"少なくともコイルと半導体素子と永久磁石とを含む半導体装置であって、使用時には、上記コイルと上記半導体素子とが並列に接続された閉回路を形成し、未着磁の磁石素体を装置の内側に組み付けた後に該磁石素体を着磁する際には、上記閉回路を開いた状態とする閉回路開放手段として、上記コイルと上記半導体素子とのそれぞれに接続する電源配線経路、又は、接地配線経路のいずれか一方、又は、両方を、それぞれ分離独立した複数の雄端子金具に接続して、上記半導体装置に設けた雄コネクタの内側に収容固定すると共に、外部の電源配線経路及び接地配線経路のそれぞれに接続した一の雌端子金具を上記雌コネクタの内側に収容固定し、上記雌雄のコネクタの嵌合により、上記複数の雄端子金具と一の雌端子金具とを接続せしめることを特徴とする半導体装置。少なくともコイルと半導体素子と永久磁石とを含む半導体装置であって、使用時には、上記コイルと上記半導体素子とが並列に接続された閉回路を形成し、未着磁の磁石素体を装置の内側に組み付けた後に該磁石素体を着磁する際には、上記閉回路を開いた状態とする閉回路開放手段として、上記コイルと上記半導体素子とのそれぞれに接続する電源配線経路、又は、接地配線経路のいずれか一方、又は、両方を、それぞれが絶縁状態で分離独立した複数の雄端子金具に接続して上、記半導体装置側に設けた雄コネクタの内側に収容固定すると共に、上記雌コネクタの内側に収容固定した複数の雌端子金具と、外部の一の電源配線経路、及び、一の接地配線経路とを上記雌コネクタの内側で接続し、上記雌雄のコネクタの嵌合により、上記複数の雄端子金具と上記複数の雌端子金具とを接続せしめることを特徴とする半導体装置。少なくともコイルと半導体素子と永久磁石とを含む半導体装置であって、使用時には、上記コイルと上記半導体素子とが並列に接続された閉回路を形成し、未着磁の磁石素体を装置の内側に組み付けた後に該磁石素体を着磁する際には、上記閉回路を開いた状態とする閉回路開放手段として、上記コイルに発生する誘起電圧を検出し、該検出電圧が所定の閾値以上の場合には、ハイ出力し、閾値より低い場合には、ロー出力して、上記誘起電圧を閾値判定する誘起電圧判定手段と、該誘起電圧判定手段の出力を駆動源とし、上記半導体素子に直列に接続した半導体開閉素子とを具備し、上記半導体開閉素子が、上記誘起電圧が所定の閾値電圧以上で所定の閾値時間以上継続する場合には、上記閉回路を開き、上記誘起電圧が所定の閾値より低い場合、又は、所定の閾値以上であっても、所定の時間より短い場合には、上記閉回路を閉じるようにしたことを特徴とする半導体装置。上記半導体装置が、内燃機関の運転状況に応じて電子制御装置から発信される点火信号にしたがって、内燃機関の点火をすべく、点火プラグへの高電圧の印加を制御する点火装置であって、略柱状の中心コアの外周に巻線体を巻回した一次コイルとその外周に絶縁体を介して巻線体を巻回した二次コイルとその周囲を覆う外周コアと、上記中心コアと上記外周コアとによって形成される磁気回路特性の向上を図るべく永久磁石を配設した点火コイルと、該点火コイルの一次コイルに接続され、該一次コイルへの通電と遮断とを切り換える半導体スイッチング素子と、該半導体スイッチング素子を点火信号にしたがって開閉する駆動回路と、該駆動回路を保護すべく、上記点火コイルに対して並列に接続した半導体素子を含む保護回路とを具備する請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体装置少なくとも、コイルと、該コイルに並列に接続された半導体素子と、永久磁石とを具備する半導体装置の製造方法であって、該半導体装置が、使用時には閉回路を形成する上記コイルと上記半導体素子とが、着磁時には、閉回路を形成しないよう閉回路を開いた状態とする閉回路開放手段を具備し、上記永久磁石を未着磁の磁石素体の状態で、上記コイルと上記半導体素子により回路形成された半導体装置の内側に組み付けた後、所定の磁界内に載置して、上記磁石素体の着磁を行う、組み付け後着磁工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。ところが、従来の点火装置においては、特許文献2にあるように、点火コイルの一次コイルと保護回路とが共通の電源端子を介して電源に接続され、共通の接地端子を介して接地されており、点火コイルの一次コイルは、スイッチング素子及び保護回路を介して、閉回路を形成している。