"半導体基板と、前記半導体基板に形成され、光を信号電荷に変換する受光部と、前記受光部の上方に対応する部位に形成された開口を除き、前記半導体基板の上側を覆う遮光層と、前記遮光層を覆い且つ前記開口を閉塞する形で形成された光透過層と、前記光透過層の上方に設けられ、上方からの入射光を前記受光部に集光するレンズとを備え、前記光透過層は、空気に対する屈折率差が酸化シリコンの空気に対する屈折率差よりも大きい透光性材料からなり、前記光透過層には、少なくとも前記遮光層の前記開口の外周部の上方に対応する部位に厚み方向に貫通する空洞が形成されてなることを特徴とする固体撮像装置。前記光透過層の材料と異なる透材料により形成され且つ前記光透過層の下側に設けられ、前記空洞の底壁を構成する下地層を更に備えることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。前記光透過層上に形成され、前記空洞の天井壁を構成する被覆層を更に備えることを特徴とする請求項1または請求項2記載の固体撮像装置。前記空洞は、平面視で前記開口の外周部の全周に亘って環状に形成されてなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記光透過層は、シリコンナイトライドまたはシリコンオキシナイトライドにより形成されてなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記光透過層は、前記受光部の上方であり且つ前記空洞の内側の部位がシリコンナイトライドまたはシリコンオキシナイトライドにより形成され、前記遮光層の上方であり且つ前記空洞の外側の部位が酸化シリコンにより形成されてなることを特徴とする請求項4記載の固体撮像装置。前記空洞は、平面視で前記遮光層の前記開口の上方に対応する部位以外の部位まで延長する形で形成されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記光透過層は、シリコンナイトライドまたはシリコンオキシナイトライドにより形成されてなり、且つ、前記下地層は、酸化シリコンにより形成されてなることを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。前記半導体基板に形成され、前記受光部により変換された信号電荷を転送するための電荷転送チャネルと、前記半導体基板の表面に透光性材料により形成された第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上における前記受光部の上方に形成された反射防止層と、前記第1の絶縁層上における前記電荷転送チャネルの上方に形成された電荷転送電極と、少なくとも前記電荷転送電極における前記第1の絶縁層上に露出した部位を覆うように形成された第2の絶縁層とを更に備え、前記第2の絶縁層上に前記遮光層が形成されてなることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の固体撮像装置。半導体基板に光を信号電荷に変換する受光部を形成する工程と、前記半導体基板の上側全体を覆い且つ前記受光部の上方に対応する部位に開口を有する遮光層を形成する工程と、前記遮光層を覆い且つ前記開口を閉塞する形で下地層を形成する工程と、前記下地層上に、透光性材料により光透過層を形成する工程と、前記光透過層における前記遮光層の前記開口の外周部の上方に対応する部位を、前記下地層をエッチングストッパ層としてエッチングし、溝を形成する工程と、前記光透過層上に、前記溝の上端部を閉塞する形で被覆層を形成することにより空洞を形成する工程と、前記被覆層の上方に、上方からの入射光を前記受光部に集光するレンズを形成する工程とを含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。半導体基板に光を信号電荷に変換する受光部を形成する工程と、前記半導体基板の上側全体を覆い且つ前記受光部の上方に対応する部位に開口を有する遮光層を形成する工程と、前記遮光層を覆い且つ前記開口を閉塞する形で下地層を形成する工程と、前記下地層上に、透光性材料により第1の光透過層を形成した後に、前記第1の光透過層のうち、前記受光部の上方に対応する部位以外の部位をエッチングにより除去することによりリッジ部を形成する工程と、前記下地層の露出部位および前記リッジ部の露出部位を覆うマスク層を形成した後に、異方性ドライエッチングにより前記リッジ部の側壁以外の部位に形成されたマスク層を除去することによりサイドウォールを形成する工程と、前記リッジ部の露出部位、前記サイドウォールおよび前記下地層の露出部位を覆うように透光性材料により第2の光透過層を形成した後に、CMP法により前記サイドウォールの上端部が露出するまで前記第2の光透過層をポリッシングする工程と、ウェットエッチング法により前記サイドウォールを除去して溝を形成する工程と、前記光透過層上に、前記溝の上端部を閉塞する形で被覆層を形成することにより空洞を形成する工程と、前記被覆層の上方に、上方からの入射光を前記受光部に集光するレンズを形成する工程とを含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。