半導体層の上に、前記半導体層に添加される不純物元素を有する被膜を形成する工程と、第1希ガス原子を含むプラズマ状態の第1ガスと、前記第1希ガス原子よりも原子質量が小さい第2希ガス原子もしくは水素Hを含むプラズマ状態の第2ガスと、を前記被膜に向かって照射する工程と、プラズマ状態の前記第1ガス及びプラズマ状態の前記第2ガスを照射した後、前記半導体層を加熱する工程と、を備え、前記第1希ガス原子は、ヘリウムHe、ネオンNe、アルゴンAr、クリプトンKr、及びキセノンXeよりなる群から選択されるいずれかであり、前記第2希ガス原子は、前記第1希ガス原子よりも原子質量が小さく、ヘリウムHe、ネオンNe、アルゴンAr、及びクリプトンKrよりなる群から選択されるいずれかであり、プラズマ状態の前記第1ガス及びプラズマ状態の前記第2ガスを前記被膜に照射する際に、プラズマ状態の前記第1ガス及びプラズマ状態の前記第2ガスのプラズマ電位に対して負となる電位を前記半導体層に印加し、前記第1希ガス原子よりも前記第2希ガス原子もしくは前記水素の方を前記半導体層により深く導入することを特徴とする半導体装置の製造方法。半導体層の上に、前記半導体層に添加される不純物元素を有する被膜を形成する工程と、第1希ガス原子を含むプラズマ状態の第1ガスと、前記第1希ガス原子よりも原子質量が小さい第2希ガス原子もしくは水素Hを含むプラズマ状態の第2ガスと、を前記被膜に向かって照射する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記第1希ガス原子よりも前記第2希ガス原子もしくは前記水素の方を前記半導体層により深く導入することを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。前記第1希ガス原子は、ヘリウムHe、ネオンNe、アルゴンAr、クリプトンKr、及びキセノンXeよりなる群から選択されるいずれかであることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体装置の製造方法。前記第2希ガス原子は、前記第1希ガス原子よりも原子質量が小さく、ヘリウムHe、ネオンNe、アルゴンAr、及びクリプトンKrよりなる群から選択されるいずれかであることを特徴とする請求項2~4のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。前記第1希ガスガス原子/前記第2希ガス原子の組み合わせは、Ne/He、Ar/He、Ar/Ne、Kr/He、Kr/He、Kr/Ar、Xe/He、Xe/Ne、Xe/Ar、Xe/Krのいずれかであることを特徴とする請求項2~5のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。プラズマ状態の前記第1ガス及びプラズマ状態の前記第2ガスを前記被膜に照射する際に、プラズマ状態の前記第1ガス及びプラズマ状態の前記第2ガスのプラズマ電位に対して負となる電位を前記半導体層に印加することを特徴とする請求項2~6のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。プラズマ状態の前記第1ガス及びプラズマ状態の前記第2ガスを照射した後、前記半導体層を加熱することを特徴とする請求項2~7のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。第1導電形の半導体層の表面に、第2導電形のベース領域を選択的に形成する工程と、前記ベース領域の上に、ゲート絶縁膜を介してゲート電極を選択的に形成する工程と、前記ゲート電極の両側のベース領域の上に、第1導電形の不純物元素を有する第1被膜を形成する工程と、第1希ガス原子を含むプラズマ状態の第1ガスと、前記第1希ガス原子よりも原子質量が小さい第2希ガス原子もしくは水素Hを含むプラズマ状態の第2ガスと、を前記被膜に向かって照射する工程と、前記半導体層を加熱し、前記ゲート電極の両側の前記ベース領域の表面に、第1導電形のエクステンション領域を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記エクステンション領域を形成した後、前記ゲート電極の両側の前記ベース領域の上に、第1導電形の不純物元素を有する第2被膜を形成する工程と、プラズマ状態の前記第1ガス及びプラズマ状態の前記第2ガスを前記第2被膜に向かって照射する工程と、前記半導体層を加熱し、前記ゲート電極の両側の一方の側の前記ベース領域の表面に、ソース領域を形成するとともに、前記ゲート電極の両側の他方の側の前記ベース領域の表面に、ドレイン領域を形成する工程と、を、さらに備えたことを特徴とする請求項9記載の半導体装置の製造方法。第1ガスは、第1希ガス原子を含み、第2ガスは、前記第1希ガス原子よりも原子質量が小さい第2希ガス原子もしくは水素Hを含み、半導体層の上に、前記半導体層に添加される不純物元素を有する被膜を形成する工程と、プラズマ状態の前記第1ガスを前記被膜に照射する工程またはプラズマ状態の前記第2ガスを前記半導体層に照射する工程の2つの工程のいずれか一方の工程を実施した後、他方の工程を実施する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記被膜を形成する前に、前記半導体層の上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンから露出された前記半導体層の表面に、前記被膜を形成することを特徴とする請求項1~11のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。前記レジストパターンを除去した後、前記半導体層を加熱することを特徴とする請求項12記載の半導体装置の製造方法。本発明が解決しようとする課題は、生産性が高く、信頼性に優れた半導体装置の製造方法を提供することである。実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体層の上に、前記半導体層に添加される不純物元素を有する被膜を形成する工程と、第1希ガス原子を含むプラズマ状態の第1ガスと、前記第1希ガス原子よりも原子質量が小さい第2希ガス原子もしくは水素Hを含むプラズマ状態の第2ガスと、を前記被膜に向かって照射する工程と、を備える。以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。以下の説明では、同一の部材には同一の符号を付し、一度説明した部材については適宜その説明を省略する。第1実施形態図1は、第1実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図であり、aは、真空処理装置及び半導体層の断面模式図、bは、半導体層及び被膜の断面模式図である。