対標準水素電極電位において伝導帯の下端が0Vよりも負の電位をもつ物質であり、かつ、3.0eV以下のバンドギャップエネルギーを持つ物質で構成された、光が照射されることにより水を分解して水素を発生させる水素発生光触媒と、対標準水素電極電位において価電子帯の上端が1.23Vよりも正の電位をもつ物質であり、かつ、3.0eV以下のバンドギャップエネルギーを持つ物質で構成された、光が照射されることにより水を分解して酸素を発生させる酸素発生光触媒と、を接合して構成され、対標準水素電極電位で比較すると、前記酸素発生光触媒のフェルミ準位よりも前記水素発生光触媒のフェルミ準位のほうが負側もしくは同等である光触媒組成物。前記水素発生光触媒が、i型Siまたはn型Siであり、前記酸素発生光触媒がWO3である、請求項1に記載の光触媒組成物。請求項1または2の光触媒組成物の製造方法であって、前記水素発生光触媒と、前記酸素発生光触媒とをボールミルで混合する工程を備えた、光触媒組成物の製造方法。可視光線または可視光線よりも波長の短い光を吸収して水を分解し、酸素を発生させる酸素発生光触媒と、可視光線または可視光線よりも波長の短い光を吸収して水を分解し、水素を発生させる水素発生光触媒と、を接合して構成され、対標準水素電極電位で比較すると、前記酸素発生光触媒のフェルミ準位よりも前記水素発生光触媒のフェルミ準位のほうが負側もしくは同等である、光触媒組成物。しかしながら、特許文献1及び非特許文献1に記載された光触媒は、酸化還元剤や犠牲剤が必要であった。また、電子や正孔の受け渡し効率が、酸化還元剤の場合良好ではないので、水の分解に寄与しない電子や正孔により、水の分解に寄与する正孔や電子の活動が阻害され、それにより水の分解効率も良好なものにならなかった。本発明は、かかる実情に鑑み、酸化還元剤や犠牲剤を必要とすることなく、かつ、水の分解に寄与しない電子、正孔を効率的に処理して、水の分解効率を良好なものにすることの出来る光触媒組成物及び光触媒組成物の製造方法を提供しようとするものである。本発明の光触媒組成物は、対標準水素電極電位において伝導帯の下端が0Vよりも負である物質であり、かつ、3.0eV以下のバンドギャップエネルギーを持つ物質で構成された、光が照射されることにより水を分解して水素を発生させる水素発生光触媒と、対標準水素電極電位において価電子帯の上端が1.23Vよりも低エネルギー正である物質であり、かつ、3.0eV以下のバンドギャップエネルギーを持つ物質で構成された、光が照射されることにより水を分解して酸素を発生させる酸素発生光触媒と、を接合して構成され、対標準水素電極電位で比較すると、前記酸素発生光触媒のフェルミ準位よりも前記水素発生光触媒のフェルミ準位のほうが負側もしくは同等であることを主要な特徴としている。これにより、前記酸素発生光触媒のフェルミ準位よりも前記水素発生光触媒のフェルミ準位のほうが負側もしくは同等であるので、酸素発生光触媒と水素発生光触媒とは、その接合面がオーミック接合になり、水素発生光触媒で水の酸化に寄与しない正孔と、酸素発生光触媒で水の還元に寄与しない電子がこのオーミック接合部分で再結合して消滅する。このため、水の分解反応を効率的に進めることが出来る。また、犠牲剤も、酸化還元剤レドックスも不要で、更に、水のpH調節も不要でありながら、可視光線またはそれよりも長波長の光を吸収して、水を酸素と水素に分解することが出来る。また、本発明の光触媒組成物は、前記水素発生光触媒が、Sii型またはn型であり、前記酸素発生光触媒がWO3であることを主要な特徴としている。これにより、本発明の光触媒組成物の中でも、効率的に、性能良く水を分解することが出来る。更に、本発明の光触媒組成物の製造方法は、前記水素発生光触媒と、前記酸素発生光触媒とをボールミルで混合する工程を備えたことを主要な特徴としている。これにより、水素発生光触媒と、酸素発生光触媒とを接合することができる。