結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜が設けられた積層半導体膜の一部に対して、少なくとも第1のエッチングと第2のエッチングを行い、前記第1のエッチングは、CF4ガスを用いて行い、前記第2のエッチングは、HBrガスと、CF4ガスと、酸素ガスの混合ガスを用いて行い、前記積層半導体膜に設けられた前記結晶性半導体膜の一部を露出させることを特徴とするエッチング方法。結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜が設けられた積層半導体膜の第1の領域上にエッチングマスクを形成し、少なくとも第1のエッチングと第2のエッチングにより、第2の領域の前記結晶性半導体膜を露出させ、前記第1のエッチングは、CF4ガスを用いて行い、前記第2のエッチングは、HBrガスと、CF4ガスと、酸素ガスの混合ガスを用いて行うことを特徴とするエッチング方法。請求項1または請求項2に記載の前記第2のエッチングは、0より大きく100W以下のバイアス電力で行うことを特徴とするエッチング方法。請求項1乃至請求項3のいずれか一において、前記第2のエッチングにおける前記HBrガスと前記CF4ガスと前記酸素ガスの流量比は、24:1:1であることを特徴とするエッチング方法。請求項1乃至請求項4のいずれか一において、前記結晶性半導体膜は、微結晶半導体膜であることを特徴とするエッチング方法。請求項5において、前記微結晶半導体膜は微結晶シリコンであり、前記非晶質半導体膜は非晶質シリコンであることを特徴とするエッチング方法。ゲート電極層を覆って設けられたゲート絶縁層上に結晶性半導体膜を形成し、前記結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜上に不純物半導体膜を形成し、前記不純物半導体膜上に第1のエッチングマスクを選択的に形成し、前記第1のエッチングマスクと重畳していない部分の前記結晶性半導体膜、前記非晶質半導体膜、及び前記不純物半導体膜を除去して加工することで薄膜積層体を形成し、前記第1のエッチングマスクを除去し、前記薄膜積層体上に導電膜を形成し、前記導電膜上に第2のエッチングマスクを形成し、少なくとも前記導電膜を加工してソース電極及びドレイン電極層を形成し、前記第2のエッチングマスクを除去し、前記ソース電極及びドレイン電極層と重畳していない領域の前記薄膜積層体を、少なくとも第1のエッチングと第2のエッチングにより形成することで、前記薄膜積層体の前記ソース電極及びドレイン電極層と重畳していない前記領域の結晶性半導体層を露出させ、前記第1のエッチングはCF4ガスを用いたエッチングであり、前記第2のエッチングはHBrガスと、CF4ガスと、酸素ガスの混合ガスを用いたエッチングであることを特徴とする半導体装置の作製方法。ゲート電極層を覆って設けられたゲート絶縁層上に結晶性半導体膜を形成し、前記結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜上に不純物半導体膜を形成し、前記不純物半導体膜上に第1のエッチングマスクを選択的に形成し、前記第1のエッチングマスクと重畳していない部分の前記結晶性半導体膜、前記非晶質半導体膜、及び前記不純物半導体膜を除去して加工することで薄膜積層体を形成し、前記第1のエッチングマスクを除去し、前記薄膜積層体上に導電膜を形成し、前記導電膜上に第2のエッチングマスクを形成し、少なくとも前記導電膜を加工してソース電極及びドレイン電極層を形成し、前記ソース電極及びドレイン電極層と重畳していない領域の前記薄膜積層体を、少なくとも第1のエッチングと第2のエッチングにより形成することで、前記薄膜積層体の前記ソース電極及びドレイン電極層と重畳していない前記領域の結晶性半導体層を露出させ、前記第2のエッチングマスクを除去し、前記第1のエッチングはCF4ガスを用いたエッチングであり、前記第2のエッチングはHBrガスと、CF4ガスと、酸素ガスの混合ガスを用いたエッチングであることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項7または請求項8に記載の前記第2のエッチングは、0より大きく100W以下のバイアス電力で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項7乃至請求項9のいずれか一において、前記第2のエッチングにおける前記HBrガスと前記CF4ガスと前記酸素ガスの流量比は、24:1:1であることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項7乃至請求項10のいずれか一において、前記結晶性半導体膜は、微結晶半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項11において、前記微結晶半導体膜は微結晶シリコンであり、前記非晶質半導体膜は非晶質シリコンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。本発明の一態様は、各種半導体装置の特性を良好なものとすることが可能なエッチング方法及び半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。本発明の一態様は、結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜が設けられた積層半導体膜の一部に対して、CF4ガスを用いた第1のエッチング、及びHBrガスと、CF4ガスと、酸素ガスを含む混合ガスを用いた第2のエッチングを行い、前記積層半導体膜に設けられた前記結晶性半導体膜の一部を露出させるエッチング方法である。また、本発明の一態様は、前記エッチング方法を採用した半導体装置の作製方法である。本発明の一態様は、結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜が設けられた積層半導体膜の一部に対して、少なくとも第1のエッチングと第2のエッチングを行い、前記積層半導体膜に設けられた前記結晶性半導体膜の一部を露出させ、前記第1のエッチングは、CF4ガスを用いて行い、前記第2のエッチングは、HBrガスと、CF4ガスと、酸素ガスを含む混合ガスを用いて行うことを特徴とするエッチング方法である。