"第一の基板と、第二の基板と、前記第一の基板と第二の基板間に挟持された負の誘電率異方性を有する液晶組成物層からなる液晶表示装置であって、該液晶表示装置は、複数の画素を有し、前記画素のそれぞれは、独立的に制御可能であって、前記画素は一対の画素電極と共通電極を有し、この両電極が前記第一と第二の両基板の少なくとも一方の基板に設けられ、該液晶組成物層の液晶分子の長軸が略垂直配向又はハイブリッド配向していることを特徴とする液晶表示装置。前記画素電極と共通電極の間隔dgap、μmが、画素電極又は共通電極の幅dITO、μmより小さい、請求項1記載の液晶表示装置。前記液晶組成物層として一般式LC1から一般式LC5で表される化合物群から選ばれる2種以上の化合物を含有する液晶組成物を使用する請求項2記載の液晶表示装置。式中、R1及びR2はそれぞれ独立して炭素数1~15のアルキル基を表し、該アルキル基中の1つ又は2つ以上のCH2基は、O原子が直接隣接しないように、-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF2O-又は-OCF2-で置換されてよく、該アルキル基中の1つ又は2つ以上のH原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、A1及びA2はそれぞれ独立して下記の構造該構造中シクロヘキサン環の1つ又は2つ以上のCH2基はO原子で置換されていてもよく、該構造中ベンゼン環の1つ又は2つ以上のCH基はN原子で置換されていてもよく、また、該構造中の1つ又は2つ以上のH原子はCl、CF3又はOCF3で置換されていてもよい。のいずれかを表し、Z1~Z4はそれぞれ独立して単結合、-CH=CH-、-C≡C-、-CH2CH2-、-CH24-、-COO-、-OCH2-、-CH2O-、-OCF2-又は-CF2O-を表し、Z5はCH2基又はO原子を表し、m1及びm2はそれぞれ独立して0~3を表し、m1m2は1、2又は3である。前記液晶組成物層として、一般式LC6で表される化合物を1種又は2種以上含有する液晶組成物を使用する請求項3記載の液晶表示装置。一般式LC2が下記一般式LC2-1から一般式LC2-3で表される化合物からなる群より選ばれる1種又は2種以上の化合物である請求項3記載の液晶表示装置。一般式LC3が下記一般式LC3-1から一般式LC3-13で表される化合物からなる群より選ばれるを1種又は2種以上の化合物である請求項3記載の液晶表示装置。一般式LC4が下記一般式LC4-1から一般式LC4-6であり、一般式LC5が下記一般式LC5-1から一般式LC5-4で表される化合物からなる群より選ばれる1種又は2種以上の化合物である請求項3記載の液晶表示装置。一般式LC6が一般式LC6-1から一般式LC6-11で表される化合物からなる群より選ばれる1種又は2種以上の化合物である請求項4記載の液晶表示装置。一般式LC6で表される化合物を30~70質量含有し、液晶組成物の20°Cでの粘度ηが20mPas以下である請求項4又は8記載の液晶表示装置。一般式LC3-1から一般式LC3-13、一般式LC4-1から一般式LC4-6及び一般式LC5-1から一般式LC5-4においてZ1及びZ2の少なくとも一方が-C2FO-又は-OCF2-である請求項6又は7記載の液晶表示装置。一般式LC1~LC5においてΔεが-4以下の化合物を2種以上含有する液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項3記載の液晶表示装置。一般式LC1~LC5においてΔεが-4以下の化合物を2種以上かつ70~30質量含有し、一般式LC6で表される化合物を30~70質量含有する液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項3~12いずれかに記載の液晶表示装置。一般式LC2~LC5においてΔεが-4以下の化合物を2種以上かつ70~30質量含有し、一般式LC6で表される化合物を30~70質量含有する請求項4記載の液晶表示装置。前記液晶組成物層として重合性化合物を1種又は2種以上含有する液晶組成物を使用する請求項3~13のいずれか一項に記載の液晶表示装置。