"減圧下において基板に被膜を形成する成膜室と、前記成膜室内に生じた可燃性の副生成物に点火する点火部と、前記成膜室に酸素ガスを供給する第一のガス供給部と、前記成膜室に窒素ガスを供給する第二のガス供給部と、前記成膜室内の圧力を測定する第一の検出部と、を備えたことを特徴とする成膜装置。請求項1に記載した成膜装置であって、前記成膜室には、前記副生成物の温度を測定する第二の検出部が設けられていることを特徴とする。請求項1または2に記載した成膜装置であって、前記成膜室には、この成膜室内の空間温度を測定する第三の温度検出部が設けられていることを特徴とする。減圧下において基板に被膜を形成する成膜装置のメンテナンス方法であって、前記成膜装置の成膜室内から被膜が形成された前記基板をこの成膜室外へ搬送し、前記成膜室に酸素ガスを導入し、成膜によって生じた可燃性の副生成物に点火し、前記副生成物を燃焼させ、前記成膜室内に窒素ガスを導入し、前記副生成物を燃焼させる際に生じた不燃性の酸化副生成物を前記成膜室から除去することを特徴とする成膜装置のメンテナンス方法。前記副生成物を燃焼させる際に、前記成膜室内の圧力が略一定となるように前記酸素ガスを前記成膜室に補給することを特徴とする請求項4に記載の成膜装置のメンテナンス方法。前記副生成物を燃焼させる際に、前記成膜室の排気系統は閉鎖されることを特徴とする請求項4または5に記載の成膜装置のメンテナンス方法。前記可燃性の副生成物に点火する際及び前記副生成物を燃焼させる際には、前記成膜室内の圧力が略同一になるように圧力制御を行うことを特徴とする請求項4ないし6のいずれか1項に記載した成膜装置のメンテナンス方法。前記可燃性の副生成物に点火する際には、前記副生成物を燃焼させる時よりも前記成膜室内の圧力が低圧となるように圧力制御を行うことを特徴とする請求項4ないし6のいずれか1項に記載した成膜装置のメンテナンス方法。前記成膜室から排気される排気ガスを窒素ガスで希釈することを特徴とする請求項4ないし8のいずれか1項に記載した成膜装置のメンテナンス方法。本発明は、このような従来の実情に鑑みてなされたものであり、シリコン膜を成膜する際に生じるポリシランを含む副生成物を、非成膜時に迅速かつ簡便に処理することが可能な成膜装置を提供することを第一の目的とする。さらに、本発明は、シリコン膜を成膜する際に生じるポリシランを含む副生成物を、非成膜時に迅速かつ簡便に処理することが可能な成膜装置のメンテナンス方法を提供することを第二の目的とする。上記課題を解決して上記の第一および第二の目的を達成するために、本発明のいくつかの態様は次のような成膜装置、成膜装置のメンテナンス方法を提供した。1本発明の一態様に係る成膜装置は、減圧下において基板に被膜を形成する成膜室と、前記成膜室内に生じた可燃性の副生成物に点火する点火部と、前記成膜室に酸素ガスを供給する第一のガス供給部と、前記成膜室に窒素ガスを供給する第二のガス供給部と、前記成膜室内の圧力を測定する第一の検出部と、を備える。2上記1に記載の成膜装置では、前記成膜室に、前記副生成物の温度を測定する第二の検出部が設けられていてもよい。3上記1または2に記載の成膜装置では、前記成膜室に、前記成膜室内の空間温度を測定する第三の温度検出部が設けられていてもよい。4本発明の一態様に係る成膜装置のメンテナンス方法は、減圧下において基板に被膜を形成する成膜装置のメンテナンス方法であって、前記成膜装置の成膜室内から被膜が形成された前記基板をこの成膜室外へ搬送し工程A、前記成膜室内に酸素ガスを導入し工程B、成膜によって生じた可燃性の副生成物に点火し工程C、前記副生成物を燃焼させ工程D、前記成膜室内に窒素ガスを導入し工程E、前記副生成物を燃焼させる際に生じた不燃性の酸化副生成物を前記成膜室から除去する工程F。5上記4に記載の成膜装置のメンテナンス方法は、前記工程Dにおいて、前記成膜室の圧力が略一定となるように酸素ガスを補給するようにしてもよい。6上記4または5に記載の成膜装置のメンテナンス方法は、前記工程Dにおいて、前記成膜室の排気系統が閉鎖されるようにしてもよい。7上記4ないし6のいずれか一項に記載の成膜装置のメンテナンス方法は、前記工程Cと、前記工程Dとで、前記成膜室の圧力が略同一になるように圧力制御を行うようにしてもよい。8上記4ないし6のいずれか一項に記載の成膜装置のメンテナンス方法は、前記工程Cが、前記燃焼工程よりも前記成膜室の圧力が低圧となるように圧力制御を行うようにしてもよい。9上記4ないし8のいずれか一項に記載の成膜装置のメンテナンス方法は、前記成膜室から排気される排気ガスを窒素ガスで希釈してもよい工程G。本発明の上記態様に係る成膜装置によれば、成膜室内の副生成物に酸素を供給して燃焼させることによって、可燃性の副生成物を不燃性の酸化物にすることができる。したがって、シリコン膜を成膜する際に生じるポリシランを含む副生成物を、非成膜時に迅速かつ簡便に処理することが可能になる。本発明の上記態様に係る成膜装置のメンテナンス方法によれば、成膜室内の副生成物に点火し、酸素を供給して燃焼させる工程を備えることによって、可燃性の副生成物を不燃性の酸化物にすることができる。したがって、シリコン膜を成膜する際に生じるポリシランを含む副生成物を、非成膜時に迅速かつ簡便に処理することが可能になる。以下、本発明の実施形態に係る成膜装置、成膜装置のメンテナンス方法について説明する。薄膜太陽電池最初に、本実施形態の成膜装置によって形成される被成膜物の一例である、薄膜太陽電池の構造について例示する。図1は、薄膜太陽電池の断面図である。図1に示すように、薄膜太陽電池100は、表面を構成する基板Wと、基板W上に設けられた透明導電膜からなる上部電極101と、アモルファスシリコンで構成されたトップセル102と、トップセル102と後述するボトムセル104との間に設けられた透明導電膜からなる中間電極103と、マイクロクリスタルシリコンで構成されたボトムセル104と、透明導電膜からなるバッファ層105と、金属膜からなる裏面電極106とが積層されている。つまり、薄膜太陽電池100は、a-Si/マイクロクリスタルSiタンデム型太陽電池となっている。このようなタンデム構造の薄膜太陽電池100では、短波長光をトップセル102で、長波長光をボトムセル104でそれぞれ吸収することで発電効率の向上を図ることができる。トップセル102のp層102p、i層102i、n層102nの3層構造がアモルファスシリコンで形成されている。また、ボトムセル104のp層104p、i層104i、n層104nの3層構造がマイクロクリスタルシリコンで構成されている。