溶融した材料の製造過程におけるプロセス温度制御方法において、冷却器および加熱器を備えた容器の当該冷却器への冷却水の供給を一定に保てる最低流量に応じた流量バルブへの最低制御出力を予め決定し、溶融した前記材料の製造過程で測定した当該材料の実測温度と予め決めた目標温度の偏差を求め、当該偏差が目標温度の近傍にあるとき、最低制御出力によって最低流量の冷却水を前記冷却器に供給しつつ、前記加熱器による加熱を調整して前記容器内の溶融した材料の温度を制御することを特徴とするプロセス温度制御方法。請求項1に記載のプロセス温度制御方法において、偏差の少なくともマイナス側で前記偏差に基づいて流量バルブの開度を決定する制御出力を算出するに際し、前記最低制御出力を閾値として設定し、実測演算過程で当該閾値に達した時点から目標温度に達するまでの範囲で最低流量の冷却水を前記冷却器に供給しつつ、前記加熱器による加熱を調整することを特徴とするプロセス温度制御方法。請求項2に記載のプロセス温度制御方法において、前記偏差がゼロよりプラス側に大きくなった時点から冷却器への冷却水の供給および加熱器による加熱を停止した後に、加熱器による加熱制御に切り換えることを特徴とするプロセス温度制御方法。請求項2に記載のプロセス温度制御方法において、前記偏差のプラス側にも前記閾値を設定し、実測演算過程で当該閾値を超える時点から冷却器への冷却水の供給を停止し、加熱器による加熱制御に切り換えることを特徴とするプロセス温度制御方法。請求項2ないし請求項4のいずれかに記載のプロセス温度制御方法において、最大加熱量の異なるシステムを備えた加熱器と最大冷却量の異なるシステムを備えた冷却器の組合せを利用し、予め決めた温度偏差の閾値に達した時点から目標温度までの範囲で最大加熱量および最大冷却量の小さい側のシステムを同時に利用してプロセス温度制御することを特徴とするプロセス温度制御方法。従来のプロセス温度制御方法では、溶融した材料の目標温度と実測温度の偏差が±4~5°C程度であれば温度コントロールできるものの、偏差が±1°C以下の範囲では温度コントロールできないといった問題ある。そこで、発明者は、当該問題を解決すべく実験を繰り返して鋭意検討した結果、次のような知見を得た。すなわち、目標温度の近傍において、シリンダ内に供給する冷却水の量を減らしてゆくと、当該シリンダに備わった流量バルブでは、微量の冷却水を一定量だけ供給しつづけることができないことが分かった。また、制御対象の溶融した材料を100°Cより高い目標温度で冷却制御する場合において、シリンダに供給した冷却水による顕熱作用と気化熱による冷却によって押出機の除熱が行われている。ここで、気化熱による冷却は、顕熱作用による冷却効率冷却水の単位量当たりの除熱量よりも大きいので、シリンダへの冷却水の供給量の僅かな変化であっても気化熱による冷却精度に大きな誤差が生じ、ひいては目標温度の近傍でのプロセス温度制御を精度よく行えないことが分かった。本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、溶融した材料を目標温度の近傍で温度を精度よく制御可能なプロセス温度制御方法を提供することを主たる目的とする。この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、溶融した材料の製造過程におけるプロセス温度制御方法において、冷却器および加熱器を備えた容器の当該冷却器への冷却水の供給を一定に保てる最低流量に応じた流量バルブへの最低制御出力を予め決定し、溶融した前記材料の製造過程で測定した当該材料の実測温度と予め決めた目標温度の偏差を求め、当該偏差が目標温度の近傍にあるとき、最低制御出力によって最低流量の冷却水を前記冷却器に供給しつつ、前記加熱器による加熱を調整して前記容器内の溶融した材料の温度を制御することを特徴とする。