"液晶注入口を備え表示領域を囲むシール剤によって互いに貼り合わされた一対の基板と、前記液晶注入口を通して前記一対の基板の間に注入された液晶と、前記液晶注入口を封止した封止部と、前記封止部から離れた位置で、前記表示領域の周辺に配置される周辺領域に形成されたダミー封止部と、を含み、前記一対の基板のうちの一方の基板の面の上に前記液晶を配向させる配向膜を有し、前記ダミー封止部は、前記封止部から前記配向膜の表面に移動する元素と同じ元素を含むことを特徴とする液晶表示装置。請求項1に記載の液晶表示装置において、前記ダミー封止部の材料は、前記封止部の材料と同じであることを特徴とする液晶表示装置。請求項1又は2に記載の液晶表示装置において、前記表示領域は、矩形状であり、前記ダミー封止部は、前記周辺領域のうち前記表示領域の複数の辺の少なくとも一つの辺に沿った領域に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。一対の基板のうちいずれか一方の基板の周辺に液晶注入口が形成される箇所を除き表示領域を囲むシール剤を塗布する工程と、前記液晶注入口から離れた位置で、前記表示領域の周辺に配置される周辺領域に樹脂剤を塗布する工程と、前記一対の基板を貼り合わせて、前記液晶注入口及び前記液晶注入口に連通した空間を形成する工程と、前記液晶注入口から前記空間に液晶を注入する工程と、前記液晶注入口に封止剤を塗布する工程と、前記封止剤を硬化させて前記液晶注入口を封止する工程と、を含み、前記一対の基板のうちの一方の基板の面の上に前記液晶を配向させる配向膜を有し、前記樹脂剤は、前記封止剤から前記配向膜の表面に移動する元素と同じ元素を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。請求項4に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記樹脂剤は、前記封止剤と同じ材料であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。請求項4又は5に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記表示領域は、矩形状であり、前記樹脂剤を塗布する工程では、前記樹脂剤は、前記周辺領域のうち前記表示領域の複数の辺の少なくとも一つの辺に沿った領域に設けられていることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。請求項1~3のいずれか一項に記載の液晶表示装置を備えることを特徴とする電子機器。しかし、特許文献1及び2は、封止剤の成分の移動は、液中媒介とともに気中媒介でも発生する。成分の表示領域への移動は、液晶注入時や液晶注入後では液晶を媒介して拡散すると考えられるが、液晶注入前においては成分の溶出とともに気中媒介すなわち揮発、拡散、再付着によっても発生する。つまり特許文献1及び2の構成では、封止剤からの成分溶出又は成分揮発による表示領域の配向膜表面への成分移動を防ぐことは難しいため、液晶表示ムラの根絶には不十分であった。図10は、従来の液晶表示装置の構造を示す模式平面図である。液晶表示装置に設けられた機能性有機材料、例えばシール剤18や封止剤30に起因した成分が、表示領域DAの配向膜表面に局所的に微量付着すると、液晶配向の制御特性が局所的に変化して、パネル下部の輝度が変化し液晶表示装置の表示ムラの原因となる虞がある図10の黒ムラ部。パネル上部には、このような現象は起きていない図10のムラ未発生部1及びムラ未発生部2。パネル下部には、塩素を含む封止剤30を用いて封止された封止口が存在する図10の封止口付近。表示ムラの原因となっている機能性有機材料の特定物質を、機能性有機材料から取り除くことが考えられるが、これは材料の機能性を低下させることに繋がるため適切でない。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例に係る液晶表示装置は、液晶注入口を備え表示領域を囲むシール剤によって互いに貼り合わされた一対の基板と、前記液晶注入口を通して前記一対の基板の間に注入された液晶と、前記液晶注入口を封止した封止部と、前記封止部から離れた位置で、前記表示領域の周辺に配置される周辺領域に形成されたダミー封止部と、を含み、前記一対の基板のうちの一方の基板の面の上に前記液晶を配向させる配向膜を有し、前記ダミー封止部は、前記封止部から前記配向膜の表面に移動する元素と同じ元素を含むことを特徴とする。本適用例によれば、表示領域の配向膜表面において、微量付着成分の不均一性を緩和させることが可能となる。[適用例2]上記適用例に記載の液晶表示装置において、前記ダミー封止部の材料は、前記封止部の材料と同じであることを特徴とする。