このように構成した薄膜太陽電池100は、太陽光に含まれる光子というエネルギー粒子がi層に当たると光起電力効果により、電子と正孔holeが発生し、電子はn層、正孔はp層に向かって移動する。この光起電力効果により発生した電子を上部電極101と裏面電極106により取り出して、光エネルギーを電気エネルギーに変換することができる。また、トップセル102とボトムセル104との間に中間電極103を設けることにより、トップセル102を通過してボトムセル104に到達する光の一部が中間電極103で反射して再びトップセル102側に入射するため、セルの感度特性が向上し、発電効率の向上に寄与する。ガラス基板W以下、単に基板Wと称す側から入射した太陽光は、各層を通過して裏面電極106で反射される。薄膜太陽電池100には光エネルギーの変換効率を向上させるために、上部電極101に入射した太陽光の光路を伸ばすプリズム効果と光の閉じ込め効果を目的としたテクスチャ構造を採用している。成膜装置図2は本発明の成膜装置薄膜太陽電池製造装置の一例を示す概略構成図である。図2に示すように、成膜装置10は、複数の基板Wに対して同時に被膜例えば、マイクロクリスタルシリコンで構成されたボトムセル104をCVD法を用いて成膜可能な成膜室11と、成膜室11に搬入される成膜処理前基板W1と、成膜室11から搬出された成膜処理後基板W2と、を同時に収容可能な仕込取出室13と、キャリア21図9参照に対して基板W成膜処理前基板W1および成膜処理後基板W2を脱着する基板脱着室15と、基板Wをキャリア21図9参照から脱着するための基板脱着ロボット駆動機構17と、別の処理工程へ基板Wを搬送するために収容する基板収容カセット搬送部19と、を備えている。本実施形態では、成膜室11、仕込取出室13および基板脱着室15で構成される基板成膜ライン16が4つ設けられている。基板脱着ロボット17は床面に敷設されたレール18上を移動できるようになっており、全ての基板成膜ライン16への基板Wの受け渡しを1台の基板脱着ロボット17でできるようになっている。成膜室11と仕込取出室13とで構成されるプロセスモジュール14は一体化されており、トラックに積載可能な大きさで形成されている。図3Aは、成膜室の概略構成を示す斜視図である。図3Bは、図3Aとは別の角度から見た斜視図である。図3Cは成膜室概略構成を示す側面図である。図3A~図3Cに示すように、成膜室11は略箱型に形成されている。成膜室11の仕込取出室13と接続される側面23には、基板Wが搭載されたキャリア21が通過可能なキャリア搬出入口24が3箇所形成されている。キャリア搬出入口24には、キャリア搬出入口24を開閉するシャッタ第一開閉部25が設けられている。シャッタ25を閉止したときには、キャリア搬出入口24は気密性を確保して閉止される。側面23と対向する側面27には、基板Wに成膜を施すための電極ユニット31が3基取り付けられている。電極ユニット31は、成膜室11から着脱可能に構成されている。成膜室11の側面下部28には、成膜室11内を真空排気するための排気管29が接続されており、排気管29には真空ポンプ30が設けられている。成膜室11の底面の四隅には、それぞれ、点火部39が合計4箇所に設けられている。点火部39は、例えば、図3Dに示すように、成膜室11内に露呈される棒状の赤熱部39aを備えたSiCヒータから構成されれば良い。SiCヒータは、例えば、赤熱部39aを1100°C程度まで加熱することができる。このような点火部39は、後述する可燃性の副生成物への点火時に通電される。点火部39の赤熱部39a以外の部分は、成膜室11内において、副生成物が直接堆積しないように、例えば、金属等のカバー39bによって覆われているのが好ましい。点火部39の赤熱部39aは、その先端が成膜室11の底面に向けて延びるように傾斜して設けられているのが好ましい。これによって、成膜室11の底面に堆積する可燃性の副生成物Qに対して、確実に点火をすることができる。成膜室11の側面23には成膜室11内の圧力を測定するための圧力計第一の検出部91が設置されている。圧力計91は、例えば真空から常圧の範囲の圧力を測定できれば良く、成膜室11内の圧力値を出力する。成膜室11の底面の各辺の中間付近には、下部温度計第二の検出部92が設置されている。下部温度計92は、例えば、熱電対から構成されれば良い。これら下部温度計92は、成膜後に成膜室11の下部に堆積する副生成物が燃焼した際の温度を測定するものであり、副生成物が成膜室11に堆積した際に、例えば熱電対のセンサー部分が副生成物に埋もれる程度の高さ位置に取り付けられれば良い。下部温度計92は、成膜室11の底面の各辺の点火部39の間の中間点に設置されることが好ましい。下部温度計92は、副生成物の燃焼の完了を確認する時に使用する場合があるため、副生成物への延焼が最も遅い部分に設置されることが好ましいためである。副生成物への延焼が最も遅い部分は、副生成物の堆積が多く、点火部39から離れた、底面の各辺の中間付近になる場合が多い。下部温度計92の設置位置は下部に堆積する副生成物に接触していれば、下部に堆積する副生成物の燃焼を確認することができる。成膜室11の上部には、成膜室11内の空間温度を測定する上部温度計第三の検出部93が設置されている。上部温度計93は、例えば、熱電対から構成されれば良い。上部温度計93は、副生成物が燃焼した際に成膜室11内の空間温度、即ち成膜室11内のガスの温度を測定するものである。このため、上部温度計93は、成膜室11の上部で、できるだけ中央付近に設置されることが好ましい。但し、基板やキャリアの搬送部が設置される場合、その間に設置されてもよい。点火部39で点火すると、成膜室11内のガスの燃焼により成膜室内が一瞬高温となる。上部温度計93は、この温度上昇を確認することで、点火状況を検知することが可能である。成膜室11には、成膜室11に酸素ガスを導入する酸素ガス供給部第一のガス供給部160と、窒素ガスを導入する窒素ガス供給部第二のガス供給部150とが接続されている。酸素ガス供給部160や窒素ガス供給部150は、不図示の配管を介して、後述する成膜室11のカソードユニット68図4D参照に供給される。酸素ガス供給部160と窒素ガス供給部150の導入位置は、カソードユニット68に限定されず、成膜室11に導入されればよい。さらに、酸素ガス供給部160と窒素ガス供給部150の導入位置は異なってもよい。図4Aは、電極ユニット31の概略構成を示す斜視図である。図4Bは、図4Aとは別の角度から見た斜視図である。図4Cは、電極ユニット31の一部分解斜視図である。