"基板上に形成された第1の電極層と、前記第1の電極層上に形成された第1の誘電体層と、前記第1の誘電体層上に形成された第2の電極層と、少なくとも前記第1の電極層および前記第1の誘電体層を貫通する複数の貫通部と、前記貫通部内における前記基板の上面および前記第1の電極層の側面に接して形成された第2の誘電体層と、前記貫通部内における前記第1の電極層の側面、前記第2の誘電体層の上面および前記第2の電極層に接して形成された発光部と、を有する有機発光素子。前記基板上面を基準とした前記第2の誘電体層の厚さが、前記第1の電極層の厚さよりも小さい、請求項1に記載の有機発光素子。前記貫通部が、前記第1の誘電体層上面において、最大幅が10μm以下の円形形状または多角形形状を有するか、または幅が10μm以下の互いに平行な複数の帯状に形成されている、請求項1または2に記載の有機発光素子。円形形状または多角形形状の前記貫通部が、前記第1の誘電体層上の任意の1mm四方の面内において、103~108個形成されている、請求項3に記載の有機発光素子。帯状の前記貫通部の間隔が10μm以下である、請求項3に記載の有機発光素子。前記第2の誘電体層が、400nm~750nmの可視光に対して透明な材料により形成されている、請求項1~5のいずれか1つに記載の有機発光素子。前記第1の誘電体層および前記第2の誘電体層の屈折率が、いずれも前記第1の電極層の屈折率よりも小さい、請求項1~6のいずれか1つに記載の有機発光素子。前記第1の誘電体層の屈折率が、前記発光部の屈折率よりも小さい、請求項1~7のいずれか1つに記載の有機発光素子。前記第1の誘電体層の厚さが、前記第2の誘電体層の厚さよりも小さい、請求項1~8のいずれか1つに記載の有機発光素子。前記貫通部が、少なくとも前記第1の電極層および前記第1の誘電体層を貫通して形成される貫通上部と、前記基板に形成される穿孔部とからなる、請求項1~9のいずれか1つに記載の有機発光素子。基板上に第1の電極層を形成する第1工程と、前記第1の電極層を貫通する複数の貫通孔を形成する第2工程と、前記第1の電極層上に第1の誘電体層を形成するとともに、前記貫通孔内に露出した前記基板の上面および当該第1の電極層の側面に接して第2の誘電体層を形成することにより、当該貫通孔を含み、当該第1の電極層および当該第1の誘電体層を貫通する複数の貫通部を形成する第3工程と、前記貫通部内に露出した前記第1の電極層の側面および前記第2の誘電体層の上面に接して発光部を形成する第4工程と、前記第1の誘電体層上および前記発光部上を覆い、当該発光部に接して第2の電極層を形成する第5工程と、を有する、有機発光素子の製造方法。前記第3工程と前記第4工程の間に、前記第1の誘電体層の厚さを小さくする薄膜化工程をさらに有する、請求項11に記載の有機発光素子の製造方法。前記第3工程と前記第4工程の間に、前記第1の誘電体層および/または前記第2の誘電体層に覆われた前記第1の電極層の一部を露出させる工程をさらに有する、請求項11または12に記載の有機発光素子の製造方法。前記第2工程において、前記貫通孔の底部の基板にさらに穿孔部を形成する、請求項11~13のいずれか1つに記載の有機発光素子の製造方法。基板上に第1の電極層を形成する第1工程と、前記第1の電極層上に第1の誘電体層を形成する第2工程と、少なくとも前記第1の電極層および前記第1の誘電体層を貫通する複数の貫通部を形成する第3工程と、前記貫通部内に、当該貫通部内に露出した前記基板の上面および前記第1の電極層の側面に接して第2の誘電体層を形成する第4工程と、前記貫通部内に露出した前記第1の電極層の側面と前記第2の誘電体層の上面に接して発光部を形成する第5工程と、前記第1の誘電体層上および前記発光部上を覆い、当該発光部に接して第2の電極層を形成する第6工程と、を有する、有機発光素子の製造方法。前記第4工程と前記第5工程の間に、前記第1の誘電体層および/または前記第2の誘電体層に覆われた前記第1の電極層の一部を露出させる工程をさらに有する、請求項15に記載の有機発光素子の製造方法。前記第2工程において、前記貫通部の底部の基板にさらに穿孔部を形成する、請求項15または16に記載の有機発光素子の製造方法。ここで一般に、キャビティー発光素子では、発光コーティング材料から発した光をキャビティーを通して直接取り出すことができるため光の利用効率を向上させやすい。ところが、光の取り出し面に達する光の角度によっては、反射が生じやすくなるため、光の利用効率が減少する場合があった。さらにキャビティー構造を形成する手段として、基板側電極と誘電体層をパターン化するためにエッチングを行うことがある。このとき誘電体層と電極のエッチング条件が一般的に異なるため工程が煩雑になりやすい。また一般に誘電体層より電極層のエッチングの方がエッチング条件が過酷であるため、マスクとして使用するレジストを厚くする必要がある。そのため、レジスト形成およびエッチング共に要する時間が長くなりやすいという欠点があった。またその結果、期待する形状を安定して作製することが困難であった。さらにエッチング可能な材料しか誘電体層として使用できないという材料選択における制限があった。また低屈折率領域を発光領域内に設けた有機発光素子では、酸化インジウムスズ以下、ITOとも記す。からなる電極層が、低屈折率領域の下部に位置することになる。ITOの光の透過率は低屈折率領域の光の透過率より小さいため、低屈折率領域から電極層中に侵入した光は、強度が大きく減衰する。更に、ITOは、高い屈折率を有するため、電極層中に侵入した光は、全反射により電極層内部に閉じこめられやすい。そのため光の取り出し効率が低下する。本発明の目的は、発光部から発した光が発光素子内部に閉じ込められることを抑制し、高い発光効率を有する有機発光素子等を提供することである。上記の課題を解決するため、本発明者らは、一対の電極間に誘電体層が挟持され、電極と誘電体層を貫通して形成された貫通部内に発光部を有する有機発光素子において、貫通部内にもさらに誘電体層を形成することによって発光層内部や電極層内部からより多くの光を取り出すことができることを見出し、本発明を完成した。すなわち、本発明は、以下に要約される。本発明の有機発光素子は、基板上に形成された第1の電極層と、第1の電極層上に形成された第1の誘電体層と、第1の誘電体層上に形成された第2の電極層と、少なくとも第1の電極層および第1の誘電体層を貫通する複数の貫通部と、貫通部内における基板の上面および第1の電極層の側面に接して形成された第2の誘電体層と、貫通部内における第1の電極層の側面、第2の誘電体層の上面および第2の電極層に接して形成された発光部とを有することを特徴とする。ここで、基板上面を基準とした第2の誘電体層の厚さが、第1の電極層の厚さよりも小さいことが好ましい。貫通部は、第1の誘電体層上面において、最大幅が10μm以下の円形形状または多角形形状を有するか、または幅が10μm以下の互いに平行な複数の帯状に形成されていることが好ましい。また貫通部が円形形状または多角形形状の場合は、貫通部は、第1の誘電体層上の任意の1mm四方の面内において、103~108個形成されていることが好ましい。貫通部が帯状の場合は、貫通部の間隔が10μm以下であることが好ましい。そして第2の誘電体層が、400nm~750nmの可視光に対して透明な材料により形成されていることが好ましい。さらに第1の誘電体層および第2の誘電体層の屈折率が、いずれも第1の電極層の屈折率よりも小さいことが好ましく、第1の誘電体層の屈折率が、発光部の屈折率よりも小さいことが好ましい。そして第1の誘電体層の厚さが、第2の誘電体層の厚さよりも小さいことが好ましい。また貫通部が、少なくとも第1の電極層および第1の誘電体層を貫通して形成される貫通上部と、基板に形成される穿孔部とからなるようにすることもできる。また本発明の有機発光素子の製造方法は、基板上に第1の電極層を形成する第1工程と、第1の電極層を貫通する複数の貫通孔を形成する第2工程と、第1の電極層上に第1の誘電体層を形成するとともに、貫通孔内に露出した基板の上面および第1の電極層の側面に接して第2の誘電体層を形成することにより、貫通孔を含み、第1の電極層および第1の誘電体層を貫通する複数の貫通部を形成する第3工程と、貫通部内に露出した第1の電極層の側面および第2の誘電体層の上面に接して発光部を形成する第4工程と、第1の誘電体層上および発光部上を覆い、発光部に接して第2の電極層を形成する第5工程と、を有することを特徴とする。