金からなるワイヤまたは金からなるバンプが接続されるパッド電極を備えた電子デバイスであって、前記パッド電極は、AlまたはAl合金からなる下地電極と、該下地電極上のTiまたはCrからなる中間膜と、該中間膜上の前記ワイヤまたは前記バンプが接続されるAu膜とが順に積層されてなることを特徴とする電子デバイス。金からなるワイヤまたは金からなるバンプが接続されるパッド電極を備えた電子デバイスであって、前記パッド電極は、AlまたはAl合金からなる下地電極と、Mo、Ta、Tiのいずれか1種またはTiN、TaN、MoNのいずれか1種からなる中間膜と、前記ワイヤまたは前記バンプが接続されるAu膜とが順に形成されており、前記下地電極と前記中間膜との間および前記中間膜と前記Au膜との間には、Cr膜が備えられてなることを特徴とする電子デバイス。金からなるワイヤまたは金からなるバンプが接続されるパッド電極を備えた電子デバイスであって、前記パッド電極は、AlまたはAl合金からなる下地電極と、Mo、Ta、Crのいずれか1種またはTiN、TaN、MoNのいずれか1種からなる中間膜と、前記ワイヤまたは前記バンプが接続されるAu膜とが順に形成されており、前記下地電極と前記中間膜との間および前記中間膜と前記Au膜との間には、Ti膜が備えられてなることを特徴とする電子デバイス。ところで、電子デバイスには、加速度センサ装置、ジャイロセンサ装置や圧力センサ装置などの各種のMEMSMicroElectroMechanicalSystemsや赤外線センサ装置などの電子部品に用いられるもののように、気密封止されたパッケージの内部に収納されるものがある。電子部品は、たとえば、パッケージの内部から外部に延設された配線と、電子デバイスのパッド電極とを金からなるワイヤによりワイヤボンディングして、外部から内部の電子デバイス側と電気的に導通がとれるように構成している。電子部品は、パッケージの内部を気密封止することにより、外部からの異物の混入を抑制し、内部の電子デバイスの保護などすることができる。また、電子部品には、たとえば、電子デバイスを電子部品のパッケージに実装する接着剤から放出されるアウトガスにより気密封止する内部の真空度が低下することを防止するため、アウトガスを吸着するゲッタを備えている。電子部品は、ゲッタを加熱することにより、ゲッタを活性化処理してアウトガスを吸着することができる。そのため、電子部品では、ゲッタを活性化処理する場合、内部の真空度を高めるために、たとえば、パッケージ全体を加熱することにより、ゲッタを活性化処理して内部の真空度を高めている。ここで、電子部品は、ゲッタの活性化処理のために高温たとえば、300~400°C以上に加熱することが必要となる。電子デバイスは、Alからなるパッド電極へ金からなるワイヤの接続後に電子デバイスが高温に加熱された場合、AlAu接合部が、たとえば、AuAl2、Au5Al2やAu4Al等に変質した部位となる場合がある。変質した部位は、空孔などが生じて接着強度が低下する。また、電子デバイスは、たとえば、AlやAl-Siからなるパッド電極がSiO2からなる絶縁膜上に形成されている場合、パッド電極と絶縁膜との界面におけるAlとSiO2または、Al-SiとSiO2の界面構成に、パッド電極全体の変質でAuとSiO2の部位が生成される場合がある。電子デバイスは、パッド電極と絶縁膜との界面構成においてAuとSiO2の部位が増加すると、AlとSiO2または、Al-SiとSiO2の界面構成と比較して接着強度が低下する。また、電子デバイスは、ゲッタの活性化処理のような高温での熱処理が行われるような場合、パッド電極を構成する膜の膜応力に基づく、接着強度の低下もあり、上述の特許文献1の半導体装置や特許文献2の半導体チップのごとき構成だけでは十分ではなく、さらなる改良が求められている。本発明は、上記事由に鑑みて為されたものであり、金からなるワイヤまたは金からなるバンプと、パッド電極との接合強度を、より高めることが可能な電子デバイスを提供することにある。本発明の電子デバイスは、金からなるワイヤまたは金からなるバンプが接続されるパッド電極を備えた電子デバイスであって、上記パッド電極は、AlまたはAl合金からなる下地電極と、該下地電極上のTiまたはCrからなる中間膜と、該中間膜上の上記ワイヤまたは上記バンプが接続されるAu膜とが順に積層されてなることを特徴とする。