基材substrate上に炭素ソース含有ガスを供給し、誘導結合プラズマ化学気相蒸着InductivelyCoupledPlasma-ChemicalVaporDeposition;ICP-CVDによって500°C以下の雰囲気温度でグラフェンを形成するグラフェン形成段階を含むグラフェンの製造方法。前記基材は、グラフェン成長用の金属触媒層をさらに含む、請求項1に記載のグラフェンの製造方法。前記基材を誘導結合プラズマ化学気相蒸着チャンバ内にローディングし、前記炭素ソースを供給して誘導結合プラズマ化学気相蒸着によって前記雰囲気温度でグラフェンを形成するステップを含み、前記基材は、ロードロックチャンバload-lockedchamberを利用して誘導結合プラズマ化学気相蒸着チャンバ内に順次にローディングされる、請求項1または2に記載のグラフェンの製造方法。前記基材を蒸着チャンバ内にローディングして前記基材上に前記グラフェン成長用の金属触媒層を形成するステップと、前記基材を誘導結合プラズマ化学気相蒸着チャンバ内にローディングして前記炭素ソースを供給し、誘導結合プラズマ化学気相蒸着によって前記雰囲気温度でグラフェンを形成するステップと、を含み、前記基材は、ロードロックチャンバを利用して前記蒸着チャンバ及び誘導結合プラズマ化学気相蒸着チャンバ内に順次にローディングされる、請求項2に記載のグラフェンの製造方法。前記グラフェン形成段階は、ロールツーロール工程によって行われる、請求項1から4の何れか1項に記載のグラフェンの製造方法。前記基材は、透明性または柔軟性、または透明性及び柔軟性を有する、請求項1から5の何れか1項に記載のグラフェンの製造方法。前記基材は、π電子を有する高分子化合物を含む高分子シートである、または前記高分子シートを含む、請求項1から6の何れか1項に記載のグラフェンの製造方法。前記グラフェン形成段階において形成されたグラフェンを冷却する冷却段階をさらに含む、請求項1から7の何れか1項に記載のグラフェンの製造方法。前記グラフェン成長用の金属触媒層はパターニングされたものである、請求項2に記載のグラフェンの製造方法。前記グラフェン形成段階の後に前記グラフェン成長用の金属触媒層を除去する除去段階により、前記形成されたグラフェンをシート状で前記基材から分離することをさらに含む、請求項2に記載のグラフェンの製造方法。前記除去段階は、酸、FeCl3またはこれらの組合を含むエッチング溶液を利用したエッチング工程によって行われる、請求項10に記載のグラフェンの製造方法。前記除去段階は、ロールツーロール工程によって行われる、請求項11に記載のグラフェンの製造方法。基材上に形成されたグラフェン成長用の金属触媒層上にグラフェンを形成するグラフェン形成段階、及び前記グラフェン成長用の金属触媒層を除去することで前記形成されたグラフェンを前記基材上に直接転写する直接転写段階、を含む、グラフェンの直接転写方法。前記グラフェン形成段階及び前記直接転写段階は、ロールツーロール工程によって行われる、請求項13に記載のグラフェンの直接転写方法。前記グラフェン形成段階は、前記基材上に形成されたグラフェン成長用の金属触媒層上に炭素ソース含有ガスを供給し、誘導結合プラズマの化学蒸気蒸着InductivelyCoupledPlasma-ChemicalVaporDeposition;ICP-CVDによって500°C以下の雰囲気温度でグラフェンを形成することを含む、請求項13または14に記載のグラフェンの直接転写方法。前記グラフェン成長用の金属触媒層を除去することは、酸、塩、FeCl3またはこれらの組合を含むエッチング溶液を利用したエッチング工程によって行われる、請求項13から15の何れか1項に記載のグラフェンの直接転写方法。前記直接転写段階は、ロールツーロール工程を利用して行われる、請求項13から16の何れか1項に記載のグラフェンの直接転写方法。基材及び誘導結合プラズマの化学蒸気蒸着InductivelyCoupledPlasma-ChemicalVaporDeposition;ICP-CVDによって500°C以下の雰囲気温度で形成されたグラフェンを含む、グラフェンシート。前記グラフェンシートは、前記基材上に形成されたグラフェン成長用の金属触媒層に炭素ソース含有ガスを供給し、ICP-CVDによって500°C以下の雰囲気温度でグラフェンを形成し、前記グラフェン成長用の金属触媒層を除去することで前記形成されたグラフェンを前記基材上に直接転写することを含む工程によって形成される、請求項18に記載のグラフェンシート。前記グラフェンが有機系ドーパントdopant、無機系ドーパントまたはこれらの組合を含むドーパントによってドーピングされた、請求項18または19に記載のグラフェンシート。前記問題点を解決するために、本願は、誘導結合プラズマ化学気相蒸着ICP-CVDを利用して、500°C以下の低温でグラフェンを容易に製造することができることを発見して本願を完成した。それで、本願は、誘導結合プラズマ化学気相蒸着ICP-CVDを利用したグラフェンの低温製造方法、これを利用したグラフェンの直接転写方法及びグラフェンシートを提供する。また、本願は、ロールツーロール工程によって行われる誘導結合プラズマ化学気相蒸着ICP-CVDを利用したグラフェンの低温製造方法、これを利用したグラフェンの直接転写方法を提供する。しかし、本願が解決しようとする課題は、以上で言及した課題に限らず、言及されなかったまた他の課題は、以下の記載から当業者に明確に理解できるであろう。本願の第1側面は、基材上に炭素ソース含有ガスを供給し、誘導結合プラズマの化学蒸気蒸着ICP-CVDによって、500°C以下の低温でグラフェンを形成することを含むグラフェンの製造方法を提供する。