"放射光源と、前記放射光源からの光ビームを情報媒体上に収束して微小スポットを形成する収束光学系と、前記情報媒体で反射した光ビームを受け光電流を出力する複数の領域に分割された光検出器とを具備した光ヘッド装置に用いる回折光学素子であって、前記回折光学素子は、1つの面に回折構造を有し、前記回折構造の形状は、のこぎり刃状の溝形状もしくは階段状の形状を表す関数d1と、周期的凹凸溝形状を表す関数d2の和で表わされる形状関数で表わされることを特徴とする回折光学素子。前記関数d1は回折光を特定の方向に最大効率で発生させる回折構造を表すことを特徴とする請求項1記載の回折光学素子。放射光源と、前記放射光源からの光ビームを情報媒体上に収束して微小スポットを形成する収束光学系と、前記光ビームを回折する請求項1又は2に記載の回折光学素子と、前記情報媒体で反射した光ビームを受け光電流を出力する複数の領域に分割された光検出器とを具備した光ヘッド装置。請求項3に記載の光ヘッド装置と、前記光ヘッド装置により検出された信号を処理し、所望の信号を取り出す電気回路とを具備した光情報処理装置。参考例1以下、参考例1について、図面を参照しながら説明する。図1は参考例1の光ヘッド装置の構成を示す断面模式図である。以下の説明の便宜のために、図中左下に記したようにxyz座標軸を設定し、矢印方向を各軸の正の向きとする。なお、y軸は紙面奥方向が正であることを示している。以下、特にことわらないかぎり、図1に示された座標軸は他の図面においても共通のものとする。図1において、161はx軸方向に偏光した光L0を出射するように配置されたLD-PDユニットである。LD-PDユニット161は、光源である半導体レーザと、信号を含んだ光を検出する光検出器が特定の位置関係で固定されたものであり、後に詳細に説明する。102はコリメートレンズであり、LD-PDユニット161からの出射光を平行光にする。118は回折光学系であり、以下の機能を持つ。まず、x軸方向の偏光は透過する。次に、y軸方向の偏光は特定の方向に進行方向を曲げられて、さらに進行方向を曲げられた光は透過光0次回折光と同時に回折光を発生する。つまり、入射光の進行方向を曲げ、その一部を回折する機能を持つ。その具体的な構造については後述する。115は1/4波長板、103は対物レンズである。106は保持手段であり、回折光学系118、1/4波長板115および対物レンズ103の位置関係を保持する。105は光ディスクであり、112は保持手段106の駆動手段である。図1において、光ディスク105上に形成される光スポットの位置での光ディスク105の半径方向はx軸方向に、該位置での光ディスクの記録トラックのタンジェンシャル方向はy軸方向に、それぞれ一致する本光ヘッド装置の動作を説明する前に、本光ヘッド装置に用いられているLD-PDユニット161および回折光学系118について説明する。図2は図1におけるLD-PDユニット161の構造を表す斜視図である。図2において204はシリコン基板、101はシリコン基板204に固定された半導体レーザ、193、194および195は、シリコン基板204表面に形成された光検出器である。また205はシリコン基板204に形成されたエッチングミラーであり、半導体レーザ101からの出射光をシリコン基板204上方に出射させる出射光L0。このような構成のLD-PDユニット161では、発光源である半導体レーザ101がシリコン基板204に直接固定されている。そのため、各光検出器193、194および195と半導体レーザ101の位置関係は、温度変化や振動等により変化せず安定である。さらに、半導体レーザ101を表面実装できるため、取り付け精度もよく、量産し易い構造となっている。なおエッチングミラー205に代えて、シリコン基板204に固定されたミラーを用いても同様の効果が得られる。図3は回折光学系118の構造を示す断面図である。回折光学系118は偏光異方性ホログラム素子181と偏光異方性ホログラム素子182から構成され、両素子は一定の位置関係を保ち固定されている。まず、偏光異方性ホログラム素子181について説明する。410は等方性基板であり、表面に鋸歯状の周期的な溝が形成されている。