"式I式中、R1、R2、R3およびR4は、同一または異なっていてもよい、水素原子、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基または置換基を有していてもよい複素環基を表し、R5は水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基または置換基を有していてもよい複素環基を表し、環Aは置換基を有していてもよい複素環を表し、該複素環は、ピリミジン環、テトラゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、ピリジン環、ピリダジン環、フタラジン環およびキナゾリン環からなる群より選ばれるで表される化合物と、金属と、アミンに1つ以上のプロトンが付加することにより生じるイオン、アンモニウムイオンおよび第4級アンモニウムイオンからなる群から選ばれる1種と、からなる錯化合物。R5が水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基または置換基を有していてもよいアリール基である請求項1に記載の錯化合物。環Aが置換基を有していてもよいテトラゾール環、置換基を有していてもよいベンゾチアゾール環または置換基を有していてもよいベンゾオキサゾール環である請求項1または2に記載の錯化合物。金属がコバルト、ロジウム、イリジウム、アルミニウム、ガリウムまたは鉄である請求項1~3のいずれかに記載の錯化合物。金属がコバルトである請求項1~3のいずれかに記載の錯化合物。アミンに1つ以上のプロトンが付加することにより生じるイオン、アンモニウムイオンおよび第4級アンモニウムイオンからなる群から選ばれる1種が、アミンに1つ以上のプロトンが付加することにより生じるイオンである請求項1~5のいずれかに記載の錯化合物。アミンが置換基を有していてもよい脂肪族第3アミンである請求項6に記載の錯化合物。アミンに1つ以上のプロトンが付加することにより生じるイオン、アンモニウムイオンおよび第4級アンモニウムイオンからなる群から選ばれる1種が、第4級アンモニウムイオンである請求項1~5のいずれかに記載の錯化合物。請求項1~8のいずれかに記載の錯化合物を含有する光記録媒体。本発明の目的は、優れた記録再生特性等を有する光記録媒体に用いられる錯化合物等を提供することにある。本発明は、以下の[1]~[9]を提供する。[1]式I[式中、R1、R2、R3およびR4は、同一または異なっていてもよい、水素原子、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基または置換基を有していてもよい複素環基を表し、R5は水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基または置換基を有していてもよい複素環基を表し、環Aは置換基を有していてもよい複素環を表し、該複素環は、ピリミジン環、テトラゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、ピリジン環、ピリダジン環、フタラジン環およびキナゾリン環からなる群より選ばれるで表される化合物と、金属と、アミンに1つ以上のプロトンが付加することにより生じるイオン、アンモニウムイオンおよび第4級アンモニウムイオンからなる群から選ばれる1種と、からなる錯化合物。[2]R5が水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基または置換基を有していてもよいアリール基である[1]に記載の錯化合物。[3]環Aが置換基を有していてもよいテトラゾール環、置換基を有していてもよいベンゾチアゾール環または置換基を有していてもよいベンゾオキサゾール環である[1]または[2]に記載の錯化合物。[4]金属がコバルト、ロジウム、イリジウム、アルミニウム、ガリウムまたは鉄である[1]~[3]のいずれかに記載の錯化合物。[5]金属がコバルトである[1]~[3]のいずれかに記載の錯化合物。[6]アミンに1つ以上のプロトンが付加することにより生じるイオン、アンモニウムイオンおよび第4級アンモニウムイオンからなる群から選ばれる1種が、アミンに1つ以上のプロトンが付加することにより生じるイオンである[1]~[5]のいずれかに記載の錯化合物。[7]アミンが置換基を有していてもよい脂肪族第3アミンである[6]に記載の錯化合物。[8]アミンに1つ以上のプロトンが付加することにより生じるイオン、アンモニウムイオンおよび第4級アンモニウムイオンからなる群から選ばれる1種が、第4級アンモニウムイオンである[1]~[5]のいずれかに記載の錯化合物。[9][1]~[8]のいずれかに記載の錯化合物を含有する光記録媒体。本発明によると、優れた記録再生特性等を有する光記録媒体に用いられる錯化合物等を提供できる。錯化合物本発明の錯化合物は、下記式Iで表される化合物と、金属と、アミンに1つ以上のプロトンが付加することにより生じるイオン、アンモニウムイオンおよび第4級アンモニウムイオンからなる群から選ばれる1種とからなる。[式中、R1、R2、R3およびR4は、同一または異なっていてもよい、水素原子、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基または置換基を有していてもよい複素環基を表し、R5は水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基または置換基を有していてもよい複素環基を表し、環Aは置換基を有していてもよい複素環を表し、該複素環は、ピリミジン環、テトラゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、ピリジン環、ピリダジン環、フタラジン環およびキナゾリン環からなる群より選ばれる。<式Iで表される化合物>以下、上記式Iで表される化合物を化合物Iという。他の式番号の化合物についても同様である。式Iの各基の定義において、アルキル基およびアルコキシル基のアルキル部分としては、例えば、直鎖または分岐状の炭素数1~20のアルキル基が挙げられ、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、tert-ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、1-イソプロピル-2-メチルプロピル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、エイコシル基等が挙げられ、中でも、炭素数が1~10であるものが好ましい。アルケニル基としては、例えば、直鎖または分岐状の炭素数2~20のアルケニル基が挙げられ、具体的には、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ペンテニル基、1-メチル-2-ブテニル基、1-エチル-2-プロペニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、エイコセニル基等が挙げられ、中でも、炭素数が2~10であるものが好ましい。アラルキル基としては、例えば、炭素数7~15のアラルキル基が挙げられ、具体的には、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基等が挙げられる。アリール基としては、例えば、炭素数6~14のアリール基が挙げられ、具体的には、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基等が挙げられる。脂環式炭化水素基における脂環式炭化水素としては、例えば、炭素数3~8のシクロアルカン、炭素数3~8のシクロアルケン、3~8員の環が縮合した二環または三環性の脂環式炭化水素等が挙げられる。炭素数3~8のシクロアルカンの具体例としては、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタンが挙げられる。炭素数3~8のシクロアルケンの具体例としては、シクロプロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテンが挙げられる。3~8員の環が縮合した二環または三環性の脂環式炭化水素の具体例としては、例えば、ジヒドロペンタレン、ジヒドロインデン、テトラヒドロナフタレン、ヘキサヒドロフルオレン等が挙げられる。複素環基における複素環としては、芳香族複素環および脂環式複素環が挙げられる。芳香族複素環としては、例えば、窒素原子、酸素原子および硫黄原子から選ばれる少なくとも1個の原子を含む5員または6員の単環性芳香族複素環、3~8員の環が縮合した二環または三環性で窒素原子、酸素原子および硫黄原子から選ばれる少なくとも1個の原子を含む縮環性芳香族複素環等が挙げられ、具体的には、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、キナゾリン環、キノキサリン環、ナフチリジン環、シンノリン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、トリアジン環、テトラゾール環、チオフェン環、フラン環、チアゾール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、インドール環、イソインドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、プリン環、カルバゾール環、アクリジン環、フェナジン環、フェノチアジン環、フェノキサジン環、フェナントロリン環等が挙げられる。