"チャンバ内に設置されたステージ上に基板を搬送し、前記基板の中央を第1の温度で、前記基板の周縁を前記第1の温度より高い第2の温度で加熱し、前記ステージと対向するシャワープレートから、蒸気圧の異なる複数種の物質を含有する成膜用ガスを前記基板上に供給することで、前記基板上に薄膜を製造する薄膜製造方法。請求項1に記載の薄膜製造方法であって、前記成膜用ガスは、複数種の有機金属ガスを含む薄膜製造方法。請求項2に記載の薄膜製造方法であって、前記薄膜は、チタン酸ジルコン酸鉛である薄膜製造方法。請求項3に記載の薄膜製造方法であって、前記第1の温度と前記第2の温度との差が5°C以上10°C以下である薄膜製造方法。請求項1から4のいずれか1項に記載の薄膜製造方法であって、前記薄膜製造工程は、前記基板の中央から周縁に向かって、前記第1の温度から前記第2の温度まで漸次上昇するように前記基板を加熱することを含む薄膜製造方法。チャンバと、前記チャンバ内に設置され、基板を支持することが可能であり、前記基板の中央を加熱するための第1の加熱部と前記基板の周縁を加熱するための第2の加熱部とを有する加熱源を含むステージと、前記ステージと対向して前記チャンバ内に設置され、前記基板上に蒸気圧の異なる複数種の物質を含有する成膜用ガスを供給するためのシャワープレートと、前記シャワープレートに接続され、前記成膜用ガスを前記シャワープレートに供給することが可能なガス供給ラインと、前記第1の加熱部を第1の温度で加熱させ、前記第2の加熱部を前記第1の温度より高い第2の温度で加熱させることが可能な制御システムとを具備する薄膜製造装置。しかしながら、上記構成の薄膜製造装置では、基板表面に均一な膜特性でPZT薄膜を形成することができないという問題がある。すなわち、成膜ガスに含まれる鉛Pb成分が他の金属Zr,Ti成分よりも蒸気圧が高いため、成膜温度に加熱された基板表面から膜中のPb成分の再蒸発気化が起こりやすい。また、成膜ガスはシャワーヘッドによって基板表面に均一に供給されるが、基板中央部に供給された成膜ガスは基板周縁を通って排気されるため、基板周縁部上のガス中のPb濃度は、基板中央部で再蒸発した鉛成分が加わることで基板中央部上のガス中のPb濃度よりも高くなると予想される。その結果、基板に形成されるPZT薄膜は、基板周縁部の方が基板中央部よりもPb濃度が高くなり、面内において均一な膜組成及び膜特性を有するPZT薄膜を安定に形成することができないと考えられる。以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、基板面内において均一な膜組成で薄膜を形成することができる薄膜製造方法および薄膜製造装置を提供することにある。上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る薄膜製造方法は、チャンバ内に設置されたステージ上に基板を搬送する工程を含む。上記基板の中央が第1の温度で、上記基板の周縁が上記第1の温度より高い第2の温度で加熱される。上記ステージと対向するシャワープレートから、蒸気圧の異なる複数種の物質を含有する成膜用ガスを上記基板上に供給することで、上記基板上に薄膜が製造される。本発明の一形態に係る薄膜製造装置は、チャンバと、ステージと、シャワープレートと、ガス供給ラインと、制御システムとを具備する。上記ステージは、上記チャンバ内に設置され、基板を支持することが可能であり、上記基板の中央を加熱するための第1の加熱部と上記基板の周縁を加熱するための第2の加熱部とを有する加熱源を含む。上記シャワープレートは、上記基板上に蒸気圧の異なる複数種の物質を含有する成膜用ガスを供給するために、上記ステージと対向して上記チャンバ内に設置される。上記ガス供給ラインは、上記シャワープレートに接続され、上記成膜用ガスを上記シャワープレートに供給することが可能である。上記制御システムは、上記第1の加熱部を第1の温度で加熱させ、上記第2の加熱部を上記第1の温度より高い第2の温度で加熱させることが可能である。