この鋸歯状の溝には複屈折材料450が充填されている。等方性基板410と複屈折材料450は、図1のx軸方向の屈折率が一致するように選定されており、この方向の偏光を回折しない。また、図1のy軸方向の偏光を最大効率で回折する。そのために、溝の最深部を通過した光と、最浅部を通過した光の位相差が2πになるように、複屈折材料450の複屈折量に応じて溝の深さが決定されている。この構造により、y軸方向に偏光した入射光L0aは、偏光異方性ホログラム素子181によりy軸方向に偏光した光L0bに変換される。次に偏光異方性ホログラム素子182について説明する。411は等方性基板であり、表面に凹凸の周期的な溝が形成されている。この凹凸の溝には複屈折材料451が充填されている。等方性基板411と複屈折材料451は、図1のx軸方向の屈折が一致するように選定されており、この方向の偏光を回折しない。また、凹凸の溝深さは、図1のy軸方向の偏光を所定の回折効率および透過率で回折するように、複屈折材料451の複屈折量に応じて溝の深さが決定されている。溝の凹凸の比が1:1の場合、1次回折光L1と-1次回折光L2の回折効率は等しく、各回折効率ηは、次式で表される。η=2/π2sin2Δnd4ここで、dは溝深さ、Δnはy軸方向の偏光に対する等方性基板411と複屈折材料451の屈折率差、λは光源の波長である。また、透過光L3の効率η0は次式で表される。η0=cos2Δnd5例えば、Δn=0.1、λ=0.65μmの場合、透過効率η0=50を得るためには、d=0.4μmとすれば良い。またこの時の回折効率は、1次回折光L1、-1次回折光L2ともに、20となる。以下の説明はこの効率を一例として説明を行う。以上のようにして、入射光の進行方向を曲げ、その一部を回折する作用を持つ回折光学系118が実現できる。なお、図3では等方性基板410に形成された溝と等方性基板411に形成された溝が同じ方向紙面奥行き方向に形成されている様に便宜上図示したが、実際は異なる方向に形成されている。すなわち、図2のLD-PDユニット161上の各光検出器193、194および195に対して、1次回折光L1、-1次回折光L2及び透過光L3が適切に入射する関係になるように調整される。等方性基板は単一の材料からなる基板に限られず、使用波長に対して透明な基板の上に異種の透明材料を形成または接着したものでも良い。複屈折基板を用い等方性材料を充填しても同様の効果が得られる。また複屈折基板に代えて等方性基板の表面に複屈折材料を形成したものを用いても良い。また、偏光異方性ホログラム素子181もしくは偏光異方性ホログラム素子182の、他方と対向していない面に1/4波長板115を一体に形成してもよく、それにより光学系の簡略化が図れる。以下、参考例1の光ヘッド装置の動作を図1を用いて説明する。LD-PDユニット161から出射した直線偏光の光ビームL0は、コリメートレンズ102により平行光に変換され偏光異方性ホログラム素子181に入射する。この光はx方向に偏光しているため、偏光異方性ホログラム素子181および偏光異方性ホログラム素子182では回折されず、1/4波長板115に入射する。この光はさらに1/4波長板115を透過し、1/4波長板115の作用により円偏光に変換される。円偏光に変換された光は、対物レンズ103に入射し、光ディスク105上に収束される往路。光ディスク105で反射した光はもとの光路を逆にたどり、1/4波長板115を再び透過して、初めとは直角な方向y軸方向の直線偏光になり、回折光学系118に入射する。回折光学系118は入射した光を、進行方向が曲げられた光L3と、その一部を回折した、1次回折光L1及び-1次回折光L2に変換する。1次回折光L1及び-1次回折光L2は、図2に示すLD-PDユニット161上に配置された、複数の領域に分割された光検出器193と光検出器194にそれぞれ入射し、この領域からの信号によりサーボエラー信号を検出する。偏光異方性ホログラム素子182を透過した光L3は、等価的な発光点に対してy軸方向に近接して配置された光検出器195に収束され、データ信号として検出される。