基板表面に複数の電子回路が形成された半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、厚み方向に貫通し前記電子回路の回路電極に連通する貫通孔が複数形成された基板を、前記複数の電子回路が形成された表面が下方を向くように配置すると共に、表面において前記貫通孔に対応する位置に開口部が複数形成され、当該開口部から裏面に連通するめっき液の流通路が複数形成され、且つ裏面において前記流通路に対応する位置から前記流通路の内部を通って前記開口部まで延伸する電極が複数設けられたテンプレートを用い、前記基板の裏面と前記テンプレートの表面が対向するように、前記テンプレートを配置する配置工程と、その後、前記流通路から前記貫通孔内にめっき液を供給すると共に、前記回路電極を陰極とし、且つ前記電極を陽極として、前記回路電極と前記電極との間に電圧を印加し、前記貫通孔内において、前記回路電極と前記電極に接続される貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、その後、前記回路電極と前記電極との間に電圧を印加し、前記電子回路の電気的試験を行う回路試験工程と、を有する。請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、前記基板の裏面と前記テンプレートの表面には、それぞれ疎水化処理が施されている。請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、前記テンプレートの裏面側にはポンプが設けられ、前記貫通電極形成工程において、前記ポンプを稼動させ、前記流通路から前記貫通孔にめっき液を圧送すると共に、前記流通路と前記貫通孔との間でめっき液を循環させる。請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、前記電極は、前記流通路の内側面に沿って設けられている。請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、前記電極は、前記流通路内の中心部を挿通し、前記開口部から突出している。請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、前記貫通電極形成工程において、前記貫通電極と前記電極が接触する際、前記基板と前記テンプレートとの間に荷重をかけて、前記貫通電極と前記電極とを接続する。請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、前記貫通電極形成工程において、前記貫通電極と前記電極が接触する際、前記貫通電極と前記電極との間に電圧を印加して、前記貫通電極と前記電極とを溶着して接続する。請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、前記貫通電極形成工程において、前記貫通電極と前記電極が接触する際、前記貫通電極と前記電極との間に電圧を印加せずにめっきして、前記貫通電極と前記電極とを接続する。請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、前記回路試験工程において、前記流通路内に純水が充填された状態で、前記電子回路の電気的試験を行う。所定の製造方法を用いて製造される半導体装置であって、前記所定の製造方法は、厚み方向に貫通し前記電子回路の回路電極に連通する貫通孔が複数形成された基板を、前記複数の電子回路が形成された表面が下方を向くように配置すると共に、表面において前記貫通孔に対応する位置に開口部が複数形成され、当該開口部から裏面に連通するめっき液の流通路が複数形成され、且つ裏面において前記流通路に対応する位置から前記流通路の内部を通って前記開口部まで延伸する電極が複数設けられたテンプレートを用い、前記基板の裏面と前記テンプレートの表面が対向するように、前記テンプレートを配置する配置工程と、その後、前記流通路から前記貫通孔内にめっき液を供給すると共に、前記回路電極を陰極とし、且つ前記電極を陽極として、前記回路電極と前記電極との間に電圧を印加し、前記貫通孔内において、前記回路電極と前記電極に接続される貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、その後、前記回路電極と前記電極との間に電圧を印加し、前記電子回路の電気的試験を行う回路試験工程と、を有する。しかしながら、上述のように半導体装置を製造する際、貫通孔内に金属を埋め込むめっき工程、化学機械研磨を行うCMP工程、ウェハ上の電子回路の電気的試験を行うプロービング工程が別々の装置で行われているため、これら装置のコストが掛かり、半導体装置の製造コストを低廉化することが困難であった。