"片面または両面に回路形成面を有するコア層の前記回路形成面に、加熱加圧下、熱硬化性樹脂により形成されたビルドアップ用プリプレグをラミネートして積層体を得るラミネート工程と、ラミネートした前記ビルドアップ用プリプレグの表面を平滑化する平滑化工程とを連続的におこない、その後、前記積層体を加熱して、前記熱硬化性樹脂の硬化をさらに進行させる硬化工程をおこなう積層板の製造方法であって、前記硬化工程において、前記積層体の温度を初期温度から最高到達温度まで徐々に昇温させる、積層板の製造方法。前記硬化工程において、前記初期温度から前記最高到達温度までの昇温速度が一定である、請求項1に記載の積層板の製造方法。前記硬化工程において、前記初期温度から前記最高到達温度までの昇温速度を、少なくとも2段階以上とする、請求項1に記載の積層板の製造方法。前記硬化工程において、前記初期温度から前記最高到達温度までの平均の昇温速度が1°C/min以上15°C/min以下である、請求項1乃至3いずれか一項に記載の積層板の製造方法。前記硬化工程において、前記最高到達温度が90°C以上230°C以下である、請求項1乃至4いずれか一項に記載の積層板の製造方法。前記ラミネート工程を完了した段階における前記ビルドアップ用プリプレグの動的粘弾性試験による、測定範囲50~200°C、周波数62.83rad/secでの複素動的粘度の極小値をη1としたとき、η1が、20Pas以上300Pas以下である、請求項1乃至5いずれか一項に記載の積層板の製造方法。前記平滑化工程を完了した段階における前記ビルドアップ用プリプレグの動的粘弾性試験による、測定範囲50~200°C、周波数62.83rad/secでの複素動的粘度の極小値をη2としたとき、η2≧η1×1.1を満たす、請求項1乃至6いずれか一項に記載の積層板の製造方法。前記η2が、350Pas以上である、請求項7に記載の積層板の製造方法。前記ラミネート工程において、対向する一対の弾性部材で前記コア層と前記ビルドアップ用プリプレグとを挟んだ状態で加熱および加圧する、請求項1乃至8いずれか一項に記載の積層板の製造方法。前記ビルドアップ用プリプレグがロール状に巻回積層されており、巻回積層された前記ビルドアップ用プリプレグを搬送するとともに、シート状の前記コア層を搬送し、前記ラミネート工程および前記平滑化工程を連続的におこなう、請求項1乃至9いずれか一項に記載の積層板の製造方法。前記平滑化工程において、対向する一対の金属部材で前記コア層と前記ビルドアップ用プリプレグを挟んだ状態で加熱および加圧する、請求項1乃至10いずれか一項に記載の積層板の製造方法。前記硬化工程の後に、さらにレーザービア形成工程をおこなう、請求項1乃至11いずれか一項に記載の積層板の製造方法。真空引きと加圧時間を合わせた前記ラミネート工程の時間と前記平滑化工程の時間とが等しい、請求項1乃至12いずれか一項に記載の積層板の製造方法。絶縁層としてプリプレグを用いると、プリプレグにはガラスクロスなどの弾性率が大きい繊維基材が含まれているため、積層体表面の弾性率が大きい。そのため、積層体表面を平滑化する工程において充分に平滑化できない場合があった。そのため、プリプレグの動的粘弾性試験による粘度を低く抑えることにより、プリプレグの流動性を確保しながら積層体を平滑化する必要があった。このようにプリプレグの動的粘弾性試験による粘度を低く抑えた場合、その後におこなう硬化工程において、プリプレグ中の熱硬化性樹脂の硬化を完了するために、加熱温度や加熱時間などの硬化条件を厳しい条件にする必要があった。例えば、特許文献1、2には熱風循環炉を用いて、180°C、30分間の条件でプリプレグの熱硬化をおこなうことが記載されている。しかしながら、このように厳しい条件で熱硬化工程をおこなうと、プリプレグ中の熱硬化性樹脂の急激な硬化が局所的に起こることがあるために、硬化物特性が局所的に異なったり、得られる積層板に残留応力が多く発生したりする場合があった。不均一な硬化や残留応力の程度によってはめっき銅との応力ひずみが生じ、耐熱および耐湿信頼性が悪化する場合がある。耐熱および耐湿信頼性が悪化すると実装時のリフローで剥離が生じ、実装歩留まりが低下してしまう。さらに、上記のようにビルドアップ用プリプレグの動的粘弾性試験による粘度を低く抑えた場合、未反応成分や溶剤が多量に残るため、硬化工程において、それらの揮発などにより積層体の表面が膨れてしまう場合があった。この場合、積層体表面に、この膨れ由来の凹凸が生じ、得られる積層板の厚みにばらつきが生じてしまう。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、表面平滑性に優れ、かつ、信頼性に優れた積層板を安定的に生産することができる、積層板の製造方法を提供するものである。本発明によれば、片面または両面に回路形成面を有するコア層の前記回路形成面に、加熱加圧下、熱硬化性樹脂により形成されたビルドアップ用プリプレグをラミネートして積層体を得るラミネート工程と、ラミネートした前記ビルドアップ用プリプレグの表面を平滑化する平滑化工程とを連続的におこない、その後、前記積層体を加熱して、前記熱硬化性樹脂の硬化をさらに進行させる硬化工程をおこなう積層板の製造方法であって、前記硬化工程において、前記積層体の温度を初期温度から最高到達温度まで徐々に昇温させる、積層板の製造方法が提供される。この発明によれば、上記の硬化工程において積層体の温度を初期温度から最高到達温度まで徐々に昇温させることで、積層体表面に生じる膨れと積層体の残留応力の発生を抑制しながら、プリプレグ中の熱硬化性樹脂を硬化することができる。積層体表面に生じる膨れが抑制されることにより、表面平滑性に優れた積層板が得られる。また、残留応力の発生が抑制されることにより、信頼性に優れた積層板が得られる。本発明によれば、表面平滑性に優れ、かつ、信頼性に優れた積層板を安定的に生産することができる、積層板の製造方法が提供される。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。積層板の製造方法本実施形態における積層板の製造方法の概要について説明する。図1は、本実施形態における積層板100の製造工程を示す断面図である。はじめに、片面または両面に回路101が形成されたコア層102の回路形成面103に、加熱加圧下、熱硬化性樹脂層201、繊維基材202および熱硬化性樹脂層203を備えるビルドアップ用プリプレグ200をラミネートして積層体を得るラミネート工程。