反射面と、縁部を有し前記反射面を通って延びる孔とを有するコレクタミラーと、内面および外面を有し前記孔を通って延びる管状体であって、前記反射面を実質的に横断する方向に主ガス流を導く管状体と、前記管状体の前記外面と前記孔の前記縁部との間の開口部であって、前記主ガス流に対して分岐する別のガス流を導く開口部と、を含むコレクタミラーアセンブリ。前記開口部は、実質的に前記反射面に沿って前記別のガス流を導く、請求項1に記載のアセンブリ。前記管状体の前記内面および前記外面の一方または両方の少なくとも一部は、前記主ガス流と反対の方向にテーパ状になっている、請求項1または2に記載のアセンブリ。前記管状体の前記外面と前記孔の前記縁部との間に1つまたは複数の壁が設けられ、前記1つまたは複数の壁は、前記別のガス流を1つまたは複数の副流に分割する、請求項1から3のいずれか1項に記載のアセンブリ。前記コレクタミラーは、第1焦点から放出された放射を第2焦点に集束させ、前記主ガス流は、前記反射面から離れて前記第1焦点および前記第2焦点の一方または両方へと向けられる、請求項1から4のいずれか1項に記載のアセンブリ。前記開口部は、前記管状体の前記外面と前記孔の前記縁部とによって形成される、請求項1から5のいずれか1項に記載のアセンブリ。極端紫外線放射を生成するモジュールであって、所定のターゲット点火位置に点火材料の1つまたは複数の小滴を供給する供給源と、前記所定のターゲット点火位置に集束するレーザビームを供給し、前記所定のターゲット点火位置に置かれた小滴に当てて該小滴を極端紫外線生成プラズマに変えることによりプラズマを生成する放射源と、請求項1から6のいずれか1項に記載のアセンブリと、を含むモジュール。前記アセンブリが請求項5または6に記載のアセンブリであり、前記ターゲット点火位置が前記第1焦点である、請求項7に記載のモジュール。パターニングデバイスから基板上にパターンを投影するように配置され、請求項1から6のいずれか1項に記載のアセンブリ、または、請求項7または8に記載のモジュールを含む、リソグラフィ投影装置。レーザビームのような放射ビームを所定のターゲット点火位置に置かれた点火材料の小滴上に向け、該小滴を、極端紫外線放射を生成するプラズマに変えることと、請求項1から6のいずれか1項に記載のアセンブリ、請求項7または8に記載のモジュール、または請求項9に記載のリソグラフィ投影装置を用いて、前記放射を反射し、かつ、前記所定のターゲット点火位置へガス流を向けることと、を含む極端紫外線放射の生成方法。前記コレクタミラーは、第1焦点から放出される放射を第2焦点に集束させる、請求項10に記載の方法。前記管状体を通って前記主ガス流を提供すること、および/または、前記開口部を通って前記別のガス流を提供することを含み、前記主ガス流は、前記第1および第2焦点の一方または両方に向けられる、請求項11に記載の方法。極端紫外線放射を生成するモジュールであって、所定のターゲット点火位置に点火材料の小滴を1つまたは複数供給する供給源と、前記所定のターゲット点火位置に集束するレーザビームを供給し、前記所定のターゲット点火位置に置かれた小滴に当てて該小滴を極端紫外線生成プラズマに変えることによりプラズマを生成する放射源と、コレクタミラーアセンブリであって、反射面と、縁部を有し前記反射面を通って延びる孔とを有するコレクタミラーと、内面および外面を有し前記孔を通って延びる管状体であって、前記反射面を実質的に横断する方向に主ガス流を導く管状体と、前記管状体の前記外面と前記孔の前記縁部との間の開口部であって、前記主ガス流に対して分岐する別のガス流を導く開口部と、を含むコレクタミラーアセンブリと、を含むモジュール。コレクタミラーアセンブリであって、第1焦点から放出される放射を第2焦点に集束させる反射面と、縁部を有し前記反射面を通って延びる孔とを有するコレクタミラーと、内面および外面を有し、前記反射面を実質的に横断する方向に主ガス流を導く管状体と、前記管状体の前記外面と前記孔の前記縁部との間の開口部であって、前記主ガス流に対して分岐する別のガス流を導く開口部と、を含むコレクタミラーアセンブリと、前記放射が前記第2焦点を通過した後、前記放射にパターンを形成してパターン付きの放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持する支持体と、前記パターン付きの放射ビームを基板上に投影する投影システムと、を含むリソグラフィ投影装置。