重合性化合物が、ベンゼン誘導体、トリフェニレン誘導体、トルキセン誘導体、フタロシアニン誘導体又はシクロヘキサン誘導体を分子の中心の母核とし、直鎖のアルキル基、直鎖のアルコキシ基又は置換ベンゾイルオキシ基がその側鎖として放射状に置換した構造である円盤状液晶化合物である請求項14記載の液晶表示装置。重合性化合物が一般式PC1式中、P1は重合性官能基を表し、Sp1は炭素原子数0~20のスペーサー基を表し、Q1は単結合、-O-、-NH-、-NHCOO-、-OCONH-、-CH=CH-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-OOCO-、-CH=CH-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-又は-C≡C-を表し、n1、n2は1、2又は3を表し、MGはメソゲン基又はメソゲン性支持基を表し、R3は、ハロゲン原子、シアノ基又は炭素原子数1~25のアルキル基を表し、該アルキル基中の1つ又は2つ以上のCH2基は、O原子が直接隣接しないように、-O-、-S-、-NH-、-NCH3-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-SCO-、-COS-又は-C≡C-より置き換えられていても良く、あるいはR3はP2-Sp2-Q2-式中、P2、Sp2、Q2はそれぞれ独立してP1、Sp1、Q1と同じ意味を表す。を表す。で表される重合性化合物である請求項14記載の液晶表示装置。一般式PC1においてMGが以下の構造式中、C1~C3はそれぞれ独立して1,4-フェニレン基、1,4-シクロヘキシレン基、1,4-シクロヘキセニル基、テトラヒドロピラン-25-ジイル基、1,3-ジオキサン-25-ジイル基、テトラヒドロチオピラン-25-ジイル基、1,4-ビシクロ2,2,2オクチレン基、デカヒドロナフタレン-26-ジイル基、ピリジン-25-ジイル基、ピリミジン-25-ジイル基、ピラジン-25-ジイル基、1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-26-ジイル基、2,6-ナフチレン基、フェナントレン-27-ジイル基、9,10-ジヒドロフェナントレン-27-ジイル基、1,2,3,4,4a,9,10a-オクタヒドロフェナントレン2,7-ジイル基又はフルオレン2,7-ジイル基を表し、該1,4-フェニレン基、1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-26-ジイル基、2,6-ナフチレン基、フェナントレン-27-ジイル基、9,10-ジヒドロフェナントレン-27-ジイル基、1,2,3,4,4a,9,10a-オクタヒドロフェナントレン2,7-ジイル基及びフルオレン2,7-ジイル基は置換基として1個以上のF、Cl、CF3、OCF3、シアノ基、炭素原子数1~8のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルカノイルオキシ基、炭素原子数2~8のアルケニル基、アルケニルオキシ基、アルケノイル基又はアルケノイルオキシ基を有していても良く、Y1及びY2はそれぞれ独立して-COO-、-OCO-、-CH2CH2-、-OCH2-、-CH2O-、-CH=CH-、-C≡C-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH2CH2COO-、-CH2CH2OCO-、-COOCH2CH2-、-OCOCH2CH2-、-CONH-、-NHCO-又は単結合を表し、n5は0、1又は2を表す。で表される請求項16記載の液晶表示装置。一般式PC1において、Sp1及びSp2がそれぞれ独立してアルキレン基を表し、該アルキレン基は1つ以上のハロゲン原子又はCNにより置換されていても良く、この基中に存在する1つ又は2つ以上のCH2基はO原子が直接隣接しないように-O-、-S-、-NH-、-NCH3-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-SCO-、-COS-又は-C≡C-により置き換えられていてもよい請求項16又は17記載の液晶表示装置。一般式PC1において、P1及びP2がそれぞれ独立して以下の一般式PC1-a~一般式PC1-d式中、R41~R43、R51~R53、R61~R63はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数1~5のアルキル基を表す。