"C4画分1ブタン、ブテン及び当該C4画分の合計質量に対して0.5~3質量のアセチレンと共に1,3-ブタジエンを含む画分から選択溶媒を用いた抽出蒸留によって純粋な1,3-ブタジエンを単離する方法であって、前記C4画分中に含まれるアセチレンの合計質量に対して90~99質量の割合を選択的に水素化して部分的に水素化されたC4画分を得る第1プロセス工程と、続いて、選択溶媒を用いた抽出蒸留及び純粋蒸留を行い、純粋な1,3-ブタジエンを得るさらなるプロセス工程と、を有し、当該部分的な水素化に続くプロセス工程において、前記部分的に水素化されたC4画分に残留するアセチレンが排出されることを特徴とする方法。C4画分1が、C4画分1の合計質量に対して0.5~2.0質量の割合のアセチレンを含有する請求項1に記載の方法。前記抽出蒸留を、抽出蒸留塔K2で、及び抽出蒸留予備脱気塔K3の上部領域で、選択溶媒が1,3-ブタジエンに対するよりも低い親和性を有するC4画分1の成分、特に、ブタン及びブテンが実質的に気相に留まり、且つ抽出蒸留塔K2から塔頂流5として取り出される一方で、1,3-ブタジエン及び選択溶媒が1,3-ブタジエンに対するよりも高い親和性を有するさらなる炭化水素が実質的に完全に選択溶媒によって吸着されるように実施する請求項1又は2に記載の方法であって、粗1,3-ブタジエン流6が、抽出蒸留予備脱気塔K3の上部領域における下端で取り出され、選択溶媒に吸着された炭化水素が、選択溶媒に対するそれらの親和性とは逆の順序で抽出蒸留予備脱気塔K3の下部領域及び脱気塔K4中に脱着されて抽出蒸留塔K2へと再利用される精製された選択溶媒流11をもたらし、且つ粗1,3-ブタジエン流6が、純粋な1,3-ブタジエンが単離される純粋蒸留塔K5へと供給される方法。部分的に水素化されたC4画分2に残留するC4-アセチレンの一部が、精製された選択溶媒11が取り出される脱気塔K4に属する側塔を介して排出され流れ10、残部が純粋蒸留塔K5から塔底流9を介して排出される請求項3に記載の方法。プロピンが純粋蒸留塔K5から塔頂流7を介して取り出される請求項1~4の何れか1項に記載の方法。粗1,3-ブタジエン6を単離するための部分的に水素化されたC4画分2の抽出蒸留を、第1小区域、第2小区域及びより下部の複合塔領域を形成するために隔壁が塔の長手方向に配置され、且つ抽出洗浄塔によって先行される分割壁塔で実施する請求項1~5の何れか1項に記載の方法であって、精製された溶媒からなる塔底流が分割壁塔から得られるように、分割壁塔の運転を、塔底部気化器及び前記より下部の複合塔領域における理論段数の選択を介して分割壁塔へのエネルギー投入量を調節することにより設定する方法。選択溶媒が85~95質量のNMP及び6~12質量の水を含む請求項1~6の何れか1項に記載の方法。上記に照らして、本発明の目的は、公知の方法と比べて選択性がそれほど高くない触媒を用いて、且つ単純な装置を用いて実施することができる、アセチレンのフロントエンド選択的水素化を用いてC4画分から純粋な1,3-ブタジエンを単離するための改良された方法を提供することにある。この目的は、C4画分1ブタン、ブテン及びこのC4画分の合計質量に対して0.5~3質量のアセチレンと共に1,3-ブタジエンを含む画分から選択溶媒を用いた抽出蒸留によって純粋な1,3-ブタジエンを単離する方法であって、前記C4画分中に含まれるアセチレンの合計質量に対して90~99質量の割合を選択的に水素化して部分的に水素化されたC4画分を得る第1プロセス工程と、続いて、選択溶媒を用いた抽出蒸留及び純粋蒸留を行い、純粋な1,3-ブタジエンを得るさらなるプロセス工程と、を有し、当該部分的な水素化に続くプロセス工程において、前記部分的に水素化されたC4画分に残留するアセチレンが排出されることを特徴とする方法によって達成される。部分的なフロントエンド選択的水素化のみを実施することができ、その部分的な選択的水素化の後に残留するアセチレンを、いかなる場合においても後に続くプロセス工程で他の分離作業のために存在しているであろう装置内で排出することができることがわかった。C4画分のアセチレンの割合は、特に、C4画分の合計質量に対して0.5~1.5質量の範囲である。