伝導性支持基板と、前記伝導性支持基板上のオーミックコンタクト層及び電流遮断層と、前記オーミックコンタクト層及び前記電流遮断層上の発光構造層と、前記発光構造層上で前記電流遮断層と少なくとも一部分がオーバーラップする電極と、前記電流遮断層と前記伝導性支持基板の間で前記電流遮断層と少なくとも一部分がオーバーラップする第1の電流ガイド層と、を含む発光素子。前記第1の電流ガイド層は、比抵抗が5×10-4Ωm以上で形成される請求項1に記載の発光素子。前記電流遮断層と前記伝導性支持基板の間に反射層をさらに含む請求項1に記載の発光素子。前記第1の電流ガイド層は、前記反射層内に配置される請求項3に記載の発光素子。前記反射層と前記伝導性支持基板の間に配置される接合層をさらに含む請求項3に記載の発光素子。前記第1の電流ガイド層は、前記反射層と前記接合層の間、前記接合層と前記伝導性支持基板の間、前記接合層内部のうち少なくとも何れか一つに配置される請求項5に記載の発光素子。前記第1の電流ガイド層の縁と前記電流遮断層の縁との間の水平方向の距離は、前記第1の電流ガイド層と前記電流遮断層との間の距離よりも大きい請求項1に記載の発光素子。前記電流遮断層は、前記オーミックコンタクト層より電気伝導性の低い物質、前記発光構造層とショットキー接触を形成する物質、または電気絶縁性物質のうち何れか一つを含む請求項1に記載の発光素子。前記電流遮断層は、前記オーミックコンタクト層上に配置される請求項1に記載の発光素子。前記伝導性支持基板上の縁領域に配置された保護層と、前記伝導性支持基板と前記保護層の間に、前記保護層と離隔して前記保護層と少なくとも一部分がオーバーラップする第2の電流ガイド層と、を含む請求項1に記載の発光素子。前記第2の電流ガイド層は、比抵抗が5×10-4Ωm以上で形成される請求項10に記載の発光素子。前記発光構造層と前記保護層の下に配置される接合層をさらに含み、前記第2の電流ガイド層は、前記接合層と前記伝導性支持基板の間に配置される請求項10に記載の発光素子。前記第2の電流ガイド層は、前記発光構造層の側面に形成された傾斜面と少なくとも一部分が垂直方向に重畳する請求項10に記載の発光素子。パッケージ本体と、前記パッケージ本体に設けられた第1の電極層及び第2の電極層と、前記第1の電極層及び前記第2の電極層に電気的に接続された請求項1から請求項13のうち何れか一項に記載された発光素子を含む発光素子パッケージ。本発明の実施形態は、新規な構造を有する発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明システムを提供する。本発明の実施形態は、信頼性の向上した発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明システムを提供する。本発明の実施形態による発光素子は、伝導性支持基板と、伝導性支持基板上のオーミックコンタクト層及び電流遮断層と、オーミックコンタクト層及び電流遮断層上の発光構造層と、発光構造層上で電流遮断層と少なくとも一部分がオーバーラップする電極と、電流遮断層と伝導性支持基板の間で電流遮断層と少なくとも一部分がオーバーラップする第1の電流ガイド層と、を含む。本発明の実施形態による発光素子は、伝導性支持基板と、伝導性支持基板上の縁領域に配置された保護層と、保護層の一部分及び伝導性支持基板上に配置された発光構造層と、伝導性支持基板と保護層の間に、保護層から離隔して保護層と少なくとも一部分がオーバーラップする電流ガイド層と、を含む。本発明の実施形態による発光素子パッケージは、パッケージ本体と、パッケージ本体に設けられた第1の電極層及び第2の電極層と、第1の電極層及び第2の電極層に電気的に接続された発光素子と、を含み、発光素子は、伝導性支持基板と、伝導性支持基板上のオーミックコンタクト層及び電流遮断層と、オーミックコンタクト層及び電流遮断層上の発光構造層と、発光構造層上に電流遮断層と少なくとも一部分がオーバーラップする電極と、電流遮断層と伝導性支持基板の間に電流遮断層と少なくとも一部分がオーバーラップする電流ガイド層と、を含む。本発明の照明システムによると、発光モジュールから放出される光の進行経路上に光ガイド部材、拡散シート、集光シート、輝度上昇シート及び蛍光シートのうち少なくとも何れか一つが配置され、所望の光学的効果を得ることができる。実施形態による照明システムは、実施形態による発光素子パッケージを含むことで信頼性を向上させることができる。