"式Iで表される塩。[式I中、R1及びR2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。X1は、少なくとも1つのヒドロキシ基を有する2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-、-NR4-又は-CO-で置き換わっていてもよい。R4は、水素原子又は炭素数1~10のアルキル基を表す。R3は、環式基を表し、該環式基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、ヒドロキシメチル基、ハロゲン原子、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のフッ化アルキル基で置換されていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]R3が、炭素数3~18の環状炭化水素基であり、該環状炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、ヒドロキシメチル基又は炭素数1~6のアルキル基で置換されていてもよいか、或いは、ヒドロキシ基を有していてもよい複素環基である請求項1記載の塩。Zが、トリアリールスルホニウムカチオンである請求項1又は2記載の塩。請求項1~3のいずれか記載の塩を含有する酸発生剤。請求項4記載の酸発生剤と樹脂とを含有するレジスト組成物。樹脂が、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂である請求項5記載のレジスト組成物。塩基性化合物を含有する請求項5又は6記載のレジスト組成物。1請求項5~7のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。従来の塩では、該塩を含有するレジスト組成物により得られるレジストパターンのラインエッジラフネスLERが必ずしも満足できない場合があった。本発明は、以下の発明を含む。1式Iで表される塩。[式I中、R1及びR2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。X1は、少なくとも1つのヒドロキシ基を有する2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-、-NR4-又は-CO-で置き換わっていてもよい。R4は、水素原子又は炭素数1~10のアルキル基を表す。R3は、環式基を表し、該環式基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、ヒドロキシメチル基、ハロゲン原子、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のフッ化アルキル基で置換されていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]2R3が、炭素数3~18の環状炭化水素基であり、該環状炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、ヒドロキシメチル基又は炭素数1~6のアルキル基で置換されていてもよいか、或いは、ヒドロキシ基を有していてもよい複素環基である1記載の塩。3Zが、トリアリールスルホニウムカチオンである1又は2記載の塩。41~3のいずれか記載の塩を含有する酸発生剤。54記載の酸発生剤と樹脂とを含有するレジスト組成物。6樹脂が、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂である5記載のレジスト組成物。7塩基性化合物を含有する5又は6記載のレジスト組成物。815~7のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。本発明の塩によれば、該塩を含有するレジスト組成物により、優れたラインエッジラフネスLERを有するパターンを形成することができる。式Iで表される塩以下塩Iと言う場合がある。本発明の塩は、式Iで表される。[式I中、R1及びR2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。X1は、少なくとも1つのヒドロキシ基を有する2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-、-NR4-又は-CO-で置き換わっていてもよい。R4は、水素原子又は炭素数1~10のアルキル基を表す。R3は、環式基を表し、該環式基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、ヒドロキシメチル基、ハロゲン原子、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のフッ化アルキル基で置換されていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]R1及びR2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。ペルフルオロアルキル基としては、例えばトリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。R1及びR2は、それぞれ独立に、好ましくはトリフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。X1は、少なくとも1つのヒドロキシ基を有する2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表す。2価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分枝鎖状アルカンジイル基、及び2価の飽和環状炭化水素基が挙げられる。直鎖状アルカンジイル基としては、例えばメチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基、トリデカン-1,13-ジイル基、テトラデカン-1,14-ジイル基、ペンタデカン-1,15-ジイル基、ヘキサデカン-1,16-ジイル基、ヘプタデカン-1,17-ジイル基が挙げられる。分枝鎖状アルカンジイル基としては、例えば、前記直鎖状アルカンジイル基に、炭素数1~4のアルキル基例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等の側鎖を付け加えたものが挙げられる。2価の飽和環状炭化水素基としては、シクロアルカンジイル基例えばシクロヘキサンジイル基、2価の橋かけ環状炭化水素基例えばアダマンタンジイル基が挙げられる。X1はこれらの基のうち2種以上を組み合わせたものでもよい。X1の飽和炭化水素基に含まれる-CH2-が-O-、-NR4-又は-CO-で置き換わった基としては、例えば、式b1-1で表される2価の基、式b1-2で表される2価の基及び式b1-3で表される2価の基が挙げられる。なお、式b1-1で表される2価の基、式b1-2で表される2価の基及び式b1-3で表される2価の基は、その左右を式Iに合わせて記載しており、左側でCR1R2-と結合する。式b1-1~式b1-3中、R4は、上記と同じ意味を表す。Lb2は、少なくとも1つのヒドロキシ基を有する炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb3及びLb5は、それぞれ独立に、炭素数1~13の2価の飽和炭化水素基を表し、Lb4及びLb6は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数1~13の2価の飽和炭化水素基を表し、Lb3及びLb4の少なくとも1つはヒドロキシ基を有し、Lb6及びLb7の少なくとも1つはヒドロキシ基を有する。中でも、式b1-1で表される2価の基が好ましく、-CO-O-CH2-CHOH-CH2-基又は-CO-O-CH2-CHCH2OH-基がより好ましい。式b1-1で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-2で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-3で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。R3は、環式基であり、該環式基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、ヒドロキシメチル基、ハロゲン原子、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のフッ化アルキル基で置換されていてもよい。R3は、炭素数3~18の環状炭化水素基であり、該環状炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、ヒドロキシメチル基又は炭素数1~6のアルキル基で置換されていてもよいか、或いは、ヒドロキシ基を有していてもよい複素環基であることが好ましい。該複素環基は、炭素数4~12であることが好ましい。R3としては、例えば以下の基が挙げられる。式Iで表される塩としては、例えば以下の式で表される塩が挙げられる。式中、R1、R2及びZは、上記と同じ意味を表す。Zは、オニウムカチオン、例えば、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、ホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。Zは、好ましくは式b2-1~式b2-4のいずれかで表されるカチオンである。これらの式b2-1~式b2-4において、Rb4~Rb6は、それぞれ独立に、炭素数1~30の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該飽和環状炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、前記芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基で置換されていてもよい。Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。m2が2以上である場合、複数のRb7は互いに同一であっても異なってもよく、n2が2以上である場合、複数のRb8は互いに同一であっても異なってもよい。Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~18の飽和環状炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。Rb9~Rb11の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~12であり、飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数3~18、より好ましくは炭素数4~12である。Rb12は、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。該芳香族炭化水素基は、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。Rb9とRb10と、及びRb11とRb12とは、それぞれ独立に、互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環を形成していてもよく、これらの環の-CH2-は、-O-、-S-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Rb13~Rb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Lb11は、-S-又は-O-を表す。o2、p2、s2、及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2が2以上である場合、複数のRb13は互いに同一であっても異なってもよく、p2が2以上である場合、複数のRb14は互いに同一であっても異なってもよく、s2が2以上である場合、複数のRb17は互いに同一であっても異なってもよく、u2が2以上である場合、複数のRb18は互いに同一であっても異なってもよく、q2が2以上である場合、複数のRb15は互いに同一であっても異なってもよく、r2が2以上である場合、複数のRb16は互いに同一であっても異なってもよい。アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n-プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n-ブチルカルボニルオキシ基、sec-ブチルカルボニルオキシ基、tert-ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2-エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、1-メチルエチル基イソプロピル基、n-ブチル基、1,1-ジメチルエチル基tert-ブチル基、2,2-ジメチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1,2-ジメチルプロピル基、2,2-ジメチルプロピル基、1-エチルプロピル基、n-ペンチル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、n-ヘキシル基、1-プロピルブチル基、ペンチル基、1-メチルペンチル基、1,4-ジメチルヘキシル基、ヘプチル基、1-メチルヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基などのアルキル基が挙げられる。中でも、好ましい脂肪族炭化水素基は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基である。好ましい飽和環状炭化水素基は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基、及びイソボルニル基である。好ましい芳香族炭化水素基は、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-シクロへキシルフェニル基、4-メトキシフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基である。置換基が芳香族炭化水素基である脂肪族炭化水素基アラルキル基としては、ベンジル基などが挙げられる。Rb9及びRb10が形成する環としては、例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環、1,4-オキサチアン-4-イウム環などが挙げられる。Rb11及びRb12が形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環、オキソアダマンタン環などが挙げられる。カチオンb2-1~カチオンb2-4の中でも、カチオンb2-1が好ましく、式b2-1-1で表されるカチオンがより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0がさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19~Rb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~12であり、飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数4~18である。前記脂肪族炭化水素基は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。前記飽和環状炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよい。v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2が2以上である場合、複数のRb19は互いに同一であっても異なってもよく、w2が2以上である場合、複数のRb20は互いに同一であっても異なってもよく、x2が2以上である場合、複数のRb21は互いに同一であっても異なってもよい。なかでも、Rb19~Rb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、又は炭素数1~12のアルコキシ基であることが好ましく、ヒドロキシ基又は炭素数1~4のアルキル基であることがより好ましい。カチオンb2-1-1の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-2の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-3の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-4の具体例としては、以下のものが挙げられる。式Iで表される塩は、上述のアニオン及びカチオンの組合せである。上述のアニオンとカチオンとは任意に組み合わせることができるが、以下で表される塩が好ましい。[式中、Rb19~Rb21、v2~x2は前記と同じ意味を表す。]さらに、以下の塩がより好ましい。中でも、以下の式で表される塩がさらに好ましい。[式中、R1及びR2は、上記と同じ意味を表す。R5~R7は、それぞれ独立に水素原子又はメチル基を表す。]式Iで表される塩の製造方法について説明する。例えば、式IA1で表される塩は、式IA-1で表される塩と式IA-2で表される化合物とを、塩基触媒下、溶剤中で反応させることにより得ることができる。溶剤としては、テトラヒドロフラン等が挙げられる。塩基触媒としては、水酸化ナトリウム等が挙げられる。式IA1で表される塩におけるR31としては、例えば、以下の基が挙げられる。例えば、式IA2で表される塩は、式IA-1で表される塩と式IA-3で表される化合物とを、塩基触媒下、溶剤中で反応させることにより得ることができる。溶剤としては、テトラヒドロフラン等が挙げられる。塩基触媒としては、水酸化ナトリウム等が挙げられる。式IA2で表される塩におけるR32としては、例えば、以下の基が挙げられる。例えば、式IA3で表される塩は、式IA-1で表される塩と式IA-4で表される化合物とを、塩基触媒下、溶剤中で反応させることにより得ることができる。溶剤としては、テトラヒドロフラン等が挙げられる。塩基触媒としては、水酸化ナトリウム等が挙げられる。式IA3で表される塩におけるR33としては、例えば、以下の基が挙げられる。例えば、式IA4で表される塩は、式IA-1で表される塩と式IA-2で表される化合物とを、酸触媒下、溶剤中で反応させることにより得ることができる。溶剤としては、テトラヒドロフラン等が挙げられる。酸触媒としては、硫酸等が挙げられる。式IA4で表される塩におけるR31としては、例えば、以下の基が挙げられる。例えば、式IA5で表される塩は、式IA-1で表される塩と式IA-3で表される化合物と酸触媒下、溶剤中で反応させることにより得ることができる。溶剤としては、テトラヒドロフラン等が挙げられる。酸触媒としては、硫酸等が挙げられる。式IA5で表される塩におけるR32としては、例えば、以下の基が挙げられる。例えば、式IA6で表される塩は、式IA-1で表される塩と式IA-4で表される化合物と酸触媒下、溶剤中で反応させることにより得ることができる。溶剤としては、テトラヒドロフラン等が挙げられる。酸触媒としては、硫酸等が挙げられる。式IA6で表される塩におけるR33としては、例えば、以下の基が挙げられる。