線狭化パルスエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムであって、パルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成し、かつ第1のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバ、及び第1の発振空洞内の線狭化モジュール、を含む、シードレーザ発振器と、前記シードレーザ発振器の前記出力を受け取って該シードレーザ発振器の該出力を増幅し、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第2のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバに増幅利得媒体を収容し、かつリング電力増幅ステージを含んで、前記シードレーザ発振器の前記出力が該リング電力増幅ステージの前記増幅利得媒体をループ毎に少なくとも2回通過する、レーザ増幅ステージと、を含むことを特徴とするシステム。前記リング電力増幅ステージは、前記シードレーザ発振器出力光ビームが、前記リング電力増幅ステージ内に注入される時に通る部分反射光学要素を含む注入機構、を含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。前記リング電力増幅ステージは、ボウタイ型ループを含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。前記リング電力増幅ステージは、レーストラック型ループを含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。前記シードレーザ発振器の前記出力のパルスエネルギが、0.1mJに等しいか又はそれ未満である、ことを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。前記シードレーザ発振器の前記出力のパルスエネルギが、0.1mJに等しいか又はそれ未満である、ことを更に含むことを特徴とする請求項2に記載の装置。前記シードレーザ発振器の前記出力のパルスエネルギが、0.2mJに等しいか又はそれ未満である、ことを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。前記シードレーザ発振器の前記出力のパルスエネルギが、0.2mJに等しいか又はそれ未満である、ことを更に含むことを特徴とする請求項2に記載の装置。前記シードレーザ発振器の前記出力のパルスエネルギが、0.5mJに等しいか又はそれ未満である、ことを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。前記シードレーザ発振器の前記出力のパルスエネルギが、0.5mJに等しいか又はそれ未満である、ことを更に含むことを特徴とする請求項2に記載の装置。前記シードレーザ発振器の前記出力のパルスエネルギが、0.75mJに等しいか又はそれ未満である、ことを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。前記シードレーザ発振器の前記出力のパルスエネルギが、0.75mJに等しいか又はそれ未満である、ことを更に含むことを特徴とする請求項2に記載の装置。前記リング電力増幅ステージは、前記シードレーザ発振空洞の前記出力を≧1mJのパルスエネルギまで増幅する、ことを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。前記リング電力増幅ステージは、前記シードレーザ発振空洞の前記出力を≧1mJのパルスエネルギまで増幅する、ことを更に含むことを特徴とする請求項2に記載の装置。前記リング電力増幅ステージは、前記シードレーザ発振空洞の前記出力を≧2mJのパルスエネルギまで増幅する、ことを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。前記リング電力増幅ステージは、前記シードレーザ発振空洞の前記出力を≧2mJのパルスエネルギまで増幅する、ことを更に含むことを特徴とする請求項2に記載の装置。前記リング電力増幅ステージは、前記シードレーザ発振空洞の前記出力を≧5mJのパルスエネルギまで増幅する、ことを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。前記リング電力増幅ステージは、前記シードレーザ発振空洞の前記出力を≧5mJのパルスエネルギまで増幅する、ことを更に含むことを特徴とする請求項2に記載の装置。前記リング電力増幅ステージは、前記シードレーザ発振空洞の前記出力を≧10mJのパルスエネルギまで増幅する、ことを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。前記リング電力増幅ステージは、前記シードレーザ発振空洞の前記出力を≧10mJのパルスエネルギまで増幅する、ことを更に含むことを特徴とする請求項2に記載の装置。前記リング電力増幅ステージは、前記シードレーザ発振空洞の前記出力を≧15mJのパルスエネルギまで増幅する、ことを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。前記リング電力増幅ステージは、前記シードレーザ発振空洞の前記出力を≧15mJのパルスエネルギまで増幅する、ことを更に含むことを特徴とする請求項2に記載の装置。12kHzまでの出力パルス繰返し数で作動する、ことを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。12kHzまでの出力パルス繰返し数で作動する、ことを更に含むことを特徴とする請求項2に記載の装置。≧2かつ≦8kHzの出力パルス繰返し数で作動する、ことを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。≧2かつ≦8kHzの出力パルス繰返し数で作動する、ことを更に含むことを特徴とする請求項2に記載の装置。≧4かつ≦6kHzの出力パルス繰返し数で作動する、ことを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。≧4かつ≦6kHzの出力パルス繰返し数で作動する、ことを更に含むことを特徴とする請求項2に記載の装置。広帯域パルスエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムであって、パルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成し、かつ第1のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバを含む、シードレーザ発振器と、前記シードレーザ発振器の前記出力を受け取って該シードレーザ発振器の該出力を増幅し、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第2のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバに増幅利得媒体を収容し、かつリング電力増幅ステージを含んで、前記シードレーザ発振器の前記出力が、該リング電力増幅ステージの前記増幅利得媒体をループ毎に少なくとも2回通過する、レーザ増幅ステージと、を含むことを特徴とするシステム。前記リング電力増幅ステージは、前記シードレーザ発振器出力光ビームが、前記リング電力増幅ステージ内に注入される時に通る部分反射光学要素を含む注入機構、を含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項29に記載の装置。前記リング電力増幅ステージは、ボウタイ型ループを含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項29に記載の装置。前記リング電力増幅ステージは、ボウタイ型ループを含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項30に記載の装置。前記リング電力増幅ステージは、レーストラック型ループを含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項29に記載の装置。前記リング電力増幅ステージは、レーストラック型ループを含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項30に記載の装置。前記シードレーザ発振器と前記増幅利得媒体の中間にある干渉破壊機構、を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。前記シードレーザ発振器と前記増幅利得媒体の中間にある干渉破壊機構、を更に含むことを特徴とする請求項2に記載の装置。前記干渉破壊機構は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離よりも長い遅延長さを有する光学遅延経路を含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項35に記載の装置。前記干渉破壊機構は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離よりも長い遅延長さを有する光学遅延経路を含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項36に記載の装置。前記光学遅延経路は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおける前記パルスの長さを大きくは増大しない、ことを更に含むことを特徴とする請求項37に記載の装置。前記光学遅延経路は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおける前記パルスの長さを大きくは増大しない、ことを更に含むことを特徴とする請求項38に記載の装置。前記干渉破壊機構は、第1の長さの第1の光学遅延経路及び第2の長さの第2の光学遅延経路を含み、該第1及び第2の遅延経路の各々における光学遅延は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離を超えるが、該パルスの長さを大きくは増大せず、該第1の遅延経路及び該第2の光学遅延経路の該長さの差は、該パルス該可干渉距離を超える、ことを更に含むことを特徴とする請求項35に記載の装置。前記干渉破壊機構は、第1の長さの第1の光学遅延経路及び第2の長さの第2の光学遅延経路を含み、該第1及び第2の遅延経路の各々における光学遅延は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離を超えるが、該パルスの長さを大きくは増大せず、該第1の遅延経路及び該第2の光学遅延経路の該長さの差は、該パルス該可干渉距離を超える、ことを更に含むことを特徴とする請求項36に記載の装置。線狭化パルスエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムであって、パルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成し、かつ第1のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバ、及び第1の発振空洞内の線狭化モジュール、を含む、シードレーザ発振器と、前記シードレーザ発振器の前記出力を受け取って該シードレーザ発振器の該出力を増幅し、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第2のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバに増幅利得媒体を収容し、かつリング電力増幅ステージを含んで、前記シードレーザ発振器の前記出力が該リング電力増幅ステージの前記増幅利得媒体をループ毎に少なくとも2回通過する、レーザ増幅ステージと、前記シードレーザ発振器と前記リング電力増幅ステージの中間にある干渉破壊機構と、を含むことを特徴とするシステム。前記リング電力増幅ステージは、前記シードレーザ発振器出力光ビームが、前記リング電力増幅ステージ内に注入される時に通る部分反射光学要素を含む注入機構、を含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項43に記載の装置。前記干渉破壊機構は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離よりも長い遅延長さを有する光学遅延経路を含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項44に記載の装置。前記光学遅延経路は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおける前記パルスの長さを大きくは増大しない、ことを更に含むことを特徴とする請求項45に記載の装置。前記干渉破壊機構は、第1の長さの第1の光学遅延経路及び第2の長さの第2の光学遅延経路を含み、該第1及び第2の遅延経路の各々における光学遅延は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離を超えるが、該パルスの長さを大きくは増大せず、該第1の遅延経路及び該第2の光学遅延経路の該長さの差は、該パルス該可干渉距離を超える、ことを更に含むことを特徴とする請求項44に記載の装置。前記干渉破壊機構は、単一の入力パルスから順に遅延した複数のサブパルスを発生する干渉破壊光学遅延構造を含み、各サブパルスは、次のサブパルスからパルス光の可干渉距離よりも大きく遅延する、ことを更に含むことを特徴とする請求項44に記載の装置。広帯域パルスエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムであって、パルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成し、かつ第1のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバを含む、シードレーザ発振器と、前記シードレーザ発振器の前記出力を受け取って該シードレーザ発振器の該出力を増幅し、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第2のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバに増幅利得媒体を収容し、かつリング電力増幅ステージを含んで、前記シードレーザ発振器の前記出力が、該リング電力増幅ステージの前記増幅利得媒体をループ毎に少なくとも2回通過する、レーザ増幅ステージと、前記シードレーザ発振器と前記リング電力増幅ステージの中間にある干渉破壊機構と、を含むことを特徴とするシステム。前記リング電力増幅ステージは、前記シードレーザ発振器出力光ビームが、前記リング電力増幅ステージ内に注入される時に通る部分反射光学要素を含む注入機構、を含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項49に記載の装置。前記干渉破壊機構は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離よりも長い遅延長さを有する光学遅延経路を含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項48に記載の装置。前記光学遅延経路は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおける前記パルスの長さを大きくは増大しない、ことを更に含むことを特徴とする請求項51に記載の装置。前記干渉破壊機構は、第1の長さの第1の光学遅延経路及び第2の長さの第2の光学遅延経路を含み、該第1及び第2の遅延経路の各々における光学遅延は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離を超えるが、該パルスの長さを大きくは増大せず、該第1の遅延経路及び該第2の光学遅延経路の該長さの差は、該パルス該可干渉距離を超える、ことを更に含むことを特徴とする請求項48に記載の装置。前記干渉破壊機構は、単一の入力パルスから順に遅延した複数のサブパルスを発生する干渉破壊光学遅延構造を含み、各サブパルスは、次のサブパルスからパルス光の可干渉距離よりも大きく遅延する、ことを更に含むことを特徴とする請求項48に記載の装置。パルスエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムであって、パルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成し、かつ第1のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバ、及び第1の発振空洞内の線狭化モジュール、を含む、シードレーザ発振器と、前記シードレーザ発振器の前記出力を受け取って該シードレーザ発振器の該出力を増幅し、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第2のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバに増幅利得媒体を収容し、かつリング電力増幅ステージを含んで、前記シードレーザ発振器の前記出力が、該リング電力増幅ステージの前記増幅利得媒体をループ毎に少なくとも2回通過する、レーザ増幅ステージと、シードレーザ出力光ビームパルスの可干渉距離を超える光学遅延経路を含み、前記シードレーザ発振器と前記レーザ増幅ステージの中間にある干渉破壊機構と、を含むことを特徴とするシステム。前記増幅ステージは、レーザ発振空洞を含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項55に記載の装置。前記増幅ステージは、前記増幅利得媒体を通る固定数の通過を定める光路を含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項55に記載の装置。前記干渉破壊機構は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離よりも長い遅延長さを有する光学遅延経路を含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項55に記載の装置。前記干渉破壊機構は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離よりも長い遅延長さを有する光学遅延経路を含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項56に記載の装置。前記干渉破壊機構は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離よりも長い遅延長さを有する光学遅延経路を含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項57に記載の装置。前記光学遅延経路は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおける前記パルスの長さを大きくは増大しない、ことを更に含むことを特徴とする請求項58に記載の装置。前記光学遅延経路は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおける前記パルスの長さを大きくは増大しない、ことを更に含むことを特徴とする請求項59に記載の装置。前記光学遅延経路は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおける前記パルスの長さを大きくは増大しない、ことを更に含むことを特徴とする請求項60に記載の装置。前記干渉破壊機構は、第1の長さの第1の光学遅延経路及び第2の長さの第2の光学遅延経路を含み、該第1及び第2の遅延経路の各々における光学遅延は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離を超えるが、該パルスの長さを大きくは増大せず、該第1の遅延経路及び該第2の光学遅延経路の該長さの差は、該パルス該可干渉距離を超える、ことを更に含むことを特徴とする請求項55に記載の装置。前記干渉破壊機構は、第1の長さの第1の光学遅延経路及び第2の長さの第2の光学遅延経路を含み、該第1及び第2の遅延経路の各々における光学遅延は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離を超えるが、該パルスの長さを大きくは増大せず、該第1の遅延経路及び該第2の光学遅延経路の該長さの差は、該パルス該可干渉距離を超える、ことを更に含むことを特徴とする請求項56に記載の装置。前記干渉破壊機構は、第1の長さの第1の光学遅延経路及び第2の長さの第2の光学遅延経路を含み、該第1及び第2の遅延経路の各々における光学遅延は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離を超えるが、該パルスの長さを大きくは増大せず、該第1の遅延経路及び該第2の光学遅延経路の該長さの差は、該パルス該可干渉距離を超える、ことを更に含むことを特徴とする請求項57に記載の装置。前記干渉破壊機構は、単一の入力パルスから順に遅延した複数のサブパルスを発生する干渉破壊光学遅延構造を含み、各サブパルスは、次のサブパルスからパルス光の可干渉距離よりも大きく遅延する、ことを更に含むことを特徴とする請求項55に記載の装置。前記干渉破壊機構は、単一の入力パルスから順に遅延した複数のサブパルスを発生する干渉破壊光学遅延構造を含み、各サブパルスは、次のサブパルスからパルス光の可干渉距離よりも大きく遅延する、ことを更に含むことを特徴とする請求項56に記載の装置。前記干渉破壊機構は、単一の入力パルスから順に遅延した複数のサブパルスを発生する干渉破壊光学遅延構造を含み、各サブパルスは、次のサブパルスからパルス光の可干渉距離よりも大きく遅延する、ことを更に含むことを特徴とする請求項57に記載の装置。レーザ光源システムであって、シードレーザ出力を供給する固体レーザシードビーム源と、前記シードレーザ出力をエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザのシードに適する波長に変換する周波数変換ステージと、前記変換されたシードレーザ出力を増幅してほぼ該変換波長でパルスのガス放電レーザ出力ビームを生成するエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザ利得媒体と、前記出力パルスの可干渉距離よりも長い遅延経路を有する光学遅延要素を含む干渉破壊機構と、を含むことを特徴とするシステム。前記エキシマ又は分子フッ素レーザは、XeCl、XeF、KrF、ArF、及びF2レーザシステムを含む群から選択される、ことを更に含むことを特徴とする請求項70に記載の装置。前記レーザ利得媒体は、電力増幅器を含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項71に記載の装置。前記電力増幅器は、単一通過増幅器ステージを含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項72に記載の装置。前記電力増幅器は、多重通過増幅器ステージを含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項72に記載の装置。前記利得媒体は、リング電力増幅ステージを含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項71に記載の装置。前記リング電力増幅ステージは、ボウタイ構成を含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項75に記載の装置。入力/出力カプラシード注入機構、を更に含むことを特徴とする請求項70に記載の装置。入力/出力カプラシード注入機構、を更に含むことを特徴とする請求項71に記載の装置。前記干渉破壊機構は、前記レーザシードビーム源と前記ガス放電レーザ利得媒体の中間にある、ことを更に含むことを特徴とする請求項77に記載の装置。前記干渉破壊機構は、前記レーザシードビーム源と前記ガス放電レーザ利得媒体の中間にある、ことを更に含むことを特徴とする請求項78に記載の装置。前記固体シードレーザビーム源は、Ndベースの固体レーザを含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項70に記載の装置。前記Ndベース固体レーザをポンピングする周波数逓倍ポンプ、を更に含むことを特徴とする請求項81に記載の装置。前記Ndベース固体レーザは、ファイバー増幅器レーザを含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項81に記載の装置。前記Ndベース固体レーザは、Nd:YAG、Nd:YLF、及びNd:YVO4固体レーザ、を含む群から選択される、ことを更に含むことを特徴とする請求項81に記載の装置。前記固体シードレーザビーム源は、Erベースの固体レーザを含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項70に記載の装置。前記Erベース固体レーザは、ファイバーレーザを含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項85に記載の装置。前記Erベース固体レーザは、Er:YAGレーザを含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項85に記載の装置。前記周波数変換ステージは、線形周波数変換器を含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項70に記載の装置。前記線形周波数変換器は、Ti:サファイア結晶を含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項88に記載の装置。前記線形周波数変換器は、アレキサンドライトを含む結晶を含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項89に記載の装置。前記周波数変換ステージは、非線形周波数変換器を含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項70に記載の装置。前記非線形周波数変換器は、2次高周波発生器を含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項91に記載の装置。前記非線形周波数変換器は、和周波混合器を含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項91に記載の装置。レーザ光源システムであって、シードレーザ出力を供給する固体レーザシードビーム源と、前記シードレーザ出力をエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザのシードに適する波長に変換する周波数変換ステージと、前記変換されたシードレーザ出力を増幅してほぼ該変換波長でガス放電レーザ出力を生成し、かつリング電力増幅ステージを含む、エキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザ利得媒体と、を含むことを特徴とするシステム。レーザ光源システムを作動する方法であって、固体レーザシードビーム源を利用してシードレーザ出力を供給する段階と、周波数変換ステージにおいて前記シードレーザ出力をエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザのシードに適する波長に周波数変換する段階と、エキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザ利得媒体を利用して、前記変換されたシードレーザ出力を増幅してほぼ該変換波長のガス放電レーザ出力を生成する段階と、を含むことを特徴とする方法。前記レーザ利得媒体は、電力発振器を含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項72に記載の装置。レーストラック構成を含むリング電力増幅ステージ、を更に含むことを特徴とする請求項74に記載の装置。処理機械であって、パルスUV光で加工物を照射する照射機械と、UV光入射開口部と、加工物保持台と、前記UV光パルスの可干渉距離を超える光学遅延経路を含む干渉破壊機構と、を含むことを特徴とする機械。前記光学遅延経路は、前記UV光パルスの長さを大きくは増大しない、ことを更に含むことを特徴とする請求項98に記載の装置。前記干渉破壊機構は、第1の長さの第1の光学遅延経路及び第2の長さの第2の光学遅延経路を含み、該第1及び第2の遅延経路の各々における光学遅延は、前記UV光パルスの前記可干渉距離を超えるが、該パルスの長さを大きくは増大せず、かつ該第1の遅延経路及び該第2の光学遅延経路の該長さの差は、該パルスの該可干渉距離を超える、ことを更に含むことを特徴とする請求項98に記載の装置。前記干渉破壊機構は、第1の長さの第1の光学遅延経路及び第2の長さの第2の光学遅延経路を含み、該第1及び第2の遅延経路の各々における光学遅延は、前記UV光パルスの前記可干渉距離を超えるが、該パルスの前記長さを大きくは増大せず、かつ該第1の遅延経路及び該第2の光学遅延経路の該長さの差は、該パルスの該可干渉距離を超える、ことを更に含むことを特徴とする請求項99に記載の装置。前記第1及び第2の光学遅延経路の少なくとも一方は、ビーム反転又はビーム平行移動機構を更に含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項98に記載の装置。前記第1及び第2の光学遅延経路の少なくとも一方は、ビーム反転又はビーム平行移動機構を更に含む、ことを更に含むことを特徴とする請求項99に記載の装置。線狭化パルスエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムを含むことができ、システムが、パルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成し、かつ第1のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバと第1の発振空洞内の線狭化モジュールとを含むことができるシードレーザ発振器と、シードレーザ発振器の出力を受け取ってシードレーザ発振器の出力を増幅し、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第2のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバに増幅利得媒体を収容し、かつリング電力増幅ステージを含むことができて、シードレーザ発振器の出力がこのリング電力増幅ステージの増幅利得媒体をループ毎に少なくとも2回通過するレーザ増幅ステージとを含むことができる装置及び方法を開示することは、当業者によって理解されるであろう。リング電力増幅ステージは、シードレーザ発振器出力光ビームがリング電力増幅ステージ内に注入される時に通る部分反射光学要素を含む注入機構を含むことができる。リング電力増幅ステージは、ボウタイ型ループ又はレーストラック型ループを含むことができる。シードレーザ発振器の出力のパルスエネルギは、0.1mJ、又は0.2mJ、又は0.5mJ、又は0.75mJに等しいか又はそれ未満とすることができる。リング電力増幅ステージは、シードレーザ発振空洞の出力を≧1mJ、又は≧2mJ、又は≧5mJ、又は≧10mJ、又は≧15mJのパルスエネルギまで増幅することができる。レーザシステムは、12kHzまで、又は≧2かつ≦8kHz、又は≧4かつ≦6kHzの出力パルス繰返し数で作動することができる。装置及び方法は、広帯域パルスエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムを含むことができ、システムは、パルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成し、かつ第1のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバを含むことができるシードレーザ発振器と、シードレーザ発振器の出力を受け取ってシードレーザ発振器の出力を増幅し、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第2のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバに増幅利得媒体を収容することができ、かつリング電力増幅ステージを含むことができて、シードレーザ発振器の出力がこのリング電力増幅ステージの増幅利得媒体をループ毎に少なくとも2回通過するレーザ増幅ステージとを含むことができる。開示する内容の実施形態の態様によれば、干渉破壊機構が、シードレーザ発振器と増幅利得媒体との中間に位置することができる。干渉破壊機構は、パルスのシードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離よりも長い遅延長さを有する光学遅延経路を含むことができる。光学遅延経路は、パルスのシードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの長さを大きくは増大しないと考えられる。干渉破壊機構は、第1の長さの第1の光学遅延経路及び第2の長さの第2の光学遅延経路を含むことができ、第1及び第2の遅延経路の各々における光学遅延は、パルスのシードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離を超えるが、パルスの長さを大きくは増大せず、第1の遅延経路及び第2の光学遅延経路の長さの差は、パルス可干渉距離を超える。実施形態の態様による装置及び方法は、線狭化パルスエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムを含むことができ、システムは、パルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成し、かつ第1のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバと第1の発振空洞内の線狭化モジュールとを含むことができるシードレーザ発振器と、シードレーザ発振器の出力を受け取ってシードレーザ発振器の出力を増幅し、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第2のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバに増幅利得媒体を収容し、かつリング電力増幅ステージを含むことができて、シードレーザ発振器の出力がこのリング電力増幅ステージの増幅利得媒体をループ毎に少なくとも2回通過するレーザ増幅ステージと、シードレーザ発振器とリング電力増幅ステージとの中間の干渉破壊機構とを含むことができる。実施形態の態様によれば、装置及び方法は、広帯域パルスエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムを含むことができ、システムは、パルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成し、かつ第1のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバを含むことができるシードレーザ発振器と、シードレーザ発振器の出力を受け取ってシードレーザ発振器の出力を増幅し、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第2のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバに増幅利得媒体を収容し、かつリング電力増幅ステージを含むことができて、シードレーザ発振器の出力がこのリング電力増幅ステージの増幅利得媒体をループ毎に少なくとも2回通過するレーザ増幅ステージと、シードレーザ発振器とリング電力増幅ステージとの中間の干渉破壊機構とを含むことができる。実施形態の態様による装置及び方法は、パルスエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムを含むことができ、システムは、パルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成し、かつ第1のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバと第1の発振空洞内の線狭化モジュールとを含むことができるシードレーザ発振器と、シードレーザ発振器の出力を受け取ってシードレーザ発振器の出力を増幅し、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第2のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバに増幅利得媒体を収容するレーザ増幅ステージと、シードレーザ出力光ビームパルスの可干渉距離を超える光学遅延経路を含むシードレーザ発振器とレーザ増幅ステージとの中間の干渉破壊機構とを含むことができる。増幅ステージは、レーザ発振空洞、又は増幅利得媒体を通る固定数の通過を定める光路を含むことができる。干渉破壊機構は、単一の入力パルスから順に遅延した複数のサブパルスを発生する干渉破壊光学遅延構造を含むことができ、各サブパルスは、次のサブパルスからパルス光の可干渉距離よりも大きく遅延する。また、パルスUV光で加工物を照射する照射機械と、UV光入射開口部と、加工物保持台と、UV光パルスの可干渉距離を超える光学遅延経路を含む干渉破壊機構とを含むことができる処理機械を含むことができる装置及び方法を開示することも当業者によって理解されるであろう。光学遅延経路は、UV光パルスの長さを大きくは増大させないと考えられる。干渉破壊機構は、第1の長さの第1の光学遅延経路及び第2の長さの第2の光学遅延経路を含むことができ、第1及び第2の遅延経路の各々における光学遅延は、UV光パルスの可干渉距離を超えるが、パルスの長さを大きくは増大せず、第1の遅延経路及び第2の光学遅延経路の長さの差は、パルス可干渉距離を超える。第1及び第2の光学遅延経路の少なくとも一方は、ビーム反転又はビーム平行移動機構を含むことができる。また、実施形態の態様によりレーザ光源システムを含み、システムが、シードレーザ出力を供給する固体レーザシードビーム源と、シードレーザ出力をエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザのシードに適する波長に変換する周波数変換ステージと、変換されたシードレーザ出力を増幅してほぼ変換波長でパルスのガス放電レーザ出力ビームを生成するエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザ利得媒体と、出力パルス可干渉距離よりも長い遅延経路を有する光学遅延要素を含む干渉破壊機構とを含むことができる装置及び方法を開示することは、当業者によって理解されるであろう。エキシマ又は分子フッ素レーザは、XeCl、XeF、KrF、ArF、及びF2レーザシステムを含む群から選択することができる。レーザ利得媒体は、単一通過増幅器ステージ又は多重通過増幅器ステージを含むことができる電力増幅器を含むことができる。利得媒体は、ボウタイ構成又はレーストラック構成を含むことができるリング電力増幅ステージを含むことができ、かつ入力/出力カプラシード注入機構も含むことができる。干渉破壊機構は、レーザシードビーム源とガス放電レーザ利得媒体との中間とすることができる。固体シードレーザビーム源は、Ndベースの固体レーザを含み、かつNdベース固体レーザをポンピングする周波数逓倍ポンプを含むことができる。Ndベース固体レーザは、ファイバー増幅器レーザを含み、かつNd:YAG、Nd:YLF、及びNd:YVO4固体レーザを含むことができる群から選択されたNdベース固体レーザを含むことができる。固体シードレーザビーム源は、ファイバーレーザを含むことができるErベースの固体レーザを含むことができる。Erベース固体レーザは、Er:YAGレーザを含むことができる。周波数変換ステージは、Ti:サファイア結晶又はアレキサンドライトを含む結晶を含むことができる線形周波数変換器を含むことができる。周波数変換ステージは、非線形周波数変換器、例えば、2次高周波発生器又は和周波混合器を含むことができる。実施形態の態様による装置及び方法は、シードレーザ出力を供給する固体レーザシードビーム源と、シードレーザ出力をエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザのシードに適する波長に変換する周波数変換ステージと、変換されたシードレーザ出力を増幅してほぼ変換波長でガス放電レーザ出力を生成し、かつリング電力増幅ステージを含むことができるエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザ利得媒体とを含むレーザ光源システムを含むことができる。本方法は、固体レーザシードビーム源を利用してシードレーザ出力を供給する段階と、周波数変換ステージにおいてシードレーザ出力をエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザのシードに適する波長に周波数変換する段階と、エキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザ利得媒体を利用して、変換されたシードレーザ出力を増幅してほぼ変換波長のガス放電レーザ出力を生成する段階とを含むことができる。開示した内容の実施形態の態様によれば、例えば、改良型シードレーザ結合配列を利用することができる例えば主発振器電力利得増幅構成とすることができると考えられる多重チャンバ多重部分発振器/増幅器構成におけるエキシマ又は分子フッ素ガス放電シード発振器レーザとの使用に適する利得増幅媒体は、一般的に主発振器レーザ媒体が励起される間に殆ど損失がなく、かつ増幅器振動及び/又はASEが主発振器に戻ることを防ぐようにして、基本的に、シードレーザ光、例えば、主発振器シード出力レーザ光パルスビームパルスを増幅利得媒体内に挿入するように設計される。このようなものは、例えば、適切に狭化されたシード発振器出力レーザ光パルスビームパルス帯域幅を生成する線狭化モジュールに関して、主発振器の適正な作動を妨げる可能性があると考えられる。しかし、開示する本発明の実施形態の態様によれば、好ましい構成は、例えば、リング空洞、例えば、電力発振器、又は電力リング発振器PRO、又は電力リング増幅器PRAを含むことができる。このような構成は、特に、同一のガス放電増幅器レーザ多重部分レーザシステムに対するガス放電シードレーザに対して、線狭化多重部分シードレーザ-増幅器構成におけるレーザ作動の高電力化の非常に有効な解決法であると本出願人によって判断されている。このようなレーザシステムは、作動面では、電力リング増幅ステージを備えているが、本出願人の雇用主のXLA-シリーズレーザと類似のものとすることができる。CoCの改善は、開示する本発明の実施形態の態様に従って達成することができる。しかし、同じく、電力リング増幅ステージは、例えば、周波数シフト及び/又は周波数逓倍により、例えば、エキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザ増幅器のレージング波長に適合された同じ形式のガス放電レーザ、例えば、固体シード以外のシードレーザの場合を含む他の用途に有用なものであろう。このようなシステムは、レーザシステム出力レーザ光パルスビームパルスパラメータ、例えば、帯域幅、帯域幅安定性、出力パルスエネルギ、出力パルスエネルギ安定性などの最終的な制御に有用であると考えられる。このようなシステムにおいては、例えば、増幅ステージの出力部でのパルストリミングは、レーザシステム出力パルスパラメータの制御にも有用であると考えられる。従って、開示する本発明の実施形態の態様によれば、リング空洞POは、例えば、以下でより詳細に説明するように、既存のOPuSビーム分割器を含む、例えば、24出力カプラと共に形成することができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、例えば、開示する本発明の実施形態の態様に従って本明細書で電力増幅器ステージと総称するリング構成電力再生増幅器により、MOPAからMOPRO電力リング発振器又はMOPRA、再生増幅器を有するシードレーザに、例えば、エキシマベースのMOを伴って、既存のXLA-製品を再構成することを提案する。