本発明の光触媒組成物及び光触媒組成物の製造方法によれば、酸化還元剤、犠牲剤不要で、可視光線またはそれよりも長波長の光を吸収して、水を酸素と水素に分解することが出来る光触媒組成物を提供することが出来る。以下、添付図面を参照しながら、本発明を実施するための形態を詳細に説明する。本明細書中で、数値範囲を~を用いて表す場合は、~で示される上限、下限の数値も数値範囲に含むものとする。<光触媒組成物の構成>本発明の光触媒組成物は、可視光線を吸収し水を分解して酸素を発生させる酸素発生光触媒と、可視光線を吸収し水を分解して水素を発生させる水素発生光触媒と、を接合して構成され、対標準水素電極電位で比較すると、前記酸素発生光触媒のフェルミ準位よりも前記水素発生光触媒のフェルミ準位のほうが負側もしくは同等であることを特徴としている。本発明の光触媒組成物に含まれる酸素発生光触媒以下、単に酸素発生光触媒と称する。と、本発明の光触媒組成物に含まれる水素発生光触媒以下、単に水素発生光触媒と称する。とは、それぞれ3.0eV以下のバンドギャップエネルギーを持つ物質で構成されている。ここで、可視光線またはそれよりも長波長の光線を吸収するために必要なバンドギャップエネルギーは、Eg=3.0eV以下なので、酸素発生光触媒と、水素発生光触媒は、可視光線またはそれよりも長波長の光線を吸収することが出来る。また、酸素発生光触媒と、水素発生光触媒とは、バンドギャップエネルギーが、それぞれ1.0eV~3.0eVの範囲である物質で構成されても良い。この場合は、酸素発生光触媒と、水素発生光触媒は、可視光線のみを吸収することが出来る。次に、図1を参照して説明する。図1は、種々の半導体のバンド構造と水の酸化還元電位を表す図である。図1には、物質ごとに、伝導帯の下端と、価電子帯の上端と、バンドギャップエネルギーの値と、が示されている。酸素発生光触媒は、価電子帯の上端が酸素発生電位である1.23Vよりも正である図1の縦軸の下方向物質で構成されている。これにより、水を酸化して酸素を発生させることが出来る。また、水素発生光触媒は、伝導帯の下端が水素発生電位である0Vよりも負である図1の縦軸の上方向物質で構成されている。これにより、水を還元して水素を発生させることが出来る。図1中において、上述したバンドギャップエネルギー、伝導帯の下端位置、価電子帯の上端位置の条件を満たすものは、GaPZrO2SiCdScTiO2Fe2O3WO3がある。よって、これらは、光触媒組成物を構成しうるものであるが、更に、以下の条件を満たす必要がある。ここで、図1中に記載された物質中で、本発明を構成しうるものを示したが、図1に記載された物質に、本発明の範囲が限定されるわけではない。水素発生光触媒と、酸素発生光触媒とは、対標準水素電極電位で比較した場合、酸素発生光触媒のフェルミ準位よりも水素発生光触媒のフェルミ準位のほうが負側になるように、もしくは同じフェルミ準位になるように構成され、さらに水素発生光触媒と酸素発生光触媒とは、互いに接合されて構成される。なお、本発明の説明において酸素発生光触媒のフェルミ準位と、水素発生光触媒のフェルミ準位とを比較する場合、全て耐標準水素電極電位で比較した場合の正側、負側について示している。これにより、水素発生光触媒と酸素発生光触媒とは、オーミック接合されるので、水を分解することに寄与しない、水素発生光触媒中の正孔と酸素発生光触媒中の電子とが、このオーミック接合により互いに結合する。よって、従来のZスキームでは、酸化還元剤により処理する必要があった水分解に寄与しない正孔と電子を、酸化還元剤を必要とすることなく容易に処理することが可能になった。更に、酸化還元剤を使用した場合、正孔と電子の授受効率が良くなかったため、水の分解に寄与できる電子と正孔とが、水の分解に寄与しない正孔と電子とに、それぞれの触媒中で再結合し水分解に寄与できなくなってしまい、水の分解効率が良くなかった。