バルクライフタイムτbを備え、一方の表面の表面再結合速度S0、他方の表面の表面再結合速度S0である第1の半導体基板と、バルクライフタイムτbを備え、一方の表面の表面再結合速度S0、他方の表面の表面再結合速度S1である第2の半導体基板と、バルクライフタイムτbを備え、一方の表面の表面再結合速度S1、他方の表面の表面再結合速度S1である第3の半導体基板と、に対して、それぞれの一次モードのライフタイムτ11、τ21、τ31を測定し、前記第1の半導体基板および前記第3の半導体基板に対して前記一次モードのライフタイムτ11、τ31および下記数式1を用いて、前記表面再結合速度S0と前記バルクライフタイムτbの関係および前記表面再結合速度S1と前記バルクライフタイムτbの関係から第1の相関曲線および第2の相関曲線を求め、前記第2の半導体基板に対して下記数式2、数式3、前記第1の相関曲線および前記第2の相関曲線を用いて、前記一次モードのライフタイムτ21と前記バルクライフタイムτbの関係から第3の相関曲線を求め、前記第3の相関曲線に、得られた前記一次モードのライフタイムτ21を代入し、前記バルクライフタイムτb求め、前記第1の相関曲線および前記第2の相関曲線に、得られた前記バルクライフタイムτbを代入し、前記表面再結合速度S0および前記表面再結合速度S1を求める半導体基板の評価方法。ただし、数式1中、SLLは、0または1は表面再結合速度[cm/sec]、Dは少数キャリア拡散定数[cm2/sec]、τn1nは、1または3は一次モードのライフタイム[μsec]、τbはバルクライフタイム[μsec]、Wは半導体基板の厚さ[mm]をそれぞれ表す。ただし、数式2および数式3中、τ21は一次モードのライフタイム[μsec]、τbはバルクライフタイム[μsec]、K21は第2の半導体基板の1番目の固有モードの波数[cm-1]、Dは少数キャリア拡散定数[cm2/sec]、Wは半導体基板の厚さ[mm]をそれぞれ表す。ここで、SM0≡S0/D、SM1≡S1/Dと表し、S0およびS1は表面再結合速度[cm/sec]を表す。前記第2の半導体基板が前記第1の半導体基板の片面のみに表面処理を施して作製され、前記第3の半導体基板が前記第2の半導体基板の表面再結合速度S0の表面のみに表面処理を施して作製される、請求項1に記載の半導体基板の評価方法。前記第1の半導体基板、前記第2の半導体基板および前記第3の半導体基板は、シリコン基板である請求項1または請求項2に記載の半導体基板の評価方法。前記一次モードのライフタイムτ11、τ21、τ31は、μ-PCD法を用いて測定する請求項1乃至請求項3に記載の半導体基板の評価方法。しかし、μ-PCD法で2種類の半導体基板を測定する評価方法では、測定に用いる半導体基板と、該半導体基板に対して厚さのみが異なり、他は同じパラメータの半導体基板と、を用意しなければならない。さらに、試料固有のバルクライフタイムであるが、半導体基板間のばらつきが懸念されるため、同一のインゴットから切り離した試料を用いることが好ましいがこのための準備は煩雑である。そこで、本発明の一態様は、表面再結合速度およびバルクライフタイムを分離評価する方法を提供することを目的の一とする。本発明の一態様は、バルクライフタイムτbを備え、一方の表面の表面再結合速度S0、他方の表面の表面再結合速度S0である第1の半導体基板と、バルクライフタイムτbを備え、一方の表面の表面再結合速度S0、他方の表面の表面再結合速度S1である第2の半導体基板と、バルクライフタイムτbを備え、一方の表面の表面再結合速度S1、他方の表面の表面再結合速度S1である第3の半導体基板と、に対して、それぞれの一次モードのライフタイムτ11、τ21、τ31を測定し、第1の半導体基板および第3の半導体基板に対して一次モードのライフタイムτ11、τ31および下記数式1を用いて、表面再結合速度S0とバルクライフタイムτbの関係および表面再結合速度S1とバルクライフタイムτbの関係から第1の相関曲線および第2の相関曲線を求め、第2の半導体基板に対して下記数式2、数式3、第1の相関曲線および第2の相関曲線を用いて、一次モードのライフタイムτ21とバルクライフタイムτbの関係から第3の相関曲線を求め、第3の相関曲線に、得られた一次モードのライフタイムτ21を代入し、バルクライフタイムτbを求め、第1の相関曲線および第2の相関曲線に、得られたバルクライフタイムτbを代入し、表面再結合速度S0および表面再結合速度S1を求める半導体基板の評価方法である。