"レーザ光を前方向に出射する複数の分布反射型半導体レーザ素子を備える半導体レーザ基板と、前記複数の分布反射型半導体レーザ素子に光学的に結合された、前記複数の分布反射型半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を選択出力する光選択素子と、を備えることを特徴とする半導体レーザモジュール。前記光選択素子が、PLCマッハツェンダー型の光選択素子であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザモジュール。前記光選択素子によって選択出力されたレーザ光を増幅する半導体光増幅器が集積されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体レーザモジュール。前記半導体光増幅器の閉じ込め係数が、1以上2以下の範囲内にあることを特徴とする請求項3に記載の半導体レーザモジュール。前記分布反射型半導体レーザ素子が、フレア型若しくはテーパ型のスポットサイズ変換器を備えることを特徴とする請求項1~4のうち、いずれか1項に記載の半導体レーザモジュール。ところで、このような構成を有する集積型半導体レーザモジュールにおいて、半導体レーザ素子としてλ/4位相シフトDFBレーザ素子を用いた場合、光出力の半分が半導体レーザ素子の後端面から放射されるために、効率が低下すると共に消費電力が増加する。一方、多モード干渉型光導波路のチャネル数がn個である場合、半導体レーザ素子の光出力は多モード干渉型光導波路において1/nに減少する。このため、従来の集積型半導体レーザモジュールの構成によれば、多モード干渉型光導波路における損失が大きく、モジュール全体の光出力は半導体光増幅器の出力特性に依存する。よって、後述のモジュールの出力側である前端面から高い出力が得られる分布反射型半導体レーザ素子構造を用いて個々の半導体レーザ素子の出力を向上させても、MMI光導波路で光出力が減少するため、モジュール全体の光出力は改善されない。このような背景から、半導体光増幅器の出力特性に依存することなく、高効率化及び高出力化が可能な集積型半導体レーザモジュールの提供が期待されていた。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、高効率化及び高出力化を実現可能な半導体レーザモジュールを提供することにある。上記課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る半導体レーザモジュールは、レーザ光を前方向に出射する複数の分布反射型半導体レーザ素子を備える半導体レーザ基板と、前記複数の分布反射型半導体レーザ素子に光学的に結合された、該複数の分布反射型半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を選択出力する光選択素子と、を備える。本発明に係る半導体レーザモジュールは、上記発明において、前記光選択素子が、PLCマッハツェンダー型の光選択素子である。本発明に係る半導体レーザモジュールは、上記発明において、前記光選択素子によって選択出力されたレーザ光を増幅する半導体光増幅器が集積されている。本発明に係る半導体レーザモジュールは、上記発明において、前記半導体光増幅器の閉じ込め係数が、1以上2以下の範囲内にある。本発明に係る半導体レーザモジュールは、上記発明において、分布反射型半導体レーザ素子が、フレア型若しくはテーパ型のスポットサイズ変換器を備える。本発明に係る半導体レーザモジュールによれば、半導体レーザ素子が全出力が前端面から出力される分布反射型半導体レーザ素子によって構成され、且つ、光選択素子が分布反射型半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を選択出力するので、MMI光導波路のような損失が無く、半導体光増幅器の出力端から出力されるため、半導体レーザモジュール全体の高効率化及び高出力化を実現することができる。従来のMMI光導波路に比べて光選択素子を用いた構成では、光出力の減少が無いため、分布反射型構造の導入による個々の半導体レーザ素子の出力向上がモジュール全体の光出力の向上に大きく寄与する。以下、図面を参照して、本発明の一実施形態である光モジュールの構成について説明する。光モジュールの全体構成始めに、図1を参照して、本発明の一実施形態である光モジュールの全体構成について説明する。