"光が伝播される導波路であるコアと、その周囲を囲むクラッドと、を有する光導波路であって、前記コアを構成する材料の屈折率は、前記クラッドを構成する材料の屈折率よりも大きくなっており、前記コアは、平板形状をなしており、光が入射される広幅のコア基部と、このコア基部に連接されて導波方向に沿って幅が徐々に絞られる絞り部と、この絞り部に連接され導波方向に沿って延設された狭幅の先端コア部とを有し、前記広幅のコア基部の一方の平面の上には、グレーティング格子を備えており、当該グレーティングは、平面に多数の断面矩形状の凹溝を幅方向に沿って刻むことによって構成されており、前記グレーティングは、当該グレーティング形成面に垂直入射されるレーザ光との光結合ができるように構成されており、前記グレーティングの周期格子ピッチ:凹溝のピッチは、垂直入射されるレーザ光の波長当該波長はクラッド内での波長として規定されるよりも小さくなるように構成されており、前記グレーティングの溝深さH1は、コア基部の厚さH2に対して、H1=0.33~0.67H2の関係を満たすよう形成されてなることを特徴とする光導波路。前記コア基部の導波方向と反対側の端面後端部には、反射膜が設けられている請求項1に記載の光導波路。前記幅細の先端コア部は、前記絞り部の絞られた最終幅と実質的に同じ幅で導波方向に沿って延設されている請求項1または請求項2に記載の光導波路。前記グレーティング格子は、シングル格子singlegratingである請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の光導波路。前記グレーティング格子は、コア平面の上に凹部溝を形成し、当該凹部内にクラッド材料を埋設させることにより構成される請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の光導波路。前記広幅のコア基部の幅W1は、0.4~10.0μmであり、前記狭幅の先端コア部の幅W3は、0.3~1.0μmである請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の光導波路。媒体対向面側の端面から書き込み磁界を発生させる磁極と、プラズモンを励起するための光を伝播させる請求項1に記載の光導波路と、前記光とプラズモンモードで結合する部分であるプラズモン発生素子と、を備えてなる熱アシスト磁気記録ヘッド。このような実状のもとに本願発明は創案されたものであって、その目的は、レーザ光発生装置との配置関係をシンプルにして、レーザ光発生装置の設置を簡単に行うことが可能となるように、光導波路に対して垂直方向のレーザ光入射で、確実に、レーザ光を光導波路に光結合させる構造、および、光導波路内を目的とする方向に向けて伝搬させることができる光導波路を提案することにある。上記の課題を解決するために、本発明の光導波路は、光が伝播される導波路であるコアと、その周囲を囲むクラッドと、を有する光導波路であって、前記コアを構成する材料の屈折率は、前記クラッドを構成する材料の屈折率よりも大きくなっており、前記コアは、平板形状をなしており、光が入射される広幅のコア基部と、このコア基部に連接されて導波方向に沿って幅が徐々に絞られる絞り部と、この絞り部に連接され導波方向に沿って延設された狭幅の先端コア部とを有し、前記広幅のコア基部の一方の平面の上には、グレーティング格子を備えており、当該グレーティングは、平面に多数の断面矩形状の凹溝を幅方向に沿って刻むことによって構成されており、前記グレーティングは、当該グレーティング形成面に垂直入射されるレーザ光との光結合ができるように構成されており、前記グレーティングの周期格子ピッチ:凹溝のピッチは、垂直入射されるレーザ光の波長当該波長はクラッド内での波長として規定されるよりも小さくなるように構成されており、前記グレーティングの溝深さH1は、コア基部の厚さH2に対して、H1=0.33~0.67H2の関係を満たすよう形成されてなるように構成される。また、本発明の光導波路の好ましい態様として、前記コア基部の導波方向と反対側の端面後端部には、反射膜が設けられているように構成される。また、本発明の光導波路の好ましい態様として、前記幅細の先端コア部は、前記絞り部の絞られた最終幅と実質的に同じ幅で導波方向に沿って延設されているように構成される。また、本発明の光導波路の好ましい態様として、前記グレーティング格子は、singlegratingとして構成される。また、本発明の光導波路の好ましい態様として、前記グレーティング格子は、コア平面の上に凹部溝を形成し、当該凹部内にクラッド材料を埋設させることにより構成される。また、本発明の光導波路の好ましい態様として、前記広幅のコア基部の幅W1は、0.4~10.0μmであり、前記狭幅の先端コア部の幅W3は、0.3~1.0μmであるように構成される。本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドは、媒体対向面側の端面から書き込み磁界を発生させる磁極と、プラズモンを励起するための光を伝播させる上記記載の光導波路と、前記光とプラズモンモードで結合する部分であるプラズモン発生素子と、を備えてなるように構成される。本発明においては、光導波路に対して垂直方向のレーザ光入射で、確実に、レーザ光を光導波路に光結合させることができるとともに、光導波路内を目的とする方向に向けて伝搬させることができる。これにより、光導波路とレーザ光発生装置との配置関係がきわめてシンプルとなり、レーザ光発生装置などの設置を容易に行なうことが可能となる。以下、本発明を実施するための光導波路の最良の形態について詳細に説明する。図1は、発光素子から発せられた光ビームが照射されている本発明の光導波路の模式的断面図を示す図面であり、図2は、図1に示される本発明の光導波路のα-α断面矢視図であり、クラッドを除いて描いた断面図であり、図3は、図1に示される光導波路の要部の拡大断面図であり、コアのグレーティング形成面にレーザ光が垂直入射される部分の拡大断面図である。図1に示されるように、本発明の光導波路1100は、光を導くための主要部をなす導波路本体であるコア1150と、その周囲を囲むクラッド1300と、を有して構成されている。そして、コア1150を構成する材料の屈折率は、クラッド1300を構成する材料の屈折率よりも大きくなるように、コアおよびクラッドの材料選定が行われる。コア1150は、図1および図2に示されるように、平板形状をなしており、光が入射される広幅のコア基部1151と、このコア基部1151に連接されて導波方向図1および図2における-X方向に沿って幅が徐々に絞られる絞り部1152と、この絞り部1152に連接され導波方向-X方向に沿って延設された狭幅の先端コア部1153とを有している。絞り部1152では、主としてシングルモードへの光変換が行われ、狭幅の先端コア部1153では、主としてシングルモードでの光伝搬が行われる。シングルモードとは、光を伝搬する経路モードが1つであることを言う。光の振動方向を所望の方向に変換するために、狭幅の先端コア部1153の途中に、例えば、TE-TMモード変換素子を設けるようにしてもよい。これによって、例えば、図2におけるY方向に振動方向を有する偏光をZ方向に振動方向を有する偏光に変換させることができる。