"第1の導電型を有する単結晶シリコンからなる半導体基板と、前記半導体基板の光入射側の表面に接して設けられた酸化膜と、前記酸化膜に接して設けられ、前記第1の導電型を有する第1の非晶質膜と、前記半導体基板の光入射側の表面と反対側に設けられ、前記第1の導電型と反対の第2の導電型を有する第2の非晶質膜と、前記半導体基板の面内方向において前記第2の非晶質膜に隣接して前記半導体基板の光入射側の表面と反対側に設けられ、前記第1の導電型を有する第3の非晶質膜とを備える光電変換素子。前記半導体基板と前記第2の非晶質層との間に設けられ、i型の導電型を有する第4の非晶質膜を更に備える、請求項1に記載の光電変換素子。前記半導体基板と前記第3の非晶質層との間に設けられ、i型の導電型を有する第4の非晶質膜を更に備える、請求項1に記載の光電変換素子。前記第4の非晶質膜は、i型アモルファスシリコンカーバイド、i型アモルファスシリコンナイトライド、i型アモルファスシリコンカーボンナイトライド、i型アモルファスシリコンオキサイド、i型アモルファスシリコンおよびi型アモルファスシリコンゲルマニウムのいずれかからなる、請求項2または請求項3に記載の光電変換素子。前記半導体基板と前記第2の非晶質層との間に設けられ、i型の導電型を有する第4の非晶質膜と、前記半導体基板と前記第3の非晶質層との間に設けられ、i型の導電型を有する第5の非晶質膜とを更に備える、請求項1に記載の光電変換素子。前記第4および第5の非晶質膜の各々は、i型アモルファスシリコンカーバイド、i型アモルファスシリコンナイトライド、i型アモルファスシリコンカーボンナイトライド、i型アモルファスシリコンオキサイド、i型アモルファスシリコンおよびi型アモルファスシリコンゲルマニウムのいずれかからなる、請求項5に記載の光電変換素子。前記酸化膜は、自然酸化膜からなる、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記半導体基板は、n型単結晶シリコンからなり、前記第1の非晶質膜は、n型非晶質膜からなり、前記第2の非晶質膜は、p型非晶質膜からなり、前記第3の非晶質膜は、n型非晶質膜からなる、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記第1の非晶質膜は、n型アモルファスシリコンカーバイド、n型アモルファスシリコンナイトライド、n型アモルファスシリコンカーボンナイトライド、n型アモルファスシリコンオキサイド、n型アモルファスシリコン、n型アモルファスシリコンゲルマニウムおよびn型アモルファスゲルマニウムのいずれかからなり、前記第2の非晶質膜は、p型アモルファスシリコンカーバイド、p型アモルファスシリコンナイトライド、p型アモルファスシリコンカーボンナイトライド、p型アモルファスシリコンオキサイド、p型アモルファスシリコン、p型アモルファスシリコンゲルマニウムおよびp型アモルファスゲルマニウムのいずれかからなり、前記第3の非晶質膜は、n型アモルファスシリコンカーバイド、n型アモルファスシリコンナイトライド、n型アモルファスシリコンカーボンナイトライド、n型アモルファスシリコンオキサイド、n型アモルファスシリコン、n型アモルファスシリコンゲルマニウムおよびn型アモルファスゲルマニウムのいずれかからなる、請求項8に記載の光電変換素子。前記半導体基板は、p型単結晶シリコンからなり、前記第1の非晶質膜は、p型非晶質膜からなり、前記第2の非晶質膜は、n型非晶質膜からなり、前記第3の非晶質膜は、p型非晶質膜からなる、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記第1の非晶質膜は、p型アモルファスシリコンカーバイド、p型アモルファスシリコンナイトライド、p型アモルファスシリコンカーボンナイトライド、p型アモルファスシリコンオキサイド、p型アモルファスシリコン、p型アモルファスシリコンゲルマニウムおよびp型アモルファスゲルマニウムのいずれかからなり、前記第2の非晶質膜は、n型アモルファスシリコンカーバイド、n型アモルファスシリコンナイトライド、n型アモルファスシリコンカーボンナイトライド、n型アモルファスシリコンオキサイド、n型アモルファスシリコン、n型アモルファスシリコンゲルマニウムおよびn型アモルファスゲルマニウムのいずれかからなり、前記第3の非晶質膜は、p型アモルファスシリコンカーバイド、p型アモルファスシリコンナイトライド、p型アモルファスシリコンカーボンナイトライド、p型アモルファスシリコンオキサイド、p型アモルファスシリコン、p型アモルファスシリコンゲルマニウムおよびp型アモルファスゲルマニウムのいずれかからなる、請求項10に記載の光電変換素子。第1の導電型を有する単結晶シリコンからなる半導体基板の光入射側の表面に接して酸化膜を形成する第1の工程と、前記第1の工程の後、前記酸化膜に接して前記第1の導電型を有する第1の非晶質膜を堆積する第2の工程と、前記第1の工程の後、前記半導体基板の光入射側の表面と反対側に前記第1の導電型と反対の第2の導電型を有する第2の非晶質膜を堆積する第3の工程と、前記半導体基板の面内方向において前記第2の非晶質膜に隣接して前記半導体基板の光入射側の表面と反対側に前記第1の導電型を有する第3の非晶質膜を堆積する第4の工程とを備える光電変換素子の製造方法。前記第1の工程において、化学堆積法、熱酸化法、ウェット酸化法、水中酸化法および自然酸化法のいずれかの方法によって前記酸化膜が形成される、請求項12に記載の光電変換素子の製造方法。しかし、従来の太陽電池のように、単結晶シリコン基板の光入射側の表面をアモルファスシリコン膜によってパッシベーションした場合、単結晶シリコン基板に対するパッシベーションの効果が低いという問題がある。そこで、この発明の実施の形態によれば、半導体基板に対するパッシベーションの効果を向上可能な光電変換素子を提供する。また、この発明の実施の形態によれば、半導体基板に対するパッシベーションの効果を向上可能な光電変換素子の製造方法を提供する。この発明の実施の形態によれば、光電変換素子は、半導体基板と、酸化膜と、第1から第3の非晶質膜とを備える。半導体基板は、第1の導電型を有する単結晶シリコンからなる。酸化膜は、半導体基板の光入射側の表面に接して設けられる。第1の非晶質膜は、酸化膜に接して設けられ、第1の導電型を有する。第2の非晶質膜は、半導体基板の光入射側の表面と反対側に設けられ、第1の導電型と反対の第2の導電型を有する。第3の非晶質膜は、半導体基板の面内方向において第2の非晶質膜に隣接して半導体基板の光入射側の表面と反対側に設けられ、第1の導電型を有する。また、この発明の実施の形態によれば、光電変換素子の製造方法は、第1の導電型を有する単結晶シリコンからなる半導体基板の光入射側の表面に接して酸化膜を形成する第1の工程と、第1の工程の後、酸化膜に接して第1の導電型を有する第1の非晶質膜を堆積する第2の工程と、第1の工程の後、半導体基板の光入射側の表面と反対側に第1の導電型と反対の第2の導電型を有する第2の非晶質膜を堆積する第3の工程と、半導体基板の面内方向において第2の非晶質膜に隣接して半導体基板の光入射側の表面と反対側に第1の導電型を有する第3の非晶質膜を堆積する第4の工程とを備える。この発明の実施の形態による光電変換素子においては、半導体基板の光入射側の表面に接して酸化膜が設けられ、第1の非晶質膜が酸化膜に接して設けられる。その結果、半導体基板の光入射側の表面付近に存在するキャリア電子および正孔は、酸化膜による半導体基板のパッシベーション効果と、第1の非晶質膜によるFSF効果表面電界効果とによって再結合が抑制される。従って、半導体基板に対するパッシベーションの効果を向上できる。また、この発明の実施の形態による光電変換素子の製造方法においては、酸化膜が半導体基板の光入射側の表面に接して設けられ、第1の非晶質膜が酸化膜に接して設けられる。その結果、半導体基板の光入射側の表面付近に存在するキャリア電子および正孔は、上述したように、再結合が抑制される。従って、半導体基板に対するパッシベーションの効果を向上できる。更に、この発明の実施の形態による光電変換素子の製造方法においては、最初に、酸化膜が半導体基板の光入射側の表面に接して設けられ、その後、第1から第3の非晶質膜が形成される。従って、光電変換素子の製造プロセスにおいて、半導体基板の光入射側の表面を保護できる。本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。この明細書において、非晶質相とは、シリコンSi原子等がランダムに配列された状態を言う。また、アモルファスシリコンをa-Siと表記するが、この表記は、実際には、水素H原子が含まれていることを意味する。アモルファスシリコンカーバイドa-SiC、アモルファスシリコンオキサイドa-SiO、アモルファスシリコンナイトライドa-SiN、アモルファスシリコンカーボンナイトライドa-SiCN、アモルファスシリコンゲルマニウムa-SiGeおよびアモルファスゲルマニウムa-Geについても、同様に、H原子が含まれていることを意味する。[実施の形態1]図1は、この発明の実施の形態1による光電変換素子の構成を示す断面図である。図1を参照して、この発明の実施の形態1による光電変換素子100は、n型単結晶シリコン基板1と、酸化膜2と、n型非晶質膜3,21~2m-1mは2以上の整数と、反射防止膜4と、p型非晶質膜11~1mと、電極31~3m,41~4m-1とを備える。n型単結晶シリコン基板1は、例えば、100の面方位および0.1~1.0Ωcmの比抵抗を有する。また、n型単結晶シリコン基板1は、例えば、100~300μmの厚みを有し、好ましくは、100~200μmの厚みを有する。そして、n型単結晶シリコン基板1は、光入射側の表面がテクスチャ化されている。