しかしながら、本発明においては、水素発生光触媒と酸素発生光触媒とをオーミック接合しているため、水分解に寄与しない正孔と電子を処理する効率が高く触媒中に水分解に寄与しない正孔と電子がほとんど存在しないので、水の分解が阻害されることなく、水の分解効率が良好になった。<オーミック接合について>次に、水素発生光触媒と、酸素発生光触媒とのオーミック接合について図2を参照して更に詳しく説明する。図2は、半導体接合及び光照射によるバンドの変化を表した図である。図2は、酸素発生光触媒として用いられるn型半導体と、水素発生光触媒として用いられるp型半導体を接合させたときのバンド状態を表している。図中の、Evac、ECBM、EF、EVBMは、それぞれ真空準位、伝導帯下端、フェルミ準位、価電子帯上端を示す。ここで、図2においては、酸素発生光触媒としてn型半導体、水素発生光触媒としてp型半導体を例にとって説明しているが、本発明は、この組み合わせに限定されるものではない。図2の左側は、酸素発生光触媒n型半導体と水素発生光触媒p型半導体についてのバンドの状態を表している。図2の左側に示すように、酸素発生光触媒n型半導体のフェルミ準位よりも水素発生光触媒p型半導体のフェルミ準位の方が正側図2において縦軸の下側にある。これは、整流性pn接合として知られた状態であり、酸素発生光触媒n型半導体と水素発生光触媒p型半導体の接合界面は、空乏層になる。光照射中は、価電子帯の電子が励起されて伝導帯に移動するが、電子はエネルギー的に安定な状態になるべく、図2の左側である酸素発生光触媒n型半導体に移動し、価電子帯の電子が励起されて伝導帯に移動することによって生じた価電子帯の正孔は、エネルギー的に安定な状態になるべく図2の右側である水素発生光触媒p型半導体に移動する。このため、酸素発生光触媒は、正孔が不足して水を酸化する力が不足し、水素発生光触媒は、電子が不足して水を還元する力が不足する。さらに、水素発生光触媒側に移動した正孔は酸化力が低下し、水を酸化する力が不足し、酸素発生光触媒側に移動した電子は還元力が低下し、水を還元する力が不足する。また、Zスキームにおいては酸素発生光触媒n型半導体と水素発生光触媒p型半導体は、接合されていないので、酸素発生光触媒、水素発生光触媒の間で電子、正孔の移動は発生しない。そのため、Zスキームにおいては、酸化還元剤を使用して、酸素発生光触媒n型半導体側で水の還元に寄与しない電子と、水素発生光触媒p型半導体で水の酸化に寄与しない正孔とを中和している。図2の右側は、本発明の酸素発生光触媒n型半導体と水素発生光触媒p型半導体についてのバンドの状態を表している。図2の右側に示すように、酸素発生光触媒n型半導体のフェルミ準位よりも水素発生光触媒p型半導体のフェルミ準位の方が負側図2において縦軸の上側にある。これにより、酸素発生光触媒n型半導体と水素発生光触媒p型半導体を接合すると、図2に示すように接合界面はオーミック接合になり、電子と正孔の移動が可能になる。ここで、フェルミ準位が上記条件を満たすn型半導体とp型半導体であるIn2O3とCu2Oを接合するとオーミック接合になることが、HTanakaetalThinSolidFilms4694708085に記載されている。このように、オーミック接合になることによって、酸化還元剤を使用しなくても、酸素発生光触媒n型半導体側で水の還元に寄与しない電子と、水素発生光触媒p型半導体で水の酸化に寄与しない正孔とを直接中和させることが出来る。また、図2に示すように、酸素発生光触媒n型半導体側で余った電子は、エネルギー的に安定な状態になるために水素発生光触媒p型半導体との接合部に移動し、水素発生光触媒p型半導体で余った正孔は、エネルギー的に安定な状態になるために酸素発生光触媒n型半導体との接合部に移動する。そして、接合部においてこれら水の還元と酸化に寄与しない電子と正孔は再結合で消滅する。