電子部品や電子基板の電極端子などに金属バンプを低周波ボンディングする低周波ボンディング装置であって、前記低周波ボンディング装置は、固定側支持板に固定され、ロータ軸を回転することによって低周波を生成する電動機と、前記ロータ軸の軸芯に嵌着させて前記ロータ軸芯を偏心させて周回運動を生成する偏心部品と、前記偏心部品の外周を内輪に挿着させて回転するラジアル玉ベアリングと、前記ラジアル玉ベアリングの外周を保持し、このラジアル玉ベアリングの外周の運動を伝達する移動側支持板と、前記固定側支持板と前記移動側支持板との間を掛け持って固定され、前記ラジアル玉ベアリングの前記周回運動をガイドするXYステージと、を備え、前記金属バンプの中心が円周を描くように周回運動させて低周波ボンディングすることを特徴とする低周波ボンディング装置。前記XYステージは、クロスローラガイド方式からなることを特徴とする請求項1に記載の低周波ボンディング装置。前記XYステージは、エアベアリング方式からなることを特徴とする請求項1に記載の低周波ボンディング装置。前記金属バンプは、ワイヤボンディングのボール部であることを特徴とする請求項1に記載の低周波ボンディング装置。前記ワイヤボンディングのボール部は、Auであることを特徴とする請求項4に記載の低周波ボンディング装置。前記金属バンプは、柱形状であることを特徴とする請求項1に記載の低周波ボンディング装置。前記柱形状の金属バンプは、少なくとも先端部にAuメッキを施したCu柱形状のバンプであることを特徴とする請求項6に記載の低周波ボンディング装置。前記周回運動を生成する低周波数は5~100Hz、振幅は2μm以上および前記金属バンプの直径の25以下のいずれか一方であることを特徴とする請求項1に記載の低周波ボンディング装置。前記周回運動によって、前記電極端子と前記金属バンプとの間には金属間接合部が生成されることを特徴とする請求項1に記載の低周波ボンディング装置。前記周回運動は、この周回運動の始動時から終動時にかけて前半は後半より低速および大きい振幅で回転し、後半は前半より高速および小さい振幅で回転することを特徴とする請求項1に記載の低周波ボンディング装置。前記電子部品や前記電子基板のフォトマル、フリップチップ、および半導体モジュールに適用することを特徴とする請求項1に記載の低周波ボンディング装置。前記XYステージは、前記ロータ軸および前記偏心部品を備えた前記ラジアル玉ベアリングを嵌着させる穴を前記XYステージに設けることを特徴とする請求項1に記載の低周波ボンディング装置。前記周回運動によって、前記電極端子と前記金属バンプとの間を前記低周波ボンディングする少なくとも接合部を、不活性ガスでパージすることを特徴とする請求項1に記載の低周波ボンディング装置。前記金属バンプは、半田ボールであることを特徴とする請求項1に記載の低周波ボンディング装置。しかしながら、従来例では、高周波ボンディングが行われている例であり、低周波を用いたボンディング装置ではないが、これは低周波に関して開示された唯一のボンディング装置である。なお、先行技術文献には、低周波を用いてボンディングする実施例は開示されてない。本発明は、電子部品や電子基板の電極端子などに金属バンプを常温で低周波ボンディングする低周波ボンディング装置を提供することを目的とする。請求項1に記載の発明の低周波ボンディング装置は、電子基板の電極端子などに金属バンプを低周波ボンディングする低周波ボンディング装置であって、前記低周波ボンディング装置は、固定側支持板に固定され、ロータ軸を回転することによって低周波を生成する電動機と、前記ロータ軸の軸芯に嵌着させて前記ロータ軸芯を偏心させて周回運動を生成する偏心部品と、前記偏心部品の外周を内輪に挿着させて回転するラジアル玉ベアリングと、前記ラジアル玉ベアリングの外周を保持し、このラジアル玉ベアリングの外周の運動を伝達する移動側支持板と、前記固定側支持板と前記移動側支持板との間を掛け持って固定され、前記ラジアル玉ベアリングの前記周回運動をガイドするXYステージと、を備え、前記金属バンプの中心が円周を描くように周回運動させて低周波ボンディングすることを特徴とする。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の低周波ボンディング装置であって、前記XYステージは、クロスローラガイド方式からなることを特徴とする。