"正孔輸送層又は電子輸送層の形成のための以下の式I:式中、Rは、H、ヒドロキシル基、アミノ基、C1~C12アミノアルキル基、C1~C12アルコキシ基、ピリジン基、ホスフィン基、チオエーテル基、チオール基、C1~C12アルケン基、C1~C12アルキン基及びハロゲン基から選ばれる1つ又は複数の基で置換されていてもよい直鎖又は分岐C1~C20アルキル基、ヒドロキシル基、アミノ基、C1~C12アミノアルキル基、C1~C12アルコキシ基及びハロゲン基から選ばれる1つ又は複数の基で置換されていてもよいベンジル基、を表すのp-ベンゾキノンモノイミン誘導体の使用。前記式Iにおいて、Rが水素原子、又は-C4H9基、-C3H6-S-CH3基、C6H5-CH2-基若しくは-C3H6-O-CH3基から選ばれることを特徴とする、請求項1に記載の使用。前記式Iにおいて、Rが-C4H9基又はC6H5-CH2-基から選ばれることを特徴とする、請求項1又は2に記載の使用。正孔輸送性又は電子輸送性を有する基板を製造する方法であって、支持体の導電性材料からなる少なくとも一方の表面に、少なくとも1つの以下の式I:式中、Rは、H、ヒドロキシル基、アミノ基、C1~C12アミノアルキル基、C1~C12アルコキシ基、ピリジン基、ホスフィン基、チオエーテル基、チオール基、C1~C12アルケン基、C1~C12アルキン基及びハロゲン基から選ばれる1つ又は複数の基で置換されていてもよい直鎖又は分岐C1~C20アルキル基、ヒドロキシル基、アミノ基、C1~C12アミノアルキル基、C1~C12アルコキシ基及びハロゲン基から選ばれる1つ又は複数の基で置換されていてもよいベンジル基、を表すのp-ベンゾキノンイミン誘導体を結合することを含むことを特徴とする、正孔輸送性又は電子輸送性を有する基板を製造する方法。前記式Iにおいて、Rが水素原子、又は-C4H9基、-C3H6-S-CH3基、C6H5-CH2-基若しくは-C3H6-O-CH3基から選ばれることを特徴とする、請求項4に記載の方法。前記式Iにおいて、Rが-C4H9基又はC6H5-CH2-基から選ばれることを特徴とする、請求項4又は5に記載の方法。前記表面がAl、Au、AuCu3、ITO、TiAu、AlAu、グラフェン、LaB6、GdB6、Ni、Co、Fe、Pd、Pt、及びこれらの種々の材料の合金から選ばれる材料からなることを特徴とする、請求項4~6のいずれか一項に記載の方法。正孔輸送性又は電子輸送性を有する基板であって、少なくとも一方の表面がAl、Au、AuCu3、ITO、TiAu、AlAu、グラフェン、LaB6、GdB6、Ni、Co、Fe、Pd、Pt、及びこれらの種々の材料の合金から選ばれる材料からなる支持体を含み、以下の式I-1:式中、n=0又は1であり、R1及びR2は以下の対:R1が、である場合、R2はHであり、n=0である;R1が-C4H9である場合、R2がHであり、n=1であるこの場合、R3はMであるか、又は、R2がMであり、n=0である;R1が-CH2-C6H5-Mである場合、R2はHであり、n=0である;R1が-CH2-C6H5である場合、R2がHであり、n=1であるこの場合、R3はMであるか、又は、R2がMであり、n=0である;から選ばれ、ここで、Mは前記支持体の前記表面を構成する材料の原子又は分子を示すの少なくとも1つのタイプの分子の層が、前記表面に結合することを特徴とする、正孔輸送性又は電子輸送性を有する基板。前記式I-1において、R1が-CH2-C6H5-M基又は基:から選ばれることを特徴とする、請求項8に記載の基板。請求項8若しくは9に記載の基板、又は請求項4~7のいずれか一項に記載の方法、若しくは請求項1~3のいずれか一項に記載の使用によって得られる基板を備えるデバイス。OLEDタイプのデバイスであることを特徴とする、請求項10に記載のデバイス。