被エッチング層に有機系反射防止膜とフォトレジストとを順に重ねてパターンマスクを形成し、前記被エッチング層をドライエッチングすることで可視光波長領域よりも短いピッチで構成される凹凸構造体の製造方法において、前記パターンマスクを形成した後、前記被エッチング層をドライエッチングする前に、前記パターンマスクの側面に形成された堆積膜の組成を結合エネルギーの強い組成に変換する組成変換工程を有することを特徴とする凹凸構造体の製造方法。前記組成変換工程には、少なくともフッ素系ガスとO2ガスとの混合ガスが用いられることを特徴とする請求項1記載の凹凸構造体の製造方法。前記組成変換工程に用いられるフッ素系ガスとO2ガスとの混合ガスの流量に対するO2ガスの流量比が、0.1≦O2/フッ素系ガスO2≦0.3の範囲にあることを特徴とする請求項1又は2に記載の凹凸構造体の製造方法。しかし、特許文献1の従来例は、有機系反射防止膜のドライエッチングに、SiO2膜がエッチングされるCF4ガスとO2ガスとの混合ガスを用いているため、有機系反射防止膜をパターニングしたときにSiO2膜もエッチングしてしまう。しかも、CF4ガスとO2ガスとの混合ガスプラズマは、有機系反射防止膜とレジストパターンの側壁に極めて薄い堆積膜を付着させるだけであり、レジストパターンをサイドエッチングさせながら有機系反射防止膜を厚み方向にエッチングしていくことになる。この結果、特許文献1の従来例は、SiO2膜の表層を、SiO2膜の厚み方向にテーパ状にドライエッチングしてしまうことがあった。しかも、異方性エッチングをもたらすイオンは、表層のテーパ形状に沿って入射されるので、特許文献1に記載の深さよりも深く、アスペクト比1以上に下層SiO2膜を異方性にドライエッチングしても、深さ方向にテーパ形状の凹凸構造体を形成してしまう。さらに、特許文献1の従来例は、アスペクト比を大きくすればするほど、SiO2膜の底面側でライン幅が広がるので、アスペクト比が1以上になると所定のパターンサイズから逸脱するという解決すべき課題があった。また、特許文献2の従来例は、初めに、Cl2ガスとO2ガスとを混合したガスプラズマで有機系反射防止膜のエッチングを行っているので、基板上のSiO2膜からなる被加工物が露出しても、活性反応が起きず、エッチングされない。これは、Cl2ガスとO2ガスとの混合ガスによるドライエッチングは、有機系反射防止膜のエッチングレートに対し、SiO2膜のエッチングレートの方が充分に小さい反応をするからである。しかし、特許文献2は、パターンのライン幅を細くして、引き続きハロゲン炭化水素ガスのみを用いて、有機系反射防止膜ないし下層SiO2膜の異方性ドライエッチングを行うと、パターン底部でライン幅が増大するという課題を備えていた。具体的には、パターンのライン幅を70nm以下にすると、パターン底部でライン幅が30nm程、急に増大していた。本発明は、有機系反射防止膜のパターンの底部でライン幅が増大するのを防止した、凹凸構造体の製造方法を提供することにある。本発明は、被エッチング層に有機系反射防止膜とフォトレジストとを順に重ねてパターンマスクを形成し、前記被エッチング層をドライエッチングすることで可視光波長領域よりも短いピッチで構成される凹凸構造体の製造方法であり、前記パターンマスクを形成した後、前記被エッチング層をドライエッチングする前に、前記パターンマスクの側面に形成された堆積膜の組成を結合エネルギーの強い組成に変換する組成変換工程を有することを特徴としている凹凸構造体の製造方法である。本発明は、有機系膜のパターン側面に形成させた堆積膜を結合エネルギーの強い、堆積膜に変えるので、被エッチング層をライン幅の細いままドライエッチングすることができるという効果を奏する。以下、本発明の実施形態の凹凸構造体の製造方法を図1、図2を参考にして説明をする。