"複数のノズルが形成されているノズル基板と、前記ノズル基板上に配置されている振動板の間の空間が隔壁により隔てられている複数の液室を有するインクジェットヘッドであって、前記振動板の前記隔壁により隔てられている空間上に、共通電極、圧電体及び個別電極が順次積層されている圧電素子が形成されており、前記共通電極は、前記隔壁上に延在しており、前記圧電素子が形成されている前記振動板上に、第一の開口部が形成されている第一の絶縁膜及び第二の開口部が形成されている第二の絶縁膜が順次積層されており、前記第一の開口部及び前記第二の開口部を介して、前記個別電極から前記共通電極の一部を含む領域上に第一の配線が引き出されており、前記第二の絶縁膜と前記第一の配線を含む領域との間に、前記第一の配線が引き出されている第三の開口部が形成されている第三の絶縁膜が形成されており、前記第一の配線上に、前記第一の配線と駆動回路を電気的に接続する第二の配線が引き出されている第四の開口部が形成されている第四の絶縁膜が形成されており、前記第三の絶縁膜及び前記第四の絶縁膜は、前記隔壁により隔てられている空間上の前記第一の配線を含む領域を除く領域に形成されていないことを特徴とするインクジェットヘッド。前記第三の絶縁膜及び前記第四の絶縁膜は、エッチングすることにより形成されており、前記第二の絶縁膜は、前記エッチングする際のマスク層であることを特徴とする請求項1に記載のインクジェットヘッド。前記第二の絶縁膜は、ALD法により形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のインクジェットヘッド。前記第二の絶縁膜は、前記第三の絶縁膜が形成されている領域の膜厚が前記第三の絶縁膜が形成されていない領域の膜厚よりも大きいことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項記載のインクジェットヘッド。前記第二の絶縁膜は、前記第三の絶縁膜が形成されていない領域の膜厚が5nm以上40nm以下であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のインクジェットヘッド。前記第一の絶縁膜は、膜厚が20nm以上100nm以下であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載のインクジェットヘッド。前記第一の絶縁膜は、ALD法により形成されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載のインクジェットヘッド。請求項1乃至7のいずれか一項に記載のインクジェットヘッドを有することを特徴とするインクジェット記録装置。本発明は、上記従来技術が有する問題に鑑み、大気中の水分による圧電体の劣化を抑制すると共に、高密度化しても小型化することが可能なインクジェットヘッド及び該インクジェットヘッドを有するインクジェット記録装置を提供することを目的とする。請求項1に記載の発明は、複数のノズルが形成されているノズル基板と、前記ノズル基板上に配置されている振動板の間の空間が隔壁により隔てられている複数の液室を有するインクジェットヘッドであって、前記振動板の前記隔壁により隔てられている空間上に、共通電極、圧電体及び個別電極が順次積層されている圧電素子が形成されており、前記共通電極は、前記隔壁上に延在しており、前記圧電素子が形成されている前記振動板上に、第一の開口部が形成されている第一の絶縁膜及び第二の開口部が形成されている第二の絶縁膜が順次積層されており、前記第一の開口部及び前記第二の開口部を介して、前記個別電極から前記共通電極の一部を含む領域上に第一の配線が引き出されており、前記第二の絶縁膜と前記第一の配線を含む領域との間に、前記第一の配線が引き出されている第三の開口部が形成されている第三の絶縁膜が形成されており、前記第一の配線上に、前記第一の配線と駆動回路を電気的に接続する第二の配線が引き出されている第四の開口部が形成されている第四の絶縁膜が形成されており、前記第三の絶縁膜及び前記第四の絶縁膜は、前記隔壁により隔てられている空間上の前記第一の配線を含む領域を除く領域に形成されていないことを特徴とする。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のインクジェットヘッドにおいて、前記第三の絶縁膜及び前記第四の絶縁膜は、エッチングすることにより形成されており、前記第二の絶縁膜は、前記エッチングする際のマスク層であることを特徴とする。