ここで、第3工程と第4工程の間に、第1の誘電体層の厚さを小さくする薄膜化工程をさらに有することが好ましく、第3工程と第4工程の間に、第1の誘電体層および/または第2の誘電体層に覆われた第1の電極層の一部を露出させる工程をさらに有することが好ましい。そして第2工程において、貫通孔の底部の基板にさらに穿孔部を形成することもできる。さらに本発明の有機発光素子の製造方法は、基板上に第1の電極層を形成する第1工程と、第1の電極層上に第1の誘電体層を形成する第2工程と、少なくとも第1の電極層および第1の誘電体層を貫通する複数の貫通部を形成する第3工程と、貫通部内に、貫通部内に露出した基板の上面および第1の電極層の側面に接して第2の誘電体層を形成する第4工程と、貫通部内に露出した第1の電極層の側面と第2の誘電体層の上面に接して発光部を形成する第5工程と、第1の誘電体層上および発光部上を覆い、発光部に接して第2の電極層を形成する第6工程と、を有することを特徴とする。ここで、第4工程と第5工程の間に、第1の誘電体層および/または第2の誘電体層に覆われた第1の電極層の一部を露出させる工程をさらに有することが好ましい。また第2工程において、貫通部の底部の基板にさらに穿孔部を形成することもできる。本発明によれば、光の取り出し効率が高く、発光効率の高い有機発光素子を提供することができる。有機発光素子以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。図1は、本実施の形態が適用される有機発光素子の第1の例を説明した部分断面図である。図1に示した有機発光素子10は、基板11と、基板11側を下側とした場合に基板11上に形成され正孔を注入するための第1の電極層としての陽極層12と、電子を注入するための第2の電極層としての陰極層14と、陽極層12と陰極層14の間に形成される第1の誘電体層13とが積層した構造を採る。また、陽極層12および第1の誘電体層13を貫通して形成される貫通部16を有し、そして貫通部16内における基板11上面には、基板11の上面および陽極層12の側面に接して第2の誘電体層19が形成されている。また、貫通部16の内部に、陽極層12に接するように第2の誘電体層19上に形成され、電圧を印加することで発光する発光材料からなる発光部17を有する。この発光部17を形成する発光材料は、貫通部16から第1の誘電体層13の上面にも展開して延伸部17aを形成する。即ち、発光部17を形成する発光材料を、貫通部16から第1の誘電体層13と陰極層14の間に更に延伸して連続形成している。また、陰極層14は、この発光材料上に更に積層する形で形成されており、発光部17と同様に連続する膜として成膜されている。基板11は、陽極層12、第1の誘電体層13、陰極層14、発光部17、第2の誘電体層19を形成する支持体となるものである。基板11には、有機発光素子10に要求される機械的強度を満たす材料が用いられる。基板11の材料としては、有機発光素子10の基板11側から光を取り出したい場合は、可視光に対して透明であることが必要である。具体的には、サファイアガラス、ソーダガラス、石英ガラスなどのガラス類;アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ナイロン樹脂、シリコーン樹脂などの透明樹脂;窒化アルミ、アルミナなどの透明金属酸化物などが挙げられる。なお基板11として、上記透明樹脂からなる樹脂フィルム等を使用する場合は、水、酸素などのガスに対するガス透過性が低いことが好ましい。ガス透過性が高い樹脂フィルム等を使用する場合は、光の透過性を損なわない範囲でガスの透過を抑制するバリア性薄膜を形成することが好ましい。有機発光素子10の基板11側から光を取り出す必要がない場合は、基板11の材料としては、可視光に対して透明であるものに限られず、不透明なものも使用できる。具体的には、上記材料に加えて、ケイ素Si、銅Cu、銀Ag、金Au、白金Pt、タングステンW、チタンTi、タンタルTa、もしくはニオブNbの単体、またはこれらの合金、あるいはステンレス、SiO2やAl2O3などの酸化物、n-Siなどの半導体などからなる材料も使用することができる。基板11の厚さは、要求される機械的強度にもよるが、好ましくは、0.1mm~10mm、より好ましくは0.25mm~2mmである。陽極層12は、陰極層14との間で電圧を印加し、陽極層12より発光部17に正孔を注入する。陽極層12に使用される材料としては、電気伝導性を有するものであることが必要である。具体的には仕事関数が大きいものであり、仕事関数は、4.5eV以上であることが好ましい。加えて、アルカリ性水溶液に対し、電気抵抗が顕著に変化しないことが好ましい。このような条件を満たす材料として、金属酸化物、金属、合金が使用できる。ここで、金属酸化物としては、例えば、ITO酸化インジウムスズ、IZO酸化インジウム亜鉛が挙げられる。また金属としては、銅Cu、銀Ag、金Au、白金Pt、タングステンW、チタンTi、タンタルTa、ニオブNb等が挙げられる。そしてこれらの金属を含むステンレス等の合金も使用できる。陽極層12の厚さは、例えば、2nm~2μmで形成することができる。なお仕事関数は、例えば、紫外線光電子分光分析法により測定することができる。第1の誘電体層13は、発光部17から発した光を屈折させることで基板11に入射しやすくするためのものである。本実施の形態では、第1の誘電体層13の屈折率は、発光部17の屈折率より小さい。そのため、図2-1発光部17から発した光の進路について説明した図に示すように、発光部17から発した光L1は、第1の誘電体層13に入射する際に、より基板11の法線方向に近い角度に屈折する。即ち、図2-1においてθ1>θ2となる。その結果、第1の誘電体層13を設けない場合に比較して、陽極層12や基板11に達した光L1は、第1の誘電体層13と陽極層12の界面、および陽極層12と基板11の界面において全反射を生じにくくなる。よって、より陽極層12や基板11に入射しやすくなる。さらに、第1の誘電体層13の屈折率が陽極層12の屈折率より小さいと、光L1は第1の誘電体層13と陽極層12の界面でも同様に基板11の法線方向に近い角度に屈折し、さらに基板11に入射しやすくなる。つまり、第1の誘電体層13を設けることにより、発光部17から発した光を基板11側から、より多く取り出すことができ、光の取り出し効率が向上する。陽極層12と陰極層14により発光部17に電圧を印加することで発光部17を発光させるため、第1の誘電体層13は、陽極層12と陰極層14とを所定の間隔にて分離し絶縁する機能を有する。このため第1の誘電体層13は高抵抗率材料であることが必要であり、電気抵抗率としては、108Ωcm以上、好ましくは1012Ωcm以上有することが要求される。具体的な材料としては、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等の金属窒化物;酸化ケイ素二酸化ケイ素、酸化アルミニウム等の金属酸化物、フッ化ナトリウム、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウムなどの金属フッ化物が挙げられるが、他にポリイミド、ポリフッ化ビニリデン、パリレン等の高分子化合物、ポリフェニルシルセスキオキサンPoly等の塗布型シリコーンも使用可能である。ここで、短絡電流リークを生じにくい有機発光素子10を再現よく製造するためには、第1の誘電体層13の厚さは厚いほど好ましい。つまり、第1の誘電体層13の厚さは厚い方が、短絡電流リークを引き起こす第1の誘電体層13の欠陥の影響を除外あるいは抑制しやすくなる。このような短絡電流リークを生じる原因としては、第1の誘電体層13を形成する陽極層12表面の突起や、第1の誘電体層13の製造工程で発生する第1の誘電体層13のピンホールなどが挙げられる。他方、有機発光素子10全体の厚さを抑えるために第1の誘電体層13の厚さは、1μmを越えないことが好ましい。また、陽極層12と陰極層14との間隔が狭い方が、発光のために必要な電圧が低くて済むので、この観点からも第1の誘電体層13は薄い方がより好ましい。但し、薄すぎると有機発光素子10を駆動するための電圧に対し、絶縁耐力が十分でなくなるおそれがある。ここで絶縁耐力は、電極間に第1の誘電体層13を貫通部16が形成されない連続膜として形成した場合、有機発光素子10の駆動時の電圧よりも2V高い電圧を印加した時のこの誘電体層中を流れる電流の電流密度が、0.1mA/cm2以下であることが好ましく、0.01mA/cm2以下であることがより好ましい。