このように近接して配置すれば、波長変動などの誤差要因によるスポット移動を抑え、必要な受光面積を小さくできる。またy軸方向への配置は、発光点と最も近接可能な位置を選ぶためである。またこの配置は、光検出器193と光検出器194をx軸方向に並べて配置する必要があることと整合がとれている。サーボエラー信号の検出についてさらに詳細を説明する。図4は偏光異方性ホログラム素子182を表す模式図である。図5はLD-PDユニット161の光検出器の形状と発光点の位置を表す模式図である。図5の様に、LD-PDユニット161に含まれる光検出器193、光検出器194は、発光点または発光点と等価な点Pを挟んで配置されている。光検出器193の中心のy座標は、半導体レーザ101の等価的な発光点のy座標と一致している。この配置により、波長変動などの誤差要因に対して影響を受け難くなっている。光検出器193はy方向に2つの領域に分かれており、さらに各領域はx軸に平行な直線により各々2つの領域領域FE1、FE2、およびFE3、FE4に分割されている。また光検出器194は、x軸に平行な直線およびy軸に平行な直線により4つの領域に分割されている領域TEa、TEb、TEc、TEd。偏光異方性ホログラム素子182は、図4に示されるようにその中心光軸と同じを通るx軸とy軸に平行な直線により、大きくA,B,C,Dの大領域に分割されている。さらに、それぞれの領域は複数の直線により短冊状の領域に分割されている。偏光異方性ホログラム素子182に入射した復路の光は、偏光異方性ホログラム素子182の回折作用により、復路の1次回折光L1と-1次回折光L2に変換される。上述の様に、偏光異方性ホログラム素子182は複数の領域に分割され、各領域は、それぞれ光を異なる方向および波面で回折するように形成されている。偏光異方性ホログラム素子182の各領域は、光ディスク105の記録面上に最小の光スポットが形成される状態合焦点状態で以下のとおり機能するように設計されている。図4に示す偏光異方性ホログラム素子182の各領域に入射した光から生成される1次回折光L1は、図5に示す光検出器193の各位置に、以下のとおり入射する。領域Abに入射した光は、光検出器193のL1Abで示す位置へ光検出器193よりも後方z座標が小さい位置へ収束するように入射する。領域Afに入射した光は、光検出器193のL1Afで示す位置へ光検出器193よりも前方z座標が大きい位置へ収束するように入射する。領域Bbに入射した光は、光検出器193のL1Bbで示す位置へ光検出器193よりも後方z座標が小さい位置へ収束するように入射する。領域Bfに入射した光は、光検出器193のL1Bfで示す位置へ光検出器193よりも前方z座標が大きい位置へ収束するように入射する。領域Cbに入射した光は、光検出器193のL1Cbで示す位置へ光検出器193よりも後方z座標が小さい位置へ収束するように入射する。領域Cfに入射した光は、光検出器193のL1Cfで示す位置へ光検出器193よりも前方z座標が大きい位置へ収束するように入射する。領域Dbに入射した光は、光検出器193のL1Dbで示す位置へ光検出器193よりも後方z座標が小さい位置へ収束するように入射する。領域Dfに入射した光は、光検出器193のL1Dfで示す位置へ光検出器193よりも前方z座標が大きい位置へ収束するように入射する。次に、偏光異方性ホログラム素子182により生成される-1次回折光L2は、光検出器194の以下の位置へ入射する。図4の領域Abに入射した光は、図5のL2Abで示す位置へ入射する。領域Afに入射した光は、L2Afで示す位置へ入射する。領域Bbに入射した光は、L2Bbで示す位置へ入射する。領域Bfに入射した光は、L2Bfで示す位置へ入射する。領域Cbに入射した光は、L2Cbで示す位置へ入射する。領域Cfに入射した光は、L2Cfで示す位置へ入射する。領域Dbに入射した光は、L2Dbで示す位置へ入射する。領域Dfに入射した光は、L2Dfで示す位置へ入射する。このような構成の光ヘッド装置は、以下の様に各種信号を検出することができる。トラッキングエラー信号は光検出器194により検出する。