化合物半導体材料からなる化合物半導体部分と、有機高分子材料からなる有機高分子部分とから構成されている化合物半導体層。前記化合物半導体部分は、前記化合物半導体材料からなる複数の結晶粒からなり、前記有機高分子部分は、隣り合う前記結晶粒の間に充填されている請求項1に記載の化合物半導体層。前記有機高分子部分の前記化合物半導体部分に対する質量比が0.1以上である請求項1または2に記載の化合物半導体層。前記有機高分子材料は、導電性有機高分子材料である請求項1~3のいずれかに記載の化合物半導体層。前記有機高分子部分の前記化合物半導体部分に対する質量比が0.3以下である請求項1~4のいずれかに記載の化合物半導体層。前記化合物半導体材料は、Cuと、InおよびGaの少なくとも一方と、SeおよびSの少なくとも一方とを含む、またはCuと、Znと、Snと、SeおよびSの少なくとも一方とを含む請求項1~5のいずれかに記載の化合物半導体層。基板と、前記基板上に設けられた第1電極、化合物半導体層、および第2電極とを備えた化合物薄膜太陽電池であって、前記化合物半導体層は、請求項1~6のいずれかに記載の化合物半導体層である化合物薄膜太陽電池。化合物半導体材料からなる核部分と前記核部分の周囲を取り囲む配位子部分とを含むナノ粒子と、有機高分子材料とが分散された溶液を調製する工程と、前記溶液を基板上に塗布してから焼成する工程とを備えた化合物半導体層の製造方法。前記焼成工程は、前記核部分と前記配位子部分との間に働く結合力が解離する温度以上の温度で行われる請求項8に記載の化合物半導体層の製造方法。前記有機高分子材料の前記化合物半導体材料に対する質量比が0.1以上である請求項8または9のいずれかに記載の化合物半導体層の製造方法。前記有機高分子材料は、導電性有機高分子材料である請求項8~10のいずれかに記載の化合物半導体層の製造方法。前記有機高分子材料の前記化合物半導体材料に対する質量比が0.3以下である請求項8~11のいずれかに記載の化合物半導体層の製造方法。前記ナノ粒子の直径が1nm以上100nm以下である請求項8~12のいずれかに記載の化合物半導体層の製造方法。前記化合物半導体材料は、Cuと、InおよびGaの少なくとも一方と、SeおよびSの少なくとも一方とを含む、またはCuと、Znと、Snと、SeおよびSの少なくとも一方とを含む請求項8~13のいずれかに記載の化合物半導体層の製造方法。基板上に第1電極、化合物半導体層、および第2電極を形成して化合物薄膜太陽電池を製造する方法であって、前記化合物半導体層は、請求項8~14のいずれかに記載の化合物半導体層の製造方法によって形成される化合物薄膜太陽電池の製造方法。しかしながら、特許文献1に記載の方法を用いて得られたNa添加の化合物半導体層においても、クラックの発生が抑えられるのは当該化合物半導体層の膜厚が数百nm以下である場合に限られる。実際、特許文献1の実施例においても、1.4μmの膜厚の化合物半導体層を形成するために、塗布工程および焼成工程を7回行なっている。このように、従来技術においては、クラックの発生が抑制され且つ太陽光を十分に吸収できる化合物半導体層には、塗布工程および焼成工程を複数回行って形成する必要があるためにスループットが低いという課題があった。本発明は、かかる課題を鑑み、スループットの低下を招くことなくナノ粒子塗布焼成法を用いて作製され、太陽光を十分に吸収できる膜厚を有し、かつクラックの発生が抑制された化合物半導体層を提供する。本発明者らは鋭意検討の結果、以下のような化合物半導体層によって上記課題を解決できることを見出した。本発明に係る化合物半導体層は、化合物半導体材料からなる化合物半導体部分と、有機高分子材料からなる有機高分子部分とから構成されている。化合物半導体部分は化合物半導体材料からなる複数の結晶粒からなり、有機高分子部分は隣り合う結晶粒の間に充填されていることが好ましい。有機高分子部分の化合物半導体部分に対する質量比は、0.1以上であることが好ましい。また、この質量比は、0.3以下であることが好ましい。有機高分子材料は、導電性有機高分子材料であることが好ましい。