"基板を処理する処理室と、前記処理室内に収容され、複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持する基板保持体と、前記処理室内で前記基板保持体を下方側から支持する断熱部と、前記処理室内で前記基板の収容領域を囲うように設けられる加熱部と、少なくとも前記処理室内の前記断熱部の収容領域に所定のガスを供給するガス供給系と、を備えることを特徴とする基板処理装置。基板を処理する処理室と、前記処理室内に収容され、複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持する基板保持体と、前記処理室内で前記基板保持体を下方側から支持する断熱部と、前記処理室内で前記基板の収容領域を囲うように設けられる加熱部と、前記処理室内の前記基板の収容領域に少なくとも成膜ガスを供給する第1ガス供給部と、前記処理室内の前記断熱部の収容領域に少なくとも冷却ガスを供給する第2ガス供給部と、少なくとも前記加熱部、前記第1ガス供給部及び前記第2ガス供給部を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記加熱部による加熱を開始させて前記基板を所定温度に昇温させ、前記第1ガス供給部による成膜ガスの供給を開始させて前記基板上に所定の薄膜を形成させた後、前記加熱部による加熱及び前記第1ガス供給部からの成膜ガスの供給をそれぞれ停止させ、前記第2ガス供給部による冷却ガスの供給を開始させて前記基板を降温させることを特徴とする基板処理装置。基板を処理する処理室と、前記処理室内に収容され、複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持する基板保持体と、前記処理室内で前記基板保持体を下方側から支持する断熱部と、前記処理室内で前記基板の収容領域を囲うように設けられる加熱部と、前記処理室内の前記基板の収容領域に成膜ガスを供給する第1ガス供給部と、前記処理室内の前記断熱部の収容領域に少なくとも成膜阻害ガスを供給する第2ガス供給部と、少なくとも前記加熱部、前記第1ガス供給部及び前記第2ガス供給部を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記加熱部による加熱を開始させて前記基板を所定温度に昇温させ、前記第1ガス供給部による成膜ガスの供給を開始させて前記基板上に所定の薄膜を形成させる際、前記第2ガス供給部により成膜阻害ガスを供給することを特徴とする基板処理装置。複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持する基板保持体を処理室内に収容する工程と、前記処理室内で前記基板の収容領域を囲うように設けられる加熱部による加熱を開始して前記基板を所定温度に昇温させ、前記処理室内の前記基板の収容領域への第1ガス供給部による成膜ガスの供給を開始して前記基板上に所定の薄膜を形成する工程と、前記加熱部による加熱及び前記第1ガス供給部による成膜ガスの供給をそれぞれ停止させ、前記処理室内の前記断熱部の収容領域への第2ガス供給部による冷却ガスの供給を開始して前記基板を降温させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持する基板保持体を処理室内に収容する工程と、前記処理室内で前記基板の収容領域を囲うように設けられる加熱部による加熱を開始して前記基板を所定温度に昇温させ、前記処理室内の前記基板の収容領域への第1ガス供給部による成膜ガスの供給を開始して前記基板上に所定の薄膜を形成する工程と、を有し、前記薄膜を形成する工程では、前記処理室内の前記断熱部の収容領域への第2ガス供給部により成膜阻害ガスを供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。成膜後の基板は、例えば500°C程度にまで降温させてから処理室外へと搬出する。このとき、成膜後の基板に低温の冷却ガスを流すことで、基板の降温を促進させることができる。しかしながら、発明者等の鋭意研究によれば、基板保持体の下方に断熱部を設けると、基板の放熱が阻害されてしまい、基板処理の生産性スループットが低下してしまう場合があることが分かった。降温促進のために供給された冷却ガスは基板に接触することで高温となるが、係る高温のガスが断熱部側に流れ込むことで断熱部の温度を上昇させてしまう。これにより、断熱部を介した基板の放熱が阻害されてしまい、降温の所要時間が増大し、基板処理の生産性が低下してしまうのである。また、発明者等の鋭意研究によれば、基板保持体の下方に断熱部を設けると、処理室内における異物パーティクルの発生量が増加し、基板処理の品質を低下させてしまう場合があることが分かった。成膜中の断熱体の温度は基板温度よりも比較的低温であるため、断熱部の表面には、断熱部側に流れ込んだ成膜ガスや反応生成物等が吸着しやすくなる。そして、断熱部表面に堆積した吸着物が剥がれることで、処理室内にパーティクルを発生させ、基板処理の品質を低下させてしまうのである。そこで本発明の一つの目的は、基板を降温させる際の放熱を促進させ、基板処理の生産性を向上させることが可能な基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、成膜時における処理室内での異物の発生を抑制し、基板処理の品質を向上させることが可能な基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。本発明の一態様によれば、基板を処理する処理室と、前記処理室内に収容され、複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持する基板保持体と、前記処理室内で前記基板保持体を下方側から支持する断熱部と、前記処理室内で前記基板の収容領域を囲うように設けられる加熱部と、少なくとも前記処理室内の前記断熱部の収容領域に所定のガスを供給するガス供給系と、を備える基板処理装置が提供される。本発明の他の態様によれば、基板を処理する処理室と、前記処理室内に収容され、複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持する基板保持体と、前記処理室内で前記基板保持体を下方側から支持する断熱部と、前記処理室内で前記基板の収容領域を囲うように設けられる加熱部と、前記処理室内の前記基板の収容領域に少なくとも成膜ガスを供給する第1ガス供給部と、前記処理室内の前記断熱部の収容領域に少なくとも冷却ガスを供給する第2ガス供給部と、少なくとも前記加熱部、前記第1ガス供給部及び前記第2ガス供給部を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記加熱部による加熱を開始させて前記基板を所定温度に昇温させ、前記第1ガス供給部による成膜ガスの供給を開始させて前記基板上に所定の薄膜を形成させた後、前記加熱部による加熱及び前記第1ガス供給部からの成膜ガスの供給をそれぞれ停止させ、前記第2ガス供給部による冷却ガスの供給を開始させて前記基板を降温させる基板処理装置が提供される。本発明の更に他の態様によれば、基板を処理する処理室と、前記処理室内に収容され、複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持する基板保持体と、前記処理室内で前記基板保持体を下方側から支持する断熱部と、前記処理室内で前記基板の収容領域を囲うように設けられる加熱部と、前記処理室内の前記基板の収容領域に成膜ガスを供給する第1ガス供給部と、前記処理室内の前記断熱部の収容領域に少なくとも成膜阻害ガスを供給する第2ガス供給部と、少なくとも前記加熱部、前記第1ガス供給部及び前記第2ガス供給部を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記加熱部による加熱を開始させて前記基板を所定温度に昇温させ、前記第1ガス供給部による成膜ガスの供給を開始させて前記基板上に所定の薄膜を形成させる際、前記第2ガス供給部により成膜阻害ガスを供給する基板処理装置が提供される。本発明の他の態様によれば、複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持する基板保持体を処理室内に収容する工程と、前記処理室内で前記基板の収容領域を囲うように設けられる加熱部による加熱を開始して前記基板を所定温度に昇温させ、前記処理室内の前記基板の収容領域への第1ガス供給部による成膜ガスの供給を開始して前記基板上に所定の薄膜を形成する工程と、前記加熱部による加熱及び前記第1ガス供給部による成膜ガスの供給をそれぞれ停止させ、前記処理室内の前記断熱部の収容領域への第2ガス供給部による冷却ガスの供給を開始して前記基板を降温させる工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。本発明の更に他の態様によれば、複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持する基板保持体を処理室内に収容する工程と、前記処理室内で前記基板の収容領域を囲うように設けられる加熱部による加熱を開始して前記基板を所定温度に昇温させ、前記処理室内の前記基板の収容領域への第1ガス供給部による成膜ガスの供給を開始して前記基板上に所定の薄膜を形成する工程と、を有し、前記薄膜を形成する工程では、前記処理室内の前記断熱部の収容領域への第2ガス供給部により成膜阻害ガスを供給する半導体装置の製造方法が提供される。