まず、図1aに示すように、半導体層10を真空処理装置100内のステージ110上に設置する。真空処理装置100は、カソード電極101に電極を供給するための高周波電源102と、高周波電源102とカソード電極101との間に接続されたローパスフィルタ103と、を備える。真空処理装置100は、半導体層10にバイアス電位を印加するためのバイアス電源104を備える。このほか、真空処理装置100には、排気機構、ガス導入ライン、流量制御機構が付設されている不図示。図1aに示すカソード電極101の形状は、平板であるが、その形状はコイルであってもよく、ガス導入ラインを兼ねたシャワーノズルであってもよい。半導体層10は、例えば、主面の面方位が100面のシリコンSi単結晶基板である。半導体層10としては、シリコン単結晶基板に代えて、ゲルマニウムGe、シリコンゲルマニウムSiGe、シリコンカーバイドSiC、ガリウムヒ素GaAs等のいずれかの単結晶基板でもよく、SOISiliconOnInsulator基板でもよい。次に、図1bに示すように、半導体層10上に、被膜20を形成する。被膜20は、半導体層10内に添加される不純物元素を有する。図1bには、半導体層10の表面付近が示されている。被膜20は、例えば、プラズマCVDChemicalVaporDepositionによって形成される。例えば、第1実施形態では、被膜20の材質の一例として、p形不純物であるホウ素Bを挙げる。この場合、プラズマCVDで用いられる原料ガスは、例えば、ヘリウムHeで稀釈されたジボランB2H6である。成膜中のヘリウムHeの流量とジボランB2H6の流量とは、例えば、ヘリウムHeが250sccmで、ジボランB2H6が10sccmである。被膜20の材質としては、ホウ素Bのほか、リンP、ヒ素As等であってもよい。成膜中の混合ガスの雰囲気圧は、例えば、0.5Paである。真空処理装置100内のカソード電極101に2000W~4000Wの電力を投入する。これにより、混合ガスが放電して真空処理装置100内にプラズマが発生する。電力は、周波数が13.56MHzの高周波電力である。被膜20の膜厚は、目標とするドーズ量に応じて適宜調整される。例えば、被膜20の膜厚をより厚く設定するほど、半導体層10内へのドーズ量がより増加する。被膜20を成膜する際には、半導体層10に数10Wのバイアス電圧を印加してもよい。半導体層10にバイアス電圧を印加しながら被膜20を形成することにより、被膜20の密度がより緻密になる。被膜20の密度が緻密になるほど、後述するプラズマドーピングを行った後に、半導体層10の単位面積あたりの不純物濃度のばらつきが小さくなる。この後、半導体層10をプラズマドーピング装置に導入する。図2は、第1実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図であり、aは、真空処理装置及び半導体層の断面模式図、bは、プラズマドーピング中の半導体層の断面模式図である。図2aには、被膜20が形成された半導体層10が真空処理装置100内のステージ110上に設置された状態が示されている。この後、真空処理装置100に導入されるガス種の切換が行われる。次に、図2bに示すように、被膜20で被覆された半導体層10にプラズマ処理を施す。図2bには、半導体層10の表面付近が示されている。図2bに示すように、第1ガス30aと、第2ガス30bと、を有する混合ガス30を放電させてプラズマ状態にする。この場合、プラズマ状態にない第1ガス30aと、プラズマ状態にない第2ガス30bと、を混合させた後に、この混合ガスを放電させてプラズマ状態の混合ガス30を形成してもよく、第1ガス30aと、第2ガス30bと、それぞれ独立にプラズマにし、プラズマ状態の第1ガス30aと、プラズマ状態の第2ガス30bと、を真空処理装置100内で混合させてもよい。すなわち、第1ガス30aと、第2ガス30bと、を有するプラズマ状態のガスが真空処理装置100内で形成される。実施形態では、前者のプラズマ状態の混合ガス30を例示する。第1ガス30aは、希ガス原子第1希ガス原子を含む。第2ガス30bは、第1希ガス原子よりも原子質量が小さい別の希ガス原子第2希ガス原子もしくは水素Hを含む。そして、第1希ガス原子を含むプラズマ状態の第1ガスと、第1希ガス原子よりも原子質量が小さい第2希ガス原子もしくは水素Hを含むプラズマ状態の第2ガスと、を被膜20に向かって照射する。第1及び第2ガスを被膜20に照射する際に、プラズマ状態の第1及び第2ガスのプラズマ電位に対して負となる電位を半導体層10に印加してもよい。例えば、プラズマ状態の混合ガス30以下、プラズマガスとも称する。を被膜20に照射する際には、バイアス電源104を用いてプラズマガスのプラズマ電位プラズマポテンシャルに対して負となる電位を半導体層10に印加してもよい。半導体層10に印加される負電位の絶対値が大きくなるほど、プラズマガス中のカチオンの加速エネルギーが高くなる。負電位の絶対値は、例えば、100V~数100Vである。第1ガス30aに含まれる第1希ガス原子は、例えば、ヘリウムHe、ネオンNe、アルゴンAr、クリプトンKr、及びキセノンXeよりなる群から選択されるいずれかである。第2ガス30bに含まれる第2希ガス原子は、第1ガスに含まれる希ガスよりも原子質量が小さく、、ヘリウムHe、ネオンNe、アルゴンAr、及びクリプトンKrよりなる群から選択される少なくともいずれかである。例えば、第1ガスがアルゴンArの場合、第2ガスは、ヘリウムHeでもよく、水素HとヘリウムHeとの混合ガスでもよい。第1ガス30a/第2ガス30bの組み合わせの具体的としては、ネオンNe/ヘリウムHe、アルゴンAr/ヘリウムHe、アルゴンAr/ネオンNe、クリプトンKr/ヘリウムHe、クリプトンKr/ヘリウムHe、クリプトンKr/アルゴンAr、キセノンXe/ヘリウムHe、キセノンXe/ネオンNe、キセノンXe/アルゴンAr、キセノンXe/クリプトンKrのいずれかが挙げられる。例えば、第1ガス30aをアルゴンArとし、第2ガス30bをヘリウムHeとする。ここで、アルゴンArの流量とヘリウムHeの流量との比は、例えば、9:1に調整する。すなわち、アルゴンArとヘリウムHeとの全流量中、90の流量がアルゴンArであり、10の流量がヘリウムHeである。アルゴンAr/ヘリウムHeの混合ガスを放電させたプラズマガス中では、アルゴンArのイオンとヘリウムHeのイオンとが混在した状態になる。このようなプラズマガスを被膜20に向かって照射することにより、被膜20に含まれる不純物元素を半導体層10に注入する。第1実施形態では、半導体層10に添加すべき不純物元素を半導体層10の表面に一旦被膜20として堆積した後、被膜20に混合ガスのプラズマガスを照射する。そして、プラズマ中のイオンと被膜20とを衝突させて、被膜20に含まれる不純物元素を半導体層10に注入する。