"光を伝送するコア部を複数個備えており、隣接する前記コア部同士は、その中心軸がほぼ並列に設けられ、かつ伝送する前記光の光路が逆方向となっている光導波路構造体であって、各前記コア部は、前記中心軸に対してほぼ垂直な方向での断面の面積が、前記光路の方向に向かって、漸減する漸減部を有することを特徴とする光導波路構造体。隣接する前記コア部の少なくとも一方の端部は、前記光路の方向において、互いにずれている請求項1に記載の光導波路構造体。隣接する前記コア部の少なくとも一方の端部は、前記光路の方向において、千鳥配置に互いにずれている請求項2に記載の光導波路構造体。前記コアは、前記中心軸に対してほぼ垂直な方向での断面の面積が、前記光路の方向に向かって、漸増する漸増部を有さない請求項1ないし3に記載の光導波路構造体。前記漸減部は、前記コア部のほぼ全体に亘って形成される請求項1ないし3に記載の光導波路構造体。前記漸減部は、前記コア部の少なくとも一方の端部に形成される請求項1ないし3に記載の光導波路構造体。前記コア部の少なくとも一方の端部には、前記光路の方向を変更する光路変更部を備える請求項1ないし3に記載の光導波路構造体。前記光路変更部に対応して、発光部または受光部を備える光素子が設けられる請求項7に記載の光導波路構造体。各前記コア部は、前記光路の方向の基端側の端部の幅が、平面視において、40~100μmである請求項1ないし3に記載の光導波路構造体。各前記コア部は、前記光路の方向の先端側の端部の幅が、平面視において、10~40μmである請求項1ないし3に記載の光導波路構造体。各前記コア部同士の間には、これらの双方に接触するように前記コア部の平均屈折率より平均屈折率が低いクラッド部を備える請求項1ないし3に記載の光導波路構造体。前記コア部および前記クラッド部は、それぞれ、ポリマーと、該ポリマーと屈折率が異なるモノマーとを含む層に対して活性放射線を照射して、前記活性放射線が照射された照射領域内において、前記モノマーの反応を進行させることにより、前記活性放射線が照射されない未照射領域から、未反応の前記モノマーを前記照射領域に拡散させ、結果として、前記照射領域と前記未照射領域との間に屈折率差を生じさせることにより、前記照射領域および前記未照射領域のいずれか一方を前記コア部とし、他方を前記クラッド部としてなることにより形成されたものである請求項11に記載の光導波路構造体。隣接する前記コア部同士間の離間距離が、その全体に亘ってほぼ一定である請求項1ないし3に記載の光導波路構造体。請求項1ないし3に記載の光導波路構造体を備えることを特徴とする電子機器。本発明の目的は、隣接するコア部同士間でのクロストークの発生が抑制され、信頼性の高い光導波路構造体およびかかる光導波路構造体を備える信頼性の高い電子機器を提供することにある。このような目的は、下記1~12に記載の本発明により達成される。1光を伝送するコア部を複数個備えており、隣接する前記コア部同士は、その中心軸がほぼ並列に設けられ、かつ伝送する前記光の光路が逆方向となっている光導波路構造体であって、各前記コア部は、前記中心軸に対してほぼ垂直な方向での断面の面積が、前記光路の方向に向かって、漸減する漸減部を有することを特徴とする光導波路構造体。2隣接する前記コア部の少なくとも一方の端部は、前記光路の方向において、互いにずれている上記1に記載の光導波路構造体。3隣接する前記コア部の少なくとも一方の端部は、前記光路の方向において、千鳥配置に互いにずれている上記2に記載の光導波路構造体。4前記コアは、前記中心軸に対してほぼ垂直な方向での断面の面積が、前記光路の方向に向かって、漸増する漸増部を有さない上記1ないし3に記載の光導波路構造体。5前記漸減部は、前記コア部のほぼ全体に亘って形成される上記1ないし3に記載の光導波路構造体。6前記漸減部は、前記コア部の少なくとも一方の端部に形成される上記1ないし3に記載の光導波路構造体。7前記コア部の少なくとも一方の端部には、前記光路の方向を変更する光路変更部を備える上記1ないし6のいずれかに記載の光導波路構造体。8前記光路変更部に対応して、発光部または受光部を備える光素子が設けられる上記7に記載の光導波路構造体。9各前記コア部は、前記光路の方向の基端側送信側の端部の幅が、平面視において、40~100μmである上記1ないし8のいずれかに記載の光導波路構造体。10各前記コア部は、前記光路の方向の先端側受信側の端部の幅が、平面視において、10~40μmである上記1ないし9のいずれかに記載の光導波路構造体。11各前記コア部同士の間には、これらの双方に接触するように前記コア部の平均屈折率より平均屈折率が低いクラッド部を備える上記1ないし10のいずれかに記載の光導波路構造体。