少なくとも1つの開口7を有する熱電材料4からなり、そして、第1の端面2および反対側に配置される第2の端面3を備える半導体素子1であって、前記熱電材料4を通っておよび前記開口7を通って前記第1の端面2と平行なまたは前記第2の端面3と平行な断面の平面8は、前記第1の端面2よりもわずか20だけ大きく、そして同時に、前記第2の端面3よりも小さい領域10を形成する、半導体素子1。前記断面の平面8は、少なくとも前記第1の端面2に対応する、請求項1に記載の半導体素子1。前記少なくとも1つの開口7は、前記第1の端面2および前記第2の端面3から少し離れて配置される、請求項1または2に記載の半導体素子1。環状のセグメント形状の半導体素子1であって、外周面11および内周面12ならびに円周方向5に延びる前側13および反対側に配置される後側14を有し、前記前側13および前記後側14は、前記外周面11に向けて半径方向6に狭まり、かつ相互間に熱電材料4を配置され、前記外周面11に対してまたは前記内周面12に対して平行な前記熱電材料4を通る複数の断面の平面8は、各々、前記内周面12のわずか120の領域を含む、半導体素子1。前記断面の平面8は、少なくとも前記内周面12に対応する、請求項4に記載の半導体素子1。第1の端面2および反対側に配置される第2の端面3、前側13および反対側に配置される後側14、第1の側部15および反対側に配置される第2の側部16、ならびに相互間に配置される熱電材料4を有する半導体素子1であって、前記前側13および前記後側14は、前記第1の端面2から前記第2の端面3に向けて半径方向20に狭まり、前記第1の側部15および前記第2の側部16は、前記半径方向20に広がり、前記第1の端面2に対してまたは前記第2の端面3に対して平行な前記熱電材料4を通る複数の断面の平面8は、各々、わずか5だけサイズ9が変化するだけの領域を有する、半導体素子1。共に熱電素子18を形成する請求項1~6のいずれか1項に記載の少なくとも2つの半導体素子1を有する熱電モジュール17。これを基礎に、従来技術に関して記載されている課題を少なくとも部分的に解決することは、本発明の目的である。特に、適用されるコスト集約型の半導体材料の量を同時に考慮しながら、提供される熱エネルギーの電気エネルギーへの変換に関して改良された効率を可能にする半導体素子は、設けられる。この目的は、請求項1、4または6の特徴による半導体素子を用いて達成される。本発明による半導体素子の有利な実施形態および親ユニットへの前記半導体素子の親統合は、従属請求項において与えられる。請求項において個々にリストされる特徴は、いかなる技術的に意図的な様式でも互いに組み合わされることができて、本発明のさらなる実施形態を表すことができる点に留意する必要がある。特に図と関連した記述は、本発明をさらに説明して、本発明の追加的な例示の実施形態に導く。本発明の第1の態様によれば、半導体素子は、熱電材料からなり、少なくとも1つの開口ならびに第1の端面および反対側に配置される第2の端面を備える。第1の端面に対してまたは第2の端面に対して平行であり、熱電材料を通りおよび開口を通る断面の平面は、第1の端面よりもわずかに20だけ大きい領域を形成する。同時に、断面の平面は、第2の端面よりも小さい領域を有する。半導体素子は、特にnドープトまたはpドープト半導体素子であり、したがって、熱電素子の形成に適している。そしてそれは、例えば排ガスの熱エネルギーから電気エネルギーを生成するための熱電モジュールにおいて用いられることができる。第1の端面および反対側に配置される第2の端面は、高温側または低温側と関係している。その結果、熱は、半導体物質を通って第1の端面から第2の端面へ、またはその逆へと流れることができる。この熱の流れの結果、電流は、対応する電気的に結線された熱電素子の中に生成される。その結果、電流は、熱電素子を通って流れて、目的のために設けられる接点で取り出されることができる。本発明による半導体素子は、目下、異なるサイズの複数の端面を備える。この種の半導体素子は、1つの端面が環状の半導体素子の外周面によって次いで形成され、他の端面が環状の半導体素子の内周面によって次いで形成される筒状の熱電モジュールにおける環状の半導体素子として、例えば用いられる。ここで、外周面は、内周面よりも通常大きい。熱電材料からなる半導体素子の電流生成は、熱の流れが通って流れる断面積にほぼ比例する。環状の半導体素子にとっては、したがって、過剰な熱電材料が外周面に近くにある。