OPVタイプのデバイスであることを特徴とする、請求項10に記載のデバイス。OFETタイプのデバイスであることを特徴とする、請求項10に記載のデバイス。電極/分子膜系の界面障壁スクリーンとしての請求項8若しくは9に記載の基板、又は請求項4~7のいずれか一項に記載の方法、若しくは請求項1~3のいずれか一項に記載の使用によって得られる基板の使用。ダイオード効果のための界面層としての請求項8若しくは9に記載の基板、又は請求項4~7のいずれか一項に記載の方法、若しくは請求項1~3のいずれか一項に記載の使用によって得られる基板の使用。導電性を有する光透過層としての請求項8若しくは9に記載の基板、又は請求項4~7のいずれか一項に記載の方法、若しくは請求項1~3のいずれか一項に記載の使用によって得られる基板の使用。導電性を有する電極としての請求項8若しくは9に記載の基板、又は請求項4~7のいずれか一項に記載の方法、若しくは請求項1~3のいずれか一項に記載の使用によって得られる基板の使用。本発明は、従来技術の有機半導体膜の欠点を克服し、分子正孔輸送系又は分子電子輸送系を提供することを対象とする。本発明は、改善された電子特性を有する分子界面を得ることも可能にする。この目的で、本発明は、正孔輸送層又は電子輸送層の形成のための、強力な固有双極子を有し、特に10デバイ以上の双極子モーメントを有する双性イオン性の分子アニオン部及びカチオン部において電荷の非局在化が存在するの使用を提供する。双性イオン性の分子は、中性の式で表すことができないことを特徴とする。このため、残留する電荷及び-電荷双イオンzweiionsのデカップリングが起こり、電気双極子が生じる。これらは例えば、有機化学又は有機金属化学の分野で見られる。有機双性イオン分子の例は以下のとおりである:有機金属双性イオン分子の例は以下のとおりである:好ましくは、双性イオン性の分子は、以下の式I:式中、Rは、H、ヒドロキシル基、アミノ基、C1~C12アミノアルキル基、C1~C12アルコキシ基、ピリジン基、ホスフィン基、チオエーテル基、チオール基、C1~C12アルケン基、C1~C12アルキン基及びハロゲン基、例えばF、I、Br及びClから選ばれる1つ又は複数の基で置換されていてもよい直鎖又は分岐C1~C20アルキル基、ヒドロキシル基、アミノ基、C1~C12アミノアルキル基、C1~C12アルコキシ基及びハロゲン基、例えばF、I、Br及びClから選ばれる1つ又は複数の基で置換されていてもよいベンジル基、から選ばれるのp-ベンゾキノンモノイミン誘導体である。より好ましくは、Rが水素原子、又は-C4H9基、-C3H6-S-CH3基、C6H5-CH2-基若しくは-C3H6-O-CH3基から選ばれる式Iの誘導体が使用される。最も好ましくは、Rが-C4H9基又はC6H5-CH2-基から選ばれる式Iの誘導体が使用される。1つの実施の形態によると、双性イオン性の分子によって形成される正孔輸送層及び電子輸送層は、導電性電極として働く。本発明は、支持体の少なくとも一方の表面に、少なくとも1つのタイプの双性イオン性の分子を結合することを含むことを特徴とする、正孔輸送性又は電子輸送性を有する基板を製造する方法も提供する。支持体の表面は、導電層、特に金属導電層例えばAu、絶縁層例えばSiO2、又は強誘電特性を有する金属酸化物、例えばLiNbO3、又は酸化物と反応する末端基を有する材料、又は半導電層例えばSiOxHyマイクロ電子デバイスと適合する支持体上の薄層として得ることができる例えば、SiO2で被覆されたSiウエハーであり得る。