請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載のインクジェットヘッドにおいて、前記第二の絶縁膜は、ALD法により形成されていることを特徴とする。請求項4に記載の発明は、請求項1乃至3のいずれか一項に記載のインクジェットヘッドにおいて、前記第二の絶縁膜は、前記第三の絶縁膜が形成されている領域の膜厚が前記第三の絶縁膜が形成されていない領域の膜厚よりも大きいことを特徴とする。請求項5に記載の発明は、請求項1乃至4のいずれか一項に記載のインクジェットヘッドにおいて、前記第二の絶縁膜は、前記第三の絶縁膜が形成されていない領域の膜厚が5nm以上40nm以下であることを特徴とする。請求項6に記載の発明は、請求項1乃至5のいずれか一項に記載のインクジェットヘッドにおいて、前記第一の絶縁膜は、膜厚が20nm以上100nm以下であることを特徴とする。請求項7に記載の発明は、請求項1乃至6のいずれか一項に記載のインクジェットヘッドにおいて、前記第一の絶縁膜は、ALD法により形成されていることを特徴とする。請求項8に記載の発明は、インクジェット記録装置において、請求項1乃至7のいずれか一項に記載のインクジェットヘッドを有することを特徴とする。本発明によれば、大気中の水分による圧電体の劣化を抑制すると共に、高密度化しても小型化することが可能なインクジェットヘッド及び該インクジェットヘッドを有するインクジェット記録装置を提供することができる。次に、本発明を実施するための形態を図面と共に説明する。図1に、本発明のインクジェットヘッドの一例を示す。なお、図1bは、図1aに対して、垂直な方向の断面図である。インクジェットヘッド100は、複数の液室110が形成されている。複数の液室110は、複数のノズル111aが形成されているノズル基板111と、ノズル基板111上に配置されている振動板112a及び隔壁112bを有する液室基板112が、接着剤等を用いて接合することにより形成されている。即ち、複数の液室110は、ノズル基板111と振動板112aの間の空間が隔壁112bにより隔てられている。なお、図1には、単一の液室110のみが記載されているが、インクジェットヘッド100は、図1bの横方向に、複数の液室110が配列している。また、振動板112a上に、共通電極121が形成されており、共通電極121の隔壁112bにより隔てられている空間上に、それぞれ圧電体122及び個別電極123が順次積層されている。即ち、振動板112aの隔壁112bにより隔てられている空間上に、それぞれ圧電素子120が形成されている。さらに、圧電素子120が形成されている振動板112a上に、それぞれの個別電極123に対応する開口部131aが形成されている絶縁膜131及びそれぞれの個別電極123に対応する開口部132aが形成されている絶縁膜132が順次積層されている。このとき、それぞれの開口部131a及び132aを介して、それぞれの個別電極123から共通電極121の一部を含む領域上に、それぞれの配線140が引き出されている。また、絶縁膜132と配線140を含む領域との間に、それぞれの配線140が引き出されている開口部133aが形成されている絶縁膜133が形成されており、開口部131a、132a及び133aは、コンタクトホールを形成している。さらに、それぞれの配線140上に、それぞれの配線140と駆動回路不図示を電気的に接続する配線不図示が引き出されているコンタクトホール134aが形成されている絶縁膜134が形成されている。また、絶縁膜133及び絶縁膜134は、隔壁112bにより隔てられている空間上の配線140を含む領域を除く領域に形成されていない。一方、絶縁膜131及び132には、それぞれ開口部131b及び132bが形成されており、開口部131b及び132bを介して、共通電極121から共通電極121の一部を含む領域上に、配線150が引き出されている。また、絶縁膜132と配線150を含む領域との間に、配線150が引き出されている開口部133bが形成されている絶縁膜133が形成されており、開口部131b、132b及び133bは、コンタクトホールを形成している。さらに、配線150上に、配線150と駆動回路不図示を電気的に接続する配線不図示が引き出されているコンタクトホール134bが形成されている絶縁膜134が形成されている。