"基板と、前記基板の上に配置される裏面電極層と、前記裏面電極層の上に配置される光吸収層と、前記光吸収層の上に配置されるバッファ層と、前記バッファ層の上に配置されるウィンドウ層と、を含み、前記バッファ層はAxZn1-x00≦x≦1の化学式で形成され、前記Aは金属元素を含むことを特徴とする、太陽電池。前記バッファ層のAは2族元素を含むことを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。前記バッファ層のAはMgであることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。前記xは約0.1乃至約0.5の値を有することを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。前記バッファ層のバンドギャップは約3.3eV乃至約3.6eVの値を有することを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。前記バッファ層は約10nm乃至約100nmの厚さで形成されることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。前記バッファ層と接する光吸収層領域に形成された亜鉛拡散層を含むことを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。前記亜鉛拡散層は約2.2eV乃至約2.8eVのバンドギャップを有することを特徴とする、請求項7に記載の太陽電池。前記亜鉛拡散層は約10乃至約100nmの厚さで形成されることを特徴とする、請求項7に記載の太陽電池。前記基板は、ガラス、ポリマー金属のうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。前記基板の上に裏面電極層を形成するステップと、前記裏面電極層の上に光吸収層を形成するステップと、前記光吸収層の上にAxZn1-x00≦x≦1の化学式Aは金属元素を有するバッファ層を形成するステップと、前記バッファ層の上にウィンドウ層を形成するステップと、を含むことを特徴とする、太陽電池製造方法。前記バッファ層はPVDにより形成されることを特徴とする、請求項11に記載の太陽電池製造方法。前記xは約0.1乃至約0.5の値を有することを特徴とする、請求項11に記載の太陽電池製造方法。前記ウィンドウ層はPVD工程で形成されることを特徴とする、請求項11に記載の太陽電池製造方法。本発明の目的は、向上した効率を有し、高い生産性を有する太陽電池を提供することにある。一実施形態に従う太陽電池は、基板、上記基板の上に配置される裏面電極層、上記裏面電極層の上に配置される光吸収層、上記光吸収層の上に配置される第1バッファ層、及び上記第1バッファ層の上に配置されるウィンドウ層を含み、上記第1バッファ層はAxZn1-x00≦x≦1の化学式で形成され、上記Aは金属元素を含む。一実施形態に従う太陽電池製造方法は、上記基板の上に裏面電極層を形成するステップ、上記裏面電極層の上に光吸収層を形成するステップ、上記光吸収層の上にAxZn1-x00≦x≦1の化学式Aは金属元素を有するバッファ層を形成するステップ、及び上記バッファ層の上にウィンドウ層を形成するステップを含む。本発明によれば、カドミウムを含まないバッファ層によって環境汚染の問題が改善された太陽電池を提供することができる。そして、バッファ層とウィンドウ層が同一なPVD工程で形成されるので、工程が連続的に進行されて生産性が向上した太陽電池を提供することができる。また、亜鉛を含むバッファ層によって透過率が増加して短絡電流密度shortcircuitcurrrentが増加して光-電変換効率が向上した太陽電池を提供することができる。本発明を説明するに当たって、各基板、層、膜、または電極などが、各基板、層、膜、または電極などの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の構成要素を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各構成要素の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各構成要素のサイズは説明のために誇張することがあり、実際に適用されるサイズを意味するものではない。図1は、本発明の実施形態に従う太陽電池を示す断面図である。図1を参照すると、太陽電池パネルは、支持基板100、裏面電極層200、光吸収層300、バッファ層400、及びウィンドウ層500を含む。上記支持基板100はプレート形状を有し、上記裏面電極層200、上記光吸収層300、上記バッファ層400、及び上記ウィンドウ層500を支持する。上記支持基板100は絶縁体でありうる。上記支持基板100は、ガラス、ポリマー、または金属を含むことができる。より詳しくは、上記支持基板100はソーダライムガラスsodalimeglass基板でありうる。上記支持基板100がソーダライムガラスで使われる場合、ソーダライムガラスに含まれたナトリウムNaが太陽電池の製造工程中にCIGSで形成された光吸収層300に拡散できるが、これによって光吸収層300の電荷濃度が増加するようになる。