作用効果上記方法によれば、溶融した材料の目標温度と実測温度から求まる偏差が、当該目標温度の近傍にあるとき、一定量の冷却水を冷却器に供給可能な最低制御出力によって流量バルブの開度を固定する。溶融した材料の冷却が必要なときに、冷却器には一定量の冷却水が常に満たされているので、気化熱による冷却を安定させることがでる。したがって、偏差が目標値に収束してゆく過程で、偏差に応じて加熱器を操作して加熱によって冷却作用を相殺させて温度を調整するので、冷却器によって容器の除熱を精度よく行うことができ、ひいては目標温度の近傍で容器内の溶融した材料の温度制御を精度よく行える。なお、前記プロセス温度制御方法において、目標温度の近傍におけるプロセス温度制御は、次のようにしてもよい。偏差の少なくともマイナス側で前記偏差に基づいて流量バルブの開度を決定する制御出力を算出するに際し、前記最低制御出力を閾値として設定し、実測演算過程で当該閾値に達した時点から目標温度に達するまでの範囲で最低流量の冷却水を前記冷却器に供給しつつ、前記加熱器による加熱を調整する。つまり、偏差がゼロになった時点で冷却器への冷却水の供給および加熱器による加熱を停止した後に、偏差のプラス側で加熱器による加熱制御に切り換える。この方法によれば、目標温度の近傍において、マイナス側の閾値から目標温度までの冷却の必要な範囲で冷却と加熱による温度制御を精度よく行うことができる。積極的な加熱による温度制御が必要な目標温度よりもプラス側の偏差の範囲では、加熱器のみで温度制御を行う。すなわち、当該範囲で冷却水による冷却と加熱器を利用して加熱した場合、加熱制御出力を大きくしてゆく過程で発生しがちなエネルギー効率の悪いといった不都合を回避することができる。なお、上記方法において、差のプラス側にも前記閾値を設定し、実測演算過程で当該閾値を超える時点から冷却器への冷却水の供給を停止し、加熱器による加熱制御に切り換えてもよい。この方法によれば、積極的な加熱を行う範囲で冷却と加熱による温度制御する場合、エネルギー効率は悪くなるものの、気化熱による冷却と加熱を精度よくコントロールすることにより、目標温度の近傍での温度制御を精度よく行うことができる。さらに、冷却制御を伴う加熱制御の範囲から冷却制御が不要で加熱制御のみでよい範囲への切り替え時に加熱制御が連続的に機能しているので、効率的にプロセス温度制御を行うことができる。なお、上記方法において、最大加熱量の異なるシステムを備えた加熱器と最大冷却量の異なるシステムを備えた冷却器の組合せを利用し、予め決めた温度偏差の閾値に達した時点から目標温度までの範囲で最大加熱量および最大冷却量の小さい側のシステムを同時に利用してプロセス温度制御することが好ましい。この方法によれば、温度偏差の小さい領域で加熱および冷却の専用システムを利用することができるので、一機能しか有しない一台の装置で温度コントロールする場合に発生しがちなハンチングを起こさせることなくプロセス温度制御を精度よく行うことができる。本発明のプロセス温度制御方法によれば、溶融した材料の製造過程において、当該材料の目標温度の近傍でプロセス温度制御を精度よく行うことができる。以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。なお、本実施例では、押出機を利用してフィルムを製造する過程で、当該押出機内で溶融した材料樹脂の温度を制御する場合を例に採って説明する。したがって、本実施例は一例であって、本発明のプロセス温度制御方法は、フィルムの製造に限定されず製造過程で溶融した材料の温度制御に利用できる。図1は押出機の概略構成を示す側面図、図2はシリンダおよびその周りの概略構成を示すブロック図である。