絶縁膜131は、それぞれの開口部131a及び開口部131bを除いて、圧電素子120が形成されている振動板112aを被覆しており、圧電素子120のエッチングを抑制する保護膜である。絶縁膜131を構成する材料としては、特に限定されないが、圧電素子120の劣化の抑制、振動板112aの変位の点から、Al2O3、ZrO2、Y2O3、Ta2O3、TiO2等の酸化物、窒化物、炭化物等が挙げられ、二種以上併用してもよい。絶縁膜131は、膜厚が20~100nmであることが好ましい。絶縁膜131の膜厚が20nm未満であると、圧電素子120が劣化することがあり、100nmを超えると、振動板112aの変位が阻害されることがある。絶縁膜131を形成する方法としては、特に限定されないが、圧電素子120の劣化の抑制の点から、蒸着法、ALD法等が好ましく、使用できる材料の選択肢が広いことから、ALD法がさらに好ましい。絶縁膜132は、絶縁膜131と同様に、それぞれの開口部132a及び開口部132bを除いて、圧電素子120が形成されている振動板112aを被覆している。このとき、絶縁膜132は、後述する絶縁膜133をエッチングする際のマスク層であり、オーバーエッチングにより、絶縁膜133が形成されている領域の膜厚が、絶縁膜133が形成されていない領域の膜厚よりも大きい。このため、圧電素子の変位の阻害を抑制することができ、インクジェットヘッド100は、吐出特性に優れる。絶縁膜132を構成する材料としては、特に限定されないが、ZrO2、Y2O3、Ta2O3、TiO2、SiO2等の酸化物が挙げられ、二種以上併用してもよい。絶縁膜132の絶縁膜133が形成されている領域の膜厚は、通常、20~100nmである。絶縁膜132の絶縁膜133が形成されている領域の膜厚が20nm未満であると、絶縁膜133が形成されていない領域の絶縁膜131がエッチングされることがあり、100nmを超えると、振動板112aの変位が阻害されることがある。絶縁膜132の絶縁膜133が形成されていない領域の膜厚は、通常、5~40nmである。絶縁膜132の絶縁膜133が形成されていない領域の膜厚が5nm未満であると、絶縁膜133が形成されていない領域の絶縁膜131がエッチングされることがあり、40nmを超えると、圧電素子120の変位が阻害されることがある。絶縁膜132を形成する方法としては、特に限定されないが、圧電素子120の劣化の抑制の点から、蒸着法、ALD法等が好ましく、使用できる材料の選択肢が広いことから、ALD法がさらに好ましい。絶縁膜133は、配線140と共通電極121の間に、絶縁膜131及び132と共に形成されており、配線140と共通電極121の間の絶縁破壊を抑制する層間保護膜である。これにより、個別電極123と配線140の配置の自由度が高くなり、インクジェットヘッド100を高密度化しても、小型化することができる。また、絶縁膜133は、エッチングにより、配線140を含む領域を除いて、隔壁112bにより隔てられている空間上に形成されていないため、圧電素子120の変位の阻害を抑制することができ、インクジェットヘッド100は、吐出特性に優れる。絶縁膜133を構成する材料としては、特に限定されないが、配線140との密着性の点から、SiO2等の酸化物、窒化物、炭化物等の無機材料が挙げられ、二種以上併用してもよい。絶縁膜133の膜厚は、通常、200nm以上であり、500nm以上が好ましい。絶縁膜133の膜厚が200nm未満であると、共通電極121と配線140に印加される電圧で絶縁破壊されることがある。絶縁膜133を形成する方法としては、特に限定されないが、プラズマCVD法、スパッタリング法等が挙げられ、等方的に成膜できる点から、プラズマCVD法が好ましい。絶縁膜133をエッチングする方法としては、特に限定されないが、フォトリソグラフィーとドライエッチングを用いる方法が挙げられる。それぞれの開口部131a、132a及び133aからなるコンタクトホール及び開口部131b、132b及び133bからなるコンタクトホールを形成する方法としては、特に限定されないが、フォトリソグラフィーとドライエッチングを用いる方法が挙げられる。絶縁膜134は、それぞれの開口部134a及び開口部134bを除いて、配線140及び150を被覆しており、配線140及び150を保護するパシベーション層である。