酸化膜2は、二酸化シリコンSiO2からなり、n型単結晶シリコン基板1の光入射側の表面に接して設けられる。そして、酸化膜2は、例えば、数nmの膜厚を有する。n型非晶質膜3は、非晶質相からなり、例えば、n型a-Siからなる。また、n型非晶質膜3は、例えば、10nm~数十nmの膜厚を有する。更に、n型非晶質層3のリンP濃度は、1×1018cm-3~1×1020cm-3である。そして、n型非晶質膜3は、酸化膜2に接して形成される。反射防止膜4は、例えば、シリコンナイトライドSi3N4からなり、膜厚は、例えば、100nmである。そして、反射防止膜4は、n型非晶質膜3に接して設けられる。p型非晶質膜11~1mの各々は、非晶質相からなり、n型単結晶シリコン基板1の光入射側と反対側の表面に接して設けられる。そして、p型非晶質膜11~1mの各々は、例えば、p型a-Siからなり、膜厚は、例えば、10nmである。また、p型非晶質膜11~1mは、n型単結晶シリコン基板1の面内方向において所望の間隔で配置される。更に、p型非晶質膜11~1mの各々におけるボロンB濃度は、例えば、5×1019cm-3である。n型非晶質膜21~2m-1の各々は、非晶質相からなる。n型非晶質膜21は、p型非晶質膜11,12およびn型単結晶シリコン基板1に接して配置され、n型非晶質膜22は、p型非晶質膜12,13およびn型単結晶シリコン基板1に接して配置され、以下、同様にして、n型非晶質膜2m-1は、p型非晶質膜1m-1,1mおよびn型単結晶シリコン基板1に接して配置される。そして、n型非晶質膜21~2m-1の各々は、例えば、n型a-Siからなり、膜厚は、例えば、10nmである。また、n型非晶質膜21~2m-1の各々におけるP濃度は、例えば、5×1019cm-3である。電極31~3mは、それぞれ、p型非晶質膜11~1mに接して設けられる。電極41~4m-1は、それぞれ、n型非晶質膜21~2m-1に接して設けられる。そして、電極31~3m,41~4m-1の各々は、例えば、銀Agからなる。p型非晶質膜11~1mおよびn型非晶質膜21~2m-1は、図1の紙面に垂直な方向において同じ長さを有する。そして、p型非晶質膜11~1mの全体の面積がn型単結晶シリコン基板1の面積に占める割合である面積占有率は、60~93であり、n型非晶質膜21~2m-1の全体の面積がn型単結晶シリコン基板1の面積に占める割合である面積占有率は、5~20である。このように、p型非晶質膜11~1mの面積占有率をn型非晶質膜21~2m-1の面積占有率よりも大きくするのは、n型単結晶シリコン基板1中で光励起された電子および正孔がpn接合p型非晶質膜11~1m/n型単結晶シリコン基板1によって分離され易くし、光励起された電子および正孔の発電への寄与率を高くするためである。図2~図4は、それぞれ、図1に示す光電変換素子100の製造方法を示す第1~第3の工程図である。光電変換素子100の製造方法について説明する。光電変換素子100は、プラズマ装置を主に用いてプラズマCVD法によって製造される。プラズマ装置は、仕込室と、反応室CB1~CB3と、取出室と、整合器と、RF電源とを備える。仕込室、反応室CB1~CB3および取出室は、直列に配置されている。そして、仕込室と反応室CB1との間、反応室CB1と反応室CB2との間、反応室CB2と反応室CB3との間、および反応室CB3と取出室との間は、仕切バルブで仕切られている。また、仕込室から反応室CB1、反応室CB2、反応室CB3および取出室へ単結晶シリコン基板を順次搬送する搬送機構がプラズマ装置に備えられている。仕込室は、加熱機構と排気機構とを備える。加熱機構は、単結晶シリコン基板を所定の温度に昇温する。排気機構は、仕込室内のガスを排気し、仕込室の到達圧力を、例えば、1×10-5Pa以下に設定する。反応室CB1~CB3の各々は、平行平板電極と、加熱機構と、排気機構とを備える。加熱機構は、単結晶シリコン基板を所定の温度に昇温する。排気機構は、反応室CB1~CB3内のガスを排気し、反応室CB1~CB3の到達圧力を、例えば、1×10-5Pa以下に設定する。平行平板電極は、整合器を介してRF電源に接続される。なお、反応室CB1は、p型a-Siを堆積するための反応室であり、反応室CB2は、n型a-Siを堆積するための反応室であり、反応室CB3は、i型a-Siを堆積するための反応室である。取出室は、排気機構を備える。排気機構は、取出室内のガスを排気し、取出室の到達圧力を、例えば、1×10-5Pa以下に設定する。仕込室、反応室CB1~CB3および取出室の各排気機構は、ターボ分子ポンプ、メカニカルブースタポンプおよびロータリーポンプからなる。ターボ分子ポンプ、メカニカルブースタポンプおよびロータリーポンプは、ターボ分子ポンプが仕込室、反応室CB1~CB3および取出室に最も近くなるように、それぞれ、仕込室、反応室CB1~CB3および取出室に直列的に連結されている。そして、各排気機構は、ターボ分子ポンプ、メカニカルブースタポンプおよびロータリーポンプによって、それぞれ、仕込室、反応室CB1~CB3および取出室内のガスを排気し、またはメカニカルブースタポンプおよびロータリーポンプによって、それぞれ、仕込室、反応室CB1~CB3および取出室内のガスを排気する。RF電源は、例えば、13.56MHzのRF電力を整合器を介して反応室CB1~CB3の平行平板電極に印加する。光電変換素子100の製造が開始されると、n型単結晶シリコン基板1をエタノール等で超音波洗浄して脱脂し図2の工程a参照、n型単結晶シリコン基板1の表面をアルカリを用いて化学的に異方性エッチングし、n型単結晶シリコン基板1の表面をテクスチャ化する図2の工程b参照。その後、n型単結晶シリコン基板1をフッ酸中に浸漬してn型単結晶シリコン基板1の表面に形成された自然酸化膜を除去するとともに、n型単結晶シリコン基板1の表面を水素で終端する。n型単結晶シリコン基板1の洗浄が終了すると、n型単結晶シリコン基板1を酸化炉に入れ、1000°Cの温度で酸素雰囲気中でn型単結晶シリコン基板1を熱酸化する。この場合、酸化時間は、例えば、数分である。そして、n型単結晶シリコン基板1の片側の表面および端面に形成されたSiO2をフッ酸によって除去し、n型単結晶シリコン基板1のテクスチャ化された表面にSiO2からなる酸化膜2を形成する図2の工程c参照。そして、n型単結晶シリコン基板1/酸化膜2をプラズマ装置の仕込室の基板ホルダー上に配置する。その後、仕込室の排気機構は、1×10-5Pa以下に仕込室内のガスを排気し、仕込室の加熱機構は、n型単結晶シリコン基板1/酸化膜2の温度を200°Cに設定するように基板ホルダーを加熱する。また、反応室CB1~CB3の加熱機構も、n型単結晶シリコン基板1/酸化膜2の温度を200°Cに設定するように基板ホルダーを加熱する。n型単結晶シリコン基板1/酸化膜2の温度が200°Cに達すると、仕込室と反応室CB1との間の仕切バルブが開けられ、n型単結晶シリコン基板1/酸化膜2は、仕込室から反応室CB1へ搬送される。p型非晶質膜11~1mおよびn型非晶質膜3,21~2m-1を形成するときの材料ガスの流量を表1に示す。n型単結晶シリコン基板1/酸化膜2が反応室CB1へ搬送されると、2sccmのシランSiH4ガスと、42sccmの水素H2ガスと、水素希釈された12sccmのジボランB2H6ガスとを反応室CB1に流し、反応室CB1の圧力を13.3Pa~665Paの範囲に設定する。そして、RF電源は、16~80mW/cm2の範囲のRFパワーを整合器を介して平行平板電極に印加する。これによって、反応室CB1内でプラズマが発生し、p型a-Siからなるp型非晶質膜20がn型単結晶シリコン基板1の裏面=酸化膜2が形成された面と反対側の表面に堆積される図2の工程d参照。なお、水素希釈されたB2H6ガスの濃度は、0.1である。p型非晶質膜20の膜厚が10nmになると、反応室CB1の平行平板電極へのRFパワーの印加を停止するとともに、SiH4ガス、H2ガスおよびB2H6ガスの反応室CB1への供給を停止し、排気機構によって1×10-5Pa以下に反応室CB1を真空引きする。そして、仕切バルブを開け、p型非晶質膜20/n型単結晶シリコン基板1/酸化膜2を反応室CB1から取出室へ搬送し、p型非晶質膜20/n型単結晶シリコン基板1/酸化膜2を室温まで冷却した後、取り出す。そして、取り出したp型非晶質膜20/n型単結晶シリコン基板1/酸化膜2のp型非晶質膜20の全面にレジストを塗布し、その塗布したレジストをフォトリソグラフィによってパターンニングしてレジストパターン30を形成する図2の工程e参照。その後、レジストパターン30をマスクとしてp型非晶質膜20をドライエッチングまたはウェットエッチングによってエッチングし、p型非晶質膜11~1mを形成する図3の工程f参照。p型非晶質膜11~1mを形成すると、p型非晶質膜11~1m/n型単結晶シリコン基板1/酸化膜2のp型非晶質膜11~1m側をフッ酸で洗浄し、p型非晶質膜11~1m/n型単結晶シリコン基板1/酸化膜2をプラズマ装置の仕込室の基板ホルダー上に配置する。そして、仕込室の排気機構は、1×10-5Pa以下に仕込室内のガスを排気し、仕込室の加熱機構は、p型非晶質膜11~1m/n型単結晶シリコン基板1/酸化膜2の温度を200°Cに設定するように基板ホルダーを加熱する。p型非晶質膜11~1m/n型単結晶シリコン基板1/酸化膜2の温度が200°Cに達すると、p型非晶質膜11~1m/n型単結晶シリコン基板1/酸化膜2を仕込室から反応室CB2へ搬送する。p型非晶質膜11~1m/n型単結晶シリコン基板1/酸化膜2が反応室CB2へ搬送されると、20sccmのSiH4ガスと、150sccmのH2ガスと、水素希釈された50sccmのフォスフィンPH3ガスとを反応室CB2に流し表1参照、反応室CB2の圧力を13.3Pa~665Paの範囲に設定する。そして、RF電源は、16~80mW/cm2の範囲のRFパワーを整合器を介して平行平板電極に印加する。