また、これらめっき工程、CMP工程、プロービング工程が別々の装置で行われるため、これら装置間でウェハの搬送を行う必要があり、半導体装置の製造工程のスループットに改善の余地があった。さらに、プロービング工程において、プローブピンをウェハ上の電極に接触させる際、当該プローブピンと電極が圧接するようにオーバードライブがかけられる。そして、電極上の酸化膜が削り取られ、プローブピンと電極との導電性が確保される。このようにプロービング工程では、大きな荷重をかけることが必要となるため、プローブ装置が大掛かりなものとなる。このことも、半導体装置の製造コストが高価格になる要因となっていた。本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、半導体装置の製造コストを低廉化しつつ、その製造工程のスループットを向上させることを目的とする。前記の目的を達成するため、本発明は、基板表面に複数の電子回路が形成された半導体装置を製造する方法において、厚み方向に貫通し前記電子回路の回路電極に連通する貫通孔が複数形成された基板を、前記複数の電子回路が形成された表面が下方を向くように配置すると共に、表面において前記貫通孔に対応する位置に開口部が複数形成され、当該開口部から裏面に連通するめっき液の流通路が複数形成され、且つ裏面において前記流通路に対応する位置から前記流通路の内部を通って前記開口部まで延伸する電極が複数設けられたテンプレートを用い、前記基板の裏面と前記テンプレートの表面が対向するように、前記テンプレートを配置する配置工程と、その後、前記流通路から前記貫通孔内にめっき液を供給すると共に、前記回路電極を陰極とし、且つ前記電極を陽極として、前記回路電極と前記電極との間に電圧を印加し、前記貫通孔内において、前記回路電極と前記電極に接続される貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、その後、前記回路電極と前記電極との間に電圧を印加し、前記電子回路の電気的試験を行う回路試験工程と、を有する。本発明によれば、配置工程において、基板の貫通孔に対応する位置にテンプレートの開口部が位置するように、基板とテンプレートが配置される。また、テンプレートの開口部そのものは、例えば機械加工を行ったり、フォトリソグラフィー処理とエッチング処理を一括して行うことで、高い位置精度で形成できる。このため、その後貫通電極形成工程において、テンプレートの流通路から開口部を介して基板の貫通孔内に、めっき液を高い位置精度で適切に供給することができる。また、貫通電極形成工程では、基板の回路電極とテンプレートの電極との間に電圧を印加することで、貫通孔内のめっき液を反応させ、当該貫通孔内に金属を堆積させている。そして、貫通電極形成工程の最終段階では、堆積した金属とテンプレートの電極とが接触する直前に、基板の回路電極とテンプレートの電極との間の電位差がゼロになり、めっき液の反応が自動的に停止する。このため、余剰な貫通電極が形成されることが無く、従来のように金属の余剰部分を除去する化学機械研磨を行う必要がないため、半導体装置の製造コストを低廉化することができる。また、従来別々の装置で行っていた貫通電極形成工程と回路試験工程とを一連のプロセス中で行うことができるため、半導体装置の製造コストを低廉化できると共に、製造工程のスループットを向上させることができる。さらに、回路試験工程では、貫通電極で接続された回路電極と電極との間に電圧を印加することで電子回路の電気的試験を行うことができる。このため、従来のように大きな荷重をかける必要がなく、試験を行う装置を簡素化でき、半導体装置の製造コストをさらに低廉化することができる。別な観点による本発明は、所定の製造方法を用いて製造される半導体装置であって、前記所定の製造方法は、厚み方向に貫通し前記電子回路の回路電極に連通する貫通孔が複数形成された基板を、前記複数の電子回路が形成された表面が下方を向くように配置すると共に、表面において前記貫通孔に対応する位置に開口部が複数形成され、当該開口部から裏面に連通するめっき液の流通路が複数形成され、且つ裏面において前記流通路に対応する位置から前記流通路の内部を通って前記開口部まで延伸する電極が複数設けられたテンプレートを用い、前記基板の裏面と前記テンプレートの表面が対向するように、前記テンプレートを配置する配置工程と、その後、前記流通路から前記貫通孔内にめっき液を供給すると共に、前記回路電極を陰極とし、且つ前記電極を陽極として、前記回路電極と前記電極との間に電圧を印加し、前記貫通孔内において、前記回路電極と前記電極に接続される貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、その後、前記回路電極と前記電極との間に電圧を印加し、前記電子回路の電気的試験を行う回路試験工程と、を有する。