このとき、絶縁膜134は、絶縁膜133と同様に、配線140を含む領域を除いて、隔壁112bにより隔てられている空間上に形成されていないため、圧電素子120の変位の阻害を抑制することができ、インクジェットヘッド100は、吐出特性に優れる。絶縁膜134を構成する材料としては、特に限定されないが、酸化物、窒化物、炭化物等の無機材料、ポリイミド、アクリル樹脂、ウレタン樹脂等の有機材料が挙げられ、二種以上併用してもよい。中でも、エッチングによりパターニングできることから、無機材料が好ましい。絶縁膜134の膜厚は、通常、200nm以上であり、500nm以上が好ましい。絶縁膜134の膜厚200nm未満であると、配線140及び150が腐食して断線が発生することがある。絶縁膜134を形成する方法としては、特に限定されないが、プラズマCVD法、スパッタリング法等が挙げられ、等方的に成膜できる点から、プラズマCVD法が好ましい。絶縁膜134をエッチングする方法としては、特に限定されないが、フォトリソグラフィーとドライエッチングを用いる方法が挙げられる。ノズル基板111を構成する材料としては、特に限定されないが、ステンレス鋼、ポリイミド等が挙げられる。液室基板112は、Si、SiO2、Si3N4がプラズマCVD法により積層されている振動板112aが形成されている面方位100のシリコン単結晶基板を異方性エッチングすることにより形成することができる。液室基板112の厚さは、通常、100~600μmである。圧電体122として、線膨張係数が8×10-6[1/K]であるPZTを用いる場合、振動板112aの線膨張係数は、5×10-6~1×10-5[1/K]であることが好ましく、7×10-6~9×10-6[1/K]がさらに好ましい。このような振動板112aを構成する材料としては、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化イリジウム、酸化ルテニウム、酸化タンタル、酸化ハフニウム、酸化オスミウム、酸化レニウム、酸化ロジウム、酸化パラジウム等が挙げられ、二種以上併用してもよい。このような振動板112aを形成する方法としては、特に限定されないが、スパッタ法、ゾルゲル法等が挙げられる。振動板112aの厚さは、通常、0.1~10μmであり、0.5~3μmが好ましい。振動板112aの厚さが0.1μm未満であると、加工が困難になることがあり、10μmを超えると、振動板112aが変位しにくくなることがある。共通電極121を構成する材料としては、特に限定されないが、導電性金属酸化物が挙げられる。導電性金属酸化物は、一般式ABO3式中、Aは、Sr、Ba、Ca又はLaであり、Bは、Ru、Co又はNiである。で表される化合物を主成分とする複合金属酸化物であることが好ましい。このような複合金属酸化物の具体例としては、SrRuO3、CaRuO3、Sr1-xCaxRuO3、LaNiO3、SrCoO3、La1-ySryNi1-yCoyO3等が挙げられる。複合金属酸化物以外の導電性金属酸化物としては、IrO2、RuO2が挙げられる。共通電極121は、金属及び導電性金属酸化物の積層体であってもよい。金属としては、特に限定されないが、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Ptの白金族元素、白金族元素の合金等が挙げられる。振動板112aとの密着性を向上させるために、Ti、TiO2、TiN、Ta、Ta2O5、Ta3N5等の上に、金属及び導電性金属酸化物の積層体を形成することが好ましい。共通電極121を形成する方法としては、特に限定されないが、スパッタ法、ゾルゲル法等が挙げられる。圧電体122を構成する材料としては、特に限定されないが、PZT等の複合金属酸化物が挙げられる。PZTとは、ジルコン酸鉛PbZrO3とチタン酸鉛PbTiO3の固溶体である。一般的に優れた圧電特性を示すPZTは、PbZr0.53Ti0.47O3である。PZT以外の複合金属酸化物としては、チタン酸バリウム等が挙げられる。複合金属酸化物は、一般式ABO3式中、Aは、Pb、Ba又はSrであり、Bは、Ti、Zr、Sn、Ni、Zn、Mg又はNbである。で表される化合物を主成分とする。このような複合金属酸化物の具体例としては、Pb1-xBaxZr,TiO3、Pb1-xSrxZr,TiO3が挙げられる。これらは、PZTのPbの一部をBa又はSrで置換した化合物である。PZTのPbは、2価の元素により置換することができ、熱処理中の鉛の蒸発による特性の劣化を低減させることができる。