"第1導電型の不純物が低濃度にドープされたSi単結晶基板の主面側にエミッタ電極と、ゲート電極を含むMOSゲート構造と、を備え、かつ、前記Si単結晶基板の裏面側に外側から順にコレクタ電極と、第2導電型の第1の不純物層と、第1導電型の第2の不純物層と、を備える電力用半導体装置であって、前記第1の不純物層は、Si単結晶内に含まれる多結晶成分の割合を表す値である多結晶度が200ppm以下、さらに好ましくは、100ppm以下であることを特徴とする電力用半導体装置。前記多結晶度は、薄膜X線回折装置を用いたX線回折試験でのSi400面の回折ピークについてのロッキングカーブ測定で得られるスペクトル曲線のうち、単結晶に由来するピーク部分を積分した値と多結晶に由来するピーク部分を積分した値の比として算出されたものであることを特徴とする請求項1に記載の電力用半導体装置。前記Si単結晶基板は、FZ法またはCZFZ法で製造された単結晶基板であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電力用半導体装置。低濃度の第1導電型の不純物がドープされたSi単結晶基板の主面側にゲート電極を含むMOSゲート構造およびエミッタ電極を形成する工程と、前記ゲート電極を含むMOSゲート構造およびエミッタ電極が形成されたSi単結晶基板を裏面側から研削する工程と、前記裏面が研削されたSi単結晶基板に裏面側から第1導電型の不純物および第2導電型の不純物をこの順序で注入する不純物注入工程と、前記不純物注入工程で形成された不純物層に裏面からレーザーを照射して不純物層を活性化するレーザーアニール工程と、前記不純物層が活性化されたSi単結晶基板にコレクタ電極を形成する工程と、前記レーザーアニール工程を経た前記Si単結晶基板の裏面に対してX線回折試験を行って、Si単結晶内に含まれる多結晶成分の割合である多結晶度を測定する多結晶度測定工程と、を含む製造工程によって製造される電力用半導体装置の製造方法であって、前記レーザーアニール工程におけるレーザーの照射条件は、前記多結晶測定工程で測定される多結晶度が200ppm以下、さらに好ましくは、100ppm以下になるように決定されたものであることを特徴とする電力用半導体装置の製造方法。前記多結晶度測定工程におけるX線回折試験は、薄膜X線回折装置を用いたX線回折試験であり、前記多結晶度は、前記X線回折試験でのSi400面の回折ピークについてのロッキングカーブ測定で得られるスペクトル曲線のうち、単結晶に由来するピーク部分を積分した値と多結晶に由来するピーク部分を積分した値の比として算出されたものであることを特徴とする請求項4に記載の電力用半導体装置の製造方法。前記Si単結晶基板は、FZ法またはCZFZ法で製造された単結晶基板であることを特徴とする請求項4または請求項5に記載の電力用半導体装置の製造方法。一対の直流端子と、交流の相数と同数の交流端子と、スイッチング素子および逆極性のダイオードの並列回路が2個直列に前記一対の直流端子間に接続されて構成され、前記2個の並列回路の相互接続点がそれぞれ異なる交流端子に接続される前記交流の相数と同数の交流波生成回路と、を備えた電力変換装置であって、前記スイッチング素子が、請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の電力用半導体装置であることを特徴とする電力変換装置。ところで、FS型IGBT素子1の製造工程においては、裏面側に形成された不純物層コレクタ層100およびフィールドストップ層112を活性化するとき、以下に説明するような問題が生じる。FS型IGBT素子1の製造工程では、裏面側の不純物層を活性化するとき、主面側には、MOSゲート構造ゲート電極200、ソース領域130などがすでに形成されており、さらに、エミッタ電極600の一部は、ポリイミドなどを主成分とする耐熱性樹脂層図1では図示省略で覆われている。そのため、不純物活性化のアニール温度は、エミッタ電極600やそれを覆う耐熱性樹脂の耐熱温度で制約される。