本願の一具現例によると、前記グラフェンの製造方法は、ロールツーロール工程によって行われてもよいが、これに限らない。本願の一具現例によると、前記基材上にグラフェン成長用の金属触媒層がさらに形成されてもよいが、これに限らない。本願の第2側面は、基材上に形成されたグラフェン成長用の金属触媒層上にグラフェンを形成し;前記グラフェン成長用の金属触媒層を除去することで、前記形成されたグラフェンを前記基材上に直接転写することを含む、グラフェンの直接転写方法を提供する。本願の第3側面は、基材及び前記基材上に形成されたグラフェンを含むグラフェンシートを提供する。本願の一具現例によると、前記グラフェンは、前記本願の第1側面による方法によって製造されてもよいが、これに限らない。本願の一具現例によると、前記グラフェンシートは、前記本願の第2側面によるグラフェンの直接転写方法によって製造されてもよいが、これに限らない。本願によると、誘導結合プラズマ化学気相蒸着ICP-CVDを利用して500°C以下の低温で基材上に、または前記基材上に形成されたグラフェン成長用の金属触媒層上に、グラフェンシートを容易に製造することができる。また、前記グラフェンシート製造方法の過程は、ロールツーロール工程によって行われ、連続工程で低温で大面積グラフェンを容易に製造することができる。前記基材としては、高温で使用し難い基材を、本願では安全に使用することができ、透明性及び/または柔軟性を有する多様な基材に本願の方法を適用することができる。特にガラスまたは高分子基材を使用して、これらの基材上に低温でグラフェンシートを容易に形成することができる。また、本願のグラフェンシートの製造方法を利用して、高分子シート基材または高分子シートが形成された基材を使用する場合、前記方法によって形成されたグラフェンシートを前記基材に簡単に直接転写することができ、別途の工程なしに基材上にグラフェンフィルムを直接転写することができる。本願による誘導結合プラズマ化学気相蒸着ICP-CVDを利用したグラフェンシートの低温形成方法、これを利用したグラフェンの直接転写方法及びグラフェンシートは、多様な電気/電子素子の構成及び製造に応用することができる。以下、添付した図面を参照して、本願が属する技術分野で通常の知識を持った者が容易に実施することができるように、本願の具現例及び実施例を詳しく説明する。しかし、本願は、様々な異なる形態で具現されることができ、ここで説明する具現例及び実施例に限らない。そして、図面で本願を明確に説明するために、説明と関係ない部分は省略し、明細書全体を通じて、類似した部分に対しては類似した図面符号を付けた。本願の明細書全体において、ある部分がある構成要素を含むとすると、これは、特に反対する記載がない限り、他の構成要素を除くものではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。本明細書全体で使用される程度の用語約、実質的になどは、言及された意味に固有の製造及び物質許容誤差が提示される時、その数値でまたはその数値に近接した意味として使用され、本願の理解を助けるために、正確であるか絶対的な数値が言及された開示内容を非良心的な侵害者が不当に利用することを防止するために使用される。本明細書全体で使用される程度の用語~ステップは、~のためのステップを意味しないもので使用される。本願の明細書全体において、ある層または部材が他の層または部材と上に位置しているとすれば、これは、ある層または部材が他の層または部材に接している場合だけでなく、二つの層または二つの部材の間に、また他の層またはまた他の部材が存在する場合も含む。本明細書で使用されるグラフェンシートという用語は、複数個の炭素原子が互いに共有結合で連結されてポリサイクリック芳香族分子を形成するグラフェンがシート状を形成したもので、前記共有結合で連結された炭素原子は、基本の繰り返し単位として6円環を形成するが、5円環及び/または7円環をさらに含むことも可能である。従って、前記グラフェンシートは、互いに共有結合された炭素原子通常、sp2結合の単一層として見える。前記シートは多様な構造を有することができ、このような構造は、グラフェン内に含まれる5円環及び/または7円環の含量によって変わってもよい。前記グラフェンシートは、上述したようなグラフェンの単一層からなるが、これらが数個互いに積層されて複数層を形成することも可能であり、通常、前記グラフェンの側面末端部は、水素原子で飽和されることができる。また、本明細書で使用される誘導結合プラズマ化学気相蒸着InductivelyCoupledPlasma-ChemicalVaporDeposition;ICP-CVDという用語は、下記のICP-CVDと表記されることもある。本願の第1側面は、基材上に炭素ソース含有ガスを供給し、誘導結合プラズマ化学気相蒸着ICP-CVDによって500°C以下の低温でグラフェンを形成することを含むグラフェンの製造方法を提供する。本願の一具現例によると、前記グラフェンの製造方法は、ロールツーロール工程によって行われてもよいが、これに限らない。本願の一具現例によると、前記グラフェンの製造方法は、前記基材を誘導結合プラズマ化学気相蒸着チャンバ内にローディングし、前記炭素ソースを供給し、誘導結合プラズマ化学気相蒸着によって低温でグラフェンを形成するステップを含み、前記基材は、ロードロックチャンバload-lockedchamberを利用して誘導結合プラズマ化学気相蒸着チャンバ内に順次にローディングされてもよいが、これに限らない。本願の一具現例によると、前記基材上にグラフェン成長用の金属触媒層がさらに形成されてもよいが、これに限らない。