"照射された放射線を可視光に変換するシンチレータと、該シンチレータにより変換された可視光を電荷に変換する複数の光電変換素子と、前記シンチレータと対向する第1表面と該第1表面と対向する第2表面とを有する基板と、を含む放射線検出装置であって、前記放射線検出装置の放射線が入射される側から、前記基板、前記光電変換素子、前記シンチレータの順に配置されており、前記第2表面は、前記基板に垂直な方向に前記シンチレータ側から投影された複数の前記光電変換素子の正射影が位置する正射影領域に位置する複数の凹部と、一部が前記正射影領域内に位置しており、前記一部を除く他の部分が前記正射影領域の間に位置する凸部と、を有することを特徴とする放射線検出装置。前記光電変換素子は、前記基板の第1表面と前記シンチレータとの間に配置されており、前記光電変換素子と前記第1表面との間に配置されたスイッチ素子を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の放射線検出装置。前記スイッチ素子は、前記光電変換素子に覆われるように配置されたことを特徴とする請求項2に記載の放射線検出装置。前記光電変換素子は、前記スイッチ素子に電気的に接合される電極を有し、前記凹部の形状は、前記電極の辺と平行でない辺を少なくとも一つ有する多角形、又は、円形であり、前記凸部の形状は、格子状であることを特徴とする請求項3に記載の放射線検出装置。前記基板は、複数の基板材料によって構成されており、前記複数の基板材料のうち前記凸部に含まれる基板材料は、前記凹部を構成する基板材料に比べて放射線に対する透過率が低いことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の放射線検出装置。前記第2表面に配置された、前記シンチレータにより変換された可視光を吸収するための光吸収層を更に有することを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の放射線検出装置。前記凹部の幅は、前記光電変換素子の幅に比べて小さいことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の放射線検出装置。複数の前記光電変換素子に跨って一つの前記凹部が対応して設けられていることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の放射線検出装置。請求項1から8のいずれか1項に記載の放射線検出装置と、前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、を具備することを特徴とする放射線検出システム。照射された放射線を可視光に変換するシンチレータと、該シンチレータにより変換された可視光を電荷に変換する複数の光電変換素子と、前記シンチレータと対向する第1表面と該第1表面と対向する第2表面とを有する基板を含む放射線検出装置であって、前記放射線検出装置の放射線が入射される側から、前記基板、前記光電変換素子、前記シンチレータの順に配置される放射線検出装置の製造方法において、複数の凹部と、該複数の凹部の間に位置する凸部と、を前記第2表面に形成する工程を含み、前記複数の凹部は、前記基板に垂直な方向に前記シンチレータ側から投影された複数の前記光電変換素子の正射影が位置する正射影領域に形成され、前記凸部の一部が前記正射影領域内に形成され、前記凸部の前記一部を除く他の部分が前記正射影領域の間に形成されることを特徴とする放射線検出装置の製造方法。前記基板の前記第2表面側から前記基板に選択的な薄型化加工を施すことを特徴とする請求項10に記載の放射線検出装置の製造方法。前記第1表面に複数の前記光電変換素子が配置された状態で、前記基板に選択的な薄型化加工を施すことを特徴とする請求項11に記載の放射線検出装置の製造方法。しかしながら、特許文献1では、センサ基板の光電変換部のみをエッチングして薄型化して受光感度及びMTFを向上させる記載があるが、放射線検出装置の強度に対してはなんら考慮されておらず、改善の余地がある。また、特許文献1の光電変換部は不明確である。