極端紫外線放射を生成する方法であって、レーザビームのような放射ビームを所定のターゲット点火位置に置かれた点火材料の小滴上に向け、該小滴を、極端紫外線放射を生成するプラズマに変えることと、コレクタミラーアセンブリを用いて、前記放射を反射し、かつ、前記所定のターゲット点火位置にガス流を向けることと、を含み、前記アセンブリは、反射面と、縁部を有し前記反射面を通って延びる孔とを有するコレクタミラーと、内面および外面を有し、前記反射面を実質的に横断する方向に主ガス流を導く管状体と、前記管状体の前記外面と前記孔の前記縁部との間の開口部であって、前記主ガス流に対して分岐する別のガス流を導く開口部とを含む、方法。00033図1は、本発明の一実施形態に係るソースコレクタモジュールSOを含むリソグラフィ装置100を概略的に示している。この装置は、放射ビームB例えば、EUV放射を調整するように構成された照明システムイルミネータILと、パターニングデバイス例えば、マスクまたはレチクルMAを支持するように構築され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1ポジショナPMに連結されたサポート構造例えば、マスクテーブルMTと、基板例えば、レジストコートウェーハWを保持するように構築され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに連結された基板テーブル例えば、ウェーハテーブルWTと、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば、1つ以上のダイを含む上に投影するように構成された投影システム例えば、反射型投影システムPSと、を含む。00034照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光学コンポーネントを含むことができる。00035サポート構造MTは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスMAを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。00036パターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応するものとしてよい。00037パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型位相シフト、およびハーフトーン型位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。00038照明システムと同様、投影システムも、使われている露光放射にとって、あるいは真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せを含むさまざまなタイプの光学コンポーネントを含み得る。他のガスは放射を過剰に吸収してしまうことがあるため、EUV放射にとっては真空を使用することが望ましいことがある。そのため、真空壁と真空ポンプとを用いて全ビーム経路に真空環境を作り出してもよい。00039本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの例えば、反射型マスクを採用しているものである。00040リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ以上の基板テーブルおよび/または2つ以上のマスクテーブルを有する型のものであってもよい。そのようなマルチステージ機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を1つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の1つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。00041図1を参照すると、イルミネータILは、ソースコレクタモジュールSOから極端紫外線放射ビームを受ける。EUV光を生成する方法としては、例えばキセノン、リチウム、またはスズといったEUV範囲内に1以上の輝線をもつ少なくとも1つの元素を有する材料をプラズマ状態に変換する方法があるが、必ずしもこれに限定されない。しばしばレーザ生成プラズマLLPと呼ばれるそのような一方法においては、所要のプラズマは、所要の線発光元素を有する材料の小滴、流れ、またはクラスタといった燃料をレーザビームで照射することにより生成することができる。ソースコレクタモジュールSOは、図1には示されない、燃料を励起するレーザビームを提供するためのレーザを含むEUV放射システムの一部であってもよい。これにより得られるプラズマは、出力放射、例えばEUV放射を放出し、これがソースコレクタモジュール内に設けられた放射コレクタを用いて集められる。