"基板と、前記基板上に形成され、GaNもしくはInxGa1-xN0<x≦1である第1半導体層と、前記第1半導体層上に形成されAlを含む第2半導体層とを含む窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層上に形成された窒素を含む保護膜とを備え、前記窒化物半導体層内に活性領域を有し、前記活性領域の周囲であって不活性処理された領域において、前記第2半導体層が除去された、もしくは、前記第2半導体層とその上の保護膜との間に、GaNもしくはInyGa1-yN0<y≦1である第3半導体層が積層されたことを特徴とする半導体装置。前記第2半導体層を除去することにより、段差部が複数形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記第2半導体層を除去することにより、段差部が形成され、前記段差部における前記窒化物半導体層の上面は、前記活性領域における前記窒化物半導体層の上面よりも低いことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記第2半導体層とその上の保護膜との間に、第3半導体層をさらに積層することにより、段差部が形成され、前記段差部における前記窒化物半導体層の上面は、前記活性領域における前記窒化物半導体層の上面よりも高いことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記不活性処理が、非導電型不純物のイオン注入により行われていることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置。前記第2半導体層の材料は、前記第1半導体層と比べてバンドギャップエネルギーが大きいことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の半導体装置。前記第2半導体層を除去することにより、段差部が形成され、前記段差部において、前記第2半導体層が部分的に除去されることにより、前記窒化物半導体層の最上層は前記第1半導体層となっていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記第2半導体層とその上の保護膜との間に、第3半導体層をさらに積層することにより、段差部が形成され、前記段差部において、前記窒化物半導体層の最上層は前記第3半導体層となっていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記第2半導体層とその上の保護膜との間に、第3半導体層をさらに積層することにより、段差部が複数形成され、前記複数の段差部により、凸部及び凹部が形成され、前記段差部の凸部において、前記第2半導体層上に前記第3半導体層が部分的に積層されることにより、前記窒化物半導体層の最上層は、前記第3半導体層となっており、前記段差部の凹部において、前記第2半導体層が部分的に除去されていることにより、前記窒化物半導体層の最上層は、前記第1半導体層となっていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記第3半導体層は、p型の不純物を含むことを特徴とする請求項8または9に記載の半導体装置。前記保護膜は、SiN、AlN、BCNのいずれかからなることを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載の半導体装置。ところで、上記従来の半導体装置では、AlGaNからなる窒化物半導体層の最上層と保護膜との接触界面の密着性に問題があった。より具体的には、AlGaNがイオン化傾向の大きいAlを含むため、GaN等と比べ表面酸化されやすく、表面酸化されたAlGaN上には、保護膜が密着しにくいという問題があった。そのため、高温、高湿度、高バイアスの条件下で、特に半導体装置の外周部において、AlGaNからなる窒化物半導体層の最上層と保護膜との界面で剥離が発生するおそれがあった。これにより、半導体装置の外周部において、剥離した窒化物半導体層と保護膜との界面から水分が侵入し、電極が腐食したり電極間が短絡したりするという課題があった。