本発明に係る基板処理装置及び半導体装置の製造方法によれば、基板を降温させる際の放熱を促進させて基板処理の生産性を向上させたり、成膜時における処理室内での異物の発生を抑制して基板処理の品質を向上させたりすることが可能となる。<本発明の第1の実施形態>以下に、本発明の第1の実施形態について説明する。1基板処理装置の構成まず、本実施形態に係る基板処理装置10の構成について、図1~図5を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る基板処理装置10の斜視図である。図2は、本実施形態態に係る処理炉40の側面断面図である。図3は、本実施形態に係る処理炉40の上面断面図である。図4は、本実施形態に係るコントローラ152のブロック構成図である。図5は、本実施形態に係る処理炉40及びその周辺構造の略図である。<全体構成>図1に示すように、基板処理装置10は、バッチ式縦型熱処理装置として構成されている。基板処理装置10は、内部に処理炉40などの主要部が設けられる筐体12を備えている。筐体12内への基板搬送容器ウエハキャリアとしては、ポッド16が用いられる。ポッド16内には、Si又はSiC等により構成された基板としてのウエハ14が、例えば25枚収納されるように構成されている。筐体12の正面側には、ポッドステージ18が配置されている。ポッド16は、蓋が閉められた状態でポッドステージ18上に載置されるように構成されている。筐体12内の正面側図1の右側であってポッドステージ18に対向する位置には、ポッド搬送装置20が設けられている。ポッド搬送装置20の近傍には、ポッド載置棚22、ポッドオープナ24及びウエハ枚数検出器26が設けられている。ポッド載置棚22は、ポッドオープナ24の上方に配置され、ポッド16を複数個載置した状態で保持するように構成されている。ウエハ枚数検出器26は、ポッドオープナ24に隣接して設けられる。ポッド搬送装置20は、ポッドステージ18とポッド載置棚22とポッドオープナ24との間でポッド16を搬送するように構成されている。ポッドオープナ24は、ポッド16の蓋を開けるように構成されている。ウエハ枚数検出器26は、蓋を開けられたポッド16内のウエハ14の枚数を検知するように構成されている。筐体12内には、ウエハ移載機28、基板保持体としてのボート30が設けられている。ウエハ移載機28は、アームツィーザ32を有している。そして、図示しない駆動手段により、アーム32の上下回転動作が可能な構造になっている。アーム32は、例えば5枚のウエハを同時に取り出すことができるように構成されている。アーム32を動かすことにより、ポッドオープナ24の位置に置かれたポッド16とボート30との間にて、ウエハ14が搬送されるように構成されている。ボート30は、例えばカーボングラファイトやSiC等の耐熱性材料により構成されている。ボート30は、複数枚のウエハ14を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて縦方向に積み上げて保持するように構成されている。ボート30の下部には、ボート30を下方側から支持する断熱部としてのボート断熱部34が設けられている図2参照。ボート断熱部34は、例えば石英SiO2や炭化珪素SiC等の耐熱性材料等により、例えば中空の円筒形状に構成されている。ボート断熱部34は、加熱されたボート30ウエハ14からの熱を処理炉40の下方側に伝え難くする断熱機構として機能する。なお、ボート断熱部34が備える中空領域内には、所定の冷却ガス熱交換ガスとして例えばN2ガスやArガス等の不活性ガスが供給されるように構成されていてもよい。なお、ボート断熱部34は、上述の形態に限らず、例えばSiO2やSiC等からなる中空の円筒部材が多段に積層されるように構成されていてもよく、また、SiO2やSiC等からなる円盤状の断熱板が垂直方向に多段に積層されるように構成されていてもよい。筐体12内の背面側上部には、処理炉40が設けられている。処理炉40内には、複数枚のウエハ14を装填したボート30が下方から搬入されるように構成されている。処理炉40の下方には、ボート30を収容して待機させる予備室としてのロードロック室110が設けられている図5参照。なお、処理炉40の開口部炉口は、炉口シャッタ219a図6参照により開閉されるよう構成されている。<処理炉の構成>図2及び図3は、ウエハ14上にSiC膜を成膜する処理炉40の側面断面図及び上面断面図である。反応容器図2及び図3に示すように、処理炉40は反応管42を備えている。反応管42は、石英または炭化珪素等の耐熱材料により構成されている。反応管42は、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管42内の筒中空部には、反応室である処理室44が形成されている。処理室44は、ボート30によって水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態でウエハ14を整列させて縦方向に積み上げて保持した状態で収納可能に構成されている。反応管42の下方には、反応管42と同心円状にマニホールド43が設けられている。マニホールド43は、例えばステンレスSUS等により構成されている。マニホールド43は、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド43は、反応管42を下方から支持するように設けられている。マニホールド43と反応管42との間には、シール部材としてのOリングが設けられている。マニホールド43が図示しない保持体に支持されることにより、反応管42は垂直に据えつけられた状態になっている。主に、反応管42とマニホールド43とにより反応容器が形成されている。加熱部処理炉40は、誘導加熱により加熱される被誘導加熱体48と、誘導加熱部磁場発生部としての誘導コイル50と、を備えている。被誘導加熱体48は、例えばカーボン等の導電性耐熱材料で構成されており、処理室44内に収容されたボート30を囲うように、すなわちウエハ14の収容領域を囲うように設けられている。被誘導加熱体48は、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。誘導コイル50は、絶縁耐熱材料により構成されたコイル支持体50aにより支持され、反応管42の外周を囲うように設けられている。誘導コイル50には、図示しない交流電源から、例えば10~100kHz、10~200kWの交流電力が供給されるように構成されている。誘導コイル50に交流電流を流すことで発生する交流磁場により、被誘導加熱体48に誘導電流渦電流が流れ、ジュール熱により被誘導加熱体48が発熱するように構成されている。被誘導加熱体48が発熱することで、被誘導加熱体48から発せられる輻射熱により、ボート30に保持されたウエハ14や処理室44内が、所定の成膜温度、例えば1500°C~1800°Cの温度に加熱されるように構成されている。被誘導加熱体48の近傍には、処理室44内の温度を検出する図示しない温度センサが設けられている。誘導コイル50及び温度センサには、後述する温度制御部52図4参照が電気的に接続されている。温度制御部52は、温度センサにより検出された温度情報に基づき誘導コイル50への通電具合を調節することにより、処理室44内の温度が所定のタイミングにて所定の温度分布となるよう制御する。主に、被誘導加熱体48、誘導コイル50、コイル支持体50a、図示しない交流電源、図示しない温度センサ、及び断熱体54により、本実施形態に係る加熱部が構成されている。なお、被誘導加熱体48と反応管42との間には、断熱体54が設けられている。断熱体54は、例えば誘導加熱され難い材料であるカーボンフェルト等により構成されている。断熱体54は、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。断熱体54を設けることにより、被誘導加熱体48の熱が反応管42あるいは反応管42の外側へ伝達するのを抑制することができる。また、誘導加熱部としての誘導コイル50の外側には、誘導コイル50の外側を囲うように遮蔽板100が設けられている。遮蔽板100の外側には、遮蔽板100を囲うように筐体12が設けられている。遮蔽板100は、例えばCu銅等の導電性材料により構成されている。遮蔽板100が設けられることで、誘導コイル50に交流電流を流した際に、筐体12が備える導電性部材に誘導電流が流れてしまうことを抑制することができる。第1ガス供給部マニホールド43の側壁には、成膜ガスとしてのシリコン含有ガス、第1冷却ガス、第3冷却ガス及びパージガスをウエハ14の収容領域に供給するノズル60と、成膜ガスとしての炭素含有ガス、第1冷却ガス、第3冷却ガス及びパージガスをウエハ14の収容領域に供給するノズル70と、が設けられている。シリコン含有ガスとしては例えばシランSiH4ガスを、炭素含有ガスとしては例えばプロパンC3H8ガスを、第1冷却ガスとしては例えば水素H2ガスを、第3冷却ガス及びパージガスとしては例えばアルゴンArガス等の希ガスや窒素N2ガス等を用いることができる。ノズル60,70は、それぞれ例えばカーボングラファイトにより棒状に構成されている。ノズル60,70の下流側は、被誘導加熱体48とボート30の搬入予定領域との間にそれぞれ配設されている。ノズル60の下流側の側部には、積層されたウエハ14間ウエハ14の収容領域の側方から水平方向にガスを供給するガス供給口60aが複数開設されている。