"大気圧以下に減圧可能な反応室と、前記反応室内において半導体基板を搬送可能な移動ステージと、前記移動ステージに載置される半導体基板表面に向けてエッチングガスを噴射するノズルと、前記移動ステージに載置される半導体基板に向けて冷却ガスを噴射するノズルと、を有する、半導体基板の表面エッチング装置。前記エッチングガスは、ClF3,XeF2,BrF3およびBrF5からなる群から選ばれる一以上のガスを含む、請求項1に記載の表面エッチング装置。前記エッチングガスは、分子中に酸素原子を含有するガスをさらに含む、請求項2に記載の表面エッチング装置。前記冷却ガスは、窒素ガスまたは不活性ガスを含む、請求項1に記載の表面エッチング装置。前記移動ステージに載置される半導体基板表面に向けて、フッ化炭素ガスを含むマスク形成用ガスを噴射するノズルをさらに有する、請求項1に記載の表面エッチング装置。前記反応室内の圧力は、1KPa~100KPaの範囲に調整可能である、請求項1に記載の表面エッチング装置。前記エッチングガスを噴射するノズルおよび前記冷却ガスを噴射するノズルを、それぞれ複数有する、請求項1に記載の表面エッチング装置。前記複数のエッチングガスを噴射するノズルおよび冷却ガスを噴射するノズルは、前記移動ステージの移動方向に沿って配列されている、請求項7に記載の表面エッチング装置。前記半導体基板は、基板面方位100のシリコン基板である、請求項1に記載の表面エッチング装置。前記半導体基板は、基板面方位111のシリコン基板である、請求項1に記載の表面エッチング装置。ロードロック室と、前記ロードロック室に連通しており、大気圧以下に減圧可能な反応室と、前記反応室に連通したアンロードロック室と、を有する半導体基板の表面エッチング装置であって、前記ロードロック室から、前記反応室を経て、前記アンロードロック室にまで半導体基板を搬送可能な移動ステージと、前記反応室において、前記移動する移動ステージに載置された半導体基板表面に向けてエッチングガスを噴射する複数のノズルと、前記反応室において、前記移動する移動ステージに載置された半導体基板表面に向けて冷却ガスを噴射する複数のノズルと、を有し、前記エッチングガスを噴射する複数のノズルおよび前記冷却ガスを噴射する複数のノズルは、前記移動ステージの移動方向に沿って、配列されている、表面エッチング装置。請求項1の表面エッチング装置を用いて、表面に凹凸形状が形成された半導体基板を製造する方法であって、減圧された前記反応室内の移動ステージに載置された半導体基板を用意するステップと、前記移動ステージを移動させながら、前記半導体基板にエッチングガスを噴射するノズルからエッチングガスを吹き付けるステップと、前記移動ステージを移動させながら、前記半導体基板に冷却ガスを噴射するノズルから冷却ガスを吹き付けるステップと、を含む方法。前記半導体基板の温度を130°C以下に保持する、請求項12に記載の方法。前記移動ステージを移動させながら、前記半導体基板を振動させる、請求項12に記載の方法。プラズマによる反応性イオンエッチングを用いると、シリコン基板の表面がプラズマによってダメージを受けやすく、デバイス例えば太陽電池としての性能に悪影響を及ぼすことがあった。また、プラズマ発生装置などが必要なため、装置コストが高くなるという問題もあった。一方で、特許文献1に記載のように、ClF3,XeF2,BrF3およびBrF5のガスを用いることでシリコン基板表面をエッチングすることができるが、そのエッチング反応は発熱反応であり、シリコン基板の温度が上昇すると所望のエッチングができない。そのため、エッチング工程と冷却工程とを繰り返しながらシリコン基板表面をエッチングしなければならず、量産化に適した方法ではない面があった。そこで本発明は、半導体基板と発熱反応を起こすガスをエッチングガスとして用いつつ、量産化に対応可能な半導体基板表面をエッチングする装置を提供することを課題とする。また、ClF3,XeF2,BrF3およびBrF5のガスをエッチングガスとすると、一定のエッチング形状は得られるものの、必ずしも太陽電池のシリコン基板にとって適切なテクスチャ構造を得ることはできない場合があった。そこで本発明は、ClF3,XeF2,BrF3およびBrF5を含むエッチングガス組成を好適化することで、シリコン基板にダメージを与えることなく、太陽電池のシリコン基板にとって適切なテクスチャ構造を形成する装置を提供することを課題とする。すなわち本発明の第一は、以下に示す表面エッチング装置に関する。