本発明は、上記問題の解決を図るべくなされたものであって、半導体装置の外周部において、窒化物半導体層と保護膜との界面から水分が侵入することを抑制できる半導体装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明に係る半導体装置は、基板と、前記基板上に形成され、GaNもしくはInxGa1-xN0<x≦1である第1半導体層と、前記第1半導体層上に形成されAlを含む第2半導体層とを含む窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層上に形成された窒素を含む保護膜とを備え、前記窒化物半導体層内に活性領域を有し、前記活性領域の周囲であって不活性処理された領域において、前記第2半導体層が除去された、もしくは、前記第2半導体層とその上の保護膜との間に、GaNもしくはInyGa1-yN0<y≦1である第3半導体層が積層されたことを特徴とする。さらに、前記第2半導体層を除去することにより、段差部が複数形成されていても良い。さらに、前記第2半導体層を除去することにより、段差部が形成され、前記段差部における前記窒化物半導体層の上面は、前記活性領域における前記窒化物半導体層の上面よりも低くても良い。さらに、前記第2半導体層とその上の保護膜との間に、第3半導体層をさらに積層することにより、段差部が形成され、前記段差部における前記窒化物半導体層の上面は、前記活性領域における前記窒化物半導体層の上面よりも高くても良い。さらに、前記不活性処理が、非導電型不純物のイオン注入により行われても良い。さらに、前記第2半導体層の材料は、前記第1半導体層と比べてバンドギャップエネルギーが大きくても良い。さらに、前記第2半導体層を除去することにより、段差部が形成され、前記段差部において、前記第2半導体層が部分的に除去されることにより、前記窒化物半導体層の最上層は前記第1半導体層となっていても良い。さらに、前記第2半導体層とその上の保護膜との間に、第3半導体層をさらに積層することにより、段差部が形成され、前記段差部において、前記窒化物半導体層の最上層は前記第3半導体層となっていても良い。さらに、前記第2半導体層とその上の保護膜との間に、第3半導体層をさらに積層することにより、段差部が複数形成され、前記複数の段差部により、凸部及び凹部が形成され、前記段差部の凸部において、前記第2半導体層上に前記第3半導体層が部分的に積層されることにより、前記窒化物半導体層の最上層は、前記第3半導体層となっており、前記段差部の凹部において、前記第2半導体層が部分的に除去されていることにより、前記窒化物半導体層の最上層は、前記第1半導体層となっていても良い。さらに、前記第3半導体層は、p型の不純物を含んでも良い。さらに、前記保護膜は、SiN、AlN、BCNのいずれかからなっても良い。本発明に係る半導体装置では、保護膜と、第1半導体層よりも酸化しやすい材料からなる第2半導体層とが直接接触することを回避させている。第2半導体層を除去する場合には、第2半導体層の下にはGaNもしくはInxGa1-xNである第1半導体層が設けられているため、保護膜は、GaNもしくはInxGa1-xNと接することとなる。GaNもしくはInxGa1-xNは、Alを含まないので、その表面は酸化されにくい。そのため、GaNもしくはInxGa1-xNは、その表面が酸化により荒れにくいので、保護膜に対する密着性が問題とならない。一方、第2半導体層上に、GaNもしくはInyGa1-yN0<y≦1である第3半導体層を積層された場合にも、第3半導体層の表面は酸化されにくく、その表面が酸化により荒れにくいので、第3半導体層の保護膜に対する密着性が問題とならない。従って、本発明に係る半導体装置では、半導体装置の外周部において、窒化物半導体層と保護膜との界面から水分が侵入することを抑制できる半導体装置を提供できる。[実施の形態1]1.半導体装置100の構成図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置100を示す上面図である。半導体装置100は、チャネルの存在する活性領域90とチャネルが存在しない不活性領域92とを有する。不活性領域は活性領域の周囲であって不活性処理された領域である。活性領域90内には、櫛型に形成されたソース電極52、ゲート電極56、及びドレイン電極54の各フィンガーが平行に配置されている。