"半導体デバイス製造における化学的機械的研磨工程の後に行われる、半導体デバイス用基板の洗浄工程に用いられる洗浄液であって、以下の成分A~Dを含有してなることを特徴とする半導体デバイス用基板洗浄液。A有機酸Bスルホン酸型アニオン性界面活性剤Cポリビニルピロリドン及びポリエチレンオキシド-ポリプロピレンオキシドブロック共重合体から選ばれる少なくとも1種の高分子凝集剤D水成分Aが、カルボキシル基を1以上有する炭素数1~10の有機酸であることを特徴とする請求項1記載の半導体デバイス用基板洗浄液。成分Aが、シュウ酸、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸、乳酸、アスコルビン酸、没食子酸及び酢酸からなる群から選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする請求項2記載の半導体デバイス用基板洗浄液。成分Bが、アルキルスルホン酸及びその塩、アルキルベンゼンスルホン酸及びその塩、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸及びその塩、アルキルメチルタウリン酸及びその塩、並びにスルホコハク酸ジエステル及びその塩からなる群から選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体デバイス用基板洗浄液。成分Aが、5~30質量、成分Bが、0.01~10質量、成分Cが、0.001~10質量の濃度で含有されることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の半導体デバイス用基板洗浄液。成分Cがポリビニルピロリドンであり、成分Aが、0.03~3質量、成分Bが、0.0001~1質量、成分Cが、0.00001~0.003質量の濃度で含有されることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の半導体デバイス用基板洗浄液。成分Cがポリエチレンオキシド-ポリプロピレンオキシドブロック共重合体であり、成分Aが、0.03~3質量、成分Bが、0.0001~1質量、成分Cが、0.00001~0.03質量の濃度で含有されることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の半導体デバイス用基板洗浄液。水/洗浄液の質量比率を40とした調製液中で測定した、一次粒径が80nmのコロイダルシリカのゼータ電位が、-20mV以下であることを特徴とする請求項1から請求項4、請求項6、または請求項7のいずれか1項に記載の半導体デバイス用基板洗浄液。請求項1から請求項4、請求項6から請求項8のいずれか1項に記載の半導体デバイス用基板洗浄液を用いて、半導体デバイス用基板を洗浄することを特徴とする半導体デバイス用基板の洗浄方法。半導体デバイス用基板が、基板表面にCu配線と低誘電率絶縁膜を有し、かつ、化学的機械的研磨を行った後の前記半導体デバイス用基板を洗浄することを特徴とする請求項9記載の半導体デバイス用基板の洗浄方法。これらを用いた半導体デバイス製造工程において、様々な洗浄法が提案されているが、従来技術では、洗浄液による基板の洗浄効果が不充分であったり、洗浄液によって基板表面特に金属配線を腐食したり、洗浄液が超純水を用いたリンス工程で除去されにくいため、長時間のリンスが必要になり、洗浄の短時間化の妨げとなったりするなどの問題があった。特に疎水性の低誘電率絶縁膜や腐食しやすいCu配線の表面上の様々な汚染を短時間で充分に除去できる技術はなく、その確立が求められていた。本発明は上記問題を解決する為になされたものであり、基板表面を腐食することなく微粒子付着による汚染、有機物汚染及び金属汚染を同時に除去することができ、しかも水リンス性も良好で、短時間で基板表面を高清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供することを目的とする。