"半導体基板と、前記半導体基板上に設けられ、前記半導体基板の幅よりも小さい幅を有する光半導体領域と、前記光半導体領域上に設けられたヒータとを備え、前記光半導体領域は、クラッド領域と、前記クラッド領域内に設けられかつ前記クラッド領域の屈折率よりも大きい屈折率を有する光導波路層と、前記光導波路層と前記半導体基板との間に設けられかつ前記クラッド領域の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を有する低熱伝導率層とを含むことを特徴とする光半導体装置。前記低熱伝導率層の幅は、前記半導体領域の全幅に設けられていることを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。前記低熱伝導率層は、前記クラッド領域の熱伝導率の10分の1以下の熱伝導率を有する材料からなることを特徴とする請求項1または2記載の光半導体装置。前記低熱伝導率層は、前記光導波路層の屈折率よりも小さい屈折率を有する材料からなることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の光半導体装置。前記低熱伝導率層は、前記クラッド領域の屈折率の106未満の屈折率を有する材料からなることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の光半導体装置。前記低熱伝導率層は、同族元素が2種類以上の材料を含む半導体混晶からなることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の光半導体装置。前記クラッド領域は、InPからなり、前記半導体混晶は、InGaAsP、InAlGaAsまたはInAlAsPからなることを特徴とする請求項6記載の光半導体装置。前記InGaAsP半導体混晶は、前記InPに略格子整合する範囲で、Pに対するAs組成が15パーセント以上、55パーセント以下の範囲にあることを特徴とする請求項7記載の光半導体装置。前記InAlGaAs半導体混晶は、前記InPに略格子整合する範囲で、InGaに対するAl組成が26パーセント以上の範囲にあることを特徴とする請求項7記載の光半導体装置。請求項1~9のいずれかに記載の光半導体装置と、前記半導体基板上に設けられ、前記光導波路層と光結合された利得部とを備えることを特徴とする半導体レーザチップ。前記利得部は、前記光半導体領域の幅よりも大きい幅を有することを特徴とする請求項10記載の半導体レーザチップ。前記光導波路層および前記利得部と光結合され、光を吸収または増幅する光強度調整部をさらに備えることを特徴とする請求項10または11記載の半導体レーザチップ。請求項10~12のいずれかに記載の半導体レーザチップと、前記半導体レーザチップの少なくとも一部が載置され、前記半導体レーザチップの少なくとも一部の温度を制御する温度制御装置とを備えることを特徴とするレーザモジュール。少なくとも前記利得部が前記温度制御装置上に載置されていることを特徴とする請求項13記載のレーザモジュール。前記半導体レーザ全体が前記温度制御装置上に配置されていることを特徴とする請求項13記載のレーザモジュール。ここで、反射ピーク波長の制御可能範囲は、光導波路の屈折率変化量、すなわち光導波路の温度変化量に比例する。波長制御範囲を大きくするためには、ヒータに供給する電力を増大させる必要がある。しかしながら、上記の半導体レーザは、低電力で制御できることが求められている。したがって、半導体レーザの制御電力ではヒータに十分な発熱をさせることが困難であった。本発明は、ヒータにおいて発生した熱によって光導波路を効率よく加熱することができる光半導体装置、レーザチップおよびレーザモジュールを提供することを目的とする。本発明に係る光半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられ半導体基板の幅よりも小さい幅を有する光半導体領域と、光半導体領域上に設けられたヒータとを備え、光半導体領域は、クラッド領域と、クラッド領域内に設けられかつクラッド領域の屈折率よりも大きい屈折率を有する光導波路層と、光導波路層と半導体基板との間に設けられかつクラッド領域の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を有する低熱伝導率層とを含むことを特徴とするものである。本発明に係る光半導体装置においては、ヒータによって発生した熱がクラッド領域に与えられる。