実施形態の説明において、各層膜、領域、パターンまたは構造物が基板、各層膜、領域、パッドまたはパターンの上onにまたは下underに形成されると記載される場合、上onと下underは直接directlyまたは他の層を介在させてindirectly形成されることの両方を含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準に説明する。図面において各層の厚さや大きさは、説明の便宜及び明確性のために誇張または省略され、または概略的に示されている。また、各構成要素の大きさは実際の大きさを全面的に反映するものではない。以下、添付の図面を参照しながら実施形態による発光素子、発光素子の製造方法及び発光素子パッケージについて説明する。図1は、第1の実施形態による発光素子を示す図である。図1を参照すると、第1の実施形態による発光素子100は、伝導性支持基板175と、伝導性支持基板175上の接合層170と、接合層170上の反射層160と、反射層160上のオーミックコンタクト層150と、接合層170の上面の縁領域に形成された保護層140と、オーミックコンタクト層150及び保護層140上に形成されて光を生成する発光構造層135と、発光構造層135上の電極115とを含む。また、発光素子100は、発光構造層135とオーミックコンタクト層150の間に電流遮断層145を含み、電流遮断層145の下には、電流遮断層145と離隔して電流遮断層145の縁に電流の流れが集中することを緩和するための第1の電流ガイド層146と第2の電流ガイド層147を含む。第1の電流ガイド層146は、反射層160と接合層170の間に配置され、第2の電流ガイド層147は、接合層170と伝導性支持基板175の間に配置される。第1の電流ガイド層146と第2の電流ガイド層147は両方とも形成されてもよく、何れか一つのみ形成されてもよい。第1の電流ガイド層146の少なくとも一部分は、電流遮断層145と垂直方向にオーバーラップしてもよく、第2の電流ガイド層147の少なくとも一部分は、電流遮断層145及び/または第1の電流ガイド層146と垂直方向にオーバーラップしてもよい。図15は、電流遮断層145と第1の電流ガイド層146の位置関係を例示した図である。第1の電流ガイド層146は、電流遮断層145の縁に電流の流れが集中することをより効果的に緩和するために、電流遮断層145よりも広い幅を有するように形成されてもよい。例えば、第1の電流ガイド層146の縁と電流遮断層145の縁の間の水平方向の距離Bは、第1の電流ガイド層146と電流遮断層145の間の距離Aより大きく設計されてもよい。図15には、電流遮断層145と第1の電流ガイド層146の間の位置関係が例示されているが、このような関係は、第2の電流ガイド層147及び後述される第4の電流ガイド層148または第5の電流ガイド層148aに適用されることもできる。また、保護層140の下には、保護層140と離隔して、保護層140の縁に電流の流れが集中することを緩和するための第3の電流ガイド層149が配置される。第3の電流ガイド層149の少なくとも一部分は、保護層140と垂直方向にオーバーラップしてもよい。実施形態には、第3の電流ガイド層149が接合層170と伝導性支持基板175の間に配置された例が示されている。伝導性支持基板175は、発光構造層135を支持し、電極115と共に発光構造層135に電源を提供することができる。伝導性支持基板175は、例えば、銅Cu、金Au、ニッケルNi、モリブデンMo、銅‐タングステンCu‐W、キャリアウェハ例えば、Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC、SiGeなどのうち少なくとも一つを含んでもよい。伝導性支持基板175の厚さは、発光素子100の設計によって異なるが、例えば、30μm~500μmの厚さを有しても良い。伝導性支持基板175上には、接合層170が形成されてもよい。接合層170は、ボンディング層として反射層160と保護層140の下に形成される。接合層170は、反射層160、オーミックコンタクト層150及び保護層140に接触し、反射層160、オーミックコンタクト層150及び保護層140が伝導性支持基板175に強く接合されるようにする。接合層170は、バリア金属またはボンディング金属などを含み、例えば、Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、AgまたはTaのうち少なくとも一つを含んでもよい。接合層170上には、反射層160が形成されてもよい。