本願の一具現例によると、前記グラフェンの製造方法は、前記基材を蒸着チャンバ内にローディングして前記基材上に前記グラフェン成長用の金属触媒層を形成するステップと、前記基材を誘導結合プラズマ化学気相蒸着チャンバ内にローディングし、前記炭素ソースを供給し、誘導結合プラズマ化学気相蒸着によって低温でグラフェンを形成するステップとを含み、前記基材は、ロードロックチャンバを利用して前記蒸着チャンバ及び誘導結合プラズマ化学気相蒸着チャンバ内に順次にローディングされてもよいが、これに限らない。図1及び図2は、本願の一具現例によるグラフェンの製造方法を具現するために使用されることができる装置及び本願の一具現例によるグラフェンの製造方法の過程をそれぞれ示した図面である。本願の一具現例によるグラフェンの製造方法は、図1のグラフェンの製造装置を利用して具現されてもよいが、これに限らない。前記の図1のグラフェン製造装置は、移送チャンバ11、試験片12、ロードロックチャンバ13、蒸着チャンバ14及びICP-CVDチャンバ15を含むことができる。前記蒸着チャンバ14において、基材上にグラフェン成長用の金属触媒層が形成されることができ、ICP-CVDチャンバ15では、基材または前記蒸着チャンバ14で形成されたグラフェン成長用の金属触媒層が形成された基材に炭素ソースを供給して低温でグラフェンを形成することができる。前記基材は、ロードロックチャンバ13を利用して前記蒸着チャンバ14及びICP-CVD装置15内に順次に移動されて利用されてもよいが、これに限らない。図1及び図2を参照すると、本願の一具現例によるグラフェンの製造方法は、基材21を蒸着チャンバ14内にローディングして基材21上に選択的に前記グラフェン成長用の金属触媒層22を形成するステップS1と、前記基材21自体または前記グラフェン成長用の金属触媒層22が形成された基材21をICP-CVDチャンバ15内にローディングし、前記炭素ソース24を供給し、ICP-CVDによって低温でグラフェン23を形成するステップS2とを含み、前記基材は、ロードロックチャンバ13を利用して前記蒸着チャンバ14及びICP-CVD装置15内に順次に行われてもよいが、これに限らない。図3A及び図3Bは、本願の一具現例によるロールツーロール工程を利用した前記グラフェン製造方法を示す模式図である。図3A及び図3Bを参照すると、本願の一具現例による前記グラフェン製造方法は、ロールツーロール工程によって行われてもよいが、これに限らない。例えば、ロールツーロール工程によって前記基材を蒸着チャンバ内にローディングして基材上にグラフェン成長用の金属触媒層を形成し、前記グラフェン成長用の金属触媒層が形成された基材をロールツーロール工程によってICP-CVDチャンバ内にローディングして炭素ソースを供給し、ICP-CVDによって低温でグラフェンを形成することができる。前記グラフェン成長用の金属触媒層は、当業界に公知された多様な蒸着方法、例えば、電子ビーム蒸着、熱蒸着、スパッタリング方法などによって形成される。但し、前記基材は、前記ロードロックチャンバを利用して前記蒸着チャンバ内にローディングされる。前記ICP-CVDによって前記グラフェンを形成することは、低い圧力下で高い密度のプラズマを発生させてグラフェン層を形成することである。前記ICP-CVD装置を利用したグラフェン層の形成方法を概略的にみると、通常のICP-CVD装置を利用し、但し、前記グラフェン成長用の金属触媒層が形成された基材は、前記ロードロックチャンバを利用して前記ICP-CVD装置内にローディングされる。前記基材がローディングされたICP-CVD装置のチャンバを、例えば、約5mTorr~約100mTorr程度の真空度を維持しながら前記炭素ソース含有ガスを注入し、数百kHz~数百MHzの高周波電力を印加することで形成される誘導磁場によって、前記チャンバ内にプラズマを形成するようになり、前記チャンバ内にローディングされた前記基材上に形成された前記グラフェン成長用の金属触媒層上に炭素ソース含有ガスの反応によりグラフェンが形成される。前記ICP-CVD過程は、前記基材のグラフェン成長用の金属触媒層領域の全体で前記炭素ソース含有ガスが均一に噴射されて均一なプラズマを形成させることが重要であり、前記基材の温度を500°C以下の低温に維持して前記グラフェンを形成することができる。前記ロードロックチャンバを利用することで、グラフェン形成前の過程で酸素との接触が避けられ、容易に酸化されるグラフェン成長用の金属触媒層を利用する場合にも、酸化する恐れがなく、前記グラフェン形成過程を行うことができる。前記ICP-CVDによるグラフェン蒸着過程を所定温度で一定時間の間維持することで、グラフェンの生成程度を調節することが可能である。即ち、前記ICP-CVD過程を長時間維持する場合、生成されるグラフェンが多くなるので、結果としてグラフェンシートの厚みを増加させることができ、前記ICP-CVD工程が短くなると、結果としてグラフェンシートの厚みを減少させる効果が生じる。従って、目的とするグラフェンシートの厚みを得るためには、前記炭素ソースの種類及び供給圧力、グラフェン成長用触媒の種類、チャンバのサイズの他に、前記ICP-CVD工程の維持時間が重要な要素として作用することができる。このようなICP-CVD工程の維持時間は、例えば、約0.0003~約1時間の間維持することが好ましく、前記工程の維持時間が約0.0003時間未満であれば十分なグラフェンが得られず、約1時間を超える場合、生成されるグラフェンが多くなり過ぎて、グラファイト化が進行される恐れがあるので、好ましくない。前記のようなICP-CVD工程以後に、前記形成されたグラフェンに対して所定の冷却工程を経る。