本発明の一実施形態に係る薄膜製造方法は、チャンバ内に設置されたステージ上に基板を搬送する工程を含む。上記基板の中央が第1の温度で、上記基板の周縁が上記第1の温度より高い第2の温度で加熱される。上記ステージと対向するシャワープレートから、蒸気圧の異なる複数種の物質を含有する成膜用ガスを上記基板上に供給することで、上記基板上に薄膜が製造される。上記薄膜製造方法において、シャワープレートから基板表面に対して均一に成膜用ガスが供給されることで、成膜用ガスが基板上で反応し、薄膜が形成される。成膜用ガス中の各種物質の濃度比は、ステージ上の基板の加熱温度、すなわち成膜温度によって決定される。シャワープレートの中央から供給された成膜用ガスは、基板の中央からその周縁に向かうガスの流れを形成する。一方、成膜用ガス中の比較的蒸気圧の高い物質は、基板上に固相として析出した後も再蒸発を起こし易い。したがって、基板の中央には常に新しいガスのみが供給されるのに対し、基板の周縁にはシャワープレートから新しいガスが供給されると同時に、基板の中央で再蒸発した蒸気圧の高い物質を含むガスが供給されることになる。その結果、基板の面内においてガス濃度あるいはガス種に分布が生じる。そこで上記薄膜製造方法においては、基板の面内における気相と固相との間の熱平衡状態に着目し、基板中央の温度第1の温度よりも基板周縁の温度第2の温度を高温に維持して成膜するようにしている。このような温度分布を形成することで、基板周縁の蒸気圧が基板中央の蒸気圧よりも高くなり、基板周縁において気相中に含有できる高蒸気圧成分の量を増加させることができる。これにより、基板周縁部上に高濃度に分布するガス種の析出を抑制でき、基板面内において均一な組成の薄膜を形成することが可能となる。上記第1および第2の温度は、ガスの導入圧力、ガスの濃度比、使用するガス種の種類、目的とする薄膜の組成等に応じて適宜設定される。典型的には、上記成膜用ガスは、複数種の有機金属ガスを含み、これ以外に各種反応ガスを含んでもよい。形成される薄膜は、例えばPZTであり、この場合の高蒸気圧成分としてPb化合物が挙げられる。この例では、面内においてPb含有量の均一なPZT薄膜を形成することが可能であり、膜特性の均一化を実現し、歩留まりの向上に貢献することができる。また、上記薄膜製造方法を用いてPZT薄膜を製造する場合には、例えば上記第1の温度と上記第2の温度との差が5°C以上10°C以下であれば、PZT薄膜の膜組成及び膜特性を均一に製造することができる。上記薄膜製造工程は、上記基板の中央から周縁に向かって、上記第1の温度から上記第2の温度まで漸次上昇するように上記基板を加熱してもよい。このような構成とすることによって、Pb化合物等の高蒸気圧物質における基板上の蒸気圧についても、基板中央部から基板周縁部に向かって漸次上昇させることができる。このことから、基板面内の膜組成の均一性をさらに向上させることができる。本発明の一実施形態に係る薄膜製造装置は、チャンバと、ステージと、シャワープレートと、ガス供給ラインと、制御システムとを具備する。上記ステージは、上記チャンバ内に設置され、基板を支持することが可能であり、上記基板の中央を加熱するための第1の加熱部と上記基板の周縁を加熱するための第2の加熱部とを有する加熱源を含む。上記シャワープレートは、上記基板上に蒸気圧の異なる複数種の物質を含有する成膜用ガスを供給するために、上記ステージと対向して上記チャンバ内に設置される。上記ガス供給ラインは、上記シャワープレートに接続され、上記成膜用ガスを上記シャワープレートに供給することが可能である。上記制御システムは、上記第1の加熱部を第1の温度で加熱させ、上記第2の加熱部を上記第1の温度より高い第2の温度で加熱させることが可能である。以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。[薄膜製造装置]図1は、本発明の一実施形態に係る薄膜製造装置の構成例を示す模式的な図である。