これによって、反応室CB2内でプラズマが発生し、n型a-Siからなるn型非晶質膜40がp型非晶質膜11~1mおよびn型単結晶シリコン基板1の表面に堆積される図3の工程g参照。なお、水素希釈されたPH3ガスの濃度は、0.2である。n型非晶質膜40の膜厚が10nmになると、反応室CB2の平行平板電極へのRFパワーの印加を停止するとともに、SiH4ガス、H2ガスおよびPH3ガスの反応室CB2への供給を停止し、排気機構によって1×10-5Pa以下に反応室CB2を真空引きする。そして、仕切バルブを開け、n型非晶質膜40/p型非晶質膜11~1m/n型単結晶シリコン基板1/酸化膜2を反応室CB2から取出室へ搬送する。そして、n型非晶質膜40/p型非晶質膜11~1m/n型単結晶シリコン基板1/酸化膜2を室温まで冷却し、取出室から取出す。その後、n型非晶質膜40/p型非晶質膜11~1m/n型単結晶シリコン基板1/酸化膜2のn型非晶質膜40上にレジストを塗布し、その塗布したレジストをフォトリソグラフィによってパターンニングしてレジストパターン50を形成する図3の工程h参照。その後、レジストパターン50をマスクとしてn型非晶質膜40をドライエッチングまたはウェットエッチングによってエッチングし、n型非晶質膜21~2m-1を形成する図3の工程i参照。そして、n型非晶質膜21~2m-1/p型非晶質膜11~1m/n型単結晶シリコン基板1/酸化膜2をフッ酸で洗浄し、n型非晶質膜21~2m-1/p型非晶質膜11~1m/n型単結晶シリコン基板1/酸化膜2をプラズマ装置の仕込室の基板ホルダー上に配置する。なお、酸化膜2は、フッ酸によってエッチングされるが、フッ酸の濃度を薄くすることによって酸化膜2をエッチングすることなしに酸化膜2を洗浄できる。その後、仕込室の排気機構は、1×10-5Pa以下に仕込室内のガスを排気し、仕込室の加熱機構は、n型非晶質膜21~2m-1/p型非晶質膜11~1m/n型単結晶シリコン基板1/酸化膜2の温度を200°Cに設定するように基板ホルダーを加熱する。n型非晶質膜21~2m-1/p型非晶質膜11~1m/n型単結晶シリコン基板1/酸化膜2の温度が200°Cに達すると、n型非晶質膜21~2m-1/p型非晶質膜11~1m/n型単結晶シリコン基板1/酸化膜2を仕込室から反応室CB2へ搬送する。n型非晶質膜21~2m-1/p型非晶質膜11~1m/n型単結晶シリコン基板1/酸化膜2が反応室CB2へ搬送されると、20sccmのSiH4ガスと、150sccmのH2ガスと、水素希釈された50sccmのPH3ガスとを反応室CB2に流し表1参照、反応室CB2の圧力を13.3Pa~665Paの範囲に設定する。そして、RF電源は、16~80mW/cm2の範囲のRFパワーを整合器を介して平行平板電極に印加する。これによって、反応室CB2内でプラズマが発生し、n型a-Siからなるn型非晶質膜3が酸化膜2上に堆積される図4の工程j参照。n型非晶質膜3の膜厚が10nm~数十nmになると、反応室CB2の平行平板電極へのRFパワーの印加を停止するとともに、SiH4ガス、H2ガスおよびPH3ガスの反応室CB2への供給を停止し、排気機構によって1×10-5Pa以下に反応室CB2を真空引きする。そして、仕切バルブを開け、n型非晶質膜21~2m-1/p型非晶質膜11~1m/n型単結晶シリコン基板1/酸化膜2/n型非晶質膜3を反応室CB2から取出室へ搬送する。そして、n型非晶質膜21~2m-1/p型非晶質膜11~1m/n型単結晶シリコン基板1/酸化膜2/n型非晶質膜3を室温まで冷却し、取出室から取出す。その後、n型非晶質膜21~2m-1/p型非晶質膜11~1m/n型単結晶シリコン基板1/酸化膜2/n型非晶質膜3のn型非晶質膜3上にSi3N4からなる反射防止膜4をスパッタリングによって形成する図4の工程k参照。引き続いて、n型非晶質膜21~2m-1およびp型非晶質膜11~1m側にAgを蒸着し、その蒸着したAgをフォトリソグラフィおよびエッチングによってパターンニングし、電極31~3m,41~4m-1を形成する。これによって、光電変換素子100が完成する図4の工程l参照。光電変換素子100の製造方法においては、図2の工程cにおいて、化学堆積法CVD:ChemicalVapourDepositionによって酸化膜2を形成してもよく、酸化液を用いた酸化によって酸化膜2を形成してもよく、室温で水中に浸漬する、または沸騰水中に浸漬する水中酸化法によって酸化膜2を形成してもよく、自然酸化法によって酸化膜2を形成してもよい。自然酸化法によって酸化膜2を形成する場合、即ち、酸化膜2が自然酸化膜からなる場合、n型単結晶シリコン基板1の一方の表面をテクスチャ化した後、そのテクスチャ化した表面を除いてn型単結晶シリコン基板1をフッ酸で洗浄し、その後、工程d~工程lを順次実行する。また、光電変換素子100の製造方法においては、酸化膜2を形成した後、n型非晶質膜3,21~2m-1、p型非晶質膜11~1m、反射防止膜4および電極31~3m,41~4m-1を形成する順序は、上述した工程a~工程lにおいて説明した順序に限らず、任意の順序であってもよい。光電変換素子100において、太陽光が反射防止膜4側から光電変換素子100に照射されると、n型単結晶シリコン基板1中で電子および正孔が光励起される。光励起された電子および正孔は、酸化膜2側へ拡散しても、酸化膜2によるn型単結晶シリコン基板1のパッシベーション効果およびn型非晶質膜3によるFSF効果表面電界効果によって再結合し難くなり、p型非晶質膜11~1mおよびn型非晶質膜21~2m-1側へ拡散し易くなる。より具体的には、n型単結晶シリコン基板1のテクスチャ化された表面に酸化膜2=SiO2が接しているので、n型単結晶シリコン基板1と酸化膜2=SiO2との界面における界面準位密度は、1010cm-2~1011cm-2と非常に低い。その結果、キャリア電子および正孔は、n型単結晶シリコン基板1のテクスチャ化された表面において殆ど再結合しない。また、酸化膜2の膜厚は、上述したように数nmであるので、キャリア電子および正孔は、n型非晶質膜3によるFSF効果によってn型単結晶シリコン基板1と酸化膜2との界面へ到達し難くなり、再結合が更に抑制される。特に、少数キャリアである正孔の再結合が抑制される。即ち、n型非晶質膜3を構成するn型a-Siの光学バンドギャップ=約1.7eVおよび活性化エネルギー=約0.2eV~0.3eVとn型単結晶シリコン基板1の光学バンドギャップ=1.1eVおよび活性化エネルギー=0.1eV~0.2eVとを考慮すると、n型a-Siの価電子帯の端は、n型単結晶シリコン基板1の価電子帯の端よりも、0.4eV~0.6eVだけ高エネルギー側に存在するので、n型非晶質膜3は、n型単結晶シリコン基板1の表面近傍において表面電界を発生する。その結果、n型単結晶シリコン基板1の表面近傍へ拡散した正孔は、n型非晶質膜3による表面電界によってn型単結晶シリコン基板1と酸化膜2との界面へ到達し難くなる。従って、少数キャリアである正孔の再結合がFSF効果によって抑制される。このように、キャリア電子および正孔は、酸化膜2およびn型非晶質膜3によってn型単結晶シリコン基板1の表面における再結合が抑制され、p型非晶質膜11~1mおよびn型非晶質膜21~2m-1側へ拡散し易くなる。そして、p型非晶質膜11~1mおよびn型非晶質膜21~2m-1側へ拡散した電子および正孔は、p型非晶質膜11~1m/n型単結晶シリコン基板1=pn接合による内部電界によって分離され、正孔は、p型非晶質膜11~1mを介して電極31~3mへ到達し、電子は、n型非晶質膜21~2m-1を介して電極41~4m-1へ到達する。電極41~4m-1へ到達した電子は、電極31~3mと電極41~4m-1との間に接続された負荷を介して電極31~3mへ到達し、正孔と再結合する。このように、光電変換素子100は、n型単結晶シリコン基板1中で光励起された電子および正孔をn型単結晶シリコン基板1の裏面=酸化膜2が形成されたn型単結晶シリコン基板1の表面と反対側の面から取り出すバックコンタクト型の光電変換素子である。そして、光電変換素子100は、光入射側に、酸化膜2およびn型非晶質膜3を備えるので、上述したように、n型単結晶シリコン基板1の光入射側の表面においてキャリアの再結合が抑制され、n型単結晶シリコン基板1に対するパッシベーション効果を向上できる。また、光電変換素子100の製造方法において説明したように、酸化膜2を形成した後に、p型非晶質膜11~1m、n型非晶質膜3,21~2m-1、反射防止膜4および電極31~3m,41~4m-1を形成するので図2の工程d~図4の工程k参照、光電変換素子100の製造プロセスにおいて、n型単結晶シリコン基板1の受光面側の表面を保護できる。図5は、実施の形態1による他の光電変換素子の構成を示す断面図である。実施の形態1による光電変換素子は、図5に示す光電変換素子100Aであってもよい。図5を参照して、光電変換素子100Aは、図1に示す光電変換素子100にi型非晶質膜51~5mを追加したものであり、その他は、光電変換素子100と同じである。i型非晶質膜51~5mは、非晶質相からなり、それぞれ、n型単結晶シリコン基板1およびp型非晶質膜11~1mに接し、n型単結晶シリコン基板1とp型非晶質膜11~1mとの間に配置される。そして、i型非晶質膜51~5mの各々は、例えば、i型a-Siからなり、膜厚は、例えば、10nmである。また、i型非晶質膜51~5mは、n型単結晶シリコン基板1の面内方向図5の紙面における左右方向において、それぞれ、p型非晶質膜11~1mと同じ幅を有する。更に、i型非晶質膜51~5mは、図5の紙面に垂直な方向において、それぞれ、p型非晶質膜11~1mと同じ長さを有する。光電変換素子100Aにおいては、n型非晶質膜21~2m-1の各々の膜厚は、p型非晶質膜11~1mの膜厚とi型非晶質膜61~6mの膜厚との合計膜厚からなる。