"絶縁体上シリコン構造の製造方法であって、該構造が、ハンドルウエハと、シリコン層と、ハンドルウエハとシリコン層との間の誘電層と、を含んでおり、および中心軸と、中心軸にほぼ垂直な前表面および後表面と、前表面と後表面とを結合している周囲縁と、中心軸から周囲縁まで延在している半径とを有しており、該方法が:ドナーウエハおよびハンドルウエハの少なくとも1つの前表面上に誘電層を形成し;ドナーウエハおよびハンドルウエハの少なくとも1つに誘電層を結合して結合ウエハを形成し、ドナーウエハおよびハンドルウエハの少なくとも1つが、-約700nm未満の厚さロールオフ量ROAを有し;およびシリコン層が、誘電層と結合して維持するように、ドナーウエハ内の分離平面に沿って結合ウエハを分離して、絶縁体上シリコンを形成することを含む、絶縁体上シリコン構造の製造方法。誘電層をドナーウエハに形成し、および誘電層をハンドルウエハと結合し、ハンドルウエハが、-約700nm未満の厚さROAを有する、請求項1に記載の方法。誘電層をドナーウエハに形成し、および誘電層をハンドルウエハと結合し、ドナーウエハが、-約700nm未満の厚さROAを有する、請求項1または2に記載の方法。誘電層をハンドルウエハに形成し、および誘電層をドナーウエハと結合し、ドナーウエハが、-約700nm未満の厚さROAを有する、請求項1に記載の方法。誘電層をハンドルウエハに形成し、および誘電層をドナーウエハと結合し、ハンドルウエハが、-約700nm未満の厚さROAを有する、請求項1または4に記載の方法。ハンドルウエハが、-約700nm未満、-約600nm未満、-約500nm未満、-約400nm未満、-約300nm未満、-約250nm未満または-約10nm未満~-約700nm未満、-約50nm~-約600nm、-約100nm~-約500nm、-約100nm~-約400nmもしくは-約100nm~-約300nmの厚さROAを有する、請求項1~5のいずれか1項に記載の方法。ドナーウエハが、その前表面において-約600nm未満、-約500nm未満、-約400nm未満、-約300nm未満、-約250nm未満または-約10nm~-約700nm、-約50nm~-約600nm、-約100nm~-約500nm、-約100nm~-約400nmもしくは-約100nm~-約300nmの厚さROAを有する、請求項1~6のいずれか1項に記載の方法。ドナーウエハおよびハンドルウエハの両方が、構造の周囲縁と半径の98との間の環状縁部分を有しており、厚さROAを:厚さプロファイル上の第1分別点と第2分別点との間の参照線を形成し;および参照線と、ウエハ厚さプロファイルの縁部分における第3分別点との間の距離を測定することによって求める、請求項1~7のいずれか1項に記載の方法。第1分別点と構造の中心軸との間の距離が、構造の半径の約82.7である、請求項8に記載の方法。第2分別点と構造の中心軸との間の距離が、構造の半径の約93.3である、請求項8または9に記載の方法。第3分別点と構造の中心軸との間の距離が、構造の半径の約99.3である、請求項8~10のいずれか1項に記載の方法。参照線を一次直線として適合する、請求項8~11のいずれか1項に記載の方法。参照線を三次多項式として適合する、請求項8~11のいずれか1項に記載の方法。厚さROAが、平均厚さROAである、請求項1~13のいずれか1項に記載の方法。平均厚さROAが、8つのウエハ半径で測られた8つの厚さROA測定値の平均である、請求項14に記載の方法。ドナーウエハとハンドルウエハの少なくとも1つが、-約1100nm/mm2未満、-約800nm/mm2未満、-約600nm/mm2未満、-約400nm/mm2未満、-約1110nm/mm2~-約100nm/mm2または-約800nm/mm2~-約200nm/mm2の前表面zddを有する、請求項1~15のいずれか1項に記載の方法。ハンドルウエハが、その前表面において約6nmよりも大きい寸法の約3以下の明視野欠陥を有し、またはその前表面において約6nmよりも大きい寸法の約2以下、約1以下またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項1~16のいずれか1項に記載の方法。ハンドルウエハが、その前表面において約4.8nmよりも大きい寸法の約6未満の明視野欠陥を有し、またはその前表面において約4.8nmよりも大きい寸法の約4未満、約2未満またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項1~17のいずれか1項に記載の方法。ドナーウエハが、その前表面において約6nmよりも大きい寸法の約3以下の明視野欠陥を有し、またはその前表面において約6nmよりも大きい寸法の約2以下、約1以下またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項1~18のいずれか1項に記載の方法。ドナーウエハが、その前表面において約4.8nmよりも大きい寸法の約6未満の明視野欠陥を有し、またはその前表面において約4.8nmよりも大きい寸法の約4未満、約2未満またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項1~19のいずれか1項に記載の方法。シリコン層が、構造の中心軸から構造の半径の約98.9の位置までまたは少なくとも約99.2、少なくとも約99.4、少なくとも約99.6の位置までまたは構造の半径の約98.9~約99.9、約99.2~約99.9または約99.5~約99.9の位置まで延在している、請求項1~20のいずれか1項に記載の方法。ハンドルウエハが、前表面および後表面を有しており、ハンドルウエハを:ハンドルウエハの前表面を研磨することを含む第1研磨工程を行って;第1研磨工程後に、ハンドルウエハの前表面を洗浄することを含む洗浄工程を行って;および洗浄工程後に、ハンドルウエハの前表面を研磨することを含む第2研磨工程を行うことによって製造する、請求項1~21のいずれか1項に記載の方法。第1研磨工程中に前表面を研磨するのと同時にハンドルウエハの後表面を研磨する、請求項22に記載の方法。第1研磨工程が、ハンドルウエハの前表面の表面粗さを、約1μm×約1μm~約100μm×約100μmのAFMスキャン寸法により測定して約3オングストローム未満、約2.5オングストローム未満または約2オングストローム未満まで減少する、請求項22または23に記載の方法。第2研磨工程が、ハンドルウエハの前表面の表面粗さを、約10μm×約10μm~約100μm×約100μmのAFMスキャン寸法により測定して約2.0オングストローム未満、約1.5オングストローム未満または約1.2オングストローム未満まで減少する、請求項22~24のいずれか1項に記載の方法。第1研磨工程が、ウエハをポリウレタン発泡体パッドにより研磨することを含む、請求項22~25のいずれか1項に記載の方法。第1研磨工程が、コロイダルシリカスラリーをウエハと接触させることを含む、請求項22~26のいずれか1項に記載の方法。第2研磨工程が、ウエハをポリウレタン発泡体パッドにより研磨することを含む、請求項22~27のいずれか1項に記載の方法。第2研磨工程が、コロイダルシリカスラリーをウエハと接触させることを含む、請求項22~28のいずれか1項に記載の方法。洗浄工程が、ウエハを洗い流すことを含む、請求項22~29のいずれか1項に記載の方法。洗浄工程が、ウエハを水酸化アンモニウム溶液および過酸素水素溶液に接触させることを含む、請求項22~30のいずれか1項に記載の方法。ドナーウエハが、前表面および後表面を有しており、ドナーウエハを:ドナーウエハの前表面を研磨することを含む第1研磨工程を行って;第1研磨工程後に、ドナーウエハの前表面を洗浄することを含む洗浄工程を行って;および洗浄工程後に、ドナーウエハの前表面を研磨することを含む第2研磨工程を行うことによって製造する、請求項1~31のいずれか1項に記載の方法。第1研磨工程中に前表面を研磨するのと同時にドナーウエハの後表面を研磨する、請求項32に記載の方法。第1研磨工程が、ドナーウエハの前表面の表面粗さを、約1μm×約1μm~約100μm×約100μmのAFMスキャン寸法により測定して約3オングストローム未満、約2.5オングストローム未満または約2オングストローム未満まで減少する、請求項32または33に記載の方法。第2研磨工程が、ドナーウエハの前表面の表面粗さを、約10μm×約10μm~約100μm×約100μmのAFMスキャン寸法により測定して約2.0オングストローム未満、約1.5オングストローム未満または約1.2オングストローム未満まで減少する、請求項32~34のいずれか1項に記載の方法。第1研磨工程が、ウエハをポリウレタン発泡体パッドにより研磨することを含む、請求項32~35のいずれか1項に記載の方法。第1研磨工程が、コロイダルシリカスラリーをウエハと接触させることを含む、請求項32~36のいずれか1項に記載の方法。第2研磨工程が、ウエハをポリウレタン発泡体パッドにより研磨することを含む、請求項32~37のいずれか1項に記載の方法。第2研磨工程が、コロイダルシリカスラリーをウエハと接触させることを含む、請求項32~38のいずれか1項に記載の方法。洗浄工程が、ウエハを洗い流すことを含む、請求項32~39のいずれか1項に記載の方法。洗浄工程が、ウエハを水酸化アンモニウム溶液および過酸素水素溶液に接触させることを含む、請求項32~40のいずれか1項に記載の方法。