で表される化合物からなる群から選ばれる構造である請求項16又は17記載の液晶表示装置。一般式PC1が一般式PC1-1又は一般式PC1-2P1、Sp1、Q1、P2、Sp2、Q2及びMGは一般式PC1と同じ意味を表し、n3及びn4はそれぞれ独立して1、2又は3を表す。で表される重合性化合物である請求項17~19いずれかに記載の液晶表示装置。一般式PC1が一般式PC1-3から一般式PC1-8式中、W1はそれぞれ独立してF、CF3、OCF3、CH3、OCH3、炭素原子数2~5のアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、COOW2、OCOW2又はOCOOW2を表し式中、W2は炭素原子数1~10の直鎖又は分岐鎖アルキル基又は炭素原子数2~5のアルケニル基を表す。、n6は0、1、2、3又は4を表す。で表される化合物からなる群より選ばれる1種又は2種以上の化合物である請求項16~20のいずれか一項に記載の液晶表示装置。一般式PC1及び一般式PC1-1から一般式PC1-8においてSp1、Sp2、Q1、及びQ2がすべて単結合である請求項16~21いずれか一項に記載の液晶表示装置。一般式PC1-1から一般式PC1-8においてn3n4が3~6である請求項21又は22記載の液晶表示装置。一般式PC1及び一般式PC1-1から一般式PC1-8においてP1及びP2が一般式PC1-bである請求項19~23いずれか一項に記載の液晶表示装置。一般式PC1-1~一般式PC1-8においてW1がF、CF3、OCF3、CH3又はOCH3であり、n6が1、2、3又は4である請求項21~23いずれか一項に記載の液晶表示装置。一般式PC1におけるMGが一般式PC1-9で表される円盤状液晶化合物を1種又は2種以上含有する液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項16記載の液晶表示装置。式中、R7はそれぞれ独立してP1-Sp1-Q1又は一般式PC1-eの置換基を表し式中、P1、Sp1及びQ1は般式PC1と同じ意味を表しR81及びR82はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子又はメチル基を表し、R83は炭素原子数1~20アルコキシ基を表し、該アルコキシ基中の少なくとも1つの水素原子は一般式PC1-a~PC1-d式中、R41~R43、R51~R53、R61~R63はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数1~5のアルキル基を表す。で表される置換基で置換されている。。液晶組成物が重合開始剤を含まない請求項14~26の何れか一項に記載の液晶表示装置。重合性化合物の含有量が0.05~2.0質量である請求項14~26の何れか一項に記載の液晶表示装置。液晶組成物の屈折率異方性Δnと表示装置の第一の基板と、第二の基板との間隔dの積Δndが0.30~0.40である請求項1~28の何れか一項に記載の液晶表示装置。表示装置の第一の基板と、第二の基板上の液晶組成物と接する面にポリイミドPI、ポリアミド、カルコン、シンナメート又はシンナモイルからなる配向膜を設けた請求項1~30のいずれか一項に記載の液晶表示装置。表示装置の第一の基板と、第二の基板上の液晶組成物と接する面に光配向技術を用いて作成した配向膜を設けた請求項30記載の液晶表示装置。基板面上の液晶組成物のチルト角が85~90°である請求項1~31の何れか一項に記載の液晶表示装置。第一の基板と第二の基板の一方の基板面上の液晶組成物のチルト角が85~90°であり、他方の基板面上の液晶組成物のチルト角が3~20°である請求項1~31の何れか一項に記載の液晶表示装置。本発明は、上述した問題を解決することを目的としている。すなわち、負の誘電率異方性Δε<0の液晶材料を用いた応答速度が早く、視野角が広く、光透過時の透過率が高く、光遮断時の黒レベルが高いコントラスト比の優れたVAIPS方式の液晶表示装置を提供することにある。