請求項3に記載の発明は、請求項1に記載の低周波ボンディング装置であって、前記XYステージは、エアベアリング方式からなることを特徴とする。請求項4に記載の発明は、請求項1に記載の低周波ボンディング装置であって、前記金属バンプは、ワイヤボンディングのボール部であることを特徴とする。請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の低周波ボンディング装置であって、前記ワイヤボンディングのボール部は、Auであることを特徴とする。請求項6に記載の発明は、請求項1に記載の低周波ボンディング装置であって、前記金属バンプは、柱形状であることを特徴とする。請求項7に記載の発明は、請求項6に記載の低周波ボンディング装置であって、前記柱形状の金属バンプは、少なくとも先端部にAuメッキを施したCu柱形状のバンプであることを特徴とする。請求項8に記載の発明は、請求項1に記載の低周波ボンディング装置であって、前記周回運動を生成する低周波数は5~100Hz、振幅は2μm以上および前記金属バンプの直径の25以下のいずれか一方であることを特徴とする。請求項9に記載の発明は、請求項1に記載の低周波ボンディング装置であって、前記周回運動によって、前記電極端子と前記金属バンプとの間には金属間接合部が生成されることを特徴とする。請求項10に記載の発明は、請求項1に記載の低周波ボンディング装置であって、前記周回運動は、この周回運動の始動時から終動時にかけて前半は後半より低速および大きい振幅で回転し、後半は前半より高速および小さい振幅で回転することを特徴とする。請求項11に記載の発明は、請求項1に記載の低周波ボンディング装置であって、前記電子部品や電子基板のフォトマル、フリップチップ、および半導体モジュールに適用することを特徴とする。請求項12に記載の発明は、請求項1に記載の低周波ボンディング装置であって、前記XYステージは、前記ロータ軸および前記偏心部品を備えた前記ラジアル玉ベアリングを嵌着させる穴を前記XYステージに設けていることを特徴とする。請求項13に記載の発明は、請求項1に記載の低周波ボンディング装置であって、前記周回運動によって、前記電極端子と前記金属バンプとの間を前記低周波ボンディングする少なくとも接合部を、不活性ガスでパージすることを特徴とする。不活性ガスは窒素ガスを用いたが、これに限定するものではない。請求項14に記載の発明は、請求項1に記載の低周波ボンディング装置であって、前記金属バンプは、半田ボールであることを特徴とする。請求項1に係る発明によれば、金属バンプの中心が円周を描くことで金属バンプの接合面は周回運動を行って、接合面が互いに研磨されるため、多数の接合面に平坦性が無く段差が有ったとしても、段差が揃うところまで周回運動を行うのでコプラナリティが得られ、良好な接合ができる。この周回運動によって接触面を拡散させるため密着性が進み接触圧を下げても、小さな加圧力で接合が可能となる。例えば、10Hzの低周波を3秒間印加することで、30回の周回運動が起こり接合可能である。また、直線的に振動する場合は、折り返し点で停止して、そして、停止した段階で接合が進み、この後、再度反転して接合面を引き剥がすようにして直進運動するため、接合と剥離が交互に起こり、停止させるタイミングに問題があった。しかしながら、周回運動する場合は、折り返し点が無く、一旦、周回運動を開始すると、接合面のコンタミやパティクルを外に掻き出すと共に、接合面は大気に触れない領域を多く有して周回して研磨されながら接合するため、密着性とコプラナリティが向上する。また、これによって条件出しの時間が低減できる。また、市販のスパイラル状接触子であればそのバネ性によって接触面の粗さを吸収するが、スパイラル状接触子でなくとも容易にコプラナリティを得ることができるのでコスト低減できる。また、XYステージはクロスローラガイド方式でも滑らかで良好な周回運動が可能であるが、エアベアリング方式にすることでさらに軽量化ができる。また、周回運動は、この周回運動の始動時から終動時にかけて前半は後半より低速および大きい振幅で回転し、後半は前半より高速および小さい振幅で回転することで、さらに接合面の密着性が向上する。例えば、前半は周波数10Hz、振幅5μmで、後半は周波数20Hz、振幅2μmで周回運動をさせる。