"酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分A、露光により酸を発生する酸発生剤成分B、下記一般式c0で表される構成単位c0を有する高分子化合物C、並びに下記一般式d1で表される化合物D1、下記一般式d2で表される化合物D2及び下記一般式d3で表される化合物D3からなる群から選ばれる1つ以上の化合物を含む光反応型クエンチャーDを含有することを特徴とするレジスト組成物。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基を示し、R1は1つ以上の1級もしくは2級のアルコール性水酸基、または鎖状の3級アルコール性水酸基を有する有機基である。][式中、R3は置換基を有していてもよい炭化水素基であり、Z2cは置換基を有していてもよい炭素数1~30の炭化水素基ただし、Sに隣接する炭素にはフッ素原子は置換されていないものとするであり、R4は有機基であり、Y3は直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキレン基またはアリーレン基であり、Rf0は炭化水素基であり、Zはそれぞれ独立に、スルホニウム又はヨードニウムカチオンである。]前記高分子化合物Cが、さらに、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位c1を有する請求項1に記載のレジスト組成物。前記高分子化合物Cの質量平均分子量が2万~50万である請求項1又は2に記載のレジスト組成物。前記基材成分Aが、酸の作用により極性が増大する樹脂成分A1である請求項1~3のいずれか一項に記載のレジスト組成物。支持体上に、請求項1~4のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。今後、リソグラフィー技術のさらなる進歩、レジストパターンの微細化がますます進むなか、レジスト材料には、種々のリソグラフィー特性の向上や、スカムの低減が望まれる。また、上記したようなイオンインプランテーション用途では、反射防止膜によってイオンがマスクされることを防ぐため、レジストパターンを形成する支持体上に反射防止膜を形成することができない。反射防止膜がないため、従来の化学増幅型レジスト組成物をイオンインプランテーションプロセスに用いた場合、基板等の支持体に対するレジスト組成物の密着性が十分でなく、レジスト組成物が剥がれやすいという問題があった。特に、メタアクリル酸エステルから誘導される構成単位を有するベース樹脂を用いた場合、該ベース樹脂は基板との密着性が低いため、該ベース樹脂を主に用いるArFエキシマレーザー等を露光光源としたリソグラフィーにおいて当該問題が特に顕著となっていた。一方、特許文献3に記載の組成物は、リソグラフィー特性の面では未だ改良の余地があった。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、リソグラフィー特性及び密着性に優れ、スカムが低減されたレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供することを課題とする。上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。すなわち、本発明の第一の態様は、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分A、露光により酸を発生する酸発生剤成分B、下記一般式c0で表される構成単位c0を有する高分子化合物C、並びに下記一般式d1で表される化合物D1、下記一般式d2で表される化合物D2及び下記一般式d3で表される化合物D3からなる群から選ばれる1つ以上の化合物を含む光反応型クエンチャーDを含有することを特徴とするレジスト組成物である。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基を示し、R1は1つ以上の1級もしくは2級のアルコール性水酸基、または鎖状の3級アルコール性水酸基を有する有機基である。][式中、R3は置換基を有していてもよい炭化水素基であり、Z2cは置換基を有していてもよい炭素数1~30の炭化水素基ただし、Sに隣接する炭素にはフッ素原子は置換されていないものとするであり、R4は有機基であり、Y3は直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキレン基またはアリーレン基であり、Rf0は炭化水素基であり、Zはそれぞれ独立に、スルホニウム又はヨードニウムカチオンである。]本発明の第二の態様は、前記第一の態様のレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法である。本明細書及び本特許請求の範囲において、脂肪族とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。アルキル基は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の1価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。アルキレン基は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の2価の飽和炭化水素基を包含するものとする。ハロゲン化アルキル基は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。フッ素化アルキル基又はフッ素化アルキレン基は、アルキル基又はアルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基をいう。構成単位とは、高分子化合物樹脂、重合体、共重合体を構成するモノマー単位単量体単位を意味する。アクリル酸エステルは、アクリル酸CH2=CH-COOHのカルボキシ基末端の水素原子が有機基で置換された化合物である。アクリル酸エステルから誘導される構成単位とは、アクリル酸エステルのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。本明細書において、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されたアクリル酸、アクリル酸エステルをそれぞれα置換アクリル酸、α置換アクリル酸エステルということがある。また、アクリル酸とα置換アクリル酸とを包括してα置換アクリル酸、α置換アクリル酸エステルとを包括してα置換アクリル酸エステルということがある。α置換アクリル酸またはそのエステルのα位の炭素原子に結合する置換基としては、ハロゲン原子、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のハロゲン化アルキル基、ヒドロキシアルキル基等が挙げられる。なお、アクリル酸エステルから誘導される構成単位のα位α位の炭素原子とは、特に断りがない限り、カルボニル基が結合している炭素原子のことを意味する。前記α位の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。前記α位の置換基としての炭素数1~5のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などの直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。前記α位の置換基としての炭素数1~5のハロゲン化アルキル基として具体的には、上記の炭素数1~5のアルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。前記α位の置換基としてのヒドロキシアルキル基としては、炭素数1~5のヒドロキシアルキル基が好ましく、具体的には、上記の炭素数1~5のアルキル基の水素原子の一部または全部がヒドロキシ基で置換された基が挙げられる。本発明において、α置換アクリル酸またはそのエステルのα位の炭素原子に結合しているのは、水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であることが好ましく、水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のフッ素化アルキル基であることがより好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子またはメチル基であることが最も好ましい。有機基は、炭素原子を含む基であり、炭素原子以外の原子たとえば水素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子等等を有していてもよい。α置換アクリル酸エステルが有する有機基としては、特に限定されないが、たとえば芳香族基、極性変換基、後述する酸分解性基等の特性基、これらの特性基を構造中に含む特性基含有基等が挙げられる。露光は、放射線の照射全般を含む概念とする。本発明によれば、リソグラフィー特性及び密着性に優れ、スカムが低減されたレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供できる。≪レジスト組成物≫本発明の第一の態様であるレジスト組成物は、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分A以下A成分という。、露光により酸を発生する酸発生剤成分B以下B成分という。、高分子化合物C以下C成分という。、及び光反応型クエンチャーD以下D成分という。を含有する。かかるレジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜は、レジストパターン形成時に選択的露光を行うと、B成分から酸が発生し、該酸がA成分の現像液に対する溶解性を変化させる。その結果、当該レジスト膜の露光部の現像液に対する溶解性が変化する一方で、未露光部は現像液に対する溶解性が変化しないため、該レジスト膜を現像すると、当該レジスト組成物がポジ型の場合は露光部が溶解除去されてポジ型のレジストパターンが形成され、当該レジスト組成物がネガ型の場合は未露光部が溶解除去されてネガ型のレジストパターンが形成される。本明細書においては、露光部が溶解除去されてポジ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をポジ型レジスト組成物といい、未露光部が溶解除去されるネガ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をネガ型レジスト組成物という。本発明のレジスト組成物は、ポジ型レジスト組成物であってもよく、ネガ型レジスト組成物であってもよい。また、本発明のレジスト組成物は、レジストパターン形成時の現像処理にアルカリ現像液を用いるアルカリ現像プロセス用であってもよく、該現像処理に有機溶剤を含む現像液有機系現像液を用いる溶剤現像プロセス用であってもよい。好適には、アルカリ現像プロセスにてポジ型レジストパターンを形成するために用いられるものであり、この場合、A成分としては、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大するものが用いられる。<A成分>A成分としては、通常、化学増幅型レジスト用の基材成分として用いられている有機化合物を1種単独で、又は2種以上を混合して使用することができる。ここで、基材成分とは、膜形成能を有する有機化合物であり、好ましくは分子量が500以上の有機化合物が用いられる。該有機化合物の分子量が500以上であることにより、膜形成能が向上し、また、ナノレベルのレジストパターンを形成しやすい。前記基材成分として用いられる分子量が500以上の有機化合物は、非重合体と重合体とに大別される。非重合体としては、通常、分子量が500以上4000未満のものが用いられる。以下、分子量が500以上4000未満の非重合体を低分子化合物という。重合体としては、通常、分子量が1000以上のものが用いられる。以下、分子量が1000以上の重合体を高分子化合物という。高分子化合物の場合、分子量としてはGPCゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算の質量平均分子量を用いるものとする。以下、高分子化合物を単に樹脂ということがある。A成分としては、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分を用いることができ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する低分子化合物成分を用いることもできる。A成分は、酸の作用により現像液に対する溶解性が増大するものであってもよく、酸の作用により現像液に対する溶解性が減少するものであってもよい。本発明のレジスト組成物がアルカリ現像プロセスにおいてネガ型パターンを形成するまたは溶剤現像プロセスにおいてポジ型レジストパターンを形成するレジスト組成物である場合、A成分としてはアルカリ現像液に可溶性の基材成分以下、A0’成分ということがある。が用いられ、さらに、架橋剤成分が配合される。かかるレジスト組成物は、露光によりB成分から酸が発生すると、当該酸が作用してA0’成分と架橋剤成分との間で架橋が起こり、結果、アルカリ現像液に対する溶解性が減少有機系現像液に対する溶解性が増大する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜を選択的に露光すると、露光部はアルカリ現像液に対して難溶性有機系現像液に対して可溶性へ転じる一方で、未露光部はアルカリ現像液に対して可溶性有機系現像液に対して難溶性のまま変化しないため、アルカリ現像液で現像することによりネガ型レジストパターンが形成できる。また、このとき現像液として有機系現像液を用いると、ポジ型のレジストパターンが形成できる。A0’成分としては、アルカリ現像液に対して可溶性の樹脂以下アルカリ可溶性樹脂という。として公知の樹脂を用いることができる。アルカリ可溶性樹脂としては、例えば特開2000-206694号公報に開示されている、α-ヒドロキシアルキルアクリル酸、またはα-ヒドロキシアルキルアクリル酸のアルキルエステル好ましくは炭素数1~5のアルキルエステルから選ばれる少なくとも一つから誘導される単位を有する樹脂;米国特許6949325号公報に開示されている、スルホンアミド基を有するα位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル樹脂またはポリシクロオレフィン樹脂;米国特許6949325号公報、特開2005-336452号公報、特開2006-317803号公報に開示されている、フッ素化アルコールを含有し、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル樹脂;特開2006-259582号公報に開示されている、フッ素化アルコールを有するポリシクロオレフィン樹脂等が、膨潤の少ない良好なレジストパターンが形成でき、好ましい。なお、前記α-ヒドロキシアルキルアクリル酸は、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸のうち、カルボキシ基が結合するα位の炭素原子に水素原子が結合しているアクリル酸と、このα位の炭素原子にヒドロキシアルキル基好ましくは炭素数1~5のヒドロキシアルキル基が結合しているα-ヒドロキシアルキルアクリル酸の一方または両方を示す。架橋剤成分としては、例えば、通常は、メチロール基またはアルコキシメチル基を有するグリコールウリルなどのアミノ系架橋剤、メラミン系架橋剤などを用いると、膨潤の少ない良好なレジストパターンが形成でき、好ましい。架橋剤成分の配合量は、アルカリ可溶性樹脂100質量部に対し、1~50質量部であることが好ましい。本発明のレジスト組成物が、アルカリ現像プロセスにおいてポジ型パターンを形成し、溶剤現像プロセスにおいてネガ型パターンを形成するレジスト組成物である場合、A成分としては、好ましくは、酸の作用により極性が増大する基材成分A0以下A0成分という。が用いられる。A0成分は露光前後で極性が変化するため、アルカリ現像プロセスだけでなく、溶剤現像プロセスにおいても良好な現像コントラストを得ることができる。つまり、アルカリ現像プロセスを適用する場合、A0成分は、露光前はアルカリ現像液に対して難溶性であり、露光によりB成分から酸が発生すると、該酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部はアルカリ現像液に対して難溶性から可溶性に変化する一方で、未露光部はアルカリ難溶性のまま変化しないため、アルカリ現像することによりポジ型パターンが形成できる。一方、溶剤現像プロセスを適用する場合は、A0成分は、露光前は有機系現像液に対して溶解性が高く、露光によりB成分から酸が発生すると、該酸の作用により極性が高くなり有機系現像液に対する溶解性が減少する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部は有機系現像液に対して可溶性から難溶性に変化する一方で、未露光部は可溶性のまま変化しないため、有機系現像液で現像することにより、露光部と未露光部との間でコントラストをつけることができ、ネガ型パターンが形成できる。本発明のレジスト組成物において、A成分は、A0成分であることが好ましい。すなわち、本発明のレジスト組成物は、アルカリ現像プロセスにおいてポジ型となり、溶剤現像プロセスにおいてネガ型となる化学増幅型レジスト組成物であることが好ましい。該A0成分は、酸の作用により極性が増大する樹脂成分A1以下A1成分ということがある。であってもよく、酸の作用により極性が増大する低分子化合物成分A2以下A2成分ということがある。であってもよく、又はこれらの混合物であってもよい。[A1成分]A1成分としては、通常、化学増幅型レジスト用の基材成分として用いられている樹脂成分ベース樹脂を1種単独で、又は2種以上混合して使用することができる。本発明において、A1成分は、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位a1を有することが好ましい。構成単位a1構成単位a1は、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位である。酸分解性基は、露光によりB成分から発生する酸の作用により、当該酸分解性基の構造中の少なくとも一部の結合が開裂し得る酸分解性を有する基である。酸の作用により極性が増大する酸分解性基としては、たとえば、酸の作用により分解して極性基を生じる基が挙げられる。酸分解性基を構成する極性基としては、たとえばカルボキシ基、水酸基、アミノ基、スルホ基-SO3H等が挙げられる。これらのなかでも、カルボキシ基または水酸基が好ましく、カルボキシ基が特に好ましい。酸分解性基としてより具体的には、前記極性基を酸解離性基で保護した基たとえば前記極性基の水素原子を酸解離性基で保護した基が挙げられる。酸解離性基は、露光によりB成分から発生する酸の作用により、少なくとも、当該酸解離性基と該酸解離性基に隣接する原子との間の結合が開裂し得る酸解離性を有する基である。酸分解性基を構成する酸解離性基は、当該酸解離性基の解離により生成する極性基よりも極性の低い基であることが必要で、これにより、酸の作用により該酸解離性基が解離した際に、該酸解離性基よりも極性の高い極性基が生じ、A成分の極性が増大する。A成分の極性が増大することで、アルカリ現像プロセスの場合は露光部のアルカリ現像液に対する溶解性が増大し、溶剤現像プロセスの場合は露光部の有機系現像液に対する溶解性が減少する。酸解離性基としては、特に限定されず、これまで、化学増幅型レジスト用のベース樹脂の酸解離性基として提案されているものを使用することができる。一般的には、メタアクリル酸等におけるカルボキシ基と環状又は鎖状の第3級アルキルエステルを形成する基、アルコキシアルキル基等のアセタール型酸解離性基などが広く知られている。ここで、第3級アルキルエステルとは、カルボキシ基の水素原子が、鎖状又は環状のアルキル基で置換されることによりエステルを形成しており、そのカルボニルオキシ基-C=O-O-の末端の酸素原子に、前記鎖状又は環状のアルキル基の第3級炭素原子が結合している構造を示す。この第3級アルキルエステルにおいては、酸が作用すると、酸素原子と第3級炭素原子との間で結合が切断され、カルボキシ基が形成される。前記鎖状又は環状のアルキル基は、置換基を有していてもよい。以下、カルボキシ基と第3級アルキルエステルを構成することにより、酸解離性となっている基を、便宜上、第3級アルキルエステル型酸解離性基という。第3級アルキルエステル型酸解離性基としては、脂肪族分岐鎖状酸解離性基、脂肪族環式基を含有する酸解離性基が挙げられる。ここで、脂肪族分岐鎖状とは、芳香族性を持たない分岐鎖状の構造を有することを示す。脂肪族分岐鎖状酸解離性基の構造は、炭素および水素からなる基炭化水素基であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、炭化水素基は飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。脂肪族分岐鎖状酸解離性基としては、たとえば、-CR71R72R73で表される基が挙げられる。式中、R71~R73は、それぞれ独立に、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基である。-CR71R72R73で表される基は、炭素数が4~8であることが好ましく、具体的にはtert-ブチル基、2-メチル-2-ブチル基、2-メチル-2-ペンチル基、3-メチル-3-ペンチル基などが挙げられる。特にtert-ブチル基が好ましい。脂肪族分岐鎖状酸解離性基は、水素原子の一部がフッ素原子で置換されていてもよい。この場合、前記-CR71R72R73で表される基のR71、R72およびR73のうちの1つがフッ素化アルキル基であり、2つがアルキル基であることが好ましい。該フッ素化アルキル基としては、-CH2w20-CF3で表される基が好ましい。w20は0~3の整数である。脂肪族環式基は、芳香族性を持たない単環式基又は多環式基であることを示す。脂肪族環式基を含有する酸解離性基における脂肪族環式基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のアルコキシ基、フッ素原子、炭素数1~5のフッ素化アルキル基、酸素原子=O等が挙げられる。該脂肪族環式基の置換基を除いた基本の環の構造は、炭素および水素からなる基炭化水素基であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、該炭化水素基は、飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。脂肪族環式基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。脂肪族環式基としては、炭素数が3~30であるものが好ましく、5~30であるものがより好ましく、5~20がさらに好ましく、6~15が特に好ましく、6~12が最も好ましい。単環式の脂肪族環式基としては、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数3~6のものが好ましく、具体的にはシクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂肪族環式基としては、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数7~12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。また、これらの脂肪族環式基の環を構成する炭素原子の一部がエーテル基-O-で置換されたものであってもよい。脂肪族環式基を含有する酸解離性基としては、たとえば、i1価の脂肪族環式基の環骨格上の、当該酸解離性基に隣接する原子たとえば-C=O-O-における-O-と結合する炭素原子に置換基水素原子以外の原子または基が結合して第3級炭素原子が形成されている基;ii1価の脂肪族環式基と、これに結合する第3級炭素原子を有する分岐鎖状アルキレンとを有する基などが挙げられる。前記iの基において、脂肪族環式基の環骨格上、当該酸解離性基に隣接する原子と結合する炭素原子に結合する置換基としては、たとえばアルキル基が挙げられる。該アルキル基としては、たとえば後述する式1-1~1-9中のR14と同様のものが挙げられる。前記iの基の具体例としては、たとえば下記一般式1-1~1-9で表される基等が挙げられる。前記iiの基の具体例としては、たとえば下記一般式2-1~2-6で表される基等が挙げられる。[式中、R14はアルキル基であり、gは0~8の整数である。][式中、R15およびR16は、それぞれ独立してアルキル基である。]式1-1~1-9中、R14のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。該直鎖状のアルキル基は、炭素数が1~5であることが好ましく、1~4がより好ましく、1または2がさらに好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基またはn-ブチル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。該分岐鎖状のアルキル基は、炭素数が3~10であることが好ましく、3~5がより好ましい。具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、tert-ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、イソプロピル基であることが最も好ましい。該環状のアルキル基は、炭素数3~20であることが好ましく、4~12がより好ましい。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。環状のアルキル基の環を構成する炭素原子の一部がエーテル性酸素原子-O-で置換されていてもよい。gは0~3の整数が好ましく、1~3の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましい。式2-1~2-6中、R15~R16のアルキル基としては、前記R14のアルキル基と同様のものが挙げられる。上記式1-1~1-9、2-1~2-6中、環を構成する炭素原子の一部がエーテル性酸素原子-O-で置換されていてもよい。また、式1-1~1-9、2-1~2-6中、環を構成する炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子、フッ素化アルキル基が挙げられる。