これを満たす第1の誘電体層13の厚さは、上限としては、750nm以下であることが好ましく、400nm以下であることが更に好ましく、200nm以下であることがまた更に好ましい。また下限としては15nm以上であることが好ましく、30nm以上であることが更に好ましく、50nm以上であることがまた更に好ましい。陰極層14は、陽極層12との間で電圧を印加し、発光部17に電子を注入する。本実施の形態において陰極層14は、貫通部16内の発光材料を含む発光部17と第1の誘電体層13上に展開している発光材料の上に積層する形で連続膜として形成されている。陰極層14に使用される材料としては、陽極層12と同様に電気伝導性を有するものであれば、特に限定されるものではないが、仕事関数が小さく、かつ化学的に安定なものが好ましい。具体的には、Al、MgAg合金、AlLiやAlCaなどのAlとアルカリ金属の合金等の材料を例示することができる。陰極層14の厚さは10nm~1μmが好ましく、50nm~500nmがより好ましい。本実施の形態の有機発光素子10の場合は、基板11側から発光部17から発した光を取り出す。そのため陰極層14は、不透明材料により形成されていてもよい。なお本実施の形態のように陰極層14が連続膜として、発光部17を覆っている形態において、基板11側からのみならず陰極層14側からも光を取り出したい場合は、陰極層14は、ITO等の透明材料により形成する必要がある。また、陰極層14から発光部17への電子の注入障壁を下げて電子の注入効率を上げる目的で、図示しない陰極バッファ層を、陰極層14に隣接して設けてもよい。陰極バッファ層に用いられる材料の仕事関数は、陰極層14の材料より低いことが好ましく、金属材料などが好適に用いられる。例えば、アルカリ金属Na、K、Rb、Cs、アルカリ土類金属Sr、Ba、Ca、Mg、希土類金属Pr、Sm、Eu、Yb、あるいはこれら金属のフッ化物、塩化物、酸化物から選ばれる単体あるいは2つ以上の混合物を使用することができる。陰極バッファ層の厚さは005nm~50nmが好ましく、01nm~20nmがより好ましく、05nm~10nmがより一層好ましい。貫通部16は、発光部17をその内部に形成し、かつ発光部17からの光を取り出すためのものであり、本実施の形態では、第1の電極層である陽極層12および第1の誘電体層13を貫通するように形成する。このように貫通部16を設けることにより発光部17から発せられた光は、貫通部16の内部を伝搬し、基板11側および陰極層14の側の両方向において取り出すことができる。ここで、貫通部16は、陽極層12および第1の誘電体層13を貫通して形成されているため、第1の電極層である陽極層12および第2の電極層である陰極層14が不透明材料により形成されるときでも、基板11側から光を取り出すことが可能である。貫通部16の形状は、特に限定されることはないが、形状制御が行いやすいという観点から例えば円柱形状または四角柱などの多角柱形状とすることが好ましい。つまりこの場合、貫通部16の形状は、第1の誘電体層13上面において、円形形状または多角形形状となる。これらの形状では、第1の誘電体層13の上面内における形状が、第1の誘電体層13および陽極層12の厚み方向で変化してもよく、あるいは形状の大きさが変化してもよい。即ち、例えば円錐形状、角錐形状、円錐台形状、角錐台形状などであってもよい。貫通部16の形状を適宜選択することにより、発光部17で発光した光を外部へ取り出す際の配光分布などを制御することができる。本実施の形態の有機発光素子10では、貫通部16で強く光る場合においては貫通部16の間隔を小さくすれば、それだけ単位面積当たりの貫通部16の数が増加するため、発光強度を大きくすることができる。また、発光部17は、陽極層12と陰極層14の近傍において発光しやすい。即ち貫通部16の中央部は、非発光部分となりやすく、この非発光部分の面積が大きいと有機発光素子10を高輝度で発光させにくい。よって、貫通部16の幅を小さくすれば、貫通部16の中央部の非発光部分が減少することになるため、発光強度を大きくしやすくなる。より具体的には、貫通部16の幅Wが10μm以下であることが好ましく、2μm以下であることがより好ましく、1μm以下であることが更に好ましい。また、製造が容易であるという観点では0.1μm以上が好ましく、0.5μm以上がより好ましい。なお、ここで貫通部16の幅とは、第1の誘電体層13面上における貫通部16の形状の最大幅、すなわち当該形状を内包する最小円の直径を指す。第1の誘電体層13上面における貫通部16の配置は、正方格子状や六方格子状など規則的な配置であっても、不規則な配置であってもよく、貫通部16は、第1の誘電体層13上の任意の1mm四方の面内において103~108個形成されていることが好ましい。この配置については、発光部17で発光する光の波長や、有機発光素子10から出射する光の配光分布やスペクトル制御などの観点から適宜選択される。貫通部16の形状は互いに平行な複数の帯状であってもよい。この場合も貫通部16の幅は上記と同じ理由で上限は10μm以下であることが好ましく、2μm以下であることがより好ましく、1μm以下であることが更に好ましく、下限は0.1μm以上が好ましく、0.5μm以上がより好ましい。複数の帯状である貫通部16の間隔は、10μm以下であることが好ましく、2μm以下であることがより好ましく、1μm以下であることが更に好ましいが、製造が容易であるという観点では0.1μm以上が好ましく、0.5μm以上がより好ましい。発光部17は、電圧を印加し、電流を供給することで光を発する発光材料であり、貫通部16内における陽極層12の側面および、陰極層14に接して形成される。発光部17において、陽極層12から注入された正孔と陰極層14から注入された電子とが再結合し、発光が生じる。発光部17の材料としては、有機材料および無機材料の何れをも使用することができる。ここで有機材料を発光材料として用いる場合は、公知の低分子化合物および高分子化合物のいずれをも使用することができる。但し、本実施の形態では、塗布性に優れた材料が好ましい。即ち本実施の形態における有機発光素子10の構造では、発光部17が貫通部16内で安定に発光するためには発光部17が貫通部16の内面に均一にかつ膜厚が均等に成膜されること、即ちカバレッジ性が向上することが好ましい。塗布性に優れた材料を使用せずに発光部17を形成すると、貫通部16全体に発光部17が一様に接していない、あるいは貫通部16内の膜厚が均一でない成膜状態になりやすい。そのため貫通部16から出射する光の輝度のばらつき等を生じやすくなる。また、貫通部16内に発光部17を均一に形成するためには、塗布法で行うことが好ましい。即ち、塗布法では、貫通部16に発光材料を含む発光材料溶液を埋め込むことが容易であるため、凹凸を有する面においてもカバレッジ性を高めて成膜することが可能である。塗布法においては塗布性を向上させる目的で、主に重量平均分子量で1,000~2,000,000である材料が好適に用いられる。また、塗布性を向上させるためレベリング剤、脱泡剤などの塗布性向上添加剤を添加したり、電荷トラップ能力の少ないバインダー樹脂を添加することもできる。具体的に、塗布性に優れる材料としては、例えば、特開2007-86639号公報に挙げられている所定の構造を有する分子量1500以上6000以下のアリールアミン化合物や、特開2000-034476号公報に挙げられている所定の高分子蛍光体などが挙げられる。ここで、塗布性に優れた材料の中でも、有機発光素子10の製造のプロセスが簡素化されるという点で発光性高分子化合物が好ましく、発光効率が高い点で燐光発光性化合物が好ましい。従って、特に燐光発光性高分子化合物が好ましい。なお、複数の材料同士を混合、あるいは塗布性を損なわない範囲で低分子発光材料例えば、分子量1000以下を添加することも可能である。この際の低分子発光材料の添加量は30wt以下が好ましい。また、発光性高分子化合物は、共役発光性高分子化合物と非共役発光性高分子化合物とに分類することもできるが、中でも非共役発光性高分子化合物が好ましい。上記の理由から、本実施の形態で用いられる発光材料としては、燐光発光性非共役高分子化合物燐光発光性高分子であり、かつ非共役発光性高分子化合物でもある発光材料が特に好ましい。本発明の有機発光素子10における発光部17は、好ましくは、燐光を発光する燐光発光性単位とキャリアを輸送するキャリア輸送性単位とを一つの分子内に備えた、燐光発光性高分子燐光発光する有機材料を少なくとも含む。