図1Aにおいて、ドライエッチングにて可視光波長領域よりも短いピッチで構成される凹凸構造体を形成しようとする被エッチング層としての光学ガラスウェハ1の清浄面上に有機系反射防止膜2が、スピンナにて一様の厚みに塗布される。1層以上の有機系膜は、有機系反射防止膜以降、BottomAnti-ReflectionCoatingの頭文字を取りBARCと略す2と、その上のフォトレジスト3とで構成されている。BARC2は、BARC2上に塗布されるフォトレジスト3の露光パターニングにて、フォトレジスト膜内での多重干渉による定在波の発生を防ぐようになっている。これにより、フォトレジスト3に、所定の高解像、高精細な露光パターンが形成されることになる。BARC2は、光学ガラスウェハ1に塗布された後、不図示のホットプレートにて所定の条件下でベーク処理乾燥処理される。次に、BARC2上にフォトレジスト3が、スピンナによって一様の厚みに塗布される。フォトレジスト3としては、露光パターニングにて可視光波長領域よりも短いピッチが得られる化学増幅型レジストが用いられる。フォトレジスト3は、塗布された後、ホットプレートにて所定の条件にてプリベークされて、所定のラインアンドスペース以降L/Sと略すからなるパターンを露光される。フォトレジスト3は、パターン露光された後、所定の現像処理、ポストエクスポージャーベーク以降、PEBと略すを経て、所定の可視光波長領域よりも短いピッチのL/Sからなるレジストパターン4になる図1B。次に、通常の不図示の誘導結合型ドライエッチング装置以降、ICPエッチング装置と略すのウエハステージに、パターニングされた面を上面にして光学ガラスウェハ1を静置される。ICPエッチング装置のチャンバー内を充分に真空にした後、Cl2ガスとO2ガスとの混合ガスをチャンバー内に導入して所定のドライエッチング条件にてレジストパターン4を所定のライン幅にする図1C。引き続き、レジストパターン4をマスクにして、BARC2を異方性にドライエッチングして、レジストパターン4とBARC2とからなる有機系パターンを矩形形状の有機系パターンマスク7に形成する図1D。Cl2ガスとO2ガスとの混合ガスを用いたドライエッチング工程図1Cにおいて、レジストパターン4とBARC2とからなる有機系パターンマスク7の側壁にはC-Cl系の堆積膜6が形成される。レジストパターン4のライン幅を細めるドライエッチング条件において、C-Cl系の堆積膜6は、サイドエッチングのエッチングレートを制御する側壁保護膜として作用する。また、BARC2の異方性ドライエッチング条件の下で、C-Cl系の堆積膜6は、レジストパターン4とBARC2のサイドエッチングを制御しつつ、細めたライン幅のレジストパターンを介してBARCを異方性にドライエッチングする側壁保護膜として作用する。次に、フッ素系ガスとO2ガスとの混合ガスを用いた所定のドライエッチング条件にて、C-Cl系の堆積膜6をC-F系の堆積膜9に変換する図1E。フッ素系ガスとしては、光学ガラスウェハ1のエッチングに適したCHF3CHF3、トリフルオロメタンないしCF4等ハロゲン化カーボンガスを用いる。堆積膜9の組成変換工程では、光学ガラスウェハ1はドライエッチングさせずに、有機系パターンの側面に形成されたC-Cl系の堆積膜6を、より結合エネルギーの強いC-F系からなる組成の堆積膜9に変換するものである。C-Cl系の堆積膜6のCl塩素は蒸気圧が高いClFフッ化塩素の形で排出される。また、フッ素系ガス内のCも蒸気圧が高いCOないしCO2の形で排出される。このため、有機系パターンマスク8の側面には、ライン幅の増大を促す堆積膜中のCとフッ素系ガスのCとによるC-Cの結合形成が抑えられ、C―F系からなる組成の堆積膜9が変換形成されることになる。したがって、堆積膜9の組成変換工程図1Eを経ずに、直接、フッ素系ガスのみを用いて、有機系パターンをマスクにして光学ガラスウェハを異方性にドライエッチングすると、有機系パターンの側面にはC-C系堆積膜が形成されやすくなる。