アセタール型酸解離性基は、一般的に、カルボキシ基、水酸基等のOH含有極性基末端の水素原子と置換して酸素原子と結合している。そして、露光により酸が発生すると、この酸が作用して、アセタール型酸解離性基と、当該アセタール型酸解離性基が結合した酸素原子との間で結合が切断され、カルボキシ基、水酸基等のOH含有極性基が形成される。アセタール型酸解離性基としては、たとえば、下記一般式p1で表される基が挙げられる。[式中、R1’,R2’はそれぞれ独立して水素原子または炭素数1~5のアルキル基を表し、nは0~3の整数を表し、Yは炭素数1~5のアルキル基または脂肪族環式基を表す。]式p1中、nは、0~2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、0が最も好ましい。R1’,R2’のアルキル基としては、上記α置換アクリル酸エステルについての説明で、α位の置換基として挙げたアルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。本発明においては、R1’,R2’のうち少なくとも1つが水素原子であることが好ましい。すなわち、酸解離性基p1が、下記一般式p1-1で表される基であることが好ましい。[式中、R1’、n、Yは上記と同じである。]Yのアルキル基としては、前記α位の置換基としてのアルキル基と同様のものが挙げられる。Yの脂肪族環式基としては、従来ArFレジスト等において多数提案されている単環又は多環式の脂肪族環式基の中から適宜選択して用いることができ、たとえば上記脂肪族環式基を含有する酸解離性基で挙げた脂肪族環式基と同様のものが例示できる。アセタール型酸解離性基としては、下記一般式p2で示される基も挙げられる。[式中、R17、R18はそれぞれ独立して直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基または水素原子であり;R19は直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基である。または、R17およびR19がそれぞれ独立に直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基であって、R17とR19とが結合して環を形成していてもよい。]R17、R18において、アルキル基の炭素数は、好ましくは1~15であり、直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、エチル基、メチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。特にR17、R18の一方が水素原子で、他方がメチル基であることが好ましい。R19は直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基であり、炭素数は好ましくは1~15であり、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれでもよい。R19が直鎖状、分岐鎖状の場合は炭素数1~5であることが好ましく、エチル基、メチル基がさらに好ましく、エチル基が最も好ましい。R19が環状の場合は炭素数4~15であることが好ましく、炭素数4~12であることがさらに好ましく、炭素数5~10が最も好ましい。具体的には、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基など、上記脂肪族環式基と同様のものを例示できる。なかでもアダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。また、上記式p2においては、R17及びR19がそれぞれ独立に直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基好ましくは炭素数1~5のアルキレン基であって、R19とR17とが結合していてもよい。この場合、R17と、R19と、R19が結合した酸素原子と、該酸素原子およびR17が結合した炭素原子とにより環式基が形成されている。該環式基としては、4~7員環が好ましく、4~6員環がより好ましい。該環式基の具体例としては、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等が挙げられる。構成単位a1としては、酸分解性基を有するものであれば他の部位の構造は特に限定されないが、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって酸分解性基を含む構成単位a11、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよく、ベンゼン環に結合した水素原子が、水酸基以外の置換基で置換されていてもよいヒドロキシスチレンから誘導される構成単位の水酸基の水素原子が酸解離性基または酸解離性基を含む置換基で置換されてなる構成単位a12、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよく、ナフタレン環に結合した水素原子が、水酸基以外の置換基で置換されていてもよいビニルヒドロキシナフタレンから誘導される構成単位の水酸基の水素原子が酸解離性基または酸解離性基を含む置換基で置換されてなる構成単位a13、等が挙げられる。ラインエッジラフネスの点では構成単位a11が好ましく、EUVやEBを露光光源とするリソグラフィーにおいてEUV波長やEB波長を吸収しやすい点では構成単位a12~a13が好ましい。{構成単位a11}構成単位a11は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって酸分解性基を含む構成単位である。構成単位a11としては、たとえば、下記一般式a1-0-1で表される構成単位、下記一般式a1-0-2で表される構成単位等が挙げられる。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であり;X1は酸解離性基であり;Y2は2価の連結基であり;X2は酸解離性基である。]一般式a1-0-1において、Rのアルキル基、ハロゲン化アルキル基は、それぞれ、上記α置換アクリル酸エステルについての説明で、α位の置換基として挙げたアルキル基、ハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。Rとしては、水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のフッ素化アルキル基が好ましく、水素原子またはメチル基が最も好ましい。X1は、酸解離性基であれば特に限定されることはなく、たとえば上述した第3級アルキルエステル型酸解離性基、アセタール型酸解離性基などを挙げることができ、第3級アルキルエステル型酸解離性基が好ましい。一般式a1-0-2において、Rは上記と同様である。X2は、式a1-0-1中のX1と同様である。Y2の2価の連結基としては、特に限定されないが、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基等が好適なものとして挙げられる。置換基を有していてもよい2価の炭化水素基2価の連結基としての炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。該脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。該脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が1~10であることが好ましく、1~8がより好ましく、1~5がさらに好ましい。直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基[-CH2-]、エチレン基[-CH22-]、トリメチレン基[-CH23-]、テトラメチレン基[-CH24-]、ペンタメチレン基[-CH25-]等が挙げられる。分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、-CHCH3-、-CHCH2CH3-、-CCH32-、-CCH3CH2CH3-、-CCH3CH2CH2CH3-、-CCH2CH32-等のアルキルメチレン基;-CHCH3CH2-、-CHCH3CHCH3-、-CCH32CH2-、-CHCH2CH3CH2-、-CCH2CH32-CH2-等のアルキルエチレン基;-CHCH3CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2-等のアルキルトリメチレン基;-CHCH3CH2CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2CH2-等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましい。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、水素原子を置換する置換基水素原子以外の基または原子を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、オキソ基=O等が挙げられる。前記構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含んでもよい環状の脂肪族炭化水素基脂肪族炭化水素環から水素原子を2個除いた基、前記環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、前記環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては前記と同様のものが挙げられる。環状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が3~20であることが好ましく、3~12であることがより好ましい。環状の脂肪族炭化水素基は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数3~6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂肪族炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数7~12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。環状の脂肪族炭化水素基は、水素原子を置換する置換基水素原子以外の基または原子を有していてもよいし、有していなくてもよい。該置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、オキソ基=O等が挙げられる。前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。環状の脂肪族炭化水素基は、その環構造を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されてもよい。該ヘテロ原子を含む置換基としては、-O-、-C=O-O-、-S-、-S=O2-、-S=O2-O-が好ましい。2価の炭化水素基としての芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも1つ有する2価の炭化水素基であり、置換基を有していてもよい。芳香環は、4n2個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は5~30であることが好ましく、5~20がより好ましく、6~15がさらに好ましく、6~12が特に好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環;等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。2価の炭化水素基としての芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を2つ除いた基アリーレン基またはヘテロアリーレン基;2以上の芳香環を含む芳香族化合物たとえばビフェニル、フルオレン等から水素原子を2つ除いた基;前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を1つ除いた基アリール基またはヘテロアリール基の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基たとえば、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに1つ除いた基;等が挙げられる。前記アリール基またはヘテロアリール基に結合するアルキレン基の炭素数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。前記芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。たとえば当該芳香族基が有する芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、オキソ基=O等が挙げられる。前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。ヘテロ原子を含む2価の連結基ヘテロ原子を含む2価の連結基におけるヘテロ原子とは、炭素原子および水素原子以外の原子であり、たとえば酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子等が挙げられる。ヘテロ原子を含む2価の連結基として、具体的には、-O-、-C=O-、-C=O-O-、-O-C=O-O-、-S-、-S=O2-、-S=O2-O-、-NH-、-NH-C=O-、-NH-C=NH-、=N-等の非炭化水素系連結基、これらの非炭化水素系連結基の少なくとも1種と2価の炭化水素基との組み合わせ等が挙げられる。該2価の炭化水素基としては、上述した置換基を有していてもよい2価の炭化水素基と同様のものが挙げられ、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましい。上記のうち、-C=O-NH-中の-NH-、-NH-、-NH-C=NH-中のHは、それぞれ、アルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。該置換基の炭素数としては1~10であることが好ましく、炭素数1~8であることがさらに好ましく、炭素数1~5であることが特に好ましい。Y2としては、特に、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、2価の脂環式炭化水素基、またはヘテロ原子を含む2価の連結基が好ましい。Y2が直鎖状または分岐鎖状アルキレン基である場合、該アルキレン基は、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~6であることがさらに好ましく、炭素数1~4であることが特に好ましく、炭素数1~3であることが最も好ましい。具体的には、前記R1における2価の連結基の説明中、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基として挙げた直鎖状のアルキレン基、分岐鎖状のアルキレン基と同様のものが挙げられる。Y2が2価の脂環式炭化水素基である場合、該脂環式炭化水素基としては、前記R0-1における2価の連結基の説明中、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基として挙げた脂環族炭化水素基と同様のものが挙げられる。該脂環式炭化水素基としては、シクロペンタン、シクロヘキサン、ノルボルナン、イソボルナン、アダマンタン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンから水素原子が二個以上除かれた基であることが特に好ましい。Y2がヘテロ原子を含む2価の連結基である場合、該連結基として好ましいものとして、-O-、-C=O-O-、-C=O-、-O-C=O-O-、-C=O-NH-、-NH-Hはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。、-S-、-S=O2-、-S=O2-O-、一般式-Y21-O-Y22-、-[Y21-C=O-O]m’-Y22-または-Y21-O-C=O-Y22-で表される基[式中、Y21およびY22はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい2価の炭化水素基であり、Oは酸素原子であり、m’は0~3の整数である。]等が挙げられる。Y2が-NH-の場合、そのHはアルキル基、芳香族基たとえばアリール基等の置換基で置換されていてもよい。該置換基アルキル基、芳香族基等は、炭素数が1~10であることが好ましく、1~8であることがさらに好ましく、1~5であることが特に好ましい。式-Y21-O-Y22-、-[Y21-C=O-O]m’-Y22-または-Y21-O-C=O-Y22-中、Y21およびY22は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基である。該2価の炭化水素基としては、前記でY2における置換基を有していてもよい2価の炭化水素基として挙げたものと同様のものが挙げられる。Y21としては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数1~5の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基またはエチレン基が特に好ましい。Y22としては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基またはアルキルメチレン基がより好ましい。該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数1~3の直鎖状のアルキル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。式-[Y21-C=O-O]m’-Y22-で表される基において、m’は0~3の整数であり、0~2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、1が特に好ましい。つまり、式-[Y21-C=O-O]m’-Y22-で表される基としては、式-Y21-C=O-O-Y22-で表される基が特に好ましい。なかでも、式-CH2a’-C=O-O-CH2b’-で表される基が好ましい。該式中、a’は、1~10の整数であり、1~8の整数が好ましく、1~5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。b’は、1~10の整数であり、1~8の整数が好ましく、1~5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。Y2におけるヘテロ原子を含む2価の連結基としては、少なくとも1種と非炭化水素基と2価の炭化水素基との組み合わせからなる有機基が好ましい。なかでも、ヘテロ原子として酸素原子を有する直鎖状の基、例えばエーテル結合またはエステル結合を含む基、が好ましく、前記式-Y21-O-Y22-、-[Y21-C=O-O]m’-Y22-または-Y21-O-C=O-Y22-で表される基がより好ましく、前記式-[Y21-C=O-O]m’-Y22-または-Y21-O-C=O-Y22-で表される基好ましい。Y2としては、上記のなかでも、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、またはヘテロ原子を含む2価の連結基が好ましく、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、前記式-Y21-O-Y22-で表される基、前記式-[Y21-C=O-O]m’-Y22-で表される基、または前記式-Y21-O-C=O-Y22-で表される基がさらに好ましい。構成単位a11として、より具体的には、下記一般式a1-1~a1-4で表される構成単位が挙げられる。[式中、R、R1’、R2’、n、YおよびY2はそれぞれ前記と同じであり、X’は第3級アルキルエステル型酸解離性基を表す。]’式中、X’は、前記第3級アルキルエステル型酸解離性基と同様のものが挙げられる。R1’、R2’、n、Yとしては、それぞれ、上述のアセタール型酸解離性基の説明において挙げた一般式p1におけるR1’、R2’、n、Yと同様のものが挙げられる。Y2としては、上述の一般式a1-0-2におけるY2と同様のものが挙げられる。以下に、上記一般式a1-1~a1-4で表される構成単位の具体例を示す。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。本発明においては、構成単位a11として、下記一般式a1-0-11で表される構成単位、下記一般式a1-0-12で表される構成単位、下記一般式a1-0-13で表される構成単位および下記一般式a1-0-2で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種を有することが好ましい。なかでも、式a1-0-11で表される構成単位、下記一般式a1-0-12で表される構成単位および下記一般式a1-0-2で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種を有することが好ましい。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であり、R21はアルキル基であり、R22は、当該R22が結合した炭素原子と共に脂肪族単環式基を形成する基であり、R23は分岐状のアルキル基であり、R24は、当該R24が結合した炭素原子と共に脂肪族多環式基を形成する基であり、R25は炭素数1~5の直鎖状のアルキル基である。Y2は2価の連結基であり、X2は酸解離性基である。]各式中、R、Y2、X2についての説明は前記と同じである。式a1-0-11中、R21のアルキル基としては、前記式1-1~1-9中のR14のアルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基、エチル基、イソプロピル基、又は、置換基を有していてもよいノルボルナンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。R22が、当該R22が結合した炭素原子と共に形成する脂肪族単環式基としては、前記第3級アルキルエステル型酸解離性基において挙げた脂肪族環式基のうち、単環式基であるものと同様のものが挙げられる。具体的には、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。該モノシクロアルカンは、3~11員環であることが好ましく、3~8員環であることがより好ましく、4~6員環がさらに好ましく、5または6員環が特に好ましい。該モノシクロアルカンは、環を構成する炭素原子の一部がエーテル基-O-で置換されていてもよいし、されていなくてもよい。また、該モノシクロアルカンは、置換基として、炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子または炭素数1~5のフッ素化アルキル基を有していてもよい。かかる脂肪族単環式基を構成するR22としては、たとえば、炭素原子間にエーテル基-O-が介在してもよい直鎖状のアルキレン基が挙げられる。式a1-0-11で表される構成単位の具体例としては、前記式a1-1-16~a1-1-23、a1-1-27、a1-1-31、a1-1-37で表される構成単位が挙げられる。これらの中でも、式a1-1-16~a1-1-17、a1-1-20~a1-1-23、a1-1-27、a1-1-31、a1-1-37で表される構成単位を包括する下記a1-1-02で表される構成単位が好ましい。また、下記a1-1-02’で表される構成単位も好ましい。各式中、hは、1または2が好ましい。[式中、R、R21はそれぞれ前記と同じであり、hは1~4の整数である。]式a1-0-12中、R23の分岐鎖状のアルキル基としては、前記式1-1~1-9中のR14のアルキル基で挙げた分岐鎖状のアルキル基と同様のものが挙げられ、イソプロピル基が最も好ましい。R24が、当該R24が結合した炭素原子と共に形成する脂肪族多環式基としては、前記第3級アルキルエステル型酸解離性基において挙げた脂肪族環式基のうち、多環式基であるものと同様のものが挙げられる。式a1-0-12で表される構成単位の具体例としては、前記式a1-1-26、a1-1-28~a1-1-30で表される構成単位が挙げられる。式a1-0-12で表される構成単位としては、R24が、当該R24が結合した炭素原子と共に形成する脂肪族多環式基が2-アダマンチル基であるものが好ましく、特に、前記式a1-1-26で表される構成単位が好ましい。式a1-0-13中、RおよびR24はそれぞれ前記と同様である。R25の直鎖状のアルキル基としては、前記式1-1~1-9中のR14のアルキル基で挙げた直鎖状のアルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基またはエチル基が最も好ましい。式a1-0-13で表される構成単位として具体的には、前記一般式a1-1の具体例として例示した、式a1-1-1~a1-1-3、a1-1-7~a1-1-15で表される構成単位が挙げられる。式a1-0-13で表される構成単位としては、R24が、当該R24が結合した炭素原子と共に形成する脂肪族多環式基が2-アダマンチル基であるものが好ましく、特に、前記式a1-1-1またはa1-1-2で表される構成単位が好ましい。式a1-0-2で表される構成単位としては、前記式a1-3またはa1-4で表される構成単位が挙げられ、特に式a1-3で表される構成単位が好ましい。式a1-0-2で表される構成単位としては、特に、式中のY2が前記式-Y21-O-Y22-で表される基、前記式-[Y21-C=O-O]m’-Y22-で表される基、または前記式-Y21-O-C=O-Y22-で表される基であるものが好ましい。かかる構成単位として、好ましいものとしては、下記一般式a1-3-01で表される構成単位;下記一般式a1-3-02で表される構成単位;下記一般式a1-3-03で表される構成単位などが挙げられる。[式中、Rは前記と同じであり、R13は水素原子またはメチル基であり、R14はアルキル基であり、yは1~10の整数であり、n’は0~3の整数である。][式中、Rは前記と同じであり、Y2’およびY2はそれぞれ独立して2価の連結基であり、X’は酸解離性基であり、wは0~3の整数である。]