薄膜製造装置100は、ガス供給ラインと、成膜室50とを有する。ガス供給ラインは、成膜室50に接続され、成膜室50内に成膜用ガスを供給する。なお、薄膜製造装置100は、図示しないマルチチャンバ型成膜装置の一部として構成されている。ガス供給ラインガス供給ラインは、原料供給部10と、気化器20と、混合器30とを有し、さらにこれらに設けられた各配管及び各バルブ等により構成される。原料供給部10は、有機金属材料の有機溶媒溶液を供給する。気化器20は、有機溶媒溶液を気化して有機金属ガスを生成する。混合器30は、有機金属ガスと、有機金属ガスと反応する酸化ガスと、不活性ガスとを混合させて成膜用ガスを生成する。原料供給部10は、有機金属の原料溶液及び溶媒が充填されるタンクA,B,C及びDと、ヘリウムHeが各タンクA~Dに供給される配管11と、キャリアガスが供給される配管12とを有する。各タンクA~Dに充填された有機金属溶液及び溶媒は、Heが各タンク内へ供給される際の圧力によって、配管12に押し出される。配管12では、供給されるキャリアガスによって、有機金属溶液及び溶媒が気化器20に運搬される。本実施形態ではキャリアガスとして窒素N2が用いられるが、これに限られず、他の不活性ガスを用いることもできる。同様に、各タンクA~Dに供給されるガスもHeに限られず、他の不活性ガスを用いることもできる。本実施形態では、チャンバ51内でPZT薄膜を製造する。よって、タンクA~Dには、PZTに含まれる金属元素であるPb、Zr、Tiを含む各有機金属溶液と、有機系の溶媒がそれぞれ充填される。Pb、Zr及びTiの有機金属溶液としては、各有機金属材料が0.25mol/Lの濃度で溶解した酢酸nブチル溶液が用いられる。Pbを含む有機金属材料としては、Pbthd2が用いられ、Zrを含む有機金属材料としては、Zrdmhd4が用いられる。またTiを含む有機金属材料としては、TiiPrO2thd2が用いられる。タンクDに充填される溶媒としては酢酸nブチルが用いられる。溶媒に溶解される各有機金属材料は、上記のものに限られない。例えばPbについては、Pbdmhd2等を含む材料や、Pbthd2及びPbdmhd2を両方含む材料やこれらに安定化させるアダクツが付加されている材料などを用いることができる。またZrについては、ZriPrO2thd2等や、これらを一部に含む材料を用いることができる。そしてTiについては、TiMMP4等や、これらを一部に含む材料を用いることもできる。各有機金属原料を溶かす溶媒及びタンクDに充填される溶媒も、上記の酢酸nブチルに代えて、例えばオクタン、トルエン、テトラヒドロフロンTHF、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、又はメチルシクロヘキサン等を用いることもできる。気化器20は、配管12を介して原料供給部10に接続されており、原料供給部10から気化器20へ、キャリアガスによって有機金属溶液及び溶媒の液滴が搬送される。気化器20は図示しない加熱手段を有しており、搬送された有機金属溶液及び溶媒が加熱により気化され、これにより有機金属材料を含むガスが生成される。気化器20は、本実施形態のように有機金属溶液が複数の場合には、複数の溶液を混合して気化させることができる。なお気化効率を向上させるために、有機金属溶液及び溶媒の液滴にガスや超音波等を当てる方法や、微細ノズルを介して予め微細化された液滴を導入する方法等を併用することもできる。また、有機金属溶液が気化する際に発生する残渣や、気化していない液滴が混合器30等へ搬送されるのを抑制するために、パーティクル捕獲器を設けることも可能である。図1に示すように、気化器20には、混合器30に接続される供給用配管21と、排気システム40に接続される排気用配管22とが設けられる。供給用配管21にはバルブV1が設けられ、排気用配管22にはバルブV2が設けられる。混合器30は、気化器20により生成された有機金属ガスと、酸化ガス及び不活性ガスとを混合し、成膜用ガスを生成するものである。