"表示領域に複数の画素を備え、各画素は、有機EL素子と、前記有機EL素子を駆動する画素回路とを有し、前記有機EL素子は、アノード電極と、カソード電極と、前記アノード電極と前記カソード電極との間に設けられた有機層とを有し、前記アノード電極の側面は、当該アノード電極の前記カソード電極側の断面積が当該アノード電極の前記カソード電極とは反対側の断面積よりも大きくなるような構造となっている表示パネル。前記有機層は、正孔注入効率を高める正孔注入層と、正孔輸送効率を高める正孔輸送層と、電子と正孔との再結合により発光する発光層と、電子輸送効率を高める電子輸送層とを有し、前記有機層のうち少なくとも正孔注入層は、前記表示領域内の全ての画素を含む領域全体に渡って形成されており、かつ、各アノード電極の側面に対応する箇所に高抵抗構造を有する請求項1に記載の表示パネル。前記高抵抗構造は、段切れ構造、または局所的な薄膜構造である請求項2に記載の表示パネル。前記アノード電極の側面は、逆テーパーになっている請求項1に記載の表示パネル。前記アノード電極の側面は、ひさし状になっている請求項1に記載の表示パネル。前記有機層は、蒸着によって形成されたものである請求項1に記載の表示パネル。表示領域に複数の画素を備えた表示パネルと、各画素を駆動する駆動回路とを備え、各画素は、有機EL素子と、前記有機EL素子を駆動する画素回路とを有し、前記有機EL素子は、アノード電極と、カソード電極と、前記アノード電極と前記カソード電極との間に設けられた有機層とを有し、前記アノード電極の側面は、当該アノード電極の前記カソード電極側の断面積が当該アノード電極の前記カソード電極とは反対側の断面積よりも大きくなるような構造となっている表示装置。表示装置を備え、前記表示装置は、表示領域に複数の画素を備えた表示パネルと、各画素を駆動する駆動回路とを有し、各画素は、有機EL素子と、前記有機EL素子を駆動する画素回路とを有し、前記有機EL素子は、アノード電極と、カソード電極と、前記アノード電極と前記カソード電極との間に設けられた有機層とを有し、前記アノード電極の側面は、当該アノード電極の前記カソード電極側の断面積が当該アノード電極の前記カソード電極とは反対側の断面積よりも大きくなるような構造となっている電子機器。有機EL素子は、アノード電極とカソード電極との間に有機化合物からなる薄膜が設けられている電子素子である。有機EL素子では、アノード電極とカソード電極それぞれからホールと電子が注入され、これらホールと電子との再結合によって発生するエネルギーが光として取り出される。そのため、正孔の注入特性を向上させることで、駆動電圧の低減や、発光効率の向上等がもたらされる。有機EL素子が低分子蒸着型である場合に、有機EL素子をアレイ状に並べるときには、発光層は、蒸着マスクを用いて画素毎に選択的に蒸着することにより形成される。しかし、有機層のうち発光層以外の層は、生産性の向上や、生産コストの削減を考えると、各画素で共通に形成されることが望ましい。とはいえ、正孔注入層HILを各画素で共通化すると、正孔注入層の抵抗率の低さにより、隣接する画素間でリーク電流が生じ、所望の画素以外の画素までもが発光する。その結果、混色が発生し、画質が低下してしまうという問題があった。本技術はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、隣接する画素間のリーク電流を低減することの可能な表示パネル、表示装置および電子機器を提供することにある。本技術による表示パネルは、表示領域に複数の画素を備えている。各画素は、有機EL素子と、有機EL素子を駆動する画素回路とを有している。有機EL素子は、アノード電極と、カソード電極と、アノード電極とカソード電極との間に設けられた有機層とを有している。アノード電極の側面は、当該アノード電極のカソード電極側の断面積が当該アノード電極のカソード電極とは反対側の断面積よりも大きくなるような構造となっている。本技術による表示装置は、上記の表示パネルと、各画素を駆動する駆動回路とを備えている。本技術による電子機器は、上記の表示装置を備えている。本技術による表示パネル、表示装置および電子機器では、有機EL素子のアノード電極の側面は、当該アノード電極のカソード電極側の断面積が当該アノード電極のカソード電極とは反対側の断面積よりも大きくなるような構造となっている。