図4Dは、カソードユニットおよびアノードユニットの部分断面図である。電極ユニット31は、成膜室11の側面27に形成された3箇所の開口部26に着脱可能構成されている図3B参照。電極ユニット31は、下部に車輪61が設けられており床面上を移動可能に構成されている。車輪61が取り付けられた底板部62には側板部63が鉛直方向に立設されている。この側板部63は、成膜室11の側面27の開口部26を閉塞する大きさを有している。つまり、側板部63が成膜室11の壁面の一部を成している。図4Cに示すように、車輪61付の底板部62は、電極ユニット31と分離接続可能な台車構造としてもよい。このように分離可能な台車構造とすることで、電極ユニット31を成膜室11に接続した後は、台車を分離し、共通の台車として、他の電極ユニット31の移動に使用できる。側板部63の一方の面成膜室11の内部を向く面65には、成膜を施す際に基板Wの両面に位置するアノードユニット90とカソードユニット68とが設けられている。本実施形態の電極ユニット31には、カソードユニット68を挟んで両側に離間してアノードユニット90がそれぞれ配置されており、一つの電極ユニット31で2枚の基板Wを同時に成膜できるようになっている。したがって、基板Wは、重力方向と略平行になるような状態でカソードユニット68の両面側にそれぞれ対向配置され、2つのアノードユニット90は、各基板Wの厚さ方向外側に各基板Wとそれぞれ対向した状態で配置されている。アノードユニット90は、板状のアノード67とアノードユニット90に内蔵されたヒータHとで構成されている。側板部63の他方の面69には、アノードユニット90を駆動させるための駆動装置71と、成膜を施す際にカソードユニット68のカソード中間部材76に給電するためのマッチングボックス72と、が取り付けられている。側板部63には、さらにカソードユニット68に成膜ガスを供給する配管用の接続部不図示が形成されている。アノードユニット90には、基板Wの温度を制御する温度制御部として、ヒータHが内蔵されている。2つのアノードユニット90,90は側板部63に設けられた駆動装置71により、互いに近接離反する方向水平方向に移動可能に構成され、基板Wとカソードユニット68との離間距離を制御可能にしている。具体的には、基板Wの成膜を施す際には、2つのアノードユニット90,90がカソードユニット68方向に移動して基板Wと当接し、さらに、カソードユニット68に近接する方向に移動して基板Wとカソードユニット68との離隔距離を所望の距離に調節する。その後、成膜を行い、成膜終了後にアノードユニット90,90が互いに離反する方向に移動して、基板Wを電極ユニット31から容易に取り出すことができるように構成されている。アノードユニット90は、駆動装置71にヒンジ不図示を介して取りつけられており、電極ユニット31を成膜室11から引き抜いた状態で、アノードユニット90アノード67のカソードユニット68側の面67Aが側板部63の一方の面65と略平行になるまで回動できる開くようになっている。つまり、アノードユニット90は平面視において略90°回動できるようになっている図4A参照。カソードユニット68は、シャワープレート75=カソード、カソード中間部材76、排気ダクト79、浮遊容量体82を有している。カソードユニット68には、酸素ガス供給部第一のガス供給部160や窒素ガス供給部第二のガス供給部150が、不図示の配管を介して接続される。アノードユニット90アノード67に対向する面には、それぞれ小孔不図示が複数形成されたシャワープレート75が配置されており、成膜ガスを基板Wに向かって噴出できるようになっている。なお、この実施形態では、酸素ガス供給部第一のガス供給部160や窒素ガス供給部第二のガス供給部150を、成膜室11内に導入する際に、カソードユニット68のシャワープレート75から噴射させているが、これ以外にも例えば、成膜室11の壁面に形成したガス導入口から、成膜室11内に直接、酸素ガスや窒素ガスを導入する構成であってもよい。例えば、成膜室11内にクリーニング用のガスを流す配管を設け、この配管を利用して酸素ガスや窒素ガスを成膜室11内に導入する構成であってもよい。酸素ガス供給部160および窒素ガス供給部150から供給される酸素ガスや窒素ガスを、上記シャワープレート75から成膜室11内に導入することができる。シャワープレート75,75は、マッチングボックス72と接続されたカソード高周波電極である。2枚のシャワープレート75,75の間には、マッチングボックス72と接続されたカソード中間部材76が設けられている。すなわち、シャワープレート75は、カソード中間部材76の両側面に、このカソード中間部材76と電気的に接続された状態で配置されている。カソード中間部材76とシャワープレートカソード75は導電体で形成され、高周波はカソード中間部材76を介してシャワープレートカソード75に印加される。このため、2枚のシャワープレート75,75には、プラズマ発生のための同電位同位相の電圧が印加される。カソード中間部材76は、マッチングボックス72と図示しない配線により接続されている。カソード中間部材76とシャワープレート75との間には空間部77が形成されており、ガス供給装置不図示よりこの空間部77を介して成膜ガスが供給されるようになっている。また、空間部77を介して酸素ガス、および窒素ガスが供給される。空間部77は、カソード中間部材76で分離される。空間部77は、それぞれのシャワープレート75,75毎に対応して別々に形成され、各シャワープレート75,75から放出されるガスが独立して制御される。すなわち、空間部77は、ガス供給路の役割を有している。この実施形態にあっては、空間部77がそれぞれのシャワープレート75、75毎に対応して別々に形成されているので、カソードユニット68は、2系統のガス供給路を有していることになる。カソードユニット68の周縁部には、略全周に亘って中空状の排気ダクト79が設けられている。排気ダクト79には、成膜空間81の成膜ガスや反応副生成物パウダーを排気するための排気口80が形成されている。具体的には、成膜を施す際の基板Wとシャワープレート75との間に形成される成膜空間81に面して排気口80が形成されている。排気口80は、カソードユニット68の周縁部に沿って複数形成されており、全周に亘って略均等に排気できるように構成されている。カソードユニット68の下部における排気ダクト79の成膜室11内へ向いた面82には開口部不図示が形成されており、排気した成膜ガスなどを成膜室11内へ排出できるようになっている。