本発明の一態様は、結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜が設けられた積層半導体膜の第1の領域上にエッチングマスクを形成し、少なくとも第1のエッチングと第2のエッチングにより、第2の領域の前記結晶性半導体膜を露出させ、前記第1のエッチングは、CF4ガスを用いて行い、前記第2のエッチングは、HBrガスと、CF4ガスと、酸素ガスを含む混合ガスを用いて行うことを特徴とするエッチング方法である。前記構成における前記第2のエッチングは、0より大きく100W以下のバイアス電力で行えばよい。このとき、エッチング装置の上部電極と下部電極のうち、小さい方の電極の面積は、340cm2以上にするとよい。前記構成において、前記第2のエッチングにおける前記HBrガスと前記CF4ガスと前記酸素ガスの流量比は、24:1:1であるとよい。前記構成において、前記結晶性半導体膜としては、微結晶半導体膜を用いればよい。前記構成において、前記微結晶半導体膜としては微結晶シリコンを用いればよく、前記非晶質半導体膜としては非晶質シリコンを用いればよい。本発明の一態様である前記構成のエッチング方法は、半導体装置の作製方法に適用することができる。なお、本明細書中において、半導体装置を説明する際にはトランジスタとして画素トランジスタを例示しているが、これに限定されず、本発明の一態様である半導体装置は、画素トランジスタ以外のトランジスタであってもよい。本発明の一態様であるエッチング方法によれば、結晶性半導体膜に対する非晶質半導体膜のエッチング選択比を高くすることができる。本発明の一態様である半導体装置の作製方法によれば、結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜が設けられ、該非晶質半導体膜の一部がエッチングされることでエッチングされた部分の結晶性半導体膜が露出される場合であっても、電気的特性が良好な半導体装置を作製することができる。すなわち、サブスレッショルドスイング値S値が小さく、閾値電圧が小さく、オフ電流が小さい半導体装置を得ることができる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様である半導体装置の作製方法について、図1及び図2を参照して説明する。まず、基板200上に第1の導電層202を形成し、第1の導電層202を覆って第1の絶縁層204を形成する図1A。基板200は、絶縁性基板である。基板200として、例えば、ガラス基板、石英基板、セラミック基板の他、本作製工程の処理温度に耐えうる程度の耐熱性を有するプラスチック基板などを用いることができる。基板200がガラス基板である場合には、第1世代例えば、320mm×400mm~第10世代例えば、2950mm×3400mmのものを用いればよいが、これに限定されるものではない。なお、本発明の一態様であるエッチング方法を採用することで、基板面内におけるチャネル形成領域となる半導体層の厚さの減少を抑えることができるため、基板面内における半導体層の厚さのばらつきを抑えることができ、第8世代以降の大面積基板を用いる場合に、本発明の効果が、特に強く表れる。第1の導電層202は、例えば、スパッタリング法を用いて導電膜例えば金属膜、または一導電型の不純物元素が添加された半導体膜などを形成し、該導電膜上にエッチングマスクを形成してエッチングを行うことで選択的に形成すればよい。または、インクジェット法などを用いてもよい。なお、第1の導電層202となる導電膜は、単層で形成してもよいし、複数の層を積層して形成してもよい。例えば、Ti層によりAl層を挟持した3層の積層構造とすればよい。なお、第1の導電層202は、少なくとも走査線とゲート電極を構成する。第1の絶縁層204は、例えば、プラズマCVD法を用いて絶縁性材料例えば、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは酸化シリコンなど膜を形成すればよい。なお、第1の絶縁層204は、単層で形成してもよいし、複数の層を積層して形成してもよい。ここでは、例えば、窒化シリコン層上に酸化窒化シリコン層が積層された2層の積層構造とする。なお、第1の絶縁層204は、少なくともゲート絶縁層を構成する。なお、窒化酸化シリコンとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものであって、好ましくは、ラザフォード後方散乱法RBS:RutherfordBackscatteringSpectrometry及び水素前方散乱法HFS:HydrogenForwardScatteringを用いて測定した場合に、組成範囲として酸素が5~30原子、窒素が20~55原子、シリコンが25~35原子、水素が10~30原子の範囲で含まれるものをいう。なお、酸化窒化シリコンとは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものであって、好ましくは、RBS及びHFSを用いて測定した場合に、組成範囲として酸素が50~70原子、窒素が0.5~15原子、シリコンが25~35原子、水素が0.1~10原子の範囲で含まれるものをいう。ただし、酸化窒化シリコンまたは窒化酸化シリコンを構成する原子の合計を100原子としたとき、窒素、酸素、シリコン及び水素の含有比率が上記の範囲内に含まれるものとする。次に、第1の絶縁層204上に第1の半導体膜206と、第2の半導体膜208と、不純物半導体膜210と、を形成する図1B。第1の半導体膜206は、大部分が結晶性である半導体膜である。結晶性半導体としては、例えば、微結晶半導体が挙げられる。ここで、微結晶半導体とは、非晶質と結晶構造単結晶、多結晶を含む。の中間的な構造の半導体をいう。微結晶半導体は、自由エネルギー的に安定な第3の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な半導体であり、結晶粒径が2nm以上200nm以下、好ましくは10nm以上80nm以下、より好ましくは20nm以上50nm以下の柱状または針状の結晶粒が基板表面に対して法線方向に成長している半導体である。このため、柱状または針状の結晶粒の界面には、粒界が形成されることもある。