図1は、本発明の一実施形態である光モジュールの構成を上方から見た断面模式図である。なお、以下では、水平面内であってレーザ光の出射方向光軸方向をX軸方向、水平面内であってX軸方向に対して垂直な方向をY軸方向、XY平面水平面の法線方向鉛直方向をZ軸方向と定義する。図1に示すように、本発明の一実施形態である光モジュール1は、半導体レーザモジュール2、コリメートレンズ3、基板4、ビームスプリッタ5、パワーモニタ用フォトダイオード6、エタロンフィルタ7、波長モニタ用フォトダイオード8、ベースプレート9、温度調節素子10、光アイソレータ11、及び集光レンズ12を備え、これらの要素は筐体13内に収容されている。コリメートレンズ3は、半導体レーザモジュール2のレーザ光出射端面出力端近傍に配置されている。コリメートレンズ3は、半導体レーザモジュール2から出射されたレーザ光LBを平行光に変換し、平行光に変換されたレーザ光LBをビームスプリッタ5に導く。基板4は、XY平面に対して水平な設置面に半導体レーザモジュール2とコリメートレンズ3とを載置する。ビームスプリッタ5は、コリメートレンズ3によって導かれたレーザ光LBの一部を透過して光アイソレータ11に導くと共に、コリメートレンズ3によって導かれたレーザ光LBの他部をパワーモニタ用フォトダイオード6側とエタロンフィルタ7側とに分岐する。パワーモニタ用フォトダイオード6は、ビームスプリッタ5によって分岐されたレーザ光LBの強度を検出し、検出された強度に応じた電気信号を図示しない制御装置に入力する。エタロンフィルタ7は、レーザ光LBの波長に対して周期的な透過特性を有し、透過特性に応じた強度でレーザ光LBを選択的に透過して波長モニタ用フォトダイオード8に入力する。波長モニタ用フォトダイオード8は、エタロンフィルタ7から入力されたレーザ光LBの強度を検出し、検出された強度に応じた電気信号を図示しない制御装置に入力する。パワーモニタ用フォトダイオード6及び波長モニタ用フォトダイオード8によって検出されたレーザ光LBの強度は、図示しない制御装置による波長ロック制御に用いられる。具体的には、波長ロック制御では、図示しない制御装置は、パワーモニタ用フォトダイオード6によって検出されたレーザ光LBの強度と波長モニタ用フォトダイオード8によって検出されたレーザ光LBの強度との比がレーザ光LBの強度及び波長が所望の強度及び波長になるときの比になるように半導体レーザモジュール2の動作を制御する。これにより、レーザ光LBの強度及び波長を所望の強度及び波長に制御することができる。ベースプレート9は、XY平面に対して水平な設置面に基板4、ビームスプリッタ5、パワーモニタ用フォトダイオード6、エタロンフィルタ7、及び波長モニタ用フォトダイオード8を載置する。温度調節素子10は、XY平面に対して水平な設置面にベースプレート9を載置し、ベースプレート9を介してエタロンフィルタ7の温度を調整することによってエタロンフィルタ7の選択波長を制御する。温度調節素子10としてはペルチェ素子ThermoElectricCooler:TECを例示できる。光アイソレータ11は、光ファイバ14からの戻り光がレーザ光LBに再結合することを抑制する。集光レンズ12は、ビームスプリッタ5を透過したレーザ光LBを光ファイバ14に結合させて出力する。半導体レーザモジュールの構成次に、図2を参照して、本発明の一実施形態である半導体レーザモジュールの構成について説明する。図2aは、本発明の一実施形態である半導体レーザモジュールの構成を示す上面図であり、図2bは、図2aに示す半導体レーザモジュールのA-A線断面図である。図2a,bに示すように、本発明の一実施形態である半導体レーザモジュール2は、半導体レーザ部21と、光選択素子部22と、増幅部23とを備える。半導体レーザ部21は、温度調節素子211と、温度調節素子211上に載置された半導体レーザ基板212と、半導体レーザ基板212上に形成された半導体レーザアレイ213とを備える。温度調節素子211は、図示しない制御装置からの制御信号に従って半導体レーザ基板212を介して半導体レーザアレイ213の温度を制御する。温度調節素子211としてはペルチェ素子を例示できる。半導体レーザアレイ213は、それぞれ異なる波長のレーザ光を端面から出射するストライプ形状の複数本例では16個の単一縦モード半導体レーザ素子以下、半導体レーザ素子と略記214を備える。