反射層160は、発光構造層135から入射する光を反射して、光抽出効率を改善することができる。反射層160は、例えば、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hfのうち少なくとも一つを含む金属または合金で形成されてもよい。また、反射層160は、金属または合金とIZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATOなどの透光性伝導性物質を用いて多層に形成されてもよく、例えば、IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni、AZO/Ag/Niなどに積層されてもよい。実施形態には、反射層160の上面がオーミックコンタクト層150と接触する例が示されているが、反射層160は、保護層140、電流遮断層145、または発光構造層135と接触してもよい。すなわち、オーミックコンタクト層150を形成せず反射層160が第2導電型の半導体層130と接触するように形成されてもよく、このとき、反射層160は、第2導電型の半導体層130に対してオーミック接触特性を有する物質で選択されてもよい。反射層160上には、オーミックコンタクト層150が形成されてもよい。オーミックコンタクト層150は、第2導電型の半導体層130にオーミック接触して、発光構造層135に電源が円滑に供給されるようにし、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxideのうち少なくとも何れか一つを含んでもよい。すなわち、オーミックコンタクト層150としては、透光性伝導層と金属を選択的に使用してもよく、ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZOgalliumzincoxide、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni、Ag、Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/ITOのうち一つ以上を用いて単層または多層に具現してもよい。実施形態には、オーミックコンタクト層150が電流遮断層145の下面及び側面と接触する例が示されているが、オーミックコンタクト層150は、電流遮断層145と離隔して配置されるか、あるいは電流遮断層145の側面にのみ接触してもよい。オーミックコンタクト層150と第2導電型の半導体層130の間には、電流遮断層CurrentBlockingLayer、CBL145が形成されてもよい。電流遮断層145の上面は第2導電型の半導体層130と接触し、電流遮断層145の下面及び側面はオーミックコンタクト層150と接触する。電流遮断層145は、電極115と垂直方向に少なくとも一部が重畳するように形成されてもよく、これにより電極115と伝導性支持基板175の間の最短距離に電流が集中する現象を緩和して、発光素子100の発光効率を向上させることができる。電流遮断層145は、反射層160またはオーミックコンタクト層150より電気伝導性の低い物質、第2導電型の半導体層130とショットキー接触を形成する物質、または電気絶縁性物質を用いて形成してもよく、例えば、ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、ZnO、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiOx、Ti、Al、Crのうち少なくとも一つを含む。保護層140は、接合層170の上面の縁領域に形成されてもよい。すなわち、保護層140は、発光構造層135と接合層170の間の縁領域に形成されてもよく、ZnOまたはSiO2のような電気絶縁性物質で形成されてもよい。保護層140の一部分は発光構造層135と垂直方向にオーバーラップする。保護層140は、接合層170と活性層120の間の側面での距離を増加させる。これにより、接合層170と活性層120の間の電気的短絡が発生する可能性を減少させることができる。また、保護層140は、チップ分離工程で発光構造層135を単位チップに分離するために分離isolationエッチングを実施する場合、接合層170で破片が発生してその破片が第2導電型の半導体層130と活性層120の間または活性層120と第1導電型の半導体層110の間に付着して電気的短絡が発生することを防止する。