基板と、前記基板の一方面側に設けられる複数の導電路と、前記基板とは反対側に配置される複数の表面側電極を備え、前記基板にベアチップ構造で実装される半導体素子と、前記半導体素子の複数の前記表面側電極と前記基板上の各導電路とを電気的に接続する複数の電極板と、複数の前記電極板を前記基板とは反対側から保持する絶縁性の保持部材と、を備え、前記電極板は、前記半導体素子側を基端側として前記半導体素子の外側に延び、且つ一方の板面における基端側の部分が前記半導体素子の前記表面側電極に接続されると共に先端側の部分が前記導電路に接続されており、前記保持部材は、複数の前記電極板上に跨るように配置されると共に、少なくとも各電極板側の面が各電極板の形状に対応する所定形状で構成されて各電極板に固定されており、且つ各電極板における前記基板とは反対側の面を被覆するように構成されていることを特徴とする半導体装置。前記保持部材は、熱硬化性樹脂によって構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記保持部材は、熱可塑性樹脂によって構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記電極板は、前記半導体素子の前記表面側電極から当該半導体素子の外側に延びると共に前記表面側電極から離れた所定位置から前記基板側へ折り曲げられ、更に先端側が前記基板の一方面に沿って折り曲げられたガルウィング形状で形成されていることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体装置。前記複数の電極板はいずれも、前記半導体素子において互いに対向する一対の側部の少なくとも一方側から、これら側部の対向方向に沿って外側に延びていることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の半導体装置。複数の前記電極板の一部をなすいずれか1又は複数が、前記半導体素子において互いに対向する一対の側部の少なくとも一方側から、これら側部の対向方向に沿って外側に延びており、複数の前記電極板の他部をなすいずれか1又は複数が、前記基板の板面と平行な方向であって且つ前記対向方向と直交する方向に沿って延びていることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の半導体装置。前記保持部材は、複数の前記電極板間の隙間に充填されていることを特徴とすることを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の半導体装置。基板の一方面側に複数の導電路を形成する工程と、複数の表面側電極を備えた半導体素子を前記基板の一方面側にベアチップ構造で実装する工程と、前記半導体素子の複数の前記表面側電極と前記基板上の各導電路とを電気的に接続する複数の電極板を形成する工程と、少なくとも各電極板側の面が各電極板の形状に対応する所定形状となるように、各電極板に保持する絶縁性の保持部材を形成する工程と、前記半導体素子側を基端側として前記半導体素子の外側に延びるように各電極板を配置し、且つ各電極板の一方の板面における基端側の部分を前記半導体素子の前記表面側電極に接続し先端側の部分を前記導電路に接続するように各電極板を固定する工程と、複数の前記電極板上に跨るように前記保持部材を配置すると共に、各電極板における前記基板とは反対側の面を被覆するように前記保持部材を各電極板に固定する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記導電路上及び前表面側電極上にはんだを供給する工程と、前記はんだを一括リフローする工程と、を更に含むことを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。ところで、上記のようなベアチップ構造の半導体素子をエポキシ樹脂などのモールド樹脂によって封止する場合、高放熱化や低コスト化のために、シリカなどの硬質の充填剤が多量に添加されることが多いが、一般的にベアチップ構造の半導体素子では表面電極やワイヤなどが露出する構造となるため特許文献1や本明細書の図7等参照、上記のようなモールド樹脂や外的な振動に対して脆弱であるという問題がある。