これにより、例えば、正孔注入層を、表示領域内の全ての画素を含む領域に対応する領域全体に渡って積層したときに、正孔注入層のうち各アノード電極の側面に対応する箇所に高抵抗構造を形成することができる。本技術による表示パネル、表示装置および電子機器によれば、正孔注入層の製造過程で、正孔注入層のうち各アノード電極の側面に対応する箇所に高抵抗構造を形成することができるようにしたので、隣接する画素間でリーク電流が生じるのを抑制することができる。その結果、混色や画質低下を抑制することが可能となる。以下、発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。1.実施の形態表示装置正孔注入層がアノード電極の側面で段切れしている例2.適用例電子機器上記実施の形態の表示装置が電子機器に適用される例<1.実施の形態>[構成]図1は、本技術による一実施の形態に係る表示装置1の概略構成を表したものである。この表示装置1は、表示パネル10と、表示パネル10を駆動する駆動回路20とを備えている。駆動回路20は、例えば、タイミング生成回路21、映像信号処理回路22、信号線駆動回路23、走査線駆動回路24、および電源線駆動回路25を有している。表示パネル10表示パネル10は、複数の画素11が表示パネル10の表示領域10A全面に渡って2次元配置されたものである。画素11は、表示パネル110上の画面を構成する最小単位の点に対応するものである。表示パネル10がカラー表示パネルである場合には、画素11は、例えば赤、緑または青などの単色の光を発する副画素に相当し、表示パネル10がモノクロ表示パネルである場合には、画素11は、白色光を発する画素に相当する。表示パネル10は、駆動回路20によって各画素11がアクティブマトリクス駆動されることにより、外部から入力された映像信号20Aに基づく画像を表示するものである。図2は、画素11の回路構成の一例を表したものである。画素11は、例えば、図2に示したように、画素回路12と、有機EL素子13とを有している。画素回路12は、例えば、図2に示したように、駆動トランジスタTr1、書き込みトランジスタTr2および保持容量Csによって構成されたものであり、2Tr1Cの回路構成となっている。書き込みトランジスタTr2は、後述の信号線DTLの電圧をサンプリングするとともに駆動トランジスタTr1のゲートに書き込むものである。駆動トランジスタTr1は、書き込みトランジスタTr2によって書き込まれた電圧の大きさに応じて有機EL素子13に流れる電流を制御するものである。保持容量Csは、駆動トランジスタTr1のゲート-ソース間に所定の電圧を保持するものである。なお、画素回路12は、上述の2Tr1Cの回路構成とは異なる回路構成となっていてもよい。駆動トランジスタTr1および書き込みトランジスタTr2は、例えば、nチャネルMOS型の薄膜トランジスタTFTThinFilmTransistorにより形成されている。なお、TFTの種類は特に限定されるものではなく、例えば、逆スタガー構造ボトムゲート型であってもよいし、スタガー構造トップゲート型であってもよい。また、駆動トランジスタTr1または書き込みトランジスタTr2は、pチャネルMOS型のTFTであってもよい。表示パネル10は、図2に示したように、行方向に延在する複数の書込線WSLと、列方向に延在する複数の信号線DTLと、行方向に延在する複数の電源線DSLとを有している。各信号線DTLと各書込線WSLとの交差点近傍には、画素11が設けられている。各信号線DTLは、後述の信号線駆動回路23の出力端図示せずと、書き込みトランジスタTr2のソースまたはドレインとに接続されている。各書込線WSLは、後述の書込線駆動回路24の出力端図示せずと、書き込みトランジスタTr2のゲートに接続されている。各電源線DSLは、固定の電圧を出力する電源の出力端図示せずと、駆動トランジスタTr1のソースまたはドレインに接続されている。書き込みトランジスタTr2のゲートは、書込線WSLに接続されている。書き込みトランジスタTr2のソースまたはドレインが信号線DTLに接続され、書き込みトランジスタTr2のソースおよびドレインのうち信号線DTLに未接続の端子が駆動トランジスタTr1のゲートに接続されている。