脂環式複素環としては、例えば、窒素原子、酸素原子および硫黄原子から選ばれる少なくとも1個の原子を含む5~8員の単環性脂環式複素環、3~8員の環が縮合した二環または三環性で窒素原子、酸素原子および硫黄原子から選ばれる少なくとも1個の原子を含む縮環性脂環式複素環等が挙げられ、具体的には、ピロリジン環、ピペリジン環、ピペラジン環、モルホリン環、チオモルホリン環、ホモピペリジン環、ホモピペラジン環、テトラヒドロピリジン環、テトラヒドロキノリン環、テトラヒドロイソキノリン環、テトラヒドロフラン環、テトラヒドロピラン環、ジヒドロベンゾフラン環、インドリン環、テトラヒドロカルバゾール環、1,8-ジアザビシクロ5.4.0ウンデカ-7-エン環等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。アミノ基の置換基としては、例えば、1個または2個のアルキル基等が挙げられる。ここで、アルキル基は、前記と同義である。アミノ基が置換基として2個のアルキル基を有するとき、該2個のアルキル基は同一でも異なっていてもよい。アルキル基およびアルコキシル基の置換基としては、例えば、同一または異なっていてもよい1~5個の置換基、具体的には、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、カルバモイル基、置換基を有していてもよいアミノ基、アルコキシル基、アルコキシアルコキシル基、アルカノイル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アロイル基、アリールオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニル基、複素環基等が挙げられる。ここで、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアミノ基、アルコキシル基および複素環基は、それぞれ前記と同義である。アルカノイル基、アルキルカルボニルオキシ基およびアルコキシカルボニル基のアルキル部分は、それぞれ前記のアルキル基と同義である。アルコキシアルコキシル基の2つのアルコキシ部分は、それぞれ前記のアルコキシル基と同義である。アロイル基、アリールオキシ基、アリールカルボニルオキシ基およびアリールオキシカルボニル基のアリール部分は、それぞれ前記のアリール基と同義である。アラルキル基、アリール基および脂環式炭化水素基の置換基としては、例えば、同一または異なっていてもよい1~5個の置換基、具体的には、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、カルバモイル基、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、アルケニル基、アラルキル基、アルカノイル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリール基、アロイル基、アリールオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニル基、脂環式炭化水素基、複素環基等が挙げられる。ここで、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、アルケニル基、アラルキル基、アルカノイル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリール基、アロイル基、アリールオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニル基、脂環式炭化水素基および複素環基は、それぞれ前記と同義である。アルケニル基の置換基としては、例えば、アルキル基の置換基として前記に挙げた基、置換基を有してもよいアリール基等が挙げられる。ここで、置換基を有してもよいアリール基は、前記と同義である。複素環基の置換基としては、例えば、同一または異なっていてもよい1~5個の置換基、具体的には、ヒドロキシル基、オキソ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、カルバモイル基、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、アラルキル基、アルカノイル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアリール基、アロイル基、アリールオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニル基、複素環基等が挙げられる。ここで、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、アラルキル基、アルカノイル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアリール基、アロイル基、アリールオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニル基および複素環基は、それぞれ前記と同義である。環Aが表す複素環の置換基としては、例えば、同一または異なっていてもよい1~5個の置換基、具体的には、ヒドロキシル基、オキソ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、カルバモイル基、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアルカノイル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアロイル基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基、置換基を有していてもよい複素環基等が挙げられる。ここで、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、アルカノイル基、置換基を有していてもよいアリール基、アロイル基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基および置換基を有していてもよい複素環基は、それぞれ前記と同義である。アルカノイル基の置換基としては、例えば、アルキル基の置換基として前記に挙げた基等が挙げられる。アロイル基の置換基としては、例えば、アラルキル基の置換基として前記に挙げた基等が挙げられる。テトラゾール環の置換基としては、同一または異なっていてもよい1~2個の置換基、具体的には、カルバモイル基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアルカノイル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアロイル基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基、置換基を有していてもよい複素環基等が挙げられる。ここで、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアルカノイル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアロイル基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基および置換基を有していてもよい複素環基は、それぞれ前記と同義である。環Aがテトラゾール環であるときの環Aで表される基の具体例としては、置換基を有していてもよい5-テトラゾリル基等が挙げられる。ここで、5-テトラゾリル基の置換基としては、例えば、テトラゾール環の置換基として前記に挙げた基等が挙げられる。ベンゾオキサゾール環の置換基としては、同一または異なっていてもよい1~5個の置換基、具体的には、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、カルバモイル基、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアルカノイル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアロイル基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基、置換基を有していてもよい複素環基等が挙げられる。ここで、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアルカノイル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアロイル基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基および置換基を有していてもよい複素環基は、それぞれ前記と同義である。環Aがベンゾオキサゾール環であるときの環Aで表される基の具体例としては、置換基を有していてもよい2-ベンゾオキサゾリル基等が挙げられる。ここで、2-ベンゾオキサゾリル基の置換基としては、例えば、ベンゾオキサゾール環の置換基として前記に挙げた基等が挙げられる。ベンゾチアゾール環の置換基としては、同一または異なっていてもよい1~5個の置換基、具体的には、ベンゾオキサゾール環の置換基として前記に挙げた基等が挙げられる。環Aがベンゾチアゾール環であるときの環Aで表される基の具体例としては、置換基を有していてもよい2-ベンゾチアゾリル基等が挙げられる。