"母材表面に鉛フリーのめっき層を有する端子を備えた電子部品であって、前記鉛フリーのめっき層の表面には、線膨張係数が異なる2種類または2種類以上の樹脂材料からなるコーティング層が形成されていることを特徴とする電子部品。前記コーティング層は、線膨張係数の異なる種類の樹脂が層状に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の電子部品。線膨張係数の最も大きい種類の樹脂材料が前記鉛フリーのめっき層に面するようにして層状に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の電子部品。前記コーティング層は、線膨張係数の異なる種類の樹脂材料が混合した材料によって形成されていることを特徴とする請求項1に記載の電子部品。本発明者らは、鉛フリーであるSn系めっき層に生成するウィスカに関して多くの実験と研究を行ってきているが、特許文献1あるいは2に記載のように、鉛フリーのめっき層からウィスカが発生するのを抑制すること、あるいは、鉛フリーのめっき層の表面に形成する樹脂によるコーティング層をウィスカが貫通しないようにすることは、ウィスカに起因する端子間での短絡を防止するのに有効な手段であるが、さらに、鉛フリーのめっき層の表面に形成する樹脂によるコーティング層内においてウィスカを分断した場合にも、ウィスカが導通性を失うことから、端子間での短絡の問題を解決できることを経験した。本発明は、上記の経験を基礎としてなされたものであり、端子表面の鉛フリーめっき層からウィスカが発生した場合でも、めっき層表面に形成したコーティング層内において発生したウィスカを確実に分断できるようにすることで、端子間ショート等の不都合を生じさせないようにした電子部品を提供することを課題とする。本発明による電子部品は、母材表面に鉛フリーのめっき層を有する端子を備えた電子部品であって、前記鉛フリーのめっき層の表面には、線膨張係数が異なる2種類または2種類以上の樹脂材料からなるコーティング層が形成されていることを特徴とする。上記の電子部品では、環境の冷熱が加わったときに、コーティング層を形成している線膨張係数が異なる2種類または2種類以上の樹脂材料は、それぞれ異なった大きさの膨張と収縮を反覆する。そのために、鉛フリーのめっき層から成長したウィスカが前記コーティング層中に入り込むと、入り込んだウィスカには、各樹脂材料に生じる異なった大きさの膨張収縮の作用によって、剪断応力が作用するようになり、それによって、ウィスカは確実に分断される。分断によりウィスカは導通性を失い電気的には無害なものとなり、結果として、ウィスカに起因して端子間でショートが発生するのを確実に回避することができる。本発明による電子部品において、コーティング層に形成するのに用いる樹脂材料には、一般的に用いられているコーティング種である、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、オレフィン系樹脂、シリコーン系樹脂などを適宜に組み合わせて用いることができる。また、同一の樹脂材料に線膨張変更助剤を混入することで、樹脂材料単独とは異なった線膨張係数を持つ材料を作り、それらを適宜に組み合わせて用いることもできる。線膨張変更助剤としては、ガラスビーズ、アルミナ、ジルコニア、酸化マグネシウム、セラミックス粉末等を例示できる無機フィラー材、あるいは架橋度を制御する適宜の触媒等を例示できる結晶化度制御材などを挙げることができる。また、熱処理温度を変えることで異なった線膨張係数を持つ樹脂材料を得ることもできる。本発明による電子部品において、鉛フリーのめっき層には、一例として、Sn,Sn-Cu,Sn-Ag,Sn-Biのように、Snが主成分であって鉛を含まない材料か、Znが主成分であって鉛を含まない材料が使用される。本発明による電子部品の第1の態様において、前記コーティング層は、線膨張係数の異なる種類の樹脂が層状に形成されており、好ましくは、線膨張係数の最も大きい種類の樹脂材料が前記鉛フリーのめっき層に面するようにして層状に形成されている。