半導体レーザ素子214の構成の詳細については後述する。各半導体レーザ素子214は、例えば3~4nm程度の範囲内で発振波長を変化させることができ、各半導体レーザ素子214の発振波長が3~4nm程度の間隔で並ぶように各半導体レーザ素子214の発振波長が設計されている。これにより、半導体レーザアレイ213は、駆動する半導体レーザ素子214を切り替えると共に素子温度を制御することによって、単体の半導体レーザ素子よりも広帯域な連続した波長帯域のレーザ光LBを出射することができる。なお、WDM通信用の波長帯域全体例えば1.53~1.56μmのCバンド又は1.565~1.625μmのLバンドをカバーするためには、それぞれ3~4nmの範囲内で発振波長を変化させることが可能な10個以上の半導体レーザ素子214を集積することによって、30nm以上の波長帯域に亘って波長を変化させることができる。光選択素子部22は、光選択素子基板221と、光選択素子基板221上に形成された光導波路222,224,226,228及びMZIMachZehnderInterferometer素子223,225,227とを備える。光選択素子基板221は、レーザ光の波長に対して透過性を有する紫外線UltraViolet:UV硬化樹脂241によって半導体レーザ基板212に接着されている。UV硬化樹脂241としては、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエステル系樹脂等を用いることができる。光導波路222は、UV硬化樹脂241を介して半導体レーザ素子214の出力端に光学的に結合されている。光導波路222は、複数の半導体レーザ素子214から出射されたレーザ光をMZI素子223に導く。MZI素子223は、隣接する2つの光導波路222に光学的に結合され、2つの光導波路222から導かれたレーザ光を選択出力する。光導波路224は、MZI素子223から出力されたレーザ光をMZI素子225に導く。MZI素子225は、光導波路224に光学的に結合され、光導波路224から導かれたレーザ光を選択出力する。光導波路226は、MZI素子225から出力されたレーザ光をMZI素子227に導く。MZI素子227は、光導波路226に光学的に結合され、光導波路226から導かれたレーザ光を選択出力する。光導波路228は、MZI素子227から選択出力されたレーザ光を増幅部23に導く。このように、光選択素子部22は、16入力,1出力のPLCPlanerLightwaveCircuitからなるマッハツェンダー型の光選択素子PLCマッハツェンダー型の光選択素子によって構成され、複数本例では16個の半導体レーザ素子214から出射されたレーザ光を選択出力する。光選択素子を用いるため、MMI光導波路を用いた従来技術と比較すると光出力が1nとなるような損失は無い。なお、光選択素子部22は、PLCマッハツェンダー型の光選択素子に限定されることはなく、MEMSMicroElectroMechanicalSystems型光スイッチ、半導体光スイッチ、Si細線型光スイッチ等のPLCマッハツェンダー型の光選択素子以外の光選択素子であってもよい。増幅部23は、温度調節素子231と、温度調節素子231上に載置された増幅器基板232と、増幅器基板232上に形成された半導体光増幅器233とを備える。温度調節素子231は、図示しない制御装置からの制御信号に従って増幅器基板232を介して半導体光増幅器233の温度を制御する。温度調節素子231としてはペルチェ素子を例示できる。増幅器基板232は、UV硬化樹脂242によって光選択素子基板221に接着されている。増幅器基板232は、本発明に係る素子基板として機能する。半導体光増幅器233は、UV硬化樹脂242を介して光導波路228に光学的に結合されている。半導体光増幅器233は、光導波路228によって導かれたレーザ光を増幅し、増幅されたレーザ光をX軸方向に出射する。このような構成を有する半導体レーザモジュール2を製造する際は、始めに、半導体レーザアレイ213を半導体レーザ基板212上に形成し、半導体レーザアレイ213から出射されたレーザ光を選択出力する光選択素子を光選択素子基板221上に形成する。次に、光選択素子によって選択出力されたレーザ光を増幅する半導体光増幅器233を増幅器基板232上に形成する。