つづいて、対向する一対の金属部材を介した熱プレスにより、ラミネートされたビルドアップ用プリプレグ200の表面の平滑化をおこなう平滑化工程。その後、積層体を加熱して、熱硬化性樹脂の硬化をさらに進行させ硬化工程、本実施形態における積層板100を得ることができる。ここで、硬化工程においては、積層体の温度を初期温度から最高到達温度まで徐々に昇温させる。こうすることで、積層体表面に生じる膨れと積層体の残留応力の発生を抑制しながら、プリプレグ中の熱硬化性樹脂を硬化することができる。積層体表面に生じる膨れが抑制されることにより、表面平滑性に優れた積層板100が得られる。また、残留応力の発生が抑制されることにより、信頼性に優れた積層板100が得られる。また、残留応力の発生量によっては積層板に反りが生じ、とくに、レーザービア形成工程をおこなった後に、この反りが顕著に生じることがある。積層板に反りが発生すると、半導体パッケージの反りが大きくなり、実装歩留まりが低下してしまう。本実施形態における積層板の製造方法を用いると、積層板に発生する残留応力を抑制することができるため、反りが抑制された積層板を得ることができる。つづいて、本実施形態における積層板100を構成する各材料について説明する。コア層コア層102は、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、BTレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板などの基板の片面または両面がパターン加工された回路形成面103を有するシート状のものをいう。また、コア層102は、さらに、ビルドアップ層300および回路101が形成されるべき中間製造物の内層回路基板も含まれる。コア層102の製造方法は、とくに限定されないが、例えば両面に金属箔を有するコア層を用い、ドリル機で所定のところを開孔して、無電解めっきによりコア層の両面の導通を図る。そして、金属箔をエッチングすることにより回路101を形成する。なお、内層回路部分は、黒化処理などの粗化処理を施したものを好適に用いることができる。また開口部は、導体ペースト、または樹脂ペーストで適宜埋めることができる。ビルドアップ用プリプレグ図2は、本実施形態におけるビルドアップ用プリプレグ200の構成を示す断面図である。プリプレグ200は、繊維基材202と、繊維基材202の両面に設けられた熱硬化性樹脂層201および熱硬化性樹脂層203とを備える。プリプレグ200は、繊維基材202に樹脂組成物Pを含浸させて形成することができる。以下、プリプレグ200に用いられる樹脂組成物Pについて説明するが、繊維基材202の両面に設けられた熱硬化性樹脂層201および熱硬化性樹脂層203は、互いに同一であってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。プリプレグ200に用いられる樹脂組成物Pは、Aエポキシ樹脂を含有する。Aエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂、ビスフェノールP型エポキシ樹脂、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などのアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、2種類以上を併用することもできる。Aエポキシ樹脂の含有量は、とくに限定されないが、樹脂組成物P全体の15重量以上80重量以下であることが好ましい。さらに好ましくは25重量以上50重量以下である。また、液状のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂などの液状のエポキシ樹脂を併用すると、繊維基材202への含浸性を向上させることができるため好ましい。液状のエポキシ樹脂の含有量は、樹脂組成物P全体の3重量以上14重量以下であると、より好ましい。また、固形のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂を併用すると、導体への密着性を向上させることができる。また、樹脂組成物Pには、メラミン樹脂、ユリア樹脂、シアネートエステル樹脂などのエポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂を含んでいてもよく、シアネートエステル樹脂を併用すると好ましい。シアネート樹脂の種類としては、とくに限定されないが、例えばノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールA型シアネート樹脂、ビスフェノールE型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールF型シアネート樹脂などのビスフェノール型シアネート樹脂などを挙げることができる。これらの中でも、フェノールノボラック型シアネート樹脂が低熱膨張性の点から好ましい。また、更に他のシアネート樹脂を1種類あるいは2種類以上併用することもでき、とくに限定されない。シアネート樹脂は、樹脂組成物P全体の8重量以上20重量以下であると好ましい。樹脂組成物Pは、B無機充填材を含むことが好ましい。B無機充填材としては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスなどのケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカなどの酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトなどの炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムなどの硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムなどのホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素などの窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムなどのチタン酸塩などを挙げることができる。これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、2種類以上を併用することもできる。