このため、従来の点火装置において、永久磁石を未着磁の磁石素体によって構成し、スイッチング素子等と共に点火装置に組み付けた後に、磁石素体に着磁させるために、点火装置全体を空芯コイル等の着磁装置の内側に置き、強力な磁界を作用させると、点火装置の内側に組み付けられた磁石素体が磁化されるだけでなく、点火コイルの一次コイルに強力な誘導起電力が発生する。このとき、一次コイルと閉回路を構成する半導体素子の許容電流を超える誘導電流が流れ、これらの半導体素子が破壊される虞があることが判明した。特に、着磁装置に用いられる着磁コイルに流れる電流は、数kA~数10kAと極めて大きく、通常の点火装置の使用時に発生するサージ電圧に比べ遙かに高い誘導起電力が発生し、着磁コイルに大電流を流した瞬間に、半導体素子が破壊されてしまう。一方、点火装置のさらなる小型化、高性能化の要求に対して、スイッチング素子や、駆動回路、保護回路、異常検出回路等に用いられる複数の半導体成分や回路成分を一つの半導体チップ内に一体的に形成し、このような半導体チップをその他の回路部品と共にリードフレーム上に載置し、モールド樹脂で覆ってイグナイタを構成し、点火コイルと共に、ケース内に収容し、耐久性向上を図るべく、熱硬化性樹脂や、熱可塑性樹脂等によって固定して点火装置が完成する。したがって、組み付けが完了し、樹脂等によって封止された状態で、内部の配線を変更することは困難であるため、点火コイルの一次コイルと半導体素子とによって形成される閉回路を一時的に開いた状態とし、着磁後に閉回路に戻すことは困難である。また、磁石素体を含む回路を樹脂等を用いて封止した後に着磁を行うことができれば、永久磁石によって鉄粉等の異物が引き寄せられるのを完全に廃除することが可能となる。一方、モータや発電機等の回転電機においても、MOSFET、IGBT、サイリスタ等の半導体素子を用いてPWM制御による駆動制御を行ったり、スイッチング素子の開閉により発電電極を制限して発電制御を行ったりしている。このような回転電機には、回転子、又は、固定子の界磁として永久磁石を用いるものもあり、未着時の磁石素体を配設した回転電機に、半導体素子を一体的に組み付けた後に、磁石素体の着磁を行うことも考えられる。本発明は、かかる実情に鑑みなされたものであり、少なくともコイルと半導体素子と永久磁石とを含み、未着磁の磁石素体を着磁する際には、コイルと半導体素子とによって形成される閉回路を開いた状態とすることによって、着磁の際に発生する誘導起電力による半導体素子の破壊を防止し、使用する際には、コイルと半導体素子と閉回路を構成する半導体装置と、その製造方法の提供を目的とするものである。また、本発明は、特に、このような半導体装置として、内燃機関の点火に用いられ、点火コイルを構成する中心コアと外周コアとによって形成された磁気回路の特性を改善するための永久磁石と、半導体素子からなり、点火コイルの一次コイルに接続され、一次電圧を開閉する開閉素子と、該スイッチング素子を開閉駆動する駆動回路と、該駆動回路を保護する保護回路とが一次コイルに対して並列に配設された点火装置であって、未着磁の磁石素体を点火装置の組み付け完了後に着磁可能とする点火装置に好適なものである。第1の発明では、少なくともコイルと半導体素子と永久磁石とを含む半導体装置であって、使用時には、コイルと半導体素子とが並列に接続された閉回路を形成し、未着磁の磁石素体を装置の内側に組み付けた後に該磁石素体を着磁する際には、上記閉回路を開いた状態とする閉回路開放手段として、上記コイルと上記半導体素子とのそれぞれに接続する電源配線経路、又は、接地配線経路のいずれか一方、又は、両方を、それぞれ分離独立した複数の雄端子金具に接続して、上記半導体装置に設けた雄コネクタの内側に収容固定すると共に、外部の電源配線経路及び接地配線経路のそれぞれに接続した一の雌端子金具を上記雌コネクタの内側に収容固定し、上記雌雄のコネクタの嵌合により、上記複数の雄端子金具と一の雌端子金具とを接続せしめる請求項1。