結合絶縁体上シリコン構造であって、該構造が、ハンドルウエハと、ドナーウエハと、ハンドルウエハとドナーウエハとの間の誘電層と、を含み、該誘電層が、ハンドルウエハと部分的に結合されており、該構造が、中心軸と、周囲縁と、中心軸から周囲縁まで延在している半径とを有しており、誘電層とハンドルウエハとの間の結合が、結合絶縁体上シリコン構造の中心軸から、結合絶縁体上シリコン構造の半径の少なくとも約98.9の位置まで延在している、結合絶縁体上シリコン構造。誘電層とハンドルウエハとの間の結合が、結合絶縁体上シリコン構造の中心軸から、結合絶縁体上シリコン構造の半径の少なくとも約99.2、少なくとも約99.4、少なくとも約99.6または結合絶縁体上シリコン構造の半径の約98.9~約99.9、約99.2~約99.9もしくは約99.5~約99.9の位置まで延在している、請求項42に記載の結合絶縁体上シリコン構造。ハンドルウエハが、-約700nm未満、-約600nm未満、-約500nm未満、-約400nm未満、-約300nm未満、-約250nm未満または-約10nm~-約700nm、-約50nm~-約600nm、-約100nm~-約500nm、-約100nm~-約400nmもしくは-約100nm~-約300nmの厚さROAを有する、請求項42または43に記載の結合絶縁体上シリコン構造。ドナーウエハが、-約700nm未満、-約600nm未満、-約500nm未満、-約400nm未満、-約300nm未満、-約250nm未満または-約10nm~-約700nm、-約50nm~-約600nm、-約100nm~-約500nm、-約100nm~-約400nmもしくは-約100nm~-約300nmの厚さROAを有する、請求項42~44のいずれか1項に記載の結合絶縁体上シリコン構造。ドナーウエハとハンドルウエハの少なくとも1つが、-約1100nm/mm2未満、-約800nm/mm2未満、-約600nm/mm2未満、-約400nm/mm2未満、-約1110nm/mm2~-約100nm/mm2または-約800nm/mm2~-約200nm/mm2の前表面zddを有する、請求項42~45のいずれか1項に記載の結合絶縁体上シリコン構造。誘電層とハンドルウエハが、界面を形成しており、ハンドルウエハが、界面において約6nmよりも大きい寸法の約3以下の明視野欠陥を有し、または界面において約6nmよりも大きい寸法の約2以下、約1以下またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項42~46のいずれか1項に記載の結合絶縁体上シリコン構造。誘電層とハンドルウエハが、界面を形成しており、ハンドルウエハが、界面において約4.8nmよりも大きい寸法の約6未満の明視野欠陥を有し、または界面において約4.8nmよりも大きい寸法の約4未満、約2未満またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項42~47のいずれか1項に記載の結合絶縁体上シリコン構造。誘電層とドナーウエハが、界面を形成しており、ドナーウエハが、界面において約6nmよりも大きい寸法の約3以下の明視野欠陥を有し、または界面において約6nmよりも大きい寸法の約2以下、約1以下またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項42~48のいずれか1項に記載の結合絶縁体上シリコン構造。誘電層とドナーウエハが、界面を形成しており、ドナーウエハが、界面において約4.8nmよりも大きい寸法の約6未満の明視野欠陥を有し、または界面において約4.8nmよりも大きい寸法の約4未満、約2未満またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項42~49のいずれか1項に記載の結合絶縁体上シリコン構造。結合絶縁体上シリコン構造であって、該構造が、ハンドルウエハと、ドナーウエハと、ハンドルウエハとドナーウエハとの間の誘電層と、を含んでおり、該誘電層が、ドナーウエハと部分的に結合されており、結合絶縁体上シリコン構造が、中心軸と、周囲縁と、中心軸から周囲縁まで延在している半径とを有しており、誘電層とドナーウエハとの間の結合が、結合絶縁体上シリコン構造の中心軸から、結合絶縁体上シリコン構造の半径の少なくとも約98.9~約99.9の位置まで延在している、結合絶縁体上シリコン構造。誘電層とドナーウエハとの間の結合が、結合絶縁体上シリコン構造の中心軸から、ドナーウエハの半径の少なくとも約99.2、少なくとも約99.4、少なくとも約99.6または結合絶縁体上シリコン構造の半径の約99.2~約99.9もしくは約99.5~約99.9の位置まで延在している、請求項51に記載の結合絶縁体上シリコン構造。ハンドルウエハが、-約700nm未満、-約600nm未満、-約500nm未満、-約400nm未満、-約300nm未満、-約250nm未満または-約10nm~-約700nm、-約50nm~-約600nm、-約100nm~-約500nm、-約100nm~-約400nmもしくは-約100nm~-約300nmの厚さROAを有する、請求項51または52に記載の結合絶縁体上シリコン構造。ドナーウエハが、-約700nm未満、-約600nm未満、-約500nm未満、-約400nm未満、-約300nm未満、-約250nm未満または-約10nm~-約700nm、-約50nm~-約600nm、-約100nm~-約500nm、-約100nm~-約400nmまたは-約100nm~-約300nmの厚さROAを有する、請求項51~53のいずれか1項に記載の結合絶縁体上シリコン構造。ドナーウエハとハンドルウエハの少なくとも1つが、-約1100nm/mm2未満、-約800nm/mm2未満、-約600nm/mm2未満、-約400nm/mm2未満、-約1110nm/mm2~-約100nm/mm2または-約800nm/mm2~-約200nm/mm2の前表面zddを有する、請求項51~54のいずれか1項に記載の結合絶縁体上シリコン構造。誘電層とハンドルウエハが、界面を形成しており、ハンドルウエハが、界面において約6nmよりも大きい寸法の約3以下の明視野欠陥を有し、または界面において約6nmよりも大きい寸法の約2以下、約1以下またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項51~55のいずれか1項に記載の結合絶縁体上シリコン構造。誘電層とハンドルウエハが、界面を形成しており、ハンドルウエハが、界面において約4.8nmよりも大きい寸法の約6未満の明視野欠陥を有し、または界面において約4.8nmよりも大きい寸法の約4未満、約2未満またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項51~56のいずれか1項に記載の結合絶縁体上シリコン構造。誘電層とドナーウエハが、界面を形成しており、ドナーウエハが、界面において約6nmよりも大きい寸法の約3以下の明視野欠陥を有し、または界面において約6nmよりも大きい寸法の約2以下、約1以下またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項51~57のいずれか1項に記載の結合絶縁体上シリコン構造。誘電層とドナーウエハが、界面を形成しており、ドナーウエハが、界面において約4.8nmよりも大きい寸法の約6未満の明視野欠陥を有し、または界面において約4.8nmよりも大きい寸法の約4未満、約2未満またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項51~58のいずれか1項に記載の結合絶縁体上シリコン構造。絶縁体上シリコン構造であって、該構造が、ハンドルウエハと、シリコン層と、ハンドルウエハとシリコン層との間の誘電層と、誘電層とハンドルウエハとの間の界面とを含んでおり、ハンドルウエハが、中心軸と、周囲縁と、中心軸から周囲縁まで延在している半径とを有しており、シリコン層が、ハンドルウエハの中心軸から、ハンドルウエハの半径の少なくとも約98.9の位置まで延在しており、ハンドルウエハが、界面において約6nmよりも大きい寸法の約3以下の明視野欠陥を有する、絶縁体上シリコン構造。シリコン層が、ハンドルウエハの中心軸からハンドルウエハの半径の少なくとも約99.2の位置までまたは少なくとも約99.4、少なくとも約99.6またはハンドルウエハの半径の約98.9~約99.9、約99.2~約99.9もしくは約99.5~約99.9の位置まで延在している、請求項60のいずれか1項に記載の絶縁体上シリコン構造。誘電層が、ハンドルウエハの中心軸から、ハンドルウエハの半径の少なくとも約98.9、少なくとも約99.2、少なくとも約99.4、少なくとも約99.6またはハンドルウエハの半径の約98.9~約99.9、約99.2~約99.9もしくは約99.5~約99.9の位置まで延在している、請求項60または61に記載の絶縁体上シリコン構造。ハンドルウエハが、界面において約6nmよりも大きい寸法の約2以下の明視野欠陥を有し、または界面において約6nmよりも大きい寸法の約1以下またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項60~62のいずれか1項に記載の絶縁体上シリコン構造。ハンドルウエハが、界面において約4.8nmよりも大きい寸法の約6未満の明視野欠陥を有し、または界面において約4.8nmよりも大きい寸法の約4以下、約2以下またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項60~63のいずれか1項に記載の絶縁体上シリコン構造。