有機金属化合物からなる原料ガスを用いて被処理体の表面に薄膜を形成する成膜装置であって、内部に被処理体が収容され、内部が真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内に収容され、被処理体を載置するとともに被処理体を加熱する加熱ヒータが設けられた載置台と、前記載置台の上方に前記載置台に対向するように設けられ、前記載置台上の前記被処理体の外周端よりも外側の領域に向けて前記原料ガスを導入するガス導入機構と、前記載置台の上方の処理空間を囲み、その内外を区画するとともに、その下端部が前記載置台に接近するように設けられ、前記下端部と前記載置台の周縁部との間でガス出口を形成する内部区画壁と、前記内部区画壁の下端部に前記載置台の半径方向の内方に向けて延在するように設けられ、前記載置台の周縁部との間で前記ガス出口に連通するオリフィス部を形成するオリフィス形成部材とを備えた成膜装置。前記オリフィス形成部材の内周端と、前記載置台上に載置された前記被処理体の外周端との水平距離は0~10mmである請求項1に記載の成膜装置。前記内部区画壁と前記オリフィス形成部材は、前記原料ガスの分解温度未満でかつ固化温度または液化温度以上の温度範囲に維持されている請求項1に記載の成膜装置。前記ガス導入機構は、前記処理容器内で前記載置台の上方に対向して配置されたバッフル板と、前記バッフル板の周縁部に、前記載置台上に載置された前記被処理体の外周端よりも外側の領域に対応する位置に形成されたガス放出口とを有する請求項1に記載の成膜装置。前記載置台の周縁部は、前記原料ガスの分解温度未満でかつ固化温度または液化温度以上の温度範囲に維持されている請求項1に記載の成膜装置。前記有機金属化合物は、Ru3CO12、WCO6、NiCO4、MoCO6、Co2CO8、Rh4CO12、Re2CO10、CrCO6、Os3CO12、TaCO5、TEMATテトラキスエチルメチルアミノチタニウム、TAIMATA、CuEDMDD2、TaCl5、TMAトリメチルアルミニウム、TBTDETターシャリブチルイミド-トリ-ジエチルアミドタンタル、PETペンタエトキシタンタル、TMSテトラメチルシラン、TEHテトラキスエトキシハフニウム、Cp2Mn[=MnC5H52]、MeCp2Mn[=MnCH3C5H42]、EtCp2Mn[=MnC2H5C5H42]、i-PrCp2Mn[=MnC3H7C5H42]、MeCpMnCO3[=CH3C5H4MnCO3]、t-BuCp2Mn[=MnC4H9C5H42]、CH3MnCO5、MnDPM3[=MnC11H19O23]、MnDMPDEtCp[=MnC7H11C2H5C5H4]、Mnacac2[=MnC5H7O22]、MnDPM2[=MnC11H19O22]、Mnacac3[=MnC5H7O23]よりなる群から選択される材料からなる請求項1に記載の成膜装置。有機金属化合物からなる原料ガスを用いて被処理体の表面に薄膜を形成する成膜装置であって、内部に被処理体が収容され、内部が真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内に収容され、被処理体を載置するとともに被処理体を加熱する加熱ヒータが設けられた載置台と、前記載置台の上方に前記載置台に対向するように設けられ、前記載置台上の前記被処理体の外周端よりも外側の領域に向けて前記原料ガスを導入するガス導入機構と、前記載置台の上方の処理空間を囲み、その内外を区画するとともに、その下端部が前記載置台に接近するように設けられ、前記下端部と前記載置台の周縁部との間でガス出口を形成する内部区画壁と、前記ガス出口に上側の隙間と下側の隙間とを形成するように介在されるとともに、その内周端が前記載置台の半径方向の内方に向けて延在するように設けられ、前記上側の隙間がオリフィス部を形成するオリフィス形成部材とを備えた成膜装置。前記オリフィス形成部材は、環状に形成されており、前記内部区画壁の下端部に、その周方向に沿って所定の間隔を隔てて配置された複数の支持アームによって支持されている請求項7に記載の成膜装置。前記下側の隙間にパージガスを供給するパージガス供給機構をさらに備えた請求項7に記載の成膜装置。前記パージガスは、前記原料ガスの成膜反応を抑制するガスである請求項9に記載の成膜装置。前記原料ガスは金属カルボニルガスであり、前記パージガスはCOガスである請求項10に記載の成膜装置。前記オリフィス形成部材の内周端と、前記載置台上に載置された前記被処理体の外周端との水平距離は0~10mmである請求項7に記載の成膜装置。前記内部区画壁と前記オリフィス形成部材は、前記原料ガスの分解温度未満でかつ固化温度または液化温度以上の温度範囲に維持されている請求項7に記載の成膜装置。前記ガス導入機構は、前記処理容器内で前記載置台の上方に対向して配置されたバッフル板と、前記バッフル板の周縁部に、前記載置台上に載置された前記被処理体の外周端よりも外側の領域に対応する位置に形成されたガス放出口とを有する請求項7に記載の成膜装置。前記載置台の周縁部は、前記原料ガスの分解温度未満でかつ固化温度または液化温度以上の温度範囲に維持されている請求項7に記載の成膜装置。前記有機金属化合物は、Ru3CO12、WCO6、NiCO4、MoCO6、Co2CO8、Rh4CO12、Re2CO10、CrCO6、Os3CO12、TaCO5、TEMATテトラキスエチルメチルアミノチタニウム、TAIMATA、CuEDMDD2、TaCl5、TMAトリメチルアルミニウム、TBTDETターシャリブチルイミド-トリ-ジエチルアミドタンタル、PETペンタエトキシタンタル、TMSテトラメチルシラン、TEHテトラキスエトキシハフニウム、Cp2Mn[=MnC5H52]、MeCp2Mn[=MnCH3C5H42]、EtCp2Mn[=MnC2H5C5H42]、i-PrCp2Mn[=MnC3H7C5H42]、MeCpMnCO3[=CH3C5H4MnCO3]、t-BuCp2Mn[=MnC4H9C5H42]、CH3MnCO5、MnDPM3[=MnC11H19O23]、MnDMPDEtCp[=MnC7H11C2H5C5H4]、Mnacac2[=MnC5H7O22]、MnDPM2[=MnC11H19O22]、Mnacac3[=MnC5H7O23]よりなる群から選択される材料からなる請求項7に記載の成膜装置。有機金属化合物からなる原料ガスを用いて被処理体の表面に薄膜を形成する成膜装置であって、内部に被処理体が収容され、内部が真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内に収容され、被処理体を載置するとともに被処理体を加熱する加熱ヒータが設けられた載置台と、前記載置台の上方に前記載置台に対向するように設けられ、前記載置台上の前記被処理体の外周端よりも外側の領域に向けて前記原料ガスを導入するガス導入機構と、前記載置台の上方の処理空間を囲み、その内外を区画するとともに、その下端部が前記載置台に接近するように設けられ、前記下端部と前記載置台の周縁部との間でガス出口を形成する内部区画壁と、前記ガス出口に上側の隙間と下側の隙間とを形成するように介在されるとともに、その内周端が前記載置台の半径方向の内方に向けて延在するように設けられ、前記上側の隙間がオリフィス部を形成するオリフィス形成部材と、前記下側の隙間にパージガスを供給するパージガス供給機構と、前記載置台の周縁部の外側部分を覆うように設けられたカバー部材とを備え、前記内部区画壁と前記オリフィス形成部材と前記カバー部材は、前記原料ガスの分解温度未満でかつ固化温度または液化温度以上の温度範囲に維持され、前記載置台の周縁部の表面は、前記載置台上の被処理体の温度と同等またはそれよりも低い、被処理体の温度の近傍温度に維持される成膜装置。前記パージガスは、前記原料ガスの成膜反応を抑制するガスである請求項17に記載の成膜装置。前記原料ガスは金属カルボニルガスであり、前記パージガスはCOガスである請求項18に記載の成膜装置。前記オリフィス形成部材の内周端と、前記載置台上に載置された前記被処理体の外周端との水平距離は0~10mmである請求項17に記載の成膜装置。