ここで、2-ベンゾチアゾリル基の置換基としては、例えば、ベンゾチアゾール環の置換基として前記に挙げた基等が挙げられる。化合物Iの各基において、R1、R3およびR4としては、水素原子が好ましい。R2としては、置換基を有していてもよいアミノ基または置換基を有していてもよいアルコキシル基が好ましく、置換基を有していてもよいアルコキシル基がより好ましい。R5としては、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基または置換基を有していてもよいアリール基が好ましく、水素原子または置換基を有していてもよいアルキル基がより好ましく、水素原子が特に好ましい。環Aとしては、置換基を有していてもよいテトラゾール環、置換基を有していてもよいベンゾチアゾール環または置換基を有していてもよいベンゾオキサゾール環が好ましく、置換基を有していてもよいテトラゾール環または置換基を有していてもよいベンゾオキサゾール環がより好ましく、置換基を有していてもよいアリール基を置換基として有するテトラゾール環が特に好ましい。化合物Iとしては、上記で示した好ましいR1、R2、R3、R4、R5および環Aがそれぞれ組み合わされた化合物が好ましい。<金属>金属としては、例えば、コバルト、ロジウム、イリジウム、アルミニウム、ガリウム、鉄等が挙げられ、中でも、コバルトが好ましい。<アミンに1つ以上のプロトンが付加することにより生じるイオン、アンモニウムイオンおよび第4級アンモニウムイオンからなる群から選ばれる1種>アミンに1つ以上のプロトンが付加することにより生じるイオン、アンモニウムイオンおよび第4級アンモニウムイオンからなる群から選ばれる1種としては、アミンに1つ以上のプロトンが付加することにより生じるイオン、または第4級アンモニウムイオンが好ましく、第4級アンモニウムイオンがより好ましい。アミンに1つまたはそれ以上のプロトンが付加することにより生じるイオン以下、アミンの陽イオンというにおけるアミンとしては、塩基性の窒素原子を1個有するものモノアミンまたは塩基性の窒素原子を2個以上有するものポリアミンを使用することができる。アミンの具体例としては、例えば、置換基を有していてもよい脂肪族第1アミンで炭素数1~30のもの例えば、ブチルアミン、エタノールアミン、エチレンジアミン等、置換基を有していてもよい脂肪族第2アミンで炭素数2~30のもの例えば、ジブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジエタノールアミン等、置換基を有していてもよい脂肪族第3アミンで炭素数3~30のもの例えば、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロピルエチルアミン等、置換基を有していてもよい炭素数3~30の脂環式アミン、置換基を有していてもよい芳香族アミン、置換基を有していてもよい塩基性の含窒素複素環化合物例えば、ピリジン、キノリン、インドール、ベンゾチアゾール、ビピリジン、フェナントロリン、1,8-ジアザビシクロ5.4.0ウンデカ-7-エン等、ケイ素を含有するアミン例えば、ヘプタメチルジシラザン等等が挙げられる。これらの中でも、置換基を有していてもよい脂肪族第3アミンが好ましい。脂環式アミンとしては、例えば、3~8員の単環性脂環式炭化水素環を有し、塩基性の窒素原子上に脂肪族鎖を有していてもよく、塩基性の窒素原子と該単環性脂環式炭化水素環との間に脂肪族鎖を有していてもよいアミン等が挙げられる。ここで、塩基性の窒素原子上に有していてもよい脂肪族鎖としては、例えば、アルキル基として前記に挙げた基が例示される。塩基性の窒素原子と該単環性脂環式炭化水素環との間に有していてもよい脂肪族鎖としては、例えば、アルキル基として前記に挙げた基から炭素上の水素原子を1個除くことに生じるアルキレン基等が例示される。脂環式アミンの具体例としては、例えば、シクロヘキシルアミン、シクロへキシルメチルアミン等が挙げられる。芳香族アミンとしては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環等の芳香族炭化水素環を有し、塩基性の窒素原子上に脂肪族鎖を有していてもよく、塩基性の窒素原子と該芳香族炭化水素環との間に脂肪族鎖を有していてもよいアミン等が挙げられる。ここで、塩基性の窒素原子上に有していてもよい脂肪族鎖は前記と同義である。塩基性の窒素原子と該芳香族炭化水素環との間に有していてもよい脂肪族鎖としては、例えば、塩基性の窒素原子と該単環性脂環式炭化水素環との間に有していてもよい脂肪族鎖として前記に挙げた基等が例示される。芳香族アミンの具体例としては、例えば、アニリン、ナフチルアミン、ベンジルアミン、トリベンジルアミン等が挙げられる。脂肪族第1アミン、脂肪族第2アミンおよび脂肪族第3アミンの置換基としては、例えば、同一または異なっていてもよい置換数1~5の置換基、具体的には、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、カルバモイル基、アルコキシル基、アルコキシアルコキシル基、アルカノイル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニル基等が挙げられる。ここで、ハロゲン原子、アルコキシル基、アルコキシアルコキシル基、アルカノイル基、アルキルカルボニルオキシ基およびアルコキシカルボニル基は、それぞれ前記と同義である。脂環式アミンおよび芳香族アミンの置換基のうち、脂環式アミンにおける環および芳香族アミンにおける環の置換基としては、例えば、脂肪族第1アミン、脂肪族第2アミンおよび脂肪族第3アミンの置換基として前記に挙げた基、置換基を有していてもよいアルキル基等が例示される。ここで、置換基を有していてもよいアルキル基は前記と同義である。脂環式アミンおよび芳香族アミンが脂肪族鎖を有するときの該脂肪族鎖の置換基としては、例えば、脂肪族第1アミン、脂肪族第2アミンおよび脂肪族第3アミンの置換基として前記に挙げた基等が例示される。塩基性の含窒素複素環化合物の置換基としては、例えば、同一または異なっていてもよい1~5個の置換基、具体的には、ヒドロキシル基、オキソ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、カルバモイル基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、アラルキル基、アルカノイル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアリール基、アロイル基、アリールオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニル基等が挙げられる。ここで、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、アラルキル基、アルカノイル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアリール基、アロイル基、アリールオキシ基、アリールカルボニルオキシ基およびアリールオキシカルボニル基は、それぞれ前記と同義である。第4級アンモニウムイオンとしては、例えば、式Uで表されるイオン、式Vで表されるイオン、式Wで表されるイオン、式Xで表されるイオン、式Yで表されるイオン等が挙げられる。ここで、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールオキシ基、置換基を有していてもよいアミノ基および置換基を有していてもよいアロイル基は、それぞれ前記と同義である。アリールオキシ基およびベンゼン環の置換基としては、例えば、アラルキル基の置換基として前記に挙げた基等が挙げられる。式Uにおいて、L1は、同一または異なっていてもよい、水素原子、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基または置換基を有していてもよいアリール基であるのが好ましい。式Vにおいて、L2は、水素原子であるのが好ましく、L3は、水素原子を表すかまたは2つのL3とそれらが隣接するC=C-C=Cとが一緒になって置換基を有していてもよいベンゼン環を形成することが好ましく、rは、2~4の整数であるのが好ましい。式Wにおいて、L4は、同一または異なっていてもよい、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基または置換基を有していてもよいアリール基であるのが好ましく、sは、2~10の整数であるのが好ましい。式Xにおいて、L5は、同一または異なっていてもよい、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基または置換基を有していてもよいアリール基であるのが好ましい。式Yにおいて、L6は、同一または異なっていてもよい、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基または置換基を有していてもよいアリール基であるのが好ましい。第4級アンモニウムイオンの具体例を以下に示す。化合物Iと、金属と、アミンの陽イオン、アンモニウムイオンおよび第4級アンモニウムイオンからなる群から選ばれる1種と、からなる錯化合物としては、例えば、式Zで表される化合物等が挙げられる。ここで、金属、アミンおよび第4級アンモニウムイオンは、それぞれ前記と同義である。nは1または2であるのが好ましい。<化合物Iの製造方法>次に、化合物Iの製造法について例を挙げて説明する。