例えば、図7に示す半導体装置501では、ベアチップ503が基板502に載置され且つ細線ワイヤ504がボンディングされた実装部を有しているが、このような構造のものにおいて充填剤が添加されたモールド樹脂で直接封止してしまうとモールド樹脂によって細線ワイヤ504やベアチップ503の表面側電極パッド505が損傷する虞がある。このような問題を解消するためには、例えば、実装部をシリコーンゲルなどによって予めコーティングして保護した後に、モールド樹脂で封止する構造が考えられる。しかしながら、このようにシリコーンゲルなどの保護膜を形成した後にモールド樹脂で封止する構造では、構成部材や製造工程が増えてしまい、部品点数やコストの面で不利となるといった問題があった。本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、簡易な構成で高い信頼性を確保できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、第1の発明に係る半導体装置は、基板と、前記基板の一方面側に設けられる複数の導電路と、前記基板とは反対側に配置される複数の表面側電極を備え、前記基板にベアチップ構造で実装される半導体素子と、前記半導体素子の複数の前記表面側電極と前記基板上の各導電路とを電気的に接続する複数の電極板と、複数の前記電極板を前記基板とは反対側から保持する絶縁性の保持部材と、を備え、前記電極板は、前記半導体素子側を基端側として前記半導体素子の外側に延び、且つ一方の板面における基端側の部分が前記半導体素子の前記表面側電極に接続されると共に先端側の部分が前記導電路に接続されており、前記保持部材は、複数の前記電極板上に跨るように配置されると共に、少なくとも各電極板側の面が各電極板の形状に対応する所定形状で構成されて各電極板に固定されており、且つ各電極板における前記基板とは反対側の面を被覆するように構成されていることを特徴とする。また、第2の発明に係る製造方法は、基板の一方面側に複数の導電路を形成する工程と、複数の表面側電極を備えた半導体素子を前記基板の一方面側にベアチップ構造で実装する工程と、前記半導体素子の複数の前記表面側電極と前記基板上の各導電路とを電気的に接続する複数の電極板を形成する工程と、少なくとも各電極板側の面が各電極板の形状に対応する所定形状となるように、各電極板に保持する絶縁性の保持部材を形成する工程と、前記半導体素子側を基端側として前記半導体素子の外側に延びるように各電極板を配置し、且つ各電極板の一方の板面における基端側の部分を前記半導体素子の前記表面側電極に接続し先端側の部分を前記導電路に接続するように各電極板を固定する工程と、複数の前記電極板上に跨るように前記保持部材を配置すると共に、各電極板における前記基板とは反対側の面を被覆するように前記保持部材を各電極板に固定する工程と、を含むことを特徴とする。請求項1の発明では、基板の一方面側に複数の導電路が設けられている。また、基板とは反対側に配置される複数の表面側電極を備えた半導体素子が基板上にベアチップ構造で実装されている。更に、半導体素子の複数の表面側電極と基板上の各導電路とを電気的に接続する複数の電極板と、複数の電極板を基板とは反対側から保持する絶縁性の保持部材とが設けられている。そして、電極板は、半導体素子側を基端側として半導体素子の外側に延び、且つ一方の板面における基端側の部分が半導体素子の表面側電極に接続されると共に先端側の部分が導電路に接続されている。このように、複数の電極板により、半導体素子の表面側電極と基板の一方面側に設けられる導電路とを電気的に接続することができるので、ボンディング用ワイヤやパッドなどを効果的に削減することができる。さらに、保持部材は、複数の電極板上に跨るように配置されると共に、少なくとも各電極板側の面が各電極板の形状に対応する所定形状で構成されて各電極板に固定されており、且つ各電極板における基板とは反対側の面を被覆するように構成されている。このように、板状の電極板によって表面側電極を覆い、この電極板に対して保持部材を固定して被覆する構造を用いているため、半導体素子の表面側電極やこれを接続する部材電極板を簡易な構造で効果的かつ安定的に保護することができる。従って、シリコーンゲルなどの保護膜を抑制ないし省略しても、安定的な保護が図られることになり、製造コストを効果的に低減することができる。