本発明は、このような従来の構成が有していた問題を解決しようとするものであり、基板と光電変換素子とシンチレータとが放射線入射側からこの順に配置された放射線検出装置において、高解像度で高強度な放射線検出装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の放射線検出装置は、照射された放射線を可視光に変換するシンチレータと、該シンチレータにより変換された可視光を電荷に変換する光電変換素子と、が複数配置された第1表面と該第1表面と対向する第2表面とを有する基板と、を含む放射線検出装置であって、前記放射線検出装置の放射線が入射される側から、前記基板、前記光電変換素子、前記シンチレータの順に配置されており、前記第2表面は、前記第1表面の複数の前記光電変換素子が配置された領域と対向する領域に位置する複数の凹部と、複数の前記凹部の間に位置する複数の凸部と、を有し、前記凸部の少なくとも一部が前記対向する領域に位置することを特徴とする。また、本発明の放射線検出システムは、上述の放射線検出装置と、前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、を具備することを特徴とする。また、本発明の放射線検出装置の製造方法は、照射された放射線がシンチレータにより変換された可視光を電荷に変換する光電変換素子が複数配置された第1表面と該第1表面と対向する第2表面とを有する基板を含む放射線検出装置であって、前記放射線検出装置の放射線が入射される側から、前記基板、前記光電変換素子、前記シンチレータの順に配置される放射線検出装置の製造方法において、前記基板の前記第2表面側から前記基板に選択的な薄型化加工を施すことにより、複数の凹部と、該複数の凹部の間に位置する凸部と、を前記第2表面に形成する工程を含み、前記複数の凹部は、前記第1表面の複数の前記光電変換素子が配置された領域、又は、前記第1表面の複数の前記光電変換素子が配置される領域、と対向する領域に形成され、前記複数の凹部の間に位置する凸部の少なくとも一部が前記対向する領域に形成されることを特徴とする。本発明により、基板と光電変換素子とシンチレータとが放射線入射側から順に配置された放射線検出装置において、高解像度で高強度な放射線検出装置を提供できる。以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。なお、本願明細書において放射線は、放射線崩壊によって放出される粒子光子を含むの作るビームであるα線、β線、γ線などの他に、同程度以上のエネルギーを有するビーム、例えばX線や粒子線、宇宙線なども、含まれるものとする。第1の実施形態先ず、図1a~cを用いて本発明の第1の実施形態に係る放射線検出装置について説明する。ここで、図1aは本発明の放射線検出装置の平面図であり、図1bは図1aのA-A’での断面図であり、図1cは放射線検出装置の概念的等価回路である。図1a及びbに示すように、ガラス基板等の絶縁性表面を有する基板2の第1表面に、光電変換部3が配置される。光電変換部3は、後述するシンチレータ4により変換された可視光を電気信号に変換するための画素が2次元アレイ状に複数配置されており、各画素はそれぞれ光電変換素子とスイッチ素子を有している。なお、基板2に対して放射線が第1表面と対向する第2表面側から入射するように、基板2及び光電変換部3が配置される。ここで、本発明において各構成要素に対して、放射線入射側の表面を第2表面と、放射線入射側と反対側の表面を第1表面と示す。基板2の第2表面は、第1表面の複数の光電変換素子が配置される領域と対向する領域に位置する複数の凹部と、複数の凹部の間に位置する複数の凸部と、を有する。この凹部と凸部に関しては、後で詳細に説明する。基板2の第1表面の端部には、フレキシブル配線基板6を介してプリント回路基板7a及び7bが実装される。この基板2の端部には凹部は設けられておらず、端部が凸部よりも幅が広くことが望ましく、凸部よりも厚さが厚い方がより好ましく。基板2にプリント回路基板7a及び7bを実装する領域とその実装に対する強度が確保されるためである。フレキシブル配線基板やプリント回路基板には、各種集積回路が設けられる。