アセチレンはプロピン及びC4-アセチレンブチン、すなわち、1-ブチンエチルアセチレン及びブテニンビニルアセチレンである。C4画分の部分的なフロントエンド選択的水素化は、一般的にC4画分と水素が好適な不均一系触媒を通過する反応器中で実施される。この目的のための好適な触媒は、特に、酸化アルミニウムに坦持されたパラジウムである。その後、粗1,3-ブタジエンは、部分的に水素化されたC4画分から選択溶媒を用いた抽出蒸留によって単離され、そしてこの粗1,3-ブタジエンは続いて蒸留によって精製されて純粋な1,3-ブタジエンをもたらす。原則として、抽出蒸留のために任意の公知の方法を用いることが可能である。選択溶媒を用いたC4画分の抽出蒸留のためのすべてのプロセスにおいて、分画されるべきC4画分は液状の選択溶媒に対して向流で、好適な熱力学的条件、一般に低温、通常20~80°Cの範囲で、且つ適度な圧力で、しばしば約0.3~約0.6MPa約3~約6barで蒸気形態で運搬され、選択溶媒は、その選択溶媒が比較的高い親和性を有するC4画分の構成成分を負荷することになる。一方で、選択溶媒が低い親和性を有する構成成分は蒸気相に留まり、塔頂流として取り出される。その後、構成成分は好適な熱力学的条件下で、すなわち、最初のプロセス工程と比較して高温及び/又は低圧下で、1以上のさらなるプロセス工程で負荷された選択溶媒流から分画的に脱着される。抽出蒸留のための選択溶媒は、好ましくは、85~95質量のNMP及び6~12質量の水を含む。加えて、選択溶媒はさらに、特に、助剤、消泡剤、有機二次成分を不純物として含み得る。C4画分の抽出蒸留はしばしば、選択溶媒が1,3-ブタジエンに対するよりも低い親和性を有するC4画分の成分、特に、ブタン及びブテンが実質的に気相に留まる一方で、1,3-ブタジエン及びアセチレン並びに選択溶媒が1,3-ブタジエンに対するよりも高い親和性を有するさらなる炭化水素が選択溶媒によって実質的に完全に吸着されるような方法で運転される。気相は塔頂流として取り出され、そしてしばしばラフィネート1と呼ばれる。そのような方法はDE-A19818810等に記載されており、そこでは、ラフィネート1は、図1及び2にGbcと記載された、抽出蒸留塔EIからの塔頂流である。1,3-ブタジエン及びまた選択溶媒が1,3-ブタジエンに対するよりも高い親和性を有するさらなる炭化水素を負荷した選択溶媒の後処理が一般的に分別脱着fractionaldesorptionにより実施され、そこでは、選択溶媒に吸着された炭化水素は選択溶媒に対するその親和性とは逆の順番で脱着される。そのような方法は、DE-A19818810等に記載されており、それによれば、1,3-ブタジエン及び他のC4炭化水素を負荷し、且つ抽出溶液adと呼ばれる選択溶媒が、プロセス工程3において抽出ゾーンと比較して低減された圧力及び/又は増大した温度を有する脱着ゾーンに移され、1,3-ブタジエンは、液相に残留する他のC4炭化水素の大部分と共に抽出溶液adから脱着される。ここでは、二つの別々の流れ、すなわち、粗1,3-ブタジエン流としての1,3-ブタジエン及び抽出溶液dとして他のC4炭化水素を負荷した選択溶媒が取り出される。最後に、残留する1,3-ブタジエン及び他のC4炭化水素が、第1脱着ゾーンと比べて低い圧力及び/又は増大した温度を有し、且つ圧力及び/又は温度の勾配を有する第2脱着ゾーンにおいて、抽出溶液dから少なくとも2つの別々の画分として分別脱着される。抽出蒸留は、好ましくは、抽出蒸留塔中で、及び抽出蒸留予備脱気塔の上部領域で、選択溶媒が1,3-ブタジエンに対するよりも低い親和性を有するC4画分の成分、特に、ブタン及びブテンが実質的に気相に留まり、抽出蒸留塔から塔頂流として取り出される一方で、1,3-ブタジエン及び選択溶媒が1,3-ブタジエンに対するよりも高い親和性を有するさらなる炭化水素が選択溶媒によって実質的に完全に脱着されるように実施される。そこでは、粗1,3-ブタジエン流が抽出蒸留予備脱気塔の上部領域の下端で取り出され、選択溶媒中に吸着された炭化水素が抽出蒸留予備脱気塔の下部領域で、及び脱気塔で、選択溶媒に対するそれらの親和性とは逆の順番で脱着されて抽出蒸留塔へと再利用される精製された選択溶媒の流れをもたらし、粗1,3-ブタジエン流は純粋な1,3-ブタジエンが単離される純粋蒸留塔へと供給される。