ガラス基板上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極に対してプラズマ窒化を行うことにより保護膜を形成し、前記保護膜上に第1の絶縁膜を形成し、前記第1の絶縁膜に対してプラズマ窒化を行うことにより第2の絶縁膜を形成し、前記第2の絶縁膜上に半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1において、前記ガラス基板に対して、前記ガラス基板の温度を歪点より100°C以上低く、かつ、200°C以上とする条件でプラズマ窒化を行うことにより、窒化物層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。本明細書に開示する発明は、薄膜トランジスタの作製工程において、従来のCVD法による成膜方法により形成される絶縁膜よりも品質のすぐれた絶縁膜を得ることを目的とする。また、熱酸化法による高温での熱処理で形成される絶縁膜と同等又はそれ以上の品質の絶縁膜を、ガラス基板に影響を及ぼさない温度で得ることを目的とする。さらに、上記絶縁膜の場合と同様の方法で、薄膜トランジスタのゲート電極に保護膜パッシベーション膜を形成することを目的とする。この保護膜パッシベーション膜はバリヤ膜ともいう。上記絶縁膜は薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として、また上記保護膜は薄膜トランジスタのゲート電極に接して形成される保護膜として、満足できる品質でなければならないものとする。薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を形成する際、また薄膜トランジスタのゲート電極に保護膜を形成する際、プラズマ酸化及びプラズマ窒化が可能な装置を用いる。この装置は、マイクロ波を用いてチャンバー内でプラズマを励起させ、半導体膜、絶縁膜、ゲート電極などの被処理体上で、1.5eV以下好ましくは1.0eV以下の電子温度と、1×1011cm-3以上の電子密度を無磁場で同時に達成できるものであり、本明細書では以下この装置を高密度プラズマ処理装置と称する。したがって、低電子温度で高い密度のプラズマを生成することが可能になるので、形成されるゲート絶縁膜及び保護膜のプラズマ損傷を小さくすることができる。プラズマとは、負電荷をもつ電子と正電荷をもつイオンとがほぼ等量存在し、全体としては電気的に中性であるような電離気体である。プラズマの単位体積あたりに含まれる電子の密度又はイオンの密度をプラズマ密度といい、本明細書に開示する発明では、プラズマ密度は電子密度を指すものとする。また、プラズマ中には、電気的に中性のラジカルが生成し、そのラジカルがプラズマ処理される被処理体に作用する。したがって、本明細書に以下に記載するプラズマ酸化、プラズマ窒化のことを、それぞれラジカル酸化、ラジカル窒化と称することがある。本明細書に開示する発明の一つは、ガラス基板上に下地絶縁膜を形成する工程と、前記下地絶縁膜上に非晶質シリコンを含む半導体膜の所定のパターンを形成する工程と、前記所定のパターンに形成された非晶質シリコンを含む半導体膜に対し、前記ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より100°C以上低い温度とする条件でプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなうことによって絶縁膜ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、を有する薄膜トランジスタの作製方法である。上記プラズマ酸化又はプラズマ窒化は、プラズマ生成領域と離間して配置された上記ガラス基板の上方において、電子温度が0.5eV以上1.5eV以下、電子密度が1×1011cm-3以上1×1013cm-3以下であることが同時に無磁場で実現されるプラズマ処理室を備えた装置で行われる。上記プラズマ酸化をおこなった後に更に上記プラズマ窒化をおこなってもよく、上記プラズマ窒化をおこなった後に更に上記プラズマ酸化をおこなってもよい。また、上記ガラス基板に対して、上記プラズマ窒化をおこなってもよい。本明細書に開示する発明の他の一つは、ガラス基板上に下地絶縁膜を形成する工程と、前記下地絶縁膜上に非晶質シリコンを含む半導体膜の所定のパターンを形成する工程と、前記所定のパターンに形成された非晶質シリコンを含む半導体膜上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極に対し、前記ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より100°C以上低い温度とする条件でプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなうことによって保護膜を形成する工程と、を有する薄膜トランジスタの作製方法である。上記プラズマ窒化は、プラズマ生成領域と離間して配置された上記ガラス基板の上方において、電子温度が0.5eV以上1.5eV以下、電子密度が1×1011cm-3以上1×1013cm-3以下であることが同時に無磁場で実現されるプラズマ処理室を備えた装置で行われる。上記ガラス基板に対して、上記プラズマ窒化をおこなってもよい。本明細書に開示する発明の他の一つは、ガラス基板上に下地絶縁膜を形成する工程と、前記下地絶縁膜上に非晶質シリコンを含む半導体膜の所定のパターンを形成する工程と、前記所定のパターンに形成された非晶質シリコンを含む半導体膜に対し、前記ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より100°C以上低い温度とする条件でプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなうことによってゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極に対し前記ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より100°C以上低い温度とする条件にして前記プラズマ酸化又は前記プラズマ窒化をおこなうことによって保護膜を形成する工程と、を有する薄膜トランジスタの作製方法である。上記プラズマ酸化又はプラズマ窒化は、プラズマ生成領域と離間して配置された上記ガラス基板の上方において、電子温度が0.5eV以上1.5eV以下、電子密度が1×1011cm-3以上1×1013cm-3以下であることが同時に無磁場で実現されるプラズマ処理室を備えた装置で行われる。上記ゲート絶縁膜を形成するために、上記プラズマ酸化をおこなった後に更に上記プラズマ窒化をおこなってもよく、上記プラズマ窒化をおこなった後に更に上記プラズマ酸化をおこなってもよい。上記ガラス基板に対して、上記プラズマ窒化をおこなってもよい。本明細書に開示する発明の他の一つは、ガラス基板上に下地絶縁膜を形成する工程と、前記下地絶縁膜上に非晶質シリコンを含む半導体膜の所定のパターンを形成する工程と、前記所定のパターンに形成された非晶質シリコンを含む半導体膜上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に対し、前記ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より100°C以上低い温度とする条件でプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなうことによってゲート絶縁膜とする工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、を有する薄膜トランジスタの作製方法である。上記プラズマ酸化又はプラズマ窒化は、プラズマ生成領域と離間して配置された上記ガラス基板の上方において、電子温度が0.5eV以上1.5eV以下、電子密度が1×1011cm-3以上1×1013cm-3以下であることが同時に無磁場で実現されるプラズマ処理室を備えた装置で行われる。上記絶縁膜として、CVD法などで形成された窒素を含む酸化珪素膜、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸素を含む窒化珪素膜が挙げられる。