誘電層とシリコン層が、界面を形成しており、シリコン層が、界面において約6nmよりも大きい寸法の約3以下の明視野欠陥を有し、または界面において約6nmよりも大きい寸法の約2以下、約1以下またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項60~64のいずれか1項に記載の絶縁体上シリコン構造。誘電層とシリコン層が、界面を形成しており、シリコン層が、界面において約4.8nmよりも大きい寸法の約6未満の明視野欠陥を有し、または界面において約4.8nmよりも大きい寸法の約4未満、約2未満またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項60~65のいずれか1項に記載の絶縁体上シリコン構造。ハンドルウエハが、-約700nm未満、-約600nm未満、-約500nm未満、-約400nm未満、-約300nm未満、-約250nm未満または-約10nm~-約700nm、-約50nm~-約600nm、-約100nm~-約500nm、-約100nm~-約400nmもしくは-約100nm~-約300nmの厚さROAを有する、請求項60~66のいずれか1項に記載の絶縁体上シリコン構造。ハンドルウエハが、-約1100nm/mm2未満、-約800nm/mm2未満、-約600nm/mm2未満、-約400nm/mm2未満、-約1110nm/mm2~-約100nm/mm2または-約800nm/mm2~-約200nm/mm2の前表面zddを有する、請求項60~67のいずれか1項に記載の絶縁体上シリコン構造。ウエハの研磨方法であって、該方法が:ウエハをポリウレタン発泡体パッドにより研磨することを含む第1研磨工程を行って;第1研磨工程後に、ハンドルウエハの前表面を洗浄することを含む洗浄工程を行って;および洗浄工程後に、ウエハをポリウレタン発泡体パッドにより研磨することを含む第2研磨工程を行うことを含む、ウエハの研磨方法。第1研磨工程中に前表面を研磨するのと同時にウエハの後表面を研磨する、請求項69に記載の方法。第1研磨工程が、ウエハの表面粗さを、約1μm×約1μm~約100μm×約100μmのAFMスキャン寸法により測定して約3オングストローム未満、約2.5オングストローム未満または約2オングストローム未満まで減少する、請求項69または70に記載の方法。第2研磨工程が、ウエハの表面粗さを、約10μm×約10μm~約100μm×約100μmのAFMスキャン寸法により測定して約2.0オングストローム未満、約1.5オングストローム未満または約1.2オングストローム未満まで減少する、請求項69~71のいずれか1項に記載の方法。第1研磨工程が、コロイダルシリカスラリーをウエハと接触させることを含む、請求項69~72のいずれか1項に記載の方法。第2研磨工程が、コロイダルシリカスラリーをウエハと接触させることを含む、請求項69~73のいずれか1項に記載の方法。洗浄工程が、ウエハを洗い流すことを含む、請求項69~74のいずれか1項に記載の方法。洗浄工程が、ウエハを水酸化アンモニウム溶液および過酸素水素溶液と接触させることを含む、請求項69~75のいずれか1項に記載の方法。第2研磨工程後に、ウエハが、-約700nm未満、-約600nm未満、-約500nm未満、-約400nm未満、-約300nm未満、-約250nm未満または-約10nm~-約700nm、-約50nm~-約600nm、-約100nm~-約500nm、-約100nm~-約400nmもしくは-約100nm~-約300nmの厚さROAを有する、請求項69または76のいずれか1項に記載の方法。第2研磨工程後に、ウエハが、-約1100nm/mm2未満、-約800nm/mm2未満、-約600nm/mm2未満、-約400nm/mm2未満、-約1110nm/mm2~-約100nm/mm2または-約800nm/mm2~-約200nm/mm2の前表面zddを有する、請求項69~77のいずれか1項に記載の方法。ウエハが、界面において約6nmよりも大きい寸法の約3以下の明視野欠陥を有する前表面または約6nmよりも大きい寸法の約2以下、約1以下またはゼロの明視野欠陥を有する前表面を有する、請求項69~78のいずれか1項に記載の方法。ウエハが、ハンドルウエハ、ドナーウエハまたはバルクシリコンウエハである、請求項69~79のいずれか1項に記載の方法。中心軸と、中心軸に対してほぼ垂直である前表面および後表面と、前および後表面を結合している周囲縁と、中心軸から周囲縁まで延在している半径と、を有する半導体ウエハであって、-約700nm未満の厚さロールオフ量ROAを有し、およびウエハの前表面において約6nmよりも大きい寸法の約3以下の明視野欠陥を有する、半導体ウエハ。ウエハが、ウエハの前表面において約6nmよりも大きい寸法の約2以下の明視野欠陥を有し、ウエハの前表面において約6nmよりも大きい寸法の約1以下またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項81に記載の半導体ウエハ。ウエハが、ウエハの前表面において約4.8nmよりも大きい寸法の約6未満の明視野欠陥または約4.8nmよりも大きい寸法の約4未満、約2未満またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項81または82に記載の半導体ウエハ。ウエハが、-約600nm未満、-約500nm未満、-約400nm未満、-約300nm未満、-約250nm未満または-約10nm~-約700nm、-約50nm~-約600nm、-約100nm~-約500nm、-約100nm~-約400nmもしくは-約100nm~-約300nmの厚さROAを有する、請求項81または83のいずれか1項に記載の半導体ウエハ。ウエハが、ウエハの周囲縁と半径の98との間の環状縁部分を有しており、厚さROAを:厚さプロファイル上の第1分別点と第2分別点との間の参照線を形成し;および参照線と、ウエハ厚さプロファイルの縁部分における第3分別点との間の距離を測定することによって求める、請求項81~84のいずれか1項に記載の半導体ウエハ。第1分別点と構造の中心軸との間の距離が、構造の半径の約82.7である、請求項85に記載の半導体ウエハ。第2分別点と構造の中心軸との間の距離が、構造の半径の約93.3である、請求項85または86に記載の半導体ウエハ。第3分別点と構造の中心軸との間の距離が、構造の半径の約99.3である、請求項85~87のいずれか1項に記載の半導体ウエハ。参照線を一次直線として適合する、請求項85~88のいずれか1項に記載の半導体ウエハ。参照線を三次多項式として適合する、請求項85~88のいずれか1項に記載の半導体ウエハ。厚さROAが、平均厚さROAである、請求項81~90のいずれか1項に記載の半導体ウエハ。平均厚さROAが、8つのウエハ半径で測られた8つの厚さROA測定値の平均である、請求項91に記載の半導体ウエハ。ウエハが、-約1100nm/mm2未満、-約800nm/mm2未満、-約600nm/mm2未満、-約400nm/mm2未満、-約1110nm/mm2~-約100nm/mm2または-約800nm/mm2~-約200nm/mm2の前表面zddを有する、請求項81~92のいずれか1項に記載の半導体ウエハ。ウエハが、ハンドルウエハである、請求項81~93のいずれか1項に記載の半導体ウエハ。ウエハが、ドナーウエハである、請求項81~93のいずれか1項に記載の半導体ウエハ。半導体ウエハが、単結晶シリコンから成る、請求項81~95のいずれか1項に記載の半導体ウエハ。半導体ウエハが、ウエハの群のうちの1つのウエハであり、各々のウエハが、中心軸と、中心軸に対してほぼ垂直である前表面および後表面と、前および後表面を結合している周囲縁と、中心軸から周囲縁まで延在している半径と、を有し、-約700nm未満の厚さロールオフ量ROAを有し、およびウエハの前表面において約6nmよりも大きい寸法の約3以下の明視野欠陥を有する、請求項81~96のいずれか1項に記載の半導体ウエハ。各々のウエハが、ウエハの前表面において約6nmよりも大きい寸法の約2以下の明視野欠陥、ウエハの前表面において6nmよりも大きい寸法の約1以下またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項97に記載の半導体ウエハ。各々のウエハが、ウエハの前表面において約4.8nmよりも大きい寸法の約6以下の明視野欠陥または約4.8nmよりも大きい寸法の約4未満、約2未満またはゼロの明視野欠陥を有する、請求項97または98に記載の半導体ウエハ。各々のウエハが、-約600nm未満、-約500nm未満、-約400nm未満、-約300nm未満、-約250nm未満または-約10nm~-約700nm、-約50nm~-約600nm、-約100nm~-約500nm、-約100nm~-約400nmもしくは-約100nm~-約300nmの厚さROAを有する、請求項97~99のいずれか1項に記載の半導体ウエハ。結合構造の周囲における誘電層とハンドルウエハとの間の結合の欠如または弱い結合は、次の劈開中に、周囲における誘電層および/またはシリコン層を除去する。これは、ハンドルウエハよりも小さな半径を有するシリコン層および典型的には誘電層もを有するSOI構造をもたらす。シリコン層を含まない構造の周辺領域は、装置の製造に利用不可能であり、および粒子の汚れの源でもあり得る。この使用不可能な周辺領域は、少なくとも1.5mmまたは更に2mmの幅を有してよく、およびSOI構造の表面積の少なくとも約2.5を含んでよい。該構造のシリコン層をハンドルウエハの縁まで更に延在でき、および粒子の汚れの源を最小限にできるSOIウエハを製造する方法への継続的な要求がある。