次に、半導体レーザアレイ213のレーザ光出射端面と光選択素子とが光学的に結合するように半導体レーザ基板212と光選択素子基板221とをUV硬化樹脂241によって接着し、光選択素子と半導体光増幅器233とが光学的に結合するように光選択素子基板221と増幅器基板232とをUV硬化樹脂242によって接着する。そして最後に、半導体レーザアレイ213の温度を制御する温度調節素子211上に半導体レーザ基板212をボンディング接合し、半導体光増幅器233の温度を制御する温度調節素子231上に増幅器基板232をボンディング接合する。なお、本実施形態では、半導体レーザ素子214の駆動温度と半導体光増幅器233の駆動温度とを個別の温度調節素子211,231を用いて調整することとしたが、同一の温度調整素子を利用して半導体レーザ素子214の駆動温度と半導体光増幅器233の駆動温度とを調整するようにしてもよい。半導体レーザ素子の構成次に、図3を参照して、本発明の一実施形態である半導体レーザ素子の構成について説明する。図3は、本発明の一実施形態である半導体レーザ素子の構成を示す断面図である。本発明の一実施形態である半導体レーザ素子214は、レーザ光を前方向に出射するDRDistributedReflectorレーザ素子分布反射型レーザ素子によって構成されている。具体的には、図3に示すように、半導体レーザ素子214は、クラッド層214aと、クラッド層214a上に形成された下部導波層214b及び上部導波層214eと、下部導波層214b及び上部導波層214eによって挟持された活性層214c及びデプレッション層214dと、上部導波層214e上に形成されたクラッド層214fとを備え、そのX方向両端面にはそれぞれ反射防止膜ARと高反射膜HRが形成されている。この半導体レーザ素子214は、その前端面である反射防止膜AR側からレーザ光を出射する。上部導波層214eの上部には、活性領域と受動領域とに跨る回折格子が同一ピッチで形成されており、活性領域における回折格子G1のエッチング深さと受動領域における回折格子G2のエッチング深さを異ならせることによって活性領域及び受動領域の結合係数を調整している。なお、図4に示すように、活性層214c及びデプレッション層214dは、活性領域と受動領域とに跨っていてもよい。ここで、活性領域の結合係数κ1及び長さL1と受動領域の結合係数κ2及び長さL2とは、低閾値利得、且つ、安定したシングルモード動作を実現するために、以下に示す数式1を満足することが望ましい。また、位相シフトφSH、活性領域の伝搬係数β1、及び受動領域の伝搬係数β2は、最小閾値利得、且つ、最大サイドモード抑圧率SMSRSidemodeSuppressionRatioを実現するために、以下に示す数式2を満足することが望ましい。さらに、位相シフトφSH、活性領域の伝搬係数β1、及び受動領域の伝搬係数β2は、実効的な線幅増大係数αeffを低減させるために、以下に示す数式3を満足することが望ましい。これらの条件を満たすように活性領域及び受動領域の結合係数を調整することが、シングルモード性,高効率,及び狭線幅なレーザ特性を実現する上で重要となる。上記の条件とDRレーザ素子の作製方法については、参考文献1JShimetalLasingCharacteristicsof15umGaInAsPInPSCHBIGDRLasersIEEEJournalofQuantumElectronicspp17361745vol27no6June1991を参照されたい。数式3を満たすことにより、光スペクトルの線幅をDFBレーザの15まで低減することが可能になる。また、典型的なDFBレーザ素子の場合、端面からの反射が-30dB以上の場合、強度雑音が増加することが知られているが、DRレーザの場合、高い反射率を有する分布反射型のミラーから構成されているため、-10dBまでの反射光があっても強度雑音は増加しない。PLC等の半導体とは異なる材料と結合させるような反射点の多い構成では、反射耐性のあるDR半導体レーザ素子がより適切である。なお、光選択素子部22としてMEMS型光スイッチを用いる場合、MEMS型光スイッチはレンズで半導体レーザ素子214に光学的に結合するので、半導体レーザ素子214側にスポットサイズ変換器SSCを設ける必要はない。また、光選択素子部22として半導体光スイッチを用いる場合も同様に、半導体レーザ素子214と光選択素子部22の導波路幅が同じであるので、SSCを設ける必要はない。