請求項2に係る発明によれば、XYステージはクロスローラガイド方式にすることで滑らかな運動を伝達するため良好な周回運動が可能である請求項3に係る発明によれば、XYステージはクロスローラガイド方式でも良好な周回運動が可能であるが、エアベアリング方式にすることでさらに軽量化ができる。請求項4に係る発明によれば、金属ワイヤを用いたキャピラリツール側に周回運動を行ったり、電子基板の電極端子側を周回運動させたりすることで、ワイヤボンディングのボール部で金属バンプを容易に生成することができる。請求項5に係る発明によれば、Auワイヤを用いたキャピラリツール側に周回運動を行ったり、電子基板の電極端子側を周回運動させたりすることで、Auワイヤを用いたワイヤボンディングのボール部で金属バンプを容易に生成することができる。請求項6に係る発明によれば、フリップチップICの電極端子として、沢山の柱形状の金属バンプを用いることによって、モジュール基板などに低周波ボンディングを一括で行うことができる。特に、このとき接合面を互いに研磨するため、多数の接合面に段差が有っても、段差が揃うところまで周回運動を行うことによってコプラナリティが得られ、良好な接合ができる。この周回運動によって接触面を拡散させるため密着性が進み接触圧を下げて、小さな加圧力で接合が可能となる。請求項7に係る発明によれば、フリップチップICの電極端子として、Cu材を素材とし、接合面にAuめっきを施した沢山の柱形状の金属バンプを用いることによって、モジュール基板などに低周波ボンディングを一括で行うことができる。特に、このとき接合面を互いに研磨するため、多数の接合面に段差が有っても、段差が揃うところまで周回運動を行うことによってコプラナリティが得られ、良好な接合ができる。この周回運動によって接触面を拡散させるため密着性が進み接触圧を下げて、小さな加圧力で接合が可能となる。請求項8に係る発明によれば、周回運動を生成する低周波数は5~100Hz、振幅は2μm以上および前記金属バンプの直径の25以下のいずれか一方とすることによって、接合面は大気に触れない領域を多く有して周回して、金属バンプの中心が円周を描き、金属バンプの接合面は周回運動を行って、接合面が互いに研磨され、密着性が進み接触圧を下げて、小さな加圧力で接合が可能となる。例えば、10Hzの低周波を3秒間印加することで、30回の周回運動が起こり接合可能である。また、周回運動することによって、接合面のコンタミやパティクルを外に掻き出し、研磨されながら接合するため、密着性とコプラナリティが向上する。請求項9に係る発明によれば、金属バンプの中心が円周を描くことで金属バンプの接合面は周回運動を行って、接合面が互いに研磨され、接触面を拡散させるため密着性が進み、金属間接合が生成される。請求項10に係る発明によれば、周回運動は、この周回運動の始動時から終動時にかけて前半は後半より低速および大きい振幅で回転し、後半は前半より高速および小さい振幅で回転することで、さらに接合面の密着性が向上する。例えば、前半は周波数10Hz、振幅5μmで、後半は周波数20Hz、振幅2μmで周回運動をさせる。請求項11に係る発明によれば、金属バンプの中心が円周を描くことで金属バンプの接合面は周回運動を行って、接合面が互いに研磨されるため、多数の接合面に段差が有っても、段差が揃うところまで周回運動を行うのでコプラナリティが得られ、キャピラリツールによっても良好な接合が生成され、フォトマル、フリップチップ、および半導体モジュールに適用することができる。請求項12に係る発明によれば、ロータ軸および偏心部品を備えたラジアル玉ベアリングを嵌着させる穴をXYステージに設けていることによって、XYステージのほぼ中心にモータのロータ軸があるため、XYステージのバランスが極めて良くなり、周回運動の精度が良く、綺麗な円周を描き、周回運動の始動時から終動時にかけての大きな振幅から小さな振幅まで滑らかに中心に向かって渦巻状の軌跡を形成することができる。請求項13に係る発明によれば、周回運動によって、電極端子と前記金属バンプとの間を低周波ボンディングする少なくとも接合部を、不活性ガスでパージして、周回運動中でも接合部に大気に触れる領域を無くし、接合面は大気に触れないため、密着性が進み接触圧を下げて、さらに小さな加圧力で接合が可能となり、周回運動することによって、接合面のコンタミやパティクルを外に掻き出し、研磨されながら接合するため、密着性とコプラナリティが向上する。