駆動トランジスタTr1のソースまたはドレインが電源線DSLに接続され、駆動トランジスタTr1のソースおよびドレインのうち電源線DSLに未接続の端子が有機EL素子13のアノードに接続されている。保持容量Csの一端が駆動トランジスタTr1のゲートに接続され、保持容量Csの他端が駆動トランジスタTr1のソース図2では有機EL素子13側の端子に接続されている。つまり、保持容量Csは、駆動トランジスタTr1のゲート-ソース間に挿入されている。有機EL素子13のカソードは、グラウンド線GNDに接続されている。グラウンド線GNDは、基準電位例えばグラウンド電位となっている外部回路図示せずと電気的に接続されるものである。表示パネル10内の構造次に、図3、図4を参照しつつ、表示パネル10内の構造について説明する。図3は、表示パネル10内の有機EL素子13およびその近傍の断面構成の一例を表したものである。図4は、表示パネル10内の有機EL素子13およびその近傍の断面構成の他の例を表したものである。表示パネル10は、例えば、図3、図4に示したように、TFT基板14上に、各画素11に対応して設けられた複数の有機EL素子13を有している。なお、TFT基板14は、画素回路12などの形成された基板であって、かつ、少なくとも最上面に、画素回路12と電気的に接続された金属層図示せずを有している。有機EL素子13は、その金属層に接して形成されている。有機EL素子13は、例えば、図3、図4に示したように、TFT基板14側に設けられたアノード電極31と、アノード電極31上に設けられた有機層32と、有機層32上に設けられたカソード電極33とを有している。アノード電極31は、有機層32へ正孔を注入するものである。アノード電極31は、例えば、正孔注入性の良い材料で構成されており、例えばAl系金属で構成されている。Al系金属は、AlやAl合金を含む概念である。有機層32は、有機層32内に流れる電流量に応じた明るさで発光するものである。有機層32は、例えば、アノード電極31側から順に、正孔注入効率を高める正孔注入層32Aと、後述の発光層32Cへの正孔輸送効率を高める正孔輸送層32Bと、電子と正孔との再結合により発光する発光層32Cと、発光層32Cへの電子輸送効率を高める電子輸送層32Dとを積層してなる積層構造を有している。カソード電極33は、有機層32へ電子を注入するためのものである。カソード電極33は、電子注入性の良い材料で構成されており、例えば、MgAgなどの半透過型の金属材料で構成されている。有機EL素子13は低分子蒸着型の素子であり、有機層32は蒸着により形成されたものである。ところで、アノード電極31の側面は、当該アノード電極31のカソード電極33側の断面積が当該アノード電極31のカソード電極33とは反対側の断面積よりも大きくなるような構造となっている。アノード電極31の側面は、例えば、図3に示したように、逆テーパーになっている。なお、アノード電極31の側面は、例えば、図4に示したように、ひさし状になっていてもよい。有機層32のうち、発光層32C以外の全ての層は、表示領域10A内の全ての画素11を含む領域全体に渡って形成されている。一方、発光層32Cは、有機EL素子13ごとに選択的に形成されており、例えば、アノード電極31と対向する領域ごとに選択的に形成されている。ここで、正孔輸送層32Bおよび電子輸送層32Dは、全ての画素11で共通化されている。ただし、正孔輸送層32Bおよび電子輸送層32Dでは、抵抗率が正孔注入層32Aの抵抗率よりも大きく、しかも厚さが薄いため、積層面内方向の抵抗が大きくなっている。そのため、正孔輸送層32Bおよび電子輸送層32Dは、全ての画素11で共通化されているといっても、電気的には実質的に画素11ごとに分離されている。一方、正孔注入層32Aは、各アノード電極31の側面に対応する箇所に高抵抗構造を有している。図3に記載の正孔注入層32Aでは、高抵抗構造は、段切れ構造である。この段切れ構造は、アノード電極31上に、正孔注入層32Aを蒸着により形成する際に、アノード電極31の側面に形成された逆テーパよって形成されたものである。図4に記載の正孔注入層32Aでも、高抵抗構造は、段切れ構造である。この段切れ構造は、アノード電極31上に、正孔注入層32Aを蒸着により形成する際に、アノード電極31の側面に形成されたひさし状の形状よって形成されたものである。