これは、太陽電池の光電変換効率を増加させる要因となることができる。その他、支持基板100の材質にアルミナのようなセラミック基板、ステンレススチール、柔軟性のある高分子などが使用できる。上記支持基板100は透明であり、リジッドであるか、フレキシブルであることができる。上記裏面電極層200は上記支持基板100の上に配置される。上記裏面電極層200は導電層である。上記裏面電極層200は太陽電池のうち、上記光吸収層300で生成された電荷が移動するようにして太陽電池の外部に電流を流れるようにすることができる。上記裏面電極層200はこのような機能を遂行するために電気伝導度が高く、比抵抗が小さくなければならない。また、上記裏面電極層200は光吸収層300を形成するCIGS化合物と接触するので、光吸収層300と裏面電極層200は接触抵抗値の小さい抵抗性接触ohmiccontactにならなければならない。また、上記裏面電極層200はCIGS化合物の形成時に伴われる硫黄SまたはセレニウムSe雰囲気下での熱処理時、高温安定性が維持されなければならない。また、上記裏面電極層200は熱膨張係数の差によって上記支持基板100と剥離現象が発生しないように上記支持基板100と接着性が優れなければならない。このような裏面電極層200は、モリブデンMo、金Au、アルミニウムAl、クロムCr、タングステンW、及び銅Cuのうちのいずれか1つで形成される。その中で、特にモリブデンMoは他の元素に比べて上記支持基板100と熱膨張係数の差が少ないため、接着性が優れて剥離現象が発生することを防止することができ、前述した裏面電極層200に要求される特性を全般的に満たすことができる。上記裏面電極層200は2つ以上の層を含むことができる。この際、各々の層は同一な金属で形成されたり、互いに異なる金属で形成される。上記裏面電極層200の上には光吸収層300が形成される。上記光吸収層300はp型半導体化合物を含む。より詳しくは、上記光吸収層300はI-III-VI族系化合物を含む。例えば、上記光吸収層300は銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2;CIGS系結晶構造、銅-インジウム-セレナイド系、または銅-ガリウム-セレナイド系結晶構造を有することができる。上記光吸収層300のエネルギーバンドギャップbandgapは約1.1eV乃至約1.2eVでありうる。バッファ層400は上記光吸収層300の上に配置される。CIGS化合物を光吸収層300として有する太陽電池は、p型半導体であるCIGS化合物薄膜とn型半導体であるウィンドウ層500の薄膜の間にpn接合を形成する。しかしながら、2つの物質は格子定数とバンドギャップエネルギーの差が大きいため、良好な接合を形成するためにはバンドギャップが2つの物質の中間に位置するバッファ層が必要である。バッファ層400を形成する物質には、CdS、ZnSなどがあり、太陽電池の発電効率の面でCdSが相対的に優れるが、カドミウムを含むバッファ層は環境汚染の問題がある。本発明ではこれを考慮してCdSバッファ層の代りに亜鉛Znを含む有機金属化合物でバッファ層を形成した。本発明のバッファ層400はAxZn1-x00≦x≦1の物質で形成され、Aは2族元素で構成されることができる。実施形態では、MgZnOでバッファ層を形成したが、その他に亜鉛を含む化合物で形成されることができ、マグネシウムの代わりにCa、Srなどの元素を使用して形成することができる。上記バッファ層400の化学式において、xは0.1乃至0.5の値を有することができる。上記バッファ層400のエネルギーバンドギャップは約3.3eV乃至約3.6eVであり、約10nm乃至約100nmの厚さで形成できる。上記光吸収層300とバッファ層400とが接する領域には亜鉛拡散層350が形成される。上記亜鉛拡散層350は上記バッファ層400の形成時に含まれる亜鉛が上記光吸収層300に拡散されて形成され、例えばCIGS:Znの化学式で形成される。上記亜鉛拡散層350は10nm乃至100nmの厚さで形成される。上記亜鉛拡散層350はn型半導体で形成される。n型半導体である上記バッファ層400と亜鉛拡散層350は同種接合HomoJunctionを形成するので、上記光吸収層300と上記バッファ層400との境界面でのキャリア再結合を減少させることができるので、太陽電池の電気的特性を向上させることができる。上記亜鉛拡散層350のエネルギーバンドギャップは約2.4eV乃至約2.8eVの範囲に形成される。上記ウィンドウ層500は上記バッファ層400の上に配置される。上記ウィンドウ層500は透明で、導電層である。また、上記ウィンドウ層500の抵抗は上記裏面電極層200の抵抗より高い。上記ウィンドウ層500は酸化物を含む。例えば、上記ウィンドウ層500はジンクオキサイドzincoxide、インジウムチンオキサイドinduimtinoxide;ITO、またはインジウムジンクオキサイドinduimzincoxide;IZOなどを含むことができる。本実施形態では上記ウィンドウ層500がガリウムドーピングされたジンクオキサイドZnO:Gaで形成された場合を例として説明する。