本発明によれば、半導体装置の製造コストを低廉化しつつ、その製造工程のスループットを向上させることができる。以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の説明で用いる図面において、各構成要素の寸法は、技術の理解の容易さを優先させるため、必ずしも実際の寸法に対応していない。図1に示すように、本実施の形態の半導体装置を構成する基板としてのウェハWの表面Waには、複数の回路電極10が設けられている。また、ウェハWの表面Waには、例えば電源用や接地用などの信号用配線図示せずや、回路電極10が接続される電子回路11が形成されている。そして、ウェハWの表面Waにおいて、回路電極10が配置されていない箇所には、例えば絶縁膜12が形成されている。ウェハWには、表面Waから裏面Wbに厚み方向に貫通し、3次元集積技術においてTSVと呼ばれる微細な径を有する貫通孔13が複数形成されている。各貫通孔13は、表面Waにおいて回路電極10に連通している。また、ウェハWの裏面Wbにおいて、複数の貫通孔13が形成されていない箇所には、疎水化処理が施されている。なお、ウェハWの各貫通孔13の内周面には、例えばポリイミドの絶縁膜図示せずが予め形成されている。また、絶縁膜の表面には、バリアメタルとして、例えばニッケルの金属膜図示せずがさらに形成されている。また、本実施の形態では、半導体装置を製造するにあたって、後述するようにウェハWは積層される。このためウェハWは薄板状に形成されているので、ウェハWの表面Waの回路電極10及び絶縁膜12上には、例えばガラス基板などの支持板図示せずが貼り合わせられていてもよい。次に、本実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を実施するためのウェハ処理装置の構成について説明する。図2は、ウェハ処理装置20の構成の概略を示す縦断面図である。ウェハ処理装置20は、その内部にウェハWを収容する処理容器30を有している。処理容器30内の底面には、ウェハWを載置する載置台31が設けられている。載置台31には、例えば真空チャックなどが用いられ、載置台31は、ウェハWの裏面Wbが上方を向いた状態で当該ウェハWを水平に載置することができる。載置台31の上方には、テンプレート40が保持部材41に保持されて配置されている。保持部材41は、シャフト42を介して、処理容器30内の天井面に設けられた移動機構43に支持されている。テンプレート40と保持部材41は、この移動機構43により鉛直方向及び水平方向に移動可能になっている。テンプレート40は、図3及び図4に示すように略円盤形状を有している。テンプレート40には、例えば炭化珪素SiCなどが用いられる。テンプレート40の表面40aには、複数の開口部50が形成されている。これら開口部50は、ウェハWの貫通孔13に対応する位置に形成されている。また、テンプレート40の表面40aにおいて、複数の開口部50が形成されていない箇所には、疎水化処理が施されている。テンプレート40の内部には、各開口部50と連通するめっき液の流通路51が複数形成されている。流通路51は、テンプレート40を厚み方向に貫通し、テンプレート40の裏面40bまで延伸している。そして、これら流通路51には、後述するようにめっき液が流通するようになっている。テンプレート40の裏面40bには、図4に示すように複数の電極52が設けられている。電極52には、例えば後述するめっき液に対して耐性を有する金属が用いられる。これら電極52は、流通路51に対応する位置に配置されている。電極52は、テンプレート40の裏面40bから流通路51の内部を通って開口部50まで延伸している。また、電極52は、流通路51の内部において当該流通路51の内周面に沿って設けられている。以下、テンプレート40の裏面40bに設けられた電極52を第1の電極52aといい、流通路51の内周面に沿って設けられた電極52を第2の電極52bという場合がある。この第1の電極52aは、水平方向に移動可能に構成されており、裏面40b側の流通路51の端部開口部50の反対側の端部を開閉することができる。なお、第1の電極52aは、鉛直方向に開閉自在に構成されていてもよい。また、図示の例においては、第1の電極52aは、テンプレート40の裏面40b側の流通路51の開口部に配置されているが、第1の電極52aの配置はこれに限定されない。例えば第1の電極52aは、テンプレート40に埋め込まれて設けられていてもよい。