてAu-Au接合等の金属系接合材やエポキシ樹脂等の剛性を有する物質28で接続固定され、起歪体29に発生する歪が第1の振動子22に伝達されるようになっている。また、駆動素子25は増幅器図示せずの出力側に接続され、かつ検出素子24はゲイン調整移相器図示せずを介して前記増幅器の入力側に接続されている。そしてまた検出素子24、駆動素子25の共振周波数は梁状の振動体23の固有振動数feの近傍に選定されているものである。上記構成において、増幅器から梁状の振動体23の両端に設けられた駆動素子25に梁状の振動体23の固有振動数feの近傍の周波数を持つ交流電圧が印加されると、駆動素子25は梁状の振動体23の長手方向に平行な方向に伸縮振動を開始する。この伸縮振動によって梁状の振動体23は固有振動数feで上下に弦振動を開始する。この弦振動は検出素子24によって受信され、そして、この検出素子24から梁状の振動体23の固有振動数feと等しい周波数を持つ交流信号が発生する。これらの交流信号はゲイン調整移相器で位相調整されて前記増幅器の入力側にフィードバックされる。これにより、梁状の振動体23はその固有振動数feと等しい周波数で弦振動を持続する。このように梁状の振動体23が上下に弦振動している状態で、起歪体29に働く荷重Fが大きくなると前記梁状の振動体23に働く引張り力が大きくなるため、前記梁状の振動体23の固有振動数feは上昇する。逆に起歪体29に働く荷重Fが小さくなると梁状の振動体23に働く引張り力が小さくなるため、梁状の振動体23の固有振動数feは低下する。このようにして、端子に出力される固有振動数feを測定することにより起歪体29に働く歪や荷重Fを測定できるものである。第2の振動子31の上部、下部電極は増幅移相器図示せずの入出力端子に接続されており、圧電体層の膜厚から決まる固有の周波数を持つ交流電圧が増幅移相器より印加されると、電極面に垂直な方向厚み方向に伸縮振動厚み縦振動を開始し、発振を持続する。これにより、基準クロック信号を発生させることができる。ここで、起歪体29に荷重Fが印加された場合、歪は梁状の振動体23に集中して発生し、前記周辺固定部26の表面上で、前記梁状の振動体23の長手方向に垂直な位置にはほとんど発生することがない。これにより、前記周辺固定部26の表面上で、前記梁状の振動体23の長手方向に垂直な位置に形成された第2の振動子31が発生する基準クロック信号の周波数は起歪体29に荷重Fが働いても変化することなく、安定したクロック信号を得ることが出来るものである。実施の形態2以下、本発明の実施の形態2における物理量センサについて、図面を参照しながら説明する。図2は本発明の実施の形態2における物理量センサの上面図である。なお、この本発明の実施の形態2においては、上記した本発明の実施の形態1の構成と同様の構成を有するものについては、同一符号を付しており、その説明は省略する。図2において、本発明の実施の形態2が上記した本発明の実施の形態1と相違する点は、半導体基板21上に複数の第1の振動子22、41を有する点であり、その他の構成は図1に示したものと同様である。ここで振動子41は梁状の振動体42を有しており、振動子22の梁状の振動体23の長手方向と振動子41の梁状の振動体42の長手方向は互いに直交するように配置したものである。この構成によれば、起歪体29に振動子22の梁状の振動体23の長手方向に平行な方向の荷重Fが印加された時、起歪体29は長手方向に伸びるとともに、起歪体29のポアソン比に相当する長さだけ幅方向に縮む。これにより、振動子22の梁状の振動体23には引張り力が働くために、振動子22の振動周波数は上昇する。これと同時に振動子41の梁状の振動体42には圧縮力が働くために、振動子41の振動周波数は低下することになる。したがって、振動子22の振動周波数と、振動子41の振動周波数の差をとることにより、起歪体29に働く荷重を高感度で測定することができる。また、前記振動子22、41は同一素材の半導体基板から形成しているため、温度変化に対する振動周波数の変化の方向と変化率は同一となる。これにより、温度変化による振動周波数の変動をキャンセルできるため、温度変化にかかわらず起歪体29に働く荷重を正確に測定できるものである。なお、振動子22の振動と、振動子41の振動が干渉しないように、振動子22と振動子41の振動周波数とに差を設けている。第2の振動子31は本発明の第1の実施の形態と同様にして、半導体基板21の周辺固定部26の表面上で、前記梁状の振動体23の長手方向に垂直な位置に形成されている。これにより、第2の振動子31が発生する基準クロック信号の周波数は起歪体29に荷重Fが働いても変化することなく、安定したクロック信号を得ることが出来るものである。