"読出し専用のMRAMを備えた半導体チップにおける上記読出し専用のMRAMへの情報書込み方法であって、上記半導体チップの電源がオフされた状態で、磁石により形成される磁界を利用して上記MRAMを初期化し、上記MRAMへの書込み用情報に応じて軟磁性材料による層が予め形成された情報書込み用マスクを上記初期化後の上記MRAMに重ね、その状態で、上記磁石による磁化の方向を上記MRAMの初期化の場合とは逆方向にすることで、上記MRAMへの情報書込みを行う、MRAMへの情報書込み方法。上記磁石による磁界は、上記MRAMの素子の配列方向に沿って形成される請求項1記載のMRAMへの情報書込み方法。上記情報書込み用マスクには、印刷技術又は半導体プロセスにおける露光技術により、上記MRAMに書込む情報に応じて軟磁性材料による層が予め形成された請求項2記載のMRAMへの情報書込み方法。上記読出し専用のMRAMは、上記半導体チップにおけるシステム回路部の周辺部に形成され、その位置に対応するように上記情報書込み用マスクが形成された請求項3記載のMRAMへの情報書込み方法。従来のMRAMについて本願発明者が検討したところ、以下の課題が見いだされた。すなわち、電源がオフ状態の半導体チップにおける磁気抵抗メモリに対して、プログラム等の情報書込みを行いたい場合があるが、従来技術によれば、電源がオフ状態の半導体チップにおける磁気抵抗メモリに対して、プログラム等の情報書込みを行うことができない。本発明の目的は、電源がオフ状態の半導体チップにおけるMRAMに対して情報書込みを可能にするための技術を提供することにある。本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。すなわち、半導体チップの電源がオフされた状態で、磁石により形成される磁界を利用して上記MRAMを初期化する。そして、上記MRAMへの書込み用情報に応じて軟磁性材料による層が予め形成された情報書込み用マスクを上記初期化後の上記MRAMに重ね、その状態で、上記磁石による磁化の方向を上記MRAMの初期化の場合とは逆方向にすることで、上記MRAMへの情報書込みを行う。本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。すなわち、電源がオフ状態の半導体チップにおける磁気抵抗メモリに対して情報書込みを行うことができる。1.実施の形態の概要先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。代表的な実施の形態についての概要説明で括弧を付して参照する図面中の参照符号はそれが付された構成要素の概念に含まれるものを例示するに過ぎない。1本発明の代表的な実施の形態に係る情報書込み方法は、半導体チップの電源がオフされた状態で、磁石により形成される磁界を利用して上記MRAMを初期化する。そして、上記MRAMへの書込み用情報に応じて軟磁性材料による層が予め形成された情報書込み用マスクを上記初期化後の上記MRAMに重ね、その状態で、上記磁石による磁化の方向を上記MRAMの初期化の場合とは逆方向にすることで、上記MRAMへの情報書込みを行う。このような情報書込み方法によれば、半導体チップの電源がオフされた状態で行われる。また、読出し専用のMRAMの初期化後に、読出し専用のMRAMに磁石を当てるだけで、任意の情報を書込むことができるので、書込みに要する時間は非常に短いし、複雑な評価ボードや、高価なテスタも必要としない。2上記1において、上記磁石による磁界は、上記MRAMの素子の配列方向に沿って形成することができる。3上記2において、上記情報書込み用マスクには、印刷技術又は半導体プロセスにおける露光技術により、上記MRAMに書込む情報に応じて軟磁性材料による層が予め形成されている。この軟磁性材料による層を利用して、情報書き込みを行うことができる。4上記読出し専用のMRAMは、上記半導体チップにおけるシステム回路部の周辺部に形成され、その位置に対応するように上記情報書込み用マスクが形成される。上記半導体チップにおけるシステム回路部の周辺部に読出し専用のMRAMを形成する場合、少数のMRAM素子を配置することによって、MRM素子1個当たりのサイズを大きくすることができるため、それに対応するように形成された書込み用マスクとの位置合わせが容易となる。2.実施の形態の詳細実施の形態について更に詳述する。《実施の形態1》図1には、本発明にかかるMRAMへの情報書込み方法の実施に用いられる半導体チップが示される。図1に示される半導体チップ10は、リードライト可能なMRAM101、読出し専用のMRAM102、CPU中央処理装置103、及び周辺回路104を含み、公知の半導体集積回路製造技術により、単結晶シリコン基板などの一つの半導体基板に形成される。