化学気相蒸着工程とスパッタリング工程とが行われる空間を提供する真空チャンバと、前記真空チャンバの内部の下部に配置され、有機/無機混成多層構造を備えた気体遮断膜が形成される対象体を装着しているホールディング手段と、前記真空チャンバの内部の上部に配置され、中性粒子ビームを発生させる中性粒子ビーム発生手段と、前記中性粒子ビーム発生手段の両方にそれぞれ配置され、スパッタリングターゲットの面が前記対象体の面に傾くように装着している空洞スパッタリング手段と、を含んで構成されることを特徴とする気体遮断膜形成装置。前記ホールディング手段と、前記中性粒子ビーム発生手段及び空洞スパッタリング手段との間に配置され、プラズマ内の電子を拘束して陰イオンが前記対象体に移動することができないようにするために、水平方向に磁場を発生させるプラズマリミッターをさらに含んで構成されることを特徴とする請求項1に記載の気体遮断膜形成装置。前記プラズマリミッターは、N極磁石とS極磁石とが結合されて形成される磁石ペアが相互離隔配置されてスリットを形成させる磁石アレイ、前記磁石アレイを固定させ、前記チャンバの内部に付着する固定枠を含んで形成されることを特徴とする請求項2に記載の気体遮断膜形成装置。前記ホールディング手段は、前記チャンバ内で往復運動ができるように形成されることを特徴とする請求項3に記載の気体遮断膜形成装置。前記ホールディング手段の往復運動の方向は、前記スリットの長軸と垂直した方向であることを特徴とする請求項4に記載の気体遮断膜形成装置。前記ホールディング手段は、前記対象体を加熱及び冷却することができる温度調節ユニットを具備することを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の気体遮断膜形成装置。前記対象体は、プラスチック基板または上部に機能性コーティング層が形成された基板であることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の気体遮断膜形成装置。前記対象体は、上部に有機発光素子または有機太陽電池が形成された基板であることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の気体遮断膜形成装置。一つの真空チャンバで対象体上に無機薄膜を形成した後、その上部に有機薄膜を形成するか、有機薄膜を形成した後、その上部に無機薄膜を形成する有機/無機薄膜形成ステップと、前記有機/無機薄膜形成ステップを繰り返し行う、有機/無機混成多層構造を備えた薄膜形成ステップとを含んで構成されることを特徴とする気体遮断膜形成方法。前記有機薄膜は、化学気相蒸着方法を利用して形成されることを特徴とする請求項9に記載の気体遮断膜形成方法。前記有機薄膜は、液状の高分子材料を気化してガス状で前記真空チャンバの内部に供給した後、プラズマを利用して形成されるか、液状の高分子材料を気化してガス状で前記真空チャンバの内部に供給した後、中性粒子ビームを利用して形成されるか、液状の高分子材料を気化してガス状で前記真空チャンバの内部に供給した後、対象体を加熱または冷凍させて形成されることを特徴とする請求項10に記載の気体遮断膜形成方法。前記無機薄膜は、スパッタリング方法及び中性粒子ビーム処理方法を利用して形成されることを特徴とする請求項9に記載の気体遮断膜形成方法。前記無機薄膜は、結晶サイズが互いに異なるナノ結晶構造層が積層されて形成されることを特徴とする請求項12に記載の気体遮断膜形成方法。前記ナノ結晶構造層は、スパッタリング方法によってナノサイズ厚さの薄膜を形成する第1過程、前記薄膜に対して中性粒子ビーム処理を行う第2過程及び前記第1過程と第2過程とを繰り返し行う第3過程を通じて形成されることを特徴とする請求項13に記載の気体遮断膜形成方法前記第3過程を行った後、前記無機薄膜の目標の厚さを作るために前記第1過程をさらに行うことを特徴とする請求項14に記載の気体遮断膜形成方法。前記ナノ結晶構造層は、スパッタリング方法によって無機薄膜を形成すると共に、中性粒子ビーム処理を行うことで形成されることを特徴とする請求項13に記載の気体遮断膜形成方法。