"シリコンにより形成されるとともに、厚さ方向に貫通するガス通過孔が複数設けられてなり、少なくとも片面の外周部の表層部に、水素イオンドーズ量1×1016~5×1017atoms/cm2の水素イオンリッチ層が形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置用電極構成板。シリコンからなる複数の電極構成板が積層されるとともに、これら電極構成板を厚さ方向に貫通するガス通過孔が複数設けられてなるプラズマ処理装置用電極板において、積層状態の電極構成板の積層面の一方の少なくとも外周部の表層部に、水素イオンドーズ量1×1016~5×1017atoms/cm2の水素イオンリッチ層が形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置用電極板。シリコンからなる複数の電極構成板が積層されるとともに、これら電極構成板を厚さ方向に貫通するガス通過孔が複数設けられてなるプラズマ処理装置用電極板を製造する方法であって、一方の電極構成板の少なくとも片面の外周部の表層部に水素イオンを注入することにより、ドーズ量1×1016~5×1017atoms/cm2の水素イオンリッチ層を形成し、該水素イオンリッチ層が形成された表層部を他方の電極構成板に接触させた状態に積層することを特徴とするプラズマ処理装置用電極板の製造方法。本発明は、これら従来技術をさらに改善し、電極構成板を複数枚積層してなる電極板において、電極板を特別の形状にすることなく、その引き剥がしを容易にすることを目的とする。本発明のプラズマ処理装置用電極構成板は、シリコンにより形成されるとともに、厚さ方向に貫通するガス通過孔が複数設けられてなり、少なくとも片面の外周部の表層部に、水素イオンドーズ量1×1016~5×1017atoms/cm2の水素イオンリッチ層が形成されていることを特徴とする。本発明のプラズマ処理装置用電極板は、シリコンからなる複数の電極構成板が積層されるとともに、これら電極構成板を厚さ方向に貫通するガス通過孔が複数設けられてなるプラズマ処理装置用電極板において、積層状態の電極構成板の積層面の一方の少なくとも外周部の表層部に、水素イオンドーズ量1×1016~5×1017atoms/cm2の水素イオンリッチ層が形成されていることを特徴とする。電極構成板に形成した水素イオンリッチ層は、例えば400°C~600°Cで30分~120分の熱処理を施すことにより、原子状水素が集合し、これらが分子化して水素ガスとなり、そのガス圧力により、シリコンからなる電極構成板が水素イオンリッチ層からへき開して表層部を分離することができる。これにより、両電極構成板を水素イオンリッチ層から剥離することが容易になる。この場合、電極構成板の全面に水素イオンリッチ層を形成してもよいが、少なくとも外周部に水素イオンリッチ層が形成されていれば、両電極構成板を外周部において剥離させることができるので、その後の中央部も含めた全面の引き剥がし作業を容易にすることができる。そして、両電極構成板を剥離した後は、消耗した電極構成板は廃棄されるが、残る電極構成板は再使用され、その表面に新たな電極構成板を積層することにより、元の積層状態の電極板が構成される。この場合、再使用される電極構成板に残存している表層部は、新たな電極構成板を積層する前に必要に応じて研磨される。なお、プラズマ処理中においては、電極板は、冷却板により冷却されているとともに、その冷却板を厚さ方向に通過したガスが電極板のガス通過孔内を流通するため、高温になることが抑制され、水素イオンリッチ層で水素ガスが発生することが防止される。また、本発明のプラズマ処理装置用電極板の製造方法は、シリコンからなる複数の電極構成板が積層されるとともに、これら電極構成板を厚さ方向に貫通するガス通過孔が複数設けられてなるプラズマ処理装置用電極板を製造する方法であって、一方の電極構成板の少なくとも片面の外周部の表層部に水素イオンを注入することにより、ドーズ量1×1016~5×1017atoms/cm2の水素イオンリッチ層を形成し、該水素イオンリッチ層が形成された表層部を他方の電極構成板に接触させた状態に積層することを特徴とする。シリコンからなる電極構成板の表面に水素イオンを注入すると、水素イオンは一定の深さに高濃度に分布して水素イオンリッチ層を形成する。