"半極性面を有する六方晶系III族窒化物半導体基板上に、半導体レーザ素子の発光層を含むエピタキシャル層が設けられた生産基板を用意するステップと、前記生産基板の表面において、前記半導体レーザ素子の共振器端面側のスクライブライン上でかつ前記半導体レーザ素子の少なくとも一つの角部を含む一部の領域に、該スクライブラインに沿って延在しかつ該延在した方向から見た断面形状がV字状である割断ガイド溝を形成するステップと、前記割断ガイド溝が形成された前記生産基板を、前記スクライブラインに沿って割断するステップとを含む半導体レーザ素子の製造方法。前記六方晶系III族窒化物半導体基板が、c軸をm軸に向かって60度~90度の範囲の角度で傾けた軸の方向を法線方向とする半極性面を有する半導体基板である請求項1に記載の半導体レーザ素子の製造方法。前記六方晶系III族窒化物半導体基板が、c軸をm軸に向かって75度傾けた軸の方向を法線方向とする半極性面を有する半導体基板である請求項2に記載の半導体レーザ素子の製造方法。前記割断ガイド溝を画成しかつ前記割断ガイド溝の延在方向に沿う方向に形成された2つの側壁面のうち、一方の側壁面にc面が露出している前記割断ガイド溝を形成する請求項2に記載の半導体レーザ素子の製造方法。前記割断ガイド溝を画成する一方の側壁面の溝幅方向の幅と、他方の側壁面の溝幅方向の幅との比率が1:1の比率からオフセットした割断ガイド溝を形成する請求項4に記載の半導体レーザ素子の製造方法。前記生産基板の表面から見た、前記割断ガイド溝の前記延在方向の先端部の形状がV字状であり、該先端部を画成する2つの先端側壁面のうち、前記一方の側壁面に連続して形成された先端側壁面の溝幅方向の幅と、前記他方の側壁面に連続して形成された先端側壁面の溝幅方向の幅との比率が1:1の比率からオフセットした割断ガイド溝を形成する請求項5に記載の半導体レーザ素子の製造方法。a軸方向に延在した前記割断ガイド溝を形成する請求項2に記載の半導体レーザ素子の製造方法。前記割断ガイド溝を、ドライエッチング法で形成する請求項1に記載の半導体レーザ素子の製造方法。六方晶系III族窒化物半導体で形成され、かつ、半極性面を有する半導体基体と、レーザ光の光導波路を形成する発光層を含み、前記半導体基体に形成されたエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層上に形成された電極と、前記半導体基体及び前記エピタキシャル層を含むレーザ構造体の前記レーザ光の伝搬方向と直交する共振器端面の前記エピタキシャル層側の少なくとも一つの角部を含む一部の領域に形成され、かつ、該レーザ構造体の前記エピタキシャル層側の表面に対して傾斜した傾斜面部とを備える半導体レーザ素子。半極性面を有する六方晶系III族窒化物半導体基板上に、半導体レーザ素子の発光層を含むエピタキシャル層が設けられた生産基板を用意するステップと、前記生産基板の表面において、前記半導体レーザ素子の共振器端面側のスクライブライン上でかつ前記半導体レーザ素子の少なくとも一つの角部を含む一部の領域に、該スクライブラインに沿って延在しかつ該延在した方向から見た断面形状がV字状である割断ガイド溝を形成するステップと、前記割断ガイド溝が形成された前記生産基板を、前記スクライブラインに沿って割断するステップと、を含む半導体レーザ素子の製造方法により製造された半導体レーザ素子。上述のように、従来、半極性面を有する半導体基板を用いた半導体レーザ素子の製造方法が種々提案されている。しかしながら、この技術分野では、レーザ光の伝搬方向と共振器端面との直交性、及び、該共振器端面の平坦性をさらに向上させ、優れたレーザ特性を有する半導体レーザ素子を作製するための技術の開発が望まれている。本開示は、上記要望に応えるためになされたものである。そして、本開示の目的は、半極性面を有する半導体基板を用いた半導体レーザ素子において、上述した共振器端面の直交性及び平坦性をさらに向上させることのできる半導体レーザ素子の製造方法、及び、半導体レーザ素子を提供することである。上記課題を解決するために、本開示の半導体レーザ素子の製造方法は、次の手順で行う。まず、半極性面を有する六方晶系III族窒化物半導体基板上に、半導体レーザ素子の発光層を含むエピタキシャル層が設けられた生産基板を用意する。次いで、生産基板の表面に割断ガイド溝を形成する。この際、半導体レーザ素子の共振器端面側のスクライブライン上でかつ半導体レーザ素子の少なくとも一つの角部を含む一部の領域に、該スクライブラインに沿って延在しかつ該延在した方向から見た断面形状がV字状である割断ガイド溝を形成する。そして、割断ガイド溝が形成された生産基板を、スクライブラインに沿って割断する。なお、ここでいう断面形状がV字状である割断ガイド溝は、割断ガイド溝の底部の形状が鋭角な形状を有する割断ガイド溝であり、断面形状が完全なV字形状の割断ガイド溝だけでなく、断面形状が略V字形状の割断ガイド溝も含む意味である。また、本開示の半導体レーザ素子は、半導体基体と、エピタキシャル層と、電極と、傾斜面部とを備える構成とし、各部の構成を次のようにする。半導体基体は、六方晶系III族窒化物半導体で形成され、かつ、半極性面を有する。エピタキシャル層は、レーザ光の光導波路を形成する発光層を含み、前記半導体基体に形成される。電極は、エピタキシャル層上に形成される。そして、傾斜面部は、半導体基体及びエピタキシャル層を含むレーザ構造体のレーザ光の伝搬方向と直交する共振器端面のエピタキシャル層側の少なくとも一つの角部を含む一部の領域に形成され、かつ、レーザ構造体のエピタキシャル層側の表面に対して傾斜する。さらに、本開示の半導体レーザ素子は、本開示の上記半導体レーザ素子の製造方法で製造された半導体レーザ素子である。上述のように、本開示の半導体レーザ素子の製造手法では、断面形状がV字状である割断ガイド溝を用いて半導体レーザ素子の生産基板を割断することにより、共振器端面を形成する。この手法を用いれば、レーザ光の伝搬方向と共振器端面との直交性、及び、該共振器端面の平坦性を向上させることができる。それゆえ、本開示によれば、半極性面を有する半導体基板半極性基板を用いた半導体レーザ素子において、そのレーザ特性をさらに向上させることができる。