SOI構造のハンドルウエハおよび/またはドナーウエハのロールオフ量ROAを最小限にすることが、結合したウエハの周囲における更なる結合およびより強い結合を可能にする劈開する際に、シリコン層をハンドルウエハの縁までより接近して延在させることは見出されている。より少ないロールオフおよび無い明視野欠陥を有するハンドルおよびドナーウエハを、粗い研磨と最終的な研磨工程との間に洗浄操作を行うことによって製造できることが更に見出されている。本開示の1つの態様は、絶縁体上シリコン構造の製造方法に関する。構造は、ハンドルウエハと、シリコン層と、ハンドルウエハとシリコン層との間の誘電層とを含む。構造は、中心軸と、中心軸に対してほぼ垂直な前表面および後表面とを有する。周囲縁は前および後表面を結合し、および半径は構造の中心軸から周囲縁まで延在している。誘電層を、ドナーウエハおよびハンドルウエハの少なくとも1つの前表面上に形成する。誘電層をドナーウエハとハンドルウエハの少なくとも1つに結合して結合ウエハを形成する。ドナーウエハとハンドルウエハの少なくとも1つは、-約700nm未満の厚さロールオフ量ROAを有する。シリコン層が誘電層に結合した状態で維持されて絶縁体上シリコン構造を形成するように、ドナーウエハ内において分離平面に沿って結合ウエハを分離する。本開示の別の態様において、結合絶縁体上シリコン構造は、ハンドルウエハと、ドナーウエハと、ハンドルウエハとドナーウエハとの間の誘電層とを含む。誘電層はハンドルウエハに部分的に結合されている。結合絶縁体上シリコン構造は、中心軸と、周囲縁と、中心軸から周囲縁まで延在している半径とを有する。誘電層とハンドルウエハとの間の結合は、結合絶縁体上シリコン構造の中心軸から、結合絶縁体上シリコン構造の半径の少なくとも約98.9の位置まで延在している。本開示の更なる態様において、結合絶縁体上シリコン構造は、ハンドルウエハと、ドナーウエハと、ハンドルウエハとドナーウエハとの間の誘電層とを含む。誘電層は、ドナーウエハに部分的に結合されている。結合絶縁体上シリコン構造は、中心軸と、周囲縁と、中心軸から周囲縁まで延在している半径とを有する。誘電層とドナーウエハとの間の結合は、結合絶縁体シリコン上構造の中心軸から、結合絶縁体上シリコン構造の半径の少なくとも約98.9~約99.9の位置まで延在している。本開示の更なる別の態様は、絶縁体上シリコン構造に関する。構造は、ハンドルウエハと、シリコン層と、ハンドルウエハとシリコン層との間の誘電層と、誘電層とハンドルウエハとの間の界面とを有する。ハンドルウエハは、中心軸と、周囲縁と、中心軸から周囲縁まで延在している半径とを有する。シリコン層は、ハンドルウエハの中心軸から、ハンドルウエハの半径の少なくとも約98.9の位置まで延在している。ハンドルウエハは、界面において約6nmよりも大きい寸法の約3以下の明視野欠陥を有する。本開示の更なる態様は、ウエハを研磨するための方法に関する。ウエハをポリウレタン発泡体パッドにより研磨することを含む第1研磨工程を行う。ハンドルウエハの前表面を洗浄することを含む洗浄工程を第1研磨工程後に行う。第2研磨工程を洗浄工程後に行う。第2研磨工程は、ウエハをポリウレタン発泡体パッドにより研磨することを含む。別の態様では、半導体ウエハは、中心軸と、中心軸に対してほぼ垂直である前表面および後表面と、前および後表面を結合している周囲縁と、中心軸から周囲縁まで延在している半径とを有する。ウエハは、-約700nm未満の厚さロールオフ量ROAを有し、およびウエハの前表面において約6nmよりも大きい寸法の約3以下の明視野欠陥を有する。他の目的および特徴は、部分的に明らかでありおよび以下に部分的に指摘される。多層構造およびとりわけ絶縁体上シリコン構造と、絶縁体上シリコン構造の製造方法とは、一般に、当業者に知られている例えば、米国特許第5,189,500号;米国特許第5,436,175号および米国特許第6,790,747号を参照されたい。それらの各々は、全ての関連したおよび一貫した目的のために参照により本明細書に組み込まれる。多層構造を製造する例示的な方法において、2つの分離した構造を製造して、結合界面に沿って一体に結合し、および次いで、結合界面とは異なる分離平面に沿って離層すなわち、劈開し、および注入技術を用いて分離平面を形成する。1つの構造は、典型的にはハンドルウエハまたは構造のことを言い、および他は、典型的にはドナーウエハまたは構造のことを言う。ドナーおよびハンドルを一体に結合する前に、ドナーウエハ、ハンドルウエハまたは両方の表面上に誘電層を堆積してよい。これに関して、SOI構造およびその製造方法は、ドナーウエハ上に堆積または成長する誘電層を有するものとして、および誘電層の表面に結合したハンドルウエハの表面を有するものとして、本明細書に記載される。しかしながら、誘電層をドナーウエハ上に成長または堆積することに代えてまたは加えて、誘電層をハンドルウエハ上に成長または堆積してよく、およびこれらの構造を、任意の様々な配置で限定せずに結合できることを理解すべきである。本明細書において、ハンドルウエハ上に単独で配置される誘電層の参照は、制限する意味であるとみなされるべきではない。典型的には、少なくともドナーウエハ、および更に典型的には、ドナーウエハとハンドルウエハとの両方は単結晶シリコンウエハから成るが、しかしながら、他の出発構造、例えば、多層および/またはヘテロ層構造を本開示から逸脱せずに用いることができることに留意すべきである。本開示に従って、ハンドルウエハおよび/またはドナーウエハは、縁のロールオフ量ROAを有することによって特徴付けられており、該ロールオフ量は、例えば、SOI構造のような多層構造を製造するのに用いる従来のドナーウエハおよびハンドルウエハより低い。ハンドルウエハは、多層構造を製造するための従来技術に一般的な任意の材料、例えば、シリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ化物、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム窒化物、アルミニウム窒化物、亜リン酸、石英、サファイアおよびそれらの組合せから得られる。同様に、ドナーウエハは、シリコン、ゲルマニウム、ゲルマニウムヒ化物、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム窒化物、アルミニウム窒化物、亜リン酸、石英、サファイアおよびそれらの組合せを含んでよい。しかしながら、典型的には、本開示の方法に従って用いるハンドルウエハおよびドナーウエハは、単結晶シリコンウエハであり、および一般に、従来のチョクラルスキーCzochralski結晶成長法に従って成長した単結晶インゴットからスライスした単結晶シリコンウエハである。そして、以下の記載は、説明するために特定の種類の多層構造、すなわち、SOI構造を頻繁に参照する。これに関して、本開示に従って用いるハンドルウエハおよび/またはドナーウエハおよび更に、以下に示す研磨および洗浄工程を行った均一なバルクシリコンウエハは、当業者により用いるのに適した任意の直径、例えば、200mm、300mm、300mmより大きい、または更に450mmの直径のウエハを含んでよいことに留意すべきである。図1を参照すると、ドナーウエハ12の研磨された前表面上に誘電層15例えば、シリコン酸化物および/またはシリコン窒化物の層を堆積する。誘電層15は、熱酸化、湿式酸化、熱窒化またはそれらの技術の組合せのような任意の従来技術に従って適用できる。一般的に言うと、誘電層15は、最終構造に所望の絶縁特性をもたらすのに充分な実質的に均一な厚さまで成長する。しかしながら、典型的には、誘電層は、少なくとも約1nmおよび約500nm未満、300nm未満、約200nm未満、約150nm未満、約100nm未満、または更に約50nm未満の厚さを有する。誘電層15は、SOI構造に用いるのに適した任意の電気絶縁材料例えば、SiO2、Si3N4、アルミニウム酸化物、またはマグネシウム酸化物を含む材料であってよい。1つの実施形態において、誘電層15は、SiO2すなわち、本質的にSiO2から成る誘電層である。しかしながら、例えば、代替的に、誘電層のための材料を用いることは好ましく、該誘電層は、純SiO2の融点よりも高い融点を有するすなわち、約1700°Cよりも高いことを留意されたい。このような材料の例は、シリコン窒化物Si3N4、アルミニウム酸化物、およびマグネシウム酸化物である。これに関して、SOI構造は、誘電層を有するように本明細書に記載されているが、一方で、いくらかの実施形態において、誘電層を除去し、およびハンドルウエハとドナーウエハを直接結合することを理解すべきである。本明細書におけるこのような誘電層の参照は、制限する意味であるとみなされるべきではない。当業者に既知であるいくつかの技術のいずれか1つは、このような直接結合構造を製造するのに用いることができる。ドナーウエハの前表面の下に、実質的に均一な特定の深さにおいてイオン例えば、水素原子、ヘリウム原子または水素原子とヘリウム原子の組合せを注入し、劈開平面17を規定する。イオンの組合せを注入する場合に、それらを、同時にまたは順番に注入できることに留意すべきである。イオン注入は、従来技術の手段を用いて達成できる。例えば、この注入を米国特許第6,790,747号に開示されている方法に類似した様式で達成できる。注入パラメータは、例えば、約20keV~約125keVの全エネルギーにおける、例えば、約1×1015イオン/cm2~約5×1016イオン/cm2の総投与量に対するイオンの注入を含んでよい例えば、H2を、20keVのエネルギーおよび2.4×1016イオン/cm2の投与において注入できる。