本発明の電子デバイスは、金からなるワイヤまたは金からなるバンプが接続されるパッド電極を備えた電子デバイスであって、上記パッド電極は、AlまたはAl合金からなる下地電極と、Mo、Ta、Tiのいずれか1種またはTiN、TaN、MoNのいずれか1種からなる中間膜と、上記ワイヤまたは上記バンプが接続されるAu膜とが順に形成されており、上記下地電極と上記中間膜との間および上記中間膜と上記Au膜との間には、Cr膜が備えられてなることを特徴とする。本発明の電子デバイスは、金からなるワイヤまたは金からなるバンプが接続されるパッド電極を備えた電子デバイスであって、上記パッド電極は、AlまたはAl合金からなる下地電極と、Mo、Ta、Crのいずれか1種またはTiN、TaN、MoNのいずれか1種からなる中間膜と、上記ワイヤまたは上記バンプが接続されるAu膜とが順に形成されており、上記下地電極と上記中間膜との間および上記中間膜と上記Au膜との間には、Ti膜が備えられてなることを特徴とする。本発明の電子デバイスは、金からなるワイヤまたは金からなるバンプと、パッド電極との接合強度を、より高めることが可能となる。実施形態1本実施形態の電子デバイス10は、図1に示すように、金からなるワイヤ6が接続されるパッド電極1を備えている。電子デバイス10のパッド電極1は、Al合金からなる下地電極1aと、下地電極1a上のTiまたはCrからなる中間膜1bと、中間膜1b上のワイヤ6が接続されるAu膜1cとが順に積層されている。なお、パッド電極1は、保護膜8に貫設させた貫設孔8aを介して、半導体基体2aa上に形成されている。また、電子デバイス10は、接合部3aによりパッケージ4上に固定されている。金からなるワイヤ6は、電子デバイス10のパッド電極1と、パッケージ4に設けられた電極5とをワイヤボンディングしている。このような電子デバイス10の構造を、図2に示す赤外線アレイセンサ2aに応用し、電子部品の一例として、赤外線検出装置10Aの具体例を図3に示す。図3に示す赤外線センサ装置10Aは、凹状のセラミック製のパッケージ4を備えている。赤外線センサ装置10Aは、接合部3aにより、凹状のパッケージ4の内底面4aに赤外線アレイセンサ2aを実装している。また、赤外線センサ装置10Aは、接合部3aにより、凹状のパッケージ4の内底面4aにゲッタ9を実装している。赤外線センサ装置10Aは、金属製の蓋体に貫通孔7bが貫設されたリッド7を備えている。赤外線センサ装置10Aは、接合部3bにより、半導体材料により形成された赤外線透過部材2cが貫通孔7bを覆うようにリッド7に接合されている。さらに、赤外線センサ装置10Aは、赤外線透過部材2cを備えたリッド7が凹状のパッケージ4を覆うようにシーム溶接されている。赤外線透過部材2cは、Siにより形成されており、外部からの赤外線を集光して赤外線アレイセンサ2aに照射できるように平凸レンズ形状に形成されている。なお、赤外線透過部材2cは、赤外線アレイセンサ2aが検知する所定の波長域の赤外線以外の電磁波の透過を抑制させて、赤外線アレイセンサ2aのセンサ感度を向上させることができる。そのため、赤外線透過部材2cは、赤外線透過部材2cの赤外線入射面側に、所定の赤外線を透過させる誘電体多層膜により形成させたフィルタ図示していないを備えていてもよい。同様に、赤外線透過部材2cは、赤外線透過部材2cの赤外線出射面側に、所定の赤外線を透過させる誘電体多層膜により形成させたフィルタ図示していないを備えていてもよい。赤外線センサ装置10Aは、赤外線透過部材2cを備えたリッド7と凹状のパッケージ4とで囲まれた空間を気密空間10aとしている。赤外線センサ装置10Aは、気密空間10aを真空雰囲気としている。ここで、赤外線センサ装置10Aは、赤外線アレイセンサ2aのパッド電極1と、パッケージ4の内底面4aに設けられた配線パターン図示していないとを、金からなるワイヤ6によってワイヤボンディングしている。赤外線センサ装置10Aは、ワイヤ6により、赤外線アレイセンサ2aのパッド電極1と、パッケージ4上の配線パターンとを電気的に接続させている。赤外線センサ装置10Aは、赤外線アレイセンサ2aの検知出力をワイヤ6や配線パターンを介して赤外線センサ装置10Aの外部へ出力できるように構成している。ここで、赤外線センサ装置10Aのパッケージ4は、たとえば、パッケージ4の内底面4a側に赤外線アレイセンサ2aが実装可能なものであり、セラミックなどから構成することができる。パッケージ4は、たとえば、アルミナを主成分としたセラミックにより形成することができる。