式IA-1で表される塩は、式IA-5で表される塩と式IA-6で表される化合物とを溶剤中で反応させることにより得ることができる。溶剤としては、アセトニトリル等が挙げられる。式IA-5で表される塩は、式IA-7で表される塩と式IA-8で表される化合物カルボニルジイミダゾールとを溶剤中で反応させることにより製造することができる。溶剤としては、アセトニトリル等が挙げられる。式IA-7で表される塩は、特開2008-127367号公報に記載された方法で合成することができる。本発明の酸発生剤は、式Iで表される塩を含有する。式Iで表される塩は、酸発生剤として使用する時、単独でも複数種を同時に用いてもよい。本発明の酸発生剤がレジスト組成物の酸発生剤として用いられるときの、本発明の酸発生剤の含有量は、後述する樹脂A100質量部に対して、好ましくは1質量部以上より好ましくは3質量部以上、好ましくは30質量部以下より好ましくは25質量部以下である。本発明のレジスト組成物は、本発明の塩を含有する酸発生剤と樹脂とを含有する。本発明のレジスト組成物は、さらに、本発明の塩以外の塩を含有していてもよい。本発明の塩以外の塩としては、特開2006-257078号公報、特開2007-224008号公報及び特開2004-4561号公報に記載された塩等が挙げられる。レジスト組成物中での、本発明の塩と本発明以外の塩との含有量のモル比は、99:1~1:99である。本発明の塩以外の塩としては、式B1-1~式B1-17で表される塩が挙げられ、中でも式B1-1、式B1-2、式B1-3、式B1-6、式B1-11、式B1-12、式B1-13又は式B1-14で表される塩が好ましい。本発明の塩以外の塩の含有量は、樹脂A100質量部に対して、好ましくは1質量部以上より好ましくは3質量部以上、好ましくは30質量部以下より好ましくは25質量部以下である。樹脂以下樹脂Aという場合がある。樹脂Aは、酸の作用によりアルカリ可溶となる樹脂である。酸の作用によりアルカリ可溶となる樹脂は、酸に不安定な基を有するモノマー以下酸に不安定な基を有するモノマーa1という場合があるを重合することによって製造でき、酸の作用によりアルカリ可溶となる。酸の作用によりアルカリ可溶となるとは、酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となることを意味する。酸に不安定な基を有するモノマーa1は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。酸に不安定な基を有するモノマーa1酸に不安定な基とは、酸と接触すると脱離基が脱離して、親水性基例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基を形成する基を意味する。酸に不安定な基としては、例えば、-O-が第三級炭素原子と結合した式1で表されるアルコキシカルボニル基、式2で表されるアセタール構造を含む基などが挙げられる。なお以下では、式1で表される基及び式2で表される基を総称して酸に不安定な基という場合がある。式1中、Ra1~Ra3は、それぞれ独立に、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~20の飽和環状炭化水素基を表すか或いはRa1及びRa2は互いに結合して炭素数3~20の環を形成する。は結合手を表す以下同じ。式2中、Ra1’及びRa2’は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表し、Ra3’は、炭素数1~20の炭化水素基を表すか、Ra2’及びRa3’は互いに結合して炭素数3~20の環を形成し、該炭化水素基及び該環に含まれる-CH2-は、-O―又は―S-で置き換わってもよい。脂肪族炭化水素基としては、例えばアルキル基が挙げられ、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。飽和環状炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の飽和環状炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の飽和炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基及び下記のような基等が挙げられる。式1における飽和環状炭化水素基の炭素数は、好ましくは3~16である。Ra1及びRa2が互いに結合して環を形成する場合、-CRa1Ra2Ra3基としては、下記の基が挙げられる。該環の炭素数は、好ましくは3~12である。式1で表される酸に不安定な基としては、例えば、1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1~Ra3がアルキル基である基、好ましくはtert-ブトキシカルボニル基、2-アルキルアダマンタン-2-イルオキシカルボニル基式1中、Ra1、Ra2及び炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ra3がアルキル基である基及び1-アダマンタン-1-イル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基などが挙げられる。炭化水素基としては、例えば、脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられる。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、p-メチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、2,6-ジエチルフェニル基、2-メチル-6-エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。Ra1’及びRa2’のうち少なくとも1つが水素原子であることが好ましい。式2で表される基の具体例としては、以下の基が挙げられる。酸に不安定な基を有するモノマーa1は、好ましくは、酸に不安定な基と炭素-炭素二重結合とを有するモノマー、より好ましくは酸に不安定な基を有するメタアクリル系モノマーである。酸に不安定な基を有するメタアクリル系モノマーの中でも、炭素数5~20の飽和環状炭化水素基を有するものが好ましい。飽和環状炭化水素基のような嵩高い構造を有するモノマーa1を重合して得られる樹脂を使用すれば、レジストの解像度を向上させることができる。酸に不安定な基と飽和環状炭化水素基とを有するメタアクリル系モノマーの中でも、式a1-1で表されるモノマー又は式a1-2で表されるモノマーが好ましい。これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。[式a1-1及び式a1-2中、La1及びLa2は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2k1-CO-O-を表す。k1は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~10の飽和環状炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。n1は0~10の整数を表す。n1’は0又は1の整数を表す。]La1及びLa2は、好ましくは、-O-又は-O-CH2f1-CO-O-であり前記f1は、1~4の整数を表す、より好ましくは-O-である。k1は、好ましくは1~4の整数、より好ましくは1である。Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基としては、例えばアルキル基が挙げられ、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数6以下である。飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数8以下、より好ましくは6以下である。Ra6及びRa7の飽和環状炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の飽和環状炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の飽和炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基、下記のような基等が挙げられる。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。式a1-1で表されるモノマーとしては、例えば、以下のものが挙げられる。中でも、2-メチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート、2-エチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート及び2-イソプロピルアダマンタン-2-イルメタアクリレートが好ましく、2-メチルアダマンタン-2-イルメタクリレート、2-エチルアダマンタン-2-イルメタクリレート及び2-イソプロピルアダマンタン-2-イルメタクリレートがより好ましい。式a1-2で表されるモノマーとしては、例えば、以下のものが挙げられる。中でも、1-エチルシクロヘキサン-1-イルメタアクリレートが好ましく、1-エチルシクロヘキサン-1-イルメタクリレートがより好ましい。樹脂Aが式a1-1で表されるモノマー又は式a1-2で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、これらの合計含有量は、樹脂Aの全構造単位に対して、通常10~95モルであり、好ましくは15~90モルであり、より好ましくは20~85モルであり、さらに好ましくは30~60モルである。酸に不安定な基と炭素-炭素二重結合とを有するモノマーとしては、例えば、式a1-3で表されるノルボルネン環を有するモノマーが挙げられる。