"基材上に一対の電極を備え、前記一対の電極間に、二層以上の有機薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、二層又はそれ以上の前記有機薄膜を構成する材料は、ガラス転移点、又はガラス転移点を有していない場合には融点が、前記基材に近い層のものほど高いことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。前記有機エレクトロルミネッセンス層が発光層を有し、前記発光層が、ホスト材料及び発光材料を含み、前記発光材料以外の前記有機薄膜を構成する材料は、ガラス転移点、又はガラス転移点を有していない場合には融点が、前記基材に近い層のものほど高いことを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記有機エレクトロルミネッセンス層が、前記有機薄膜として、発光層と、該発光層よりも上層に電子輸送層とを有し、前記発光層が、ホスト材料及び発光材料を含み、前記ホスト材料は、ガラス転移点、又はガラス転移点を有していない場合には融点が、前記電子輸送層を構成する材料の前記ガラス転移点又は融点よりも高いことを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記有機エレクトロルミネッセンス層が、前記有機薄膜として、発光層と、該発光層よりも上層に正孔輸送層とを有し、前記発光層が、ホスト材料及び発光材料を含み、前記ホスト材料は、ガラス転移点、又はガラス転移点を有していない場合には融点が、前記正孔輸送層を構成する材料の前記ガラス転移点又は融点よりも高いことを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。互いに隣接する前記有機薄膜を構成する材料の、前記ガラス転移点又は融点の差が、10°C以上であることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記有機薄膜を構成する材料が、π電子共役有機分子であることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。請求項1~6のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、基材上に一方の前記電極、有機エレクトロルミネッセンス層、及び他方の前記電極をこの順に積層し、前記有機エレクトロルミネッセンス層の積層時には、二層又はそれ以上の前記有機薄膜のうち最下層以外のものについて、成膜中又は成膜後に、前記有機薄膜を構成する材料の前記ガラス転移点又は融点よりも20°C低い温度から20°C高い温度の温度域で、且つ直前に成膜した有機薄膜を構成する材料の前記ガラス転移点又は融点よりも低い温度で加熱処理することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。前記有機薄膜について、成膜中又は成膜後に、前記有機薄膜を構成する材料の前記ガラス転移点又は融点よりも20°C低い温度から20°C高い温度の温度域で、且つ直前に成膜した有機薄膜を構成する材料の前記ガラス転移点又は融点よりも10°C以上低い温度で加熱処理することを特徴とする請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。しかし、特許文献1及び2に記載の方法では、ガラス転移点が一番低い材料からなる薄膜しか、緻密化及び安定化させることができず、複数の薄膜を同様に処理できないという問題点があった。そして、複数の薄膜を緻密化及び安定化させようとすると、ある薄膜においてはガラス転移点を大きく超える温度で加熱処理せざるを得なくなることがあり、この場合、この薄膜と隣接する上層又は下層の薄膜との間で混合層が生じたり、薄膜に荒れが生じたりするという問題点があった。このように従来の有機EL素子には、消費電力が小さく、信頼性及び耐久性に優れたものが無いのが実情であった。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、消費電力が小さく、信頼性及び耐久性に優れた有機EL素子を提供することを課題とする。本発明は、基材上に一対の電極を備え、前記一対の電極間に、二層以上の有機薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、二層又はそれ以上の前記有機薄膜を構成する材料は、ガラス転移点、又はガラス転移点を有していない場合には融点が、前記基材に近い層のものほど高いことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。また、本発明は、かかる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機エレクトロルミネッセンス層が発光層を有し、前記発光層が、ホスト材料及び発光材料を含み、前記発光材料以外の前記有機薄膜を構成する材料は、ガラス転移点、又はガラス転移点を有していない場合には融点が、前記基材に近い層のものほど高いことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。また、本発明は、かかる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機エレクトロルミネッセンス層が、前記有機薄膜として、発光層と、該発光層よりも上層に電子輸送層とを有し、前記発光層が、ホスト材料及び発光材料を含み、前記ホスト材料は、ガラス転移点、又はガラス転移点を有していない場合には融点が、前記電子輸送層を構成する材料の前記ガラス転移点又は融点よりも高いことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。また、本発明は、かかる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機エレクトロルミネッセンス層が、前記有機薄膜として、発光層と、該発光層よりも上層に正孔輸送層とを有し、前記発光層が、ホスト材料及び発光材料を含み、前記ホスト材料は、ガラス転移点、又はガラス転移点を有していない場合には融点が、前記正孔輸送層を構成する材料の前記ガラス転移点又は融点よりも高いことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。また、本発明は、かかる有機エレクトロルミネッセンス素子において、互いに隣接する前記有機薄膜を構成する材料の、前記ガラス転移点又は融点の差が、10°C以上であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。また、本発明は、かかる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機薄膜を構成する材料が、π電子共役有機分子であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。また、本発明は、かかる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、基材上に一方の前記電極、有機エレクトロルミネッセンス層、及び他方の前記電極をこの順に積層し、前記有機エレクトロルミネッセンス層の積層時には、二層又はそれ以上の前記有機薄膜のうち最下層以外のものについて、成膜中又は成膜後に、前記有機薄膜を構成する材料の前記ガラス転移点又は融点よりも20°C低い温度から20°C高い温度の温度域で、且つ直前に成膜した有機薄膜を構成する材料の前記ガラス転移点又は融点よりも低い温度で加熱処理することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。また、本発明は、かかる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、前記有機薄膜について、成膜中又は成膜後に、前記有機薄膜を構成する材料の前記ガラス転移点又は融点よりも20°C低い温度から20°C高い温度の温度域で、且つ直前に成膜した有機薄膜を構成する材料の前記ガラス転移点又は融点よりも10°C以上低い温度で加熱処理することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。本発明によれば、消費電力が小さく、信頼性及び耐久性に優れた有機EL素子を提供できる。<有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法>本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス以下、有機ELと略記することがある素子は、基材上に一対の電極を備え、前記一対の電極間に、二層以上の有機薄膜を有する有機EL層を備えた有機EL素子であって、二層又はそれ以上の前記有機薄膜を構成する材料は、ガラス転移点以下、Tgと略記することがある、又はガラス転移点を有していない場合には融点が、前記基材に近い層のものほど高いことを特徴とする。前記一対の電極は、陽極又は陰極として機能するものである。図1は、本実施形態に係る有機EL素子の要部を例示する概略断面図である。ここに示す有機EL素子1は、基材11上に、第一電極12、有機EL層13及び第二電極14がこの順に積層され、概略構成されている。すなわち、有機EL素子1は、基材11上に、第一電極12及び第二電極14からなる一対の電極と、該一対の電極間に挟持された有機EL層13と、を備えたものである。基材11としては、ガラス基板が例示できる。基材11の厚さは、0.1~3mmであることが好ましい。第一電極12及び第二電極14は、陽極又は陰極として機能するものである。