ただし、数式1中、SLLは、0または1は表面再結合速度[cm/sec]、Dは少数キャリア拡散定数[cm2/sec]、τn1nは、1または3は一次モードのライフタイム[μsec]、τbはバルクライフタイム[μsec]、Wは半導体基板の厚さ[mm]をそれぞれ表す。ただし、数式2および数式3中、τ21は一次モードのライフタイム[μsec]、τbはバルクライフタイム[μsec]、K21は第2の半導体基板の1番目の固有モードの波数[cm-1]、Dは少数キャリア拡散定数[cm2/sec]、Wは半導体基板の厚さ[mm]をそれぞれ表す。ここで、SM0≡S0/D、SM1≡S1/Dと表し、S0およびS1は表面再結合速度[cm/sec]を表す。また、本発明の他の一態様は、上記第1の半導体基板の片面のみに表面処理を施して上記第2の半導体基板を、上記第2の半導体基板の表面再結合速度S0の表面のみに表面処理を施して上記第3の半導体基板を作製してもよい。また、本発明の他の一態様は、第1の半導体基板、第2の半導体基板および第3の半導体基板は、シリコン基板を用いてもよい。また、本発明の他の一態様は、一次モードのライフタイムτ11、τ21、τ31は、μ-PCD法を用いて測定してもよい。本発明の一態様は、3種類の半導体基板を用いて上記方法で評価することにより、表面再結合速度S0、表面再結合速度S1およびバルクライフタイムτbを簡便に求めることができる。また、本発明の他の一態様は、一次モードのライフタイムに関しては、入射フォトン数の依存がなく、信頼性の高い評価を行うことができる。本発明の実施の形態について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなく、その形態および詳細を様々に変更しうることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる。実施の形態1本実施の形態では、半導体基板の評価方法の一例について説明する。評価は、次の工程A乃至工程Eによって行われる。<工程A>バルクライフタイムτbを備え、一方の表面の表面再結合速度S0、他方の表面の表面再結合速度S0である第1の半導体基板と、バルクライフタイムτbを備え、一方の表面の表面再結合速度S0、他方の表面の表面再結合速度S1である第2の半導体基板と、バルクライフタイムτbを備え、一方の表面の表面再結合速度S1、他方の表面の表面再結合速度S1である第3の半導体基板の3種類を用意する。上記3種類の半導体基板の一方の表面の表面再結合速度、他方の表面の表面再結合速度以外の条件は全て同じものとする。本実施の形態では、半導体基板の各パラメータを表面再結合速度S0は100cm/sec、表面再結合速度S1は1000cm/sec、バルクライフタイムτbは1000μsec、少数キャリア拡散定数Dは30cm2/sec、半導体基板の厚さWは2mmと仮定する。図4は、工程Aで用いる半導体基板である。図4Aは、第1の半導体基板、図4Bは、第2の半導体基板、図4Cは、第3の半導体基板をそれぞれ示している。実験により3種類の半導体基板のライフタイムを測定する。第1乃至第3の半導体基板に対し、それぞれの一次モードのライフタイムτ11、τ21、τ31を測定する。本実施の形態では、μ-PCD法によって、一次モードのライフタイムτ11、τ21、τ31を測定し、一次モードのライフタイムτ11が526.8μsec、一次モードのライフタイムτ21が316.7μsec、一次モードのライフタイムτ31が183.0μsecであった。ここで、必ずしも上記の条件を満たす3種類の半導体基板を同時に用意する必要はなく、まず、第1の半導体基板を調整した後に一次モードのライフタイムτ11を取得、その後、第1の半導体基板の片面のみに表面再結合速度S0から表面再結合速度S1に改質する表面処理を施して第2の半導体基板とし、一次モードのライフタイムτ21を取得、さらに第2の半導体基板の表面再結合速度S0の表面のみに表面再結合速度S0から表面再結合速度S1に改質する表面処理を施して第3の半導体基板とし、一次モードのライフタイムτ31を取得する方法がある。以下に、本実施の形態において半導体基板を調整した方法を図5を用いて説明する。2つの第1の半導体基板をお互いの表面再結合速度がS0である表面の一方が重なるように貼り合わせ図5A、貼り合わせた2つの第1の半導体基板の表面をフッ酸で処理して貼り合わされていない第1の半導体基板の表面の表面再結合速度をS1とする図5B。その後、フッ酸で処理された半導体基板を剥離することにより、第2の半導体基板を得ることができる図5C。