真空容器内にターゲット基板電極と試料基板電極が所定の間隔をおいて離間配置され、真空容器内に所定の気体を導入し、ターゲット基板電極に電圧を印加することによりターゲット基板電極上に配置した炭素ターゲット基板近傍にプラズマを発生させ、プラズマスパッタ法により試料基板電極上に配置された試料基板表面に炭素被膜を堆積させる炭素被膜成膜装置を用い、炭素ターゲット基板電極と試料電極に対し、下記の条件でそれぞれ電圧を印加させることを特徴とする炭素被膜成膜方法。1.ターゲット基板電極に印加する電圧が負のパルス電圧であって、かつ、そのパルス電圧時間比が40以下であること。2.ターゲット基板電極に印加するパルス電圧のパルス時間が20μs~200μsであること。3.試料基板電極に印加する電圧が負のパルス電圧であって、かつ、そのパルス電圧時間比が50以下であること。4.試料基板電極に印加する負パルス電圧の大きさが-20V~-200Vであること。本発明は、このような従来技術の問題点を解消し、水素フリーで炭素微粒子の試料基板への付着が防止された緻密で硬質なダイヤモンドライクカーボン膜を容易に形成することができる炭素薄膜成膜法を提供することを課題とする。本発明によれば、上記課題を解決するため、真空容器内にターゲット基板電極と試料基板電極が所定の間隔をおいて離間配置され、真空容器内に所定の気体を導入し、ターゲット基板電極に電圧を印加することによりターゲット基板電極上に配置した炭素ターゲット基板近傍にプラズマを発生させ、マグネトロンスパッタ法により試料基板電極上に配置された試料基板表面に炭素被膜を堆積させる炭素被膜成膜装置を用い、炭素ターゲット基板電極と試料電極に対し、下記の条件でそれぞれ電圧を印加させることを特徴とする炭素被膜成膜方法が提供される。1.ターゲット基板電極に印加する電圧が負のパルス電圧であって、かつ、そのパルス電圧時間比が40以下であること。2.ターゲット基板電極に印加するパルス電圧のパルス時間が20μs~200μsであること。3.試料基板電極に印加する電圧が負のパルス電圧であって、かつ、そのパルス電圧時間比が50以下であること。4.試料基板電極に印加する負パルス電圧の大きさが-20V~-200Vであること。本発明は、マグネトロンスパッタ装置のターゲット基板電極と試料基板電極への電圧の印加の仕方を工夫したもので、水素フリーで炭素微粒子の試料基板への付着が防止された緻密で硬質なダイヤモンドライクカーボン膜を容易に形成することができる炭素薄膜成膜法を提供することが可能となる。また、本発明では試料基板に長時間電圧がかかっているわけではないので、試料上でアーク放電が生じる恐れが少なく、試料に与える損傷が少ない。また、試料の加熱が小さくなるため低温で成膜でき、熱に弱い高分子材料へのダイヤモンドライクカーボンの成膜が容易になるという利点がある。以下、本発明による炭素薄膜成膜方法について、図面をもとに説明する。本発明による炭素薄膜成膜方法は、真空容器内にターゲット基板電極と試料基板電極が所定の間隔をおいて離間配置され、真空容器内に所定の気体を導入し、ターゲット基板電極に電圧を印加することによりターゲット基板電極上に配置した炭素ターゲット基板近傍にプラズマを発生させ、マグネトロンスパッタ法により試料基板電極上に配置された試料基板表面に炭素被膜を堆積させる炭素被膜成膜装置を用い、ターゲット基板電極と試料電極に対し、下記の条件でそれぞれ電圧を印加させることを特徴としている。1.ターゲット基板電極に印加する電圧が負のパルス電圧であって、かつ、そのパルス電圧時間比が40以下であること。2.ターゲット基板電極に印加するパルス電圧のパルス時間が20μs~200μsであること。3.試料基板電極に印加する電圧が負のパルス電圧であって、かつ、そのパルス電圧時間比が50以下であること。4.試料基板電極に印加する負パルス電圧の大きさが-20V~-200Vであること。以上の条件を全て満たすことにより水素フリーで炭素微粒子の試料基板への付着が防止された緻密で硬質なダイヤモンドライクカーボンを得ることができる。図2に、本発明の実施形態で用いるマグネトロンスパッタ装置の構成を模式的に示す図である。真空容器1はプラズマ発生装置内の減圧環境を維持するための容器であり、プラズマ発生装置に使用される公知の真空容器を使用でき、プラズマ発生装置を運転するために必要な端子やポート等を備えている。