テンプレート40の裏面40bには、第1の電極52aが配置されていない箇所に、例えば絶縁膜53が形成されている。なお、第1の電極52aが移動する範囲には、絶縁膜53が形成されていない。以上のように構成されたテンプレート40は、図2に示すようにその表面40aが下方を向いた状態で保持部材41に保持される。そして、保持部材41に保持されたテンプレート40は、その表面40aが載置台31上のウェハWの裏面Wbに対向するように配置される。また、ウェハ処理装置20において、ウェハWの回路電極10とテンプレート40の電極52には、後述するように電子回路11の電気的試験を行うためのテスタ60が接続される。テスタ60は、回路電極10と電極52との間に電圧を印加し、電極52を介して電子回路11に電気信号を送信して、電子回路11の電気的試験を行う。以上のウェハ処理装置20には、制御部100が設けられている。制御部100は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部図示せずを有している。プログラム格納部には、ウェハ処理装置20における後述のウェハ処理を実現させるためのプログラムなどが格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスクHD、フレキシブルディスクFD、コンパクトディスクCD、マグネットオプティカルデスクMO、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部100にインストールされたものであってもよい。次に、以上のように構成されたウェハ処理装置20を用いて行われるウェハWの処理方法について説明する。図5は、本実施の形態にかかる半導体装置の製造方法において行われる、ウェハ処理の主な工程を示すフローチャートである。図6は、ウェハ処理の各工程におけるウェハWとテンプレート40の状態を模式的に示した説明図である。なお、図6では、技術の理解の容易さを優先させるため、ウェハWの一部一つの貫通孔13の近傍とテンプレート40の一部一つの流通路51の近傍を示している。先ず、ウェハ処理装置20内において、ウェハWが載置台31に載置されると共に、テンプレート40が保持部材41に保持される。ウェハWは、その裏面Wbが上方を向くように載置台31に載置される。また、テンプレート40は、その表面40aが下方を向くように保持部材41に保持される。その後、移動機構43によってテンプレート40の水平方向の位置を調整すると共に、テンプレート40を所定の位置まで下降させる。そして、図6aに示すようにテンプレート40の流通路51における開口部50の位置がウェハWの貫通孔13の位置と対応するように、ウェハWとテンプレート40が配置される図5の工程S1。なお、図6aの例では、ウェハWとテンプレート40との間には微小な間隔の隙間が形成されているが、ウェハWとテンプレート40を密着させて配置してもよい。このとき、図6aに示すようにテンプレート40の流通路51内には、予めめっき液Mが充填されている。このめっき液Mの充填は、例えば図7に示すようにウェハ処理装置20の外部に設けられた液供給装置110で行われる。なお、流通路51内には、後述するように貫通孔13内を充填するに十分な容量のめっき液Mが充填される。換言すれば、流通路51内の容積は、貫通孔13内の容積よりも大きくなっている。また、めっき液Mとしては、例えばCuSO4五水和物と硫酸のめっき液が用いられる。液供給装置110には、テンプレート40を保持して回転させるスピンチャック111が設けられている。スピンチャック111は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばテンプレート40を吸引する吸引口図示せずが設けられている。この吸引口からの吸引により、テンプレート40をスピンチャック111上に吸着保持できる。このとき、テンプレート40は、その表面40aの複数の開口部50が上方を向くようにスピンチャック111上に保持される。また、テンプレート40の裏面40b側の流通路51の端部は、第1の電極52aにより塞がれている。スピンチャック111は、例えばモータなどを備えたチャック駆動機構112を有し、そのチャック駆動機構112により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動機構112には、シリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック111は上下動可能である。スピンチャック111の周囲には、テンプレート40から飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ113が設けられている。