"MRIS用勾配磁場コイルアセンブリであって、第1の導電性コイル部を含む第1のコイル層と、第2の導電性コイル部を含む第2のコイル層と、前記第1のコイル層と前記第2のコイル層との間に配置され、少なくとも1枚の遮蔽材料のシートを含む第1の遮蔽層と、前記第1の導電性コイル部と前記第1の遮蔽層との間に設けられ、絶縁材料を含む少なくとも1つの絶縁層とを備え、前記アセンブリは、前記第1の導電性コイル部を前記遮蔽材料のシートへ電気的に接続する、少なくとも1つの個別の接触手段を備え、かつ、前記遮蔽材料のシートは、前記少なくとも1つの個別の接触手段を介する場合を除き、前記少なくとも1つの絶縁材料のシートによって前記第1の導電性コイル部と電気的に接触されないことを特徴とする、MRIS用勾配磁場コイルアセンブリ。請求項1に記載のMRIS用勾配磁場コイルアセンブリであって、前記少なくとも1つの遮蔽材料のシートは、半導電性材料のシートであることを特徴とするMRIS用勾配磁場コイルアセンブリ。請求項1または請求項2に記載のMRIS用勾配磁場コイルアセンブリであって、前記遮蔽材料のシートは、グラファイトが浸透されたシート材料、または、導電性材料からなるメッシュであることを特徴とするMRIS用勾配磁場コイルアセンブリ。請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のMRIS用勾配磁場コイルアセンブリであって、前記遮蔽材料のシートは、一般的な勾配磁場コイル駆動電圧に対する変化の期間よりも短い期間で均一の電位に到達し得るように、かつ、MRISを損なうような時間にわたって渦電流が誘導されないようにするために、前記遮蔽材料のシートが選択されることを特徴とする、MRIS用勾配磁場コイルアセンブリ。請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のMRIS用勾配磁場コイルアセンブリであって、前記遮蔽材料のシートは、単位平方あたり10ミリオームから単位平方あたり10キロオームの範囲の抵抗であって、好ましくは単位平方あたり30ミリオームから単位平方あたり1キロオームの範囲の抵抗を有することを特徴とする、MRIS用勾配磁場コイルアセンブリ。請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のMRIS用勾配磁場コイルアセンブリであって、前記第1の遮蔽層と前記第2の導電性コイル部との間に、少なくともさらに1つの絶縁材料の層を有することを特徴とする、MRIS用勾配磁場コイルアセンブリ。請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のMRIS用勾配磁場コイルアセンブリであって、第3の導電性コイル部を含む第3のコイル層を備え、前記第2のコイル層が前記第1のコイル層と前記第3のコイル層との間に配置されるように、前記第3のコイル層が配置されることを特徴とする、MRIS用勾配磁場コイルアセンブリ。請求項7に記載のMRIS用勾配磁場コイルアセンブリであって、前記第2のコイル層と前記第3のコイル層との間に、1つまたは複数の遮蔽層が設けられていることを特徴とする、MRIS用勾配磁場コイルアセンブリ。請求項1から請求項8のいずれか1項に記載のMRIS用勾配磁場コイルアセンブリであって、前記第1の遮蔽層と前記第2のコイル層との間に配置されており、少なくとも1つの遮蔽材料のシートを有する第2の遮蔽層を備え、当該少なくとも1つの遮蔽材料のシートは、少なくとも1つの個別の接触手段を介して前記第2の導電性コイル部と電気的に接続し、前記少なくとも1つの個別の接触手段を介する場合を除き、少なくとも1つのそれぞれの絶縁材料の層によって前記第2の導電性コイル部と電気的に接続されないことを特徴とする、MRIS用勾配磁場コイルアセンブリ。請求項9に記載のMRIS用勾配磁場コイルアセンブリであって、前記第1の遮蔽層と前記第2の遮蔽層との間に、少なくとも1つのさらなる絶縁層が設けられていることを特徴とする、MRIS用勾配磁場コイルアセンブリ。