本発明者らは、100nm程度あるいはそれ以下の粒径の微粒子による疎水性の低誘電率絶縁膜表面の汚染を効果的に抑制するためには、界面活性剤を活用して疎水面のぬれ性を向上させると共に、微粒子を凝集させて吸着力を低減させることが重要であると考え、上記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、特定の界面活性剤と高分子凝集剤とを含む溶液を洗浄液として用いると、上記課題を解決できることを見いだし、本発明に到達した。すなわち、本発明は、以下の発明に係るものである。<1>半導体デバイス製造における化学的機械的研磨工程の後に行われる、半導体デバイス用基板の洗浄工程に用いられる洗浄液であって、以下の成分A~Dを含有してなる半導体デバイス用基板洗浄液。A有機酸Bスルホン酸型アニオン性界面活性剤Cポリビニルピロリドン及びポリエチレンオキシド-ポリプロピレンオキシドブロック共重合体から選ばれる少なくとも1種の高分子凝集剤D水<2>成分Aが、カルボキシル基を1以上有する炭素数1~10の有機酸である前記<1>記載の半導体デバイス用基板洗浄液。<3>成分Aが、シュウ酸、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸、乳酸、アスコルビン酸、没食子酸及び酢酸からなる群から選ばれた少なくとも1種である前記<2>記載の半導体デバイス用基板洗浄液。<4>成分Bが、アルキルスルホン酸及びその塩、アルキルベンゼンスルホン酸及びその塩、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸及びその塩、アルキルメチルタウリン酸及びその塩、並びにスルホコハク酸ジエステル及びその塩からなる群から選ばれた少なくとも1種である前記<1>から<3>のいずれかに記載の半導体デバイス用基板洗浄液。<5>成分Aが、5~30質量、成分Bが、0.01~10質量、成分Cが、0.001~10質量の濃度で含有される前記<1>から<4>のいずれかに記載の半導体デバイス用基板洗浄液。<6>成分Cがポリビニルピロリドンであり、成分Aが、0.03~3質量、成分Bが、0.0001~1質量、成分Cが、0.00001~0.003質量の濃度で含有される前記<1>から<4>のいずれかに記載の半導体デバイス用基板洗浄液。<7>成分Cがポリエチレンオキシド-ポリプロピレンオキシドブロック共重合体であり、成分Aが、0.03~3質量、成分Bが、0.0001~1質量、成分Cが、0.00001~0.03質量の濃度で含有される前記<1>から<4>のいずれかに記載の半導体デバイス用基板洗浄液。<8>水/洗浄液の質量比率を40とした調製液中で測定した、一次粒径が80nmのコロイダルシリカのゼータ電位が、-20mV以下である前記<1>から<4>、<6>、または<7>のいずれかに記載の半導体デバイス用基板洗浄液。<9>前記<1>から<4>、<6>から<8>のいずれかに記載の半導体デバイス用基板洗浄液を用いて、半導体デバイス用基板を洗浄する半導体デバイス用基板の洗浄方法。<10>半導体デバイス用基板が、基板表面にCu配線と低誘電率絶縁膜を有し、かつ、化学的機械的研磨を行った後の前記半導体デバイス用基板を洗浄する前記<9>記載の半導体デバイス用基板の洗浄方法。本発明によれば、半導体デバイス用基板の洗浄において、基板表面を腐食することなく、基板に付着した微粒子や有機汚染、金属汚染を同時に除去することが可能であり、水リンス性も良好な半導体デバイス用基板洗浄液が提供される。以下、本発明について具体的に説明する。なお、本明細書において質量と重量とは同義である。本発明は、半導体デバイス製造における化学的機械的研磨工程の後に行われる、半導体デバイス用基板の洗浄工程に用いられる洗浄液であって、以下の成分A~Dを含有してなる半導体デバイス用基板洗浄液に関する。A有機酸Bスルホン酸型アニオン性界面活性剤Cポリビニルピロリドン及びポリエチレンオキシド-ポリプロピレンオキシドブロック共重合体から選ばれる少なくとも1種の高分子凝集剤D水本発明において、成分A:有機酸とは、水中で酸性pH<7を示す有機化合物の総称で、カルボキシル基-COOH、スルホ基-SO3H、フェノール性ヒドロキシル基-ArOH:Arはフェニル基等のアリール基、メルカプト基-SH等の酸性の官能基を持つ有機化合物を表す。使用される有機酸は特に限定されないが、カルボキシル基を1以上有する炭素数1~10のカルボン酸が好ましい。