以下に、本開示の一実施形態に係る半導体レーザ素子及びその製造方法の一例を、図面を参照しながら下記の順で説明する。ただし、本開示は下記の例に限定されない。1.半導体レーザ素子の構成2.半導体レーザ素子の製造手法3.割断ガイド溝の構成4.実施例<1.半導体レーザ素子の構成>[半導体レーザ素子の全体構成]図1に、本開示の一実施形態に係る半導体レーザ素子の概略外観図を示す。なお、図1に示す例では、リッジ型屈折率導波型の半導体レーザ素子100を示すが、本開示はこれに限定されない。例えば、利得ガイド型の半導体レーザ素子に対しても、以下に説明する本開示の技術を適用することができる。半導体レーザ素子100は、半導体基体1と、エピタキシャル層2と、絶縁層3と、第1電極4電極と、第2電極5とを備える。本実施形態の半導体レーザ素子100では、半導体基体1の一方の面1a図1では上面は半極性面であり、該半極性面1a上に、エピタキシャル層2、絶縁層3及び第1電極4がこの順で形成される。また、半導体基体1の半極性面1aとは反対側の面1b図1では下面:以下、裏面1bという上には、第2電極5が形成される。なお、半導体基体1の半極性面1aとして、{2,0,-2,1}面付近の半極性面を用いた場合には、例えば、波長が500nm付近の緑色の光を発振させることができる。また、半導体レーザ素子100は、図1に示すように、略直方体状の形状を有し、半導体レーザ素子100の第1電極4側の表面には、所定方向図1中のY方向に延在したリッジ構造のストライプ部101が形成される。ストライプ部101は、半導体レーザ素子100の後述の一方の側面102から他方の側面103まで延在して形成される。そして、ストライプ部101の延在方向は、レーザ光の伝搬方向となり、ストライプ部101に対応するエピタキシャル層2の領域が光導波路となる。本実施形態では、ストライプ部101の延在方向を、a軸方向と直交する方向とする。ただし、ストライプ部101の延在方向は、この例に限定されず、例えば用途、必要とするレーザ特性等の条件に応じて適宜設定することができる。なお、ストライプ部101の幅は、数μm又はそれ以下であり、ストライプ部101の延在長さ共振器長は、数百μm程度である。また、半導体レーザ素子100は、4つの側面端面を有し、該4つの側面のうち、ストライプ部101の延在方向図1中のY方向と直交する2つの側面102,103割断面は、レーザ共振器の反射面として作用する。すなわち、2つの側面102,103はともに共振器端面であり、この2つの共振器端面102,103と、ストライプ部101に対応するエピタキシャル層2内の光導波路領域とにより、レーザ共振器が構成される。なお、後述のように、半導体レーザ素子100は、複数の半導体レーザ素子100が2次元状に配列して形成された基板部材以下、生産基板というから、切り出すことにより作製されるので、この4つの側面は、その切断処理時に形成された切断面である。なお、本実施形態の半導体レーザ素子100では、2つの共振器端面102,103の少なくとも一方の表面上に、例えばSiO2/TiO2膜等の誘電体多層膜を形成端面コートしてもよい。端面コートを行うことにより、共振器端面での反射率を調整することができる。さらに、半導体レーザ素子100は、半導体基体1、エピタキシャル層2及び絶縁層3で構成されるレーザ構造体のストライプ部101側の表面図1の例では上面の4つの角部にそれぞれ形成された4つの傾斜面部104a~104dを有する。各傾斜面部は、半導体レーザ素子100の生産基板において、各共振器端面に沿う方向図1中のX方向のスクライブライン上に設けられかつ断面形状が略V字状である割断ガイド溝を画成する一方の側壁面の一部残存部である。すなわち、傾斜面部104a及び104bのそれぞれは、割断ガイド溝を画成する一方の側壁面の残存部であり、傾斜面部104c及び104dのそれぞれは、割断ガイド溝を画成する他方の側壁面の残存部である。なお、例えば、半極性面1aが{2,0,-2,1}面付近の面方位である場合には、後述するように、傾斜面部104a及び104b、並びに、傾斜面部104c及び104dの一方には、主に、{0,0,0,1}面c面が露出する。また、この場合、後述するように、ストライプ部101の延在方向図1中のY方向:割断ガイド溝の溝幅方向における、c面が露出していない傾斜面部の幅と、c面が露出している傾斜面部の幅との比は、約6:4になる。すなわち、傾斜面部104cの幅と104dの幅との比率が1:1の比率からオフセットした状態となる。[各部の構成]ここで、本実施形態の半導体レーザ素子100の各部の構成を、より詳細に説明する。1半導体基体半導体基体1は、例えば、GaN、AlN、AlGAN、InGAN、InAlGaN等の六方晶系III族窒化物半導体で形成される。また、半導体基体1としては、キャリアの導電型がn型の基板を用いることができる。そして、本実施形態では、上述のように、エピタキシャル層2、絶縁層3及び第1電極4が形成される半導体基体1の一方の面を半極性面1aで構成する。ここで、図2a及びb、並びに、図3に、GaNの結晶構造を示す。GaNは、図2a及びbに示すように、六方晶と呼ばれる結晶構造を有し、エピタキシャル層2内の後述する発光層に発生するピエゾ電界はc軸に沿って発生するので、c軸に直交するc面201{0,0,0,1}面は、極性を有し、極性面と呼ばれる。一方、m軸に直交するm面202{1,0,-1,0}面は、c軸に平行であるので無極性であり、無極性面と呼ばれる。それに対して、c軸をm軸方向に所定角度傾けた軸方向を法線方向とする面、例えば、図3に示す例では、c軸をm軸方向に75度傾けた軸方向を法線方向とする面{2,0,-2、1}面203は、c面とm面との中間的な面となり、半極性面と呼ばれる。なお、半極性面1aとしては、例えば、c軸をm軸方向に45度~80度、又は、100度から135度傾けた方向が法線方向となる結晶面を用いることができる。また、上記角度範囲の中でも、長波長の発光を得るためには、半極性面1aの法線方向とc軸との間の角度が、例えば、63度~80度、又は、100度~117度であることが好ましい。これらの角度範囲では、エピタキシャル層2内の後述する発光層活性層でのピエゾ分極が小さくなるとともに、発光層成長形成時のInの取り込みが良好になり、発光層におけるIn組成の可変範囲を広げることができる。