請求項2の発明では、保持部材が、熱硬化性樹脂によって構成されている。この構成によれば、保持部材が比較的硬い熱硬化性樹脂によって構成されているので、電極板をより正確に且つ安定的に位置決めしやすくなり、隣り合う電極板間の絶縁性をより確実に保つことができる。請求項3の発明では、保持部材が、熱可塑性樹脂によって構成されている。この構成によれば、保持部材が比較的安価であって加工がし易い熱可塑性樹脂によって構成されているので、製造コストを抑えることができる。請求項4の発明では、電極板は、半導体素子の表面側電極から当該半導体素子の外側に延びると共に表面側電極から離れた所定位置から基板側へ折り曲げられ、更に先端側が基板の一方面に沿って折り曲げられたガルウィング形状で形成されている。この構成によれば、各材料の線熱膨張係数差などによって生じる熱応力特に基板からの応力を、ガルウィング形状に屈曲された電極板の各部で分散させることができ、効果的に緩和することができる。請求項5の発明において、複数の電極板はいずれも、半導体素子において互いに対向する一対の側部の少なくとも一方側から、これら側部の対向方向に沿って外側に延びている。この構成によれば、例えば、平板状の金属板から複数の電極板を形成する場合例えば、打ち抜き等の金属加工によって形成する場合など、無駄となる部分が少なく取り数が多くなり、コストを抑えることができる。また、実装領域を比較的小さくすることができ、省スペース化を図ることができる。請求項6の発明では、複数の電極板の一部をなすいずれか1又は複数が、半導体素子において互いに対向する一対の側部の少なくとも一方側から、これら側部の対向方向に沿って外側に延びており、複数の電極板の他部をなすいずれか1又は複数が、基板の板面と平行な方向であって且つ対向方向と直交する方向に沿って延びている。この構成によれば、複数の電極板を平行に配置する場合に比べて、電極板間隔を広く取り易くなるため、隣り合う電極板同士が接触してしまうのを防止でき、各電極間の絶縁性をより確実に維持することができる。請求項7の発明では、保持部材が、複数の電極板間の隙間に充填されている。このように、各電極板間の隙間に絶縁性の保持部材を充填することで、この隙間に水分などが侵入し難くなり、この水分等によるマイグレーションの発生を抑制することができる。このため、隣り合う電極板同士が接触してしまうのを防止でき、各電極間の絶縁性をより確実に維持することができる。請求項8の半導体装置の製造方法では、基板の一方面側に複数の導電路を形成する工程と、複数の表面側電極を備えた半導体素子を基板の一方面側にベアチップ構造で実装する工程と、半導体素子の複数の表面側電極と基板上の各導電路とを電気的に接続する複数の電極板を形成する工程とを有している。さらに、少なくとも各電極板側の面が各電極板の形状に対応する所定形状となるように、各電極板に保持する絶縁性の保持部材を形成する工程と、半導体素子側を基端側として半導体素子の外側に延びるように各電極板を配置し、且つ各電極板の一方の板面における基端側の部分を半導体素子の表面側電極に接続し先端側の部分を導電路に接続するように各電極板を固定する工程と、複数の電極板上に跨るように保持部材を配置すると共に、各電極板における基板とは反対側の面を被覆するように保持部材を各電極板に固定する工程とを含んでいる。この方法によれば、複数の電極板により、半導体素子の表面側電極と基板の一方面側に設けられる導電路とを、ワイヤやパッドなどを用いることなく電気的に接続することができるので、工程を簡略化することができる。さらに、各電極板における基板とは反対側の面を保持部材によって被覆する工程により、半導体素子の複数の表面側電極も保持部材によって覆われることとなり、保持部材を半導体素子の保護材としても機能させることができるので、シリコーンゲルなどの保護膜を形成する工程を省略でき、製造コストを抑えることができる。請求項9の発明では、さらに、導電路上及び表面側電極上にはんだを供給する工程と、はんだを一括リフローする工程とを更に有している。この方法によれば、電極板と半導体素子の表面側電極及び導電路との接続をリフローにより一括で行うことができるので、より半導体装置の製造工程を簡素化することができる。[第1実施形態]以下、本発明の第1実施形態について、詳細に説明する。