表面電極と、半導体材料からなる光電変換層と、透明導電酸化物からなる透明導電層と、金属材料からなる裏面電極と、がこの順に積層された光電変換装置であって、シリコンを主成分とする半導体材料からなり前記透明導電層よりも屈折率の高い導電層が前記透明導電層と前記裏面電極とに接して挟まれている光電変換装置。透明導電層はZnOを主成分として、裏面電極は銀を主成分とすることを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。導電層の波長850nmにおける屈折率が3.4以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換装置。導電層が不純物を添加した導電性の非晶質シリコンであることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の光電変換装置。導電層が不純物を添加した導電性の微結晶シリコンであることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の光電変換装置。導電層の膜厚は30nm~300nmの範囲内であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の光電変換装置。導電層がn型半導体であることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の光電変換装置。特許文献1や特許文献2はいずれも半導体層の裏面側の透明導電膜と裏面電極との間に透明導電膜よりも屈折率の低いSiO2などの膜を挿入した構造である。しかしながら、このような透明導電膜と裏面電極との間に電気導電性の劣る低屈折率膜が挿入される構造では、半導体層と裏面電極との間の電気抵抗が高くなりやすい。そこで、半導体層と裏面電極との間の電気抵抗も低く保つとともに、半導体層を通過した光の反射率を向上して、光電変換効率の高い光電変換装置を実現することを目的とする。本発明の光電変換装置は、透光性絶縁基板上に、表面電極と、半導体材料からなる光電変換層と、透明導電酸化物からなる透明導電層と、金属材料からなる裏面電極と、がこの順に積層された光電変換装置であって、シリコンを主成分とする半導体材料からなり前記透明導電層よりも屈折率の高い導電層が前記透明導電層と前記裏面電極とに接して挟まれている光電変換装置とした。シリコンを主成分とする半導体材料からなる導電層が前記透明導電層と前記裏面電極とに接して挟まれているので、半導体層と裏面電極との間の電気抵抗も低く保てる上に、半導体層を通過した特に長波長の光の反射率を向上することが容易にでき、光電変換効率の高い光電変換装置を実現することができる。以下に、本発明に係る光電変換装置の実施の形態について図面を用いて説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解を容易とするため、各部材の縮尺等が実際とは異なる場合がある。各図面間においても同様である。<実施の形態1.>図1は、本発明の実施の形態の光電変換装置の概略構成を示す断面図である。図1のように、この光電変換装置は、透光性絶縁基板1上に、透明電極層からなる表面電極2、表面電極2上に形成された薄膜半導体層である光電変換層4、光電変換層4上に形成された酸化物透明導電材料からなる裏面透明導電層7、裏面透明導電層7上に形成された導電層8、および導電層8上に形成された金属材料からなる裏面電極6、を有している。導電層8は裏面透明導電層7と裏面電極6とに接して挟まれている。透光性絶縁基板1には、ガラスや透明樹脂、プラスチック、石英などの種々の透光性を有する絶縁基板を用いる。表面電極2は、酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム錫ITO、酸化錫SnO2、酸化インジウムIn2O3のうちの少なくとも1種を含む透明導電酸化物TCO:TransparentConductingOxideによって構成される。また、これらの透明導電酸化物にアルミニウムAl、ガリウムGa、ホウ素B等から選択した少なくとも1種類以上の元素を添加した膜などの透光性膜によって構成されてもよい。また、表面電極2は、図のように表面に凹凸が形成された表面テクスチャー構造を有してもよい。この表面テクスチャー構造は、入射した太陽光を散乱させ、光電変換層4での光利用効率を高める機能を有する。