特に、ピッチが可視光波長領域よりも短いパターンにおいては、ライン底部での堆積量が著しく多く、ライン幅が急に増大する現象が生じる。有機系パターンの側面への堆積膜の組成変換を成り立たせるドライエッチング条件としては、フッ素系ガスとO2ガスとの流量比が大きく関係する。フッ素系ガスはレジストパターン4とBARC2よりも光学ガラスウェハ1を選択的にエッチングする傾向があり、逆に、O2ガスは光学ガラスウェハよりもレジストパターン4とBARC2とを選択的にエッチングする傾向にある。しかし、フッ素系ガスとO2ガスとの混合ガスの流量に対するO2ガスの流量比が0.1≦O2/フッ素系ガスO2≦0.3の範囲においては、光学ガラスウェハ1とフォトレジスト3よりも、BARC2がエッチングされる。ただし、パターン構造になると、BARC2の上面はレジストパターン4に被覆されており、側面はC-Cl系の堆積膜6で被覆されている。このため、BARC自体はエッチングされずに、側面のC-Cl系の堆積膜6がエッチングされ、結合エネルギーの強いC-F系の堆積膜9に変換される。堆積膜の組成変換工程図1E後、レジストパターンとBARCとからなる所定の矩形形状からなる有機系パターンマスク8をマスクにして光学ガラスウェハ1をフッ素系ガスにて所定のドライエッチング条件で高アスペクト比に異方性ドライエッチングする。その際、組成変換にて有機系パターンマスク8の側面には、すでに、光学ガラスウェハ1を異方性にドライエッチングするときに形成される結合エネルギーの強いC-F系の堆積膜9が形成されているので、異方性ドライエッチングが留まることなく進行する。これにより、有機系パターンマスク8と被エッチング層である光学ガラスウェハ1との境界における、有機系パターンマスク8のライン底面側の側壁への堆積膜9による段差形成が無い異方性ドライエッチングが行える図1F。次に、レジストパターン4とBARC2とからなる残存有機系パターンマスク11をアッシングにて除去することで、光学ガラスウェハ面に可視光波長領域よりも短いピッチで構成される凹凸構造体12が形成される図1G。以上の説明において、被エッチング層として、光学ガラスウェハ1を例に記載したが、これに限定されるものではない。また、有機系膜としてBARC2とフォトレジスト3とからなる2層構成を例に記載したがこれに限定されるものではない。実施例1図1は、本発明の実施例である凹凸構造体の製造方法の工程概略断面図である。符号1は、被エッチング層である光学ガラスウェハを示している。符号2は、有機系膜の一部を構成する光学ガラスウェハ1上にスピンナ塗布したBARCを示している。符号3は、同じく有機系膜の一部を構成するBARC2上にスピンナ塗布したフォトレジストを示している。符号4は、フォトレジスト3を露光、現像にパターニングした可視光波長領域よりも短いピッチからなるレジストパターンを示している。符号5は、レジストパターン4をCl2ガスとO2ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングにて所定のライン幅に縮小したレジストパターンマスクを示している。符号6は、レジストパターン4のライン幅を細めることでレジストパターンマスク5の側壁に形成したC-Cl系の堆積膜を示している。符号7は、レジストパターンマスク5を介してBARC2をCl2ガスとO2ガスとの混合ガスを用いた異方性ドライエッチングにて形成したレジストパターン4とBARC2とのパターンマスクからなる有機系パターンマスクを示している。符号8は、有機系パターンマスク7の側壁に形成したC-Cl系の堆積膜6をフッ素系ガスとO2ガスとの混合ガスプラズマにて組成変換した後の有機系パターンマスクを示している。符号9は、有機系パターンマスク8の側壁に形成したC-Cl系の堆積膜6をフッ素系ガスとO2ガスとの混合ガスにて組成変換したC-F系の堆積膜を示している。