そのため、混合器30には酸化ガス供給部31及び不活性ガス供給部32が接続されている。本実施形態では、酸化ガス供給部31によりO2酸素が供給され、不活性ガス供給部32によりN2が供給されるが、酸化ガスとして例えば一酸化二窒素やオゾン等が供給されることも可能である。また不活性ガスとして、アルゴンAr等の供給も可能である。混合器30と成膜室50との間には、配管33が接続されている。配管33には、図示しないバルブを接続することもできる。また、配管33には、不純物を除去するためのVCR型パーティクル捕獲器等を接続することもできる。気化器20から成膜室50までの各ライン、各バルブ及び混合器30等を含む各装置は、気化したガスの液化等を防止するため、図示しない加熱機構により例えば200°C以上の高温状態に保たれる。以上のような構成のガス供給ラインによって、成膜用ガスが成膜室50内に供給され、薄膜の製造が行われる。以下、成膜室50の構造について説明する。成膜室成膜室50は、チャンバ51と、ステージ52と、シャワープレート53とを有する。ステージ52は、基板を支持することが可能であり、チャンバ51内に配置される。シャワープレート53は、ステージ52と対向してチャンバ51内部に設置されており、配管33が接続されている。またチャンバ51内には、図示しない防着板等の部品が洗浄済みの状態で配置される。圧力調整バルブ41は、成膜室50の外部に配置され、チャンバ51と排気用配管42によって接続されている。このことから、チャンバ51内の圧力を適宜設定することで、様々な成膜圧力条件に容易に対応することが可能である。さらに、圧力調整バルブ41は、例えばドライポンプやターボ分子ポンプ等を備えた排気システム40に接続される。また、本実施形態においては、排気用配管42が、基板Wを支持する支持板521aより下部で、チャンバ51に接続されている。このことにより、シャワープレート53からステージ52の周囲を介して排気用配管42へ向かうガスの排気経路が形成され、更に、チャンバ51内の基板W以外への成膜用ガスの付着等により発生するパーティクルの巻上げ等を抑制することが可能となる。シャワープレート53は、本実施形態において、チャンバ51の天井面を構成する上蓋511に固定されている。シャワープレート53の大きさ及び形状は特に制限されないが、例えば、基板Wに成膜用ガスを供給するガス供給面53aが、基板Wを支持する支持板521aの面積と同程度の円形状で構成される。ガス供給面53aには、全体に均一な分布でシャワー穴が配置されている。このことによって、基板Wのほぼ全面に、均一に成膜用ガスを供給することができる。シャワープレート53の内部には、配管33に接続され、成膜用ガスが拡散可能な空間Sを有している。さらに、基板Wの加熱に伴い、ガス供給面53aが大量の輻射熱を受ける場合は、成膜条件に合わせて温度制御可能な熱交換器等の冷却装置を接続することもできる。成膜工程中には、シャワープレート53から基板W上に新しい成膜用ガスが供給される。これと同時に、反応副生成物や成膜中の薄膜から再蒸発したPb化合物などを含むガスは、排気用配管42を介して排気システム40へ排気される。上述のように、排気用配管42は、基板Wを支持する支持板521aより下部で、チャンバ51に接続される。すなわち、チャンバ51内において、ガスの流れは、基板Wの中央から周縁に向かうよう形成されることとなる。ステージ52は、支持部材521を有し、さらに支持部材521は、基板Wを支持することが可能な支持板521aを有する。支持板521aの大きさ及び形状は特に制限されないが、所望の基板を支持できるよう構成される。例えば本実施形態において、基板Wは略円形の8インチ径基板半径約100mmである。よって、支持板521aは、半径が約105mmの略円形で構成される。支持板521aが基板Wを支持する方法は、特に制限されず、例えば静電チャック方式等を採用することができる。また、ステージ52は、図示しない駆動源によって、支持部材521を回転または昇降させるように構成されることも可能である。