請求項9または請求項10に記載のMRIS用勾配磁場コイルアセンブリであって、請求項7に従属する場合は、前記第3のコイル層と前記第2のコイル層との間に配置されており、少なくとも1つの遮蔽材料のシートを有する第3の遮蔽層を備え、当該少なくとも1つの遮蔽材料のシートは、少なくとも1つの個別の接触手段を介して前記第3の導電性コイル部と電気的に接続し、前記少なくとも1つの個別の接触手段を介する場合を除き、少なくとも1つのそれぞれの絶縁材料の層によって前記第3の導電性コイル部と電気的に接続されないことを特徴とする、MRIS用勾配磁場コイルアセンブリ。請求項11に記載のMRIS用勾配磁場コイルアセンブリであって、前記第3の遮蔽層と前記第2のコイル層との間に配置されており、少なくとも1つの遮蔽材料のシートを有する第4の遮蔽層を備え、当該少なくとも1つの遮蔽材料のシートは、少なくとも1つの個別の接触手段を介して前記第2の導電性コイル部と電気的に接続し、前記少なくとも1つの個別の接触手段を介する場合を除き、少なくとも1つのそれぞれの絶縁材料の層によって前記第2の導電性コイル部と電気的に接続されないことを特徴とする、MRIS用勾配磁場コイルアセンブリ。請求項12に記載のMRIS用勾配磁場コイルアセンブリであって、前記第3の遮蔽層と前記第4の遮蔽層との間に、少なくとも1つのさらなる絶縁層が設けられていることを特徴とする、MRIS用勾配磁場コイルアセンブリ。請求項1から請求項13のいずれか1項に記載のMRIS用勾配磁場コイルアセンブリであって、前記コイルアセンブリは、前記または各コイル部と当該コイル部のそれぞれの遮蔽材料のシートとの間に最大3つの個別の電気的接続がなされるように配置されることを特徴とする、MRIS用勾配磁場コイルアセンブリ。請求項1から請求項14のいずれか1項に記載のMRIS用勾配磁場コイルアセンブリであって、少なくとも1つの遮蔽層と当該少なくとも1つの遮蔽層が接続される前記コイル層との間にある前記または少なくとも1つの前記絶縁層は、B-ステージ材料であることを特徴とする、MRIS用勾配磁場コイルアセンブリ。請求項1から請求項15のいずれか1項に記載の勾配磁場コイルアセンブリを作製する方法。請求項1から請求項15のいずれか1項に記載の勾配磁場コイルアセンブリを備える、MRI装置。図1は、一般的な従来のタイプのMRI装置を示す。図1では、説明を明確にするために極めて概略的に示され、かつ細部が省略されている。図1に示されるMRI装置1は、勾配磁場コイルアセンブリ2を備える。本実施例では、勾配磁場コイルアセンブリ2は、内側にある一組の駆動コイル2Aと、外側にある一組のシールドコイル2Bとを有する。内側にある一組の駆動コイル2Aは、Xコイル、Yコイル、及びZコイルを構成する巻線を有する。同様に、外側にあるシールドコイル2Bは、Xシールドコイル、Yシールドコイル、及びZシールドコイルを構成する巻線を有する。図2は、従来の勾配磁場駆動コイルアセンブリ2Aの一部を概略的に示す図である。勾配磁場駆動コイルアセンブリ2Aは、図1に示されるタイプのMRI装置において駆動コイルアセンブリとして用いられ得る。また、駆動コイルアセンブリとしては、図1に配置が示されるように勾配磁場コイルアセンブリ2の全体を構成するために、同様の勾配磁場シールドコイルアセンブリ2Bが補完的に設けられてもよい。しかしながら、図2では勾配磁場コイルアセンブリ2の駆動コイル部2Aのみが示される。従来の勾配磁場駆動コイルアセンブリ2Aは、その一部が図2に示されているが、3つの巻線あるいはコイル部3X、3Y、3Zを有する。コイル部3X、3Y、3Zは、MRI装置1において用いられた場合に、X駆動コイル、Y駆動コイル、及びZ駆動コイルとして機能する。これらのコイル部3X、3Y、3Zは、それぞれ別の層に設けられている。加えて、他の層が、コイル部3X、3Y、3Z自身のそれぞれの導電性材料の間に設けられている。具体的には、各コイル部3X、3Y、3Zは、それぞれに対応するB-ステージ層4X、4Y、4Zを有する。B-ステージ層4X、4Y、4Zは、それぞれの巻線/コイル部3X、3Y、3Zを構成するための製造方法が用いられることで存在する。さらに、コイル部3X、3Y、3Zの間には、さらなる層である絶縁層5が設けられる。具体的には、絶縁層5は、Zコイル巻線3ZとYコイル巻線3Yに対応するB-ステージ材料層4Yとの間、及び、Yコイル巻線3YとXコイル巻線3Xに対応するB-ステージ材料層4Xとの間に設けられる。