集積回路としては、後述する駆動回路110、読出回路112、電源回路119、制御回路不図示、等が挙げられる。光電変換部3の放射線入射側の表面第2表面とは反対側の表面第1表面に、シンチレータ4が固定配置される。つまり、シンチレータ4は基板2の第1表面と対向して配置されている。シンチレータ4の第2表面は、光電変換部3の第1表面上に、蒸着して形成されるか、又は接着されることで、光電変換部3の第1表面に固定配置される。シンチレータ4の第1表面は、外装箱8に設置された支持基台9の第2表面に、接着剤や粘着剤、衝撃吸収材などを介して固定されている。プリント回路基板7a及び7bは支持基台9の第1表面側に配置される。これにより本発明の放射線検出装置1は、放射線検出装置の放射線が照射される側から、基板2、光電変換部3、シンチレータ4の順に配置されることとなる。そして、外装箱8の放射線入射側には、放射線を透過しやすく耐水性や密閉性が確保できるカバー5が配置され、外装箱8とカバー5とで筐体を構成している。つまり、支持基台9に固定されて、外装箱8とカバー5とで構成される筐体内に、基板2、光電変換部3、シンチレータ4、フレキシブル配線基板6、プリント回路基板7a及び7bが収容される。プリント回路基板7a及び7bは、支持基台7の第2表面側に配置されており、放射線による集積回路への悪影響が低減される。このように、基板2の第2表面に光電変換素子が配置される領域に対応して凹部2aが設けられる構成にすることで、凹部2aを設けない基板に比べて、光電変換素子が配置される領域の基板2の厚さが低減し、基板2を通過する放射線が増加する。また、凹部2aを設けない基板に比べて、基板2を通過する放射線が増加するため、シンチレータ4の発光量が増加し、光電変換部3に照射される可視光も多くなり、感度の向上につながる。また、シンチレータ4の発光位置と光電変換部3の距離が短いため、可視光の散乱が小さく抑えられ、結果的にMTF鮮鋭度が向上する。基板2としては、光電変換部3を形成するプロセス温度に対し耐熱性を有するガラス基板、シリコン基板や硬質なカーボン製基板を用いると良い。また、基板2として、基板材料の表面に、有機又は無機材料の絶縁膜を設けたものを用いてもよい。絶縁膜としては、酸化シリコン膜や窒素化シリコン膜等の無機絶縁膜、PETポリエチレンテレフタレートやPIポリイミドなどの有機絶縁膜を好適に用いることができる。また、光電変換部3を形成した後で、基板材料の放射線入射側の表面を部分的にエッチングやCMPにより薄型化して好適な厚さとなるように、基板2の第2表面に凹凸を形成してもよい。また、成型により予め凹凸を有する所望の厚さの基板を準備してもよい。このように、部分的に薄い領域を有する基板2を用いることで、基板2を透過する放射線線量が増える。ここで、シンチレータ4を光電変換部3の第1表面に固定配置した後で基板材料に薄型化加工を施す場合には、シンチレータ4の第1表面側に保護材を配置することが好ましい。これは、シンチレータ4に用いる蛍光体層に、例えばGd2O2S:Tbのような粒子蛍光体を用いた場合には、蛍光体層に振動が加わると、形状が崩れてしまう恐れがある。また、蛍光体層にCsI:TlやCsI:Naのようなハロゲン化アルカリ柱状結晶構造を用いた場合も同様である。そのため、何らかの保護材を基板2の第2表面とは反対に位置するシンチレータ4の第1表面に配置することが望ましい。また、保護材にも更に薄型化加工を施してもよい。保護材としては、基板2と同じ材料でもよく、また、この保護材を支持基台9の一部として使用しても良い。次に、図1cを用いて本発明の第1の実施形態に係る放射線検出装置の概略的等価回路を説明する。なお、図1cでは説明の簡便化のため3行3列の等価回路図を用いたが、本発明はそれに限定されるものではなく、放射線検出装置はn行m列n,mはいずれも2以上の自然数の画素アレイを有する。本実施形態における放射線検出装置は、基板2の第1表面上に、行方向及び列方向に配列された複数の画素101を含む光電変換部3が設けられている。各画素101は、放射線又は光を電荷に変換する光電変換素子104と、光電変換素子104の電荷に応じた電気信号を出力するスイッチ素子105と、を含む。