トラッキングエラー信号の検出法は、光ディスク105の種類により2つの方法を使い分ける。すなわち、連続溝形状の光ディスク記録再生光ディスクなどの場合はプッシュプル法、ピット形状のトラック情報を持つ光ディスクROMディスクなどでは位相差法を用いる。光検出器194の各領域からの信号出力をその領域名で表すとすれば、プッシュプル法によるトラッキングエラー信号TEは、TE=TEaTEb-TEcTEd6で得ることができる。位相差法によるトラッキングエラー信号TEはTEaTEcとTEbTEdの位相比較で得ることができる。フォーカスエラー信号FEは光検出器193により検出する。光検出器193の各領域からの信号出力をその領域名で表すと、フォーカスエラー信号FEは、FE=FE1FE3-FE2FE47で得ることができる。なお、FE信号は、半導体レーザ101の発光波長変化に伴うスポット移動によりオフセットを持つ。この構成の光ヘッド装置では、データ信号を光検出器195からの信号のみで検出する。データ信号を検出するための光L3は光検出器195に収束する光であり、そのスポットサイズはサーボエラー信号検出用の光L1,L2に比べて小さい。したがって光検出器195の受光面積は小さくでき、その静電容量が減少する。結果として、良好な周波数特性が得られ、データ信号の高速な再生が可能となる。さらに、受光面積が小さいことから迷光の影響を受けにくい。このため、迷光の多いシステム例えば、多層に情報を記録した光ディスクを再生するシステムでも良好な再生信号を得ることが可能となる。参考例2図1に示した参考例1の構成の光ヘッド装置において、LD-PDユニット161を、図6の構成のLD-PDユニット162に置き換えた構成とすることができる。シリコン基板204には、光検出器193、光検出器194、光検出器195が表面に形成されており、その表面の法線ベクトルがz軸方向になるように保持手段301の上面に固定されている。保持手段301の該上面と直交する一側面にはさらに半導体レーザ101が、出射光L0の方向がz軸方向に一致するように固定されている。この構成では、半導体レーザ101の発光点と光検出器195の光軸z軸方向の位置が大きく異なる。このため、参考例1で説明した回折光学系118をそのまま用いたのでは、光L3は光検出器195上で収束しない。したがって、図1の回折光学系118に、入射光の進行方向を曲げる作用に加え、レンズ作用を持たせるようにする。この実現方法としては、図3で説明した構成の回折光学系118であれば、偏光異方性ホログラム素子181にレンズ作用を持つものを用いれば良い。以上の様にして、LD-PDユニット162のように、発光点と光検出器の光軸の位置が異なるLD-PDユニットにおいても、参考例1と同様の効果のある光ヘッド装置が実現できる。なお、本参考例では半導体レーザ101とシリコン基板204が保持手段301に直接固定された場合について説明したが、これに限られず、実質的に固定されておれば、シリコン基板のような平行平板を介して固定してもよい。参考例3図1に示した参考例1の構成の光ヘッド装置において、LD-PDユニット161を、図7の構成のLD-PDユニット163に置き換えた構成とすることもできる。シリコン基板204は参考例2と同様であり、光検出器193、光検出器194及び光検出器195が表面に形成され、保持手段302に固定されている。半導体レーザ101は、エッチングミラー205が形成されたシリコン基板221に固定されている。さらにシリコン基板221は保持手段302に、出射光L0の方向がz軸方向に一致するよう固定されている。以上の様なLD-PDユニット163でも、参考例1と同様の効果のある光ヘッド装置を実現できる。参考例4図1に示した参考例1の構成の光ヘッド装置において、LD-PDユニット161を、図8の構成のLD-PDユニット164に置き換えた構成とすることもできる。シリコン基板204は参考例2と同様であり、光検出器193、光検出器194、及び光検出器195が表面に形成され、保持手段303に固定されている。117は面発光レーザであり、出射光L0の方向がz軸方向に一致するよう固定されている。