パッケージ4は、アルミナを主成分としたセラミックだけでなく、アルミナにガラス系材料を加えることで、たとえば900°C以下の温度で焼成されたLTCCLowTemperatureCofiredCeramicsを用いることができる。パッケージ4は、LTCCの材料として、具体的には、アルミノケイ酸塩系Na2O-Al2O3-Ba2O3-SiO2系のガラス組成物を用いることができる。パッケージ4は、不活性ガスを封入したり真空封止させるなど気密封止のため、ガスバリア性が高いことが要求される。そのため、パッケージ4は、パッケージ4の材料として、窒化アルミニウム、アルミナやシリカ系セラミックを用いることがより好ましい。また、パッケージ4は、金属やシリコン材料により形成させてもよい。パッケージ4は、凹状のセラミック製のパッケージ4の構成だけに限定されず、キャンパッケージに使用されるステムでもよし、半導体ウエハを利用するものでもよい。赤外線センサ装置10Aは、赤外線透過部材2cを備えたリッド7を蓋体として、リッド7と、赤外線アレイセンサ2aが実装されたパッケージ4とを接合して気密封止することで、赤外線センサ装置10Aの内部を気密空間10aとしている。金属製のリッド7とセラミック製のパッケージ4とを気密性よく強固に接合するためには、たとえば、抵抗シーム溶接を行えばよい。そのため、パッケージ4は、パッケージ4上にリッド7と抵抗シーム溶接が可能なように、たとえば、コバールからなるシームリング図示していないが設けられている。なお、パッケージ4は、リッド7と抵抗シーム溶接する場合、シームリングと当接するパッケージ4上にシーム溶接用金属膜たとえば、W膜、Niメッキ膜およびAuメッキ膜などを予め形成しておくことが好ましい。次に、電子デバイス10たる赤外線アレイセンサ2aは、赤外線イメージセンサなどに用いられるものであり、図2aの平面視において、m×n個図示例では、2×2個の熱型赤外線検出部40aを2次元アレイ状に配置して構成している。熱型赤外線検出部40aは、図2cの断面図で示すように、シリコン基板41の一表面側に形成されたシリコン酸化膜42aと、シリコン酸化膜42a上に形成されたシリコン窒化膜42bと、シリコン窒化膜42b上に形成されたセンシングエレメント感温部20と、シリコン窒化膜42bの表面側でセンシングエレメント20を覆うように形成された層間絶縁膜42gと、層間絶縁膜42g上に形成されたパッシベーション膜42iとの積層構造をパターニングすることで赤外線センサ薄膜42を形成してある。赤外線センサ薄膜42の一部は、シリコン基板41における一表面側から形成された空洞45によってシリコン基板41と空間的に分離されている。また、赤外線センサ薄膜42には、空洞45と連通するスリット44が赤外線センサ薄膜42の厚み方向に貫設されている。熱型赤外線検出部40aは、赤外線センサ薄膜42のうちシリコン基板41から空間的に分離された部分が赤外線を吸収する赤外線吸収部21を構成している。熱型赤外線検出部40aは、BPSGBoroPhosphoSilicateGlass膜により層間絶縁膜42gを構成している。熱型赤外線検出部40aは、PSGPhosphoSilicateGlass膜とPSG膜上のNSGNondopedSilicateGlass膜との積層膜によりパッシベーション膜42iを構成している。熱型赤外線検出部40aは、層間絶縁膜42gとパッシベーション膜42iとの積層膜が赤外線吸収膜22を兼ねている。ここで、熱型赤外線検出部40aは、赤外線吸収膜22の屈折率をn、検出対象の赤外線の中心波長をλとするとき、赤外線吸収膜22の厚さtをλ/4nに設定すると、検出対象の波長たとえば、8~12μmの赤外線の吸収効率を高めることができ高感度化を図ることができる。赤外線吸収膜22は、たとえば、n=1.4、λ=10μmである場合にはt≒1.8μmとすればよく、層間絶縁膜42gの膜厚を0.8μm、PSG膜の膜厚を0.5μm、NSG膜の膜厚を0.5μmとしてある。なお、絶縁膜たるパッシベーション膜42iは、PSG膜とNSG膜の積層膜に限らず、シリコン酸化膜として、たとえば、SiO2膜を用いてもよい。また、絶縁膜たるパッシベーション膜42iは、シリコン窒化膜として、たとえば、Si3N4膜を用いてもよい。さらに、絶縁膜たるパッシベーション膜42iは、シリコン酸窒化膜として、たとえば、SiON膜を用いてもよい。熱型赤外線検出部40aのセンシングエレメント20は、サーモパイルを備えている。サーモパイルは、図2bにおける、中央部側の赤外線吸収部21と外周部側の空洞45を囲むシリコン基板41とに跨って形成されたp型ポリシリコン層42eおよびn型ポリシリコン層42cを有している。