本発明は、前記のような従来技術の問題点を解決するために創案されたもので、高特性の気体遮断膜を形成するために、有機薄膜と無機薄膜とを混用して積層する構造である有機/無機混成多層の薄膜構造を備えた気体遮断膜を形成するにあたって、工程の連続性を維持するために、一つの工程用の真空チャンバ内で全ての気体遮断膜を形成し、この時使用される無機薄膜の形成は、スパッタリング方法に基づいた中性粒子ビーム処理方法を使用して、ナノ結晶構造のサイズを単一無機薄膜内で厚さ別に連続的に変化させて高密度の薄膜を形成し、緩衝層役割の有機薄膜形成は、高分子有機薄膜用の液状材料を気化して化学気相蒸着ChemicalVaporDeposition、CVD方法に基づいて基板上に選択的に形成することで、生産性と低原価の特性とを全て満足させる高特性の気体遮断膜を形成することができる気体遮断膜形成装置及び気体遮断膜形成方法を提供することをその目的とする。前記のような課題を解決するために提案された本発明である気体遮断膜形成装置をなす構成手段は、化学気相蒸着工程とスパッタリング工程とが行われる空間を提供する真空チャンバ、前記真空チャンバの内部の下部に配置され、有機/無機混成多層の薄膜構造を備えた気体遮断膜が形成される対象体を装着しているホールディング手段、前記真空チャンバの内部の上部に配置され、中性粒子ビームを発生させる中性粒子ビーム発生手段、前記中性粒子ビーム発生手段の両方にそれぞれ配置され、スパッタリングターゲットの面が前記対象体の面に傾くように装着している空洞スパッタリング手段を含んで構成されることを特徴とする。また、前記ホールディング手段と、前記中性粒子ビーム発生手段及び空洞スパッタリング手段との間に配置され、プラズマ内の電子を拘束して陰イオンが前記対象体に移動することができないようにするために、水平方向に磁場を発生させるプラズマリミッターをさらに含んで構成されることを特徴とする。ここで、前記プラズマリミッターは、N極磁石とS極磁石とが結合されて形成される磁石ペアが相互離隔配置されてスリットを形成させる磁石アレイ、前記磁石アレイを固定させ、前記チャンバの内部に付着する固定枠を含んで形成されることを特徴とする。また、前記ホールディング手段は、前記チャンバ内で往復運動ができるように形成されることを特徴とする。ここで、前記ホールディング手段の往復運動の方向は、前記スリットの長軸と垂直した方向であることを特徴とする。ここで、前記ホールディング手段は、前記対象体を加熱及び冷却することができる温度調節ユニットを具備することを特徴とする。また、前記対象体は、プラスチック基板または上部に機能性コーティング層が形成された基板であることを特徴とする。また、前記対象体は、上部に有機発光素子または有機太陽電池が形成された基板であることを特徴とする。一方、前記のような課題を解決するために提案された本発明である気体遮断膜形成方法をなす構成手段は、一つの真空チャンバで対象体上に無機薄膜を形成した後、その上部に有機薄膜を形成するか、有機薄膜を形成した後、その上部に無機薄膜を形成する有機/無機薄膜形成ステップ、前記有機/無機薄膜形成ステップを繰り返し行う、有機/無機混成多層の薄膜構造を形成するステップを含んで構成されることを特徴とする。ここで、前記有機薄膜は、化学気相蒸着方法を利用して形成されることを特徴とする。ここで、前記有機薄膜は、液状の高分子材料を気化してガス状で前記真空チャンバの内部に供給した後、プラズマを利用して形成されるか、液状の高分子材料を気化してガス状で前記真空チャンバの内部に供給した後、中性粒子ビームを利用して形成されるか、液状の高分子材料を気化してガス状で前記真空チャンバの内部に供給した後、対象体を加熱または冷凍させて形成されることを特徴とする。また、前記無機薄膜は、スパッタリング方法及び中性粒子ビーム処理方法を利用して形成されることを特徴とする。ここで、前記無機薄膜は、結晶サイズが互いに異なるナノ結晶構造層が積層されて形成されることを特徴とする。また、前記ナノ結晶構造層は、スパッタリング方法によってナノサイズ厚さの薄膜を形成する第1過程、前記薄膜に対して中性粒子ビーム処理を行う第2過程及び前記第1過程と第2過程とを繰り返し行う第3過程を通じて形成されることを特徴とする。また、前記第3過程を行った後、前記無機薄膜の目標の厚さを作るために前記第1過程をさらに行うことを特徴とする。