チャンバと、前記チャンバの開口部に設けられた開閉可能な蓋と、前記蓋のチャンバ側の面に設けられ、挿通孔を有する第1シールドと、前記蓋に固定されるとともに、前記挿通孔に挿通され、前記第1シールドを所定の距離だけ移動可能に支持する挿通部と、前記挿通部の端部に設けられ、前記第1シールドの移動を規制する規制部と、前記蓋を閉めたときに、前記チャンバ内に設けられた部材に、前記第1シールドを付勢するための付勢手段と、を備えた蓋開閉装置。前記蓋には、ターゲットホルダーが設けられていることを特徴とする請求項1に記載の蓋開閉装置。前記部材は、前記チャンバに設けられた第2シールドであることを特徴とする請求項1に記載の蓋開閉装置。前記第2シールドでは、前記チャンバの側壁を遮蔽するための側壁シールドであることを特徴とする請求項3に記載の蓋開閉装置。前記チャンバの内部には、基板ホルダが設けられ、前記ターゲットホルダー、前記基板ホルダ、前記第1シールド、及び第2シールドによってプロセス空間が形成されていることを特徴とする請求項4に記載の蓋開閉装置。しかしながら、装置上部に開閉可能な上蓋を設け、該上蓋に設けたシールドと、チャンバ内部に設けたシールドとで、プラズマ空間を形成する場合、次のような問題が生じてしまう。即ち、上蓋を気密に閉めるためには、上蓋に設けたシールドと、チャンバ内部に設けたシールドとの間に、隙間を設ける必要がある。シールドの熱膨張を考慮して、この隙間を大きめに設計すると、この隙間をスパッタ粒子が通過してしまい、チャンバ内壁に直接付着し、パーティクルの発生原因となる。また、この隙間からプロセス空間外にプロセスガスが放出し、プラズマ空間の内部圧力が不安定になるという問題が生じてしまう。そこで、本発明の目的は、チャンバに開閉可能な蓋を設けながら、蓋に設けられたシールドと、チャンバ内の部材との間の隙間を厳密に制御し、安定的なプラズマ空間を形成可能な蓋開閉装置を提供するものである。上述した課題を解決するため、本発明の蓋開閉装置は、チャンバと、前記チャンバの開口部に設けられた開閉可能な蓋と、前記蓋のチャンバ側の面に設けられ、挿通孔を有する第1シールドと、前記蓋に固定されるとともに、前記挿通孔に挿通され、前記第1シールドを所定の距離だけ移動可能に支持する挿通部と、前記挿通部の端部に設けられ、前記第1シールドの移動を規制する規制部と、前記チャンバ内に設けられた第2シールドと、前記蓋を閉めたときに、前記第1シールドを前記第2シールドに付勢するために、前記第1シールドと前記蓋の間に設けられた付勢手段とを備えた。本発明によれば、チャンバに開閉可能な蓋を設けながら、複数のシールド間の隙間を厳密に制御し、安定的なプラズマ空間を形成可能な蓋開閉装置を提供することができる。以下に、本発明の代表的な実施形態を添付図面に基づいて説明する。図1及び図2は、本発明の一実施形態に係る蓋開閉装置100の全体概略図である。図1は、上蓋10aがチャンバ10の開口部を閉じた状態を示し、図2は、該開口部を開いた状態を示している。図3は、図1のX-X断面を上から見た上面図である。本実施形態では蓋開閉装置100の一例としては、不揮発性磁気抵抗ランダムアクセスメモリMRAMなどのスピントロニクス用途およびハードディスクドライブの記録用読取りヘッドなどの磁気センサの製造に用いられるスパッタリング装置について説明する。しかしながら、本発明の趣旨はこれに限定されるものではなく、例えば、PVD装置、CVD装置、エッチング装置などの真空処理装置に適用することができる。図1に示すようにスパッタリング装置100は、チャンバ10の天井壁10bに設けられた開口部を開閉可能な上蓋10aと、上蓋10aに取り付けられ、ターゲットを保持するためのターゲットホルダー5と、チャンバ10を所定の減圧状態に排気する排気手段4を備える。また、上蓋10aを貫通して、アルゴンなどのプロセスガスを導入するためのガス導入配管7が設けられている。排気手段4により、チャンバ10内の圧力は、通常、約1×107Paから約10Paの減圧状態に維持することができる。ターゲットホルダー5には、不図示の電圧印加手段が接続されている。ターゲットホルダー5に、DC電圧又は高周波電圧が印加されることで、ターゲットホルダーはカソードとして機能し、プロセスガスをプラズマ化し、ターゲットをスパッタリングすることができる。上蓋10aには、基板ホルダ2に対向して、ターゲットホルダー5が設けられている。図2に示すように、上蓋10aは、チャンバ10の天井壁10bの上部に設けられたヒンジ部11を軸に約155度回転して、開くことができる。このような構成により、ターゲットやシールド3の交換などの定期メンテナンス作業を容易に行うことができる。なお、本例では、メンテナンスの容易さの観点から、上蓋を開閉させるためのヒンジ部を設けた。しかし、本発明の趣旨は、これに限定されるものではなく、例えば、上蓋10aを鉛直方向に昇降させる昇降機構を設けるようにしてもよい。チャンバ10の内部には、基板1を載置する基板ホルダ2が設けられている。基板ホルダ2は、ターゲットホルダー5に近接するように上下動可能であり、また、基板ホルダの基板載置面に垂直な回転軸に対して回転可能に構成されている。基板ホルダ2の基板載置面の上方には、ターゲット面を遮蔽するシャッター16が設けられている。シャッター16は、ターゲット面を遮蔽する遮蔽位置と、ターゲット面を露出させた退避位置とを開閉移動させるために、アーム15を介して、シャッター開閉駆動部14に接続されている。シャッター開閉駆動部14は、上蓋10aに固定されている。