カップ113の下面には、回収した液体を排出する排出管114と、カップ113内の雰囲気を排気する排気管115が接続されている。また、スピンチャック111の上方には、テンプレート40上にめっき液Mを供給する液供給ノズル116が配置されている。そして、かかる液供給装置110において、スピンチャック111に保持されたテンプレート40を回転させると共に、液供給ノズル116からめっき液Mがテンプレート40の表面40aの中央部に供給される。テンプレート40上に供給されためっき液Mは、遠心力によってテンプレート40の表面40aに拡散され、開口部50を介してテンプレート40の流通路51内に充填される。なお、余分なめっき液Mはテンプレート40の外周部から振り切られ、カップ113から排出管114により排出される。その後、めっき液Mが充填されたテンプレート40は、その表裏面が反転され、上述したようにウェハ処理装置20において、その表面40aが下方を向くように保持部材41に保持される。なお、テンプレート40の表裏面の反転は、液処理装置110内や、ウェハ処理装置20への搬送中、あるいはウェハ処理装置20内等、いずれの場所で行われてもよい。また、テンプレート40の裏面40b側の流通路51の端部が第1の電極52aにより塞がれているので、テンプレート40の表裏面を反転させても、めっき液Mが流通路51から流出することはない。なお、このめっき液Mの流出をより確実に防止するため、テンプレート40の裏面40b側に、止水板図示せずを設けてもよい。その後、図6bに示すように第1の電極52aを水平方向に移動させ、裏面40b側の流通路51の端部を開放して、当該流通路51内に空気を流入させる。そして、流通路51から開口部50を介してウェハWの貫通孔13にめっき液Mが供給される図5の工程S2。このとき、テンプレート40の表面40aとウェハWの裏面Wbにはそれぞれ疎水化処理が施されているため、めっき液Mは、テンプレート40とウェハWとの間に拡散することなく、貫通孔13内に適切に流入する。なお、流通路51から貫通孔13へのめっき液Mの供給は、毛細管現象を利用して行ってもよい。続いて、図6cに示すようにウェハWの回路電極10を陰極とし、且つテンプレート40の電極52を陽極として、電源装置120によって回路電極10と電極52にとの間に電圧を印加する。そうすると、貫通孔13内のめっき液Mが反応し、貫通孔13内に銅が堆積する。そして図6dに示すように、このように堆積した銅が第2の電極52bに接触する直前に、回路電極10と電極52との電位差がゼロになり、めっき液Mの反応が自動的に停止する。その後、この工程S3の最終段階において、移動機構43によってテンプレート40を僅かに下降させ、テンプレート40とウェハWとの間に荷重をかける。そうすると、上述の銅と第2の電極52bとが接触する。こうして、貫通孔13内に、図6eに示すように回路電極10と電極52に接続される貫通電極130が形成される図5の工程S3。貫通孔13内に回路電極10と電極52に接続される貫通電極130が形成されると、図6eに示すように回路電極10と電極52にテスタ60が接続される。そして、回路電極10と電極52との間に電圧を印加し、テスタ60から電極52及び貫通電極130を介して電子回路11に検査用の電気信号が送信される。こうして電子回路11の電気的試験が行われる図5の工程S4。その後、ウェハWはウェハ処理装置20から搬出され、ウェハ接合装置図示せずに搬送される。ウェハ接合装置には、ウェハ処理装置20で処理されたウェハWが複数搬送され、図8に示すように回路電極10と貫通電極130が導通するように複数のウェハWが接合される図5の工程S5。こうして、電子回路11を有する半導体デバイスが形成されたウェハWが3次元的に積層され、半導体装置140が製造される。以上の実施の形態によれば、工程S1において、ウェハWの貫通孔13に対応する位置にテンプレート40の開口部50が位置するように、ウェハWとテンプレート40が配置される。また、テンプレート40の開口部50そのものは、例えば機械加工を行ったり、フォトリソグラフィー処理とエッチング処理を一括して行うことで、高い位置精度で形成できる。このため、その後工程S2において、テンプレート40の流通路51から開口部50を介してウェハWの貫通孔13内に、めっき液Mを高い位置精度で適切に供給することができる。また、ウェハWの裏面Wbとテンプレート40の表面40aには、それぞれ疎水化処理が施されているので、工程S2において流通路51から貫通孔13にめっき液Mを供給する際、めっき液Mは、テンプレート40とウェハWとの間に拡散することがない。