上記ガラス基板に対して、上記プラズマ窒化をおこなってもよい。本明細書に開示する発明の他の一つは、ガラス基板上に下地絶縁膜を形成する工程と、前記下地絶縁膜上に非晶質シリコンを含む半導体膜の所定のパターンを形成する工程と、前記所定のパターンに形成された非晶質シリコンを含む半導体膜上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に対し、前記ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より100°C以上低い温度とする条件でプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなうことによってゲート絶縁膜とする工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極に対し前記ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より100°C以上低い温度とする条件にして前記プラズマ酸化又は前記プラズマ窒化をおこなうことによって保護膜を形成する工程と、を有する薄膜トランジスタの作製方法である。上記プラズマ酸化又はプラズマ窒化は、プラズマ生成領域と離間して配置された上記ガラス基板の上方において、電子温度が0.5eV以上1.5eV以下、電子密度が1×1011cm-3以上1×1013cm-3以下であることが同時に無磁場で実現されるプラズマ処理室を備えた装置で行われる。上記絶縁膜として、CVD法などで形成された窒素を含む酸化珪素膜、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸素を含む窒化珪素膜が挙げられる。ガラス基板に対して、上記プラズマ窒化をおこなってもよい。本明細書に開示する発明は、トップゲート型プレーナ型の薄膜トランジスタに限定されず、ボトムゲート型の薄膜トランジスタの作製工程にも適用できる。ボトムゲート型の薄膜トランジスタを作製する場合は、ガラス基板上に下地絶縁膜を形成せずに、ゲート電極を形成することができる。そのゲート電極上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜に対し、前記ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より100°C以上低い温度とする条件でプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなうことによってゲート絶縁膜とすることができる。そのゲート絶縁膜上に非晶質シリコンを含む半導体膜を形成し、その後公知の方法によりボトムゲート型の薄膜トランジスタを完成させる。上記プラズマ酸化又はプラズマ窒化は、プラズマ生成領域と離間して配置された上記ガラス基板の上方において、電子温度が0.5eV以上1.5eV以下、電子密度が1×1011cm-3以上1×1013cm-3以下であることが同時に無磁場で実現されるプラズマ処理室を備えた装置で行われる。上記絶縁膜として、CVD法などで形成された窒素を含む酸化珪素膜、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸素を含む窒化珪素膜が挙げられる。上記ゲート電極に対しプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなってもよい。上記いずれの方法においても規定した、0.5eV以上1.5eV以下の電子温度、1×1011cm-3以上1×1013cm-3以下の電子密度とは、プラズマ損傷を小さくでき且つプラズマ酸化、プラズマ窒化のいずれも充分におこなえる条件である。また、ガラス基板の温度をそのガラス基板の歪点よりも100°C以上低い温度にする理由は、そのガラス基板の耐熱性を考慮したためである。歪点が650°C以上のガラス基板を使用する場合、歪点よりも100°C以上低い温度を550°C以下の温度とするのが好ましい。アルカリガラス又は無アルカリガラスを用いたガラス基板は、歪点が500°Cを超えるので、そのガラス基板の歪点よりも100°C以上低い温度である400°C又はそれより低い温度でプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなうことができる。また、そのガラス基板の温度は200°C以上とする必要があり、250°C以上の温度とすることが、前述した高密度プラズマ処理装置でプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなうためには好ましい。ガラス基板のかわりに、耐熱性のプラスチック基板を用いることができる。熱可塑性ポリイミドTPIは、耐熱性プラスチックの一つである。プラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなう際の耐熱性プラスチック基板の温度は、使用する耐熱性のプラスチック基板のガラス転移点以下であって200°C以上に設定する必要がある。本明細書に開示する発明の場合、ガラス転移点が200°C以上、好ましくは250°C以上の耐熱性プラスチックがよい。また、ガラス基板よりも耐熱性が高い石英基板を用いてもよい。上記プラズマ酸化又は上記プラズマ窒化によって、非晶質シリコンを含む半導体膜、絶縁膜、保護膜、ガラス基板の表面には、酸化物酸化膜又は窒化物窒化膜が形成される。このような酸化物酸化膜又は窒化物窒化膜を有する薄膜トランジスタを用いて、アクティブマトリクス型の表示装置を作製する。また、上記プラズマ酸化又は上記プラズマ窒化がおこなわれた、非晶質シリコンを含む半導体膜、絶縁膜、又は保護膜を有する薄膜トランジスタを用いて、アクティブマトリクス型の表示装置を作製する。本明細書に開示する発明により、プラズマ損傷及びクラックの発生が抑制された、緻密で、膜厚が均一な薄いゲート絶縁膜を、ガラス基板又は耐熱性のプラスチック基板に影響のない温度で形成することができる。このようなゲート絶縁膜を用いて形成された薄膜トランジスタは、ゲート絶縁膜を介したリーク電流が従来よりも小さい。また、ゲート絶縁膜をCVD法などの成膜手段により成膜する工程を省略することができる。また本明細書に開示する発明により、CVD法など公知の成膜手段により形成された絶縁膜、例えば窒素を含む酸化珪素膜、窒化珪素膜にプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなうことによって、緻密なゲート絶縁膜を、ガラス基板又は耐熱性のプラスチック基板に影響のない温度で形成することができる。このようなゲート絶縁膜を用いた薄膜トランジスタは、ゲート絶縁膜を介したリーク電流が従来よりも小さい。さらに、CVD法、スパッタ法などの成膜手段により形成された膜絶縁膜に限らない表面のパーティクルゴミを容易に除去でき、当該膜中の炭素などの不純物をプラズマ酸化によって除去することができる。また本明細書に開示する発明により、プラズマ損傷が抑制された、緻密で、膜厚が均一な保護膜を形成できるので、ゲート電極及びそのゲート電極から延びた配線の耐熱性、耐蝕性、耐酸化性が向上する。また、保護膜をCVD法などの成膜手段により成膜する工程を省略することができる。以下に記載する実施の形態では、薄膜トランジスタを作製する際、プラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなう例を示す。各実施の形態は、適宜組み合わせて実施されることを妨げるものではない。実施の形態1図1Aに示すように、ガラス基板101上に下地絶縁膜102を形成する。ガラス基板にかえて、耐熱性のプラスチック基板を用いることができる。下地絶縁膜102は、1層又は多層でなる構成とすることができ、本実施の形態では、酸素を含む窒化珪素膜とその上に窒素を含む酸化珪素膜シリコンオキシナイトライド膜をCVD法などにより連続成膜する。下地絶縁膜102を形成する目的は、後に形成する半導体膜へガラス基板101から不純物が拡散するのを防止することである。したがって、この目的を達成するためには、酸化珪素膜では不十分であるため、酸化珪素膜よりも不純物拡散防止効果の高い窒化珪素膜、又は酸素を含む窒化珪素膜を形成する必要がある。