従来の勾配磁場駆動コイルアセンブリ2Aは、その一部が図2に示されているが、以下の工程で底から上方へ向かって組み立てられて構築される。1.金属プレート又は巻かれている金属を機械にかけて所望の形状にして、コイル巻数3X、3Y、3Zを形成する。2.B-ステージ材料のシートを用いて、コイル部3X、3Y、3Zの底表面を設ける。この材料のおかげでコイルが機械的に強固となる。一般的には、コイル部3X、3Y、3ZとそのB-ステージバッキング4X、4Y、4Zは、加熱されたプレスに置かれて、B-ステージの樹脂材料が硬化される。3.選択された任意の手段によって、強固にされたコイルを所望の形状に形成する。4.当該コイルを勾配磁場コイルアセンブリに取り付ける。5.1つ以上の絶縁層を追設し、各層間において適切な間隙を維持する。6.アセンブリを完成させるために必要な回数でステップ1からステップ5を繰り返す。ただし、最終のコイル層3Xに対してはステップ5を省略する。言うまでも無く、さらなる層を導入し得る。例えば、駆動コイル及びシールドコイルの双方を有する勾配磁場コイルアセンブリを作製すべき場合は、同様の技術を用いてシールドコイル層を追設し得る。また、場合によっては、B-ステージ材料層4X、4Y、4Zを、他の種類の絶縁材料と置き換えてもよい。例えば、コイル部3X、3Y、3Zを絶縁材料で覆ってもよい。広く理解されているように、B-ステージ材料は、絶縁をもたらすことに加えて、コイルを強個とするのに有益である。そのように強個とすることが必要でない場合もあれば、別の強化層が用いられる場合もある。さらに、コイルの巻線は、B-ステージ材料を用いて強個にされるものもあれば、B-ステージ材料を用いて強個にされないものもある。上述された種類の構造の場合に、本明細書の導入部で説明された問題が起こりがちである。すなわち、B-ステージ材料層4X、4Y、4Zに気泡が存在する、および/または、コイル部3X、3Y、3Zにバリつまり、先鋭な端部または尖りが存在するがゆえに、使用中に部分放電が起こりがちとなる。そのため、勾配磁場コイルアセンブリ2の代替の構成が提案される。図3は勾配磁場駆動コイルアセンブリ2Aを示す。この勾配磁場駆動コイルアセンブリ2Aもまた、従来の種類のMRI装置1にて使用可能である。ここでもまた、図3は勾配磁場駆動コイルアセンブリ2Aを示し、以下に説明される構成及び技術は、勾配磁場シールドコイルアセンブリ2B、あるいは、駆動コイル及びシールドコイルの両方を備える勾配磁場コイルアセンブリ2においても同様に用いられ得る。図3に示される新たに提案された勾配磁場駆動コイルアセンブリ2Aにおいても、X、Y、及びZ駆動コイルに対応する3つのコイル部あるいは巻線3X、3Y、及び3Zが設けられている。さらに、これらのX、Y、及びZ、駆動コイル3X、3Y、及び3Zは、それぞれ、強化絶縁複合層、すなわち、B-ステージ材料層である4X、4Y、4Zに、設けられている。また、絶縁層5が様々な位置に設けられている。それぞれの遮蔽層6X、6Y1、6Y2、6Zもまた、勾配磁場コイルに設けられている。各遮蔽層は遮蔽材料のシートを有し、それぞれのコネクタ7図面に概略で示されているを介して、コイル部3X、3Y、3Zの1つに接続されている。それゆえ、第1の遮蔽層6Xはそのコネクタ7を介して、Xコイル巻線3Xに接続される。第2の遮蔽層6Y1は、そのコネクタ7を介して、Yコイル巻線3Yに接続される。第3の遮蔽層6Zは、そのコネクタ7を介して、Zコイル巻線3Zに接続される。第4の遮蔽層6Y2は、そのコネクタ7を介して、Yコイル巻線3Yに接続される。本明細書で提案されている種類の勾配磁場コイルアセンブリ2Aを作製する工程は、従来の勾配磁場コイルアセンブリを作製するための前述の工程と同様であって、以下のとおりであってもよい。1.金属プレートまたは巻かれている金属を機械にかけて所望の形状にして、コイル巻数3X、3Y、3Zを形成する。2.B-ステージ材料のシートを用いて、コイル部3X、3Y、3Zの底表面を設ける。この材料のおかげでコイルが機械的に強個となる。一般的には、コイル部3X、3Y、3ZとそのB-ステージバッキング4X、4Y、4Zは、加熱されたプレスに置かれて、B-ステージの加熱された樹脂材料が硬化される。3.選択された任意の手段によって、強個にされたコイルを所望の形状に形成する。4.