少なくとも内管2、外管3およびそれらの間に位置する空間4を備える、管状熱電モジュール1であって、円周方向において交互に配置される複数のnドープおよびpドープ半導体素子5により各々形成される少なくとも複数の環6が、前記空間4において前記熱電モジュール1の軸方向10において連続して配置され、さらに、1つの環6の前記半導体素子5の内側7または外側8において、導電性の第1の接続部9が、円周方向12においてのみ延び、反対の外側8または内側7において、少なくとも1つの導電性の第2の接続部16が、前記環6の半導体素子5を隣接する環6の半導体素子5に導電的に接続し、前記熱電モジュール1の軸方向10に少なくとも延びる、熱電モジュール1。各場合においてnドープまたはpドープ半導体素子5が、軸方向10において円周座標11に配置される、請求項1に記載の熱電モジュール1。各環6において、偶数の半導体素子5が前記空間4において円周方向12に連続して配置され、少なくとも4つの半導体素子5が設けられる、請求項1または2に記載の熱電モジュール1。少なくとも以下の工程:a内管2を設ける工程と、b外管3を設ける工程と、c前記内管2と前記外管3との間に半導体素子5を配置する工程であって、前記半導体素子5は軸方向10において長さ13を有する、工程と、d内管2、外管3および半導体素子5を接続する工程と、e少なくとも外管3および半導体素子5内に少なくとも1つの分離位置14を導入する工程であって、前記半導体素子5の長さ13が少なくとも2つの部分15に細分される、工程と、を含む、熱電モジュール1を製造する方法。これらのことを出発点として考慮して、本発明の目的は、従来技術に関して概説されている問題を少なくとも部分的に解決することである。特に、本発明は、費用効率が高い方法により製造され得、特に簡単な方法で他の熱電モジュールと相互接続できる熱電モジュールを特定することであり、それにより、熱電発電機を形成できる。さらに、本発明は、費用効率が高く、このような熱電モジュールの連続生産に十分に適している熱電モジュールを製造する方法を特定する。これらの目的は、請求項1の特徴に係る熱電モジュールにより、および請求項4の特徴に係る熱電モジュールを製造する方法により達成される。本発明の有益な構造および上位構造ユニットへの本発明の組み込みおよびその使用は従属請求項および/または詳細な説明に特定される。特許請求の範囲に呈示される個々の特徴は、任意の技術的に有益な方法で互いに組み合わされてもよく、本発明のさらなる構造を示すことは留意されるべきである。特に図面と併せて詳細な説明は、本発明をさらに説明し、本発明の補足的、例示的な実施形態を述べる。本発明に係る管状熱電モジュールは、少なくとも内管、外管およびそれらの間に位置する空間を備える。円周方向において交互に配置される複数のnドープおよびpドープ半導体素子により各々形成される少なくとも複数の管は、空間内の熱電モジュールの軸方向に連続して配置される。さらに、1つの環の半導体素子の内側または外側において、導電性の第1の接続部が円周方向においてのみ延び、反対の外側または内側において、少なくとも1つの導電性の第2の接続部が環の半導体素子を隣接する環の半導体素子に導電的に接続する。該導電性の第2の接続部は熱電モジュールの少なくとも軸方向において延びる。特に、管状熱電モジュールは、互いに対して実質的に同心円状に配置される、円形、楕円形またはその他の多角形の外管および内管を備える。空間において円周方向に交互に配置されるnドープおよびpドープ半導体素子は、それらの外側またはそれらの内側を介して導電性の第1の接続部により互いに接続される。この場合、隣接するnドープおよびpドープ半導体素子は、互いに間隔を空けて配置され、特に空間における電気絶縁体により互いから分離される。該電気絶縁体は好ましくは空気または真空により実現されるが、また、例えば雲母材料またはセラミックにより形成されてもよい。環内に存在する導電性の第1の接続部は、円周方向においてのみ半導体素子の内側または外側に延びる。特に、それに応じて、外側または内側における環の位置にのみ、導電性の第2の接続部が、各々、隣接する環に割り当てられるnドープおよびpドープ半導体素子の間に形成される。該導電性の第2の接続部は少なくとも熱電モジュールの軸方向に延びる。特に、導電性の第2の接続部はまた、熱電モジュールの円周方向に実質的に延びる。そのような構成は、特に、各々少なくとも隣接する環におけるnドープおよびpドープ半導体素子が管状熱電モジュールの空間における同一の円周座標に配置される場合に設けられる。