それゆえ、半極性面1aの法線方向とc軸との間の上記角度範囲とすることにより、長波長の発光を得ることが容易になる。上記角度範囲内の法線方向を有する半極性面1aとしては、例えば、{2,0,-2,1}面、{1,0,-1,1}面、{2,0,-2,-1}面、{1,0,-1,-1}面等の結晶面を用いることができる。なお、これらの結晶面から±4度程度、微傾斜した結晶面も半極性面1aとして用いることができる。これらの結晶面を半極性面1aとして用いた場合には、十分に平坦性及び直交性の優れた共振器端面102,103を形成することができる。なお、後述するように、本実施形態のように製造過程で生産基板に割断ガイド溝を設け、その延在方向をa軸方向とした場合には、半極性面1aとして、法線方向がc軸をm軸方向に約60度~90度傾いた方向となる半極性面1aを用いることが好ましい。この場合には、後述するように、略V字状の割断ガイド溝を再現性良くかつ安定して得ることができる。また、半導体基体1の厚さは、例えば、約400μm以下に設定することができる。この厚さ範囲では、半導体レーザ素子の生産基板の割断処理時に、良質の平坦性及び直交性の優れた共振器端面102,103割断面を得ることができる。2エピタキシャル層、絶縁層、第1電極及び第2電極次に、本実施形態の半導体レーザ素子100のエピタキシャル層2、絶縁層3、第1電極4及び第2電極5の構成を、図4を参照しながら説明する。図4は、半導体レーザ素子100の厚さ方向図中のZ方向の概略断面図である。なお、図4には、ストライプ部101の延在方向図中のY方向に直交する断面を示す。本実施形態では、エピタキシャル層2は、バッファ層11と、第1クラッド層12と、第1光ガイド層13と、発光層14活性層と、第2光ガイド層15と、キャリアブロック層16と、第2クラッド層17と、コンタクト層18とを備える。そして、バッファ層11、第1クラッド層12、第1光ガイド層13、発光層14、第2光ガイド層15、キャリアブロック層16、第2クラッド層17及びコンタクト層18は、半導体基体1の半極性面1a上に、この順で積層される。なお、ここでは、半導体基体1をn型のGaN半極性基板で構成した例を説明する。バッファ層11は、例えばn型GaN層等の窒化ガリウム系半導体層で構成することができる。第1クラッド層12は、例えば、n型AlGaN層、n型InAlGaN等の窒化ガリウム系半導体層で構成することができる。また、第1光ガイド層13は、例えば、n型GaN層、n型InGaN層等の窒化ガリウム系半導体層で構成することができる。発光層14は、例えば、InGaN、InAlGaN等の窒化ガリウム系半導体で形成された井戸層不図示と、例えば、GaN、InGaN、InAlGaN等の窒化ガリウム系半導体で形成された障壁層不図示とで構成される。なお、発光層14の構造は、例えば、井戸層と障壁層とを交互に複数積層した多重量子井戸構造にしてもよい。なお、発光層14は、エピタキシャル層2の発光領域となり、例えば、480nm~550nm程度の範囲の波長の光を発光する。第2光ガイド層15は、キャリアの導電型がp型の窒化ガリウム系半導体層で構成することができ、例えば、p型GaN層、p型InGaN層等の窒化ガリウム系半導体層で構成することができる。キャリアブロック層16電子ブロック層は、例えばp型AlGaN層で構成することができる。第2クラッド層17は、例えば、p型AlGaN層、p型InAlGaN層等の窒化ガリウム系半導体層で構成することができる。なお、本実施形態の半導体レーザ素子100は、リッジ型の半導体レーザ素子とするので、第2クラッド層17の第1電極4側の表面のストライプ部101に対応する領域以外の領域を、エッチング処理等により彫り込む。これにより、第2クラッド層17の第1電極4側の表面のストライプ部101に対応する領域に、リッジ部17aを形成する。なお、リッジ部17aは、ストライプ部101と同様に、各共振器端面と略直交する方向に延在して形成され、かつ、一方の共振器端面102から他方の共振器端面103まで延在して形成される。コンタクト層18は、例えばp型GaN層で構成することができる。また、コンタクト層18は、第2クラッド層17のリッジ部17a上に形成される。絶縁層3は、例えばSiO2膜等の絶縁膜で構成される。絶縁層3は、図4に示すように、第2クラッド層17のリッジ部17a以外の領域上、並びに、リッジ部17a及びコンタクト層18の側面上に形成される。第1電極4p側電極は、例えばPd膜等の導電膜で構成することができる。また、第1電極4は、コンタクト層18上、及び、絶縁層3のコンタクト層18側の端面上に形成される。なお、本実施形態の半導体レーザ素子100では、パッド電極用の電極膜を、絶縁層3及び第1電極4を覆うようにして設けてもよい。第2電極5n側電極は、例えばAl膜等の導電膜で構成することができる。また、第2電極5は、半導体基体1の裏面1b上に形成される。<2.半導体レーザ素子の製造手法>1半導体レーザ素子の製造手法の全体的な流れ次に、本実施形態の半導体レーザ素子100の製造手法を、図5を参照しながら具体的に説明する。なお、図5は、半導体レーザ素子100の製造手法の全体的な手順を示すフローチャートである。また、本実施形態では、半導体レーザ素子100の各共振器端面に誘電体多層膜を形成端面コートする例を説明する。まず、複数の半導体レーザ素子100を2次元状に配置して形成するための六方晶系III族窒化物半導体で形成された半極性基板半極性面を有する半導体基板を用意するステップS1。そして、用意した半極性基板に対してサーマルクリーニングを行う。次いで、半極性基板の半極性面上に、例えばOMVPE有機金属気相成長法等の手法を用いて、各種半導体膜を所定の順序でエピタキシャル成長させて、エピタキシャル層2を構成する半導体膜群を形成するステップS2。具体的には、半極性面上に、バッファ層11、第1クラッド層12、第1光ガイド層13、発光層14、第2光ガイド層15、キャリアブロック層16、第2クラッド層17及びコンタクト層18を構成する各半導体膜を、この順でエピタキシャル成長させる。次いで、半極性基板に半導体膜群が形成された基板部材の半導体膜群側の面において、レーザ光の伝搬方向に隣り合う2つの半導体レーザ素子100の形成領域間の境界スクライブラインに沿って、割断ガイド溝を形成するステップS3。