"被加工物を保持する保持部と該保持部を囲繞する金属製の枠体とを含むチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物の上面に真上から測定用レーザビームを照射し、被加工物の上面で真上に反射した該測定用レーザビームの反射光の受光によって被加工物の上面高さ位置を検出する検出手段と、を備えたレーザ加工装置であって、該金属製の枠体は真上から該測定用レーザビームが照射されても真上への反射を抑制する処理が施されていることを特徴とするレーザ加工装置。該枠体の上面に凹凸が形成されている請求項1記載のレーザ加工装置。該枠体の上面には該枠体の内側から外側へ向けて下に傾斜する傾斜面が形成されている請求項1記載のレーザ加工装置。金属製の枠体はSUS等の反射率の高い金属から形成されているため、枠体に測定用レーザビームを照射し、測定用レーザビームの枠体からの反射光を検出手段で検出すると、受光量が所定の閾値以上となり、チャックテーブルの枠体の高さ位置を被加工物の高さ位置だと誤認識してしまうことになる。その結果、被加工物の変質層形成位置にレーザビームの集光点を位置付けようとしても、オートフォーカスの補正が追いつかず被加工物の加工開始端部に加工不良が発生してしまうことになる。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、チャックテーブルの金属製の枠体に測定用レーザビームが照射されても、検出手段で枠体を被加工物の表面高さ位置と誤認識することのないレーザ加工装置を提供することである。本発明によると、被加工物を保持する保持部と該保持部を囲繞する金属製の枠体とを含むチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物の上面に真上から測定用レーザビームを照射し、被加工物の上面で真上に反射した該測定用レーザビームの反射光の受光によって被加工物の上面高さ位置を検出する検出手段と、を備えたレーザ加工装置であって、該金属製の枠体は真上から該測定用レーザビームが照射されても真上への反射を抑制する処理が施されていることを特徴とするレーザ加工装置が提供される。好ましくは、枠体の上面に凹凸が形成されており、この凹凸により真上に反射される反射光の光量を抑制する。代替案として、チャックテーブルの枠体の上面に内側から外側に向けて下方に傾斜する傾斜面を形成するようにしてもよい。本発明によると、チャックテーブルの金属製枠体へ測定用レーザビームが照射されても、検出手段側へ反射される反射光の発生が防止されるか或いは反射光の光量が抑制されるため、枠体を被加工物の上面高さ位置と誤認識することがなく、加工不良の発生が抑制される。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明実施形態に係る被加工物の高さ位置検出機構を有する光学系を具備したレーザ加工装置2の構成を示している。レーザ加工装置2は、静止基台4上にX軸方向に移動可能に搭載された第1スライドブロック6を含んでいる。第1スライドブロック6は、ボールねじ8及びパルスモータ10から構成される加工送り手段12により一対のガイドレール14に沿って加工送り方向、すなわちX軸方向に移動される。第1スライドブロック6上には第2スライドブロック16がY軸方向に移動可能に搭載されている。すなわち、第2スライドブロック16はボールねじ18及びパルスモータ20から構成される割り出し送り手段22により一対のガイドレール24に沿って割り出し方向、すなわちY軸方向に移動される。第2スライドブロック10上には円筒支持部材26を介してチャックテーブル28が搭載されており、チャックテーブル28は加工送り手段12及び割り出し送り手段22によりX軸方向及びY軸方向に移動可能である。チャックテーブル28には、チャックテーブル28に吸引保持された光デバイスウエーハ等の被加工物をクランプするクランプ30が設けられている。静止基台4にはコラム32が立設されており、このコラム32にはレーザビーム発振手段34を収容したケーシング35が取り付けられている。レーザビーム発振手段34は、後で詳細に説明するように、加工用レーザビーム発振手段とセンシング用測定用レーザビーム発振手段を含んでいる。これらのレーザビーム発振手段から発振された加工用及びセンシング用レーザビームは、ケーシング35の先端に取り付けられた集光器36の対物レンズ70図3参照によって集光されてチャックテーブル28に保持されている光デバイスウエーハ等の被加工物に照射される。ケーシング35の先端部には、集光器36とX軸方向に整列して加工用レーザビーム発振手段によって発振されたレーザビームによりレーザ加工すべき加工領域を検出する撮像手段38が配設されている。