低熱伝導率層が設けられていることから、光導波路層と半導体基板との間の熱抵抗が大きくなる。それにより、ヒータによる発熱によって効率よく光導波路層の温度を制御することができる。したがって、本発明に係る光半導体装置を備える半導体レーザの発振波長を効率よく制御することができる。低熱伝導率層の幅は、半導体領域の全幅に設けられていてもよい。この場合、光導波路層と半導体基板との間の熱抵抗がより大きくなる。低熱伝導率層は、クラッド領域の熱伝導率の10分の1以下の熱伝導率を有する材料からなるものであってもよい。この場合、低熱伝導率層の断熱性を向上させることができる。低熱伝導率層は、光導波路層の屈折率よりも小さい屈折率を有する材料からなるものであってもよい。また、低熱伝導率層は、クラッド領域の屈折率の106未満の屈折率を有する材料からなるものであってもよい。この場合、光導波路層を伝搬する光が低熱伝導率層に漏れることを抑制することができる。さらに、低熱伝導率層は、同族元素が2種類以上の材料を含む半導体混晶からなるものであってもよい。この場合、低熱伝導率層の熱伝導率を小さくすることができる。クラッド領域はInPからなり、半導体混晶はInGaAsP、InAlGaAsまたはInAlAsPからなるものであってもよい。この場合、半導体混晶の熱伝導率は、クラッド領域の熱伝導率よりも小さくなる。また、InGaAsP半導体混晶は、InPに略格子整合する範囲で、Pに対するAs組成が15パーセント以上、55パーセント以下の範囲にあってもよい。さらに、InAlGaAs半導体混晶は、InPに略格子整合する範囲で、InGaに対するAl組成が26パーセント以上の範囲にあってもよい。本発明に係る半導体レーザチップは、請求項1~9のいずれかに記載の光半導体装置と、半導体基板上に設けられ光導波路層と光結合された利得部とを備えることを特徴とするものである。本発明に係る半導体レーザチップにおいては、ヒータによって発生した熱がクラッド領域に与えられる。低熱伝導率層が設けられていることから、光導波路層と半導体基板との間の熱抵抗が大きくなる。それにより、ヒータによる発熱によって効率よく光導波路層の温度を制御することができる。したがって、本発明に係る半導体レーザチップの発振波長を効率よく制御することができる。利得部は、光半導体領域の幅よりも大きい幅を有していてもよい。また、光導波路層および利得部と光結合され、光を吸収または増幅する光強度調整部をさらに備えていてもよい。本発明に係るレーザモジュールは、請求項10~12のいずれかに記載の半導体レーザチップと、半導体レーザチップの少なくとも一部が載置され半導体レーザチップの少なくとも一部の温度を制御する温度制御装置とを備えることを特徴とするものである。本発明に係るレーザモジュールにおいては、温度制御装置によって半導体レーザチップの温度を制御することができる。それにより、半導体レーザチップの発振波長を制御することができる。また、ヒータによって発生した熱がクラッド領域に与えられる。低熱伝導率層が設けられていることから、光導波路層と半導体基板との間の熱抵抗が大きくなる。それにより、ヒータによる発熱によって効率よく光導波路層の温度を制御することができる。したがって、本発明に係るレーザモジュールの発振波長を効率よく制御することができる。なお、少なくとも利得部が温度制御装置上に載置されていてもよい。また、半導体レーザ全体が温度制御装置上に配置されていてもよい。本発明によれば、ヒータによる発熱によって効率よく光導波路層の温度を制御することができる。以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。第1実施例においては、本発明に係る光半導体装置の一例として分布反射器について説明する。図1は、本発明の第1実施例に係る分布反射器100の模式的断面図である。図1に示すように、分布反射器100は、半導体基板101上の中央部に半導体基板101の幅よりも小さい幅を有するメサ状の光半導体領域102が設けられた構造を有する。すなわち、光半導体領域102は、半導体基板101の中央部から突出した構造を有する。半導体基板101は、例えば、InPからなる。光半導体領域102の上面および側面ならびに半導体基板101の露出した上面には、保護膜として機能する絶縁膜図示せずが形成されている。この絶縁膜は、例えば、SiO2等の絶縁体からなる。光半導体領域102上には、ヒータ103が配置されている。光半導体領域102は、クラッド領域104の中央部に光導波路層105が形成された構造を有する。