導電パターンが設けられた基板と、前記基板上に実装された半導体発光素子と、前記半導体発光素子を覆うように設けられ、前記半導体発光素子から発生する光の波長を他の波長に変換する波長変換材料が略均一分散して含有された第1の封止樹脂と、からなる半導体発光装置であって、前記半導体発光素子が2個以上からなる直線列が2行以上配置されており、前記半導体発光素子同士の直線列方向の間における前記波長変換材料の濃度は、前記半導体発光素子同士の行方向の間における前記波長変換材料の濃度よりも高いことを特徴とする半導体発光装置。前記半導体発光素子と前記導電パターンとを接続するワイヤが、行方向に配置されていることを特徴とする、請求項1に記載の半導体発光装置。前記半導体発光素子同士の直線列方向の間の距離は、前記半導体発光素子同士の行方向の間の距離よりも短いことを特徴とする、請求項1あるいは2に記載の半導体発光装置。前記半導体発光素子の直線列の並び方向と、前記半導体発光素子の直線列方向とが成す角度が、90degとは異なる角度であることを特徴とする、請求項1から3に記載の半導体発光装置。前記第1の封止樹脂を覆うようにさらに第2の封止樹脂が設けられており、前記第2の封止樹脂は、前記第1の封止樹脂が塗布された後かつ硬化前に塗布され、前記第1の封止樹脂と同時に硬化されたものであることを特徴とする、請求項1から4に記載の半導体発光装置。導電パターンが設けられた基板に、2個以上の直線列を2行以上で半導体発光素子を実装する工程と、前記半導体発光素子から発生する光の波長を他の波長に変換する波長変換材料を分散含有した封止樹脂を前記直線列に沿って塗布する工程と、前記封止樹脂を硬化する工程と、からなる半導体発光装置の製造方法。特許文献1には、発光素子に蛍光物質波長変換材料の入った透光性樹脂封止樹脂をポッティングした後、蛍光物質を発光素子に近い部分に偏在させるまで沈降させる、発光装置の製造方法が開示されている。しかしながら、この製造方法には以下のような問題点があった。まず、蛍光物質を発光素子に近い部分に偏在させるまでに時間を要し、特に透光性樹脂の粘度が高い場合は、蛍光物質が沈降するまでに何時間も必要となる場合がある。このような場合、生産に時間を要するため、生産性が低下していた。また、従来のように低濃度、低粘度の樹脂を用いて連続してポッティングを行う場合、初めにポッティングを行った封止樹脂と最後にポッティングを行った封止樹脂とでは樹脂中の蛍光物質の沈降度合いに差が生じ、結果として個々のLEDの色度ばらつきにつながっていた。また、上述した個々LEDの色度ばらつきを低減させるために、全てのLEDの封止樹脂において、一定に蛍光物質が沈降するまで時間放置すると、全てのLEDに色度ばらつきが生じないレベルまで蛍光物質を沈降するのに数時間を要し、やはり生産性が低下していた。さらに、蛍光物質を低濃度に含有した樹脂を塗布する場合、所定の蛍光物質の量を得るためには蛍光物質が沈降する方向、すなわち発光素子に垂直な方向で樹脂の量を増やす必要がある。しかし、発光素子の水平方向側面方向にも樹脂は流れるため、発光素子に垂直な方向で樹脂の量を増やすと、発光素子から水平方向に離れた個所まで樹脂が流れ広がることになり、発光素子の大きさに比べて多量の樹脂が必要となっていた。さらにこの場合、発光素子から離れた個所にある蛍光物質は蛍光発光への寄与が小さく、無駄となっていた。このような樹脂の流れを制御しようと思うと、撥液層や形状効果による樹脂流れ防止の構成が別途必要となり、生産性を低下させていた。特に特許文献2に開示されている発光装置において、特許文献1に記載の蛍光物質の偏在方法を用いると、蛍光発光に寄与しない蛍光物質の量が非常に多くなり、発光装置が高価になるという問題があった。本発明の目的は、高い輝度で安価な半導体発光装置を提供することにある。また、本発明の目的は、高い輝度の半導体発光装置を生産性高く短時間で安価に製造可能とする半導体発光装置の製造方法を提供することにある。