"六方晶系III族窒化物半導体で形成された半極性面を有する半導体基板と、前記半導体基板の半極性面に形成された発光層を含むエピタキシャル層であって、リッジ部が形成されたエピタキシャル層と、前記リッジ部上面に形成された第1電極と、前記リッジ部脇及びリッジ部側面において前記エピタキシャル層を被覆すると共に、前記エピタキシャル層側から連続して前記第1電極の側面の少なくとも一部を被覆する絶縁層と、前記第1電極の上面及び前記絶縁層を被覆するように形成され、前記第1電極に電気的に接続されたパッド電極と、前記半導体基板のエピタキシャル層が形成された面とは反対側に面に形成された第2電極とを備える半導体レーザ素子。前記絶縁層は、SiO2、SiN、Al2O3、ZrO2のうち1種類以上を含む絶縁材料で構成されている請求項1に記載の半導体レーザ素子。前記リッジ部側面に形成された前記絶縁層の第1電極側の端面は、前記第1電極の上面に達しない位置とされている請求項2に記載の半導体レーザ素子。六方晶系III族窒化物半導体で形成された半極性面を有する半導体基板を用意する工程と、前記半導体基板の前記半極性面上に、半導体レーザ素子の発光層を含むエピタキシャル層を形成する工程と、所望のマスクを介して前記エピタキシャル層を所定の深さまでエッチングし、ストライプ状のリッジ部を形成する工程と、前記リッジ部の形成の前の工程で前記リッジ部に対応する領域に第1電極を形成する、又は前記リッジ部の形成の後の工程で前記リッジ部の上面に第1電極を形成する工程と、前記第1電極の上面を含む前記エピタキシャル層表面に、絶縁材料層を形成する工程と、前記絶縁材料層をエッチングすることにより、前記リッジ部脇及びリッジ部側面において前記エピタキシャル層を被覆すると共に、前記エピタキシャル層側から連続して前記第1電極の側面の少なくとも一部を被覆する絶縁層を形成する工程と、前記第1電極の上面及び前記絶縁層を被覆して、前記第1電極に電気的に接続されるパッド電極を形成する工程と、前記半導体基板の前記エピタキシャル層が形成される側とは反対側の面に第2電極を形成する工程とを含む半導体レーザ素子の製造方法。前記第1電極は、前記リッジ部の形成の前に形成し、前記リッジ部は、前記第1電極をマスクとしてエッチングすることにより形成する請求項4に記載の半導体レーザ素子の製造方法。前記絶縁材料層のエッチングは、前記第1電極の上面に形成された絶縁材料層が露出し、前記リッジ部脇の上面に形成された絶縁材料層が露出しない大きさに形成された開口部を備えるレジスト膜をマスクとして行う請求項5に記載の半導体レーザ素子の製造方法。前記絶縁材料層のエッチングは、前記第1電極の上面が露出し、かつ、前記エピタキシャル層が露出する前に停止する請求項6に記載の半導体レーザ素子の製造方法。前記絶縁層は、SiO2、SiN、Al2O3、ZrO2のうち1種類以上を含む絶縁材料で形成する請求項7に記載の半導体レーザ素子の製造方法。以上のように、従来の半導体レーザ素子ではリッジ構造に起因する発振特性の劣化を防止する構成が種々提案されている。しかしながら、半極性基板を用いた半導体レーザ素子の技術分野では、従来の極性基板を用いる窒化物系半導体レーザ素子の特性とは異なる部分が多く、特性向上のため更なる開発が望まれている。上述の点に鑑み、本開示は、半極性基板を用いた窒化物系半導体レーザ素子において、リッジ構造に起因する発振特性の劣化を抑制し、信頼性に優れた半導体レーザ素子を提供することを目的とする。本開示の半導体レーザ素子は、六方晶系III族窒化物半導体で形成された半極性面を有する半導体基板と、半導体基板の半極性面に形成された発光層を含むエピタキシャル層であって、リッジ部が形成されたエピタキシャル層を備える。また、リッジ部上面に形成された第1電極と、リッジ部脇及びリッジ部側面においてエピタキシャル層を被覆すると共に、エピタキシャル層側から連続して第1電極の側面の少なくとも一部を被覆する絶縁層を備える。さらに、第1電極の上面及び絶縁層を被覆するように形成され、第1電極に電気的に接続されたパッド電極と、半導体基板のエピタキシャル層が形成される面とは反対側の面に形成された第2電極とを備える。ここで、リッジ部脇とは、エピタキシャル層のリッジ部以外の領域の面上を示す。本開示の半導体レーザ素子では、絶縁層がエピタキシャル層を被覆すると共に、エピタキシャル層側から連続して第1電極の側面の少なくとも一部を被覆するように形成されている。このため、パッド電極とエピタキシャル層とが直接接触することがない。本開示の半導体レーザ素子の製造方法は、六方晶系III族窒化物半導体で形成された半極性面を有する半導体基板を用意する工程と、半導体基板の半極性面上に、半導体レーザ素子の発光層を含むエピタキシャル層を形成する工程とを有する。