前記ガス導入機構は、前記処理容器内で前記載置台の上方に対向して配置されたバッフル板と、前記バッフル板の周縁部に、前記載置台上に載置された前記被処理体の外周端よりも外側の領域に対応する位置に形成されたガス放出口とを有する請求項17に記載の成膜装置。前記有機金属化合物は、Ru3CO12、WCO6、NiCO4、MoCO6、Co2CO8、Rh4CO12、Re2CO10、CrCO6、Os3CO12、TaCO5、TEMATテトラキスエチルメチルアミノチタニウム、TAIMATA、CuEDMDD2、TaCl5、TMAトリメチルアルミニウム、TBTDETターシャリブチルイミド-トリ-ジエチルアミドタンタル、PETペンタエトキシタンタル、TMSテトラメチルシラン、TEHテトラキスエトキシハフニウム、Cp2Mn[=MnC5H52]、MeCp2Mn[=MnCH3C5H42]、EtCp2Mn[=MnC2H5C5H42]、i-PrCp2Mn[=MnC3H7C5H42]、MeCpMnCO3[=CH3C5H4MnCO3]、t-BuCp2Mn[=MnC4H9C5H42]、CH3MnCO5、MnDPM3[=MnC11H19O23]、MnDMPDEtCp[=MnC7H11C2H5C5H4]、Mnacac2[=MnC5H7O22]、MnDPM2[=MnC11H19O22]、Mnacac3[=MnC5H7O23]よりなる群から選択される材料からなる請求項17に記載の成膜装置。有機金属化合物からなる原料ガスを用いて被処理体の表面に薄膜を形成する成膜装置であって、内部に被処理体が収容され、内部が真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内に収容され、被処理体を載置するとともに被処理体を加熱する加熱ヒータが設けられた載置台と、前記載置台の上方に前記載置台に対向するように設けられ、前記載置台上の前記被処理体の外周端よりも外側の領域に向けて前記原料ガスを導入するガス導入機構と、前記載置台の上方の処理空間を囲み、その内外を区画するとともに、その下端部が前記載置台に接近するように設けられ、前記下端部と前記載置台の周縁部との間でガス出口を形成する内部区画壁と、前記内部区画壁の下端部に前記載置台の半径方向の内方に向けて延在するように設けられ、前記載置台の周縁部との間で前記ガス出口に連通するオリフィス部を形成し、原料ガスの分解温度よりも低く、かつその固化温度または液化温度よりも高い温度に維持されたオリフィス形成部材とを備え、前記載置台は、前記加熱ヒータを有する載置台本体と、前記載置台本体の周辺部に前記被処理体とは離れて設けられ、かつ前記載置台本体と部分的に接触して温度が調整された周辺リング部材と、前記被処理体の周辺部に前記被処理体とは離れて設けられ、かつ前記周辺リング部材上に設けられるカバーリングとを有する成膜装置。前記周辺リング部材の外側部分を覆うように設けられたカバー部材をさらに備え、前記載置台は、前記載置台本体の下に断熱部材を介して設けられ、前記原料ガスの分解温度よりも低く、かつその固化温度または液化温度よりも高い温度に維持される冷却ベースを有し、前記カバー部材は前記冷却ベースに接触するように設けられて前記原料ガスの分解温度よりも低く、かつその固化温度または液化温度よりも高い温度に維持される請求項23に記載の成膜装置。以下に、本発明に係る成膜装置の好適な一実施形態を添付図面に基づいて詳述する。<第1の実施形態に係る成膜装置>図1は本発明の第1の実施形態に係る成膜装置を示す概略構成図、図2は図1の成膜装置に用いられるバッフル板の一例を示す平面図、図3は図1の成膜装置に用いられる載置台を示す拡大断面図、図4は載置台の一部を示す部分拡大断面図、図5は載置台が降下した時の状態を示す図である。ここでは有機金属化合物の原料としてカルボニル系の有機金属化合物であるRu3CO12を用い、キャリアガスとしてCO一酸化炭素を用いてRu金属膜よりなる薄膜を成膜する場合を例にとって説明する。図1に示すように、第1の実施形態に係る成膜装置20は、例えばアルミニウム合金等よりなる筒体状の処理容器22を有している。この処理容器22は、大径の上部室と、小径の下部室とで構成されており、下部室内が排気空間24として機能する。この下部室である排気空間24を区画する下部側壁に排気口26が形成され、この排気口26に、排気系11が接続されている。処理容器22の上部室には被処理体である半導体ウエハWを載置して保持する載置台28が設けられている。また、処理容器22の天井部の中央部には、処理に必要なガスを処理容器内に取り入れるガス入口78が形成されている。ガス入口78には、原料ガス等を供給するガス供給系14が接続されている。また、処理容器22の上部にはガス入口78に連通してガス導入機構80が設けられる。排気系11は、ターボ分子ポンプ11Aとドライポンプ11Bを直列接続した構成を有し、前記ターボ分子ポンプ11Aにはバルブ11bを介して窒素ガスが供給される。処理容器22とターボ分子ポンプ11Aの間には、可変コンダクタンスバルブ11aが設けられ、処理容器22内の全圧を一定に維持する。処理容器22をドライポンプ11Bにより粗引するために、ターボ分子ポンプ11Aをバイパスする排気経路11Cが設けられており、排気経路11Cにはバルブ11cが設けられている。また、ターボ分子ポンプ11Aの下流側には別のバルブ11dが設けられている。なお、ドライポンプ11Bの上流側には、排気ガス中から残留成分を除去するトラップ機構図示せずが設けられている。排気系11のトラップ機構までの排気路には例えばテープヒータ等の排気加熱ヒータが設けられており、排気ガス中の未反応の原料ガスを原料の分解温度よりもより低くかつ固化温度または液化温度以上に維持するようになっており、このトラップ機構を介して未反応の原料ガスを回収可能となっている。ガス供給系14は、原料を気化させるバブラ14Aと、原料ガスを処理容器22に導くガス導入ライン14Bとを有している。バブラ14Aの内部には、Ruのカルボニル化合物であるRu3CO12が原料として保持されており、MFC質量流量制御器14bが介装されたバブリングガスライン14aからCOガスをキャリアガスとして供給してバブリングすることにより、気化したRu3CO12ガスが原料ガスとしてガス導入ライン14Bを介して、処理容器22内へ導入することができる。MFC14cが介装されたライン14dからもCOガスがキャリアガスとして流すことができるようになっており、原料ガスはこのキャリアガスによりガス導入ライン14B内を処理容器22に向けて搬送される。さらに上記ガス供給系14には、バルブ14g、14hおよびMFC14eが介装されArなどの不活性ガスを供給するライン14fが設けられており、ガス導入ライン14Bを介して前記処理容器12に供給されるRu3CO12ガスに必要に応じてこの不活性ガスが添加し得るようになっている。載置台28は、全体が例えば円板状に成形されており、その直径は半導体ウエハWの直径よりも大きく、この上面側に半導体ウエハWを載置するようになっている。そして、この載置台28は、処理容器22の底部側より起立された例えばアルミニウム合金のような金属製の支柱30の上端部に取り付け固定されている。この支柱30は、排気空間24を区画する底部を貫通して下方へ延びており、図示しないアクチュエータにより、載置台28の全体を上下方向へ昇降可能として任意の位置に停止できるようになっている。また支柱30の貫通部には、伸縮可能になされた金属製のベローズ32が設けられており、処理容器22内の気密性を維持しつつ載置台28の昇降を許容するようになっている。載置台28中には、その上部側に加熱手段として例えばタングステンワイヤヒータやカーボンワイヤヒータのような加熱ヒータ34が埋設されており、この加熱ヒータ34により半導体ウエハWを加熱するようになっている。加熱ヒータ34の下方にはこの載置台28の下部や側部を冷却して温度調整する冷媒を流すための冷媒通路36が設けられている。なお、この載置台28の詳細については後述する。