また、クラッド領域104は、光導波路層105と半導体基板101との間に、低熱伝導率層106を備える。光半導体領域102の上面から光導波路層105上面までの距離は、例えば、3μm程度である。また、光導波路層105の下面から低熱伝導率層106までの距離は、例えば、3μm程度である。低熱伝導率層106の層厚は、例えば、1μm程度である。また、光半導体領域102の高さは、例えば、20μm程度である。クラッド領域104は、例えば、InPからなる。また、光導波路層105は、例えば、吸収端がレーザ発振波長よりも短波長側にある材料からなる。光導波路層105は、例えば、InGaAsP系結晶からなる。低熱伝導率層106は、半導体混晶材料からなる。それにより、低熱伝導率層106の熱伝導率は、クラッド領域104の熱伝導率よりも小さくなる。本実施例においては、低熱伝導率層106は、In1-xGaxAsyP1-y、In1-x-yAlxGayAsまたはIn1-xAlxAsyP1-yからなる。低熱伝導率層106の層厚は、例えば、1μm程度である。半導体基板101としてGaAsを用いる場合には、低熱伝導率層106としてAlxGa1-xAs混晶またはGa1-xInxNyAs1-y混晶を用いることもできる。ヒータ103は、NiCr等からなり、与えられる電力に応じて発熱する。ヒータ103によって発生した熱は、クラッド領域104に与えられる。本実施例においては低熱伝導率層106が設けられていることから、光導波路層105と半導体基板101との間の熱抵抗が大きくなる。それにより、ヒータ103による発熱によって効率よく光導波路層105の温度を制御することができる。したがって、分布反射器100を備える半導体レーザの発振波長を効率よく制御することができる。ここで、低熱伝導率層106は、光半導体領域102の幅全体に設けられている。なお、低熱伝導率層106の屈折率は小さいことが好ましい。光導波路層105を導波する光が低熱伝導率層106に漏れることを抑制できるからである。以下、In1-xGaxAsyP1-y、In1-x-yAlxGayAsおよびIn1-xAlxAsyP1-yの組成比の好ましい範囲について説明する。図2は、上記半導体基板101であるInP基板に略格子整合したIn1-xGaxAsyP1-yの組成比とその特性との関係を示す図である。図2aはIn1-xGaxAsyP1-yの組成比とその熱伝導率との関係を示す図であり、図2bはIn1-xGaxAsyP1-yの組成比とその屈折率との関係を示す図である。図2aおよび図2bの横軸はAs組成比yatmを示し、図2aの縦軸はIn1-xGaxAsyP1-yの熱伝導率を示し、図2bの縦軸はIn1-xGaxAsyP1-yの屈折率とInPの屈折率との差のInPの屈折率に対する割合以下、屈折率差D1と称するを示す。図2aに示すように、As組成比yが大きくなるとともに、In1-xGaxAsyP1-yの熱伝導率が低下する。これは、半導体を構成する原子の配列の自由度が大きくなるからである。したがって、少なくともAs組成比y>0であれば、In1-xGaxAsyP1-yの熱伝導率はInPの熱伝導率よりも小さくなる。なお、低熱伝導率層106に用いる材の熱伝導率は、クラッド領域104の熱伝導率の10分の1以下であることが好ましい。したがって、As組成比yは、15以上であることが好ましい。一方、図2bに示すように、Asの組成比yの増加とともにIn1-xGaxAsyP1-yの屈折率は増加する。屈折率差D1が6未満であれば、光導波路層105を導波する光が低熱伝導率層106に漏れることを抑制することができる。したがって、As組成比yは、55以下であることが好ましい。以上のことから、低熱伝導率層106としてIn1-xGaxAsyP1-yを用いる場合には、0<As組成比y≦55atmであることが好ましく、15atm≦As組成比y≦55atmであることがより好ましい。次に、In1-x-yAlxGayAsの組成比について説明する。InP基板に略格子整合する範囲では、In1-x-yAlxGayAsの熱伝導率はInPの熱伝導率の10分の1以下になる。したがって、低熱伝導率層106としてIn1-x-yAlxGayAsを用いることができる。続いて、In1-x-yAlxGayAsの組成比とその屈折率との関係について説明する。図3は、InP基板に略格子整合するIn1-x-yAlxGayAsの組成比とその屈折率との関係を示す図である。図3の横軸はAl組成比xatmを示し、図3の縦軸はIn1-x-yAlxGayAsの屈折率とInPの屈折率との差のInPの屈折率に対する割合以下、屈折率差D2と称するを示す。