そこで本発明の半導体発光装置は、導電パターンが設けられた基板と、前記基板上に実装された半導体発光素子と、前記半導体発光素子を覆うように設けられ、前記半導体発光素子から発生する光の波長を他の波長に変換する波長変換材料が略均一分散して含有された第1の封止樹脂と、からなる半導体発光装置であって、前記半導体発光素子が2個以上からなる直線列が2行以上配置されており、前記半導体発光素子同士の直線列方向の間における前記波長変換材料の濃度は、前記半導体発光素子同士の行方向の間における前記波長変換材料の濃度よりも高くなっていることを特徴とする。この構成によれば、半導体発光素子から出た光は半導体発光素子の近傍に高濃度で配置された波長変換材料に当り、一部が波長変換された光となるが、その後、半導体発光素子から出た光も波長変換された光もともに他の波長変換材料にぶつかって吸収されること無く外部に出ていく。このため、半導体発光装置の輝度が高くなる。また、半導体発光素子の行方向の間においては波長変換材料の量を減らすことができ、半導体発光装置のコストを低く抑えることができる。また、半導体発光素子の直線列方向に連続して第1の封止樹脂を塗布することにより形成できるため、半導体発光素子個別に塗布するよりも安価に作成することができる。また、第1の封止樹脂を覆う第2の封止樹脂が無いため、第2の樹脂と空気との界面での反射が無くなり、さらに輝度が高くなる。また、本発明の半導体発光装置は、半導体発光素子と導電パターンとを接続するワイヤが、行方向に配置されていることを特徴とする。この構成によれば、行方向ではワイヤが存在するために半導体発光素子同士の間隔を広くする必要があるが、直線列方向にはワイヤが存在しないために半導体発光素子同士の間隔を狭くすることが可能である。そのため、半導体発光装置の直線列方向の間の波長変換材料の量をさらに減らすことが可能となる。また、半導体発光素子の直線列方向に連続して第1の封止樹脂を塗布する際にも、半導体発光素子1個あたりの塗布距離を短くすることができ、安価な作成が可能となる。また、本発明の半導体発光装置は、半導体発光素子同士の直線列方向の間の距離が、半導体発光素子同士の行方向の間の距離よりも短いことを特徴とする。この構成によれば、半導体発光装置の直線列方向の間の波長変換材料の量をさらに減らすことが可能となる。また、半導体発光素子の直線列方向に連続して第1の封止樹脂を塗布する際にも、半導体発光素子1個あたりの塗布距離を短くすることができ、安価な作成が可能となる。また、本発明の半導体発光装置は、半導体発光素子の直線列の並び方向と、前記半導体発光素子の直線列方向とが成す角度が、90degとは異なる角度であることを特徴とする。この構成によれば、半導体発光素子の並びの自由度が高くなり、またワイヤの配置が容易になる。また、本発明の半導体発光装置は、第1の封止樹脂を覆うようにさらに第2の封止樹脂が設けられており、第2の封止樹脂は、第1の封止樹脂が塗布された後かつ硬化前に塗布され、前記第1の封止樹脂と同時に硬化されたものであることを特徴とする。この構成によれば、第1の封止樹脂と第2の封止樹脂とを同時に硬化するため、2種類の樹脂を設けた構成でありながら硬化工程が1つで済み、短時間での製造が可能となる。また、本発明の半導体発光装置の製造方法においては、導電パターンが設けられた基板に、2個以上の直線列を2行以上で半導体発光素子を実装する工程と、前記半導体発光素子から発生する光の波長を他の波長に変換する波長変換材料を分散含有した封止樹脂を前記直線列に沿って塗布する工程と、前記封止樹脂を硬化する工程と、からなる。この製造方法であれば、波長変換材料を高濃度に含有した樹脂を半導体発光素子の近傍のみに設けることが可能であり、波長変換材料の沈降までの時間を待つ必要が無く、製造時間を短縮できる。また、半導体発光素子の近傍のみに樹脂を設けるため、樹脂の塗布量を少なくすることができ、波長変換材料の使用量を減らすことが可能となる。