ウエーハの外周部に第1の深さを有する円形溝を形成するウエーハの加工方法であって、ウエーハを保持する保持面と、該保持面に対して直交する回転軸を有するチャックテーブルでウエーハを保持するウエーハ保持ステップと、該チャックテーブルで保持されたウエーハの外周部上方に切削ブレードを位置付ける切削ブレード位置づけステップと、該切削ブレード位置づけステップを実施した後、該切削ブレードをウエーハに対して接近する方向に移動させるとともに、該切削ブレードがウエーハに接触するまでに該チャックテーブルの回転を開始し、回転するウエーハへ該切削ブレードで該第1の深さに達するまで切り込み、該切削ブレードが該第1の深さに達したなら切り込み送りを停止するとともに該チャックテーブルを一回転以上回転させてウエーハの外周部に該第1の深さを有する円形溝を形成する加工ステップと、を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法。前記加工ステップは、回転するウエーハへ該切削ブレードで切り込んで前記第1の深さより小さい値の第1切込み量まで切り込ませる切込みステップと、該切削ブレードが該第1切込み量に達したなら切り込み送りを停止するとともに該チャックテーブルを一回転以上回転させる加工溝形成ステップとを含み、該切込みステップと該加工溝形成ステップを複数回繰り返すことによりウエーハの外周部に該第1の深さを有する前記円形溝を形成する請求項1記載のウエーハの加工方法。ところが、特許文献1又は特許文献4に開示されているように、静止したウエーハの上方から切削ブレードを下降させることで切削ブレードをウエーハに切り込ませる際には、切削ブレードに負荷がかかり切削ブレードが撓むことを回避するため、切削ブレードの下降速度を非常に遅くせざるをえないという問題がある。また、所定高さ位置所定深さまでウエーハに切削ブレードを切り込ませた後にウエーハを回転させる際には、所定深さ分のウエーハを除去しつつ加工が遂行されるため、切削ブレードに負荷がかかり切削ブレードが撓むことを回避するため、ウエーハの回転速度を非常に遅くせざるをえず、加工に時間がかかるという問題がある。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハの外周に円形加工を施す際の加工時間を短縮し、生産効率の向上を図ることのできるウエーハの加工方法を提供することである。本発明によると、ウエーハの外周部に第1の深さを有する円形溝を形成するウエーハの加工方法であって、ウエーハを保持する保持面と、該保持面に対して直交する回転軸を有するチャックテーブルでウエーハを保持するウエーハ保持ステップと、該チャックテーブルで保持されたウエーハの外周部上方に切削ブレードを位置付ける切削ブレード位置づけステップと、該切削ブレード位置づけステップを実施した後、該切削ブレードをウエーハに対して接近する方向に移動させるとともに、該切削ブレードがウエーハに接触するまでに該チャックテーブルの回転を開始し、回転するウエーハへ該切削ブレードで該第1の深さに達するまで切り込み、該切削ブレードが該第1の深さに達したなら切り込み送りを停止するとともに該チャックテーブルを一回転以上回転させてウエーハの外周部に該第1の深さを有する円形溝を形成する加工ステップと、を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。好ましくは、前記加工ステップは、回転するウエーハへ該切削ブレードで切り込んで前記第1の深さより小さい値の第1切込み量まで切り込ませる切込みステップと、該切削ブレードが該第1切込み量に達したなら切り込み送りを停止するとともに該チャックテーブルを一回転以上回転させる加工溝形成ステップとを含み、該切込みステップと該加工溝形成ステップを複数回繰り返すことによりウエーハの外周部に該第1の深さを有する前記円形溝を形成する。本発明の加工方法によると、切削ブレードの切り込み深さが所定深さに達するまで切削ブレードの切り込み送り及びチャックテーブルの回転を停止させることがない。従って、本発明の加工方法では、一部深さ分のウエーハの外周部を除去しつつ加工が遂行されるため、ウエーハの回転速度を向上することができ、その結果、ウエーハの加工時間の短縮化及び生産効率の向上を図ることができる。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は所定の厚さに加工される前の半導体ウエーハ11の表面側斜視図である。図1に示す半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数の分割予定ラインストリート13が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン13によって区画された各領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。このように構成された、半導体ウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19をその表面11aの平坦部に備えている。半導体ウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されているとともに、その外周には表面11aから裏面11bに至る円弧状の面取り部23が形成されている。本発明のウエーハの加工方法では、図2に示すように、半導体ウエーハ11の裏面11bを切削装置のチャックテーブル10で保持してウエーハ表面11aを露出させるウエーハ保持ステップを実施する。