化合物半導体材料は、Cuと、InおよびGaの少なくとも一方と、SeおよびSの少なくとも一方とを含んでも良く、またはCuと、Znと、Snと、SeおよびSの少なくとも一方とを含んでも良い。本発明に係る化合物薄膜太陽電池は、基板と、基板上に設けられた第1電極、化合物半導体層、および第2電極とを備えている。ここで、化合物半導体層は、本発明に係る化合物半導体層である。本発明に係る化合物半導体層の製造方法は、化合物半導体材料からなる核部分と核部分の周囲を取り囲む配位子部分とを含むナノ粒子と、有機高分子材料とが分散された溶液を調製する工程と、溶液を基板上に塗布してから焼成する工程とを備えている。焼成工程は、核部分と配位子部分との間に働く結合力が解離する温度以上の温度で行われることが好ましく、たとえば150°C以上500°C以下で行なわれれば良い。ナノ粒子の直径は、1nm以上100nm以下であることが好ましい。ここで、ナノ粒子の直径とは、核部分の中心と配位子部分のうち核部分の中心から最も遠くに位置する部分との径方向における距離の2倍の距離を意味し、たとえば透過型電子顕微鏡TEMでナノ粒子を観察する方法により測定される。本発明に係る化合物薄膜太陽電池を製造する方法では、基板上に第1電極、化合物半導体層、および第2電極を形成し、化合物半導体層は本発明に係る化合物半導体層の製造方法によって形成される。本発明に係る化合物半導体層によれば、スループットの低下を招くことなくナノ粒子塗布焼成法を用いて作製され、太陽光を十分に吸収できる膜厚を有し、かつクラックの発生が抑制されている。以下、本発明の化合物半導体層および化合物薄膜太陽電池について図面を用いて説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表すものである。また、長さ、幅、厚さ、深さなどの寸法関係は図面の明瞭化と簡略化のために適宜変更されており、実際の寸法関係を表すものではない。化合物半導体層の構成図1を参照して本発明に係る化合物半導体層を説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る化合物半導体層100の概略断面図である。化合物半導体層100は、化合物半導体材料からなる化合物半導体部分11と、有機高分子材料22図3参照からなる有機高分子部分12とで構成されている。化合物半導体部分11は、化合物半導体材料からなる複数の結晶粒からなり、その結晶粒のサイズは、例えば1~5000nmである。ここで、化合物半導体材料とは、2つ以上の原子が共有結合またはイオン結合により結合された半導体材料であり、本発明ではCuとInおよびGaの少なくとも一方とSeおよびSの少なくとも一方とがイオン結合により結合された半導体材料であっても良く、CuとZnとSnとSeおよびSの少なくとも一方とがイオン結合により結合された半導体材料であっても良い。このような化合物半導体材料としては、例えば、CuInxGa1xSeyS1y20≦x≦1、0≦y≦1、CuAlxIn1xSeyS1y20≦x≦1、0≦y≦1、CuAlxGa1xSeyS1y20≦x≦1、0≦y≦1、AgInxGa1xSeyS1y20≦x≦1、0≦y≦1、AgAlxIn1xSeyS1y20≦x≦1、0≦y≦1、AgAlxGa1xSeyS1y20≦x≦1、0≦y≦1、Cu2ZnSnSexS1x40≦x≦1、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbSe、PbS、GaN、GaP、GaAs、AlN、AlP、AlAs、InN、InP、InAs、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、GaNP、GaNAs、GaPAs、AlNP、AlNAs、AlPAs、InNP、InNAs、InPAs、InGaN、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlPAs、GaInNP、GaInNAs、GaInPAs、InAlNP、InAlNAs、またはInAlPAsなどが挙げられる。結晶粒のサイズの測定方法は、たとえば走査型電子顕微鏡SEMまたは透過型電子顕微鏡TEMで化合物半導体層を観察する方法であれば良い。