また、所望のマスクを介してエピタキシャル層を所定の深さまでエッチングし、ストライプ状のリッジ部を形成する工程を有する。また、リッジ部の形成の前の工程でリッジ部に対応する領域に第1電極を形成する、又は後の工程で、リッジ部の上面に第1電極を形成する工程を有する。また、第1電極の上面を含むエピタキシャル層表面に、絶縁材料層を形成する工程を有する。また、絶縁材料層をエッチングすることにより、リッジ部脇及びリッジ部側面においてエピタキシャル層を被覆すると共に、エピタキシャル層側から連続して第1電極の側面の少なくとも一部を被覆する絶縁層を形成する工程を有する。また、第1電極の上面及び絶縁層を被覆して、第1電極に電気的に接続されるパッド電極を形成する工程と、半導体基板のエピタキシャル層が形成される側とは反対側の面に第2電極を形成する工程を有する。本開示の半導体レーザ素子の製造方法では、絶縁層がエピタキシャル層を被覆すると共に、エピタキシャル層側から連続して第1電極の側面の少なくとも一部を被覆するように形成する。これにより、絶縁層の形成後に形成されるパッド電極と、エピタキシャル層とが直接接触することがない。本開示によれば、半極性基板を用いた窒化物系半導体レーザ素子において、リッジ構造に起因する発振特性の劣化が抑制され、信頼性に優れた半導体レーザ素子を得ることができる。まず、本開示の技術の提案者らは以下の検討を行った。図9に、従来の技術で形成したリッジ構造を有する窒化物系半導体レーザ素子の断面構成図を示す。一般的に、窒化物系の半導体レーザ素子30は、n型GaNからなる半導体基板37と、エピタキシャル層31と、絶縁層32と、第1電極p側電極34と、第2電極n側電極36と、パッド電極35とを備える構成とされている。エピタキシャル層31は、半導体基板37の一方の面上に形成され、図示を省略するが、例えば、半導体基板37側からn型クラッド層、発光層、p型クラッド層、コンタクト層が順に積層された構造とされている。また、図9では、エピタキシャル層31の一部が除去されることによりリッジ部38が形成されている。第1電極34は、エピタキシャル層31のリッジ部38上面に形成されている。絶縁層32は、リッジ部脇38a及びリッジ部側面38bを被覆するようにエピタキシャル層31表面に形成されている。パッド電極35は、絶縁層32及び第1電極34を含む全面に形成されている。第2電極36は半導体基板37の他方の面裏面に形成されている。従来の技術では、図9に示すような半導体レーザ素子30は例えば次のようにして形成する。まず、半導体基板37の表面にエピタキシャル層31を形成した後、リッジ部38が形成される所定の位置にストライプ状の第1電極34を形成する。その後、第1電極34をマスクとしてエピタキシャル層31の図示しないコンタクト層表面からp型クラッド層の所定の位置までエッチング除去する。次に、全面に絶縁層32を形成した後、所望のレジストマスクを介して、第1電極34が露出するまで第1電極34上部の絶縁層をエッチング除去する。その後、レジストマスクを除去し、露出された第1電極34を含む絶縁層32上部にパッド電極35を形成する。ところで、第1電極34を露出させるための絶縁層32のエッチング工程において、第1電極34とその上部に形成されるパッド電極35との電気的コンタクトを確実に行うため、一般的に、第1電極34上部の絶縁層32はオーバーエッチングされる。すなわち、第1電極34上に絶縁層32を残さないために、リッジ構造とされたエピタキシャル層31の側面が一部露出するまで絶縁層32のエッチングが行われるのが一般的である。この結果、従来の技術では、図9に示すように、エピタキシャル層31が絶縁層32から露出した露出長L2の領域では、第1電極34上部に形成されるパッド電極35と絶縁層32から露出したエピタキシャル層31が直接接触していた。しかしながら、従来の青色の光を発光する窒化物系半導体レーザ素子では、エピタキシャル層とパッド電極の多少の接触では、レーザ特性が損なわれるというような問題がなく、図9に示す構成が問題視されることは無かった。一方、本開示技術の提案者らは、GaN基板の半極性面を結晶成長面として用いる半導体レーザ素子の開発に当たり、図9に示すような、エピタキシャル層31が絶縁層32から露出する構成では、通電時と同時に電圧劣化が起こるということを見出した。図10に、GaN基板の半極性面を結晶成長面として用い、エピタキシャル層が絶縁層から200nm程度露出した状態図9の露出長L=200nm程度の半導体レーザ素子の電圧-電流特性を示す。図10の横軸は電流を示し、縦軸は電圧を示す。また、図10では、同じ半導体レーザ素子を用いて、連続して3回の測定を行った場合のそれぞれの電圧-電流特性を示している。図10に示すように、1回目の測定から3回目の測定にかけて、動作電流に対する動作電圧が上昇していることがわかる。すなわち、測定回数が増えるに連れ、動作電圧が上昇している。