載置台28の周辺部には、複数、例えば3つの図示例では2つのみ記すのピン挿通孔37が設けられており、この各ピン挿通孔37内にはリフタピン38が挿通できるようになっている。各リフタピン38の下端部は、昇降アーム40に支持されており、この昇降アーム40は、容器底部をベローズ42により気密に貫通する昇降ロッド44により昇降可能になされている。そして、ウエハWの移載位置に上記載置台28を下方へ降下させた状態で図5参照、リフタピン38を、載置台28の上方へ出没させてウエハWを押し上げたり、押し下げたりするようになっている。載置台28を下方へ降下させた位置において、載置台28の上面の水平レベルに対応する容器側壁に搬送アーム図示せずにより半導体ウエハWを搬出入する開口46が形成されており、この開口46を開閉するためのゲートバルブ48が設けられている。処理容器22の側壁や天井部にはそれぞれヒータ49A、49Bが設けられており、これらを所定の温度に維持することにより原料ガスが固化や液化することを防止するようになっている。載置台28は、図3および図4にも示すように、半導体ウエハWを載置する載置台本体50と、この載置台本体50の側面と底面とを囲んだ状態で載置台本体50を支持する基台52とにより主に構成されている。加熱ヒータ34は載置台本体50の内部に設けられ、上記冷媒通路36は基台52の内部に設けられている。基台52は、冷媒通路36に冷媒を流すことで原料ガスの分解温度未満でかつ固化温度または液化温度以上の温度範囲に維持されるようになっている。なお、図3においてはピン挿通孔37やリフタピン38の記載は省略している。載置台本体50は、全体がセラミック材や金属で構成されており、円板状をなしている。そして、その内部に略全面に亘って加熱ヒータ34が絶縁された状態で埋設されており、この上面に直接的に載置されて接している半導体ウエハWを所望の温度に加熱して温度制御をするようになっている。載置台本体50を構成するセラミック材としては、例えば窒化アルミニウムAlN、酸化アルミニウムAl2O3、シリコンカーバイトSiC等を用いることができ、金属としては、アルミニウム、アルミニウム合金等を用いることができる。また、この載置台本体50の直径は、半導体ウエハWの直径よりも僅かに小さく設定されており、例えば半導体ウエハWの直径が300mmの場合には載置台本体50の直径は295mm程度に設定されている。上記載置台本体50の周縁部には、断面が直角状に切り取られた段部54図4参照がその周方向に沿ってリング状に形成されている。また基台52は、全体が金属により形成されている。そして、基台52は、内部に上記冷媒通路36が略全面に亘って設けられた円板状の金属製のベース部56と、このベース部56の周縁部に上記載置台本体50の周面を囲むように設けられたリング状の金属製のエッジリング58とにより構成されている。冷媒通路36には、図示しない配管を介して冷媒として冷却水、フロリナート、ガルデン登録商標等を流すようになっている。ベース部56とエッジリング58との間には、このエッジリング58の冷却を緩和するために熱伝導性が低い金属よりなるリング状の熱伝導緩和部材60が介在されている。具体的には、ベース部56およびエッジリング58は、アルミニウムやアルミニウム合金よりなり、熱伝導緩和部材60は、アルミニウムやアルミニウム合金よりも熱伝導性が劣るステンレススチールよりなっている。熱伝導緩和部材60は、必要に応じて設ければよく、省略することもできる。また、上記ベース部56やエッジリング58はアルミニウムやアルミニウム合金に代えて熱伝導性は少し劣るがステンレススチールを用いるようにしてもよい。エッジリング58、熱伝導緩和部材60およびベース部56は、その上方より複数個のボルト62により着脱可能分解可能に一体的に結合されている。ベース部56の上面と載置台本体50の底部下面との間には、断熱材64が介設されており、これによりベース部56と載置台本体50との間の断熱を図るようになっている。この断熱材64としては、熱伝導性が低くて、かつ耐熱性に優れるセラミック材やステンレススチール等を用いることができる。エッジリング58は、半導体ウエハWの載置面の水平レベルと同一レベルを保ちながら半導体ウエハWの半径方向外方へ所定の長さだけ延びるリング状のフランジ部66を有している。フランジ部66の周縁部には上方に突出する突出部66aが円周状に形成されている。エッジリング58の内周側の上部には、載置台本体50側へ突出した突起部68がその周方向に沿ってリング状に形成されており、この突起部68は載置台本体50の段部54の途中まで延びている。この突起部68には、これを下方へ貫通させて固定ネジ70が設けられており、この固定ネジ70を下方向へ前進させることによって載置台本体50の周辺部を押圧してこれを固定するようになっている。したがって、エッジリング58の内周面と載置台本体50の外周面とは直接的には接触しておらず、両者間には断熱を図る空間部72が形成されている。また固定ネジ70は全体で例えば6本程度しか設けられておらず、エッジリング58と載置台本体50との間の断熱性を高めるようになっている。載置台本体50の段部54の側面とエッジリング58の突起部68の内周面との間には、リング状のシールドリング74が遊嵌状態で着脱可能に設けられている。このシールドリング74は、アルミニウムやアルミニウム合金等の金属で構成され、載置台本体50の側壁への成膜防止、半導体ウエハWの面内温度均一性の確保、半導体ウエハWの裏面への成膜防止、載置台本体50とエッジリング58との間の断熱等の機能を有している。エッジリング58の上面には、半導体ウエハWの端面であるベベル部に膜が付着することを防止するためのリング状のカバーリング76が設けられている。このカバーリング76は、例えばアルミナや窒化アルミニウム等のセラミック材で構成されている。このカバーリング76の温度も基台52と同様、成膜時には、原料ガスの分解温度未満で、かつ固化温度または液化温度以上の温度範囲に維持される。ガス導入機構80は、処理容器22の天井部の中央部に設けられたガス入口78に連通し、かつ載置台28に対向して設けられており、載置台28の垂直方向上方から載置台28上の半導体ウエハWの外周端よりも外側の領域に向けて原料ガスが放出ないし噴射されるようになっている。したがって、ガス導入機構80は、載置台28上に載置された半導体ウエハWの外側部分にウエハWを避けるような方向に原料ガスを供給するようになっている。具体的には、このガス導入機構80は、ウエハWの直径よりも大きな直径を有するバッフル板82を有しており、このバッフル板82は、処理容器22の天井部内面から下方に延びる円形リング状の支持部材84により処理容器22の天井部から下方へ適長離隔して支持されている。このため、バッフル板82は、載置台28上の半導体ウエハWと対向するように取り付けられていることになる。バッフル板82の周縁部には、図2にも示すように、その周方向に沿って円弧状に形成された複数のガス放出口86が全周に亘って設けられている。複数のガス放出口86は、載置台28上の半導体ウエハWの外周端よりも外側の領域の垂直方向の上方に形成されている。処理容器22の天井部とバッフル板82との間の部分は、原料ガスが拡散する拡散室88として形成されることになり、拡散室88において外方に拡散された原料ガスが複数のガス放出口86より下方の処理空間Sに向けて放出ないし噴射される。このように、ガス放出口86の直下は半導体ウエハWの外周端よりも外側の領域に対応しているので、原料ガスは半導体ウエハWの外側の領域に向けて放出され、ウエハWの上面には直接的には原料ガスが流下されないようになっている。なお、このような円弧状のガス放出口86に替えて、周方向に沿って内径の小さなガス噴射孔を多数形成するようにしてもよい。支持部材84やバッフル板82は、熱伝導性が良好な金属材料、例えばアルミニウムやアルミニウム合金で形成されている。支持部材84の下側には、支持部材84から下方に延長するようにしてリング状の内部区画壁90が設けられている。この内部区画壁90は、支持部材84と連続するように一体化して設けられており、支持部材84と同じ材料で形成されている。