プラズマ負荷に電力を供給するプラズマ供給装置であって、前記プラズマ供給装置は少なくとも1つの直交結合器を有しており、当該少なくとも1つの直交結合器は少なくとも1つのキャパシタンスと少なくとも1つのインダクタンスを有しており、かつ互いに90°だけ位相のずれた同じ周波数の2つのHF電力信号を結合し、前記直交結合器の第1有用信号端子と第2有用信号端子には、有用信号としてそれぞれ1つのHF電力信号が供給され、当該HF電力信号は第3有用信号端子において有用信号として出力されるべき結合されたHF電力に適合されており、少なくとも1つの有用信号端子は第1インピーダンス用に設計されている、プラズマ供給装置において、前記少なくとも1つの直交結合器が前記第1インピーダンスよりも高い第2インピーダンス用に設計された第4有用信号端子を有するか、または、前記少なくとも1つの直交結合器150、250、260、290、610、620、710が3つの有用信号端子1、2、3、251~253、261~263、291~293、611~613、621~623、711~713だけを有する、ことを特徴とするプラズマ供給装置。前記第2インピーダンスは前記第1インピーダンスの少なくとも4倍、好ましくは少なくとも10倍である、請求項1に記載のプラズマ供給装置。前記直交結合器の第4有用信号端子は、ゼロに向かうアドミッタンス用に設計されている、請求項1に記載のプラズマ供給装置。前記直交結合器150、250、260、290、610、620、710は1つのキャパシタンスCと1つのインダクタンスLだけを有する、請求項1から3のいずれか1項に記載のプラズマ供給装置。前記直交結合器150、250、260、290、610、620、710の少なくとも1つのインダクタンスLはプレーナコイルを含んでいる、請求項1から4のいずれか1項に記載のプラズマ供給装置。前記インダクタンスLはプリント基板151上の少なくとも1つの導体路152を含んでいる、請求項5に記載のプラズマ供給装置。少なくとも1つのインダクタンスに磁界強化素子が割り当てられている、請求項1から6のいずれか1項に記載のプラズマ供給装置。前記直交結合器150の少なくとも1つのキャパシタンスCはプレーナ構造を有する、請求項1から7のいずれか1項に記載のプラズマ供給装置。前記キャパシタンスCはプリント基板151上のプレーナ構造を含んでいる、請求項8に記載のプラズマ供給装置。少なくとも1つのキャパシタンスCと少なくとも1つのインダクタンスLは、共通のプリント基板151上に配置されたプレーナ構造を含んでいる、請求項1から9のいずれか1項に記載のプラズマ供給装置。前記直交結合器150、250、260、290、610、620、710のキャパシタンスCのリアクタンスは、前記直交結合器150、250、260、290、610、620、710のインダクタンスLの負のリアクタンスに等しい、請求項1から10のいずれか1項に記載のプラズマ供給装置。前記直交結合器150、250、260、290、610、620、710のインダクタンスLのリアクタンスがであり、前記直交結合器150、250、260、290、610、620、710のキャパシタンスCのリアクタンスがである、請求項1から11のいずれか1項に記載のプラズマ供給装置。2つの有用信号端子611、612、621、622のそれぞれに、1つのインピーダンス整合した高周波源810~840が接続されている、請求項1から12のいずれか1項に記載のプラズマ供給装置。前記インピーダンス整合した高周波源810~840はそれぞれ、4つの有用信号端子511~514、521~524、531~534、541~544を有する第2直交結合器510、520、530、540と、別の2つの高周波源410~480と、成端抵抗811、821、831、841とを含んでおり、前記第2直交結合器510、520、530、540の2つの有用信号端子511、512、521、522、531、532、541、542にはそれぞれ前記別の高周波源410~480の一方が接続されており、前記第2直交結合器510、520、530、540の第3有用信号端子513、523、533、543にはそれぞれ前記第1直交結合器610、620の1つの有用信号端子511、612、621、622が接続されており、前記第2直交結合器510、520、530、540の第4有用信号端子514、524、534、544には前記成端抵抗811、821、831、841が接続されている、請求項13に記載のプラズマ供給装置。複数の直交結合器250、260、290、510、520、530、540、610、710がカスケード配置されている、請求項1から14のいずれか1項に記載のプラズマ供給装置。3MHz~30MHzの範囲の周波数において500Wを超える高周波電力を発生させる複数の高周波源210、220、230、240、410、420、430、440、450、460、470、480、810、820、830、840が設けられている、請求項1から15のいずれか1項に記載のプラズマ供給装置。少なくとも1つのキャパシタンスと少なくとも1つのインダクタンスを有しており、かつ互いに90°だけ位相のずれた同じ周波数の2つのHF電力信号を結合する、直交結合器であって、該直交結合器の第1有用信号端子と第2有用信号端子には、有用信号としてそれぞれ1つのHF電力信号が供給され、当該HF電力信号は第3有用信号端子において有用信号として出力されるべき結合されたHF電力に適合されており、少なくとも1つの有用信号端子は第1インピーダンス用に設計されている、直交結合器において、前記少なくとも1つの直交結合器が前記第1インピーダンスよりも高い第2インピーダンス用に設計された第4有用信号端子を有するか、または、前記少なくとも1つの直交結合器150、250、260、290、610、620、710が3つの有用信号端子1、2、3、251~253、261~263、291、293、611~613、621~623、711~713だけを有する、ことを特徴とする直行結合器。前記直交結合器150、250、260、290、610、620、710はただ1つのプリント基板151上に形成されている、請求項17に記載の直交結合器。前記プリント基板151は多層プリント基板である、請求項18に記載の直交結合器。前記プリント基板151は多層プリント基板である、請求項18または19に記載の直交結合器。前記少なくとも1つのキャパシタンスおよび/または少なくとも1つのインダクタンスはプレーナ技術によって形成されている、請求項17から20のいずれか1項に記載の直交結合器。前記直交結合器150、250、260、290、610、620、710の寸法は前記HF電力信号の周波数の波長の1/5よりも小さい、請求項17から22のいずれか1項に記載の直交結合器。直交結合器150、250、260、290、610、620、710のカスケードにおいて、前記直交結合器の少なくとも1つが請求項17から22のいずれか1項に記載の直交結合器であることを特徴とする、直交結合器のカスケード。少なくとも1つの直交結合器が有用信号として出力されるべき最大の結合されたHF電力で動作可能である、請求項23に記載の直交結合器のカスケード。