本発明は、第一の基板と、第二の基板と、前記第一の基板と第二の基板間に挟持された負の誘電率異方性を有する液晶組成物層からなる液晶表示装置であって、該液晶表示装置は、複数の画素を有し、前記画素のそれぞれは、独立的に制御可能であって、前記画素は一対の画素電極と共通電極を有し、この両電極が前記第一と第二の両基板の少なくとも一方の基板に設けられ、該液晶組成物層の液晶分子の長軸が略垂直配向又はハイブリッド配向していることを特徴とする液晶表示装置を提供する。本発明において、少なくとも一方の基板面で液晶分子を垂直に配向させるが、残りの基板面においても液晶分子が基板面に垂直に配向した方式以下、n-VAIPSと呼称及び残りの基板面では液晶分子が基板面に水平に配向した方式ハイブリッド配向も含む以下n-HBIPSと呼称。本発明におけるn-VAIPS及びn-HBIPS方式の電極構造は従来のIPSやFFS、改良版FFS等の横電界方式のものが適用できる。また、本発明における液晶分子の挙動は模式的に図1~3に示す通りであり、電圧が無印加の状態図1において、基板面に垂直に配向している状態から、横方向に配置した電極から電圧を印加することにより液晶分子は電極上においては水平配向に図2に遷移する。この際、液晶分子がフロー効果に有利な、ベンド配向状態をとることで、従来の液晶表示素子より高速応答化が図れる。図3の液晶表示素子は、画素電極下に絶縁層を介して共通電極を配した場合の電圧印加時の液晶分子再配向状態であり、表示画素の開口率向上によりさらなるコントラストアップが図れる。従来のVA方式の駆動方法では一般的に、広視野角化のため、液晶分子の倒れる方向をゾーンラビングや突起、スリット電極などを用いて規定し、マルチドメイン化を図る必要があり、セル構成が複雑になる傾向にある。しかし、本発明のn-VAIPS及びn-HBIPS方式は、印加する電圧により発生する電気力線の向きが電極の両端で異なる現象を利用することにより、液晶分子の倒れる方向を規定することができるため、画素電極の形状のみでマルチドメイン化が可能であり比較的単純なセル構成で、高視野角化及び高コントラスト化が可能である。一般的にフレデリックス転移Vcの値は前述のようにTN方式は式1、STN方式は式2、VA方式は式3で表されるが、本願発明の液晶表示装置においては下記数4が適用されることを見出した。式中、Vcはフレデリックス転移V、Πは円周率、dcellは第一基板と第二基板の間隔μm、dgapは画素電極と共通電極の間隔μm、dITOは画素電極及び/又は共通電極の幅μm、<r>、<r‘>、<r3>は外挿長μm、K33はベンドの弾性定数N、Δεは誘電率の異方性を表す。数4からセル構成としては、dgapをなるべく小さく、dITOをなるべく大きくすることにより、低駆動電圧化が図れ、使用する液晶組成物としてはΔεの絶対値が大きく、K33が小さいものを選択することにより、低駆動電圧化が図れることが分かった。これら知見をもとに、上記液晶表示装置に適切な負の誘電異方性液晶を見出した。本発明の液晶表示装置はこの動き出しやすい液晶分子が、2枚の基板間の中央ではなく、一方の基板面に偏り、より一方の基板に近づいた部位から動き出すことが最も大きな特徴であり、従来のTN、IPS、VA、OCBの方式と異なる。本発明は応答速度、透過光量、タッチパネルの使用など外圧による光漏れ、視野角、コントラスト比などの特性を改良し、従来技術で作成した液晶表示装置と比較し、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。本願発明において、前記画素電極と共通電極の配置は、従来のIPS等の横電界方式と同様のものが適用でき、液晶分子を適切に制御可能であれば特に制限はないが、前記画素電極と共通電極の間隔dgap、μmが、画素電極又は共通電極の幅dITO、μmより小さいことが好ましい。前記液晶表示装置において該液晶組成物層は一般式LC1から一般式LC5式中、R1及びR2はそれぞれ独立して炭素数1~15のアルキル基を表し、該アルキル基中の1つ又は2つ以上のCH2基は、O原子が直接隣接しないように、-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF2O-又は-OCF2-で置換されてよく、該アルキル基中の1つ又は2つ以上のH原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、A1及びA2はそれぞれ独立して下記の構造該構造中シクロヘキサン環の1つ又は2つ以上のCH2基はO原子で置換されていてもよく、該構造中ベンゼン環の1つ又は2つ以上のCH基はN原子で置換されていてもよく、また、該構造中の1つ又は2つ以上のH原子はCl、CF3又はOCF3で置換されていてもよい。