第2の発明では、少なくともコイルと半導体素子と永久磁石とを含む半導体装置であって、使用時には、コイルと半導体素子とが並列に接続された閉回路を形成し、未着磁の磁石素体を装置の内側に組み付けた後に該磁石素体を着磁する際には、上記閉回路を開いた状態とする閉回路開放手段として、コイルと半導体素子とのそれぞれに接続する電源配線経路、又は、接地配線経路のいずれか一方、又は、両方を、それぞれが絶縁状態で分離独立した複数の雄端子金具に接続して、上記半導体装置側に設けた雄コネクタの内側に収容固定すると共に、上記雌コネクタの内側に収容固定した複数の雌端子金具と、外部の一の電源配線経路、及び、一の接地配線経路とを上記雌コネクタの内側で接続し、上記雌雄のコネクタの嵌合により、上記複数の雄端子金具と上記複数の雌端子金具とを接続せしめる請求項2。第3の発明では、上記半導体装置が、内燃機関の運転状況に応じて電子制御装置から発信される点火信号にしたがって、内燃機関の点火をすべく、点火プラグへの高電圧の印加を制御する点火装置であって、略柱状の中心コアの外周に巻線体を巻回した一次コイルとその外周に絶縁体を介して巻線体を巻回した二次コイルとその周囲を覆う外周コアと、上記中心コアと上記外周コアとによって形成される磁気回路特性の向上を図るべく永久磁石を配設した点火コイルと、該点火コイルの一次コイルに接続され、該一次コイルへの通電と遮断とを切り換える半導体スイッチング素子と、該半導体スイッチング素子を点火信号にしたがって開閉する駆動回路と、該駆動回路を保護すべく、上記点火コイルに対して並列に接続した半導体素子を含む保護回路とを具備する請求項3。第4の発明では、少なくともコイルと半導体素子と永久磁石とを含む半導体装置であって、使用時には、上記コイルと上記半導体素子とが並列に接続された閉回路を形成し、未着磁の磁石素体を装置の内側に組み付けた後に該磁石素体を着磁する際には、上記閉回路を開いた状態とする閉回路開放手段として、上記コイルに発生する誘起電圧を検出して閾値判定する誘起電圧判定手段と、該誘起電圧判定手段の出力を駆動源とし、上記半導体素子に直列に接続した半導体開閉素子とを具備し、上記半導体開閉素子が、上記誘起電圧が所定の閾値電圧以上で所定の閾値時間以上継続する場合には、上記閉回路を開き、上記誘起電圧が所定の閾値より低い場合、又は、所定の閾値以上であっても、所定の時間より短い場合には、上記閉回路を閉じるようにする請求項4。第5の発明では、少なくとも、コイルと、該コイルに並列に接続された半導体素子と、永久磁石とを具備する半導体装置の製造方法であって、該半導体装置が、使用時には閉回路を形成する上記コイルと上記半導体素子とが、着磁時には、閉回路を形成しないよう閉回路を開いた状態とする閉回路開放手段を具備し、上記永久磁石を未着磁の磁石素体の状態で、上記コイルと上記半導体素子により回路形成された半導体装置の内側に組み付けた後、所定の磁界内に載置して、上記磁石素体の着磁を行う、組み付け後着磁工程を有する請求項5。本発明によれば、上記半導体装置の内側に載置した未着時の磁石素体を着磁する際に、上記コイルと上記半導体素子との間で閉回路を形成しないので、着磁のために上記コイルが磁界内に置かれることによって誘導起電力が発生しても、上記コイルから上記半導体素子に誘導電流が流れることがなく、半導体素子の破壊を招くことなく上記磁石素体を磁化することができ、少なくとも、コイルと、該コイルに並列に接続された半導体素子と、永久磁石とを具備する半導体装置の製造が容易となる。なお、第1の発明又は第2の発明を用いた場合、着磁の際には、上記雌雄のコネクタをはずすことにより、物理的、機械的に閉回路が開かれ、上記半導体素子の破損を招くことなく着磁を行うことができ、使用時には、上記雌雄のコネクタの嵌合により、その内側に収容された上記雌雄の端子金具が接続され、上記コイル及び上記半導体素子が共通の電源配線経路及び接地配線経路に接続され、上記半導体装置本来の回路が形成される。一方、第3の発明を用いた場合には、着磁の際に上記コイルに高い誘起電圧が発生すると、上記誘起電圧判定手段の出力が高くなり、これを駆動源とする上記半導体開閉素子が作動し、上記コイルと上記半導体素子とによって形成された閉回路が開放されるので、誘起電圧による上記半導体素子の破壊が回避できる。さらに、第3の発明を用いた場合、通常の使用においては、上記誘起電圧判定手段の出力が低いため、上記半導体開閉素子が作動せず、上記閉回路が閉じた状態を維持し、上記半導体装置本来の回路が維持される。