また、酸化珪素膜は、窒化珪素膜よりもシリコンとの密着性にすぐれている。下地絶縁膜102上に、所定のパターンに形成された非晶質シリコンを含む半導体膜103を形成する。本実施の形態では、下地絶縁膜102の全面にCVD法などによって非晶質シリコンを含む半導体膜を形成し、その後フォトリソグラフィー工程によって所定のパターンに形成する。非晶質シリコンを含む半導体膜をCVD法などで形成する際、ゲルマニウムを含むように形成してもよい。また、所定のパターンに形成される前の非晶質シリコンを含む半導体膜に、P型を付与する不純物又はN型を付与する不純物をドーピングしてもよい。非晶質シリコンを含む半導体膜103の厚さは、後にプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなう際に減少することを考慮して決定されなければならない。ガラス基板101又は下地絶縁膜102の表面に対する半導体膜103の側面の角度θは、85°~100°の範囲である。なお、半導体膜103を所定のパターンに形成する際、角度θが30°~60°の範囲となるように、テーパー形状に形成してもよい。半導体膜103に対し、図2A及び図2Bに示す高密度プラズマ処理装置を用いてプラズマ処理をおこなう。図2A及び図2Bは、高密度プラズマ処理装置の一例を示しており、これらに図示される構造に限定されない。高密度プラズマ処理装置は、図2Aに示すように、少なくとも第1のプラズマ処理室201、第2のプラズマ処理室202、ロードロック室203、及び共通室204を備えている。第1のプラズマ処理室201ではプラズマ酸化をおこない、第2のプラズマ処理室202ではプラズマ窒化をおこなう。図2Aの各チャンバーはそれぞれ真空排気されるようになっており、プラズマ酸化及びプラズマ窒化を、大気にさらすことなく連続的におこなうことができる。高密度プラズマ処理装置は、図2Aに示す以外に、さらにCVD用のチャンバー、スパッタ用のチャンバー、熱アニール用のチャンバーの少なくとも1つを備えてもよく、そのことによって成膜とプラズマ処理、プラズマ処理と熱アニールを、大気にさらすことなく連続的におこなうことができる。第1のプラズマ処理室201及び第2のプラズマ処理室202の周囲に磁石、コイルなどの磁場を発生させる手段を設けないため、装置の簡略化が可能である。共通室204にはロボットアーム205が設置されている。ロードロック室203には、被処理基板200が複数収納されるカセット206が設置されている。カセット206に収納された被処理基板200の1枚を、共通室204を経由して、ロボットアーム205によって第1のプラズマ処理室201又は第2のプラズマ処理室202に搬送することができる。また、ロボットアーム205により、第1のプラズマ処理室201から共通室204を経由して第2のプラズマ処理室202に被処理基板200を搬送し、逆に第2のプラズマ処理室202から共通室204を経由して第1のプラズマ処理室201に被処理基板200を搬送することもできる。図2Bは、第1のプラズマ処理室201及び第2のプラズマ処理室202に共通する構成を示す。第1のプラズマ処理室201、第2のプラズマ処理室202には所定の圧力まで減圧可能な真空ポンプ図示せずが接続され、排気口210から排気されるようになっている。また、第1のプラズマ処理室201及び第2のプラズマ処理室202には基板保持台211が設けられ、プラズマ酸化又はプラズマ窒化がおこなわれる被処理基板200は基板保持台211上に保持される。この基板保持台211はステージとも呼ばれ、被処理基板200を加熱できるようにヒーターを備えている。酸素、窒素、水素、希ガス、アンモニアなどの気体は、矢印212で示すようにガス導入口からプラズマ処理室内に導入される。プラズマを励起させるためのマイクロ波213は、アンテナ214上に設けられた導波管215を介して導入される。プラズマは、上記気体導入後のプラズマ処理室内の圧力が5Pa以上500Pa以下で、誘電体板216直下の斜線で示す領域217で生成し、領域217と離間して配置された被処理基板200上に供給される。多数の穴が開けられたシャワープレート218を図2Bに示すように設けてもよい。このプラズマ処理室内で得られるプラズマは、電子温度が1.5eV以下で電子密度が1×1011cm-3以上、すなわち低電子温度及び高電子密度が実現され、プラズマ電位は0V以上5V以下である。電子温度、電子密度、及びプラズマ電位に関するプラズマパラメータは、公知の方法、例えばダブルプローブ法などのプローブ計測法を用いて測定できる。本実施の形態では、第1のプラズマ処理室201に酸素、水素及びアルゴンを流量比がO2:H2:Ar=1:1:100となるように導入し、周波数が2.45GHzのマイクロ波を用いてプラズマを生成させる。必ずしも水素を導入しなくてもプラズマ酸化は可能であるが、酸素の流量に対する水素の流量の比H2/O2を0以上1.5以下の範囲とするのが好ましい。酸素の流量は例えば0.1sccm以上100sccm以下、アルゴンの流量は例えば100sccm以上5000sccm以下の範囲内で設定し、水素を導入する場合の水素の流量は例えば0.1以上100sccm以下の範囲内で設定する。アルゴンのかわりに、他の希ガスを導入してもよい。第1のプラズマ処理室201内の圧力は、5Pa以上500Pa以下の範囲において適当な値に設定する。ガラス基板101を第1のプラズマ処理室201の基板保持台211上に設置し、基板保持台211に備えられたヒーターの温度を400°Cに保持する。そして、ガラス基板101上の半導体膜103に対しプラズマ酸化をおこなう。本実施の形態では、図1Bから明らかなように、半導体膜103に覆われていない部分の下地絶縁膜102もプラズマ酸化される。但し、下地絶縁膜102が酸化物からなる場合、プラズマ酸化をおこなっても下地絶縁膜102の表面に酸化膜は形成されない。上述のプラズマ酸化によって、図1Bに示す、ゲート絶縁膜となる酸化膜104が20nm以下の厚さに形成される。酸化膜104中には第1のプラズマ処理室201に導入されたアルゴンが所定の濃度、例えば1×1015atoms/cm3以上1×1016atoms/cm3以下含まれている。酸化膜104の厚さを薄くしすぎると、トンネル電流リーク電流が生じるおそれがあるため、その厚さを例えば10nmとする。酸化膜104が形成される際、半導体膜103のコーナー部が丸くなるため、そのコーナー部に形成される酸化膜104の膜厚は他の部分より薄くならない。また、そのコーナー部において、酸化膜104にクラックが生じることもない。ガラス基板101にかえて耐熱性のプラスチック基板を用いる場合は、基板保持台211に備えられたヒーターの温度を例えば250°Cに保持する。半導体膜103上でのプラズマは、電子温度が1.5eV以下、電子密度が1×1011cm-3以上であるため、また半導体膜103とプラズマが生成する領域217とは離間しているため、プラズマ酸化により得られる酸化膜104のプラズマ損傷は抑制される。プラズマを発生させるために2.45GHzのマイクロ波を用いることで、13.56MHzの周波数を用いる場合よりも、低電子温度及び高電子密度を容易に実現できる。また、低電子温度及び高電子密度が得られるならば、2.45GHzのマイクロ波を用いる以外の方法でもよい。酸化膜104をゲート絶縁膜としてもよいが、更に第2のプラズマ処理室202において酸化膜104に対しプラズマ窒化をおこない、シリコンオキシナイトライド膜にして、これをゲート絶縁膜とすることができる。プラズマ窒化の際、第2のプラズマ処理室202に導入するガスは、窒素及びアルゴンを用い、ガラス基板の温度は前述のプラズマ酸化のときと同じとする。窒素及びアルゴンに水素をさらに加えてもよく、アルゴンを他の希ガスにかえてもよい。窒素のかわりに、アンモニア、N2Oのような、高温での熱処理により窒化する際に用いるガスを使用することができる。酸化膜104には、第2のプラズマ処理室202に導入された希ガスが所定の濃度含まれている。半導体膜103に対し、最初に第2のプラズマ処理室202でプラズマ窒化をおこなって窒化膜を形成してもよい。さらに、その窒化膜に対し、第1のプラズマ処理室201でプラズマ酸化をおこなってもよい。半導体膜103に対し酸素雰囲気で熱酸化をおこなった場合、半導体膜103の端部において、下地絶縁膜102と接する部分が意図せずに酸化されてしまう。その結果、半導体膜103の端部における膜厚が他の部分よりも薄くなるという問題が生じる。