"表面に突出部を有する電極パッドを備える基板上に、前記電極パッドの少なくとも一部を覆う第1の絶縁膜を形成する第1の絶縁膜形成工程と、前記第1の絶縁膜の表面から突起した部分を除去することができる処理を行う除去処理工程と、前記除去処理工程後に、前記第1の絶縁膜上及び前記電極パッド上に第2の絶縁膜を形成する第2の絶縁膜形成工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記電極パッドの前記突出部は、プロービング痕であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記第1の絶縁膜形成工程前に、前記電極パッドにプロービング針を接触させ、その後、前記電極パッドから前記プロービング針を離す動作を含む検査工程をさらに有することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。前記突起した部分は、前記電極パッドの前記突出部の一部であり、前記除去処理工程は、前記突起した部分をエッチングにより除去する工程を含むことを特徴とする請求項1から3までのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記突起した部分は、前記電極パッドの前記突出部の一部であり、前記除去処理工程は、前記突起した部分を研磨により除去する工程を含むことを特徴とする請求項1から3までのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記第2の絶縁膜形成工程後に、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を貫通し、前記電極パッドに達する開口を形成する工程と、前記開口を介して前記電極パッドに電気的に接続する再配線層を形成する工程とをさらに有することを特徴とする請求項1から5までのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記第1の絶縁膜形成工程と前記第2の絶縁膜形成工程との間において、前記第1の絶縁膜を貫通し、前記電極パッドに達する第1の開口を形成する工程と、前記第2の絶縁膜形成工程後に、前記第2の絶縁膜を貫通し、前記第1の開口に繋がる第2の開口を形成する工程と、前記第2の開口及び前記第1の開口を介して前記電極パッドに電気的に接続する再配線層を形成する工程とをさらに有することを特徴とする請求項1から5までのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記再配線層を覆う封止層を形成する工程と、前記再配線層に電気的に接続され、前記封止層上に備えられた電極部を形成する工程とをさらに有することを特徴とする請求項6又は7に記載の半導体装置の製造方法。基板と、前記基板上に備えられ、表面に突出部を有する電極パッドと、前記基板上に、前記電極パッドの少なくとも一部を覆うように形成された第1の絶縁膜と、前記電極パッドが露出しないように、前記第1の絶縁膜上及び前記電極パッド上に形成された第2の絶縁膜とを有することを特徴とする半導体装置。前記電極パッドの前記突出部は、プロービング痕であることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を貫通し、前記電極パッドに達する開口と、前記開口を介して前記電極パッドに電気的に接続する再配線層とをさらに有することを特徴とする請求項9又は10に記載の半導体装置。前記電極パッドの前記突出部は、前記第1の絶縁膜の表面より高い部分を持たないことを特徴とする請求項9から11までのいずれか1項に記載の半導体装置。前記電極パッドの前記突出部は、前記第2の絶縁膜で封止されていることを特徴とする請求項10から12までのいずれか1項に記載の半導体装置。前記再配線層を覆う封止層と、前記再配線層に電気的に接続され、前記封止層上に備えられた電極部とをさらに有することを特徴とする請求項9から13までのいずれか1項に記載の半導体装置。しかし、特許文献1に示される方法では、絶縁膜の厚膜化によって半導体ウェハに生じる応力が増大するため、半導体ウェハに反りやクラックが発生し易くなるという問題がある。特許文献2に示される方法では、プロービング痕の位置が一定でないため、再配線パターンで確実に覆うことができないことがあり、また、再配線パターンの厚さが不足する場合には、プロ-ビング痕の突起した部分が再配線パターンを断線させることがあるという問題がある。特許文献3に示される方法では、感光性樹脂層の形成、複数の電極膜の形成など、製造工程が非常に複雑になり、また、起伏のあるプロ-ビング痕の上に電極材料からなるポストを形成するので、電極パッドとその上の電極材料との良好な接続性を得難いという問題がある。特許文献4に示される方法では、基板及び電極パッドが露出した状態で電極パッド上の異物を研磨して除去するので、電極パッドや基板内の回路素子にダメージを与えやすいという問題がある。