陰極の材質としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等のアルカリ金属;マグネシウム、カルシウム、バリウム等のアルカリ土類金属;アルミニウム;銅;ケイ素;二種以上のこれら金属からなる合金;一種以上のこれら金属を含む合金以外の化合物等が例示できる。なかでも、安定性が良好な点から、リチウム、セシウム、カルシウム、バリウム、アルミニウム、ナトリウムカリウム合金、セシウム化合物、マグネシウム合金、バリウム化合物、アルミニウムリチウム合金、アルミニウム銅合金、アルミニウム銅シリコン合金が好ましい。また、これら以外でも、好ましいものとしてフッ素化合物が例示できる。陰極は、二種以上の材質からなる層が積層された複数層のものでもよく、この時の層数は特に限定されない。複数層の陰極で好ましいものとしては、カルシウム層及びアルミニウム層が積層されたものが例示できる。陽極の材質としては、酸化インジウムスズITO、酸化インジウム亜鉛IZO登録商標、酸化インジウム、酸化スズ、カドミウムスタネートCd2SnO4、酸化亜鉛、ヨウ化銅、金、白金等が例示できる。第一電極12及び第二電極14の膜厚は、それぞれ20~200nmであることが好ましい。有機EL層13は、陽極である第一電極12側から、陰極である第二電極14側へかけて、正孔注入層13a、正孔輸送層13b、発光層13c、正孔防止層13d、電子輸送層13e及び電子注入層13fがこの順に積層され、概略構成されている。正孔注入層13a、正孔輸送層13b、発光層13c、正孔防止層13d、電子輸送層13e及び電子注入層13fは、それぞれ単層構造及び多層構造のいずれであってもよい。正孔注入層13aは、正孔の第一電極12からの注入を効率よく行うものである。正孔輸送層13bは、正孔の発光層13cへの輸送を効率よく行うものである。電子輸送層13eは、電子の発光層13cへの輸送を効率よく行うものである。電子注入層13fは、電子の第二電極14からの注入を効率よく行うものである。これらは、キャリア注入輸送層に該当する。正孔注入層13a、正孔輸送層13b、発光層13c、正孔防止層13d、電子輸送層13e及び電子注入層13fは、有機薄膜及び無機薄膜のいずれでもよいが、これら各層を構成するすべての層のうち、少なくとも二層は有機薄膜である。正孔注入層13a及び正孔輸送層13bの材質は、公知のものでよく、好ましいものとしては、酸化バナジウムV2O5、酸化モリブデンMoO2等の酸化物や無機p型半導体材料;ポルフィリン化合物、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ビスフェニル-ベンジジンTPD、N,N’-ジナフタレン-1-イル-N,N’-ジフェニル-ベンジジンα-NPD、4,4’,4-トリスカルバゾール-9-イルトリフェニルアミンTCTA、Tg151°C、N,N-ジカルバゾリル-3,5-ベンゼンm-CP、Tg55°C、4,4’-シクロヘキサン-1,1-ジイルビスN,N-ジ-p-トリルアニリンTAPC、2,2’-ビスN,N-ジフェニルアミン-9,9’-スピロビフルオレンDPAS、N1,N1’-ビフェニル-4,4’-ジイルビスN1-フェニル-N4,N4-ジ-m-トリルベンゼン-1,4-ジアミンDNTPD、N3,N3,N3’,N3’-テトラ-p-トリル-[1,1’:2’,1:2,1’-クオーターフェニル]-3,3’-ジアミンBTPD、4,4’-ジフェニルシランジイルビスN,N-ジ-p-トリルアニリンDTASi、2,2-ビス4-カルバゾール-9-イルフェニルアダマンティンAd-Cz等の芳香族第三級アミン化合物;ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン化合物等の低分子含窒素化合物;ポリアニリンPANI、ポリアニリン-樟脳スルホン酸PANI-CSA、3,4-ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンサルフォネイトPEDOT/PSS、ポリトリフェニルアミン誘導体Poly-TPD、ポリビニルカルバゾールPVCz、ポリp-フェニレンビニレンPPV、ポリp-ナフタレンビニレンPNV等の高分子化合物;2-メチル-9,10-ビスナフタレン-2-イルアントラセンMADN、Tg120°C等の芳香族炭化水素化合物等が例示できる。正孔注入層13aの材質としては、陽極からの正孔の注入及び輸送をより効率よく行う観点から、正孔輸送層13bの材質よりも、HOMOのエネルギー準位が低い材質が好ましい。そして、正孔輸送層13bの材質としては、正孔注入層13aの材質よりも、正孔の移動度が高いものが好ましい。正孔注入層13a及び正孔輸送層13bは、任意に添加剤ドナー、アクセプター等等を含んでいてもよい。そして、正孔の注入性及び輸送性をより向上させるためには、正孔注入層13a及び正孔輸送層13bは、アクセプターを含むことが好ましい。前記アクセプターは、公知のものでよく、無機材料及び有機材料のいずれでもよい。前記無機材料の好ましいものとしては、金Au、白金Pt、タングステンW、イリジウムIr、オキシ塩化リンPOCl3、六フッ化ヒ酸イオンAsF6-、塩素Cl、臭素Br、ヨウ素I、酸化バナジウムV2O5、酸化モリブデンMoO2等が例示できる。前記有機材料の好ましいものとしては、7,7,8,8,-テトラシアノキノジメタンTCNQ、テトラフルオロテトラシアノキノジメタンTCNQF4、テトラシアノエチレンTCNE、ヘキサシアノブタジエンHCNB、ジシクロジシアノベンゾキノンDDQ等のシアノ基を有する化合物;トリニトロフルオレノンTNF、ジニトロフルオレノンDNF等のニトロ基を有する化合物;フルオラニル;クロラニル;ブロマニル等が例示できる。前記アクセプターは、これらのなかでも、正孔濃度を増加させる効果がより高いことから、シアノ基を有する化合物が好ましい。正孔注入層13aの膜厚は、1~500nmであることが好ましい。正孔輸送層13bの膜厚は、5~500nmであることが好ましい。発光層有機発光層13cの材質は、公知のものでよく、有機発光材料のみでもよいし、発光性のドーパントとホスト材料との組み合わせでもよく、さらに任意に正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤ドナー、アクセプター等等を含んでいてもよい。また、上記の各材料が高分子材料結着用樹脂又は無機材料中に分散されていてもよい。発光効率及び耐久性の観点からは、発光層13cの材質としては、ホスト材料中に発光性のドーパントが分散されたものが好ましい。前記有機発光材料は、低分子発光材料及び高分子発光材料等に分類でき、蛍光材料又は燐光材料等に分類されるものでもよい。発光層有機発光層13cに用いる低分子有機材料ホスト材料を含むの好ましいものとしては、4,4’-ビス2,2’-ジフェニルビニル-ビフェニルDPVBi等の芳香族ジメチリデン化合物;5-メチル-2-[2-[4-5-メチル-2-ベンゾオキサゾリルフェニル]ビニル]ベンゾオキサゾール等のオキサジアゾール化合物;3-4-ビフェニル-4-フェニル-5-t-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾールTAZ等のトリアゾール誘導体;1,4-ビス2-メチルスチリルベンゼン等のスチリルベンゼン化合物;チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍光性有機材料;アゾメチン亜鉛錯体、8-ヒドロキシキノリナトアルミニウム錯体Alq3等の蛍光発光有機金属錯体;BeBqビスベンゾキノリノラトベリリウム錯体;4,4’-ビス-2,2-ジ-p-トリル-ビニル-ビフェニルDTVBi;トリス1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオノモノフェナントロリンEuIIIEuDBM3Phen;ジフェニルエチレン誘導体;トリス[4-9-フェニルフルオレン-9-イルフェニル]アミンTFTPA、Tg186°C等のトリフェニルアミン誘導体;ジアミノカルバゾール誘導体;ビススチリル誘導体;芳香族ジアミン誘導体;キナクリドン系化合物;ペリレン系化合物;クマリン系化合物;ジスチリルアリーレン誘導体DPVBi;オリゴチオフェン誘導体BMA-3T;4,4’-ジトリフェニルシリル-ビフェニルBSB、Tg100°C、ジフェニル-ジo-トリルシランUGH1、Tg26°C、1,4-ビストリフェニルシリルベンゼンUGH2、1,3-ビストリフェニルシリルベンゼンUGH3、Tg46°C、トリフェニル-4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニルシランTPSi-F、Tg100°C等のシラン誘導体;9,9-ジ4-ジカルバゾール-ベンジルフルオレンCPF、3,6-ビストリフェニルシリルカルバゾールmCP、4,4’-ビスカルバゾール-9-イルビフェニルCBP、Tg62°C、4,4’-ビスカルバゾール-9-イル-2,2’-ジメチルビフェニルCDBP、Tg111°C、N,N-ジカルバゾリル-3,5-ベンゼンm-CP、Tg55°C、3-ジフェニルホスホリル-9-フェニル-9H-カルバゾールPPO1、Tg74°C、3,6-ジ9-カルバゾリル-9-2-エチルヘキシルカルバゾールTCz1、Tg88°C、9,9’-5-トリフェニルシリル-1,3-フェニレンビス9H-カルバゾールSimCP、Tg101°C、ビス3,5-ジ9H-カルバゾール-9-イルフェニルジフェニルシランSimCP2、3-ジフェニルホスホリル-9-4-ジフェニルホスホリルフェニル-9H-カルバゾールPPO21、Tg111°C、2,2-ビス4-カルバゾリルフェニル-1,1-ビフェニル4CzPBP、Tg120°C、3,6-ビスジフェニルホスホリル-9-フェニル-9H-カルバゾールPPO2、Tg123°C、9-4-tert-ブチルフェニル-3,6-ビストリフェニルシリル-9H-カルバゾールCzSi、Tg131°C、3,6-ビス[3,5-ジフェニルフェニル]-9-フェニル-カルバゾールCzTP、Tg135°C、9-4-tert-ブチルフェニル-3,6-ジトリチル-9H-カルバゾールCzC、Tg167°C、9-4-tert-ブチルフェニル-3,6-ビス9-4-メトキシフェニル-9H-フルオレン-9-イル-9H-カルバゾールDFC、Tg180°C、2,2’-ビス4-カルバゾール-9-イルフェニル-ビフェニルBCBP、9,9’-2,6-ジフェニルベンゾ[1,2-b:4,5-b’]ジフラン-3,7-ジイルビス4,1-フェニレンビス9H-カルバゾールCZBDF等のカルバゾール誘導体;4-ジフェニルフォスフォイル-N,N-ジフェニルアニリンHM-A1等のアニリン誘導体;1,3-ビス9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルベンゼンmDPFB、1,4-ビス9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルベンゼンpDPFB、2,7-ビスカルバゾール-9-イル-9,9-ジメチルフルオレンDMFL-CBP、Tg131°C、2-[9,9-ジ4-メチルフェニル-フルオレン-2-イル]-9,9-ジ4-メチルフェニルフルオレンBDAF、Tg153°C、2-9,9-スピロビフルオレン-2-イル-9,9-スピロビフルオレンBSBF、Tg176°C、9,9-ビス[4-ピレニルフェニル]-9H-フルオレンBPPF、Tg177°C、2,2’-ジピレニル-9,9-スピロビフルオレンSpiro-Pye、Tg189°C、2,7-ジピレニル-9,9-スピロビフルオレン2,2’-Spiro-Pye、Tg186°C、2,7-ビス[9,9-ジ4-メチルフェニル-フルオレン-2-イル]-9,9-ジ4-メチルフェニルフルオレンTDAF、Tg201°C、2,7-ビス9,9-スピロビフルオレン-2-イル-9,9-スピロビフルオレンTSBF、Tg231°C、9,9-スピロビフルオレン-2-イル-ジフェニル-フォスフィンオキサイドSPPO1等のフルオレン誘導体;1,3-ジピレン-1-イルベンゼンm-Bpye、Tg97°C等のピレン誘導体;プロパン-2,2’-ジイルビス4,1-フェニレンジベンゾエートMMA1等のベンゾエート誘導体;4,4’-ビスジフェニルフォスフィンオキサイドビフェニルPO1、2,8-ビスジフェニルフォスフォリルジベンゾ[b,d]チオフェンPPT等のフォスフィンオキサイド誘導体;4,4-ジトリフェニルシリル-p-ターフェニルBST、Tg113°C等のターフェニル誘導体;2,4-ビスフェノキシ-6-3-メチルジフェニルアミノ-1,3,5-トリアジンBPMT等トリアジン誘導体が例示できる。発光層有機発光層13cに用いる高分子有機材料の好ましいものとしては、ポリ2-デシルオキシ-1,4-フェニレンDO-PPP、ポリ[2,5-ビス-[2-N,N,N-トリエチルアンモニウムエトキシ]-1,4-フェニル-アルト-1,4-フェニルレン]ジブロマイドPPP-NEt3、ポリ[2-2’-エチルヘキシルオキシ-5-メトキシ-1,4-フェニレンビニレン]MEH-PPV、ポリ[5-メトキシ-2-プロパノキシサルフォニド-1,4-フェニレンビニレン]MPS-PPV、ポリ[2,5-ビス-ヘキシルオキシ-1,4-フェニレン-1-シアノビニレン]CN-PPV等のポリフェニレンビニレン誘導体;ポリ9,9-ジオクチルフルオレンPDAF等のポリスピロ誘導体;ポリN-ビニルカルバゾールPVK、Tg200°C等のカルバゾール誘導体等が例示できる。前記有機発光材料は、低分子発光材料が好ましく、低消費電力化の観点から、発光効率が高い燐光材料が好ましい。前記発光性のドーパントの材質のうち、紫外発光材料であれば、p-クォーターフェニル、3,5,3,5テトラ-tert-ブチルセクシフェニル、3,5,3,5テトラ-tert-ブチル-p-クィンクフェニル等の蛍光発光材料等が例示できる。また、青色発光材料であれば、スチリル誘導体等の蛍光発光材料;ビス[4,6-ジフルオロフェニル-ピリジナト-N,C2’]ピコリネートイリジウムIIIFIrpic、ビス4’,6’-ジフルオロフェニルポリジナトテトラキス1-ピラゾイルボレートイリジウムIIIFIr6等の、また、緑色発光材料であれば、トリス2-フェニルピリジナートイリジウムIrppy3等の燐光発光有機金属錯体等が例示できる。発光層13cの膜厚は、5~500nmであることが好ましい。正孔防止層13d、電子輸送層13e及び電子注入層13fの材質は、公知のものでよく、好ましいものとしては、低分子材料であれば、n型半導体である無機材料;1,3-ビス[2-2,2’-ビピリジン-6-イル-1,3,4-オキサジアゾ-5-イル]ベンゼンBpy-OXD、Tg102°C、1,3-ビス5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾールー2-イルベンゼンOXD7等のオキサジアゾール誘導体;3-4-ビフェニル-4-フェニル-5-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾールTAZ等のトリアゾール誘導体;チオピラジンジオキシド誘導体;ベンゾキノン誘導体;ナフトキノン誘導体;アントラキノン誘導体;ジフェノキノン誘導体;フルオレノン誘導体;ベンゾジフラン誘導体;8-ヒドロキシキノリノラート-リチウムLiq、Tg130°C等のキノリン誘導体;2,7-ビス2-2,2’-ビピリジン-6-イル-1,3,4-オキサジアゾ-5-イル-9,9-ジメチルフルオレンBpy-FOXD、Tg134°C等のフルオレン誘導体;1,3,5-トリ3-ピリジル-フェン-3-イルベンゼンTmPyPB、Tg79°C、1,3,5-トリ[3-ピリジル-フェン-3-イル]ベンゼンTpPyPB、Tg80°C等のベンゼン誘導体;2,2’,2-1,3,5-ベンジントリイル-トリス1-フェニル-1-H-ベンゾイミダゾールTPBI、Tg122°C等のベンゾイミダゾール誘導体;3,5-ジピレン-1-イルピリジンPY1、Tg107°C等のピリジン誘導体;3,3’,5,5’-テトラ[m-ピリジル-フェン-3-イル]ビフェニルBP4mPy、Tg107°C等のビフェニル誘導体;4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBPhen、2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBCP等のフェナントロリン誘導体;トリス2,4,6-トリメチル-3-ピリジン-3-イルフェニルボラン3TPYMB等のトリフェニルボラン誘導体;ジフェニルビス4-ピリジン-3-イルフェニルシランDPPS等のテトラフェニルシラン誘導体が例示できる。また、高分子材料であれば、ポリオキサジアゾールPoly-OXZ、ポリスチレン誘導体PSS等が例示できる。特に、電子注入層13fの材質としては、フッ化リチウムLiF、フッ化バリウムBaF2等のフッ化物;酸化リチウムLi2O等の酸化物等が例示できる。電子注入層13fの材質としては、陰極からの電子の注入及び輸送をより効率よく行う観点から、電子輸送層13eの材質よりも、LUMOのエネルギー準位が高い材質が好ましい。そして、電子輸送層13eの材質としては、電子注入層13fの材質よりも、電子の移動度が高いものが好ましい。電子輸送層13e及び電子注入層13fは、任意に添加剤ドナー、アクセプター等等を含んでいてもよい。そして、電子の輸送及び注入性をより向上させるためには、電子輸送層13e及び電子注入層13fは、ドナーを含むことが好ましい。前記ドナーは、公知のものでよく、無機材料及び有機材料のいずれでもよい。前記無機材料の好ましいものとしては、リチウム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属;マグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属;希土類元素;アルミニウムAl;銀Ag;銅Cu;インジウムIn等が例示できる。前記有機材料の好ましいものとしては、芳香族3級アミン骨格を有する化合物、フェナントレン、ピレン、ペリレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン等の置換基を有していてもよい縮合多環化合物、テトラチアフルバレンTTF類、ジベンゾフラン、フェノチアジン、カルバゾール等が例示できる。前記芳香族3級アミン骨格を有する化合物としては、アニリン類;フェニレンジアミン類;N,N,N’,N’-テトラフェニルベンジジン、N,N’-ビス-3-メチルフェニル-N,N’-ビス-フェニル-ベンジジン、N,N’-ジナフタレン-1-イル-N,N’-ジフェニル-ベンジジン等のベンジジン類;トリフェニルアミン、4,4’4-トリスN,N-ジフェニル-アミノ-トリフェニルアミン、4,4’4-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ-トリフェニルアミン、4,4’4-トリスN-1-ナフチル-N-フェニル-アミノ-トリフェニルアミン等のトリフェニルアミン類;N,N’-ジ-4-メチル-フェニル-N,N’-ジフェニル-1,4-フェニレンジアミンのトリフェニルジアミン類が例示できる。前記縮合多環化合物が置換基を有するとは、前記縮合多環化合物中の一つ以上の水素原子が、水素原子以外の基置換基で置換されていることを指し、前記置換基の数は特に限定されず、すべての水素原子が置換基で置換されていてもよい。そして、置換基の位置も特に限定されない。