また、本発明による電子部品の第2の態様において、前記コーティング層は、線膨張係数の異なる種類の樹脂材料が混合した材料によって形成されている。前記したように、本発明において、鉛フリーのめっき層には、SnあるいはZnを主成分とし鉛を含まない材料が主に用いられるが、このようなめっき層は、比較的に大きな線膨張係数を持つ。そして、めっき層の線膨張係数とコーティング層の線膨張係数とに大きな違いがあると、環境の冷熱が加わったときに、めっき層とコーティング層との間に剥離が生じたり、コーティング層に亀裂が生じる恐れがある。上記第1の形態での好ましい態様のように、線膨張係数の最も大きい種類の樹脂材料が鉛フリーのめっき層に面するようにして層状に形成することにより、めっき層とコーティング層との線膨張差を少なくすることができ、前記した剥離や亀裂が生じるのを効果的に回避することができる。本発明によれば、環境負荷を小さくするために母材表面に鉛フリーのめっき層を形成するようにした電子部品において、鉛フリーのめっき層から成長するウィスカに起因して電子部品の端子間で短絡ショートが生じるのを回避することができる。以下、本発明を実施の形態に基づき説明する。図1は、ウィスカが分断される理由を説明するための模式図である。図1において、1は鉛フリーのめっき層であり、その上に、樹脂材料からなるコーティング層2が形成されている。コーティング層2は、第1のコーティング層2aと第2のコーティング層2bの2層からなっており、第1のコーティング層2aの線膨張係数は第2のコーティング層2bの線膨張係数よりも大きい。図1aに示すように、鉛フリーのめっき層から成長するウィスカ3は、第1のコーティング層2aを貫通して第2のコーティング層2bまで達することが起こる。この状態で、環境の冷熱が加わると、ウィスカ3は線膨張係数の大きい第1のコーティング層2a内では大きく動かされ、線膨張係数の小さい第2のコーティング層2b内ではウィスカの移動量は比較して小さい。すなわち、第1のコーティング層2aと第2のコーティング層2bとの線膨張差によって、ウィスカ3には図1bに示すように横応力がかかり、曲がった姿勢となる。環境の冷熱サイクルが反覆すると、ウィスカ3には横応力が剪断応力として繰り返し作用することとなり、最後には図1cに示すように、ウィスカ3は部分3aと部分3bとに分断され、電気的導通性を失う。なお、図1ではコーティング層2は2層構成であるが、線膨張係数の異なる樹脂材料からなる3層以上の層によってコーティング層2を形成することもできる。その場合には、ウィスカ3を複数箇所で分断できるようになり、電気的導通性をより確実に喪失できるようになる。図2は、本発明による電子部品の第1の態様における端子部分A1を模式的に示している。図2において、40は、例えばCu合金である母材であり、母材40の表面に、例えばSnである鉛フリーのめっき層10が形成されている。鉛フリーのめっき層10は従来法によって形成すればよく、厚さにも特に制限はない。鉛フリーのめっき層10の上には、第1のコーティング層20aと第2のコーティング層20bの2層からなる、樹脂材料からなるコーティング層20が形成されている。そして、第1のコーティング層2aの線膨張係数は第2のコーティング層2bの線膨張係数よりも大きくされている。具体的には、共通の樹脂材料としてアクリル系樹脂を用い、第1のコーティング層2aは、アクリル系樹脂をそのままで例えば5~10μmの厚さにコーティングして形成されている。第2のコーティング層2bには、アクリル系樹脂に線膨張変更助材として無機フィラー例えばアルミナを適量添加した材料を用い、それを例えば5~10μmの厚さにコーティングして形成されている。これにより、線膨張係数が110×10-6/Kである第1のコーティング層2aに対して、第2のコーティング層2bの線膨張係数を20×10-6/K程度にまで小さくすることができる。端子部分A1における鉛フリーのめっき層10からウィスカ3が成長した状態が図2aに示される。成長したウィスカ3は、第1のコーティング層2aを貫通して第2のコーティング層2bにまで達している。この電子部品の少なくとも端子部分A1に環境の冷熱が加わる。