式a1-3で表されるモノマーに由来する構造単位を有する樹脂は、嵩高い構造を有するので、レジストの解像度を向上させることができる。さらに式a1-3で表されるモノマーは、樹脂の主鎖に剛直なノルボルナン環を導入してレジストのドライエッチング耐性を向上させることができる。[式a1-3中、Ra9は、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~8のアルコキシカルボニル基-COORa13を表し、Ra13は、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~20の飽和環状炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該飽和環状炭化水素基に含まれる水素原子はヒドロキシ基で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基及び該飽和環状炭化水素基に含まれる-CH2-は-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Ra10~Ra12は、それぞれ独立に、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~20の飽和環状炭化水素基を表すか、或いはRa10及びRa11は互いに結合して炭素数3~20の環を形成し、該脂肪族炭化水素基及び該飽和環状炭化水素基に含まれる水素原子はヒドロキシ基等で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基及び該飽和環状炭化水素基に含まれる-CH2-は-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。]ここで、アルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシ基にカルボニル基が結合した基が挙げられる。Ra9のヒドロキシ基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基、2-ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Ra13としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、2-オキソ-オキソラン-3-イル基、又は2-オキソ-オキソラン-4-イル基などが挙げられる。Ra10~Ra12としては、例えば、メチル基、エチル基、シクロへキシル基、メチルシクロへキシル基、ヒドロキシシクロへキシル基、オキソシクロへキシル基、アダマンチル基などが挙げられる。Ra10、Ra11及びこれらが結合する炭素が形成する環としては、例えば、飽和環状炭化水素基が挙げられ、具体的には、シクロへキシル基、アダマンチル基などが挙げられる。式a1-3で表されるモノマーとしては、例えば、5-ノルボルネン-2-カルボン酸-tert-ブチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-シクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチルシクロヘキシル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-メチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-エチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-メチルシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-ヒドロキシシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチル-1-4-オキソシクロヘキシルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-1-アダマンチル-1-メチルエチルなどが挙げられる。樹脂Aが式a1-3で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位に対して、通常10~95モルであり、好ましくは15~90モルであり、より好ましくは20~85モルである。酸に不安定な基2と芳香炭化水素基と炭素-炭素二重結合とを有するモノマーとしては、式a1-4で表されるモノマーが挙げられる。[式a1-4中、Ra32は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。Ra33は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。laは0~4の整数を表す。laが2以上の整数である場合、複数のRa33は同一であっても異なってもよい。Ra34及びRa35はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表す。Xa2は、単結合又は2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるに含まれる水素原子はハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基で置換されていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は-CO-、-O-、-S-、-SO2-又は-NRc-で置き換わっていてもよい。Rcは、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。Ya3は、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基であり、該脂肪族炭化水素基、該飽和環状炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基で置換されていてもよい。]ハロゲン原子を有してもよいアルキル基としては、例えば、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルクロロメチル基、ペルブロモメチル基、ペルヨードメチル基などが挙げられる。アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロピポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、n-ペントキシ基、n-ヘキトキシ基等が挙げられる。アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等が挙げられる。アシルオキシ基としては、例えば、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基等が挙げられる。炭化水素基としては、例えば、脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられる。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、p-メチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、2,6-ジエチルフェニル基、2-メチル-6-エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。Ra32及びRa33のアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、炭素数1又は2のアルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ra33のアルコキシ基としては、炭素数1又は2のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。Ra34及びRa35の炭化水素基としては、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基、イソボルニル基等が好ましい。Xa2及びYa3が有していてもよい置換基としては、好ましくはヒドロキシ基である。式a1-4で表されるモノマーとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。樹脂Aが式a1-4で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位に対して、通常10~95モルであり、好ましくは15~90モルであり、より好ましくは20~85モルである。酸に不安定な基2を有するメタアクリル系モノマーとしては、式a1-5で表されるモノマーが挙げられる。式a1-5で表されるモノマーとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。Ra36としては、Ra32と同じものが挙げられ、水素原子又はメチル基であることが好ましい。L1及びL2は-O-であることが好ましい。L3は-S-であることが好ましい。s1は、1であることが好ましい。s1’は、0~2の整数であることが好ましい。Z1は、単結合であることが好ましい。式a1-5で表されるモノマーの具体例としては、以下の化合物が挙げられる。樹脂Aが式a1-5で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位に対して、通常10~95モルであり、好ましくは15~90モルであり、より好ましくは20~85モルである。樹脂Aは、好ましくは、酸に不安定な基を有するモノマーa1と、酸に不安定な基を有さないモノマー以下酸安定モノマーという場合があるとの共重合体である。酸安定モノマーは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。