式a1-3-01~a1-3-02中、R13は、水素原子が好ましい。R14は、前記式1-1~1-9中のR14と同様である。yは、1~8の整数が好ましく、1~5の整数がより好ましく、1または2が最も好ましい。n’は、1または2が好ましく、2が最も好ましい。式a1-3-01で表される構成単位の具体例としては、前記式a1-3-25~a1-3-26で表される構成単位等が挙げられる。式a1-3-02で表される構成単位の具体例としては、前記式a1-3-27~a1-3-28で表される構成単位等が挙げられる。式a1-3-03中、Y2’、Y2における2価の連結基としては、前記一般式a1-0-2におけるY2と同様のものが挙げられる。Y2’としては、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基が好ましく、直鎖状の脂肪族炭化水素基がより好ましく、直鎖状のアルキレン基がさらに好ましい。中でも、炭素数1~5の直鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基が最も好ましい。Y2としては、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基が好ましく、直鎖状の脂肪族炭化水素基がより好ましく、直鎖状のアルキレン基がさらに好ましい。中でも、炭素数1~5の直鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基が最も好ましい。X’における酸解離性基は、前記と同様のものが挙げられ、第3級アルキルエステル型酸解離性基であることが好ましく、上述したi1価の脂肪族環式基の環骨格上、当該酸解離性基に隣接する原子と結合する炭素原子に置換基が結合して第3級炭素原子が形成されている基がより好ましく、中でも、前記一般式1-1で表される基が好ましい。wは0~3の整数であり、wは、0~2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、1が最も好ましい。式a1-3-03で表される構成単位としては、下記一般式a1-3-03-1またはa1-3-03-2で表される構成単位が好ましく、中でも、式a1-3-03-1で表される構成単位が好ましい。[式中、RおよびR14はそれぞれ前記と同じであり、a’は1~10の整数であり、b’は1~10の整数であり、tは0~3の整数である。]式a1-3-03-1~a1-3-03-2中、a’は、1~8の整数が好ましく、1~5の整数がより好ましく、1または2が特に好ましい。b’は、1~8の整数が好ましく、1~5の整数が好ましく、1または2が特に好ましい。tは1~3の整数が好ましく、1または2が特に好ましい。式a1-3-03-1またはa1-3-03-2で表される構成単位の具体例としては、前記式a1-3-29~a1-3-32で表される構成単位が挙げられる。{構成単位a12}構成単位a12は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよく、ベンゼン環に結合した水素原子が、水酸基以外の置換基で置換されていてもよいヒドロキシスチレンから誘導される構成単位の水酸基の水素原子が酸解離性基または酸解離性基を含む置換基で置換されてなる構成単位である。ヒドロキシスチレンは、ベンゼン環に、1つのビニル基と、少なくとも1つの水酸基とが結合した化合物である。ベンゼン環に結合する水酸基の数は、1~3が好ましく、1が特に好ましい。ベンゼン環における水酸基の結合位置は特に限定されない。水酸基の数が1つである場合は、ビニル基の結合位置のパラ4位が好ましい。水酸基の数が2以上の整数である場合は、任意の結合位置を組み合わせることができる。水酸基の水素原子を置換する酸解離性基としては、前記と同様のものが挙げられ、第3級アルキルエステル型酸解離性基またはアセタール型酸解離性基が好ましく、アセタール型酸解離性基がより好ましい。酸解離性基を含む置換基としては、酸解離性基と2価の連結基とから構成される基が挙げられる。2価の連結基としては、前記式a1-0-2におけるY2における2価の連結基と同様のものが挙げられ、特に、酸解離性基側の末端構造がカルボニルオキシ基である基が好ましい。この場合、該カルボニルオキシ基の酸素原子-O-に酸解離性基が結合していることが好ましい。酸解離性基を含む置換基としては、R11’-O-C=O-で表される基、R11’-O-C=O-R12’-で表される基が好ましい。式中、R11’は酸解離性基であり、R12’は直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基である。R11’における酸解離性基は、第3級アルキルエステル型酸解離性基またはアセタール型酸解離性基が好ましく、第3級アルキルエステル型酸解離性基がより好ましい。該第3級アルキルエステル型酸解離性基の好ましい例として、前述した-CR71R72R73で表される脂肪族分岐鎖状酸解離性基、式1-1~1-9で表される基、式2-1~2-6で表される基等が挙げられる。R12’におけるアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、1,1-ジメチルエチレン基などが挙げられる。R12’としては、直鎖状のアルキレン基が好ましい。{構成単位a13}構成単位a13は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよく、ナフタレン環に結合した水素原子が、水酸基以外の置換基で置換されていてもよいビニルヒドロキシナフタレン以下、α置換ビニルヒドロキシナフタレンから誘導される構成単位の水酸基の水素原子が酸解離性基または酸解離性基を含む置換基で置換されてなる構成単位である。ビニルヒドロキシナフタレンは、ナフタレン環に、1つのビニル基と、少なくとも1つの水酸基とが結合した化合物である。ビニル基は、ナフタレン環の1位に結合していてもよく、2位に結合していてもよい。ナフタレン環に結合する水酸基の数は、1~3が好ましく、1が特に好ましい。ナフタレン環における水酸基の結合位置は特に限定されない。ナフタレン環の1位または2位にビニル基が結合している場合、ナフタレン環の5~8位のいずれかが好ましい。特に、水酸基の数が1つである場合は、ナフタレン環の5~7位のいずれかが好ましく、5または6位が好ましい。水酸基の数が2以上の整数である場合は、任意の結合位置を組み合わせることができる。構成単位a13において、水酸基の水素原子を置換する酸解離性基、酸解離性基を含む置換基としては、それぞれ、前記構成単位a12の説明で挙げたものと同様のものが挙げられる。A1成分が含有する構成単位a1は1種であってもよく2種以上であってもよい。A1成分中、構成単位a1の割合は、A1成分を構成する全構成単位に対し、15~70モルが好ましく、15~60モルがより好ましく、20~55モルがさらに好ましい。下限値以上とすることによって、レジスト組成物とした際に容易にパターンを得ることができ、感度、解像性、パターン形状等のリソグラフィー特性も向上する。また、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。構成単位a2A1成分は、構成単位a1に加えて、-SO2-含有環式基またはラクトン含有環式基を含む構成単位a2をさらに有することが好ましい。構成単位a2の-SO2-含有環式基またはラクトン環式基は、A1成分をレジスト膜の形成に用いた場合に、レジスト膜の基板への密着性を高めうえで有効なものである。また、アルカリ現像液等の水を含有する現像液との親和性が向上する点で、アルカリ現像プロセスにおいて有効である。なお、前記構成単位a1がその構造中に-SO2-含有環式基またはラクトン含有環式基を含むものである場合、該構成単位は構成単位a2にも該当するが、このような構成単位は構成単位a1に該当し、構成単位a2には該当しないものとする。ここで、-SO2-含有環式基とは、その環骨格中に-SO2-を含む環を含有する環式基を示し、具体的には、-SO2-における硫黄原子Sが環式基の環骨格の一部を形成する環式基である。その環骨格中に-SO2-を含む環をひとつ目の環として数え、該環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。-SO2-含有環式基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。-SO2-含有環式基は、特に、その環骨格中に-O-SO2-を含む環式基、すなわち-O-SO2-中の-O-S-が環骨格の一部を形成するサルトンsultone環を含有する環式基であることが好ましい。-SO2-含有環式基は、炭素数が3~30であることが好ましく、4~20であることがより好ましく、4~15であることがさらに好ましく、4~12であることが特に好ましい。ただし、該炭素数は環骨格を構成する炭素原子の数であり、置換基における炭素数を含まないものとする。-SO2-含有環式基は、-SO2-含有脂肪族環式基であってもよく、-SO2-含有芳香族環式基であってもよい。好ましくは-SO2-含有脂肪族環式基である。-SO2-含有脂肪族環式基としては、その環骨格を構成する炭素原子の一部が-SO2-または-O-SO2-で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基が挙げられる。より具体的には、その環骨格を構成する-CH2-が-SO2-で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基、その環を構成する-CH2-CH2-が-O-SO2-で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基等が挙げられる。該脂環式炭化水素環は、炭素数が3~20であることが好ましく、3~12であることがより好ましい。該脂環式炭化水素環は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、炭素数3~6のモノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該モノシクロアルカンとしてはシクロペンタン、シクロヘキサン等が例示できる。多環式の脂環式炭化水素環としては、炭素数7~12のポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとして具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。-SO2-含有環式基は、置換基を有していてもよい。該置換基としては、たとえばアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O、-COOR、-OC=OR、ヒドロキシアルキル基、シアノ基等が挙げられる。該置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~6のアルキル基が好ましい。該アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。該置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~6のアルコキシ基が好ましい。該アルコキシ基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、前記置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基に酸素原子-O-に結合した基が挙げられる。該置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。該置換基のハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン化アルキル基としてはフッ素化アルキル基が好ましく、特にパーフルオロアルキル基が好ましい。前記-COOR、-OC=ORにおけるRは、いずれも、水素原子または炭素数1~15の直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアルキル基である。Rが直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基の場合は、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~5であることがさらに好ましく、メチル基またはエチル基であることが特に好ましい。Rが環状のアルキル基の場合は、炭素数3~15であることが好ましく、炭素数4~12であることがさらに好ましく、炭素数5~10が最も好ましい。具体的には、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカンや、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。該置換基としてのヒドロキシアルキル基としては、炭素数が1~6であるものが好ましく、具体的には、前記置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基の水素原子の少なくとも1つが水酸基で置換された基が挙げられる。-SO2-含有環式基として、より具体的には、下記一般式3-1~3-4で表される基が挙げられる。[式中、A’は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1~5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり、zは0~2の整数であり、R27はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、水酸基、-COOR、-OC=OR、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり、Rは水素原子またはアルキル基である。]前記一般式3-1~3-4中、A’は、酸素原子-O-もしくは硫黄原子-S-を含んでいてもよい炭素数1~5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子である。A’における炭素数1~5のアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、イソプロピレン基等が挙げられる。該アルキレン基が酸素原子または硫黄原子を含む場合、その具体例としては、前記アルキレン基の末端または炭素原子間に-O-または-S-が介在する基が挙げられ、たとえば-O-CH2-、-CH2-O-CH2-、-S-CH2-、-CH2-S-CH2-等が挙げられる。A’としては、炭素数1~5のアルキレン基または-O-が好ましく、炭素数1~5のアルキレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。zは0~2のいずれであってもよく、0が最も好ましい。zが2である場合、複数のR27はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。R27におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、-COOR、-OC=OR、ヒドロキシアルキル基としては、それぞれ、前記で-SO2-含有環式基が有していてもよい置換基として挙げたアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、-COOR、-OC=OR、ヒドロキシアルキル基と同様のものが挙げられる。以下に、前記一般式3-1~3-4で表される具体的な環式基を例示する。なお、式中のAcはアセチル基を示す。-SO2-含有環式基としては、上記の中でも、前記一般式3-1で表される基が好ましく、前記化学式3-1-1、3-1-18、3-3-1および3-4-1のいずれかで表される基からなる群から選択される少なくとも一種を用いることがより好ましく、前記化学式3-1-1で表される基が最も好ましい。ラクトン含有環式基とは、その環骨格中に-O-C=O-を含む環ラクトン環を含有する環式基を示す。ラクトン環をひとつ目の環として数え、ラクトン環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。ラクトン含有環式基は、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。構成単位a2におけるラクトン環式基としては、特に限定されることなく任意のものが使用可能である。具体的には、ラクトン含有単環式基としては、4~6員環ラクトンから水素原子を1つ除いた基、たとえばβ-プロピオノラクトンから水素原子を1つ除いた基、γ-ブチロラクトンから水素原子1つを除いた基、δ-バレロラクトンから水素原子を1つ除いた基等が挙げられる。また、ラクトン含有多環式基としては、ラクトン環を有するビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンから水素原子一つを除いた基が挙げられる。構成単位a2としては、-SO2-含有環式基またはラクトン含有環式基を有するものであれば他の部分の構造は特に限定されないが、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって-SO2-含有環式基を含む構成単位a2S、及びα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であってラクトン含有環式基を含む構成単位a2Lからなる群より選択される少なくとも1種の構成単位が好ましい。構成単位a2S:構成単位a2Sの例として、より具体的には、下記一般式a2-0で表される構成単位が挙げられる。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であり、R28は-SO2-含有環式基であり、R29は単結合または2価の連結基である。]式a2-0中、Rは前記と同様である。R28は、前記で挙げた-SO2-含有環式基と同様である。R29は、単結合、2価の連結基のいずれであってもよい。本発明の効果に優れることから、2価の連結基であることが好ましい。R29における2価の連結基としては、特に限定されず、たとえば、前記式a1-0-2中のY2における2価の連結基と同様のものが挙げられる。それらの中でも、アルキレン基、またはエステル結合-C=O-O-を含むものが好ましい。該アルキレン基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。具体的には、前記Y2における脂肪族炭化水素基として挙げた直鎖状のアルキレン基、分岐鎖状のアルキレン基と同様のものが挙げられる。エステル結合を含む2価の連結基としては、特に、一般式:-R30-C=O-O-[式中、R30は2価の連結基である。]で表される基が好ましい。すなわち、構成単位a2Sは、下記一般式a2-0-1で表される構成単位であることが好ましい。[式中、RおよびR28はそれぞれ前記と同様であり、R30は2価の連結基である。]R30としては、特に限定されず、たとえば、前記式a1-0-2中のY2における2価の連結基と同様のものが挙げられる。R30の2価の連結基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基、またはヘテロ原子を含む2価の連結基が好ましく、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、またはヘテロ原子として酸素原子を含む2価の連結基が好ましい。直鎖状のアルキレン基としては、メチレン基またはエチレン基が好ましく、メチレン基が特に好ましい。分岐鎖状のアルキレン基としては、アルキルメチレン基またはアルキルエチレン基が好ましく、-CHCH3-、-CCH32-または-CCH32CH2-が特に好ましい。酸素原子を含む2価の連結基としては、エーテル結合またはエステル結合を含む2価の連結基が好ましく、前述した、-Y21-O-Y22-、-[Y21-C=O-O]m’-Y22-または-Y21-O-C=O-Y22-がより好ましい。Y21、Y22、m’はそれぞれ前記同様である。構成単位a2Sとしては、特に、下記一般式a2-0-11またはa2-0-12で表される構成単位が好ましく、式a2-0-12で表される構成単位がより好ましい。[式中、R、A’、R27、zおよびR30はそれぞれ前記と同じである。]式a2-0-11中、A’はメチレン基、酸素原子-O-または硫黄原子-S-であることが好ましい。R30としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、または酸素原子を含む2価の連結基が好ましい。R30における直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、酸素原子を含む2価の連結基としては、それぞれ、前記で挙げた直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、酸素原子を含む2価の連結基と同様のものが挙げられる。式a2-0-12で表される構成単位としては、特に、下記一般式a2-0-12aまたはa2-0-12bで表される構成単位が好ましい。[式中、RおよびA’はそれぞれ前記と同じであり、c~eはそれぞれ独立に1~3の整数である。]構成単位a2L:構成単位a2Lの例としては、たとえば前記一般式a2-0中のR28をラクトン含有環式基で置換したものが挙げられ、より具体的には、下記一般式a2-1~a2-5で表される構成単位が挙げられる。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であり;R’はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、水酸基、-COOR、-OC=OR、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり、Rは水素原子またはアルキル基であり;R29は単結合または2価の連結基であり、sは0~2の整数であり;Aは酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1~5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり;mは0または1である。]一般式a2-1~a2-5におけるRは、前記同様である。R’におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、-COOR、-OC=OR、ヒドロキシアルキル基としては、それぞれ、前記で-SO2-含有環式基が有していてもよい置換基として挙げたアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、-COOR、-OC=OR、ヒドロキシアルキル基と同様のものが挙げられる。Rについても前記同様である。R’は、工業上入手が容易であること等を考慮すると、水素原子が好ましい。Aとしては、前記一般式3-1中のA’と同様のものが挙げられる。Aは、炭素数1~5のアルキレン基、酸素原子-O-または硫黄原子-S-であることが好ましく、炭素数1~5のアルキレン基または-O-がより好ましい。炭素数1~5のアルキレン基としては、メチレン基またはジメチルメチレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。R29は、前記一般式a2-0中のR29と同様である。式a2-1中、sは1~2であることが好ましい。以下に、前記一般式a2-1~a2-5で表される構成単位の具体例を例示する。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。構成単位a2Lとしては、前記一般式a2-1~a2-5で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が好ましく、一般式a2-1~a2-3で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種がより好ましく、前記一般式a2-1またはa2-3で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が特に好ましい。なかでも、前記式a2-1-1、a2-1-2、a2-2-1、a2-2-7、a2-2-12、a2-2-14、a2-3-1、a2-3-5で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が好ましい。また、構成単位a2Lとしては、下記式a2-6~a2-7で表される構成単位も好ましい。[式中、R、R29は前記同様である。]A1成分が有する構成単位a2は1種でも2種以上でもよい。たとえば構成単位a2として、構成単位a2Sのみを用いてもよく、構成単位a2Lのみを用いてもよく、それらを併用してもよい。また、構成単位a2Sまたは構成単位a2Lとして、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。A1成分が構成単位a2を有する場合、構成単位a2の割合は、当該A1成分を構成する全構成単位の合計に対し、1~80モルであることが好ましく、10~70モルであることがより好ましく、10~65モルであることがさらに好ましく、10~60モルが特に好ましい。下限値以上とすることにより構成単位a2を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができ、DOF、CDU等の種々のリソグラフィー特性及びパターン形状が良好となる。構成単位a3A1成分は、さらに、構成単位a1に加えて、または構成単位a1およびa2に加えて、極性基を含む構成単位a3を有してもよい。A1成分が構成単位a3を有することにより、露光後のA1成分の極性がさらに向上する。極性の向上は、特にアルカリ現像プロセスの場合に、解像性等の向上に寄与する。極性基としては、-OH、-COOH、-CN、-SO2NH2、-CONH2、等が挙げられる。-COOHを含むものとしては、α置換アクリル酸の構成単位も含む。構成単位a3は、水素原子の一部が極性基で置換された炭化水素基を含む構成単位であることが好ましい。当該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよい。なかでも、当該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基あることがより好ましい。