このような冷却工程は、形成されたグラフェンが均一に成長して一定に配列されることができるようにするための工程であり、急激な冷却は、生成されるグラフェンシートの亀裂などを引き起こし得るので、なるべく一定速度で徐々に冷却させることが好ましく、例えば、1分当り10°C以下の速度で冷却させることが好ましく、自然冷却などの方法を使用することも可能である。前記自然冷却は、熱処理に使用された熱源を単純に除去することであり、このように熱源の除去だけでも十分な冷却速度が得られる。このような冷却工程以後に得られるグラフェンシートは、例えば、単一層のグラフェン厚みである約1層から約300層にいたる厚みを有してもよく、例えば、約1層~約60層、または約1層~約30層、または約1層~約20層、または約1層~約10層を有することが可能である。上述したようなICP-CVD工程及び冷却過程は、1サイクル過程で行うが、これらを数回繰り返して、層数が高くかつ緻密な構造のグラフェンシートを生成することも可能である。本願の一具現例によると、前記基材は、透明性または柔軟性、あるいは透明性及び柔軟性を有してもよいが、これに限らない。本願の一具現例によると、前記基材は、金属ホイル、ガラス基材または高分子シートを含んでもよいが、これに限らない。例えば、前記基材が金属ホイルである場合、前記金属ホイルは、前記グラフェン成長用の金属触媒層として作用することができるNi、Co、Fe、Pt、Au、Al、Cr、Cu、Mg、Mn、Rh、Si、Ta、Ti、W、U、V、Zr、Fe、黄銅brass、青銅bronze、ステンレススチールstainlesssteel、Ge及びこれらの組合からなる群から選択されたものを含でんでもよいが、これに限らない。これにより、前記基材が金属ホイルである場合、前記基材上に前記グラフェン成長用の金属触媒層をさらに形成する必要がなく、前記基材上に直接グラフェンを形成してもよい。例えば、前記金属ホイルは、アルミニウムホイル、亜鉛ホイル、銅ホイル、またはニッケルホイルを含んでもよいが、これに限らない。前記アルミニウムホイル、亜鉛ホイル、銅オイル、またはニッケルホイルを基材として利用して直接グラフェンを成長する場合、前記ホイルが一般的な基材ではなくグラフェン成長用基材として直接使用されたので、蒸着チャンバへのローディングを経ることなく、ロードロックチャンバを通じて直接ICP-CVDチャンバ内にローディングしてグラフェンを成長させることができる。本願の一具現例によると、前記基材は、π電子を有する高分子化合物を含む高分子シートであるか、または前記高分子シートを含んでもよいが、これに限らない。前記高分子シートは、例えば、ポリアクリレートpolyacrylate、ポリエチレンテレフタレートpolyethyleneterephthalate、ポリエチレンフタレートpolyethylenephthalate、ポリエチレンナフタレートpolyethylenenaphthalate、ポリブチレンフタレートpolybuthylenephthalate、ポリカーボネートpolycarbonate、ポリスチレンpolystyrene、ポリエーテルイミドpolyetherImide、ポリエーテルスルホンpolyethersulfone、ポリジメチルシロキサンpolydimethylsiloxane;PDMS、ポリイミド及びこれらの組合からなる群から選択されたものを含んでもよいが、これに限らない。例えば、前記基材は、π電子を有する高分子化合物を含む高分子シートであるか、または前記高分子シートを含む場合、前記基材上に直接グラフェンを成長させるか、または前記基材上に前記グラフェン成長用の金属触媒層をさらに形成した後、グラフェンを成長させてもよいが、本願がこれに限らない。本願の一具現例によると、前記炭素ソースは、炭素数約1~約10を有する炭素含有化合物を含んでもよいが、これに限らない。例えば、前記炭素ソースは、一酸化炭素、二酸化炭素、メタン、エタン、エチレン、エタノール、アセチレン、プロパン、プロピレン、ブタン、ブチレン、ブタジエン、ペンタン、ペンテン、ペンチン、ペンタジエン、サイクロペンタン、サイクロペンタジエン、ヘキサン、ヘキセン、サイクロヘキサン、サイクロヘキサジエン、ベンゼン、トルエン及びこれらの組合からなる群から選択されることを含んでもよいが、これに限らない。このような炭素ソース含有ガスは、前記基材または前記グラフェン成長用の金属触媒層が形成された基材がローディングされた前記ICP-CVD装置のチャンバ内に一定の圧力で投入されることが好ましく、前記チャンバ内では、前記炭素ソース含有ガスは、前記炭素ソースのみが存在するか、または、ヘリウム、アルゴンなどのような不活性ガスと共に存在することも可能である。また、前記炭素ソース含有ガスは、前記炭素ソースと共に水素を含んでもよい。前記水素は、前記グラフェン成長用の金属触媒層の表面をきれいに維持して気相反応を制御するために用いられてもよく、容器全体体積の約1~約40体積が使用可能であり、好ましくは、約10~約30体積であり、さらに好ましくは、約15~約25体積である。本願の一具現例によると、前記グラフェン成長用の金属触媒層は、薄膜または厚膜であってもよく、例えば、薄膜の場合、その厚みは、約1nm~約1000nm、または約1nm~約500nm、または約1nm~約300nmであってもよく、また、厚膜の場合、その厚みは、約1mm~約5mmであってもよいが、これに限らない。例えば、前記グラフェン成長用の金属触媒層が厚い場合、厚いグラファイト結晶が形成される問題が発生し得るので、前記グラフェン成長用の金属触媒層の厚みを調節することが重要であり、好ましくは、前記グラフェン成長用の金属触媒層の厚みは、約1nm~約1000nm、または約1nm~約500nm、または約1nm~約300nmである。