有機高分子部分12は、有機高分子材料22図3参照からなり、溶融した有機高分子材料が凝固することにより形成されたものであり、隣り合う結晶粒結晶粒は、化合物半導体部分11を構成する化合物半導体からなる結晶粒の間に充填されていることが好ましい。有機高分子材料22は、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、またはナイロン6等の絶縁性高分子材料であっても良く、ポリフェニレンビニレン、ポリアニリン、またはポリ等の導電性高分子材料であっても良いが、好ましくは導電性高分子材料である。有機高分子材料22が導電性を有していれば、有機高分子材料22が絶縁性を有している場合に比べて、化合物半導体層100の導電性が向上する。化合物半導体部分11に対する有機高分子部分12の割合質量比は、好ましくは0.1以上0.3以下である。この割合が0.1未満であれば、化合物半導体層100におけるクラックの発生を抑制できないことがある。一方、この割合が0.3を超えると、化合物半導体層100が導電性に優れないことがある。しかし、この割合が0.1以上0.3以下であれば、導電性に優れた化合物半導体層100を形成でき、またクラックの発生を伴うことなく厚膜な化合物半導体層100を形成できる。本発明に係る化合物半導体層100は、化合物半導体部分11と有機高分子部分12とで構成されているので、スループットの低下を招くことなく且つクラックの発生を伴うことなくナノ粒子塗布焼成法を用いて厚膜太陽光を十分に吸収できる厚さ、たとえば1μm以上5μm以下に作製される。本発明に係る化合物半導体層100は、以下に示す製造方法にしたがって製造される。化合物半導体層の製造方法図2および図3を参照して、本発明に係る化合物半導体層の製造方法以下、本発明に係る製造方法という。を説明する。図2は、本発明に係る製造方法の概略フロー図である。図3は、本発明に係る製造方法における溶液調製プロセスS1および塗布プロセスS2で用いる溶液200の模式図である。図2に示すように、本発明に係る製造方法は、溶液調製プロセスS1、塗布プロセスS2、乾燥プロセスS3、および焼成プロセスS4を備える。以下、各プロセスについて詳しく説明する。-溶液調製プロセス-溶液調製プロセスS1では、ナノ粒子21および有機高分子材料22を溶媒23に分散または溶解させて、溶液200を調製する。具体的には、必要量のナノ粒子21および有機高分子材料22を溶媒23中に加えて攪拌または加熱を行って、ナノ粒子21および有機高分子材料22を溶媒23中に分散または溶解させる。得られる化合物半導体層100において有機高分子部分12の化合物半導体部分11に対する質量比が0.1以上0.3以下となるように、ナノ粒子21および有機高分子材料22の各配合量を設定することが好ましい。ナノ粒子21は、核部分24と、核部分24の周囲を取り囲む配位子部分25とを有する。ナノ粒子21の直径は、およそ1~1000nmであれば良く、好ましくは1~100nmであり、より好ましくは1~20nmである。ナノ粒子21の直径が1~100nmであれば、ナノ粒子21の表面積が大きくなるため、溶液調製プロセスS1での温度を低下させることができる。核部分24は、化合物半導体材料からなり、本発明の製造方法により化合物半導体部分11を構成する。核部分24を構成する化合物半導体材料としては、例えばCuInxGa1xSeyS1y20≦x≦1、0≦y≦1、CuAlxIn1xSeyS1y20≦x≦1、0≦y≦1、CuAlxGa1xSeyS1y20≦x≦1、0≦y≦1、AgInxGa1xSeyS1y20≦x≦1、0≦y≦1、AgAlxIn1xSeyS1y20≦x≦1、0≦y≦1、AgAlxGa1xSeyS1y20≦x≦1、0≦y≦1、Cu2ZnSnSexS1x40≦x≦1、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbSe、PbS、GaN、GaP、GaAs、AlN、AlP、AlAs、InN、InP、InAs、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、GaNP、GaNAs、GaPAs、AlNP、AlNAs、AlPAs、InNP、InNAs、InPAs、InGaN、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlPAs、GaInNP、GaInNAs、GaInPAs、InAlNP、InAlNAs、またはInAlPAsなどが挙げられ、最終的に化合物半導体部分11を構成する材料が選択される。