本実施形態では、光電変換素子としてMIS型光電変換素子を用いており、スイッチ素子として薄膜トランジスタTFTを用いている。光電変換素子104は、第1電極103と第2電極102とそれらの間に配置された半導体層を含む。ここで第1電極103は後述する第3導電層207によって構成され、第2電極102は後述する第4導電層211によって構成され、半導体層は後述する第2半導体層209によって構成される。光電変換素子の第2電極側の表面光電変換部3の第1表面に、放射線を光電変換素子が感知可能な可視光に波長変換するシンチレータ4が配置される。光電変換素子104の第1電極103には、スイッチ素子105の第1主電極が電気的に接続され、変換素子104の第2電極102には、バイアス線106が電気的に接続される。バイアス線106は、列方向に配列された複数の光電変換素子104の第2電極102に共通に接続される。スイッチ素子105の制御電極には、駆動線107が電気的に接続され、スイッチ素子105の第2主電極には、信号線108が電気的に接続される。駆動線107は、行方向に配列された複数のスイッチ素子105の制御電極に共通に接続され、また、第1接続配線109を介して駆動回路110に電気的に接続される。駆動回路110が列方向に複数配列された駆動線107に駆動パルスを順次に又は同時に供給することにより、行単位で画素からの電気信号が、行方向に配列された複数の信号線105に並列に出力される。信号線105は、列方向に配列された複数のスイッチ素子105の第2主電極に共通に接続され、また、第2接続配線111を介して読出回路112に電気的に接続される。読出回路112は、信号線105毎に、信号線105からの電気信号を積分して増幅する積分増幅器113と、積分増幅器113で増幅して出力された電気信号をサンプルホールドするサンプルホールド回路を備える。読出回路112は更に、複数のサンプルホールド回路から並列に出力される電気信号を直列の電気信号に変換するマルチプレクサ115と、出力された電気信号をデジタルデータに変換するA/D変換器116を含む。読出回路112の非反転入力端子には電源回路119から基準電位Vrefが供給される。電源回路109は更に、共通バイアス線117及び第3接続配線118を介して、行方向に配列された複数のバイアス線106に電気的に接続されており、変換素子104の第2電極Uにバイアス電位Vs又は初期化電位Vrを供給する。以下に、本実施形態の放射線検出装置の動作について説明する。光電変換素子104の第1電極103にはスイッチ素子を介して基準電位Vrefを与え、第2電極102にはバイアス電位Vsを与えることにより、MIS型光電変換素子の光電変換層が空乏化するようなバイアスを光電変換素子104に与える。この状態で、被検体に向けて曝射された放射線は、被検体による減衰を受けて透過し、シンチレータ4で可視光に変換され、この可視光が光電変換素子に入射し、電荷に変換される。この電荷に応じた電気信号は、駆動回路110から駆動線107に印加される駆動パルスによりスイッチ素子105が導通状態となることで、信号線108に出力され、読出回路112によりデジタルデータとして外部に読み出される。その後、バイアス線106の電位をバイアス電位Vsから初期化電位Vrに変化させてスイッチ素子105を導通状態とすることにより、光電変換素子で発生し残留した正又は負のキャリアが除去される。その後、バイアス線106の電位を初期化電位Vrからバイアス電位Vsに変化させることにより、光電変換素子104の初期化がなされる。次に、図2a~cを用いて、本発明における画素と基板2の凹凸との関係について説明する。なお、図2aの平面図は、図1b及びcの基板2及び光電変換部3の一部領域を拡大し簡略化のために絶縁性の部材を省略したものである。また、図2bは図2aのB-B’に対応する断面図であり、図2cは図2aのC-C’に対応する断面図である。第1導電層201、第1絶縁層202、第1半導体層203、第1不純物半導体層204、第2導電層205が基板2の第1表面側に順に配置される。ここで、第1導電層201はスイッチ素子105の制御電極と駆動線107を構成し、第1絶縁層202はスイッチ素子105のゲート絶縁膜を構成し、第1半導体層203はスイッチ素子105のチャネルを構成する。