これらの中でも、とくにシリカが好ましく、溶融シリカとくに球状溶融シリカが低熱膨張性に優れる点で好ましい。その形状は破砕状、球状があるが、繊維基材への含浸性を確保するために樹脂組成物Pの溶融粘度を下げるには球状シリカを使うなど、その目的にあわせた使用方法が採用される。B無機充填材の平均粒子径は、とくに限定されないが、0.01μm以上3μm以下が好ましく、とくに0.02μm以上1μm以下が好ましい。B無機充填材の粒径を0.01μm以上とすることで、ワニスを低粘度にし、繊維基材に樹脂組成物Pを良好に含浸させることができる。また、3μm以下とすることで、ワニス中でB無機充填剤の沈降などを抑制することができる。この平均粒子径は、例えば粒度分布計島津製作所社製、製品名:レーザー回折式粒度分布測定装置SALDシリーズにより測定することができる。また、B無機充填材は、とくに限定されないが、平均粒子径が単分散の無機充填材を用いることもできるし、平均粒子径が多分散の無機充填材を用いることもできる。さらに平均粒子径が単分散および/または、多分散の無機充填材を1種類または2種類以上を併用することもできる。さらに、平均粒子径3μm以下の球状シリカとくに球状溶融シリカが好ましく、とくに平均粒子径0.02μm以上1μm以下の球状溶融シリカが好ましい。これにより、B無機充填剤の充填性を向上させることができる。B無機充填材の含有量は、とくに限定されないが、樹脂組成物P全体の2重量以上70重量以下が好ましく、とくに5重量以上60重量以下が好ましい。含有量が上記範囲内であると、とくに低熱膨張、低吸水とすることができる。また必要に応じて、熱硬化性樹脂層201および熱硬化性樹脂層203とでB無機充填材の含有量を変えて、導体との密着と低熱膨張の両立を図ることもできる。プリプレグ200に用いられる樹脂組成物Pは、とくに限定されないが、Cカップリング剤を用いることが好ましい。Cカップリング剤は、Aエポキシ樹脂と、B無機充填材との界面の濡れ性を向上させることにより、繊維基材に対してAエポキシ樹脂およびB無機充填材を均一に定着させ、耐熱性、とくに吸湿後の半田耐熱性を改良することができる。Cカップリング剤としては、通常用いられるものなら何でも使用できるが、具体的にはエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる1種以上のカップリング剤を使用することが好ましい。これにより、B無機充填材の界面との濡れ性を高くすることができ、それによって耐熱性をより向上させることできる。Cカップリング剤の添加量はB無機充填材の比表面積に依存するので、とくに限定されないが、B無機充填材100重量部に対して0.05重量以上3重量以下が好ましく、とくに0.1重量以上2重量以下が好ましい。含有量を0.05重量以上とすることで、B無機充填材を十分に被覆でき、耐熱性を向上させることができる。3重量以下とすることで、反応が良好に進行し、曲げ強度などの低下を防ぐことができる。樹脂組成物Pは、さらにDフェノール系硬化剤を使用することができる。フェノール系硬化剤としてはフェノールノボラック樹脂、アルキルフェノールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、ザイロック型フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ポリビニルフェノール類など公知慣用のものを単独あるいは2種以上組み合わせて使用することができる。Dフェノール硬化剤の配合量は、Aエポキシ樹脂との当量比フェノール性水酸基当量/エポキシ基当量が0.1以上1.0以下であると好ましい。これにより、未反応のフェノール硬化剤の残留がなくなり、吸湿耐熱性が向上する。樹脂組成物Pがエポキシ樹脂とシアネート樹脂とを併用する場合は、0.2以上0.5以下の範囲がとくに好ましい。これは、フェノール樹脂は、硬化剤として作用するだけでなく、シアネート基とエポキシ基との硬化を促進するためである。樹脂組成物Pには、必要に応じてE硬化触媒を用いてもよい。E硬化触媒としては公知の物を用いることが出来る。例えばナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルトII、トリスアセチルアセトナートコバルトIIIなどの有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ[2,2,2]オクタンなどの3級アミン類、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、2-エチル-4-エチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシイミダゾール、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシイミダゾールなどのイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールA、ノニルフェノールなどのフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸などの有機酸など、またはこの混合物が挙げられる。硬化触媒として、これらの中の誘導体も含めて1種類を単独で用いることもできるし、これらの誘導体も含めて2種類以上を併用することもできる。E硬化触媒の含有量は、とくに限定されないが、樹脂組成物P全体の0.05重量以上が好ましく、とくに0.08重量以上が好ましい。硬化触媒の含有量を上記下限値以上とすることにより、動的粘弾性試験による複素動的粘度η1が20Pas以上のビルドアップ用プリプレグをより一層効率良く得ることができる。さらに、十分に硬化を促進させることができる。また、硬化触媒の含有量は、とくに限定されないが、樹脂組成物P全体の5重量以下が好ましく、とくに2重量以下が好ましい。上記上限値以下とすることにより、動的粘弾性試験による複素動的粘度η1が300Pas以下のビルドアップ用プリプレグをより一層効率良く得ることができる。さらに、プリプレグ200の保存性の低下を防ぐことができる。