複数の画素電極および該複数の画素電極の各々に対応するスイッチング素子が設けられた第1基板と、該第1基板に対向配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に設けられた電気光学物質層と、を有し、前記第1基板および前記第2基板のうちの一方の基板は、透光性基板であって、前記複数の画素電極において隣り合う画素電極の間に向けて開口する中空の溝と、該溝の開口部を塞ぐ透光性絶縁膜と、が設けられていることを特徴とする電気光学装置。前記透光性絶縁膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。前記溝は、前記第2基板に設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置。前記画素電極および前記第1基板は、透光性を有していることを特徴とする請求項3に記載の電気光学装置。前記溝は、側面が前記隣り合う画素電極の間に向けて傾斜した断面V字形状を有していることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の電気光学装置。前記溝は、内部が真空状態にあることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項に記載の電気光学装置。前記透光性絶縁膜の前記溝とは反対側の面が連続した平坦面になっていることを特徴とする請求項1乃至6の何れか一項に記載の電気光学装置。前記透光性絶縁膜の前記溝と反対側の面には平坦化膜が積層されていることを特徴とする請求項1乃至6の何れか一項に記載の電気光学装置。前記透光性絶縁膜の一部は、前記溝の一部を埋めていることを特徴とする請求項1乃至8の何れか一項に記載の電気光学装置。複数の画素電極および該複数の画素電極の各々に対応するスイッチング素子が設けられた第1基板と、該第1基板に対向配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に設けられた電気光学物質層と、を有する電気光学装置の製造方法であって、前記第1基板および前記第2基板のうちの一方の基板は、透光性基板であって、当該一方の基板に、前記複数の画素電極において隣り合う画素電極の間に向けて開口する溝を形成する溝形成工程と、前記溝の開口部を塞ぐ透光性絶縁膜を成膜して前記溝内を中空状態とする透光性絶縁膜形成工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。前記透光性絶縁膜形成工程では、シランガスを用いたCVD法により前記透光性絶縁膜としてシリコン酸化膜を形成することを特徴とする請求項10に記載の電気光学装置の製造方法。請求項1乃至9の何れか一項に記載の電気光学装置を用いた投射型表示装置であって、前記一方の基板から前記電気光学装置に入射する光を出射する光源部と、前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、を有していることを特徴とする投射型表示装置。しかしながら、溝を中空にするにあたって、特許文献1に記載の技術のように、溝が形成された防塵ガラスにカバーガラスを接着剤により貼り付ける構成では、生産性が極めて低いという問題点がある。以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、透光性基板に形成した中空の溝の開口部を高い生産性をもって塞ぐことのできる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および投射型表示装置を提供することにある。上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、複数の画素電極および該複数の画素電極の各々に対応するスイッチング素子が設けられた第1基板と、該第1基板に対向配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に設けられた電気光学物質層と、を有し、前記第1基板および前記第2基板のうちの一方の基板は、透光性基板であって、前記複数の画素電極において隣り合う画素電極の間に向けて開口する中空の溝と、該溝の開口部を塞ぐ透光性絶縁膜と、が設けられていることを特徴とする。本発明において、第1基板および前記第2基板のうちの一方の基板は、透光性基板であって、かかる透光性基板には、複数の画素電極において隣り合う画素電極の間に向けて開口する中空の溝が形成されている。また、溝の開口部は透光性絶縁膜によって塞がれている。このため、中空の溝の側面は、溝内の媒質空気や真空と透光性基板の媒質との屈折率の差に起因する反射面となる。従って、溝が形成された透光性基板に入射した光のうち、画素電極の間に向かおうとする光を溝の側面で反射し、画素電極に向かわせることができるので、表示等に寄与する光の比率が高い。また、溝の開口部を塞ぐにあたって、本発明では、透光性絶縁膜を利用するため、透光性絶縁膜を成膜するだけで溝の開口部を塞ぐことができる。それ故、カバーガラスを接着して開口部を塞ぐ場合と比較して、生産性が高い。また、溝の開口部を透光性絶縁膜により塞ぐので、透光性絶縁膜に向かって進行した光が画素電極に向かおうとするのを妨げることがない。本発明において、前記透光性絶縁膜は、シリコン酸化膜であることが好ましい。シリコン酸化膜であれば、透光性基板としてガラス基板や石英基板を用いた場合でも、透光性絶縁膜と透光性基板との界面で不要な反射が発生しない。このため、透光性絶縁膜に向かって進行した光が画素電極に向かおうとするのを妨げることがない。また、シリコン酸化膜であれば、各種成膜方法を採用することができるので、成膜方法のうち、段差被覆性の低い成膜方法を採用することにより、溝の奥まで透光性絶縁膜が形成されることを防止することができる。それ故、溝において反射面として機能する側面の面積を広くすることができきる。本発明において、前記溝は、前記第2基板に設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、第2基板の側から光が入射する構成を採用することができ、スイッチング素子に光が入射しにくいという利点がある。この場合、前記画素電極および前記第1基板が透光性を有している構成とすれば、透過型の電気光学装置を構成することができる。本発明において、前記溝は、側面が前記隣り合う画素電極の間に向けて傾斜した断面V字形状を有していることが好ましい。かかる構成によれば、画素電極の間に向かおうとする光を溝の側面で反射し、画素電極に効率よく向かわせることができる。本発明において、前記溝は、内部が真空状態にあることが好ましい。かかる構成によれば、中空の溝の側面を反射率の高い反射面とすることができる。また、溝の内部が真空状態にある構成であれば、溝の開口部を透光性絶縁膜で塞ぐ際、真空雰囲気中で成膜すればよいという利点がある。本発明において、前記透光性絶縁膜の前記溝とは反対側の面が連続した平坦面になっていることが好ましい。本発明において、前記透光性絶縁膜の前記溝と反対側の面には平坦化膜が積層されている構成を採用してもよい。