"絶縁基板の主面に表面導体が設けられるとともに、該表面導体が前記絶縁基板内に形成されたビア導体に電気的に接続されて成る配線基板において、前記表面導体は、前記ビア導体の先端部を導入する孔部を有し、前記ビア導体は、前記先端部の外周面が前記孔部の内周面に接するように形成されていることを特徴とする配線基板。請求項1に記載された配線基板と、該配線基板の前記表面導体に電気的に接続された電子部品とを備えていることを特徴とする電子装置。請求項1に記載された配線基板と、該配線基板の前記表面導体に電気的に接続されたプローブピンとを備えていることを特徴とするプローブカード。しかし、従来の多層配線基板は、表面導体104とビア導体103とが、ビア導体103の端面を介して接続されていることから、層方向における接続強度が弱く、その端面付近で表面導体104またはビア導体103に層方向の力が加わると、表面導体104とビア導体103との間が断線しやすいという課題があった。実際に、多層配線基板に電子部品を実装する場合等に加熱を行うと、表面導体104とビア導体103との熱膨張差による応力が層方向に発生することから、表面導体104とビア導体103との間が断線しやすいという課題が生じていた。本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、絶縁基板の主面に設けられた表面導体と絶縁基板の内部に設けられたビア導体との接続部分においてそれらの熱膨張差による応力が上記主面に平行な方向に発生した場合に、表面導体とビア導体との間の断線を防止することができる配線基板を提供することにある。本発明の一つの態様によれば、配線基板は、絶縁基板の主面に表面導体が設けられるとともに、該表面導体が前記絶縁基板内に形成されたビア導体に電気的に接続されて成る配線基板において、前記表面導体は、前記ビア導体の先端部を導入する孔部を有し、前記ビア導体は、前記先端部の外周面が前記孔部の内周面に接するように形成されている。本発明の他の態様によれば、電子装置は、配線基板と、該配線基板の前記表面導体に電気的に接続された電子部品とを備えている。本発明の他の態様によれば、配線基板と、該配線基板の前記表面導体に電気的に接続されたプローブピンとを備えている。本発明の一つの態様によれば、配線基板は、絶縁基板の主面に表面導体が設けられるとともに、該表面導体が前記絶縁基板内に形成されたビア導体に電気的に接続されて成る配線基板において、前記表面導体は、前記ビア導体の先端部を導入する孔部を有し、前記ビア導体は、前記先端部の外周面が前記孔部の内周面に接するように形成されていることによって、表面導体とビア導体との接続強度が増大されている。本発明の他の態様によれば、電子装置は、配線基板と、該配線基板の前記表面導体に電気的に接続された電子部品とを備えていることによって、表面導体とビア導体との接続強度が増大されている。本発明の他の態様によれば、プローブカードは、配線基板と、該配線基板の前記表面導体に電気的に接続されたプローブピンとを備えていることによって、表面導体とビア導体との接続強度が増大されている。以下に、添付の図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本発明の実施の形態による配線基板の構成例を示した断面図である。図1に示されるように、本実施の形態による配線基板は、絶縁層1、内部配線層2、ビア導体3、および表面導体4を備えている。図1の配線基板は、絶縁層1と内部配線層2とが交互に積層された多層配線基板であり、各絶縁層1にはビア導体3がそれぞれ形成されている。また、各絶縁層1は積層されて絶縁基板5を構成している。表面導体4は、絶縁基板5の表裏面、すなわち対向する2つの主面に全体が埋め込まれるようにしてそれぞれ設けられている。具体的に、表面導体4は、絶縁基板5の最上層および最下層の各絶縁層1に全体が埋め込まれるようにしてそれぞれ設けられている。なお、複数の内部配線層2および複数のビア導体3は、接続されて内部導体をなす。この内部導体により、絶縁基板5の各主面にそれぞれ設けられた表面導体4は電気的に接続されている。図1に示されるように、本実施の形態による多層配線基板では、最上層の絶縁層1内のビア導体3の先端部が、その絶縁層1に埋め込まれた表面導体4を貫通している。また、最下層の絶縁層1内に設けられたビア導体3の先端部は、その絶縁層1に埋め込まれた表面導体4を貫通している。絶縁基板5は、熱膨張率がウエハーを形成するシリコンSiに近く、絶縁性に優れる絶縁材料である酸化アルミニウムAl2O3質焼結体、ガラスセラミックス等のセラミックスから成る。上述したように内部導体が形成された絶縁基板5は、以下の方法により製作される。