ちなみに、一般的な電気炉によるアニールでは、その温度は400~500°Cに制限され、その場合、不純物の活性化率は高々10程度しか得られない。また、ハロゲンランプなどを用いたランプ加熱炉によるアニールでは、多少、温度の制約が緩和されるものの、活性化率が大幅に向上することはない。そこで、この温度制約の問題を解決するために、近年では、レーザー照射装置によるレーザーアニールが多く用いられるようになってきた。レーザーアニールでは、光源としてNd:YAGやNd:YLFなどの固体レーザーが用いられ、その第2高調波SHGによる可視~近紫外領域のパルス光が利用される。この波長域では、Si単結晶の光学吸収係数は、概ね103~104cm-1程度となり、レーザー光のほとんどが表面1μm以内で吸収されてジュール熱となり、局所的な加熱が可能となる。また、レーザーパルス幅は、数100n秒程度であり、高温の保持時間も極めて短いため、不純物の拡散をほとんど無視することができるというメリットがある。従って、レーザーアニールを用いたp型のコレクタ層100の活性化では、照射エネルギー、繰り返し周波数、スキャン速度を調整することにより、表面側に影響を与えることなしに、活性化率を70以上にすることが可能である。しかしながら、n型のフィールドストップ層112に対してレーザーアニールを施す場合には、問題が生じる。すなわち、n型のフィールドストップ層112は、構成上p型のコレクタ層100よりも深く位置するため、レーザー光が届かず、もっぱらFZ基板10表層部からの熱伝導により加熱が行われることになる。そのため、活性化率を高めるようアニール温度を上げると、レーザーの照射エネルギーを上げざるを得ず、その場合には、FZ基板10の表層部の温度は、Si単結晶の融点を超えてしまう。その結果、FZ基板10の基板表面裏面側の表面から1μm程度の領域は溶融し、照射が終わると、基板奥からの固相エピタキシャル成長によって再結晶化が行われる。いったん溶融した結晶部分は、再結晶化の過程において、様々な擾乱例えば、温度分布、雰囲気、自然酸化膜、異物などの相違の影響を受けて、完全な単結晶に戻ることはなく、一部に多結晶を含んだ結晶となる。その場合、結晶欠陥が残留することとなり、とくに、p型のコレクタ層100とn型のフィールドストップ層112との境界辺りでは、pn接合リーク以下、接合リークというが発生する。従って、n型フィールドストップ層112を活性化する場合は、活性化率を向上させるとともに、多結晶による結晶欠陥を抑制することが重要な課題となる。そこで、本発明の目的は、FZまたはCZ-FZ基板を用いて製造される電力用半導体装置の、裏面側の不純物層のレーザーアニール工程で生じる多結晶に由来する結晶欠陥を低減することが可能な製造方法を提供するとともに、その製造方法によって製造した電力用半導体装置、および、その電力用半導体装置を用いた電力変換装置を提供することにある。本発明に係る電力用半導体装置は、第1導電型n型の不純物が低濃度にドープされたSi単結晶基板の主面側にエミッタ電極と、ゲート電極を含むMOSゲート構造と、を備え、かつ、前記Si単結晶基板の裏面側に外側から順にコレクタ電極と、第2導電型p型の第1の不純物層と、第1導電型n型の第2の不純物層と、を備える電力用半導体装置であって、前記第1の不純物層は、Si単結晶内に含まれる多結晶成分の割合を表す値である多結晶度が200ppm以下、さらに好ましくは、100ppm以下であることを特徴とする。