本発明において、前記透光性絶縁膜の一部は、前記溝の一部を埋めている構成を採用してもよい。かかる構成によれば、溝の開口部を塞ぐように透光性絶縁膜を成膜すればよい。また、本発明は、複数の画素電極および該複数の画素電極の各々に対応するスイッチング素子が設けられた第1基板と、該第1基板に対向配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に設けられた電気光学物質層と、を有する電気光学装置の製造方法であって、前記第1基板および前記第2基板のうちの一方の基板は、透光性基板であって、当該一方の基板に、前記複数の画素電極において隣り合う画素電極の間に向けて開口する溝を形成する溝形成工程と、前記溝の開口部を塞ぐ透光性絶縁膜を成膜して前記溝内を中空状態とする透光性絶縁膜形成工程と、を有することを特徴とする。本発明において、第1基板および前記第2基板のうちの一方の基板は、透光性基板であって、かかる透光性基板には、複数の画素電極において隣り合う画素電極の間に向けて開口する中空の溝が形成される。また、溝の開口部は透光性絶縁膜によって塞がれている。このため、中空の溝の側面は、溝内の媒質空気や真空と透光性基板の媒質との屈折率の差に起因する反射面となる。従って、溝が形成された透光性基板に入射した光のうち、画素電極の間に向かおうとする光を溝の側面で反射し、画素電極に向かわせることができるので、表示等に寄与する光の比率が高い。また、溝の開口部を塞ぐにあたって、本発明では、透光性絶縁膜を利用するため、透光性絶縁膜を成膜するだけで溝の開口部を塞ぐことができる。それ故、カバーガラスを接着して開口部を塞ぐ場合と比較して、生産性が高い。また、溝の開口部を透光性絶縁膜により塞ぐので、透光性絶縁膜に向かって進行した光が画素電極に向かおうとするのを妨げることがない。本発明において、前記透光性絶縁膜形成工程では、シランガスを用いたCVD法により前記透光性絶縁膜としてシリコン酸化膜を形成することが好ましい。かかる成膜方法であれば、段差被覆性が低いので、溝の奥まで透光性絶縁膜が形成されることを防止することができる。それ故、溝において反射面として機能する側面の面積を広くすることができる。また、シリコン酸化膜であれば、透光性基板としてガラス基板や石英基板を用いた場合でも、透光性絶縁膜と透光性基板との界面で不要な反射が発生しない。このため、透光性絶縁膜に向かって進行した光が画素電極に向かおうとするのを妨げることがない。本発明に係る電気光学装置を投射型表示装置に用いることが好ましく、この場合、投射型表示装置は、前記一方の基板から前記電気光学装置に入射する光を出射する光源部と、前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、を有している。投射型表示装置の場合には特に、入射光の利用効率が高いことが求められることから、本発明を電気光学装置に適用した場合の効果が顕著である。図面を参照して、本発明を適用した電気光学装置液晶装置を用いた投射型表示装置、電気光学装置、および電気光学装置の製造方法を説明する。また、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。[実施の形態1]投射型表示装置の構成図1を参照して、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置をライトバルブとして用いた投射型表示装置を説明する。図1は、本発明を適用した投射型表示装置の概略構成図である。図1において、投射型表示装置110は、観察者側に設けられたスクリーン111に光を照射し、このスクリーン111で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置110は、光源112を備えた光源部130と、ダイクロイックミラー113、114と、液晶ライトバルブ115~117電気光学装置100/液晶装置と、投射光学系118と、クロスダイクロイックプリズム119と、リレー系120とを備えている。光源112は、赤色光、緑色光及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー113は、光源112からの赤色光を透過させると共に緑色光及び青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー114は、ダイクロイックミラー113で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー113、114は、光源112から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。ここで、ダイクロイックミラー113と光源112との間には、インテグレーター121及び偏光変換素子122が光源112から順に配置されている。インテグレーター121は、光源112から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子122は、光源112からの光を例えばs偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。液晶ライトバルブ115は、ダイクロイックミラー113を透過して反射ミラー123で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置100である。液晶ライトバルブ115は、λ/2位相差板115a、第1偏光板115b、液晶パネル115c及び第2偏光板115dを備えている。ここで、液晶ライトバルブ115に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー113を透過しても光の偏光は変化しないことから、s偏光のままである。λ/2位相差板115aは、液晶ライトバルブ115に入射したs偏光をp偏光に変換する光学素子である。また、第1偏光板115bは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル115cは、p偏光を画像信号に応じた変調によってs偏光中間調であれば円偏光又は楕円偏光に変換する構成となっている。さらに、第2偏光板115dは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ115は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する構成となっている。なお、λ/2位相差板115a及び第1偏光板115bは、偏光を変換させない透光性のガラス板115eに接した状態で配置されており、λ/2位相差板115a及び第1偏光板115bが発熱によって歪むのを回避することができる。液晶ライトバルブ116は、ダイクロイックミラー113で反射した後にダイクロイックミラー114で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置100である。