また、前記ナノ結晶構造層は、スパッタリング方法によって無機薄膜を形成すると共に、中性粒子ビーム処理を行うことで形成されることを特徴とする。前記のような課題及び解決手段を有する本発明である気体遮断膜形成装置及び気体遮断膜形成方法によると、高特性の気体遮断膜を形成するために、有機薄膜と無機薄膜とを混用して積層する構造である有機/無機混成多層構造の気体遮断膜を形成するにあたって、工程の連続性を維持するために、一つの工程用の真空チャンバ内で全ての気体遮断膜を形成し、この時使用される無機薄膜の形成は、スパッタリング方法に基づいた中性粒子ビーム処理方法を使用してナノ結晶構造のサイズを単一無機薄膜内で厚さ別に連続的に変化させて高密度の薄膜を形成し、緩衝層役割の有機薄膜形成は、高分子有機薄膜用の液状材料を気化して化学気相蒸着ChemicalVaporDeposition、CVD方法に基づいて基板上に選択的に形成することで、生産性と低原価の特性とを全て満足させる高特性の気体遮断膜を形成することができるという長所がある。以下、添付された図面を参照して前記のような課題、解決手段及び効果を有する本発明である気体遮断膜形成装置及び気体遮断膜形成方法に関する好ましい実施例を詳しく説明する。図1は、本発明の実施例による気体遮断膜形成装置100の全体構成図である。図1に示すように、本発明の実施例による気体遮断膜形成装置100は、工程が行われる真空チャンバ50、有機/無機混成多層構造を備えた気体遮断膜が形成される対象体31を装着しているホールディング手段30、中性粒子ビームを発生させる中性粒子発生手段10及び空洞スパッタリング手段20を含んで構成される。一方、本発明の実施例による気体遮断膜形成装置100は、図1に示すように、前記ホールディング手段30と、前記中性粒子ビーム発生手段10及び空洞スパッタリング手段20との間に配置されるプラズマリミッター40を選択的にさらに含んで構成されることもできる。前記真空チャンバ50は、化学気相蒸着工程とスパッタリング工程とが行われる空間を提供する。即ち、前記真空チャンバ50内では化学気相蒸着工程だけでなく、スパッタリング工程も共に行われる。具体的に、前記真空チャンバ50内では、対象体31上に有機薄膜を形成するための工程である化学気相蒸着工程と、無機薄膜を形成するための工程であるスパッタリング工程とが共に行われる。前記真空チャンバ50の内部の下部には、前記ホールディング手段30が配置される。前記真空チャンバ50の内部の下部に配置される前記ホールディング手段30は、本発明により有機/無機混成多層構造を備えた気体遮断膜が形成される対象体31を装着している。後述するが、前記ホールディング手段30は、前記真空チャンバ50の内部で往復運動ができるように設置され、薄膜の均一度が確保される全ての方向の運動を含むことができ、前記プラズマリミッター40が選択的に配置される場合には、プラズマリミッターのスリットの長軸と垂直した方向に往復運動ができるように設置されることができる。前記真空チャンバ50の内部下部には、前記ホールディング手段30が配置されると共に、図1に示すように、前記真空チャンバ50の内部上部には中性粒子ビーム発生手段10が配置される。前記中性粒子ビーム発生手段10は、前記真空チャンバ50の内部の上部に配置され、前記対象体31に無機薄膜を形成する過程で中性粒子ビームを発生させる機能を行う。前記中性粒子ビーム発生手段10は、図1に示すように、中性粒子ビーム発生のための導体レフレクター11を含んで構成され、中性粒子ビームを発生するためのプラズマソース未図示を含んで構成されることは当然である。一方、前記真空チャンバ50の内部の上部には、前記中性粒子ビーム発生手段10と共に空洞スパッタリング手段20が配置される。具体的に、図1に示すように、前記空洞スパッタリング手段20は、前記中性粒子ビーム発生手段10の両方にそれぞれ一つずつ配置される。前記空洞スパッタリング手段20は、無機薄膜を形成するためのスパッタガンと、このスパッタガンの上部に載せられるスパッタリングターゲット21を含んで形成される。前記空洞スパッタリング手段20は、図1に示すように、前記真空チャンバ50の内部の上部側の両縁にそれぞれ配置されるため、前記スパッタリングターゲット21の面が前記対象体31の面に傾くように装着している。