圧電体122を形成する方法としては、特に限定されないが、スパッタ法、ゾルゲル法等が挙げられる。圧電体122をパターニングする方法としては、特に限定されないが、フォトリソエッチング等が挙げられる。個別電極123を構成する材料としては、特に限定されないが、導電性金属酸化物が挙げられる。導電性金属酸化物は、一般式ABO3式中、Aは、Sr、Ba、Ca又はLaであり、Bは、Ru、Co又はNiである。で表される化合物を主成分とする複合金属酸化物であることが好ましい。このような複合金属酸化物の具体例としては、SrRuO3、CaRuO3、Sr1-xCaxRuO3、LaNiO3、SrCoO3、La1-ySryNi1-yCoyO3等が挙げられる。複合金属酸化物以外の導電性金属酸化物としては、IrO2、RuO2が挙げられる。個別電極123は、導電性金属酸化物及び金属の積層体であってもよい。金属としては、特に限定されないが、白金、イリジウム等の白金族元素、白金-ロジウム合金等の白金族元素の合金、Ag合金、Cu、Al、Au等が挙げられる。個別電極123を形成する方法としては、特に限定されないが、スパッタ法、ゾルゲル法等が挙げられる。個別電極123をパターニングする方法としては、特に限定されないが、フォトリソエッチング等が挙げられる。配線140及び150を構成する材料としては、特に限定されないが、Ag合金、Cu、Al、Au、Pt、Ir等が挙げられる。配線140及び150を形成する方法としては、特に限定されないが、スパッタ法、スピンコート法等が挙げられる。配線140及び150をパターニングする方法としては、特に限定されないが、フォトリソエッチング等が挙げられる。配線140及び150は、絶縁膜133を部分的に表面改質させることにより、インクジェット法を用いてパターニングすることができる。例えば、絶縁膜133を構成する材料が酸化物である場合、シラン化合物を用いて表面改質することができる。その結果、インクジェット法を用いて、表面エネルギーを増大させた領域に、高精細なパターンを直接描画することができる。配線140及び150は、導電性ペーストを用いてスクリーン印刷することによりパターニングすることができる。導電性ペーストの市販品としては、金ペーストのパーフェクトゴールド登録商標真空冶金社製、銅ペーストのパーフェクトカッパー真空冶金社製、印刷用透明PEDOT/PSSインクのOrgaconPastevariant1/4、Pastevariant1/3以上、日本アグファゲバルト社製、カーボン電極ペーストのOrgaconCarbonPastevariant2/2日本アグファゲバルト社製、PEDT/PSS水溶液のBAYTRON登録商標P日本スタルクヴィテック社製等が挙げられる。配線140及び150の厚さは、通常、0.1~20μmであり、0.2~10μmが好ましい。配線140及び150の厚さが0.1μm未満であると、配線140及び150の抵抗が大きくなることがあり、20μmを超えると、プロセス時間が長くなることがある。図2に、本発明のインクジェット記録装置の一例を示す。なお、図2a及びbは、それぞれ斜視図及び機構部の側面図である。インクジェット記録装置200は、本体201の内部に、主走査方向に移動可能なキャリッジ202、キャリッジ202に搭載されているインクジェットヘッド203、インクカートリッジ204で構成される印字機構部205が収納されている。また、インクジェット記録装置200は、本体201の下方部に、前方側から用紙Pを積載することが可能な給紙カセット206を抜き差し自在に装着することができ、用紙Pを手差しで給紙するための手差しトレイ207を開倒することができる。インクジェット記録装置200は、給紙カセット206又は手差しトレイ207から給送される用紙Pを取り込み、印字機構部205で画像を記録した後、後面側に装着された排紙トレイ208に排紙する。キャリッジ202は、左右の側板不図示に横架されている主ガイドロッド209と従ガイドロッド210により、主走査方向に摺動自在に保持されている。キャリッジ202には、イエローY、シアンC、マゼンタM及びブラックBkの各色のインクを吐出するインクジェットヘッド203が、複数のノズルが主走査方向と交差する方向に配列し、インクを吐出する方向が下方になるように、装着されている。キャリッジ202には、インクジェットヘッド203に各色のインクを供給するための各インクカートリッジ204が交換可能に装着されている。