半導体基板と、前記半導体基板に接触しているアノード電極と、前記アノード電極とは異なる部位で前記半導体基板に接触しているカソード電極と、を備えており、前記半導体基板は、前記アノード電極に接触している第1導電型のアノード領域と、前記アノード電極に接触している第2導電型の第2導電型領域と、を有しており、前記アノード領域は、不純物濃度が高濃度な高濃度アノード部分領域と低濃度な低濃度アノード部分領域と中濃度な中濃度アノード部分領域を含んでおり、前記高濃度アノード部分領域と前記低濃度アノード部分領域と前記中濃度アノード部分領域は、前記アノード電極から前記カソード電極に向けて観測したときにその順で並んでおり、前記低濃度アノード部分領域と前記第2導電型領域が接触している半導体装置。前記半導体基板にはIGBTが形成されており、前記IGBTは、前記半導体基板に接触しているエミッタ電極と、前記エミッタ電極とは異なる部位で前記半導体基板に接触しているコレクタ電極と、を備えており、前記半導体基板は、前記エミッタ電極に接触している第1導電型のボディ領域と、前記エミッタ電極に接触している第2導電型のエミッタ領域と、を有しており、前記ボディ領域は、不純物濃度が高濃度な高濃度ボディ部分領域と低濃度な低濃度ボディ部分領域と中濃度な中濃度ボディ部分領域を含んでおり、前記高濃度ボディ部分領域と前記低濃度ボディ部分領域と前記中濃度ボディ部分領域は、前記エミッタ電極から前記コレクタ電極に向けて観測したときにその順で並んでおり、前記低濃度ボディ部分領域と前記エミッタ領域が接触している請求項1に記載の半導体装置。結晶欠陥を利用した再結合中心は、リーク電流源になることが知られている。特に、ダイオードが高温で動作する場合、結晶欠陥を利用した再結合中心は熱暴走の原因となる。このため、結晶欠陥を利用した再結合中心量を少なく、あるいは結晶欠陥を利用した再結合中心を形成しないで逆回復電荷量Qrrを低減する技術が望まれている。本願明細書で開示される半導体装置では、アノード領域から供給されるキャリアの経路が、順バイアスの増加に応じて狭くなるように構成されていることを特徴としている。このような構成によると、順バイアス時にアノード領域から供給されるキャリア量が抑えられるので、逆回復電荷量Qrrが低減され、スイッチング損失が低減される。すなわち、本明細書で開示される半導体装置は、半導体基板とアノード電極とカソード電極を備えている。アノード電極は、半導体基板に接触している。カソード電極は、アノード電極とは異なる部位で半導体基板に接触している。一例では、半導体基板の第1主面にアノード電極が接触し、半導体基板の第2主面にカソード電極が接触していてもよい。あるいは、半導体基板の一方の面にアノード電極とカソード電極の双方が接触していてもよい。半導体基板は、第1導電型のアノード領域と第2導電型の第2導電型領域を有している。アノード領域は、アノード電極に接触している。第2導電型領域も、アノード電極に接触している。アノード領域は、不純物濃度が高濃度な高濃度アノード部分領域と低濃度な低濃度アノード部分領域と中濃度な中濃度アノード部分領域を含んでいる。なお、ここでいう高濃度、中濃度及び低濃度は、相対的な濃度関係のみを特定するものである。高濃度アノード部分領域と低濃度アノード部分領域と中濃度アノード部分領域は、アノード電極からカソード電極に向けて観測したときにその順で並んでいる。さらに、本明細書で開示される半導体装置では、低濃度アノード部分領域と第2導電型領域が接触している。この態様の半導体装置によると、順バイアスが印加されたときに、低濃度アノード部分領域と第2導電型領域の接合面から低濃度アノード部分領域に空乏層が伸展する。低濃度アノード部分領域は、高濃度アノード部分領域よりもカソード電極側に配置されており、高濃度アノード部分領域から供給されるキャリアの経路に位置している。したがって、低濃度アノード部分領域に空乏層が伸展すると、高濃度アノード部分領域から供給されるキャリアの経路が狭くなる。