a半導体チップが搭載された配線板を準備する工程と、bボール形成ユニット内のボール形成部にキャピラリの先端部を配置する工程と、c前記ボール形成部の内部を酸化防止ガス雰囲気とし、前記ボール形成部内でトーチ電極と、前記キャピラリの先端部から出ている導電性ワイヤとの間で放電させることにより、前記導電性ワイヤの先端部に初期ボールを形成する工程と、d前記初期ボールを前記半導体チップ上のパッドにボンディングすることにより、前記導電性ワイヤと前記半導体チップとを電気的に接続する工程と、を有し、前記ボール形成ユニットは、前記ボール形成部、前記ボール形成部に酸化防止ガスを導入するガス導入部、および、前記ボール形成部から前記酸化防止ガスを排出するガス排出部、を有し、前記ガス排出部は、前記酸化防止ガスが前記ボール形成部に導入される方向とは異なる方向に設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、前記ガス排出部は、前記酸化防止ガスが導入される方向に対して、90°±45°の範囲内に設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項2に記載の半導体装置の製造方法であって、前記ガス排出部は、前記酸化防止ガスが導入される方向に対して、90°の位置に設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、前記ガス排出部は、前記ボール形成ユニットの厚さ方向に貫通していることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項4に記載の半導体装置の製造方法であって、前記ガス排出部の幅は、前記キャピラリの幅以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項5に記載の半導体装置の製造方法であって、前記ガス排出部の幅は、前記ボール形成部の幅以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、前記ボール形成ユニットには、前記ボール形成部に対して前記ガス導入部と対向する位置にガス溜まり部が設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、前記導電性ワイヤは、金ワイヤよりも酸化しやすい金属ワイヤであることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項8に記載の半導体装置の製造方法であって、前記導電性ワイヤは、銅ワイヤであることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、前記酸化防止ガスは、不活性ガスであることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項10に記載の半導体装置の製造方法であって、前記不活性ガスは、窒素ガス、あるいは、アルゴンガスを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、前記酸化防止ガスは、不活性ガスと還元性ガスとを含むフォーミングガスであることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項12に記載の半導体装置の製造方法であって、前記フォーミングガスは、窒素ガスと水素ガスとを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、前記ボール形成ユニットは、絶縁樹脂から構成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項14に記載の半導体装置の製造方法であって、前記絶縁樹脂は、ポリアミドイミド樹脂であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、前記d工程の後、e前記導電性ワイヤを前記配線板上の端子にボンディングすることにより、前記導電性ワイヤと前記配線板とを電気的に接続する工程と、f前記半導体チップ、前記導電性ワイヤ、および前記配線板の一部を封止体により封止する工程と、をさらに有することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項16に記載の半導体装置の製造方法であって、前記配線板は配線基板であって、前記配線板上の前記端子はランド端子であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項16に記載の半導体装置の製造方法であって、前記配線板はリードフレームであって、前記配線板上の前記端子はインナーリードであることを特徴とする半導体装置の製造方法。半導体装置は、MOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistorなどの半導体素子と多層配線を形成した半導体チップと、この半導体チップを覆うように形成されたパッケージから形成されている。パッケージには、1半導体チップに形成されている半導体素子と外部回路とを電気的に接続するという機能や、2湿度や温度などの外部環境から半導体チップを保護し、振動や衝撃による破損や半導体チップの特性劣化を防止する機能がある。さらに、パッケージには、3半導体チップのハンドリングを容易にするといった機能や、4半導体チップの動作時における発熱を放散し、半導体素子の機能を最大限に発揮させる機能なども合わせ持っている。パッケージでは、例えば、半導体チップ上に形成されている半導体素子と外部回路とを電気的に接続するという機能を実現するために、半導体チップを配線板上に搭載し、半導体チップ上に形成されているパッドと、配線板上に形成されている端子とを導電性ワイヤで接続することが行なわれている。ここで、半導体チップ上に形成されているパッドと、配線板に形成されている端子とを導電性ワイヤで接続する場合、まず、キャピラリの先端部に初期ボールを形成し、その後、キャピラリの先端部に形成されている初期ボールをパッド上に押し付ける。具体的には、キャピラリによる荷重と超音波振動によって、初期ボールをパッド上に押し付ける。これにより、初期ボールが変形し、パッドとの接触面積を充分に確保できる圧着ボールが形成される。このとき、キャピラリの先端部に初期ボールを形成するには、まず、キャピラリの先端部をボール形成ユニット内のボール形成部に配置した後、トーチ電極と、キャピラリの先端部に出ているワイヤとの間で放電を生じさせる。この放電により熱が発生し、この発生した熱により、ワイヤの先端部が溶融する。そして、溶融したワイヤが表面張力で球状になることにより、キャピラリの先端部に球状の初期ボールを形成することができる。ところが、導電性ワイヤは、例えば、酸化されやすい金属から構成されることがあるため、放電により発生した熱で初期ボールの表面が酸化されることがある。この結果、初期ボールの形状が真球形状ではなく、先端突起形状などのように形状不良が発生するおそれが高くなる。つまり、ワイヤとして、酸化されやすい導電性ワイヤを使用する場合、初期ボールの表面が酸化されることに起因する初期ボールの形状不良が発生しやすくなる。そこで、酸化されやすい導電性ワイヤを使用する場合、初期ボールの表面が酸化されにくくするように、不活性ガスなどの酸化防止ガス雰囲気中で初期ボールを形成することが行なわれている。しかし、酸化防止ガス雰囲気中で初期ボールを形成する場合であっても、初期ボールを形成する際、周囲の酸化防止ガス雰囲気濃度が不充分であると、上述した初期ボールの形状不良が発生しやすくなる。また、初期ボールを形成する際、周囲の酸化防止ガスの流量が不安定になると、形成される初期ボールの径にばらつきが生じる。さらには、初期ボールを形成する際、酸化防止ガスが導電性ワイヤに対して不均一にあたる場合、形成される初期ボールが導電性ワイヤに対して偏芯するおそれが高くなる。このような初期ボールの形状不良が発生すると、初期ボールを半導体チップのパッド上に押し付けて圧着ボールを形成する際、パッドにダメージを与えやすくなる。本発明の目的は、酸化されやすい導電性ワイヤを使用して初期ボールを形成し、この初期ボールをパッド上に押し付けて圧着ボールを形成する技術において、初期ボールの形状不良を抑制することによりパッドへのダメージを低減することができる技術を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。代表的な実施の形態による半導体装置の製造方法は、ボール形成部、ボール形成部に酸化防止ガスを導入するガス導入部、および、ボール形成部から酸化防止ガスを排出するガス排出部、を有するボール形成ユニットにおいて、キャピラリの先端部をボール形成部に配置して初期ボールを形成する。このとき、前記ガス排出部は、前記酸化防止ガスが前記ボール形成部に導入される方向とは異なる方向に設けられていることを特徴とするものである。本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。銅ワイヤを使用して初期ボールを形成し、この初期ボールをパッド上に押し付けて圧着ボールを形成する技術において、初期ボールの形状不良を抑制することによりパッドへのダメージを低減することができる。以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等個数、数値、量、範囲等を含むに言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素要素ステップ等も含むは、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうではないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。また、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。