リードライト可能なMRAM101、読出し専用のMRAM102、CPU103、及び周辺回路104は、バス105を介して互いに信号のやり取りが可能に結合されている。読出し専用のMRAM102は、磁気トンネル接合MTJ;MagneticTunnelJunction素子を有し、この磁気トンネル接合部分には、各MTJを選択するためのMOSトランジスタが設けられている。MRAMの記憶はMTJ素子に行われる。MTJ素子は二つの強磁性層のうち片方は磁化が固定されており、他方は磁化が可変であり、間に障壁となる薄い絶縁層がある。一方の磁性層の磁化の方向を固定し、他方を変化させることで抵抗値の高低を切り替えることで、論理値‘1’‘0’に対応させるようにしている。ここで、半導体チップ10は非通電状態電源オフ状態とされる。そして非通電状態の半導体チップ10におけるMRAM102を挟むように、磁石106,107を配置すると、MRAM102のMJT素子の配列方向に沿って磁界が形成される。このとき、磁石106のN極から磁石107のS極に向かう磁力線108によって、読出し専用のMRAM102における上記他方の磁性層便宜上、これをMRAM素子と称するの磁化の方向が一方向に揃えられるこれを初期化と称することができる。上記磁石106,107は永久磁石とされる。上記のように初期化された後に、読出し専用のMRAM102への情報書込みが行われる。この情報書込みも、半導体チップ10の非通電状態で行われる。すなわち、読出し専用のMRAM102への情報書込みは、図2に示されるように、読出し専用のMRAM102上に、情報書込み用マスク201を載置し、その状態で、今度は、初期化の時とは逆方向の磁力線108が生じるように、磁石106,107の磁極を入れ替える。つまり、読出し専用のMRAM102への情報書込みにおいては、磁石107のN極から磁石106のS極に向かう磁力線108を発生させる。このように初期化の時とは逆方向の磁力線108を発生させることにより、情報書込み用マスク201によってマスクされていないMRAM素子磁性層の磁化の方向が反転され、それによって情報の書込みを行うことができる。図3には、上記情報書込み用マスク201の断面が示される。情報書込み用マスク201は、読出し専用のMRAM102を覆うことができる大きさの基板300に、例えばインクジェット技術を用いて、鉄分のような軟磁性材料を多く含むインクと、ビスマスのような反磁性材料を多く含むインクを順番に基板上に吹き付けることにより作成することができる。軟磁性材料を多く含むインクが吹き付けられた箇所には、軟磁性材料高透磁率材料による層301が形成され、ビスマスのような反磁性材料を多く含むインクが吹き付けられた箇所には、反磁性材料による層302が形成される。軟磁性材料による層301のパターンは、読出し専用のMRAM102への書込み用情報に応じて形成される。磁石106,107による磁束は、軟磁性材料高透磁率材料による層301を通過するが、反磁性材料による層302は通過できない。尚、基板300は、柔軟性を有するものでも良いし、柔軟性を有さないものでも良い。また、インクジェット技術では、磁束の通り道として膜厚が足りないような場合は、通常のマスクレクチルを作るような工程で厚膜の場合も作成することが可能である。例えば、軟磁性材料の層を形成する場合には、図4に示されるように、ガラスなどの基板300上に、軟磁性材料による層301と、感光剤による層403とを積層して、必要なマスクパタンを露光すると、図5に示されるように、感光剤の層403に窓を開けることができ、軟磁性材料による層301が露出される。この状態でエッチングすると、図6に示されるように、軟磁性材料による層301の露出部分が浸食される。その後、感光剤の層403を剥離して、反磁性材料を流し込むことにより、図7に示されるような反磁性材料による層701を形成することができ、それによって、図3に示されるのと同等の情報書込み用マスク201が得られる。図4乃至図7に示される手順によれば、印刷技術と異なり、任意の膜厚の情報書込み用マスク201を得ることができる。次に、上記のように形成された情報書込み用マスク201を用いた情報書込みについて詳述する。読出し専用のMRAM102は、図1に示されるように、最初に印加した磁化の方向により、論理値がオール‘0’かオール‘1’に初期化される。このことは、読出し専用のMRAM102を上から見た場合、イメージ的には、図8に示されるように、各MRAM素子が全て同じ磁化方向を向いていることを意味する。次に、図11に示されるように、読出し専用のMRAM102に、図9に示されるような情報書込み用マスク201が重ねられる。図10には、図9に示される読出し専用のMRAM102を横から見た状態が示される。この状態において、半導体チップ10の両側の磁石106,107による磁束が、読出し専用のMRAM102とは、逆方向となるように、磁石106,107の磁極を変更する。