配位子部分25は、有機材料からなり、ナノ粒子21を溶媒23中に分散させる役割を主に有する。核部分24と配位子部分25とは、物理吸着等で接していてもよいし、共有結合または配位結合等で化学的に結合していてもよい。配位子部分25を構成する有機材料以下では配位子材料と記すは、例えば、n-ヘキサンセレノール、n-オクタンセレノール、n-デカンセレノール、またはn-ドデカンセレノール等のセレノール基を有していれば良く、n-ヘキサンチオール、n-オクタンチオール、n-デカンチオール、n-ドデカンチオール、またはメチルベンゼンチオール等のチオール基を有していれば良く、n-プロピルトリメトキシシラン、n-プロピルトリエトキシシラン、n-プロピルトリクロロシラン、n-アミノプロピルトリメトキシシラン、またはフェニルトリメトシシシラン等のアルコキシシリル基またはクロロシリル基を有していれば良く、n-オクタデシルフォスフォニックアシッド等のホスホン酸基を有していれば良い。配位子材料は、核部分24を構成する化合物半導体材料と結合可能な官能基を有することが好ましく、これにより、核部分24と配位子部分25との間に強固な結合が形成される。核部分24を構成する化合物半導体材料がセレン、硫黄、または銀等を含むときには、配位子材料はセレノール基またはチオール基を有することが好ましい。核部分24を構成する化合物半導体材料がインジウム、銀、または銅等を含むときには、配位子材料はアルコキシシリル基またはクロロシリル基から生じるシラノール基を有することが好ましい。核部分24を構成する化合物半導体材料がアルミニウム等を含むときには、配位子材料はホスホン酸基を含むことが好ましい。また、配位子材料は、溶媒23の種類によってナノ粒子21を分散させる能力が異なるため、以下に述べる溶媒23の種類に応じて適宜選択されることが好ましい。このようなナノ粒子21の作製方法は特に限定されない。核部分24の作製手法については、例えば、化合物半導体材料の原料となる各プリカーサ前駆体を使って溶媒中でナノサイズの化合物半導体材料を化学合成する方法であってもよいし、化合物半導体材料を物理的に粉砕して微細化する方法であってもよい。また、配位子部分25の作製方法については、例えば、核部分24と配位子材料を溶媒中で反応させる液相反応法であってもよいし、核部分24を配位子材料の蒸気と反応させる気相反応法であっても良い。溶媒23は、メタノール、またはエタノール等のアルコール系溶媒であっても良いし、ヘキサン、オクタン、デカン、またはドデカン等のアルキル系溶媒であっても良いし、ベンゼン、またはトルエン等の芳香族系溶媒であってもよい。溶媒23は、このような有機溶媒に限定されず、酸性、中性、または塩基性を示す水系溶媒であってもよい。溶媒23の種類は、ナノ粒子21または有機高分子材料22などの各特性に応じて選択されればよく、ナノ粒子21が当該溶媒23などにより分解または酸化等の反応を起こさないような材料であることが好ましい。例えば、ナノ粒子21または有機高分子材料22が酸化されやすい場合には、溶媒23としては、蒸留等の手法で脱水した有機溶媒、または窒素バブリング等の処理で脱酸素した有機溶媒を用いることが好ましい。なお、核部分24と配位子部分25とが物理吸着等の弱い力で接していた場合、超音波等を用いた強力な撹拌手法を用いて溶液200を調製すると核部分24と配位子部分25との接合が解除されるおそれがある。そのため、溶液調製プロセスS1におけるナノ粒子21と有機高分子材料22との攪拌手法には留意する必要がある。溶液調製プロセスS1では、最終的に溶液200が調製できればよく、溶液200の調製手法および溶液200を調製する順序は問題とならない。