なお、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。実施の形態1<半導体装置BGAパッケージの構成例>半導体装置のパッケージ構造には、例えば、BGABallGridArrayパッケージやQFPQuadFlatPackageパッケージなどのように様々な種類がある。本発明の技術的思想は、これらのパッケージに適用可能であり、以下に、BGAパッケージからなる半導体装置の構成例と、QFPパッケージからなる半導体装置の構成例について説明する。まず、BGAパッケージからなる半導体装置の構成例について図面を参照しながら説明する。図1は、BGAパッケージからなる半導体装置SA1を上面から見た平面図である。図1に示すように、本実施の形態における半導体装置SA1は矩形形状をしており、半導体装置SA1の上面は樹脂封止体MRで覆われている。続いて、図2は、半導体装置SA1を上面から見た図であり、樹脂MRを透視して示す図である。図2に示すように、半導体装置SA1の樹脂MRを透視した内部には、矩形形状の配線基板WBが存在しており、この配線基板WB上に半導体チップCHPが配置されている。この半導体チップCHPも矩形形状をしている。半導体チップCHPの大きさは、配線基板WBの大きさよりも小さくなっており、半導体チップCHPは平面的に配線基板WBに内包されるように配置されている。特に、半導体チップCHPの四辺がそれぞれ配線基板WBの四辺と互いに並行するように配置されている。上述した半導体チップCHPには集積回路が形成されている。具体的に、半導体チップCHPを構成する半導体基板には、複数のMOSFETなどの半導体素子が形成されている。そして、半導体基板の上層には層間絶縁膜を介して多層配線が形成されており、これらの多層配線が半導体基板に形成されている複数のMOSFETと電気的に接続されて集積回路が構成されている。つまり、半導体チップCHPは、複数のMOSFETが形成されている半導体基板と、この半導体基板の上方に形成された多層配線を有している。このように半導体チップCHPには、複数のMOSFETと多層配線によって集積回路が形成されているが、この集積回路と外部回路とのインタフェースをとるために、半導体チップCHPにはパッドPDが形成されている。このパッドPDは、多層配線の最上層に形成されている最上層配線の一部を露出することにより形成されている。図2に示すように、半導体チップCHPの主面表面、上面には、複数のパッドPDが形成されている。具体的に、矩形形状をした半導体チップCHPの四辺のそれぞれに沿うように複数のパッドPDが形成されている。そして、半導体チップCHPに形成されている複数のパッドPDと相対するように配線基板WBの四辺のそれぞれに沿って複数のランド端子LD1が形成されている。そして、半導体チップCHPに形成されているパッドPDは、配線基板WBに形成されているランド端子LD1と、導電性部材を介して電気的に接続されている。なお、本実施の形態における導電性部材は、例えば、銅CuからなるワイヤWである。次に、図3は、本実施の形態1における半導体装置SA1を裏面から見た図である。図3に示すように、半導体装置SA1の裏面には、複数の半田ボールSBがアレイ状行列状に配置されている。この半田ボールSBは半導体装置SA1の外部接続端子として機能するものである。図4は、図1のA-A線で切断した断面図である。図4において、配線基板WBの上面にはランド端子LD1が形成されている一方、配線基板WBの下面には端子バンプランド、電極LD2が形成されている。配線基板WBの内部には多層配線およびビアが形成されており、配線基板WBの上面に形成されているランド端子LD1と、配線基板WBの下面に形成されている端子LD2とは、配線基板WBの内部に形成されている多層配線と、ビアの内部に形成されたビア配線とによって電気的に接続されている。配線基板WBの下面に形成されている端子LD2はアレイ状に配置されており、この端子LD2上に半田ボールSBが搭載される。これにより、配線基板WBの裏面下面には、端子LD2と接続された半田ボールSBがアレイ状に配置される。配線基板WBの上面表面、主面には、半導体チップCHPが搭載されており、この半導体チップCHPは、配線基板WBと絶縁性の接着材ADで接着されている。そして、半導体チップCHPの主面に形成されているパッドPDと、配線基板WBの上面に形成されているランド端子LD1とはワイヤWで接続されている。さらに、配線基板WBの上面には半導体チップCHPおよびワイヤWを覆うように樹脂封止体MRが形成されている。このように構成されている半導体装置SA1によれば、半導体チップCHPに形成されているパッドPDがワイヤWを介して配線基板WBに形成されたランド端子LD1に接続され、このランド端子LD1は、配線基板WBの内部に形成されている配線およびビア配線によって、配線基板WBの裏面に形成されている端子LD2と電気的に接続される。したがって、半導体チップCHPに形成されている集積回路は、パッドPD→ワイヤW→ランド端子LD1→端子LD2→半田ボールSBの経路で最終的に半田ボールSBと接続されていることがわかる。このことから、半導体装置SA1に形成されている半田ボールSBへ外部回路を電気的に接続することにより、半導体チップCHPに形成されている集積回路と外部回路とを接続することができることがわかる。<半導体装置BGAパッケージの製造方法>BGAパッケージからなる半導体装置SA1は、上記のように構成されており、以下に、その製造方法について簡単に説明する。図5は、BGAパッケージからなる半導体装置SA1を製造する工程の流れを示すフローチャートである。まず、半導体基板半導体ウェハのそれぞれのチップ領域上に半導体素子MOSFET、多層配線およびパッドを形成する。そして、半導体基板の裏面研削を実施して半導体基板の厚さを薄くした後、半導体基板に形成されているチップ領域をダイシングすることにより、複数の半導体チップを形成する。次に、表面に複数のランド端子が形成され、表面とは反対側の裏面に複数の端子が形成された配線基板を用意する。そして、配線基板の表面に存在するチップ搭載部チップ搭載領域に接着材を塗布する。その後、配線基板のチップ搭載部上に塗布した接着材を介して半導体チップを搭載するダイボンディング工程S101。続いて、半導体チップに形成されているパッドと、配線基板に形成されているランド端子とをワイヤで接続するワイヤボンディング工程S102。具体的には、まず、キャピラリを半導体チップに形成されているパッドに押し付けてファーストボンディングする。その後、キャピラリを移動させて、配線基板に形成されているランド端子にワイヤをセカンドボンディングする。このようにして、半導体チップに形成されているパッドと、配線基板に形成されているランド端子とをワイヤで接続することができる。次に、半導体チップ、ワイヤ、配線基板の表面を覆うように、例えば、樹脂からなる封止体を形成するモールド工程S103。その後、配線基板の裏面に形成されている端子に、例えば、半田からなる半田ボール外部接続端子を取り付ける半田ボール取り付け工程S104。そして、封止体の表面に、例えば、レーザによって製造番号などからなるマークを刻印するマーキング工程S105。このようにして製造された半導体装置SA1は、最終的に検査を実施することによりテスティング工程S106、良品と不良品が選別され、良品と判断された半導体装置SA1が出荷される。上述した半導体装置SA1は、BGAパッケージからなる半導体装置であるが、本発明の技術的思想を適用できるパッケージ形態はこれに限らない。例えば、半導体チップを搭載する基材配線板として配線基板ではなくリードフレームを使用するパッケージ形態にも適用することができる。具体的に、本発明の技術的思想は、QFPパッケージやQFNパッケージにも幅広く適用することができる。特に、以下では、QFPパッケージからなる半導体装置の構成例について説明する。<半導体装置QFPパッケージの構成例>まず、QFPパッケージからなる半導体装置の構成について図面を参照しながら説明する。図6は、QFPパッケージからなる半導体装置SA2を上面から見た平面図である。図6に示すように、半導体装置SA2は矩形形状をしており、半導体装置SA2の上面は樹脂封止体RMで覆われている。そして、樹脂RMの外形を規定する四辺から外側に向ってアウターリードOLが突き出ている。続いて、半導体装置SA2の内部構造について説明する。図7は、図6のA-A線で切断した断面図である。図7に示すように、チップ搭載部TABの裏面は樹脂RMで覆われている。一方、チップ搭載部TABの上面には半導体チップCHPが搭載されており、半導体チップCHPの主面にはパッドPDが形成されている。そして、半導体チップCHPに形成されているパッドPDは、インナーリードILとワイヤWで電気的に接続されている。これらの半導体チップCHP、ワイヤWおよびインナーリードILは樹脂RMで覆われており、インナーリードILと一体化しているアウターリードOLが樹脂RMから突き出ている。樹脂RMから突き出ているアウターリードOLは、ガルウィング形状に成形されており、その表面にめっき膜PFが形成されている。チップ搭載部TAB、インナーリードIL、および、アウターリードOLは、例えば、銅材や鉄とニッケルとの合金である42アロイ42Alloyなどから形成されており、ワイヤWは、例えば、銅線から形成されている。半導体チップCHPは、例えば、シリコンや化合物半導体GaAsなどから形成されており、この半導体チップCHPには、MOSFETなどの複数の半導体素子が形成されている。そして、半導体素子の上方に層間絶縁膜を介して多層配線が形成されており、この多層配線の最上層に多層配線と接続されるパッドPDが形成されている。したがって、半導体チップCHPに形成されている半導体素子は、多層配線を介してパッドPDと電気的に接続されていることになる。つまり、半導体チップCHPに形成に形成されている半導体素子と多層配線により集積回路が形成され、この集積回路と半導体チップCHPの外部とを接続する端子として機能するものがパッドPDである。