このようなシステムは、1例えば、パルス間で飽和又は実質的な飽和時に増幅ステージを操作することによってパルス間のエネルギ安定性をより正確に保証することにより、エネルギ安定性を改善し、2例えば、所要MO出力レベルをμJレベルに低減することにより、例えば、増幅ステージ内の増幅を本出願人の譲渡人の従来のMOPA構成よりもほぼ10倍増大させることによってLNM長寿命化を達成し、かつ3全体的なレーザシステム寿命に有用な他の方法で1mJ未満で作動する機能を開発することができる。開示する本発明の実施形態の態様による多重チャンバレーザシステムの利点により、例えば、高電力化、パルスエネルギ安定性の改善、帯域幅制御の改善及びより低い達成可能帯域幅、高繰返し数、運転費低減の上述の要件を満たすことができる。例えば、MO低出力エネルギ化の要件は、例えば、線狭化におけるMO内の低エネルギ損失化によるパルスパラメータ、例えば、MO内の帯域幅の制御の更なる改善を提供すると共に、出力電力を維持又は増大さえもしながら、熱の影響、例えば過渡期を低減すると共に、線狭化光学器械の光損失を低減することができる。更に、現在利用可能なレーザシステム出力光平均電力の増加を達成することができる。これは、線狭化システムにも、広帯域システム、例えば、薄膜トランジスタ製造のための例えば結晶化基板製造のための例えばLTPS処理における例えば基板上のアモルファスシリコンの焼鈍しに使用される例えばXeCl多重チャンバレーザシステム又はXeF多重チャンバレーザシステムにも有用と考えられる。開示する本発明の実施形態の態様によれば、例えば、2つの増幅利得媒体チャンバが並列である、例えば、120Wから180W又はそれよりも大きいレーザシステムの超高電力増幅ステージ空洞に望ましい特定の性能要件がある。本明細書で説明する例は、この要件が200W又はそれよりも大きいとすることができるという仮定に基づくものである。それらは、直線偏光>98を生成するはずである。各増幅ステージは、例えば、ArFの193nm波長で≧40Wの平均出力エネルギを生成して機能し続けるべきであるが、≧60wの期待値も仕様として考えられ、又は波長が長く、例えばKrFで248、XeFで351、又はXeClで318になる時に厳しくないものになるが、F2では157nmで一層厳しいものになると考えられる。一実施形態における各増幅ステージは、少なくとも約4kHz又はそれよりも高く作動することができ、6kHz又はそれよりも高いものも恐らく期待値になる。開示する本発明の実施形態の態様によれば、増幅ステージは、比較的小さなシードレーザエネルギで完全なシード供給を示すことができる飽和時又は飽和時の近くで。開示する本発明の実施形態の態様によれば、シードレーザエネルギは、約1μJに過ぎないが、このような場合のシステム全体出力電力は、200W未満とすることができる。本出願人は、増幅ステージも、例えば数mRad内の角度範囲で例えば干渉セルを除去することによってうっかり干渉を改善することを回避するために、例えばシードレーザの角度広がりを維持するために一部の用途に対しては適度に大きな角分布をサポートする必要があると考えている。逆移動放射線からのシードレーザの保護も、重要な作動要件である。適切にシードを供給された時、増幅ステージにより生成されるASEレベルは、開示する本発明の実施形態の態様によれば、全出力の1.0未満又はそれ未満とすべきである。開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、1利得断面が、既存のArFチャンバ、例えば、本出願人の譲渡人のXLA-ArFレーザシステム電力増幅器PAチャンバと類似のものになり、2利得長も、既存のArFチャンバと類似のものになり、3利得持続時間も、既存のArFチャンバと類似のものになると予想している。開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、例えば、約1mJシードレーザ出力光パルスエネルギで12kHzで作動する固体シードレーザとtic-tocした単一のMO/利得増幅媒体XLAを提案するものであり、2つの増幅ステージは、各々がほぼ17mJ出力パルスエネルギで作動し、すなわち、交互にそれぞれの2つの増幅利得媒体本明細書で説明するように同じく含むことができると考えられるに入るように分割されたシードレーザからのtic及びtoc出力パルスをそれぞれの増幅利得媒体チャンバ内で増幅し、2種類の以上の増幅利得媒体及びパルスが交互のパルス以上に分割され、例えば、3種類の利得媒体及び3つのパルスが時間と共に繰り返されて、それぞれの利得媒体に対してシードパルス出力から逐次分割され、従って、利得媒体は、シードレーザ出力部で並列に使用される利得媒体の種類によってシードレーザのパルス繰返し数の僅かな部分であるパルス繰返し数で作動する。更に、開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、利得媒体を通過する光学的に定められた一定の通過数で例えばMOPA構成での電力増幅器増幅PAステージと比較してシードレーザからの低いエネルギで例えば0.1μJのような1mJ未満でのシードレーザからのシードパルスエネルギの増幅時に効率的である可能性がある発振レーザによって生成された光子が発振当たりに少なくとも2回利得媒体を通過する再生利得媒体、例えばリング電力増幅ステージ、リング電力発振器、又はリング電力増幅器の利用を提案する。このようなリング電力増幅ステージに対しては、tic-tocモードでは、必要とされるMOエネルギは、例えばμJからμJの1/10の範囲でかなり低いものになると考えられる。試験の目的で、本出願人は、線狭化ArFレーザを使用して固体193nmシードレーザからの入力のシミュレーションを行った。本出願人は、上述のパラメータの異なる値に対してASEとMO-OPタイミングの差を考慮して図45に示す結果を得た。同様に、これらの同じパラメータの関数としてのMOPOエネルギとMO-POタイミングの考察も図45に例示している。例えば、公知のリソグラフィレーザ光源技術の制約事項を含む上述の要件を満たすために、本出願人は、開示する本発明の実施形態の態様に従って、上述の要件及び制約事項に対処する作業可能な方法を達成すると考えられるいくつかの全体的なアーキテクチャを提案する。第1のアーキテクチャは、例えば、各々が実施形態に従って約17m/パルスを生成する単一のほぼ12kHzのシステムを製造するために約4kHz、好ましくは約6kHz程度で稼動して交互発射時間で約17mJで出力パルスを生成するように構成された、2種類の2チャンバレーザ発振器/電力増幅器構成で本出願人の譲渡人のXLA-XXXレーザシステムシリーズのラインに沿って2つの多重チャンバレーザシステムを達成するためのものであると考えられる。ここで図1を参照すると、本出願人の譲渡人のXLA-多重チャンバMOPAレーザシステムのようなある程度一般的なMOPAレーザシステム20が概略部分ブロック図の形態で示されている。レーザシステム20は、例えば、発振器シードレーザチャンバ22と、増幅利得媒体レーザチャンバ24、例えば、多重通過電力増幅器PAとを含むことができる。MO22は、例えば、半導体製造フォトリソグラフィのような用途に対しては、それに関連して線狭化モジュールLNM26を含むことができ、又は例えばLTPSのような用途に対して広帯域モードで作動することが所望される場合には線狭化を行わないとすることができる。例えば、適用可能な公称中心波長の選択反射率、例えば、XeFレーザ発振器の場合は約351nm、KrFレーザ発振器の場合は248nm、ArFレーザ発振器の場合は193nm、又は分子フッ素レーザ発振器の場合は157を有する出力カプラ28、例えば部分反射鏡は、LNM26によって広帯域作動の場合はLNM26に対して置換される特定の公称中心波長のための最大反射鏡図示せずにより行われる後端反射と共にレーザ20発振空洞を形成する役目をすることができる。例えば反射鏡44と反射鏡46とを含む中継光学器械40は、増幅器モジュールレーザチャンバ24の入力部に至る光路光軸60に沿って線中心中心波長分析モジュールLAM42を出るシード発振レーザ20出力レーザ光パルスビーム62を偏向させる役目をすることができる。LAMは、中心波長モニタリング機器図示せずに加えて、LAM42の内側にあるビーム分割器50により、測定のために、例えば公称中心波長及びエネルギ検出のために、MOチャンバ22からのレーザ出力光パルスビームの一部の供給を受けることができるMOエネルギモニタ48を含むことができる。反射鏡44は、光ビーム経路に沿って主発振器22出力レーザ光パルスビーム62パルスを反射鏡46に供給することができ、反射鏡46は、ビーム62をビーム64として増幅器チャンバ24内に反射させることができる。図1のシステム20の場合、利得増幅器24は、電力増幅器として設定され、すなわち、MOから受光された光、すなわち、MOシード出力レーザ光パルスビームパルスは、ビーム経路72に沿って窓80を通じてレーザ利得増幅媒体を出て、縁部結合光学器械及びビーム戻し器反転器光学器械70、例えば、以下でより詳細に説明する逆反射鏡として図1に概略的に例示するように設定された反射鏡46を含む例えば光学器械により決定された固定された数の回数で利得増幅媒体を通過し、窓80は、例えば、光学器械上でのエネルギ密度低減、従って、特定の公称中心波長及び窓80の材料、例えばArFレーザシステムの公称中心波長のような短い波長のためのCaF2の熱負荷を最適化するために、出力側ビーム経路72に対して例えば約70°で、又は出る側の光の透過率を最適化するためにほぼブルースター角で設置することができる。出力側光100は、帯域幅分析モジュールBAM内のビーム分割器74を通過することができる。レーザシステム出力ビーム100は、先に参照した2005年8月9日にWebb他に付与された長い遅延及び高TISパルス拡張器という名称の米国特許第6、928、093号でより詳細に説明されているように、ビーム100を遅延経路88内に向けることにより、例えば、ビーム100としてシステムを出るレーザシステム20出力レーザ光パルスビーム100パルスのTisを約17nsから約40nsに増大させる4Xパルス拡張器として上述の本出願人の譲渡人のレーザシステムの多くと共に含まれるようなパルス拡張器86、例えば、光パルス拡張器OPuS内の第1のビーム分割器76及び第2のビーム分割器78を通過することができる。また、レーザシステム20出力レーザ光パルスビーム100パルスの経路において、例えば、レーザシステム20出力レーザ光パルスビーム100パルスを利用するスキャナ図示せずにおいて、OPuS86ビーム分割器76、78及び光学遅延ling鏡90及び光学器械を含む下流側光学器械上で例えばエネルギ密度を減少するビーム拡大器84があるとすることができる。レーザシステム20は、例えば、シャッター96内の出力エネルギモニタ図示せず内でのエネルギ測定のためにレーザシステム20出力レーザ光パルスビーム100パルスの一部を除去する例えばシャッタービーム分割器98を含むシャッター96を含むことができる。OPuS86図1に示すこの既存のXLA-MOPA構成は、この概略図をより簡単にかつ理解しやすくするために、いくつかの位置においてこの図が水平軸と垂直軸が入れ換わるという意味で概略的に更に例示する。本明細書で説明する概念のいずれも、光路の水平軸及び垂直軸を適正に示すことによりその影響は受けない。図2を参照すると、開示する本発明の実施形態の態様により、例えば、シード注入機構160と置換される例えばビーム反転器70と下部反射鏡44の間に形成されたリング空洞電力発振器リング空洞再生増幅器としても公知であるを有する例えば電力リング増幅ステージを含む開示する本発明の実施形態の態様による電力発振器増幅又は再生増幅構成電力増幅ステージと共にMOPA構成から主発振器への変換例が例示されている。図1に示すようなBAMは、移動させるか又はその機能性をシャッター96内に含めることができる。開示する本発明の実施形態の態様によれば、入口窓、及び例えば密封機構を有する適切な手段、例えば溶接又はボルト留めにより利得媒体チャンバ144に固定することができるハウジング140の内側に、例えば、第1及び第2のビーム拡大プリズム及び分散プリズム146、148を含むビーム拡大器142を設置することを含むことができる。これらの光学器械146、148は、例えばCaF2、例えば本出願人の譲渡人のOPuSで現在使用され、かつ以下でより詳細に説明するリング電力増幅ステージ空洞のシード注入機構の一部を形成する例えば入射光の20を発射するコーティングで被覆された形式のビーム分割器で形成することができる例えば図20から図22に例示するように例えばビーム戻し器70を形成する最大反射体上でエネルギ密度を低減するために直交シード注入機構160入力/出力結合部分反射鏡162とビーム戻し器70の間に形成されたリング空洞の内側に設置することができる。プリズムは、電力増幅ステージが自ら発振せず、従って、ASEをシステム出力から低減するか又は低減する必要性を排除する実施形態では、非分散とすることができる。ビーム反転器70は、ハウジング140と類似のハウジングの装着で空洞利得媒体共振チャンバ144の内側に移動させることができる。ビーム拡大光学器械146、148及びビーム戻し器/反転器70は、フッ素含有水晶を含む構成とチャンバ144及びハウジング140、150内レージング媒体ガス内のフッ素への露出との理由で光損傷から保護することができる。例えば、フッ素含有水晶、例えば、CaF2で同様に構成された増幅ステージチャンバ窓168は、部分的には空洞内で拡大されたビーム14Zのビーム拡大及び約45°、例えば47°の向きの使用の理由で、リング電力発振器発振空洞に面する最高エネルギ密度に露出される面での保護コーティングを有する必要はない。開示する本発明の実施形態の態様によれば、例えば、図2で一例として示すように、例えば、ビーム拡大がチャンバ144の出力カプラ側で行われ、かつビーム拡大プリズム146、148が正味分散を生成するように方向付けられたASE低減又は排除に有用である場合のリング電力発振空洞は、例えば、シードエネルギを非常に効率的に利用する特に193nm以下で高電力及び超短公称中心波長のための保護コーティングが不要になる例えばASE率を低減する役目をすることができる空洞内の分散、及び例えば既存のレーザシステムビーム分割器76、78及び鏡90上の本出願人の譲渡人のOPuSで行われているように必要に応じて被覆されるか又はされない場合もある例えばシード注入機構の出力カプラ部162及びシード注入機構の最大反射鏡Rmax部164を形成する光学器械上での問題のないエネルギ密度を含むいくつかの顕著な利点を有する。更に、この構成では、例えば、レーザシステム出力レーザ光パルスビーム100がOPuS86に入る前に、必要とされるビーム拡大機能を実行することができ、増設部140及び150を有するチャンバ144は、例えば、既存の窓取付アセンブリの代わりに、例えば、2つの突出部140、150を加えることにより、本出願人の譲渡人の既存のチャンバ、例えば、XLA-モデルチャンバから容易に作成することができる。これは、例えば、図23により詳細な部分概略図で示している。更に、例えば、突出部140、150を含むチャンバの内側の全ての光学器械は、例えば、チャンバダスト源から更に除去することができる。この構成は、例えば、現在のXLA光学器械ベイ内に収まるようにすることができる。他の箇所で説明するように、例えば、図12及び図13に示すようなリング空洞は、入力/出力カプラビーム分割器262からビーム反転器270まで横断してビーム分割器262に戻るように、相対的な長い往復時間、例えば、約7nsで使用することができる。リング電力増幅ステージは、例えば、約1mJという現在値ではなく、MOから遥かに少ないエネルギであるほぼ100μJの使用を可能にすることができる。開示する本発明の実施形態の態様によるMOエネルギ出力要件のこのほぼ10倍又はそれよりも多くの低減により、本出願人の譲渡人により利用される既存のLNM寿命モデルに基づいて、LNM寿命の例えば10倍の延びを発生させることができる。本出願人の譲渡人は、増幅ステージから約18mJの出力を生成するために電力リング増幅ステージにシードを供給することができるエネルギは僅か1μJから10μJで済むと少なくとも実験及びシミュレーションを通じて判断している。また、言うまでもなく、特に広帯域実施形態では、ただし、線狭化実施形態でも、開示する本発明の実施形態の態様によれば、より一般的な1mJから3mJのMO出力により、例えば、既存のLXA-XXXレーザシステムを凌いで増幅ステージから平均電力が大幅に増大する。更に、このような小さなMOエネルギは、一部の場合には、いくつかのチャンバ長寿命化による利点と共に低MOチャンバ圧力の使用を可能にすると考えられる。例えば、200W範囲で単に高い生電力で機能し続ける方法を企図すべきであることよりはむしろ、代替的に、本出願人は、開示する本発明の実施形態の態様に従って、全繰返し数、例えば、4kHz及び6kHz及び更にそれ以上で作動しながら、考えられている構成のエネルギ安定性、ポインティング安定性、プロフィール安定性、及びASE安定性を改善することを中心にすることを考えている。ここで図3を参照すると、リング電力増幅ステージレーザシステム400が、例示的かつ部分概略ブロック図の形態で示されており、リング電力増幅ステージレーザシステム400は、図2に示す要素に加えて、例えば、チャンバ入力/出力窓94、及び例えばビーム拡大プリズム及び分散プリズム172及び174を含むビーム拡大分散光学器械170と整列したシード注入カプラ機構160を含むことができ、ビーム拡大プリズム及び分散プリズム172及び174は、例えば、チャンバ延長部150内のビーム反転器70に至って入力/出力カプラ部分反射鏡162に戻る1つの経路74にビーム64を収縮、誘導、及び分散させることができる。バッフル190及び192は、例えば、チャンバ144内で循環する塵から、それぞれ後部突出部150及び前部突出部140内の光学器械を保護することができる。図4においては、類似のシステムA10は、開示する本発明の実施形態の態様によれば、例えば、ビーム戻し器/反転器170をチャンバ14Aの外側に含むことができ、チャンバ14Aは、例えば、バッフル190、192と共に、それぞれ、前部入力/出力窓194及び後部窓196を循環する塵から保護するために改造突出部140、150を組み込むことができる。この実施形態は、例えば、望ましくない偏光を光空洞外に反射することによって望ましい偏光を清浄化するために、例えば、ブルースター楔420及び430を含むことができる。図5は、例えばリング電力増幅ステージが、例えば偏光ビーム分割器336、2分の1位相差板338、出力カプラ340の使用によって設定されたシステム330を概略部分ブロック図の形態で例示している。作動面においては、シードレーザ334は、シードレーザ出力レーザ光パルスビーム62をビーム分割器336に供給し、リング空洞は、例えば、単一の最大反射後部鏡243及び部分反射出力カプラ340で構成される。同様に、共振空洞は、開示する本発明の実施形態の態様に従って図6に示すように、出力カプラ410と後部空洞鏡412の間に設定することができる。例えば、図9から図11及び図14に概略部分ブロック図の形態で例示するように、MOからの出力レーザ光パルスビームパルスを電力増幅ステージに結合させる可能な方法はいくつかある。図9に示すように、部分反射入力結合発振器増幅ステージ又は電力再生増幅器200は、チャンバ202及び前部部分反射光学器械出力カプラ206と共に、例えば、カプラチャンバとの入力カプラとしての部分反射光学器械204を有することができる。作動面においては、MO入力62は、例えば、説明上の明瞭さのために、リング発振器ではなく、垂直発振器であるように示す空洞200に入ると、入力側部分反射光学器械204及び出力カプラ部分反射光学器械206により形成された空洞内で発振し、時間と共に、発振により、従って当業技術では十分に理解されているように、レーザシステム出力光パルスビーム100のかなりの十分なパルスが出力カプラを出る。図10に概略部分ブロック図の形態で例示するリング電力増幅ステージを形成する偏光入力結合発振器220は、例えば、チャンバ210と、偏向ビーム分割器212と、1/4位相差板214と、後部最大反射鏡と、出力カプラ216とを含むことができる。作動面においては、図2と同様の発振空洞の最大反射鏡218及び出力カプラ216はまた、便宜上、リング発振器ではなく、通常の発振器として示されている。偏光ビーム分割器及び1/4位相差板214は、例えば、増幅ステージからMOを隔離する役目をする。入射ビーム62は、ビーム分割器212により空洞内に反射される極性を有し、例えば、1/4位相差板214ビーム62を循環偏光ビームとして空洞内に伝達し、出力カプラ216からの戻りビームを偏光ビーム分割器212により伝達された偏光に変換する。図11に例示するように、スイッチ式入力/出力カプラ結合発振器230が、概略部分ブロック図の形態で示されており、例えば、チャンバ232は、例えば、最大反射鏡240及び窓238により形成された空洞内に含めることができ、電気光学スイッチ、例えば、Qスイッチ236は、振動が選択点まで達することを可能にするスイッチとして機能し、Qスイッチは、レーザシステム出力レーザパルスビーム100パルスを放出することを可能にするように起動される。図12には、開示する本発明の実施形態の態様による例えば増幅器チャンバ252及びシードレーザ254を含むことができる多重通過再生リング発振器レーザシステム250が概略部分ブロック図の形態で示されている。システム250は、入力/出力カプラ、例えば、シード注入入力/出力カプラ機構260を含むことができる。入力/出力カプラ260は、例えば、部分反射鏡262を含むことができ、部分反射鏡262は、例えば、レーザ機器と共に販売されている本出願人の譲渡人のOPuSにより現在使用されている形式のビーム分割器とすることができる。システム250は、例えば、ビーム戻し器/反転器270からの第2通過ビーム278としてMOビーム62に戻ることができる単一通過ビーム276として空洞の電極領域に偏向する最大反射光学器械264を含むことができ、ビーム戻し器/反転器270は、例えば、第1の最大反射鏡272及び第2の最大反射鏡274を含むことができる。ビーム276、278が、各々、毎回の往復中に1回各方向に電極図示せずの間で形成された利得媒体を通過するこのような実施形態では、次に、平均エネルギ出力は、レーストラック構成の一方向のみが利得媒体が通過するシステムにわたって大幅に増大される。図13は、開示する本発明の実施形態の態様に従ってボウタイ構成の形態での多重通過再生リング電力増幅ステージレーザシステム280を概略部分ブロックの形態で例示している。これは、例えば、チャンバ282、シードレーザ284、シード注入機構260、及びビーム戻し器/反転器270を含むことができ、そのうちの後の2つは、例えば、電極間のガス放電により利得媒体を生成する電極図示せずのそれぞれの縦方向及び横方向の中心線軸の交差部で又はその近くで、従って利得媒体の縦方向及び横方向の軸の交差部で、入力通過ビーム286と出力通過ビーム228の交差を行うように構成斜め配置することができる。このような実施形態では、2つの通過間の角度は、知覚されないほど小さなものであると考えられ、従って、事実上、ビーム286、288は、電極間に形成された放電の中心線縦軸に整列し、これらのビームの一方、例えば、ビーム288は、レーザシステムのビーム100の光軸を形成することができる。本出願で適用可能な図に概略的にかつ不釣合いな状態で示すように、図13に例示するいずれのビーム経路286、288も、電極の中心線縦軸に沿って延びないように示される場合があり、又は中心線縦軸が識別可能ではない側面図から分らない場合がある。しかし、実際には、一方の通過は、軸とのずれはごく僅かであり、他方の通過は、このようなアラインメントが光学的に達成可能であると共にこのようなレーザシステムの光学的な列に対して許容される公差内である限り、本質的に整列することになる。図15は、図13に例示するような実施形態280の平面図を概略部分ブロック図の形態で示すものであり、例えば、MO出力レーザ光パルスビーム62は、上方に位置決めされたMO用紙の平面の垂直な方向電力増幅ステージチャンバ282から来る。更に、図16は、概略部分ブロック図の形態で図13及び図15の装置280の側面図を例示している。反射鏡の最大反射体430は、MOレーザ出力光パルスビーム62を例えばシード注入機構260内に入れ、発振共振空洞424内の交差ボウタイ通過276、278が、後部鏡ビーム戻し器/反転器270図16では図示せず及びシード注入機構270入力/出力カプラ部分反射鏡262により形成され、出力カプラを有するガス放電レーザ発振空洞の当業技術で公知のように、通常の発振空洞出力カプラとして機能する光学器械262を通過するレーザシステム出力光パルスビーム100を形成する。図15及び図16で分るように、MO出力ビーム62は、MOに戻るシステム出力ビーム100の逆結合を防止するシステム出力ビーム100の軸に関して、一方向から空洞出力カプラも形成する部分反射鏡262を通じてリング電力増幅ステージ発振空洞に入る。また、ビームの一部は、最大反射鏡264に伝達されて、入力/出力カプラ262は、ビーム276、278の毎回の往復時に鏡264に至るビーム278の増幅ステージ部分反射部分の多重通過経路の一部を成す。図17は、開示する本発明の実施形態の態様に従ってボウタイ構成の形態で例えば単一の最大反射後部空洞鏡310を有する例えば多重通過再生リング発振器レーザシステム300に関する単一の後部鏡空洞300の入力/出力結合方法を概略部分ブロック図の形態で例示している。作動面においては、MOレーザ入力/出力カプラ、例えば、直交シード注入機構160は、MOレーザ出力レーザ光パルスビーム62を例えば単一の最大反射鏡310により後部に形成された空洞内に方向付けて、例えば第1の通過経路76及び第2の通過経路78を有する半割ボウタイ構成を形成する。ここで図8を参照すると、開示する本発明の実施形態の態様に従って本出願人がOPuS効果空洞320と呼ぶもの、例えば、偏光ビーム分割器322及び最大反射後部空洞鏡324を1/4位相差板326及び出力カプラ328と共に使用することができる。システム320は、開示する本発明の実施形態の態様に従って例えば光学器械322及び324の何らかのずれのために、例えばずれにより引き起こされた後部鏡324と出力カプラ328の間に形成された発振空洞内に生成された複数の通過を有することができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って直交シード注入機構は、光学器械350の縦方向の範囲にわたって概略断面で図18に例示する例えば光学器械350のような直交シード注入光学器械を含むことができる。光学器械350は、例えばCaF2、例えば被覆なしCaF2で製造することができ、例えば開示する本発明の実施形態の態様に従って外部入力/出力インタフェース面352、全反射面354、内部入力/出力インタフェース面を含むことができる。作動面においては、光学器械当業技術の当業者によって理解されるように、MOレーザ出力光パルスビーム62は、入射して例えば約70°の例えば入射角度で外部入力/出力インタフェース面352により受光され、かつ光学器械350内でビーム62’として全反射面354に屈折させることができ、全反射面354は、ビーム62’をビーム62’’として内部入力/出力インタフェース面356上に全反射させるように傾斜配置することができ、その場合、例えば第1の経路76に沿ってチャンバ図示せずの内側にあるレージング利得媒体環境に入ると再び屈折され、再び利得媒体を通過した後、例えば、ビーム反転器図18においては図示せずからの屈折後に再び入射して、ビーム78として面356を通過すると、ビーム78’として光学器械350内で屈折され、この外部入力/出力インタフェース面352などを通じてレーザシステム出力光パルスビーム100として光学器械350を出る。ビーム76、78は、開示する本発明の実施形態の態様に従ってビーム反転器図18では図示せずと共に、例えば図13に示すように、又は図12のようにではなく横断することができる。ビーム78’は、ビーム78’’62’としても全反射面354上に部分反射し、部分反射部分は、ビーム62’’及び同じく76になり、従って、光学器械350は、誘導放出部が実質的なレーザシステム出力レーザ光パルスビーム100を成すように十分な発振が行われるまで出力カプラとして機能することが理解されるであろう。開示する本発明の実施形態の態様に従って縦軸に沿って概略断面で図19に例示するシード注入光学器械360の別バージョンは、例えば、外部入力/出力インタフェース面362と、全反射面364と、内部入力/出力インタフェース面366とを含むことができる。作動面においては、MOからのビーム62は、外部入力/出力インタフェース面362に入射して、ビーム62’として光学器械360内で全反射面364に屈折し、ビーム622’’として内部入力/出力インタフェース面366に反射させることができ、そこから出て、ビーム76としてレージング媒体環境のガス内で再び屈折することになる。ビーム反転器図19においては図示せずから戻った後、ビーム78は、ビーム78’として光学器械360内で屈折して、レーザシステム出力光パルスビーム100として外部入力/出力インタフェース面362を通過する。また、ビーム78’は、ビーム78’’62’として全反射面364上に部分反射して、部分反射部分は、ビーム62’’及び同じくビーム76になり、従って、光学器械360は、誘導放出部が実質的なレーザシステム出力レーザ光パルスビーム100を成すように十分な発振が行われるまで出力カプラとして機能することも、図18の実施形態の場合と同様に当業者によって理解されるであろう。開示する本発明の実施形態の態様に従って、様々なビーム戻し器/反転器370は、例えば、図20から図22に概略的に例示するように利用することができる。図20の光学器械370は、作動面においては、第1の方向に利得媒体を通過するビーム76が、面372で入射すると、面374、376、378により反射されて第2の方向で利得媒体を通過するビーム78として入力/出力面372で光学器械370を出ることができるように、例えば、入力/出力面372と、第1の全反射面374と、第2の全反射面376と、第3の全反射面378とを組み込むことができる。それぞれ、光学器械380及び390において2つの内部全反射面384、386、及び394、396しかない類似のビーム反転器380を図21及び図22に断面で概略的に例示している。また、3回の内部反射で、例えば本出願人の譲渡人のXLA-モデルレーザシステム上のビーム反転器として現在使用されているような3鏡構成で、入力ビーム76及び出力ビーム78は、実質的に整列して平行になり、かつその関係は、例えば、図20のページの平面に垂直な軸周りに光学器械、例えば光学器械370の例えば回転があっても変らないことが、当業者によって理解されるであろう。それぞれ、図21及び図22の反転器380、390に対しては、偶数回の内部反射、例えば2回の内部反射は、ビーム76、78が図21及び図22のページの平面で可変の角度関係を有することによるものである。本出願で言及するシード注入機構及びビーム反転器/戻し器の様々な組合せを利用して、例えば図2、図3、図4、及び図13に例示するように、又は例えば図12に例示するようなものと異なる要領で、例えば経路76、78上のビームを交差させることができることが光学器械の当業者によって理解されるであろう。また、これらの光学器械の操作により、利得媒体励起電極間の放電中に、例えばレージングガス利得媒体の縦軸及び/又は垂直軸に沿って、例えばレージング利得媒体の範囲に対して、経路、例えば76、78の例えば交差位置の選択が可能になることが理解されるであろう。これを利用して、最終的なレーザシステム出力レーザ光パルスビームパルスのパラメータ、例えば、エネルギ、エネルギ安定性などを変えることができる。ここで図23を参照すると、突出部140が例示されており、その様々なバージョンは、例えば図2、図3、及び図4に概略的に例示されている。突出部140は、例えば、窓ハウジング550を含み、窓ハウジング550は、外部取付板552と、ハウジング板552と共に機械加工されるか又は他の方法でハウジング板552に固定されたハウジング壁554とを含むことができる。また、窓ハウジング556も示されている。例示的に示すこの窓ハウジング550は、開示する本発明の実施形態の態様に従って本出願人の譲渡人のレーザシステム上で現在使用されているこのような窓ハウジングと類似のものとすることができ、かつ突出部140のレーザ側に、図23に示すようなレーザ端板570と類似である窓ハウジング端板明瞭さのためにこの図では図示せずを有することができる。図示していない窓取付レーザ端板は、窓ハウジング556の位置にあるとすることができる。同様に、突出部140は、窓ハウジング550を突出部140の残りの部分に固定するために端板552と類似である窓端板明瞭さのためにこの図で図示せずを有することができる。レーザチャンバ取付端板568は、取付ボルト574により、例えばレーザチャンバ、例えば図2の144に装着し、かつビーム、例えば76がチャンバ144に入り、ビーム78がチャンバ144から戻る開口572を有することができる。部分概略部分ブロック図の形態で図23に示すように、例えば、ビーム拡大プリズム146及びビーム拡大プリズム148を含むビーム拡大器142は、図23の切取り部において概略的に示すように、突出部140内とすることができる。プリズム146、148の少なくとも一方は、他方に対する移動プリズムとしてマウント図示せずに取り付けることができる。これは、例えばコントローラ600により、例えばアクチュエータ580、例えばプリズム142、及び同じく他の光学器械、例えば直交シード注入機構図23においては図示せず、及び/又はビーム戻し器/反転器図23においては図示せずに対する位置を変えるために、例えばシャフト582の軸上でのプリズム148の回転が得られるように、アクチュエータシャフト582により、それぞれの少なくとも1つのプリズム、例えばプリズム148に結合された先に参照した特許又は現在特許出願中の出願の1つ又はそれよりも多くにおいて参照したようなレーザシステム光位置決め制御の当業技術で公知のステッパ電動機又は他の適切なアクチュエータにより制御することができる。同様に、例えば図13及び図15に概略部分ブロック図の形態で例示するように、ビーム戻し器/反転器270及び/又はシード入力/出力結合光学器械260は、ビーム戻し器/反転器のための950及び入力/出力光学器械、例えば、直交シード注入機構260のための594のアクチュエータの作動を制御するコントローラ600により、例えばアクチュエータ590、594がそれぞれ制御信号線592、596により600に結合された状態で制御することができる。例えば、出力カプラシードレーザ結合を備えたリング空洞、例えば、シード注入機構は、恐らくより複雑な構成であるが、シードレーザエネルギを最も有効に利用するものである。開示する本発明の実施形態の態様に従って、シードレーザ入力/出力結合に対しては、最大反射鏡の範囲は、例えば、本出願人の譲渡人のArF193nmのLNM上で使用されるように、例えば、約45平方度Rmaxから約30平方度Rmaxまで利用することができる。P偏光の反射率は、45°で約85のみである。例えば、ASEのためにs偏光の減衰を必要とすると考えられる開示する本発明の実施形態の態様によれば、それは、ブルースター反射と、電力増幅ステージ空洞内での又は内への部分反射体の挿入とを通じて達成することができる。MOPOエネルギと増幅ステージタイミングは、シードレーザエネルギ、ArFチャンバガス混合物、出力カプラ空洞Qの反射率、及びシードレーザ持続時間の異なる値で検証しており、その結果は、図7に関連して説明する通りである。シードパルスの最大強度は、増幅ステージの初期、超低レベルの蛍光中に発生することが観察されている。この超低レベル蛍光及び従って利得は、MOPO出力で観察されるように、このシードにより強化されると考えられる。増幅ステージ発射よりも早いか又は遅い、例えば、増幅ステージ発射前の約20nm程度のタイミングの調整により、例えば始原光子が増幅ステージ内で生成される時の指示である弱い線出力の増加が発生する可能性がある。ASEとMO-POタイミングは、シードレーザエネルギ、ArFチャンバガス混合物、出力カプラ空洞Qの反射率、及びシードレーザパルス持続時間の異なる値に対して検証しており、その結果も、図7に関連して説明する通りである。前進エネルギとシードエネルギの関係も検証されており、その結果を例えば図24及び図25に例示している。測定結果は、MO内のレージング媒体内の放電及びリング電力増幅ステージ内のレージング媒体内の放電の最適タイミングと考えられたタイミングで採取したものである。図24においては、曲線610は、前進エネルギ値を表し、曲線612は、後進エネルギ値を表し、正方形のデータ点は、P90フィルタP70フィルタを使用した作動を表し、部分反射体の挿入後に再アラインメントが行われ、結果は、図25に示す通りである。ASEは、MOPO設計に対しては非常に重要であるとすることができる。タイミングが不適切であると、電力発振器ステージ内に本質的に広帯域ASEレージングのみが発生するほどのMOステージ及び電力増幅ステージにタイミングミスが発生した時のASEのみの発生までを含むASEの増加が発生する可能性があり、これは、電力増幅ステージ内で電極間で放電が発生した時に発振器がレーザ光を発するということである。光学的構成により一定の回数でシードビームが増幅ステージを通過する本出願人の譲渡人のXLA-XXXレーザシステム内でのもののような電力増幅器と異なり、開示する本発明の実施形態の態様によるシステムにおいては、増幅自然放出光ASEレージングは、シードレーザパルスが増幅のために存在するか否かを問わず発生する。増幅器空洞からの後方散乱は、寄生的レーザ空洞を形成する可能性がある。一部の増幅器空洞光学器械は、増幅器とMOとの間で偶然のレーザ空洞を形成する可能性がある。従って、不要のレージングを低減するか又は実質的に排除するASEを限界値未満に保つために、開示する本発明の実施形態の態様に従って慎重なタイミング制御が行われる。ASE測定は、中及び底程度のシード入力エネルギで行った。例えば、中程度のエネルギ、例えば約50μJのシードエネルギの場合、約950Vの放電電圧Vco及びフッ素部分圧/全圧の38/380での増幅ステージガス充填で最適な約-10nsと10nsの間の相対タイミングで、ASE率は、約3x105未満であることが公知である。低程度のシードエネルギ、例えば5μJでは、同じ電圧及び充填で、ASE率は、相対タイミングの約10nsと10nsとの間で約6x104未満に保たれる。適正ASE性能を維持するには、不要な偏光を排除するために適切な選択性を有する適切な増幅器空洞光学器械を選択すること例えば、適切なコーティング/入射角などを利用することが必要があると考えられ、従って、それによって不要な偏光の抑制が改善する可能性があり、従って、それによって例えばS偏光からのASEが低減される可能性がある。また、例えば、ビーム拡大プリズム及び分散プリズムによって増幅器空洞内で分散を作り出すことは、開示する本発明の実施形態の態様に従ってどのようなASE仕様が選択されようと、それに対する実質的に大きくい十分な余裕に寄与するASE率を更に低減する有効な方法であると本出願人は判断している。開示する本発明の実施形態の態様に従って、このアーキテクチャの他の特徴、例えば低いシードエネルギ、高効率、エネルギ安定性などをより良く利用するために、リング増幅器でのASEを低減する方法を提案する。本出願人は、ある程度の広帯域主要な放射線方向と反対の方向に伝播する線狭化シード放射線よりも少なくとも遙かに広いを導入してこの方向でASEを増大させて主要な方向でASEを低減することを提案する。すなわち、広帯域利得は、主要方向でASEの有効利得を低減するためにリング周りで反対の経路で利用されることになる。これは、例えば、光学器械からのシードレーザビームのある程度の散乱で、例えば、シードレーザの蛍光をリング電力増幅ステージに供給することにより達成することができる。広帯域発光は、従って、例えばASEに有効な利得を消耗させる可能性があり、かつ主要放射線方向と反対に伝播されて、主要方向で広帯域発光が低減されることになる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、それぞれのMOと増幅利得媒体チャンバ内の電極との間の放電の発射の非常に厳しく制御されたタイミングを有する参照した特許又は特許出願の1つ又はそれよりも多くにおいて上述した磁気スイッチ式システムのような及び本出願人の譲渡人のレーザシステムと共に販売されているような固体パルス電力システムは、MOPRO構成におけるリング電力増幅ステージの特性と共に、例えば、本出願人の譲渡人のXLA-MOPAシステム例えば、全飽和又は全飽和に非常に近くでリング電力増幅ステージを操作しているにおいて現在利用可能である線量安定性の約2倍を有するレーザシステム出力レーザ光パルスのリソグラフィツール又はLTPSツールなどへの送出を可能にするものであることが理解されるであろう。図26は、開示する本発明の実施形態の態様によるエネルギ/線量制御システム620を概略部分ブロック図で示している。ブロック図の形態で例示するように、エネルギ/線量制御システム620は、例えば、本出願人の譲渡人の既存のレーザシステム、例えば、XLA-MOPA構成レーザシステムと共に販売され、かつ先に参照した特許又は現在特許出願中の出願のうちの1つ又はそれよりも多くにおいて説明されているタイミング及びエネルギ制御モジュール622により制御することができる上述のような磁気スイッチ式パルス電力システムのような固体パルス電力システム624を含むことができる。SSPPM624と組み合わされたこのようなタイミング及びエネルギ制御モジュールは、非常に細かいパルス間のエネルギ制御、例えばMOの外で及び例えば図15及び図16に例示するようなMO24内の第1の対の電極図示せずと増幅ステージ144内の電極424との間の放電の発射の相対的なタイミングの非常に細かい、例えば数ナノ秒内での制御が可能である。それによって先に参照した特許又は現在特許出願中の出願のうちの1つ又はそれよりも多くにおいて説明されているように、例えば、MOからの出力レーザ光パルスビームパルスの一部の選択により、例えば帯域幅を制御して、また、他の全体的なレーザシステム出力光パルスビームパラメータに影響を与えるために、増幅利得媒体のようなシード供給を開始することができる。それによって飽和、例えば飽和の約5から10又はそれよりも多くで又はその近くで作動するリング電力発振器と組み合わせて、本発明のシステムは、例えば、本出願人の譲渡人のXLA-レーザシステム又は例えばLTPSのための既存のレーザ焼鈍光源において現在利用可能であるような線量安定性の約2倍を実施することができる。図31を参照すると、ビーム1052上で作動するビーム混合器/反転器1050例示のために上部白半割部と下部黒半割部を有するが示されている。以下でより詳細に説明するように、ビーム混合器1050は、ビームの強度プロフィールを変え、例えば、ビームの選択軸に沿って強度対称性を改善するのに使用することができ、かつビーム干渉性を低減するために、又はその両方に使用することができる。図示の実施形態に対しては、ビーム混合器1050は、ビーム分割器1054及び鏡1056aから1056cを含む。図31に示す構成に対しては、ビーム1052は、最初にビーム分割器1054に入射することができ、その時点でビームの一部は、反射を通じて鏡1056aに向けることができ、残りは、ビーム分割器1054を通じて例えば、実質的に方向の変化なく伝達されて、出力ビーム経路1070でビーム混合器1050を出る。1つの設定、すなわち、ビーム分割器1054に入射する初期ビームの約40から50間を反射するビーム分割器1054においては、例えば、50を使用することができる。この設定の場合、ビーム分割器1054に入射する初期ビーム約50は、鏡1056aに向けて方向付けられる。ビーム混合器1050に対しては、鏡1056aから1056cは、ほぼ平坦な最大反射鏡とすることができる。図31に示すように、鏡1056aは、ほぼ30°の入射角でビーム分割器1054から光を受光するように位置決めし、かつ配向することができる。更に示すように、鏡1056bは、ほぼ30°の入射角で鏡1056aから反射された光を受光するように位置決めし、かつ配向することができ、鏡1056cは、ほぼ30°の入射角で鏡1056bから反射された光を受光するように位置決めしかつ配向することができる。引き続き図31を参照すると、1056cから反射された光は、約45°の入射角でビーム分割器1054に入射させることができる。50反射率ビーム分割器の場合、鏡1056cからの光の約半分は、出力ビーム経路1070上に反射され、鏡1056cからの光の約半分は、図示のように鏡1056aに向うビーム経路上のビーム分割器1054を通過する。従って、出力ビーム経路1070は、ビーム分割器1054を通過した初期ビーム1052の部分と、ビーム分割器1054から反射される鏡1056cからの光の部分とを含む結合ビームを含む。同様に、ビーム分割器1054から鏡1056aへの経路上の光は、ビーム分割器1054により反射される初期ビーム1052の部分と、ビーム分割器1054を通過する鏡1056cからの光の部分とを含む結合ビームを含む。図31のビーム混合器1050に入るビームは、例示的に、長軸1058を定める矩形断面を有するように示されている。この形式のビームは、一方の放電電極から他方の放電電極への方向に対応する長軸を有するエキシマレーザにより生成されるレーザビームの特徴を示している。