図2に示される広幅のコア基部1151の幅W1は、0.4~10.0μm程度とされ、狭幅の先端コア部の幅W3は、0.3~1.0μm程度とされる。例えば、幅細の先端コア部1153は、絞り部1152の絞られた最終幅と実質的に同じ幅で導波方向に沿って延設される。また、図2に示される導波方向-X方向の各構成部の長さは、広幅のコア基部1151の長さL1が、2~200μm程度、絞り部1152の長さL2が30~200μm程度、狭幅の先端コア部の長さL3が、0.5~100μm程度とされる。広幅のコア基部1151の一方の平面の上には、グレーティング格子1200が形成されている。このグレーティング1200は、平面に多数の断面矩形状の凹溝1201を幅方向Y方向に沿って刻むことによって構成されている。凹溝1201の数は、10~200本程度である。グレーティング1200は、コア平面の上に凹部溝を形成し、当該凹部内にクラッド材料を埋設させることにより構成される図3参照。なお、広幅のコア基部1151の一方の平面の上に凹部溝ではなく突起した凸部を設けるグレーティング構造では、効果的な光結合が実現できないことに注意されたい。本発明におけるグレーティング1200は、図1に示されるように、例えば、広幅のコア基部1151と対向配置された光源ユニット1400例えば、レーザダイオード1400から、グレーティング1200形成面に垂直入射されるレーザ光との光結合ができるように構成されており、グレーティング1200の周期格子ピッチP:凹溝1201のピッチPは、垂直入射されるレーザ光の波長λcよりも小さくなるように構成される。つまり、格子ピッチPnm<レーザ光の波長λcnm、の不等式の関係が成立するように構成される。波長λcはクラッド1300における波長として規定される。なお、本発明において、垂直入射とは、90°±5°の角度範囲での入射をいう。ただし、図1に示される形態に限定されるわけではなく、例えば、図4に示されるように、広幅のコア基部1151の後方に光源ユニット1400を配置して、反射膜1401の反射を利用して、レーザ光Lをグレーティング1200形成面に対して垂直入射させるようにしてもよい。図4に示される反射膜1401の反射を利用する態様によれば、例えば、光源ユニット1400の設置場所の選定の自由度Z方向への設置の自由度が増大するというメリットがある。本発明において、特に重要なことは、図3に示されるように、グレーティング1200の凹溝1201の深さH1は、コア基部1151の厚さH2に対して、H1=0.33~0.67H2の関係、特に、好ましくは、H1=0.45~0.55H2を満たすよう形成されている。なお、コア基部1151の厚さH2は、通常、0.3~3.0μm程度とされる。凹溝1201の個数は、X方向に、10~200個程度形成される。上記H1とH2との厚さ比の関係が必要であるのは、以下の考察に基づく。すなわち、導波路の中で導波するための光の強度分布および位相などと、グレーティング1200に対して垂直照射されたレーザ光によって凹溝1201の下端エッジ近傍で発生するエバネッセント波近接場光の強度分布および位相などを一致させることによって、入射されるレーザ光と導波路内の導波光との光の結合を図るという作用が奏される。本願におけるグレーティング1200を介しての導波路への光結合は、回折によるものではない。凹溝1201の下端エッジ近傍で発生する近接場光そのものは伝搬しないが、そのエネルギーが導波路の中で導波するためのエネルギーに変換されるものと考えられる。なお、入射されるレーザ光の振動方向偏光方向は、広幅のコア基部1151の幅方向であるY方向とすることが好ましい。例えば、TE偏波また、本発明においてもう一つの重要な点は、コア基部1151の導波方向と反対側の端面後端部には、Au膜等からなる反射膜1159が設けられていることである。本願発明においては、コア基部1151に形成されたグレーティング1200に対する垂直方向への光入射が基本であるため、反射膜1159を設けることによって、確実に、目的とする導波方向-X方向に光を伝搬させるように構成している。また、本発明におけるグレーティング1200格子は、図2に示されるようにsinglegratingであることが望ましい。先行技術に記載したように、Singlegratingを並列に配置したDualgratingにすると、伝搬方向において、互いの干渉が生じ得るおそれがあるからである。なお、singlegratingの格子の長さWoY方向は、0.34~9.90μm程度とされる。このような本発明における光導波路は、光導波路に対して垂直方向のレーザ光入射で、確実に、レーザ光を光導波路に光結合させることができるとともに、光導波路内を目的とする方向に伝搬させることができ、例えば、極小サイズの磁気記録ヘッドであって光導波路を備える熱アシスト磁気記録ヘッド、光伝送部品、Si細線導波路などに適用可能である。なお、レーザ光を発生させるレーザダイオードとしては、InP系、GaAs系、GaN系等の、通信用、光学系ディスクストレージ用又は材料分析用等として通常用いられているものが使用可能であり、放射されるレーザ光の波長λLは、例えば375nm~1.7μmの範囲内のいずれの値のものを用いてもよい。また、図1~図4に示されるような光導波路の積層構成は、スパッタ、ミリング、RIE、フォトレジスト手法等の薄膜製造技術を利用して積層することができる。以下、本発明の光導波路が好適に適用される熱アシスト磁気記録ヘッドの好適例について説明する。ただし、以下に詳述する熱アシスト磁気記録ヘッドそのものの構造に限定されるものではない。熱アシスト磁気記録ヘッドの説明熱アシスト磁気記録ヘッドの説明をする前に、本明細書において用いられる用語の定義を行う。磁気記録ヘッドのスライダ基板の素子形成面に形成された積層構造もしくは素子構造において、基準となる層又は素子から見て、基板側を下方とし、その反対側を上方とする。また、磁気ヘッドの実施形態において、必要に応じていくつかの図面中、X,Y,Z方向を規定している。ここで、Z軸方向は、上述の上下方向に対応しており、Z側がトレーリング側に相当し、-Z側がリーディング側に相当する。Y軸方向をトラック幅方向とし、X軸方向をハイト方向とする。また、磁気記録ヘッドの説明において当該磁気記録ヘッド内に設けられた導波路の側面とは、導波路を取り囲む端面のうち、導波路を伝播する光の伝播方向-X方向に垂直な端面以外の端面を指すものとする。従って、磁気記録ヘッドの説明における導波路の上面または下面もこの側面の1つであり、この側面は、コアに相当する導波路において伝播する光が全反射し得る面となる。図5は、磁気記録装置およびHGAヘッドジンバルアセンブリの一実施形態における要部の構成を概略的に示す斜視図である。ここで、HGAの斜視図においては、HGAの磁気記録媒体表面に対向する側が上になって表示されている。図5に示される磁気記録装置としての磁気ディスク装置は、スピンドルモータ11の回転軸の回りを回転する、磁気記録媒体としての複数の磁気ディスク10と、複数の駆動アーム14が設けられたアセンブリキャリッジ装置12と、各駆動アーム14の先端部に取り付けられており薄膜磁気ヘッドである熱アシスト磁気記録ヘッド21を備えたヘッドジンバルアセンブリHGA17と、熱アシスト磁気記録ヘッド21の書き込みおよび読み出し動作を制御し、さらに、後述する熱アシスト磁気記録用のレーザ光を発生させる光源であるレーザダイオードの発光動作を制御するための記録再生および発光制御回路13とを備えている。