また、波長変換材料の濃度が高いため、塗布樹脂の粘度が高くなり、樹脂流れ防止に特別な工夫をせずとも波長変換材料を半導体発光素子の近傍のみ設けることが可能となる。また、塗布樹脂の粘度が高いために波長変換材料の沈降が遅く、さらに沈降を待たずに硬化を行えることから、複数の半導体発光素子に順に封止樹脂を塗布した場合において半導体発光素子の間で色度のばらつきが小さくなる。本発明の半導体発光装置によれば、高い輝度で安価な半導体発光装置の提供が可能となる。また、本発明の半導体発光装置の製造方法によれば、高い輝度の半導体発光装置を生産性高く短時間で安価に製造可能となる。以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。この説明に際して、全図にわたり共通する部分には共通する参照符号を付す。<第1の実施形態>図1は、本発明の第1の実施形態における半導体発光装置1を示した図である。また図2aは図1に示す半導体発光装置1のAA断面を示す図であり、図2bは図1に示す半導体発光装置のBB断面を示す図である。また、図3は図1に示す半導体発光装置1の、封止樹脂を除去した状態を示す図である。図1および図3において、AA直線方向が直線列方向であり、BB直線方向が行方向である。図3に示されるように半導体発光装置1は、図示しない導電パターンが形成された基板2に9個の半導体発光素子3が実装された構造となっている。より詳しくは、3個の半導体発光素子3が直線列方向AA直線方向に直列に配置された上で、その直線列が3行平行BB直線方向に配置されている。そして、半導体発光素子と導電パターンとは金のワイヤ4金ワイヤにより接続されている。なお、半導体発光素子3は460nm近傍に発光ピーク波長を持つ青色発光の半導体発光素子である。図1に示されるように、半導体発光素子3の直線列方向AA直線方向には波長変換材料を含有した封止樹脂5が連続して配置されている。一方、半導体発光素子3の行方向BB直線方向では封止樹脂5は連続して配置されておらず、半導体発光素子3の直線列がある箇所にのみ存在する。また、封止樹脂5の上には別の封止樹脂は形成されていない。なお、波長変換材料はCeで付活されるイットリウムアルミニウムガーネット系蛍光体YAGであり、封止樹脂5はシリコーン樹脂である。半導体発光素子3の直線列方向AA直線方向には封止樹脂5が連続して配置されているため、直線列方向における半導体発光素子3同士の間の箇所には多くの波長変換材料がある。一方、半導体発光素子3の行方向BB直線方向では封止樹脂5は連続して配置されていないため、行方向における半導体発光素子3同士の間の箇所には波長変換材料が少ない。すなわち、半導体発光素子同士の直線列方向の間における波長変換材料の濃度が、半導体発光素子同士の行方向の間における前記波長変換材料の濃度よりも高くなっている。この結果、封止樹脂を全面に配置するよりも波長変換材料の使用量を少なくすることができ、半導体発光装置を安価に得ることが可能となる。また、直線列方向の封止樹脂を連続的に、あるいは一括で形成配置することが可能となるため、半導体発光装置を安価に作成することが可能となる。この時、半導体発光素子3の直線列方向の間隔は、前記直線列の行方向の間隔よりも狭い方が望ましい。そうすることにより、直線列方向の樹脂の配置量が少なくて済み、さらには封止樹脂に含有される波長変換材料の量が少なくて済むため、より安価に半導体発光装置を得ることが可能となる。また、半導体発光素子3と導電パターンとの接続を行うワイヤ4は、行方向に配置されていることが望ましい。ワイヤが配置される方向ではワイヤが配置される領域を必要とするため、半導体発光素子の間隔を狭くすることが困難である。ワイヤの配置方向を行方向とすることにより、半導体発光素子を直線列方向では狭くすることが容易となる。その結果、直線列方向の樹脂の配置量、および封止樹脂に含有される波長変換材料の量が少なくて済むため、安価に半導体発光装置を得ることが可能となる。