また、通常の使用において、高いサージ電圧が発生し、上記誘起電圧判定手段の出力が瞬間的に高くなる虞があるが、サージ電圧の発生時間は、着時の際に誘起電圧が発生する時間に比べて極めて短く、上記半導体開閉素子を作動させるには至らず、通常の使用の場合と同様、上記閉回路が閉じた状態を維持し、上記半導体装置本来の回路が維持され、通常用いられれているサージ吸収回路や保護回路等によって上記半導体素子は保護される。図1、図2、図3を参照して、本発明の実施形態における半導体装置として、図略の内燃機関の運転状況に応じて電子制御装置ECUから発信される点火信号IGtにしたがって、内燃機関の点火をすべく、図略の点火プラグへの高電圧の印加を制御する点火装置6を例に説明する。図1は、点火装置6の回路構成を示し、図2は、実体的な構成を示し、図3は、点火装置6の組み付け手順の概要を示す。点火装置6は、少なくともコイル点火コイル2、一次コイル20と半導体素子半導体スイッチング素子11、保護回路12と永久磁石220とを含み、使用時には、コイル2と半導体素子11、12とが並列に接続された閉回路を形成し、未着磁の磁石素体220を装置6内に組み付けた後に、磁石素体220を着磁するものである。点火装置6は、ケース4内に収容されたイグナイタ1と、点火コイル2と、これらと、ワイヤハーネス7を介して外部に設けた図略の電子制御装置からの電源電圧Bの入力と、点火信号IGtの入力と、接地GNDへの接続とを図る雄コネクタ33とによって構成されている。イグナイタ1は、少なくとも、内部に、駆動回路10と、一次コイル20ヘの通電と遮断とを切り換える半導体スイッチング素子11と、保護回路12とを収容し、熱硬化性樹脂などの絶縁材料でモールドして、外部に電源配線経路100、点火信号経路310、接地配線経路320、一次電圧経路202に接続されるリード部を引き出したパッケージ構造となっている。また、イグナイタ1の小型化を図るべく、駆動回路10、半導体スイッチング素子11、保護回路12が、可能な限り一つの半導体チップ内に集約して形成し、抵抗、その他の受動部品や、ロジック制御用IC等の能動部品と共に、所定の回路を構成してリードフレーム上に直接搭載された構造としても良い。駆動回路10は、内燃機関の運転状況に応じて、外部に設けた図略の電子制御装置から発信された点火信号IGtにしたがって、半導体スイッチング素子12を開閉駆動するための駆動信号を発振する。駆動回路10は、第1の電源配線経路100を介して、第1の電源雄端子金具30に接続され、接地配線経路320を介して接地用雄端子金具32に接続され、点火信号配線経路310を介して点火信号用端子金具31に接続され、駆動信号経路を介して半導体スイッチング素子11のゲート端子Gに接続されている。半導体スイッチング素子11は、例えば、IGBT絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、SCRサイリスタ、MOSFET金属酸化膜型電界効果トランジスタ等の半導体素子が用いられ、コレクタ端子Cが一次コイル20の下流側の一次電圧配線202に接続され、ゲート端子Gが駆動回路10に接続され、エミッタ端子Eが、接地配線経路320を介して接地端子金具32に接続されている。保護回路12は、第1の電源配線経路100と接地配線経路320との間に設けられ、少なくとも、ツェナーダイオードやアバランシェダイオード等の電圧制限機能を有する半導体素子を含み、外部の電源から印加されるバッテリ電圧B1を駆動回路10に入力する際に、過電圧とならないよう、入力電圧を制限したり、点火コイル2の開閉時に発生するサージ電圧を除去したりして、駆動回路10を保護している。なお、保護回路12は、本実施形態のように、電源配線経路100と接地配線経路320との間に設けても良いし、電源配線経路100と駆動回路10の点火信号配線経路310との間に設けても良い。絶縁体13は、樹脂によって形成され、イグナイタ1、コネクタ筐体部33の基端側、点火コイル2の基端側を一体的に保持すると共に、電源配線経路200、一次コイル渡線201、202の端部を保持している。点火コイル2は、一次コイル20と、中心コア21と、外周コア22と二次コイル23とからなり、略柱状の中心コア21の外周に巻線体を巻回した一次コイル20とその外周に絶縁体221を介して巻線体を巻回した二次コイル23とその周囲を覆う外周コア22と、中心コア21と外周コア22とによって形成される磁気回路特性の向上を図るべく永久磁石220が配設されている。