ソース電極52、ゲート電極56、及びドレイン電極54を櫛形構造とすることで、単位面積当たりの電極間の対向長を長くすることができ、電流をより効率的に流すことができる。不活性領域92にソースパッド52a、ゲートパッド56a、及びドレインパッド54aが形成されている。さらに、不活性領域92において、活性領域90、ソースパッド52a、ゲートパッド56a、及びドレインパッド54aを囲むように、段差部94が形成されている。図2は、半導体装置100の断面図である。半導体装置100は、例えばSiからなる基板10上に形成されAlNからなるバッファ層20、バッファ層20上に形成されアンドープGaNであるチャネル層30、及びチャネル層30上に形成されAl組成比25のアンドープAlGaNからなるバリア層40を備える。なお、バリア層40を構成するAlGaNは、チャネル層30を構成するGaNよりも酸化しやすく、且つ、バンドギャップエネルギーが大きい。バッファ層20とチャネル層30とバリア層40とにより、窒化物半導体層が構成されている。半導体装置100は、活性領域90において、バリア層40上に形成された、例えばNiからなるゲート電極56と、バリア層40上に形成されTi層及びAl層からなるソース電極52及びドレイン電極54とを備える。ソース電極52及びドレイン電極54は、バリア層40とチャネル層30との界面に形成されるチャネルにオーミック接合する。なお、ここでいうアンドープとは、半導体に不純物が意図的に導入されていないことである。チャネル層30は、GaNに限らず、InxGa1-xN0<x≦1であっても良い。不活性領域92は、例えばBやFeなどをイオン注入することで、チャネルを消滅して形成されたイオン注入層32,42を含む。イオン注入法によって不活性領域92を設けると、活性領域90と不活性領域92との境界部に段差が形成されないため、当該境界部を跨いで形成されるソース電極52、ゲート電極56、及びドレイン電極54が段差により断線しない。その結果、ソース電極52、ゲート電極56、及びドレイン電極54形成時の歩留りが向上する。バリア層40上であってソース電極52、ゲート電極56、及びドレイン電極54の存在しない領域、及びイオン注入層32,42上には、SiNからなる保護膜50,60が形成されている。保護膜50,60は、ソース電極52、ゲート電極56、ドレイン電極54、及び窒化物半導体層を水分の侵入から保護する機能を有する。ソース電極52及びドレイン電極54上における保護膜60内には、配線62,64が埋め込まれている。不活性領域92では、バリア層40を部分的に除去することにより、バリア層40を貫通してチャネル層30に達する段差部94が設けられている。これにより、段差部94において、SiNからなる保護膜50とバリア層40とが直接接触することが回避されており、保護膜50はGaNであるチャネル層30と接触している。上述のように、窒化物半導体層では、チャネル層30上にバリア層40が積層されており、且つ、段差部94において、バリア層40が部分的に除去されることにより、窒化物半導体層の最上層はGaNであるチャネル層30となっている。また、段差部94における窒化物半導体層の上面であるチャネル層30の上面は、活性領域90における窒化物半導体層の上面であるバリア層40の上面よりも低い。なお、バッファ層20の厚さは、例えば、100nmであり、チャネル層30の厚さは、例えば、2μmであり、バリア層40の厚さは、例えば、25nmである。2.窒化物半導体の保護膜50に対する密着性ところで、GaN系などの窒化物半導体は、GaAs系などの化合物半導体と比較して格子定数が小さくバンドギャップが大きい。そのため、GaN系などの窒化物半導体は、GaAs系などの化合物半導体よりも融点が高く非常に安定な材料である。しかしながら、窒化物半導体の中でも、AlGaNはイオン化傾向の大きいAlを含有するため、GaNよりも表面酸化しやすい。仮に、表面酸化され表面が荒れた状態の窒化物半導体上にSiN膜からなる保護膜50を形成した場合、表面酸化していない平坦な窒化物半導体上に形成する場合よりも、窒化物半導体と保護膜50との密着性は低い。GaNではこのような表面酸化が起きにくいため、GaNであるチャネル層30のSiN膜からなる保護膜50に対する密着性は、AlGaNからなるバリア層40よりも高くなる。