燐光発光性高分子は、重合性置換基を有する燐光発光性化合物と、重合性置換基を有するキャリア輸送性化合物とを共重合することによって得られる。燐光発光性化合物はイリジウムIr、白金Ptおよび金Auの中から一つ選ばれる金属元素を含む金属錯体であり、中でもイリジウム錯体が好ましい。重合性置換基を有するキャリア輸送性化合物は、ホール輸送性および電子輸送性の内のいずれか一方または両方の機能を有する有機化合物における一つ以上の水素原子を重合性置換基で置換した化合物を挙げることができる。重合性置換基を有する燐光発光性化合物と、重合性置換基を有するキャリア輸送性化合物の重合方法は、ラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合、付加重合のいずれでもよいが、ラジカル重合が好ましい。また、重合体の分子量が重量平均分子量で1,000~2,000,000が好ましく、5,000~1,000,000がより好ましい。なお本実施の形態での分子量はGPCゲルパーミエーションクロマトグラフィー法を用いて測定されるポリスチレン換算分子量である。燐光発光性高分子は、一つの燐光発光性化合物と一つのキャリア輸送性化合物、一つの燐光発光性化合物と二つ以上のキャリア輸送性化合物を共重合したものであってもよく、また二つ以上の燐光発光性化合物をキャリア輸送性化合物と共重合したものであってもよい。燐光発光性高分子におけるモノマーの配列は、ランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体のいずれでもよく、燐光発光性化合物構造の繰り返し単位数をm、キャリア輸送性化合物構造の繰り返し単位数をnとしたときm、nは1以上の整数、全繰り返し単位数に対する燐光発光性化合物構造の繰り返し単位数の割合、すなわちm/mnの値は、0.001~0.5が好ましく、0.001~0.2がより好ましい。本実施の形態における有機発光素子10の発光部17は、好ましくは前述した燐光発光性化合物を含むが、発光部17のキャリア輸送性を補う目的で正孔輸送性化合物や電子輸送性化合物が含まれていてもよい。これらの目的で用いられる正孔輸送性化合物としては、例えば、TPDN,N-ジフェニル-N,N-3-メチルフェニル-1,1-ビフェニル-4,4ジアミン、α-NPD4,4-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル、m-MTDATA4,4,4-トリス3-メチルフェニルフェニルアミノトリフェニルアミンなどの低分子トリフェニルアミン誘導体が挙げられる。更に、ポリビニルカルバゾール、トリフェニルアミン誘導体に重合性官能基を導入して高分子化したもの;特開平8-157575号公報に開示されているトリフェニルアミン骨格の高分子化合物;ポリパラフェニレンビニレン、ポリジアルキルフルオレンなどが挙げられる。また、電子輸送性化合物としては、例えば、Alq3アルミニウムトリスキノリノレートなどのキノリノール誘導体金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリアジン誘導体、トリアリールボラン誘導体などの低分子材料が挙げられる。更に上記の低分子電子輸送性化合物に重合性官能基を導入して高分子化したもの、例えば特開平10-1665号公報に開示されているポリPBDなどの既知の電子輸送性化合物が挙げられる。また、発光部17に使用する発光材料として上述した発光性高分子化合物ではなく発光性低分子化合物を使用する場合でも、発光部17の形成は可能である。そして、発光材料として上述した発光性高分子化合物を添加することも可能であり、正孔輸送性化合物、電子輸送性化合物を添加することも可能である。この場合の正孔輸送性化合物の具体例としては、例えば、特開2006-76901号公報に記載されているTPD、α-NPD、m-MTDATA、フタロシアニン錯体、DTDPFL、spiro-TPD、TPAC、PDA等が挙げられる。電子輸送性化合物の具体例としては、例えば、特開2006-76901号公報に記載されているBPhen、BCP、OXD-7、TAZ等が挙げられる。また、例えば、特開2006-273792号公報に記載の一分子内に正孔輸送性及び電子輸送性を有するバイポーラー型分子構造を有する化合物でも使用可能である。発光部17は、陽極層12と陰極層14の間に、発光材料により形成された1層の発光層のみからなる単層構造であってもよいが、発光層以外の層や複数の発光層を含む積層構造であってもよい。発光層以外の層を含む場合、発光層と陽極層12の間に形成される層としては、正孔注入層や正孔輸送層、電子ブロック層などが挙げられ、発光層と陰極層14の間に形成される層としては電子輸送層や正孔ブロック層などが挙げられる。これらの各層は、前述した公知の正孔輸送性化合物や電子輸送性化合物を、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、スピンコーティング法、ディップコーティング法、インクジェット法、印刷法、スプレーコーティング法、ディスペンサー法などの方法により成膜して形成することができる。第2の誘電体層19は、これを設けることでより多くの光を基板11内に侵入させるためのものである。本実施の形態では、第2の誘電体層19の屈折率は、発光部17の屈折率より小さいことが好ましい。また、第2の誘電体層19が、400nm~750nmの可視光に対して透明な材料により形成されていることが好ましい。特に、取り出したい光の波長範囲における光透過率が、同じ光路長で比較した発光部17の光透過率より高いことが好ましい。第2の誘電体層19を設けると、これを設けない場合に比較して、光の取り出し効率が向上する。つまり、第2の誘電体層19を設けず、この部分を発光材料により充填すると、発光材料の光の透過率は、第2の誘電体層19の光の透過率より低いため、発光部17から発した光はより減衰しやすい。これに対し、第2の誘電体層19を設けると、図2-1に示すように、発光部17から発し、第2の誘電体層19を通過する光L2は、あまり減衰せずに、基板11に達する。その結果、発光部17から発した光を基板11側からより多く取り出すことができ、光の取り出し効率が向上する。また本実施の形態の貫通部16の部分において、陽極層12は存在しない。そのためこの部分においては、陽極層12に侵入した光が、陽極層12の小さい透過率により強度が大きく減衰するようなことが生じない。よって、この点においても光の取り出し効率の観点から見て、本実施の形態の有機発光素子10は有利となる。第2の誘電体層19を形成しない場合、発光部17から陽極層12へ入射した光の一部は、陽極層12の屈折率が基板11や第1の誘電体層13の屈折率よりも大きいため、陽極層12内部に閉じ込められ、外部へ取り出すことができない。有機発光素子10においては、陽極層12へ入射したこのような光も、図2-2に示す光L3のように、近傍の貫通部16内に形成された第2の誘電体層19を通過することで進路が基板11側に変化するため、外部へ取り出すことができ、光の取出し効率がより向上する。このためには、さらに、第2の誘電体層19の屈折率は、陽極層12の屈折率より小さいことが好ましい。すなわち、第1の誘電体層13および第2の誘電体層19の屈折率が、いずれも陽極層12の屈折率よりも小さければ、有機発光素子10における光の取出し効率は特に高い。第2の誘電体層19は、貫通部16内において陽極層12の側面が露出するような膜厚で形成される。すなわち、第2の誘電体層19の上面が、陽極層12の上面よりも好ましくは1nm以上、より好ましくは10nm以上低くなるように、第2の誘電体層19は形成される。ただし、第2の誘電体層19は、前記膜厚の範囲内で可能な限り、基板11の上面を基準として、好ましくは1nm以上、より好ましくは10nm以上の厚さで形成される。本実施の形態において、第2の誘電体層19と第1の誘電体層13とは、異なる材料により形成されてもよく、同じ材料により形成されていてもよい。ただし、同じ材料により形成した方が、後述する図7eにおいて説明するように、1つの製造工程で、第2の誘電体層19と第1の誘電体層13とを形成することができるため、有機発光素子10の製造がより容易になる。