このような電圧上昇が起こると、素子が劣化し、長時間安定に動作させることができない。以上のように、半導体基板の半極性面上に結晶層を積層させて形成した半導体レーザ素子では、リッジ部の側面に絶縁層が形成されない部分が存在した場合、電圧上昇に伴う素子劣化が著しい。このような劣化特性の問題は、半極性基板を用いた半導体レーザ素子に特有のものであり、従来の極性基板を用いた半導体レーザ素子では見られなかった問題である。なお、半極性基板、極性基板については後述する。このような知見に基づき、本開示技術の提案者らは、半導体基板の半極性面上に結晶層を積層させて得られる半導体レーザ素子において、電圧上昇が抑制され、素子劣化が低減された半導体レーザ素子を見出すに至った。以下に、本開示の半導体レーザ素子について説明する。本開示の実施形態に係る半導体レーザ素子とその製造方法とを、図面を参照しながら説明する。本開示の実施形態は以下の順で説明する。なお、本開示は以下の例に限定されるものではない。1.半導体レーザ素子の構成2.半導体レーザ素子の製造方法3.実験結果1.半導体レーザ素子の構成本開示の一実施形態に係る半導体レーザ素子は、緑色の光を発振するレーザ装置として構成されるものであり、リッジ構造を備えた屈折率導波型リッジ型の半導体レーザ素子である。以下に、本実施形態の半導体レーザ素子について説明する。[半導体レーザ素子の全体構成]図1に、本開示の一実施形態に係る半導体レーザ素子の概略外観図を示す。なお、本実施形態では、リッジ型屈折率導波型の半導体レーザ素子1を示す。半導体レーザ素子1は、半導体基板3と、エピタキシャル層2と、絶縁層12と、第1電極14と、第2電極15と、パッド電極13とを備える。本実施形態の半導体レーザ素子1では、半導体基板3の一方の面3a図1の例では上面:以下、半極性面3aという上に、エピタキシャル層2、絶縁層12、第1電極14及びパッド電極13がこの順で形成される。また、半導体基板3の他方の面3b図1の例では下面:以下、裏面3bという上には、第2電極15が形成される。なお、後述のように、半導体基板3は、半極性面3aが例えば{2,0,-2,1}面等の半極性面である半極性基体であり、エピタキシャル層2、絶縁層12、第1電極14、及びパッド電極13の積層方向図1中のZ方向は、その半極性面3aの法線方向図1中のZ方向となる。半導体レーザ素子1は、略直方体状の形状を有する。また、半導体レーザ素子1の第1電極14側の表面には、所定方向図1中のY方向に延在したリッジ構造のストライプ部21が形成される。ストライプ部21の延在方向はレーザ光の導波方向となり、ストライプ部21に対応するエピタキシャル層2の領域が光導波路となる。また、半導体レーザ素子1は、ストライプ部21の延在方向図1中のY方向に直交する2つの側面22,23端面を有する。なお、ストライプ部21は、一方の側面22から他方の側面23まで延在して形成される。この2つの側面22,23割断面は、レーザ共振器の反射面として作用する。そこで、以下では、側面22,23を共振端面という。本実施形態では、ストライプ部21の延在方向を、a軸方向と直交する方向とする。ただし、ストライプ部21の延在方向は、この例に限定されず、例えば用途、必要とする発振波長等の条件に応じて適宜設定することができる。また、ストライプ部21の幅は、数μm程度であり、2つの共振端面22,23間の長さは、数百μm程度である。なお、本実施形態の半導体レーザ素子1では、2つの共振端面22,23の少なくとも一方の表面上に、例えばSiO2/TiO2等の誘電体多層膜を形成端面コートしてもよい。端面コートを行うことにより、反射率を調整することができる。[各部の構成]次に、本実施形態の半導体レーザ素子1の各部の構成について、より詳細に説明する。1半導体基板半導体基板3は、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InAlGaN等の六方晶系のIII族窒化物半導体で形成される。また、半導体基板3としては、キャリアの導電型がn型の基板を用いることができる。そして、本実施形態では、エピタキシャル層2、絶縁層12及び第1電極14が形成される半導体基板3の一方の面を、c面極性面でなく、半極性面3aで構成する。ここで、図2A及び図2B、並びに、図3に、GaNの結晶構造を示す。GaNは、図2A及び図2Bに示すように、六方晶と呼ばれる結晶構造を有し、発光層内部に発生するピエゾ電界はc軸に沿って発生するので、c軸に直交するc面201{0,0,0,1}面は極性を有し、極性面と呼ばれる。一方、m軸に直交するm面202{1,0,-1,0}面は、c軸に平行であるので無極性面になる。