一方主面に電子部品が実装された第1の基板と、前記電子部品を収容するための孔が形成された第2の基板と、を備え、前記孔に前記電子部品が収容されるように前記第1の基板は前記第2の基板の一方主面に実装され、前記第2の基板の両主面には樹脂層が形成され、かつ前記孔の内部には樹脂が充填される、モジュール基板。前記孔に収容された前記電子部品は、前記第2の基板の他方主面より突出する、請求項1に記載のモジュール基板。前記第1の基板は一方主面に凹部を有し、前記電子部品は前記凹部に実装される、請求項1または請求項2に記載のモジュール基板。前記第1の基板の他方主面には別の電子部品が実装される、請求項1乃至3の何れか1項に記載のモジュール基板。前記第1の基板内部には別の電子部品が内蔵される、請求項1乃至4の何れか1項に記載のモジュール基板。前記孔は前記第1の基板で覆われる、請求項1乃至5の何れか1項に記載のモジュール基板。電子部品を一方主面に実装した第1の基板を準備する工程と、前記電子部品を収容するための孔を有する第2の基板を準備する工程と、前記第1の基板の一方主面の接続ランドと前記第2の基板の一方主面の前記孔周辺の接続ランドとを接続部材で接続し、前記孔に前記電子部品を収容するように前記第1の基板を前記第2の基板の一方主面に実装する実装工程と、前記第2の基板の両主面に樹脂層を形成し、かつ前記孔の内部に樹脂を充填する樹脂層形成工程と、を備えるモジュール基板の製造方法。一方主面に接続ランドを有する第1の基板を準備する工程と、電子部品を収容するための貫通孔を有する第2の基板を準備する工程と、前記第1の基板の一方主面の接続ランドと前記第2の基板の一方主面の前記孔周辺の接続ランドとを接続部材で接続し、前記第1の基板を前記第2の基板の一方主面に実装する第1実装工程と、前記第2の基板の他方主面側から、前記貫通孔に露出する前記第1の基板の一方主面に前記電子部品を実装する第2実装工程と、前記第2の基板の両主面に樹脂層を形成し、かつ前記貫通孔の内部に樹脂を充填する樹脂層形成工程と、を備えるモジュール基板の製造方法。樹脂フィルムは熱圧着時にその樹脂が流動するため、回路パターンおよび電子部品の位置がばらつく。位置がばらつくと所定位置に形成するビアホールとの接続不良が起こるため、電子部品を実装するために形成する樹脂フィルム上の回路パターンは大きくする必要があった。そのため端子数が多く、端子間ピッチの狭い電子部品をキャビティに収容することはできなかった。また樹脂フィルムからはキャビティを充填するような樹脂量を供給することができないため、キャビティを樹脂充填する場合には、別途樹脂を供給する必要があった。上記問題点を解決するために、本発明のモジュール基板は、一方主面に電子部品が実装された第1の基板と、前記電子部品を収容するための孔が形成された第2の基板と、を備え、前記孔に前記電子部品が収容されるように前記第1の基板は前記第2の基板の一方主面に実装され、前記第2の基板の両主面には樹脂層が形成され、かつ前記孔の内部には樹脂が充填される。このモジュール基板では、端子数が多く、端子間ピッチの狭い電子部品を、基板に実装してキャビティに収容することができる。さらにキャビティに収容された電子部品は樹脂層を形成する樹脂で封止できるため、信頼性を向上することができる。また本発明では、前記孔に収容された前記電子部品は、前記第2の基板の他方主面より突出することが好ましい。この場合は、キャビティを有するコア基板の厚みよりも厚い電子部品を、キャビティに収容することが可能となり、モジュール基板の低背化を可能とすることができる。また本発明では、前記第1の基板は一方主面に凹部を有し、前記電子部品は前記凹部に実装されることが好ましい。この場合は、より厚みのある電子部品をキャビティに収容することができる。また本発明では、前記第1の基板の他方主面には別の電子部品が実装されることが好ましい。この場合は、モジュール基板の実装密度を向上することができる。また本発明では、前記第1の基板内部には別の電子部品が内蔵されることが好ましい。この場合は、モジュール基板の実装密度を向上させながら、モジュール基板の低背化を実現することができる。また本発明では、前記孔は前記第1の基板で覆われることが好ましい。この場合は、キャビティの面積に応じた電子部品を第1の基板に実装することが可能となる。