また、光電変換素子100Aにおいては、i型非晶質膜51の端面は、n型非晶質膜21に接し、i型非晶質膜52の端面は、n型非晶質膜21,22に接し、i型非晶質膜53の端面は、n型非晶質膜22,23に接し、以下、同様にして、i型非晶質膜5m-1の端面は、n型非晶質膜2m-2,2m-1に接し、i型非晶質膜5mの端面は、n型非晶質膜2m-1に接する。光電変換素子100Aは、図2~図4に示す工程a~工程lによって製造される。この場合、図2の工程dにおいて、i型非晶質膜51~5m用のi型非晶質膜がプラズマCVD法によってn型単結晶シリコン基板1上に堆積され、その後、p型非晶質膜11~1m用のp型非晶質膜20がプラズマCVD法によってi型非晶質膜51~5m用のi型非晶質膜上に堆積される。そして、i型非晶質膜51~5m用のi型非晶質膜を堆積するときのガス流量は、表1に示すとおりである。また、i型非晶質膜51~5m用のi型非晶質膜を堆積するときの圧力およびRFパワーは、p型非晶質膜11~1mおよびn型非晶質膜21~2m-1を形成するときの圧力およびRFパワーと同じである。光電変換素子100Aにおける発電機構は、光電変換素子100の発電機構と概ね同じであり、光電変換素子100において説明したように、電子および正孔は、n型単結晶シリコン基板1の光入射側の表面テクスチャ化された表面における再結合が抑制され、p型非晶質膜11~1mおよびn型非晶質膜21~2m-1側へ拡散し易くなる。そして、p型非晶質膜11~1mおよびn型非晶質膜21~2m-1側へ拡散した電子および正孔は、p型非晶質膜11~1m/i型非晶質膜51~5m/n型単結晶シリコン基板1=pin接合による内部電界によって分離され、正孔は、i型非晶質膜51~5mおよびp型非晶質膜11~1mを介して電極31~3mへ到達し、電子は、n型非晶質膜21~2m-1を介して電極41~4m-1へ到達する。電極41~4m-1へ到達した電子は、電極31~3mと電極41~4m-1との間に接続された負荷を介して電極31~3mへ到達し、正孔と再結合する。このように、光電変換素子100Aは、n型単結晶シリコン基板1中で光励起された電子および正孔をn型単結晶シリコン基板1の裏面=酸化膜2が形成されたn型単結晶シリコン基板1の表面と反対側の面から取り出すバックコンタクト型の光電変換素子である。そして、光電変換素子100Aは、n型単結晶シリコン基板1の光入射側の表面テクスチャ化された表面に接して設けられた酸化膜2と、酸化膜2に接して設けられたn型非晶質膜3とを備えるので、光電変換素子100において説明したように、n型単結晶シリコン基板1に対するパッシベーション効果を向上できる。また、光電変換素子100Aにおいては、n型単結晶シリコン基板1とp型非晶質膜11~1mとの間にi型非晶質膜51~5mが存在するので、n型単結晶シリコン基板1とp型非晶質膜11~1mとの界面における正孔の再結合が抑制される。その結果、短絡光電流が増加し、光電変換素子100Aの変換効率を向上できる。光電変換素子100Aについてのその他の説明は、光電変換素子100についての説明と同じである。図6は、実施の形態1による更に他の光電変換素子の構成を示す断面図である。実施の形態1による光電変換素子は、図6に示す光電変換素子100Bであってもよい。図6を参照して、光電変換素子100Bは、図1に示す光電変換素子100にi型非晶質膜61~6m-1を追加したものであり、その他は、光電変換素子100と同じである。i型非晶質膜61~6m-1は、非晶質相からなり、それぞれ、n型単結晶シリコン基板1およびn型非晶質膜21~2m-1に接し、n型単結晶シリコン基板1とn型非晶質膜21~2m-1との間に配置される。そして、i型非晶質膜61~6m-1の各々は、例えば、i型a-Siからなり、膜厚は、例えば、10nmである。また、i型非晶質膜61~6m-1は、図6の紙面に垂直な方向において、それぞれ、n型非晶質膜21~2m-1と同じ長さを有する。光電変換素子100Bにおいては、p型非晶質膜11~1mの各々の膜厚は、n型非晶質膜21~2m-1の膜厚とi型非晶質膜61~6m-1の膜厚との合計膜厚からなる。また、光電変換素子100Bにおいては、p型非晶質膜11の端面は、i型非晶質膜61およびn型非晶質膜21に接し、p型非晶質膜12の端面は、i型非晶質膜61およびn型非晶質膜21とi型非晶質膜62およびn型非晶質膜22とに接し、p型非晶質膜13の端面は、i型非晶質膜62およびn型非晶質膜22とi型非晶質膜63およびn型非晶質膜23とに接し、以下、同様にして、p型非晶質膜1m-1の端面は、i型非晶質膜6m-2およびn型非晶質膜2m-2とi型非晶質膜6m-1およびn型非晶質膜2m-1とに接し、p型非晶質膜1mの端面は、i型非晶質膜6m-1およびn型非晶質膜2m-1に接する。光電変換素子100Bは、図2~図4に示す工程a~工程lによって製造される。この場合、図3の工程iにおいて、i型非晶質膜61~6m-1用のi型非晶質膜がプラズマCVD法によってn型単結晶シリコン基板1およびp型非晶質膜11~1m上に堆積され、その後、n型非晶質膜60がプラズマCVD法によってi型非晶質膜61~6m-1用のi型非晶質膜上に堆積される。そして、i型非晶質膜61~6m-1用のi型非晶質膜を堆積するときのガス流量は、表1に示すi型非晶質膜51~5mのガス流量と同じである。光電変換素子100Bにおける発電機構は、光電変換素子100の発電機構と概ね同じであり、光電変換素子100において説明したように、電子および正孔は、n型単結晶シリコン基板1の光入射側の表面テクスチャ化された表面における再結合が抑制され、p型非晶質膜11~1mおよびn型非晶質膜21~2m-1側へ拡散し易くなる。そして、p型非晶質膜11~1mおよびn型非晶質膜21~2m-1側へ拡散した電子および正孔は、p型非晶質膜11~1m/n型単結晶シリコン基板1=pn接合による内部電界によって分離され、正孔は、p型非晶質膜11~1mを介して電極31~3mへ到達し、電子は、i型非晶質膜61~6m-1およびn型非晶質膜21~2m-1を介して電極41~4m-1へ到達する。電極41~4m-1へ到達した電子は、電極31~3mと電極41~4m-1との間に接続された負荷を介して電極31~3mへ到達し、正孔と再結合する。このように、光電変換素子100Bは、n型単結晶シリコン基板1中で光励起された電子および正孔をn型単結晶シリコン基板1の裏面=酸化膜2が形成されたn型単結晶シリコン基板1の表面と反対側の面から取り出すバックコンタクト型の光電変換素子である。そして、光電変換素子100Bは、n型単結晶シリコン基板1の光入射側の表面テクスチャ化された表面に接して設けられた酸化膜2と、酸化膜2に接して設けられたn型非晶質膜3とを備えるので、光電変換素子100において説明したように、n型単結晶シリコン基板1に対するパッシベーション効果を向上できる。また、光電変換素子100Bにおいては、n型単結晶シリコン基板1とn型非晶質膜21~2m-1との間にi型非晶質膜61~6m-1が存在するので、n型単結晶シリコン基板1とn型非晶質膜21~2m-1との界面における電子の再結合が抑制される。その結果、短絡光電流が増加し、光電変換素子100Bの変換効率を向上できる。光電変換素子100Bについてのその他の説明は、光電変換素子100についての説明と同じである。図7は、実施の形態1による更に他の光電変換素子の構成を示す断面図である。実施の形態1による光電変換素子は、図7に示す光電変換素子100Cであってもよい。図7を参照して、光電変換素子100Cは、図1に示す光電変換素子100にi型非晶質膜51~5m,61~6m-1を追加したものであり、その他は、光電変換素子100と同じである。i型非晶質膜51~5m,61~6m-1については、上述したとおりである。光電変換素子100Cにおいては、i型非晶質膜61の端面は、i型非晶質膜51,52に接し、i型非晶質膜62の端面は、i型非晶質膜52,53に接し、以下、同様にして、i型非晶質膜6m-1の端面は、i型非晶質膜5m-1,5mに接する。また、n型非晶質膜21の端面は、p型非晶質膜11,12に接し、n型非晶質膜22の端面は、p型非晶質膜12,13に接し、以下、同様にして、n型非晶質膜2m-1の端面は、p型非晶質膜1m-1,1mに接する。光電変換素子100Cは、図2~図4に示す工程a~工程lによって製造される。この場合、図2の工程dにおいて、i型非晶質膜51~5m用のi型非晶質膜がプラズマCVD法によってn型単結晶シリコン基板1上に堆積され、その後、p型非晶質膜11~1m用のp型非晶質膜20がプラズマCVD法によってi型非晶質膜51~5m用のi型非晶質膜上に堆積される。また、図3の工程iにおいて、i型非晶質膜61~6m-1用のi型非晶質膜がプラズマCVD法によってn型単結晶シリコン基板1およびp型非晶質膜11~1m上に堆積され、その後、n型非晶質膜21~2m-1用のn型非晶質膜60がプラズマCVD法によってi型非晶質膜61~6m-1用のi型非晶質膜上に堆積される。そして、i型非晶質膜51~5m用のi型非晶質膜およびi型非晶質膜61~6m-1用のi型非晶質膜を堆積するときのガス流量は、同じであり、表1に示すとおりである。光電変換素子100Cにおける発電機構は、光電変換素子100の発電機構と概ね同じであり、光電変換素子100において説明したように、電子および正孔は、n型単結晶シリコン基板1の光入射側の表面テクスチャ化された表面における再結合が抑制され、p型非晶質膜11~1mおよびn型非晶質膜21~2m-1側へ拡散し易くなる。そして、p型非晶質膜11~1mおよびn型非晶質膜21~2m-1側へ拡散した電子および正孔は、p型非晶質膜11~1m/i型非晶質膜51~5m/n型単結晶シリコン基板1=pin接合による内部電界によって分離され、正孔は、i型非晶質膜51~5mおよびp型非晶質膜11~1mを介して電極31~3mへ到達し、電子は、i型非晶質膜61~6m-1およびn型非晶質膜21~2m-1を介して電極41~4m-1へ到達する。