プラズマ中のイオンが被膜20に衝突すると、被膜20に含まれる不純物元素が半導体層10側に跳ね返されて、被膜20に含まれる不純物元素が半導体層10に注入される。このような方法によって、半導体層10中に不純物元素を注入する方法を第1実施形態では、プラズマリコイルインプランテーション式のプラズマドーピングと称する。また、被膜20外からの衝撃によって、被膜20に含まれる不純物元素を半導体層10中に強制的に注入することをノックオンと称する。ノックオンに寄与するイオンとしては、半導体層10中に注入されても半導体特性に影響を与え難いイオンが望ましい。その代表例は、上述した希ガスイオンや水素イオンである。また、ノックオンを促進させるには、希ガスの中でも比較的原子質量が大きい、アルゴンAr、クリプトンKr、キセノンXe等が望ましい。あるいは、シリコンSiと同族元素のゲルマニウムGe等のイオンを用いてもよい。例えば、アルゴンイオンの原子質量は、ヘリウムイオンの原子質量のおよそ10倍である。アルゴンイオンとヘリウムイオンとが被膜20に衝突した場合には、原子質量がより大きいアルゴンイオンの方がより大きい運動量を被膜20に与える。不純物元素が半導体層10内に注入された後の状態の半導体層10の断面を、図3に示す。図3は、第1実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図であり、aは、不純物元素が半導体層内に注入された直後の断面模式図、bは、低温アニール中の半導体層の断面模式図、cは、低温アニール後の半導体層の断面模式図である。図3aに、不純物元素が半導体層10内に注入された直後の断面模式図を示す。図3aの右側には、半導体層10中の不純物濃度プロファイルが示されている。不純物濃度プロファイルの縦軸は、半導体層10の表面からの深さであり、横軸は、不純物濃度である。縦軸、横軸はともに任意値である。アルゴンとヘリウムとの混合ガス30を用いた場合、不純物濃度プロファイルは、混合ガス30中で、原子質量がより大きく、含有量がより高いアルゴンイオンの照射によって主に制御される。ヘリウムの原子質量は、アルゴンの原子質量に比べて小さい。さらに、第1実施形態では、アルゴンに比べてヘリウムの含有量を低く設定している。このため、混合ガス30中のヘリウムイオンは、不純物濃度プロファイルの形成に大きく寄与しない。但し、プラズマリコイルインプランテーション式のプラズマドーピングでは、不純物元素が重いイオンによるノックオンによって半導体層10中に注入されるほか、プラズマ中の軽いイオンが半導体層10中に侵入して、半導体層10の表面をアモルファス層に改質する。ここで、第1希ガス原子よりも第2希ガス原子もしくは水素の方を半導体層10に、より深く導入する。換言すれば、第1実施形態では、プラズマ状態の第1ガス30aを主に被膜20に照射しつつ、プラズマ状態の第2ガス30bを、被膜20を介して主に半導体層10に導入する。例えば、図3aには、半導体層10の表面がアモルファス層11に転移した後の状態が併せて表示されている。この段階では、被膜20に含まれる不純物元素が全てノックオンによって半導体層10に注入されたので、被膜20は消滅する。また、被膜20を完全に消滅させるのではなく、不純物元素を含む被膜20をアモルファス層11の表面に残存させる方法も実施形態に含まれる。例えば、アモルファス層11にラインパターン等が形成されている場合、ラインパターンの側壁に対するプラズマ照射量は、遮蔽効果によって、ラインパラーンの上面に対するプラズマ照射量よりも相対的に減少する場合がある。このような場合、プラズマ状態の混合ガス30をアモルファス層11に向けて照射しても、側壁に不純物元素が微量に残存する場合がある。しかし、アモルファス層11の表面に、不純物元素を含む被膜20が残ったとしても、アモルファス層11の表面に、硫酸と過酸化水素との混合液を用いた薬液処理をすることによって、アモルファス層11の表面から不純物元素を除去することが可能である。また、この混合液による洗浄の後に、アルカリ系薬液によって、アモルファス層11の表面を洗浄してもよい。アルゴンイオンとヘリウムイオンとは、半導体層10中に同時に注入されるものの、原子質量がより小さいヘリウムイオンの方がアルゴンイオンに比べて半導体層10中により深く侵入する。すなわち、アルゴンイオンのみを半導体層10に照射する場合に比べて、混合ガス30を用いた方がより厚いアモルファス層11が形成される。つまり、第1実施形態では、不純物濃度プロファイルを混合ガス30中で原子質量が比較的大きいイオンの照射によって制御し、アモルファス層11の厚さdを原子質量が比較的小さいイオンの照射によって制御する。換言すれば、混合ガス30中の一方のガスを不純物濃度プロファイル形成に用い、他方のガスをアモルファス層形成に用いる。不純物濃度プロファイルの形状、アモルファス層11の深さd、またはアモルファス層11の膜質は、混合ガス30中のガスの組み合わせを変えたり、それらの混合比を変えたりして制御する。第1実施形態では、不純物濃度プロファイルを混合ガス30中の原子質量が比較的大きいイオンの照射によって制御している。これとは別に、アモルファス層11の厚さdを原子質量が比較的小さいイオンの照射によって制御している。このため、不純物元素が注入される深さと、アモルファス層11の厚さdと、を容易に一致させることができる。これにより、アモルファス層11の大部分が不純物元素を含む構造が得られる。ここで、不純物元素が注入される深さをいわゆる接合深さで定義してもよい。接合深さとは、n形半導体層の表面にp形半導体層が形成されたとき、あるいは逆に、p形半導体層の表面にn形半導体層が形成されたとき、半導体表面からのp形半導体層とn形半導体層との境界の深さである。p形半導体層とn形半導体層との境界をp形半導体層の濃度で定義するときは、例えば、p形不純物の濃度が5×1018atoms/cm3になる位置例えば、図3に示す点Aを半導体層中の接合深さで定義してもよい。次に、図3bに示すように、プラズマ状態の混合ガス30を照射した後、半導体層10を加熱する。例えば、550°C以下の低温アニールを半導体層10に施す。半導体層10上に形成されたアモルファス層11は、例えば、400°C程度の加熱処理によって結晶に転移し始める。半導体層10の表面に形成されたアモルファス層11は、400°C程度の加熱処理によって、下地の単結晶である半導体層10の結晶情報を引き継いでアモルファス層11と半導体層10との界面から結晶成長を始める。さらに、アモルファス層11に含まれる不純物元素については、この加熱処理中に活性化が進行する。これにより、アモルファス層11と半導体層10との界面からは、p形不純物を含有する半導体層10pが成長する。半導体層10pは、p形不純物を含有する単結晶層である。低温アニールをこのまま続けると、図3cに示すように、アモルファス層11は、固相エピタキシャル成長によって単結晶層に転移する。