半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた金属細線とを備え、前記金属細線は、局所的に高い結晶性を有する領域を備え、前記領域にナノギャップが形成されているナノ構造デバイス。前記ナノギャップは、2nm以下のギャップ幅であることを特徴とする請求項1記載のナノ構造デバイス。前記ナノギャップは、ナノギャップ長が100nm以上にわたって均一な幅を有することを特徴とする請求項1記載のナノ構造デバイス。前記金属細線を構成する金属は、白金、金、アルミニウム、銅、チタン、タングステン、ルテニウム、銀、タンタル、炭素、及びこれらの合金もしくは化合物であることを特徴とする請求項1記載のナノ構造デバイス。当該ナノ構造デバイスは、電子デバイス、光デバイス、又はバイオデバイスであることを特徴とする請求項1~4の何れか一項に記載のナノ構造デバイス。結晶成長を促進させる所定の雰囲気ガス中で、金属細線に所定の電圧印加および電流を流して前記金属細線において局所的に結晶成長させて、前記金属細線にナノギャップを形成するナノ構造デバイスの作製方法。前記金属細線を構成する金属は、白金、金、アルミニウム、銅、チタン、タングステン、ルテニウム、銀、タンタル、炭素、及びこれらの合金もしくは化合物であることを特徴とする請求項6記載のナノ構造デバイスの作製方法。前記雰囲気ガスは、水素、一酸化炭素、硫化水素、ホルムアルデヒド、酸素、オゾン、亜酸化窒素、または、それらの混合ガス、または、不活性元素であることを特徴とする請求項6記載のナノ構造デバイスの作製方法。このように、既存の技術には問題点があり、理想的なナノギャップ構造の理想形状を実現できない。更に、理想的なナノギャップ構造を実現するには、形状だけでなく、単一の結晶面で構成されるような、高い結晶性を持つナノギャップ構造の形態が望まれる。ここで、結晶性とは、ナノギャップを形成している互いに向かい合った金属細線を構成している単結晶が、形状において原子レベルで整い、かつ特定の方向の結晶方位を有することをいい、結晶性の高さとは、各単結晶の結晶方位の特定の方位への揃い具合を示す。仕事関数、抵抗率、原子拡散エネルギーなどの諸物性値は、金属結晶の方位面で異なる値であり、ナノギャップ部の結晶面では単一であることが望まれる。図7における金属細線2の結晶面11~13に示すように、結晶性が高ければ、ナノギャップ部10には単一の結晶面しか現れない。図8における金属細線2の結晶面11~13に示すように、結晶性が低いと、ナノギャップ部14に複数の結晶面が現れる。非特許文献4乃至8のすべての既存製法では、ギャップ近傍の金属表面はアモルファスもしくは多結晶であり、原子スケールで形状が均一なナノギャップは作製できなかった。例えば、100nmのギャップ長が、均一に2nmのギャップ幅になっているナノギャップは、これまでに存在しなかった。この不均一性は、形状のみならず、仕事関数のばらつきとして素子特性に悪影響を与える恐れがあった。本発明の目的は、ナノギャップを形成している互いに向かい合った金属細線を構成している単結晶が、形状において原子レベルで整い、かつ特定の方向の結晶方位を有するナノギャップ構造を有するナノ構造デバイス及びその作製方法を提供することである。本発明は、上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた金属細線とを備え、前記金属細線は、局所的に高い結晶性を有する領域を備え、前記領域にナノギャップが形成されているナノ構造デバイスである。請求項2に記載の発明は、請求項1記載の名の構造デバイスにおいて、前記ナノギャップは、2nm以下のギャップ幅であることを特徴としている。請求項3に記載の発明は、請求項1記載のナノ構造デバイスにおいて、前記ナノギャップは、ナノギャップ長が100nm以上にわたって均一な幅を有することを特徴としている。