12前記コア部および前記クラッド部は、それぞれ、ポリマーと、該ポリマーと屈折率が異なるモノマーとを含む層に対して活性放射線を照射して、前記活性放射線が照射された照射領域内において、前記モノマーの反応を進行させることにより、前記活性放射線が照射されない未照射領域から、未反応の前記モノマーを前記照射領域に拡散させ、結果として、前記照射領域と前記未照射領域との間に屈折率差を生じさせることにより、前記照射領域および前記未照射領域のいずれか一方を前記コア部とし、他方を前記クラッド部としてなることにより形成されたものである上記11に記載の光導波路構造体。13隣接する前記コア部同士間の離間距離が、その全体に亘ってほぼ一定である上記1ないし12のいずれかに記載の光導波路構造体。14上記1ないし13のいずれかに記載の光導波路構造体を備えることを特徴とする電子機器。本発明によれば、隣接するコア部同士間でのクロストークの発生を抑制することが可能となる。このため、信頼性の高い光導波路構造体および電子機器が得られる。さらに、隣接するコア部同士間でのクロストークの発生を抑制しつつ、光導波路の小型化および高集積化が実現可能となる。以下、本発明の光導波路構造体および電子機器について添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。<第1実施形態>まず、本発明の光導波路構造体の第1実施形態について説明する。図1は、本発明の光導波路構造体の第1実施形態の概略を示す縦断面図、図2は、本発明の光導波路構造体の第1実施形態の概略を示す平面図、図3は、図1、2に示す光導波路構造体が備えるコア層を示す平面図、図4は、図3に示すコア層のA-A線断面図である。なお、以下の説明では、図1、4中の上側を上といい、下側を下という。光導波路構造体1は、主に、光導波路基板2と、この光導波路基板2の上面に接合された配線基板3a、3bと、配線基板3a、3b上にそれぞれ搭載された発光素子4および発光素子用IC40と、受光素子5および受光素子用IC50とを有する。発光素子4からの光Lは、光導波路基板光回路2内を伝送され、受光素子5により受光される。すなわち、光導波路基板2を介して、発光素子4と受光素子5との間において、光通信がなされる。光導波路基板2は、光導波路20と、この光導波路20の上下面にそれぞれ設けられた保護層29とを備える。光導波路20は、層状をなすコア層21と、このコア層21の上下面にそれぞれ設けられた層状をなすクラッド層22とを有しており、コア層21の一端に入射された光Lが、その他端にまで伝送伝搬されるが、この光導波路20の詳細については、後に詳述する。また、本実施形態では、光導波路基板2は、その下面からコア層21コア部211を超えて、上側の保護層29に至るまでの部分を欠損させることにより形成された欠損部28a、28bを備える。少なくともコア層21の欠損部28a、28bに臨む面は、それぞれ、コア層21と欠損部28a、28b内の空気との屈折率差に基づいて光を反射するミラー光の光路を変更する光路変更部23a、23bを構成している。かかる構成とすることにより、コア部211のミラー23a、23bが形成された領域がコア部211の端部を構成する。また、欠損部28a、28bは、光導波路基板2の縦断面において直角三角形状をなすように形成されており、ミラー23a、23bは、コア層21の中心軸に対してほぼ45°で傾斜している。したがって、図1中の矢印で示すように、発光素子4から下方に向かって発せられた光Lは、その直下のミラー23aにより、その光路がほぼ90°で変更屈曲された後、コア層21コア部211内を伝送され、受光素子5の直下のミラー23bで上方に向かって光路がほぼ90°で変更された後、受光素子5に入射する。このようなミラー23a、23bを設けることにより、光導波路基板2の主面上面および/または下面を発光素子4および受光素子5を搭載する領域として用いることができるので、光導波路構造体1の小型化を図ることができるとともに、高密度実装にも寄与する。保護層29は、光導波路20の上下面を保護する機能を有する。保護層29の平均厚さは、特に限定されないが、5~200μm程度であるのが好ましく、10~100μm程度であるのがより好ましい。これにより、保護層29は、光導波路20を保護する機能を十分に発揮することができる。また、光導波路基板2全体として可撓性を付与する場合には、その可撓性が低下するのを防止することができる。保護層29の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリイミドアミドエーテル、ポリエステルイミドおよびポリイミドエーテル等が挙げられる。