半導体基板に光を信号電荷に変換する受光部を形成する工程と、前記半導体基板の上側全体を覆い且つ前記受光部の上方に対応する部位に開口が形成されてなる遮光層を形成する工程と、前記遮光層を覆い且つ前記開口を閉塞する形で下地層を形成する工程と、前記下地層上にダミー層を形成した後に、当該ダミー層における前記受光部の上方に対応する部位をエッチングにより除去する工程と、前記ダミー層および前記下地層の露出部位を覆うように、透光性材料により光透過層を形成した後に、前記光透過層の表面を平坦化処理し、その後、前記光透過層における前記受光部の上方に対応する部位以外の部位に前記光透過層の厚み方向に貫通するホールを形成する工程と、前記ホールを介してエッチャントを注入するウェットエッチング法により、前記ダミー層をエッチングして前記ダミー層を除去することにより前記光透過層を形成する工程と、前記光透過層上に、前記ホールを閉塞する被覆層を形成することにより空洞を形成する工程と、前記被覆層の上方に、上方からの入射光を前記受光部に集光するレンズを形成する工程とを含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。前記下地層は、酸化シリコンにより形成され、前記光透過層は、シリコンナイトライドにより形成され、前記被覆層は、シリコンナイトライドにより形成されることを特徴とする請求項10記載の固体撮像装置の製造方法。前記マスク層は、多結晶シリコンにより形成され、前記第1の光透過層は、シリコンナイトライドにより形成され、前記第2の光透過層は、酸化シリコンにより形成されることを特徴とする請求項11記載の固体撮像装置の製造方法。前記下地層は、シリコンナイトライドにより形成され、前記ダミー層は、酸化シリコンにより形成されることを特徴とする請求項12記載の固体撮像装置の製造方法。しかしながら、特許文献1に記載された固体撮像装置では、上記光導波路において、クラッドとなる部位が、屈折率が1.0のエアギャップG4であり、コアとなる部位が、屈折率が1.45の酸化シリコンであって、この場合、コアからエアギャップG4への光の漏れ出し距離が100nm程度になる。従って、固体撮像装置について、感度の向上および隣接セル間での混色の更なる抑制を図るためには、上記光導波路において、コアの光の閉じ込め効果を向上させ、コアからエアギャップG4への光の漏れ出し量を低減することが要請される。本発明は、上記事由に鑑みてなされたものであり、感度の向上および隣接セル間での混色の抑制が可能な固体撮像装置を提供する。本発明に係る固体撮像装置は、半導体基板と、半導体基板に形成され、光を信号電荷に変換する受光部と、受光部の上方に対応する部位に形成された開口を除き、半導体基板の上側を覆う遮光層と、遮光層を覆い且つ開口を閉塞する形で形成された光透過層と、光透過層の上方に設けられ、上方からの入射光を受光部に集光するレンズとを備え、光透過層が、空気に対する屈折率差が酸化シリコンの空気に対する屈折率差よりも大きい透光性材料からなり、光透過層には、少なくとも遮光層の開口の外周部の上方に対応する部位に厚み方向に貫通する空洞が形成されてなる。本構成によれば、光透過層における受光部の上方に対応する部位をコアとし且つ当該受光部の外周部の上方に対応する、空洞が形成された部位をクラッドとする光導波路について、光透過層を酸化シリコンにより形成した場合に比べて、上記コアの光閉じ込め効果が向上するので、感度の向上を図ることができる。また、複数の受光部が配列されてなる構成では、1つの受光部に対応する光導波路に入射した光の一部が、当該受光部に隣接する受光部に入ることによる混色の発生の低減を図ることができる。また、本発明に係る固体撮像装置は、上記光透過層の材料と異なる透光性材料により形成され且つ上記光透過層の下側に設けられ、上記空洞の底壁を構成する下地層を更に備えてもよい。本構成によれば、光透過層のエッチングレートが下地層のエッチングレートに比べて大きくなるように材料を選択することにより、空洞形成時におけるエッチングの選択比が向上し、高さ方向における空洞の位置ばらつきを抑制することができるので、上記光導波路の位置のばらつきを抑制でき、感度のばらつきを低減できる。また、本発明に係る固体撮像装置は、上記光透過層上に形成され、上記空洞の天井壁を構成する被覆層を更に備えてもよい。本構成によれば、光透過層上に平坦化層を形成する際に、上記空洞が平坦化層を構成する材料により埋め込まれることを防止するので、製造の容易化を図ることができる。また、本発明に係る固体撮像装置は、上記空洞が、平面視で上記開口の外周部の全周に亘って環状に形成されてなるものであってもよい。本構成によれば、上記光透過層の内部における空洞の内側への光閉じ込め効果が向上し、ひいては上記光導波路の上記コアの光閉じ込め効果が向上することになるので、感度の向上を図ることができる。また、複数の受光部が配列されてなる構成では、1つの受光部に対応する光導波路に入射した光の一部が、当該受光部に隣接する受光部に入ることによる混色の発生の低減を図ることができる。また、本発明に係る固体撮像装置は、上記光透過層が、シリコンナイトライドまたはシリコンオキシナイトライドにより形成されてなるものであってもよい。本構成によれば、上記光透過層を酸化シリコンよりも屈折率の高いシリコンナイトライドあるいはシリコンオキシナイトライドにより形成することにより、上記光導波路について、コアとクラッドの比屈折率差を更に大きくすることができるので、上記コアの光の閉じ込め効果を向上させることができるから、感度の向上を図ることができる。また、複数の受光部が配列されてなる構成では、1つの受光部に対応する光導波路に入射した光の一部が、当該受光部に隣接する受光部に入ることによる混色の発生の低減を図ることができる。また、本発明に係る固体撮像装置は、上記光透過層が、上記受光部の上方であり且つ上記空洞の内側の部位がシリコンナイトライドまたはシリコンオキシナイトライドにより形成され、上記遮光層の上方であり且つ上記空洞の外側の部位が酸化シリコンにより形成されてなるものであってもよい。