第1半導体層と第2半導体層との周期構造で構成される半導体多層構造を備える電子素子であって、前記半導体多層構造の少なくとも一部において、前記第1半導体層と前記第2半導体層とが互いに異なる導電型を有することを特徴とする電子素子。前記第1半導体層と前記第2半導体層とが互いに異なる屈折率を有しており、前記半導体多層構造は多層膜反射鏡として機能することを特徴とする請求項1に記載の電子素子。第1低屈折率層と該第1低屈折率層より高い屈折率を有する第1高屈折率層との周期構造で構成される下部半導体多層膜反射鏡と、第2低屈折率層と該第2低屈折率層より高い屈折率を有する第2高屈折率層との周期構造で構成される上部多層膜反射鏡と、前記下部半導体多層膜反射鏡と前記上部多層膜反射鏡との間に設けられた活性層と、前記活性層と前記下部半導体多層膜反射鏡との間に設けられ、前記活性層に電流を供給するための下部電極が形成された下部コンタクト層と、を備え、前記下部半導体多層膜反射鏡の少なくとも一部において、前記第1低屈折率層と前記第1高屈折率層とが互いに異なる導電型を有することを特徴とする面発光レーザ。前記互いに異なる導電型を有する第1低屈折率層と第1高屈折率層とにおけるp型およびn型のキャリア濃度が、いずれも1×1017cm-3より小さいことを特徴とする請求項3に記載の面発光レーザ。前記下部半導体多層膜反射鏡は、前記炭素を取り込む性質を有する元素を含むことを特徴とする請求項3または4に記載の面発光レーザ。前記炭素を取り込む性質を有する元素はアルミニウムAlであることを特徴とする請求項5に記載の面発光レーザ。前記下部半導体多層膜反射鏡において、前記第1低屈折率層がAlGaAsからなり、前記第1高屈折率層がAlGaAsからなることを特徴とする請求項3~6のいずれか一つに記載の面発光レーザ。前記下部半導体多層膜反射鏡において、前記第1低屈折率層がAlGaInPからなり、前記第1高屈折率層がAlGaInPからなることを特徴とする請求項3~6のいずれか一つに記載の面発光レーザ。前記下部半導体多層膜反射鏡において、前記第1低屈折率層がInPからなり、前記第1高屈折率層がAlGaInAsからなることを特徴とする請求項3~6のいずれか一つに記載の面発光レーザ。前記上部多層膜反射鏡と前記活性層との間に設けられ、Al1-xGaxAs0≦x<0.2からなる電流注入部と選択酸化によって形成されたAl1-xGax2O3からなる電流狭窄部とを有する電流狭窄層と、前記上部多層膜反射鏡と前記電流狭窄層との間に設けられ、前記活性層に電流を供給するための上部電極が形成された上部コンタクト層と、前記上部コンタクト層と前記電流狭窄層との間に設けられ、前記上部コンタクト層より高い導電率を有する高導電率層と、を備えることを特徴とする請求項3~9のいずれか一つに記載の面発光レーザ。カットオフ周波数が20GHz以上であることを特徴とする請求項3~10のいずれか一つに記載の面発光レーザ。前記第1低屈折率層及び前記第1高屈折率層は、いずれも、p型のドーパント及びn型のドーパントを意図的にドープせずに形成された請求項4から11のいずれか一項に記載の面発光レーザ。前記第1低屈折率層及び前記第1高屈折率層のうち、n型の導電型を有する層は、n型のドーパントを意図的にドープして形成された請求項4から11のいずれか一項に記載の面発光レーザ。請求項3~13のいずれか一つに記載の面発光レーザが1次元または2次元のアレイ状に配列されたものであることを特徴とする面発光レーザアレイ。請求項3~13のいずれか一つに記載の面発光レーザまたは請求項14に記載の面発光レーザアレイと、前記面発光レーザまたは前記面発光レーザアレイに変調信号を印加する制御器と、を備えることを特徴とする光源。請求項3~13のいずれか一つに記載の面発光レーザ、請求項14に記載の面発光レーザアレイ、または請求項15に記載の光源を備えることを特徴とする光モジュール。ところで、面発光レーザに限らず、変調した電気信号を印加して動作させる電子素子の場合、寄生容量によって電子素子のカットオフ周波数が低減したり、電子素子をアレイ状に構成した場合に素子間のクロストークが増大したりする等の問題が発生する。特に、近年、20GHz以上のカットオフ周波数の高周波特性が要求される中、寄生容量が低減された電子素子が強く望まれている。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、寄生容量が低減された電子素子、面発光レーザ、面発光レーザアレイ、光源、および光モジュールを提供することを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る電子素子は、第1半導体層と第2半導体層との周期構造で構成される半導体多層構造を備える電子素子であって、前記半導体多層構造の少なくとも一部において、前記第1半導体層と前記第2半導体層とが互いに異なる導電型を有することを特徴とする。