この内部区画壁90は、載置台28の上方の処理空間Sの周囲を囲むように設けられており、その下端部は載置台28に接近されている。そして、この内部区画壁90の下端と載置台28の周縁部との間に、載置台28の周方向に沿って環状に排気用のガス出口92が形成されている。このガス出口92より処理空間Sの雰囲気がウエハWの外周側から均等に排気されるようになっている。内部区画壁90は、載置台28の周縁部に位置するフランジ部66およびカバーリング76の上方に位置されており、ガス出口92は、カバーリング76の上面フランジ部66の上面も一部含むと内部区画壁90の下端面との間に形成されている。このガス出口92の外周側の流路幅をさらに絞るために内部区画壁90の下端部にはその周方向に沿ってリング状になされた突起94がフランジ部66の突出部66aに対応する位置に形成されている。このガス出口92の上下方向の幅L1は、2~19.5mmの範囲内、例えば5mm程度に設定される図4参照。内部区画壁90の下端部にはオリフィス形成部材96が設けられている。具体的には、このオリフィス形成部材96は、上記内部区画壁90の下端部に、これより上記載置台28の半径方向の内方に向けて延在させて設けられており、載置台28の周方向に沿ってリング状に形成されている。そして、このオリフィス形成部材96の下面と載置台28の周縁部との間で、上記ガス出口92に連通するオリフィス部98を形成するようになっている。したがって、このオリフィス部98は、上記オリフィス形成部材96の下面と載置台28の周縁部に配置されたカバーリング76の上面との間で区画形成され、載置台28の周方向に沿ってリング状に形成されることになる。このオリフィス形成部材96の材料は、上記内部区画壁90と同じ熱伝導性が良好な材料、例えばアルミニウムやアルミニウム合金等よりなり、ここでは両者は一体的に成形されている。このように、オリフィス形成部材96を処理容器22の中心方向へ延在させて設けることにより、上方から流下してきた原料ガスの一部の流れを処理容器22の中心方向へ変更させるとともに、オリフィス部98により排気される雰囲気の流路面積を絞り込むことによって処理空間Sにおける原料ガスの滞留時間を適度に長くさせるようになっている。この場合、上記オリフィス部材96の内周端は、上記載置台28上に載置された半導体ウエハWの外周端の上方と、この上方よりも載置台28の半径方向の外方へ10mmだけ離れた位置との間に設定する。具体的には、図4中において、ウエハWの外周端とオリフィス部材96の内周端との間の水平方向における距離L2上下方向から見た場合の距離を0~10mmの範囲内になるように設定する。このオリフィス部材96の内周端が長くなってウエハ上に位置すると、膜厚の面内均一性が低下して好ましくなく、また、距離L2が10mmよりも大きくなると、オリフィス部98を設けた効果が少なくなって成膜速度が低下してしまう。また、オリフィス部98の上下方向の幅L3図4参照は、2~19.5mmの範囲内に、例えばガス出口92の幅L1と同じ5mmに設定される。またバッフル板82のガス放出口86を形成していない中央部側の直径D図1参照は、ウエハWの直径以上の大きさであり、例えば直径300mmのウエハWを処理する場合には300mm以上とする。また、上記バッフル板82とウエハWとの間の距離G図1参照は、例えば25~67mmの範囲内に設定する。なお、処理の際には載置台28は図4の位置に配置されるが、半導体ウエハWの搬入出等の処理以外の際には、図5に示すように、載置台28は下降される。成膜装置20の全体の動作、例えばガスの供給の開始、停止、プロセス温度、プロセス圧力、冷媒通路36に流す冷媒の温度制御は、例えばコンピュータよりなる装置制御部100により行われる。成膜装置20における成膜処理の制御に必要なコンピュータに読み取り可能なプログラムは記憶媒体102に記憶されており、この記憶媒体102としては、フレキシブルディスク、CDCompactDisc、CD-ROM、ハードディスク、フラッシュメモリまたはDVD等を用いることができる。次に、以上のように構成された成膜装置20を用いて行われる成膜処理について図6Aおよび図6Bも参照して説明する。図6Aおよび図6Bは処理容器22内の原料ガスの流れを示すための模式図であり、図6Bは図6Aのオリフィス部の周囲を拡大して示している。この成膜装置20においては、まず、処理容器22内に半導体ウエハWを搬送して載置台28上に載置する。処理容器22内は排気系11が継続的に駆動されることにより真空引きされて所定の圧力に維持される。また載置台28に支持された半導体ウエハWは加熱ヒータ34により所定の温度に維持されている。また処理容器22の側壁、天井部、支持部材84、内部区画壁90およびオリフィス形成部材96もそれぞれヒータ49A、49Bにより所定の温度に維持されている。この温度は原料ガスの分解温度未満でかつ固化温度または液化温度以上の温度範囲であり、例えば80°C程度にそれぞれ加熱されている。この状態で、ガス供給系14によりキャリアガスとしてのCOガスとともに原料ガスRu3CO12が供給され、ガス入口78よりガス導入機構80の拡散室88内へ流入する。この原料ガスは、バッフル板82の作用により拡散室88内をその周囲に向けて拡散し、バッフル板82の周囲に設けてある各ガス放出口86より下方に向けて放出され、処理空間S内を矢印110図6A参照に示すように流下して行く。この流下する方向は、載置台28の周縁部であってウエハWの外周端の外側の領域に向かう方向である。原料ガスの一部は、この流下の途中で矢印112図6A参照に示すように、処理空間S内の中央部に向かって拡散して行き、滞留することになる。これと同時に、上記流下した原料ガスの大部分は内部区画壁90の下端部に、処理空間Sの中央部に向けて延在させて設けたオリフィス形成部材96に当たり、矢印114に示すように、一旦、処理空間Sの中央部側へ曲げられる。その原料ガスの一部は処理空間S内に滞留すると同時に、多くの原料ガスは流路面積が絞り込まれたオリフィス部98内を流れ、さらにガス出口92を通って矢印115に示すように、処理容器22内の載置台28の下方の空間へと流れていくことになる。そして、処理容器22内の雰囲気は排気口26を通って容器外へ排出される。処理空間S内において半導体ウエハWに供給された原料ガスは、半導体ウエハW上で熱分解してCVDによりRu膜が形成される。このときの成膜反応は下記の化学式で示され、反応によってキャリアガスと同じガス種であるCO一酸化炭素が発生する。Ru3CO12⇔Ru3CO12↑Ru3CO12↑⇔Ru3CO12-x↑XCO↑Ru3CO12-x↑Q→3Ru12-XCO↑Ru3CO12↑Q→3Ru12CO↑なお、上記化学式において⇔は可逆的であることを示し、↑はガス状態であることを示し、↑が付いていないものは固体状態であることを示し、Qは熱が加わることを示す。このように、排気経路の面積を適度に絞り込んだオリフィス部98を設けるようにしたので、原料ガスは処理空間S内に適度な時間滞留し、しかも処理空間Sの中央部では原料ガスが過剰にならず、この処理空間S内の雰囲気はオリフィス部98およびガス出口92を介して排出されて行くことになる。すなわち、処理空間Sにおいて周辺部と比較して中央部の原料ガス濃度が高くなることはなく、その状態を保ったまま、処理空間S内への原料ガスを適度に滞留させることができる。つまり、図7に示すようなオリフィス部を設けずに単に内部区画壁90と載置台28との間にガス出口192を設けただけの特許文献3の構成の場合には、ガス放出口86から矢印110に示すように流下してきた原料ガスは、矢印114aに示すようにそのままガス出口192から排出されるため成膜に寄与する原料ガスの量が少なくなり、成膜速度が小さくなる傾向にあるが、本実施形態の場合には、排気経路の面積を適度に絞り込んだオリフィス部98の存在により、処理空間S内の原料ガスの滞留時間を適度に長くすることができるため、膜厚の面内均一性を損なうことなくRu膜の成膜速度を高くすることができる。このため、本実施形態では、膜厚の面内均一性を高く維持したまま、従来よりも高い成膜速度でRu膜を堆積することができる。