"基体上に導電性薄膜、有機層からなる光電変換膜、透明導電性酸化物薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、前記光電変換膜の膜厚が150nm以上であり、前記透明導電性酸化物薄膜の膜厚が5nm以上10nm以下であることを特徴とする光電変換素子。前記光電変換膜が、有機材料を蒸着することで形成されたものであることを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。前記透明導電性酸化物がITO又はIZOであることを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換素子。前記透明導電性酸化物薄膜の光透過率が光波長400~700nmの範囲で75以上であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の光電変換素子。前記透明導電性酸化物薄膜のシート抵抗が100Ω□以上10000Ω□以下であることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の光電変換素子。前記透明導電性酸化物薄膜がプラズマフリーな方法で成膜されることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の光電変換素子。前記光電変換膜に、顔料系材料層が含まれることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の光電変換素子。前記顔料系材料層の膜厚が75nm以上であることを特徴とする請求項7に記載の光電変換素子。前記顔料系材料層の膜厚が100nm以上であることを特徴とする請求項7または8に記載の光電変換素子。前記導電性薄膜下方の半導体基板内に無機光電変換部を有する請求項1~9のいずれかに記載の光電変換素子。前記透明導電性酸化物薄膜の上に形成された保護膜を有する請求項1~10のいずれかに記載の光電変換素子。前記光電変換膜が、p型有機半導体又はn型有機半導体を含む請求項1~11のいずれかに記載の光電変換素子。前記光電変換膜が、電荷ブロッキング層を含む請求項1~12のいずれかに記載の光電変換素子。前記電荷ブロッキング層が電子ブロッキング層である請求項13に記載の光電変換素子。請求項1~14のいずれかに記載の光電変換素子を有する撮像素子。請求項15記載の撮像素子であって、前記光電変換素子が上方に形成される基板と、前記基板に形成され、前記光電変換素子で発生した信号電荷に応じた信号を読み出す読み出し部とを備える撮像素子。上部透明電極を有する固体撮像素子について、暗電流の増大、歩留まりの悪化、素子性能のばらつきを改善する。本発明は下記の手段により、解決された。1基体上に導電性薄膜、有機層からなる光電変換膜、透明導電性酸化物薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、前記光電変換膜の膜厚が150nm以上であり、前記透明導電性酸化物薄膜の膜厚が5nm以上10nm以下であることを特徴とする光電変換素子。2前記光電変換膜が、有機材料を蒸着することで形成されたものであることを特徴とする1に記載の光電変換素子。3前記透明導電性酸化物がITO又はIZOであることを特徴とする1または2に記載の光電変換素子。4前記透明導電性酸化物薄膜の光透過率が光波長400~700nmの範囲で75以上であることを特徴とする1~3のいずれかに記載の光電変換素子。5前記透明導電性酸化物薄膜のシート抵抗が100Ω□以上10000Ω□以下であることを特徴とする1~4のいずれかに記載の光電変換素子。6前記透明導電性酸化物薄膜がプラズマフリーな方法で成膜されることを特徴とする1~5のいずれかに記載の光電変換素子。7前記光電変換膜に、顔料系材料層が含まれることを特徴とする1~6のいずれかに記載の光電変換素子。8前記顔料系材料層の膜厚が75nm以上であることを特徴とする7に記載の光電変換素子。9前記顔料系材料層の膜厚が100nm以上であることを特徴とする7または8に記載の光電変換素子。10前記導電性薄膜下方の半導体基板内に無機光電変換部を有する1~9のいずれかに記載の光電変換素子。11前記透明導電性酸化物薄膜の上に形成された保護膜を有する1~10のいずれかに記載の光電変換素子。12前記光電変換膜が、p型有機半導体又はn型有機半導体を含む1~11のいずれかに記載の光電変換素子。13前記光電変換膜が、電荷ブロッキング層を含む1~12のいずれかに記載の光電変換素子。14前記電荷ブロッキング層が電子ブロッキング層である13に記載の光電変換素子。151~14のいずれかに記載の光電変換素子を有する撮像素子。1615記載の撮像素子であって、前記光電変換素子が上方に形成される基板と、前記基板に形成され、前記光電変換素子で発生した信号電荷に応じた信号を読み出す読み出し部とを備える撮像素子。本発明により、光電変換素子を高感度、低ノイズにし、さらに素子の歩留まりを上げる事ができる。基体上に導電性薄膜、光電変換膜、透明導電性薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、透明導電性薄膜の厚みが、光電変換膜厚みの1/5以下、好ましくは1/10以下であるような光電変換素子が本発明の特徴である。本発明では光電変換膜とはn型半導体、p型半導体のような半導体からなる層、及び電荷輸送層を含む、対向電極好ましくは透明導電性薄膜と画素電極好ましくは導電性薄膜に挟まれた膜を意味する。本発明の光電変換膜の膜厚は350nm以下が好ましく、300nm以下がより好ましく、200nm以下がより好ましい。透明導電性酸化物TCOなどの透明導電性薄膜を光電変換膜上に積層した場合に生じる、リーク電流増大の原因の一つは、光電変換膜に導入される微細なクラックがTCOなどの緻密な膜によってカバレッジされ、反対側の導電性薄膜との間の導通が増すためと考えられる。そのため、Alなど膜質が比較して劣る電極の場合、リーク電流の増大は生じにくい。本発明では、上記の現象、考察を踏まえて、透明導電性薄膜の膜厚を、光電変換膜の膜厚すなわち、クラックの深さに対して制御する事により、リーク電流の増大を大きく抑制できる事を見出した。透明導電性薄膜の厚みは、光電変換膜厚みの1/5以下、好ましくは1/10以下好ましくは、1/100以上であるようにする事が望ましい。通常、導電性薄膜をある範囲より薄くすると、急激な抵抗値の増加をもたらすが、本発明の光電変換素子においては、シート抵抗は、好ましくは100Ω□以上10000Ω□以下でよく、薄膜化できる膜厚の範囲の自由度は大きい。また、透明導電性薄膜は厚みが薄いほど吸収する光の量は少なくなり、一般に光透過率が増す。光透過率の増加は、光電変換膜での光吸収を増大させ、光電変換能を増大させるため、非常に好ましい。薄膜化に伴う、リーク電流の抑制、薄膜の抵抗値の増大、透過率の増加を考慮すると、透明導電性薄膜の膜厚は、5nm以上30nm以下であること、好ましくは5nm以上15nmm以下である事が望ましい。前記透明導電性薄膜の光透過率が光波長400~700nmの範囲で75以上であることが好ましく、80以上であることがより好ましく、さらに好ましくは90以上、特に好ましくは95以上である。本発明の効果は、より緻密な膜を透明導電性薄膜として適用した場合に顕著に表れる。