符号10は、有機系パターンマスク8を介して光学ガラスウェハ1を高アスペクト比に異方性エッチングして形成した微細凹凸構造体パターンを示している。符号11は、光学ガラスウェハ1を、有機系パターンマスク8を介して異方性エッチングした後の残存有機系パターンマスクを示している。符号12は、微細凹凸構造体パターン10上の残存有機系パターンマスク11を除去した後の、可視光波長領域よりも短いピッチで構成される微細凹凸構造体を示している。次に、凹凸構造体12を形成する工程を説明する。まず、Φ6インチ、厚み625μmからなる屈折率が1.45の光学ガラスウェハ1を洗浄し、乾燥して光学ガラスウェハ1の上面を清浄な面にする。光学ガラスウェハ1を不図示のスピンナの所定塗布位置に載置する。所望の回転スピードにて光学ガラスウェハ1の面上にBARC剤を塗布する。光学ガラスウェハ1を、スピンナから取り外し、ホットプレート上に載置して、所望の温度、時間にてベークする。これにより、所望の厚みに塗布された下層からの適切な反射防止機能を発揮するBARC2が光学ガラスウェハ1に形成される。本実施例のBARC2は、厚みが一様に70nmに形成されている。次に、BARC2の上に、前記と同様のスピンナと不図示のホットプレート装置を用いて、化学増幅型のフォトレジスト3を所望の厚みに塗布して、フォトレジスト3をプリベークする。本実施例のフォトレジスト3は、厚みが145nmに一様に塗布されている。この状態を示したのが、工程概略断面図1Aである。なお、BARC2とフォトレジスト3の厚みは、70nm、145nmに限定されるものではない。次に、不図示の露光ステージに光学ガラスウェハ1を載置して、フォトレジスト3に可視光波長領域よりも短いピッチで配列したL/Sパターンを露光する。次に現像、PEB処理を所望の条件にて行うことで、可視光波長領域よりも短いピッチで配列された前記L/Sを有するレジストパターン4を形成する。本実施例では、L/Sが70/70nmの可視光波長領域よりも短い、ピッチが140nmに配列されたL/Sパターンを形成した。この状態を示したのが、工程概略断面図1Bである。次に、光学ガラスウェハ1を不図示の通常のICPドライエッチング装置のウエハステージに載置する。チャンバー内を一度高真空にした後、Cl2ガスとO2ガスとを、流量計で流量を計測して所望の流量でチャンバー内に導入する。チャンバー内の圧力は、所望の一定の圧力になるように、排気弁の開閉によって調整される。圧力が安定されると、プラズマ放電を開始し、レジストパターン4のライン幅を細くする。本実施例では、Cl2ガス流量4sccm、O2ガス流量12sccm、圧力2Paの条件下でBARC2とレジストパターン4を等方性にドライエッチングした。これにより、レジストパターン4のライン幅を50nmに細めることができる。また、L/Sが50/90nmのレジストパターンマスク5が形成される。さらに、レジストパターンマスク5の側壁には、レジストパターン4のCとCl2ガスのClとで形成されたC-Cl系の堆積膜6が形成される。この状態を示したのが、工程概略断面図1Cである。次に、チャンバー内を一度排気した後、Cl2ガスとO2ガスとをチャンバー内に導入し、排気弁の開閉によってチャンバー内を一定の圧力に調整する。圧力が安定した後、プラズマ放電を開始し、前工程図1Cのドライエチングで形成したレジストパターンマスク5を介してBARC2を、異方性にドライエッチングする。本実施例では、CL2ガス流量4sccm、O2ガス流量12sccm、圧力0.5Paの条件下で、レジストパターンマスク5を介してBARC2を異方性にドライエッチングをした。これにより、BARC2にはレジストパターンマスク5と同等の、可視光波長領域よりも短いピッチで配列したL/Sが50/90nmのレジストパターン4とBARC2とからなる有機系パターンマスク7が形成された。