イオンの組合せを用いる場合に、それに応じてイオンの組合せの間で投与を調整できる例えば、36keVのエネルギーおよび1×1016イオン/cm2の投与においてHeを注入でき、続いて48keVのエネルギーおよび5×1015イオン/cm2の投与においてH2を注入できる。誘電層を堆積する前に注入を行う際に、ドナーウエハ上への誘電層の次の成長または堆積を、ドナー層内の平面17に沿った早期の分離または劈開を防ぐのに充分な温度で適切に行うすなわち、ウエハの結合方法工程の前に。分離または劈開温度は、注入される種類、注入される投与量および注入される材料の複雑な関数である。しかしながら、典型的には、早期の分離または劈開は、約500°Cより低い堆積または成長の温度を維持することにより回避できる。次いで、図2を参照すると、親水性結合方法により結合ウエハ20を形成するように、誘電層15の前表面をハンドルウエハ10の前表面に結合する。誘電層15およびハンドルウエハ10は、ウエハの表面を、例えば、酸素または窒素を含むプラズマに暴露することによって一体に結合できる。プラズマに対する暴露は、しばしば、表面活性化と言われる方法で表面構造を改良する。次いで、ウエハを一体に押し付け、および結合界面18での結合をその間に形成する。結合前に、誘電層およびハンドルウエハの表面は、従来技術を用いて結合するためのそれらの表面を作製するように、必要に応じて、洗浄および/または簡単なエッチング、平面化またはプラズマ活性化を経てよい。特定の理論に縛られずに、SOI構造のシリコン表面の質は、部分的に、結合前の表面の質の関数であるということが一般に考えられる。追加的に、結合前の結合表面の質は、得られる結合界面の質または強度に対して直接的な影響を有する。従って、例えば、結合前に低い表面粗さ例えば、約0.5nmの二乗平均平方根RMS未満の粗さを得るように、例えば、誘電層および/またはハンドルウエハに、1以上の下記の方法を行ってよい:i例えば、CMPによる平面化および/またはii例えば、親水性表面製造方法例えば、RCASC-1洗浄方法であり、例えば、約65°Cで1:2:50の比率で水酸化アンモニウム、過酸化水素水および水を含む溶液に表面を約20分間接触し、続いて脱イオン水の洗い流しおよび乾燥するのような、例えば、湿式化学洗浄法による洗浄。湿式洗浄方法の後または代わりに、得られる結合強度を増加するように、必要に応じて、1つまたは両方の表面にプラズマ活性化を行ってよい。プラズマ環境は、例えば、酸素、アンモニア、アルゴン、窒素、ジボランまたはホスフェートを含んでよい。一般的に言うと、結合界面の形成を達成するのに用いるエネルギーが、結合界面の一体化が次の方法の間で維持されることを確実にするのに充分であるならば、本質的に任意の従来技術を用いて、ウエハ結合を達成できるすなわち、ドナーウエハ内の劈開または分離平面17に沿った分離による層移動。しかしながら、典型的には、減少した圧力例えば、約50mTorrおよび室温で誘電層とハンドルウエハの表面を接触させ、続いて、高温例えば、少なくとも約200°C、少なくとも約300°C、少なくとも約400°C、または更に少なくとも約500°Cで充分な時間例えば、少なくとも約10秒、少なくとも約1分、少なくとも約15分、少なくとも約1時間または更に少なくとも約3時間に亘って加熱することによってウエハ結合を達成する。例えば、加熱は、約1時間に亘って約350°Cで行うことができる。得られる界面は、約500mJ/m2よりも大きい、約1000mJ/m2よりも大きい、約1500mJ/m2よりも大きい、または更に約2000mJ/m2よりも大きい結合強度を有することができる。高温は、ドナーウエハとハンドルウエハの結合表面の間の共有結合の形成をもたらし、従って、ドナーウエハとハンドルウエハとの間の結合を強固にする。結合ウエハを加熱またはアニールするのと同時に、ドナーウエハに早期に注入されるイオンは劈開平面を弱める。従って、ドナーウエハの一部分は、結合ウエハから劈開平面に沿って分離すなわち、劈開してSOI構造を形成する。結合界面を形成した後に、得られる結合構造を、ドナーウエハ内で分離または劈開平面に沿って割れを導入するのに充分な条件に暴露する図3。一般的に言うと、この割れは、熱的および/または機械的にもたらされる劈開技術のような、従来技術を用いて達成できる。しかしながら、典型的には、不活性例えば、アルゴンまたは窒素雰囲気または周囲の条件下において、少なくとも約10秒、少なくとも約1分、少なくとも約15分、少なくとも約1時間または更に少なくとも約3時間に亘って、少なくとも約200°C、少なくとも約300°C、少なくとも約400°C、少なくとも約500°C、少なくとも約600°C、少なくとも約700°C、または更に少なくとも約800°Cの温度例えば、約200°C~約800°C、または約250°C~約650°Cの範囲にある温度において更に短いアニール時間を必要とする更に高い温度を伴っておよび逆の場合も同じように結合構造をアニールすることによって割れを達成する。これに関して、代替的な実施形態において、機械的な力によって、単独でまたはアニールに加えて、この分離が生じ得るまたは達成できることに留意されたい。例えば、結合ウエハを固定具内に配置でき、結合ウエハから分離するようにドナーウエハの一部分を引っ張るように、結合ウエハの向かい合った面に垂直に機械的な力を適用する。いくらかの方法によれば、機械的な力を適用するように吸引カップを用いる。劈開平面における結合ウエハの縁に機械的なくさびを適用して劈開平面に沿った亀裂の伝搬を開始することによって、ドナーウエハの部分の分離を開始する。従って、吸引カップにより適用される機械的な力は、結合ウエハからドナーウエハの部分を引っ張り、従ってSOI構造を形成する。図3を参照すると、分離する際に2つの構造30、31を形成する。結合構造20の分離がドナーウエハ12内において劈開平面17に沿って生じるので図2、ドナーウエハの一部分は、両方の構造の一部を残すすなわち、ドナーウエハの一部分を誘電層に沿って移動する。構造30は、ドナーウエハの一部分を含む。構造31は、絶縁体上シリコン構造であり、およびハンドルウエハ16、誘電層15およびシリコン層25を含む。得られたSOI構造31は、誘電層15の上に配置されているシリコン薄層25劈開後に残されるドナーウエハの部分と、ハンドルウエハ10とを含む。SOI構造の劈開表面すなわち、ドナーウエハのシリコン薄層は、付加的な方法により平滑化できる粗表面を有する。構造31は、その上にデバイスを作製するために所望の特徴を有するシリコン層表面を形成するように付加的な方法を行うことができる。このような特徴は、例えば、減少した表面粗さ、および/または光点欠陥の減少した濃度を含む。本開示に従って、SOI構造を製造するのに用いるドナーウエハおよび/またはハンドルウエハは、結合構造の周囲縁部分における誘電層とハンドルウエハとの間の結合を改善するように、従来のドナーおよび/またはハンドルウエハより少ないロールオフ量ROAを有する。ROAは、既知の産業測定プロトコルにより決定できる。とりわけ、ROAは、N.KimuraらANewMethodforthePreciseMeasurementofWaferRolloffofSiliconPolishedWaferJpn.Jo.Appl.Phys.,vol.38,pp.38-391999により開示されているような高さデータプロファイルを用いて測定でき、これは、全ての関係するおよび一貫した目的のために、参照により本明細書に組み込まれる。一般に、Kimuraの方法は、例えば、SEMIM69:PracticeforDeterminingWaferNear-EdgeGeometryusingRoll-offAmount,ROAPreliminary2007のように産業で標準化されており、これは、全ての関係するおよび一貫した目的のために、参照により本明細書に組み込まれる。最も商業的に利用可能なウエハ-検査装置は、ROAを計算するのに予めプログラミングされている。例えば、ROAは、WaferSight分析ハードウェアMilpitas、Californiaを用いてKLA-TencorWaferInspectionSystemの使用により求めることができる。図4を参照すると、ウエハ20のROAは、一般に、ウエハ半径に沿って3つの位置P1、P2およびP3の参照によって求められる。参照線Rは、2つの位置P1、P2の間に適合し、および第3位置P3は、ロールオフが通常観察されるウエハの周囲縁部分E内にある。ROAは、参照線Rと第3位置P3との間の距離である。ウエハの周囲縁部分Eは、一般に、ウエハ半径の約98の位置からウエハの縁まで延在している。例えば、300mm直径のウエハにおいて、周囲縁部分は、ウエハの中心軸から約147mmで開始し、およびウエハ縁まで延在している。参照線Rは、一次直線または三次多項式として適合できる。本開示のために、参照線を、異なって指定されない限り一次直線として適合する。これに関して、ROAは、前表面ROA、後表面ROAまたは厚さROAすなわち、平均厚さプロファイルを用いてに関して表現してよい。前表面ROAと後表面ROAの測定は、個々の前または後表面に沿って、P1とP2の間の最適合参照線Rを適合することを含んでおり、および厚さROAは、P1とP2との間の様々なウエハ20の厚さのための最適合線を適合するすなわち、厚さROAは、前および後表面の両方を考慮に入れることを含む。本明細書に記載されたロールオフ量は、他に指定がない限り、厚さROA測定値である。