本構成によれば、上記光透過層における、上記空洞と当該空洞の外側の部位との間の比屈折率差を小さくすることにより、上記光透過層における空洞の外側の部位に入射した光の空洞側への漏れ出し距離を大きくして上記光導波路のコアへ浸入させることができるので、上記光透過層における空洞の外側の部位に入射することによる光損失を低減することができる。また、本発明に係る固体撮像装置は、上記空洞が、平面視で上記遮光層の開口の上方に対応する部位以外の部位まで延長する形で形成されているものであってもよい。本構成によれば、上記光透過層において、上記空洞が、平面視で上記遮光層の開口の上方に対応する部位以外の部位まで延出する形で形成されていることにより、上記光導波路においてコアとクラッドとの間の比屈折率差を更に大きくできるので、光導波路のコアの光閉じ込め効果をより向上させることができるから、感度の向上を図ることができる。また、複数の受光部が配列されてなる構成では、1つの受光部に対応する光導波路に入射した光の一部が、当該受光部に隣接する受光部に入ることによる混色の発生の低減を図ることができる。また、本発明に係る固体撮像装置は、上記光透過層が、シリコンナイトライドまたはシリコンオキシナイトライドにより形成されてなり、且つ、上記下地層が、酸化シリコンにより形成されてなるものであってもよい。本構成によれば、上記光透過層が、シリコンナイトライドまたはシリコンオキシナイトライドにより形成されてなり、且つ、上記下地層が、酸化シリコンにより形成されてなることにより、空洞を形成する際、光透過層と下地層とのエッチング選択比が向上し、高さ方向における空洞の位置ばらつきを抑制することができるので、上記光導波路の位置のばらつきを抑制でき、感度のばらつきを低減できる。また、本発明に係る固体撮像装置は、上記半導体基板に形成され、上記受光部により変換された信号電荷を転送するための電荷転送チャネルと、上記半導体基板の表面に透光性材料により形成された第1の絶縁層と、上記第1の絶縁層上における上記受光部の上方に形成された反射防止層と、上記第1の絶縁層上における上記電荷転送チャネルの上方に形成された電荷転送電極と、少なくとも上記電荷転送電極における上記第1の絶縁層上に露出した部位を覆うように形成された第2の絶縁層とを更に備え、第2の絶縁層上に遮光層が形成されてなるものであってもよい。本構成によれば、電荷転送チャネルおよび電荷転送電極を備える固体撮像装置にも適用することができる。また、本発明は、半導体基板に光を信号電荷に変換する受光部を形成する工程と、前記受光部の上方に対応する部位に形成された開口を除き、前記半導体基板の上側を覆う遮光層を形成する工程と、遮光層を覆い且つ開口を閉塞する形で下地層を形成する工程と、下地層上に、透光性材料により光透過層を形成する工程と、光透過層における遮光層の開口の外周部の上方に対応する部位を、下地層をエッチングストッパ層としてエッチングし、溝を形成することにより光透過層を形成する工程と、光透過層上に、溝の上端部を閉塞する形で被覆層を形成することにより空洞を形成する工程と、被覆層の上方に、上方からの入射光を前記受光部に集光するレンズを形成する工程とを含む固体撮像装置の製造方法であってもよい。本構成によれば、光透過層をエッチングして溝を形成する際に、下地層がシリコン酸化膜であるとエッチングの選択比を高くすることができるため、光導波路の高さ位置のばらつきを抑制でき、感度のばらつきを低減することができる。更に、光透過層と下地層とのエッチング選択比を高くすることにより下地層の厚みを低減すれば、その分、光導波路の下端部を受光部側に近づけることができるので、光導波路の下端部における光損失を低減することができるから、感度の向上を図ることができる。また、本発明は、半導体基板に光を信号電荷に変換する受光部を形成する工程と、前記受光部の上方に対応する部位に形成された開口を除き、前記半導体基板の上側を覆う遮光層を形成する工程と、遮光層を覆い且つ開口を閉塞する形で下地層を形成する工程と、下地層上に、透光性材料により第1の光透過層を形成した後に、第1の光透過層のうち、受光部の上方に対応する部位以外の部位をエッチングにより除去することによりリッジ部を形成する工程と、下地層の露出部位およびリッジ部の露出部位を覆うマスク層を形成した後に、異方性ドライエッチングによりリッジ部の側壁以外の部位に形成されたマスク層を除去することによりサイドウォールを形成する工程と、リッジ部の露出部位、サイドウォールおよび下地層の露出部位を覆うように透光性材料により第2の光透過層を形成した後に、CMP法によりサイドウォールの上端部が露出するまで第2の光透過層をポリッシングする工程と、ウェットエッチング法によりサイドウォールを除去して溝を形成する工程と、第1の光透過層および第2の光透過層上に、溝の上端部を閉塞する形で被覆層を形成することにより空洞を形成する工程と、被覆層の上方に、上方からの入射光を受光部に集光するレンズを形成する工程とを含む固体撮像装置の製造方法であってもよい。本構成によれば、空洞の内側の第1の光透過層と外側の第2の光透過層とを異なる材料により形成することができるので、空洞の内側と外側とで屈折率差のある材料を選択することが可能となる。