化合物Iは、例えば、反応式1式中、R1、R2、R3、R4、R5および環Aは、それぞれ前記と同義であるに従って製造することができる。具体的には、化合物IIと化合物IIIとを、溶媒中、10°C~100°Cで、0.1時間~30時間反応させて化合物Iを製造することができる。化合物IIの使用量は、化合物IIIに対して0.5倍モル~5倍モル量であるのが好ましい。溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、オクタノール等のアルコール系溶媒、ヘキサン、デカン、テトラデカン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、メトキシベンゼン、ジフェニルエーテル等のエーテル系溶媒、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン系溶媒、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド等の含硫黄系溶媒、アセトニトリル等が挙げられる。化合物IIのうち、R5が置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基または置換基を有していてもよい複素環基であるものは、市販品として入手するか、公知の方法、例えば、BioorganicMedicinalChemistryLetters,2011年,第21巻,第10号,p.2855-2859、BulletinoftheChemicalSocietyofJapan,2005年,第78巻,第2号,p.284-287、JournaloftheAmericanChemicalSociety,1985年,第107巻,第8号,p.2571-2573等に記載の方法等に準じて製造することにより得ることができる。化合物IIのうち、R5が水素原子であるものは、市販品として入手するか、公知の方法、例えば、Tetrahedron,1993年,第49巻,第19号,p.4015-4034、JournalofOrganicChemistry,2010年,第75巻,第13号,p.4596-4599等に記載の方法等に準じて製造することにより得ることができる。化合物IIIは、市販品として入手するか、公知の方法、例えば、社団法人日本化学会編,実験化学講座第20巻,第4版,丸善株式会社,1991年,p.30-46,p.112-185,p.279-290,p.338-342、社団法人日本化学会編,実験化学講座第13巻,第5版,丸善株式会社,1991年,p.374-416、社団法人日本化学会編,実験化学講座第14巻,第5版,丸善株式会社,2003年,p.289-320、BuehlerPearson編,SurveyofOrganicSynthesis,WileyInterscience,1970年,p.411-512、BuehlerPearson編,SurveyofOrganicSynthesis,WileyInterscience,1977年,p.812-853、SaulPatai編,TheChemistryoftheaminogroup,JohnWileySons,1968年,p.277-347、JournalofOrganicChemisty,1999年,第64巻,p.5644-5649等に記載の方法等に準じて製造することにより得ることができる。反応後、必要に応じて、化合物Iを有機合成化学で通常用いられる方法例えば、各種クロマトグラフィー法、再結晶法、蒸留法等で精製してもよい。<錯化合物の製造方法>次に、本発明の錯化合物の製造法について、例を挙げて説明する。化合物Iとコバルトとアミンの陽イオンとからなる錯化合物は、例えば、化合物Iと、コバルトの塩または有機コバルト化合物と、アミンとを、溶媒中、酸素の存在下、0°C~120°Cで、0.5時間~30時間反応させることにより製造することができる以下、この方法を製造法1という。コバルトの塩としては、例えば、酢酸コバルトII、塩化コバルトII、臭化コバルトII、ヨウ化コバルトII、フッ化コバルトII、フッ化コバルトIII、炭酸コバルトII、シアン化コバルトII、これらの水和物等が挙げられる。有機コバルト化合物としては、例えば、トリスカルボネートコバルトIII酸ナトリウム、コバルトIIアセチルアセトネート水和物、コバルトIIIアセチルアセトネート等が挙げられる。アミンは、市販品として入手するか、公知の方法、例えば、社団法人日本化学会編,実験化学講座有機化合物の合成と反応II,第1版,丸善株式会社,1956年,p.391-582、社団法人日本化学会編,新実験化学講座有機化合物の合成と反応III,第2版,丸善株式会社,1978年,p.1332-1399、社団法人日本化学会編,新実験化学講座有機合成II,第4版,丸善株式会社,1992年,p.299-313、社団法人日本化学会編,新実験化学講座有機化合物の合成II,第5版,丸善株式会社,2005年,p.351-377、BuehlerPearson編,SurveyofOrganicSynthesis,WileyInterscience,1970年,p.411-512、BuehlerPearson編,SurveyofOrganicSynthesis,WileyInterscience,1977年,p.391-459、SaulPatai編,TheChemistryoftheaminogroup,JohnWileySons,1968年,p.37-69、BartonOllis編,ComprehensiveOrganicChemistryTheSynthesisandReactionsofOrganicCompounds,PergamonPress,1979年,p.1-181、KatritzkyRees編,ComprehensiveHeterocyclicChemistry,PergamonPress,1984年,p.525-528等に記載の方法等に準じて製造することにより得ることができる。化合物Iの使用量は、コバルトの塩または有機コバルト化合物におけるコバルト原子に対して0.3倍モル~4倍モル量であるのが好ましい。塩基性の窒素原子をm個有するアミンを使用するとき、該アミンの使用量は、コバルトの塩または有機コバルト化合物におけるコバルト原子に対して0.3/m~20/m倍モル量であるのが好ましい。溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、イソブタノール等のアルコール系溶媒、クロロホルム、ジクロロメタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒、テトラヒドロフラン、メチル-tert-ブチルエーテル等のエーテル系溶媒、酢酸エチル等のエステル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、アセトニトリル、これらの混合溶媒等が挙げられる。反応後、必要に応じて、有機合成化学で通常用いられる方法例えば、各種カラムクロマトグラフィー法、再結晶法、溶媒による洗浄等で得られた錯化合物を精製してもよい。コバルトの塩または有機コバルト化合物の代わりに、コバルト以外の金属の塩または有機金属化合物であって金属がコバルト以外であるものを用いる以外は、製造法1と同様に操作して、化合物Iとコバルト以外の金属例えば、ロジウム、イリジウム、アルミニウム、ガリウム、鉄等とアミンの陽イオンとからなる錯化合物を製造することができる以下、この方法を製造法2という。コバルト以外の金属の塩または有機金属化合物であって金属がコバルト以外であるものとしては、例えば、ロジウムの塩、有機ロジウム化合物、イリジウムの塩、有機イリジウム化合物、アルミニウムの塩、有機アルミニウム化合物、ガリウムの塩、有機ガリウム化合物、鉄の塩、有機鉄化合物等が挙げられる。ロジウムの塩としては、例えば、酢酸ロジウムII二量体、塩化ロジウムIII、これらの水和物等が挙げられる。有機ロジウム化合物としては、例えば、ロジウムIIIアセチルアセトネート、ロジウムIIヘキサノネート等が挙げられる。イリジウムの塩としては、例えば、塩化イリジウムIII、臭化イリジウムIII、これらの水和物等が挙げられる。有機イリジウム化合物としては、例えば、イリジウムIIIアセチルアセトネート等が挙げられる。アルミニウムの塩としては、例えば、酢酸アルミニウムIII、塩化アルミニウムIII、塩化アルミニウムIII=テトラヒドロフラン錯体、臭化アルミニウムIII、ヨウ化アルミニウムIII、水酸化アルミニウムIII、これらの水和物等が挙げられる。有機アルミニウム化合物としては、例えば、アルミニウムIIIトリスアセチルアセトネート、アルミニウムIIIトリスエチルアセトアセトネート、アルミニウムIIIイソプロポキシド、アルミニウムIIIエチルアセトアセトネート=ジイソプロポキシド、アルミニウムIIIイソプロポキシド、アルミニウムsec-ブトキシド、アルミニウムエトキシド等が挙げられる。ガリウムの塩としては、例えば、塩化ガリウムIII、臭化ガリウムIII、ヨウ化ガリウムIII、これらの水和物等が挙げられる。有機ガリウム化合物としては、例えば、ガリウムIIIアセチルアセトネート等が挙げられる。鉄の塩としては、例えば、塩化鉄II、塩化鉄III、フッ化鉄II、フッ化鉄III、臭化鉄II、臭化鉄III、酢酸鉄II、これらの水和物等が挙げられる。有機鉄化合物としては、例えば、鉄IIアセチルアセトネート、鉄IIIアセチルアセトネート、鉄IIIエトキシド等が挙げられる。アミンの代わりにアンモニアを用いる以外は、製造法1と同様に操作して、本発明の錯化合物のうち、化合物Iとコバルトとアンモニウムイオンとからなる錯化合物を製造することができる。