請求項14に係る発明によれば、金属バンプを半田ボールとすることによって、この技術をより広く適用することができ、半田ボールの中心が円周を描くことで半田ボールと電極端子の接合面は周回運動によって、接合面が互いに研磨されるため、多数の接合面に段差が有っても、段差が揃うところまで周回運動を行うのでコプラナリティが得られ、良好な接合ができる。<第1の実施形態>以下、本発明の第1の実施形態を図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る低周波ボンディング装置を用いて、研磨動作によるコンタミ排除とコプラナリティの確保を説明する図であり、aは複数のCu柱形状の金属バンプが電極端子に対して平坦性が粗い様子を示し、bはaに示すP部の拡大断面図であり、イロハに示すように、金属バンプと電極端子とが接触するまでの様子が工程図で示されている。cはbに示すQ部の拡大図であり、コンタミ排除とコプラナリティの確保がなされ、電極端子と金属バンプとの良好な接合が行われている様子を示している。金属バンプの直径は、10μmから10mm以下としたが、これに限定したものではない。図1のaに示すように、フリップチップ1に設けられた複数のCu柱形状の金属バンプ1aがそれぞれの対向する電子基板2に設けられた電極端子2aに接続されようとしている。このとき金属バンプ1aと電極端子2aとは必ずしも平坦性が揃ってないこともあり、本図では互いの接触面が粗い様子を示している。そこでbに示すように、コプラナリティの揃っていないイの状態から、ロに示すように、金属バンプ側または電極端子2a側に周回運動をかけることによって、ハに示すように、金属バンプと電極端子とが接触して、コンタミ排除とコプラナリティの確保がなされ、電極端子と金属バンプとの良好な接合が行われている。この拡大図をcに示している。cに示すように、金属バンプ1aは、低周波数10Hzで振幅10μmの周回運動をしている。これによって、金属バンプ1aの中心が円周を描くことで金属バンプ1aまたは電極端子2aは周回運動を行って、金属バンプ1aの接合面1aaと電極端子2aの接合面2aaが互いに研磨されるため、多数の接合面に段差が有っても、段差が揃うところまで周回運動を行うようにすればコプラナリティが得られ、良好な接合ができる。この周回運動によって接触面を拡散させるため密着性が進み接触圧を下げて、小さな加圧力で接合が可能となる。例えば、10Hzの低周波を3秒間印加することで、30回の周回運動が起こり接合可能である。また、従来のように直線的に振動する場合は、折り返し点で停止して、そして、停止した段階で接合が進み、この後、再度反転して接合面を引き剥がすようにして直進運動するため、接合と剥離が交互に起こり、停止させるタイミングに問題があった。しかしながら、周回運動する場合は、折り返し点が無く、一旦、周回運動を開始すると、接合面のコンタミやパティクルを外に掻き出すと共に、接合面は大気に触れない領域を多く有して周回して研磨されながら接合するため、密着性とコプラナリティが向上する。また、これによって接合の条件出しの時間が低減できる。また、市販のスパイラル状接触子であればそのバネ性によって接触面の粗さを吸収するが、スパイラル状接触子でなくとも容易にコプラナリティを得ることができるのでコスト低減できる。また、XYステージはクロスローラガイド方式でも良好な周回運動が可能であるが、後記するように、エアベアリング方式にすることでさらに軽量化ができる。また、後記するように、周回運動は、この周回運動の始動時から終動時にかけて前半は後半より低速および大きい振幅で回転し、後半は前半より高速および小さい振幅で回転することで、さらに接合面の密着性が向上する。例えば、前半は周波数10Hz、振幅5μmで、後半は周波数20Hz、振幅2μmで周回運動をさせる。図2は、本発明の第1の実施形態に係る周回運動を説明する概略図であり、aは接合される金属バンプの周回運動の軌跡を示す平面図である。bはモータ電動機が低速でスタートし、次第に速度を上げて中速回転から高速回転へ移行する際の金属バンプの中心C点の軌跡を示している。cはbに示す低速、中速、高速への連続的な移行時の軌跡を示したものであり、高速域では振幅が最小となり、渦巻状に収束して停止する。