このため、この態様の半導体装置では、順バイアスが印加されたときにアノード領域から供給されるキャリア量が抑えられるので、逆回復電荷量Qrrが低減され、スイッチング損失が低減される。本明細書で開示される半導体装置は、半導体基板にIGBTが形成されていてもよい。この場合、IGBTは、エミッタ電極とコレクタ電極を備えている。エミッタ電極は、半導体基板に接触している。コレクタ電極は、コレクタ電極とは異なる部位で半導体基板に接触している。一例では、半導体基板の第1主面にエミッタ電極が接触し、半導体基板の第2主面にコレクタ電極が接触していてもよい。あるいは、半導体基板の一方の面にエミッタ電極とコレクタ電極の双方が接触していてもよい。半導体基板は、第1導電型のボディ領域と第2導電型のエミッタ領域を有している。ボディ領域は、エミッタ電極に接触している。エミッタ領域も、エミッタ電極に接触している。ボディ領域は、不純物濃度が高濃度な高濃度ボディ部分領域と低濃度な低濃度ボディ部分領域と中濃度な中濃度ボディ部分領域を含んでいる。なお、ここでいう高濃度、中濃度及び低濃度は、相対的な濃度関係のみを特定するものである。高濃度ボディ部分領域と低濃度ボディ部分領域と中濃度ボディ部分領域は、エミッタ電極からコレクタ電極に向けて観測したときにその順で並んでいる。本明細書で開示される半導体装置では、低濃度ボディ部分領域とエミッタ領域が接触している。この態様の半導体装置では、ダイオードとIGBTが半導体基板に混載されており、ダイオードがIGBTのフリーホイールダイオードとして用いられている。この態様の半導体装置では、ダイオードが順バイアスされているときに、IGBTのボディ領域とドリフト領域の間に存在する寄生ダイオードを介してもキャリアが供給されることがある。この態様の半導体装置では、IGBTに低濃度ボディ部分領域が設けられており、その低濃度ボディ部分領域が高濃度ボディ部分領域よりもコレクタ電極側に配置されており、高濃度ボディ部分領域から供給されるキャリアの経路に位置している。このため、ダイオードが順バイアスされているときに、低濃度ボディ部分領域とエミッタ領域の接合面から低濃度ボディ部分領域に空乏層が伸展し、高濃度ボディ部分領域から供給されるキャリアの経路が狭くなる。この結果、寄生ダイオードを介して供給されるキャリア量も抑えられるので、逆回復電荷量Qrrが低減され、スイッチング損失が低減される。本明細書で開示される半導体装置では、アノード領域から供給されるキャリアの経路が、順バイアスの増加に応じて狭くなるように構成されているので、順バイアスが印加されたときにアノード領域から供給されるキャリア量が抑えられ、逆回復電荷量Qrrが低減し、スイッチング損失が低減される。本願明細書で開示される技術の特徴を整理しておく。第1特徴ダイオードは、半導体基板の表層部に形成されているとともにアノード電極に接触しているp型のアノード領域と、半導体基板の表層部に形成されているとともにアノード電極に接触しているn型のn型領域と、アノード領域によってn型領域から隔てられているn-型のドリフト領域とを有する。第2特徴アノード領域は、半導体基板の表面から深さ方向に向けて高濃度アノード部分領域と低濃度アノード部分領域と中濃度アノード部分領域とを有する。第3特徴アノード領域は、飛程距離が異なる複数回のイオン注入によって形成されている。高濃度アノード部分領域と中濃度アノード部分領域は、ピーク濃度を有する。低濃度アノード部分領域は、ピーク濃度を有していてもよい。第4特徴ダイオードは、アノード領域を貫通してドリフト領域に達する絶縁トレンチを備えていてもよい。絶縁トレンチは、半導体基板の表面から裏面に向けて伸びるトレンチを利用して形成される。絶縁トレンチでは、少なくともトレンチの内壁を被覆するように絶縁体が設けられている。絶縁トレンチは、トレンチ内に充填される絶縁体のみで構成されていてもよく、絶縁膜とその絶縁膜で被覆される導電体で構成されていてもよい。後者の場合、導電体は、アノード領域と同一の電位に固定されていてもよく、電気的に絶縁されたフローティングであってもよい。