電極41~4m-1へ到達した電子は、電極31~3mと電極41~4m-1との間に接続された負荷を介して電極31~3mへ到達し、正孔と再結合する。このように、光電変換素子100Cは、n型単結晶シリコン基板1中で光励起された電子および正孔をn型単結晶シリコン基板1の裏面=酸化膜2が形成されたn型単結晶シリコン基板1の表面と反対側の面から取り出すバックコンタクト型の光電変換素子である。そして、光電変換素子100Cは、n型単結晶シリコン基板1の光入射側の表面テクスチャ化された表面に接して設けられた酸化膜2と、酸化膜2に接して設けられたn型非晶質膜3とを備えるので、光電変換素子100において説明したように、n型単結晶シリコン基板1に対するパッシベーション効果を向上できる。また、光電変換素子100Cにおいては、n型単結晶シリコン基板1とp型非晶質膜11~1mとの間にi型非晶質膜51~5mが存在するので、n型単結晶シリコン基板1とp型非晶質膜11~1mとの界面における正孔の再結合が抑制される。更に、光電変換素子100Cにおいては、n型単結晶シリコン基板1とn型非晶質膜21~2m-1との間にi型非晶質膜61~6m-1が存在するので、n型単結晶シリコン基板1とn型非晶質膜21~2m-1との界面における電子の再結合が抑制される。その結果、短絡光電流が増加し、光電変換素子100Cの変換効率を向上できる。光電変換素子100Cについてのその他の説明は、光電変換素子100についての説明と同じである。光電変換素子100,100A,100B,100Cにおいては、n型単結晶シリコン基板1の光入射側の表面=酸化膜2が形成された表面がテクスチャ構造になっていなくてもよい。この場合、図2の工程bが省略される。また、光電変換素子100,100A,100B,100Cにおいては、p型非晶質膜11~1mは、p型a-Siからなると説明したが、実施の形態1においては、これに限らず、p型非晶質膜11~1mは、p型a-SiC、p型a-SiO、p型a-SiN、p型a-SiCN、p型a-SiGeおよびp型a-Geのいずれかからなっていてもよい。更に、光電変換素子100,100A,100B,100Cにおいては、n型非晶質膜3,21~2m-1は、n型a-Siからなると説明したが、実施の形態1においては、これに限らず、n型非晶質膜21~2m-1は、n型a-SiC、n型a-SiO、n型a-SiN、n型a-SiCN、n型a-SiGeおよびn型a-Geのいずれかからなっていてもよい。更に、光電変換素子100A,100Cにおいては、i型非晶質膜51~5mは、i型a-Siからなると説明したが、実施の形態1においては、これに限らず、i型非晶質膜51~5mは、i型a-SiC、i型a-SiO、i型a-SiN、i型a-SiCNおよびi型a-SiGeのいずれかからなっていてもよい。更に、光電変換素子100B,100Cにおいては、i型非晶質膜61~6m-1は、i型a-Siからなると説明したが、実施の形態1においては、これに限らず、i型非晶質膜61~6m-1は、i型a-SiC、i型a-SiO、i型a-SiN、i型a-SiCNおよびi型a-SiGeのいずれかからなっていてもよい。即ち、光電変換素子100,100A,100B,100Cにおいては、p型非晶質膜11~1mおよびn型非晶質膜3,21~2m-1は、それぞれ、表2に示す材料のいずれかからなっていてもよく、光電変換素子100A,100B,100Cにおいては、i型非晶質膜51~5mおよび/またはi型非晶質膜61~6m-1は、それぞれ、表2に示す材料のいずれかからなっていてもよい。この場合、p型a-SiCは、SiH4ガス、メタンCH4ガス、B2H6ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、上述したプラズマCVD法によって形成される。p型a-SiOは、SiH4ガス、酸素O2ガス、B2H6ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、上述したプラズマCVD法によって形成される。p型a-SiNは、SiH4ガス、アンモニアNH3ガス、B2H6ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、上述したプラズマCVD法によって形成される。p型a-SiCNは、SiH4ガス、CH4ガス、NH3ガス、B2H6ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、上述したプラズマCVD法によって形成される。p型a-SiGeは、SiH4ガス、ゲルマンGeH4ガス、B2H6ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、上述したプラズマCVD法によって形成される。p型a-Geは、GeH4ガス、B2H6ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、上述したプラズマCVD法によって形成される。また、n型a-SiCは、SiH4ガス、CH4ガス、PH3ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、上述したプラズマCVD法によって形成される。n型a-SiOは、SiH4ガス、O2ガス、PH3ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、上述したプラズマCVD法によって形成される。n型a-SiNは、SiH4ガス、NH3ガス、PH3ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、上述したプラズマCVD法によって形成される。n型a-SiCNは、SiH4ガス、CH4ガス、NH3ガス、PH3ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、上述したプラズマCVD法によって形成される。n型a-SiGeは、SiH4ガス、GeH4ガス、PH3ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、上述したプラズマCVD法によって形成される。n型a-Geは、GeH4ガス、PH3ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、上述したプラズマCVD法によって形成される。更に、i型a-SiCは、SiH4ガス、CH4ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、上述したプラズマCVD法によって形成される。i型a-SiOは、SiH4ガス、O2ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、上述したプラズマCVD法によって形成される。i型a-SiNは、SiH4ガス、NH3ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、上述したプラズマCVD法によって形成される。i型a-SiCNは、SiH4ガス、CH4ガス、NH3ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、上述したプラズマCVD法によって形成される。i型a-SiGeは、SiH4ガス、GeH4ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、上述したプラズマCVD法によって形成される。なお、i型非晶質膜51~5m,61~6m-1としては、i型a-Geも想定されるが、i型a-Geは、n型単結晶シリコン基板1よりも光学バンドギャップが小さいので、i型a-Geをi型非晶質膜51~5m,61~6m-1として用いた場合、開放電圧Vocの向上が困難である。光電変換素子100,100A,100B,100Cにおいては、i型非晶質膜51~5m,61~6m-1の光学バンドギャップが開放電圧Vocを支配的に決定するからである。そこで、実施の形態1においては、n型単結晶シリコン基板1の光学バンドギャップよりも大きいi型a-SiC,i型a-SiO,i型a-SiN,i型a-SiCN,i型a-Si,i型a-SiGeをi型非晶質膜51~5m,61~6m-1として用いることにした。上述したように、実施の形態1による光電変換素子は、n型単結晶シリコン基板1の裏面にヘテロ接合を形成したバックコンタクト型の光電変換素子であり、n型単結晶シリコン基板1の光入射側の表面に酸化膜2およびn型非晶質膜3を順次積層した構造からなる。従って、n型単結晶シリコン基板1の光入射側の表面におけるキャリア特に、正孔の再結合を酸化膜2による界面準位の低下と、n型非晶質膜3によるFSF効果とによって抑制し、n型単結晶シリコン基板1に対するパッシベーション効果を向上できる。[実施の形態2]図8は、実施の形態2による光電変換素子の構成を示す断面図である。図8を参照して、実施の形態2による光電変換素子200は、p型単結晶シリコン基板101と、酸化膜102と、p型非晶質膜103,121~12m-1と、反射防止膜104と、n型非晶質膜111~11mと、電極131~13m,141~14m-1とを備える。p型単結晶シリコン基板101は、例えば、100の面方位および0.1~1.0Ωcmの比抵抗を有する。また、p型単結晶シリコン基板101は、例えば、100~300μmの厚みを有し、好ましくは、100~200μmの厚みを有する。更に、p型単結晶シリコン基板101は、光入射側の表面がテクスチャ化されている。酸化膜102は、例えば、SiO2からなり、p型単結晶シリコン基板101の光入射側の表面に接して設けられる。