有機系パターンマスク7の側壁には、レジストパターンマスク5の側壁に形成されたC-Cl系の堆積膜6が形成されている。この状態を示したのが、工程概略断面図1Dである。次に、チャンバー内を一度排気した後、CHF3ガスとO2ガスとをチャンバー内に導入し、排気弁の開閉によってチャンバー内を一定の圧力に調整する。圧力が安定した後、プラズマ放電を開始し、前工程図1Dのドライエチングで形成した有機系パターンマスク7の側壁に形成されたC-Cl系の堆積膜6の組成を結合エネルギーの強いC-F系の堆積膜9に組成変換する。本実施例では、CHF3ガス流量40sccm、O2ガス流量10sccm、圧力0.5Paのドライエッチング条件下で、C-Cl系の堆積膜6の組成変換を行った。CHF3ガスとO2ガスとの混合ガスの流量に対するO2ガスの流量比がO2/フッ素系ガスO2=0.2の条件下おいては、光学ガラスウェハ1と有機系パターンマスク7のレジストパターン4はエッチングが抑えられる。しかし、BARC2は優先的にエッチングされる。しかし、パターン構造になると、BARC2は、側壁に形成されたC-Cl系の堆積膜6で被覆されているので、BARC自体はエッチングされない。よって、有機系パターンマスク7の側壁に形成されたC-Cl系の堆積膜6がドライエッチングされて、C-F系の堆積膜9からなる組成に変換される。これにより、L/Sが50/90nmからなる側壁にC-F系の堆積膜9が設けられた有機系パターンマスク8が形成される。この状態を示したのが、工程概略断面図1Eである。なお、工程概略断面図1Eのドライエッチングを行う前に、一度、光学ガラスウェハ1をチャンバーからロードロック室に移動させた後、チャンバー内をO2ガス、CF4ガスでアッシングないしクリーニングエッチング処理を介在させた方が好ましい。次に、チャンバー内を一度排気した後、CHF3ガスをチャンバー内に導入し、排気弁の開閉によってチャンバー内を一定の圧力に調整する。圧力が安定した後、プラズマ放電を開始し、前工程図1Eで形成した組成変換後の有機系パターンマスク8を介して、光学ガラスウェハ1を異方性にドライエッチングする。本実施例では、CHF3ガス流量40sccm、圧力0.2Paの条件で異方性にドライエッチングをした。組成変換後の有機系パターンマスク8の底部にはライン幅の増大がなく、有機系パターンマスク8の、言い換えると、組成変換前の有機系パターンマスク7と同等のピッチでL/S=50/90nmからなる微細凹凸構造体パターン10が形成される。微細凹凸構造体パターン10のエッチング深さは、210nmでアスペクト比=4.2に相当している。有機系パターンマスク8が異方性ドライエチングでエッチングされずに残った残存有機系パターンマスク11が微細凹凸構造体パターン10上にある。この状態が工程概略断面図1Fに相当する。次に、チャンバー内を一度排気した後、O2ガスをチャンバー内に導入し、排気弁の開閉によってチャンバー内を一定の圧力に調整する。圧力が安定した後、プラズマ放電を開始し、前工程図1Fで残存した残存有機系パターンマスク11をアッシング除去する。チャンバー内をもう一度充分に排気した後、大気開放リーク弁からN2を導入して、大気圧に戻してから、チャンバーから、ドライエッチング処理を施した光学ガラスウェハ1を取り出す。光学ガラスウェハ1の面上には可視光波長領域よりも短いピッチで凸部12Aが配列されてなるL/Sが50/90nmのアスペクトが比4.2からなる微細凹凸構造体12が光学ガラスウェハ1内の所定の位置に、所定の広さに形成された。この状態を示したのが、工程概略断面図1Gである。この場合、凸部12Aの幅は、残存有機系パターンマスク11の幅と同じ幅になっている。実施例2実施例2は、実施例1の工程概略断面図1C、Dに相当する工程において、ドライエッチングに使用するガスをCl2ガスとO2ガスとの混合ガスではなく、O2ガスのみでドライエッチングした例である。