さらに、支持部材521内部には、基板Wを加熱することが可能なヒータ加熱源図1では図示せずが支持板521aに近接して配置されている。このため、支持板521aは、ヒータからの熱を基板Wに効率的に伝えることができる材料で構成されており、例えばSiC炭化ケイ素、Si3N4窒化ケイ素、カーボン等が採用される。これにより、基板Wが支持板521aとほぼ同じ温度に維持されることが可能となる。以下、本実施形態に係るヒータの構造について説明する。図2は、ヒータHの構造を示す模式図である。図2Aは、基板Wを支持した状態の支持板521aとヒータHとの中心を含む断面図を示し、図2BはヒータHの上面図を示している。ヒータHは支持板521aの全面を加熱することが可能に構成され、本実施形態において、全体として半径R2が約105mmの略円盤状に構成されている。本実施形態において、ヒータHは、第1の加熱部H1と、第2の加熱部H2とを有する。図2に示すように基板Wが支持板521a上に支持される際、ヒータHは、第1の加熱部H1が基板Wの中央を加熱し、第2の加熱部H2が基板Wの周縁を加熱するよう、構成されている。例えば、第1の加熱部H1は、ヒータHの中心からの半径がR1の略円盤状である。ここで、R1はR2より小さく、例えば約70mmである。第2の加熱部H2は、第1の加熱部H1の外周に形成され、ヒータHの中心からの半径がR1~R2の領域に形成された環状構造を有する。第1の加熱部H1及び第2の加熱部H2は、それぞれ別個の加熱装置で構成され、例えばそれぞれに抵抗加熱ヒータ等を採用することができる。しかしながら、基板Wの面内を所望の温度分布で加熱できれば、加熱装置の構成は特に制限されず、例えば径が異なる同心円状の多段ヒータをそれぞれ配置することも可能である。また、支持部材521は、第1の加熱部H1及び第2の加熱部H2によって加熱された支持板521aの温度をそれぞれ測定することが可能な、温度センサを内蔵することも可能である。温度センサは、例えば支持板521aに近接して配置された熱電対等を用いることができる。これによって、第1の加熱部H1及び第2の加熱部H2によってそれぞれ加熱された支持板521aの温度が測定可能となる。また、温度センサは、基板面内の温度分布を測定するために、複数配置することも可能である。さらに、上述のように支持板521aの温度と基板Wの温度とはほぼ等しいとみなせるため、支持板521aの温度を計測することで、間接的に基板Wの温度を計測することが可能となる。本実施形態に係る薄膜製造装置100は、第1の加熱部H1と第2の加熱部H2との加熱温度をそれぞれ制御する制御システムを有している。制御システムは、例えばCPUCentralProcessingUnitや、ROMReadOnlyMemory又はRAMRandomAccessMemory等からなるメインメモリ等を有するコンピュータで構成されたコントローラ60を含む。コントローラ60は、例えば有線あるいは無線を介して、第1の加熱部H1と第2の加熱部H2とにそれぞれ接続されている。これによって、第1の加熱部H1を第1の温度で加熱させ、第2の加熱部H2を第1の温度より高い第2の温度で加熱させるよう、制御することができる。また、制御システムは、基板Wの温度を測定する温度センサ等に接続されることも可能である。このことによって、第1の加熱部H1と第2の加熱部H2とに対応する基板Wの温度をモニタリングし、その結果を元に第1の加熱部H1と第2の加熱部H2との温度を制御することができる。さらに、制御システムは、上記で説明したガス供給ラインの各バルブや成膜装置50の各装置を、例えば有線あるいは無線を介して制御するように構成されることも可能である。このことによって、薄膜製造装置100全体の動作を制御システムによって制御することが可能となる。次に、以上のような薄膜製造装置100の動作について説明する。