この際、割断ガイド溝は、例えばエッチング処理により形成される。すなわち、割断ガイド溝は、基板部材の半導体膜群側の面において、レーザ光の伝搬方向ストライプ部101の延在方向と直交する方向の境界共振器端面側の境界に沿って形成される。なお、この際、半極性基板の半導体膜群側の面において、半導体レーザ素子100の少なくとも一つの角部を含む一部の領域に、割断ガイド溝を形成する。また、本実施形態では、後述するように、ストライプ部101を、共振器端面側の境界を横切るように形成するが、割断ガイド溝はストライプ部101と交差しないように形成する。すなわち、ステップS3において、割断ガイド溝は、共振器端面側の境界に沿って断続的に形成される。また、後述のように、ステップS3で形成された割断ガイド溝の溝形状は、割断ガイド溝の延在方向から見て平面視で略V字状になる後述の図14参照。さらに、本実施形態では、割断ガイド溝のストライプ部101側の端部先端部の形状も、半極性基板の半導体膜群側表面の法線方向Z方向から見て平面視で略V字状にする後述の図6,14等を参照。さらに、ステップS3で形成する割断ガイド溝の幅は、約1.0μm~10μmの範囲の幅に設定することができ、より好ましくは、約1.5μm~2.5μmの範囲の幅に設定される。また、割断ガイド溝の深さは、例えば約0.5μm~30μmの範囲の深さにすることができ、より好ましくは、約1.0μm~4.0μmの範囲の深さに設定される。なお、割断ガイド溝の形成手法については、後で詳述する。次いで、半極性基板のコンタクト層18を構成する半導体膜側の表面領域のうち、ストライプ部101の形成領域にマスクを形成する。そして、マスクの形成領域以外の領域をエッチングし、各半導体レーザ素子100のコンタクト層18側の表面に、リッジを形成するステップS4。なお、この際、ストライプ部101の形成領域以外の領域を、コンタクト層18の表面から第2クラッド層17の所定深さまで彫り込み、ストライプ部101の形成領域にリッジを形成する。また、この際、ストライプ部101の延在方向に隣り合う2つの半導体レーザ素子100の形成領域間において、共振端面側境界を横切るように、リッジをストライプ部101の延在方向に沿って連続して形成する後述の図6参照。次いで、リッジ上のマスクを除去した後、半極性基板のリッジ側の表面に、例えば、蒸着法、スパッタ法等の手法を用いて、絶縁層3を構成する絶縁膜を形成するステップS5。なお、リッジ上のマスクの除去は、絶縁膜の形成後でもよい。また、マスクを例えば金属などで形成した場合には、そのマスクを第1電極4の一部として使用することができるのでマスクを除去しなくてもよい。次いで、上述のようにして半極性基板に各種半導体膜及び絶縁膜が形成された基板部材に、第1電極4及び第2電極5をそれぞれ構成する電極膜を形成するステップS6。具体的には、第1電極4を構成する電極膜第1電極膜は、次のようにして形成される。まず、フォトリソグラフィ技術を用いて、各リッジ上の絶縁膜を除去し、表面にコンタクト層18を露出させる。次いで、露出した各コンタクト層18上に、例えば、蒸着法、スパッタ法等の手法を用いて、第1電極4を構成する電極膜を形成する。一方、第2電極5を構成する電極膜第2電極膜は、次のようにして形成される。まず、半極性基板の裏面を研磨して、半極性基板の厚さを所望の厚さに設定する。次いで、例えば、蒸着法、スパッタ法等の手法を用いて、半極性基板の裏面全体に渡って第2電極5を構成する電極膜を形成する。本実施形態では、上記ステップS1~S6により、複数の半導体レーザ素子100が2次元状に配列して形成された生産基板を作製する。ここで、図6に、上記ステップS1~S6により作製された生産基板の第1電極4側から見た概略平面図を示す。なお、図6には、説明を簡略化するため、生産基板の一部の領域のみを示す。また、図6中の太点線で囲まれた領域Aが、一つの半導体レーザ素子100の形成領域である。また、図6中の一点鎖線BL1は、ストライプ部101の延在方向Y方向に隣り合う2つの半導体レーザ素子100の形成領域A間の境界、すなわち、共振器端面側の境界を示す線である。図6中の共振器端面側の境界BL1は、各共振器端面を形成する際に用いるスクライブラインに対応する。さらに、図6中の破線BL2は、ストライプ部101の延在方向と直交する方向X方向に隣り合う2つの半導体レーザ素子100の形成領域A間の境界以下、側面側の境界BL2というを示す線である。すなわち、図6中の側面側の境界BL2は、ストライプ部101の延在方向と平行な半導体レーザ素子100の各側面を形成する際に用いるスクライブラインに対応する。そして、生産基板110から、各半導体レーザ素子100のチップを切り出す際には、共振器端面側の境界BL1及び側面側の境界BL2に沿って生産基板110が切断される。本実施形態では、図6に示すように、生産基板110の基板面内において、共振器端面側の境界BL1に沿って割断ガイド溝104が断続的に形成される。この際、割断ガイド溝104は、境界BL1の延在方向X方向に隣り合う2つのストライプ部101間の領域において、境界BL1の延在方向に沿って連続して形成される。また、この際、割断ガイド溝104は、ストライプ部101の形成領域と交差しないように形成される。ストライプ部101を間に挟んで隣り合う2つの割断ガイド溝104間の距離sは、例えば、プロセスの種類や周囲に形成される膜形状などに応じて適宜設定される。なお、本実施形態では、共振器端面側の境界BL1に沿う方向X方向において隣り合う2つのストライプ部101間の領域毎に、割断ガイド溝104を設ける例を説明した。すなわち、境界BL1に沿う方向X方向において、各ストライプ部101の両側の領域に割断ガイド溝104を設ける例を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、共振器端面側の境界BL1に沿う方向X方向において、各ストライプ部101の一方の側の領域及び他方の側の領域のいずれか一方に、割断ガイド溝104を形成してもよい。この場合、全ての境界BL1において、各ストライプ部101の一方の側の領域又は他方の側の領域に、割断ガイド溝104を揃えて形成してもよい。