チャネル層30の材料として、GaN以外にInGaN窒化インジウムガリウムを用いても良い。InはGaよりも酸化され難い金属元素であるため、InGaNは表面酸化し難い窒化物半導体である。したがって、InGaNであるチャネル層30は保護膜50との密着性に優れている。なお、GaNであるチャネル層30とAlGaNからなるバリア層40とは、エピタキシャル成長により形成されるため、同一固体となっている。3.保護膜50について保護膜50は、上述のようにSiN膜が用いられる。これは、活性領域90において、バリア層40の表面準位密度を低減することで、表面順位に起因した電流コラプスを抑制するためである。電流コラプスとは、高いドレイン電圧を印加した直後にゲートをオフ状態からオン状態にすると、ドレイン電圧を印加しない場合と比較して、ドレイン電流が減少しオン抵抗が増大する現象である。電流コラプスが生じると、高いドレイン電圧をかけても所望のドレイン電流を得ることができないおそれがある。なお、窒化物半導体からなるバリア層40の表面準位密度を低減できる保護膜50として、SiN膜以外に、AlN窒化アルミニウム膜あるいはBCNホウ素炭素窒素膜を用いても良い。SiN膜、AlN膜、及びBCN膜はいずれも窒化物絶縁体であり、堆積時に窒化物半導体を酸化することがなく、GaN層あるいはInGaN層との密着性が優れている。4.効果GaNであるチャネル層30は、AlGaNからなるバリア層40と比較して表面酸化されにくい材料であり、且つ、SiNからなる保護膜50との密着性が良好である。そのため、活性領域90、ソースパッド52a、ゲートパッド56a、及びドレインパッド54aを囲むように形成された段差部94において、SiNからなる保護膜50をGaNであるチャネル層30と接触させることにより、半導体装置100の外周部において、保護膜50と窒化物半導体層との密着性を向上できる。これにより、段差部94において、保護膜50と窒化物半導体層との界面が剥離することを抑制し、半導体装置100の外周部から水分が進入することを抑制でき、半導体装置100の信頼性を向上できる。5.半導体装置100の製造方法図3aに示すように、Si基板10の111面上に、AlNからなるバッファ層20と、GaNであるチャネル層30と、AlGaNからなるバリア層40とを順次エピタキシャル成長する。エピタキシャル成長には、有機金属気相成長法MOCVD:MetalOrganicChemicalVaporDepositionを用いれば良い。なお、基板10の材料は、その上に窒化物半導体層を形成できる材料であれば良く、サファイアまたはSiC等でも良い。図3bに示すように、チャネル層30内のチャネルとする部分以外に、例えば、BやFeなどのイオン注入を行うことでチャネルを消滅させ、イオン注入層32,42を形成する。イオン注入層42,44を含む領域を不活性領域92とする。図3cに示すように、不活性領域92におけるイオン注入層32,42の一部を、例えば、塩素ガスを用いたICPInductive-CoupledPlasmaエッチング等のドライエッチングにより除去し、チャネル層30を露出させる。このドライエッチング工程は、図3bに示したイオン注入による不活性領域92形成工程の前に実施してもよい。次に、図3dに示すように、活性領域90におけるバリア層40上に、Ti層とAl層とを形成し、窒素雰囲気において650°Cの熱処理を行い、ソース電極52及びドレイン電極54を形成する。続いて、ソース電極52とドレイン電極54との間におけるバリア層40上に、Niからなるゲート電極56を形成する。図3eに示すように、ソース電極52及びドレイン電極54上の保護膜50を、ドライエッチングにより開口し、配線62,64を形成する。続いて、保護膜50及び配線62,64を覆うように、例えばSiN膜からなる保護膜60を形成し、電極パッド上の保護膜60をドライエッチングにより開口する。なお、チャネル層30を露出させるドライエッチングは半導体装置100周辺部のみに実施するのではなく、ソース電極52及びドレイン電極54直下を同時にエッチングしても良い。これにより、所謂オーミックリセス構造が同時に形成され、チャネル層30とバリア層40との界面に形成されるチャネルに対して、オーミックリセスの側壁から直接ソース電極52及びドレイン電極54が接触する。