このように、水の還元と酸化に寄与しない電子と正孔との中和を効率良く行うことが出来る。このため、酸素発生光触媒n型半導体側には、水の還元に寄与しない電子伝導帯電子が存在しないため、水を酸化して酸素を発生させるための正孔価電子帯正孔が、この伝導帯電子と再結合し消滅することがほとんど無いので、正孔が多く存在し、水を分解して酸素を発生させる効率がよい。同様に、水素発生光触媒p型半導体側には、水の酸化に寄与しない正孔価電子帯正孔が存在しないため、水を還元して水素を発生させるための電子が、この価電子帯正孔と再結合して消滅することがほとんど無いので、電子が多く存在し、水を還元して水素を発生させる効率がよい。更に、図2の光照射中の図に示されるように、本発明においては、従来のpn接合で発生する伝導帯での電子の酸素発生光触媒n型半導体側への移動、価電子帯での正孔の水素発生光触媒p型半導体側への移動が発生しないため、酸素発生光触媒n型半導体での正孔の酸化力の低下、水素発生光触媒p型半導体での電子の還元力の低下が発生しない。これにより、水の分解効率の低下を防ぐことが出来る。ここで、酸素発生光触媒と水素発生光触媒のフェルミ準位が同じであっても、上述したのと同様であるので説明は省略するが、上述したのと同様にオーミック接合になり、同様の作用効果を得ることが出来る。ただし、酸素発生光触媒と水素発生光触媒のフェルミ準位が同じ場合よりも、水素発生光触媒p型半導体が、酸素発生光触媒のフェルミ準位より負側にある場合の方が、バンドの湾曲が正孔電子の拡散の駆動力になるため、正孔電子の移動に有利である。このため、水の還元と酸化に寄与しない電子と正孔を効率よく再結合で消滅させることが出来るので、酸素発生光触媒と水素発生光触媒のフェルミ準位が同じ場合よりも、水素発生光触媒が、酸素発生光触媒のフェルミ準位より負側にある場合の方が水を分解して酸素と水素を発生させる効率が良好になる。<水分解反応機構>次に、光触媒組成物の水分解機構について、図3を参照して更に詳しく説明する。図3は、光触媒組成物の水分解反応機構を説明する説明図である。図3の縦軸は、標準水素電極電位を基準にした電位ポテンシャルである。図3に示すように、酸素発生光触媒は、価電子帯の上端が1.23Vよりも正の電位図3の縦軸では、下側が正の電位である物質で構成されている。これにより、水を分解して酸素を発生することができる。また、水素発生光触媒は、伝導帯の下端が0Vより負の電位図3の縦軸では、上側が負の電位である物質で構成されている。これにより、水を分解して水素を発生することが出来る。この酸素発生光触媒と水素発生光触媒とを接合することにより、バンド構造が変化して、接合界面は、図3に示すようにオーミック接合になる。この互いに接合された酸素発生光触媒と水素発生光触媒とに可視光線を照射することにより、酸素発生光触媒の価電子帯の電子が励起されて、価電子帯に正孔が発生し、この正孔が水を酸化して酸素を発生させ、水素発生光触媒の価電子帯の電子が励起されて伝導帯に移動し、伝導帯に移動した電子が水を還元して水素を発生させる。酸素発生光触媒の伝導帯に発生した電子と、水素発生光触媒の価電子帯に発生した正孔は、オーミック接合部分で再結合して消滅する。次に、本発明の光触媒組成物を構成する酸素発生光触媒、水素発生光触媒の一例を図4に示す。図4は、本発明の光触媒組成物を構成する物質の例を表す図である。図4においては、各物質ごとに価電子帯の下端、伝導帯の上端、バンドギャップエネルギーの値が示されている。また、縦軸は、標準水素電極電を基準にした電位ポテンシャルを示している。図中に、水素と酸素の電位ポテンシャルの位置を点線で表している。図4に示すように、ここに示された物質は、TiO2を除いてバンドギャップエネルギーは、3.0eV以下なので、可視光線を吸収して価電子帯の電子が伝導帯に励起する。