回路10に流れる電流を検出するための電流検出装置1であって、一部に間隙Gが設けられ、当該間隙を介して2つの端面32c、53c、72c、73cが対向し、当該2つの端面の近傍32b、53b、72b、73bが前記間隙に向かってそれぞれテーパ状に形成された磁性体コア32、53、71と、前記回路の一部として設けられ、前記磁性体コアに導線を巻き付けることにより構成されたコイルLと、前記磁性体コアの前記間隙に配置され、前記コイルに通電されているときに前記2つの端面の間に生じる磁界の強さを検出する磁気検出部40、60と、当該磁気検出部によって検出された磁界の強さに応じて、前記回路に流れる電流を検出する電流検出部14と、を備えていることを特徴とする電流検出装置。前記磁性体コア32、53は環状に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の電流検出装置。前記2つの端面は、互いに平行に延びるとともに同じ形状および大きさに形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の電流検出装置。前記磁性体コアの前記導線が巻き付けられた部位32a、53a、72a、73aは、一定の断面形状および断面の大きさを有し、前記導線が巻き付けられた部位以外の前記2つの端面の近傍32b、53b、72b、73bが、テーパ状に形成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の電流検出装置。前記磁性体コア53は、平面状の設置面53dを有し、当該設置面を介して平板状の台座51に取り付けられていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の電流検出装置。前記コイル、前記磁性体コアおよび前記磁気検出部は一体化されていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の電流検出装置。前記磁気検出部は、半導体磁気抵抗効果素子42、42a、42cによって前記磁界の強さを検出することを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載の電流検出装置。前記磁気検出部は、複数の短絡電極を有する第1の半導体磁気抵抗効果素子42と、短絡電極を有さない第2の半導体磁気抵抗効果素子42a、42cとによって構成された、前記磁界の強さを電圧として出力するブリッジ回路21を有し、前記電流検出部は、前記ブリッジ回路から出力された電圧に応じて、前記回路に流れる電流を検出することを特徴とする請求項7に記載の電流検出装置。前記ブリッジ回路は、ハーフブリッジ回路またはフルブリッジ回路であることを特徴とする請求項8に記載の電流検出装置。短絡電極を有さない第3の半導体磁気抵抗効果素子61a、61bで前記磁気検出部と一体に構成され、一定の基準電圧を生成するための基準電圧生成部22と、前記ブリッジ回路から出力された電圧と、前記基準電圧生成部で生成された前記一定の基準電圧との比較結果を出力する比較部23と、をさらに備え、前記電流検出部は、前記比較部による比較結果に基づいて、前記回路に流れる電流を検出することを特徴とする請求項1ないし9のいずれか1項に記載の電流検出装置。前記第1および第2の半導体磁気抵抗効果素子42、42cは、互いにほぼ同じ長さを有する帯状に形成されるとともに並設され、前記第3の半導体磁気抵抗効果素子は、前記ブリッジ回路を取り囲むように帯状に延びていることを特徴とする請求項10に記載の電流検出装置。前記比較部は、前記磁性体コアが取り付けられた前記台座の一方の面と反対の他方の面側に配置され、前記台座には、前記コイルに通電されているときに発生した、前記台座の前記他方の面側における磁界の強さを緩和するための磁気保護部材が設けられていることを特徴とする請求項10または11に記載の電流検出装置。前記磁性体コアの前記2つの端面の間に発生した磁界の内側に、少なくとも前記第1の半導体磁気抵抗効果素子が収容されるように、前記2つの端面の大きさおよび形状が設定されていることを特徴とする請求項8ないし12のいずれか1項に記載の電流制御装置。前記磁性体コアの前記2つの端面の間に発生した磁界の内側に、前記第1の半導体磁気抵抗効果素子以外の半導体磁気抵抗効果素子42a~42c、61a、61bが収容されないように、前記2つの端面の大きさおよび形状が設定されていることを特徴とする請求項8ないし12のいずれか1項に記載の電流制御装置。