"アルケニル基を有する化合物Aおよび下記一般式Iで示されるポリシロキサン化合物Bからなるヒドロシリル化反応性を有する硬化性組成物であり、得られる硬化物における1kHzでの比誘電率が3.5以上であることを特徴とする硬化性組成物。式中x、yは1~50、zは0~50の任意の整数で表され、Aはグリシジル基、オキセタニル基、シアノ基から選ばれる一種を含む有機基を示し、Bはアルケニル基を有さない炭素数1~50の有機基で表され、それぞれ異なっていても同一であってもよいアルケニル基を有する化合物Aが下記一般式II式中R1は、炭素数1~50の有機基で表わされ、少なくとも一つはアルケニル基であり、それぞれのR1は異なっていても同一であってもよいで表される構造を含有する化合物であることを特徴とする請求項1に記載の硬化性組成物。アルケニル基を有する化合物Aがビニル基含有ポリシロキサン化合物であることを特徴とする請求項1に記載の硬化性組成物。ポリシロキサン化合物BにおけるBが、脂環式エポキシ基、アクリロイル基、アルコキシシリル基のいずれか一種を少なくとも有することを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の硬化性組成物。ポリシロキサン化合物Bがアルカリ現像性を有すること特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の硬化性組成物。ポリシロキサン化合物BにおけるBが、下記構造式X1、X2、フェノール性水酸基と、カルボキシル基とからなる群のいずれかの構造を有することを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の硬化性組成物。請求項1~6のいずれか一項に記載の硬化性組成物を用いた絶縁膜。ゲート絶縁膜として請求項7記載の絶縁膜を用いた薄膜トランジスタ誘電層として請求項7記載の絶縁膜を用いたコンデンサ。上記事情から、本発明の目的は高誘電率でありかつ絶縁性に優れた絶縁膜と成すことが出来る硬化性組成物を提供することである。上記事情に鑑み、本発明者らが鋭意検討した結果、下記特長を有する樹脂組成物を用いることにより上記課題が解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、以下の構成を有するものである。1.アルケニル基を有する化合物Aおよび下記一般式Iで示されるポリシロキサン化合物Bからなるヒドロシリル化反応性を有する硬化性組成物であり、得られる硬化物における1kHzでの比誘電率が3.5以上であることを特徴とする硬化性組成物。式中x、yは1~50、zは0~50の任意の整数で表され、Aはグリシジル基、オキセタニル基、シアノ基から選ばれる一種を含む有機基を示し、Bはアルケニル基を有さない炭素数1~50の有機基で表され、それぞれ異なっていても同一であってもよい2.アルケニル基を有する化合物Aが下記一般式II式中R1は、炭素数1~50の有機基で表わされ、少なくとも一つはアルケニル基であり、それぞれのR1は異なっていても同一であってもよいで表される構造を含有する化合物であることを特徴とする1に記載の硬化性組成物。3.アルケニル基を有する化合物Aがビニル基含有ポリシロキサン化合物であることを特徴とする1に記載の硬化性組成物。4.ポリシロキサン化合物BにおけるBが、脂環式エポキシ基、アクリロイル基、アルコキシシリル基のいずれか一種を少なくとも有することを特徴とする1~3のいずれか一項に記載の硬化性組成物。5.ポリシロキサン化合物Bがアルカリ現像性を有すること特徴とする1~4のいずれか一項に記載の硬化性組成物。6.ポリシロキサン化合物BにおけるBが、下記構造式X1、X2、フェノール性水酸基と、カルボキシル基とからなる群のいずれかの構造を有することを特徴とする1~5のいずれか一項に記載の硬化性組成物。7.1~6のいずれか一項に記載の硬化性組成物からなる絶縁膜。8.ゲート絶縁膜として7記載の絶縁膜を用いた薄膜トランジスタ9.誘電層として7記載の絶縁膜を用いたコンデンサ。本発明によれば、製膜性に優れ、高誘電性かつ絶縁性に優れた薄膜を与え、薄膜トランジスタ用絶縁膜やコンデンサ用材料として適用し得る。発明の詳細を説明する。本発明の硬化性組成物は、製膜性に優れ高誘電性でありかつ絶縁性に優れた薄膜と成すことが可能であり、該組成物は薄膜トランジスタのゲート絶縁膜やコンデンサ用材料誘電層として有用である。硬化性組成物について本発明の硬化性組成物について説明する。本発明の硬化性組成物は溶液と成して優れた製膜性を有し、かつ高誘電率で絶縁性に優れる薄膜を得ることができる。