当該炭化水素基における脂肪族炭化水素基としては、炭素数1~10の直鎖状又は分岐鎖状の炭化水素基好ましくはアルキレン基や、脂肪族環式基単環式基、多環式基が挙げられる。該脂肪族環式基単環式基、多環式基としては、例えばArFエキシマレーザー用レジスト組成物用の樹脂において、多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。該脂肪族環式基の炭素数は3~30であることが好ましく、5~30であることがより好ましく、5~20がさらに好ましく、6~15が特に好ましく、6~12が最も好ましい。具体的には、たとえば、モノシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。該脂肪族環式基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子、炭素数1~5のフッ素化アルキル基等が挙げられる。当該炭化水素基における芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも1つ有する炭化水素基である。芳香環は、4n2個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は5~30であることが好ましく、5~20がより好ましく、6~15がさらに好ましく、6~12が特に好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環;等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。2価の炭化水素基としての芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を2つ除いた基アリーレン基またはヘテロアリーレン基;2以上の芳香環を含む芳香族化合物たとえばビフェニル、フルオレン等から水素原子を2つ除いた基;前記芳香環の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基たとえば、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基やヘテロアリールアルキル基における芳香環から水素原子をさらに1つ除いた基;等が挙げられる。前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子を置換するアルキレン基の炭素数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。該芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O等が挙げられる。前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部又は全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。構成単位a3としては、下記一般式a3-1で表される構成単位が好ましい。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。L0は-C=O-O-、-C=O-NRn-Rnは水素原子又は炭素数1~5のアルキル基である又は単結合である。R0は-COOH、または置換基として-OH、-COOH、-CN、-SO2NH2、-CRr1Rr2OH及び-CONH2からなる群より選択される少なくとも一種の基を有する炭化水素基であり、任意の位置に酸素原子又は硫黄原子を有していてもよい。Rr1、Rr2はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。]前記式a3-1中、Rのアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。Rのハロゲン化アルキル基は、前記のRのアルキル基の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。Rとしては、水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のフッ素化アルキル基が好ましく、水素原子又はメチル基が特に好ましい。前記式a3-1中、L0は、-C=O-O-、-C=O-NRn-Rnは水素原子又は炭素数1~5のアルキル基である又は単結合である。Rnのアルキル基としては、Rのアルキル基と同様である。前記式a3-1中、R0は、置換基として-OH、-COOH、-CN、-SO2NH2、-CRr1Rr2OH及び-CONH2からなる群より選択される少なくとも一種の基を有する炭化水素基であり、任意の位置に酸素原子又は硫黄原子を有していてもよい。置換基を有する炭化水素基とは、炭化水素基に結合した水素原子の少なくとも一部が置換基で置換されていることを意味する。R0における炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。R0における脂肪族炭化水素基としては、炭素数1~10の直鎖状又は分岐鎖状の炭化水素基好ましくはアルキレン基や、脂肪族環式基単環式基、多環式基が好適に挙げられ、これらの説明は上記と同様である。R0における芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基であり、この説明は上記と同様である。R0における置換基としての-CRr1Rr2OHにおいて、Rr1、Rr2はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のハロゲン化アルキル基としては、上述したα位の置換基としての炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のハロゲン化アルキル基と同様である。ただし、R0は、任意の位置に酸素原子又は硫黄原子を有していてもよい。この任意の位置に酸素原子又は硫黄原子を有していてもよいとは、炭化水素基、又は置換基を有する炭化水素基をそれぞれ構成する炭素原子置換基部分の炭素原子を含む。の一部が、酸素原子又は硫黄原子で置換されていてもよいこと、又は炭化水素基に結合した水素原子が酸素原子又は硫黄原子で置換されていてもよいこと、を意味する。以下に、一例として任意の位置に酸素原子Oを有するR0について例示する。[式中、W00は炭化水素基であり、Rmは炭素数1~5のアルキレン基である。]前記式中、W00は炭化水素基であり、前記式a3-1中のR0と同様のものが挙げられる。W00は、好ましくは脂肪族炭化水素基であり、より好ましくは脂肪族環式基単環式基、多環式基である。Rmは、直鎖状、分岐鎖状であることが好ましく、炭素数1~3のアルキレン基であることが好ましく、メチレン基、エチレン基であることがより好ましい。構成単位a3のなかで好適なものとして、より具体的には、α置換アクリル酸から誘導される構成単位、下記一般式a3-11~a3-13のいずれかで表される構成単位等が挙げられる。α置換アクリル酸から誘導される構成単位としては、前記式a3-1中のL0が単結合であり、R0が-COOHである構成単位が挙げられる。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。W01は置換基として-OH、-COOH、-CN、-SO2NH2、-CRr1Rr2OH及び-CONH2からなる群より選択される少なくとも一種の基を有する芳香族炭化水素基である。P02及びP03はそれぞれ-C=O-O-又は-C=O-NRn-Rnは水素原子又は炭素数1~5のアルキル基であるである。W02は置換基として-OH、-COOH、-CN、-SO2NH2、-CRr1Rr2OH及び-CONH2からなる群より選択される少なくとも一種の基を有する環状の炭化水素基であり、任意の位置に酸素原子又は硫黄原子を有していてもよい。W03は置換基として-OH、-COOH、-CN、-SO2NH2、-CRr1Rr2OH及び-CONH2からなる群より選択される少なくとも一種の基を有する直鎖状の炭化水素基である。Rr1、Rr2は前記同様である。][一般式a3-11で表される構成単位]前記式a3-11中、Rは、前記式a3-1中のRの説明と同様である。W01における芳香族炭化水素基は、前記式a3-1中のR0における芳香族炭化水素基の説明と同様である。以下に、一般式a3-11で表される構成単位の好適な具体例を示す。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。[一般式a3-12で表される構成単位]前記式a3-12中、Rは、前記式a3-1中のRの説明と同様である。P02は、-C=O-O-又は-C=O-NRn-Rnは水素原子又は炭素数1~5のアルキル基であるであり、-C=O-O-であることが好ましい。Rnのアルキル基としては、Rのアルキル基と同様である。W02における環状の炭化水素基は、前記式a3-1中のR0についての説明の中で例示した脂肪族環式基単環式基、多環式基、芳香族炭化水素基とそれぞれ同様のものが挙げられる。W02は、任意の位置に酸素原子又は硫黄原子を有していてもよく、この説明は前記式a3-1中のR0の説明と同様である。以下に、一般式a3-12で表される構成単位の好適な具体例を示す。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。[一般式a3-13で表される構成単位]前記式a3-13中、Rは、前記式a3-1中のRの説明と同様である。P03は、-C=O-O-又は-C=O-NRn-Rnは水素原子又は炭素数1~5のアルキル基であるであり、-C=O-O-であることが好ましい。Rnのアルキル基としては、Rのアルキル基と同様である。W03における直鎖状の炭化水素基は、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~5であることがより好ましく、炭素数1~3であることがさらに好ましい。W03における直鎖状の炭化水素基は、-OH、-COOH、-CN、-SO2NH2及び-CONH2以外の置換基aをさらに有していてもよい。この置換基aとしては、炭素数1~5のアルキル基、脂肪族環式基単環式基、多環式基、フッ素原子、炭素数1~5のフッ素化アルキル基等が挙げられる。置換基aにおける脂肪族環式基単環式基、多環式基の炭素数は3~30であることが好ましく、5~30であることがより好ましく、5~20がさらに好ましく、6~15が特に好ましく、6~12が最も好ましい。具体的には、たとえば、モノシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。また、W03における直鎖状の炭化水素基は、一例として下記一般式a3-13-aで表される構成単位のように、複数の置換基aを有してもよく、複数の置換基a同士が相互に結合して環が形成されてもよい。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。Ra1及びRa2はそれぞれ独立に炭素数1~5のアルキル基、脂肪族環式基単環式基、多環式基、フッ素原子、又は炭素数1~5のフッ素化アルキル基である。但し、Ra1とRa2とが相互に結合して環を形成してもよい。q0は1~4の整数である。]前記式a3-13-a中、Rは、前記式a3-1中のRの説明と同様である。Ra1及びRa2における脂肪族環式基単環式基、多環式基は、前記置換基aにおける脂肪族環式基単環式基、多環式基と同様である。また、Ra1とRa2とは、相互に結合して環を形成してもよい。この場合、Ra1と、Ra2と、Ra1とRa2とが共に結合した炭素原子とにより環式基が形成される。該環式基としては、単環式基であってもよく、多環式基であってもよく、具体的には、前記置換基aにおける脂肪族環式基単環式基、多環式基についての説明の中で例示したモノシクロアルカン又はポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。q0は1又は2であることが好ましく、1であることがより好ましい。以下に、一般式a3-13で表される構成単位の好適な具体例を示す。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。A1成分が有する構成単位a3は1種であっても2種以上であってもよい。A1成分が構成単位a3を有する場合、構成単位a3の割合は、当該A1成分を構成する全構成単位に対して0~85モルであることが好ましく、0~80モルがより好ましい。構成単位a3の割合を下限値以上とすることにより、構成単位a3を含有させることによる効果解像性、リソグラフィー特性、パターン形状の向上効果が充分に得られ、上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。その他の構成単位A1成分は、本発明の効果を損なわない範囲で、上記構成単位a1~a3以外の他の構成単位以下、構成単位a4という。を含んでいてもよい。構成単位a4は、上述の構成単位a1~a3に分類されない他の構成単位であれば特に限定されるものではなく、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用好ましくはArFエキシマレーザー用等のレジスト用樹脂に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。構成単位a4としては、例えば、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、酸非解離性の脂肪族多環式基を含む構成単位、スチレン単量体から誘導される構成単位、ビニルナフタレン単量体から誘導される構成単位などが好ましい。該多環式基は、例えば、前記の構成単位a1の場合に例示したものと同様のものを例示することができ、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用好ましくはArFエキシマレーザー用等のレジスト組成物の樹脂成分に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。特にトリシクロデカニル基、アダマンチル基、テトラシクロドデカニル基、イソボルニル基、ノルボルニル基から選ばれる少なくとも1種であると、工業上入手し易いなどの点で好ましい。これらの多環式基は、炭素数1~5の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を置換基として有していてもよい。構成単位a4として、具体的には、下記一般式a4-1~a4-5の構造のものを例示することができる。[式中、Rは前記と同じである。]構成単位a4としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。A1成分が構成単位a4を含有する場合、構成単位a4の割合は、A1成分を構成する全構成単位の合計に対して、1~20モルが好ましく、1~15モルがより好ましく、1~10モルがさらに好ましい。A1成分は、構成単位a1を有する共重合体であることが好ましい。かかる共重合体としては、たとえば、構成単位a1及び構成単位a3からなる共重合体;構成単位a1及びa2からなる共重合体;構成単位a1、a2及びa3からなる共重合体;構成単位a1、a2、a3及びa4からなる共重合体等が例示できる。本発明においてA1成分としては、特に、構成単位a11、a2L及びa3の組合せが好ましく、前記式a1-0-12、a2-1及びa3-12で表される構成単位の組合せ;前記式a1-0-13、a2-1、a2-3及びa3-12で表される構成単位の組合せがより好ましい。A1成分の質量平均分子量Mwゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算基準は、特に限定されるものではなく、1000~50000が好ましく、1500~30000がより好ましく、2500~20000未満がさらに好ましく、2500~15000が最も好ましい。この範囲の上限値以下であると、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、この範囲の下限値以上であると、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。また、A1成分の分散度Mw/Mnは、特に限定されるものではなく、1.0~5.0が好ましく、1.0~3.0がより好ましく、1.2~2.5が最も好ましい。なお、Mnは数平均分子量を示す。A成分において、A1成分としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用しても良い。A成分中のA1成分の割合は、A成分の総質量に対し、25質量以上が好ましく、50質量がより好ましく、75質量がさらに好ましく、100質量であってもよい。該割合が25質量以上であると、リソグラフィー特性等の効果が向上する。[A2成分]A2成分としては、分子量が500以上4000未満であって、上述のA1成分の説明で例示したような酸解離性基と、親水性基とを有する低分子化合物が好ましい。具体的には、複数のフェノール骨格を有する化合物の水酸基の水素原子の一部が上記酸解離性基で置換されたものが挙げられる。A2成分は、たとえば、非化学増幅型のg線やi線レジストにおける増感剤や、耐熱性向上剤として知られている低分子量フェノール化合物の水酸基の水素原子の一部を上記酸解離性基で置換したものが好ましく、そのようなものから任意に用いることができる。かかる低分子量フェノール化合物としては、たとえば、ビス4-ヒドロキシフェニルメタン、ビス2,3,4-トリヒドロキシフェニルメタン、2-4-ヒドロキシフェニル-2-4’-ヒドロキシフェニルプロパン、2-2,3,4-トリヒドロキシフェニル-2-2’,3’,4’-トリヒドロキシフェニルプロパン、トリス4-ヒドロキシフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシ-3,5-ジメチルフェニル-2-ヒドロキシフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシ-2,5-ジメチルフェニル-2-ヒドロキシフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシ-3,5-ジメチルフェニル-3,4-ジヒドロキシフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシ-2,5-ジメチルフェニル-3,4-ジヒドロキシフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシ-3-メチルフェニル-3,4-ジヒドロキシフェニルメタン、ビス3-シクロヘキシル-4-ヒドロキシ-6-メチルフェニル-4-ヒドロキシフェニルメタン、ビス3-シクロヘキシル-4-ヒドロキシ-6-メチルフェニル-3,4-ジヒドロキシフェニルメタン、1-[1-4-ヒドロキシフェニルイソプロピル]-4-[1,1-ビス4-ヒドロキシフェニルエチル]ベンゼン、フェノール、m-クレゾール、p-クレゾールまたはキシレノールなどのフェノール類のホルマリン縮合物の2~6核体などが挙げられる。勿論これらに限定されるものではない。特には、トリフェニルメタン骨格を2~6個有するフェノール化合物が、解像性、LWRに優れることから好ましい。酸解離性基も特に限定されず、上記したものが挙げられる。A2成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。本発明のレジスト組成物において、A成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。上記のなかでも、A成分としては、A1成分を含有することが好ましい。本発明のレジスト組成物中、A成分の含有量は、形成しようとするレジスト膜厚等に応じて調整すればよい。<B成分>B成分としては、特に限定されず、これまで化学増幅型レジスト用の酸発生剤として提案されているものを使用することができる。このような酸発生剤としては、これまで、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリビススルホニルジアゾメタン類などのジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など多種のものが知られている。オニウム塩系酸発生剤として、例えば下記一般式b-1またはb-2で表される化合物を用いることができる。[式中、R1~R3,R5~R6はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいアリール基、アルキル基又はアルケニル基を表す。式b-1におけるR1~R3のうち、いずれか二つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。R4は、置換基を有していてもよいアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、またはアルケニル基を表す。]式b-1中、R1~R3は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基、アルキル基又はアルケニル基を表す。R1~R3のうち、いずれか二つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。また、リソグラフィー特性とレジストパターン形状がより向上することから、R1~R3のうち、少なくとも1つはアリール基であることが好ましく、R1~R3のうち、2つ以上がアリール基であることがより好ましく、R1~R3のすべてがアリール基であることが特に好ましい。R1~R3のアリール基としては、炭素数6~20の無置換のアリール基;該無置換のアリール基の水素原子の一部または全部がアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基、オキソ基=O、アリール基、アルコキシアルキルオキシ基、アルコキシカルボニルアルキルオキシ基、-C=O-O-R6’、-O-C=O-R7’、-O-R8’等で置換された置換アリール基等が挙げられる。R6’、R7’、R8’は、それぞれ、炭素数1~25の直鎖状、分岐鎖状若しくは炭素数3~20の環状の飽和炭化水素基、又は、炭素数2~5の直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族不飽和炭化水素基である。R1~R3において、無置換のアリール基としては、安価に合成可能なことから、炭素数6~10のアリール基が好ましい。具体的には、たとえばフェニル基、ナフチル基が挙げられる。R1~R3の置換アリール基における置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。置換アリール基における置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基であることが最も好ましい。置換アリール基における置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。置換アリール基における置換基としてのアリール基としては、前記R1~R3のアリール基と同様のものが挙げられ、炭素数6~20のアリール基が好ましく、炭素数6~10のアリール基がより好ましく、フェニル基、ナフチル基がさらに好ましい。置換アリール基におけるアルコキシアルキルオキシ基としては、たとえば、一般式:-O-CR47R48-O-R49[式中、R47、R48はそれぞれ独立して水素原子または直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基であり、R49はアルキル基である。]で表される基が挙げられる。R47、R48において、アルキル基の炭素数は好ましくは1~5であり、直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、エチル基、メチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。R47、R48は、少なくとも一方が水素原子であることが好ましい。特に、一方が水素原子であり、他方が水素原子またはメチル基であることがより好ましい。R49のアルキル基としては、好ましくは炭素数が1~15であり、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。R49における直鎖状、分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数が1~5であることが好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基などが挙げられる。R49における環状のアルキル基としては、炭素数4~15であることが好ましく、炭素数4~12であることがさらに好ましく、炭素数5~10が最も好ましい。具体的には炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。モノシクロアルカンとしては、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。ポリシクロアルカンとしては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。中でもアダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。置換アリール基におけるアルコキシカルボニルアルキルオキシ基としては、たとえば、一般式:-O-R50-C=O-O-R56[式中、R50は直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基であり、R56は第3級アルキル基である。]で表される基が挙げられる。R50における直鎖状、分岐鎖状のアルキレン基としては、炭素数が1~5であることが好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、1,1-ジメチルエチレン基などが挙げられる。R56における第3級アルキル基としては、2-メチル-2-アダマンチル基、2-エチル-2-アダマンチル基、1-メチル-1-シクロペンチル基、1-エチル-1-シクロペンチル基、1-メチル-1-シクロヘキシル基、1-エチル-1-シクロヘキシル基、1-1-アダマンチル-1-メチルエチル基、1-1-アダマンチル-1-メチルプロピル基、1-1-アダマンチル-1-メチルブチル基、1-1-アダマンチル-1-メチルペンチル基;1-1-シクロペンチル-1-メチルエチル基、1-1-シクロペンチル-1-メチルプロピル基、1-1-シクロペンチル-1-メチルブチル基、1-1-シクロペンチル-1-メチルペンチル基;1-1-シクロヘキシル-1-メチルエチル基、1-1-シクロヘキシル-1-メチルプロピル基、1-1-シクロヘキシル-1-メチルブチル基、1-1-シクロヘキシル-1-メチルペンチル基、tert-ブチル基、tert-ペンチル基、tert-ヘキシル基などが挙げられる。