アミンの代わりにアンモニアを用いる以外は、製造法2と同様に操作して、化合物Iとコバルト以外の金属とアンモニウムイオンとからなる錯化合物を製造することができる。化合物Iと金属と第4級アンモニウムイオンとからなる錯化合物は、例えば、化合物Iと金属とアミンの陽イオンとからなる錯化合物と、対応する第4級アンモニウム塩とを溶媒中、0°C~120°Cで、0.5時間~30時間反応させることにより製造することができる。ここで、化合物Iと金属とアミンの陽イオンとからなる錯化合物は、製造法1または2に準じて製造することにより得ることができる。第4級アンモニウム塩における陰イオンとしては、例えば、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、酢酸イオン等が挙げられる。第4級アンモニウム塩は、市販品として入手するか、公知の方法、例えば、SaulPatai編,TheChemistryoftheaminogroup,JohnWileySons,1968年,p.161-199、KatritzkyRees編,ComprehensiveHeterocyclicChemistry,PergamonPress,1984年,p.99-164およびp.515-528、JournalofMaterialsChemistry,2006年,第16巻,p.345-347、JournaloftheAmericanChemicalSociety,2009年,第131巻,p.9931-9933等に記載の方法等に準じて製造することにより得ることができる。化合物Iと金属とアミンの陽イオンとからなる錯化合物ここで、アミンの陽イオンにおけるアミンは、塩基性の窒素原子をm個有すると、n価の第4級アンモニウム塩とを反応させて、化合物Iと金属とn価の第4級アンモニウムイオンとからなる錯化合物を製造するとき、使用するn価の第4級アンモニウム塩に含まれる第4級アンモニウムイオンと、使用する化合物Iと金属とアミンの陽イオンとからなる錯化合物に含まれるアミンの陽イオンとのモル比は、0.3m/n~10m/n第4級アンモニウムイオン/アミンの陽イオンであるのが好ましい。溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、イソブタノール等のアルコール系溶媒、クロロホルム、ジクロロメタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒、テトラヒドロフラン、メチル-tert-ブチルエーテル等のエーテル系溶媒、酢酸エチル等のエステル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、これらの混合溶媒等が挙げられる。反応後、必要に応じて、有機合成化学で通常用いられる方法例えば、各種カラムクロマトグラフィー法、再結晶法、溶媒による洗浄等で得られた錯化合物を精製してもよい。以下に、化合物Iの具体例を例示する。本発明の錯化合物の具体例を、表1に示す。表1中、陽イオンは、アミンの陽イオンまたは第4級アンモニウムイオンを表し、モル比は、本発明の錯化合物中における各成分のモル比[化合物I:金属:陽イオンを表す。表1中、A1およびA2は以下のアミンの陽イオンを表す。式中、Etはエチル基を表し、i-Prはイソプロピル基を表し、i-Buはイソブチル基を表す。B1~B12は上記例示した第4級アンモニウムイオンを表す。本発明の錯化合物は、光記録媒体用色素、紫外線吸収剤、3次元記録材料としての二光子吸収用色素、短波長レーザー例えば、青紫色レーザー等光対応の増感色素等として使用することができる。本発明の錯化合物は、優れた溶解性、優れた塗膜性、優れた耐光性、優れた耐湿熱性、優れた耐水性等の特性を有する。光記録媒体本発明の光記録媒体は、本発明の錯化合物を含有し、優れた耐光性、優れた耐湿熱性、優れた記録再生特性等を有する。本発明の光記録媒体としては、例えば、基板、反射層、記録層、透明保護層およびカバー層を備えているもの等が挙げられ、基板上に、反射層、記録層、透明保護層およびカバー層がこの順に設けられているものが好ましい。本発明の光記録媒体としては、例えば、本発明の錯化合物を含有する記録層を有するもの等が挙げられる。本発明の錯化合物を用いて該記録層を形成するとき、本発明の錯化合物は、単独でまたは2種以上を混合して用いてもよい。本発明の錯化合物と他の色素とを併用して用いてもよい。他の色素としては、記録用のレーザー光の波長域に吸収を有するものが好ましい。また、情報記録記録層、反射層または透明保護層、およびカバー層における熱的変形によりレーザー照射箇所に形成される記録マーク等の形成が阻害されないようなものを他の色素として用いることが好ましい。他の色素としては、例えば、本発明の錯化合物以外の含金属アゾ系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、シアニン系色素、アゾ系色素、スクアリリウム系色素、含金属インドアニリン系色素、トリアリールメタン系色素、メロシアニン系色素、アズレニウム系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、インドフェノール系色素、キサンテン系色素、オキサジン系色素、ピリリウム系色素等が挙げられる。これらは単独でまたは2種以上を混合して用いてもよい。他の色素のうち770nm~830nmの近赤外レーザー光、620nm~690nmの赤色レーザー光等のレーザー光を用いた記録に適する色素と本発明の錯化合物とを併用して、複数の波長域のレーザー光での記録が可能である光記録媒体を作製することもできる。記録層は、必要に応じてバインダーを含有してもよい。バインダーとしては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ポリビニルブチラール、ケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。これらは単独でまたは2種以上を混合して用いてもよい。また、記録層は、該記録層の安定性および耐光性向上のために、一重項酸素クエンチャーや記録感度向上剤等を含有してもよい。一重項酸素クエンチャーとしては、遷移金属キレート化合物例えば、アセチルアセトネート、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ-α-ジケトン等と遷移金属とのキレート化合物等等が挙げられる。これらは単独でまたは2種以上を混合して用いてもよい。記録感度向上剤としては、遷移金属等の金属が原子、イオン、クラスター等の形で化合物に含まれるものをいい、例えば、エチレンジアミン系錯体、アゾメチン系錯体、フェニルヒドロキシアミン系錯体、フェナントロリン系錯体、ジヒドロキシアゾベンゼン系錯体、ジオキシム系錯体、ニトロソアミノフェノール系錯体、ピリジルトリアジン系錯体、アセチルアセトネート系錯体、メタロセン系錯体、ポルフィリン系錯体等の有機金属化合物等が挙げられる。これらは単独でまたは2種以上を混合して用いてもよい。本発明の光記録媒体の記録層の厚さは、1nm~5μmであるのが好ましく、5nm~100nmであるのがより好ましく、15nm~60nmであるのがさらに好ましい。記録層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード法、キャスト法、スピンコート法、浸漬法等の公知の薄膜形成法で形成することができるが、量産性、コスト面からスピンコート法が好ましい。スピンコート法により記録層を形成する場合、適切な膜厚を得るために、本発明の錯化合物の濃度を0.3質量~2.5質量に調製した溶液を用いることが好ましく、回転数を500rpm~10,000rpmにするのが好ましい。スピンコート法により溶液を塗布した後、加熱、減圧乾燥、溶媒蒸気への曝露等の処理を行ってもよい。溶液を塗布することにより記録層を形成する場合例えば、ドクターブレード法、キャスト法、スピンコート法、浸漬法等に用いる溶液の溶媒としては、基板および記録層を塗布する前に基板上に形成した層例えば、反射層等を侵さない溶媒であればよく、特に限定されない。例えば、ジアセトンアルコール、3-ヒドロキシ-3-メチル-2-ブタノン等のケトンアルコール系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のセロソルブ系溶媒、n-ヘキサン、n-オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、n-ブチルシクロヘキサン、tert-ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン等の炭化水素系溶媒、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のエーテル系溶媒、2,2,3,3-テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロペンタノール、ヘキサフルオロブタノール等のフルオロアルキルアルコール系溶媒、乳酸メチル、乳酸エチル、イソ酪酸メチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル系溶媒等が挙げられる。これらは単独でまたは2種以上を混合して用いてもよい。本発明の光記録媒体の基板は、レーザー光による記録再生のため、表面上に螺旋状に形成される案内溝が形成されているものが好ましい。基板としては、狭トラックピッチである微細な溝を形成しやすいものが好ましく、具体的には、ガラス、プラスチック等が挙げられる。