ポリシロキサン化合物Bについて本発明のシロキサン化合物Bは下記一般式Iに示される構造であるものが用いられる。式中x、yは1~50、zは0~50の任意の整数で表され、Aはグリシジル基、オキセタニル基、シアノ基から選ばれる一種を含む有機基を示し、Bはアルケニル基を有さない炭素数1~50の有機基で表され、それぞれ異なっていても同一であってもよいなお、x、yは好ましくは3~45、zは好ましくは0~45の任意の整数が好ましく、さらにはx、yは6~45であることが好ましい。本発明のポリシロキサン化合物Bを得る方法として、特に限定はされないが、導入する官能基の種類や量をコントロールできるという観点より、下記一般式IIIで示されるSiH基含有ポリシロキサン化合物と、アルケニル基とグリシジル基、オキセタニル基、シアノ基から選ばれる特定官能基を同一分子中に有する化合物とのヒドロシリル化反応により得ることができる。式中xは1~50、yは0~50の任意の整数で表され、Cはアルケニル基を有さない炭素数1~50の有機基で表され、それぞれ異なっていても同一であってもよいなお、xは好ましくは3~45、yは好ましくは0~45の任意の整数が好ましく、さらにはxは6~45であることが好ましい。ここで用いるSiH基含有ポリシロキサン化合物においては、SiH基含有環状シロキサン化合物や末端SiH基を有する直鎖状ジメチルジフェニルポリシロキサン化合物なども挙げられるが、官能基導入量に対し誘電率の上昇効果が最も得やすい構造として上記に示されるような主鎖にSiH基を有する直鎖状ポリシロキサン化合物が好適に用いられる。また主鎖にSiH基を有する直鎖状ポリシロキサン化合物としては、一般的に入手しやすいジメチルやジフェニルユニットとの共重合体も適宜使用することができる。ポリシロキサンBやSiH基含有ポリシロキサン化合物の一般式I、IIIにおいて、ケイ素原子に結合しているH、A、B、C以外については特に言及していないが、これらはアルキル基であることが好ましく、中でも炭素数1~5のアルキル基、特にはメチル基あるいはエチル基、特にはメチル基である化合物が好ましい。またSiH基含有ポリシロキサン化合物と反応させる特定官能基とアルケニル基を含有する化合物については、特定の官能基の種類やその導入量を選択することで、得られる硬化物の誘電率やその他化合物との相溶性を調整することができる。グリシジル基あるいは、オキセタニル基を含有する化合物として具体的には、アリルグリシジルエーテル、グリシジルメタクリレート、ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル、ジアリルモノグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート、アリルオキセタニルエーテル等が挙げられる。これらの中でも特に誘電率上昇効果が高いという観点より、グリシジルメタクリレート、ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテルが好ましい。またシアノ基含有化合物としては、アクリロニトリル、アリルシアニド等が挙げられる。これら化合物は単独で使用しても良いし、2種以上組み合わせて使用することもできる。またヒドロシリル化反応させる場合には、触媒を用いても良い。この場合の触媒としては、公知のヒドロシリル化触媒を用いればよく、触媒活性の点から塩化白金酸、白金-オレフィン錯体、白金-ビニルシロキサン錯体等が好ましい。また、これらの触媒は単独で使用してもよく、2種以上併用してもよい。本発明のポリシロキサン化合物Bにおいて、ポリシロキサン化合物Bに光重合性官能基を導入し、光重合開始剤を配合することで本発明の硬化性組成物に光硬化性を付与することもできる。光重合性を有する化合物を配合することで本発明の硬化性組成物に光硬化性を付与することもできるが、相溶性および誘電率上昇効果が得やすい観点より、一般式Iに示すポリシロキサン化合物Bに光重合性官能基を有している化合物が好ましい。アルケニル基を有する化合物Aについて本発明の硬化性組成物において、アルケニル基を有する化合物A中のアルケニル基とポリシロキサン化合物中のSiH基とのヒドロシリル化反応により電気特性に優れる硬化物を得ることができる。ヒドロシリル化触媒を用いることでヒドロシリル化反応が良好に進み、電気特性に優れる硬化物を得ることができるので好ましい。アルケニル基を有する化合物Aについては、ポリシロキサン系化合物、有機化合物にかかわらず特に限定なく使用することができる。