第1不純物半導体層204はスイッチ素子のオーミックコンタクトとなり、第2導電層205はスイッチ素子105の2つの主電極と信号線108となる。スイッチ素子105と光電変換素子104との間には層間絶縁層として機能する第2絶縁層206が配置されている。第2絶縁層206に設けられたスルーホールを介して、光電変換素子104の第1電極103となる第3導電層207がスイッチ素子105の第1主電極となる第2導電層205と電気的に接合される。第3導電層207、第3絶縁層208、第2半導体層209、第2不純物半導体層210、第4導電層211、第5導電層212が第2絶縁層206の基板2と反対側に順に配置される。ここで、第3絶縁層208は完全絶縁層となり、第2半導体層209は光電変換層となり、第2不純物半導体層210はホールブロッキング層となり、第4導電層211は光電変換素子104の第2電極102となり、第5導電層212はバイアス線106となる。なお、本実施形態ではMIS型の光電変換素子を用いたため第3絶縁層208を用いているが、本発明はそれに限定されるものではない。光電変換素子104としてPIN型のフォトダイオードを用いる場合は、第3絶縁層208に変えてエレクトロンブロッキング層として機能する第3不純物半導体層を用いればよい。この場合、ホールブロッキング層とエレクトロンブロッキング層は入れ替えてもよい。複数の光電変換素子104はパッシベーション膜として機能する第4絶縁層213によって覆われており、第4絶縁層213上に設けられた平坦化層として機能する第5絶縁層215の上方にシンチレータ4不図示が設けられる。ここで、本発明において光電変換素子の幅P1は、光電変換素子の第1電極103となる第3導電層207の幅で規定される。また、光電変換素子間の幅P2は、第3導電層207の間の幅で規定される。基板2は、その第2表面側から一部除去され、複数の凹部2aと凸部2bとを有する。この凹部2aは、基板2の第1表面の光電変換素子104が配置された領域と対向する基板2の第2表面の領域に位置しており、その幅はP3で示される。言い換えると、凹部2aは、基板2に垂直な方向にシンチレータ4側から投影された複数の光電変換素子2の正射影が位置する基板2の第2表面の領域光電変換素子の正射影領域に位置している。なお、本発明において、光電変換素子の正投影領域とは、光電変換素子の第1電極の正投影が位置する基板2の第2表面の領域を意味する。そして凸部2bは、基板2の第2表面の複数の凹部2aの間に位置しており、その幅はP4で示される。ここで、本発明において凹部2aは、厚さが凸部2bの最も厚い部分の厚さの50以下の領域であり、凹部2aの幅P3は基板2の厚さが50以下の領域の幅で規定される。また、凸部2bは、厚さが凸部2bの最も厚い部分の50より大きい領域であり、幅P4は、隣接する凹部2bの間の幅で規定される。このように、凹部2aが基板2の第1表面の光電変換素子104が配置された領域と対向する基板2の第2表面の領域に位置することにより、基板2を透過する放射線の量が増加し、より高感度な放射線検出装置を提供することが可能となる。本発明では、凸部2bの一部が、光電変換素子104が配置された領域と対向する基板2の第2表面の領域内に位置しており、その一部を除く他の部分が、光電変換素子104が配置された領域と対向する基板2の第2表面の領域の間に位置している。言い換えると、凸部2bの一部が基板2の第2表面の光電変換素子の正射影領域内に位置しており、その一部を除く他の部分が、第2表面の光電変換素子の正射影領域間に位置している。本実施形態では、凸部2bは、基板2の第2表面において、光電変換素子間に対向する領域と、光電変換素子が配置された領域の一部に跨って位置している。つまり、光電変換素子104の幅P1に比べて凹部2aの幅P3は小さく、光電変換素子104間の幅P2に比べて凸部2bの幅P4は大きくなっている。また、本実施形態では、凸部2bは格子状の形状を有しており、基板2の機械的強度を更に向上させる。このような構造により、放射線透過量を増やすために光電変換素子104に応じて基板2の第2表面に凹部を設けたとしても、基板強度をより広い領域で十分に確保することが可能となる。