樹脂組成物Pは、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリスチレン樹脂などの熱可塑性樹脂、スチレン-ブタジエン共重合体、スチレン-イソプレン共重合体などのポリスチレン系熱可塑性エラストマー、ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリエステル系エラストマーなどの熱可塑性エラストマ-、ポリブタジエン、エポキシ変性ポリブタジエン、アクリル変性ポリブタジエン、メタクリル変性ポリブタジエンなどのジエン系エラストマーを併用してもよい。これらの中でも、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂等の耐熱性の高分子樹脂が好ましい。これによって、プリプレグの厚み均一性に優れ、配線基板として、耐熱性、および微細配線の絶縁性に優れる。また、この樹脂組成物Pには、必要に応じて、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤などの上記成分以外の添加物を添加してもよい。樹脂組成物Pを含浸させる繊維基材202は、とくに限定されないが、ガラス織布、ガラス不織布などのガラス繊維基材ガラスクロス、ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維などのポリアミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維などのポリエステル系樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維などを主成分とする織布または不織布で構成される合成繊維基材、クラフト紙、コットンリンター紙、リンターとクラフトパルプの混抄紙などを主成分とする紙基材などの有機繊維基材などが挙げられる。これらの中でもガラスクロスが好ましい。これにより、低吸水性で、高強度、低熱膨張性のプリプレグを得ることができる。ガラスクロスを構成するガラスは、例えばEガラス、Cガラス、Aガラス、Sガラス、Dガラス、NEガラス、Tガラス、Hガラスなどが挙げられる。これらの中でもEガラス、またはTガラスが好ましい。これにより、プリプレグの高弾性化を達成することができ、またプリプレグの熱膨張係数を小さくすることができる。樹脂組成物Pを繊維基材202に含浸させる方法は、例えば、樹脂組成物Pを用いて樹脂ワニスVを調製し、繊維基材202を樹脂ワニスVに浸漬する方法、各種コーターにより塗布する方法、スプレーにより吹き付ける方法などが挙げられる。これらの中でも、繊維基材202を樹脂ワニスVに浸漬する方法が好ましい。これにより、繊維基材202に対する樹脂組成物Pの含浸性を向上することができる。なお、繊維基材202を樹脂ワニスVに浸漬する場合、通常の含浸塗布設備を使用することができる。樹脂ワニスVに用いられる溶媒は、樹脂組成物P中の樹脂成分に対して良好な溶解性を示すことが望ましいが、悪影響を及ぼさない範囲で貧溶媒を使用しても構わない。良好な溶解性を示す溶媒は、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系などが挙げられる。樹脂ワニスVの固形分は、とくに限定されないが、樹脂組成物Pの固形分20重量以上80重量以下が好ましく、とくに50重量以上65重量以下が好ましい。これにより、樹脂ワニスVの繊維基材202への含浸性を更に向上できる。繊維基材202に樹脂組成物Pを含浸させる所定温度は、とくに限定されないが、例えば90°C以上220°C以下で乾燥させることによりプリプレグ200を得ることができる。プリプレグ200の厚みは、20μm以上100μm以下であるのが好ましい。プリプレグ200は、繊維基材202を中心として、熱硬化性樹脂層201と熱硬化性樹脂層203との厚みが、繊維基材202を中心として実質的に同じであってもよいし、異なっていてもよい。換言すれば、プリプレグ200は、繊維基材の厚み方向の中心と、プリプレグの厚み方向の中心とがずれていてもよい。プリプレグ200は、金属箔あるいはフィルムを介して複数枚積層させたものであってもよい。金属箔は、例えば銅および銅系合金、アルミおよびアルミ系合金、銀および銀系合金、金および金系合金、亜鉛および亜鉛系合金、ニッケルおよびニッケル系合金、錫および錫系合金、鉄および鉄系合金などの金属箔が挙げられる。これらの中でも銅箔がとくに好ましい。金属箔あるいはフィルムを介して複数枚積層させた後、加熱、加圧してもよい。加熱する温度は、とくに限定されないが、120°C以上230°C以下が好ましく、とくに150°C以上210°C以下が好ましい。また、加圧する圧力は、とくに限定されないが、1MPa以上5MPa以下が好ましく、とくに2MPa以上4MPa以下が好ましい。こうしたプリプレグ200を用いることで、誘電特性、高温多湿化での機械的、電気的接続信頼性に優れた積層板を得ることができる。プリプレグ200は、ロール状に巻回積層されていてもよい。このとき、片面または両面に支持基材を設け、この支持基材が介在した状態で巻回積層されていてもよい。プリプレグ200をロール状に巻回積層させる方法として、例えば、以下のものが挙げられる。繊維基材202に樹脂組成物Pを含浸させた後、支持基材とともにロール式ラミネート装置に搬送し、金属ロールまたは弾性材ロールで、支持基材をプリプレグ200に連続的に加圧および加熱することによりラミネートする。その後、ロール状に巻き取ることで、プリプレグ200をロール状に巻回積層させることができる。また、ロール状に巻き取られたシート状繊維基材202をロールにより連続的に搬送し、樹脂ワニスVへ含浸および乾燥を行うことで、ロール状に巻回積層されたプリプレグ200を製造してもよい。支持基材としては、プラスチックフィルムを用いることができ、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPENなどのポリエステル、ポリカーボネートPC、アクリル樹脂PMMA、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロースTAC、ポリエーテルサルファイドPES、ポリエーテルケトン、ポリイミドなどが挙げられる。これらの中でもPETフィルム、PENフィルムが好ましく、PETフィルムがとくに好ましい。支持基材には、熱硬化性樹脂層201および203の積層面にマット処理、コロナ処理を施してもよい。プリプレグ200の熱硬化後に、支持基材を剥離するため、プリプレグ200と接する面に離型層を有していてもよい。また、片面に支持基材を設ける場合は、他方の面に保護材を設けてもよい。