なお、ここでの結晶粒径は、基板表面に対して平行な面における結晶粒の最大直径である。また、結晶粒は、非晶質半導体領域と、単結晶とみなせる微小結晶である結晶子を有する。なお、結晶粒は双晶を有する場合もある。微結晶半導体としては、微結晶シリコンを用いればよい。微結晶半導体の一である微結晶シリコンでは、そのラマンスペクトルのピークが単結晶シリコンを示す520cm-1よりも低波数側にシフトしている。すなわち、単結晶シリコンを示す520cm-1と非晶質シリコンを示す480cm-1の間に微結晶シリコンのラマンスペクトルのピークがある。また、未結合手ダングリングボンドを終端するため水素またはハロゲンを少なくとも1原子またはそれ以上含ませている。さらに、He、Ar、Kr、またはNeなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させることで、安定性が増し良好な微結晶半導体が得られる。なお、結晶性半導体膜に含まれる酸素及び窒素の濃度二次イオン質量分析法による測定値を低くし、好ましくは1×1018cm-3未満とすると、結晶性を高めることができる。なお、結晶性半導体膜は、2段階の成膜処理により形成することが好ましく、2段階の成膜処理において、例えば、第1段階では500Pa程度の圧力下で厚さ5nm程度の微結晶シリコン膜を形成し、第2段階では5000Pa程度の圧力下で所望の厚さの微結晶シリコン膜を形成するとよい。第2段階では第1段階よりもシランの流量比を小さくし、高希釈な条件とするとよい。第2の半導体膜208は、バッファ層として機能し、大部分が非晶質である半導体膜である。好ましくは、非晶質半導体と微小半導体結晶粒を有し、従来の非晶質半導体と比較して、一定光電流法CPM:ConstantPhotocurrentMethodやフォトルミネッセンス分光測定で測定されるUrbach端のエネルギーが小さく、欠陥吸収スペクトル量が少ない半導体膜である。このような半導体膜は、従来の非晶質半導体膜と比較して欠陥が少なく、価電子帯のバンド端移動度端における準位のテイル裾の傾きが急峻である秩序性の高い半導体膜である。第2の半導体膜208には、ハロゲン、窒素を含んでいてもよい。窒素が含まれる場合には、NH基またはNH2基として含んでいてもよい。なお、ここで、第1の半導体膜206と第2の半導体膜208の界面領域は、微結晶半導体領域、及び当該微結晶半導体領域の間に充填される非晶質半導体領域を有する。具体的には、第1の半導体膜206から錐形状に伸びた微結晶半導体領域と、第2の半導体膜208と同様の非晶質半導体を含む膜と、で構成される。第2の半導体膜208によりバッファ層が設けられるため、トランジスタのオフ電流を小さくすることができる。また、上記の界面領域において、錐形状に伸びた微結晶半導体領域を有するため、縦方向厚さ方向の抵抗、すなわち、第2の半導体膜208と、不純物半導体膜210により構成されるソース領域またはドレイン領域と、の間の抵抗を低くすることができ、トランジスタのオン電流を高めることができる。すなわち、従来の非晶質半導体を適用した場合と比較すると、オフ電流を十分に低減させつつ、オン電流の低下をも抑制することができ、トランジスタのスイッチング特性を高くすることができる。なお、完成したトランジスタにおいて、第1の半導体膜206により形成される第1の半導体層が薄くなるとオン電流が低下し、第1の半導体膜206により形成される第1の半導体層が厚くなると、第1の半導体膜206により形成される第1の半導体層と後に形成される第2の導電層の接触面積が広くなり、オフ電流が増大する。従って、オンオフ比を高くするためには、第1の半導体膜206を厚くし、更には後述するように、第1の半導体膜206により形成される第1の半導体層を含む薄膜積層体212の側壁に絶縁化処理を行うことが好ましい。上記の微結晶半導体領域は、第1の半導体膜206から第2の半導体膜208に向かって先端が細くなる錐形状の結晶粒により大部分が構成されているとよい。または、第1の半導体膜206から第2の半導体膜208に向かって幅が広がる結晶粒により大部分が構成されていてもよい。上記の界面領域において、微結晶半導体領域が第1の半導体膜206から第2の半導体膜208に向かって先端が細くなる錐形状に伸びた結晶粒である場合には、第1の半導体膜206側のほうが、第2の半導体膜208側と比較して、微結晶半導体領域の占める割合が高い。微結晶半導体領域は、第1の半導体膜206の表面から厚さ方向に成長するが、原料ガスにおいて堆積性ガス例えば、シランに対する水素の流量が小さくすなわち、希釈率が低く、または窒素を含む原料ガスの濃度が高いと、微結晶半導体領域における結晶成長が抑制され、結晶粒が錐形状になり、堆積されて形成される半導体は、大部分が非晶質半導体となる。なお、上記の界面領域は、窒素、特にNH基若しくはNH2基を含有することが好ましい。これは、微結晶半導体領域に含まれる結晶の界面、微結晶半導体領域と非晶質半導体領域の界面において、窒素、特にNH基若しくはNH2基がシリコン原子のダングリングボンドと結合すると、欠陥を低減させ、キャリアが流れやすくなるためである。このため、窒素、好ましくはNH基若しくはNH2基を1×1020cm-3乃至1×1021cm-3の濃度で含有させると、シリコン原子のダングリングボンドを窒素、好ましくはNH基若しくはNH2基で架橋しやすくなり、キャリアがより流れやすくなる。この結果、結晶粒界や欠陥におけるキャリアの移動を促進する結合ができ、上記の界面領域のキャリア移動度が向上する。そのため、トランジスタの電界効果移動度が向上する。なお、上記の界面領域の酸素濃度を低減させることにより、微結晶半導体領域と非晶質半導体領域の界面または結晶粒間の界面における欠陥密度を低減させ、キャリアの移動を阻害する結合を低減させることができる。不純物半導体膜210は、一導電型を付与する不純物元素を添加した半導体により形成する。トランジスタがn型である場合には、一導電型を付与する不純物元素を添加した半導体として、例えば、PまたはAsを添加したシリコンが挙げられる。または、トランジスタがp型である場合には、一導電型を付与する不純物元素として、例えば、Bを添加することも可能であるが、トランジスタはn型とすることが好ましい。そのため、ここでは、一例として、Pを添加したシリコンを用いる。