この膜厚が薄くなる問題は、半導体膜103がテーパー形状である場合に特に問題になる。しかし、プラズマ酸化をおこなうと、上述のような意図しない部分での酸化が抑制される。プラズマ窒化においても同様である。酸化膜104を形成した後に、CVD法などにより窒化珪素膜又は酸素を含む窒化珪素膜を形成し、酸化膜104と共にゲート絶縁膜を構成するようにしてもよい。そのことによって、後に形成されるゲート電極105及びゲート電極105から延びる配線が、酸化膜104と接することによって酸化されることを抑制できる。さらに、上記窒化珪素膜又は酸素を含む窒化珪素膜に対し、緻密化などを目的として、低電子温度及び高電子密度でのプラズマ窒化をおこなってもよい。その後、図1Cに示すように、ゲート電極105及びゲート電極105から延びる配線を形成する。ゲート電極105及びゲート電極105から延びる配線は、テーパー形状に形成してもよく、2層以上からなる積層構造としてもよい。それから、半導体膜103にソース領域及びドレイン領域を含む不純物領域106を形成するために、P型を付与する不純物又はN型を付与する不純物をドーピングし、その不純物の活性化をおこなう。不純物領域106には、ソース領域及びドレイン領域に加えて、LDD領域が含まれることを妨げない。また、LDD領域は、ゲート電極105とオーバーラップするように形成されてもよい。ゲート電極105及びゲート電極105から延びる配線を覆うように保護膜107及び層間絶縁膜108を形成し、ソース領域及びドレイン領域を露呈するコンタクトホールをゲート絶縁膜、保護膜107及び層間絶縁膜108に形成し、このコンタクトホールを埋めるように且つ層間絶縁膜108上に配線109を形成する図1D参照。保護膜107を形成する際は、窒化珪素膜、又は酸素を含む窒化珪素膜をプラズマCVD法などにより形成する。形成された保護膜107に対し、低電子温度及び高電子密度でのプラズマ処理をおこなってもよい。CVD法にかえて、低電子温度及び高電子密度でのプラズマ窒化により保護膜107を形成してもよい。本実施の形態では、以上説明したように、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を形成するために、低電子温度且つ高電子密度によって非晶質シリコンを含む半導体膜103に対しプラズマ処理をおこなうことが特徴である。本実施の形態の場合、プラズマ処理をおこなった後、その半導体膜103の厚さが薄くなることに留意しなければならない。本実施の形態によるゲート絶縁膜は、プラズマ損傷及びクラックの発生が抑制されたものであると共に、熱酸化法のような高温での熱処理を必要とせずガラス基板に影響のない温度で形成可能である。実施の形態2本実施の形態では、図2A及び図2Bに示すような高密度プラズマ処理装置を用い、薄膜トランジスタのゲート電極に対しプラズマ処理をおこなって、保護膜を形成する。実施の形態1と同様に、ガラス基板301上に下地絶縁膜302を形成し、その上に所定のパターンに形成された非晶質シリコンを含む半導体膜303を形成する図3A参照。ただし、本実施の形態では、所定のパターンに形成するとき、角度θが30°~60°の範囲となるように、テーパー形状に形成する。こうすることで、後にCVD法などでゲート絶縁膜を形成する際に、角度θが85°~100°の範囲の場合よりも段差被覆性に優れる。また、本実施の形態においても、ガラス基板にかえて耐熱性のプラスチック基板を用いることができる。半導体膜303上にゲート絶縁膜304を形成する図3B参照。ゲート絶縁膜304は、窒素を含む酸化珪素膜シリコンオキシナイトライド膜、酸素を含む窒化珪素膜、窒化珪素膜又は酸化珪素膜をプラズマCVD法などにより形成する。さらにプラズマ窒化又はプラズマ酸化をおこなうことによって、プラズマCVD法などにより形成された膜の表面に窒化物層又は酸化物層を形成することができる。また、CVD法にかえて、実施の形態1に記載した方法によりプラズマ処理をおこなって、ゲート絶縁膜304を形成してもよい。ゲート絶縁膜304上に、図3Bに示すゲート電極305及びゲート電極305から延びた配線を形成する。ゲート電極305は、モリブデン、タングステン、タンタルなど融点が2000°C以上である高融点金属膜をスパッタ法により形成し、フォトリソグラフィー工程により配線形状に形成することで、ゲート電極305と共にゲート電極305から延びた配線が形成される。スパッタ法のかわりに、フォトリソグラフィー工程が不要な方法、例えば液滴吐出インクジェット法を用いてもよい。ゲート電極305及びゲート電極305から延びる配線は、テーパー形状に形成してもよく、2層以上からなる積層構造としてもよい。ゲート電極305及びゲート電極305から延びた配線に対し、図2Aに示す高密度プラズマ処理装置の第2のプラズマ処理室202でプラズマ窒化をおこなうことで、ゲート電極305及びゲート電極305から延びた配線の表面に金属窒化物窒化モリブデン、窒化タングステン、窒化タンタルなどが形成される。この金属窒化物が保護膜306となる図3C参照。保護膜306は、絶縁性でなく導電性を有する場合、ゲート電極305の一部とみなせる。このとき、図3Cより明らかなように、ゲート絶縁膜304のゲート電極305に覆われていない部分も同時にプラズマ処理される。保護膜306には、第2のプラズマ処理室202に導入された希ガスが所定の濃度含まれている。ゲート絶縁膜304のゲート電極305に覆われていない部分も同様に、前記希ガスが含まれている。前述したプラズマ窒化にかえて、実施の形態1で説明したプラズマ酸化をおこうことによって、保護膜306を形成してもよい。本実施の形態では、プラズマ窒化の際、周波数が2.45GHzのマイクロ波を用い、第2のプラズマ処理室202に導入されるガスは窒素及びアルゴンを用い、基板保持台211に備えられたヒーターの温度を400°Cに保持する。窒素の流量は例えば20scc以上2000sccm以下、アルゴンの流量は例えば100sccm以上10000sccm以下の範囲内で設定する。第2のプラズマ処理室202内の圧力は、5Pa以上500Pa以下の範囲において適当な値に設定する。窒素及びアルゴンに水素をさらに加えてもよく、窒素をアンモニアなどの窒素化合物からなる気体にかえても、アルゴンを他の希ガスにかえてもよい。ガラス基板301にかえて耐熱性のプラスチック基板を用いる場合は、基板保持台211に備えられたヒーターの温度を例えば250°Cに保持する。ゲート電極305及びゲート電極305から延びた配線上でのプラズマは、電子温度が1.5eV以下、電子密度が1×1011cm-3以上であるため、プラズマ窒化により得られる保護膜306のプラズマ損傷は抑制される。本実施の形態による保護膜306は、ゲート電極305及びゲート電極305から延びた配線の上面及び側面全体を覆うように形成される。ゲート電極の上面及び側面全体に保護膜を形成する方法として、陽極酸化による方法が考えられる。しかし、薄膜トランジスタは1つだけ形成されるのではなく、複数形成されるものであるから、陽極酸化の際に、すべてのゲート電極を同電位に接続できるようにし、陽極酸化終了後に各薄膜トランジスタのゲート電極に分断する工程が必要である。一方、プラズマ処理により保護膜を形成する場合は、このような分断工程は不要である。また、陽極酸化可能な材料は、アルミニウム、タンタルなどに限定されてしまう。それから、半導体膜303にソース領域及びドレイン領域を含む不純物領域307を形成するために、P型を付与する不純物又はN型を付与する不純物をドーピングし、その不純物の活性化をおこなう。このドーピング工程を、保護膜306を形成する前に、ゲート電極305及びゲート電極305から延びた配線を形成した後おこなってもよい。更に保護膜306を形成した後に2回目のドーピングをおこなってもよい。不純物領域307には、ソース領域及びドレイン領域に加えて、LDD領域が含まれることを妨げない。また、LDD領域は、ゲート電極305とオーバーラップするように形成されてもよい。本実施の形態ではプラズマ処理により保護膜306を形成したので、プラズマCVD法などによって、保護膜306を形成するために例えば窒化珪素又は酸素を含む窒化珪素を成膜する必要がない。