工程概略断面図1Cでは、レジストパターン4のライン幅を30nmに細めた。また、工程概略断面図1Dでは、L/Sが30/110nmからなる有機系パターンマスク7を形成した。ただし、レジストパターンマスク5、及びレジストパターンマスク5の側壁の堆積膜にはC-O系からなる堆積膜が形成される。工程概略断面図1Cでは、O2ガス流量16sccm、圧力2Paの条件で等方性にドライエッチングし、図1DではO2ガス流量16sccm、圧力0.1Paの条件で異方性にドライエッチングした。工程概略断面図1Eで、実施例1と同様にCHF3ガスとO2ガスとの混合ガスによるドライエッチング条件にて組成変換を行うと、C-O系堆積膜は実施例1と同様に結合エネルギーが強いC-F系の堆積膜9に変換される。ただし、CHF3ガスのみで組成変換すると、C-OのOがOF2の形で排気され、レジストパターン4とBARC2のCがCHF3ガスのCと反応してC-C系の堆積膜を形成しやすくなる。しかし、CHF3ガスとO2ガスとの混合ガスを用いることで、CHF3ガスのCとO2ガスのOとが蒸気圧の高いCOないしCO2の形で排気されるので、C-C系の堆積を抑え、結合エネルギーの強いC-F系の堆積膜9に変換される。本実施例では、CHF3ガスとO2ガスとの混合流量に対するO2ガスの流量比はO2/フッ素系ガスO2=0.3に設定し、CHF3ガス流量35sccm、O2ガス流量15sccm、圧力0.5Paのドライエッチング条件で組成変換を行った。それ以外は、実施例1と同様に実施した。この結果、光学ガラスウェハ1の面上には、可視光波長領域よりも短いピッチで配列してなるL/Sが30/110nmのアスペクト比が7からなる微細凹凸構造体12が光学ガラスウェハ1内の所定の位置に、所定の広さで形成された。実施例3実施例3は、実施例1の工程概略断面図1Cに相当する工程において、等方性ドライエッチングにより、レジストパターン4のライン幅を30nm実施例1は50nmに細めた。これにより、工程概略断面図1Dでは、L/Sが30/110nmからなる有機系パターンマスク7が形成された。また、実施例1の工程概略断面図1Eに相当する工程において、CHF3ガスをCF4ガスに変えて、CF4ガスとO2ガスとの混合流量に対するO2ガスの流量比をO2/フッ素系ガスO2=0.1に設定して組成変換を行った。このときのドライエッチング条件は、CF4ガス流量45sccm、O2ガス流量5sccm、圧力0.5Paである。それ以外は、実施例1と同様に実施した。この結果、光学ガラスウェハ1の面上には、可視光波長領域よりも短いピッチで配列してなるL/Sが30/110nmのアスペクト比が7からなる微細凹凸構造体12が光学ガラスウェハ1内の所定の位置に、所定の広さで形成された。比較例1比較例1は、実施例1の工程概略断面図1Eに相当する工程を省略して、直接、工程概略断面図1DからFに相当する光学ガラスウェハ1の異方性ドライエッチングを、有機系パターンマスク7を介してCHF3ガスのみを用いて実施した。そして、光学ガラスウェハ1を異方性にドライエッチングした。図1Fの状態にある光学ガラスウェハ1をICPドライエッチング装置のチャンバーから取り出した。それ以外は実施1と同様に実施した。この結果、図2に示す微細凹凸構造体112が形成された。光学ガラスウェハ1の面上には、可視光波長領域よりも短いピッチで配列してなるL/Sパターンが形成されていたが、ライン幅が太く、L/Sが80/60nmからなる微細凹凸構造体112が形成された。アスペクト比は2.6で、L/Sパターンは光学ガラスウェハ1の所定の位置に、所定の広さで形成された。残存有機系パターンマスク110の底部110Aは、ライン幅が片側で15nm増大している。