上部電極の電極面と下部電極の電極面が対向し、チャンバー壁により覆われた処理室と、前記処理室と前記上部電極と絶縁物により隔てられ、前記チャンバー壁と同一のチャンバー壁により覆われたライン室と、を有し、前記処理室は、分散板とシャワー板の間に設けられた第1のガス拡散室に接続され、前記第1のガス拡散室は、前記分散板と前記上部電極の電極面の間に設けられた第2のガス拡散室に接続され、前記第2のガス拡散室は前記上部電極内の第1のガス管に接続され、前記上部電極内の前記第1のガス管は第2のガス管に接続され、前記第2のガス管は処理用ガス供給源に接続され、前記ライン室は、不活性ガス供給源に接続されたガス導入口と、同軸で設けられた前記上部電極と前記チャンバー壁を有し、前記分散板は、前記上部電極の電極面に接続された前記上部電極内の前記第1のガス管のガス導入口と対向し、ガス孔が設けられていない分散板中央部と、前記分散板中央部を囲い、複数のガス孔が設けられている分散板周辺部と、を有することを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1において、前記シャワー板には複数のガス孔が設けられており、前記シャワー板のガス孔の数は、前記分散板のガス孔の数よりも多いことを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1において、前記シャワー板には複数のガス孔が設けられており、前記シャワー板のガス孔の一主表面における総面積は、前記分散板のガス孔の一主表面における総面積よりも大きいことを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1乃至請求項3のいずれか一において、前記上部電極には温度計が接続され、前記上部電極における前記温度計の接続箇所は、前記上部電極の電極面の中心点を基準として前記上部電極内の前記第1のガス管のガス導入口と点対称であることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1乃至請求項4のいずれか一において、前記上部電極には、前記上部電極内の前記第1のガス管のガス導入口近傍を迂回する冷却媒体の経路が設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1乃至請求項5のいずれか一に記載の特徴を有するプラズマCVD装置。ところで、プラズマ処理装置に求められる性能の一つとして、プラズマの均一性が挙げられる。プラズマの均一性を向上させるためには、上部電極と下部電極の間の電界強度の時間平均、及び導入したガスの分布を均一にするとよい。なお、時間平均とは、一周期における電界強度の平均値をいう。本発明の一態様は、電界強度を均一にし、且つ導入したガスの分布を均一にすることが可能なプラズマ処理装置を提供する。本発明の一態様であるプラズマ処理装置は、上部電極と上部電極を覆うチャンバー壁を同軸形状とし、前記上部電極内のガス管を経て導入されたガスは、分散板と、シャワー板を経て処理室に導入される構成を有し、前記分散板は、前記上部電極内の前記ガス管と対向し、ガス孔が設けられていない分散板中央部と、前記分散板中央部を囲い、複数のガス孔が設けられている分散板周辺部と、を有する。本発明の一態様は、上部電極の電極面と下部電極の電極面が対向し、チャンバー壁により覆われた処理室と、前記処理室とは前記上部電極と絶縁物により隔てられ、前記チャンバー壁と同一のチャンバー壁により覆われたライン室と、を有し、前記処理室は、分散板とシャワー板の間に設けられた第1のガス拡散室に接続され、前記第1のガス拡散室は、前記分散板と前記上部電極の電極面の間に設けられた第2のガス拡散室に接続され、前記第2のガス拡散室は前記上部電極内の第1のガス管に接続され、前記上部電極内の前記第1のガス管は第2のガス管に接続され、前記第2のガス管は処理用ガス供給源に接続されており、前記ライン室は、不活性ガス供給源に接続されたガス導入口と、同軸で設けられた前記上部電極と前記チャンバー壁を有し、前記分散板は、前記上部電極の電極面に接続された前記上部電極内の前記第1のガス管のガス導入口と対向し、ガス孔が設けられていない分散板中央部と、前記分散板中央部を囲い、複数のガス孔が設けられている分散板周辺部と、を有することを特徴とするプラズマ処理装置である。前記構成において、前記シャワー板には複数のガス孔が設けられており、前記シャワー板のガス孔の数は、前記分散板のガス孔の数よりも多いことが好ましい。