また、サーモパイルは、赤外線吸収部21の赤外線入射面側でp型ポリシリコン層42eの一端部とn型ポリシリコン層42cの一端部とを電気的に接合した金属材料たとえば、Al-Siなどからなる接続部23を有している。ここで、サーモパイルは、シリコン基板41の一表面側で互いに隣り合う熱電対のp型ポリシリコン層42eの他端部とn型ポリシリコン層42cの他端部とが金属材料たとえば、Al-Siなどからなる配線42hで接合することにより、4個の熱電対が直列接続されている。サーモパイルは、n型ポリシリコン層42cの一端部とp型ポリシリコン層42eの一端部と接続部23とで赤外線吸収部21側の温接点を構成し、p型ポリシリコン層42eの他端部とn型ポリシリコン層42cの他端部と配線42hとでシリコン基板41側の冷接点を構成している。なお、接続部23は、n型ポリシリコン層42cおよびp型ポリシリコン層42eに対して、層間絶縁膜42gに形成したコンタクトホール25を通してそれぞれ、電気的に接続させてある。赤外線吸収部21となる矩形領域の四隅には、赤外線センサ薄膜42の厚み方向に貫通するスリット44をシリコン基板41の一表面側からエッチングにより形成している。スリット44は、各熱電対を熱的に分離させ熱型赤外線検出部40aのセンサ感度を向上させることができる。さらに、赤外線アレイセンサ2aは、赤外線吸収部21の赤外線入射面側に、赤外線センサ薄膜42の応力バランスの均一性を高めることが可能なn型補償ポリシリコン層42dおよび電気的に中性なp型補償ポリシリコン層42fを好適に備えている。n型補償ポリシリコン層42dやp型補償ポリシリコン層42fは、n型ポリシリコン層42cおよびp型ポリシリコン層42eの形成時に、n型ポリシリコン層42cやp型ポリシリコン層42eと同様に成膜などして形成することができる。赤外線センサ薄膜42の厚みは、シリコン基板41の厚みと比較して十分に薄く形成している。赤外線センサ薄膜42の厚みは、上述した赤外線吸収膜22等により構成された赤外線センサ薄膜42の厚みに限られず、たとえば、0.1μm~10μm程度の厚みとすることもできる。なお、赤外線アレイセンサ2aは、個別電極24と共通電極26とを介して、熱型赤外線検出部40の検知出力を外部に出力させることができる。個別電極24および共通電極26は、金からなるワイヤ6が各別に接続されるパッド電極1を構成している。パッド電極1の一部は、赤外線アレイセンサ2aの配線42hを利用して構成している。すなわち、パッド電極1は、配線42hの金属材料と同じAl合金ここでは、Al-Siからなる下地電極1aを備えている。また、パッド電極1は、下地電極1a上に、Au膜とAl膜との反応を防止する反応防止層として知られているTiN膜と比較して、Al-SiのAl合金からなる下地電極1aと接着強度が高く、且つ膜応力が低いTiからなる中間膜1bを備えている。さらに、パッド電極1は、中間膜1b上に、ワイヤ6が接続されるAu膜1cを備えている図1を参照。パッド電極1の中間膜1bは、Au膜とAl膜との反応を防止する反応防止層として知られているTiN膜と比較して、Au膜との接着強度も高い。なお、パッド電極1は、図2の赤外線センサアレイ2aにおいて、層間絶縁膜42g上の配線42hの一部を下地電極1aとして利用している。そのため、赤外線センサアレイ2aは、下地電極1a上のTiからなる中間膜1bと、中間膜1b上のAu膜1cとを形成するため、パッシベーション膜42iに貫設して設けられた貫設孔図示していないを備えている。次に、赤外線センサ装置10Aに用いられるリッド7は、パッケージ4に実装された赤外線アレイセンサ2aを囲ってパッケージ4と気密封止が可能なものである。リッド7には、パッケージ4の内底面4a側に実装させた赤外線アレイセンサ2aに対して窓となる貫通孔7bを有し、貫通孔7bを覆うように赤外線アレイセンサ2aに赤外線を入射させるレンズ形状の赤外線透過部材2cが気密接合してある。なお、赤外線センサ装置10Aは、蓋体として、パッケージ4を封止するリッド7だけに限らずキャンパッケージに用いられるキャップでもよし、半導体ウエハを利用するものでもよい。リッド7は、ノイズの原因となる不要な赤外線が赤外線アレイセンサ2aに入射することを抑制し、パッケージ4と気密接合することが可能なものが好ましい。リッド7とパッケージ4とをシーム溶接する場合、リッド7は、導電性を有することが好ましい。