したがって、貫通孔13内にめっき液Mをより高い位置精度で適切に供給することができる。また、工程S3では、ウェハWの回路電極10とテンプレート40の電極52との間に電圧を印加することで、貫通孔13内のめっき液Mを反応させ、当該貫通孔13内に銅を堆積させている。そして、工程S3の最終段階では、堆積した銅とテンプレート40の第2の電極52aとが接触する直前に、回路電極10と電極52との電位差がゼロになり、めっき液Mの反応が自動的に停止する。このため、余剰な貫通電極130が形成されることが無く、従来のように金属の余剰部分を除去する化学機械研磨を行う必要がないため、半導体装置140の製造コストを低廉化することができる。また、工程S3の最終段階において、堆積した銅と第2の電極52bが接触する際、ウェハWとテンプレート40との間に荷重をかけているので、銅と第2の電極52bを確実に接触させることができる。したがって、後続の工程S4における電子回路11の電気的試験を適切に行うことができる。また、従来別々の装置で行っていた工程S2及びS3と工程S4とを一連のプロセス中で行うことができるため、半導体装置140の製造コストを低廉化できると共に、製造工程のスループットを向上させることができる。また、工程S4では、貫通電極130で接続された回路電極10と電極52との間に電圧を印加することで電子回路11の電気的試験を行うことができる。このため、従来のように大きな荷重をかける必要がなく、ウェハ処理装置20を簡素化でき、半導体装置140の製造コストをさらに低廉化することができる。以上の実施の形態では、ウェハ処理装置20で処理されるテンプレート40には、その流通路51内に予めめっき液Mが充填されていたが、当該ウェハ処理装置20内において、テンプレート40の流通路51内にめっき液Mを供給してもよい。かかる場合、例えば図9に示すようにテンプレート40の裏面40b側の流通路51には、当該流通路51にめっき液Mを供給するめっき液供給管150と、流通路51からめっき液Mを排出する排出管151とが接続される。各めっき液供給管150には、図10に示すように当該めっき液供給管150にめっき液Mを圧送して供給するポンプ160が接続されている。なお、図示の例においては、ポンプ160は1基設けられているが、所定数のめっき液供給管150毎、あるいは各めっき液供給管150毎に複数設けられていてもよい。また、第1の電極52aは、図9に示すように流通路51内の中心部を挿通し、裏面40b側の流通路51から突出すると共に、開口部50から突出している。この第1の電極52aによって、図11に示すように平面視において、流通路51は、めっき液供給管150側の流通路51と排出管151側の流通路51に区画される。そして、図9に示すように、めっき液供給管150から供給されためっき液Mは、流通路51と貫通孔13を循環して、排出管151から排出される。かかる場合、工程S1において、上述したようにウェハWとテンプレート40を所定の位置に配置した後、工程S2において、ポンプ160を稼動させる。そうすると、図12aに示すようにポンプ160によって、めっき液Mは流通路51から貫通孔13内に圧送される。このように、微細な貫通孔13内にもめっき液Mを円滑に流入させることができる。その後、工程S3においても、ポンプ160を稼動させる。そうすると、図12aに示すようにポンプ160によって、めっき液Mは流通路51と貫通孔13との間で循環する。このとき、第1の電極52aが流通路51の中央部に形成されているので、第1の電極52aを挟んでめっき液Mを適切に循環させることができる。ここで、工程S3において回路電極10と電極52にとの間に電圧を印加すると、めっき液Mの反応に起因して貫通孔13内に微小な気泡が発生する。本実施の形態では、めっき液Mが流通路51と貫通孔13との間で循環するので、この微小な気泡を貫通孔13及び流通路51から速やかに排出させることができる。その後、図12bに示すように電源装置120によって回路電極10と電極52にとの間に電圧を印加し、銅を堆積させる。堆積した銅が第1の電極52aに接触する直前に、回路電極10と電極52との電位差がゼロになり、めっき液Mの反応が自動的に停止する。その後、この工程S3の最終段階において、移動機構43によってテンプレート40を僅かに下降させ、テンプレート40とウェハWとの間に荷重をかけて、銅と第1の電極52aとを接触させる。こうして貫通孔13内に貫通電極130を形成する。その後、工程S4において、図12cに示すように回路電極10と電極52にテスタ60を接続し、電子回路11の電気的試験が行われる。本実施の形態においても、前記実施の形態と同様の効果を享受することができる。