または、前記構成において、前記シャワー板には複数のガス孔が設けられており、前記シャワー板のガス孔の一主表面における総面積は、前記分散板のガス孔の一主表面における総面積よりも大きいことが好ましい。前記第1のガス拡散室において、ガスを均一に分散させることができるからである。前記構成において、前記上部電極には温度計が接続され、前記上部電極における前記温度計の接続箇所は、前記上部電極の電極面の中心点を基準として前記上部電極内の前記第1のガス管のガス導入口と点対称であることが好ましい。前記上部電極からの電界の均一性を高くすることができるからである。前記構成において、前記上部電極には、前記上部電極内の前記第1のガス管のガス導入口近傍を迂回する冷却媒体の経路が設けられていることが好ましい。冷却媒体としては、例えば、水または油などを用いることができる。前記構成のプラズマ処理装置は、例えば、プラズマCVD装置である。上部電極からの電界の強度を均一にし、且つ導入したガスの分布を均一にすることが可能なプラズマ処理装置を提供することができる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。図1は、本発明の一態様であるプラズマ処理装置の概略図を示す。図1Bには、主要な構成についてのプラズマ処理装置100全体の断面図を示し、図1Aには、図1BのA-Bにおける断面図を示す。図1に示すプラズマ処理装置100は、処理室102とライン室104を有する。処理室102はチャンバー壁114により覆われており、処理室102では上部電極110の電極面と下部電極112の電極面が対向して設けられている。ライン室104はチャンバー壁114により覆われており、処理室102とは上部電極110と絶縁物上部電極110の電極面とチャンバー壁114の間の白抜きで示す部分により隔てられている。処理室102は、分散板116とシャワー板118の間に設けられた第1のガス拡散室106に接続され、第1のガス拡散室106は、分散板116と上部電極110の電極面の間に設けられた第2のガス拡散室108に接続され、第2のガス拡散室108は上部電極110内の第1のガス管120に接続され、上部電極110内の第1のガス管120は第2のガス管122に接続され、第2のガス管122は処理用ガス供給源124に接続されている。ライン室104は、不活性ガス供給源に接続されたガス導入口126と、同軸で設けられた上部電極110とチャンバー壁114を有する。ライン室104は、陽圧の不活性ガス雰囲気とすることが好ましい。なお、本明細書において、陽圧の雰囲気とは、好ましくは大気圧よりも高い気圧をいうが、これに限定されない。少なくとも処理室内よりも高い気圧であればよい。ここで、ライン室104内を陽圧の不活性ガス雰囲気とすることで、ライン室104内の部品が酸化されることなどを防ぎ、メンテナンス頻度を低下させ、平均故障間隔MTBF;MeanTimeBetweenFailureを大きくすることができる。そして、図1に示すプラズマ処理装置では、上部電極110とチャンバー壁114を同軸形状とするため、導入した不活性ガスの経路が阻害されない。そのため、上部電極110のライン部において、同一の高さにおける温度分布の均一性が高まり、上部電極110に供給する電力が高周波である場合の上部電極のライン部の表面における電力の伝播を安定なものとすることができる。従って、上部電極110とチャンバー壁114を同軸形状にすることで、インピーダンスを小さくすることができ、伝送効率を高めることができる。更には、上部電極110における電界の分布を均一性の高いものとすることができる。ここで、上部電極110のライン部の直径をd、チャンバー壁114の内側の直径をD、ライン室104の雰囲気の比誘電率をεとすると、インピーダンスZは式1で表される。上記式1によれば比誘電率εを大きくすることでインピーダンスZを小さくすることができる。ライン室104内に導入するガスは適宜選択可能なため、比誘電率εの大きいガスを選択してインピーダンスZを小さくすることができる。例えば、ライン室104の雰囲気を窒素雰囲気とすると、ライン室104の雰囲気中の温度が20°Cのときに比誘電率ε=5.47程度となる。または、ライン室104の雰囲気をアルゴン雰囲気とすると、ライン室104の雰囲気中の温度が20°Cのときに比誘電率ε=5.17程度となる。また、ライン室104内を陽圧の不活性ガス雰囲気とすることで、ライン室104内の部品の除熱も可能であるため、例えば上部電極110にヒーターが備えられている場合であっても、上部電極110が過熱されることを防ぐことができる。