なお、図示しないが、上記の逆テーパや、ひさし状の形状における高さや奥行きの深さによっては、各アノード電極31の側面に対応する箇所に段切れ構造ができず、局所的な薄膜構造が形成されることもある。局所的な薄膜構造では、正孔注入層32Aの厚さが、正孔注入層32Aのうち、アノード電極31の側面に対応しない部位の厚さよりも薄くなっている。そのため、局所的な薄膜構造では、正孔注入層32Aの抵抗率が、正孔注入層32Aのうち、アノード電極31の側面に対応しない部位の抵抗率よりも高くなっている。従って、この場合には、高抵抗構造は、局所的な薄膜構造である。図5、図6は、画素間に流れるリーク電流を電流密度の分布で表したものであり、具体的には図中の左側の画素を発光させたときの、その画素の周囲の電流密度の分布を表したものである。図5は、正孔注入層32Aに高抵抗構造が設けられているときの電流密度分布の一例を表したものである。図6は、正孔注入層32Aに高抵抗構造が設けられていないときの電流密度分布の一例を表したものである。図5、図6において、縦軸の電流密度は、図中の左側の画素を発光させた時に、その画素に流れる電流の密度で規格化されている。図5では、正孔注入層32Aの高抵抗構造の位置で、電流密度が不連続に変化しており、しかも急激に減少している。そのため、発光画素に隣接する画素図5の右側の画素には、発光画素からのリーク電流が到達していない。一方、図6では、電流密度が発光画素から遠ざかるにつれて、なだらかに減少している。そのため、発光画素からのリーク電流が、発光画素に隣接する画素図5の右側の画素にまで到達している。以上のことから、正孔注入層32Aの高抵抗構造が、発光画素からのリーク電流を効果的に遮断していることがわかる。駆動回路20次に、駆動回路20について簡単に説明する。駆動回路20は、上述したように、例えば、図1に示したように、タイミング生成回路21、映像信号処理回路22、信号線駆動回路23、書込線駆動回路24および電源線駆動回路25を有している。タイミング生成回路21は、駆動回路20内の各回路が連動して動作するように制御するものである。タイミング生成回路21は、例えば、外部から入力された同期信号20Bに応じて同期して、上述した各回路に対して制御信号21Aを出力するようになっている。映像信号処理回路22は、外部から入力されたデジタルの映像信号20Aを補正すると共に、補正した後の映像信号をアナログに変換して信号線駆動回路23に出力するものである。信号線駆動回路23は、映像信号処理回路22から入力されたアナログの映像信号を、制御信号21Aの入力に応じて同期して各信号線DTLに出力するものである。書込線駆動回路24は、制御信号21Aの入力に応じて同期して、複数の書込線WSLを所定の単位ごとに順次選択するものである。電源線駆動回路25は、例えば、制御信号21Aの入力に応じて同期して、複数の電源線DSLを所定の単位ごとに順次選択するものである。なお、コンタクト構造14を介して接続端子15から出力される電流量は、電源線駆動回路25による電源線DSLの選択の態様に応じて変化する。有機EL素子13の製造方法次に、図7を参照しつつ、有機EL素子13の製造方法について説明する。図7は、有機EL素子13の製造過程の一例を表したものである。まず、TFT基板14上にアノード電極31を形成する図7A。例えば、TFT基板14上に、すり鉢状の開口を有するマスク層を形成し、その開口に、所定の金属材料を充填する。その後、マスク層を除去する。これにより、側面が逆テーパとなったアノード電極31を形成することができる。なお、正孔注入層32Aの側面をひさし状にする場合には、例えば、以下のようにする。まず、TFT基板14上に、開口を有する第1マスク層を形成し、その開口に、所定の金属材料を充填する。次に、先の開口よりも大きな径の開口を有する第2マスク層を形成する。このとき、充填した金属材料の上面全体が開口の底面に露出するように第2マスク層を形成する。その後、第2マスク層の開口に、所定の金属材料を充填する。その後、第1マスク層および第2マスク層を除去する。これにより、側面がひさし状となったアノード電極31を形成することができる。次に、例えば蒸着法を用いて、アノード電極31を含む所定の領域表示領域10A内の全ての画素11を含む領域に対応する領域全体に渡って、正孔注入層32Aを構成する材料を積層する。これにより、図7Bに示したように、アノード電極31の側面に対応して高抵抗構造段切れ構造が形成された正孔注入層32Aを形成することができる。