なお、以上の実施の形態の工程S4において、貫通電極130の上方の流通路51内に純水が充填された状態で、電子回路11の電気的試験を行ってもよい。かかる場合、テンプレート40の裏面40b側の流通路51には、めっき液供給管150と排出管151が接続されていたが、これらに加えて、図13aに示すように流通路51に純水Pを供給する純水供給管170がさらに接続されている。そして、工程S3において、例えばめっき液Mの反応が停止した後であって、テンプレート40とウェハWとの間に荷重をかける前に、めっき液供給管150からのめっき液Mの供給を停止すると共に、純水供給管170からの純水Pの供給を開始する。そうすると、図13aに示すように流通路51内のめっき液Mが純水Pに置換され、当該流通路51内が純水Pで充填される。その後、図13bに示すように回路電極10と電極52にテスタ60を接続し、電子回路11の電気的試験が行われる。なお、本実施の形態では純水供給管170を別途設けたが、この純水供給管170を設けずにめっき液供給管150を用いて流通路51に純水Pを供給してもよい。かかる場合、例えばめっき液供給管150の上流側に設けられたポンプ図示せずを切り換えて、めっき液Mの供給と純水Pの供給が切り換えられる。かかる場合、工程S3において、流通路51内のめっき液Mを純水Pに置換しているので、当該流通路51内を洗浄することができる。また、工程S4において、回路電極10と電極52との間に電圧を印加すると、これら回路電極10と電極52が発熱するが、本実施の形態では流通路51内が純水Pで充填されているので、回路電極10と電極52が冷却され、発熱を抑制することができる。以上の実施の形態においては、テンプレート40は、その内部に流通路51が形成された円盤状に形成されていたが、テンプレート40は必ずしも円盤状である必要はなく、例えば矩形状であってもよい。以上の実施の形態では、工程S3の最終段階において、移動機構43によってテンプレート40を僅かに下降させ、テンプレート40とウェハWとの間に荷重をかけていたが、銅と電極52との接続方法はこれに限定されず、種々の方法を取り得る。例えば堆積した銅と電極52第1の電極52a又は第2の電極52bとの間に電圧を印加してもよい。かかる場合、銅と電極52が溶着するため、銅と電極52を確実に接触させることができる。具体的には、電極52と回路電極10との間に50mAから1Aの電流を流すことで銅と電極52との溶着を行う。このとき、電子回路11に熱的な悪影響が及ぶことを防ぐため、パルス状にしてできるだけ短い時間で電流を流すことが望ましい。本発明者らは実験により、300mAの電流を10msec0.01secの間流すことで、銅と電極52との間の抵抗を下げるのに十分な溶着が可能であることを確認している。ここで、テンプレート40の流通路51内部にはめっき液Mが通るので、当該内部に空洞を形成する必要がある。また、めっきにより堆積される銅は電極52に近いほうから成長が進行するため、銅が面内で不均一に成長するほか、めっきによる堆積自体があまり緻密な銅を形成しない。したがって、銅と電極52との間の抵抗が高くなりやすく、ウェハWの面内においても抵抗値がばらつくことになるのである。この点、本実施の形態では、電流による局所的な加熱によって、めっき堆積物が溶融し、電極52との溶着によって接触抵抗が下がる効果のほか、堆積物が加熱されることによって緻密化し、堆積物内部の抵抗値を下げる効果が発生する。したがって、銅と電極52間の溶着は、電子回路11を安定的に電気的試験を行うために、非常に有効な手段なのである。また、銅と電極52との間に電圧を印加せずにめっきしてもよい。この無電解めっきによって、銅と電極52を接触させることができる。なお、無電解めっきとして例えば無電解銅めっきを行う場合、銅塩CuSO4、錯化剤ロシェル塩、還元剤HCHO、pH調整剤NaOH、添加剤硫黄化合物の混合液が用いられる。以上の実施の形態では、工程S4において、回路電極10と電極52にテスタ60を接続して電子回路11の電気的試験を行っていたが、試験方法は上記実施の形態に限定されず、種々の方法を取り得る。例えばテンプレート40の裏面40bにテスト回路図示せずを形成しておき、当該テスト回路から電子回路11に電気信号を送信して、電子回路11の電気的試験を行ってもよい。あるいは、電気信号を無線で送信可能なテスタを用意し、当該テスタから電子回路11に無線で電気信号を送信して、電子回路11の電気的試験を行ってもよい。以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のFPDフラットパネルディスプレイ、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。