[1]大気圧以下に減圧可能な反応室と;前記反応室内において半導体基板を搬送可能な移動ステージと;前記移動ステージに載置される半導体基板表面に向けてエッチングガスを噴射するノズルと;前記移動ステージに載置される半導体基板に向けて冷却ガスを噴射するノズルとを有する、半導体基板の表面エッチング装置。[2]前記エッチングガスは、ClF3,XeF2,BrF3およびBrF5からなる群から選ばれる一以上のガスを含む、[1]に記載の表面エッチング装置。[3]前記エッチングガスは、分子中に酸素原子を含有するガスをさらに含む、[2]に記載の表面エッチング装置。[4]前記冷却ガスは、窒素ガスまたは不活性ガスを含む、[1]に記載の表面エッチング装置。[5]前記移動ステージに載置される半導体基板表面に向けて、フッ化炭素ガスを含むマスク形成用ガスを噴射するノズルをさらに有する、[1]に記載の表面エッチング装置。[6]前記反応室内の圧力は、1KPa~100KPaの範囲に調整可能である、[1]に記載の表面エッチング装置。[7]前記エッチングガスを噴射するノズルおよび前記冷却ガスを噴射するノズルを、それぞれ複数有する、[1]に記載の表面エッチング装置。[8]前記複数のエッチングガスを噴射するノズルおよび冷却ガスを噴射するノズルは、前記移動ステージの移動方向に沿って配列されている、[7]に記載の表面エッチング装置。[9]前記半導体基板は、基板面方位100のシリコン基板である、[1]に記載の表面エッチング装置。[10]前記半導体基板は、基板面方位111のシリコン基板である、[1]に記載の表面エッチング装置。[11]ロードロック室と、前記ロードロック室に連通しており、大気圧以下に減圧可能な反応室と、前記反応室に連通したアンロードロック室と、を有する半導体基板の表面エッチング装置であって、前記ロードロック室から、前記反応室を経て、前記アンロードロック室にまで半導体基板を搬送可能な移動ステージと;前記反応室において、前記移動する移動ステージに載置された半導体基板表面に向けてエッチングガスを噴射する複数のノズルと;前記反応室において、前記移動する移動ステージに載置された半導体基板表面に向けて冷却ガスを噴射する複数のノズルとを有し、前記エッチングガスを噴射する複数のノズルおよび前記冷却ガスを噴射する複数のノズルは、前記移動ステージの移動方向に沿って、配列されている、表面エッチング装置。本発明の第二は、以下に示す表面に凹凸形状が形成された半導体基板の製造方法に関する。[12]前記[1]の表面エッチング装置を用いて、表面に凹凸形状が形成された半導体基板を製造する方法であって、減圧された前記反応室内の移動ステージに載置された半導体基板を用意するステップと;前記移動ステージを移動させながら、前記半導体基板にエッチングガスを噴射するノズルからエッチングガスを吹き付けるステップと;前記移動ステージを移動させながら、前記半導体基板に冷却ガスを噴射するノズルから冷却ガスを吹き付けるステップと、を含む方法。[13]前記半導体基板の温度を130°C以下に保持する、[12]に記載の方法。[14]前記移動ステージを移動させながら、前記半導体基板を振動させる、[12]に記載の方法。本発明の表面エッチング装置によれば、半導体基板の表面を効率的にドライエッチングすることができる。しかも、プロセス中の半導体基板の温度上昇を抑制することができるので量産化にも対応できる。さらに、エッチングガスの組成を好適化することで、これまで実現されなかった微細凹凸のテクスチャ構造を半導体基板表面に形成することができる。さらに、好適には、太陽電池として適切な半導体基板を提供することができ、太陽電池の光電変換率を高めることができる。1.エッチング装置について本発明の表面エッチング装置は、反応室と、半導体基板を搬送可能な移動ステージと、エッチングガスを噴射するノズルと、冷却ガスを噴射するノズルと、を有する。本発明の表面エッチング装置の反応室の内部は減圧状態にすることができ、減圧条件下にてエッチングプロセスを行う。エッチングプロセス中の反応室の内部圧力は、1KPa~100KPaの範囲に調整され、通常10KPa~90KPaに制御され、好ましくは30KPa~60KPaに制御される。反応室内には、半導体基板を搬送するための移動ステージが配置される。移動ステージは反応室内において、半導体基板を搬送することができ、後述のノズルエッチングガスを噴射するノズルと冷却ガスを噴射するノズルと半導体基板との相対位置関係を調整することができることが好ましい。それにより、半導体基板表面の所望の位置に、ノズルからのガスが吹き付けられる。本発明の表面エッチング装置は、エッチングガスを噴射するノズルを有する。