パワーデバイスが形成された半導体基板と、前記半導体基板の最表面に形成された保護膜からその一部が露出されたパッド電極と、前記パッド電極の表面に不純物イオンをイオン注入することにより形成されたUBMコンタクト層と、前記UBMコンタクト層と接続するUBMと、を具備することを特徴とする半導体装置。前記パワーデバイスがMOSトランジスタであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記UBM上にバンプ電極を具えることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置。半導体基板にパワーデバイスを形成する工程と、前記半導体基板の最表面に形成された保護膜からその一部が露出されたパッド電極の表面に不純物のイオン注入によりUBMコンタクト層を形成する工程と、前記UBMコンタクト層と接続するUBMをスパッタリング法により形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記パワーデバイスがMOSトランジスタであることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。前記UBM上にバンプ電極を形成する工程を有することを特徴とする請求項4または請求項5に記載の半導体装置の製造方法。めっき法により形成されたUBMは、前述の如くパッド電極の表面のアルミニュームAlが一部エッチングされ、その部分でニッケルNiがアルミニュームAlと結びつきアルミニュームAlが酸化されるのを防止している。従って、UBMとパッド電極が電気的に小さな接触抵抗で接続される。それに対して、スパッタ法により形成されたUBMは、パッド電極上に形成されたアルミニュームの酸化膜であるアルミナAl2O3膜と直接接触することになるので大きな接触抵抗を持つことになる。当然、スッパタリング工程の前に、パッド電極上はアルミニュームのエッチング液で処理されるが、エッチングにより露出したアルミニュームAlの表面は素早く、再度アルミナAl2O3膜で被覆されるからである。スパッタリング法により形成されたUBMとパッド電極の接触抵抗を、めっき法で形成されたUBMとパッド電極の接触抵抗と同等レベルにすることが課題となる。本発明の半導体装置は、パワーデバイスが形成された半導体基板と、前記半導体基板の最表面に形成された保護膜からその一部が露出されたパッド電極と、前記パッド電極に不純物イオンをイオン注入することにより形成されたUBMコンタクト層と、前記UBMコンタクト層と接続するUBMと、を具備することを特徴とする。本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板にパワーデバイスを形成する工程と、前記半導体基板の最表面に形成された保護膜からその一部が露出されたパッド電極に不純物のイオン注入によりUBMコンタクト層を形成する工程と、前記UBMコンタクト層と接続するUBMをスパッタリング法により形成する工程と、を有することを特徴とする。本発明の半導体装置及びその製造方法によれば、スパッタリング法により形成されたUBMとパッド電極の接触抵抗を、めっき法で形成されたUBMとパッド電極の接触抵抗と同等レベルにすることができる。これにより既存のスパッタ装置の有効活用が可能となる。本発明の実施形態に係るパワーMOSトランジスタ及びその製造方法について、図1~図3に基づいて以下に説明する。図1は該パワーMOSトランジスタ及びその製造方法を示す断面図である。N型ドレイン層1となる半導体基板1上にN型ドリフト層2が形成され、N型ドリフト層2にP型ボディ層3が形成される。本半導体装置が集積回路の場合、パワーMOSトランジスタ形成領域は素子分離膜5により他のデバイス形成領域と分離される。P型ボディ層3には、その表面からN型ドリフト層2内まで延在するトレンチ4が形成され、トレンチ4の内壁には不図示のゲート絶縁膜、またトレンチ4の内部にはゲート絶縁膜を介してポリシリコンからなる不図示のゲート電極が形成される。P型ボディ層3にはトレンチ4とゲート絶縁膜を介してN型ソース層6が形成されると共に、P型ボディ層3の電位をソース電位に固定するためP型コンタクト層7が形成される。トレンチ4上は層間絶縁膜8で被覆され、その上部にN型ソース層6及びP型コンタクト層7と接続するアルミニューム合金等からなるソース電極9が形成される。ソース電極9を含む半導体基板1上は開口部を有する保護膜11で被覆され、保護膜11の開口部からソース電極9の一部であるパッド電極9aが露出する。