"表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅ピッチの凹凸構造が形成されている炭素系部材が、筐体の内壁、または、筐体内の部材、部品等に取り付けられていることを特徴とする照明装置。表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅ピッチの凹凸構造が形成されている炭素系部材が、筐体の内壁、または、筐体内の部材、部品等に取り付けられていることを特徴とする電子機器。表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅ピッチの凹凸構造が形成されている炭素系部材が、筐体の内壁、または、筐体内の部材、部品等に取り付けられていることを特徴とする携帯端末。しかしながら、特許文献2の発光モジュールでは、在来の一般的なグラファイトシートを用いているため、放熱性能を著しく向上させることができないという問題があった。すなわち、在来の一般的なグラファイトシートは、熱拡散性には優れているが異方性を有するため、厚さ方向への熱伝導性能が低く、また、後述のように、表面の放射率が0.7程度と、さほど高くないため、放射による熱放散性能が低く、放熱性能を著しく向上させることができないという問題があった。小型薄型化、軽量に適し、なおかつ、放熱性能を著しく向上させる部材放熱材料として、本願出願人は、本願の先願特願2009-195354に記載のように、表面にナノメートルのオーダの幅ピッチの凹凸構造が形成された炭素系基板例えば、グラファイト基板を開発した。この先願によれば、表面にナノメートルのオーダの幅ピッチの凹凸構造が形成された炭素系基板例えば、グラファイト基板とすることで、輻射による放熱性を高くでき、表面の放射率を0.9以上にすることができて、放熱性能を著しく向上させることが可能となる。しかしながら、表面にナノメートルのオーダの幅ピッチの微細凹凸構造が形成されている炭素系基板では、ナノメートルのオーダの幅ピッチの微細凹凸構造の強度が物理的に弱く、例えば搬送、組付けなどの作業中に人の手の接触などによって微細凹凸構造が倒れやすく、それにより元来の高い放熱性能を発揮できなくなるなどの問題がある。本発明は、表面にナノメートルのオーダ本発明では、ナノメートルのオーダとは、ナノメートルオーダのみならずサブマイクロメートルオーダも含むものとするの幅ピッチの凹凸構造が形成されている炭素系基板を用いる場合にも、例えば搬送、組付けなどの作業中等に人の手などが微細凹凸構造に接触することなどを防止でき、これにより、微細凹凸構造の倒れを防止できて、高い放熱性能を維持することが可能な照明装置、電子機器、携帯端末を提供することを目的としている。上記課題を解決するために、請求項1記載の発明は、表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅ピッチの凹凸構造が形成されている炭素系部材が、筐体の内壁、または、筐体内の部材、部品等に取り付けられていることを特徴とする照明装置である。また、請求項2記載の発明は、表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅ピッチの凹凸構造が形成されている炭素系部材が、筐体の内壁、または、筐体内の部材、部品等に取り付けられていることを特徴とする電子機器である。また、請求項3記載の発明は、表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅ピッチの凹凸構造が形成されている炭素系部材が、筐体の内壁、または、筐体内の部材、部品等に取り付けられていることを特徴とする携帯端末である。請求項1、請求項2、請求項3記載の発明によれば、表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅ピッチの凹凸構造が形成されている炭素系部材炭素系基板を、筐体の内壁、または、筐体内の部材、部品等に取り付けることにより、表面にナノメートルのオーダ本発明では、ナノメートルのオーダとは、ナノメートルオーダのみならずサブマイクロメートルオーダも含むものとするの幅ピッチの凹凸構造が形成されている炭素系基板を用いる場合にも、例えば搬送、組付けなどの作業中等に人の手などが微細凹凸構造に接触することなどを防止でき、これにより、微細凹凸構造の倒れを防止できて、高い放熱性能を維持することが可能な照明装置、電子機器、携帯端末を提供することができる。以下、本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。