また、ストライプ部101に対する割断ガイド溝104の形成位置が、境界BL1毎に、交互に配置されるように、割断ガイド溝104を形成してもよい。また、本実施形態では、生産基板の第1電極4側から見た、割断ガイド溝104の溝形状は、図6に示すように、側面側の境界BL2に対して線対称な形状としたが、本開示はこれに限定されない。割断ガイド溝104の溝形状を、境界BL2に対して非対称な形状にしてもよい。例えば、境界BL2から割断ガイド溝104の一方の先端部までの溝長さが、境界BL2から割断ガイド溝104の他方の先端部までの溝長さと異なっていてもよい。ここで、再度、図5に戻って、ステップS7以降の処理、すなわち、図6に示すような生産基板110から、各半導体レーザ素子100を切り出す処理割断処理の手順を説明する。なお、各半導体レーザ素子100を切り出す処理は、従来例えば上述した特許文献1と同様の手法を用いることができ、以下では、レーザスクライブ装置不図示を用いる手法について説明する。まず、上述のようにして作製された生産基板110をレーザスクライブ装置に装着し、生産基板110の割断ガイド溝104が形成された共振器端面側の境界BL1の一部に、レーザビームを照射してスクライブ溝を形成するステップS7。具体的には、例えば、生産基板110のエッジ付近の境界BL1上に、境界BL1の延在方向に沿って、スクライブ溝を形成する。なお、スクライブ溝はレーザビームの照射により形成されるので、スクライブ溝の幅及び深さは、例えばエッチング処理等の半導体プロセス処理で形成された割断ガイド溝104の幅及び深さに比べて非常に大きくなる。次いで、生産基板110の裏面におけるスクライブ溝の形成領域と対向する領域に、ブレードと呼ばれるブレイキング装置不図示を押圧して、生産基板110を共振器端面側の境界BL1に沿って割断劈開するステップS8。そして、この割断処理を、境界BL1毎に繰り返し、生産基板110を、複数の基板部材に分割する。この際、ストライプ部101付近は、スクライブ溝に比べて十分に狭い溝幅を有し、かつ、断面形状が略V字状である割断ガイド溝104に沿って割断される。それゆえ、特定の狭い領域に大きな応力を集中させることができるので、ストライプ部101付近では、所望の位置に精度良く共振器端面を形成することができ、平坦性及び直交性の優れた共振器端面を得ることができる。次いで、上記ステップS8で分離された各基板部材の割断面共振器端面に、誘電体多層膜を形成するステップS9。そして、最後に、各基板部材の側面側の境界BL2の延在方向に沿って各基板部材を切断して、各基板部材を複数の半導体レーザ素子100のチップに分離するステップS10。本実施形態では、上述のようにして半導体レーザ素子100を作製する。上述のように、本実施形態では、ステップS8において、割断ガイド溝104に沿って生産基板110を割断する。それゆえ、生産基板110から切り出された半導体レーザ素子100では、第1電極4側の表面の各角部付近に、割断ガイド溝104を画成する一方又は他方の側壁面の一部が残存し、図1に示すような傾斜面部104a~104dが形成される。2割断ガイド溝の形成手法次に、図5に示すフローチャート中のステップS3で行う割断ガイド溝104の形成手法の手順を、図7~13を参照しながら説明する。なお、図7~13は、ステップS3内の各工程終了時における基板部材の概略斜視図である。ただし、ここでは、説明を簡略化するために、基板部材内において互いに隣り合う2つの半導体レーザ素子100の形成領域間の境界付近の領域のみを示す。まず、上記ステップS2で、半極性基板111上に、エピタキシャル層2を構成する半導体膜群112を形成した後図7の状態、図8に示すように、該半導体膜群112上に、例えばSiO2膜からなるエッチングマスク113を形成する。なお、エッチングマスク113の厚さは、例えば約100nm~1000nm程度の厚さに設定することができる。次いで、図9に示すように、エッチングマスク113上にレジスト膜114を形成する。そして、従来の半導体プロセスで用いられるフォトリソグラフィ技術パターニング処理により、割断ガイド溝104の形成領域に対応するレジスト膜114の領域を除去する。これにより、レジスト膜114には、割断ガイド溝104の形成領域に開口部114aが形成され、その開口部114aにエッチングマスク113が露出した状態となる図9の状態。なお、この開口部114aの幅は、割断ガイド溝104の幅と略同じ幅に設定される。次いで、例えばCF4等のガスを用いたRIEReactiveIonEtching法、又は、例えばフッ酸系の薬液等を用いたウェットエッチング法により、レジスト膜114の開口部114aに露出したエッチングマスク113をエッチングして除去する図10の状態。なお、この際、レジスト膜114の開口部114aにエピタキシャル層2を構成する半導体膜群112が露出するまでエッチングする。その後、レジスト膜114を除去する図11の状態。次いで、例えばCl2ガス、Arガス等の単一ガス、又は、それらの混合ガスを用いたRIE法により、エッチングマスク113の開口部113aに露出した半導体膜群112の領域をエッチングして、割断ガイド溝104を形成する図12の状態。この際、割断ガイド溝104の底部が半極性基板111の所望深さに達するまでエッチングを続ける。なお、この際、後述するように、半極性基板111の結晶構造上の特徴特性に起因して、溝の延在方向に直交する断面の形状が略V字状となる割断ガイド溝104が形成される。次いで、エッチングマスク113を除去する図13の状態。本実施形態では、上述のようにして、割断ガイド溝104を形成し、その後は、図5中のステップS4~S6で説明した手順に従い、エピタキシャル層2を構成する半導体膜群112側の表面に、ストライプ部101を形成する。なお、本実施形態では、上述のように、半極性基板111上にエピタキシャル層2を構成する半導体膜群112を形成した後に、割断ガイド溝104を形成する例を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、ストライプ部101まで形成した後第1電極4及び第2電極5まで形成した後、上記形成手法図7~13に従って、割断ガイド溝104を形成してもよい。