保護膜11の開口部に露出するパッド電極9aの表面には、不純物イオンをイオン注入してなるUBMコンタクト層10が形成される。UBMコンタクト層10の詳しい形成方法については後述する。UBMコンタクト層10の表面にはスパッタ法や蒸着法等によりUBM12が形成される。UBM12はUBMコンタクト層10と直接接触するチタニュームTi等からなるUBM層12aとその上部に形成されるニッケルNi等からなるUBM層12bで構成される。必要に応じ、最上層に金Au膜が形成される。保護膜11上には、UBM12上に開口部を有するポリイミド等からなる保護膜13が形成され、UBM12上にハンダ等からなるバンプ電極14が形成される。また、半導体基板1は所定の厚さまで研削等され、研削等された面に銅Cu等を中心とする膜厚の厚い金属層からなるドレイン電極15が形成される。本実施形態の特徴は、パッド電極9aにUBMコンタクト層10を形成することにより、UBM12をスパッタ法により形成したにもかかわらず、従来のめっき法により形成したUBM12とパッド電極9aの接触抵抗に匹敵する、UBM12とパッド電極9aの接触抵抗を実現したことである。図3にUBM12とパッド電極9aの接触抵抗を比較するためのTEGTestElementGroupの断面図を示す。図3Aは、本実施形態の断面図であり、図3Bは、本実施形態からUBMコンタクト層10を除いた場合の断面図である。図3Cは従来のめっき法でUBMを形成した場合の断面図である。絶縁膜20の上にパッド電極9aが形成される。UBM12とパッド電極9aとの接触面積は実際のパワーMOSトランジスタの場合と同等である。各端子A1、A2、A3からUBM12とパッド電極9aとの接続部を介し、アルミニューム合金等からなるパッド電極9a内を経由し、もう一方の接続部を介してそれぞれの端子B1、B2、B3にいたる電気抵抗を測定して、その抵抗値全体を便宜上、接触抵抗と称して、その差を比較している。図4Aにその結果を示すが、図に示す接触抵抗はパッド電極9a自体の抵抗も含めていることになる。図3Cに示す、従来のめっき法でUBM12をパッド電極9a上に形成した場合の接触抵抗は、図4Aのめっき法で示すように8mΩ程度であった。それに対して、図3Bに示す、パッド電極9a上に直接スパッタ等でUBMを形成した場合の接触抵抗は、図4AのUBMコンタクト層10なしのスパッタ法で示すように18mΩ程度となる。従来の2倍以上の高い値になる。従来のめっき法でアルミニューム合金等からなるパッド電極9a上にニッケルNiを堆積する場合、前述したようにジンケート処理によりパッド電極9aのアルミニュームの一部がニッケルNiに置換される。この場合、パッド電極9a上にアルミニュームAlの酸化膜である薄いアルミナAl2O3膜が形成されていたとしても、ジンケート処理により取り除かれる。従って、パッド電極9aとめっきされたニッケルNiからなるUBM12は接触抵抗の低い良好なオーミック接触を形成する。それに対して、UBMコンタクト層10を形成することなく、直接パッド電極9a上にスパッタ法でUBM12を形成した場合、図3Bに示すように、パッド電極9aとUBM層12aの間に、パッド電極9a上に形成されたアルミニュームAlの酸化膜である不図示の薄いアルミナAl2O3膜を挟み込むことになる。従って、パッド電極9aとUBM12間の接触抵抗は、めっき法でUBM12を形成する場合に比し高くならざるを得ない。スパッタ法でUBM12を形成する本実施形態の目的は、係るアルミナAl2O3膜が介在することによるUBM12とパッド電極9aとの接触抵抗の低減を図るものである。そのために、図3Aに示すように、パッド電極9aにUBMコンタクト層10を形成し、UBMコンタクト層10を介してパッド電極9a上にUBM12を形成している。係る構成にしたことが本実施形態の特徴である。本実施形態のパッド電極9aとUBM12間の接触抵抗は、図4Aに示すように、10mΩ程度となり、UBMコンタクト層10を形成しないでUBM12を形成した場合に比し、半分程度の値にまで低減できる。形成条件を再検討し最適形成条件にすれば、めっき法により形成した場合と同等の接触抵抗まで低減することが可能である。また、UBM12の形成方法を変えた場合に、実際のパワーMOSトランジスタのオン抵抗がどのように変化するか調査した結果が図4Bに示される。同図に示すように、めっき法でUBMを形成した場合のオン抵抗は60mΩであった。