当該コイル部3X、3Y、3Zを勾配磁場コイルアセンブリに取り付けて、例えばガラステープの薄い層を追設する。5.ガラステープの1箇所を破き、当該ガラステープの下層にあるコイル部3X、3Y、3Zを露出させる。6.当該テープを覆って遮蔽材料6X、6Y1、6Y2、6Zのシート1枚を敷設し、上述の露出された箇所において当該遮蔽材料のシートをそれぞれのコイル3X、3Y、3Zと接続させる。7.絶縁層を付設して、各層の間において適正な空隙を維持する。8.遮蔽材料のシートをもう1枚、当該絶縁層に敷設する。この絶縁層は、次に敷設されるコイルの下方に位置されている。例えばガラステープの薄い層を追設する。9.ガラステープの1箇所を破き、当該ガラステープの下層にある遮蔽層6X、6Y1、6Y2、6Zを露出させる。10.ステップ1から3のように構成され形成されたコイルをもう1つ用意し、そのコイルを勾配磁場コイルアセンブリに取り付けて、上述の露出された箇所において、下層にある遮蔽層6X、6Y1、6Y2、6Zと接続させる。11.例えばガラステープの薄い絶縁層を追設する。12.コイルを完成させるために必要な回数でステップ5から11を繰り返す。最終層の後は、ステップ11を省略してもよい。また、代替例では、B-ステージ材料を用いず、絶縁材料にあるコイル導電通路を単に覆うことによって1つ以上のコイル巻数3X、3Y、3Zを絶縁し得ることが言えよう。上述のように構成され、図3に示されるコイルアセンブリでは、遮蔽材料の層6X、6Y1、6Y2、6Zは、コイル部3X、3Y、3Zのうち隣接する2つの間に設けられ、かつ、各遮蔽層6X、6Y1、6Y2、6Zとそれぞれのコイル部3X、3Y、3Zとの間でB-ステージ材料層4X、4Y及び絶縁層5を適切に挟み込むように設けられている。これによって、コイルアセンブリに設けられたB-ステージ材料および/または他の絶縁層における部分放電の発生を最小限に抑えることができる。本出願人は、コイルからすべてのバリを取り除くこと、あるいは、気泡がないガラスまたはポリエステルのB-ステージである複合材料の強化層を設けることは現実的だと考えていない。本技術は、1枚以上の遮蔽材料のシートを用いて気泡及びバリを遮蔽することによって、気泡及びバリが勾配磁場コイル層間の電場において有する影響を低減させることを意図している。遮蔽材料6X、6Y1、6Y2、6Zの各シートは、上述のように、それぞれのコネクタ7によって、それぞれの対応する1つのコイル部3X、3Y、及び3Zに接続される。しかしながら、遮蔽材料とそれに対応するコイル部とは1点のみで接続されることが好ましい。実施形態によっては、接触点を1つ以上とすることが必要または適切であることもあるが、その場合は、接触点の数を少なくし、かつ、コイル部におけるそれぞれ対応する点の電圧が互いに近似である位置が接触点として選択される。遮蔽層6X、6Y1、6Y2、6Zがコイル部3X、3Y、3Zと並行して、それぞれの抵抗性分路として機能する状況は避けられるべきである。しかしながら、所望の目的は、コネクタとコイル部との間における、それぞれのコイル部の接触点における電位と同じ電位で、遮蔽層に等電位表面を形成させることである。想定していることは、勾配磁場コイルアセンブリのコイル間における区間で気泡及びバリ、あるいは気泡及びバリの少なくとも大多数が、コイル部とそれに対応する遮蔽層との間の領域に制限されることである。上述の配置を用いれば、当該領域にわたって存在する電位差は、一般的に言えば、コイル部3X、3Y、3Zの特定の部分、及びコイル部3X、3Y、3Zとそれぞれに対応する遮蔽層6X、6Y1、6Y2、6Zとの間の接触点の電圧差がせいぜい最大となる。本実施例では、各遮蔽層は遮蔽材の一部によって構成され、当該遮蔽層は、本出願の導入部で説明された意味において半導電性と考えられ得るものであって、具体的には、本実施例では1枚の半導電性材料のシートである。本発明の関心は、勾配磁場コイルアセンブリの一部として形成することが可能である、適切な導電特性及び必要な機械的特性を有するシート材料にある。一方で、遮蔽層は等電位表面として機能し得なければならず、そのため、勾配磁場コイル駆動電圧に対する変化の期間よりも短い期間内で、遮蔽層の全体に渡って電位を変化させる必要がある。