撮像手段38は、可視光によって撮像する通常のCCD等の撮像素子の他に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、この光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線CCD等の赤外線撮像素子から構成される赤外線撮像手段を含んでおり、撮像した画像信号は後述するコントローラ制御手段40に送信される。コントローラ40はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置CPU42と、制御プログラム等を格納するリードオンリーメモリROM44と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリRAM46と、カウンタ48と、入力インターフェイス50と、出力インターフェイス52とを備えている。56は案内レール14に沿って配設されたリニアスケール54と、第1スライドブロック6に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される加工送り量検出手段であり、加工送り量検出手段56の検出信号はコントローラ40の入力エンターフェイス50に入力される。60はガイドレール24に沿って配設されたリニアスケール58と第2スライドブロック16に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される割り出し送り量検出手段であり、割り出し送り量検出手段60の検出信号はコントローラ40の入力インターフェイス50に入力される。撮像手段38で撮像した画像信号もコントローラ40の入力インターフェイス50に入力される。一方、コントローラ40の出力インターフェイス52からはパルスモータ10、パルスモータ20、レーザビーム照射手段34等に制御信号が出力される。図2に示すように、レーザ加工装置2の加工対象であるLEDウエーハ等の光デバイスウエーハWの表面においては、第1のストリートS1と第2のストリートS2とが直交して形成されており、第1のストリートS1と第2のストリートS2とによって区画された領域に多数の光デバイスDが形成されている。光デバイスウエーハWは、サファイア基板の上述したように区画されたそれぞれの領域に窒化ガリウム系化合物半導体等から形成された発光ダイオードLED等の光デバイスが積層されて構成されている。ウエーハWは粘着テープであるダイシングテープTに貼着され、ダイシングテープTの外周部は環状フレームFに貼着されている。これにより、ウエーハWはダイシングテープTを介して環状フレームFに支持された状態となり、図1に示すクランプ30により環状フレームFをクランプすることによりチャックテーブル28上に支持固定される。次に、図3を参照して、レーザビーム発振手段34の光学系62について説明する。加工用レーザ発振器62はYAGレーザ又はYVO4レーザから構成され、波長1064nmのレーザビームを発振する。加工用レーザ発振器62から発振された加工用パルスレーザビームLB1はダイクロイックミラー66を透過する。そして、集光器36のミラー68で集光レンズ70に垂直集光レンズ70の光軸に平行にに入射し、集光レンズ70により光デバイスウエーハWの内部に集光点を合わせて照射され、ウエーハWの内部にストリートに沿って変質層を連続的に形成する。一方、センシング用レーザ発振器測定用レーザ発振器72は例えばHe-Neレーザから構成され、例えば波長633mmのレーザビームを発振する。センシング用レーザ発振器72から発振されたセンシング用レーザビームLB2は、その一部がハーフミラー74を透過し、ダイクロイックミラー66で反射される。更に集光器36のミラー68で反射されて集光レンズ70に垂直に入射し、集光レンズ70によりウエーハWの上面に集光される。集光レンズ70は、図4及び図5を参照して説明するオートフォーカス制御により上下に微小に移動される。ウエーハWから垂直に反射されたセンシング用レーザビームLB2の反射光は集光レンズ70を透過してミラー68で反射され、更にダイクロイックミラー66で反射されてハーフミラー74に入射する。ハーフミラー74に入射した反射光の一部はハーフミラー74で反射されて、シリンドリカルレンズ76により四分割フォトディテクタ78に集光され、四分割フォトディテクタ78で光電変換される。以下、図4及び図5を参照して、集光レンズ70のオートフォーカス制御について説明する。図4Aは図3に示した光学系62のうちセンシング用光学系を取り出したものであり、ダイクロイックミラー66及び集光器36のミラー68が省略されている。図4Bはシリンドリカルレンズ76を透過した反射光のビーム形状を上から見た図であり、図4Cはシリンドリカルレンズ76を透過した反射光のビーム形状を横から見た図である。ウエーハWで反射されたセンシング用レーザビームの反射光がハーフミラー74で反射されてシリンドリカルレンズ76を透過すると、集光レンズ70及びシリンドリカルレンズ76の作用により、四分割フォトディテクタ78がAの位置では、図5Aに示すように、横に伸びたビームとなり、Cの位置では、図5Cに示すように、縦に伸びたビームとなる。