そして、液晶ライトバルブ116は、液晶ライトバルブ115と同様に、第1偏光板116b、液晶パネル116c及び第2偏光板116dを備えている。液晶ライトバルブ116に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー113、114で反射されて入射するs偏光である。第1偏光板116bは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル116cは、s偏光を画像信号に応じた変調によってp偏光中間調であれば円偏光又は楕円偏光に変換する構成となっている。そして、第2偏光板116dは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ116は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する構成となっている。液晶ライトバルブ117は、ダイクロイックミラー113で反射し、ダイクロイックミラー114を透過した後でリレー系120を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置100である。そして、液晶ライトバルブ117は、液晶ライトバルブ115、116と同様に、λ/2位相差板117a、第1偏光板117b、液晶パネル117c及び第2偏光板117dを備えている。ここで、液晶ライトバルブ117に入射する青色光は、ダイクロイックミラー113で反射してダイクロイックミラー114を透過した後にリレー系120の後述する2つの反射ミラー125a、125bで反射することから、s偏光となっている。λ/2位相差板117aは、液晶ライトバルブ117に入射したs偏光をp偏光に変換する光学素子である。また、第1偏光板117bは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル117cは、p偏光を画像信号に応じた変調によってs偏光中間調であれば円偏光又は楕円偏光に変換する構成となっている。さらに、第2偏光板117dは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ117は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する構成となっている。なお、λ/2位相差板117a及び第1偏光板117bは、ガラス板117eに接した状態で配置されている。リレー系120は、リレーレンズ124a、124bと反射ミラー125a、125bとを備えている。リレーレンズ124a、124bは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ124aは、ダイクロイックミラー114と反射ミラー125aとの間に配置されている。また、リレーレンズ124bは、反射ミラー125a、125bの間に配置されている。反射ミラー125aは、ダイクロイックミラー114を透過してリレーレンズ124aから出射した青色光をリレーレンズ124bに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー125bは、リレーレンズ124bから出射した青色光を液晶ライトバルブ117に向けて反射するように配置されている。クロスダイクロイックプリズム119は、2つのダイクロイック膜119a、119bをX字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜119aは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜119bは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。したがって、クロスダイクロイックプリズム119は、液晶ライトバルブ115~117のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系118に向けて出射するように構成されている。なお、液晶ライトバルブ115、117からクロスダイクロイックプリズム119に入射する光はs偏光であり、液晶ライトバルブ116からクロスダイクロイックプリズム119に入射する光はp偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム119に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム119において各液晶ライトバルブ115~117から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜119a、119bはs偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜119a、119bで反射される赤色光及び青色光をs偏光とし、ダイクロイック膜119a、119bを透過する緑色光をp偏光としている。投射光学系118は、投影レンズ図示略を有しており、クロスダイクロイックプリズム119で合成された光をスクリーン111に投射するように構成されている。このように構成した投射型表示装置110においては、光源112から出射された光の利用効率が高いことが求められることから、液晶ライトバルブ115~117としての電気光学装置100については以下に説明する構成が採用されている。電気光学装置100の全体構成図2は、図1に示した投射型表示装置において液晶ライトバルブ電気光学装置100/液晶装置に用いた液晶パネルの基本構成を示す説明図であり、図2a、bは、液晶パネルの基本的な構造を模式的に示す説明図、および電気光学装置100の電気的構成を示すブロック図である。なお、図1に示す液晶ライトバルブ115~117および液晶パネル115c~117cは、変調する光の波長領域が異なるだけであり、基本的構成が共通するので、液晶ライトバルブ115~117を電気光学装置100とし、液晶パネル115c~117cを液晶パネル100pとして説明する。図2aに示すように、電気光学装置100は、TNTwistedNematicモードやVAVerticalAlignmentモードの液晶パネル100pを有している。液晶パネル100pは、第1基板10と、この第1基板10に対向する第2基板20とを備えており、第2基板20の側から入射した光を変調して第1基板10の側から出射する透過型の液晶パネルである。第1基板10と第2基板20とは、シール材図示せずを介して貼り合わされて対向しており、シール材の内側領域には液晶層50が保持されている。詳しくは後述するが、第1基板10において第2基板20と対向する面側には島状の画素電極9a等が形成され、第2基板20において第1基板10と対向する面側には、その略全面に共通電極21が形成されている。図2bに示すように、本形態の電気光学装置100において、液晶パネル100pは、その中央領域に複数の画素100aがマトリクス状に配列された画像表示領域10a画素領域を備えている。