すなわち、半導体層10の表面に、p形不純物を含有する半導体層10pが形成される。この過程で、アモルファス層11中に注入された不純物元素は、単結晶層の格子点に入る。すなわち、この低温アニールでは、アモルファス層11の結晶化とともに、不純物元素が単結晶層の格子点に入りながらプロセスが進行する。また、アニール温度は400°C程度の低温なので、不純物濃度プロファイルは、ほぼ変わることなく、不純物元素の活性化が進行する。なお、被膜20がn形不純物の被膜であれば、この方法によって半導体層10の表面にn形不純物を含有する単結晶層が形成される。このような第1実施形態に係る半導体装置の製造方法に比較して、参考例に係る半導体装置の製造方法を以下に説明する。参考例1プラズマドーピングの中には、不純物元素を含むガスを直接的にプラズマ状態にして、このプラズマ状態のガスを半導体層に晒し、不純物元素を半導体層に注入する方法がある。すなわち、不純物元素を含むガスを半導体層上で分解しながら、不純物元素を半導体層に注入する方法である。この場合、不純物元素がプラズマ照射によって半導体層に注入される際には、主に2つの現象が起きる。第1の現象は、イオン化された不純物元素が電界により加速されて、その不純物元素が直接的に半導体層内に注入される現象である直接注入。第2の現象は、半導体層上に堆積した不純物元素がプラズマ中で生成したイオンの衝突を受けて、ノックオンにより半導体層中に注入される現象である間接注入。第2の現象による不純物元素の注入は、リコイルインプランテーションとも呼称される。しかし、参考例1の方法では、上述した第1の現象と第2の現象とがプロセス中に同時に進行してしまう。従って、プロセス制御が第1実施形態に比べて複雑になってしまう。参考例2また、プラズマドーピングの中には、混合ガス30を用いず、1種類の希ガスのみをプラズマ状態にし、この希ガスイオンによるノックオンによって不純物元素を半導体層に注入する方法がある。換言すれば、参考例2に係る方法は、1種類の希ガスのみを用いたプラズマリコイルインプランテーションである。図4は、参考例に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図であり、aは、プラズマドーピング中の半導体層の断面模式図、bは、不純物元素が半導体層内に注入された直後の断面模式図、cは、低温アニール後の半導体層の断面模式図である。図4aに示すように、参考例2に係る方法では、第1段階として、不純物元素を含む被膜20を半導体層10上に予め形成する。次に、第2段階として、アルゴンガス31aをプラズマ状態にし、プラズマガス31中のアルゴンイオンを被膜に照射する。これにより、ノックオンにより被膜20に含まれる不純物元素が半導体層10中に注入される。図4bに、不純物元素が半導体層10内に注入された直後の状態を示す。参考例2では、ノックオンによって不純物元素を半導体層に注入するので、参考例1に比べて、半導体層10の表面の不純物濃度プロファイルが急峻になる。参考例2の方法では、プラズマドーピングプロセスを、被膜20を形成する第1段階とノックオンによる第2段階とに分けているので、参考例1に比べて、プラズマドーピングの制御性が増す。なお、参考例1、2では、ともにプロセスの進行中に、イオンが半導体層10中に侵入するので、その表面がアモルファス化する。参考例2では、ノックオンの効率を上昇させるために、アルゴンArより原子質量の大きい希ガスを用いることも可能である。原子質量が大きくなるほど、1つのイオンによってより多くの不純物元素を半導体層10中に注入することができるからである。しかしながら、参考例2に係る方法では次のような不具合がある。一般に、プラズマガスから半導体層10側に加速されたイオンは、運動エネルギーが同じである場合、原子質量が大きくなるほど半導体層10の中により浅く注入される傾向にある。つまり、アルゴンArのごとく、ヘリウムHeやネオンNeに比べて比較的原子質量の大きいイオンをノックオンに用いた場合、不純物元素が注入される深さがアモルファス層11の底面より深くなる場合がある。例えば、図4bには、アモルファス層11の底面11bより下方に、点Aが位置した状態が示されている。発明者の調査の一例では、ホウ素膜中のホウ素Bをアルゴンイオンの照射によって、半導体層10に注入した場合、アモルファス層11の厚さは、2.6nmナノメートルであるのに対し、ホウ素の濃度は、5×1018atoms/cm3となる深さ半導体層10の表面からの点Aの位置、あるいは接合深さは、4.0nmであった。つまり、参考例2では、アモルファス層11が形成されるとともに、アモルファス層11より下方の半導体層10に不純物元素が注入されてしまう。すなわち、参考例2に係る方法では、不純物元素が注入される深さと、アモルファス層11の厚さdと、一致させることが難しくなる。この場合、400°C程度の低温アニールを施すと、アモルファス層11では固相エピタキシャル成長とともに不純物元素の活性化が進行するが、アモルファス層11から下方の半導体層10に注入された不純物元素はアニール温度が低すぎて活性化が難しくなる。すなわち、第1実施形態に係る方法では、注入した不純物元素のほぼ全てが活性化するのに対し、参考例2に係る方法では、注入した不純物元素の一部が活性化しない。従って、図4cに示すように、半導体層10の内部に、不純物元素が活性化されない不純物含有領域12が形成されてしまう。半導体層10中に活性化されていない不純物元素が残存すると、不純物含有領域12の比抵抗が半導体層10の比抵抗に比べて高くなったり、電流リークの要因になったりする。一方、アモルファス層11から下方の半導体層半導体結晶10に注入された不純物元素を活性化するために、アニール温度を1000°C付近に設定する方法も考えられる。一般に、シリコンSiなどの半導体結晶に注入された直後の不純物元素は、その格子の位置から外れた位置に存在する。このため、1000°C付近の高温アニールによって不純物元素を格子位置に移動させる。これにより、不純物元素がSiと置換して、不純物元素が電気的に活性になる。しかし、1000°C付近の高温アニールは、不純物元素の半導体結晶内での過剰な拡散をもたらし、所望の不純物濃度プロファイルが得られない場合がある。また、イオン注入直後のアモルファス層11直下の半導体層10には、不純物元素を注入した際の損傷あるいは、欠陥が多く発生している場合がある。このような状況で、1000°C付近の高温アニール処理を半導体層10に施すと、不純物元素が損傷の影響で通常よりも速く拡散する増速拡散が起き易くなる。従って、不純物元素が注入される深さは、益々深くなり、所望の不純物濃度プロファイルが得られなくなる。これにより、参考例2では、トランジスタ特性が劣化してしまう。また、半導体層10に印加するバイアス電圧を調整しても、不純物元素が注入される深さが浅くなる場合には、同時にアモルファス層11の厚さが薄くなり、不純物元素が注入される深さが深くなる場合には、同時にアモルファス層11の厚さが厚くなる。