なお、不純物半導体膜210は、非晶質半導体により形成してもよいし、微結晶半導体などの結晶性半導体により形成してもよい。不純物半導体膜210を非晶質半導体により形成する場合には、堆積性ガスの流量に対する希釈ガスの流量を1倍以上10倍以下、好ましくは1倍以上5倍以下とすればよい。不純物半導体膜210を結晶性半導体により形成する場合には、堆積性ガスの流量に対する希釈ガスの流量を10倍以上2000倍以下、好ましくは50倍以上200倍以下とすればよい。なお、第1の絶縁層204から不純物半導体膜210までは同一チャンバー内で連続して形成することが好ましい。第1の絶縁層204から不純物半導体膜210までの各々の層間の界面に不純物が含まれてしまうことを防止するためである。次に、不純物半導体膜210上にエッチングマスク211を形成し、エッチングマスク211を用いて第1の半導体膜206と、第2の半導体膜208と、不純物半導体膜210と、をエッチングする。その後、エッチングマスク211を除去することで、薄膜積層体212を得ることができる図1C。エッチングマスク211は、レジスト材料により形成すればよい。なお、ここで、上述したように、薄膜積層体212の側壁に対して絶縁化処理を行うことが好ましい。なぜなら、完成したトランジスタの第1の半導体層と第2の導電層が接するとオフ電流が増大してしまうことが多いからである。ここで絶縁化処理としては、薄膜積層体212の側壁を酸素プラズマ若しくは窒素プラズマに曝す処理、または薄膜積層体212の側壁が露出された状態で絶縁膜を形成し、該絶縁膜を異方性の高いエッチング方法により基板200の表面に垂直な方向のエッチングを行うことで、薄膜積層体212の側壁に接してサイドウォール絶縁層を形成する処理が挙げられる。次に、第1の絶縁層204及び薄膜積層体212上に導電膜214を形成する。導電膜214上にはエッチングマスク215を形成する図1D。導電膜214は、第1の導電層202と同様に、導電性材料例えば金属、または一導電型の不純物元素が添加された半導体などにより形成すればよい。なお、導電膜214は、単層で形成してもよいし、複数の層を積層して形成してもよい。例えば、Ti層によりAl層を挟持した3層の積層構造として形成する。次に、エッチングマスク215を用いて導電膜214をエッチングすることで、第2の導電層222を形成する図2A。その後、エッチングマスク215を除去する。なお、第2の導電層222は、少なくとも信号線、ソース電極及びドレイン電極を構成する。次に、第2の導電層222をエッチングマスクとして用いて薄膜積層体212のエッチングを行う。ここで、エッチングは、第1のエッチングと第2のエッチングにより行う。第1のエッチングは、CF4ガスを用いて行い、第2のエッチングは、HBrガスと、CF4ガスと、酸素ガスを含む混合ガスを用いて行う。第1のエッチングをCF4ガスにより行うことで、第2の半導体膜208の表面に自然酸化膜が形成されていても、該自然酸化膜を除去し、且つ第2の半導体膜208をエッチングすることができる。そして、第2のエッチングをHBrガスと、CF4ガスと、酸素ガスを含む混合ガスにより行うことで、第1の半導体膜206が結晶性半導体膜であり、第2の半導体膜208が非晶質半導体膜である場合には、第1の半導体膜206により形成された層と第2の半導体膜208により形成された層のエッチング選択比を大きくとることができる。第2の導電層222と重畳していない部分の第2の半導体膜208を除去し、第2の導電層222と重畳していない部分の第1の半導体膜206により形成される層を露出させる場合であっても、第2の導電層222と重畳していない部分の第1の半導体層216の膜減りを抑えることができる図2B。すなわち、本発明の一態様である前記エッチング方法は、結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜が設けられた積層半導体膜薄膜積層体212の一部に対して、少なくとも第1のエッチングと第2のエッチングを行い、前記積層半導体膜に設けられた前記結晶性半導体膜の一部を露出させ、前記第1のエッチングは、CF4ガスを用いて行い、前記第2のエッチングは、HBrガスと、CF4ガスと、酸素ガスを含む混合ガスを用いて行うことを特徴の一とする。または、本発明の一態様である前記エッチング方法の一は、結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜が設けられた積層半導体膜の第1の領域上にエッチングマスクを形成し、少なくとも第1のエッチングと第2のエッチングにより、第2の領域の前記結晶性半導体膜を露出させ、前記第1のエッチングは、CF4ガスを用いて行い、前記第2のエッチングは、HBrガスと、CF4ガスと、酸素ガスを含む混合ガスを用いて行うことを特徴の一とする。なお、前記第2のエッチングは、0より大きく100W以下のバイアス電力で行えばよい。このとき、エッチング装置の上部電極と下部電極のうち、小さい方の電極の面積は、340cm2以上にするとよい。なお、前記第2のエッチングにおけるHBrガスとCF4ガスと酸素ガスの流量比は、24:1:1であるとよい。なお、前記第2のエッチングは、エッチングマスク215を用いて行ってもよい。そして、上記説明したように露出させた第1の半導体層216は、H2Oプラズマに曝すとよい。または、H2Oプラズマに代えて、水素と酸素の混合ガスにより生じさせたプラズマを用いるとよい。以上説明したように、トランジスタを作製することができる。このようなトランジスタは、表示装置の画素に用いる画素トランジスタに適用することができる。以下に、画素トランジスタの作製方法について説明する。その後、これらを覆って第2の絶縁層224を形成する。なお、第2の絶縁層224は、少なくとも第1の半導体層216の露出された部分を覆って形成する。その後、第2の絶縁層224に開口部225を形成する図2C。開口部225は、第2の絶縁層224上にエッチングマスクを形成してエッチングを行うことにより形成する。次に、開口部225を介して第2の導電層222により形成されるソース電極及びドレイン電極の一方に電気的に接続されるように第3の導電層226を選択的に形成する。第3の導電層226は、画素トランジスタに接続される画素電極を構成することから、透光性を有する材料により形成するとよい。