エッチングガスは、半導体基板の材質などによって適宜選択されるが;典型的には、ClF3,XeF2,BrF3およびBrF5のうちの少なくとも一つのガスを含む。これらのガス分子は、半導体基板の表面に物理吸着して、エッチングサイトに移動する。エッチングサイトに到達したガス分子は分解し、半導体材料典型的にはシリコンと反応して揮発性のフッ素化合物を生成する。それにより、半導体基板表面がエッチングされ、凹凸形状が形成される。エッチングガスには、その分子内に酸素原子を含有するガスが含まれていることが好ましい。酸素原子を含有するガスとは、典型的には酸素ガスO2であるが、二酸化炭素CO2などであってもよい。エッチングガスにおける酸素原子含有ガスの濃度体積濃度は、ClF3,XeF2,BrF3およびBrF5のガスの合計濃度の2倍以上であることが好ましい。エッチングガスに酸素原子含有ガスを含ませることで、太陽電池のテクスチャ構造として適切な凹凸形状を、半導体基板表面に形成することができる。その理由は、必ずしも明らかではないが、例えばClF3ガスがシリコン表面に物理吸着すると、シリコンと反応してSiF4となってガス化する。このとき、シリコンネットワーク構造のダングリングボンドに酸素原子がターミネートすることで、Si-O結合が部分的に構成される。それにより、エッチングされやすい領域と、エッチングされにくい領域とができる。そのエッチングレートの差でケミカルな反応が促進され、形状制御が可能となると考えられる。さらに、エッチングガスには窒素ガスまたは不活性ガスが含まれていてもよい。エッチングガスにおけるClF3,XeF2,BrF3およびBrF5の濃度が高すぎると、等方的にエッチングが進行しやすい場合があり、半導体基板表面に所望の凹凸形状が得られないことがある。そのため、窒素ガスまたは不活性ガスを希釈ガスとして混合させる場合がある。本発明の表面エッチング装置は、冷却ガスを噴射するノズルを有する。冷却ガスとは、半導体基板の材質と発熱反応しないガスであればよく、窒素ガスや不活性ガスヘリウムガスやアルゴンガスなどなどが例示される。前述の通り、ClF3,XeF2,BrF3およびBrF5は半導体と反応するが、その反応は発熱反応であるため、半導体基板温度が上昇する。半導体基板温度が上昇すると、等方的にエッチングが進行しやすくなり、半導体基板表面に所望の凹凸形状が得られない。そのため、エッチング反応によって発熱した半導体基板に冷却ガスを吹き付けることで、半導体基板を冷却する。半導体基板の温度は、130°C以下に保持されることが好ましく、100°C以下に保持されることがより好ましく、80°C以下に保持されることがさらに好ましい。一方、半導体基板の温度は、噴射されるエッチングガスの沸点以上に保持されていればよい。例えばClF3の沸点は約12°Cであるので、ClF3を用いる場合には、半導体基板の温度を12°C以上に保持する。本発明の表面エッチング装置は、エッチングガスを噴射するノズルを2つ以上有していてもよいし、冷却ガスを噴射するノズルを2つ以上有していてもよい。各ノズルの配列は、特に限定されないものの、搬送方向半導体基板の相対移動方向より具体的には、移動ステージの移動方向に沿って配列されていることが好ましい。エッチングガスを噴射するノズルと冷却ガスを噴射するノズルとは、規則的に配列していることが好ましい。例えば、搬送方向に沿って、エッチングガスを噴射するノズルと冷却ガスを噴射するノズルとが交互に配列していてもよい。あるいは、搬送方向に沿って、エッチングガスを噴射するノズルと複数の冷却ガスを噴射するノズルとが、繰り返して配置されていてもよい。ただし、通常は、2つのエッチングガスを噴射するノズルが連続して配列されないことが好ましい。また、各ノズルの形状は特に制限されないが、半導体基板表面の広面積にガスを吹き付けることができるように、ノズルの吐出口にむかって末広がりになっていると好ましい場合がある。本発明の表面エッチング装置は、マスク形成用ガスを噴射するノズルを有していてもよい。マスク形成用ガスはフッ化炭素ガスであることが好ましく、フッ化炭素ガスの例には4フッ化メタンCF4や、6フッ化エタンC2F6などが含まれる。マスク形成用ガスの分子が半導体基板表面に吸着すると、その吸着部分はエッチングされにくくなる。そのため、選択的に半導体基板表面をエッチングすることができ、所望の凹凸形状を得られやすくなることがある。本発明の表面エッチング装置によって、表面に凹凸形状を形成される半導体基板とは、典型的にはシリコン基板であるが、ゲルマニウム基板、シリコンカーバイドなどであってもよい。