本発明の方法では、好ましくは、双性イオン性の分子は、以下の式I:式中、Rは、H、ヒドロキシル基、アミノ基、C1~C12アミノアルキル基、C1~C12アルコキシ基、ピリジン基、ホスフィン基、チオエーテル基、チオール基、C1~C12アルケン基、C1~C12アルキン基及びハロゲン基、例えばF、I、Br及びClから選ばれる1つ又は複数の基で置換されていてもよい直鎖又は分岐C1~C20アルキル基、ヒドロキシル基、アミノ基、C1~C12アミノアルキル基、C1~C12アルコキシ基及びハロゲン基、例えばF、I、Br及びClから選ばれる1つ又は複数の基で置換されていてもよいベンジル基、から選ばれるのp-ベンゾキノンイミン誘導体である。しかしながら、より好ましくは、式Iの誘導体は、Rが水素原子、又は-C4H9基、-C3H6-S-CH3基、C6H5-CH2-基若しくは-C3H6-O-CH3基から選ばれるものである。最も好ましくは、式Iの誘導体は、Rが-C4H9基又はC6H5-CH2-基から選ばれるものである。好ましくはさらに、本発明の方法では、電極として作用する表面を構成する材料は、Al、Au、AuCu3、ITO、TiAu、AlAu、グラフェン、LaB6、GdB6、Ni、Co、Fe、Pd、Pt、及びこれらの種々の材料の合金から選ばれるのが好ましい。本発明はまた、少なくとも一方の表面がAl、Au、AuCu3、ITO、TiAu、AlAu、グラフェン、LaB6、GdB6、Ni、Co、Fe、Pd、Pt、及びこれらの種々の材料の合金から選ばれる材料からなる支持体を含み、少なくとも1つのタイプの双性イオン性の分子の層が、前記表面に結合することを特徴とする、正孔輸送性又は電子輸送性を有する基板を提供する。支持体の表面は金属、例えばAu等の導電性材料、又は例えばSiO2若しくはLiNbO3等の絶縁性材料、又は例えばSiOxHy等の半導電性材料からなる層マイクロ電子デバイスと適合する支持体上の薄層として得ることができる例えば、SiO2で被覆されたSiウエハーであり得る。支持体の表面が絶縁性材料又は半導電性材料からなる層である場合、少なくとも1つのタイプの双性イオン性の分子の層は、有利には導電性電極として働くことができる。これに関連して、RがC6H5-CH2-基である式Iの双性イオン性の化合物が特に好ましい。好ましくは、少なくとも1つのタイプの双性イオン性の分子の層は、以下の式I-1:式I-1式中、n=0又は1であり、R1及びR2は以下の対:R1が、である場合、R2はHであり、n=0である;R1が-C4H9である場合、R2がH2であり、n=1であるこの場合、R3はMである窒素-金属相互作用か、又は、R2がHであり、n=1であるこの場合、R3はMである表面上の分子の脱プロトン化による窒素-金属相互作用か、又は、R2がMであり、n=0である;R1が-CH2-C6H5-Mである場合、R2はHであり、n=0である;R1が-CH2-C6H5である場合、R2がHであり、n=1であるこの場合、R3はMであるか、又は、R2がMであり、n=0である;から選ばれ、ここで、Mは前記支持体の前記表面を構成する材料の原子又は分子を示すの分子の層から形成される。好ましくは、R1は-CH2-C6H5-M基又は基:から選ばれる。特定の理論に傾倒することを望むものではないが、例としては、支持体の表面が導電性材料からなる層である場合、Mは特に金属原子、例えばAu原子であり得る。この表面が絶縁性材料からなる層である場合、Mは特にLiNbO3等の金属酸化物の表面原子であり得る。最後に、この表面がSiOxHy等の半導電性材料からなる層である場合、Mは水素原子水素結合又は酸素原子であり得る。式I-1の双性イオン分子は、支持体の表面に存在するMに、その構造中に存在する電子の豊富な基、例えば孤立電子対を有するヘテロ原子、特にN、S若しくはOとの相互作用、又は同様に芳香族基π相互作用によって結合することができる。これらの相互作用は概して、双性イオン分子と支持体の表面M基との電子交換と類似しており、典型的にはおよそ0.5eVのエネルギーシフトを特徴とする。