保護層140は、分離エッチング時に割れたり破片が発生しない物質または一部分のみ割れたり少量の破片が発生しても電気的短絡を発生させない電気絶縁性を有する物質で形成される。電流遮断層145及び保護層140は、電流の流れの経路上に配置されて電流の流れを変化させる。よって、電流遮断層145及び保護層140の縁で電流の流れが集中するおそれがあり、これにより発光素子100の性能に悪影響を及ぼす。そこで、実施形態による発光素子100では、第1の電流ガイド層146、第2の電流ガイド層147及び第3の電流ガイド層149を配置して、電流遮断層145及び保護層140が配置された方向に流れる電流を減少させることで、電流遮断層145及び保護層140の縁での電流の集中を緩和する。第1の電流ガイド層146及び第2の電流ガイド層147は、比抵抗が5×10-4Ωm以上である物質で形成され、ZnOまたはSiO2などの電気絶縁性物質で形成されてもよい。また、第3の電流ガイド層149は、比抵抗が5×10-4Ωm以上である物質で形成され、ZnOまたはSiO2などの電気絶縁性物質で形成されてもよい。第1の電流ガイド層146及び第2の電流ガイド層147は、5nm~100umの厚さに形成されてもよく、電流遮断層145の幅と同じ幅またはそれより大きい幅を有するように形成されてもよい。また、第3の電流ガイド層149は、5nm~100umの厚さに形成されてもよく、保護層140の幅と同じ幅またはそれより大きい幅を有するように形成されてもよい。オーミックコンタクト層150及び保護層140上には発光構造層135が形成されてもよい。発光構造層135の側面には、単位チップに区分する分離isolationエッチング過程で傾斜面が形成されることができ、傾斜面の一部は保護層140及び第3の電流ガイド層149と垂直方向にオーバーラップする。保護層140の上面の一部は分離エッチングにより露出してもよい。よって、保護層140は、一部領域が発光構造層135と垂直方向にオーバーラップし、他の領域が発光構造層135と垂直方向にオーバーラップしない。発光構造層135は、複数の3族~5族元素の化合物半導体層を含んでもよく、例えば、第1導電型の半導体層110、第1導電型の半導体層110下の活性層120、活性層120下の第2導電型の半導体層130を含んでもよい。第1導電型の半導体層110は、例えば、n型半導体層を含んでもよいが、このn型半導体層は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えばInAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN、InNなどから選択されてもよく、Si、Ge、Snなどのn型ドーパントでドーピングされてもよい。第1導電型の半導体層110は、単層または多層に形成されてもよく、これに限定するものではない。活性層120は、第1導電型の半導体層110の下に形成され、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造MQW、量子点構造または量子線構造のうち何れか一つを含んでもよい。活性層120は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料で形成されてもよい。活性層120が多重量子井戸構造で形成された場合、活性層120は複数の井戸層と複数の障壁層が積層されて形成されてもよく、例えば、InGaN井戸層/GaN障壁層の周期で形成されてもよい。活性層120の上及び/または下には、n型またはp型ドーパントでドーピングされたクラッド層図示せずが形成されてもよく、クラッド層図示せずはAlGaN層またはInAlGaN層として具現されてもよい。第2導電型の半導体層130は、活性層120の下に形成され、例えばp型半導体層として具現されてもよいが、p型半導体層は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えばInAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN、InNなどから選択されてもよく、Mg、Zn、Ca、Sr、Baなどのp型ドーパントでドーピングされてもよい。第2導電型の半導体層130は、単層または多層に形成されてもよく、これに限定するものではない。一方、発光構造層135は、前述したものは異なって、第1導電型の半導体層110がp型半導体層を含み、第2導電型の半導体層130がn型半導体層を含むこともできる。