本適用例によれば、ダミー封止部が封止部と同じ材料によって封止部から離れた位置で、表示領域の周辺に配置される周辺領域に形成されるため、表示領域の配向膜表面において、微量付着成分の不均一性を緩和させることができ、これによって、従来のイオン吸着層では妨げない非イオン性物質の流入による表示ムラに対して、局所的な液晶配向の制御特性変化を回避し、表示ムラによる液晶表示装置の表示品質が低下することを防ぐことができる。[適用例3]上記適用例に記載の液晶表示装置において、前記表示領域は、矩形状であり、前記ダミー封止部は、前記周辺領域のうち前記表示領域の複数の辺の少なくとも一つの辺に沿った領域に設けられていることを特徴とする。本適用例によれば、表示領域の配向膜表面において、微量付着成分の不均一性の緩和を容易にできる。[適用例4]本適用例に係る液晶表示装置の製造方法は、一対の基板のうちいずれか一方の基板の周辺に液晶注入口が形成される箇所を除き表示領域を囲むシール剤を塗布する工程と、前記液晶注入口から離れた位置で、前記表示領域の周辺に配置される周辺領域に樹脂剤を塗布する工程と、前記一対の基板を貼り合わせて、前記液晶注入口及び前記液晶注入口に連通した空間を形成する工程と、前記液晶注入口から前記空間に液晶を注入する工程と、前記液晶注入口に封止剤を塗布する工程と、前記封止剤を硬化させて前記液晶注入口を封止する工程と、を含み、前記一対の基板のうちの一方の基板の面の上に前記液晶を配向させる配向膜を有し、前記樹脂剤は、前記封止剤から前記配向膜の表面に移動する元素と同じ元素を含むことを特徴とする。本適用例によれば、表示領域の配向膜表面において、微量付着成分の不均一性を緩和させることが可能となる。[適用例5]上記適用例に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記樹脂剤は、前記封止剤と同じ材料であることを特徴とする。本適用例によれば、樹脂剤が封止剤と同じ材料によって封止部から離れた位置で、表示領域の周辺の周辺領域に形成されるため、表示領域の配向膜表面において、微量付着成分を不均一性を緩和させることができ、これによって、従来のイオン吸着層では妨げない非イオン性物質の流入による表示ムラに対して、局所的な液晶配向の制御特性変化を回避し、表示ムラによる液晶表示装置の表示品質が低下することを防ぐことができる。[適用例6]上記適用例に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記表示領域は、矩形状であり、前記樹脂剤を塗布する工程では、前記樹脂剤は、前記周辺領域のうち前記表示領域の複数の辺の少なくとも一つの辺に沿った領域に設けられていることを特徴とする。本適用例によれば、表示領域の配向膜表面において、微量付着成分の不均一性の緩和を容易にできる。[適用例7]本適用例に係る電子機器は、上記記載の液晶表示装置を備えることを特徴とする。本適用例によれば、上述の液晶表示装置を備えるため、表示ムラによる液晶表示装置の表示品質が低下することを防ぐ電子機器を提供することが可能となる。以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大又は縮小して表示している。第1実施形態本実施形態では、液晶表示装置として薄膜トランジスターThinFilmTransistor:TFTを画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶表示装置を例に挙げて説明する。この液晶表示装置は、例えば後述する投射型表示装置液晶プロジェクターの光変調素子液晶ライトバルブとして好適に用いることができるものである。図1は、本実施形態に係る液晶表示装置の構造を示す模式平面図である。図2は、図1に示す液晶表示装置のA-A ́線に沿う模式断面図である。本実施形態に係る液晶表示装置2は、図1及び図2に示すように、ガラス等からなる第1透明基板10上に各種配線等を形成したTFT基板12と、ガラス等からなる第2透明基板14上にカラーフィルター等を形成した対向基板16と、が対向配置されている。そして、このTFT基板12と対向基板16とは、シール剤18で貼り合わされ、シール剤18で形成された空間に液晶20が封入されている。このシール剤18で囲まれ、液晶20が封入された部分が表示領域DAとなり、この表示領域DAの外側が周辺領域PAとなっている。なお、TFT基板12は、対向基板16と対向配置させたときに所定スペースの張り出した部分が形成されるように、対向基板16より若干サイズが大きいものが使用されている。この張り出した部分は、液晶20を駆動するためのドライバーIC22等が配置される実装領域IAとなっている。TFT基板12は、ガラス等の第1透明基板10の液晶20側の表面に、金属膜や絶縁膜、樹脂膜等の成膜とパターニングを繰り返して信号線や走査線などの各種配線、スイッチング素子としてのTFT素子、ITOIndiumThinOxideやIZOIndiumZincOxide等の透明導電性材料からなる画素電極、配向膜などが備えられている。