一般的なビームは、約3mmx12mmの寸法を有することができる。更に、エキシマレーザの出力の場合、1つの軸内の強度プロフィール、例えば長軸1058は、一般的に非対称形であり、一方、他方の軸上の強度プロフィール、例えば短軸すなわち、長軸1058に垂直な軸は、ほぼガウス分布形である。図示のビーム混合器1050は、特に高電力エキシマ放電レーザの対称性を改善するのに適するものであるが、他の形式のレーザシステムと共に、かつ他の用途にも使用することができ、例えば、ビーム混合器は、固体レーザにより生成されたビーム内の干渉性を低減するのに使用することができることは認められるものとする。図31は、ビームが、第1の縁部1060から第2の縁部1062に軸1058に沿って延びることを示している。図31は、鏡1056aから1056cが、始め1064と終り1066とを有する空間的に反転する経路を確立することも示している。図31が例示するように、反転経路は、反転経路の始めで第1の縁部1060近くのビームの一部が、反転経路の終り1066の第2のビームエッジに平行移動する点で特徴付けることができる。より具体的には、図示の混合器1050に対しては、鏡1056aに衝突するビームの上部の光子は、平行移動してビームの底部で鏡1056cを出る。反転経路は遅延経路を成すので、パルスのある程度の時間的な拡張があると考えられ、これは、特に干渉破壊機構が主発振器/シードレーザと増幅利得媒体、例えばリング電力増幅ステージとの間にある実施形態では有用である可能性がある。シードレーザと増幅利得媒体の間のパルス拡張は、増幅利得媒体から出るパルスをある程度拡張させることができる。これはまた、例えば遅延経路を例えば約1ns程度の長さに最小にすることによって最小にすることができる。適切な遅延経路時間などにより、他の箇所で説明するように、ビーム混合器1050は、例えば、図48に関して説明した干渉破壊器ミニOPuSを形成することができる。ビーム混合器1050は、シードビームレーザ部分と、MOPA又は図1から図9及び図9から図16に示すもののようなMOPRO例えば、リング電力増幅ステージを有する構成の多重チャンバレーザシステムの増幅器レーザ部分との間に設置することができる。例えば、先に参照した代理人整理番号第2006-0039-01号である2006年6月5日出願の高エネルギパルスレーザ用途に向けてビーム形状及び対称性を安定させる装置及び方法という名称の米国特許出願出願番号第11/447、380号、2004年6月29日出願のガス放電レーザ出力光干渉低減方式及び装置という名称の出願番号第10/881、533号、及び2005年12月29日公開の米国公開特許第20050286599号、並びに先に参照した本出願と同日出願の代理人整理番号第2005-0103-02号であるレーザシステムという名称の出願番号第______号に説明されているようなMOとPAとの間で受動形式の他の形態の干渉破壊を用いることができる。図31に示すようなより暗い及びより明るいエントリビーム部分は、空間的に分離された別々の供給源からの別々のビームとすることができ、ビーム混合器1050は、単一のビームのために干渉破壊器として使用されることに加えて、又は単一のビームのために干渉破壊器として使用される代わりに、そのような役目をすることができる。ビーム拡大器、干渉破壊器、又はその両方を含む遅延経路のいくつかの可能な実施形態を本出願において例示するが、採用することができる光学遅延経路、例えば、少なくともビームパルス娘パルスを含むが、主パルス及び娘パルスに対して反転/混合又はその両方されることを条件として、ビーム遅延、反転、及び/又は混合機能を実行する結像鏡を有するもの及び結像鏡を有していないもの又は両方の混合物を有するものを排除するものではないことが理解されるであろう。開示する本発明の実施形態の態様に従って本出願で開示するように、期待されていた電力及び帯域幅に関する改良点を超えて、光源、例えばArF光源の納入業者に課せられていたスキャナ製造業者及び半導体製造業者及びユーザからの顧客の要望の満足を本出願人が可能にしていることは、当業者によって理解されるであろう。例えば、CoC改善が要求される理由は、例えばArFが大規模大量生産で例えばコストの影響を受け易い製品に使用されており、その技術が成熟する時にKrFにおいて従来的に要求されていたArFの運転費及び従って消耗品経費の同等の低減に関する業界の期待があるからである。更に、エネルギ安定性改良は、開示する本発明、例えば低K1リソグラフィ技術の到来と共に増大してきている線量に対する限界寸法変動感度により満たされている。二重露光概念は、例えば、オーバーレイと線量制御との間で妥協される。マスクなし光リソグラフィには、開示する本発明の実施形態の態様による改良される単一のパルス露光制御が必要になると考えられる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、例えば、チャンバの長寿命をもたらすパラメータが、XLA-MOPA構成での適正な作動、例えば、少なくとも約1mJのMO出力エネルギの要件に対して十分なMOエネルギを生成しないために、例えば、XLA-MOチャンバ寿命における消耗品経費の改善が有効にされる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、例えば、リソグラフィ用途にMO空洞に必要とされるエネルギは、1mJを大幅に下回るものであり、従って、このような低い光源に対しては、CoCの大幅な低減が可能である。従って、例えば、電極長寿命により多く寄与する作動パラメータを用いて、例えば、本発明のシステムは、例えば、約100μJをMO空洞から生成することができる。これは、例えば、ArFレーザにおいては、例えば、MOチャンバの寿命をPAチャンバの寿命まで又はほぼPAチャンバの寿命まで延ばすことができ、これは、60ワットから100ワット程度の出力で、有効なリソグラフィに向けて、増幅ステージからのシステム出力平均電力を達成しながらの消耗品としての交換前のMO寿命のほぼ2倍の延びである。MO空洞光学器械、LNM光学器械、及びMO出力カプラは、開示する本発明の実施形態の態様に従って、より低い193nm強度を示し、光学器械の大幅な長寿命化が保証される。エネルギ安定性の改善に関して、CymerのXLA光源により、例えば、2通過PA増幅で、MOPA構成のPAにおいて飽和効果を利用することにより、エネルギ安定性が大幅に改善する。XLAに対するEアウト対Eインの傾斜は、約1/3である。MOエネルギ不安定性の低減は、このようなPAを通過する時に3倍である。しかし、PAによる3倍の改善でさえも、MOPAシステムのエネルギ安定性は、それでも、例えば、MOエネルギ不安定性により大きな影響を受ける。MO及びPAの寄与は、ほぼ等しいものである。電圧調整、タイミングジッタ、MOポインティングジッタのような他の寄与は、比較的これらよりも小さい寄与であるが、些細なものではない。PAエネルギ安定性の性能は、一般的な広帯域発振器と完全飽和増幅器との間で多少落ちる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、再循環リング構成、例えば、電力リング増幅ステージは、遥かに強い飽和領域で作動する。例えば、リング電力増幅ステージを有するシードレーザ/増幅利得媒体システムのEアウト対Eインの傾斜は、本出願人の雇用主が測定すると0.059であった。MOエネルギ不安定性は、例えば、再循環リング発振器、例えば、リング電力増幅ステージを通過した時に17倍低減させることができる。約100μJのMOエネルギの計画作動点では、Eアウト対Eインは、観察又はシミュレーションによると1/17であった。再循環リング構成は、増幅ステージエネルギ安定性は、完全飽和増幅器の特性を示している。本出願人は、少なくともエネルギ安定性の約1.5倍から2倍の改善があるのではないかと予想している。更に、開示する本発明の実施形態の態様に従って、毎回の発振中に利得媒体を通過する少なくとも2つの通過を有する電力リング増幅ステージを利用することができることが当業者によって理解されるであろう。光学器械を利用して、空洞内の発振当たりに4つの通過が得られるように2つ又はそれよりも多くの重なり合うボウタイ又はレーストラックを作成することができる。このような増幅媒体、例えば、再生又は再循環リング電力増幅ステージの特性として、例えば、半平面において、安定発振器又は不安定発振器とすることができる平行平面性を含むことができる。ビーム戻し器/ビーム反転器は、光学器械の1つ又はそれよりも多くによるある一定レベルのエネルギ密度への露出によっては、チャンバの内側又は外側に位置決めされた複数の鏡又はプリズム又はその組合せを利用することができる。不要な光、例えば、主にASEは、様々な方法で、例えば、好ましくは、例えばリング電力増幅ステージにおいて、シードレーザパルスビームの発振の再生路と反対の方向に作成されて識別することができる。例えば、ブルースター角の垂直方向に対応して増幅ステージ空洞内でビームを拡大することは、リング電力発振空洞内の光学器械を保護すると共に、光を分散してASEを低減する役目をすることができる。シード注入機構の出力カプラ部分は、例えば、望ましい帯域内周波数又は偏光又はその両方が得られるように約20の反射率を有することができる。ビーム拡大は、複数のプリズムで実行することができると考えられ、その何らかの1つ又はそれよりも多くは、チャンバハウジングの内側及び/又は外側にあるとすることができる。すなわち、このようなプリズムの1つ又はそれよりも多くは、チャンバ外被の内側にあり、かつフッ素含有レーザガス混合物に露光させることができるが、少なくとも1つは、チャンバの外側にあるとすることができる。ここで図7を参照すると、一例として、開示する本発明の実施形態の態様によるタイミング及び制御アルゴリズムを例示する図表が示されている。図表は、一部の構成における増幅ステージが、本出願人の譲渡人が電力増幅器と称しているもの、すなわち、本出願人の譲渡人のMOPAのXLA-XXXモデルレーザシステムにおける利得媒体を通過する固定数の通過とは反対に発振はあるが、例えば整数倍数の公称波長とのリング経路長のために厳密にはPOではなくPAである場合があることを認識して、シードレーザチャンバ及び増幅ステージ、例えば便宜上本明細書ではdtMOPOと称するリング電力増幅ステージ内の放電の差動タイミングの関数として、例えば曲線600としてレーザシステム出力エネルギがプロットされている。また、曲線602として、dtMOPOの関数としてのレーザシステムの増幅ステージ内で生成されたASEの代表的な曲線が例示されている。更に、dtMOPOの関数としてレーザシステムの出力の帯域幅の変化を表す例示的な曲線604が示されている。また、曲線606としてASEの選択限界が例示されている。ASE曲線上の極小値又はその付近で作動点を選択して、例えば、本発明のシステムが作動する作動曲線602上の点を判断するために、例えば、dtMOPOの制御選択をディザ処理することにより、そこで作動させることができることが理解されるであろう。例えば、レーザシステム出力パルスエネルギ及びエネルギσ及び関連の線量及び線量σを一定に問題のない許容値内に維持するために、出力パルスエネルギをエネルギ曲線の比較的平坦な上部に維持しながら、ASE曲線602の極小値付近で作動するかなりの余裕があることが分る。更に、図示のように、上述のE制御を妨げないままで帯域幅範囲から帯域幅を選択するためのdtMOPOの同時使用があるとすることができる。これは、使用されるシードレーザの性質、すなわち、固体シードレーザシステム又はガス放電レーザシードレーザシステムに関係なく達成することができる。しかし、固体シードレーザシステムを使用する場合、例えば、固体シードレーザポンピングの例えば程度の制御を行って、シードレーザの帯域幅を選択制御する様々な技術の1つが利用可能であると考えられる。このようなポンピング出力制御により、帯域幅を選択するために例えばレージング閾値を超える値にポンピング出力を置くことができる。この帯域幅選択により、曲線604の関連の値が変わるか又外れる場合があるが、レーザシステムは、それでも、BWと、同時に、例示するエネルギ曲線600の平坦な上部領域のある程度一定の値にレーザシステムパルスの出力エネルギを維持する作動点との両方を選択するためにdtMOPOを用いて、上述の形式のE及びBEの制御に影響を受けやすいであろう。また、非CW固体とシードレーザを使用すると共に、出力帯域幅を調整することができる。例えば、主発振空洞空洞-Qの出力カプラ反射率の選択により、シードレーザシステムの出力帯域幅を調整することができる。シードレーザパルスのパルスタイミングを利用して、レーザシステムの全体的な出力帯域幅を制御することができる。選択ASE上限値又はdtMOPOの変化があっても比較的平坦なままであるエネルギ曲線の部分の範囲により、選択に利用可能な帯域幅の範囲が限定される場合があることが図7から分る。一定のエネルギ出力及び最小ASEを維持すると同時に、dtMOPO作動値の選択により利用可能な帯域幅範囲から帯域幅を選択するためには、BW曲線の傾斜及び位置は、ASE曲線上の利用可能な作動点に影響を与えることが分る。ガス放電シードレーザにおける放電パルスのパルス持続時間、特に、例えば、波面制御を用いてシードレーザから公称帯域幅を選択し、従って、一例として図7に例示するようにBW曲線604の傾斜及び/又は位置に影響を与えることができることも同様に公知である。ここで図28を参照すると、概略ブロック図の形態で、開示する本発明の実施形態の態様によるレーザシステムコントローラ620の例が示されている。コントローラ620は、特定の公称中心波長を選択し、同時に、本明細書で上述の範囲に帯域幅を狭化する当業技術で公知のような線狭化モジュール624と関連していると考えられるタイプXeCl、XeF、KrF、ArF、又はF2の当業技術で公知のガス放電レーザのようなレーザシステムの一部、例えば、シードレーザ622を含むことができる。シードレーザ622は、シードレーザ出力ビーム626を生成することができ、シードレーザ出力ビーム626は、出力ビーム626の僅かに一部を測定ユニット測定モジュール632に方向転換するビーム分割器630を通過することができ、測定ユニット測定モジュール632は、特に、MOエネルギ検出器、及び中心波長及び帯域幅を測定する波長計を含むことができる。出力ビーム626は、次に、最大反射鏡634公称中心波長のためのによってシード注入機構636へ曲げられる。シード注入機構は、例えば、部分反射光学器械638及び最大反射光学器械640を含むことができ、本明細書の他の箇所で説明するような2つの別々の要素又は単一の光学器械とすることができる。他の箇所で説明するように、シード注入機構は、シードレーザ出力パルスビーム626を注入路652と共にリング電力増幅ステージ650のような増幅利得媒体に注入することができ、それによってパルスビームは、入力/出力カプラ638がレーザシステム出力光パルスビーム658を出力光を用いるツールまで通すように、リング電力増幅ステージ内の十分な増幅が空洞内のレーザ光発振により発生するような時間まで、戻り逆経路654及び部分反射入力/出力カプラ638も含むループ内で振動する。ビーム分割器654は、例えば、出力エネルギ及び帯域幅を測定することができる測定ユニット656内に出力ビーム658の僅かな部分を方向転換することができる。測定ユニット642は、例えば、レーザチャンバ650内のASEを測定することができる増幅利得媒体レーザ650に直接に接続している。プロセッサ662を含むことができるコントローラ660は、適切な場合には、様々な測定ユニット632、642、及び656から入力及びその他を受信して、上述の特許又は現在特許出願中の出願のうちの1つ又はそれよりも多くにおいて参照した制御アルゴリズムの一部と利用し、また、エネルギを一定に維持して選択ASE限界により課せられた限界値内の帯域幅を選択すると同時に、ASE曲線最小値又はその付近で作動することに対して上述の制御アルゴリズムを組み込んでいる。更に、先に参照した特許又は現在特許出願中の出願のうちの1つ又はそれよりも多くにおいて示すように、コントローラ660は、シードレーザ内での出力パルスの作成及び増幅利得媒体内での出力パルスの作成のタイミング略してdtMOPOを制御し、かつ制御信号を線狭化モジュールに供給して、例えば、先に参照した特許又は現在特許出願中の出願のうちの1つ又はそれよりも多くにおいて説明されているような波面操作又は光学的表面操作により、例えば帯域幅を制御することができる。ここで図29を参照すると、概略ブロック図の形態で、図28のレーザシステム620と同様のレーザシステム680が例示されており、シードレーザ682が、例えば、増幅電力増幅ステージ650内での増幅に適する波長にシードレーザ682の出力の波長を修正するために、例えば、関連の周波数変換器684を有する固体シードレーザである点を除く。更に、コントローラ660は、入力をシードレーザ682に供給して、例えば、上述のように、ポンピング電力を修正することにより、シードレーザパルスの作成のタイミング及び帯域幅の両方を制御することができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、縁部光学器械、すなわち、使用しなければならず、従って、困難である可能性があるその縁部までずっと恐らく被覆される光学器械を選択する必要があると考えられる。このような光学器械は、縁部光学器械の使用を避けるほど余裕がない場合があるので、例えば、両者間の分離によっては、併せて例えば図2に示すシード注入機構のバージョンを成す例えば出力カプラ、例えば図2に示す162と、例えば最大反射体、例えば図2に示す164との間で必要とされる可能性がある。そうであれば、縁部光学器械は、例えば、C部分162を通過する時に出力側ビームの光線経路のためにRmaxであるように選択すべきである。コーティングの観点からは、層数が少なくなるので、OCは、縁部光学器械にすることが好ましいであろう。しかし、開示する本発明の実施形態の態様に従って、代替設計が本出願人により選択されているので、概略的にかつ一例として図30に例示するが、例えば、図2に示すビーム拡大器142、例えばプリズム146、148により作成されるような例えば出力側と入力側のリング電力増幅ステージビームの間に広い十分な間隔が達成された場合には、縁部光学器械の使用は、回避することができる。例えば、2つのビーム間の約5mmの間隔は、例えば、あらゆる縁部光学器械の回避を避けるのに十分に満足なものであると判断されている。一例として図30に例示するように、レーザシステム、例えば一例として図2に例示するシステム110は、例えば、リング電力増幅ステージ144内の主発振器22の出力ビームを増幅するためにリング電力増幅ステージ144を使用して、レーザシステム出力パルスビーム100を生成することができる。開示する本発明の実施形態の態様の一例としてより詳細に示すビーム拡大器/分散器142は、第1の拡大/分散プリズム146aと、第2の拡大/分散プリズム146bと、第3のプリズム148とで形成することができる。シード注入機構160は、図30に一例としてかつ部分概略平面図で、すなわち、シード注入機構及び拡張/分散160及びリング電力増幅ステージチャンバ図示せずを見下ろして示すように、部分反射入力/出力カプラ162と、最大反射Rmax鏡164とを含むことができ、それぞれ、ビーム74及び72は、すなわち、主発振器チャンバ22から進む出力ビーム62の軸の観点からリング電力増幅ステージを出入りし、説明するこのような実施形態では、主発振器チャンバ22は、チャンバ144の上方に位置決めすることができビーム62は、ほぼ水平な縦軸に折り込まれており、ビームは、断面形状においてほぼ正方形にするために、他の箇所で説明するように、MOPus内で拡大されている。リング電力増幅ステージ空洞の内側のビーム拡大プリズム146a、146b及び148の構成に関して、例えば、同じ入射角及び出射角を有する単一プリズム又は2プリズムで、例えば、68.6°入射角及び28.1°出射角により行われる例えば4倍拡大を備えた本出願人の譲渡人のXLA-XXXモデルレーザシステムにおいて電力増幅器PAステージの出力部上のビーム拡大の構成に類似の構成を達成することができる。これは、例えば、全フレネル損失の均衡を保ちながら最小にする役目をすることができる。反射率に関するコーティング、例えば反射防止コーティングは、本発明のシステムで最高のエネルギ密度を受けることになることから、これらの表面では回避することができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、拡大器/分散器160は、第1のプリズム146を小さなプリズム146a及び146bに分割して実施することができ、これらのプリズムは、図30に一例として示すように、1つの同様な角度を有するプリズムが収まる位置に収まるように、例えば、先端を切ったような形の例えば33mmビーム拡大プリズムとすることができ、分割プリズムは、いくつかの利点、すなわち、低コスト化及びビーム72、74ビーム反転器図30においては図示せずと組み合わせて及びシステム出力ビーム100をより良好に整列させ、及び/又は誘導する機能を有する。主発振器シードビーム62は、例えば、ビーム62aとして、入力/出力カプラとして機能するビーム分割部分反射光学器械162を通じてシード注入機構160に入ると、Rmax164に至ることができ、Rmax164から、ビーム74aとして第1のビーム拡大プリズム146aに反射され、第1のビーム拡大プリズム146aは、水平軸において約1/2倍縮小する役目をする図30に示すような用紙の平面の垂直軸においては約10mmから11mmのままである。次に、ビーム74bは、第2のビーム拡大プリズム148、例えば、40mmビーム拡大プリズムに向けられて、そこで、再び約1/2倍縮小され、従って、全体的な縮小は、リング電力増幅ステージ図30においては図示せずの利得媒体に入るビーム74を形成するために約1/4倍である。ビームは、ビーム反転器、例えば、本出願人の譲渡人のXLA-XXXモデルレーザシステムPAにおいて現在使用されている形式のビーム反転器により反転され、例えば、ボウタイ構成で利得媒体内で交差し、又は大雑把に平行に進んで、一部の場合には、レーストラック構成のバージョンである程度重なり合って、ビーム72としてプリズム148に戻る。ビーム72が大雑把に2倍拡大されるプリズム148から、ビーム72bは、プリズム142bに向けられ、更にほぼ2倍拡大されてビーム72aになる。ビーム72aは、ビーム62aの一部としてRmaxに部分反射されて戻り、出力ビーム100として部分的に透過され、出力ビーム100は、リング電力増幅ステージ内のレージング発振により十分なエネルギの出力ビームパルスが得られるまでエネルギが徐々に増大する。増幅利得媒体、例えば、リング電力増幅ステージに入るビームの狭化には、いくつかの有利な成果があり、例えば、ビームの水平幅を利得媒体内の電極間のほぼガス放電の幅に抑制することがあるボウタイ構成の場合、2つのビーム間の変位角が非常に小さいので、各々は、たとえ、各々の水平幅が約2mmから3mmであっても本質的に数mmの放電幅内に留まり、レーストラックの実施形態の場合、ビーム72又はビーム72のみが毎回の往復で利得媒体を通過するか、又はビームが更に狭化するか、又は放電を拡幅することができ、従って、ビーム72、74は、シードビーム72、74の毎回の往復で放電利得媒体を通過する。プリズム146a、146b、及び148、特に146a及び146bの位置決め及びアラインメントは、リング電力増幅ステージからシャッターに向うレーザ出力光光学列への出力ビーム100の適切なアラインメントを保証するのに利用することができる。入力/出力カプラ162を出るビームは、例えば、システム開口水平軸においての一部を成す水平方向のサイズ選択開口130により、サイズを例えば水平方向で約10.5mmに固定することができる。例えば、本出願人の譲渡人のXLA-XXXレーザシステム製品内の例えば現在のPA-WEBの位置にある別の開口は、垂直方向にビームをサイズ決めすることができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、システム限定開口は、主システム出力OPuS、例えば、4倍OPusの直後に位置決めするように提案する。リング電力増幅ステージ開口は、レーザシステム内側に更に約500mmのところに位置することができる。この距離は、所定の測定面本発明のシステム開口での位置変化になるポインティング変化を回避するには大きすぎる。代替的に、制限的なシステム開口は、OPusの直後に位置することができ、かつ一般的に使用されるステンレス鋼板の代わりに193nm反射誘電コーティングを有することができる。この設計は、光学アラインメントの容易化をもたらすと同時に、この開口の加熱を低減することができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、例えば、PCCF被覆窓の使用ために、先に参照した現在特許出願中の出願において説明されているものと類似であるか又は同じである比較的ストレスのないチャンバ窓構成を実行することを提案する。開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、LAM内で又はMO波面エンジニアリングボックスWEB内で例えばASE検出、例えば後方伝播ASE検出を行うことを提案するが、MO波面エンジニアリングボックスは、本明細書で参照した本明細書の他の箇所で説明するミニPOuS、並びに例えばほぼ正方形断面のビームを形成するために、例えば、1つ又はそれよりも多くのビーム拡大プリズムを使用して短軸においてMOの出力ビームを拡大するビーム拡大と共に、例えば、本出願人の譲渡人の既存のXLA-XXXモデルレーザシステムからのMOWEBの要素を含むことができる。既存のMO-WEB及びビーム回転機能が、回転鏡、例えば、図2に示す44として概略的に表されている。しかし、優先的に、すなわち、例えばR=100ではなく、例えばR=95の反射率を有する折畳み式鏡折畳み2、例えば図2の44を採用して、この鏡44を通じて漏れをモニタすることにより後方伝播検出をMOWEB/MOPuS内で使用することができる。この読取のある程度のドリフト及び不正確さは、許容できるものであり、理由は、例えば、リング電力増幅器がシードパルスを増幅するようなタイミングとなっていないが、それでも広帯域レーザ光を作成する時、それを例えばトリップセンサとして利用することができるからであるすなわち、逆ASEがあって許容できない時の10mJ付近と比較して、本質的に逆ASEがない、条件が許容できる時の0.001mJ付近の測定。新しい検出器のための既存のコントローラ、例えば、TEMコントローラケーブル配線及びポートなどを採用することができる。検出器は、例えば、レーザシステム出力シャッターでのビーム強度を測定するために本出願人の譲渡人により既存のXLA-XXXモデルレーザシステム上で現在使用されている検出器とすることができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、ミスアラインメントに非常に耐性があり、かつ従って例えば提案する短いPOuS、いわゆるミニOPuS内で必要とされる軸外れ光線に対して潜在的に収差が低いように共焦点のものであるとすることができる1つ又はそれよりも多くのミニOPusは、2つ又はそれよりも多くが使用された場合、それぞれ、4ns及び5nsの遅延時間を有することができる。これらの値は、干渉破壊に適切な遅延経路に加えて、両方のOPuSが球面光学器械で低い波面歪みを示すように選択されたものである。この低い波面要件は、実際には、ミニOPuS内の透過ビーム及び遅延ビームが互いから若干角度シフトしているようにミニOPuSの出力からの散開が生成されない限り、例えば、平坦/平坦補正板の代わりに若干楔処理された板を使用することにより、ミニOPuSからのかなりのスペックル低減を防止することができる。例えば、主発振器からのレーザビームは、部分的に干渉性であり、それによってビーム内にスペックルが発生する。透過ビームと共にミニOPuSに再び入る反射ビームを角度的にシフトすることにより、主パルス及び娘パルスへの主パルスの遅延経路による分離と共に、例えば、ウェーハで又は焼鈍加工物で加工物ウェーハ又は結晶化パネルを照らすレーザ光源パルスの干渉性の低減から生じる非常に相当量のスペックル低減を達成することができる。これは、恐らく共焦点構成では不可能であるが、遅延経路内での何らかの楔の追加で、出力部内への遅延ビームのビーム分割器反射部分の前に、例えば、透過ビーム及びその親パルス及び先行する娘パルスもしあればと意図的に遅延経路鏡をずらすことにより達成することができる。例えば、板に1ミリラジアンの楔があれば、反射娘パルスビーム内に0.86ミリラジアンの角度オフセットが生成されることになる。ミニOPuSの光学遅延経路は、レーザ性能及び効率に関して他の有利な成果を有することができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、図48に概略的に示すように、レーザビーム、例えばシードソースレーザ図48においては図示せずからのシードビーム500は、部分反射鏡ビーム分割器510を使用して2つのビーム502、504に分割することができる。この鏡510は、ビームの一部を主ビーム502内に透過して、ビーム500の残りをビーム504として光学遅延経路506内に反射する。透過された部分502は、続いてレーザシステム図48においては図示せず内に入る。反射される部分504は、例えば、鏡512、514、及び516を含む光学遅延経路506に沿って方向付けられ、鏡514は、例えばレーザ出力ビームを形成するために、又はその後の増幅ステージ内の増幅に向けて部分504がレーザシステムの残りに再び入ることを可能にするために、この概略図においては用紙の平面に垂直に変位される。次に、ビーム504は、元のビーム500の透過部分502と再結合することができる。遅延ビーム504は、ビーム504の経路内に本質的に垂直に配置された楔補正板520に通すことができる。従って、遅延経路506からの娘パルスビーム504は、遠距離場において透過部分内のビームの主要部分から若干角変位される。この変位は、例えば、約50μRadと500μRadの間とすることができる。遅延経路506の長さは、透過されるビームの部分と反射される部分の間に何らかの時間的な例えば干渉性長を超えるがパルス長を遥かに下回るシフト、例えば約1nmから5nmがあるように、ビームパルスを遅延させるものである。遅延時間を決める適切な経路長を選択することにより、2つのビームの追加は、パルス内のエネルギが若干長めのTisに広げられるようなものとすることができ、これは、主OPuS内のその後のパルス拡張と組み合わせて、レーザ性能を改善し、並びに他の有用なレーザ性能上の利点を達成することができる。2つのミニOPuSは、望ましい効果を達成するために必要とされると考えられる。2つのミニOPuSからのパルスのオフセット時間は、例えば、1ナノ秒とすることができる。光学的及び機械的考慮事項に基づいて、拡張器に対して選択された遅延は、例えば、第1のミニOPuSにおいては3nsの遅延経路、第2のミニOPuSにおいては4nsの遅延経路とすることができる。遅延がこれよりも短い場合、この光学的システムは、例えば、共焦点鏡又は球面鏡を使用する場合に問題になる収差を招く可能性がある。遅延がこれよりも長い場合、レーザキャビネット内の有効スペース内にシステムを収めることは困難であろう。3ns遅延を達成するためにビームが進まなければならない距離は、900mmであり、4nm分遅延するには1200mmである。図49に概略的に例示するミスアラインメントに対する感度を最小にする共焦点光学システム520は、ビーム分割器526と共に、焦点が空間的に同じ位置であり、かつ曲率中心が反対の鏡に位置する2つの鏡522、524から成ることができる。反射ビーム及び透過ビームが、図48に対して上述のように若干ミスアラインメント状態であることを確実にするために補正板530例えば、楔を追加することができる。この場合、補正板は、適切に機能するように角度をつけて遅延ビームの経路内に設けられる。ここで図50を参照すると、開示する本発明の実施形態の態様による線縁部/線幅の粗度特徴部寸法粗度制御低減及び/又は選択システム1350が概略部分ブロック図の形態で示されている。システム1350は、フォトリソグラフィツール90内の照射光入口開口部1352にDUV光を照射する露光を行う本明細書及び/又は本出願と同時に出願された上述の特許出願で開示するもののようなレーザ光源20を含むことができる。ツール90、例えばスキャナは、例えばツール90内のウェーハ保持ステージ94上に設けられた集積回路ウェーハ図示せずを露光させるためにマスク/レチクル94を照射する当業技術で公知であるような発光体92を含むことができる。発光体92とウェーハ処理ステージ94との中間に、本出願において及び/又は本出願と同時に出願された上述の特許出願において開示されている形式の1つ又はそれよりも多くの例えばミニOPuSのような干渉破壊機構1370を挿入することができる。発光体は、上述の特性を有する投影レンズ図示せずを含むことができる。本発明のシステムは、センサ、例えば画像コントラストセンサ1372を含むことができ、画像コントラストセンサは、全体として又はその一部としての集積回路のパターン化に及ぼすスペックルの影響を検出するために、又は選択軸内に例えば集積回路の1つの軸内に延びる主特徴部寸法部にほぼ平行な軸、及び例えば第1の軸と略直交する別の軸内に配置することができる。センサ出力は、コントローラ1374に供給することができ、コントローラ1374は、レーザ又はスキャナの制御システムの一部、又はレーザ及びスキャナの両方の全体的な制御システムとすることができ、かつセンサ1372から干渉破壊機構へのフィードバックに基づいて制御信号を供給することができる。制御信号は、例えば、一方又は両方の軸において、すなわち、各々が上述のように直列に配置された別々のミニOPuS内に含まれた少なくとも2つの補正板の各々において、例えば、異なる量及び/又は方向で主パルス及び娘パルスの角変位を修正するために、例えば、図47から図48に関して上述したようなミニOPuS内の位置補正板520、532を修正するという例えばいずれか又は両方の軸内のビーム誘導機構のための例えば起動信号を修正することにより、干渉破壊機構の作動を変えることができる。ここで図51を参照すると、図50のものと類似のものである開示する本発明の実施形態の態様による線縁部/線幅粗度特徴部寸法粗度制御低減及び/又は選択システム1400が概略部分ブロック図の形態で示されているが、干渉破壊機構は、光源光入力側開口部1352と発光体92との中間にある。同様に、図52及び図53に、開示する本発明の実施形態の態様による線縁部/線幅粗度特徴部寸法粗度制御低減及び/又は選択システムが概略部分ブロック図の形態で示されており、コントローラ1374図52又は図53においては図示せず、例えばツール90内は、それぞれのレーザシステム、図52の1450及び図53の1460内で、干渉破壊機構、図52の1454及び図53の1462に制御信号を供給し、各図において、干渉破壊機構は、図52においてはパルス拡張OPuS1452とリソグラフィツール92の中間に及び図53のレーザシステム1460内ではレーザ光源20とのパルス拡張OPuS1462との中間に示されている。干渉破壊及び他の目的のためのミニOPuS内の遅延経路時間は、短いものはほぼ時間的な可干渉距離ほど、かつミスアラインメント及び収差許容誤差のような説明した光学的及び空間上の考慮事項に対してはできるだけ長いものとすることができる。2つ又はそれよりも多くのミニOPuSがある場合、各ミニOPuSにおける遅延経路は、例えば可干渉距離を上回ってその長さが異なり、かつ別々のOPuSからの娘パルスの交差による実質的な干渉応答増大がないように選択することができる。例えば、遅延経路時間は、光学的構成によっては、少なくとも可干渉距離だけ、及びある程度の量を上回らず、例えば4又は5可干渉距離だけ分離することができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、例えば、単一の入力パルスから順番に遅延された複数のサブパルスを生成する干渉破壊光学構造を採用することを提案するが、同じく各サブパルスは、次のサブパルスから光可干渉距離を上回って遅延され、更に、各サブパルスのポインティングは、入力パルスの発散よりも小さい量だけ意図的にチャープ処理される。更に、本出願人は、位置の干渉破壊光学遅延構造を利用することを提案するが、1対の光学遅延構造間の光学遅延時間さは、入力光の可干渉距離を超える。2つの光学遅延構造の各々は、上述の干渉破壊光学遅延構造の態様に関して説明したような制御チャープ処理ポインティングでサブパルスを生成することができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、例えば、提案する短いOPuS、いわゆるミニOPuS内で必要とされる軸外れ光線に対するミスアラインメントに対して耐性が高く、従って、潜在的に収差が低いように共焦点とすることができる2つの結像ミニOPuSは、それぞれ、4ns及び5nsの遅延時間を有することができる。これらの値は、両方のOPuSが球面光学器械で低い波面歪みを示すように選択されたものである。この低い波面要件は、ミニOPuSの出力からの散開が生成されない限り、例えば、平坦/平坦補正板の代わりに若干楔処理された板を使用することにより、ミニOPuSからのかなりのスペックル低減を防止することができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、集積回路フォトリソグラフィフォトレジスト露光、又は例えば低温再結晶化処理のためのガラス基板上のアモルファスシリコンのレーザ焼鈍のためのレーザ加熱においてなどレーザシステムからの照射に露光される加工物の処理に及ぼすスペックルの影響線縁部粗度及び線幅粗度を含むを大幅に低減するために、適切な干渉破壊を十分に達成することができることは、当業者によって理解されるであろう。これは、例えば、単一チャンバレーザシステムから、又は多重チャンバレーザシステム出力部から、又は多重チャンバレーザシステムの別のチャンバ内の増幅前にこのような多重チャンバレーザシステム内のシードレーザからのレーザビームを、出力ビームをパルス及び娘パルスに分割してパルス及び娘パルスが何らかの量、例えば約50μRadと500μRadとの間で互いに角変位された単一のビームに再結合する光学構成に通すことにより達成することができ、娘パルスの各々は、例えば、少なくとも時間的な可干渉距離だけ、好ましくは、時間的な可干渉距離を超える差で主パルスから遅延されている。これは、主ビームを透過してそのビームの一部を遅延経路内に注入し、次に、主ビームを遅延ビームと再結合するビーム分割器を有する光ビーム遅延経路内で行うことができる。この再結合においては、2つのビーム、すなわち、主ビーム及び遅延ビームは、ポインティングチャープを与えると本明細書で称する遠距離場においてごく僅かに互いから角度的にシフトする異なるポインティングことができる。遅延経路は、パルスの時間的な可干渉距離よりも長くなるように選択することができる。角変位は、楔が若干異なるポインティングを遅延ビームに行うポインティングチャープ遅延ビームがビーム分割器に戻る前に光学遅延経路内で楔を用いて達成することができる。ポインティングチャープの量は、上述のように、例えば、約50と500μRadの間とすることができる。光学遅延経路は、各々がそれぞれのビーム分割器を備えた2つの遅延経路を直列に含むことができる。このようなイベントにおいては、各遅延経路は、干渉効果がそれぞれの遅延経路からの主パルスと娘パルスの間に作成されないように長さが異なるとすることができる。例えば、第1の遅延経路内の遅延が1nsである場合、第2の遅延経路内の遅延は、約3nsとすることができ、第1の遅延経路内の遅延が3nsである場合、第2の遅延経路内の遅延は、約4nsとすることができる。2つの別々の遅延経路内の楔は、第1の遅延経路内の楔が、一方の軸内の干渉スペックルを低減する役目をすることができ、他方の遅延経路内の楔が、第1の遅延経路と略直交した他方の軸内の干渉スペックルを低減することができるように、ビームプロフィールに対して互いと略直交して配置することができる。従って、スペックルに及ぼす影響、例えば、集積回路製造工程でフォトレジストの露光においてウェーハでの線縁部粗度LER及び/又は線幅粗度LWRへの寄与は、ウェーハ上の2つの異なる軸での特徴部寸法に沿って低減することができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、例えば、ボウタイ式リング電力増幅ステージ内のボウタイの6mRad交差部で、リング空洞内の拡大プリズムは、入射ビーム及び出射ビームに対して若干異なるものとすることができ、かつリング周りを進む時にビームが成長するか、又はリング周りに進む時に若干収縮するように配置することができる。代替的に及び好ましくは、開示する本発明の実施形態の態様に従って、図30に一例として例示するように、例えば、出射ビームと入射ビームの間のより大きい間隔、例えば、約5mmと6mmの間によって可能にされるより大きいビーム拡大プリズムを2つの別々の部分に分割する結果、本出願人は、従って、出射ビーム、入射ビームの両方、例えば、図30にそれぞれ例示的かつ概略的に示すビーム100及び62に対して同じ倍率になるように、図4に概略的に示す2つのプリズム、例えば146、148の角度を調整することを提案する。開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、例えば、システム水平軸ビーム出力開口のポインティングと共に、Rmax164及びOC162を含むシード注入機構のバージョンのRmax、例えば164部分、及びOC、例えば162部分をその同じステージ上に設置することを提案する。それによって例えばユニット全体として各々の事前アラインメントが可能になり、かつ個々の構成要素の現地のアラインメントが不要になる。これは、例えば、図2シード注入機構に示すRmax/OCアセンブリ、例えば160の位置が、ちょうど本出願人の譲渡人の単一チャンバ発振システム例えば、XLS-7000モデルレーザシステム内のOCの位置が固定されるように固定すること可能にすることができる。同様に、このような構成は、実質的な進行中の調整の必要がなく、Rmax/OCがシステム開口に対して適正に位置決めされるような許容誤差に備えることができる。ビーム拡大プリズムは、増幅利得媒体のチャンバ144とシード注入機構アセンブリ、及び出力ビーム100路とレーザシステム光軸のアラインメントに向けて移動可能にすることができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、例えば、アラインメント及び診断中にMO出力を阻止するために本出願人の譲渡人のOPuS上で利用されているようなものと同様に、適切な時にMO出力がリングに入ることを阻止するために機械式シャッターを位置決めすることを提案する。正確な位置は、例えば、シードが供給されていないリング電力増幅ステージアラインメント及び作動中にミニOPuSが保護されるリング電力増幅ステージの前で最終折畳み式鏡の前とすることができる。第1のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバと、第1の発振空洞内の線狭化モジュールとを含むパルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成するシードレーザ発振器と、シードレーザ発振器の出力がループ当たりで少なくとも2回リング電力増幅ステージの増幅利得媒体を通過するリング電力増幅ステージを含むことができる、シードレーザ発振器の出力を受けてシードレーザ発振器の出力を増幅し、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第2のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバ内に増幅利得媒体を含むレーザ増幅ステージとを含むことができる線狭化パルスエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムの使用のための装置及び方法が本明細書に開示されていることは、当業者によって理解されるであろう。リング電力増幅ステージは、シードレーザ発振器出力光ビームがリング電力増幅ステージに注入される部分反射光学器械とすることができ、かつ偏光に感応することができる部分反射光学器械、例えばビーム分割器を含むことができる注入機構を含むことができる。シードレーザ発振器は、1mJで出力を供給することができ、かつ例えば1μJから10μJほどの低さとすることができる。リング電力増幅ステージは、ボウタイループ又はレーストラックループを含むことができる。シードレーザ発振器の出力のパルスエネルギは、0.1mJ、又は0.2mJ、又は0.5mJ、又は0.75mJに等しいか又はそれ未満とすることができる。リング電力増幅ステージは、シードレーザ発振空洞の出力を1mJ、又は2mJ、又は5mJ、又は10mJ、又は15mJのパルスエネルギまで増幅することができる。レーザシステムは、例えば最大12kHzまで、又は≧2kHzと≦8kHz、又は≧4kHzと≦6kHzの出力パルス繰返し数で作動することができる。