また、第1の半導体基板の表面再結合速度がS0である表面の一方のみをフッ酸で処理して第2の半導体基板を得えてよい。さらに、第2の半導体基板の表面をフッ酸で処理することで半導体基板の両面の表面再結合速度がS1となり、第3の半導体基板を得ることができる図5D。上記方法は、3種類の半導体基板を同時に用意する必要はないため、半導体基板間のばらつきがなく、信頼性の高い評価を行うことができる。半導体基板として、本実施の形態では、シリコン基板を用いたがこれに限られることはない。シリコンゲルマニウム基板または炭化シリコン基板などの化合物半導体基板を用いてもよい。なお、単結晶半導体または多結晶半導体などを用いることができる。また、図6は半導体基板中心における少数キャリアの減衰曲線を示している。図6の横軸は時間[μsec]、縦軸は過剰キャリア密度[a.u.]、図中の曲線は上から順に1.5×1013cm-2、1.0×1013cm-2、5.0×1012cm-2、2.0×1012cm-2、1.1×1012cm-2、4.5×1011cm-2のフォトンが入射されているときの減衰曲線を示している。本測定法では、減衰曲線から一次モードライフタイムのみの情報を得る。一次モードライフタイムは原理的に入射フォトン数に依存しない。よって、可能な限り入射フォトン数を多くするとSN比SignaltoNoiseratioが向上するため、信頼性の高い評価を行うことができる。<工程B>第1の半導体基板および第3の半導体基板に関しては、第1および第3の半導体基板の両面の表面再結合速度が等しいため、工程Aで得られた一次モードのライフタイムτ11、τ31および次の数式1を用いて、表面再結合速度S0とバルクライフタイムτbの関係および表面再結合速度S1とバルクライフタイムτbの関係を得ることができる。ただし、数式1中、SLLは、0または1は表面再結合速度[cm/sec]、Dは少数キャリア拡散定数[cm2/sec]、τn1nは、1または3は一次モードのライフタイム[μsec]、τbはバルクライフタイム[μsec]、Wは半導体基板の厚さ[mm]をそれぞれ表す。表面再結合速度S0とバルクライフタイムτbの関係、表面再結合速度S1とバルクライフタイムτbの関係から図1に示すように第1の相関曲線および第2の相関曲線を求めることができる。図1の横軸はバルクライフタイムτb[μsec]、縦軸は表面再結合速度SL[cm/sec]、太線は第1の相関曲線、細線は第2の相関曲線をそれぞれ表す。<工程C>第2の半導体基板に対して次の数式2、数式3、第1の相関曲線および第2の相関曲線を用いて、一次モードのライフタイムτ21とバルクライフタイムτbの関係から第3の相関曲線を求めることができる。ただし、数式2および数式3中、τ21は一次モードのライフタイム[μsec]、τbはバルクライフタイム[μsec]、K21は第2の半導体基板の1番目の固有モードの波数[cm-1]、Dは少数キャリア拡散定数[cm2/sec]、Wは半導体基板の厚さ[mm]をそれぞれ表す。ここでSM0≡S0/D、SM1≡S1/Dと表し、S0およびS1は表面再結合速度[cm/sec]を表す。一次モードのライフタイムτ21とバルクライフタイムτbの関係から図2に示すように第3の相関曲線を求めることができる。図2の横軸はバルクライフタイムτb[μsec]、第1の縦軸は表面再結合速度SL[cm/sec]、第2の縦軸は一次モードのライフタイムτ21[μsec]、太線は第1の相関曲線、細線は第2の相関曲線、太一点鎖線は第3の相関曲線をそれぞれ表す。<工程D>一次モードのライフタイムτ21を第3の相関曲線に代入し、バルクライフタイムτbを得ることができる。本実施の形態では、得られたバルクライフタイムτbは1000μsecであり、仮定した半導体基板のバルクライフタイムτbと同様の値であった。<工程E>図3に示すように得られたバルクライフタイムτbを第1の相関曲線および第2の相関曲線に代入し、表面再結合速度S0、表面再結合速度S1を得ることができる。本実施の形態では、得られた表面再結合速度S0は100cm/sec、表面再結合速度S1は1000cm/secであり、仮定した半導体基板の表面再結合速度S0および表面再結合速度S1と同様の値であった。