また、本発明に係る電力用半導体装置は、第1導電型n型の不純物が低濃度にドープされたSi単結晶基板の主面側にゲート電極を含むMOSゲート構造およびエミッタ電極を形成する工程と、前記ゲート電極を含むMOSゲート構造およびエミッタ電極が形成されたSi単結晶基板を裏面側から研削する工程と、前記裏面が研削されたSi単結晶基板に裏面側から第1導電型n型の不純物および第2導電型p型の不純物をこの順序で注入する不純物注入工程と、前記不純物注入工程で形成された不純物層に裏面からレーザーを照射して不純物層を活性化するレーザーアニール工程と、前記不純物層が活性化されたSi単結晶基板にコレクタ電極を形成する工程と、前記レーザーアニール工程を経た前記Si単結晶基板の裏面に対してX線回折試験を行って、Si単結晶内に含まれる多結晶成分の比率を表す多結晶度を測定する多結晶度測定工程と、を含む製造工程によって製造される電力用半導体装置であって、前記レーザーアニール工程におけるレーザーの照射条件は、前記多結晶度測定工程で測定される多結晶度が200ppm以下、さらに好ましくは、100ppm以下になるように決定されたものであることを特徴とする。詳細は、実施形態で説明するが、発明者らのX線回折試験の結果によれば、第1導電型n型の不純物が低濃度にドープされたSi単結晶基板、すなわち、FZ法またはCZ-FZ法で製造されたSi単結晶基板を用いて製造された電力用半導体装置FS型IGBT素子では、その多結晶度が200ppm以下、さらに好ましくは、100ppm以下である場合には、多結晶に由来する結晶欠陥や接合リークがほとんど生じないことが判っている。そして、本発明では、その電力用半導体装置の製造工程に、その多結晶度を測定する多結晶度測定工程が含まれている。従って、レーザーアニール工程で実施されたレーザー照射の様々な照射条件の中から、多結晶度が200ppm以下、さらに好ましくは、100ppm以下であったような照射条件を選択し、その選択した照射条件を、その後に製造する電力用半導体装置のレーザーアニール工程でのレーザー照射条件として用いることにより、レーザーアニール工程で生じる多結晶に由来する結晶欠陥や接合リークを減ずることができる。本発明によれば、FZまたはCZFZ基板を用いて製造された電力用半導体装置の、裏面側の不純物層のレーザーアニール工程で生じる多結晶に由来する結晶欠陥を低減することが可能になる。以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。第1の実施形態図2は、本発明の第1の実施形態に係るFS型IGBT素子の製造工程の概略を、素子の断面構造の変遷として示した図あり、aは、主面にMOSゲート構造およびエミッタ電極を形成した時点での断面構造、bは、裏面研削した時点での断面構造、cは、裏面に不純物拡散をした時点での断面構造、dは、裏面にコレクタ電極を形成した時点での断面構造である。なお、本発明の実施形態に係るFS型IGBT素子の断面構造は、図1に示したFS型IGBT素子1の断面構造と同じであるので、その構成要素の名称および符号については、図1と同じものを用いる。まず、FZ法CZ-FZ法でもよいで製造されたn-型Si単結晶のウェハであるFZ基板10を用意し、イオン注入装置を用いて、FZ基板10の主面に所定の形状のマスクをかけることにより領域を選択して、ボロンBなどp型不純物を注入し、FZ基板10すなわちドリフト層110よりも高不純物濃度のチャネル領域120およびフローティング領域126を形成する。また、同様にして、チャネル領域120の上部で、その周縁部を除いた領域にボロンBなどp型不純物を高濃度に注入して、チャネル領域120およびフローティング領域126よりも高不純物濃度のp型のエミッタ領域121を形成し、さらに、チャネル領域120の上部で、その周縁部の領域にリンPやひ素Asなどのn型の不純物を高濃度に注入して、チャネル領域120およびフローティング領域126よりも高不純物濃度のn型のソース領域130を形成する。続いて、チャネル領域120の境界部分を選択して、異方性エッチング処理を施し、チャネル領域120よりも深いトレンチを形成する。そして、そのトレンチの内壁に熱酸化などによるゲート絶縁膜300を形成し、そのトレンチの内部およびFZ基板10の主面にポリシリコン多結晶Siを堆積させてゲート電極200を形成する。この時点で、ゲート電極200と、ゲート絶縁膜300と、ソース領域130と、チャネル領域120と、ドレイン領域であるドリフト層110とからなる縦型のMOSゲート構造が形成されたことになる。