表面に絶縁膜が形成された半導体ウェハ表面を第1のめっき液を用いてめっき処理する第1のめっき処理槽と、前記半導体ウェハ表面を第2のめっき液を用いてめっき処理する第2のめっき処理槽と、を備え、前記第1のめっき処理槽には、前記半導体ウェハ表面と重なる部分の長さがd1であり、かつ前記絶縁膜との接触幅がw1の第1のシールが設けられ、前記第2のめっき処理槽には、前記半導体ウェハ表面と重なる部分の長さがd2であり、かつ前記絶縁膜との接触幅がw2の第2のシールが設けられ、前記第1のシールと前記第2のシールの間には、d2<d1-w1の関係が成り立つ半導体装置の製造装置。前記半導体ウェハと重なる部分の長さがd3であり、かつ前記絶縁膜との接触幅がw3の第3のシールが設けられた第3のめっき処理槽を備えており、かつ前記第2のシールと前記第3のシールの間には、d3<d2-w2の関係が成り立つ請求項1に記載の半導体装置の製造装置。表面に絶縁膜が形成された半導体ウェハ表面を第1のめっき液を用いてめっき処理する第1めっき処理工程と、前記第1のめっき処理工程の後、第2のめっき液を用いてめっき処理する第2のめっき処理工程と、を含み、前記第1のめっき処理工程では、前記半導体ウェハ表面の一部を、長さがd1であり、かつ前記絶縁膜との接触幅がw1の第1のシールで覆い、前記第2のめっき処理工程では、前記半導体ウェハ表面の一部を、長さがd2であり、かつ前記絶縁膜との接触幅がw2の第2のシールで覆い、前記第1のシールと前記第2のシールの間には、d2<d1-w1の関係が成り立つ半導体装置の製造方法。前記第2のめっき処理工程を経た後に、第3のめっき処理工程を含む請求項3に記載の半導体装置の製造方法。前記第3のめっき処理工程では、前記半導体ウェハ表面の一部を長さがd3であり、前記絶縁膜との接触幅がw3の第3のシールで覆い、d3<d2-w2の関係が成り立つ請求項4に記載の半導体装置の製造方法。前記半導体ウェハ表面上にはんだバンプを形成するはんだバンプ形成工程を有している請求項3乃至5のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。第1の前記めっき液では、Ni、Cu、Cr、及びAuの少なくとも1つを含むめっき膜を形成する請求項3乃至6のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。第2の前記めっき液では、Sn、Ag、Cu、及びZnの少なくとも1つを含むめっき膜を形成する請求項3乃至7のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。第3の前記めっき液では、Sn、Ag、Cu、及びZnの少なくとも1つを含むめっき膜を形成する請求項3乃至8のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。半導体ウェハをめっき処理する際、半導体製造装置に設けられたシールと感光性材料との接触箇所にクラックが生じてしまうことがある。クラックの発生を抑制するために、レジスト等の材料の硬度を下げたり、半導体ウェハ外周部の電極接触部にパターンを設けなかったりすることがある。しかしながら、本発明者が検討した結果、2種類のめっき膜を同一のレジスト等の材料を用いて選択めっきする際、クラックが生じてしまうことがあることが判明した。本発明によれば、表面に絶縁膜が形成された半導体ウェハ表面を第1のめっき液を用いてめっき処理する第1のめっき処理槽と、上記半導体ウェハ表面を第2のめっき液を用いてめっき処理する第2のめっき処理槽と、を備え、上記第1のめっき処理槽には、上記半導体ウェハ表面と重なる部分の長さがd1であり、かつ上記絶縁膜との接触幅がw1の第1のシールが設けられ、上記第2のめっき処理槽には、上記半導体ウェハ表面と重なる部分の長さがd2であり、かつ上記絶縁膜との接触幅がw2の第2のシールが設けられ、上記第1のシールと第2のシールの間には、d2<d1-w1の関係が成り立つ半導体装置の製造装置が提供される。さらに、本発明によれば、表面に絶縁膜が形成された半導体ウェハ表面を第1のめっき液を用いてめっき処理する第1めっき処理工程と、上記第1のめっき処理工程の後、第2のめっき液を用いてめっき処理する第2のめっき処理工程と、を含み、上記第1のめっき処理工程では、上記半導体ウェハ表面の一部を、長さがd1であり、かつ上記絶縁膜との接触幅がw1の第1のシールで覆い、上記第2のめっき処理工程では、上記半導体ウェハ表面の一部を、長さがd2であり、かつ上記絶縁膜との接触幅がw2の第2のシールで覆い、上記第1のシールと第2のシールの間には、d2<d1-w1の関係が成り立つ半導体装置の製造方法が提供される。