図3に示すように、Al組成比xの増加とともに屈折率差D2は低下する。Al組成比xが26以上になると屈折率差D2が6未満になる。したがって、Al組成比xは26以上であることが好ましい。次に、In1-xAlxAsyP1-yの組成比について説明する。InP基板に略格子整合する範囲では、Al組成比x>0またはAs組成比y>0であれば、In1-xAlxAsyP1-yの熱伝導率はInPの熱伝導率よりも小さくなる。したがって、少なくともAl組成比x>0またはAs組成比y>0であれば低熱伝導率層106としてIn1-xAlxAsyP1-yを用いることができる。続いて、In1-xAlxAsyP1-yの組成比と屈折率との関係について説明する。図4は、InP基板に略格子整合するIn1-xAlxAsyP1-yの組成比とその屈折率との関係を示す図である。図4の横軸はAs組成比yatmを示し、図4の縦軸はIn1-xAlxAsyP1-yの屈折率とInPの屈折率との差のInPの屈折率に対する割合以下、屈折率差D3と称するを示す。図4に示すように、As組成比yの増加とともに屈折率差D3は増加する。しかしながら、As組成比yの値にかかわらず、屈折率差D3が6を超えることはない。したがって、As組成比yにかかわらず、In1-xAlxAsyP1-yを低熱伝導率層106として用いることができる。なお、InP基板に略格子整合する範囲とは、InP基板と半導体混晶とが歪緩和していない範囲のことである。続いて、本発明の第2実施例に係る半導体レーザチップ200について説明する。図5は半導体レーザチップ200の全体構成を示す斜視図であり、図6aは半導体レーザチップ200の平面図であり、図6bは図6aのA-A線断面図である。以下、図5、図6aおよび図6bを参照しつつ半導体レーザチップ200の説明を行う。図5、図6aおよび図6bに示すように、半導体レーザチップ200は、SG-DRSampledGratingDistributedReflector領域α、SG-DFBSampledGratingDistributedFeedback領域βおよびPCPowerControl領域γを順に連結させた構造を有する。SG-DR領域αは、半導体基板1上に下部クラッド層5a、光導波路層3、上部クラッド層5bおよび絶縁層6が順に積層され、絶縁層6上にヒータ9、電源電極10およびグランド電極11が積層された構造を有する。SG-DFB領域βは、半導体基板1上に下部クラッド層5a、光導波路層4、上部クラッド層5b、コンタクト層7および電極8が順に積層された構造を有する。PC領域γは、半導体基板1上に下部クラッド層5a、光導波路層12、上部クラッド層5b、コンタクト層13および電極14が順に積層された構造を有する。SG-DR領域α、SG-DFB領域βおよびPC領域γにおける半導体基板1、下部クラッド層5aおよび上部クラッド層5bは、それぞれ一体的に形成された単一層である。低熱伝導率層51は、下部クラッド層5a内において低反射膜15から低反射膜16にかけて形成されている。光導波路層3,4,12は、同一面上に形成され、光結合している。SG-DR領域α側の半導体基板1、光導波路層3、下部クラッド層5aおよび上部クラッド層5bの端面には、低反射膜15が形成されている。一方、PC領域γ側の半導体基板1、光導波路層12、下部クラッド層5aおよび上部クラッド層5bの端面には、低反射膜16が形成されている。回折格子2は、光導波路層3,4に所定の間隔をあけて複数形成され、それによってサンプルドグレーティングが形成される。絶縁層6は、電極8と電極14との境界にも形成されている。半導体基板1は、例えば、InPからなる。光導波路層3は、例えば、吸収端がレーザ発振波長よりも短波長側にあるInGaAsP系結晶からなり、1.3μm程度のPL波長を有する。光導波路層4は、例えば、目的とする波長でのレーザ発振に対して利得を有するInGaAsP系結晶からなる活性層を含み、1.57μm程度のPL波長を有する。光導波路層12は、光を吸収または増幅することによって出射光出力を変化させるためのInGaAsP系結晶からなり、例えば1.57μm程度のPL波長を有する。光導波路層3には、SG-DRセグメントが複数形成されている。本実施例においては、光導波路層3にSG-DRセグメントが3つ形成されている。ここで、SG-DRセグメントとは、光導波路層3において回折格子2が設けられている領域と回折格子2が設けられていないスペース部とがそれぞれ1つ連続する領域である。