一方、前記真空チャンバ50には、工程ガスの流入口及び排出口が形成されることは当然であり、これに加えて前記対象体31に有機薄膜を形成するための有機高分子気体が流入されることができる有機高分子気体の流入口未図示が形成されている。このような有機高分子気体の流入口未図示の形成位置は、前記真空チャンバ50のどこであっても良いが、対象体31の近くにあることが好ましい。前記対象体31上に形成される有機薄膜のための前記有機高分子気体は、真空チャンバ50の外部に配置される気化装置未図示で気化状態のガス気体に形成された後、前記有機高分子気体の流入口未図示を通じて前記真空チャンバ50の内部に流入される。前記のような工程ガスの流入及び排出及び前記有機高分子気体流入の過程で前記真空チャンバ50は真空状態を維持することは当然である。以上で説明した気体遮断膜形成装置100を通じて、スパッタリング工程及び化学気相蒸着工程を行うことができ、これらの工程を通じて前記対象体31上に有機薄膜及び無機薄膜を形成することができる。即ち、前記空洞スパッタリング手段20と前記中性粒子ビーム発生手段10とを利用して前記対象体31上に無機薄膜を形成することができ、前記真空チャンバ50の内部に流入される有機高分子気体を化学気相蒸着工程を通じて前記対象体31上に蒸着させて有機薄膜を前記対象体31上に形成することができる。この時、前記対象体31上に形成される前記有機薄膜及び無機薄膜の形成順序は固定されるものではなく、前記対象体31の性質によって有機薄膜が先に前記対象体31に形成されることもでき、無機薄膜が先に前記対象体31上に形成されることもできる。また、前記対象体31上に形成される有機薄膜及び無機薄膜は、互いに相互に積層されて複数層を形成することができる。その積層数は固定されるものではなく、高特性の気体遮断膜として機能を行うことができる程度の積層数を有すれば良い。一方、前記真空チャンバ50の内部には、図1に示すように、プラズマリミッター40が選択的にさらに形成されることもできる。具体的に、前記プラズマリミッター40は、図1に示すように、前記ホールディング手段30と、前記中性粒子ビーム発生手段10及び空洞スパッタリング手段20との間に配置され、プラズマ内の電子を拘束して陰イオンが前記対象体に移動することができないようにするために水平方向に磁場を発生させる。前記プラズマリミッター40がスパッタリング工程で水平方向に磁場を発生させる理由は、前記対象体31に形成される薄膜に損傷を与える高いエネルギーの陰イオンは遮断し、前記薄膜の活性化のための陽イオンは加速通過させるためである。前記プラズマリミッター40は、磁場を発生させるために一定の規則に従って配列される磁石を含む。これに対して、添付された図2を参照して説明すると、下記の通りである。図2は、前記プラズマリミッター40の構成を示す平面図である。図2に示すように、前記プラズマリミッター40は、磁石アレイ42と、この磁石アレイ42を固定させ、前記真空チャンバ50の内部に付着する固定枠41とを含んで構成される。前記プラズマリミッター40を構成する磁石アレイ42は、図2に示すように、S極磁石42aとN極磁石42bとが結合されて形成される磁石ペアが相互離隔配置されてスリット各磁石ペア間の空間を形成させる。具体的に、S極磁石42aとN極磁石42bとを貼り合わせて磁石ペアを構成し、この磁石ペアを互いに離隔して配置することで、磁石アレイ42を形成する。前記磁石ペアを互いに離隔させることで、スリットを形成することができる。前記磁石アレイ42は、前記固定枠41によって固定される。即ち、前記固定枠41は、前記磁石アレイ42を固定させると共に、前記真空チャンバ50の内部に付着固定されて設置される。一方、前記磁石アレイ42は、S極磁石42aとN極磁石42bとが結合されて形成された磁石ペアを所定間隔離隔して配置することで形成されるが、図2に示すように、両縁に配置される磁石は、N極磁石とS極磁石が結合されて形成された磁石ペアではなく、それぞれN極磁石とS極磁石とが配置されて形成される。このように、前記真空チャンバ50の内部に前記プラズマリミッター40を具備した場合、前記スパッタリングターゲット21でスパッタリングされたターゲット物質は、前記プラズマリミッター40に形成されたスリットを通じて前記ホールディング手段30が装着している対象体31上に蒸着される。