なお、ノズル60は、ウエハ14の収容領域にガスを供給するが、ウエハ14の収容領域よりも下方側のボート断熱部34にはガスを直接供給しないように構成されている。ノズル60の上流端には、ガス供給管260の下流端が接続されている。ガス供給管260の上流側には、SiH4ガス供給管261の下流端、H2ガス供給管262の下流端、及びArガス供給管263の下流端がそれぞれ接続されている。SiH4ガス供給管261には、上流側から順に、SiH4ガス供給源261a、流量制御器流量制御手段としてのマスフローコントローラ261b、バルブ261cが設けられている。H2ガス供給管262には、上流側から順に、H2ガス供給源262a、流量制御器流量制御手段としてのマスフローコントローラ262b、バルブ262cが設けられている。Arガス供給管263には、上流側から順に、Arガス供給源263a、流量制御器流量制御手段としてのマスフローコントローラ263b、バルブ263cが設けられている。ノズル70の下流側の側部には、積層されたウエハ14間ウエハ14の収容領域の側方から水平方向にガスを供給するガス供給口70aが複数開設されている。なお、ノズル70は、ウエハ14の収容領域にガスを供給するが、ウエハ14の収容領域よりも下方側のボート断熱部34にはガスを直接供給しないように構成されている。ノズル70の上流端には、ガス供給管270の下流端が接続されている。ガス供給管270の上流側には、C3H8ガス供給管271の下流端、H2ガス供給管272の下流端、及びArガス供給管273の下流端がそれぞれ接続されている。C3H8ガス供給管271には、上流側から順に、C3H8ガス供給源271a、流量制御器流量制御手段としてのマスフローコントローラ271b、バルブ271cが設けられている。H2ガス供給管272には、上流側から順に、H2ガス供給源272a、流量制御器流量制御手段としてのマスフローコントローラ272b、バルブ272cが設けられている。Arガス供給管273には、上流側から順に、Arガス供給源273a、流量制御器流量制御手段としてのマスフローコントローラ273b、バルブ273cが設けられている。バルブ261c,262c,263c,271c,272c,273c、マスフローコントローラ261b,262b,263b,271b,272b,273bは、後述するガス流量制御部78図4参照に電気的に接続されている。ガス流量制御部78は、処理室44内に供給されるガスの流量が、それぞれ所定のタイミングで所定の流量となるように、バルブ261c,262c,263c,271c,272c,273c、マスフローコントローラ261b,262b,263b,271b,272b,273bをそれぞれ制御するように構成されている。主に、ノズル60,70、ガス供給口60a,70a、ガス供給管260,270、SiH4ガス供給管261、C3H8ガス供給管271、H2ガス供給管262,272、Arガス供給管263,273、バルブ261c,262c,263c,271c,272c,273c、マスフローコントローラ261b,262b,263b,271b,272b,273b、SiH4ガス供給源261a、C3H8ガス供給源271a、H2ガス供給源262a,272a、及びArガス供給源263a,273aにより、本実施形態に係る第1ガス供給部が構成されている。また、主にノズル60,70により、本実施形態に係る第1ノズルが構成されている。第2ガス供給部マニホールド43の側壁には、ボート断熱部34の収納領域に成膜阻害ガス、第2冷却ガス、第4冷却ガス及びパージガスを供給する第2ノズルとしてのノズル90が少なくとも1本設けられている。成膜阻害ガスとしては例えば塩素含有ガスである塩化水素HClガスを、第2冷却ガスとしては水素H2ガスを、第4冷却ガス及びパージガスとしては例えばアルゴンArガス等の希ガスや窒素N2ガス等を用いることができる。ノズル90は、例えばカーボングラファイトにより棒状に構成されている。ノズル90の下流側は、被誘導加熱体48とボート断熱部34の搬入予定領域との間に配設されている。なお、ノズル90は、1本に限らず複数本設けてもよい。この場合、複数のノズル90は、ボート断熱部34の側壁周方向に沿って所定の間隔を空けて設けることが好ましい。ノズル90の下流側の側部には、ボート断熱部34の側方から水平方向にガスを供給するガス供給口90aが複数開設されている。すなわちノズル90は、ボート断熱部34にガスを供給するが、ボート断熱部34より上方のウエハ14の収容領域にはガスを直接供給しないように構成されている。ノズル90の上流端には、ガス供給管290の下流端が接続されている。ガス供給管290の上流側には、HClガス供給管291の下流端、H2ガス供給管292の下流端、及びArガス供給管293の下流端がそれぞれ接続されている。HClガス供給管291には、上流側から順に、HClガス供給源291a、流量制御器流量制御手段としてのマスフローコントローラ291b、バルブ291cが設けられている。H2ガス供給管292には、上流側から順に、H2ガス供給源292a、流量制御器流量制御手段としてのマスフローコントローラ292b、バルブ291cが設けられている。Arガス供給管293には、上流側から順に、Arガス供給源293a、流量制御器流量制御手段としてのマスフローコントローラ293b、バルブ293cが設けられている。バルブ291c,292c,293c、マスフローコントローラ291b,292b,293bは、後述するガス流量制御部78図4参照に電気的に接続されている。ガス流量制御部78は、処理室44内に供給されるガスの流量が、それぞれ所定のタイミングで所定の流量となるように、バルブ291c,292c,293c、マスフローコントローラ291b,292b,293bをそれぞれ制御するように構成されている。主に、ノズル90、ガス供給口90a、ガス供給管290、HClガス供給管291、H2ガス供給管292、Arガス供給管293、バルブ291c,292c,293c、マスフローコントローラ291b,292b,293b、HClガス供給源291a、H2ガス供給源292a、及びArガス供給源293aにより、本実施形態に係る第2ガス供給部が構成されている。パージガス供給部マニホールド43の側壁には、反応管42と断熱体54との間にパージガスを供給するノズル80が設けられている。パージガスとしては、例えばアルゴンArガス等の希ガスや窒素N2ガス等を用いることができる。ノズル80は、例えばカーボングラファイトにより棒状に構成されている。ノズル80の下流側は、反応管42と断熱体54との間に配設されている。ノズル80の下流端には、ガス供給口80aが少なくとも1つ開設されている。ノズル80の上流端には、ガス供給管280の下流端が接続されている。ガス供給管280には、上流側から順に、Arガス供給源281a、流量制御器流量制御手段としてのマスフローコントローラ281b、バルブ281cが設けられている。バルブ280c、マスフローコントローラ280bは、後述するガス流量制御部78図4参照に電気的に接続されている。ガス流量制御部78は、処理室44内に供給されるガスの流量が、所定のタイミングで所定の流量となるように、バルブ280c、マスフローコントローラ280bを制御するように構成されている。主に、ノズル80、ガス供給口80a、ガス供給管280、バルブ280c、マスフローコントローラ280b、及びArガス供給源280aにより、本実施形態に係るパージガス供給部が構成されている。排気系マニホールド43の側壁下側には、処理室44内の雰囲気を排気する排気管230の上流端が接続されている。排気管230には、上流側から順に、図示しない圧力センサ、圧力調整装置としてのAPCAutoPressureControllerバルブ214、真空ポンプ220が設けられている。図示しない圧力センサ、APCバルブ214、及び真空ポンプ220は、後述する圧力制御部98図4参照に電気的に接続されている。圧力制御部98は、圧力センサで測定された圧力情報に基づきAPCバルブ214の開度をフィードバック制御することで、処理室44内の圧力が所定のタイミングで所定の圧力となるよう制御する。主に、排気管230、図示しない圧力センサ、APCバルブ214、及び真空ポンプ220により、本実施形態に係る排気系が構成されている。上述のように構成されることで、第1ガス供給部から供給された成膜ガスシリコン含有ガス、炭素含有ガス、第1冷却ガス、及び第3冷却ガスは、それぞれ、ウエハ14の表面に対して平行に流れた後、処理室44内を下方に向かい、ボート断熱部34の側壁に沿って流れ、排気管230から排気される。また、第2ガス供給部から供給された成膜阻害ガス、第2冷却ガス、及び第4冷却ガスは、それぞれ、処理室44内のボート断熱部34の側壁に供給された後、排気管230から排気される。また、パージガス供給部から供給されたパージガスは、反応管42と断熱体54との間を流れ、排気管230から排気される。<処理炉の周辺構造>続いて、上述の処理炉40の周辺構造について説明する。図5は、本発明の第1の実施形態に係る処理炉40及びその周辺構造の略図である。上述したように、処理炉40の下方には、予備室としてのロードロック室110が設けられている。ロードロック室110には、ロードロック室110内に第5冷却ガスを供給する第3ガス供給部、処理炉40内とロードロック室110内との間でボート30を搬送するボートエレベータ等が設けられている。なお、ロードロック室110内は、図示しない排気系により排気されるように構成されている。第3ガス供給部ロードロック室110の側壁には、ロードロック室110内のウエハ14の収容領域に第5冷却ガス及びパージガスを供給するノズル300が設けられている。