しかし、上述した特許文献1に係る電流検出装置では、電流の検出をシャント抵抗により行うので、シャント抵抗で発生するジュール熱の分、比較的、大きな電力の損失が発生してしまう。また、特許文献2に記載された、スイッチMOSトランジスタのON抵抗により電流検出を行う場合には、ON抵抗は、スイッチMOSトランジスタの特性のばらつきや温度などの使用環境によって変動するので、電流の検出結果もばらついてしまうおそれがある。また、ホール素子によって検出する場合、電流検出用コイルやホール素子は比較的、高価であること、また、ホール素子の素子単体による検出感度は低いため、増幅やそれに伴うノイズ対策を施す必要があることなど、製造コストの増大を招くとともに、素子の実装の自由度が限定されてしまう。また、フライホイールダイオードに接続した電流検出回路で検出する場合、フライホイールダイオードに接続した配線パターンの引出しにより余分なループアンテナを作ることがあり、これがノイズの発生原因になるおそれがある。本発明は、以上のような課題を解決するためになされたものであり、電力の損失や製造コストを抑制しながら、回路を流れる電流の大きさを精度よく検出することができる電流検出装置を提供することを目的としている。上記の目的を達成するために、本発明に係る電流検出装置は、回路に流れる電流を検出するための電流検出装置であって、一部に間隙が設けられ、間隙を介して2つの端面が対向し、2つの端面の近傍が間隙に向かってそれぞれテーパ状に形成された磁性体コアと、回路の一部として設けられ、磁性体コアに導線を巻き付けることにより構成されたコイルと、磁性体コアの間隙に配置され、コイルに通電されているときに2つの端面の間に生じる磁界の強さを検出する磁気検出部と、磁気検出部によって検出された磁界の強さに応じて、回路に流れる電流の強さを検出する電流検出部と、を備えていることを特徴とする。この構成によれば、磁性体コアに導線を巻き付けて構成したコイルに通電されると、コイルに流れる電流の大きさに応じた強さの磁界が発生する。これにより磁化される磁性体コアの一部には間隙が設けられており、この間隙を介して対向する磁性体コアの2つの端面の近傍が、間隙に向かってテーパ状に形成されている。その結果、磁性体コアを通る磁力線は、磁性体コアのテーパ状に形成された部位で収束され、間隙における磁束密度が、磁性体コアの他の部位の磁束密度よりも高くなる。このような間隙に配置された磁気検出部によって2つの端面の間の磁界の強さが検出され、検出された磁界の強さに応じて、回路を流れる電流の大きさが電流検出部によって検出される。以上のように、間隙における磁束密度が高められていることにより、磁界の強さを磁気検出部によって確実に検出することができ、検出した磁界の強さに応じて、電流の大きさを精度よく検出することができる。また、回路によって駆動される負荷がある場合、回路を流れる電流の大きさを検出することで、負荷で消費される電力を検出することができる。以下、本発明の第1実施形態に係る電流検出装置について、図面を参照しながら説明する。図1は、本発明を適用した電流検出装置1を含む電子制御装置2、およびDCモータ3を示している。電子制御装置2およびDCモータ3は車両図示せずに搭載されており、DCモータ3の制御回路10が、電子制御装置2に設けたプリント基板またはセラミック基板いずれも図示せずに構成されている。制御回路10は、バッテリ図示せずの電圧を所要の電源電圧VB例えば12Vに変圧して供給するための電源部11、および電源電圧VBよりも電圧の低い接地部12を備えている。電源部11と接地部12の間には、電源部11側から順にコイルL、上述したDCモータ3およびスイッチ素子Trが直列に接続されている。コイルLは、EMC対策用のノイズフィルタとして設けられている。また、スイッチ素子Trは、例えばNチャンネル型のMOSFETで構成されている。スイッチ素子TrのドレインはDCモータ3に接続され、ソースは接地部12に接地されており、スイッチ素子Trは、後述するようにゲートに印加される電圧によってオン/オフされ、それによりDCモータ3の駆動が制御される。また、電源部11と接地部12の間には、ノイズ除去用の第1ダイオードD1および第1コンデンサC1が、コイルL、DCモータ3およびスイッチ素子Trに並列に設けられている。第1ダイオードD1および第1コンデンサC1は互いに直列に接続されており、第1ダイオードD1は、電源部11側に設けられ、そのアノードが電源部11に接続されるとともにカソードが第1コンデンサC1の一方の電極に接続されている。