一方、前記プラズマリミッター40に磁石アレイ42が含まれているため、ターゲット物質が前記対象体31に均一に蒸着されることができない。従って、本発明では、前記対象体31の往復移動ができるように構成することで、対象体31上にターゲット物質無機薄膜が均一に蒸着されることができるようにし、プラズマリミッター40を使用しない場合にも、対象体31のサイズ及び用途に応じて往復運動を使用することができる。具体的に、前記対象体31を装着しているホールディング手段30は、前記真空チャンバ50内で往復運動ができるように形成される。前記ホールディング手段30の往復運動は、追加の構成要素モーター、レールなどを組合することで可能になる。図2では、前記ホールディング手段30の往復運動の方向を示す平面図である。図2に示すように、前記ホールディング手段30の往復運動の方向矢印方向は、前記スリット磁石ペア間の空間の長軸と垂直した方向である。このような方向に前記ホールディング手段30が往復運動をするようになると、前記磁石アレイの妨害によって蒸着されることができなかった対象体の上部部分も薄膜が蒸着されることができるため、均一な薄膜を前記対象体31に形成することができる。一方、前記ホールディング手段30は、前記真空チャンバ50の内部にプラズマリミッター40を具備するか否かに関係なく、前記対象体31を加熱及び冷却することができる温度調節ユニット未図示を具備することが好ましい。前記ホールディング手段30に前記温度調節ユニット未図示を具備する理由は、前記真空チャンバ50の内部に流入される有機高分子気体を前記対象体31上に効率的に蒸着させるためである。前記有機高分子気体が前記対象体31上にのみ蒸着され、前記真空チャンバ50の内部壁面などには蒸着されないように、前記ホールディング手段30に温度調節ユニット未図示を具備することができ、これと共に前記真空チャンバ50も加熱または冷凍させることができるユニットを具備することが好ましい。一方、前記有機薄膜及び無機薄膜が蒸着される前記対象体31は、多様な基板が適用されることができる。例えば、前記対象体31は、プラスチック基板または上部に機能性コーティングが形成された基板であっても良い。従って、前記プラスチック基板または上部に機能性コーティングが形成された基板上に前記有機薄膜及び無機薄膜が複数層に形成されて気体遮断膜を形成することができる。また、前記対象体31は、上部に有機発光素子または有機太陽電池のような有機電子素子が形成された基板であっても良い。従って、前記上部に有機発光素子または有機太陽電池が形成された基板上に有機薄膜及び無機薄膜が複数層に形成されて気体遮断膜を形成することができる。以上で説明した気体遮断膜形成装置100の構成についてまとめると、下記の通りである。本発明による気体遮断膜形成装置100は、中性粒子ビーム発生手段10と空洞スパッタリング手段20及びホールディング手段30とを真空チャンバ50の内部に具備している。この真空チャンバ50の内部でスパッタリング工程及び化学気相蒸着工程が共に行われる。前記中性粒子ビーム発生手段10は、図1には図示されていないが、中性粒子ビーム発生用プラズマソースが含まれ、中性粒子ビーム発生のための導体レフレクター11が中性粒子ビーム発生手段10の上部に位置して、空洞スパッタリング手段20は、無機気体遮断膜形成のためのスパッタガン及びスパッタリングターゲット21を具備している。しかし、本発明は、空洞スパッタリング方式を利用した無機薄膜形成方法に限られず、本発明に適合した他の形態のスパッタリング方式も全て含むことができ、空洞スパッタリング方式を使用する場合、両方のスパッタガン及びスパッタリングターゲット21の角度は、本発明である気体遮断膜形成装置を活用するにあたって多様に変更されることができる。前記真空チャンバ50の内部の下側には、有機/無機混成多層構造を備えた気体遮断膜が形成される対象体31を支持するホールディング手段30が配置される。この時、ホールディング手段30は、対象体31を冷却及び加熱することができる温度調節ユニット未図示を含むことができる。