NANDフラッシュメモリを有し、画像を符号化することにより、当該画像の低周波成分を示す低周波成分画像データと、当該画像の高周波成分を示す高周波成分画像データとを生成して前記NANDフラッシュメモリに記憶する記憶装置であって、前記NANDフラッシュメモリは、SLCNANDフラッシュメモリと、MLCNANDフラッシュメモリとから構成され、前記生成した低周波成分画像データを前記SLCNANDフラッシュメモリに記憶し、前記生成した高周波成分画像データを前記MLCNANDフラッシュメモリに記憶する記憶装置。請求項1に記載の記憶装置において、前記SLCNANDフラッシュメモリの記憶領域のうち前記生成した低周波成分画像データが記憶された記憶領域を示すアドレスと、前記MLCNANDフラッシュメモリの記憶領域のうち前記生成した高周波成分画像データが記憶された記憶領域を示すアドレスとを対応付けて記憶する記憶装置。NANDフラッシュメモリを有し、画像を符号化することにより、当該画像の低周波成分を示す低周波成分画像データと、当該画像の高周波成分を示す高周波成分画像データとを生成して前記NANDフラッシュメモリに記憶する記憶装置における記憶方法であって、前記NANDフラッシュメモリを構成するSLCNANDフラッシュメモリに前記生成した低周波成分画像データを記憶し、前記NANDフラッシュメモリを構成するMLCNANDフラッシュメモリに前記生成した高周波成分画像データを記憶する処理を有する記憶方法。請求項3に記載の記憶方法において、前記SLCNANDフラッシュメモリの記憶領域のうち前記生成した低周波成分画像データが記憶された記憶領域を示すアドレスと、前記MLCNANDフラッシュメモリの記憶領域のうち前記生成した高周波成分画像データが記憶された記憶領域を示すアドレスとを対応付けて記憶する処理をさらに有する記憶方法。NANDフラッシュメモリを有し、画像を符号化することにより、当該画像の低周波成分を示す低周波成分画像データと、当該画像の高周波成分を示す高周波成分画像データとを生成して前記NANDフラッシュメモリに記憶する記憶装置に、前記NANDフラッシュメモリを構成するSLCNANDフラッシュメモリに前記生成した低周波成分画像データを記憶する機能と、前記NANDフラッシュメモリを構成するMLCNANDフラッシュメモリに前記生成した高周波成分画像データを記憶する機能と、を実現させるためのプログラム。請求項5に記載のプログラムにおいて、前記記憶装置に、前記SLCNANDフラッシュメモリの記憶領域のうち前記生成した低周波成分画像データが記憶された記憶領域を示すアドレスと、前記MLCNANDフラッシュメモリの記憶領域のうち前記生成した高周波成分画像データが記憶された記憶領域を示すアドレスとを対応付けて記憶する機能をさらに実現させるためのプログラム。画像データは、コストを重視してMLCNAMDフラッシュメモリに記憶することが多い。しかし、MLCNANDフラッシュメモリに記憶されたデータは、SLCNANDフラッシュメモリに記憶されたデータと比べてビット化けの発生率が高い。ビット化けが発生した場合、画像データを復号化することによって生成された画像に乱れ画乱れが生じてしまう。つまり、画像データを記憶する際の高信頼性を確保できないという問題点がある。一方で、画像データをSLCNANDフラッシュメモリに記憶させると、コストがかかってしまうという問題点がある。本発明は、画像データを記憶する際の高信頼性と低コストとを両立させることができる記憶装置、記憶方法およびプログラムを提供することを目的とする。上記目的を達成するために本発明の記憶装置は、NANDフラッシュメモリを有し、画像を符号化することにより、当該画像の低周波成分を示す低周波成分画像データと、当該画像の高周波成分を示す高周波成分画像データとを生成して前記NANDフラッシュメモリに記憶する記憶装置であって、前記NANDフラッシュメモリは、SLCNANDフラッシュメモリと、MLCNANDフラッシュメモリとから構成され、前記生成した低周波成分画像データを前記SLCNANDフラッシュメモリに記憶し、前記生成した高周波成分画像データを前記MLCNANDフラッシュメモリに記憶する。また、上記目的を達成するために本発明の記憶方法は、NANDフラッシュメモリを有し、画像を符号化することにより、当該画像の低周波成分を示す低周波成分画像データと、当該画像の高周波成分を示す高周波成分画像データとを生成して前記NANDフラッシュメモリに記憶する記憶装置における記憶方法であって、前記NANDフラッシュメモリを構成するSLCNANDフラッシュメモリに前記生成した低周波成分画像データを記憶し、前記NANDフラッシュメモリを構成するMLCNANDフラッシュメモリに前記生成した高周波成分画像データを記憶する処理を有する。