なお、絶縁トレンチは、耐圧を確保するために、絶縁膜とその絶縁膜で被覆される導電体で構成されているのが望ましい。第5特徴ダイオードには、ライフタイム制御用の欠陥領域が形成されていない。このような欠陥領域が形成されていなくても、逆回復電荷量Qrrが十分に低く、リカバリ時の損失が小さい。図1に示されるように、ダイオードを有する半導体装置1は、n-型のシリコン単結晶の半導体基板10を用いて形成されており、半導体基板10の表面にアノード電極E1が接触して形成されており、半導体基板10の裏面にカソード電極E2が接触して形成されている。アノード電極E1とカソード電極E2は、半導体基板10を介して接続されている。半導体基板10は、n型のカソード領域2とn型のバッファ領域3とn-型のドリフト領域4とp型のアノード領域8とn型のn型領域9を備えている。カソード領域2は、イオン注入技術を利用して、半導体基板10の裏層部にリンイオンを導入して形成されている。カソード領域2は、カソード電極E2に直接的に接触している。カソード領域2を形成するイオン注入工程では、ピーク濃度が半導体基板10の基板濃度を超える条件で実施される。一例では、カソード領域2のドーズ量は約1×1014~5×1015cm-2であり、ピーク濃度が約1×1019~2×1020cm-3であるのが望ましい。バッファ領域3は、イオン注入技術を利用して、半導体基板10の裏層部にリンイオンを導入して形成されている。バッファ領域3を形成するイオン注入工程では、ピーク濃度が半導体基板10の基板濃度を超える条件で実施される。一例では、バッファ領域3のドーズ量は約1×1012~1×1014cm-2であり、ピーク濃度が約1×1016~1×1018cm-3であるのが望ましい。ドリフト領域4は、他の拡散領域を形成した残部である。ドリフト領域4の不純物濃度は、半導体基板10の基板濃度と実質的に一致しており、厚み方向に一定である。一例では、ドリフト領域4の不純物濃度は約1×1013~1×1015cm-3であるのが望ましい。アノード領域8は、不純物濃度が異なる複数の部分領域で構成されており、中濃度アノード部分領域5と低濃度アノード部分領域6と高濃度アノード部分領域7を有している。高濃度アノード部分領域7と低濃度アノード部分領域6と中濃度アノード部分領域5は、半導体基板10の表面から深さ方向に向けてこの順で並んでいる。高濃度アノード部分領域7は、アノード電極E1と直接的に接触している。アノード領域8は、イオン注入技術を利用して、半導体基板10の表層部にボロンイオンを導入して形成されている。具体的には、飛程距離を変えた複数回のドーパント導入工程を実施し、中濃度アノード部分領域5と低濃度アノード部分領域6と高濃度アノード部分領域7を形成する。図2に、アノード領域8の深さ方向の不純物濃度分布の一例を示す。図2に示されるように、中濃度アノード部分領域5と低濃度アノード部分領域6と高濃度アノード部分領域7はそれぞれ、ピーク濃度を有している。一例では、中濃度アノード部分領域5のドーズ量は約1×1012~5×1013cm-2であり、ピーク濃度が約1×1016~5×1017cm-3であるのが望ましい。低濃度アノード部分領域6のドーズ量は約1×1010~1×1012cm-2であり、ピーク濃度が約1×1014~1×1016cm-3であるのが望ましい。高濃度アノード部分領域7のドーズ量は約5×1012~5×1015cm-2であり、ピーク濃度が約1×1017~1×1020cm-3であるのが望ましい。また、一例では、中濃度アノード部分領域5の厚みは約0.5~2μmであり、低濃度アノード部分領域6の厚みは約0.5~2μmであり、高濃度アノード部分領域7の厚みは約0.5~1.5μmであるのが望ましい。図3に、アノード領域8の深さ方向の不純物濃度分布の他の一例を示す。図3に示されるように、この例では、低濃度アノード部分領域6がピーク濃度を有していない。低濃度アノード部分領域6は、中濃度アノード部分領域5に向けて導入された不純物と高濃度アノード部分領域7に向けて導入された不純物が深さ方向に拡散することによって形成されている。