そこで、本発明は、上記従来技術の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、電極パッドの表面の突出部に起因する不具合が発生し難い半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することにある。本発明に係る半導体装置の製造方法は、表面に突出部を有する電極パッドを備える基板上に、前記電極パッドの少なくとも一部を覆う第1の絶縁膜を形成する第1の絶縁膜形成工程と、前記第1の絶縁膜の表面から突起した部分を除去することができる処理を行う除去処理工程と、前記除去処理工程後に、前記第1の絶縁膜上及び前記電極パッド上に第2の絶縁膜を形成する第2の絶縁膜形成工程とを有することを特徴としている。本発明に係る半導体装置は、基板と、前記基板上に備えられ、表面に突出部を有する電極パッドと、前記基板上に、前記電極パッドの少なくとも一部を覆うように形成された第1の絶縁膜と、前記電極パッドが露出しないように、前記第1の絶縁膜上及び前記電極パッド上に形成された第2の絶縁膜とを有することを特徴としている。本発明に係る半導体装置の製造方法及び半導体装置によれば、半導体装置の電極パッドの表面の突出部に起因する不具合が発生し難いので、不良品の発生率を低下させることができるという効果がある。図1乃至図7は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の第1工程から第7工程までを概略的に示す縦断面図である。なお、図1乃至図7には、半導体ウェハの一部の縦断面が示されている。実施の形態に係る半導体装置の製造方法においては、図1に示されるように、先ず、基板の一例としての半導体ウェハ1上に電極パッド2とパッシベーション膜PV膜3とを形成する。半導体ウェハ1は、内部にトランジスタ、コンデンサ、抵抗素子などの回路素子及び配線を含む集積回路を有している。半導体ウェハ1としては、シリコンウェハ又はガリウムヒ素ウェハなどを用いることができる。電極パッド2は、半導体ウェハ1内の集積回路に電気的に接続されており、例えば、アルミニウムAl、銅Cu、Al-Si系合金、Al-Si-Cu系合金などから構成される。電極パッド2は、例えば、メッキ法や蒸着法により形成することができる。PV膜3は、例えば、シリコン窒化膜などであり、半導体ウェハ1に機械的損傷、化学的損傷、電気的損傷などを与え難くしている。PV膜3は、例えば、蒸着法により形成することができる。図1に示される第1工程においては、電極パッド2は、PV膜3の開口から、表面上面を露出させている。次に、図2に示されるように、検査装置としてのプロ-ビング装置のプロービング針プローブピン101を電極パッド2に接触させ、半導体ウェハ1内の集積回路が良品であるか不良品であるかのテスト例えば、動作確認を行い、その後、電極パッド2からプロービング針101を離す。この工程を、プロ-ビング工程又は検査工程と言う。プロ-ビング針101は、例えば、タングステンWから構成される。このときのプロ-ビング針101の接触により、プロ-ビング針101よりも柔らかい材料で形成されている電極パッド2の表面に、突出部を含むプロ-ビング痕プローブ痕21が形成される。プロ-ビング痕21の形状及び大きさは、色々あるが、例えば、図2に示されるように、突起した部分22を有するプロ-ビング痕21が形成されることがある。次に、図3に示されるように、プロービング痕21が存在する電極パッド2を備える基板1上に、電極パッド2の少なくとも一部を覆う第1の絶縁膜4を形成する。図3においては、第1の絶縁膜4は、プロ-ビング痕21の突起した部分22以外の部分を覆っている。第1の絶縁膜4の材料としては、例えば、ポリイミドを用いることができる。また、第1の絶縁膜4の材料として、ポリベンゾオキサゾールPBOなどの他の絶縁材料を用いることもできる。第1の絶縁膜4の膜厚は、最終的な絶縁膜ここでは、第1の絶縁膜4と第2の絶縁膜5の膜厚の合計の、3分の1から2の膜厚分の1程度の厚さとし、通常は2~20[μm]であり、図3に示されるように、プロ-ビング痕21の突起した部分22が露出していてもよい。なお、第1の絶縁層4を、複数の積層する絶縁層から構成してもよい。次に、図4に示されるように、プロービング痕21の内の、第1の絶縁膜4よりも上に突き出た部分22を除去することができる除去処理工程を行う。除去処理工程としては、突き出た部分22をエッチングにより除去する工程、又は、研磨装置102によって突き出た部分22を機械的に研磨して除去する工程を採用することができる。除去処理工程をエッチング処理によって行う場合には、第1の絶縁膜4に対するダメージが少ないという利点がある。また、除去処理工程を研磨処理によって行う場合には、第1の絶縁膜4に対するダメージが多くなるが、突き出た部分22の除去を迅速に行うことができる。次に、図5に示されるように、第1の絶縁膜4と除去処理工程を受けた後の電極パッド2のプロービング痕21の存在する部分の上面に、第2の絶縁膜5を形成する。第2の絶縁膜5の材料としては、例えば、ポリイミドなどを用いることができる。また、第2の絶縁膜5の材料として、PBOなどの他の絶縁材料を用いることもできる。第2の絶縁膜5は、第1の絶縁膜4と同じ材料で形成することができる。