また、上記目的を達成するために本発明のプログラムは、NANDフラッシュメモリを有し、画像を符号化することにより、当該画像の低周波成分を示す低周波成分画像データと、当該画像の高周波成分を示す高周波成分画像データとを生成して前記NANDフラッシュメモリに記憶する記憶装置に、前記NANDフラッシュメモリを構成するSLCNANDフラッシュメモリに前記生成した低周波成分画像データを記憶する機能と、前記NANDフラッシュメモリを構成するMLCNANDフラッシュメモリに前記生成した高周波成分画像データを記憶する機能と、を実現させる。本発明によれば、画像の低周波成分を示す低周波成分画像データがSLCNANDフラッシュメモリに記憶され、その画像の高周波成分を示す高周波成分画像データがMLCNANDフラッシュメモリに記憶される。ここで、低周波成分画像データには、上述した特許文献1にも記載されているように、画像のDC成分と低周波成分とが含まれているため、低周波成分画像データによって画像のおおまかな輪郭や色が再現できる。そのため、MLCNANDフラッシュメモリに記憶されていた高周波成分画像データにビット化けが発生した場合でも、画像データを復号化することによって生成された画像に人間の目で見てはっきりとわかるような画乱れは生じない。従って、低周波成分画像データを信頼性の高いSLCNANDフラッシュメモリに記憶し、高周波成分画像データを低コストのMLCNANDフラッシュメモリに記憶することにより、画像データを記憶する際の高信頼性と低コストとを両立させることができる。以下に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図1は、本発明の記憶装置を適用した撮像装置の実施の一形態の構成を示すブロック図である。本実施形態の撮像装置200は図1に示すように、記憶装置100と、操作部201と、表示コントローラ202と、表示デバイス203と、カメラデバイス204とを備えている。記憶装置100は、制御部101と、符号化処理部102と、復号化処理部103と、RAMRandomAccessMemory104と、ROMReadOnlyMemory105と、フラッシュメモリコントローラ106と、SLCNANDフラッシュメモリ107と、MLCNANDフラッシュメモリ108とを備えている。SLCNANDフラッシュメモリ107は、1つのメモリセルで1ビットのデータを記憶するNANDフラッシュメモリである。MLCNANDフラッシュメモリ108は、1つのメモリセルで2ビット以上のデータを記憶するNANDフラッシュメモリである。なお、以降、SLCNANDフラッシュメモリ107とMLCNANDフラッシュメモリ108との両方を指す場合には単に、NANDフラッシュメモリという。操作部201は、ユーザが撮像装置200を操作するためのヒューマンインタフェースである。操作部201は、ユーザから各種の指示を受け付け、受け付けた指示の内容を示すユーザ指示情報を制御部101へ出力する。制御部101は、操作部201から出力されたユーザ指示情報を受け付け、受け付けたユーザ指示情報が示す内容に応じて撮像装置200の各部を動作させるための各種のコマンドを出力する。また、制御部101は、後述する低周波成分画像データをフラッシュメモリコントローラ106を介してSLCNANDフラッシュメモリ107に記憶させる。また、制御部101は、後述する高周波成分画像データをフラッシュメモリコントローラ106を介してMLCNANDフラッシュメモリ108に記憶させる。また、制御部101は、SLCNANDフラッシュメモリ107およびMLCNANDフラッシュメモリ108に記憶された低周波成分画像データおよび高周波成分画像データをフラッシュメモリコントローラ106を介して読み出す。RAM104は、制御部101が各種の制御プログラムを実行する際に必要となるデータを記憶し、ワークメモリとして使用される。ROM105は、制御部101が実行する各種の制御プログラムや固定データを記憶している。カメラデバイス204は、入射された光から被写体像をレンズ不図示によって結像し、結像した被写体像をイメージセンサ不図示等の撮像素子によって電気信号に変換する。これにより、カメラデバイス204は、例えばYUVフォーマットの画像を取得する。そして、カメラデバイス204は、取得した画像をRAM104に記憶させる。符号化処理部102は、RAM104に記憶された画像を読み出してJPEG等を用いて符号化することによって画像データを生成する。