前記グラフェン成長用の金属触媒層は、前記炭素ソースと接触することで、炭素ソースから提供された炭素成分が互いに結合して6角形の板状構造を形成するように役立てる役割をする。例えば、前記グラフェン成長用の金属触媒層は、Ni、Co、Fe、Pt、Au、Al、Cr、Cu、Mg、Mn、Rh、Si、Ta、Ti、W、U、V、Zr、Fe、黄銅、青銅、ステンレススチール、Ge及びこれらの組合からなる群から選択されたものを含んでもよいが、これに限らない。本願の一具現例によると、前記グラフェンの製造方法は、前記形成されたグラフェンを冷却することをさらに含んでもよいが、これに限らない。本願の一具現例によると、前記グラフェンの製造方法は、前記グラフェンの形成後に、前記グラフェン成長用の金属触媒層をエッチングして除去することで、前記形成されたグラフェンをシート状で前記基材から分離することをさらに含んでもよいが、これに限らない。例えば、前記グラフェン成長用の金属触媒層をエッチングして除去することは、酸、FeCl3、またはこれらの組合を含むエッチング溶液中で行われてもよいが、これに限らない。前記グラフェン成長用の金属触媒層をエッチングして除去することは、ロールツーロール工程によって行われる。必要な場合、前記エッチング過程後に、洗浄過程をさらに行なってもよく、これもロールツーロール工程によって行なってもよい。上述したような本願の工程によって得られるグラフェンシートは、複雑な工程なしに、前記基材またはグラフェン成長用の金属触媒層が形成された基材を炭素ソースと接触させて、低温でICP-CVD工程後に冷却するだけで得られるので、工程が簡単でかつ経済的であり、特に形成される横方向及び縦方向の長さが約1mm以上、または約1cm以上、または約1cm~約1mである大面積のグラフェンシートを容易に製造することができる。例えば、前記グラフェン成長用の金属触媒層が形成される基材のサイズを自由に調節することで、大面積のグラフェンシートが得られる。また、炭素ソースが気相で供給されるので、基材の形状に対する制約が存在しないため、例えば、円形、四角形、多角形などのグラフェンシートが得られる。この場合、前記横方向及び縦方向の長さは、グラフェンシートの形態によって適宜な位置を選択して測定することができる。特に円形状のグラフェンシートにおいては、前記横方向及び縦方向の長さは直径になってもよい。しかも、前記基材は、3次元立体状を有する基材を用いてもよく、同様に、グラフェン成長用の金属触媒層の形状にも制約を受けないので、多様な粒子状を有するものを用いてもよい。本願の一具現例によると、前記グラフェンの製造方法は、前記ICP-CVD過程を行う時間を調節して、形成されるグラフェンの厚みを制御することを含んでもよいが、これに限らない。本願の一具現例によると、前記グラフェンの製造方法は、前記炭素ソース含有ガスと共に還元ガスをさらに供給することを含んでもよいが、これに限らない。例えば、前記還元ガスは、水素、ヘリウム、アルゴン、または窒素を含んでもよいが、これに限らない。本願の一具現例によると、前記グラフェン成長用の金属触媒層はパターニングされてもよいが、これに限らない。前記のように得られたグラフェンは、ラマンスペクトルを通じて確認することができる。即ち、純粋なグラフェンは、略1594cm-1前後のGピークをラマンスペクトルで表すので、このようなピークの存在を通じてグラフェンの生成を確認することができる。また、本願によるグラフェンは、気相の純粋な材料及び低温でICP-CVD工程を通じて得られ、ラマンスペクトルにおいて、Dバンドは、前記グラフェンに存在する欠陥の存在有無を意味し、前記Dバンドのピーク強度が高い場合、欠陷が多量に存在すると解釈することができ、このようなDバンドのピーク強度が低いか全くない場合、欠陷がほぼないと解釈することができる。このように分離されたグラフェンシートは、目的とする用途によって多様に加工されることができるという長所を有する。即ち、特定形態に切り出すか、特定方向に巻いてチューブ状に成形することができる。このように成形されたグラフェンシートは、所望の対象に転写または結合させて用いることも可能である。前記グラフェンシートは、多様な用途で活用することができる。先ず、伝導性に優れ、かつ膜の均一度が高くて、透明電極として有用に使用することができる。太陽電池などでは、基材上に電極が使用され、光が透過しなければならない特性上、透明電極が要求されている。このような透明電極として前記グラフェンシートを使用する場合、優れた伝導性を表すことはもちろん、グラフェンシートが曲がり易い特性を有するので、可撓性透明電極も容易に製造することができる。即ち、基材として可撓性プラスチックを用い、前記グラフェンシートを透明電極として活用する場合、曲げ可能な太陽電池などを製造することが可能になる。また、各種の表示素子などのパネル伝導性薄膜として活用する場合、少量でも目的とする伝導性を表すことができ、光の透過量を改善することが可能になる。しかも、前記グラフェンシートをチューブ状に製造する場合、光ファイバとしても活用可能であり、水素貯蔵体あるいは水素を選択的に透過させるメンブレインとしても活用可能である。本願の第2側面は、基材上に形成されたグラフェン成長用の金属触媒層上にグラフェンを形成し、前記グラフェン成長用の金属触媒層を除去することで、前記形成されたグラフェンを前記基材上に直接転写することを含む、グラフェンの直接転写方法を提供することができる。本願の一具現例によると、前記グラフェン成長用の金属触媒層を除去することは、酸、塩、FeCl3、またはこれらの組合を含むエッチング溶液を利用したエッチング工程によって行われてもよいが、これに限らない。