光電池セルのパネルを製造するための方法であって、a各々がセル用であり、金属基板SUBの前面上に配置された光起電力膜PVを得るステップと、b光起電力膜PVの各前面上に少なくとも1つの導電性膜CG、CNDを形成するステップと、cセルを互いに絶縁するために前記基板SUBを切断するステップと、d共通支持部上に前記セルを封止するENCステップとを含み、前記ステップdおよびステップcは、ステップdが、ステップcにおいて前記基板がその背面を切断されることに先立って前記基板の前記前面を封止するように、逆にされ、-ステップbにおいて、前記導電性膜のある領域は、前記導電性膜が前記光起電力膜の前記前面および前記基板の前記前面の両方と同時に接触するように前記基板の上方に延び、-ステップcにおいて、前記基板が、少なくとも前記導電性膜の前記領域の下、かつ前記領域の幅よりも狭い基板幅にわたって、前記光起電力膜間の短絡を回避するために切断され、前記導電性膜の前記領域が前記基板と結合し、よって、前記光起電力膜の前記前面は隣接するセルの光起電力膜の背面に電気的に接続される、方法。前記導電性膜が、前記光起電力膜PVから発せられる電荷用であり、前記光起電力膜PVの前記前面に付けられたコレクタグリッドCGを含む、請求項1に記載の方法。前記導電性膜が、前記コレクタグリッドに付けられ、前記基板の前記前面と接触するために前記領域Z1、Z2を覆う導電性ストリップCNDをさらに含む、請求項2に記載の方法。前記導電性膜CNDが、前記光起電力膜PVを少なくとも部分的に覆い、前記光起電力膜PVを超えて第1の領域Z1および第2の領域Z2中へと延び、前記第2の領域Z2が前記第1の領域Z1よりも前記光起電力膜PVからさらに遠く、-前記第2の領域Z2が、前記基板SUBの前記前面を覆い、前記基板SUBと接触し、-前記基板SUBが、前記第1の領域Z1の下方に空いたスペースDを有するように切断される、前記請求項のいずれか1項に記載の方法。絶縁膜ISがステップbに先立って形成され、前記絶縁膜が、-前記光起電力膜PVに隣接し、前記光起電力膜の厚さよりも厚い厚さであり、-前記基板の前記切断部の上方、かつ前記導電性膜の延長した前記領域Z1の一部の下に位置するように意図される、前記請求項のいずれか1項に記載の方法。請求項4との組み合わせで、前記絶縁膜ISが、前記第1の領域Z1の下方に位置し、前記光起電力膜PVを前記第2の領域Z2から分離することを意図する、請求項5に記載の方法。前記絶縁膜が、前記第2の領域Z2と反対側の前記光起電力膜PVの一方の端部を覆う、請求項6に記載の方法。-前記絶縁膜ISが、ステップaとステップbとの間で少なくとも前記基板の前記前面に形成され、-前記基板が、ステップcにおいて前記絶縁膜ISの下方で切断される、請求項6または7のいずれかに記載の方法。-ステップbの前に、前記基板SUBの前記前面が、ステップcによる前記基板内の前記切断部のテンプレートを形成するために、前記基板の全体の厚さ未満をエッチングされ、-前記エッチング操作の後で、前記絶縁膜ISが、前記基板SUBの前記前表上に形成され、-前記封止ステップの後で、前記基板を切断するステップが、前記基板の前記全体の厚さにわたって完了する、請求項6または7のいずれかに記載の方法。-ステップbの前に、前記基板が、前記第1の領域Z1に対応する前記基板の一領域内で局所的に、かつ前記第1の領域Z1よりも実質的に長く切断され、-前記封止ステップの後で、前記基板を切断するステップが、前記第1の領域Z1を超えて終了する、請求項6または7のいずれかに記載の方法。-前記パネルの各セルの動作を機能的に試験するステップと、-試験したセルが不良である場合に、前記不良セルを形成するために、ステップcにおいて作った前記基板内の前記切断部Dを導電性材料で埋めることによって前記不良セルにおける動作を短絡するステップとをさらに含むことを特徴とする、前記請求項のいずれか1項に記載の方法。