透明導電性薄膜としては、高透過率、低抵抗率であることから、透明導電性酸化物TCOが好ましく考えられるが、一般に透明導電性酸化物TCO膜はAlなどの金属薄膜に対し緻密な膜が形成されるため、本発明の効果が顕著に表れる。本発明の効果は、クラックが入りやすいような、結晶性の膜即ち粒界を有する層を含む膜が含まれる光電変換膜に対して特に顕著である。光電変換膜として有機薄膜を適用する場合、顔料系材料が光電変換膜中に含まれると、本発明の効果は大きい。また、膜の不均一性が増すため、顔料系材料による膜厚が増すと、本発明の効果はさらに大きくなる。光吸収や十分な光電変換性能を有せさせるためには、ある範囲で顔料系材料の膜厚は厚い方が良く、好ましくは75nm以上、さらに好ましくは100nm以上好ましくは1000nm以下である。粒界は電子顕微鏡等で確かめられる。顔料系材料としては、通常の顔料、即ち有機顔料、及び無機顔料が上げられ、水、有機溶媒にほとんど不溶の物質を言い、本発明では、上記のような結晶性の膜を形成する材料を意味する。また、水、有機溶媒に溶解する物質でも、固体状態で用いて結晶性の膜を形成する材料も含まれることとする。顔料系材料としては有機顔料が好ましく、有機顔料としては後記の色素、即ち、p型有機色素、又はn型有機色素のうちの顔料が好ましく用いられる。光電変換膜として有機膜を想定した場合、該透明導電性薄膜を通常のスパッタ法などで成膜すると、プラズマによるダメージにより、光電変換層の性能が劣化する場合がある。このため、透明導電性薄膜の成膜は、プラズマフリーな方法で成されることが好ましい。ここで、プラズマフリーとは、透明電極膜の成膜中にプラズマが発生しないか、またはプラズマ発生源から基体までの距離が2cm以上、好ましくは10cm以上、更に好ましくは20cm以上であり、基体に到達するプラズマが減ずるような状態を意味する。透明電極膜の成膜中にプラズマが発生しない装置としては、例えば、電子線蒸着装置EB蒸着装置やパルスレーザー蒸着装置がある。EB蒸着装置またはパルスレーザー蒸着装置については、沢田豊監修透明導電膜の新展開シーエムシー刊、1999年、沢田豊監修透明導電膜の新展開IIシーエムシー刊、2002年、日本学術振興会著透明導電膜の技術オーム社、1999年、及びそれらに付記されている参考文献等に記載されているような装置を用いることができる。以下では、EB蒸着装置を用いて透明電極膜の成膜を行う方法をEB蒸着法と言い、パルスレーザー蒸着装置を用いて透明電極膜の成膜を行う方法をパルスレーザー蒸着法と言う。プラズマ発生源から基体への距離が2cm以上であって基体へのプラズマの到達が減ずるような状態を実現できる装置以下、プラズマフリーである成膜装置というについては、例えば、対向ターゲット式スパッタ装置やアークプラズマ蒸着法などが考えられ、それらについては沢田豊監修透明導電膜の新展開シーエムシー刊、1999年、沢田豊監修透明導電膜の新展開IIシーエムシー刊、2002年、日本学術振興会著透明導電膜の技術オーム社、1999年、及びそれらに付記されている参考文献等に記載されているような装置を用いることができる。導電性薄膜および透明導電性薄膜成膜時の基板温度は500°C以下が好ましく、より好ましくは、300°C以下で、さらに好ましくは200°C以下、さらに好ましくは150°C以下である。本発明を満たす導電性薄膜および透明導電性薄膜の材料は、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズITO等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの透明導電性酸化物TCO、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、シリコン化合物およびこれらとITOとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、さらに好ましくはIn2O3系材料、またはZnO系材料であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からITO、またはIZOが好ましい。光電変換素子以下に本発明の光電変換素子について説明する。本発明の光電変換素子は電磁波吸収/光電変換部位導電性薄膜、光電変換膜、透明導電性薄膜を含むと光電変換により生成した電荷の電荷蓄積/転送/読み出し部位よりなる。本発明において電磁波吸収/光電変換部位は、少なくとも青光、緑光、赤光を各々吸収し光電変換することができる少なくとも2層の積層型構造を有する。青光吸収層Bは少なくとも400nm以上500nm以下の光を吸収することができ、好ましくはその波長域でのピ-ク波長の吸収率は50以上である。緑光吸収層Gは少なくとも500nm以上600nm以下の光を吸収することができ、好ましくはその波長域でのピ-ク波長の吸収率は50以上である。赤光吸収層Rは少なくとも600nm以上700nm以下の光を吸収することができ、好ましくはその波長域でのピ-ク波長の吸収率は50以上である。これらの層の序列はいずれの序列でも良く、3層積層型構造の場合は上層光入射側からBGR、BRG、GBR、GRB、RBG、RGBの序列が可能である。好ましくは最上層がGである。2層積層型構造の場合は上層がR層の場合は下層が同一平面状にBG層、上層がB層の場合は下層が同一平面状にGR層、上層がG層の場合は下層が同一平面状にBR層が形成される。好ましくは上層がG層で下層が同一平面状にBR層である。このように下層の同一平面状に2つの光吸収層が設けられる場合には上層の上もしくは上層と下層の間に色分別できるフィルタ-層を例えばモザイク状に設けることが好ましい。場合により4層目以上の層を新たな層としてもしくは同一平面状に設けることが可能である。本発明における電荷蓄積/転送/読み出し部位は電磁波吸収/光電変換部位の下に設ける。下層の電磁波吸収/光電変換部位が電荷蓄積/転送/読み出し部位を兼ねることは好ましい。本発明において電磁波吸収/光電変換部位は有機層または無機層または有機層と無機層の混合よりなる。有機層がB/G/R層を形成していても良いし無機層がB/G/R層を形成していても良い。好ましくは有機層と無機層の混合である。この場合、基本的には有機層が1層の時は無機層は1層または2層であり、有機層が2層の時は無機層は1層である。有機層と無機層が1層の場合には無機層が同一平面状に2色以上の電磁波吸収/光電変換部位を形成する。好ましくは上層が有機層でG層であり、下層が無機層で上からB層、R層の序列である。場合により4層目以上の層を新たな層として、もしくは同一平面状に設けることが可能である。有機層がB/G/R層を形成する場合には、その下に電荷蓄積/転送/読み出し部位を設ける。電磁波吸収/光電変換部位として無機層を用いる場合には、この無機層が電荷蓄積/転送/読み出し部位を兼ねる。有機層本発明において有機層について説明する。本発明の有機層からなる電磁波吸収/光電変換部位は1対の電極に挟まれた有機層から成る。有機層は電磁波を吸収する部位、光電変換部位、電子輸送部位、正孔輸送部位、電子ブロッキング部位、正孔ブロッキング部位、結晶化防止部位、電極ならびに層間接触改良部位等の積み重ねもしくは混合から形成される。有機層は有機p型化合物または有機n型化合物を含有することが好ましい。