請求項4に記載の発明は、請求項1記載のナノ構造デバイスにおいて、前記金属細線を構成する金属は、白金、金、アルミニウム、銅、チタン、タングステン、ルテニウム、銀、タンタル、炭素、及びこれらの合金もしくは化合物であることを特徴としている。請求項5に記載の発明は、請求項1~4の何れか一項に記載のナノ構造デバイスは、電子デバイス、光デバイス、又はバイオデバイスであることを特徴としている。請求項6に記載の発明は、結晶成長を促進させる所定の雰囲気ガス中で、金属細線に所定の電圧印加および電流を流して前記金属細線において局所的に結晶成長させて、前記金属細線にナノギャップを形成するナノ構造デバイスの作製方法である。請求項7に記載の発明は、請求項6記載のナノ構造デバイスの作製方法において、前記金属細線を構成する金属は、白金、金、アルミニウム、銅、チタン、タングステン、ルテニウム、銀、タンタル、炭素、及びこれらの合金もしくは化合物であることを特徴としている。請求項8に記載の発明は、請求項6記載のナノ構造デバイスの作製方法において、前記雰囲気ガスは、水素、一酸化炭素、硫化水素、ホルムアルデヒド、酸素、オゾン、亜酸化窒素、または、それらの混合ガス、または、不活性元素であることを特徴としている。本発明に従うと、ナノギャップを形成している互いに向かい合った金属細線を構成している単結晶が、形状において原子レベルで整い、かつ特定の方向の結晶方位を有するナノギャップ構造を有するナノギャップ電極、このナノギャップ電極を備えるナノ構造デバイス、および、これらの作製方法が得られるという効果がある。以下に、本発明について、図面を用いて具体的な態様を説明する。ただし、発明の範囲は、図示例に限定されない。図1および図2には、それぞれ一般的なナノギャップ電極の概念を示す上面図および側面図を示す。ナノギャップ電極は、絶縁体膜4を有した半導体基板5の表面上に設けられた2個の金属層3の間に金属細線2が配置されてなる。金属細線2の幅は、1μm以下が望ましい。このナノギャップ電極に対し、後述する所定のガスを導入しながら、この金属細線2の両端から所定の電圧電流を印加し、ナノギャップ部1を作るものである。金属細線絶縁体膜4および半導体基板5上の金属細線2の幅は、1μm以下である。金属細線2の材質としては、白金、金、アルミニウム、銅、チタン、タングステン、ルテニウム、銀、タンタル、炭素、及びこれらの合金もしくは化合物が挙げられる。次に、ナノギャップ電極の作製方法を説明する。図3、4、5、7に示したように、ナノギャップ幅6が狭く、且つ、均一であり、ナノギャップ長7が長い形状が理想的な形状である。また、ナノギャップ面を挟む金属細線2における結晶面が単一の結晶面で構成されるような高い結晶性を持つナノギャップが理想的な形態である。発明者らは、所定の雰囲気ガス中で金属細線2に所定の電圧印加および電流を流して結晶成長させるプロセスを行うことで、金属細線2の結晶粒界が局所的に大きく再構成しやすくなることを見出した。本発明のナノギャップ電極の作製方法に係る具体的な態様は、結晶成長を促進させる所定の雰囲気ガス中で、金属細線2に所定の電圧を印加して電流を流し、金属細線2の結晶成長をさせつつ、同時に金属細線にナノギャップを形成する手法である。すなわち、この手法では、従来技術と異なり、結晶成長のプロセスと、ナノギャップ形成のプロセスとが、一つのプロセス操作で可能となる。結晶成長により、金属細線2は局所的に高い結晶性を有する領域を備え、この領域にナノギャップが形成される。その結果、ナノギャップ部の結晶性が向上し、ナノギャップ電極の作製が達成される。雰囲気ガスは、水素、一酸化炭素、硫化水素、ホルムアルデヒド、酸素、オゾン、亜酸化窒素、または、それらの混合ガス、または、不活性元素である。上述の手法でナノギャップ電極の作成プロセスを開始すると、先ず、図9に示すように、金属細線の一部16がアモルファス状態15から結晶化17する。プロセスを進めると、図10に示すように、結晶粒径が大きくなるように結晶再構成18する。続いて、図11に示すように、金属細線2の結晶再構成が更に進み、巨大な粒径に成長する19。