ROAを決定するのに全ての3つの点を選択できるが、従来技術で用いる1つの一般的な方法は、参照線Rを形成するように、ウエハの中心軸からウエハの半径の約82.7である第1位置と、ウエハの中心軸から半径の約93.3である第2位置とを用いることを含む。これらの位置は、300mmの直径のウエハにおいてウエハの中心軸から約124mmと約140mmである。中心軸からウエハの半径の約99.3の第3位置すなわち、300mmの直径のウエハのための中心軸から約149mmにおいては、参照線と第3位置との間の距離がROAであることにより用いてよい。ROAは、ウエハの複数の半径を横切って測定および平均化できる。例えば、ウエハを横切り、角度をつけて間隔をあけた2、4または8つの半径のROAを測定および平均化できる。例えば、8つの半径のROAを平均化することによってROAを測定できる例えば、SEMIM69に記載されるようなR-θの座標軸における、0°、45°、90°、135°、180°、225°、275°および315°の8つの半径。上述したように、ROA測定は、前表面プロファイル、後表面プロファイルまたは厚さプロファイルを含んでよい。これに関して、本明細書で用いるROAは、他に指定がない限り、一次直線がウエハの半径の84と93.3との間で確立されおよびウエハの周囲縁部分における参照位置が半径の99.3である上にウエハの最適合厚さプロファイルすなわち、前表面ROAではなく厚さROAを使用することによって測定されるROAのことを言う。これに関して、厚さROAが、好ましくは、得られるSOI構造において前表面ROAと比較して実施例1および2、結合構造の改善された結合と、シリコン層がウエハ縁まで延在している距離とに相互に関連することが見出される。ROAは、厚さプロファイルに関して、ウエハがその周辺縁部分でより厚い正の数であってよく、またはウエハがその周辺縁部分でより薄い負の数であってよいことを理解すべきである。これに関して、ROA量負または正に対する本明細書における用語未満の使用は、ROAが、記載された量から約0までの範囲にある例えば、-約700nm未満のROAは、-約700nm~約0までのROA範囲のことを言い、および約700nm未満のROAは、約700nm~約0の範囲であるROAのことを言うことを示す。追加的に、ROA量負または正に対する用語より大きいの使用は、ウエハの縁部分が、記載された量よりもウエハの軸の中心から更に離れるロールオフ量を含む。本開示の実施形態によれば、その上に誘電層が堆積または成長するまたは、いくつかの実施形態において、その上に誘電層が結合するドナーウエハは、-約700nm未満のROAを有する。他の実施形態において、ドナーウエハのROAは、-約600nm未満、-約500nm未満、-約400nm未満、-約300nm未満、-約250nm未満または-約10nm~-約700nm、-約50nm~-約600nm、-約100nm~-約500nm、-約100nm~-約400nm-もしくは約100nm~-約300nmである。代替的にまたは追加的に、そこに誘電層およびドナーウエハが取り付けられるまたは、いくつかの実施形態において、その上に誘電層が堆積されるハンドルウエハは、-約700nm未満のROAを有する。他の実施形態において、ハンドルウエハのROAは、-約600nm未満、-約500nm未満、-約400nm未満、-約300nm未満、-約250nm未満または-約10nm~-約700nm、-約50nm~-約600nm、-約100nm~-約500nm、-約100nm~-約400nmもしくは-約100nm~-約300nmである。これに関して、本明細書に記載されるロールオフ量は、典型的には、負のロールオフ量であるが、ハンドルまたはドナーウエハのロールオフは、限定されずに、正であってよい例えば、約400nm未満、約200nm未満、-約700nm~約400nmまたは-約700nm~約100nm。更に、所定の実施形態において、記載される以外のROA量を限定せずに用いてよい。厚さROAに加えて、ドナーおよび/またはハンドルウエハの前表面形状第2誘導物zddは、結合構造周辺で改善された結合によく相互関連することが見出されている。従って、第2誘導物zddは、-約1100nm/mm2未満、-約800nm/mm2未満、-約600nm/mm2未満または更に-約400nm/mm2未満例えば、-約1110nm/mm2~-約100nm/mm2または-約800nm/mm2~-約200nm/mm2であってよい。zddは、ウエハの縁が巻き上がるすなわち、ウエハの軸の中心から離れる正の数またはウエハの縁が下がるすなわち、ウエハの軸の中心に向かう負の数であってよいことを理解すべきである。これに関して、第2誘導物の量に対する本明細書における用語未満の使用は、第2誘導物zddが、記載された量から約0までの範囲にある例えば、約-1100nm/mm2未満のzddは、-約1100nm/mm2~約0の範囲にあるzddのことを言う。zddは、ウエハの複数の半径を横切って測定および平均化できる。ウエハを複数のセクター例えば、2つ、4つ、8つまたは16つのセクターに分割し、および各々のセクターのための平均前表面プロファイルを計算することによって、第2誘導物もまた測定できる。zddは、各々のセクターの平均前表面プロファイルのために求めることができ、および従ってセクターの第2誘導物は平均化できる。これに関して、本明細書に記載されるzdd量は、他に指定がない限り、16のウエハセクターのためのzddを平均化することによって求められる。ハンドルおよび/またはドナーウエハのROAを減少することによって、結合構造の周囲縁部分における誘電層とハンドルウエハとの間の結合は、従来のハンドルおよびドナーウエハから製造した結合構造と比較して改善されるすなわち、ボイドが減少し、結合領域が増加し、および結合が、周囲縁まで接近して延在する。改善された結合の結果として、得られるSOI構造のシリコン層は、劈開後にそれを結合するハンドルウエハの縁に接近して延在する。結合構造においてすなわち、劈開前、誘電層は、少なくとも部分的にハンドルウエハに結合されており、結合は、結合絶縁体上シリコン構造の中心軸から、結合絶縁体上シリコン構造の半径の少なくとも約98.9の位置まで延在し、およびいくらかの実施形態において、結合絶縁体上シリコン構造の半径の少なくとも約99.2の位置まで、半径の少なくとも約99.4の位置まで、または半径の少なくとも約99.6の位置にまで延在する例えば、半径の約98.9~約99.9、結合絶縁体上シリコン構造の半径の約99.2~約99.9、約99.5~約99.9。例えば、300mmの結合絶縁体上シリコン構造において、誘電層とハンドルウエハとの間の結合は、構造の中心軸から延在し、結合構造の中心軸から約148.35mmまでまたは少なくとも約148.8mmまで、中心軸から少なくとも約149.4mmまで延在してよい例えば、約148.35mm~149.85mm、約148.8mm~149.85mmまたは149.25mm~149.85mm。結合構造において結合が生じている程度を求めるように、結合ウエハを半分に劈開して分析できる、または得られるSOI構造をシリコン層の存在のために分析できる。これに関して、用語少なくとも部分的に結合されるは、他に指定がない限り、結合がハンドルおよび/またはドナーウエハの周囲縁まで延在する配置を含んでよい。これに関して、所定の実施形態において、ハンドルウエハの半径は、誘電層および/またはシリコン層の半径とは異なってよく例えば、部分的な結合の結果として劈開した後のSOI構造において、および本明細書で用いるようにSOI構造の半径は、他に指定がない限り、ハンドルウエハの半径のことを言うことを理解すべきである。結合構造の周辺の結合におけるこの増加は、シリコン層と誘電層とがハンドルウエハの周囲縁得られるSOI構造においてシリコン層と誘電層とが結合するまで接近して延在することを可能にする。複数の例示的な実施形態において、得られるSOI構造は、ハンドルウエハの中心軸から、ハンドルウエハの半径の少なくとも約98.9の位置まで、およびいくつかの実施形態において、半径の少なくとも約99.2の位置まで、半径の少なくとも約99.4の位置まで、またはハンドルウエハの半径の少なくとも約99.6の位置まで例えば、半径の約98.9~約99.9の位置まで、約99.2~約99.9の位置までまたはハンドルウエハの半径の約99.5~約99.9の位置まで延在しているシリコン層および典型的には誘電層もを含む。例えば、300mmのSOI構造において、シリコン層は、ハンドルウエハの中心軸から約148.35mm、またはハンドルウエハの中心軸から少なくとも約148.8mm、少なくとも149.1mmまたは少なくとも約149.4mmまで例えば、約148.35mm~約149.85mm、約148.8mm~約149.85mmまたは約149.25mm~約149.85mm延在している。シリコン層が、ハンドルウエハの縁まで延在する程度は、例えば、Nomarskiの微分干渉DIC顕微鏡のような光学顕微鏡例えば、5×対象物で構造を見ることにより求めることができる。SOI構造の頂の例示的な像は図5に示される。SOI構造は、シリコン層65により部分的に覆われている。構造は、シリコン層65の縁52からウエハの縁50まで延在している非結合部分69を含むすなわち、ハンドルウエハの表面は、非結合領域69内に見ることができる。これに関して、本明細書に用いるように、非結合部分69の幅60は、ウエハの傾斜領域67を含まないことを理解すべきである。傾斜領域67は、ウエハの頂54から延在しており、頂54は、符号50により参照されるコントラストの変化に対する画像の光の帯として現れる。