例えば、ナノ粒子21の溶液と有機高分子材料22の溶液とを別々に調製してこれらを混合しても良く、ナノ粒子21と有機高分子材料22とを同一溶媒中で同時に分散または溶解させて溶液200を調製しても良い。または、ナノ粒子21の溶液と有機高分子材料22の溶液とを別々に調製し、次の塗布プロセスS2時にこれらの溶液を別々に塗布して、塗布プロセスS2を行うと同時に溶液200を調製しても良い。-塗布プロセス-続いて、溶液200を基板に塗布する。塗布前に基板上の不純物を除去することが好ましく、たとえば基板に対して超音波洗浄またはUVオゾンアッシング等の洗浄処理を行うことが好ましい。溶液200の塗布方法には、スクリーン印刷法、キャスト法、ドクターブレードコート法、ディップ法、またはスピンコート法など様々な手法があるが、このいずれの手法を用いても良く、目的に応じた塗布手法を選択すればよい。塗布プロセスS2の後、乾燥プロセスS3に移る。-乾燥プロセス-乾燥プロセスS3は、基板上の塗布膜から溶媒を除去することを目的とする。乾燥プロセスS3を経ずに次の焼成プロセスS4を行った場合、溶媒の突沸等により、得られた化合物半導体層に多数のボイドが生じてしまう恐れがある。乾燥プロセスS3では、加熱、減圧、気体によるブロー、または自然乾燥等を行なって、基板上の塗布膜から溶媒を除去する。これらの手法を組み合わせて乾燥プロセスS3を行なっても良いし、これらの手法のいずれかを用いて乾燥プロセスS3を行なっても良い。しかし、どのような手法を用いて乾燥プロセスS3を行なう場合でも、溶媒を緩やかに除去することが肝要である。溶媒を急速に除去すると、溶媒の突沸が起こり、得られた化合物半導体層に多数のボイドが生じてしまう恐れがある。-焼成プロセス-最後に、焼成プロセスS4を行う。焼成プロセスS4では、配位子部分25の脱離、配位子部分25の脱離に伴う膜内での空隙の形成、核部分24の結晶成長、および有機高分子材料22の軟化による空隙の埋め込みが起こる。詳しくは、配位子部分25は、加温によって核部分24から脱離し、ある温度以上で核部分24から容易に脱離する。配位子部分25は核部分24同士の凝集を防ぐ役割を担っているため、配位子部分25の消失に伴って核部分24同士が凝集して結晶化が起こる。これにより、核部分24は大きく成長し、最終的に化合物半導体部分11を形成する。また、核部分24からの配位子部分25の脱離によって、配位子部分25が存在していた部分が空隙となる。この空隙部分の一部は核部分24の結晶成長により埋められるが、残りの部分は空隙として残る。ここで、配位子部分25が核部分24から脱離する程度の温度になると有機高分子材料22は軟化するため、軟化した有機高分子材料22が空隙として残った部分に埋め込まれて当該空隙が消失する。焼成条件は特に限定されない。しかし、焼成温度が500°Cを超えると、有機高分子材料22の分解または特性劣化が懸念される。よって、焼成温度は500°C以下が好適である。また、焼成温度は、核部分24と配位子部分25との間に働く結合力上述の物理吸着力または化学結合力が解離する温度以上であることが好ましい。結合力が解離する温度は核部分24の材料および配位子部分25の材料などに依存するため一概に言えないが、概ね150°C以上であれば良い。以上を考慮すれば、焼成温度は、150°C以上500°C以下であることが好ましく、より好ましくは250°C以上500°C以下である。焼成温度が250°C以上500°C以下であれば、化合物半導体層の作製時間の長期化を招くことなく比較的良質な化合物半導体層を提供できるという効果も得られる。焼成プロセスS4での加熱方法としては、たとえば、基板をホットプレート上に置いて加熱してもよいし、基板をオーブン中で加熱しても良い。焼成プロセスS4は、溶液調製プロセスS1、塗布プロセスS2、および乾燥プロセスS3よりも高温で行なわれるので、大気雰囲気下でなく不活性雰囲気下で行なわれることが好ましい。焼成温度が500°Cに近い高温である場合、焼成プロセスS4を大気下で行なうと、有機高分子材料22が酸素と反応して炭化してしまう恐れがあり、また化合物半導体材料からなる核部分24でも容易に酸化が進んで化合物半導体材料が本来有する特性を失うおそれがある。