そして、酸化膜102は、例えば、数nmの膜厚を有する。p型非晶質膜103は、非晶質相からなり、例えば、p型a-Siからなる。また、p型非晶質膜103は、例えば、10nm~数十nmの膜厚を有する。更に、p型非晶質層103のB濃度は、1×1018cm-3~1×1020cm-3である。そして、p型非晶質膜103は、酸化膜102に接して形成される。反射防止膜104は、例えば、Si3N4からなり、膜厚は、例えば、100nmである。そして、反射防止膜104は、p型非晶質膜103に接して設けられる。n型非晶質膜111~11mの各々は、非晶質相からなり、p型単結晶シリコン基板101の光入射側と反対側の表面に接して設けられる。そして、n型非晶質膜111~11mの各々は、例えば、n型a-Siからなり、膜厚は、例えば、10nmである。また、n型非晶質膜111~11mは、p型単結晶シリコン基板101の面内方向において所望の間隔で配置される。更に、n型非晶質膜111~11mの各々におけるP濃度は、例えば、5×1019cm-3である。p型非晶質膜121~12m-1の各々は、非晶質相からなる。p型非晶質膜121は、n型非晶質膜111,112およびp型単結晶シリコン基板101に接して配置され、p型非晶質膜122は、n型非晶質膜112,113およびp型単結晶シリコン基板101に接して配置され、以下、同様にして、p型非晶質膜12m-1は、n型非晶質膜11m-1,11mおよびp型単結晶シリコン基板101に接して配置される。そして、p型非晶質膜121~12m-1の各々は、例えば、p型a-Siからなり、膜厚は、例えば、10nmである。また、p型非晶質膜121~12m-1の各々におけるB濃度は、例えば、5×1019cm-3である。電極131~13mは、それぞれ、n型非晶質膜111~11mに接して設けられる。電極141~14m-1は、それぞれ、p型非晶質膜121~12m-1に接して設けられる。そして、電極131~13m,141~14m-1の各々は、例えば、Agからなる。n型非晶質膜111~11mおよびp型非晶質膜121~12m-1は、図8の紙面に垂直な方向において同じ長さを有する。そして、n型非晶質膜111~11mの全体の面積がp型単結晶シリコン基板101の面積に占める割合である面積占有率は、60~93であり、p型非晶質膜121~12m-1の全体の面積がp型単結晶シリコン基板101の面積に占める割合である面積占有率は、5~20である。このように、n型非晶質膜111~11mの面積占有率をp型非晶質膜121~12m-1の面積占有率よりも大きくするのは、p型単結晶シリコン基板101中で光励起された電子および正孔がpn接合n型非晶質膜111~11m/p型単結晶シリコン基板101によって分離され易くし、光励起された電子および正孔の発電への寄与率を高くするためである。光電変換素子200は、図2から図4に示す工程a~工程lに従って製造される。この場合、n型単結晶シリコン基板1、酸化膜2、n型非晶質膜3、反射防止膜4、p型非晶質膜11~1m、n型非晶質膜21~2m-1および電極31~3m,41~4m-1をそれぞれp型単結晶シリコン基板101、酸化膜102、p型非晶質膜103、反射防止膜104、n型非晶質膜111~11m、p型非晶質膜121~12m-1および電極131~13m,141~14m-1に読み替えればよい。そして、酸化膜102は、酸化膜2と同じ方法によって形成され、p型非晶質膜103,121~12m-1は、表1に示すp型非晶質膜11~1mと同じ材料ガスおよびp型非晶質膜11~1mの条件と同じ条件を用いてプラズマCVD法によって形成される。n型非晶質膜111~11mは、表1に示すn型非晶質膜21~2m-1と同じ材料ガスおよびn型非晶質膜21~2m-1の条件と同じ条件を用いてプラズマCVD法によって形成される。また、反射防止膜104は、反射防止膜4と同じ方法によって形成される。光電変換素子200において、太陽光が反射防止膜104側から光電変換素子200に照射されると、p型単結晶シリコン基板101中で電子および正孔が光励起される。光励起された電子および正孔は、酸化膜102側へ拡散しても、酸化膜102によるp型単結晶シリコン基板101のパッシベーション効果およびp型非晶質膜103によるFSF効果表面電界効果によって再結合し難くなり、n型非晶質膜111~11mおよびp型非晶質膜121~12m-1側へ拡散し易くなる。より具体的には、p型単結晶シリコン基板101のテクスチャ化された表面に酸化膜102=SiO2が接しているので、p型単結晶シリコン基板101と酸化膜102=SiO2との界面における界面準位密度は、1010cm-2~1011cm-2と非常に低い。その結果、キャリア電子および正孔は、p型単結晶シリコン基板101のテクスチャ化された表面において殆ど再結合しない。また、酸化膜102の膜厚は、上述したように数nmであるので、キャリア電子および正孔は、p型非晶質膜103によるFSF効果によってp型単結晶シリコン基板101と酸化膜102との界面へ到達し難くなり、再結合が更に抑制される。特に、少数キャリアである電子の再結合が抑制される。即ち、p型非晶質膜103を構成するp型a-Siの光学バンドギャップ=約1.7eVおよび活性化エネルギー=約0.3eV~0.4eVとp型単結晶シリコン基板101の光学バンドギャップ=1.1eVおよび活性化エネルギー=0.2eV~0.3eVとを考慮すると、p型a-Siの伝導帯の端は、p型単結晶シリコン基板101の伝導帯の端よりも、0.4eV~0.6eVだけ高エネルギー側に存在するので、p型非晶質膜103は、p型単結晶シリコン基板101の表面近傍において表面電界を発生する。その結果、p型単結晶シリコン基板101の表面近傍へ拡散した電子は、p型非晶質膜103による表面電界によってp型単結晶シリコン基板101と酸化膜102との界面へ到達し難くなる。従って、少数キャリアである電子の再結合がFSF効果によって抑制される。このように、キャリア電子および正孔は、酸化膜102およびp型非晶質膜103によってp型単結晶シリコン基板101の表面における再結合が抑制され、n型非晶質膜111~11mおよびp型非晶質膜121~12m-1側へ拡散し易くなる。そして、n型非晶質膜111~11mおよびp型非晶質膜121~12m-1側へ拡散した電子および正孔は、n型非晶質膜111~11m/p型単結晶シリコン基板101=pn接合による内部電界によって分離され、電子は、n型非晶質膜111~11mを介して電極131~13mへ到達し、正孔は、p型非晶質膜121~12m-1を介して電極141~14m-1へ到達する。電極131~13mへ到達した電子は、電極131~13mと電極141~14m-1との間に接続された負荷を介して電極141~14m-1へ到達し、正孔と再結合する。このように、光電変換素子200は、p型単結晶シリコン基板101中で光励起された電子および正孔をp型単結晶シリコン基板101の裏面=酸化膜102が形成されたp型単結晶シリコン基板101の表面と反対側の面から取り出すバックコンタクト型の光電変換素子である。そして、光電変換素子200は、光入射側に、酸化膜102およびp型非晶質膜103を備えるので、上述したように、p型単結晶シリコン基板101に対するパッシベーション効果を向上できる。また、光電変換素子100において説明したように、光電変換素子200の製造工程において、p型単結晶シリコン基板101の受光面側の表面を保護できる。図9は、実施の形態2による他の光電変換素子の構成を示す断面図である。実施の形態2による光電変換素子は、図9に示す光電変換素子200Aであってもよい。図9を参照して、光電変換素子200Aは、図8に示す光電変換素子200にi型非晶質膜151~15mを追加したものであり、その他は、光電変換素子200と同じである。i型非晶質膜151~15mは、非晶質相からなり、それぞれ、p型単結晶シリコン基板101およびn型非晶質膜111~11mに接し、p型単結晶シリコン基板101とn型非晶質膜111~11mとの間に配置される。そして、i型非晶質膜151~15mの各々は、例えば、i型a-Siからなり、膜厚は、例えば、10nmである。また、i型非晶質膜151~15mは、p型単結晶シリコン基板101の面内方向図9の紙面における左右方向において、それぞれ、n型非晶質膜111~11mと同じ幅を有する。更に、i型非晶質膜151~15mは、図9の紙面に垂直な方向において、それぞれ、n型非晶質膜111~11mと同じ長さを有する。光電変換素子200Aにおいては、p型非晶質膜121~12m-1の各々の膜厚は、n型非晶質膜111~11mの膜厚とi型非晶質膜151~15mの膜厚との合計膜厚からなる。また、光電変換素子200Aにおいては、i型非晶質膜151の端面は、p型非晶質膜121に接し、i型非晶質膜152の端面は、p型非晶質膜121,122に接し、i型非晶質膜153の端面は、p型非晶質膜122,123に接し、以下、同様にして、i型非晶質膜15m-1の端面は、p型非晶質膜12m-2,12m-1に接し、i型非晶質膜15mの端面は、p型非晶質膜12m-1に接する。光電変換素子200Aは、図2~図4に示す工程a~工程lによって製造される。この場合、図2の工程dにおいて、i型非晶質膜151~15m用のi型非晶質膜がプラズマCVD法によってp型単結晶シリコン基板101上に堆積され、その後、n型非晶質膜111~11m用のn型非晶質膜がプラズマCVD法によってi型非晶質膜151~15m用のi型非晶質膜上に堆積される。そして、i型非晶質膜151~15m用のi型非晶質膜を堆積するときのガス流量は、表1に示すi型非晶質膜51~5mのガス流量と同じであり、n型非晶質膜111~11m用のn型非晶質膜を堆積するときのガス流量は、表1に示すn型非晶質膜21~2m-1のガス流量と同じである。