なぜなら、前記のより大きい断面積は、限られた熱の流れのために必要でないからである。1つまたは複数の開口の提供は、前記限られた熱の流れへの適応を許容する。その結果、目下実際にほとんどいかなる断面積でも、基本的に同じ熱電材料は、限られた熱の流れ/電流の生成のために効果的に提供される。換言すれば、このようにして、高温側に向くおよび低温側に向く端面に関する外部形状のバリエーションは、内部熱電材料の減少によって補償される。その結果必要とされない熱電材料を節約するために、半導体素子に少なくとも1つの開口を設けることも、提案される。特に、1つまたは複数の開口の提供および/または成形は、半径方向のまたは半導体素子の高さ方向の断面積の増加が基本的に補償されるように、行われる。これは、第1の端面と第2の端面との間に延びる半導体素子の高さの少なくとも60または少なくとも80でさえの比率の少なくともそれ以上を特に好ましくは適用する。したがって、例えば、少なくとも20のまたは少なくとも40でさえの熱電材料は、その効果および/または機能が目立って悪影響を受けることなく、凹所のない等しいサイズの半導体素子と比較して節約されることができる。これは、重要なコスト削減に至る。そしてそれは、目下の高価な熱電材料およびこの種の発生器の大量生産に対する欲求からみて特に重要である。半導体素子の特に有利な実施形態によれば、断面積は、少なくとも第1の端面に対応する。換言すれば、これは、熱電材料の断面積が2つの端面のうちのより小さいものよりも小さくてはならないことを意味する。その結果、半導体素子は、それの中にいわゆるボトルネックを有しない。このボトルネックは、第1の端面と第2の端面との間での半導体素子の対応する少なくとも部分的な狭小化によって生成されることのできる熱または電流の流れを制限する。その結果、使用する熱電材料の量は、効率的に使われない。特に有利な実施形態によれば、少なくとも1つの開口は、第1の端面および第2の端面から少し離れている。高温側または低温側に向けて面する端面ができるだけ大きいことは、それによって達成される。その結果、半導体素子当たりに使用する熱電材料は、効率的に用いられる。同時に、半導体素子が構造的に非常に安定であること例えばフレームの様式では、保証される。なぜなら、開口は、半導体素子の中にあり、したがって、特に熱電モジュールの組み立ての間、半導体素子への損害は、回避されることができるからである。本発明の第2の態様によれば、記載の目的は、環状のセグメント形状の半導体素子を用いても達成される。そしてそれは、熱電材料からなり、また、外周面および内周面ならびに円周方向に延びる前側および反対側に配置される後側を備える。前側および後側は、外周面に向けて半径方向に狭まる。外周面に対してまたは内周面に対して平行な熱電材料を通る複数の断面の平面は、各々、内周面の120以下の領域を有する。環状のセグメント形状の半導体素子については、本発明の第1の態様に関して上で示されたものと同じ目的を保ちながら、凹所のない実施は、同じ効果を達成することもできる。内周面と外周面との間の断面の平面の減少は、ここでは特に、半径方向におけるまたはその高さ全体の環状のセグメント形状の半導体素子の連続的減少/狭小化を通して達成される。環状のセグメント形状の半導体素子の厚みは、したがって、半径方向において内周面でよりも外周面での方が少ない。さらに、環状のセグメント形状の半導体素子の円周方向の範囲は、円周方向における外周面が円周方向における内周面よりも狭いように設計されることができる。環状のセグメント形状の半導体素子のこの種の実施形態は、同様に本発明によるものであり、そして、外周面に対してまたは内周面に対して平行な熱電材料通る複数の断面の平面は、各々、内周面のわずか120の領域を有するに至る。前側および後側の収束もステップ形でおよび/または領域によって設けられることもまた、もちろん可能である。加えて、上記の意味における少なくとも1つの開口は、加えて設けられることもできる。半径方向における半導体素子の前記減少は、円周または周辺の断面積の増加に好ましくは基本的に適している。その結果、このようにしてまた、短くかつ厚い内周面に応じて、対応するより長くかつより狭い周辺の断面の平面または最終的に対応する最も長くかつ最も狭い外周面は、熱の流れまたは電流の流れのために提供される。例えば、少なくとも20のまたは少なくとも40でさえの熱電材料は、したがって、その効果および/または機能に目立って悪影響を及ぼすことのない一定の厚みの半導体素子と比較して、節約されることもできる。