それに対して、c軸をm軸方向に所定角度傾けた軸方向を法線方向とする面、例えば、図3に示す例では、c軸をm軸方向に75度傾けた軸方向を法線方向とする面{2,0,-2,1}面203はc面とm面の中間的な面となり、半極性面と呼ばれる。本実施形態のように、半導体基板3の半極性面3a上に、エピタキシャル層2、絶縁層12及び第1電極14を形成した場合には、例えば、波長が500nm付近の緑色の光を発振させることができる。半極性面3aとしては、半極性面3aの法線方向が、c軸をm軸方向に45度~80度、又は、100度から135度傾けた方向である結晶面を用いることができる。なお、半極性面3aの法線方向とc軸との間の角度が45度未満、又は、135度より大きい場合には、劈開処理押圧処理により形成される端面がm面無極性面となる可能が高くなる。また、半極性面3aの法線方向とc軸との間の角度が80度より大きくかつ135度未満である場合には、所望の平坦性及び直交性を有する端面が得られない可能性がある。また、上記角度範囲の中でも、長波長の発光を得るためには、半極性面3aの法線方向とc軸との間の角度が63度~80度、又は、100度~117度にすることが好ましい。これらの角度範囲では、エピタキシャル層2内の後述する発光層7でのピエゾ分極が小さくなるとともに、活性層成長形成時のInの取り込みが良好になり、発光層7活性層におけるIn組成の可変範囲を広げることができる。それゆえ、半極性面3aの法線方向とc軸との間の上記角度範囲とすることにより、長波長の発光を得易くすることができる。上記角度範囲内の法線方向を有する半極性面3aとしては、例えば、{2,0,-2,1}面、{1,0,-1,1}面、{2,0,-2,-1}面、{1,0,-1,-1}面等の結晶面を用いることができる。なお、これらの結晶面から±4度程度、微傾斜した結晶面も半極性面3aとして用いることができる。本実施形態では、半導体基板3としてn型のGaNを用い、その{2,0,-2,1}面を一方の主面として構成した。GaNは、二次元化合物である窒化ガリウム系半導体であるため、良好な結晶品質と安定した基板面主面を提供できる。2エピタキシャル層、絶縁層、第1電極、第2電極及びパッド電極次に、本実施形態の半導体レーザ素子1のエピタキシャル層2、絶縁層12、第1電極14、第2電極15及びパッド電極13の構成を、図4を参照しながら説明する。図4は、半導体レーザ素子1の厚さ方向図面中のZ方向の概略断面図である。なお、図4には、ストライプ部21の延在方向図面中のY方向に直交する断面を示す。本実施形態では、エピタキシャル層2は、バッファ層4と、第1クラッド層5と、第1光ガイド層6と、発光層7と、第2光ガイド層8と、キャリアブロック層9と、第2クラッド層10と、コンタクト層11とを備える。そして、バッファ層4、第1クラッド層5、第1光ガイド層6、発光層7、第2光ガイド層8、キャリアブロック層9、第2クラッド層10及びコンタクト層11は、半導体基板3の半極性面3a上に、この順で積層される。バッファ層4は、半導体基板3の一方の主面とされた半極性面3a上に形成されており、n型のドーパントが添加された窒化ガリウム系半導体層で構成される。より具体的には、バッファ層4は、例えばn型GaN層で構成することができ、n型のドーパントとしてはSiを適用することができる。また、バッファ層4の膜厚は、例えば100nm~2000nmとされるのが好ましい。第1クラッド層5は、バッファ層4上部に形成され、n型のドーパントが添加された一層又は複数層の窒化ガリウム系半導体層で構成される。より具体的には、第1クラッド層5は、例えばn型GaN層、n型AlGaN層、n型InAlGaN層等で構成することができ、n型のドーパントとしてはSiを適用することができる。また、第1クラッド層5の膜厚は、例えば500nm~3000nmとされるのが好ましい。第1光ガイド層6は、第1クラッド層5上部に形成され、一層又は複数層の窒化ガリウム系半導体層で構成される。より具体的には、第1光ガイド層6は、例えばn型GaN層、n型InGaN層、n型InAlGaN層等で構成することができる。その他、第1光ガイド層6は、ノンドープの窒化ガリウム系半導体層で形成してもよく、n型の層とノンドープの層の積層構造で構成してもよい。また、第1光ガイド層6の膜厚は、例えば10nm~500nmとされるのが好ましい。発光層7は、第1光ガイド層6上部に形成され、例えば、不純物が添加されないノンドープの窒化ガリウム系半導体層で構成された井戸層不図示と障壁層不図示とが交互に配置された構成とされる。より具体的には、井戸層及び障壁層は、例えばAlGaN層、GaN層、InGaN層、InAlGaN層等で構成することができる。また、発光層7特に障壁層は、n型のドーパントが添加された窒化ガリウム系半導体層で構成することもできる。このとき、障壁層のバンドギャップが井戸層のバンドギャップよりも大きくなるように構成する。