この時のプロセス条件は、プロセス圧力が0.001~1Torrの範囲内の圧力、例えば0.1Torr13.3Pa、ウエハ温度が原料ガスの分解温度以上、例えば150~250°Cの範囲内の温度、例えば190°C程度である。また原料ガスの流量は1~2sccm、キャリアガスであるCOガスの流量は100sccmである。そして、オリフィス形成部材96や内部区画壁90や載置台28の周縁部のカバーリング76等は、前述のように原料ガスの分解温度以下で、固化温度または液化温度以上の温度、例えば80°C程度に設定されているので、これらの部材の表面にはほとんど不要な膜が堆積することはない。このように、本発明の第1実施形態によれば、有機金属化合物からなる原料ガスを用いて被処理体である半導体ウエハWの表面に薄膜を形成する成膜装置において、内部に被処理体である半導体ウエハWが収容され、内部が真空排気可能な処理容器22と、半導体ウエハWを載置するとともに半導体ウエハWを加熱する加熱ヒータ34が設けられた載置台28と、載置台28の上方に載置台28に対向するように設けられ、載置台28上の半導体ウエハWの外周端よりも外側の領域に向けて原料ガスを導入するガス導入機構80と、載置台28の上方の処理空間Sを囲み、その内外を区画するとともに、その下端部が載置台28に接近するように設けられ、下端部と載置台28の周縁部との間でガス出口92を形成する内部区画壁90と、内部区画壁90の下端部に載置台28の半径方向の内方に向けて延在するように設けられ、載置台28の周縁部との間でガス出口92に連通するオリフィス部98を形成するオリフィス形成部材96とを備えることにより、膜厚の面内均一性を高く維持したまま、成膜速度を高くすることができる。<第2の実施形態に係る成膜装置>次に、本発明の第2の実施形態に係る成膜装置について説明する。図8は本発明の第2の実施形態に係る成膜装置の一部を示す部分拡大断面図、図9は図8の成膜装置の載置台の部分を示す側面図である。なお、ここに図示されていない部分は第1の実施形態と同様の構成である。また、図8は第1の実施形態における図4に対応するものであり、図4に示す構成と同一構成部分については同一参照符号を付して、その説明を省略する。先の第1の実施形態では、オリフィス形成部材96を内部区画壁90と一体的になるように形成したが、本実施形態では、先の第1の実施形態のオリフィス形成部材96よりも薄くし、さらに、半径方向の幅も大きく設定して円形リング形状に成形したオリフィス形成部材116を有している。この薄板円形リング形状のオリフィス形成部材116の厚さは、ガス出口92の幅L1よりも小さく設定されている。そして、この薄いオリフィス形成部材116を内部区画壁90と載置台28との間のガス出口92の中へ挿入するようにして設けられており、この上方と下方とに上側の隙間92Aと下側の隙間92Bとが形成されている。この上側の隙間92Aがオリフィス部118として構成されることになり、このオリフィス部118は、第1の実施形態のオリフィス部98と同様に載置台28の周方向に沿ってリング状に形成されている。したがって、第1の実施形態の場合と同様にオリフィス形成部材116の内周端は、載置台28の内方に向けて延在させて設けられることになる。また、このオリフィス形成部材116の外周端は、内部区画壁90の下端部に、その周方向に沿って所定の間隔を隔てて配置された複数の支持アーム120により懸垂状態で支持されている図9参照。支持アーム120は、全体で例えば6本程度設けられているだけであり、排気に影響を与えることはほとんどない。この支持アーム120も上記オリフィス形成部材116と同様に熱伝導性が良好な材料、例えばアルミニウムやアルミニウム合金により形成されており、表面に薄膜が付着しないように第1の実施形態と同様に原料ガスの分解温度未満でかつ固化温度または液化温度以上の温度範囲に設定され、ここでは例えば80°C程度になるように設定されている。なお、第1の実施形態においてガス出口92に設けた突起94は、この第2実施例では設けていない。ここで上側の隙間92Aの上下方向の幅L1Aは、1~5mm程度であり、下側の隙間92Bの上下方向の幅L1Bは、1~5mm程度である。また、このオリフィス形成部材116の内周端とウエハWの外周端との間の水平方向における距離L2上下方向から見た場合の距離は、第1の実施形態と同様に0~10mmの範囲内になるように設定している。この理由は第1の実施形態の場合と同じである。また、ここではエッジリング58上に設けたカバーリング76を、内周側リング76Aと外周側リング76Bとに2分割しており、両リング76A、76B間に僅かな隙間122を形成している。そして、この隙間122を介して下側の隙間92Bに対してキャリアガスと同じ種類のガスをパージガスとして供給するパージガス供給機構126が設けられる。具体的には、このパージガス供給機構126は、隙間122に対応するエッジリング58側に、その周方向に沿ってリング状に形成されたガス溝124を有している。このガス溝124は、支柱30図1参照および載置台28内を通るように形成されたガス流路128に接続されている。具体的には、このガス流路128は支柱30内を垂直に延び、載置台28における基台52のベース部56内を水平に延び、エッジリング58内を垂直に延びてガス溝124に達するようになっている。このガス流路128には、マスフローコントローラのような流量制御器130や開閉弁132が介設されており、必要に応じてパージガスとしてCOガスを流量制御しつつ供給し得るようになっている。図10は本実施形態の成膜装置における処理容器内の原料ガスの流れを示すための模式図であり、第1の実施形態における図6Aおよび図6Bに対応するものである。本実施形態ではバッフル板82のガス放出口86図1参照から垂直方向に矢印110に示すように流下してきた原料ガスは、その一部が第1の実施形態と同様に矢印122に示すように載置台28の中央部に向けて拡散して行き、容器内で滞留することになる。そして、垂直方向に更に流下してきた原料ガスの一部は、矢印140に示すようにガス出口92の上側の隙間92Aであるオリフィス部118で流れが絞り込まれて排出されて行く。また、流下してくる原料ガスの他の一部は、矢印142に示すように上記オリフィス形成部材116の内側の周縁部の上面に当たって一時的に載置台28の中央部側へ向かって流れた後に、再び折り返すようにしてオリフィス部118を介して流出して行くことになる。このようにして、処理空間S内の原料ガスは処理空間S内に一時的に滞留すると同時に流路面積が絞り込まれたオリフィス部118内を流れ、矢印144に示すように載置台28の下方へと流れて行くことになる。このように、排気経路の面積を適度に絞り込んだオリフィス部118を設けるようにしたので、原料ガスは処理空間S内に適度な時間滞留し、しかも処理空間Sの中央部では原料ガスが過剰にならず、この処理空間S内の雰囲気はガス出口92のオリフィス部118を介して排出されて行くことになる。すなわち、処理空間Sにおいて周辺部と比較して中央部の原料ガス濃度が高くなることはなく、その状態を保ったまま、処理空間S内への原料ガスを適度に滞留させることができる。その結果、第1の実施形態と同様、膜厚の面内均一性を高く維持しつつ高い成膜速度でRu膜を堆積することができる。また、本実施形態では、このように成膜している際に、パージガス供給機構126のガス流路128にはパージガスが流量制御された状態で供給されている。このパージガスは、リング状に形成されたガス溝124からオリフィス形成部材116の下方に設けた下側の隙間92B内に流れ込むことになる。この下側の隙間92B内に流れ込んだパージガスは、その一部は矢印146に示すように外側に向けて吸引されて流れて行く。また、残りのパージガスは矢印148に示すように処理空間S側に向かって行くが、この時、処理空間S側から下側の隙間92B内に流れ込もうとする矢印150に示すような原料ガスの流れと衝突するように干渉し、原料ガスがこの下側の隙間92B内に流入することを防止することができる。