また、前記ホールディング手段30は、必要時にプラズマリミッター40を使用するか、大面積工程に対応できるように往復運動することができ、或いはロールツーロールRolltoRoll基板工程が含まれることができる。前記プラズマリミッター40の使用時に基板或いはロールツーロール基板の運動方向は、プラズマリミッター40の磁石アレイ42とプラズマリミッター40との厚さによって薄膜が不均一に蒸着されることを防止するために、磁石アレイで形成されるスリットの長軸と垂直した方向に往復運動することが好ましく、プラズマリミッター40を使用しない場合には、薄膜の均一度が確保できる全ての方向の往復運動を含むことができる。有機薄膜及び無機薄膜形成用のプラズマガスは、真空チャンバ50の内部のどこに位置しても構わないが、中性粒子ビーム発生手段10及び空洞スパッタリング手段20の近くに形成されることが好ましい。一方、有機薄膜形成用の有機高分子気体の供給は、真空チャンバ50の内部のどこに位置しても構わないが、ホールディング手段30の上部、即ちプラズマリミッター40が具備される場合、その上部空間に供給することが好ましい。次は、前記のような気体遮断膜形成装置100を利用した気体遮断膜形成方法に対して詳しく説明する。本発明による気体遮断膜形成方法は、先に一つの真空チャンバ50内で対象体31上に無機薄膜を形成した後、その上部に有機薄膜を形成するか、有機薄膜を先に形成した後、その上部に無機薄膜を形成する有機/無機薄膜形成ステップを行う。前記ステップを行うと、前記対象体31上に有機薄膜及び無機薄膜或いは、無機薄膜及び有機薄膜が順に積層された状態になる。即ち、有機/無機混成多層構造を備えた薄膜が前記対象体31上に形成される。このように、前記有機/無機混成多層構造を備えた薄膜を前記対象体31上に形成した後には、前記有機/無機薄膜形成ステップを繰り返し行う、有機/無機混成多層構造を備えた薄膜形成ステップを行う。結局、前記対象体31上に、有機/無機混成多層構造を備えた有機/無機混成薄膜が、複数層が形成されて気体遮断膜が完成される。この時、前記有機/無機薄膜形成ステップの繰り返し遂行は、前記有機/無機混成多層構造を備えた薄膜が高特性の気体遮断膜として機能することができる程度の回数で進行すれば良い。一方、前記有機/無機混成多層構造を備えた薄膜、或いは有機薄膜、或いは無機薄膜だけで高特性の気体遮断膜として機能することができれば、前記有機/無機混成多層構造を備えた薄膜形成ステップは、場合によって省略することもできる。一方、前記有機/無機混成多層構造を備えた薄膜形成ステップは、前記対象体31上に有機薄膜を先に形成することもでき、無機薄膜を先に形成することもできる。即ち、対象体31の性質に応じて有機薄膜を先に前記対象体上に形成することもでき、無機薄膜を前記対象体上に形成することもできる。以下では、有機薄膜を前記対象体上に先に形成し、その形成された有機薄膜上に無機薄膜を形成することで、有機/無機混成多層構造を備えた薄膜を形成する過程を一例として説明する。前記有機薄膜は、基本的に化学気相蒸着方法を利用して形成される。より具体的に、液状の高分子材料を気化してガス状で前記真空チャンバの内部に供給した後、プラズマを利用して前記対象体上に有機薄膜を形成するか、液状の高分子材料を気化してガス状で前記真空チャンバの内部に供給した後、中性粒子ビームを利用して前記対象体上に有機薄膜を形成するか、液状の高分子材料を気化してガス状で前記真空チャンバの内部に供給した後、対象体を加熱または冷凍させて前記対象体上に有機薄膜を形成する。添付された図3を参照して、前記対象体上に有機薄膜を形成する過程についてより具体的に説明すると、下記の通りである。先ず、図3に示していないが、有機緩衝層の役割を行う有機薄膜を前記対象体上に形成するための液状の高分子有機材料を気化することができる気化装置未図示が前記真空チャンバ50の隣に具備される。前記気化装置未図示を利用して有機薄膜形成用の液状の高分子有機材料を気化して有機高分子気体1をガス形態で真空チャンバ50の内部に供給する。この時、前記有機高分子気体1は、前記真空チャンバ50の内部空間に供給されることさえできれば構わないが、図3に示すように、ホールディング手段30の上部の方に供給されることが好ましい。