永久磁石220は、中心コア21と外周コア22との間で中心コア21には当接し、外周コア22とは間隙を設けて載置されている。永久磁石22は、維持時コイル20に発生する磁界と逆向きの磁界を発生し、一次コイル20に充電できるエネルギ量を増やし、二次コイル23で発生する二次電圧V2を高くしている。一次コイル20、二次コイル23には、表面にポリウレタン、ポリイミド等の絶縁被覆を施した銅線等の金属導体からなる巻線体が用いられている。中心コア21、外周コア22には、水アトマイズ法により略球状に形成された磁性材料粉末にフッ素樹脂やシリコン樹脂等の耐熱性絶縁被覆を施して圧縮成形した、いわゆる圧粉コアと、珪素鋼板を積層した、いわゆる積層コアとのいずれを用いて良い。特に、圧粉コアは、積層コアに比べ表面が平滑であるので、巻線体を中心コア21に直接巻回でき、点火コイル2の体格を小さくできる。加えて、磁性粉末粒子が個々に絶縁被覆されているので、磁極の方向がランダムとなるので、永久磁石220を着磁する際に、中心コア21や外周コア22が一緒に着磁され難く、磁気回路特性への影響を少なくできる。永久磁石220には、フェライト等の磁性材料を、所定の形状に加工した未着磁の磁石素体が用いられ、図3に示すように、点火装置6内の所定位置に組み付けられた後、着磁装置を用いて強力な磁界を作用させて磁化されている。点火コイル2の一次コイル20の上流側は、第2の電源用配線経路200及び、一次コイル渡線201を介して、コイル用雄電源端子金具50に接続され、さらに、一次コイル20の上流側で分岐して、二次コイル23の上流側に接続され、一次コイル20の下流側は、イグナイタ1のコレクタ端子cに接続され、二次コイル23の下流側は、出力線231を介して、出力端子25に接続されている。また、二次コイル23の上流側又は下流側のいずれか一方に、点火コイル2への通電初期に点火プラグで飛火してしまうオン飛火現象を防止するための整流素子24が載置されている。出力端子25は、図略の雑音防止抵抗、プラグキャップ等を介して、点火プラグに接続される。雄コネクタ33は、イグナイタ1の電源配線経路100に接続される半導体用電源雄端子金具30と、第2の電源配線経路200に接続される第2の電源雄端子金具50と、点火信号配線経路310に接続される点火信号雄端子金具31と、これらを互いに絶縁した状態で収容、固定する雄コネクタ筐体部33とによって構成されている。雄コネクタ筐体部33には、雌コネクタ筐体部73と嵌合する嵌合部330が形成されている。本実施形態においては、第1の電源雄端子金具30と第2の電源雄端子金具50とが、一つの電源用雌端子金具70と接続可能なように、従来の電源用雄端子金具を2つに分割したような形状となっている。収納部4は、樹脂、又は、金属からなるケース部40内にイグナイタ1と点火コイル2とを収容し、雄コネクタ33及び出力端子25を保持すると共に、内部に熱硬化樹脂41が充填され、内側に収容したイグナイタ1、点火コイル2、雄コネクタ33と、これらを繋ぐ各配線経路の絶縁を確保しつつ、これらを外部からの振動から保護している。ここで、図3を参照して、点火装置6の組み付け手順について簡単に説明する。内部にスイッチング素子10,駆動回路11、保護回路12を収容し、リードフレークを引き出ししたイグナイタ1と、中心コア21に一次コイル20を巻回し、さらにスプール221を介して2次コイル23を巻回したものと、雄コネクタ33との所定の配線経路を接続して絶縁体13を介してこれらを一体的に保持する。次いで、磁石素体220を所定の位置に収容し、これらを外周コア22内に組み付けて、中心コア21、一次コイル20、二次コイル23、外周コア22、磁石素体220が所定の位置に配設され点火コイル2を構成し、イグナイタ1,雄コネクタ33と一体となった状態とする。さらに、これらを収容部4内に挿入し、出力端子25を接続する。収容部4内に熱硬化性樹脂41を充填する。このように未着磁の状態で磁石素体220を点火コイル2内に収容し、収容部4を樹脂によって封止するので、磁力によって内部に鉄粉等が侵入する虞がない。この状態で、後述する着磁工程において、磁石素体220に着磁させると、点火装置6を完成させることができる。