本発明のシステムは、第1のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバと、第1の発振空洞内の線狭化モジュールとを含むパルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成するシードレーザ発振器と、シードレーザ発振器の出力がループ当たりで少なくとも2回リング電力増幅ステージの増幅利得媒体を通過するリング電力増幅ステージを含む、シードレーザ発振器の出力を受けてシードレーザ発振器の出力を増幅し、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第2のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバ内に増幅利得媒体を含むレーザ増幅ステージとを含むことができる。レーザシステムは、レーザ寿命を最適化し、かつパルスエネルギ安定性の改善などを含む他の有利な実績を出す役目をすることができる作動値のマトリックス内で作動することができ、例えば、レーザガスを含むシードレーザ発振器は、フッ素及び他のガスの混合物を含み、かつ≦350kPaの全レーザガス圧、又は≦300kPaの全レーザガス圧、又は≦250kPaの全レーザガス圧、又は≦200kPaの全レーザガス圧、又は≧35kPaのフッ素部分圧、又は≧30kPaのフッ素部分圧、≧25kPaのフッ素部分圧、又は≧20kPaのフッ素部分圧及び上述の組合せで作動する。本発明のシステムは、シードレーザ発振器とリング電力増幅ステージとの中間に干渉破壊機構を更に含むことができる。干渉破壊機構は、シードレーザの出力の干渉を十分に破壊し、すなわち、レーザシステムからの光を使用する処理ツール内においてスペックルの影響を低減することができる。干渉破壊機構は、第1の軸干渉破壊機構と第2の軸干渉破壊機構を含むことができる。干渉破壊機構は、ビーム誘導機構を含むことができる。ビーム誘導機構は、1つの軸内で第1の時間変動起動信号により駆動することができる。ビーム誘導機構は、別の軸内で第2の時間変動起動信号により駆動することができる。第1の起動信号は、ランプ信号を含むことができ、第2の起動信号は、正弦波を含むことができる。時間変動信号は、少なくとも1つの完全なサイクルがシードレーザ出力パルスの持続時間内に発生するような周波数を有することができる。干渉破壊機構は、ミスアラインメントの光学器械が鏡の間効果を生成する光学遅延経路を含むことができる。干渉破壊機構は、シードレーザ出力パルスの可干渉距離よりも長い光学遅延経路を含むことができる。干渉破壊機構は、能動光干渉破壊機構と受動光干渉破壊機構を含むことができる。能動干渉破壊機構は、ビーム誘導装置を含むことができ、受動干渉破壊機構は、光学遅延経路を含むことができる。干渉破壊機構は、シードレーザ出力パルスの可干渉距離よりも長い遅延を有する第1の光学遅延経路と、第1の光学遅延経路と直列であり、かつシードレーザ出力パルスの可干渉距離よりも長い遅延を有する第2の光学遅延経路とを含むことができる。第2の光学遅延経路の遅延は、シードレーザ出力パルスの可干渉距離の約3倍に等しいか又はそれよりも大きいとすることができる。干渉破壊機構は、パルス拡張器を含むことができる。パルス拡張器は、負の結像光学遅延経路を含むことができる。パルス拡張器は、6鏡OPuSを含むことができる。干渉破壊機構は、ビーム反転機構とすることができる。本発明のシステム及び方法は、第1のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバと、第1の発振空洞内の線狭化モジュールとを含むことができるパルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成するシードレーザ発振器と、シードレーザ発振器の出力が、ループ当たりで少なくとも2回リング電力増幅ステージの増幅利得媒体を通過するリング電力増幅ステージを含むことができる、シードレーザ発振器の出力を受けてシードレーザ発振器の出力を増幅し、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第2のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバ内に増幅利得媒体を含むレーザ増幅ステージと、シードレーザ発振器とリング電力増幅ステージとの中間にある干渉破壊機構とを含むことができる線狭化パルスエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムの使用を含むことができる。リング電力増幅ステージは、シードレーザ発振器出力光ビームがリング電力増幅ステージに注入される部分反射光学器械を含む注入機構を含むことができる。本発明のシステム及び方法は、第1のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバと、第1の発振空洞内の線狭化モジュールとを含むパルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成するシードレーザ発振器と、シードレーザ発振器の出力がループ当たりで少なくとも2回リング電力増幅ステージの増幅利得媒体を通過するリング電力増幅ステージを含む、シードレーザ発振器の出力を受けてシードレーザ発振器の出力を増幅し、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第2のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバ内に増幅利得媒体を含むレーザ増幅ステージと、シードレーザ発振器とリング電力増幅ステージとの中間にある干渉破壊機構とを含むことができる広帯域パルスエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムの使用を含むことができる。リング電力増幅ステージは、シードレーザ発振器出力光ビームがリング電力増幅ステージに注入される部分反射光学器械を含む注入機構を含むことができる。本発明のシステム及び方法は、第1のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバを含むことができてパルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成するシードレーザ発振器と、第1の発振空洞内の線狭化モジュールと、シードレーザ発振器の出力を受けてシードレーザ発振器の出力を増幅し、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第2のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバ内に増幅利得媒体を含むレーザ増幅ステージ、例えば、本出願人の譲渡人のMOPAのXLA-XXXモデルレーザシステムのようなMOPA又はMOPO構成2チャンバシードレーザ/増幅レーザシステムと、更に、シードレーザ発振器と増幅利得媒体ステージとの中間にある本明細書で説明する種類の干渉破壊機構とを含むことができるパルスエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムの使用を含むことができる。増幅ステージは、レーザ発振空洞を含むことができる。増幅ステージは、増幅利得媒体を通る固定された数の通過を定める光路を含む。例えば、リソグラフィのためのレーザシステムは、MO作動条件のマトリックス内で作動することができる。シードレーザ発振器の出力のパルスエネルギは、0.1mJ、又は0.2mJ、又は0.5mJ、又は0.75mJ、又は1.0mJ、又は2.0mJ、又は3.0mJ又はそれよりも大きいものに等しいか又はそれ未満である。リング電力増幅ステージは、広帯域シードレーザ発振空洞の出力を1mJ、又は2mJ、又は5mJ、又は10mJ、又は15mJ、又は20mJ又はそれよりも大きいものを超えて増幅することができる。レーザシステムは、12kHzまで、又は≧2kHzと≦8kHz、又は≧4kHzと≦6kHzの出力パルス繰返し数で作動することができる。本発明のシステムは、フッ素及び他のガスの混合物を含み、かつ≦500kPa又は≦400kPa、又は≦350kPaの全レーザガス圧、又は≦300kPaの全レーザガス圧、又は≦250kPaの全レーザガス圧、又は≦200kPaの全レーザガス圧で作動するシードレーザ発振器を含むことができる。本発明のシステムは、≦50kPa、又は≦40kPa、又は≧35kPaのフッ素部分圧、又は≧30kPaのフッ素部分圧、≧25kPaのフッ素部分圧、又は≧20kPaのフッ素部分圧で作動することができる。ここで図32を参照すると、概略的にパルス拡張器160aが示されており、パルス拡張器160aは、例えば、本出願人の譲渡人のレーザシステムと共に販売されている光パルス拡張器OPuSのバージョンとすることができるが、本質的に、パルス拡張器、すなわち、空間及び時間的領域における実質的なパルス拡張器、例えば、本出願人の譲渡人の現在販売されているOPuSパルス拡張器などにおいて、Tisを4倍又はそれよりも多く増大させることを目指した十分な拡張のために設計されていない遅延経路は遥かに短くされている。しかし、干渉破壊を目的としたビームに及ぼすか、又は図31のビーム混合器に関して説明されているのと同じ折畳み/反転式結像効果を達成することができる。干渉破壊器160aは、ビーム分割器164a、例えば、関連の波長のための部分反射鏡164aで入射する入力ビーム162aを有することができる。複数の鏡、例えば、共焦点鏡166aで構成された遅延経路内に反射されるビーム162aの一部は、例えば、一回又は複数回、部分反射鏡上に結合される。このような光干渉破壊器は、4つを超える鏡、例えば、6つの鏡を有することができるが、便宜上及び明瞭さのために4つのみで概略的に例示されていることが理解されるであろう。遅延経路は、遅延経路を通過する第2及び第3の通過が実質的に干渉破壊器160Aを出入りするパルスと重なり合うが、パルスの拡張さえもしないように、例えば、4倍OPuSの7メートルから10メートル辺りよりも遥かに短いものとすることができる。当業者により理解されるように、遅延経路は、平鏡を含むことができる。また、湾曲結像鏡の数は、奇数とすることができ、その場合、負の1回の結像が発生する場合があるか、又は正の1回の結像が発生する場合がある。図33は、例えば、発散及び従って干渉破壊に関して部分概略部分ブロック図の形態で干渉破壊方法360aの例及び開示する本発明の実施形態の態様による方法の結果を示している。例示するシステムは、例えば、固体又はエキシマシードレーザ372a、及び発振器増幅器レーザ394a、又は他の電力増幅ステージ、例えば、リング電力増幅ステージを含む例えば発振器/増幅器レーザ370を含むことができる。増幅利得媒体394aは、例えば、全反射後部空洞鏡396a及び入力/出力カプラ、例えば398aと共に電力発振構成で配置された例えばエキシマレーザとすることができる。一部は本明細書で説明している他のシードレーザ/増幅ステージ構成を図33に一例として示す概略的に例示する干渉破壊方法と共に使用することができることが理解されるであろう。シードレーザ372aの出力部に、比較的高い干渉性を示す単一の点を含むシードレーザ出力レーザ光パルス発散374aの図が例示されている。シードレーザ371aの出力は、1つ又はそれよりも多くの干渉破壊器、例えば、図32に一例として示すように、例えば、376a、378a、又は図31に例示する1050代理人整理番号第205-0039号である上述の現在特許出願中の出願でより詳細に説明する、又は先に参照したUS20050286599に開示されているようなもののような他の光学器械、又は上述の1つ又はそれよりも多くのミニOPuS干渉破壊機構、又はこれらの組合せに通すことができる。開示する本発明の実施形態の態様による可能な実施形態は、共焦点OPuS、例えば2つの共焦点球面鏡、及び例えば先に参照した代理人整理番号第2004-0144-01号である2006年3月31日出願の共焦点パルス拡張器という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第11/394、512号に説明されているような例えばオフセット補正光学器械を通過し、すなわち、ビーム分割器から鏡番No.1-No.2に至り、No.1に戻り、また、No.2に戻り、次に、ビーム分割器に戻る4つの遅延経路通過を備えた例えば先に参照した代理人整理番号第2003-0121号である2004年5月18日出願のレーザ出力光パルス拡張器という名称の米国特許出願出願番号第10/847、799号に開示されているもののようなものの使用とすることができる。いわゆるミニOPuSのこのバージョンは、例えば、遅延経路オフセットがスペックルを低減する際に有用であるMOからの出力パルスの全体的な隆起したか又は複数の隆起がある形状上に重ねられた個々のミニピークが処理パルス内で交互配置されるように主発振器の出力の時間的な強度曲線内の高周波ピークを若干シフトするために選択された直列の2つのパルス拡張器を含むことができる。これは、例えば、第1の1nsのための約2ns、次に、3つのns遅延線ミニOPuS、又は直列である3nsと4nsとの遅延線ミニOPuS対の間での又は直列である4nsと5nsとの遅延線ミニOPuSのための約1nsの遅延オフセットにより達成することができる。パルス自体は、遅延経路が本出願人の譲渡人により販売されている通常のパルス拡張OPuS内の10メートル辺りの遅延経路よりも遥かに短いので、例えば、他のパルスと重なり合うように更に近づくように大幅には拡張されるのではなく、本質的に全く拡張されないことが理解されるであろう。本出願人は、固体シードパルスから5ns又はそれよりも大きいパルス長を生成することは、現在の最先端技術に挑戦する可能性があることに注目している。しかし、ミニOPuSを使用すると、大容量記憶装置への注入の前にパルス持続時間を伸ばすことができ、これは、いずれにせよ、5nsよりも長いパルスをシードから生成することができたとしても、これが可能と考えられることも本出願人に示唆している。シードからのより短いパルス及びパルス長を増大させるための1つ、2つ、又はそれよりも多くのミニOPuSの使用で、ミニOPuSが若干ミスアラインメントであることにより、増幅ステージ内への注入前の発散の拡幅化が発生するであろう。このような複数シードによるミニOPuS法では、本出願人は、特に非固体シードレーザシステムの場合は種類を問わず、単一のパルス内での積極的なビーム誘導は不要であると考えている。それでも、例えば、固体シードレーザシステムにおいて、必要であれば発散の一層の不鮮明化に向けて積極的な偏向を採用したいと思う場合があるが、全ての場合にそれが必要ではあるとは考えられておらず、シードレーザミニOPuSで必要なのは僅か1フィートの全路遅延であり、シードレーザ光学台上へのミニOPuSの構築が非常に直接的なものになる。ミニOPuS及び通常のOPuSの積み上げは、光学列を通じて進化する時の発散の略画も示す図33と似たものになる可能性がある。各ミニOPuS376a、380aからの2.7増倍及び整列していない増幅ステージ空洞143からの2.7増倍を仮定すると、別々の143パルスを生成することができる。整列していない増幅ステージに関する以前の測定結果により、本出願人には、独立した6パルスが作成され、従って、合計が317にもなる可能性があることが既知である。EO偏向器982aは、少なくとも独立した4パルスを作成するのに十分に大きいポインティングスペースを通じて容易に不鮮明を発生させることができ、潜在的に総計で1271パルスになる。100の初期スペックルコントラストを仮定すると、従って、このあらゆる考慮後には、2.8のスペックルコントラストを得ることができる。好ましい実施形態は、遅延経路短縮化において拡張されるようなパルス内の遅延短縮及び収差増大によるアラインメント問題の増大のために、多少1nsを超える第1の遅延を用いる。しかし、遅延経路の各々は、本明細書で説明するもののような干渉破壊効果を達成するために、パルスの可干渉距離よりも長く、第2の遅延経路は、第1の遅延経路よりも長い。ミニOPuSパルス拡張器は、例えばビーム自体を折り返すか又は第1の1つの軸内で散開させ、例えば第1のミニOPuS376aにおいて、従って発散図378aになって、次に別の直交する関係である軸において、例えば、第2のミニOPuS380aにおいて、例えば発散図390aになるように選択及び配置することができる。パルス誘導器392a、例えば、電気光学E-O要素392aは、シードビームを増幅器部分394aの入力/出力カプラ400a内に掃引する塗ることができ、従って、電力発振器410aからのパルス発散図また、増幅利得ステージ394a内への発散図410に示すような1つの軸内でぼけが発生する。例えば、第1のビーム分割器414a及び第2のビーム分割器422aにより開始される2つの遅延経路412a、420aを含むことができる正規の又は標準的なOPuS、例えば、4倍TisOPuS大雑把に10メートルの遅延経路は、同様に、第1の1つの軸、及び次に第2の軸においてビーム自体を折り返し、従って、それぞれ414a及び424aのパルス発散図ができるように配置することができる。最終発散図424aは、シードビームの発散が大幅に増大され、すなわち、ビームがシードレーザ372aから増幅利得媒体394aまでの通過において不鮮明が発生し、増幅利得媒体394a内で増幅され、次に、更に4倍の正規のOPuS412a、420a内で破壊された干渉性を有することを概略的に示している。それによって干渉性が低減される。例えば、固体シードレーザの場合の殆ど完全にコヒーレントである場合から干渉性が殆どないが、それでも例えばエキシマシードレーザによって更に一層低減されることが望ましい干渉性までのシードレーザからのパルスの初期干渉性により、干渉破壊要素の形式、数、及び配置が変わる場合があることは、当業者によって理解されるであろう。例えば、固体シードレーザに対しては、何らかの形式のパルス誘導/塗装で積極的な干渉破壊を行うことのみが必要である場合があり、これは、一部の場合には、用途によっては、ランプ又はACパルス誘導のみが、一方の軸又は他方の軸において必要とすることが判明する場合があり、又はMOと増幅利得媒体、例えばPO又はPA又は他の増幅利得媒体ステージ、例えば、リング電力増幅ステージの間のOPuS効果干渉破壊と共に、DC及びACの両方のパルス塗装混成塗装を必要とすることが判明する場合があり、かつ増幅利得媒体の出力部に及ぼす正規のOPuSパルス誘導器の効果を採用することが必要である場合があることは、当業者によって理解されるであろう。固体シードレーザよりも相対的に遥かに低い干渉性を有するエキシマガス放電レーザMOの場合、例えば、ミニOPuS376、380、又はMOと増幅利得媒体の間の上述のような他の受動的な光学器械と共に、例えば、MOと増幅利得媒体の間の受動的な干渉破壊のみが必要であろう。しかし、それでも、それほど本質的でなく掃引角短縮を必要とすると考えられるパルス更に別の不鮮明化発散拡大に向けて、上述のような能動ビーム誘導機構によるビーム誘導を行う必要があると考えられる。このようなシードレーザミニOPuSは、必要とするものがそれぞれ1フィートの全経路遅延のみと考えられ、有利な態様においては、本出願人の譲渡人のXLA-シリーズレーザシステムにおける中継光学器械に対して現在慣行となっているようなシードレーザ光学台上に構築することができる。図34は、例示的な1kVのE-O偏向器電圧の相対的なスペックル強度と相対的タイミングを例示している。相対的標準偏差曲線550aは、1Vに関するものであり、同等のパルス曲線は、曲線550a’である。2kVのE-O偏向器電圧曲線552a及び同等のパルス曲線552a’も、3kVのE-O偏向器電圧曲線554a及び同等のパルス曲線554a’と同様に示されている。ポイントシフトとE-O電圧曲線560aの例を一例として図35に示している。ポインティングシフト本出願人によりスペックルシフト測定結果から推測とE-Oセル印加電圧を図35に示している。開示する本発明の実施形態の態様に従って、単一のパルス内で、内部のスペックルコントラストを低減するためにシードレーザのポインティングを掃引することを提案する。これは、例えば、電気光学器械、例えば、図66にある開示する本発明の実施形態の態様の概略部分ブロック図において例示的に示す要素1912及び1914で行うことができる。エキシマ電力発振器、例えば入力カプラ、例えばビーム分割器の近くなどに設けられたXeFチャンバへのシードレーザパルスの入力の前に垂直拡大を用いて、かつE-O偏向器の明確な開口が直径約3.2mmで、偏向器は、垂直拡大図66においては図示せずの上流側になくてはなければならないであろう。発振空洞、例えば、E-O偏向器からの角度傾斜に関連した例えばXeF空洞1930内での平行移動を最小にするために、E-O偏向器をできるだけ増幅器空洞近くに設置することが望ましいであろう。開示する本発明の実施形態の態様に従って、例えば、トリガされるまでDC電圧レベルを印加することにより、シードパルス持続時間と類似の時間的尺度で時間変化電圧を印加することが考えられており、その時点では、例えば、単一のトランジスタ1130aとして図45に概略的に例示する例えば高速MOSFETSのスタックを通じて高電圧を接地に短絡させることができる。印加電圧とシードレーザパルス形状のプロットを図36に示している。E-Oセル端子と電圧供給源の間に直列抵抗体を設置することを利用すると、例えば、E-Oセルに印加された電圧傾斜を制御することができる。例えば、200Ω抵抗体と直列であるE-Oセルの50pFキャパシタンスにより、約1011μRad/秒の初期傾斜が得られる。E-Oセルにわたる電圧は、シードパルス持続時間と類似の時間で、例えば、図36に示すように、DCレベルからゼロ近くに降下する。E-Oセルパルス発生器とシードレーザの間の相対的タイミングを変えることにより、例えば、シードパルス中に発生するポインティング掃引の量を変えることができる。更に、初期DC電圧の値を変えて、シードパルス中のポインティング掃引の増大又は低減を行うことができる。本出願人は、例えば、シードレーザのみ及びOCのみからの反射で、従って、OC及びRmaxからの複数の反射によるOPuSの影響なく、かつMOPO操作による影響なく、この高速ポインティング機能を試験済みである。E-Oセルとシードパルス間の相対的タイミングに対して最適化しなくても、本出願人は、両者間の範囲に対してのスペックルパターンを捕捉した。本出願人は、最大有効ポインティング傾斜を変えるために、3つの異なるレベルのDC電圧をE-Oセルに印加した。結果は、例えば、図34で分るように、約57nm相対的タイミングで最小スペックル強度標準化標準偏差であることを示している。シードパルス中のあらゆる角度シフトなく、大小両方の相対的タイミング素値、すなわち、57nsよりも小さい値及び57nsを超える値でスペックルコントラストは高い。これは、静的試験中に本出願人が見つけた値と相関するものである。例えば、相対的タイミングによりE-Oセル電圧傾斜をシードパルスと一致させた時、単一のパルスのスペックルパターンは、劇的かつ満足に垂直方向で不鮮明が発生する。例えば、動的なポインティングシフトによってもたらされたコントラストのによる低減を評価するために、これらのコントラスト値を最大値まで正規化することができる。最適相対的タイミング位置で、スペックルコントラストは、ピークの約40まで低減されることが分った。同等数の独立したパルスに対して1/N12の仮定を用いて、このデータを使用すると、このレベルのスペックルコントラスト低減を達成するために必要とされるパルス数を導出することができる。最適相対的タイミングで、かつE-Oセルに印加された3kVで、コントラスト低減は、6パルスと同等であることが分った。高電圧レベル化及び従って単一のパルス中でのポインティングシフト拡大化でさえも、この結果が改善することができる。本出願人は、MOPO増幅ステージ空洞に入るシードレーザパルスはあるが増幅ステージ電極間では放電なしで同様の測定を行い、XeF空洞内のOC及びRmaxから、すなわち、OPuS効果からの反射、すなわち、ビーム拡大だけから、最大スペックルコントラストの低減分は、OPuS効果によって予想された量であることが分ることに注目したN=1.56、20OCで、1/n12=0.80を与える。従って、70コントラストは、56になる。不鮮明の効果は、初期スペックルコントラストが70より低いとしても、完全XeF空洞からの2次反射を追加した時には変らないようであった。スペックル低減を目的とした同等のパルスは、それでも、約6パルスである。本出願人は、増幅ステージ空洞電極間放電に対して、すなわち、増幅ステージ空洞内での増幅の効果を意味する測定を行ったが、図34に示すように、シードビーム誘導を通じたスペックル低減に及ぼす影響の低減が分った。このような構成で、効果は、MOPOとして作動した時には、同等の数の生成パルス、すなわち、約3パルスの効果の僅か半分以上であることが分り、また、不鮮明がなくて、ピークスペックルコントラストがかなり大きな低減であることが分った。MOPO作動の従来の測定結果から、約6パルスと同等の低減であることが分っている。これらの結果から、約8パルスと同等の低減であることが分る。本出願人は、増幅ステージ空洞が、例えば、平坦-平坦空洞において軸外れ光線角度を差別し、従って、空洞内に送られる多くの角度が、全て等しく増幅されるとは限らない場合があるのではないかと考えているこれは、例えば、真の安定空洞で、例えば、湾曲OC及び湾曲Rmaxを採用して補正することができる。別の説明では、シードパルスの全てが、増幅ステージ特性の制御に参加するわけではないということであろう。推測に過ぎないが、例えば、シードパルスの10パルスから15パルスのパルス持続時間の最初の5nsは、増幅ステージを制御するものであり、従って、E-O掃引は、その小さい方の窓内で発生するほど高速なものではない。これは、例えば、抵抗体小規模化及び掃引範囲短縮化で補正することができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、本出願人の譲渡人のXLA-モデル多重チャンバレーザシステムと共に使用されるOPuS内での第1の又は第2のパルス拡張器の一方又は両方の内側での経路遅延の追加に向けて、本出願人の譲渡人により開発された6鏡干渉破壊機構便宜上、本明細書では光パルス遅延経路は、概略的に遅延経路当たり4つの鏡を有するように示されているを用いることを提案する。このような遅延経路は、例えば、サブパルス毎に1回の結像を行うことができる。これは、例えば、図37に概略的に略画風に例示しており、これらの反転したサブパルスを要約したものを例示している。例えば、図8に示す反転したサブパルスは、例えば、プロフィール均一性及び対称性の改善を目的として用いることができる。6鏡設計は、ポインティングシフトを発散増大に変換することができ、発散増大は、例えば、ASE低減を目指したリング構成において有用と考えられる。標準的な4鏡設計ではそうはいかない。この干渉破壊を目的とした遅延経路は、例えば、フォトリソグラフィに対してパルスTisの大幅な増大を得るために、パルス拡張に使用される実際のOPuSと同じ長さである必要がないことが理解されるであろう。むしろ、干渉破壊機構、いわゆるミニOPuSは、特定の回数でパルスを折り返す必要があるに過ぎない。これは、パルス580aで例示しており、コーナ反転前は582a、パルスは584a、586a、588aと指定されている。更に、遅延経路内での鏡の殆ど不可避なミスアラインメントのために、鏡の間又はいわゆるOPuS効果により、シードレーザパルス内の干渉性が低減されると考えられ、例えば、遅延経路がビームの空間的可干渉距離を超える限り、更に別の干渉破壊が遅延経路内に発生する。この点に対しては、例えば、アラインメントが容易なように共焦点球面鏡を有する4鏡ミニOPuSは、両軸内でビーム反転がなくても満足な干渉破壊器として機能することができる。開示する本発明の実施形態の態様によると、開示する本発明の実施形態の態様によるシステム内の様々な位置で2つの別々のレーザビームを結合することが必要であろう。6鏡パルス拡張器の入口の半分のみが照射された場合、サブパルスは、例えば、図8に示すように上部と底部の間で反転する。これらの反転したサブパルスを合計すると、例えば、図41に示すパルス反転シミュレーションで例示するような通常レベルのプロフィールの合計になる可能性があり、曲線562aは、遅延経路に入る前のパルスを示し、曲線564a黒は、1つの遅延経路後のパルス、566a赤は、第2の遅延経路後のパルスを示している。次に、レーザ発散を用いて、例えば、ある程度の伝播後に、例えば、約1m程度にわたって中央部568aを埋めることができる。リソグラフィのための固体レーザ源の使用は、過去に提案されているが、2つの理由から追求されていない。固体レーザは、リソグラフィに必要とされる高平均電力が可能であると考えられておらず、固体レーザが生成するのは、非常に完全にコヒーレントな単一モード出力である。開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、例えば、混成固体シード/エキシマ増幅器の組合せで平均電力が低いという問題に対処することを提案する。固体シードの高干渉性特性には、開示する本発明の実施形態の態様に従っていくつかの方法で、例えば、可干渉距離よりも長い時間で分離されるサブパルスを生成することにより、又は例えば非常に短い時間的尺度にわたって、例えば単一のレーザパルス内で例えばシードレーザポインティングを変えることにより、又は両方の組合せにより対処することができる。干渉破壊は、2チャンバガス放電例えば、エキシマシード/ガス放電例えば、エキシマ増幅器部分レーザにおいても有用であることが、本出願人には既知である。スペックルパターンの位相散逸は、λ/2dで発生することが拡散器670aから分り、ここで、dは、例えば、図38に概略的かつ概略図的に例示するように、スロット開口の照射幅及び円形開口の直径である。スペックルパターンの非干渉性は、パルス拡張器により生成された各サブパルスから分るが、パルス拡張器による各パルス遅延分が時間的な長さを超えることを条件とし、時間的な長さは、各パルス拡張器、例えば、パルス拡張器内の鏡のミスアラインメント分を例えば意図的にごく僅かな量にすることにより、例えば更に利用することができる。実際には、本出願人の雇用主は、例えば、4倍TisOPuS形式のパルス拡張器内で鏡を正確に整列させることは非常に困難であり、鏡は、意図的にミスアラインメントにする必要もなく、殆ど決まって若干ミスアラインメントであることを試験により見出している。この通常のミスアラインメントの量は、望ましいレベルのスペックル低減を達成するのに十分な量であることを本出願人の雇用主は見出しており、他の箇所で説明するように、図40に概略的に例示したようなものである。同等の独立したパルスの有効数は、各パルス拡張器の時間積分2乗Tis倍に等しいことが分る。上述の種類の各OPuSパルス拡張器は、約~2.4倍の倍率を有することができる。例えば、3段階のパルス拡張に対しては、独立したサブパルスの数は、2.43=13.8になる。スペックルコントラストは、1/N12として、独立したサブパルスの数Nで変るので、パルス拡張器は、100の入力スペックルコントラストで出力スペックルコントラスト113.812=26.9を達成することができる。これは、それでも高すぎるスペックルコントラストである場合があるので、開示する本発明の実施形態の態様に従って、パルス拡張器の入力スペックルコントラスト又は出力スペックルコントラストを低減する機構を設置することができる。同じことは、他の箇所で説明するいわゆるミニOPuSに対しても言える。ビーム誘導、例えば、ビーム内の単一のパルス内のシードレーザ光パルスビームを誘導する電気光学器械又は音響光学器械を使用することができる。このような光学器械を例えばシードレーザ出力部で利用すると、例えば、開示する本発明の実施形態の態様に従って、低平均電力シードレーザビームを受ける必要があるに過ぎない電気光学材料が発生する可能性がある。例えば、単一のレーザパルス内で、例えば、ビーム誘導を無作為に及び/又は連続的に変えることにより、電力増幅ステージの角度的受入れを角レーザパルスに対して塗装するか又は満たすことができる。従って、主パルスは、例えば、MO/電力増幅ステージの光学的構成により設定された例えばシードレーザの特性により選択されたのではない発散を有することができる。レーザシステム出力レーザ光パルスの干渉の大幅な低減は、その成果とすることができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、例えば、平面空洞及び平坦後部鏡を有する注入制御増幅器レーザシステムは、例えば、0.0085mJから0.99mJの範囲のシードパルス注入エネルギに対して適切なエネルギ安定性を有することができる。ビームのこのエネルギは、例えば、シードレーザから入力カプラを形成することができる電力増幅ステージの例えば後部鏡に入射することができる。この反射体は、例えば、約90の反射率及び約8の透過率を有することができる。従って、増幅ステージ空洞自体に入るシードエネルギは、おおよそ例えば後方反射体上に入射するものよりも小さい大きさの程度を有することができる。特に、本明細書の他の箇所で説明する、開示する本発明の実施形態の態様による部分反射シード注入機構を有するリング空洞に対しては、例えば、入力シードエネルギは、浪費量が遥かに小さく、例えば、シードレーザ光の約80を入れることができる。Rmax及びOCは、F2制御環境内にあるとすることができ、従って、堅牢性は高いが、例えば偏光結合が用いられた場合、結合効率は、それでも、ある一定の用途に対しては最適とはいえない場合がある。例えば、MOPA構成における適切なアーキテクチャは、1対の2つの3通過XeF-PAモジュールと共に、2チャンネルtic-toc固体シードレーザ、例えば、第3高調波Nd:YLF-MO又はNd:YAGシステム例えば、351nmに同調とすることができる。MOPO、例えば、主発振器/電力増幅ステージリング電力発振増幅ステージなど構成内でのこのようなシステムは、有効な代案とも考えられる。このような2チャンネルMOPO手法は、すなわち、2つのシード電力発振器を有するMOPA構成と類似のものであるすることができる。様々な結合技術、例えば、偏光技術又はシード注入機構を用いたMO結合を用いることができる。異なるPO/PA構成に関する効率とEmoは、MOPO又は3通過MOPAの方が良好であることが公知であるが、4通過MOPAは試験されていない。例示的なパルス幅FWHMは、MOPAに対しては約17.3ns、MOPA単一通過に対しては約13.9ns、MOPA3通過に対しては、約12.7nsであることが公知である。本出願人は、角度シフトを備えた非相関に関するスペックルパターンを例えばNd:YLFシードレーザ及びXeF電力発振器平坦/平坦偏光結合構成で、例えば、MOPO出力ビームにおいて検証した。XeF放電と調整済みシードレーザパルスの間の相対的タイミングに対しては、XeF利得により生成される弱い線353の最大抑制が得られるように角度調整及び空間的調整も行った。図39は、例えば、水平方向及び垂直方向図39の用紙の図の平面において例示するようなを導入する例えばスキャナ角度受入れ窓との関係による出力レーザパルスでの干渉破壊方式の結果を概略的に例示している。点780aは、概略的かつ例示的に初期シードレーザパルス発散プロフィール780aを例示するものである。パルス782aのパターンは、完全に整列させたビーム遅延経路内でのビーム折り返し、又はずれたビーム遅延経路を通るビーム折り返し、又はその両方又はその組合せ後のサブパルス発散プロフィールを例示するものであり、円784aは、各々、電気光学的不鮮明の発散プロフィールに及ぼす影響を表している。ここで図40を参照すると、開示する本発明の実施形態の態様による干渉破壊の効果の概略図が示されている。結像遅延経路、例えばパルス拡張器、例えば、いわゆる光パルス拡張器OPuS、例えば、上述の本出願人の譲渡人のレーザシステムと共に販売されており、かつ上述の米国特許及び現在特許出願中の出願で例示されている4倍Tis6鏡OPuS、又は短縮化遅延経路は、例えば、その遅延経路上でビームを折り返すために、及び/又は上述のような可干渉距離を超える遅延が得られるように使用されたその改造バージョン、いわゆるミニOPuSを利用して、例えばMOと増幅利得媒体、例えばPA又はPO又はリング電力発振増幅ステージとの間である程度の干渉破壊を達成することができる。例えば、図31に例示するような他の形態の干渉破壊は、単独で又は例えば図33で及び本明細書の他の箇所で例示するようなミニOPuSと組み合わせて用いることができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、例えば、図13、図14、及び図42に例示する例えばポインティング/発散センサからのフィードバックによる例えば能動的な鏡制御を追加することにより、パルス拡張器、例えば、6鏡、4鏡パルス拡張器、例えば、4倍TisOPuSのような通常のOPuS、又はいわゆるミニOPuS、又は図31に関してより詳細に説明する遅延経路のポインティング/発散センサを利用することができる。このような利点としては、例えば、レーザ出力レーザパルスビームが、遅延経路内で平滑化され、更に、実際に、ごく僅かに異なるポインティング、及び従ってパルス拡張器の様々な鏡での入射角の複数のビームのようなものになる例えば鏡の間効果を生成することがある。本出願人の譲受人は、例えば、現在使用されている4倍TisOPuSパルス拡張器の鏡を完全に整列させることは非常に困難であり、従って、パルス拡張器を出るレーザ出力レーザパルスビームの干渉を低減する鏡の間の効果が生成されるパルス拡張器内でこれを観察している。従って、ビーム860aは、複数の別々のビーム82aを形成する。図40においては、これは、概略的にかつ空洞852aの後部及び出力カプラ854aを形成する若干ずれた鏡を有する平坦-平坦空洞850aの結果としても例示するが、同じ効果は、上述の干渉破壊効果で本出願人の雇用主によりOPuS内で観察されている。図60に例示する空洞は、偏光入力カプラ858a及び1/4位相差板856aを有することができる。図40は、例えば、シードレーザパルスのシードレーザ源からの例えば偏光入力結合が行われる例えば平坦-平坦空洞内での例えばOC反射率とRmax反射率の両方を用いた時の干渉性の低減を例示している。例示を明瞭にするために、角度は誇張されている。例えば、複数の光線は、例えば、OCとRAMの間に作成された静的散開、すなわち、鏡の間の効果により生成される。空洞を通じた透過損失なし及び完全な反射性を仮定して、これらの光線の理論的なエネルギ重み付けを以下に示している。表各光線は、例えば、OCとRmaxの間の経路長が時間的な可干渉距離よりも長いように維持される場合に、他の光線の全てに対して非干渉性であると仮定することができる。各光線は、例えば、完全なアラインメントが、特に垂直方向においては極めて困難であると考えられることから、他の全ての光線と若干異なる角度であると仮定することができる。本出願人は、非相関スペックルを作成するためには垂直方向において約37μradの角度差を必要とすると考えている。正規化されたエネルギ重み付けを総和して同等の数の独立したパルスをもたらし、かつ平方根を取って標準偏差の低減をもたらすと、上記からの和は、1.56である。平方根は、1.25であり、従って、OC反射とRmax反射の両方を用いた時の標準偏差は、0.551/1.25=0.440であり、これは、本出願人が測定した値、すなわち、0.427に十分に同等のものである。本明細書では鏡の間の効果とも呼ばれる静的散開は、本質的には手動のアラインメントでは不可避のものであり、すなわち、シードレーザ単独よりも2.50倍小さい増幅利得媒体での増幅で単一のパルススペックルコントラストを生成すると考えられる。この低減は、6.3非相関サブパルスに等しいものである。このコントラスト低減の一部は、発振増幅ステージの効果を試験するのに使用されたXeF電力発振器からの弱い線含有量によるものであるが、大半は、静的散開の効果によるものであると考えられる。同様に、OC-RmaxOC-後部空洞鏡反射のOPuSのような静的散開特性により作成されたサブパルスの多くは、全て、ほぼ等しい強度に増幅され、従って、上表に示すものよりも多い同等の独立したパルスが作成される。非相関スペックルパターンを作成するために必要される傾斜角は、大きなものである場合がある。1.0から1.55への同等のパルスの第1の大きなジャンプは、殆ど、MOPOとして稼動している時のスペックルパターンのパルス間の反復性不良によるものであると本出願人は考えている。全く鏡傾斜を変えない場合でさえも、2つのパルスの相関度は、高々30から35である。シードのみでは、このパルス間の相関度は、85から95であることが公知である。同等のパルス数の長い緩やかな上昇では、例えば、図46に例示するような約400μradの鏡傾斜まで2.0の値に到達することさえない。この結果は、例えば、単一のパルス内にいくつかの非相関スペックルパターンを作成するために、例えば、約±500μradから1000μradの大きな角掃引の必要性があることを意味している可能性がある。干渉に関連する実験を通じて、本出願人の雇用主は、例えば、パルス拡張器により生成されたサブパルスは、非干渉性のものであり、角度が若干ずれた場合は異なる縞模様が発生することを知っている。ピンホール縞模様は、入力角度がλ/2dの時に最大から最小に移行する。ポインティングシフトスペックルシフト測定からの本出願人による推測とE-Oセル印加電圧のプロットを図35に示している。開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、単一のパルス内で、内部のスペックルコントラストを低減するためにシードレーザのポインティングを掃引することを提案する。これは、例えば、電気光学器械、例えば、図33に概略的に例示する要素392aで行うことができる。入力カプラ、例えば、ビーム分割器近傍などに設けられたエキシマ電力発振器、例えば、XeFチャンバ内へのシードレーザパルス入力前に垂直拡大を用いて、かつ直径が約3.2mmのE-O偏向器の開口部で、偏向器は、垂直拡大の上流側でなければならないであろう図33においては図示せず。例えば、E-O偏向器からの角度傾斜に関連した発振空洞内での平行移動を最小にするために、E-O偏向器をできるだけ増幅器空洞近くに設置することが望ましいと考えられる。ここで図42を参照すると、開示する本発明の実施形態の態様によるビームカプラシステム600aが、概略部分ブロック図の形態で示されている。ビームカプラシステム600aは、例えば、第1の増幅利得媒体部分602a及び第2の増幅利得媒体部分604aを含むことができ、その各々は、例えば、本明細書の他の箇所で説明するように、PA又はPOリング電力発振増幅ステージとすることができる。増幅部分602a、604aの各々の出力は、ビーム拡大器608を通過することができ、ビーム拡大器608は、例えば、ビームを4倍拡大するプリズム610a及びプリズム612aを含むことができる。回転鏡620aは、増幅器602aからの第1のレーザシステム出力光パルスビーム622aを第2の回転鏡624aに誘導することができ、第2の回転鏡624aは、パルスビーム622aを誘導して第1のパルス拡張器640aのビーム分割器上に、及び次に第2のパルス拡張器644aのビーム分割器646aにパルスビーム632aを形成することができる。回転鏡630aは、第2の増幅器604aからの第2のレーザシステム出力光パルスビーム632aを第2の回転鏡634aに誘導することができ、第2の回転鏡634aは、ビーム632aを誘導してビーム分割器642a上に、及び次にビーム分割器646aに入射するビーム634aを形成することができる。本明細書の他の箇所で説明するようなミニOPuSとすることができる第1のOPuS及び第2のOPuSの出力は、別のビーム分割器650aを通過することができ、そこで、例えば、レーザシステムレーザ光パルスビームの僅かに一部だけを例えば測定のために方向転換させて、例えば、集束レンズ652aにより発散検出器654a内に集束させることができ、発散検出器は、例えば、第1及び/又は第2のOPuS640a、644aのビーム分割器642a、646a又はビーム632a、634aのための回転鏡にフィードバック制御信号656aを供給して発散を増加又は低減する制御システム図示せずの一部とすることができる。このような干渉破壊は、出力部とは対照的に、例えば、図42に示す増幅器602a、604aの入力部でのものとすることができる。同等の独立したレーザパルスの有効数は、各パルス拡張器のTis倍率に等しいことが分る。上述の種類の各OPuSパルス拡張器は、約~2.4倍の倍率を有することができる。例えば、3段階のパルス拡張では、独立したサブパルスの数は、2.43=13.8になる。スペックルコントラストは、独立したサブパルスの数Nで1/N12として変るので、パルス拡張器は、100の入力スペックルコントラストで、113.812=26.9の出力スペックルコントラストを達成することができる。これは、それでも高すぎるスペックルコントラストと考えられるので、開示する本発明の実施形態の態様に従って、パルス拡張器内外のスペックルコントラストを低減する機構を設置することができる。