前記置換基としては、炭素数1~10のアルキル基、炭素数1~10のアルコキシ基、炭素数2~10のアルケニル基、炭素数2~10のアルケニルオキシ基、炭素数6~15のアリール基、炭素数6~15のアリールオキシ基、水酸基、ハロゲン原子等が例示できる。前記アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、直鎖状又は分枝鎖状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert-ペンチル基、1-メチルブチル基、n-ヘキシル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、2,2-ジメチルブチル基、2,3-ジメチルブチル基、n-ヘプチル基、2-メチルヘキシル基、3-メチルヘキシル基、2,2-ジメチルペンチル基、2,3-ジメチルペンチル基、2,4-ジメチルペンチル基、3,3-ジメチルペンチル基、3-エチルペンチル基、2,2,3-トリメチルブチル基、n-オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、デシル基が例示できる。また、環状のアルキル基は、単環状及び多環状のいずれでも良く、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、1-アダマンチル基、2-アダマンチル基、トリシクロデシル基が例示できる。前記アルコキシ基としては、前記アルキル基が酸素原子に結合した一価の基が例示できる。前記アルケニル基としては、炭素数が2~10の前記アルキル基において、炭素原子間の一つの単結合C-Cが二重結合C=Cに置換されたものが例示できる。前記アルケニルオキシ基としては、前記アルケニル基が酸素原子に結合した一価の基が例示できる。前記アリール基は、単環状及び多環状のいずれでもよく、環員数は特に限定されず、好ましいものとしては、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基が例示できる。前記アリールオキシ基としては、前記アリール基が酸素原子に結合した一価の基が例示できる。前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示できる。前記ドナーは、これらのなかでも、電子濃度を増加させる効果がより高いことから、芳香族3級アミン骨格を有する化合物、置換基を有していてもよい縮合多環化合物、アルカリ金属が好ましい。電子輸送層13eの膜厚は、5~500nmであることが好ましい。また、電子注入層13fの膜厚は、0.1~100nmであることが好ましい。有機EL素子1においては、有機EL層13のうち、二層以上の有機薄膜を構成する材料は、基材11に近い層のものほどガラス転移点Tgが高く、前記材料がガラス転移点を有していない場合には、ガラス転移点に代わって融点が、基材11に近い層のものほど高い。このように、有機薄膜を構成する前記材料としては、ガラス転移点を有しているものと有していないものとが混在していてよい。例えば、有機EL素子1において、正孔注入層13a、正孔輸送層13b、正孔防止層13d、電子輸送層13e及び電子注入層13fがすべて有機薄膜である場合、ガラス転移点又は融点について上記の関係を満たす有機薄膜は、二層又はそれ以上であり、二層のみでもよいが、層数が多いほど好ましく、すべての有機薄膜が上記の関係を満たすことが特に好ましい。例えば、正孔注入層13a、正孔輸送層13b、正孔防止層13d、電子輸送層13e及び電子注入層13fのガラス転移点が順にTga、Tgb、Tgd、Tge及びTgfであるとすると、特に好ましい実施形態としては、Tga>Tgb>Tgd>Tge>Tgfの関係を満たすものが例示できる。有機EL素子1においては、発光層13cがホスト材料及び発光材料を含む場合、前記発光材料以外の前記有機薄膜を構成する材料は、ガラス転移点、又はガラス転移点を有していない場合には融点が、基材11に近い層のものほど高くてもよい。このような有機EL層13としては、発光層13cが有機薄膜を有し例えば、有機薄膜として発光層13cを有し、そのホスト材料のガラス転移点又は融点が、その他の有機薄膜を構成する材料のガラス転移点又は融点との間に、上記の関係を有するものが例示できる。例えば、正孔注入層13a、正孔輸送層13b、正孔防止層13d、電子輸送層13e及び電子注入層13fが、上記のようにすべて有機薄膜であり、発光層13cも有機薄膜であって、そのホスト材料のガラス転移点がTgcであるとすると、特に好ましい実施形態としては、Tga>Tgb>Tgc>Tgd>Tge>Tgfの関係を満たすものが例示できる。また、発光層13cがホスト材料及び発光材料を含む有機薄膜を有し例えば、有機薄膜として発光層13cを有し、例えば、発光層13cよりも上層に位置する電子輸送層13eが有機薄膜を有する例えば、有機薄膜として電子輸送層13eを有する場合、発光層13cを構成する前記ホスト材料は、ガラス転移点、又はガラス転移点を有していない場合には融点が、電子輸送層13eを構成する材料のガラス転移点又は融点よりも高いことが好ましい。有機EL層13において、互いに隣接する前記有機薄膜を構成する材料の、前記ガラス転移点又は融点の差は、10°C以上であることが好ましい。なお、ここまで、有機EL層を構成する各層の材質材料について説明したが、例えば、ホスト材料は正孔輸送材料又は電子輸送材料としても使用でき、正孔輸送材料及び電子輸送材料もホスト材料として使用できる。有機EL素子1は、例えば、以下の方法で製造できる。図2は、有機EL素子1の製造方法を説明するための概略断面図である。まず、図2aに示すように、基材11上に、スパッタリング法、真空蒸着法等により第一電極12を形成する。次いで、図2bに示すように、第一電極12上に、正孔注入層13a、正孔輸送層13b、発光層13c、正孔防止層13d、電子輸送層13e及び電子注入層13fをこの順に積層し、有機EL層13を形成する。これら有機EL層13を構成する各層は、公知のウエットプロセス、ドライプロセス、レーザ転写法等により形成できる。前記ウエットプロセスとしては、各層を構成する上記の各材質材料を溶媒に溶解又は分散させた液体を用いるスピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法;インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法が例示できる。前記液体は、レベリング剤、粘度調整剤等の、液体の物性を調整するための添加剤を含んでいてもよい。前記ドライプロセスとしては、各層を構成する上記の各材質材料を用いる抵抗加熱蒸着法、電子線EB蒸着法、分子線エピタキシーMBE法、スパッタリング法、有機気相蒸着OVPD法等が例示できる。有機EL層13の形成時には、構成する材料のガラス転移点又は融点が上記の関係を有する前記有機薄膜、すなわち二層又はそれ以上の前記有機薄膜のうち、最下層以外のものについて、成膜中又は成膜後に、前記有機薄膜を構成する材料のガラス転移点又は融点よりも20°C低い温度から20°C高い温度の温度域で、且つ直前に成膜した有機薄膜を構成する材料のガラス転移点又は融点よりも低い温度で加熱処理する。ここで、加熱処理する二層以上の有機薄膜は、必ずしも連続している互いに接触している必要性はなく、間に無機薄膜等が存在していてもよい。すなわち、直前に成膜した有機薄膜とは、加熱処理する有機薄膜よりも下層に位置する有機薄膜で、最上層に位置するものを指す。このような条件で加熱処理することにより、有機EL素子1は、有機薄膜が結晶性及び非晶質のいずれであっても、これを構成する分子の配向が良好に制御され、電極及び有機薄膜間、並びに有機薄膜間でのキャリア電子、正孔の注入効率及び輸送効率が向上し、駆動電圧が低く、消費電力が小さいものとなる。また、有機薄膜の混合や膜荒れが抑制され、信頼性及び耐久性に優れたものとなる。上記の、直前に成膜した有機薄膜を構成する材料のガラス転移点又は融点よりも低い温度は、該ガラス転移点又は融点よりも10°C以上低い温度であることが好ましい。このようにすることで、有機EL素子1は、上記効果にさらに優れたものとなる。前記有機薄膜を構成する材料は、π電子共役有機分子であることが好ましく、これにより、有機EL素子1は、上記効果にさらに優れたものとなる。前記加熱処理は、不活性ガス雰囲気下又は減圧下において行うことが好ましい。不活性ガスは、窒素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス等、公知のものでよい。また、減圧下で行う場合の圧力は1×10-5~1×10-1Paであることが好ましい。前記加熱処理時には、処理対象の有機薄膜を基材11側から加熱することが好ましい。このようにすることで、配向性がより良好に制御された有機薄膜を形成できる。前記加熱処理は、公知の方法で行えばよく、加熱対象に熱源を接触させて直接加熱する方法、及び加熱対象に熱源を接触させずに間接的に加熱する方法のいずれでもよい。いずれの加熱方法でも、抵抗加熱、誘導加熱、マイクロ波加熱、赤外線加熱、アーク加熱、プラズマ加熱、電子ビーム加熱、イオンビーム加熱、レーザ加熱等が適用できる。有機薄膜を加熱処理するときの、有機薄膜を構成する材料のガラス転移点又は融点よりも20°C低い温度から20°C高い温度の温度域という加熱温度は、有機薄膜における分子の配向状態及び電流密度との関係から求められたものである。一例を挙げると、以下の通りである。有機薄膜を構成する分子として、下記2-メチル-9,10-ビスナフタレン-2-イルアントラセンMADN、Tg120°Cを用いて、ガラス基材上の厚さ120nmのIZO膜上に、真空蒸着法により膜厚100nmの単層薄膜MADN膜を成膜し、これを所定の温度加熱温度で30分間加熱処理した。