[薄膜製造装置の動作]図1に示すHeの供給ライン11から各タンクA~DにHeが供給されると、各タンクA~Dの内部圧力が上昇し、各タンクA~Dに充填されていた有機金属の原料溶液及び溶媒がキャリアガスN2とともに配管12に押し出される。押し出された金属原料溶液及び溶媒の液滴は、それぞれの流量が液体流量制御器等で制御されて、キャリアガスにより気化器20に運搬される。気化器20では、タンクDから押し出されキャリアガスにより運搬された溶媒による気化器20のノズルフラッシュが始まり、例えば3分ほどで金属原料溶液及び溶媒を気化できる状態になる。この際、排気用配管22のバルブV2が開けられ、溶媒の気化ガス及びキャリアガスは排気用配管22に捨てられる。予め、チャンバ51内には、N2やAr等の不活性ガスが、不活性ガス供給部32から配管33を介して、例えば約2000sccmで流入している。これにより実際の成膜が開始する前に成膜圧力である約2Torrに調圧される。基板Wがチャンバ51に搬送され支持板521a上に載置されると、ヒータHにより基板Wが加熱される。このとき、基板Wの中央は、第1の加熱部H1によって、第1の温度で加熱される。基板Wの周縁は、第2の加熱部H2によって、第1の温度より高い第2の温度で加熱される。本実施形態では、第1の温度と第2の温度との差が5°C以上10°C以下で、ともに600°C以上となるよう、制御システムによって制御されている。基板Wの温度は例えば3分程で所定の温度に落ち着く。基板Wの温度が収束する前に、気化器20の気化は、溶媒の気化から、成膜する流量にコントロールされた有機金属溶液主体の気化に切り替わる排気用配管22は開けられた状態を保持している。チャンバ51における基板Wやシャワープレート53等の部品の温度が所定の温度に飽和すると、排気用配管22のバルブV2が閉じられ、供給用配管21のバルブV1が開けられる。そして気化器20により気化された有機金属材料を含むガスが混合器30に供給される。混合器30では、気化器20から供給された有機金属材料を含むガスと、酸化ガスであるO2と、不活性ガスであるN2とが所定の混合比モル濃度比で混合され、成膜用ガスが生成される。混合比は、例えば成膜されるPZT薄膜の結晶配向を所期のものとするために適宜設定される。混合器30により生成された成膜用ガスは、配管33を通って成膜室50のシャワープレート53を介してチャンバ51内に供給される。そして加熱された基板Wに成膜用ガスが供給され、PZT薄膜が基板W上に形成される。なお、成膜されるPZT薄膜の厚み、成膜レート等は適宜設定可能である。成膜が終了すると、供給用配管21のバルブV1が閉じられ、排気用配管22のバルブV2が開けられる。従ってチャンバ51内の基板Wへの成膜用ガスの供給が停止され、成膜用ガスは排気用配管22に捨てられる。チャンバ51内には、シャワープレート53から不活性ガス等が一定の時間例えば60秒流される。続いて、次の基板がチャンバ51内に搬送され、同様に成膜が行われる。以上のような構成の薄膜製造装置100に係るシャワープレート53は、基板W表面に対して均一に成膜用ガスを供給し、基板W上にPZT薄膜を形成させる。そして、シャワープレート53の中央部から供給された成膜用ガスは、基板Wの中央からその周縁に向かうガスの流れを形成する。一方、成膜用ガス中の比較的蒸気圧の高いPb化合物は、基板W上に固相のPZT薄膜として析出した後も再蒸発を起こし易い。したがって、基板Wの中央では、常に新しい成膜用ガスのみが供給されるのに対して、基板Wの周縁では、シャワープレート53から新しい成膜用ガスが供給されるだけでなく、基板W中央から再蒸発したPb化合物が供給される。その結果、基板Wの面内においてガス濃度あるいはガス種に分布が生じる。ここで、比較的蒸気圧の高いPb化合物の成膜用ガス中の濃度は、ヒータHによる基板Wの加熱温度によって決定される。基板Wの周縁でこれらの化合物の濃度が高まると、気体状態を保持できず固体として薄膜上に析出してしまう。このことから、本実施形態の薄膜製造装置100では、ヒータHによって、基板Wの面内で温度分布を生じさせている。