アルケニル基を有するポリシロキサン系化合物としては、アルケニル基を有する直鎖状ポリシロキサン、アルケニル基を有する基含有する環状ポリシロキサンをあげることができる。シロキサン単位のうち、構成成分中T単位X3SiO32、またはQ単位SiO42の含有率が高いものほど得られる硬化物は硬度が高くより耐熱信頼性に優れ、またM単位X3SiO12、またはD単位X2SiO22の含有率が高いものほど硬化物はより柔軟で低応力なものが得られる傾向がある。また、アルケニル基を有するポリシロキサン系化合物のアルケニル基としてはビニル基が好ましい。アルケニル基を有する直鎖状ポリシロキサンの具体例としては、ジメチルビニルシリル基で末端が封鎖されたジメチルもしくはジフェニルポリシロキサン、側鎖にビニル基を有するポリシロキサン、テトラメチルジビニルジシロキサン、ヘキサメチルトリビニルトリシロキサンなどが挙げられ、硬化物として柔軟で低応力のものが得られる観点より好ましい。またアルケニル基を有する環状シロキサンの具体例としては、1,3,5,7-テトラビニル-1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラビニル-1,3,5,7-テトラフェニルシクロテトラシロキサン、1-メチルー3,5,7-トリビニル-1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン、1,3-ジメチル-5,7-ジビニル-1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン、1-プロピル-3,5,7-トリビニル-1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン、1,3-ジプロピル-5,7-ジビニル-1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン、1,3,5-トリビニル-7-ヘキシル-1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン、1,5-ジビニル-3,7-ジヘキシル-1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン、1,3,5-トリビニル-トリメチルシクロシロキサン、1,3,5,7,9-ペンタビニル-1,3,5,7,9-ペンタメチルシクロシロキサン、1,3,5,7,9,11-ヘキサビニル-1,3,5,7,9,11-ヘキサメチルシクロシロキサン等が例示される。特に入手性の観点より、1,3,5,7-テトラビニル-1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサンが好ましい。またQ単位より構成され末端がジメチルビニルシリル基で封鎖されているオリゴシロキサンも耐溶剤性に優れる硬化物を得やすいという観点より好ましく、具体的には、クラリアントジャパン製のMQV-7やMQV-6等が挙げられる。またアルケニル基を有する有機化合物としては、構成元素としてC、H、N、O、Sおよびハロゲンからなる群から選ばれる原子より構成される化合物であって、1分子中にSiH基との反応性を有する炭素-炭素二重結合を1個以上有する有機化合物であれば特に限定されない。またSiH基と反応性を有する炭素-炭素二重結合の結合位置は特に限定されず、分子内のどこに存在してもよい。アルケニル基を有する有機化合物Aは、有機重合体系化合物と有機単量体系化合物に分類でき、有機重合体系化合物としては例えば、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリアリレート系、ポリカーボネート系、飽和炭化水素系、不飽和炭化水素系、ポリアクリル酸エステル系、ポリアミド系、フェノール-ホルムアルデヒド系フェノール樹脂系、ポリイミド系の化合物を用いることができる。また有機単量体系化合物としては例えば、フェノール系、ビスフェノール系、ベンゼン、ナフタレン等の芳香族炭化水素系:直鎖系、脂環系等の脂肪族炭化水素系:複素環系の化合物およびこれらの混合物等が挙げられる。