光透過性カバーシートを通して受容される入射光を電圧に変換する光電池モジュールであって、光電池モジュールは基板と、前記基板とカバーシートの間に配置された導電性上部層及び導電性下部層を含み、導電性下部層は下部電極と導電性光透過層の間に電極拡散層を持ち、及び前記導電性下部層及び上部層の間に沈着された半導体層スタックを含み、前記電極拡散層は半導体層スタックの沈着の間に、導電性下部層の下部電極が導電性光透過層に拡散することを制限し、前記入射光が半導体層スタックによって、導電性上部層及び下部層の間の電圧に変換される、光電池モジュール。前記電極拡散層が下部電極を導電性光透過層と電気的に結合する、請求項1の光電池モジュール。前記電極拡散層が下部電極の拡散係数よりも小さい拡散係数を持つ、請求項1の光電池モジュール。前記電極拡散層が光透過性であり、入射光の少なくとも一部が電極拡散層を透過して下部電極で反射される、請求項1の光電池モジュール。前記電極拡散層が金属又は金属合金から形成される、請求項1の光電池モジュール。前記電極拡散層が、電気的に絶縁性の材料又は導電材料でドープされた半導体性材料から形成される、請求項1の光電池モジュール。前記下部電極から導電性光透過層へ延びる電極拡散層の厚さは、半導体層スタックにより吸収される入射光の一以上の波長に基づく、請求項1の光電池モジュール。基板、基板の上部の導電性下部電極、及びそれを通して入射光が受容されカバーシートを有する光電池モジュールを製造する方法であって、前記方法は、下部電極の上部に電極拡散層を沈着させることを含み、前記電極拡散層の上部に導電性光透過層を沈着させることを含み、前記導電性光透過層は電極拡散層により下部電極と電気的に結合され、前記導電性光透過層の上部に半導体層スタックを沈着させることを含み、前記電極拡散層が、半導体層スタックの沈着の間に、下部電極が導電性光透過層へ拡散することを制限し、及び半導体層スタックの上部に導電性上部層を沈着させることを含み、前記半導体層スタックは、入射光を下部電極及び導電性上部層との間の電位差に変換する、光電池モジュールを製造する方法。前記電極拡散層が、下部電極を導電性光透過層に電気的に結合させる、請求項8の方法。前記電極拡散層が下部電極の拡散係数よりも小さい拡散係数を持つ、請求項8の方法。前記電極拡散層は光透過性であって、入射光の少なくとも一部が電極拡散層を透過して下部電極で反射される、請求項8の方法。前記電極拡散層が金属又は金属合金として沈着される、請求項8の方法。前記電極拡散層が、電気的に絶縁性の材料又は導電材料でドープされた半導体性材料の沈着により形成される、請求項8の方法。前記下部電極から導電性光透過層へ延びる電極拡散層の厚さは、半導体層スタックにより吸収される入射光の一以上の波長に基づく、請求項8の方法。前記導電性光透過層が沈着された後に、前記下部電極、電極拡散層、及び導電性光透過層の一部を取り除くことを含み、取り除くことには、隣接する光電池モジュールの電池の下部電極、電極拡散層及び導電性光透過層を分離することを含む、請求項8の方法。前記半導体層スタックの沈着は250°Cから350°Cの間の温度で行われる、請求項8の方法。それを通して入射光が受容されるカバーシートを持つ光電池モジュールであって、光電池モジュールは、基板、前記基板及びカバーシートの間に配置された半導体層のN-I-Pスタック、前記N-I-Pスタックと電気的に結合され、そしてN-I-Pスタックとカバーシートの間に配置される導電性上部層を含み、及び前記N-I-Pスタックと電気的に結合され、そして基板とN-I-Pスタックの間に配置される導電性下部層を含み、導電性下部層は、下部電極並びに下部電極と導電性光透過層の間に電極拡散層を持つ導電性光透過層を持ち、電極拡散層は、下部電極の導電性光透過層ヘの拡散を防ぎ、前記N-I-Pスタックは、入射光を導電性上部層及び下部層の間の電圧に変換する、光電池モジュール。前記電極拡散層が、導電性光透過層を下部電極と電気的に結合する、請求項17の光電池モジュール。前記電極拡散層が、電気的に絶縁性の材料又は導電材料でドープされた半導体性材料を含む、請求項17の光電池モジュール。前記電極拡散層が、下部電極から導電性光透過層へ延び、そして半導体層スタックが沈着される間に、下部電極が導電性光透過層ヘ拡散することを防ぐ、請求項17の光電池モジュール。