図1に示す本実施例に用いる押出機1は、ペレット状のプラスチックなどの材料2を供給するホッパー3と、内装したスクリュー4によって材料2を摩擦剪断しながら搬送する搬送部5と、搬送部5内の材料2を加熱、冷却またはこれらを組合せたシリンダ6と、搬送部5内で溶融した材料2を冷却して硬化させる冷却ロール8の表面に塗工するダイ7などから構成されている。押出機1から冷却ロール8に塗工される材料2は、厚み調節ロール9、搬送ロール10群、厚み調整後にフィルム化された材料2の表面処理例えばコロナ処理などを施す表面処理部11の順で搬送され、回収先のターレット12に巻取り回収されるように構成されている。以下、各部の構成について具体的に説明する。シリンダ6は、ホッパー3側の搬送部5の基端からダイ7の先端に向かって複数個を略等間隔に配備されている。各シリンダ6は、冷却水を循環させる配管などからなり、搬送部5を冷却する冷却器と搬送部5を加熱する加熱器から構成されている。また、図2に示すように、加熱器および冷却器を操作するための各種出力信号を送信するPIDコントローラ13が設けられている。なお、PIDコントローラ13については後述する。加熱器は、ヒータ14と、ヒータ14に供給する電力量を調節する電力調節器15と、ヒータ14のオンオフのタイミングを操作して加熱温度を制御する半導体リレー16SSR:SolidStateRelayとから構成されている。電力調節器15は、異なる最大加熱量をヒータ14によって出力できるようにする。具体的には、抵抗値の異なる2個の電力調整用の抵抗器R1R2のそれぞれが抵抗切替リレー17a17bと組み合わされて並列接続さており、最大加熱能力が異なる2系統の加熱器を構成している。すなわち、抵抗切替リレー17a17bのそれぞれは、PIDコントローラ13に接続されており、PIDコントローラ13のからの信号に応じていずれか一方側がオン状態となる。例えば、抵抗値がR1<R2の関係となるように設定し、抵抗器R1をオンにして第1系統を利用するとき、抵抗器R2を備えた第2系統側から供給される電力よりも大きい電力がヒータ14に供給される。逆に抵抗器R2をオンにして第2系統側を利用するとき、第1系統側の電力よりも小さい電力がヒータ14に供給される。したがって、最大加熱能力の異なる2系統の加熱システムを有する加熱器を構成することができる。冷却器は、シリンダ6への冷却水の供給量を一定に保つことができる2系統の冷却システムを有している。当該2系統の冷却システムには異なる流量の冷却水が供給される。具体的には、冷却水の供給源であるバッファタンクを備えた冷却ユニット18、冷却水の供給量の切り替えを行うコントロールバルブ19、コントロールバルブ19から下流側で分岐された配管ごとに第1電磁バルブ20と第2電磁バルブ22を備えている。さらに、当該第1電磁バルブ20の下流側に第1手動バルブ21を備えている。また、第2電磁バルブ22の下流側に第2手動バルブ23を備えている。冷却器の第1系統側は、第2系統側に比べて最大冷却能力が大きく設定されている。つまり、第1手動バルブ21の開度を第2手動バルブ23の開度よりも予め大きくした状態に設定されている。第1手動バルブ21の開度を予め設定した後は、第1電磁バルブ20のオンオフにより使用未使用を決定する。ただし、当該第1系統側からシリンダ6に供給される冷却水の流量は、第2系統からシリンダ6に供給される冷却水の流量よりも多い。また、冷却器の第2系統側も同様に第2手動バルブ23の開度を予め設定した後は、第2電磁バルブ22のオンオフにより第2系統の使用未使用を決定する。なお、第1系統または第2系統に対する冷却水の供給量の切り替えは、PIDコントローラ13から送信される信号によるコントロールバルブ19の調整により行われている。また、第1手動バルブ21と第2手動バルブ23の開度、第1電磁バルブ20と第2電磁バルブ22のオンオフやコントロールバルブ19の開度は、実験やシミュレーションなどによって予め決められている。なお、これら各バルブは、本発明の流量バルブに相当する。