例えば、配線基板5が酸化アルミニウム質焼結体で形成される場合には、酸化アルミニウム,酸化珪素,酸化マグネシウム,および酸化カルシウムの原材料粉末に適当な有機溶剤および溶媒を添加混合して泥漿状となすとともにこれをドクターブレード法等によってセラミックグリーンシートに成形し、絶縁基板5となる複数のセラミックグリーンシートに裁断する。絶縁基板5にビア導体3が必要な場合には、しかる後、セラミックグリーンシートのビア導体3が形成される所定位置に適当な打ち抜き加工により孔を形成する。次に、タングステンW、モリブデンMo、モリブデン-マンガンMo-Mn合金等の融点の高い金属粉末や適当な樹脂バインダー等から成る導体ペーストを準備し、スクリーン印刷法等によって所定のセラミックグリーンシートの所定位置に内部配線層2となる導体ペースト層を10~15μmの厚みに形成するとともにビア導体3が形成される孔に導体ペーストを充填する。最後に、これらセラミックグリーンシートを重ね合わせ、高温で焼成し、所定の形状に分割することによって製作される。絶縁基板5の主面に設けられる表面導体4の導電体パターンを絶縁基板5の最表層の絶縁層1に埋め込むためには、例えば以下の製法を行なう。まず、RIEReactiveIonEtching法やブラスト加工等を用いて所望の導電体パターンの形状のセラミックスを除去する。絶縁基板5がガラスセラミックスであり、ビア導体3が銅である場合、ビア導体3の銅よりも絶縁層1のガラスセラミックスの方がRIEエッチングの加工レートが早く、銅を柱状に残したままセラミックスの除去が可能である。ここで、ビア導体3と絶縁層1におけるRIEエッチングの加工レートがほぼ同じ場合でも、ビア導体3よりも少し小さめにレジストを加工し、ブラスト加工等でセラミックスおよびビア導体3の側面を除去することによって、同様な形状に加工することは可能である。次に、一部が除去された絶縁基板5の主面の全面に、蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法等の薄膜形成法によって、例えばクロムCr-Cu合金層やチタンTi-Cu合金層等をそれぞれ成膜し、さらにその上にめっき等で全面に銅や金等の導体を形成する。そして、その導体が形成された絶縁基板5の主面を、表層のセラミックスが露出するまで研磨することにより、最終的に主面に埋め込まれた表面導体4が得られる。なお、表面導体4は、内部配線層2を構成する導体と同一の導体であってよい。また、得られた表面導体4に対しては、表面導体4の腐食等を防止するために、および半導体素子や有機基板等との実装性を向上するためにNi-Auのめっきを施すのが望ましい。本実施の形態による配線基板によれば、最上層および最下層の各絶縁層1に表面導体4が埋め込まれるようにしてそれぞれ設けられるとともに、その最上層および最下層の各絶縁層1内の導体ビア3が、埋め込まれた表面導体4を貫通するようにそれぞれ形成されていることから、層方向における表面導体4とビア導体3との接続強度が大きくなり、上記層方向に表面導体4とビア導体3との熱膨張差による応力が発生しても、表面導体4とビア導体3との接続を維持することができる。よって、表面導体4とビア導体3との間の断線を防止することができる。なお、表面導体4のヤング率は、ビア導体3のヤング率よりも小さいことが好ましい。これを実現する方法として、例えば、ビア導体3を、タングステンから成る導体ペーストを焼成することにより形成し、表面導体4を、銅を用いてめっき、スパッタ、および蒸着等により形成する方法がある。このように表面導体4のヤング率がビア導体3のヤング率よりも小さい場合は、ビア導体3の軸方向の熱膨張に対して表面導体4が適度に弾性変形するため、ビア導体3と表面導体4との接続を良好に維持できる。ここで、ビア導体3および表面導体4のヤング率は、例えばナノインデンテーション法により測定することができる。ナノインデンテーション法とは、測定試料に対して例えばダイヤモンド製の圧子をある荷重まで押し込んだ後、その圧子を取り除くまでの荷重と変位との関係から、硬さやヤング率を求める方法である。このナノインデンテーション法を用いて表面導体4のヤング率を測定する場合は、表面導体4に圧子をそのまま押し込めばよい。一方、ビア導体3のヤング率を測定する場合は、絶縁基板5をその主面に垂直な方向に切断する等してビア導体3を露出させ、その露出したビア導体3に圧子を押し込めばよい。これは、内部配線層2のヤング率を測定する際にも適用可能である。なお、ビア導体3は、図1に示されるように表面導体4を貫通している必要はなく、表面導体4に埋設された状態であってもよい。図2は、そのような場合の配線基板の構成例を示した断面図である。