より好ましくは炭素数1~8のカルボン酸であり、さらに好ましくは炭素数1~6のカルボン酸である。カルボン酸としてはカルボキシル基を1以上有するものであればよく、モノカルボン酸、ジカルボン酸、トリカルボン酸等を適宜用いることができ、また、オキシカルボン酸、アミノカルボン酸などカルボキシル基以外の官能基を含むものであってもよい。この中でも、特に好ましくはシュウ酸、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸、乳酸、アスコルビン酸、没食子酸及び酢酸が挙げられる。これらの有機酸は、1種を単独で使用してもよいし、2種以上を任意の割合で併用してもよい。また、成分Aとして、多価有機酸の酸性塩を用いることもできる。成分B:スルホン酸型アニオン性界面活性剤としては、スルホ基-SO3Hを有するアニオン性界面活性剤のいずれも使用できるが、アルキルスルホン酸及びその塩、アルキルベンゼンスルホン酸及びその塩、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸及びその塩、アルキルメチルタウリン酸及びその塩、並びにスルホコハク酸ジエステル及びその塩が好ましい。より好ましいものとしては、ドデシルベンゼンスルホン酸、ドデカンスルホン酸及びこれらのアルカリ金属塩等が挙げられる。この中でも、品質の安定性や入手のしやすさから、ドデシルベンゼンスルホン酸及びそのアルカリ金属塩が好適に用いられる。なお、成分Bは、1種を単独で使用してもよいし、2種以上を任意の割合で併用してもよい。成分C高分子凝集剤は、凝集剤として作用する水溶性ポリマーであり、ポリビニルピロリドン又はポリエチレンオキシド-ポリプロピレンオキシドブロック共重合体である。なお、成分Cは、1種を単独で使用してもよいし、2種以上を任意の割合で併用してもよい。ポリビニルピロリドン以下、PVPと称する。は、N-ビニル-2-ピロリドンの重合体であり、数平均分子量が5,000~50,000程度のものが好適に使用される。ポリエチレンオキシド-ポリプロピレンオキシドブロック共重合体以下EO/PO共重合体と称する。は、示性式[-CH2CH2O-m-C3H6O-n]但し、m及びnは正の数を示す。で表されただし、連鎖長の異なるブロックを複数個有する場合を含む、重量平均分子量が5,000~50,000程度のものが好適に使用される。また、成分Dである水は、本発明の洗浄液の溶媒である。溶媒として使用される水としては、不純物を極力低減させた脱イオン水や超純水を用いることが好ましい。なお、本発明の効果を損なわない範囲において、エタノールなど水以外の溶媒を含んでいてもよい。また、成分A~C及びその他の添加剤についても必要に応じて精製したものを用いることが好ましい。成分Aと成分Bとを含有する洗浄液において、CMP工程で使用されているスラリー中に含まれるコロイダルシリカなどの微粒子と半導体デバイス用基板表面で電気的な反発が引き起こされ、コロイダルシリカなどの微粒子が半導体デバイス用基板表面に付着しにくくなる。一方で、成分Aと成分Bのみでは、微粒子の半導体デバイス用基板表面への付着を抑制する効果が不十分であるが、本発明の洗浄液では、さらに成分Cの高分子凝集剤を含有させることで、半導体デバイス用基板表面に付着しにくくなった微粒子を凝集させ、微粒子凝集対を形成することによって、基板表面に付着力をさらに低下させる。本発明の洗浄液の製造方法は、特に限定されず従来公知の方法によればよく、例えば、洗浄液の構成成分成分A~D、必要に応じて他の成分を混合することで製造することができる。混合順序も反応や沈殿物が発生するなど特段の問題がない限り任意であり、洗浄液の構成成分のうち、何れか2成分又は3成分以上を予め配合し、その後に残りの成分を混合してもよいし、一度に全部を混合してもよい。本発明の洗浄液は、洗浄に適した濃度になるように、成分A~Cの濃度を調整して製造することもできるが、輸送、保管時のコストを抑制する観点から、それぞれの成分を高濃度で含有する洗浄液以下、洗浄原液と称す場合がある。を製造したのちに、成分Dである水で希釈して使用されることも多い。この洗浄原液における各成分の濃度は、特に制限はないが、成分A~C及び必要に応じて添加される他の成分並びにこれらの反応物が、洗浄原液中で分離したり、析出しない範囲であることが好ましい。