処理される基板の表面に流体を供給する少なくとも1つの第1のスプレーノズルを有し、該第1のスプレーノズルは、前記基板に対して第1の間隔を置いて配置されていて、少なくとも1つの第2のスプレーノズルが前記基板に対して第2の間隔を置いて配置されていて、前記第1の間隔に対する前記第2の間隔の比が、0.1~0.8の範囲にあり、前記少なくとも1つの第1のスプレーノズルを通じて、流体の第1の体積流量が最大限通過可能であり、前記少なくとも1つの第2のスプレーノズルを通じて、流体の第2の体積流量が最大限通過可能であり、前記第1の体積流量に対する前記第2の体積流量の比が、0.005~0.5の範囲にあることを特徴とする、基板の表面をスプレー処理する装置。前記基板は、進入開口を備えた進入側から進出開口を備えた進出側へと、前記装置を通じて搬送可能であることを特徴とする、請求項1記載の装置。前記基板は搬送方向に見て、まず前記少なくとも1つの第1のスプレーノズルによってスプレー処理可能であり、次いで前記少なくとも1つの第2のスプレーノズルによってスプレー処理可能であり、次いで前記基板に対して第3の間隔を有する少なくとも1つの第3のスプレーノズルによってスプレー処理可能であり、前記第3の間隔は、前記第2の間隔と同一であるか又は前記第2の間隔よりも大きいことを特徴とする、請求項2記載の装置。前記装置は、前記進入側を備えた第1の半部と、前記進出側を備えた第2の半部とを有し、前記少なくとも1つの第2のスプレーノズルは、前記装置の第2の半部にのみ配置されていることを特徴とする、請求項2又は3記載の装置。前記少なくとも1つの第1のスプレーノズルのうちの1つの第1のスプレーノズルと、前記少なくとも1つの第2のスプレーノズルのうちの1つの第2のスプレーノズルとは、互いに隣り合っていて、かつ前記第1のスプレーノズルのスプレー範囲が、前記第2のスプレーノズルのスプレー範囲に触れないように互いに間隔を置いて配置されていることを特徴とする、請求項1から4までのいずれか一項記載の装置。流体を少なくとも1つの第1のスプレーノズルにより、スプレー処理される基板の表面に供給し、前記少なくとも1つの第1のスプレーノズルは、前記基板に対して第1の間隔を置いて配置されており、流体を、前記基板に対して第2の間隔を置く少なくとも1つの第2のスプレーノズルを通じて供給し、前記第1の間隔に対する前記第2の間隔の比が、0.1~0.8の範囲にあり、前記少なくとも1つの第1のスプレーノズルを通じて、流体の第1の体積流量が最大限通過し、前記少なくとも1つの第2のスプレーノズルを通じて、流体の第2の体積流量が最大限通過し、前記第1の体積流量に対する前記第2の体積流量の比が、0.005~0.5の範囲にあることを特徴とする、基板の表面をスプレー処理する方法。流体は、オゾンが添加されたエッチング媒体、又は前記基板の表面を活性化する液体を含むことを特徴とする、請求項6記載の方法。前記基板を、進入側から進出側へと装置を通って搬送し、前記基板を、搬送方向に見てまず、少なくとも1つの第1のスプレーノズルによりスプレー処理し、次いで少なくとも1つの第2のスプレーノズルによりスプレー処理し、次いで前記基板に対して第3の間隔を有する少なくとも1つの第3のスプレーノズルによりスプレー処理し、前記第3の間隔は、前記第2の間隔と同一又は前記第2の間隔よりも大きいことを特徴とする、請求項6又は7記載の方法。