有機p型半導体化合物は、ドナー性有機半導体化合物であり、主に正孔輸送性有機化合物に代表され、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは2つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。したがって、ドナー性有機化合物は、電子供与性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。例えば、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物、ピラゾリン化合物、スチリルアミン化合物、ヒドラゾン化合物、トリフェニルメタン化合物、カルバゾール化合物、ポリシラン化合物、チオフェン化合物、フタロシアニン化合物、シアニン化合物、メロシアニン化合物、オキソノール化合物、ポリアミン化合物、インドール化合物、ピロール化合物、ピラゾール化合物、ポリアリーレン化合物、縮合芳香族炭素環化合物ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、フルオランテン誘導体、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体等を用いることができる。なお、これに限らず、上記したように、n型アクセプター性化合物として用いた有機化合物よりもイオン化ポテンシャルの小さい有機化合物であればドナー性有機半導体として用いてよい。有機n型半導体化合物は、アクセプター性有機半導体化合物であり、主に電子輸送性有機化合物に代表され、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは2つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。したがって、アクセプター性有機化合物は、電子受容性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。例えば、縮合芳香族炭素環化合物ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、フルオランテン誘導体、窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含有する5ないし7員のヘテロ環化合物例えばピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、キノキサリン、キナゾリン、フタラジン、シンノリン、イソキノリン、プテリジン、アクリジン、フェナジン、フェナントロリン、テトラゾール、ピラゾール、イミダゾール、チアゾール、オキサゾール、インダゾール、ベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、カルバゾール、プリン、トリアゾロピリダジン、トリアゾロピリミジン、テトラザインデン、オキサジアゾール、イミダゾピリジン、ピラリジン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、ジベンズアゼピン、トリベンズアゼピン等、ポリアリーレン化合物、フルオレン化合物、シクロペンタジエン化合物、シリル化合物、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体などが挙げられる。なお、これに限らず、上記したように、ドナー性有機化合物として用いた有機化合物よりも電子親和力の大きな有機化合物であればアクセプター性有機半導体として用いてよい。p型有機色素、又はn型有機色素としては、いかなるものを用いても良いが、好ましくは、シアニン色素、スチリル色素、ヘミシアニン色素、メロシアニン色素ゼロメチンメロシアニンシンプルメロシアニンを含む、3核メロシアニン色素、4核メロシアニン色素、ロダシアニン色素、コンプレックスシアニン色素、コンプレックスメロシアニン色素、アロポーラー色素、オキソノール色素、ヘミオキソノール色素、スクアリウム色素、クロコニウム色素、アザメチン色素、クマリン色素、アリーリデン色素、アントラキノン色素、トリフェニルメタン色素、アゾ色素、アゾメチン色素、スピロ化合物、メタロセン色素、フルオレノン色素、フルギド色素、ペリレン色素、フェナジン色素、フェノチアジン色素、キノン色素、インジゴ色素、ジフェニルメタン色素、ポリエン色素、アクリジン色素、アクリジノン色素、ジフェニルアミン色素、キナクリドン色素、キノフタロン色素、フェノキサジン色素、フタロペリレン色素、ポルフィリン色素、クロロフィル色素、フタロシアニン色素、金属錯体色素、縮合芳香族炭素環系色素ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、フルオランテン誘導体が挙げられる。次に金属錯体化合物について説明する。金属錯体化合物は金属に配位する少なくとも1つの窒素原子または酸素原子または硫黄原子を有する配位子をもつ金属錯体であり、金属錯体中の金属イオンは特に限定されないが、好ましくはベリリウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオン、インジウムイオン、または錫イオンであり、より好ましくはベリリウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、または亜鉛イオンであり、更に好ましくはアルミニウムイオン、または亜鉛イオンである。前記金属錯体中に含まれる配位子としては種々の公知の配位子が有るが、例えば、PhotochemistryandPhotophysicsofCoordinationCompoundsSpringer-Verlag社H.Yersin著1987年発行、有機金属化学-基礎と応用-裳華房社山本明夫著1982年発行等に記載の配位子が挙げられる。前記配位子として、好ましくは含窒素ヘテロ環配位子好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数2~20、特に好ましくは炭素数3~15であり、単座配位子であっても2座以上の配位子であっても良い。好ましくは2座配位子である。例えばピリジン配位子、ビピリジル配位子、キノリノール配位子、ヒドロキシフェニルアゾール配位子ヒドロキシフェニルベンズイミダゾール、ヒドロキシフェニルベンズオキサゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾール配位子などが挙げられる、アルコキシ配位子好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~10であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、2-エチルヘキシロキシなどが挙げられる。、アリールオキシ配位子好ましくは炭素数6~30、より好ましくは炭素数6~20、特に好ましくは炭素数6~12であり、例えばフェニルオキシ、1-ナフチルオキシ、2-ナフチルオキシ、2,4,6-トリメチルフェニルオキシ、4-ビフェニルオキシなどが挙げられる。、ヘテロアリールオキシ配位子好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。