このとき、符号化処理部102は、RAM104に記憶された画像の低周波成分を示す低周波成分画像データと、その画像の高周波成分を示す高周波成分画像データとを生成する。そして、符号化処理部102は、生成した低周波成分画像データと高周波成分画像データとから構成される1組の画像データをRAM104に記憶させる。なお、画像から低周波成分画像データと高周波数成分画像データとを生成する方法はすでにプログレッシブJPEGなどで実現されている。プログレッシブJPEGを用いて符号化する技術は例えば、上述した特許文献1に開示されている。復号化処理部103は、RAM104に記憶された1組の画像データを構成する低周波成分画像データと高周波成分画像データとを復号化することにより、表示デバイス203へ表示するための画像を生成してRAM104に記憶させる。なお、復号化の方法については例えば、上述した特許文献2に開示されている。表示コントローラ202は、RAM104に記憶された画像を表示デバイス203に表示させる。表示デバイス203は、例えばLEDLightEmittingDiodeや有機ELElectroLuminescenceである。以下に、上記のように構成された撮像装置200の動作について説明する。操作部201は、ユーザから撮影の指示を受け付けると、その旨を示すユーザ指示情報を制御部101へ出力する。操作部201から出力されたユーザ指示情報を受け付けた制御部101は、撮影を指示するための撮影コマンドをカメラデバイス204へ出力する。制御部101から出力された撮影コマンドを受け付けたカメラデバイス204は、入射された光から被写体像をレンズによって結像し、結像した被写体像をイメージセンサ等の撮像素子によって電気信号に変換して画像を取得する。次に、操作部201は、撮影した画像を保存する指示をユーザから受け付けると、その旨を示すユーザ指示情報を制御部101へ出力する。操作部201から出力されたユーザ指示情報を受け付けた制御部101は、画像の保存を指示するための保存コマンドをカメラデバイス204へ出力する。制御部101から出力された保存コマンドを受け付けたカメラデバイス204は、取得した画像をRAM104に記憶させる。次に、制御部101は、RAM104に記憶された画像を符号化するための符号化コマンドを符号化処理部102へ出力する。符号化処理部102は、制御部101から出力された符号化コマンドを受け付けると、RAM104に記憶された画像を符号化する。以下に、この動作の詳細について説明する。図2は、図1に示したRAM104に記憶された画像を符号化するときの動作を説明するためのフローチャートである。符号化処理部102は、RAM104に記憶された画像を読み出して複数のプレーン毎に8×8画素の複数のブロックに分割するステップS1。そして、符号化処理部102は、複数のブロック毎に離散コサイン変換を実行するステップS2。これにより、RAM104から読み出された画像が空間周波数成分である離散コサイン変換係数に変換される。離散コサイン変換係数は、8×8の行列で表される周波数空間の係数である。次に、符号化処理部102は、離散コサイン変換係数を量子化するステップS3。量子化では、離散コサイン変換係数を要素毎に定められたスケールファクタと呼ばれる値で除算することによって符号データ量を削減する。図3は、図1に示した符号化処理部102によって量子化された後の離散コサイン変換係数の一例を示す図である。図3に示す数字のそれぞれが量子化された後の離散コサイン変換係数である。なお、以降、量子化された後の離散コサイン変換係数のことを単に、離散コサイン変換係数という。以降の処理は、離散コサイン変換係数を低周波バンドと高周波バンドとに分けて実行される。ここでは、図3に示すように、離散コサイン変換係数0~5が低周波バンドに属し、離散コサイン変換係数6~63が高周波バンドに属するものとする。再度、図2を参照すると、次に、符号化処理部102は、低周波バンドに属する離散コサイン変換係数をジグザグスキャンするステップS4。これにより、低周波バンドに属する離散コサイン変換係数が1次元配列化される。図4は、図3に示した低周波バンドに属する離散コサイン変換係数をジグザグスキャンするときの順番を説明するための図である。符号化処理部102は図4に示すように、低周波バンドに属する離散コサイン変換係数0~5を昇順にジグザグスキャンする。そして、符号化処理部102は、二次元ハフマン変換を実行することによって低周波成分画像データを生成するステップS5。次に、符号化処理部102は、高周波バンドに属する離散コサイン変換係数をジグザグスキャンするステップS6。