従って、バイアス電圧の調整では上述した不具合が解消されない。参考例3半導体層10の表面をアモルファス化する方法として、PAIPreAmorphizationImplantation法がある。この方法は、半導体層10に不純物元素をイオン注入する前に、例えば、Geイオンを半導体層10に注入して半導体層10の表面をアモルファス化する方法である。半導体層10に不純物元素をイオン注入する前に半導体層10の表面をアモルファス化することで、イオン注入のチャネリング効果が抑制される。しかし、この方法では、半導体層10の表面をアモルファス化する工程と、半導体層10の表面に不純物元素を注入する工程と、が別々になってしまい、製造工程の短縮化に限界が生じる。また、チャネリングとは、イオン注入時に不純物元素の進行方向と単結晶の特定の方位が一致することにより、不純物元素がほとんど散乱されずに単結晶中を直進する現象である。従って、所望の位置よりも深く不純物元素が到達する場合がある。これは、接合深さを極浅に制御する場合には不向きである。これに対して、第1実施形態では、半導体層10上に、半導体層10に添加される不純物元素を有する被膜20を一旦形成した後、希ガスを含む第1ガスと、この希ガスよりも原子質量が小さい別の希ガスもしくは水素Hを含む第2ガスと、を有するプラズマ状態の混合ガス30を被膜20に向かって照射する。この際、所望のドーパントイオン以外のイオンが半導体層10中に注入される。例えば、稀釈ガスとして用いた水素H、ヘリウムHeがイオン化したものが半導体層10に注入される。これらの元素が大量に半導体層に注入されることにより、半導体層10の表面にアモルファス層11が形成される。第1実施形態では、不純物濃度プロファイルを混合ガス30中で原子質量が比較的大きいイオンの照射によって制御し、アモルファス層11の厚さdを原子質量が比較的小さいイオンの照射によって制御する。第1実施形態では、アモルファス層11を固相エピタキシャル成長によって単結晶層に転移させる際に、アモルファス層11中に注入された不純物元素を単結晶の格子点に入れる。アニール温度は低温なので、プロセス中に不純物濃度プロファイルがほぼ変わることなく、不純物元素の活性化が進行する。これにより、半導体層10の表面から極浅領域に所望の不純物濃度プロファイルを形成することができる。第1実施形態では、PAI工程を用いずにイオン注入のチャネリング効果を抑制できる。また、PAI工程を省略し、半導体層10への不純物注入と、半導体層10の表面のアモルファス化と、を1工程同時にで進行させることができる。また、第1実施形態では、被膜20の形成と、ノックオンと、を同一の真空処理装置100内で行っている。これにより、製造工程の短縮化が実現する。第1実施形態においては、プラズマ状態の混合ガス30を被膜20に照射する際には、真空処理装置100に投入するプラズマ励起用の電力、プラズマ励起用電力の周波数、半導体層10に印加するバイアス電位、混合ガス30のガス混合比、混合ガス30の圧力雰囲気圧等のパラメータを制御する。例えば、半導体層10に印加するバイアス電位を制御して、アモルファス層11の厚さdを制御する。具体的には、半導体層10に印加するバイアス電位の絶対値をより大きく設定するほど、アモルファス層11の厚さdをより厚くすることができる。また、プラズマ状態の混合ガス30においては、原子質量が比較的小さいガスの割合を増大させることにより、原子質量が比較的小さいガスのイオンの量を相対的に増大させることができる。例えば、原子質量が比較的小さいガスの割合を100に近づけるほど、アモルファス層形成が優先になり、接合深さをアモルファス層11の底面よりも浅くすることができる。逆に、原子質量が比較的小さいガスの割合を0に近づけるほど、不純物注入が優先になり、接合深さをアモルファス層11の底面よりも深くすることができる図4b参照。すなわち、第1実施形態では、混合ガス30のガス混合比を適宜調整して、低温アニール前のアモルファス層11の厚みと、不純物が注入される深さと、を一致させる。なお、被膜20の形成と、ノックオンと、をそれぞれ別の専用の真空処理装置内で行う形態も第1実施形態に含まれる。続いて、第1実施形態をMOSトランジスタの製造に適用した実施形態を説明する。第2実施形態第2実施形態では、一例として、プレーナー平面型のnチャネル形MOSトランジスタの製造工程において、ソースドレイン領域と、低ドープ領域であるエクステンション領域と、をプラズマリコイルインプランテーション式のプラズマドーピングで形成する。図5は、第2実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図であり、aは、半導体層にベース領域及び素子分離層を形成する過程の断面模式図、bは、半導体層上に、ゲート絶縁膜及びポリシリコン膜を形成する過程の断面模式図である。まず、図5aに示すように、n形の半導体基板である半導体層10を準備した後、半導体層10の表面に、イオン注入によって、p形のベース領域10bを選択的に形成する。半導体層10としては、例えば、面方位100のSi単結晶基板を用いる。Si単結晶基板に限らず、Ge、SiGe、SiC、GaAs等の単結晶基板を用いてもよい。あるいは、SOISiliconOnInsulator基板を用いてもよい。p形のベース領域10bについては、半導体層10上にエピタキシャル成長によって形成してもよい。n形については、第1導電形、p形については、第2導電形とする。続いて、STIShallowTrenchIsolationを行うために、半導体層10内に素子分離層50を形成する。例えば、半導体層10に対し、ドライエッチングを用いて素子分離層50用のトレンチを形成した後図示しない、このトレンチに酸化シリコンを埋めて、素子分離層50を形成する。素子分離層50の表面は、必要に応じて、CMPChemicalMechanicalPolishingにより平坦化する。次に、図5bに示すように、ベース領域10b上に、ゲート絶縁膜51を形成する。次いで、ゲート絶縁膜51上に、ポリシリコン膜52fを形成する。ゲート絶縁膜51としては、熱酸化法あるいはプラズマ酸化法を用いた酸化シリコン、酸化シリコン膜を窒素含有ガス中で加熱処理あるいはプラズマ処理した窒化酸化シリコン膜、あるいは高誘電率High-k膜等が挙げられる。ポリシリコン膜52fを形成した後には、閾値電圧Vthの調整のため、イオン注入工程及び加熱処理工程を用いて、ポリシリコン膜52fをn形になるように調整する。図6は、第2実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図であり、aは、ベース領域上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する過程の断面模式図、bは、ゲート電極の側面及び上面、ベース領域の表面に保護膜を形成する過程の断面模式図である。