本発明は、本願の先願特願2009-195354に記載のような、表面にナノメートルのオーダ本発明では、ナノメートルのオーダとは、ナノメートルオーダのみならずサブマイクロメートルオーダも含むものとするの幅ピッチの凹凸構造以下、ナノ凹凸構造と称すが形成されている炭素系部材炭素系基板例えば、グラファイト基板を用いた取り付けた照明装置、電子機器、あるいは、携帯端末に関するものである。より詳細に、本発明で用いられる炭素系部材炭素系基板例えば、グラファイト基板は、図2に概略拡大断面図で示すように、炭素系基板材料例えば、グラファイト基板材料1の表面に、ナノメートルオーダー約10nm~500nm程度の範囲からサブマイクロメートルオーダ約0.5μm~10μm程度の範囲の幅ピッチNPと、サブマイクロメートルオーダ約0.5μm~10μm程度の範囲の深さNHとを持つ凹凸構造ナノ凹凸構造2が形成されたものとなっている。図3は、グラファイト基板材料の表面に形成された本発明のナノ凹凸構造2を示す走査型電子顕微鏡SEM写真である。本発明で用いられる炭素系部材は、炭素系基板材料例えば、グラファイト基板材料1の表面に、ナノメートルオーダー約10nm~500nm程度の範囲からサブマイクロメートルオーダ約0.5μm~10μm程度の範囲の幅ピッチNPと、サブマイクロメートルオーダ約0.5μm~10μm程度の範囲の深さNHとを持つ凹凸構造ナノ凹凸構造2が形成されたものとなっていることにより、表面積が著しく増大し、また、以下に説明するように、可視光を含む領域及び遠赤外領域の反射率を十分に低くして放射率を理論最大値1.0に極めて近い0.99まで向上させることができ輻射による放熱性を著しく高めることができ、放熱性能を著しく向上させることが可能となる。従って、小型薄型、軽量で、放熱性能の著しく高い放熱材料放熱部材として用いることができる。以下に、本発明に係る炭素系部材表面にナノ凹凸構造2が形成された炭素系部材を放熱材料として用いる場合の、動作原理を説明する。本発明に係る放熱材料の動作原理は完全黒体効果を利用した吸収エネルギーの遠赤外放射による放射冷却作用を利用する。すなわち、図4に示すように、光の平均反射率RがR=R080と高い時には、放熱材料が吸収したエネルギーは放熱材料が有する温度たとえば室温300Kで図4のI0に示す遠赤外領域の黒体放射スペクトルの放射率I0で外部に放射散逸を起こすが、反射率が高いため放熱効率が低い。他方、光の平均反射率RがR=R11と低い時には、放熱材料が吸収したエネルギーは室温300Kで図4のI1に示す遠赤外領域の黒体放射スペクトルの放射率I1で外部に放射散逸を起こすことができるので、放熱効率が高い。つまり、反射率Rが低下すると、放射率Iが上昇し、逆に、反射率Rが上昇すると、放射率Iが低下するという関係が成立する。この場合、光放熱つまり光放射能力を示す指数として放射率を用いるが、光の透過率がほぼ0の場合、放射率I≒1-R反射率で表わされる。従って、理想的には、放熱材料としてたとえば波長0.3-50μmの反射率Rができるだけ0に近いものを用いると、放熱効率が大きくなることが分かる。図5は本発明に係る炭素系部材炭素系基板例えば、グラファイト基板のナノ凹凸構造2の加工形成を説明するためのフローチャートである。なお、以下では、炭素系部材炭素系基板はグラファイト基板であるとして説明する。すなわち、以下の各例では、炭素系基板材料1としてグラファイト基板材料を用いている。図5のステップS1では、グラファイト基板材料1の表面をO2ガスを用いたプラズマエッチング法によってエッチングして、図3に示したようにナノ凹凸構造2が表面に形成されたグラファイト基板を得る。ここで、プラズマエッチング条件は、例えば次のごとくである。RFパワー:500W圧力:50mTorrO2流量:200sccmエッチング時間:50分なお、図5のステップS1でのプラズマエッチング法は、電子サイクロトロン共鳴ECRエッチング法、反応性イオンエッチングRIE法、大気圧プラズマエッチング法等のいずれでもよく、また、処理ガスはO2ガス以外のArガス、N2ガス、H2ガス、CF4ガス、CO2ガス、SF6ガス等のいずれでもよく、これらの混合ガスでもよい。このようにしてナノ凹凸構造2が表面に形成されたグラファイト基板を得ることができ、ナノ凹凸構造2が表面に形成されたことにより、表面積が著しく増大し、また、可視光を含む領域及び遠赤外領域の反射率を十分に低くして放射率を著しく高めることができるため輻射による放熱性を著しく高めることができるため、放熱効率を著しく高めることができる。