、アルキルチオ配位子好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。、アリールチオ配位子好ましくは炭素数6~30、より好ましくは炭素数6~20、特に好ましくは炭素数6~12であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。、ヘテロ環置換チオ配位子好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばピリジルチオ、2-ベンズイミゾリルチオ、2-ベンズオキサゾリルチオ、2-ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。、またはシロキシ配位子好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数3~25、特に好ましくは炭素数6~20であり、例えば、トリフェニルシロキシ基、トリエトキシシロキシ基、トリイソプロピルシロキシ基などが挙げられるであり、より好ましくは含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ基、またはシロキシ配位子であり、更に好ましくは含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、またはシロキシ配位子が挙げられる。本発明においては、1対の電極間に、p型半導体層とn型半導体層とを有し、該p型半導体とn型半導体の少なくともいずれかが有機半導体であり、かつ、それらの半導体層の間に、該p型半導体およびn型半導体を含むバルクヘテロ接合構造層を中間層として有する光電変換膜感光層を含有する場合が好ましい。このような場合、光電変換膜において、有機層にバルクへテロ接合構造を含有させることにより有機層のキャリア拡散長が短いという欠点を補い、光電変換効率を向上させることができる。なお、バルクへテロ接合構造については、特願2004-080639号において詳細に説明されている。本発明において、1対の電極間にp型半導体の層とn型半導体の層で形成されるpn接合層の繰り返し構造タンデム構造の数を2以上有する構造を持つ光電変換膜感光層を含有する場合が好ましく、さらに好ましくは、前記繰り返し構造の間に、導電材料の薄層を挿入する場合である。pn接合層の繰り返し構造タンデム構造の数はいかなる数でもよいが、光電変換効率を高くするために好ましくは2~50であり、さらに好ましくは2~30であり、特に好ましくは2~10である。導電材料としては銀または金が好ましく、銀が最も好ましい。なお、タンデム構造については、特願2004-079930号において詳細に説明されている。1対の電極間にp型半導体の層、n型半導体の層、好ましくは混合分散バルクヘテロ接合構造層を持つ光電変換膜において、p型半導体及びn型半導体のうちの少なくとも1方に配向制御された有機化合物を含むことを特徴とする光電変換膜の場合が好ましく、さらに好ましくは、p型半導体及びn型半導体の両方に配向制御された可能な有機化合物を含む場合である。光電変換膜の有機層に用いられる有機化合物としては、π共役電子を持つものが好ましく用いられるが、このπ電子平面が、基板電極基板に対して垂直ではなく、平行に近い角度で配向しているほど好ましい。基板に対する角度として好ましくは0°以上80°以下であり、さらに好ましくは0°以上60°以下であり、さらに好ましくは0°以上40°以下であり、さらに好ましくは0°以上20°以下であり、特に好ましくは0°以上10°以下であり、最も好ましくは0°すなわち基板に対して平行である。上記のように、配向の制御された有機化合物の層は、有機層全体に対して一部でも含めば良いが、好ましくは、有機層全体に対する配向の制御された部分の割合が10以上の場合であり、さらに好ましくは30以上、さらに好ましくは50以上、さらに好ましくは70以上、特に好ましくは90以上、最も好ましくは100である。このような状態は、光電変換膜において、有機層の有機化合物の配向を制御することにより有機層のキャリア拡散長が短いという欠点を補い、光電変換効率を向上させるものである。有機化合物の配向が制御されている場合において、さらに好ましくはヘテロ接合面例えばpn接合面が基板に対して平行ではない場合である。ヘテロ接合面が、基板電極基板に対して平行ではなく、垂直に近い角度で配向しているほど好ましい。基板に対する角度として好ましくは10°以上90°以下であり、さらに好ましくは30°以上90°以下であり、さらに好ましくは50°以上90°以下であり、さらに好ましくは70°以上90°以下であり、特に好ましくは80°以上90°以下であり、最も好ましくは90°すなわち基板に対して垂直である。上記のような、ヘテロ接合面の制御された有機化合物の層は、有機層全体に対して一部でも含めば良い。好ましくは、有機層全体に対する配向の制御された部分の割合が10以上の場合であり、さらに好ましくは30以上、さらに好ましくは50以上、さらに好ましくは70以上、特に好ましくは90以上、最も好ましくは100である。このような場合、有機層におけるヘテロ接合面の面積が増大し、界面で生成する電子、正孔、電子正孔ペア等のキャリア量が増大し、光電変換効率の向上が可能となる。以上の、有機化合物のヘテロ接合面とπ電子平面の両方の配向が制御された光電変換膜光電変換膜において、特に光電変換効率の向上が可能である。これらの状態については、特願2004-079931号において詳細に説明されている。光吸収の点では有機色素層の膜厚は大きいほど好ましいが、電荷分離に寄与しない割合を考慮すると、本発明における有機色素層の膜厚として好ましくは、30nm以上300nm以下、さらに好ましくは50nm以上250nm以下、特に好ましくは80nm以上200nm以下である。有機層の形成法これらの有機化合物を含む層は、乾式成膜法あるいは湿式成膜法により成膜される。乾式成膜法の具体的な例としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、MBE法等の物理気相成長法あるいはプラズマ重合等のCVD法が挙げられる。湿式成膜法としては、キャスト法、スピンコート法、ディッピング法、LB法等が用いられる。p型半導体化合物、又は、n型半導体化合物のうちの少なくとも一つとして高分子化合物を用いる場合は、作成の容易な湿式成膜法により成膜することが好ましい。蒸着等の乾式成膜法を用いた場合、高分子を用いることは分解のおそれがあるため難しく、代わりとしてそのオリゴマーを好ましく用いることができる。一方、本発明において、低分子を用いる場合は、乾式成膜法が好ましく用いられ、特に真空蒸着法が好ましく用いられる。真空蒸着法は抵抗加熱蒸着法、電子線加熱蒸着法等の化合物の加熱の方法、るつぼ、ボ-ト等の蒸着源の形状、真空度、蒸着温度、基盤温度、蒸着速度等が基本的なパラメ-タ-である。均一な蒸着を可能とするために基盤を回転させて蒸着することは好ましい。真空度は高い方が好ましく10-4Torr1.33×10-2Pa以下、好ましくは10-6Torr1.33×10-4Pa以下、特に好ましくは10-8Torr1.33×10-6Pa以下で真空蒸着が行われる。蒸着時のすべての工程は真空中で行われることが好ましく、基本的には化合物が直接、外気の酸素、水分と接触しないようにする。