磁気ディスク10は、本実施の形態において、垂直磁気記録用であり、ディスク基板に、軟磁性裏打ち層、中間層および磁気記録層垂直磁化層が順次積層された構造を有している。アセンブリキャリッジ装置12は、熱アシスト磁気記録ヘッド21を、磁気ディスク10の磁気記録層に形成されており記録ビットが並ぶトラック上に位置決めするための装置である。アセンブリキャリッジ装置12内において、駆動アーム14は、ピポットベアリング軸16に沿った方向にスタックされており、ボイスコイルモータVCM15によってこの軸16を中心にして角揺動可能となっている。なお、本発明に係る磁気ディスク装置の構造は、以上に述べた構造に限定されるものではない。例えば、磁気ディスク10、駆動アーム14、HGA17および熱アシスト磁気記録ヘッド21は、単数であってもよい。さらに、同様の図5によれば、HGA17において、サスペンション20は、ロードビーム200と、このロードビーム200に固着されておりしかも弾性を有するフレクシャ201と、ロードビーム200の基部に設けられたベースプレート202と、を備えて構成されている。また、フレクシャ201上には、リード導体およびその両端に電気的に接続された接続パッドからなる配線部材203が設けられている。熱アシスト磁気記録ヘッド21は、各磁気ディスク10の表面に対して所定の間隔浮上量をもって対向するように、サスペンション20の先端部であってフレクシャ201に固着されている。さらに、配線部材203の一端が、熱アシスト磁気記録ヘッド21の端子電極に電気的に接続されている。なお、サスペンション20の構造も、以上に述べた構造に限定されるものではない。図示されていないが、サスペンション20の途中にヘッド駆動用ICチップが装着されていてもよい。図6は、本発明による熱アシスト磁気記録ヘッド21の一実施形態を示す斜視図である。ただし、図6のヘッドにおいて、光導波路の基部である広幅のコア基部に形成されたグレーティング格子に対して、レーザ光を垂直方向に入射させるレーザ光発生装置光源ユニットの記載は省略してある。垂直方向に入射されるレーザ光は、単に照射状態を矢印LAで示すに留まっている。レーザ光発生装置光源ユニットは、例えば、図1に示されるように、光導波路のコアに対向するように配置してもよいし、図4に示されるように光導波路のコアの後部に配置されて、反射膜を介してグレーティング格子に垂直入射させるようにしてもよい。ヘッド内への取り付け手法には種々の形態が考えられる。レーザ光発生装置光源ユニットは、すでに外部で予め形成していたものをヘッド内に取り付けるようにしてもよいし、ヘッド内に成膜技術を応用して薄膜形成するようにしてもよい。図6に示されるように、熱アシスト磁気記録ヘッド21は、スライダ22を有している。スライダ22は、アルチックAl2O3-TiC等から形成されており、適切な浮上量を得るように加工された媒体対向面である浮上面ABS2200を有するスライダ基板220と、ABS2200とは垂直な素子形成面2202上に形成されたヘッド部221とを備えている。スライダ22のスライダ基板220の素子形成面2202上に形成されたヘッド部221は、磁気ディスクからデータを読み出すためのMR素子33および磁気ディスクにデータを書き込むための電磁変換素子34の双方を備えて構成されるヘッド素子32と、図示していない光源ユニットに備えられたレーザダイオードからのレーザ光を媒体対向面側に導くための導波路35と、導波路35と共に近接場光発生素子を構成するプラズモン発生素子36と、MR素子33、電磁変換素子34、導波路35およびプラズモン発生素子36を覆うように素子形成面2202上に形成された保護層38と、保護層38の上面に露出しておりMR素子33に電気的に接続された一対の端子電極370と、同じく保護層38の上面に露出しており電磁変換素子34に電気的に接続された一対の端子電極371とを備えている。近接場光発生素子は、プラズモン発生素子と導波路からなる。ここで、導波路35は、前記図1~図4を用いて説明したコア1150のコア材料と同じ材料からなり、同義である。導波路35は、図面の紙面の大きさ等の関係から、必ずしも、図1~図4に示されるコア形態と同じに描かれていないこともあるが、実際は同じものである。端子電極370および371は、フレクシャ201図5参照に設けられた配線部材203の接続パッドに電気的に接続される。MR素子33、電磁変換素子34およびプラズモン発生素子36の一端は、ヘッド部221の媒体対向面であるヘッド部端面2210に達している。ここで、ヘッド部端面2210とABS2200とが熱アシスト磁気記録ヘッド21全体の媒体対向面をなしている。実際の書き込み又は読み出し時においては、熱アシスト磁気記録ヘッド21が回転する磁気ディスク表面上において流体力学的に所定の浮上量をもって浮上する。この際、MR素子33および電磁変換素子34の端が、磁気ディスクの磁気記録層の表面と適当なマグネティックスペーシングを介して対向することになる。この状態において、MR素子33が磁気記録層からのデータ信号磁界を感受して読み出しを行い、電磁変換素子34が磁気記録層にデータ信号磁界を印加して書き込みを行う。ここで、書き込みの際、光源ユニットのレーザダイオードから導波路35のグレーティング1200に垂直照射され、導波路35を通って伝播してきたレーザ光が、後に詳述するように、表面プラズモンモードでプラズモン発生素子36に結合し、プラズモン発生素子36に表面プラズモンを励起する。この表面プラズモンが、後述するプラズモン発生素子36に設けられた伝播エッジを、ヘッド部端面2210に向けて伝播することにより、プラズモン発生素子36のヘッド部端面2210側の端において、近接場光が発生する。この近接場光が磁気ディスク表面に達し、磁気ディスクの磁気記録層部分を加熱し、それにより、その部分の異方性磁界保磁力が書き込みを行うことが可能な値にまで低下する。その結果、熱アシスト磁気記録を行うことが可能となる。図7は、熱アシスト磁気記録ヘッド21の要部の構成を概略的に示す、図6のA―A面による断面図に相当する。図7に示されるように、MR素子33は、MR積層体332と、対となってMR積層体332および絶縁層381を挟む位置に配置されている下部シールド層330および上部シールド層334とを含み、素子形成面2202上に形成された絶縁層380上に形成されている。上下部シールド層334および330は、MR積層体332が雑音となる外部磁界を受けることを防止する。上下部シールド層334および330は、例えばフレームめっき法又はスパッタリング法等によって形成された磁性層であり、例えばNiFeパーマロイ、FeSiAlセンダスト、CoFeNi、CoFe、FeN、FeZrN、もしくはCoZrTaCr等、又はこれらの材料の多層膜等の軟磁性材料からなり、厚さは、例えば0.5~3μm程度とされる。MR積層体332は、MR効果を利用して信号磁界を感受する感磁部であり、例えば、面内通電型巨大磁気抵抗効果を利用したCIP-GMR積層体、垂直通電型巨大磁気抵抗効果を利用したCPP-GMR積層体、又はトンネル磁気抵抗効果を利用したTMR積層体のいずれであってよい。