成膜室11内へ排出されたガスは、成膜室11の側面下部28に設けられた排気管29より外部へ排気されるようになっている。排気ダクト79とカソード中間部材76との間には、誘電体および/もしくは積層空間を有する浮遊容量体82が設けられている。排気ダクト79は、接地電位に接続されている。排気ダクト79は、カソード75およびカソード中間部材76からの異常放電を防止するためのシールド枠としても機能する。カソードユニット68の周縁部には、排気ダクト79の外周部からシャワープレート75=カソードの外周部に至る部位を覆うようにマスク78が設けられている。マスク78は、キャリア21に設けられた後述する挟持部59の挟持片59A図9、図21参照を被覆するとともに、成膜を施す際に挟持片59Aと一体となって成膜空間81の成膜ガスやパーティクルを排気ダクト79に導くためのガス流路Rを形成している。すなわち、キャリア21挟持片59Aとシャワープレート75との間、および排気ダクト79との間にガス流路Rが形成されている。このような電極ユニット31を設けることにより、一つの電極ユニット31で、基板Wが挿入されるアノードユニット90とカソードユニット68との隙間が2箇所形成される。したがって、2枚の基板Wを一つの電極ユニット31で同時に成膜することができる。図2に戻り、成膜室11と仕込取出室13との間、および、仕込取出室13と基板脱着室15との間をキャリア21が移動できるように移動レール37が成膜室11~基板脱着室15間に敷設されている。移動レール37は、成膜室11と仕込取出室13との間で分離され、キャリア搬出入口24はシャッタ25を閉じることで密閉可能である。図5Aは、仕込取出室13の概略構成を示す斜視図である。図5Bは、図5Aとは別の角度から見た斜視図である。図5A、図5Bに示すように、仕込取出室13は、箱型に形成されている。側面33は成膜室11の側面23と気密性を確保して接続されている。側面33には3つのキャリア21が挿通可能な開口部32が形成されている。側面33と対向する側面34は、基板脱着室15に接続されている。側面34には、基板Wが搭載されたキャリア21が通過可能なキャリア搬出入口35が3箇所形成されている。キャリア搬出入口35には、気密性を確保できるシャッタ第二開閉部36が設けられている。移動レール37は、仕込取出室13と基板脱着室15との間で分離され、キャリア搬出入口35はシャッタ36を閉じることで密閉可能である。仕込取出室13には、キャリア21を移動レール37に沿って成膜室11と仕込取出室13との間を移動させるためのプッシュ-プル機構38が設けられている。図6に示すように、プッシュ-プル機構38は、キャリア21を係止するための係止部48と、係止部48の両端に設けられ、移動レール37と略平行に配されたガイド部材49と、係止部48をガイド部材49に沿って移動させるための移動装置50と、を備えている。仕込取出室13内には、成膜処理前基板W1および成膜処理後基板W2を同時に収容させるために、キャリア21を平面視において移動レール37の敷設方向と略直交する方向に所定距離移動させるための移動機構不図示が設けられている。仕込取出室13の側面下部41には、仕込取出室13内を真空排気するための排気管42が接続されており、排気管42には真空ポンプ43が設けられている。図7Aは、基板脱着室の概略構成を示す斜視図である。図7Bは、基板脱着室の概略構成を示す正面図である。図7A、図7Bに示すように、基板脱着室15は、フレーム枠状に形成されており、仕込取出室13の側面34に接続されている。基板脱着室15では、移動レール37に配されているキャリア21に対して成膜処理前基板W1を取り付けることができ、成膜処理後基板W2をキャリア21から取り外すことができるようになっている。基板脱着室15には、キャリア21が3個並列配置できるように構成されている。基板脱着ロボット17は、駆動アーム45を有しており図2参照、駆動アーム45の先端に基板Wを吸着できるようになっている。駆動アーム45は、基板脱着室15に配されたキャリア21と基板収容カセット19との間で駆動できるようになっている。駆動アーム45は、基板収容カセット19から成膜処理前基板W1を取り出し、基板脱着室15に配されたキャリア第一キャリア21に成膜処理前基板W1を取り付ける作業、および成膜処理後基板W2を基板脱着室15に戻ってきたキャリア第二キャリア21から取り外し、基板収容カセット19へ搬送する。図8は、基板収容カセット19の斜視図である。図8に示すように、基板収容カセット19は、箱型に形成されており、基板Wを複数枚収容可能な大きさを有している。基板Wは、被成膜面を水平方向と略平行になるようにした状態で上下方向に複数枚積層して収容できるようになっている。基板収容カセット19の下部には、キャスター47が設けられており、別の処理装置へと移動できるようになっている。なお、基板収容カセット19において、基板Wの被成膜面を重力方向と略平行になるようにした状態で左右方向に複数枚収容できるようにしてもよい。図9は、キャリア21の斜視図である。図9に示すように、キャリア21には、基板Wを取り付けることができる額縁状のフレーム51が2個形成されている。つまり、一つのキャリア21に基板Wを2枚取り付けることができるようになっている。2個のフレーム51,51は、その上部において連結部材52により一体化されている。連結部材52の上方には、移動レール37に載置される車輪53が設けられており、移動レール37上を車輪53が転がることで、キャリア21が移動できる。フレーム51の下部には、キャリア21が移動する際に基板Wの揺れを抑制するためにフレームホルダ54が設けられている。フレームホルダ54の先端は、各室の底面上に設けられた断面凹状のレール部材55図18参照に嵌合されている。レール部材55は、平面視において移動レール37に沿う方向に配されている。フレームホルダ54を複数のローラで構成すれば、より安定した搬送が可能となる。フレーム51は、それぞれ周縁部57と挟持部59とを有している。フレーム51に形成された開口部56には、基板Wの被成膜面が露出されるようになっており、開口部56の周縁部57において、挟持部59が基板Wを両側から挟持して固定できるようになっている。基板Wを挟持している挟持部59は、バネなどによる付勢力が働いている。挟持部59は、基板Wの表面WO被成膜面および裏面WU背面に当接する挟持片59A,59Bを有しているが図21参照、この挟持片59A,59Bの離隔距離は、バネなどを介して可変可能になっている。