その深さは水素イオンの入射エネルギーにより制御することができ、高エネルギーであるほど水素イオンの侵入深さは大きくなる。また、水素イオンの単位時間当たりの注入量及び注入時間により水素イオンリッチ層の濃度及び厚さが制御される。これら入射エネルギー及び注入量を制御することにより、前述した深さ、厚さの水素イオンリッチ層を形成することができる。本発明によれば、電極構成板の表層部に形成した水素イオンリッチ層を熱処理することにより水素ガスを発生させて水素イオンリッチ層からへき開させることができるので、両電極構成板の引き剥がしを容易にして交換作業性を向上させることができる。以下、本発明の電極板の実施形態を、図面を参照しながら説明する。まず、この電極板が用いられるプラズマ処理装置としてプラズマエッチング装置1について説明する。このプラズマエッチング装置1は、図6の概略断面図に示されるように、真空チャンバー2内の上部に電極板3が設けられるとともに、下部に上下動可能な架台4が電極板3と相互間隔をおいて平行に設けられている。この場合、上部の電極板3は絶縁体5により真空チャンバー2の壁に対して絶縁状態に支持されているとともに、架台4の上には、静電チャック6と、その周りを囲むシリコン製の支持リング7とが設けられており、静電チャック6の上に、支持リング7により周縁部を支持した状態でウエハ被処理基板8を載置するようになっている。また、真空チャンバー2の上部にはエッチングガス供給管9が設けられ、このエッチングガス供給管9から送られてきたエッチングガスは拡散部材10を経由した後、電極板3に設けられたガス通過孔11を通してウエハ8に向かって流され、真空チャンバー2の側部の排出口12から外部に排出される構成とされている。一方、電極板3と架台4との間には高周波電源13により高周波電圧が印加されるようになっている。また、電極板3は、シリコンによって円板状に形成されており、その背面には熱伝導性に優れるアルミニウム等からなる冷却板14が固定され、この冷却板14にも電極板3のガス通過孔11に連通するように、このガス通過孔11と同じピッチでガス通過孔15が貫通状態に形成されている。そして、電極板3は、背面が冷却板14に接触した状態でねじ止め等によってプラズマ処理装置1内に固定される。この電極板3及び冷却板14により上部電極が構成され、架台4が下部電極となる。電極板3の詳細構造については後述する。プラズマエッチング装置1では、高周波電源13から高周波電圧を印加してエッチングガスを供給すると、このエッチングガスは拡散部材10を経由して、冷却板14及び電極板3に設けられたガス通過孔15,11を通って電極板3と架台4との間の空間に放出され、この空間内でプラズマとなってウエハ8に当り、このプラズマによるスパッタリングすなわち物理反応と、エッチングガスの化学反応とにより、ウエハ8の表面がエッチングされる。また、ウエハ8の均一なエッチングを行う目的で、発生したプラズマをウエハ8の中央部に集中させ、外周部へ拡散するのを阻止して電極板3とウエハ8との間に均一なプラズマを発生させるために、通常、プラズマ発生領域16がシリコン製のシールドリング17で囲われた状態とされている。次に、電極板3の詳細構造について図1~図3を参照しながら説明する。本実施形態の電極板3は、電極板3の放電面3a側に配置される放電側電極構成板31と、その反対面側に配置される固定側電極構成板32とを積層した構成とされている。これら電極構成板31,32は、いずれも単結晶シリコン、柱状晶シリコン、又は多結晶シリコンにより円板状に形成され、両電極構成板31,32には、これらを厚さ方向に貫通するガス通過孔11が径の異なる複数の同心円上に並んで多数形成されている。また、放電側電極構成板31の固定側電極構成板32との積層面の表層部に、水素イオンリッチ層33が形成されている。この水素イオンリッチ層33は、後述する水素イオン注入により形成された層であり、表面から数μm程度の深さの位置に、水素イオンドーズ量1×1016~5×1017atoms/cm2でほぼ全面にわたって形成されている。この放電側電極構成板31は、水素イオンリッチ層33が形成された表層部を固定側電極構成板32に接触させた状態に積層されている。このように構成される電極板3の製造方法について説明する。図2aに示すように単結晶シリコン、柱状晶シリコン、又は多結晶シリコンにより円板状の電極構成板30を形成する。