ワイヤハーネス7は、外部のエンジン制御装置に接続され、電源電圧Bと、点火信号IGtと、接地GNDとに接続される電源配線経路700と、点火信号配線経路710と、接地配線経路720とを絶縁保持しつつ、それぞれに接続された電源用雌端子金具70、点火信号用雌端子金具71、接地用雌端子金具72とを収容固定すると共に、雄コネクタ33との嵌合を可能とする雌コネクタ筐体部73とによって構成されている。電源用雌端子金具70、点火信号用雌端子金具71、接地用雌端子金具72は、雄コネクタ33と雌コネクタ73とを嵌合したとき、一つの電源用雌端子金具70と半導体用電源雄端子金具30とコイル用雄端子金具50とが弾性的に接続状態となり、点火信号用雌端子金具71と点火信号用雄端子金具31とが弾性的に接続状態となり、接地用雌端子金具72と接地用雄端子金具32とが弾性的に接続された状態となる。本実施形態においては、閉回路を開いた状態とする閉回路開放手段5として、半導体素子を含む保護回路12に接続する第1の電源配線経路100と、コイル2に接続する第2の電源配線経路200とを、それぞれ分離独立して設けると共に、半導体装置6に設けた雄コネクタ33内に収容固定され、互いに絶縁された、第1の電源雄端子金具30と第2の電源雄端子金具50とに接続するようにして、外部の電源配線経路700及び接地配線経路720のそれぞれに接続された一の雌端子金具70、72を雌コネクタ73内に収容固定し、雌雄のコネクタ33、73の嵌合により、複数の雄端子金具50、30と一の雌端子金具70とを接続可能としてある。このような構成とすることにより、着磁する際には、保護回路12と点火コイル2とが閉回路を形成せず、ワイヤハーネス7を組み付けたときに、互いに分離独立した第1の電源雄端子金具30と第2の電源雄端子金具50とが共通の電源雌端子金具70によって接続状態となり、閉回路を形成する。ここで、図4を参照して、比較例として示す、従来の半導体素子を含む保護回路12zとコイル2zと永久磁石220zとを有する点火コイル6zについて説明する。なお、本比較例において、上記実施例と同様の構成については、同じ符号を付したので説明を省略し、対応する構成であって相違する部分には枝番としてzの符号を付した。従来の点火装置6zでは、イグナイタ1zと点火コイル2zとが共通の電源用配線経路100z、200zを介して一の電源用雄端子金具30zに接続され、保護回路12zとスイッチング素子11zとが共通の接地用配線320zを介して一の接地用雄端子金具32zに接続されている。このため、一次コイル20zに対して、保護回路12zに設けた半導体素子が並列に接続され、半導体スイッチング素子11zが直列に接続された状態となり、ワイヤハーネス7の雌コネクタ73と雄コネクタ33zとを嵌合していない状態でも、一次コイル20zと、スイッチング素子11zと、保護回路12zとによって閉回路を形成している。図5を参照して、本発明の半導体装置の製造方法の要部である組付け後着磁工程に用いられる着磁装置8について簡単に説明する。着磁装置8は、中心が空洞となった空芯コイルによって構成され、内側に、未着磁の磁石素体220、220zを含む点火装置6、6zを載置し、空芯コイルに数kA~数10kAといった極めて大きな電流を流し、空芯コイル内に強力な磁界を発生させ、磁石素体220、220zを透過する磁束によって磁石素体220に着磁させ永久磁石とする。なお、本実施形態及び比較例においては、永久磁石の磁極の方向は単純なSNの2極となっているため、このような空芯コイルが着磁装置として用いられるが、永久磁石の形状が複雑で磁極の方向が複雑な場合には、その形状に合わせた着磁ヨークが用いられる。本発明においては、少なくともコイル2一次コイル20と、コイル2一次コイル20に並列に接続された半導体素子を含む保護回路12と、永久磁石220とを具備する半導体装置6の製造において、半導体装置6として、使用時にはコイル2と半導体素子を含む保護回路12とで形成される閉回路を、着磁時には、開いた状態とする閉回路開放手段5を設けて、永久磁石220を未着磁の磁石素体220の状態で、コイル2と半導体素子を含む保護回路12とにより回路形成された半導体装置6内に組み付けた後、着磁コイル8内の所定の磁界内に載置して、磁石素体220の着磁を行う、組み付け後着磁工程を有する。図6を参照して比較例と共に本発明の効果について説明する。