しかしながら、光選択素子部22としてSi細線型光スイッチやPLCマッハツェンダー型の光選択素子を用いる場合には、半導体スイッチ214側にフレア型又はテーパ型のSSCを集積する必要がある。具体的には、光選択素子部22としてPLCマッハツェンダー型の光選択素子を用いる場合、図5に示す半導体レーザ素子214を入力端のメサ幅WINが出力端のメサ幅WOUTより小さいフレア型にするとよい。これにより、レーザ自身の出力を増大させ、さらには光導波路222との結合損を低減することができる。図6は、半導体レーザ素子の出力端WOUTのメサ幅と光出力及び結合損との関係を示す図である。半導体レーザ素子214の出力端のメサ幅WOUTを2[μm]から5[μm]に変更した場合、レーザの共振器長を500[μm]、駆動電流値を250[mA]としたとき、図6に示すように出力を110[]まで増加させ、結合損を5.6[dB]から3.9[dB]に低減させることができる。なお、このとき、光導波路222のコア幅と半導体レーザ素子214の出力端のメサ幅WOUTとを等しくするとよい。また、フレア部又はテーパ部における放射損を低減するためには、SSCの長さLbは以下に示す数式4を満足することが望ましい。さらに、出力端におけるレーザ光の反射率を低減し、結合損を抑えるためには、図7に示すように、半導体レーザ素子214の出力端面を7~10°、光導波路222を14~20°傾けることが望ましい。また、図6に示す特性によれば、駆動電流が500[mA]である場合、光出力は50[mW]以上となる。このような光出力を光導波路222に結合させると、半導体光増幅器233には50[mW]の光が入力されることになる。従って、このような高い光入力で半導体光増幅器233の出力が飽和しないように、半導体光増幅器233の閉じ込め係数、メサ幅、及び利得長SOA長を設定することが望ましい。具体的には、光出力は、半導体光増幅器233の閉じ込め係数及びメサ幅に応じて図8に示すように変化するまた、光出力は、半導体光増幅器233の閉じ込め係数及び利得長に応じて図9に示すように変化する。すなわち、半導体光増幅器233の閉じ込め係数が1~2[]の範囲内にある時に、利得は正味の利得となり、高い光出力が得られる。従って、半導体光増幅器233の閉じ込め係数は、高い光出力を得るために、1~2の範囲内に調整することが望ましい。実験例最後に、DRレーザ素子を用いた本願発明の半導体レーザモジュールとλ4位相シフトDFBレーザとMMI光導波路とを用いた従来の半導体レーザモジュールについて、駆動電流と光出力との関係を評価した結果を示す。図10は、本願発明の半導体レーザモジュール及びDFBレーザ素子とMMI光導波路とを用いた半導体レーザモジュールにおける、駆動電流と光出力との関係を示す図である。図10から明らかなように、本願発明の半導体レーザモジュールによれば、DFBレーザ素子を用いた半導体レーザモジュールと比較して、光出力特性を80[]向上することができた。また、光スペクトルの線幅もDFBレーザ素子と比較して15まで低減することができた。以上の説明から明らかなように、本発明の一実施形態である半導体レーザモジュール2は、レーザ光を前方向に出射する複数の分布反射型半導体レーザ素子214を備える半導体レーザ基板212と、複数の分布反射型半導体レーザ素子214に光学的に結合された、複数の分布反射型半導体レーザ素子214から出射されたレーザ光を選択出力する光選択素子22と、を備える。このような構成を有する半導体レーザモジュールによれば、半導体レーザ素子が全出力を図3,4における出射方向側に相当する前端面から出射する分布反射型半導体レーザ素子214によって構成されているので、半分の出力を後端面から放射するDFBレーザ素子を用いた場合と比較してモジュール全体の高出力化を実現することができる。また、光選択素子22が分布反射型半導体レーザ素子214から出射されたレーザ光を選択出力するので、多モード干渉型光導波路を用いた場合と比較して、分布反射型半導体レーザ素子214から半導体光増幅器233への挿入損失を低減することができる。これにより、本発明の一実施形態である半導体レーザモジュールによれば、高効率化及び高出力化を実現することができる。以上、本発明者によってなされた発明を適用した実施の形態について説明したが、本実施形態による本発明の開示の一部をなす記述及び図面により本発明は限定されることはない。すなわち、本実施形態に基づいて当業者等によりなされる他の実施の形態、実施例及び運用技術等は全て本発明の範疇に含まれる。"