半導体ウェーハ用のサセプタを収納したバレル型の反応室と、該反応室に供給した気相成長ガスを排出し、かつ上流側配管部と、下流側配管部と、これらをフレキシブルに連通するための蛇腹配管とを有するガス排気管とを備えたバレル型気相成長装置において、前記蛇腹配管の内部に、該蛇腹配管の内径より外径が小さいスリーブを、該スリーブの上流側の開口部のみを前記上流側配管部の下流側の開口部に固定した片持ち状態で挿入しているバレル型気相成長装置。前記スリーブの内周面の全部を、前記上流側配管部の内周面と面一状態とした請求項1に記載のバレル型気相成長装置。しかしながら、特許文献1では、このようにガス排気管と反応室との接続部分の外周部分のみを、ロート形状のバッフルによって被う構造を採用していた。そのため、ガス配管の中心部分を流れるガスは、バッフルの排気口を直接通過してしまい、反応室へのパーティクルの逆流を十分に抑えることができなかった。そこで、発明者は鋭意研究の結果、反応性生物の剥離によるパーティクルの発生は、上流側配管部と下流側配管部とを連通する蛇腹配管部分で特に多いことを確認した。これは、蛇腹配管は振動などでフレキシブルに変形することから、内周面に付着した生成物が剥がれ易くなるためと考えられる。従って、蛇腹配管の内周面に反応生成物が直接付着しないように、蛇腹配管に比べて小径なスリーブを蛇腹配管の通路に片持ち状態で取り付ければ、反応ガスの排気中、反応生成物が生成するのは、スリーブの内周面が大半となる。これにより、仮に装置振動などで蛇腹配管が伸縮しても、蛇腹配管から剥がれるパーティクルは少量となり、その結果、反応室へのパーティクルの導入量を従来装置の場合に比べて抑えられることを知見し、この発明を完成させた。この発明は、蛇腹配管の内周面から剥がれた反応生成物を原因とするパーティクルの発生量を低減することができ、その結果、排気経路から反応室へのパーティクルの導入量を抑制することができるバレル型気相成長装置を提供することを目的としている。請求項1に記載の発明は、半導体ウェーハ用のサセプタを収納したバレル型の反応室と、該反応室に供給した気相成長ガスを排出し、かつ上流側配管部と、下流側配管部と、これらをフレキシブルに連通するための蛇腹配管とを有するガス排気管とを備えたバレル型気相成長装置において、前記蛇腹配管の内部に、該蛇腹配管の内径より外径が小さいスリーブを、該スリーブの上流側の開口部のみを前記上流側配管部の下流側の開口部に固定した片持ち状態で挿入しているバレル型気相成長装置である。また、請求項2に記載の発明は、前記スリーブの内周面の全部を、前記上流側配管部の内周面と面一状態とした請求項1に記載のバレル型気相成長装置である。請求項1に記載の発明によれば、蛇腹配管の内径より外径が小さいスリーブを、蛇腹配管の内部管路に、一端部を上流側配管部のみに固定した片持ち状態で挿入したので、反応室から排出された気相成長ガスの通過中、蛇腹配管の領域で反応生成物が付着するのは、大半がガス排気管のスリーブの内周面となり、従来装置のように蛇腹配管の内周面とはならない。そのため、仮に装置振動などで蛇腹配管が変形した場合であっても、蛇腹配管から剥離するパーティクルの量は少ない。これにより、反応室へのパーティクルの導入量が従来装置の場合より低減し、半導体ウェーハに付着するパーティクル量を少なくすることができる。特に、請求項2に記載の発明によれば、スリーブの内周面の全部を、上流側配管部の内周面と段差がない面一状態としたため、スリーブの内周面の全域に、均一厚さで反応生成物を生成することができる。その結果、例えばスリーブの上流側配管部側に拡径部を有する場合に比べて、スリーブの内周面から剥離する反応生成物のパーティクル量を低減することができる。この発明は、半導体ウェーハ用のサセプタを収納したバレル型の反応室と、反応室に供給した気相成長ガスを排出し、かつ上流側配管部と、下流側配管部と、これらをフレキシブルに連通するための蛇腹配管とを有するガス排気管とを備えたバレル型気相成長装置において、蛇腹配管の内部に、蛇腹配管の内径より外径が小さいスリーブを、スリーブの上流側の開口部のみを上流側配管部の下流側の開口部に固定した片持ち状態で挿入しているバレル型気相成長装置である。この発明によれば、蛇腹配管より小径なスリーブを、上流側配管部の下流側の開口部に片持ち状態で蛇腹配管に挿入したので、反応室から排出された気相成長ガスが蛇腹配管を通過する際、気相成長ガスは蛇腹配管の内周面にほとんど接触せず、スリーブの内周面と接触して、反応生成物が膜状に生成する。その結果、仮に装置振動などを原因として蛇腹配管が変形伸縮しても、剛体であるスリーブは変形しないため、蛇腹配管の領域で反応生成物の剥がれを原因として発生するパーティクルの量は、従来の場合より減少する。これにより、ガス排気管からの反応室へのパーティクルの導入侵入量が従来装置に比べて低減し、半導体ウェーハに付着するパーティクル量を減少させることができる。