したがって、載置台28の周縁部の表面、具体的にはカバーリング76およびエッジリング58の表面に不要な膜が堆積することを防止することができる。また、パージガスとしてキャリアガスと同様のCOガスを用いており、COガスは先に説明したように、原料ガスの分解を抑制するように作用するので、不要な膜の堆積防止を一層向上させることができる。この場合、このCOガスがこの下側の隙間92Bより処理空間S側に多量に流れ込んでウエハWの周縁部まで届くと、このウエハWの周縁部の上面における成膜が阻害されてしまうので好ましくない。したがって、COガスの流量は非常に小さくなるように設定し、好ましくは、矢印148に示すパージガスが処理空間S側にほとんど出ることがないような程度に、その流量を設定するのがよい。このように、本発明の第2の実施形態によれば、有機金属化合物からなる原料ガスを用いて被処理体である半導体ウエハWの表面に薄膜を形成する成膜装置において、内部に被処理体である半導体ウエハWが収容され、内部が真空排気可能な処理容器22と、半導体ウエハWを載置するとともに半導体ウエハWを加熱する加熱ヒータ34が設けられた載置台28と、載置台28の上方に載置台28に対向するように設けられ、載置台28上の半導体ウエハWの外周端よりも外側の領域に向けて原料ガスを導入するガス導入機構80と、載置台28の上方の処理空間Sを囲み、その内外を区画するとともに、その下端部が載置台28に接近するように設けられ、下端部と載置台28の周縁部との間でガス出口を形成する内部区画壁90と、ガス出口92に上側の隙間92Aと下側の隙間92Bとを形成するように介在されるとともに、その内周端が載置台28の半径方向の内方に向けて延在するように設けられ、上側の隙間92Aがオリフィス部118を形成するオリフィス形成部材116とを備えるようにしたので、膜厚の面内均一性を高く維持したまま、成膜速度を高くすることができる。また、下側の隙間92Bにパージガスを流すようにしたので、載置台28の周縁部への膜の堆積を防止することができ、第1の実施形態よりも成膜速度を高くすることができる。<第1の実施形態および第2の実施形態の評価実験>次に、以上のような第1の実施形態および第2の実施形態の成膜装置について評価実験を行った結果について説明する。なお、比較のためにオリフィス部を有しない従来の成膜装置図7参照についても実験を行った。従来の成膜装置では、内部区画壁90の下端部のガス出口192図7参照の上下方向の幅を2mmに設定した。また第1の実施形態の成膜装置では、ガス出口92の幅L1およびオリフィス部98の上下方向の幅L3をともに2mmに設定し、距離L2を10mmに設定した図4参照。また第2の実施形態の成膜装置では、オリフィス部118上側の隙間92Aの上下方向の幅L1Aを3mmに設定し、下側の隙間92Bの幅L1Bを2mmに設定し、距離L2を8mmに設定した図8参照。また、パージガス供給機構126のCOガスの流量を100sccmに設定した。そして、他のプロセス条件は、全て同じになるように設定してRu膜を成膜した。この時の結果を図11に示す。図11は本発明と従来の成膜装置の成膜速度と膜厚の面内均一性を示すグラフである。図11に示すように、成膜速度に関しては、従来の成膜装置は1.93nm/minであった。これに対して、本発明の第1の実施形態の場合は2.17nm/minであり、第2の実施形態の場合は2.66nm/minであった。このように、第1の実施形態および第2の実施形態の成膜装置では、従来の成膜装置よりも高い成膜速度が得られることが確認された。この中でも特に、第2の実施形態の成膜装置では成膜速度を大幅に向上できることが確認された。また膜厚の面内均一性については、従来の成膜装置が6程度である。これに対して、本発明の第1の実施形態および第2の実施形態は膜厚均一性は低下しているが、いずれも限界値である10以下と許容範囲内であることが確認された。<第3の実施形態に係る成膜装置>次に、本発明の第3の実施形態に係る成膜装置について説明する。図12は本発明の第3の実施形態に係る成膜装置の一部を示す部分拡大断面図である。なお、ここに図示されていない部分は第1の実施形態と同様の構成である。また、図12は第2の実施形態の図8に対応するものであり、図8に示す構成と同一構成部分については同一参照符号を付して、その説明を省略する。先の第2の実施形態では、載置台28のエッジリング58およびシールドリング74を、加熱している載置台本体50から断熱した状態で設け、これらの温度を原料ガスの分解温度未満でかつ固化温度または液化温度以上の温度範囲、例えば80°Cに維持するとともに、下側の隙間92Bにパージガスを流すことにより、載置台28の周縁部のシールドリング74、カバーリング76およびエッジリング58の表面に不要な膜が堆積することを防止するようにしたが、このような構成の場合、載置台28の周縁部の温度が成膜温度よりも低く、かつ、成膜温度よりも低温のパージガスが半導体ウエハWの周縁部に達するため、得られる膜厚面内均一性には自ずと限界がある。そこで、本実施形態では、載置台28の周縁部の膜の堆積を防止し、かつさらに膜厚均一性を高めることができる構成とする。本実施形態においては、第2の実施形態のシールドリング74の代わりに、幅が広く、かつ成膜温度に加熱されている載置台本体50に部分的に接触したシールドリング74′を設け、また、第2の実施形態のエッジリング58の代わりに、載置台本体50に部分的に接触したエッジリング58′を設け、これらシールドリング74′およびエッジリング58′により周辺リング部材を構成している。シールドリング74′は、その内周面と載置台本体50の外周面との間に僅かな隙間が形成されるように設けられている。また、シールドリング74′の下面の載置台本体50側の部分には接触突起74aが下方に突出して設けられており、この接触突起74aの下面が載置台本体50の段部54の上面に接する接触部74bとなっている。これにより、シールドリング74′は、載置台本体50の熱が伝熱して加熱される。このシールドリング74′は、アルミニウムまたはアルミニウム合金等の金属からなり、上記構成によりウエハWの温度とほぼ同じか、または僅かに低い例えば10°C以内温度になるように温度調整されている。シールドリング74′の温度調整は、接触突起74aの接触部74bの接触面積を調整することにより行うことができる。エッジリング58′は、その内側上部に段部68′が形成されている。そして段部68′の内周面とシールドリング74′の外周面との間は僅かな隙間が形成されている。段部68′の下面は載置台本体50の段部54の上面に接しており、接触部68aとなっている。このエッジリング58′は、アルミニウムまたはアルミニウム合金等の金属からなり、上記構成によりウエハWの温度とほぼ同じか、または僅かに低い例えば10°C以内温度になるように温度調整されている。エッジリング58′の温度調整は、段部68′の接触部68aの接触面積を調整することにより行うことができる。エッジリング58′、熱伝導緩和部材60、およびベース部材56は複数個のボルト図示せずにより結合されている。熱伝導緩和部材60を設ける代わりに、エッジリング58′とベース部材56との間に隙間を形成してもよく、熱伝導緩和部材60を設け、かつ隙間を設けてもよい。なお、シールドリング74′およびエッジリング58′を接触部74bおよび接触部68aにより載置台本体50に直接接触させることに代えて、熱伝導性の良好な金属材料、例えば、アルミニウム、銅等で形成された熱抵抗が小さいスペーサ部材を介して部分的に接触させてもよく、いずれにしても最も高温状態になる載置台本体50に対して部分的に接するような状態として、シールドリング74′およびエッジリング58′の温度が載置台本体50の温度よりも低い所定の温度になればよい。このように、シールドリング74′およびエッジリング58′は、載置台本体50の温度よりも低い温度にされるが、原料ガスとしてRu3CO12を用いてRu膜を形成する場合には、載置台本体が215°C程度、半導体ウエハWが190°C程度、シールドリング74′およびエッジリング58′は180~190°C程度に加熱される。