このパッドPDは、ワイヤWでインナーリードILと接続され、インナーリードILと一体的に形成されているアウターリードOLと接続されている。このことから、半導体チップCHPに形成されている集積回路は、パッドPD→ワイヤW→インナーリードIL→アウターリードOL→外部接続機器の経路によって、半導体装置SA2の外部と電気的に接続することができることがわかる。つまり、半導体装置SA2に形成されているアウターリードOLから電気信号を入力することにより、半導体チップCHPに形成されている集積回路を制御することができることがわかる。また、集積回路からの出力信号をアウターリードOLから外部へ取り出すこともできることがわかる。<半導体装置QFPパッケージの製造方法>QFPパッケージからなる半導体装置SA2は上記のように構成されており、以下に、その製造方法について簡単に説明する。図8は、半導体チップに集積回路を形成した後、QFPパッケージからなる半導体装置を製造する工程の流れを示すフローチャートである。まず、リードフレームに形成されているチップ搭載部に半導体チップを搭載した後S201のダイボンディング工程、半導体チップに形成されているパッドとインナーリードとをワイヤで接続するS202のワイヤボンディング工程。その後、チップ搭載部、半導体チップ、ワイヤ、インナーリードを樹脂で封止するS203のモールド工程。そして、リードフレームに形成されているダムを切断した後S204のダム切断工程、樹脂から露出しているアウターリードの表面にめっき膜を形成するS205のめっき工程。続いて、樹脂の表面にマークを形成した後S206のマークキング工程、樹脂から突き出ているアウターリードを成形するS207のリード成形工程。このようにして半導体装置SA2を形成した後、電気的特性検査が実施されS208のテスティング工程、良品と判断された半導体装置SA2が製品として出荷される。<ワイヤボンディング工程の詳細>上述したように、半導体装置のパッケージ構造例として、BGAパッケージからなる半導体装置SA1と、QFPパッケージからなる半導体装置SA2を挙げたが、本発明の技術的思想は、両方に共通するワイヤボンディング工程図5のS102、図8のS202に関するものである。そこで、以下では、ワイヤボンディング工程の詳細について、リードフレームを使用するQFPを例に挙げて説明する。図9a~図14aは、ワイヤボンディング工程において、キャピラリを動作させる様子を示す部分断面図であり、図9b~図14bは、上述したキャピラリを動作させる様子を上方から見た平面図である。図9aおよび図9bに示すように、ヒートプレートHP上にリードフレームを構成するリードLDとチップ搭載部TABが配置されており、チップ搭載部TAB上に半導体チップCHPが搭載されている。この半導体チップCHPの表面上面には、パッドPDが形成されている。ヒートプレートHPは熱源として機能し、ヒートプレートHP上に配置されているリードLDが加熱されるとともに、チップ搭載部TABを介してヒートプレートHP上に配置されている半導体チップCHPも加熱される。ここで、ワイヤボンディング工程では、まず、図9aおよび図9bに示すように、先端部に初期ボールIBLを形成したキャピラリCAPを下降させる。具体的には、ワイヤWをクランパCMPで固定した状態で、キャピラリCAPを半導体チップCHPのパッドPD上へ下降させる。続いて、図10aおよび図10bに示すように、キャピラリCAPの先端部に形成されている初期ボールIBLを半導体チップCHPのパッドPDに着地させた後、この初期ボールIBLに、キャピラリCAPによる荷重と、ヒートプレートHPから半導体チップCHPに伝わる熱と、キャピラリCAPに印加される超音波振幅超音波振動とを印加する。これにより、初期ボールIBLは変形し、パッドPDとの接触面積が大きい圧着ボールPBLが形成される。このようにして、半導体チップCHPのパッドPD上に圧着ボールPBLを形成するファーストボンディングが行なわれる。次に、図11aおよび図11bに示すように、クランパCMPを開きながら、キャピラリCAPを上昇させてループ形成に必要なワイヤを引き出した後、クランパCMPを閉じて、キャピラリCAPをリードLD上に移動させる。そして、図12aおよび図12bに示すように、キャピラリCAPによる荷重と、ヒートプレートHPからリードLDに伝わる熱と、キャピラリCAPに印加される超音波振幅超音波振動とを印加しながらキャピラリCAPから繰り出されているワイヤWをリードLDにボンディングする。このとき、ワイヤWとリードLDとの接続部分のワイヤWには、三日月形状のステッチ部クレセント部STCHが形成される。このようにして、ワイヤWとリードLDとを接続するセカンドボンディングが行なわれる。その後、図13aおよび図13bに示すように、クランパCMPを開いた状態でキャピラリCAPを上昇させることにより、初期ボールの形成に必要なワイヤWを引き出す。そして、図14aおよび図14bに示すように、クランパCMPを閉じた状態でキャピラリCAPを上昇させることにより、リードLDにセカンドボンディングされたワイヤWをステッチ部STCHより切断する。次に、キャピラリCAPをさらに上昇させることにより、キャピラリCAPの先端部をボール形成ユニットBFU内に配置する。図15は、キャピラリCAPの先端部をボール形成ユニットBFU内に配置する様子を示す図である。図15に示すように、ボール形成ユニットBFUには、キャピラリCAPの先端部を配置するボール形成部ボール形成ポーション、ボール形成パートBFPが設けられており、このボール形成部BFPの内壁から突き出て露出するようにトーチ電極TCHが設けられている。さらに、ボール形成ユニットBFUには、酸化防止ガスをボール形成部BFPに導入するガス導入部GIPが設けられている。ガス導入部GIPからボール形成部BFPに導入される酸化防止ガスとしては、例えば、窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスや、不活性ガスである窒素ガスと還元性ガスである水素ガスを混合したフォーミングガスなどを挙げることができる。このように構成されているボール形成ユニットBFUにおいては、ボール形成ユニットBFUの厚さ方向に貫通するようにボール形成部BFPが形成されており、このボール形成部BFPにキャピラリCAPを挿入することができるようになっている。そして、図15に示すように、ボール形成部BFPの内部にキャピラリCAPの先端部を配置した後、キャピラリの先端部から出ているワイヤWとトーチ電極TCHとの間でアーク放電を発生させる。すると、このアーク放電により熱が発生し、この発生した熱により、キャピラリCAPの先端部から出ているワイヤWが溶融する。そして、図16に示すように、溶融したワイヤWが表面張力で球状になることにより、キャピラリCAPの先端部に球状の初期ボールイニシャルボールIBLを形成することができる。このようにして、キャピラリCAPの先端部に初期ボールIBLを形成した後、上述したワイヤボンディング工程を繰り返して実施することにより、半導体チップCHPに形成されている複数のパッドPDと、複数のリードLDとを、それぞれワイヤWによって電気的に接続することができる。<本発明者が見出した課題>上述したワイヤボンディング工程では、図15や図16に示すように、ガス導入部GIPから酸化防止ガスをボール形成部BFPに導入しながら、キャピラリCAPの先端部に初期ボールIBLを形成しているが、これは、以下に示す理由による。一般的に、ワイヤボンディング工程で使用するワイヤWの材料としては金が使用される。この場合、金は酸化されないため、キャピラリCAPの先端部に初期ボールIBLを形成する際、酸化防止ガスをボール形成部BFPに導入する必要性は少なくなる。ところが、近年の金の価格上昇に伴い、金ワイヤの半導体装置のコストに占める割合も高くなってきており、これを抑制するために、金よりも価格の安い銅からなる銅ワイヤを使用することが検討されている。特に、銅ワイヤは、コストだけでなく、金ワイヤよりも電気抵抗率が低いという特性を有していることから、電気的特性も優れており、注目されている。しかし、ワイヤを銅ワイヤで構成する場合、銅は酸化されやすい金属であることから、アーク放電により発生した熱で初期ボールIBLの表面の酸化が加速されることがある。この結果、初期ボールIBLの形状が真球形状ではなく、先端突起形状などのように形状不良が発生するおそれが高くなる。つまり、ワイヤとして、酸化されやすい銅ワイヤを使用する場合、初期ボールIBLの表面が酸化されることに起因する初期ボールIBLの形状不良が発生しやすくなる。そこで、銅などの酸化されやすいワイヤWを使用する場合、初期ボールIBLの表面が酸化されないように、不活性ガスなどの酸化防止ガス雰囲気中で初期ボールIBLを形成することが行なわれている。このような理由で、上述したワイヤボンディング工程では、図15や図16に示すように、ガス導入部GIPから酸化防止ガスをボール形成部BFPに導入しながら、キャピラリCAPの先端部に初期ボールIBLを形成しているのである。つまり、本実施の形態1におけるワイヤボンディング工程では、金などの酸化されない金属をワイヤWとして使用するのではなく、銅や半田などの酸化されやすい金属をワイヤWとして使用することを前提とするものである。このように、本実施の形態1の技術的思想は、ワイヤWとして酸化されやすい金属を使用するワイヤボンディング工程に関する技術であり、ワイヤWとして酸化されやすい金属を使用する場合を幅広く対象とする。以下では、特に、銅ワイヤを使用する場合を例に挙げて説明する。上述したワイヤボンディング工程のように、酸化防止ガス雰囲気中で初期ボールIBLを形成する場合であっても、初期ボールIBLを形成する際、周囲の酸化防止ガス雰囲気濃度が不充分であると、上述した初期ボールIBLの形状不良が発生しやすくなる。