前記グラフェン成長用の金属触媒層は、ロールツーロール工程によってエッチングして除去されてもよく図3A、必要な場合、前記エッチング過程後に洗浄過程をさらに行ってもよく、これもロールツーロール工程によって行われてもよい図3B。本願の一具現例によると、前記形成されたグラフェンを前記基材に直接転写することは、ロールツーロール工程によって行われてもよい。本願の一具現例によると、前記グラフェンを形成することは、前記本願の第1側面による方法により、誘導結合プラズマ化学気相蒸着ICP-CVDによって500°C以下の低温で行われてもよいが、これに限らない。前記本願の第1側面によるグラフェンの製造方法について記載された全ての内容は、本願の第2側面において、前記グラフェンを形成することに全て適用されることができ、便宜上、重複記載を省略する。本願の一具現例によるグラフェンの直接転写方法は、図2に示した過程を含んで行われることができる。前記図2を参照すると、本願の一具現例によるグラフェンの直接転写方法は、前記基材21上に形成されたグラフェン成長用の金属触媒層22に炭素ソース含有ガス24を供給し、ICP-CVDによって500°C以下の低温でグラフェン23を形成しS3、前記グラフェン成長用の金属触媒22層を除去することで、前記形成されたグラフェンを前記基材上に直接転写することS4を含んでもよいが、これに限らない。前記グラフェン製造方法に対する内容は、前記グラフェンの直接転写方法に全て適用されることができる。本願の一具現例によると、前記基材上に形成されたグラフェン成長用の金属触媒層上にグラフェンを形成すること、及び前記グラフェン成長用の金属触媒層を除去することで前記形成されたグラフェンを前記基材上に直接転写することは、図3A及び図3Bに示したようなロールツーロール工程によって行われてもよいが、これに限らない。図3A及び図3Bを参照すると、前記グラフェン成長用の金属触媒層は、ロールツーロール工程によってエッチングして除去されてもよく図3A、必要な場合、前記エッチング過程後に洗浄過程をさらに行ってもよく、これもロールツーロール工程によって行われてもよい図3B。本願の一具現例によると、前記グラフェン成長用の金属触媒層を除去することは、酸、塩、FeCl3、またはこれらの組合を含むエッチング溶液を利用したエッチング工程によって行われてもよいが、これに限らない。本願の一具現例によると、前記グラフェン成長用の金属触媒層は、Ni、Co、Fe、Pt、Au、Al、Cr、Cu、Mg、Mn、Rh、Si、Ta、Ti、W、U、V、Zr、Fe、黄銅、青銅、ステンレススチール、Ge及びこれらの組合からなる群から選択されたものを含んでもよいが、これに限らない。その他に、前記グラフェン形成過程は、前記グラフェンシート製造方法について記述された内容を全て含むことができ、便宜上、重複記載を省略する。本願の一具現例によると、前記基材は、π電子を有する高分子化合物を含む高分子シートまたは前記高分子シートを含む基材であってもよいが、これに限らない。前記高分子シートは、例えば、ポリアクリレート、ポリエチレンエーテルフタレート、ポリエチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリジメチルシロキサンpolydimethylsiloxane;PDMS、ポリイミド及びこれらの組合からなる群から選択されたものを含んでもよいが、これに限らない。前記グラフェン成長用の金属触媒層をエッチングして除去することによって、前記グラフェンのsp2電子が前記高分子シートの表面に存在するπ電子との引力例:ファンデルワールスの力などによって前記高分子シートに結合して直接転写される。これにより、別途の転写過程なしに、高分子シートまたは前記高分子シートを含む基材にグラフェンを合成と同時に直接転写することができる。例えば、前記高分子シートを含む基材は、ガラスのような透明基材に高分子シートが形成されたものであってもよいが、これに限らない。本願の第3側面は、基材及び前記基材上に形成されたグラフェンを含むグラフェンシートを提供する。本願の一具現例によると、前記グラフェンは、前記本願の第1側面による方法によって製造されてもよいが、これに限らない。本願の一具現例によると、前記グラフェンは、前記基材上にまたは前記基材上に形成されたグラフェン成長用の金属触媒層上に炭素ソース含有ガスを供給し、誘導結合プラズマ化学気相蒸着ICP-CVDによって500°C以下の低温で形成されてもよいが、これに限らない。本願の一具現例によると、前記グラフェンシートは、別途の基材上にまたは前記別途の基材上に形成されたグラフェン成長用の金属触媒層上に炭素ソース含有ガスを供給し、誘導結合プラズマの化学蒸気蒸着ICP-CVDによって500°C以下の低温で形成されたものを所望の目的基材上に転写して形成してもよいが、これに限らない。前記転写方法は、当業界に公知された湿式転写または乾式転写方法を利用することができる。本願の一具現例によると、前記グラフェンシートは、前記本願の第2側面によるグラフェンの直接転写方法によって製造されてもよいが、これに限らない。本願の一具現例によると、前記グラフェンシートは、前記基材上に形成されたグラフェン成長用の金属触媒層に炭素ソース含有ガスを供給し、ICP-CVDによって500°C以下の低温でグラフェンを形成し、前記グラフェン成長用の金属触媒層を除去することで、前記形成されたグラフェンを前記基材上に直接転写することを含む工程によって形成されてもよいが、これに限らない。