本実施形態の半導体発光装置1では、半導体発光素子3の近傍にのみ封止樹脂5が存在している。すなわち半導体発光素子3の近傍にのみ波長変換材料が存在する。そのため、高輝度な半導体発光装置を得ることができる。また、本実施形態の半導体発光装置1では、波長変換材料を含有した封止樹脂5の上には別の封止樹脂は形成されていない。そのため、封止樹脂5から出射された光はなんら損失されることが無く半導体発光装置1から出射されるため、さらに高輝度を達成することが可能となる。次に、本発明の半導体発光装置の製造方法を示す。まず、予め導電パターンが形成された基板2に、半導体発光素子3を実装する。この時、半導体発光素子3が3個を直線列になるように形成する。また、前記直線列が3行となるように形成する。なお、実装において半導体発光素子と導電パターンとの接続が行われるが、これは金ワイヤを用いたワイヤボンディングによって行う。この時、半導体発光素子3の直線列方向の間隔よりも、前記直線列の行方向の間隔の方が広い方が望ましい。そうすることにより、後に記載する封止樹脂の塗布において、塗布に必要な封止樹脂の量さらには封止樹脂に含有される波長変換材料の量を減らすことが可能となり、安価な製造が可能となる。また、半導体発光素子3と導電パターンとの接続を行うワイヤ4は、行方向に配置されていることが望ましい。ワイヤが配置される方向ではワイヤが配置される領域を必要とするため、半導体発光素子の間隔を狭くすることが困難である。ワイヤの配置方向を行方向とすることにより、半導体発光素子を直線列方向では狭くすることが容易となる。また、硬化前の封止樹脂は液状であるため濡れ広がろうとするが、ワイヤに付着するとワイヤに封止樹脂が引っ張られるため、ワイヤの無い箇所には広がりにくくなる。このため、行方向へはワイヤが存在する位置までで封止樹脂の広がりを抑えやすくなる。続いて波長変換材料を含有した封止樹脂5を、半導体発光素子3を覆うように塗布により配置する。この時、波長変換材料の量は50wt以上あるいは20vol以上とする。波長変換材料の濃度を高くすることで封止樹脂の粘度が高くなり、塗布後の広がりを防止することが容易となる。その結果、封止樹脂の濡れ広がりを防止する特別な手法例えば撥液材料の塗布や、形状効果を発揮させるための形状工夫などが不要となり、半導体はこう装置を安価に作成することが可能となる。また、封止樹脂の量を減らすことが可能となり、安価な製造が可能となる。さらに、封止樹脂の量を減らすことで波長変換材料が半導体発光素子の近傍に配置されるようになるため、波長変換材料が沈降して半導体発光素子の近傍に集まるまでの時間が不要となり、半導体発光装置の作成に要する時間を短くすることができる。封止樹脂5は半導体発光素子3の配置されている直線列方向に連続して塗布を行う。塗布はディスペンス法、ポッティング法、インクジェット法などにより行うことができるが、直線列方向に連続して塗布することで直線列方向の複数の半導体発光素子3にまとめて塗布することが可能となり、安価な製造が可能となる。さらに行方向に複数の塗布部を設けることも可能であり、その場合は複数行の直線列方向で同時に封止樹脂の塗布が可能となり、さらに高速に塗布することも可能となる。一方で行方向には連続した塗布を行わない。これにより、行方向の半導体発光素子の間の部分に塗布することが無くなり、不要な封止樹脂塗布が無くなり、安価な製造が可能となる。また、前に記載したように直線列方向の半導体発光素子の間隔を、直線列の行方向の間隔よりも狭くすることで、より少ない封止樹脂で塗布が可能となり、安価な製造が可能となる。封止樹脂5を塗布後、封止樹脂を硬化させることで半導体発光装置が完成する。なお、本実施形態では、半導体発光素子として発光層に発光ピーク波長が約460nmのInGaN半導体を有する窒化物半導体素子を用いたが、これに限られるものでは無く、必要とする半導体発光装置の仕様により適宜定められるものである。