また、Fe2O3、WO3、In2O3、は、価電子帯の下端が酸素の電位ポテンシャルである1.23Vよりも正の電位図4の縦軸の下側なので、酸素発生光触媒になりうる。Cu2O、Siは、伝導帯の下端が水素の電位ポテンシャルである0Vよりも負の電位図4の縦軸の上側なので、水素発生光触媒になりうる。ここで、TiO2は、バンドギャップエネルギーが3.2eVですこし3.0eVよりも大きい。よって、可視光より少し短波長の光を吸収することになるが、それを容認するならば本発明の酸素発生光触媒または水素発生光触媒として用いることも可能である。<本発明の光触媒組成物評価>本発明の光触媒組成物について、可視光線を用いた水の分解について評価を行うための評価を行った。光触媒組成物は、以下に記載するように、水素発生光触媒と酸素発生光触媒を混合し、接合させることによって作製した。1準備及び評価方法ここで準備したものは、これから記載する評価に使用される。試料は、スターバーストミニHJP025001、スギノマシン製を用いて粉砕し、微粒子化した。試料の接合酸素発生光触媒と水素発生光触媒の接合前後の形状観察は、走査型電子顕微鏡SEM、S4500、日立製を用いて行った。光を照射する光源には、林時計工業製のキセノンランプLA410UVを使用した。このキセノンランプの照射光のスペクトルを図5に示す。水分解装置としては、幕張理化学硝子製作所製のCLS1370PSWGを用いた。水分解により発生した酸素、水素は、ガスクロマトグラフGC8A、島津製作所製を用いて分析を行った。水素発生光触媒としては、Si4N、99.99、関東化学製、Cu2O3N、99.99、関東化学製を用い、酸素発生光触媒としては、WO32N、99、関東化学製、In2O33N、99.99、関東化学製を用いた。Cu2Oは、粉砕、微粒子化せずに使用した。Siは、粉砕の程度によって2種類の試料Si1、Si2を準備した。最終的な光触媒組成物は、SiとWO3を接合することにより調製した。接合は、遊星ボールミルセラミックボール60gを用いて、SiとWO3を50rpmで10分間混合することにより行った。試料粉砕前後の各試料の粒径をレーザ回折/散乱式粒度分布測定装置LA910W型を用いて測定した。測定結果を図6に示す。図6は、試料粉砕前後の各試料の粒径を示す表である。また、試料の粉砕前後のSEM画像を図7、図8に、試料の接合後のSEM画像を図9に示す。図7は、Siの粉砕前後のSEM画像と、WO3の粉砕後のSEM画像である。図8は、In2O3とFe2O3の粉砕前後のSEM画像である。図9は、Si2とWO3をwtで、Si2:WO3=1:6になるように混合し接合した試料のSEM画像である。図9のSEM画像から、Si粒子上にWO3粒子が担持されていることが分かる。2事前評価拡散反射スペクトル測定事前評価として、SiとWO3の拡散反射スペクトルを測定した。測定結果を図10に示す。図10は、SiとWO3の拡散反射スペクトルを示す図である。この図において、横軸は、波長nmを表し、左側の縦軸は、1から反射率を引いたもの吸収率を、右側の縦軸は、光の波長を表す。この拡散反射スペクトルから次のようにしてSiとWO3の吸収光子数の比を求めた。照射光の波長1nm毎に対して光強度が分かっているので、照射光の波長1nm毎に対する照射光子数を計算した。照射光子数に対してSiとWO3の吸収率が図10の拡散反射スペクトルから求まっているため、それぞれの波長1nm毎の吸収光子数を次式によって求めた。波長1nm毎の吸収光子数=照射光の波長1nm毎に対する照射光子数×吸収率波長1nm毎の吸収光子数を積分することによって、SiとWO3の吸収光子数が算出し、SiとWO3の吸収光子数の比を求めた。このようにして求めたSiとWO3の吸収光子数の比は、Si:WO3=2:1である。よって、キセノンランプのスペクトルに対して吸収光子数を同じにするためには、光触媒組成物を構成するSiとWO3の体積比は、Si:WO3=1:2になることが必要である。