樹脂Aが酸に不安定な基を有するモノマーa1と酸安定モノマーとの共重合体である場合、酸に不安定な基を有するモノマーa1に由来する構造単位は、全構造単位100モルに対して、好ましくは10~80モル、より好ましくは20~60モルである。また、アダマンチル基を有するモノマー特に酸に不安定な基を有するモノマーa1-1に由来する構造単位を、酸に不安定な基を有するモノマーa1100モルに対して15モル以上とすることが好ましい。アダマンチル基を有するモノマーの比率が増えると、レジストのドライエッチング耐性が向上する。酸安定モノマーとしては、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するものが好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー以下ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2という又はラクトン環を含有する酸安定モノマー以下ラクトン環を有する酸安定モノマーa3というに由来する構造単位を有する樹脂を使用すれば、レジストの解像度及び基板への密着性を向上させることができる。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2レジスト組成物をKrFエキシマレーザ露光248nm、電子線あるいはEUV光などの高エネルギー線露光に用いる場合、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2として、ヒドロキシスチレン類であるフェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2-0を使用することが好ましい。短波長のArFエキシマレーザ露光193nmなどを用いる場合は、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2として、式a2-1で表されるヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーを使用することが好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。フェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーa2-0として、式a2-0で表されるp-又はm-ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマーが挙げられる。[式a2-0中、Ra30は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。Ra31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maは0~4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31は同一であっても異なってもよい。]Ra30におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基が挙げられ、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、炭素数1又は2のアルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。また、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロピポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、n-ペントキシ基、n-ヘキトキシ基等が挙げられ、炭素数1~4のアルコキシ基が好ましく、炭素数1又は2のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。maは0~2が好ましく、0又は1がより好ましく、0が特に好ましい。このようなフェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーに由来する構造単位を有する共重合樹脂を得る場合は、フェノール性ヒドロキシ基がアセチルオキシ基に置き換わったものに相当するアセチルオキシスチレン類、及び共重合させるモノマーをラジカル重合した後、酸によって脱アセチルすることによって得ることができる。フェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。以上のモノマーのうち、4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンが特に好ましい。樹脂Aが式a2-0で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位に対して、通常5~90モルであり、好ましくは10~85モルであり、より好ましくは15~80モルである。ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーとして、式a2-1で表されるモノマーが挙げられる。式a2-1中、La3は、-O-又は-O-CH2k2-CO-O-を表し、k2は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。式a2-1では、La3は、好ましくは、-O-、-O-CH2f1-CO-O-であり前記f1は、1~4の整数である、より好ましくは-O-である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーa2-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。中でも、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート、3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート及びメタアクリル酸1-3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルオキシカルボニルメチルが好ましく、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート及び3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレートがより好ましく、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタクリレート及び3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタクリレートがさらに好ましい。樹脂Aが式a2-1で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位に対して、通常3~40モルであり、好ましくは5~35モルであり、より好ましくは5~30モルであり、さらに好ましくは5~15モルである。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3酸安定モノマーa3が有するラクトン環は、例えば、β-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環、δ-バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ-ブチロラクトン環及びγ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3は、好ましくは、式a3-1、式a3-2又は式a3-3で表される。これらの1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。式a3-1~式a3-3中、La4~La6は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2k3-CO-O-を表す。k3は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra18~Ra20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra21は、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表す。p1は0~5の整数を表す。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表す。q1及びr1は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。p1、q1又はr1が2以上のとき、それぞれ、複数のRa21、Ra22又はRa23は、互いに同一でも異なってもよい。式a3-1~式a3-3中のLa4~La6としては、La3で説明したものが挙げられる。La4~La6は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2d1-CO-O-であることが好ましく前記d1は、1~4の整数である、より好ましくは-O-である。Ra18~Ra21は、好ましくはメチル基である。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。p1~r1は、それぞれ独立に、好ましくは0~2、より好ましくは0又は1である。