第3の導電層226は、第2の絶縁層224上に導電膜を形成し、この導電膜上にエッチングマスクを形成してエッチングを行うことにより形成する。第3の導電層226は、透光性を有する導電性高分子導電性ポリマーともいう。を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性組成物を用いて形成した第3の導電層226は、シート抵抗が10000Ω/□以下であり、且つ波長550nmにおける透光率が70以上であることが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗率が0.1Ωcm以下であることが好ましい。なお、導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子を用いることができる。例えば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、またはアニリン、ピロール及びチオフェンの2種以上の共重合体またはその誘導体などが挙げられる。第3の導電層226は、例えば、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物ITO、インジウム亜鉛酸化物、酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物などを用いて形成することができる。なお、図示していないが、第2の絶縁層224と第3の導電層226との間に、スピンコーティング法などにより形成した有機樹脂により形成される絶縁層を有していてもよい。なお、上記説明した本実施の形態の薄膜トランジスタは好ましい一形態であり、これに限定されるものではない。例えば、第1の半導体膜206は微結晶半導体膜でなくてもよいし、第2の半導体膜208には微小半導体結晶粒が含まれていなくてもよい。以上説明したように、第1の半導体層216の膜減りを抑えて図2Dに示す薄膜トランジスタを作製することができる。そのため、電気的特性が良好な例えば、オフ電流が小さい薄膜トランジスタを作製することができる。実施の形態2実施の形態1で説明した薄膜トランジスタには、チャネル形成領域と重畳して第3の導電層226が設けられており、これがバックゲート電極として機能する。本実施の形態では、薄膜トランジスタへのバックゲート電極の配し方について説明する。図3A乃至Dは、バックゲート電極が設けられた薄膜トランジスタの上面図を示す。なお、断面構造は、実施の形態1で説明したものと同様である。まず、図3Aに示すように、バックゲート308Aは、ゲート300Aと電気的に接続させることなく、独立に引き回して形成することができる。図3Aに示すようにバックゲート308Aを配することで、バックゲート308Aに供給する電位と、ゲート300Aに供給する電位を制御し、各々の電位を独立したものとすることができる。このため、薄膜トランジスタのしきい値電圧を制御することができる。また、キャリアが流れる領域が、第1の半導体層により構成されるチャネル形成領域のゲート側及びバックゲート側の双方に形成されるため薄膜トランジスタのオン電流を大きくすることができる。なお、図3Aに示すゲート300Aは、ゲート電極とゲート配線であり、実施の形態1における第1の導電層202により構成されるものである。なお、図3Aに示す配線302Aは、ソース電極とソース配線であり、実施の形態1における第2の導電層222により構成されるものである。なお、図3Aに示す電極304Aは、ドレイン電極であり、実施の形態1における第2の導電層222により構成されるものである。なお、図3Aに示す画素電極306Aは、画素電極であり、実施の形態1における第3の導電層226により構成されるものである。なお、図3Aに示すバックゲート308Aは、バックゲート電極とバックゲート配線であり、実施の形態1における第3の導電層226により構成されるものである。なお、図3Aに示す開口部310Aは、実施の形態1における開口部225に相当する。または、図3Bに示すように、バックゲートは、ゲートと電気的に接続させてもよい。図3Bでは、ゲート300Bとバックゲート308Bが、開口部312で電気的に接続されている。このため、ゲートの電位とバックゲートの電位は、ほぼ等しいものとなる。従って、図3Aと同様に、キャリアが流れる領域が、第1の半導体層により構成されるチャネル形成領域のゲート側及びバックゲート側の双方に形成されるため薄膜トランジスタのオン電流を大きくすることができる。なお、図3Bに示すゲート300Bは、ゲート電極とゲート配線であり、実施の形態1における第1の導電層202により構成されるものである。なお、図3Bに示す配線302Bは、ソース電極とソース配線であり、実施の形態1における第2の導電層222により構成されるものである。なお、図3Bに示す電極304Bは、ドレイン電極であり、実施の形態1における第2の導電層222により構成されるものである。なお、図3Bに示す画素電極306Bは、画素電極であり、実施の形態1における第3の導電層226により構成されるものである。なお、図3Bに示すバックゲート308Bは、バックゲート電極であり、実施の形態1における第3の導電層226により構成されるものである。なお、図3Bに示す開口部310Bは、実施の形態1における開口部225に相当する。なお、図3Bに示す開口部312は、実施の形態1における開口部225と同一の工程により設けられたものである。開口部312において、ゲート300Bとバックゲート308Bが接続されている。または、図3Cに示すように、バックゲートは、ゲート電極と電気的に接続させず、且つ独立に引き回すことなく、フローティングにしてもよい。なお、図3Cに示すゲート300Cは、ゲート電極とゲート配線であり、実施の形態1における第1の導電層202により構成されるものである。なお、図3Cに示す配線302Cは、ソース電極とソース配線であり、実施の形態1における第2の導電層222により構成されるものである。なお、図3Cに示す電極304Cは、ドレイン電極であり、実施の形態1における第2の導電層222により構成されるものである。なお、図3Cに示す画素電極306Cは、画素電極であり、実施の形態1における第3の導電層226により構成されるものである。