半導体ウェーハとしては、例えば単結晶シリコンウェーハ、多結晶シリコンウェーハなどを採用することができる。サセプタの形状としては、例えば四角錐台、五角錐台、六角錐台などを採用することができる。サセプタの各側面には、半導体ウェーハを納めるザグリが形成されている。バレル型の反応室としては、例えば石英からなるペルジャを採用することができる。気相成長ガスとは、例えば、水素ガスなどのキャリアガスと、シリコンなどのエピタキシャル膜気相成長膜を成長させる反応ガスとの混合ガスである。反応ガスとしては、例えばエピタキシャル膜がシリコンの場合には、SiH4ガス、SiH2Cl2ガス、SiCl4ガス、SiHCl3ガスなどを採用することができる。また、気相成長ガス中には、所定のドーパントガスPH3ガス、B2H6ガスなどを混入してもよい。上流側配管部および下流側配管部は、それぞれ複数の部分配管部上流側部分配管、下流側部分配管に分割することができる。その場合、各部分配管部間にこの蛇腹配管を配置してもよい。上流側配管部と蛇腹配管との連結連通形態および蛇腹配管と下流側配管との連結形態としては、例えば、フランジ同士の連結を採用することができる。蛇腹配管も含め各配管は、剛性および耐酸性に優れるステンレスなどで構成することが望ましく、蛇腹配管はフレキシブルな可動が行えるようにその厚みが薄く構成されている。スリーブの素材としては、例えばステンレス、インコネル、ハステロイなどを採用することができる。スリーブの外径は、蛇腹配管を最も短縮した際の内径より小さい方が望ましい。また、スリーブの長さは、例えば上流側配管部と下流側配管部との連通状態における蛇腹配管の長さと同一か、それより若干長い方が好ましい。これは、スリーブの下流側の開口排気口から蛇腹配管の内周面へ回り込む気相成長ガスの流量をさらに低減し、蛇腹配管の内周面への反応生成物の付着量をより少なくできるためである。この発明では、スリーブの内周面の全部を、上流側配管部の内周面と面一状態とした方が望ましい。ここでいう面一状態とは、スリーブの全長にわたってスリーブの内径が上流側配管部の内径少なくとも上流側配管部の蛇腹配管側の開口部の内径と同一で、段差がない状態を意味する。これにより、スリーブの内周面の全域に、均一厚さで反応生成物を生成することができる。その結果、例えばスリーブの上流側配管部側に拡径部を有する場合に比べて、スリーブの内周面から剥離する反応生成物のパーティクル量を低減することができる。また、スリーブの内周面の平滑度は高い方が望ましい。これは、仮にスリーブの内周面に突起などが存在すれば、その突起部分での反応生成物の生成量が増加し、これに伴い、その部分での反応生成物のパーティクル量も増加するためである。金属スリーブの場合には、内周面に突条部分が形成されないように、円柱体を中グリ加工してスリーブを製造するなど、各種のシームレス法により製造したものの方がよい。もちろん、鍛接法、電縫法、アーク溶接法など、内周面に突条部分が発生する方法により製造されたものでもよい。次に、図面を参照して、この発明の実施例を説明する。図1において、10はこの発明の実施例1に係るバレル型気相成長装置である。バレル型気相成長装置10は、シリコンウェーハ半導体ウェーハWの表面にシリコンエピタキシャル膜を気相成長するベルジャ11の反応室12と、反応室12に配置され、シリコンウェーハWを保持するサセプタ13と、ベルジャ11の上端部に設けられて反応室12に気相成長ガスを導入するガス導入管14と、ベルジャ11の周囲に設けられて反応室12を加熱する多数のハロゲンランプ15と、ベルジャ11の下端部に設けられて反応室12内の気相成長ガスを排気するガス排気管16とを備えている。ベルジャ11は、石英からなり、かつ円筒形状の胴部の下端部が徐々に先細りとなったシリンダで、その上端部の開口が蓋体17により閉蓋されている。ガス導入管14は、蓋体17の外周部の一部に形成され、蓋体17の下部の内周面と外周面とを連通するガス導入口17aに装着されている。また、ベルジャ11の胴部の外周の全域には、前記多数のハロゲンランプ15が配設されている。サセプタ13は、反応室12の内部空間に、回転軸18を中心にして回転自在に吊下されている。サセプタ13は六角錐台型の筒体で、6つの周側面には上下2段合計12箇所にザグリ19がそれぞれ形成されている。各ザグリ19は、シリコンウェーハWを載置する正面視して円形の浅い凹部である。ガス排気管16は、ベルジャ11の下端部の排気口にフランジ20aを介して連通された上流側配管部20と、真空発生装置の吸気部に下流側の開口部が連通され、かつ途中部分に水冷式排気ライン、熱交換器などが連通された下流側配管部21と、これらの上下流側配管部20、21をフレキシブルに連通する蛇腹配管22と、蛇腹配管22の内部に収納されるスリーブ23とを有している図2および図4。蛇腹配管22は、ステンレスからなる伸縮自在なチューブで、その両端の開口部にフランジ22aを形成している。