つまり、アノードユニット90アノード67の移動に応じて、挟持片59Aが挟持片59Bに対して近接離反する方向に沿って移動可能に構成されている詳細は後述する。ここで、キャリア21は、一つの移動レール37上に1個1対2枚の基板を保持できる1個のキャリア取り付けられている。つまり、一組の成膜装置10には3個3対6枚基板保持のキャリア21が取り付けられている。本実施形態の成膜装置10では、上述した成膜室11、仕込取出室13および基板脱着室15とで構成される基板成膜ライン16が4つ配置構成されているため、24枚の基板Wを略同時に成膜することができる。尚、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、実施形態で挙げた具体的な形状や構成等は一例にすぎず、適宜変更が可能である。例えば、本実施形態では一つの成膜室11に一つの仕込取出室13を連接した場合の説明をしたが、一つの大きな仕込取出室13に対して複数の成膜室11を並列配置させて連接したプロセスモジュール114を設け、その仕込取出室13内をキャリア21が移動できるようにしてもよい図26参照。このように構成することで、仕込取出室13内をキャリア21に取り付けられた基板Wが移動できるため、各成膜室11で異なる成膜材料を供給できるようにすることで、基板Wに成膜材料の異なる複数の層をより効率よく成膜することができる。さらに、薄膜太陽電池製造装置の配置構成を図27のようにしてもよい。この例では、基板脱着ロボット17に、成膜室11、仕込取出室13、基板脱着室15からなるモジュールが放射状に設置される。このように構成することで、基板脱着ロボット17がレール上を移動する時間を無くすことができる。つまり、基板脱着ロボット17の動作時間を短縮して、タクトタイムを短縮することができる。さらに、薄膜太陽電池製造装置の配置構成を図28のようにしてもよい。この例では、基板脱着ロボット17の両側に、成膜室11、仕込取出室13、基板脱着室15からなるモジュールが設置される。このように構成することで、省スペース、かつ、基板脱着ロボット17の動作時間の短縮を図ることができる。本実施形態では、一台の基板脱着ロボット17を配置して基板Wの脱着をするように構成したが、二台の基板脱着ロボット17を配置し、一方を基板Wの取り付け専用とし、他方を基板Wの取り外し専用としてもよい。さらに、一台の基板脱着ロボット17に二本の駆動アーム45を設け、二枚の基板Wを同時に取り付け、取り外しをするように構成してもよい。成膜方法:薄膜太陽電池の製造方法次に、本実施形態の成膜装置10を用いて、基板Wに被膜を成膜する方法を説明する。なお、この説明においては一つの基板成膜ライン16の図面を用いるが、他の三つの基板成膜ライン16も略同一の流れで基板Wを成膜する。図10に示すように、成膜処理前基板W1を複数枚収容した基板収容カセット19を所定の位置に配置する。図11に示すように、基板脱着ロボット17の駆動アーム45を動かして、基板収容カセット19から成膜処理前基板W1を一枚取り出し、成膜処理前基板W1を基板脱着室15に設置されているキャリア21に取り付ける。このとき、基板収容カセット19に水平方向に配置された成膜処理前基板W1を、鉛直方向に向きを変えてキャリア21に取り付ける。この動作をもう一度繰り返し、一つのキャリア21に2枚の成膜処理前基板W1を取り付ける。さらに、この動作を繰り返して、基板脱着室15に設置されている残り二つのキャリア21にも成膜処理前基板W1をそれぞれ取り付ける。つまり、この段階で成膜処理前基板W1を6枚取り付ける。図12に示すように、成膜処理前基板W1が取り付けられた3個のキャリア21を移動レール37に沿って略同時に移動させ、仕込取出室13内に収容する。仕込取出室13にキャリア21を収容した後、仕込取出室13のキャリア搬出入口35のシャッタ36を閉じる。その後、仕込取出室13の内部を、真空ポンプ43を用いて真空状態に保持する。図13に示すように、3個のキャリア21を平面視において移動レール37が敷設された方向と直交する方向に移動機構を用いてそれぞれ所定距離半ピッチ移動させる。所定距離とは一つのキャリア21が隣接する移動レール37,37間に位置する距離である。図14に示すように、成膜室11のシャッタ25を開状態にし、成膜室11で成膜が終了した成膜処理後基板W2が取り付けられたキャリア21Aを仕込取出室13にプッシュ-プル機構38を用いて移動させる。このとき、キャリア21とキャリア21Aとが平面視において交互に並列するようになっている。この状態を所定時間保持することで成膜処理後基板W2に蓄熱されている熱が成膜処理前基板W1に伝熱されて、成膜処理前基板W1が加熱される。ここで、プッシュ-プル機構38の動きを説明する。なお、ここでは成膜室11に位置しているキャリア21Aを仕込取出室13へ移動させる際の動きを説明する。図15Aに示すように、プッシュ-プル機構38の係止部48に成膜処理後基板W2が取り付けられたキャリア21Aを係止する。そして、係止部48に取り付けられている移動装置50の移動アーム58を揺動させる。このとき移動アーム58の長さは可変する。すると、キャリア21Aが係止された係止部48はガイド部材49に案内されるように移動し、図15Bに示すように、仕込取出室13内へと移動する。つまり、キャリア21Aが成膜室11から仕込取出室13へと移動される。このように構成することで、成膜室11内にキャリア21Aを駆動させるための駆動源が不要になる。上述した動きの逆の動きをさせることで、仕込取出室13のキャリアを成膜室11へ移動させることができる。図16に示すように、キャリア21およびキャリア21Aを移動機構により移動レール37と直交する方向に移動し、成膜処理前基板W1を保持したキャリア21が移動レール37に沿う位置まで移動させる。図17に示すように、プッシュ-プル機構38を用いて成膜処理前基板W1を保持したキャリア21を成膜室11に移動させ、移動完了後にシャッタ25を閉状態にする。なお、成膜室11は真空状態が保持されている。このとき、キャリア21に取り付けられた成膜処理前基板W1は、成膜室11内において、アノードユニット90とカソードユニット68との間に表面WOが重力方向と略平行になるように鉛直方向に沿った状態で挿入される図18参照。図18、図19に示すように、電極ユニット31の2つのアノードユニット90を駆動装置71により互いに近接する方向に移動させて、アノードユニット90アノード67と成膜処理前基板W1の裏面WUとを当接させる。