したがって、保護膜306を形成した後、図3Dに示すように、ゲート電極305及びゲート電極305から延びる配線を覆うように層間絶縁膜308を形成し、ソース領域及びドレイン領域を露呈するコンタクトホールをゲート絶縁膜304及び層間絶縁膜308に形成し、このコンタクトホールを埋めるように且つ層間絶縁膜308上に配線309を形成する。配線309は、2層以上からなる積層構造とすることができる。例えば、第1のチタン膜、アルミニウム膜、第2のチタン膜の3層を、スパッタ法などにより連続成膜して形成する。さらに、第1のチタン膜に対し、本実施の形態に記載した低電子温度及び高電子密度でのプラズマ窒化をおこない、第1のチタン膜の表面に窒化チタン層を形成してもよい。第1のチタン膜の形成、プラズマ窒化、アルミニウム膜の形成、及び第2のチタン膜の形成を、大気にさらすことなく連続的におこなうのが好ましい。第1及び第2のチタン膜のかわりに、アルミニウムよりも高融点であるクロム、モリブデン、タングステンのような金属を主成分とする膜を、アルミニウム膜を挟むように形成することによって、第1及び第2のチタン膜を用いた場合と同様にアルミニウムの耐熱性が低いことに起因する問題を解決することができる。本実施の形態において、ゲート絶縁膜304を形成する前に、半導体膜303の端部に対し、図2A及び図2Bに示すような高密度プラズマ処理装置を用いてプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなってもよい。本実施の形態のように半導体膜303がテーパー形状である場合、不純物領域307のみならず、図3C及び図3Dには示されない、半導体膜303におけるゲート電極305と重なるチャネル形成領域の端部も実際はテーパー形状になっている。そのことに起因して、その半導体膜303を用いた薄膜トランジスタの特性が、半導体膜がテーパー形状でない場合とは異なる特性を示すことがある。このような薄膜トランジスタを寄生トランジスタといい、半導体膜303の端部テーパー部に対しプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこない、その部分に酸化珪素又は窒化珪素を形成することは、寄生トランジスタの形成を抑制することに寄与する。本実施の形態は、実施の形態1と組み合わせて実施することができる。実施の形態3本実施の形態では、図2A及び図2Bに示すような高密度プラズマ処理装置を用い、プラズマCVD法などで成膜した絶縁膜ゲート絶縁膜に対しプラズマ処理をおこなう。このことによって、プラズマCVD法などで成膜したこの絶縁膜の表面を改質し、ゲート絶縁膜の品質を高める。実施の形態2と同様に、ガラス基板401上に下地絶縁膜402を形成し、その上に所定のパターンに形成された非晶質シリコンを含む半導体膜403を形成する図4A参照。本実施の形態においても、ガラス基板にかえて耐熱性のプラスチック基板を用いることができる。半導体膜403上にプラズマCVD法などによって絶縁膜404を形成する。本実施の形態では、絶縁膜404として、窒素を含む酸化珪素膜シリコンオキシナイトライド膜を形成する。窒素を含む酸化珪素膜にかえて、酸素を含む窒化珪素膜、酸化珪素膜、又は窒化珪素膜をCVD法などにより形成してもよい。形成された絶縁膜404に対し、図2Aに示す高密度プラズマ処理装置の第2のプラズマ処理室202でプラズマ窒化をおこなう。絶縁膜404には、第2のプラズマ処理室202に導入された希ガスが所定の濃度含まれている。プラズマ窒化がおこなわれた絶縁膜404を、ゲート絶縁膜として使用する図4B参照。本実施の形態では、プラズマ窒化の際、周波数が2.45GHzのマイクロ波を用い、第2のプラズマ処理室202に導入されるガスは窒素及びアルゴンを用い、基板保持台211に備えられたヒーターの温度を400°Cに保持する。窒素及びアルゴンの流量は、実施の形態2に示した範囲内で設定する。窒素及びアルゴンに水素をさらに加えてもよく、窒素をアンモニアなどの窒素化合物からなる気体にかえても、アルゴンを他の希ガスにかえてもよい。ガラス基板401にかえて耐熱性のプラスチック基板を用いる場合は、基板保持台211に備えられたヒーターの温度を例えば250°Cに保持する。絶縁膜404上でのプラズマは、電子温度が1.5eV以下、電子密度が1×1011cm-3以上である。プラズマ窒化のかわりに、図2Aに示す高密度プラズマ処理装置の第1のプラズマ処理室201でプラズマ酸化をおこなってもよい。ところで、CVD法又はスパッタ法により形成された膜には、ゴミが付着していることがある。このゴミの形状は様々考えられるが、絶縁膜404の表面に無機物でなる粒状のゴミ501が付着している状態を図5Aに示す。本実施の形態にしたがって、ゴミ501が付着した絶縁膜404に対しプラズマ窒化又はプラズマ酸化をおこなった場合について検討する。なお、上述のゴミのことをパーティクルともいい、CVD法、スパッタ法などにより形成される膜は、パーティクルができるだけ少ないことが要求される。プラズマ酸化又はプラズマ窒化によって、絶縁膜404は、ゴミが存在しない部分のみならず、ゴミ501の下側の部分にも回り込むように酸化又は窒化される図5B参照。絶縁膜404の膜厚は、プラズマ酸化又はプラズマ窒化により増加し、ゴミ501の下側の部分においても同様に増加する。また、ゴミ501の少なくとも表面部分502が酸化又は窒化される。その結果、ゴミ501の体積は増加する。ただし、絶縁膜404及びゴミ501が窒化物からなりこれらをプラズマ窒化する場合、及び絶縁膜404及びゴミ501が酸化物からなりこれらをプラズマ酸化する場合は、ゴミ501の体積は増加せず、絶縁膜404の表面は窒化又は酸化されない。絶縁膜404の膜厚が増加し、ゴミ501の体積が増加するとき、図5Bに示すようにゴミ501は、ブラシ洗浄、メガソニック洗浄など簡単な洗浄法により、酸化又は窒化された絶縁膜404の表面から容易に除去される状態になる。このように、プラズマ酸化又はプラズマ窒化によって、例え数ナノメートルの大きさのゴミであってもそのゴミが除去されやすくなる。本実施の形態のみならず、他の実施の形態においても、ゴミパーティクルが付着しているゲート電極、半導体膜などにプラズマ処理をおこなう場合に、同様のことがいえる。以上の説明は、ゴミパーティクルが無機物でなる場合についてであるが、ゴミが有機物でなる場合はプラズマ酸化をおこなうことによってアッシングされ、別途洗浄をおこなわなくてもそのゴミは除去される。絶縁膜404に対してプラズマ処理をおこなった後、図4Cに示すように、ゲート電極405及びゲート電極405から延びる配線を形成する。ゲート電極405及びゲート電極405から延びる配線は、テーパー形状に形成してもよく、2層以上からなる積層構造としてもよい。それから、半導体膜403にソース領域及びドレイン領域を含む不純物領域406を形成するために、P型を付与する不純物又はN型を付与する不純物をドーピングし、その不純物の活性化をおこなう。不純物領域406には、ソース領域及びドレイン領域に加えて、LDD領域が含まれることを妨げない。また、LDD領域は、ゲート電極405とオーバーラップするように形成されてもよい。ゲート電極405及びゲート電極405から延びる配線を覆うように保護膜407及び層間絶縁膜408を形成し、ソース領域及びドレイン領域を露呈するコンタクトホールを絶縁膜404、保護膜407及び層間絶縁膜408に形成し、このコンタクトホールを埋めるように且つ層間絶縁膜408上に配線409を形成する図4D参照。保護膜407を形成する際は、窒化珪素膜、又は酸素を含む窒化珪素膜をプラズマCVD法などにより形成する。形成された保護膜407に対し、低電子温度及び高電子密度でプラズマ処理をおこなうことができる。保護膜407としてプラズマCVD法などにより酸化珪素膜を形成し、低電子温度及び高電子密度でプラズマ窒化をおこなってもよい。CVD法にかえて、実施の形態2と同様に、低電子温度及び高電子密度でのプラズマ窒化により保護膜407を形成してもよい。本実施の形態において、半導体膜403が図4Aに示すようにテーパー形状であるとき、絶縁膜404を形成する前に半導体膜403の端部テーパー部に対しプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなってもよい。本実施の形態は、実施の形態1、実施の形態2の一方又は両方と組み合わせて実施することができる。