そして、形成したMADN膜における分子MADNの配向状態を評価し、MADN膜の印加電圧2Vでの電流密度を測定し、これらの加熱温度との関係を調べた。結果を図3に示す。なお、分子の配向状態の評価は、配向パラメータSの値を算出することで行った。配向パラメータSは、基材上に形成された薄膜中の分子の配向方向を定量化する値でありAppliedPhysicsLetters,93,2008,173302参照、薄膜の消衰係数kに依存し、下記式Aで表される。S=3/2cos2θ-1/2=kz-kxy/kz2kxyA式中、θは分子の配向軸と、基材表面に対して垂直な方向との為す角度°であり、kxyは基材表面と平行な方向の消衰係数であり、kzは基材表面に対して垂直な方向の消衰係数である。薄膜が光学的異方性を有していない場合のSは0であり、薄膜中の分子の配向方向が基材表面に対して完全に水平方向平行である場合のSは-0.5である。消衰係数kは、分光エリプソメーターによる測定値から算出される。したがって、配向パラメータSが、-0.1~-0.5の範囲にあることは、有機薄膜中で、基材表面に対して水平方向平行に配向している有機分子の割合が高いことを示す。また、図3中のx及びyは、図4aに示すMADNにおける、互いに直交する三つの方向のうちの二つの方向である残る一つの方向はzである。図4aは、MADNの安定構造を示す図である。より具体的には、x方向は、MADNにおけるアントラセン骨格の短軸方向を示し、y方向は、MADNにおけるアントラセン骨格の長軸方向を示す。ここに示すMADNの安定構造は、汎用の量子化学計算ソフトであるGaussian09WGaussian社製を用いた非経験的分子軌道計算法のレベルB3LYP/6-31Gdにより求めたものである。また、この安定構造をもとに、Gaussian09Wを用いた非経験的分子軌道計算法で求めたMADNのHOMOの分布を図4bに、LUMOの分布を図4cに、それぞれ分子構造と共に示す。Gaussian09Wを用いてπ電子共役有機分子のHOMO又はLUMOの分布を計算する場合、まず、チェックポイントファイルを指定し、分子モデルの初期座標、計算方法と基底関数、電荷とスピン多重度をそれぞれ入力してインプットファイルを作成し、計算を実行することにより、最適構造化を行い、π電子共役有機分子の安定構造を計算する。次いで、得られた安定構造に対して分子軌道を表示することにより、π電子共役有機分子のHOMO又はLUMOの分布を可視化することができる。なお、インプットファイルの作成及び実行の際の計算方法としては、Hartree-Fock法、密度汎関数DFT法、MPMollerPlessetperturbationtheory法、CCCoupledClustertheory法が選択できるが、本明細書におけるGaussian09Wを用いた計算では、DFT法を採用している。また、Gaussian09Wを用いた場合、安定構造の計算と同時に、HOMO及びLUMOも計算されており、GaussianViewによりHOMO及びLUMOの分布を可視化している。ここでは、Gaussian09Wを用いた場合について説明したが、非経験的分子軌道計算法で用いる汎用の量子化学計算ソフトとしては、米国Gaussian社製のGaussianシリーズGaussian09Wを含む、Schrodinger社製のMarcoModel、Wavefunction社製のSpartan、アドバンスソフト社製のABINIT-MP/BioStation等が例示でき、なかでも、Gaussian09Gaussian09W、Gaussian09Mが好適である。図3から明らかなように、MADNのガラス転移点が120°Cであるのに対して、基材の加熱温度が100°C以上になると、同じ測定条件で電流密度が上昇する。これは、加熱温度が100°C以上になると、同じ電流密度を得るための印加電圧を低減できることを意味する。すなわち、加熱温度の下限値を、MADNのガラス転移点よりも20°C低い温度とすることで、キャリア移動度が高くなる。一方、図3では、温度の上限値が140°Cとなっているが、150°C以上の温度では、MADN膜に膜荒れが生じてしまう。すなわち、加熱温度の上限値を、MADNのガラス転移点よりも20°C高い温度とすることで、膜荒れが抑制される。このように加熱処理することで、キャリア移動度が高くなるのは、MADNにおけるアントラセン骨格のπ電子共役面図4におけるx-y平面が、基材表面に対して実質的に平行に配向することによると推測される。ここで、π電子共役面が基材表面に対して実質的に平行に配向するとは、π電子共役面が基材表面に完全に平行な場合だけでなく、π電子共役面と基材表面とがなす角度が45°未満となるように、アントラセン骨格が配向することを示す。図4に示すように、MADNのHOMO及びLUMOは、アントラセン骨格に主に存在し、ナフタレン骨格にはほとんど存在しない。したがって、キャリア移動に関与する分子軌道π電子共役有機分子が正孔輸送性の場合にはHOMO、電子輸送性の場合はLUMOが主に分布するπ電子共役面が、基材表面に対して実質的に平行となることにより、キャリア移動に関与するπ電子の軌道の重なりが大きくなり、キャリア移動度が高くなる。なお、π電子共役有機分子には、複数のπ電子共役面に満遍なくHOMO又はLUMOが分布している場合もある。この場合には、最も面積が大きいπ電子共役面を基材表面に対して実質的に平行に配向させることが好ましく、これにより、キャリア輸送性をより向上させることができる。MADNはキャリア輸送性であるが、このように、MADNの配向が制御されることで、後述するように有機EL素子の一対の電極間に配置された有機薄膜の構成材料としてMADNを適用した場合には、かかるMADN膜が電荷輸送層及び正孔輸送層のいずれであっても、MADN膜のキャリア輸送性が向上し、有機EL素子の駆動電圧を低電圧化できる。ここでは、MADNについて説明したが、本発明においては、上記のように加熱温度の温度域を設定することで、MADN以外のπ電子共役有機分子についても同様の効果を奏すると考えられる。本発明において好ましいπ電子共役有機分子としては、ベンゼン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、フェナントロリン骨格、ベンゾフラン骨格、ベンゾジフラン骨格、トリアジン骨格、イミダゾール骨格、ベンゾイミダゾール骨格、トリアゾール骨格、ピリジン骨格、オキサジアゾール骨格、カルバゾール骨格等のπ電子共役面を有するものが例示できる。有機EL層13を形成後は、次いで、図2cに示すように、有機EL層13上に、真空蒸着法等により第二電極14を形成する。上記工程を行うことで、図1に示す有機EL素子1が得られる。本発明に係る有機EL素子は、図1に示すものに限定されず、有機EL層13が二層以上の有機薄膜を有し、前記有機薄膜を構成する材料は、ガラス転移点、又はガラス転移点を有していない場合には融点が、基材11に近い層のものほど高くなっていればよい。例えば、有機EL層が発光層とキャリア輸送層とを備えたもの等、有機EL素子1の構成の一部を適宜変更したものでもよく、有機EL層13の構成を以下のようにしたものが例示できる。1第一電極12側から第二電極14側へかけて、正孔輸送層及び発光層がこの順に積層された有機EL層。2第一電極12側から第二電極14側へかけて、発光層及び電子輸送層がこの順に積層された有機EL層。3第一電極12側から第二電極14側へかけて、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層がこの順に積層された有機EL層。4第一電極12側から第二電極14側へかけて、正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層がこの順に積層された有機EL層。5第一電極12側から第二電極14側へかけて、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層がこの順に積層された有機EL層。6第一電極12側から第二電極14側へかけて、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔防止層及び電子輸送層がこの順に積層された有機EL層。7第一電極12側から第二電極14側へかけて、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔防止層、電子輸送層及び電子注入層がこの順に積層された有機EL層。8第一電極12側から第二電極14側へかけて、正孔注入層、正孔輸送層、電子防止層、発光層、正孔防止層、電子輸送層及び電子注入層がこの順に積層された有機EL層。前記電子防止層は、有機EL用として公知のものでよく、単層構造及び多層構造のいずれであってもよく、有機薄膜及び無機薄膜のいずれでもよい。そして、有機薄膜である場合には、その他の有機薄膜と同様に、上記のガラス転移点又は融点の関係を有するようにすることが好ましい。有機EL素子において、発光層がホスト材料及び発光材料を含む有機薄膜を有し例えば、有機薄膜として発光層を有し、例えば、発光層よりも上層に位置する正孔輸送層が有機薄膜を有する例えば、有機薄膜として正孔輸送層を有する場合、発光層を構成する前記ホスト材料は、ガラス転移点、又はガラス転移点を有していない場合には融点が、正孔輸送層を構成する材料のガラス転移点又は融点よりも高いことが好ましい。さらに、本発明に係る有機EL素子は、有機EL層がキャリアを閉じ込めるための発光層を備えることなく発光素子として機能し、有機EL層が二層以上の有機薄膜を有し、これらのガラス転移点又は融点が上記の関係を満たすものであってもよい。上記のような有機EL素子1以外の有機EL素子も、有機薄膜について同様の加熱処理を行うことで、有機EL素子1と同様の方法で製造できる。