同じことは、他の箇所で説明するいわゆるミニOPuSに対しても言える。例えば193nmでの電気光学器械の利用で、例えば、パルストリミングが明らかにされている。一部の他の形態のパルストリミングで使用される偏光回転よりは、むしろ、ビーム誘導、例えば、ビーム中の単一のパルスのシードレーザ光パルスビームを誘導するために電気光学器械を使用することができる。例えば、シードレーザの出力部でこのようなものを利用すると、開示する本発明の実施形態の態様に従って、例えば、低平均電力シードレーザビームを受ける必要があるに過ぎない電気光学材料が発生する可能性がある。例えば、ビーム誘導を無作為に及び/又は連続的に変えることにより、電力増幅ステージの角度的受入れを角レーザパルスに対して塗装するか又は満たすことができる。従って、主パルスは、例えば、PO/電力増幅ステージの光学的構成により設定された例えばシードレーザの特性により選択されたのではない発散を有することができる。レーザシステム出力レーザ光パルスの干渉の大幅な低減は、その成果とすることができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、例えば、平面空洞及び平坦後部鏡を有する注入制御増幅器レーザシステムは、例えば、0.0085mJから0.99mJの範囲のシードパルス注入エネルギに対して適切なエネルギ安定性を有することができる。ビームのこのエネルギは、例えば、シードレーザから入力カプラを形成することができる電力増幅ステージの例えば後部鏡に入射することができる。この反射体は、例えば、約90の反射率及び約8の透過率を有することができる。従って、増幅ステージ空洞自体に入るシードエネルギは、例えば、後方反射体上に入射するものよりも小さい大きさの程度をほぼ有することができる。特に、本明細書の他の箇所で説明する、開示する本発明の実施形態の態様による部分反射シード注入機構を有するリング空洞に対しては、例えば、入力シードエネルギは、浪費量が遥かに小さく、例えば、シードレーザ光の約80を入れることができる。Rmax及びOCは、F2制御環境内にあるとすることができ、従って、堅牢性は高いが、例えば、偏光結合が用いられた場合、その結合効率は、それでも、ある一定の用途に対しては最適とはいえない場合がある。例えば、MOPA構成における適切なアーキテクチャは、1対の2つの3通過XeF-PAモジュールと共に、2チャンネルtic-toc固体シードレーザ、例えば、第3高調波Nd:YLF-MO又はNd:YAGシステム例えば、351nmに同調とすることができる。MOPO、例えば、主発振器/電力増幅ステージリング電力発振増幅ステージなど構成内でのこのようなシステムは、有効な代案とも考えられる。このような2チャンネルMOPO手法は、すなわち、2つのシード電力発振器を有するMOPA構成と類似のものであるすることができる。様々な結合技術、例えば、偏光技術又はシード注入機構を用いたMO結合を用いることができる。異なるPO/PA構成に関する効率とEmoは、MOPO又は3通過MOPAの方が良好であることが公知であるが、4通過MOPAは試験されていない。例示的なパルス幅FWHMは、MOPAに対しては約17.3ns、MOPA単一通過に対しては約13.9ns、MOPA3通過に対しては、約12.7nsであることが公知である。本出願人は、角度シフトを備えた非相関に関するスペックルパターンを例えばNd:YLFシードレーザ及びXeF電力発振器平坦/平坦偏光結合構成で、例えば、MOPO出力ビームにおいて検証した。XeF放電と調整済みシードレーザパルスの間の相対的タイミングに対しては、XeF利得により生成される弱い線353の最大抑制が得られるように角度調整及び空間的調整も行った。シードパルスの最大強度は、増幅ステージの初期の超低レベル蛍光中に発生することが観察されている。この超低レベル蛍光及び従って利得は、MOPO出力において観察されたように、このシードにより高められると考えられる。増幅ステージ発射よりも前約20ns程度前に又は後に例えばシードのタイミングを調整すると、例えば、弱い線の出力の増加をもたらすことができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、干渉破壊は、電気光学器械によるビーム誘導、例えば、望ましい公称中心波長に対して適合された例えばConOpticsのE-O偏向器アセンブリを使用する例えば単一パルス中のシードビームのポインティングにより達成することができる。このようなE-Oデバイスは、ビームを変調するのに使用されるE-O偏向器を有する二重Arイオン線を351nm近くで使用するCD及びDVD書込装置で使用されるもののようなものとすることができる。例えば、約0.6μrad/ボルトのポインティング係数で及び50pFのキャパシタンスで、完全なmradの偏向でさえも、必要な電圧は1、700Vに過ぎない。例えば、図40に概略的に例示するようなパルストリミングに有用な駆動回路本出願の他の箇所でより詳細に説明するを例えば直列の抵抗体と共に使用して、制御された掃引速度を例えば単一パルス中に生成することができる。シードレーザ持続時間は、約15nsとすることができ、従って、上昇速度は、最大mRadまでのような適切なポインティングの変化に関しては十分にこのような駆動装置の機能の範囲である。発振ポンプダイオードまでの約30Aと4Aのポンピングダイオード電流で、シードレーザ出力レーザ光パルスビームパルスは、1.2mJであると判断したが、これは、ガス放電レーザ、例えばXeFガス放電レーザをシード供給するには十分なものであった。MOPO構成に対するスペックルコントラストのプロット平均スペックル相互相関対鏡傾斜-入力角変化を一例として図75に示している。発振器構成であるが増幅利得媒体の励起がない増幅利得媒体を通過するシードレーザパルスのみの同様のプロットを、図46に一例としてプロット590として例示するが、図46は、同等の独立したパルスのプロット592を一例として示すものである。PO内のシードレーザパルスだけに関する同様のプロットを図74に示すが、曲線596は、同等の独立したパルスであり、曲線594は、制御下標準偏差であり、曲線598は、相互相関である。MOPOの場合と同様に、完全に又は本質的に完全に非相関スペックルパターンを生成するのに、約150μradから250μradの傾斜及び約2つの同等の独立したパルスが必要である。しかし、上述のように、シフトなしを目指した開始スペックルコントラストは、OC反射の場合よりも約1.25の係数だけ小さいものであると考えられる。従って、開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、MOPO単一パルススペックルコントラストは、実質的にシードのみの場合よりも低いと考えられ、その理由は、例えば、複数のOC-Rmax-OC-Rmax反射により生成された光線の静的散開のためであり、例えば、これらの反射の各々は、例示する別々の若干異なる角度で出て、図75に一例として示すような非相関スペックルパターンが生成されるからであることを見出している。開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、この発見を利用すると必要な干渉破壊方法を大幅に簡素化することができると考えており、その場合、必要な干渉破壊の程度が低減されると見出されるであろう。例えば、一方又は両方の軸内で、例えば、発散空間全体を誘導及び/又は急激に変調する混成塗装、両方を用いる場合電気光学機能を作成する高周波デバイスを必要とするのではなく、例えば、一方の軸又は他方の軸、又はその両方内でPOに至るシードを若干ずらして、この広がる静的光線散開効果、いわゆる鏡の間の効果を利用することができる。次に、例えば、一方の軸が、一方の軸内のみで広がる場合の他方の軸である場合に、例えば、E-O駆動電子機器に関する要件の大幅な低減で、一方の軸又は他方の軸又はその両方に沿ってポインティングの線形掃引のみを用いることも可能であろう。最も単純な場合では、ミスアラインメントの広がりビーム散開、いわゆる鏡の間の効果を一方の軸内でのみ採用し、例えば鋸歯が傾斜鏡に合図し、かつACが混成塗装を作成せずに他方の軸内で単独に塗装することができる。より複雑な並び替え及びこれらの干渉破壊技術の組合せも適用可能であると考えられる。図43は、例えば、遅延経路内、又は増幅利得媒体内、PA又はPO、又は他の電力増幅ステージ内に塗装されるシードパルスの強度に関連して、傾斜路式時間変動E-OのDC電圧信号上に重ね合わされた理想化された高周波塗装E-O電圧信号の例を示す。ランプ電圧は、例えば、図45の回路内に概略的に例示するようなE-Oセルキャパシタンスの高速R-Cの減衰により作り出すことができる。本出願人が製造して試験してきた試験回路に対するある一定の制約事項、例えば、RF周波数の制限、インピーダンス不適合、E-Oロードセルキャパシタンス不適合などのために、プローブ搭載などに関する問題を考慮して、測定可能であるほど良好な塗装電圧回路によって送出される実際の電圧を図44に示している。これらは、必要とされるRF周波数例えば、400MHzに対して約100MHzの約25であり、必要とされるピーク間電圧の10例えば、±2000kVに対して約±200kVである。塗装電圧は、言うまでもなく、更に良好に最適化することができるであろうが、試験回路は、例えば、互いに直交する関係である例えば1つの軸内に一方、第2の軸内に他方に、時間変動DC変更とAC変調の両方を用いる混成塗装で、干渉/スペックル低減に対してシードビームを増幅利得媒体内に塗装する効果を明らかにするのに使用したものである。本出願人の実験測定では、ランプ電圧及びAC電圧がなければ、全体的な2Dスペックルコントラストは76.8であり、水平軸から垂直軸に変化すると判断した。ランプ電圧だけを使用している塗装では、全体的なスペックルコントラストは29.4であり、同じく2つの軸内で変動した。AC電圧だけによる塗装では、全部で59.9のスペックルコントラストが得られ、同じく2つの軸内で変動した。印加したランプ電圧及び交流電圧で、スペックルコントラストは、全部で28.1であり、両方の軸内で変動した。これは、試験には利用可能ではない図40のものほどは最適化されていない回路を使用したものであり、実際に試験した回路の試験結果を図44に示している。本出願人は、図45に一例として示すより最適化された回路であれば、スペックルコントラストの低減を更に改善することさえも可能と考えている。図40の回路1100aは、例えば、EOセルキャパシタンス1104a及びインピーダンス適合誘導子1110a及びN:1逓昇変圧器11120aと共に、上述のもののようなEOセルを含むことができる。また、例示するように、大型抵抗体1130aを通じてコンデンサ1126aを充電する例えばDC電源1122a、及び抵抗体を通じて高速作動スイッチ、例えばトランジスタ1140aに接続した実際には並列のこのようなトランジスタの列でRF周波数発生器を含むことができる。また、コンデンサ1126aは、スイッチ1140aが閉成された時に小形抵抗体1142aを通じて放電される。開示する本発明の実施形態の態様に従って、塗装は、塗装をパルス時間内で行う必要があるか、又はこのような塗装に十分な高速である圧電駆動装置が利用可能であるか又は利用可能になる場合に、かつ他の場合では、例えば、電気光学又は音響光学ビーム偏向器で、例えば、増幅部の上流側の鏡、例えば、圧電調整可能鏡を傾けることにより、増幅利得媒体の上流側で行うことができる。シードのみ、OCのみ、及びOC反射及びRmax反射の両方による結果は、鏡を傾ける場合のような例えば図22に例示するような拡散器を通じて本出願人が測定したものと酷似のように見える。先の測定の場合と同様に、OC反射-Rmax反射のOPuSのような特性により、単一パルスのスペックルコントラスト値の低減分は、同等の数の生成されたサブパルスであることが分る。非相関スペックルパターンを生成するために必要される角度傾斜は、約200μradから250μradであり、ここでも、例えば、電力増幅ステージから下流側で鏡を傾ける場合の結果と類似のものであると判断した。本出願人は、例えば、193nm固体レーザの予想パルスエネルギを模擬するように例えば大幅に減衰されたエキシマシードレーザを使用した固体MO/電力増幅ステージの特徴付けを行っている。しかし、生成されたパルス持続時間は、193nm固体レーザから予想されたものと適合するものではなかった。本出願人は、シードパルス持続時間の適切なシミュレーションにより、MO/電力増幅ステージ作動に必要とされる総シードレーザエネルギが更に低減されるはずであると考えている。パルストリマ、例えば、エキシマシードレーザパルス形状1/4λ電圧=2.5kVのその後の部分をトリミング処理するようにタイミングが取られた例えば階段状電圧が印加されたPockelsセルを使用して、エキシマシードレーザパルスの上昇時間及びPockelsセルの降下時間のために達成された最も短い実際的なパルス形状は、FWHM約9ns、フット間で~15nsであった。シードパルスのその後の部分のトリミング処理は、排除されたシードパルスエネルギのほぼ25でさえも、MO/電力増幅ステージ出力パルス特性、例えば強度には実質的に影響を与えないと判断した。しかし、本明細書の他の箇所で説明するように、パルストリミングは、出力パルスの最大の干渉性最低スペックルコントラストを有する部分を排除することにより、スペックルを更に低減することができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、例えば、単一のトランジスタ1130として図40に概略的に例示する例えば高速MOSFETSのスタックを通じて高電圧を接地に短絡させることができる時点であるトリガされるまで、例えばDC電圧レベルを印加することにより、シードパルス持続時間と類似の時間的尺度で時間変化電圧を印加することが考えられている。印加電圧とシードレーザパルス形状のプロットを図19に示している。E-Oセル端子と電圧供給源の間に直列抵抗体を設置すると、例えば、E-Oセルに適用された電圧勾配を制御することができる。例えば、200Ω抵抗体と直列であるE-Oセルの50pFキャパシタンスにより、約1011μrad/秒の初期勾配が得られる。E-Oセル周りの電圧は、例えば、図19で分るように、シードパルス持続時間と類似の時間でDCレベルからゼロ近くに降下する。E-Oセルパルス発生器とシードレーザの間の相対的タイミングを変えることにより、例えば、シードパルス中に発生するポインティング掃引量を変えることができる。更に、シードパルス中にポインティング掃引量を増加又は低減させるために、初期DC電圧の値を変えることができる。本出願人は、例えば、シードレーザのみ及びOCのみからの反射で、及び従ってOOC及びRmaxからの複数の反射からのOPuS効果がなく、かつMOPO作動による影響なく、この高速ポインティング機能を試験している。E-Oセルとシードパルスの間の相対的タイミングを得るための最適化なしで、本出願人は、両者間のタイミングの範囲に対してスペックルパターンを捕捉した。本出願人は、最大有効ポインティング勾配を変えるために3つの異なるレベルのDC電圧をE-Oセルに印加した。その結果から、約57ns相対的タイミングでの最小スペックル強度正規化標準偏差が分った。シードパルス中の角度シフトが一切なしで、大小両方の相対的タイミング値で、すなわち、57nsを超えて57nsよりも小さいと、スペックルコントラストは高い。これは、静的試験中に本出願人が見つけた値と相関するものである。例えば、相対的タイミングによりE-Oセル電圧勾配がシードパルスと一致した時、単一パルスのスペックルパターンは、劇的にかつ満足に垂直方向で不鮮明にされる。現在理解されているような所要限界値は、約5μJのシードレーザエネルギ及びそれ未満で、例えば、長いシードパルス形状で達成可能と考えられる。飽和試験結果から、本出願人は、出力エネルギが、短持続時間シードパルスを使用した時に、僅か3.75μJのシードレーザエネルギで達成可能であり、かつ同じASE上限値を達成可能であることを見出した。シードパルス持続時間の更なる低減が可能であり、従って、シードエネルギ要件が更に小さくなると考えられる。しかし、このようなシードエネルギの更なる低減は、本出願人が~10μJの固体193nmシードエネルギを仮定していることから不要であると考えられる。例えば、パルス持続時間の短縮化は、各ミニOPuSの遅延長が、シードレーザパルス持続時間よりも大きいという要件により、例えば、2つの段階のミニOPuSを例えばシードレーザと電力増幅ステージとの間で使用して、得られる拡張されたパルスがほぼ10nsFWHMであると考えられるので困難であると分るであろう。例えば、動的なポインティングシフトによってもたらされたコントラストのパーセントによる低減を評価するために、コントラスト値を最大値で正規化することができる。最適相対的タイミング位置で、スペックルコントラストは、ピーク約40まで低減されることが分った。同等の数の独立したパルスに対して1/N12の仮定を用いてデータを使用すると、このレベルのスペックルコントラスト低減を達成するために必要されるパルス数を導出することができる。最適相対的タイミングで、及びE-Oセルに印加された3kVで、コントラスト低減は、6パルスと同等であることが分った。高電圧レベル化でさえも及び従って単一パルス中のポインティングシフト拡大でさえも、この結果を改善することができる。本出願人は、電力増幅ステージ空洞に入るシードレーザパルスはあるが、増幅ステージ電極間の放電なしで同様の測定を行ない、XeF空洞内のOC及びRmaxから、OPuS効果から、ビーム拡大からの反射で、最大スペックルコントラストの低減分が、OPuS効果により予想された量であることに注目した20OCでN=1.56、従って、1/n12=0.80。すなわち、70コントラストは56になる。。不鮮明化の効果は、初期スペックルコントラストが70より低いとしても、完全XeF空洞からの2次反射を追加した時には変らないようであった。スペックル低減を目的とした同等のパルスは、それでも約6パルスである。本出願人は、図17に示すようにシードビーム掃引を通じたスペックル低減に及ぼす影響の低減を示す増幅ステージ空洞内で放電し、かつ従ってその増幅の効果を意味する増幅ステージ空洞電極により同様の測定を行った。このような構成で、その効果は、MO/増幅ステージとして作動した時には同等の数の生成パルス、すなわち、約3パルスの効果の僅か半分以上であることが分り、また、不鮮明化がなくて、ピークスペックルコントラストがかなり大きな低減であることが分った。MO/増幅ステージ作動の従来の測定結果は、約6パルスと同等の低減を示している。これらの結果は、約8パルスと同等の低減を示している。本出願人は、増幅ステージ空洞が、例えば、平坦/平坦空洞において軸外れ光線角度を差別し、従って、空洞内に送られる多くの角度は、全て、等しく増幅されるとは限らない場合があるのではないかと考えているこれは、例えば、真の安定空洞で、例えば、湾曲OC及び湾曲Rmaxを採用して補正することができる。別の説明では、シードパルスの全てが、増幅ステージ特性の制御に参加するわけではないということである。推測に過ぎないが、例えば、シードパルスの10パルスから15パルスのパルス持続時間の最初の5nsは、増幅ステージを制御するものであり、従って、E-O掃引は、その小さい方の窓内で発生するほど高速なものではない。これは、例えば、抵抗体小規模化及び掃引範囲短縮化で補正することができる。図47を参照すると、例えばレーザ処理システム、及び例えば低温でガラス基板のシート上でアモルファスシリコンを溶融及び再結晶化するLTPS又はtbSLSレーザ焼鈍システムが、概略ブロック図の形態で例示されている。システム1070は、例えば、本明細書で説明するようなレーザシステム20と、レーザ20出力光パルスビームを約5x12mmから例えば加工物取扱いステージ1274上に保持された加工物を処理する10ミクロン程度x390mm又はそれよりも長い細いビームに変形する光学システム1272とを含むことができる。第1のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバと、第1の発振空洞内の線狭化モジュールとを含むことができ、パルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成するシードレーザ発振器と、シードレーザ発振器の出力が、ループ当たりで少なくとも2回、リング電力増幅ステージの増幅利得媒体を通過するリング電力増幅ステージを含むことができ、シードレーザ発振器の出力を受け、かつシードレーザ発振器の出力を増幅して、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第2のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバ内に増幅利得媒体を含むレーザ増幅ステージとを含むことができる線狭化パルスエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムを含むことができる装置及び方法を本明細書で開示することは、当業者によって理解されるであろう。リング電力増幅ステージは、部分反射光学器械、例えば、シードレーザ発振器出力光ビームがリング電力発振増幅ステージに注入されるビーム分割器を含むことができる。リング電力発振増幅ステージは、例えば、シードビーム増幅ステージ内のレーザ発振器の各ループ内で双方向に増幅ステージ利得媒体の一部を通過するように、ボウタイループ又はレーストラックループを含むことができる。シードレーザ発振器の出力のパルスエネルギは、0.1mJ、又は0.2mJ、又は0.5mJ、又は0.75mJに等しいか又はそれ未満とすることができる。リング電力増幅ステージは、シードレーザ発振空洞の出力を≧1mJ、又は≧2mJ、又は≧5mJ、又は10mJ、又は≧15mJのパルスエネルギまで増幅することができる。レーザシステムは、最大12kHzまで、又は≧2kHzと≦8kHz、又は≧4kHzと≦6kHzの出力パルス繰返し数で作動することができる。装置及び方法は、第1のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバを含むことができてパルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成するシードレーザ発振器と、シードレーザ発振器の出力が、例えば、上述のようにループ当たりで少なくとも2回、リング電力増幅ステージの増幅利得媒体を通過するリング電力増幅ステージを含み、シードレーザ発振器の出力を受け、かつシードレーザ発振器の出力を増幅して、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第2のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバ内に増幅利得媒体を含むレーザ増幅ステージとを含むことができる広帯域パルスエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムを含むことができる。リング電力発振増幅ステージは、シードレーザ発振器出力光ビームがリング電力発振増幅ステージに注入される部分反射光学器械を含む注入機構を含むことができる。リング電力発振増幅ステージは、ボウタイループ又はレーストラックループを含むことができる。装置及び方法は、シードレーザ発振器と増幅利得媒体との中間にある干渉破壊機構を含むことができる。干渉破壊機構は、パルスのシードレーザ発振器レーザ出力光ビーム内のパルスの可干渉距離よりも長い遅延長を有する光学遅延経路を含むことができる。光学遅延経路は、パルスのシードレーザ発振器レーザ出力光ビーム内のパルスの長さを大幅には増大させることはできず、遅延は、例えば、シードパルスの高周波数化要素を交互配置するのに十分な長さであるが、例えば、パルスのTis、並びに時間的長さ及び空間的長さも大幅に増大させる何メートルもの遅延経路を有する本出願人の譲渡人により販売されている4倍OPuS内で発生するような重なり合うパルスを作り出すほどの長さではない。干渉破壊機構は、第1の長さの第1の光学遅延経路と、第2の長さの光学遅延経路とを含むことができ、第1及び第2の遅延経路の各々での光学遅延は、シードレーザ発振器レーザ出力光ビーム内のパルスの可干渉距離を超えるが、パルス長を実質的に増大させるものではなく、第1の遅延経路と第2の遅延経路の差は、パルスの可干渉距離を超える。装置及び方法は、第1のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバと、第1の発振空洞内の線狭化モジュールとを含むことができてパルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成するシードレーザ発振器と、シードレーザ発振器の出力が、ループ当たりで少なくとも2回、リング電力増幅ステージの増幅利得媒体を通過するリング電力増幅ステージを含むことができ、シードレーザ発振器の出力を受け、かつシードレーザ発振器の出力を増幅して、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第2のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバ内に増幅利得媒体を含むレーザ増幅ステージと、シードレーザ発振器とリング電力増幅ステージとの中間にある干渉破壊機構とを含む線狭化パルスエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムを含むことができる。リング電力発振増幅ステージは、シードレーザ発振器出力光ビームがリング電力発振増幅ステージに注入される部分反射光学器械を含むことができる。干渉破壊機構は、パルスのシードレーザ発振器レーザ出力光ビーム内のパルスの可干渉距離よりも長い遅延長を有する光学遅延経路を含むことができる。光学遅延経路は、パルスのシードレーザ発振器レーザ出力光ビーム内のパルスの長さを大幅には増大させることはできない。干渉破壊機構は、第1の長さの第1の光学遅延経路と、第2の長さの2の光学遅延経路とを含むことができ、第1及び第2の遅延経路の各々における光学遅延は、パルスのシードレーザ発振器レーザ出力光ビーム内のパルスの可干渉距離を超えるが、パルスの長さを実質的に増大させるものではなく、第1の遅延経路と第2の遅延経路の差は、パルスの可干渉距離を超える。干渉破壊機構は、単一の入力パルスから順次遅延された複数のサブパルスを生成する干渉破壊光学遅延構造を含むことができ、各サブパルスは、パルス光の可干渉距離を超える分だけ次のサブパルスから遅延される。装置及び方法は、第1のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバを含むことができ、パルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成するシードレーザ発振器と、シードレーザ発振器の出力が、ループ当たりで少なくとも2回、リング電力増幅ステージの増幅利得媒体を通過するリング電力増幅ステージを含むことができ、シードレーザ発振器の出力を受け、かつシードレーザ発振器の出力を増幅して、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第2のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバ内に増幅利得媒体を含むレーザ増幅ステージと、シードレーザ発振器とリング電力増幅ステージとの中間にある干渉破壊機構とを含むことができる広帯域パルスエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムを含むことができる。リング電力増幅ステージは、シードレーザ発振器出力光ビームがリング電力増幅ステージに注入される部分反射光学器械を含む注入機構を含む。干渉破壊機構は、パルスのシードレーザ発振器レーザ出力光ビーム内のパルスの可干渉距離よりも長い遅延長を有する光学遅延経路を含むことができる。光学遅延経路は、パルスのシードレーザ発振器レーザ出力光ビーム内のパルスの長さを大幅には増大させることはできない。干渉破壊機構は、第1の長さの第1の光学遅延経路と、第2の長さの第2の光学遅延経路とを含むことができ、第1及び第2の遅延経路の各々における光学遅延は、パルスのシードレーザ発振器レーザ出力光ビーム内のパルスの可干渉距離を超えるが、パルスの長さを実質的に増大させるものではなく、第1の遅延経路と第2の遅延経路の差は、パルスの可干渉距離を超える。干渉破壊機構は、単一入力パルスから順次遅延された複数のサブパルスを生成する干渉破壊光学遅延構造を含み、各サブパルスは、パルス光の可干渉距離を超える分だけ次のサブパルスから遅延される。装置及び方法は、第1のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバを含むことができてパルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成するシードレーザ発振器と、第1の発振空洞内の線狭化モジュールと、シードレーザ発振器の出力を受け、かつシードレーザ発振器の出力を増幅して、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第2のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバ内に増幅利得媒体を収容するレーザ増幅ステージと、シードレーザ出力光ビームパルスの可干渉距離を超える光学遅延経路を含む、シードレーザ発振器とレーザ増幅ステージとの中間にある干渉破壊機構とを含むことができるパルスエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムを含むことができる。増幅ステージは、レーザ発振空洞を含むことができる。増幅ステージは、増幅利得媒体を通る固定された数の通過を定める光路を含むことができる。干渉破壊機構は、パルスのシードレーザ発振器レーザ出力光ビーム内のパルスの可干渉距離よりも長い遅延長を有する光学遅延経路を含むことができる。光学遅延経路は、パルスのシードレーザ発振器レーザ出力光ビーム内のパルスの長さを大幅には増大させることはできない。干渉破壊機構は、第1の長さの第1の光学遅延経路と、第2の長さの第2の光学遅延経路とを含むことができ、第1及び第2の遅延経路の各々における光学遅延は、パルスのシードレーザ発振器レーザ出力光ビーム内のパルスの可干渉距離を超えるが、パルスの長さを実質的に増大させるものではなく、第1の遅延経路と第2の遅延経路の差は、パルスの可干渉距離を超える。本出願人は、このようなパルスが、総積分スペクトルTisを増大させてレーザシステム、例えば、リソグラフィツールスキャナ発光体からの出力光を使用したツール内の光学器械に及ぼすレーザ出力パルス内ピーク強度の影響を低減するためにパルス拡張に使用される本出願人の譲渡人Cymer、Inc.により製造されている2つのOPuSパルス拡張器を通過した後の単一ガス放電例えば、ArFエキシマ又はKrFエキシマレーザシステム出力パルス内の可干渉距離の位置に関連するスペックル低減の計算によるシミュレーションを行っている。直列の2つのOPuSがあり、第1のOPuSは、出力パルスの総積分スペクトルTisを約18.6nsから約47.8nsに拡張するのに十分な遅延経路を有し、第2のOPuSは、パルスを更に83.5nsに拡張するものである。未拡張パルスから始めて、本出願人は、0.10pmのFWHM帯域幅及び可干渉距離関数に関するガウス分布を仮定して、パルスを大体の可干渉距離に等しい部分に分割した。第1に、OPuSを通過した後のパルスの可干渉距離部分に及ぼすパルス拡張の影響は、拡張パルス内の第1の強度ハンプが主パルスの可干渉距離部分で構成され、第2の強度ハンプが第1の娘パルスの可干渉距離部分と重なり合った主パルスの可干渉距離部分から成ることを示すことである。拡張パルスの強度の第3のハンプは、第1及び第2の娘パルスの重複の結果である。本出願人は、2つのハンプの個々の可干渉距離部分を見て、可干渉距離部分の複数のバージョン娘パルスを含むが互いに干渉しないように十分に分離されていることに変わりがないことを観察した。シミュレーション第2のハンプの下には、以前と同様に初めの遅延なしパルス、以前と同様に第1のOPuSからの第1の遅延パルス、及び第2のOPuSからの第1の遅延パルスによる寄与があったにおいて、ここでもまた拡張パルスに第1の3つのハンプの内容を見て、拡張パルスの模擬強度の第2のOPuSの通過後に、本出願人は、この第2のパルスにおいては、可干渉距離部分の複数のバージョンが共に非常に接近していることを観察した。この原因は、第1のOPuSは、~18nsの遅延を有し、第2のOPuSは、~22nsの遅延を有するということである。従って、僅か~4nsによって可干渉距離部分のバージョンが分離され、これは、それでも、干渉が発生するほど接近したものではない。第3のハンプ下に、本出願人は、第1のOPuSからの第1の遅延パルス、第1のOPuSからの第2の遅延パルス、第2のOPuSからの第1の遅延パルス、及び第2のOPuSからの第2の遅延パルスからの寄与を観察した。本出願人は、いくつかの関連する干渉部分間の分離は、2つのOPuSによって拡張されたパルスの強度プロットにおける第3のハンプにおける他の干渉部分よりも大きいことを観察した。この分離の増大は、各OPuSを通る2回の往復が、~36ns=182及び~44ns=222に等しいということによるものである。従って、可干渉距離間の分離は、毎回の往復と共に増大する。本出願人は、本明細書で説明するようなミニOPuSに対しては、遅延が1つの可干渉距離に等しい単一のミニOPuSにより、約4可干渉距離値後に消えるパルスの列が作り出されることになると結論を下した。従って、本出願人は、単一のミニOPuSが有効であるためには、2つの主要なOPuSでは、娘パルス可干渉距離は互いの4可干渉距離内にならないと判断した。しかし、本出願人は、主OPuSは、それだけを行うが、余裕は僅かなものであることをシミュレーションにおいて観察している。第3及びそれ以上のハンプに関する可干渉距離間の分離で十分である。本出願人は、MOと増幅利得媒体との間でのミニOPuSの影響は、ほぼ、予想した完全な干渉破壊効果になると考えている。MOとPAの間の第2のミニOPuSは、2つの主要OPuSと適切に相互作用するものではない場合がある。パルスハンプの関係の可干渉距離部分で埋められていない空き空間は、単一のミニOPuSを2つの通常のOPuSと組み合わせた時の方が乏しいものになる。第2のハンプは、過度のものになる場合がある。開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、例えば、リソグラフィツール自体において、レーザシステムの一部であるのか、又は通常の主要なOPuSの下流側に設けられているのかを含む、ミニOPuSが設けられた時の通常のOPuS遅延長の変化の調整を提案する。本出願人は、このようなミニOPuSが、ある程度パルス持続時間の谷部を埋めることができ、Tisの増大になり、例えば、全体的な可干渉距離分離の改善を目指した2つの主要OPuSの一方の遅延長の低減を可能にすると考えている。開示する本発明の実施形態の態様に従って、例えば、2つの増幅器利得媒体チャンバが並列である例えば120Wから180W又はそれよりも大きいレーザシステムの超高電力増幅ステージ空洞に必要なある一定の性能要件がある。それらは、直線偏光>98を生成すべきである。各増幅ステージは、例えば、ArFの193nm波長で又はそれほど厳しくなくより長い波長で、例えばKrFの場合は248nm、XeFの場合は351nm、又はXeClの場合は351nm、更に厳しいものであるがF2の場合は157nmで、≧60Wの平均電力エネルギを生成しかつ耐えるべきである。一実施形態の各増幅ステージは、約6kHz又はそれよりも高く作動することができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、増幅ステージは、比較的小さなシードレーザエネルギで完全なシード供給を示すことができる飽和時又は飽和近くで。開示する本発明の実施形態の態様に従って、シードレーザエネルギは、約1μJに過ぎない場合があるが、このような場合、システム全体出力電力は、200W未満とすることができる。本出願人は、増幅ステージは、例えば、数mRad内の角度範囲で、例えば、干渉セルを除去することにより干渉を不利に改善することを回避するために、例えば、シードレーザの同じ角度広がりを維持するように適度に大きな角度分布をサポートすべきであると考えている。逆の移動反射からのシードレーザの保護も、重要な作動要件である。適切にシードが供給された時、増幅ステージにより生成されるASEは、開示する本発明の実施形態の態様によれば、全出力の0.1未満又はそれ未満とすべきである。開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、1利得断面が、既存のArFチャンバ、例えば、本出願人の譲渡人のXLA-ArFレーザシステム電力増幅PAチャンバと類似であり、2利得長も、既存のArFチャンバと類似であり、3利得持続時間も、既存のArFチャンバと類似であることになると予測している。開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、例えば、約1mJシードレーザ出力光パルスエネルギで12kHzで作動する固体シードレーザとtic-tocである単一のMO/利得増幅媒体XLA、及び各々が約17mJの出力パルスエネルギで作動する2つの増幅ステージを提案する。更に、開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、発振レーザにより生成された光子が発振当たり少なくとも2回利得媒体を通過する再生利得媒体、例えばMOPA構成の電力増幅器PAと比較して、例えばリング電力増幅ステージ内での出力パルスエネルギの数回の生成を可能にすることができるリング電力増幅ステージの利用を提案する。このようなリング電力増幅ステージでは、tic-tocモードで必要とされるMOエネルギを大幅に例えばμJから数十μJの範囲で低量化することができる。試験のために、本出願人は、線狭化ArFレーザを使用して固体193nmシードレーザからの入力のシミュレーションを行っている。本出願人は、結果を図7に示すように、上述のパラメータの異なる値に対してASEとMO-POタイミング差を考察した。同様に、これらの同じパラメータの関数としてのMOPOエネルギとMO-POタイミングの考察結果も図7に例示している。例えば、公知のリソグラフィレーザ光源技術の制約事項を含む上述の要件を満たすために、本出願人は、開示する本発明の実施形態の態様に従って、上述の要件及び制約事項に対処する作業可能な方法を達成すると考えられるいくつかの全体的なアーキテクチャを提案する。第1の方法は、例えば、約17m/パルスを生成する単一の約12kHzシステムを製造するために約6kHzで稼動して交互配置式発射時間で約17mJで出力パルスを生成するように各々が構成された2つの2チャンバレーザ発振器/増幅器構成を有する本出願人の譲渡人のXLA-XXXレーザシステムシリーズのラインと共に2つの多重チャンバレーザシステムを設置することである。すなわち、例えば、図54に概略ブロック図の形態で例示する開示する本発明の実施形態の態様に従って、超高平均電力レーザシステム、例えば、液浸リソグラフィレーザ光源1520は、複数の発振器/増幅器レーザシステム出力光パルスビーム源、例えば、1522、1524を含むことができ、その各々は、例えば、既存のXLA-XXXモード多重チャンバレーザシステムの一部として、本出願人の譲渡人Cymer、Inc.により販売されているもののような主発振器チャンバ1530を含む主発振器部分を含む。また、各発振器/増幅器レーザシステム1522、1524内には、例えば、増幅器利得媒体を含む電力増幅部分1532を含むことができる。また、2つの発振器/増幅器レーザシステム1522、1524の各々は、例えば、オーバーリーブ的にビームカプラ1540に出力光パルスビームを供給する。すなわち、例えば、各レーザシステム1522、1524が、6kHz及び17mJ出力レーザ光パルスビームで作動している状態で、ビームカプラ1540からの結合出力は、12kHz、17mJ出力とすることができ、従って、平均電力が約200Wのレーザシステムになる。図54の実施形態は、平均電力が400Wのレーザシステムを生成するために、例えば、更に別の複数の同一発振器増幅器レーザシステム1526、1528で実行することができることも理解されるであろう。代替的に、発振器/増幅器システム1522、1524、1526、1528の各々は、例えば6kHz未満で、例えば各々が4kHzで、及び/又は例えば最大33mJまでのより高い全体的な発振器/増幅器システム1522、1524、1526、1528出力レーザ光パルスビームパルスエネルギで、最終的な出力100パルス繰返し数及びシステム1520からの類似の様々な平均出力電力値を目指したパルスエネルギの様々な組合せに向けて、光損傷限界値及び運転費用から可能になる範囲で作動することができる。ここで図55を参照すると、開示する本発明の実施形態の態様により、超高平均電力tic-tocシードレーザ/増幅器システム1550が概略ブロック図の形態で例示されている。シードレーザ増幅器システム1550は、例えば、シードレーザ部分1530、例えば、1mJから2mJ出力エネルギパルスで約12kHzで作動する例えばNd:YAG又はNd:YLF又はTi:サファイア又はファイバーレーザ又は他の固体レーザ、又はエキシマ又は分子フッ素ガス放電シードレーザのような固体シードレーザ、及び各々が例えば本明細書の他の箇所でより詳細に説明するビーム分割器1552を通じて例えばシードレーザ部分1530からの交替出力パルスが供給される1対の増幅器部分1532を含むことができる。パルスは、増幅ステージの繰返し数によっては交替式以外で供給することができる。次に、増幅器部分1532の各々は、増幅器部分1532の各々からの17mJの出力のみで、例えば200Wの出力の場合は約6kHzで稼動させることができる。更に、シードレーザは、約4kHzから12kHzの範囲で作動し、例えば、2増幅ステージ並列実施形態に対しては、8kHzから24kHzの出力が得られるように選択することができる。図56を参照すると、開示する本発明の実施形態の態様により、超高平均電力多重tic-tocシードレーザ/増幅器システム1570の例が概略ブロック図の形態で示されている。システム1570は、例えば、第1及び第2のシードレーザ1572を含むことができ、各々は、ビーム分割器1552を通じて、かつレーザ光源システム出力レーザ光パルスビーム100に200W又は約200Wの平均出力電力を供給するためにビームカプラ1578内で結合された各々の出力で、シードレーザパルスを1対の増幅器部分、例えば、増幅器利得媒体1574に供給する。シードレーザは、例えば約12kHzで作動する例えば固体レーザとすることができ、増幅器部分は、例えばガス放電レーザ、例えば約6kHzで作動するエキシマ又は分子フッ素レーザとすることができる。代替的に、例えば、シードレーザ1572は、エキシマレーザ、例えば約6kHzで作動するKrFレーザ、ArFレーザ、XeClレーザ、XeFレーザ、又は分子フッ素レーザとすることができ、それぞれの対のtic-toc増幅器部分は、各々、合計12kHzとして3kHz及びリソグラフィ又はLTPSレーザ光源システム出力レーザ光パルス当たり17mJ、及び約200Wの得られる平均電力で作動する。周波数変換は、本明細書の他の箇所でより詳細に説明するように、シードレーザ72、例えば固体レーザの波長をガス放電レーザ増幅器部分1574の波長までシフトさせる必要があると考えられる。ビームカプラ1578は、図示のような単一のビームカプラ、又は図54でカプラ1540、1542において示すような連鎖式カプラとすることができる。図56に例示する構成の様々な組合せ及び置換を利用することができることも、当業者によって理解されるであろう。例えば、各々が複数のB増幅器部分1574にシードを供給し、各々がX/BkHzで作動し、その組合せが図56の出力ビーム100内のAXシステム出力レーザ光源出力パルスを供給する、XkHzで作動する複数のAシードレーザ1572が存在するとすることができる。次に、必要な平均システム出力電力によっては、複数の増幅器部分74の各々の出力のパルスエネルギは、例えば、図56に例示するようにA=2及びB=2、及びX=6kHで判断することができ、全体的な出力ビーム100は、12kHzの出力及び約200wの平均出力電力を得ることができる増幅器部分から17mJパルスを有することができる。同じことは、図54の可能な構成に対しても言える。例えば、2つの増幅器チャンバの例えば繰返し周波数の2倍で稼動する主発振器によりシード供給されるtic-toc増幅器LTPS又は液浸リソグラフィ光源は、MO/増幅利得媒体構成の2つのエキシマレーザチャンバとすることができることに注意されたい。例えば、各増幅媒体は、再循環/再生リング電力増幅ステージを有することができ、その各々は、代替的に、いずれか一方の増幅ステージエキシマレーザチャンバの繰返し数の2倍で稼動する主発振器によりシード供給される。このようなシステムは、例えば、157nmF2、193nmArF、248nmKrF、308nmXeCl、又は351nmXeFで作動するMO及びPA/POにより、望ましい波長、例えばDUV波長のいずれかで稼動させることができる。