このような光導波路基板2の上面には、配線基板3a、3bが接合され、さらに、配線基板3a、3bの上面には、それぞれ、後述するコア層21が備えるコア部211に対応するように発光素子4および発光素子用IC40と、受光素子5および受光素子用IC50とが搭載されている。配線基板3a、3bは、所定のパターンで形成された配線部導体部30を有している。また、発光素子光素子4は、発光部を備える素子本体41とバンプ42とを備え、バンプ42が、配線部30が備える端子に接合されている。また、発光素子用IC40は、所定の回路が形成された素子本体401とバンプ402とを備え、バンプ402が、配線部30が備える端子に接合されている。これにより、発光素子4は、発光素子用IC40と配線基板3a、3bを介して電気的に接続され、その動作が発光素子用IC40により制御される。さらに、受光素子光素子5は、受光部を備える素子本体51とバンプ52とを備え、バンプ52が、配線部30が備える端子に接合されている。また、受光素子用IC50は、所定の回路が形成された素子本体501とバンプ502とを備え、バンプ502が、配線部30の端子に接合されている。これにより、受光素子5は、受光素子用IC50と配線基板3a、3bを介して電気的に接続され、受光素子用IC50は、受光素子5による検出信号を増幅するよう動作する。これにより、光導波路構造体1内に、電気回路が構築され、光導波路構造体1では、これらの光素子発光素子4および受光素子5と電気素子発光素子用IC40および受光素子用IC50とが協調して動作することにより、光信号と電気信号の相互変換が確実に行われ、高速かつ低ノイズでの信号処理を容易に行うことができる。なお、このような配線基板3a、3bにおける、発光素子4からの光Lの光路に対応する部分、および、受光素子5への光Lの光路に対応する部分は、それぞれ、光Lの透過が許容されるように光透過性を有する部材で構成される。さて、光導波路20は、前述したように、層状をなすコア層21と、このコア層21の上下面にそれぞれ設けられた層状をなすクラッド層22とを有している。コア層21は、図3に示すように、帯状層状をなす光導波路20の長手方向に沿って設定された複数個本実施形態では4つの細長い所定パターンのコア部211と、このコア部211を取り囲むように設けられたクラッド部212とを有している。すなわち、隣接するコア部211同士の間には、これらの双方に接触するようにクラッド部212が設けられている。クラッド部212は、クラッド層22と同様の機能を果たす部分であり、クラッド部212およびクラッド層22は、コア部211と比較して、その平均屈折率以下、単に屈折率と言うこともある。が低くなっている。これにより、クラッド部212およびクラッド層22で取り囲まれて形成されたコア部211は、欠損部28aから入射された光Lを、コア部211とクラッド部212およびクラッド層22との界面で反射させて、欠損部28bまで伝送伝搬する光路を構成する。コア部211の屈折率は、1.400~1.700であるのが好ましく、1.425~1.675であるのがより好ましい。クラッド部212およびクラッド層22の屈折率は1.350~1.600であるのが好ましく、1.375~1.575であるのがより好ましい。また、コア部211とクラッド部212およびクラッド層22との屈折率の差は、0.5以上であるのが好ましく、0.8以上であるのがより好ましい。一方、上限値は、特に設定されなくてもよいが、好ましくは5.5程度とされる。屈折率の差が前記下限値未満であると光を伝送する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えても、光の伝送効率のそれ以上の増大は期待できない。なお、前記屈折率差とは、コア部211の屈折率をA、クラッド部212およびクラッド層22の屈折率をBとしたとき、次式で表される。屈折率差=|A/B-1|×100コア層21、クラッド層22の各構成材料は、それぞれ上記の屈折率差が生じる材料であれば特に限定されないが、具体的には、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、エポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリシラン、ポリシラザン、また、ベンゾシクロブテン系樹脂やノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂のような各種樹脂材料の他、石英ガラス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス材料等を用いることができる。ここで、本発明では、複数個の光Lを伝送するコア部211は、隣接するもの同士で、その中心軸がほぼ並列平行に設けられ、かつ伝送する光Lの光路が逆方向となっている。