図1Aは、第1実施形態に係る半導体装置の平面図であり、図1Bは、図1Aの半導体装置の正面図である。本実施形態の半導体装置1は、図1に示すように、ベアチップ構造の半導体素子4を、基板2に直接実装して構成されている。基板2は、例えば、プリント基板などから構成されており、当該基板2の一方面2a側には複数の導電路いわゆる配線パターン図示略が形成されている。そして、半導体素子4は、例えばMOSFETなどから構成されており、当該半導体素子4の外面に露出する構成で、ソース電極やゲート電極、ドレイン電極等図示略を備えている。なお、図1において、ソース電極及びゲート電極は、基板2とは反対側に配置されており、表面側電極に相当する。また、図1において、ドレイン電極は、基板2側基板2と対向する側に配置されている。これら半導体素子4に設けられる電極は、例えば銅などから構成される電極板10a、10b、10cによって、基板2の各導電路にはんだなどの導電性接続材料を介して電気的に接続されている。電極板10a及び電極板10bは、一方の板面における基端側の部分が半導体素子4のソース電極又はドレイン電極にはんだなどの導電性接続材料を介して電気的に接続されると共に、先端側の部分が導電路に接続されている。具体的に、電極板10aは、半導体素子4のソース電極と接続されており、大電流に対応するように幅広に構成されている。電極板10bは、半導体素子4のゲート電極と接続されている。また、電極板10cは、半導体素子4のドレイン電極にはんだなどの導電性接続材料を介して電気的に接続されており、半導体素子4からの熱を外部へ放熱するためのヒートシンクとしての機能を備え、幅広図1では略正方形状に構成されている。そして、電極板10a及び電極板10bは、図1Bに示すように、半導体素子4側を基端側として半導体素子4の外側に延び、且つ、基板2側へ折り曲げられ、更に基板2の一方面2aと略平行に折り曲げられており、SOPやQFPQuadFlatPackage等の実装構造で取り入れられているガルウィング形状に形成されている。なお、電極板10a及び電極板10bは、複数の電極板に相当する。また、電極板10a及び電極板10bは、基板2とは反対側から絶縁性の保持部材20によって保持されている。具体的に、保持部材20は、図1Aに示すように、電極板10a上及び電極板10b上に跨るように配置され、電極板10a及び電極板10b側の面が各電極板10a、10bの形状に対応する所定形状で構成されて各電極板10a、10bに固定されている。また、電極板10a及び電極板10bは、互いに離された状態電気的に接触していない状態で保持部材20により保持されている。そして、保持部材20は、各電極板10a、10bにおける基板2とは反対側の面を被覆すると共に半導体素子4の表面側も覆うように構成されている半導体装置1を平面視したときに、保持部材20により半導体素子4全体が覆われるように構成されている。さらに、保持部材20は、電極板10aと電極板10bの隙間を埋めるように充填されている。保持部材20は、絶縁性と併せて、耐熱性や耐薬品性を有していることが好ましく、例えば、熱硬化性樹脂若しくは熱可塑性樹脂により構成することができる。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、熱硬化性ポリイミドなどを用いることができる。また、熱可塑性樹脂としては、例えば、液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン、熱可塑性ポリイミドなどを用いることができる。保持部材20を、比較的硬い熱硬化性樹脂により構成すれば、電極板10aと電極板10bの隙間が狭い場合でも、これら金属板10a、10bが堅牢に固定されることで、高い絶縁性を維持することができる金属板10a、10b同士の接触をより防ぐことができる。一方、保持部材20を、比較的安価で加工がし易い熱可塑性樹脂により構成すれば、製造コストを抑えることができる。次に、半導体装置1の製造方法について説明する。図2及び図3は、電極板と保持部材とを一体的に形成する工程を説明する説明図である。図4は、第1実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面説明図である。本発明の半導体装置の製造方法では、電極板10a及び電極板10bと保持部材20とを一体的に成型し、基板2に実装された半導体素子4上に配置するようにしている。