なお、図2ではこれらを総称して第1構造物24とされている。また、TFT基板12の表示領域DAには、両基板間のセルギャップを維持するためのフォトスペーサー図示省略が形成されている。そして、配向膜にラビング処理がされて本実施形態のTFT基板12となる。また、対向基板16は、ガラス等の第2透明基板14の液晶20側の表面に、金属膜や樹脂膜、絶縁膜等の成膜とパターニングを繰り返し、遮光層、カラーフィルター層、オーバーコート層、共通電極、配向膜等を備えるように形成される。なお、図2ではこれらを総称して第2構造物26とされている。図1において第2構造物26の外端の内側の領域が第2構造物26の領域となる。そして、配向膜にラビング処理がされて本実施形態の対向基板16となる。そして、TFT基板12又は対向基板16の表示領域DAの周囲に沿ってシール剤18が塗布される。図1の符号27は非有効画素が配置される領域である。このシール剤18は、熱硬化性あるいは紫外線硬化性の樹脂材によって形成される。このシール剤18は、TFT基板12の表示領域DAの外縁部に沿って塗布されるとともに、その一部に液晶注入口28が形成されている。液晶注入口28の幅は、例えば1mmである。周辺領域PAでシール剤18と表示領域DAとの間の、液晶注入口28から離れた位置に封止剤封止部30と同じ材料からなるダミー封止剤ダミー封止部32が塗布されている。本実施形態では、ダミー封止部32は、液晶注入口28が形成される基板端辺と対向する基板端辺に塗布されている。TFT基板12及び対向基板16は、互いの表面が対向するように配置した状態で、表示領域DAの外周囲に亘って塗布されたシール剤18によって貼り合わされ、一体化される。そして、液晶注入口28から液晶20が注入され、液晶注入口28を封止部30により封止され、実装領域IAにドライバーIC22等が設置されることで本実施形態にかかる液晶表示装置2となる。TFT基板12と対向基板16との間隔は、例えば2μmである。次に、図1~図3を参照して本実施形態の液晶表示装置2の製造工程を説明する。図3は、本実施形態に係る液晶表示装置2の製造工程を示すフローチャートであり、以下の説明では、このフローチャートに照らし合わせて行う。先ず、ステップS10において、TFT基板12側のTFTマザー基板は、ガラス等の第1透明基板10上に、金属膜や絶縁膜、樹脂膜等の成膜とパターニングを繰り返して信号線や走査線などの各種配線、スイッチング素子としての薄膜トランジスター、ITOやIZO等の透明導電性材料からなる下電極、電極間絶縁膜、ITOやIZO等の透明導電性材料からなる上電極、配向膜などを備え、複数個の液晶表示パネル領域を含むように形成する。なお、上述したように図2ではこれらを総称して第1構造物24としている。そして、配向膜にラビング処理をしてTFTマザー基板が完成する。また、ステップS20において、対向基板16側の対向マザー基板は、ガラス等の第2透明基板14上に金属膜や樹脂膜、絶縁膜等の成膜とパターニングを繰り返し、遮光層、カラーフィルター層、オーバーコート層、配向膜等を備えるように形成する。なお、上述したように図2ではこれらを総称して第2構造物26としている。そして、配向膜にラビング処理をして対向マザー基板が完成する。次に、ステップS30において、TFTマザー基板又は対向マザー基板のいずれかにシール剤18を塗布する。次に、ステップS40において、シール剤18の内側で周辺領域PAにダミー封止剤32を塗布する。本実施形態では、ダミー封止剤32は、液晶注入口28が形成される基板端辺と対向する基板端辺に塗布される。次に、ステップS50において、TFTマザー基板及び対向マザー基板を貼り合わせる工程を行う。その後、ステップS60において、貼り合わせたマザー基板を各液晶表示パネルとなるように分断及び切断を行い、ステップS70において、液晶20を液晶注入口28から注入し、ステップS80において、液晶注入口28を封止部30で封止し、ステップS90において、TFT基板12の実装領域IAにドライバーIC22等を設置して本実施形態の液晶表示装置2が完成する。図4は、従来の表示ムラ不良液晶表示装置の配向膜表面の各領域の塩素イオン検出強度値を示すグラフである。言い換えると、表示ムラ不良の液晶表示装置を開封し、配向膜表面の各領域における飛行時間型二次イオン質量分析法TimeofFlightSecondaryIonMassSpectrometry:TOF-SIMSによって得た塩素イオン検出強度値を示したグラフである。具体的には、液晶表示装置を開封した後、液晶20をエタノールで洗い流して、配向膜表面のTOF-SIMS分析を行った。用いたTOF-SIMS分析装置はアルバックファイ社製TRIFTII、一次イオン照射電流量はStaticSIMS条件を満たし、一次イオン種はGa、一次イオン加速出電圧は15kVであった。