かかる構成とすることで、隣接するコア部211から漏れ出た信号がコア部211に混入してクロストークが生じたとしても、このクロストークによる信号のノイズの発生を的確に抑制または防止することができる。これは、クロストークの原因となる漏れ出た信号の光路が逆方向であるため、この信号は、混入したコア部211において、発光素子4側に到達することに起因するものと考えられる。さらに、本発明では、各コア部211は、前記中心軸に対してほぼ垂直な方向での断面の面積が、光Lの光路の方向に向かって、漸減する漸減部を有する構成となっている。本発明においてほぼ垂直な方向とは、前記中心軸に対して90°±2°であることを意味しており、90°±1°であることが好ましい。本実施形態では、図3に示すように、コア部211のほぼ全体が漸減部で構成され、平面視におけるコア部211の幅が、欠損部28a側から欠損部28b側、すなわち光Lの光路の方向に向かって漸減する。これにより、図4に示すように、前記中心軸に対してほぼ垂直な方向での断面の面積が、漸減する漸減部が構成される。本実施形態では、図3に示すように、コア部211は前記中心軸に対してほぼ垂直な方向での断面積が、前記光路の方向に向かって、漸増する漸増部を有さないことが好ましい。漸増部を有さない構造とすることで、出入り口の断面積比に対する損失変化を最も小さくすることができる。本発明の漸減部は、前記中心軸に対してほぼ垂直な断面の面積において、光路の入口の断面積に対して出口で漸減した断面積の割合が、0.3~0.001であることが好ましく、0.05~0.005であることがより好ましい。なお、前記断面の形状は、特に限定されないが、長方形、正方形、楕円、又は真円であることが好ましく、さらに好ましくは、楕円、真円であり、なかでも真円であることが特に好ましい。このように、コア部211を、漸減部を有する構成としたとしても、上記のように、隣接するコア部211同士の光Lの光路を逆方向としている。そのため、1のコア部211において前記断面の面積が漸減する領域では、これに対応する隣接するコア部211の領域において、前記断面の面積は漸増することとなる。したがって、隣接するコア部211同士間の離間距離を、その全体に亘ってほぼ一定に保つことが可能となるため、これら同士間におけるクロストークの発生を的確に抑制または防止することができる。隣接するコア部211同士間の離間距離は、5~250μmであることが好ましく、10~100μmであることがより好ましい。また、本発明のように、コア部211が漸減部を有する構成とすることで、このものの各端部の前記断面の面積が異なるものとなるため、図2、3に示すように、欠損部28bの形成領域を欠損部28aの形成領域よりも小さく設定することが可能となる。これにより、隣接するコア部211が有する欠損部28aの形成領域と欠損部28bの形成領域とが重なり合うのを防止しつつ、隣接するコア部211同士を接近させることができるため、光導波路20の小型化および高集積化が実現可能となる。さらに、コア部211は、光Lの光路の方向の基端側の端部の前記断面の面積が、光Lの光路の方向の先端側の端部の前記断面の面積よりも大きくなる。そのため、発光素子4から発光された光をより効率よく受光することができる。特に、発光素子4として半導体レーザーを用いた場合、光が所定の広がり角度をもって放射されるため、光Lの光路の方向の基端側の端部の前記断面の面積が大きいことは、発光素子4とコア部211との光結合効率を高める観点で有効である。加えて、光Lの光路の方向の基端側の端部の前記断面の面積が大きいので、光Lの光路の方向の基端側の端部の前記断面欠損部28aに対する発光点の位置が多少ずれても、発光素子4とコア部211との光結合効率が著しく低下することが抑制される。したがって、発光素子4を実装する際の位置許容量を大きくすることができ、実装容易性が高められる。これとは逆に、コア部211は、光Lの光路の方向の先端側の端部の前記断面の面積が、光Lの光路の方向の基端側の端部の前記断面の面積よりも小さくなる。そのため、光Lの光路の方向の先端側の端部から出射された光をより効率よく受光素子5の受光部で受光することができる。加えて、光Lの光路の方向の先端側の端部の前記断面の面積が小さいので、光Lの光路の方向の先端側の端部の前記断面欠損部28bに対する受光点の位置が多少ずれても、受光素子5とコア部211との光結合効率が著しく低下することが抑制される。したがって、受光素子5を実装する際の位置許容量を大きくすることができ、実装容易性が高められる。