なお第1の誘電体層13および第2の誘電体層19は、共に絶縁性であるため、例えば、第2の誘電体層19は、陽極層12より厚さが小さくなるように形成し、発光部17の側面が、陽極層12の側面12aにて接触するようにする必要がある。これにより陽極層12と発光部17とは、電気的に導通し、陽極層12から発光部17へ電流を流すことが可能となる。なお以上詳述した有機発光素子10は、発光部17が貫通部16の内部のみならず第1の誘電体層13の上面にも展開し、形成されていたが、これに限られるものではない。図3a~cは、本実施の形態が適用される有機発光素子において、発光部17の他の形態を例示して説明した部分断面図である。これらはそれぞれ本実施の形態が適用される有機発光素子の第2~第4の例である。図3aで示した有機発光素子10aは、発光部17が貫通部16の内部に形成されるが、第1の誘電体層13の上面には形成せずに作製した場合を示している。また、図3bで示した有機発光素子10bは、発光部17を第1の誘電体層13の上面には形成せず、そして貫通部16を全て埋めるように形成した場合を示している。この構成を採ることより、陰極層14を、平面状に形成することができる。更に、図3cで示した有機発光素子10cでは、貫通部16が陰極層14をも貫通し、発光部17を第2の誘電体層19上の貫通部16の内部に沿わせる形で形成した場合を示している。この形態では、発光部17が貫通部16の一部にのみ充填する形となっている。そして、貫通部16が陰極層14に対しても形成されることで、陰極層14を不透明材料により形成する場合でも、基板11側のみならず、陰極層14側からも光の取り出しが可能となる。このような有機発光素子10a,10b,10cにおいても第1の誘電体層13、第2の誘電体層19を設けることで、光の取り出し効率が向上する。図4は、本実施の形態が適用される有機発光素子の第5の例を説明した部分断面図である。図4に示した有機発光素子10dは、基板11、陽極層12、第1の誘電体層13、陰極層14、貫通部16、発光部17、第2の誘電体層19の位置関係は、図1に示した有機発光素子10と同様である。ただし、第1の誘電体層13は、厚さが第2の誘電体層19の厚さより小さくなるように作製されている。このようにすることで、第1の誘電体層13と第2の誘電体層19との間で生じる段差をより小さくすることができる。そのため図6で後述するように発光材料を塗布して、発光部17および延伸部17aを形成する際のカバレッジ性がより向上する。そのためより安定的に発光部17および延伸部17aを形成することができる。また図5は、本実施の形態が適用される有機発光素子の第6の例を説明した部分断面図である。図5に示した有機発光素子10eは、基板11、陽極層12、第1の誘電体層13、陰極層14、貫通部16、発光部17、第2の誘電体層19の位置関係は、図1に示した有機発光素子10と同様である。ただし、第1の誘電体層13の断面形状が貫通部16と接する端部においてテーパ状となっている点が異なる。このようにすることで、陽極層12と陰極層14の間で発光する発光部17の容積が増大するため、発光部17から出射する光の量が増大しやすくなる。更に有機発光素子10eは、有機発光素子10に対し、発光部17は、陽極層12の上面12bにて更に接触する点で異なる。このようにすることで発光部17の容積が増大しても陽極層12から十分な量の電流を供給することができる。なお第1の誘電体層13の端部が本実施の形態のようになっていても、発光部17から発した光は、第1の誘電体層13に入射する際に、より基板11の法線方向に近い角度に屈折する。更に図6は、本実施の形態が適用される有機発光素子の第7の例を説明した部分断面図である。図6に示した有機発光素子10fは、基板11、陽極層12、第1の誘電体層13、陰極層14、貫通部16、発光部17、第2の誘電体層19の位置関係は、図1に示した有機発光素子10と同様である。ただし、貫通部16は、陽極層12および第1の誘電体層13を貫通して形成される貫通上部16aと基板11に形成される穿孔部16bとからなる。このように穿孔部16bを形成することで、穿孔部16bの深さの分、第2の誘電体層19の厚さを大きくすることができる。つまり穿孔部16bの深さを調整することで、第2の誘電体層19の厚さを調整することができる。穿孔部16bは基板11の上面から1nm~1000nmの深さで形成することができる。なお、以上詳述した有機発光素子10,10a~10fでは、基板11側を下側とした場合、陽極層12を下側に形成し、第1の誘電体層13を挟み対向する形で陰極層14を上側に形成する場合を例示して説明を行ったが、これに限られるものではなく、陽極層12と陰極層14を入れ替えた構造でもよい。即ち、基板11側を下側とした場合、陰極層14を下側に形成し、第1の誘電体層13を挟み込み対向する形で陽極層12を上側に形成する形態でもよい。有機発光素子の製造方法次に、本実施の形態が適用される有機発光素子の製造方法について、図1で説明を行った有機発光素子10を製造する場合を例に取り説明を行う。図7a~gは、本実施の形態が適用される有機発光素子10の製造方法について説明した図である。まず基板11上に、第1の電極層である陽極層12を形成する図7a。本実施の形態では、基板11として、ガラス基板を使用した。また陽極層12を形成する材料としてITOを使用した。陽極層12を基板11上に形成するには、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、CVD法などを用いることができる。また、塗布成膜方法、即ち、目的とする材料を溶剤に溶解させた状態で基板11に塗布し乾燥する方法が可能な場合は、スピンコーティング法、ディップコーティング法、インクジェット法、印刷法、スプレー法、ディスペンサー法などの方法を用いて成膜することも可能である。次に、陽極層12を貫通する形で貫通孔16cの形成を行う。ここで貫通孔16cを形成するには、例えば、リソグラフィを用いた方法が使用できる。これを行うには、まず陽極層12の上にレジスト液を塗布し、スピンコート等により余分なレジスト液を除去して、レジスト層71を形成する図7b。そして、貫通孔16cを形成するための所定のパターンが描画されたマスク図示せずをかぶせ、紫外線UV:UltraViolet、電子線EB:ElectronBeam等により露光を行うと、レジスト層71に貫通孔16cに対応した所定のパターンが露光される。そして現像液を用いてレジスト層71の露光部分を除去すると、露光されたパターンの部分のレジスト層71が除去される図7c。これにより露光されたパターンの部分に対応して、陽極層12の表面が露出する。次に、残存したレジスト層71をマスクとして、露出した陽極層12の部分をエッチング除去する図7d。エッチングとしては、ドライエッチングとウェットエッチングの何れをも使用することができる。またこの際に等方性エッチングと異方性エッチングを組合せることで、貫通孔16cの形状の制御を行うことができる。ドライエッチングとしては、反応性イオンエッチングRIE:ReactiveIonEtchingや誘導結合プラズマエッチングが利用でき、またウェットエッチングとしては、希塩酸や希硫酸への浸漬を行う方法などが利用できる。このエッチングにより上記パターンに対応して、基板11の表面が露出する。次に残存したレジスト層71をレジスト除去液等により除去し、第1の誘電体層13および第2の誘電体層19の形成を行なう図7e。本実施の形態では、第1の誘電体層13を形成する材料として二酸化ケイ素SiO2を使用した。第1の誘電体層13の形成についても、陽極層12の形成と同様に抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、CVD法、塗布法などを用いることができる。そして、これらの方法を使用することで、第1の誘電体層13と第2の誘電体層19とを共に形成することができる。そして、第1の誘電体層13が陽極層12の上に積層して形成されることで貫通部16が形成され、第2の誘電体層19は、貫通部16の底部に形成される。なお第1の誘電体層13と第2の誘電体層19を別々に形成することもできるが、本実施の形態のように同じ材料からなる第1の誘電体層13および第2の誘電体層19を一度に形成することで、有機発光素子10の製造がより容易になる。なお第1の誘電体層13と第2の誘電体層19を別々に形成する場合は、例えば、基板11上に陽極層12を形成し、さらに陽極層12上に第1の誘電体層13を形成する。そして陽極層12および第1の誘電体層13を貫通する貫通部16を形成し、その後で、貫通部16内に第2の誘電体層19を形成すればよい。