それに対してUBMコンタクト層10がない状態でスパッタ法でUBM12を形成した場合は69mΩ程度と15程度高くなり、前述のUBM12とパッド電極9a間の接触抵抗増大に対応して増大することが認められる。本実施形態でのオン抵抗は61mΩ程度であり、めっき法で得られたオン抵抗に近くなる。即ち、パッド電極9a上のUBMコンタクト層10の存在がオン抵抗低減に対して大きな効果を発揮していることが明確になった。本実施形態のUBMコンタクト層10は、パッド電極9aにその上部からボロンB等の不純物イオンをイオン注入して形成している。UBMコンタクト層10を介在させるとUBM12とパッド電極9aと間の接触抵抗が低くなる理由は、未だ明確ではないが以下の様に推論する。先ず、パッド電極9aを構成するアルミニュームAl層の表面に不純物イオンがイオン注入されることによりアルミニュームAl層の表面に形成されていたアルミナAl2O3膜が損傷され、その下方のアルミニュームAl層もアモルファス化される。その結果、アルミニュームAl層より電気陰性度が小さく酸化されやすいUBM層12aを構成するチタニュームTiの還元作用により、アルミナAl2O3膜が還元されやすくなり、消滅または減少しUBM12とパッド電極9aとの接触抵抗を小さくしていることが考えられる。また、不純物イオンが注入されたアルミニュームAl層は表面が硬化して酸化されにくくなりアルミナAl2O3膜が薄くなっていることも考えられる。その結果、UBM層12aを構成する還元性の強いチタニュームTiが、アルミニュームAl層上に形成された薄いアルミナAl2O3膜を十分に還元できる。従って、UBM12とパッド電極9aとの接触抵抗を小さくしていることが考えられる。また、不純物イオンがイオン注入されることによりアルミニュームAl層の表面に形成されていたアルミナAl2O3膜が損傷され、その下方のアルミニュームAl層もアモルファス化される。その結果、スパッタによりUBMを形成するときや、後続工程でめっき等されたはんだ層のリフローを行うときの熱処理によりアルミニュームAlのグレインが成長しチタニュームTiとアルミニュームAlの接触面積を拡大することも考えられる。理由はいずれにせよ、スパッタ法によりUBM12を形成する場合でも、パッド電極9a上に不純物をイオン注入してUBMコンタクト層10を形成する事により、UBM12とパッド電極9aの接触抵抗を、めっき法でUBM12を形成した場合と同等にすることができる。従って、パワーMOSトランジスタのオン抵抗も同等の値にすることができる。次に、本実施形態の半導体装置の製造方法について、図1、図2の断面図に基づいて以下に説明する。先ず、図1に示すように、半導体基板1を準備し、該半導体基板1上に通常の方法でエピタキシャル層を堆積しN型ドリフト層2を形成する。なお、半導体基板1はN型ドレイン層1となる。次に、シリコン窒化膜等をマスクとして所定の方法で素子分離絶縁膜5を形成する。集積回路を形成する場合、係る素子分離膜5によりパワーMOSトランジスタ形成領域は他のデバイス形成領域と分離される。次に、レジストマスク等により、N型ドリフト層2に所定の深さ、幅を有するトレンチ4を所定のドライエッチングにより形成する。その後、トレンチ4の内壁等に対して、ライトエッチングや犠牲酸化膜の成長及び除去を行なってから不図示のゲート絶縁膜を形成する。次に、トレンチ4内を含む半導体基板1の全面にポリシリコン膜を所定のCVD法により堆積し、その後エッチバックしてトレンチ4内に埋設する不図示のゲート電極を形成する。次に、同図に示すように、N型ドリフト層2に所定のイオン注入等の方法でP型ボディ層3を形成する。トレンチ4の側壁に形成されたゲート絶縁膜と隣接するP型ボディ層3には、パワーMOSトランジスタの動作時にチャネル層が形成される。次に、P型ボディ層4のトレンチ4とゲート絶縁膜を介して隣接する領域に、砒素As等をイオン注入してN型ソース層6を形成する。次に、Nソース層6等を含む半導体基板1上の全面にBPSG膜等からなる絶縁膜を堆積する。その後、所定のフォトエッチング工程を経て該絶縁膜の所定の領域にコンタクト開口を形成する。トレンチ4の上には、同図に示すように、該トレンチ4及びその周辺を被覆する層間絶縁膜8が形成される。その後、同図に示すように、P型ボディ層3のN型ソース層6に隣接する領域に、所定のレジストマスクを使用してボロンB等のイオン注入を行い、P型コンタクト層7を形成する。P型コンタクト層7は、P型ボディ層3の電位をソース電位に固定する役割を果たす。