シリコン含有膜のエピタキシャル成長を可能にする表面を得るために基板表面を洗浄及び不動態化する方法であって、前記洗浄及び不動態化する方法が、前記基板表面と接触させた水素化学種の使用を、前記洗浄及び不動態化方法が行われる処理容積内において波長が約310nm~約120nmの範囲にある放射線の使用と組み合わせて含み、ここで、前記放射線の出力濃度が少なくとも1mWcm2であり、前記洗浄及び不動態化方法が750EC未満の温度で行われる、前記方法。前記洗浄及び不動態化方法が行われる処理容積において前記放射線の波長が約180nm~約120nmの範囲にある、請求項1記載の方法。前記出力濃度が約1mWcm2~約25mWcm2の範囲にあり、前記洗浄及び不動態化方法が約700EC~約500ECの範囲にある温度で行われる、請求項1記載の方法。基板処理容積内の全圧が約01~約80の範囲にある、請求項2記載の方法。前記温度が、前記洗浄及び不動態化方法の間、一定である、請求項3又は請求項4記載の方法。所望の構造を有するシリコン含有膜のエピタキシャル成長を可能にする表面上でシリコン含有膜を成長させる方法であって、前記膜を成長させる方法が、前記膜成長方法が行われる処理容積において波長が約310nm~約120nmの範囲にある放射線の使用を含み、ここで、前記放射線の出力密度が少なくとも1mWcm2であり、前記膜成長方法が約300EC~約750ECの範囲にある温度で行われる、前記方法。前記膜成長方法が、約500EC~約700ECの範囲にある温度で行われる、請求項6記載の方法。前記膜成長方法が、波長が約180nm~約120nmの範囲にある放射線を用いて行われる、請求項7記載の方法。前記出力密度が、約1mWcm2~約25mWcm2の範囲にある、請求項6、又は請求項7、又は請求項8記載の方法。前記シリコン含有膜の成長速度が、約60Δ分を超える、請求項9記載の方法。前記処理容積の全圧が、約1トール~約80トールの範囲にある、請求項6、又は請求項7、又は請求項8記載の方法。前記シリコン含有膜がシリコンゲルマニウム膜であり、エピタキシャル成長膜におけるゲルマニウムの原子パーセントが約1~約99の範囲内で一定である、請求項11記載の方法。前記シリコン含有膜がシリコンゲルマニウム膜であり、エピタキシャル成長膜におけるゲルマニウムの原子パーセントが5~約40の範囲内で一定である、請求項12記載の方法。前記シリコンゲルマニウム膜が一括的に堆積され、前記エピタキシャル成長膜にシリコンを供給する前駆物質が、シラン、クロロシラン、及びそれらの組合せからなるグループより選ばれる、請求項13記載の方法。前記前駆物質が、ジクロロシラン、ジブロモシラン、ヘキサクロロジシラン、及びそれらの誘導体からなるグループより選ばれる、請求項14記載の方法。前記エピタキシャル成長膜にゲルマニウムを供給する前駆物質が、GeH4、Ge2H6、GeCl4、GeH2Cl2、及びそれらの組合せからなるグループより選ばれる、請求項14記載の方法。前記エピタキシャル成長膜にゲルマニウムを供給する前駆物質が、GeH4、Ge2H6、GeCl4、GeH2Cl2、及びそれらの組合せからなる群より選ばれる、請求項15記載の方法。前記シリコンゲルマニウム膜が選択的に堆積され、前記選択的に堆積されるエピタキシャル成長膜にシリコンを供給する前駆物質が、シラン、クロロシラン、ブロモシラン、及びそれらの組合せからなるグループより選ばれる、請求項12記載の方法。前記前駆物質が、ジクロロシラン、ジブロモシラン、ヘキサクロロジシラン、及びそれらの誘導体からなるグループより選ばれる、請求項18記載の方法。前記エピタキシャル成長膜にゲルマニウムを供給する前駆物質が、GeH4、Ge2H6、GeCl4、GeH2Cl2、及びそれらの組合せからなるグループより選ばれる、請求項18記載の方法。HCl又はHBr又はCl2、又はそれらの組合せが、前記シリコンゲルマニウム膜の前記選択的堆積中に少なくとも005:1の前記シリコン含有前駆物質との容積比で存在する、請求項18記載の方法。HCl又はHBr又はCl2、又はそれらの組合せが、前記シリコンゲルマニウム膜の前記選択的堆積中に約005:1~約50:1の範囲内の前記シリコン含有前駆物質との容積比で存在する、請求項21記載の方法。前記前駆物質が、ジクロロシラン、ヘキサクロロジシラン、及びそれらの誘導体からなるグループより選ばれる、請求項21記載の方法。前記エピタキシャル成長膜にゲルマニウムを供給する前駆物質が、GeH4、Ge2H6、GeCl4、GeH2Cl2、及びそれらの組合せからなるグループより選ばれる、請求項18記載の方法。前記エピタキシャル成長膜にゲルマニウムを供給する前駆物質が、GeH4、Ge2H6、GeCl4、GeH2Cl2、及びそれらの組合せからなる群より選ばれる、請求項23記載の方法。