さらに、表面エッチングされる基板は、半導体基板以外のサファイア基板などであってもよい。また、シリコン基板は、通常は単結晶シリコンであるが、多結晶シリコンであっても、アモルファスシリコンであってもよい。単結晶シリコン基板は、基板面方位100のシリコン基板であってもよいし、基板面方位111のシリコン基板であってもよいし、他の基板面方位のシリコン基板であってもよい。基板面方位111のシリコン基板を、従来のアルカリ水溶液を用いたウェットプロセスによるエッチングを行うと、基板表面に凹凸形状を形成できず、単に表面が等方的にエッチングされる。ところが、本発明の表面エッチング装置によれば、基板面方位111のシリコン基板にも、基板表面に凹凸形状を形成することができるという特徴がある。半導体基板は、半導体ウェハであってもよいし、他の基板に成膜された半導体薄膜であってもよい。2.エッチング方法について本発明の表面エッチング装置を用いて、表面に凹凸形状が形成された半導体基板を製造することができる。具体的には、本発明の表面エッチング装置に半導体基板をセットして、反応室内を減圧する。その後、移動ステージにセットした半導体基板を、ノズルに対して相対移動させる。半導体基板を相対移動させながら、半導体基板の表面に、エッチングガスを噴射するノズルからエッチングガスを吹き付け、かつ冷却ガスを噴射するノズルから冷却ガスを吹き付ける。冷却ガスを吹き付けることで、半導体基板の温度を130°C以下、好ましくは100°C以下、より好ましくは80°C以下に保持する。移動ステージで半導体基板を移動させながら、半導体基板を振動させてもよいし、あるいはノズルを振動させてもよい。それにより、より微細な凹凸形状が半導体基板の表面に形成されうる。また、半導体基板の相対移動は、一方向である必要はなく、2次元方向に移動してもよいし、3次元方向に移動してもよい。さらに、移動ステージは往復移動をしてもよい。図1Aおよび図1Bには、本発明の表面エッチング装置の第一の例の概要が示される。図1Aは、装置を側面から見たときの透視図であり;図1Bは、装置を上面から見たときの透視図である。図1Aおよび図1Bに示される表面エッチング装置は、ロードロック室10と、反応室20と、アンロードロック室30とを有する。ロードロック室10と、反応室20と、アンロードロック室30の内部は、いずれも減圧されることができる。つまり、ロードロック室10にはドライポンプ12と、バルブ13と、ゲートバルブ14が設けられ;アンロードロック室にはドライポンプ32と、バルブ33と、ゲートバルブ34が設けられている。ロードロック室10には、基板供給部5から半導体基板1が供給される。半導体基板1は、移動ステージに載置されてロードロック室10に供給される。例えば、トレイなどの容器などに収容されてロードロック室10に供給されてもよい。1つの容器に、100枚程度の半導体基板1が収容されていてもよい。ロードロック室10から反応室20を経てアンロードロック室30にまで、搬送機構となるローラ搬送機50が設けられている。ローラ搬送機50にセットされた半導体基板1は、ロードロック室10から反応室20を経てアンロードロック室30にまで搬送されることができる。反応室20には、エッチングガス供給ノズル60と、冷却ガス供給ノズル70とが設けられており;反応室20の内部で搬送される半導体基板1の表面に、ガスを吹き付けることができる。エッチングガス供給ノズル60と冷却ガス供給ノズル70とは、搬送方向に沿って、交互に設けられている。また、反応室20にはドライポンプ22と、バルブ23とが設けられており、エッチング反応で発生したガスなどを排気することができる。ローラ搬送機50は、ロードロック室10からアンロードロック室30にまで一方向に半導体基板1を搬送してもよいが、往復移動させながら図において左右に移動させながら搬送してもよい。アンロードロック室30にまで搬送された半導体基板1は、基板排出部35に排出されて回収される。半導体基板1のノズルエッチングガス供給ノズル60と冷却ガス供給ノズル70と対向する表面には、所望の凹凸形状が形成されている。その後、半導体基板1は、必要に応じて水素ガス雰囲気下で残留したフッ素成分を除去するための処理を施されてもよい。例えば、高温アニールを施されたり、プラズマ処理を施されたりする。図2には、本発明の表面エッチング装置の第二の例の概要が示される。図2には、表面エッチング装置の反応室の内部の概要だけが示されている。搬送機構となる円盤状の移動ステージ3に、複数の半導体基板1が載置されている。