また本発明のモジュール基板の製造方法は、電子部品を一方主面に実装した第1の基板を準備する工程と、前記電子部品を収容するための孔を有する第2の基板を準備する工程と、前記第1の基板の一方主面の接続ランドと前記第2の基板の一方主面の前記孔周辺の接続ランドとを接続部材で接続し、前記孔に前記電子部品を収容するように前記第1の基板を前記第2の基板の一方主面に実装する実装工程と、前記第2の基板の両主面に樹脂層を形成し、かつ前記孔の内部に樹脂を充填する樹脂層形成工程と、を備える。このモジュール基板の製造方法を用いると、端子数が多く、端子間ピッチの狭い電子部品を、基板に実装してキャビティに収容することができ、さらにキャビティに収容された電子部品が樹脂封止されることで、信頼性を向上することができる。また本発明のモジュール基板の製造方法は、一方主面に接続ランドを有する第1の基板を準備する工程と、電子部品を収容するための貫通孔を有する第2の基板を準備する工程と、前記第1の基板の一方主面の接続ランドと前記第2の基板の一方主面の前記孔周辺の接続ランドとを接続部材で接続し、前記第1の基板を前記第2の基板の一方主面に実装する第1実装工程と、前記第2の基板の他方主面側から、前記貫通孔に露出する前記第1の基板の一方主面に前記電子部品を実装する第2実装工程と、前記第2の基板の両主面に樹脂層を形成し、かつ前記貫通孔の内部に樹脂を充填する樹脂層形成工程と、を備える。このモジュール基板の製造方法を用いると、より厚みのある電子部品をキャビティに収容して樹脂封止したモジュール基板を製造できる。本発明によれば、端子数の多い電子部品であってもキャビティに収容することができ、さらにキャビティ内部を樹脂で充填することができる。この結果、電子部品の信頼性を向上することができる。以下、本発明に係るモジュール基板およびその製造方法の実施形態を、図面を参照して説明する。第1の実施形態図1は、本発明の第1の実施形態であるモジュール基板10の断面図である。コア基板11はセラミックグリーンシートを積層してなるLTCC低温焼成セラミックス:LowTemperatureCo-firedCeramics基板で構成されている。コア基板11の内部には内部配線12が形成されている。またコア基板11の両主面には表面電極13が形成されており、両主面に貫通する貫通孔であるキャビティ16が形成されている。表面電極13上にはハンダ14を介して電子部品15が実装されている。小片基板17は内部に内部配線18を有しており、一方主面上に表面電極19が形成されている。小片基板17の一方主面上の表面電極19上には、ハンダ14を介して電子部品20が実装されている。キャビティ16に電子部品20を収容するように、小片基板17はコア基板11の一方主面上に実装されている。ここでは、コア基板11のキャビティ16周囲の表面電極13上に小片基板17がハンダ14を介して実装されている。コア基板11の両主面には樹脂によって樹脂層21が形成され、キャビティ16内部も樹脂充填されている。外部電極22はコア基板11の他方主面に形成された樹脂層21上に形成されており、その表面にはメッキ膜23が形成されている。外部電極22は樹脂層21を貫通するように形成されたビア24によって表面電極13と接続されている。次に本第1の実施形態にかかるモジュール基板の製造方法を、図2を用いて説明する。図2aに示すように、小片基板17を用意する。小片基板17には内部配線18と表面電極19が形成されている。次に小片基板17の表面電極19上にハンダ14を介して電子部品20を実装する。電子部品20は多端子の電子部品である。ここで小片基板17は樹脂基板でもよいし、LTCC基板であってもよく、いずれの基板であっても、端子数が多く、端子間ピッチが狭い電子部品20を実装できる。次に図2bに示すように、コア基板11を用意する。コア基板11は貫通孔であるキャビティ16が形成されたLTCC基板である。コア基板11の両主面上には表面電極13が形成されている。またコア基板11には内部配線12が形成されている。次に、コア基板11の一方主面上の表面電極13上に接続部材となるハンダ14を印刷し、電子部品15を実装し、さらに電子部品20が実装された小片基板17を実装する。ここで小片基板17には中央部に電子部品20が実装されており、端部には、コア基板11と接続するための表面電極19が形成されている。またコア基板11のキャビティ16の周囲には表面電極13が形成されている。小片基板17をコア基板11にハンダ14を用いて実装するとき、小片基板17の端部の表面電極19と、コア基板11のキャビティ16の周囲の表面電極13が対応するように実装する。このように構成することにより、小片基板17の中央部に実装された電子部品20をコア基板11のキャビティ16に収容することができる。