1半導体基板上に第1半導体層を形成する工程と、2前記第1半導体層の上に第2半導体層を形成する工程と、3前記第2半導体層および前記第1半導体層を部分的にエッチングして、前記半導体基板を露出させる第1溝を形成する工程と、4前記半導体基板上の全面に前記第1溝を埋め込み、且つ前記第2半導体層を覆う支持体膜を形成する工程と、5前記支持体膜にSi、Geのうち少なくともいずれか一種類以上の物質をイオン注入し前記支持体膜を改質する工程と、6前記支持体膜を部分的にエッチングして、前記第2半導体層の上方を覆った状態で支持する支持体を形成する工程と、7前記支持体下から露出する前記第2半導体層および前記第1半導体層をエッチングして、前記第2半導体層の側面と前記第1半導体層の側面とを露出させる第2溝を形成する工程と、8前記第2半導体層よりも、前記第1半導体層のほうがエッチングされやすい条件で、前記第2溝を介して前記第1半導体層をエッチングして、前記半導体基板と前記第2半導体層との間に空洞部を形成する工程と、9前記半導体基板を熱酸化して前記空洞部内に熱酸化膜を形成する工程と、10前記半導体基板上に埋め込み酸化膜を形成し、化学機械研磨法により前記埋め込み酸化膜を研磨して平坦化する工程と、11ウェットエッチングを用いて前記埋め込み酸化膜をエッチングし前記第2半導体層を露出させる工程と、を含み、前記5の工程では、前記支持体膜の熱膨張係数を前記第2半導体層に近付ける、または前記第2半導体層よりも熱膨張係数を大きい値となる改質が行なわれることを特徴とする半導体装置の製造方法。前記3の工程の前に前記第2半導体層と熱膨張係数が同程度の、又は前記第2半導体層よりも熱膨張係数が大きい絶縁膜を堆積させることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記5の工程の後に、アニール処理を行うことを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。上記のSBSI法における重要な要素として、BOX酸化工程がある。現状では、1000°C―1hの酸化処理によって上下から成長したSiO2膜131aおよび131bをその成長方向の中心付近で密着させBOX層を形成する方法を試みている。しかしながら、図12に示すように、酸化後の断面をSEMScanningElectronMicroscopy;走査型電子顕微鏡で観察すると、上下から成長したSiO2膜が密着していない場合があった。その原因となっているのがSi層の反りである。成長したSiO2膜の膜厚自体は、上下でくっつくのに十分であるが、Si層が上に凸状態に反っているため、そりが大きい中心付近では上下から成長したSiO2膜の間に隙間が残ってしまうことになる。このような状況で、後のプロセスであるBHFバッファードフッ酸エッチによるアクティブの表面出し、及びフッ酸系の洗浄を行った場合、隙間にBHFが染み込んでSiO2膜が意図せずエッチングされてしまい、Si基板上からSi層が剥がれてしまう恐れがある。ここで、本発明者は現在までの調査結果から、BOX酸化工程でのSi層の反りは図13A~Dに示すような現象を経て発生しているのではないか、と考えている。即ち、図13AおよびBに示すように、室温ではフラットである支持体122及びSi層113の積層構造が、まず昇温の段階で下に凸の状態になる。これは、支持体122の構成材料であるSiO2と、Siとの熱膨張係数の違いSi:4.15E-6/K、SiO2:0.55E-6/Kが大きく影響しているためと考えられる。しかし、図13Cに示すように、昇温後の温度が高くなり、特に960°C以上になるとSi層113を覆っている支持体122に粘性が生じ粘性流動、反りが開放されるため一度はフラットに戻る。その状態でSi層113の熱酸化が進む。酸化処理の終了後、今度は降温に入る。図13Dに示す降温の段階では、支持体122に粘性流動は起こらないため、再び熱膨張係数の違いが影響してくる。その結果、Si層113が上に凸の状態となってしまう。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、上下方向からそれぞれ成長する熱酸化膜同士の界面において隙間の残存を防止できるようにした半導体装置の製造方法の提供を目的とする。