ターゲットホルダー5と基板ホルダ2の間には、チャンバ10の内壁への膜付着を防止する複数のシールド3により、プラズマが生成さ、プロセス処理がなされる空間以下、プロセス空間が形成されている。なお、本例では、シャッター16の退避位置もプロセス空間に含めるように、複数のシールド3が配置されている。シールド3は、ステンレスなどで出来ており、定期的に交換できるように、チャンバ10内にねじ等で取付可能に構成されている。このプラズマ空間にアルゴンなどのプロセスガスを導入するため、上蓋10aおよび天井シールド3aを貫通して、ガス導入配管7が設けられている。また、プラズマ空間の圧力を測定するための圧力計6が設けられている。図2に示すように、上蓋10aには、天井シールド3aが固定ボルト8に支持されて設けられている。図3に示すように、天井シールド3aには、固定ボルト8を挿入するための複数の挿通孔が設けられている。また、天井シールド3aが中央部で撓まないように天井シールド3aの中央部にも、固定ボルト8を挿入するための挿通孔が設けられている。図4に示すように、天井シールド3aの挿通孔に固定ボルト8を挿通し、上蓋10aに固定することで、天井シールド3aを矢印の方向に所定の距離1~10mmだけ移動可能に構成されている。つまり、固定ボルト8は、上蓋10aに設けられたネジ穴にネジ止めされるネジ部8cと、該挿通孔に挿通される円柱状の挿通部8bと、天井シールド3aの移動を規制する規制部8aから構成されている。規制部8aは、天井シールド3aの挿通孔よりも大きい円盤状部材であるので、天井シールド3aの移動を規制することができる。ネジ部8cを緩め、固定ボルト8を上蓋10aから取り外すことで、膜が付着して汚れた天井シールド3aを、新規な天井シールドと交換することができる。また、天井シールド3aには、ターゲットホルダー5を露出させるための開口部30aが形成されている。なお、本例では、天井シールド3aが、請求項に示す蓋のチャンバ側の面に設けられた第1シールドに相当する。なお、本例では上蓋10aに固定ボルト8を固定するため、ネジ部8cを設けたが、本発明の趣旨はこれに限定されず、ネジ部8cを設けず、挿通部8bの上面を、溶接、圧入等で直接上蓋10aに固定してもよい。その場合、天井シールド3aを取り外し、交換できるように、規制部8aを挿通部8bの端部にネジ止め等により、取り外し可能に構成すればよい。図4に示すように天井シールド3aと上蓋10aとの間には、付勢手段9が設けられている。付勢手段9は、板ばね、コイルばねなどの弾性部材であり、固定ボルト8の規制部8a側に、天井シールド3aを付勢することができる。付勢手段9である板ばねは、ネジ9aにより、天井シールド3aに固定されている。また、図3に示すように、天井シールド3aの外縁部に沿って、複数の板バネ9が設けられている。図4aは、図1に示すA部分の拡大図であり、上蓋10aが閉じたときの付勢手段9の状態を示す。このように付勢手段9が短縮しつつ、天井シールド3aを付勢することで、側壁シールド3bの上端部に隙間なく押し付けることができる。つまり、上蓋10aを閉じたときには、天井シールド3aは規制部8aから上蓋10a側に浮き上がり、側壁シールド3bの上端部に支持されることになる。なお、図1に示すように側壁シールド3bは、円筒状であるので、側壁シールド3bの環状の上端部に、天井シールド3aを付勢することになる。側壁シールド3bの環状の下端部は、底面シールド3cに固定されている。図4bは、図2のA部分の拡大図であり、図2に示すように上蓋10aが開いたときの付勢手段9の状態を示す。このように、上蓋10aが開いたときは、付勢手段9は天井シールド3aを固定ボルト8の規制部8aまで押し付けている。なお、本例では、側壁シールド3bが、請求項に示す第2シールドに相当する。また、側壁シールド3b、底面シールド3c、シールド3d、シールド3e、基板周辺シールド3gを含めて、第2シールドを形成することもある。側壁シールド3b、底面シールド3c、シールド3d、シールド3e、基板周辺シールド3gは、本例では別体として構成したが、一体形成してもかまわない。図5は、図1のY-Y断面を上から見た底面シールド3cの上面図である。底面シールド3cは、基板ホルダ2に合わせて、円状の開口部30cを有する。図1に示すように、底面シールド3cは、棒状の支持部13の上部にネジ13aで固定されている。また、底面シールド3cの円状開口部30cの周縁部には、下方に向けて、2つの円筒状のシールド3d、3eが設けられている。なお、これらの円筒状のシールド3d、3eは、鉛直断面において、それぞれI字形となっている。図1に示すように、基板ホルダ2の周辺には、環状のシールド3gが固定して設けられている。また、環状シールド3gの外縁部には、円筒状のU字形シールド3fが設けられている。なお、U字形シールド3fは、鉛直断面において、U字形となっている。U字形シールド3fのU字部凹形部の間に、前述したI字形のシールド3eが非接触ではめ込まれることにより、ラビリンス形状の排気路20が形成される。ラビリンス形状の排気路20は、非接触シールとしても機能するだけでなく、ターゲット粒子がチャンバ10の内壁方向に侵入するのを防止する機能を有する。以上、添付図面を参照して本願の好ましい実施形態、実施例を説明したが、本発明はかかる実施形態、実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載から把握される技術的範囲において種々の形態に変更可能である。