このような表面電極2は、スパッタリング法、電子ビーム堆積法、原子層堆積法、常圧化学気相成長CVD:ChemicalVaporDeposition法、低圧CVD法、有機金属化学気相蒸着法MOCVD:MetalOrganicChemicalVaporDeposition法、ゾルゲル法、印刷法、スプレー法等の種々の方法により作製することができる。光電変換層4は、シリコン系薄膜半導体層からなり、透光性絶縁基板1の主面に略平行なp型半導体層4a、i型半導体層4bおよびn型半導体層4cが順次積層されたpin半導体接合を含んでいる。ここで、シリコン系薄膜半導体層は、シリコン半導体、または炭素、ゲルマニウム、酸素またはその他の元素の少なくとも1つが添加された薄膜から構成することができる。この光電変換層4は、プラズマCVD法または熱CVD法等を用いて堆積形成される。また、光電変換層4における各層の接合特性を改善するために、p型半導体層4aとi型半導体層4bとの間、i型半導体層4bとn型半導体層4cとの間に、各接合層のバンドギャップの中間、または同等の大きさのバンドギャップを有する非単結晶シリコンSi層、非単結晶炭化シリコンSixC1-x層、非単結晶酸化シリコンSixO1-x層等の半導体層を介在させてもよい。すなわち、p型半導体層4aとi型半導体層4bとの間には、p型半導体層4aとi型半導体層4bのバンドギャップの中間の大きさのバンドギャップを有する非単結晶シリコンSi層、非単結晶炭化シリコンSixC1-x層、非単結晶酸化シリコンSixO1-x層等の半導体層を介在させてもよい。同様に、i型半導体層4bとn型半導体層4cとの間には、i型半導体層4bとn型半導体層4cのバンドギャップの中間、または同等の大きさのバンドギャップを有する非単結晶シリコンSi層、非単結晶炭化シリコンSixC1-x層、非単結晶酸化シリコンSixO1-x層等の半導体層を介在させてもよい。裏面透明導電層7は、ZnO、ITO、SnO2、In2O3のうちの少なくとも1種を含むTCOによって構成される。また、これらの透明導電酸化膜にAl、Ga、B等から選択した少なくとも1種類以上の元素を添加した膜などの透光性膜によって構成されてもよい。裏面透明導電層7は、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、原子層堆積法、CVD法、低圧CVD法、MOCVD法、ゾルゲル法、印刷法、塗布法等により形成される。導電層8は、裏面透明導電層7と裏面電極6とに接して挟まれた層であり、裏面透明導電層7と裏面電極6とを電気的に接続するとともに、光の干渉効果を利用して、裏面透明導電層7と裏面電極6とが直接接合された場合よりも、光電変換層4へ特定の波長域の光を多く反射させる機能を有する。導電層8の屈折率は裏面透明導電層7よりも高い。導電層8は、p、i、またはn型のシリコン半導体、または炭素、ゲルマニウム、酸素またはその他の元素の少なくとも1つが添加されたシリコンを主成分とするシリコン系半導体薄膜から構成することができる。このシリコン系半導体薄膜は、非晶質や微結晶といった特定の結晶性に限定されるものではない。導電層8は光電変換層4とは異なり、内部にpnやpinなどの半導体接合を含まない。この導電層8の膜厚は30nm~300nmの範囲で調整されると良い。膜厚が30nmよりも薄い場合は反射率が低下する可能性があり、膜厚が300nmよりも厚い場合には可視光から近赤外光の波長領域の反射率が低下する可能性がある。また、膜厚が300nmよりも厚いと裏面透明導電層7と裏面電極6との間の抵抗が増加する可能性がある。導電層8の膜厚を50nm~150nm程度の範囲とすると光電変換層4を透過しやすい波長800~1000nmの比較的長い波長の光に対して反射率の向上することができる上に裏面透明導電層7と裏面電極6との間の接続抵抗を低下する効果が特に優れる。裏面電極6は、高反射率および導電性を有する、銀Ag、Al、金Au、銅Cu、ニッケルNi、ロジウムRh、白金Pt、パラジウムPr、チタンTi、クロムCr、モリブデンMo等から選択した少なくとも1種類以上の元素または合金からなる層により構成される。反射率を高めるには、Agを主成分とする金属からなることが最も好ましい。なお、これらの裏面電極6の高反射率および導電性材料としての具体的材料は特に限定されるものではなく、周知の材料から適宜選択して用いてもよい。図2は、本発明の実施の形態の光電変換装置の全体構成の典型的な構造を示す斜視図である。