前記請求項のいずれか1項に記載の方法を実施することによって形成した光電池セルのパネルであって、前記導電性膜が、前記光起電力膜PVから発せられる電荷を集めるために、前記光起電力膜PVの前記前面に形成されたコレクタ層CGを備え、前記コレクタ層CGが、前記光起電力膜PVを少なくとも部分的に覆い、前記光起電力膜PVを超えて前記第1の領域Z1および前記第2の領域Z2の上方に延伸し、前記第2の領域Z2が前記第1の領域Z1よりも前記光起電力膜PVからさらに遠く、-前記第2の領域Z2が、前記基板SUBの前記前面を覆い、前記第2の領域Z2が前記基板SUBと接触し、-前記基板SUBが、少なくとも前記第1の領域Z1の下方で切断されるD、パネル。前記基板SUB内の前記切断部が、セル間の相互配線用の所定の配線図に対応する選択したパターンに従い、セルを囲む切断パターンが、直列構成に前記セルを設置することに対応する、請求項12に記載のパネル。しかしながら、セルを切断し相互接続するためのかかる方法は、時間がかかり、産業的に高価である。本発明は、この状況を改善する。したがって、同じ支持部上に各セルの前述の光起電力膜を保持することを提案し、前記支持部を光起電力膜の最初の基板から構成することができる。以下に説明する実施形態から分かるように、基板を切断することができるが、特にセルを分離しない、言い換えると、本発明による方法の過程においては、セルの光起電力膜は互いに動かず、このことはセル相互接続ステップまでずっと当てはまる。そのために、本発明は第1に、光電池セルのパネルを製造するための方法に関し、以下のステップ、a各々がセル用であり、金属基板の前面上に配置された光起電力膜を得るステップと、b光起電力膜の各前面上に少なくとも1つの導電性膜コレクタグリッドなどの、例えばコレクタ層を形成するステップと、cセルを互いに絶縁するために基板を切断するステップと、d共通支持部上にセルを封止するステップと、を含む。本発明によれば、ステップdおよびステップcは、ステップdが、ステップcにおいて基板がその背面を切断されることに先立って基板の前面を封止するように、逆にされる。さらに、-ステップbにおいて、導電性膜のある領域は、導電性膜が光起電力膜の前面および基板の前面の両方と同時に接触するように基板の上方に延び、したがって、セルの光起電力膜は、このステップbで金属基板によってこれらの間が短絡され、-ステップcにおいて、基板が、少なくとも導電性膜の上記の領域の下、かつ領域の幅よりも狭い基板幅にわたって、光起電力膜間の短絡を回避するために切断される。導電性膜の前述の領域が基板と結合し、よって、光起電力膜の前面は隣接するセルの光起電力膜の背面に電気的に接続される。したがって、本発明による方法は、セルの製造全体を通して同じ支持部基板、その後、前面の封止部上にセルを保持することを可能にし、これが次に、互いにセルの機械的な分離を回避すること、およびその後に続く共通支持部へのセルの再付着を可能にする。前述の導電性膜が、光起電力膜から発せられる電荷用のコレクタグリッドを含むことが好ましく、これはしたがって、光起電力膜の前面に形成され、かつ前述の領域内で基板の前面の上方に延びる。必須ではなく任意に、導電性膜は、基板の前面と接触するために、コレクタグリッドに付着して形成され、かつコレクタグリッドの前述の領域を覆う導電性ストリップをさらに含むことができる。図2を参照すると以下でより詳細に分かるように、光起電力膜この図2ではPVと符号を付されているは、導電性膜CND、CGによって少なくとも部分的に覆われる。特に、導線性膜は、光起電力膜PVを超えて第1の領域Z1および第2の領域Z2第2の領域が第1の領域よりも光起電力膜からさらに遠い中へと延びる。よって、-第2の領域Z2が、基板SUBの前面を覆い、かつ基板と接触し、-基板SUBが、空いたスペースDを有するように切断され、以降、第1の領域Z1の下方の切断部Dと呼ぶ。また、ステップbに先立って形成され、-光起電力膜PVに隣接し、かつ光起電力膜の厚さよりも厚く、-基板の切断部Dの上方で、かつ導電性膜の延びた領域Z1の一部の下に位置することを意図した、絶縁膜ISがある。より詳しくは、絶縁膜ISは、第1の領域Z1の下方に位置して光起電力膜PVを第2の領域Z2から分離することを意図し、好ましくは、前述の第2の領域Z2と反対側の光起電力膜PVの一方の端部を覆う。第1の実施形態では、-絶縁膜が、ステップaとステップbとの間で少なくとも基板の前面に形成され、-基板が、ステップcにおいて絶縁膜の下方で切断される。