これらのMR効果を利用したMR積層体332はいずれにおいても、高い感度で磁気ディスクからの信号磁界を感受することができる。なお、MR積層体332がCPP-GMR積層体又はTMR積層体である場合、上下部シールド層334および330は、電極としての役割も果たす。一方、MR積層体332がCIP-GMR積層体である場合、MR積層体332と上下部シールド層334および330それぞれとの間には絶縁層が設けられ、さらに、MR積層体332に電気的に接続されたMRリード層が設けられる。MR積層体332は、例えば、TMR積層体である場合、例えばIrMn、PtMn、NiMn、RuRhMn等からなる厚さ5~15nm程度の反強磁性層と、例えばCoFe等からなる2つの強磁性層がRu等の非磁性金属層を間に挟んだ構造を有しており、反強磁性層によって磁化方向が固定されている磁化固定層と、例えばAl、AlCu等からなる厚さ0.5~1nm程度の金属膜が真空装置内に導入された酸素によって又は自然酸化によって酸化された非磁性誘電材料からなるトンネルバリア層と、例えば強磁性材料である厚さ1nm程度のCoFe等と厚さ3~4nm程度のNiFe等との2層膜から構成されておりトンネルバリア層を介して磁化固定層との間でトンネル交換結合をなす磁化自由層とが、順次積層された構造を有していてもよい。同じく図7に示されるように、電磁変換素子34は、垂直磁気記録用であって、主磁極層340と、ギャップ層341と、書き込みコイル層343と、コイル絶縁層344と、ライトシールド層345とを備えている。主磁極層340は、Al2O3アルミナ等の絶縁材料からなる絶縁層384上に形成されており、書き込みコイル層343に書き込み電流を印加することによって発生した磁束を、書き込みがなされる磁気ディスクの磁気記録層垂直磁化層まで収束させながら導くための導波路である。主磁極層340は、主磁極3400および主磁極本体部3401が順次積層された構造を有している。このうち、主磁極3400は、ヘッド部端面2210に達しており、トラック幅方向の小さな幅Wp図9を参照を有する第1の主磁極部3400aと、この第1の主磁極部3400a上であって第1の主磁極部3400aの後方X側に位置している第2の主磁極部3400bとを有している。このように、第1の主磁極部3400aが小さな幅Wpを有することによって、微細な書き込み磁界が発生可能となり、トラック幅を高記録密度化に対応した微小値に設定可能となる。主磁極3400は、主磁極本体部3401よりも高い飽和磁束密度を有する軟磁性材料から形成されており、例えば、Feが主成分である鉄系合金材料である、FeNi、FeCo、FeCoNi、FeN又はFeZrN等の軟磁性材料から形成される。第1の主磁極部3400aの厚さは、例えば、0.1~0.8μmである。ギャップ層341は、主磁極層340とライトシールド層345とをヘッド端面300近傍において磁気的に分離させるためのギャップを形成する。ギャップ層341は、Al2O3アルミナ、SiO2二酸化珪素、AlN窒化アルミニウム若しくはダイヤモンドライクカーボンDLC等の非磁性絶縁材料、又はRuルテニウム等の非磁性導電材料で構成されている。ギャップ層341の厚さは、主磁極層340とライトシールド層345との間のギャップを規定しており、例えば、0.01~0.5μm程度である。書き込みコイル層343は、Al2O3アルミナ等の絶縁材料からなる絶縁層3421上において、1ターンの間に少なくとも主磁極層340とライトシールド層345との間を通過するように形成されており、バックコンタクト部3402を中心として巻回するスパイラル構造を有している。この書き込みコイル層343は、例えば、Cu銅等の導電材料から形成されている。ここで、加熱キュアされたフォトレジスト等の絶縁材料からなる書き込みコイル絶縁層344が、書き込みコイル層343を覆っており、書き込みコイル層343と主磁極層340およびライトシールド層345との間を電気的に絶縁している。書き込みコイル層343は、本実施形態において1層であるが、2層以上又はヘリカルコイルでもよい。また、巻き数も図7に示される数に限定されるものではなく、例えば、2~7ターンに設定され得る。ライトシールド層345は、ヘッド部端面2210に達しており、磁気ディスクの磁気記録層垂直磁化層の下に設けられた軟磁性裏打ち層から戻ってきた磁束のための導磁路としての役割を果たす。ライトシールド層345の厚さは、例えば、0.5~5μm程度である。また、ライトシールド層345において、主磁極層340と対向する部分は、同じくヘッド部端面2210に達しており、主磁極層340から発して広がった磁束を取り込むためのトレーリングシールド3450となっている。トレーリングシールド3450は、本実施の形態において、絶縁層3420および主磁極本体部3401とともに平坦化されていて、第1の主磁極部3400aのみならず主磁極本体部3401よりも大きなトラック幅方向の幅を有している。このようなトレーリングシールド3450を設けることによって、トレーリングシールド3450の端部と第1の主磁極部3400aとの間において磁界勾配がより急峻になる。この結果、信号出力のジッタが小さくなって読み出し時のエラーレートが低減可能となる。また、ライトシールド層345は、軟磁性材料から形成されるが、特に、トレーリングシールド3450は、高飽和磁束密度を有する、NiFeパーマロイ又は主磁極3400と同様の鉄系合金材料等から形成される。同じく図7に示されるように、導波路35およびプラズモン発生素子36は、MR素子33と電磁変換素子34との間に設けられており、ヘッド部221内の光学系である近接場光Generatorをなす。ここで、導波路35図1~2、図4における符号1150と同義であるは、素子形成面2202と平行に形成されており、ヘッド部端面2210側の端面350まで伸張されている。また、導波路35の上面側面の一部とプラズモン発生素子36の伝播エッジ360図8を含む下面の一部とは、所定の間隔をもって対向しており、これら一部に挟まれた部分は、導波路35の屈折率よりも低い屈折率を有する緩衝部50となっている。緩衝部50は、導波路35を伝播するレーザ光を、表面プラズモンモードでプラズモン発生素子36に結合させる役割を果たす。なお、この緩衝部50は、保護層38の一部である絶縁層384の一部であってもよいし、絶縁層384とは別に設けられた新たな層であってもよい。これら、導波路35、プラズモン発生素子36および緩衝部50については、さらに、図8を参照して説明を加える。また、本実施形態においては、MR素子33と電磁変換素子34導波路35との間に、絶縁層382および383に挟まれた素子間シールド層39が設けられている。この素子間シールド層39は、電磁変換素子34より発生する磁界からMR素子33をシールドする役割を果たしており、上下部シールド層334および330と同じ軟磁性材料で形成されていてもよい。なお、素子間シールド層39は必ずしも必要ではなく、素子間シールド層39が存在しない形態であってもよい。また、この素子間シールド層39と導波路35との間に、バッキングコイル部が形成されていてもよい。