単量体系化合物の具体的な例としては、ジアリルフタレート、トリアリルトリメリテート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート、トリメチロールプロパンジアリルエーテル、トリメチロールプロパントリアリルエーテル、ペンタエリスリトールトリアリルエーテル、ペンタエリスリトールテトラアリルエーテル、1,1,2,2-テトラアリロキシエタン、ジアリリデンペンタエリスリット、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレート、ジアリルモノベンジルイソシアヌレート、1,2,4-トリビニルシクロヘキサン、1,4-ブタンジオールジビニルエーテル、ノナンジオールジビニルエーテル、1,4-シクロへキサンジメタノールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、ビスフェノールSのジアリルエーテル、ジビニルベンゼン、ジビニルビフェニル、1,3-ジイソプロペニルベンゼン、1,4-ジイソプロペニルベンゼン、1,3-ビスアリルオキシアダマンタン、1,3-ビスビニルオキシアダマンタン、1,3,5-トリスアリルオキシアダマンタン、1,3,5-トリスビニルオキシアダマンタン、ジシクロペンタジエン、ビニルシクロへキセン、1,5-ヘキサジエン、1,9-デカジエン、ジアリルエーテル、ビスフェノールAジアリルエーテル、2,5-ジアリルフェノールアリルエーテル、などが挙げられる。また、絶縁性に優れた硬化物となりやすいという観点より、下記一般式II式中R1は、炭素数1~50の有機基で表わされ、少なくとも一つはアルケニル基であり、それぞれのR1は異なっていても同一であってもよいで示される化合物であることが好ましい。具体的には、トリアリルイソシアヌレート、トリアリルシアヌレート、ジアリルモノグリシジルイソシアヌレート、ジアリルモノメチルイソシアヌレート、ジアリルモノプロピルイソシアヌレート、ジアリルモノベンジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジメチルイソシアヌレート、モノアリルジプロピルイソシアヌレート、モノアリルジベンジルイソシアヌレート、トリス2-メタアクリロイルオキシエチルイソシアヌレート、などが挙げられ、樹脂組成物の架橋反応に応じて適宜選択して使用することができる。光重合性官能基について本発明のポリシロキサン化合物Bにおいて光重合性官能基を導入し、光重合開始剤を配合することで光硬化性を付与することができるが、光重合性官能基としては、脂環式エポキシ基、アクリロイル基、アルコキシシリル基より選ばれる官能基をあげることができる。式中x、yは1~50、zは0~50の任意の整数で表され、Aはグリシジル基、オキセタニル基、シアノ基から選ばれる一種を含む有機基を示し、Bは炭素数1~50であって光重合性官能基を有する有機基で表され、それぞれ異なっていても同一であってもよいなお、x、yは好ましくは3~45、zは好ましくは0~45の任意の整数が好ましく、さらにはx、yは6~45であることが好ましい。光重合性官能基を導入する方法としては、Aを導入する方法と同様、光重合性官能基とアルケニル基とを同一分子内に有する化合物とヒドロシリル化反応することによって得ることができる。使用できる化合物として、具体的には、ビニルシクロヘキセンオキシド、トリメトキシビニルシラン、トリエトキシビニルシラン、ジメトキシメチルビニルシラン、ジエトキシメチルビニルシラン、メトキシジメチルビニルシラン、エトキシジメチルビニルシラン、メタアクリル酸アリル、メタアクリル酸ビニル、ジシクロペンテニルメタアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルメタアクリレート、メタアクリル酸変性アリルグリシジルエーテルナガセケムテックス製、商品名:デナコールアクリレートDA111等が挙げられる。光重合開始剤としては、一般的に入手可能なものは特に限定なく配合することができ、光重合性官能基がエポキシ基やアルコキシシリル基のような光カチオン重合性官能基の場合には、PF6-、SbF6-、BCF54-をアニオンとするアリールスルホニウム塩、アリールヨードニウム塩化合物が好適である。また光重合性官能基がアクリロイル基のような光ラジカル重合性官能基の場合には、アセトフェノン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、アシルフォスフィンオキサイド系化合物、オキシムエステル系化合物のような一般的な光ラジカル重合開始剤を使用することができる。アルカリ現像性について本発明のポリシロキサン化合物Bにおいて、光重合性官能基に加え、分子中に下記式X1~X2で表される各構造と、フェノール性水酸基と、カルボキシル基とからなる群のいずれかの構造を有しているポリシロキサン化合物Bを用いることで硬化性組成物がアルカリ水溶液への溶解が可能となるので好ましい。