プラスチックとしては、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂、脂環式ポリオレフィン樹脂等が挙げられるが、高生産性、コスト、耐吸湿性等の点からポリカーボネート樹脂であるのが好ましい。基板は前記のプラスチックを射出成形して作製するのが好ましい。射出成形により基板を作製する方法としては、案内溝が形成されたNi等の金属からなるスタンパーを用いる方法等が挙げられる。前記スタンパーを作製するための原盤は、例えば、以下のようにして作製される。円盤状のガラス基板の表面を平滑になるよう研磨する。その基板上に所望の溝深さに応じて厚さを調整したフォトレジストを塗布する。次いで青紫色レーザー光よりも短い波長のレーザー光または電子ビームを用いてフォトレジストを露光し、現像を行うことにより、案内溝が形成された原盤を作製する。次いで、この原盤表面にNi等の導電膜を真空製膜し、メッキ工程を経て、案内溝が形成されたNi等の金属からなるスタンパーを作製する。このスタンパーを用いて前記のプラスチックを射出成形することにより、表面上に案内溝が形成された基板を作製する。該案内溝としては、凹凸の頂点面と底辺面の高低差溝深さが15nm~80nmであるのが好ましく、25nm~50nmであるのがより好ましい。凸部と凹部の幅の比率としては40:60~60:40凸部:凹部の範囲であるのが好ましい。反射層は金属であるのが好ましい。金属としては、例えば、金、銀、アルミニウムまたはそれらの合金等が挙げられるが、550nm以下の波長のレーザー光に対する反射率や表面の平滑性の点から、銀または銀を主成分とする合金が好ましい。該銀を主成分とする合金は銀を90程度以上含むものが好ましく、銀以外の成分としてCu、Pd、Ni、Si、Au、Al、Ti、Zn、Zr、Nb、BiおよびMoの群から選ばれる1種類以上を含むものが好ましい。反射層は、例えば、蒸着法、スパッタリング法例えば、DCスパッタリング法等、イオンプレーティング法等によって基板上に形成することができる。記録再生特性を向上させるため、または反射率を調整する等の目的で、反射層と記録層との間に中間層を設けてもよい。中間層としては、具体的には、金属、金属酸化物、金属窒化物等が挙げられる。反射層の厚さは5nm~300nmであるのが好ましく、20nm~100nmであるのがより好ましい。透明保護層としては、記録再生時に使用するレーザー光に対して吸収を有しないか、わずかな吸収しか有しないものが好ましく、屈折率の実数部が比較的大きく、1.5~2.0前後の値を有するものが好ましい。透明保護層としては、具体的には、金属酸化物、金属窒化物、金属硫化物またはこれらの混合物等が挙げられる。透明保護層の厚さは、5nm~50nmであるのが好ましい。透明保護層の厚さが5nm以上の場合には、記録層に変形を生じさせて形成した記録マークがこの記録マーク間の未記録部分と明確に分離できるためより良好な信号が得られる。また、透明保護層の厚さが50nm以下の場合には、透明保護層の変形が生じやすいためより良好な信号が得られる。透明保護層はスパッタリング法例えば、RFスパッタリング法、DCスパッタリング法等等によって記録層の上に形成することができる。透明保護層をスパッタリング法で形成する際に用いるターゲット材としては、例えば、ZnS-SiO2、酸化インジウムスズITO等が挙げられる。カバー層は、例えば、表面に記録再生レーザー光に対して透明、かつ、粘着力のある接着層を有する厚さ約0.1mmのポリカーボネート樹脂製のシートを用い、接着層を介してシートを透明保護層に加圧接着することにより、透明保護層の上に形成することができる。接着層としては、情報記録の際に記録層および透明保護層の変形を阻害しないものが好ましい。カバー層は紫外線硬化樹脂を用いて形成することもでき、該紫外線硬化樹脂としては、接着層と同様に、情報記録の際に記録層および透明保護層の変形を阻害しないものが好ましい。カバー層の上にハードコートを形成することが好ましい。本発明の光記録媒体は本発明の錯化合物を含有することから、記録時に使用するレーザー光の波長は350nm~530nmであるのが好ましい。一般的に、記録時に使用するレーザー光の波長が短いほど高密度な記録が可能となる。レーザー光の具体例としては、例えば、中心波長が405nm、410nm等である青紫色レーザー光、中心波長が515nmである青緑色の高出力半導体レーザー光等が挙げられ、中でも、中心波長が405nmである青紫色の高出力半導体レーザー光が好ましい。基本発振波長が740nm~960nmである連続発振可能な半導体レーザー光、半導体レーザー光によって励起されかつ基本発振波長が740nm~960nmである連続発振可能な固体レーザー光等を、第二高調波発生素子SHGにより波長変換することによって得られる光を用いてもよい。SHGとしては、反射対称性を欠くピエゾ素子であればいかなるものでもよいが、KDPKH2PO4、ADPNH4H2PO4、BNNBa2NaNb5O15、KNKNbO3、LBOLiB3O5、化合物半導体等が好ましい。SHGにより波長変換することによって得られる光第二高調波の具体例としては、基本発振波長が860nmである半導体レーザー光を波長変換した430nm光、基本発振波長が860nmである半導体レーザー励起の固体レーザー光を波長変換した430nm光等が挙げられる。本発明の光記録媒体は、BDであるのが好ましい。BDは波長405nmの青紫色レーザーを使用し、対物レンズのNAを0.85とすることによりレーザースポット径を小さくして、より高密度の情報を記録する光記録媒体である。BD-Rでは基板上に反射層と、記録層と、透明保護層と、基板よりも薄いカバー層とが順次積層されている。カバー層側から青紫色レーザー光を照射して記録再生を行う。以下、合成例、実施例および試験例により、本発明をさらに具体的に説明する。略号の説明を、以下に示す。TFP:2,2,3,3-テトラフルオロプロパノールDMSO:ジメチルスルホキシド[化合物Iの原料の製造]JournalofOrganicChemisty,1999年,第64巻,p.5644-5649に記載の方法に準じて、5-クロロ-1-フェニル-1H-テトラゾールとヒドラジン水化物とを反応させることにより5-ヒドラジノ-1-フェニル-1H-テトラゾールを得た。5-ヒドラジノ-1-フェニル-1H-テトラゾールの製造方法と同様にして、2-ヒドラジノベンゾオキサゾールを得た。[第4級アンモニウム塩の製造]JournaloftheAmericanChemicalSociety,1950年,第72巻,p.2040-2044に記載の方法に準じて、キノリンと1,5-ジブロモペンタンとを反応させることにより1-[5-1-キノリニウミルペンチル]キノリニウムジブロミドを得た。1-[5-1-キノリニウミルペンチル]キノリニウムジブロミドの製造方法と同様にして、2-[5-2-イソキノリニウミルペンチル]イソキノリニウムジブロミド、および3,5-ジメチル-1-{4-[3,5-ジメチル-1-ピリジニウムイルメチル]ベンジル}ピリジニウムジクロリドを得た。JournalofMaterialsChemistry,2006年,第16巻,p.345-347に記載の方法に準じて、1,1’-ビス2,4-ジニトロフェニル-4,4’-ビピリジニウムジクロリドと4-tert-ブチルアニリンとを反応させることにより1,1’-ビス4-tert-ブチルフェニル-4,4’-ビピリジニウムジクロリドを得た。OrganicLetters,2007年,第9巻,p.3495-3498に記載の方法に準じて、1,2-ジメチルイミダゾールとα,α’-ジクロロ-o-キシリレンとを反応させることにより1,2-ジメチル-3-{2-[1,2-ジメチル-1H-イミダゾール-3-イウム-3-イルメチル]ベンジル}-1H-イミダゾール-3-イウムジクロリドを得た。1,2-ジメチル-3-{2-[1,2-ジメチル-1H-イミダゾール-3-イウム-3-イルメチル]ベンジル}-1H-イミダゾール-3-イウムジクロリドの製造方法と同様にして、1-2-シアノエチル-2-メチル-3-{4-[1-2-シアノエチル-2-メチル-1H-イミダゾール-3-イウム-3-イル]ブチル}-1H-イミダゾール-3-イウムジブロミド、1-2-シアノエチル-2-フェニル-3-{4-[1-2-シアノエチル-2-フェニル-1H-イミダゾール-3-イウム-3-イル]ブチル}-1H-イミダゾール-3-イウムジブロミド、4,4’-ビス[1,2-ジメチル-1H-イミダゾール-3-イウム-3-イルメチル]-1,1’-ビフェニルジクロリド、4,4’-ビス{[1-2-シアノメチル-2-メチル-1H-イミダゾール-3-イウム-3-イル]メチル}-1,1’-ビフェニルジクロリド、1,4-ビス{[1-2-シアノメチル-2-メチル-1H-イミダゾール-3-イウム-3-イル]メチル}ベンゼンジクロリド、および1,2-ジメチル-3-[4-1,2-ジメチル-1H-イミダゾール-3-イウム-3-イルブチル]-1H-イミダゾール-3-イウムジブロミドを得た。JournaloftheAmericanChemicalSociety,2009年,第131巻,p.9931-9933に記載の方法に準じて、2,2’-ビピリジンと1,3-ジブロモプロパンとを反応させることにより7,8-ジヒドロ-6H-ジピリド[1,2-a:2’,1’-c][1,4]ジアゼピンジイウムジブロミドを得た。