第1及び第2の絶縁膜3,4が熱硬化性樹脂である場合には、この段階でキュア炉にてキュア処理を行う。第1及び第2の絶縁膜3,4の設定膜厚は、キュア処理後の値になるように調整する。また、第2の絶縁層6の上に、1又は複数層の他の絶縁層を形成することもできる。次に、図6に示されるように、第2の絶縁膜形成工程の後に、第2の絶縁膜5及び第1の絶縁膜4を貫通し、電極パッド2の上面に達する開口51を形成する。開口51は、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。次に、開口51を介して電極パッド2に電気的に接続する再配線層再配線パターン6を形成する。再配線層6は、例えば、Cu又はCuを主成分とする合金などから、例えば、メッキ法などにより構成することができる。なお、開口51の形成を、図4に示される突き出た部分23の除去処理工程の後に第1の絶縁膜4に第1の開口を設ける工程と、図5に示される第2の絶縁膜5の形成後に第2の絶縁膜5に第1の開口に繋がる第2の開口を形成する2工程とによって、行ってもよい。図6に示されるように、開口51の形成を1工程で行う場合には、製造工程の数を減らすことができ、また、開口の形成を複数工程で行う場合に生じることがある、位置ズレの可能性が無くなるという利点がある。次に、図7に示されるように、再配線層6を、一部符号71を露出するように、覆う封止層としてのモールド樹脂層7を形成し、再配線層6に電気的に接続された柱状電極8と、この柱状電極8上に形成された外部接続電極としての半田ボール9とを形成する。以上に説明した本実施の形態に係る半導体装置の製造方法及び半導体装置によれば、第1の絶縁膜4の形成後に、プロービング痕21の突起した部分22を除去するので、基板1内の集積回路下地デバイスにダメージを与えることなく、WL-CSP加工を行うことができる。このため、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法及び半導体装置によれば、電極パッド2のプロ-ビング痕21に起因する不良品の発生率を低下させることができる。また、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法及び半導体装置によれば、絶縁膜を2層形成しており、第2の絶縁膜5上に突起した部分が無く、2層の絶縁膜4,5の同じ位置に重なってピンホールが発生する可能性は低いため、絶縁膜8,9の全体を貫通するピンホールの発生は極めて少ないという利点がある。なお、上記説明では、突起した部分突出部22がプロ-ビング痕である場合を説明したが、本発明は、突起した部分突出部22がプロ-ビング以外の原因によって発生した場合にも適用可能である。図8は、第1比較例の半導体装置の製造方法の一工程を概略的に示す縦断面図である。図8において、図6実施の形態の半導体装置の構成と同一又は対応する部分には、同じ符号を付す。第1比較例は、プロービング痕21の突起した部分の除去処理工程を行わないときに、再配線層206を断線させた状況を示している。既に説明したように、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法及び半導体装置によれば、プロービング痕21の第1の絶縁膜4よりも突き出た部分22を除去しているので、図8のプロービング痕21によって、再配線層6が断線することは無い。図9は、第2比較例の半導体装置の製造方法の一工程を概略的に示す縦断面図である。図9において、図6実施の形態の半導体装置の構成と同一又は対応する部分には、同じ符号を付す。第2比較例は、プロービング痕21の突起した部分の全体を膜厚Bの厚い絶縁層304で覆い、その上に再配線層306を形成する場合を示している。しかし、この場合には、絶縁膜304の厚膜化によって基板1としての半導体ウェハに生じる応力が増大するため、半導体ウェハに反りやクラックが発生し易くなるという問題がある。本実施の形態に係る半導体装置の製造方法及び半導体装置によれば、プロービング痕21の第1の絶縁膜4よりも突き出た部分22を除去しているので、第1の絶縁膜4と第2の絶縁膜5との合計の厚さ図7の膜厚Aを薄くすることができるので、半導体ウェハに反りやクラックが発生し難い。図10は、第3比較例の半導体装置の製造方法の一工程を概略的に示す縦断面図である。図10において、図6実施の形態の半導体装置の構成と同一又は対応する部分には、同じ符号を付す。第3比較例は、電極パッド2のプロ-ビング痕21の突起した部分を絶縁層404の開口405内に置き、突起した部分を再配線層406で覆うことによって、突起した部分が封止樹脂に接しないようにする方法を提案している。しかし、半導体ウェハ上に多数配置された電極パッド2の各プロービング痕の突起した部分の位置は一定でないため、これらを再配線パターンで確実に覆うことは、困難である。本実施の形態に係る半導体装置の製造方法及び半導体装置によれば、プロービング痕21の第1の絶縁膜4よりも突き出た部分22を除去しているので、プロ-ビング痕21の突起した部分を絶縁層404の開口405内に置き、突起した部分を再配線層406で覆うという困難な処理工程を必要としていないので、製造プロセスが複雑にならない利点がある。"