また、光重合性官能基が存在していると、アルカリ現像可能なフォトレジスト機能を付与することができるため好ましい。アルケニル基を有し、かつ、式X1~X2で表される各構造と、フェノール性水酸基と、カルボキシル基とからなる群から選ばれる少なくとも一種を有する化合物とポリシロキサン化合物Bとを一部ヒドロシリル化反応させることで得る事ができる。得られる硬化物が耐熱性に優れる観点より、式X1~X2およびフェノール性水酸基から選ばれる構造が好ましいく、さらに硬化物の透明性の観点より式X1~X2で示す構造を有する化合物が特に好ましい。具体的には、ジアリルイソシアヌル酸、モノアリルイソシアヌル酸、ビニルフェノール、アリルフェノール、ジアリルビスフェノールA、ジアリルビスフェノールS、化9で示す化合物があげられる。フォトリソグラフィーについて本発明の硬化性組成物について、フォトリソグラフィーにより微細パターニングする際、パターニング形成方法について特に限定はないが、具体的には浸漬法やスプレー法等の現像方法により未露光部を溶解除去し所望のパターン形成させることができる。アルカリ現像が可能となる事で、一般の半導体製造、ディスプレイ製造で使用するフォトリソグラフィー設備を活用した大面積でのパターン形成、パターン精度の均一性向上が可能となり、特殊な現像液が必要な今までのプロセスと比較してコスト的に有利となるため好ましい。現像に用いる現像液は、一般に使用するアルカリ現像液であれば特に限定なく使用することができ、具体例としては、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液やコリン水溶液等の有機アルカリ水溶液や、水酸化カリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、炭酸カリウム水溶液、炭酸ナトリウム水溶液、炭酸リチウム水溶液などの無機アルカリ水溶液やこれら水溶液に溶解速度等の調整のためにアルコールや界面活性剤などを添加したもの等を挙げることができる。また水溶液濃度に関しては、露光部と未露光部のコントラストがつきやすいという観点より、25重量以下であることが好ましく、より好ましくは10重量以下、更に好ましくは5重量以下であることが好ましい。溶剤について本発明の硬化性組成物において樹脂組成物を均一に塗布するために溶剤を使用することが好ましい。使用できる溶剤は特に限定されるものではなく具体的に例示すれば、トルエン、エチルシクロヘキサン、イソオクタン等の炭化水素系溶剤、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、1,3-ジオキソラン、ジエチルエーテル等のエーテル系溶剤、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤、プロピレングリコール-1-モノメチルエーテル-2-アセテートPGMEA、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のグリコール系溶剤、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、プロピオン酸ブチル、酪酸ブチル、イソ酪酸イソブチル等のエステル系溶剤、クロロホルム、塩化メチレン、1,2-ジクロロエタン、トリフルオロトルエン等のハロゲン系溶剤を好適に用いることができる。特に均一な膜が形成しやすい観点より、エチルシクロヘキサン、イソオクタン、チレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、1,4-ジオキサン、プロピレングリコール-1-モノメチルエーテル-2-アセテート、メチルイソブチルケトン、イソ酪酸イソブチル、トリフルオロトルエン等が好ましい。使用する溶剤量は適宜設定できるが、用いる硬化性組成物1gに対しての好ましい使用量の下限は0.1gであり、好ましい使用量の上限は20gである。使用量が少ないと、低粘度化等の溶剤を用いることの効果が得られにくく、また、使用量が多いと、材料に溶剤が残留して熱クラック等の問題となり易く、またコスト的にも不利になり工業的利用価値が低下する。これらの、溶剤は単独で使用してもよく、2種類以上の混合溶剤として用いることもできる。その他添加剤本発明の硬化性組成物には、その他、難燃剤、難燃助剤、界面活性剤、消泡剤、乳化剤、レベリング剤、はじき防止剤、アンチモン-ビスマス等のイオントラップ剤、チクソ性付与剤、保存安定改良剤、オゾン劣化防止剤、光安定剤、増粘剤、可塑剤、反応性希釈剤、酸化防止剤、熱安定化剤、帯電防止剤、放射線遮断剤、核剤、リン系過酸化物分解剤、滑剤、金属不活性化剤、熱伝導性付与剤、物性調整剤等を本発明の目的および効果を損なわない範囲において添加することができる。