その結果、工程を追加することなく電極のチャネルに対する接触抵抗を低減できる。6.変形例6-1半導体装置200の構成本発明の第1の実施形態の第1の変形例に係る半導体装置の上面図を図4に、断面図を図5に示す。半導体装置200は、AlN膜からなり窒化物半導体と接触している保護膜250を備える。また、半導体装置200では、段差部94内の領域296において、保護膜250が部分的に除去されている。ここで、AlN膜からなる保護膜250は、イオン化傾向の大きいAlを含むため酸化し易い。そのため、半導体装置200の外周部において、保護膜250が表面酸化しAlN膜と窒化物半導体との間の界面が剥離して水分が侵入することを抑制する必要がある。そのため、段差部94において、AlN膜からなる保護膜250を除去し、保護膜250を除去した外周部をSiN膜からなる保護膜260で覆っている。6-2半導体装置200の効果領域296において、表面酸化され易いAlNからなる保護膜250を部分的に除去することにより、半導体装置200の外周部は、表面酸化され難い保護膜260と窒化物半導体とを接触させた領域で、取り囲まれている。これにより、表面酸化され易いAlNからなる保護膜250を用いた場合でも、保護膜250の酸化による窒化物半導体との密着性低下を抑制し、保護膜250と窒化物半導体層との界面からの水分侵入を抑制できる。6-3半導体装置300の構成本発明の第1の実施形態の第2の変形例に係る半導体装置の上面図を図6に、断面図を図7に示す。半導体装置300は、バリア層40上に、Niからなるアノード電極352と、Ti層及びAl層からなるカソード電極354とが形成されたダイオードである。半導体装置300においても、不活性領域92は、例えば、BやFeなどをイオン注入することで、チャネルを消滅して形成されたイオン注入層32,42を含む領域である。不活性領域92において、バリア層40を除去することにより、段差部94が設けられている。段差部94において、保護膜50はチャネル層30と接触している。6-4半導体装置300の効果保護膜50をチャネル層30と接触させることにより、保護膜50とバリア層40とを接触させるときよりも、半導体装置300周辺部における保護膜50と窒化物半導体との密着性を向上できる。これにより、特に半導体装置300の外周部における、保護膜50と窒化物半導体との界面からの水分進入を抑制できる。[実施の形態2]1.半導体装置400の構成図8は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置400の断面図である。下記以外の構成は、半導体装置100と同じなので説明を省略する。図8に示すように、イオン注入層42上にバリア層40よりも酸化しにくい半導体層であるイオン注入層452が形成され、バリア層40とゲート電極56との間にp型GaN層456が積層されている。これにより、段差部494が形成され、段差部494において、保護膜50とバリア層40とが直接接触することが回避されている。イオン注入層452及びp型GaN層456は、厚さ100nmのp型GaNである。なお、イオン注入層452及びp型GaN層456の材料はGaNもしくはInyGa1-yN0<y≦1であれば良い。より具体的には、段差部494において、バリア層40上にGaN膜であるp型GaN層456が部分的に積層されることにより、窒化物半導体層の最上層はGaN膜であるp型GaN層456となっている。また、段差部494における窒化物半導体層の上面は、活性領域90における窒化物半導体層の上面よりも高い。2.効果半導体装置100のように、段差部94におけるAlGaN層40を部分的に除去しなくても、半導体装置400では、保護膜50と窒化物半導体層との密着性を向上できる。そして、ゲート電極56の下のp型GaN層456と同時に段差部494を形成することにより、段差部494形成のための工程を削減することができる。また、ゲート電極56の下にp型GaN層456を形成することにより、ゲート電極56直下のチャネルを選択的に減少させることができる。そのため、ノーマリオフ特性を得ることができる。さらに、ゲートにショットキー接合よりもエネルギー障壁の高いpn接合が形成されるため、ゲートリーク電流を低減できる。3.