本図6aに示すように、本発明においては、点火装置6を着磁コイル8内に載置し、強力な磁界を磁石素体220に作用させ、磁化しようとしたときに、点火コイル2の一次コイル20に誘導起電力が発生しても、保護回路12と一次コイル20とは、それぞれ分離独立した第1の電源配線経路100と第2の電源配線経路200を介して、分離独立した第1の電源用雄端子金具30、第2の電源雄端子金具50に接続されているので、一次コイル20と保護回路12との間で閉回路を構成しておらず、誘導電流が流れることがない。したがって、保護回路12に設けた半導体素子及び、一次コイル20の下流側に接続された半導体スイッチング素子11の誘導電流による破壊を招く虞がなく、磁石素体220を点火装置6内に組み付けた状態で永久磁石220とすることができる。一方、図4に比較例として示した従来の点火装置6zにおいても、永久磁石220を未着磁の磁石素体として点火装置6z内に組み付けた後に、着磁コイル8内に点火装置6zを載置し、強力な磁界を磁石素体に作用させると、点火コイル2zの一次コイル20zに誘導起電力が発生する。図6bに示すように、従来の点火装置6zでは、一次コイル20zと保護回路12zとは、共通の電源配線経路100z、200zを介して、共通の電源端子雄金具30zに接続され、共通の接地配線経路320zを介して共通の接地雄端子金具32zに接続されている。このため、一次コイル20zと保護回路12zとが並列に接続された閉回路を形成しており、一次コイル20zに発生した誘導起電力によって保護回路12zと一次コイル20zの下流側に接続された半導体スイッチング素子11zに対して逆バイアスとなる方向に誘導電流が流れる。着磁コイル8には、数kA~数10kAの極めて大きな電流が流れ、強力な磁界が発生し、一次コイル20zに発生した誘導電圧によって流れる誘導電流も大きく、保護回路12zに設けたアバランシェダイオード等の半導体素子及び半導体スイッチング素子11zの許容電流を超え、素子の破壊に至る虞がある。図7を参照して本発明の第1の実施形態における点火装置6の変形例として示す、点火装置6a、点火装置6bについて説明する。上記実施形態においては、閉回路開放手段5として、電源の配線経路を分離すべく、第1の電源配線経路100と第2の電源配線経路200とを分離独立し、それぞれを第1の電源雄端子30と第2の電源雄端子50とに接続したが、本発明においては、電源配線経路を分離するのではなく、接地配線経路を分離しても良く、さらに、電源配線経路と接地配線経路との両方を分離しても良い。図7aに示す、点火装置6aでは、保護回路12と一次コイル20とが共通の電源配線経路100a、200aを介して共通の電源用雄端子金具30に接続され、分離独立して設けた第1の接地配線経路320aと第2の接地破線経路501aとを介して、分離独立して設けられた第1の端子金具32a、第2の雄端子金具50aに接続されている。本図bに示す、点火装置6bでは、第1の電源配線経路100と第2の電源配線経路200と第1の接地配線経路320aと第2の接地配線経路501aとの両方を分離独立して設け、それぞれ、分離独立して設けた第1の電源雄端子金具30、第2の電源雄端子金具50、第1の接地雄端子金具32a、第2の接地雄端子金具50aに接続されている。いずれの構成においても上記実施形態と同様の効果が発揮される。また、上記実施形態においては、いずれも、ワイヤハーネス7として、従来の点火装置6zに用いるものと同様の信号線700、710、720の数に応じた雌端子金具70、71、72を有するものを使用することができる。図8を参照して、本発明の第2の実施形態における点火装置6cについて説明する。上記実施形態においては、閉回路開放手段5、5a、5bとして、それぞれが半導体装置側点火装置6側に絶縁状態で分離独立して設けた複数の雄端子金具30、50、又は、32、50aを1の雌端子金具70、72に接続可能とすることで、着磁時には閉回路が形成されず、使用時に閉回路を形成するような構成を示したが、本実施形態においては、分離独立した第1の雄端子金具と第2の雄端子金具とを雌コネクタ73c内で一つの電源入力線700に接続された第1の雌端子金具と第2の雌端子金具とに接続するようにしてある。