"半導体レーザと半導体光増幅器とが集積化されたレーザチップと、上面に前記レーザチップを搭載する温度制御装置と、前記レーザチップに変調信号を入力するための入力端子と、前記レーザチップおよび前記温度制御装置を収容し、光出力側の側壁と対向する側壁に前記入力端子が設けられたパッケージと、を備え、前記温度制御装置は、光出力方向に沿った長さが、それに直交する方向の長さに比べて大きく、前記レーザチップは、前記温度制御装置の前記光出力方向に沿った長さの中心よりも前記入力端子側に配置されたことを特徴とする光通信モジュール。前記レーザチップは、スペーサを介して前記温度制御装置の上面に配置され、前記スペーサは、前記光出力方向に沿った長さが、前記温度制御装置の前記光出力方向に沿った長さと実質的に等しいことを特徴とする請求項1記載の光通信モジュール。前記温度制御装置は、前記パッケージ内の面積の50以上を占めることを特徴とする請求項1記載の光通信モジュール。前記スペーサは、鉄-ニッケル-コバルト合金からなることを特徴とする請求項2記載の光通信モジュール。前記温度制御装置の前記光出力方向における長さが、前記光出力方向に直交する方向の長さの2倍以上であることを特徴とする請求項1または3記載の光通信モジュール。前記レーザチップには、前記半導体レーザの出力を変調する光変調器がさらに集積化されてなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項記載の光通信モジュール。前記光変調器と前記入力端子の間は、伝送線路を介して接続されてなることを特徴とする請求項1記載の光通信モジュール。前記レーザチップと光結合されるレンズを、前記温度制御装置の前記光出力方向に沿った長さの中心よりも前記入力端子側に配置したことを特徴とする請求項1記載の光通信モジュール。近年、TOSAの高出力化のため、SOASemiconductorOpticalAmplifierを集積したLDLaserDiodeチップの搭載が検討されている。ただし、SOAを集積したLDチップを搭載することは発熱量の増加をまねく。ところが、定められたインターフェイス規格に合わせて従来のレイアウトを採用すると、冷却性能が不十分になる。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、良好な冷却性能を有する光通信モジュールを提供することを目的とする。本発明に係る光通信モジュールは、半導体レーザと半導体光増幅器とが集積化されたレーザチップと、上面に前記レーザチップを搭載する温度制御装置と、前記レーザチップに変調信号を入力するための入力端子と、前記レーザチップおよび前記温度制御装置を収容し、光出力側の側壁と対向する側壁に前記入力端子が設けられたパッケージと、を備え、前記温度制御装置は、光出力方向に沿った長さが、それに直交する方向の長さに比べて大きく、前記レーザチップは、前記温度制御装置の前記光出力方向に沿った長さの中心よりも前記入力端子側に配置されたことを特徴とする。本発明に係る光通信モジュールによれば、良好な冷却性能を有することができる。前記レーザチップは、スペーサを介して前記温度制御装置の上面に配置され、前記スペーサは、前記光出力方向に沿った長さが、前記温度制御装置の前記光出力方向に沿った長さと実質的に等しくなるようにしてもよい。前記温度制御装置は、前記パッケージ内の面積の50以上を占める構成としてもよい。前記スペーサは鉄-ニッケル-コバルト合金からなることとしてもよい。前記温度制御装置の前記光出力方向における長さが、前記光出力方向に直交する方向の長さの2倍以上になるようにしてもよい。前記レーザチップには、前記半導体レーザの出力を変調する光変調器がさらに集積化されてなることとしてもよい。前記光変調器と前記入力端子の間は、伝送線路を介して接続されてなることとしてもよい。前記レーザチップと光結合されるレンズを、前記温度制御装置の前記光出力方向に沿った長さの中心よりも前記入力端子側に配置することとしてもよい。本発明によれば、良好な冷却性能を有する光通信モジュールを提供することができる。以下、本発明を実施するための形態を説明する。図1は、実施例に係る光通信モジュール100の模式図である。図1に示すように、光通信モジュール100は、LDキャリア10、コリメートレンズ20、ビームスプリッタ30、モニタPDPhotoDiodeキャリア40、スペーサ50、TECThermoElectricCooler60、パッケージ70を備えている。パッケージ70は、LDキャリア10、コリメートレンズ20、ビームスプリッタ30、モニタPDキャリア40、スペーサ50、TEC60を収容する筐体である。パッケージ70の側壁71には入力端子72が設けられている。入力端子72の内側にはパッケージ基板73が設けられている。パッケージ基板73には導線74、伝送線路75が形成されている。入力端子72から入力された電源電流は、導線74、ワイヤ76を介してLDチップ11に入力され、入力端子72から入力されたRF信号変調信号は、伝送線路75を介してLDチップ11に入力されることでLDチップが制御される。さらに、パッケージ70の側壁71と対向する側壁77には、光ファイバ78が接続されるファイバホルダ79が設けられている。