本発明はまた、本発明による基板、又は本発明による方法、若しくは本発明による使用によって得られる基板を備えるデバイスを提供する。第1の実施の形態では、デバイスは、OLEDタイプのデバイスである。第2の実施の形態では、デバイスは、OPVタイプのデバイスである。第3の実施の形態では、デバイスは、OFETタイプのデバイスである。本発明はまた、電極/分子膜系の界面障壁スクリーンとしての本発明による基板、又は本発明による方法、若しくは本発明による使用によって得られる基板の使用を提供する。本発明はまた、ダイオード効果のための界面層としての本発明による基板、又は本発明による方法、若しくは本発明による使用によって得られる基板の使用を提供する。本発明はまた、導電性を有する光透過層としての本発明による基板、又は本発明による方法、若しくは本発明による使用によって得られる基板の使用を提供する。最後に、本発明は、導電性を有する電極としての本発明による基板、又は本発明による方法、若しくは本発明による使用によって得られる基板の使用を提供する。以下の説明的な記載を考慮し、図面を参照することにより、本発明の更なる理解が得られ、本発明の他の特徴及び利点がより明確に明らかになる。本発明は、正孔輸送層又は電子輸送層を形成するための双性イオン性の分子の使用に関する。双性イオン性の分子は、顕著な固有双極子、特に10デバイを超える双極子モーメントを有し、界面スクリーン、及び半導電性材料からなる基板の伝導帯の端にあるHOMO最高被占分子軌道レベルの調整に主要な役割を果たす。具体的には、本発明者らは、双性イオン性の分子から形成される膜層、表面の使用が効果的かつ効率的に界面障壁を低減し、膜内で生じた電子が半導電性材料からなる基板から急速に流出することを可能にすること、膜内で生じた正孔が半導電性材料からなる基板から急速に流出することができること、更には、金属分子系の半導電性材料/膜からなる基板のフェルミ準位での分子膜の状態の非ゼロ密度を得ることが可能であることを発見した。双性イオン性の分子の多くのファミリーが既知である。例としては、以下の分子に言及することができる。しかしながら、双性イオン性の分子の具体的なファミリーは、以下の式I:式中、Rは、H、ヒドロキシル基、アミノ基、C1~C12アミノアルキル基、C1~C12アルコキシ基、ピリジン基、ホスフィン基、チオエーテル基、チオール基、C1~C12アルケン基、C1~C12アルキン基及びハロゲン基、例えばF、I、Br及びClから選ばれる1つ又は複数の基で置換されていてもよい直鎖又は分岐C1~C20アルキル基、ヒドロキシル基、アミノ基、C1~C12アミノアルキル基、C1~C12アルコキシ基及びハロゲン基、例えばF、I、Br及びClから選ばれる1つ又は複数の基で置換されていてもよいベンジル基、を表すのp-ベンゾキノンモノイミンのファミリーの分子である。式Iの典型的な分子は、下記スキームで見られる:これらの小分子は、このような小分子にとっては高い10デバイという固有電気双極子を有する。窒素を使用して末端基Rを修飾し、それにより表面との結び付きを調整することができる。式Iの化合物は、当業者に既知の任意の方法によって、特に国際公開第2006/048547号に記載の方法に従って調製することができる。表面に結合した及び表面への結合という用語は、本発明では、グラフト化及び吸着の両方を意味するものと理解される。より具体的には、この結合は、双性イオン分子と支持体の表面を構成する材料とで電子が共有される化学結合だけでなく、以下のタイプのより弱い相互作用又は結合:水素結合、ファンデルワールス相互作用、又は双極子-双極子タイプの静電結合であってもよい。酸素基を、2つの双性イオン性の分子を結合させる金属中心を用いた配位化学反応に使用することができる。これらの分子は色素としても既知である。