さらに、前記一般式:-O-R50-C=O-O-R56におけるR56を、R56’で置き換えた基も挙げられる。R56’は、水素原子、アルキル基、フッ素化アルキル基、又はヘテロ原子を含んでいてもよい脂肪族環式基である。R56’におけるアルキル基は、前記R49のアルキル基と同様のものが挙げられる。R56’におけるフッ素化アルキル基は、前記R49のアルキル基中の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。R56’における、ヘテロ原子を含んでいてもよい脂肪族環式基としては、ヘテロ原子を含まない脂肪族環式基、環構造中にヘテロ原子を含む脂肪族環式基、脂肪族環式基中の水素原子がヘテロ原子に置換されたもの等が挙げられる。R56’について、ヘテロ原子を含まない脂肪族環式基としては、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。モノシクロアルカンとしては、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。ポリシクロアルカンとしては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。中でもアダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。R56’について、環構造中にヘテロ原子を含む脂肪族環式基として具体的には、後述の式L1~L6、S1~S4で表される基等が挙げられる。R56’について、脂肪族環式基中の水素原子がヘテロ原子に置換されたものとして具体的には、脂肪族環式基中の水素原子が酸素原子=Oに置換されたもの等が挙げられる。-C=O-O-R6’、-O-C=O-R7’、-O-R8’におけるR6’、R7’、R8’は、それぞれ、炭素数1~25の直鎖状、分岐鎖状若しくは炭素数3~20の環状の飽和炭化水素基、又は、炭素数2~5の直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族不飽和炭化水素基である。直鎖状若しくは分岐鎖状の飽和炭化水素基は、炭素数1~25であり、炭素数1~15であることが好ましく、4~10であることがより好ましい。直鎖状の飽和炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基などが挙げられる。分岐鎖状の飽和炭化水素基としては、第3級アルキル基を除き、例えば、1-メチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、1-エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基は、置換基を有していてもよい。該置換基としては、たとえばアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O、シアノ基、カルボキシ基等が挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基の置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。R6’、R7’、R8’における炭素数3~20の環状の飽和炭化水素基としては、多環式基、単環式基のいずれでもよく、例えば、モノシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基などが挙げられる。該環状の飽和炭化水素基は、置換基を有していてもよい。たとえば当該環状のアルキル基が有する環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、当該環状のアルキル基が有する環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。前者の例としては、前記モノシクロアルカンまたはポリシクロアルカンの環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換された複素シクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。また、前記環の構造中にエステル結合-C=O-O-を有していてもよい。具体的には、γ-ブチロラクトンから水素原子1つを除いた基等のラクトン含有単環式基や、ラクトン環を有するビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンから水素原子一つを除いた基等のラクトン含有多環式基等が挙げられる。後者の例における置換基としては、上述した直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が有してもよい置換基として挙げたものと同様のもの、低級アルキル基等が挙げられる。また、R6’、R7’、R8’は、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基と、環状アルキル基との組み合わせであってもよい。直鎖状または分岐鎖状のアルキル基と環状アルキル基との組合せとしては、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基に置換基として環状のアルキル基が結合した基、環状のアルキル基に置換基として直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が結合した基等が挙げられる。R6’、R7’、R8’における直鎖状の脂肪族不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基アリル基、ブチニル基などが挙げられる。R6’、R7’、R8’における分岐鎖状の脂肪族不飽和炭化水素基としては、例えば、1-メチルプロペニル基、2-メチルプロペニル基などが挙げられる。該直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族不飽和炭化水素基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、前記直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が有していてもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。R7’、R8’においては、上記のなかでも、リソグラフィー特性、レジストパターン形状が良好であることから、炭素数1~15の直鎖状若しくは分岐鎖状の飽和炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の飽和炭化水素基が好ましい。R1~R3のアリール基としては、それぞれ、フェニル基またはナフチル基であることが好ましい。R1~R3のアルキル基としては、たとえば、炭素数1~10の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。なかでも、解像性に優れる点から、炭素数1~5であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、n-ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ノニル基、デシル基等が挙げられ、解像性に優れ、また安価に合成可能なことから好ましいものとして、メチル基を挙げることができる。R1~R3のアルケニル基としては、たとえば、炭素数2~10であることが好ましく、2~5がより好ましく、2~4がさらに好ましい。具体的には、ビニル基、プロペニル基アリル基、ブチニル基、1-メチルプロペニル基、2-メチルプロペニル基などが挙げられる。R1~R3のアルキル基、アルケニル基は、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基、オキソ基=O、アリール基、アルコキシアルキルオキシ基、アルコキシカルボニルアルキルオキシ基、-C=O-O-R6’、-O-C=O-R7’、-O-R8’等で置換された置換アルキル基、置換アルケニル基であってもよい。これら置換基としては、上記置換アリール基が有していてもよい置換基と同様である。R1~R3のうち、いずれか二つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成する場合、イオウ原子を含めて3~10員環を形成していることが好ましく、5~7員環を形成していることが特に好ましい。R1~R3のうち、いずれか二つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成する場合、残りの1つは、アリール基であることが好ましい。前記アリール基は、前記R1~R3のアリール基と同様のものが挙げられる。前記式b-1で表される化合物におけるカチオン部の具体例としては、たとえば、トリフェニルスルホニウム、3,5-ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム、4-2-アダマントキシメチルオキシ-3,5-ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム、4-2-アダマントキシメチルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシ-3,5-ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム、4-2-メチル-2-アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、4-2-メチル-2-アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシ-3,5-ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム、トリ4-メチルフェニルスルホニウム、ジメチル4-ヒドロキシナフチルスルホニウム、モノフェニルジメチルスルホニウム、ジフェニルモノメチルスルホニウム、4-メチルフェニルジフェニルスルホニウム、4-メトキシフェニルジフェニルスルホニウム、トリ4-tert-ブチルフェニルスルホニウム、ジフェニル1-4-メトキシナフチルスルホニウム、ジ1-ナフチルフェニルスルホニウム、1-フェニルテトラヒドロチオフェニウム、1-4-メチルフェニルテトラヒドロチオフェニウム、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウム、1-4-メトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム、1-4-エトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム、1-フェニルテトラヒドロチオピラニウム、1-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオピラニウム、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオピラニウム、1-4-メチルフェニルテトラヒドロチオピラニウム等が挙げられる。また、前記式b-1で表される化合物におけるカチオン部のなかで好適なものとして、具体的には以下に示すものが挙げられる。[式中、g1は繰返し数を示し、1~5の整数である。][式中、g2、g3は繰返し数を示し、g2は0~20の整数であり、g3は0~20の整数である。]式b-1中、R4は、置換基を有していてもよいアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、またはアルケニル基を表す。R4におけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれであってもよい。前記直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~8であることがより好ましく、炭素数1~4であることが最も好ましい。前記環状のアルキル基としては、炭素数4~15であることが好ましく、炭素数4~10であることがさらに好ましく、炭素数6~10であることが最も好ましい。R4におけるハロゲン化アルキル基としては、前記直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。ハロゲン化アルキル基においては、当該ハロゲン化アルキル基に含まれるハロゲン原子および水素原子の合計数に対するハロゲン原子の数の割合ハロゲン化率が、10~100であることが好ましく、50~100であることが好ましく、100が最も好ましい。該ハロゲン化率が高いほど、酸の強度が強くなるので好ましい。前記R4におけるアリール基は、炭素数6~20のアリール基であることが好ましい。前記R4におけるアルケニル基は、炭素数2~10のアルケニル基であることが好ましい。前記R4において、置換基を有していてもよいとは、前記直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、またはアルケニル基における水素原子の一部または全部が置換基水素原子以外の他の原子または基で置換されていても良いことを意味する。R4における置換基の数は、1つであってもよく、2つ以上であってもよい。前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヘテロ原子、アルキル基、水酸基、式:X3-Q1-[式中、Q1は酸素原子を含む2価の連結基であり、X3は置換基を有していてもよい炭素数3~30の炭化水素基である。]で表される基等が挙げられる。前記ハロゲン原子、アルキル基としては、R4において、ハロゲン化アルキル基におけるハロゲン原子、アルキル基として挙げたもの同様のものが挙げられる。前記ヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等が挙げられる。X3-Q1-で表される基において、Q1は酸素原子を含む2価の連結基である。Q1は、酸素原子以外の原子を含有してもよい。酸素原子以外の原子としては、たとえば炭素原子、水素原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。酸素原子を含む2価の連結基としては、たとえば、酸素原子エーテル結合;-O-、エステル結合-C=O-O-、アミド結合-C=O-NH-、カルボニル基-C=O-、カーボネート結合-O-C=O-O-等の非炭化水素系の酸素原子含有連結基;該非炭化水素系の酸素原子含有連結基とアルキレン基との組み合わせ等が挙げられる。該組み合わせとしては、たとえば、-R91-O-、-R92-O-C=O-、-C=O-O-R93-O-C=O-式中、R91~R93はそれぞれ独立にアルキレン基である。等が挙げられる。R91~R93におけるアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、該アルキレン基の炭素数は、1~12が好ましく、1~5がより好ましく、1~3が特に好ましい。該アルキレン基として、具体的には、たとえばメチレン基[-CH2-];-CHCH3-、-CHCH2CH3-、-CCH32-、-CCH3CH2CH3-、-CCH3CH2CH2CH3-、-CCH2CH32-等のアルキルメチレン基;エチレン基[-CH2CH2-];-CHCH3CH2-、-CHCH3CHCH3-、-CCH32CH2-、-CHCH2CH3CH2-等のアルキルエチレン基;トリメチレン基n-プロピレン基[-CH2CH2CH2-];-CHCH3CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2-等のアルキルトリメチレン基;テトラメチレン基[-CH2CH2CH2CH2-];-CHCH3CH2CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2CH2-等のアルキルテトラメチレン基;ペンタメチレン基[-CH2CH2CH2CH2CH2-]等が挙げられる。Q1としては、エステル結合またはエーテル結合を含む2価の連結基が好ましく、なかでも、-R91-O-、-R92-O-C=O-または-C=O-O-R93-O-C=O-が好ましい。X3-Q1-で表される基において、X3の炭化水素基は、芳香族炭化水素基であってもよく、脂肪族炭化水素基であってもよい。芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。該芳香族炭化水素基の炭素数は3~30であることが好ましく、5~30であることがより好ましく、5~20がさらに好ましく、6~15が特に好ましく、6~12が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。芳香族炭化水素基として、具体的には、フェニル基、ビフェニルbiphenyl基、フルオレニルfluorenyl基、ナフチル基、アントリルanthryl基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素環から水素原子を1つ除いたアリール基、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基等が挙げられる。前記アリールアルキル基中のアルキル鎖の炭素数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。該芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、当該芳香族炭化水素基が有する芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。前者の例としては、前記アリール基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基、前記アリールアルキル基中の芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部が前記ヘテロ原子で置換されたヘテロアリールアルキル基等が挙げられる。後者の例における芳香族炭化水素基の置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O等が挙げられる。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。X3における脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基であってもよく、不飽和脂肪族炭化水素基であってもよい。また、脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。X3において、脂肪族炭化水素基は、当該脂肪族炭化水素基を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよく、当該脂肪族炭化水素基を構成する水素原子の一部または全部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよい。X3におけるヘテロ原子としては、炭素原子および水素原子以外の原子であれば特に限定されず、たとえばハロゲン原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子等が挙げられる。ヘテロ原子を含む置換基は、前記ヘテロ原子のみからなるものであってもよく、前記ヘテロ原子以外の基または原子を含む基であってもよい。炭素原子の一部を置換する置換基として、具体的には、たとえば-O-、-C=O-O-、-C=O-、-O-C=O-O-、-C=O-NH-、-NH-Hがアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい、-S-、-S=O2-、-S=O2-O-等が挙げられる。脂肪族炭化水素基が環状である場合、これらの置換基を環構造中に含んでいてもよい。水素原子の一部または全部を置換する置換基として、具体的には、たとえばアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O、シアノ基等が挙げられる。前記アルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記ハロゲン化アルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基等のアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状の飽和炭化水素基、直鎖状もしくは分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基、または環状の脂肪族炭化水素基脂肪族環式基が好ましい。直鎖状の飽和炭化水素基アルキル基としては、炭素数が1~20であることが好ましく、1~15であることがより好ましく、1~10が最も好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。分岐鎖状の飽和炭化水素基アルキル基としては、炭素数が3~20であることが好ましく、3~15であることがより好ましく、3~10が最も好ましい。具体的には、例えば、1-メチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、1-エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基などが挙げられる。不飽和炭化水素基としては、炭素数が2~10であることが好ましく、2~5が好ましく、2~4が好ましく、3が特に好ましい。直鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基アリル基、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、1-メチルプロペニル基、2-メチルプロペニル基などが挙げられる。不飽和炭化水素基としては、上記の中でも、特にプロペニル基が好ましい。脂肪族環式基としては、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。その炭素数は3~30であることが好ましく、5~30であることがより好ましく、5~20がさらに好ましく、6~15が特に好ましく、6~12が最も好ましい。具体的には、たとえば、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。脂肪族環式基が、その環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含まない場合は、脂肪族環式基としては、多環式基が好ましく、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、アダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が最も好ましい。脂肪族環式基が、その環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含むものである場合、該ヘテロ原子を含む置換基としては、-O-、-C=O-O-、-S-、-S=O2-、-S=O2-O-が好ましい。かかる脂肪族環式基の具体例としては、たとえば下記式L1~L6、S1~S4等が挙げられる。[式中、Qは炭素数1~5のアルキレン基、-O-、-S-、-O-R94-または-S-R95-であり、R94およびR95はそれぞれ独立に炭素数1~5のアルキレン基であり、mは0または1の整数である。]式中、Q、R94およびR95におけるアルキレン基としては、それぞれ、前記R91~R93におけるアルキレン基と同様のものが挙げられる。これらの脂肪族環式基は、その環構造を構成する炭素原子に結合した水素原子の一部が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえばアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O等が挙げられる。前記アルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが特に好ましい。前記アルコキシ基、ハロゲン原子はそれぞれ前記X3の脂肪族炭化水素基において水素原子の一部または全部を置換する置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。本発明において、X3は、置換基を有していてもよい環式基であることが好ましい。該環式基は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基であってもよく、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であってもよく、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であることが好ましい。前記芳香族炭化水素基としては、置換基を有していてもよいナフチル基、または置換基を有していてもよいフェニル基が好ましい。置換基を有していてもよい脂肪族環式基としては、置換基を有していてもよい多環式の脂肪族環式基が好ましい。該多環式の脂肪族環式基としては、前記ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基、前記L2~L6、S3~S4等が好ましい。本発明において、R4は、置換基としてX3-Q1-を有することが好ましい。この場合、R4としては、X3-Q1-Y10-[式中、Q1およびX3は前記と同じであり、Y10は置換基を有していてもよい炭素数1~4のアルキレン基または置換基を有していてもよい炭素数1~4のフッ素化アルキレン基である。]で表される基が好ましい。X3-Q1-Y10-で表される基において、Y10のアルキレン基としては、前記Q1で挙げたアルキレン基のうち炭素数1~4のものと同様のものが挙げられる。フッ素化アルキレン基としては、該アルキレン基の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。