光通信モジュール100におけるレーザ光の出力方向は、LDチップ11から光ファイバ78へ向かう方向である。したがって、上記の側壁77は光出力側の側壁である。以下、レーザ光の出力方向を正方向にY軸を設定する。さらに、Y軸に直交する方向を正方向にX軸を設定する。Y軸に直交し、TEC60からLDチップ11へ向かう方向を正方向にZ軸を設定する。図2は、パッケージ70内部の拡大図である。LDキャリア10はLDチップ11を備えている。LDチップ11は、半導体レーザ12、光変調器13、および半導体光増幅器SOA14が集積化された構成を有する。LDチップ11は、半導体レーザ12、光変調器13、SOA14の順序で集積化されている。半導体レーザ12、光変調器13、SOA14は、光結合されている。光変調器13は、半導体レーザ12から出力される出力光を変調する。光変調器13への変調信号は伝送線路75を介して接続される入力端子72から入力される。SOA14は、光変調器13から出力される変調信号光を光増幅して出力する。コリメートレンズ20、およびビームスプリッタ30はLDチップ11の出力光の経路上に位置する。コリメートレンズ20はLDチップ11のY軸正方向に位置し、ビームスプリッタ30はコリメートレンズ20のY軸正方向に位置する。モニタPDキャリア40はビームスプリッタ30のX軸負方向に位置する。モニタPDキャリア40は、受光部41をビームスプリッタ30に向けている。LDチップ11の出力光は、コリメートレンズ20を通過して平行光になり、ビームスプリッタ30へ入力される。ビームスプリッタ30は、入力光を2つに分光し、その一方はモニタPDキャリア40に入力する。他方はビームスプリッタ30を透過して光ファイバ78に入力される。モニタPDキャリア40は、受光した入射光を電流信号に変換し、制御部図示しないへ送る。また、LDキャリア10には、光変調器13を制御する高周波信号線である伝送線路15が設けられている。伝送線路15および伝送線路75は、コプレーナ線路で構成されている。コプレーナ線路は、両側に設けられ、LDチップ11のグランドに接続されているグランド線路と当該両側のグランド線路の間に設けられ、光変調器13に接続されている信号線路を有している。TEC60は温度変換素子を備える温度制御装置である。TEC60は、電極ポスト65,66が設けられている。入力端子72から入力された電源電流は、導線74、ワイヤ76を介してTEC60に入力されることでTEC60が制御される。上記のLDキャリア10、コリメートレンズ20、ビームスプリッタ30、モニタPDキャリア40は、スペーサ50上に実装されている。スペーサ50の材質は一例として、コバール鉄Fe-ニッケルNi-コバルトCo合金、CuW銅タングステン、SUS鉄Fe-クロムCr-ニッケルNi合金等の素材の中から選択できる。この中でも、溶接のしやすさ、耐熱性を考慮するとコバールが最適である。さらに、このスペーサ50はTEC60上に実装されている。図3はTEC60の平面図XY平面、図4はTEC60の側面図YZ平面である。図3または図4に示すように、TEC60は、第1プレート61と、第1プレート61の下側の第2プレート62と、温度変換素子63を備えている。第1プレート61、および第2プレート62のY軸方向の長さはX軸方向の長さに比べて大きい。第2プレート62は、電極ポスト65,66が設けられているため、第1プレート61よりもY軸方向の長さが大きい。温度変換素子63は、第1プレート61と第2プレート62との間に位置する。温度変換素子63は、p型半導体とn型半導体とが交互に組み合わされて構成されている。TEC60は温度変換素子63のペルチェ効果を利用して温度を制御する。電極ポスト65,66間に電位差を与えると温度変換素子63に電流が流れ、第1プレート61から第2プレート62へ熱が移動し、第1プレート61が冷却される。この結果、第1プレート61上に実装されたLDチップ11などの各部品が冷却される。例えば、第1プレート61および第2プレート62の材料は、アルミナAlO3、窒化アルミニウムAlNからなる。次に、光通信モジュール100の各部品のサイズや配置について詳細に説明する。光通信モジュール100は、XMD‐MSA10GbitsMiniatureDeviceMultiSourceAgreementに規定された仕様に基づき、コネクタインターフェイスが設計されている。したがって、パッケージ70はTOSA規格に準じて大きさが定められている。パッケージ70のX軸方向の長さは、XMD‐MSAに規定されたTOSAの幅6mm以下である。このようにパッケージ70のX軸方向の長さが制限されてしまうため、パッケージ70の内部に配置するTEC60のX軸方向の長さも制限される。ところで、TEC60の冷却性能は、TEC60のプレートの面積によって決定される。TEC面積が大きいほど温度変換素子が増加できるからである。温度変換素子が増加するほどTEC60の冷却性能が向上する。TEC60が冷却するLDチップ11はSOA14を備えているため発熱量が多い。このため、TEC60には、高い冷却性能が要求される。従来の光通信モジュールが備えていたTECの冷却性能では不十分であるため、TEC60の面積を大きくする必要がある。前述のとおり、TEC60のX軸方向の長さが制限されるので、第1プレート61、および第2プレート62はY軸方向の長さを変更することにより最適な面積を設定する。