また、第2導電型の半導体層130下には、n型またはp型半導体層を含む第3導電型の半導体層図示せずが形成されてもよく、これにより、発光構造層135は、np、pn、npn、pnp接合構造のうち少なくとも何れか一つを有することができる。また、第1導電型の半導体層110及び第2導電型の半導体層130内の導電型ドーパントのドーピング濃度は、均一または不均一に形成されてもよい。すなわち、発光構造層135は様々な構造で形成されることができ、これに限定するものではない。発光構造層135上には電極115が形成される。電極115は、ワイヤボンディングが行われるパッド部とこのパッド部から延びた枝部とを含んでもよい。枝部は、所定のパターン形状に分岐されてもよく、様々な形状に形成されることができる。第1導電型の半導体層110の上面には、光抽出効率の向上のためにラフネスパターン凹凸パターン112が形成されてもよい。これにより、電極115の上面にもラフネスパターンが形成されることができ、これに限定するものではない。発光構造層135の少なくとも側面には、パッシベーション層180が形成されてもよい。また、パッシベーション層180は、第1導電型の半導体層110の上面及び保護層140の上面に形成されてもよいが、これに限定するものではない。パッシベーション層180は、発光構造層135を電気的に保護するために形成されることができ、例えば、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3で形成されてもよいが、これに限定するものではない。以下、実施形態による発光素子100の製造方法について詳しく説明する。ただし、前述した内容と重複する内容は省略するか、または簡略に説明する。図2~図11は、第1の実施形態による発光素子の製造方法を説明する図である。図2を参照すると、成長基板101上に発光構造層135を形成する。成長基板101は、例えば、サファイアAl2O3、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Geのうち少なくとも一つで形成されてもよく、これに限定するものではない。発光構造層135は、成長基板101上に第1導電型の半導体層110、活性層120及び第2導電型の半導体層130を成長させることで形成されてもよい。発光構造層135は、例えば、有機金属化学気相成長法MetalOrganicChemicalVaporDeposition、MOCVD、化学気相成長法ChemicalVaporDeposition、CVD、プラズマ気相成長法Plasma‐EnhancedChemicalVaporDeposition、PECVD、分子線エピタキシーMolecularBeamEpitaxy、MBE、水素化物気相エピタキシーHydrideVaporPhaseEpitaxy、HVPEなどの方法を利用して形成されてもよいが、これに限定するものではない。一方、発光構造層135及び成長基板101の間には、格子定数差を緩和するために、バッファ層図示せず及び/またはアンドープ窒化物層図示せずが形成されることもある。図3を参照すると、発光構造層135上に、単位チップ領域に対応して保護層140が選択的に形成される。保護層140は、マスクパターンを用いて単位チップ領域の縁に形成されてもよい。保護層140は、スパッタリングsputtering方法のような様々な蒸着方法を利用して形成してもよい。図4を参照すると、第2導電型の半導体層130上に電流遮断層145を形成する。電流遮断層145は、マスクパターンを利用して形成されてもよい。保護層140と電流遮断層145は、同一材質で形成されてもよい。この場合、保護層140と電流遮断層145は、別途の工程で形成せず、一つの工程で同時に形成することも可能である。例えば、第2導電型の半導体層130上にSiO2層を形成した後、マスクパターンを用いて保護層140と電流遮断層145を同時に形成してもよい。図5及び図6を参照すると、第2導電型の半導体層130及び電流遮断層145上にオーミックコンタクト層150を形成し、オーミックコンタクト層150上に反射層160を形成する。オーミックコンタクト層150及び反射層160は、例えば、電子ビームE‐beam蒸着、スパッタリング、PECVDのうち何れか一つの方法により形成されてもよい。そして、反射層160上に第1の電流ガイド層146を形成する。図7及び図8を参照すると、伝導性支持基板175を用意し、伝導性支持基板175上に第2の電流ガイド層147及び第3の電流ガイド層149を形成する。