以上の様なLD-PDユニット164でも、参考例1と同様の効果のある光ヘッド装置を実現できる。参考例5図1における回折光学系118は、図3に示した参考例1の偏光異方性ホログラム素子181に近似させた形状のブレーズホログラムを用いて構成することもできる。図9は、参考例5における回折光学系の構成図である。ホログラム素子182は図3と同じものである。偏光異方性ホログラム素子183は、図3の偏光異方性ホログラム素子181の溝形状を、鋸歯状から階段状に変更したものである。偏光異方性ホログラム素子181同様、等方性基板412と複屈折材料452は、図1のx軸方向の屈折が一致するように選定されており、この方向の偏光を回折しない。階段状溝の1段の深さdsは、階段の段数をNとしたとき、ds=λ/NΔn8で表わされる値となるようにすれは最大回折効率が得られる。回折効率はNが大きいほど良好であり、N=4の場合80の値が得られる。偏光異方性ホログラム素子183は、半導体製造で広く用いられている作製工程フォトリソグラフィー等を用いて作製でき、大量生産が容易であるという特長がある。回折効率は、参考例1で用いた偏光異方性ホログラム素子181よりも劣るが、必要に応じてNの値を大きくとれば実用上は問題ない。この時、表面形状の段数Nを2の整数乗2mにとれば、m回のエッチング工程で作製が可能となり、少ない工程で回折効率の良いホログラム素子を実現できる。この場合、階段状溝の1段の深さdsは、次式で表される。ds=λ/2mΔn9なお、図9では、偏光異方性ホログラム素子182に形成された溝と、偏光異方性ホログラム素子183に形成された溝が同じ方向紙面奥行き方向に形成されている様に便宜上図示したが、実際は異なる方向に形成されている。また、偏光異方性ホログラム素子183もしくはホログラム素子182の、互いに対向していない面に1/4波長板115を一体に形成してもよく、光学系の簡略化が図れる。参考例6図1における回折光学系118は、図10に示すような偏光異方性ホログラム素子184を用いて構成することもできる。412および413は同じ屈折率を持つ等方性基板であり、等方性基板412の表面に鋸歯状の溝が形成され、等方性基板413の表面には凹凸の溝が形成されている。等方性基板412と等方性基板413は溝を対向させて配置され、その間には複屈折材料453が充填されている。複屈折材料453は、等方性基板412および等方性基板413と、図1のx軸方向の屈折が一致するように選定されている。このことにより、この方向の偏光を回折しない効果が実現される。また、等方性基板412は、図1のy軸方向の偏光を最大効率で回折させるために、溝の最深部を通過した光と、最浅部を通過した光の位相差が2πになるように、複屈折材料453の複屈折量に応じて溝の深さが決定されている。さらに等方性基板413の溝深さは、所定の回折効率が得られるように、参考例1で説明したように決定されている。このように、本参考例によれば、回折光学系118に適用可能な偏光異方性ホログラム素子を実現できる。なお図10では、等方性基板412に形成された溝と、等方性基板413に形成された溝が同じ方向紙面奥行き方向に形成されている様に便宜上図示したが、実際は異なる方向に形成されている。また、表面に1/4波長板115を一体に形成してもよく、光学系の簡略化が図れる。参考例7図1における回折光学系118は、図11に示す偏光異方性ホログラム素子185を用いて構成することもできる。偏光異方性ホログラム素子185は、図10に示した偏光異方性ホログラム素子184の等方性基板412を、階段状の表面形状を持つ等方性基板414に替えたものである。参考例5と同様に、半導体製造で広く用いられている作製工程フォトリソグラフィー等を用いて作製でき、大量生産が容易であるという特長がある。本参考例においても、表面形状の段数Nを2の整数乗2mにとれば、m回のエッチング工程で作製が可能となり、少ない工程で回折効率の良いホログラム素子が実現できる。なお図11では、等方性基板413に形成された溝と、等方性基板414に形成された溝が同じ方向紙面奥行き方向に形成されている様に便宜上図示したが、実際は異なる方向に形成されている。