チャックテーブル10は回転軸10bと直交する保持面10aを有している。このように半導体ウエーハ11をチャックテーブル10で保持した後、図3に示すように、チャックテーブル10に保持された半導体ウエーハ11の外周部上方に切削ブレード16を位置付ける切削ブレード位置付けステップを実施する。この切削ブレード位置付けステップでは、切削ユニット12のスピンドル14の先端に取り付けられた切削ブレード16を半導体ウエーハ11の外周部に形成された面取り部23の上方に位置付ける。スピンドル14の回転軸12aはチャックテーブル10の保持面10aと平行に伸長している。切削ブレード位置付けステップを実施した後、図4に示すように、切削ブレード16を回転させるとともに下方にウエーハ11に接近する方向に移動させてウエーハ11の表面11aに接触させる。切削ブレード16がウエーハ11の表面11aに接触するまでにチャックテーブル10の矢印a方向の回転を開始する。引き続いて、図5に示すように、チャックテーブル10を矢印a方向に回転させながら回転する切削ブレード16を下方チャックテーブル10に接近する方向に所定速度で切り込み送りすることにより、ウエーハ11の外周部に深さが連続的に変化する円形溝25を形成し、切削ブレード16が第1の深さt1に達したならば切削ブレード16の切り込み送りを停止して、チャックテーブル10を一回転以上回転させてウエーハ11の外周部に第1の深さt1を有する円形溝25を形成する。これにより。ウエーハ11の表面11aから第1の深さt1に至る領域の面取り部23が除去される。切削ブレード16のチャックテーブル10に近づく方向の移動は、図5に示した切削ブレード16の位置づけ位置から第1の深さt1までの切り込み位置まで一定速度でもよいし、ウエーハ11の表面11aに切削ブレード16が接触するまでは移動速度を早くし、ウエーハ11に切り込んでからは切削ブレード16の切り込み送り速度を遅くするように制御してもよい。図6を参照すると、切削ブレード16の切り込み深さが変化する様子を示しており、最終的に図6Dに示す第1の深さt1まで切削ブレード16を切り込ませる。図7Aを参照すると、加工ステップの平面図が示されており、チャックテーブル10を矢印a方向に回転させながら切削ブレード16を切り込み送りすることにより、ウエーハ11の外周部に円形溝25を形成する様子が示されている。図7Bに示すように、切削ブレード16が第1の深さt1まで切り込んだ時点で切削ブレード16の切り込み送りを停止し、この切り込み位置でチャックテーブル10を一回転以上回転させてウエーハ11の外周部に第1の深さt1を有する円形溝25を形成する。上述した実施形態では、切削ブレード16をウエーハ11に第1の深さt1まで連続的に切り込ませているが、この実施形態の変形例として、第1の深さt1より小さい値の切り込み深さで切削ブレード16の切り込み送りを一旦停止し、この位置でチャックテーブル10を一回転以上回転させてウエーハ11の外周部に浅い第1の円形溝を形成する。次いで第1の深さt1より小さい値の切り込み量まで切削ブレード16を切り込ませて、この位置で切削ブレード16の切り込み送りを停止し、チャックテーブル10を一回転以上回転させて第2の円形溝を形成する。このステップを複数回繰り返して、最終的にウエーハ11の外周部に第1の深さt1を有する円形溝25を形成するようにしてもよい。例えば、図6Bに示す位置で切削ブレード16の切り込み送りを停止して、チャックテーブル10を一回転以上回転させてウエーハ11の外周部に浅い第1の円形溝を形成し、次に図6Cに示す位置で切削ブレード16の切り込み送りを停止し、チャックテーブル10を一回転以上回転させてウエーハ11の外周部に第2の円形溝を形成する。上述した本実施形態の加工方法では、切削ブレード16の切り込み深さが所定深さt1に達するまで切削ブレード16の切り込み送り及びチャックテーブル10の回転を停止させることがない。所定深さ分のウエーハの外周部を除去しつつ加工が遂行される従来の加工方法に対して、本発明の加工方法では、一部深さ分のウエーハ11の外周部を除去しつつ加工が遂行されるため、ウエーハ11の回転速度を向上することができ、その結果、ウエーハ11の加工時間の短縮化及び生産効率の向上を図ることができる。尚、切削ブレード16の切り込み送りを複数回に分けて第1の深さt1の円形溝25を形成する上述した本発明実施形態の変形例では、ウエーハ11を保持したチャックテーブル10の回転速度を更に早くすることができる。図8を参照すると、大きなサイズのウエーハ11の外周部を円形に切削してウエーハ11のサイズを所望のサイズにダウンサイジングする場合の本発明第2実施形態の側面図が示されている。この実施形態の場合には、まず図8Aに示すように、切削ブレード16をチャックテーブル10に保持されたウエーハ11のダウンサイジングしたいサイズのウエーハの半径位置上方に位置づけ、チャックテーブル10を矢印a方向に回転させながら回転する切削ブレード16をウエーハ11に切り込ませ、図8Bに示すウエーハ11を完全切断する位置フルカット位置で切削ブレード16の切り込み送りを停止して、チャックテーブル10を一回転以上回転させることにより、ウエーハ11を円形に切削して小さなサイズのウエーハを形成することができる。この実施形態の場合にも、チャックテーブル10の回転を停止させることなく一部深さ分のウエーハ11を除去しつつ加工が遂行されるため、チャックテーブル10の回転速度を向上することができ、その結果加工時間の短縮化及び生産効率の向上を図ることができる。