インクカートリッジ204は、大気と連通する大気口不図示が上方に形成されており、インクジェットヘッド203にインクを供給するための供給口不図示が下方に形成されており、インクが充填されている多孔質体不図示が内部に設置されている。このとき、多孔質体の毛管力により、インクジェットヘッド203に供給されるインクをわずかな負圧に維持している。なお、各色のインクを吐出するインクジェットヘッド203を配列する代わりに、各色のインクを吐出する1個のインクジェットヘッドを設置してもよい。ここで、キャリッジ202は、用紙Pを搬送する方向に対して下流側が、主ガイドロッド209により摺動自在に嵌装されており、用紙Pを搬送する方向に対して上流側が、従ガイドロッド210により摺動自在に載置されている。そして、主走査モーター211により回転駆動される駆動プーリ212と従動プーリ213との間に、タイミングベルト214が張装されており、タイミングベルト214をキャリッジ202に固定している。このため、主走査モーター211を回転させることにより、キャリッジ202を主走査方向に移動走査することができる。一方、給紙カセット206に積載された用紙Pをインクジェットヘッド203の下方側に搬送するために、給紙カセット206から用紙Pを分離給装する給紙ローラ215及びフリクションパッド216と、用紙Pを案内するガイド部材217と、給紙された用紙Pを反転させて搬送する搬送ローラ218と、搬送ローラ218の周面に押し付けられる搬送コロ219及び搬送ローラ218から用紙Pを送り出す角度を規定する先端コロ220が設置されている。搬送ローラ218は、副走査モーター221によりギヤ列不図示を介して回転駆動される。そして、キャリッジ202の主走査方向の移動範囲に対応して、搬送ローラ218から送り出された用紙Pをインクジェットヘッド203の下方側で案内するガイド部材222が設置されている。ガイド部材222の用紙Pを搬送する方向に対して下流側には、用紙Pを排紙する方向に送り出すために回転駆動される搬送コロ223及び拍車224が設置されている。さらに、搬送コロ223及び拍車224により送り出された用紙Pを案内するガイド部材225及び226、ガイド部材225及び226により案内された用紙Pを排紙トレイ208に送り出す排紙ローラ227及び拍車228が設置されている。用紙Pに画像を記録する時は、キャリッジ202を移動させながら、画像信号に応じてインクジェットヘッド203を駆動することにより、停止している用紙Pにインクを吐出して1行分を記録した後、用紙Pを搬送する操作を繰り返す。画像の記録が終了した信号又は用紙Pの後端が記録領域に到達した信号を受けると、画像を記録する動作を終了し、用紙Pを排紙する。また、キャリッジ202が移動する方向に対して右端側の記録領域を外れた位置には、インクジェットヘッド203の吐出不良を回復するための回復装置229が設置されている。回復装置229は、キャップ手段不図示、吸引手段不図示及びクリーニング手段不図示を有する。キャリッジ202は、待機中に、回復装置229の側に移動してキャッピング手段によりインクジェットヘッド203がキャッピングされ、ノズルを湿潤状態に保持することにより、インクの乾燥による吐出不良を防止する。また、画像を記録する途中等に画像の記録と関係しないインクを吐出することにより、全てのノズルにおけるインクの粘度を一定にして、安定した吐出性能を維持することができる。なお、吐出不良が発生した場合等には、キャッピング手段によりインクジェットヘッド203のノズルを密封し、吸引手段により、チューブを通して、ノズルからインク、気泡等を吸い出し、クリーニング手段により、ノズルに付着したインク、ゴミ等を除去して、吐出不良を回復することができる。このとき、吸引手段により吸引されたインクは、本体201の下部に設置された廃インク溜不図示に排出され、廃インク溜の内部に設置されているインク吸収体に吸収保持される。[PZT前駆体溶液の合成]酢酸鉛三水和物をメトキシエタノールに溶解させた後、脱水し、酢酸鉛三水和物のメトキシエタノール溶液を得た。一方、イソプロポキシドチタン、イソプロポキシドジルコニウムをメトキシエタノールに溶解させた後、アルコール交換反応及びエステル化反応を進行させた。次に、酢酸鉛三水和物のメトキシエタノール溶液を加え、0.5mol/LのPZT前駆体溶液を得た。