なお、図1に示す各シリンダ6は、上述の加熱器および冷却器を個別に備えており、シリンダ6ごとに独立して温度制御可能に構成されている。冷却ロール8は、そのロール内部に冷却水が循環するように構成されている。つまり、冷却ロール8上で溶融した材料2が均一に延伸されてフィルム状になる過程で、当該フィルムを冷却硬化させる。厚み調節ロール9は、例えば金属やゴム製のものが適宜に利用される。次に、本実施例の特徴であるプロセスの温度制御方法を、上記実施例装置を用いて図2~図5に基づいて説明する。溶融した材料の温度を直接または間接的にセンサで測定し、予め決めた目標値と実測値から偏差を求め、当該偏差が予め決めた閾値から目標値の範囲に収まっている場合に、冷却器および加熱器のそれぞれから最大加熱出力および最大冷却出力の小さい側の第2系統を選択してプロセス温度制御を行う。当該設定範囲以外の偏差の領域では、最大加熱出力および最大冷却出力の大きい第1系統のいずれか一方を利用して、プロセス温度制御を行う。先ず、フィルム製造を開始する前に、フィルムの製造条件を図3に示すコントローラ切替器24に設定する。例えば、目的のフィルムを製造するのに用いる各種材料ごとに適した温度を目標値SVとして実験やシミュレーションで予め求めて設定入力する。また、冷却器の第2系統を利用して一定量の冷却水を連続してシリンダ6に供給可能な最低流量となるコントロールバルブ19の開度を決定する。ここで、最低流量は、常温で所定量の冷却水をシリンダ6内に供給し、循環して排出される冷却水の量から決定する。つまり、シリンダ6への冷却水の供給量とシリンダ6からの排出量が連続的に一致する最小流量を予め実験で求めておく。第2系統を利用した最小流量が決まるとコントロールバルブ19の特性から最低制御出力Mc2が求まる。本実施例では、第2系統を利用したコントロールバルブ19の開度との対比から最低制御出力を10に設定している。次に、冷却器の第2系統および加熱器の第2系統への切り替えタイミングを決定する。つまり、本発明の目標値SVの近傍でのプロセス温度制御の範囲を決定する。例えば、PID制御演算により冷却器の第1系統の最低制御出力を満たすコントロールバルブ19の開度=偏差目標値SV-実測値PV×ゲインによって目標値SVからマイナス側の偏差を決定し、当該偏差を閾値として利用する。本実施例では、閾値を-3°Cに設定し、目標値SVから当該閾値-3°Cの範囲で、冷却器の第2系統を利用してプロセス温度制御を行うように設定する。この冷却器の第2系統を利用する過程において、PID制御演算により逐次に求まる冷却制御出力が予め決めた最低制御出力の10に達した時点で加熱器の第2系統を作動させ、冷却と加熱を利用してプロセス温度制御を行うように設定する。加熱器の第1系統への切り替えタイミングは、閾値として3°Cに設定している。なお、本実施例では、加熱制御出力100のときの偏差10°C、冷却制御出力100のとき-10°Cに設定し、偏差が±10°Cを超える場合は、100の制御出力を維持するように設定している。条件設定の入力が完了すると、フィルムの製造を開始する。当該フィルムの製造に伴ってシリンダ6の温度が温度センサなどによって逐次に測定される。つまり、搬送路5内の溶融した材料2の温度変化とシリンダ6の温度変化の相関関係が予め求められており、間接的に材料2の温度を測定している。この実測値PVと目標値SVが、図3に示すコントローラ切替器24に入力される。コントローラ切替器24内において、偏差e=目標値SV-実測値PVが求められる。偏差e<閾値-3°Cの場合、冷却器の第1系統を利用してプロセス温度制御を行う。ここで、偏差eが-10°Cを超える場合、つまり、最大冷却が必要な場合には、図4に示すように予め決めた冷却制御出力100で冷却水をシリンダ6に供給しながら搬送路5の除熱を行う。