液晶パネル100pにおいて、第1基板10図2等を参照では、画像表示領域10aの内側で複数本のデータ線6aおよび複数本の走査線3aが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素100aが構成されている。複数の画素100aの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター30スイッチング素子、および画素電極9a図2等を参照が形成されている。画素トランジスター30のソースにはデータ線6aが電気的に接続され、画素トランジスター30のゲートには走査線3aが電気的に接続され、画素トランジスター30のドレインには、画素電極9aが電気的に接続されている。第1基板10において、画像表示領域10aより外周側には走査線駆動回路104やデータ線駆動回路101が設けられている。データ線駆動回路101は各データ線6aに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線6aに順次供給する。走査線駆動回路104は、各走査線3aに電気的に接続しており、走査信号を各走査線3aに順次供給する。各画素100aにおいて、画素電極9aは、第2基板20に形成された共通電極21図2等を参照と液晶層50を介して対向し、液晶容量50aを構成している。また、各画素100aには、液晶容量50aで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量50aと並列に蓄積容量55が付加されている。本形態では、蓄積容量55を構成するために、複数の画素100aに跨る第1電極層5aが容量電極層として形成されている。本形態において、第1電極層5aは、共通電位Vcomが印加された共通電位線5cに導通している。電気光学装置100の具体的構成例図3は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置100に用いた液晶パネル100pの具体的構成例を示す説明図であり、図3a、bは各々、液晶パネル100pを各構成要素と共に第2基板の側から見た平面図、およびそのH-H′断面図である。図3a、bに示すように、液晶パネル100pでは、第1基板10と第2基板20とが所定の隙間を介してシール材107によって貼り合わされており、シール材107は第2基板20の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材107は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。かかる構成の液晶パネル100pにおいて、第1基板10および第2基板20はいずれも四角形であり、液晶パネル100pの略中央には、図2を参照して説明した画像表示領域10aが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材107も略四角形に設けられ、シール材107の内周縁と画像表示領域10aの外周縁との間には、略四角形の周辺領域10bが額縁状に設けられている。第1基板10において、画像表示領域10aの外側では、第1基板10の一辺に沿ってデータ線駆動回路101および複数の端子102が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路104が形成されている。なお、端子102には、フレキシブル配線基板図示せずが接続されており、第1基板10には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。詳しくは後述するが、第1基板10の一方面10sおよび他方面10tのうち、一方面10s側では、画像表示領域10aに、図2bを参照して説明した画素トランジスター30、および画素トランジスター30に電気的に接続する画素電極9aがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極9aの上層側には配向膜19が形成されている。また、第1基板10の一方面10s側において、周辺領域10bには、画素電極9aと同時形成されたダミー画素電極9b図3b参照が形成されている。ダミー画素電極9bについては、ダミーの画素トランジスターと電気的に接続された構成、ダミーの画素トランジスターが設けられずに配線に直接、電気的に接続された構成、あるいは電位が印加されていないフロート状態にある構成が採用される。かかるダミー画素電極9bは、第1基板10において配向膜19が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域10aと周辺領域10bとの高さ位置を圧縮し、配向膜19が形成される面を平坦面にするのに寄与する。また、ダミー画素電極9bを所定の電位に設定すれば、画像表示領域10aの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止することができる。第2基板20の一方面20sおよび他方面20tのうち、第1基板10と対向する一方面20s側には共通電極21が形成されており、共通電極21の上層には配向膜29が形成されている。共通電極21は、第2基板20の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素100aに跨って形成されている。本形態において、共通電極21は、第2基板20の略全面に形成されている。また、第2基板20の一方面20s側には、画像表示領域10aの外周縁に沿って額縁状の遮光層108が形成されており、かかる遮光層108は、見切りとして機能する。ここで、遮光層108の外周縁は、シール材107の内周縁との間に隙間を隔てた位置にあり、遮光層108とシール材107とは重なっていない。このように構成した液晶パネル100pにおいて、第1基板10には、シール材107より外側において第2基板20の角部分と重なる領域に、第1基板10と第2基板20との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極109が形成されている。かかる基板間導通用電極109には、導電粒子を含んだ基板間導通材109aが配置されており、第2基板20の共通電極21は、基板間導通材109aおよび基板間導通用電極109を介して、第1基板10側に電気的に接続されている。このため、共通電極21は、第1基板10の側から共通電位Vcomが印加されている。シール材107は、略同一の幅寸法をもって第2基板20の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材107は、略四角形である。但し、シール材107は、第2基板20の角部分と重なる領域では基板間導通用電極109を避けて内側を通るように設けられており、シール材107の角部分は略円弧状である。かかる構成の電気光学装置100において、画素電極9aおよび共通電極21をITOやIZO等の透光性の導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。