デバイス後工程にて薄型化のために裏面研削もしくは裏面研磨されたシリコン基板に対して少なくとも上記加工起因により生じたキズや歪を含む領域を溶融させた後に再結晶化させる事を特徴とするシリコン基板の製造方法である。シリコン基板裏面から少なくとも0.01μm以上1.0μm以下の範囲を溶融させる事を特徴とする請求項1記載のシリコン基板の製造方法である。薄型化工程で付着するスラリーやシリコン屑除去のための裏面洗浄を施した後にシリコン基板裏面を溶融させる事を特徴とする請求項1記載のシリコン基板の製造方法である。重金属を捕獲できる物質を混入させたスラリーあるいは純水にて研削あるいは研磨を施したシリコン基板、または、薄型工程後に重金属を捕獲できる物質を混入させた純水にて裏面洗浄を施したシリコン基板に対して、裏面を溶融させることを特徴とする請求項1のシリコン基板の製造方法である。本発明の目的は、デバイス後工程で薄型化されたシリコン基板に対して裏面研削で生じた残留応力を大幅に低下させる事を可能とし、同時に強力なゲッタリング効果を付与させることも可能なシリコン基板及びその製造方法を提供することにある。発明者は、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、シリコン基板の裏面研削工程または研磨工程後にレーザー光を照射させシリコン裏面および近傍を溶融させた後に再結晶化させることで残留応力を飛躍的に低下させ、更にシリコン裏面の溶融中に重金属を捕獲できる物質をドープさせることで強力なゲッタリング効果を発揮できることを見出し、本発明を完成させるに到った。請求項1に記載の発明は、デバイス後工程にて薄型化のために裏面研削もしくは裏面研磨されたシリコン基板に対して少なくとも上記加工起因によるキズや歪を含む領域を溶融させた後に再結晶化させる事を特徴とするシリコン基板の製造方法である。請求項1に記載の発明によれば、薄型化されたシリコン基板の研削または研磨で導入された裏面の研削痕を溶融させる事で研削起因により発生している残留応力を低減させる事が可能であり、加工による物理的なダメージをシリコン裏面に与えないために残留応力を極めて小さく出来る事が特徴である。レーザー光としては、単一波長に限定するものでなく複数の波長光を使用しても良く、連続照射法でもパルス照射法でも可能である。レーザー光の照射は、研削後あるいは研磨後のシリコン基板でもチップ化された後でも良い。特に、レーザー光照射時の熱伝導によるデバイス作製面側の温度値は管理する必要がある。すなわち、素子領域の温度上昇はデバイス特性の劣化を引き起こすためにレーザー光の波長に関してはシリコン材料に対する吸収係数が大きな短波長光を照射させることで表面側の温度上昇を抑制できる。更に、レーザー光パルス幅は、数十ナノ秒からフェムト秒オーダーでの短時間照射が好ましい。請求項2に記載の発明は、薄型化されたシリコン基板の裏面側を少なくとも0.01μm以上1μm以下の範囲で溶融させる事を特徴としている請求項1記載の製造方法である。請求項2に記載の発明によれば、残留応力を生じさせている領域は表層であるためにドライポリッシュのような研磨では約0.01μm、2000のような砥石による研削では0.5μm深さの領域まで研削痕が観察されるために溶融深さは0.01μm以上1μm以下としている。好ましい溶融深さは、殆どの非晶質領域やクラックを除去できる0.2μmから0.4μmの範囲である。この溶融深さであればレーザー光の照射エネルギーを小さくできるためレーザー発振装置価格を下げる事が可能であり生産性も大幅に向上できる。上記レーザー照射条件にて研削あるいは研磨後のシリコン基板裏面を溶融再結晶化させることにより裏面および近傍領域に生じている残留応力を大幅に低減できるためチップの抗折強度の低下を抑制できる。現状、薄型チップの積載デバイスは残留応力起因によるワレ問題が生じていると言われているが、本手法により各チップの残留応力を大幅に低減出来るためにワレ問題を低減させる事が可能となる。請求項3に記載の発明は、薄型工程後のスクラブ洗浄されたシリコン基板裏面にレーザー光を照射させることを特徴とする請求項1記載の製造方法である。請求項3に記載の発明によれば、研削または研磨されたシリコン基板の裏面は、スラリーやシリコン屑などが付着しているために簡易的なスクラブ洗浄などにより除去させる。しかし、この洗浄後のシリコン基板裏面を分析すると構造特定はできていないが炭素含有不純物が高濃度に付着していることがわかった。一般的にシリコン基板にレーザー光を照射溶融させる場合、表面清浄度を高めるために複数の洗浄を施して出来るだけパーティクルや不純物付着量を低減させるが、本発明では炭素不純物が高濃度に付着した状態のシリコン基板裏面を用いる。これによりレーザー光照射により溶融された領域に高濃度の炭素を取り込ませる事が可能となり強力なゲッタリングサイトとして作用する。