上記運転のモードでは、部分的に水素化されたC4画分に残留するC4アセチレンの一部が、精製された選択溶媒が取り出される脱気塔に属する側塔を介して排出され、残部は塔底流を介して純粋蒸留塔から排出される。プロピンは、塔頂流を介して純粋蒸留塔から低沸点成分として取り出される。さらなる好ましいプロセス変形では、粗1,3-ブタジエンを単離するための部分的に水素化されたC4画分の抽出蒸留が、隔壁が第1小区域、第2小区域及びより低部の複合塔領域を形成するために塔の長手方向に配置され、且つ抽出洗浄塔によって先行される分割壁塔において実施される。そのプロセス変形は、精製された溶媒からなる塔底流が分割壁塔から得られるように、分割壁塔の運転が塔底部気化器及びより下部の複合塔領域における理論段数の選択を介した分割壁塔へのエネルギー投入量の調整によって設定されることを特徴とする。このプロセス変形は、運転の圧縮機無しモードとして公知であり、EP-A1628940等に記載されている。本発明を、図及び例を用いて以下に説明する。唯一の図である図1は、本発明の方法を実施するための好ましい装置を示している。C4画分である流れ1が、部分的なフロントエンド選択的水素化を実施するために水素H2と共に反応器Rへと供給される。部分的に水素化されたC4画分は反応器Rから取り出され、高沸点成分が塔底部から流れ3として取り出される高沸点成分塔K1へと供給され、高沸点成分を取り尽くされた流れ4はブタン及びブテンwoを含有するラフィネート1の流れ5が塔頂部から取り出される塔K2中での抽出蒸留へと供給される。特定の実施形態では、塔K1の濃縮部はスプレー保護sprayprotection又はデミスターのみからなり、低還流比で運転される。さらなる特定の実施形態では、塔K1を濃縮部無しで構成することができ、且つ還流無しで運転することができる。図示の好ましい設計の変形では、抽出蒸留塔K2からの塔底流が、粗1,3-ブタジエンの流れ6が側部取出し口sideofftake及び選択溶媒を阻止する逆洗プレートを備える小塔を介して取り出される抽出蒸留予備脱気塔K3へと供給される。粗1,3-ブタジエンの流れ6は、その図において描かれた好ましい実施の形態では、分割壁塔として構成された純粋蒸留塔K5へ、その中間領域で供給される。抽出蒸留予備脱気塔K3からの部分的に脱気された塔底流が、精製された選択溶媒が塔底部から取り出され、且つ抽出蒸留塔K2へと再利用される脱気塔K4の上部領域へと導入される。1,3-ブタジエンよりも低揮発性の成分、特に、C5-炭化水素、カルボニル等の成分及びC4アセチレンが側部取出し口を介して脱気塔K4から取り出され、溶媒の逆洗のために提供された小さな側塔へと供給され、この側塔の塔頂部から流れ10として排出される。好ましくは分割壁塔として構成されている純粋蒸留塔K5では、プロピン及び1,3-ブタジエンよりも低い沸点を有するさらなる成分が塔頂流7を介してC4画分から排出され、高沸点成分及びC4-アセチレンは塔底流9を介して排出され、純粋な規格に適合した1,3-ブタジエンが分割壁塔の取出し領域から側部取出し口を介して排出される。実施例1以下の表1に示す質量の質量割合と質量流量kg/hとを有するC4画分流れ1を図1の概略図に対応する装置に供給した:抽出蒸留塔K2、抽出蒸留予備脱気塔K3及び脱気塔K4を、塔頂部で0.48MPa4.8bar絶対圧力の圧力でそれぞれ運転した。抽出蒸留塔K2は24の理論段を含み、抽出蒸留予備脱気塔K3は26の理論段を含み、そして脱気塔K4は14の理論段を含む。純粋蒸留塔K5は塔頂部で0.53MPa5.3bar絶対圧力の圧力で運転し、80の理論段を含む。反応器Rにおける部分的な選択的水素化は、18.01kg/hのプロピン、41.44kg/hの1-ブチン及び23.79kg/hのビニルアセチレンをなお含有する流れ2をもたらす。反応器Rにおける選択的水素化でのビニルアセチレンの転化は91.6である。アセチレンのこれらの残留含有量を、実質的に完全にその後のプロセス工程で排出する:プロピンを実質的に完全に純粋塔K5から塔頂流7を介して分離し、1-ブチンを脱気塔K4に属する側塔を介して流れ1014.79kg/hとして、及び純粋塔K5から塔底流926.59kg/hを介して分離する。