また、本発明は、半導体基板に光を信号電荷に変換する受光部を形成する工程と、前記受光部の上方に対応する部位に形成された開口を除き、前記半導体基板の上側を覆う遮光層を形成する工程と、遮光層を覆い且つ開口を閉塞する形で下地層を形成する工程と、下地層上にダミー層を形成した後に、当該ダミー層における受光部の上方に対応する部位をエッチングにより除去する工程と、ダミー層および下地層の露出部位を覆うように、透光性材料により光透過層の基となる光透過層を形成した後に、光透過層の表面を平坦化処理し、その後、光透過層における前記受光部の上方に対応する部位以外の部位に光透過層の厚み方向に貫通するホールを形成する工程と、ホールを介してエッチャントを注入するウェットエッチング法により、ダミー層をエッチングしてダミー層を除去する工程と、光透過層上に、ホールを閉塞する被覆層を形成することにより空洞を形成する工程と、被覆層の上方に、上方からの入射光を受光部に集光するレンズを形成する工程とを含む固体撮像装置の製造方法であってもよい。本構成によれば、ダミー層における受光部の上方に対応する部位をエッチングにより除去する工程において、等方性エッチングを行うことによってダミー層に、厚み方向に貫通する順テーパー形状の貫通孔が形成され、その後、当該貫通孔を閉塞する形で光透過層が形成され、その後、ダミー層が除去されることにより、上記光透過層における上記受光部の上方に対応する部位が逆テーパー形状に形成されることになるので、上記光導波路のコアの光閉じ込め効果を向上させることができる構造を実現できる。また、本発明は、上記下地層が、酸化シリコンにより形成されてなり、上記光透過層が、シリコンナイトライドにより形成されてなり、上記被覆層が、シリコンナイトライドにより形成される固体撮像装置の製造方法であってもよい。本構成によれば、光透過層をエッチングして溝を形成する際に、下地層がシリコン酸化膜であるとエッチングの選択比を高くすることができるため、高さ方向における空洞の位置ばらつきを抑制することができるので、光透過層における受光部の上方に対応する部位をコアとし且つ空洞をクラッドとする光導波路の位置のばらつきを抑制でき、感度のばらつきを低減することができる。また、本発明は、上記マスク層が、多結晶シリコンにより形成され、上記第1の光透過層が、シリコンナイトライドにより形成され、上記第2の光透過層が、酸化シリコンにより形成される固体撮像装置の製造方法であってもよい。本構成によれば、多結晶シリコンによりサイドウォールを形成することにより、幅100nm程度の溝を高精度に形成することができるので、幅200nm程度の溝しか形成できない製造方法に比べて、溝の上端部を閉塞するのに必要な被覆層の厚みの低減を図ることができ、レンズと受光部との間の距離の低減が図れるから、レンズの高NA化による感度の向上を実現できる。また、本発明は、上記下地層および上記光透過層が、シリコンナイトライドにより形成され、上記ダミー層が、酸化シリコンにより形成される固体撮像装置の製造方法であってもよい。本構成によれば、酸化シリコンにより形成されたダミー層における受光部の上方に対応する部位をエッチングにより除去する工程において、等方性エッチングを行うことによってダミー層に、厚み方向に貫通する順テーパー形状の貫通孔が形成され、当該貫通孔を閉塞する形でシリコンナイトライドからなる光透過層が形成され、その後、ダミー層が除去されることにより、上記光透過層における上記受光部の上方に対応する部位が逆テーパー形状に形成されることになるので、上記光導波路のコアの光閉じ込め効果が向上し、感度の向上を図ることができる。また、下地層がシリコンナイトライドにより形成されていることにより、下地層の厚みを40nm程度まで低減することができ、光導波路の下端部と受光部との間の距離を40nm程度まで近づけることができるので、光導波路の下端部における光損失を低減することができるから、感度の向上を図ることができる。<実施の形態1><1>構成本実施の形態に係る固体撮像装置の全体構成について、図1を用いて説明する。本実施の形態に係る固体撮像装置は、インタライン転送CCD型固体撮像装置であり、図1に示すように、複数のセル100がX-Y面方向にマトリクス状行列状に配列され、複数のセル100に対し、各行間にはY軸方向に延伸する垂直CCD部21が設けられ、垂直CCD部21のY軸方向下端において、X軸方向に延伸する水平CCD部22が設けられている。複数のセル100および垂直CCD部21等を含めた領域が、画素領域10となる。本実施の形態に係る固体撮像装置の1つのセル100近傍の断面図を図2に示す。固体撮像装置は、半導体基板1と、光を信号電荷に光電変換する受光部2と、電荷転送チャネル3と、半導体基板1の表面全体を覆う第1の絶縁層4aと、受光部2に入射する光の反射を防止する反射防止層4bと、第1の絶縁層4a上における電荷転送チャネル3の上方に対応する部位に設けられた電荷転送電極5と、電荷転送電極5を覆うように形成された第2の絶縁層4cと、遮光層6と、下地層7aと、空洞以下、エアギャップと称す。G1を有する光透過層8aと、光透過層8aの上側に形成されエアギャップG1の上側の内壁を構成する被覆層8bと、平坦化層9aと、カラーフィルタ層9bと、マイクロレンズ9cとを備える。ここで、エアギャップG1は、平面視で開口6aの周囲を囲む形で形成されている。そして、このエアギャップG1の内側をコア8a1とし、エアギャップG1をクラッドとする光導波路が構成されている。受光部2は、半導体基板1に形成されたフォトダイオードからなる。電荷転送チャネル3は、半導体基板1内に形成され、受光部2により光電変換された信号電荷を転送する。第1の絶縁層4aは、酸化シリコンにより半導体基板1の表面上に形成されている。本実施の形態では、第1の絶縁層4aの厚みが15nmに設定されている。電荷転送電極5は、信号電荷の転送を行うための転送ゲート電極であり、電荷転送チャネル3の上方に第1の絶縁層4aを介して形成される。