続いて、FZ基板10の主面に堆積されたポリシリコンを除去し、酸化Siや窒化Siなどからなる絶縁膜401を形成する。そして、その形成した絶縁膜401のうち、エミッタ領域121の上部、および、ソース領域130のうちゲート電極200に接する近傍領域を除いた領域の上部をエッチングして、開口部を形成し、その上部にアルミニウムなどの金属を堆積させてエミッタ電極600を形成する。従って、エミッタ電極600は、ソース領域130およびエミッタ領域121の両方に接し、電気的に導通した状態となる図2a参照。続いて、FZ基板10の主面にポリイミドなどを主成分とする耐熱性樹脂の保護膜図示省略を形成した上で、FZ基板10の裏面をバックグラインドやエッチングにより、研磨、研削し、FZ基板10を、厚さが50~200μm程度の薄膜になるまで加工する図2b参照。続いて、イオン注入装置を用いて、リンPやひ素Asなどのn型不純物をFZ基板10の裏面にやや深く注入して、ドリフト層110よりも高不純物濃度のn型のフィールドストップ層112を形成し、さらに、ボロンBなどのp型不純物をFZ基板10の裏面に浅く注入して、フィールドストップ層112よりも高不純物濃度のp型のコレクタ層100を形成する図2c参照。さらに、レーザー照射装置などを用いて、これらの不純物層にレーザーを照射し、レーザーアニールにより不純物を活性化させる。続いて、裏面のコレクタ層100の表面にアルミニウム、チタン、ニッケル、金をこの順序で積層してコレクタ電極500を形成する図2d参照。その後、このウェハをダイシングして、FS型IGBT素子チップとする。なお、以上に説明したFS型IGBT素子1の製造方法において、FZ基板10をp-型Si単結晶であるとし、各不純物注入領域の導電型について、p型とn型をすべて入れ替えたものであってもよい以下の実施形態でも同じ。第2の実施形態図3は、第1の実施形態における製造方法に従って製造したFS型IGBT素子1を試料として、そのコレクタ層100の表面にX線を照射してX線回折試験を行った結果の例を示した図で、aは、θ-2θスキャンX線回折スペクトルの例、bは、ロッキングカーブの例である。なお、このX線回折試験では、いわゆる薄膜X線回折装置を用い、X線源として、Cu-K線フィルタなし、Kα、Kβの両線共存を使用し、入射角は全反射条件薄膜XRDとした。なお、このX線回折試験は、試料に形成されたコレクタ電極500をエッチングなどで除去した後に行われる。以上の条件のもと、X線回折試験では、まず、θ-2θスキャンを行い、回折ピークを探索する。そして、そのスキャンで見つかった特定の回折条件にθ-2θを固定し、次に、試料の面内回転角φ図3bでは、2θと表示をスキャンしていわゆるロッキングカーブを取得する。この試験において、単結晶が不完全で多結晶成分を含む場合には、複数の面からの回折ピークが得られる。同様に、ロッキングカーブでは、4回対称性に基づく同一面指数の回折以外にサブピークが現れる。図3aに示すように、θ-2θスキャンしたX線回折スペクトルでは、2θ=60~70deg付近にSi400面の回折ピークが見える。同じく2θ=56deg付近にSi311面の回折ピークが見えるが、この回折ピークは、未処理のSi単結晶基板からも得られているので、Cu-Kβ線によるSi400面由来の回折ピークと判断される。さらに詳しく解析すると、2θ=47deg付近にSi220面の回折ピーク、2θ=28deg付近にSi111面の回折ピークが見える。このことから、FS型IGBT素子1の裏面側の結晶には、多結晶が僅かに含まれていることが判る。次いで、図3bに示すように、Si400面の回折ピークのロッキングカーブでは、Si400面の対称性を反映して、回折ピークメインピークが4回出現している。しかも、メインピーク以外の場所で、Si400面の回折ピークサブピークが微弱ながら観測されている図3bで、矢印を付した箇所。これは、レーザーアニールにより再結晶化したコレクタ層100が多結晶ライクな結晶であり、単結晶になりきれず、多結晶が残留している結晶であることを裏付けるものである。