また、各層の膜厚は、例えば1nm~100nmとされるのが好ましい。発光層7は、一層の井戸層を備える単一量子井戸構造としてもよく、また、複数の井戸層と障壁層が交互に配置された多重量子井戸構造としてもよい。本実施形態では、半導体基板3の半極性面3aに各層を積層することで、波長430nm以上570nm以下の光を発振するように発光層7を形成することができる。また、本実施形態に係る半導体レーザ素子1の構造は、特に、波長480nm以上550nm以下の光の発振に好適である。第2光ガイド層8は、発光層7上部に形成され、一層又は複数層の窒化ガリウム系半導体層で構成される。より具体的には、第2光ガイド層8は、例えばGaN層、InGaN層等で構成することができ、Mgが添加されたp型の窒化ガリウム系半導体層を適用することもできる。また、第2光ガイド層8の膜厚は、例えば10nm~500nmとされるのが好ましい。キャリアブロック層9電子ブロック層は、第2光ガイド層8上部に形成され、p型のドーパントが添加された窒化ガリウム系半導体層で構成される。より具体的には、キャリアブロック層9は、例えばp型AlGaN層等で構成することができ、p型のドーパントとしてはMgを適用することができる。また、キャリアブロック層9の膜厚は、例えば5nm~100nmとされるのが好ましい。なお、キャリアブロック層9は、発光層7と第2光ガイド層8との間に形成されてもよく、第2光ガイド層8の途中に形成されてもよい。さらに、エピタキシャル層2において、キャリアブロック層9を設けない構成としてもよい。キャリアブロック層9を設けない場合でも半導体レーザ素子としての機能は維持される。第2クラッド層10は、キャリアブロック層9上部に形成され、一層又は複数層の窒化ガリウム系半導体層で構成される。より具体的には、第2クラッド層10は、例えばp型GaN層、p型AlGaN層、p型InAlGaN層等で構成することができ、p型のドーパントとしてはMgを適用することができる。また、第2クラッド層10の膜厚は、例えば100nm~1000nmとされるのが好ましい。コンタクト層11は、第2クラッド層10上部に形成され、p型のドーパントが添加された窒化ガリウム系半導体層で構成される。より具体的には、コンタクト層11は、例えばp型GaN層で構成することができ、p型のドーパントとしてはMgを適用することができる。また、コンタクト層11の膜厚は、例えば5nm~100nmとされるのが好ましい。そして、本実施形態では、半導体基板3上に積層されたエピタキシャル層2の一方向の対向する側面において、コンタクト層11表面から第2クラッド層10の中腹に架けてテーパ状にエッチング除去されることにより凸状のリッジ部18が形成されている。このリッジ部18は、図1に示したストライプ部21を構成するものであり、エピタキシャル層2のY方向に延在するストライプ状に形成されている。なお、本実施形態では、第2クラッド層10の中腹までのエッチングによりリッジ部18を形成する例としているが、第2クラッド層10よりも下層までエッチングすることによりリッジ部を形成してもよい。ここで、リッジ部18の延在方向に垂直な面は、図1に示したように、共振器を構成する共振端面22,23とされており、この共振端面22,23は割断面で構成される。なお、本実施形態の半導体レーザ素子1は、半導体基板3の半極性面3a上にエピタキシャル層2が積層された構成とされているため、共振端面22,23は、c面、m面、又はa面といったこれまでのへき開面とは異なる。しかしながら、本実施形態においても、共振端面22,23は、ミラーとしての平坦性や垂直性を有するように構成されているものである。第1電極14は、一層又は複数層の導電膜で形成され、コンタクト層11上部において、コンタクト層11に電気的に接続されるように形成されている。後述するが、本実施形態では、第1電極14はリッジ部18を形成する前に形成されるものであり、第1電極14も、コンタクト層11上部においてY方向に延在するストライプ状に形成されている。第1電極14を構成する導電材料としては、コンタクト層11とオーミック接触可能な材料であればよく、より具体的には、例えばコンタクト層11側から順に形成されたPd/Pt膜からなる積層膜を適用することができる。絶縁層12は、リッジ部脇18aの第2クラッド層10上部を被覆すると共に、第2クラッド層10及びコンタクト層11からなるリッジ部側面18bを被覆し、かつ、第1電極14の側面に達するように形成されている。ここで、リッジ部脇18aは、エピタキシャル層2のリッジ部18以外の領域の面上を示すものとする。絶縁層12としては、例えば、SiO2、SiN、Al2O3、ZrO2のうち1種類以上を含む絶縁材料を適用することができ、膜厚は、例えば100nm~500nmとされるのが好ましい。