本発明は上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例に係る半導体装置の製造方法は、1半導体基板上に第1半導体層を形成する工程と、2前記第1半導体層の上に第2半導体層を形成する工程と、3前記第2半導体層および前記第1半導体層を部分的にエッチングして、前記半導体基板を露出させる第1溝を形成する工程と、4前記半導体基板上の全面に前記第1溝を埋め込み、且つ前記第2半導体層を覆う支持体膜を形成する工程と、5前記支持体膜にSi、Geのうち少なくともいずれか一種類以上の物質をイオン注入し前記支持体膜を改質する工程と、6前記支持体膜を部分的にエッチングして、前記第2半導体層の上方を覆った状態で支持する支持体を形成する工程と、7前記支持体下から露出する前記第2半導体層および前記第1半導体層をエッチングして、前記第2半導体層の側面と前記第1半導体層の側面とを露出させる第2溝を形成する工程と、8前記第2半導体層よりも、前記第1半導体層のほうがエッチングされやすい条件で、前記第2溝を介して前記第1半導体層をエッチングして、前記半導体基板と前記第2半導体層との間に空洞部を形成する工程と、9前記半導体基板を熱酸化して前記空洞部内に熱酸化膜を形成する工程と、10前記半導体基板上に平坦化処理のための埋め込み酸化膜を形成し、化学機械研磨法により前記埋め込み酸化膜を研磨して平坦化する工程と、11ウェットエッチングを用いて前記埋め込み酸化膜をエッチングし前記第2半導体層を露出させる工程と、を含み、前記5の工程では、前記支持体膜の熱膨張係数を前記第2半導体層に近付ける、または前記第2半導体層よりも熱膨張係数を大きい値となる改質が行なわれることを特徴とする。このような方法によれば、前記9の第1熱酸化膜形成後の降温処理を行う場合に生じる、前記支持体が前記半導体基板から離れる方向に凸となる反りを緩和、又は反りが凹となり、支持体中央部の隙間は周辺部と比べて同程度あるいは狭くなるため、熱酸化法を用いてBOX層を形成し空洞部を充填した後、熱酸化後の降温工程でのBOX層内での隙間の発生が抑制される。そのため、後工程となる11のウェットエッチング工程およびその後のHF系洗浄工程でBOX層内の隙間を通じてウェットエッチング溶液や洗浄溶液が浸透し、前記半導体基板から前記第2半導体層がはがれる現象を抑制又は防止することができる。また、改質するための物質を濃度制御性に優れたイオン注入法を用いて導入するため、熱膨張係数制御を精密に行うことができる。[適用例2]上記適用例に係る半導体装置の製造方法において、前記3の工程の前に前記第2半導体層と熱膨張係数が同程度の、又は前記第2半導体層よりも熱膨張係数が大きい絶縁膜を堆積させることが望ましい。このような方法によれば、前記9の前記第1熱酸化膜形成後の降温処理を行う場合に生じる、前記支持体が前記半導体基板から離れる方向に凸となる反りを緩和、又は反りが凹となり、支持体中央部の隙間は周辺部と比べて同程度あるいは狭くなるため、熱酸化法を用いてBOX層を形成し空洞部を充填した後、熱酸化後の降温工程でのBOX層内での隙間の発生が抑制される。そのため、後工程となる11のウェットエッチング工程およびその後のHF系洗浄工程でBOX層内の隙間を通じてウェットエッチング溶液や洗浄溶液が浸透し、前記半導体基板から前記第2半導体層がはがれる現象を抑制又は防止することができる。また、前記支持体膜へのイオン注入時における前記第2半導体層への注入ダメージを防止し、支持体膜へのイオン注入時における前記第2半導体層へのイオン突き抜けによる結晶欠陥を防止することができる。さらに、前記10におけるCMPによる前記第2半導体層への研磨ダメージを防止し、CMPにおける第2半導体層の直接研磨による表面ダメージや薄膜化によるVth変動を防止することができる。[適用例3]上記適用例に係る半導体装置の製造方法において、前記5の工程の後にアニール処理を行うことが望ましい。この製造方法によれば、イオン注入工程により荒れた部分にアニール処理を行うことで部分的あるいは十分にイオン注入による損傷を修復できる。これによって上記6、7、8におけるエッチング時の横方向膜減りを抑制し、上記9における熱酸化で前記第2半導体層の端部が余分に酸化されることが防止できる。また、Siの結晶結合が強化されるため熱膨張係数が安定する効果がある。以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。図1~図8は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図であり、図1A~図8Aは平面図、図1B~図8Bは図1A~図8AをX1-X’1~X8-X’8線でそれぞれ切断した時の断面図である。図1A及びBに示すように、まず始めに、シリコンSi基板1上に図示しないシリコンバッファーSi-buffer層を形成し、その上にシリコンゲルマニウムSiGe層11を形成し、その上にSi層13を形成する。さらに、このSi層13上に絶縁膜としてシリコン窒化膜Si3N4層15を形成する。Si基板1はバルクウェハーである。また、Si-buffer層、SiGe層11、Si層13は、例えばエピタキシャル成長法で連続して形成する。Si3N4層15は、例えばCVDで連続して形成する。次に、図2A及びBに示すように、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて、Si3N4層15、Si層13、SiGe層11及びSi-buffer層図示せずを部分的に順次エッチングする。これにより、Si基板1を底面とする溝h1を形成する。この溝h1は、後述する支持体の脚部を配置するための溝である。