接続部材となるハンダ14の印刷する厚みを調整し、コア基板11と小片基板17との間に50μm以上のすき間ができるようにすることで、後述する樹脂層21の形成時に、樹脂をキャビティ16の内部に充填することができる。ハンダ14の厚みの調整は、印刷に使用するメタルマスクの厚みの調整で行い、コア基板11と小片基板17との間のすき間を50~100μmとすることができる。次に、図2cに示すように、コア基板11の他方主面に電子部品15を一方主面と同様の方法で実装する。次に図2dに示すように、コア基板11の両主面に樹脂層21を形成する。まず電子部品15および小片基板17が実装されているコア基板11の一方主面に樹脂シートを積層する。樹脂シートはPETフィルム上に複合樹脂を成形し半硬化させたものであり、いわゆるBステージ状態またはプリフレグ状態である。複合樹脂は熱硬化性樹脂と無機フィラーを混合したものである。熱硬化性樹脂は、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂等である。無機フィラーは、例えばAl2O3、SiO2、TiO2等である。前述のとおりコア基板11と小片基板17にはすき間が形成されており、積層された樹脂シートの樹脂が、すき間からキャビティ16の内部に流入することで、キャビティ16の内部が樹脂充填される。樹脂シートの積層後、熱硬化処理を施す。これによって一方主面に樹脂層21が形成される。次いで、他方主面にも同様にして樹脂シートを積層し、熱硬化によって樹脂層21を形成することで、コア基板11の両面に樹脂層21が形成される。なお、コア基板11の両主面に樹脂シートを積層し、熱硬化することで、両主面の樹脂層21を一括して形成してもかまわない。次に図2eに示すように、ビア24と外部電極22とメッキ膜23を形成し、本発明の第1の実施形態であるモジュール基板10を形成する。具体的には、ビア24はレーザーにて樹脂層21に貫通穴を形成して、次に薬液により貫通穴をデスミア処理した後、貫通穴に導電性ペーストを充填し硬化して形成する。ここで、導電性ペーストは金属粒子と熱硬化性樹脂を混合したものである。金属粒子は、例えばAu、Ag、Cu、Ni、Sn、Bi等の粒子である。熱硬化性樹脂は、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂等である。外部電極22は、形成されたビア24の上面に銅箔を貼り付け、エッチングレジストを印刷してエッチングを行って形成する。さらに外部電極22の表面には、メッキ膜23を形成する。メッキ膜23はNi/Snメッキ膜又はNi/Auメッキ膜等を湿式メッキ等によって形成する。以上の製造方法によってモジュール基板10が完成する。第1の実施形態に係るモジュール基板10では、多端子で端子間ピッチの狭い電子部品であっても実装できる小片基板17に電子部品20を実装して、コア基板11のキャビティ16に収容しており、キャビティ16に多端子で端子間ピッチの狭い電子部品を収容することが可能である。またキャビティ16の内部に樹脂が充填されることで、キャビティ16に収容される電子部品20が樹脂封止されるため、電子部品20の信頼性を向上することができる。図3はコア基板11におけるキャビティ16の部分を垂直方向から見た概略図であり、キャビティ16と小片基板17の位置を示している。図3aにおいて、小片基板17はキャビティ16よりも大きく、小片基板17の4辺に沿って形成されている表面電極によってコア基板11と接続されている。小片基板17とコア基板11が重なる部分の寸法Tは50~400μmであることが望ましく、キャビティ16の内部に樹脂が流入し易くなる。図3bは第1の実施形態の変形例である。小片基板17bは寸法Tで2辺がコア基板11と重なり、他の2辺が寸法Tbでコア基板とすき間を有している。すき間があることで、キャビティ16の内部への樹脂の流入がさらに容易となる。第2の実施形態図4は、本発明の第2の実施形態であるモジュール基板10Aの断面図である。第1の実施形態と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。第2の実施形態では、電子部品20が実装されている小片基板25が、一方主面にキャビティ30を有する点で第1の実施形態と異なる。小片基板25の一方主面には中央部にキャビティ30があり、この周囲には端部表面電極27が形成されている。