のいずれかを表し、Z1~Z4はそれぞれ独立して単結合、-CH=CH-、-C≡C-、-CH2CH2-、-CH24-、-COO-、-OCH2-、-CH2O-、-OCF2-又は-CF2O-を表し、該Z1及びZ2の内少なくとも1つは単結合でなく、Z5はCH2基又はO原子を表し、m1及びm2はそれぞれ独立して0~3を表し、m1m2は1、2又は3である。で表される化合物群から選ばれる2種以上の化合物を含有することが好ましい。前記一般式LC1から一般式LC5において、R1は炭素数1~8のアルキル基、炭素数2~8のアルケニル基又は炭素数1~8のアルコキシ基であることが好ましく、A1及びA2はそれぞれ独立して、1,4-シクロヘキシレン基、1,4-フェニレン基又は2,3-ジフルオロ-1,4-フェニレン基が好ましく、Z1~Z4はそれぞれ独立して単結合、-C≡C-、-CH2CH2-、-OCH2-、-CH2O-、-OCF2-又は-CF2O-が好ましく、単結合、-OCH2-、-CH2O-、-OCF2-又は-CF2O-がより好ましい、m1及びm2はそれぞれ独立して0~2の整数を表すことが好ましく、m1m2は1又は2が好ましい。より好ましくは一般式LC2が下記一般式LC2-1から一般式LC2-3式中、R1及びR2は前記一般式LC2と同じ意味を表す。で表される化合物であるか及び/又は、一般式LC3が下記一般式LC3-1から一般式LC3-13式中、R1、R2、A1及びZ1は前記一般式LC3と同じ意味を表す。で表される化合物であるか及び/又は、一般式LC4が下記一般式LC4-1から一般式LC4-6であり、一般式LC5が下記一般式LC5-1から一般式LC5-4式中、R1及びR2は前記一般式LC4及びLC5と同じ意味を表す。で表される化合物であり、さらに好ましくは一般式LC3~LC5におけるZ1及びZ2の少なくとも一方が-OCF2-又は-CF2O-である化合物である。さらに、前記液晶組成物層には一般式LC6で表される化合物を含有することが好ましい。一般式LC6で表される化合物は次の一般式LC6-1から一般式LC6-11式中、R1及びR2は前記一般式LC6と同じ意味を表す。で表される化合物であり、さらに好ましくは一般式LC6におけるR1及び/又はR2がアルケニル又はアルケニルオキシ基であるか及び/又は、一般式LC6におけるZ1及びZ2の一つが-CH=CH-、-C≡C-、-CH2CH2-、-CH24-、-COO-、-OCH2-、-CH2O-、-OCF2-又は-CF2O-であり、残りが単結合である化合物を1種又は2種以上含有してもよい。前記液晶組成物のさらに好ましい例は、一般式LC6で表される化合物を30~70質量含有するか及び/又は一般式LC1~LC5におけるΔεが-4以下の化合物を2種以上含有し、特に好ましくは一般式LC2~LC5におけるΔεが-4以下の化合物を2種以上かつ70~30質量含有する。前記液晶組成物の粘度ηは20°Cで20mPas以下であることが好ましい。さらに前記液晶組成物には重合性化合物を1種又は2種以上含有してもよく、好ましくは重合性化合物が、ベンゼン誘導体、トリフェニレン誘導体、トルキセン誘導体、フタロシアニン誘導体又はシクロヘキサン誘導体を分子の中心の母核とし、直鎖のアルキル基、直鎖のアルコキシ基又は置換ベンゾイルオキシ基がその側鎖として放射状に置換した構造である円盤状液晶化合物である。具体的には重合性化合物が一般式PC1で表される重合性化合物であることが好ましい式中、P1は重合性官能基を表し、Sp1は炭素原子数0~20のスペーサー基を表し、Q1は単結合、-O-、-NH-、-NHCOO-、-OCONH-、-CH=CH-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-OOCO-、-CH=CH-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-又は-C≡C-を表し、n1及びn2はそれぞれ独立して1、2又は3を表し、MGはメソゲン基又はメソゲン性支持基を表し、R3は、ハロゲン原子、シアノ基又は炭素原子数1~25のアルキル基を表し、該アルキル基中の1つ又は2つ以上のCH2基は、O原子が直接隣接しないように、-O-、-S-、-NH-、-NCH3-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-SCO-、-COS-又は-C≡C-により置き換えられていても良く、あるいはR3はP2-Sp2-Q2-式中、P2、Sp2、Q2はそれぞれ独立してP1、Sp1、Q1と同じ意味を表す。