図20に示すように、さらに駆動装置71を駆動させると、アノード67に押されるように成膜処理前基板W1がカソードユニット68側に向かって移動する。そして、成膜処理前基板W1とカソードユニット68のシャワープレート75との隙間が所定距離成膜距離になるまで移動させる。なお、この成膜処理前基板W1とカソードユニット68のシャワープレート75との隙間成膜距離は5~15mmで、例えば5mm程度である。このとき、成膜処理前基板W1の表面WO側に当接しているキャリア21の挟持部59の挟持片59Aは成膜処理前基板W1アノードユニット90の移動に伴って変位するようになっている。なお、アノードユニット90がカソードユニット68から離反する方向に向かって移動した際には、挟持片59Aにはバネなどの復元力が作用して挟持片59B側に向かって変位するようになっている。この時、成膜処理前基板W1は、アノード67と挟持片59Aで挟持される。成膜処理前基板W1がカソードユニット68側に向かって移動すると、挟持片59Aがマスク78に当接し、この時点でアノードユニット90の移動が停止する図21参照。ここで、図21に示すように、マスク78は挟持片59Aの表面と基板Wの外縁部を覆うように形成されているとともに、挟持片59Aもしくは基板Wの外縁部と密接可能に形成されている。すなわち、マスク78と、挟持片59Aもしくは基板Wの外縁部との合わせ面は、シール面の役割を有しており、これらマスク78と、挟持片59Aもしくは基板Wの外縁部との間から成膜ガスがアノード67側にほとんど漏れないようになっている。これにより、成膜ガスが広がる範囲が制限され、不要な範囲が成膜されることを抑制することができる。これによりクリーニング範囲を挟くすること、およびクリーニング頻度を減少させることができ、装置の稼働率が向上する。成膜処理前基板W1の移動は、基板Wの外縁部がマスク78に当接することによって停止することになるので、マスク78とシャワープレート75、および排気ダクト79との間隙、つまり、ガス流路Rの厚さ方向の流路高さは、成膜処理前基板W1とカソードユニット68との隙間が所定距離となるように設定されている。別の形態として、マスクを排気ダクト79へ弾性体を介して取り付けることによって、基板Wとシャワープレート75=カソードの距離は駆動装置71のストロークによって任意に変更することもできる。上記では、マスク78と基板Wが当接する場合を記載したが、成膜ガスの通過を制限するような微少な間隔を空けてマスク78と基板Wが配置されても良い。このような状態でカソードユニット68のシャワープレート75から成膜ガスを噴出させるとともに、マッチングボックス72を起動させてカソードユニット68のシャワープレート=カソード75に電圧を印加することで、成膜空間81にプラズマを発生させ、成膜処理前基板W1の表面WOに成膜を施す。このとき、アノード67に内蔵されているヒータHにより成膜処理前基板W1が所望の温度に加熱される。ここで、アノードユニット90は成膜処理前基板W1が所望の温度に達すると加熱を停止する。しかしながら、カソードユニット68に電圧が印加されることによって成膜空間81にプラズマが発生する。時間の経過に伴い、プラズマからの入熱によりアノードユニット90が加熱を停止しても成膜処理前基板W1の温度が所望の温度よりも上昇してしまう虞がある。この場合、アノードユニット90を、温度上昇しすぎた成膜処理前基板W1を冷却するための放熱板として機能させることもできる。したがって、成膜処理前基板W1は成膜処理時間の時間経過に関わらず所望の温度に保持される。なお、一度の成膜処理工程で複数の層を成膜する際には、供給する成膜ガス材料を所定時間毎に切り替えることで実施することができる。成膜中および成膜後に、カソードユニット68の周縁部に形成された排気口80より成膜空間81のガスやパーティクルを排気するとともに、排気されたガスは、ガス流路Rを介してカソードユニット68の周縁部の排気ダクト79から開口部カソードユニット68の下部における排気ダクト79の成膜室11内へ向いた面82に形成された開口部を通過させて、成膜室11の側面下部28に設けられた排気管29から外部へと排気する。成膜室11内の全ての電極ユニット31において、上述した処理と同じ処理を実行するため6枚の基板Wに対して同時に成膜を施すことができる。そして、成膜が終了したら、駆動装置71により2つのアノードユニット90を互いに離反する方向に移動させ、成膜処理後基板W2およびフレーム51挟持片59Aをもとの位置に戻す図19、図21参照。さらにアノードユニット90を離反する方向に移動させることで、成膜処理後基板W2とアノードユニット90とが離反する図18参照。図22に示すように、成膜室11のシャッタ25を開状態にし、キャリア21を仕込取出室13へプッシュ-プル機構38を用いて移動させる。このとき仕込取出室13は排気され、次に成膜される成膜処理前基板W1を取り付けたキャリア21Bが既に位置している。そして、仕込取出室13内で成膜処理後基板W2に蓄熱されている熱を成膜処理前基板W1へ伝熱し、成膜処理後基板W2の温度を下げる。図23に示すように、キャリア21Bが成膜室11内へと移動した後、移動機構によりキャリア21を移動レール37上に配置される位置まで戻す。図24に示すように、シャッタ25を閉状態にし、成膜処理後基板W2が所定温度まで低下した後に、シャッタ36を開状態にして、キャリア21を基板脱着室15へと移動させる。図25に示すように、基板脱着室15において成膜処理後基板W2を基板脱着ロボット17によりキャリア21から取り外し、基板収容カセット19へと搬送する。全ての成膜処理後基板W2の取り外しが完了したら、基板収容カセット19を次工程の場所まで移動させることで、処理が終了する。成膜処理後基板W2と成膜処理前基板W1とを仕込取出室13に同時に収容させることができるため、仕込取出室13の一連の基板成膜工程において真空排気工程を減らすことができる。したがって、生産性を向上することができる。仕込取出室13において、成膜処理後基板W2と成膜処理前基板W1とが同時に収容されると、成膜処理後基板W2に蓄熱されている熱が成膜処理前基板W1に伝熱され、熱交換が行われる。つまり、成膜処理前基板W1を成膜室11に収容した後に通常実施する加熱工程、および、成膜処理後基板W2を仕込取出室13から搬出する前に通常実施する冷却工程を省略することができる。結果として、生産性を向上することができるとともに、従来の加熱工程冷却工程に用いていた設備を取り止めることができるため、製造コストを低減することができる。