そこで、P,Q,R,Sで示すように四分割されたフォトディテクタ78をBの位置に設置しておく。Bの位置では、AとCの中間なのでビームは、図5Bに示すように、円形となる。さて、この状態でウエーハWが遠ざかると、四分割フォトディテクタ78には縦に伸びたビームが当たることになる。その結果、四分割フォトディテクタ78では、上下のセンサPとRの光量が増すことになる。よって、この時には、センサPとRの光量がセンサQとSの光量と等しくなるまで、集光レンズ70をウエーハWに近づくように制御する。逆に、集光レンズ70がウエーハWに近すぎると、四分割フォトディテクタ78には横に伸びたビームが当たることになる。よって、四分割フォトディテクタ78の左右のセンサQとSの光量が増加するので、センサQとSの光量がセンサPとRの光量と等しくなるまで、集光レンズ70をウエーハWから遠ざける。このようにして、ウエーハWに対して集光レンズ70の位置がオートフォーカス制御される。このように集光レンズ70がオートフォーカス制御されるレーザ加工装置の従来の問題点について図6を参照して説明する。従来のオートフォーカス制御及び本発明のオートフォーカス制御では、四分割フォトディテクタ78で受光した光量が所定値未満の場合には、センシング用レーザビームの照射された位置にはウエーハWがないと判断する。ウエーハWがないと判断した場合には、集光レンズ70はウエーハWがないと判断した直前の高さ位置で固定される。通常のレーザ加工では、一つ前のストリートのウエーハの後端エッジを検出するときの集光レンズ70の高さ位置で次のストリートに侵入し、センシング用レーザビームで次のストリートの高さ位置を検出する。上述したように、チャックテーブル28の枠体31はSUSから形成され、その上面31aは相当高い反射率を有している。レーザ加工装置のオートフォーカス制御では、ウエーハ等の被加工物からの反射光強度を参照し、被加工物の有無を判断している。通常、被加工物が存在する部分のみでオートフォーカス制御を実施する。図6に示すように、センシング用レーザビームがチャックテーブル28の枠体31に照射されると、ダイシングテープTを介した枠体31の上面31aからの反射光強度が強くて所定の閾値以上であるため、枠体31部分にウエーハWがあると誤認識してしまう。その結果、枠体31部分でオートフォーカス制御により集光レンズ70を下方に下げてしまう。集光レンズ70が下がっているため、実際にウエーハWに侵入した直後の符号33で示す部分ではオートフォーカス制御の補正動作が追いつかず、集光レンズ70の位置がずれてしまう。この検査パスでの集光レンズ70の位置をコントローラ40のRAM46に格納して、加工用レーザ発振器64から加工用レーザビームを発振しながら実施にレーザ加工を実施すると、符号33で示す部分に加工不良が発生する。次に、図7を参照して、本発明第1実施形態のレーザ加工装置の要部について説明する。本実施形態のレーザ加工装置では、チャックテーブル28の枠体31の上面31aには凹凸82が形成されている。よって、検査パスによりセンシングレーザビームがチャックテーブル28の枠体31の上面31aに照射されると、上面31aに形成された凹凸82によりレーザビームが乱反射され、四分割フォトディテクタ78で受光する光量が閾値未満となり、オートフォーカス制御が作動しない。よって、集光レンズ70の位置は枠体31部分で下がることなく一定となり、センシング用レーザビームがウエーハWに照射された時点からオートフォーカス制御が実施され、ウエーハWのストリートS1,S2の高さに倣って集光レンズ70が上下に微小に移動される。この検査用パスでの集光レンズ70の高さ位置をコントローラ40の高さRAM46に格納する。次のレーザ加工パスでは、加工用レーザ発振器64から発振された波長1064nmのレーザビーム37LB1の集光点をウエーハWの上面から所定距離H1の位置に合わせるために、集光レンズ70をRAM46に格納した高さ位置から所定距離H1下げてレーザビーム37をストリートS1,S2に沿って照射することにより、図8に示すように、ウエーハWの表面から所定距離H1のウエーハ内部に改質層84を形成することができる。図9を参照すると、本発明第2実施形態のレーザ加工装置の要部断面図が示されている。本実施形態では、チャックテーブル28の枠体31の上面に枠体31の内側から外側に向けて下に傾斜した傾斜面86を形成する。よって、本実施形態では、センシングレーザビームLB2が枠体31の上面で反射した反射光は四分割フォトディテクタ78で検出されることがなく、反射光強度が閾値未満であるため、枠体31部分でオートフォーカス制御が作動しない。よって、上述した第1実施形態と同様に、オートフォーカス制御をセンシング用レーザビームLB2がウエーハWに侵入してから開始することができるため、ウエーハWの加工開始端部での加工不良を未然に防止することができる。"