この真空容器1の形状は任意であるが、例えば、円筒形の壁部と上部に天井となる壁、下部に底となる壁を設けてなる形状とすることができるが、これに限定されない。真空ポンプ2は真空容器1を減圧するためのものである。ポンプの形式に特に制限はないが、到達真空度が10-3Pa以下にできることが望ましい。プラズマを発生させるときは、ガスボンベ3から、流量制御器4を通してガスを一定量真空容器1の中に流入させ、グロー放電によるプラズマ発生に適した真空度に調節する。この真空度は代表的には、10-2Paから10Paの範囲である。またガスの種類は、通常化学反応を起こしにくい希ガスであるアルゴンを用いることが多い。また、成膜中積極的に化学反応を促進するため、酸素や窒素など他のガスを用いてもよい。真空容器1内においては、マグネトロン型のターゲット基板電極5と試料基板電極6が一定の距離だけ離間して対向配置される。ターゲット基板電極5にはターゲット基板7が取り付けられ、試料基板電極6には試料基板8が取り付けられる。本発明では、ダイヤモンドライクカーボンからなる炭素薄膜を形成するため、ターゲット基板5として純グラファイト基板を用いる。図中9は接地電極である。また、ターゲット基板電極5と試料基板電極6にはターゲット基板電極用電源10と試料基板電極用電源11によりそれぞれバイアス電圧が印加されるようになっている。本発明では、真空度を調整した後で、ターゲット基板電極5にターゲット基板電極用電源10から電圧を印加することによって、ターゲット基板表面近傍にプラズマを発生させる。このプラズマ中のイオンをターゲット基板7に衝突させ、ターゲット基板7を構成する原子をスパッタ効果によりたたき出し、試料基板8に堆積させる。プラズマの発生はターゲット基板電極5に直流電圧を印加することによっても行うことができるが、本発明では、負のパルス電圧を印加する。その理由を図3の模式図を用いて説明する。図3の1は直流電圧を印加した場合の電力の時間変化を示したものである。この場合、電力P1で定常的に電力が消費される。消費されるエネルギーの総量は、斜線部の面積で表される。本発明では、パルス電圧を用いることで、図3の2のような電力消費の時間変化になる。この模式図では、消費エネルギーに相当する斜線部の面積は直流の1の場合とパルスの2の場合と同じにしてある。消費エネルギーは同じであっても、パルス電圧のほうが、大きなピーク電力でプラズマを発生させることができることがわかる。このことは、発生するプラズマ密度の増大、ターゲット材料の過度の高温化の防止、電源容量の小型化などに寄与するものと考えられる。一方、試料基板8の表面に、単にダイヤモンドライクカーボンを成膜するだけであれば、試料基板電極を用いて試料基板表面の電位を変える必要はなく、接地電位のままでよい。しかしながら、本発明では、ターゲット基板電極5と試料基板電極6の両方に、図4に示すようなパルス電圧を印加することによって、緻密で硬質なダイヤモンドライクカーボンが得られるようにする。ここで、本発明の特徴であるターゲット基板電極5と試料基板電極6への電圧の印加の仕方について述べる。これらの基板への電圧の印加は、基本的には、前記の4条件を満たしていればよいが、以下、さらに詳細に説明する。図4は、本発明においてターゲット基板電極5と試料基板電極6に印加する電圧の波形を示す。これらの電圧の特徴を表すパラメータは次のとおりである。Tt:ターゲット基板電極5に印加する電圧の繰り返し時間Ts:試料基板電極6に印加する電圧の繰り返し時間Wt:ターゲット基板電極5に印加する電圧のパルス時間Ws:試料基板電極6に印加する電圧のパルス時間Wt/Tt:ターゲット基板電極5に印加する電圧のパルス時間比Ws/Ts:試料基板電極6に印加する電圧のパルス時間比Vt:ターゲット基板電極5に印加する電圧の大きさVs:試料基板電極6に印加する電圧の大きさ上述したように、ターゲット基板電極5には負のパルス電圧が印加されるが、効率的なプラズマを発生させ、上記したすぐれた効果を得るためには、Vtは-1000V~-3000Vの範囲であることが好ましい。またTtは500μs~1600μsの範囲であることが好ましい。Wtは20μs~200μsの範囲であることが好ましく、50μs~100μsの範囲であることがより好ましい。Wt/Ttは40以下であることが好ましく、5以下であることがより好ましく、その下限は1程度である。