別の言い方をすれば、非結合領域69は、頂54からシリコンウエハの縁52までではなく、傾斜領域の縁50からシリコン層65の縁52まで延在している。頂54よりも上の暗い領域は、顕微鏡観察の間に形成される影であり、およびウエハの一部を形成しない。比較的低いROAを有することに加えて、SOI構造に用いるハンドルおよびドナーウエハは、個々のウエハの前表面における少数の明視野欠陥を有するものとして特徴付けられ得る。ドナーウエハおよび/またはハンドルウエハの表面における明視野欠陥は、欠陥場所におけるドナーウエハとハンドルウエハとの間の結合を弱め、およびSOIシリコン層にボイドを形成する。以下に記載されるウエハの研磨および洗浄手順は、ウエハの前表面上の約6nmよりも大きい寸法の約3以下の明視野欠陥を有するウエハ、およびいくつかの実施形態において、約6nmよりも大きい寸法の約2以下、約1以下または更にゼロの明視野欠陥を有するウエハをもたらすことが見出されている。代替的にまたは追加的に、ウエハは、ウエハの前表面における約4.8nmよりも大きい寸法の約6未満の明視野欠陥、または約4.8nmよりも大きい寸法の約4未満、約2未満もしくはゼロの明視野欠陥を有してよい。いくつかの特定の実施形態において、ウエハの表面は、約6nmよりも大きい寸法のどのような観察可能な明視野欠陥も含まず、および-約700nm未満のROAを有する例えば、-約600nm未満、-約500nm未満、-約400nm未満、-約300nm未満または-約250nm未満。以下に記載される研磨および洗浄方法は、ハンドルおよび/またはドナーウエハを参照して記載されるが、それらは、例えば、バルク単結晶シリコンウエハを含むウエハに一般に適用できる。当該方法は、一般に、少数の明視野欠陥例えば、寸法が6nmよりも大きい明視野欠陥は無いを有するものとして更に特徴付けられる低いROAのウエハをもたらす。得られるSOI構造は、様々な層の間の界面における減少した数量の明視野欠陥によって特徴付けることができ、これは、構造の様々な層の間で更に強固な結合をもたらし、およびより少ないボイドをシリコンデバイス層に形成する。SOI構造は、誘電層とハンドルウエハとの間の界面と、誘電層とシリコン層との間の界面とを含む。様々な実施形態において、ハンドルウエハは、誘電層を有する界面において約6nmよりも大きい寸法の約3以下の明視野欠陥、または他の実施形態に関して、誘電層を有する界面において6nmよりも大きい寸法の約2以下、約1以下またはゼロの明視野欠陥を有することができる。これらおよび他の実施形態において、ハンドルウエハは、誘電層を有する界面における約4.8nmよりも大きい寸法の約6未満の明視野欠陥、または約4.8nmよりも大きい寸法の約4未満、約2未満またはゼロである明視野欠陥を有することができる。代替的にはまたは追加的には、シリコン層は、誘電層を有する界面における約6nmよりも大きい寸法の約3以下の明視野欠陥を有することができ、または6nmよりも大きい寸法の約2以下、約1以下またはゼロの明視野欠陥を有することができる。これらおよび他の実施形態において、シリコン層は、誘電層を有する界面における約4.8nmよりも大きい寸法の約6未満の明視野欠陥、または約4.8nmよりも大きい寸法の約4未満、約2未満またはゼロの明視野欠陥を有することができる。明視野欠陥の検出は、当業者に既知である従来技術によって行ってよい。適切には、例えば、KLATencorSurfscanSP2ウエハ検査システムのような明視野ウエハ検査ツールまたは明視野検出器を有する暗視野検査ツールは、明視野欠陥を検出するのに用いてよい。劈開平面におけるドナーウエハを劈開した後に形成されるSOI構造は、様々なウエハ界面におけるROAsを有して特徴付けられてよく、ROAsは、SOI構造を製造するのに用いるハンドルウエハおよび/またはドナーウエハのROAに実質的に類似する。ハンドルウエハは、誘電層を有する界面における-約700nm未満のROAを有してよく、および他の実施形態において、誘電層を有する界面において-約600nm未満、-約500nm未満、-約400nm未満、-約300nm未満、-約250nm未満または-約10nm~-約700nm、-約50nm~-約600nm、-約100mm~-約500nm、-約100nm~-約400nmまたは-約100nm~-約300nmのROAを有してよい。SOI構造を製造するのに用いるドナーおよび/またはハンドルウエハは、チョクラルスキーCzochralski方法により形成されているインゴットからウエハをスライスし、およびウエハに更なる方法を行うことによって得られる。例えば、ウエハに、粗い研磨および最終研磨を行ってよい。好都合的に、相対的に低いROAを有しおよび非常に少ない明視野欠陥を有するまたは明視野欠陥が無いハンドルおよびドナーウエハを製造する方法は見出されている。ドナーおよび/またはハンドルウエハを製造するための1以上の実施形態において、前表面および必要に応じて後表面を研磨する第1研磨工程を行うすなわち、両面研磨を行う。一般に、研磨は、粗い研磨であり、該研磨は、ウエハ例えば、ドナー、ハンドルまたはバルクウエハの表面粗さを、原子力顕微鏡AFMにより約1μm×約1μm~約100μm×約100μmのスキャン寸法において測定して約3.5オングストローム未満、約2.5オングストロームほどの更なる低さまたは更に約2オングストロームまで減少する。この検査のために、表面粗さは、他に指定がない限り、二乗平均平方根RMSとして表される。粗い研磨は、典型的には、ウエハの表面から材料の約1μm~約20μm、および更に典型的には、約5μm~約15μmの除去をもたらす。粗い研磨および以下に記載される最終研磨は、例えば、化学機械平坦化CMPによって達成できる。CMPは、典型的には、研磨剤のスラリーへのウエハの浸漬と、ポリマーパッドによるウエハの研磨とを含む。化学的および機械的手段の組合せによってウエハの表面を平滑化する。典型的には、化学的および熱的定常状態を達成するまでおよびウエハがそれらの目標形状および平坦さを達成するまで研磨を行う。粗い研磨は、PeterWolters例えば、AC2000polisher;レンツブルグ、ドイツ、不二越東京、日本、Speedfam神奈川、日本またはLapmasterSFI例えば、LGP-708、千代田区、日本から市販されている両面研磨機により行うことができる。シリコン研磨のためのストック除去パッドは、Psiloquest、RohmHaasから市販でき、およびシリカベースのスラリーは、RohmHaas、Cabot、Nalco、BayerMaterialScienceおよびDANanoMaterialsから購入できる。粗い研磨工程は、約300秒~約600秒に亘って、および約75g/cm2~約125g/cm2のスラリーの流速を伴って約150g/cm2~約700g/cm2のパッド圧力において生じてよい。しかしながら、他の研磨時間、パッド圧力およびスラリーの流速は、本開示の技術的範囲から逸脱せずに用いることができることを理解すべきである。粗い研磨が完了した後、ウエハは、洗い流しおよび乾燥できる。加えて、ウエハは、ウエットベンチに置かれてよいまたはスピン洗浄を行ってよい。ウエットベンチ洗浄は、必要に応じて、高温例えば、約50°C~約80°Cにおいて、ウエハをSC-1洗浄溶液すなわち、水酸化アンモニウムおよび過酸化水素に接触させることを含んでよい。スピン洗浄は、フッ化水素溶液とオゾン化された水との接触を含んでおり、および室温で行ってよい。洗浄後に第2研磨工程を行うことができる。第2研磨工程は、典型的には、最終研磨である。最終研磨は、ウエハ例えば、ハンドル、ドナーまたはバルクウエハの表面粗さを、AFMによって約10μm×約10μm~約100μm約100μmのスキャン寸法において測定して約2.0オングストローム未満まで減少させる。最終研磨は、表面粗さを、約10μm×約10μm~約100μm約100μmのスキャン寸法において、約1.5オングストローム未満または約1.2オングストローム未満まで更に減少できる。最終研磨は、表面層から材料の約0.5μm以下のみを除去する。最終研磨のための適切な研磨機は、LapmasterSFT例えば、LGP-708、千代田区、日本から得られる。本開示の実施形態によれば、最終研磨に用いるパッドは、例えば、富士見Kiyoso、日本からのSURFINパッド、千代田KK大阪、日本からのCIEGALパッドまたはRohmandHassからのSPMパッドのようなスエード革タイプのパッドポリウレタン発泡体パッドのことを言うである。これに関して、本開示の目的のために、本明細書で言及するように、ポリウレタン発泡体パッドは、例えば、RohmandHassから利用できるSUBAパッドのようなポリウレタンが充満したポリウレタンパッドを含まないことを留意すべきである。しかしながら、SUBAパッドは、本開示の技術的範囲から逸脱せずに他の実施形態において用いることができる。ポリウレタン発泡体パッドの使用に加えて、用いる研磨スラリーは、コロイダルシリカ溶液例えば、Syton-HT50;DuPontAirProductsNanoMaterialsテンピ、アリゾナと腐食溶液例えば、KOHの混合物;または富士見からのGlanzox3900であってよい。いくつかの実施形態において、Syton-HT50と腐食液の混合物は、最終研磨の第1工程に用いてよく、およびGlazox3900は、第2工程に用いてよい。これに関して、最終研磨に用いるポリウレタン発泡体パッドおよびコロイダルシリカ溶液を粗い研磨のために用いることができるが;しかしながら、他のストックパッドおよびスラリーを本開示の技術的範囲から逸脱せずに粗い研磨のために用いることができることに留意すべきである。