Y10として、具体的には、-CF2-、-CF2CF2-、-CF2CF2CF2-、-CFCF3CF2-、-CFCF2CF3-、-CCF32-、-CF2CF2CF2CF2-、-CFCF3CF2CF2-、-CF2CFCF3CF2-、-CFCF3CFCF3-、-CCF32CF2-、-CFCF2CF3CF2-、-CFCF2CF2CF3-、-CCF3CF2CF3-;-CHF-、-CH2CF2-、-CH2CH2CF2-、-CH2CF2CF2-、-CHCF3CH2-、-CHCF2CF3-、-CCH3CF3-、-CH2CH2CH2CF2-、-CH2CH2CF2CF2-、-CHCF3CH2CH2-、-CH2CHCF3CH2-、-CHCF3CHCF3-、-CCF32CH2-;-CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-、-CHCH3CH2-、-CHCH2CH3-、-CCH32-、-CH2CH2CH2CH2-、-CHCH3CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2-、-CHCH3CHCH3-、-CCH32CH2-、-CHCH2CH3CH2-、-CHCH2CH2CH3-、-CCH3CH2CH3-等が挙げられる。Y10としては、フッ素化アルキレン基が好ましく、特に、隣接する硫黄原子に結合する炭素原子がフッ素化されているフッ素化アルキレン基が好ましい。このようなフッ素化アルキレン基としては、-CF2-、-CF2CF2-、-CF2CF2CF2-、-CFCF3CF2-、-CF2CF2CF2CF2-、-CFCF3CF2CF2-、-CF2CFCF3CF2-、-CFCF3CFCF3-、-CCF32CF2-、-CFCF2CF3CF2-;-CH2CF2-、-CH2CH2CF2-、-CH2CF2CF2-;-CH2CH2CH2CF2-、-CH2CH2CF2CF2-、-CH2CF2CF2CF2-等を挙げることができる。これらの中でも、-CF2-、-CF2CF2-、-CF2CF2CF2-、又はCH2CF2CF2-が好ましく、-CF2-、-CF2CF2-又は-CF2CF2CF2-がより好ましく、-CF2-が特に好ましい。前記アルキレン基またはフッ素化アルキレン基は、置換基を有していてもよい。アルキレン基またはフッ素化アルキレン基が置換基を有するとは、当該アルキレン基またはフッ素化アルキレン基における水素原子またはフッ素原子の一部または全部が、水素原子およびフッ素原子以外の原子または基で置換されていることを意味する。アルキレン基またはフッ素化アルキレン基が有していてもよい置換基としては、炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基、水酸基等が挙げられる。前記式b-2中、R5~R6は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基、アルキル基又はアルケニル基を表す。また、リソグラフィー特性とレジストパターン形状がより向上することから、R5~R6のうち、少なくとも1つはアリール基であることが好ましく、R5~R6のいずれもアリール基であることがより好ましい。R5~R6のアリール基としては、R1~R3のアリール基と同様のものが挙げられる。R5~R6のアルキル基としては、R1~R3のアルキル基と同様のものが挙げられる。R5~R6のアルケニル基としては、R1~R3のアルケニル基と同様のものが挙げられる。これらの中でも、R5~R6は、すべてフェニル基であることが最も好ましい。前記式b-2で表される化合物におけるカチオン部の具体例としては、ジフェニルヨードニウム、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウム等が挙げられる。前記式b-2中のR4としては、上記式b-1におけるR4と同様のものが挙げられる。式b-1、b-2で表されるオニウム塩系酸発生剤の具体例としては、ジフェニルヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、トリ4-メチルフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジメチル4-ヒドロキシナフチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、モノフェニルジメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;ジフェニルモノメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、4-メチルフェニルジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、4-メトキシフェニルジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、トリ4-tert-ブチルフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジフェニル1-4-メトキシナフチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジ1-ナフチルフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-フェニルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-4-メチルフェニルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-4-メトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-4-エトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-フェニルテトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-4-メチルフェニルテトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート等が挙げられる。また、これらのオニウム塩のアニオン部を下記式b1~b9のいずれかで表されるアニオン部に置き換えたオニウム塩も用いることができる。[式中、q1~q2はそれぞれ独立に1~5の整数であり、q3は1~12の整数であり、t3は1~3の整数であり、r1~r2はそれぞれ独立に0~3の整数であり、gは1~20の整数であり、R7は置換基であり、n1~n6はそれぞれ独立に0または1であり、v0~v6はそれぞれ独立に0~3の整数であり、w1~w6はそれぞれ独立に0~3の整数であり、Qは前記と同じである。]R7の置換基としては、前記X3において、脂肪族炭化水素基が有していてもよい置換基、芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。R7に付された符号r1~r2、w1~w6が2以上の整数である場合、当該化合物中の複数のR7はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。また、オニウム塩系酸発生剤としては、前記一般式b-1又はb-2において、アニオン部を下記一般式b-3又はb-4で表されるアニオン部に置き換えたオニウム塩系酸発生剤も用いることができるカチオン部はb-1又はb-2と同様。[式中、Xは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数2~6のアルキレン基を表し;Y、Zは、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~10のアルキル基を表す。]Xは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基であり、該アルキレン基の炭素数は2~6であり、好ましくは炭素数3~5、最も好ましくは炭素数3である。Y、Zは、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐鎖状のアルキル基であり、該アルキル基の炭素数は1~10であり、好ましくは炭素数1~7、より好ましくは炭素数1~3である。Xのアルキレン基の炭素数またはY、Zのアルキル基の炭素数は、上記炭素数の範囲内において、レジスト溶媒への溶解性も良好である等の理由により、小さいほど好ましい。また、Xのアルキレン基またはY、Zのアルキル基において、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなり、また200nm以下の高エネルギー光や電子線に対する透明性が向上するので好ましい。該アルキレン基またはアルキル基中のフッ素原子の割合、すなわちフッ素化率は、好ましくは70~100、さらに好ましくは90~100であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキレン基またはパーフルオロアルキル基である。また、オニウム塩系酸発生剤として、下記一般式b-5又はb-6で表されるカチオンをカチオン部に有するスルホニウム塩を用いることもできる。[式中、R81~R86はそれぞれ独立してアルキル基、アセチル基、アルコキシ基、カルボキシ基、水酸基またはヒドロキシアルキル基であり;n1~n5はそれぞれ独立して0~3の整数であり、n6は0~2の整数である。]R81~R86において、アルキル基は、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、なかでも直鎖または分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、又はtert-ブチル基であることが特に好ましい。アルコキシ基は、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、なかでも直鎖状または分岐鎖状のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が特に好ましい。ヒドロキシアルキル基は、上記アルキル基中の一個又は複数個の水素原子がヒドロキシ基に置換した基が好ましく、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基等が挙げられる。R81~R86に付された符号n1~n6が2以上の整数である場合、複数のR81~R86はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。n1は、好ましくは0~2であり、より好ましくは0又は1であり、さらに好ましくは0である。n2およびn3は、好ましくはそれぞれ独立して0又は1であり、より好ましくは0である。n4は、好ましくは0~2であり、より好ましくは0又は1である。n5は、好ましくは0又は1であり、より好ましくは0である。n6は、好ましくは0又は1であり、より好ましくは1である。前記式b-5又は式b-6で表されるカチオンの好適なものとしては、たとえば以下に示すもの等が挙げられる。さらに、下記の一般式I-2~I-5で表されるカチオンをカチオン部に有するスルホニウム塩を用いることもできる。式I-2~I-5中、uは1~3の整数であり、1または2が最も好ましい。式I-2~I-4中、R6a~R8aは置換基を有していてもよいアルキレン基又は置換基を有していてもよいフェニレン基であり、R6b~R8bは水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基またはナフチル基である。式I-5中、R9は置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基またはナフチル基である。R6a~R8aにおけるアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。該アルキレン基の炭素数は、1~12が好ましく、1~5がより好ましく、1~3がさらに好ましく、1または2が特に好ましい。該アルキレン基が有していてもよい置換基としては、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基、オキソ基=O、シアノ基、アリール基、アルコキシアルキルオキシ基、アルコキシカルボニルアルキルオキシ基、-C=O-O-R6’、-O-C=O-R7’、-O-R8’等が挙げられる。アルコキシ基、ハロゲン原子、アリール基、アルコキシアルキルオキシ基、アルコキシカルボニルアルキルオキシ基、-C=O-O-R6’、-O-C=O-R7’、-O-R8’としては、前記式b-1中のR1~R3の説明で、置換アリール基が有していてもよい置換基として挙げたものと同様である。式中、R6b~R8b、R9における置換基を有していてもよいアルキル基としては、前記一般式b-1中のR1~R3の説明で挙げた置換アルキル基と同様のものが挙げられる。R6b~R8b、R9におけるフェニル基またはナフチル基が有していてもよい置換基としては、前記一般式b-1中のR1~R3の説明で挙げた置換アリール基が有していてもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。前記式I-2~I-5で表されるカチオンの好適なものとしては、たとえば以下に示すもの等が挙げられる。式中、RCは、上記置換アリール基についての説明のなかで例示した置換基アルコキシ基、アルコキシアルキルオキシ基、アルコキシカルボニルアルキルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、オキソ基=O、アリール基、-C=O-O-R6’、-O-C=O-R7’、-O-R8’である。以下に具体例を示す。式I-2~I-5で表されるカチオンをカチオン部に有するスルホニウム塩のアニオン部は、特に限定されず、これまで提案されているオニウム塩系酸発生剤のアニオン部と同様のものであってよい。かかるアニオン部としては、たとえば上記一般式b-1またはb-2で表されるオニウム塩系酸発生剤のアニオン部R4SO3-等のフッ素化アルキルスルホン酸イオン;上記一般式b-3又はb-4で表されるアニオン、前記式b1~b9のいずれかで表されるアニオン等が挙げられる。本明細書において、オキシムスルホネート系酸発生剤とは、下記一般式B-1で表される基を少なくとも1つ有する化合物であって、放射線の照射露光によって酸を発生する特性を有するものである。この様なオキシムスルホネート系酸発生剤は、化学増幅型レジスト組成物用として多用されているので、任意に選択して用いることができる。[式B-1中、R31、R32はそれぞれ独立に有機基を表す。]R31、R32の有機基は、炭素原子を含む基であり、炭素原子以外の原子たとえば水素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子等等を有していてもよい。R31の有機基としては、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基またはアリール基が好ましい。これらのアルキル基、アリール基は置換基を有していても良い。該置換基としては、特に制限はなく、たとえばフッ素原子、炭素数1~6の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。ここで、置換基を有するとは、アルキル基またはアリール基の水素原子の一部または全部が置換基で置換されていることを意味する。アルキル基としては、炭素数1~20が好ましく、炭素数1~10がより好ましく、炭素数1~8がさらに好ましく、炭素数1~6が特に好ましく、炭素数1~4が最も好ましい。アルキル基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアルキル基以下、ハロゲン化アルキル基ということがあるが好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味し、完全にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味する。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。すなわち、ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。アリール基は、炭素数4~20が好ましく、炭素数4~10がより好ましく、炭素数6~10が最も好ましい。アリール基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアリール基が好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味し、完全にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味する。R31としては、特に、置換基を有さない炭素数1~4のアルキル基、または炭素数1~4のフッ素化アルキル基が好ましい。R32の有機基としては、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基、アリール基またはシアノ基が好ましい。R32のアルキル基、アリール基としては、前記R31で挙げたアルキル基、アリール基と同様のものが挙げられる。R32としては、特に、シアノ基、置換基を有さない炭素数1~8のアルキル基、または炭素数1~8のフッ素化アルキル基が好ましい。オキシムスルホネート系酸発生剤として、さらに好ましいものとしては、下記一般式B-2またはB-3で表される化合物が挙げられる。[式B-2中、R33は、シアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。R34はアリール基である。R35は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。][式B-3中、R36はシアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。R37は2または3価の芳香族炭化水素基である。R38は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。pは2または3である。]前記一般式B-2において、R33の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1~10であることが好ましく、炭素数1~8がより好ましく、炭素数1~6が最も好ましい。R33としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。R33におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が50以上フッ素化されていることが好ましく、70以上フッ素化されていることがより好ましく、90以上フッ素化されていることが特に好ましい。R34のアリール基としては、フェニル基、ビフェニルbiphenyl基、フルオレニルfluorenyl基、ナフチル基、アントリルanthryl基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素の環から水素原子を1つ除いた基、およびこれらの基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基等が挙げられる。これらのなかでも、フルオレニル基が好ましい。R34のアリール基は、炭素数1~10のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基等の置換基を有していても良い。該置換基におけるアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1~8であることが好ましく、炭素数1~4がさらに好ましい。また、該ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。R35の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1~10であることが好ましく、炭素数1~8がより好ましく、炭素数1~6が最も好ましい。R35としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。R35におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が50以上フッ素化されていることが好ましく、70以上フッ素化されていることがより好ましく、90以上フッ素化されていることが、発生する酸の強度が高まるため特に好ましい。最も好ましくは、水素原子が100フッ素置換された完全フッ素化アルキル基である。前記一般式B-3において、R36の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記R33の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。R37の2または3価の芳香族炭化水素基としては、上記R34のアリール基からさらに1または2個の水素原子を除いた基が挙げられる。R38の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記R35の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。pは、好ましくは2である。オキシムスルホネート系酸発生剤の具体例としては、α-p-トルエンスルホニルオキシイミノ-ベンジルシアニド、α-p-クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ-ベンジルシアニド、α-4-ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ-ベンジルシアニド、α-4-ニトロ-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシイミノ-ベンジルシアニド、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-クロロベンジルシアニド、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-2,4-ジクロロベンジルシアニド、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-2,6-ジクロロベンジルシアニド、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシベンジルシアニド、α-2-クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシベンジルシアニド、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-チエン-2-イルアセトニトリル、α-4-ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ-ベンジルシアニド、α-[p-トルエンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニル]アセトニトリル、α-[ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニル]アセトニトリル、α-トシルオキシイミノ-4-チエニルシアニド、α-メチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘプテニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロオクテニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-シクロヘキシルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-エチルアセトニトリル、α-プロピルスルホニルオキシイミノ-プロピルアセトニトリル、α-シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ-シクロペンチルアセトニトリル、α-シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ-シクロヘキシルアセトニトリル、α-シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-イソプロピルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-n-ブチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-イソプロピルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-n-ブチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-p-メトキシフェニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-p-メトキシフェニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-p-メトキシフェニルアセトニトリル、α-プロピルスルホニルオキシイミノ-p-メチルフェニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-p-ブロモフェニルアセトニトリルなどが挙げられる。また、特開平9-208554号公報段落[0012]~[0014]の[化18]~[化19]に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤、国際公開第04/074242号パンフレット65~86頁目のExample1~40に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤も好適に用いることができる。また、好適なものとして以下のものを例示することができる。ジアゾメタン系酸発生剤のうち、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類の具体例としては、ビスイソプロピルスルホニルジアゾメタン、ビスp-トルエンスルホニルジアゾメタン、ビス1,1-ジメチルエチルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビス2,4-ジメチルフェニルスルホニルジアゾメタン等が挙げられる。また、特開平11-035551号公報、特開平11-035552号公報、特開平11-035573号公報に開示されているジアゾメタン系酸発生剤も好適に用いることができる。