真空蒸着の上述した条件は有機膜の結晶性、アモルファス性、密度、緻密度等に影響するので厳密に制御する必要がある。水晶振動子、干渉計等の膜厚モニタ-を用いて蒸着速度をPIもしくはPID制御することは好ましく用いられる。2種以上の化合物を同時に蒸着する場合には共蒸着法、フラッシュ蒸着法等を好ましく用いることができる。電極本発明の有機層からなる電磁波吸収/光電変換部位は1対の電極に挟まれており、各々が画素電極と対向電極を形成している。好ましくは下層が画素電極である。対向電極は正孔輸送性光電変換膜または正孔輸送層から正孔を取り出すことが好ましい。本発明以外の対向電極の材料としては、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用いることができる。画素電極本発明の導電性薄膜を含むは電子輸送性光電変換層または電子輸送層から電子を取り出すことが好ましく、電子輸送性光電変換層、電子輸送層などの隣接する層との密着性や電子親和力、イオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。これらの具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズITO等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、シリコン化合物およびこれらとITOとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からITO、またはIZOが好ましい。画素電極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常10nm以上1μm以下の範囲のものが好ましく、より好ましくは20nm以上500nm以下であり、更に好ましくは30nm以上300nm以下である。画素電極、本発明以外の対向電極の作製には材料によって種々の方法が用いられるが、例えばITOの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法ゾルーゲル法など、酸化インジウムスズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。ITOの場合、UV-オゾン処理、プラズマ処理などを施すことができる。本発明以外の透明電極膜もプラズマフリーで作製することが好ましい。プラズマフリーで透明電極膜を作成することで、プラズマが基板に与える影響を少なくすることができ、光電変換特性を良好にすることができる。ここで、プラズマフリーとは、透明電極膜の成膜中にプラズマが発生しないか、またはプラズマ発生源から基体までの距離が2cm以上、好ましくは10cm以上、更に好ましくは20cm以上であり、基体に到達するプラズマが減ずるような状態を意味する。透明電極膜の成膜中にプラズマが発生しない装置としては、前記記載と同様の装置及び方法が適用できる。本発明の有機電磁波吸収/光電変換部位の電極についてさらに詳細に説明する。有機層の光電変換膜は、画素電極膜、対向電極膜により挟まれ、電極間材料等を含むことができる。画素電極膜とは、電荷蓄積/転送/読み出し部位が形成された基板上方に作成された電極膜のことで、通常1ピクセルごとに分割される。これは、光電変換膜により変換された信号電荷を電荷蓄積/転送/信号読出回路基板上に1ピクセルごとに読み出すことで、画像を得るためである。対向電極膜とは、光電変換膜を画素電極膜と共にはさみこむことで信号電荷と逆の極性を持つ信号電荷を吐き出す機能をもっている。この信号電荷の吐き出しは各画素間で分割する必要がないため、通常、対向電極膜は各画素間で共通にすることができる。そのため、共通電極膜コモン電極膜と呼ばれることもある。光電変換膜は、画素電極膜と対向電極膜との間に位置する。光電変換機能は、この光電変換膜と画素電極膜及び対向電極膜により機能する。光電変換膜積層の構成例としては、まず基板上に積層される有機層が一つの場合として、基板から画素電極膜基本的に透明電極膜、本発明の導電性薄膜に相当、光電変換膜本発明の光電変換膜に相当、対向電極膜透明電極膜、本発明の透明導電性薄膜に相当を順に積層した構成が挙げられるが、これに限定されるものではない。さらに、基板上に積層される有機層が2つの場合、例えば、基板から画素電極膜基本的に透明電極膜、光電変換膜、対向電極膜透明電極膜、層間絶縁膜、画素電極膜基本的に透明電極膜、光電変換膜、対向電極膜透明電極膜を順に積層した構成が挙げられる。光電変換部位を構成する本発明以外の透明電極膜の材料も、本発明の透明導電性薄膜の材料と同様なものが用いられる。透明電極膜の材料として特に好ましいのは、ITO、IZO、SnO2、ATOアンチモンドープ酸化スズ、ZnO、AZOAlドープ酸化亜鉛、GZOガリウムドープ酸化亜鉛、TiO2、FTOフッ素ドープ酸化スズのいずれかの材料である。透明電極膜の光透過率は、その透明電極膜を含む光電変換素子に含まれる光電変換膜の光電変換光吸収ピーク波長において、60以上が好ましく、より好ましくは80以上で、より好ましくは90以上、より好ましくは95以上である。また、透明電極膜の表面抵抗は、画素電極であるか対向電極であるか、さらには電荷蓄積/転送読み出し部位がCCD構造であるかCMOS構造であるか等により好ましい範囲は異なる。対向電極に使用し電荷蓄積/転送/読み出し部位がCMOS構造の場合には10000Ω/□以下が好ましく、より好ましくは、1000Ω/□以下である。対向電極に使用し電荷蓄積/転送/読み出し部位がCCD構造の場合には1000Ω/□以下が好ましく、より好ましくは、100Ω/□以下である。画素電極に使用する場合には1000000Ω/□以下が好ましく、より好ましくは、100000Ω/□以下である。本発明以外の透明電極膜成膜時の条件について触れる。透明電極膜成膜時の基板温度は500°C以下が好ましく、より好ましくは、300°C以下で、さらに好ましくは200°C以下、さらに好ましくは150°C以下である。また、透明電極膜成膜中にガスを導入しても良く、基本的にそのガス種は制限されないが、Ar、He、酸素、窒素などを用いることができる。また、これらのガスの混合ガスを用いても良い。特に酸化物の材料の場合は、酸素欠陥が入ることが多いので、酸素を用いることが好ましい。本発明の光電変換膜に電圧を印加した場合、光電変換効率が向上する点で好ましい。印加電圧としては、いかなる電圧でも良いが、光電変換膜の膜厚により必要な電圧は変わってくる。すなわち、光電変換効率は、光電変換膜に加わる電場が大きいほど向上するが、同じ印加電圧でも光電変換膜の膜厚が薄いほど加わる電場は大きくなる。従って、光電変換膜の膜厚が薄い場合は、印加電圧は相対的に小さくでも良い。光電変換膜に加える電場として好ましくは、10V/m以上であり、さらに好ましくは1×103V/m以上、さらに好ましくは1×105V/m以上、特に好ましくは1×106V/m以上、最も好ましくは1×107V/m以上である。上限は特にないが、電場を加えすぎると暗所でも電流が流れ好ましくないので、1×1012V/m以下が好ましく、さらに1×109V/m以下が好ましい。無機層電磁波吸収/光電変換部位としての無機層について説明する。この場合、上層の有機層を通過した光を無機層で光電変換することになる。