図1に戻る。n型領域9は、イオン注入技術を利用して、半導体基板10の表層部にリンイオンを導入して形成されている。n型領域9は、アノード領域8によってドリフト領域4からは隔てられている。n型領域9を形成するイオン注入工程では、ピーク濃度が半導体基板10の基板濃度を超える条件で実施される。そのピーク濃度が形成される深さは、低濃度アノード部分領域6のよりも浅く、高濃度アノード部分領域7と同程度である。これにより、n型領域9は、低濃度アノード部分領域6と高濃度アノード部分領域7の双方に接触している。また、n型領域9は、アノード電極E1とも直接的に接触している。一例では、n型領域9のドーズ量は約5×1012~5×1015cm-2であり、ピーク濃度が約1×1017~1×1020cm-3であるのが望ましい。また、n型領域9のピーク深さは約0.5~1.5μmであるのが望ましい。半導体装置1は、低濃度アノード部分領域6とn型領域9を備えていることを特徴としている。また、低濃度アノード部分領域6が、高濃度アノード部分領域7の下方に設けられており、高濃度アノード部分領域7から供給される正孔の経路に配置されていることを特徴としている。さらに、n型領域9が、低濃度アノード部分領域6に接触していることを特徴としている。半導体装置1では、低濃度アノード部分領域6の不純物濃度が十分に薄く形成されているので、ダイオード1に順バイアスが印加されると、低濃度アノード部分領域6とn型領域9の接合面から低濃度アノード部分領域6に空乏層が伸展する。空乏層の一部は、高濃度アノード部分領域7の下方に位置する低濃度アノード部分領域6にも伸展する。このため、高濃度アノード部分領域7から供給される正孔の経路は、左右から伸展する空乏層によって狭くなる。これにより、半導体装置1では、順バイアスが印加されたときに、高濃度アノード部分領域9から供給される正孔量が抑えられ、ひいてはアノード領域8から供給される正孔量も抑えられる。この結果、半導体装置1では、逆回復電荷量Qrrが低減されるので、低いスイッチング損失が実現される。図4に、ダイオードとIGBTを内蔵する半導体装置11を示す。半導体装置11は、入力電圧を直流と交流の間で変換して出力する車載用の電力変換装置のインバータ回路に用いられる。半導体装置11は、n-型のシリコン単結晶の半導体基板100内にダイオード範囲A1とIGBT範囲A2を備えており、ダイオード範囲A1には縦型ダイオードを構成するための構造が形成されており、IGBT範囲A2には縦型IGBTを構成するための構造が形成されている。ダイオード範囲A1に形成されている縦型ダイオードは、第1実施例と同一の構造を有していてもよい。したがって、以下の説明では、詳細な説明を省略する。図4に示されるように、ダイオード範囲A1には、半導体基板100の表面にアノード電極E10が接触して形成されており、半導体基板100の裏面にカソード電極E20が接触して形成されている。ダイオード範囲A1の半導体基板100は、n型のカソード領域12とn型のバッファ領域13とn-型のドリフト領域14とp型のアノード領域18とn型のn型領域19を備えている。アノード領域18は、不純物濃度が異なる複数の部分領域で構成されており、中濃度アノード部分領域15と低濃度アノード部分領域16と高濃度アノード部分領域17を有している。高濃度アノード部分領域17と低濃度アノード部分領域16と中濃度アノード部分領域15は、半導体基板100の表面から深さ方向に向けてこの順で並んでいる。ダイオード範囲A1にはさらに、半導体基板100の表層部に絶縁トレンチ20が形成されている。絶縁トレンチ20は、絶縁膜24とその絶縁膜24で被覆されるポリシリコン部22とを有している。この例では、絶縁トレンチ20のポリシリコン部22が、アノード電極E10に接続されている。一例では、平面視したときに、絶縁トレンチ20のレイアウトはストライプ状である。