偏差eが-10°Cより小さくなり、閾値までの範囲にあるとき、第1冷却用PIDコントローラによって偏差eに応じた冷却水の供給量をシリンダ6に供給可能なコントロールバルブ19の開度に相当する冷却制御出力Mc1が、次式1によって逐次に求められる。ここで、PBは比例帯、TIは積分時間、TDは微分時間、100/PBはゲインである。偏差eが小さくなるのに伴い、上記式1によって求まる冷却制御出力Mc1に応じたコントロールバルブ19の開度を絞りシリンダ6への冷却水の供給量を減らしてゆく。当該過程で偏差eが閾値に到達すると、コントローラ切替器24は、第2冷却用PIDコントローラをオンにする。そして、第2冷却用PIDコントローラは、図5に示すフローチャートに沿った処理を実行する。第2冷却用PIDコントローラは、シリンダ温度の目標値SVとシリンダの実測値PVから偏差eを逐次に求める。当該偏差eに応じた冷却水の供給量をシリンダ6に供給可能な開度に相当する冷却制御出力が、上記式1によって、同じく逐次に求められるステップS1。求めた冷却制御出力Mc2が、予め設定した10に達するかどうかをモニタするステップS2。冷却制御出力Mc2が10以上であれば、そのままの値を利用してコントロールバルブ19の開度を調整するステップS3。ステップS2において、冷却制御出力Mc2が10を下回ると、この状態で最低制御出力Mc2を10に固定するステップS4。同時に、第2冷却用PIDコントローラから第2加熱用PIDコントローラにフラグをオンにするステップS5。ここで、一方の第2冷却用PIDコントローラは、冷却制御出力Mc2を10とする最低流量の冷却水をシリンダ6に供給する。他方の、第2加熱用PIDコントローラは、加熱器の第2系統の制御出力Mh2を求め、当該結果に応じてヒータ14への電力量を調整してプロセス温度制御を行う。すなわち、図6に示すように、第2加熱用PIDコントローラは、ステップ10において第2冷却用PIDコントローラからフラグをオンにする信号の受信判定を行う。受信が確認されると、当該信号が1回目かどうかを判定するステップS11。受信した信号が1回目であれば、第2加熱用PIDコントローラは、現在時点で算出した偏差eを内部のメモリに初期偏差e0とし記憶するステップS12。この時点で、偏差eは初期値なので、e=e0としステップS13、当該値に応じた加熱制御出力Mh2を上記式1を利用して求めるステップS14。以後の第2加熱用PIDコントローラによる加熱制御過程において、ステップS10からステップS14の処理が繰り返し実行される。この2回目以降の処理では、ステップS13における偏差が逐次に偏差e’に変化する。したがって、2回目以降の加熱制御出力Mh2は、上記式1おいて、e’=e-e0として逐次に求められる。つまり、第2冷却用PIDコントローラだけを利用して冷却によるプロセス温度制御を行った場合、冷却能力が一定に保たれて偏差eが目標値SVに収束しづらいので、加熱器の第2系統のヒータ14の加熱を調節して冷却能力を相殺しながら実測値PVを目標値SVに近づけるよう制御する。第2冷却用PIDコントローラからフラグをオフにする信号を第2加熱用PIDコントローラが受信すると、偏差eがプラス側e>0に転じて積極的な加熱が必要であると判断する。すなわち、コントローラ切替器24は、冷却器をオフにし、第2加熱用PIDコントローラによって上記式1を利用して制御出力Mh2を求めステップS14、当該結果に応じてヒータ14の電力量を調節して加熱しながらプロセス温度制御を行う。なお、加熱制御過程において偏差eが閾値3°Cを超えた時点から第1加熱用PIDコントローラに切り替えて、加熱器の第1系統を利用したプロセス温度制御を実行する。