無機層としては結晶シリコン、アモルファスシリコン、GaAsなどの化合物半導体のpn接合またはpin接合が一般的に用いられる。積層型構造として米国特許第5965875号に開示されている方法を採用することができる。すなわちシリコンの吸収係数の波長依存性を利用して積層された受光部を形成し、その深さ方向で色分離を行う構成である。この場合、シリコンの光進入深さで色分離を行っているため積層された各受光部で検知するスペクトル範囲はブロードとなる。しかしながら、前述した有機層を上層に用いることにより、すなわち有機層を透過した光をシリコンの深さ方向で検出することにより色分離が顕著に改良される。特に有機層にG層を配置すると有機層を透過する光はB光とR光になるためにシリコンでの深さ方向での光の分別はBR光のみとなり色分離が改良される。有機層がB層またはR層の場合でもシリコンの電磁波吸収/光電変換部位を深さ方向で適宜選択することにより顕著に色分離が改良される。有機層が2層の場合にはシリコンでの電磁波吸収/光電変換部位としての機能は基本的には1色で良く、好ましい色分離が達成できる。無機層は好ましくは、半導体基板内の深さ方向に、画素毎に複数のフォトダイオードが重層され、前記複数のフォトダイオードに吸収される光によって各フォトダイオードに生じる信号電荷に応じた色信号を外部に読み出す構造である。好ましくは、前記複数のフォトダイオードは、B光を吸収する深さに設けられる第1のフォトダイオードと、R光を吸収する深さに設けられる第2のフォトダイオードの少なくとも1つとを含み、前記複数のフォトダイオードの各々に生じる前記信号電荷に応じた色信号を読み出す色信号読み出し回路を備えることが好ましい。この構成により、カラーフィルタを用いることなく色分離を行うことができる。又、場合によっては、負感度成分の光も検出することができるため、色再現性の良いカラー撮像が可能となる。又、本発明においては、前記第1のフォトダイオードの接合部は、前記半導体基板表面から約0.2μmまでの深さに形成され、前記第2のフォトダイオードの接合部は、前記半導体基板表面から約2μmまでの深さに形成されることが好ましい。無機層についてさらに詳細に説明する。無機層の好ましい構成としては、光伝導型、p-n接合型、ショットキー接合型、PIN接合型、MSM金属-半導体-金属型の受光素子やフォトトランジスタ型の受光素子が挙げられる。本発明では、単一の半導体基板内に、第1導電型の領域と、前記第1導電型と逆の導電型である第2導電型の領域とを交互に複数積層し、前記第1導電型及び第2導電型の領域の各接合面を、それぞれ異なる複数の波長帯域の光を主に光電変換するために適した深さに形成してなる受光素子を用いることが好ましい。単一の半導体基板としては、単結晶シリコンが好ましく、シリコン基板の深さ方向に依存する吸収波長特性を利用して色分離を行うことができる。無機半導体として、InGaN系、InAlN系、InAlP系、又はInGaAlP系の無機半導体を用いることもできる。nGaN系の無機半導体は、Inの含有組成を適宜変更し、青色の波長範囲内に極大吸収値を有するよう調整されたものである。すなわち、InxGa1-xN0<X<1の組成となる。このような化合物半導体は、有機金属気相成長法MOCVD法を用いて製造される。InGaと同じ13族原料のAlを用いる窒化物半導体のInAlN系についても、InGaN系と同様に短波長受光部として利用することができる。また、GaAs基板に格子整合するInAlP、InGaAlPを用いることもできる。無機半導体は、埋め込み構造となっていてもよい。埋め込み構造とは、短波長受光部部分の両端を短波長受光部とは異なる半導体で覆われる構成のものをいう。両端を覆う半導体としては、短波長受光部のバンドギャップ波長より短い又は同等のバンドギャップ波長を有する半導体であることが好ましい。有機層と無機層とは、どのような形態で結合されていてもよい。また、有機層と無機層との間には、電気的に絶縁するために、絶縁層を設けることが好ましい。接合は、光入射側から、npn、又はpnpnとなっていることが好ましい。特に、表面にp層を設け表面の電位を高くしておくことで、表面付近で発生した正孔、及び暗電流をトラップすることができ暗電流を低減できるため、pnpn接合とすることがより好ましい。このようなフォトダイオードは、p型シリコン基板表面から順次拡散される、n型層、p型層、n型層、p型層をこの順に深く形成することで、pn接合ダイオードがシリコンの深さ方向にpnpnの4層が形成される。ダイオードに表面側から入射した光は波長の長いものほど深く侵入し、入射波長と減衰係数はシリコン固有の値を示すので、pn接合面の深さが可視光の各波長帯域をカバーするように設計する。同様に、n型層、p型層、n型層の順に形成することで、npnの3層の接合ダイオードが得られる。ここで、n型層から光信号を取り出し、p型層はアースに接続する。また、各領域に引き出し電極を設け、所定のリセット電位をかけると、各領域が空乏化し、各接合部の容量は限りなく小さい値になる。これにより、接合面に生じる容量を極めて小さくすることができる。補助層本発明においては、好ましくは電磁波吸収/光電変換部位の最上層に紫外線吸収層および/または赤外線吸収層を有しているのが好ましい。紫外線吸収層は少なくとも400nm以下の光を吸収または反射することができ、好ましくは400nm以下の波長域での吸収率は50以上である。赤外線吸収層は少なくとも700nm以上の光を吸収または反射することができ、好ましくは700nm以上の波長域での吸収率は50以上である。これらの紫外線吸収層、赤外線吸収層は従来公知の方法によって形成できる。例えば基板上にゼラチン、カゼイン、グリューあるいはポリビニルアルコールなどの親水性高分子物質からなる媒染層を設け、その媒染層に所望の吸収波長を有する色素を添加もしくは染色して着色層を形成する方法が知られている。さらには、ある種の着色材が透明樹脂中に分散されてなる着色樹脂を用いた方法が知られている。例えば、特開昭58-46325号公報、特開昭60-78401号公報、特開昭60-184202号公報、特開昭60-184203号公報、特開昭60-184204号公報、特開昭60-184205号公報等に示されている様に、ポリアミノ系樹脂に着色材を混合した着色樹脂膜を用いることができる。感光性を有するポリイミド樹脂を用いた着色剤も可能である。特公平7-113685記載の感光性を有する基を分子内に持つ、200°C以下にて硬化膜を得ることのできる芳香族系のポリアミド樹脂中に着色材料を分散すること、特公平7-69486記載の含量を分散着色樹脂を用いることも可能である。本発明においては好ましくは誘電体多層膜が用いられる。誘電体多層膜は光の透過の波長依存性がシャ-プであり、好ましく用いられる。各電磁波吸収/光電変換部位は絶縁層により分離されていることが好ましい。絶縁層は、ガラス、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルフォン、ポリプロピレン等の透明性絶縁材料を用いて形成することができる。窒化珪素、酸化珪素等も好ましく用いられる。プラズマCVDで製膜した窒化珪素は緻密性が高く透明性も良いために好ましく用いられる。酸素や水分等との接触を防止する目的で保護層あるいは封止層を設けることもできる。