これは、図2bに示すように、光電変換部3が、光電変換素子104と基板2の間に光電変換素子104に覆われるようにスイッチ素子105を配置する積層構造である場合に、特に顕著となる。このような積層構造では、光電変換素子が配置された領域は基板2の第1表面の約90となる。そのような場合、基板2の凸部2bが光電変換部3全体の10以下で基板2の強度を確保することは困難である。用途により異なるが、放射線検出装置に用いる画素ピッチP1P2は、70~200μmである。例えば、基板2として厚さが0.5~0.7mmのガラス基板を用いた場合は、基板2の強度を保つためには、凸部2bが基板2全体の20以上とする必要がある。そのため、P3は63~180μm未満であり、P4は7~20μm以上であることが好ましい。ここで凸部2bとしては、R面取りされたものやC面取りされたものを含み、またテーパー状となったものも含む。また、基板2として厚さが0.2~0.3mmのガラス基板を用いた場合は、基板2の強度を保つためには、凸部2bが基板2全体の40以上とする必要がある。そのため、P3は45~150μm未満であり、P4は15~45μm以上であることが好ましい。このような構成とすることにより、光電変換素子104がスイッチ素子105の上方に配置された積層構造であっても、基板2の機械的強度を保ちながら、第2表面からの放射線透過量を増やすことが可能になる。なお、基板2としては、1種類の基板材料に限定されるものではない。例えば図3a及びbに示すように、複数の例えば2種類の基板材料を用いてもよい。なお、図3aは図2aのB-B’に対応する断面図であり、図3bは図2aのC-C’に対応する断面図である。図3a及びbでは、基板2の第1表面側の第1基板221は放射線を透過しやすい材料、例えば樹脂フィルムや炭素フィルム、が用いられ、第2表面側の基板222は加工精度が良く剛性の高い材料、例えばガラス基板、が好適に用いられる。ただし、基板2や第1基板221及び第2基板222に用いる材料としては、半導体プロセスやシンチレータ形成プロセスにおいて必要となる熱に耐え得る耐熱性を有することがより望ましい。また、第2基板222としては、凹部2aを構成する第1基板221に比べて放射線に対する透過率の低い材料、例えば鉛Pb等を含む基板材料を用いることが望ましい。凸部2bがこの第2基板222を含むによって構成することにより、散乱放射線を除去する効果が付加され、高感度で且つ高強度で、更に高鮮鋭度な放射線検出装置の提供が可能となる。次に、図4a及びbを用いて本発明の放射線検出装置の製造方法を説明する。なお、光電変換部3及びシンチレータ4を製造する工程においては、周知な技術を使用するため詳細な説明は省略する。なお、図4a及びbは図2aのB-B’に対応する断面図である。図4aに示すように、まず、基板2の第1表面上に光電変換部3及びシンチレータ4不図示が配置された状態で、基板2の第2表面の所望の領域にレジスト301を形成する。レジスト301は、フォトリソグラフィ法によりパターニングされており、形成された光電変換部3に対応して所望のパターンにパターニングされる。ここで、所望の領域及び所望のパターンは、凸部2bとしたい領域に対応した領域及びパターンである。次に、図4bに示すように、レジスト301を用いて基板2の第2表面側から選択的な薄型化加工をすることによって基板2の第2表面に複数の凹部及び凸部を形成する。ここで、薄型化の手法にはいくつか手法があるが、凸部のアスペクト比を高くするためには、異方性が強いドライエッチングを用いると良い。また、基板2の厚さや光電変換素子のピッチの関係でアスペクト比が小さい場合、ウェットエッチングにより薄型化しても良い。また、基板2が樹脂や炭素を主材料とするフィルムであれば、酸素プラズマ処理などで薄型化加工が可能になる。そして、レジスタ301を剥離することにより、図2a~cに示される放射線検出装置が得られる。また、図3a及びbに示す第1基板221及び第2基板222を用いた場合も説明する。図5aに示すように、まず、第1基板221と第2基板222とからなる基板2の第1表面側である第2基板222上に光電変換部3及びシンチレータ4不図示が配置された状態で、基板2の第2表面の所望の領域にレジスト401を形成する。