半導体素子のさらなる特定の実施形態によれば、断面の平面は、少なくとも内周面に対応する。いわゆるボトルネックが外周面と内周面との間に生じないことは、それによっても達成される。そしてそれは、それを通過する熱の流れから電流の生成に関して半導体素子の効果を制限する。本発明の第3の態様の結果として、上述の目的は、熱電材料の半導体素子でも達成される。そしてそれは、前側および反対側に配置される後側、ならびに第1の側部および反対側に配置される第2の側部と同様に、第1の端面および反対側に配置される第2の端面を備える。前側および後側は、第1の端面から第2の端面に向かう方向に狭まり、そして、第1の側部および第2の側部は、同じ方向に広がる。第1の端面に対してまたは第2の端面に対して平行な熱電材料を通る複数の断面積は、わずか5だけ大きさが変化するだけの領域を有する。特に、第1の端面および第2の端面は、同一のサイズであるが、異なる幾何学形状を有する。その結果、第1の端面の幾何学形状は、平行でない前側および後側、ならびに第1の側部および第2の側部によって、第2の端面の幾何学形状に接続している。特に、同様に、第1の端面と第2の端面との間の前記形状の移行transitionにおいて、いわゆるボトルネックは生じない。そしてそれは、第1の端面と第2の端面との間の断面の平面の領域の大きさが、同様に、同一のサイズの端面にとって変化してはならないことを意味する。異なるサイズの端面の場合には、一方が他方よりも上方に配置されるそれらの間で対応する断面の平面は、より小さい面からより大きい面までより大きい面のサイズに向けて連続的に収束しなければならない。より小さい面とより大きい面との間の前記移行は、特に線形に起こる。その結果、観察された断面の平面の同じ距離のための断面の平面のサイズの一定の増加がある。もちろん、熱/電流の流れのための基本的に一定の断面の提供については、少なくとも1つの開口および/または部分的狭小化は、加えて設けられることができる。さらなる特に有利な実施形態によれば、本発明による少なくとも2つの半導体素子特にnドープトおよびpドープトであり、したがって、共に熱電素子を形成するを有する熱電モジュールは、設けられる。この種のモジュールの特定の実施形態のために、図の導入および説明の実施形態を特に参照する。本発明は、適切な熱電モジュールを有する自動車両において特に用いられる。そしてそれは、本発明による半導体素子を含む。熱電モジュールは、特に熱電発生器に組み込まれる。そしてそれは、好ましくは複数の熱電モジュールを含む。前記熱電発生器は、自動車両のエンジンの排ガスから抽出される電気エネルギーを、自動車両の消費部またはバッテリに供給する。本発明および発明の技術分野は、図を用いて以下で詳細に説明する。図は、本発明の実施形態の特に好適な変形を示すが、しかし、本発明は、それに制限されない点に留意する必要がある。図1は、熱電材料4からなるより小さい第1の端面2およびより大きい第2の端面3を有する半導体素子1の第1の設計変形を示す。第1の端面は、第2の端面3から高さ32だけ離れている。半導体素子1はまた、開口7を備える。そしてそれは、半導体素子1を通って熱電材料4の中を延びる。熱電モジュール内に据え付けられるときに、前記開口7は、特に、空気、真空、不活性ガス、セラミックまたはマイカ材を充填される。断面の平面8は、第1の端面2に対してまたは第2の端面3に対して平行に配置されてこれもまた開口7を横切る。断面の平面8は、領域10を有する。そしてそれは、第1の端面よりもわずかに20大きく、そして同時に、第2の端面3よりも小さい。断面の平面8は、熱電材料4が横切られる領域を含むだけである。断面の平面8は、したがって、開口7が横切られる領域を含まない。図2は、半導体素子1の他の第1の設計変形を示す。前記半導体素子1は、環状の形において実施され、したがって、内周面12および外周面11を備える。そしてそれは、半導体素子1を内的におよび外的に境界づける。さらに、半導体素子は、前側13およびここでは示されない後側を備える。前側13では、半導体素子1の中に配置される開口7を見ることができる。ここで、断面の平面8は、第1の端面内周面12に対しておよび第2の端面外周面11に対して平行に形成される。断面の平面8は、内周面12よりもわずかに20大きく、そして同時に、外周面11よりも小さい領域を有する。