第5冷却ガス及びパージガスとしては、例えばアルゴンArガス等の希ガスや窒素N2ガス等を用いることができる。ノズル300は、例えばカーボングラファイトにより棒状に構成されている。なお、ノズル300は、1本に限らず複数本設けてもよい。この場合、ノズル300は、ボート30及びボート断熱部34の側壁周方向に沿って所定の間隔を空けて設けることが好ましい。ノズル300の下流側の側部には、ウエハ14の収容領域の側方から水平方向にガスを供給するガス供給口300aが複数開設されている。なお、ノズル300は、ウエハ14の収容領域のみならず、ウエハ14の収容領域よりも下方側のボート断熱部34にもガスを供給するように構成されている。ノズル300の上流端には、ガス供給管301の下流端が接続されている。ガス供給管301には、上流側から順に、Arガス供給源301a、流量制御器流量制御手段としてのマスフローコントローラ301b、バルブ301cが設けられている。バルブ301c、マスフローコントローラ301bは、後述するガス流量制御部78図4参照に電気的に接続されている。ガス流量制御部78は、ロードロック室110内に供給されるガスの流量が、所定のタイミングで所定の流量となるように、バルブ301c、マスフローコントローラ301bを制御するように構成されている。主に、ノズル300、ガス供給口300a、ガス供給管301、バルブ301c、マスフローコントローラ301b、及びArガス供給源301aにより、本実施形態に係る第3ガス供給部が構成されている。また、処理室44内にガスを供給する上述の第1ガス供給部、第2ガス供給部及びパージガス供給部と、ロードロック室110内にガスを供給する第3ガス供給部とにより、本実施形態に係るガス供給系が構成されている。ボートエレベータロードロック室110を構成する側壁の外面には、ボートエレベータ115が設けられている。ボートエレベータ115は、下基板112、ガイドシャフト116、ボール螺子118、上基板120、昇降モータ122、昇降基板130、及びベローズ128を備えている。下基板112は、ロードロック室110を構成する側壁の外面に水平姿勢で固定されている。下基板112には、昇降台114と嵌合するガイドシャフト116、及び昇降台114と螺合するボール螺子118がそれぞれ鉛直姿勢で設けられている。ガイドシャフト116及びボール螺子118の上端には、上基板120が水平姿勢で固定されている。ボール螺子118は、上基板120に設けられた昇降モータ122により回転させられるように構成されている。ガイドシャフト116は、昇降台114の上下動を許容しつつ水平方向の回転を抑制するように構成されている。ボール螺子118を回転させることにより、昇降台114が昇降するように構成されている。昇降台114には、中空の昇降シャフト124が垂直姿勢で固定されている。昇降台114と昇降シャフト124との連結部は、気密に構成されている。昇降シャフト124は、昇降台114と共に昇降するように構成されている。昇降シャフト124の下方側端部は、ロードロック室110を構成する天板126を貫通している。ロードロック室110の天板126に設けられる貫通穴の内径は、昇降シャフト124と天板126とが接触することのないように、昇降シャフト124の外径よりも大きく構成されている。ロードロック室110と昇降台114との間には、昇降シャフト124の周囲を覆うように、伸縮性を有する中空伸縮体としてのベローズ128が設けられている。昇降台114とベローズ128との連結部、及び天板126とベローズ128との連結部はそれぞれ気密に構成されており、ロードロック室110内の気密が保持されるように構成されている。ベローズ128は、昇降台114の昇降量に対応できる充分な伸縮量を有している。ベローズ128の内径は、昇降シャフト124とベローズ128とが接触することのないように、昇降シャフト124の外径よりも充分に大きく構成されている。ロードロック室110内に突出した昇降シャフト124の下端には、昇降基板130が水平姿勢で固定されている。昇降シャフト124と昇降基板130との連結部は、気密に構成されている。昇降基板130の上面には、Oリング等のシール部材を介してシールキャップ219が気密に取り付けられている。シールキャップ219は、例えばステンレス等の金属により円盤状に構成されている。昇降モータ122を駆動してボール螺子118を回転させ、昇降台114、昇降シャフト124、昇降基板130、及びシールキャップ219を上昇させることにより、処理室44内にボート30が搬入ボートローディングされると共に、処理炉40の開口部炉口がシールキャップ219により閉塞されるよう構成されている。また、昇降モータ122を駆動してボール螺子118を回転させ、昇降台114、昇降シャフト124、昇降基板130、及びシールキャップ219を下降させることにより、処理室44内からボート30が搬出ボートアンローディングされるよう構成されている。昇降モータ122には、駆動制御部108が電気的に接続されている。駆動制御部108は、ボートエレベータ115が所望のタイミングにて所望の動作をするよう制御する。回転機構昇降基板130の下面には、Oリング等のシール部材を介して駆動部カバー132が気密に取付けられている。昇降基板130と駆動部カバー132とにより駆動部収納ケース140が構成されている。駆動部収納ケース140の内部は、ロードロック室110内の雰囲気と隔離されている。駆動部収納ケース140の内部には、回転機構104が設けられている。回転機構104には、電力供給ケーブル138が接続されている。電力供給ケーブル138は、昇降シャフト124の上端から昇降シャフト124内を通って回転機構104まで導かれており、回転機構104に電力を供給するように構成されている。回転機構104が備える回転軸106の上端部は、シールキャップ219を貫通して、ボート30を下方から支持するように構成されている。回転機構104を作動させることにより、ボート30に保持されたウエハ14を処理室44内で回転させることが可能なように構成されている。回転機構104には、駆動制御部108が電気的に接続されている。駆動制御部108は、回転機構104が所望のタイミングにて所望の動作をするよう制御する。また、駆動部収納ケース140の内部であって回転機構104の周囲には、冷却機構136が設けられている。冷却機構136及びシールキャップ219には、冷却流路140aが形成されている。冷却流路140aには、冷却水を供給する冷却水配管142が接続されている。冷却水配管142は、昇降シャフト124の上端から昇降シャフト124内を通って冷却流路140aまで導かれ、冷却流路140aにそれぞれ冷却水を供給するように構成されている。<コントローラ>図4は、基板処理装置10の各部の動作を制御する制御部としてのコントローラ152のブロック構成図である。コントローラ152は、主制御部150と、主制御部150に電気的に接続された温度制御部52、ガス流量制御部78、圧力制御部98、駆動制御部108とを備えている。主制御部150は、操作部及び入出力部を備えている。なお、コントローラ152は、誘導コイル50による被誘導加熱体48の誘導加熱を開始させてウエハ14を例えば1500~1800°Cに昇温させ、第1ガス供給部からの成膜ガス例えばSiH4ガス及びC3H8ガスの供給を開始させてウエハ14上にSiC膜を形成させた後、誘導コイル50による被誘導加熱体48の誘導加熱及び第1ガス供給部からの成膜ガスの供給をそれぞれ停止させ、第2ガス供給部からの第1冷却ガス例えばH2ガスの供給を開始させてウエハ14を降温させるように構成されている。係る制御については後述する。また、コントローラ152は、誘導コイル50による被誘導加熱体48の誘導加熱を開始させてウエハ14を例えば1500~1800°Cに昇温させ、第1ガス供給部からの成膜ガス例えばSiH4ガス及びC3H8ガスの供給を開始させてウエハ14上にSiC膜を形成させる際、第2ガス供給部から成膜阻害ガス例えばHClガスを供給するように構成されている。係る制御についても後述する。2基板処理工程次に、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ウエハ14上に例えばSiC膜を成膜する基板処理工程について、主に図6及び図7を参照しながら説明する。図6は、本実施形態に係る基板処理工程を実施する際のボート位置を例示する模式図であり、aは搬入前、bは昇温中及び成膜中、cは降温中、dは搬出中、eは搬出完了後の様子をそれぞれ示している。図7は、本実施形態に係るガス供給シーケンスを例示するグラフ図である。なお、係る工程は、上述した基板処理装置10により実施される。以下の説明において、基板処理装置10を構成する各部の動作は、コントローラ152により制御される。搬入工程複数枚のウエハ14を収容したポッド16をポッドステージ18上に載置した後、ポッド搬送装置20によりポッド載置棚22上に移載する。そして、ポッド搬送装置20により、ポッド載置棚22上に載置されたポッド16をポッドオープナ24に搬送する。そして、ポッドオープナ24によりポッド16の蓋を開き、ウエハ枚数検出器26によりポッド16に収容されているウエハ14の枚数を検知する。そして、ウエハ移載機28によりポッド16からウエハ14を取り出し、ロードロック室110内のボート30に移載する。ボート30へのウエハ14の装填が完了した状態を図6aに示す。なお、ウエハ14の装填中は、第3ガス供給部からパージガスとしてのArガスを供給し、ロードロック室110内をパージする。