なお、焼成プロセスS4以外の各プロセスにおいても、必要であれば、窒素またはアルゴン等の不活性雰囲気下で各処理を行ってもよい。不活性雰囲気下での処理が必要な状況としては、例えばナノ粒子21または有機高分子材料22として水または酸素に弱い材料を用いた場合等があげられる。このように、焼成プロセスS4において、核部分24が結晶成長して化合物半導体部分11を形成するとともに、有機高分子材料22が軟化して隣り合う結晶粒結晶粒は化合物半導体部分11を構成するの間を充填する。そのため、塗布プロセスS2、乾燥プロセスS3、および焼成プロセスS4を繰り返し行なわずとも、クラックの発生を抑制した膜厚の大きな化合物半導体層100が得られる。よって、スループットの低下を防止できる。それだけでなく、化合物半導体層100におけるクラックの発生を防止できるので、面内方向の導電性などの特性に優れた化合物半導体層100が得られる。このようにして得られた化合物半導体層100を用いて化合物薄膜太陽電池を作製すれば、リーク電流が抑制された太陽電池を提供できる。以下では、本発明の化合物半導体層100を化合物薄膜太陽電池に応用した例を示す。化合物薄膜太陽電池図4は、本発明の化合物半導体層を用いた、化合物薄膜太陽電池300の概略断面図である。図4に示す化合物薄膜太陽電池300は、太陽電池の最小構成である第1電極32、化合物半導体層33、および第2電極36を備え、基板31、バッファ層34、および窓層35をさらに備えている。次に、化合物薄膜太陽電池300を構成するそれぞれの構成要素について説明する。第1電極32、および第2電極36は、太陽電池内で生成したキャリアを取り出す役割を担っている。これらの電極の材料は、キャリア輸送損失をできるだけ防ぐ目的から、抵抗率が低いものが好ましい。また、同様の理由から、第1電極32に接する化合物半導体層33と、第2電極36に接する窓層35との間では、良好なオーミック接触を形成するものが好ましい。第1電極32、および第2電極36に用いる材料としては、特に制限はない。第1電極32、および第2電極36は、例えば、Mo、Au、Ag、Cu、またはAl等の金属電極であっても良いし、ITO、またはZnO等の酸化物電極であっても良い。これらの電極は、抵抗加熱または電子ビームなどの真空蒸着法、スパッタリング法、MOCVD法、またはMBE法等によって形成される。化合物半導体層33は、太陽光を吸収してキャリアを発生させる役割を担っている。この製造方法については、本発明に係る化合物半導体層の製造方法で述べたとおりである。バッファ層34は、化合物半導体層33と窓層35との間の接合を緩衝する役割を果たす。バッファ層34が形成されていることにより、シャント抵抗の増大および、キャリア再結合の低減等の効果が見込まれる。但し、そのような効果を得るために、化合物半導体層33または窓層35とのバンドラインナップ等を考慮して、適切なバッファ層材料を選択する必要がある。バッファ層34の材料としては、たとえば、CdS、ZnO、ZnS、ZnMgO、またはZnInSe2等が挙げられる。また、バッファ層34の作製手法としては、たとえば、CBD法ChemicalBathDeposition法と呼ばれる溶液成長法、スパッタリング法、またはMOCVD法等が挙げられるが、そのいずれの手法を用いてもよい。窓層35は、化合物半導体層33とは逆の極性を有する半導体材料から形成されており、化合物半導体層33で吸収される太陽光の大半を透過する。窓層35の材料としては、たとえばAl、BまたはInを適量ドーピングしたZnO等が用いられる。また、窓層35の作製手法としては、CBD法、スパッタリング法、またはMOCVD法等が挙げられる。本発明の化合物薄膜太陽電池300は、基本的には上記構成要素を備えていれば良いが、上記構成要素に加えて、窓層35上に設けられた反射防止層、または封止層などを備えていても良い。反射防止層はMgF2またはSiO2等からなれば良く、封止層はEVAエチレンビニルアセテート樹脂またはエポキシ樹脂等からなれば良い。