請求項4に記載の発明は、薄型工程または洗浄工程で使用するスラリーや洗浄液に炭素含有物質を混入させることを特徴とする請求項1記載の製造方法である。請求項4に記載の発明によれば、レーザー照射前のシリコン基板裏面の付着炭素不純物量が少ない場合に研削工程で使用する純水やスラリーあるいは裏面洗浄に使用する純水などに炭素化合物を混入させる事によりシリコン裏面の炭素量を増加させることが出来る。ゲッタリングに必要な炭素濃度は、1×1017/cm3以上である。炭素濃度が1×1017/cm3以下であれば重金属の捕獲能力が弱く、5×1020/cm3超であると逆に残留応力が増加するためにシリコンチップ強度の低下を招くことになる。尚、本発明の不純物導入は炭素に限定するものでなくホウ素など重金属を捕獲できる物質であれば良い。本発明をより具体的に説明すると、先ずデバイス作製面にバックグラインド用保護テープが貼り付けられシリコン基板の裏面研削が行われる。その後、シリコン裏面側の洗浄を行い研削面にレーザー光を照射させてシリコン裏面を溶融再結晶化させる。または、裏面研削後に裏面を研磨した後に裏面洗浄を施してからシリコン基板裏面側にレーザー光を照射させても良い。好ましくは、バックグラインド用保護テープが貼り付けられた状態で裏面溶融を行い該保護テープの劣化を起こさない条件でレーザー光を照射できると以降のプロセスは変更なしで対応が出来る。本発明によるシリコン基板及びその製造方法によれば、最終チップ厚みが100μm以下となるデバイス作製されたシリコン基板に対して裏面残留応力を大幅に低減できるので反りの低減は勿論、チップのワレやカケの抑制ができる。更にシリコン裏面表層部には強力なゲッタリング源を有しているためにデバイス後工程での重金属汚染に対するデバイス特性の劣化も抑制できるため大幅に歩留を改善できる。[比較例1]直径200mm、厚み675μm、初期酸素濃度が1.0×1018atoms/cm3、比抵抗が10Ωcmから20Ωcmに調整されたボロンドープのCZ基板を準備した。全てのサンプルに対して表面にバックグラインドテープを貼り付け裏面側から2000の砥石にて研削を行い、最後に純水によるスクラブ洗浄を行った。サンプル1更に裏面側からドライポリッシング法にて深さ3μm研磨を行い、最後に純水によるスクラブ洗浄を行った。サンプル2[比較例2]比較例1のCZ基板を用いて2000の砥石にて研削を行った後に超微粒子ダイアモンドの固定砥粒からなるホイールにて深さ3μm研削を行い、最後に純水によるスクラブ洗浄を行った。このホイールは、抗折強度とゲッタリングの対策用として市販されているものを使用した。サンプル3比較例1のCZ基板を用いて2000の砥石にて研削を行った後に純水によるスクラブ洗浄を行った。得られたサンプルはエキシマーレーザー装置を用いて波長308nm、パルス幅20ナノ秒、エネルギー密度3J/cm2の条件にて裏面全面にレーザー光を照射させ表面から約0.3μmの深さを溶融させた。サンプル4比較例1のCZ基板を用いて2000の砥石にて研削を行った後に、超微粒子ダイアモンドの固定砥粒からなるホイールにて深さ3μm研削した後に純水による裏面スクラブ洗浄を行った。更に実施例1と同条件で裏面全面にレーザー光を照射させ表面から約0.3μmの深さを溶融させた。サンプル5比較例1のCZ基板を用いてシリコン基板の裏面側を2000の砥石にて研削した。その後、アルコールを含有させた純粋にて裏面洗浄を行った後に実施例1のレーザー光照射条件で裏面側を溶融させた。サンプル6[評価1]サンプル1、サンプル2およびサンプル4を各1枚抜き出して電子顕微鏡にて裏面側の断面観察を行った。図1に示すようにサンプル1は、研削面の近傍には非晶質層やクラックなどのキズが観察された。サンプル2に関しては、図2に示すように極表層部に弱い研削痕コントラストの黒い領域が観察された。サンプル4に関しては、図3に示すように研削痕が全て消失しており完全に再結晶化されていた。同様にサンプル5とサンプル6も断面観察を行ったが、いずれも研削痕は消失して再結晶化していることを確認した。[評価2]サンプル1からサンプル4を用いて裏面側から表面側に向かってラマン分光による残留応力評価を行った。全てのサンプル評価の結果、最大残留応力は表面近傍であり、その値は、サンプル1で約100MPa、サンプル2で約10MPa、サンプル3で約50Ma、本発明のサンプル4では残留応力は殆ど観察されなかった。[評価3]各サンプルから1枚抜き取り、銅汚染濃度が5×1011atoms/cm2になるようにシリコン基板裏面側にスピンコートさせた。得られたサンプルは、ホットプレートにて300°Cとなるようにサンプル裏面側から30分間加熱してシリコン基板表面まで拡散した銅を全反射蛍光X線にて評価した。サンプル1と本実施例のサンプルでは1.0×1010atoms/cm2以下の銅濃度でありゲッタリング効果を確認できた、サンプル2では初期汚染濃度の大半の銅濃度を検出、サンプル3に関しては6×1010atoms/cm2の銅濃度を検出した。