本発明に係る有機EL素子は、加熱処理された二層以上の有機薄膜の配向性が制御され、且つこれら有機薄膜の荒れや隣接する有機薄膜間での混合が抑制されるので、キャリア移動度が高くなり、高電圧を印加する必要が無く、消費電力が少なく、信頼性及び耐久性にも優れる。これは、前記有機薄膜が非晶質であっても同様である。したがって、本発明に係る有機EL素子は、例えば、電極間ショートが防止され、従来その防止策としてとられていた有機薄膜の多層化や厚膜化等の手段も不要なので、簡便に且つ低コストで製造できる。以下、本発明を適用する有機薄膜を構成する材料として好適なもののうち、MADN以外のπ電子共役有機分子の具体的構造を例示する。ただし、π電子共役有機分子はここに例示するものに限定されるものではない。下記N,N’-ジナフタレン-1-イル-N,N’-ジフェニル-ベンジジンα-NPDについて、Gaussian09Wを用いた非経験的分子軌道計算法のレベルB3LYP/6-31Gにより求めた安定構造を図4aに、分子構造と前記計算法で求めたHOMOの分布を図4bに、それぞれ示す。α-NPDは、正孔輸送層又は正孔注入層の材質として好適であり、正孔輸送に関与するHOMOが中央付近のビフェニル骨格に主に分布しており、ナフタレン骨格におけるHOMOは僅かである。したがって、α-NPDを正孔輸送層又は正孔注入層の形成に用いる場合には、ナフタレン骨格ではなくビフェニル骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、α-NPDを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記4,4’,4-トリスカルバゾール-9-イルトリフェニルアミンTCTAについて、Gaussian09Wを用いた非経験的分子軌道計算法のレベルB3LYP/6-31Gにより求めた安定構造を図5aに、分子構造と前記計算法で求めたHOMOの分布を図5bに、それぞれ示す。正孔輸送性のTCTAは、正孔輸送に関与するHOMOが分子全体に分布しているが、カルバゾール骨格に最も面積の広いπ電子共役面を有するので、少なくともいずれかのカルバゾール骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、TCTAを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBCPについて、Gaussian09Wを用いた非経験的分子軌道計算法のレベルB3LYP/6-31Gにより求めた安定構造を図6aに、分子構造と前記計算法で求めLUMOの分布を図6bに、それぞれ示す。BCPは、電子輸送層又は電子注入層の材質として好適であり、電子輸送に関与するLUMOがフェナントロリン骨格に主に分布している。したがって、BCPを電子輸送層又は電子注入層の形成に用いる場合には、フェナントロリン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、BCPを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記N,N-ジカルバゾリル-3,5-ベンゼンm-CPの安定構造を図7aに、分子構造とHOMOの分布を図7bに、それぞれ示す。m-CPは、正孔輸送層、正孔注入層又は発光層ホスト材料の材質として好適であり、正孔輸送に関与するHOMOが、カルバゾール骨格に主に分布している。したがって、カルバゾール骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、m-CPを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。以下、同様に、Gaussian09Wを用いた非経験的分子軌道計算法のレベルB3LYP/6-31Gにより求めたHOMO及び/又はLUMOの分布と、分子の配向について説明する。下記4,4’-シクロヘキサン-1,1-ジイルビスN,N-ジ-p-トリルアニリンTAPCは、正孔輸送層又は正孔注入層の材質として好適であり、各ベンゼン骨格はそれぞれπ電子共役面を有し、各π電子共役面は6角形状又は円状になり、正孔輸送に関与するHOMOが、シクロヘキサン骨格に結合しているベンゼン骨格に主に分布している。したがって、前記ベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、TAPCを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記2,2’-ビスN,N-ジフェニルアミン-9,9’-スピロビフルオレンDPASは、正孔輸送層又は正孔注入層の材質として好適であり、各ベンゼン骨格はそれぞれπ電子共役面を有し、正孔輸送に関与するHOMOがジフェニルアミン骨格に主に分布している。したがって、ジフェニルアミン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、DPASを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記N1,N1’-ビフェニル-4,4’-ジイルビスN1-フェニル-N4,N4-ジ-m-トリルベンゼン-1,4-ジアミンDNTPDは、正孔輸送層又は正孔注入層の材質として好適であり、各ベンゼン骨格は同一平面状にはなく、各ベンゼン骨格はそれぞれπ電子共役面を有する。そして、HOMOが、窒素原子で挟まれた四つのベンゼン骨格一つのビフェニレン基を構成する二つのフェニレン基、該フェニレン基に該当しない二つのフェニレン基に広がっている。したがって、これらベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、DNTPDを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記N3,N3,N3’,N3’-テトラ-p-トリル-[1,1’:2’,1:2,1’-クオーターフェニル]-3,3’-ジアミンBTPDは、正孔輸送層又は正孔注入層の材質として好適であり、各ベンゼン骨格は同一平面状にはなく、各ベンゼン骨格はそれぞれπ電子共役面を有する。そして、HOMOが、窒素原子に結合しているベンゼン骨格に主に分布している。したがって、これらベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、BTPDを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記4,4’-ジフェニルシランジイルビスN,N-ジ-p-トリルアニリンDTASiは、正孔輸送層又は正孔注入層の材質として好適であり、各ベンゼン骨格はそれぞれπ電子共役面を有する。そして、正孔輸送に関与するHOMOが、窒素原子に結合しているベンゼン骨格に主に分布している。したがって、これらベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、DTASiを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記2,2-ビス4-カルバゾール-9-イルフェニルアダマンティンAd-Czは、正孔輸送層又は正孔注入層の材質として好適であり、各カルバゾール骨格、各ベンゼン骨格は、別々の互いに平行でないπ電子共役面を有する。そして、正孔輸送に関与するHOMOがカルバゾール骨格に主に分布している。したがって、カルバゾール骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、Ad-Czを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記4,4’-ビスカルバゾール-9-イルビフェニルCBPは、発光層ホスト材料の材質として好適であり、各カルバゾール骨格、各ベンゼン骨格は、別々のπ電子共役面有し、全てのπ電子共役面が互いに平行ではない。そして、HOMOはカルバゾール骨格に主に分布している。したがって、カルバゾール骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、CBPを配向させることで、正孔移動度を高くできると考えられる。一方、LUMOは、窒素原子で挟まれたビフェニル骨格に主に分布している。したがって、前記ビフェニル骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、CBPを配向させることで、電子移動度を高くできると考えられる。下記ジフェニル-ジo-トリルシランUGH1は、発光層ホスト材料の材質として好適であり、各ベンゼン骨格は、別々に互いに平行でないπ電子共役面を有する。そして、HOMOは、メチル基を有するベンゼン骨格o-トリル基に主に分布している。したがって、これらベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、UGH1を配向させることで、正孔移動度を高くできると考えられる。一方、LUMOは、メチル基を有していないベンゼン骨格フェニル基に主に分布している。したがって、これらベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、UGH1を配向させることで、電子移動度を高くできると考えられる。下記1,4-ビストリフェニルシリルベンゼンUGH2は、発光層ホスト材料の材質として好適であり、各ベンゼン骨格は、別々に互いに平行でないπ電子共役面を有する。そして、HOMO及びLUMOは、ケイ素原子で挟まれたベンゼン骨格に主に分布している。