γ-ブチロラクトン環を有する酸安定モノマーa3-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環を有する酸安定モノマーa3-1のうち、酸に不安定な基を有するモノマーとしては、例えば以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-2としては、例えば以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-2のうち、酸に不安定な基を有するモノマーとしては、例えば以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とシクロヘキサン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-3としては、例えば以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とシクロヘキサン環との縮合環を有するモノマーa3-3のうち、酸に不安定な基を有するモノマーとしては、例えば以下のものが挙げられる。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3の中でも、メタアクリル酸5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イル、メタアクリル酸テトラヒドロ-2-オキソ-3-フリル、メタアクリル酸2-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イルオキシ-2-オキソエチルが好ましく、メタクリレート形態のものがより好ましい。樹脂Aが式a3-1、式a3-2又は式a3-3で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位に対して、それぞれ通常5~50モルであり、好ましくは10~45モルであり、より好ましくは15~40モルである。樹脂Aがラクトン環を有する酸安定モノマーa3に由来する構造単位を含む場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位に対して、通常5~60モルであり、好ましくは15~55モルである。その他の酸安定モノマーa4その他の酸安定モノマーa4としては、例えば、式a4-1で表される無水マレイン酸、式a4-2で表される無水イタコン酸又は式a4-3で表されるノルボルネン環を有する酸安定モノマーなどが挙げられる。式a4-3中、Ra25及びRa26は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3の脂肪族炭化水素基、シアノ基、カルボキシ基又はアルコキシカルボニル基-COORa27を表すか、或いはRa25及びRa26は互いに結合して-CO-O-CO-を形成し、Ra27は、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~18の飽和環状炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該飽和環状炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。但し-COORa27が酸不安定基となるものは除く即ちRa27は、第三級炭素原子が-O-と結合するものを含まない。Ra25及びRa26のヒドロキシ基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基、2-ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Ra27の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~8、より好ましくは炭素数1~6である。飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数4~18、より好ましくは炭素数4~12である。Ra27としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、2-オキソ-オキソラン-3-イル基、2-オキソ-オキソラン-4-イル基などが挙げられる。ノルボルネン環を有する酸安定モノマーa4-3としては、例えば、2-ノルボルネン、2-ヒドロキシ-5-ノルボルネン、5-ノルボルネン-2-カルボン酸、5-ノルボルネン-2-カルボン酸メチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-ヒドロキシ-1-エチル、5-ノルボルネン-2-メタノール、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物などが挙げられる。樹脂Aが式a4-1、式a4-2又は式a4-3で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、これらの合計含有量は、樹脂Aの全構造単位に対して、通常2~40モルであり、好ましくは3~30モルであり、より好ましくは5~20モルである。更に、その他の酸安定モノマーa4としては、例えば、式a4-4で表されるスルトン環を有する以下の酸安定モノマーなどが挙げられる。式a4-4中、La7は、-O-又は-O-CH2k4-CO-O-を表し、k4は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra28は、水素原子又はメチル基を表す。W16は、置換基を有していてもよいスルトン環を表す。スルトン環としては、下記の環が挙げられる。スルトン環が有していてもよい置換基としては、ヒドロキシ基、シアノ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のフッ素化アルキル基、炭素数1~6のヒドロキシアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数1~7のアルコキシカルボニル基、炭素数1~7のアシル基、炭素数1~8のアシルオキシ基が挙げられる。式a4-4で表されるモノマーとしては、例えば、以下のものが挙げられる。樹脂Aが式a4-4で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位に対して、通常2~40モルであり、好ましくは3~35モルであり、より好ましくは5~30モルである。更に、その他の酸安定モノマーa4としては、例えば、フッ素原子を有する酸安定モノマーなどが挙げられる。フッ素原子を有する酸安定モノマーとしては、以下のモノマーを挙げることができる。中でも、単環又は多環式炭化水素基を有するメタアクリル酸5-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸6-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸4,4-ビストリフルオロメチル-3-オキサトリシクロ[4.2.1.02,5]ノニルが好ましい。樹脂Aがフッ素原子を有する酸安定モノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位に対して、通常1~20モルであり、好ましくは2~15モルであり、より好ましくは3~10モルである。好ましい樹脂Aは、少なくとも、酸に不安定な基を有するモノマーa1、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2及び/又はラクトン環を有する酸安定モノマーa3を重合させた共重合体である。この好ましい共重合体において、酸に不安定な基を有するモノマーa1は、より好ましくはアダマンチル基を有するモノマーa1-1及びシクロへキシル基を有するモノマーa1-2の少なくとも1種さらに好ましくはアダマンチル基を有するモノマーa1-1であり、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2は、好ましくはヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーa2-1であり、ラクトン環を有する酸安定モノマーa3は、より好ましくはγ-ブチロラクトン環を有する酸安定モノマーa3-1及びγ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-2の少なくとも1種である。樹脂Aは、公知の重合法例えばラジカル重合法によって製造できる。樹脂Aの重量平均分子量は、好ましくは、2,500以上より好ましくは3,000以上、50,000以下より好ましくは30,000以下である。樹脂Aの含有量は、組成物の固形分中80質量以上99質量以下であることが好ましい。なお本明細書において組成物中の固形分とは、後述する溶剤Eを除いたレジスト組成物成分の合計を意味する。組成物中の固形分及びこれに対する樹脂Aの含有量は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。塩基性化合物以下塩基性化合物Cという場合がある本発明のレジスト組成物は、塩基性化合物Cを含有していることが好ましい。塩基性化合物Cの含有量は、レジスト組成物の固形分量を基準に、0.01~1質量程度であることが好ましい。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物例えば、アミンである。アミンは、脂肪族アミンでも、芳香族アミンでもよい。脂肪族アミンは、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンのいずれも使用できる。芳香族アミンは、アニリンのような芳香族環にアミノ基が結合したものや、ピリジンのような複素芳香族アミンのいずれでもよい。好ましい塩基性化合物Cとして、式C2で表される芳香族アミン、特に式C2-1で表されるアニリンが挙げられる。式C2及び式C2-1中、Arc1は、芳香族炭化水素基を表す。Rc5及びRc6は、それぞれ独立に、水素原子、脂肪族炭化水素基好ましくはアルキル基又はシクロアルキル基、飽和環状炭化水素基又は芳香族炭化水素基を表す。