ここで、Si:WO3の密度はそれぞれ、2.33gcm3、7.16gcm3なのでSiWO3接合系の試料調製の割合を質量比1:6と見積もった。このようにして求められた1:6Si:WO3の質量比で、1準備及び評価方法で記載したように、SiとWO3をボールミルで混合して光触媒組成物を作製した。このとき、Siは、試料Si2を用いた。3本発明の光触媒組成物を構成する触媒の個別評価水素発生光触媒と酸素発生光触媒を混合することなく、個別に犠牲剤HCHO及びAg、Fe3の存在下で光照射による水の分解評価を行った。水素発生光触媒としては、SiSi1、Cu2Oを用い、酸素発生光触媒としては、WO3、In2O3を用いた。この評価は、水素発生光触媒については、犠牲剤としてHCHOaqを添加した蒸留水12ml中で、酸素発生光触媒については、犠牲剤としてFe3WO3またはAgIn2O3を添加した蒸留水12ml中で、試料60mgをマグネチックスターラーと撹拌子を用いて撹拌させながら光源から光を試料に向かって照射し、発生する気体の種類、量を測定することにより行った。また、光触媒反応は、蒸留水中の残留気体除去のため、反応容器中の試料溶液を真空引きし、アルゴンガス50kPaで置換後に行った。結果を図11、図12に示す。図11は、水素発生光触媒に光を照射したときの水素発生量を示す図である。図11の横軸は、光照射時間を示し、縦軸は、水素発生光触媒の単位重量あたりの水素発生量μmolgを示す。図12は、酸素発生光触媒に光を照射したときの酸素発生量を示す図である。図12の横軸は、光照射時間を示し、縦軸は、酸素発生光触媒の単位重量あたりの酸素発生量μmolg示す。図11、図12に示されるように、SiSi1、Cu2Oは、水を分解して水素を発生させた。また、WO3、In2O3は、水を分解して酸素を発生させた。Siの水素発生量は、直線的に増加し、Cu2Oは、カーブを描く傾向を示した。WO3においては、酸素発生が2時間経過以降減衰しているが、これは投入したFe3濃度を考えると、犠牲剤が全て消費されたため、即ち、犠牲剤であるFe3がすべて還元されてFe2になったためと考えられる。4本発明の光触媒組成物の評価上述したように、SiSi2とWO3を混合して作製した光触媒組成物は、蒸留水12ml中で、光触媒組成物60mgをマグネチックスターラーと撹拌子を用いて撹拌させながら光源から光を試料に向かって照射し、発生する気体の種類、量を測定することにより行った。また、光触媒反応は、蒸留水中の残留気体除去のため、反応容器中の試料溶液を真空引きし、アルゴンガス50kPaで置換後に行った。結果を図13に示す。図13は、光触媒組成物に光を照射したときの水素発生量と酸素発生量を示す図である。図13の横軸は、光照射時間を示し、縦軸は、光触媒組成物の単位重量あたりの水素発生量μmolg示す。図13に示されるように、光触媒組成物は、犠牲剤を添加することなく、水を分解して酸素と水素を発生させた。ここで、使用した水は、蒸留水のみでありpH調製なども行っていない。水素と酸素の発生量は、化学量論的には2:1になるはずであるが、2:1になっていない。これは、以下の理由からである。図13に示すように、WO3のみでは、蒸留水中犠牲剤無しで酸素は発生しない。Siのみの場合は、蒸留水中犠牲剤無しで水素が発生することを実験において確認した。これより、遊星ボールミルを用いた接合では、部分的にSiとWO3は、分離していると考えられ、分離したSi、即ちWO3と接合していないSiは、それ単独でも水素を発生させるが、分離したWO3、即ちSiと接合していないWO3は、酸素を発生しないため化学量論比よりも水素が多く発生していると考えられる。これは、遊星ボールミルでの接合条件が最適化されていないためであると考えられる。<オーミック特性評価>次にオーミック特性評価について説明する。