次に、アルミニュームAl合金等を層間絶縁膜8を含む半導体基板1の全面に所定のスパッタ法により堆積し、所定のフォトエッチング工程を経由して、N型ソース層6及びP型コンタクト層7に接続するソース電極9を形成する。その後、所定のCVD法によりシリコン窒化膜等からなる保護膜11を形成し、所定のフォトエッチング工程を経てソース電極9の一部であるパッド電極9aを保護膜11から露出させる。次に、半導体基板1の裏面をバックグラインドBGで所定の膜厚になるまで研削する。その後、裏面上に銅Cu等を所定のスパッタ等により堆積する。半導体装置がパワーMOSトランジスタ単体である場合、スパッタ等により形成された銅Cu等からなる金属層はドレイン電極15となる。次に、フッ酸、硝酸、酢酸の混合液からなる所定のアルミニュームAlのエッチング液に半導体基板1を浸漬等する事により、パッド電極9aの表面層をライトエッチングする。その結果、パッド電極9aの表面に形成されたアルミナAl2O3膜がアルミニューム膜の一部と共に除去される。但し、その後、大気中にさらされることからパッド電極9aの表面層のアルミニュームAlは再度酸化されアルミナAl2O3膜化する。次に、図2Aに示すように、N型ソース層6等が形成された半導体層20a上から、保護膜11の開口部に露出しているパッド電極9aの表面層に不純物イオンをイオン注入する。その結果、図2Bに示すように、不純物イオンが注入されたUBMコンタクト層10が形成される。このようにしてパッド電極9aの表面層にUBMコンタクト層10を形成したのが本実施形態の特徴である。本実施形態でイオン注入に採用されたイオンは、図2Aに示すようにボロンイオンBであり、ドーズ量は1014/cm2台で加速電圧は70keVであった。不純物として更に質量の大きな砒素イオンAsやアルゴンAr等を採用すれば、アルミナAl2O3膜の損傷をより大きくし、アルミニュームAl膜のアモルファス化をより進めることが可能である。UBMコンタクト層10は、前述のように、注入される不純物イオンにより損傷を受けたアルミナAl2O3膜とその下方のアモルファス化されたアルミニュームAl層から構成される。その後、図2Cに示すように、所定のスパッタ法により半導体基板1上の全面にチタニュームTi膜を堆積し、更にその上にニッケルNi膜を堆積する。必要に応じ、ニッケルNi膜上に金Au膜を堆積する。次に所定のフォトエッチング工程を経由してニッケルNi膜からなるUBM層12b及びチタニュームTi膜からなるUBM層12aが積層されたUBM12が形成される。なお、チタニュームTi膜の代わりにクロミウムCr等、ニッケルNi膜の代わりに銅Cu膜等を使用してもよい。チタニュームTiはアルミニュームAlより電気陰性度が小さいためアルミナAl2O3膜を還元しアルミニュームAl膜とし、自身はチタニュームの酸化膜となる。アルミナAl2O3膜の膜厚に対してチタニュームTi膜は十分な膜厚を有しているためアルミニュームAl膜と残存するチタニュームTi膜はオーミック接続を構成する。本実施形態の特徴は、前述したように、パッド電極9aの表面層に不純物イオンをイオン注入し、パッド電極9aの表面層に形成されたアルミナAl2O3膜に損傷を与えることにより、チタニュームTi膜のアルミナAl2O3膜に対する還元作用を大きくしたことである。その結果、より多くのアルミナAl2O3膜がチタニュームTiにより還元されることになりパッド電極9aとUBM12との接触抵抗の低減が可能になったものと推定する。また、パッド電極9aを構成するアルミニュームAl膜の表面層を不純物イオンのイオン注入によりアモルファス化したことにより、UBM12形成のためのスパッタ時や後続のはんだリフロー時に受ける熱処理で、アルミニュームAlのグレイン成長が起こりチタニュームTi膜とアルミニュームAl膜の電気的接続が良好になった可能性も考えられる。次に、図1に示すように、半導体基板1上にUBM12の表面を露出するポリイミド膜からなる保護膜13を所定の塗布法、フォトエッチング法により形成する。その後、無電解めっき法やスクリーン印刷法等によりUBM12上にハンダ層を形成する。最後に、所定の温度でハンダ層をリフローし、バンプ電極14を形成する事により本実施形態の半導体装置が完成する。なお、本実施形態では縦型のパワーNMOSトランジスタを例にとり説明を進めたが、横型パワーNMOSトランジスタや、パワーPMOSトランジスタの場合にも同様に適用できることは言うまでも無い。また、IGBT等、他のパワーデバイスでも技術的思想が同一である限り適用できる。