測定を行った領域は、図10に示す封止口付近、黒ムラ部、ムラ未発生部1、ムラ未発生部2の4領域であり、ムラ未発生部2は、ムラ未発生部1と比較して、液晶注入口28から遠い領域である。測定は各領域において2回ずつ行った。この液晶表示装置の配向膜はSiO2である。塩素イオン検出強度値とは、塩素イオン検出量を全負イオン検出強度で除算した規格化検出強度値Cl-/Total-である。図4から分かるように、封止口付近では塩素イオン検出強度値が比較的大きく、液晶注入口28から離れるにしたがって塩素イオン検出強度値が低下していた。例えば封止口付近と比較してムラ未発生部2では塩素イオン検出強度値が半分程度になっていた。よってこの液晶表示装置では、封止剤30に由来した塩素イオンが配向膜表面に付着し、液晶20の配向制御性が場所ごとに変化して、特に封止剤30の近傍ではこの傾向が顕著となり、表示ムラを生じたことが分かった。液晶20が不配向となるほどの配向膜表面汚染でなくとも、配向膜表面の塩素イオン濃度が領域ごとに差異があると、液晶表示装置は表示ムラを発生し、表示特性が劣化することが分かった。したがって、例えば液晶表示装置の液晶注入口28とは反対側の領域にダミーとなるダミー封止部32図1参照を設けることで、塩素イオンの染み出しによる配向膜表面の塩素イオン濃度の勾配を制御することができる。図5は、本実施形態に係る液晶表示装置2で期待される配向膜表面の塩素イオン検出強度値を示すグラフである。言い換えると、液晶表示装置2の封止口とは反対側に封止剤を設けた構造において、図4の実験データを基に期待される配向膜表面の塩素イオン検出強度値を示したグラフである。図5に示すように、配向膜表面の塩素イオン濃度バラツキを抑制した状態を実現できることが分かった。このようにすることで、液晶表示装置2の表示の不均一性を緩和させることができる。なおダミー封止部32を設ける位置は、配向膜表面の塩素イオン濃度が液晶表示装置2全体で不均一性を緩和させるようにするために、液晶表示装置2の形状や構造によって複数にしてもよい。ここで注意点として、設けたダミー封止部32からの成分染み出しの影響が大きすぎると液晶配向を制御できなくなることがある。封止部30由来の塩素イオンについて、無機配向膜の表面に存在しても問題ない許容値について実験した結果を説明する。図6は、配向膜表面の塩素イオン検出強度値と、液晶配向制御の良/不良状態とを示すグラフである。言い換えると、液晶表示装置の液晶配向制御の良/不良状態と、それぞれの配向膜表面のTOF-SIMS分析をすることによって得た塩素イオン検出強度値の評価結果である。図6に示すように、配向膜表面の塩素イオン検出強度値が0.006程度以上のとき、液晶20の配向制御ができなくなり不良となった。よって配向膜表面の塩素イオン存在濃度は、TOF-SIMSの塩素イオン検出濃度値が0.006未満であることが必要だと分かった。例えば図6に示すように、塩素イオン検出強度値が0.003程度の状態では、液晶配向を制御できた。したがってダミー封止部32を配置することによって配向膜表面の塩素イオン濃度の不均一性を緩和させることにおいては、図5に示したように塩素イオン検出強度値が0.001~0.002の間であるので、液晶配向が制御できる条件を満たしている。本実施形態によれば、ダミー封止部32が封止部30と同じ材料によって封止部30から離れた位置で、表示領域DAの周辺に延びる封止部30が形成される基板端辺と対向する基板端辺に形成されるため、表示領域DAの配向膜表面において、微量付着成分の不均一性を緩和させることができる。これによって、従来のイオン吸着層では妨げない非イオン性物質の流入による表示ムラに対して、局所的な液晶配向の制御特性変化を回避し、表示ムラによる液晶表示装置2の表示品質が低下することを防ぐことができる。第2実施形態図7は、本実施形態に係る液晶表示装置の構造を示す模式平面図である。以下、液晶表示装置4の構造を、図7を参照しながら説明する。本実施形態の液晶表示装置4は、複数のダミー封止部32を設ける点が、第1実施形態と異なっている。以下、第1実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。本実施形態の液晶表示装置4は、図7に示すように、封止部30が設けられている辺を除く3辺にダミー封止部32が設けられている。本実施形態によれば、ダミー封止部32が封止部30と同じ材料によって封止部30から離れた位置で、表示領域DAの周辺に延びる封止部30がない周辺領域PAに形成されるため、表示領域DAの配向膜表面において、微量付着成分の不均一性を緩和させることができる。第3実施形態図8は、本実施形態に係る液晶表示装置の構造を示す模式平面図である。以下、液晶表示装置6の構造を、図8を参照しながら説明する。本実施形態の液晶表示装置6は、封止部30が設けられている辺にダミー封止部32を設ける点が、第2実施形態と異なっている。