したがって、前記ベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、UGH2を配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記9,9’-5-トリフェニルシリル-1,3-フェニレンビス9H-カルバゾールSimCPは、発光層ホスト材料の材質として好適であり、各カルバゾール骨格、各ベンゼン骨格は、別々に互いに平行でないπ電子共役面を有する。そして、HOMOはカルバゾール骨格に主に分布している。したがって、カルバゾール骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、SimCPを配向させることで、正孔移動度を高くできると考えられる。一方、LUMOは、中央付近のベンゼン骨格一つのトリフェニルシリル基、二つのカルバゾリル基がそれぞれ結合しているベンゼン骨格に主に分布している。したがって、このベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、SimCPを配向させることで、電子移動度を高くできると考えられる。下記ビス3,5-ジ9H-カルバゾール-9-イルフェニルジフェニルシランSimCP2は、発光層ホスト材料の材質として好適であり、各カルバゾール骨格、各ベンゼン骨格は、別々に互いに平行でないπ電子共役面を有する。そして、HOMOはカルバゾール骨格に主に分布している。したがって、カルバゾール骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、SimCP2を配向させることで、正孔移動度を高くできると考えられる。一方、LUMOは、ケイ素原子及び窒素原子が共に結合しているベンゼン骨格に主に分布している。したがって、このベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、SimCP2を配向させることで、電子移動度を高くできると考えられる。下記9,9-スピロビフルオレン-2-イル-ジフェニル-フォスフィンオキサイドSPPO1は、発光層ホスト材料の材質として好適であり、各ベンゼン骨格は、別々に互いに平行でないπ電子共役面を有する。そして、正孔輸送に関与するHOMOが、リン原子に結合していない方のフルオレン骨格に主に分布している。したがって、このフルオレン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、SPPO1を配向させることで、正孔移動度を高くできると考えられる。一方、電子輸送に関与するLUMOは、リン原子に結合している方のフルオレン骨格に主に分布している。したがって、このフルオレン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、SPPO1を配向させることで、電子移動度を高くできると考えられる。下記プロパン-2,2’-ジイルビス4,1-フェニレンジベンゾエートMMA1は、発光層ホスト材料の材質として好適であり、各ベンゼン骨格は、別々に互いに平行でないπ電子共役面を有する。そして、HOMOは、酸素原子に結合したベンゼン骨格に主に分布している。したがって、このベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、MMA1を配向させることで、正孔移動度を高くできると考えられる。一方、LUMOは、末端のベンゼン骨格カルボニル基に結合しているベンゼン骨格に主に分布している。したがって、このベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、MMA1を配向させることで、電子移動度を高くできると考えられる。下記9-4-tert-ブチルフェニル-3,6-ビストリフェニルシリル-9H-カルバゾールCzSiは、発光層ホスト材料の材質として好適であり、カルバゾール骨格、その他のベンゼン骨格は、別々に互いに平行でないπ電子共役面を有する。そして、HOMO及びLUMOがカルバゾール骨格に主に分布している。したがって、カルバゾール骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、CzSiを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記4,4’-ビスジフェニルフォスフィンオキサイドビフェニルPO1は、発光層ホスト材料の材質として好適であり、中央付近の二つのベンゼン骨格ビフェニレン基を構成する二つのベンゼン骨格が同一平面上にあり、一つのπ電子共役面を有し、その他のベンゼン骨格のπ電子共役面とは互いに平行でない。そして、HOMO及びLUMOが前記二つのベンゼン骨格に主に分布している。したがって、これら二つのベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、PO1を配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記2,2’-ビス4-カルバゾール-9-イルフェニル-ビフェニルBCBPは、発光層ホスト材料の材質として好適であり、両末端側のカルバゾール骨格と中央付近の四つのベンゼン骨格は同一平面上になく、互いに平行でないπ電子共役面を有する。そして、HOMOはカルバゾール骨格に主に分布している。したがって、カルバゾール骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、BCBPを配向させることで、正孔移動度を高くできると考えられる。一方、LUMOは、四つのベンゼン骨格に主に分布している。したがって、これらベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、BCBPを配向させることで、電子移動度を高くできると考えられる。下記2,8-ビスジフェニルフォスフォリルジベンゾ[b,d]チオフェンPPTは、発光層ホスト材料の材質として好適であり、中央付近のジベンゾチオフェン骨格とベンゼン骨格とが互いに平行でないπ電子共役面を有し、HOMO及びLUMOがジベンゾチオフェン骨格に主に分布している。したがって、ジベンゾチオフェン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、PPTを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記4-ジフェニルフォスフォイル-N,N-ジフェニルアニリンHM-A1は、発光層ホスト材料の材質として好適であり、各ベンゼン骨格が別々に互いに平行でないπ電子共役面を有する。そして、HOMOはN,N-ジフェニルアニリン骨格に主に分布している。したがって、N,N-ジフェニルアニリン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、HM-A1を配向させることで、正孔移動度を高くできると考えられる。一方、LUMOは、窒素原子及びリン原子で挟まれたベンゼン骨格に主に分布している。したがって、このベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、HM-A1を配向させることで、電子移動度を高くできると考えられる。下記9,9’-2,6-ジフェニルベンゾ[1,2-b:4,5-b’]ジフラン-3,7-ジイルビス4,1-フェニレンビス9H-カルバゾールCZBDFは、発光層ホスト材料の材質として好適であり、ベンゾジフラン骨格と両末端側のカルバゾール骨格、その他のベンゼン骨格が互いに平行でないπ電子共役面を有し、HOMO及びLUMOがベンゾジフラン骨格に主に分布している。したがって、ベンゾジフラン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、CZBDFを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記2,4-ビスフェノキシ-6-3-メチルジフェニルアミノ-1,3,5-トリアジンBPMTは、発光層ホスト材料の材質として好適であり、トリアジン骨格、各ベンゼン骨格が互いに平行でないπ電子共役面を有する。そして、HOMOはジフェニルアミノ骨格に主に分布している。したがって、ジフェニルアミノ骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、BPMTを配向させることで、正孔移動度を高くできると考えられる。一方、LUMOは、トリアジン骨格と、酸素原子に結合しているベンゼン骨格とに主に分布している。したがって、これらトリアジン骨格、ベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、BPMTを配向させることで、電子移動度を高くできると考えられる。下記2,2’,2-1,3,5-ベンジントリル-トリス1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾールTPBIは、電子輸送層又は電子注入層の材質として好適であり、各ベンゾイミダゾール骨格と各ベンゼン骨格は互いに平行でないπ電子共役面を有し、電子輸送に関与するLUMOが中央付近のベンゼン骨格三つのベンゾイミダゾール骨格が結合しているベンゼン骨格に主に分布している。したがって、このベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、TPBIを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記3-4-ビフェニル-4-フェニル-5-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾールTAZは、電子輸送層又は電子注入層の材質として好適であり、トリアゾール骨格と各ベンゼン骨格は互いに平行でないπ電子共役面を有し、電子輸送に関与するLUMOが、ビフェニル基を構成する二つのベンゼン骨格のうち、トリアゾール骨格に結合しているものに主に分布している。