保護層としては、ダイヤモンド薄膜、金属酸化物、金属窒化物等の無機材料膜、フッ素樹脂、ポリパラキシレン、ポリエチレン、シリコン樹脂、ポリスチレン樹脂等の高分子膜、さらには、光硬化性樹脂等が挙げられる。また、ガラス、気体不透過性プラスチック、金属などで素子部分をカバーし、適当な封止樹脂により素子自体をパッケージングすることもできる。この場合吸水性の高い物質をパッケージング内に存在させることも可能である。更に、マイクロレンズアレイを受光素子の上部に形成することにより、集光効率を向上させることができるため、このような態様も好ましい。電荷蓄積/転送/読み出し部位電荷転送/読み出し部位については特開昭58-103166、特開昭58-103165、特開2003-332551等を参考にすることができる。半導体基板上にMOSトランジスタが各画素単位に形成された構成や、あるいは、素子としてCCDを有する構成を適宜採用することができる。例えばMOSトランジスタを用いた光電変換素子の場合、電極を透過した入射光によって光導電膜の中に電荷が発生し、電極に電圧を印加することにより電極と電極との間に生じる電界によって電荷が光導電膜の中を電極まで走行し、さらにMOSトランジスタの電荷蓄積部まで移動し、電荷蓄積部に電荷が蓄積される。電荷蓄積部に蓄積された電荷は、MOSトランジスタのスイッチングにより電荷読出し部に移動し、さらに電気信号として出力される。これにより、フルカラーの画像信号が、信号処理部を含む固体撮像装置に入力される。一定量のバイアス電荷を蓄積ダイオードに注入してリフレッシュモードおき、一定の電荷を蓄積光電変換モード後、信号電荷を読み出すことが可能である。受光素子そのものを蓄積ダイオードとして用いることもできるし、別途、蓄積ダイオードを付設することもできる。信号の読み出しについてさらに詳細に説明する。信号の読み出しは、通常のカラー読み出し回路を用いることができる。受光部で光/電気変換された信号電荷もしくは信号電流は、受光部そのものまたは付設されたキャパシタで蓄えられる。蓄えられた電荷は、X-Yアドレス方式を用いたMOS型撮像素子いわゆるCMOSセンサの手法により、画素位置の選択とともに読み出される。他には、アドレス選択方式として、1画素づつ順次マルチプレクサスイッチとデジタルシフトレジスタで選択し、共通の出力線に信号電圧または電荷として読み出す方式が挙げられる。2次元にアレイ化されたX-Yアドレス操作の撮像素子がCMOSセンサとして知られる。これは、X-Yの交点に接続された画素に儲けられたスイッチは垂直シフトレジスタに接続され、垂直操走査シフトレジスタからの電圧でスイッチがオンすると同じ行に儲けられた画素から読み出された信号は、列方向の出力線に読み出される。この信号は水平走査シフトレジスタにより駆動されるスイッチを通して順番に出力端から読み出される。出力信号の読み出しには、フローティングディフュージョン検出器や、フローティングゲート検出器を用いることができる。また画素部分に信号増幅回路を設けることや、相関二重サンプリングCorrelatedDoubleSamplingの手法などにより、S/Nの向上をはかることができる。信号処理には、ADC回路によるガンマ補正、AD変換機によるデジタル化、輝度信号処理や、色信号処理を施すことができる。色信号処理としては、ホワイトバランス処理や、色分離処理、カラーマトリックス処理などが挙げられる。NTSC信号に用いる際は、RGB信号をYIQ信号の変換処理を施すことができる。電荷転送/読み出し部位は電荷の移動度が100cm2/voltsec以上であることが必要であり、この移動度は、材料をIV族、III-V族、II-VI族の半導体から選択することによって得ることができる。その中でも微細化技術が進んでいることと、低コストであることからシリコン半導体Si半導体共記すが好ましい。電荷転送/電荷読み出しの方式は数多く提案されているが、何れの方式でも良い。特に好ましい方式はCMOS型あるいはCCD型のデバイスである。更に本発明の場合、CMOS型の方が高速読み出し、画素加算、部分読み出し、消費電力などの点で好ましいことが多い。接続電磁波吸収/光電変換部位と電荷転送/読み出し部位を連結する複数のコンタクト部位はいずれの金属で連結してもよいが、銅、アルミ、銀、金、クロム、タングステンの中から選択するのが好ましく、特に銅が好ましい。複数の電磁波吸収/光電変換部位に応じて、それぞれのコンタクト部位を電荷転送/読み出し部位との間に設置する必要がある。青緑赤光の複数感光ユニットの積層構造を採る場合、青光用取り出し電極と電荷転送/読み出し部位の間、緑光用取り出し電極と電荷転送/読み出し部位の間および赤光用取り出し電極と電荷転送/読み出し部位の間をそれぞれ連結する必要がある。プロセス本発明の積層光電変換素子は、公知の集積回路などの製造に用いるいわゆるミクロファブリケーションプロセスにしたがって製造することができる。基本的には、この方法は活性光や電子線などによるパターン露光水銀のi、g輝線、エキシマレーザー、さらにはX線、電子線、現像及び/又はバーニングによるパターン形成、素子形成材料の配置塗設、蒸着、スパッタ、CVなど、非パターン部の材料の除去熱処理、溶解処理などの反復操作による。用途デバイスのチップサイズは、ブローニーサイズ、135サイズ、APSサイズ、1/1.8インチ、さらに小型のサイズでも選択することができる。本発明の積層光電変換素子の画素サイズは複数の電磁波吸収/光電変換部位の最大面積に相当する円相当直径で表す。いずれの画素サイズであっても良いが、2~20ミクロンの画素サイズが好ましい。さらに好ましくは2~10ミクロンであるが、3~8ミクロンが特に好ましい。画素サイズが20ミクロンを超えると解像力が低下し、画素サイズが2ミクロンよりも小さくてもサイズ間の電波干渉のためか解像力が低下する。本発明の光電変換素子は、デジタルスチルカメラに利用することが出来る。また、TVカメラに用いることも好ましい。その他の用途として、デジタルビデオカメラ、下記用途などでの監視カメラオフィスビル、駐車場、金融機関無人契約機、ショッピングセンター、コンビニエンスストア、アウトレットモール、百貨店、パチンコホール、カラオケボックス、ゲームセンター、病院、その他各種のセンサーテレビドアホン、個人認証用センサー、ファクトリーオートメーション用センサー、家庭用ロボット、産業用ロボット、配管検査システム、医療用センサー内視鏡、眼底カメラ、テレビ会議システム、テレビ電話、カメラつきケータイ、自動車安全走行システムバックガイドモニタ、衝突予測、車線維持システム、テレビゲーム用センサーなどの用途に用いることが出来る。中でも、本発明の光電変換素子は、テレビカメラ用途としても適するものである。その理由は、色分解光学系を必要としないためにテレビカメラの小型軽量化を達成することが出来るためである。また、高感度で高解像力を有することから、ハイビジョン放送用テレビカメラに特に好ましい。この場合のハイビジョン放送用テレビカメラとは、デジタルハイビジョン放送用カメラを含むものである。更に、本発明の光電変換素子においては、光学ローパスフィルターを不要とすることが出来、更なる高感度、高解像力が期待できる点で好ましい。