本発明者が検討した結果、シールの接触箇所において発生していたクラックの原因は、第1のめっき液により薬液負荷、または熱負荷を受け、絶縁膜が変質した箇所に、第2のシールを接触させることによって圧力負荷が加わることが原因であることが判明した。これに対し、本発明によれば、2種類以上のめっきを同一の絶縁膜を用いて選択的にめっき処理をする際、第1のめっき処理による薬液負荷、および熱負荷が加わり、絶縁膜が変質する。このため、第2のめっきシール位置は、第1のめっきシール位置と比べて、半導体ウェハ端側としている。これによって、第2のシールは、絶縁膜が変質していない箇所に配される。したがって、絶縁膜にクラックが発生することを抑制できる。本発明によれば、絶縁膜にクラックが発生することを抑制できる。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。図1は、本実施形態による半導体装置の製造装置を示す図である。図1に示すように、この製造装置は、表面に絶縁膜330が形成された半導体ウェハ200表面を第1のめっき液を用いてめっき処理する第1のめっき処理槽120と、半導体ウェハ200表面を第2のめっき液を用いてめっき処理する第2のめっき処理槽150と、を備える。図5に示すように、第1のめっき処理槽120には、半導体ウェハ200の表面と重なる部分の長さがd1であり、かつ絶縁膜330との接触幅がw1の第1のシール320が設けられる。図6に示すように、第2のめっき処理槽150には半導体ウェハ200の表面と重なる部分の長さがd2であり、かつ絶縁膜330との接触幅がw2の第2のシール340が設けられている。そして、第1のシール320と第2のシール340の間には、d2<d1-w1の関係が成り立っている。また、この製造装置はさらに、半導体ウェハ200を装置内にロード/アンロードするローダー/アンローダー100を備えていることが好ましい。さらに、前処理槽110、水洗乾燥槽130、水洗処理槽140、搬送ロボット、薬液ユニット、および電気ユニット等も備えていることがある。また、これら処理槽の数は同じでなくてもよいし、水洗を行う槽と乾燥を行う槽は、別であってもよい。また、半導体ウェハ200を水平面に対して水平に置くカップ式でも、立てておくラック式でも良い。図2は、本実施形態による半導体装置の製造装置に半導体ウェハ200を設置した際の俯瞰図、図3は上面図である。図2、および図3に示すように、第1のめっき処理槽120、または第2のめっき処理槽150に半導体ウェハ200をセットした場合、シール210は、半導体ウェハ200の外周に対して同心円状に配される。ただし、シール210における内周の直径は、半導体ウェハ200の直径よりも小さい。さらに、第2のシール340の位置が第1のシール320の位置よりも半導体ウェハ200端部に近く、かつ部分的にも重ならない。このため、第2のシール340が接しているのはレジスト等の材料における第1のめっき液によって薬液負荷、または熱負荷が加わらず、かつ第1のシール320を配したことにより生じた圧力による負荷が加わっていない箇所である。次に、本実施形態による半導体装置の製造方法について述べる。図4は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。図4に示すように、まず、半導体ウェハ200を半導体装置の製造装置におけるローダー100にロードするステップS1。次いで、半導体ウェハ200表面にめっき液が付着しやすくなるように、水洗処理、および薬液処理をおこなう前処理するステップS3。そして、半導体ウェハ200表面を第1のめっき液を用いてめっき処理するステップS10。その後、半導体ウェハ200に付着している第1のめっき液を洗浄するために水洗するステップS5。水洗した半導体ウェハ200は、第2のめっき液を用いてめっき処理するステップS20。次いで、第2のめっき液を水洗しステップS7、乾燥させるステップS8。最後に、めっき処理された半導体ウェハ200を半導体装置の製造装置からアンロードするステップS9。