また、初期ボールIBLを形成する際、周囲の酸化防止ガスの流量が不安定になると、形成される初期ボールIBLの径にばらつきが生じる。さらには、初期ボールIBLを形成する際、酸化防止ガスが銅ワイヤに対して不均一に当たる場合、形成される初期ボールIBLが銅ワイヤに対して偏芯するおそれが高くなる。このような初期ボールIBLの形状不良が発生すると、初期ボールIBLを半導体チップCHPのパッドPD上に押し付けて圧着ボールPBLを形成する際、パッドPDにダメージを与えやすくなることを本発明者は見出した。特に、銅は、金に比べて硬いので、初期ボールIBLを変形させて圧着ボールPBLを形成するために、より大きな荷重例えば、金を使用する場合の荷重の1.5倍~2倍程度を加える場合が多い。このため、銅ワイヤにおける初期ボールIBLの形状不良は、荷重の増大とともにパッドへのダメージを加速させる要因となる。<初期ボールの具体的な形状不良に基づくパッドへのダメージの説明>以下では、初期ボールIBLの形状不良の具体例を挙げて、パッドPDへダメージを与えることについて詳細に説明する。まず、初期ボールIBLの形状が正常である場合について説明する。図17および図18は、正常な形状の初期ボールIBLをパッドPD上にボンディングファーストボンディングする工程を示す断面図である。図17に示すように、半導体チップに形成されたパッドPDは、パッシベーション膜表面保護膜PASに形成された開口部から露出した構成をしている。そして、この露出しているパッドPD上にキャピラリCAPが配置されている。このキャピラリCAPの先端部には初期ボールIBLが形成されている。このとき、図17に示す初期ボールIBLは、真球で、ボール径が適正であるとともに、偏芯がなく、表面が酸化されていない正常状態にある。このような初期ボールIBLがキャピラリCAPの先端部に形成されており、このキャピラリCAPを下降させることにより、初期ボールIBLをパッドPD上に着地させる。そして、図18に示すように、パッドPD上に着地した初期ボールIBLは、キャピラリCAPからの荷重および超音波振動と、半導体チップの下に配置されているヒートプレートからの熱エネルギーによって、変形し、圧着ボールPBLとなる。この圧着ボールPBLは、台座部PEと、台座部PE上に形成されるコーン部CNと、コーン部CN上に形成されるホール挿入部HIから構成される。このとき、図17に示す初期ボールIBLが正常状態にあるため、上述した荷重、超音波振動および熱負荷によって適正な形状の圧着ボールPBLが形成される。このことから、圧着ボールPBLの下層に存在するパッドPDに想定外のダメージが加わることなく、圧着ボールPBLをパッドPD上に形成することができる。次に、初期ボールIBL1がワイヤWに対して偏芯している異常状態の場合について説明する。図19および図20は、ワイヤWに対して偏芯した初期ボールIBL1をパッドPD上にファーストボンディングする工程を示す断面図である。図19に示すように、キャピラリCAPの先端部には初期ボールIBL1が形成されているが、図19に示す初期ボールIBL1は、ワイヤWに対して偏芯した異常状態にある。このような初期ボールIBL1がキャピラリCAPの先端部に形成されており、このキャピラリCAPを下降させることにより、初期ボールIBL1をパッドPD上に着地させる。そして、図20に示すように、パッドPD上に着地した初期ボールIBL1は、キャピラリCAPからの荷重および超音波振動と、半導体チップの下に配置されているヒートプレートからの熱負荷によって、変形し、圧着ボールPBL1となる。この圧着ボールPBL1は、台座部PE1と、台座部PE1上に形成されるコーン部CN1と、コーン部CN1上に形成されるホール挿入部HI1から構成される。このとき、上述した荷重、超音波振動および熱負荷が図19に示す初期ボールIBL1に加わる。ところが、図19に示す初期ボールIBL1がワイヤWに対して偏芯した異常状態にあるため、初期ボールIBL1は、キャピラリCAPの中心からずれた状態でパッドPD上にボンディングされる。このことから、圧着ボールPBL1の台座部PE1が偏って潰れてしまうことになる。したがって、台座部PE1の形状が偏った不均一形状となることから、台座部PE1が接するパッドPDには、台座部PE1の不均一形状を反映した局所的なダメージが加わることになる。さらに、ワイヤWに対して偏芯した異常状態にある初期ボールIBL1は偏って潰れるため、偏った側の台座部PE1がパッドPDからはみ出して、パッシベーション膜PAS上に乗り上げることになる。このことは、パッシベーション膜PASに台座部PE1が乗り上げることによる荷重が加わることを意味し、この荷重によって、パッシベーション膜PASにクラックが発生してしまうおそれがある。パッシベーション膜PASにクラックが発生してしまうと、そこから、水分や異物が半導体チップの内部へ侵入することになり、半導体装置の信頼性が低下することになる。また、図19に示す初期ボールIBLの偏芯がひどい場合には、初期ボールIBL1が偏って潰れた際、台座部PE1が隣接する圧着ボールPBL1にまで接触するようになる。すると、隣接する圧着ボールPBL1同士がショートすることになり、半導体装置の動作不良を引き起こすことになる。このように初期ボールIBL1がワイヤWに対して偏芯している場合には、半導体装置の信頼性が低下することがわかる。続いて、初期ボールIBL2のボール径がばらついて、初期ボールIBL2のボール径が適正なボール径よりも小径となる異常状態の場合について説明する。図21および図22は、小径の初期ボールIBL2をパッドPD上にファーストボンディングする工程を示す断面図である。図21に示すように、キャピラリCAPの先端部には初期ボールIBL2が形成されているが、図21に示す初期ボールIBL2は、適正なボール径よりも小径な異常状態にある。このような初期ボールIBL2がキャピラリCAPの先端部に形成されており、このキャピラリCAPを下降させることにより、初期ボールIBL2をパッドPD上に着地させる。そして、図22に示すように、パッドPD上に着地した初期ボールIBL2は、キャピラリCAPからの荷重および超音波振動と、半導体チップの下に配置されているヒートプレートからの熱負荷によって、変形し、圧着ボールPBL2となる。この圧着ボールPBL2は、台座部PE2と、台座部PE2上に形成されるコーン部CN2と、コーン部CN2上に形成されるホール挿入部HI2から構成される。このとき、上述した荷重、超音波振動および熱負荷が図21に示す初期ボールIBL2に加わる。ところが、図21に示す初期ボールIBL2のボール径は、適正なボール径よりも小径な異常状態にあるため、初期ボールIBL2が変形することにより形成される台座部PE2の体積は小さくなる。したがって、キャピラリCAPからの荷重が変わらないとすると、台座部PE2の体積が小さくなるということは、台座部PE2の単位体積当たりに加わる荷重が大きくなることを意味する。このことは、台座部PE2の下層に接触しているパッドPDに加わる単位体積当たりの荷重が大きくなることを意味し、この結果、パッドPDに加わるダメージが大きくなり、半導体装置の信頼性が低下することになる。次に、初期ボールIBL3の形状が正常な形状ではなく、初期ボールIBL3の先端部が突起形状となる異常状態の場合について説明する。図23および図24は、先端突起形状の初期ボールIBL3をパッドPD上にファーストボンディングする工程を示す断面図である。図23に示すように、キャピラリCAPの先端部には初期ボールIBL3が形成されているが、図23に示す初期ボールIBL2は、初期ボールIBL3の先端部が突起形状となる異常状態にある。このような初期ボールIBL3がキャピラリCAPの先端部に形成されており、このキャピラリCAPを下降させることにより、初期ボールIBL3をパッドPD上に着地させる。そして、図24に示すように、パッドPD上に着地した初期ボールIBL3は、キャピラリCAPからの荷重および超音波振動と、半導体チップの下に配置されているヒートプレートからの熱負荷によって、変形し、圧着ボールPBL3となる。この圧着ボールPBL3は、台座部PE3と、台座部PE3上に形成されるコーン部CN3と、コーン部CN3上に形成されるホール挿入部HI3から構成される。このとき、上述した荷重、超音波振動および熱負荷が図23に示す初期ボールIBL3に加わる。ところが、図23に示す初期ボールIBL3の形状は、初期ボールIBL3の先端部が突起形状となる異常状態にあるため、初期ボールIBL3が変形することにより形成される台座部PE3の底面は、初期ボールIBL3の先端突起形状を反映して、凸部が存在することになる。このことは、台座部PE3に存在する凸部に集中的に荷重が加わることを意味する。したがって、台座部PE3の凸部からパッドPDの局所的な一部に大きな荷重が加わることになる。この結果、パッドPDに加わるダメージが大きくなり、半導体装置の信頼性が低下することになる。以上のことから、ワイヤボンディング工程におけるパッドPDへのダメージを抑制するためには、キャピラリCAPの先端部に形成する初期ボールIBLを、真球で、ボール径が適正であるとともに、偏芯がなく、表面が酸化されていない正常状態にすることが重要であることがわかる。言い換えれば、初期ボールIBLの形状をできるだけ異常形状にしないことが、パッドPDへのダメージを抑制して、半導体装置の信頼性を向上させる観点から必要であることがわかる。<検討構造において、初期ボールの異常形状が発生するメカニズム>本発明者が検討したところ、上述した初期ボールにおける異常形状の発生は、ボール形成ユニットにおいて、ガス導入部からボール形成部に流入される酸化防止ガスの流れに影響を受けやすいことが明らかとなった。以下では、本発明者が検討した検討例1および検討例2を例に挙げて、初期ボールの異常形状が頻発するメカニズムについて説明する。図25は、本発明者が検討した検討例1におけるボール形成ユニットBFUの構成を示す図である。