ここで、単結晶の中に残留する多結晶の割合を数値化する方法を、以下に示す。なお、ここでいう多結晶とは、単結晶化したSi基板中に現れる結晶軸を異にする小さな結晶化領域をいう。単結晶の中に残留する多結晶の割合を示す数値として、図3bのようなロッキングカーブに出現するサブピークの本数を指標としてもよいが、入射X線の強度の依存性を取り除くために、ここでは回折ピークの積分強度を用いる。すなわち、ここでは、ロッキングカーブの曲線を横軸の角度φ図3bでは、2θで積分した値を積分強度と定義し、さらに、メインピーク部分およびサブピーク部分のそれぞれの積分強度をImainおよびIsubとしたとき、その両者の比、Isub/Imainを多結晶度と定義する。当然この値が大きいほど、多くの多結晶を含むことを意味する。なお、図3bの例では、多結晶度は25ppmとなる。第3の実施形態図4は、レーザーアニール時のレーザー照射条件を変化させた様々な試料に対する多結晶度測定結果の例を示した図で、aは、照射エネルギーを試料B<試料A<試料Cと変化させた場合の各試料の多結晶度を比較した例、bは、レーザーパルスのショット数を試料D<試料Aと変化させた場合の各試料の多結晶度を比較した例である。なお、図4a、bの比較において、変化させる照射条件以外の照射条件は、いずれの試料についても同じである。図4aの例よれば、多結晶度は、照射エネルギーが高い場合の方が低い場合よりも小さくなるが、照射エネルギーが中程度のところに、多結晶度が最小になる最適点があると予想される。また、図4bの例よれば、多結晶度は、レーザーパルスのショット数が多い場合に小さく、ショット数が少ない場合に大きくなることが判る。なお、多結晶度は、この他にも、使用するレーザーの波長、スキャン速度、自然酸化膜の有無、照射雰囲気などに依存して、その値が変わる。図5は、図4における多結晶度測定に用いた試料について、接合リークおよび結晶欠陥の有無を調べた結果を示した図である。また、図6は、接合リークがあった試料について結晶欠陥部分を透過電子顕微鏡で観察した観察像の例を示した図である。図5によれば、多結晶度が1000ppmに近かった試料Dだけに、接合リークが認められた。そこで、試料Dについて、接合リーク箇所の位置を液晶法で特定し、その箇所についてFIB収束イオンビーム加工装置にて断面を作製し、透過電子顕微鏡による観察を行った。図6の観察像には、結晶転位による結晶欠陥が観察されている。結晶欠陥のうち、さらに大きなものが、Si基板図1では、FZ基板10中のコレクタ電極500との界面からp型のコレクタ層100とn型のフィールドストップ層112とのpn接合部に達し、接合リークの原因となっていると推定される。図5の接合リークおよび結晶欠陥の有無の結果から判断すれば、結晶欠陥による接合リークを引き起こさない多結晶度の最小値は、多結晶度が220ppmと891ppmとの間にあることが判る。このことに、多少のマージンを勘案して、多結晶度が200ppm以下、さらに、より好ましくは100ppm以下になるような照射条件でレーザーアニールを行えば、結晶欠陥や接合リークがほとんど生じることのないFS型IGBT素子1を得ることができることを意味する。第4の実施形態図7は、本発明の第4の実施形態に係るFS型IGBT素子1の製造工程フローの例を示した図である。このFS型IGBT素子1の製造工程フローは、第1の実施形態におけるFS型IGBT素子1の製造工程に、FS型IGBT素子1裏面の不純物層に対するX線回折試験を行う多結晶度測定工程を追加したものである。すなわち、第4の実施形態に係るFS型IGBT素子1の製造工程は、図7に示すように、主面MOSゲート構造およびエミッタ電極形成工程ステップS10と、裏面研削工程ステップS20と、裏面不純物注入工程ステップS30と、レーザーアニール工程ステップS40と、裏面コレクタ電極形成工程ステップS50と、多結晶度測定工程ステップS70と、を含んで構成される。