洗浄原液におけるその好適な濃度範囲は、成分Aが、5~30質量、成分Bが、0.01~10質量、成分Cが、0.001~10質量の濃度範囲である。このような濃度範囲であると、輸送、保管時において、含有成分の分離がおこりづらく、また、水を添加することにより容易に洗浄に適した濃度の洗浄液として好適に使用することができる。半導体デバイス用基板の洗浄を行う際の洗浄液以下、希釈洗浄液または希釈液と称す場合がある。における各成分の濃度は、洗浄対象となる半導体デバイス用基板に応じて適宜決定される。希釈洗浄液として用いられる際の成分Aの濃度は、通常、0.03~3質量であり、好ましくは0.05~3質量であり、更に好ましくは0.06~1質量である。成分Aの濃度が、0.03質量未満では、半導体デバイス用基板の汚染の除去が不充分になるおそれがあり、3質量を超えてもそれ以上の効果は得られないことに加え、洗浄後の洗浄液の水洗除去にコストがかかることになる。また、成分Aの濃度が3質量を超えると銅配線の腐食といった不具合を引き起こすことがある。本発明の洗浄液は、界面活性剤である成分Bと凝集剤である成分Cを含有する。スルホン酸型アニオン性界面活性剤である成分Bは半導体デバイス用基板と微粒子との間に静電的な反発力を持たせる効果があり、一旦遊離した微粒子の基板への再付着を防ぐ作用を有し、凝集剤である成分Cは、液中の微粒子の分散状態を変えて、微粒子を凝集させ、微粒子の実質的な粒子径を大きくして半導体デバイス用基板からの除去を行いやすくする作用を有する。微粒子汚染に対する除去性能を充分得るためには、用いる成分によってその好適範囲は変動するが、通常、成分Bと成分Cとの質量比率[成分B/成分C]が、1/15~1.5/1の範囲内であることが好ましく、1/10~1/1の範囲内であることがより好ましい。また、希釈洗浄液として用いられる際の成分Bの濃度は、通常、0.0001~1質量であり、好ましくは、0.0001~0.3質量である。成分Cの濃度は、通常、0.000001~0.1質量であり、成分Cがポリビニルピロリドンの場合、その濃度が0.00001~0.003質量であるのが特に好ましく、成分Cがポリエチレンオキシド-ポリプロピレンオキシドブロック共重合体の場合、その濃度が0.00001~0.03重量であるのが特に好ましい。スルホン酸型アニオン性界面活性剤である成分Bの濃度が低すぎると、ゼータ電位の充分な低下が起こらず、微粒子と半導体デバイス用基板との間の静電的な反発力が不足する場合がある。逆に成分Bの濃度が高すぎても濃度に見合う効果の向上は得られないのに加え、過度の泡立ちを生じたり、廃液処理の負荷が増加することになる。一方、洗浄液として用いられる際の凝集剤である成分Cの濃度が低すぎると、微粒子の凝集効果が不十分となるため、微粒子が充分除去できなくなるおそれがあり、逆に濃度が高すぎると、洗浄液の粘度が高くなり、液切れが悪化する等により作業効率が低下したり、廃液処理の負荷が増加することになる。なお、上述のように、洗浄に供する洗浄液は、洗浄対象となる半導体デバイス用基板に対して各成分の濃度が適切なものとなるように洗浄原液を希釈して製造してもよいし、その濃度になるように直接各成分を調整して製造してもよい。また、コロイダルシリカのゼータ電位が負の洗浄剤を用いることにより、コロイダルシリカ等の微粒子が半導体デバイス用基板表面への付着を防ぐことができる。本発明の洗浄液は、スルホン酸型アニオン性界面活性剤である成分Bと凝集剤である成分Cを組み合わせて用いることにより洗浄効果の向上を達成したものである。本発明の洗浄液において特に成分CとしてPVP及び/又はEO/PO共重合体を用いると、水/洗浄液洗浄原液の質量比率を40とした調製液中で測定した一次粒径が80nmのコロイダルシリカのゼータ電位が、-20mV以下とすることができる。なお、コロイダルシリカは球状のものを使用する。その一次粒径は電子顕微鏡を用いて観察することにより測定できる。このようなコロイダルシリカとしては、例えば、日揮触媒化成工業株式会社製のカタロイドSシリーズを使用すればよい。上記条件にて測定したゼータ電位を-20mV以下とすることにより、半導体デバイス用基板とコロイダルシリカの静電的な反発が起こって、コロイダルシリカの微粒子の半導体デバイス用基板への付着を効率的に防ぐことができる。