これらの分子に対して本発明者らが行った実験から、これらの分子を表面に結合させ、それらの電子特性を特性化することが可能であることが明らかとなった。このため、これらの分子によって、表面に結合した新規の分子系を生成することが可能となる。これらの有機分子は、金属界面の双極子の悪影響を遮蔽する固有双極子を有する。これらの分子を用いて、導電性材料、例えば金Au、インジウムスズ酸化物ITO、金銅合金AuCu3、チタン金合金TiAu及びアルミニウム金合金AlAuからなる支持体の表面の98超を被覆する薄膜を堆積させることが可能である。シリカSiO2又はニオブ酸リチウムLiNbO3等のように非導電性であるか、又は僅かにしか導電性ではなく、更には強誘電特性を有する、基板を被覆するこれらの分子を被覆する薄膜を堆積させることも可能である。形成される膜の特性、特に形成される膜内で生じる電子が基板から急速に流出することができ、形成される膜内で生じる正孔が同様に基板から流出することができるということから、これらの分子が電荷キャリアを非常に良好に輸送し、基板との界面障壁を制限することが示される。これは、表面上の分子にとっては極めて稀である。また、これらの分子を用いて、金属分子系の金属材料/膜又は半導電性材料/膜又は絶縁性材料/膜からなる基板のフェルミ準位での分子膜の状態の非ゼロ密度を得ることが可能である。この特性は、本発明者らの知る限りでは、HOMO-LUMO最低空分子軌道ギャップが導電性基板又は半導電性基板のフェルミ準位にこれ程までに相当する有機系がこれまでに存在していなかったため、注目に値する。理論に縛られることを望むものではないが、本発明者らは、分子配向の知識を用いて、この例外的な特性が本発明で使用される分子の固有双極子に起因するものであると考える。光子放出スペクトルのシフトが生じないことが、それにより形成される分子膜の顕著な伝導性の直接の結果であり、当業者に既知である他の唯一の例はグラファイトであった。ここで、本発明の更なる理解を達成するために、その幾つかの実施例を、限定を意味するものではなく、ほんの一例として記載する。以下の実施例では、式Iのp-ベンゾキノンモノイミン誘導体を、金からなる表面を有する基板に吸着させた。エタノール超音波浴内及びアセトンへの一連の曝露で予め洗浄した金表面を、分子の溶液中で16時間放置する。概して、溶液は0.8mol/lの濃度を有し、使用される溶媒は主にジクロロメタンである。表面をエタノールで数回洗浄した後、乾燥させ、不活性雰囲気下で保管する。得られる膜の厚さは、徹底した洗浄エタノールの持続流下で10分間後で0.5nm~1nm両端値を含むである。実施例1RがHである式Iの分子を使用した。組み合わせた逆光子放出スペクトル及び光子放出スペクトルを図1に示すa。金に吸着させるか、又は別の形で金からなる支持体に結合した際の構造を示す分子の構造図は、以下の2つの構造の組合せである:実施例2RがC4H9である式Iのp-ベンゾキノンモノイミン誘導体を使用した。得られた膜の組み合わせた逆光子放出スペクトル及び光子放出スペクトルを、bと表示して図1に示す。金に吸着させるか、又は支持体の金からなる表面に結合した際の使用される式Iの化合物の構造は、以下の構造の組合せである:実施例3RがC3H6-S-CH3である式Iのp-ベンゾキノンモノイミン誘導体を使用した。このようにして形成された膜の組み合わせた逆光子放出及び光子放出のスペクトルを、cと表示して図1に示す。金からなる支持体の表面に吸着させた際の使用される分子の構造は、以下のとおりである:実施例4RがC3H6-O-CH3である式Iのp-ベンゾキノンモノイミン誘導体を使用した。組み合わせた逆光子放出スペクトル及び光子放出スペクトルを、dと表示して図1に示す。