以下、第2実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。本実施形態の液晶表示装置6は、図8に示すように、封止部30が形成されている辺を含む4辺にダミー封止部32が設けられている。本実施形態によれば、ダミー封止部32が封止部30と同じ材料によって封止部30から離れた位置で、表示領域DAの周辺に延びる周辺領域PAの4辺に設けられるため、表示領域DAの配向膜表面において、微量付着成分の不均一性を緩和させることができる。第4実施形態<電子機器の構成>図9は、本実施形態に係る液晶表示装置を備えた電子機器の一例として液晶プロジェクターの構成を示す模式図である。以下、液晶表示装置を備えた液晶プロジェクターの構成を、図9を参照しながら説明する。本実施形態に係る液晶プロジェクター200は、図9に示すように、上記した液晶表示装置2,4,6を含む液晶モジュールを3つ配置し、それぞれRGB用のライトバルブ210R,210G,210Bとして用いた構造となっている。詳しくは、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット212から投射光が発せられると、3枚のミラー214及び2枚のダイクロイックミラー216によって、RGBの三原色に対応する光成分R,G,Bに分けられ、各色に対応するライトバルブ210R,210G,210Bにそれぞれ導かれる。特に光成分Bは、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ218、リレーレンズ220、出射レンズ222からなるリレーレンズ系224を介して導かれる。ライトバルブ210R,210G,210Bによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分R,G,Bは、ダイクロイックプリズム226により再度合成された後、投射レンズ228を介して、スクリーン230にカラー画像として投射される。このような構成の液晶プロジェクター200は、上記した液晶表示装置2,4,6を含む液晶モジュールを介すことによって、高品位な表示を行うことができる。なお、上記した液晶表示装置2,4,6は、上記した液晶プロジェクター200の他、高精細EVFElectricViewFinder、携帯電話機、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、テレビ、車載機器、オーディオ機器などの各種電子機器に用いることができる。以上詳述したように、本実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。本実施形態によれば、上記した第1実施形態~第3実施形態の液晶表示装置2,4,6を備えているので、ダミー封止部が封止部と同じ材料によって封止部から離れた位置で、表示領域の周辺に延びる周辺領域に形成されるため、表示領域の配向膜表面において、微量付着成分の不均一性を緩和させることができ、これによって、従来のイオン吸着層では妨げない非イオン性物質の流入による表示ムラに対して、局所的な液晶配向の制御特性変化を回避し、表示ムラによる液晶表示装置2,4,6の表示品質が低下することを防ぐことができ、表示品質の高い画像を形成する電子機器を提供することができる。なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。変形例1上述の実施形態は、封止剤30以外の材料にも適用できることが容易に考えられる。例えばある機能性有機材料を液晶表示装置2,4,6の特定の箇所に設けた構造体において、そこからの成分の染み出しによって液晶表示装置2,4,6の表示ムラが発生したとすれば、液晶表示装置2,4,6の構造において、その機能性有機材料が設けられている位置と対称の位置に同じ機能性有機材料を配置することが考えられる。このとき、機能性有機材料からの成分染み出しの影響が大きすぎると液晶20の配向を制御できなくなる可能性があるので、封止剤30の例にて示したような、液晶配向制御ができなくなる上限を実験によって明らかにしておくことが望ましい。変形例2上記した液晶表示装置2,4,6は、ボトムエミッション型、又はトップエミッション型のどちらに適用してもよい。また、一対の基板のうち一方の基板例えば、TFT基板12を遮光性材料であるシリコンSi基板で構成し、反射型のプロジェクターに用いるようにしてもよい。また、液晶表示装置2,4,6は、TN、VA、IPS、FFS、ECB、OCB、LCOSなど各種モードに適用できる。変形例3上記の実施形態において、ダミー封止部32に、封止部30に用いたものと同じ材料を用いることに代え、封止部30に用いる封止剤の成分を含んだ封止剤例えば、塩素を含んだ封止剤を用いることにより、上記の実施形態と同様の効果がある。"