これに対して、共通電極21をITOIndiumTinOxideやIZOIndiumZincOxide等の透光性導電膜により形成し、画素電極9aをアルミニウム等の反射性導電膜により形成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。電気光学装置100が反射型である場合、第2基板20の側から入射した光が第1基板10の側の基板で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。電気光学装置100が透過型である場合、第1基板10および第2基板20のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。電気光学装置100は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、第2基板20には、カラーフィルター図示せずや保護膜が形成される。また、電気光学装置100では、使用する液晶層50の種類や、ノーマリホワイトモード/ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差フィルムや偏光板等が液晶パネル100pに対して所定の向きに配置される。本形態において、電気光学装置100は、図1を参照して説明した投射型表示装置液晶プロジェクターにおいて、RGB用のライトバルブとして用いられている。この場合、RGB用の各電気光学装置100の各々には、RGB色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。以下、電気光学装置100が透過型の液晶装置であって、第2基板20から入射した光が第1基板10を透過して出射される場合を中心に説明する。また、本形態において、電気光学装置100は、液晶層50として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたVAモードの液晶パネル100pを備えている場合を中心に説明する。画素の具体的構成図4は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置100の画素の説明図であり、図4a、bは各々、第1基板10において隣り合う画素の平面図、および図4aのF-F′線に相当する位置で電気光学装置100を切断したときの断面図である。なお、図4aでは、各領域を以下の線で表してある。走査線3a=太い実線半導体層1a=細くて短い点線データ線6aおよびドレイン電極6b=一点鎖線第1電極層5aおよび中継電極5b=細くて長い破線第2電極層7a=二点鎖線画素電極9a=太くて短い破線図4aに示すように、第1基板10には、複数の画素100aの各々に矩形状の画素電極9aが形成されており、隣り合う画素電極9aにより挟まれた縦横の画素間領域10fと重なる領域に沿ってデータ線6aおよび走査線3aが形成されている。より具体的には、画素間領域10fのうち、走査線3aに沿って延在する第1画素間領域10gと重なる領域に沿って走査線3aが延在し、データ線6aに沿って延在する第2画素間領域10hと重なる領域に沿ってデータ線6aが延在している。データ線6aおよび走査線3aは各々、直線的に延びており、データ線6aと走査線3aとが交差する領域に画素トランジスター30が形成されている。第1基板10には、データ線6aと重なるように、図2bを参照して説明した第1電極層5a容量電極層が形成されている。図4a、bに示すように、第1基板10は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体10w、基板本体10wの液晶層50側の表面一方面10s側に形成された画素電極9a、画素スイッチング用の画素トランジスター30、および配向膜19を主体として構成されている。第2基板20は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体20w、その液晶層50側の表面第1基板10と対向する一方面20s側に形成された共通電極21、および配向膜29を主体として構成されている。第1基板10において、基板本体10wの一方面10s側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる走査線3aが形成されている。本形態において、走査線3aは、タングステンシリサイドWSi等の遮光性導電膜から構成されており、画素トランジスター30に対する遮光膜としても機能している。本形態において、走査線3aは、厚さが200nm程度のタングステンシリサイドからなる。なお、基板本体10wと走査線3aとの間には、シリコン酸化膜等の絶縁膜が設けられることもある。基板本体10wの一方面10s側において、走査線3aの上層側には、シリコン酸化膜等の絶縁膜12が形成されており、かかる絶縁膜12の表面に、半導体層1aを備えた画素トランジスター30が形成されている。本形態において、絶縁膜12は、例えば、テトラエトキシシランSiOC2H54を用いた減圧CVD法やテトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマCVD法等により形成したシリコン酸化膜と、高温CVD法により形成したシリコン酸化膜HTOHighTemperatureOxide膜との2層構造を有している。画素トランジスター30は、走査線3aとデータ線6aとの交差領域において走査線3aの延在方向に長辺方向を向けた半導体層1aと、半導体層1aの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層1aの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極3cとを備えている。また、画素トランジスター30は、半導体層1aとゲート電極3cとの間に透光性のゲート絶縁層2を有している。半導体層1aは、ゲート電極3cに対してゲート絶縁層2を介して対向するチャネル領域1gを備えているとともに、チャネル領域1gの両側にソース領域1bおよびドレイン領域1cを備えている。本形態において、画素トランジスター30は、LDD構造を有している。従って、ソース領域1bおよびドレイン領域1cは各々、チャネル領域1gの両側に低濃度領域1b1、1c1を備え、低濃度領域1b1、1c1に対してチャネル領域1gとは反対側で隣接する領域に高濃度領域1b2、1c2を備えている。半導体層1aは、多結晶シリコン膜等によって構成されている。ゲート絶縁層2は、半導体層1aを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第1ゲート絶縁層2aと、CVD法等により形成されたシリコン酸化膜等からなる第2ゲート絶縁層2bとの2層構造からなる。ゲート電極3cは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなり、半導体層1aの両側において、第2ゲート絶縁層2bおよび絶縁膜12を貫通するコンタクトホール12a、12bを介して走査線3aに導通している。本形態において、ゲート電極3cは、膜厚が100nm程度の導電性のポリシリコン膜と、膜厚が100nm程度のタングステンシリサイド膜との2層構造を有している。