第1の変形形態では、-ステップbの前に、基板の前面が、ステップcによる基板内の切断部のテンプレートを形成するために、基板の全体の厚さ未満をエッチングされ、-エッチング操作の後、絶縁膜が、エッチングの位置で基板の前面上に形成され、-封止ステップの後、基板を切断するステップが、基板の全体の厚さにわたり完了する。さらに別の一変形形態では、-ステップbの前に、基板が、前述の第1の領域に対応する基板のある領域内で、第1の領域よりも実質的に長い局所的な部分のみが切断され、-封止ステップの後、基板を切断するステップが、前記第1の領域を超えて終了する。有利には、-パネルの各セルの動作を機能的に試験するステップと、-試験したセルが不良である場合に、不良セルを形成するために、ステップcで作製した基板内の切断部を導電性材料で埋めることによって不良セルにおける動作を短絡するステップと、をさらに有してもよい。したがって、パネルのセルの中の不良セルの存在が、全体のパネルの後々の機能に悪影響を及ぼさず、パネルから不良セルの機械的な除去も必要としない。本発明はまた、上記の方法を実施することによって得られた光電池セルのパネルに関する。セルの導電性膜は、光起電力膜から発せられる電荷を集めるために、光起電力膜の前面に形成されたコレクタ層を備え、コレクタ層が光起電力膜を少なくとも部分的に覆い、光起電力膜を超えて第1の領域および第2の領域の上方に延び、第2の領域が第1の領域よりも光起電力膜からさらに遠い。特に、-前記第2の領域が、基板の前面を覆い、第2の領域が基板と接触し、-基板が、少なくとも前記第1の領域の下方で切断される。このことは、得られたパネルにおいて本発明による方法の考えられる特徴のうちの1つであることが理解されるであろう。この特徴を、図1aと下記に説明する図4bとを特に比較することによって理解することができる。また、図5aから図5cを参照すると分かるように、都合の良いことに、基板内の切断部は、セル間の相互配線直列、並列、直列/並列、等用の所定の配線図に対応する選択したパターンに従うことができる。特に、セルを完全に囲む切断パターンが、直列構成にセルを設置することに対応する場合がある。本発明のその他の長所および特徴は、以下に提供される、考えられる実施形態を読むことからおよび添付した図面を検討することから明らかになるであろう。まず、SUBと表した金属基板上に載置した完全なセルC1および隣接する部分セルC2を示す図2を参照する。特に、各セルC1は、-光起電力膜PV、および-以下に説明するように、2つのセルC1およびC2を相互接続することが可能な、少なくとも1つの導電性膜CND、を備える。この導電性膜CNDは、光起電力膜PVの前面を少なくとも部分的に覆い、光起電力膜PVを超えて基板SUBと接触するように延びる。特に、導電性膜CNDは、光起電力膜PVを超えて、-第1の領域Z1、続いて-第2の領域Z2、の上方に延び、第2の領域Z2は、第1の領域Z1よりも光起電力膜PVから遠くにある。実際に、図3を参照すると分かるように、導電性膜CNDは、光起電力膜PV上への入射光を妨害しないように、光起電力膜PVを部分的に覆うにすぎない。本発明によれば、セルC1、C2は、ここでは金属基板SUBである、すべてのセルに共通の同じ支持部上に保持され、各セルの光起電力膜PVが共通金属基板SUBを覆う。図3を参照すると分かるように、セルの光起電力特性を有する膜PVは、金属基板SUBの全体の表面をふさがずに部分的に覆うにすぎず、基板SUBの表面の補完的な部分を、以下に説明するように配線用に残す。特に、隣接するセルC2と相互接続されるセルC1では、前述の第2の領域Z2が、共通基板SUBを覆って基板と接触する。さらにその上、基板SUBが切断され、それゆえ、特に第1の領域Z1の下方に空いたスペースDを有する。この空いたスペースDがないと、セルC1は、例えば、金属基板SUBによって短絡される。基板を切断すること、したがってこの空いたスペースDを作ることによって、電流は、図2に矢印によって示したようにセルC1およびC2のそれぞれの光起電力膜PV間を、セルC1の膜PVの前面から、-導電性膜CND、-セルC1の第1の領域Z1、-セルC1の第2の領域Z2、-金属基板SUBの一部、を介してセルC2の膜PVの背面へと流れる。