これにより、高周波バンドに属する離散コサイン変換係数が1次元配列化される。図5は、図3に示した高周波バンドに属する離散コサイン変換係数をジグザグスキャンするときの順番を説明するための図である。符号化処理部102は図5に示すように、高周波バンドに属する離散コサイン変換係数6~63を昇順にジグザグスキャンする。そして、符号化処理部102は、二次元ハフマン変換を実行することによって高周波成分画像データを生成するステップS7。以上により、低周波成分画像データと高周波成分画像データとから構成される1組の画像データが生成されたことになる。次に、符号化処理部102は、生成した1組の画像データをRAM104に記憶させるステップS8。次に、図1に示したRAM104に記憶された1組の画像データをNANDフラッシュメモリに記憶させるときの動作について説明する。図6は、図1に示したRAM104に記憶された1組の画像データをNANDフラッシュメモリに記憶させるときの動作を説明するためのフローチャートである。まず、制御部101は、1組の画像データを構成する低周波成分画像データと高周波成分画像データとのそれぞれが記憶された記憶領域を示すアドレスを管理するための管理テーブルを生成するステップS21。次に、制御部101は、RAM104に記憶されている1組の画像データのうち低周波成分画像データをフラッシュメモリコントローラ106を介してSLCNANDフラッシュメモリ107に記憶させるステップS22。また、制御部101は、RAM104に記憶されている1組の画像データのうち高周波成分画像データをフラッシュメモリコントローラ106を介してMLCNANDフラッシュメモリ108に記憶させるステップS23。次に、制御部101は、SLCNANDフラッシュメモリ107の記憶領域のうち、ステップS22にて低周波成分画像データを記憶した記憶領域を示すアドレスを、ステップS21にて生成した管理テーブルに書き込むステップS24。また、制御部101は、MLCNANDフラッシュメモリ108の記憶領域のうち、ステップS23にて高周波成分画像データを記憶した記憶領域を示すアドレスを、ステップS21にて生成した管理テーブルに書き込むステップS25。以上により、1組の画像データを構成する低周波成分画像データが記憶されたSLCNANDフラッシュメモリ107の記憶領域を示すアドレスと、その1組の画像データを構成する高周波成分画像データが記憶されたMLCNANDフラッシュメモリ108の記憶領域を示すアドレスとが対応付けられて管理テーブルに記憶されることになる。そして、制御部101は、アドレスが書き込まれた管理テーブルをSLCNANDフラッシュメモリ107に記憶させるステップS26。図7は、図1に示したNANDフラッシュメモリのアドレスマップの一例を示す図であり、aはSLCNANDフラッシュメモリ107のアドレスマップの一例を示す図、bはMLCNANDフラッシュメモリ108のアドレスマップの一例を示す図である。図7aに示すように、SLCNANDフラッシュメモリ107には、管理テーブル11と、1組の画像データのうちの低周波成分画像データ12が記憶されている。また、図7bに示すように、MLCNANDフラッシュメモリ108には、その1組の画像データのうちの高周波成分画像データ13が記憶されている。次に、図1に示したNANDフラッシュメモリに記憶された1組の画像データを読み出して復号化し、表示デバイス203に表示するための例えばYUVフォーマットの画像を生成する動作について説明する。まず、NANDフラッシュメモリに記憶された1組の画像データを読み出すときの動作について説明する。図8は、図1に示したNANDフラッシュメモリに記憶された1組の画像データを読み出すときの動作を説明するためのフローチャートである。まず、操作部201は、ユーザから画像の表示の指示を受け付ける。なお、ユーザは、画像をサムネイル等の縮小した状態で表示するか、縮小せずに表示するかのいずれかを選択しているものとする。ユーザからの指示を受け付けた操作部201は、その旨を示すユーザ指示情報を制御部101へ出力する。操作部201から出力されたユーザ指示情報を受け付けた制御部101は、フラッシュメモリコントローラ106を介してSLCNANDフラッシュメモリ107から管理テーブルを読み出すステップS41。次に、制御部101は、読み出した管理テーブルから、ユーザから表示を指示された画像を示す1組の画像データを構成する低周波成分画像データが記憶されているSLCNANDフラッシュメモリ107の記憶領域を示すアドレスを抽出するステップS42。