絶縁トレンチ20は、ダイオード範囲A1に逆バイアスが印加されているときに、絶縁トレンチ20の底面に電界を集中させ、アノード領域18における電界集中を緩和させることができる。IGBT範囲A2には、半導体基板100の表面にエミッタ電極E10が接触して形成されており、半導体基板100の裏面にコレクタ電極E20が接触して形成されている。なお、IGBT範囲A2のエミッタ電極E10とダイオード範囲A1のアノード電極E10は、実際は共通の電極であり、形成範囲に基づいて便宜の上で呼称を変えている。同様に、IGBT範囲A2のコレクタ電極E20とダイオード範囲A1のカソード電極E20も実際は共通の電極であり、形成範囲に基づいて便宜の上で呼称を変えている。IGBT範囲A2の半導体基板100は、p型のコレクタ領域12aとn型のバッファ領域13とn-型のドリフト領域14とp型のボディ領域18aとn型のエミッタ領域19aを備えている。ボディ領域18aは、不純物濃度が異なる複数の部分領域で構成されており、中濃度ボディ部分領域15aと低濃度ボディ部分領域16aと高濃度ボディ部分領域17aを有している。高濃度ボディ部分領域17aと低濃度ボディ部分領域16aと中濃度ボディ部分領域15aは、半導体基板100の表面から深さ方向に向けてこの順で並んでいる。IGBT範囲A2にはさらに、半導体基板100の表層部に絶縁トレンチゲート20aが形成されている。絶縁トレンチゲート20aは、ゲート絶縁膜24aとそのゲート絶縁膜24aで被覆されるポリシリコンゲート部22aとを有している。一例では、平面視したときに、絶縁トレンチゲート20aのレイアウトはストライプ状である。絶縁トレンチゲート20aは、エミッタ電極E10から絶縁されており、駆動電圧が印加可能に構成されている。図4に示されるように、ダイオード範囲A1のアノード領域18及びn型領域19はそれぞれ、IGBT範囲A2のボディ領域18a及びエミッタ領域19aと共通の形態を備えている。したがって、ダイオード範囲A1のアノード領域18とIGBT範囲A2のボディ領域18aが共通の複数回イオン注入工程で形成され、ダイオード範囲A1のn型領域19とIGBT範囲A2のエミッタ領域19aが共通のイオン注入工程で作製される。また、ダイオード範囲A1の絶縁トレンチとIGBT範囲A2の絶縁トレンチゲートも、共通の製造工程で作製される。なお、イオン注入工程で用いるマスクのレイアウトを変更すれば、図5に示されるように、ダイオード範囲A1の高濃度アノード部分領域17とn型領域19の位置関係を必要に応じて反転させることもできる。半導体装置11のダイオード範囲A1に形成されている縦型ダイオードは、第1実施例で説明したのと同様の作用効果を有している。すなわち、ダイオード範囲A1に順バイアスが印加されているときに、低濃度アノード部分領域16とn型領域19の接合面から低濃度アノード部分領域16に空乏層が伸展する。このため、高濃度アノード部分領域17から供給される正孔の経路は、左右から伸展する空乏層によって狭くなる。これにより、ダイオード範囲A1では、順バイアスが印加されているときにアノード領域18から供給される正孔量が抑えられるので、逆回復電荷量Qrrが低減される。半導体装置11では、ダイオード範囲A1に順バイアスが印加されているときに、IGBT範囲A2のボディ領域18aとドリフト領域14の間に存在する寄生ダイオードを介しても正孔が供給されることがある。半導体装置11では、IGBT範囲A2にも低濃度ボディ部分領域16aが設けられている。このため、ダイオード範囲A1に順バイアスが印加されているときに、IGBT範囲A2では、低濃度ボディ部分領域16aとエミッタ領域19aの接合面から低濃度ボディ部分領域16aに空乏層が伸展し、高濃度ボディ部分領域17aから供給される正孔の経路が狭くなる。このため、寄生ダイオードを介して供給される正孔量が抑えられるので、逆回復電荷量Qrrが低減され、スイッチング損失が低減される。以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。