また、表面に1/4波長板115を一体に形成してもよく、光学系の簡略化が図れる。このように、本参考例によれば、回折光学系118に適用可能な偏光異方性ホログラム素子を実現できる。実施の形態1実施の形態1について、図12A、図12B、図12C、図13を用いて説明する。図12Aは、参考例6で用いる等方性基板412の斜視図であり、図12Bは参考例6で用いる等方性基板413の斜視図である。また図12Cは実施の形態1で用いる等方性基板415の斜視図である。等方性基板412の形状関数d1x,yおよび等方性基板413の形状関数d2x,yは、参考例6で説明した様に決定され、等方性基板415の形状関数d0x,yは、d1x,yとd2x,yの合成として決定される。つまり、d0x,y=d1x,yd2x,y10で表されるように決定される。図13は、本実施の形態に基づく偏光異方性ホログラム素子186の構造を示す。図12Cの等方性基板415に、参考例6で用いた複屈折材料453を充填することにより、回折光学系118が構成される。つまり、偏光異方性ホログラム素子186は、入射光L0aに対して回折光L3を発生し、同時に回折光L1、及び回折光L1の複素共役波である回折光L2を発生することができる。なお、回折光L1及び回折光L2は、回折光L3に付随して発生する高次回折光ではなく、回折光L3から独立した回折光である。本実施の形態によれば、参考例6および参考例7に比べ、構造が簡単で、より安価な光学系を構成できる。なお、ここでは参考例6の形状を基にした場合について説明したが、この限りでない。例えば、等方性基板412を参考例7で用いた等方性基板414に置き換えた場合でも同様の効果が得られる。また、表面に1/4波長板115を一体に形成してもよく、光学系の簡略化が図れる。実施の形態2以下、実施の形態2について図14A、図14B、図14C、図15を用いて説明する。図14Aは、図11に示した参考例7で用いた等方性基板414の斜視図であり、図14Bは参考例7で用いた等方性基板413の斜視図である。また図14Cは、実施の形態2で用いる等方性基板416の斜視図である。等方性基板414の形状関数d1x、yおよび等方性基板413の形状関数d2x,yは、参考例7で説明したように決定される。等方性基板416の形状関数d0x,yは、d1x、yとd2x、yの合成として決定される。つまり、d0x,y=modd1x,yd2x,y,λ/Δn11で決定される。ここで関数modA,BはAをBで割った余りを表す関数と定義する。また、Δnはy軸方向の偏光に対する等方性基板416と複屈折材料453の屈折率差、λは光源の波長である。図15は本実施の形態に基づく偏光異方性ホログラム素子187の構造を表す図である。図14Cに示される等方性基板416に、複屈折材料453を充填することにより構成される。本実施の形態によれば、実施の形態1に比べて溝の深さの浅い基板によって偏光異方性ホログラム素子が構成でき、作製が容易になるという特長がある。なお、ここでは参考例7の形状を基にした場合について説明したが、この限りでない。例えば、等方性基板414を、参考例6で用いた等方性基板412に置き換えた場合でも実現できる。さらに、形状関数d1によって表わされる表面形状が階段状である場合は、形状関数d1およびd2を適当に選ぶことにより、より簡単な工程により偏光異方性ホログラム素子を作製できる。つまり、形状関数d2による溝の深さを形状関数d1による階段の一段の深さにとれば、形状関数d0による表面形状は形状関数d1による表面形状と同じ段数Nを有することとなり、等方性基板414と同じ工程により等方性基板416を作製できる。さらに、形状関数d1による階段の段数Nを2の整数乗2mにとれば、m回のエッチング工程で作製が可能となる。例えば、N=4の場合を考えると、形状関数d2による溝の深さを形状関数d1による階段の1段の深さと等しくすれば良く、この時の効率は、参考例5で説明した光学系と同じになる。このように、本実施の形態によれば、回折光学系118に適用可能な、作製工程の簡単な偏光異方性ホログラム素子が実現できる。なお、表面に1/4波長板115を一体に形成してもよく、光学系の簡略化が図れる。