特に、図25aは、検討例1におけるボール形成ユニットBFUの一部を示す平面図であり、図25bは、図25aのA-A線で切断した断面図である。また、図25cは、図25aのB-B線で切断した断面図である。まず、図25aにおいて、検討例1におけるボール形成ユニットBFUには、キャピラリCAPの先端部を配置するボール形成部BFPが設けられており、このボール形成部BFPの内壁から突き出て露出するようにトーチ電極TCHが設けられている。さらに、ボール形成ユニットBFUには、酸化防止ガスをボール形成部BFPに導入するガス導入部GIPが設けられている。ガス導入部GIPからボール形成部BFPに導入される酸化防止ガスとしては、例えば、窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスや、不活性ガスである窒素ガスと還元性ガスである水素ガスを混合したフォーミングガスを挙げることができる。そして、図25bおよび図25cに示すように、ボール形成部BFPは、ボール形成ユニットBFUの厚さ方向に貫通しており、このボール形成部BFPにキャピラリCAPを挿入することができるようになっている。このように構成されている検討例1におけるボール形成ユニットBFUにおいては、ボール形成部BFPの内部にキャピラリCAPの先端部を配置した後、酸化防止ガスをボール形成部BFPの内部へ供給しながら、キャピラリの先端部から出ているワイヤWとトーチ電極TCHとの間でアーク放電を発生させる。これにより、キャピラリCAPの先端部に初期ボールを形成することができる。ここで、検討例1におけるボール形成ユニットBFUで初期ボールを形成したところ、形成した初期ボールのボール径にばらつきが生じることが判明した。このようなボール径のばらつきが生じると、適正なボール径よりも小径な異常状態の初期ボールが形成されてしまうことを意味する。このような小径の初期ボールが形成される場合、初期ボールが変形することにより形成される台座部の体積は小さくなる。この結果、台座部の単位体積当たりに加わる荷重が大きくなるため、台座部の下層に接触しているパッドに加わる単位体積当たりの荷重が大きくなる。したがって、パッドに加わるダメージが大きくなり、半導体装置の信頼性が低下することになる。そこで、検討例1におけるボール形成ユニットBFUで形成される初期ボールのボール径にばらつきが生じる原因を調査した。実際には、可視化のために白色の気体を用い、その流れを観察した。その結果、初期ボールのボール径のばらつきは以下に示す要因によって生じているものと考えられる。この要因について説明する。図26は、検討例1における酸化防止ガスの流れを示す模式図であり、図26a~図26cのそれぞれは、図25a~図25cのそれぞれに対応し、酸化防止ガスの流れが矢印で示されている。まず、検討例1において、初期ボールのボール径にばらつきが生じる第1要因は、以下のようなものと考えられる。すなわち、図26aや図26bに示すように、ガス導入部GIPからボール形成部BFPに導入された酸化防止ガスは、ボール形成ユニットBFUの厚さ方向に貫通しているボール形成部BFPの上下方向から排出されると考えられる。この場合、まず、ボール形成部BFPの一側面側から供給されるガス流と、対向するもう一方の側面で反射したガス流が衝突して乱流となりながら、ボール形成部BFPの上下方向から排出されるものと考えられる。つまり、検討例1の構成では、ボール形成部BFPの一側面側から供給されるガス流が、対向するもう一方の側面で反射したガス流が衝突して乱流を形成すると考えられる。この結果、キャピラリCAPの先端部に出ているワイヤ近傍でのガス流の流れが乱流によって変動するため、初期ボールのボール径がばらつくものと考えられる。さらに、検討例1において、初期ボールのボール径にばらつきが生じる第2要因は、以下のようなものと考えられる。すなわち、図26bおよび図26cに示すように、ボール形成部BFPの上方向へ排出される酸化防止ガスは、挿入されているキャピラリCAPによって流れが妨げられてスムーズに排出されないものと考えられる。つまり、ボール形成部BFPの上方向へ排出される酸化防止ガスの流れは、キャピラリCAPによって妨げられることで渦巻状になる結果、酸化防止ガスの流速が不安定となり、初期ボールのボール径がばらつくものと考えられる。続いて、図27は、本発明者が検討した検討例2におけるボール形成ユニットBFUの構成を示す図である。特に、図27aは、検討例2におけるボール形成ユニットBFUの一部を示す平面図であり、図27bは、図27aのA-A線で切断した断面図である。また、図27cは、図27aのB-B線で切断した断面図である。まず、図27aにおいて、検討例2におけるボール形成ユニットBFUには、キャピラリCAPの先端部を配置するボール形成部BFPが設けられており、このボール形成部BFPの内壁から突き出て露出するようにトーチ電極TCHが設けられている。さらに、ボール形成ユニットBFUには、酸化防止ガスをボール形成部BFPに導入するガス導入部GIPが設けられている。ガス導入部GIPからボール形成部BFPに導入される酸化防止ガスとしては、例えば、窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスや、不活性ガスである窒素ガスと還元性ガスである水素ガスを混合したフォーミングガスを挙げることができる。このとき、検討例2では、ガス導入部GIPからボール形成部BFPの内部へ供給する酸化防止ガスは、ボール形成部BFPの周囲に設けられた複数の噴出孔HLからボール形成部BFPの内部へ導入されるように構成されている。さらに、図27bおよび図27cに示すように、ボール形成部BFPは、ボール形成ユニットBFUの厚さ方向に貫通しており、このボール形成部BFPにキャピラリCAPを挿入することができるようになっている。そして、ボール形成部BFPの側面に酸化防止ガスを導入するための複数の噴出孔HLが設けられていることがわかる。このように構成されている検討例2におけるボール形成ユニットBFUにおいては、ボール形成部BFPの内部にキャピラリCAPの先端部を配置した後、酸化防止ガスを複数の噴出孔HLからボール形成部BFPの内部へ供給しながら、キャピラリの先端部から出ているワイヤWとトーチ電極TCHとの間でアーク放電を発生させる。これにより、キャピラリCAPの先端部に初期ボールを形成することができる。ここで、検討例2におけるボール形成ユニットBFUで初期ボールを形成したところ、形成した初期ボールで偏芯やボール径の小径化が生じることが判明した。初期ボールの偏芯やボール径の小径化による弊害は、検討例1で上述した通りである。そこで、検討例2におけるボール形成ユニットBFUで形成される初期ボールの偏芯や小径化が生じる原因を上述した検討例1と同様の方法で調査した。その結果、初期ボールの偏芯や小径化は以下に示す要因によって生じているものと考えられる。この要因について説明する。図28は、検討例2における酸化防止ガスの流れを示す模式図であり、図28a~図28cのそれぞれは、図27a~図27cのそれぞれに対応し、酸化防止ガスの流れが矢印で示されている。まず、検討例2において、初期ボールに偏芯が生じる要因は、以下のようなものと考えられる。すなわち、図28aに示すように、ガス導入部GIPからボール形成部BFPに複数の噴出孔HLによって酸化防止ガスが導入される。このとき、ボール形成部BFPの周囲に配置された複数の噴出孔HLから均一に酸化防止ガスが供給される場合には、初期ボールの偏芯は生じないものと推測される。ところが、実際には、図28aに示すように、複数の噴出孔HLの配置場所によっては、それぞれの噴出孔HLから噴き出したガス同士が衝突するので、ガス流の流れの大きさが偏ってしまう。これによって、初期ボールにあたるガス流が方向によって異なることから、形成される初期ボールが偏芯してしまうと考えられる。さらに、検討例2において、初期ボールのボール径が小径化してしまう要因は、以下のようなものと考えられる。すなわち、図28bおよび図28cに示すように、個々の噴出孔HLの開口面積は小さくなっているため、ガス導入部GIPにおける酸化防止ガスの流速よりも、開口面積の小さな噴出孔HLからボール形成部BFPの内部へ噴出される酸化防止ガスの流速が大きくなる。このことは、初期ボールに当たる酸化防止ガスの流速が大きくなることを意味し、これにより、酸化防止ガスによる初期ボールの冷却効果が大きくなることを意味している。したがって、初期ボールが適正なボール径になる前に溶融したワイヤが固まってしまうので、初期ボールの小径化が生じるものと考えられる。以上のように、検討例1および検討例2のいずれの場合も、初期ボールにおける異常形状の発生原因は、ボール形成ユニットにおいて、ガス導入部からボール形成部に流入する酸化防止ガスの流れに影響を受けやすいことがわかる。そこで、本実施の形態1では、初期ボールにおける異常形状の発生を抑制するため、ボール形成ユニットにおける酸化防止ガスの流れを改善する最適化する工夫を施している。以下に、この工夫を施した本実施の形態1の技術的思想について説明する。<実施の形態1におけるボール形成ユニットの構造本願発明の特徴>図29は、本実施の形態1におけるボール形成ユニットBFUの構成を示す図である。特に、図29aは、本実施の形態1におけるボール形成ユニットBFUの一部を示す平面図であり、図29bは、図29aのA-A線で切断した断面図である。また、図29cは、図29aのB-B線で切断した断面図である。まず、図29aにおいて、本実施の形態1におけるボール形成ユニットBFUには、キャピラリCAPの先端部を配置するボール形成部BFPが設けられており、このボール形成部BFPの内壁から突き出て露出するようにトーチ電極TCHが設けられている。さらに、ボール形成ユニットBFUには、酸化防止ガスをボール形成部BFPに導入するガス導入部GIPが設けられている。ガス導入部GIPからボール形成部BFPに導入される酸化防止ガスとしては、例えば、窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスや、不活性ガスである窒素ガスと還元性ガスである水素ガスを混合したフォーミングガスを挙げることができる。