次に、図6aに示すように、ベース領域10b上に、ゲート絶縁膜51を介してゲート電極52を選択的に形成する。例えば、フォトリソグラフィ工程を用いて、ゲート電極を形成するためのマスクパターンをポリシリコン膜52f上に形成した後図示しない、マスクパターンを介してポリシリコン膜52f及びゲート絶縁膜51にドライエッチングを施すことにより、所定のパターンのゲート電極52を形成する。ゲート電極52とベース領域10bとの間には、ゲート絶縁膜51が残る。なお、ゲート電極52の低抵抗化を図るため、ポリシリコン材に代えて金属材を用いてもよい。さらに、ゲート電極52の構造をポリシリコン上に金属を重ねた積層構造にしてもよい。次に、図6bに示すように、ゲート電極52の上面及び側面、ゲート絶縁膜51の側面、及びベース領域10bの表面に、保護膜53を形成する。保護膜53の材質は、例えば、酸化シリコンである。保護膜53の厚みは、1nm程度である。保護膜53は、ゲート電極52の表面、ベース領域10bの表面を酸化することにより形成する。図7は、第2実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図であり、aは、ゲート電極の側面に保護膜を形成する過程の断面模式図、bは、ベース領域上に、不純物元素を含む被膜を形成する過程の断面模式図である。次に、図7aに示すように、ベース領域10bの表面が露出するように、保護膜53を加工する。ゲート電極52の側面には、保護膜53を残す。保護膜53の加工は、選択的にエッチングによる。このエッチングは、薬液を用いたウエットエッチングで行ってもよく、フッ素を含むガス、プラズマを用いたドライエッチングによって行ってもよい。なお、保護膜53の厚みは、1nm程度の極薄なので、ベース領域10b上に保護膜53を残しても、後述するプラズマドーピングを行う上で問題にならない。次に、図7bに示すように、ゲート電極52の両側のベース領域10b上に、n形の不純物元素を有する被膜20A第1被膜を形成する。被膜20Aは、リンP、ヒ素As等を有する。被膜20Aは、プラズマCVD法、スパッタリング法等によって形成される。被膜20Aの膜厚は、目標のドーズ量に応じて適宜調整する。被膜20Aを形成する際には、上述したように、半導体層10にバイアス電位数10Wを印加してもよい。なお、半導体層10中への酸素の混入を避けるため、被膜20Aを形成する直前に真空処理装置100内で、フッ素あるいは水素を含むプラズマを半導体層10に照射して、半導体層10の表面に形成された酸化膜を取り除いてもよい。図8は、第2実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図であり、aは、被膜にプラズマを照射する過程の断面模式図、bは、ベース領域上に、アモルファス層を形成する過程の断面模式図である。次に、図8aに示すように、希ガスを含む第1ガス30aと、第1ガス30aの希ガスよりも原子質量が小さい希ガスもしくは水素Hを含む第2ガス30bと、を有する混合ガス30を真空処理装置100内に導入する。そして、第1希ガス原子を含むプラズマ状態の第1ガス30aと、第1希ガス原子よりも原子質量が小さい第2希ガス原子もしくは水素Hを含むプラズマ状態の第2ガス30bと、を被膜20Aに向かって照射する。第1ガス30a/第2ガス30bは、例えば、Ar/Heである。ArとHeとの流量比は、9:1である。雰囲気圧は、0.5Paである。プラズマ励起のために投入される電力は、2000W~4000Wである。半導体層10には、バイアス電圧が数100V程度印加されるように放電条件を調整する。被膜20Aに含まれる不純物元素が全てベース領域10bに注入されるまで放電を継続する。これにより、図8bに示すように、n形不純物が含有されたアモルファス層11Aがベース領域10bの表面に形成される。アモルファス層11Aの不純物濃度プロファイル、アモルファス層11Aの厚さ、またはアモルファス層11Aの品質は、混合ガス30の組み合わせを、例えば、Ar/Ne、Kr/He、Kr/Ne、Kr/Ar、Xe/He、Xe/Ne、Xe/Ar、Xe/Kr等に変えたり、ガス混合比を適宜に変えたりすることにより、調整可能である。また、上述した被膜20Aに含まれる不純物元素は、全てノックオンによってベース領域10bに注入されたので、この段階では被膜20Aは消滅する。アモルファス層11Aが形成された領域は、もともとベース領域10bであったが、アモルファス層11Aには、ベース領域10b中に含まれるp形不純物の濃度を上回るn形不樹物が注入される。その結果、アモルファス層11Aの導電形は、n形になる。また、アモルファス層11Aの厚さと、n形不純物が注入される深さは、ほぼ同じになる。図9は、第2実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図であり、aは、エクステンション領域を形成する過程の断面模式図、bは、エクステンション領域及びゲート電極を絶縁膜で被覆する過程の断面模式図である。次に、図9aに示すように、半導体層10アモルファス層11Aを加熱する。これにより、ゲート電極52の両側のベース領域10bの表面に、固相エピタキシャル成長によってn形のエクステンション領域10eが形成される。例えば、加熱炉を用いて550°C、30分程度の加熱処理を行う。これにより、エクステンション領域10eでは、1×1020atoms/cm3以上の不純物元素が活性化される。活性化前においては、活性化すべき不純物元素が全てアモルファス層11A中に含まれているので、高い活性化率で活性化が進行する。エクステンション領域10eの厚さは、10nm以下に調整される。第2実施形態では、550°Cの低温アニールによって、アモルファス層11Aに含まれる不純物元素を活性化し、エクステンション領域10eを形成する。このため、ゲート電極52の材質として、1000°C付近の高温アニールでは耐性に乏しい金属材を採用することができる。これにより、半導体装置を製造するうえで、材料の選択の自由度が増す。第2実施形態では、加熱炉を用いず、マイクロ波アニールによって半導体層10アモルファス層11Aを加熱してもよい。例えば、2.45GHzギガヘルツ~25GHzのマイクロ波を用いて、投入電力:10W/cm2~10kW/cm2、半導体層10の温度:200°C~450°Cで、30秒~60分間、半導体層10アモルファス層11Aを加熱する。マイクロ波アニールによれば、半導体層10の一部を局部的に加熱することができる。すなわち、アモルファス層11Aの部分を選択的に加熱することが可能になる。これにより、アモルファス層11A以外の他の部材に、さらに熱ダメージを与え難くなる。マイクロ波アニールによって、アモルファス層11Aの部分を選択的に加熱しても、活性化すべき不純物元素が全てアモルファス層11A中に含まれているので、高い活性化率で活性化が進行する。