金からなる支持体の表面に吸着させた際のこれらの分子の構造は、以下のとおりである:実施例5RがCH2-C6H5である式Iのp-ベンゾキノンモノイミン誘導体を使用した。得られた膜の組み合わせた逆光子放出スペクトル及び光子放出スペクトルを、eと表示して図1に示す。金からなる支持体の表面に吸着させた際のこの誘導体の構造は、以下のとおりである:図1では、本発明による膜を用いて得られる組み合わせた逆光子放出スペクトル及び光子放出スペクトルを太線で表し、比較のために示す、対応する単一分子の計算モデルによって得られる理論密度を細線によって表す。実施例6RがC4H9である式Iのp-ベンゾキノンモノイミン誘導体を通って流れる電流も、1nm~3nm離れた2つの金電極間において、電圧の関数として測定し、この誘導体を用いない場合の漏れ電流と比較した。これらの曲線を図2に表す。実施例7実施例2のデバイスの仕事関数を、実施例2と同一であるが、Rがエチル基である式Iの分子をグラフト化したデバイスの仕事関数とともに測定した。これは、式Iの化合物の存在が再現可能かつ長期にわたって安定な形で仕事関数を低下させることを確認するために行った。これに関し、これらのデバイスによって放出される電子を、UV光電子分光法UPSによって周囲圧力で測定した。材料によって放出される電子二次電子を含むの全てをUPSによって測定する。仕事関数は、光放出電子の検出の開始に相当する。参照として、先の実施例において使用したサンプルの製造に使用されるものと同一であり、同じように処理したが分子をグラフト化しなかった、金からなる基板の仕事関数を、同じ条件下で測定した。金からなる参照サンプルの仕事関数は5.13eVであり、実施例2のデバイスの仕事関数は4.66eVであり、Rがエチル基である式Iのp-ベンゾキノンモノイミン誘導体を使用したデバイスの仕事関数は、4.72eV~4.80eVである。これらの測定は、デバイスの製造の直後に行った。このため、参照サンプルの仕事関数5.13eVと、本発明の式Iの分子をグラフト化した金薄膜の仕事関数との間の差は、再現可能におよそ0.3eV~0.4eVである。これは、実際に本発明の分子が仕事関数を低下させることを可能にすることを示し、これらの分子の界面双極子スクリーン効果を明らかに示す。参照サンプル及び実施例2のサンプルを、周囲雰囲気、すなわち周囲空気及び周囲湿度で4日間放置した。仕事関数を再度測定した。参照サンプルの仕事関数は変化せずこの4日間の後も依然として5.13eVであった、実施例2のサンプルの仕事関数は4.72eVであった。このことは、明らかに式Iの分子が、金からなる表面にグラフト化した場合に安定した状態を保つ、すなわち分解されず、グラフト化したままであることを示す。結果図2から、Rがブチル-C4H9基である式Iのp-ベンゾキノンモノイミン誘導体が、優れた積層密度を有し、極薄層が得られる場合に金属基板を完全に被覆し、2つの金属電極間で電気伝導性を示すことが分かる。これらの理由から、このp-ベンゾキノンモノイミン誘導体は、本発明での使用に好ましい化合物である。図1から、最も高いレベルの電子移動度を有するp-ベンゾキノンモノイミン誘導体は、Rがベンジル基である式Iの化合物であることが分かる。さらに、この化合物では、長期間の光子照射中に静電帯電効果は見られなかった。この理由から、この誘導体が本発明での使用に特に好ましい。上記のことから、本発明の別の主題は、支持体の好ましくは導電性材料からなる少なくとも一方の表面に、少なくとも1つのタイプの双性イオン性の分子を結合することを含む、正孔輸送性又は電子輸送性を有する基板を製造する方法であることが分かる。