また、本実施形態では、エッジリング58′の外周側処理容器22と反対側を覆うようにアルミニウム等の高熱伝導性材料からなるカバー部材164を設けている。カバー部材164は、下端部が熱伝導緩和部材60とベース部56との間に押圧されるように設けられ、上端部がエッジリング58′に断熱材166を介して取り付けられている。カバー部材164はベース部56の温度に近い、原料ガスの分解温度未満でかつ固化温度または液化温度以上の温度、例えば80°C程度に維持される。また、本実施形態では、第2の実施形態におけるパージガス供給機構126の代わりに、より高温のパージガスを供給可能なパージガス供給機構126′を設けている。このパージガス供給機構126′は支柱30の流路図示せず、載置台本体50と断熱材64との間の流路172、この流路172に接続され載置台本体50の段部54を垂直に延びる流路174、シールドリング74′と段部54との間の流路176、シールドリング74′とエッジリング58′との間の流路178、およびエッジリング58′とカバーリング76の内周側リング76Aとの間の流路180からなるガス流路182を有しており、流路180が内周側リング76Aと外周側リング76Bとの間の隙間122に繋がっている。このため、ガス流路182を流れるパージガスは、載置台本体50、シールドリング74′、エッジリング58′により加熱され、半導体ウエハWの温度と同等か僅かに低い温度、例えば170°C程度の温度で隙間92Bへ供給される。カバーリング76を内周側リング76Aと外周側リング76Bに分割することにより、その間にガス流路となる隙間を形成する他、これらの材質を異なるものとする等により、温度勾配を形成することができる。カバーリング76は3分割以上してもよい。内周側リング76Aと外周側リング76Bは、アルミナや窒化アルミニウム等のセラミックスやアルミニウムやアルミニウム合金等の金属で形成することができる。内周側リング76Aと外周側リング76Bは同じ材料でも異なる材料でもよく、異なる材料でもよい。例えば、内周側リング76Aをセラミックスで形成し、外周側リング76Bをアルミニウムで形成することができる。カバーリング76は、周辺リングであるシールドリング74′およびエッジリング58′の上に形成されているため、シールドリング74′およびエッジリング58′よりも若干低く、半導体ウエハWよりも20~30°C低い温度、例えば170°C程度となっている。すなわち、載置台28の周縁部の表面温度は、被処理体である半導体ウエハWの温度と同等またはそれよりも低い、ウエハ温度の近傍温度に維持される。なお、Ru3CO12の分解温度は130°C以上であり、カバーリング76は原料ガスの分解温度以上に加熱される。本実施形態においては、図13に示すように、第2の実施形態と同様、排気経路の面積を適度に絞り込んだオリフィス部118を設けるようにしたので、図10と同様に原料ガスが流れ、原料ガスは処理空間S内に適度な時間滞留し、しかも処理空間Sの中央部では原料ガスが過剰にならず、この処理空間S内の雰囲気はガス出口92のオリフィス部118を介して排出されて行くことになるので、処理空間Sにおいて周辺部と比較して中央部の原料ガス濃度が高くなることはなく、その状態を保ったまま、処理空間S内への原料ガスを適度に滞留させることができる。その結果膜厚の面内均一性を高く維持しつつ高い成膜速度でRu膜を堆積することができる。これに加えて、載置台28の周縁部の周辺リングを構成するシールドリング74′とエッジリング58′が半導体ウエハWの温度190°Cと同じか僅かに低い温度180~190°Cに設定され、しかもパージガス温度も半導体ウエハWの温度に近い温度で流れるため、載置台28上の半導体ウエハWの周縁部の温度は比較的高温に維持される。このため、第2の実施形態よりも膜厚の面内均一性を高めることが可能となる。また、従来は、原料ガスが載置台周縁部を通って排出され、しかも載置台の周縁部が半導体ウエハを載置している中央部と同等の温度例えば215°Cに加熱されていたため、載置台周縁部で原料ガスが分解して多量の膜が堆積していたが、本実施形態では、カバーリング76およびエッジリング58′の端部は原料ガスの分解温度よりも低い温度、例えば80°C程度に維持されたオリフィス形成部材116で覆われており、かつシールドリング74′およびエッジリング58′の載置台本体50に対して一部のみで接触させて、載置台28の周縁部のシールドリング74′およびエッジリング58′の温度を載置台本体50よりも低く、半導体ウエハWと同等はそれよりも僅かに低い温度180~190°Cとし、その上のカバーリング76の温度をさらに低くすることができるので例えば170°C、載置台28の周縁部への膜の堆積を抑制することができる。また、これに加えて、内周側リング76Aと外周側リング76Bとの間の隙間122から、オリフィス形成部材116と、載置台28の周縁部であるシールドリング74、カバーリング76およびエッジリング58の表面との間の隙間92Bにパージガスを流すようにしたので、これら表面への不要な膜の堆積を一層抑制することができる。このとき、パージガスの温度が170°C程度と高いので、流量をある程度大きくしても面内の膜厚変動を小さく維持することができ、パージガスの流量を大きくして不要な膜の堆積を有効に防止することができる。さらに、これらに加えて、エッジリング58′の外周側が、原料ガスの分解温度よりも低い温度、例えば80°C程度に保持されたカバー部材164で覆われているので、その部分に堆積する膜の堆積も抑制される。このように、本実施形態の成膜装置では、膜厚の面内均一性をより向上させることができることに加えて、載置台28の周縁部への不要な膜の堆積を抑制することができる。また、このように載置台28の周縁部への不要な膜の付着を抑制することができる結果、半導体ウエハW上での反応に寄与しなかった原料ガスを高い割合で未反応のまま排出させることができる。このため、高価な原料ガスRu3CO12を高い回収率で回収することが可能となる。なお、Ru膜を成膜する場合には、半導体ウエハWの温度は150~250°Cが好ましく、オリフィス形成部材116およびカバー部材164は原料が分解せずにかつ固化ないし液化しない温度である50~120°Cであることが好ましく、カバーリング76の温度は半導体ウエハWの温度よりも20~30°C低いことが好ましい。<第3の実施形態の評価実験>ウエハ温度と成膜レートとの関係この第3の実施形態において、実際にRu3CO12を原料として用いた時のウエハ温度と成膜レートとの関係を調査した結果について説明する。図14はRu3CO12を原料として用いた時のウエハ温度と成膜レートとの関係を示すグラフである。ここでは、キャリアガスとしてはCOガスを用い、ガス流量はCOガスの流量を100sccmに設定した。図14に示すように、ウエハ温度が140°Cよりも低い場合には膜は堆積せず、140°C程度の時に成膜が開始される。そして、温度の上昇と共に、成膜レートは急激に上昇して行くことになる。そして、1nm/min以上の成膜レートが必要な場合にはウエハ温度は175°C以上に設定し、また2nm/min以上の成膜レートが必要な場合にはウエハ温度は190°C以上に設定することが必要であることがわかる。載置台本体の周辺部品であるシールドリングの温度と膜厚の面内均一性との関係次に、載置台本体の周辺部品であるシールドリング74′の温度と膜厚の面内均一性との関係とを調査した結果について説明する。図15は載置台本体の周辺部品であるシールドリング74′の温度と膜厚の面内均一性との関係を示すグラフである。ここではキャリアガスとしてはCOガスを用い、ガス流量は100sccmとした。またウエハ温度は190°Cに設定している。図15に示すように、シールドリング74部材の温度が低い場合には、ウエハ表面に堆積した薄膜の膜厚の面内均一性は悪い傾向にあるが、シールドリング部材の温度を上昇させるに従って、膜厚の面内均一性は改善することがわかる。そして、シールドリング部材の温度が180°C程度の時に膜厚の面内均一性は6程度まで改善し、その後はシールドリング部材の温度を上げても、膜厚の面内均一性はほぼ飽和して6程度を維持している。