なお、窒素ガスと水素ガスを混合したフォーミングガスを使用する場合、水素ガスによる爆発を防ぐ観点から、水素ガスの濃度は5未満の範囲で添加する必要がる。そして、図29bおよび図29cに示すように、ボール形成部BFPは、ボール形成ユニットBFUの厚さ方向に貫通しており、このボール形成部BFPにキャピラリCAPを挿入することができるようになっている。このように構成されている本実施の形態1におけるボール形成ユニットBFUにおいては、ボール形成部BFPの内部にキャピラリCAPの先端部を配置した後、酸化防止ガスをボール形成部BFPの内部へ供給しながら、キャピラリの先端部から出ているワイヤWとトーチ電極TCHとの間でアーク放電を発生させる。これにより、キャピラリCAPの先端部に初期ボールを形成することができる。このように、ボール形成ユニットBFUでは、キャピラリの先端部から出ているワイヤWとトーチ電極TCHとの間でアーク放電を発生させることから、ボール形成ユニットBFUを構成する部材には絶縁性が要求される。さらに、ボール形成ユニットBFUは、例えば、図14aに示すように、ヒートプレートHPの上方に配置される。したがって、ボール形成ユニットBFU近傍の雰囲気温度は、ヒートプレートHPからの輻射熱によって100°C~120°C程度となるため、ボール形成ユニットBFUには、100°C~120°C程度の温度に耐えられる耐熱性が要求される。以上のように、ボール形成ユニットBFUを構成する部材には、絶縁性と耐熱性が要求される。この観点から、ボール形成ユニットBFUは、例えば、ポリアミドイミド樹脂、セラミック、あるいは、ガラスなどが使用される。特に、ポリアミドイミド樹脂を使用する場合、ポリアミドイミド樹脂は、加工性が容易であり、かつ、割れにくいという性質があるので、ボール形成ユニットBFUの加工性を向上させることができるとともに、信頼性を向上させることができる。ここで、本実施の形態1の特徴は、図29aに示すように、ボール形成ユニットBFUに酸化防止ガスを排出するガス排出部GOPを設け、このガス排出部GOPによる排出経路を、酸化防止ガスがボール形成部BFPに導入される方向とは異なる方向に設けている点にある。言い換えれば、本実施の形態1では、ガス導入部GIPにおける酸化防止ガスの導入方向供給方向と、ガス排出部GOPにおける酸化防止ガスの排出方向が異なっている点に特徴点がある。これにより、本実施の形態1によれば、酸化防止ガスを排出する領域を増加させることができるので、ボール形成部BFPの一側面側から供給されるガス流が、対向する他方の側面でガス流が反射して乱流を形成してしまうことを抑制できる。この結果、ボール形成部BFPにおけるガス流の流れを安定化させることができる。例えば、上述した検討例1図25参照の場合、ガス導入部GIPからボール形成部BFPに供給された酸化防止ガスの排出経路は、ボール形成ユニットBFUの厚さ方向に貫通しているボール形成部BFPの上下方向しか存在しない。さらに、ボール形成部BFPの上部はキャピラリCAPの先端部が配置されているため、酸化防止ガスが排出する経路が非常に狭くなってしまい、ボール形成部BFPに導入された酸化防止ガスが排出されにくくなっている。このため、ガス導入部GIPからボール形成部BFPに供給されたガスがスムーズに排出されにくくなり、ボール形成部BFPに導入された酸化防止ガスは、供給されるボール形成部BFPの一側面側と対向する他方の側面に衝突する確率が高くなる。これによって、ボール形成部BFPの一側面側から供給されるガス流と、対向するもう一方の側面で反射したガス流が衝突して乱流が形成されやすくなる。乱流が形成されると、キャピラリCAPの先端部に出ているワイヤ近傍でのガス流の流れが乱流によって変動するため、初期ボールのボール径がばらつく問題点が発生する。これに対し、以下に、本実施の形態1におけるボール形成ユニットBFUについて説明する。図30は、本実施の形態1における酸化防止ガスの流れを示す模式図であり、図30a~図30cのそれぞれは、図29a~図29cのそれぞれに対応し、酸化防止ガスの流れが矢印で示されている。本実施の形態1におけるボール形成ユニットBFUでは、図30aに示すように、酸化防止ガスを排出するガス排出部GOPを設けている。つまり、本実施の形態1では、ガス導入部GIPから導入された酸化防止ガスの排出経路として、ボール形成ユニットBFUの厚さ方向に貫通しているボール形成部BFPの上下方向だけでなく、それ以外に、ガス排出部GOPも存在することになる。このことから、本実施の形態1によれば、酸化防止ガスの排出経路にガス排出部GOPを追加したので、ボール形成部BFPに供給された酸化防止ガスは、スムーズにガス排出部GOPから効率的に排出される。特に、ガス排出部GOPの内部には、キャピラリCAP自体が配置されることはなく、酸化防止ガスの排出の際に障害となる部材は配置されないことから、ガス排出部GOPから充分に酸化防止ガスを排出させることができる。すなわち、本実施の形態1では、ガス導入部GIPからボール形成部BFPに供給された酸化防止ガスの多くは、新たに設けられたガス排出部GOPから排出される図30aおよび図30b参照。したがって、本実施の形態1によれば、ボール形成部BFPに供給された酸化防止ガスのうち、ガス排出部GOPから排気されない酸化防止ガスの流量が少なくなるので、排気容量の少ないボール形成部BFPの上下方向からも、この残存する酸化防止ガスが滞留することなく、スムーズに排出される図30bおよび図30c参照。つまり、本実施の形態1では、排気容量の大きなガス排出部GOPを設けることにより、ボール形成部BFPに供給された酸化防止ガスを効率良く排出できるという直接的な第1効果が得られる。さらに、大部分の酸化防止ガスがガス排出部GOPから排出されるため、ガス排出部GOPから排気されない酸化防止ガスの流量を少なくすることができるという間接的な第2効果が得られる。そして、この第2効果によって、排気容量の少ないボール形成部BFPの上下方向からも、この残存する酸化防止ガスが滞留することなく、スムーズに排出することができるのである。すなわち、本実施の形態1によれば、上述した第1効果と第2効果の相乗効果によって、ガス導入部GIPからボール形成部BFPに導入された酸化防止ガスをスムーズに排出することができる。このことは、ボール形成部BFPの一側面側から供給される酸化防止ガスの多くが、対向する他方の側面に衝突して乱流を形成することなく、スムーズに排出されることを意味する。これによって、本実施の形態1によれば、ボール形成部BFPの一側面側から供給されるガス流と、対向するもう一方の側面で反射したガス流が衝突して乱流が形成されることを充分に抑制できる。言い換えれば、たとえ、ボール形成部BFPの一側面側から供給されるガス流が、対向するもう一方の側面で反射したとしても、反射したガス流もガス排出部GOPからスムーズに排出されるので、ボール形成部BFPの一側面側から供給されるガス流と対向するもう一方の側面で反射したガス流との衝突による乱流の発生を抑制できる。このため、本実施の形態1によれば、ボール形成部BFPにおけるガス流の流れを安定化させることができるのである。さらに、本実施の形態1では、ガス導入部GIPにおける酸化防止ガスの導入方向供給方向と、ガス排出部GOPにおける酸化防止ガスの排出方向が異なっている点に特徴点がある。例えば、ガス導入部GIPからボール形成部BFPへ導入される酸化防止ガスをスムーズに排出する観点からは、酸化防止ガスの導入方向供給方向と、酸化防止ガスの排出方向とが揃っていることが望ましいと考えられる。しかし、このような構成の場合、以下に示すような不都合が生じる。例えば、酸化防止ガスの導入方向供給方向と、酸化防止ガスの排出方向とが揃っている場合、酸化防止ガスは、ガス導入部GIPからガス排出部GOPに向って一方向に流れることになる。すると、キャピラリCAPの先端部に形成される初期ボールに対して、一方向の偏ったガス流が常に流れることになる。このことは、一方向に偏ったガス流によって初期ボールが偏芯しやすくなることを意味する。すなわち、キャピラリCAPの先端部に偏芯のない初期ボールを形成する観点からは、できるだけ一方向の偏ったガス流を流すことは避ける必要がある。偏芯のない初期ボールを形成するためには、ボール形成部BFP内の酸化防止ガス濃度が安定した状態を保ちつつ、ガス導入部GIPから供給される新しい酸化防止ガスとガス排出部GOPから排出される古い酸化防止ガスとが滞りなく、スムーズに入れ替わることが重要である。したがって、本実施の形態1では、ガス導入部GIPにおける酸化防止ガスの導入方向供給方向と、ガス排出部GOPにおける酸化防止ガスの排出方向が異なるように構成している。具体的には、例えば、図29aに示すように、ガス導入部GIPにおける酸化防止ガスの導入方向供給方向と、ガス排出部GOPにおける酸化防止ガスの排出方向が90°となるように構成される。これにより、キャピラリCAPの先端部に形成される初期ボールに対して、一方向の偏ったガス流が常に流れることを抑制することができる。この結果、本実施の形態では、一方向に偏ったガス流によって初期ボールが偏芯することを抑制できるのである。続いて、本実施の形態1におけるさらなる特徴点について説明する。例えば、図29a~図29cに示すように、本実施の形態1では、ガス排出部GOPがボール形成ユニットBFUの厚さ方向に貫通していることに特徴点がある。これにより、ガス排出部GOPの断面積を最大ボール形成ユニットBFUの厚さ分にすることができるので、ガス排出部GOPから酸化防止ガスを排出する排気容量を大きくすることができる。これにより、ガス導入部GIPからボール形成部BFPに導入された酸化防止ガスに対して、排気抵抗を小さくして効率的にガス排出部GOPから排出することができる。