この場合、第二の面S2に支持基材、第一の面S1に保護材が接するよう、ロール式ラミネート装置に搬送し、支持基材および保護材双方の面から、金属ロールまたは弾性材ロールで加圧および加熱することによりラミネートさせることができる。保護材としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニルなどのポリオレフィン、PET、PENなどのポリエステル、PC、ポリイミドなどのプラスチックフィルムを用いることができる。保護材の厚みは、5μm以上30μm以下の範囲であるのが好ましい。つづいて、積層板の製造方法の各工程について、それぞれ詳細に説明する。ラミネート工程まず、ロール状に巻回されたプリプレグ200を用意し、シート状のコア層102とともにラミネーターに搬送する。ラミネーターは、対向する一対の弾性部材を備えており、コア層102とプリプレグ200とを弾性部材で挟んだ状態で、弾性部材を介して加熱および加圧して、ラミネートする。弾性部材は柔軟性があり、コア層上に形成された回路101の凹凸形状に追従するため、コア層102とプリプレグ200とをより一層密着させることができる。ここで、ラミネート工程を完了した段階におけるビルドアップ用プリプレグ200は、動的粘弾性試験による、測定範囲50~200°C、周波数62.83rad/secでの複素動的粘度の極小値η1以下、単に複素動的粘度η1と呼ぶ場合があるが、好ましくは20Pas以上であり、さらに好ましくは30Pas以上であり、とくに好ましくは40Pas以上である。複素動的粘度η1を上記下限値以上とすることにより、プリプレグ中の熱硬化性樹脂の流動性が大きくなりすぎないため、平滑化工程において熱硬化性樹脂の染み出しを抑制でき、安定的に積層体を平滑化できる。また、ラミネート工程を完了した段階におけるビルドアップ用プリプレグ200は、動的粘弾性試験による、測定範囲50~200°C、周波数62.83rad/secでの複素動的粘度の極小値η1が、好ましくは300Pas以下であり、さらに好ましくは200Pas以下であり、とくに好ましくは100Pas以下である。複素動的粘度η1を上記上限値以下とすることにより、プリプレグ中の熱硬化性樹脂の流動性を確保でき、繊維基材202由来の凹凸が積層体表面上に残らず、安定的に積層体を平滑化できる。なお、ラミネート工程を完了した後、平滑化工程をおこなう前の間も、ビルドアップ用プリプレグ200は、積層体に残っている熱によって反応が進む場合がある。したがって、上記のラミネート工程を完了した段階とは、平滑化工程に入る直前の状態を表す。よって、ビルドアップ用プリプレグ200は、ラミネート工程直後に上記の複素動的粘度η1を満たしている必要はなく、平滑化工程直前までに上記の複素動的粘度η1を満たせばよい。ラミネーターとしては、真空下で加熱および加圧するラミネーター真空ラミネーターを用いると好ましい。弾性部材としては、例えば、板状もしくはロール状のゴムを用いることができる。加熱温度は、とくに限定されないが、80°C以上が好ましく、90°C以上がより好ましい。上記下限値以上とすることにより、動的粘弾性試験による複素動的粘度の極小値η1が20Pas以上のビルドアップ用プリプレグをより一層効率良く得ることができる。また、加熱温度は、150°C以下が好ましく、140°C以下がより好ましい。上記上限値以下とすることにより、動的粘弾性試験による複素動的粘度η1が300Pas以下のビルドアップ用プリプレグをより一層効率良く得ることができる。加熱時間は、とくに限定されないが、10秒以上が好ましく、30秒以上がより好ましい。上記下限値以上とすることにより、動的粘弾性試験による複素動的粘度η1が30Pas以上のビルドアップ用プリプレグをより一層効率良く得ることができる。また、加熱時間は、とくに限定されないが、500秒以下が好ましく、300秒以下がより好ましい。上記上限値以下とすることにより、動的粘弾性試験による複素動的粘度η1が300Pas以下のビルドアップ用プリプレグをより一層効率良く得ることができる。圧力は0.4MPa以上1.5MPa以下の範囲でおこなうことが好ましい。上記のラミネーター工程は、市販されている真空ラミネーターを用いて実行することができる。例えば、ニチゴーモートン社製CPV300が備える真空加圧式ラミネーターまたはこれに同等なものを用いることができる。平滑化工程ラミネーター工程の後は、プリプレグ200を形成する熱硬化性樹脂層201および熱硬化性樹脂層203が軟化してコア層102上に形成された回路101に追従して凹凸に変形している。そこで、ラミネートしたビルドアップ層300とコア層102とを、対向する一対の金属部材を介した熱プレスにより、ラミネートされた積層体の平滑化をおこなう。平滑化工程は、大気圧下で、金属部材を介して、積層体を加熱および加圧することにより行われる。ここで、平滑化工程を完了した段階におけるビルドアップ用プリプレグ200は、動的粘弾性試験による、測定範囲50~200°C、周波数62.83rad/secでの複素動的粘度の極小値η2以下、単に複素動的粘度η2と呼ぶ場合があるが、η2≧η1×1.1を満たすことが好ましい。上記関係を満たすことにより、後の硬化工程において積層体の膨れなどが起こりにくく、表面平滑性がより一層優れた積層板を得ることができる。また、上記関係を満たすことにより、硬化工程をより一層効率良くおこなうことができる。また、平滑化工程を完了した段階におけるビルドアップ用プリプレグ200は、動的粘弾性試験による複素動的粘度の極小値η2が、350Pas以上であることが好ましく、400Pas以上であることがさらに好ましく、500Pas以上であることがとくに好ましい。複素動的粘度η2を上記下限値以上とすることにより、後の硬化工程において積層体の膨れなどが起こりにくく、表面平滑性がより一層優れた積層板を得ることができる。また、上記関係を満たすことにより、硬化工程をより一層効率良くおこなうことができる。また、平滑化工程を完了した段階におけるビルドアップ用プリプレグ200は、動的粘弾性試験による複素動的粘度の極小値η2が、50,000Pas以下であることが好ましく、10,000Pas以下であることがさらに好ましい。複素動的粘度η2を上記上限値以下とすることにより、応力ひずみの少ない状態で硬化工程を行うため、膨れが起こりにくい積層板を得ることができる。このような平滑化工程は、市販されているホットプレス装置を用いて実行することができるが、例えば、ニチゴーモートン社製CPV300が備えるホットプレス装置またはこれに同等なものを用いることができる。