但し該脂肪族炭化水素基、該飽和環状炭化水素基又は該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基、又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該アミノ基は、炭素数1~4のアルキル基で置換されていてもよい。前記脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~6程度であり、前記飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数5~10程度であり、前記芳香族炭化水素基は、好ましくは炭素数6~10程度である。Rc7は、脂肪族炭化水素基好ましくはアルキル基、アルコキシ基、飽和環状炭化水素基好ましくはシクロアルキル基又は芳香族炭化水素基を表す。但し該脂肪族炭化水素基、該アルコキシ基、該飽和環状炭化水素基及び該芳香族炭化水素基は、上記と同様の置換基を有していてもよい。m3は0~3の整数を表す。m3が2以上のとき、複数のRc7は、互いに同一でも異なってもよい。Rc7の脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基及び芳香族炭化水素基の好ましい炭素数は、上記と同じであり、Rc7のアルコキシ基は、好ましくは炭素数1~6程度である。芳香族アミンC2としては、例えば、1-ナフチルアミン及び2-ナフチルアミンなどが挙げられる。アニリンC2-1としては、例えば、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、ジフェニルアミンなどが挙げられる。中でもジイソプロピルアニリン特に2,6-ジイソプロピルアニリンが好ましい。塩基性化合物Cとしては、式C3~式C11で表される化合物が挙げられる。式C3~式C11中、Rc8は、上記Rc7で説明したいずれかの基を表す。窒素原子と結合するRc9、Rc10、Rc11~Rc14、Rc16~Rc19及びRc22は、それぞれ独立に、Rc5及びRc6で説明したいずれかの基を表す。芳香族炭素と結合するRc20、Rc21、Rc23~Rc28は、それぞれ独立に、Rc7で説明したいずれかの基を表す。o3、p3、q3、r3、s3、t3及びu3は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。o3が2以上のとき、複数のRc20は互いに同一であっても異なってもよく、p3が2以上のとき、複数のRc21は互いに同一であっても異なってもよく、q3が2以上のとき、複数のRc24は互いに同一であっても異なってもよく、r3が2以上のとき、複数のRc25は互いに同一であっても異なってもよく、s3が2以上のとき、複数のRc26は互いに同一であっても異なってもよく、t3が2以上のとき、複数のRc27は互いに同一であっても異なってもよく、u3が2以上のとき、複数のRc28は互いに同一であっても異なってもよい。Rc15は、脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基又はアルカノイル基を表す。n3は0~8の整数を表す。n3が2以上のとき、複数のRc15は、互いに同一でも異なってもよい。Rc15の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~6程度であり、飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数3~6程度であり、アルカノイル基は、好ましくは炭素数2~6程度である。Lc1及びLc2は、それぞれ独立に、2価の脂肪族炭化水素基好ましくはアルキレン基、-CO-、-C=NH-、-C=NRc3-、-S-、-S-S-又はこれらの組合せを表す。該2価の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~6程度である。Rc3は、炭素数1~4のアルキル基を表す。化合物C3としては、例えば、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタンなどが挙げられる。化合物C4としては、例えば、ピペラジンなどが挙げられる。化合物C5としては、例えば、モルホリンなどが挙げられる。化合物C6としては、例えば、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。化合物C7としては、例えば、2,2’-メチレンビスアニリンなどが挙げられる。化合物C8としては、例えば、イミダゾール、4-メチルイミダゾールなどが挙げられる。化合物C9としては、例えば、ピリジン、4-メチルピリジンなどが挙げられる。化合物C10としては、例えば、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン、2,2’-ジピコリルアミンなどが挙げられる。化合物C11としては、例えば、ビピリジンなどが挙げられる。溶剤以下溶剤Eという場合がある本発明のレジスト組成物は、溶剤Eを、組成物中90質量以上の量で含有していてもよい。溶剤Eを含有する本発明のレジスト組成物は、薄膜レジストを製造するために適している。溶剤Eの含有量は、組成物中90質量以上好ましくは92質量以上、より好ましくは94質量以上、99.9質量以下好ましくは99質量以下である。溶剤Eの含有量は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定できる。溶剤Eとしては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類;γ-ブチロラクトンのような環状エステル類;などを挙げることができる。溶剤Eは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。その他の成分以下その他の成分Fという場合がある本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分Fを含有していてもよい。成分Fに特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料などを利用できる。レジストパターンの製造方法本発明のレジストパターンの製造方法は、1上述した本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含む。レジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーターなど、通常、用いられる装置によって行うことができる。乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤等の揮発成分を蒸発させて除去することいわゆるプリベークにより行われるか、あるいは減圧装置を用いて行われ、乾燥された組成物層が形成される。この場合の温度は、例えば、50~200°C程度が好ましい。また、圧力は、1~1.0×105Pa程度が好ましい。得られた組成物層は、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であってもよい。この際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2エキシマレーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザ等からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。また、露光機は、電子線や、極端紫外光EUVを照射するものであってもよい。露光後の組成物層は、脱保護基反応を促進するための加熱処理いわゆるポストエキスポジャーベークが行われる。加熱温度としては、通常50~200°C程度、好ましくは70~150°C程度である。加熱後の組成物層を、現像装置を用いて、通常、アルカリ現像液を利用して現像する。ここで用いられるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液等が挙げられる。現像後、超純水でリンスし、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。用途本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線EB照射用のレジスト組成物又はEUV露光用のレジスト組成物として好適である。以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。例中、含有量及び使用量を表す及び部は、特記ないかぎり質量基準である。以下の実施例において、化合物の構造は、質量分析LC;Agilent製1100型、MASS;Agilent製LC/MSD型で確認した。重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー東ソー株式会社製HLC-8120GPC型、カラムはTSKgelMultiporeHXL-M3本、溶媒はテトラヒドロフランにより求めた値である。カラム:TSKgelMultiporeHXLMx3guardcolumn東ソー社製溶離液:テトラヒドロフラン流量:1.0mL/min検出器:RI検出器カラム温度:40°C注入量:100μl分子量標準:標準ポリスチレン東ソー社製実施例1:[式B1で表される塩の合成]式1-1で表される塩を、特開2008-127367号公報に記載された方法で合成した。式1-1で表される塩10.00部、アセトニトリル50.00部、式1-2で表される化合物商品名:カルボニルジイミダゾール東京化成製4.44部を仕込み、80°Cで30分間攪拌した後、得られた反応物を23°Cまで冷却し、ろ過して、式1-3で表される塩を含有する溶液59.68部を得た。式1-3で表される塩を含有する溶液59.68部、式1-4で表される化合物商品名:グリシドールアルドリッチ製1.64部を仕込み、23°Cで1時間攪拌した後、ろ過した。