そして、エレクトロマイグレーションによって、結晶と結晶の間にある原子や原子クラスターが移動する結果、図12に示すように、結晶と結晶の間にナノギャップ20が形成される。所定の電圧印加および電流を流すことで、結晶成長とナノギャップ形成プロセス行う方法この手法で用いられている所定の電圧電流を印加する方法では、金属細線2が蒸発もしくは融解する程度の大きなジュール熱を抑制する必要がある。結晶性の向上には高い温度が必要であるが、温度が高すぎると、金属細線2が融解蒸発などで大きく変形してしまうため、それらの温度以上にならないように温度を制御することが望ましい。この温度の調整には、微分抵抗を制限した電圧掃引印加や、パルス時間幅を抑制した電圧パルス印加法などが好適に用いられる。この温度以下で、この所定の電圧電流を印加する方法により、結晶粒界の原子に電子の運動エネルギーを与え、結晶粒界の原子をエレクトロマイグレーションで輸送する。結果として、このエレクトロマイグレーションが特に集中して発生した金属細線箇所では、最終的に金属細線2が断線されナノギャップ構造になる。以上のように、本発明のナノギャップ電極を含むナノ構造デバイスによれば、所定の雰囲気中でのエレクトロマイグレーションによって金属細線2において局所的に結晶の再構成をさせることでナノギャップ面の結晶粒界を大きく再構成し、特定の方向の結晶方位を有するナノギャップ構造をとらせることが出来るので、従来と比較して、高い素子特性を得ることができる。また、ナノギャップ幅の狭いナノギャップ層を有することで、多くの種類の機能性有機分子を単体でナノギャップに架橋でき、またナノギャップ構造によるエバネッセント光の増強効果が顕著に発現する。更に、金属細線2上に局所的に結晶構造を成長させながらこのようなナノギャップ電極を形成することができるので、容易に高品質のナノギャップ構造を得ることができる。以下では、実施例を用いて本発明に係るナノギャップ構造の作製方法の実施形態をより具体的に説明する。熱酸化層被膜300nmのシリコン基板上に電子線描画リソグラフィ法と真空蒸着成膜で白金細線幅400nm、厚さ20nmを作製する。白金細線には、TiPt、または、CrPtの金属層からなる構造を用いる。到達真空度1×104Pa以下の真空チャンバー内で、前記の白金細線にナノギャップ構造の形成プロセスを施す。真空チャンバー内で白金細線に通電した。このとき、結晶再構成の促進のため、酸素ガス99.99もしくは水素混合ガス水素4とアルゴン96を真空チャンバーに導入した。前記ガスの導入は、チャンバー内の圧力が001~100kPaの範囲に収まるように設定された。金属細線中にナノギャップ部を作製する電圧電流印加操作は、以下の通りである。測定電流を2msの時間分解能で監視しながら、電圧を0Vから10Vまで掃引印加する。この時に、電流が急激に増加した場合には電流を減少させる操作を伴う。電流と電圧から微分抵抗を逐次計算しておき、その値の増加が直前の値から80以上に上昇した瞬間に、電流が流れないよう、電圧の大きさを0Vに戻す操作を行なった。その後再び電圧を、微分抵抗を監視しながら0から10Vまで挿印し、また抵抗が80になった瞬間に0Vにする。このような、電流値が急激に増加しないような電圧の上げ下げを金属細線が断線されるまで繰り返した。図13には、結晶成長過程における金属細線のSEM像を示す。結晶の成長に伴い、金属細線は、徐々に断線されていく。以上の手順により、ナノギャップ構造を作製した。実施例1図14には、作製したナノギャップ構造のSEM写真を示す。ギャップ幅が2nm以下、かつ、ギャップ長100nmのナノギャップ構造が得られている。また、ギャップ部の結晶構造が単一である。実施例2図15には、作製した他のナノギャップ構造のSEM写真を示す。ギャップ幅が2nm以下、かつ、ギャップ長2nmのナノギャップ構造である。また、ギャップ部の結晶構造が単一である。上記の作製手法を用いることにより、ナノギャップ部の電極の結晶性が増した電極の作製を実現した。