この電荷転送電極5は、例えば、多結晶シリコンポリシリコンで形成される。反射防止層4bは、シリコンナイトライドにより形成され、第1の絶縁層4a上における受光部2の上方に対応する部位に設けられている。本実施の形態では、反射防止層4bの厚みが50nmに設定されている。第2の絶縁層4cは、酸化シリコンにより、電荷転送電極5と、反射防止層4bと、半導体基板1表面における電荷転送電極5および反射防止層4bで覆われてない部位とを覆うように形成されている。この第2の絶縁層4cの厚みは、電荷転送電極5と遮光層6との間の絶縁耐圧より決定される。本実施の形態の場合、第2の絶縁層4cにおける反射防止層4b上に対応する部位の厚みが50nmに設定されている。遮光層6は、金属例えば、タングステンWやアルミニウムAl等により形成され、電荷転送チャネル3への光の入射を防止する。この遮光層6は、受光部2の上方に対応する部位に形成された開口6aを除き、半導体基板1の上側を覆っている。この遮光層6は、電荷転送電極5の上方を覆うことで、電荷転送チャネル3への光の入射を防止する。また、この遮光層6は、半導体基板1上において、図1に示す画素領域10に形成されており、当該画素領域10以外の部位には形成されていない。下地層7aは、酸化シリコンにより形成され、遮光層6を覆うとともに開口6aを閉塞する形に形成され、エアギャップG1の底壁を構成する。ところで、コア8a1の下端面と半導体基板1の表面までの距離が小さいほど、コア8a1内を伝播してくる光が受光部2に入る量が大きくなることを考慮すれば、コア8a1の下端面と半導体基板1の表面との間に介在する、第1の絶縁層4a、反射防止層4b、第2の絶縁層4cおよび下地層7aからなる多層構造の厚みは薄いほうがよい。一方、当該多層構造を、半導体基板1の表面での光の反射を防止する反射防止膜として機能させるためには、ある程度の厚みが必要となる。そこで、本実施の形態では、両者を考慮して、前述の多層構造の厚みが、120nm乃至170nmに設定されることが望ましいとする。従って、本実施の形態では、前述のように、多層構造の一部を構成する第1の絶縁層4aの厚みが15nm、反射防止層4bの厚みが50nm、第2の絶縁層4cの厚みが50nmに設定されているので、下地層の厚みは、マージンを考慮して40nmに設定されている。光透過層8aは、シリコンナイトライドにより形成され、コア8a1と平面視でコア8a1の外周部の全周に亘って環状に形成されたエアギャップG1とを有する。ところで、このエアギャップG1の幅は、コア8a1からの光の漏れ出しの影響が及ばない距離に設定することが望ましい。例えば、コア8a1の材料として酸化シリコンを用いると、コア8a1とクラッドとなるエアギャップG1との間の屈折率差が0.45であり、比屈折率差ΔΔ=n1^2-n2^2/2n1は0.318である。この場合、コア8a1からエアギャップG1への光の漏れ出し距離は、100nm程度になる。この漏れ出し距離とは、コア8a1のモードフィールド径MFDとコア8a1の外周径コア径との差に相当する。このMFDは、光の電界分布を示すものであり、コア8a1が円柱状に形成されている場合には、コア8a1の径方向の光強度分布が最大値に対して1/e2になる直径で定義される。従って、エアギャップG1の幅を200nmに設定すれば、エアギャップG1におけるコア8a1側とは反対側の内壁に漏れ出した光がほとんど到達することがなく、コア8a1の外側に漏れ出した光によるコア8a1を伝播する光の強度への影響はほとんどない。一方、本実施の形態のように、コア8a1の材料として屈折率2.0のシリコンナイトライドを用いると、コア8a1とエアギャップG1との間の屈折率差が1.0であり、比屈折率差Δは0.75である。この場合、コア8a1からエアギャップG1への光の漏れ出し距離は、30nm程度になるとともに、コア8a1の材料として酸化シリコン空気に対する比屈折率差Δが0.318を用いた場合に比べて、光の漏れ量自体も小さくなる。実際、コア8a1の材料を酸化シリコンからシリコンナイトライドに変更することにより、コア8a1とエアギャップG1との間の比屈折率差Δが0.318から0.75に増加する。これにより、受光部2に入射する光の電界強度が約26増大し、結果として感度が約26向上することになる。また、コア8a1の材料をシリコンナイトライドにすれば、コア8a1からエアギャップG1への光の漏れ出し距離が30nm程度になるので、エアギャップG1の幅を100nmに設定すれば、エアギャップG1におけるコア8a1側とは反対側の内壁に漏れ出した光が到達することがなく、コア8a1の外側に漏れ出した光によるコア8a1を伝播する光の強度への影響を十分に抑制することができる。セル100内に入射された光のうち、遮光層6に入射される光は、遮光層6で反射されるか、或いは、遮光層6で吸収されることで、受光部2に入射せず損失となり、感度低下の要因となる。従って、コア8a1に入射した光は、できるだけ遮光層6に入射しないようにするのが望ましく、コア8a1は、平面視で遮光層6の開口6aの内側に形成するのがよい。本実施の形態では、コア8a1の外周と開口6aの内周との間に平面視で100nm程度の隙間が生じるように形成されている。被覆層8bは、シリコンナイトライドにより形成され、光透過層8aの上側に形成されることで、エアギャップG1の天井壁を構成している。この被覆層8bは、プラズマCVDにより形成されている。このプラズマCVDで形成された被覆層8bは、ステップカバレージが悪いため、光透過層8aに形成された溝80b図3参照内を完全に埋め込むことができない。その結果、溝80b内にエアギャップG1が形成されることになる。