なお、図3Cに示すバックゲート308Cは、バックゲート電極であり、実施の形態1における第3の導電層226により構成されるものである。なお、図3Cに示す開口部310Cは、実施の形態1における開口部225に相当する。または、図3Dに示すように、バックゲートは、ソース電極及びドレイン電極と重畳して設けられていてもよい。ここでは、図3Aに示す構造の薄膜トランジスタについて示したが、図3B及び図3Cに示すバックゲートも同様に第2の導電層222により構成されるソース電極及びドレイン電極と重畳していてもよい。なお、図3Dに示すゲート300Dは、ゲート電極とゲート配線であり、実施の形態1における第1の導電層202により構成されるものである。なお、図3Dに示す配線302Dは、ソース電極とソース配線であり、実施の形態1における第2の導電層222により構成されるものである。なお、図3Dに示す電極304Dは、ドレイン電極であり、実施の形態1における第2の導電層222により構成されるものである。なお、図3Dに示す画素電極306Dは、画素電極であり、実施の形態1における第3の導電層226により構成されるものである。なお、図3Dに示すバックゲート308Dは、バックゲート電極とバックゲート配線であり、実施の形態1における第3の導電層226により構成されるものである。なお、図3Dに示す開口部310Dは、実施の形態1における開口部225に相当する。実施の形態3上記実施の形態にて作製した薄膜トランジスタを適用した半導体装置としては、電子ペーパーが挙げられる。電子ペーパーは、情報を表示するものであればあらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。例えば、電子ペーパーを用いて、電子書籍電子ブック、ポスター、デジタルサイネージ、PIDPublicInformationDisplay、電車などの乗り物の車内広告、クレジットカード等の各種カードにおける表示等に適用することができる。電子機器の一例を図4に示す。図4は、電子書籍の一例を示している。例えば、電子書籍400は、筐体401および筐体403の2つの筐体で構成されている。筐体401および筐体403は、軸部411により一体とされており、該軸部411を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍と同様に取り扱うことが可能となる。筐体401には表示部405及び光電変換装置406が組み込まれ、筐体403には表示部407及び光電変換装置408が組み込まれている。表示部405及び表示部407は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右側の表示部図4では表示部405に文章を表示し、左側の表示部図4では表示部407に画像を表示することができる。また、図4では、筐体401に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体401において、電源421、操作キー423、スピーカ425などを備えている。操作キー423により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子イヤホン端子、USB端子、またはACアダプタおよびUSBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。さらに、電子書籍400は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。また、電子書籍400は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。実施の形態4上記実施の形態にて作製した薄膜トランジスタを適用した半導体装置としては、電子ペーパー以外にもさまざまな電子機器遊技機も含むが挙げられる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。図5Aは、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置500は、筐体501に表示部503が組み込まれている。表示部503により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド505により筐体501を支持した構成を示している。テレビジョン装置500の操作は、筐体501が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機510により行うことができる。リモコン操作機510が備える操作キー509により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部503に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機510に、当該リモコン操作機510から出力する情報を表示する表示部507を設ける構成としてもよい。なお、テレビジョン装置500は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向送信者から受信者または双方向送信者と受信者間、あるいは受信者間同士などの情報通信を行うことも可能である。図5Bは、デジタルフォトフレームの一例を示している。例えば、デジタルフォトフレーム520は、筐体521に表示部523が組み込まれている。表示部523は、各種画像を表示することが可能であり、例えばデジタルカメラなどで撮影した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることができる。なお、デジタルフォトフレーム520は、操作部、外部接続用端子USB端子、USBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など、記録媒体挿入部などを備える構成とする。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面に備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレームの記録媒体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して画像データを取り込み、取り込んだ画像データを表示部523に表示させることができる。