バッキングコイル部は、電磁変換素子34から発生してMR効果素子33の上下部シールド層334および330を経由する磁束ループを打ち消す磁束を発生させて、磁気ディスクへの不要な書き込み動作又は消去動作である広域隣接トラック消去WATEwideareaadjacenttrackeraser現象の抑制を図るものである。なお、図7や図8に示されるヘッドの形態において、導波路35とプラズモン発生素子36が結合される領域においては、レーザ光の電場の振動方向が、垂直Z軸方向:TMモードの偏光であることが必要である。図8は、導波路35、プラズモン発生素子36および主磁極層340の構成を概略的に示す斜視図である。同図においては、書き込み磁界および近接場光が磁気記録媒体に向かって放射される位置を含むヘッド部端面2210が、左側に位置している。図8に示されるように、近接場光発生用のレーザ光53を伝播させるための導波路35と、レーザ光53によって励起される表面プラズモンが伝播するエッジである伝播エッジ360を備えたプラズモン発生素子36とが設けられている。なお、図8に部分的に示されている導波路35の箇所は、図1~図4における狭幅の先端コア部1153に相当している。さらに、導波路35の側面354の一部と、この一部に対向したプラズモン発生素子36の伝播エッジ360を含む下面362の一部との間に挟まれた部分が、緩衝部50となっている。すなわち、伝播エッジ360の一部は、緩衝部50に覆われている。緩衝部50は、レーザ光53を表面プラズモンモードでプラズモン発生素子36に結合させる役割を果たす。ここで、導波路35の側面とは、導波路35を取り囲む端面のうち、レーザ光53の伝播方向-X方向に垂直なヘッド部端面2210側の端面350およびその反対側の端面図示していない以外の端面を指すものとする。この側面は、コアに相当する導波路35において伝播するレーザ光53が全反射し得る面となる。なお、本実施形態において、一部が緩衝部50に接面した導波路35の側面354は、導波路35の上面となっている。また、緩衝部50は、保護層38図6参照の一部であってもよいし、保護層38とは別に設けられた新たな層であってもよい。プラズモン発生素子36は、さらに、ヘッド部端面2210に達した近接場光発生端面36aを備えている。この近接場光発生端面36aは、主磁極3400のヘッド部端面2210に達した端面3400eに近接している。また、伝播エッジ360は、レーザ光53と表面プラズモンモードで結合する部分である緩衝部50に覆われた部分から、近接場光発生端面36aまで伸張しており、レーザ光53によって励起される表面プラズモンを近接場光発生端面36aまで伝播させる役割を果たす。ここで、伝播エッジ360のヘッド部端面2210側の部分は、近接場光発生端面36aに向かうにつれて、プラズモン発生素子36の伝播エッジ360とは反対側の端面361に近づくように伸張している直線状又は曲線状となっている。なお、伝播エッジ360の角は、表面プラズモンが伝播エッジ360から逃げてしまう現象を防止するために、丸められていてもよい。この際、丸められた角の曲率半径は、例えば5~500nmとされる。また、プラズモン発生素子36は、本実施の形態において、ヘッド部端面2210の近傍において、近接場光発生端面36aに向かってハイト方向Z軸方向に先細となる形状を有している。また、プラズモン発生素子36においては、YZ面による断面が三角形状を有しており、特にヘッド部端面2210の近傍において所定の三角形状を有している。その結果、近接場光発生端面36aは、本実施形態において、端面36aに達した伝播エッジ360の端を1つの頂点とする三角形状を有している図9参照。ここで、伝播エッジ360を伝播する表面プラズモンが近接場光発生端面36aに至って、近接場光発生端面36aから近接場光が発生する。導波路35および緩衝部50は、プラズモン発生素子36の-Z側図面の下方側、すなわち主磁極3400とは反対側に設けられている。その結果、緩衝部50に覆われた伝播エッジ360も主磁極3400とは反対側に位置することになる。このような構成においては、書き込み磁界を発生させる主磁極3400の端面3400eと近接場光を発生させる近接場光発生端面36aとの距離を十分に、好ましくは100nm以下に小さくした状態においても、導波路35を、主磁極3400および主磁極本体部3401から十分に離隔させることができる。その結果、レーザ光53の一部が金属からなる主磁極3400および主磁極本体部3401に吸収されてしまって近接場光に変換される光量が低減してしまう事態を回避することができる。図8に示されるように、導波路35ここでは図1~図4における狭幅の先端コア部1153と同義の形状は直方体でもよいが、ヘッド部端面2210側の部分のトラック幅方向Y軸方向の幅が狭くなっていてもよい。端面350側の部分におけるトラック幅方向Y軸方向の幅WWG2は、例えば約0.3~100μmとすることができ、Z軸方向の厚さTWGは、例えば0.1~4μmとすることができる。X軸方向の高さ長さは、例えば10~300μmとすることができる。また、導波路35の側面、すなわち上面354、下面353、およびトラック幅方向Y軸方向の両側面351は、緩衝部50と接面した部分を除いて、保護層38図6参照と接している。ここで、導波路35は、保護層38の構成材料の屈折率nOCよりも高い屈折率nWGを有する、例えばスパッタリング法等を用いて形成された材料から構成されている。例えば、レーザ光の波長λLが633nmであって、保護層38が、SiO2n=1.5から形成されている場合、導波路35は、Al2O3n=1.63から形成されていてもよい。さらに、保護層38が、Al2O3n=1.63から形成されている場合、導波路35は、SiOXNYn=1.7~1.85、Ta2O5n=2.16、Nb2O5n=2.33、TiOn=2.3~2.55又はTiO2n=2.3~2.55から形成されていてもよい。導波路35をこのような材料で構成することによって、材料そのものが有する良好な光学特性によってレーザ光53の伝播損失が低く抑えられる。さらに、導波路35がコアとして働く一方、保護層38がクラッドとしての機能を果たし、全側面での全反射条件が整うことになる。これにより、より多くのレーザ光53が緩衝部50の位置に達し、導波路35の伝播効率が向上する。プラズモン発生素子36は、金属等の導電材料、例えばPd、Pt、Rh、Ir、Ru、Au、Ag、Cu若しくはAl、又はこれら元素のうちの複数の合金から形成されていることが好ましい。また、プラズモン発生素子36の上面361におけるトラック幅方向Y軸方向の幅WNFは、レーザ光53の波長よりも十分に小さく、例えば約10~100nmとすることができ、Z軸方向の厚さTNF1も、レーザ光53の波長よりも十分に小さく、例えば約10~100nmとすることができ、X軸方向の長さ高さHNFは、例えば約0.8~6.0μmとすることができる。緩衝部50は、導波路35の屈折率nWGよりも低い屈折率nBFを有する誘電材料で形成されている。例えば、レーザ光の波長λLが633nmであって、導波路35が、Al2O3n=1.63から形成されている場合、緩衝部50は、SiO2n=1.46から形成されていてもよい。また、導波路35が、Ta2O5n=2.16から形成されている場合、緩衝部50は、SiO2n=1.46又はAl2O3n=1.63から形成されていてもよい。