加熱温度は、とくに限定されないが、80°C以上が好ましく、90°C以上がより好ましい。上記下限値以上とすることにより、平滑化工程を完了した段階における動的粘弾性試験による複素動的粘度η2が350Pas以上のビルドアップ用プリプレグをより一層効率良く得ることができる。また、加熱温度は180°C以下が好ましく、170°C以下がより好ましい。上記上限値以下とすることにより、動的粘弾性試験による複素動的粘度η2が50,000Pas以下のビルドアップ用プリプレグをより一層効率良く得ることができる。加熱時間は、とくに限定されないが、10秒以上が好ましく、30秒以上がより好ましい。上記下限値以上とすることにより、平滑化工程を完了した段階における動的粘弾性試験による複素動的粘度η2が350Pas以上のビルドアップ用プリプレグをより一層効率良く得ることができる。また、加熱時間は、とくに限定されないが、500秒以下が好ましく、300秒以下がより好ましい。上記上限値以下とすることにより、平滑化工程を完了した段階における動的粘弾性試験による複素動的粘度η2が50,000Pas以下のビルドアップ用プリプレグをより一層効率良く得ることができる。圧力は0.4MPa以上1.5MPa以下の範囲でおこなうことが好ましい。また、真空引きと加圧時間を合わせたラミネート工程の時間と平滑化工程の時間とが等しいことが好ましい。こうすることで、積層体を搬送するライン速度を一定にすることができるため、ラミネート工程と平滑化工程とを連続的に効率良くおこなうことができる。硬化工程平滑化工程の後は、ビルドアップ用プリプレグ200を形成する熱硬化性樹脂層201および熱硬化性樹脂層203をさらに加熱することにより硬化させる。硬化工程は、大気圧下で積層体を加熱することによりおこなわれる。本実施形態における硬化工程では、積層体の温度を初期温度から最高到達温度まで徐々に昇温させる。こうすることで、上述したように、積層体表面に生じる膨れと積層体の残留応力の発生を抑制しながら、ビルドアップ用プリプレグ200を形成する熱硬化性樹脂層201および熱硬化性樹脂層203を硬化することができる。初期温度は、急激な硬化反応が起きない温度であれば、とくに限定されない。平滑化工程後に、積層体の温度を室温付近まで冷ましてから硬化工程をおこなう場合は、初期温度は室温付近が好ましい。例えば0°C以上40°C以下である。平滑化工程後に続けて、硬化工程をおこなう場合は、積層体の温度が室温付近まで冷めてから硬化工程をおこなわなくてもよい。その場合は40°C以上が好ましく、60°C以上がより好ましい。上記下限値以上とすることにより、積層体表面に生じる膨れと積層体の残留応力の発生を抑制しながら、熱硬化性樹脂層の硬化をより一層効率よく進めることができる。また、初期温度は、とくに限定されないが、90°C以下が好ましく、80°C以下がより好ましい。上記上限値以下とすることにより、積層体の急激な昇温が起こりにくく、積層体表面に生じる膨れと積層体の残留応力の発生をより一層抑制しながら、熱硬化性樹脂層の硬化を進めることができる。最高到達温度は、とくに限定されないが、90°C以上が好ましく、120°C以上がより好ましい。上記下限値以上とすることにより、十分に硬化を促進させることができる。また、最高到達温度は、とくに限定されないが、230°C以下が好ましく、200°C以下がより好ましい。上記上限値以下とすることにより、積層体表面に生じる膨れと積層体の残留応力の発生を抑制しながら、熱硬化性樹脂層の硬化をより一層効率よく進めることができる。初期温度から最高到達温度までの平均の昇温速度は、急激な硬化反応が起きない速度であれば、とくに限定されないが、1°C/min以上が好ましく、3°C/min以上がより好ましい。上記下限値以上とすることにより、硬化反応をより効率よく進めることができる。また、初期温度から最高到達温度までの平均の昇温速度は、とくに限定されないが、15°C/min以下が好ましく、12°C/min以下がより好ましい。上記上限値以下とすることにより、積層体表面に生じる膨れと積層体の残留応力の発生を抑制しながら、熱硬化性樹脂層の硬化をより一層効率よく進めることができる。なお、初期温度から最高到達温度までの平均の昇温速度は、積層体の表面温度が最高到達温度に到達するまでの時間と、最高到達温度と初期温度との差と、から算出することができる。ここで、積層体の表面温度は例えば熱電対を積層体中に埋め込んで測定できる。なお、初期温度から最高到達温度までの昇温速度は、一定であってもよいし、少なくとも2段階以上変更してもよい。積層体表面に生じる膨れと積層体の残留応力の発生を抑制しながら、硬化工程をより効率よく進めるためには、硬化工程の初期の昇温速度は遅く設定し、硬化が進むにつれて少しずつ昇温速度が速くなるように設定するのが好ましい。硬化工程における積層体の加熱装置は、とくに限定されないが、公知の加熱方法が用いられる。例えば、熱風乾燥、遠赤外線加熱、高周波誘導加熱などの加熱乾燥装置またはこれらと同等なものを用いることができる。積層体の加熱方法は、とくに限定されないが、積層体を横搬送型の加熱乾燥装置内に通して連続的に加熱してもよいし、積層体を加熱乾燥装置内に静置してバッチ式で加熱をおこなってもよい。積層体の温度を初期温度から最高到達温度まで徐々に昇温させる方法は、とくに限定されないが、以下のような方法が挙げられる。例えば、積層体を横搬送型の加熱乾燥装置内に通して連続的に加熱する場合は、2つ以上のユニットを有する加熱乾燥装置を用いておこなうことができる。積層体が通過する最初のユニットから順番に温度を上げることによって、積層体を加熱する温度が段階的に変化する。そのため、積層体の温度は初期温度から最高到達温度まで段階的に変化させることができる。また、積層体を加熱乾燥装置内に静置してバッチ式で加熱する場合は、例えば、加熱乾燥装置の昇温プロファイルを設定することによって、積層体の温度を初期温度から最高到達温度まで徐々に昇温させることができる。また、初期温度状態の積層体を、あらかじめ最高到達温度に設定した加熱乾燥装置内に、積層体全体が均等に加熱されるように配置することによっても、積層体の温度を初期温度から最高到達温度まで徐々に昇温させることができる。硬化時間は、とくに限定されないが、30分以上が好ましく、45分以上がより好ましい。上記下限値以上とすることにより、十分に硬化を促進させることができる。