したがって、上下流側配管部20、21と蛇腹配管22とは、互いのフランジを介して連結される。スリーブ23は、ステンレスからなる円柱体に中グリ加工などを行って作製したもので図1および図2、スリーブ23の外径は、通常時の使用状態における蛇腹配管22の内径より短い図2および図4。また、スリーブ23の上流側の開口部には、段差状に大径化した拡径部23aが、スリーブ23と同一素材で一体形成されている。拡径部23aの厚さは、スリーブ23の通常部分の厚さと同一である。この拡径部23aに対応して、上流側配管部20の下流側のフランジ20aの内周部分と、蛇腹配管22の上流側のフランジ22aの内周部分とには、拡径部23aを協働して納めることで、上流側配管部20の内周面と拡径部23aの内周面とを段差のない面一状態とする一対の環状溝20b、22bが形成されている。拡径部23aの外周面には、両フランジ20a、22aに比べて突出幅が短い短幅フランジ26が、スリーブ23と同一素材で一体的に形成されている。短幅フランジ26の外周面には、Oリング25を掛止する環状のシール溝26aが周設されている。Oリング25の太さ直径は、両フランジ20a、22a間の隙間を密封するため、短幅フランジ26の厚さより長い大きい。上流側配管部20および蛇腹配管22は、図示しないものの、互いのフランジ20a、22a間にOリング25を介在した状態で、所定形状のクランパによる挟持力で堅固に連結されている。このスリーブ23の上流側の開口部の内周面には、拡径部23aの形成による段差部分aが存在する。そのため、上流側配管部20を通過した気相成長ガスの一部がこの段差部分aに衝突し、この部分での反応生成物の生成量が、通常の部分に比べて増加し易い。そこで、これを解消するため、短幅フランジ26の下流側面の元部のみに、拡径部23aと同一高さの環状の部分段差部26bをスリーブ23と同一素材で一体形成し、この部分段差部26bに、蛇腹配管22の上流側のフランジ22aの環状溝22bを嵌め込むように構成してもよい図3。これにより、上流側配管部20の内周面とスリーブ23の内周面の全部とが段差のない面一状態となり、スリーブ23の内周面の全域に、均一厚さで反応生成物を生成することができる。その結果、前記拡径部23aを有する場合に比べて、スリーブ23の内周面から剥離する反応生成物のパーティクル量を低減することができる。次に、図1、図2、図4および図5を参照して、この発明の実施例1に係るバレル型気相成長装置10を用いたエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法を説明する。まず、蓋体17を外してベルジャ11の上側の開口部から、サセプタ13の各ザグリ19に合計12枚のシリコンウェーハWを、各ウェーハ表面が外向きになるように立てかけて収納する。次に、蓋体17によりベルジャ11の上側の開口部を密閉し、真空発生装置により反応室12を80Torrの減圧状態とする。この状態で、反応室12において、窒素ガスによる空気の置換を行い、その後、水素ガスを導入して窒素ガスの置換を行う。次に、各ハロゲンランプ15に通電し、シリコンウェーハWを1080°Cまで加熱するとともに、回転軸18を中心にしてサセプタ13を所定方向へ所定速度で回転させながら、ガス導入管14から反応室12にトリクロロシラン反応ガスを供給し、シリコンウェーハWの表面に厚さ2~10μmのシリコンエピタキシャル膜を気相成長する。その後、未反応の気相成長ガスは、ベルジャ11の下側の開口部から上流側配管部20へ流れ込み、蛇腹配管22に収納されたスリーブ23と下流側配管部21とを順次通過して、最終的にはガス中の有害物質が除去されて大気解放される。ところで、気相成長中、ガス排気管16では、その内周面にトリクロロシランが接触し、ガス排気管16の全長にわたって、シリコンの反応生成物が生成する。特に、蛇腹配管22の領域では、蛇腹配管22の内周面の略全域をスリーブ23が管内方から被っているため、スリーブ23の内周面に反応生成物が膜状に生成する。このとき、実施例1では、80Torrの減圧状態で気相成長されていることから、炉内圧力は変動し易く、その変動に伴い、ガス排気管16の蛇腹配管22がフレキシブルに変形伸縮する図5。しかしながら、内周面に反応生成物が生成したスリーブ23は、上述したように蛇腹配管22の内径より外径が小さいステンレスからなる剛体であって、上流側配管部20の下流側の開口部に片持ちされている。そのため、蛇腹配管22が変形しても、スリーブ23の内周面の反応生成物は、ほとんど剥がれ落ちない。その結果、蛇腹配管22の領域での反応生成物の剥がれを原因としたパーティクルの発生量は、従来の場合より減少する。よって、ガス排気管16から反応室12へのパーティクルの導入量逆流量は従来装置に比べて低減し、その結果、気相成長後のパーティクル検査時、パーティクルカウンタによりカウントされるウェーハ表面上のパーティクル数を減らすことができる。