また、例えば、エピタキシャル層2を構成する半導体膜群112にリッジを形成した後、上記形成手法図7~13に従って、割断ガイド溝104を形成してもよい。この場合には、図12~13に至る工程で、エッチングマスク113として使用した例えばSiO2膜等の絶縁膜を除去せずに、その絶縁膜を絶縁層3の形成膜として利用してもよい。本実施形態では、上述のようにして割断ガイド溝104を用いて、半導体レーザ素子100を作製する。これにより、より簡易な手法で、レーザ特性の優れた半導体レーザ素子100を得ることができる。以下にその理由を説明する。より高性能の半導体レーザ素子を得るためには、レーザ共振器を構成する各共振器端面の平坦性、及び、各共振器端面とレーザ光の伝搬方向ストライプ部101の延在方向との直交性を向上させる必要がある。それゆえ、従来、半極性基板を用いた半導体レーザ素子では、共振器端面の形成手法が種々提案されているが、実際には、平坦性及び直交性の優れた共振器端面を形成することが難しい。これは、半極性基板を用いた半導体レーザ素子では、共振器端面が、例えばc面、m面、a面等図2a及びb参照のような従来の劈開し易い面にならないことがあるためである。それに対して、本実施形態では、レーザスクライバ等の装置で形成するスクライブ溝とは別個に、各共振器端面に沿う方向のスクライブライン上における半導体レーザ素子100のチップの角部付近の領域に、半導体プロセスにより割断ガイド溝104を設ける。この際に設ける割断ガイド溝104は、上述のように、スクライブ溝に比べて微細な溝であり、かつ、その延在方向に直交する断面の形状が略V字状である。そして、生産基板110から半導体レーザ素子100のチップを切り出す際の割断処理では、割断ガイド溝104に大きな応力がかかるため、ストライプ部101の付近の端面領域は、この割断ガイド溝104に沿って割断される。それゆえ、本実施形態の製造手法では、共振器端面特にストライプ部101の付近の端面領域を所望の位置に精度良く形成することができ、共振器端面の位置のばらつきを抑制することができる。この結果、各共振器端面の平坦性、及び、各共振器端面とストライプ部101の延在方向レーザ光の伝搬方向との直交性をより向上させることができる。この場合、例えば、より低い発振閾値電流で効率よくレーザ発振を行うことができ、よりレーザ特性の優れた半導体レーザ素子100が得られる。<3.割断ガイド溝の構成>ここで、本実施形態で形成した割断ガイド溝104の構成及び特徴を、図面を参照しながらより詳細に説明する。図14に、本実施形態で形成した割断ガイド溝104の概略構成を示す。なお、図14は、割断ガイド溝104の概略斜視断面図である。本実施形態では、図14に示すように、割断ガイド溝104の底部の形状を鋭角な略V字状とし、かつ、割断ガイド溝104のストライプ部101側の先端部の形状も略V字状とする。以下、割断ガイド溝104の形状についてより詳細に説明する。1割断ガイド溝の側壁面の形状まず、割断ガイド溝104を画成する側壁面割断ガイド溝104の延在方向に沿って延在する側壁面の形状について説明する。図15に、実際に形成した割断ガイド溝104の断面写真を示す。なお、図15に示す断面は、割断ガイド溝104の延在方向X方向:結晶学的にはa軸方向と直交する断面である。図15から明らかなように、本実施形態では、割断ガイド溝104の溝形状は、その延在方向から見て平面視で略V字状になった。また、割断ガイド溝104の底部の形状は、非常に鋭角な略V字形状になった。さらに、図15から明らかなように、略V字状の割断ガイド溝104を画成する一方の側壁面121a図15では左側の側壁面の傾斜角が、他方の側壁面121b図15では右側の側壁面のそれより小さくなった。その結果、溝幅方向図15中のY方向において、割断ガイド溝104の最深部Dの位置は、割断ガイド溝104の中心から、他方の側壁面121b側にずれたオフセットした位置になった。すなわち、溝幅方向における一方の側壁面121aの幅d1と、他方の側壁面121bの幅d2との比率が1:1の比率からオフセットした状態となる。なお、図15に示す例では、溝幅方向における一方の側壁面121aの幅d1と、他方の側壁面121bの幅d2との比率は、約6:4であった。割断ガイド溝104の上記特徴は、半導体基体1を半極性基板で構成したことに起因するものと考えられる。その理由を、以下に説明する。なお、ここでは、半導体基体1がGaNで形成され、その半極性面1aが、{2,0,-2,1}面である場合、すなわち、半極性面1aの法線方向がc軸をm軸方向に75角度傾けた方向になる場合について説明する。図16に、GaN結晶のc面に対する各種結晶面の傾斜角度と、面指数との関係を示す。なお、本実施形態では、上述のように、割断ガイド溝104の延在方向をa軸とするa軸と平行とするので、割断ガイド溝104を画成する側壁面に露出し得る結晶面の方位{h,l,k,m}は、{h,0,-h,m}となる。すなわち、割断ガイド溝104を画成する側壁面に露出し得る結晶面の方位は、2つの面指数変数h及びmで表される。図16の特性では、横軸を傾斜角度とし、縦軸を面指数hとした。そして、図16には、もう一方の変数である面指数mを1~7のそれぞれに変化させたときのc面に対する各種結晶面の傾斜角度と面指数との関係をプロットした。図16に示す各グラフでは、各面指数mのグラフと面指数hが一定の整数になる横線目盛線との交点図中の白抜き丸印に結晶面が存在し、その交点の角度が、c面に対する該結晶面の傾斜角度となる。ただし、ここでは、半極性面1aの面方位を{2,0,-2,1}としたので、図16では、説明の便宜上、グラフの横軸の中心をc面でなく、{2,0,-2,1}面とした。それゆえ、図16の特性の横軸の傾斜角度は、{2,0,-2,1}面に対する各種結晶面の傾斜角度となる。また、図16では、説明の便宜上、図15に示す割断ガイド溝104を画成する右側の側壁面121b及び左側の側壁面121aに露出し得る結晶面と、図16中における、横軸中心から右側の象限及び左側の象限の特性とがそれぞれ対応するようにした。すなわち、図16中において、横軸中心{2,0,-2,1}面から右側の象限プラスの傾斜角度の領域に存在する結晶面が、図15中の割断ガイド溝104を画成する右側の側壁面121bに露出し得る結晶面を表す。