図1に示した光電変換装置100は複数の光電変換素子10に分割され、それらの光電変換素子10が透光性絶縁基板1の上で直列接続された構造である。図の光電変換素子10は概ね短冊のような細長い矩形状である。その短辺方向に多数の光電変換素子10が配列される。図では透光性絶縁基板1の辺に沿った方向に配列されている場合を示している。表面電極2は第1溝91を形成することで分割されて隣接する光電変換素子10間で分離される。第1溝91は表面電極2の表面から透光性絶縁基板1に達する溝である。このように分離された表面電極2の上に光電変換層4が積層される。光電変換層4には、第1溝91と少し離れた位置に光電変換層4の上面から表面電極2に達する第2溝92が形成されている。光電変換層4の上には、裏面電極6が形成され、裏面電極6は第2溝92の内部で表面電極2に接する。これにより、隣接する一方の光電変換素子10の裏面電極6は他方の表面電極2に直列接続される。また、第2溝92に対して第1溝91と反対側には、裏面電極6を隣接する光電変換素子10間で分離する第3溝93が形成される。光電変換層4と裏面電極6との間には裏面透明導電層7、導電層8が互いに接するように形成される。光電変換装置90のサイズは種々のものが可能であるが、屋外に設置する太陽電池では1辺が1~2mなどの大型の透光性絶縁基板1が一般に使用される。薄膜光電変換セル10は、たとえば短辺が5~10mmの細長い矩形である。大型の基板上に5~10mm程度の短冊状の多数のセルが5~10mm間隔で第3溝93を挟んで平行に並ぶ構造などとする。図には示さないが、薄膜光電変換セル10の上には透湿性の小さい樹脂シートなどが接着されて薄膜太陽電池モジュールとなる。光電変換素子10の光電変換層4に光が入射すると自由キャリアが生成され、起電力が発生して表面電極2と裏面電極6との間に電流が発生する。直列接続した光電変換素子10の両端に図示しないリード線が接続され、このリード線を経て電力を外部に取り出す。図3は、本発明の実施の形態の光電変換装置の反射率の波長依存性を示した特性図である。この図は、導電層8をn型非晶質Siとして、光電変換層4側から裏面透明導電層7側に向けて光を入射させたときに、裏面透明導電層7と導電層8と裏面電極6とで光電変換層4側に反射される反射率を計算した結果である。図の縦軸は反射率で、全反射の場合を1として、横軸は波長nmである。計算において、裏面電極6はAg、裏面透明導電層7より光入射側は微結晶シリコン、とした。また、裏面透明導電層7はZnOを主成分とする層として、その厚みを90nmとした。図においてL1~L5の各線は裏面透明導電層7と裏面電極6とに接して挟まれる導電層8の膜厚を変えた場合の反射特性を示している。導電層8の膜厚はL1で0nm、L2で25nm、L3で80nm、L4で100nm、L5で120nmである。なお、この図のL1は、膜厚が0nm、つまり導電層8が存在しない従来構造の光電変換層の反射率の特性を示している。L2のように導電層8の膜厚が25nmでは従来のL1よりも反射率が低下する。しかし、L3のように導電層8の膜厚を80nmとすると波長範囲700nm~900nmの反射率が従来よりも向上する。また、L4のように導電層8の膜厚を100nmとすると波長範囲750nm~1150nmの反射率が従来構造よりも向上し、L5のように膜厚を120nmにすると波長範囲850~1200nmの反射率が従来構造よりも向上することがわかる。シリコンを光電変換層4の主成分とするような光電変換装置では、光電変換層4の裏面側に長い波長領域の光が透過しやすい。導電層8の膜厚を適切に選択することで波長800~1000nmなどの波長領域の反射率を高めると、光電変換効率を高めることができる。図4~9は本発明の実施の形態の光電変換装置の反射率を示した特性図である。これらの図は、波長850nmにおいて、導電層8の光学屈折率を変えた場合に、その膜厚Tbと裏面透明導電層7の膜厚Taで反射率がどう変化するかを計算して2次元表示した図である。図4は導電層8の屈折率nが2.2、図5は導電層8の屈折率nが2.6、図6は導電層8の屈折率nが3.0、図7は導電層8の屈折率nが3.4、図8は導電層8の屈折率nが3.8、図9は導電層8の屈折率nが4.2、の場合を示している。いずれも導電層8は波長850nmにおいて吸収の無い透明な膜とした。また、裏面透明導電層7はAl添加のZnO膜として、その膜厚Taを20~220nmに変化させ、導電層8の膜厚Tbを0~200nmと変化させて反射率を計算した。