この場合、陽極層12、第1の誘電体層13、貫通部16、および第2の誘電体層19は、上述した場合と同様の方法により形成することができる。次に、第1の誘電体層13および第2の誘電体層19上に発光材料を含む発光部17を形成する図7f。発光部17の形成には、発光部17の説明において前述した塗布法が用いられる。具体的には、まず発光部17を構成する発光材料を、有機溶媒や水等の所定の溶媒に分散させた発光材料溶液塗布液を塗布する。塗布を行う際にはスピンコーティング、スプレーコーティング、ディップコーティング法、インクジェット法、スリットコーティング法、ディスペンサー法、印刷等の種々の方法を使用することができる。塗布を行った後は、加熱あるいは真空引きを行うことで発光材料溶液を乾燥させ、発光材料が貫通部16の内面に固着し、発光部17が形成される。この際、発光部17は、第1の誘電体層13上に展開した形で形成される。この形態によれば、塗布を行なった後、貫通部16以外の部分に塗布された塗布液を除去する必要がなくなるため、貫通部16の内部だけに発光部17を形成する場合に比べ有機発光素子10の製造がより容易になる。そして、第2の電極層である陰極層14を、発光部17上に積層する形で形成する図7g。陰極層14を形成するには、陽極層12を形成する方法と同様の方法で行うことができる。以上の工程により、有機発光素子10を製造することができる。本実施の形態による有機発光素子の製造方法では、陽極層12を形成する工程の次に貫通孔16cを形成する工程を設けている。そのため、陽極層12を形成する工程の次に第1の誘電体層13を形成し、それから陽極層12および第1の誘電体層13をエッチングすることで貫通部16を形成する場合に比べ、次の利点を有する。1陽極層12および第1の誘電体層13の2層をエッチングする場合は、工程の途中でレジスト層71がエッチングにより消失してしまい、所期のパターン加工が達成できない場合があるが、本実施の形態の製造方法ではこのようなことが生じにくい。2陽極層12および第1の誘電体層13の2層をエッチングする場合は、第1の誘電体層13を形成する材料は、貫通部16を形成する工程でパターン化可能なものに限定されるが、本実施の形態の製造方法では限定されない。3陽極層12および第1の誘電体層13の2層をエッチングする場合は、第1の誘電体層13は、貫通部16を形成する工程でその物性が変化しないものに限定されるが、本実施の形態の製造方法では限定されない。なお、図4に示した有機発光素子10dを製造するには、上記の図7eで示した誘電体層を形成する工程の後に、異方性エッチングを実施すればよい。異方性エッチングにより、第1の誘電体層13の方が、第2の誘電体層19より優先的にエッチングされるため、第1の誘電体層13の厚さを、第2の誘電体層19の厚さより小さくすることができる。なおこの工程は、誘電体層を形成する工程と発光部17を形成する工程との間に、第1の誘電体層13の厚さを小さくする薄膜化工程として捉えることができる。また図5に示した有機発光素子10eを製造するには、上記の図7eで示した誘電体層を形成する工程の後に、等方性エッチングを実施すればよい。即ち、第1の誘電体層13の端部が等方的にエッチングされることで、第1の誘電体層13の端部はテーパ状になるように除去される。なおこの工程は、誘電体層を形成する工程と発光部17を形成する工程との間に、陽極層12の一部を露出させる電極層露出工程として捉えることができる。第2の誘電体層19を形成する際、貫通部16内の陽極層12の側面が第2の誘電体層19を形成する材料の薄い層で必要以上に覆われる場合がある。この場合、陽極層12から発光部17への電荷注入が困難になることがある。これを解決するには、上記の電極層露出工程におけるエッチングと同様のエッチングを行い、このような薄い層を除去することで、陽極層12の側面を適正に露出させればよい。更に、図6に示した有機発光素子10fを製造するには、上記の図7dで示した陽極層12を除去する工程の後に、更に基板11の一部を穿つことで除去すればよい。これにより穿孔部16bを形成することができる。基板11の一部除去を行なうには、図7eで説明した方法と同様のエッチングを用いる方法で可能である。また、これら一連の工程後、有機発光素子10を長期安定的に用い、有機発光素子10を外部から保護するための保護層や保護カバー図示せずを装着することが好ましい。保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物、窒化ケイ素、酸化ケイ素等のケイ素化合物などを用いることができる。そして、これらの積層体も用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板、金属などを用いることができる。この保護カバーは、熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂で基板11と貼り合わせて密閉する方法を採ることが好ましい。またこの際に、スペーサを用いることで所定の空間を維持することができ、有機発光素子10が傷つくのを防止できるため好ましい。そして、この空間に窒素、アルゴン、ヘリウムのような不活性なガスを封入すれば、上側の陰極層14の酸化を防止しやすくなる。特にヘリウムを用いた場合、熱伝導が高いため、電圧印加時に有機発光素子10より発生する熱を効果的に保護カバーに伝えることができるため、好ましい。更に酸化バリウム等の乾燥剤をこの空間内に設置することにより上記一連の製造工程で吸着した水分が有機発光素子10にダメージを与えるのを抑制しやすくなる。実施例1[燐光発光性高分子化合物の作製]下記の式E-2で表される化合物重合性置換基を有するイリジウム錯体、式E-54で表される化合物正孔輸送性化合物、および式E-66で表される化合物電子輸送性化合物をE-2:E-54:E-66=1:4:5質量比の割合で脱水トルエンに溶解させ、更に重合開始剤として、V-601和光純薬工業株式会社製を溶解させた。そして、凍結脱気操作を行った後に真空密閉し、70°Cで100時間攪拌して重合反応を行なった。反応後、反応液をアセトン中に滴下して沈殿を生じさせ、更に、この脱水トルエン-アセトンでの再沈殿精製を3回繰り返して燐光発光性高分子化合物を精製した。ここで、脱水トルエンおよびアセトンとしては、和光純薬工業株式会社製の高純度グレードのものを更に蒸留したものを用いた。3回目の再沈殿精製後の溶剤を高速液体クロマトグラフィーで分析したところ、溶剤中に400nm以上での吸収を有する物質が検出されないことを確認した。即ち、このことは溶剤中に、不純物がほとんど含まれないということであり、燐光発光性高分子化合物を十分に精製できていることを意味する。そして、精製された燐光発光性高分子化合物を、室温で2日間かけて真空乾燥させた。その結果得られた燐光発光性高分子化合物ELPは、純度が99.9を超えることを高速液体クロマトグラフィー検出波長254nmにより確認した。[発光材料溶液の調製]このように作製した発光性高分子化合物重量平均分子量=520003重量部を97重量部のトルエンに溶解させ、発光材料溶液以下、溶液Aともいう。を調製した。[有機発光素子の作製]有機発光素子として、図1で示した有機発光素子10を、以下の方法で作製した。具体的には、まず石英ガラスからなるガラス基板25mm角、厚さ1mm上に、スパッタ装置キヤノンアネルバ株式会社製E-401sを用いて、ITO膜を150nm成膜した。ここで、ガラス基板は、基板11に対応する。またITO膜は陽極層12に対応する。次に、フォトレジストAZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製AZ1500をスピンコート法により約1μm成膜した。紫外線による露光後、TMAHTetramethylammoniumhydroxide:CH34NOH1.2液により現像し、レジスト層をパターン化した。そしてこの後に、130°Cで10分間熱を加えたポストベイク処理。次に反応性イオンエッチング装置サムコ株式会社製RIE-200iPを用いてドライエッチングすることで、ITO膜をエッチングした。ITO膜のエッチング条件としては、反応ガスとしてCl2とSiCl4の混合ガスを使用し、圧力1Pa、出力Bias/ICP=200/100Wで、8分間反応させた。このドライエッチング処理により、陽極層12としてのITO膜を貫通する貫通孔16cが形成された。