光電変換素子200Aにおける発電機構は、光電変換素子200の発電機構と概ね同じであり、光電変換素子200において説明したように、電子および正孔は、p型単結晶シリコン基板101の光入射側の表面テクスチャ化された表面における再結合が抑制され、n型非晶質膜111~11mおよびp型非晶質膜121~12m-1側へ拡散し易くなる。そして、n型非晶質膜111~11mおよびp型非晶質膜121~12m-1側へ拡散した電子および正孔は、n型非晶質膜111~11m/i型非晶質膜151~15m/p型単結晶シリコン基板101=pin接合による内部電界によって分離され、電子は、i型非晶質膜151~15mおよびn型非晶質膜111~11mを介して電極131~13mへ到達し、正孔は、p型非晶質膜121~12m-1を介して電極141~14m-1へ到達する。電極131~13mへ到達した電子は、電極131~13mと電極141~14m-1との間に接続された負荷を介して電極141~14m-1へ到達し、正孔と再結合する。このように、光電変換素子200Aは、p型単結晶シリコン基板101中で光励起された電子および正孔をp型単結晶シリコン基板101の裏面=酸化膜102が形成されたp型単結晶シリコン基板101の表面と反対側の面から取り出すバックコンタクト型の光電変換素子である。そして、光電変換素子200Aは、p型単結晶シリコン基板101の光入射側の表面テクスチャ化された表面に接して設けられた酸化膜102と、酸化膜102に接して設けられたp型非晶質膜103とを備えるので、光電変換素子200において説明したように、p型単結晶シリコン基板101に対するパッシベーション効果を向上できる。また、光電変換素子200Aにおいては、p型単結晶シリコン基板101とn型非晶質膜111~11mとの間にi型非晶質膜151~15mが存在するので、p型単結晶シリコン基板101とn型非晶質膜111~11mとの界面における電子の再結合が抑制される。その結果、短絡光電流が増加し、光電変換素子200Aの変換効率を向上できる。光電変換素子200Aについてのその他の説明は、光電変換素子200についての説明と同じである。図10は、実施の形態2による更に他の光電変換素子の構成を示す断面図である。実施の形態2による光電変換素子は、図10に示す光電変換素子200Bであってもよい。図10を参照して、光電変換素子200Bは、図8に示す光電変換素子200にi型非晶質膜161~16m-1を追加したものであり、その他は、光電変換素子200と同じである。i型非晶質膜161~16m-1は、非晶質相からなり、それぞれ、p型単結晶シリコン基板101およびp型非晶質膜121~12m-1に接し、p型単結晶シリコン基板101とp型非晶質膜121~12m-1との間に配置される。そして、i型非晶質膜161~16m-1の各々は、例えば、i型a-Siからなり、膜厚は、例えば、10nmである。また、i型非晶質膜161~16m-1は、図10の紙面に垂直な方向において、それぞれ、p型非晶質膜121~12m-1と同じ長さを有する。光電変換素子200Bにおいては、n型非晶質膜111~11mの各々の膜厚は、p型非晶質膜121~12m-1の膜厚とi型非晶質膜161~16m-1の膜厚との合計膜厚からなる。また、光電変換素子200Bにおいては、n型非晶質膜111の端面は、i型非晶質膜161およびp型非晶質膜121に接し、n型非晶質膜112の端面は、i型非晶質膜161およびp型非晶質膜121とi型非晶質膜162およびp型非晶質膜122とに接し、n型非晶質膜113の端面は、i型非晶質膜162およびp型非晶質膜122とi型非晶質膜163およびp型非晶質膜123とに接し、以下、同様にして、n型非晶質膜11m-1の端面は、i型非晶質膜16m-2およびp型非晶質膜12m-2とi型非晶質膜16m-1およびp型非晶質膜12m-1とに接し、n型非晶質膜11mの端面は、i型非晶質膜16m-1およびp型非晶質膜12m-1に接する。光電変換素子200Bは、図2~図4に示す工程a~工程lによって製造される。この場合、図3の工程iにおいて、i型非晶質膜161~16m-1用のi型非晶質膜がプラズマCVD法によってp型単結晶シリコン基板101およびn型非晶質膜111~11m上に堆積され、その後、p型非晶質膜121~12m-1用のp型非晶質膜がプラズマCVD法によってi型非晶質膜161~16m-1用のi型非晶質膜上に堆積される。そして、i型非晶質膜161~16m-1用のi型非晶質膜を堆積するときのガス流量は、表1に示すi型非晶質膜51~5mのガス流量と同じであり、p型非晶質膜121~12m-1用のp型非晶質膜を堆積するときのガス流量は、表1に示すp型非晶質膜11~1mのガス流量と同じである。光電変換素子200Bにおける発電機構は、光電変換素子200の発電機構と概ね同じであり、光電変換素子200において説明したように、電子および正孔は、p型単結晶シリコン基板101の光入射側の表面テクスチャ化された表面における再結合が抑制され、n型非晶質膜111~11mおよびp型非晶質膜121~12m-1側へ拡散し易くなる。そして、n型非晶質膜111~11mおよびp型非晶質膜121~12m-1側へ拡散した電子および正孔は、n型非晶質膜111~11m/p型単結晶シリコン基板101=pn接合による内部電界によって分離され、電子は、n型非晶質膜111~11mを介して電極131~13mへ到達し、正孔は、i型非晶質膜161~16m-1およびp型非晶質膜121~12m-1を介して電極141~14m-1へ到達する。電極131~13m-1へ到達した電子は、電極131~13m-1と電極141~14m-1との間に接続された負荷を介して電極141~14m-1へ到達し、正孔と再結合する。このように、光電変換素子200Bは、p型単結晶シリコン基板101中で光励起された電子および正孔をp型単結晶シリコン基板101の裏面=酸化膜102が形成されたp型単結晶シリコン基板101の表面と反対側の面から取り出すバックコンタクト型の光電変換素子である。そして、光電変換素子200Bは、p型単結晶シリコン基板101の光入射側の表面テクスチャ化された表面に接して設けられた酸化膜102と、酸化膜102に接して設けられたp型非晶質膜103とを備えるので、光電変換素子200において説明したように、p型単結晶シリコン基板101に対するパッシベーション効果を向上できる。また、光電変換素子200Bにおいては、p型単結晶シリコン基板101とp型非晶質膜121~12m-1との間にi型非晶質膜161~16m-1が存在するので、p型単結晶シリコン基板101とp型非晶質膜121~12m-1との界面における正孔の再結合が抑制される。その結果、短絡光電流が増加し、光電変換素子200Bの変換効率を向上できる。光電変換素子200Bについてのその他の説明は、光電変換素子200についての説明と同じである。図11は、実施の形態2による更に他の光電変換素子の構成を示す断面図である。実施の形態2による光電変換素子は、図11に示す光電変換素子200Cであってもよい。図11を参照して、光電変換素子200Cは、図8に示す光電変換素子200にi型非晶質膜151~15m,161~16m-1を追加したものであり、その他は、光電変換素子200と同じである。i型非晶質膜151~15m,161~16m-1については、上述したとおりである。光電変換素子200Cにおいては、i型非晶質膜161の端面は、i型非晶質膜151,152に接し、i型非晶質膜162の端面は、i型非晶質膜152,153に接し、以下、同様にして、i型非晶質膜16m-1の端面は、i型非晶質膜15m-1,15mに接する。また、p型非晶質膜121の端面は、n型非晶質膜111,112に接し、p型非晶質膜122の端面は、n型非晶質膜112,113に接し、以下、同様にして、p型非晶質膜12m-1の端面は、n型非晶質膜11m-1,11mに接する。光電変換素子200Cは、図2~図4に示す工程a~工程lによって製造される。この場合、図2の工程dにおいて、i型非晶質膜151~15m用のi型非晶質膜がプラズマCVD法によってp型単結晶シリコン基板101上に堆積され、その後、n型非晶質膜111~11m用のn型非晶質膜がプラズマCVD法によってi型非晶質膜151~15m用のi型非晶質膜上に堆積される。また、図3の工程iにおいて、i型非晶質膜161~16m-1用のi型非晶質膜がプラズマCVD法によってp型単結晶シリコン基板101およびn型非晶質膜111~11m上に堆積され、その後、p型非晶質膜121~12m-1用のp型非晶質膜がプラズマCVD法によってi型非晶質膜161~16m-1用のi型非晶質膜上に堆積される。そして、i型非晶質膜151~15m用のi型非晶質膜と、i型非晶質膜161~16m-1用のi型非晶質膜とを堆積するときのガス流量は、表1に示すi型非晶質膜51~5mを堆積するときのガス流量と同じであり、n型非晶質膜111~11m用のn型非晶質膜を堆積するときのガス流量は、表1に示すn型非晶質膜21~2m-1を堆積するときのガス流量と同じであり、p型非晶質膜121~12m-1用のp型非晶質膜を堆積するときのガス流量は、表1に示すp型非晶質膜11~1mを堆積するときのガス流量と同じである。光電変換素子200Cにおける発電機構は、光電変換素子200の発電機構と概ね同じであり、光電変換素子200において説明したように、電子および正孔は、p型単結晶シリコン基板101の光入射側の表面テクスチャ化された表面における再結合が抑制され、n型非晶質膜111~11mおよびp型非晶質膜121~12m-1側へ拡散し易くなる。そして、n型非晶質膜111~11mおよびp型非晶質膜121~12m-1側へ拡散した電子および正孔は、n型非晶質膜111~11m/i型非晶質膜151~15m/p型単結晶シリコン基板101=pin接合による内部電界によって分離され、電子は、i型非晶質膜151~15mおよびn型非晶質膜111~11mを介して電極131~13mへ到達し、正孔は、i型非晶質膜161~16m-1およびp型非晶質膜121~12m-1を介して電極141~14m-1へ到達する。