具体的には、本実施形態では、コア部211は、図3に示すように、その平面視において、光Lの光路の方向の基端側の端部の幅が、40~100μm程度であるのが好ましく、50~80μm程度であるのがより好ましい。また、光Lの光路の方向の先端側の端部の幅が、10~40μm程度であるのが好ましく、15~30μm程度であるのがより好ましい。これにより、前記効果をより顕著に発揮させることができるようになる。さらに、本実施形態では、隣接するコア部211の端部が、光Lの光路の方向において、互いにずれている。そのため、隣接するコア部211の端部に対応して形成する欠損部28aの形成領域と欠損部28bの形成領域とも、互いにずれることとなる。このとき、欠損部28aの形成領域と欠損部28bの形成領域が、千鳥配置であることが好ましい。その結果、かかる点からも、光導波路20の小型化および高集積化が実現可能となる。なお、図3に示した、各コア部211の長さは、いずれも同程度であるが、それぞれの長さを異なるようにしてもよい。以上説明したような光導波路構造体1は、例えば、次のようにして製造することができる。なお、以下では、感光用光の作用により屈折率が低くなる感光性樹脂組成物70を用いて光導波路基板2が備えるコア層21を形成する場合を一例に説明する。図5~7は、それぞれ、光導波路構造体が備える光導波路基板の製造工程を説明するための部分縦断面図である。<1>まず、光導波路基板2を形成する。<1-1>まず、感光用光EL活性放射線の作用により屈折率が低くなるよう変化する感光性樹脂組成物70を用意する。かかる感光性樹脂組成物70としては、例えば、特殊な配合の樹脂組成物を用いることができる。この樹脂組成物には、ベースポリマーと、このベースポリマーより屈折率の低いモノマーとを含み、感光用光ELを照射させた照射領域内において、モノマーの反応を進行させることにより、感光用光ELを照射させない未照射領域から、未反応のモノマーを照射領域に拡散させ、結果として、未照射領域の屈折率が照射領域の屈折率より高くなるようなものがある。ベースポリマーとしては、例えば、ノルボルネン系樹脂やベンゾシクロブテン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、エポキシ系樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせてポリマーアロイ、ポリマーブレンド混合物、共重合体など用いることができる。これらの中でも、特に、環状オレフィン系樹脂を主とするものが好ましい。ベースポリマーとして環状オレフィン系樹脂を用いることにより、優れた光伝送性能や耐熱性を有するコア部211を形成することができる。さらに、環状オレフィン系樹脂としては、耐熱性、透明性等の観点から、ノルボルネン系樹脂を使用することが好ましい。また、ノルボルネン系樹脂は、高い疎水性を有するため、吸水による寸法変化等を生じ難いコア部211を形成することができる。一方、モノマーとしては、例えば、ノルボルネン系モノマー、アクリル酸メタクリル酸系モノマー、エポキシ系モノマー、オキセタン系モノマー、ビニルエーテル系モノマー、スチレン系モノマー等のうち、ベースポリマーより屈折率が低いものが選択され、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、モノマーとしては、オキセタニル基またはエポキシ基等の環状エーテル基を有するモノマーまたはオリゴマーを用いるのが好ましい。環状エーテル基を有するモノマーまたはオリゴマーを用いることにより、環状エーテル基の開環が起こり易いため、速やかに反応し得るモノマーが得られる。具体的には、オキセタニル基を有し、かつ、ベースポリマーより屈折率が低いモノマーとしては、例えば、下記式1で表わされる単官能オキセタン3-シクロヘキシルオキシメチル-3-エチルオキセタン;CHOX等が挙げられる。<1-2>次に、予め形成したクラッド層22上に、図5Aに示すように、感光性樹脂組成物70を必要に応じてワニス状として供給して、液状被膜を形成する。なお、感光性樹脂組成物70をワニス状とする場合、感光性樹脂組成物70を溶媒または分散媒中に溶解または分散させることにより得られるが、この溶媒または分散媒としては、例えば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、1,2-ジメトキシエタンDME、1,4-ジオキサン、テトラヒドロフランTHF、テトラヒドロピランTHP、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテルジグリム、ジエチレングリコールエチルエーテルカルビトールなどのエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブなどのセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン、メシチレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドンなどの芳香族複素環化合物系溶媒、N,N-ジメチルホルムアミドDMF、N,N-ジメチルアセトアミドDMAなどのアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、1,2-ジクロロエタンなどのハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチルなどのエステル系溶媒、ジメチルスルホキシドDMSO、スルホランなどの硫黄化合物系溶媒の各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒が挙げられる。ここで、感光性樹脂組成物70をクラッド層22上に供給する方法としては、各種塗布法を用いることができ、例えば、ドクターブレード法、スピンコート法、ディッピング法、テーブルコート法、スプレー法、アプリケーター法、カーテンコート法、ダイコート法の方法が挙げられる。なお、クラッド層22としては、例えば、後述するコア部211よりも屈折率が低いシート材が使用され、特に限定されるものではないが、例えば、ノルボルネン系樹脂と、エポキシ樹脂とを含むシート材が使用される。<1-3>次に、クラッド層22上に形成した液状被膜を乾燥することにより、図5Bに示すように、光導波路形成用のフィルム210を形成する。このフィルム210は、後述する感光用光活性放射線ELの照射により、コア部211とクラッド部212とを備えるコア層21となるものである。<1-4>次に、フィルム210のクラッド部212を形成すべき領域に対して、選択的に感光用光EL例えば、紫外線を照射する。この際、図6Aに示すように、フィルム210の上方に形成すべきクラッド部212の形状に対応した開口部を備えるマスクMを配置する。このマスクMを介して、フィルム210に対し、感光用光ELを照射する。用いられる感光用光ELとしては、例えば、波長200~450nmの範囲にピーク波長を有するものが挙げられる。これにより、フィルム210の感光用光ELが照射された領域における屈折率を、比較的容易に低くすることができる。また、感光用光ELの照射量は、特に限定されないが、0.1~9J/cm2程度であるのが好ましく、0.2~6J/cm2程度であるのがより好ましく、0.2~3J/cm2程度であるのがさらに好ましい。なお、レーザー光のように指向性の高い感光用光ELを用いる場合には、マスクMの使用を省略することもできる。ここで、フィルム210のうち、感光用光ELが照射された照射領域では、モノマーの反応ペースポリマーの架橋、モノマーの重合等が開始する。また、感光用光ELが照射されていない未照射領域では、モノマーの反応は生じない。そのため、照射領域では、モノマーの反応の進行に応じて、モノマーの残存量が少なくなる。これに応じて、未照射領域のモノマーが照射領域側に拡散し、これにより、照射領域と未照射領域とで屈折率差が生じる。ここで、本実施形態では、モノマーの屈折率が、ベースポリマーの屈折率よりも低いため、未照射領域のモノマーが照射領域に拡散することで、照射領域の屈折率が連続的に低くなるとともに、未照射領域の屈折率は連続的に高くなる。かかる過程を経て、図6Bに示すように、フィルム210の未照射領域および照射領域がそれぞれコア部211およびクラッド部212となったコア層21が形成される。なお、図3に示すように、隣接する形成すべきコア部211同士間の離間距離が、その全体に亘ってほぼ一定である場合、上記のようにモノマーの拡散によりコア部211とクラッド部212とを形成する方法を適用することで、照射領域に拡散してくるモノマーの量を照射領域の各部においてより均一なものとすることができる。その結果、形成されたコア部211とクラッド部212との間の屈折率の差は、コア部211およびクラッド部212の各部においてほぼ均一なものとなる。<1-5>次に、コア層21上に、コア層21の下側に形成したクラッド層22と同様のフィルムを貼り付けることで、クラッド層22を形成する。これにより、一対のクラッド層22は、クラッド部212とは異なる方向すなわちコア部211の上下方向から、コア部211を挟むように配置され、その結果、図7Aに示すような光導波路20が形成される。なお、上側のクラッド層22は、フィルム状のものを貼り付けるのではなく、コア層21上に液状材料を塗布し硬化固化させる方法によっても形成することができる。<1-6>次に、双方のクラッド層22に、保護層29を形成する。