本発明の洗浄液は、その使用時希釈洗浄液のpHとして、pH5以下であることが好ましい。より好ましいpHは1~4,特に好ましくは1~3である。pHが5を超えると、有機酸による洗浄効果が不十分になりやすい。pHが低いほど洗浄の面で有利であるが、pHが1未満になると基板の腐食が問題となるおそれがある。なお、本発明の洗浄液におけるpHは、洗浄液に含まれる各成分の添加量により調整することができる。なお、本発明の洗浄液は、その性能を損なわない範囲において、その他の成分を任意の割合で含有していてもよい。他の成分としては、2-メルカプトチアゾリン、2-メルカプトイミダゾリン、2-メルカプトエタノール、チオグリセロール等の含硫黄有機化合物、ベンゾトリアゾール、3-アミノトリアゾール、NR23R2は互いに同一であっても異なっていてもよい炭素数1~4のアルキル基及び/又は炭素数1~4のヒドロキシアルキル基、ウレア、チオウレア等の含窒素有機化合物、ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール等の水溶性ポリマー、R3OHR3は炭素数1~4のアルキル基等のアルキルアルコール系化合物、等の防食剤;水素、アルゴン、窒素、二酸化炭素、アンモニア等の溶存ガス、フッ酸、フッ化アンモニウム、BHFバッファードフッ酸等のドライエッチング後に強固に付着したポリマー等の除去効果が期待できるエッチング促進剤;ヒドラジン等の還元剤;過酸化水素、オゾン、酸素等の酸化剤;モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルカノールアミン類;等が挙げられる。なお、洗浄対象となる半導体デバイス用基板において、配線として、過酸化水素と反応して溶解するCu等の金属材料が露出している場合がある。この際、洗浄に使用する洗浄液は、実質的に過酸化水素を含有しないことが好ましい。次いで、本発明の洗浄方法について説明する。本発明の洗浄方法は、既述した本発明の洗浄液を半導体デバイス用基板に直接接触させる方法で行われる。洗浄対象となる半導体デバイス用基板としては、半導体、ガラス、金属、セラミックス、樹脂、磁性体、超伝導体などの各種半導体デバイス用基板が挙げられる。この中でも、本発明の洗浄液は、金属表面を腐食することなく、かつ、短時間のリンスで除去ができるため、配線などとして表面に金属又は金属化合物を有する半導体デバイス用基板に対して特に好適である。ここで、半導体デバイス用基板に使用される上記金属としては、W、Cu、Ti、Cr、Co、Zr、Hf、Mo、Ru、Au、Pt、Ag等が挙げられ、金属化合物としては、これらの金属の窒化物、酸化物、シリサイド等が挙げられる。これらの中では、Cu並びにこれらを含有する化合物が好適な対象である。また、本発明の洗浄方法は、疎水性の強い低誘電率絶縁材料に対しても洗浄効果が高いため、低誘電率絶縁材料を有する半導体デバイス用基板に対しても好適である。このような低誘電率材料としては、Polyimide、BCBBenzocyclobutene、FlareHoneywell社、SiLKDowChemical社等の有機ポリマー材料やFSGFluorinatedsilicateglassなどの無機ポリマー材料、BLACKDIAMONDAppliedMaterials社、Aurora日本ASM社等のSiOC系材料が挙げられる。ここで、本発明の洗浄方法は、半導体デバイス用基板が、基板表面にCu配線と低誘電率絶縁膜を有し、かつ、CMP処理後に基板を洗浄する場合に特に好適に適用される。CMP工程では、研磨剤を用いて基板をパッドに擦り付けて研磨が行われる。研磨剤には、コロイダルシリカSiO2、フュームドシリカSiO2、アルミナAl2O3、セリアCeO2などの研磨粒子が含まれる。このような研磨粒子は、半導体デバイス用基板の微粒子汚染の主因となるが、本発明の洗浄液は、基板に付着した微粒子を洗浄液中に分散させると共に再付着を防止する作用を有しているため、微粒子汚染の高い効果を示す。また、研磨剤には、酸化剤、分散剤等の研磨粒子以外の添加剤が含まれることがある。