例えば電子部品が自動車用の電子部品の場合、使用場所によっても変動するが、通常-40°C~150°Cの間での冷熱サイクルが加わるもの想定できる。端子部分A1に環境の冷熱が加わることにより、図1b,cに基づき説明したようにして、すなわち、第1のコーティング層20aと第2のコーティング層20bとの線膨張差によって、ウィスカ3には図2bに示すように横応力がかかり、ついには、図2cに示すように、ウィスカ3は部分3aと部分3bとに分断され、電気的導通性を失う。図2に示す電子部品における端子部分A1では、鉛フリーのめっき層10の上にアクリル系樹脂による第1のコーティング層20aが形成されており、両者間の線膨張係数に大きな差がないことから、環境の冷熱によるめっき層10の膨張収縮に第1のコーティング層20aは追従しやすくなる。そのために、電子部品を実装した機器類において、鉛フリーのめっき層10とアクリル系樹脂による第1のコーティング層20aとの間に剥離が生じることや、第1のコーティング層20aに亀裂が生じるのも回避できる。図3は、本発明による電子部品の第2の態様における端子部分A2を模式的に示している。ここでは、鉛フリーのめっき層10の上に形成するコーティング層20を、第1の樹脂材料20aと第2の樹脂材料20bを混合した材料で形成している。一例として、樹脂材料20aと20bには共通した樹脂としてアクリル系樹脂を用い、熱処理温度を調整することで結晶化度を相違させて、結晶化度0~40の第1の樹脂材料20aと、結晶化度50~80の第2の樹脂材料20bとを調整する。そして、それらを混合することで、線膨張係数が小さい第2の樹脂材料20bをベース樹脂とし、その中に比較して線膨張係数が大きい第2の樹脂材料20aが混入している状態の混合樹脂が得られる。その混合樹脂を定法により、Cu合金である母材40の表面に形成した例えばSnである鉛フリーのめっき層10の上に、厚さ10~20μm程度の塗布することで、コーティング層20が形成される。端子部分A2における鉛フリーのめっき層10からウィスカ3が成長した状態が図3aに示される。この例では、ウィスカ3は第2の樹脂材料20b内を第1の樹脂材料20aを回避するようにして成長している。この電子部品の少なくとも端子部分A2に、図2に示した端子部分A1と同様に環境の冷熱が加わると、図3bに示すように、第1の樹脂材料20aと第2の樹脂材料20bとの線膨張係数差から、第1の樹脂材料20aは比較して大きく膨張する。それにより第2の樹脂材料20b内に延びているウィスカ3には隣接している第1の樹脂材料20aから多方向の応力が作用して、ウィスカ3は曲がった状態となる。環境の冷熱サイクルが反覆すると、ウィスカ3には多方向の応力が繰り返し作用することとなり、最後には図3cに示すように、ウィスカ3は、この例では3つの部分3a、3b、3cとに分断され、電気的導通性を失う。なお、この例でも、線膨張係数が異なる第3,第4の樹脂材料をさらに添加することもできる。以下、実施例により本発明を説明する。[実施例1]ICのリードフレーム材料として使用されている厚さ200μmの42アロイNi42wt-Feに電解めっきによりSn-3wtCu材料からなる厚さ20μmのめっき層を形成してテストピースとした。コーティング層のための樹脂として、アクリル系樹脂を用意した。さらに、アクリル系もしくは、ポリオレフィン系やウレタン系樹脂に線膨張変更助材としてアルミナを20~80wt添加したものを第2のコーティング材として用意した。形成したSn-Cuめっき層の表面に第1のコーティング材を10μm厚に塗布した。固化した後、さらにその上に第2のコーティング材を10μm厚に塗布して、コーティング層を形成した。Sn-Cuめっき層からウィスカを人為的に成長させる目的で、めっき層の上から、20~50gfの荷重をかけて、樹脂コーティング後、高温高湿試験85°C、85の評価を行い、ウィスカの有無とウィスカ発生状況を観察した。Sn-Cuめっき層から複数本のウィスカがコーティング層内に成長していた。そして、すべてウィスカは第1のコーティング材からなる層内で分断しているのが確認された。"