これらの場合、この緩衝部50を、SiO2n=1.46又はAl2O3n=1.63からなるクラッドとしての保護層38図6の一部とすることも可能である。また、緩衝部50のX軸方向の長さ、すなわち導波路35とプラズモン発生素子36との結合部分の長さLBFは、0.5~5μmであることが好ましい。緩衝部50のZ軸方向の厚さTBFは、10~200nmであることが好ましい。これら緩衝部50の長さLBFおよび厚さTBFは、表面プラズモンの適切な励起、伝播を得るために重要なパラメータとなる。また、緩衝部50のヘッド部端面2210側の端は、X軸方向においてヘッド部端面2210から距離DBFだけ離隔している。表面プラズモンの伝播距離は、この距離DBFによって調整される。同じく図8に示されるように、プラズモン発生素子36と第1の主磁極部3400aとの間であってヘッド部端面2210側の位置に、熱伝導層51が設けられることが好ましい。この熱伝導層51は、保護層38図6参照に比べて熱伝導率の高い、例えばAlN、SiC又はDLC等の絶縁材料で形成されている。このような熱伝導層51を設けることによって、プラズモン発生素子36が近接場光を発生させる際に生じる熱の一部を、この熱伝導層51を介して主磁極3400および主磁極本体部3401に逃がすことができる。すなわち、主磁極3400および主磁極本体部3401をヒートシンクとして用いることができる。その結果、プラズモン発生素子36の過度の温度上昇を抑制することができ、近接場光発生端面36aの不要な突出や、プラズモン発生素子36における光利用効率OpticalPowerEfficiencyの大幅な低下を回避することができる。この熱伝導層51の厚さTTCは、ヘッド部端面2210上における近接場光発生端面36aと主磁極3400の端面3400eとの間隔DNP図9参照に相当し、100nm以下の十分に小さい値に設定される。さらに、熱伝導層51の屈折率nIN2は、プラズモン発生素子36の伝播エッジ360を覆う絶縁層52の屈折率nIN1と同じに、又はそれよりも低くなるように設定されている。すなわち、プラズモン発生素子36の伝播エッジ360は、自身とは反対側の端面361を覆う材料の屈折率nIN2と同じか、又はそれよりも高い屈折率nIN1を有する材料で覆われていることになる。これにより、伝播エッジ360上を表面プラズモンが安定して伝播することが可能となる。実際には、屈折率nIN1≧屈折率nIN2×1.5であることが好ましいことが分かっている。同じく図8に示されるように、主磁極層340は、上述したように、主磁極3400と主磁極本体部3401とを含む。このうち、主磁極3400は、ヘッド部端面2210に達した端面3400eを有する第1の主磁極部3400aと、ヘッド部端面2210側の端部が第1の主磁極部3400aのヘッド部端面2210とは反対側の部分上に重なっている第2の主磁極部3400bとを含む。また、主磁極本体部3401のヘッド部端面2210側の端部は、第2の主磁極部3400bのヘッド部端面2210とは反対側の部分上に重なっている。このように、主磁極層340のヘッド部端面2210側の部分は、ヘッド部端面2210に向かうにつれて、プラズモン発生素子36のヘッド部端面2210側の端部に近づくように素子形成面2202図7参照に対して傾斜している。これにより、主磁極層340を導波路35から十分に隔離させた上で、主磁極3400の端面3400eと近接場光発生端面36aとを十分に近接させることができる。図9は、プラズモン発生素子36および電磁変換素子34のヘッド部端面2210上での端面の形状を示す平面図である。図9に示されるように、電磁変換素子34においては、主磁極3400第1の主磁極部3400aとライトシールド層345トレーリングシールド3450とがヘッド部端面2210に達している。このうち、主磁極3400のヘッド部端面2210上における端面3400eの形状は、例えば、長方形、正方形又は台形である。ここで、上述した幅WPは、この主磁極3400の端面3400eにおけるリーディング側の辺の長さであり、磁気ディスクの磁気記録層に形成されるトラックの幅を規定する。幅WPは、例えば0.05~0.5μm程度である。また、ヘッド部端面2210上において、プラズモン発生素子36の近接場光発生端面36aは、主磁極3400の端面3400eの近傍にあって、端面3400eのリーディング側-Z側に位置している。ここで、近接場光発生端面36aと端面3400eとの間隔をDNPとすると、間隔DNPは、100nm以下の十分に小さい値であって、特に、20nm以上であることが好ましく、30nm以上であることがより好ましい。本実施形態の熱アシスト磁気記録においては、この近接場光発生端面36aが主要な加熱作用部分となり、端面3400eが書き込み部分となるので、磁気ディスクの磁気記録層において十分に加熱した部分に、十分に大きな勾配を有する書き込み磁界を印加することができる。これにより、熱アシストによる安定した書き込み動作が確実に実施可能となる。さらに、近接場光発生端面36aは、本実施形態において、ヘッド部端面2210上で、底辺361aをトレーリング側Z側に持ち、伝播エッジ360の端360aをリーディング側-Z側の頂点とする二等辺三角形となっている。この近接場光発生端面36aの高さプラズモン発生素子36のヘッド部端面2210における厚さTNF2は、30nm以下とすることが好ましく、20nm以下とすることがより好ましい。これにより、近接場光発生端面36a上における近接場光の発光位置が、トレーリング側の端辺361a近傍となり、より主磁極3400の端面3400eに近づくこととなる。また、二等辺三角形の頂点360aにおける頂角θNFは、60~130度であることが好ましく、特に、80~110度であることがより好ましい。この頂角θNFを調整することによって、近接場光発生端面36a内における近接場光の発光位置を、トレーリング側にすることが可能となる。さらに、導波路35と主磁極3400との間隔をDWPとすると、上述したように間隔DNPを非常に小さい値に設定した上で、間隔DWPを十分に大きくすることができる。すなわち、図9に示される構成によれば、導波路35を、主磁極3400および主磁極本体部3401から十分に離隔させることができる。その結果、レーザ光の一部が金属からなる主磁極3400又は主磁極本体部3401に吸収されてしまって近接場光に変換される光量が低減してしまう事態を回避することができる。図10は、表面プラズモンモードを利用した熱アシスト磁気記録を説明するための概略図である。図10に示されるように、電磁変換素子34による磁気ディスク10の磁気記録層への書き込みの際、最初に、光源ユニット23のレーザダイオード40から放射されたレーザ光53が、導波路35を伝播する。次いで、緩衝部50の近傍まで進行したレーザ光53は、屈折率nWGを有する導波路35と、屈折率nBFを有する緩衝部50と、金属等の導電材料からなるプラズモン発生素子36との光学的構成と結びついて、プラズモン発生素子36の伝播エッジ360に表面プラズモンモードを誘起する。すなわち、表面プラズモンモードでプラズモン発生素子36に結合する。実際には、コアである導波路35と緩衝部50との光学的な界面条件から、緩衝部50内にエバネッセント光が励起される。