それで、前記本願の第1側面によるグラフェンの製造方法及び本願の第2側面によるグラフェンの直接転写方法について記載された全ての内容は、本願の第3側面に全て含まれることができ、便宜上、重複記載を省略する。本願の一具現例によると、前記グラフェンシートが有機系ドーパントdopant、無機系ドーパント、またはこれらの組合を含むドーパントによってドーピングされてもよいが、これに限らない。本願の一具現例によると、前記ドーパントは、NO2BF4、NOBF4、NO2SbF6、HCl、H2PO4、H3CCOOH、H2SO4、HNO3、PVDF、ナフィオンNafion、AuCl3、HAuCl4、SOCl2、Br2、ジクロロジシアノキノン、オキソン、ジミリストイルホスファチジルイノシトール及びトリフルオロメタンスルホンイミドからなる群から選択された一つ以上を含んでもよいが、これに限らない。本願の一具現例によると、前記基材は、透明性または柔軟性、または透明性及び柔軟性を有してもよいが、これに限らない。本願の一具現例によると、前記基材は、金属ホイル、ガラス基材または高分子シートを含んでもよいが、これに限らない。本願の一具現例によると、前記基材は、π電子を有する高分子化合物を含む高分子シートまたは前記高分子シートを含んでもよいが、これに限らない。前記高分子シートは、例えば、ポリアクリレート、ポリエチレンエーテルフタレート、ポリエチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリジメチルシロキサン、ポリイミド及びこれらの組合からなる群から選択されたものを含んでもよいが、これに限らない。本願の一具現例によると、前記グラフェンシートの厚みは、約1層~約300層であってもよいが、これに限らない。本願の一具現例によると、前記グラフェンシートの縦方向及び横方向の長さが約1mm~約1mであってもよいが、これに限らない。本願の一具現例によると、前記グラフェン成長用の金属触媒層は、薄膜または厚膜であってもよく、例えば、薄膜の場合、その厚みは、約1nm~約1000nm、または約1nm~約500nm、または約1nm~約300nmであり、また、厚膜の場合、その厚みは、約1mm~約5mmであってもよいが、これに限らない。本願の一具現例によると、前記グラフェン成長用の金属触媒層は、Ni、Co、Fe、Pt、Au、Al、Cr、Cu、Mg、Mn、Rh、Si、Ta、Ti、W、U、V、Zr、Fe、黄銅、青銅、ステンレススチール、Ge及びこれらの組合からなる群から選択されたものを含んでもよいが、これに限らない。以下、本願に対して実施例を利用して詳しく説明する。しかし、本願がこれに限られるものではない。[実施例1]ポリイミドPI高分子シート基材上におけるグラフェンの低温成長及び転写図1に示したような製造装置を利用して、図2に示すような工程によって、ポリイミドPI高分子シート基材上にグラフェンを製造して直接転写した。具体的に、ロードロックチャンバを利用して蒸着チャンバ内にポリイミドPI高分子シート基材をローディングして、グラフェン成長用の金属触媒層として多様にパターニングされたNi層及びCu層のそれぞれを150nm厚みでRFスパッタリング方法によって蒸着した。次いで、前記蒸着チャンバからロードロックチャンバで触媒層を蒸着した基材を取り出した後、引き続き、前記基材をICP-CVDチャンバ内にローディングして、300°Cの温度で水素ガスを利用してアニール処理した後、炭素とアルゴン含有ガスC2H2:Ar=60:2sccmとを20mTorrで15秒~3分間供給して、ICP-CVD方法によってグラフェンを前記Ni層及びCu層のそれぞれの上に形成させた後、ICP-CVDチャンバ内で~5°C/sの速度で室温に冷却し、前記Ni層及びCu層のそれぞれの上に成長されたグラフェンシートを得た。以後、FeCl3溶液を利用して前記パターニングされたNi層及びCu層をエッチングして除去し、前記PI基材上にグラフェンシートを直接転写した。前記グラフェンは、前記パターニングされたNi層及びCu層のパターン形状を維持したまま、前記PI基材上に直接転写された。前記パターニングされたニッケル薄膜に成長させたグラフェンのエッチング前図4のaと後図4のbの写真は、図4に示し、前記グラフェンが形成されたPI基材左側及び前記グラフェンシートが形成される前のPI基材右側の透明度を比べた写真は、図5に示し、前記PI基材上に直接転写されたグラフェンの伝導度を測定して確認する過程を示す写真は、図6に示した。また、前記グラフェンシートの合成時に使用されたプラズマパワー、時間、金属触媒層NiとCuとをそれぞれ用いた場合によるグラフェンシートの電気的特性抵抗変化及び透過度の変化を下記の表1Niフィルム、表2Cuフィルムに示した。図7及び図8は、それぞれ前記ICP-CVDによるグラフェン形成温度によってNiフィルム上に形成されたグラフェンのラマンスペクトル及び使用されたプラズマパワー/時間によるNiフィルム上に形成されたグラフェンの透明度変化UV-Vis吸収スペクトルの測定を利用を示したグラフである。図7のラマンスペクトルは、ガラス基材上で前記の方法と同一の方法でそれぞれ300°C、400°C及び500°Cで成長されたグラフェンに対して測定されたもので、前記300°CでポリイミドPI高分子基材上で成長されたグラフェンに対しても同一のラマンスペクトルが得られた。前記ラマンスペクトルを通じて、ICP-CVD装置を利用して、ガラスまたはポリイミドPI高分子シート基材にグラフェン成長用の金属触媒層を蒸着することで、低温でグラフェンを成長することが可能なことを確認し、また、グラフェンの成長時間を調節することで、透明度を改善することができることを確認した。