これが光学ガラスウェハ1を異方性にドライエッチングする際のマスクとして作用したので、50nmに細めたマスクライン幅が、エッチングで30nm増大させられた。すなわち、微細凹凸構造体112の凸部112Aの幅は、残存有機系パターンマスク110の幅より広くなっている。比較例2比較例2は、実施例1の工程概略断面図1Eに相当する工程で、CHF3ガスをCF4ガスに変えて、CF4ガスとO2ガスとの混合流量に対するO2ガスの流量比をO2/フッ素系ガスO2=0.4に設定した。本比較例では、CF4ガス流量30sccm、O2ガス流量20sccm、圧力0.5Paのドライエッチング条件で組成変換を行った。次に、光学ガラスウェハ1を異方性にドライエッチングした、図1Fの状態にある光学ガラスウェハ1をICPドライエッチング装置のチャンバーから取り出した。それ以外は、実施例1と同様に実施した。この結果、光学ガラスウェハ1の面上には可視光波長領域よりも短いピッチで配列してなるL/Sが60/80nm、アスペクト比が3.5の微細凹凸構造体パターン10が光学ガラスウェハ1内の所定の位置に、所定の広さで形成された。残存有機系パターンマスク11のライン幅はCL2ガスとO2ガスとの混合ガスを用いてライン幅を50nmに細めた有機系パターンマスク7よりも、さらに30nmにまで細まってしまっているが、底部側ではライン幅が片側で15nm増大していた。この増大幅が光学ガラスウェハ1を異方性にドライエッチングする際に、マスクとして作用し、光学ガラスウェハ1には細めたライン幅50nmよりも、ライン幅が増大したL/S=60/80nmパターンが形成された。この原因としては、組成変換工程に相当するドライエッチング工程においては、実施例1よりもO2ガス流量比が多いので、光学ガラスウェハ1はエッチングされないが、BARCとレジストパターンのエッチングレートは急増している。このため、組成変換の工程において有機系パターンマスク7の側壁に形成されていたC-Cl系の堆積膜6が、蒸気圧が高いCl2OないしClO2の形で除去された。また、続けて有機系パターンマスク7のレジストとBARC自体をもエッチングするので、有機系パターンのライン幅を30nmにまで細めている。これにより、有機系パターンマスクの側壁に、C-O系堆積膜が形成される。光学ガラスウェハ1を異方性にドライエッチングする際に、有機系パターンマスク8の底部にはC-C系堆積膜が形成されて、ライン幅を60nmに太らせている。比較例3比較例3は、実施例1の工程概略断面図1Eに相当する工程で、CHF3ガスとO2ガスとの混合流量に対するO2ガスの流量比をO2/フッ素系ガスO2=0.08に設定した。本比較例ではCHF3ガス流量46sccm、O2ガス流量4sccm、圧力0.5Paのドライエッチング条件で組成変換を行った。その後、光学ガラスウェハ1を異方性にドライエッチングした。図1Fの状態にある光学ガラスウェハ1をICPドライエッチング装置のチャンバーから取り出した。それ以外は、実施例1と同様に実施した。その結果、光学ガラスウェハ1の面上には可視光波長領域よりも短いピッチで配列してなるL/Sが70/70nm、アスペクト比が3の微細凹凸構造体パターン10が光学ガラスウェハ1内の所定の位置に、所定の広さに形成された。ガスの流量比をO2/フッ素系ガスO2=0.08に設定しているので、有機系パターンマスク7の側壁にはC-F系堆積膜が形成されやすい組成変換工程になっている。このため、ドライエッチング工程Cにおいてライン幅を50nmに細めたけれども、ライン幅が70nmに増大した微細凹凸構造体パターン10が形成されていた。また、微細凹凸構造体パターン10はテーパ形状をしていた。これは、光学ガラスウェハ1がエッチングされやすいガス流量比に設定しているので、組成変換工程に相当するエッチング工程Eにおいて、光学ガラスウェハ1の表面がテーパ形状にエッチングされてしまうためである。