なお、本形態では、電気光学装置100を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層1aに入射して画素トランジスター30で光電流に起因する誤動作が発生することを防止することを目的に、走査線3aを遮光膜により形成してある。但し、走査線をゲート絶縁層2の上層に形成し、その一部をゲート電極3cとしてもよい。この場合、図4に示す走査線3aは、遮光のみを目的として形成されることになる。ゲート電極3cの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜41が形成されており、層間絶縁膜41の上層には、データ線6aおよびドレイン電極6bが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜41は、例えば、シランガスSH4と亜酸化窒素N2Oとを用いたプラズマCVD法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。データ線6aおよびドレイン電極6bは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる。本形態において、データ線6aおよびドレイン電極6bは、膜厚が20nmのチタンTi膜、膜厚が50nmの窒化チタンTiN膜、膜厚が350nmのアルミニウムAl膜、膜厚が150nmのTiN膜をこの順に積層してなる4層構造を有している。データ線6aは、層間絶縁膜41および第2ゲート絶縁層2bを貫通するコンタクトホール41aを介してソース領域1bデータ線側ソースドレイン領域に導通している。ドレイン電極6bは、第1画素間領域10gと重なる領域において、半導体層1aのドレイン領域1c画素電極側ソースドレイン領域と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜41および第2ゲート絶縁層2bを貫通するコンタクトホール41bを介してドレイン領域1cに導通している。データ線6aおよびドレイン電極6bの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜42が形成されている。層間絶縁膜42は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマCVD法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。層間絶縁膜42の上層側には、第1電極層5aおよび中継電極5bが同一の導電膜によって形成されている。第1電極層5aおよび中継電極5bは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる。本形態において、第1電極層5aおよび中継電極5bは、膜厚が200nm程度のAl膜と、膜厚が100nm程度のTiN膜との2層構造を有している。第1電極層5aは、データ線6aと同様、第2画素間領域10hと重なる領域に沿って延在している。中継電極5bは、第1画素間領域10gと重なる領域において、ドレイン電極6bと一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜42を貫通するコンタクトホール42aを介してドレイン電極6bに導通している。第1電極層5aおよび中継電極5bの上層側にはシリコン酸化膜等の層間絶縁膜44がエッチングストッパー層として形成されており、かかる層間絶縁膜44には、第1電極層5aと重なる領域に開口部44bが形成されている。本形態において、層間絶縁膜44は、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマCVD法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。ここで、開口部44bは、図4aでは図示を省略するが、データ線6aと走査線3aとの交差領域を起点として第1画素間領域10gと重なる領域に沿って延在する部分と、データ線6aと走査線3aとの交差領域を起点として第2画素間領域10hと重なる領域に沿って延在する部分とを備えたL字形状に形成されている。層間絶縁膜44の上層側には透光性の誘電体層40が形成されており、かかる誘電体層40の上層側には第2電極層7aが形成されている。第2電極層7aは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる。本形態において、第2電極層7aは、膜厚が100nm程度のTiN膜からなる。誘電体層40としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。第2電極層7aは、データ線6aと走査線3aとの交差領域を起点として第1画素間領域10gと重なる領域に沿って延在する部分と、データ線6aと走査線3aとの交差領域を起点として第2画素間領域10hと重なる領域に沿って延在する部分とを備えたL字形状に形成されている。従って、第2電極層7aのうち、第2画素間領域10hと重なる領域に沿って延在する部分は、層間絶縁膜44の開口部44bにおいて、誘電体層40を介して第1電極層5aに重なっている。このようにして、本形態では、第1電極層5a、誘電体層40、および第2電極層7aは、第1画素間領域10gと重なる領域に蓄積容量55を構成している。また、第2電極層7aにおいて、第1画素間領域10gと重なる領域に沿って延在する部分は、中継電極5bと部分的に重なっており、誘電体層40および層間絶縁膜44を貫通するコンタクトホール44aを介して中継電極5bに導通している。第2電極層7aの上層側には透光性の層間絶縁膜45が形成されており、層間絶縁膜45の上層側には、厚さが140nm程度のITO膜等の透光性導電膜からなる画素電極9aが形成されている。画素電極9aは、データ線6aと走査線3aとの交差領域の近傍で第2電極層7aと部分的に重なっており、層間絶縁膜45を貫通するコンタクトホール45aを介して第2電極層7aに導通している。画素電極9aの表面には配向膜19が形成されている。配向膜19は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜19は、SiOXx<2、SiO2、TiO2、MgO、Al2O3、In2O3、Sb2O3、Ta2O5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜垂直配向膜である。第2基板20では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体20wの液晶層50側の表面第1基板10に対向する側の面に、ITO膜等の透光性導電膜からなる共通電極21が形成されており、かかる共通電極21を覆うように配向膜29が形成されている。配向膜29は、配向膜19と同様、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜29は、SiOXx<2、SiO2、TiO2、MgO、Al2O3、In2O3、Sb2O3、Ta2O5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜垂直配向膜である。