実施の形態4本実施の形態では、ボトムゲート型の薄膜トランジスタの作製工程において、図2A及び図2Bに示すような高密度プラズマ処理装置を用いてプラズマ窒化又はプラズマ酸化をおこなう例を示す。図6Aに示すように、ガラス基板601上にゲート電極602及びゲート電極602から延びる配線を形成する。また、ゲート電極602は、モリブデン、タングステン、タンタルなど融点が2000°C以上である高融点金属膜をスパッタ法により形成し、フォトリソグラフィー工程により配線形状に形成することで、ゲート電極602と共にゲート電極602から延びた配線が形成される。スパッタ法のかわりに、フォトリソグラフィー工程が不要な方法、例えば液滴吐出インクジェット法を用いてもよい。ガラス基板にかえて、耐熱性のプラスチック基板を用いることができる。本実施の形態では、ゲート電極602及びゲート電極602から延びる配線を、図6Aに示すようにテーパー形状に形成するが、必ずしもテーパー形状にする必要はない。また、ゲート電極602及びゲート電極602から延びた配線は、実施の形態2で述べたように形成すればよく、2層以上からなる積層構造としてもよい。ゲート電極602及びゲート電極602から延びた配線に対し、図2Aに示す高密度プラズマ処理装置の第1のプラズマ処理室201でプラズマ酸化をおこなうことによって、ゲート電極602及びゲート電極602から延びた配線の表面に金属酸化物酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化タンタルなどが形成される。この金属酸化物を図6Bに第1の保護膜603として示す。このとき、図6Bより明らかなように、ガラス基板601も同時にプラズマ処理される。酸化膜及びガラス基板601には、第1のプラズマ処理室201に導入された希ガスが所定の濃度含まれている。本実施の形態では、プラズマ酸化の際、周波数が2.45GHzのマイクロ波を用い、第1のプラズマ処理室201に酸素、水素及びアルゴンを例えば流量比がO2:H2:Ar=1:1:100となるように導入し、プラズマを生成させる。酸素、水素、アルゴンの流量は、実施の形態1で示した範囲内で設定する。実施の形態1と同様に、必ずしも水素を導入しなくてもプラズマ酸化は可能である。アルゴンのかわりに、他の希ガスを導入してもよい。第1のプラズマ処理室201内の圧力は、5Pa以上500Pa以下の範囲において適当な値に設定する。ガラス基板601を第1のプラズマ処理室201の基板保持台211上に設置し、基板保持台211に備えられたヒーターの温度を400°Cに保持する。そして、ガラス基板601上のゲート電極602及びゲート電極602から延びた配線に対しプラズマ酸化をおこなう。その結果、図6Bに示す第1の保護膜603が形成される。ガラス基板601にかえて耐熱性のプラスチック基板を用いる場合は、基板保持台211に備えられたヒーターの温度を例えば250°Cに保持する。ゲート電極602及びゲート電極602から延びた配線上でのプラズマは、電子温度が1.5eV以下、電子密度が1×1011cm-3以上であるため、プラズマ酸化により得られる酸化膜のプラズマ損傷は抑制される。本実施の形態による第1の保護膜603は、ゲート電極602及びゲート電極602から延びた配線の上面及び側面全体を覆うように形成される。ゲート電極の上面及び側面全体に保護膜を形成する方法として、陽極酸化による方法が知られている。しかし、薄膜トランジスタは1つだけ形成されるのではなく、複数形成されるものであるから、陽極酸化の際に、すべてのゲート電極を同電位に接続できるようにし、陽極酸化終了後に各薄膜トランジスタのゲート電極に分断する工程が必要である。一方、プラズマ処理により酸化膜を形成する場合は、このような分断工程は不要である。プラズマ酸化のかわりに、実施の形態2に記載した方法でプラズマ窒化をおこなって、第1の保護膜603を形成してもよい。その場合、金属窒化物窒化モリブデン、窒化タングステン、窒化タンタルなどが形成さる。プラズマ酸化の後にプラズマ窒化を連続的におこなってもよく、プラズマ窒化の後にプラズマ酸化を連続的におこなってもよい。第1の保護膜603が酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化タンタルなどの絶縁膜ならば、これをゲート絶縁膜の一部とすることができる。第1の保護膜603及びガラス基板601上に、プラズマCVD法などで絶縁膜604を形成する図6C参照。本実施の形態では、絶縁膜604として、窒素を含む酸化珪素膜シリコンオキシナイトライド膜を形成する。窒素を含む酸化珪素膜にかえて、窒化珪素膜、酸素を含む窒化珪素膜、又は酸化珪素膜をCVD法などにより形成してもよい。絶縁膜604に対し、図2Aに示す高密度プラズマ処理装置の第2のプラズマ処理室202でプラズマ窒化をおこなう。プラズマ窒化がおこなわれた絶縁膜604を、ゲート絶縁膜として使用する。本実施の形態では、プラズマ窒化の際、周波数が2.45GHzのマイクロ波を用い、第2のプラズマ処理室202に導入されるガスは窒素及びアルゴンを用い、基板保持台211に備えられたヒーターの温度を400°Cに保持する。窒素及びアルゴンの流量は、実施の形態2に示した範囲内で設定する。窒素及びアルゴンに水素をさらに加えてもよく、窒素をアンモニアにかえても、アルゴンを他の希ガスにかえてもよい。ガラス基板601にかえて耐熱性のプラスチック基板を用いる場合は、基板保持台211に備えられたヒーターの温度を250°Cに保持する。絶縁膜604上でのプラズマは、電子温度が1.5eV以下、電子密度が1×1011cm-3以上である。プラズマ窒化のかわりに、図2Aに示す高密度プラズマ処理装置の第1のプラズマ処理室201でプラズマ酸化をおこなってもよい。その後、例えば図6Dに示すように、非晶質シリコンを含む第1の半導体膜605、第2の保護膜606、N型を付与する不純物リンなどが添加された第2の半導体膜607、及び配線608を、公知の方法により所定の形状に形成する。必要に応じて、第2の半導体膜607に含まれるリンなどの不純物の活性化をおこなう。第2の保護膜606は通常チャネル保護膜と称する。本実施の形態によって作製されるボトムゲート型の薄膜トランジスタは、図6Dに示す構造に限定されない。チャネル保護膜を設けないチャネルエッチ型の薄膜トランジスタのような、他の構造のボトムゲート型の薄膜トランジスタでもよい。以上、ゲート電極602及びゲート電極602から延びた配線と、絶縁膜604の両方に対して低電子温度及び高電子密度でのプラズマ処理をおこなう例を示した。しかし、どちらか一方にのみ、低電子温度及び高電子密度でのプラズマ処理をおこなってもよい。また、第1の保護膜603がゲート絶縁膜として十分機能するものであるならば、絶縁膜604を設けずに、第1の保護膜603をゲート絶縁膜としてもよい。実施の形態5本実施の形態は、保護膜を形成した後に、その保護膜に対してプラズマ処理をおこなう例を示す。保護膜とは、実施の形態1及び図1Dに示す保護膜107、実施の形態3及び図4Dに示す保護膜407に相当する。保護膜を形成するまでの工程は、実施の形態1又は実施の形態3にしたがってもよいし、実施の形態3においておこなった絶縁膜404に対するプラズマ処理を省略して保護膜407まで形成してもよい。図7Aには、実施の形態3にしたがって、すなわち絶縁膜404に対するプラズマ処理をおこない、保護膜407まで形成された状態を示す。本実施の形態では、保護膜407をプラズマCVD法などにより形成された窒化珪素膜、酸素を含む窒化珪素膜、又は酸化珪素膜とする。図7Aに示す符号401乃至407は、実施の形態3と共通のものを示す。次に、図7Bに示すように、保護膜407を形成した後、図2Aに示す高密度プラズマ処理装置の第2のプラズマ処理室202でプラズマ処理をおこなう。プラズマ処理の際、周波数が2.45GHzのマイクロ波を用い、第2のプラズマ処理室202に導入されるガスは水素及び希ガスを用い、基板保持台211に備えられたヒーターの温度を350°C以上450°C以下に保持する。希ガスとして、本実施の形態ではアルゴンを用いる。水素の流量は例えば20sccm以上2000sccm以下、アルゴンの流量は例えば100sccm以上10000sccm以下の範囲内で設定する。保護膜407上でのプラズマは、電子温度が1.5eV以下、電子密度が1×1011cm-3以上である。図7Bに示すHは水素ラジカルを意味する。上述のように、導入ガスに水素を用いるので、プラズマ処理後の保護膜407には水素が含まれる。