その後は、例えば蒸着法を用いて、正孔輸送層32B、有機層32Cおよび電子輸送層32Dを順次形成する。例えば、正孔注入層32Aの上面上に正孔輸送層32Bを形成し、正孔輸送層32Bの上面のうちアノード電極31の直上に有機層32Cを形成し、有機層32Cを含む所定の領域全体に渡って、電子輸送層32Dを形成する。このようにして、TFT基板14上に有機層13を形成する。その後、有機層13を含む表面全体にカソード電極33を形成する。このようにして、TFT基板14上に有機EL素子13を形成することができる。効果次に、本実施の形態の表示装置1の効果について説明する。有機EL素子が低分子蒸着型である場合に、有機EL素子をアレイ状に並べるときには、発光層は、通常、蒸着マスクを用いて画素毎に選択的に蒸着することにより形成される。しかし、有機層のうち発光層以外の層は、生産性の向上や、生産コストの削減を考えると、各画素で共通に形成されることが望ましい。とはいえ、正孔注入層を各画素で共通化すると、正孔注入層の抵抗率の低さにより、隣接する画素間でリーク電流が生じる。例えば、図6に示したように、発光画素からのリーク電流が、発光画素に隣接する画素図6の右側の画素に到達する。そのため、所望の画素以外の画素までもが発光するので、混色が発生し、画質が低下してしまう。一方、本実施の形態では、アノード電極31の側面31Aが、当該アノード電極31のカソード電極33側の断面積が当該アノード電極31のカソード電極33とは反対側の断面積よりも大きくなるような構造となっている。具体的には、アノード電極31の側面31Aが、逆テーパー、またはひさし状となっている。これにより、例えば、正孔注入層32Aを、表示領域10A内の全ての画素11を含む領域に対応する領域全体に渡って積層したときに、正孔注入層32Aのうち各アノード電極31の側面31Aに対応する箇所に高抵抗構造が形成される。その結果、例えば、図5に示したように、正孔注入層32Aの高抵抗構造の位置で、電流密度が急激に減少するので、隣接する画素11間にリーク電流が生じるのを抑制することができる。その結果、混色や画質低下を抑制することが可能となる。<2.適用例>以下、上記各実施の形態およびそれらの変形例で説明した表示装置1の適用例について説明する。上述の表示装置1は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、映像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。モジュール上述の表示装置1は、例えば、図8に示したようなモジュールとして、後述する適用例1~5などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板34の一辺に、封止用基板35から露出した領域210を設け、この露出した領域210に、駆動回路20の配線を延長して外部接続端子図示せずを形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板FPC;FlexiblePrintedCircuit220が設けられていてもよい。適用例1図9は、上述の表示装置1が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル310およびフィルターガラス320を含む映像表示画面部300を有しており、この映像表示画面部300は、上述の表示装置1により構成されている。適用例2図10は、上述の表示装置1が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部410、表示部420、メニュースイッチ430およびシャッターボタン440を有しており、その表示部420は、上述の表示装置1により構成されている。適用例3図11は、上述の表示装置1が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体510,文字等の入力操作のためのキーボード520および映像を表示する表示部530を有しており、その表示部530は、上述の表示装置1により構成されている。