を表す。より好ましくは、重合性化合物一般式PC1におけるMGが以下の構造で表される重合性化合物であり式中、C1~C3はそれぞれ独立して14フェニレン基、14シクロヘキシレン基、14シクロヘキセニル基、テトラヒドロピラン25ジイル基、13ジオキサン25ジイル基、テトラヒドロチオピラン25ジイル基、14ビシクロオクチレン基、デカヒドロナフタレン26ジイル基、ピリジン25ジイル基、ピリミジン25ジイル基、ピラジン25ジイル基、1234テトラヒドロナフタレン26ジイル基、26ナフチレン基、フェナントレン27ジイル基、910ジヒドロフェナントレン27ジイル基、12344a910aオクタヒドロフェナントレン27ジイル基又はフルオレン27ジイル基を表し、該14フェニレン基、1234テトラヒドロナフタレン26ジイル基、26ナフチレン基、フェナントレン27ジイル基、910ジヒドロフェナントレン27ジイル基、12344a910aオクタヒドロフェナントレン27ジイル基及びフルオレン27ジイル基は置換基として1個以上のF、Cl、CF3、OCF3、シアノ基、炭素原子数1~8のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルカノイルオキシ基、炭素原子数2~8のアルケニル基、アルケニルオキシ基、アルケノイル基又はアルケノイルオキシ基を有していても良く、Y1及びY2はそれぞれ独立して-COO-、-OCO-、-CH2CH2-、-OCH2-、-CH2O-、-CH=CH-、-C≡C-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH2CH2COO-、-CH2CH2OCO-、-COOCH2CH2-、-OCOCH2CH2-、-CONH-、-NHCO-又は単結合を表し、n5は0、1又は2を表す。Sp1及びSp2がそれぞれ独立してアルキレン基を表し、該アルキレン基は1つ以上のハロゲン原子又はCNにより置換されていても良く、この基中に存在する1つ又は2つ以上のCH2基はO原子が直接隣接しないように-O-、-S-、-NH-、-NCH3-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-SCO-、-COS-又は-C≡C-により置き換えられていてもよく、P1及びP2がそれぞれ独立して以下の一般式PC1-a~一般式PC1-dのいずれかである式中、R41~R43、R51~R53、及びR61~R63はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数1~5のアルキル基を表す。。より具体的には、重合性化合物一般式PC1が一般式PC1-1又は一般式PC1-2P1、Sp1、Q1、P2、Sp2、Q2及びMGは一般式PC1と同じ意味を表し、n3及びn4はそれぞれ独立して1、2又は3を表す。で表される重合性化合物であることが好ましい。より具体的には、重合性化合物一般式PC1が一般式PC1-3~一般式PC1-8で表される重合性化合物であることがより好ましい式中、W1はそれぞれ独立してF、CF3、OCF3、CH3、OCH3、炭素原子数2~5のアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、COOW2、OCOW2又はOCOOW2を表し式中、W2は炭素原子数1~10の直鎖又は分岐鎖アルキル基又は炭素原子数2~5のアルケニル基を表す。、n6は0、1、2、3又は4を表す。。さらに好ましくは、重合性化合物一般式PC1におけるSp1、Sp2、Q1及びQ2がすべて単結合であり、n3及びn4において、n3n4が3~6であり、P1及びP2が式7-bであり、W1がF、CF3、OCF3、CH3又はOCH3であり、n6が1、2、3又は4である。