なお、上部電極110には、図1Bに示すように温度計128を接続させることが好ましい。また、ライン室104内を陽圧の不活性ガス雰囲気とすることで、チャンバー壁114にリークが生じた場合であっても、処理室102への大気成分の侵入を抑制することも可能である。図2は、分散板116の一主表面の概略を示す。図2に示す分散板116は、分散板中央部130と分散板周辺部132を有する。分散板中央部130は、上部電極110の電極面に接続された上部電極110内の第1のガス管120のガス導入口と対向して配される部分であり、ガス孔が設けられていない。分散板周辺部132には、複数のガス孔が設けられている。なお、シャワー板118には複数のガス孔が設けられており、シャワー板118のガス孔の数は、分散板116のガス孔の数よりも多いことが好ましい。または、シャワー板118には複数のガス孔が設けられており、シャワー板118のガス孔の総面積は、分散板116のガス孔の総面積よりも大きいことが好ましい。ガスを均一に分散させることができるからである。上記のように、分散板116の分散板中央部130にガス孔が設けられていないため、第1のガス管120のガス導入口から導入されたガスが十分に拡散されずに第1のガス拡散室106に導入されることを防ぎ、処理室102に導入されるガスの均一性を高くすることができる。図3は、上部電極110の電極面の一例を示す。なお、図3は、上部電極110の電極面を下部電極112の反対側から見た図である。図3に示す上部電極110には、第1のガス管120のガス導入口144と、温度計の接続箇所146と、冷却媒体経路140が設けられており、冷却媒体経路140は、第1のガス管120のガス導入口144の近傍に迂回部142を有する。温度計の接続箇所146は、上部電極110の電極面の中心点を基準として上部電極110内の第1のガス管120のガス導入口144と点対称の位置であることが好ましい。上部電極110からの電界の均一性を低下させずに温度計を接続させることができるからである。迂回部142は、第1のガス管120のガス導入口144近傍に設けられていることが好ましい。冷却媒体としては、例えば、水または油などを用いることができる。なお、冷却媒体経路140は、図3に図示した形態に限定されない。従って、迂回部142が設けられていなくてもよい。第1のガス管120の主要部の断面の直径d1及び第2のガス管122の主要部の断面の直径d2は、上部電極110に電力が供給された際に、第1のガス管120中または第2のガス管122中で放電が生じない程度の大きさとすればよい。また、d1とd2は、概ね等しい大きさとするとよい。第1のガス管120のガス導入口の直径d3は、上部電極110の電極面と、第1のガス管120がなす角をθとすると、d3=d1/sinθと表される。ただし、第1のガス管120の直径は、ガス導入口において拡大されていてもよい。なお、第1のガス管120のガス導入口の直径d3も放電が生じない程度の大きさとする。分散板中央部130の直径d4は、第1のガス管120のガス導入口の直径d3よりも大きいことが好ましい。第1のガス管120のガス導入口から導入されたガスが、拡散されることなく第1のガス拡散室106に導入されることを防ぐためである。図4A~Cは、図1のプラズマ処理装置100における処理室102に処理ガスを導入し、上部電極110と下部電極112に電圧を印加したときのC-Dにおける電界強度の分布図4Aと、C-Dにおける処理ガスの分布図4BとE-Fにおける反応性物質の分布図4Cの概念図を示す。図4Aに示すように、電界強度は上部電極110及び下部電極112の中央部と重畳する位置にピークを有するが、図1に示すプラズマ処理装置100では電界強度の均一性が高いため、その勾配は緩やかである。そして、図4Bに示すように、処理ガスの分布は分散板中央部130と重畳する位置を避けて二つのピークを有する。図4Aに示す電界強度と、図4Bに示す処理ガスの分布から、反応性物質電離した材料物質は図4Cに示すように分布すると考えられる。図4Cに示すように反応性物質電離した材料物質が分布すると、例えばプラズマ処理装置100を用いてプラズマCVD法により基板上に成膜を行う場合には、基板面内における膜厚のばらつきを小さくし、膜質の均一性が高いものとすることができる。または、成膜を行う場合でなくても、基板に対して高い均一性でプラズマ処理を行うことができる。なお、本発明の一態様であるプラズマ処理装置は、プラズマ処理を2000Pa以上100000Pa以下、好ましくは4000Pa以上50000Pa以下の圧力下でプラズマ処理を行う場合に特に有効である。