ビニルアセチレンブテニンは脱気塔K4に属する側塔から流れ1020.85kg/hを介して、及び純粋塔K5から塔底流92.85kg/hを介して排出する。純粋塔K5からの側部取出し流8は、99.72質量の1,3-ブタジエン及びさらに0.28質量のブテンイソブテン、トランス-2-ブテン及びシス-2-ブテンを有する規格内の1,3-ブタジエンを含む。アセチレンプロピン、1-ブチン及びビニルアセチレンの割合は必要な生成物規格の制限を下回っている。実施例2表1に示される組成を有するC4画分流れ1を、図1の概略図に相当する装置へと供給する:反応器Rにおける選択的水素化でのビニルアセチレンの転化は95である。少量のビニルアセチレン及び1-ブチンをC8成分等の比較的高沸点の成分と共に塔K1の底部で排出する。それゆえ、図1による抽出蒸留塔K2への供給流は、なおも38.5kg/hの1-ブチン及び15.0kg/hのプロピンと共に14.9kg/hのビニルアセチレンである。プロピンは実質的に完全に純粋塔K5から塔頂流7で取り出す。1-ブチンは脱気塔K4に属する側塔を介して流れ109.3kg/hとして、及びまた、純粋塔K5から塔底流929.2kg/hを介して取り出す。ビニルアセチレンブテニンは脱気塔K4に属する側塔から流れ1013.4kg/hを介して、及び純粋塔K5から塔底流91.4kg/hを介して取り出す。純粋塔K5からの側部取出し流8は、99.8質量を超える1,3-ブタジエンを有する規格内の1,3-ブタジエンを含む。加えて、小さい割合のブテンn-ブテン、イソブテン、トランス-2-ブテン、及びシス-2-ブテンを含む。アセチレンプロピン、1-ブチン及びビニルアセチレンの割合はそれぞれの場合において必要な生成物規格の制限を下回っている。実施例3表1に示した組成を有するC4画分流れ1を図1に示した装置へと供給する:反応器Rにおける選択的水素化でのビニルアセチレンの転化は98である。図1に示されるように、抽出蒸留塔K2への供給流は、36.4kg/hの1-ブチン及び14.4kg/hのプロピンと共に5.7kg/hのビニルアセチレンである。プロピンは実質的に完全に純粋塔K5からの塔頂流7で取り出す。1-ブチンは脱気塔K4に属する側塔を介して流れ1020.6kg/hとして、及び純粋塔K5からの塔底流915.8kg/hを介して取り出す。ビニルアセチレンブテニンは脱気塔K4に属する側塔から流れ105.2kg/hを介して、及び純粋塔K5から塔底流90.4kg/hを介して排出する。純粋塔K5からの側部取出し流8は、99.8質量を超える1,3-ブタジエンを有する規格内の1,3-ブタジエンを含む。加えて、小さい割合のブテンn-ブテン、イソブテン、トランス-2-ブテン及びシス-2-ブテンを含んでいる。アセチレンプロピン、1-ブチン及びビニルアセチレンの割合はそれぞれの場合において必要な生成物規格の制限を下回っている。実施例4表1に示される組成を有するC4画分流れ1を図1に示す装置に供給する:反応器Rにおける選択的水素化でのビニルアセチレンの転化は99である。図1に示す抽出蒸留塔K2への供給流は、34.6kg/hの1-ブチン及び13.8kg/hのプロピンと共に2.7kg/hのビニルアセチレンである。プロピンは実質的に完全に純粋塔K5からの塔頂流7で取り出す。1-ブチンは脱気塔K4に属する側塔を介して流れ1016.1kg/hとして、及び純粋塔K518.3kg/hから塔底流9を介して取り出す。ビニルアセチレンブテニンは脱気塔K4に属する側塔から流れ102.5kg/hを介して、及び純粋塔K50.14kg/hから塔底流9を介して排出する。純粋塔K5からの側部取出し流8は、99.8質量を超える1,3-ブタジエンを有する規格内の1,3-ブタジエンを含有する。加えて、小さい割合のブテンn-ブテン、イソブテン、トランス-2-ブテン及びシス-2-ブテンを含む。アセチレンプロピン、1-ブチン及びビニルアセチレンの割合はそれぞれの場合において必要な生成物規格の制限を下回っている。従って、実施例1~4は、請求した全範囲、すなわち、90~99の範囲に亘るビニルアセチレンの転化で、規格内の1,3-ブタジエンが常に純粋な蒸留物中に得られることを示している。"