次いで、隣接する環に割り当てられる隣接するnドープおよびpドープ半導体素子の接続部は導電性の第2の接続部により達成され、次いで軸方向において隣接する環の間の距離を第1に克服し、第2に円周方向においてオフセットを生成し、異なってドープされた半導体素子は互いに接続される。該導電性の第2の接続部は、内側または外側のいずれかに設けられ得る。特に、該導電性の第2の接続部は、熱電モジュールに配置される全ての管について同様に実現され、特に好ましくはまた、円周方向における位置に関して同様に実現され、また、半導体素子の外側または内側における構成に関して同様に実現される。特に、対応する接触点は熱電モジュールのそれぞれの端部において実現され、他の熱電モジュールおよび/または電気システム、例えば熱電発電機または自動車の電源に対する導電性の接続が確実にされ得る。該接触点は好ましくは上記の同一の位置において同様に配置される。結果として、このことは言い換えれば、内側/外側において、非常に簡単な第1の接続部のみが、環に沿って円周方向において形成されなければならず、それにより、簡単な製造プロセスがこの目的のために使用され得ることを意味する。次いで隣接する環の電気的直列接続が、第2の接続により他の側外側/内側でのみ行われ、内側および外側における導電性接続の非対称の実施形態がここで実現される。しかしながら、このことは、導電性の第2の接続部の位置が、簡単な方法での取り付け条件に適合され得ることを意味する。熱電モジュールの1つの特に有益な構造によれば、各場合においてnドープまたはpドープの半導体素子のみが、軸方向において円周座標に配置される。このことは言い換えれば、特に熱電モジュールの軸方向において、1つの種類のみの半導体素子が実質的に並べられて連続して配置されることを意味する。これにより、導電性の第2の接続部について、同様に正確かつ簡単に全ての環の間に配置され得、信頼性のある電気接点を可能にする標準的なコンポーネントを使用できることが確保される。さらに、個々の導電性の第2の接続部も並べられて配置され得るので、取り付けはまた、このように容易にされ得る。熱電モジュールのさらに有益な構造によれば、各環において、偶数の半導体素子が、空間内に円周方向において連続して配置され、少なくとも4つの半導体素子が設けられる。すなわち特に、6、8、10、12またはそれ以上の半導体素子が、空間内に円周方向において連続して配置される。偶数の半導体素子の場合、管状熱電モジュールの軸方向に沿って同一の管が、nドープおよびpドープ半導体素子の構成および連続した導電性接続部の配置の両方に関して同一の様式で配置され得るように、円周方向における半導体素子の導電性接続が可能となる。このような管状熱電モジュールの利点はまた、本発明に係る熱電モジュールを製造するのに特に適切な本発明に係る方法の以下の詳細な説明から明らかになるであろう。複数のこのような熱電モジュールは、連続してかつ直列に接続された電気接続で配置され得る。したがって、それらは細長い熱電モジュールを形成するために直列で接続されてもよい。同様に、複数のこのような管状の熱電モジュールが互いに並列に配置されてもよく、それにより、熱電管束発電機が製造され得る。熱電モジュールを製造する本発明に係る方法は、少なくとも以下の工程:a内管を設ける工程と、b外管を設ける工程と、c内管と外管との間に半導体素子を配置する工程であって、該半導体素子は軸方向における長さを有する、工程と、d内管、外管および半導体素子を接続する工程と、e少なくとも外管および半導体素子に少なくとも1つの分離位置を導入する工程であって、半導体素子の長さが少なくとも2つの部分に細分される、工程と、を含む。内管および外管は特に同じ材料から製造される。この目的のために、鋼材料が提供され、例えば熱電モジュールのハウジングのために使用され得る。しかしながら、前記内管および外管はまた、異なる材料から製造されてもよい。特に、内管または外管は、熱電モジュールの導電性の第1の接続部および/または第2の接続部が形成される材料により設けられてもよく、それらの材料は、例えばニッケル材料またはモリブデン材料または銅材料からなる。特に、外側のみが導電性の第1の接続部および/または第2の接続部を形成する材料から構成されてもよく、それにより、内管はハウジング部分を形成する材料から作製されてもよい。この場合、特に内管は、例えばインプリントされた導電性の第1の接続部および/または第2の接続部を有してもよい。