図において、縦軸が裏面透明導電層7の膜厚Taで、上端を20nm、下端を220nmとした。また、横軸は導電層8の膜厚Tbで左端を0nm、右端を200nmとした。これらの図において左端が導電層8の膜厚Tbが0nmで導電層8がない従来構造の場合に相当する。また、図において、反射率はその値から段階に分けてハッチングで表示している。濃い斜線Aが反射率0.97以上となる膜厚領域、斜線Bが反射率0.96以上0.97未満となる膜厚領域、ドットCが反射率0.95以上0.96未満となる膜厚領域、無地Dが反射率0.80以上0.95未満となる膜厚領域、水平線Eが反射率0.60以上0.80未満となる膜厚領域、濃い水平線Fが0.60未満となる膜厚領域を示している。なお、非晶質Siは波長850nmにおいて屈折率が約3.8で、かつ、光吸収が小さいので、図8は導電層8を非晶質Siとした場合の結果に近い。図4~9で、膜厚Tbが0nmとなる従来構造では左端が共通である。その場合、裏面透明導電層7の膜厚Taが40~100nmで反射率が0.95以上となる。これよりも膜厚Taが増加すると反射率が低下していく傾向が見られる。これは、膜厚Taが高反射率となる干渉条件がずれることに加えて、裏面透明導電層7の吸収の影響によるものと考えられる。図4のように導電層8を屈折率2.2の材料とした場合に、Taが約20nm、Tbが70~80nm、の領域に従来構造よりも高い反射率となる領域濃い斜線Aの領域ができることがわかる。図5のように導電層8を屈折率2.6の材料とした場合、また、図6のように導電層8を屈折率3.0の材料とした場合には、計算した範囲内で従来構造と同程度の反射率しか得られなかった。しかし、導電層8の屈折率をさらに高めて、図7のように屈折率3.4の材料とした場合、図8のように屈折率3.8の材料とした場合、図9のように屈折率4.2の材料とした場合には、従来構造よりも高い反射率となる領域濃い斜線Aの領域が出現することがわかった。図には示さないが屈折率4.6の材料とした場合にも同様に従来構造よりも高い反射率となる領域が出現する。従って、導電層8を波長850nmにおける屈折率が3.4以上とすると、従来構造よりも反射率を高めることが可能である。屈折率を高めるに連れて高い反射率領域が広くなる傾向がある。なお、上記は波長850nmの場合で説明したが、波長800~1100nmでも同様な傾向となる。また、裏面透明導電層7はAl添加のZnO膜に限らず、同程度の屈折率と光学吸収、例えば屈折率1.9~2.1程度で、800~1100nmの近赤外領域で吸収を有するような膜に対して、同様な傾向となる。以上の結果から反射率を高める方法として導電層8を屈折率2.2の材料や、さらに低い屈折率を用いることも考えられる。しかし、そのような材料には、導電性が著しく劣る高抵抗材料か、近赤外領域で吸収を有する透明導電材料しかない。導電層8として裏面透明導電層7より低屈折率の材料を使用して、抵抗を大幅に増加させずに、従来構造よりも高い反射率を実現することは難しい。一方、導電層8として裏面透明導電層7よりも高屈折率の材料を用いた場合、その屈折率が2.6~3.0では高い反射率を得る効果がほとんどないが、3.4以上とすると高い反射率を得ることができる。このような高屈折材料として半導体材料が適しており、特に、シリコンを主成分とする半導体材料が製造容易な点で最適である。導電層8の結晶構造は、非晶質、微結晶、結晶、ナノクリスタル、また、これらが混在する構造であっても良い。導電性を向上するためには、導電層8の結晶構造が非晶質よりも微結晶、または結晶質であることが望ましい。一方、非晶質とすると微結晶や結晶質の場合に比べて屈折率が高く、反射率を高める膜厚範囲が広がり、成膜や膜厚の制御性の点で有利である。また、シリコンを主成分とする場合、炭素やゲルマニウムなどを含有していてもよい。半導体材料には不純物を添加することで、導電性を調節することができるので、光電変換層4と裏面電極6との間の電気伝導を良好に保つことが容易である。半導体材料はSiにPリンやBホウ素などの不純物を添加して1×10-8S/cm以上、より望ましくは1×10-6S/cm以上の暗導電率を有するとよい。電気的な接続性の観点から裏面透明導電層7と導電層8とは同じ電気伝導型とすることが望ましい。一般に透明導電材料として使用されるZnO、ITO、SnO2、In2O3などはn型の導電性材料であるので、導電層8も同じn型半導体とすることが望ましく、不純物としてPリンなどを使用するとよい。