少なくともコイル2一次コイル20と半導体素子保護回路12と永久磁石220とを含む半導体装置点火装置6cであって、使用時には、コイル2一次コイル20と半導体素子保護回路12とが並列に接続された閉回路を形成し、未着磁の磁石素体220を装置6c内に組み付けた後に磁石素体220を着磁する際には、コイル2一次コイル20と半導体素子保護回路12とが閉回路を形成しないよう閉回路を開いた状態とする閉回路開放手段5cとして、コイル2一次コイル20と半導体素子保護回路12とのそれぞれに接続する第2の電源雄端子50c及び第1の電源雄端子30cによって構成し、外部に設けた電源B及び接地GNDとの接続を図るコネクタ73c内に設けた第1の電源雌端子70c、第2の電源雌端子51cを一の電源入力線700と結合してある。また、上記実施形態と同様、接地側を分離独立する構成としても良い。本実施形態においても上記実施形態と同様の効果を発揮できる。さらに、図9に示す第3の実施形態における点火装置6dように、上記実施形態と同様の構成に加えて、イグナイタ1dとして、駆動回路10dにスイッチング素子11のコレクタ電位やゲート電圧等を監視し、ゲート電圧を調整する機能を設けたり、点火装置の異常を検出する自己診断機能を設けたりすることもでき、自己診断信号DIを出力するための端子34を設けても良い。自己診断信号DIは、自己診断信号線740を介して外部のエンジン電子制御装置に伝達される。図10、図11を参照して、本発明の第4の実施形態における点火装置6e及びその変形例である点火装置6fについて説明する。上記実施形態においては、点火コイル2の一次コイル20と半導体素子を含む保護回路12とによって形成される閉回路を開放するための閉回路開放手段5、5a~5dとして、点火コイル2及び半導体素子を含む保護回路12のそれぞれに接続した電源配線経路と接地配線経路とのいずれか一方、又は、両方を分離独立させることによって閉回路を開放する方法を示したが、本実施形態においては、閉回路開放手段5eとして、点火コイル2に発生する誘起電圧を検出して閾値判定する誘起電圧判定手段500と、誘起電圧判定手段500の出力によって開閉駆動される半導体開閉素子510とを設けた点が相違する。図10aに示すように、誘起電圧判定手段500として、例えば、コンパレータを用いることができる。一次コイル20の上流側の電圧を検出電圧VINとし、所定の電圧に調整した閾値電圧VREFとの比較によって検出電圧VINが閾値電圧VREFを超えたときに誘起電圧判定手段500の出力VOUTがハイとなり、検出電圧VINが閾値電圧VREFよりも低いときには出力VOUTがローとなるように構成し、その出力VOUTを適宜増幅して、半導体開閉素子510を開閉駆動するための駆動電源とし、半導体開閉素子510のゲートに入力する。半導体開閉素子510は、半導体素子を含む保護回路12に直列に接続され、着磁時に発生する誘起電圧が一定以上となったときに開放状態となり、保護回路12の半導体素子及びスイッチング素子11の破壊を回避する。図11に示すように、着磁時に点火コイル2の一次コイル20に高い誘起電圧が発生し、誘起電圧閾値判定手段500に入力された検出電圧VINが閾値電圧VREFを超えると、誘起電圧判定手段500の出力電圧VOUTが高くなり、これを駆動源とする半導体開閉素子510が作動し、一次コイル20と半導体素子を含む保護回路12とによって形成された閉回路が開放されるので、誘起電圧による半導体素子を含む保護回路12の破壊が回避できる。一方、通常の使用においては、上記誘起電圧判定手段の出力が低いため、上記半導体開閉素子が作動せず、上記閉回路が閉じた状態を維持し、上記半導体装置本来の回路が維持される。また、通常の使用においても、瞬間的に高いサージ電圧が発生する場合があるが、その場合には、上記誘起電圧判定手段の出力が瞬間的に高くなる虞があるが、サージ電圧の発生時間は極めて短く、上記半導体開閉素子を作動させるには至らず、通常の使用の場合と同様、上記閉回路が閉じた状態を維持し、上記半導体装置本来の回路が維持される。さらに、上記実施形態においては、保護回路12に半導体素子として、アバランシェダイオードを用いた例を示したが、本図bに示す変形例6fでは、半導体開閉素子510fとして、MOSFETを用いることにより、保護回路12fの半導体素子をツェナーダイオードとし、MOSFETの寄生ダイオードDiSを電源保護ダイオードとして利用することができる。"