また、デジタルフォトフレーム520は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることもできる。図6は携帯型のコンピュータの一例を示す斜視図である。図6の携帯型のコンピュータは、上部筐体541と下部筐体542とを接続するヒンジユニットを閉状態として表示部543を有する上部筐体541と、キーボード544を有する下部筐体542とを重ねた状態とすることができ、持ち運ぶことが便利であるとともに、使用者がキーボード入力する場合には、ヒンジユニットを開状態として、表示部543を見て入力操作を行うことができる。また、下部筐体542はキーボード544の他に入力操作を行うポインティングデバイス546を有する。また、表示部543をタッチ入力パネルとすれば、表示部の一部に触れることで入力操作を行うこともできる。また、下部筐体542はCPUやハードディスク等の演算機能部を有している。また、下部筐体542は他の機器、例えばUSBの通信規格に準拠した通信ケーブルが差し込まれる外部接続ポート545を有している。上部筐体541には更に上部筐体541内部にスライドさせて収納可能な表示部547を有しており、広い表示画面を実現することができる。また、収納可能な表示部547の画面の向きを使用者は調節できる。また、収納可能な表示部547をタッチ入力パネルとすれば、収納可能な表示部の一部に触れることで入力操作を行うこともできる。表示部543または収納可能な表示部547には、液晶表示パネル、有機発光素子または無機発光素子などの発光表示パネルを用いる。また、図6の携帯型のコンピュータは、受信機などを備えた構成として、テレビ放送を受信して映像を表示部に表示することができる。また、上部筐体541と下部筐体542とを接続するヒンジユニットを閉状態としたまま、表示部547をスライドさせて画面全面を露出させ、画面角度を調節して使用者がテレビ放送を見ることもできる。この場合には、ヒンジユニットを閉状態として表示部543を表示させず、さらにテレビ放送を表示するだけの回路の起動のみを行うため、最小限の消費電力とすることができ、バッテリー容量の限られている携帯型のコンピュータにおいて有用である。本実施例では、本発明の一態様である半導体装置の作製方法を適用した薄膜トランジスタを実際に作製し、該薄膜トランジスタの特性を調査して比較した。ここでは、実施例サンプルと、比較例サンプルを作製した。なお、本実施例で作製した薄膜トランジスタは、図2Cに示すものである。まず、基板200上に厚さ200nmのSiONからなる下地膜をプラズマCVD法により形成する。次に、該下地膜上にスパッタリング法により第1の導電層202となる導電膜を形成し、該導電膜を加工して第1の導電層202を形成した。第1の導電層202は、厚さ50nmのTi、厚さ100nmのAl、厚さ50nmのTiが積層された構造である。次に、第1の導電層202を覆って厚さ300nmの窒化シリコンからなる第1の絶縁層204をプラズマCVD法により形成した。具体的には、基板が搬入された反応室内にモノシランガスを15sccm、アンモニアガスを500sccm、窒素ガスを180sccm、水素ガスを200sccmで導入して反応室内の圧力を100Paとし、反応室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を30mmとし、上部電極には周波数13.56MHz、200Wの高周波電力を供給した。なお、上部電極の温度は250°Cとし、下部電極の温度は290°Cとした。次に、第1の絶縁層204の表面に対してプラズマ処理を行った。具体的には、基板が搬入された反応室内に一酸化二窒素N2Oガスを400sccmで導入して反応室内の圧力を60Paとし、反応室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を30mmとし、上部電極には周波数13.56MHz、300Wの高周波電力を供給した。なお、上部電極の温度は250°Cとし、下部電極の温度は290°Cとした。次に、プラズマ処理後の第1の絶縁層204上に第1の半導体膜206を形成した。なお、本実施例では、第1の半導体膜206は、2段階の成膜処理により形成した。2段階の成膜処理において、第1段階では厚さ5nmの微結晶シリコン膜を形成し、第2段階では厚さ65nmの微結晶シリコン膜を形成した。具体的には、第1段階では、基板が搬入された反応室内にモノシランガスを4sccm、アルゴンガスを750sccm、水素ガスを750sccmで導入して反応室内の圧力を532Paとし、反応室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を15mmとし、上部電極には周波数13.56MHz、150Wの高周波電力を供給した。なお、上部電極の温度は250°Cとし、下部電極の温度は290°Cとした。第2段階では、基板が搬入された反応室内にモノシランガスを1.8sccm、アルゴンガスを750sccm、水素ガスを750sccmで導入して反応室内の圧力を5000Paとし、反応室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を7mmとし、上部電極には周波数13.56MHz、125Wの高周波電力を供給した。なお、上部電極の温度は250°Cとし、下部電極の温度は290°Cとした。次に、第1の半導体膜206上に厚さ90nmの第2の半導体膜208を形成した。具体的には、基板が搬入された反応室内にモノシランガスを20sccm、水素希釈アンモニアガスを50sccm、アルゴンガスを750sccm、水素ガスを700sccmで導入して反応室内の圧力を350Paとし、反応室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を25mmとし、上部電極には周波数13.56MHz、60Wの高周波電力を供給した。なお、上部電極の温度は250°Cとし、下部電極の温度は290°Cとした。なお、ここで、水素希釈アンモニアガスとは、アンモニアガスを水素により1000ppmまで希釈したガスをいう。次に、第2の半導体膜208上に厚さ50nmの不純物半導体膜210を形成した。