この現象は、モータ3aのロータ軸3aa図3参照のクリアランスの範囲内でこのような挙動を示しており、振幅を実測して変化することが判明した。この変化が接合精度に重要な役割を果たしている。すなわち、回転体が低速域から高速域へ移行する段階で軸芯のブレが小さくなる現象と同じである。数ミクロンの世界での現象あるために初めてその効果を実験により見出すことができた。また、aに示すように、周回運動の中心Cからの領域図中空白部は、大気に触れない領域であり、接合部ではすり鉢状に低周波ボンディングされ、接合面1aa、2aaの密着が進み良好な接合ができる。中心付近に接合された金属バンプ1aとその周辺に2点鎖線で描かれた、周回運動する金属バンプ1aの軌跡が描かれている。金属バンプ1aの中心Cの軌跡は円形であり、後記する偏心部品を用いたモータ電動機3aの偏心回転によって生成される。中心Cの位置は適宜設定可能である。なお、モータ3aはサーボタイプを用いることによって、モータ停止制御後約0.2°の精度で停止するように制動できるため、高速領域から一挙に停止可能となる。その他、DCモータなど、その他のモータでも構わない。このように、ロータ軸3aのクリアランス自体~20μmはあるため、上述したように実際には振幅は低速時に大きく、高速時には小さく収束する。この周回運動を生成する低周波数は5~100Hz、振幅は2μm以上、および金属バンプ1aの直径の25以下としている。これによって、大気に触れずに接合する接合面積も広くすることができる。図3は、本発明の第1の実施形態に係る低周波ボンディング装置の概略図であり、aはCu柱形状の複数の金属バンプ1aを備えたフリップチップ半導体IC1を上側にし、フリップチップ1を電子基板2に接合する様子を示す正面断面図であり、電子基板はモジュール基板や電子部品などである。bはaに示すK部の拡大断面図であり、イロハは周回運動するCu柱形状の金属バンプ1aと電極端子2aの相対位置を示している。cはbに示すL部における接合面の周回運動を示す説明図であり、イロハニホに示すように、Cu柱形状の金属バンプが周回している。dはcに示す金属バンプの中心点Cの軌跡と周回する金属バンプの軌跡を示している。この場合、フリップチップ側が周回運動するようにしても構わない。周回運動機構を上下逆にすることで対応可能である。aに示すように、電子基板2の電極端子2aにCu柱形状の金属バンプ1aを低周波ボンディングする低周波ボンディング装置3は、固定側支持板3bに固定され、ロータ軸3aaを回転することによって低周波を生成する電動機3aと、ロータ軸3aaに嵌着させてロータ軸芯3abを偏心させて周回運動を生成する偏心部品3cと、偏心部品3cの外周3caを内輪3daに挿着させて回転するラジアル玉ベアリング3dと、ラジアル玉ベアリング3dの外周3dbを保持し、このラジアル玉ベアリング3dの外周3dbの運動を伝達する移動側支持板3eと、固定側支持板3bと移動側支持板3eとの間を掛け持って固定され、ラジアル玉ベアリング3dの周回運動をガイドする、Xステージ3fa、Yステージ3fbおよび仲介ステージ3fcなどから構成される既存のクロスローラガイド方式からなるXYステージ3fとを備え、金属バンプ1aの中心Cが円周を描くように周回運動させて低周波ボンディングを行う。フリップチップ1はクランプ部3gに固定されている。Cu柱形状の金属バンプ1aの先端部はAuめっきが施されている。なお、Auめっきは無くても構わないし、半田を介在させても構わない。また、図3のbのイに示すように、不活性ガスの噴出ノズル6を設けたり、接合部全体に囲み8を設けて、不活性ガス雰囲気にして、電極端子と金属バンプとの間を低周波ボンディングする少なくとも接合部を、窒素ガスなどの不活性ガスでパージすることによって、周回運動中でも接合部に大気に触れる領域を無くし、接合面は大気に触れないため、密着性が進み接触圧を下げて、さらに小さな加圧力で接合が可能となり、周回運動することによって、接合面のコンタミやパティクルを外に掻き出し、研磨されながら接合するため、密着性とコプラナリティが向上する。不活性ガスは窒素ガスを用いたが、これに限定するものではない。図4は、本発明の第1の実施形態に係る低周波ボンディング装置の偏心部品3cとラジアル玉ベアリング3dの概略図であり、aは偏心部品3cとラジアル玉ベアリング3dの正面断面図、bは偏心部品3cとラジアル玉ベアリング3dの平面図、cは偏心部品3cの斜視図、dはcに示すR-R線断面図である。