この評価は、Sii型、p型とWO3を接合し、電流電圧特性を測定することによりオーミック接合されているか否かを評価するものである。1サンプル作成Siとして、i型のSiウエハとp型のSiウエハとを準備し、それぞれのウエハをRCA洗浄し、その後にスパッタでWO3膜を成膜した。スパッタ条件を、下記の表1に示す。上記表1に示す条件で、下記に示すようにプレスパッタ、本スパッタを実施した。プレスパッタは、Ar100で5min実施後、Ar60、O240で1min実施した。プレスパッタAr1005min→Ar60O240本スパッタAr60O24016min成膜は、膜厚200nmを目標にして、成膜レートが126nmminなので、16min本スパッタを行った。2電流電圧特性評価成膜後のSiウエハ表面と、Siウエハに成膜されたWO3膜表面に電極としてPtを25minスパッタした。このサンプルについて図14を用いて更に説明する。図14は、オーミック特性評価用サンプルの概略側面図である。スライドガラス10の上には、Siウエハ20が貼付されている。Siウエハ20の一部には、WO3膜30が成膜されており、WO3膜30上には、Pt膜40が形成されている。また、Si膜30上には、Pt膜50が形成されている。Pt膜40とPt膜50には、それぞれ銀ペースト60、70によって、Cu線80、90が接続されている。Cu線80にプラス端子、Cu線90にマイナス端子を接続し、オートマチックポラリゼーションシステムHSV110、北斗電工株式会社を用いて電流電圧特性を測定した。電流電圧特性の測定は、光がSiウエハに当たらないように暗い状態以下、暗時と称する。での測定と、光をSiウエハに照射しながら以下、照射時と称する。の測定と、を行った。3評価結果測定結果を図15、図16に示す。図15は、WO3を成膜したi型Siウエハの電流電圧特性を示した図であり、図16は、WO3を成膜したp型Siウエハの電流電圧特性を示した図である。図15、図16いずれも、横軸が電圧を示し、縦軸が電流を示す。図15に示すように、WO3を成膜したi型Siウエハにおいては、暗時、照射時とも電流電圧の関係は直線になっており、WO3とi型Siを接合するとオーミック接合されることが分かる。また、暗時よりも照射時の方が、電流が大きくなっている。これは、電子が光励起によって生成し、電流増加に寄与しているということを示す。また、図16に示すように、WO3を成膜したp型Siウエハにおいては、電圧を正側に印加したときには電流が流れにくく、負側に印加したとき電流が流れることから、整流性があることが分かる。即ち、WO3とp型Siを接合するとオーミック接合にはならない。この理由は、p型Siのフェルミ準位よりもWO3のフェルミ準位の方が負側にあるためと考えられる。なお、この評価では実施しなかったが、WO3とn型Siとを接合するとオーミック接合になると考えられる。その理由は、n型Siのフェルミ準位よりもWO3のフェルミ準位の方が正側だからである。<本発明の光触媒組成物を構成する酸素発生光触媒と水素発生光触媒>酸素発生光触媒と水素発生光触媒は、これまでに述べた条件を満たすものであれば、本発明の光触媒組成物を構成することが出来るが、以下に、その例を挙げる。1水素発生光触媒Si、DLCダイヤモンドライクカーボン、Cu2O、ZnRh2O4、ABO2ただし、ACuAgBAlGaInFeCrCo2酸素発生光触媒Fe2O3、WO3、In2O3、ABドープTiO2ただし、AW6Mo6V5、BAl3Ga3ここで、Aイオンは、TiO2の伝導帯下端を正側の電位にシフトするものである。また、Ti4であるため、電気的中性条件を満足するようにカウンタードーパントとしてBイオンが選択されるものとする。また、電気的中性条件はTi3の生成でもよいので、Bイオンがなくてもよい。以上列挙したものは、例であって、本発明の範囲はこれにより限定されるものではない。