図4に示す化合物薄膜太陽電池300の代表的な構成として、基板31がガラス板であり、第1電極32がMoからなり、化合物半導体層33がCIGSを化合物半導体部分に用いたp型半導体層であり、バッファ層34がZnOからなり、窓層35がAlドープZnOからなり、第2電極36がAlからなるものが挙げられる。このような構造は、基板に対して上部から入射した光を吸収できるサブストレイト型といわれる構造である。本発明に係る化合物薄膜太陽電池としては、図4に示す化合物薄膜太陽電池300に限定されず、図5に示す化合物薄膜太陽電池400であっても良い。図5は、本発明に係る化合物薄膜太陽電池400の概略断面図である。図5に示す化合物薄膜太陽電池400では、ガラスからなる基板41上に、AlドープZnOからなる窓層42、ZnOからなるバッファ層43、CIGSを化合物半導体部分としたp型半導体からなる化合物半導体層44、およびMoからなる第2電極45が順次形成され、キャリア取り出し用電極としてAlからなる第1電極46が窓層42上に形成されている。このような構造は、基板側から入射した光を吸収するスーパストレイト型構造と呼ばれる。なお、基板41、窓層42、バッファ層43、化合物半導体層44、第2電極45、および第1電極46の各材料は上記材料に限定されない。いずれにしても、本発明の化合物薄膜太陽電池は、先に述べた本発明の化合物半導体層を含んでいればよく、その他の構成によって制限されない。以下、実施例を用いて、本発明の化合物半導体層およびその製造方法についてさらに詳細に説明する。実施例1図6は、実施例1に係る化合物半導体層の製造方法における溶液の調製方法を示す模式図である。図7a、図7cおよび図7dは、実施例1に係る化合物半導体層の製造方法を工程順に示す概略図であり、図7bは、図7aに示すVIIB-VIIB線における概略断面図である。まず、図6に示すように、CuInSe2からなる核部分54と、核部分54の周囲を取り囲みn-オクタンセレノールからなる配位子部分55とからなるナノ粒子51直径が約10nmであるを準備し、このナノ粒子51を無水トルエン溶媒53に加えて30分間撹拌した。これにより、ナノ粒子51の濃度が10wtである無水トルエン溶液501を調製した。また、無水トルエン溶媒53にポリ3-ヘキシルチオフェンからなる有機高分子材料52を加えて撹拌し、ポリ3-ヘキシルチオフェンの濃度が1wtである無水トルエン溶液502を調製した。その後、ナノ粒子51の無水トルエン溶液501とポリ3-ヘキシルチオフェンの無水トルエン溶液502とを混合して、ナノ粒子51の核部分54と有機高分子材料52との質量混合比が1:0.25である混合溶液503を調製した。このようにして溶液調製プロセスを行なった。続いて、塗布プロセスを行った。まず、エッチングによって1cm×1cmの領域に3μmの深さの開口部が形成されたガラス基板56を用意し、そのガラス基板56に対して有機溶媒での超音波洗浄処理とUVオゾン洗浄処理とを行ってガラス基板56上の不純物を完全に除去した。その後、図7a~bで示すように、ガラス基板56の開口部に調製された混合溶液503を滴下して深さ3μmの開口部を混合溶液で満たした。その後、ガラス基板56を窒素雰囲気下で15分静置し、無水トルエン溶媒を簡易的に乾燥させた。その後、図7cに示すように、ホットプレート511上でガラス基板56を120°Cで1時間加熱した。これにより、無水トルエン溶媒が完全に除去され、乾燥プロセスが完了した。最後に、図7dに示すように、窒素雰囲気下、ホットプレート511上でガラス基板56を250°Cで1時間加熱した。これにより、焼成処理が行なわれ、化合物半導体部分と有機高分子部分とからなる化合物半導体層504を作製した。上記処理のうちガラス基板56の洗浄処理以外はすべて窒素雰囲気下で行った。このようにして作製した化合物半導体層504を透過型の顕微鏡で観察すると、図10aに示すようにクラックのない良好な膜が形成されていることが確認できた。化合物半導体層504の膜厚は約2μmであった。また、化合物半導体層504についてホール効果測定による電気的評価を行うと、キャリア密度が4.5×1014個/cm3であり、移動度が1.25×101cm2/Vsであり、良好な特性を示した。