すなわち、図6に示すように、可視光を含む領域の波長0.3-2μmの平均反射率はプラズマエッチング前の20-30からプラズマエッチング後の1.5以下と低くなる。従って、可視光を含む領域の吸収は最高となる。しかも、図7に示すように、遠赤外領域のたとえば波長2-15μmの平均反射率もプラズマエッチング前の60からプラズマエッチング後の2以下と低くなる。この結果、図4の理想的な反射特性R1に近づく。この結果、このプラズマエッチングされたグラファイト基板をそのまま放熱材料として用いることができる。また、図5のステップS1でのプラズマエッチングの前に、グラファイト基板にサンドブラスト等の機械的表面研磨及び/またはCO2レーザ、YAGレーザ、エキシマレーザ等のハイパワーレーザ照射による表面研磨による前処理を行い、これにより、不規則的周期の例えばマイクロメートルオーダ約10μm~500μm程度の範囲、サブマイクロメートルオーダ約0.5μm~10μm程度の範囲の凹凸構造をグラファイト基板に予め形成しておくこともでき、この場合には、グラファイト基板の表面積がより一層増大して、ナノ凹凸構造2だけが形成される場合よりも、さらにより一層放熱効率を高めることができる。なお、図5のステップS1でのプラズマエッチングの前に凹凸構造が形成される場合、この凹凸構造の幅ピッチは、ステップS1でのプラズマエッチングで形成されるナノ凹凸構造2の幅ピッチNPよりも必ず大きいものである。本願の発明者は、実際、ナノ凹凸構造2が表面に形成されたグラファイト基板の放射率を放射温度計KEYENCEFT-H20により測定した。この結果、ナノ凹凸構造2が表面に形成されたグラファイト基板の表面の温度が150°Cのときの放射率は、理論最大値1.00に対して0.99となった。上記ナノ凹凸構造2が表面に形成されたグラファイト基板と同様なグラファイト素材を用いた放熱部材としては、グラファイトシートが挙げられる。以下に、上記ナノ凹凸構造2が表面に形成されたグラファイト基板と在来のグラファイトシートとの、熱拡散性能、放射率の比較結果を示す。<熱拡散性能>グラファイトは、炭素の六方晶系の構造から成り、面内は共有結合で強く結合され、層と層の間は分子間力で結合されている。従って、熱伝導性能に異方性を有する。例えば、面内方向は熱伝導率が非常に高く約100~2000W/mK程度、厚さ方向層間は熱伝導率が低く約3~20W/mK程度である。グラファイトシートの厚さは約0.01~0.1mmである。一方、ナノ凹凸構造2が表面に形成されたグラファイト基板は、等方性の材料で、その熱伝導率は約140~200W/mK程度であり、基板厚さは約0.1~10mmを取りうる。等価熱伝導率と厚さを考慮すると、ナノ凹凸構造2が表面に形成されたグラファイト基板の方がグラファイトシートよりも熱拡散性能を高めることができる。<放射率>グラファイトシートの表面放射率は0.7程度である。一方、ナノ凹凸構造2が表面に形成されたグラファイト基板は、表面に施されたナノ凹凸構造2により、放射率を0.99まで向上させることができる。上記のように、グラファイトシートが熱拡散効果により放熱性能の向上をもたらす一方で、ナノ凹凸構造2が表面に形成されたグラファイト基板は、より高い熱拡散性能と理論最大値1.0に非常に近い放射率とによる双方の放熱性能向上効果が得られる。ところで、前述したように、表面にナノ凹凸構造2が形成された炭素系部材炭素系基板例えば、グラファイト基板では、ナノ凹凸構造2の強度が物理的に弱く、接触などによってナノ凹凸構造2が倒れやすく、それにより元来の高い放熱性能を発揮できなくなるという問題がある。従って、表面にナノ凹凸構造2が形成された炭素系部材炭素系基板例えば、グラファイト基板を、照明装置、電子機器あるいは携帯端末の放熱材料として用いる場合、表面にナノ凹凸構造2が形成された炭素系部材炭素系基板例えば、グラファイト基板を照明装置、電子機器あるいは携帯端末の筐体の例えば外壁などの人の手などが触れやすい位置に取り付けると、人の手などが触れることなどによってナノ凹凸構造2が倒れ、元来の高い放熱性能を発揮できなくなってしまう。この問題を解決するため、本発明では、表面にナノ凹凸構造2が形成された炭素系部材炭素系基板例えば、グラファイト基板を照明装置、電子機器あるいは携帯端末の筐体の内壁、または、筐体内の部材、部品等に取り付けることを特徴としている。すなわち、照明装置、電子機器あるいは携帯端末の筐体の内壁、または、筐体内の部材、部品等は、外部からの接触などから護られており保護されており、これにより、人の手などの接触などによるナノ凹凸構造2の倒れを防止でき、高い放熱性能を維持することが可能となる。