キャビティ30の底面には底面表面電極28が形成されており、電子部品20がハンダ14を介して底面表面電極28上に実装されている。小片基板25の他方主面には表面電極26が形成されている。本第2の実施形態にかかるモジュール基板の製造方法を、図5を用いて説明する。図5aに示すように、キャビティ16を有するコア基板11と、キャビティ30を有する小片基板25を用意する。小片基板25はセラミックグリーンシートを積層して形成したLTCC基板である。積層のときにパンチでくり抜き穴を形成した積層体と、くり抜き穴を有さない積層体を圧着することで、くり抜き穴の部分をキャビティ30とすることができる。コア基板11の一方主面の表面電極13上に電子部品15を実装し、キャビティ16の周囲の表面電極13上には小片基板25を実装する。小片基板25のキャビティ30の底面は、コア基板11の他方主面に露出する。次に図5bに示すように、コア基板11の他方主面側から小片基板25の底部表面電極28上にディスペンサによってハンダ14を供給して塗布し、電子部品20を実装する。電子部品20はキャビティ16およびキャビティ30に収容される。さらにコア基板11の他方主面に電子部品15を実装する。次に図5cに示すようにコア基板11の両主面に樹脂層21を形成する。コア基板11と小片基板25にはすき間が形成されているため、樹脂がキャビティ16およびキャビティ30の内部に流入し、樹脂充填される。次に図5dに示すように、ビア24と外部電極22とメッキ膜23を形成し、モジュール基板10Aが完成する。第2の実施形態に係るモジュール基板10Aでは、小片基板25がキャビティ30を有することにより、電子部品20をコア基板のキャビティ16と小片基板25のキャビティ30に収容することができ、モジュール基板を低背化することができる。また第2の実施形態では、小片基板25をコア基板11の一方主面に実装してから、コア基板11の他方主面側から小片基板25の一方主面に電子部品20を実装する製造方法としている。この製造方法は、小片基板25がキャビティを有していない場合であっても当然行うことができる。第3の実施形態図6は、本発明の第3の実施形態であるモジュール基板10Bの断面図である。第1の実施形態と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。第3の実施形態では、小片基板31の一方主面上の表面電極32上にハンダ14を介して電子部品20が実装され、他方主面上の表面電極32上にハンダ14を介して電子部品15が実装されている点で第1の実施形態と異なる。このように、第3の実施形態に係るモジュール基板10Bでは、小片基板31の両主面に電子部品を実装できるため、モジュール基板に内蔵できる部品数を増加させることができるため、実装密度を向上することができ、モジュール基板の小型化が可能となる。第4の実施形態図7は、本発明の第4の実施形態であるモジュール基板10Cの断面図である。第1の実施形態と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。第4の実施形態では、小片基板34の一方主面上に電子部品20が実装され、内部に電子部品15が内蔵されている点で第1の実施形態と異なる。小片基板34は複数の層からなり、内部に内部配線を有している。電子部品15は内部配線に接続されている。このように、第4の実施形態に係るモジュール基板10Cでは、小片基板34の一方主面に電子部品を実装し、かつ、小片基板34の内部にも電子部品を内蔵できるため、モジュール基板に内蔵できる部品数を増加させることができる。この結果、モジュール基板の実装密度を向上することができるとともに、モジュール基板を低背化することができ、更なるモジュール基板の小型化が可能となる。本発明の実施形態の変形例を図8および図9で説明する。図8に示すモジュール基板10Dでは、小片基板17がインクジェット法により形成されたポスト33によってコア基板11に実装されている。小片基板17とコア基板11のすき間をより大きくすることができるため、キャビティ16への樹脂の流入性がより向上する。図9に示すモジュール基板10Eでは、コア基板11のキャビティ16は非貫通孔である。この場合でもキャビティ16に樹脂充填するという本発明の効果は維持される。このように電子部品20の大きさに応じて、コア基板11のキャビティ16は非貫通孔または貫通孔とすることができる。以上の実施形態においては、コア基板としてLTCC基板の例を示したが、リジット基板やフレキシブル基板などの樹脂基板を用いてもよい。