すなわち、図示しない排気系によりロードロック室110内を排気しつつ、バルブ301cを開き、マスフローコントローラ301bにより流量調整されたArガスをロードロック室110内に供給することで、ロードロック室110内をパージする。これにより、ウエハ14にパーティクル等が付着することを抑制できる。このとき、炉口シャッタ219aを閉じ、処理炉40の開口部炉口を気密に封止しておく。なお、第3ガス供給部からのパージガスの供給は、少なくとも後述する降温工程の完了時まで継続する。ボート30へのウエハ14の装填が完了したら、炉口シャッタ219aを開き、ボートエレベータ115を作動させ、処理室44内にボート30を搬入ボートロードする。ボート30の搬入が完了したら、マニホールド43の下端はシールキャップ219によって気密に封止される。ボート30の搬入が完了した状態を図6bに示す。なお、ボート30の搬入中は、第3ガス供給部からのArガスの供給を継続しつつ、第1ガス供給部及び第2ガス供給部からパージガスとしてのArガスを供給し、処理室44内をパージする。すなわち、真空ポンプ220を作動させた状態でAPCバルブ214を開いて処理室44内を排気しつつ、バルブ263c,273c,280c,293cを更に開き、マスフローコントローラ263b,273b,280b,293bにより流量調整されたArガスを処理室44内に供給することで、処理室44内をパージする。なお、ロードロック室110内から処理室44内へのパーティクル等の拡散巻き上げ等を防ぐには、搬入工程において、処理室44内に供給するArガスの流量を、ロードロック室110内に供給するArガスの流量よりも大きくし、処理室44内からロードロック室110に向かうガス流を形成することが好ましい。減圧及び昇温工程処理室44内へのボート30の搬入が完了したら、圧力センサで測定された圧力情報に基づきAPCバルブ214の開度をフィードバック制御することで、処理室44内が所定の圧力真空度になるよう真空排気する。このとき、処理室44内へのArガスの供給は継続してもよく、停止してもよい。図7は、一例として、第1ガス供給部からのArガスの供給を継続しつつ、第2ガス供給部からのArガスの供給を停止した場合を示している。そして、図示しない交流電源から誘導コイル50に、例えば10~100kHz、10~200kWの交流電力を供給し、被誘導加熱体48に交流磁場を加えて被誘導加熱体48に誘導電流を流し、被誘導加熱体48を発熱させる。そして、被誘導加熱体48から発せられる輻射熱により、ボート30に保持されたウエハ14や処理室44内を例えば1500°C~1800°Cの成膜温度に加熱する。このとき、温度センサが検出した温度情報に基づき誘導コイル50への通電具合をフィードバック制御することで、ウエハ14や処理室44内の温度を調整することができる。なお、誘導コイル50に電力を供給してウエハ14を加熱させる際には、回転機構218を作動させてボート30及びウエハ14を回転させる。ボート30及びウエハ14の回転は、少なくとも後述する成膜工程の完了時まで継続する。成膜工程ウエハ14や処理室44内の温度が所定の成膜温度1500~1800°Cに達したら、バルブ261c,271を開き、成膜ガスとしてのSiH4ガス及びC3H8ガスの処理室44内への供給を開始する。処理室44内に供給されたSiH4ガス及びC3H8ガスは、ボート30に保持された各ウエハ14の表面に対してそれぞれ平行に流れる。高温のウエハ14表面にSiH4ガス及びC3H8ガスが接触することで、ウエハ14上にSiC膜が成膜される。このとき、バルブ263c,273cは開いたままとし、第1ガス供給部からのArガスの供給は継続することが好ましい。第1ガス供給部から供給されるArガスは、処理室44内へのSiH4ガスやC3H8ガスの供給や拡散を促すキャリアガスとして機能する。また、このとき、バルブ280cを開き、パージガス供給部からのパージガスとしてのArガスの供給を開始することが好ましい。これにより、反応管42と断熱体54との間に成膜ガス等が侵入することを抑制でき、これらの表面に不要な副生成物が付着するのを抑制することができる。なお、ウエハ14を保持するボート30は、上述したように、ボート断熱部34によって下方から支持されている。ボート断熱部34は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料等により例えば中空の円筒形状に構成されているため、高温に加熱された成膜ガスがボート断熱部34の側壁と接触し熱交換が促進されることにより、高温に加熱された成膜ガスの温度を下げるように機能する。また、ボート断熱部34は、被誘導加熱体48によって加熱されたボート30ウエハ14からの熱を、処理炉40の下方側に伝え難くする断熱機構として機能する。このように、ボート断熱部34を熱交換機構又は断熱機構として機能させることで、処理炉40下方の構成部材例えばマニホールド43、シールキャップ219、回転機構、ロードロック室110等に加わる熱ダメージを低減させることができる。しかしながら、発明者等の鋭意研究によれば、ボート30の下方にボート断熱部34を設けると、処理室44内における異物パーティクルの発生量が増加してしまい、基板処理の品質を低下させてしまう場合があることが分かった。断熱機構として機能するボート断熱部34の温度は、ウエハ14やボート30の温度例えば1500°C~1800°Cよりも比較的低温となる。具体的には、ボート断熱部34側壁の温度は、ウエハ14の収納領域側から処理炉40の下方側に向かって徐々に低くなる。ウエハ14表面で消費されなかった成膜ガスや、成膜反応により生じた反応生成物等は、処理室44を下方に向かい、ボート断熱部34の側壁に沿って流れるが、ボート断熱部34の側壁がこのように低温であるため、ボート断熱部34の側壁に容易に吸着してしまうのである。そして、ボート断熱部34の側壁に堆積した吸着物が剥がれることで、処理室44内にパーティクルを発生させてしまうのである。また、上述の吸着における結合力は一般的に弱いことから、吸着物は圧力や温度の変化によって容易に剥離してしまうのである。これに対して本実施形態では、ウエハ14上へのSiC膜の成膜を行う際、第2ガス供給部から成膜阻害ガスを供給することで、ボート断熱部34への成膜ガスや反応生成物等の吸着を防ぐようにしている。すなわち、バルブ261c,271を開いてウエハ14の収容領域にSiH4ガス及びC3H8ガスを供給する際、バルブ291cを更に開き、ボート断熱部34の収容領域に成膜阻害ガスとしてのHClガスを流すようにしている。これにより、ボート断熱部34側壁の温度が上述の成膜温度例えば1500°C~1800°Cよりも低温であったとしても、ボート断熱部34表面への成膜ガスや反応生成物等の吸着を効果的に抑制させることができ、処理室44内におけるパーティクルの発生量を抑制することができる。なお、成膜工程における処理室44内の圧力処理圧力は、例えば1330~13300Paの範囲内とする。また、マスフローコントローラ261bにより制御するSiH4ガスの流量は、例えば100~300sccmの範囲内とする。また、マスフローコントローラ271bにより制御するC3H8ガスの流量は、例えば10~100sccmの範囲内とする。また、マスフローコントローラ291bにより制御するHClガスの流量は、例えば100~1000sccmの範囲内とする。所定の時間が経過し、所望の膜厚のSiC膜が成膜されたら、バルブ261c,271cを閉め、ウエハ14の収容領域へのSiH4ガス及びC3H8ガスの供給を停止する。また、バルブ291cを閉め、ボート断熱部34の収容領域へのHClガスの供給を停止する。更に、誘導コイル50への交流電力の供給を停止し、被誘導加熱体48の誘導加熱を停止する。降温及び大気圧復帰工程ウエハ14の収容領域への成膜ガスの供給、ボート断熱部34の収容領域へのHClガスの供給、誘導コイル50への交流電力の供給をそれぞれ停止したら、ウエハ14の温度が処理直後温度例えば1500~1800°Cから所定の搬送温度例えばロードロック室110の耐熱温度であって500~800°Cに降温されるまで待機する。処理室44内でボート30が待機した状態を図6cに示す。なお、ウエハ14の降温は、ボート30からボート断熱部34を介した熱伝導によっても徐々に行われるが、このとき、第1ガス供給部から第1冷却ガスとしてのH2ガスを供給することで、ウエハ14の冷却を促すことができる。すなわち、処理室44内を排気しつつ、バルブ262c,272cを開き、熱交換率の高いH2ガスをウエハ14の表面へ向けて流すことで、ウエハ14からH2ガスへの熱交換を促し、ウエハ14を速やかに降温させることができる。しかしながら、発明者等の鋭意研究によれば、ボート30の下方にボート断熱部34を設けると、ウエハ14の放熱が阻害されてしまい、降温工程の所要時間が長くなり、基板処理の生産性が低下してしまう場合があることが分かった。降温促進のために供給された第1冷却ガスとしてのH2ガスは、ウエハ14と接触して熱交換することにより高温となる。係る高温のH2ガスは、ボート断熱部34側に流れ込むことでボート断熱部34の温度を上昇させてしまう。その結果、ボート断熱部34を介した熱伝導が阻害されたり、ボート断熱部34からの輻射熱によってウエハ14が再加熱されたりしてしまうのである。例えば、ボート30の下方にボート断熱部34を設けた場合、ウエハ14を上述の搬送温度例えば500~800°Cにまで降温させるには100~150分もの時間を要してしまうことがある。