本実施の形態では、仮定した半導体基板から得た一次モードのライフタイムτ11、τ21、τ31を用いて表面再結合速度S0、表面再結合速度S1およびバルクライフタイムτbの値を求めたが、表面再結合速度S0、表面再結合速度S1およびバルクライフタイムτbの値が未知であっても、3種類の半導体基板を用いることで、表面再結合速度S0とバルクライフタイムτbの関係式第1の相関曲線、表面再結合速度S1とバルクライフタイムτbの関係式第2の相関曲線、表面再結合速度S0と表面再結合速度S1とバルクライフタイムτbの関係式第3の相関曲線の3つ関係式の連立方程式を解くことによって表面再結合速度S0、表面再結合速度S1およびバルクライフタイムτbの値を求めることができる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態2本実施の形態では、実施の形態1の方法により評価した半導体基板を用い、SOISiliconOnInsulator基板を作製する方法を示す。まず、半導体基板101を準備する図7A。半導体基板101は、実施の形態1の方法で評価されたものを用いる。次いで、半導体基板101にイオン照射103をし、所定の深さに損傷領域105を形成する図7B。損傷領域105は、電界で加速されたイオンイオンビーム103を半導体基板101に照射し、半導体基板101の表面から所定の深さにイオン103を導入することで、形成することができる。イオン103の照射は、水素、不活性元素例えばヘリウムまたはハロゲン例えばフッ素等のイオンを用い、イオンドーピング法またはイオン注入法により行うことができる。なお、上記のイオンドーピング法とは、原料ガスから生成されるイオン化したガスを質量分離せず、そのまま電界で加速して対象物に照射し、イオン化したガスの元素を対象物に含ませる方式を指す。また、上記のイオン注入法とは、原料ガスをプラズマ化し、このプラズマに含まれるイオン種を引き出し、質量分離をして、所定の質量を有するイオン種を加速して、イオンビームとして、対象物に注入する方法である。次に、支持基板107を準備する図7C。支持基板107は、ガラス、プラスチック、セラミック、石英、サファイアなどの絶縁体でなる基板、シリコンなどの半導体でなる基板、金属やステンレスなどの導電体でなる基板を用いることができる。次いで、半導体基板101と支持基板107とを、絶縁層109を介して貼り合わせる図7D。貼り合わせは、半導体基板101の損傷領域105が形成された側を貼り合わせ面接合面ともいうとして行う。絶縁層109は、2つの基板を貼り合わせるための接合層として機能するものであり、半導体基板101上に形成してもよく、支持基板107上に形成してもよい。半導体基板101上に絶縁層109を形成する場合、上記イオン103の照射の前に絶縁層109を形成してもよい。絶縁層109は、CVD法により、酸化物または窒化物等を、単層または積層させて形成すればよい。具体的な材料としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、または窒化酸化シリコン等が挙げられる。なお、本明細書中において、酸化窒化シリコンなどの酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものを示す。なお、本明細書中において、窒化酸化シリコンなどの窒化酸化物とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものを示す。ここで、含有量の比較は、ラザフォード後方散乱法および水素前方散乱法の測定結果に基づいて行うこととする。また、貼り合わせを行う前に、2つの基板の貼り合わせ面に洗浄やプラズマ処理などの表面処理を行ってもよい。表面処理を行うことで、親水性または清浄性が向上し、貼り合わせの際の接合強度を向上させることができる。なお、表面処理は、2つの基板の少なくとも一方に行えばよい。また、絶縁層109が形成されている基板に表面処理を行う場合は、絶縁層109の表面に対して行う。次に、加熱処理を行い、損傷領域105において半導体基板101を分離分断ともいうする図7E。該分離により、支持基板107上に、絶縁層109と、半導体基板101の一部からなる半導体層111とを順に設けることができる。すなわち、支持基板107上に、半導体基板101の一部からなる半導体層111を転載することができる。なお、加熱処理は、300°C以上、かつ、支持基板107の歪み点未満の温度で行えばよい。このようにして、SOI基板113を作製することができる。なお、SOI基板とは、支持基板上に絶縁層を介して半導体層が設けられたものの総称であり、シリコン層を有する基板に限定されない。そして、このSOI基板を用いて、トランジスタまたはダイオード等の半導体装置を作製することができる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。