かかる配向膜19、29は、液晶層50に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を垂直配向させ、液晶パネル100pは、ノーマリブラックのVAモードとして動作する。第2基板20の詳細構成図5は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置100の第2基板20に形成した反射部の説明図であり、図5a、bは、第2基板20の断面図、および反射部の平面構成を示す説明図である。なお、図5aでは、第1基板10側の配向膜19等の図示を省略してある。図5a、bに示すように、本形態の電気光学装置100においては、第2基板20の側から入射した光を液晶層50によって画素毎に光変調した後、第1基板10から出射する。このため、入射光を効率よく利用するには、入射光を画素電極9aに効率よく導く必要がある。そこで、本形態では、第2基板20の側から入射した光のうち、画素電極9aの間画素間領域10fに向かおうとする光を画素電極9aに向けて反射する反射部26が形成されている。本形態において、反射部26は、透光性基板からなる基板本体20wにおいて、画素電極9aの間画素間領域10fに平面視で重なる位置に形成された溝260を有しており、かかる溝260は、基板本体20wの一方面20sにおいて、画素間領域10fに向けて開口している。本形態において、溝260の相対向する側面261、262は、画素間領域10fに向けて傾斜しており、溝260は、断面V字形状を有している。より具体的には、溝260は、側面261、262を一辺とする略二等辺三角形形状の断面を有しており、三角形形状の頂点は、画素間領域10fの幅方向の中心に位置している。また、溝260の幅寸法三角形形状の底辺の長さは、画素間領域10fの幅寸法と略同一寸法、あるいはやや幅広に設定されている。本形態において、溝260の開口部265は、基板本体20wの一方面20s側に形成された透光性絶縁膜27で塞がれている。本形態において、透光性絶縁膜27はシリコン酸化膜からなる。透光性絶縁膜27は、基板本体20wの一方面20sにも形成されており、かかる透光性絶縁膜27の表面270に共通電極21が形成されている。ここで、透光性絶縁膜27の表面270は平坦面になっている。このため、共通電極21は平坦面上に形成されている。ここで、透光性絶縁膜27は、溝260の開口部265側で溝260の一部を埋めるようにして開口部265を塞いでいるが、溝260の内部までは形成されていない。このため、溝260は中空状態にあり、本形態において溝260の内部は真空状態にある。従って、溝260の内部の媒質真空の屈折率と、基板本体20wの媒質ガラス等の屈折率とを比較すると、以下の関係溝260内部の屈折率<基板本体20wの屈折率にある。このため、溝260の側面261、262は反射面として機能する。また、基板本体20wの屈折率をn11とし、溝260内部の屈折率をn12とし、側面261、262の法線に対する光の入射角度をθ0とした場合、n11>n12であって、かつ、n11、n12、θ0が以下の式sinθ0>n12/n11を満たせば、側面261、262では全反射が起こる。反射部26の作用効果このように構成した電気光学装置100では、図1を参照して説明した光源部130からは様々な入射角度の光が入射し、かかる入射光のうち、画素電極9aに向かう光は、矢印L1で示すように、そのまま進行する。また、矢印L2で示すように、画素電極9aから外れた方向画素間領域10fに向かう方向に向かう光については、矢印L3で示すように、溝260の側面261、262で反射させ、画素電極9aに向かわせる。ここで、溝260は、側面261、262を一辺とする略二等辺三角形形状の断面を有しており、三角形形状の頂点は、画素間領域10fの幅方向の中心に位置している。また、溝260の幅寸法は、画素間領域10fの幅寸法と略同一寸法、あるいはやや幅広に設定されている。このため、画素電極9aから大きく外れた方向に向かう光についても画素電極9aに向けて反射し、有効に利用することができる。なお、側面261、262の傾きについては、特開2006-215427号公報に開示されているように、例えば、基板本体20wの基板面に対する法線となす角度が10°以下、さらには3°以下になるように設定される。かかる構成によれば、側面261、262で光を反射した際、光線角度の増大を低減しながら入射光を偏向することができるとともに、入射光を、例えば、Fナンバーが2.5である投射光学系図1参照で十分取り込むことが可能な光線角度の光に変換することができる。それ故、コントラストの向上および入射光の利用効率の向上を図ることができる。第2基板20の製造方法図6を参照して、電気光学装置100の製造工程のうち、反射部26を製造する工程を説明する。図6は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置100の製造方法を示す説明図である。図7は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置100の製造方法において、テトラエトキシシランを用いた減圧CVD法により透光性絶縁膜27を形成したときの説明図である。なお、図6および図7では、図5とは反対に第2基板20の一方面20sを上向きに表してある。本形態の第2基板20を製造するには、溝形成工程において、まず、図6aに示すように、基板本体20wの一方面20sに、フォトリソグラフィ技術を利用して、厚さが5~10μmのマスク269を形成する。次に、基板本体20wに対してドライエッチングを行なう。かかるドライエッチングには、高密度プラズマを形成可能なICPドライエッチング装置を用い、基板本体20wとマスクとのエッチング選択比を例えば4以上:1とする。その結果、図6bに示すように、マスク269の厚みに対して4倍以上の深さを有する断面V字形状の溝260が形成される。次に、透光性絶縁膜形成工程において、溝260の開口部265を塞ぐ透光性絶縁膜27を成膜して溝260内を中空状態とする。本形態では、シランガスSH4と亜酸化窒素N2Oとを用いたプラズマCVD法等により、シリコン酸化膜からなる透光性絶縁膜27を形成する。かかる成膜条件は、カバレッジ性が低く、透光性絶縁膜27は、溝260の開口縁から張り出すように成膜される。このため、透光性絶縁膜27は、開口部265を塞いだ時点で溝260の開口部265側を部分的に埋めるように形成されるが、溝260の内部までは形成されていない。このため、溝260は中空状態となる。また、本形態では、真空雰囲気で成膜を行うため、溝260の内部は真空状態となる。なお、透光性絶縁膜27を形成するにあたっては、テトラエトキシシランを用いた減圧CVD法等を採用してもよい。但し、テトラエトキシシランを用いた減圧CVD法は、カバレッジ性に優れているため、図7に示すように、透光性絶縁膜27は、溝260の内部にまで形成され、側面261、262のうち、反射面として機能する面積が狭い。