図2に示された配線基板では、ビア導体3の先端部は、絶縁基板5の主面の下部に位置され、表面導体4に埋設されている。図2に示された配線基板でも、従来の配線基板と比較して、層方向における表面導体4とビア導体3との接続強度が大きくなることから、上記層方向に表面導体4とビア導体3との熱膨張差による応力が発生しても、表面導体4とビア導体3との接続を維持することができる。よって、表面導体4とビア導体3との間の断線を防止することができる。なお、図2に示されるようにビア導体3の先端部を表面導体4に埋設させるようにすれば、ビア導体3は、ビア導体3の端面およびビア導体3の先端部の外周面を介して表面導体4に接続されることから、ビア導体3の先端部を表面導体4に貫通させた場合よりも、ビア導体3と表面導体4との接続面積は大きくなり、層方向における表面導体4とビア導体3との接続強度が大きくなる。これにより、表面導体4とビア導体3との間の断線をより効果的に防止することができる。また、図2に示されるようにビア導体3の先端部を表面導体4に埋設させるようにすれば、絶縁基板5の主面にビア導体3が露出することはないことから、表面導体4に比べてめっきとの密着性が低いビア導体3によって主面に施しためっきが剥がれるといったことがなく、主面に対するめっきの密着性が向上する。なお、本実施の形態では、表面導体4は、絶縁基板5の各主面に全体が埋め込まれるようにしてそれぞれ設けられていたが、各主面に一部が埋め込まれるようにしてそれぞれ設けられていてもよい。さらに、表面導体4は、絶縁基板5の主面に埋め込まれず、主面上に設けられていてもよい。すなわち、表面導体4が絶縁基板5に埋め込まれているか否かに関わらず、表面導体4がビア導体3の先端部を導入する孔部を有し、ビア導体3が、そのビア導体3の先端部の外周面が上記孔部の内周面に接するように形成されていれば、上記主面に平行な方向におけるビア導体3と表面導体4と接続強度が大きくなることから、表面導体4とビア導体3との間の断線を防止することができる。ただし、表面導体4が上記各主面にその全体が埋め込まれるようにしてそれぞれ設けられ、ビア導体3が各表面導体4を貫通するようにまたは各表面導体4に埋設されるようにそれぞれ形成されると、より平坦性に優れた配線基板を実現することができる。なお、これまでは、絶縁基板5の最表層の絶縁層1に設けられた表面導体4と、その絶縁層1に設けられたビア導体3との接続について説明したが、配線基板5の内部に設けられた内部配線層2とビア導体3との接続についても同様のことがいえる。すなわち、内部配線層2がビア導体3の先端部を導入する孔部を有し、ビア導体3の先端部の外周面が上記孔部の内周面に接している場合には、層方向におけるビア導体3と内部配線層2との接続強度が大きくなり、上記層方向にビア導体3と内部配線層2との熱膨張差による応力が発生しても、ビア導体3と内部配線層2との接続は維持される。よって、内部配線層2とビア導体3との間の断線を防止することができる。さらに、内部配線層2を構成する導体のヤング率が、ビア導体3のヤング率よりも小さい場合には、ビア導体3の軸方向の熱膨張に対して内部配線層2が適度に弾性変形するため、ビア導体3と内部配線層2との接続を良好に維持できる。また、これまでの説明では、多層配線基板を例に挙げたが、単層の配線基板であっても同様のことがいえる。すなわち、単層の絶縁基板の主面に表面導体を設けるとともに、ビア導体を、絶縁基板内で表面導体を貫通するように又は表面導体に埋設されるように形成することにより、上記主面に平行な方向におけるビア導体と表面導体との接続強度が大きくなる。よって、上記層方向にビア導体と表面導体との熱膨張差による応力が発生しても、ビア導体と表面導体との接続は維持されることから、表面導体4とビア導体3との間の断線を防止することができる。なお、本発明による配線基板の表面導体4に電子部品を電気的に接続することにより電子装置を構成することができる。このような電子装置は、配線基板の主面に平行な方向に表面導体と内部導体との熱膨張差による応力が発生してもそれらの間が断線しないことから、長期にわたって安定して電子部品を作動させることができる。なお、ここでいう電子部品とは、ICチップ等の半導体素子および水晶振動子等の圧電振動子を含む。また、本発明による配線基板の表面導体4にプローブピンを電気的に接続することによりプローブカードを構成することができる。このようなプローブカードは、配線基板の主面に平行な方向に表面導体と内部導体との熱膨張差による応力が発生してもそれらの間が断線しないことから、測定対象となる電子部品の電気的特性を長期にわたって安定して測定ことができる。なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。"