また、一般式PC1におけるMGが一般式PC1-9で表される円盤状液晶化合物であることも好ましい式中、R7はそれぞれ独立してP1-Sp1-Q1又は一般式PC1-eの置換基を表し式中、P1、Sp1及びQ1は般式PC1と同じ意味を表しR81及びR82はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子又はメチル基を表し、R83は炭素原子数1~20アルコキシ基を表し、該アルコキシ基中の少なくとも1つの水素原子は前記一般式PC1-a~PC1-dで表される置換基で置換されている。。重合性化合物の使用量は好ましくは0.05~2.0質量である。前記液晶組成物は前期用途に単独で使用することもでき、さらに酸化防止剤を1種又は2種以上含有することもでき、さらにUV吸収剤を1種又は2種以上含有することもできる。前記液晶組成物の屈折率異方性Δnと表示装置の第一の基板と、第二の基板との間隔dの積Δndは垂直配向の場合0.20~0.59が好ましく、ハイブリッド配向の場合は0.21~0.61が好ましく、垂直配向の場合は0.30~0.40が特に好ましく、ハイブリッド配向の場合は0.32~0.44が特に好ましい。前記表示装置の第一の基板と、第二の基板上の液晶組成物と接する面には液晶組成物を配向させるため、ポリイミドPI、ポリアミド、カルコン、シンナメート又はシンナモイル等からなる配向膜を設けることができ、配向膜は光配向技術を用いて作成したものでもよい。垂直配向の場合は基板面上の液晶組成物中の液晶分子の長軸のチルト角は85~90°が好ましく、ハイブリッド配向の場合は第一の基板と第二の基板の一方の基板面上の液晶分子の長軸のチルト角が85~90°であり、他方の基板面上の液晶分子の長軸のチルト角が3~20°が好ましい。以下、実施例を挙げて本発明の最良の形態の一部を詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物におけるは質量を意味する。液晶組成物の物性として、以下のように表す。TNI:ネマチック相-等方性液体相転移温度を液晶相上限温度Δε:誘電率異方性Δn:屈折率異方性Vsat:周波数1KHzの矩形波を印加した時の透過率が90変化する印加電圧化合物記載に下記の略号を使用する。末端のnCnH2n12CH2CH21OCH2OO1OCH2OnOCnH2n111HCCHndmCnH2n1HCCHm1実施例1図4に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表1の実施例1に示した負の誘電異方性液晶を挟持して液晶表示装置を作成した。セル厚4.0μm、配向膜SE-5300比較例1実施例1で用いた液晶組成物を用いて従来のVA液晶表示装置を作製しその物性値を測定した。その結果を前記表1に併せて示す。本願発明の液晶表示装置は、同じ負の誘電異方性液晶を狭持した比較例1の液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例2図4に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表1の実施例2に示した負の誘電異方性液晶を挟持して液晶表示装置を作成した。セル厚4.0μm、配向膜SE-5300、AL-1051該液晶表示装置は同じ負の誘電異方性液晶を狭持した従来のVA液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例3図4に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表1の実施例3に示した負の誘電異方性液晶及び2-メチルーアクリル酸4‘-{2-[4-2-アクリロイルオキシーエチル―フェノキシカルボニル]―エチル}―ビフェニル-4-イルエステルを0.3質量挟持して液晶表示装置を作成した。セル厚4.0μm、配向膜SE-5300電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を600秒間照射3.0J/cm2し、重合処理を行った。該液晶表示装置は同じ負の誘電異方性液晶を狭持した従来のVA液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例4図4に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表1の実施例4に示した負の誘電異方性液晶を挟持して液晶表示装置を作成した。