すなわち、第1の加熱部H1が、第1の温度で基板Wの中央を加熱し、第2の加熱部H2が、成膜用ガスの流れの下流となる基板Wの周縁を、第1の温度より高い第2の温度で加熱する。このような温度分布を形成することで、基板Wの周縁におけるPb化合物の蒸気圧を基板Wの中央よりも高め、基板Wの周縁の気相中に含有できるPb化合物の量を増やすことができる。その結果、基板Wの周縁に高濃度に分布するPb化合物の析出を抑制でき、基板Wの面内において均一なPZT薄膜を形成することができる。<実施例>図3は、本実施形態に係る薄膜製造装置及び薄膜製造方法を用いて、8インチ径の基板上にPZT薄膜を形成した際の、基板面内の温度分布を示すグラフである。横軸は、基板の中心を0mmとした際の、基板中心を通る直線上での位置を示しており、縦軸は、基板の温度を示している。ここでは、予め温度センサ付き基板を用いて測定を行って得られた温度をその測定地点に対する基板温度とした。また、基板温度の測定は、以下の5点で行った。すなわち、基板の中心基板中央と、基板中心からの半径が約50mmの円周上の2箇所と、基板中心からの半径が約90mmの円周上の2箇所基板周縁とである。なお、成膜室内の圧力は、2Torrとなるよう制御されており、基板として、シリコン基板上に、二酸化ケイ素SiO2膜を100nm、イリジウムIr膜を70nm形成した基板を用いた。実施例では、制御システムによってヒータを制御することで、基板中央を約630°Cに加熱し、基板周縁を基板中央よりも約10°C高い約640°Cに加熱した。一方、比較例1は、基板中央を約630°Cに加熱し、基板周縁を基板中央よりも約8°C低い約622°Cに加熱した。比較例2では、基板中央および基板周縁を約630°Cに加熱し、基板面内をほぼ均一な温度に保持している。このことから、本実施形態に係る薄膜製造装置及び薄膜製造方法を用いて、基板の中央と周縁とに温度差を形成できることが示された。図4は、以上のような実施例、比較例1および比較例2について、形成されたPZT薄膜に含まれる金属元素の基板面内における組成比を示すグラフである。横軸は、図3と同様に基板上での位置を示し、縦軸は、形成されたPZT薄膜中の各金属元素におけるモル濃度比を示している。さらに、Pb/ZrTiは、Zr及びTiのモル濃度に対するPbのモル濃度の比を示し、Zr/ZrTiは、Zr及びTiのモル濃度に対するZrのモル濃度の比を示している。なお、測定は、図3と同様の5点にて行った。図4より、Pb/ZrTiは、比較例1において、基板中央より基板周縁で上昇しており、比較例2についても若干の上昇が認められる。一方、実施例においては、基板面内でほぼ均一なモル濃度比であることが示された。なお、対照として、成膜条件下で蒸気圧がPbより低いZrのモル濃度比Zr/ZrTiについてのデータも示している。この結果は、以下のように考えられる。まず、上述のように基板周縁上の成膜用ガスにおけるPb化合物の濃度が高まると考えられることから、比較例1および比較例2の場合は、基板周縁の気相中におけるPb化合物が気体状態を保てずに、薄膜として析出してしまう。この結果、基板周縁において基板中央よりもPbの濃度が高い膜組成になってしまう。一方、実施例の場合は、成膜用ガスの流れの下流である基板周縁において基板中央よりも高い温度で加熱している。このことから、基板周縁におけるPb化合物の蒸気圧が高まり、気相中に含有できるPb化合物の量が増加する。その結果、基板周縁においても、Pb化合物が薄膜に過剰に析出せず、基板面内で均一な膜組成になる。このことから、本実施形態に係る薄膜製造方法および薄膜製造装置によって、PZT薄膜における各金属元素の組成が基板面内で一定に保持できることが示された。図5は、実施例、比較例1および比較例2について、形成されたPZT薄膜における自発分極量の面内分布を示すグラフである。横軸は図3と同様に基板上での位置を示し、縦軸は、形成されたPZT薄膜の各位置に2Vの電圧を印加して分極反転させた際の自発分極量を示している。