これに対して本実施形態では、ウエハ14を降温させる際、すなわち、第1冷却ガスとしてのH2ガスをウエハ14に供給する際、第2ガス供給部から第2冷却ガスとしてのH2ガスを供給することで、ボート断熱部34の温度上昇を防ぐようにしている。すなわち、処理室44内を排気しつつ、バルブ262c,272cを開くと共に、バルブ292cを更に開き、ボート断熱部34の側壁に向けて第2冷却ガスとしてのH2ガスを流すようにしている。これにより、ウエハ14との熱交換で高温となったH2ガスがボート断熱部34の側壁に沿って流れたとしても、ボート断熱部34の温度上昇を効果的に防ぐことができる。その結果、降温工程の所要時間を短くすることができ、基板処理の生産性を向上させることができる。降温時の処理室44内の圧力は、例えば1000~3000Paの範囲内とする。マスフローコントローラ262bにより制御するH2ガスの流量は例えば3000~10000sccmの範囲内とする。また、マスフローコントローラ272bにより制御するH2ガスの流量は、例えば3000~10000sccmの範囲内とする。また、マスフローコントローラ292bにより制御するH2ガスの流量は例えば10000~100000sccmの範囲内とする。所定の時間が経過し、ウエハ14及びボート30の温度が所定のボート搬出温度例えば500°C~800°Cまで下がったら、バルブ262c,272bを閉めて処理室44内へのH2ガスの供給を停止すると共に、バルブ263c,273cを開いて処理室44内への第3冷却ガスとしてのArガスの供給を開始する。また、同時に、バルブ292cを閉めてボート断熱部34の側壁へのH2ガスの供給を停止すると共に、バルブ293cを開いて処理室44内への第4冷却ガスとしてのArガスの供給を開始する。さらには、バルブ280cを開いて処理室44内へのパージガスとしてのArガスの供給を開始する。その後、APCバルブ214の開度を調節し、処理室44内の圧力を大気圧に復帰させる。搬出工程処理室44内がArガスによってパージされ、処理室44内の圧力が大気圧に復帰したら、ボートエレベータ115を作動させ、処理室44内からのボート30の搬出ボートアンロードを開始する。ボートアンロード中の様子を図6dに示す。ボートアンロード中は、処理室44内へのArガス第3冷却ガス、第4冷却ガス、パージガスの供給を継続しつつ、第3ガス供給部からの第5冷却ガスとしてのArガスの供給を更に開始し、搬送されるウエハ14の冷却を継続する。なお、ロードロック室110内でのウエハ14の冷却を促進させるため、搬出工程にて第3ガス供給部から供給するArガス第5冷却ガスの流量を、例えば搬入工程~降温工程にて第3ガス供給部から供給するArガスパージガスの流量よりも大きくすることが好ましい。但し、ロードロック室110内から処理室44内へのパーティクル等の拡散等を防ぐには、搬出工程においては、ロードロック室110内に供給するArガスの流量を、処理室44内に供給するArガスの流量よりも小さくすることが好ましい。搬出完了後の冷却工程ボート30の搬出が完了したら、炉口シャッタ219aを閉じて、処理室44内処理炉40の開口部を気密に封止する。ボート30の搬出が完了した状態を図6eに示す。そして、ウエハ14の温度が、上述のボート搬出温度例えば500~800°Cから所定のウエハ搬送温度例えば常温~80°Cになるまで待機する。このとき、第3ガス供給部からの第5冷却ガスとしてのArガスの供給を継続することで、ウエハ14の冷却を促すことができる。この際、炉口シャッタ219aは閉じられているため、ロードロック室110内に供給するArガスの流量を、搬出工程における流量よりも更に大流量として、ウエハ14の冷却を更に促進させることができる。ウエハ14の温度が所定のウエハ搬送温度例えば80°C以下に下がったら、ロードロック室110内へのArガスの供給を停止させる。そして、上述の手順とは逆の手順により、降温後のウエハ14をボート30から取り出して空のポッド16内に収容し、他の基板処理工程を実施する基板処理装置へと搬送する。これにより、本実施形態の基板処理工程が終了する。3本実施形態に係る効果本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果を奏する。a本実施形態によれば、ボート30を下方側から支持するボート断熱部34を設けている。ボート断熱部34は、例えば石英SiO2や炭化珪素SiC等の耐熱性材料等により例えば中空の円筒形状に構成されている。これにより、ボート断熱部34は、被誘導加熱体48によって加熱されたボート30ウエハ14からの熱を、処理炉40の下方側に伝え難くする断熱機構として機能する。ボート断熱部34を断熱機構として機能させることで、処理炉40下方の構成部材例えばマニホールド43、シールキャップ219、回転機構、ロードロック室110等に加わる熱ダメージを低減させることができる。b本実施形態によれば、成膜工程を実施する際、第2ガス供給部からボート断熱部34へ成膜阻害ガス例えばHClガスを供給する。これにより、ボート断熱部34への成膜ガスや反応生成物等の吸着を防ぐことができる。すなわち、ボート断熱部34側壁の温度が成膜温度例えば1500°C~1800°Cよりも低温であったとしても、ボート断熱部34表面への成膜ガスや反応生成物等の吸着を効果的に抑制させることができ、処理室44内におけるパーティクルの発生量を抑制させることができる。なお、第2ガス供給部から供給した成膜阻害ガスは、ボート断熱部34のみならず、ボート断熱部34を囲う被誘導加熱体48等の部材表面や処理室44の内壁にも拡散する。そのため、本実施形態によれば、ボート断熱部34側壁だけでなく、ボート断熱部34を囲う被誘導加熱体48等への成膜ガス等の吸着も効果的に抑制できる。また、上述のように、成膜阻害ガスを供給することでボート断熱部34表面への成膜ガス等の吸着を効果的に抑制できるので、成膜工程を実施する際、ボート断熱部34を積極的に冷却してもよい。具体的には、ボート断熱部34表面へ成膜阻害ガスと共に第2冷却ガスを供給したり、ボート断熱部34内へ所定の冷却ガス熱交換ガスを供給したりしてもよい。このようにすることで、ボート断熱部34による断熱効果をさらに高め、処理炉40下方の構成部材に加わる熱ダメージをさらに低減させることができる。c本実施形態によれば、降温工程を実施する際、第1ガス供給部からウエハ14に第1冷却ガス例えばH2ガスを供給する。これにより、ウエハ14の冷却を促進させることができ、基板処理の生産性を向上させることができる。なお、第1冷却ガスとして熱交換率の高いH2ガスを用いることで、成膜後のウエハ14をより速やかに降温させることができる。また、第1冷却ガスの流量を小さくすることができ、ウエハ14上に形成されたSiC膜のダメージ等を低減できる。d本実施形態によれば、降温工程にてウエハ14に第1冷却ガスを供給する際、第2ガス供給部からボート断熱部34へ、第2冷却ガス例えばH2ガスを供給する。これにより、ウエハ14との熱交換で高温となった第1冷却ガスがボート断熱部34の側壁に沿って流れたとしても、ボート断熱部34の温度上昇を効果的に防ぐことができる。その結果、降温工程の所要時間を短くすることができ、基板処理の生産性を向上させることができる。なお、第2冷却ガスとして熱交換率の高いH2ガスを用いることで、ボート断熱部34の温度上昇を効果的に防ぐことができる。また、第2冷却ガスの流量を小さくすることができ、ボート断熱部34表面からの吸着物等の剥離やパーティクルの拡散等を抑制できる。e本実施形態によれば、搬出工程を実施する際、第3ガス供給部からロードロック室110内に第5供給ガス例えばArガスを供給する。第5供給ガスとしてのArガスの流量は、例えば搬入工程~降温工程にて第3ガス供給部から供給するパージガスとしてのArガスの流量よりも大きくしている。これにより、搬出工程におけるウエハ14の冷却をより促進させることができる。f本実施形態によれば、搬出工程が完了して炉口シャッタ219aを閉じた後、ロードロック室110内に供給する第5冷却ガスとしてのArガスの流量を、搬出工程における流量よりも更に大流量としている。これにより、搬出完了後のウエハ14の冷却を更に促進させることができる。g本実施形態によれば、搬入工程及び搬出工程にて第3ガス供給部から処理室44内に供給するArガスの流量を、ロードロック室110内に供給する第5冷却ガスとしてのArガスの流量より大きくしている。これにより、搬入工程及び搬出工程にて処理室44内からロードロック室110に向かうガス流を形成することができ、ロードロック室110内から処理室44内へのパーティクル等の拡散等を防止させることができる。<本発明の第2の実施形態>上記第1の実施形態では、第2ガス供給部が備えるノズル90を棒状に構成していた。しかしながら、本発明は係る実施形態に限定されない。図8は、本実施形態に係る第2ガス供給部が備えるノズル401を例示する図であり、aは側面断面図を、bは斜視図を示している。図8a,bに例示するように、本実施形態に係る第2ガス供給部が備えるノズル401は、ボート断熱部34の上部を囲うように環状に構成されている。すなわち、ノズル401は、ボート断熱部34の上部のみを囲うように、また断面がC型の中空円筒状に構成されている。ノズル401は、熱交換部401cにより下方から支持されている。熱交換部401cは、横断面がノズル401と同様にC型である中空円筒状に形成されている。熱交換部401cの中空部内には、所定の冷却ガス熱交換ガスとして例えばN2ガスやArガス等の不活性ガスが供給されるように構成されている。