[化合物Iの製造]合成例1:化合物I-1の製造4-ジエチルアミノサリチルアルデヒド10.00g、5-ヒドラジノ-1-フェニル-1H-テトラゾール9.11gおよびメタノール100mlを混合し、50°Cで3時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却して、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより化合物I-117.13g収率94を得た。1H-NMR400MHzδDMSO-d6ppm:0.976H,t,J=6.8Hz,3.28-3.344H,m,6.03-6.162H,m,6.941H,d,J=8.8Hz,7.55-7.655H,m,8.151H,s,10.161H,s,11.111H,s.合成例2:化合物I-2の製造4-メトキシサリチルアルデヒド6.00g、5-ヒドラジノ-1-フェニル-1H-テトラゾール6.95gおよびメタノール60mlを混合し、50°Cで3時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却して、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより化合物I-211.75g収率96を得た。1H-NMR400MHzδDMSO-d6ppm:3.723H,s,6.34-6.392H,m,7.021H,d,J=8.4Hz,7.55-7.655H,m,8.241H,s,10.401H,s,11.391H,s.合成例3:化合物I-3の製造4-メトキシサリチルアルデヒド3.00g、2-ヒドラジノ-ベンゾオキサゾール2.94gおよびエタノール60mlを混合し、50°Cで3時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却して、析出した固体を濾取し、エタノールで洗浄後、乾燥することにより化合物I-35.42g収率97を得た。1H-NMR400MHzδDMSO-d6ppm:3.763H,s,6.47-6.522H,m,7.05-7.485H,m,8.351H,s,10.911H,s,11.931H,s.錯化合物の製造]実施例1-錯化合物1の製造-化合物I-15.00g、ジイソブチルアミン3.68gおよびメタノール50mlの混合物に酢酸コバルトII4水和物1.77gを加え、混合物を50°Cで4時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物15.09g収率81を得た。吸収極大波長TFP:389.0nm1H-NMR400MHzδDMSO-d6ppm:0.93-1.0024H,m,1.92-1.992H,m,2.744H,d,J=7.2Hz,3.18-3.208H,m,5.68-5.954H,m,7.14-7.314H,m,7.54-7.584H,m,7.99-8.086H,m,8.422H,s.実施例2-錯化合物2の製造-錯化合物11.00g、1-[5-1-キノリニウミルペンチル]キノリニウムジブロミド0.30gおよびメタノール15mlを混合し、50°Cで3時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物21.03g収率99を得た。吸収極大波長TFP:388.5nm1H-NMR400MHzδDMSO-d6ppm:0.92-0.9524H,m,1.45-1.662H,m,1.96-2.004H,m,3.19-3.1916H,m,4.96-4.994H,m,5.66-5.938H,m,7.14-7.298H,m,7.51-7.558H,m,7.98-8.1814H,m,8.41-8.508H,m,9.21-9.444H,m.実施例3-錯化合物3の製造-錯化合物11.00g、2-[5-2-イソキノリニウミルペンチル]イソキノリニウムジブロミド0.30gおよびメタノール15mlを混合し、50°Cで3時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物31.02g収率98を得た。吸収極大波長TFP:388.5nm1H-NMR400MHzδDMSO-d6ppm:0.94-0.9724H,m,1.33-1.442H,m,2.02-2.064H,m,3.13-3.1716H,m,4.65-4.684H,m,5.66-5.948H,m,7.13-7.308H,m,7.53-7.578H,m,8.04-8.0610H,m,8.23-8.7414H,m,9.992H,s.実施例4-錯化合物4の製造-錯化合物11.00g、3,5-ジメチル-1-{4-[3,5-ジメチル-1-ピリジニウムイルメチル]ベンジル}ピリジニウムジクロリド0.24gおよびメタノール10mlを混合し、50°Cで3時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物41.02g収率98を得た。吸収極大波長TFP:388.0nm1H-NMR400MHzδDMSO-d6ppm:0.92-0.9524H,m,2.3512H,s,3.09-3.1816H,m,5.64-5.9312H,m,7.12-7.298H,m,7.51-7.5512H,m,8.03-8.4314H,m,8.864H,s.実施例5-錯化合物5の製造-錯化合物11.00g、1,2-ジメチル-3-{2-[1,2-ジメチル-1H-イミダゾール-3-イウム-3-イルメチル]ベンジル}-1H-イミダゾール-3-イウムジクロリド0.23gおよびメタノール10mlを混合し、50°Cで3時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物50.97g収率94を得た。吸収極大波長TFP:388.5nm1H-NMR400MHzδDMSO-d6ppm:0.92-0.9724H,m,2.336H,s,3.05-3.1616H,m,3.646H,s,5.52-5.9212H,m,6.64-6.662H,m,7.12-7.6122H,m,8.02-8.048H,m,8.444H,s.実施例6-錯化合物6の製造-錯化合物11.00g、1,1’-ビス4-tert-ブチルフェニル-4,4’-ビピリジニウムジクロリド0.31gおよびメタノール10mlを混合し、50°Cで3時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物61.06g収率97を得た。吸収極大波長TFP:386.5nm1H-NMR400MHzδDMSO-d6ppm:0.92-0.9524H,m,1.3618H,m,3.13-3.1716H,m,5.65-5.898H,m,7.11-7.298H,m,7.52-8.2324H,m,8.434H,s,8.91-9.568H,m.実施例7-錯化合物7の製造-化合物I-211.00g、ジイソブチルアミン9.16gおよびメタノール90mlの混合物に酢酸コバルトII4水和物4.41gを加え、混合物を50°Cで6時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物711.78g収率83を得た。吸収極大波長TFP:373.0nm1H-NMR400MHzδDMSO-d6ppm:0.9312H,d,J=6.8Hz,1.91-1.982H,m,2.734H,d,J=7.2Hz,3.556H,s,6.05-6.074H,m,7.28-7.334H,m,7.54-7.584H,m,8.05-8.076H,m,8.592H,s.実施例8-錯化合物8の製造-錯化合物70.50g、1,2-ジメチル-3-{2-[1,2-ジメチル-1H-イミダゾール-3-イウム-3-イルメチル]ベンジル}-1H-イミダゾール-3-イウムジブロミド0.12gおよびメタノール10mlを混合し、50°Cで3時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物80.46g収率90を得た。吸収極大波長TFP:373.0nm1H-NMR400MHzδDMSO-d6ppm:2.416H,s,3.4912H,s,3.726H,s,5.45-5.554H,m,5.99-6.068H,m,6.72-6.752H,m,7.28-7.6622H,m,8.04-8.068H,m,8.614H,s.実施例9-錯化合物9の製造-錯化合物70.50g、1-2-シアノエチル-2-メチル-3-{4-[1-2-シアノエチル-2-メチル-1H-イミダゾール-3-イウム-3-イル]ブチル}-1H-イミダゾール-3-イウムジブロミド0.17gおよびメタノール10mlを混合し、50°Cで3時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物90.44g収率85を得た。吸収極大波長TFP:372.5nm1H-NMR400MHzδDMSO-d6ppm:1.68-1.754H,m,2.646H,s,3.09-3.124H,m,3.5512H,s,4.13-4.184H,m,4.44-4.474H,m,6.05-6.078H,m,7.28-7.7220H,m,8.05-8.068H,m,8.594H,s.実施例10-錯化合物10の製造-錯化合物70.50g、1-2-シアノエチル-2-フェニル-3-{4-[1-2-シアノエチル-2-フェニル-1H-イミダゾール-3-イウム-3-イル]ブチル}-1H-イミダゾール-3-イウムジブロミド0.21gおよびメタノール10mlを混合し、50°Cで3時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物100.51g収率91を得た。