実施の形態3実施の形態3の光ヘッド装置は、参考例1における光ヘッド装置の図2に示したLD-PDユニット161上の光検出器195に代えて、図16に示す光検出器196を用いて構成される。光検出器196は2つの領域RF1、RF2を有する。また、図3の偏光異方性ホログラム素子181、182に相当する、図17及び図18に示す偏光異方性ホログラム素子188、189の溝形状は以下に述べる方法により決定される。偏光異方性ホログラム素子188は、それぞれ異なる溝形状を持つ2つの領域領域L,領域Rを有する。2つの領域は、いずれも偏光異方性ホログラム素子181と同様に、y軸方向の偏光を最大効率で回折するように設計されている。領域Lの溝形状は、y軸方向に偏光した入射光を光検出器196のRF1に入射する回折光に変換するように決定される。また、領域Rの溝形状は、y軸方向に偏光した入射光を光検出器196のRF2に入射する回折光に変換するように決定される。図18に示した偏光異方性ホログラム素子189は、図4に示された参考例1における偏光異方性ホログラム素子182と同様に分割されている。偏光異方性ホログラム素子189の各領域は、光ディスク105記録面上に最小の光スポットが形成される状態合焦点状態で以下のとおり機能するように設計されている。偏光異方性ホログラム素子188図17の各領域L,Rで回折された光は、偏光異方性ホログラム素子189図18の各領域に入射し、1次回折光L1と-1次回折光L2とが生成される。1次回折光L1は、図16に示す光検出器193及び194の各位置に、以下のとおり入射する。領域R図17で回折され、領域Ab図18に入射した光は、光検出器193のL1Ab図16で示す位置へ、光検出器193よりも後方z座標が小さい位置へ収束するように入射する。領域Rで回折され、領域Afに入射した光は、光検出器193のL1Afで示す位置へ光検出器193よりも前方z座標が大きい位置へ収束するように入射する。領域Rで回折され、領域Bbに入射した光は、光検出器193のL1Bbで示す位置へ光検出器193よりも後方z座標が小さい位置へ収束するように入射する。領域Rで回折され、領域Bfに入射した光は、光検出器193のL1Bfで示す位置へ光検出器193よりも前方z座標が大きい位置へ収束するように入射する。領域Lで回折され、領域Cbに入射した光は、光検出器193のL1Cbで示す位置へ光検出器193よりも後方z座標が小さい位置へ収束するように入射する。領域Lで回折され、領域Cfに入射した光は、光検出器193のL1Cfで示す位置へ光検出器193よりも前方z座標が大きい位置へ収束するように入射する。領域Lで回折され、領域Dbに入射した光は、光検出器193のL1Dbで示す位置へ光検出器193よりも後方z座標が小さい位置へ収束するように入射する。領域Lで回折され、領域Dfに入射した光は、光検出器193のL1Dfで示す位置へ光検出器193よりも前方z座標が大きい位置へ収束するように入射する。次に、偏光異方性ホログラム素子189により生成される-1次回折光L2は、光検出器194の以下の位置へ入射する。領域Abに入射した光は、L2Abで示す位置へ入射する。領域Afに入射した光は、L2Afで示す位置へ入射する。領域Bbに入射した光は、L2Bbで示す位置へ入射する。領域Bfに入射した光は、L2Bfで示す位置へ入射する。領域Cbに入射した光は、L2Cbで示す位置へ入射する。領域Cfに入射した光は、L2Cfで示す位置へ入射する。領域Dbに入射した光は、L2Dbで示す位置へ入射する。領域Dfに入射した光は、L2Dfで示す位置へ入射する。偏光異方性ホログラム素子188の領域L、Rにそれぞれ入射した光であって、偏光異方性ホログラム素子189で回折されずに透過した光L3L、L3Rは、それぞれ光検出器196の受光領域RF1,RF2に集光される。本実施の形態の光ヘッド装置は、アドレスなどの情報信号が溝の左右の位置により記録されているシステムでも信号を検出できる。なお、本実施の形態においては、参考例1で用いたLD-PDユニット161の検出領域を変更した場合について説明したが、受光素子と発光素子が近接して配置され、2つのデータ信号用の光を検出することが可能であるならばこの限りではない。