しかし、そうはいっても、MRI装置を使用して実行されるMRIS処理が損なわれるであろう時間にわたって、渦電流が支えられてはならない。現在までに、本出願人によって、高電圧絶縁分野において、例えばグラファイトが浸透されたポリエステルガラス繊維例えば、ContafelRTM2716のような市販の半導電性シート材が好適な材料であることがわかっている。他の好適な遮蔽材料としては、メッシュあるいは他の構成に作製されたものがある。当該メッシュの物質自体が導電体であってもよく、シート材料の全体の導電特性が、半導電性として説明され得るものであることが理解されよう。本出願人が上述の実施例を実施するために用いたシート材は、単位平方あたりの抵抗が、単位平方あたり1000-4000オームの範囲であるシート材である。MRIS全体に使用される勾配磁場コイルアセンブリに関して、一般的には、単位平方あたりの抵抗が単位平方あたり1000-10,000オームであるシート材料を用いることを、現在のところ本出願人は想定している。しかしながら、上述したように、最適な性能が得られるのは、実際には、単位平方あたりの抵抗がより低い、具体的には、本明細書の導入部で説明された範囲である抵抗を有するシート材であると、現在のところは考えられている。特殊なMRI装置または特殊なタイプのMRI装置の場合には当然のことながら、遮蔽層の所望の導電性は経験的に決定され得る。遮蔽材料の遮蔽層/シート6X、6Y1、6Y2、6Zは、絶縁層B-ステージ材料あるいはそうでないものによってそれぞれ対応するコイル部3X、3Y、3Zから分離されることがわかる。また、接触点は1つのみ、または、接触点はごく少ない数で、遮蔽層とコイル部との間に設けられることがわかる。このように構成されておらず、導電性または半導電性材料がコイル部と密接に接触して配置される場合には、結果として望ましくない渦電流の流れが勾配磁場コイルアセンブリに生じてしまう。当該勾配磁場コイルアセンブリには、勾配磁場フィールドの質を害する影響がもたらされてしまう。それゆえ、例えば、半導電性層を直接導電コイル部に設けることや、導電性の粉末/粒子を有する絶縁材料を載設することは望ましくないと考えられている。なぜなら、そのような構成は、コイル部と導電性/半導電性の層とを継続的または密接に接触させてしまうからである。また、これは、1箇所における個別の接続または少数の箇所における個別の接続を設けている本発明の技術とは異なる。上述の望ましくない配置のようにコイル部と導電性/半導電性層とが継続的または密接に接触されると、当該コイルを迂回することによって代替の低インダクタンス電流経路が設けられ、磁場の性能及び磁場の遮蔽が損なわれてしまう。これは、すべての箇所が同等の電位である個別の数箇所のみでコイルと遮蔽とが接続されている場合には生じ得ないものである。本発明で説明された勾配磁場コイルアセンブリを作製するための構造及び方法によれば、非現実的なほど高価でありおよび/または実際には不可能である除去処理によってコイル部のバリまたは絶縁材料の気泡を完全に除去しようとせずとも、コイルアセンブリにおいて良好な性能を得ることができる。第1の遮蔽層6X及び第2の遮蔽層6Y1の間と、第3の遮蔽層6Z及び第4の遮蔽層6Y2の間とに設けられる絶縁層5は、いかなるB-ステージ材料も使用せず、高品質真空含浸処理を用いて導入されてもよいなぜなら、これらの絶縁層は、組み立てられる間、コイル部に構造的完全性をもたらすために用いられないからである。それゆえ、これらの領域では気泡が生じないことが望まれ、さらに、これらの領域はいずれの巻線からも離れているため、当該領域ではバリの問題が生じることはない。完成を期して、図2及び図3の様々な部分に含まれているハッチング及び同様のシェ-ディングの有無は、断面の部分と断面でない部分とを区別するためというよりは、むしろ、共通の構成を有する層の説明を助けるためだけに意図されていることが説明される。本明細書では、硬化前後の材料を共にB-ステージ材料と称していることが理解される。つまり、B-ステージとして導入されてその後に硬化された材料も、変わらずB-ステージ材料と称される。上述の実施例で設けられているX、Y、及びZコイルの特定の順序は、重要ではないことが理解されよう。X、Y、及びZコイルは、本技術を用いた場合にアセンブリにおいて任意の都合のよい順で設けられ得る。"