回収された濾液を濃縮し、得られた濃縮物に、クロロホルム100部及びイオン交換水30部を仕込み、30分間攪拌した後、分液した。この水洗操作を3回繰り返した。回収された有機層を濃縮することにより、式1-5で表される塩5.80部を得た。式1-5で表される塩4.95部、式1-6で表される化合物商品名:モルホリンアルドリッチ製1.04部及びテトラヒドロフラン30.00部を仕込み、23°Cで1時間攪拌した後、水酸化ナトリウム0.80部を添加し、70°Cで5時間攪拌した。得られた反応マスにクロロホルム100部及びイオン交換水50部を仕込み、30分間攪拌した後、分液した。回収された有機層にイオン交換水50部を仕込み、30分間攪拌した後、分液した。この水洗操作を9回行った。回収された有機層を濃縮後、カラムメルクシリカゲル60-200メッシュ展開溶媒:クロロホルム/メタノール=5/1分取することにより、式B1で表される塩0.52部を得た。MSESISpectrum:M263.1MSESI-Spectrum:M-318.1実施例2:[式B2で表される塩の合成]式1-5で表される塩4.95部、テトラヒドロフラン30.00部及び濃硫酸0.20部を仕込み、23°Cで10分間攪拌した後、式1-6で表される化合物商品名:モルホリンアルドリッチ製0.87部を添加し、30°Cで2時間攪拌した。得られた反応マスにクロロホルム100部及びイオン交換水50部を仕込み、30分間攪拌した後、分液した。回収された有機層にイオン交換水50部を仕込み、30分間攪拌した後、分液した。この水洗操作を5回行った。回収された有機層を濃縮後、カラムメルクシリカゲル60-200メッシュ展開溶媒:クロロホルム/メタノール=5/1分取することにより、式B2で表される塩0.45部を得た。MSESISpectrum:M263.1MSESI-Spectrum:M-318.1実施例3:[式B3で表される塩の合成]式1-5で表される塩4.95部、式3-6で表される化合物商品名:1,3-アダマンタンジオール東京化成製2.03部及びテトラヒドロフラン30.00部を仕込み、23°Cで1時間攪拌した後、水酸化ナトリウム0.80部を添加し、70°Cで5時間攪拌した。得られた反応マスにクロロホルム100部及びイオン交換水50部を仕込み、30分間攪拌した後、分液した。回収された有機層にイオン交換水50部を仕込み、30分間攪拌した後、分液した。この水洗操作を9回行った。回収された有機層を濃縮後、カラムメルクシリカゲル60-200メッシュ展開溶媒:クロロホルム/メタノール=5/1分取することにより、式B3で表される塩0.69部を得た。MSESISpectrum:M263.1MSESI-Spectrum:M-399.1実施例4:[式B4で表される塩の合成]式1-5で表される塩4.95部、テトラヒドロフラン30.00部及び濃硫酸0.20部を仕込み、23°Cで10分間攪拌した後、式3-6で表される化合物商品名:1,3アダマンタンジオール東京化成製1.68部を添加し、30°Cで2時間攪拌した。得られた反応マスにクロロホルム100部及びイオン交換水50部を仕込み、30分間攪拌した後、分液した。回収された有機層にイオン交換水50部を仕込み、30分間攪拌した後、分液した。この水洗操作を5回行った。回収された有機層を濃縮後、カラムメルクシリカゲル60-200メッシュ展開溶媒:クロロホルム/メタノール=5/1分取することにより、式B4で表される塩0.51部を得た。MSESISpectrum:M263.1MSESI-Spectrum:M-399.1実施例5:[式B5で表される塩の合成]式B5-1で表される塩32.93部、式B5-2で表される化合物19.13部、クロロホルム100部及びイオン交換水50部を仕込み、23°Cで15時間攪拌した。得られた反応液をろ過することにより、式B5-3で表される塩31.63部を得た。式B5-3で表される塩10.96部、アセトニトリル50.00部及び式1-2で表される化合物商品名:カルボニルジイミダゾール東京化成製4.44部を仕込み、80°Cで30分間攪拌した後、得られた反応物を23°Cまで冷却し、ろ過して、式B5-4で表される塩を含有する溶液60.24部を得た。式B5-4で表される塩を含有する溶液60.24部及び式1-4で表される化合物商品名:グリシドールアルドリッチ製1.64部を仕込み、23°Cで1時間攪拌した後、ろ過した。回収された濾液を濃縮し、得られた濃縮物に、クロロホルム100部及びイオン交換水30部を仕込み、30分間攪拌した後、分液した。この水洗操作を3回繰り返した。回収された有機層を濃縮することにより、式B5-5で表される塩5.92部を得た。式B5-5で表される塩5.37部、式1-6で表される化合物商品名:モルホリンアルドリッチ製1.04部及びテトラヒドロフラン30.00部を仕込み、23°Cで1時間攪拌した後、水酸化ナトリウム0.80部を添加し、70°Cで5時間攪拌した。得られた反応マスにクロロホルム100部及びイオン交換水50部を仕込み、30分間攪拌した後、分液した。回収された有機層にイオン交換水50部を仕込み、30分間攪拌した後、分液した。この水洗操作を6回行った。回収された有機層を濃縮後、カラムメルクシリカゲル60-200メッシュ展開溶媒:クロロホルム/メタノール=5/1分取することにより、式B5で表される塩0.68部を得た。MSESISpectrum:M305.1MSESI-Spectrum:M-318.1樹脂の合成において使用した化合物を下記に示す。樹脂A1の合成式Aで表される化合物、式Eで表される化合物、式Bで表される化合物、式Cで表される化合物及び式Dで表される化合物を、モル比28:12:8:21:31の割合で仕込んだ。次いで、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルとを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1.00molと3.00molとの割合で添加し、これを75°Cで約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒4:1に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約7.2×103である共重合体を収率77で得た。この共重合体は、次式の構造単位を有するものであり、これを樹脂A1とする。樹脂A2の合成式Aで表される化合物、式Bで表される化合物及び式Cで表される化合物を、モル比50:25:25の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルとを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1molと3molとの割合で添加し、これを80°Cで約8時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒3:1に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約9.2×103である共重合体を収率60で得た。この共重合体は、次式の構造単位を有するものであり、これを樹脂A2とする。表1に示すように、以下の各成分を混合して溶解することにより得られた混合物を孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルタで濾過することにより、レジスト組成物を調製した。<樹脂>A1:樹脂A1A2:樹脂A2<酸発生剤>B1:式B1で表される塩B2:式B2で表される塩B3:式B3で表される塩B4:式B4で表される塩B5:式B5で表される塩X1:X2:H1:<塩基性化合物:クエンチャー>C1:2,6-ジイソプロピルアニリン<溶剤>プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート265部2-ヘプタノン20.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル20.0部γ-ブチロラクトン3.5部12インチのシリコン製ウェハー上に、有機反射防止膜用組成物[ARC-29;日産化学株製]を塗布して、205°C、60秒の条件でベークすることによって、厚さ780Åの有機反射防止膜を形成させた。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が85nmとなるようにスピンコートした。レジスト組成物塗布後、得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表1のPB欄に記載された温度で60秒間プリベークPBした。こうしてレジスト組成物膜を形成したウェハーに、液浸露光用ArFエキシマレーザステッパー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=135、3/4AnnularX-Y偏光]を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。尚、液浸媒体としては超純水を使用した。露光後、ホットプレート上にて、表1のPEB欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベークPEBを行い、さらに2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。各レジスト組成物からのレジストパターン形成において、50nmのラインアンドスペースパターンの線幅が1:1となる露光量となる露光量を実効感度とした。ラインエッジラフネス評価LER:リソグラフィプロセス後のレジストパターンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察した。レジストパターンの側壁の凹凸の振れ幅が3.5nm以下であるものを◎3.5nmを超え、4nm以下であるものを○4nmを超え、4.5nm以下であるものを△4.5nmを超えるものを×とした。これらの結果を表2に示す。"