また、図4では、絶縁層12は第1電極14の側面の一部を被覆するような構成とされているが、第1電極14の側面の全部を被覆するように形成してもよい。すなわち、絶縁層12が、コンタクト層11側から連続して第1電極14の側面の少なくとも一部を被覆する構成であればよい。パッド電極13は、絶縁層12及び絶縁層12から露出した第1電極14上に形成され、第1電極14に電気的に接続されるように形成されている。パッド電極13としては、例えば、第1電極14に接する側から順に形成されたTi/Pt/Au膜からなる積層膜を適用することができる。Ti膜は5nm~100nm、Pt膜は10nm~300nm、Au膜は100nm~1000nmとされるのが好ましい。パッド電極13の最下層をTi膜で構成することにより、絶縁層12に接触する金属膜がTi膜となるため、絶縁層12に対するパッド電極13の密着性が向上する。第2電極15は、一層、又は複数層の導電膜で形成され、半導体基板3の他方の面裏面3b上に形成されている。第2電極15を構成する導電材料として、より具体的には、例えば半導体基板3側から順に形成されたTi/Al膜からなる積層膜を適用することができる。Ti膜は5nm~50nm、Al膜は10nm~300nm、とされるのが好ましい。そして、本実施形態では、第1電極14及び第2電極15間に所望の電流を流すことにより、波長480nm以上550nm以下の緑色の光が発振される。2.半導体レーザ素子の製造方法次に、本実施形態の半導体レーザ素子1の製造方法について説明する。図5は、本実施形態の半導体レーザ素子1の製造工程を示すフローチャートであり、図6A~図6Kは、製造工程図である。まず、六方晶系III族窒化物半導体で形成された半極性面を有する半導体基板3、いわゆる半極性基板を用意するステップS1。そして、用意した半導体基板3に対してサーマルクリーニングを行う。次いで、半導体基板3の半極性面上に、例えばMOVPE有機金属気相成長法等の手法を用いて、エピタキシャル層2を構成する各種半導体層を順次、エピタキシャル成長させ、エピタキシャル層2を形成するステップS2。具体的には、半導体基板3上に、バッファ層4、第1クラッド層5、第1光ガイド層6、発光層7、第2光ガイド層8、キャリアブロック層9、第2クラッド層10及びコンタクト層11を構成する各半導体層を、この順でエピタキシャル成長させる。次に、エピタキシャル層2コンタクト層11上部に、第1電極14を形成するステップS3。ここでは、まず、図6Aに示すように、エピタキシャル層2コンタクト層11を露出させる開口部17aを有するレジスト膜17を形成する。レジスト膜17は、絶縁層16及びコンタクト層11を含む全面にレジスト材料を塗布した後、所望のフォトマスクを用いて露光現像することにより形成する。レジスト膜17の材料としては、例えばポジ型レジストを用いることができる。次に、図6Bに示すように、露出したエピタキシャル層2コンタクト層11全面に第1電極14形成用の導電膜14aを形成する。導電膜14aは、例えば、真空蒸着法やスパッタ法などの手法を用いて形成することができる。その後、レジスト膜17を、その上部に形成された導電膜14aと共に除去リフトオフすることにより、図6Cに示す第1電極14が形成される。次に、リッジ部18を形成するステップS4。リッジ部18は、第1電極14を形成後、図6Dに示すように、Y方向に延在する第1電極14をマスクとしてエピタキシャル層2コンタクト層11表面側から第2クラッド層10の所定の深さまでエピタキシャル層2をエッチングすることにより形成される。次に、絶縁層12となる絶縁材料層19を形成するステップS5。ここでは、図6Eに示すように、リッジ部脇18a、リッジ部側面18b、及び第1電極14表面を含む全面に絶縁材料層19を形成する。絶縁材料層19は、蒸着法、スパッタ法などの手法で形成することができる。次に、絶縁材料層19のエッチングの為のレジスト膜20を形成するステップS6。ここでは、まず、絶縁材料層19全面にレジスト材料層を塗布し、その後、所望のパターンが形成されたフォトマスクを用いて露光、現像する。これにより、図6Fに示すように、第1電極14上部に位置する部分を開口する開口部20aが形成されたレジスト膜20を形成する。次に、レジスト膜20をマスクとして第1電極14上の絶縁層のエッチングをするステップS7。このエッチング工程では、エッチングの手法として、ドライエッチング又はウェットエッチングを用いることができる。ここでは、図6Gに示すように、レジスト膜20をマスクとして絶縁材料層19をエッチング除去し、第1電極14が露出した時点でエッチングを停止する。これにより、リッジ部脇18a、リッジ部側面18b、及び第1電極14の側面の一部又は全部を被覆する絶縁層12を形成する。なお、ここではリッジ部18のエピタキシャル層2が露出しないエッチングプロファイルでエッチングを行う。