レジスト401は、フォトリソグラフィ法によりパターニングされており、形成された光電変換部3に対応して所望のパターンにパターニングされる。次に、図5bに示すように、レジスト401を用いて基板2を第2表面側から選択的な薄型化加工を施して、基板2の第2表面に複数の凹部及び凸部を形成する。ここで、第2基板222に対して選択的な薄型化加工を施したい場合には、第2基板222に対するエッチング性が高く、第1基板221に対するエッチング性が低い選択比とすることが望ましい。例えば、第2基板222は厚い炭素を主材とするフィルムで、第1基板221はSiN膜やSiO2膜を用い、薄型化には酸素プラズマを用いる。なお、本実施形態では、光電変換部3及びシンチレータ4が配置された基板2が薄型化加工された工程を説明しているが、本発明はこれに限定されるものではない。シンチレータ4は基板2の薄型化加工後に形成されてもよく、光電変換部3も基板2の薄型化加工後に形成されてもよい。ただし、基板2の第1表面に光電変換部3が配置された状態の方が、光電変換部3とのアライメントが容易であるため、より好ましい。また、本実施形態において、凹部2aの形状は駆動線107と平行な2辺と信号線108と平行な2辺からなる四角形のもの、つまり、光電変換素子104の第1電極103の辺と平行な4辺からなる四角形のものを用いて説明した。しかしながら、本発明はそれに限定されるものではない。例えば、図6a及びbに示すような、駆動線107及び信号線108と平行ではない辺、つまり、光電変換素子104の第1電極103の辺と平行でない辺を少なくとも一つ有する多角形例えば四角形の凹部でもよい。多角形は、四角形でなくてもよく、三角形や、五角形と六角形の組み合わせ、八角形等、好適に用いることができる。また、凹部2aは円形でもよい。凹部2aの形状を多角形又は円形とすることにより、凸部2bは格子状の形状となり、基板2の機械的強度を更に向上させる。基板2をこのような構成とすることにより、駆動線107や信号線108の応力に対抗する機械的強度が大きくなり、基板2の機械的強度はより高くなり、より高強度な放射線検出装置の提供が可能となる。また、光電変換部3が、光電変換素子104と基板2の間に光電変換素子104に覆われるようにスイッチ素子105を配置する積層構造である場合、凸部2bの少なくとも一部が基板2の第2表面のスイッチ素子の正射影領域内に位置していることも好ましい。それにより、基板2の機械的強度は更に高くなり、より高強度な放射線検出装置の提供が可能となる。また、駆動線107や信号線108が配置される基板2の第1表面に対向する第2表面の領域に凸部2bが位置するように、凹部2aが配置されることが望ましい。また、形成された基板2の第2表面に、シンチレータ4により変換された可視光に対する吸収率の高い材料によって形成され、当該可視光を吸収するための光吸収層215を設けることがより好ましい。これにより、基板2の凹凸を有する第2表面で散乱反射される光が低減され、より高鮮鋭度な放射線検出装置が提供できる。なお、この光吸収層215は、図2a~cで示すような構成や、後述する実施形態の構成にも好適に適用できるものである。第2の実施形態次に、図7a~cを用いて、本発明の第2の実施形態について説明する。なお、第1の実施形態で説明したものと同じものは同じ番号を付与し、詳細な説明は割愛する。第1の実施形態では、一つの光電変換素子104に対応して一つの凹部2aが設けられていたが、本実施形態では、一つの光電変換素子104に対して複数の凹部2a例えば2つが対応して設けられている。つまり、kを2以上の自然数とした場合、凹部2aのピッチP3は光電変換素子のピッチP1の1/k倍未満となっている。このような構成とすることにより、基板2の第1表面の光電変換素子104が配置された領域と対向する基板2の第2表面の領域に幅全体が位置する凸部2bが設けられることとなる。それにより、基板2の機械的強度はより高くなり、より高強度な放射線検出装置の提供が可能となる。また、それにより空間的に擬似的なローパスフィルタが挿入されることとなり、モアレを低減したより高鮮鋭度な放射線検出装置を提供することができる。