セル厚4.0μm、配向膜SE-5300、AL-1051電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を600秒間照射3.0J/cm2し、重合処理を行った。該液晶表示装置は同じ負の誘電異方性液晶を狭持した従来のVA液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例5及び6実施例1と同様に表2に示す負の誘電異方性液晶を狭持して実施例5の液晶表示装置及び実施例1と同様に実施例6の液晶表示装置を作成した。実施例5及び6の液晶表示装置は同じ負の誘電異方性液晶を狭持した従来のVA液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例7~10実施例1と同様に表3に示す負の誘電異方性液晶を狭持して実施例7の液晶表示装置を、実施例1と同様に実施例8の液晶表示装置、実施例1と同様に実施例9の液晶表示装置及び実施例1と同様に実施例10の液晶表示装置を作成した。実施例7から10の液晶表示装置は同じ負の誘電異方性液晶を狭持した従来のVA液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例11~13実施例1と同様に表4に示す負の誘電異方性液晶を狭持して実施例11の液晶表示装置を、実施例1と同様に実施例12の液晶表示装置及び実施例1と同様に実施例13の液晶表示装置を作成した。実施例11から13の液晶表示装置は同じ負の誘電異方性液晶を狭持した従来のVA液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例14及び15実施例1と同様に表5に示す負の誘電異方性液晶を狭持して実施例14の液晶表示装置及び実施例1と同様に実施例15の液晶表示装置を作成した。実施例14及び15の液晶表示装置は同じ負の誘電異方性液晶を狭持した従来のVA液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例16~18実施例1と同様に表6に示す負の誘電異方性液晶を狭持して実施例16の液晶表示装置を、実施例1と同様に実施例17の液晶表示装置及び実施例1と同様に実施例18の液晶表示装置を作成した。実施例16から18の液晶表示装置は同じ負の誘電異方性液晶を狭持した従来のVA液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例19~22実施例1と同様に表7に示す負の誘電異方性液晶を狭持して実施例19の液晶表示装置を、実施例1と同様に実施例20の液晶表示装置、実施例1と同様に実施例21の液晶表示装置及び実施例1と同様に実施例22の液晶表示装置を作成した。実施例19から22の液晶表示装置は同じ負の誘電異方性液晶を狭持した従来のVA液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例23~26実施例1と同様に表8に示す負の誘電異方性液晶を狭持して実施例23の液晶表示装置を、実施例1と同様に実施例24の液晶表示装置、実施例1と同様に実施例25の液晶表示装置及び実施例1と同様に実施例26の液晶表示装置を作成した。実施例23から26の液晶表示装置は同じ負の誘電異方性液晶を狭持した従来のVA液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例27~29実施例1と同様に表9に示す負の誘電異方性液晶を狭持して実施例27の液晶表示装置を、実施例1と同様に実施例28の液晶表示装置及び実施例1と同様に実施例29の液晶表示装置を作成した。実施例27から29の液晶表示装置は同じ負の誘電異方性液晶を狭持した従来のVA液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例30~32実施例1と同様に表10に示す負の誘電異方性液晶を狭持して実施例30の液晶表示装置を、実施例1と同様に実施例31の液晶表示装置及び実施例1と同様に実施例32の液晶表示装置を作成した。実施例30から32の液晶表示装置は同じ負の誘電異方性液晶を狭持した従来のVA液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。"