一方、図16中において、横軸中心{2,0,-2,1}面から左側の象限マイナスの傾斜角度の領域に存在する結晶面が、図15中の割断ガイド溝104を画成する左側の側壁面121aに露出し得る結晶面を表す。図16から明らかなように、{2,0,-2,1}面半導体基体1の面方位に対して、75度傾斜した位置にc面{0,0,0,1}面が存在するが、c面の±10度の領域には各面指数mのグラフと面指数hが一定の整数になる横線との交点は存在しない。すなわち、c面の±10度の領域には、中低次面指数mが9以下の結晶面は存在しない。このことから、図15中の割断ガイド溝104を画成する右側の側壁面121bには、主に、c面{0,0,0,1}面が安定して露出し易いことが分かる。一方、図16に示すように、{2,0,-2,1}面に対して、例えば-35度~80度傾斜した領域には、各面指数mのグラフと面指数hが一定の整数になる横線との交点が多数あり、中低次の結晶面が複数存在することが分かる。すなわち、図15中の割断ガイド溝104を画成する左側の側壁面121aでは、右側の側壁面121bに比して、より低い傾斜角を有する複数の結晶面が混在して発生し、安定した結晶面が露出し難いことが分かる。それゆえ、半極性基板に対してエッチングにより割断ガイド溝104を形成した場合、一方の側壁面121aには他方の側壁面121bに比して、より低い傾斜角を有する複数の結晶面が発生し易いので、該側壁面121aの傾斜は緩やかになる。一方、他方の側壁面121bには、c面が安定して露出し易いので、該側壁面121bの傾斜は、一方の側壁面121aのそれより急峻になる。上述のように、本実施形態では、割断ガイド溝104を画成する2つの側壁面の傾斜角が互いに異なるので、図15に示すように、最深部Dの形状が非常に鋭角な略V字状となる割断ガイド溝104が形成される。また、割断ガイド溝104を画成する2つの側壁面の傾斜角が互いに異なるので、溝幅方向図15中のY方向において、割断ガイド溝104の最深部Dの位置は、割断ガイド溝104の中心から、他方の側壁面121b側にずれた位置になる。本実施形態では、上述のように、六方晶系GaN結晶の結晶学的に非対称な特性を利用して割断ガイド溝104を形成するので、そのような結晶学的な特性を利用しない手法で得られた略V字状の溝に比べて、非常に尖鋭な略V字状の溝を形成することができる。それゆえ、本実施形態の上記製造手法により形成された略V字状の割断ガイド溝104を用いることにより、半極性基板の割断精度劈開性をより向上させることができる。2半極性面の好適な範囲上述のように、例えば{2,0,-2,1}面の半極性基板を用いた場合には、半極性面より約75度傾斜した角度にc面が存在するので一方の側壁面が急峻になるので、鋭角な略V字状の割断ガイド溝104が容易に得られる。しかしながら、用い得る半極性基板の面方位は、この例に限定されない。c面は、結晶学的に安定な面であり、例えば、ドライエッチングやウェットエッチングなどの処理により露出しやすい。それゆえ、c面に対して急峻な角度で傾斜するような面方位を有する半極性基板を用いることにより、割断ガイド溝104を画成する少なくとも一方の側壁面にc面を露出させ易くなり、その側壁面の傾斜を急峻にすることができる。ここで、上述のような略V字状の割断ガイド溝104と、半極性基板半導体基体1の半極性面エピタキシャル層2の形成面との関係についてより詳細に説明する。例えばGaN基板に割断ガイド溝104のような構造物を、例えばCl2ガス等のエッチングガスを用いてドライエッチングRIE処理により形成した場合、溝の側壁面の角度は、基板表面に対して、垂直にならず、約70度~80度程度になることが多い。これは、例えば、エッチング中に発生する堆積物が溝の側壁面に付着したりするなど各種要因によるものである。それゆえ、半極性基板の半極性面に対して、特に、約70度~80度の角度の近傍に安定した結晶面が存在する場合、その結晶面が割断ガイド溝の側壁面に露出する傾向が極めて強くなる。本実施形態で用いるGaN基板では、c面は、GaN結晶中に存在する各種結晶面の中でも特に安定性の高い結晶面の一つである。さらに、図16に示したように、割断ガイド溝の延在方向をa軸方向に限定側壁面の結晶面をa軸方向と平行な結晶面に限定した場合、c面に対して±10度未満の傾斜角を有する中低次の結晶面は存在しない。それゆえ、a軸方向に延在した割断ガイド溝をドライエッチングで形成する場合、割断ガイド溝に露出する、約70度~80度の傾斜角を有する一方の側壁面の±10度の範囲内にc面が存在すれば、該側壁面にc面を容易に露出させることができる。すなわち、c面に対して約60度より大きくかつ約90度より小さな角度で傾斜した半極性面を有する半極性基板を用い、ドライエッチングで割断ガイド溝104をa軸方向に沿って形成した場合には、一方の側壁面にc面が露出する傾向が非常に強くなる。したがって、この場合には、略V字状の割断ガイド溝104を再現性良くかつ安定して得ることができる。3割断ガイド溝の先端部の形状次に、割断ガイド溝104の延在方向の端部先端部の形状について説明する。図17に、本実施形態で形成した割断ガイド溝104の概略平面図を示す。なお、図17には、ストライプ部101付近の領域のみの構成を示す。本実施形態では、割断ガイド溝104のストライプ部101側の端部先端部122の形状を、図17に示すように、生産基板110の表面の法線方向Z方向から見て平面視で略V字状とする。割断ガイド溝104の先端部122は、2つの先端側壁面122a,122b以下、先端面というにより構成される。一方の先端面122aは、割断ガイド溝104の延在方向図17中のX方向に沿って、割断ガイド溝104の一方の側壁面121aと連続して形成される。また、他方の先端面122bは、割断ガイド溝104の延在方向に沿って、割断ガイド溝104の他方の側壁面121bと連続して形成される。なお、上述のように、割断ガイド溝104の溝幅方向図17中のY方向における一方の側壁面121aの幅d1と、他方の側壁面121bの幅d2との比率が1:1の比率からオフセットする図17の例では約6:4。それゆえ、本実施形態では、溝幅方向における、一方の先端面122aの幅と、他方の先端面122bの幅との比率も、同様に、1:1の比率からオフセットさせる図17の例では約6:4に設定する。