ここで、図3に示すように、第1プレート61および第2プレートのX軸方向の長さをL0、第1プレート61のY軸方向の長さをL1、第2プレート62のY軸方向の長さをL2とする。TEC60の冷却能力を大きくするには、Y軸方向の長さL1を大きくする。このため、第1プレート61および第2プレート62のY軸方向の長さはX軸方向の長さよりも大きくなるL0<L1,L2。ここでは、プレートの縦横比の関係の一例として、第1プレート61のY軸方向の長さはX軸方向の長さの2倍とする構成L1=2L0を示す。本実施例における構成の一例として、L0=4mm、L1=8mm、L2=9mmであるL0:L1:L2=1:2:2.25。なお、TEC60の高さZ軸方向の長さはおよそ1mmである。TEC60の面積は、パッケージ70内の面積の80を占めている。このような構成の光通信モジュール100においては、TEC60の面積がパッケージ70内の面積の50以上を占めている場合に高い冷却性能を得ることができる。次に、スペーサ50上に配置される各部品の位置について説明する。TECにおける冷却の熱効率を考慮すると、通常、冷却対象物はTECの中央に配置される。しかしながら、本構成では、TEC60のX軸方向の長さに対し、Y軸方向の長さが大きいため、冷却対象のチップをTEC60の中央に配置すると、入力端子72からの距離が長くなる。チップと入力端子72との距離が長くなるとチップにおける変調信号のRF特性の劣化が生じる。本実施例では、LDチップ11が搭載されたLDキャリア10はスペーサ50上の入力端子72側に配置されている。より詳しくは、LDチップ11が搭載されたLDキャリア10は、TEC60における第1プレート61のY軸方向の長さの中心図1、図2中の中心線cよりも入力端子72側に配置されている。すなわち、LDキャリア10は、入力端子72に近づけて配置されている。LDキャリア10を上記のように配置すると、LDチップ11と入力端子72との距離を小さくできる。これにより、変調信号のRF特性の劣化を抑制できる。一方、LDチップ11がTEC60の中央に配置されていないことから熱効率の低下が懸念される。この対策としてスペーサ50が備えられている。図5はスペーサ50の平面図である。スペーサ50のY軸方向長さは、TEC60の第1プレート61のY軸方向の長さと実質的に等しい。図5に示すように、本実施例ではスペーサ50はTEC60の上面の第1プレート61と同一形状をしている。すなわち、本実施例で一例を示すスペーサ50のX軸方向長さは4mm、Y軸方向長さは8mmであり縦横比1:2。スペーサ50は、熱伝導性が適切な材質で形成されているため、LDチップ11が発する熱をスペーサ50の全面へ拡散する。スペーサ50はTEC60の第1プレート61と同一形状なので、TEC60の全面でスペーサ50全面を冷却する。これにより、LDチップ11が円滑に冷却される。また、図1、図2に示すように、コリメートレンズ20は、入力端子72側に配置されている。より詳細に説明すると、コリメートレンズ20が、TEC60における第1プレート61のY軸方向の長さの中心図2中の中心線cよりも入力端子72側に配置されている。したがって、コリメートレンズ20は、LDチップ11との距離が近く、間隔を狭くしてスペーサ50上に配置されている。TEC60は熱伝達により上面の第1プレート61に比べて下面の第2プレート62が高温になるため、上面の第1プレート61に比べて下面の第2プレート62が熱膨張する。このため、TEC60の周辺部分が持ち上がり、中央付近が窪むように変形する。特に、TEC60はY軸方向がX軸方向に比べて長いため、Y軸方向の変形の度合いが大きい。一方、本実施例のように、LDキャリア10、コリメートレンズ20、ビームスプリッタ30、モニタPDキャリア40が互いに間隔を狭くして配置されているため、TEC60の熱膨張による距離の変動を小さく抑えることができる。これにより、光軸精度の低下を抑制することができる。また、入力端子72に近いことから、各部品の端子間のワイヤ長を短くすることができる。本実施例のTEC60のプレートの縦横比の関係は、TEC60に要求される冷却能力に応じて、プレートのY軸方向の長さを調整することとしてもよい。一例として、第1プレート61のY軸方向の長さはX軸方向の長さの2倍より大きい構成L1,L2>2L0としてもよい。Y軸方向の長さが大きいほど、TEC60の面積が大きくなり、冷却能力が大きくなる。この場合であっても、スペーサ50のY軸方向長さは、TEC60の第1プレート61のY軸方向の長さと実質的に等しい。さらに、スペーサ50はTEC60の上面の第1プレート61と同一形状とすることが好ましい。以上において説明したように、光通信モジュール100は、SOAを集積したLDチップを搭載することにより発熱量が増加するが、縦横比の大きなTECを採用することにより、LDチップを適切に冷却できる。また、光通信モジュール100は、LDチップなどの素子や部品を入力端子に近づけて配置することにより、大きな縦横比の影響から生じる素子や部品間の距離の変動を抑制して、RF特性の劣化を抑制できる。以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。"