また、本発明に係る電子素子は、上記の発明において、前記第1半導体層と前記第2半導体層とが互いに異なる屈折率を有しており、前記半導体多層構造は多層膜反射鏡として機能することを特徴とする。また、本発明に係る面発光レーザは、第1低屈折率層と該第1低屈折率層より高い屈折率を有する第1高屈折率層との周期構造で構成される下部半導体多層膜反射鏡と、第2低屈折率層と該第2低屈折率層より高い屈折率を有する第2高屈折率層との周期構造で構成される上部多層膜反射鏡と、前記下部半導体多層膜反射鏡と前記上部多層膜反射鏡との間に設けられた活性層と、前記活性層と前記下部半導体多層膜反射鏡との間に設けられ、前記活性層に電流を供給するための下部電極が形成された下部コンタクト層と、を備え、前記下部半導体多層膜反射鏡の少なくとも一部において、前記第1低屈折率層と前記第1高屈折率層とが互いに異なる導電型を有することを特徴とする。また、本発明に係る面発光レーザは、上記の発明において、前記互いに異なる導電型を有する第1低屈折率層と第1高屈折率層とにおけるp型およびn型のキャリア濃度が、いずれも1×1017cm-3より小さいことを特徴とする。また、本発明に係る面発光レーザは、上記の発明において、前記下部半導体多層膜反射鏡は、前記炭素を取り込む性質を有する元素を含むことを特徴とする。また、本発明に係る面発光レーザは、上記の発明において、前記炭素を取り込む性質を有する元素はアルミニウムAlであることを特徴とする。また、本発明に係る面発光レーザは、上記の発明において、前記下部半導体多層膜反射鏡において、前記第1低屈折率層がAlGaAsからなり、前記第1高屈折率層がAlGaAsからなることを特徴とする。また、本発明に係る面発光レーザは、上記の発明において、前記下部半導体多層膜反射鏡において、前記第1低屈折率層がAlGaInPからなり、前記第1高屈折率層がAlGaInPからなることを特徴とする。また、本発明に係る面発光レーザは、上記の発明において、前記下部半導体多層膜反射鏡において、前記第1低屈折率層がInPからなり、前記第1高屈折率層がAlGaInAsからなることを特徴とする。また、本発明に係る面発光レーザは、上記の発明において、前記上部多層膜反射鏡と前記活性層との間に設けられ、Al1-xGaxAs0≦x<0.2からなる電流注入部と選択酸化によって形成されたAl1-xGax2O3からなる電流狭窄部とを有する電流狭窄層と、前記上部多層膜反射鏡と前記電流狭窄層との間に設けられ、前記活性層に電流を供給するための上部電極が形成された上部コンタクト層と、前記上部コンタクト層と前記電流狭窄層との間に設けられ、前記上部コンタクト層より高い導電率を有する高導電率層と、を備えることを特徴とする。また、本発明に係る面発光レーザは、上記の発明において、カットオフ周波数が20GHz以上であることを特徴とする。また、本発明に係る面発光レーザアレイは、上記の発明のいずれか一つに記載の面発光レーザが1次元または2次元のアレイ状に配列されたものであることを特徴とする。また、本発明に係る光源は、上記の発明のいずれか一つに記載の面発光レーザまたは上記の発明の面発光レーザアレイと、前記面発光レーザまたは前記面発光レーザアレイに変調信号を印加する制御器と、を備えることを特徴とする。また、本発明に係る光モジュールは、上記の発明のいずれか一つに記載の面発光レーザ、上記の発明の面発光レーザアレイ、または上記の発明の光源を備えることを特徴とする。本発明によれば、よりいっそう寄生容量が低減された電子素子、面発光レーザ、面発光レーザアレイ、光源、および光モジュールを実現できるという効果を奏する。以下に、図面を参照して本発明に係る電子素子、面発光レーザ、面発光レーザアレイ、光源、および光モジュールの実施の形態を詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。また実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。また、図面において、同一または対応する要素には、適宜同一符号を付している。また、図面は模式的なものであり、各層の厚みと幅との関係、各層の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている。実施の形態1図1は、本発明の実施の形態1に係る光源100の構成を模式的に示した図である。