下部クラッド層5aおよび上部クラッド層5bは、例えばInPからなり、光導波路層3,4,12を伝播するレーザ光を閉じ込める機能を果たす。下部クラッド層5a内には、低熱伝導率層51が設けられている。低熱伝導率層51は、下部クラッド層5aの熱伝導率よりも小さい熱伝導率を有する材料からなる。低熱伝導率層51は、例えば、第1実施例における低熱伝導率層106と同様の材料からなる。コンタクト層7,13は、InGaAsP系結晶からなる。絶縁層6は、SiN,SiO2等の絶縁体からなる保護膜である。低反射膜15,16は、例えばMgF2およびTiONからなる誘電体膜からなり、0.3以下程度の反射率を有する。ヒータ9は、NiCr等からなり、絶縁層6上に形成されている。ヒータ9には、電源電極10およびグランド電極11が接続されている。電源電極10、グランド電極11、電極8,14は、Au等の導電性材料からなる。なお、図5に示すように、ヒータ9の両側から光導波路層3の両側を通って半導体基板1にかけてメサ溝21が光導波路層3と並行に形成されている。本実施例においては、メサ溝21によって画定され、かつ光導波路層3を含むメサ半導体領域20が上記第1実施例における光半導体領域102に対応する。続いて、半導体レーザチップ200の動作について説明する。電極8に所定の電流が供給されると、光導波路層4において光が発生する。発生した光は、光導波路層3,4を伝播しつつ繰り返し反射および増幅されてレーザ発振する。発振したレーザ光の一部は、光導波路層12において増幅または吸収された後、低反射膜16を通して外部に出射される。光導波路層12における増幅率もしくは吸収率は電極14に流す電流に応じて制御することができる。電極14に所定の電流が供給されると、出射光出力が一定に維持される。また、ヒータ9に電流等の電気信号が供給されると、その大きさに応じて各SG-DRセグメントの温度が調整される。それにより、各SG-DRセグメントの屈折率が変化する。その結果、光導波路層3の反射ピーク波長が変化する。以上のことから、ヒータ9に供給する電流の大きさを制御することによって、半導体レーザチップ200の発振波長を制御することができる。本実施例においては下部クラッド層5aに低熱伝導率層51が設けられていることから、光導波路層3と半導体基板1との間の熱抵抗が大きくなる。それにより、ヒータ9による発熱によって効率よく光導波路層3の温度を制御することができる。したがって、半導体レーザチップ200の発振波長を効率よく制御することができる。なお、低熱伝導率層51は、SG-DR領域αのみに形成されていてもよい。続いて、本発明の第3実施例に係るレーザモジュール300について説明する。図7は、レーザモジュール300の全体構成を示す模式図である。図7に示すように、レーザモジュール300は、温度制御装置301上に半導体レーザチップ302が載置された構造を有する。半導体レーザチップ302は、第2実施例に係る半導体レーザチップ200と同様のものである。温度制御装置301は、半導体レーザチップ302全体の温度を制御する。それにより、温度制御装置301は、光導波路層4の反射ピーク波長を制御することができる。したがって、本実施例に係るレーザモジュール300は、ヒータ9による光導波路層3の温度制御および温度制御装置301による光導波路層4の温度制御の両方によって、発振波長を制御することができる。続いて、本発明の第4実施例に係るレーザモジュール300aについて説明する。図8は、レーザモジュール300aの全体構成を示す模式図である。レーザモジュール300aが図7のレーザモジュール300と異なる点は、半導体レーザチップ302が温度制御装置301上において配置される箇所である。図8に示すように、半導体レーザチップ302のうちPC領域CおよびSG-DFB領域βは温度制御装置301上に載置され、SG-DR領域αは温度制御装置301上に載置されていない。この場合、温度制御装置301は、SG-DFB領域βの温度を制御する。それにより、温度制御装置301は、光導波路層4の反射ピーク波長を制御することができる。したがって、本実施の形態に係るレーザモジュール300aは、ヒータ9による光導波路層3の温度制御および温度制御装置301による光導波路層4の温度制御の両方によって、発振波長を制御することができる。このように、SG-DR領域αは、温度制御装置301上に載置されていなくてもよい。なお、低熱伝導率層51がSG-DFB領域βに形成されていない場合には、温度制御装置301による光導波路層4の温度制御が容易になる。"