さらに、ガス排出部GOPをボール形成ユニットBFUの厚さ方向に貫通するように構成することにより、ガス排出部GOPの断面積を、ボール形成ユニットBFUの内部に設けられているガス導入部GIPの断面積よりも大きくすることができる。これにより、本実施の形態1によれば、ガス導入部GIPからボール形成部BFPに流入される酸化防止ガスの流量流入容量よりも、ボール形成部BFPからガス排出部GOPへ排出できる酸素防止ガスの流量排気容量を大きくすることができる。このため、本実施の形態1によれば、ボール形成部BFPからスムーズに酸化防止ガスを排出することができる。また、ガス排出部GOPがボール形成ユニットBFUの厚さ方向に貫通している構成に加えて、ガス排出部GOPの断面の幅をキャピラリCAPの幅以上とすることにより、以下に示す利点も得られる。例えば、キャピラリCAPにも寿命があるため、キャピラリCAPを交換する作業が必要となる。このとき、検討例1に示すようなボール形成ユニットBFUでは、キャピラリCAP自体を上昇させて、ボール形成ユニットBFU内のボール形成部BFPから外側に出した後、キャピラリCAPを交換する。そして、キャピラリCAPを交換した後、再び、キャピラリCAPを下降させて、ボール形成ユニットBFU内のボール形成部BFPにキャピラリCAPの先端部を挿入する必要がある。これに対し、本実施の形態1におけるボール形成ユニットBFUでは、ガス排出部GOPを設け、このガス排出部GOPがボール形成ユニットBFUの厚さ方向に貫通しているとともに、ガス排出部GOPの断面の幅をキャピラリCAPの幅以上とする構成をとっている。この構成を取ると、キャピラリCAPを交換する場合、キャピラリCAP自体を上昇させることなく、横方向にスライドさせて、ガス排出部GOPから外側空間にキャピラリCAPを取り出すことができる。そして、取り出した状態で、キャピラリCAPを交換した後、再び、交換したキャピラリCAPを横方向にスライドさせて、ボール形成ユニットBFU内のボール形成部BFPにキャピラリCAPの先端部を挿入することができる。このように、本実施の形態1によれば、キャピラリCAPの交換作業の際、キャピラリCAP自体を上下移動させる必要がなくなるため、作業効率を向上できる利点が得られる。さらに、本実施の形態1では、例えば、図29aに示すように、ガス排出部GOPの断面の幅を、ボール形成部BFPの幅以下にすることが望ましい。なぜなら、ボール形成部BFPから酸化防止ガスを効率的に排気するためには、ガス排出部GOPの断面の幅がボール形成部BFPの幅と同程度以下であれば充分であるからである。つまり、例えば、ガス排出部GOPの断面の幅をボール形成部BFPの幅よりも大きくすると、より酸化防止ガスの排出効率が向上するように思われるが、実際には、ガス排出部GOPの断面の幅がボール形成部BFPの幅と同程度の場合と変わらないばかりか、逆に、ガス排出部GOPの断面の幅を大きくしすぎると、外部に存在する空気がガス排出部GOPを通って、ボール形成部BFPに流入するおそれが高くなるからである。外部に存在する空気がガス排出部GOPを通って、ボール形成部BFPに流入してしまうと、流入した空気によって初期ボールの表面が酸化されてしまう不具合が発生するおそれが高まる。したがって、ボール形成部BFPから酸化防止ガスを効率的に排気するとともに、外部に存在する空気の流入を防止する観点から、ガス排出部GOPの断面の幅を、ボール形成部BFPの幅と同程度以下にすることが望ましいのである。具体的に、本実施の形態1におけるボール形成ユニットBFUでは、例えば、ボール形成ユニットBFUの厚さが2.5mm、ガス導入部GIPの径がφ2.0mm、ボール形成部BFPの径幅がφ2.2mm、ガス排出部の断面の幅が1.6mmとなっている。次に、本実施の形態1の優位性を検討例1や検討例2と比較しながら説明する。図31は、初期ボールのボール径と、酸化防止ガスのガス流量との関係を示すグラフである。図31では、本実施の形態1と検討例1と検討例2とを比較して示している。図31において、横軸はガス流量l/minを示しており、縦軸のうち左軸は、初期ボールのボール径の最大値、最小値、および平均値μmを示しており、縦軸のうち右軸は、初期ボールのボール径の偏差μmを示している。図31に示すように、検討例1および検討例2では、初期ボールのボール径の平均値や偏差が、本実施の形態1に比べて、ガス流量の変化に伴って、ばらつきを持っていることがわかる。つまり、本実施の形態1によれば、検討例1や検討例2に比べて、1形成された初期ボールのボール径のばらつきが小さい、2ガス流量の変化に伴う、ボール径の変化が小さい、3ガス流量が大きくなっても初期ボールが偏芯しない、という優位性があることがわかる。これは、本実施の形態1によれば、ボール形成ユニットに導入される酸化防止ガスの流量に多少変化が生じても、形成される初期ボールのボール径は安定しているということを意味している。言い換えれば、本実施の形態1におけるボール形成ユニットによれば、酸化防止ガスのガス流量の変化に対して、充分なマージンを確保することができていることを意味し、この結果、適正な初期ボールを安定的に形成できることがわかる。これは、本実施の形態1によれば、ガス排出部GOPが設けられていることにより、酸化防止ガスのガス流量が変化しても、スムーズな排出が確保されているものと考えられる。以上のことから、本実施の形態1によれば、銅や半田などの酸化されやすい金属をワイヤに使用したワイヤボンディング工程において、パッドへのダメージを抑制することができる。すなわち、本実施の形態1によれば、キャピラリの先端部に形成する初期ボールを、真球で、ボール径が適正であるとともに、偏芯がなく、表面が酸化されていない正常状態にすることが充分に実現できることがわかる。その結果、初期ボールの偏芯に起因するワイヤボンディング時のパッドへのダメージ等が抑制されるので、半導体装置の信頼性を向上させることができる。<変形例1ガス排出部の排出方向>前記実施の形態1では、ガス導入部における酸化防止ガスの導入方向供給方向と、ガス排出部における酸化防止ガスの排出方向が90°異なっている例について説明したが、本変形例1では、上述した導入方向と排出方向が90°±45°異なっている例について説明する。図32は、本変形例1におけるボール形成ユニットBFUの構成を示す図である。特に、図32aは、本変形例1におけるボール形成ユニットBFUの一部を示す平面図であり、図32bは、図32aのA-A線で切断した断面図である。また、図32cは、図32aのB-B線で切断した断面図である。また、図33は、本変形例1における他のボール形成ユニットBFUの構成を示す図である。特に、図33aは、本変形例1におけるボール形成ユニットBFUの一部を示す平面図であり、図33bは、図33aのA-A線で切断した断面図である。また、図33cは、図33aのB-B線で切断した断面図である。本変形例1と前記実施の形態1との相違点は、前記実施の形態1では、ガス導入部における酸化防止ガスの導入方向供給方向と、ガス排出部における酸化防止ガスの排出方向が90°異なっているのに対し、本変形例1では、上述した導入方向と排出方向が90°±45°異なっている点である。このように構成されている本変形例1においても、前記実施の形態1と同様の効果が得られる。すなわち、本変形例1においても、ボール形成ユニットBFUに酸化防止ガスを排出するガス排出部GOPを設け、このガス排出部GOPによる排出経路を、酸化防止ガスがボール形成部BFPに導入される方向とは異なる方向に設けている。これにより、本変形例1によれば、酸化防止ガスを排出する領域を増加させることができるので、ボール形成部BFPの一側面側から供給されるガス流が、対向する他方の側面でガス流が反射して乱流を形成してしまうことを抑制できる。この結果、ボール形成部BFPにおけるガス流の流れを安定化させることができる。特に、本変形例1では、ガス導入部GIPにおける酸化防止ガスの導入方向供給方向と、ガス排出部GOPにおける酸化防止ガスの排出方向が90°±45°となるように構成される。これにより、キャピラリCAPの先端部に形成される初期ボールに対して、一方向の偏ったガス流が常に流れることを抑制することができる。この結果、本実施の形態では、一方向に偏ったガス流によって初期ボールが偏芯することを抑制できる。このように本願発明の技術的思想では、ガス導入部における酸化防止ガスの導入方向供給方向に対して、ガス排出部における酸化防止ガスの排出方向が90°±45°の範囲内に入っていることが望ましい。なぜなら、上述した範囲外の角度を有するガス排出部GOPを設ける場合、ガス雰囲気濃度が保持できないという問題点や、酸化防止ガスの排出に対して排出抵抗が大きくなり乱流や流速変動が発生するおそれが高まる問題点が顕在化するからである。<変形例2ガス排出部の断面積>ガス排出部GOPの断面積は、酸化防止ガスの排出を妨げない大きさであることが望ましく、具体的に、ガス排出部GOPがボール形成ユニットBFUの厚さ方向に貫通しているときの断面積を100最大断面積とする場合に、この断面積に対して、50~100の断面積を有するようにガス排出部GOPを設けることが望ましい。以下に、上述した範囲内の断面積を有するガス排出部GOPの構成例について説明する。図34は、本変形例2におけるボール形成ユニットBFUの構成を示す図である。特に、図34aは、本変形例2におけるボール形成ユニットBFUの一部を示す平面図であり、図34bは、図34aのA-A線で切断した断面図である。また、図34cは、図34aのB-B線で切断した断面図である。図34a~図34cに示すように、本変形例2におけるガス排出部GOP1は、ボール形成ユニットBFUの厚さ方向に貫通している。したがって、図34に示すガス排出部GOP1の断面積は最大100となっており、効率的に酸素防止ガスをガス排出部GOP1から排出することができる。続いて、図35は、本変形例2における他のボール形成ユニットBFUの構成を示す図である。特に、図35aは、本変形例2における他のボール形成ユニットBFUの一部を示す平面図であり、図35bは、図35aのA-A線で切断した断面図である。