更に、本発明の光電変換素子においては厚みを薄くすることが可能であり、かつ色分解光学系が不要となる為、日中と夜間のように異なる明るさの環境、静止している被写体と動いている被写体など、異なる感度が要求される撮影シーン、その他分光感度、色再現性に対する要求が異なる撮影シーンに対して、本発明の光電変換素子を交換して撮影する事により1台のカメラにて多様な撮影のニーズにこたえることが出来、同時に複数台のカメラを持ち歩く必要がない為、撮影者の負担も軽減する。交換の対象となる光電変換素子としては、上記の他に赤外光撮影用、白黒撮影用、ダイナミックレンジの変更を目的に交換光電変換素子を用意することが出来る。本発明のTVカメラは、映像情報メディア学会編、テレビジョンカメラの設計技術1999年8月20日、コロナ社発行、ISBN4-339-00714-5第2章の記述を参考にし、例えば図2.1テレビカメラの基本的な構成の色分解光学系及び撮像デバイスの部分を、本発明の光電変換素子と置き換えることにより作製することができる。上述の積層された受光素子は、配列することで撮像素子として利用することができるだけでなく、単体としてバイオセンサや化学センサなどの光センサやカラー受光素子としても利用可能である。本発明の好ましい光電変換素子本発明の好ましい光電変換素子について図1により説明する。113はシリコン単結晶基盤でありB光とR光の電磁波吸収/光電変換部位と光電変換により生成した電荷の電荷蓄積/転送/読み出し部位を兼ねている。通常、p型のシリコン基盤が用いられる。121、122、123はシリコン基盤中に設けられたn層、p層、n層を各々示す。121のn層はR光の信号電荷の蓄積部でありpn接合により光電変換されたR光の信号電荷を蓄積する。蓄積された電荷は126に示したトランジスタを介して119のメタル配線により127の信号読み出しパッドに接続される。123のn層はB光の信号電荷の蓄積部でありpn接合により光電変換されたB光の信号電荷を蓄積する。蓄積された電荷は126に類似のトランジスタを介して119のメタル配線により127の信号読み出しパッドに接続される。ここでp層、n層、トランジスタ、メタル配線等は模式的に示したが、それぞれが前論で詳述したように、構造等は適宜最適なものが選ばれる。B光、R光はシリコン基盤の深さにより分別しているのでpn接合等のシリコン基盤からの深さ、ドープ濃度の選択などは重要である。112はメタル配線を含む層であり酸化珪素、窒化珪素等を主成分とする層である。112の層の厚みは薄いほど好ましく5μ以下、好ましくは3μ以下、さらに好ましくは2μ以下である。111も同様に酸化珪素、窒化珪素等を主成分とする層である。111と112の層にはG光の信号電荷をシリコン基盤に送るためのプラグが設けられている。プラグは111と112の層の間で116のパッドにより接続されている。プラグはタングステンを主成分としたものが好ましく用いられる。パッドはアルミニウムを主成分としたものが好ましく用いられる。前述したメタル配線も含めてバリア層が設けられていることが好ましい。115のプラグを通して送られるG光の信号電荷はシリコン基盤中の125に示したn層に蓄積される。125に示したn層は124に示したp層により分離されている。蓄積された電荷は126に類似のトランジスタを介して119のメタル配線により127の信号読み出しパッドに接続される。124と125のpn接合による光電変換は雑音となるために111の層中に117に示した遮光膜が設けられる。遮光膜は通常、タングステン、アルミニウム等を主成分としたものが用いられる。112の層の厚みは薄いほど好ましく3μ以下、好ましくは2μ以下、さらに好ましくは1μ以下である。127の信号読み出しパッドはB、G、R信号別に設ける方が好ましい。以上のプロセスは従来公知のプロセス、いわゆるCMOSプロセスにより調製できる。G光の電磁波吸収/光電変換部位は105、106、107、108、109、110、114により示される。105と114は透明電極であり、各々、対向電極、画素電極に相当する。画素電極114は透明電極であるが、115のプラグと電気的接続を良好にするために接続部にアルミニウム、モリブデン等の部位が必要な場合が多い。これらの透明電極間には118の接続電極、120の対向電極パッドからの配線を通じてバイアスがかけられる。対向電極105に対して画素電極114に正のバイアスをかけて125に電子が蓄積できる構造が好ましい。この場合107は電子ブロッキング層、108がp層、109がn層、110が正孔ブロッキング層であり、有機層の代表的な層の構成を示した。106はバッファー層であり、107、108、109、110から成る有機層の厚みは好ましくは合わせて0.5μm以下、より好ましくは0.35μm以下、更に好ましくは0.3μm以下、特に好ましくは0.2μm以下である。105の透明対向電極、114の透明画素電極の厚みは特に好ましくは0.2μ以下である。103、104は窒化珪素等を主成分とする保護膜である。これらの保護膜により、有機層を含む層の製造プロセスが容易となる。特にこれらの層は118等の接続電極作成時のレジストパタ-ン作成、エッチング時等の有機層に対するダメ-ジを低減させることができる。また、レジストパタ-ン作成、エッチング等を避けるために、マスクによる製造も可能である。103、104の保護膜の厚みは上述した条件を満足する限りにおいて、好ましくは0.5μm以下である。103は118の接続電極の保護膜である。102は赤外カット誘電体多層膜と紫外カット層の積層膜である。101は反射防止膜である。101、102、103の層の厚みは合わせて1μm以下が好ましい。以上の図1で説明した光電変換素子はG画素が4画素に対してB画素とR画素が1画素の構成となっている。G画素が1画素に対してB画素とR画素が1画素の構成となっていても良いし、G画素が3画素に対してB画素とR画素が1画素の構成となっていても良いし、G画素が2画素に対してB画素とR画素が1画素の構成となっていても良い。さらには任意の組み合わせでも良い。以上は本発明の好ましい態様を示すものであるが、これに限定されるものではない。[実施例]下記に実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、勿論この例に限定されるものではない。前記好ましい光電変換素子構造において、本発明及び比較例の透明画素電極114はITOを使用し、その膜厚は100nmであった。本発明及び比較例の透明電極105はITOを使用し、その膜厚は本発明が10nm、比較例が50nmであった。透明画素電極の成膜方法はrfマグネトロンスパッタ法TS間距離10cmを用いて、導入O2量は0で、成膜時の温度は25°Cとした。本発明の透明電極はrfマグネトロン法TS間距離10cmを用いて、導入O2量は0で、成膜時の温度は25°C、成膜時間4分50秒により成膜した。一方、比較例の透明電極はrfマグネトロンスパッタ法TS間距離10cmを用いて、導入O2量は0で、成膜時の温度は25°Cとして成膜時間23分30秒により成膜した。好ましい光電変換素子の有機層107~110の代わりに、基板側から、トリス-8-ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq、2-9-ジメチルキナクリドンをそれぞれ50、100nm加熱蒸着により成膜した。透明電極105側に電圧を1V印加した時、比較例の暗電流値を1とすると、本発明では0.001に減少した。本発明により、S/N比が良い素子を作成する事ができた。"