なお、溝h1を形成するエッチング工程では、Si基板1の表面でエッチングを止めるようにしてもよいし、Si基板1をオーバーエッチングして溝h1を深くしてもよい。次に、図3A及びBに示すように、溝h1を埋め込むようにしてSi基板1上の全面に支持体膜22を形成する。支持体膜22は例えばシリコン酸化膜SiO2であり、その厚さは例えば400[nm]である。支持体膜22の形成は例えばCVDで行う。次に、図4A及びBに示すように、支持体膜22にSi、もしくはGeのイオン注入を行う。支持体膜22中にイオン注入することで、支持体膜の熱膨張係数をSiに近づけた支持体膜22’が得られる。イオン注入の注入エネルギーとしては例えば10~50keV、注入量としては例えば3×1017cm2程度を用いる事ができる。なお、支持体膜22へのイオン注入は、Siイオンのみの注入、Geイオンのみの注入、SiイオンおよびGeイオンの両者の注入のいずれであってもよい。また、Si3N4層15によって注入イオンのSi層13への付き抜けを防止する事ができる。ここで、支持体膜22にイオンを注入後、イオン注入を受けた支持体膜の注入ダメージを回復するためのアニールを行ってもよい。次に、図5A及びBに示すように、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術により、この支持体膜22’を部分的にエッチングしてSi3N4層15を覆う支持体23を形成する。続いてこの支持体23下から露出しているSi3N4層15、Si層13、SiGe層11及びSi-buffer層図示せずを順次エッチングして、支持体23で覆われているSi3N4層15、Si層13、及びSiGe層11層のそれぞれ側面を露出させる溝h2を形成する。溝h2を形成するエッチング工程では、Si基板1の表面でエッチングを止めるようにしてもよいし、Si基板1をオーバーエッチングして溝h2を深くしてもよい。次に、図6Aの実線矢印で示すように、溝h2を介してフッ硝酸溶液をSi3N4層15、Si層13及びSiGe層11のそれぞれの側面に接触させて、SiGe層11を選択的にエッチングして除去する。これにより、図6A及びBに示すように、Si基板1とSi層13との間に空洞部25を形成する。ここで、フッ硝酸溶液を用いたウェットエッチングでは、Siと比べてSiGeのエッチングレートが大きい即ち、Siに対するエッチングの選択比が大きいので、Si層13を残しつつSiGe層11だけをエッチングして除去する事が可能である。空洞部25の形成後、Si層13はその側面が支持体23によって支えられることになる。次に、図7A及びBに示すように、Si基板1を熱酸化して、空洞部25内に熱酸化膜を形成するBOX酸化工程。このBOX酸化工程では、Si層13の反りを抑制する事ができ、空洞部25内で上下方向からそれぞれ成長する熱酸化膜31a、31b同士の界面に隙間が残らないようにすることができる。熱酸化膜31を形成した後は、CVDなどの方法によりSi基板1上の全面に絶縁膜を成膜して、溝h1、h2を埋め込む。ここで成膜する絶縁膜は、例えばSiO2膜やSi3N4膜である。次に、Si基板1の全面を覆う絶縁膜とその下の支持体23とを例えばCMPにより平坦化する。なお、このCMP工程ではSi3N4層15をCMP処理のストッパーに使用する事ができる。こうすることで、Si層13の表面が削られてしまうことを防ぐことができる。次に、CMP処理後の絶縁膜を例えば熱リン酸溶液やBHF溶液によってウェットエッチングして、Si層13上から熱酸化膜31を完全に取り除く。この時、熱酸化膜31の界面は密着しているので、当該界面へのBHFの侵入は防がれる。このようにして、図8A及びBに示すように、支持体膜32及び絶縁膜によって周囲から素子分離されたSOI構造を、Si基板1上に完成させる。以上説明したように、本発明の実施の形態によれば、熱酸化膜31を形成する際にSi層13の反りを抑制する事ができ、熱酸化膜31aと熱酸化膜31bとの界面に隙間が残らないようにする事ができる。このため、支持体23や絶縁膜をBHFでエッチングする際に、上記界面へのBHFの侵入を防ぐ事ができ、Si基板1上からのSi層13の剥がれを防止する事ができる。また、このような効果が得られる理由については、本発明者の考察によると、BOX酸化工程において、Si層13とSi3N4層15、支持体23の熱膨張係数が同等の値となっているためである。熱膨張係数が同等であるため、BOX酸化の昇温または降温段階で、Si層13の下面が熱酸化膜31から受ける外力と、Si層13の上面がSi3N4層15、支持体23から受ける外力とほぼ吊り合っていると考えられる。この発明の形態では、Si基板1が本発明の半導体基板に対応し、SiGe層11が本発明の第1半導体に対応し、Si層13が本発明の第2半導体に対応し、Si3N4層15が本発明の絶縁膜に対応している。また、溝h1が本発明の第1溝に対応し、溝h2が本発明の第2溝に対応している。