すなわち、溝幅方向において、割断ガイド溝104の最先端部Fの位置は、割断ガイド溝104の中心図17中の一点鎖線から、他方の先端面122b図17では右側の先端面側にずれたオフセットした位置になる。これにより、割断ガイド溝104の最深部Dの延在方向と、割断ガイド溝104の延在方向図17中のX方向、すなわち、割断方向との平行性を向上させることができる。この場合、生産基板110を割断して共振器端面を形成する際に、共振器端面を所望の位置により一層精度良く形成することができ、共振器端面の位置のばらつきをさらに抑制することができる。すなわち、本実施形態では、割断ガイド溝104の先端部122の形状を略V字状にすることにより、生産基板110の割断性をより一層向上させることができる。ただし、割断ガイド溝104の先端部122の形状は、図17に示す例に限定されない。割断ガイド溝104の先端部122の形状は、例えば、割断ガイド溝104の幅、延在方向等の条件に応じて適宜変更することができる。例えば、上記条件に応じて、溝幅方向における、一方の先端面122aの幅と、他方の先端面122bの幅との比率を約1:1に設定してもよい。また、上記条件に応じて、割断ガイド溝104の先端部122の形状を、生産基板110の表面の法線方向から見て平面視で、例えば円弧状、直線状平坦形状等の形状にしてもよい。<4.実施例>次に、上述した半導体レーザ素子100の製造手法、すなわち、割断ガイド溝104を利用した製造手法により実際に作製した半導体レーザ素子100実施例のレーザ特性の一例を説明する。なお、ここでは、実施例と比較するために、割断ガイド溝104を形成せずに作製した半導体レーザ素子比較例のレーザ特性も調べた。なお、実施例では、溝幅2μm、深さ2μmの割断ガイド溝104を生産基板に形成して半導体レーザ素子100を作製した。実施例及び比較例の半導体レーザ素子におけるレーザ特性の測定結果を、下記表1に示す。表1の結果から明らかなように、実施例の半導体レーザ素子100の発振閾値電流Ithの平均値及び分散は、ともに、比較例のそれより小さくなった。すなわち、実施例の半導体レーザ素子100では、比較例に比べて、低い電流で発振させることができることが分かった。このことからも、実施例の半導体レーザ素子100では、比較例に比べて、共振器端面の平坦性、及び、光導波路の延在方向に対する共振器端面の直交性が向上していることが分かる。なお、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。1半極性面を有する六方晶系III族窒化物半導体基板上に、半導体レーザ素子の発光層を含むエピタキシャル層が設けられた生産基板を用意するステップと、前記生産基板の表面において、前記半導体レーザ素子の共振器端面側のスクライブライン上でかつ前記半導体レーザ素子の少なくとも一つの角部を含む一部の領域に、該スクライブラインに沿って延在しかつ該延在した方向から見た断面形状がV字状である割断ガイド溝を形成するステップと、前記割断ガイド溝が形成された前記生産基板を、前記スクライブラインに沿って割断するステップとを含む半導体レーザ素子の製造方法。2前記六方晶系III族窒化物半導体基板が、c軸をm軸に向かって60度~90度の範囲の角度で傾けた軸の方向を法線方向とする半極性面を有する半導体基板である1に記載の半導体レーザ素子の製造方法。3前記六方晶系III族窒化物半導体基板が、c軸をm軸に向かって75度傾けた軸の方向を法線方向とする半極性面を有する半導体基板である2に記載の半導体レーザ素子の製造方法。4前記割断ガイド溝を画成しかつ前記割断ガイド溝の延在方向に沿う方向に形成された2つの側壁面のうち、一方の側壁面にc面が露出している前記割断ガイド溝を形成する2又は3に記載の半導体レーザ素子の製造方法。5前記割断ガイド溝を画成する一方の側壁面の溝幅方向の幅と、他方の側壁面の溝幅方向の幅との比率が1:1の比率からオフセットした割断ガイド溝を形成する2~4のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子の製造方法。6前記生産基板の表面から見た、前記割断ガイド溝の前記延在方向の先端部の形状がV字状であり、該先端部を画成する2つの先端側壁面のうち、前記一方の側壁面に連続して形成された先端側壁面の溝幅方向の幅と、前記他方の側壁面に連続して形成された先端側壁面の溝幅方向の幅との比率が1:1の比率からオフセットした割断ガイド溝を形成する5に記載の半導体レーザ素子の製造方法。7a軸方向に延在した前記割断ガイド溝を形成する1~6のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子の製造方法。8前記割断ガイド溝を、ドライエッチング法で形成する1~7のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子の製造方法。9六方晶系III族窒化物半導体で形成され、かつ、半極性面を有する半導体基体と、レーザ光の光導波路を形成する発光層を含み、前記半導体基体に形成されたエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層上に形成された電極と、前記半導体基体及び前記エピタキシャル層を含むレーザ構造体の前記レーザ光の伝搬方向と直交する共振器端面の前記エピタキシャル層側の少なくとも一つの角部を含む一部の領域に形成され、かつ、該レーザ構造体の前記エピタキシャル層側の表面に対して傾斜した傾斜面部とを備える半導体レーザ素子。10半極性面を有する六方晶系III族窒化物半導体基板上に、半導体レーザ素子の発光層を含むエピタキシャル層が設けられた生産基板を用意するステップと、前記生産基板の表面において、前記半導体レーザ素子の共振器端面側のスクライブライン上でかつ前記半導体レーザ素子の少なくとも一つの角部を含む一部の領域に、該スクライブラインに沿って延在しかつ該延在した方向から見た断面形状がV字状である割断ガイド溝を形成するステップと、前記割断ガイド溝が形成された前記生産基板を、前記スクライブラインに沿って割断するステップと、を含む半導体レーザ素子の製造方法により製造された半導体レーザ素子。"