また、ノイズ除去用の第2コンデンサC2が、DCモータ3およびスイッチ素子Trに並列に設けられており、さらに、DCモータ3には第2ダイオードD2が並列に設けられている。この第2ダイオードD2のアノードは接地部12側に接続され、カソードは電源部11側に接続されている。第2ダイオードD2は、DCモータ3の還流ダイオードとして設けられており、スイッチ素子Trがオフされたときに、DCモータ3のコイルの電磁誘導による起電力に基づいて発生した電流を循環させることによって、スイッチ素子Trの破損を防止する。また、制御回路10は、電圧レギュレータ13およびマイクロコンピュータ以下マイコンという14を有している。制御回路10では、電圧レギュレータ13によって電源電圧VBを降下させ、マイコン14にこれを駆動するための駆動電圧例えば5Vとして供給する。電流検出装置1は、上述したコイルLおよびマイコン14と、検出回路21と、基準電圧生成回路22基準電圧生成部と、比較回路23比較部とを備えている。検出回路21は、電圧レギュレータ13と接地部12の間に設けられており、直列に接続された第1抵抗R1および第2抵抗R2を有し、これらによってハーフブリッジ回路が構成されている。第1抵抗R1は、電圧レギュレータ13側に設けられており、磁気抵抗効果素子を有していて、コイルLに電流が流れるのに伴って発生する磁界が強いほど、抵抗値もまた大きくなるものである。電圧レギュレータ13から入力された電圧は、第1および第2抵抗R1、R2のそれぞれの抵抗値に応じて分割され、両抵抗R1、R2の中間端子21aから、検出電圧として出力される。基準電圧生成回路22もまた、電圧レギュレータ13および接地部12の間に直列に設けられた第3抵抗R3および第4抵抗R4を有している。電圧レギュレータ13から入力された電圧は、第3および第4抵抗R3、R4のそれぞれの抵抗値に応じて分割され、両抵抗R3、R4の間の中間端子22aから、一定の基準電圧として出力される。比較回路23はコンパレータで構成されており、比較回路23には、検出回路21から出力された検出電圧が反転入力端子から入力され、基準電圧生成回路22から出力された基準電圧が非反転入力端子から入力される。比較回路23は、これらを比較した比較結果を表す信号を出力し、出力された信号はマイコン14に入力される。マイコン14は、本実施形態において電流検出部を構成するものであり、I/Oインターフェース、CPU、RAMおよびROMなどを有しているいずれも図示せず。CPUには、各種のセンサからの検出信号が、I/OインターフェースでA/D変換や整形がなされた後、入力される。CPUは、これらの入力信号に応じ、ROMに記憶された制御プログラムなどに従って、各種の制御処理を実行する。また、マイコン14は、検出回路21から出力された検出電圧に応じ、スイッチ素子Trをオン/オフすることによって、DCモータ3の回転数を、車両の運転状態などに応じて算出された目標回転数になるように制御する。具体的には、コイルLに流れる電流の大きさに基づく検出電圧が基準電圧を上回っており、比較回路23からの信号の電圧レベルが低いときには、DCモータ3に電源部11から電圧が正常に供給されているものとして、DCモータ3の通常の制御処理が実行される。その場合、マイコン14は、DCモータ3の目標回転数に応じたデューティ比のパルス幅変調信号を生成して出力し、マイコン14から出力された信号は、ゲートドライバ15を介して、スイッチ素子Trのゲートに印加される。スイッチ素子Trは、ゲートに印加された信号のデューティ比に基づいてオン/オフされることによって、DCモータ3の回転数が目標回転数に制御される。一方、比較回路23からマイコン14に入力される信号の電圧レベルが高いとき、すなわち、規定よりも大きな電流がコイルLに通電されているときには、スイッチ素子Trへのパルス幅変調信号の出力を停止し、スイッチ素子Trをオフすることによって、DCモータ3を停止状態に制御する。これにより、スイッチ素子Trが過電流から保護される。図2は、上述した電流検出装置1の一部を構成する電子部品Aを示している。この電子部品Aは、電流検出装置1の構成要素のうち、コイルLおよび検出回路21を構成するものであり、これらは一体化され、全体として1つの電子部品Aとして構成されており、プリント基板などに取り付けられている。同図に示すように、電子部品Aは、平板状に形成された樹脂製の台座31と、この台座31の一方の面側に設けられたフェライトコア32磁性体コアなどを有している。