また、図35cは、図35aのB-B線で切断した断面図である。図35a~図35cに示すように、本変形例2におけるガス排出部GOP2は、ボール形成ユニットBFUの厚さ方向に貫通してはいないが、特に、図35bに示すように、ボール形成ユニットBFUの底面側から上面近傍にわたって開口部が形成されている。具体的に、図35に示すガス排出部GOP2の断面積は、最大断面積に対して75の断面積となっており、図34に示す場合ほどではないが、充分に酸素防止ガスをガス排出部GOP2から排出することができるように構成されている。次に、図36は、本変形例2における他のボール形成ユニットBFUの構成を示す図である。特に、図36aは、本変形例2における他のボール形成ユニットBFUの一部を示す平面図であり、図36bは、図36aのA-A線で切断した断面図である。また、図36cは、図36aのB-B線で切断した断面図である。図36a~図36cに示すように、本変形例2におけるガス排出部GOP3は、ボール形成ユニットBFUの厚さ方向に貫通してはいないが、特に、図36bに示すように、ボール形成ユニットBFUの上面側から底面近傍にわたって開口部が形成されている。具体的に、図36に示すガス排出部GOP3の断面積は、最大断面積に対して75の断面積となっており、図34に示す場合ほどではないが、充分に酸素防止ガスをガス排出部GOP3から排出することができるように構成されている。<変形例3ガス排出部の断面形状>ガス排出部GOPの断面形状は、ボール形成ユニットの厚さ方向に貫通して形成される開口形状の他に、変形例2で説明した断面積を有するものであれば、矩形形状や丸型形状などであってもよい。図37は、本変形例3におけるボール形成ユニットBFUの構成を示す図である。特に、図37aは、本変形例3におけるボール形成ユニットBFUの一部を示す平面図であり、図37bは、図37aのA-A線で切断した断面図である。また、図37cは、図37aのB-B線で切断した断面図である。図37a~図37cに示すように、本変形例3におけるガス排出部GOP4は、ボール形成ユニットBFUの厚さ方向に貫通してはいないが、特に、図37bに示すように、ボール形成ユニットBFUの中央部近傍に開口部が形成されている。具体的に、図37に示すガス排出部GOP4の断面積は、最大断面積に対して50以上の断面積となっており、開口部の断面形状は矩形形状となっている。このように構成される場合であっても、充分に酸素防止ガスをガス排出部GOP4から排出することができる。図38は、本変形例3における他のボール形成ユニットBFUの構成を示す図である。特に、図38aは、本変形例3における他のボール形成ユニットBFUの一部を示す平面図であり、図38bは、図38aのA-A線で切断した断面図である。また、図38cは、図38aのB-B線で切断した断面図である。図38a~図38cに示すように、本変形例3におけるガス排出部GOP5は、ボール形成ユニットBFUの厚さ方向に貫通してはいないが、特に、図38bに示すように、ボール形成ユニットBFUの中央部近傍にわたって開口部が形成されている。具体的に、図38に示すガス排出部GOP5の断面積は、最大断面積に対して50以上の断面積となっており、開口部の断面形状は丸型形状となっている。このように構成される場合であっても、充分に酸素防止ガスをガス排出部GOP5から排出することができる。実施の形態2本実施の形態2では、キャピラリの先端部に対して、ガス導入部と反対側にガス溜まり部を設けている例について説明する。図39は、本実施の形態2におけるボール形成ユニットBFUの構成を示す図である。特に、図39aは、本実施の形態2におけるボール形成ユニットBFUの一部を示す平面図であり、図39bは、図39aのA-A線で切断した断面図である。また、図39cは、図39aのB-B線で切断した断面図である。本実施の形態2と前記実施の形態1との相違点は、本実施の形態2におけるボール形成ユニットにおいて、キャピラリCAPの先端部に対して、ガス導入部GIPと反対側にガス溜まり部GCPを設けている点である。このように構成された本実施の形態2におけるボール形成ユニットBFUによれば、ガス導入部GIPから供給されるガス流と、ガス溜まり部GCPで跳ね返ったガス流との衝突で生じる乱流を低減できるとともに、たとえ、乱流が発生したとしても、この乱流の形成位置を、前記実施の形態1の場合よりも、遠ざけることができる。この結果、本実施の形態2によれば、キャピラリCAPの先端部に形成される初期ボールへの上述した乱流の影響が小さくなるので、より初期ボール近傍を流れるガス流をスムーズにすることができ、これによって、安定した初期ボールを形成することができる。以上のことから、本実施の形態2によれば、銅や半田などの酸化されやすい金属をワイヤに使用したワイヤボンディング工程において、パッドへのダメージを抑制することができる。すなわち、本実施の形態2によれば、キャピラリの先端部に形成する初期ボールを、真球で、ボール径が適正であるとともに、偏芯がなく、表面が酸化されていない正常状態にすることが充分に実現できることがわかる。その結果、初期ボールの偏芯に起因するワイヤボンディング時のパッドへのダメージ等が抑制されるので、半導体装置の信頼性を向上させることができる。図40は、本実施の形態2における酸化防止ガスの流れを示す模式図であり、図40a~図40cのそれぞれは、図39a~図39cのそれぞれに対応し、酸化防止ガスの流れが矢印で示されている。本実施の形態2におけるボール形成ユニットBFUでは、前記実施の形態1と同様に、酸化防止ガスを排出するガス排出部GOPを設けている。つまり、本実施の形態2でも、ガス導入部GIPから導入された酸化防止ガスの排出経路として、ボール形成ユニットBFUの厚さ方向に貫通しているボール形成部BFPの上下方向だけでなく、それ以外に、ガス排出部GOPも存在することになる。このことから、本実施の形態2によれば、酸化防止ガスの排出経路にガス排出部GOPを追加したので、ボール形成部BFPに供給された酸化防止ガスは、スムーズにガス排出部GOPから効率的に排出される。特に、ガス排出部GOPの内部には、キャピラリCAP自体が配置されることはなく、酸化防止ガスの排出の際に障害となる部材は配置されないことから、ガス排出部GOPから充分に酸化防止ガスを排出させることができる。さらに、本実施の形態2では、図40aおよび図40bに示すように、ガス溜まり部GCPが設けられているため、ガス導入部GIPから供給されるガス流と、ガス溜まり部GCPで跳ね返ったガス流との衝突で生じる乱流を低減できるとともに、たとえ、乱流が発生したとしても、この乱流の形成位置を、前記実施の形態1の場合よりも、遠ざけることができる。この結果、本実施の形態2によれば、キャピラリCAPの先端部に形成される初期ボールへの上述した乱流の影響が小さくなるので、より初期ボール近傍を流れるガス流をスムーズにすることができ、これによって、安定した初期ボールを形成することができる。以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。上述のMOSFETは、ゲート絶縁膜を酸化膜から形成する場合に限定するものではなく、ゲート絶縁膜を広く絶縁膜から形成するMISFETMetalInsulatorSemiconductorFieldEffectTransistorをも含むものと想定している。つまり、本明細書では、便宜上MOSFETという用語を使用しているが、このMOSFETは、MISFETをも含む意図の用語として本明細書では使用している。本願発明の技術的思想は、ワイヤとして酸化されやすい金属を使用するワイヤボンディング工程に関するものであり、特に、上述した実施の形態では、銅ワイヤを使用する場合を例に挙げて説明したが、本願発明の技術的思想は、これに限らず、例えば、半田などの酸化されやすい金属を使用したワイヤボンディング工程に幅広く適用することができる。<変形例>なお、上述した実施の形態では、銅ワイヤを使用したワイヤボンディング工程を例に挙げて説明したが、本願発明における技術的思想は、銅からなるスタッドバンプ電極を形成する工程にも幅広く適用することができる。なぜなら、スタッドバンプ電極も、キャピラリによって、先端部に形成された初期ボールをパッド上に着地させた後、圧縮荷重および超音波振動を印加することにより初期ボールを変形させて圧着ボールを形成し、この圧着ボールの先端部で銅ワイヤを切断することによりスタッドバンプ電極を形成するからである。つまり、銅ワイヤによるワイヤボンディング工程とスタッドバンプ電極形成工程のいずれにおいても、圧縮荷重および超音波振動を印加して圧着ボールを形成する点は共通するため、銅からなるスタッドバンプ電極を形成する工程においても、パッドへのダメージの問題が顕在化すると考えられる。したがって、スタッドバンプ電極を形成する工程においても、本発明の技術的思想を適用することにより、パッドへのダメージを効果的に防止することができる。以下に、スタッドバンプ電極の構成例について説明する。図41は、半導体チップCHP上に形成された複数のスタッドバンプ電極SBMPを示す図である。図41では、図示されていないが、半導体チップCHPの表面に形成されたパッド上にスタッドバンプ電極SBMPが配置されている。このようにスタッドバンプ電極SBMPを形成した半導体チップCHPは、例えば、フェイスダウンボンディングによって配線基板に実装される。図42は、スタッドバンプ電極SBMPを形成した半導体チップCHPを配線基板WBに実装する一例を示す図である。図42に示すように、配線基板WB上には端子TEが形成されており、この端子TEと、半導体チップCHPに搭載されたスタッドバンプ電極SBMPが相対するように配置される。そして、半導体チップCHPに搭載されたスタッドバンプ電極SBMPと、配線基板WB上に形成された端子TEとは、例えば、半田Sによって接続される。以上のようにして、スタッドバンプ電極SBMPを形成した半導体チップCHPを配線基板WBに実装することができる。