実施例2ナノ粒子51の核部分54と有機高分子材料52との質量混合比が1:0.5である混合溶液を調製したこと以外は実施例1と同様にして、化合物半導体部分と有機高分子部分とからなる化合物半導体層をガラス基板上に形成した。このようにして作製した化合物半導体層を透過型の顕微鏡で観察すると、図10aに示すようにクラックのない良好な膜が形成されていた。化合物半導体層の膜厚は約2μmであった。また、化合物半導体層についてホール効果測定による電気的評価を行うと、キャリア密度1.2×1015個/cm3であり、移動度が3.4×102cm2/Vsであり、良好な特性を示した。比較例1溶液調製プロセスにおいて溶液をナノ粒子100で調整したこと以外は実施例1と同様にして、化合物半導体層をガラス基板上に形成した。このようにして作製した膜を透過型の顕微鏡で観察すると、図10bに示すように化合物半導体層にはクラック図10bにおけるライン状の灰色部分が形成されていた。また、化合物半導体層についてホール効果測定による電気的評価を行ったが、面内方向の電流値が測定限界未満であった。この理由としては、クラックの発生により膜のグレイン間の物理的な接合が失われたためと考えられる。実施例3実施例3では、本発明の化合物半導体層を化合物薄膜太陽電池の光吸収層に用いた例を示す。図8aは本実施例に係る化合物薄膜太陽電池600の平面図を示し、図8bは図8aに示すVIIIB-VIIIB線における断面図である。図9a~dは、本実施例に係る化合物薄膜太陽電池600の製造方法を工程順に示す平面図である。以下、図8および図9を参照して、本実施例に係る化合物薄膜太陽電池600の構成およびその製造方法を説明する。まず、図9aに示すように、1cm×1cmの領域に3μmの深さの開口部60が形成されたガラス基板2cm×2cm61上に、スパッタリングによってMo膜を形成して第1電極62とした。続いて、実施例1と同様にしてナノ粒子の核部分であるCuInSe2と有機高分子材料であるポリ3-ヘキシルチオフェンとの質量混合比が1:0.25である混合溶液を調製し、開口部60内における第1電極62上を満たすように混合溶液を滴下した。その後、実施例1と同様の方法によって乾燥および焼成処理を行って、厚さ約2μmの化合物半導体層63を得た図9b。続いて、図9cに示すように、化合物半導体層63上にZnOからなるバッファ層64をスパッタリングによって形成してから、バッファ層64上にZnO:Alからなる窓層65をスパッタリングによって形成した。最後に、図9dに示すようにAl電極第2電極66を形成して、図8a~bに示す化合物薄膜太陽電池600を作製した。作製された化合物薄型太陽電池600の面積は2×2mmであった。このようにして作製した化合物薄膜太陽電池600に対してAM1.5Gの擬似太陽光を照射してセル特性を測定すると、変換効率は0.53であった。比較例2化合物半導体層を形成するための溶液をナノ粒子100で調製したこと以外は実施例3と同様にして、化合物薄膜太陽電池を形成した。作製された化合物薄膜太陽電池に対してAM1.5Gの擬似太陽光を照射してセル特性を測定すると、リーク電流が大きく、暗状態および光照射状態のいずれの状態においてもダイオード特性が得られなかった。実施例1および2と比較例1とから、有機高分子材料を含有する化合物半導体層では、膜厚が約2μmという厚膜であってもクラックの発生が抑制されていることが分かった。さらに、実施例1と実施例2とを比較すると、ナノ粒子とポリ3-ヘキシルチオフェンとの質量混合比が1:0.5である実施例2よりも、ナノ粒子とポリ3-ヘキシルチオフェンとの質量混合比が1:0.25である実施例1の方が、化合物半導体層は良好な導電性を有することが分かった。また、実施例3と比較例2とから、本発明の化合物半導体層を用いて作製した化合物薄膜太陽電池は、有機高分子材料を含有しない従来の化合物半導体層を用いた化合物薄膜太陽電池に比べ、リーク電流が抑制された良好な特性を示すことが分かった。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。