この保護層29の形成には、前記工程<1-5>で説明したクラッド層22の形成方法と同様の方法を用いることができる。以上のような工程を経て、図7Bに示すような光導波路基板2が製造される。<2>次に、光導波路基板2に、例えば、レーザー加工、研削加工等を施すことで、所定の位置に欠損部28a、28bを形成する。<3>次に、配線基板3a、3bを用意する。配線基板3a、3bは、それぞれ、例えば、平板状の基部の両面に金属層が形成された積層板例えば、両面銅張り板を用意し、エッチング、レーザ加工等を施して、金属層を所定形状にパターニングして配線部を形成することにより製造される。<4>次に、発光素子4および発光素子用IC40と、受光素子5および受光素子用IC50とを、それぞれ用意し、これらを配線基板3a、3bの所定の位置に搭載接合する。次いで、発光素子4が有する発光部が欠損部28aのミラー23aに、受光素子5が有する受光部が欠損部28bのミラー23bにそれぞれ対応するように、配線基板3a、3bを位置決めしつつ、光導波路基板2の上面に接着剤を用いて接合する。以上のような工程を経て、光導波路構造体1が製造される。なお、本実施形態では、ベースポリマーよりも屈折率の低いモノマーを含有する樹脂組成物を用いて、コア部211とクラッド部212とを備えるコア層21を形成する場合について説明したが、かかる場合に限定されず、ベースポリマーよりも屈折率の高いモノマーを含有する樹脂組成物を用いて、前記コア層21を形成するようにしてもよい。このような樹脂組成物を用いる場合、感光用光ELの照射によりモノマーが拡散するフィルム210の照射領域において、フィルム210の未照射領域よりも屈折率が高くなる。そのため、かかる形態では、フィルム210の照射領域および未照射領域がそれぞれコア部211およびクラッド部212となったコア層21が形成される。<第2実施形態>次に、本発明の光導波路構造体の第2実施形態について説明する。図8は、本発明の光導波路構造体の第2実施形態が備えるコア層を示す平面図である。以下、第2実施形態の光導波路構造体について、第1実施形態の光導波路構造体との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。第2実施形態の光導波路構造体1では、光導波路基板2が有するコア部211の構成が異なること以外は、前記第1実施形態の光導波路構造体1と同様である。すなわち、図8に示すように、本実施形態では、コア部211の全体が漸減部で構成されることなく、コア部211の双方の端部に選択的に漸減部が形成されている。より具体的には、光Lの光路の方向の基端側の端部側に、前記光路の方向に向かって前記断面の面積が漸減する漸減部231が形成されており、光Lの光路の方向の先端側の端部側に、前記光路の方向に向かって前記断面の面積が漸減する漸減部221が形成されている。そして、これら漸減部231、221同士の間には、前記断面の面積が一定となっている等面積部が形成されている。かかる構成の漸減部を備えるコア部211においても、前記第1実施形態と同様の作用効果を得ることができる。なお、本実施形態では、コア部211が漸減部231、221の双方を備える必要はなく、漸減部231、221のいずれか一方を備えていればよい。本発明の光導波路構造体は、光信号と電気信号の双方の信号処理を行ういかなる電子機器にも適用可能であるが、例えば、ルータ装置、WDM装置、携帯電話、ゲーム機、パソコン、テレビ、ホームサーバー等の電子機器類への適用が好適である。これらの電子機器では、いずれも、例えばLSI等の演算装置とRAM等の記憶装置との間で、大容量のデータを高速に伝送する必要がある。したがって、このような電子機器が本発明の光導波路構造体を備えることにより、電気配線に特有なノイズ、信号劣化等の不具合が解消されるため、その性能の飛躍的な向上が期待できる。さらに、光導波路部分では、電気配線に比べて発熱量が大幅に削減される。このため、基板内の集積度が高められるとともに、冷却に要する電力を削減することができ、電子機器全体の消費電力を削減することができる。以上、本発明の光導波路構造体および電子機器の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。例えば、光導波路構造体を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。また、本発明の光導波路構造体では、前記第1、第2実施形態の任意の構成を組み合わせることもできる。また、前記各実施形態では、コア部の縦断面形状が四角形状をなしている場合について示したが、これに限定されない。コア部の縦断面形状は、楕円形、長円形、三角形等であってもよい。"