絶縁膜、誘電層の形成方法について当該硬化性組成物を用いるゲート絶縁膜、誘電層の形成方法は特に限定されるものではなく、スピンコーティング、ディップコーティング、ロールコーティング、スクリーンコーティング、スプレーコーティング、スピンキャスティング、フローコーティング、スクリーン印刷、インクジェットまたはドロップキャスティングなどの方法で成膜することができる。また成膜する基材の状態に合わせ適宜、溶剤による粘度調整、界面活性剤による表面張力調整を行っても良い。またこの硬化性組成物において、熱硬化性、光硬化性、湿気硬化等特に限定されるものではない。熱硬化の際、加熱温度は特に限定されるものではない。比誘電率について本発明の組成物を用いた硬化物は比誘電率が3.5以上となることが特徴であるが、4.0以上、さらには4.4以上と成すことも可能である。薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜やコンデンサ用材料誘電層等として適用するに当たり、より特性に優れる素子を形成するには、比誘電率が高いものが好ましく、本願発明に係る組成物よりなる硬化物をゲート絶縁膜として用いた薄膜トランジスタや、本願発明に係る組成物よりなる硬化物を誘電層を用いたコンデンサは良好な特性を有するものとなる。なお、比誘電率は、1MHz以下での誘電率の値で評価した値である。またトランジスタとしてON/OFF時の電流比が高いものが特性として好ましく、ゲート絶縁膜においてリーク電流が低いものほどトランジスタとしてOFF時の電流が低くできよりON/OFF時の電流比の高い優れたトランジスタとなり得る。ゲート絶縁膜として好適に用いる事ができるリーク電流値としては、10000Åの膜厚において5.0nA/cm2以下である事が好ましく、3.0nA/cm2以下であるものがさらに好ましく、本願発明に係る組成物よりなる硬化物をゲート絶縁膜として用いた場合、これら特性が発現することが期待できる。当該発明の手法を用いて下記実施例および比較例で作成したコンデンサについて、静電容量、およびリーク電流を測定し比誘電率を算出した結果を表1に示す。この結果からもわかるように本発明による硬化性組成物から、高誘電率かつ優れた絶縁性を有する薄膜が得られている事がわかる。膜厚実施例および比較例において作成した薄膜の膜厚を段差計Dektak6M、アルバック製用いて測定した。静電容量半導体パラメーターアナライザKeithley4200を用い1kHz、10V印加時での実施例および比較例で作成した薄膜の静電容量Fを測定した。リーク電流半導体パラメーターアナライザKeithley4200を用い0~30V印加時の実施例および比較例で作成した薄膜中の漏れ電流量を測定し、10V印加時の単位面積当たりの電流値をリーク電流値nA/cm2とした。比誘電率ε=C×t/ε0×AC:静電容量Fε0:真空の誘電率8.85X10-12t:膜厚mA:面積m2比誘電率εを上記式より算出した。製造実施例1200mL四つ口フラスコにトルエン30g、SiH基含有ポリシロキサンTSF484、モメンティブ製5gを入れて気相部を窒素置換した後、内温105°Cとし、アリルグリシジルエーテル4.8g、トルエン10g及び白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液白金として3wt含有0004gの混合液を滴下した。1H-NMRでアリル基が消失したことを確認し、冷却により反応を終了した。溶剤のトルエンを減圧留去し、ポリシロキサン系化合物Aを得た。1H-NMR測定により、得られたポリシロキサン系化合物AではSiH基由来のピークが確認できた。得られたポリシロキサン系化合物A0.5g、ジアリルモノグリシジルイソシアヌレート0.3g、白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液白金として3wt含有00008g、2-メチル-3-ブチン-2-オール0.0016g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶剤、PGMEA1.0gを混合し、樹脂組成物1とした。