また、制御部101は、読み出した管理テーブルから、ステップS42にて抽出したアドレスに対応するアドレス、すなわち高周波成分画像データが記憶されているMLCNANDフラッシュメモリ108の記憶領域を示すアドレスを抽出するステップS43。次に、制御部101は、ステップS42にて抽出したSLCNANDフラッシュメモリ107のアドレスに基づき、フラッシュメモリコントローラ106を介してSLCNANDフラッシュメモリ107から低周波成分画像データを読み出してRAM104に記憶させるステップS44。次に、制御部101は、受け付けたユーザ指示情報が、画像を縮小して表示することを示しているかどうかを確認するステップS45。なお、画像を縮小して表示するか、画像を縮小せずに表示するかを確認しているのは、高周波成分画像データは画像の細かな部分を示しているため、画像を縮小して表示する場合、高周波成分画像データは必要ないからである。ステップS45における確認の結果、受け付けたユーザ指示情報が画像を縮小して表示することを示していない場合、つまり、高周波成分画像データが必要である場合、制御部101は、ステップS43にて抽出したMLCNANDフラッシュメモリ108のアドレスに基づき、フラッシュメモリコントローラ106を介してMLCNANDフラッシュメモリ108から高周波成分画像データを読み出してRAM104に記憶させるステップS46。以上により、ユーザから表示を指示された画像を示す1組の画像データを構成する低周波成分画像データと高周波成分画像データとがRAM104に記憶されたことになる。一方、ステップS45における確認の結果、受け付けたユーザ指示情報が画像を縮小して表示することを示している場合、つまり、高周波成分画像データが必要でない場合、処理を終了する。次に、図1に示したRAM104に記憶された1組の画像データを復号化するときの動作について説明する。図9は、図1に示したRAM104に記憶された1組の画像データを復号化するときの動作を説明するためのフローチャートである。まず、制御部101は、RAM104に記憶された1組の画像データを復号化するための復号化コマンドを復号化処理部103へ出力する。制御部101から出力された復号化コマンドを受け付けた復号化処理部103は、RAM104に記憶された1組の画像データを構成する低周波成分画像データと高周波成分画像データと並べ替えるステップS61。具体的には、1次元配列となっている低周波成分画像データと高周波成分画像データを複数のブロック毎にジグザグスキャンする前の8×8の行列にする。次に、復号化処理部103は、逆量子化するステップS62。具体的には、図2に示したフローチャートおけるステップS3において除算した時の値を用いた乗算が実行される。次に、復号化処理部103は、複数のブロック毎に逆離散コサイン変換を実行するステップS63。これにより、複数のブロックのそれぞれが8×8の画素データに変換されて画像が生成される。このように本実施形態においては、画像の低周波成分を示す低周波成分画像データがSLCNANDフラッシュメモリ107に記憶され、その画像の高周波成分を示す高周波成分画像データがMLCNANDフラッシュメモリ108に記憶される。ここで、低周波成分画像データには、上述した特許文献1にも記載されているように、画像のDC成分と低周波成分とが含まれているため、低周波成分画像データによって画像のおおまかな輪郭や色が再現できる。そのため、MLCNANDフラッシュメモリ108に記憶されていた高周波成分画像データにビット化けが発生した場合でも、画像データを復号化することによって生成された画像に人間の目で見てはっきりとわかるような画乱れは生じない。従って、本実施形態のように、画像を示す1組の画像データを構成する低周波成分画像データを信頼性の高いSLCNANDフラッシュメモリ107に記憶し、その1組の画像データを構成する高周波成分画像データを低コストのMLCNANDフラッシュメモリ108に記憶することにより、画像データを記憶する際の高信頼性と低コストとを両立させることができる。次に、本実施形態の記憶装置100を適用することによって高信頼性と低コストとを両立させることができることを具体例を用いて説明する。チップ面積が同じ場合、MLCNANDフラッシュメモリは、SLCNANDフラッシュメモリの2倍以上の容量を確保できる。そのため、MLCNANDフラッシュメモリのビットあたりの単価は、SLCNANDフラッシュメモリの半分以下である。ここでは、SLCNANDフラッシュメモリとMLCNANDフラッシュメモリとの価格の比率を、SLCNANDフラッシュメモリの価格:MLCNANDフラッシュメモリの価格=2:1とする。