従って、透光性絶縁膜27を形成するにあたっては、シランガスを用いたプラズマCVD法を採用することが好ましい。例えば、深さが25μmの溝260を形成した場合、テトラエトキシシランを用いて透光性絶縁膜27を形成すると、溝260の中空部分の最大幅は650nmであるが、シランガスを用いて溝260を形成すると、溝260の中空部分の最大幅は1100nmである。次に、本形態では、透光性絶縁膜27の表面270を研磨し、表面270を平坦化する。かかる研磨工程において、本形態では、化学機械研磨を行なう。この化学機械研磨では、研磨液に含まれる化学成分の作用と、研磨剤と第2基板20基板本体20wとの相対移動によって、高速で平滑な研磨面を得ることができる。より具体的には、研磨装置において、不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等からなる研磨布パッドを貼り付けた定盤と、第2基板20を保持するホルダとを相対回転させながら、研磨を行なう。その際、例えば、平均粒径が0.01~20μmの酸化セリウム粒子、分散剤としてのアクリル酸エステル誘導体、および水を含む研磨剤を研磨布と第2基板20との間に供給する。しかる後には、図5aに示すように、透光性絶縁膜27の表面270に共通電極21および配向膜29を順次形成し、第2基板20を得る。本形態の主な効果以上説明したように、本形態の電気光学装置100では、第1基板10および第2基板20のうち、第2基板20には、画素電極9aの間画素間領域10fに向けて開口する中空の溝260が形成されており、かかる溝260の開口部265は透光性絶縁膜27によって塞がれている。このため、中空の溝260の側面261、262は、溝260内の媒質真空と第2基板20の媒質との屈折率の差に起因する反射面となる。従って、第2基板20に入射した光のうち、画素間領域10fに向かおうとする光を溝260の側面261、262で反射し、画素電極9aに向かわせることができるので、表示等に寄与する光の比率が高い。また、溝260の開口部265を塞ぐにあたって、本形態では、透光性絶縁膜27を利用するため、透光性絶縁膜27を成膜するだけで溝260の開口部265を塞ぐことができる。それ故、カバーガラスを接着して開口部を塞ぐ場合と比較して、生産性が高い。また、溝260の開口部265を透光性絶縁膜27により塞ぐので、透光性絶縁膜27に向かって進行した光が画素電極9aに向かおうとするのを妨げることがない。また、透光性絶縁膜27は、シリコン酸化膜である。かかるシリコン酸化膜であれば、第2基板20の基板本体20wにガラス基板や石英基板を用いた場合でも、透光性絶縁膜27と基板本体20wとの界面で不要な反射が発生しない。このため、透光性絶縁膜27に向かって進行した光が画素電極9aに向かおうとするのを妨げることがない。また、シリコン酸化膜であれば、各種成膜方法を採用することができるので、成膜方法のうち、段差被覆性の低い成膜方法を採用することにより、溝260の奥まで透光性絶縁膜27が形成されることを防止することができる。それ故、溝260において反射面として機能する側面261、262の面積を広くすることができる。また、溝260は、側面261、262が画素間領域10fに向けて傾斜した断面V字形状を有している。このため、画素間領域10fに向かおうとする光を溝260の側面261、262で反射し、画素電極9aに効率よく向かわせることができる。また、溝260は、内部が真空状態にあるため、側面261、262を反射率の高い反射面とすることができる。また、溝260の内部が真空状態にある構成であれば、溝260の開口部265を透光性絶縁膜27で塞ぐ際、真空雰囲気中で成膜すればよいという利点がある。また、本形態において、溝260は、第2基板20に設けられている。このため、第2基板20の側から光が入射する構成を採用することができ、画素トランジスター30に光が入射しにくいという利点がある。さらに、透光性絶縁膜27の溝260とは反対側の面表面270が平坦面になっているため、共通電極21を平坦面上に形成することができる。[実施の形態2]図8は、本発明の実施の形態2に係る電気光学装置100の説明図であり、図8a、b、cは、透光性絶縁膜27の形成工程、平坦化膜28の形成工程、および第2基板20等の断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。また、図8a、bでは、図8cとは反対に第2基板20の一方面20sを上向きに表してある。上記実施の形態1では、溝260の開口部265を塞ぐ透光性絶縁膜27の表面を平坦化したが、図8を参照して以下に説明するように、透光性絶縁膜27の表面に平坦化膜28を形成し、平坦化膜28の表面280に共通電極21および配向膜29を形成してもよい。より具体的には、図8aに示す透光性絶縁膜形成工程において、溝260の開口部265を塞ぐ透光性絶縁膜27を成膜して溝260の内部を中空状態にした後、図8bに示すように、透光性絶縁膜27の表面に、テトラエトキシシランを用いた減圧CVD法等により絶縁膜28aを成膜し、しかる後に、絶縁膜28aの表面を一点鎖線で示す位置まで研磨して平坦化膜28を形成する。そして、図8cに示すように、平坦化膜28の表面280に共通電極21および配向膜29を順次形成する。かかる形態でも、実施の形態1と同様、第2基板20に入射した光のうち、画素間領域10fに向かおうとする光を溝260の側面261、262で反射し、画素電極9aに向かわせることができるので、表示等に寄与する光の比率が高い。また、共通電極21を平坦面上に形成することができる等、実施の形態1と同様な効果を奏する。[他の実施の形態]上記実施の形態1、2では、第2基板20の側から光が入射するので、反射部26溝260を第2基板20の基板本体20wに形成したが、第1基板10の側から光が入射する場合、第1基板10の基板本体10wに反射部26溝260を形成するのに本発明を適用してもよい。上記実施の形態1、2では、第1基板10および画素電極9aが透光性を有している場合であったが、画素電極9aを反射性金属膜から構成した反射型の電気光学装置100に本発明を適用してもよい。上記実施の形態1、2では、溝260の内部が真空であったが、空気等が充填されている構成であってもよい。図1には、ライトバルブを3枚用いた投射型表示装置110を例示したが、電気光学装置100がカラーフィルターを内蔵している場合や、各色の光が順次、一枚の電気光学装置100に入射するような投射型表示装置に用いる電気光学装置100に本発明を適用してもよい。また、上記形態では、電気光学装置として、投射型表示装置に用いる透過型の電気光学装置100を例示したが、バックライト装置から出射された光を入射光として画像を表示する直視型の電気光学装置100に本発明を適用してもよい。さらに、上記形態では、電気光学装置100として液晶装置を例に説明したが、自発光素子から出射された変調光によって画像表示面で画像を表示する電気光学装置において混色等を防止することを目的に反射部26溝260を形成する場合に本発明を適用してもよい。