abに示すように、ラジアル玉ベアリング3dの内輪3daには偏心部品3cが嵌着されている。cdに示すように、ロータ軸挿着穴3cbの中心軸3cbaがロータ軸芯3abであり、このロータ軸芯3abと、偏心部品3cの中心軸3ccとの差が偏心量σである。これによって、ロータ軸3aaの回転を偏心量σだけ偏心させて、ラジアル玉ベアリング3dを回転させることができる。<第2の実施形態>以下、本発明の第2の実施形態を図面を参照しながら詳細に説明する。第2の実施形態が第1の実施形態と異なる点は、第1の実施形態ではクロスローラガイド方式のXYステージ3fを適用しているが、第2の実施形態ではエアベアリング方式のXYステージ13fを適用した点である。第1の実施形態と同様の構成については同符号を付し、その説明を省略する。図5は、本発明の第2の実施形態に係る低周波ボンディング装置の概略図であり、Cu柱形状の金属バンプ1aを備えたフリップチップ1を上側にし、軽量化のためにエアベアリング方式のXYステージ13を用いた例である。aは複数のCu柱形状の金属バンプ1aを備えたフリップチップ1をモジュール基板電子基板2の電極端子2aに接合する様子を示す正面断面図、bはaに示すM部の拡大断面図であり、イロハは周回運動するCu柱形状の金属バンプ1aと電極端子2aの相対位置を示している。cはbに示すN部における接合面の周回運動を示す説明図であり、イロハニホに示すように、Cu柱形状の金属バンプ1aが周回している。dはcに示す金属バンプ1aの中心点Cの軌跡と周回する金属バンプ1aの軌跡を示している。図5のaに示すように、Xステージ13fa、Yステージ13fbおよび仲介ステージ13fcを備えたXYステージ13fは、仲介ステージ13fcに設けられた噴出孔13fcaからエアを噴出して、XYにクロスしたXステージ13faおよびYステージ13fbを互いに摺動させるようにした既存のエアベアリング方式を備えたものである。これによって、さらに軽量化が可能であり、滑らかで良好な周回運動が可能である。他の構成は第1の実施形態の構成と同様であり、説明を省略する。<第3の実施形態>以下、本発明の第3の実施形態を図面を参照しながら詳細に説明する。第3の実施形態が第1の実施形態と異なる点は、第1の実施形態では、Cu柱形状の金属バンプ1aを備えたフリップチップ1が上側に設けられているが、第3の実施形態では下側に取り付けられている点である。したがって、モジュール基板22が上側に設けられている。第1の実施形態と同様の構成については同符号を付し、その説明を省略する。図6は、本発明の第3の実施形態に係る低周波ボンディング装置23の概略図であり、Cu柱バンプを備えたフリップチップ1を下側にした変形例である。aは複数のCu柱形状の金属バンプ1aを備えたフリップチップ1をモジュール基板22の電極端子22aに接合する様子を示す正面断面図、bはaに示すH部の拡大断面図であり、イロハは周回運動するCu柱形状の金属バンプ1aと電極端子22aの相対位置を示している。cはbに示すJ部における接合面の周回運動を示す説明図であり、イロハニホに示すように、Cu柱形状の金属バンプ1aが周回している。dはcに示す金属バンプ1aの中心点Cの軌跡と周回する金属バンプ1aの軌跡を示している。<第4の実施形態>以下、本発明の第4の実施形態を図面を参照しながら詳細に説明する。第4の実施形態が第1の実施形態と異なる点は、複数の柱形状の金属バンプ1aを備えたフリップチップ1を電子基板2に接続しているが、第4の実施形態では、キャピラリツール33jを用いて、Auワイヤ33kにボール33kaを形成してそれを金属バンプとした点である。図7は、本発明の第4の実施形態を説明するための常温低周波ボンディング装置の原理を示す概略図であり、aはキャピラリツール33jにAuワイヤ33kを挿通してボールAuボール33kaを形成してボンディングを行う工程を示す工程図、bはaに示すA部拡大図、cはaに示すB部拡大図である。aに示すように、レーザなどのトーチ図略によってAuボール33kaを形成し、ランドなどの電極端子32aにAuボール33kaを加圧接触させてキャピラリツール33jを周回運動による振動によって、電極端子32aとAuボール33kaとの間の接触面に接合が生成する。