上記ZnO:GaでGaの質量比は約0.1以上約3以下の割合で形成される。これは、上記バッファ層400よりエネルギーバンドギャップを高く形成するためのものであって、上記ウィンドウ層500のエネルギーバンドギャップは約3.6eV乃至約3.8eVでありうる。また、上記酸化物は、アルミニウムAl、アルミナAl2O3、マグネシウムMg、またはガリウムGaなどの導電性不純物を含むことができる。より詳しくは、上記ウィンドウ層500はアルミニウムドーピングされたジンクオキサイドAldopedzincoxide;AZO、またはガリウムドーピングされたジンクオキサイドGadopedzincoxide;GZOなどを含むことができる。本発明の実施形態に従う太陽電池によれば、カドミウムを含まないバッファ層を形成することによって環境汚染の問題を減少させることができ、バッファ層が亜鉛を含むので透過率が増加して短絡電流密度Jscが増加することができる。また、バッファ層とウィンドウ層が同一なPVD工程で形成されるので、工程が連続的に進行されて生産性が向上できる。図2乃至図5は、本発明の実施形態に従う太陽電池の製造方法を示す断面図である。本製造方法に関する説明は前述した太陽電池に対する説明を参考する。前述した太陽電池に対する説明は本製造方法に関する説明に本質的に結合できる。図2を参照すると、支持基板100の上に裏面電極層200が形成される。上記裏面電極層200はモリブデンを使用して蒸着できる。上記裏面電極層200はPVDPhysicalVaporDepositionまたはメッキの方法により形成される。また、上記支持基板100及び裏面電極層200の間に拡散防止膜などの追加的な層が介される。図3を参照すると、上記裏面電極層200の上に光吸収層300が形成される。上記光吸収層300は、例えば、銅、インジウム、ガリウム、セレニウムを同時または区分して蒸発させながら銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2;CIGS系の光吸収層300を形成する方法と、金属前駆体膜を形成させた後、セレン化Selenization工程により形成させる方法が幅広く使われている。金属前駆体膜を形成させた後にセレン化することを細分化すれば、銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程により上記裏面電極層200の上に金属前駆体膜が形成される。以後、上記金属前駆体膜はセレン化selenization工程により銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2;CIGS系の光吸収層300が形成される。これとは異なり、上記銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程及び上記セレン化工程は同時に進行できる。これとは異なり、銅ターゲット及びインジウムターゲットのみを使用したり、銅ターゲット及びガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程及びセレン化工程によりCIS系またはCIG系光吸収層300が形成できる。図4を参照すると、上記光吸収層300の上にバッファ層400が形成される。上記バッファ層400は亜鉛を含んで形成され、本実施形態ではマグネシウムと酸素を含む有機金属化合物であるMgZnOで形成されたが、マグネシウムの他に、Ca、Srの2族元素を含んで形成できる。上記バッファ層400は、PVDPhysicalVaporDepositionの方法により形成されることができ、約10nm乃至約100nmの厚さで形成されることができる。上記バッファ層400に含まれる亜鉛が上記光吸収層300に拡散されて亜鉛拡散層350が形成されることもできる。上記亜鉛拡散層350は上記光吸収層300と上記バッファ層400との間のバンドギャップを有するように形成されることができ、例えば、約2.2eV乃至約2.8eVのバンドギャップを有するように形成できる。図5を参照すると、上記バッファ層400の上にウィンドウ層500が形成される。上記ウィンドウ層500は上記バッファ層400の上部に透明な導電物質が蒸着して形成される。このように、実施形態によってカドミウムを含まないバッファ層によって環境汚染の問題が改善された太陽電池を提供することができる。そして、バッファ層とウィンドウ層が同一な真空工程で形成されるので、工程が連続的に進行されて生産性が向上した太陽電池を提供することができる。また、亜鉛を含むバッファ層によって透過率が増加して短絡電流密度shortcircuitcurrrentが増加して光-電変換効率が向上した太陽電池を提供することができる。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるものではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するのでない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用が可能であることが同業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。"