リッド7は、リッド7の材料として、コバール、ステンレスや鉄などを用いることができる。また、赤外線センサ装置10Aは、リッド7をパッケージ4にシーム溶接させる場合、リッド7がパッケージ4或いはシームリングと当接するリッド7の表面にNiメッキ層を設けることが好ましい。接合部3aは、たとえば、ダイボンド樹脂、ガラスフリットや半田などを用いることができる。また、接合部3aは、たとえば、AuSn、AuGeやAuペーストなどを用いてもよい。なお、接合部3aは、接合部3aの接合材料として、Auペーストを利用する場合、サブミクロンオーダのAu粒子と、有機溶剤と、界面活性剤とを混ぜ合わせたスラリーを用いればよい。Auペーストは、Auの融点が通常、1064°Cであるに対し、300°Cの低温においても溶融させて接合に用いることができる。赤外線センサ装置10Aに用いられる赤外線透過部材2cは、リッド7の貫通孔7bを封止するように接合され、図3に示すように平凸レンズ形状に形成している。赤外線透過部材2cは、赤外線透過部材2cの形状として、平凸レンズ形状だけに限られず、たとえば、凹レンズ、シリンドリカルレンズ、楕円球面レンズ、フレネルレンズや回折レンズなどのレンズ形状や板状の平板形状としてもよい。また、赤外線透過部材2cの材料としては、赤外線が透過可能なSiやGeなど半導体材料が好適に用いられるが、これに限られない。なお、赤外線透過部材2cは、赤外線透過部材2cの形状をレンズ形状とするには、たとえば、陽極酸化技術を応用した半導体レンズの形成方法により形成することができる。より具体的には、陽極酸化技術を応用して赤外線透過部材2cとなる半導体レンズを形成するために、所望のレンズ形状に応じてパターン設計した陽極を半導体基板たとえば、シリコン基板の一表面側に半導体基板とオーミック接触をなすように形成する。たとえば、凸レンズ形状の赤外線透過部材2cを形成するために、半導体基板は、半導体基板の一表面上に陽極の基礎となる導電性層を形成した後、導電性層に円形状に開口した部位を設け半導体基板の一表面の一部が円形状に露出するようにパターニングを行う。次に、半導体基板の構成元素の酸化物をエッチング除去可能な電解液中に、半導体基板の他表面における多孔質部の形成予定領域全域を少なくとも浸す。その後、半導体基板の他表面側に対向配置される陰極と陽極との間に通電させ、半導体基板の他表面側に所望形状の多孔質部を陽極酸化により形成する。続いて、半導体基板に形成された多孔質部をエッチングなどにより除去することで、凸レンズ形状の赤外線透過部材2cを形成することができる。なお、所望のレンズ形状に応じてパターン設計した陽極の代わりに、所望のレンズ形状に応じてパターン設計した絶縁層を半導体基板の一表面側に形成し、絶縁層を有する半導体基板の一表面側に導電層を形成する、或いは絶縁層を有する半導体基板の一表面側と電解液を介して通電用電極を対向配置することで、半導体基板の他表面側に、後に除去される多孔質部を形成することもできる。また、導電性層に円形状に開口した部位を設ける代わりに、平面形状が長方形状の陽極を形成すれば、赤外線透過部材2cとして平凹型のシリンドリカルレンズを形成することもできる。赤外線透過部材2cは、ウエハレベルの半導体基板に複数個のレンズ形状を形成し、ダイシングにより各別に個片化することで形成することができる。赤外線センサ装置10Aは、赤外線アレイセンサ2aをパッケージ4に実装する接合部3aなどから放出されるアウトガスにより気密封止する内部の真空度が低下することを防止するため、アウトガスを吸着するゲッタ9を備えている図3を参照。ゲッタ9は、たとえば、ガス吸着膜9aを基体9b上に成膜させて構成している。ガス吸着膜9aは、スパッタリング法により、ジルコニウム合金、Zr-Co合金、Zr-Co-希土類元素合金、Zr-Fe合金、Zr-Ni合金、Ti合金などの非蒸発ゲッタ材料を成膜することで形成することができる。赤外線センサ装置10Aは、たとえば、加熱炉内で赤外線センサ10A全体を加熱たとえば、300°Cないし400°C以上して、ゲッタ9のガス吸着膜9aを活性化処理してアウトガスを吸着することができる。ここで、赤外線センサ装置10Aは、Alからなるパッド電極にAuからなるワイヤを接続した後にゲッタ9のガス吸着膜9aを活性化させる等のため加熱処理される場合、AlAu接合部が、たとえば、AuAl2、Au5Al2やAu4Al等に変質した部位が形成されると考えられる。変質した部位は、空孔などが生じてパッド電極とワイヤとの接合強度が低下する恐れがある。