外周面11の近くに配置される半導体素子1の熱電材料4は、外向きの半径方向6において距離の増加にともなって円周方向5に広がる開口7によって、対応して減少する。したがって、熱電材料4は、実施中、すなわち熱電モジュール内に据え付けられるときに、半導体素子1の効率を低下させずに節約されることができる。図3は、半導体素子1の第2の設計変形を断面の側面図において示す。前記環状の半導体素子1は、外周面11および内周面12を備える。そしてその相互間の距離は、高さ32を定義し、そして、前側13および後側14によって横方向に境界づけられる。複数の断面の平面8は、半導体素子1の中に配置される。そしてその各々は、外周面11に対してまたは内周面12に対して平行な領域10を有する。そしてそれは、内周面12のわずか120である。前側13および後側14の相互間の距離によって定義され、そして半径方向31に延びる半導体素子1の厚みは、内周面12から始まり外周面11に向けて半径方向6に減少する。その結果、半導体素子1の前述の条件は、満たされる。図4は、図3による半導体素子1を平面図において示す。その結果、ここでは、前側13は、図の面において見ることができ、後側14は、隠れる。環状の半導体素子1は、その外周面11によって外的に、およびその内周面12によって内的に境界づけられる。半導体素子1は、円周方向5に延び、そして半径方向6において別の1つ上に配置される断面の平面8を備える。そしてそれは、外周面11に対してまたは内周面12に対して平行に半導体素子1を横切る。図5は、半導体素子1の第3の設計変形を示す。これは、高さ32によって互いに離れている第1の端面2および第2の端面3、そして前側13および後側14、そして、図の面にある第1の側部15およびこの図5では隠れる第2の側部16を備える。熱電材料4を有する半導体素子1は、ここでは第1および第2の断面の平面8を備える。そしてそれは、一方が他方よりも上に配置され、そして、第1の端面2に対してまたは第2の端面3に対して平行に熱電材料4を横切る。図6は、図5の半導体素子1を90°回転して示す。その結果、ここでは、第2の側部16は、第1の側部15と同様に、第1の端面2および第2の端面3および前側13に加えて見ることができる。図6において、第1の側部15および第2の側部16は、第1の端面2から始まり第2の端面3に向けて方向20において互いに広がる。一方、図5では、前側13および後側14は、第1の端面2から始まり第2の端面3に向けて方向20において互いに狭まる。第1および第2の断面の平面8は、図6にも示される。図7は、図5および図6に示される上方の断面の平面8を示す。そしてそれは、前側13、後側14、第1の側部15および第2の側部16の間に熱電材料4を通って延びる。前記断面の平面8は、第1の端面2および第2の端面3と比較してサイズ9がわずかに5それるdeviate領域10を有する。したがって、図8は、図5および図6の半導体素子1の第2の下方の断面の平面8を示す。前記断面の平面8は、前側13、後側14、第1の横方向の表面15および第2の横方向の表面16によって同様に境界づけられる。断面の平面8は、熱電材料を横切り、したがって、サイズ9を有する領域10を有する。そしてそれは、第1の端面2および第2の端面3からわずか5だけ同様にそれる。図9は、第2の設計変形による複数の環状の半導体素子1を有する熱電モジュール17を示す。これらは、内筒22の周囲にかつ外筒21の中に環状の様式で配置される。内筒22は、ダクト23を形成する。そしてそれは、高温媒体26の通過流を運び、したがって、中心軸線24に沿った流れを運び、したがって、高温側27を形成する。低温媒体25は、低温側28がここに形成されるように、外筒21の外側を流れる。半導体素子1は、したがって、外筒21によって形成される低温側28と、内筒22によって形成される高温側27との間に延びる。半導体素子1は、熱電素子18のペアを形成し、そして、内筒22上の中心軸線24に沿って順々に対応して配置される。外筒に向けて増加する半導体素子1の間隔は、絶縁材30で満たされる。そしてそれは、例えば空気、真空、不活性ガス、セラミックまたはマイカ材でさえから成ることができる。半導体素子1は、金属ブリッジ29によって外筒21側上でおよび内筒22の側上で各々交互に接続している。その結果、電流は、高温媒体26の熱エネルギーから発生し、そして熱電モジュール17を通って流れることができる。熱電モジュール17は、自動車両19の内部に、特に熱電発生器の内部に配置される。