電極板10a、10bと保持部材20とが一体的に成型された一体部品30を形成する工程を、図2及び図3を参照して説明する。まず、図2Aに示す銅板31の一方の板面半導体素子4の表面側電極に接続される側の板面にはんだめっきを施した後、エッチング加工や打抜き加工等の方法によって、図2Bに示すように、銅板31にパターンを形成する。このとき、電極板10a及び電極板10bは、タイバー32により連結されている。そして、図2Cに示すように、保持部材20を、タイバー32によって連結された状態の電極板10a及び電極板10bの一側に形成する。保持部材20は、例えば、ポリイミドテープなどを電極板10a、10b上に貼り付けたり、エポキシ樹脂をモールド成型するなどの方法によって形成することができる。なお、保持部材20は、電極板10a及び電極板10bに跨るように形成配置すると共に、一体部品30が基板2に実装されたときに、基板2とは反対側の面を被覆するように各電極板10a、10bに固定する。そして、ガルウィング形状に曲げ加工すると共に、タイバー32を切断し、一体部品30を形成する。なお、上述の一体部品30の形成工程では、例えば、図3A~Dに示すように、一枚の銅板31から複数の一体部品30を一度に製造することができる。図3Aに示す一枚の銅板31に、複数の電極板の他側を連結部材33銅板31の一部で連結した状態でパターン形成し図3B、保持部材20を形成した後図3C、タイバー32及び連結部材33を切断することで、複数の一体部品30を形成することができる。次に、上述のように、電極板10a及び電極板10bと保持部材20とを一体的に成型した一体部品30を用いて半導体装置1を製造する工程を、図4を参照して説明する。まず、絶縁樹脂などからなる基板2の一方面側に、銅箔などの導電体からなるパターンを、印刷などの方法によって形成し導電路を形成する。次に、図4Aに示すように、この導電路上に印刷などの方法によって、ペースト状のはんだを供給する。そして、はんだが供給された導電路上の所定位置に、電極板10cを配置するとともに、この電極板10c上に半導体装置1を配置する。なお、電極板10cは、上述した電極板10a、10bと同様に、一方の板面半導体素子4と対向するように配置される側の板面に、予めはんだめっきが施されている。そして、一体部品30を基板2上に配置する図4B。具体的に、電極板10a、10bが半導体素子4側を基端側として半導体素子4の外側に延びるように、一体部品30を配置する。また、電極板10a、10bの一方の板面における基端側の部分を半導体素子4の表面側電極に接続し先端側の部分を導電路に接続するように、一体部品30を配置する。さらに、基板2と各電極板10a~10cとの間、電極板10cと半導体素子4との間及び半導体素子4と電極板10a、10bとの間のはんだを一括リフローする図4C。そして、モールド樹脂42でモールド成型し、半導体装置1を製造することができる図4D。このモールド成型は、当該半導体装置1の使用用途等に応じて、省略してもよい。以上説明したように、本第1実施形態に係る半導体装置1では、基板2の一方面側に複数の導電路が設けられている。また、基板2とは反対側に配置される複数の表面側電極を備えた半導体素子4が基板2上にベアチップ構造で実装されている。更に、半導体素子4の複数の表面側電極と基板2上の各導電路とを電気的に接続する電極板10a及び電極板10bと、電極板10a及び電極板10bを基板2とは反対側から保持する絶縁性の保持部材20とが設けられている。そして、電極板10a、10bは、半導体素子4側を基端側として半導体素子4の外側に延び、且つ一方の板面における基端側の部分が半導体素子4の表面側電極に接続されると共に先端側の部分が導電路に接続されている。このように、電極板10a及び電極板10bにより、半導体素子4の表面側電極と基板2の一方面側に設けられる導電路とを電気的に接続することができるので、ボンディング用ワイヤやパッドなどを効果的に削減することができる。さらに、保持部材20は、電極板10a及び電極板10b上に跨るように配置されると共に、少なくとも各電極板10a、10b側の面が各電極板の形状に対応する所定形状で構成されて各電極板に固定されており、且つ各電極板における基板2とは反対側の面を被覆するように構成されている。