このうち、レーザーアニール工程ステップS40と多結晶度測定工程ステップS70とを除けば、第1の実施形態で説明したFS型IGBT素子1の製造工程と同じである。以下、第1の実施形態と相違する部分のみ説明する。多結晶度測定工程ステップS70は、本実施形態で追加された工程であり、裏面コレクタ電極形成工程ステップS50が完了し、ウェハがダイシングされた時点ダイシング工程:図示省略で、例えば、工程の管理者などが、多結晶度を測定するか否かを判断するステップS60。そして、多結晶度を測定する場合にはステップS60でYes、ダイシング後のFS型IGBT素子1のチップを所定の個数取り出し、取り出したFS型IGBT素子1のチップを試料として、多結晶度測定工程ステップS70に流す。また、多結晶度を測定しない場合にはステップS60でNo、ダイシング後のFS型IGBT素子1のチップは、パッケージング工程または選別検査工程などに流される。図7において、多結晶度測定工程ステップS70は、詳細には、X線回折試験工程ステップS71および多結晶度評価工程ステップS72を含んで構成される。そして、X線回折試験工程ステップS71では、試料として取り出したFS型IGBT素子1のチップを対象にして、第2の実施形態で示したX線回折試験を実施する。すなわち、試料となるFS型IGBT素子1の裏面のコレクタ電極500を除去し、露出したコレクタ層100について、θ-2θスキャンおよびロッキングカーブ取得のX線回折試験を実施する。そして、得られたロッキングカーブから、第2の実施形態で示したようにして、メインピーク部分の積分強度とサブピーク部分の積分強度との比として多結晶度を算出する。また、多結晶度評価工程ステップS72では、ステップS71で算出した多結晶度と、当該FS型IGBT素子1が製造された過程におけるレーザーアニール工程ステップS40で設定された各種の照射条件パラメータと、を対応付けたデータを、レーザー照射条件データとして、例えば、X線回折試験装置に付属する制御用コンピュータ図示省略の記憶装置20に蓄積する。すなわち、制御用コンピュータは、多結晶度が200ppmまたは100ppm以下のレーザー照射条件データを選択し、選択したレーザー照射条件データを記憶装置20に蓄積する。このように、多結晶度が200ppmまたは100ppm以下のレーザー照射条件データを選択して記憶装置20に蓄積するのは、第3の実施形態において説明したように、多結晶度が200ppm以下、または、より好ましくは100ppm以下の場合、結晶欠陥や接合リークがほとんど生じることのないFS型IGBT素子1が得られることが判っているからである。言い換えれば、記憶装置20には、レーザーアニール工程ステップS40で多結晶の残留に由来する結晶欠陥や接合リークをほとんど引き起こすことのないレーザー照射条件データが蓄積されることになる。図7に示すように、レーザーアニール工程ステップS40には、レーザー照射に関して、レーザーの波長、照射エネルギー、照射ショット数、ショットパルス幅、周期、スキャン速度などの多数の照射条件パラメータを設定する照射条件設定工程ステップS41が含まれており、その工程で多数の照射条件パラメータが設定された後、レーザー照射工程ステップS42が実施される。通常、照射条件パラメータを設定する場合、そのパラメータの組み合わせの数が多数に及ぶので、工程の管理者は、適切なパラメータの選択に苦慮する。しかしながら、本実施形態では、レーザーアニール工程ステップS40でのレーザー照射工程ステップS4において結晶欠陥や接合リークをほとんど引き起こすことのないレーザー照射条件のデータが、多結晶度測定工程ステップS70で記憶装置20に蓄積されるようにされている。すなわち、本実施形態では、幾種類かの照射条件パラメータでFS型IGBT素子1を製造し、その多結晶度を取得し、その多結晶度が200ppm以下、または、より好ましくは100ppm以下になるものがあった場合には、その照射条件パラメータは、レーザー照射条件データとして記憶装置20に蓄積される従って、いったん、記憶装置20にレーザー照射条件データが蓄積されると、それ以降のレーザー照射条件設定工程ステップS41では、記憶装置20を参照することにより、多結晶度が200ppm以下、または、より好ましくは100ppm以下になるようなレーザーアニールを行うことが可能な照射条件パラメータを容易に設定することができる。