更に、このようなシステムは、複数の電力増幅ステージ、例えばtic-toc構成では、リング電力増幅ステージのような例えば2つの電力増幅ステージにシード供給する、より高いパルス繰返し数で作動する固体又はエキシマシードレーザを含むことができる。図57では、開示する本発明の実施形態の態様による液浸レーザリソグラフィシステム1580が、一例として部分概略部分ブロック図の形態で示されている。システム1580は、例えば、ASML又はキャノン又はニコンにより製造されるもののような200W又はそれよりも大きい平均電力で線狭化パルスをスキャナ1590に供給する超高平均電力出力レーザ光パルスビーム源、すなわち、図54に示すようなものなど1520、図55に示すようなものなど1550、又は図56に示すようなものなど1570を含むことができる。スキャナ1590は、発光体1592と、レチクル1594と、光源1520からの放射線による露光に向けてウェーハ1598を担持するウェーハステージ1596とを組み込むことができる。ウェーハステージ1596上には、例えば、液体がレチクル1594及びステージ1596の周りの周囲と異なる屈折率を有する水である液体源1602と、液浸リソグラフィに向けてウェーハ1598を覆うために液体1606を供給する液体排水路1604とが存在するとすることができる。干渉破壊のために、エキシマ又は他のガス放電レーザ増幅器部分に供給するエキシマ又は他のガス放電シードレーザ又は固体シードレーザに対して、本明細書の他の箇所で説明するようにビームが結合される複数の増幅器部分の使用は、光学的干渉性を減少し、かつ従って例えば集積回路フォトリソグラフィ又はLTPS又tbSLS処理においては、スペックルの影響を低減するのを助ける際に有用な効果を有することができることも理解されるであろう。スキャナ1590が液浸スキャナであるか否かを問わず、そのスキャナ1590の内側で、本明細書で開示する様々な干渉破壊技術及び/又はその組合せの1つ又はそれよりも多くを利用することができることも理解されるであろう。ここで図58を参照すると、開示する本発明の実施形態の態様により、固体シードレーザからガス放電増幅器レーザまでのシステム1620が概略ブロック図の形態で示されている。システム1620は、例えば、固体パルスシードレーザ1622、例えば、Nd:YAG又はNd:YAG又はNd:YLFポンピング同調可能固体レーザ1622を含むことができる。レーザ1622の出力は、干渉破壊に関して本明細書の他の箇所で説明するように、例えば、シードレーザ1622の出力の周波数シフト及びビーム誘導の両方が可能である例えば単一の光学要素とすることができ、又は例えば図59に示すように直列の干渉破壊器と共に周波数シフト器とすることができる干渉破壊器/周波数逓倍器1626を通過することができる。本発明のシステムは、例えば、PA又はPO1624のような増幅器利得媒体、又は例えば出力100がスキャナ1590図57に図示に供給されるリング電力増幅ステージ1624を有することができる。当業技術で公知のように、様々な同調機構、例えば作動温度と共に、固体レーザ、例えば、1064nm波長Nd:YAGネオジムドープイットリウムアルミニウムガーネットNd:Y3Al55O12、又は1053nmNd:YLFネオジムドープイットリウムアルミニウムガーネット、又はTi:サファイアレーザ約650nmから1100nmまで同調可能が使用可能であり、及び/又は線幅選択によることが理解されるであろう。増幅器部分1624における増幅に関する望ましい周波数/波長は、例えば、周波数アップコンバージョン器1626で、当業技術でより理解されているように、増幅器部分1624内で問題のない増幅レージングを発生させるために、XeFの場合は約351、KrFの場合は248、ArFの場合は193、及び分子フッ素の場合は157の公称中心波長から問題のないΔλ以内まで達成することができる。上述のように、本明細書の他の箇所で説明した形式の干渉破壊は、スキャナ1590又は他の適用ツール、例えば別のマイクロリソグラフィツール又は細ビームレーザ焼鈍ツールの内部で使用することができる。図59を参照すると、図69と類似の開示する本発明の実施形態の態様による固体シードレーザ/増幅器レーザシステム1620がブロック図の形態で示されており、例えば、周波数逓倍器1630及び干渉破壊器1632は、例えば、増幅ステージ1624のガス放電増幅利得媒体内で例えばシードレーザ出力レーザ光パルスビームパルスの高い干渉性、及び増幅のための望ましい周波数/波長への周波数シフトに対応するように、適切なシードパルスを増幅器レーザ部分1624に供給するのに利用することができる。周波数逓倍器1630及び干渉破壊器1632は、本明細書で説明する他の構成の場合に当て嵌まるように組み合わせることができ、例えば、当業者によって理解されるような適切な駆動信号と共に両方に例えば単一の非線形水晶を使用することができ、又は例えば一部が周波数変換に、その他が干渉破壊器に最適化された状態で複数の水晶を使用することができ、その位置は、交換され、すなわち、干渉破壊、次に周波数シフト及び周波数シフト、次に干渉破壊へと交換することができる。図60を参照すると、本明細書でより詳細に説明するように、例えば、ビーム分割器1640と共に周波数変換器1630によるシードレーザの出力の変換と、それに続く、それぞれの垂直軸干渉破壊器1642及び水平軸干渉破壊器1644による1つの軸、例えば、ビームが楕円又は細長矩形ではない場合はレーザビームの長軸又は第1の軸、又はビームが細長矩形ではない場合は短軸又は第2の直交軸における干渉破壊とが概略ブロック図の形態で示されている。干渉破壊器1462、1644の出力は、他の箇所で説明するように、例えば、図31及び/又は図37A及び図37Bに関連して示すように、干渉破壊の機能を助けることができるビーム結合器1646内で結合し、かつ出力は、レーザパルスとして増幅利得媒体部分1648に供給することができる。そうでなければ、適切な非線形結晶がこのような実施形態に対して求められないと考えられる場合には、干渉破壊は、例えば、干渉破壊1642において1つの軸内で行ない、次に、連続して干渉破壊器144内の第2の軸内での干渉破壊をその後のビーム結合器1646を必要とせずに行うことができる。図61を参照すると、例えば、周波数変換器1630内の周波数変換が干渉破壊後に、すなわち、ビーム結合器1646と増幅部分1648との中間で起こる図60の実施形態のバージョンが、概略ブロック図の形態で示されている。開示する本発明の実施形態の態様に従って、351nm放射線、例えば、コヒーレント352nm放射線の生成は、例えば、線形又は非線形周波数変換ステージを駆動する固体駆動レーザを有する半導体構成で行うことができる。351nmレーザ放射線の生成は、例示するように、1053nmで作動するNd:YLFレーザの第3高調波変換により達成することができる。しかし、XeFエキシマ増幅器/発振器のためのシードレーザとしてこの手法を使用するために、例えば、Nd:YLFシードレーザ主発振器の公称中心波長が、XeFの利得スペクトル352.12nm及び351.26nmでの2つの線幅に適合することを保証するべきである。代替手法は、Ybドープファイバーレーザを基本的な駆動レーザシードパルス源として使用することが可能である。Yb3ファイバーレーザは、J.Nilsson他著高電力波長同調可能クラッド-ポンプ希土ドープ珪土ファイバーレーザ、Opt.FiberTecnol.、10、5ページから30ページ2004年で説明しているように、1050nmと1065nmの間の作動を可能にするために固有に同調可能である。ファイバーレーザは、LTPS及びマイクロリソグラフィのような超信頼性を必要とする用途において特に有用であると考えられるいくつかの設計簡素化の例を達成することができる。本出願人は、中程度のピーク電力5kWから50kW高パルス繰返し数複数kHz、例えば、約12kHzから15kHzまで1054nm狭帯域パルス放射線源としてパルスファイバーレーザシステムを提案する。このようなレーザは、qスイッチ式ファイバ発振器、ファイバ増幅されたパルスダイオード源、又は変調されて内部的又は外部的にファイバ増幅されたCW源ファイバ発振器又はダイオードのいずれかである標準的なYb3パルスファイバーレーザ技術を用いて構成することができると考えられる。1054nm放射線を発生させた後に、それは、1054nmから527nmまでの非線形周波数変換第2高調波発生SHG、次に、351.2nmまでの~±0.1nm帯域幅で残留基本波による和周波発生SFGの2段階の非線形周波数変換を用いて、例えば約351.2nmまで直接に周波数アップコンバートすることができる。例えば、ファイバーレーザに適合した超狭帯域幅超高スペクトル純度を有するCW固体レーザ、例えばダイオードレーザは、増幅と、例えばKrFレーザ又はArFレーザのための電力増幅ステージへの超狭帯域パルス固体シードの生成とのために超狭帯域シードをパルス固体ファイバーレーザに供給する。適切なLMA大モード区域ファイバ技術を用いて、ファイバーレーザ増幅発振器又はあらゆるその後の増幅ステージを損なうファイバ内の非線形効果によるスペクトル劣化を最小にすることができる。このような手法を用いると、ファイバ中核部でのピーク電力を低減すると同時に、空間ビーム品質を維持することができる大モード区域ファイバ内での単一モード作動を保証する技術が存在する。開示する本発明の実施形態の態様により、ファイバーレーザベースの固体351nmMOをXeFに対して達成することができる。このような主発振器アーキテクチャは、バルク固体レーザよりも単純なより堅牢な解決法と考えられる。ここで図62から図65を参照すると、開示する本発明の実施形態の態様により、複数の光注入型351nmガス放電主発振器/増幅器利得媒体レーザシステム固体主発振器1700が概略部分ブロック図の形態で示されている。主発振器1700は、例えば、ダイオードポンプ1712及びシードレーザ、例えば、1054nmCWシードダイオードレーザ1714と共に、例えば、Yb3ドープファイバ発振器又は増幅器1710を含むことができる。図62を参照すると、主発振器発振空洞は、ファイバ発振器1710の公称1054nm中心波長で90反射とすることができる後部空洞全反射鏡1720及び部分反射光学要素出力結合器1722により形成することができる。主発振器1700には、当業技術で公知のように、Qスイッチ1724が開成される前に、主発振器210の出力パルスエネルギがエネルギにおいて十分に高くなるまで発振空洞内に蓄積することを可能にするために、Qスイッチ1724を採用することができる。従って、主発振器1700の出力は、例えば、約12kHzの割合で、Qスイッチの作動の周波数によりパルス駆動させることができる。ファイバ発振器レーザ1710の出力は、元の周波数を第2高調波に追加して第3高調波、すなわち、例えば利得媒体図62から図65においては図示せずを増幅する例えばXeFガス放電レーザ電力増幅器又は電力発振器又はリング電力発振増幅ステージにおける増幅に適する約351nmの波長を生成するために、第2高調波発生器1730、及び次に周波数加算器1732を通過させることができる。図63を参照すると、開示する本発明の実施形態の態様により、固体主発振器1700が概略部分ブロック図の形態で示されている。この実施形態では、外部振幅変調器1740、例えば、音響光学スイッチ又は電気光学スイッチ、又は他の適切な機構を使用して、CWシード1714をファイバ増幅器1710に律動的に送り込んで、主発振器1700のパルス出力を生成することができる。図64の実施形態では、1054シード、例えば、パルスシードダイオード1750を利用して、例えば、約12kHzで主発振器1710からパルス出力を生成することができる。図65の実施形態では、同調可能CWYb3主発振器1760は、主発振器1700からパルスシードレーザ出力を得るために、上述のもののような外部振幅変調器でファイバ増幅器1710に切り換えることができる。ファイバ増幅器1710は、ポンプダイオード1712を利用して、ファイバ増幅器1710のポンピングを行うことができる。ファイバーレーザは、当業技術で公知のように、入力信号の増幅に向けて、単一のファイバ又は例えば各ファイバが最適化された状態で連続的に設けられた複数のファイバを含むことができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、他の箇所で説明するように、固体シードレーザの選択をNd:YAGレーザ、Nd:YLFレーザ、Ti:サファイアレーザ、及びファイバーレーザの選択を後押しすることができる例えばパルスエネルギ、パルス持続時間、及びタイミングジッタを含むシードレーザ、例えばフォトリソグラフィ又はLTPS用途のためのシードレーザ、例えば固体シードレーザによって望ましく立証されたある一定の特性を判断した。開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人はまた、ある一定の増幅ステージ共振空洞特性を考察した。一方では、単純なビーム分割器入力/出力結合を備えた平坦-平坦空洞とすることができ、これは、構造が単純であるが、恐らく製造システムにおいて実際的というよりもシードレーザエネルギを浪費するであろう。他方では、再循環又は再生電力発振器、例えば、ビーム分割器/鏡入力/出力結合器及び電力増幅ステージの発振空洞内での利得媒体を通る毎回の発振当たり複数の通過を備えた例えばリング電力発振増幅ステージとすることができる。例えば、MOPO構成レーザシステムに関連して使用される発振器及び空洞などの用語は、上述のように、シードレーザ部分によりシード供給されるレーザシステムの増幅部分が、共振器内で発射するシードビームパルスからの誘発発光によりレーザ光を発することを意味することは当業者によって理解されるであろう。これは、本出願人の譲渡人のMOPA構成のXLA-XXXシリーズレーザシステムのPA部分のような電力増幅器と呼ぶ場合があるものと区別される。これとは対照的に、増幅は、シードレーザパルスが光学的構成、例えば本出願人の譲渡人の現在のXLA-XXXシリーズレーザシステム内で使用されているような2通過光学システムにより、固定の回数で励起状態で通過した時にレーザシステムの増幅部分の増幅利得媒体内のガス放電中の誘発発光により電力増幅器内で発生する。しかし、文献の一部においては、閉鎖空洞が増幅利得媒体の周り、例えば、ボウタイループ又はレーストラックループ経路長さにある増幅器は、電力発振器というよりも電力増幅器又は再生増幅器であると見なすことができる。従って、本明細書及び特許請求の範囲の運用上、用語リング電力増幅ステージの使用は、電力増強ステージに閉鎖光空洞と共に利得媒体が組み込まれている上述の構造の一切を包含するように想定されている。平坦-平坦構成では、例えば、図66及び図69に関して以下でより詳細に説明するように、例えば、偏光ビーム分割器、1/4位相差板、部分反射出力結合器による従来の偏光に入力/出力結合を用いることができる。これは、シードレーザエネルギのより有効な使用を行うことができるが、例えば、高パルスエネルギ及び/又は高平均出力電力での熱の影響をより受けやすい可能性もある。本明細書の他の箇所で説明するように、他の入力/出力結合を採用することができる。ここで図41及び図16を参照すると、それぞれ、開示する本発明の実施形態の態様により、超高電力、例えば、平均出力電力が約200W又はそれよりも大きいレーザシステム280及び450が概略部分ブロック図の形態で示されている。これらのレーザシステム280、450は、例えば、図14の場合、リング電力発振増幅ステージ構成のレーザシステム280を含むことができる例えば液浸リソグラフィ又はLPTSなどに使用することができる。システム280は、レーザ出力光パルスのシードレーザ出力光パルスビーム288で、例えば、約1.0mJ又はそれ未満、及び例えば約6kHzのパルス繰返し数でシードレーザパルスを供給することができるシードレーザ286を含むことができる。シードレーザ286からのビーム288は、シード注入結合機構300を通過してレーザシステム280の増幅利得媒体部分290に入ることができる。増幅利得部分290は、一方が図14の図で見ることができる1対のガス放電電極294を含むリング電力発振増幅ステージ292を含むことができる。チャンバ292は、入力チャンバ区画296及びビーム反転チャンバ区画298を含むことができ、その各々は、例えば、入力区画296及びビーム反転区画298内の光学要素をチャンバ区画29292、296、298内に密封されたレージングガス混合物内のフッ素に有益に露出されるように、チャンバ292と共に形成するか、又は例えば適切な漏れ防止手段によりチャンバ292に装着することができる。シード注入機構は、例えば、コーティングで被覆するか、又は他の方法で例えばArFの場合は約193nm、KrFの場合は248nm、XeClの場合は318、XeFレーザシステムの場合は351の公称中心波長で、シードレーザ光に部分反射するように選択又は製造することができるビーム分割器/入力出力結合器208、及びそれぞれのArF、KrF、XeCl、又はXeFのようなガス放電レーザシステムの選択公称中心波長で最大反射する最大反射鏡304を含むことができる。ビーム反転器310は、例えば、本出願人の譲渡人のXLA-MOPA構成レーザシステム、XLA-XXXシステムにおいて販売されている電力増幅器ビーム反転器と類似のものとすることができる。XLA-XXX内のこのようなビーム反転器は、例えば、MOの出力からのビームをPAを通過してパルス拡張器の入口に至って、次に、シャッターを通じてレーザシステムを出るように向ける中継光学要素サブシステムの一部とすることができるモジュールを形成することができる。中継光学要素システムは、MO波面エンジニアリング/偏向ボックスWEBと、PA-WEBと、ビーム反転器モジュールとを含むことができる。ビーム反転器モジュールは、PAチャンバの後端部を出るビームを受光して、PAチャンバを通じて所定の角度及び位置でPA-WEBに送り戻すものである。モジュールは、ビーム反転プリズムを含み、ビーム反転プリズムは、ビームを誘導してPAチャンバを通過させ、第1の例においてはPAチャンバ内にビームを誘導するPA-WEB回転プリズムをその通過に適応させることを保証する。ビームは、例えば、図20から図22に示すように、PA-WEBからビーム反転器に至るのと若干異なる経路でPAチャンバに戻り、それによって、例えば、垂直軸で同じ経路に、水平軸で異なる交差路にある増幅利得媒体を通過し、水平及び垂直は、電極及び放電レージング増幅媒体に対して水平及び垂直であって、必ずしも真の水平軸及び垂直軸に向けられる及び/又は対応するわけではない。それによって、上述のようなMOPA電力増幅器の電力増幅器利得媒体密封空洞ではなくを通るシードレーザからのシードビームの光学的に決定された傾斜二重通過が形成される。ビーム反転器は、2つのビームがPAチャンバの内側で重複し例えば、チャンバの長さのほぼ中央、すなわち、電極の縦方向の長さの中央で交差、かつPA-WEB回転プリズムで空間的に分離されるように反射して再びPAチャンバを通るビームに、例えば、僅かな角度数ミリラジアン及び僅かなオフセット数ミリメートルを導入することができる。開示する本発明の実施形態の態様によるビーム戻し器では、光学的コーティングがない反転プリズムを利用することができる。ビームは、例えば、近ブルースター角でビーム戻し器プリズムを出入りすることができ、かつ内部全反射が内部反射面に発生し、従って、実質的に表面損失がない。プリズムは、高価なエキシマ等級CaF2で製造すべきである。複屈折、バルク吸収、及び散乱損失を考慮に入れるべきであるが、これらの現象は、問題ではないと予想される。入力窓312を通じて光学的にアクセス可能である入力区画296には、ビーム拡大器320を設置することができ、ビーム拡大器320は、プリズム322とプリズム324とで形成することができ、プリズムは、協働してチャンバ292に入る途中でビーム288を狭化し、チャンバ292を出る途中で逆に拡大することができ、かつ出る途中での拡大は、例えば、光学要素、例えば入力/出力結合器300を保護する役目をし、チャンバ292に入る途中でのビーム288の狭化は、例えば、電極294の分離にほぼ垂直な方向で、電極294の間のほぼ放電幅に増幅利得媒体に入るビーム340を狭化する役目をする。バッフル330は、例えば、チャンバ292内のレージングガス混合物と共に循環するデブリから生じる損傷から、例えば、チャンバ292の入力区画296及びビーム反転区画298内の光学要素を保護する役目をすることができる。リング電力発振増幅ステージ290の空洞の内側では、ビーム288は、第1の方向の再循環発振経路340を通って、第2の方向の再循環発振経路342でシード注入機構300に戻り、そこで、部分反射入力/出力結合器は、発振レーザ空洞の従来の出力結合器として機能し、発振レーザ光光子の一部をRmax鏡304に反射して経路340に沿って戻す。従って、シード注入機構300及びビーム反転器310により形成された空洞内の発振は、発振光子が発振ループ毎に異なる方向にかつ異なる経路で2回以上、例示する例においては2回電極294間利得媒体を通過するように、多重通過発振経路となっている。このような多重通過発振は、上述のように、このような電力増幅器光路に沿って発振することなく、利得媒体を通過する固定された数、例えば、本出願人の譲渡人のXLA-XXXレーザシステムにおいては2回の通過を成す電力増幅器内の光子と異なるものである。再循環/再生路340、342内の発振により十分なパルスエネルギが蓄積された時、レーザシステム出力レーザ光パルスビーム100が、シード電力発振器レーザシステム280から生成される。シードレーザ286は、ガス放電、例えば、エキシマレーザ又はフッ素レーザ又は固体レーザとすることができる。図16は、開示する本発明の実施形態の態様によるリング電力発振増幅ステージ490により置換された本出願人の譲渡人のPAを有するXLA-XXX多チャンバMOPAレーザシステムと同様に構成されたリング電力発振増幅ステージレーザシステム490を概略部分ブロック図の形態で示している。レーザシステム450は、後部空洞鏡を形成する反射要素、例えば、波長及び帯域幅選択回折格子と、主発振器452発振空洞の他端を形成する部分反射出力結合器458とを有する線狭化モジュール456と共に、主発振器レーザチャンバ454を含むことができるエキシマガス放電レーザシードレーザ452で形成することができる。出力結合器458を出る主発振器452シードレーザ出力レーザ光パルスビームは、測定モジュール線幅中央分析モジュールLAM470を通過することができ、測定モジュール線幅中央分析モジュールLAM470は、ビーム分割器472を使用してMOチャンバ545の出力の一部をサンプリングすることができ、かつ主発振器シードレーザ出力レーザ光パルスビームの公称中心波長を測定する波長計図示せずに加えて、MOレーザ出力光パルスビームパルスエネルギモニタ474、及び蛍光検出器のようなASEモニタ476を含むことができる。ASE検出器、例えば広帯域光検出器は、広帯域光の高い十分な強度の存在を検出して、帯域内での大きなレージングが発生しないように増幅利得媒体内の放電のタイミングが外れておりシードパルスは、放電中に増幅ステージの空洞内にあるように時間調節されるわけではない、かつ本質的に広帯域レージングのみが増幅ステージ内の放電中に発生していることを示す役目をすることができる。次に、主発振器シードレーザ452出力レーザ光パルスビームは、回転鏡480に至り、そこから、チャンバ入力区画494とチャンバビーム反転区画496とを有するリング電力発振増幅ステージチャンバ492を含むことができる増幅利得媒体部分490に至るシード注入機構300入力部に至る。レーザシステム450のこの概略図は、MO452からPOチャンバ442までのビームの光路の様々な面を反映したものではなく、用紙の平面に合わせて概略的に描かれており、かつ両者間及び増幅ステージチャンバ492に入る光路の光学的現実ではないことは当業者によって理解されるであろう。シード注入機構300は、例えば、部分反射入力/出力結合器302、例えば、光パルス拡張器OPuSとして本出願人の譲渡人のレーザシステムと共に販売されているものと類似のものである例えばビーム分割器とある一定の公称中心波長のための最大反射鏡Rmax304とを含むことができ、部分反射出力結合器302は、上述のような入力/出力結合器、具体的には、リング電力発振増幅ステージ490発振空洞ビーム反転器310によっても定義として機能する。MO452からのシードレーザ出力レーザ光パルスビームは、入力窓500を通じてリング電力発振増幅ステージチャンバ492に入り、また、図14に関して上述したようなビーム拡大器510を通過することができる。リング電力発振増幅ステージチャンバ492の入力区画494は、例えば、プリズム512及びプリズム514から成るビーム拡大器510を収容することができる。他の形態のシード注入機構は、本出願が優先権を請求する米国特許仮出願と同日出願の先に参照した現在特許出願中の米国特許仮出願及びその米国特許仮出願の優先権を請求する他の現在特許出願中の出願又は本出願が優先権を請求する米国特許仮出願で説明したものを含むことができる。リング電力発振増幅ステージ発振器490の出力は、レーザパルスの全体的なシステム出力レーザ光パルスビームとすることができるが、図16に例示するように、このビーム最終的には利用ツール、例えば、スキャナに至る出力ビーム100は、測定ユニット帯域幅分析モジュールBAMを通過し、そこで、例えば、ビーム内の各パルスに対して、かつパルス拡張器、例えば、レーザシステム出力ビームがビーム分割器526を通じて入る第1の遅延経路552とビーム分割器528を通じて入れられた第2の遅延経路524鏡530により形成された遅延経路を含むことができる4倍OPuS520を通じて出力レーザ光パルスビーム帯域幅を測定することもできる。OPuS520を出ると、出力ビーム100は、例えば、パルスエネルギを測定するために、例えば、レーザシステム出力レーザ光パルスビーム100の一部を取り去るために、ビーム分割器542を有することができるシャッター540を通過する。ビーム拡大器、すなわち、図3の170及び図2の142がリング電力発振増幅ステージ発振空洞内に設けられた状態で、増幅ステージ180のリング空洞の入力/出力結合器160を形成する最大反射体164及び部分反射体162上で例えばエネルギ密度の低減144が達成される。ビーム反転器70が空洞の内側に移動された状態で、空き状態になった空間にBAM又はSAMを収容することができる。光学的コーティングは、例えば、入力/出力結合部分反射鏡162及び最大反射鏡164上での光学的影響に対する光学的影響の低減のために不要とすることができ、ビーム反転器70は、光損傷を低減するために傾斜され、例えば、入力部及び出力部は、吸収を低減するために、また、入力面及び出力面でビームを広げるために約ブルースター角である。また、増幅ステージチャンバ窓194、168上の保護コーティングは不要とすることができる。出力窓194、168は、47°の配向とすることができる。ある一定の用途におけるリング電力増幅ステージは、実際に、約1mJから3mJという現在値ではなく、MOからの遥かに少ないエネルギ、約1μJから100μJの使用を可能にすることができる。例えば、非液浸超高平均電力レーザリソグラフィ光源システムにより実際に必要とされる電力が200Wの約1/3から半分である例えば通常のフォトリソグラフィにおいては、約3倍から10倍のMOエネルギ所要量の低減があれば、現在のLNM寿命モジュールに基づいて、それに対応したLNMの長寿命化になる可能性がある。更に、このような少量のMOエネルギは、一部の場合には、例えば約1.5mJから3mJで、1mJを超える作動に必要なMOチャンバ圧力及び部分フッ素圧は、低圧の使用を可能にすることができ、チャンバ寿命の観点から有用な結果が生まれる。また、電力増幅器ステージは、100μJ及びそれ以下、例えば最低約5μJ程度のMOエネルギで強力な飽和になるので、出力エネルギ安定性は、良好なリング電力増幅ステージ特性及び理想的なMOエネルギ安定性を下回らない特性により特徴付けられると考えられる。現在のCymer製XLA-XXX-MOPAシステムは、MOエネルギ不安定性が特徴となっている。他の出力レーザビームパラメータ、例えば、ポインティング安定性、プロフィール安定性、及びASE安定性は、MOエネルギ出力の低減を利用する開示する本発明の実施形態の態様による構成により有益な影響を受けると考えられる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、本出願人の譲渡人のXLAモデル多チャンバレーザシステムと共に使用されるOPuS内の第1及び第2のパルス拡張器の一方又は両方の内側での更に別の経路遅延に対して本出願人の譲渡人により開発された6鏡干渉破壊機構本明細書では便宜上、光パルス遅延経路は、遅延経路当たり4つの鏡を有すると概略的に示されているの使用を提案する。このような遅延経路は、例えば、奇数の結像鏡で1回の結像を行うことができる。これは、例えば、図37及び図8に概略的に略画風に例示されており、反転したサブパルスの合計が例示されている。例えば、図8に示す反転サブパルスは、例えば、プロフィール均一性及び対称性の改善、及び例えばビーム結合器として異なる供給源からの同じ出力開口パルスへの重複のために使用することができる。この干渉破壊を目的とした遅延経路は、パルスTis及び重複パルスの多くの増大を取得するためにパルス拡張に使用される実際のOPuSほどの長さである必要はないことが理解されるであろう。むしろ、特に、干渉破壊機構、いわゆるミニOPuSは、ある一定の回数でパルスを折り返すことができる。これは、パルス580により例示されており、コーナ反転前は582、パルスは584、586、588と指定されている。更に、遅延経路内の鏡のミスアラインメントのために、ミスアラインメントとなったビームの小部分による鏡の間効果により、例えば、遅延経路がビームの時間的な可干渉距離を超える限り、シードレーザパルス内の干渉性を低減することができる。この点に対しては、4鏡ミニOPuSは、例えば、アラインメントが容易なように共焦点配置式球面鏡であり、本明細書の他の箇所で説明するような両軸でのビーム反転がなくても満足な干渉破壊器として機能することができる。基本的要件は、例えば、1つ又はそれよりも多くの軸で軸自体に関して折り返すことにより、すなわち、負の1回の結像が発生するか否かを問わず、ビームを混合させることである。これは、少なくとも遅延経路の毎回の往復において、娘パルスが、主パルス及び互いに対して少なくとも1つの軸内で反転されるように、OPuSのような遅延経路、又はいわゆるミニOPuSのような遅延経路内で、すなわち、結像鏡でだけでなく平坦鏡で遅延経路において行うことができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、開示する本発明の実施形態の態様によるシステム内の様々な地点で2つの別々のレーザビームを結合することが必要であると考えられる。6鏡パルス拡張器の入口の半分だけが照射された場合、サブパルスは、例えば、図8に示すように上部と底部の間で反転する。これらの反転したサブパルスを合計すると、例えば、図41に示すパルス拡張シミュレーション内で例示するような充填された全サイズのプロフィールをもたらすことができ、曲線562は、遅延経路に入る前のパルスを示し、曲線564黒は、1つの遅延経路後のパルスを示し、566赤は、第2の遅延経路後のパルスを示している。次に、レーザ発散を利用して、例えばある程度の伝播後に、例えば約1m程度にわたって、中央部分568を充填することができる。ここで図40を参照すると、開示する本発明の実施形態の態様による干渉破壊の効果の概略図が示されている。結像遅延経路、例えばパルス拡張器、例えば、いわゆる光パルス拡張器OPuS、例えば、上述の本出願人の譲渡人のレーザシステムと共に販売されており、かつ上述の米国特許及び現在特許出願中の出願で例示されている4倍Tis4鏡OPuS、又は短縮化遅延経路は、例えば、その遅延経路上でビームを折り返すために、及び/又は上述のような可干渉距離を超える遅延が得られるように使用されたその改造バージョン、いわゆるミニOPuSを利用して、例えばMOと増幅利得媒体、例えばPA又はPO又はリング電力発振増幅ステージとの間である程度の干渉破壊を達成することができる。例えば、図31に例示するような他の形態の干渉破壊は、単独で又は例えば図41で及び本明細書の他の箇所で例示するようなミニOPuSと組み合わせて、又はミニOPuS自体として用いることができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、パルス拡張器、例えば4鏡又は6鏡パルス拡張器、例えば4倍TisOPuSのような通常のOPuS、又はいわゆるミニOPuS、又は図31に関してより詳細に説明する遅延経路、及び一部又は全ての鏡が平坦非結像である遅延経路も含めて、そのポインティング/発散感度はまた、例えば図42及び図66に例示されている例えばポインティング/発散センサからのフィードバックを備えた能動的な鏡制御を追加することにより有利にすることができる。この利点としては、例えば、鏡の間の効果を生成又は持続することがあり、それによって例えばレーザ出力光パルスビームは、遅延経路内で平滑化され、例えば、パルス拡張器の様々な鏡上で及び/又は遅延経路の下流側で極僅かに異なるポインティング及び従って入射角の複数のビームに何か似たものになる。本出願人の譲渡人は、これをパルス拡張器内で観察しており、例えば、現在使用されている4倍TisOPuSパルス拡張器の鏡を完全に整列させることが非常に困難であり、従って、パルス拡張器を出るレーザ出力光パルスビームの干渉を低減する鏡の間の効果が発生する。従って、ビーム860aは、複数の別々のビーム862aを形成する。図40は、例えば、シードレーザパルスのシードレーザ源からの例えば偏光入力結合が行われる例えば平坦-平坦空洞内での例えばOC反射率とRmax反射率の両方を用いた時の干渉性の低減を例示している。例示を明瞭にするために、角度は誇張されている。例えば、複数の光線は、例えば、OCとRAMの間に作成された静的散開、すなわち、鏡の間の効果により生成される。空洞を通じた透過損失なし及び完全な反射性を仮定して、これらの光線の理論的なエネルギ重み付けを以下に示している。表各光線は、例えば、OCとRmaxの間の経路長が時間的な可干渉距離よりも長いように維持され、かつ例えば重ね合わない拡張で、すなわち、パルス長を遙かに下回るものである場合に、他の光線の全てに対して非干渉性であると仮定することができる。各光線は、例えば、完全なアラインメントが、特に垂直方向においては極めて困難であると考えられることから、他の全ての光線と若干異なる角度であると仮定することができる。本出願人は、非相関スペックルを作成するためには垂直方向において約37μradの角度差を必要とすると考えている。正規化されたエネルギ重み付けを総和して同等の数の独立したパルスをもたらし、かつ平方根を取って標準偏差の低減をもたらすと、上記からの和は、1.56である。平方根は、1.25であり、従って、OC反射とRmax反射の両方を用いた時の標準偏差は、0.551/1.25=0.440であり、これは、本出願人が測定した値、すなわち、0.427に十分に同等のものである。本明細書では鏡の間の効果とも呼ばれる静的散開は、本質的には手動のアラインメントでは不可避のものであり、すなわち、シードレーザ単独よりも2.50倍小さい増幅利得媒体での増幅で単一のパルススペックルコントラストを生成すると考えられる。この低減は、6.3非相関サブパルスに等しいものである。このコントラスト低減の一部は、発振増幅ステージの効果を試験するのに使用されたXeF電力発振器からの弱い線含有量によるものであるが、大半は、静的散開の効果によるものであると考えられる。同様に、OC-RmaxOC-後部空洞鏡反射のOPuSのような静的散開特性により作成されたサブパルスの多くは、全て、ほぼ等しい強度に増幅され、従って、上表に示すものよりも多い同等の独立したパルスが作成される。図40においては、これは、僅かにミスアラインメントである鏡に共振器852aの後部を形成した入力結合器及び出力結合器854aで、例えば、平坦-平坦空洞850a内のビーム拡大を概略的に示すことができるが、同じ効果は、上述の干渉破壊の影響を伴って本出願人の雇用主によりOPuSにおいて観察されている。図40に例示する空洞は、偏光入力結合器858aと1/4位相差板856aとを有することができる。非相関スペックルパターンを作成するために必要される傾斜角は、大きなものである場合がある。1.0から1.55への同等のパルスの第1の大きなジャンプは、殆ど、MOPOとして稼動している時のスペックルパターンのパルス間の反復性不良によるものであると本出願人は考えている。全く鏡傾斜を変えない場合でさえも、2つのパルスの相関度は、高々30から35である。シードのみでは、このパルス間の相関度は、85から95であることが公知である。同等のパルス数の長い緩やかな上昇では、例えば、図37に例示するような約400μradの鏡傾斜まで2.0の値に到達することさえない。この結果は、例えば、単一のパルス内にいくつかの非相関スペックルパターンを作成するために、例えば、約±500μradから1000μradの大きな角掃引の必要性があることを意味している可能性がある。干渉に関連する実験を通じて、本出願人の雇用主は、例えば、パルス拡張器により生成されたサブパルスは、非干渉性のものであり、サブパルスの遅延分が時間的な可干渉距離よりも長いことを条件として、角度が若干ずれた場合は異なる縞模様が発生することを知っている。ピンホール縞模様は、入力角度がλ/2dの時に最大から最小に移行する。リソグラフィのための固体レーザ源の使用は、過去に提案されているが、2つの理由から追求されていない。固体レーザは、リソグラフィに必要とされる高平均電力が可能であると考えられておらず、固体レーザが生成するのは、非常に完全にコヒーレントな単一モード出力である。開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、例えば、混成固体シード/エキシマ増幅器の組合せで平均電力が低いという問題に対処することを提案する。固体シードの高干渉性特性には、開示する本発明の実施形態の態様に従っていくつかの方法で、例えば非常に短い時間的尺度にわたって、例えば単一のレーザパルス内で、シードレーザポインティングを変えることと共に、例えば可干渉距離よりも長い時間で分離されるサブパルスを生成することにより、又はその両方の組合せにより対処することができる。干渉破壊は、2チャンバガス放電例えば、エキシマシード/ガス放電例えば、エキシマ増幅器部分レーザにおいても有用であることが、本出願人には既知である。例えば、電力発振器又は他の増幅利得ステージ、例えば、リング電力増幅ステージを利用して、レーザシステムの帯域内の望ましい放射線出力を妨げる大きなASEが殆どないか又は全くなく、例えば、ASEと帯域内の放射線の間の比率が約5x104又はそれ未満で例えばパルス当たりの電力増幅ステージ共振器内への例えば100μJのパルスエネルギ入力で、波長のDUV範囲、例えば、XeFの場合は351、XeClの場合は318、KrFの場合は248、ArFの場合は193、及びF2レーザの場合は157におけるエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムで、例えば、100Wよりも大きいか又はそれよりも大きい超高平均出力電力に到達する方法及び装置を開示することは、当業者によって理解されるであろう。開示する本発明の実施形態の態様に従って、不要なリング電力増幅ステージ光は、後方に伝播し、かつ診断及びASEフィードバック制御のためにサンプリングすることができる。例えば、プリズム同調で少量の線狭化を追加することは、電力増幅ステージからのASEを抑制する一助になると考えられる。また、開示する本発明の実施形態の態様に従って、PAは、例えば、固体MO、例えば、発振はないが満足できる増幅と恐らくは十分に高い飽和とを備えた4通過増幅器と共に使用することができる。このような設計に対しては、例えば、4つの通過が、各々、4つの通過の各々において利得断面全体を横断することが必要であろう。空洞は、例えば、被覆空洞光学器械上でのエネルギ密度を低減し、かつASE低減に対して分散を行うために2つのプリズムを空洞の各々の側面に有することができる。更に、MOPO又は他の主発振器/電力増幅ステージ構成における最終的なASEレベルは、必然的に、MOエネルギの減少と共に増大することはないと考えられ、従って、開示する本発明の実施形態の態様により、10μJを下回りさえもするMO出力エネルギの低減があっても、例えば、部分反射軸外シード注入機構及び/又は再生リング電力増幅ステージ構成なしであっても、問題になるASEは発生しないと考えられる。例えば、ビーム幅及び交差角により指定されるチャンバ窓から数センチの距離を隔てて、例えば、横方向平行移動を可能にするために、例えば、ビーム拡大プリズムがチャンバから十分に離れた状態で、今日のXLAの空洞長を上回らないビーム拡大及び交差ビームを備えた空洞を形成することができる。プリズム及び/又はビーム反転器光学器械のための別々の容器は、例えば、レージングガス混合物と異なる濃度で、例えば約1の濃度での直接的なF2供給の使用を可能にすることができる。これはまた、例えば、光学器械保持具からの汚れを回避することができる。例えば、僅か約1フィートの遅延経路を有するミニOPuSにおいて、例えば、光学遅延経路における反転結像の効果を例えばビームコーナ582aがビーム582aの最初に右下コーナの正方形により指定されている入力ビーム580aに対して図37に例示している。例えば、入口ビーム分割器と第1のミニOPuS鏡の間の第1のサブパルス584aに対しては、ビームコーナ582aは、同じままである。例えば、第1の鏡から反射された第2のサブパルス856においては、ビームは、例えば、第2のミニOPuS鏡に例えば負側に結像されていたものであり、そのビームコーナは、左上コーナに移動して、次に、第3のサブパルス588aに対しては第4のミニOPuS鏡に反射され、そこで、ビームコーナは、図2に例示するように、右下コーナに戻って負側に結像されていたものである。パルスがTisの観点からあまり著しく拡張されないように比較的短い光パルス遅延によってこれらのサブパルスの全てを出力パルスの中に結合すると、それでも、遅延経路内の鏡の数によっては、複数回でビーム自体を折り返すこの効果により干渉性を実質的に低減することができる。図8は、例えば、ビームの半分に及ぼすこの同じ効果が、例えば、2つの別々の供給源、例えば、2XkHzシステムにおいてXkHzで作動する例えば2つの固体シードレーザの遅延経路に入る前に例えば2つの半割部に分割されたビームであることを例示している。見て分るように、2つの半割部は、各パルスにおいて同様に負側に結像されており、従って、例えば、図37の一例として示す形状の例えば単一出力パルスへの2つの半割パルスの結合により形成された全体的な出力パルス内の干渉性が更に一層低減される。上述のように、これは、別々の供給源から別々のビームを結合する実質的にビーム結合器/混合器として機能することができる。ここで図42を参照すると、開示する本発明の実施形態の態様により、ビーム結合器システム600が概略部分ブロック図の形態で示されている。ビーム結合器システム600は、例えば、第1の増幅器利得媒体部分602と第2の増幅器利得媒体部分604とを含むことができ、その各々は、例えば、本明細書の他の箇所で説明するように、例えば、電力発振増幅ステージのPA又はPOリングとすることができる。増幅部分602、604の各々の出力は、ビーム拡大器608を通過することができ、ビーム拡大器608は、例えば、ビームを2倍拡大するプリズム610及びプリズム612を含むことができる。回転鏡620は、増幅器602からの第1のレーザシステム出力光パルスビーム622を第2の回転鏡624に誘導することができ、第2の回転鏡624は、パルスビーム622を誘導して第1のパルス拡張器640のビーム分割器上に、次に、第2のパルス拡張器644のビーム分割器646にパルスビーム632を形成することができる。回転鏡630は、第2の増幅器604からの第2のレーザシステム出力光パルスビーム632を第2の回転鏡634に誘導することができ、第2の回転鏡634は、ビーム632を誘導してビーム分割器642に、次に、ビーム分割器646に入射するビーム634を形成することができる。本明細書の他の箇所で説明するようなミニOPuSとすることができる第1のOPuS及び第2のOPuSの出力は、別のビーム分割器650を通過することができ、そこで、例えば、レーザシステムレーザ光パルスビームの僅かに一部を例えば測定のために方向転換させて、例えば、集束レンズ652により発散検出器654内に集束させることができ、発散検出器は、例えば、第1及び/又は第2のOPuS640、644のビーム分割器642、646又はビーム632、634のための回転鏡にフィードバック制御信号656を供給し、例えば、ビームが1つのビームとして見えるように、また、例えば、OPuSの共焦点性のために導出された2つのパルス拡張器がポインティングチャープを維持するように、両方の増幅器からのポインティングが遠距離場において重なり合ったままであることを保証する制御システム図示せずの一部とすることができる。