金属ナノギャップに半導体を形成してなるナノ接合トムソン素子を高分子膜またはガラス基板に形成する熱電変換装置において、該半導体がn型半導体またはp型半導体からなることを特徴とする熱電変換装置。n型半導体からなるナノ接合トムソン素子の発熱部にp型半導体からなるナノ接合トムソン素子の発熱部が接続されたことを特徴とする請求項1記載の熱電変換装置。p型半導体からなるナノ接合トムソン素子の冷却部にn型半導体からなるナノ接合トムソン素子の冷却部が接続されたことを特徴とする請求項1記載の熱電変換装置。これまでのペルチェ素子やトムソン素子では、冷却作用と発熱作用が同時に発生する。冷却は冷却、発熱は発熱と分離利用できる新しい機能を有する熱電変換システムが望まれている。この問題を解決できる方法として、このナノ接合トムソン素子に電流を流して、ゼーベック係数の差による冷却あるいは発熱を独立に発現させるようにした熱電変換システムが望まれる。本発明は、金属ナノギャップに半導体を形成してなるナノ接合トムソン素子を高分子膜またはガラス基板に形成する熱電変換装置において、n型半導体からなるナノ接合トムソン素子の発熱部にp型半導体からなるトムソン素子の発熱部が接続された冷却機能を有する熱電変換装置である。また逆にナノ接合トムソン素子の冷却部に他のナノ接合トムソン素子の冷却部を接続して生じる熱流の温度勾配を形成してなる発熱機能を有する熱電変換装置を実現できる。以上説明したように本発明の熱電変換装置は、建築物や移動体車両の壁や窓のみでなくあらゆる物体に生じる放射や輻射による熱を利用した熱電変換装置において、金属ナノギャップに半導体を形成してなるナノ接合トムソン素子を高分子膜またはガラス基板に形成し、この二つのナノ接合トムソン素子に電流を流し、DC電流の流れる方向で、ゼーベック係数の差による冷却あるいは発熱を発現させるようにした熱電変換システムである。これまでの、ペルチェ素子が抱えていた冷却と発熱を併せ持つという欠点を払拭し、冷却機能と発熱機能を分けて実現できる新たな機能を有する。本願発明の熱電変換装置は、薄膜技術により大面積にナノ接合トムソン素子を集積形成できることから、太陽光の平均照射電力に匹敵する非常に大きな熱電変換エネルギーを獲得でき、その工業的価値は極めて高い。本発明は、金属ナノギャップに半導体を形成してなるナノ接合トムソン素子を高分子膜またはガラス基板に形成し、n型半導体からなるナノ接合トムソン素子の発熱部にp型半導体からなるナノ接合トムソン素子の発熱部が接続された熱電変換装置である。またp型半導体からなるナノ接合トムソン素子の冷却部にn型半導体からなるトムソン素子の冷却部が接続された熱電変換装置である。以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明する。図1は、本発明のナノ接合トムソン素子からなる熱電変換装置である。薄膜の原子レベルの制御と個々の極めて微小なナノ接合を再現性よく作製できるステップアンドリピートに対応したSTM-BJ法でナノ接合トムソン素子を作製した。AFMAtomicForceMicroscope-BJで電流を測りながら、STMScanningTunnelingMicroscopeの針金ワイヤを基板Cu単結晶にぶつけた後、引き離す。引き離す際、単一金原子からなる接点量子ポイントコンタクトができ、原子移動を制御することが可能となる。量子化された電気伝導度G0=2e2/h=77.4マイクロ秒を観測しながら、原子レベルのCu細線101、ZnOn型半導体細線102、Cu細線103からなるナノ接合トムソン素子を作製することができる。ナノ接合トムソン素子の両端のCu細線101とCu細線103にDC電圧104を10mVを印加した時、ナノ接合トムソン素子に流れる電流は5nAであった。105と106の高分子膜またはガラス基板内にナノ接合トムソン素子を収容している。ナノ接合トムソン素子の両端部には、温度差10°Cの107冷却部と108発熱部が生じている。図2は、本発明の二つのナノ接合トムソン素子を利用した冷却システムである。これまでのペルチェ素子は、かならず冷却と発熱が同時に起こることは避けられない。本願発明は、冷却は冷却、発熱は発熱と分離利用できる新しい機能を有する冷却システムと発熱システムを実現するものである。209と210は、高分子膜またはガラス基板である。Ni細線201とNiOp型半導体細線202とNi細線203からなるトムソン素子にDC電圧204を印加すると、Ni細線201は冷却部214、Ni細線203は発熱部213となる。Ni細線203と金属細線205の原子境界面は、215である。Cu細線205とZnOn型半導体細線206とCu細線207からなるトムソン素子にDC電圧208を10mV印加すると、Cu細線205は発熱部212、Cu細線207は冷却部211が生じる。20°Cの常温状態で二つのトムソン素子の209と210の高分子膜またはガラス基板側の214と211からなる表面温度は8°Cになっており、冷却システムとして動作していることがわかる。また、n型半導体からなるナノ接合トムソン素子の冷却部にp型半導体からなるナノ接合トムソン素子の冷却部が接触した場合、発熱システムとして動作する熱電変換装置が実現できる。