この時、前記真空チャンバ50の内部は、前記高分子有機材料が対象体31以外の真空チャンバの内部壁面などに重合処理Polymerizationされて蒸着されることを防止するために、加熱及び冷却手続きが行われても良い。前記のように、前記真空チャンバ50内に高分子有機材料気体1が供給されると、これと同時に前記真空チャンバ50の内部、より具体的には、中性粒子ビーム発生手段10の直下の空間にプラズマ形成用の工程ガスを供給した後、別途に具備されたプラズマ発生ソースを利用して中性粒子ビーム発生手段10の直下の空間に空間的に均一な高密度プラズマ2を形成する。前記高密度プラズマの形成に使用されるプラズマソースの種類や方法などは、特定のものに限られず、本発明の実施例に適合した多様なCCPCapacitivelyCoupledPlasma、ICPInductivelyCoupledPlasmaソースとSLANSlotAntenna、Lisitanoantennaなどの多様なマイクロ波プラズマ発生ソースなどを全て含むことができるが、プラズマの形成空間内に他の構造物を設置せず、高密度のプラズマの形成が可能なSLANタイプのマイクロ波プラズマ発生ソースを使用することが好まれることができる。前記のように形成された高密度プラズマ2を利用して前記高分子有機材料気体1を前記対象体31に蒸着させて有機緩衝層の役割を行う有機薄膜32を形成する。一方、前記のように液状の高分子材料を気化してガス状で前記真空チャンバの内部に供給した後、高密度プラズマ2を利用して前記高分子有機材料気体1を前記対象体31上に蒸着させて有機薄膜32を形成する方法とは異なって、中性粒子ビームを利用して有機薄膜32を形成することもできる。具体的に、前記中性粒子ビーム発生手段10の直下の空間内に空間的に均一な高密度プラズマ2を形成した後、前記中性粒子ビーム発生手段10の上部に位置した導体レフレクター11に所定の負のバイアス電圧を印加して、高密度プラズマ2内のプラズマイオンが導体レフレクター11の表面に加速されて衝突すると共に、オーガーAuger中性化過程による中性粒子ビームが導体レフレクター11に印加されたバイアス電圧だけのエネルギーを有して発生されるようにする。そうすると、真空チャンバ50の内部に位置した対象体31は中性粒子ビームに露出され、真空チャンバ50の内部に供給された高分子有機材料ガス1が対象体31上で選択的に化学気相蒸着され、有機緩衝層の役割を行う有機薄膜32を形成するようになる。一方、上述した高密度プラズマ形成ステップ及びまたは中性粒子ビーム発生ステップを使用せず、前記液状の高分子材料を気化してガス状で前記真空チャンバの内部に供給した後、前記対象体31を加熱または冷凍させて前記対象体上に有機薄膜32を形成することもできる。また、上述した高密度プラズマ形成ステップ及びまたは中性粒子ビーム発生ステップと共に前記対象体を加熱または冷凍させて前記対象体上に有機薄膜を形成することもできる。以上で説明した工程によって前記対象体上に有機緩衝層の役割を行う有機薄膜32を形成した後は、前記有機薄膜32上に無機薄膜を形成する工程を行う。前記有機薄膜32が形成された対象体31上に前記無機薄膜を形成する工程は、添付された図4及び図5を参照して説明すると、下記の通りである。先ず、前記無機薄膜は、スパッタリング方法及び中性粒子ビーム処理方法を利用して形成する。前記無機薄膜は単一薄膜であるが、結晶サイズが互いに異なるナノ結晶構造層が複数個積層されて形成される。この時、前記ナノ結晶構造層によって形成される無機薄膜は、スパッタリング方法によってナノサイズ厚さの薄膜を前記有機薄膜上に形成する第1過程、前記薄膜に対して中性粒子ビーム処理を行う第2過程、前記第1過程及び第2過程を繰り返し行う第3過程を通じて互いに異なる結晶サイズを有する複数個のナノ結晶構造層を形成することができる。場合に応じて、前記のように第3過程までの過程を目標とする無機薄膜の厚さまで進行することができ、必要時に適正厚さまでに第3過程までを行った後、残りの厚さは、第1過程のみを利用して無機薄膜の目標の厚さまで無機薄膜を形成することもできる。一方、前記ナノ結晶構造層によって形成される無機薄膜は、スパッタリング方法によってナノサイズ厚さの薄膜を形成すると共に、中性粒子ビーム処理を、中性粒子ビームエネルギーを連続的に調節して行うことで、前記有機薄膜上に無機薄膜を形成することもできる。