図38は、干渉性/スペックル低減に関してビームのポインティングを変えるビームを掃引する影響を概略的に例示している。パルス拡張器662は、例えば、拡散器670上へのビーム100のポインティングを掃引するビーム分割器の角度を変えることにより、レーザシステム出力レーザ光パルスビーム100をビーム分割器664上で受光することができる。得られる検出スペックルパターン680は、掃引が、干渉性コントラスト及び従ってスペックルを低減することを示している。ここで図66を参照すると、例えば、高パルス繰返し数、例えば、12kHzの固体シードレーザ702を含むことができる超高電力固体シード液浸リソグラフィレーザ光源700が概略部分ブロック図の形態で一例として例示されている。シードレーザ702の出力は、フォーマット設定光学器械704を通過することができ、フォーマット設定光学器械704は、例えば、レンズ706とレンズ708とを含むことができ、レンズ706とレンズ708を使用して、丸いビームから増幅部分内の利得媒体の形状と両立する形状にビームをフォーマット設定し直すことができる。次に、シードレーザ702からの出力レーザ光パルスビームは、本明細書の他の箇所で説明するように、高周波AC塗装電圧と共に、例えば、約1mradで、利用ツール例えば、スキャナ又は焼鈍ツール開口の適切な割合を塗装するために、各々が例えば互いに直交するそれぞれの軸でビームの掃引を行うx軸電気光学E-O誘導機構712、及び/又はy軸E-O誘導機構714、又はその両方、例えば、先に参照したE-Oセルモデルを通過することができる。次に、シードレーザ702からのレーザ出力光パルスビームパルスは、ビーム分割器において分割され、交替tic-toc入力パルスを増幅器利得媒体、例えば、第1の電力発振器730及び第2の電力発振器730のそれぞれの1つに供給することができる。電力発振器730は、リング電力発振器を含むことができる。ビーム分割器720は、例えば、選択的に、例えば第2の増幅器利得媒体730内に至るシードレーザ702からの出力ビームの50を回転鏡724及び回転鏡726上に透過して、第2の利得媒体に至る50を回転鏡728に反射するビーム分割器722を含むことができ、例えば、各パルスに対して、ビーム分割器720はまた、例えば、交互に作動して交替パルス上で折り畳み鏡728又は折り畳み鏡724に光を送る電気光学又は音響光学ビーム偏向器を含むことができると考えられる。各それぞれの増幅器利得媒体730は、例えば、電力増幅ステージチャンバ732と、入力結合器/後部空洞鏡734、例えば、不安定発振空洞の当業技術で公知のような後部空洞鏡734及び前部空洞鏡により形成された空洞内にシードレーザビームを入れる開口が鏡面の回転軸上にある凹面鏡とを含むことができる。増幅利得媒体は、本明細書で言及した他の構成、例えば、先に参照した現在特許出願中の出願及び同時出願の出願に説明されているシード注入機構を有する安定共振器、及び例えばリング電力増幅ステージ、又は発振空洞がなく、かつ増幅のための固定移動路のみを有する電力増幅器とすることができ、一方、利得媒体は、レーザ発振器が発生することなく、すなわち、レーザ発振空洞の当業技術で公知のような出力結合器なく、当業技術で公知あるように通電される例えば、反転分布が存在することが理解されるであろう。発振空洞環境においては、例えば、凸面鏡は、例えば、本明細書でより詳細に説明するシード注入機構のような入力結合器と置換され、凸面鏡736は、出力結合器と置換することができる。それぞれの出力ビーム、すなわち、第1の増幅器利得媒体730からの766及び第2の増幅器利得媒体730からの764のビーム拡大、ビーム結合、及び干渉破壊及び発散測定例えば、ASEが重要である場合、及びフィードバック制御は、例えば、プリズム742及び744を含むそれぞれのビーム拡大器740と、第1の増幅器利得媒体730からの鏡750、752及び第2の増幅器利得媒体730からの鏡760、762を含むビーム結合器と、パルス拡張器640及び644と、測定ユニット654とにより、図21で説明するように行うことができる。図39は、例えば、水平方向及び垂直方向図39のページの図の平面で例示するようにを導入する例えばスキャナ受入れ窓に関する出力光パルスに対する干渉破壊法の結果を概略的に例示している。点780は、初期シードレーザ出力パルスプロフィール780を概略的にかつ一例として例示するものである。パルス782のパターンは、完全に整列したビーム遅延経路における又はずれたパルス拡張器を通じて又はその両方、又はその組合せでのビーム折り返し後のサブパルスプロフィールのパターンを例示し、各々の周りの円784は、電気光学的不鮮明性のプロフィールに及ぼす影響を表している。図67は、本明細書でより詳細に説明するように、リング電力増幅ステージ発振レーザシステム1800と、シード注入機構1812とを一例として概略部分ブロック図の形態で例示している。レーザシステム1800は、例えば、ボウタイリング電力増幅ステージ1804と、シードレーザ、例えば、固体又はガス放電シード発振器1802とを含むことができる。シード発振器1802は、フィードバック光子からの不要なレージングを防止するために、例えば、適切なシード注入機構812に対しては不要と考えられる絶縁体により電力増幅ステージ1804の発振空洞から隔離することができる。電力増幅ステージ区画1804は、例えば、電力増幅ステージチャンバ1810と、シード注入機構1812とを含むことができ、シード注入機構1812は、入力/出力結合器1814と、シード発振器1802から増幅部分チャンバ1084に出力ビーム1806を反射する最大反射Rmax鏡1816ビーム反転器1820とを含み、また、ビーム反転器/戻し器1820を含むこともでき、ビーム反転器/戻し器1820は、例えば、第1の最大反射鏡1822と、例えば、レーザシステムの公称中心波長、例えば、XeFの場合は351、XeClの場合は318、KrFの場合は248、ArFの場合は193、及びF2レーザの場合は157当たりで適切な帯域幅に向けて最大反射するように選択された例えばRmax鏡1816と同様の材料で製造された第2の鏡1824とを含むことができる。本明細書でより詳細に説明するように、シード注入機構及びビーム戻し器は、発振経路1826、1828に沿った各発振時に、シードレーザ1802からの出力ビーム1806が、1対の放電電極間で、すなわち、経路の第1の方向の1826と、第1の方向に略反対であるが、出力レーザ光パルスビーム100の形成中に毎回の発振当たりに利得媒体を通過する第2の方向の1828とに沿って発振当たり2回以上、形成された利得媒体を通過するように、電力増幅ステージ1840の発振空洞技術的には、空洞長により、発振又は増幅発振ステージのいずれかを形成するように配置することができ、出力レーザ光パルスビーム100は、最終的には、レーザ発振の当業技術で公知のように、発振空洞1804を出て、レーザ発振器からの出力レーザ光パルスを作り出す。ビーム826、828のオフセット角度は、例示のために非常に誇張されており、かつ1μradとすることができることは理解されるであろう。図68は、開示する本発明の実施形態の態様により、固体シード/電力増幅器レーザシステム1880を概略部分ブロック図の形態で例示している。本発明のシステムは、固体12kHzシードレーザ1822と、1対の地利得媒体、例えば、1対の電力増幅器チャンバ1888とを組み込むことができる。光学的インタフェースモデル1884は、シードレーザ1882の出力を受光して、tic-toc方式で、例えば、交替パルスで、それぞれの増幅器利得媒体1888内に向けることができる。光学的インタフェースモデル1884は、例えば、1対の円筒形望遠鏡1886を含むことができ、1対の円筒形望遠鏡1886は、例えば、出力が非点収差である場合があり、望遠鏡がこの非点収差を除去する役目をするという理由で、ビームをフォーマット設定する役目をすることができ、かつ例えば、各々が例えば鏡1902と、鏡1980と、鏡1910とを含む入力光学器械モジュール1890を含むことができ、これらの鏡は、鏡1904及び1906と共に、例えば固定数の通過、例えば3通過電力増幅器PAとして構成され、すなわち、レーザ発振が増幅器利得媒体内で行われない例えば電極図68においては図示せず間の利得媒体を通過する3つの通過を形成することができる。それぞれの電力増幅器1888のそれぞれの出力は、一方では回転鏡1930、1932により、他方ではそれぞれのエネルギセンサを通じて誘導することができる。本発明のシステム1880からのこれらの出力ビームは、本明細書でより詳細に説明するように、ビーム結合器内で結合することができる。例えば、入力光学器械モジュール890内のそれぞれの鏡910の傾斜を調節する干渉破壊器、例えば、自動2軸角度調節機構1910は、例えば、発散の拡大化、及び従って本明細書の他の箇所で説明するように、干渉破壊に対して側面から側面に及び/又は上下に増幅器利得媒体に入るビームを掃引することにより、図66のX軸及びY軸のビーム誘導電気光学器械1712、1714と類似の目的に役立たせることができる。ここで図69を参照すると、開示する本発明の実施形態の態様により、固体シード/電力増幅ステージレーザシステム1950が概略部分ブロック図の形態で例示されている。本発明のシステム1950は、例えば、シードレーザ、例えば、出力が光学的インタフェースモジュール1884内に、例えば図68の実施形態におけるように、1対の円筒形望遠鏡1886のそれぞれの1つの中に入ることができる固体12kHzシードレーザ192を含むことができる。入力結合モジュール1960は、例えば、偏光結合を用いてシードレーザ1952の出力、すなわち、それぞれのシードビーム1970、1972をそれぞれの増幅器利得媒体、例えば、出力結合器1982を有する例えば電力増幅ステージ発振器内に協働で結合するように機能する偏光ビーム分割器1962と、Rmax1964と、1/4位相差板1966と、入力結合器Rmax鏡1968とを含むことができる。回転鏡19884、1986、1994、1996は、図68の実施形態内のそれぞれの回転鏡と同じ目的に役立つ。図70は、例示的な正規化されたMOPO強度1000と、正規化された単一通過pa強度1002と、正規化された2通過PA強度1004を表している。図71は、例示的な巨視的誘導パルス1010を表し、これは、例えば、例示するように、例えば、3つの異なる高電圧の何らかのパターンで繰り返すことができる複数の交替高DC電圧及び低DC電圧1010、0102、及び1014と、例えば、より高い電圧及び低電圧の両方で発生させることができる重畳交替電流高周波誘導電圧1016とを含むことができる。例示するように、例えば、高電圧は、異なるパルス持続時間及び異なる低電圧持続時間間隔を有することができる。図73に示すように、これらの高電圧1032は、重畳AC1034と同じ値及び同じ低電圧持続時間間隔とすることができる。図72は、開示する本発明の実施形態の態様により、光学切換及び塗装システム1020を概略部分ブロック図の形態で例示しており、システム1020は、例えば、固体シード1022と、周波数変換器1024と、光学切換及び塗装器1026とを含むことができ、光学切換及び塗装器1026は、例えば、パルスが例えば図73に示すように高い図73の1036時の増幅器利得媒体1030の第1のものに、及びパルスが低い図73の1036時の他方の増幅器利得媒体1032の第1のものにビームを誘導し、かつACビーム誘導1034を各増幅器1030、1032に適用する電気光学ビーム導波器を含むことができる。第2の周波数シフト器1028は、ビーム分割器/塗装器1026とそれぞれの増幅器利得媒体1032との中間とすることができ、かつ要素1024の周波数シフト器に追加するもの又はその代わるものとすることができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、固体シードレーザを利用して193nmレーザ光を生成すること、例えば、線形又は非線形周波数変換ステージを駆動する固体シード駆動レーザ又は複数のレーザとの固体構成によるコヒーレント193nm放射線の生成を提案する。1つの潜在的なシード駆動レーザは、約1060nmでレーザ光を発し、1050nmから1080nmの範囲で同調可能であるパルスYbファイバーレーザである。例えば、時間的持続時間が短いパルス1nsから5nsを数kHzの繰返し周波数で生成するように形成することができるこのようなレーザは、成熟したかつ強力なファイバーレーザ技術を成すものである。最長波長混合源として1060nmを使用して193nmを生成するために、開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、例えば、長い周波数及び適度に短い周波数を使用した和周波発生SFGを用いて遠紫外線DUVを発生させることを提案する。193nmに到達する第2高調波発生SHGは、他方の混合波長としての236.5nm源が現在は欠如しているために不可能である。しかし、このような供給源は、QスイッチダイオードポンピングNd:YAGレーザの946nm出力946nmは、Nd:YAGにおいては効率が劣る透過であるの第4高調波発生FHGにより導出することができる。Nd:YAGの出力は、本質的に固定波長であり、全体的な同調可能性は、Ybファイバーレーザ、例えば、Yb3ファイバーレーザの出力波長を同調することにより達成することができる。Ybファイバーレーザ出力の同調可能性は、CWダイオードシードレーザ、例えば、NewFocusVortexTLB-6021を通じて取得することができる。このようなダイオードレーザシード供給器は、リソグラフィ源用途に対する必要に応じて、例えば、反射体の積分PZT制御を通じて、有限の波長範囲にわたって高速の波長制御を行い、かつ高いスペクトル純度を有することができる。Nd:YAGレーザは、数kHzの繰返し周波数で作動可能であり、システム全体の繰返し数が実際的なエキシマレーザ注入シード供給源に関する繰返し数要件を満たすことを保証する。狭帯域作動を達成するために、両レーザ源は、個別に狭帯域である必要がある。Nd:YAGシステムにおいては、これは、例えば、単一縦方向モード出力で作動する例えば非平面リング発振器アーキテクチャにおいて、例えば、CW低電力Nd:YAGレーザによる注入シードにより達成することができる。Ybファイバーレーザの場合、帯域幅は、CWダイオードレーザシード供給器を通じて保証することができ、CWダイオードレーザシード供給器は、例えば、100MHzのFWHM程度で超狭線幅で一般的に作動する。更に、適切な大モード区域LMAファイバ技術を用いて、例えば、ファイバーレーザ発振器を含むファイバ又はあらゆるその後の増幅ステージ内での非線形効果によるスペクトル劣化を最小にすることができる。193.4nm放射線を発生させるために、例えば、図76に概略部分ブロック図の形態で例示するように、システム1200は、例えば、946nmシードレーザによりシード供給されるパルス946nmNd:YAGレーザ1024、例えば、周波数変換器1206内でNd:YAGレーザ1204周波数の出力が倍増する946nmCWのNd:YAGシードレーザ1202を含み、周波数変換器1206は、例えば、周波数逓倍器1208、例えば、LBO又はKTP水晶のような非線形材料、次に、別の周波数逓倍器図示せず、又は第3高調波発生器1210、第4高調波発生器1212を含むことができ例えば、各々は、例えば、上述の水晶を用いて残留ポンプ放射線による和周波発生を用いて行われる、いずれかの手法で、236.5nmで第4高調波が生成される。次に、236.5nm放射線は、最終非線形水晶混合ステージ、和周波発生器1240、例えば、CLBO又はBBO水晶において、Ybファイバーレーザの1060nm出力と例えば和周波発生において混合させることができる。すなわち、例えば、1/1040.0009431/236.5.00423=1/193.3.005173である。ファイバーレーザ1222は、Qスイッチ1228と共に、後部発振空洞鏡1224と前部窓1226とを有することができる。CLBOは、ホウ酸セシウムリチウムであり、Nd:YAG出力光のための有効第4高調波又は第5高調波発生器であり、194nm作動に向けて位相整合させることができ、>26GW/cm2の損失閾値を有する。BBOは、ベータホウ酸バリウムb-BaB2B4であり、ベータホウ酸バリウムは、Nd:YAGレーザ、Ti:サファイアレーザ、アルゴンイオン及びアレクサンドライトレーザの第2高調波又はそれ以上の高調波発生に利用可能であり、かつ一般的に使用されている最も適応可能な非線形水晶材料の1つである。CLBOは、より高い透過率及び高い受光角度に対して使用することができるが、より高い透過率及び高い受光角度には、位相整合のための低温冷却が必要である場合があり、また、CLBOは、吸湿性材料であるために問題になる場合がある。代案は、例えばBBOであり、BBOは、位相整合させることができるが、~190nmで吸収帯域縁部に非常に近く操作される。また、BBOは、CLBOよりも遥かに狭い受光角度を有するが、これは、光学的設計により、例えばアナモフィック集束で対処することができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、両レーザ1024、1022は、例えば約25KWを超える真の出力電力で比較的強力に製造して、非線形周波数変換ステージ1206、1240内のあらゆる非効率性を補正する一助にすることができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、エキシマ増幅器利得媒体にシード供給するための固体レーザによる193.3nmの生成は、例えば、エキシマレーザの現在の同調と類似の方法で波長同調可能であるとすることができる成熟した駆動レーザ技術を用いて行うことができる。図77に概略部分ブロック図の形態で例示するシードレーザシステム1200’は、例えば、約1550nmでレーザ光を発するが、1540nmから1570nmの範囲で同調可能である例えばErファイバーレーザ1260を含むことができる。Erファイバーレーザは、利用可能であり、かつYbファイバーレーザと類似の一般的な技術が使用される。このような手法は、例えば、ファイバベースの電気通信、例えば、光ファイバ通信における信号増強器として使用されるエルビウムドープファイバ増幅器又はEDFA内で適用されるこの波長範囲に関するファイバ及びポンプダイオードレーザ技術が成熟しているので魅力的である。開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、中程度のピーク電力高パルス繰返し数複数kHz、例えば、少なくとも12kHz1546.5nm狭帯域パルス放射線源としてパルスファイバーレーザ発振器1260を使用することを提案する。そのレーザ1260は、標準的なパルスファイバーレーザ技術を用いて、ファイバーレーザ発振器1260のためのシード注入器として、単一モードCW同調可能狭帯域ダイオードレーザ1262を使用して、狭帯域単一波長性能を保証すると共にリソグラフィ光源用途に必要とされる高速波長同調性を可能にするように形成することができる。この形式のダイオードレーザシード供給器1262の例は、例えば、NewFocusVortexTLB-1647であり、これは、拡張波長範囲作動のための機械式駆動装置と並列して、有限の波長範囲にわたる高速波長駆動のためのPZT波長起動を備えた外部共振器ダイオード構成を用いている。更に、例えば、適切な大モード区域LMAファイバ技術を用いて、例えば、ファイバーレーザ増幅発振器又はあらゆるその後の増幅ステージを含むファイバにおける非線形効果によるスペクトル劣化を最小にすることができる。このような手法を用いると、例えば、大モード区域ファイバにおける単一モード作動を保証する技術を採用して、ファイバ中核部でのピーク電力を低減すると同時に空間ビーム品質を維持することを可能にすることができる。1546.5nm放射線が生成された後、5段階の非線形周波数変換、第2高調波発生、又は和周波発生のいずれかを用いて、直接、193.3nmまで周波数をアップコンバートすることができる。これは、図78に説明する段階を通じて達成することができ、その1つが図77に一例として例示されており、ωは、1546.5nmを指し、8ωは、193.3nmである。図77においては、例えば、基本周波数をSFH1258内の第2高調波に追加して、3ωを取得し、3Wを周波数を2倍にして周波数逓倍器1258内で6ωを取得し、次に、SFG1252及び1254において上述の要領による同様のこのような和周波発生により、それぞれ、7ω及び8ωを取得することによるSHG1208における15446.5nmの第2高調波2ωの発生及び第3高調波発生が示されている。更に、開示する本発明の実施形態の態様に従って、例えば、スペクトル/波長制御に向けてダイオードレーザによりシード供給される比較的低電力のパルスファイバーレーザ発振器出力は、次に、例えば、ファイバ増幅図示せずのその後のステージを通じてピーク電力において高めることができる。本出願人は、この手法に基づく全ファイバ固体駆動レーザの開発も提案する。図47を参照すると、例えばレーザ処理システム、及び例えば低温でガラス基板のシート上でアモルファスシリコンを溶融及び再結晶化するLTPS又はtbSLSレーザ焼鈍システムが、概略ブロック図の形態で例示されている。システム1070は、例えば、本明細書で説明するようなレーザシステム20と、レーザ20出力光パルスビームを約5x12mmから例えば加工物取扱いステージ1274上に保持された加工物を処理する10ミクロン程度x390mm又はそれよりも長い細いビームに変形する光学システム1272とを含むことができる。MO/増幅ステージエネルギとMO/増幅ステージタイミングは、シードレーザエネルギ、ArFチャンバガス混合物、出力結合器空洞Qの反射率、及びシードレーザパルス持続時間の異なる値で検証しており、その結果は、図7に関して説明する通りである。ASEとMO/増幅ステージタイミングは、シードレーザエネルギ、ArFチャンバガス混合物、出力結合器空洞Qの反射率、及びシードレーザパルス持続時間の異なる値で検証しており、その結果も、図7に関して説明する通りである。ここで図7を参照すると、一例として、開示する本発明の実施形態の態様によるタイミング及び制御アルゴリズムを例示する図表が示されている。図表は、一部の構成における増幅ステージが、本出願人の譲渡人が電力増幅器と称しているもの、すなわち、本出願人の譲渡人のMOPAのXLA-XXXモデルレーザシステムにおける利得媒体を通過する固定数の通過とは反対に発振はあるが、例えば整数倍数の公称波長とのリング経路長のために厳密にはPOではなくPAである場合があることを認識して、シードレーザチャンバ及び増幅ステージ、例えば便宜上本明細書ではdtMOPOと称するリング電力増幅ステージ内の放電の差動タイミングの関数として、例えば曲線600aとしてレーザシステム出力エネルギがプロットされている。また、曲線602aとして、dtMOPOの関数としてのレーザシステムの増幅ステージ内で生成されたASEの代表的な曲線が例示されている。更に、dtMOPOの関数としてレーザシステムの出力の帯域幅の変化を表す例示的な曲線604aが示されている。また、曲線606aとしてASEの選択限界が例示されている。タイミング曲線上でASEの極小値又はその付近の作動点を選択して、例えば、本発明のシステムが作動する作動曲線602a上の点を判断するために、例えば、dtMOPOの制御選択をディザ処理することにより、そこで作動させることができることが理解されるであろう。例えば、レーザシステム出力パルスエネルギ及びエネルギσ及び関連の線量及び線量σを一定に問題のない許容値内に維持するために、出力パルスエネルギをエネルギ曲線の比較的平坦な上部に維持しながら、ASE曲線602aの極小値付近で作動するかなりの余裕があることが分る。更に、図示のように、上述のE制御を妨げないままで帯域幅範囲から帯域幅を選択するためのdtMOPOの同時使用があるとすることができる。これは、使用されるシードレーザの性質、すなわち、固体シードレーザシステム又はガス放電レーザシードレーザシステムに関係なく達成することができる。しかし、固体シードレーザシステムを使用する場合、例えば、固体シードレーザポンピングの例えば程度の制御、又は当業技術で公知のいくつかの手段のいずれかにより、シードレーザの帯域幅を選択制御する様々な技術の1つが利用可能であると考えられる。このようなポンピング出力制御により、帯域幅を選択するために例えばレージング閾値を超える値にポンピング出力を置くことができる。この帯域幅選択により、曲線604aの関連の値が変わるか又外れる場合があるが、レーザシステムは、それでも、BWと、同時に、例示するエネルギ曲線600の平坦な上部領域のある程度一定の値にレーザシステムパルスの出力エネルギを維持する作動点との両方を選択するためにdtMOPOを用いて、上述の形式のE及びBEの制御に影響を受けやすいであろう。また、非CW固体とシードレーザを使用すると共に、出力帯域幅を調整することができる。例えば、主発振空洞空洞-Qの出力カプラ反射率の選択により、シードレーザシステムの出力帯域幅を調整することができる。シードレーザパルスのパルスタイミングを利用して、レーザシステムの全体的な出力帯域幅を制御することができる。選択ASE上限値又はdtMOPOの変化があっても比較的平坦なままであるエネルギ曲線の部分の範囲により、選択に利用可能な帯域幅の範囲が限定される場合があることが図7から分る。一定のエネルギ出力及び最小ASEを維持すると同時に、dtMOPO作動値の選択により利用可能な帯域幅範囲から帯域幅を選択するためには、BW曲線の傾斜及び位置は、タイミング曲線上の利用可能な作動点に影響を与えることが分る。ガス放電シードレーザにおける放電パルスのパルス持続時間、特に、例えば、波面制御を用いてシードレーザから公称帯域幅を選択し、従って、一例として図7に例示するようにBW曲線604の傾斜及び/又は位置に影響を与えることができることも同様に公知である。開示する本発明の実施形態の態様に従って、縁部光学器械、すなわち、使用しなければならず、従って、困難である可能性があるその縁部までずっと恐らく被覆される光学器械を選択する必要があると考えられる。このような光学器械は、縁部光学器械を使用することを回避するには余裕が小さすぎる場合があるので、例えば、両者の分離によっては、併せて図2に示すシード注入機構のバージョンを形成する例えば出力結合器、例えば図2に示す162と、最大反射体、例えば、図2示す160との間で必要とされる可能性がある。そうである場合、縁部光学器械は、例えば、OC部分162を通過させるような既存のビームの光線経路に対してRmaxであるように選択すべきである。コーティングの観点から、層数が少なくなるので、OCを縁部光学器械に適応させることが好ましいと考えられる。しかし、開示する本発明の実施形態の態様に従って、代案の設計が、本出願人により選択され、図30に概略的かつ一例として例示されており、例えば、縁部光学器械の使用は、図2に示すビーム拡大器142、例えばプリズム146、148により作成されるような例えば十分に大きな間隔が出射リング電力増幅ステージビームと入射リング電力増幅ステージビームとの間に設けられている場合は回避することができる。例えば、2つのビームの間の約5mmの間隔は、例えば、あらゆる縁部光学器械の使用を回避するのに十分に満足なものであると判断される。図46に一例として例示するように、レーザシステム、例えば、図2に一例として例示するシステム110は、例えば、リング電力増幅ステージ114を使用してリング電力増幅ステージ114内の主発振器22の出力ビーム62を増幅して、レーザシステム出力パルスビーム100を生成することができる。開示する本発明の実施形態の態様の一例としてより詳細に示すビーム拡大器/分散器142は、第1の拡大/分散プリズム146aと、第2の拡大/分散プリズム146bと、第3のプリズム148で形成することができる。シード注入機構160は、部分反射入力/出力結合器162と、図30に一例としてかつ部分概略的に、すなわち、シード注入機構及び拡大/分散160、及びそれぞれビーム74及び72が横断して出入りするリング電力増幅ステージチャンバ図示せずを見下ろす平面図で、すなわち、主発振器チャンバ22から移動する出力ビームの軸の斜視図から例示する最大反射鏡Rmax164とを含むことができ、この主発振器チャンバは、説明しているこのような実施形態では、他の箇所で説明するように、チャンバ144の上方のその短軸に位置決めしてビーム62は、図示のようにほぼ水平縦方向軸に折り返されているこのビームはまた、MOPus他の箇所で説明するようにミニOPuSとビーム拡大器とを有するMO-WEBとも呼ばれる内に拡張されている、それを断面形状でほぼ正方形にすることができる。リング電力増幅ステージ共振器の内側でのビーム拡大プリズム146a、146b、及び148の構成に関しては、例えば、単一のプリズム上で又は2つのプリズム上で同じ入射角及び出射角により、例えば、68.6°入射角と28.1°出射角により達成された例えば4倍拡大を備えた本出願人の譲渡人のXLA-XXXモデルレーザシステム内の電力増幅器PAステージの出力上でのビーム拡大と類似の構成を達成することができる。これは、例えば、全フレネル損失の均衡を保ちかつ最小にする役目をすることができる。反射率に関するコーティング、例えば反射防止コーティングは、最高のエネルギ密度を本発明のシステム内で受けると思われるので、これらの表面上では回避することができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、ビーム拡大器/分散器160は、第1のプリズム146が小さなプリズム146a及び146bに分割された状態で実行することができ、第1のプリズムは、いくつかの利点、例えば、低コスト及びより良好にビーム72、74及びシステム出力ビーム100を整列及び/又は誘導する機能ビーム反転器図30においては図示せずと組み合わせてを有する分割プリズムと共に1つの重要な角度を成すプリズムが収まることができる位置に収まるように、図30に一例として示すように、例えば、先端を切ったような形である例えば33mmビーム拡大プリズムとすることができる。主発振器シードビーム62は、シード注入機構160に入ると、入力/出力結合器として機能するビーム分割器部分反射光学器械162を通って、第1及び第2のビーム拡大プリズム146aにビーム74aとして反射されるビーム62aとしてRmax164に至ることができ、第1のビーム拡大プリズム146aは、水平軸でビームを約1/2x縮小する役目をする図30に示すような用紙の平面に入る垂直軸において約10mmから11mmのままである。次に、ビーム74bは、第2のビーム拡大プリズム148、例えば、40mmビーム拡大プリズムに方向付けられ、そこで、再び約1/2x縮小され、従って、全体の縮小は、リング電力増幅ステージ図30においては図示せずの利得媒体に入るビーム74を形成するように約1/4倍である。ビームは、ビーム反転器、例えば、本出願人の譲渡人のXLA-XXXモデルレーザシステムPAにおいて現在使用されている形式のビーム反転器により反転されて、例えば、ボウタイ構成において利得媒体内で交差し、又はレーストラック構成のバージョンにおいて恐らくある程度重なり合って、大雑把に平行に移動した後、プリズム148にビーム72として戻る。ビーム72が大雑把に2倍に拡大されているプリズム148から、ビーム72bは、プリズム142bに方向付けられて、更に約2倍拡大されてビーム72aになる。ビーム72aは、部分反射されてビーム62aの一部としてRmaxに戻り、出力ビーム100として部分的に透過され、出力ビーム100は、十分なエネルギを有する出力ビームパルスがリング電力増幅ステージ内のレージング発振により得られるまでエネルギが徐々に増大する。増幅器利得媒体、例えば、リング電力増幅ステージに入るビームの狭化には、いくつかの有利な利点があり、例えば、ビームの水平幅を利得媒体内の電極間でほぼガス放電の幅に抑制するボウタイ構成の場合、2つのビーム間の変位角は非常に小さいので、各々が本質的に水平幅が約2mmから3mmであっても数mmの放電幅内に留まり、レーストラック構成の実施形態の場合、ビーム72又はビーム72のみが、毎回の往復で利得媒体を通過し、又はビームは、双方向ビーム72、74がシードビーム72、74の毎回の往復において放電利得媒体を通過するように更に狭化されるか又は放電が拡幅される。プリズム146a、146b、148、特に、146a及び146bのポインティング及びアラインメントを利用して、リング電力増幅ステージからシャッターに向うレーザ出力光学列への出力ビーム100の適切なアラインメントを保証することができる。入力/出力結合器162を出るビームは、システム開口の一部を約10.5mmに定める水平軸において例えば水平サイズ選択開口130により、例えば水平方向でサイズを固定することができる。例えば、本出願人の譲渡人のXLA-XXXレーザシステム製品内の例えば大雑把に現在のPA-WEBの位置の別の開口は、垂直寸法決定においてビームをサイズにすることができる。ビームは約1mRadの発散を有するので、サイズ決定は、各寸法においては、シャッターで判断される実際のビーム寸法よりも若干、例えば約1mm小さなものになる場合がある。開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、システム制限開口が、主システム出力OPuS、例えば、4倍OPuSの直後に位置決めされるように提案する。リング電力増幅ステージ開口は、更に約500mmだけレーザシステムの内側に位置することができる。この距離は、所定の測定面現在のシステム開口での位置変化になるポインティング変化を回避するには大きすぎるものである。代替的に、制限的システム開口は、OPuSの直後に位置することができ、かつ一般的に使用されているステンレス鋼板の代わりに193nmの反射誘電コーティングを有することができる。この設計は、光学アラインメントの容易化を提供する同時に、この開口の加熱を低減することができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、この位置での例えばPCCF被覆窓の使用ために、例えば、チャンバの少なくともビーム反転器側で、先に参照した現在特許出願中の米国特許出願において説明されているものと類似か又は同じの比較的応力がないチャンバ窓構成を実行することを提案する。開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、例えば、LAMにおいて、又はMO波面エンジニアリングボックスWEB又は本明細書の他の箇所で説明するミニOPuSと共に、本出願人の譲渡人の既存のXLA-XXXモデルレーザシステムによるMOWEBの要素を含むことができるいわゆるミニOPuSにおいて、例えばASE検出、例えば後方伝播ASE検出、並びに例えば1つ又はそれよりも多くのビーム拡大プリズムを使用して短軸でMOの出力ビームを拡大して例えばほぼ正方形の断面ビームを形成するビーム拡大を行うことを提案する。現在のMO-WEB及びそのビーム回転機能は、概略的に回転鏡、例えば、図2に示す44として表されている。しかし、優先的に、後方伝播検出器を、MO-WEB/MOPus内に、すなわち、例えば、R=100ではなくて反射率R=95を有する例えば折り畳み鏡重み畳み2、例えば、図2の44を採用して、この鏡44を通じた漏光をモニタすることにより設置することができる。この読取値のある程度のドラフト及び不正確さは、例えば、リング電力増幅器がシードパルスを増幅するようなタイミングとなっていないが、それでも広帯域レーザ光を作り出す時に、例えば、トリップセンサとして利用することができるので満足できるすなわち、各種条件が問題ない時に0.0001mJ付近での本質的に逆ASEのない測定結果に問題がある時の逆ASEありの約10mJに対して。新しい検出器のための既存のコントローラ、例えば、TEMコントローラ、ケーブル、及びポートなどを採用することができる。検出器は、例えば、レーザシステム出力シャッターで例えばビーム強度を測定するために既存のXLA-XXXモデルレーザシステム上で本出願人の譲渡人により現在使用されている検出器とすることができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、例えば、提案する短いOPuS、いわゆるミニOPuS内で必要とされる軸外れ光線に対してミスアラインメントに非常に強く、従って、収差が潜在的に低いように共焦点とすることができる1つ又はそれよりも多くのミニOPuSは、2つ又はそれよりも多くが採用されている場合には、それぞれ、4ns及び5nsの遅延時間を有することができる。これらの値は、両方のOPuSが、干渉破壊のための適切な遅延経路に加えて、球面光学器械を使用して低い波面歪みを示すように選択されたものである。低い波面要件は、実際には、透過ビーム及びミニOPuS内の遅延ビームが互いから若干角度オフセットであるように、特殊手段が利用されていない限り、ミニOPuSからの大きなスペックル低減、例えば、平坦-平坦補正板を若干楔処理された板と置換することにより生成される例えばミニOPuSの出力からの角度散開を防止することができる。他の手段、例えば、一方又は両方の軸内での例えば上下又は左右へのビーム反転、負側の一回の結像、上下及び左右への反転の組合せ、及びビーム平行移動剪断を採用することができ、これは、例えば、代理人整理番号第2004-0144-01号である、2006年3月31日出願の共焦点パルス拡張器という名称の上述の現在特許出願中の出願番号第11/394、512号で示めされるような補正板を除去すること又は例えば第1の軸の補正板と直交する第2の軸内の第2の補正板の追加により達成することができる。例えば、主発振器からのレーザビームは、部分的にコヒーレントであり、それによってビームに反転が発生する。主パルス及び娘パルスへの主パルスの遅延経路による分離と共に、透過ビームと共にミニOPuS出力部に再び入る反射ビームを角度的にシフトすることにより、例えば、ウェーハのところで又は焼鈍のための加工物のところで、加工物ウェーハ又は結晶化パネルを照射するレーザ光源パルスの干渉の低減から生じる非常に相当量のスペックル低減を達成することができる。これは、一部の場合には、共焦点構成では不可能であるが、遅延経路内での何らかの楔の追加でも、出力部内への遅延ビームのビーム分割反射部分の前に例えば透過ビーム及びその親パルス及び先行する娘パルスもしあればと意図的に遅延経路鏡をミスアラインメントにすることにより達成することができる。例えば、板に1ミリラジアンの楔があれば、反射娘パルスビーム内に0.86ミリラジアンの角度シフトが生成される。ミニOPuSの光学遅延経路は、レーザ性能及び効率に関して他の有利な成果を有することができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、図48に概略的に示すように、レーザビーム、例えば、シードソースレーザ図48においては図示せずからのシードビーム500は、部分反射鏡ビーム分割器510を使用して2つのビーム502、504に分割することができる。この鏡510は、ビームの一部を主ビーム502内に透過して、ビーム500の残りをビーム504として光学遅延経路506内に反射する。透過された部分502は、続いてレーザシステム図48においては図示せず内に入る。反射される部分504は、例えば、鏡512、514、及び516を含む光学遅延経路506に沿って方向付けられ、鏡514は、例えば、レーザ出力ビームを形成するために、又はその後の増幅ステージ内の増幅に向けて部分504がレーザシステムの残りに再び入ることを可能にするために、この概略図においては用紙の平面に垂直に変位される。次に、ビーム504は、元のビーム500の透過部分502と再結合することができる。遅延ビーム504は、ビーム504の経路内に本質的に垂直に配置された楔補正板520に通すことができる。従って、遅延経路506からの娘パルスビーム504は、遠距離場において透過部分内のビームの主要部分から若干角変位される。この変位は、例えば、約50μRadと500μRadの間とすることができる。遅延経路506の長さは、透過されるビームの部分と反射される部分の間に何らかの時間的な例えば干渉性長を超えるがパルス長を遥かに下回るシフト、例えば、約1nmから5nmがあるように、ビームパルスを遅延させるものである。遅延時間を決める適切な経路長を選択することにより、2つのビームの追加は、パルス内のエネルギが若干長めのTisに広げられるようなものとすることができ、これは、主OPuS内のその後のパルス拡張と組み合わせて、レーザ性能を改善し、並びに他の有用なレーザ性能上の利点を達成することができる。2つのミニOPuSは、望ましい効果を達成するために必要とされると考えられる。2つのミニOPuSからのパルスのオフセット時間は、例えば、1ナノ秒とすることができる。光学的及び機械的考慮事項に基づいて、拡張器に対して選択された遅延は、例えば、第1のミニOPuSにおいては3nsの遅延経路、第2のミニOPuSにおいては4nsの遅延経路とすることができる。遅延がこれよりも短い場合、この光学的システムは、例えば、共焦点鏡又は球面鏡を使用する場合に問題になる収差を招く可能性がある。遅延がこれよりも長い場合、レーザキャビネット内の有効スペース内にシステムを収めることは困難であろう。3ns遅延を達成するためにビームが進まなければならない距離は、900mmであり、4nm分遅延するには1200mmである。図49に概略的に例示するミスアラインメントに対する感度を最小にする共焦点光学システム520は、ビーム分割器526と共に、焦点が空間的に同じ位置であり、かつ曲率中心が反対の鏡に位置する2つの鏡522、524から成ることができる。反射ビーム及び透過ビームが、図48に対して上述のように若干ミスアラインメント状態であることを保証するために、補正板530例えば、楔を追加することができる。この場合、補正板は、適切に機能するように角度をつけて遅延ビームの経路内に設けられる。干渉破壊及び他の目的のためのミニOPuS内の遅延経路時間は、短いものはほぼ時間的可干渉距離ほど短く、ミスアラインメント及び収差許容誤差のような説明した光学的及び空間上の考慮事項のために実際的に可能な限り長くすることができる。2つ又はそれよりも多くのミニOPuSがある場合、各ミニOPuSにおける遅延経路は、例えば、可干渉距離を上回って長さが異なり、かつ別々のOPuSからの娘パルスの交差による実質的な干渉応答増大がないように選択することができる。例えば、遅延経路時間は、光学的構成によっては、少なくとも可干渉距離だけ、及びある程度の量を上回らず、例えば4は5可干渉距離だけ分離することができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、例えば、単一の入力パルスから順番に遅延された複数のサブパルスを生成する干渉破壊光学構造を採用することを提案するが、サブパルスも、次のサブパルスから光可干渉距離を上回って遅延され、更に、各サブパルスのポインティングは、意図的に入力パルスの発散よりも小さい量だけ意図的にチャープ処理される。更に、本出願人は、1対の干渉破壊光学遅延構造を利用することを提案するが、1対の光学遅延構造間の光学遅延時間の差は、入力光の可干渉距離を超える。2つの光学遅延構造の各々は、上述の干渉破壊光学遅延構造の態様に関して説明したような制御チャープ処理ポインティングでサブパルスを生成することができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、例えば、提案する短いOPuS、いわゆるミニOPuS内で必要とされる軸外れ光線に対してミスアラインメントに非常に強く、従って、収差が潜在的に低いように共焦点とすることができる2つのミニOPuSは、2つ又はそれよりも多くが採用されている場合には、それぞれ、4ns及び5nsの遅延時間を有することができる。これらの値は、両方のOPuSが球面光学器械を使用して低い波面歪みを示すように選択されたものである。低い波面要件は、透過ビーム及びミニOPuS内の遅延ビームが互いから若干角度オフセットであるように、特殊手段が利用されていない限り、ミニOPuSからの大きなスペックル低減、例えば、平坦-平坦補正板を若干楔処理された板と置換するか、又は異なる軸に別の補正板を追加することにより生成される例えば角度散開、又は位置平行移動/剪断位置チャープ又は上述のようなビーム反転/逆転を防止することができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、集積回路フォトリソグラフィフォトレジスト露光又は例えば低温再結晶化処理のためのガラス基板上のアモルファスシリコンのレーザ焼鈍のためのレーザ加熱におけるなどのレーザシステムからの照射に露光される加工物の処理に及ぼすスペックルの影響線縁部粗度及び線幅粗度を含むを大幅に低減するために、適切な干渉破壊を十分に達成することができることが当業者によって理解されるであろう。これは、例えば、単一のチャンバレーザシステムから、又は多チャンバレーザシステム出力部から、又は多チャンバレーザシステムの別のチャンバ内の増幅前にこのような多チャンバレーザシステム内のシードレーザからのレーザビームを、出力ビームをパルス及び娘パルスに分割してパルス及び娘パルスが何らかの量、例えば約50μRadと500μRadとの間で互いに角変位された単一のビームに再結合する光学構成に通すことにより達成することができ、娘パルスの各々は、例えば、少なくとも時間的な可干渉距離だけ、好ましくは、時間的な可干渉距離を超えて主パルスから遅延される。