また、本実施形態では、波長変換材料として、イットリウムアルミニウムガーネット系蛍光体YAGを用いたが、これに限られるものでは無く、半導体発光素子から放射された光を吸収励起して異なる波長の光を発するものであれば何でも用いることが可能である。また、透光性樹脂としてシリコーン樹脂を用いたがこれに限られるものでは無く、エポキシ樹脂、変成シリコーン樹脂などを用いることも可能である。これらは必要とする半導体発光装置の仕様により適宜定められるものである。また、本実施形態では直線列方向に3個、行方向に3行の形態を示したが、直線列方向の半導体発光素子の数および行方向の直線列の数はこれに限るものでは無く、直線列方向の半導体発光素子の数が2個以上および行方向の直線列の数が2個以上の形態において、必要とする半導体発光装置の仕様により適宜定められるものである。また、導電パターンは基板の半導体発光素子実装面に形成されていても良いし、半導体発光素子実装面と反対側の面、あるいは基板の内部に形成されていても良い。さらにはそれらの複合であっても良い。また、本実施形態において半導体発光素子と導電パターンとの接続が金ワイヤによるワイヤボンディングの形態を示したが、これは金ワイヤに限られるものでは無く、ワイヤの材料は適宜決められるものである。あるいはワイヤボンディングに限られるものでも無く、フリップチップ接続で導電性接着剤や半田によって接続される形態でも構わない。<第2の実施形態>図4は、本発明の第2の実施形態における半導体発光装置1を示した図である。また、図5は図4に示す半導体発光装置1の、封止樹脂を除去した状態を示す図である。図4および図5において、AA直線方向が直線列方向であり、BB直線方向が行方向である。図5に示されるように半導体発光装置1は、図示しない導電パターンが形成された基板2に8個の半導体発光素子3が実装された構造となっている。より詳しくは、3個の半導体発光素子3が直線列方向AA直線方向に直列配置されている直線列2行と、前記2行の直線列の間に配置された、2個の半導体発光素子3が直線列方向AA直線方向に直列配置された直線列1行との、3行の直線列で構成されている。そして、直線列方向の複数の半導体発光素子は互いにワイヤ4により接続されており、直線列の端部の半導体発光素子と導電パターンとがワイヤ4により接続されている。第2の実施形態における半導体発光装置において、封止樹脂が配置されている箇所は第1の実施形態における半導体発光装置のそれとほぼ同じである。すなわち、封止樹脂5は半導体発光素子3の直線列方向AA直線方向に連続して配置され、半導体発光素子3の行方向BB直線方向には連続して配置されておらず、半導体発光素子3の直線列がある箇所にのみ存在する。このため、第1の実施の形態と同様に、封止樹脂を全面に配置するよりも波長変換材料の使用量を少なくすることができ、半導体発光装置を安価に得ることが可能となる。また、直線列方向の封止樹脂を連続的に、あるいは一括で形成配置することが可能となるため、半導体発光装置を安価に作成することが可能となる。さらに本実施形態においては、ワイヤ4の配置方向は半導体発光素子3が直列配置される方向と等しい。このため、封止樹脂によりワイヤが十分に覆われることになり、ワイヤの保護が容易となる。また、硬化前の封止樹脂は液状であるため濡れ広がろうとするが、ワイヤに付着するとワイヤに封止樹脂が引っ張られるため、ワイヤの無い箇所には広がりにくくなる。このため、硬化前の封止樹脂は直線列方向にのみ濡れ広がるようになり、行方向への封止樹脂の広がりが抑えられる。さらに本実施形態においては、ワイヤ4が直線列方向で隣接する半導体発光素子3同士を直接接続しているため、直線列方向で半導体発光素子3の間の距離を小さくすることが可能となる。これにより、封止樹脂の直線列方向の塗布量をさらに少なくすることができ、半導体発光装置を安価に作成することが可能となる。