bに示すように、周回運動の中心からの広い領域は大気に触れない領域であり、接合面の密着が進み良好な接合ができる。cに示すように、キャピラリツール33jを引き上げることによって、接合したAuボール33kaを応力が集中する括れ部で引きちぎられて、金属バンプ31aが形成される。この場合の金属バンプ31aはAuバンプであるが、Alバンプ、Cuバンプなどでも形成する。直径10mm程度までの金属バンプを形成可能である。周回運動はキャピラリツール33j側でも電極端子32aのステージ34図10参照側でも、両方でも構わない。これは常温低周波だからできる接合であり、共振点を用いる高周波超音波では接合することはできない。これによれば、Auワイヤ33kの金属ワイヤを用いたキャピラリツール33j側に周回運動を行ったり、電子基板32の電極端子32a側を周回運動させたりすることで、ワイヤボンディングのボール部で金属バンプを容易に生成することができる。図8は、本発明の第4の実施形態に係る周回運動を説明する概略図であり、aは図7のbに示す拡大正面断面図であり、bは接合される金属バンプの周回運動による軌跡を示す平面図である。aに示すように、周回運動の中心からの広い領域は大気に触れない領域であり、接合面の密着が進み良好な接合ができる。bに示すように、中心付近に接合された金属バンプ31aとその周辺に2点鎖線で描かれた、周回運動する金属バンプ31aの軌跡が描かれている。金属バンプ31aの中心Cの軌跡は円形であり、後記する偏心部品3cを用いたモータ電動機3aの回転によって生成される。中心Cの位置は適宜設定可能である。図9は、本発明の第4の実施形態に係る金属バンプ31aが連続した板材7に形成される様子を示す工程図であり、aは第1電極端子32aaに接合されたAuボール33kaを示し、bはキャピラリツール33jを引き上げることによって、接合したAuボール33kaが引きちぎられて形成された金属バンプ31aを示し、cは連続する次の第2電極端子32abに移動したAuボール33kaを備えたキャピラリツール33jを示し、連続的に金属バンプ31aが形成され、dは金属バンプ31aが形成されて行く様子を斜め上方から見た斜視図である。板材7にはBeCuやリン青銅の半導体基板を用いた例で示しており、半導体基板の島状のアイランドに金属バンプ31aを接合している。図10は、本発明の第4の実施形態に係る低周波ボンディング装置の概略図であり、aは上側に周回運動機構を備えた例であり、キャピラリツール33jを備えたXYステージ3fをモータ33aで周回運動を行う機構を示す正面断面図、bは上下両側に周回運動機構を備えた低周波ボンディング装置43の概略図である。aに示すように、電子基板32の電極端子32aに金属バンプ31aを低周波ボンディングする低周波ボンディング装置33は、固定側支持板33bに固定され、ロータ軸3aaを回転することによって低周波を生成する電動機3aと、ロータ軸3aaを嵌着させてロータ軸芯3abを偏心させて周回運動を生成する偏心部品3cと、この偏心部品3cの外周3caを内輪3daに挿着させて回転するラジアル玉ベアリング3dと、このラジアル玉ベアリング3dの外周3dbを保持し、このラジアル玉ベアリング3dの外周3dbの運動を伝達する移動側支持板33e ́と、固定側支持板33bと移動側支持板33e ́との間を掛け持って固定され、ラジアル玉ベアリング3dの周回運動をガイドするクロスローラガイド方式からなるXYステージ3fとを備え、金属バンプ31aの中心が円周を描くように周回運動させて低周波ボンディングする。この場合、キャピラリツール33jが周回運動するように示しているが、電子基板32側が周回運動しても構わない。bに示すように、上下両側に周回運動機構を備えており、さらに複雑な軌跡を描くことができると思われるが、今後の課題である。第1の実施形態と同様の構成については同符号を付し、その説明を省略する。<第5の実施形態>以下、本発明の第5の実施形態を図面を参照しながら詳細に説明する。第5の実施形態が第1および第3の実施形態と異なる点は、第3の実施形態では、柱形状の金属バンプ1aを備えたフリップチップ1を適用したが、第5の実施形態では半田ボール11aを備えたフリップチップ11に適用した点である。図11は、本発明の第5の実施形態に係る低周波ボンディング装置の概略図であり、フリップチップ11を下側にした例である。