特に、その表面に金属配線としてCu膜を有する半導体デバイス用基板におけるCMP研磨では、Cu膜が腐食しやすいため、防食剤が添加されることが多い。防食剤としては、防食効果の高いアゾール系防食剤が好ましく用いられる。より詳しくは窒素のみの複素環を含む、ジアゾール系やトリアゾール系、テトラゾール系が挙げられる。窒素と酸素の複素環を含、オキサゾール系やイソオキサゾール系、オキサジアゾール系が挙げられ、窒素と硫黄の複素環を含、チアゾール系やイソチアゾール系、チアジアゾール系が挙げられる。その中でも特に、防食効果に優れるベンゾトリアゾールBTA系の防食剤が好ましく用いられている。本発明の洗浄液は、このような防食剤を含んだ研磨剤で研磨した後の表面に適用すると、これら防食剤に由来した汚染を極めて効果的に除去できる点において優れている。即ち、研磨剤中にこれらの防食剤が存在すると、Cu膜表面の腐食を抑える半面、研磨時に溶出したCuイオンと反応し、多量の不溶性析出物を生じる。本発明の洗浄液は、このような不溶性析出物を効率的に溶解除去することができ、更に、金属表面に残りやすい界面活性剤を、短時間のリンスで除去することができ、スループットの向上が可能である。そのため、本発明の洗浄方法は、Cu膜と低誘電率絶縁膜が共存した表面をCMP処理した後の半導体デバイス用基板の洗浄に好適であり、特にアゾール系防食剤が入った研磨剤でCMP処理した上記基板の洗浄に好適である。上述のように本発明の洗浄方法は、本発明の洗浄液希釈液を半導体デバイス用基板に直接接触させる方法で行われる。なお、洗浄対象となる半導体デバイス用基板の種類に合わせて、好適な成分濃度の洗浄液が選択される。例えば、洗浄対象である半導体デバイス用基板が、基板表面にCu配線と低誘電率絶縁膜を有する基板である場合の希釈洗浄液における各成分の好適な濃度範囲は、成分Aが0.03~3質量、好ましくは0.06~1質量であり、成分Bの濃度が、0.0001~1質量、好ましくは0.0001~0.3質量であり、成分Cの濃度が、0.00001~0.1質量、好ましくは0.0001~0.03質量である。なお、成分Cがポリビニルピロリドンである場合の好適な濃度範囲は0.00001~0.003質量であり、ポリエチレンオキシド-ポリプロピレンオキシドブロック共重合体である場合の好適な濃度範囲は0.00001~0.03質量である。洗浄液希釈液の基板への接触方法には、洗浄槽に洗浄液を満たして基板を浸漬させるディップ式、ノズルから基板上に洗浄液を流しながら基板を高速回転させるスピン式、基板に液を噴霧して洗浄するスプレー式などが挙げられる。この様な洗浄を行うための装置としては、カセットに収容された複数枚の基板を同時に洗浄するバッチ式洗浄装置、1枚の基板をホルダーに装着して洗浄する枚葉式洗浄装置などがある。本発明の洗浄液は、上記の何れの方法にも適用できるが、短時間でより効率的な汚染除去が出来る点から、スピン式やスプレー式の洗浄に好ましく使用される。そして、洗浄時間の短縮、洗浄液使用量の削減が望まれている枚葉式洗浄装置に適用するならば、これらの問題が解決されるので好ましい。また、本発明の洗浄方法は、物理力による洗浄方法、特に、洗浄ブラシを使用したスクラブ洗浄や周波数0.5メガヘルツ以上の超音波洗浄を併用すると、基板に付着した微粒子による汚染の除去性が更に向上し、洗浄時間の短縮にも繋がるので好ましい。特に、CMP後の洗浄においては、樹脂製ブラシを使用してスクラブ洗浄を行うのが好ましい。樹脂製ブラシの材質は、任意に選択し得るが、例えばPVAポリビニルアルコールを使用するのが好ましい。更に、本発明の洗浄方法による洗浄の前及び/又は後に、水による洗浄を行ってもよい。本発明の洗浄方法において、洗浄液の温度は、通常は室温でよいが、性能を損なわない範囲で、40~70°C程度に加温してもよい。以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明は、その要旨を変更しない限り以下の実施例に限定されるものではない。実施例及び比較例の洗浄液の製造に使用した試薬は次の通りである。