図3に示すように、フェライトコア32は、環状に形成されており、一部に間隙Gが設けられていて、コア本体32aおよび縮経部32b、32bを有している。コア本体32aの断面形状は所定の径例えば10mmを有する円形に形成されており、縮経部32b、32bの間に、所定の間隔で間隙Gが設けられていて、間隙Gを介して2つの端面32c、32cが対向している。フェライトコア32は、その縮経部32b、32bを介して台座31に載置されている。2つの端面32c、32cは、いずれも円形に形成され、互いに平行に延びるとともに同じ面積を有している。端面32cの近傍の縮経部32bは、テーパ状に形成されており、間隙Gに向かって徐々に細くなっている。その結果、各端面32cの面積は、コア本体32aの断面積よりも小さくなっている。コイルLは、コア本体32aに導線を巻き付けることにより構成されている。導線は、台座31の一方の端部をコア本体32aに向かって貫通して延び、コア本体32aに巻き付けられ、台座31の他方の端部を貫通してフェライトコア32と反対側に延びている。このようなコイルLに通電されると、電流の大きさに応じた強さの磁界がフェライトコア32に発生し、それによる磁力線Mは、図2に一点鎖線で示すように、フェライトコア32の形状に沿って環状に延びている。また、発生した磁力線Mは、縮経部32b、32bにおいて、その形状に従い、間隙Gに向かって収束されており、その結果、端面32c、32c間の磁束密度が、フェライトコア32の他の部位よりも高められている。なお、両端面32c、32c間の磁力線Mが、間隙Gの外側に迂回するように広がることなく直線状に延びるように、端面32c、32c間の前述した所定の間隔が設定されている。また、台座31の中央には取付け孔31aが形成されている。この取付け孔31aは台座31を貫通しており、取付け孔31aには磁気センサ33が嵌合した状態で取り付けられている。磁気センサ33は、センサチップ40磁気検出部およびこれを封止した封止樹脂33aなどで構成されており、ブロック状に形成されている。磁気センサ33が台座31に取り付けられた状態では、そのほぼ半分が台座31から突出しており、この台座31から突出した部位はフェライトコア32の間隙Gに配置されている。センサチップ40は、磁気センサ33のこの突出した部位に配置されている。センサチップ40は、半導体磁気抵抗効果素子以下SMR素子というを有している。SMR素子は、半導体等の基板上に半導体抵抗薄膜を形成し、さらに半導体抵抗薄膜を覆うように保護膜を形成して構成されるものである。半導体抵抗薄膜に垂直な方向に磁界が印加されると、半導体抵抗薄膜中の電子の移動距離が長くなるため、SMR素子の抵抗値は高くなる。すなわち、SMR素子は磁界の方向と強さの変化に応じて抵抗値が変化する性質を有している。図4に示すように、センサチップ40には検出回路21が構成されており、センサチップ40は、シリコン基板41と、その表面に形成された、前述した第1抵抗R1および第2抵抗R2などを有している。第1抵抗R1は、互いに平行に延びる帯状の半導体抵抗薄膜42、42第1の半導体磁気抵抗効果素子と、同図における左側の半導体抵抗薄膜42の一方の端部に設けられた電源用電極43と、他方の端部同士を接続する折返し部電極44と、各半導体抵抗薄膜42の表面に設けられた多数の短絡電極45を有している。多数の短絡電極45は、互いに同じ幅を有する短冊状に形成されるとともに、半導体抵抗薄膜42の表面全体に所定の間隔で並設されている。半導体抵抗薄膜42は、電子移動度の大きい化合物半導体によって、例えばインジウムアンチモンによって構成され、所定の長さを有しており、電源用電極43、折返し部電極44および短絡電極45は、いずれもアルミニウムで構成されている。また、電源用電極43は、プリント基板などに設けられた前述した電圧レギュレータ13に、リード線33bを介して接続されている図2参照。また、第2抵抗R2は、第1抵抗R1の半導体抵抗薄膜42に並設され、これよりも短い帯状に形成されるとともに互いに平行に延びる半導体抵抗薄膜42a、42a第2の半導体磁気抵抗効果素子と、同図の右側の半導体抵抗薄膜42aの一方の端部に設けられたグランド用電極46と、半導体抵抗薄膜42a、42aの他方の端子同士を接続する折返し部電極44を有している。第2抵抗R2の半導体抵抗薄膜42aもまた、インジウムアンチモンで構成されており、グランド用電極46はアルミニウムで構成されている。また、グランド用電極46は、電源用電極43側とは別個のリード線33bによって接地部12に接続されている。