特に、内管はさらに、内管と導電性の接続部を互いに電気絶縁する電気絶縁層を有する。半導体素子は特に、円周方向において環状セグメント形状で配置され、特定の長さにわたって軸方向に延びる。このことは特に、各場合において、pドープおよび/またはnドープ熱電材料からなる種類の棒バーが内管または外管の軸方向に沿って延びることを意味する。これらの棒形状の半導体素子の長さは、複数のより小さな半導体素子が、分離工程による方法の後の工程で製造され得るのに十分な長さである。棒状の半導体素子は、それらが、内管/外管の軸方向の十分な割合、例えば少なくとも50またはさらに少なくとも80にわたって延びるような長さを有することが好ましい。したがって、分離工程によって、複数または多数の例えば実質的に平行6面体の半導体素子が好ましくは、1つの棒形状の半導体素子から製造される。棒形状の半導体素子は、特に対応する位置において内管に配置され、場合により設けられる導電性の第1の接続部および/または第2の接続部に接続される。特に、この接続は密接した形態で実現される。すなわち、適切な場合、ここで、はんだ材料または接着剤が導電性の接続部と半導体素子との間に配置され、それにより、半導体素子は内側でそれらの位置に対して固定される。外管は特に、既に半導体素子に接続されている内側で押され得る。特に、次いで校正工程が行われ、内管の直径が拡張され、および/または外管の直径が減少され、その結果として、半導体素子、内管および外管の間隙のないアセンブリが可能となり得る。続いて、好ましくは、複数の分離位置が少なくとも外管および半導体素子に導入され、それにより、軸方向に長さを有する半導体素子がいくつかの部分に分けられ、その部分内で、各場合、円周方向に交互に配置されるnドープおよびpドープ半導体素子が環を生成する。特に円周方向に互いに平行に延びる複数の分離位置の導入の結果として、半導体素子は軸部分に細分され、それにより、円周方向に交互に配置されるnドープおよびpドープ半導体素子を有する環が製造される。軸方向における分離位置のさらなる導入の結果として、導電性の第1の接続部が、環のそれぞれのnドープおよびpドープ半導体素子の間に製造されるので、それらは、それらの外側またはそれらの内側を介して円周方向において互いに交互に接続される。この方法の1つの有益な構造によれば、各環の少なくとも1つの位置において、それらの外側を介して、隣接する環の異なってドープされた半導体素子を接続することができるように分離位置が導入される。次いでこの導電性の第2の接続部は、2つの隣接する部分または2つの隣接する環の距離を橋渡しするために軸方向において、およびnドープ半導体素子とpドープ半導体素子との間のそれらの距離を克服するために円周方向において延びる。この分離プロセスは特に機械的加工法により導入されるが、また、溶接またはプラズマ切断などの熱的方法により導入されてもよい。さらに可能な方法は例えばレーザビーム切断または水ジェット切断である。さらに、化学的分離プロセス、例えば浸食プロセスが外管を対応して成形するために使用されてもよい。この方法により、複数の半導体素子を配置するための複雑なプロセスを簡単にすることができる。小数の細長い半導体素子のみが出発材料として必要とされ、その素子は、円筒形の内管上で円周方向において互いに平行して配置され得る。対応して、可能な場合、必要とされる絶縁層ならびに第1および/または第2の接続部の対応して適用される導体トラック構造を既に有する内管を準備することも可能である。対応して適用される半導体素子は、可能な場合には、例えば導電性の接続部から半導体素子材料内に望ましくない素子の内部拡散を防止できる必要とされる障壁層を有してもよい。しかしながら他方で、導電性の接続部はまた、対応する拡散を防止するまたは拡散の恐れの必要がない場合の材料から製造されてもよい。半導体素子および外管の後の少なくとも部分的な分離により、対応する導電性の第1の接続部および/または第2の接続部を製造することが可能となり、熱電モジュール全体の確実な電気接続が実現される。すなわち、このことはまた、半導体素子の複製および導電性の接続部の接続パターンの実施形態が工程eと同時に達成され得ることを意味する。特に、任意の長さの内管および外管を設けることが可能となり、それらに、複数の平行6面体の半導体素子が、管状熱電モジュールの軸方向に連続しておよび円周方向に互いに平行して配置される。