そして、接合層170を介して図6に示されたた構造物と伝導性支持基板175を接合する。接合層170は、反射層160、オーミックコンタクト層150の端部及び保護層140に接触して、その層同士の接着力を強化することができる。また、接合層170は、第1の電流ガイド層146、第2の電流ガイド層147及び第3の電流ガイド層149に接触して、第1の電流ガイド層146と反射層160との間の接着力及び第2の電流ガイド層147及び第3の電流ガイド層149と伝導性支持基板175との間の接着力を強化する。伝導性支持基板175は、接合層170によって付着される。実施形態には、伝導性支持基板175が接合層170を介してボンディング方式で結合される例が示されているが、伝導性支持基板175をメッキ方式または蒸着方式で形成することも可能である。図9を参照すると、成長基板101を発光構造層135から除去する。図9には、図8に示された構造物を覆して示している。成長基板101は、レーザリフトオフLaserLiftOff、LLO方法または化学的リフトオフChemicalLiftOff方法により除去されてもよい。図10を参照すると、発光構造層135に単位チップ領域に沿って分離エッチングを行って、複数の発光構造層135に分離する。例えば、分離エッチングはICPInductivelyCoupledPlasmaなどのドライエッチング方法により行われても良い。図11を参照すると、保護層140及び発光構造層135上にパッシベーション層180を形成し、第1導電型の半導体層110の上面が露出するようにパッシベーション層180を選択的に除去する。そして、第1導電型の半導体層110の上面に光抽出効率の向上のためのラフネスパターン112を形成し、ラフネスパターン112上に電極115を形成する。ラフネスパターン112は、ウェットエッチング方法またはドライエッチング方法によって形成されてもよい。そして、構造物を、チップ分離工程を通じて単位チップ領域に分離することで、複数の発光素子を製作することができる。チップ分離工程は、例えば、ブレードbladeを用いて物理的な力を加えてチップを分離するブレーク工程、チップの境界にレーザを照射してチップを分離するレーザスクライブ工程、ウェットまたはドライエッチングを含むエッチング工程などを含んでもよいが、これに限定するものではない。図12及び図13は、第2の実施形態による発光素子及びその製造方法を説明する図である。第2の実施形態による発光素子及びその製造方法は、第1の実施形態による発光素子及びその製造方法と類似する。したがって、第1の実施形態についての説明と重複する説明は省略することにする。第2の実施形態による発光素子では、接合層170内に第4の電流ガイド層148が形成される。第4の電流ガイド層148の少なくとも一部分は、電流遮断層145と垂直方向にオーバーラップする。第4の電流ガイド層148は、比抵抗が5×10-4Ωm以上である物質で形成され、ZnOまたはSiO2などの電気絶縁性物質で形成されてもよい。第4の電流ガイド層148は、5nm~100umの厚さに形成されてもよく、電流遮断層145の幅と同じ幅またはそれより大きい幅を有するように形成されてもよい。第4の電流ガイド層148は、接合層170の二つの部分170a、170bのうち何れか一つに形成された状態で、図7で説明した方法と同様に接合工程を通じて接合層170内に配置されることができる。図12には示されていないが、第2の実施形態による発光素子にも保護層140と垂直方向にオーバーラップする第3の電流ガイド層149が形成されることが可能である。図14は、第3の実施形態による発光素子を示す図である。第3の実施形態による発光素子及びその製造方法は、第1の実施形態及び第2の実施形態による発光素子及びその製造方法と類似する。したがって、第1の実施形態及び第2の実施形態についての説明と重複する説明は省略することにする。第3の実施形態による発光素子では、反射層160内に第5の電流ガイド層148aを形成する。第5の電流ガイド層148aの少なくとも一部分は、電流遮断層145と垂直方向にオーバーラップする。第5の電流ガイド層148aは、比抵抗が5×10-4Ωm以上である物質で形成され、ZnOまたはSiO2などの電気絶縁性物質で形成されてもよい。第5の電流ガイド層148aは、5nm~100umの厚さに形成されてもよく、電流遮断層145の幅と同じ幅またはそれより大きい幅を有するように形成されてもよい。第3の実施形態による発光素子で、反射層160の一部を形成した状態で第5の電流ガイド層148aを形成し、反射層160の残りの部分を形成することで、第5の電流ガイド層148aが反射層160内に配置される。