そしてレジスト除去液によりレジスト残渣を除去した。貫通孔16cは、陽極層12面内に六方格子状に配列された直径1μmの円柱形状であり、貫通孔16cのエッジ間の距離は1μmとなった。そしてスパッタ装置キヤノンアネルバ株式会社製E-401sを用いて、二酸化ケイ素SiO2層を120nm形成した。この工程により、第1の誘電体層13および第2の誘電体層19を共に形成することができる。次にガラス基板に純水を吹きかけることにより洗浄を行ない、スピン乾燥装置を用いて乾燥させた。次に、溶液Aをスピンコート法回転数:3000rpmにより塗布し、次いで窒素雰囲気下、120°Cで1時間放置し乾燥することで、発光部17および延伸部17aを形成した。なお発光部17の側面が、陽極層12の側面12aにて接触する厚さは、30nmとなった。そして真空蒸着室に投入し、真空蒸着装置で発光部17および延伸部17a上に陰極バッファ層として厚さ2.0nmのナトリウムNa膜を形成した。続いて陰極層14として、厚さ150nmのアルミニウムAl膜を形成した。以上の工程により有機発光素子10を作製することができた。実施例2第1の誘電体層13および第2の誘電体層19を形成する材料として、二酸化ケイ素SiO2の代わりにフッ化マグネシウムMgF2を使用し、フッ化マグネシウム層を形成したこと以外は、実施例1と同様にして、有機発光素子10を作製した。なおフッ化マグネシウム層は、二酸化ケイ素層と同様にスパッタにより形成することができる。また膜厚は、120nmとした。実施例3第1の誘電体層13および第2の誘電体層19を形成する材料として、二酸化ケイ素SiO2の代わりにフッ化ナトリウムNaFを使用し、フッ化ナトリウム層を形成したこと以外は、実施例1と同様にして、有機発光素子10を作製した。なおフッ化ナトリウム層は、真空蒸着を行なうことにより形成することができる。また膜厚は、120nmとした。実施例4有機発光素子として、図4で示した有機発光素子10dを、実施例1に対し、以下の点を変更することにより作製した。第1の誘電体層13および第2の誘電体層19としての二酸化ケイ素SiO2層を140nm形成した後に、反応性イオンエッチング装置サムコ株式会社製RIE-200iPを用いて、異方性エッチングを実施した。エッチング条件としては、反応ガスとしてCHF3を使用し、圧力0.2Pa、出力Bias/ICP=120/100Wで、10分間反応させた。これにより第2の誘電体層19の膜厚は、140nmでありほとんど変化がなかったが、第1の誘電体層13は90nmとなり薄膜化された。なお本実施の形態の場合、発光部17の側面が、陽極層12の側面12aにて接触する厚さは、10nmとなる。また他は、実施例1と同様の工程を実施した。実施例5有機発光素子として、図5で示した有機発光素子10eを、実施例1に対し、以下の点を変更することにより作製した。第1の誘電体層13および第2の誘電体層19としての二酸化ケイ素SiO2層を140nm形成した後に、反応性イオンエッチング装置サムコ株式会社製RIE-200iPを用いて、等方性エッチングを実施した。エッチング条件としては、反応ガスとしてCHF3を使用し、圧力0.7Pa、出力Bias/ICP=40/100Wで、15分間反応させた。これにより第1の誘電体層13の貫通部16と接する端部がエッチングされテーパ状となった。またこれにより発光部17は、陽極層12の上面12bと20nmの幅で接触する状態となった。なお他は、実施例1と同様の工程を実施した。実施例6有機発光素子として、図5で示した有機発光素子10eを、実施例1に対し、以下の点を変更することにより作製した。第1の誘電体層13および第2の誘電体層19を塗布法で形成した。具体的には、塗布型シリコーン東京応化工業株式会社製OCDType2Si-49000-SGを、エタノールと酢酸エチルとを1:1で体積混合した溶媒を使用して50wtに希釈した。そして、スピンコーター回転数2000rpmで30秒間で塗布を行なった。その後、300°Cで1時間熱処理した。その結果、第1の誘電体層13および第2の誘電体層19の基となるシリコーン層が陽極層12上で130nm、貫通部16の底部で160nmの厚さで連続する層として形成された。そしてこの状態で、異方性エッチングを実施した。これにより第1の誘電体層13の貫通部16と接する端部がエッチングされテーパ状となった。またこれにより第1の誘電体層13および第2の誘電体層19が分離して形成され、それぞれの厚さは、100nmおよび140nmであった。また発光部17は、陽極層12の側面12aにて10nmの厚さで接触する状態となった。なお他は、実施例1と同様の工程を実施した。実施例7有機発光素子として、図6で示した有機発光素子10fを、実施例1に対し、以下の点を変更することにより作製した。陽極層12としてのITO膜をエッチングして貫通上部16aを形成した後に、反応性イオンエッチング装置サムコ株式会社製RIE-200iPを用いてドライエッチングを行なった。反応条件としては、反応性イオンエッチング装置内に酸素ガスを導入し、交流電圧を印加し放電させることで酸素プラズマを生成させ、ガラス基板に照射することで行なった。ここでプラズマ生成装置内に導入する酸素ガス流量を調整し、圧力は1Pa、投入電力は150Wで30秒間になるようにして処理を行なった。次いで、導入するガスの種類を酸素からCHF3ガスに切り替えた。ここで流量を制御することで圧力を7Paとした。そしてPEモードで投入電力300Wにて10秒間処理を行なった。その結果、深さ100nmの穿孔部16bを形成することができた。また第1の誘電体層13および第2の誘電体層19としての二酸化ケイ素SiO2層は200nmとした。よって実施の形態の場合、発光部17の側面が、陽極層12の側面12aにて接触する厚さは、50nmとなる。なお他は、実施例1と同様の工程を実施した。実施例8有機発光素子として、図1で示した有機発光素子10を作製した。このとき発光部17を真空蒸着法で成膜した。つまり、実施例1で、溶液Aを塗布する代わりに、文献OrganicElectronics22001P37-43のFig.1においてDEVICEIIとして開示されている積層構造を形成した。具体的には、洗浄を行った基板を真空蒸着装置内に設置し、ここにαNPD株式会社同人化学研究所製を50nm、CBP株式会社同人化学研究所製とIrppy3株式会社同人化学研究所製とを95:5の比率で共蒸着した層を20nm、BCP株式会社同人化学研究所製を10nm、Alq3株式会社同人化学研究所製を40nmの順序で蒸着することで、発光部17を形成した。なお本実施の形態では、陰極バッファ層および陰極層14として、Ag:Mg重量比率25:1膜100nmを形成した。また他は、実施例1と同様の工程を実施した。実施例9有機発光素子として、図1で示した有機発光素子10を作製した。このとき下記の方法で作製することで、光を下面陽極層12側と上面陰極層14側の両方から取り出すことができるようにした。実施例1で、石英ガラスからなるガラス基板25mm角、厚さ1mm上に、陽極層12としてITO膜を成膜する代わりに、同スパッタ装置を用いて、銀Ag層を150nm成膜した。このようにして成膜した銀層は、可視光に対して不透明であった。また銀膜のエッチング条件としては、反応ガスとしてCl2ガスを使用し、圧力1Pa、出力Bias/ICP=200/100Wで、6分間反応させた。その結果、Ag層のない部分から光を取り出すことができるようになった。そしてアルミニウム層を成膜する際に、その膜厚を10nmとし、これに重ねて抵抗加熱蒸着法によりITO膜を100nmを成膜した。このようにして成膜したアルミニウム層およびITO膜からなる陰極層14は、可視光に対して透明であった。また他は、実施例1と同様の工程を実施した。比較例1図8の構造を有する有機発光素子を以下の方法により作製した。具体的には、まず石英ガラスからなるガラス基板25mm角、厚さ1mm上に、スパッタ装置キヤノンアネルバ株式会社製E-401sを用いて、ITO膜を150nm、二酸化ケイ素SiO2層を120nm成膜した。ここで、ガラス基板は、基板11に対応する。またITO膜は陽極層12に、二酸化ケイ素SiO2層は誘電体層132に対応する。次に、フォトレジストAZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製AZ1500をスピンコート法により約1μm成膜した。