図2の空いたスペースDを、基板SUBの局所エッチングによって簡単に実現することができる。後で説明するセル相互配線の例に見られるように、基板内のかかる切断部Dは、セルC1を囲むように作ったときに、図3に図示したように、例えば、直列接続にセルC1がセルC2と短絡することを回避することを既に可能にする。しかしながら、光起電力膜PVが空いたスペースDを超えて延びないこと、特に図2の例に図示したように空いたスペースDの右へとセルC2に近い基板SUBと接触しないことを確実にしなければならない。このために、空いたスペースDを覆い、膜PVを第2の領域Z2とは分離する絶縁膜ISがある。前に示したように、通常、光起電力膜PVから発せられる電荷を集めるためのコレクタグリッドがある。図2を再び参照すると、導電性膜CNDは、光起電力膜PVから発せられる電荷を集めるかかる特性を有する下地膜CGを好ましくは含む。コレクタグリッド膜の一例を、図4aから図4cを参照して以下により詳細に説明する。このように、図2に示したように、-基板SUB内の切断部を、セルC1の光起電力膜PVとセルC2の光起電力膜PVとの間の絶縁機能を有するようにここでは考えることができ、-一方で、第2の領域Z2への導電性膜CNDの延長部が、2つの光起電力膜PV間の接続機能を有する。したがって、図3および図5aから図5cを参照すると以下から分かるように、共通基板SUB内の切断部は、セルの電気的な相互配線用の所定の図に対応する選択したパターンに従う。図3は、直列構成にある2つのセルC1およびC2の相互配線のケースを示し、図3中の矢印IIが図2の断面図の面を示す。したがって図3の参照符号は、図2の参照符号と同じ構成要素を示す。特に参照符号Dは、基板SUB中に形成した空いたスペースを示す。その空いたスペースDを、ここでは溝の形態で示し、したがって、2つのセルC1およびC2を分離する。しかしながら、セル間の絶縁用の溝Dのパターンを、セル間の相互配線用の延長領域Z2のパターンのように、セルの電気的な相互配線用の所定の図に基づいて選択することができる。図5aは、4つのセルC1からC4の直列接続のために適した切断パターン点線を図示し、その等価図をEQAで表示する。IS2で示したセルC2の絶縁膜がセルC2とC3との間の基板内に形成した溝まで延びることに留意されたい。セル例えば、C1を完全に囲む切断パターンは、そのセルC1と隣接するセル例えば、C2の直列接続に対応する。図5bでは、もう1つの考えられる実施形態において、4つの図示したセルC1からC4が、その図中の等価図EQBに従って並列に接続される。図5cの例では、4つの図示したセルC1からC4が、並列/直列図EQCに従って接続され、セルC1およびC2をセルC4およびC3とともに直列に接続する。図4aおよび図4bをここで参照して、例えば、図2に図示したセルアセンブリC1、C2を製造するための方法の考えられる実施形態を説明する。図4aの最上部のところの最初の図に示したように、始めに、光起電力膜PVを共通金属基板SUB上に始めに形成する。例えば、基板SUBを、鉄、銅、またはアルミニウム製の薄い金属箔50から100μmとすることができる。起電力特性PVを有する能動層を基板上に堆積する前に、モリブデンマッチング層図示せずを堆積することができる。このまたはこれらの堆積複数可を、例えば、電気分解によって行うことができる。というのは、基板SUBが導電性であり、したがってこのまたはこれらの電気分解堆積複数可に適応できるためである。また、光起電力層PVも電気分解によって堆積することができ、前に説明したようなI-III-VI2化合物に生成することができる。当然のことながら、本発明は、任意の別のタイプの堆積におよび任意のタイプの光起電力材料に適応する。次に、この実施形態における第1のステップでは、光起電力膜PVおよび基板SUBの前面に広がり、光起電力膜PVの一方の端部および基板SUBの前面の隣接する部分を覆う絶縁膜ISを選択的に堆積する。例えば、コレクタグリッドCGの層の形に導電性膜を、絶縁膜ISを超えて、-光起電力膜PVの前面の一部まで、-絶縁膜ISまで、および-絶縁膜ISに隣接する基板SUBの前面の一部まで、次に連続的に形成する。コレクタグリッド膜CG当然のことながら、導電性であるは、それ自体セルを相互接続するために十分である場合がある。