以上のように、溶融した材料2からフィルムを製造する過程で、材料2の温度が目標値SVの近傍で、かつ、冷却が必要な所定範囲において、予め決めた冷却器の第2系統の最小制御出力を下回ったとき、第2手動バルブ23とコントロールバルブ19の組合せから求まる最小制御出力によって最低流量の冷却水を一定に保ちながらシリンダ6に供給するとともに、当該冷却によって冷却し過ぎる場合は、加熱器の第2系統を利用して冷却能力を相殺することで、シリンダ6内で冷却水が気化する量を誤差なく一定に保つことができる。つまり、最小制御可能な一定量の冷却水をシリンダ5内に供給し続けることにより、除熱量を誤差なく安定させることができる。気化熱の安定した状態で、冷却の効き過ぎを最大制御出力の小さい加熱器による加熱で相殺しつつ温度制御するので、微妙な温度調整が可能となり実測値PVを目標値SVに近づけることができる。したがって、目標値の±1°Cの範囲での微妙な温度コントロールをすることができる。また、微量の冷却水を一定に保ちながら供給可能な、高額で特殊なシステムを複数個のシリンダ6ごとに備える必要がないので、装置にかかる費用を削減することもできる。本発明は上述した実施例の形態に限らず、次のように変形実施することができる。上述実施例装置では、目標値SVからマイナス側に閾値を設け、当該閾値から目標値の範囲で冷却器の第2系統を利用して最低流量を維持するように構成していたが、次のようにしてプロセス温度制御を行ってもよい。1偏差eが目標値SVに近づく傾向にある場合において、実測値PVが目標値SVと一致したときに最低流量の冷却水をシリンダ6に供給するようにプロセス温度制御を行ってもよい。例えば、図7に示すように、偏差が-10°Cで冷却制御出力100から偏差がゼロの目標値SVに向けて冷却制御出力を小さくしてゆく。この場合、図2に示す2系統を備えた冷却器を利用してもよいし、図8に示す1系統しか備えていない冷却器を利用してもよい。当該構成の場合、系統を切り替えるため電磁バルブは不要となる。2系統を備えた冷却器の場合、加熱器の第2系統を同時に利用するタイミングとなる閾値を予め決める。当該閾値は、例えば、上記実施例と同様に-3°Cに設定する場合、-3°Cのときにシリンダ6への冷却水の供給量は、上記実施例に比べて多いので、加熱器の第2系統側のヒータ14の制御出力を上記実施例の場合に比べて大きくしておく必要がある。したがって、本実施例は上記実施例とは異なり、第2冷却用コントローラからの信号に依存せず、第2加熱用コントローラ自体が偏差eを逐次にモニタする。その過程で、第2冷却用コントローラによって算出される冷却制御出力Mc2が10になる以前の高い値の時点の偏差eを固定偏差e0として予め設定し、当該偏差e0に達した時点から加熱制御を行うようにする。なお、冷却器の第2系統への切り替えは、上記実施例と同様に閾値-3°Cに設定する。図8に示すように、冷却器に1系統の冷却機能しか有していないシリンダ構成の場合、手動バルブ21Aの開度を予め決めて固定し、冷却制御出力100から10の範囲でコントロールバルブ19の開度を調節すればよい。また、閾値に到達した時点から加熱器の第2系統を利用して加熱を調節してプロセス温度制御を行えばよい。2別の変形例として、例えば、図9に示すように、偏差のプラス側に閾値を設け、マイナス側からプラス側の閾値の範囲で冷却器の第2系統と加熱器の第2系統を同時に利用してプロセス温度制御をする。当該方法によれば、目標値からプラス側の閾値の範囲では積極的な加熱がされるので、マイナス側の領域で保証していた最低流量の冷却水の気化する量が多くなる傾向にある。したがって、積極的な加熱を行う範囲で冷却と加熱による温度制御をするので、エネルギー効率は悪くなるものの、気化熱により冷却と加熱を精度よくコントロールすることにより、目標温度の近傍での温度制御を精度よく行うことができる。さらに、冷却制御を伴う加熱制御の範囲から冷却制御が不要で加熱制御のみでよい範囲への切り替え時に加熱制御が連続的に機能しているので、効率的にプロセス温度制御を行うことができる。