即ち、スパッタリング工程と中性粒子ビーム処理工程とを同時に行って前記有機薄膜上に無機薄膜を形成することもできる。前記のようにスパッタリング工程と中性粒子ビーム処理工程とを同時に行う場合にも、必要に応じて適正な無機薄膜の厚さまでスパッタリング工程と中性粒子ビーム処理工程とを共に使用し、残りの目標とする無機薄膜の厚さまではスパッタリング工程のみを使用して複数個のナノ結晶構造層を有する無機薄膜を形成することができる。以上で説明した、無機薄膜を形成する過程についてより具体的に説明すると、下記の通りである。図4を参照すると、前記有機緩衝層の役割を行う有機薄膜32を前記対象体31上に形成し、その上に無機気体遮断膜である無機薄膜33を形成するためにArなどのような非活性気体である工程ガスを前記空洞スパッタリング手段の各スパッタリングターゲット21の下に供給する。その後、スパッタリングターゲット21に所定の負のバイアス電圧を印加してプラズマ30を形成し、スパッタリングされたターゲット元素が対象体31上に形成された有機薄膜32の上部に蒸着され、目標とする厚さまで無機気体薄膜を形成する。その後、図5に示すように、工程ガスを前記中性粒子ビーム発生手段10の直下に供給して高密度プラズマ4を形成した後、中性粒子ビームを発生して、前記有機薄膜上に蒸着された無機気体薄膜に中性粒子ビームを持続的に処理して、前記有機薄膜32上に、高密度の無機薄膜33を形成する。この時、導体レフレクター11に印加される所定のバイアス電圧を調節して中性粒子ビームのエネルギーを調節するか、スパッタリングターゲット21に印加される所定のバイアス電圧を調節するか、運転圧力を調節するなどの工程条件を変化して成膜される無機薄膜33のナノ結晶構造のサイズを連続的に調節して、高密度の無機気体遮断膜である無機薄膜33を形成する。一方、前記無機気体遮断膜である無機薄膜33を形成するステップは、無機気体遮断膜スパッタリング蒸着過程を数ナノメートル程度の原子層単位で蒸着した後、スパッタリング工程を停止し、中性粒子ビーム発生手段10を利用して数ナノメートル厚さの無機気体遮断用の薄膜を適切な時間の間中性粒子ビームで処理した後、目標とする無機薄膜の厚さになるまで前記方法スパッタリング工程及び中性粒子ビーム処理工程を繰り返して無機薄膜を形成することができる。また、前記無機気体遮断膜である無機薄膜33を形成するステップは、無機気体遮断膜のスパッタリング蒸着過程を数ナノメートル程度の原子層単位で蒸着した後、スパッタリング工程を停止し、中性粒子ビーム発生手段10を利用して数ナノメートル厚さの無機気体遮断用の薄膜を適切な時間の間中性粒子ビームで処理した後、スパッタリング工程のみを利用して目標とする無機薄膜の厚さに到逹することもできる。また、スパッタリング方法によって無機薄膜を形成すると共に中性粒子ビーム処理を行うことで、前記有機薄膜上に無機薄膜を形成することもできる。以上で説明した方法によって前記対象体上に形成された有機/無機混成多層構造を備えた薄膜は、高特性の気体遮断膜として機能を行うことができる。もし気体遮断膜の特性がさらに向上させるために前記有機/無機混成多層構造を備えた薄膜をさらに積層しようとする場合には、前記のような工程が繰り返し行われば良い。一方、前記有機/無機気体遮断膜を形成する全ての工程において、必要に応じて対象体がプラズマに露出されずに中性粒子ビームにだけ露出されなければならない場合には、選択的にプラズマリミッター40を使用してプラズマに対する対象体の露出を防止するステップが含まれても良い。図6を参照すると、本発明の実施例による前記中性粒子ビーム工程を使用したインジウムスズ酸化物IndiumTinOxide、ITO薄膜のTEM断層撮影写真とX-rayDiffractionパターンである。数nmの単一原子層MonoLayerの厚さだけスパッタリング蒸着した後、適切なエネルギーを有した中性粒子ビーム処理工程を経たITO薄膜が常温蒸着工程でナノ結晶構造で成膜されたことが確認でき、このような効果は、無機気体遮断膜として好まれる大部分の無機薄膜材料に同一に適用されることができ、それによって高特性/高密度ナノ結晶構造の無機気体遮断膜の形成を可能にすることができる。