これを、アニールして乾燥させることができる液体銀を含有するメタライゼーションペーストの形態とすることができる。任意で、コレクタ膜CGの前面に付けられるもう1つの導電性膜CNDがある。この膜CNDを、単に接着性金属ストリップとすることができる。絶縁膜ISは、光起電力膜PVを導電体CGの第2の領域Z2から分離し、図2を参照して前に説明した空いたスペースDを覆うことを目的としている。したがって、絶縁膜ISは、光起電力膜PVと図2の第1の領域Z1内の導電性膜CGおよび/またはCNDとの間の層にある。本発明による方法の実際的な実施形態では、絶縁膜ISは、光起電力膜PVを好ましくは部分的に覆う。実際に、膜PVの側端部がコレクタグリッドCGから十分に絶縁されることを確実にするために、絶縁物ISを、光起電力膜PVの側端部を完全に覆って堆積させる。このステージにおいて、膜および基板アセンブリの前面図4aの最上部の封止ENCを実行する。この目的は、特に、-第1に、例えば、EVAエチレンビニルアセテートまたはPVBポリビニルブチラールなどのポリマーなどの封止材料にボンディングした、例えば、ガラスプレートVEまたは任意の他の透明保護材料製を設けることによって堆積物を保護するため、-第2に、図4bを参照してここで説明するように、基板を切断するステップを実施するときに、1つのブロックとしてアセンブリを機械的に保持するためである。特に図3または図5aを参照して上に論じたように、基板は各セルの周りが完全に切断されることがあり、可能性としてセルが互いに機械的に離脱するという結果になる場合がある。基板の切断に先立つアセンブリの前面の封止により、かかる離脱が回避される。したがって、図4bを参照すると、保護プレートVEをボンディングした後では図4bの一番上の図、基板SUBの背面を自由のまま残すことが分かる。基板SUBを、次に背面から切断して、特に各セルの絶縁物ISの下方に空いたスペースDを形成する。したがって、これが、セル間の電気的な短絡を回避する。この切断ステップを、レーザエッチング技法を用いて、または単にソーイングによって、または化学エッチングによって、または少なくとも絶縁膜ISの上方のコレクタグリッドCGへの損傷を回避することを可能にする任意の他のタイプの技術によって、行うことができる。一旦、基板を切断し、セルの短絡を回避すると、次に、保護コーティングPROTを基板SUBの背面に形成する。ここで図6aを参照して、特に、基板SUB切断ステップ中に絶縁膜ISおよびとりわけコレクタグリッドCGをできるだけ多く保存しようとする変形形態を説明する。特に、ここでは、基板の前面上のその厚さの一部だけ基板を事前に切断する図6aの領域D’。プレートVEのボンディングにより前面の封止ENCまで、光起電力膜PV、絶縁膜IS、コレクタグリッドCGの堆積物、および補足的な導電性膜CNDを形成するための後続のステップを実行する。次に、空いたスペースDを、特に絶縁膜ISの下に作り出すために基板の全厚さにわたり、追加の切断を基板SUBの背面から実行する。次に、保護プレートPROTを、完全に切断した基板の背面にボンディングすることができる。例えば、この実施形態では、絶縁膜ISを堆積する前に、共通基板SUBの金属を、前面から部分的にレーザエッチングすることができる。その後、基板の完全な切断を、プロセスの最後に低いレーザ出力で実行することができ、これによって、コレクタ層CGまたはコネクタストリップCNDに損傷を与えるリスクを低減する。このように、基板を切断することによってコレクタグリッドCGが悪影響を受けるリスクがある場合には、基板SUB切断プロセスは、特にコレクタグリッドCGの存在下では重要である。したがって、別の一変形形態は、グリッドCGを維持するために、基板上に絶縁体ISおよびコレクタグリッドCGを堆積する前に、基板SUBの全厚さを局所的に切断することから構成される。この変形形態を図6bに示す。この変形形態による方法では、絶縁体ISおよびコレクタ層CGの堆積を受けようとする基板の領域D内だけ、基事前に板SUBを局所的に切断する。図4aおよび図6aを参照して上に説明した方法の始めのところにおけるように、光起電力膜PVを形成する。