ノズル401の例えば底部には、ガス導入口401bが1つ以上設けられている。ガス導入口401bには、ノズル401内に成膜阻害ガス、第2冷却ガス、第4冷却ガス及びパージガスを供給するガス導入路401dの下流端が接続されている。ガス導入路401dは、熱交換部401c内に配設されている。ガス導入路401dの上流端には、上述のガス供給管290の下流端が接続されている。ノズル401の内周側壁には、ボート断熱部34の側方上部に向けて水平方向にガスを供給するガス供給孔401aが1つ以上開設されている。ガス供給孔401aは、周方向に沿って好ましくは等間隔で配列されている。このように構成することで、ボート断熱部34の周方向に亘り、成膜阻害ガス等をより均一に流すことができる。さらに、第1ガス供給部からウエハ14に供給されて高温となった各種ガスの下流側の流路を狭めることができる。すなわち、高温のガスを、ボート断熱部34の側部や熱交換部401の内周側壁に対してより確実に接触させることができる。これにより、ボート断熱部34や熱交換部401cと高温のガスとの熱交換を促すことができ、高温のガスを効率よく冷却させることができ、処理炉40下方の構成部材に加わる熱ダメージを低減させることができる。また、熱交換部401内にN2ガスやArガス等の不活性ガスを供給して熱交換部401の内周側壁を冷却すれば、高温のガスと熱交換部401との熱交換をさらに促進でき、熱ダメージをより確実に低減させることができる。なお、本実施形態のように、成膜阻害ガスをボート断熱部34の上部のみに向けて供給することで、ボート断熱部34のダメージを効果的に抑制することができる。すなわち、成膜阻害ガスはボート断熱部34の下方に向かって流れるが、仮に成膜阻害ガスをボート断熱部34の上部だけでなく下部等からも均一の流量で供給した場合、ボート断熱部34の上部から供給される成膜阻害ガスが下部から供給される成膜阻害ガスと合流することで、下部が大量の成膜阻害ガスに曝されてしまい、ダメージを受けてしまう。これに対し、本実施形態では、成膜阻害ガスをボート断熱部34の上部からのみ供給するので、係る課題を回避することができる。なお、本実施形態では、ノズル401や熱交換部401cをC型の中空円筒状として構成した場合について説明したが、本発明は係る実施形態に限定されない。すなわち、C型の端部を繋げて横断面をリング型としても良い。これにより、ボート断熱部34の周方向の全域に亘り、ガスの供給流量や流路の断面積を均一化させることができる。そして、ボート断熱部34の冷却効率や成膜抑制効果をより均一化させることができる。<本発明の第3の実施形態>上記第2の実施形態では、第2ガス供給部が備えるノズル401がボート断熱部34の上部を囲うように環状に構成されていた。しかしながら、本発明は係る実施形態に限定されない。図9は、本実施形態に係る第2ガス供給部が備えるノズル402を例示する図であり、aは側面断面図を、bは斜視図を示している。図9a,bに例示するように、本実施形態に係る第2ガス供給部が備えるノズル402は、ボート断熱部34の高さ方向全域を囲うように、環状かつ筒状に構成されている。すなわち、ノズル402は、ボート断熱部34の周方向、高さ方向に亘りそれぞれ広範囲に囲うように横断面がC型の中空円筒状に構成されている。ノズル402の内周側壁には、ボート断熱部34の側方全域に向けて水平方向にガスを供給するガス供給孔402aが、1つ以上開設されている。ガス供給孔402aは、周方向に沿って好ましくは等間隔で配列されると共に、高さ方向に沿って所定の間隔で配列されている。ノズル402の例えば底部には、ガス導入口402bが設けられている。ガス導入口402bには、ノズル402内に成膜阻害ガス、第2冷却ガス、第4冷却ガス及びパージガスを供給するガス供給管290の下流端が接続されている。このように構成することで、ボート断熱部34の周方向に亘り、成膜阻害ガス等をより均一に流すことができる。さらに、第1ガス供給部からウエハ14に供給されて高温となった各種ガスの下流側の流路を狭めることができる。すなわち、高温のガスを、ボート断熱部34の側部やノズル402の内周側壁に対してより確実に接触させることができる。これにより、ボート断熱部34やノズル402と高温のガスとの熱交換を促すことができ、高温のガスを効率よく冷却させることができ、処理炉40下方の構成部材に加わる熱ダメージを低減させることができる。特に、ノズル402内に第2冷却ガスや第4冷却ガスを供給してノズル402の内周側壁を冷却すれば、高温のガスとノズル402との熱交換をさらに促進でき、熱ダメージをより確実に低減させることができる。なお、本実施形態においては、ボート断熱部34の上部に供給する成膜阻害ガスの流量を、ボート断熱部34の下部に供給する成膜阻害ガスの流量よりも小さくなるように、ガス供給孔402aの孔径等を調整するとよい。これにより、ボート断熱部34の上部から供給される成膜阻害ガスが下部から供給される成膜阻害ガスと合流したとしても、ボート断熱部34のダメージを効果的に抑制することができる。なお、本実施形態では、ノズル402をC型の中空円筒状として構成した場合について説明したが、本発明は係る実施形態に限定されない。すなわち、上述の実施形態と同様にC型の端部を繋げて横断面をリング型としても良い。これにより、ボート断熱部34の周方向の全域に亘り、ガスの供給流量や流路の断面積を均一化させることができる。そして、ボート断熱部34の冷却効率や成膜抑制効果をより均一化させることができる。<本発明の他の実施形態>以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。例えば上述したように、本発明に係る成膜工程では、第2ガス供給部から、成膜阻害ガスだけでなく、第2冷却ガスを併せて供給するようにしてもよい。成膜阻害ガスを供給することでボート断熱部34表面への成膜ガス等の吸着を効果的に抑制できるので、成膜工程を実施する際、ボート断熱部34を積極的に冷却することができる冷却しても成膜ガス等の吸着を効果的に抑制できる。その結果、ボート断熱部34による断熱効果をさらに高めることができ、処理炉40下方の構成部材に加わる熱ダメージをさらに低減させることができる。また例えば、本発明に係る降温工程では、第1供給部からの第1冷却ガスの供給、及び第2供給部からの第2冷却ガスの供給を、同時に開始する場合に限らない。例えば、降温工程において、先に第2供給部からのみH2ガスの供給を開始し、ボート断熱部34を介した熱伝導によりボート30及びウエハ14の温度を例えば1200°C程度にまで降下させてから、第1供給部からのH2ガスの供給を開始してもよい。これにより、処理直後温度1500°C~1800°Cからの急激な温度冷却を防ぐことができ、熱応力によるボート30、ウエハ14へのダメージを低減させることができる。また例えば、本発明に係る第1冷却ガス及び第2冷却ガスとしては、H2ガス以外にArガス等の希ガスやN2ガス等の用いてもよい。第1冷却ガス及び第2冷却ガスとして熱交換率が高いH2ガスを用いれば、上述の降温効率を高めることができる。また、第1冷却ガス及び第2冷却ガスの流量を小さくすることができる。但し、第1冷却ガス及び第2冷却ガスとしてH2ガスよりも熱交換率が低い他のガスを用いれば、SiC膜、ウエハ14、ボート30、ボート断熱部34等の急激な温度降下を防ぐことができ、これらのダメージを低減することができる。第1冷却ガス及び第2冷却ガスのガス種は、供給の途中で切り替えるようにしても良い。例えば、降温工程の初期にはAr等の不活性ガスを用い、所定の温度まで降温できたらArガスからH2ガスに切り替えるようにしてもよい。なお、搬出前には、H2ガスからArガスへ切替えて、処理室44内のH2濃度を低減させることが好ましい。また、例えば、第3冷却ガス、第4冷却ガス及び第5冷却ガスとしては、Arガス以外に、ヘリウムHeガス、ネオンNeガス、クリプトンKrガス、キセノンXeガス等の希ガスや、N2ガス等を用いてもよい。また例えば、成膜阻害ガスは、塩化水素HClガスを例示したが、塩素Cl2ガス等の他のハロゲンガスを用いてもよい。また例えば、シリコン含有ガスとしてシランSiH4ガスを例示したが、ジシランSi2H6ガス、トリシランSi3H8ガスを用いてもよい。また、シリコンと塩素とを含むガス、例えば、テトラクロロシランSiCl4ガス、トリクロロシラン通称TCS,SiHCl3ガス、ジクロロシラン通称DCS,SiH2Cl2ガスを用いてもよい。また例えば、炭素含有ガスとしてプロパンC3H8ガスを例示したが、エチレンC2H4ガス、アセチレンC2H2ガス等の他の炭素含有ガスを用いてもよい。以上の実施形態では、一例として、本発明をSiCエピタキシャル成長装置に適用する場合について説明したが、本発明は係る形態に限定されず、処理室内を加熱して基板を処理する基板処理装置全般に適用可能であることは言うまでもない。また、加熱方式も、上述の実施形態で例示した誘導加熱方式に限定されず、例えば抵抗加熱方式やランプ照射加熱方式などの他の加熱方式であっても本発明は好適に適用可能である。但し、本発明は、処理室内を超高温に加熱する基板処理装置に適用すると特に効果を発揮することができ、誘導加熱方式を用いた基板処理装置に適用すると特に顕著な効果を発揮することができる。<本発明の好ましい形態>以下に、本発明の好ましい形態について付記する。本発明の一態様によれば、基板を処理する処理室と、前記処理室内に収容され、複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持する基板保持体と、前記処理室内で前記基板保持体を下方側から支持する断熱部と、前記処理室内で前記基板の収容領域を囲うように設けられる加熱部と、少なくとも前記処理室内の前記断熱部の収容領域に所定のガスを供給する第2ガス供給部と、を備える基板処理装置が提供される。