また、ゲッタ9のガス吸着膜9aを活性化するような高温加熱に赤外線アレイセンサ2aが曝されるような場合、赤外線アレイセンサ2aは、パッド電極1を構成する各膜の膜応力により、各膜間の接着強度の低下も顕著になると考えられる。本実施形態の赤外線アレイセンサ2aでは、パッド電極1が、Al合金からなる下地電極1aと、下地電極1a上のTiからなる中間膜1bと、中間膜1b上のAu膜1cとが順に積層されている。ここで、本実施形態の赤外線アレイセンサ2aでは、中間膜1bの材料としてTiを用いているが、中間膜1bの材料としてCrを用いてもよい。これにより、赤外線センサ装置10Aが、ゲッタ9を活性化処理させるような、高温加熱に曝されるような場合においても、Al-SiのAl合金からなる下地電極1aと接着強度が高く、且つパッド電極1を構成する膜の膜応力を低減させることが可能となる。そのため、本実施形態の赤外線アレイセンサ2aは、金からなるワイヤ6とパッド電極1との接合強度を高めることが可能となる。なお、TiまたはCrからなる中間膜1bは、AlやAuと比較して線膨張係数が小さい。そのため、下地電極1aが形成される被形成面が、たとえば、SiO2膜やSiN膜の絶縁膜である場合、TiまたはCrからなる中間膜1bは、絶縁膜と、下地電極1aやAu膜1cとの緩衝材として機能することが可能となる。また、TiまたはCrからなる中間膜1bは、AlやAuとの親和性がよいだけでなく、酸素や窒素との反応性もよい。そのため、下地電極1aが形成される被形成面が、たとえば、SiO2膜やSiN膜の絶縁膜である場合、TiまたはCrからなる中間膜1bを備えたパッド電極1は、パッド電極1と被形成面との接着性を高めることも可能となる。本実施形態の赤外線アレイセンサ2aでは、パッド電極1の下地電極1aの材料をAl-SiのAl合金だけでなく、下地電極1aの材料をAlとした構成であっても、金からなるワイヤ6とパッド電極1との接合強度を高めることが可能となる。また、本実施形態の赤外線アレイセンサ2aでは、パッド電極1に接続させる金からなるワイヤ6の代わりに、金からなるバンプをAu膜1c上に接続させた構成であっても、金からなるバンプとパッド電極1との接合強度を高めることが可能となる。以下、赤外線センサ装置10Aの製造工程の一例について説明する。赤外線センサ装置10Aは、赤外線アレイセンサ2aやゲッタ9をパッケージ4側に接合させるに先立って、接合材料として半田よりなる接合部3aをパッケージ4の内底面4aに設けている。赤外線センサ装置10Aは、接合部3aと、赤外線アレイセンサ2aの接合部3a側となるシリコン基板41とを接合されている。同様に、赤外線センサ装置10Aは、半田よりなる接合部3aと、ゲッタ9の基体9bとを接合させている。これにより、赤外線センサ装置10Aの製造工程は、凹状のパッケージ4の内底面4aに赤外線アレイセンサ2aおよびゲッタ9を実装することができる。続いて、赤外線センサ装置10Aの製造工程では、金からなるワイヤ6により、赤外線アレイセンサ2aの個別電極24や共通電極26と、パッケージ4の配線パターンの一部に形成させた電極5とをワイヤボンディングして電気的に接続する。ここで、個別電極24や共通電極26は、赤外線アレイセンサ2aのAl-Siからなる配線42hの一部を下地電極1aとして利用している。個別電極24や共通電極26は、パッシベーション膜42iに貫設して設けられた貫設孔図示していないを埋めるように、下地電極1a上のTiからなる中間膜1bと、中間膜1b上のAu膜1cとを順にスパッタリング法などを利用して積層させて形成している。また、赤外線センサ装置10Aでは、赤外線アレイセンサ2aやリッド9をパッケージ4に実装することとは別途に、赤外線透過部材2cをリッド7に接合させている。赤外線センサ装置10Aは、赤外線透過部材2cをリッド7側に接合させるに先立って、メッキ法により、Auを含む接合材料としてAu-Snの接合部3bを、リッド7上に設けている。接合部3bは、リッド7に貫設された貫通孔7bの周部であって、リッド7に形成された金属からなる下地層上に設けている。なお、接合部3bは、メッキ法により形成させるだけでなく、スパッタリング法や蒸着法により形成させたものでもよい。また、接合部3bは、Au-Snからなるリボン状の薄膜をレーザ溶着により溶融させて、リッド7に設けたものでもよい。赤外線センサ装置10Aは、接合部3bがAuを含む接合材料としてAu-Snからなり、赤外線透過部材2cがSiからなる母材材料で構成している。