この磁極を変更するには、磁石106,107を入れ替えても良いし、磁石106,107をその位置で180度回転させても良い。このとき、半導体チップ10の両側の磁石106,107による磁束108は、図12に示されるように、軟磁性材料による層301が存在する箇所では、読出し専用のMRAM102内を直進せずに、軟磁性材料による層301を通る。つまり、軟磁性材料による層301の直下に位置するMRAM素子は、情報書込み用マスク201でマスクされることによって、磁束108による影響を受けない。この結果、読出し専用のMRAM102においては、図13に示されるように、軟磁性材料による層301の直下に位置するMRAM素子131,132の磁化方向はリセット時のままとされるが、軟磁性材料による層301の直下に位置するMRAM素子131,132以外のところの磁化方向が磁束108によって反転され、それによって読出し専用のMRAM102への情報書込みが行われる。このようにして読出し専用のMRAM102へ書込まれる情報の内容は、情報書込み用マスク201によるマスク位置、つまり、反磁性材料による層302の形成位置によって決定される。このように実施の形態1によれば、読出し専用のMRAM102の初期化後に、磁石106,107を読出し専用のMRAM102に1回当てるだけで、任意の情報を読出し専用のMRAM102に書込むことができるので、書込みに要する時間は非常に短く、かつ電源を必要としない。また、複雑な評価ボードや、高価なテスタも必要としない。《実施の形態2》情報書込み用マスク201の作成時に、予め読出し専用MRAM102の位置を正確に反映して情報書込み用マスク201を作成し、図14に示されるように、情報書込み用マスク201の両端部に、磁石106,107を取り付ける。このように磁石106,107が取付けられた情報書込み用マスク201を、図15に示されるように、半導体チップ10の上に乗せる。本例において半導体チップ10は、パッケージ底面の格子状に並んだ端子へディスペンサで溶けた半田を塗布し、半田の表面張力で半球状に形成されたバンプ電極を持つタイプとされる。このとき、半導体チップ10は、図16に示されるように、情報書込み用マスク201の両端部の磁石106,107によって挟まれるようになる。このようにすれば、半導体チップ10における読出し専用MRAM102の形成領域に正確に重ねることができる。《実施の形態3》図17には、上記半導体チップ10の別の構成例が示される。図17に示される半導体チップ10が、図1に示されるのと大きく相違するのは、半導体チップ10の縁辺部に読出し専用のMRAM102が形成されている点である。この読出し専用のMRAM102には、何かしらの識別情報や製品情報、またはパスワード情報などを格納するために利用されるもので、記憶容量は小さい。しかし、情報書込み用マスク201を重ねる際の位置決めの容易化を図るため、読出し専用のMRAM102におけるMRAM素子のサイズは、読出し専用のMRAM102に比べて大きく形成される。また、バス105にはROMリードオンリーメモリ109が結合され、CPU103によって実行されるプログラムは、このROM109に格納される。図18には、図17に示される半導体チップ10を横から見た様子が示される。読出し専用のMRAM102への情報書込み前のリセットは、実施の形態1,2の場合と同様に行われる。読出し専用のMRAM102への情報書込みにおいては、図18に示されるように、半導体チップ10に情報書込み用マスク181が重ねられる。情報書込み用マスク181は、軟磁性材料高透磁率材料により形成されている。ここで、半導体チップ10に設けられた読出し専用のMRAM102の左側部102Aで示されるや、システム回路部MRAM101、CPU103、周辺回路104、ROM109は情報書込み用マスク181で覆われるが、半導体チップ10に設けられた読出し専用のMRAM102の右側部102Bで示されるは情報書込み用マスク181で覆われていない。このため、読出し専用のMRAM102への情報書込みにおいて、磁石107のN極から出る磁力線108は、読出し専用のMRAM102の右側部102Bを横切り、その素子の磁界方向を反転させる。しかし、情報書込み用マスク181により、読出し専用のMRAM102の左側部102Aが覆われているため、読出し専用のMRAM102の左側部102Aには、磁力線は通らず、読出し専用のMRAM102の左側部102Aの素子の磁界方向を反転させることはできない。システム回路部を取り囲むように少数のMRAM素子を配置する場合、MRM素子1個当たりのサイズを大きくすることができるため、それに対応するように形成された書込み用マスクとの位置合わせが容易となる。以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。永久磁石106,107に代えて電磁石を適用することができる。"