なお、第1の実施形態はkが1の時に相当するため、本発明では、kを1以上の自然数とした場合、凹部2aのピッチP3は光電変換素子のピッチP1の1/k倍未満となることが望ましい。なお、本実施形態の構成は、図6a及びbに示すような、駆動線107及び信号線108と平行ではない辺を複数有する多角形例えば四角形にも好適に適用できる。第3の実施形態次に、図8a~cを用いて、本発明の第3の実施形態について説明する。なお、第1又は第2の実施形態で説明したものと同じものは同じ番号を付与し、詳細な説明は割愛する。第1及び第2の実施形態では、一つの光電変換素子104に対応して一つ以上の凹部2aが設けられていたが、本実施形態では、複数の光電変換素子104例えば2行2列分の4つに跨って一つの凹部2aが対応して設けられている。つまり、kを1以上の自然数とした場合、凹部2aのピッチP3は光電変換素子のピッチP1のk倍以上となっている。ただし、このような場合、基板2の機械的強度を確保するためには、駆動線107や信号線108が配置される基板2の第1表面に対向する第2表面の領域に凸部2bが位置するように、凹部2aが配置されることが望ましい。それにより、kを1以上の自然数とした場合、凹部2aのピッチP3は光電変換素子のピッチP1のk倍以上となっている場合であっても、基板2の必要な機械的強度が確保され得る。なお、本実施形態では、一つの凹部2aが基板2の第1表面の4つの光電変換素子が配置された領域に位置する例を用いて説明したが、本発明はそれに限定されるものではない。kを2以上の自然数とした場合、一つの凹部2aが基板2の第1表面のk個の光電変換素子が配置された領域に位置していればよい。ただし、複数の光電変換素子の各々と凹部2aが重なる領域の面積がそれぞれ等しくなるように、凹部2aの配置及び形状を決定することが望ましい。各画素において透過可能な放射線量を等しくするためである。なお、本実施形態の構成は、図5a及びbに示すような、駆動線107及び信号線108と平行ではない辺を複数有する多角形例えば四角形にも好適に適用できる。また、一行又は一列分の複数の光電変換素子に対して一つの凹部2aを設けることもできる。この場合、複数の凹部2a又は複数の凸部2bはそれぞれ縞状となる。そのような場合、駆動線107及び信号線108の一方が配置される基板2の第1表面に対向する第2表面の領域に凸部2bが位置するように、凹部2aが配置されることが望ましい。また、行方向及び列方向と平行ではない方向斜めに並んだ複数の光電変換素子に対して1つの凹部2aを設けることもできる。この場合、複数の凹部2a又は複数の凸部2bはそれぞれ斜めの縞状となる。このような形状では、凹部2a及び凸部2bの形成の際に、ウェットエッチング法等を用いる場合、エッチング液の循環が良くなり、全体的に均一に薄型化することができる。そのため、放射線の透過ムラによる画像アーチファクトを防止することができ、より高鮮鋭度な放射線検出装置を提供することができる。第4の実施形態次に、図9を用いて、本発明の放射線検出装置を用いた放射線検出システムを説明する。放射線源であるX線チューブ6050で発生したX線6060は、患者あるいは被験者6061の胸部6062を透過し、シンチレータ4を光電変換部3の第1表面上に配置した放射線検出装置6040に入射する。この入射したX線には患者6061の体内部の情報が含まれている。X線の入射に対応してシンチレータ4は発光し、これを光電変換部3で光電変換して、電気的情報を得る。この情報はディジタルに変換され信号処理手段となるイメージプロセッサ6070により画像処理され制御室の表示手段となるディスプレイ6080で観察できる。また、この情報は電話回線6090等の伝送処理手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなど表示手段となるディスプレイ6081に表示もしくは光ディスク等の記録手段に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。また記録手段となるフィルムプロセッサ6100により記録媒体となるフィルム6110に記録することもできる。"