尚、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、実施形態で挙げた具体的な形状や構成等は一例にすぎず、適宜変更が可能である。成膜装置のメンテナンス方法1本発明の一実施形態に係る成膜装置のメンテナンス方法について、図3A~図3C、図4A~図4D、および図29を参照して説明する。図29は、本発明の成膜装置のメンテナンス方法を段階的に示した説明図である。図29において円筒は、成膜室11を模式的に表している。本発明の実施形態に係る成膜装置によって基板Wにマイクロクリスタルシリコンの被膜を成膜すると、成膜室11内に、茶褐色の粉末茶粉であるポリシランを含む可燃性の副生成物が生じる。こうした副生成物が成膜室11内に堆積した状態で成膜を続けると、成膜した被膜の特性が低下する。このため、例えば、基板Wに50~300回成膜を行うたびに、以下に示す副生成物の除去を行う。例えば、300回程度の成膜工程が完了した後、成膜室11のシャッタ25を開状態にして、キャリア21を仕込取出室13へプッシュ-プル機構38を用いて移動させる図5A、図5B参照。これによって、成膜室11内から被膜の形成された基板W成膜処理後基板W2が成膜室11外へ搬送される工程A。成膜室11から基板Wを搬出し、シャッタ25を閉状態とし、排気管29を閉じて排気系統を閉鎖した後、酸素ガス供給部第一のガス供給部160からカソードユニット68のシャワープレート75を介して成膜室11内に酸素を導入する図29a[工程B]。こうした成膜室11内への酸素ガスの導入は、例えば、成膜室11内の酸素濃度が75程度になるように行えばよい。これによって、成膜室11内の内圧は10Pa程度から10kPa程度に高められる。成膜室11内の酸素濃度が75程度になるように酸素ガス供給部第一のガス供給部160から酸素ガスを導入し、窒素ガス供給部第二のガス供給部150から窒素ガスを導入することができる。次に、成膜室11の底面に形成された点火部39に通電する。成膜室11の下部には、50~300回のマイクロクリスタルシリコンの成膜によって生成したポリシランを主体とした副生成物が堆積している。点火部39に通電されると、可燃性の副生成物であるポリシランと、成膜室11内に導入された酸素ガスとの間で酸化反応による燃焼が開始される図29b[工程C]。燃焼が開始時には一時的に温度が上昇し、内部の圧力が上昇する図30に示す工程C。この温度上昇は圧力計第一の検出部91と、上部温度計第三の検出部93で検出することができる。点火前の成膜室11の圧力と酸素量は、点火時の圧力が大気圧を越えないように決められることが好ましい。点火後は酸素の消費に伴い圧力が減少する。こうした副生成物の燃焼中にも酸素ガス供給部160から成膜室11内に酸素ガスを供給し続け、副生成物の燃焼を継続させる図29c[工程D]。酸素ガスの供給量は、ポリシランの酸化反応燃焼反応による酸素ガスの減少を補う程度の流量が確保されるようにする。これによって、成膜室11内の内圧は略一定に保たれる。例えば、酸素を最大で200SLM程度流し続けることによって、成膜室11内の内圧を10kPa、酸素濃度を75程度に維持する。この工程Dでは、消費された酸素を補充するため内圧が一定になるように酸素ガス供給部第一のガス供給部160から酸素ガスを導入すればよく、窒素ガス供給部第二のガス供給部150から窒素ガスを導入しなくてもよい。副生成物の燃焼中は、成膜室11の側面に形成された圧力計第一の検出部91によって、成膜室11内の圧力を常にモニタリングし、成膜室11内が所定の内圧例えば10kPaに保たれるように、圧力計91の出力に基づいて酸素ガス供給部160からの酸素ガスの流量を制御すればよい。また、副生成物の燃焼中は、成膜室11の側面下部に形成された下部温度計第二の検出部92によって、燃焼中の副生成物の温度がモニタリングされる。また、成膜室11の上部に形成された上部温度計第三の検出部93によって、成膜室11内の空間温度がモニタリングされる。このような、成膜室11に形成された下部温度計92や上部温度計93の温度出力データが、それぞれ所定値を超えるなどした場合、異常燃焼と判断して酸素ガス供給部160から酸素ガスの供給を停止して、副生成物の燃焼を停止させればよい。こうした工程Dによる成膜室11内の副生成物の燃焼によって、成膜室11内には、ポリシランが酸素によって燃焼酸化し、不燃性の酸化ケイ素燃焼生成物が生じる。こうした燃焼生成物は、成膜室11内に堆積する。成膜室11内に堆積した副生成物の燃焼が完了したら、排気系統を閉鎖したまま、今度は、窒素ガス供給部第二のガス供給部150から成膜室11内に窒素ガスを導入する図29d[工程E-1]。これによって、成膜室11内の酸素の濃度を希釈する。窒素ガスの導入は、例えば、成膜室11内の酸素濃度が15程度に低下するまで、最大流量が例えば200SLM以下で導入すればよい。これによって、成膜室11内の内圧は、例えば、50kPa程度に上昇する。副生成物の燃焼の完了は、下部温度計第二の検出部92の温度のモニタリングや、酸素の導入量の減少終了により検出することもでき、また、一定時間の経過で完了と擬制することもできる。この後、排気管29のバルブ図示略を開とし、真空ポンプ30を動作させて排気管29から成膜室11内の窒素、酸素混合ガスを真空排気する図29e[工程E-2]。この時、工程E-1で成膜室11内の酸素濃度を窒素ガスによって希釈している酸素濃度15程度ため、成膜室11内のガスを安全に排気することができる。そして、成膜室11内を常圧にした後、例えば真空掃除機などを用いて、成膜室11の底部に堆積した酸化ケイ素燃焼生成物を吸引除去する。この堆積物の除去時において、成膜室11内に堆積した可燃性の副生成物ポリシランは、工程B~工程Cによって不燃性の燃焼生成物酸化ケイ素に変化させているので、吸引除去中に堆積物が発火したりする懸念がない。安全に成膜室11内の燃焼生成物を集塵、除去することができる。また収集した燃焼生成物も不燃性であるので、安全に保管、処理を行うことが可能になる。図30に、図29の各工程における成膜室11内の圧力変化をグラフで示す。この実施形態では、点火部39によって副生成物に点火する工程Cから、酸素ガス供給部160から成膜室11内に酸素ガスを供給し続けて副生成物の燃焼を継続させる工程Dまでを、成膜室11内の圧力がほぼ同じになるように制御する。図30のグラフによれば、工程Bでの酸素の導入によって、成膜室11内の内圧は10Pa程度から10kPa程度に上昇する。そして、工程Cで副生成物に点火されると、成膜室11の内圧は一瞬、15kPa程度まで上がるが、すぐに10kPa程度になる。