ステージ3は、回転することで半導体基板を移動させることができる矢印方向参照。ステージ3の回転方向の回転中心から、放射状にエッチングガス供給ノズル60と、冷却ガス供給ノズル70とが配置されている。ステージ3を回転させながら、エッチングガスと冷却ガスとを半導体基板1の表面に吹き付けることができる。半導体基板1の表面に所望の凹凸形状が形成されたら、必要に応じて水素ガス雰囲気下で残留したフッ素成分を除去するための処理を施してもよい。[実施例1]本発明の表面エッチング装置を用いて、基板方位面100のシリコン基板表面に凹凸形状を形成した。まず、反応室内にシリコン基板をセットして、反応室の内圧を30~90Kpaに維持した。反応室内にセットされたシリコン基板の表面に、ClF3ガス500ccO2ガス2000ccおよびN2ガス5000ccを含むエッチングガスを1分間かけて吹き付けた後、さらにN2ガス5000ccを1分間かけてシリコン基板表面に吹き付けて冷却した。このサイクルを3回繰り返した。ClF3ガスを吹き付けられたシリコン基板は、基板温度が60°Cを超える辺りで急激に発熱して温度上昇していく傾向がある。そのため、基板温度がその変位温度約60°Cにまで達しないように、1分間サイクルで加工を実施した。その結果、得られたシリコン基板表面の光学顕微鏡写真を図3Aに示す。図3Aに示されるように、基板表面に四角錘状の孔が形成されていることがわかる。次に、図3Aに示されるシリコン基板のライフタイムを測定した。測定は、半導体基板表面をヨウ素パッシベーションヨウ素/エタノール法をした後に行った。ライフタイムとは、半導体基板の表面および内部で発生した過剰キャリア電子又は正孔が、再結合により消滅し所定値まで減少するまでの時間をいう。ライフタイムの測定は、μPCD法マイクロ波光導電率減衰法によって行った。測定装置は、LTA1510KOBELCO科研を用いた。具体的な測定条件は、マイクロ波プローブの周波数10GHzレーザー波長904nmとした。照射したレーザー光は2種であり、レベル2注入量:1E14cm2と、レベル3注入量::1E15cm2とした。ライフタイムの測定結果を図4に示す。[実施例2]本発明の表面エッチング装置を用いて、基板方位面111のシリコン基板表面に凹凸形状を形成した。加工条件は、実施例1と同様であり、反応室内にセットされたシリコン基板の表面に、ClF3ガス500ccO2ガス2000ccおよびN2ガス5000ccを含むエッチングガスを1分間かけて吹き付けた後、さらにN2ガス5000ccを1分間かけてシリコン基板表面に吹き付けて冷却した。このサイクルを3回繰り返した。その表面の光学顕微鏡写真を図3Bおよび図3Cに示す。図3Bは、基板表面を斜め上方から写した光学顕微鏡写真であり;図3Cは、断面の光学顕微鏡写真である。図3Bおよび図3Cに示されるように、基板表面に三角錐上の凸部が形成されていることがわかる。図3Bに示されるシリコン基板のライフタイムを、上記と同様の手法で測定した。その結果を図4に示す。さらに、図3Bおよび図3Cに示されるシリコン基板の光反射率と、エッチング前の無処理のシリコン111基板の光反射率とを測定した。その結果を図5に示す。図5に示されるように、全波長領域で、図3Bおよび図3Cに示されるシリコン基板の光反射率は低減しており、光を取り込みやすくなっていることがわかる。特に波長500nm~1000nmの範囲において、エッチング前のシリコン基板の反射率は約35以上であるのに対して、図3Bおよび図3Cに示されるシリコン基板の光反射率は約14にまで低減していることがわかる。[比較例1]従来のアルカリKOH水溶液を用いた一般的なウェットエッチング法で、基板方位面100のシリコン基板表面に凹凸形状を形成した。すなわち、HF洗浄、アルカリ溶液、フッ硝酸などのウエットプロセスを経て形成する。その表面の光学顕微鏡写真を図3Dに示す。図3Dに示されるように、基板表面にピラミッド状の凸部が形成されていることがわかる。図3Dに示されるシリコン基板のライフタイムを、上記と同様の手法で測定した。その結果を図4に示す。図4には、実施例1~2および比較例1のシリコン基板のライフタイム値が示される。それぞれ左側の棒グラフはレベル2としたときの値であり;右側の棒グラフはレベル3としたときの値である。図4に示されるように、実施例1のシリコン基板のライフタイム値は、比較例1のシリコン基板のライフタイム値とほぼ匹敵していることがわかる。一方、実施例2のシリコン基板のライフタイム値は、比較例1よりも顕著に高まっていることがわかる。"