この場合も、エクステンション領域10eにおいて、1×1020atoms/cm3以上の不純物元素が活性化される。このほか、フラッシュランプアニール、レーザアニール等によって半導体層10アモルファス層11Aを加熱してもよい。エクステンション領域10eを形成した後、図9bに示すように、エクステンション領域10eの表面、ゲート電極52の側面及び上面を絶縁膜55fで被覆する。絶縁膜55fは、CVD、スパッタリング法等により形成する。絶縁膜55fの材質は、酸化シリコンSiO2、窒化シリコンSi3N4等である。図10は、第2実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図であり、aは、ゲート電極の側壁保護膜を形成する過程の断面模式図、bは、ベース領域上に、不純物元素を含む被膜を形成する過程の断面模式図である。次に、絶縁膜55fを異方性エッチングによってエッチバックする。但し、ゲート電極52の側壁には絶縁膜55fを残す。これにより、図10aに示すように、ゲート電極52の側壁に、側壁保護膜55が形成される。次に、図10bに示すように、ゲート電極52の両側のベース領域10b上に、n形の不純物元素を有する被膜20B第2被膜を形成する。被膜20Bは、リンP、ヒ素As等を有する。被膜20Bは、プラズマCVD法、スパッタリング法等によって形成される。続いて、第1希ガス原子を含むプラズマ状態の第1ガス30aと、第1希ガス原子よりも原子質量が小さい第2希ガス原子もしくは水素Hを含むプラズマ状態の第2ガス30bと、を有するプラズマ状態のガスを被膜20Bに向かって照射する。この段階では、被膜20Bの厚みを被膜20Aの厚みよりも厚くする。さらに、この段階での放電電力を、被膜20Aにプラズマを照射した際の放電電力よりも高くする。あるいは、この段階では、半導体層10に印加するバイアス電位の絶対値をより高くする。そして、被膜20Bに含まれる不純物元素が全てベース領域10bに注入されるまで放電を継続する。これにより、ベース領域10bの表面には、アモルファス層11Aよりも厚さの厚いアモルファス層が形成される。図11は、第2実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図であり、aは、アモルファス層を加熱する過程の断面模式図、bは、ベース領域上に、ソースドレイン領域を形成する過程の断面模式図である。図11aに、形成したアモルファス層11Bを示す。アモルファス層11B中の不純物濃度プロファイル、アモルファス層11Bの厚さ、またはアモルファス層11Bの品質は、混合ガス30の組み合わせを、例えば、Ar/Ne、Kr/He、Kr/Ne、Kr/Ar、Xe/He、Xe/Ne、Xe/Ar、Xe/Kr等に変えたり、ガス混合比を適宜に変えたりすることにより、調整可能である。また、被膜20Bに含まれる不純物元素は、全てノックオンによってベース領域10bに注入されたので、上述した被膜20Bは消滅している。この段階では、エクステンション領域10eに含まれるn形不純物濃度を上回るn形不樹物がベース領域10bに注入される。また、アモルファス層11Bの厚さと、n形不純物が注入される深さは、ほぼ同じになる。続いて、半導体層10アモルファス層11Bを加熱して、固相エピタキシャル成長によって、ゲート電極52の両側の一方の側のベース領域10bの表面に、n形のソース領域10sを形成するとともに、ゲート電極52の両側の他方の側のベース領域10bの表面に、ドレイン領域10dを形成する。この状態を、図11bに示す。加熱処理は、上述した加熱炉による加熱、マイクロ波アニール、フラッシュランプアニール、レーザアニール等のいずれかによって行う。また、加熱条件は、上記と同じにしてもよい。そして、ソース領域10s及びドレイン領域10dに含まれるn形不純物濃度は、エクステンション領域10eに含まれるn形不純物濃度よりも高くなるように調整される。ソース領域10sの厚さ及びドレイン領域10dの厚さは、エクステンション領域10eの厚さよりも厚くなるように調整される。この場合においても、活性化前においては、活性化すべき不純物元素が全てアモルファス層11B中に含まれているので、高い活性化率で活性化が進行する。また、550°Cの低温アニールによって、アモルファス層11Bに含まれる不純物元素を活性化するので、ソース領域10s及びドレイン領域10d以外の他の部材に、熱ダメージを与え難くなる。この後、図11bに示すように、ソースドレイン領域10s、10dの表面、及びゲート電極52の表面に、それぞれシリサイド膜56、57、58を形成する。続いて、層間絶縁膜70を形成する、さらに、シリサイド膜56、57、58のそれぞれに、コンタクトプラグ60、61、62を接続する。この後は、多層配線工程に進めてもよい。このような製造過程で、MOSトランジスタを備えた半導体装置200が形成される。なお、ソース領域10s及びドレイン領域10dの形成は、通常のイオン注入で行ってもよい。このように、第2実施形態では、プラズマドーピングを用いて、不純物濃度プロファイルが大きく変化せずに、アモルファス層の厚さを適切な厚さに制御する。第2実施形態では、プラズマ中のイオンを用いたノックオンにおいて、原子質量の異なる、少なくとも2種類の希ガス元素を含むプラズマガスを不純物元素を含む被膜20A、20Bに照射する。原子質量の大きいイオンは、ノックオンに寄与させ不純物元素を半導体層中に注入するとともに、原子質量の小さいイオンは、アモルファス化に寄与させる。原子質量の小さいイオンは、半導体層の深くまで到達する。従って、単独ガスでノックオンを行った場合に比べ、より深くアモルファス層が形成する。また、アモルファス層に含まれる不純物元素は低温アニールでの固相エピタキシャル成長によって活性化させる。これにより、LSI等の半導体装置の生産性、信頼性がさらに向上する。また、図5~図11では、nチャネル形MOSトランジスタの製造過程が示されているが、実施形態では、当然にp形を第1導電形、n形を第2導電形と反転させることにより、pチャネル形MOSトランジスタも形成できる。さらに、実施形態によれば、同じ半導体基板の表面に、n形不純物を含有する単結晶層と、p形不純物を含有する単結晶層と、を形成することができる。この方法を以下に説明する。図12は、第2実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図であり、aは、n形不純物層を半導体層表面に形成する過程の断面模式図、bは、低温アニール後の半導体層の断面模式図である。例えば、図12aに示すように、半導体層15が表面に形成された半導体基板16を準備する。図12、13では、半導体層15および半導体基板16が左右に離れて表示されているが、図中に表示されている半導体層15および半導体基板16は一体である。