レーザとソースコレクタモジュールとは、例えば、燃料励起のためのレーザビームを提供するためにCO2レーザが使用される場合には、別個の構成要素であってもよい。00042そのような場合、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、レーザからソースコレクタモジュールへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が、しばしばDPP放射源と呼ばれる放電生成プラズマEUVジェネレータである場合、放射源は、ソースコレクタモジュールの一体部分とすることもできる。00043イルミネータILは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲通常、それぞれσouterおよびσinnerと呼ばれるを調節することができる。さらに、イルミネータILは、ファセットフィールドおよび瞳ミラーデバイスといった、様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。00044放射ビームBは、サポート構造例えば、マスクテーブルMT上に保持されているパターニングデバイス例えば、マスクMA上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス例えば、マスクMAから反射した後、放射ビームBは投影システムPSを通過し、投影システムPSは、基板Wのターゲット部分C上にビームの焦点をあわせる。第2ポジショナPWおよび位置センサPS2例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサを使って、例えば、さまざまなターゲット部分Cを放射ビームBの経路内に位置決めするように、基板テーブルWTを正確に動かすことができる。同様に、第1ポジショナPMおよび別の位置センサPS1を使い、パターニングデバイス例えば、マスクMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス例えば、マスクMAおよび基板Wは、マスクアライメントマークM1およびM2と、基板アライメントマークP1およびP2とを使って、位置合わせされてもよい。00045例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも1つのモードで使用できる。1.ステップモードにおいては、サポート構造例えば、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影するすなわち、単一静的露光。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。2.スキャンモードにおいては、サポート構造例えば、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影するすなわち、単一動的露光。サポート構造例えば、マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの縮小拡大率および像反転特性によって決めることができる。3.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造例えば、マスクテーブルMTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。00046上述の使用モードの組合せおよび/またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。00047図2は、リソグラフィ装置100の一例を、ソースコレクタモジュールSO、イルミネータシステムIL、および投影システムPSを含めてより詳細に示す。ソースコレクタモジュールSOは、ソースコレクタモジュールSOの閉鎖構造220内に真空環境を維持できるように構築されかつ配置される。EUV放射放出プラズマ210は、放電生成プラズマ源によって形成し得る。EUV放射は、例えばXeガス、Li蒸気、またはSn蒸気といった、その中で非常に高温のプラズマ210が作り出されて電磁スペクトルのEUV範囲内の放射が放出されるガスまたは蒸気によって生成し得る。非常に高温のプラズマ210は、例えば、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを生じる放電によって作り出される。放射を効率よく生成するためには、例えば分圧10PaのXe、Li、Sn蒸気、またはその他の好適なガスまたは蒸気が必要となり得る。一実施形態では、EUV放射を生成するために励起スズSnのプラズマが提供される。