また、硬化時間は、とくに限定されないが、75分以下が好ましく、60分以下がより好ましい。上記上限値以下とすることにより、積層体表面に生じる膨れと積層体の残留応力の発生を抑制しながら、熱硬化性樹脂層の硬化をより一層効率よく進めることができる。また、積層体の温度を低下させる工程も、積層体の温度を最高到達温度から徐々に降温させることが好ましい。こうすることにより、積層体の残留応力の発生を抑制しながら、積層体の温度を室温まで戻すことができる。レーザービア形成工程つぎに、硬化させたビルドアップ層300に、炭酸ガスレーザー、YAGレーザーなどのレーザーを照射して、ビア孔を形成する。レーザー照射後の樹脂残渣などは過マンガン酸塩、重クロム酸塩などの酸化剤などにより除去することが好ましい。また、平滑なビルドアップ層300の表面を同時に粗化することができ、続く金属メッキにより形成する回路の密着性を上げることができる。ビルドアップ層300は、上記粗化処理において微細な凹凸形状を均一に施すことができる。また、ビルドアップ層300表面の平滑性が高いため微細な配線回路を精度よく形成することができる。その後、最外層にソルダーレジストを形成し、露光現像により半導体素子が実装できるよう接続用電極部を露出させ、ニッケル金メッキ処理を施し、所定の大きさに切断し、積層板を得ることができる。本実施形態における積層板の製造方法を用いると、積層板に発生する残留応力が抑制されるため、レーザービア形成工程をおこなっても、得られる積層板に反りが発生しにくい。そのため、反りが抑制された積層板を得ることができる。半導体パッケージつぎに、半導体パッケージについて説明する。この半導体パッケージは、上記の積層板に半導体素子を実装し、製造することができる。半導体素子の実装方法、封止方法は特に限定されない。例えば、次のような方法で製造することができる。まずフリップチップボンダーなどを用いて積層配線板上の接続用電極部と半導体素子の半田バンプとの位置合わせを行う。つぎに、IRリフロー装置、熱板、その他加熱装置を用いて半田バンプを融点以上に加熱し、多層プリント配線板と半田バンプとを溶融接合することにより接続する。最後に、積層配線板と半導体素子との間に液状封止樹脂を充填し、硬化させることで半導体パッケージを得ることができる。以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。例えば、図1では、ビルドアップ層が1層のときを示したが、ビルドアップ層がコア層の片面または両面に2層以上積層した構成を採用してもよい。また、図1および図2ではビルドアップ用プリプレグにシート状繊維基材が1層含まれるときを示したが、プリプレグに繊維基材が2層以上含んでいる構成を採用してもよい。さらに、図1および図2では、熱硬化性樹脂層201および熱硬化性樹脂層203の厚みが等しい場合を示したが、熱硬化性樹脂層201および熱硬化性樹脂層203の厚みが異なった構成を採用してもよい。以下、本発明を実施例および比較例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例および比較例において用いた原材料は以下の通りである。無機充填材:球状シリカアドマテックス社製SO-25R,平均粒径0.5μmエポキシ樹脂:ビフェニルアラルキル型ノボラックエポキシ樹脂日本化薬社製NC-3000エポキシ樹脂:ジシクロペンタジエン型ノボラックエポキシ樹脂DIC社製、HP-7200シアネート樹脂:ノボラック型シアネート樹脂LONZA社製PrimasetPT-30エポキシ樹脂:ビスフェノールA型液状エポキシ樹脂三菱化学社製、jER-828エポキシ樹脂:ビスフェノールF型液状エポキシ樹脂三菱化学社製、jER-807フェノール硬化剤:ノボラック型フェノール樹脂DIC社製、TD-2090-60M、60w/vメチルエチルケトン溶液フェノキシ樹脂:三菱化学社製、YX6954BH30、30w/vメチルエチルケトン/アノン溶液ポリビニルアセタール樹脂:積水化学社製KS-10水酸基25mol硬化触媒:2-エチル-4-メチルイミダゾール四国化成社製2E4MZカップリング剤:N-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン信越化学工業社製、KBM-573実施例11樹脂ワニスAの調製エポキシ樹脂としてジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂DIC社製、HP-720030重量部、ビスフェノールF型液状エポキシ樹脂三菱化学社製、jER8073重量部、シアネート樹脂としてフェノールノボラック型シアネート樹脂LONZA社製、PrimasetPT-3014重量部、フェノキシ樹脂として三菱化学社製YX6954BH30を固形分換算で3重量部、硬化触媒としてイミダゾール四国化成社製、2E4MZ0.2重量部をメチルエチルケトンとシクロヘキサノンの混合溶媒で60分間撹拌し、溶解させた。さらにカップリング剤としてN-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン信越化学工業社製、KBM-5730.1重量部と無機充填材として球状シリカアドマテックス社製SO25R,平均粒径0.5μm49.7重量部を添加して高速撹拌装置で10分撹拌し、固形分65の樹脂ワニスを作製した。2樹脂シートAの作製得られた樹脂ワニスを厚さ36μmのPETポリエチレンテレフタレートフィルムの片面に、コンマコーター装置を用いて塗工した。これを160°Cの乾燥装置で3分間乾燥し、樹脂厚みが17.5μmの基材付き樹脂シートAを作製した。3プリプレグAの作製繊維基材としてガラス織布ユニチカ社製、クロスタイプ♯1017、幅530mm、厚さ15μm、坪量12g/m2を用い、真空ラミネート装置および熱風乾燥装置によりプリプレグを製造した。具体的には、樹脂シートAを2枚用意しA1、A2とする、ガラス織布の両面に樹脂シートA1および樹脂シートA2をガラス織布の幅方向の中心に位置するように、それぞれ1枚ずつ重ね合わせ、0.1MPa750Torrの減圧条件下で、80°Cのラミネートロールを用いて接合した。ここで、ガラス織布の幅方向寸法の内側領域においては、樹脂シートA1および樹脂シートA2の樹脂層を繊維布の両面側にそれぞれ接合するとともに、ガラス織布の幅方向寸法の外側領域においては、樹脂シートA1および樹脂シートA2の樹脂層同士を接合した。