よって、多結晶度が200ppm以下、または、より好ましくは100ppm以下になるようなFS型IGBT素子1の製造をより容易に行えるようになる。こうして、記憶装置20に様々な照射条件パラメータと多結晶度とを対応付けたレーザー照射条件データが多数蓄積された場合には、その照射条件データを統計処理するなどすることにより、多結晶度がより小さくなるような照射条件パラメータを得ることも可能となる。従って、レーザーアニール工程ステップS40で発生する結晶欠陥や接合リークをより低減することができるようになるので、FS型IGBT素子1の製造歩留まりを向上させることができる。第5の実施形態図8は、本発明の第5の実施形態に係る電力変換装置インバータ装置の回路構成の例を示した図である。図8に示すように、電力変換装置7は、インダクタンス9を介して正電源端子900および負電源端子901から供給される直流電流を、例えば、3相の交流電流に変換して、U端子910、V端子911およびW端子912から出力し、モータ8などに供給する装置である。ここで、電力変換装置7は、3組の交流波生成回路71,72,73によって構成される。そして、それぞれの交流波生成回路71,72,73は、スイッチング素子701,703,705およびそのスイッチング素子701,703,705のコレクタ-エミッタ間に逆極性に接続されたダイオード711,713,715からなる上位側スイッチング回路と、スイッチング素子702,704,706およびそのスイッチング素子702,704,706のコレクタ-エミッタ間に逆極性に接続されたダイオード712,714,716からなる下位側スイッチング回路と、によって構成される。上位側スイッチング回路のスイッチング素子701,703,705のコレクタは、正電源端子900に接続され、また、下位側スイッチング回路のスイッチング素子702,704,706のエミッタは、負電源端子901に接続される。また、上位側スイッチング回路のスイッチング素子701,703,705のエミッタは、下位側スイッチング回路のスイッチング素子702,704,706のコレクタに接続され、そのそれぞれの接続点は、U端子910、V端子911およびW端子912に接続される。さらに、スイッチング素子701,703,705のゲートには、ゲート回路801,803,805の出力が接続され、また、スイッチング素子702,704,706のゲートには、ゲート回路802,804,806の出力が接続される。そして、ゲート回路801~806から出力される制御信号によりスイッチング素子701~706のオンオフが制御され、U端子910、V端子911およびW端子912からは、3相の交流電流が出力される。本実施形態では、電力変換装置7に含まれるスイッチング素子701~706として、前記第4の実施形態で示した製造工程で製造されたFS型IGBT素子1を用いる。前記したように、4の実施形態で示した製造工程で製造されたFS型IGBT素子1は、レーザーアニール工程で多結晶に由来する結晶欠陥や接合リークがほとんど生じないものであるため、そのFS型IGBT素子1を用いた電力変換装置7の信頼性が向上する。なお、この第5の実施形態では、電力変換装置7として、直流電流を3相の交流電流に変換するインバータ装置の例を示したが、電力変換装置7は、直流電流を2相の交流電流に変換するインバータ装置であってもよい。また、本明細書では、電力用半導体装置の例として、FS型IGBT素子1を取り上げて説明したが、電力用半導体装置は、FS型IGBT素子1に限定されるものではなく、主面側にMOSゲート構造を有し、裏面側に互いに導電型の異なる不純物層を有するものであれば、縦型構造のサイリスタ素子やMOS素子などであってもよい。"