この条件下で、図3に示した低周波バンドに属する離散コサイン変換係数の数と高周波バンドに属する離散コサイン変換係数の数との比率に応じてコストがどのように変化するかを示す。1信頼性を重視した場合高信頼性を確保するため、図3に示した64個の離散コサイン変換係数の全てを低周波バンドに属するものとする。この場合、低周波バンドに属する離散コサイン変換係数の数:高周波バンドに属する離散コサイン変換係数の数=100:0となる。各バンド内の離散コサイン変換係数の数と、それに基づいて符号化される画像データのサイズとは比例する。そのため、低周波成分画像データのサイズ:高周波成分画像データのサイズ=100:0となる。そして、低周波成分画像データをSLCNANDフラッシュメモリに記憶し、高周波成分画像データをMLCNANDフラッシュメモリに記憶する。この場合のコストをコストAとすると、コストA=低周波成分画像データのサイズ×SLCNANDフラッシュメモリの価格高周波成分画像データのサイズ×MLCNANDフラッシュメモリの価格=100×20×1=200となる。2コスト重視した場合コストを重視し、図3に示した64個の離散コサイン変換係数の全てを高周波バンドに属するものとする。この場合、低周波バンドに属する離散コサイン変換係数の数:高周波バンドに属する離散コサイン変換係数の数=0:100となる。これにより、低周波成分画像データのサイズ:高周波成分画像データのサイズ=0:100となる。この場合のコストをコストBとすると、コストB=低周波成分画像データのサイズ×SLCNANDフラッシュメモリの価格高周波成分画像データのサイズ×MLCNANDフラッシュメモリの価格=0×2100×1=100となる。3本実施形態の記憶装置100を適用して高信頼性と低コストと両立した場合図3に示した64個の離散コサイン変換係数のうち、2割が低周波バンドに属するものとし、8割が高周波バンドに属するものとする。この場合、低周波バンドに属する離散コサイン変換係数の数:高周波バンドに属する離散コサイン変換係数の数=20:80となる。これにより、低周波成分画像データのサイズ:高周波成分画像データのサイズ=20:80となる。この場合のコストをコストCとすると、コストC=低周波成分画像データのサイズ×SLCNANDフラッシュメモリの価格高周波成分画像データのサイズ×MLCNANDフラッシュのメモリ価格=20×280×1=120となる。つまり、上記の2コストを重視した場合に比べて2割のコストアップで信頼性を向上させることが可能である。また、本実施形態においてサムネイルなどの縮小した画像を表示する場合には、画像データの読み出し時間を短縮することが可能である。縮小した画像を表示する場合には、高周波成分画像データは必要なく、低周波成分画像データだけを読み出せばよいからである。また、本実施形態においては、低周波数成分画像データおよび高周波数画像データが記憶された記憶領域を示すアドレスが管理テーブルに書き込まれている。そのため、低周波数成分画像データおよび高周波数画像データを読み出す際の時間を短縮することが可能となる。これは、読み出しの際にSLCNANDフラッシュメモリ107およびMLCNANDフラッシュメモリ108のどこの記憶領域に記憶された画像データを読み出せばよいかをその都度確認する必要がなくなるからである。なお、本実施形態では、管理テーブルと低周波成分画像データとをSLCNANDフラッシュメモリ107に記憶させたが、管理テーブルと低周波成分画像データとをRAM104に記憶させることも可能である。この場合、管理テーブルと低周波成分画像データとの読み出しにかかる時間の短縮および信頼性の向上を図ることができる。これは、RAM104は基本的に、NANDフラッシュメモリに比べて読み出し時のアクセス時間が短く、また電源オン状態であればビット化けが発生しないからである。また、本実施形態では、本発明の記憶装置を適用した撮像装置について説明したが、撮像装置には例えば、撮像機能を有する携帯電話等の携帯端末が含まれる。また、本発明においては、記憶装置内の処理は上述の専用のハードウェアにより実現されるもの以外に、その機能を実現するためのプログラムを記憶装置にて読取可能な記録媒体に記録し、この記録媒体に記録されたプログラムを記憶装置に読み込ませ、実行するものであっても良い。記憶装置にて読取可能な記録媒体とは、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、DVD、CDなどの移設可能な記録媒体の他、記憶装置に内蔵されたHDDなどを指す。