リッド7の接合部3bは、たとえば、内部を所定の真空度とした加熱炉図示していない内で、リッド7に設けたAu-Snからなる接合部3bを溶融する温度ここでは、278°C以上に加熱する。加熱炉は、リッド7ごと接合部3bを加熱して接合材料を溶融し液相状態にすることができる。続いて、加熱炉内において、加熱による溶融により液相状態にした接合材料に、固相状態である赤外線透過部材2cを接触させる接触工程を行う。なお、接合部3bを溶融する加熱は、加熱炉によるものだけに限られない。したがって、接合部3bは、たとえば、レーザ光を照射して液相状態に溶融させることもできる。続いて、接触工程後に、加熱炉の温度を上昇させ、Auと赤外線透過部材2cの母材材料を構成する元素ここでは、Siとの合金ここでは、Au-Siの融点ここでは、363°Cの温度以上に加熱して赤外線透過部材2cをリッド7側に接合する接合工程を行う。ここで、赤外線透過部材2cと接合部3bとの固液界面近傍では、AuSn中にSiが析出などする、あるいはSi中にAuやSnが析出などする。これにより、赤外線センサ装置10Aの製造工程では、リッド7の貫通孔7bを覆って塞ぐように、赤外線透過部材2cをリッド7に接合することができる。その後、赤外線センサ装置10Aの内部に気密空間10aを形成するように、パッケージ4と、赤外線透過部材2cを備えたリッド7とをシーム溶接する。具体的には、赤外線センサ装置10Aの製造工程は、赤外線アレイセンサ2aなどが実装されたパッケージ4を覆うように、シームリングを介して、リッド7を真空雰囲気でシーム溶接し気密封止する。赤外線センサ装置10Aの製造工程は、加熱炉内において、ゲッタ9のガス吸着膜9aを活性化させる加熱処理を行うことにより、赤外線センサ装置10Aを形成することができる。本実施形態の電子デバイス10たる赤外線アレイセンサ2aは、パッド電極1において、Al-Siからなる下地電極1aと、Au膜1cとが直接接することがない。そのため、パッド電極1は、赤外線センサ装置10の製造工程で温度が高くなるような場合においても、パッド電極1と接続されるワイヤ6との接着強度の低下を抑制することが可能となる。なお、上述の赤外線センサ装置10Aの代わりに図4に示す加速度センサ装置10Bとし、電子デバイス10に加速度センサ素子2dを用いた場合でも金からなるワイヤ6と、パッド電極1との接合強度をより高めることができる。加速度センサ素子2dは、図4に示すように、支持部2daと、支持部2daに揺動自在に支持されたカンチレバー部2dbとを備えたベース基板と、ベース基板の一表面側においてカンチレバー部2dbに形成されカンチレバー部2dbの撓みに応じて抵抗値が変化する歪検知センサ部2ddとを備えている。歪検知センサ部2ddは、図示していないが、それぞれ歪み検出素子として2個ずつのピエゾ抵抗が形成されており、ブリッジ回路を構成するように接続されている。なお、ベース基板は、カンチレバー部2dbを介して、支持部2daと対向する側に錘部2dcを備えている。加速度センサ素子2dは、外力すなわち、加速度が作用すると、支持部2daと錘部2dcとの位置が相対的に変位し、カンチレバー部2dbが撓むことによって、歪検知センサ部2ddにおけるピエゾ抵抗の抵抗値が変化する。加速度センサ素子2dは、ピエゾ抵抗の抵抗値の変化を検出することにより加速度を検出することができる。ここで、加速度センサ素子2dのベース基板は、たとえば、SOI基板や単結晶のシリコン基板などを用いて形成している。したがって、歪検知センサ部2ddは、図示していない配線を用いてパッド電極1と電気的に接続している。加速度センサ素子2dのパッド電極1は、Al合金からなる下地電極1aを備えている。また、パッド電極1は、下地電極1a上にTiからなる中間膜1bを備えている。さらに、パッド電極1は、ワイヤ6が接続されるAu膜1cを備えている。これにより、加速度センサ素子2dは、金からなるワイヤ6と、パッド電極1との接合強度を高めることが可能となる。実施形態2図5に示す電子デバイス10は、実施形態1の電子デバイス10のパッド電極1の構成以外は、略同一の構造としている。本実施形態の電子デバイス10は、AlまたはAl合金からなる下地電極1aと、Mo、Ta、Tiのいずれか1種またはTiN、TaN、MoNのいずれか1種から構成される中間膜1bと、Au膜1cとが順に形成されている。また、本実施形態の電子デバイス10は、下地電極1aと中間膜1bとの間および中間膜1bとAu膜1aとの間には、Cr膜1baが形成されている。