また、ポリビススルホニルジアゾメタン類としては、例えば、特開平11-322707号公報に開示されている、1,3-ビスフェニルスルホニルジアゾメチルスルホニルプロパン、1,4-ビスフェニルスルホニルジアゾメチルスルホニルブタン、1,6-ビスフェニルスルホニルジアゾメチルスルホニルヘキサン、1,10-ビスフェニルスルホニルジアゾメチルスルホニルデカン、1,2-ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニルエタン、1,3-ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニルプロパン、1,6-ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニルヘキサン、1,10-ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニルデカンなどを挙げることができる。B成分としては、これらの酸発生剤を1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。B成分としては、フッ素化アルキルスルホン酸イオンをアニオンとするオニウム塩系酸発生剤を用いることが好ましい。本発明のレジスト組成物におけるB成分の含有量は、A成分100質量部に対し、0.5~50質量部が好ましく、1~40質量部がより好ましい。上記範囲とすることでパターン形成が充分に行われる。また、均一な溶液が得られ、保存安定性が良好となるため好ましい。<C成分>本発明のレジスト組成物は、下記一般式c0で表される構成単位c0を有する高分子化合物CC成分を含有する。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基を示し、R1は1つ以上の1級もしくは2級のアルコール性水酸基、または鎖状の3級アルコール性水酸基を有する有機基である。]構成単位c0式c0中、Rは前記同様である。式c0中、R1は1つ以上の1級もしくは2級のアルコール性水酸基、または鎖状の3級アルコール性水酸基を有する有機基である。本発明において、アルコール性水酸基とは、鎖状又は環状の炭化水素基の炭素原子に結合した水酸基をいう。鎖状の3級アルコール性水酸基とは、鎖状の炭化水素基を構成する第3級炭素原子に結合した水酸基をいう。該鎖状の炭化水素基としては、例えば、構成単位a1のR14で挙げた直鎖状、分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。また、構成単位c0が1級または2級のアルコール性水酸基を有する場合、該1級または2級のアルコール性水酸基が結合した炭化水素基は、鎖状であっても環状であってもよい。鎖状、環状の炭化水素基としては、例えば、構成単位a1のR14で挙げた直鎖状、分岐鎖状のアルキル基、構成単位a1で挙げた脂肪族環式基が挙げられる。R1の有機基は、上記のようなアルコール性水酸基を有する基、すなわち、アルコール性水酸基と、該アルコール性水酸基が結合した炭化水素基とを有する基であれば特に限定されるものでない。R1の有機基として具体的には、アルキレン基、2価の脂肪族環式基又はヘテロ原子を含む2価の連結基の末端に、アルコール性水酸基が結合した基が挙げられる。アルキレン基、2価の脂肪族環式基、ヘテロ原子を含む2価の連結基は、上記Y2の2価の連結基の説明中のアルキレン基、2価の脂肪族環式基、ヘテロ原子を含む2価の連結基と同様である。構成単位c0としては、下記一般式c0-11又はc0-12で表される構成単位、下記一般式c0-21又はc0-22で表される構成単位、および下記一般式c0-3で表される構成単位が好ましい。1級のアルコール性水酸基を有する構成単位c0としては、下記一般式c0-11又はc0-12で表される構成単位が好ましく、2級のアルコール性水酸基を有する構成単位c0としては、下記一般式c0-21もしくはc0-22で表される構成単位、又は1級のアルコール性水酸基を有さない場合の下記一般式c0-12で表される構成単位が好ましく、鎖状の3級アルコール性水酸基を有する構成単位c0としては、下記一般式c0-3で表される構成単位が好ましい。[式中、Rは前記同様であり、Qはそれぞれ独立に、単結合、又は、アルキレン基、2価の脂肪族環式基若しくはヘテロ原子を含む2価の連結基であり、A01は置換基を含んでいてもよい2価の炭化水素基であり、R0はそれぞれ独立に、炭素数1~5のアルキル基である。式中の複数のR0はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。p0は0~3の整数であり、p1は1~3の整数であり、p2は0~3の整数である。]上記式中、Qは、単結合、又は、アルキレン基、2価の脂肪族環式基若しくはヘテロ原子を含む2価の連結基である。アルキレン基、2価の脂肪族環式基、ヘテロ原子を含む2価の連結基は、上記有機基の説明中のものと同じである。上記式中、A01は置換基を含んでいてもよい炭化水素基である。A01における炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であることが好ましく、A成分の説明中の式a1-0-2のY2で説明した、Y21の2価の炭化水素基における2価の脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。なかでも、A01における炭化水素基としては、炭素数1~10のアルキレン基がより好ましい。また、A01に結合したアルコール性水酸基は、1級若しくは2級のアルコール性水酸基、又は鎖状の3級アルコール性水酸基であることが好ましいことから、A01のアルキレン基は直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましい。A01における脂肪族炭化水素基は、該脂肪族炭化水素基を構成する水素原子の一部が置換基されていもよい。水素原子の一部を置換する置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、アルコキシ基、フッ素原子、フッ素化アルキル基、水酸基、酸素原子=O、シアノ基等が挙げられ、水酸基またはアルキル基が好ましい。置換基として水酸基を有する場合、該水酸基は1級又は2級のアルコール性水酸基であることが好ましい。上記式中、R0は炭素数1~5のアルキル基であって、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよく、メチル基又はエチル基であることが好ましい。上記式中、p0は0~3の整数であり、0~2が好ましく、1~2がより好ましい。p1は1~3の整数であり、1又は2であることが好ましく、1であることがより好ましい。p2は0~3の整数であり、0~1の整数であることが好ましい。以下に、構成単位c0の具体例を示す。以下の各式中、Rは前記同様である。C成分において、構成単位c0としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。C成分中、構成単位c0の割合は、当該C成分を構成する全構成単位に対して1モル以上であれば特に限定されるものではなく、100モルであってもよい。構成単位c0以外の構成単位と組み合わせる場合は、、3~95モルであることが好ましく、5~90モルであることがより好ましく、20~85モルであることがさらに好ましく、45~75モルであることがさらに好ましい。下限値以上とすることによって、レジスト組成物の基板等の支持体に対する密着性が向上し、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。本発明においてC成分は、上記構成単位c0に加えて、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位c1を含むことが好ましい。C成分が構成単位c1を含むことにより、スカムの発生をより低減することができる。構成単位c1としては、上記構成単位a1と同様のものが挙げられる。なかでも、構成単位c1としては、上記構成単位a11と同様のものが好ましく、上記式a1-1で表される構成単位がより好ましく、上記式a1-0-11で表される構成単位がさらに好ましく、上記式a1-1-23で表される構成単位が特に好ましい。C成分において、構成単位c1としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。C成分中、構成単位c1の割合は、1~70モルであることが好ましく、3~60モルであることがより好ましく、5~55モルであることがさらに好ましい。下限値以上とすることによって、スカムの発生をより低減し、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることによる、レジスト組成物の、基板等の支持体に対する密着性が向上する。C成分は、本発明の効果を損なわない範囲で、上記構成単位c0、c1以外の構成単位以下、構成単位c2という。を含んでいてもよい。構成単位c2は、上述の構成単位c1、c2に分類されない他の構成単位であれば特に限定されるものではなく、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用、EUV用、EB用等のレジスト用樹脂に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。構成単位c2としては、例えば、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸n-プロピル、メタアクリル酸n-ブチル、メタアクリル酸2-メチルプロピル、メタアクリル酸1-メチルプロピル、メタアクリル酸t-ブチル、メタアクリル酸シクロプロピル、メタアクリル酸シクロペンチル、メタアクリル酸シクロヘキシル、メタアクリル酸4-メトキシシクロヘキシル、メタアクリル酸2-シクロペンチルオキシカルボニルエチル、メタアクリル酸2-シクロヘキシルオキシカルボニルエチル、メタアクリル酸2-4-メトキシシクロヘキシルオキシカルボニルエチル等の、鎖状のアルキル基、アルコキシ基、または単環のシクロアルキル基を有するメタアクリル酸エステル類等が挙げられ、好ましくは下記式c2-1で表される構成単位が挙げられる。式c2-1中、R98は炭素数1~5のアルキル基又はアルコキシ基であり、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基等が挙げられる。[式中、Rは前記同様であり、R98は炭素数1~5のアルキル基又はアルコキシ基である。]C成分において、構成単位c2としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。C成分中の構成単位c2の割合は、0~95モルであることが好ましく、5~90モルであることがより好ましく、10~50モルであることがさらに好ましい。下限値以上とすることによって、リソグラフィー特性が向上し、、上限値以下とすることによりレジスト組成物の基板等の支持体に対する密着性が向上する。本発明において、C成分は、特に、下記一般式C-1に示す構成単位の組み合わせを含む高分子化合物であることが好ましい。下記一般式中、R、Q、R21、hはそれぞれ前記と同じであり、式中に複数あるRはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。C成分の質量平均分子量Mwゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算基準は、特に限定されるものではなく、2万~50万が好ましく、2.5万~45万がより好ましく、3~40万がさらに好ましく、5万~35万が特に好ましい。この範囲の上限値以下であることにより、スカムの発生を特に低減することができ、この範囲の下限値以上であることによりレジスト組成物の基板等の支持体に対する密着性が特に向上する。また、C成分の分散度Mw/Mnは、特に限定されるものではなく、1.0~5.0が好ましく、1.0~3.0がより好ましく、1.2~2.5が最も好ましい。なお、Mnは数平均分子量を示す。C成分は、各構成単位を誘導するモノマーを、例えばアゾビスイソブチロニトリルAIBNのようなラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等によって重合させることによって得ることができる。公知の方法を利用して合成される化合物の構造は、1H-核磁気共鳴NMRスペクトル法、13C-NMRスペクトル法、19F-NMRスペクトル法、赤外線吸収IRスペクトル法、質量分析MS法、元素分析法、X線結晶回折法等の一般的な有機分析法により確認できる。本発明のレジスト組成物中、C成分の含有量は、A成分100質量部に対して、25質量部未満であって、0.05~20質量部であることが好ましく、0.1~5質量部であることがより好ましく、0.1~1質量部であることがさらに好ましい。上記範囲の上限値以下とすることにより、スカムの発生を低減し、且つ、リソグラフィー特性を向上させることができ、上記範囲の下限値以上とすることにより、基板等の支持体に対する密着性を向上させることができる。<D成分>本発明のレジスト組成物は、前記A成分、B成分及びC成分に加えて、D成分として光反応型クエンチャーを含有する。クエンチャーは、酸拡散制御剤、すなわち露光により前記B成分から発生する酸をトラップするもの、である。光反応型クエンチャーは、露光前または未露光部においてはクエンチャーとして作用し、露光EB、EUV等の放射線の照射後はクエンチャーとして作用しないものである。D成分としては、光反応型クエンチャーとして公知のものが使用でき、たとえば、カチオン部と、アニオン部とからなる塩基性化合物が挙げられる。かかる塩基性化合物は、前記B成分から発生する酸強酸を塩交換によりトラップする。なお、本発明において塩基性化合物とは、前記B成分から発生する酸に対して相対的に塩基性となる化合物をいう。D成分としてより具体的には、下記一般式d1で表される化合物D1以下、D1成分という。、下記一般式d2で表される化合物D2以下、D2成分という。、下記一般式d3で表される化合物D3以下、D3成分という。等が挙げられる。[式中、R3は置換基を有していてもよい炭化水素基であり、Z2cは置換基を有していてもよい炭素数1~30の炭化水素基ただし、Sに隣接する炭素にはフッ素原子は置換されていないものとするであり、R4は有機基であり、Y3は直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキレン基またはアリーレン基であり、Rf0は炭化水素基であり、Zはそれぞれ独立に、スルホニウム又はヨードニウムカチオンである。][D1成分]アニオン部式d1中、R3は置換基を有していてもよい炭化水素基である。R3の置換基を有していてもよい炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよく、B成分中のX3の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基と同様のものが挙げられる。なかでもR3の置換基を有していてもよい炭化水素基としては、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、又は、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であることが好ましく、置換基を有していてもよいフェニル基やナフチル基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基であることがより好ましい。また、R3の置換基を有していてもよい炭化水素基としては、直鎖状、分岐鎖状、あるいは脂環式アルキル基、又は、フッ素化アルキル基であることも好ましい。R3の直鎖状、分岐鎖状あるいは脂環式アルキル基の炭素数は、1~10であることが好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等の直鎖状のアルキル基、1-メチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、1-エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基等の分岐鎖状のアルキル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等の脂環式アルキル基が挙げられる。R3のフッ素化アルキル基は、鎖状であっても環状であってもよいが、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましい。フッ素化アルキル基の炭素数は、1~11が好ましく、1~8がより好ましく、1~4がさらに好ましい。具体的には例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等の直鎖状のアルキル基を構成する一部又は全部の水素原子がフッ素原子により置換された基や、1-メチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基等の分岐鎖状のアルキル基を構成する一部又は全部の水素原子がフッ素原子により置換された基が挙げられる。また、R3のフッ素化アルキル基は、フッ素原子以外の原子を含有してもよい。フッ素原子以外の原子としては、たとえば酸素原子、炭素原子、水素原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。なかでも、R3のフッ素化アルキル基としては、直鎖状のアルキル基を構成する一部又は全部の水素原子がフッ素原子により置換された基であることが好ましく、直鎖状のアルキル基を構成する水素原子の全てがフッ素原子で置換された基パーフルオロアルキル基であることが好ましい。以下にD1成分のアニオン部の好ましい具体例を示す。カチオン部式d1中、Zは、スルホニウム又はヨードニウムカチオンである。Zのスルホニウム又はヨードニウムカチオンとしては特に限定されるものではないが、例えば、前記式b-1又はb-2中のカチオン部と同様のものが挙げられる。D1成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。[D2成分]アニオン部式d2中、Z2cは置換基を有していてもよい炭素数1~30の炭化水素基である。Z2cの置換基を有していてもよい炭素数1~30の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよく、B成分中のX3の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基と同様のものが挙げられる。なかでもZ2cの置換基を有していてもよい炭化水素基としては、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であることが好ましく、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン、カンファー等から1個以上の水素原子を除いた基置換基を有していてもよいであることがより好ましい。Z2cの炭化水素基は置換基を有していてもよく、置換基としては、B成分中のX3と同様のものが挙げられる。ただし、Z2cにおいて、SO3-におけるS原子に隣接する炭素は、フッ素置換されていないものとする。SO3-とフッ素原子とが隣接しないことにより、当該d2成分のアニオンが適度な弱酸アニオンとなり、D成分のクエンチング能が向上する。以下にd2成分のアニオン部の好ましい具体例を示す。カチオン部式d2中、Zは、前記式d1中のZと同様である。D2成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。[D3成分]アニオン部式d3中、R4は有機基である。R4の有機基は特に限定されるものではないが、アルキル基、アルコキシ基、-O-C=O-CRC2=CH2RC2は水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である、または-O-C=O-RC3RC3は炭化水素基であるである。R4のアルキル基は、炭素数1~5の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。R4のアルキル基の水素原子の一部が水酸基、シアノ基等で置換されていてもよい。R4のアルコキシ基は、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、炭素数1~5のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が挙げられる。なかでも、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。R4が-O-C=O-CRC2=CH2である場合、RC2は水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。RC2における炭素数1~5のアルキル基は、炭素数1~5の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。RC2におけるハロゲン化アルキル基は、前記炭素数1~5のアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基である。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。RC2としては、水素原子、炭素数1~3のアルキル基又は炭素数1~3のフッ素化アルキル基が好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子又はメチル基が最も好ましい。R4が-O-C=O-RC3である場合、RC3は炭化水素基である。RC3の炭化水素基は、芳香族炭化水素基であっても、脂肪族炭化水素基であってもよい。RC3の炭化水素基として具体的には、B成分中のX3の炭化水素基と同様のものが挙げられる。なかでも、RC3の炭化水素基としては、シクロペンタン、シクロヘキサン、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた脂環式基、又は、フェニル基、ナフチル基等の芳香族基が好ましい。RC3が脂環式基である場合、レジスト組成物が有機溶剤に良好に溶解することによりリソグラフィー特性が良好となる。また、RC3が芳香族基である場合、EUV等を露光光源とするリソグラフィーにおいて、該レジスト組成物が光吸収効率に優れ、感度やリソグラフィー特性が良好となる。なかでも、R4としては、-O-C=O-CRC2’=CH2RC2’は水素原子又はメチル基である。、又は、-O-C=O-RC3’RC3’は脂肪族環式基である。であることが好ましい。式d3中、Y3は直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキレン基又はアリーレン基である。Y3の直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキレン基又はアリーレン基としては、上記式a1-0-2中のY2の2価の連結基のうち、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、環状の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基と同様のものが挙げられる。なかでも、Y3としては、アルキレン基であることが好ましく、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基であることがより好ましく、メチレン基又はエチレン基であることがさらに好ましい。式d3中、Rf0はフッ素原子を含む炭化水素基である。Rf0のフッ素原子を含む炭化水素基は、フッ素化アルキル基であることが好ましく、上記R3のフッ素化アルキル基と同様のものがより好ましい。以下にD3成分のアニオン部の好ましい具体例を示す。カチオン部式d3中、Zは、前記式d1中のZと同様である。D3成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。D成分は、上記D1~D3成分のいずれか1種のみを含有していてもよく、2種以上を組み合わせて含有していてもよい。D1~D3成分の合計の含有量は、A成分100質量部に対して、0.5~10.0質量部であることが好ましく、0.5~8.0質量部であることがより好ましく、1.0~5.0質量部であることがさらに好ましい。上記範囲の下限値以上であると、特に良好なリソグラフィー特性及びレジストパターン形状が得られる。前記範囲の上限値以下であると、感度を良好に維持でき、スループットにも優れる。{D成分の製造方法}本発明におけるD1成分、D2成分の製造方法は特に限定されるものではなく、公知の方法により製造することができる。また、D3成分の製造方法は特に限定されるものではないが、例えば、前記式d3中のR4が、Y3と結合する末端に酸素原子を有する基である場合、下記一般式i-1で表される化合物i-1と、下記一般式i-2で表される化合物i-2とを反応させることにより、下記一般式i-3で表される化合物i-3を得、化合物i-3と、所望のカチオンZを有するA-Zi-4とを反応させることにより、一般式d3で表される化合物D3が製造される。[式中、R4、Y3、Rf0、Zは、それぞれ、前記一般式d3中のR4、Y3、Rf0、Zとそれぞれ同じである。R4aはR4から末端の酸素原子を除いた基であり、A-は対アニオンである。]まず、化合物i-1と化合物i-2とを反応させ、化合物i-3を得る。式i-1中、R4は前記同様であり、R4aは前記R4から末端の酸素原子を除いた基である。式i-2中、Y3、Rf0は前記同様である。化合物i-1、化合物i-2としては、それぞれ、市販のものを用いてもよく、合成してもよい。化合物i-1と化合物i-2とを反応させ、化合物i-3を得る方法としては、特に限定されないが、たとえば、適当な酸触媒の存在下で、化合物i-2と化合物i-1とを有機溶媒中で反応させた後に、反応混合物を洗浄、回収することにより、実施できる。上記反応における酸触媒は、特に限定されるものではなく、例えばトルエンスルホン酸等が挙げられ、その使用量は化合物i-21モルに対して0.05~5モル程度が好ましい。上記反応における有機溶媒としては、原料である化合物i-1及び化合物i-2を溶解できるものであればよく、具体的には、トルエン等が挙げられ、その使用量は、化合物i-1に対して、0.5~100質量部であることが好ましく、0.5~20質量部であることがより好ましい。溶媒は、1種を単独で用いても良く、2種以上を併用してもよい。