また、第1および第2抵抗R1、R2の互いに隣接する半導体抵抗薄膜42、42aの一方の端部同士は、前述した中間端子21aによって接続されている。この中間端子21aもまた、アルミニウムの電極として形成されており、前述した比較回路23の反転入力端子に、電源用電極43側およびグランド用電極46側とは別個のリード線33bによって接続されている。また、第2抵抗R2の半導体抵抗薄膜42a、42aの折返し部電極44側の延長線上には、ダミー抵抗42b、42bが設けられている。これらは、半導体抵抗薄膜42a、42aの形成過程において、第1抵抗R1側の半導体抵抗薄膜42、42とともに形成した半導体抵抗薄膜が残留しているものであり、検出回路21とは分断されている。前述したフェライトコア32の端面32c、32cの径は、両端面32c、32c間の間隙Gに発生する磁界に、上述したセンサチップ40のほぼ全体を収容できるように設定されている。図5は、ホール素子および各種の磁気抵抗効果素子について、磁界の強さ以下磁界強度というの変化に応じた磁気抵抗変化率などの特性を、SMR素子と比較して示している。一般に、磁性体コアに巻き付けられたコイルに電流が流れたときに発生する磁界強度Hは、次式1によって求められる。H=NI/2R1H:磁界強度[A/m]N:コイルの巻回数[回]I:電流の大きさ[A]R:磁性体コアの半径[mm]図5は、コイルLの巻回数Nを10[回]に、また、フェライトコア32の半径Rを5[mm]にそれぞれ設定した場合において、第1抵抗R1として、ホール素子、SMR素子、異方性磁気抵抗効果素子以下AMR素子という、トンネル磁気抵抗効果素子以下TMR素子という、および巨大磁気抵抗効果素子以下GMR素子というのいずれかを用いたときの、間隙Gにおける磁界強度Hと第1抵抗R1の磁気抵抗変化率との関係などを示している。磁気抵抗変化率は、各素子に印加される磁界強度が0のときの各素子の抵抗値を基準として、各素子に磁界が印加されたときの各素子の抵抗値の変化率を示すものである。各素子に印加される磁界強度Hが、例えば30×103[A/m]のときと、270×103[A/m]のときの間では、ホール素子、SMR素子およびGMR素子において、磁気抵抗変化率に差異が生じる。特に、SMR素子に大きな差異が発生しており、磁界強度の変化に対する感度が高い一方、AMR素子およびTMR素子においては、磁界強度が変化しても磁気抵抗変化率に差異が生じない。また、温度変化に伴う素子の抵抗値の変化率を示す温度係数に関して、SMR素子が最も大きく、1[°C]上昇するごとに-2[]の変化が生じる。また、ホール素子およびSMR素子は、上記のように磁界強度に応じて抵抗値が変動するものであり、磁界強度の検出に適しているのに対し、AMR素子、TMR素子およびGMR素子は、各素子に印加される磁界の角度の変化に伴って抵抗値が変化するものであり、磁界の角度の検出に適している。なお、GMR素子は、磁界の角度の検出に用いることができる一方、上記のように磁界強度に変化にも伴って抵抗値が変動するものの、ヒステリシスが比較的大きいため、即時性が要求される検出には適していない。以上の結果、本実施形態では、SMR素子を用いて間隙Gの磁界強度を検出している。なお、SMR素子の温度係数は他の素子よりも大きいものの、前述したようにハーフブリッジ回路で検出回路21を構成することによって、温度変化による影響を回避している。すなわち、第1および第2抵抗R1、R2の抵抗値は、温度変化に伴って同じ変化率で変化するので、両抵抗R1、R2の抵抗値に応じた検出電圧は、温度変化に対して変動せず、磁界強度の影響のみが検出電圧に反映される。図6Aは、センサチップ40に印加される磁界の強度と第1抵抗R1の磁気抵抗変化率との関係を示している。同図に示すように、第1抵抗R1では、印加される磁界が強くなるのに従い、磁気抵抗変化率がほぼリニアに増大している。また、図6Bは、間隙Gでセンサチップ40に印加される磁界強度と、検出回路21から出力される検出電圧などとの関係の一例を示している。同図に示すように、本実施形態では、コイルLに通電されておらず、磁界強度が0のときには、第1および第2抵抗R1、R2の抵抗値は、例えば2.5[kΩ]になるようにそれぞれ設定されている。この状態からコイルLに通電され、電流の大きさに応じた磁界強度が30×103[A/m]のときには、第1抵抗R1の抵抗値は2.55[kΩ]に若干、増大する。そして、図6Aに示した傾向に従い、磁界強度が増大するのに伴って、第1抵抗R1の抵抗値も増大する。