また、試料基板電極6にも負のパルス電圧が印加されるが、より緻密で硬質なダイヤモンドライクカーボンを得るためには、Vsは-20V~-200Vの範囲であることが好ましく、-100V~-200Vの範囲であることがより好ましい。またTsは500μs~1600μsの範囲であることが好ましい。Wsは10μs~250μsの範囲であることが好ましい。Ws/Tsは50以下であることが好ましく、10以下であることがより好ましく、その下限は0.5程度である。次に、具体例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。図2に示す構成の装置を用いた。真空ポンプ2としては、ターボ分子ポンプ、メカニカルブースターポンプ、ロータリーポンプを組み合わせたものを用いた。プラズマ発生の雰囲気条件はアルゴンを導入して真空容器1内の圧力を0.5Paとした。ターゲット基板電極5と試料基板電極6の間の距離は14cmに設定した。ターゲット基板7には直径150mm、厚さ5mmの純グラファイト基板を用い、試料基板6には直径80mm、厚さ0.5mmのSi100ウェハを用いた。Vtは-1kV、Vsは-200V、パルス周波数は625HzTt=Ts=1600μs、Wtは30μs、Wsは10μs、Wt/Ttは1.875、Ws/Ts=0.625とした。スパッタ時間は2時間とし、厚さ500nmのダイヤモンドライクカーボンが得られた。また、ターゲット基板電極5に直流電圧-200Vを印加する実験、ターゲット基板電極5に印加する時間を前記の条件の範囲より長くした実験、試料基板電極6に印加するパルス電圧のパルス時間比を前記の条件の範囲より大きくした実験、試料基板電極6に電圧を印加しない実験も行った。ダイヤモンドライクカーボンの膜質を評価する方法として、ラマン分光法を用いた。図5は典型的な、ダイヤモンドライクカーボンのラマン分光分析結果を示すラマン分光の実験結果は図5のグラフの実線。このピークは非対称で、実際には二つのピークの合成になっているとされており、フィッティングして二つのピークに分離すると、1550cm-1付近のGピーク図5の点線と呼ばれるピークと、1390cm-1付近のDピークと呼ばれる図5の一点鎖線からなっていることがわかる。この二つのピークの位置とピーク面積の割合を調べることによって、ダイヤモンドライクカーボンの性質を調べることができる。図6はさまざまな条件でダイヤモンドライクカーボン膜を作り、ラマン分光分析を行い、それぞれのGピークとDピークを求め、整理を行ったものである。図6のグラフの横軸は、Gピークのラマンシフトの波数、縦軸はDピークの強度IDピークの面積とGピークIGの強度の比ID/IGの値である。緻密で硬質なダイヤモンドライクカーボンは、このグラフ中の点線部分付近に分布することが、非特許文献1において知られている。図中の楕円に囲まれた領域の結果は、その条件を満たしている。そのときの実験条件は、すべて、前記の条件1~4を満たしている場合である。前記の条件1~4からはずれ、試料基板電極6に直流電圧を印加した場合は、図中の◆マークのプロットの場所になり、点線の領域から大きくはずれ、良質なダイヤモンドライクカーボンが形成されていないことがわかる。また、ターゲット基板電極5に印加する時間が長すぎた場合、試料基板電極6にかけるパルス電圧の比が大きすぎると、×マークのプロットの結果となり、良質なダイヤモンドライクカーボンができなかった。また、試料基板電極6に電圧をかけず接地電位のままであっても、マークの場所を示す膜となり、やはり良質なダイヤモンドライクカーボンが形成されなかった。また、試料基板電極6に印加する負電圧が-200Vより大きくなると、ほとんどグラファイトに近い炭素被膜ができてしまい良質なダイヤモンドライクカーボンは形成されなかった。また、前記の条件1~4を満たすことによって、プラズマのピークパワーは大きいものの、平均パワーが小さくなるため、試料基板8の加熱が少なく、ほとんど損傷がなかった。このことは、試料基板8に高分子材料のように熱に弱いものに成膜するときの条件としても有効であることを示している。以上の実験結果は、ターゲット基板周辺のプラズマのスパッタリング効果を利用して成膜する炭素被膜が良質なダイヤモンドライクカーボンになる条件は、前記した条件1~4であることを示している。