これは、主ビームを透過してそのビームの一部を遅延経路内に注入し、次に、主ビームを遅延ビームと再結合するビーム分割器を有する光ビーム遅延経路内で行うことができる。この再結合においては、2つのビーム、すなわち、主ビーム及び遅延ビームは、ポインティングチャープを与えると本明細書で称するように、遠距離場においてごく僅かに互いから角度的にオフセットさせる異なるポインティングが行われることができる。遅延経路は、パルスの時間的な可干渉距離よりも長くなるように選択することができる。角変位は、楔は若干異なるポインティングを遅延ビームに行うポインティングチャープ遅延ビームがビーム分割器に戻る前に光学遅延経路内で楔を用いて達成することができる。ポインティングチャープ量は、上述のように、例えば、約50μRadと500μRadの間とすることができる。光学遅延経路は、各々がそれぞれのビーム分割器を備えた2つの遅延経路を直列に含むことができる。このようなイベントにおいては、各遅延経路は、干渉効果がそれぞれの遅延経路からの主パルスと娘パルスの間に生成されないように長さが異なるとすることができる。例えば、第1の遅延経路内の遅延が1nsである場合、第2の遅延経路内の遅延は、約3nsとすることができ、第1の遅延経路内の遅延が3nsである場合、第2の遅延経路内の遅延は、約4nsとすることができる。2つの別々の遅延経路内の楔は、第1の遅延経路内の楔が、1つの軸内の干渉スペックルを低減する役目をすることができ、他方の遅延経路内の楔が、第1の遅延経路と略直交した他方の軸内の干渉スペックルを低減することができるように、ビームプロフィールに対して互いに略直交して配置することができる。従って、スペックルに及ぼす影響、例えば、集積回路製造工程でフォトレジストの露光におけるウェーハでの線縁部粗度LER及び/又は線幅粗度LWRへの寄与は、ウェーハ上の2つの異なる軸での特徴部寸法に沿って低減することができる。上述のような他の特殊な手段、例えば、ビーム平行移動、ビーム結像、及び散開反転などを採用することもできる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、例えば、ボウタイ式リング電力増幅ステージ内のボウタイの6mRad交差部で、リング空洞内の拡大プリズムは、入射ビーム及び出射ビームに対して若干異なるものとすることができ、かつリング周りを進む時にビームが成長するか、又はリング周りに進む時に若干収縮するように配置することができる。代替的に及び好ましくは、開示する本発明の実施形態の態様に従って、図30に一例として例示するように、例えば、出射ビームと入射ビームの間のより長い間隔、例えば、約5-6mmによって可能にされるより大きいビーム拡大プリズムを2つの別々の部分に分割する結果、本出願人は、従って、出射ビーム及び入射ビームの両方、例えば、図30にそれぞれ例示的かつ概略的に示すビーム100及び62に対して同じ倍率になるように、図4に概略的に示す2つのプリズム、例えば、146、148の角度を調整することを提案する。開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、例えば、システム水平軸ビーム出力開口の位置決めと共に、Rmax164及びOC162を収容するシード注入機構のバージョンのRmax、例えば164部分、及びOC、例えば162部分をその同じステージ上に設置することを提案する。それによって例えばユニット全体として各々の事前アラインメントが可能になり、かつ個々の構成要素の現地でのアラインメントが不要になる。これは、例えば、図2シード注入機構に示すRmax/OCアセンブリ、例えば、160の位置をちょうど本出願人の譲渡人の単チャンバ発振システム例えば、XLS-7000モデルレーザシステム内のOCの位置が固定されるように固定することを可能にすることができる。同様に、このような構成は、実質的な進行中の調整の必要がなく、Rmax/OCがシステム開口に対して適切に位置決めされるように許容誤差を考慮することができる。ビーム拡大プリズムは、増幅利得媒体のチャンバ144とシード注入機構アセンブリ、及び出力ビーム100経路とレーザシステム光軸のアラインメントに向けて移動可能にすることができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、単一の入力パルスから順番に遅延された複数のサブパルスを生成する干渉破壊光学構造を採用することを提案するが、サブパルスはまた、次のサブパルスから光可干渉距離を上回って遅延され、更に、各サブパルスのポインティングは、意図的に入力パルスの発散よりも小さい量だけ又は上述の他の特殊な手段のいずれかにより意図的にチャープ処理される。更に、本出願人は、1対の干渉破壊光学遅延構造を利用することを提案するが、1対の光学遅延構造間の光学遅延時間の差は、入力光の可干渉距離を超える。2つの光学遅延構造の各々は、上述の干渉破壊光学遅延構造の態様に関して説明したような制御チャープ処理ポインティングで又は上述の他の特殊な手段のいずれかによりサブパルスを生成することができる。開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、例えば、アラインメント及び診断中にMO出力を阻止するために本出願人の譲渡人のOPuS上で利用されているようなものと同様に、適切な場合には、MO出力がリングに入ることを阻止するために機械式シャッターを位置決めすることを提案する。正確な位置は、例えば、シード供給されていないリング電力増幅ステージアラインメント及び作動中にミニOPuSが保護されるリング電力増幅ステージの前では最終折り畳み鏡のすぐ上とすることができる。ここで図79を参照すると、開示する本発明の実施形態の態様により、レーザDUV光源が概略部分ブロック図で示されている。システム1300は、例えば、本明細書の他の箇所で説明するように、例えば、固体レーザ1302、1304、1306とすることができる複数のシードレーザシステムを含むことができ、シードレーザ1306は、システム内のn番目のシードレーザである。各シードレーザに対しては、対応する増幅レーザシステム、例えば、1310、1320、及び1330があるとすることができ、増幅レーザシステム1306は、n番目の増幅レーザシステムである。各増幅レーザシステム1310、1320、1330は、例示的場合ではA=2である複数のAを有することができ、増幅利得媒体1312、1314、及び1322、1324、及び1332、1334を有することができ、増幅利得媒体1332、1334は、例示的なn番目の増幅利得媒体システム1330を含む。各利得媒体1312、1314、1322、1324、1332、1334は、エキシマ又は分子フッ素レーザのようなガス放電レーザを含むことができ、より具体的には、本明細書の他の箇所で及び本出願と同日出願の上述の現在特許出願中の出願で説明するようなリング電力増幅ステージを含むことができる。それぞれのA増幅利得媒体1312、1314、及び1322、1324、及び1332、1334の各々には、ビーム分割器1308によりそれぞれのシードレーザ1302、1304、及び1306からの出力パルスを供給することができる。それぞれの増幅器利得媒体1312、1314、1322、1324及び1332、1334は、それぞれのシードレーザパルス繰返し数X、例えば、A/Xのある一定の割合で作動することができる。ビーム結合器1340は、増幅器利得媒体1312、1314、1322、1324、1332、1334の出力を結合して、nXのパルス繰返し数のパルスのレーザシステム1300出力レーザ光源ビーム100を形成することができる。図80を参照すると、開示する本発明の実施形態の態様により、レーザシステム1350が概略ブロック図の形態で例示されており、レーザシステム1350は、例えば、本明細書の他の箇所で説明するような固体レーザ1352a、1352b、1352cとすることができる複数のシードレーザ1352a、1352b、及び1352cを含むことができ、シードレーザ1352cは、システム1450内のn番目のシードレーザである。シードレーザの各々は、1対のそれぞれの増幅器利得媒体1356、1358、1360、1362、及び1364、1366にシード供給することができ、増幅器利得媒体1364、1366は、それぞれのビーム分割器1354と共に、n番目のシードレーザ1352cに対応してシステム1350内のn番目のものである。各増幅利得媒体は、エキシマ又は分子フッ素レーザのようなガス放電レーザとすることができ、より具体的には、本明細書の他の箇所でかつ本出願と同日出願の上述の現在特許出願中の出願に説明するようなリング電力増幅ステージとすることができる。1対の増幅利得媒体1356、1358、1360、1362、及び1364、1366の各々は、それぞれのシードレーザ1252a、1352b、及び1352cのパルス繰返し数Xの1/2で作動することができ、シードレーザ1352a、1352b、及び1352cは、全て、nXでパルスのレーザ光源出力光ビーム生成するために同じパルス繰返し数Xで作動するか、又は各々は、それぞれのパルス繰返し数X、X’、X’’...Xnで作動することができ、その一部ではあるが全部ではないものは、ビーム結合器1370を通じて、出力パルスビーム100内の出力パルス繰返し数がΣXX’’...Xnになるように他に等しいとすることができる。シードレーザ出力を供給する固体シードビーム源と、例えば選択ガス放電レーザレージング媒体内で増幅することができると当業者が理解するであろうそれぞれの形式のガス放電レーザの出力の公称中心波長程度の波長の帯域内でエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザにシード供給するのに適する波長にシードレーザ出力を変換する周波数変換ステージと、それぞれの形式のガス放電レーザの出力の公称中心波長程度の波長の帯域内であると当業者が理解するであろう変換シードレーザ出力を増幅してほぼ変換波長でパルスのガス放電レーザ出力ビームを生成するエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザ利得媒体とを含むことができ、適切な波長のシードレーザパルスが励起レージング媒体内の誘発発光により増幅されることになるレーザ光源システムを含むことができる方法及び装置を本明細書で開示することは、当業者によって理解されるであろう。エキシマ又は分子フッ素レーザは、XeClレーザシステム、XeFレーザシステム、KrFレーザシステム、ArFレーザシステム、及びF2レーザシステムを含む群から選択することができる。レーザ利得媒体は、電力増幅器を含むことができる。電力増幅器は、1通過増幅ステージと、多重通過増幅ステージとを含むことができる。利得媒体は、リング電力増幅ステージ又は電力発振器を含むことができる。リング電力増幅ステージは、ボウタイ構成又はレーストラック構成を含むことができる。本方法及び装置は、入力/出力結合器シード注入機構を更に含むことができる。本方法及び装置は、干渉破壊機構を更に含むことができる。固体レーザビーム源は、例えば、Ndベースの固体レーザをポンピングする周波数逓倍ポンプを有するNdベースの固体レーザを含むことができる。Ndベースの固体レーザは、ファイバ増幅レーザを含むことができる。Ndベースの固体レーザは、Nd:YAG固体レーザと、Nd:YLF固体レーザと、Nd:YVO4固体レーザとを含む群から選択することができる。固体シードレーザ源は、Erベースの固体レーザを含む例えばファイバーレーザを含むことができる。Erベースの固体レーザは、Er:YAGレーザ、又は例えばEr:ガラスレーザを含むことができる。周波数変換ステージは、線形周波数変換器を含むことができ、例えば、Ti:サファイア水晶を含むことができ、又はアレクサンドライトを含むことができる水晶を含むことができる。周波数変換ステージは、非線形周波数変換器を含むことができ、例えば、第2高調波発生器又は和周波混合器を含む。本出願人は、このようなパルスが総積分スペクトルTisを増大させてレーザシステム、例えばリソグラフィツールスキャナ発光体からの出力光を使用したツール内の光学器械に及ぼすレーザ出力パルス内ピーク強度の影響を低減するためにパルス拡張に使用される本出願人の譲渡人Cymer、Inc.により製造されている2つのOPuSパルス拡張器を通過した後の単一のガス放電例えば、ArFエキシマ又はKrFエキシマレーザシステム出力パルス内の可干渉距離位置に関連するスペックル低減の計算によるシミュレーションを行っている。直列の2つのOPuSがあり、第1のOPuSは、出力パルスの総積分スペクトルTisを約18.6nsから約47.8nsに拡張するのに十分な遅延経路を有し、第2のOPuSは、例えば、E95パルスエネルギの95が中に含まれるスペクトルの幅でパルスを更に83.5nsに拡張するものである。未拡張パルスから始めて、本出願人は、0.10pmのFWHM帯域幅及び可干渉距離関数に対してガウス分布を仮定し、パルスを大体の可干渉距離に等しい部分に分割した。第1に、OPuSを通過した後のパルスの可干渉距離部分に及ぼすパルス拡張の影響は、拡張パルスのスペクトル内の第1の強度ハンプが主パルスの可干渉距離部分で構成され、第2の強度ハンプが第1の娘パルスの可干渉距離部分と重なり合った主パルスの可干渉距離部分から成ることを示すことである。強度スペクトル内の第3のハンプは、第1及び第2の娘パルスの重複の結果である。本出願人は、2つのハンプの個々の可干渉距離部分を見て、可干渉距離部分の複数のバージョン娘パルスを含むが互いに干渉しないように十分に分離されていることに変わりがないことを観察した。第2のOPuSを通過した後、ここでも拡張パルスに第1の3つのハンプの内容を見ただけのシミュレーションにおける模擬スペクトル第2のハンプの下には、以前と同様の初めの遅延なしパルス、以前と同様の第1のOPuSからの第1の遅延パルス、及び第2のOPuSからの第1の遅延パルスによる寄与があったでは、本出願人は、この第2のパルスにおいて可干渉距離部分の複数のバージョンが互いに非常に接近していることを観察した。この原因は、第1のOPuSが~18nsの遅延を有し、第2のOPuSが~22nsの遅延を有するということである。従って、僅か~4nsにより、可干渉距離部分のバージョンが分離され、これは、依然として干渉が発生するほど接近したものではない。第3のハンプ下に、本出願人は、第1のOPuSからの第1の遅延パルス、第1のOPuSからの第2の遅延パルス、第2のOPuSからの第1の遅延パルス、及び第2のOPuSからの第2の遅延パルスからの寄与を観察した。本出願人は、いくつかの関連する干渉部分間の分離が、2つのOPuSにより拡張されたパルスの強度スペクトルにおける第3のハンプにおける他の干渉部分よりも大きいことを観察した。この分離の増大は、各OPuSを通る2回の往復が、~36ns=182及び~44ns=222に等しいということによるものである。従って、可干渉距離間の分離は、毎回の往復と共に増大する。本出願人は、各単一ミニOPuSが有効であるためには、2つの主要なOPuSでは、娘パルス可干渉距離が互いの約4可干渉距離内になるべきではないと判断した。すなわち、相関した時間的干渉要素が重なり合わないことを保証するためには、主ビームからの時間的干渉要素が、異なる遅延経路により要素の遅延バージョンの一致を通じて自らとその後に再結合しないように、別々の遅延経路の仕様を考慮に入れるべきである。遅延経路の様々な組合せの影響による時間的なこのような重複は、スペックル低減の観点から望ましくないものである。時間的干渉要素の時間的衝突を回避するために、ミニOPuS及び主OPuSの遅延長の選択には注意すべきである。開示する本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、例えば、リソグラフィツール自体において、レーザシステムの一部であるのか又は通常の主要なOPuSの下流側に設けられているのかを含むミニOPuSが設けられた時の通常のOPuS遅延長の変化の調整を提案する。本出願人は、このようなミニOPuSが、ある程度パルス持続時間の谷部を埋めることができ、Tisの増大になり、例えば、全体的な可干渉距離分離の改善を目指した2つの主要OPuSの一方の遅延長の低減が可能になると考えている。開示する本発明の実施形態の態様に従って、干渉破壊は、遅延経路及び上述の特殊な手段、例えば、上述のようなビーム反転、負側の1回の結像、ビーム平行移動/剪断、ビームチャープ、又はビーム散開との組合せを通じたものであるとすることができる。ここで図81Aから図81Cを参照すると、例えば、MOチャンバ22と増幅利得媒体チャンバ144とを含む開示する本発明の実施形態のための光線追跡が部分概略斜視図で示されており、図81Aは、上にあるシー光レーザチャンバ22及び下にある増幅利得媒体チャンバ144内の追跡光線の左手側部分を示している。ビームは、LNM開口29を通じて線狭化モジュールLNM図81Aにおいては図示せずを出ると、MOチャンバ後部窓28を通じてシードレーザチャンバに入る。ボウタイの左側では、ビームは、後部窓167を通じて増幅利得媒体チャンバ44を出て、ビーム反転器開口71を通過すると、上述のように、ビーム反転器70内で反転されて、例示的な場合にはボウタイを形成する交差構成でビーム反転器/戻し器70に至る経路と若干異なる経路で開口71及び窓167を通じて増幅利得媒体チャンバ144に戻る。ここで図81Bを参照すると、シードレーザチャンバ22と増幅利得媒体チャンバ144との中間に中継光学器械及び干渉破壊遅延経路の一部が部分概略斜視図で示されている。パルスのシードレーザ出力光パルスビーム内のシードレーザチャンバ22からのシードパルス出力は、シードレーザ右手窓27と、出力結合器28と、LAMビーム分割器とを通過して、そこで、例えばビームの一部は、測定のために方向転換される。次に、ビームは、1対の回転鏡44a及び44b内で水平方向及び垂直方向に回転されて、第1のミニOPuS遅延経路376、例えば、3ns遅延経路内のビーム分割器526に方向付けられ、ビームの一部、例えば40は、遅延経路内に反射され、残りは、第2の遅延経路380内に入る。補正楔530は、遅延経路376を出る娘パルスを重なり合わせるために整列させるか、又は遅延経路376からの出口でそれぞれの娘パルスに若干異なる空間経路を与えるために若干ミスアラインメントにすることができるビーム剪断。遅延経路376は、例えば、遅延ビームをビーム分割器526に戻す遅延経路の各端部での2つ又はそれよりも多くの共焦点又は非共焦点鏡を含む1対の共焦点鏡522、524又は他の鏡構成により形成することができる。次に、ビームは、第2の遅延経路380、例えばビーム分割器526’を有する4ns遅延経路に入ることができ、そこで、ビーム、例えば405の一部は、遅延経路内に反射され、残りは、遅延経路380を出て、例えばビーム拡大器30に入る。遅延経路は、異なる遅延、例えば4nsを有することを除き、遅延経路376と同一に構成することができ、又は異なる多種のもの、例えば、ビーム反転及び/又は負側の1回の結像などに向けて配置された例えば異なる鏡構成を有するものとすることができる。ミスアラインメントである補正板の代わりに、第1又は第2の遅延経路376、380は、一方又は他方を出力ビーム重複に向けてアラインメント状態にすることができ、又は他の箇所で先に詳細に説明したように、一方又は他方をビーム反転光学器械で置換することができる。第2の遅延経路を出るビームは、ビーム拡大器、例えば、第1の拡大プリズム32と第2の拡大プリズム30とを含む二重プリズムビーム拡大器30を通過することができる。ここで図812Cを参照すると、入力/出力結合光学器械と、ビーム拡大器30を出て例えばボウタイリング電力増幅構成において増幅利得媒体ステージ144に入った後に出るシードレーザビームの入力に関連するレーザシステム出力ビーム光路とが例示されている。ビーム拡大器30を出るビームは、回転鏡45により、増幅利得媒体ステージ144のためのビーム分割器/入力/出力結合器光学器械として機能する部分反射鏡162内に回転される。部分反射鏡162は、入力入射側に反射防止コーティングを有し、かつ出力結合器機能を実行するために、反対側の増幅利得媒体チャンバ空洞側で例えば20から30反射することができる。部分反射鏡は、ビームを最大反射鏡所定の波長に対してに通し、最大反射鏡は、ビーム拡大器光学アセンブリ及びチャンバ右側窓168を通じて増幅利得媒体チャンバ144にビームを反射することができる。ビーム拡大器光学構成は、第2のビーム拡大器プリズム148上にかつ第1の経路に沿った増幅利得媒体チャンバ内に向かう第1の入力ビーム拡大器プリズム部分146aを含むことができ、一方、例えば、ボウタイループ内の戻りビームは、第2のビーム拡大器プリズム148を通り、かつ第1のビーム拡大器プリズムの第2の部分146bを通過することができ、第2の部分146bは、入力/出力結合器162を通って出るか、又は出力結合器162からの反射を通じてチャンバに及びボウタイ発振ループの最大反射鏡164に戻る増幅ビームを拡大する。出力結合器162を通じて増幅利得媒体チャンバ144を出るビームは、ビームの一部が測定のために向け直されるBAMビーム分割器と、レーザシステム出力パルスのTisを長くするためにビームがビーム拡張に向けてより多くのOPuSの1つを通じて主要部分と遅延部分に分離されるOPuSビーム分割器と、システム開口92と、ビームの一部が測定のために分離されるシャッタービーム分割器とを通過することができる。ここで図82A及び図82Bを参照すると、シードレーザチャンバと増幅利得媒体レーザチャンバとの間の中継光学器械を含む部分概略斜視図で図81Aから図82Cの光学列の一部の上面図が例示されている。図83Aは、遅延経路376及び380、及びビーム拡大器30の詳細を部分概略斜視図で示している。図83Bは、ビーム拡大器30のより詳細部分の側面図を示している。遅延経路、例えば3ns遅延経路の設計は、反射ビームが透過ビームと重なり合うように、3.18mm厚ビーム分割器526、例えば225mmの曲率半径を有する2つの凹面鏡522、524、及び補正板530を含むことができる。反射/遅延ビームが透過ビームと重なり合わないことが望まれる場合には、例えば、補正板530の傾斜を含む一部の実施形態を採用することができる。従って、例えば、1.048mmでビーム分割器526を通過するビームのオフセットにより、補正板530は、ビーム分割器526の反対の角度で設置することができる。次に、反射ビームは、透過ビームと重なり合うことになる。補正板530の回転角を変えることにより、透過ビームと第1の反射ビームとシフトを制御することができる。ビーム分割器526がビームに垂直である場合、2つのビーム間のオフセットは、1.048mmである。角度の関数としての2つのビーム間のデルタオフセットを図85に示している。0.5mmのシフトを生成するために、27°の入射角度が必要である。このオフセットを生成する別の方法は、例えば、補正板530を薄肉化又は肉厚化することとすることができる。1.66mm又は4.70mmの板厚は、0.5mmのオフセットができることになる。45°で薄くした板を使用する利点は、反射防止コーティングが同じままであるということである。しかし、27°で板を使用するには、基板に対してビーム分割器526と同じ厚みを用いる。補正板530に入射するビームは、s偏光処理され、従って、その部分は、反射防止コーティングに対して45°ではなく27°である方が良好である。更に、いずれかの遅延経路も、上述のビーム剪断技術がその1つであると考えられる他の箇所で説明する特殊な手段のうちの1つ又はそれよりも多くに対して設定することができ、他方の遅延経路、例えば4ns遅延経路は、同じか又は本質的に同じビーム操作を有し特定の長さの遅延と共に、又は異なる干渉破壊手法を有することができる。例えば、図83に概略的に例示するように、第2の長い方の遅延経路、例えば、4ns遅延経路380は、ビーム反転機構、例えば、二等辺プリズム525のようなプリズムを組み込むことができ、二等辺プリズム525は、先に参照した代理人整理番号第2003-0120-01号である2005年12月29日出願のガス放電レーザ出力光干渉低減方法及び装置という名称の現在特許出願中の出願番号第10/881533号に開示されている干渉破壊光学器械と同様に、例えば、1つ又はそれよりも多くの軸でビーム自体を反転することができる。例示的なビーム反転光学器械525は、図86に概略的に例示するように、娘パルスがプリズムを通過してプリズム内で内部反射する時に、例えば、長軸内で各娘パルスをそれ自体に反転することができる。他の箇所で説明するように、1つ又は複数の遅延経路を有するこのような干渉破壊、及び他の箇所で説明するようなビーム反転、平行移動、及び結像などのための同様の又は種々の他の特殊手段は、増幅利得媒体の出力で、シードレーザと増幅利得媒体の中間で、レーザシステムシャッターの後で、ビーム送出ユニット内、例えば、レーザシャッターと、レーザ光を使用するツール、例えばスキャナ又はtbSLS機械への入力との中間又はツール自体の内側の封入及び吸収種なしビーム経路内で行うことができる。線狭化パルスエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムを含むことができ、システムが、パルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成し、かつ第1のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバと第1の発振空洞内の線狭化モジュールとを含むことができるシードレーザ発振器と、シードレーザ発振器の出力を受け取ってシードレーザ発振器の出力を増幅し、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第2のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバに増幅利得媒体を収容し、かつリング電力増幅ステージを含むことができて、シードレーザ発振器の出力がこのリング電力増幅ステージの増幅利得媒体をループ毎に少なくとも2回通過するレーザ増幅ステージとを含むことができる装置及び方法を開示することは、当業者によって理解されるであろう。リング電力増幅ステージは、シードレーザ発振器出力光ビームがリング電力増幅ステージ内に注入される時に通る部分反射光学要素を含む注入機構を含むことができる。リング電力増幅ステージは、ボウタイ型ループ又はレーストラック型ループを含むことができる。シードレーザ発振器の出力のパルスエネルギは、0.1mJ、又は0.2mJ、又は0.5mJ、又は0.75mJに等しいか又はそれ未満とすることができる。リング電力増幅ステージは、シードレーザ発振空洞の出力を≧1mJ、又は≧2mJ、又は≧5mJ、又は≧10mJ、又は≧15mJのパルスエネルギまで増幅することができる。レーザシステムは、12kHzまで、又は≧2かつ≦8kHz、又は≧4かつ≦6kHzの出力パルス繰返し数で作動することができる。装置及び方法は、広帯域パルスエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムを含むことができ、システムは、パルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成し、かつ第1のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバを含むことができるシードレーザ発振器と、シードレーザ発振器の出力を受け取ってシードレーザ発振器の出力を増幅し、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第2のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバに増幅利得媒体を収容することができ、かつリング電力増幅ステージを含むことができて、シードレーザ発振器の出力がこのリング電力増幅ステージの増幅利得媒体をループ毎に少なくとも2回通過するレーザ増幅ステージとを含むことができる。開示する内容の実施形態の態様によれば、干渉破壊機構が、シードレーザ発振器と増幅利得媒体との中間に位置することができる。干渉破壊機構は、パルスのシードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離よりも長い遅延長さを有する光学遅延経路を含むことができる。光学遅延経路は、パルスのシードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの長さを大きくは増大しないと考えられる。干渉破壊機構は、第1の長さの第1の光学遅延経路及び第2の長さの第2の光学遅延経路を含むことができ、第1及び第2の遅延経路の各々における光学遅延は、パルスのシードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離を超えるが、パルスの長さを大きくは増大せず、第1の遅延経路及び第2の光学遅延経路の長さの差は、パルスの可干渉距離を超え、また、パルスの長さを大きくは増大させない。実施形態の態様による装置及び方法は、線狭化パルスエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムを含むことができ、システムは、パルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成し、かつ第1のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバと第1の発振空洞内の線狭化モジュールとを含むことができるシードレーザ発振器と、シードレーザ発振器の出力を受け取ってシードレーザ発振器の出力を増幅し、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第2のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバに増幅利得媒体を収容し、かつリング電力増幅ステージを含むことができて、シードレーザ発振器の出力がこのリング電力増幅ステージの増幅利得媒体をループ毎に少なくとも2回通過するレーザ増幅ステージと、シードレーザ発振器とリング電力増幅ステージとの中間の干渉破壊機構とを含むことができる。実施形態の態様によれば、装置及び方法は、広帯域パルスエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムを含むことができ、システムは、パルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成し、かつ第1のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバを含むことができるシードレーザ発振器と、シードレーザ発振器の出力を受け取ってシードレーザ発振器の出力を増幅し、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第2のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバに増幅利得媒体を収容し、かつリング電力増幅ステージを含むことができて、シードレーザ発振器の出力がこのリング電力増幅ステージの増幅利得媒体をループ毎に少なくとも2回通過するレーザ増幅ステージと、シードレーザ発振器とリング電力増幅ステージとの中間の干渉破壊機構とを含むことができる。実施形態の態様による装置及び方法は、パルスエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムを含むことができ、システムは、パルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成し、かつ第1のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバと第1の発振空洞内の線狭化モジュールとを含むことができるシードレーザ発振器と、シードレーザ発振器の出力を受け取ってシードレーザ発振器の出力を増幅し、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第2のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバに増幅利得媒体を収容するレーザ増幅ステージと、シードレーザ出力光ビームパルスの可干渉距離を超える光学遅延経路を含むシードレーザ発振器とレーザ増幅ステージとの中間の干渉破壊機構とを含むことができる。増幅ステージは、レーザ発振空洞、又は増幅利得媒体を通る固定数の通過を定める光路を含むことができる。干渉破壊機構は、単一の入力パルスから順に遅延した複数のサブパルスを発生する干渉破壊光学遅延構造を含むことができ、各サブパルスは、次のサブパルスからパルス光の可干渉距離よりも大きく遅延する。また、実施形態の態様によりレーザ光源システムを含み、システムが、シードレーザ出力を供給する固体レーザシードビーム源と、シードレーザ出力をエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザのシードに適する波長に変換する周波数変換ステージと、変換されたシードレーザ出力を増幅してほぼ変換波長でパルスのガス放電レーザ出力ビームを生成するエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザ利得媒体と、出力パルス可干渉距離よりも長い遅延経路を有する光学遅延要素を含む干渉破壊機構とを含むことができる装置及び方法を開示することは、当業者によって理解されるであろう。エキシマ又は分子フッ素レーザは、XeCl、XeF、KrF、ArF、及びF2レーザシステムを含む群から選択することができる。レーザ利得媒体は、単一通過増幅器ステージ又は多重通過増幅器ステージを含むことができる電力増幅器を含むことができる。利得媒体は、ボウタイ構成又はレーストラック構成を含むことができるリング電力増幅ステージを含むことができ、かつ入力/出力カプラシード注入機構も含むことができる。干渉破壊機構は、レーザシードビーム源とガス放電レーザ利得媒体との中間とすることができる。固体シードレーザビーム源は、Ndベースの固体レーザを含み、かつNdベース固体レーザをポンピングする周波数逓倍ポンプを含むことができる。Ndベース固体レーザは、ファイバー増幅器レーザを含み、かつNd:YAG、Nd:YLF、及びNd:YVO4固体レーザを含むことができる群から選択されたNdベース固体レーザを含むことができる。固体シードレーザビーム源は、ファイバーレーザを含むことができるErベースの固体レーザを含むことができる。Erベース固体レーザは、Er:YAGレーザを含むことができる。周波数変換ステージは、Ti:サファイア結晶又はアレキサンドライトを含む結晶を含むことができる線形周波数変換器を含むことができる。周波数変換ステージは、非線形周波数変換器、例えば、2次高周波発生器又は和周波混合器を含むことができる。実施形態の態様による装置及び方法は、シードレーザ出力を供給する固体レーザシードビーム源と、シードレーザ出力をエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザのシードに適する波長に変換する周波数変換ステージと、変換されたシードレーザ出力を増幅してほぼ変換波長でガス放電レーザ出力を生成し、かつリング電力増幅ステージを含むことができるエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザ利得媒体とを含むレーザ光源システムを含むことができる。本方法は、固体レーザシードビーム源を利用してシードレーザ出力を供給する段階と、周波数変換ステージにおいてシードレーザ出力をエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザのシードに適する波長に周波数変換する段階と、エキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザ利得媒体を利用して、変換されたシードレーザ出力を増幅してほぼ変換波長のガス放電レーザ出力を生成する段階とを含むことができる。また、照射されている半導体製造ウェーハ又は薄膜トランジスタパネルのような加工物に、前者ではフォトリソグラフィ処理及び後者ではアモルファスシリコン結晶化のためのレーザ焼鈍の一部として、パルスUV光、例えば248nm又は193nmでの例えばDUV光、又は例えば約13nmでのEUV光で照射する照射機構と、UV光入力開口部と、加工物保持台、例えばウェーハ移送ステージ又は薄膜パネル移送ステージと、UV光パルスの可干渉距離を超える光学遅延経路を含む干渉破壊機構とを含むことができる処理機械を含むことができる装置及び方法を開示することは、当業者によって理解されるであろう。光学遅延経路は、UV光パルスの長さを増大することはできない。干渉破壊機構は、第1の長さの第1の光学遅延経路と、第2の長さの第2の光学遅延経路とを含むことができ、第1及び第2の遅延経路の各々における光学遅延は、UV光パルスの可干渉距離を超えるが、パルスの長さを大きくは増大させるものではなく、第1の遅延経路と第2の遅延経路の差は、パルスの可干渉距離を超える。第1及び第2の光学遅延経路の少なくとも一方は、ビーム反転又はビーム平行移動機構、例えば、ずれた補正板、反転光学要素、及び負側1回結像光学要素などを含むことができる。上記で開示した開示内容の実施形態の態様は、好ましい実施形態であることのみを意図しており、いかなる点においても開示内容の開示を限定するものではなく、特に、特定の好ましい実施形態だけに限定するものではないものとすることが当業者によって理解されるであろう。開示した発明の実施形態の開示した態様には、当業者によって理解及び認められるような多くの変更及び修正を行うことができる。特許請求の範囲は、その範囲及び意味において、開示内容の実施形態の開示した態様だけではなく、当業者には明らかになると思われる均等物及び他の修正及び変更も包含するものとする。上述の開示内容の実施形態の開示して請求した態様に対する変更及び修正に加えて、他のものも実施することができると考えられる。35U.S.C.§112を満足するために必要とされる詳細において本特許出願において説明しかつ例示したレーザシステムの実施形態の特定の態様は、上述の実施形態の態様のあらゆる上述の目的、及び上述の実施形態の態様により又はその目的のあらゆる他の理由で又はその目的にために解決すべき問題を完全に達成することができるが、開示内容の上述の実施形態のここで説明した態様は、開示内容によって広く考察された内容を単に例示しかつ代表することは、当業者によって理解されるものとする。実施形態のここで説明しかつ主張する態様の範囲は、本明細書の教示内容に基づいて当業者に現在明らかであると考えられるか又は明らかになると考えられる他の実施形態を漏れなく包含するものである。本発明のレーザシステムの範囲は、単独にかつ完全に特許請求の範囲によってのみ限定され、いかなるものも特許請求の範囲の詳細説明を超えるものではない。単数形でのこのような請求項における要素への言及は、解釈において、明示的に説明していない限り、このような要素が1つ及び1つのみであることを意味するように意図しておらず、かつ意味しないものとし、1つ又はそれよりも多いを意味する意図とし、かつ意味するものとする。当業者に公知か又は後で公知になる実施形態の上述の態様の要素のいずれかに対する全ての構造的及び機能的均等物は、引用により本明細書に明示的に組み込まれると共に、特許請求の範囲によって包含されるように意図されている。本明細書及び/又は本出願の請求項に使用され、かつ本明細書及び/又は本出願の請求項に明示的に意味を与えられたあらゆる用語は、このような用語に関するあらゆる辞書上の意味又は他の一般的に使用される意味によらず、その意味を有するものとする。実施形態のいずれかの態様として本明細書で説明した装置又は方法は、それが特許請求の範囲によって包含されるように本出願において開示する実施形態の態様によって解決するように求められる各及び全て問題に対処することを意図しておらず、また必要でもない。本発明の開示内容におけるいかなる要素、構成要素、又は方法段階も、その要素、構成要素、又は方法段階が特許請求の範囲において明示的に詳細に説明されているか否かに関係なく、一般大衆に捧げられることを意図したものではない。特許請求の範囲におけるいかなる請求項の要素も、その要素が~のための手段という語句を使用して明示的に列挙されるか又は方法の請求項の場合にはその要素が作用ではなく段階として列挙されていない限り、35U.S.C.§112第6項の規定に基づいて解釈されないものとする。また、米国の特許法の順守において、本出願人が、本出願の明細書に添付のあらゆるそれぞれの請求項、及び一部の場合には1つのみの請求項において説明した各発明の少なくとも1つの権能付与的かつ機能する実施形態を開示したことは、当業者によって理解されるであろう。本出願の長さ及び起草時間を切り詰めて本特許出願を本発明者及び他の者により読みやすくするために、本出願人は、開示している内容の実施形態の態様/特徴/要素、その作用、又はその機能性を定義し、及び/又はその態様/特徴/要素のあらゆる他の定義を説明する際に、随時又は本出願を通して、限定動詞例えば、である、する、有する、又は含むなど、及び/又は他の限定動詞例えば、生成する、引き起こす、サンプリングする、読み取る、又は信号を送るなど、及び/又は動名詞例えば、生成すること、使用すること、取ること、保つこと、作ること、判断すること、測定すること、又は計算することなどを使用した。いずれかのこのような限定語又は語句などが、本明細書で開示する1つ又はそれよりも多くの実施形態のいずれかの態様/特徴/要素、すなわち、いずれかの特徴、要素、システム、サブシステム、構成要素、下位構成要素、処理、又はアルゴリズム段階、又は特定材料などを説明するのに使用される場合は常に、それは、本出願人が発明して請求するものに関する内容の範囲を解釈するために、以下の制限的語句、すなわち、例示的に、例えば、、例として、単に例示的に、例示としてのみなどの1つ又はそれよりも多く又は全てが先行し、及び/又は語句することができる、可能性がある、かもしれない、及びすることができるであろうなどのいずれか1つ又はそれよりも多く又は全てを含むように読むべきである。全てのこのような特徴、要素、段階、及び材料などは、特許法の要件の達成において、たとえ本出願人が特許請求する内容の実施形態又はあらゆる実施形態のいずれかのこのような態様/特徴/要素の単一の権能付与可能な例だけを開示するとしても、1つ又はそれよりも多くの開示する実施形態の可能な態様としてのみ、かついずれかの実施形態のいずれか1つ又はそれよりも多くの態様/特徴/要素の唯一の可能な実施として及び/又は特許請求する内容の唯一の可能な実施形態としてではなく説明されると考えるべきである。明示的かつ具体的に本出願又は本出願の実施において説明されていない限り、その出願人は、特許請求する内容のいずれかの開示する実施形態又はいずれかの特定の開示する実施形態の特定的な態様/特徴/要素が、特許請求する内容又はあらゆるこのような特許請求の範囲に説明されるいずれかの態様/特徴/要素を実施する1つかつ唯一の方法になると考えており、本出願人は、本特許出願で特許請求する内容のいずれかの開示する実施形態又は実施形態全体のいずれかの開示する態様/特徴/要素のいずれの説明も、特許請求する内容又はそのいずれかの態様/特徴/要素を実施するそのような1つかつ唯一の方法であり、従って、特許請求する内容の他の可能な実施と共に、あらゆるこのような開示する実施を包含するのに十分に広範囲であるいずれの特許請求の範囲も、このような開示する実施形態のこのような開示する態様/特徴/要素又はこのような開示する実施形態に限定するように解釈されるべきであるということを意図していない。本出願人は、特に、親請求項に説明した請求する内容又は直接又は間接的に従属する請求項のいずれかの態様/特徴/要素又は段階などのあらゆる更なる詳細を有する従属請求項を従属させるいずれの請求項も、親請求項内の説明事項が、他の実施と共に従属請求項に更なる詳細を包含するのに十分に広範囲であること、かつ更なる詳細が、あらゆるこのような親請求項で請求する態様/特徴/要素を実施し、かつ従って従属請求項の更なる詳細を親請求項に組み込むことによることを含むあらゆるこのような親請求項のより幅広い態様/特徴/要素の範囲をいかなる点でも制限するためにあらゆるこのような従属請求項に説明されるあらゆるこのような態様/特徴/要素の更なる詳細に制限する唯一の方法ではないことを意味するように解釈すべきであることを明示的かつ明解に意図するものである。上記で開示した開示内容の実施形態の態様は、好ましい実施形態であることのみを意図しており、いかなる点においても開示内容の開示を限定するものではなく、特に、特定の好ましい実施形態だけに限定するものではないものとすることが当業者によって理解されるであろう。開示した内容の実施形態の開示した態様には、当業者によって理解及び認められるような多くの変更及び修正を行うことができる。特許請求の範囲は、その範囲及び意味において、開示内容の実施形態の開示した態様だけではなく、当業者には明らかになると思われる均等物及び他の修正及び変更も包含するものとする。上述の開示内容の実施形態の開示して請求した態様に対する変更及び修正に加えて、他のものも実施することができると考えられる。