なお、本実施形態では半導体発光素子が3個直列に並んだ列が2行と、半導体発光素子が2個直列に並んだ列が1行とからなる形態を示したが、これに限られるものでは無い。1行の直線列を構成する半導体発光素子の数、および直線列の行数は、必要とする半導体発光装置の仕様により適宜定められるものである。また、本実施形態では半導体発光素子と導電パターンとの接続位置が直線列方向の端部のみの形態を示したが、接続位置はこれに限られるものでは無い。必要に応じて直線列の途中で半導体発光素子と導電パターンとが接続されていて問題は無い。<第3の実施形態>図6は、第3の実施形態における半導体発光装置1の、封止樹脂を除去した状態を示す図である。図6においても図3と同様、AA直線方向が直線列方向であり、BB直線方向が行方向である。図6に示すように、本実施形態においても半導体発光素子3は図示しない導電パターンが形成された基板2に実装されている。複数の半導体発光素子3が直線列方向に直列に配置されており、直線列が3行平行に配置されている点も同じである。しかしながら、半導体発光素子3の直線列は、直線列と直交する方向行と平行な方向=BB直線方向には並んでおらず、CC直線方向に並んでいる。すなわち、半導体発光素子3の直線列の並び方向CC直線方向と、半導体発光素子3の直線列方向AA直線方向とが成す角度は90degとは異なる角度となっている。これにより、封止樹脂5の配置および塗布については第1の実施形態と同じ特徴を得ながら、半導体発光素子3の配置については第1の実施形態とは異なる配置をすることが可能となる。その結果、配光特性を第1の実施形態から変化させることが可能となる。またワイヤの方向をBB直線方向にすることで、半導体発光素子の直線列の並び方向BB方向で隣接する半導体発光素子同士ではワイヤの干渉を生じにくくなるため、半導体発光素子の配置の自由度がさらに高くすることが可能となる。<第4の実施形態>図7は、第4の実施形態における半導体発光装置1を示した図である。また図8aは図7に示す半導体発光装置1のAA断面を示す図であり、図8bは図7に示す半導体発光装置のBB断面を示す図である。第4の実施形態における半導体発光装置1は、第1の実施形態における半導体発光装置1の第1の封止樹脂5を、透明な第2の封止樹脂6でさらに覆った構成となっている。第2の封止樹脂としては第1の封止樹脂5と同じ樹脂を用いても良いし、別の樹脂を用いても構わない。別の樹脂としては、エポキシ樹脂、変成シリコーン樹脂などを用いることが可能である。第2の封止樹脂6は第1の封止樹脂5を保護する役割例えば紫外線の吸収する機能、ワイヤの露出を防ぐ機能などを果たしている。これにより、安価で高輝度な半導体発光装置の耐久性を増すことが可能となる。第4の実施形態における半導体発光装置1の製造方法では、基板2に半導体発光素子3を実装し、第1の封止樹脂5を塗布するまでは、第1の実施形態と同じである。第1の封止樹脂5を塗布した後に、第1の封止樹脂5の硬化を行わずに第2の封止樹脂6を塗布する。塗布範囲は第1の封止樹脂5が全て覆われる範囲が適切である。また、塗布方法は第1の封止樹脂5と同じでも良いし、異なる方法でも良い。第2の封止樹脂6の塗布後、封止樹脂の硬化を行う。第1の封止樹脂5には高濃度に波長変換材料が含有されており、粘度が高くなっているため、第1の封止樹脂5と第2の封止樹脂6との混ざりあいはほとんど生じない。また、第1の封止樹脂5には高濃度に波長変換材料が含有されているため、波長変換材料が沈降するまでの時間を待つ必要が無い。そのため、第1の封止樹脂5の塗布後に硬化工程を経ずに第2の封止樹脂6の塗布を行い、同時に硬化する。第1の封止樹脂5と第2の封止樹脂6とを同時に硬化することにより、2種類の樹脂を用いながら硬化が1回でするため、短時間での製造が可能となる。なお、本実施形態では3列の半導体発光素子列全てを覆う形態で説明したがこれに限られるものでは無い。半導体発光素子列1列ごとに覆う形態でも構わないし、数列ずつを覆う形態でも構わない。