吸収極大波長TFP:372.5nm1H-NMR400MHzδDMSO-d6ppm:1.46-1.524H,m,3.00-3.034H,m,3.5412H,s,3.81-3.904H,m,4.20-4.234H,m,6.05-6.078H,m,7.28-7.338H,m,7.54-8.0730H,m,8.594H,s.実施例11-錯化合物11の製造-錯化合物70.50g、7,8-ジヒドロ-6H-ジピリド[1,2-a:2’,1’-c][1,4]ジアゼピンジイウムジブロミド0.12gおよびメタノール10mlを混合し、50°Cで3時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物110.44g収率92を得た。吸収極大波長TFP:373.0nm1H-NMR400MHzδDMSO-d6ppm:2.69-2.802H,m,3.5512H,s,4.97-5.004H,m,6.05-6.088H,m,7.28-7.5816H,m,8.05-8.4812H,m,8.594H,s,8.90-9.334H,m.実施例12-錯化合物12の製造-錯化合物70.50g、4,4’-ビス[1,2-ジメチル-1H-イミダゾール-3-イウム-3-イルメチル]-1,1’-ビフェニルジクロリド0.15gおよびメタノール10mlを混合し、50°Cで3時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物120.48g収率90を得た。吸収極大波長TFP:373.0nm1H-NMR400MHzδDMSO-d6ppm:2.606H,s,3.5412H,s,3.746H,s,5.434H,s,6.05-6.078H,m,7.28-7.7228H,m,8.05-8.068H,m,8.594H,s.実施例13-錯化合物13の製造-錯化合物70.50g、4,4’-ビス{[1-2-シアノメチル-2-メチル-1H-イミダゾール-3-イウム-3-イル]メチル}-1,1’-ビフェニルジクロリド0.18gおよびメタノール10mlを混合し、50°Cで3時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物130.50g収率90を得た。吸収極大波長TFP:373.0nm1H-NMR400MHzδDMSO-d6ppm:2.706H,s,3.144H,t,J=6.4Hz,3.5412H,s,4.474H,t,J=6.4Hz,5.474H,s,6.05-6.078H,m,7.28-7.8128H,m,8.05-8.068H,m,8.594H,s.実施例14-錯化合物14の製造-錯化合物70.50g、1,4-ビス{[1-2-シアノメチル-2-メチル-1H-イミダゾール-3-イウム-3-イル]メチル}ベンゼンジクロリド0.15gおよびメタノール10mlを混合し、50°Cで3時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物140.50g収率94を得た。吸収極大波長TFP:373.0nm1H-NMR400MHzδDMSO-d6ppm:2.656H,s,3.124H,t,J=6.8Hz,3.5412H,s,4.464H,t,J=6.8Hz,5.424H,s,6.05-6.078H,m,7.28-7.5820H,m,7.73-8.0612H,m,8.594H,s.実施例15-錯化合物15の製造-化合物I-32.00g、ジイソプロピルエチルアミン1.82gおよびメタノール20mlの混合物に酢酸コバルトII4水和物0.88gを加え、混合物を50°Cで6時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物152.35g収率89を得た。吸収極大波長TFP:380.5nm1H-NMR400MHzδDMSO-d6ppm:1.21-1.2615H,m,3.08-3.172H,m,3.536H,s,3.56-3.622H,m,5.97-6.024H,m,6.52-7.2610H,m,8.141H,s,8.502H,s.実施例16-錯化合物16の製造-錯化合物150.50g、1,2-ジメチル-3-[4-1,2-ジメチル-1H-イミダゾール-3-イウム-3-イルブチル]-1H-イミダゾール-3-イウムジブロミド0.15gおよびメタノール10mlを混合し、50°Cで3時間攪拌した。反応混合物を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄後、乾燥することにより錯化合物160.48g収率96を得た。吸収極大波長TFP:380.5nm1H-NMR400MHzδDMSO-d6ppm:1.60-1.734H,m,2.536H,s,3.5312H,s,3.716H,s,4.01-4.164H,m,5.98-6.028H,m,6.52-7.5924H,m,8.514H,s.試験例1-溶解性試験-20mgの錯化合物1~16のそれぞれに980mgのTFPを加え、室温で30分間超音波振動を加えた。20mgの錯化合物1~16がTFP980mgに完全に溶解していることを目視により確認した。試験例2-塗膜性試験-20mgの錯化合物1~16のそれぞれを980mgのTFPに溶解し、テフロン登録商標製フィルターWhatman社製、孔径0.20μmで濾過し、錯化合物1~16の溶液をそれぞれ得た。基板としてポリカーボネート樹脂製の板太佑機材社製;直径2インチ、厚さ1mmを用いて、ミカサ社製1H-SXを用いてスピンコート法3,000rpm、30秒間、溶液の使用量;0.25g~0.30gにて該溶液を基板上に塗布し、該基板を70°Cで30分間オーブン中にて乾燥して、錯化合物の薄膜をそれぞれ得た。得られた錯化合物1~16の薄膜にはむらがなく、均質に製膜されていることを目視により確認した。試験例3-耐湿熱性試験-塗膜性試験と同様にして、錯化合物2~6、8~14、および16の薄膜をそれぞれ得た。サタケ化学機械工業社製恒温恒湿槽KHWII-40HPを用いて、該薄膜を温度80°C、相対湿度80の雰囲気に100時間曝露した。耐湿熱性試験の前後の薄膜において、分光光度計を用いて、紫外可視吸収スペクトルを測定した。耐湿熱性試験前の吸収極大波長における吸光度Ia0に対する耐湿熱性試験後の吸収極大波長における吸光度Iaの比Ia/Ia0、および耐湿熱性試験前後の吸収極大波長の変化[Δλmaxa]を表2に示す。ここで、耐湿熱性試験後の吸収極大波長は、耐湿熱性試験後の吸収スペクトルにおける吸収極大波長を表す。比Ia/Ia0が1に近いほど、また、Δλmaxaが小さいほど、優れた耐湿熱性を有することを表す。錯化合物2~6、8~14、および16の薄膜は、それぞれ優れた耐湿熱性を有していることがわかった。試験例4-耐水性試験-塗膜性試験と同様にして、錯化合物2~6、8~14、および16の薄膜をそれぞれ得た。該薄膜を25°Cの水に30分間浸した。耐水性試験の前後の薄膜において、分光光度計を用いて紫外可視吸収スペクトルを測定した。耐水性試験前の吸収極大波長における吸光度Ib0に対する耐水性試験後の吸収極大波長における吸光度Ibの比Ib/Ib0、および耐水性試験前後の吸収極大波長の変化[Δλmaxb]を表3に示す。ここで、耐水性試験後の吸収極大波長は、耐水性試験後の吸収スペクトルにおける吸収極大波長を表す。比Ib/Ib0が1に近いものほど、また、Δλmaxbが小さいものほど、優れた耐水性を有することを表す。錯化合物2~6、8~14、および16の薄膜は、それぞれ優れた耐水性を有していることがわかった。実施例17-光記録媒体の製造-基板として、中央に貫通孔を有し、かつ表面にトラックピッチ0.32μmの案内溝を有する外径120mm、厚さ1.1mmのポリカーボネート樹脂製の円盤を用いた。該基板の案内溝が形成された面の上に、スパッタリング法により40nm~60nmの厚さのAg合金の反射層を形成した。20mgの錯化合物2を1,980mgのTFPに溶解し、テフロン登録商標製フィルターWhatman社製、孔径0.20μmで濾過して、錯化合物2の溶液を得た。該溶液をミカサ社製1H-SXを用いてスピンコート法1,200rpm~5,000rpm、10秒間、溶液の使用量;1mlにより該反射層の上に塗布し、70°C、30分間オーブン中にて該基板を乾燥して、記録層を形成した。次いで、該記録層の上に、ZnS-SiO2組成比;ZnS/SiO2=80質量/20質量をターゲット材として用いたRFスパッタリング法により、10nm~20nmの厚さの透明保護層を形成した。次いで、該透明保護層の上に、リンテック社製カバーフィルム貼付装置OpteriaMODEL300m/STを用い、同社製カバーフィルムD-900を貼付けることにより、光記録媒体2を製造した。錯化合物2を用いる代わりに、錯化合物3~6、8~14、および16を用いる以外は、光記録媒体2の製造法と同様にして、光記録媒体3~6、8~14、および16をそれぞれ製造した。試験例5-光記録媒体の記録再生特性評価試験-光記録媒体2~6、8~14、および16について、記録再生装置パルステック工業社製、ODU-1000を用いて、記録用レーザー光の記録パワーが3mW~8mWの範囲で、記録パワーにおけるジッタの依存性を測定した[測定条件:波長405nm、開口数NA0.85、記録速度9.84m/s2倍速]。得られた記録パワーにおけるジッタの依存性において、記録パワーが3mW~8mWの範囲で最小のジッタをボトムジッタとした。得られたボトムジッタ、およびボトムジッタ値における記録パワーを表4に示す。ボトムジッタ、および記録パワーが小さいほど優れた記録再生特性を有することを表す。光記録媒体2~6、8~14、および16は、それぞれ優れた記録再生特性を有することがわかった。中でも、光記録媒体9、10、12、13および14は、特に優れた記録再生特性を有することがわかった。"