図8a,bは、表面にナノ凹凸構造2が形成された炭素系部材炭素系基板例えば、グラファイト基板が筐体の内壁に取り付けられた照明装置図8a,bの例では、LED照明装置の一例を示す図である。なお、図8aは照明装置の概略的な外観を示す斜視図、図8bは図8aのA-A線における断面図である。また、以下の例では、表面にナノ凹凸構造2が形成された炭素系部材炭素系基板例えば、グラファイト基板10として、表面にナノ凹凸構造2が形成されたグラファイト基板を用いており、これをナノ構造グラファイト基板と呼ぶことにする。図8a,bを参照すると、この照明装置は、筐体11と、筐体11の外壁に取り付けられているLED12と、筐体11内に内蔵されているLED駆動回路13とを備えており、さらに、この照明装置では、LED12から発生する熱を外部へ放出するために、筐体11の内壁に、ナノ構造グラファイト基板10が放熱材料として取り付けられている。従来、LEDから発生する熱を外部へ放出するためにLED照明装置の筐体は放熱性の高い金属製が主流となっている。しかし、本発明では、放熱性能を低下することなく軽量化を実現する構造を提供することを意図しており、このため、筐体11には、成形性の高いポリプロピレン樹脂PPやポリカーボネイトPCまたはアクリルPMMC等の樹脂などを用いるのが好ましい。また、筐体11とナノ構造グラファイト基板10との間に熱伝導性の高い部材グリス、シート、接着剤などを挿入することより、ナノ構造グラファイト基板10は筐体11の内壁にしっかりと確実に取り付けられ固定され、また、筐体11とナノ構造グラファイト基板10との間の接触熱抵抗が低減され、高い放熱性能が得られる。本願の発明者は、従来のLED照明装置と本発明のLED照明装置との比較を行った。従来のLED照明装置と本発明のLED照明装置との条件は、それぞれ次のとおりである。<従来のLED照明装置>サイズ:底面175mm角、高さ70mm、厚さ2mm筐体:ダイキャストADC12、熱伝導率97W/mK、放射率0.8LED発熱量:3WLED熱抵抗:2.5°C/W周囲温度:25°C<本発明のLED照明装置>サイズ:底面175mm角、高さ35mm、厚さ2mm筐体:ポリプロピレン樹脂PP、熱伝導率0.23W/mK、放射率0.8筐体内壁:ナノ構造グラファイト基板、熱伝導率200W/mK、放射率0.99LED発熱量:3WLED熱抵抗:2.5°C/W周囲温度:25°C上記のような条件において、発熱源となるLED温度と筐体重量を図9に示す。図9から、従来の金属製ダイキャスト筐体に比べて、本発明の樹脂製筐体とナノ構造グラファイト基板の2層構造の方が放熱性能に優れていることがわかる。すなわち、本発明では、例えば筐体高さを従来の半分にしても、従来よりもLED温度を低減することができる。これは、本発明では、前述したように、ナノ構造グラファイト基板を用いることによりすなわち、ナノ凹凸構造2により、表面積が著しく増大し、また、可視光を含む領域及び遠赤外領域の反射率を十分に低くして放射率を理論最大値1.0に極めて近い0.99まで向上させることができ輻射による放熱性を著しく高めることができ、放熱性能を著しく向上させることが可能となることによる。このように、本発明では、樹脂製筐体とナノ構造グラファイト基板の2層構造により、高い放熱性能と小型薄型軽量とを両立可能な照明装置LED照明装置を提供することができる。なお、上述の例では、照明装置として、LED照明装置を例に挙げたが、発光部熱源がLED以外の照明装置にも、本発明を同様に適用できる。また、照明装置に限らず、発熱源例えば、半導体素子などを有し、発熱源からの熱を放熱する必要のある装置、機器例えばパソコンなどの電子機器や、携帯電話などの携帯端末などにも、本発明を同様に適用できて、本発明を適用することで、高い放熱性能と小型薄型軽量とを両立可能な装置、機器を提供することができる。また、上述の各例では、表面にナノ凹凸構造2が形成された炭素系部材炭素系基板としてグラファイト基板を用いる場合を示したが、表面にナノ凹凸構造2が形成された炭素系部材炭素系基板は、グラファイト基板に金属を混ぜた稠密グラファイト基板でもよい。また、表面にナノ凹凸構造2が形成された炭素系部材炭素系基板は、グラファイト基板以外の炭素系基板、例えばダイヤモンド基板やガラス状炭素基板などでもよい。また、上述の例では、筐体11が樹脂などで構成されているとし、筐体11が樹脂などで構成されている場合には軽量化に適しており好ましいが、必要に応じ、筐体11を樹脂以外の材料例えばアルミニウムなどの金属材料等で構成することも可能であり、この場合も本発明の範囲に含まれる。"