上記反応における化合物i-2の使用量は、通常、化合物i-11モルに対して0.5~5モル程度が好ましく、0.8~4モル程度がより好ましい。上記反応における反応時間は、化合物i-1と化合物i-2との反応性や、反応温度等によっても異なるが、通常、1~80時間が好ましく、3~60時間がより好ましい。上記反応における反応温度は、20°C~200°Cが好ましく、20°C~150°C程度がより好ましい。次いで、得られた化合物i-3と、化合物i-4とを反応させ、化合物d1-3を得る。式i-4中、Zは前記同様であり、A-は対アニオンである。化合物i-3と化合物i-4とを反応させ、化合物D3を得る方法としては、特に限定されないが、たとえば、適当なアルカリ金属水酸化物の存在下で、化合物i-3を適当な有機溶媒及び水に溶解し、化合物i-4を添加して攪拌により反応させることにより実施できる。上記反応におけるアルカリ金属水酸化物は、特に限定されるものではなく、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられ、その使用量は化合物i-31モルに対して0.3~3モル程度が好ましい。上記反応における有機溶媒としては、ジクロロメタン、クロロホルム、酢酸エチル等の溶媒が挙げられ、その使用量は、化合物i-3に対して、0.5~100質量部であることが好ましく、0.5~20質量部であることがより好ましい。溶媒は、1種を単独で用いても良く、2種以上を併用してもよい。上記反応における化合物i-4の使用量は、通常、化合物i-31モルに対して0.5~5モル程度が好ましく、0.8~4モル程度がより好ましい。上記反応における反応時間は、化合物i-3と化合物i-4との反応性や、反応温度等によっても異なるが、通常、1~80時間が好ましく、3~60時間がより好ましい。上記反応における反応温度は、20°C~200°Cが好ましく、20°C~150°C程度がより好ましい。反応終了後、反応液中の化合物D3を単離、精製してもよい。単離、精製には、従来公知の方法が利用でき、たとえば濃縮、溶媒抽出、蒸留、結晶化、再結晶、クロマトグラフィー等をいずれか単独で、またはこれらの2種以上を組み合わせて用いることができる。上記のようにして得られる化合物D3の構造は、1H-核磁気共鳴NMRスペクトル法、13C-NMRスペクトル法、19F-NMRスペクトル法、赤外線吸収IRスペクトル法、質量分析MS法、元素分析法、X線結晶回折法等の一般的な有機分析法により確認できる。<任意成分>[D’成分]本発明のレジスト組成物は、さらに、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の成分として上記D成分に該当しない塩基性化合物成分D’以下、D’成分という。を含有していてもよい。D’成分は、上記D成分と同様に、露光により前記B成分から発生する酸をトラップするクエンチャーとして作用する。D’成分としては、B成分に対して相対的に塩基性となり、酸拡散制御剤として作用するものであって、上記D成分に該当しないものであれば特に限定されず、公知のものから任意に用いればよい。たとえば脂肪族アミン、芳香族アミン等のアミンが挙げられ、なかでも脂肪族アミン、特に第2級脂肪族アミンや第3級脂肪族アミンが好ましい。脂肪族アミンとは、1つ以上の脂肪族基を有するアミンであり、該脂肪族基は炭素数が1~12であることが好ましい。脂肪族アミンとしては、アンモニアNH3の水素原子の少なくとも1つを、炭素数12以下のアルキル基またはヒドロキシアルキル基で置換したアミンアルキルアミンまたはアルキルアルコールアミン又は環式アミンが挙げられる。アルキルアミンおよびアルキルアルコールアミンの具体例としては、n-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン等のモノアルキルアミン;ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、ジ-n-ヘプチルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン;トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-ノニルアミン、トリ-n-デシルアミン、トリ-n-ドデシルアミン等のトリアルキルアミン;ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ-n-オクタノールアミン、トリ-n-オクタノールアミン等のアルキルアルコールアミンが挙げられる。これらの中でも、炭素数5~10のトリアルキルアミンがさらに好ましく、トリ-n-ペンチルアミン又はトリ-n-オクチルアミンが特に好ましい。環式アミンとしては、たとえば、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環化合物が挙げられる。該複素環化合物としては、単環式のもの脂肪族単環式アミンであっても多環式のもの脂肪族多環式アミンであってもよい。脂肪族単環式アミンとして、具体的には、ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。脂肪族多環式アミンとしては、炭素数が6~10のものが好ましく、具体的には、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネン、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。その他の脂肪族アミンとしては、トリス2-メトキシメトキシエチルアミン、トリス{2-2-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-2-メトキシエトキシメトキシエチル}アミン、トリス{2-1-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-エトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-エトキシプロポキシエチル}アミン、トリス[2-{2-2-ヒドロキシエトキシエトキシ}エチル]アミン、トリエタノールアミントリアセテート等が挙げられ、トリエタノールアミントリアセテートが好ましい。芳香族アミンとしては、アニリン、ピリジン、4-ジメチルアミノピリジン、ピロール、インドール、ピラゾール、イミダゾールまたはこれらの誘導体、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミン、2,6-ジイソプロピルアニリン、N-tert-ブトキシカルボニルピロリジン等が挙げられる。D’成分は、単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。D’成分は、A成分100質量部に対して、通常0.01~5.0質量部の範囲で用いられる。上記範囲とすることにより、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等が向上する。[E成分]レジスト組成物には、感度劣化の防止や、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等の向上の目的で、有機カルボン酸、並びにリンのオキソ酸及びその誘導体からなる群から選択される少なくとも1種の化合物E以下E成分という。を含有させることができる。有機カルボン酸としては、たとえば、酢酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸、などが好適である。リンのオキソ酸としては、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸等が挙げられ、これらの中でもホスホン酸が特に好ましい。リンのオキソ酸の誘導体としては、たとえば、上記オキソ酸の水素原子を炭化水素基で置換したエステル等が挙げられ、前記炭化水素基としては、炭素数1~5のアルキル基、炭素数6~15のアリール基等が挙げられる。リン酸の誘導体としては、リン酸ジ-n-ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸エステルなどが挙げられる。ホスホン酸の誘導体としては、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸-ジ-n-ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等のホスホン酸エステルなどが挙げられる。ホスフィン酸の誘導体としては、フェニルホスフィン酸等のホスフィン酸エステルなどが挙げられる。E成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。E成分としては、有機カルボン酸が好ましく、サリチル酸が特に好ましい。E成分は、A成分100質量部当り0.01~5.0質量部の割合で用いられる。本発明のレジスト組成物には、さらに所望により混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。[S成分]レジスト組成物は、レジスト組成物に配合される成分を有機溶剤以下S成分という。に溶解させて製造することができる。S成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを1種または2種以上適宜選択して用いることができる。S成分は、たとえば、γ-ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル-n-ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2-ヘプタノンなどのケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体[これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGMEが好ましい];ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチルEL、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤などを挙げることができる。S成分は、単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。なかでも、γ-ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、乳酸エチルELが好ましい。また、PGMEAと極性溶剤とを混合した混合溶媒も好ましい。その配合比質量比は、PGMEAと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよく、1:9~9:1の範囲内とすることが好ましく、2:8~8:2の範囲内とすることがより好ましい。より具体的には、極性溶剤としてELを配合する場合は、PGMEA:ELの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2である。また、極性溶剤としてPGMEを配合する場合は、PGMEA:PGMEの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2、さらに好ましくは3:7~7:3である。また、S成分として、その他には、PGMEA及びELの中から選ばれる少なくとも1種とγ-ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者との質量比が好ましくは70:30~95:5とされる。さらに、S成分として、その他には、PGMEAとシクロヘキサノンとの混合溶剤、又はPGMEAとPGMEとシクロヘキサノンとの混合溶剤も好ましい。この場合、前者の混合割合としては、質量比が好ましくはPGMEA:シクロヘキサノン=95~5:10~90とされ、後者の混合割合としては、質量比が好ましくはPGMEA:PGME:シクロヘキサノン=35~55:25~45:10~30とされる。本発明によれば、基板等の支持体に対する密着性及びリソグラフィー特性を向上でき、且つ、スカムの発生を低減できるレジスト組成物を得ることができる。上記効果が得られる理由は明らかではないが、1級もしくは2級のアルコール性水酸基、または鎖状の3級アルコール性水酸基を有する構成単位c0を有し、極性基である該アルコール性水酸基が基板等の支持体と強固に結合することで、レジスト組成物が現像液等により剥離しづらくなる密着性が向上すると考えられる。また、密着性が向上することにより、剥離したレジスト組成物に由来するスカムの発生が低減され、リソグラフィー特性も向上されると考えられる。さらに、本発明のレジスト組成物は、D成分を含有することで、未露光部への酸の拡散が抑制され、且つ露光部では該D成分がクエンチング能を失うことにより、露光部と未露光部との間の酸濃度コントラストが大きくなり、リソグラフィー特性やパターン形状が良好となると考えられる。なお、コントラストの向上もスカムの発生低減に寄与しているものと考えられる。≪レジストパターン形成方法≫上記のようなレジスト組成物を用いて、例えば、以下のようなレジストパターン形成方法により、レジストパターンを形成することができる。まず支持体上に、前記レジスト組成物をスピンナーなどで塗布し、80~150°Cの温度条件下、プレベークポストアプライベークPABを40~120秒間、好ましくは60~90秒間施し、これに例えば電子線描画機などにより、電子線EBを所望のマスクパターンを介して選択的に露光した後、80~150°Cの温度条件下、PEB露光後加熱を40~120秒間、好ましくは60~90秒間施す。次いで、これを現像処理する。アルカリ現像プロセスの場合は、アルカリ現像液、例えば0.1~10質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液を用いてアルカリ現像処理を行う。また、溶剤現像プロセスの場合は、有機溶剤を用いて現像処理を行う。この有機溶剤としては、A成分露光前のA成分を溶解し得るものであればよく、公知の有機溶剤のなかから適宜選択できる。具体的には、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられ、なかでもエステル系溶剤が好ましい。エステル系溶剤としては、酢酸ブチルが好ましい。上記の様に本発明のレジスト組成物は、コンタクトホールパターン形成において重用される溶剤現像プロセス用ネガ型レジスト組成物とした際に、該コンタクトホールパターンが逆テーパー状となることを効果的に防ぐことができるため、溶剤現像プロセスにおいて用いられることが好ましい。現像処理後、好ましくはリンス処理を行う。アルカリ現像プロセス後の場合は純水を用いた水リンスが好ましい。溶剤現像プロセス後の場合は、上記で挙げた有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。その後は乾燥を行う。また、場合によっては、上記現像処理後にベーク処理ポストベークを行ってもよい。このようにして、マスクパターンに忠実なレジストパターンを得ることができる。支持体としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等を例示することができる。より具体的には、シリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が使用可能である。また、本発明のレジスト組成物を用いることにより、数十~数百nm程度の高段差を有する段差基板においてもリソグラフィー特性、密着性に優れかつスカムのないパターンを形成することができるため、基板として段差基板を用いることも好ましい。また、支持体としては、上述のような基板上に、無機系および/または有機系の膜が設けられたものであってもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜無機BARCが挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜有機BARCが挙げられる。露光に用いる波長は、特に限定されず、ArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、EUV極紫外線、VUV真空紫外線、EB電子線、X線、軟X線等の放射線を用いて行うことができる。本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EB又はEUVに対してより有効であり、ArFエキシマレーザーに対して特に有効である。レジスト膜の露光は、空気や窒素等の不活性ガス中で行う通常の露光ドライ露光であってもよく、液浸露光であってもよい。液浸露光では、露光時に、従来は空気や窒素等の不活性ガスで満たされているレンズとウェーハ上のレジスト膜との間の部分を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒液浸媒体で満たした状態で露光を行う。より具体的には、液浸露光は、上記のようにして得られたレジスト膜と露光装置の最下位置のレンズ間を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒液浸媒体で満たし、その状態で、所望のマスクパターンを介して露光浸漬露光することによって実施できる。液浸媒体としては、空気の屈折率よりも大きく、かつ当該浸漬露光によって露光されるレジスト膜の有する屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒が好ましい。かかる溶媒の屈折率としては、前記範囲内であれば特に制限されない。空気の屈折率よりも大きく、かつレジスト膜の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒としては、例えば、水、フッ素系不活性液体、シリコン系溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。フッ素系不活性液体の具体例としては、C3HCl2F5、C4F9OCH3、C4F9OC2H5、C5H3F7等のフッ素系化合物を主成分とする液体等が挙げられ、沸点が70~180°Cのものが好ましく、80~160°Cのものがより好ましい。フッ素系不活性液体が上記範囲の沸点を有するものであると、露光終了後に、液浸に用いた媒体の除去を、簡便な方法で行えることから好ましい。フッ素系不活性液体としては、特に、アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されたパーフロオロアルキル化合物が好ましい。パーフロオロアルキル化合物としては、具体的には、パーフルオロアルキルエーテル化合物やパーフルオロアルキルアミン化合物を挙げることができる。さらに、具体的には、前記パーフルオロアルキルエーテル化合物としては、パーフルオロ2-ブチル-テトラヒドロフラン沸点102°Cを挙げることができ、前記パーフルオロアルキルアミン化合物としては、パーフルオロトリブチルアミン沸点174°Cを挙げることができる。液浸媒体としては、コスト、安全性、環境問題、汎用性等の観点から、水が好ましく用いられる。次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。[実施例1~3、比較例1~2]表1に示す各成分を混合して溶解し、ポジ型のレジスト組成物を調製した。表1中の各略号は以下の意味を有する。また、[]内の数値は配合量質量部である。A-1:下記高分子化合物A-1[l/m/n=40/40/20モル比、Mw=8000、Mw/Mn=1.67]。B-1:下記化合物B-1。B-2:下記化合物B-2。C-1:下記高分子化合物C-0[l/m=60/40モル比、Mw=100,000、Mw/Mn=2.42]。D-1:下記化合物D-1。D-2:下記化合物D-2。D-3:下記化合物D-3。D’-4:トリ-n-ペンチルアミン。E-1:サリチル酸。S-1:PGMEA/PGME=60/40質量比の混合溶剤。[レジストパターンの形成1]8インチシリコン基板上に、上記レジスト組成物をそれぞれ、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で130°C、60秒間の条件でプレベークPAB処理を行い、乾燥することにより、膜厚240nmのレジスト膜を形成した。次に、前記レジスト膜に対して、ArF露光装置NSR-S308Fニコン社製;NA開口数=0.80,σ=0.85により、ArFエキシマレーザー193nmを、マスクパターンを介して選択的に照射した。そして、110°C、60秒間の条件で露光後加熱PEB処理を行い、さらに23°Cにて2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液NMD-3東京応化工業株式会社製で30秒間の条件で現像し、その後30秒間、純水を用いて水リンスし、振り切り乾燥を行った後、100°C、45秒間のポストベークを行った。その結果、実施例1~3及び比較例1では、前記レジスト膜に、ライン幅160nm、ピッチ320nmの1:1ラインアンドスペースLSパターンが形成された密着性が良好であった。一方、比較例2では、現像時にレジスト膜が基板から剥がれ、パターンが形成できなかった密着性が悪かった。結果を密着性として表2に示す。また、110°Cで25秒間のヘキサメチルジシラザンHMDS処理を施したうえで、パターン形成1と同様の操作によりLSパターンの形成を行い、上記ライン幅160nmの1:1LSパターンが形成される際の最適露光量において、ライン幅140nm、ピッチ280nmの1:1LSパターンの形成を行った。その結果、実施例1~3ではライン幅140nmの1:1LSパターンが形成されたが、一方、比較例1ではパターンを形成することができなかった。結果を解像性として表2に示す。表2の結果から、実施例1~3のレジスト組成物は、比較例2のレジスト組成物に比べて、密着性が良好であるため、レジストパターンを形成することができた。また、実施例1~3のレジスト組成物は、比較例1のレジスト組成物に比べて、解像性等のリソグラフィー特性に優れることが確認できた。[実施例4、比較例3]表3に示す各成分を混合して溶解し、ポジ型のレジスト組成物を調製した。表3中の各略号中、B-2、C-1、D-1、D’-4、E-1、S-1はそれぞれ前記同様である。また、[]内の数値は配合量質量部である。A-2:l/m/n/o=5/40/40/15モル比、Mw=5000、Mw/Mn=1.69の、下記高分子化合物A-0。B-3:下記化合物B-3。[レジストパターンの形成2]90°Cで36秒間のヘキサメチルジシラザンHMDS処理を施した8インチシリコン段差基板上に、上記レジスト組成物をそれぞれ、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で比較例3は130°C、実施例4は140°Cで、60秒間の条件でプレベークPAB処理を行い、乾燥することにより、膜厚333nmのレジスト膜を形成した。段差基板は、基板表面にライン幅160nm、ピッチ320nmのライン状の段差パターン段差高さ:300nmが形成されたものを用いた。次に、前記レジスト膜に対して、ArF露光装置NSR-S308Fニコン社製;NA開口数=0.75,σ=0.60により、ArFエキシマレーザー193nmを、マスクのパターンが段差のラインパターンと直行するように配したマスクパターンを介して、選択的に照射した。そして、115°C、60秒間の条件で露光後加熱PEB処理を行い、さらに23°Cにて2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液NMD-3東京応化工業株式会社製で30秒間の条件で現像し、その後30秒間、純水を用いて水リンスし、振り切り乾燥を行った後、100°C、45秒間のポストベークを行った。その結果、いずれの例においても前記レジスト膜に、ライン幅200nm、ピッチ400nmの1:1ラインアンドスペースLSパターンが形成された密着性が良好であった。[現像欠陥評価]上記のようにして得られた350nmの1:1LSパターンについて、測長SEM日立製作所社製,製品名:S-9220の写真より表面現像欠陥を、目視にて観察した。以下の基準で評価した結果を表2に示す。◎:目視で現像欠陥なし。×:目視で現像欠陥あり。表4の結果から、実施例4のレジスト組成物は、比較例3のレジスト組成物に比べて現像欠陥が少ないことが確認できた。[実施例5、比較例4]表5に示す各成分を混合して溶解し、ポジ型のレジスト組成物を調製した。表5中の各略号中、C-1、D-1、E-1、S-1はそれぞれ前記同様であり、それ以外はそれぞれ以下の意味を有する。また、[]内の数値は配合量質量部である。B-4:下記化合物B-4。A-3:l/m/n/o=5/40/40/15モル比、Mw=14000、Mw/Mn=1.70の、上記高分子化合物A-0。D’-5:2,6-ジイソプロピルアニリン。[レジストパターンの形成3]90°Cで36秒間のヘキサメチルジシラザンHMDS処理を施した8インチシリコン基板上に、上記レジスト組成物をそれぞれ、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で140°C、60秒間の条件でプレベークPAB処理を行い、乾燥することにより、膜厚900nmの厚膜レジスト膜を形成した。次に、前記レジスト膜に対して、ArF露光装置NSR-S308Fニコン社製;NA開口数=0.75,σ=0.95により、ArFエキシマレーザーを、マスクパターンを介して、選択的に照射した。そして、実施例5は125°C、比較例4は120°Cで、60秒間の条件で露光後加熱PEB処理を行い、さらに23°Cにて2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液NMD-3東京応化工業株式会社製で30秒間の条件で現像し、その後30秒間、純水を用いて水リンスし、振り切り乾燥を行った後、100°C、45秒間のポストベークを行った。その結果、いずれの例においても前記レジスト膜に、ライン幅300nm、ピッチ600nmの1:1ラインアンドスペースLSパターンが形成された密着性が良好であった。密着性の結果を表6に示す。[リソグラフィー特性評価]上記のようにして得られた300nmの1:1LSレジストパターンについて、測長SEM日立製作所社製,製品名:S-9220の写真より観察し、パターンの部分的な剥がれやライン形状等について確認した。以下の基準で評価した結果を表6に示す。◎:矩形性が高く、パターン形状に優れる。×:頭つき形状であり、パターン形状に劣る。表6の結果から、実施例5のレジスト組成物は、比較例4のレジスト組成物に比べてリソグラフィー特性に優れることが確認できた。"