一方、第2抵抗R2においても、磁界強度が増大するのに伴って抵抗値が増大するものの、短絡電極45が設けられていないので、増大の度合いは第1抵抗R1よりも非常に小さなものであり、磁界強度が0のときの抵抗値がほぼ維持される。したがって、磁界強度が大きくなるほど、第1および第2抵抗R1、R2の間の抵抗値の差が大きくなるので、中間端子21aから出力される検出電圧は、磁界強度が大きいほど小さくなる。磁界強度が270[A/m]前後に達すると、検出電圧の磁界強度が0のときに対する変化量が1[V]を超えており、比較回路23での比較に用いられる電圧として、十分な変化量が確保される。本実施形態においては、前述したコア本体32aの断面積と端面32cの面積との関係から、間隙Gにおける磁界強度が高められているので、より低い磁界強度、すなわちコイルLに流れる電流値がより小さいときでも、検出用電圧として十分な変化量が確保される。以上のように、第1実施形態に係る電流検出装置1によれば、フェライトコア32の縮経部32b、32bを間隙Gに向かってテーパ状に形成したことにより、間隙Gにおける磁束密度を、フェライトコア32の他の部位よりも高めることができる。その結果、間隙Gに配置したセンサチップ40による磁界強度の検出感度を向上させることができ、検出した磁界強度に応じた大きさの電流がコイルLに通電されているか否かを確実に検出することができる。また、規定よりも大きな電流がコイルLに通電されていることが検出されたときには、スイッチ素子Trへのパルス幅変調信号の出力を停止することによって、スイッチ素子Trの破損を確実に防止することができる。また、コイルLへの通電に伴って発生した磁界の強度に基づいて、電流の検出を行うことと、磁性体コア32が環状に構成され、発生した磁束のほとんどがフェライトコア32の内部を通り、磁界の影響がコイルLの外側に及びにくいことにより、電力の損失を抑制しながら、電流の検出を行うことができる。また、対向する端面32c、32cが互いに平行に延びるとともに同じ形状および大きさに形成されていることにより、間隙Gにおける磁界を安定して発生させることができ、センサチップ40による磁界強度の検出の精度を向上させ、ひいては電流検出の精度を向上させることができる。また、コイルLおよび検出回路21が電子部品Aとしてあらかじめ一体化されており、コイルLとセンサチップ40の間の配置を考慮する必要がないので、電流検出装置1を含む電子制御装置2の構成の自由度を向上させることができる。また、磁界強度の検出に適したSMR素子を用い、多数の短絡電極45を第1抵抗R1に設けて磁界強度の変化に対する感度を向上させ、さらに、端面32cの面積をより小さくして間隙Gの磁界強度を高めているので、磁界強度の変化に応じた検出電圧の変化量をより大きくすることができる。その結果、比較回路23での基準電圧との比較に、検出電圧をそのまま用いることができるので、電流検出装置1の回路構成をより簡素化でき、したがって、電流検出装置1の製造コストを抑制することができる。また、検出回路21が、多数の短絡電極45を有する第1抵抗R1と、折返し部短絡電極44以外に短絡電極を有さない第2抵抗R2によって、ハーフブリッジ回路として構成されていることにより、SMR素子の温度特性に起因する検出電圧の変動が生じることを回避でき、温度変化にかかわらず、磁界強度を精度よく検出することができる。また、端面32c、32cの径は、両端面32c、32cの間に発生した磁界の内側にセンサチップ44が収容されるように設定されているので、第1抵抗R1の全体で磁界強度を確実に検出することができる。また、経年変化により、センサチップ44と端面32c、32cとの間の位置関係に、初期状態から若干のずれが発生したとしても、少なくとも第1抵抗R1は磁界の内側に位置するように維持されるので、経年変化などによる検出電圧の変動を回避することができる。また、検出電圧は、コイルLに流れる電流の大きさに応じて変化するので、コイルLに通電された電流の大きさを検出電圧に基づいて検出することができる。また、DCモータ3のトルクは、これに通電された電流の大きさに比例するので、本実施形態においては、コイルLに通電された電流の大きさに基づいて、DCモータ3のトルクを検出することができる。すなわち、検出した電流の大きさを、DCモータ3のトルク管理に用いることができる。図7は、第2実施形態に係る電流検出装置で用いられる電子部品Bを示している。本実施形態による電子部品Bは、電流検出装置を、マイコン14を除いて構成するものであり、以下、電子部品Bについて、第1実施形態の電子部品Aと同じ構成要素には同じ符号を用いて、電子部品Aとの差異を中心として説明する。