図10および図11は本発明の実施の形態の光電変換装置の反射率を示した特性図である。導電層8を非晶質シリコンとして、図10は波長800nmについて、図11は波長1000nmについて図4~9と同様の計算を行った結果である。これらの図のようにいずれの波長でも従来構造よりも高い反射領域領域Aが見られる。この構成の場合、導電層8の膜厚を50nm~150nm程度の範囲とすると光電変換層4を透過しやすい波長800~1000nmの比較的長い波長の光に対して反射率の向上することができることがわかる。ただ、高反射となる膜厚領域は波長によって少し異なるので、光電変換層4の構成にあわせて適切な膜厚に調整すると良い。本発明による光電変換装置では、導電層8の屈折率、および反射率を高めたい波長範囲を考慮したうえで、導電層8の膜厚を最適化することにより、光電変換効率が向上する。また、導電層8の膜厚は面内において均一である必要はない。膜厚分布がある場合は反射率の増幅率と波長域が変化するが、光電変換層4の吸収波長域において、光電変換層4へ反射される光の総量、つまり、反射されるフォトンの総量が、導電層8が存在しない場合よりも増加していれば良い。この理由により、導電層8は面全体に存在している必要もなく、面内に部分的に存在していても良い。ただし、反射率向上の観点からは導電層8はほぼ面全体に存在していることが望ましい。以下では、本発明の実施の形態の光電変換装置の典型的な製造方法を説明する。図12~19は本発明の実施の形態の光電変換装置の製造工程を説明する部分断面図である。これらは図2の光電変換装置100の隣接する光電変換素子10同士の境界近辺の位置について拡大して示した図である。まず図12のように透明導電膜からなる表面電極2が形成された透光性絶縁基板1を用意する。次いで図13のようにレーザスクライブ法などで表面電極2に第1溝91を形成して、光電変換素子10間で表面電極2を分割する。次いで図14のように、表面電極2の上に光電変換層4をCVD法などで形成する。光電変換層4はp型、i型、n型の半導体層が積層された層である。p型、i型、n型の半導体層の組みが複数積層された積層型の構造としても良い。次いで図15のように、光電変換層4の上に、たとえばZnOを主成分とするような、薄い裏面透明導電層7をスパッタ法、CVD法、蒸着法などで形成する。次いで図16のように、裏面透明導電層7の上に導電層8をCVD法などで形成する。導電層8は薄い非晶質シリコン膜などである。次いで図17のように、第1溝91から少しずれた位置に第2溝92をレーザスクライブ法などで形成する。第2溝92の底部に表面電極2が残るようにする。次いで図18のように、Agなどの裏面電極6を導電層8の上に形成する。このとき裏面電極6は第2溝92の内部で表面電極2に接する。これで隣接する光電変換素子10間の一方の素子の裏面電極6と他方の素子の表面電極2とが電気的に接続される。次いで図19のように、第2溝92から第1溝91と反対側にずれた位置にレーザスクライブ法などで裏面電極6に第3溝93を形成する。これにより隣接する光電変換素子10間の裏面電極6が分離される。図は裏面電極6を光電変換層4とともに除去して裏面電極6に溝を形成した場合を示している。その際、第3溝93の底部の表面電極2は残るようにする。以上のような工程を経て、図2の光電変換装置100が完成する。以上の実施の形態で述べたように、本発明の光電変換装置では、裏面透明導電層7と裏面電極6との界面にp、i、またはn型のシリコン系半導体薄膜から構成される導電層8を介在させ、導電層8内部の光の干渉効果を利用して所望の波長域の反射率を向上させることができる。このため、光電変換層4での光の利用効率が向上し、発電効率の高い光電変換装置が実現できる。ここでは、本発明の実施の形態を1つの半導体光電変換層を有する光電変換装置を例にとって説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の目的を逸脱しない限り任意の形態とすることができる。例えば1つの半導体光電変換層から成る光電変換装置に限定されることもなく、半導体光電変換層が2つ以上積層された積層型の光電変換装置にも適用できる。<実施の形態2.>図20および図21は本実施の形態2の光電変換装置である光電変換素子30の構造を示す斜視図である。光電変換素子30は半導体結晶を用いた結晶系太陽電池である。図20は光が入射する表面側受光面側の斜視図であり、図21は裏面側の斜視図である。また、図22は本実施の形態2の光電変換素子30の構造を示す断面図で図20の点線P-Q間の断面図である。