なお、実施形態1と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を適宜省略している。本実施形態の電子デバイス10は、たとえば、金からなるワイヤ6が接続されるパッド電極1を備えている。パッド電極1は、Al合金からなる下地電極1aと、TiNからなる中間膜1bと、ワイヤ6が接続されるAu膜1cとが順に形成されている。さらに、パッド電極1は、下地電極1aと中間膜1bとの間および中間膜1bとAu膜1cとの間には、Cr膜1baが備えられてなる。ここで、パープルプレーグの発生を防止することができるとされるTiNは、Au膜、Al膜やAl合金膜との接着強度が低い傾向にある。そのため、本実施形態の電子デバイス10に用いられるパッド電極1は、中間膜1bとAu膜1cとの接着強度、中間膜1bとAlやAl合金からなる下地電極1aとの接着強度を、より向上することができる。なお、本実施形態の電子デバイス10は、下地電極1aとしてAl合金だけでなくAlを用いてもよい。また、本実施形態の電子デバイス10は、中間膜1bとしてTiNの代わりに、Mo、Ta、Tiのいずれか1種の金属を用いてもよい。同様に、本実施形態の電子デバイス10は、中間膜1bとしてTiNの代わりに、TaNあるいは、MoNの金属窒化物を用いてもよい。さらに、本実施形態の電子デバイス10は、金からなるワイヤ6を接続させる代わりに、金からなるバンプを接続させてもよい。本実施形態の電子デバイス10は、AlまたはAl合金から成る下地電極1a上にAu膜1cが直接積層されたパッド電極と、金からなるワイヤまたはバンプとを接続させたものと比較して、パッド電極1のワイヤ6との接合強度を、高めることが可能となる。実施形態3本実施形態の電子デバイス10は、図5に示す実施形態2の電子デバイス10と略同一の構造としている。本実施形態の電子デバイス10は、実施形態2の電子デバイス10のパッド電極1における特定の中間膜1bの代わりに、Mo、Ta、Crのいずれか1種またはTiN、TaN、MoNのいずれか1種からなる中間膜1bを用いている。同様に、本実施形態の電子デバイス10は、実施形態2の電子デバイス10のパッド電極1における下地電極1aと中間膜1bとの間および中間膜1bとAu膜1cとの間にCr膜1baを備える代わりに、Ti膜を備えている。なお、実施形態2と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を適宜省略している。本実施形態の電子デバイス10は、たとえば、金からなるワイヤ6が接続されるパッド電極1を備えている。電子デバイス10のパッド電極1は、Al合金からなる下地電極1aと、TiNからなる中間膜1bと、ワイヤ6が接続されるAu膜1cとが順に形成されている。電子デバイス10のパッド電極1は、下地電極1aと中間膜1bとの間および中間膜1bとAu膜1cとの間には、Ti膜が備えられてなる。ここで、パープルプレーグの発生を防止することができるとされるTiNは、Au膜、Al膜やAl合金膜との接着強度が低い傾向にある。そのため、本実施形態の電子デバイス10に用いられるパッド電極1は、中間膜1bとAu膜1cとの接着強度、中間膜1bとAlやAl合金からなる下地電極1aとの接着強度を、より向上することができる。Ti膜は、パッド電極1を構成する膜の接合強度を高めるだけでなく、AuやAlの拡散を抑制することもできる。パッド電極1は、下地電極1aと中間膜1bとの間および中間膜1bとAu膜1cとの間のTi膜を、たとえば、AuやAlの拡散を抑制できるTiの膜厚で成膜すればよい。なお、本実施形態の電子デバイス10は、下地電極1aとしてAl合金だけでなくAlを用いてもよい。また、本実施形態の電子デバイス10は、中間膜1bとしてTiNの代わりに、Mo、Ta、Crのいずれか1種の金属を用いてもよい。同様に、本実施形態の電子デバイス10は、中間膜1bとしてTiNの代わりに、TaNあるいは、MoNのいずれかの金属窒化物を用いてもよい。さらに、本実施形態の電子デバイス10は、金からなるワイヤ6を接続させる代わりに、金からなるバンプを接続させてもよい。本実施形態の電子デバイス10は、AlまたはAl合金から成る下地電極1a上にAu膜1cが直接積層されたパッド電極1と、金からなるワイヤ6またはバンプとを接続させたものと比較して、パッド電極1のワイヤ6またはバンプとの接合強度を、高めることが可能となる。