00048高温のプラズマ210から放出された放射は、ソースチャンバ211内の開口部内またはその後方に位置する任意のガスバリアまたは汚染物質トラップ230汚染物質バリアまたはフォイルトラップと呼ばれることもあるを介して、ソースチャンバ211からコレクタチャンバ212へと通される。汚染物質トラップ230は、チャネル構造を含んでよい。汚染物質トラップ230はまた、ガスバリア、あるいはガスバリアとチャネル構造との組合せを含んでもよい。本明細書においてさらに言及される汚染物質トラップまたは汚染物質バリア230は、当該技術分野において公知のように、少なくともチャネル構造を含むものとする。00049コレクタチャンバ212は、いわゆるかすめ入射コレクタであってもよい放射コレクタCOを含み得る。放射コレクタCOは、放射コレクタ上流側251および放射コレクタ下流側252を有する。コレクタCOを通過する放射は、格子スペクトルフィルタ240で反射し、仮想光源点IFに集束させることができる。仮想光源点IFは、通常、中間焦点と呼ばれるもので、ソースコレクタモジュールは、中間焦点IFが閉鎖構造220内の開口部221に位置する、あるいはその近傍に位置するように配置される。仮想光源点IFは、放射放出プラズマ210の像である。00050放射は続いて照明システムILを通過する。この照明システムILは、パターニングデバイスMAにおいて放射ビーム21に所望の角分布をもたせ、かつ、パターニングデバイスMAにおいて所望の均一性の放射強度をもたせるように配置されたファセットフィールドミラーデバイス22およびファセット瞳ミラーデバイス24を含み得る。放射ビーム21がサポート構造MTによって保持されたパターニングデバイスMAで反射されると、パターン付きビーム26が形成され、このパターン付きビーム26が、投影システムPSによって、反射要素28、30を介して、ウェーハステージまたは基板テーブルWTに保持された基板W上に結像される。00051照明光学ユニットILおよび投影システムPSには、通常、図示されるより多くのエレメントが存在し得る。リソグラフィ装置のタイプにより、格子スペクトルフィルタ240は任意選択的に存在するものであってもよい。さらに、図面に示されたものより多くのミラーがあってもよく、例えば、投影システムPSには、図2に示されたものに対して1~6個の追加の反射要素が存在してもよい。00052図2に示すとおり、コレクタ光学系COは、コレクタまたはコレクタミラーの単なる一例として、かすめ入射リフレクタ253、254および255を有する入れ子状のコレクタとして描かれている。かすめ入射リフレクタ253、254および255は、光軸Oの周りに軸対称となるように配置されており、このようなタイプのコレクタ光学系COは、DPP源と呼ばれることが多い放電生成プラズマ源と組み合わせて用いられることが好ましい。00053あるいは、ソースコレクタモジュールSOは、図3に示されるようなLPP放射システムの一部であってもよい。レーザLAは、不図示の供給源によってもたらされるキセノンXe、スズSnまたはリチウムLiといった燃料にレーザエネルギーを蓄積し、それによって数十eVの電子温度をもつ高イオン化プラズマ210を形成するように構成されている。これらのイオンの脱励起および再結合中に生じるエネルギ放射がプラズマから放出され、その放射が近法線入射コレクタ光学系COによって集められ、閉鎖構造220内の開口部221上に集束される。00054既に述べたとおり、通常、プラズマは、極端紫外線放射に加えて、熱化された原子、イオン、中性子neutrals、ナノクラスタ、および/または微粒子といった粒子状のデブリを生成する。このようなデブリはコレクタミラーやその他の光学系にダメージを与え得る。デブリによるダメージを防ぐ試みとして、デブリを軽減するためにプラズマ近傍でバッファガスを使用してもよい。既存の構成においては、バッファガスは、プラズマ形成に使用されるレーザビームが通過し得るコレクタ内のアパーチャを通って、コレクタの焦点へと向けられる可能性がある。しかしながら、これでは、汚染物質がアパーチャを離れてコレクタ表面に達するのを十分に防ぐことができない。代替的にまたは追加的に、バッファガスをコレクタの外縁からアパーチャへと向けてもよいが、このことは、汚染物質を、アパーチャを通ってダメージを受けやすい光学コンポーネントに向けて押し進めることになりえる。したがって、これらの構成は汚染物質を削減または抑制しうるものの、依然として改善しうるものである。00055図4は、コレクタ光学系、本例においてはコレクタミラーCO’を含むコレクタミラーアセンブリ302を開示している。コレクタミラーCO’は反射面304を有する。コレクタミラーCO’の反射面304は、第1焦点から発した放射を第2焦点に集束させるように構築されている。