電極上に載置して真空雰囲気内でテクスチャー形成加工の施される加工電極装置において、シリコン球状体の表面に対して、磁力線が少なくとも45°の角度になるように構成した磁石組み込み電極を有することを特徴とする加工電極装置。磁石組み込み電極が針状または剣山状であり、その上にシリコン球状体が設けられていることを特徴とする請求項1記載の加工電極装置。針状または剣山状の磁石組み込み電極が頂部シリコン球状体を受けるように凹状に形成されていることを特徴とする請求項2記載の加工電極装置。処理基板を電極上に載置して真空雰囲気内でテクスチャー形成加工する加工方法において、前記処理基板に、シリコン球状体の表面に対して、磁力線が少なくとも45°になるように構成した磁石を組み込み、反応性イオンエッチング法により、エッチングガスとしてμテクスチャーを形成する際に反応に寄与するフッ素系ガスと、マスク材を依り効率的に形成しテクスチャー形成を促す塩素系ガスと、シリコン球状体の表面を酸化させまたマスク材のポリマーの大きさを制御する酸素ガスとを含むガスを使用して、シリコン球状体の表面に微細なμテクスチャーを加工することを特徴とする加工方法。磁力線がシリコン球状体の表面に球面に対して法線に沿うようにされることを特徴とする請求項4記載の加工方法。ドライエッチングでμテクスチャーを形成する際に反応に寄与するフッ素系ガスとしてはF2、CF4、SF6、NF3、CHF3、C2F6、C3F8、C4F8などが用いられることを特徴とする請求項4又は5記載の加工方法。マスク材を依り効率的に形成しテクスチャー形成を促す塩素系ガスとしては塩素CL2、臭素Br2、ヨウ素I2などが用いられることを特徴とする請求項4~6のいずれか一項記載の加工方法。本発明の目的は、かかる問題点を解決して、シリコン球状体の上の半球部分では勿論のこと下の半球部分にもテクスチャー形状を形成できるシリコン球状体用の加工電極装置及び加工方法を提供することを目的としている。前記の目的を達成するために、本発明の第1の発明によれば、電極上に載置して真空雰囲気内でテクスチャー形成加工が行われる本発明による加工電極装置において、シリコン球状体の表面に対して、磁力線が少なくとも45°の角度になるように構成した磁石組み込み電極を有することを特徴としている。また、本発明の第2の発明によれば、処理基板を電極上に載置して真空雰囲気内でテクスチャー形成加工する本発明による加工方法において、前記処理基板に、シリコン球状体の表面に対して、磁力線が少なくとも45°になるように構成した磁石を組み込み、反応性イオンエッチング法により、エッチングガスとしてμテクスチャーを形成する際に反応に寄与するフッ素系ガスと、マスク材を依り効率的に形成しテクスチャー形成を促す塩素系ガスと、シリコン球状体の表面を酸化させまたマスク材のポリマーの大きさを制御する酸素ガスとを含むガスを使用して、シリコン球状体の表面に微細なμテクスチャーを加工することを特徴としている。好ましくは、磁力線がシリコン球状体の表面に球面に対して法線に沿うようにされ得る。ドライエッチングでμテクスチャーを形成する際に反応に寄与するフッ素系ガスとしてはF2、CF4、SF6、NF3、CHF3、C2F6、C3F8、C4F8などが用いられ得る。またマスク材を依り効率的に形成しテクスチャー形成を促す塩素系ガスとしては塩素CL2、臭素Br2、ヨウ素I2などが用いられ得る。本発明の第1の発明による加工電極装置においては、シリコン球状体の表面に対して、磁力線が少なくとも45°の角度になるように構成した磁石組み込み電極を有しているので、シリコン球状体の表面の下側の半球部分の2/3程度にテクスチャー加工を施すことが可能となる。これにより、特にシリコン球状体を加工する部品例えば太陽電池の集光技術に関して、シリコン球状体の表面形状にテクスチャー加工を施し反射率を低減させて光のエネルギー利用効率を上げて光電変換効率を向上させることができる。また、本発明の第2の発明による加工方法においては、前記電極に、シリコン球状体の表面に対して、磁力線が少なくとも45°になるように構成した磁石を組み込み、反応性イオンエッチング法により、エッチングガスとしてμテクスチャーを形成する際に反応に寄与するフッ素系ガスと、マスク材を依り効率的に形成しテクスチャー形成を促す塩素系ガスと、シリコン球状体の表面を酸化させまたマスク材のポリマーの大きさを制御する酸素ガスとを含むガスを使用して、シリコン球状体の表面に微細なμテクスチャーを加工するように構成したことにより、加工形状の均一性を向上させることができ、しかも、シリコン球状体の表面にサブミクロンのピラミッド型の凹凸を形成し反射率を低減させるような加工に応用できる。