なお、測定は、図3と同様の5点にて行った。また、図6は、実施例、比較例1および比較例2について、形成されたPZT薄膜におけるリーク電流値の面内分布を示すグラフである。横軸は図3と同様に基板上での位置を示し、縦軸は、形成されたPZT薄膜の各位置に2Vの電圧を印加した際のリーク電流の値を示している。なお、測定は、図3と同様の5点にて行った。図5より、比較例1及び比較例2では、基板中央よりも基板周縁において自発分極量が低くなることが示された。一方、実施例では、基板面内でほぼ一定で、かつ高い値で自発分極が起こることが示された。また、図6より、比較例1及び比較例2では、基板中央よりも基板周縁においてリーク電流値が高くなることが示された。一方、実施例では、基板面内でほぼ一定で、かつリーク電流値が低いことが示された。図5および図6の結果は、次のように考えられる。まず、上述のように、基板周縁にはシャワープレートから新しいガスが供給されるのと同時に、基板中央から再蒸発したPb化合物等や、反応副生成物と呼ばれるガスも供給される。このことから、比較例1及び比較例2の場合は、基板周縁上においてこれらのガス中の濃度が高まり、気体状態を保てずに基板周縁に固体として析出すると考えられる。これにより、過剰なPb等が基板周縁の薄膜の表面やPZT結晶粒界に残存し、膜表面の荒れ等を引き起こす。その結果、特に基板周縁ではPZT薄膜としての所望の強誘電特性が得られなかった。一方、実施例の場合は、基板周縁におけるPb化合物等の蒸気圧が高まり、基板周縁の薄膜にも過剰なPb等が析出せず、膜表面の荒れが起こらないと考えられる。また、PZT結晶粒界にも影響を及ぼさない。その結果、基板面内で均一な膜特性が得られ、PZT薄膜としての所望の強誘電特性が面内で均一に得られた。以上の結果より、本実施形態に係る薄膜製造方法および薄膜製造装置により、8インチ径基板のような大口径基板であっても、基板面内で均一な膜組成、膜特性を得ることができた。一般的には、成膜条件としての温度、供給ガス濃度等のパラメータは基板面内均一に構成する。しかしながら、発明者らは、蒸気圧の高い化合物における気体と固体薄膜との熱平衡状態に着目し、成膜用ガスの流れの上流である基板中央と下流である基板周縁とでは当該化合物の濃度が異なると考えた。これによって、基板面内の温度を均一に制御するのではなく、基板周縁の温度を中央よりも高く制御するといった、基板面内で不均一な成膜条件をあえて導入している。このことによって、上述のように従来技術と比較して飛躍的な作用効果を生み出すことができた。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。例えば、第1の加熱部と第2の加熱部とが同心円状の多段ヒータ等で構成されている場合には、それぞれのヒータを制御することによって、中央から周縁に向かって、第1の温度から第2の温度まで漸次上昇するように制御することも可能である。以上の実施形態では、PZT薄膜を製造するとして説明したが、勿論これに限られない。薄膜を形成する際に、所定の成膜条件下で蒸気圧が高く、基板周縁において再析出を生じるような化合物が含まれる場合は、本発明を適用することが可能である。例えば、MOCVD法でよく用いられる金属元素として、ガリウムGaが挙げられるが、GaもPbと同様、高温下で蒸気圧が高い。よって、例えば、発光素子等に用いられる窒化ガリウム系の薄膜を形成する際は、本発明を適用することによって、基板面内に均一な薄膜を形成できると考えられる。以上の実施形態では、8インチ径の基板を用いたが、これに限られない。本発明は、例えば、6インチ径以上の大型の基板で特に効果を発揮することができる。また、基板の形状は円形に限られず、矩形でもよい。また、本実施形態では、有機金属材料を用いたMOCVD法として説明したが、これに限られない。例えば、チャンバ内に有機金属ガスに限られない化合物ガス等を供給し、基板を加熱しながら薄膜を形成する熱CVD法においても本発明は適用可能である。"