次に、同図bに示すように、この電極構成板30に、ドリル加工あるいはレーザー加工によりガス通過孔11を形成する。これにより、固定側電極構成板32が形成される。また、同図bに示す状態から、同図cに示すように、イオン注入装置図示略;例えばアプライドマテリアル社製のものが利用できるにより電極構成板30の片面に水素イオンを注入する。これにより、水素イオンが電極構成板30の表面から一定の深さに高濃度に分布して水素イオンリッチ層33が形成される図3参照。この状態が放電側電極構成板31である。この場合、水素イオンの入射エネルギーにより水素イオンの侵入深さを制御することができ、高エネルギーであるほど侵入深さは大きくなる。前述したように、表面から数μm程度の深さの位置に水素イオンリッチ層33を形成する。水素イオンの単位時間当たりの注入量ドーズ量は1×1016~5×1017atoms/cm2とされ、注入エネルギーは50~250keVとされる。そして、この水素イオンリッチ層33を形成した放電側電極構成板31と、水素イオンリッチ層を有しない通常の電極構成板固定側電極構成板32とを積層して電極板3を形成する。このとき、水素イオンリッチ層33が形成されている表層部を他方の固定側電極構成板32に接触させた状態に積層する。このようにして構成した電極板3をプラズマ処理装置1に取り付ける際には、水素イオンリッチ層33を有しない電極構成板32を冷却板14に接触させて固定する。これにより水素イオンリッチ層33が形成されている放電側電極構成板31がプラズマ発生領域16に向けられた状態となる。なお、両電極構成板31,32を冷却板14に取付けネジ等により固定することにより、これらのガス通過孔11,15が位置決めされ、連通状態となる。プラズマ処理により電極構成板31の放電面側が所定量消耗してきたら、電極板3を冷却板14から外した後に、例えば400°C~600°Cで30分~120分の熱処理を施すと、水素イオンリッチ層33において原子状水素が集合し、これらが分子化して水素ガスとなり、そのガス圧力により、図4及び図5に示すように、電極構成板3が水素イオンリッチ層33からへき開して表層部を分離する。これにより、消耗した放電側電極構成板31を水素イオンリッチ層33から剥離することができる。そして、この消耗した電極構成板31に代えて、新たな電極構成板を、残っている電極構成板32に積層して、新たな電極板として再び冷却板14に取り付け使用される。この場合、電極構成板31はシリコンにより形成されているため、そのへき開面は比較的表面粗度が小さい。したがって、電極構成板31を剥離した後に、残る電極構成板32にそのまま新たな電極構成板を積層してもよいが、図4及び図5に示す残存表層部Aを研磨した後に、新たな電極構成板を積層してもよい。剥離した後の残存表層部Aの表面状態に応じて研磨すればよい。本発明の効果確認のために、以下の実験を行った。厚さ5mmの単結晶シリコンからなる電極構成板の片面に、イオン注入装置により、ドーズ量1×1017atoms/cm2、200KeVのエネルギーで水素イオンを注入した後、断面をSIMS二次イオン質量分析計で観察したところ、電極構成板の表面から2μmの深さの範囲に水素イオン濃度がピークとなる水素イオンリッチ層が形成されていることが確認できた。この水素イオンリッチ層が確認された電極構成板と通常の電極構成板とを水素イオンリッチ層が形成されている表層部側を接触させるように重ね合わせて、プラズマエッチング装置に取り付け、プラズマエッチング処理の用に供した。プラズマ放電面側の電極構成板に所定の消耗が認められるまでプラズマエッチング処理を継続した後、電極板を取り外し、これらに500°Cで100分の熱処理を施した後、両電極構成板を引き剥がしたところ、特別の工具等を用いることなく簡単に剥離することができた。なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、上記実施形態においては、水素イオンリッチ層を電極構成板の全面に形成するものとして説明したが、かならずしも全面でなくてもよく、外周部のみに水素イオンリッチ層が形成されていれば、熱処理により両電極構成板の外周部を剥離させることができるので、その後の中央部も含めた全面の引き剥がし作業を容易にすることができる。また、電極構成板は2枚ともほぼ同じ厚さで図示しているが、異なる厚さで形成してもよい。"