このように、板状の各電極板10a、10bによって表面側電極を覆い、この電極板に対して保持部材20を固定して被覆する構造を用いているため、半導体素子4の表面側電極やこれを接続する部材電極板を簡易な構造で効果的かつ安定的に保護することができる。従って、シリコーンゲルなどの保護膜を抑制ないし省略しても、安定的な保護が図られることになり、製造コストを効果的に低減することができる。また、保持部材20が熱硬化性樹脂若しくは熱可塑性樹脂により構成されている。保持部材20を比較的硬い熱硬化性樹脂によって構成すれば、各電極板10a、10bをより正確に且つ安定的に位置決めしやすくなり、隣り合う電極板間の絶縁性をより確実に保つことができる。一方、保持部材20を比較的安価であって加工がし易い熱可塑性樹脂によって構成すれば、製造コストを抑えることができる。また、電極板10a、10bは、半導体素子4の表面側電極から当該半導体素子4の外側に延びると共に表面側電極から離れた所定位置から基板2側へ折り曲げられ、更に先端側が基板2の一方面に沿って折り曲げられたガルウィング形状で形成されている。この構成によれば、各材料の線熱膨張係数差などによって生じる熱応力特に基板2からの応力を、ガルウィング形状に屈曲された電極板の各部で分散させることができ、効果的に緩和することができる。また、保持部材20が、各電極板10a、10b間の隙間に充填されている。このように、各電極板間の隙間に絶縁性の保持部材20を充填することで、この隙間に水分などが侵入し難くなり、この水分等によるマイグレーションの発生を抑制することができる。このため、隣り合う電極板同士が接触してしまうのを防止でき、各電極間の絶縁性をより確実に維持することができる。また、本第1実施形態に係る半導体装置1の製造方法では、基板2の一方面側に複数の導電路を形成する工程と、複数の表面側電極を備えた半導体素子4を基板2の一方面側にベアチップ構造で実装する工程と、半導体素子4の複数の表面側電極と基板2上の各導電路とを電気的に接続する電極板10a及び電極板10bを形成する工程とを有している。さらに、少なくとも各電極板側の面が各電極板の形状に対応する所定形状となるように、各電極板に保持する絶縁性の保持部材20を形成する工程と、半導体素子4側を基端側として半導体素子4の外側に延びるように各電極板を配置し、且つ各電極板の一方の板面における基端側の部分を半導体素子4の表面側電極に接続し先端側の部分を導電路に接続するように各電極板を固定する工程と、電極板10a及び電極板10b上に跨るように保持部材20を配置すると共に、各電極板における基板2とは反対側の面を被覆するように保持部材20を各電極板に固定する工程とを含んでいる。この方法によれば、電極板10a及び電極板10bにより、半導体素子4の表面側電極と基板2の一方面側に設けられる導電路とを、ワイヤやパッドなどを用いることなく電気的に接続することができるので、工程を簡略化することができる。さらに、各電極板における基板2とは反対側の面を保持部材20によって被覆する工程により、半導体素子4の複数の表面側電極も保持部材20によって覆われることとなり、保持部材20を半導体素子4の保護材としても機能させることができるので、シリコーンゲルなどの保護膜を形成する工程を省略でき、製造コストを抑えることができる。さらに、導電路上及び表面側電極上にはんだ40を供給する工程と、はんだ40を一括リフローする工程とを更に有している。この方法によれば、電極板と半導体素子4の表面側電極及び導電路との接続をリフローにより一括で行うことができるので、より半導体装置1の製造工程を簡素化することができる。次に、本発明の第1実施形態における第1変形例に係る半導体装置101について、図5を参照して説明する。本第1実施形態における第1変形例では、電極板の数が異なる点が、上記第1実施形態にて述べた半導体装置1と主に異なる。したがって、第1実施形態の半導体装置1と実質的に同一の構成部分には、同一符号を付し、その説明を省略する。図5Aは、第1実施形態の第1変形例に係る半導体装置の平面図であり、図5Bは、図5Aの半導体装置の正面図である。上記第1実施形態では、半導体素子4の表面側電極ソース電極及びゲート電極に2つの電極板10a、10bが接続されている構成を説明したが、本第1変形例では、半導体素子4の表面側電極に5つの電極板110a、110b、110c、110d、110eが接続されている。