図14には示されていないが、第3の実施形態による発光素子にも、図1に例示された第1の実施形態による発光素子と同様に、保護層140と垂直方向にオーバーラップする第3の電流ガイド層149が形成されることが可能である。図16は、実施形態による発光素子を含む発光素子パッケージの断面図である。図16を参照すると、実施形態による発光素子パッケージは、パッケージ本体30と、パッケージ本体30に設けられた第1の電極層31及び第2の電極層32と、パッケージ本体30に設けられて第1の電極層31及び第2の電極層32と電気的に接続される発光素子100と、発光素子100を囲むモールディング部材40とを含む。パッケージ本体30は、シリコン材質、合成樹脂材質または金属材質を含んで形成されてもよく、側面が傾斜面として形成された中空cavityを有してもよい。第1の電極層31及び第2の電極層32は互いに電気的に分離され、発光素子100に電源を提供する。また、第1の電極層31及び第2の電極層32は、発光素子100で発生した光を反射して光効率を増加させることができ、発光素子100で発生した熱を外部に排出することもできる。発光素子100は、パッケージ本体30上に設けられるか、第1の電極層31または第2の電極層32上に設けられてもよい。発光素子100は、第1の電極層31及び第2の電極層32と、ワイヤ方式、フリップチップ方式またはダイボンディング方式のうち何れか一つにより電気的に接続されることもできる。実施形態には、発光素子100が第1の電極層31とワイヤ50を介して電気的に接続され、第2の電極層32と直接接触して電気的に接続された例が示されている。モールディング部材40は、発光素子100を囲んで保護することができる。また、モールディング部材40には蛍光体が含まれ、発光素子100から放出された光の波長を変化させることができる。実施形態による発光素子パッケージは、複数個が基板上に配列され、発光素子パッケージから放出される光の経路上に、光学部材である導光板、プリズムシート、拡散シート、蛍光シートなどが配置されてもよい。このような発光素子パッケージ、基板、光学部材はバックライトユニットとして機能し、あるいは照明システムとして機能することができ、例えば、照明システムは、バックライトユニット、照明ユニット、指示装置、ランプ、街路灯などを含むことができる。図17は、実施形態による発光素子パッケージを使用したバックライトユニットを示す図である。ただし、図17のバックライトユニット1100は照明システムの一例であり、これに限定されるものではない。図17を参照すると、バックライトユニット1100は、下部フレーム1140と、下部フレーム1140内に配置された光ガイド部材1120と、光ガイド部材1120の少なくとも一側面または下面に配置された発光モジュール1110とを含む。また、光ガイド部材1120の下には、反射シート1130が配置されてもよい。下部フレーム1140は、光ガイド部材1120、発光モジュール1110及び反射シート1130を収納できるように、上面が開口された箱box形状に形成されてもよく、金属材質または樹脂材質で形成されてもよいが、これに限定するものではない。発光モジュール1110は、基板300と、基板に搭載された複数の発光素子パッケージ200を含む。複数の発光素子パッケージ200は、光ガイド部材1120に光を提供することができる。図示のように、発光モジュール1110は、下部フレーム1140の内側面のうち少なくとも何れか一つに配置されてもよく、これにより光ガイド部材1120の少なくとも一つの側面に向かって光を提供することができる。ただし、発光モジュール1110は、下部フレーム1140の下に配置されて、光ガイド部材1120の底面に向かって光を提供することもでき、これはバックライトユニット1100の設計によって様々に変形可能であり、これに限定するものではない。光ガイド部材1120は下部フレーム1140内に配置されてもよい。光ガイド部材1120は、発光モジュール1110から提供された光を面光源にして、表示パネル図示せずに案内することができる。光ガイド部材1120は、例えば、導光板LightGuidePanel、LGPであってもよい。導光板は、例えばPMMApolymethylmethacrylateのようなアクリル樹脂系列、PETpolyethyleneterephthlate、PCpolycarbonate、COC及びPENpolyethylenenaphthalate樹脂のうち一つで形成されてもよい。