半導体素子の間の空間は特に満たされていないが、空気で満たされてもよいか、または仕上げられた製造された熱電モジュールにおいて排気されてもよい。空気または真空のいずれかあるいは保護ガス雰囲気が、半導体素子の互いからの電気絶縁を最初に生成し、また、熱電モジュールの低温側から高温側の非常に良好な断熱が生成される。特に熱電モジュールの内管の側に熱電モジュールの高温側が設けられるが、制限なしにまた、外管の側に設けられてもよい。本発明および技術分野を図面を参照して以下により詳細に説明する。図面は本発明の特定の好ましい実施形態の変形例を示しているが、それらに限定されないことは留意されるべきである。図1は、本発明に係る方法の工程aの間の外管3および内管2を示す。内管2は既に、内管2の外面に配置された導電性の第1の接続部9を有する。さらに、絶縁層22が内管2の外面に配置され、前記絶縁層は、導電性の第1の接続部9を金属製内管2から電気的に絶縁している。図2は本発明に係る方法の工程bを示し、複数の棒バー形状の半導体素子5が内管2の外面に配置される。この場合、半導体素子5は、n-ドープおよびp-ドープ半導体素子が円周方向12において互いに交互に平行して位置するように配置される。導電性の第1の接続部9は、隣接するn-ドープおよびp-ドープ半導体素子5の内側7が互いに導電的に接続されるように配置される。隣接する半導体素子5のこの導電性の第1の接続部9は、対でのみ効果があり、これまで2つの半導体素子5のみが、互いに導電性の第1の接続部9により内側7を介して互いに接続される。図3は、内管2における半導体素子5の構成を示すために拡大図において図2から半導体素子5と共に内管2を示す。半導体素子5は軸方向10において長さ13にわたって延びる。半導体素子5は、内管2の外面にn-ドープおよびp-ドープ半導体素子5として円周方向12において交互に配置される。半導体素子5は内側7および外側8を有し、内側7は内管2に少なくとも部分的に接続され、外側8は外管に少なくとも部分的に接続される。同じ種類の半導体素子5、すなわちn-ドープまたはp-ドープ半導体素子5は、各場合、軸方向10における円周座標11に配置される。これは特に、複数の熱電モジュールを連続して配置する場合に考慮されるべきである。図4は、本発明に係る方法の工程dを示し、外管3は半導体素子5を介して内管2に接続される。空間4は外管3と内管2との間に形成される。図5は、方法の工程eの後に仕上げられた熱電モジュール1を示す。分離プロセスによって、外管3が導電性の第1の接続部9と導電性の第2の接続部16に分けられ、それらは各場合、隣接した、異なってドープされた半導体素子5に、それらの外側8を介して対で各場合互いに接続される。さらに、平行6面体の半導体素子5は分離プロセスによって部分15に細分され、円周方向12において交互に配置されたn-ドープおよびp-ドープ半導体素子5を有する環6が、各場合、軸方向10において連続して配置される。各環6について同一である円周座標11において、導電性の第2の接続部16が外管3により形成され、隣接する管6の異なってドープされた半導体素子5をそれらの外側8を介して互いに接続するために、前記第2の接続部は軸方向10および円周方向12の両方において延びる。導電性の接続部9、16のこの構成の結果として、第1の端側19において接触点17から開始し、軸方向10、円周方向12において延びる、熱電モジュール1を通り、さらに、第2の端側20における接触点17まで半径方向において半導体素子5も通る電流路18を製造することが可能となる。したがって、熱電モジュール1は、連続した構成において同じ種類の他の熱電モジュール1と接続可能であるか、または並行した構成において他の熱電モジュール1を有する熱電発電機を製造できる。ここで、外管3が分離位置14の結果として外側に対して開口する。したがって、図5に示した構成は、さらなる外側ハウジング管により達成され得る。続いて、外側ハウジング管は、特に外側ハウジング管および外管3の間隙のない連結が可能となるように調整される。内管2、外管3または外側ハウジング管の間の空間4は、半導体素子5により最初に満たされ、次いで絶縁体21により満たされる。該絶縁体21は好ましくは、空気または外側ハウジング管の適用後に誘導される真空または保護ガス雰囲気である。本発明は、導電性の第1の接続部および第2の接続部の特別な構成の結果として、半導体素子の外側に配置される導電性接続部に対して半導体素子5の内側に設けられる導電性接続部の非対称構成を備える、熱電モジュールを提案する。