aは複数の半田ボール形状の金属バンプ11aを備えたフリップチップ11をモジュール基板22の電極端子22aに接合する様子を示す正面断面図、bはaに示すD部の拡大断面図であり、イロハは周回運動する半田ボール11aと電極端子22aの相対位置を示している。cはbに示すE部における接合面の周回運動を示す説明図であり、イロハニホに示すように、金属バンプ11aとしての半田ボールが周回している。dはcに示す金属バンプ11aの中心点Cの軌跡と周回する金属バンプ11aの軌跡を示している。第1、第3の実施形態と同様の構成については同符号を付し、その説明を省略する。<第6の実施形態>以下、本発明の第6の実施形態を図面を参照しながら詳細に説明する。第6の実施形態が第5の実施形態と異なる点は、第5の実施形態では、半田ボール11aを備えたフリップチップ11を下側に設けたが、第6の実施形態では、半田ボール11aを備えたフリップチップ11を上側に設けた点である。図12は、本発明の第6の実施形態に係る低周波ボンディング装置の概略図であり、フリップチップ11を上側にした変形例である。aは複数の半田ボール形状の金属バンプ11aを備えたフリップチップ11を電子基板2に接合する様子を示す正面断面図、bはaに示すF部の拡大断面図であり、イロハは周回運動する半田ボール11aと電極端子2aの相対位置を示している。cはbに示すG部における接合面の周回運動を示す説明図であり、イロハニホのように、金属バンプ11aとしての半田ボールが周回している。dはcに示す金属バンプ11aの中心点Cの軌跡と周回する金属バンプ11aの軌跡を示している。これによれば、金属バンプを半田ボールとすることによって、この技術をより広く適用することができ、半田ボールの中心が円周を描くことで半田ボールと電極端子の接合面は周回運動によって、接合面が互いに研磨されるため、多数の接合面に段差が有っても、段差が揃うところまで周回運動を行うのでコプラナリティが得られ、良好な接合ができる。なお、第5の実施形態と同様の構成については同符号を付し、その説明を省略する。<第7の実施形態>以下、本発明の第7の実施形態を図面を参照しながら詳細に説明する。第7の実施形態が第3の実施形態と異なる点は、第3の実施形態では、XYステージ3fのサイドにモータ3aを設けたが、第7の実施形態では、XYステージ3fのセンターにモータ3aのロータ軸3aを設けた点である。図13は、本発明の第7の実施形態に係る低周波ボンディング装置の概略図であり、XYステージの中心に偏心軸を設け、フリップチップICを下側にした変形例である。aは複数のCu柱形状の金属バンプ1aを備えたフリップチップ1をモジュール基板22に接合する様子を示す正面断面図、bはaに示すR部の拡大断面図であり、イロハは周回運動する金属バンプ1aと電極端子22aの相対位置を示している。cはbに示すS部における接合面の周回運動を示す説明図であり、イロハニホのように、金属バンプ1aが周回している。dはcに示す金属バンプ1aの中心点Cの軌跡と周回する金属バンプ1aの軌跡を示している。これによれば、ロータ軸3aaおよび偏心部品3cを備えたラジアル玉ベアリング3dを嵌着させる穴13fd、13feをXYステージ13fに設けることによって、XYステージ13fのほぼ中心にモータ3aのロータ軸3aaがあるため、XYステージ13fのバランスが極めて良くなり、周回運動の精度が良く、綺麗な円周を描き、周回運動の始動時から終動時にかけての大きな振幅から小さな振幅まで滑らかに中心に向かって渦巻状の軌跡を形成することができる。また、XYステージはZ軸方向にも数ミクロンぶれるが、常に押圧しているため、接合面は互いに追随して研磨され、多数の接合面に段差が有っても、段差が揃うところまで周回運動を行うのでコプラナリティが得られ、良好な接合ができる。これは金属バンプの種類を問わず、同じような効果を奏する。以上、好ましい実施の形態を説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱することの無い範囲内において適宜変更が可能なものである。例えば、周回運動の機構は、上下いずれに配置しても構わないし、上下両側に設けても構わない。また、本実施形態ではXYステージにローラを用いて説明したが、ボールを用いても構わない。