適用例4図12は、上述の表示装置1が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部610,この本体部610の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ620,撮影時のスタート/ストップスイッチ630および表示部640を有しており、その表示部640は、上述の表示装置1により構成されている。適用例5図13は、上述の表示装置1が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体710と下側筐体720とを連結部ヒンジ部730で連結したものであり、ディスプレイ740,サブディスプレイ750,ピクチャーライト760およびカメラ770を有している。そのディスプレイ740またはサブディスプレイ750は、上述の表示装置1により構成されている。以上、実施の形態、変形例および適用例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、上述の表示装置1がアクティブマトリクス型である場合について説明したが、アクティブマトリクス駆動のための画素回路12の構成は上記実施の形態等で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを画素回路12に追加してもよい。その場合、画素回路12の変更に応じて、上述した信号線駆動回路23、書込線駆動回路24、電源線駆動回路25のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。また、例えば、上記実施の形態等では、映像信号処理回路22、信号線駆動回路23、書込線駆動回路24、電源線駆動回路25の駆動をタイミング生成回路21が制御していたが、他の回路がこれらの駆動を制御するようにしてもよい。また、映像信号処理回路22、信号線駆動回路23、書込線駆動回路24、電源線駆動回路25の制御は、ハードウェア回路で行われていてもよいし、ソフトウェアプログラムで行われていてもよい。また、例えば、本技術は以下のような構成を取ることができる。1表示領域に複数の画素を備え、各画素は、有機EL素子と、前記有機EL素子を駆動する画素回路とを有し、前記有機EL素子は、アノード電極と、カソード電極と、前記アノード電極と前記カソード電極との間に設けられた有機層とを有し、前記アノード電極の側面は、当該アノード電極の前記カソード電極側の断面積が当該アノード電極の前記カソード電極とは反対側の断面積よりも大きくなるような構造となっている表示パネル。2前記有機層は、正孔注入効率を高める正孔注入層と、正孔輸送効率を高める正孔輸送層と、電子と正孔との再結合により発光する発光層と、電子輸送効率を高める電子輸送層とを有し、前記有機層のうち少なくとも正孔注入層は、前記表示領域内の全ての画素を含む領域全体に渡って形成されており、かつ、各アノード電極の側面に対応する箇所に高抵抗構造を有する1に記載の表示パネル。3前記高抵抗構造は、段切れ構造、または局所的な薄膜構造である2に記載の表示パネル。4前記アノード電極の側面は、逆テーパーになっている1ないし3のいずれか1つに記載の表示パネル。5前記アノード電極の側面は、ひさし状になっている1ないし3のいずれか1つに記載の表示パネル。6前記有機層は、蒸着によって形成されたものである1ないし5のいずれか1つに記載の表示パネル。7表示領域に複数の画素を備えた表示パネルと、各画素を駆動する駆動回路とを備え、各画素は、有機EL素子と、前記有機EL素子を駆動する画素回路とを有し、前記有機EL素子は、アノード電極と、カソード電極と、前記アノード電極と前記カソード電極との間に設けられた有機層とを有し、前記アノード電極の側面は、当該アノード電極の前記カソード電極側の断面積が当該アノード電極の前記カソード電極とは反対側の断面積よりも大きくなるような構造となっている表示装置。8表示装置を備え、前記表示装置は、表示領域に複数の画素を備えた表示パネルと、各画素を駆動する駆動回路とを有し、各画素は、有機EL素子と、前記有機EL素子を駆動する画素回路とを有し、前記有機EL素子は、アノード電極と、カソード電極と、前記アノード電極と前記カソード電極との間に設けられた有機層とを有し、前記アノード電極の側面は、当該アノード電極の前記カソード電極側の断面積が当該アノード電極の前記カソード電極とは反対側の断面積よりも大きくなるような構造となっている電子機器。"