従って、載置台本体50に最も近い周辺部品であるシールドリング部材74′の温度は180°C以上に設定するのが好ましいことがわかる。パージガス流量と膜厚の面内均一性との関係次に、本実施形態の成膜装置を用いて実際にパージガスの流量を変化させて成膜した際のRu膜の膜厚および膜厚の面内均一性1σ[]を確認した結果について図16を参照して説明する。図16に示すようにパージガス流量を100sccmまで増加させても、Ru膜の膜厚および均一性には影響がなく、パージガス流量を大きくして不要な膜の堆積を抑制する効果を大きくできることがわかる。周辺部品の温度を制御した場合における原料の回収率と膜厚の面内均一性との関係次に、載置台本体の周辺部品であるカバーリング76の温度を変化させた時の原料の回収率と膜厚の面内均一性との関係を調査した結果について説明する。図17は載置台本体の周辺部品であるカバーリング76の温度を変化させた時の原料の回収率と膜厚の面内均一性との関係を示すグラフである。各試験においてウエハ温度は190°Cに設定した。また本実施形態の成膜方法である試験1ではカバーリング76の温度を170°Cに設定し、試験2ではカバーリング76の温度をウエハWと同じ温度である190°Cに設定し、試験3ではカバーリング76の温度を80°Cに設定した。また、各試験1~3において、オリフィス形成部材116、内部区画壁90およびカバー部材164の温度を80°Cに設定した。図17のグラフにおいて左側縦軸は原料の回収率を示し、右側縦軸は膜厚の面内均一性を示す。まず本実施形態の成膜装置である試験1の場合には、原料回収率は60程度にまで達し、また膜厚の面内均一性は6程度であって、ともに良好な結果を示している。これに対して、カバーリング76の温度をウエハ温度と同じ温度である190°Cにした試験2では、膜厚の面内均一性は試験1と同程度であるが、原料回収率は、低い値となった。またカバーリング76の温度を80°Cに設定した試験3では、原料の回収率は試験1とほぼ同じであるが、膜厚の面内均一性は低下することが確認された。各種条件における原料回収率次に、各種条件の成膜装置において原料回収率を調査した。図18は、特許文献3の成膜装置と第3の実施形態の成膜装置およびその中間段階の2つの成膜装置について、原料ガスの付着状況を確認した結果を示すグラフである。ここでは、載置台28の周辺リング部材シールドリング74′、エッジリング58′の温度を180~190°C程度、カバーリング76の温度を170°C程度に高くすることを前提としており、Aはオリフィス形成部材116なし、パージガスなし、カバー部材164なしの特許文献3の成膜装置、Bはオリフィス形成部材116ありで、パージガスおよびカバー部材164なしの成膜装置、Cはオリフィス形成部材116およびパージガスありで、カバー部材164なしの成膜装置、Dは第3の実施形態の成膜装置である。図18に示すように、特許文献3の成膜装置では、半導体ウエハWへの成膜に寄与しなかった原料ガスの多くがカバーリング76への膜の堆積に費やされ、未反応の原料ガスとしてはほとんど回収できないのに対し、オリフィス形成部材116を設けたBはカバーリング76での膜堆積に費やされる原料ガスの量が大幅に低下して未反応の原料ガスが30.7まで増加し、さらにパージガスを導入したCはシールドリング74′での膜堆積に費やされる原料ガスの量が低下して未反応の原料ガスが32.0まで増加し、さらにカバー部材164を設けた第3の実施形態の成膜装置では、エッジリング58′裏面への膜堆積が大幅に低下して未反応の原料ガスが65.8まで増加することが確認された。このように、本発明の第3の実施形態によれば、成膜速度を高くかつ膜厚の面内均一性をより高くするができるとともに、載置台28の周縁部への不要な膜の堆積を少なくすることができ、未反応の原料ガスを有効に回収することができる。なお、第1の実施形態および第2の実施形態では、載置台28の周縁部の温度を80°C程度と成膜反応が生じない程度の温度に維持されているため、不要な膜の堆積は少なく、未反応の原料ガスの回収率を高くすることができる。<第4の実施形態に係る成膜装置>次に、本発明の第4実施形態に係る成膜装置について説明する。図19は本発明の第4の実施形態に係る成膜装置の一部を示す部分拡大断面図である。本実施形態は、第1の実施形態と第3の実施形態を合わせたものであり、それぞれの実施形態と同じものには同じ符号を付して説明を簡略化する。本実施形態では、第1の実施形態と同様内部区画壁90の下端部に、これと同じ材料でオリフィス形成部材96を一体的に形成しており、その下方にカバーリング部材76の上面との間でオリフィス部98を形成するとともに、ガス出口92を形成している。また第3の実施形態ではカバーリング76を内周側リング76Aと外周側リング76Bとに2分割しているが、この実施形態では第1の実施形態と同様、カバーリング76は一体に形成されている。また、パージガスを供給するパージガス供給機構は設けていない。シールドリング74′およびエッジリング58′は第3の実施形態と同様に構成され、温度の設定は第3の実施形態と同様となっている。この第4の実施形態の場合にも、第1の実施形態と同様、載置台28の周縁部であってウエハWの外周端の外側の領域に向かって流下する原料ガスの一部は、この流下の途中で、処理空間S内の中央部に向かって拡散して行き、滞留することになる。これと同時に、流下した原料ガスの大部分は内部区画壁90の下端部に、処理空間Sの中央部に向けて延在させて設けたオリフィス形成部材96に当たり、一旦、処理空間Sの中央部側へ曲げられる。そして、その原料ガスの一部は処理空間S内に滞留すると同時に、多くの原料ガスは流路面積が絞り込まれたオリフィス部98内を流れ、さらにガス出口92を通って載置台28の下方の空間へと流れていくことになる。そして、第3の実施形態と同様、カバーリング76はウエハ温度より僅かな温度だけ低くされているため、これに膜が堆積するのが抑制され、また、80°C程度と原料ガスの分解温度以下になされたカバー部材164によりエッジリング58′の外側部分への膜の堆積が防止され、未分解のまま排出される原料ガスの割合を増加させて成膜原料の回収率を高めることができる。なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく本発明の範囲内で種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、原料の有機金属化合物として、Ru3CO12を用いてRu膜を成膜する場合について説明したが、これに限定されることなく、WCO6、NiCO4、MoCO6、Co2CO8、Rh4CO12、Re2CO10、CrCO6、Os3CO12、TaCO5、TEMATテトラキスエチルメチルアミノチタニウム、TAIMATA、CuEDMDD2、TaCl5、TMAトリメチルアルミニウム、TBTDETターシャリブチルイミド-トリ-ジエチルアミドタンタル、PETペンタエトキシタンタル、TMSテトラメチルシラン、TEHテトラキスエトキシハフニウム、Cp2Mn[=MnC5H52]、MeCp2Mn[=MnCH3C5H42]、EtCp2Mn[=MnC2H5C5H42]、i-PrCp2Mn[=MnC3H7C5H42]、MeCpMnCO3[=CH3C5H4MnCO3]、t-BuCp2Mn[=MnC4H9C5H42]、CH3MnCO5、MnDPM3[=MnC11H19O23]、MnDMPDEtCp[=MnC7H11C2H5C5H4]、Mnacac2[=MnC5H7O22]、MnDPM2[=MnC11H19O22]、Mnacac3[=MnC5H7O23]のうちの1の材料を用いることもできる。また、ここでは被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、この半導体ウエハにはシリコン基板の他、GaAs、SiC、GaNなどの化合物半導体基板も含まれ、さらに半導体ウエハに限定されず、液晶表示装置に用いるガラス基板やセラミック基板等にも本発明を適用することができる。