試薬成分A:有機酸クエン酸和光純薬株式会社製、試薬特級成分B:スルホン酸型アニオン性界面活性剤ドデシルベンゼンスルホン酸略称:DBSライオン株式会社製成分C:高分子凝集剤ポリエチレンオキシド-ポリプロピレンオキシドブロック共重合体略称:EO/PO第一工業製薬株式会社製、エパンU-108ポリビニルピロリドン略称:PVP第一工業製薬株式会社製、ピッツコールK-30成分C’:成分Cに該当しない水溶性ポリマーポリエチレングリコール略称:PEG第一工業製薬株式会社製、PEG6000ポリアクリル酸略称:PAA第一工業製薬株式会社製、シャロールAN-103カルボキシメチルセルロースナトリウム略称:CMC第一工業製薬株式会社製、セロゲンF-6HS9実施例1洗浄液の調製成分Aとして15質量のクエン酸、成分Bとして0.5質量のDBS、成分Cとして0.002質量のEO/POを、成分D水と混合して、実施例1の半導体デバイス用基板洗浄原液を調製した。次いで、水/洗浄液原液の質量比率が40となるように該洗浄液原液に水を加え、半導体デバイス用基板洗浄液希釈液を調整した。洗浄液原液及び希釈液の組成を表1に示す。凝集効果の評価洗浄液希釈液40gに、コロイダルシリカ株式会社日揮触媒化成製、カタロイドSI-50Pを濃度が0.005質量となるように添加した。マグネティックスターラーを用いて洗浄液を充分に攪拌した後、洗浄液が濁っているかどうかを目視で確認した。結果を表2に示す。ゼータ電位の測定コロイダルシリカ日揮触媒化成株式会社カタロイドSI-80P、一次粒径:80nmの濃度が0.008質量となるように洗浄液希釈液に添加し、マグネティックスターラーを用いて洗浄液希釈液を一時間以上攪拌した後、ゼータ電位計株大塚電子ELS-6000を用いて測定をおこなった。測定は3回行い、それらの平均値を測定結果とした。測定結果を表2に示す。実施例2成分Cを、0.01質量のEO/POとした以外は、実施例1と同様にして、実施例2の半導体デバイス用基板洗浄原液を調製した。次いで、水/洗浄液原液の質量比率が40となるように該洗浄液原液に水を加え、半導体デバイス用基板洗浄液希釈液を調整した。洗浄液原液及び希釈液の組成を表1に示す。得られた洗浄液を用いて、実施例1と同様の方法で凝集効果の評価とゼータ電位の測定を行った。評価結果を表2に示す。実施例3成分Cを、0.02質量のEO/POとした以外は、実施例1と同様にして、実施例3の半導体デバイス用基板洗浄原液を調製した。次いで、水/洗浄液原液の質量比率が40となるように該洗浄液原液に水を加え、半導体デバイス用基板洗浄液希釈液を調整した。洗浄液原液及び希釈液の組成を表1に示す。得られた洗浄液を用いて、実施例1と同様の方法で凝集効果の評価とゼータ電位の測定を行った。評価結果を表2に示す。実施例4成分Cを、0.2質量のEO/POとした以外は、実施例1と同様にして、実施例4の半導体デバイス用基板洗浄原液を調製した。次いで、水/洗浄液原液の質量比率が40となるように該洗浄液原液に水を加え、半導体デバイス用基板洗浄液希釈液を調整した。洗浄液原液及び希釈液の組成を表1に示す。得られた洗浄液を用いて、実施例1と同様の方法で凝集効果の評価とゼータ電位の測定を行った。評価結果を表2に示す。実施例5成分Cを、0.002質量のPVPとした以外は、実施例1と同様にして、実施例5の半導体デバイス用基板洗浄原液を調製した。次いで、水/洗浄液原液の質量比率が40となるように該洗浄液原液に水を加え、半導体デバイス用基板洗浄液希釈液を調整した。洗浄液原液及び希釈液の組成を表1に示す。得られた洗浄液を用いて、実施例1と同様の方法で凝集効果の評価とゼータ電位の測定を行った。評価結果を表2に示す。実施例6成分Cを、0.01質量のPVPとした以外は、実施例1と同様にして、実施例6の半導体デバイス用基板洗浄原液を調製した。次いで、水/洗浄液原液の質量比率が40となるように該洗浄液原液に水を加え、半導体デバイス用基板洗浄液希釈液を調整した。洗浄液原液及び希釈液の組成を表1に示す。得られた洗浄液を用いて、実施例1と同様の方法で凝集効果の評価とゼータ電位の測定を行った。評価結果を表2に示す。実施例7成分Cを、0.02質量のPVPとした以外は、実施例1と同様にして、実施例7の半導体デバイス用基板洗浄原液を調製した。次いで、水/洗浄液原液の質量比率が40となるように該洗浄液原液に水を加え、半導体デバイス用基板洗浄液希釈液を調整した。洗浄液原液及び希釈液の組成を表1に示す。