コレクタミラーは法線入射コレクタである。00056図3に示したものと同様に、コレクタミラーアセンブリ302は、ソースコレクタモジュールSOに含まれていてもよい。第1焦点は、放射放出プラズマ210が生成され得る位置に一致してよく、この位置は、所定のターゲット点火位置とも呼ばれる。放射放出プラズマ210が第1焦点で生成される結果として、仮想光源点IFが第2焦点に一致する。00057典型的には、コレクタミラーは多層ミラーであってよいが、必ずしもそうでなくてもよい。そのような多層ミラーはMoとSiとが交互に重なった層を含んでよく、Mo層とSi層との間の拡散を防止するため、拡散防止層が設けられてもよい。このような拡散防止層として好適な材料はB4Cである。00058コレクタミラーCO’はまた、その反射面304を通って延びる孔306図4を含む。孔306は、コレクタCO’の軸対称線AX上に位置する。孔306は、縁部308を有する。アセンブリ302は、管状体310を備え、この管状体310は孔306を通って延びる。管状体310は内面312および外面314を有する。00059管状との用語は、様々な異なる構造を含み得る、または様々な異なる構造と同義となり得る幅広い用語として、当業者によって理解されるだろう。例えば、管状体の壁面は平行でなくてもよく、代わりに、円錐状または裾広がりの形状でもよい。管状体は、コレクタの一方の側例えば、非集光面から該コレクタの対向する別の側例えば、集光面への導管を形成するいかなる構造であってもよい。管状体の断面は、円形断面または楕円形断面、あるいはその他のあらゆる好適な断面であってよい。00060使用時、主ガス流GFは管状体310を通って方向付けられ、本実施形態においては、この管状体310は、反射面304を横断する方向にガス流GFを導くように構築されかつ配置されている。例えば、管状体310の内面312は、反射面304を横断する方向にガス流GFを導くように構築されかつ配置されている。典型的には、ガス流GFは、第1焦点および第2焦点の一方またはその両方に向けられる。管状体310の外面314と孔306の縁部308との間に開口部316が位置していてもよい。図4の実施形態では、外面314と縁部308とが開口部316を形成または画定する。開口部316該開口部316の少なくとも一部を形成する1つまたは複数の構造、例えば管状体310の外面314、縁部308などを含むは、ガス流GFに対して分岐する別のガス流GF’を導くように配置される。分岐するガス流は、より広い領域にわたって汚染物質を抑制可能となるため有利であり、さらに、管状体310、および/または開口部316、および/またはコレクタCO’の反射面304から汚染物質を取り払うことが可能である。例えば、開口部316、例えば開口部316の一部を形成する管状体310の外面314は、実質的に反射面304に沿って、管状体310から離れるように、かかる別のガス流GF’を導くような形状であってよい。このことは、管状体310、および/または開口部316、および/またはコレクタCO’の反射面304から汚染物質を取り払うことが可能となるため、利点となり得る。これに対して、公知の構成では、コレクタの外縁からコレクタ内の開口部に向かって、実質的に反対の方向にバッファガスが流れ得る。このことは、汚染物質がアパーチャを通過して、プラズマ形成に用いられるレーザビームを調節するために使用され得るダメージを受けやすい光学コンポーネント等に向けて押し進められるリスクを上昇させることがあるため望ましくない。00061図4の実施形態において、内面312の部分318と管状体310の外面314とは、前述の分岐を引き起こすよう、ガス流GFと実質的に反対の方向にテーパ状となっている。00062孔306は、典型的には、レーザからのレーザエネルギーを通すために使用されるので、管状体310の適切な配置によって、コレクタミラーCO’の反射面304の結像性能低下の可能性を制限し得る。例えば、管状体310は、放射の集光が不可能な影領域、あるいは集光が不要な領域に配置し得る。00063管状体310の外面314と孔306の縁部との間には、1つまたは複数の壁を設けることができる。このことを示すために、図5は、図4のアセンブリ302の変形例を概略的に示す。図5に示した軸対称線AXに対してアセンブリは対称であるため、アセンブリの一部のみが実際に図示されている。図5から分かるとおり、管状体310の外面314と孔306の縁部308との間に、3つの壁320A、320B、および320Cが設けられている。3つの壁320A、320B、および320Cは、別のガス流を1以上の副流GF’A、GF’B、GF’C、およびGF’Dに分割する。このような副流への分割は、ガス流GF、および副流GF’A、GF’B、GF’C、およびGF’Dの層流性を高める。