実施の形態1の光電変換素子10は薄膜であるため透光性絶縁基板1を必要としたが、本実施の形態2の光電変換装置は自立できる半導体結晶を用いた結晶系太陽電池であるため、透光性絶縁基板1は必須ではない。光電変換素子30の光電変換層24は半導体結晶基板、またはその基板とその上に形成された半導体膜とからなる。光電変換層24はp型またはn型の半導体結晶基板に基板とは逆導電型の不純物が添加された半導体ドープ層でが形成されてpn接合が形成される。これらのドープ層は熱拡散で基板内に形成する方法と成膜技術で基板面に堆積する方法とがある。本実施の形態2では後者の方法でドープ層を形成した。具体的には、n型の単結晶シリコン基板24bの受光面側にドープ層としてp型非晶質シリコン膜24a、その裏面側にドープ層としてn型非晶質シリコン膜24cをCVD法で形成する。また、各導電層と単結晶シリコン基板24bとの間に受光面側に真性のi型非晶質シリコン膜24d、反対面側に真性のi型非晶質シリコン膜24eを形成する。これらのi型非晶質シリコン膜24d、24eは単結晶シリコン基板24bの表面の欠陥を低減して光電変換特性を改善する。典型的な単結晶シリコン基板24bの厚みは100~300ミクロンであり、i型非晶質シリコン膜24d、24eの厚みは1nm~10nm、n型非晶質シリコン膜24aやp型非晶質シリコン膜24cの厚みは3nm~10nmなどである。単結晶シリコン基板24bの形状は1辺が100~160mmの正方形や、角を丸くした正方形、縦横の長さを少し変えた矩形などで、円形や多角形としてもよい。単結晶シリコン基板24bの受光側の表面には異方性エッチングなどによって、微細な凸凹が形成されていると光吸収が向上するので良い。また、同様の凹凸は裏面側にも形成されていても良い。受光面側のp型非晶質シリコン膜24aの上には蒸着法やスパッタ法でZnO、ITO、SnO2などの透明導電膜からなる表面電極22を形成される。太陽光に多く含まれる波長の光に対して干渉効果で反射防止効果が生じるように表面電極22の膜厚が調整されると良い。また、表面電極22の上には金属ペーストなどで集電電極23が形成される。集電電極23は例えば幅100ミクロンの細線が2~3mm間隔で平行な形状であり、網目や樹枝状としてもよい。この集電電極23に交差してバス電極25が形成される。バス電極25は幅1~2mm程度の幅広の電極で、この電極に光電変換装置の電力を外部に取り出すタブ線が接続される。集電電極23やバス電極25の本数や間隔は発電量と損失とを考慮して適宜調整すれば良い。裏面側のn型非晶質シリコン膜24cの上には裏面透明導電層27、シリコンを主成分とする導電層28、銀などからなる裏面電極26が形成される。これらの厚みや形成方法は実施の形態1と同様である。裏面透明導電層27はZnO、裏面電極26は銀を主成分とする材料を用いて、導電層28は不純物を添加した非晶質シリコンまたは微結晶シリコン等で形成すると良い。裏面電極26の上には表面と同様にバス電極29を形成する。裏面に表面と同様に集電電極を設けてもよい。図23は本実施の形態2の光電変換素子30を集積した光電変換装置200の構造の1例を示した斜視図である。透光性絶縁基板1から入射した光を光電変換するように、受光面を透光性絶縁基板1側に向けて複数の光電変換素子30が配列される。タブ線71の一方は光電変換素子30の受光面側のバス電極25に接続され、他方は隣接する光電変換素子30の裏面側のバス電極29に接続されて、相互に直列接続される。各光電変換素子30には間隔をあけて複数のタブ線71が接続される。直列接続した端のタブ線71は連結線72、73に接続される。透光性絶縁基板1の周辺部の光電変換素子30どうしの接続は側部に設置した連結線74を介して接続される。透光性絶縁基板1と光電変換素子30とは透明な接着剤で固定され、図には示さないが光電変換素子30の裏面側も接着剤により封止シートなどの封止材で覆われる。直列接続した両端の連結線72、73にはリード線が接続されて、そのリード線の他端側が封止材の外部に取り出される。本実施の形態2の光電変換素子30、光電変換装置200においても、裏面透明導電層27と裏面電極27との間にシリコンを主成分とする半導体材料からなり裏面透明導電層27よりも屈折率の高い導電層28があるので、特に太陽光の長い波長に対する反射率が向上して変換効率を向上するとともに、光電変換層24と裏面電極27との間の電気抵抗も低く保つことができる。