具体的には、基板が搬入された反応室内にモノシランガスを80sccm、水素希釈ホスフィンガスを150sccm、水素ガスを750sccmで導入して反応室内の圧力を350Paとし、反応室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を15mmとし、上部電極には周波数13.56MHz、30Wの高周波電力を供給した。なお、上部電極の温度は250°Cとし、下部電極の温度は290°Cとした。なお、ここで、水素希釈ホスフィンガスとは、ホスフィンガスを水素により0.5まで希釈したガスをいう。次に、不純物半導体膜210上にレジスト材料によりエッチングマスク211を形成した。そして、エッチングマスク211を用いて、第1の半導体膜206、第2の半導体膜208及び不純物半導体膜210をエッチングして、薄膜積層体212を形成した。ここで、該エッチングは反応性イオンエッチングにより行い、具体的には、基板が搬入された反応室内に三塩化ホウ素BCl3ガスを36sccm、四フッ化メタンCF4ガスを36sccm、酸素ガスを8sccmで導入して反応室内の圧力を2.0Paとし、上部電極には周波数13.56MHz、450Wの高周波電力を供給し、上部電極と下部電極の間のバイアス電力を100Wとした。なお、上部電極の温度は100°Cとし、下部電極の温度は70°Cとした。次に、薄膜積層体212に対して酸素プラズマ処理を行った。具体的には、基板が搬入された反応室内に酸素ガスを100sccmで導入して反応室内の圧力を0.67Paとし、反応室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を200mmとし、上部電極には2000Wの高周波電力を供給し、バイアス電力を350Wとした。なお、下部電極の温度は-10°Cとした。その後、エッチングマスク211を除去した。次に、薄膜積層体212を覆って厚さ300nmの導電膜214をスパッタリング法により形成した。導電膜214上には、エッチングマスク215を形成した。導電膜214は、厚さ50nmのTi、厚さ200nmのAl、厚さ50nmのTiが積層された構造である。そして、エッチングマスク215を用いて導電膜214をエッチングして、第2の導電層222を形成しつつ、薄膜積層体212の上部もエッチングした。このエッチングでは不純物半導体膜210をエッチングして不純物半導体層220を形成し、第2の半導体膜208の上部のみをエッチングした。具体的には、基板が搬入された反応室内に三塩化ホウ素BCl3ガスを60sccm、塩素ガスを20sccmで導入して反応室内の圧力を1.9Paとし、上部電極には周波数13.56MHz、450Wの高周波電力を供給し、上部電極と下部電極の間のバイアス電力を100Wとした。なお、上部電極の温度は100°Cとし、下部電極の温度は70°Cとした。その後、エッチングマスク215を除去した。次に、上部のみエッチングされた第2の半導体膜208を更にエッチングし、第1の半導体膜206の一部をエッチングし、第1の半導体層216及び第2の半導体層218を形成した。ここで、実施例サンプルでは、CF4ガスを用いて第1のエッチングを行った後に、CF4ガス、HBrガス及び酸素ガスの混合ガスを用いて第2のエッチングを行った。比較例サンプルでは、CF4ガスを用いてエッチングを行った。なお、実施例サンプルのエッチングの詳細な条件を下記の表1に示す。なお、このとき、エッチング装置の上部電極と下部電極のうち、小さい方の電極上部電極は、面積340cm2のものを用いた。なお、上部電極の温度は100°Cとし、下部電極の温度は70°Cとした。なお、比較例サンプルでは、基板が搬入された反応室内にCF4ガスを100sccmで導入して反応室内の圧力を0.67Paとし、反応室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を200mmとし、上部電極には1000Wの高周波電力を供給し、バイアス電力を50Wとした。なお、下部電極の温度は40°Cとした。なお、実施例サンプル及び比較例サンプルのいずれも前記エッチング工程の後に純水により洗浄を行った。次に、第1の半導体層216の露出された部分をH2Oプラズマに曝した。具体的には、基板が搬入された反応室内に水蒸気H2Oガスを300sccmで導入して反応室内の圧力を66.5Paとし、周波数13.56MHz、1800Wの高周波電力を供給した。なお、下部電極の温度は250°Cとした。次に、第1の半導体層216、第2の半導体層218、不純物半導体層220、第2の導電層222を覆って厚さ300nmの窒化シリコンからなる第2の絶縁層224となる第2の絶縁膜をプラズマCVD法により形成した。以上のように形成した実施例サンプル及び比較例サンプルのId-Vgカーブを取得した。図7Aは、比較例サンプルについて取得したId-Vgカーブを示し、図7Bは、実施例サンプルについて取得したId-Vgカーブを示す。なお、図7A及び図7Bに示すId-Vgカーブは、基板中央付近に設けられた薄膜トランジスタから取得した値を示すものである。ここで、Idは、ソース電極とドレイン電極の間を流れる電流を示し、Vgは、ソース電極の電位を基準としたゲート電極の電位との電位差を示す。上記の実施例サンプルと比較例サンプルについて、基板内に同時に設けられた複数のサンプルから取得した値を比較すると、実施例サンプルのほうが、S値を小さくすることができることがわかる。上記の実施例サンプルと比較例サンプルについて、基板内に同時に設けられた複数のサンプルから取得した値を比較すると、実施例サンプルのほうが、閾値電圧をプラス側にシフトさせることができることがわかる。上記の実施例サンプルと比較例サンプルについて、基板内に同時に設けられた複数のサンプルから取得した値を比較すると、実施例サンプルのほうが、オフ電流を低く抑えることができることがわかる。上記した電気的特性の比較結果を下記の表2に示す。以上説明したように、本発明の一態様である半導体装置の作製方法を適用することで、少なくとも、S値を小さくし、且つ閾値電圧をプラス側にシフトさせ、オフ電流を小さくすることができる。更には、チャネル形成領域を露出させるエッチングの際にバイアス電力を小さくし、0より大きく100W以下のバイアス電力で行えばよく、より好ましくは、バイアス電力は0より大きく50W以下とすればよい。