光ガイド部材1120の上側には光学シート1150が配置されてもよい。光学シート1150は、例えば拡散シート、集光シート、輝度上昇シート及び蛍光シートのうち少なくとも一つを含んでもよい。例えば、光学シート1150は、拡散シート、集光シート、輝度上昇シート及び蛍光シートが積層されて形成されてもよい。この場合、拡散シートは、発光モジュール1110から出射された光を均一に拡散させ、拡散した光は集光シートにより表示パネル図示せずに集光されることができる。このとき、集光シートから出射される光はランダムに偏光された光であるが、輝度上昇シートは、集光シートから出射された光の偏光度を増加させることができる。集光シートは、例えば、水平または/及び垂直プリズムシートであってもよい。また、輝度上昇シートは、例えば、照度強化フィルムDualBrightnessEnhancementfilmであってもよい。また、蛍光シートは、蛍光体が含まれた透光性プレートまたはフィルムであってもよい。光ガイド部材1120の下には反射シート1130が配置されてもよい。反射シート1130は、光ガイド部材1120の下面を通して放出される光を光ガイド部材1120の出射面に向かって反射することができる。反射シート1130は、反射率の良好な樹脂材質、例えば、PET、PC、PVCレジンなどで形成されてもよいが、これに限定するものではない。図18は、実施形態による発光素子パッケージを使用した照明ユニットの斜視図である。ただし、図18の照明ユニット1200は照明システムの一例であり、これに限定されるものではない。図18を参照すると、照明システム1200は、ケース本体1210と、ケース本体1210に設けられた発光モジュール1230と、ケース本体1210に設けられて外部電源から電源の提供を受ける連結端子1220とを含む。ケース本体1210は、放熱特性の良好な材質で形成されることが好ましく、例えば金属材質または樹脂材質で形成されてもよい。発光モジュール1230は、基板300と、基板300に搭載される少なくとも一つの発光素子パッケージ200とを含む。基板300は、絶縁体に回路パターンが印刷されたものであってもよく、例えば、一般のプリント回路基板PrintedCircuitBoard、PCB、メタルコアMetalCorePCB、軟性FlexiblePCB、セラミックPCBなどを含んでもよい。また、基板300は、光を効率的に反射する材質で形成されるか、表面が光を効率的に反射する色、例えば白色、銀色などで形成されてもよい。基板300上には、少なくとも一つの発光素子パッケージ200が搭載される。発光素子パッケージ200は、それぞれ少なくとも一つの発光ダイオードLightEmittingDiode、LEDを含んでもよい。発光ダイオードは、赤色、緑色、青色または白色の有色光をそれぞれ発光する有色発光ダイオード及び紫外線UltraViolet、UVを発光するUV発光ダイオードを含んでもよい。発光モジュール1230は、色感及び輝度を得るために、様々な発光ダイオードの組合せを有するように配置されてもよい。例えば、高演色性CRIを確保するために白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード及び緑色発光ダイオードを組み合わせて配置してもよい。また、発光モジュール1230から放出される光の進行経路上には、蛍光シートがさらに配置されてもよく、蛍光シートは発光モジュール1230から放出される光の波長を変化させる。例えば、発光モジュール1230から放出される光が青色波長帯を有する場合、蛍光シートには黄色蛍光体が含まれてもよく、発光モジュール1230から放出された光は蛍光シートを通過して、最終的に白色光に見える。接続端子1220は、発光モジュール1230と電気的に接続され、電源を供給することができる。図18に示すように、接続端子1220はソケット方式で外部電源に回して嵌合されるが、これに限されるものではない。例えば、接続端子1220はピンpin形状に形成されて外部電源に挿入されることや、配線によって外部電源に接続されることも可能である。前述したような照明システムによると、発光モジュールから放出される光の進行経路上に光ガイド部材、拡散シート、集光シート、輝度上昇シート及び蛍光シートのうち少なくとも何れか一つが配置され、所望の光学的効果を得ることができる。前述したように、実施形態による照明システムは、実施形態による発光素子パッケージを含むことで信頼性を向上させることができる。