得られた洗浄液を用いて、実施例1と同様の方法で凝集効果の評価とゼータ電位の測定を行った。評価結果を表2に示す。比較例1成分Cを含まず、成分Aとして15質量のクエン酸、成分Bとして0.5質量のDBSを成分D水と混合して、表1に示す組成の比較例1の半導体デバイス用基板洗浄原液を調製した。次いで、水/洗浄液原液の質量比率が40となるように該洗浄液原液に水を加え、半導体デバイス用基板洗浄液希釈液を調整した。洗浄液原液及び希釈液の組成を表1に示す。得られた洗浄液を用いて、実施例1と同様の方法で凝集効果の評価とゼータ電位の測定を行った。評価結果を表2に示す。比較例2成分Cの代わりに、成分C’として0.002質量のPEGを添加した以外は、実施例1と同様にして、比較例2の半導体デバイス用基板洗浄原液を調製した。次いで、水/洗浄液原液の質量比率が40となるように該洗浄液原液に水を加え、半導体デバイス用基板洗浄液希釈液を調整した。洗浄液原液及び希釈液の組成を表1に示す。得られた洗浄液を用いて、実施例1と同様の方法で凝集効果の評価とゼータ電位の測定を行った。評価結果を表2に示す。比較例3成分Cの代わりに、成分C’として0.02質量のPEGを添加した以外は、実施例1と同様にして、比較例3の半導体デバイス用基板洗浄原液を調製した。次いで、水/洗浄液原液の質量比率が40となるように該洗浄液原液に水を加え、半導体デバイス用基板洗浄液希釈液を調整した。洗浄液原液及び希釈液の組成を表1に示す。得られた洗浄液を用いて、実施例1と同様の方法で凝集効果の評価とゼータ電位の測定を行った。評価結果を表2に示す。比較例4成分Cの代わりに、成分C’として0.2質量のPEGを添加した以外は、実施例1と同様にして、比較例4の半導体デバイス用基板洗浄原液を調製した。次いで、水/洗浄液原液の質量比率が40となるように該洗浄液原液に水を加え、半導体デバイス用基板洗浄液希釈液を調整した。洗浄液原液及び希釈液の組成を表1に示す。得られた洗浄液を用いて、実施例1と同様の方法で凝集効果の評価とゼータ電位の測定を行った。評価結果を表2に示す。比較例5成分Cの代わりに、成分C’として0.02質量のPAAを添加した以外は、実施例1と同様にして、比較例5の半導体デバイス用基板洗浄原液を調製した。次いで、水/洗浄液原液の質量比率が40となるように該洗浄液原液に水を加え、半導体デバイス用基板洗浄液希釈液を調整した。洗浄液原液及び希釈液の組成を表1に示す。得られた洗浄液を用いて、実施例1と同様の方法で凝集効果の評価とゼータ電位の測定を行った。評価結果を表2に示す。比較例6成分Cの代わりに、成分C’として0.2質量のPAAを添加した以外は、実施例1と同様にして、比較例6の半導体デバイス用基板洗浄原液を調製した。次いで、水/洗浄液原液の質量比率が40となるように該洗浄液原液に水を加え、半導体デバイス用基板洗浄液希釈液を調整した。洗浄液原液及び希釈液の組成を表1に示す。得られた洗浄液を用いて、実施例1と同様の方法で凝集効果の評価とゼータ電位の測定を行った。評価結果を表2に示す。比較例7成分Cの代わりに、成分C’として2質量のPAAを添加した以外は、実施例1と同様にして、比較例7の半導体デバイス用基板洗浄原液を調製した。次いで、水/洗浄液原液の質量比率が40となるように該洗浄液原液に水を加え、半導体デバイス用基板洗浄液希釈液を調整した。洗浄液原液及び希釈液の組成を表1に示す。得られた洗浄液を用いて、実施例1と同様の方法で凝集効果の評価を行った。評価結果を表2に示す。比較例8成分Cの代わりに、成分C’として0.2質量のCMCを添加した以外は、実施例1と同様にして、比較例8の半導体デバイス用基板洗浄原液を調製した。次いで、水/洗浄液原液の質量比率が40となるように該洗浄液原液に水を加え、半導体デバイス用基板洗浄液希釈液を調整した。洗浄液原液及び希釈液の組成を表1に示す。得られた洗浄液を用いて、実施例1と同様の方法で凝集効果の評価を行った。評価結果を表2に示す。表2において、ゼータ電位単位:mVは、基板と洗浄の際に基板から離れた粒子との反発力の指標であり、マイナスの絶対値が大きいほど、反発力が大きくなることを示す。-30mV未満:反発力が極めて大きい。-30mV以上-20mV未満:反発力が大きく粒子の再付着が防止できる。-20mV以上:成分Cの効果が発揮されていない。"