例えば参考例2~4におけるLD-PDユニットの受光素子を変更したものでも構成可能である。実施の形態4図19は、本発明の実施の形態4における光情報処理装置を示す。本実施の形態においては、参考例1の光ヘッド装置を用いた光情報処理装置について説明するが、他の実施の形態の光ヘッド装置を用いた光情報処理装置も同様に構成できる。図19において光ディスク105は、光ディスク回転機構501によって回転される。光ヘッド装置500は、光ディスク105の所望の情報が存在するトラックのところまで、光ヘッド装置駆動装置502によって駆動される。光ヘッド装置500の各受光領域からの検出信号は、ヘッドアンプ503で電流電圧変換され、増幅されて電気回路504へ入力される。電気回路504は、入力信号を演算しサーボエラー信号を得て、光ヘッド装置500へ、対物レンズを微動させるための信号を送る。この信号によって、光ヘッド装置500は、光ディスク105に対してフォーカスサーボと、トラッキングサーボを行い、光ディスク105に対するデータ信号の読み出し、書き込みあるいは消去を行う。図20にヘッドアンプ503と電気回路504の一部の回路構成を示す。データ信号を検出するために、光検出器195からのデータ信号は、回路IVRFで電流電圧変換される。この信号はサーボエラー信号を検出する必要がないため、帯域の制限のある回路構成でも使用可能であり、構成が簡単で低ノイズの回路を構成しやすい。また従来では、6チャンネルのアンプからの信号を全加算することによりデータ信号を得ていたので、アンプノイズも同時に加算されてしまっていた。これに比較して本発明では、1チャンネルのアンプノイズしか混入しないため、従来の1/605の大きさにノイズを低減できる。なお、実施の形態3で示した光ヘッド装置を用いた場合は、回路IVRFと同様の回路を1個追加すればよい。光検出器193の各領域FE1,FE2,FE3,FE4からの信号は、フォーカスエラーFE信号検出のために、FE1とFE3、FE2とFE4が結線され、それぞれ回路IV1および回路IV2により電流電圧変換され、この出力の差によりフォーカスエラー信号を得る。この回路系に用いられているアンプはデータ信号を検出しないために、比較的低い周波数のサーボ帯域で動作すれば良く、簡単な構成で低電流のアンプが実現できる。光検出器194の各領域TEa,TEb,TEc,TEdからの信号は、トラッキングエラーTE信号検出のために、それぞれ回路IVa、IVb、IVc、IVdにより電流電圧変換される。プッシュプル法によりトラッキングサーボ信号を得るためには、回路IVaと回路IVbの出力を加算し、回路IVcと回路IVdの出力を加算して、それぞれの差をとればよい。位相差法によりトラッキングサーボ信号を得るためには、回路IVaと回路IVcの出力を加算し、回路IVbと回路IVdの出力を加算して、それぞれの出力信号の位相比較を行えばよい。アンプの使用帯域はサーボエラー信号の検出方法によって異なる。プッシュプル信号のみを検出する場合はサーボ帯域のみで良い。また位相差信号のみを検出する場合は信号帯域のみで良い。2つの方式を切り替えて使用する場合は、全帯域を使用する必要がある。いずれの場合もデータ信号再生ほどノイズの影響をうけないので、回路としては簡単なものでよい。上記構成によれば、データ信号の高速な再生が可能で、迷光の多いシステムでも良好な再生信号を得ることが可能な光情報処理装置を実現できる。なお、本実施の形態の説明は、ヘッドアンプ503および電気回路504の一部が光ヘッド装置とは独立して設置された場合について説明したが、この限りではなく、光ヘッド装置500内部にこのすべてもしくは一部を実装することも可能であり、受光素子基板上に作製することも可能である。以上に説明した実施の形態は、いずれもあくまでも本発明の技術的内容を明らかにする意図のものであって、本発明はこのような具体例にのみ限定して解釈されるものではなく、その発明の精神と請求の範囲に記載する範囲内でいろいろと変更して実施することができ、本発明を広義に解釈すべきである。"