プラズマ処理の際にガラス基板401は加熱されているので、保護膜407中の水素は絶縁膜404を介して非晶質シリコンを含む半導体膜403中に拡散し、その半導体膜403を水素化することができる。水素は、図7Bに示すように、ゲート電極405下部のチャネル形成領域へも拡散する。プラズマ処理の後、水素を含む雰囲気中で、ガラス基板401を350°C以上400°C以下の温度で所定の時間加熱して、半導体膜403の水素化を更におこなってもよい。また、第2のプラズマ処理室202に導入されるガスとして、水素とアルゴンの他にアンモニアNH3を追加する、又は水素にかえてアンモニアを用いることもできる。その場合、保護膜407の表面から水素が注入され、半導体膜403の水素化をおこなえると共に、保護膜407に対するプラズマ窒化をおこなえる。保護膜407が酸素を含む窒化珪素膜であればその少なくとも表面はより窒化され、酸化珪素膜であればその少なくとも表面は窒化されてシリコンオキシナイトライドが形成され、窒化珪素膜であればその緻密化が可能になる。また、絶縁膜404に対する低電子温度及び高プラズマ密度でのプラズマ処理の際、第1のプラズマ処理室201又は第2のプラズマ処理室202に導入するガスに水素が含まれている場合、水素が絶縁膜404に注入される。そして、基板保持台211に備えられたヒーターの温度を350°C以上450°C以下としてガラス基板401を加熱することによって、注入された水素は半導体膜403中に拡散し、その半導体膜403を水素化することができる。また、導入するガスを水素及び希ガスのみにすることで、プラズマ処理の際に窒化又は酸化を伴わないようにしてもよい。半導体膜403を水素化した後、半導体膜403に対するドーピング及び活性化をおこなう場合、その活性化を500°C以上の温度でおこなうと、半導体膜403中から水素が脱離してしまう。したがって、絶縁膜404及びゲート電極405を形成し、その後半導体膜403に対するドーピング及び500°C以上での活性化をおこない、次いで図7Cに示すようにプラズマ処理による半導体膜403の水素化をおこなう順序にしなければならない。図7Cに示すHは水素ラジカルを意味する。その後、水素を含む雰囲気中で、ガラス基板401を350°C以上400°C以下の温度で所定の時間加熱して、半導体膜403の水素化を更におこなってもよい。本実施の形態による水素化は、他の実施の形態と組み合わせて実施することができる。実施の形態6本実施の形態では、ガラス基板に対して、図2A及び図2Bに示すような高密度プラズマ処理装置を用いてプラズマ窒化をおこなう例を示す。実施の形態1乃至5において使用するガラス基板は、代表的には無アルカリガラスである。無アルカリガラスの組成は、酸化珪素を主成分とし、酸化ホウ素、酸化アルミニウム、及びアルカリ土類金属酸化物が含まれる。このような無アルカリガラスに対しプラズマ窒化をおこなうことによって、その表面に、窒化珪素、又は酸素を含む窒化珪素を主成分とする窒化物層を形成することができる。したがって、実施の形態1、2、3及び5において、ガラス基板に対し低電子温度及び高電子密度にてプラズマ窒化をおこなう場合、下地絶縁膜として、窒化珪素膜、又は酸素を含む窒化珪素膜をCVD法などにより形成する必要がない。しかも、CVD法により形成された窒化珪素膜、又は酸素を含む窒化珪素膜よりも、プラズマ損傷が抑制され、且つ緻密な窒化物層を形成することができる。実施の形態7本実施の形態は、薄膜トランジスタの構造を、マルチゲート構造にする例である。マルチゲート構造とは、図1Dなどに示した標準構造シングルゲート構造の薄膜トランジスタが2つ以上直列接続した構造であり、各薄膜トランジスタのゲート電極は互いに接続されている。マルチゲート構造にすることで、シングルゲート構造と比較して、オフ電流を低減できることが知られている。実施の形態1乃至6に記載したプラズマ処理は、マルチゲート構造の薄膜トランジスタの作製工程にも適用される。マルチゲート構造の薄膜トランジスタを作製する際に、低電子温度及び高電子密度でのプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなうことによって、シングルゲート構造の薄膜トランジスタの場合と同様の効果が得られる。実施の形態8前述した高密度プラズマ処理装置を用いて、被処理体に対しプラズマ酸化を行った場合の酸化特性に関して説明する。具体的には、プラズマ酸化の際に用いるガスの違いによる酸化速度の変化について示す。まず、ガラス基板上にCVD法により下地絶縁膜としてシリコンオキシナイトライド膜SiOxNy膜、ただしx>yを約100nmの厚さに形成し、当該下地絶縁膜上にCVD法により非晶質珪素膜を約66nmの厚さに形成した。次に、その非晶質珪素膜中に含まれる水素を脱離させるために熱処理を行い、その後、レーザ光を照射してその非晶質珪素膜を結晶化して結晶質珪素膜とした。そして、結晶質珪素膜に高密度プラズマ処理装置を用いてプラズマ酸化を行った。プラズマ酸化の際、基板保持台に上記ガラス基板を配置すると共に、その基板保持台に備えられたヒーターの温度を400°Cに設定した。本実施の形態では、アルゴンと酸素をそれぞれ500sccm、5sccmの流量条件1、又はアルゴンと酸素と水素をそれぞれ500sccm、5sccm、5sccmの流量条件2に設定し、プラズマ酸化をおこなった。条件1、条件2のいずれも、圧力を133.33Paに設定した。条件1と条件2との相違は、水素導入の有無のみである。条件1、条件2それぞれについて、結晶質珪素膜の酸化速度を図11に示す。なお、図11は、横軸を処理時間秒、縦軸を平均膜厚nmとして示している。処理時間とは、結晶質珪素膜にプラズマ酸化を行った時間をいう。平均膜厚とは、プラズマ酸化により結晶質珪素膜が酸化されて形成された酸化膜について、25箇所の膜厚を測定して平均値を求めた結果をいう。条件1、条件2ともに、高密度プラズマ処理装置による処理時間が増加するにつれ、結晶質珪素膜の酸化が進み、結晶質珪素膜に形成された酸化膜の平均膜厚が増加した。また、アルゴンと酸素を導入した場合である条件1でプラズマ酸化を行った場合と比較して、条件1に水素を加えた条件2でプラズマ酸化を行った場合の方が、結晶質珪素膜に形成された酸化膜の平均膜厚が厚くなることがわかった。つまり、水素を加えた条件でプラズマ酸化を行うことによって、水素を加えない条件と比較して、目的の厚さの酸化膜を形成するための処理時間を短くできると共に、同じ処理時間で厚い酸化膜を形成することができることがわかった。実施の形態1乃至7により作製された薄膜トランジスタを、アクティブマトリクス型の表示装置に用いる例として、画素部に発光素子を有する表示装置以下、発光表示装置と称するを示す。発光表示装置とは、例えばエレクトロルミネッセンスEL表示装置である。図8Aは、アクティブマトリクス型の表示装置の一例を示す上面図であり、図8Bは図8Aに示すg-h間を結ぶ線で切断した発光表示装置の断面図である。図8Aに示すように、本実施例で示す表示装置は、基板701上に設けられた画素部704を有している。また、画素部704を挟むように、基板701に対向して対向基板706が設けられている。画素部704には、基板701上に上記実施の形態1乃至7で示したいずれかの構造を有する薄膜トランジスタが形成される。基板701と対向基板706は、シール材705により貼り合わされている。また、ドライバ回路は、銅箔等でなる配線が形成されたFPCFlexiblePrintedCircuit707を介して基板701の外部に設けられている。画素部704は、図8Bに示す発光素子716と当該発光素子716を駆動するための薄膜トランジスタ711とを含む複数の画素により形成されている。薄膜トランジスタ711は、実施の形態1乃至7で示したいずれかの工程を経て作製された薄膜トランジスタを適用することができる。また、本実施例では、薄膜トランジスタ711のソース領域またはドレイン領域に接続されている配線712に接続するように第1の電極713が設けられ、当該第1の電極713の端部を覆うように絶縁膜709が形成されている。絶縁膜709は、複数の画素において隔壁として機能している。絶縁膜709として、ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。