次に、基板を局所的に切断することによって作り出された空いたスペースD上に、絶縁体ISを堆積する。ここでは、絶縁膜ISの材料がスペースD中へと入り込むことができることに留意すべきである。しかしながら、かかる可能性は、セルの最終機能に悪影響を及ぼさず、スペースDの目的は、前記スペースDの両側の基板の2つの部分を実際に絶縁することである。基板の厚さが図6aの最上部のところの最初の図に示したように部分的にだけ事前に切断されるときには、同じことが当てはまる。次に、コレクタグリッドCGおよび導電体CNDならびに封止体ENCを堆積する別のステップを、基板SUBの背面を自由のまま残した状態で実行する。一旦、これらのステップを実行すると、例えばセルの周縁部全体の周りを背面まで完全に、基板を切断することができる。図6bの例では、基板が各セルC1、C2の全体の周りを切断されるという事実を、点線によって図示する。一旦、基板を完全に切断すると、背面の封止を実行することもまた可能である。図6aおよび図6bによるこれらの方法による解決策が、方法の終わりまですべてのセルを互いに一体的に付着させて機械的に維持することの可能性を有することに、やはり留意すべきである。したがって、本発明による方法は、-セルを規則正しく個々に切断すること、-共通支持部上にすべてのセルをしっかりと固定すること、-各セルに対するコンタクトの作製、-それから最後に、セルの相互配線、を可能にすることを必要とせずに、その支持部上に堆積したすべての光電池セルを、基板SUBによって実施される同じ支持部上に都合よく維持することを可能にする。ここでは、基板SUBは、基板の前面の封止までセルに対する機械的な支持部として働く。しかしながら、本発明による方法では、図7をここで参照して、セルアセンブリ中の不良セルCという問題が生じることがある。ここでは、セルが共通支持部を介して互いに機械的に取り付けられているが、不良セルCを電気的に除外しなければならない。この困難を下記のように克服する。すなわち、-前面の封止に先立って、各セルの動作の機能試験を実行し、-試験したセルが不良である場合には、導電性材料CONDを用いて不良セルCの下方の空いたスペースDを埋めることによって、短絡操作を不良セルに実行する。例えば、前記セルCのスペースDを再接合するために準備を行うことができ、これはそのときには、前記セルのアノードとカソードとの間を短絡する効果を有する。当然のことながら、本発明は、上に説明した実施形態に限定されず、一例として他の変形形態に適用される。したがって、本発明が、本発明による方法において使用される任意のタイプの光起電力材料PVまたは絶縁材料ISまたは導電性材料CG、CNDに対して適用され、上に与えた実施形態に決して限定されないことが、理解されるであろう。同様に、図に示した膜の幾何学的形状、およびそれぞれの厚さもまた、単に説明のための例として提示されている。例えば、図8を参照すると、図1から図7に示したものの変形形態として光起電力膜PVの1つの考えられる形状は、基板の全体の幅にわたって延びるストリップから構成される。各膜PVは、絶縁膜ISがその上に形成される基板内の切断部Dによってもう1つの隣接する膜PVとは分離される。各膜PV上に堆積したコレクタグリッドCGは、切断スペースDの直ぐ後ろの金属基板と接触する導電性フィンガを含む。かかるアセンブリは、2つのセル電極ELEアノードおよびカソード間の直列接続に対応する。さらにその上、コレクタ層CGに付けたコネクタストリップCNDを、一例として上に説明したが、任意選択とすることができる。実際に、領域Z2において基板SUBと接触するコレクタ層CGは、光起電力膜PVの前表面を基板へ、そしてそこから隣接するセルの光起電力膜の背面へと相互接続するために十分である。図1aに図示したような先行技術のコレクタ層CGが、かかる機能を持たず、単純に絶縁膜ISのところで止まることに、やはり留意すべきである。したがって、特に図2に図示したような本発明のケースとは対照的に、光起電力膜PVを超えてコレクタ層が延びる領域Z1およびZ2は、先行技術においては認められない。基板SUB上のコレクタ層CGのこの延長部が、得られる光電池セルパネルにおいて本発明に従った方法の特徴のうちの1つであることが、したがって理解されるであろう。