このとき、熱処理中のいわゆる鉛抜けによる結晶性の低下を防ぐため、化学量論組成に対して、鉛を10mol過剰にした。[実施例1]シリコンウェハ上に、膜厚が1μmの熱酸化膜振動板112aを形成し、熱酸化膜上に、膜厚が50nmのチタン膜、膜厚が200nmの白金膜及び膜厚が100nmのSrRuO3膜の積層体をスパッタにより成膜した。次に、積層体上に、PZT前駆体溶液をスピンコート法により塗布し、120°Cで乾燥し、500°Cで熱分解する工程を3回繰り返した後、RTA急速熱処理により700°Cで結晶化した。この操作を4回繰り返すことにより、膜厚が1μmのPbZr0.53Ti0.47O3膜を成膜した。次に、PbZr0.53Ti0.47O3膜上に、膜厚が100nmのSrRuO3膜及び膜厚が100nmの白金膜の積層体をスパッタにより成膜した。次に、フォトレジストTSMR8800東京応化社製をスピンコート法により塗布し、フォトリソグラフィーによりレジストパターンを形成した後、ICPエッチング装置サムコ社製を用いて、パターニングし、圧電素子120を形成した図1参照。次に、圧電素子120が形成された振動板112a上に、ALD法により、膜厚が50nmのAl2O3膜絶縁膜131を成膜した。このとき、Al及びOの原材料としては、TMAシグマアルドリッチ社製及びオゾンジェネレーターによって発生させたO3を用い、交互に積層することにより成膜した。次に、絶縁膜131上に、ALD法により、膜厚が50nmのZrO2膜絶縁膜132を成膜した。このとき、Zr及びOの原材料としては、ZrOCCH334シグマアルドリッチ社製及びオゾンジェネレーターによって発生させたO3を用い、交互に積層することにより成膜した。次に、絶縁膜132上に、プラズマCVD法により、膜厚が500nmのSiO2膜を成膜した後、エッチングによりコンタクトホールを形成し、絶縁膜133を形成した。次に、絶縁膜133上に、スパッタによりAl膜を成膜した後、エッチングによりパターニングし、配線140及び150を形成した。次に、配線140及び150上に、プラズマCVD法により、膜厚が1μmのSi3N4膜を成膜した後、エッチングによりコンタクトホールを形成し、絶縁膜134を形成した。次に、隔壁112bにより隔てられている空間上の配線140を含む領域を除く領域の絶縁膜134及び133を連続エッチングした。その結果、絶縁膜132は、絶縁膜133が形成されていない領域の膜厚が37nmとなった。さらに、エッチングによりコンタクトホール134a及び134bを形成した。次に、シリコンウェハのエッチングにより隔壁112bを形成した後、ノズル111aが形成されているノズル基板111と接合し、インクジェットヘッド100を得た。[実施例2]Al2O3膜絶縁膜131及びZrO2膜絶縁膜132の膜厚を20nmとした以外は、実施例1と同様にして、インクジェットヘッド100を得た。絶縁膜132は、絶縁膜133が形成されていない領域の膜厚が9nmとなった。[実施例3]Al2O3膜絶縁膜131及びZrO2膜絶縁膜132の膜厚を100nmとした以外は、実施例1と同様にして、インクジェットヘッド100を得た。絶縁膜132は、絶縁膜133が形成されていない領域の膜厚が25nmとなった。[比較例1]ZrO2膜絶縁膜132を成膜しなかった以外は、実施例1と同様にして、インクジェットヘッドを得た。[電気特性]実施例1~3及び比較例1のインクジェットヘッドの電気特性を評価した。次に、80°C、85RHの環境下にインクジェットヘッドを100時間放置した後に、電気特性を評価した。なお、電気特性としては、150kV/cmの電界強度における飽和分極Ps[μC/cm2]を測定した。[吐出特性]実施例1~3及び比較例1のインクジェットヘッドの共通電極121と個別電極123の間に、単純Push波形により-10~-30Vの電圧を印加し、粘度が5cpであるインクの吐出状況を評価した。なお、インクを吐出できる場合を○、インクを吐出できない場合を×として、判定した。表1に、電気特性及び吐出特性の評価結果を示す。表1から、実施例1~3のインクジェットヘッドは、吐出特性に優れ、大気中の水分による圧電体の劣化を抑制できることがわかる。一方、比較例1のインクジェットヘッドは、大気中の水分により圧電体が劣化していることがわかる。これは、ZrO2膜絶縁膜132が成膜されていないため、絶縁膜134及び133を連続エッチングする際に、Al2O3膜絶縁膜131がエッチングされたことに起因していると考えられる。"