次いで、このエバネッセント光と、プラズモン発生素子36の金属表面伝播エッジ360に励起される電荷のゆらぎとが結合する形で表面プラズモンモードが誘起され、表面プラズモンが励起される。なお、正確には、この系においては素励起である表面プラズモンが電磁波と結合することになるので、励起されるのは表面プラズモンポラリトンである。しかしながら以後、省略して、表面プラズモンポラリトンを表面プラズモンとも呼ぶ。伝播エッジ360は、プラズモン発生素子36の傾斜した下面362において導波路35に最も近い位置にあり、また角部であって電場が集中しやすいので、表面プラズモンが励起されやすい。この際、この表面プラズモンモードの誘起は、緩衝部50の屈折率nBFを導波路35の屈折率nWGよりも小さく設定しnBF<nWG、さらに、上述したように緩衝部50のX軸方向の高さ、すなわち導波路35とプラズモン発生素子36との結合部分の長さLBFと、Z軸方向の緩衝部50の厚さTBFとを適切に選択することによって可能となる。この表面プラズモンモードの誘起は、例えば、MichaelHochbergTomBaehrJonesChrisWalkerAxelSchererIntegratedPlasmonanddielectric導波路sOPTICSEXPRESSVol12No22pp54815486、およびUSpatentPublicationNo20050249451A1に記載されている。この誘起された表面プラズモンモードにおいては、表面プラズモン60が、プラズモン発生素子36の伝播エッジ360上に励起され、この伝播エッジ360上を矢印61の方向に沿って伝播する。この表面プラズモン60の伝播は、プラズモン発生素子36の伝播エッジ360が自身とは反対側の端面361を覆う材料の屈折率nIN2と同じか、又はそれよりも高い屈折率nIN1を有する材料で覆われている。という条件の下、可能となる。実際には、屈折率nIN1≧屈折率nIN2×1.5であることが好ましいことが分かっている。図11においては、熱伝導層51の屈折率nIN2が、近接場光発生層36の伝播面360を覆う絶縁層52の屈折率nIN1よりも低くなるように設定される。このように表面プラズモン60が伝播することにより、ヘッド部端面2210に達しており伝播エッジ360の行き着く先である頂点360aを有する近接場光発生端面36aに、表面プラズモン60すなわち電場が集中することになる。その結果、この近接場光発生端面36aから近接場光62が発生する。この近接場光62が磁気ディスク10の磁気記録層に向けて照射され、磁気ディスク10の表面に達し、磁気ディスク10の磁気記録層部分を加熱する。これにより、その部分の異方性磁界保磁力が書き込みを行うことが可能な値にまで低下する。その直後、この部分に、主磁極3400から発生する書き込み磁界63を印加して書き込みを行う。このような手順を踏んで、熱アシスト磁気記録を行うことが可能となる。ここで、上述したように、ヘッド部端面2210上での近接場光発生端面36aの形状およびサイズを調整することによって、近接場光発生端面36a上での近接場光62の発光位置を、第1の主磁極部3400aにより近いトレーリング側端辺361a側に位置させることができる。これにより、磁気ディスク10の磁気記録層における十分に加熱した部分に、十分に大きな勾配を有する書き込み磁界を印加することができる。その結果、熱アシストによる安定した書き込み動作が確実に実施可能となる。また、上記のプラズモン発生素子36において、表面プラズモンが伝播する伝播エッジ360は、非常に狭いトラック幅方向の幅を有する伝播領域となっている。また、本実施形態においては、プラズモン発生素子36のYZ面による断面が三角形状を有しており、特にヘッド部端面2210の近傍において所定の三角形状を有している。従って、ヘッド製造の際の研磨加工後のヘッド部端面2210において、研磨面として現れる近接場光発生端面36aを、所望の形状本実施形態では三角形状とし、そのサイズを非常に小さくし、その上で確実に表面プラズモンが伝播されてくるようにすることが可能となる。また、以上に述べたような表面プラズモンモードを利用した熱アシスト磁気記録においては、プラズモン発生素子36における光利用効率OpticalPowerEfficiencyが、従来のプラズモン発生素子を用いた場合の報告例に見られるように5~10程度又はそれ未満であったのに対して、例えば約20前後となり、大幅に向上する。これにより、プラズモン発生素子36が過度に温度上昇することがなく、近接場光発生端面36aの磁気ディスク10に向かう方向の突出が抑制される。さらに、従来の、導波路を伝播するレーザ光がヘッド端面の位置に設けられたプラズモン発生素子に直接照射される形態においては、照射されたレーザ光の多くの部分が、プラズモン発生素子内で熱エネルギーに変わってしまう。一方、このプラズモン発生素子のサイズはレーザ光の波長以下に設定されており、その体積は非常に小さい。従って、この熱エネルギーによって、プラズモン発生素子は非常な高温、例えば500°Cにまで達していた。これに対して、本実施の形態における熱アシスト磁気記録においては、表面プラズモンモードを利用しており、表面プラズモン60をヘッド部端面2210に向かって伝播させることによって近接場光62を発生させている。これにより、近接場光発生端面36aにおける近接場光発生時の温度が、例えば約100°C前後となり大幅に低減する。その結果、近接場光発生端面36aの磁気ディスク10に向かう方向の突出が抑制され、良好な熱アシスト磁気記録が可能となる。なお、図8~図10に示されるようなプラズモン発生素子36の形態を、図12~図13に示されるようなプラズモン発生素子36 ́に変更して使用するようにしてもよい。図12~図13に示されるプラズモン発生素子36 ́は、ABS側の端面36aが断面V字形状であり、かつ、同じ形態がX方向に延設された形態を有している。この場合、主磁極3400の下部は、断面V字形状の凸部3400 ́がーZ方向に延設された形態を有しており、この断面V字形状の凸部3400 ́に断面V字形状のプラズモン発生素子36 ́が密着される構成となっている。プラズモン発生素子36 ́のV字の先端が伝播エッジとなり、ここで表面プラズモンモードを誘起する。すなわち、緩衝部の近傍まで進行した導波路35中のレーザ光は、緩衝部と、プラズモン発生素子36 ́との光学的構成と結びついて、プラズモン発生素子36 ́の伝播エッジに表面プラズモンモードを誘起する。この誘起された表面プラズモンモードにおいては、表面プラズモンが、プラズモン発生素子36 ́の伝播エッジ上に励起され、この伝播エッジ上をABS方向-X方向に沿って伝播して、伝播エッジのABS端面から磁気記録媒体に向けて、近接場光が発せられる。このような形態とすることによって、磁極の近傍に、発光位置が制御された近接場光発光素子を配置することが可能となり、書き込み用の磁極と近接場光発光素子との距離を近づけることができる。なお、図12~図13に示されるプラズモン発生素子36 ́の形態に限定されることなく、変形例として、断面V字形状のV字の上端部の両側にそれぞれウイングY方向、およびーY方向を付加したり、あるいは、ABS端面近傍が断面V字形状であって、奥域X方向に進むにつれてあたかも船状に広がる形態部分を備えるプラズモン発生素子としてもよい。