このため、C-F系の堆積膜9に組成変換された有機系パターンマスク8を介して、光学ガラスウェハ1を異方性にドライエッチングすると、イオンがテーパ形状に沿って衝突するので、深くエッチングするほど、ライン幅底面が増大することになる。実施例4実施例4は、実施例1の工程概略断面図1Aにおいて光学ガラスウェハ1の上に直接BARC2、フォトレジスト3を形成せずに、光学ガラスウェハ1上に、次の多層膜を通常のスパッタ装置にて成膜した。膜構成は、光学ガラスウェハ1の面側から順にTiO2を300nm、Crを50nm、SiO2を80nm積層した。SiO2膜上に塗布したBARCとフォトレジストは実施例1と同様である。ただし、実施例1の工程概略断面図1Bに相当する工程のレジストパターン4はピッチ120nmからなるL/Sを60/60nmとした。実施例1の工程概略断面図1Cに相当する工程では、フォトレジストパターン4のライン幅を30nmに細め、工程概略断面図1Dに相当する工程ではL/Sが30/90nmからなる有機系パターンマスク7を形成した。引き続き、実施例1と同様に実施し、SiO2膜を、有機系パターンマスク8を介して異方性にドライエッチングした。次に、SiO2膜からなるパターンをマスクにして、下層のCr膜をCl2ガスとO2ガスとArガスとからなる混合ガスを用いて、異方性にドライエッチングした。次に、Cr膜パターンをマスクにして、下層のTiO2膜をフッ素系ガスを用いて、異方性にドライエッチングした。その際に、Cr膜上のSiO2膜、BARC、レジストからなるパターンマスクはドライエッチングにて除去した。ICPエッチング装置のチャンバーをN2ガスでリークして、大気に戻し、光学ガラスウェハ1を取り出す。次に、光学ガラスウェハ1のCrパターンマスクをウエットにて除去した。この結果、光学ガラスウェハ1の面上には可視光波長領域よりも短いピッチで配列されたL/Sが30/90nmからなるアスペクト比が10の微細凹凸構造体がウエハ内の所定の位置に、所定の広さで形成された。以上説明した凹凸構造体の製造方法は、被エッチング層としての光学ガラスウェハ1に有機系反射防止膜としてのBARC2とフォトレジスト3とを順に重ねてパターンマスクとしての有機系パターンマスク7を形成する。そして、光学ガラスウェハ1をドライエッチングすることで可視光波長領域よりも短いピッチで構成される凹凸構造体を形成するようになっている。この場合、有機系パターンマスク7を形成した後、光学ガラスウェハ1をドライエッチングする前に、有機系パターンマスク7の側面に形成されたC-Cl系の堆積膜6の組成を結合エネルギーの強い組成に変換するようになっている。この結果、本発明の製造方法は、有機系パターンマスク7の側面に形成させたC-Cl系組成の堆積膜6を結合エネルギーの強いC-F系組成の堆積膜9に変えることができて、光学ガラスウェハ1をライン幅の細いままドライエッチングすることができる。すなわち、本発明の製造方法は、BARC2のライン幅の細いままドライエッチングすることができて、BARC2のパターンの底部でライン幅が増大するのを防止することができる。また、本発明の製造方法は、フッ素系ガスとO2ガスとの混合ガスを用いるので、C-Cl系組成の堆積膜6をClFの形で排気し、結合エネルギーの強いC-F系組成の堆積膜9に変換出来る。さらに、本発明の製造方法は、フッ素系ガスとO2ガスとの混合流量に対するO2ガスの流量比を0.1≦O2/フッ素系ガスO2≦0.3の範囲で用いるようになっている。このため、本発明の製造方法は、レジストパターンとSiO2膜のエッチングを抑えて、BARC2をエッチングできる。ただし、パターン構造では、光学ガラスウェハ1のパターン上面は有機系パターンマスク7に被覆され、側面はC-Cl系の堆積膜6で被覆される。このため、BARC2自体はエッチングされずに、側面のC-Cl系の堆積膜6がエッチングされ、結合エネルギーの強いC-F系の堆積膜9に変換される。