本実施形態の台座51には、シート状の磁気保護部材52が封入されている。この磁気保護部材52は、台座51のほぼ全体にわたって延びており、鉄またはニッケルなどで構成されている。コイルLへの通電に伴って発生する磁界はこの磁気保護部材52で遮蔽されることによって、台座51の他方の面側への磁界の影響が大きく減殺される。なお、台座51のいずれか一方または両方の面に磁気保護部材51を貼り付けてもよい。また、図8に示すように、本実施形態のフェライトコア53は、第1実施形態と同様、コア本体53a、および縮経部53b、53bを有している。本実施形態の縮経部53b、53bの外縁部には、同一平面上に形成された設置面53d、53dがそれぞれ設けられており、フェライトコア53は、この平面状の設置面53d、53dを介して、台座51に載置されている。また、本実施形態の磁気センサ54は、台座51の両面から突出しており、センサチップ60磁気検出部が配置されたフェライトコア53側と反対の面側には、センサチップ60とは別個の回路チップ54aが配置されている。図9は、電子部品Bで用いられるセンサチップ60を示している。このセンサチップ60では、第1抵抗R1は、多数の短絡電極45を設けた計4つの帯状の半導体抵抗薄膜42を有している。これらは、いずれも同じ長さを有し、互いに平行に延びるとともに3つの折返し部電極44によって互いに接続され、全体として1つの第1抵抗R1として構成されている。また、第1抵抗R1に隣接して設けられた第2抵抗R2の半導体抵抗薄膜42c、42c第2の磁気抵抗効果素子は、いずれも第1抵抗R1の半導体抵抗薄膜42とほぼ同じ長さに形成され、半導体抵抗薄膜42と平行に延びている。また、このセンサチップ60には、基準電圧生成回路22も設けられている。基準電圧生成回路22は、第1および第2抵抗R1、R2を取り囲むように延びる2組の帯状の半導体抵抗薄膜61a、61b第3の半導体磁気抵抗効果素子を有しており、一方の半導体抵抗薄膜61a、61bは、電源用電極43および前述した中間端子22aに接続され、他方の半導体抵抗薄膜61a、61bは、グランド用電極および中間端子22aに接続されている。すなわち、電源用電極43と中間端子22aの間の半導体抵抗薄膜61a、61bが第3抵抗R3として、また、グランド用電極46と中間端子22aの間の半導体抵抗薄膜61a、61bが第4抵抗R4として、それぞれ設けられている。また、中間端子22aは、帯状に延びる導体パターン62a、62bを介して基準電位用電極63に接続されている。中間端子22a、導体パターン62a、62bおよび基準電位用電極63はいずれもアルミニウムで構成されている。回路チップ54aには前述した比較回路23が設けられている。上述した基準電位用電極63は、ボンディングワイヤ54bを介して、比較回路23の非反転入力端子に接続されている図7参照。また、第1および第2抵抗R1、R2を接続する中間端子21aは、基準電位用電極63に接続されたものとは別個のボンディングワイヤ54bによって、比較回路23の反転入力端子に接続されている。また、比較回路23から出力された信号は、電源用電極43およびグランド用電極46に接続されたものとは別個のリード線33bを介して、プリント基板のマイコン14に入力される。他の構成は、前述した第1実施形態の電子部品Aと同様である。以上のように、第2実施形態に係る電流検出装置によれば、前述した第1実施形態に係る電流検出装置1と同様の効果を得ることができる。また、フェライトコア53が平面状の設置面53d、53dを介して台座51に載置されているので、フェライトコア53を安定して台座51に取り付けることができ、センサチップ60を磁界の内側に確実に保持することができる。また、センサチップ60には、検出回路21の4つの半導体抵抗薄膜42および2つの半導体抵抗薄膜42cがほぼ同じ長さの帯状に形成されるとともに並設され、これらを取り囲むように基準電圧生成回路22の帯状の半導体抵抗薄膜61a、61a、61b、61bが配置されている。すなわち、検出回路21および基準電圧生成回路22が1つのセンサチップ60にコンパクトに統合され、これらを同時に形成できるので、別個に構成するよりも製造コストを削減することができる。また、磁気センサ54には、比較回路23を設けた回路チップ54aがセンサチップ60とともに一体に設けられており、電流検出装置のほぼ全体を1つの電子部品Bだけで構成できるので、電子制御装置2の構成の自由度をより向上させることができる。