通常、層流は、層流でないもの、すなわち乱流より制御しやすいため、これらのガス流の層流性は望ましい。1以上の壁320A、320B、および320Cの導入により、代替的または追加的に、ガス流全体の制御度合い、および/または該ガス流の特定の成分の方向性を高めることが可能になる。1以上の壁320A、320B、および320Cは、上述の管状体310を囲む別の管状体の少なくとも一部を形成してよい。00064図4および図5に示されたアセンブリは、コレクタアセンブリの断面として描かれていることが理解されるだろう。ガス流は、図面が提供された平面におけるものとして示されているが、ガス流は、軸対称線の周りに、例えば軸対称の周りに周方向に、分布しているあるいは均一に分布していること、もしくはそのように分布していてもよいことが理解されるだろう。これにより、コレクタの表面全体がガス流によって保護され得る。00065上述の1つまたは複数の管状体または開口部は、狭窄部または拘束部を含んでいてもよく、これによりベンチュリが形成される。この狭窄部または拘束部により、ガスの流れがベンチュリ領域で加速され得るため、利点となり得る。1つまたは複数の開口部該開口部を形成または画定する構造を含むおよび/または管状体は、1つまたは複数のノズルとして画定されるか、あるいは、そのようなノズルを形成してもよい。ノズルは、前述の拘束部を含んでもよい。00066コレクタ内の開口部および/または管状体を通過するガスは、通常、同一の供給源によって供給される同一のガスであろう。ガスの流れは、例えば毎分50~250標準リットルであってよい。ガスは、水素原子または分子、重水素、ヘリウムおよび/またはアルゴンであってよい。00067開口部該開口部または別の開口部を画定する壁を含むおよび/または中央の管状体は、中央の管状体を通過するガスと周囲の1つまたは複数の開口部を通過するガスとの間で、特定のガス流分割が確実になされるように配置されてもよい。例えば、分割によって、80のガスが中央の管状体を流れ、20が周囲の1つまたは複数の開口部を流れることとなってもよい。別の例では、分割によって、20のガスが中央の管状体を流れ、80が周囲の1つまたは複数の開口部を流れることとなってもよい。また別の例では、上記2例の間のいずれかに該当する分割であって、例えば、50のガスが中央の管状体を流れ、50が周囲の1つまたは複数の開口部を流れることとなる分割であり得る。この分割は、コレクタ表面に沿ったガス流が該表面を横切るガス流に向かわないことを確実にするように構成されてもよく、かつ/または、コレクタ表面を横切るガス流がコレクタ表面に沿ったガス流に向かわないことを確実にするように構成されてもよい。このような分割、あるいはこのような分割のバランスにより、コレクタの焦点に向けて、かつ、コレクタの表面に沿って、適切なガスの方向付けを確実になし得る。分割の正確な数値は、ガス流量、コレクタアセンブリの寸法等により異なり、例えば、試行錯誤または通常のモデル化により決定し得る。代替的または追加的に、上記分割の数値は、動作条件、例えばどのようなデューティサイクルで放射源が動作するかにも依存し得る。例えば、高いデューティサイクル例えば、全出力では、80が中央の管状体を流れ、20が周囲の1つまたは複数の開口部を流れ得る。放射源が低いデューティサイクルの場合、あるいはスタンバイ状態の場合、逆に、20が中央の管状体を流れ、80が周囲の1つまたは複数の開口部を流れるような分割が考えられる。00068本明細書において、IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用されるウェーハまたはダイという用語はすべて、それぞれより一般的な基板またはターゲット部分という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール、メトロロジーツール、および/またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ICを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。00069光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。00070レンズという用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光学コンポーネントを含む様々な種類の光学コンポーネントのいずれか1つまたはこれらの組合せを指すことができる。00071以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。