好ましくは、前記処理室内の前記基板の収容領域に成膜ガスを供給する第1ガス供給部を更に備える。本発明の他の態様によれば、基板を処理する処理室と、前記処理室内に収容され、複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持する基板保持体と、前記処理室内で前記基板保持体を下方側から支持する断熱部と、前記処理室内で前記基板の収容領域を囲うように設けられる加熱部と、前記処理室内の前記基板の収容領域に少なくとも成膜ガスを供給する第1ガス供給部と、前記処理室内の前記断熱部の収容領域に少なくとも冷却ガスを供給する第2ガス供給部と、少なくとも前記加熱部、前記第1ガス供給部及び前記第2ガス供給部を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記加熱部による加熱を開始させて前記基板を所定温度に昇温させ、前記第1ガス供給部による成膜ガスの供給を開始させて前記基板上に所定の薄膜を形成させた後、前記加熱部による加熱及び前記第1ガス供給部からの成膜ガスの供給をそれぞれ停止させ、前記第2ガス供給部による冷却ガスの供給を開始させて前記基板を降温させる基板処理装置が提供される。また、本発明の他の態様によれば、基板を処理する処理室と、前記処理室内に収容され、複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持する基板保持体と、前記処理室内で前記基板保持体を下方側から支持する断熱部と、前記処理室内で前記基板の収容領域を囲うように設けられる加熱部と、前記処理室内の前記基板の収容領域に成膜ガスを供給する第1ガス供給部と、前記処理室内の前記断熱部の収容領域に少なくとも成膜阻害ガスを供給する第2ガス供給部と、少なくとも前記加熱部、前記第1ガス供給部及び前記第2ガス供給部を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記加熱部による加熱を開始させて前記基板を所定温度に昇温させ、前記第1ガス供給部による成膜ガスの供給を開始させて前記基板上に所定の薄膜を形成させる際、前記第2ガス供給部により成膜阻害ガスを供給する基板処理装置が提供される。好ましくは、前記第1ガス供給部は、前記加熱部と前記基板保持体との間の領域に設けられた1本又は複数本の第1ノズルを備え、前記第1ノズルの側部には、前記処理室内の前記基板の収容領域の側方に向けて水平方向に前記成膜ガスを供給するガス供給孔がそれぞれ1つ以上開設されている。また、好ましくは、前記第2ガス供給部は、前記加熱部と前記断熱部との間の領域に設けられた1本又は複数本の第2ノズルを備え、前記第2ノズルの側部には、前記断熱部の側方に向けて水平方向に前記所定のガスを供給するガス供給孔がそれぞれ1つ以上開設されている。また、好ましくは、前記第2ガス供給部は、前記加熱部と前記断熱部との間の領域に設けられ、前記断熱部の上部を囲う環状の第2ノズルを備え、前記第2ノズルの内周側壁には、前記断熱部の側方上部に向けて水平方向に前記所定のガスを供給するガス供給孔が1つ以上開設されている。また、好ましくは、前記第2ガス供給部は、前記加熱部と前記断熱部との間の領域に設けられ、前記断熱部の高さ方向全域を囲う環状かつ筒状の第2ノズルを備え、前記第2ノズルの内周側壁には、前記断熱部の側方全域に向けて水平方向に前記所定のガスを供給するガス供給孔が1つ以上開設されている。本発明の更に他の態様によれば、基板を処理する処理室と、前記処理室内に収容され、複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持する基板保持体と、前記処理室内で前記基板保持体を下方側から支持する断熱部と、前記処理室内で前記基板の収容領域を囲うように設けられる加熱部と、前記処理室内から搬出される前記基板保持体が収容される予備室と、前記処理室内の前記基板の収容領域に成膜ガス、第1冷却ガス及び第3冷却ガスを供給する第1ガス供給部と、前記処理室内の前記断熱部の収容領域に成膜阻害ガス、第2冷却ガス及び第4冷却ガスを供給する第2ガス供給部と、前記予備室内の前記基板の収容領域に第5冷却ガスを供給する第3ガス供給部と、少なくとも前記加熱部、前記第1ガス供給部、前記第2ガス供給部及び前記第3ガス供給部を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記加熱部による加熱を開始させて前記基板を所定温度に昇温させ、前記第1ガス供給部による成膜ガスの供給を開始させて前記基板上に所定の薄膜を形成させる処理と、前記加熱部による加熱及び前記第1ガス供給部による成膜ガスの供給をそれぞれ停止させ、前記第1ガス供給部による第1冷却ガスの供給及び前記第2ガス供給部による第2冷却ガスの供給をそれぞれ開始させて前記基板を所定の搬出温度まで降温させると共に、前記第3ガス供給部による第1の流量での第5冷却ガスの供給を開始させて前記予備室内をパージする処理と、前記基板を前記搬出温度まで降温させた後、前記第1ガス供給部による第3冷却ガスの供給及び前記第2ガス供給部による第4冷却ガスの供給をそれぞれ開始させると共に、前記第3ガス供給部による前記第1の流量よりも大きな第2の流量での第5冷却ガスの供給を開始させ、前記処理室内から前記予備室内へと前記基板保持体を搬出させる処理と、を順に実施させる。好ましくは、前記制御部は、前記処理室内から前記予備室内へと前記基板保持体を搬出させる処理を行う際、前記第3ガス供給部から供給される第5冷却ガスの流量を、前記第1ガス供給部から供給される第3冷却ガス及び前記第2ガス供給部から供給される第4冷却ガスの合計流量よりも大きくする。また、好ましくは、前記制御部は、前記基板処理体の前記予備室内への搬出が完了して前記処理室内を封止した後、前記第2の流量よりも大きな第3の流量での前記第3ガス供給部による第5冷却ガスの供給を開始させて前記基板をさらに降温させる処理を実施させる。また、好ましくは、前記成膜阻害ガスは塩素を含むガスである。また、好ましくは、前記第1冷却ガス及び前記第2冷却ガスは水素を含むガスである。また、好ましくは、前記第3冷却ガス、前記第4冷却ガス及び前記第5冷却ガスは不活性ガスである。本発明の他の態様によれば、複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持する基板保持体を処理室内に収容する工程と、前記処理室内で前記基板の収容領域を囲うように設けられる加熱部による加熱を開始して前記基板を所定温度に昇温させ、前記処理室内の前記基板の収容領域への第1ガス供給部による成膜ガスの供給を開始して前記基板上に所定の薄膜を形成する工程と、前記加熱部による加熱及び前記第1ガス供給部による成膜ガスの供給をそれぞれ停止させ、前記処理室内の前記断熱部の収容領域への第2ガス供給部による冷却ガスの供給を開始して前記基板を降温させる工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。また、本発明の他の態様によれば、複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持する基板保持体を処理室内に収容する工程と、前記処理室内で前記基板の収容領域を囲うように設けられる加熱部による加熱を開始して前記基板を所定温度に昇温させ、前記処理室内の前記基板の収容領域への第1ガス供給部による成膜ガスの供給を開始して前記基板上に所定の薄膜を形成する工程と、を有し、前記薄膜を形成する工程では、前記処理室内の前記断熱部の収容領域への第2ガス供給部により成膜阻害ガスを供給する半導体装置の製造方法が提供される。本発明のさらに他の態様によれば、複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持する基板保持体を処理室内に収容する工程と、前記処理室内で前記基板の収容領域を囲うように設けられる加熱部による加熱を開始して前記基板を所定温度に昇温させ、前記処理室内の前記基板の収容領域への第1ガス供給部による成膜ガスの供給を開始して前記基板上に所定の薄膜を形成する工程と、前記加熱部による加熱及び前記第1ガス供給部による成膜ガスの供給をそれぞれ停止させ、前記第1ガス供給部による第1冷却ガスの供給及び前記処理室内の前記断熱部の収容領域への第2ガス供給部による第2冷却ガスの供給をそれぞれ開始して前記基板を所定の搬出温度まで降温させると共に、前記処理室内から搬出される前記基板保持体が収容される予備室内への第3ガス供給部による第1の流量での第5冷却ガスの供給を開始させて前記予備室内をパージする工程と、前記基板を前記搬出温度まで降温させた後、前記第1ガス供給部による第3冷却ガスの供給及び前記第2ガス供給部による第4冷却ガスの供給をそれぞれ開始すると共に、前記第3ガス供給部による前記第1の流量よりも大きな第2の流量での第5冷却ガスの供給を継続させ、前記処理室内から前記予備室内へと前記基板保持体を搬出させる工程と、前記基板処理体の前記予備室内への搬出が完了して前記処理室内を封止した後、前記第2の流量よりも大きな第3の流量での前記第3ガス供給部による第5冷却ガスの供給を継続させて前記基板をさらに降温させる工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。"