つぎに、上記接合したものを、120°Cに設定した横搬送型の熱風乾燥装置内を2分間通すことによって、圧力を作用させることなく加熱処理して、厚さ40μmのプリプレグを得た。4ラミネート工程ニチゴ―モートン株製の2ステージビルドアップラミネーターCVP300を用いて、PET基材付きプリプレグから積層体を製造した。具体的には、厚み200μmのELC-4785GS-B住友ベークライト社製、銅箔12μmを用いて、ドリル機で所定のところを開孔して、無電解めっきにより、導通を図り、銅箔をエッチングして回路形成面を有するコア層を作製した。また、上記のプリプレグを枚葉にカットし、上記CVP300にセットして上記コア層に仮付けし、真空ラミネーター内で120°C、0.7MPa、60秒間真空ラミネーションをおこなった。5平滑化工程その後、ニチゴーモートン社製CPV300が備えるホットプレス装置を用いて、120°C、0.6MPa、60秒間ホットプレスして平滑化した。6硬化工程その後、温度プロファイルを初期温度25°C、最高到達温度160°C、昇温速度3°C/min、硬化時間60分間に設定した熱風乾燥装置に、得られた積層体を入れ、ビルドアップ用プリプレグの熱硬化性樹脂の硬化反応をおこなった。なお、ここでいう硬化時間とは初期温度に設定した熱風乾燥装置内に積層体を配置してから取り出すまでの時間をいう。装置内が最高到達温度に到達した後は、最高到達温度に保持したまま、残った時間硬化反応をおこなった。また、積層体の温度は熱電対を積層体中に埋め込んで測定し、積層体の昇温速度と熱風乾燥装置の昇温速度がほぼ一致することを確認した。7回路基板の作成つぎに、得られた積層板に炭酸レーザーによりビア孔を形成した。ビア内および、樹脂層表面を、60°Cの膨潤液アトテックジャパン社製、スウェリングディップセキュリガントPに5分間浸漬し、さらに80°Cの過マンガン酸カリウム水溶液アトテックジャパン社製、コンセントレートコンパクトCPに10分浸漬後、中和して粗化処理をおこなった。これを脱脂、触媒付与、活性化の工程を経た後、無電解銅めっき皮膜を約0.5μm形成し、めっきレジストを形成し、無電解銅めっき皮膜を給電層としてパターン電気めっき銅10μm形成させ、L/S=50/50μmの微細回路加工を施した。つぎに、熱風乾燥装置にて200°Cで60分間アニール処理を行った後、フラッシュエッチングで給電層を除去した。つぎに、上記で得られた積層板上にソルダーレジスト層を形成し、半導体素子搭載パッドなどが露出するように炭酸レーザーによりブラインドビアホール非貫通孔を形成した。最後に、ソルダーレジスト層から露出した回路層上へ、無電解ニッケルめっき層3μmと、さらにその上へ、無電解金めっき層0.1μmとからなるめっき層を形成し、得られた基板を50mm×50mmサイズに切断し、半導体パッケージ用の回路基板を得た。8半導体パッケージの製造半導体パッケージ用の回路基板上に、半田バンプを有する半導体素子TEGチップ、サイズ20mm×20mm、厚み725μmを、フリップチップボンダー装置により、加熱圧着により搭載した。つぎに、IRリフロー炉で半田バンプを溶融接合した後、液状封止樹脂住友ベークライト社製、CRP-X4800Bを充填し、当該液状封止樹脂を硬化させることで半導体パッケージを得た。なお、液状封止樹脂は、温度150°C、120分の条件で硬化させた。また、半導体素子の半田バンプは、Sn/Ag/Cu組成の鉛フリー半田で形成されたものを用いた。実施例2昇温速度を10°C/minとした以外は実施例1と同様の方法で積層板、回路基板、半導体パッケージを製造した。実施例3硬化工程において、あらかじめ熱風乾燥装置の温度を100°Cにした後、積層体全体が均等に加熱されるように積層体を熱風乾燥装置支持台上に配置して硬化工程をおこない、硬化時間を30分間とした以外は実施例1と同様の方法で積層板、回路基板、半導体パッケージを製造した。なお、積層体の表面温度は熱電対を積層体中に埋め込んで測定し、積層体が設定温度である100°Cの前後5°C範囲以内の最高温度に到達するまでの時間から平均の昇温速度を算出した。昇温速度は11°C/minであった。実施例4樹脂ワニスにおける各成分の配合量を表1に記載のとおりとし、昇温速度を5°C/minとした以外は実施例1と同様の方法で積層板、回路基板、半導体パッケージを製造した。比較例1硬化工程において、あらかじめ熱風乾燥装置の温度を160°Cにした後、積層板を熱風乾燥装置内に配置して硬化工程をおこない、硬化時間を30分間とした以外は実施例4と同様の方法で積層板、回路基板、半導体パッケージを製造した。実施例3と同様の方法で算出した平均の昇温速度は32°C/minであった。比較例2樹脂ワニスにおける各成分の配合量を表1に記載のとおりとした以外は比較例1と同様の方法で積層板、回路基板、半導体パッケージを製造した。実施例3と同様の方法で算出した平均の昇温速度は30°C/minであった。比較例3昇温速度を20°C/minとし、硬化時間を30分間とした以外は実施例1と同様の方法で積層板、回路基板、半導体パッケージを製造した。[評価]1動的粘弾性試験による複素動的粘度η1の測定ラミネート工程を完了後、積層体表面のビルドアップ用プリプレグから熱硬化性樹脂のみを切り出して測定サンプルとし、動的粘弾性測定装置AntonPaar社製、PhysicaMCR-301を用いて、下記の条件で複素動的粘度η1の測定をおこなった。周波数:62.83rad/sec測定範囲50~200°Cジオメトリー:パラレルプレートプレート直径:10mmプレート間隔:0.1mm荷重ノーマルフォース:0N一定ストレイン:0.3測定雰囲気:窒素2動的粘弾性試験による複素動的粘度η2の測定平滑化工程を完了後、積層体表面のビルドアップ用プリプレグから熱硬化性樹脂のみを切り出して測定サンプルとし、上記の複素動的粘度η1と同様の条件で複素動的粘度η2の測定をおこなった。3厚みばらつき硬化工程後の積層板の断面を走査型電子顕微鏡SEMで観察し、隣接した、銅配線の有る部分と無い部分との厚み差を測定した。n=10で厚み差を測定し、平均0.8μm未満のものを合格で○とし、平均0.8μm以上のものを不合格で×とした。結果を表1に示す。4耐湿耐熱信頼性電解めっきし、アニール処理した後の回路基板を、50mm角に切り出し、85°C、85の吸湿条件下で168時間処理後、IRリフロー炉ピーク温度260°Cで3回処理しMSLレベル1相当の処理、膨れの有無を確認した。○:膨れなし×:膨れあり"