最終研磨は、少なくとも約60秒または更に約90秒、約120秒または約180秒に亘って生じてよい。スラリーの流速は、約500ml/分~約750ml/分の範囲であってよく、およびパッド圧力は、約75g/cm2~約125g/cm2の範囲であってよい;しかしながら、他の研磨時間、パッド圧力およびスラリーの流速を、本開示の技術的範囲から逸脱せずに用いることができることを理解すべきである。一般に、上述した研磨および洗浄工程は、それらの前表面上に相対的に低いROA例えば、-約700nm未満、-約600nm未満、-約500nm未満、-約400nm未満、-約300nm未満、-約250nm未満または-約10nm~-約700nm、-約50nm~-約600nm、-約100nm~-約500nm、-約100nm~-約400nm、-約100nm~-約300nmを有しおよびそれらの前表面に相対的に少ない明視野欠陥例えば、ウエハの表面における約6nmよりも大きい寸法の約3以下の明視野欠陥または約6nmよりも大きい寸法の約2以下、約1以下、またはゼロの明視野欠陥および/またはそれらの前表面における約4.8nmよりも大きい寸法の約6未満の明視野欠陥または約4.8nmよりも大きい寸法の約4未満、約2未満または更にゼロの明視野欠陥を有するウエハを製造する。本開示の研磨および洗浄方法と、本明細書に記載されたロールオフ量および明視野欠陥量は、典型的には、SOI構造を製造するのに用いるハンドルウエハまたはドナーウエハに対して記載されるが、当該方法は、バルク単結晶シリコンウエハを製造するのに用いることができ、およびウエハは、記載されたロールオフ量および明視野欠陥によって特徴付けられ得ることを理解すべきである。更に、所定の実施形態において、ウエハの集団例えば、ウエハのカセットのような貯蓄ユニット内のウエハの集合を提供でき、各々のウエハは、上述したロールオフ量および明視野欠陥量により特徴付けられる。ウエハの集団は、少なくとも約10のウエハ、少なくとも約25のウエハ、少なくとも約50のウエハ、少なくとも約100のウエハまたは更に少なくとも約1000のウエハを含んでよい。実施例1;可変ROAを有するSOI構造の非結合幅誘電層厚さ145nmを有するドナーウエハに対してドナーウエハの表面上にハンドルウエハを結合し、続いて、ドナーウエハ内で形成される劈開平面に沿って劈開することによって6つの300mmのSOI構造を製造した。36keVのエネルギーおよび1×1016イオン/cm2の投与においてHeイオンを注入し、続いて、48keVのエネルギーおよび1×1015イオン/cm2の投与においてH2イオンを注入することによってドナーウエハ内に劈開平面を形成したQuantumHImplantermodelQ843、AppliedMaterialsサンタクララ、カリフォルニア。劈開を、350°Cまで加熱することによって行ったA412Furnace、ASMアルメレ、オランダ。各々が-約800nmの厚さROAを有するドナーおよびハンドルウエハからSOI構造の1つの組を製造した。-約800nmの厚さROAを有するハンドルウエハおよび-約200nmのドナーウエハから別の組を作った。各々が-約200nmの厚さROAを有するハンドルおよびドナーウエハから別の組を作った。ポリウレタン発泡体パッドによって粗く研磨し、続いて洗浄しおよび次いでポリウレタン発泡体パッドにより最終研磨することによって-約200nmの厚さROAを有した全てのドナーおよび/またはハンドルウエハを製造した。ROAは、KLA-TencorWaferSightAnalysisのソフトウェアの使用によって測定し、ならびにROAは、ウエハの厚さプロファイルを求め、平均厚さプロファイルにおける構造の中心から位置124mmと位置140mmとの間の一次の線を適合することによって、および参照線と、中心からの位置149mmとの間の距離を求めることによって、求めた。図7は、厚さROAの関数として上述したウエハのための非結合領域の幅を図示する。図7からわかるように、-約200nmの厚さROAを有するハンドルおよびドナーウエハから作ったSOIウエハの誘電層は、ハンドルウエハの縁すなわち、非結合領域の幅から約1mm未満それぞれ、具体的には0.71mmおよび0.62mmまで延在し、一方で、他のSOI構造は、ずっと大きい非結合幅を有した。図8は、前表面ROAの関数として上述したウエハのための非結合領域の幅を図示し、および図9は、前表面形状第2誘導物zddの関数として非結合領域の幅を示す。図からわかるように、前表面ROAは、非結合幅とあまり相互に関係せず、および前表面第2誘導物は、よく相互に関係する。実施例2;新規および従来のドナーウエハおよび/またはハンドルウエハから製造したSOI構造における非結合幅の比較300mmのSOI構造の4つの組を、以下に示すドナーおよびハンドルウエハの様々な組合せから製造した:a従来のドナーおよび従来のハンドルウエハすなわち、ドナーまたはハンドルウエハのための粗い研磨と最終研磨との間の洗浄工程は無い;b新規なドナーウエハポリウレタン発泡体パッドによる粗い研磨に続いて、洗浄工程、次いでポリウレタン発泡体パッドによる最終研磨および従来のハンドルウエハ;c新規なドナーウエハと、知られていない方法によって作られたハンドルウエハ;ならびにd新規なドナーウエハおよび新規なハンドルウエハ。各々のグループa~dから2つのウエハを、厚さROA、前表面ROAおよび前表面形状第2誘導物zddを求めるように分析した。ウエハグループa~dの厚さROAは図10に図示される。ウエハグループa~dの前表面ROAは図11に図示される。ウエハグループa~dの前表面形状第2誘導物は、図12に図示される。図10~12からわかるように、厚さROA図10および第2誘導物パラメータ図12は、一箇所に集まり、および前表面ROA図11は、より分散する。4つの従来のハンドルウエハのための平均厚さROAグループAおよびグループBの従来のウエハは-約814nmであった。2つの従来のドナーウエハグループAのための平均厚さROAは-約771nmであった。6つの新規なドナーウエハのための平均厚さROAグループB、CおよびDの新規なドナーウエハは-約203nmであった。新規なハンドルウエハのための平均厚さROAグループDのハンドルウエハは-162nmであった。各々のドナーおよびハンドルウエハは、チョクラルスキーCzochralski方法によって成長した単結晶シリコンから成った。新規な方法によって製造した各々のドナーウエハおよびハンドルウエハポリウレタン発泡体パッドによる粗い研磨に続いて、洗浄工程、次いで、ポリウレタン発泡体パッドによる最終研磨は、約6nmよりも大きい寸法のいかなる明視野欠陥も含まず、および約4.8nmよりも大きい寸法の2以下の明視野欠陥を含んだ。ドナーウエハにおけるシリコン酸化誘電層を形成して誘電層をハンドルウエハに結合することによって各々のSOI構造を製造した。ドナーウエハを、シリコン層を後に残す従来の方法によって劈開した。シリコンデバイス層がSOI構造縁すなわち、ハンドルウエハの周辺縁まで延在しなかった領域の幅を求めるように、NikonNomarskiOpticalMicroscopeによって各々のSOI構造を分析した。図13からわかるように、平均すると、従来のドナーおよびハンドルウエハaを用いたSOI構造は、SOI構造の中心から、中心から約148.0mm半径の98.7まで延在したシリコン層を有し、新規なドナーウエハおよび従来のハンドルウエハbを用いて製造したSOI構造は、SOI構造の中心から、中心から約148.5mmまで半径の99.0延在したシリコン層を有し、新規なドナーウエハおよび商業的に得られるハンドルウエハを用いて製造したSOI構造cは、SOI構造の中心から、中心から約149mmまで延在したシリコン層を有し、新規なドナーウエハと新規なハンドルウエハを用いて製造するSOI構造dは、中心から約149.3mm半径の99.3まで、SOI構造の中心から、中心から約149.3mmまで半径の99.5延在したシリコン層を有した。新規なドナーおよび/またはハンドルウエハは、好都合に、シリコン層の半径を増加させ、従って、明視野欠陥の数を容認できないレベルまで例えば、6nmの寸法の1以上の欠陥の量または4.8nmよりも大きい寸法の3以上の明視野欠陥の量まで増加させずにデバイス作製のための使用可能な領域を増加させることがわかる。新規なドナーウエハおよび新規なハンドルウエハポリウレタン発泡体パッドによる粗い研磨に続いて、洗浄工程、次いでポリウレタン発泡体パッドによる最終研磨に続いてから製造されたSOI構造のNikonNomarskiOpticalMicroscopeの写真は図5に示される。非結合領域69の幅60は、0.57mmであった。従来のドナーウエハおよび従来のハンドルから製造されたSOI構造すなわち、粗い研磨と最終研磨との間の洗浄工程は無いのNikonNomarskiOpticalMicroscopeの写真は図6に示される。非結合領域69の幅60は、2.28mmであった。本開示またはその好ましい実施形態の要素を導入する場合に、冠詞aanおよびsaidは、1以上の要素があることを意味するように意図される。用語comprising、includingおよびhavingは、包含的であることが意図され、および示された要素以外の付加的な要素があってよいことを意味する。様々な変化は、本開示の技術的範囲から逸脱せずに上記の装置と方法で為され得るので、上記に含まれおよび添付図面に示される全ての事柄は、説明するためでありおよび制限する意味ではないと解釈されるべきであることが意図される。"