気相成長法によって基板上に気相成長され、厚さが5~10μmであり、厚さのばらつきの範囲が厚さの10以内であることを特徴とするテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜。前記基板がサファイア基板であることを特徴とする請求項1に記載のテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜。前記気相成長法が分子線エピタキシー法であることを特徴とする請求項1または2に記載のテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜。基板上にZnTe下地層を10~200オングストロームの厚さで形成する工程と、前記ZnTe下地層上にZnTe層を5~10μmの厚さで気相成長させる工程と、を有することを特徴とするテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜の製造方法。前記基板がサファイア基板であることを特徴とする請求項4に記載のテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜の製造方法。前記気相成長法が分子線エピタキシー法であることを特徴とする請求項4または5に記載のテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜の製造方法。しかしながら、薄く研磨する際にZnTe基板の周辺部等が破損してしまうことが多々あった。また、技術的には最薄で5μmまで研磨することが可能であるが、薄いほどZnTe基板内での厚さのばらつきが大きくなり易く、研磨後のZnTe基板の厚さのばらつきの範囲が当該研磨後のZnTe基板の厚さに等しいくらい大きくなってしまう場合もあった。また、極薄ZnTe基板は薄いため、使用時に破損してしまう場合もあった。さらに、接着剤や石英ガラス基板によって、発生したテラヘルツ波が吸収され、信号強度が低下する虞があった。テラヘルツ波検出器及びテラヘルツ波発生器等に用いられるテラヘルツ帯デバイス用素子として最も望ましいのは、電気光学効果による屈折率の変化が小さい100面のZnTe基板上に110面のZnTeを成長させることによって得られた薄膜であるが、厚いZnTe基板を研磨して薄くしていく従来の方法では、このような薄膜極薄基板を得ることは現実的には実現不可能である。また、一般に、サファイア基板等の異種基板にZnTeを成長させても、通常は単結晶が得られ難いことが知られている。本発明は、テラヘルツ波発生器やテラヘルツ波検出器等のテラヘルツ帯デバイスにおいて優れた特性を発揮できるテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜及びその製造方法を提供することを目的とする。請求項1に記載の発明は、上記目的を達成するためになされたもので、テラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜において、気相成長法によって基板上に気相成長され、厚さが5~10μmであり、厚さのばらつきの範囲が厚さの10以内であることを特徴とする。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜において、前記基板がサファイア基板であることを特徴とする。請求項3に記載の発明は、請求項1または2に記載のテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜において、前記気相成長法が分子線エピタキシー法であることを特徴とする。また、請求項4に記載の発明は、上記目的を達成するためになされたもので、テラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜の製造方法において、基板上にZnTe下地層を10~200オングストロームの厚さで形成する工程と、前記ZnTe下地層上にZnTe層を5~10μmの厚さで気相成長させる工程と、を有することを特徴とする。請求項5に記載の発明は、請求項4に記載のテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜の製造方法において、前記基板がサファイア基板であることを特徴とする。請求項6に記載の発明は、請求項4または5に記載のテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜の製造方法において、前記気相成長法が分子線エピタキシー法であることを特徴とする。本発明に係るテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜によれば、気相成長法によって基板上に気相成長され、厚さが5~10μmであり、厚さのばらつきの範囲が厚さの10以内であるので、テラヘルツ波発生器やテラヘルツ波検出器等のテラヘルツ帯デバイスにおいて優れた特性を発揮することができる。また、本発明に係るテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜の製造方法によれば、基板を破損することなく、厚さが5~10μmであり、厚さのばらつきの範囲が厚さの10以内であるテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜を製造することができる。以下、本発明の実施の形態を説明する。本実施形態のテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜は、気相成長法によって基板上にZnTeを気相成長させることによって製造された薄膜であり、厚さが5~10μmであり、厚さのばらつきの範囲が厚さの10以内である。具体的には、本実施形態のテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜は、基板上に形成されたZnTe下地層と、当該ZnTe下地層上に形成されたZnTe層と、からなる。このテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜は、ZnTe層の成長温度例えば、350°Cよりも低い温度例えば、100°Cで基板上にZnTe下地層を10~200オングストロームの厚さで形成する工程と、所定の成長温度例えば、350°Cで当該ZnTe下地層上にZnTe層を5~10μmの厚さで気相成長させる工程と、を有する製造方法によって製造することができる。なお、本実施形態では、基板としてサファイア基板を用いるが、基板はサファイア基板に限ることはなく、適宜任意に変更可能である。具体的には、サファイア基板以外の基板としては、例えば、サファイア基板よりも電気光学係数の小さな透明基板が望ましい。また、本実施形態では、気相成長法として分子線エピタキシー法MBE法を用いるが、気相成長法はMBE法に限ることはなく、適宜任意に変更可能である。本実施形態に係るテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜によれば、気相成長法によって基板上に気相成長され、厚さが5~10μmであり、厚さのばらつきの範囲が厚さの10以内であるので、テラヘルツ波発生器やテラヘルツ波検出器等のテラヘルツ帯デバイスにおいて優れた特性を発揮することができる。また、本実施形態に係るテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜の製造方法によれば、基板上にZnTe下地層を10~200オングストロームの厚さで形成する工程と、当該ZnTe下地層上にZnTe層を5~10μmの厚さで気相成長させる工程と、を有している。したがって、基板を破損することなく、厚さが5~10μmであり、厚さのばらつきの範囲が厚さの10以内であるテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜を製造することができる。また、本実施形態に係るテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜及びその製造方法によれば、基板がサファイア基板である。すなわち、テラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜は、サファイア基板上に積層されているので、破損してしまう虞がほとんどない。また、サファイア基板は、テラヘルツ波を吸収するものの、接着剤や石英ガラス基板ほどは吸収しない。したがって、接着剤や石英ガラス基板よりもサファイア基板の方がテラヘルツ波の吸収が少ないので、ZnTe基板を接着剤等によって石英ガラス基板上に貼り付けて補強する場合と比較して、良好な信号強度を得ることができる。また、本実施形態に係るテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜及びその製造方法によれば、気相成長法が分子線エピタキシー法である。したがって、厚さのばらつきの範囲が厚さの10以内であるテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜を確実に得ることができる。[実施例]以下、具体的な実施例によって本発明を説明するが、発明はこれらに限定されるものではない。まず、直径2インチのサファイアC面基板を有機溶剤で脱脂した後、MBE装置のチャンバーに入れた。次いで、ZnTe層の成長温度本実施例の場合、350°Cよりも低い温度本実施例の場合、100°C程度で、Zn及びTeの原料セル温度を調整しながら分子ビームをサファイアC面基板に照射して、サファイアC面基板上に数十オングストロームの厚さのZnTe下地層を堆積させた。この際、膜厚ZnTe下地層の厚さの制御を的確に行うことができるよう、成長速度を毎秒1オングストローム未満とした。次いで、350°CにサファイアC面基板を昇温した後、Zn及びTeの原料セル温度を調整しながら分子ビームをサファイアC面基板に照射して、ZnTe下地層上にZnTe層を成長させた。なお、ZnTe層の厚さは、成長速度×成長時間で規定することができる。具体的には、例えば、成長速度を毎時0.5μmとし、成長時間を10時間とすれば、5μmのZnTe層を再現性よく得ることができる。また、MBE法では、ビームの照射面積が、基板本実施例の場合、サファイアC面基板の面積よりも十分に大きければ、製造したZnTe薄膜の厚さのばらつきの範囲を、当該製造したZnTe薄膜の厚さの10以内にすることができる。このようにして製造することによって、サファイアC面基板上に、111のZnTe単結晶薄膜を5μmの厚さで成長させることができた。また、ZnTe層の成長温度350°CにおけるサファイアC面基板とZnTe111との格子不整合度は25程度であるが、初期の成長温度をZnTe層の成長温度350°Cよりも低い温度100°C程度として数層のZnTeを堆積させ、その後、サファイアC面基板の温度をZnTe層の成長温度350°Cまで上げて、当該数層のZnTe上にZnTe層を成長させることによって、単一ドメインの111ZnTe薄膜を得ることができた。なお、実施例では、サファイア基板のC面上に単一ドメインの111ZnTe薄膜を形成することとしたが、面方位や基板面はこれに限定されるものではない。さらに、X線回折やエリプソメトリー等の光学的手法、或いは段差計等の探針を用いた手法によって、製造したZnTe薄膜の中心部及びその周辺4点の合計5点の厚さを測定した。そして、相加平均値を求め、5点の厚さと相加平均値との差の絶対値を5点の厚さのばらつきとして求めた。その結果、厚さのばらつきは最大でも0.5μmであり、製造したZnTe薄膜の厚さのばらつきの範囲が、当該製造したZnTe薄膜の厚さの10以内に収まっていることを確認した。以上、本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可能である。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。