半導体装置400の製造方法まず、図9aに示すように、Si基板10の111面上に、AlNからなるバッファ層、GaNであるチャネル層30と、AlGaNからなるバリア層40と、p型GaN層450aとを、順次エピタキシャル成長する。図9bに示すように、チャネル層30内のチャネルとする部分以外に、例えば、BやFeなどのイオン注入を行い、チャネルを消滅させ、イオン注入層32,42,452を形成し、イオン注入層42,44,452を含む領域を不活性領域92とする。図9cに示すように、ICPエッチング等のドライエッチングにより、p型GaN層450aを選択的に除去する。このとき、例えば、塩素ガスに酸素ガスを添加した選択ドライエッチングを用い、バリア層40のエッチング速度をチャネル層30よりも小さくすることが望ましい。このドライエッチング工程は、イオン注入による不活性領域92形成工程の前に実施してもよい。次に、図9dに示すように、ソース電極52及びドレイン電極54を形成後、p型GaN層356上に、例えば、Pdからなるゲート電極56を形成する。その後、プラズマCVD法によりSiNからなる保護膜50を形成する。図9eに示すように、ソース電極52及びドレイン電極54上の保護膜50をドライエッチングにより開口し、配線62,64を形成する。続いて、例えばSiNからなる保護膜60を形成し、電極パッド上の保護膜60をドライエッチングにより開口する。[実施の形態3]1.半導体装置500の構成本発明の第3の実施形態に係る半導体装置500の上面図を図10に、断面図を図11に示す。下記以外の構成は、半導体装置100と同じなので説明を省略する。半導体装置500では、バリア層40と保護膜50との間にp型GaN層が積層されたことにより、活性領域90、ソースパッド52a、ドレインパッド54a、及びゲートパッド56aを囲むように、段差部594が複数形成されている。段差部594は、図10に示すように、p型GaN層552を選択的に残す領域と、p型GaN層552及びバリア層40を除去してチャネル層30を露出させる領域とを、繰り返した構造となっている。より具体的には、複数の段差部594により、凸部及び凹部が形成され、窒化物半導体層は、GaN膜を2つ含み、窒化物半導体層では、チャネル層30上にバリア層40が積層されている。そのため、凸部において、バリア層40上にGaN膜であるp型GaN層552が部分的に積層されることにより、窒化物半導体層の最上層は、p型GaN層552となっており、凹部において、バリア層40が部分的に除去されたことにより、窒化物半導体層の最上層は、チャネル層30となっている。2.効果保護膜50との密着性の良好なGaNであるチャネル層30表面を露出させるとともに、段差部494を複数設けることにより、半導体装置500周辺部における保護膜50と窒化物半導体層との表面積を増加することができる。そのため、保護膜50と窒化物半導体層との界面からの水分進入を防止することができる。また、p型GaN層552が残された領域間で形成された段差部594は、保護膜50が特に剥離し難い構造となっているため、高温、高湿度、高バイアスの状況下であっても、保護膜50の剥離を抑制し、水分の進入を抑制できる。[変形例]1.バリア層の材料について実施の形態等では、バリア層としてAlGaN膜を用いたが、これに限らない。バリア層は、例えばInAlGaNのような、GaNもしくはInxGa1-xN0<x≦1である半導体層と接するとチャネルを生じる材料であって、且つ、イオン化傾向が大きい原子を含み表面酸化されやすいものであれば、本発明の効果が得られる。2.実施の形態2について実施の形態2では、GaNもしくはInyGa1-yN0<y≦1であるp型GaN層と段差部とを同時に形成したが、これに限らず、別々に形成してもよい。別々に形成する場合、例えば、ゲートの下にp型InGaN層を形成し、段差部におけるバリア層上にGaN層を形成するなど、異なる材料で形成しても良い。3.その他本発明に係る半導体装置の構成などは、上記実施の形態及び変形例に係る半導体装置の構成に限定されるものではなく、本発明の効果を奏する範囲において、種々の変形および応用が可能である。そして、技術的思想を逸脱しない範囲において、上述の各工程で使用したプロセスを他の等価なプロセスに置換することが可能である。また、工程順を入れ替えることも、材料種を変更することも可能である。"