ところで、エアギャップG1の幅を小さくすれば、被覆層8bに必要な厚みを薄くすることができる。本実施の形態では、前述のように、エアギャップG1の幅が100nmに設定されていることにより、エアギャップG1の幅が200nmに設定されている従来例に比べて、被覆層8bに必要な厚みを薄くすることができる。そして、被覆層8bの厚みを薄くした分、マイクロレンズ9cと受光部2との間の距離の低減が図れるので、マイクロレンズ9cの高NA化を図ることができる。平坦化層9aは、SOGスピンオングラスからなり、被覆層8b上に形成されている。カラーフィルタ層9bは、平坦化層9a上に形成されている。マイクロレンズ9cは、カラーフィルタ層9b上に形成されており、上方から入射する光In1を受光部2に集光する。ここにおいて、マイクロレンズ9cから受光部2に向かう光In1は、コア8a1に入るとコア8a1の側壁で光学的に全反射を起こしながら、遮光層6に形成された開口6a6aに導光される。そして、開口6aに導光された光In1は、反射防止膜4bを通過して受光部2に入射する。結局、本実施の形態に係る固体撮像装置では、各セル100における光透過層8aにシリコンナイトライドにより形成されたコア8a1と、平面視でコア8a1の外周部の全周に亘って環状に形成されたエアギャップクラッドG1とから構成される光導波路が設けられていることにより、コア8a1が、酸化シリコンにより形成されている場合に比べて、コア8a1とエアギャップG1との比屈折率差Δを大きくすることができ、コア8a1の光閉じ込め効果を向上コア8a1からエアギャップG1への光漏れを抑制させることができるので、コアが酸化シリコンにより形成されている場合に比べて、感度の向上を図ることができる。また、図1に示すように、複数のセル100受光部2が配列されてなる画素領域10では、1つのセル100に入射した光の一部が、当該セル100に隣接するセル100に設けられた受光部2に入ることによる混色クロストークの発生を抑制することができる。また、本実施の形態では、コア8a1の材料として酸化シリコンを用いた場合に比べて、エアギャップG1の幅を小さくすることができるので、被覆層9bの厚みを薄くすることができ、マイクロレンズ9cの高NA化が可能となるから、マイクロレンズ9cを介して固体撮像装置の内部に入射する光の受光部2への集光効率を向上させることができ、感度の向上を図ることができる。更に、下地層7aがシリコンナイトライドによりの厚みを薄くすることにより、コア8a1の下端部の半導体基板1の表面からの高さを小さくすることができ、ひいては、コア8a1の下端部と受光部2との間の距離を小さくすることができるので、コア8a1の下端部における光損失を低減することができるから、感度の向上を図ることができる。<2>製造方法次に、本実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法について、図3を参照して説明する。図3a乃至eは、本実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法について、主要工程におけるセル100近傍の断面図を示したものである。まず、半導体基板1内にフォトダイオードからなる受光部2および電荷転送チャネル3を形成する。次に、半導体基板1上に、熱酸化により酸化シリコンからなる第1の絶縁層4aを形成する。その後、第1の絶縁層4a上に、電荷転送電極5およびLPCVDLowPressureChemicalVaporDepositionによるシリコン窒化膜である反射防止膜4bを形成する。そして、電荷転送電極5と反射防止層4bと半導体基板1表面における電荷転送電極5および反射防止層4bで覆われてない部位とを覆うようにCVDによる第2の絶縁層4cを形成する。続いて、第2の絶縁層4c上に、半導体基板1の上側全体を覆い且つ受光部2の上方に対応する部位に開口6aが形成されてなる遮光層6を形成する。そして、遮光層6を覆うとともに開口6aを閉塞するように下地層7aを形成することにより、図3aに示す構造が形成される。次に、下地層7a上に、光透過層8aを形成した後に、平坦化処理を行うことにより、図3bに示す構造が形成される。続いて、光透過層8aにおける遮光層6の開口6aの外周部の上方に対応する部位を、周知のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して、下地層7aをエッチングストッパ層としてエッチングし、溝80bを形成して光透過層8aを形成することにより、図3cに示す構造が形成される。ここで、溝80bは、平面視で開口6aの外周部の全周に亘って環状に形成されることになる。また、被エッチング層となる光透過層8aがシリコンナイトライドにより形成され、エッチングストッパ層となる下地層7aが酸化シリコンにより形成されており、エッチングにより溝80bを形成するときの光透過層8aと下地層7aとのエッチング選択比が高く設定されている。次に、光透過層8a上に、溝80bの上端部を閉塞する形で被覆層8bを形成することにより、エアギャップG1を形成することにより、図3dに示す構造が形成される。そして、塗布により透明の有機膜である平坦化層9aを形成した後に、平坦化層9a上にカラーフィルタ層9bを形成する。その後、カラーフィルタ層9b上における略受光部2の上方に対応する領域に、マイクロレンズ9cを形成することにより、図3eに示す構造が形成される。