図9は、使用されたプラズマパワー/時間によるCuフィルム上に形成されたグラフェンの透明度変化UV-Vis吸収スペクトラムの測定を利用を示したグラフである。図10は、前記パターニングされたCuフィルム上で形成されたグラフェンを図2の方法を利用して直接転写した後、パターニングされた模様を維持したまま、グラフェンが形成されたことを確認することができる写真である。図11は、PIフィルム基材上に形成されたNi層を示した写真であり、RFスパッタを利用して全面に一様にNiが形成されることが分かった。図12は、図11のPIフィルム上に蒸着したNi薄膜上にグラフェンを成長させた後、高配率1000倍で測定した光学写真である。300°Cの温度で水素ガスを利用して、前記各温度でアニール処理した後、炭素とアルゴン含有ガスC2H2:Ar=60:2sccmを20mTorrで15秒~3分間供給して、ICP-CVD方法によってグラフェンを前記Ni層上に形成させた後、ICP-CVDチャンバ内で~5°C/sの速度で室温に冷却して、前記Ni層上に成長されたグラフェンシートを得た。前記Niのフィルム上に数十μmグレインサイズでグラフェン薄膜が形成されたことが分かった。図13は、Ni層上でグラフェンの有無を確認するためのラマンスペクトル結果を示したものである。前記Ni層上で形成されたグラフェンを前記シリコンウェハ上に転写されたグラフェンシートに対する写真とラマンスペクトルを図13に示した。図12のグラフェンシートでラマンスペクトルを1回及び2回スキャンしたものを示す。[実施例2]アルミニウムホイル基材上におけるグラフェンの低温成長及び転写図1の製造装置を利用して市販のアルミニウムホイルを基材として利用して、前記アルミニウムホイル上にグラフェンシートを低温成長させて製造した。具体的に、ロードロックチャンバを利用してICP-CVDチャンバ内にアルミニウムホイル基材をローディングして、300°C~500°Cの温度で水素ガスを利用して前記各温度でアニール処理した後、炭素とアルゴン含有ガスC2H2:Ar=60:2~1sccmとを20mTorrで15秒~3分間供給して、ICP-CVD方法によってグラフェンを前記Alアルミニウム層上に形成させた後、ICP-CVDチャンバ内で~5°C/sの速度で室温に冷却して、前記Alアルミニウム層上に成長されたグラフェンシートを得た。以後、FeCl3溶液を利用して前記Al層をエッチングして除去し、分離されて浮遊したグラフェンシートをシリコンウェハ上に転写した。前記シリコンウェハ上に転写されたグラフェンシートに対する写真とラマンスペクトルを図14A及び図14Bにそれぞれ示した。図14Bのラマンスペクトルにおいて、Al1とAl2は、それぞれラマンスペクトルを1回及び2回スキャンしたことを示す。[実施例3]亜鉛基板基材上におけるグラフェンの低温成長及び転写図1の製造装置を利用して市販の亜鉛基板を基材として利用して、前記亜鉛基板上にグラフェンシートを低温成長させて製造した。具体的に、ロードロックチャンバを利用してICP-CVDチャンバ内に亜鉛基板基材をローディングして、300°C~500°Cの温度で水素ガスを利用して前記各温度でアニール処理した後、炭素とアルゴン含有ガスC2H2:Ar=60:3~5sccmとを20mTorrで5分~10分間供給して、ICP-CVD方法によってグラフェンを前記Zn亜鉛層上に形成させた後、ICP-CVDチャンバ内で~5°C/sの速度で室温に冷却して、前記Zn亜鉛層上に成長されたグラフェンシートを得た。前記亜鉛基板で成長したグラフェンシートに対する写真とラマンスペクトルを図15及び図16にそれぞれ示した。図16のラマンスペクトルにおいて、Al1とAl2は、それぞれラマンスペクトルを4回及び5回スキャンしたことを示す。図16のラマンスペクトルは、ガラス基材上で前記の方法と同一の方法で、400°Cで成長したグラフェンに対して特定されたもので、前記300°CでポリイミドPI高分子基材上で成長したグラフェンに対しても、同一のラマンスペクトルが得られた。前記ラマンスペクトルを通じてICP-CVD装置を利用して、亜鉛シート基材に低温でグラフェンを成長することが可能なことを確認し、断熱材や放熱材として使用できるという可能性を見せた。以上、実施例を挙げて本願を詳しく説明したが、本願は、前記実施例に限らず、様々な多様な形態で変形されることができ、本願の技術的思想内で当分野で通常の知識を持った者によって様々な多くの変形が可能なことが明らかである。[項目7]前記基材は、金属ホイル、ガラス基材または高分子シートを含むことである、項目1に記載のグラフェンの製造方法。[項目9]前記グラフェン成長用の金属触媒層は、Ni、Co、Fe、Pt、Au、Al、Cr、Cu、Mg、Mn、Rh、Si、Ta、Ti、W、U、V、Zr、Fe、黄銅brass、青銅bronze、ステンレススチールstainlesssteel、Ge及びこれらの組合からなる群から選択されたものを含むことである、項目2に記載のグラフェンの製造方法。[項目11]前記グラフェンの厚みは、前記誘導結合プラズマ化学気相蒸着過程を行う時間を調節して制御することを含むことである、項目1に記載のグラフェンの製造方法。[項目12]前記炭素ソース含有ガスと共に還元ガスをさらに供給することを含む、項目1に記載のグラフェンの製造方法。[項目25]前記ドーパントは、NO2BF4、NOBF4、NO2SbF6、HCl、H2PO4、H3CCOOH、H2SO4、HNO3、PVDF、ナフィオンNafion、AuCl3、HAuCl4、SOCl2、Br2、ジクロロジシアノキノン、オキソン、ジミリストイルホスファチジルイノシトール及びトリフルオロメタンスルホンイミドからなった群から選択された一つ以上を含むことである、項目24に記載のグラフェンシート。