製造実施例2ポリシロキサン系化合物A0.5g、1,3,5,7-テトラメチル-1,3,5,7-テトラビニルシクロシロキサン0.4g、白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液白金として3wt含有00008g、2-メチル-3-ブチン-2-オール0.0016g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶剤、PGMEA1.0gを混合し、樹脂組成物2とした。製造実施例3ポリシロキサン系化合物A0.5g、両末端ビニル基含有ジメチルポリシロキサンgelest製、商品名DMS-V05、平均重量分子量:8000.5g、白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液白金として3wt含有00008g、2-メチル-3-ブチン-2-オール0.0016g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶剤、PGMEA1.0gを混合し、樹脂組成物3とした。製造実施例4200mL四つ口フラスコにトルエン30g、SiH基含有ポリシロキサンTSF484、モメンティブ製5gを入れて気相部を窒素置換した後、内温105°Cとし、グリシジルメタクリレート5.9g、トルエン10g及び白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液白金として3wt含有0008gの混合液を滴下した。1H-NMRでメタクリル基が消失したことを確認し、冷却により反応を終了した。溶剤のトルエンを減圧留去し、ポリシロキサン系化合物Bを得た。1H-NMR測定により、得られたポリシロキサン系化合物BではSiH基由来のピークが確認できた。得られたポリシロキサン系化合物B0.5g、ジアリルモノグリシジルイソシアヌレート0.3g、白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液白金として3wt含有00008g、2-メチル-3-ブチン-2-オール0.0016g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶剤、PGMEA1.0gを混合し、樹脂組成物4とした。製造実施例5200mL四つ口フラスコにトルエン30g、SiH基含有ポリシロキサンTSF484、モメンティブ製5gを入れて気相部を窒素置換した後、内温105°Cとし、アリルグリシジルエーテル4.8g、モノアリルイソシアヌル酸0.5g、ビニルシクロヘキセンオキシド1g、トルエン10g及び白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液白金として3wt含有0008gの混合液を滴下した。1H-NMRでアリルおよびビニル基が消失したことを確認し、冷却により反応を終了した。溶剤のトルエンを減圧留去し、ポリシロキサン系化合物Cを得た。1H-NMR測定により、得られたポリシロキサン系化合物CではSiH基由来のピークが確認できた。得られたポリシロキサン系化合物C0.5g、ジアリルモノグリシジルイソシアヌレート0.2g、白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液白金として3wt含有00008g、2-メチル-3-ブチン-2-オール0.0016g、ヨードニウム塩系光開始剤0.016gBBI-103、みどり化学製、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶剤、PGMEA1.0gを混合し、樹脂組成物5とした。さらに得られた樹脂組成物5について、50mm×50mmのガラス基板0.7mm厚に3000rpm、20secの条件でスピンコートにより塗布し、ホットプレート上で70°C、1min乾燥後、マスクアライナーMA-10、MIKASA製により100ミクロンラインアンドスペースのパターンマスク越しに露光を行い、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド2.38重量水溶液により現像処理を行うことでパターンマスクと同じパターンが形成されていることを目視で確認した。比較例1製造実施例1においてSiH基含有ポリシロキサン化合物を環状シロキサンの1,3,5,7-テトラメチルシクロシロキサンとする以外は全て同様に製造したものを樹脂組成物6とした。実施例1~5、比較例1Mo膜2000Å付ガラス基板上に樹脂組成物1~6を2000rpm、20secの条件でスピンコートにより塗布し、150°C、1hでポストベイクし薄膜を形成した。真空蒸着製膜装置により厚さ500Å、3mmφのアルミ電極3を形成し、コンデンサを製作した。"