なお、第2のめっき処理ステップS20を経た後に、第3のめっき処理を含んでもよい。この場合、半導体ウェハ200と重なる部分の長さがd3であり、絶縁膜330との接触幅がw3の第3のシールを用いる。この第3のシールで半導体ウェハ200を覆っており、第2のシール340と第3のシールの間には、d3<d2-w2の関係が成り立っている。また、第1のめっき液では、Ni、Cu、Cr、及びAu1の少なくとも1つを含むめっき膜を、第2のめっき液では、Sn、Ag、Cu、及びZn2の少なくとも1つを含むめっき膜を形成することが好ましい。なお、第3のめっき液では、Sn、Ag、及びZn3の少なくとも1つを含むめっき膜を、形成してもよい。第1、第2、および第3のめっき処理に用いるめっき液を選択する基準として、めっき液のめっき温度が挙げられる。上記の第1のめっき液のめっき温度は、50~80°C、第2および第3のめっき液のめっき温度はいずれも20~30°Cである。これは、めっき液の温度による熱膨張や、その後の熱収縮によってクラックが発生することを抑制するためである。図5は、本実施形態による第1のめっき処理ステップS10を説明するための模式図である。なお、図5は、図3のA-A断面における模式図である。図5に示すように、めっきシード300によりコーティングされている半導体ウェハ200上に設けられた絶縁膜330の一部や、めっき電極310を第1のめっき液から保護するために、第1のシール320は配されている。第1のシール320は、絶縁膜330と接触幅w1で接している、半導体ウェハ200の端まで長さd1のシールである。なお、第1のシール320は、バイトンやテフロン登録商標等の耐薬品性に優れたフッ素樹脂で出来ているため、第1のめっき液から、めっき電極310を保護することができている。図6は、本実施形態による第2のめっき処理ステップS20を説明するための模式図である。なお、図6は、図3のA-A断面における模式図である。図6に示すように、めっきシード300によりコーティングされている半導体ウェハ200上に設けられた絶縁膜330の一部や、めっき電極310を第2のめっき液から保護するために、第2のシール340は配されている。第2のシール340は、絶縁膜330と接触幅w2で接している、半導体ウェハ200の端まで長さd2のシールである。なお、第2のシール340は、バイトンやテフロン登録商標等の耐薬品性に優れたフッ素樹脂で出来ているため、第1のめっき液から、めっき電極310を保護することができている。また、第1のめっき処理による薬液負荷、および熱負荷が加わることによって、絶縁膜330は変質する。なお、第2のシール340の位置は、第1のシール320の位置と比べて、半導体ウェハ200端側としている。このため、絶縁膜330が変質していない箇所に、第2のシール340を配することができる。図7は、本実施形態による第3のめっき処理を説明するための模式図である。なお、図7は、図3のA-A断面における模式図である。図7に示すように、めっきシード300によりコーティングされている半導体ウェハ200上に設けられた絶縁膜330の一部や、めっき電極310を第3のめっき液から保護するために、第3のシール350は配されている。第3のシール350は、絶縁膜330と接触幅w3で接している、半導体ウェハ200の端まで長さd3のシールである。第2のめっき処理ステップS20と同様に、第3のシール350の位置は、第2のシール340の位置と比べて、半導体ウェハ200端側としている。このため、絶縁膜330が変質していない箇所に、第3のシール350を配することができる。次に、本実施形態による効果について説明する。本実施形態によれば、第1のシール320と第2のシール340の間には、d2<d1-w1の関係が成り立っている。これによって、第1のめっき液によって、薬液負荷、または熱負荷の加わった絶縁膜330における箇所に、第2のシール340が配されることはない。つまり、第1のめっき液と絶縁膜330との間で化学反応が起こり、変質した箇所に第2のシール340が配されることはない。これによって、第1のめっき液によって変質した箇所に第2のシール340による圧力は加わらない。したがって、クラックが発生することを抑制できる。以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。