この変形例の場合もやはり、磁極は、プラズモン発生素子の凹部と密着されるような凸形状を有するように構成される。図11は、図5に示した磁気ディスク装置の記録再生および発光制御回路13の回路構成を示すブロック図である。図11において、90は制御LSI、91は、制御LSI90から記録データを受け取るライトゲート、92はライト回路、93は、レーザダイオード40に供給する動作電流値の制御用テーブル等を格納するROM、95は、MR効果素子33へセンス電流を供給する定電流回路、96は、MR効果素子33の出力電圧を増幅する増幅器、97は、制御LSI90に対して再生データを出力する復調回路、98は温度検出器、99は、レーザダイオード40の制御回路をそれぞれ示している。制御LSI90から出力される記録データは、ライトゲート91に供給される。ライトゲート91は、制御LSI90から出力される記録制御信号が書き込み動作を指示するときのみ、記録データをライト回路92へ供給する。ライト回路92は、この記録データに従って書き込みコイル層343に書き込み電流を流し、主磁極3400から発生する書き込み磁界により磁気ディスク上に書き込みを行う。制御LSI90から出力される再生制御信号が読み出し動作を指示するときのみ、定電流回路95からMR積層体332に定電流が流れる。このMR効果素子33により再生された信号は増幅器96で増幅された後、復調回路97で復調され、得られた再生データが制御LSI90に出力される。レーザ制御回路99は、制御LSI90から出力されるレーザON/OFF信号および動作電流制御信号を受け取る。このレーザON/OFF信号がオン動作指示である場合、発振しきい値以上の動作電流がレーザダイオード40に印加される。これによりレーザダイオード40が発光し、レーザ光が導波路35を伝播して、表面プラズモンモードでプラズモン発生素子36に結合する。これにより、プラズモン発生素子36の端から近接場光が発生し、磁気ディスクの磁気記録層に照射され、磁気記録層を加熱する。この際の動作電流値は、動作電流制御信号に応じた値に制御される。制御LSI90は、記録再生動作とのタイミングに応じてレーザON/OFF信号を発生させ、温度検出器98によって測定された磁気ディスクの磁気記録層の温度等を考慮し、ROM93内の制御テーブルに基づいて、動作電流値制御信号の値を決定する。ここで、制御テーブルは、発振しきい値および光出力-動作電流特性の温度依存性のみならず、動作電流値と熱アシスト作用を受けた磁気記録層の温度上昇分との関係、および磁気記録層の異方性磁界保磁力の温度依存性についてのデータも含んでいてもよい。このように、記録/再生動作制御信号系とは独立して、レーザON/OFF信号および動作電流値制御信号系を設けることによって、単純に記録動作に連動したレーザダイオード40への通電のみならず、より多様な通電モードを実現することができる。なお、記録再生および発光制御回路13の回路構成は、図11に示したものに限定されるものではないことは明らかである。記録制御信号および再生制御信号以外の信号で書き込み動作および読み出し動作を特定してもよい。上記の内容を考慮しつつ、本発明の光導波路を熱アシスト磁気記録ヘッドに応用する場合、コア1150の形態は、図14や図15に示される形態とすることが望ましい。図14に示されるコア1150は、上述してきた伝搬エッジを備えるプラズモン発生素子36、36 ́との組み合わせ使用において、特に、好適である。図14に示されるコア1150は、狭幅の先端コア部1153にTE-TM変換素子777を設けており、これにより、コア基部1151および絞り部1152においてTEモードの偏光振動方向Y方向で伝搬されているレーザ光を、表面プラズモンモードでプラズモン発生素子36に結合できるように、TMモードの偏光振動方向Z方向に変換している。また、図15に示されるコア1150は、狭幅の先端コア部1153をさらに細幅に絞り込んだ先端部1154を設け、その先端にプラズモン発生素子チップ3600を直接付着させた構造を備えている。この形態は近接場光を発生させるもっともシンプルかつオーソドックスな形態である。この場合、プラズモン結合させる必要性がないため、TEモードの偏光振動方向Y方向のままで、プラズモン発生素子チップに至るまで光伝搬される。上述してきた本発明の光導波路について、具体的実施例を示し本発明をさらに詳細に説明する。実験例I図1~図3に示されるような形態の光導波路において、グレーティング1200に照射された光がどの程度導波路内で光結合して伝搬するのかの指標となる光強度をシミュレーションによって解析した実験例を示す。パラメータは、図3に示されるコア基部1151の厚さH2に対するグレーティング1200の凹溝1201の深さH1の比H1/H2である。<シュミレーション条件>コアの材料:TaOx屈折率:2.15コア寸法:広幅のコア基部1151幅W1=4μm;長さL1=50μm絞り部1152長さL2=100μm狭幅の先端コア部1153幅W3=0.5μm;長さL3=30μm厚さH2=0.3μmクラッドの材料:SiO2屈折率:1.45使用レーザ光:波長800nmクラッド内での換算波長、TM偏波グレーティング1200の仕様:Singlegrating格子長WoY方向=10μm格子ピッチP=0.54μm格子の凹溝1201の深さH1パラメータ凹溝1201にクラッド材を充填凹溝1201の個数;20本反射膜1159:コア基部の導波方向と反対側の端面に厚さ100nmのAuシミュレーションによって解析した結果を下記表1に示した。なお、光強度の測定位置は、L2とL1の間の場所とした。上記表1において、凸25とは、コア平面を基準として、コア厚さに対して25突出した凸状グレーティングを意味する。凸50とは、コア平面を基準として、コア厚さに対して50突出した凸状グレーティングを意味する。上記の結果より、本発明の効果は明らかである。すなわち、本発明の光導波路は、光が伝播される導波路であるコアと、その周囲を囲むクラッドと、を有する光導波路であって、前記コアは、平板形状をなしており、光が入射される広幅のコア基部と、このコア基部に連接されて導波方向に沿って幅が徐々に絞られる絞り部と、この絞り部に連接され導波方向に沿って延設された狭幅の先端コア部とを有し、前記広幅のコア基部の一方の平面の上には、グレーティング格子を備えており、当該グレーティングは、平面に多数の断面矩形状の凹溝を幅方向に沿って刻むことによって構成されており、前記グレーティングは、当該グレーティング形成面に垂直入射されるレーザ光との光結合ができるように構成されており、前記グレーティングの周期格子ピッチ:凹溝のピッチは、垂直入射されるレーザ光の波長当該波長はクラッド内での波長として規定されるよりも小さくなるように構成されており、前記グレーティングの溝深さH1は、コア基部の厚さH2に対して、H1=0.33~0.67H2の関係を満たすよう形成されているので、光導波路に対して垂直方向のレーザ光入射で、確実に、レーザ光を光導波路に光結合させ、光導波路内を目的とする方向に向けて伝搬させることができる。これにより、レーザ光発生装置との配置関係をシンプルにして、レーザ光発生装置の設置を簡単に行うことが可能となる。"