また、台座51に設けた磁気保護部材52によって、台座51のコイルLと反対側への磁界の影響を抑制でき、回路チップ54aやプリント基板上の回路の磁界による誤作動の発生を防止することができる。図10は、第3実施形態に係る電流検出装置で用いられる電子部品Cを示している。本実施形態による電子部品Cは、前述した電子部品Aと同じく、コイルLおよび検出回路21を構成するものである。以下、電子部品Cについて、電子部品Aと同じ構成要素には同じ符号を用いて、電子部品Aとの差異を中心として説明する。同図に示すように、本実施形態のフェライトコア71は、台座31の一方の面に平行な直線状の軸線Sに沿って延びており、間隙Gを間に存して第1コア72および第2コア73の2つに分割されていている。第1コア72は、円柱状のコア本体72aと、間隙Gに向かってテーパ状に形成された縮経部72bとを有しており、第2コア73は、第1コア72と同様に形成され、コア本体73aおよび縮経部73bを有している。また、第1および第2コア72、73の縮経部72b、73b側の端面72c、73cが、間隙Gを介して対向している。端面72c、73cは、台座31に近接するように配置されている。また、コイルLは、一方のコア本体72aの間隙Gと反対側の端部から縮経部72bの手前までコア本体72aに巻き付けられ、他方のコア本体73aに延び、さらに、他方のコア本体73aの間隙Gと反対側の端部まで、他方のコア本体71aに巻き付けられている。他の構成は、前述した第1実施形態と同様である。以上のような電子部品Cを含む電流検出装置では、コイルLに通電されると、フェライトコア71が磁化され、その軸線Sに沿う方向に磁界が発生する。また、縮経部72b、73bが上述したように形成されているので、磁力線Mは、縮経部72b、73bの径の変化に従い、間隙Gに向かって収束されることによって、間隙Gにおける磁束密度が、フェライトコア71の他の部位よりも高められる。以上のように、第3実施形態に係る電流検出装置によれば、フェライトコア71が台座31の一方の面に沿って延びているので、電子部品Cをより小型化でき、電子部品Cをプリント基板などに取り付ける際、その配置の自由度を向上させることができる。なお、上述した第1~第3実施形態では、検出回路21をハーフブリッジ回路で構成した例を説明したが、図11に示すように、2つの検出回路21を並列に接続したフルブリッジ回路で構成してもよい。このフルブリッジ回路21aでは、2つの検出回路21の差動出力を取ることにより、ハーフブリッジ回路で構成した検出回路21の2倍の出力を得ることができる。また、上述した第1実施形態では、間隙Gを介して対向する端面32c、32cの形状および大きさは、端面32c、32cの間の磁界にセンサチップ40の全体が収容されるように設定されるものとして説明したが、端面32c、32cの形状および大きさを、第1抵抗R1の平面形状および大きさに合わせることによって、第2抵抗R2が磁界の内側に収容されないように、設定してもよい。具体的には、図12に斜線で示す領域Mにのみ、磁界が印加されるように、端面32c、32cの形状および大きさを、領域Mの形状および大きさと同じに形成してもよい。前述したように、第2抵抗R2の抵抗値は、短絡電極45を設けていなくても磁界強度の変化に応じてわずかに変化するので、第2抵抗R2が磁界の内側に収容されないように端面32c、32cを形成することによって、磁界強度の変化にかかわらず、第2抵抗R2の抵抗値を一定に維持することができる。したがって、磁界強度の変化に伴う第2抵抗R2の抵抗値の変動による影響を検出電圧から除外できるので、検出電圧に基づいて、より精度よく電流を検出することができる。同様に、第2実施形態のセンサチップ60に設けられた検出回路21および基準電圧生成回路22のうち、第1抵抗R1のみが磁界の内側に収容されるように、端面53c、53cを形成してもよい。また、各実施形態では、端面の形状は円形であるものとして説明したが、少なくとも第1抵抗R1を端面の間の磁界の内側に収容できるのであれば、楕円形や長方形など、端面を任意の形状に形成してもよい。また、磁気保護部材52を設けた第2実施形態の台座51を、台座31に代えて第1および第3実施形態の電子部品AおよびCに用いてもよい。また、回路チップ54aなどを設けた第2実施形態の磁気センサ54を、磁気センサ33に代えて電子部品AおよびCに用いてもよい。その他、本発明の趣旨の範囲内で、細部の構成を適宜、変更することが可能である。