図1には本発明を実施しているプラズマ処理装置の一例を示している。このプラズマ処理装置は真空チャンバ1を有し、真空チャンバ1の底壁にはカソード電極2は絶縁体3を介して設けられ、カソード電極2は処理すべき基板を装着する基板受け部4を備えている。このカソード電極2はマッチング回路5を介して高周波電源6に接続されている。カソード電極2に対向した真空チャンバ1の天井には、対向電極7が絶縁体8を介して設けられている。この対向電極7は接地されている。また、真空チャンバ1にはエッチングガス導入系9が設けられ、このエッチングガス導入系9は、μテクスチャーを形成する際に反応に寄与するフッ素系ガスのガス源と、マスク材を依り効率的に形成しテクスチャー形成を促す塩素系ガスのガス源と、シリコン球状体の表面を酸化させまたマスク材のポリマーの大きさを制御する酸素ガのガス源とを含んでいる。フッ素系ガスとしてはF2、CF4、SF6、NF3、CHF3、C2F6、C3F8、C4F8などが用いられ、塩素系ガスとしては塩素CL2、臭素Br2、ヨウ素I2などが用いられ得る。なお、図示していないが、真空チャンバ1の内側面にはY2O3の保護膜が形成されている。さらに真空チャンバ1には真空排気系10が接続されている。この真空排気系10により真空チャンバ1は真空排気されて所定の真空雰囲気を形成し、ガス導入系9からエッチングガスが導入され、カソード電極組立体2と対向電極7との間の放電により発生したイオンによって、導入されたエッチングガスがプラズマ化される。こうして生成したプラズマ中に発生したイオンやラジカルはカソード電極組立体2に向かって引き付けられ、カソード電極組立体2の基板受け部4上の以下に詳しく説明する処理対象物に入射してエッチング処理が行われる。本発明の実施形態においては、処理対象物として図2に示すように基板11の表面上に内部に磁石12を組み込んだ円錐状または角錐状突起13を設け、その上にシリコン球状体14が設けられる。突起13は、例えば剣山状に好ましくは針状に設けられ得る。シリコン球状体14は一例では直径約1mmであり、隣接シリコン球状体14との間隔は1~0.5mm程度となるように約900個配列される。すなわち、隣接するシリコン球状体14は、互いに接触しないようにされている。各シリコン球状体14はその自体知られているように、底部にノズル孔を設けた坩堝に材料を入れ、溶融させ、上方からガス圧力を作用させて坩堝の底部のノズル孔から溶融した材料を滴下させることにより形成され得る。このように構成した加工電極装置は図1に示すプラズマエッチング処理装置によってシリコン球状体14に対してテクスチャーが形成される。以下、テクスチャーの形成工程について説明する。真空チャンバ1内は真空排気系10により真空雰囲気を維持したまま、加工電極装置を真空チャンバ1内部に搬入し、カソード電極2上の基板受け部4に装着される。真空チャンバ1内部を真空排気しながら、ガス導入系9からエッチングガスを真空チャンバ11内に導入し、所定圧力のエッチング雰囲気を形成する。エッチング雰囲気を維持しながら、カソード電極2と対向電極7との間の放電によりエッチングガスはプラズマ化される。エッチングガスのうち、フッ素系ガスはμテクスチャーを形成する際に反応に寄与し、塩素系ガスはマスク材を依り効率的に形成しテクスチャー形成を促す働きをする。フッ素系ガスとしては前述のようにF2、CF4、SF6、NF3、CHF3、C2F6、C3F8、C4F8などが用いられ、また塩素系ガスとしては塩素CL2、臭素Br2、ヨウ素I2などが用いられ得るが、それらのうちのどのガスを使用するかは処理対象及び処理条件、処理装置の仕様などに応じて任意に選定される。加工は、エッチングガスの種類や、カソード電極2への印加電圧、真空チャンバ1内の圧力等を変更することで調整可能であり、またこれらのファクタを調整することで、シリコン球状体14の表面の凹凸形状テクスチャーの形状を制御し、所望な微細凹凸パターンを形成できる。前記の加工プロセスにおいて、基板11の表面上に設けた円錐状または角錐状突起13内部に組み込んだ磁石12の作用で、シリコン球状体14の表面に対して実質的に垂直に磁力線が投射される。それにより、シリコン球状体14の表面にサブミクロンのピラミッド型の凹凸が形成され、反射率を低減させることができる。しかも、従来可能でなかったシリコン球状体14の下側の半球の2/3程度にテクスチャー加工を施すことが可能となった。