そして、工程Dで成膜室11内に燃焼によって消費された酸素と同量の酸素を導入することで、成膜室11は、ほぼ10kPa程度の内圧に保たれる。その後、工程E-1で成膜室11内に希釈用の窒素を導入すると、成膜室11の内圧は50kPa程度まで上昇し、工程E-2で成膜室11内が真空排気されると、速やかに1kPa以下に低下する。成膜装置のメンテナンス方法2本発明の成膜装置の別なメンテナンス方法について、図3A~図3C、図4A~図4D、および図31を参照して説明する。図31は、本発明の成膜装置の別なメンテナンス方法を段階的に示した説明図である。この実施形態のメンテナンス方法では、成膜室11内から被膜の形成された基板W成膜処理後基板W2が成膜室11外へ搬送される工程A。そして、シャッタ25を閉状態とし、排気管29を閉じて排気系統を閉鎖した後、酸素ガス供給部第一のガス供給部160からカソードユニット68のシャワープレート75を介して成膜室11内に酸素を導入する図31a[工程B]。こうした成膜室11内への酸素ガスの導入は、例えば、成膜室11内の酸素濃度が75程度になるように行えばよい。これによって、成膜室11内の内圧は10Pa程度から1kPa程度に高められる。成膜室11内の酸素濃度が75程度になるように酸素ガス供給部第一のガス供給部160から酸素ガスを導入し、窒素ガス供給部第二のガス供給部150から窒素ガスを導入することができる。次に、成膜室11の内圧を低圧、例えば1kPa程度の低圧状態で点火部39に通電する。これによって、可燃性の副生成物であるポリシランと、成膜室11内に導入された酸素ガスとの間で酸化反応による燃焼が開始される図31b[工程C]。燃焼が開始時には一時的に温度が上昇し、内部の圧力が上昇する図32の工程C。この温度上昇は圧力計第一の検出部91と、上部温度計第三の検出部93で検出することができる。本実施例では、点火前の成膜室11の圧力と酸素量は、十分に低いので、一時的な圧力上昇も小さい。点火後は酸素の消費に伴い圧力が減少する。そして、燃焼開始後は、成膜室11内の内圧が10kPa程度の高圧になるように酸素ガスと窒素ガスの供給を行う。工程Dの開始時には、成膜室11内の酸素濃度が75程度になるように酸素ガス供給部第一のガス供給部160から酸素ガスを導入し、窒素ガス供給部第二のガス供給部150から窒素ガスを導入する。内圧が10kPa程度になったら、圧力が一定になるように、燃焼により消費された分の酸素を導入する。これにより、副生成物の燃焼を継続させる図31c[工程D]。酸素ガスの供給量は、ポリシランの酸化反応燃焼反応による酸素ガスの減少を補う程度の流量が確保されるようにする。これによって、成膜室11内の内圧は略一定に保たれる。例えば、酸素を最大で200SLM程度流し続けることによって、成膜室11内の内圧を10kPa、酸素濃度を75程度に維持する。副生成物の燃焼中は、成膜室11の側面に形成された圧力計第一の検出部91によって、成膜室11内の圧力を常にモニタリングし、成膜室11内が所定の内圧例えば10kPaに保たれるように、圧力計91の出力に基づいて酸素ガス供給部160からの酸素ガスの流量を制御すればよい。こうした工程Dによる成膜室11内の副生成物の燃焼によって、成膜室11内には、ポリシランが酸素によって燃焼酸化し、不燃性の酸化ケイ素燃焼生成物が生じる。こうした燃焼生成物は、成膜室11内に堆積する。その後、成膜室11内に堆積した副生成物の燃焼が完了したら、窒素ガス供給部第二のガス供給部150から成膜室11内に窒素ガスを導入し図31d[工程E-1]、成膜室11内の濃度を希釈する。窒素ガスの導入は、例えば、成膜室11内の酸素濃度が15程度に低下するまで、最大流量が例えば200SLM以下で導入すればよい。これによって、成膜室11内の内圧は、例えば、50kPa程度に上昇する。副生成物の燃焼の完了は、下部温度計第二の検出部92の温度のモニタリングや、酸素の導入量の減少終了により検出することもできるし、一定時間の経過で完了と擬制することもできる。この後、排気管29のバルブ図示略を開とし、真空ポンプ30を動作させて排気管29から成膜室11内の窒素、酸素混合ガスを真空排気する図31e[工程E-2]。そして、成膜室11内を常圧にした後、例えば真空掃除機などを用いて、成膜室11の底部に堆積した酸化ケイ素燃焼生成物を吸引除去する。図32に、図31の各工程における成膜室11内の圧力変化をグラフで示す。この実施形態では、点火部39によって副生成物に点火する工程Cの点火直前の圧力を、酸素ガス供給部160から成膜室11内に酸素ガスを供給し続けて副生成物の燃焼を継続させる工程Dの成膜室11内の内圧より低くするように制御する2段階燃焼。図32のグラフによれば、工程Bでの酸素の導入によって、成膜室11内の内圧は10Pa程度から1kPa程度に上昇する。そして、工程Cで副生成物に点火されると、成膜室11の内圧は一瞬、4kPa程度まで上がるが、すぐに1kPa程度になる。そして、工程Dで成膜室11内に燃焼によって消費された酸素と同量の酸素を導入する際に、成膜室11の内圧を10kPa程度にまで高める。工程Dでは、成膜室11の内圧を10kPa程度に保って副生成物の燃焼を行う。その後、工程E-1で成膜室11内に希釈用の窒素を導入すると、成膜室11の内圧は50kPa程度まで上昇し、工程E-2で成膜室11内が真空排気されると、速やかに1kPa以下に低下する。点火前の圧力を低くすることで、点火時の圧力上昇を押えることができ、さらに、燃焼時の圧力を高くすることで、燃焼速度を上げることができる。なお、点火直後に圧力が上昇しても、大気圧より低く制御されることが好ましい。成膜室11は減圧用に製作されているためである。図5A、図5Bに示すような成膜室11を用いて、副生成物ポリシランの点火前~燃焼時における、副生成物の温度茶粉温度、成膜室11内の空間温度、および成膜室11内の内圧DGの測定を行った。こうした測定結果を図33に示す。なお、副生成物の温度は、成膜室11の側面下部に形成した下部温度計第二の検出部92図3A~図3C参照、成膜室11内の空間温度は、成膜室11の上部に形成した上部温度計第三の検出部93図3A~図3C参照によってそれぞれ測定した。また、成膜室11内の内圧DGは、成膜室11の側面に形成した圧力計第一の検出部91によって測定した。図33に示すグラフによれば、副生成物茶粉への点火後、成膜室11内の内圧DGや成膜室11内の空間温度の下降に伴って副生成物の温度茶粉温度は緩やかに上昇する。その後、副生成物を所定の温度燃焼温度範囲で安定して燃焼させることが可能であることが確認された。"