PN接合の順電圧を発生する順電圧発生部を備え、前記順電圧発生部の出力電圧によって温度を検知する温度センサ装置であって、前記順電圧発生部は、レベルシフト電圧発生回路を備え、前記温度センサ装置の出力電圧が、前記PN接合の順電圧と、前記レベルシフト電圧発生回路の電圧に基づいて与えられる、ことを特徴とする温度センサ装置。前記レベルシフト電圧発生回路の電圧は、MOSトランジスタのゲートソース間電圧に基づいて与えられる、ことを特徴とする請求項1に記載の温度センサ装置。前記レベルシフト電圧発生回路の電圧は、抵抗に生じる電圧に基づいて与えられる、ことを特徴とする請求項1に記載の温度センサ装置。前記レベルシフト電圧発生回路の電圧は、正の温度特性を有する、ことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の温度センサ装置。前記PN接合は、バイポーラトランジスタのPN接合である、ことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の温度センサ装置。前記PN接合は、ダイオード素子である、ことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の温度センサ装置。しかし、従来の温度センサ装置は、出力電圧が温度に応じて変化する感度を高めようと、PN接合の有効な段数を増やすと、PN接合の順電圧和が大きくなる為、動作電圧を低く抑えることができないという問題点があった。このことは、バッテリーなどから提供される電源電圧を、低電圧まで利用できないという意味において非効率である。本発明は、上記の様な問題点を解決するために考案されたものであり、より低電圧で動作可能な、温度センサ装置を実現するものである。本発明の温度センサ装置は、PN接合の順電圧を発生する順電圧発生部を備え、順電圧発生部の出力電圧によって温度を検知する温度センサ装置であって、順電圧発生部はレベルシフト電圧発生回路を備え、温度センサ装置の出力電圧がPN接合の順電圧とレベルシフト電圧発生回路の電圧に基づいて与えられることを特徴とする温度センサ装置、とした。本発明の温度センサ装置によれば、より低電圧で動作可能な、温度センサ装置を提供することが出来る。図1は、本実施形態の温度センサ装置を示す回路図である。本実施形態の温度センサ装置は、定電流源回路701と、これによって定電流が提供されるダーリントン接続されたバイポーラトランジスタ702、703、704と、電圧源101、102、103を備えている。電圧源101は、バイポーラトランジスタ702のエミッタとバイポーラトランジスタ703のベースの間に接続される。電圧源102は、バイポーラトランジスタ703のエミッタとバイポーラトランジスタ704のベースの間に接続される。電圧源103は、バイポーラトランジスタ704のエミッタと出力端子の間に接続される。ここで、電圧源101、102、103の電圧V1、V2、V3は、温度特性を持たない。次に、本実施形態の温度センサ装置の動作を説明する。今、PN接合の順電圧をVpnとする。このとき、A点の電圧VA、B点の電圧VB、C点の電圧VCはそれぞれ、下記の通りに計算される。VA=1×Vpn-V11VB=2×Vpn-V1V22VC=3×Vpn-V1V2V33電圧VCは出力端子の電圧であるので、温度センサの出力電圧は、3×Vpn-V1V2V3として与えられる。即ち、従来の温度センサの出力電圧より電圧V1V2V3だけ低くなっている。従って、本実施形態の温度センサ装置は、PN接合の有効な段数を増やしても、動作電圧を低く抑えることが出来るといえる。そして、電圧V1、V2、V3は温度特性を持たないので、出力電圧が温度に応じて変化する感度は、従来の温度センサ装置と同等である。つまり、従来の温度センサ装置と比べて出力電圧が温度に応じて変化する感度が同等であるにも係わらず、動作電圧をより低く抑えることが出来ているといえる。本実施形態の温度センサ装置においては、以上の構成にすることにより、より低電圧で動作可能な、温度センサ装置を提供することが可能である。なお、本実施形態の温度センサ装置では、各バイポーラトランジスタのエミッタに電圧源を設けたが、全ての電圧源を設ける必要はない。例えば、電圧源101のみとしても、温度センサ装置の低電圧動作に対して効果が見込める。また、本実施形態の温度センサ装置では、PN接合の有効な段数が3段であるとして説明したが、何段であっても、同様の効果が得られることは明白である。図2は、本実施形態の温度センサ装置の電圧源の具体例を示す回路図である。ここでは、簡略化のため電圧源101のみ具体例で示している。電圧源101は、電流源201とMOSトランジスタ202で構成される。電圧源101の電圧V1は、電流源201によってバイアスされるMOSトランジスタ202のゲートソース間電圧に基づいて与えられている。また例えば、電圧源は図3の様な回路としても良い。電圧源101は、電流源201、301とMOSトランジスタ202、302で構成される。すなわち、MOSトランジスタをダーリントン接続することにより実現してもよい。また例えば、電圧源は図4の様な回路としても良い。電圧源101は、電流源401と抵抗402で構成される。電圧源101の電圧V1は、電流源401によってバイアスされる抵抗402に基づいて与えられている。ここで、抵抗402に抵抗値にばらつきがある場合、電流源401を例えば図5に示すような回路で構成することによって、抵抗値のばらつきの影響を低減することが出来る。電流源401は、電圧源501の与える電圧をインピーダンス変換し、抵抗502で除算した電流を生成している。即ち、電流源401は、抵抗402と同種の抵抗502を用いて、抵抗402のばらつきを相殺する電流Iを出力する。なお、図5に示す電流源401は一例であり、この回路に限定されるものではない。なお、本実施形態の温度センサ装置では、電圧源の電圧が温度特性を持たない、として説明したが、温度特性を持っても良い。特に、制御された正の温度特性を持つ場合は、より感度の高い温度センサ装置を提供することが出来る。例えば、抵抗502に負の温度特性を持つ抵抗を用いた図5の電流源を図4の電流源401とし、正の温度特性を持つ抵抗302を用いて、温度センサ装置を構成すればよい。また、本実施形態の温度センサ装置では、バイポーラトランジスタのPN接合の順電圧を用いた温度センサとして説明したが、ダイオード素子を用いてもよい。例えば、図6に示すように、低電流源601と、3段のダイオードと、電圧源602で構成される。3段のダイオードに生じる電圧を電圧源602の電圧で減算した値が、出力電圧となっている。電圧源602が無い場合と比べて感度が凡そ同等であるにも係わらず、動作電圧をより低く抑えることが出来る。