以上のように、本実施の形態では、光透過層8aの下側には、エアギャップG1の基となる溝80bをエッチングにより形成する際のエッチングストッパ層として、シリコンナイトライドに対するエッチング選択比の大きい酸化シリコンにより形成された下地層7aが設けられていることにより、コア8a1の下端部つまり、エアギャップG1の下端部の半導体基板1の表面からの高さのばらつきを抑制できる。<実施の形態2><1>構成本実施の形態に係る固体撮像装置の全体構成については、実施の形態1と同様なので説明を省略する。本実施の形態に係る固体撮像装置のセル100近傍の断面図を図4に示す。固体撮像装置は、図2に示す固体撮像装置と略同様であり、図4に示すように、光透過層8aにおける、コア8a1とエアギャップG2の外側の部位とが異なる材料により形成されてなる点が相違する。なお、図2の構成と同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。ここにおいて、コア8a1が、シリコンナイトライドにより形成された第1の光透過層8aにより構成されている。また、エアギャップG2の外側の部位は、酸化シリコンにより形成された第2の光透過層8cにより構成されている。ところで、コア8a1と第2の光透過層8cとがいずれもシリコンナイトライドにより形成されていると、第2の光透過層8cに入射した光のエアギャップG2への漏れ出し距離は、コア8a1からエアギャップG2への光の漏れ出し距離と同様に、30nm程度実施の形態1の説明参照になる。そして、エアギャップG2の幅が、100nmに設定されていれば、第2の光透過層8cからエアギャップG2へ漏れ出した光は、コア8a1に到達することができず、損失となる。そこで、本実施の形態では、コア8a1を、屈折率2.0のシリコンナイトライドにより形成し、第2の光透過層8cを、シリコンナイトライドに比べて空気に対する比屈折率さが小さい屈折率1.45の酸化シリコンにより形成することで、第2の光透過層8cからエアギャップG2への光の漏れ出し距離を長くして、第2の光透過層8cに入射した光をコア8a1に導入できる構成としている。ここで、コア8a1とエアギャップG2との間の屈折率差は1.0となり、コア8a1からエアギャップG2への光の漏れ出し距離は30nm程度であり、エアギャップG2の幅が100nmであれば、コア8a1からエアギャップG2に光が漏れ出すことによって、コア8a1に入射しコア8a1を伝播する光In2の強度は、ほとんど影響を受けない。一方、第2の光透過層8cは、酸化シリコンにより形成されているので、第2の光透過層8cからエアギャップG2への光の漏れ出し距離は、実施の形態1で述べたように、150nm程度となる。そして、エアギャップG2の幅が100nmに設定されているので、第2の光透過層8cからエアギャップG2へ漏れ出した光がコア8a1に到達できるから、第2の光透過層8cに入射した光をコア8a1に導入できることとなる。結局、本実施の形態では、コア8a1に入射した光を受光部2に導光するとともに、第2の光透過層8cに入射した光の一部をコア8a1に導入して、受光部2に導光することができるので、感度のさらなる向上を図ることができる。<2>製造方法次に、本実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法について、図5を参照して説明する。図5a乃至fは、本実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法について、主要工程におけるセル100近傍の断面図を示したものである。まず、図3bに示す構造を形成する。図3bに示す構造を形成するまでの工程は、実施の形態1と同様なので説明を省略する。次に、光透過層以下、本実施の形態では、第1の光透過層と称す。8aのうち、周知のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、受光部2の上方に対応する部位以外の部位をエッチングにより除去することによりリッジ部80a1を形成することにより、図5aに示す構造を形成する。ここで、第1の光透過層8aのうち、受光部2の上方に対応する部位以外の部位をエッチングする際、被エッチング層である第1の光透過層8aがシリコンナイトライドにより形成され、エッチングストッパ層である下地層7aが酸化シリコンにより形成されていることにより、第1の光透過層8aと下地層7aとのエッチング選択比を高くしている。また、リッジ部80a1は、コア8a1の基となる。続いて、下地層7aの露出部位およびリッジ部80a1の露出部位を覆うようにポリシリコンからなるマスク層10aを形成することにより、図5bに示す構造を形成する。その後、異方性ドライエッチングにより、リッジ部80a1の側壁以外の部位に形成されたマスク層10aを除去することによりサイドウォール10bを形成し、続いて、リッジ部80a1の露出部位、サイドウォール10bおよび下地層7aの露出部位を覆うように酸化シリコンからなる第2の光透過層8cを形成することにより、図5cに示す構造を形成する。そして、CMP法ケミカルメカニカルポリッシュ法により、サイドウォール10bの上端部が露出するまで第2の光透過層8cをポリッシングすることにより、図5dに示す構造が形成される。次に、ウェットエッチング法により、サイドウォール10bを除去して溝80bを形成することにより、図5eに示す光透過層8aを有する構造が形成される。ここにおいて、サイドウォ-ル10bをポリシリコンにより形成することで、幅100nm程度の溝を高精度に形成することができるそして、光透過層8a上に、シリコンナイトライドにより、溝80bの上端部を閉塞する形で被覆層8bを形成する。ここで、溝が幅100nm程度に形成されていることにより、溝の上端部を閉塞するのに必要な被覆層8bの厚みの低減を図ることができる。