前述したように、本実施形態では、リッジ部側面18bから連続する第1電極14の側面の少なくとも一部を被覆するように絶縁層12形成する。したがって、このエッチング工程では、第1電極14側面が全て露出されない条件でエッチングする。その後、図6Hに示すように、レジスト膜20を除去する。次に、パッド電極13を形成するステップS8。ここでは、例えば、真空蒸着法やスパッタ法などの手法を用いて所望の導電膜を形成することにより、図6Iに示すように、第1電極14を含む絶縁層12全面にパッド電極13を形成する。その後、図示を省略するが、半導体基板3の裏面3bに例えばリフトオフ法により第2電極15を形成し、レーザ構造を形成する。なお、半導体レーザ素子1は、複数の半導体レーザ素子1が2次元状に形成された基板部材から切り出すことによって形成される。すなわち、半導体基板3を割断することによりレーザバーを形成して共振端面22,23を形成し、さらに、共振端面22,23にコーティングを施した後レーザバーを切断することによりチップ化する。以上のようにして本実施形態の半導体レーザ素子1が作製される。3.実験結果次に、本実施形態で作製した半導体レーザ素子1と、比較例の半導体レーザ素子の特性の違いについて説明する。比較例の半導体レーザ素子は、本実施形態の半導体レーザ素子1において、エピタキシャル層2が絶縁層12から露出する構成とされた例であり、すなわち、図9に示す構造とされた例である。したがって、本実施形態の半導体レーザ素子1と、比較例の半導体レーザ素子は、各層を構成する材料は全て同一とされ、絶縁層の構成のみが異なるものである。図7に、エピタキシャル層のリッジ部の露出幅に対する電圧劣化率を測定した実験結果を示す。横軸はリッジ部の露出幅nmで、縦軸が電圧上昇率を示す。ここで、横軸のリッジ部の露出幅は、絶縁層の高さがエピタキシャル層表面の位置になるときを、露出幅=0とし、露出幅が正の範囲にあるときが比較例に相当し、負の範囲にあるときが本実施形態に相当する。すなわち、図7の露出幅<0における値の符号を正にした値が図4の被覆長L1に相当する値である。また、電圧上昇率は順方向電圧の上昇率であり、それぞれの素子に3回ずつ電流を流し、1回目に電流を流したときの100mAにおける電圧値と、3回目に電流を流したときの100mAにおける電圧値との比を取ったものである。すなわち、電圧上昇率=電圧値3回目/電圧値1回目である。エピタキシャル層の一部が絶縁層で被覆されず露出するように形成された比較例の半導体レーザ素子では、露出幅が大きくなるにつれて電圧上昇率も高くなっていることがわかる。以上の結果から、エピタキシャル層の露出が電圧上昇の原因になっていることが明らかとなった。このような比較例における電圧上昇の原因の一つには、半極性面に形成されたエピタキシャル層がパッド電極と直接接触することにより劣化が急激に進行することが考えられる。また、図5のステップS7で示す工程において、特にドライエッチングを用いた場合、絶縁層によるエピタキシャル層の被服が不十分だと、エピタキシャル層にエッチングダメージが入るおそれがある。このことも電圧上昇の一因と考えられる。また、このような電圧上昇は、半極性面を用いた半導体レーザ素子に特有のものである。一方、第1電極の側面まで絶縁層12で被覆するように形成された本実施形態の半導体レーザ素子1では電圧上昇率が、ほぼ1であり、1回目と3回目とで電圧値が変化していないことがわかる。本実施形態のように、絶縁層12がエピタキシャル層2側から連続して第1電極14の側面に達するまで形成され、エピタキシャル層2とパッド電極13とが直接接触することがない半導体レーザ素子1では、電圧上昇が抑制されることが実証された。以上のように、本開示では、半導体基板の半極性面に結晶成長して形成されたリッジ構造を備える半導体レーザ素子において、エピタキシャル層表面を被覆する絶縁層を、エピタキシャル層側から第1電極の少なくとも一部を被覆するように形成する。これにより、電圧上昇の伴う素子劣化を抑制することができる。上述の本実施形態では、図4に示すように、絶縁層12が第1電極14の側面の一部を被覆するように構成したが、第1電極14の側面全部を被覆する構成としてもよい。すなわち、エピタキシャル層2の側面が絶縁層12で完全に被覆される構成であれば種々の変更が可能である。[変形例]図8に、変形例に係る半導体レーザ素子の断面構成を示す。図8において、図4に対応する部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。また、図8では、エピタキシャル層2の具体的な構成は図4と同様であるので、図示を省略する。変形例に係る半導体レーザ素子24では、エピタキシャル層2の表面を被覆する絶縁層25が、第1電極14の上部に一部張り出して形成されている。