したがって、このベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、TAZを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBPhenは、電子輸送層又は電子注入層の材質として好適であり、フェナントロリン骨格と各ベンゼン骨格は互いに平行でないπ電子共役面を有し、電子輸送に関与するLUMOがフェナントロリン骨格に主に分布している。したがって、フェナントロリン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、BPhenを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記ジフェニルビス4-ピリジン-3-イルフェニルシランDPPSは、電子輸送層又は電子注入層の材質として好適であり、各ピリジン骨格と各ベンゼン骨格は互いに平行でないπ電子共役面を有し、電子輸送に関与するLUMOが、ピリジン骨格と、このピリジン骨格に結合しているベンゼン骨格に主に分布している。したがって、これらピリジン骨格、ベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、DPPSを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記1,3,5-トリ3-ピリジル-フェン-3-イルベンゼンTmPyPBは、電子輸送層又は電子注入層の材質として好適であり、各ピリジン骨格と各ベンゼン骨格は互いに平行でないπ電子共役面を有し、電子輸送に関与するLUMOが四つのベンゼン骨格に主に分布している。したがって、これらベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、TmPyPBを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記1,3,5-トリ[3-ピリジル-フェン-3-イル]ベンゼンTpPyPBは、電子輸送層又は電子注入層の材質として好適であり、各ピリジン骨格と各ベンゼン骨格は互いに平行でないπ電子共役面を有し、電子輸送に関与するLUMOが四つのベンゼン骨格に主に分布している。したがって、これらベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、TpPyPBを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。<表示装置>前記有機EL素子を備えた表示装置としては、画像信号を発生して出力する画像信号出力部と、前記画像信号に基づいて電流又は電圧を発生する駆動部と、発生した前記電流又は電圧により発光する発光部とを備え、前記発光部が、前記有機EL素子であるものが例示できる。そして、かかる有機EL素子を備えたこと以外は、従来の表示装置と同様の構成とすることができる。このような表示装置は、前記有機EL素子を備えたことで、電力消費量が少ないものとなる。以下、図面を参照しながら説明する。図9は、前記有機EL素子を備えた表示装置の一実施形態の要部を例示する概略図であり、aは平面図、bは1画素の等価回路図、cは1画素の平面図である。ここに示す表示装置5Aは、前記有機EL素子1を用いた有機EL表示装置である。表示装置5Aにおいては、複数の走査線ゲート配線50と、複数の信号線ソース配線51とが縦横に配されたマトリクスが形成されており、それぞれの交差部に一つの画素が設けられた画素アレイが形成されている。画素アレイの周囲領域には、走査線50に接続された走査線駆動回路ゲートドライバ55と、信号線51に接続された信号線駆動回路ソースドライバ56が、それぞれ配置されている。そして、前記走査線駆動回路55及び信号線駆動回路56には、画像表示を行うためのタイミング信号やRGB輝度信号等の画像信号を供給するためのコントローラ57が接続され、さらに走査線50及び信号線51に与える信号電圧を供給するための電源回路59が接続されている。コントローラ57には、表示装置5Aに対して外部より水平垂直同期信号や画像信号を与えるための外部処理装置58が接続されている。表示装置5Aを構成する画素アレイの1画素は、図9bに示すように、走査線50及び信号線51に接続されたスイッチング用トランジスタ52、画素を駆動するための駆動用トランジスタ53、並びに保持容量54を備え、駆動用トランジスタ53に有機EL素子1からなる画素部が接続されている。有機EL素子1は、駆動電流又は電圧により発光する。スイッチング用トランジスタ52及び駆動用トランジスタ53は、例えば、一般的な多結晶シリコンを半導体として用いたトランジスタ等で構成できる。以上により表示装置5Aが構成されている。有機EL素子としては、図1に示すものに限定されず、本発明に係る有機EL素子であれば、いずれも用いることができる。以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は以下に示す実施例に何ら限定されるものではない。<素子の製造>[実施例1]下記手順により、図10に示す構成を有する有機EL素子2を製造した。なお、図10では、図1に示す有機EL素子1の構成要素と同じものには、図1と同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。これは以降においても同様である。厚さ0.7mmのガラス基板基材11上に、厚さ120nmのIZO膜第一電極12、陽極が成膜された基板を用い、これを水洗後、アルカリ性水溶液中で超音波洗浄を30分間行い、水洗後、超純水で超音波洗浄を15分間行って、110°Cで30分間乾燥させた。次いで、UVオゾンクリーナーを用いて、得られた基板を大気雰囲気下でUV-オゾン処理した。そして、基板を真空蒸着機にセットし、IZO膜上に酸化モリブデンMoO3膜正孔注入層13aを1nmの膜厚で成膜した後、4,4’,4-トリスカルバゾール-9-イルトリフェニルアミンTCTA、Tg151°C膜正孔注入層13aを20nmの膜厚で成膜し、さらに、MADNTg120°C膜正孔輸送層13bを20nmの膜厚で成膜した。この基板をグローブボックス内にセットし、窒素雰囲気下、135°Cで30分間加熱処理した。次いで、得られた基板を真空蒸着機にセットし、4,4’-ビスカルバゾール-9-イルビフェニルCBP、ホスト材料、Tg62°C中に6質量の濃度でトリス2-フェニルピリジナートイリジウムIrppy3、ドーパントをドープした膜発光層13cを、20nmの膜厚でMADN膜上に成膜し、TmPyPBTg79°C膜電子輸送層13eを40nmの膜厚で成膜した。この基板をグローブボックス内にセットし、窒素雰囲気下、85°Cで30分間加熱処理した。次いで、得られた基板を真空蒸着機にセットし、シャドウマスクを基板のTmPyPB膜上に設置し、フッ化リチウムLiF膜電子注入層13fを1nmの膜厚で成膜し、アルミニウムAl膜第二電極14、陰極を100nmの膜厚で成膜することにより、陰極及び配線を形成した。そして、光硬化性樹脂を用いて、得られた基板をガラスで封止図示略することで、有機EL素子2を製造した。なお、図10において、符号23は有機EL層を示す。また、正孔注入層13aは、MoO3からなる層及びTCTAからなる層が積層された二層構造のものを一纏めに示している。[比較例1]MADN膜の成膜後、及びTmPyPB膜の成膜後に、いずれも加熱処理しなかったこと以外は、実施例1と同様に、有機EL素子を製造した。[実施例2]下記手順により、図11に示す有機EL素子3を製造した。厚さ0.7mmのガラス基板基材11上に、厚さ120nmのIZO膜第一電極12、陽極が成膜された基板を用い、これを水洗後、アルカリ性水溶液中で超音波洗浄を30分間行い、水洗後、超純水で超音波洗浄を15分間行って、110°Cで30分間乾燥させた。次いで、UVオゾンクリーナーを用いて、得られた基板を大気雰囲気下でUV-オゾン処理した。そして、基板を真空蒸着機にセットし、IZO膜上に2-メチル-9,10-ビスナフタレン-2-イルアントラセンMADN、Tg120°C膜正孔輸送層13bを50nmの膜厚で成膜した。そして、この基板をグローブボックス内にセットし、窒素雰囲気下、135°Cで30分間加熱処理した。次いで、得られた基板を真空蒸着機にセットし、MADN膜上に1,3,5-トリ3-ピリジル-フェン-3-イルベンゼンTmPyPB、Tg79°C膜電子輸送層13eを50nmの膜厚で成膜した。そして、この基板をグローブボックス内にセットし、窒素雰囲気下、85°Cで30分間加熱処理した。次いで、得られた基板を真空蒸着機にセットし、シャドウマスクを基板のTmPyPB膜上に設置し、フッ化リチウムLiF膜電子注入層13fを1nmの膜厚で成膜し、アルミニウムAl膜第二電極14、陰極を100nmの膜厚で成膜することにより、陰極及び配線を形成した。そして、光硬化性樹脂を用いて、得られた基板をガラスで封止図示略することで、有機EL素子3を製造した。なお、図11において、符号33は有機EL層を示す。[比較例2]MADN膜の成膜後、及びTmPyPB膜の成膜後に、いずれも加熱処理しなかったこと以外は、実施例2と同様に、有機EL素子を製造した。<薄膜の電気的特性の評価>上記実施例及び比較例で得られた素子の電流-電圧I-V特性を測定し、有機薄膜の電気的特性を評価した。実施例2及び比較例2の電流-電圧特性の測定結果を図12に示す。その結果、実施例1の方が比較例1よりも、印加電圧に対して電流が流れ易く、電圧4Vにおける電流密度は、実施例1が比較例1よりも10倍高かった。また、実施例2の方が比較例2よりも、印加電圧に対して電流が流れ易く、電圧1Vにおける電流密度は、実施例2が比較例2よりも200倍高かった。"