例えば、溝の角部におけるシリコンナイトライド膜のカバレージは80すると、100nmの溝の上部をカバーするために必要な最低膜厚は62.5nmであれば可能となる。従って、被覆層8bの厚み低減により、マイクロレンズ9cと受光部2との間の距離の低減が図れるので、マイクロレンズ9cの高NA化による感度向上を図ることができる。その後、被覆層8b上に、平坦層9aを形成し、続いて、カラーフィルタ層9bを形成し、最後に、カラーフィルタ層9b上に上方からの入射光を受光部2に集光するマイクロレンズ9cを形成することにより、図5fに示す構造が形成される。<実施の形態3><1>構成本実施の形態に係る固体撮像装置の全体構成については、実施の形態1と同様なので説明を省略する。本実施の形態に係る固体撮像装置のセル100近傍の断面図を図6に示す。固体撮像装置は、図2に示す固体撮像装置と略同様であり、図6に示すように、下地層7bがシリコンナイトライドにより形成され、コア8a1が逆テーパ形状に形成され、更に、エアギャップG3が、光透過層8a内において、平面視で前記遮光層の前記開口の上方に対応する部位以外の部位まで延長する形で形成されている、つまり、光透過層8aにおけるコア8a1以外の部位にエアギャップG3が形成されてなる点が相違する。なお、図2の構成と同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。コア8a1の外側が全てエアギャップG3となっていることにより、コア8a1の内側と外側との比屈折率差Δを更に大きくできるので、コア8a1の光閉じ込め効果を向上させることができるから、感度のさらなる向上を図ることができる。また、下地膜7bが、シリコンナイトライドにより形成されていることにより、下地層7bが酸化シリコンにより形成されている場合に比べて、下地層7bの膜厚を薄くすることができるから、コア8a1の下端部をより受光部2に近づけることができる。従って、コア8a1の下端部における光損失を低減することができるから、感度の向上を図ることができる。本実施の形態では、コア8a1が逆テーパー形状に形成されていることにより、コア8a1に入射した光In3の閉じ込め効果が向上するので、感度の向上を図ることができる。<2>製造方法次に、本実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法について、図7を参照して説明する。図7a乃至fは、本実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法について、主要工程における断面図を示したものである。まず、図3aに示す構造を形成する。図3aに示す構造を形成するまでの工程は、実施の形態1と同様なので説明を省略する。次に、下地層7b上に、酸化シリコンにより、ダミー層12を形成した後に、ダミー層12における受光部2の上方に対応する部位をエッチングにより除去することにより、図7bに示す構造を形成する。ここにおいて、ダミー層12は、等方性ドライエッチングによりエッチングされるため、エッチングされた領域が、図7bに示すように順テーパー形状となる。次に、ダミー層12および下地層7bの露出部位を覆うように、シリコンナイトライドにより光透過層8aを形成した後に、光透過層8aの表面を平坦化処理することにより、図7cに示す構造が形成される。その後、光透過層8aにおける受光部2の上方に対応する部位以外の部位に、当該光透過層8aの厚み方向に貫通しダミー層12まで達するホール8dを形成することにより、図7dに示す構造が形成される。次に、ホールを介してエッチャントである沸酸を注入するウェットエッチング法により、ダミー層12をエッチングしてダミー層12を除去することにより、図7eに示す光透過層8aを有する構造が形成される。そして、光透過層8a上に、ホール8dを閉塞する被覆層8eをシリコンナイトライドにより形成する。その後、被覆層8b上に、平坦層9aを形成し、続いて、カラーフィルタ層9bを形成し、最後に、カラーフィルタ層9b上に上方からの入射光を受光部2に集光するマイクロレンズ9cを形成することにより、図7fに示す構造が形成される。<変形例>1前述の実施の形態1乃至3では、コア8a1の材料としてシリコンナイトライドを用いる例について説明したが、これに限定されるものではなく、酸化シリコンよりも空気に対する屈折率差が大きい材料であれば他の材料であってもよい。例えば、コア8a1の材料として、シリコンオキシナイトライド屈折率1.9を用いてもよく、この場合、光の漏れ出し距離は、50nm程度になり、コア8a1の材料に酸化シリコンを用いた場合に比べてコア8a1の光の閉じ込め効果が向上し、感度の向上を図ることができる。2前述の実施の形態1乃至3では、半導体基板1にインタライン転送CCDが形成されてなる例について説明したが、これに限定されるものではなく、半導体基板1にMOSセンサーが形成されてなるものであってもよい。3前述の実施の形態1乃至3では、平坦化層9aがSOGからなる例について説明したが、これに限定されるものではなく、透光性があり且つ平坦化層9a表面の平坦性が得られれば他の成膜方法により形成されるものであってもよい。例えば、スパッタリング法や蒸着法により形成されるものであってもよい。4前述の実施の形態1乃至2では、エアギャップG1,G2が、平面視でコア8a1の外周部の全周に亘って環状に形成されてなる例について説明したが、これに限定されるものではなく、コア8aの光の閉じ込め効果を向上させることができるのであれば、コア8aの外周部に複数のエアギャップを形成してなるものであってもよい。"