電極131~13mへ到達した電子は、電極131~13mと電極141~14m-1との間に接続された負荷を介して電極141~14m-1へ到達し、正孔と再結合する。このように、光電変換素子200Cは、p型単結晶シリコン基板101中で光励起された電子および正孔をp型単結晶シリコン基板101の裏面=酸化膜102が形成されたp型単結晶シリコン基板101の表面と反対側の面から取り出すバックコンタクト型の光電変換素子である。そして、光電変換素子200Cは、p型単結晶シリコン基板101の光入射側の表面テクスチャ化された表面に接して設けられた酸化膜102と、酸化膜102に接して設けられたp型非晶質膜103とを備えるので、光電変換素子200において説明したように、p型単結晶シリコン基板101に対するパッシベーション効果を向上できる。また、光電変換素子200Cにおいては、p型単結晶シリコン基板101とn型非晶質膜111~11mとの間にi型非晶質膜151~15mが存在するので、p型単結晶シリコン基板101とn型非晶質膜111~11mとの界面における電子の再結合が抑制される。更に、光電変換素子200Cにおいては、p型単結晶シリコン基板101とp型非晶質膜121~12m-1との間にi型非晶質膜161~16m-1が存在するので、p型単結晶シリコン基板101とp型非晶質膜121~12m-1との界面における正孔の再結合が抑制される。その結果、短絡光電流が増加し、光電変換素子200Cの変換効率を向上できる。光電変換素子200Cについてのその他の説明は、光電変換素子200についての説明と同じである。光電変換素子200,200A,200B,200Cにおいては、p型単結晶シリコン基板101の光入射側の表面=酸化膜102が形成された表面がテクスチャ構造になっていなくてもよい。この場合、図2の工程bが省略される。また、光電変換素子200,200A,200B,200Cにおいては、n型非晶質膜111~11m-1は、n型a-Siからなると説明したが、実施の形態2においては、これに限らず、n型非晶質膜111~11m-1は、n型a-SiC、n型a-SiO、n型a-SiN、n型a-SiCN、n型a-SiGeおよびn型a-Geのいずれかからなっていてもよい。更に、光電変換素子200,200A,200B,200Cにおいては、p型非晶質膜103,121~12mは、p型a-Siからなると説明したが、実施の形態2においては、これに限らず、p型非晶質膜103,121~12mは、p型a-SiC、p型a-SiO、p型a-SiN、p型a-SiCN、p型a-SiGeおよびp型a-Geのいずれかからなっていてもよい。更に、光電変換素子200A,200Cにおいては、i型非晶質膜151~15mは、i型a-Siからなると説明したが、実施の形態2においては、これに限らず、i型非晶質膜151~15mは、i型a-SiC、i型a-SiO、i型a-SiN、i型a-SiCN、およびi型a-SiGeのいずれかからなっていてもよい。更に、光電変換素子200B,200Cにおいては、i型非晶質膜161~16m-1は、i型a-Siからなると説明したが、実施の形態2においては、これに限らず、i型非晶質膜161~16m-1は、i型a-SiC、i型a-SiO、i型a-SiN、i型a-SiCN、およびi型a-SiGeのいずれかからなっていてもよい。即ち、光電変換素子200,200A,200B,200Cにおいては、n型非晶質膜111~11mおよびp型非晶質膜103,121~12m-1は、それぞれ、表2に示すn型非晶質膜21~2m-1およびp型非晶質膜11~1mを構成する材料のいずれかからなっていてもよく、光電変換素子200A,200B,200Cにおいては、i型非晶質膜151~15mおよび/またはi型非晶質膜161~16m-1は、それぞれ、表2に示すi型非晶質膜51~5m,61~6m-1を構成する材料のいずれかからなっていてもよい。そして、n型a-SiC、n型a-SiO、n型a-SiN、n型a-SiCN、n型a-SiGe、n型a-Ge、p型a-SiC、p型a-SiO、p型a-SiN、p型a-SiCN、p型a-SiGe、p型a-Ge、i型a-SiC、i型a-SiO、i型a-SiN、i型a-SiCN、およびi型a-SiGeは、上述した材料ガスを用いてプラズマCVD法によって形成される。なお、i型非晶質膜151~15m,161~16m-1用の材料としてi型a-Geが除外されるのは、上述したi型非晶質膜51~5m,61~6m-1用の材料としてi型a-Geが除外される理由と同じである。このように、実施の形態2による光電変換素子は、p型単結晶シリコン基板101の裏面にヘテロ接合を形成したバックコンタクト型の光電変換素子であり、p型単結晶シリコン基板101の光入射側の表面に酸化膜102およびp型非晶質膜103を順次積層した構造からなる。従って、p型単結晶シリコン基板101の光入射側の表面におけるキャリア特に、電子の再結合を酸化膜102による界面準位の低下と、p型非晶質膜103によるFSF効果とによって抑制し、p型単結晶シリコン基板101に対するパッシベーション効果を向上できる。上述したように、実施の形態1においては、n型単結晶シリコン基板1の光入射側の表面に酸化膜2とn型非晶質膜3とを備える光電変換素子100,100A,100B,100Cについて説明した。また、実施の形態2においては、p型単結晶シリコン基板101の光入射側の表面に酸化膜102とn型非晶質膜103とを備える光電変換素子200,200A,200B,200Cについて説明した。従って、この発明の実施の形態による光電変換素子は、第1の導電型を有する単結晶シリコン基板と、半導体基板の光入射側の表面に接して設けられた酸化膜と、酸化膜に接して設けられ、第1の導電型を有する第1の非晶質膜と、半導体基板の光入射側の表面と反対側に設けられ、第1の導電型と反対の第2の導電型を有する第2の非晶質膜と、半導体基板の面内方向において第2の非晶質膜に隣接して半導体基板の光入射側の表面と反対側に設けられ、第1の導電型を有する第3の非晶質膜とを備えていればよい。また、実施の形態1においては、n型単結晶シリコン基板1とp型非晶質膜11~1mとの間に配置されたi型非晶質膜51~5mを備える光電変換素子100A、n型単結晶シリコン基板1とn型非晶質膜21~2m-1との間に配置されたi型非晶質膜61~6m-1を備える光電変換素子100B、およびn型単結晶シリコン基板1とp型非晶質膜11~1mとの間に配置されたi型非晶質膜51~5mと、n型単結晶シリコン基板1とn型非晶質膜21~2m-1との間に配置されたi型非晶質膜61~6m-1とを備える光電変換素子100Cについて説明した。更に、実施の形態2においては、p型単結晶シリコン基板101とn型非晶質膜111~11mとの間に配置されたi型非晶質膜151~15mを備える光電変換素子200A、p型単結晶シリコン基板101とp型非晶質膜121~12m-1との間に配置されたi型非晶質膜161~16m-1を備える光電変換素子200B、およびp型単結晶シリコン基板101とn型非晶質膜111~11mとの間に配置されたi型非晶質膜151~15mと、p型単結晶シリコン基板101とp型非晶質膜121~12m-1との間に配置されたi型非晶質膜161~16m-1とを備える光電変換素子200Cについて説明した。従って、この発明の実施の形態による光電変換素子は、第1の導電型を有する単結晶シリコン基板と、半導体基板の光入射側の表面に接して設けられた酸化膜と、酸化膜に接して設けられ、第1の導電型を有する第1の非晶質膜と、半導体基板の光入射側の表面と反対側に設けられ、第1の導電型と反対の第2の導電型を有する第2の非晶質膜と、半導体基板の面内方向において第2の非晶質膜に隣接して半導体基板の光入射側の表面と反対側に設けられ、第1の導電型を有する第3の非晶質膜と、単結晶シリコン基板と第2および第3の非晶質膜の少なくとも一方との間に設けられ、i型の導電型を有する非晶質膜とを備えていればよい。そして、単結晶シリコン基板と第2および第3の非晶質膜の両方との間にi型の導電型を有する非晶質膜が設けられる場合、i型の導電型を有する非晶質膜は、単結晶シリコン基板と第2の非晶質膜との間に設けられ、i型の導電型を有する第4の非晶質膜と、単結晶シリコン基板と第3の非晶質膜との間に設けられ、i型の導電型を有する第5の非晶質膜とからなる。更に、この発明の実施の形態による光電変換素子の製造方法は、単結晶シリコン基板の光入射側の表面に接して酸化膜2または酸化膜102を形成する工程と、酸化膜2または酸化膜102を形成する工程の後にp型非晶質膜11~1m、n型非晶質膜3,21~2m-1、反射防止膜4および電極31~3m,41~4m-1またはn型非晶質膜111~11m、p型非晶質膜103,121~12m-1、反射防止膜104および電極131~13m,141~14m-1を形成する工程とを備えていればよい。従って、この発明の実施の形態による光電変換素子の製造方法は、第1の導電型を有する単結晶シリコンからなる半導体基板の光入射側の表面に接して酸化膜を形成する第1の工程と、第1の工程の後、酸化膜に接して第1の導電型を有する第1の非晶質膜を堆積する第2の工程と、第1の工程の後、半導体基板の光入射側の表面と反対側に第1の導電型と反対の第2の導電型を有する第2の非晶質膜を堆積する第3の工程と、半導体基板の面内方向において第2の非晶質膜に隣接して半導体基板の光入射側の表面と反対側に第1の導電型を有する第3の非晶質膜を堆積する第4の工程とを備えていればよい。なお、実施の形態1においては、第1の導電型は、n型であり、第2の導電型は、p型である。また、実施の形態2においては、第1の導電型は、p型であり、第2の導電型は、n型である。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"