本発明のプロセスでは、好ましくは、双性イオン性の分子は、正孔輸送層又は電子輸送層の形成のための以下の式I:式中、Rは、H、ヒドロキシル基、アミノ基、C1~C12アミノアルキル基、C1~C12アルコキシ基、ピリジン基、ホスフィン基、チオエーテル基、チオール基、C1~C12アルケン基、C1~C12アルキン基及びハロゲン基、例えばF、I、Br及びClから選ばれる1つ又は複数の基で置換されていてもよい直鎖又は分岐C1~C20アルキル基、ヒドロキシル基、アミノ基、C1~C12アミノアルキル基、C1~C12アルコキシ基及びハロゲン基、例えばF、I、Br及びClから選ばれる1つ又は複数の基で置換されていてもよいベンジル基、を表すのp-ベンゾキノンモノイミン誘導体である。好ましくは、前記式Iにおいて、Rが水素原子、又は-C4H9基、-C3H6-S-CH3基、C6H5-CH2-基若しくは-C3H6-O-CH3基から選ばれる。より好ましくは、前記式Iにおいて、Rが-C4H9基又はC6H5-CH2-基から選ばれる。材料に関しては、Al、Au、AuCu3、ITO、TiAu、AlAu、グラフェン、LaB6、GdB6、Ni、Co、Fe、Pd、Pt、及びこれらの種々の材料の合金から選ばれるのが好ましい。この方法により、これらの双性イオン性の分子を用いて、正孔輸送性又は電子輸送性を有する基板が得られる。この基板も本発明の主題である。この基板は、少なくとも一方の表面がAl、Au、AuCu3、ITO、TiAu、AlAu、グラフェン、LaB6、GdB6、Ni、Co、Fe、Pd、Pt、及びこれらの種々の材料の可能な合金から選ばれ、少なくとも1つのタイプの双性イオン性の分子が上記表面と結合する、支持体を含む。以下の式I-1:式中、n=0又は1であり、R1及びR2は以下の対:R1が、である場合、R2はHであり、n=0である;R1が-C4H9である場合、R2がH2であり、n=1であるこの場合、R3はMである窒素-金属相互作用か、又は、R2がHであり、n=1であるこの場合、R3はMである表面上の分子の脱プロトン化による窒素-金属相互作用か、又は、R2がMであり、n=0である;R1が-CH2-C6H5-Mである場合、R2はHであり、n=0である;R1が-CH2-C6H5である場合、R2がHであり、n=1であるこの場合、R3はMである窒素-金属相互作用か、又は、R2がMであり、n=0である表面上の分子の脱プロトン化;から選ばれ、ここで、Mは前記支持体の前記表面を構成する材料の原子又は分子を示すの分子から形成される。この基板は、電極/分子膜系の界面障壁スクリーン、ダイオード効果のための界面層、及び導電性を有する光透過層として首尾よく使用された。このため、この基板をOLEDタイプ、OPVタイプ及びOFETタイプのデバイス等のデバイスに組み込んだ。これらの使用及びデバイスも本発明の主題である。実施例8比較用従来技術のOPVデバイスを製造した。これに関し、ガラスからなる基板の表面をITO層で被覆した。ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン-ポリ-スチレンスルホネートPEDOT-PSSを、このITO層の自由表面上に堆積させた。ポリ3-ヘキシルチオフェンP3HTとフェニルC61-酪酸メチルエステルPCBMとの重量比1:1の混合物から構成される有機層を、このPEDOT-PSS層の自由表面上に堆積させた。続いて、この有機層をアルミニウムの層でコーティングした。このOPVデバイス構成は、これまでに知られる最良の有機太陽電池の典型である。この電池の測定効率は2.47625である。この電池の平均電流密度は7.512857ミリアンペア/cm2である。それにもかかわらず、このタイプの電池は、ITO層がPEDOT-PSSによって時間とともに分解される可能性があるという欠点を有する。実施例9OPVタイプの電池を、PEDOT-PSS層を堆積させる前に、Rがブチル基である式Iの本発明による双性イオン分子をグラフト化した以外は実施例8と同じように製造した。この電池の効率は2.62625である。