紫外線による露光後、TMAHTetramethylammoniumhydroxide:CH34NOH1.2液により現像し、レジスト層をパターン化した。そしてこの後に、130°Cで10分間熱を加えたポストベイク処理。次に反応性イオンエッチング装置サムコ株式会社製RIE-200iPを用いてドライエッチングすることで、二酸化ケイ素層をエッチングした。二酸化ケイ素層のエッチング条件としては、反応ガスとしてCHF3を使用し、圧力0.3Pa、出力Bias/ICP=50/100Wで、18分間反応させた。このドライエッチング処理により、誘電体層132としての二酸化ケイ素層を貫通する貫通部16が形成された。そしてレジスト除去液によりレジスト残渣を除去した。貫通部16は、陽極層12面内に六方格子状に配列された直径1μmの円柱形状であり、貫通部16のエッジ間の距離は1μmとなった。なお陽極層12としてのITO膜は本比較例における形態では、エッチングされずにそのままベタ膜状に残存する。次にガラス基板に純水を吹きかけることにより洗浄を行ない、スピン乾燥装置を用いて乾燥させた。次に、溶液Aをスピンコート法回転数:3000rpmにより塗布し、次いで窒素雰囲気下、120°Cで1時間放置し乾燥することで、発光部17および延伸部17aを形成した。そして真空蒸着室に投入し、真空蒸着装置で発光部17および延伸部17a上に陰極バッファ層として厚さ2.0nmのナトリウムNa膜を形成した。続いて陰極層14として、厚さ150nmのアルミニウムAl膜を形成した。以上の工程により有機発光素子を作製することができた。比較例2有機発光素子として、比較例1で説明した有機発光素子と同様の構造を有するものを作製した。ただし、発光部17を実施例8で説明した真空蒸着法により成膜した。このとき使用した材料および積層構造は実施例8と同様にして実施した。また、陰極バッファ層および陰極層14として、Ag:Mg重量比率25:1膜100nmを形成した。比較例3比較例1に対し、以下の点を変更することにより、図9の構造を有する有機発光素子を作製した。このとき陽極層12としてITO膜を形成した後に、誘電体層132として二酸化ケイ素SiO2層を120nm形成した。そして誘電体層132をドライエッチングによりパターン化した。その後、続けてITO膜をエッチングした。ITO膜のエッチング条件としては、反応ガスとしてCl2とSiCl4の混合ガスを使用し、圧力1Pa、出力Bias/ICP=200/100Wで、8分間反応させた。このドライエッチング処理により、陽極層12としてのITO膜を貫通する貫通部16が形成された。そしてレジスト除去液によりレジスト残渣を除去した。形成された貫通部16は、陽極層12面内に六方格子状に配列された直径1μmの円柱形状であり、貫通部16のエッジ間の距離は1μmとなった。比較例4有機発光素子として、比較例3で説明した有機発光素子と同様の構造を有するものを作製した。ただし、比較例3に対し以下の点を変更した。つまり陽極層12としてITO膜を成膜する代わりに、同スパッタ装置を用いて、銀Ag層を150nm成膜した。そして誘電体層132として二酸化ケイ素SiO2層を120nm形成した。その後誘電体層132をエッチングし、さらに続けて銀膜をエッチングした。銀膜のエッチング条件としては、反応ガスとしてCl2ガスを使用し、圧力1Pa、出力Bias/ICP=200/100Wで、6分間反応させた。その結果、Ag層のない部分から光を取り出すことができるようになった。そしてアルミニウム層を成膜する際に、その膜厚を10nmとし、これに重ねて抵抗加熱蒸着法によりITO膜を100nm成膜した。このようにして成膜したアルミニウム層およびITO膜からなる陰極層14は、可視光に対して透明であった。また他は、実施例3と同様の工程を実施した。実施例1~9および比較例1~4で作製した有機発光素子に、定電圧電源電流計ケイスレーインスツルメンツ株式会社製SM2400を用いて段階的に電圧を印加し、有機発光素子の発光強度を輝度計株式会社トプコン製BM-9で計測した。そして、電流密度に対する発光強度の比から発光効率を決定した。ただし実施例9については、光が下面陽極層12側に加えて、上面陰極層14側からも放出するために、上面でも同じ測定を行い、発光効率は上面と下面での測定値の合計とした。また第2の誘電体層19の屈折率を波長550nmの光の場合で測定した。結果を以下の表1に示す。なお発光効率の結果は、比較例1を1.0として規格化した数値である。また比較例1~4については、第2の誘電体層19との比較で、発光部17の屈折率を記載した。なお、ITOの屈折率は1.75であった。以上の評価結果を表1にまとめて示す。まず発光部17を塗布法により形成した実施例1~3と比較例1、3とを比較すると、第1の誘電体層13および第2の誘電体層19を形成した方が、発光効率がよいことがわかる。また実施例1で示した有機発光素子の作製方法は、比較例3の作製方法と比較しエッチングは陽極層12であるITO膜のみとなる。そのため実施例1では、比較例3のように第2の誘電体層19と陽極層12を連続してドライエッチングする必要がないため、安定的に有機発光素子を作製することができるという利点がある。また実施例1~3をそれぞれ比較すると、実施例2の方が実施例1より、さらに実施例3の方が実施例1より発光効率がよくなっている。これは、第1の誘電体層13および第2の誘電体層19を形成する材料の差異によるものと考えられる。即ち、実施例1で使用した二酸化ケイ素SiO2より、実施例2、実施例3で使用したフッ化マグネシウムMgF2、フッ化ナトリウムNaFの方が、低屈折率であり、より低屈折率の材料を使用した方が、発光効率はよくなるものと考えられる。また実施例3のように、フォトリソグラフィが困難である水溶性のフッ化ナトリウムNaFを使用した場合でも発光効率はよくなっており、このように真空蒸着法で形成可能な材料も使用可能であると言える。次に実施例4~7と比較例1、3とを比較するといずれの実施例も比較例より発光効率が向上していることがわかる。このことから、実施例4のように第1の誘電体層13が第2の誘電体層19より薄い場合でも発光効率が向上することがわかる。また、実施例5のように、発光部17が陽極層12の上面とも接触する場合でも発光効率が向上することがわかる。また実施例6のように、第1の誘電体層13および第2の誘電体層19を塗布法で形成した場合でも発光効率はよくなっており、第1の誘電体層13および第2の誘電体層19を形成するのに塗布法も適用可能であると言える。塗布法を採用することで、1塗布成膜でしか形成できない材料も使用できるため、適用できる材料の幅が広がるつまり、スパッタ等による真空成膜より安価な材料あるいは特性の良い塗布材料があった場合でも適用できる、2一般に塗布法による成膜は、スパッタ等による真空成膜より安価設備が安価である、という利点が生じる。そして実施例1と実施例7を使用すると穿孔部16bを形成した方が、発光効率はよく、穿孔部16bを形成することにより発光効率は、より向上することがわかる。更に実施例9と比較例1、比較例4を比較する。実施例9、比較例4は、陽極層12側および陰極層14側の両側から光を取り出せるものである。実施例9の場合でも発光効率は、比較例1より大きくなっており、第1の誘電体層13および第2の誘電体層19を設けた効果があることがわかる。ただし、陰極層14側からの光はITO膜を通過するために、実施例1と比較して発光効率が低下する。実施例9は比較例1と陽極層12および陰極層14の材料や膜厚が異なるため、同じ様に作製した比較例4と比較すると、発光効率が向上していることがわかる。このことから実施例9のような電極材料を用い、両側から光を取り出す構造でも、第2の誘電体層19を設ける効果があると言える。さらに実施例9は比較例4と比べて、発光部17の貫通部16における底面と第1の誘電体層13および誘電体層132上部との段差が小さくなるため、発光部17および延伸部17aを形成する際のカバレッジ性を向上させることができる。そのため、短絡やショートの少ない有機発光素子を安定して作製することができる。一方、実施例8と比較例2は、発光部17を真空蒸着法で成膜したものである。実施例8と比較例2の結果より、第1の誘電体層13および第2の誘電体層19を設けることで発光効率に優れた有機発光素子が作製できることがわかる。しかしながら、実施例8と実施例1を比較すると、塗布法により発光部17を形成した方が、発光効率がよい。これは、真空蒸着法では、塗布法に比べ貫通部16内に発光材料が均質な膜厚で充填されにくいためであると考えられる。"