すなわち、変形例では、第1電極14の中央領域の一部でパッド電極13とコンタクトをとる構成とされている。このような半導体レーザ素子24は、図6F及び図6Gに示した絶縁層エッチングの工程ステップS7において、第1電極14の中央部の一部が露出するように絶縁材料層19をエッチングすることで形成することができる。この場合、例えば、図6Fに示すレジスト膜20の開口部20aの、リッジ部18の延在方向に直交する方向の幅を、第1電極14の幅よりも狭く形成し、絶縁材料層19のエッチングを行う。このように、第1電極14とパッド電極13が電気的に接続される構成であれば、絶縁層25は第1電極14の上面に一部張り出すように形成されていてもよい。図8に示すように、絶縁層25を、第1電極14上面に張り出すような構成とすることにより、絶縁層25で確実にエピタキシャル層2の側面を被覆することができ、信頼性の向上を図ることができる。また、上述の本実施形態では、図6Eの工程で示したように、第1電極14形成後、第1電極14をマスクとしてエッチングをし、リッジ部18を形成する構成とした。しかしながら、これに限られるものではなく、リッジ部を形成した後に第1電極を形成してもよい。この場合には、リッジ部は、所望のマスクを介して形成し、その後、リフトオフ法により、リッジ部上面にのみ導電膜が残るように第1電極を形成する。さらに、上述の実施形態では、n型の半導体基板を用いる例としたが、p型の半導体基板を用いることもできる。その場合には、上述した実施形態において、各層の導電型を逆導電型で構成すればよく、この場合にも本開示と同様の効果を得ることができる。また、本開示の半導体レーザ素子は、上述の実施形態に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内において種々の変更が可能である。本開示は以下の構成をとることもできる。1六方晶系III族窒化物半導体で形成された半極性面を有する半導体基板と、前記半導体基板の半極性面に形成された発光層を含むエピタキシャル層であって、リッジ部が形成されたエピタキシャル層と、前記リッジ部上面に形成された第1電極と、前記リッジ部脇及びリッジ部側面において前記エピタキシャル層を被覆すると共に、前記エピタキシャル層側から連続して前記第1電極の側面の少なくとも一部を被覆する絶縁層と、前記第1電極の上面及び前記絶縁層を被覆するように形成され、前記第1電極に電気的に接続されたパッド電極と、前記半導体基板のエピタキシャル層が形成される面とは反対側の面に形成された第2電極とを備える半導体レーザ素子。2前記絶縁層は、SiO2、SiN、Al2O3、ZrO2のうち1種類以上を含む絶縁材料で構成されている1に記載の半導体レーザ素子。3前記リッジ部側面に形成された絶縁層の第1電極側の端面は、前記第1電極の上面に達しない位置とされている1又は2に記載の半導体レーザ素子。4六方晶系III族窒化物半導体で形成された半極性面を有する半導体基板を用意する工程と、前記半導体基板の前記半極性面上に、半導体レーザ素子の発光層を含むエピタキシャル層を形成する工程と、所望のマスクを介して前記エピタキシャル層を所定の深さまでエッチングし、ストライプ状のリッジ部を形成する工程と、前記リッジ部の形成の前の工程で前記リッジ部に対応する領域に第1電極を形成する、又は前記リッジ部の形成の後の工程で前記リッジ部の上面に第1電極を形成する工程と、前記第1電極の上面を含む前記エピタキシャル層表面に、絶縁材料層を形成する工程と、前記絶縁材料層をエッチングすることにより、前記リッジ部脇及びリッジ部側面において前記エピタキシャル層を被覆すると共に、前記エピタキシャル層側から連続して前記第1電極の側面の少なくとも一部を被覆する絶縁層を形成する工程と、前記第1電極の上面及び前記絶縁層を被覆して、前記第1電極に電気的に接続されるパッド電極を形成する工程と、前記半導体基板の前記エピタキシャル層が形成される側とは反対側の面に第2電極を形成する工程とを含む半導体レーザ素子の製造方法。5前記第1電極は、前記リッジ部の形成の前に形成し、前記リッジ部は、前記第1電極をマスクとしてエッチングすることにより形成する4に記載の半導体レーザ素子の製造方法。6前記絶縁材料層のエッチングは、前記第1電極の上面に形成された絶縁材料層が露出し、前記リッジ部脇の上面に形成された絶縁材料層が露出しない大きさに形成された開口部を備えるレジスト膜をマスクとして行う4又は5に記載の半導体レーザ素子の製造方法。7前記絶縁材料層のエッチングは、前記第1電極の上面が露出し、かつ、前記エピタキシャル層が露出する前に停止する4~6のいずれかに記載の半導体レーザ素子の製造方法。8前記絶縁層は、SiO2、SiN、Al2O3、ZrO2のうち1種類以上を含む絶縁材料で形成する4~7のいずれかに記載の半導体レーザ素子の製造方法。"