この半導体基板16の領域90nには、後述するように、n形不純物を含有する単結晶層が形成され、領域90pには、p形不純物を含有する単結晶層が形成される。例えば、n形不純物元素リンP、ヒ素As等を含む被膜20nを領域90nの半導体層15の表面に形成する。被膜20nを形成する前には、領域90pの半導体層15の上に、予めレジストパターン80を形成する。レジストパターン80は、フォトリソグラフィプロセスによって形成される。すなわち、被膜20nは、レジストパターン80から露出された半導体層15に接触している。続いて、上述したように、プラズマ状態の第1ガス30aと、プラズマ状態の第2ガス30bと、を被膜20nに向かって照射する。これにより、半導体層15に接触した被膜20n中の不純物元素は、半導体層15中にノックオンされる。レジストパターン80上に形成された被膜20nの不純物元素については、レジストパターン80中にノックオンされるが、半導体層15にまでは到達しない。次に、レジストパターン80を薬液処理もしくはアッシング処理で除去し、半導体層15に低温アニールを施す。これにより、図12bに示すように、領域90nの半導体層15の表面には、n形不純物を含有する単結晶層半導体層15nが形成される。図13は、第2実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図であり、aは、p形不純物層を半導体層表面に形成する過程の断面模式図、bは、低温アニール後の半導体層の断面模式図である。次に、図13aに示すように、p形不純物元素ホウ素B等を含む被膜20pを領域90pの半導体層15の表面に形成する。被膜20pが形成されていない領域90nの半導体層15の表面は、レジストパターン81で覆われている。レジストパターン81は、フォトリソグラフィプロセスによって形成される。被膜20pは、レジストパターン81から露出された半導体層15に接触している。そして、プラズマ状態の第1ガス30aと、プラズマ状態の第2ガス30bと、を被膜20pに向かって照射する。これにより、半導体層15に接触した被膜20p中の不純物元素は、半導体層15中にノックオンされる。レジストパターン81上に形成された被膜20pの不純物元素については、レジストパターン81中にノックオンされるが、半導体層15にまでは到達しない。次に、レジストパターン81を薬液処理もしくはアッシング処理で除去した後、半導体層15に低温アニールを施す。これにより、図13bに示すように、領域90pの半導体層15の表面には、p形不純物を含有する半導体層15pが形成される。なお、レジストパターン80を除去した後、半導体層15に低温アニールを施す工程と、レジストパターン81を除去した後、半導体層15に低温アニールを施す工程と、を2回に分けるのではなく、領域90pにおける半導体層15と、領域90nにおける半導体層15と、にプラズマドーピングを施した後に、一括で低温アニールを施してもよい。この方法は、CMOSComplementaryMetalOxideSemiconductor形成に転用できる。すなわち、同じ半導体基板16の表面に、nチャネル形MOSトランジスタおよびpチャネル形MOSトランジスタを形成することができる。例えば、図12に示す領域90nの半導体層15がp形ベース領域であれば、図12に示す方法により、p形ベース領域の表面に、n形のソースドレイン領域およびn形のエクステンション領域を形成することができる。これにより、半導体基板16の表面に、nチャネル形のMOSトランジスタを形成することができる。また、図13に示す領域90pの半導体層15がn形ベース領域であれば、図13に示すように、n形ベース領域の表面に、p形のソースドレイン領域およびp形のエクステンション領域を形成することができる。これにより、半導体基板16の表面に、pチャネル形のMOSトランジスタを形成することができる。第3実施形態第1実施形態では、被膜20を形成した後に、プラズマ状態の第1ガス30aとプラズマ状態の第2ガス30bとを同時に被膜20に向かって照射しているが、第3実施形態は、第1ガス30aと第2ガス30bとを同時に被膜20に向かって照射しない実施形態である。まず、図1bに示すように、半導体層10上に、半導体層10に添加される不純物元素を有する被膜20を形成する。第1実施形態では、図2bのように、プラズマ状態の第1ガス30aとプラズマ状態の第2ガス30bとを同時に被膜20に向かって照射しているが、第3実施形態では、被膜20を形成した後に、プラズマ状態の第1ガス30aを被膜20に照射する工程、または、プラズマ状態の第2ガス30bを半導体層10に照射する工程の2つの工程の中、いずれか一方の工程を実施した後、他方の工程を実施する。第3実施形態では、プラズマ状態の第1ガス30aを被膜20に照射した後、プラズマ状態の第2ガス30bを半導体層10に照射する。あるいは、第3実施形態では、プラズマ状態の第2ガス30bを半導体層10に照射した後、プラズマ状態の第1ガス30aを被膜20に照射する。このような実施形態によっても、第1実施形態のように、不純物濃度プロファイルを混合ガス30中で原子質量が比較的大きい第1ガス30aの照射によって制御し、アモルファス層11の厚さdを原子質量が比較的小さい第2ガス30bの照射によって制御できる。従って、不純物元素が注入される深さと、アモルファス層11の厚さdと、を容易に一致させることができる。そして、アモルファス層11を固相エピタキシャル成長によって単結晶層に転移させる際に、アモルファス層11中に注入された不純物元素を単結晶の格子点に入れることができる。アニール温度は低温なので、プロセス中に不純物濃度プロファイルがほぼ変わることなく、不純物元素の活性化が進行する。これにより、半導体層10の表面から極浅領域に所望の不純物濃度プロファイルを形成することができる。以上、具体例を参照しつつ実施形態について説明した。しかし、実施形態はこれらの具体例に限定されるものではない。すなわち、これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、実施形態の特徴を備えている限り、実施形態の範囲に包含される。前述した各具体例が備える各要素及びその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、前述した各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて複合させることができ、これらを組み合わせたものも実施形態の特徴を含む限り実施形態の範囲に包含される。その他、実施形態の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても実施形態の範囲に属するものと了解される。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。