この電池の平均電流密度は7.972ミリアンペア/cm2である。実施例8及び実施例9から、本発明による式Iの分子のグラフト化が、効率及び電流密度のどちらの点でもOPV電池の全ての特性を改善することを可能にし、更にはITO層をPEDOT-PSS層の分解作用から保護することを可能にすることが分かる。実施例10比較用OFETタイプの薄膜を有する有機トランジスタを製造した。これに関し、誘電材料の層この場合はSiO2を、pドープシリコントランジスタのゲートを構成するからなる基板上に堆積させた。2つの電極、すなわちソース電極及びドレイン電極を、誘電材料の層上に堆積させ、誘電材料、並びにソース電極及びドレイン電極を、基板を疎水性にする層本実施例ではヘキサメチルジシラザンHMDSの層で被覆した。最後に、P3HTの活性層を堆積させた。ソース電極とドレイン電極との間を移動する電流の強度における変動IDSと示すを、ゲートに印加した電圧の関数として測定した。結果を図3出力曲線及び図4伝達曲線に表す。半導体チャネルの移動度を出力曲線の結果から推定した。ION/IOFF比を伝達曲線の結果から決定した。同じ条件下で試験及び製造した3つのサンプルについての結果を下記表1に示す。表1から、移動度μsatが3.13×10-3cm2/Vs~3.7×10-3cm2/Vsの間で変化することが分かる。一方、製造されたトランジスタの遮断率を表すION/IOFF比は、1.8×10-2~5.3×10-2の間で変化する。図3から、最大の電流IDSが-60Vのゲート印加電圧で得られ、-4.0×10-5A未満にとどまることが見出される。実施例11OFETデバイスを、有機半導電層の堆積前に、Rがブチル基である式Iを有する本発明による双性イオン分子を、誘電材料並びにソース電極及びドレイン電極の全体にわたってグラフト化した以外は実施例10と同じように製造した。通常は、帯電chargecarrying分子を誘電材料上に堆積させることは、半導体チャネルとのその界面特性が低下するために推奨されない。しかしながら、本実施例では、帯電分子を誘電材料上に堆積させることの欠点にもかかわらず、電子の移動度及びION/IOFF比の点で改善された特性を有するデバイスが得られた。具体的には、このデバイスの移動度及びION/IOFF比を測定した。同じ条件下で試験及び製造した3つのサンプルについて得られた結果を、下記表2に示す。表2から分かるように、移動度は1.2×10-3cm2/Vs~1.4×10-2cm2/Vsの間で変化し、ION/IOFF比は2.04×104~1.05×105の間で変化する。これは、従来技術のOFET電池に対する顕著な改善を表す。さらに、ゲートに印加した電圧の関数としての電流IDSを、実施例10で得られたOFET及び実施例11で得られたOFETについて測定した。結果を図5及び図6に表す。図5及び図6を比較することから分かるように、電極間を移動する電流は、本発明によるOFETデバイスの場合にはるかに高い。これは、60Vのゲート電圧で最大-8.0×105超にまで達する。このため、本発明の式Iの分子を用いることによって、OFETの移動度は2倍増大し、ION/IOFF比は2桁近く増大する。特別な利点はゼロ入力電流、すなわちソース電極とドレイン電極との間の電圧及びゲート電圧が全てゼロである場合の電流である。本発明によるデバイスは、体系的により弱い電流を示し、このことは金属-有機半導体界面でのエネルギーレベルのより良好な一致alignmentのために、低印加電圧でより良好な抵抗挙動ohmicbehaviorを示す。ソース電極とドレイン電極との間の残留電流がより低いことは、トランジスタが動作中でない場合のエネルギー損失の点で有利である。ソース電極とドレイン電極との間の飽和電流がより高いことは、トランジスタの電力応用の点で有利である。"