また、カバレッジを良好なものとするため、絶縁膜709は、当該絶縁膜709の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるように設ける。例えば、絶縁膜709の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁膜709の上端部のみに曲率半径0.2μm~3μmを有する曲面を持たせることが好ましい。絶縁膜709としては、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。他にも、絶縁膜709としてエポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテン等の有機材料やシロキサン樹脂を単層または積層構造で用いることができる。また、絶縁膜709にプラズマ処理を行い、当該絶縁膜709を酸化または窒化することによって、絶縁膜709の表面を改質して緻密な膜を得ることも可能である。絶縁膜709の表面を改質することによって、当該絶縁膜709の強度が向上し開口部等の形成時におけるクラックの発生やエッチング時の膜減り等の物理的ダメージを低減することが可能となる。また、絶縁膜709の表面が改質されることによって、当該絶縁膜709上に設けられる発光層714との密着性等の界面特性が向上する。図8A及び図8Bに示す発光表示装置は、第1の電極713上に発光層714が形成され、当該発光層714上に第2の電極715が形成されている。これら第1の電極713、発光層714および第2の電極715の積層構造により発光素子716が設けられている。第1の電極713及び第2の電極715は、一方を陽極として、他方を陰極として用いる。陽極として用いる場合には、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ITO膜、珪素を含有したインジウム錫酸化物膜、酸化インジウムに酸化亜鉛ZnOを混合したターゲットを用いてスパッタ法により形成した透明導電膜、酸化亜鉛ZnO、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Zn膜、Pt膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との3層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗が低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。陰極として用いる場合には、仕事関数の小さい材料Al、Ag、Li、Ca、またはこれらの合金MgAg、MgIn、AlLi、CaF2、または窒化カルシウムを用いることが好ましい。なお、陰極として用いる電極を透光性とする場合には、電極として、膜厚を薄くした金属薄膜と透明導電膜との積層を用いるのがよい。透明導電膜として、例えばITO、珪素を含有したインジウム錫酸化物、酸化インジウムに酸化亜鉛ZnOを混合したターゲットを用いてスパッタ法により形成した透明導電膜、酸化亜鉛ZnOを使用することができる。ここでは第1の電極713として透光性を有するITOを用い、基板701側から光を取り出す構造とする。なお、第2の電極715に透光性を有する材料を用いることにより対向基板706側から光を取り出す構造としてもいし、第1の電極713および第2の電極715を透光性を有する材料で設けることによって、基板701および対向基板706の両側に光を取り出す構造両面射出とすることも可能である。また、発光層714は、低分子系材料、中分子材料オリゴマー、デンドリマーを含む、または高分子系材料等による単層または積層構造を、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート法等の公知の方法によって形成することができる。また、ここではシール材705で対向基板706を基板701と貼り合わせることにより、基板701、対向基板706、およびシール材705で囲まれた空間708に本発明の発光素子716が備えられた構造になっている。なお、空間708には、不活性気体窒素やアルゴン等が充填される場合の他、シール材705で充填される構成も含むものとする。なお、シール材705にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、対向基板706に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRPFiberglass-ReinforcedPlastics、PVFポリビニルフロライド、マイラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。実施の形態1乃至7により作製された薄膜トランジスタを、アクティブマトリクス型の表示装置に用いる例として、画素部に液晶を用いた液晶表示装置を示す。図9は、液晶表示装置の一例を示しており、図8Aに示すg-h間を結ぶ線で切断した断面図である。配線812および第1の電極813を覆うように設けられた配向膜821と対向基板706に設けられた配向膜823との間に液晶822が設けられている。また、第2の電極824が対向基板706に設けられており、第1の電極813と第2の電極824間に設けられた液晶822に加える電圧を制御して光の透過率を制御することにより像の表示を行う。また、液晶822中に、基板701と対向基板706間の距離セルギャップを制御するために球状のスペーサ825が設けられている。スペーサ825の形状は球状に限らず、柱状のスペーサを設けてもよい。基板701と対向基板706は、シール材705により貼り合わされている。薄膜トランジスタ811は、実施の形態1乃至7で示したいずれかの工程を経て作製された薄膜トランジスタを適用することができる。本実施例では、実施例1及び実施例2に示したアクティブマトリクス型の表示装置の利用形態について、図面を参照して説明する。上記アクティブマトリクス型の表示装置が組み込まれた電子機器を例示する。例えば、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイヘッドマウントディスプレイ、テレビ受像機、ナビゲーションシステム、カーオーディオ等の音響再生装置、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末モバイルコンピュータ、携帯電話機、携帯型ゲーム機または電子書籍等、記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置が挙げられる。本明細書に開示する発明は、これらの電子機器の表示部に適用できる。図10Aはテレビ受像機の一例であり、筐体1001、表示部1002、スピーカー1003、操作部1004、ビデオ入力端子1005等を含む。本明細書に開示する発明によって作製された薄膜トランジスタを、表示部1002に適用することによって、テレビ受像機を作製することができる。本明細書に開示する発明によって作製された薄膜トランジスタを表示部1002の画素に用いたので、画素の欠陥がほとんどなく、仮に欠陥が存在しても人間の目では識別できない程度にすぎない。よって、表示不良がなく、明るい鮮明な映像が表示部1002に表示される。図10B及び図10Cに、デジタルカメラの一例を示す。図10Bはデジタルカメラを前面からみた図であり、1011はレリーズボタン、1012はメインスイッチ、1013はファインダー窓、1014はストロボ、1015はレンズ、1016は筐体を示す。図10Cは上記デジタルカメラを後方からみた図であり、1017はファインダー接眼窓、1018は表示部、1019は操作ボタン、1020は操作ボタンを示す。本明細書に開示する発明によって作製された薄膜トランジスタを、表示部1018に適用することによって、デジタルカメラを作製することができる。本明細書に開示する発明によって作製された薄膜トランジスタを表示部1018の画素に用いたので、画素の欠陥がほとんどなく、仮に欠陥が存在しても人間の目では識別できない程度にすぎない。よって、表示不良がなく、明るい鮮明な映像が表示部1018に表示される。上記テレビ受像機及びデジタルカメラに限らず、表示部を有する電子機器に組み込まれたアクティブマトリクス型の表示装置に、本明細書に開示する発明を適用できることは言うまでもない。