すなわち、半導体素子4の表面側には、ソース電極及びゲート電極のほか、温度特性やオン電圧を検出するための3つの信号電極図示略が形成されており、さらに、この3つの信号電極と、導電路とが電極板110c~110eにより電気的に接続されている。そして、半導体素子4の表面側電極と接続されるこれら5つの電極板110a~110eは、平面視したときに、互いに平行となるように配置されている。このように、半導体素子4の表面側電極の数に応じて、電極板の配置を変更することができる。第1実施形態の第1変形例に係る半導体装置101では、電極板110c~110eはいずれも、半導体素子4において互いに対向する一対の側部の少なくとも一方側から、これら側部の対向方向に沿って外側に延びている。そして、この構成によれば、例えば、平板状の金属板から複数の電極板を形成する場合例えば、打ち抜き等の金属加工によって形成する場合など、無駄となる部分が少なく取り数が多くなり、コストを抑えることができる。また、実装領域を比較的小さくすることができ、省スペース化を図ることができる。次に、本発明の第1実施形態における第2変形例に係る半導体装置201について、図6を参照して説明する。本第1実施形態における第2変形例では、電極板の数及び配置が異なる点が、上記第1実施形態にて述べた半導体装置1と主に異なる。したがって、第1実施形態の半導体装置1と実質的に同一の構成部分には、同一符号を付し、その説明を省略する。図6は、第1実施形態の第2変形例に係る半導体装置の平面図である。上記第1実施形態では、半導体素子4の表面側電極ソース電極及びゲート電極に2つの電極板10a、10bが接続されている構成を説明したが、本第2変形例では、半導体素子4の表面側電極に7つの電極板210a、210b、210c、210d、210e、210f、210gが接続されている。そして、電極板210a及び210bは幅広に構成されている。そして、半導体素子4の表面側電極と接続されるこれら7つの電極板210a~210gは、平面視したときに、略十字状となるように配置されている。このように、半導体素子4の表面側電極の数や種類に応じて、電極板の配置や幅を変更することができる。すなわち、第1実施形態の第2変形例に係る半導体装置201では、複数の電極板の一部をなすいずれか1又は複数が、半導体素子において互いに対向する一対の側部の少なくとも一方側から、これら側部の対向方向に沿って外側に延びており、複数の電極板の他部をなすいずれか1又は複数が、基板2の板面と平行な方向であって且つ対向方向と直交する方向に沿って延びている。そして、この構成によれば、複数の電極板を平行に配置する場合に比べて、電極板間隔を広く取り易くなるため、隣り合う電極板同士が接触してしまうのを防止でき、各電極間の絶縁性をより確実に維持することができる。[他の実施形態]本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。上記第1実施形態では、電極板10a及び電極板10bが保持部材20で一体的に保持された一体部品30を用いた例を示したが、特にこれに限定されず、電極板10a及び電極板10bを基板2及び半導体素子4上に配置した後に、保持部材20を電極板10a、10b上に配置するようにしてもよい。上記第1実施形態では、基板2と各電極板10a~10cとの間、電極板10cと半導体素子4との間及び半導体素子4と電極板10a、10bとの間のはんだを一括リフローする例を示したが、特にこれに限定されない。例えば、半導体素子4と電極板10a、10bとの間及び、電極板10cと半導体素子4との間に高融点融点:297~300°CのPbリッチはんだSn-90Pbを供給して約300°C以上の温度でリフローした後、基板2と各電極板10a~10cとの間にPbフリーはんだSn-3.0-Ag-0.5Cu、融点:217~219°Cを供給し、約225~240°Cの温度でリフローするようにしてもよい。この場合、例えば、電極板10a及び電極板10bが保持部材20で一体的に保持された一体部品30と、半導体素子4及び電極板10cヒートシンクとを、高融点のPbリッチはんだをリフローして固定した後、他のSMD部品と共に基板2に配置し、基板2に印刷されているPbフリーはんだをリフローするようにするとよい。