図1に示すように、この光源100は、電子素子の一例である面発光レーザ101と、面発光レーザ101を制御する制御器102とを備える。図2は、図1に示す面発光レーザ101のA-A線要部断面図である。図1、2に示すように、この面発光レーザ101は、面方位001のn型GaAs基板1上に積層された下部半導体多層膜反射鏡として機能する下部DBRミラー2、下部コンタクト層であるn型コンタクト層3、下部電極であるn側電極4、n型クラッド層5、活性層6、p型クラッド層7、下部組成傾斜層8、電流狭窄層9、上部組成傾斜層10、p型スペーサ層11、p型高導電率層12、p型スペーサ層13、上部コンタクト層であるp型コンタクト層14、上部電極であるp側電極15、上部多層膜反射鏡として機能する上部DBRミラー16、n側引出電極17、およびp側引出電極18を備える。下部DBRミラー2と上部DBRミラー16とは、光共振器を形成している。活性層6は、下部DBRミラー2と上部DBRミラー16との間に設けられている。電流狭窄層9は、上部DBRミラー16と活性層6との間に設けられている。p型コンタクト層14は、上部DBRミラー16と電流狭窄層9との間に設けられている。n型コンタクト層3は、下部DBRミラー2と活性層6との間に設けられている。上部組成傾斜層10および下部組成傾斜層8は、電流狭窄層9を挟むように形成されており、上部組成傾斜層10はp型コンタクト層14側に配置され、下部組成傾斜層8は活性層6側に配置されている。p型高導電率層12は、p型コンタクト層14と電流狭窄層9との間に設けられている。また、n型クラッド層5からp型コンタクト層14までの積層構造は、エッチング処理等によって柱状に成形されたメサポストMとして形成されている。メサポスト径はたとえば直径30μmである。また、n型コンタクト層3はメサポストMの外周側に延設している。そして、p側電極15はp型コンタクト層14上に形成され、n側電極4はn型コンタクト層3上に形成されている。つぎに、各構成要素について具体的に説明する。下部DBRミラー2は、n型GaAs基板1上にアンドープGaAsバッファ層を介して形成される。下部DBRミラー2は、p型のAl0.9Ga0.1Asからなる第1低屈折率層である低屈折率層2aと、n型のGaAsからなる第1高屈折率層である高屈折率層2bとの周期構造で構成された半導体多層膜ミラーとして形成されている。下部DBRミラー2は、低屈折率層2aと高屈折率層2bとのペアを1ペアとすると、たとえば40.5ペアからなる。また、低屈折率層2aおよび高屈折率層2bの厚さは、λ/4nλ:発振波長、n:屈折率とされている。低屈折率層2aのp型キャリア濃度および高屈折率層2bのn型キャリア濃度は、いずれも5×1016cm-3である。n型コンタクト層3およびn型クラッド層5は、n型GaAsを材料として形成される。p型クラッド層7は、p型AlGaAsを材料として形成されるたとえば、Al0.3Ga0.7Asが望ましい。。n型クラッド層5とp型クラッド層7とは活性層6を挟むように形成されており、分離閉じ込めSCH:SeparateConfinementHeterostructure構造を形成している。また、p型スペーサ層11は、p型AlGaAsを材料として形成される。p型高導電率層12は、p型AlGaAsを材料として形成される。p型スペーサ層13は、p型AlGaAsを材料として形成される。そして、p型コンタクト層14は、p型GaAsを材料として形成される。また、n型クラッド層5、p型クラッド層7、p型スペーサ層11、13には、キャリア濃度がたとえば1×1018cm-3程度となるようにp型またはn型ドーパントが添加されており、確実にp型またはn型の導電型とされている。また、n型コンタクト層3、p型コンタクト層14のキャリア濃度はたとえばそれぞれ2×1018cm-3、3×1019cm-3程度である。また、p型高導電率層12のキャリア濃度は3×1019cm-3であり、p型スペーサ層11、13よりも高く、p型コンタクト層14より高い導電率とされている。このp型高導電率層12は、p側電極15から注入される電流の紙面横方向における経路となり、より効率的に活性層6に電流を注入するように機能している。なお、p型高導電率層12のキャリア濃度は、高導電率、低抵抗の点からは3×1019cm-3以上が好ましく、製造上の容易さからは1×1021cm-3以下が好ましい。また、p型高導電率層は2層以上設けてもよい。電流狭窄層9は、電流注入部としての開口部9aと電流狭窄部としての選択酸化層9bとから構成されている。開口部9aはAl1-xGaxAs0≦x<0.2からなり、選択酸化層9bはAl1-xGax2O3からなる。なお、xはたとえば0.02である。この電流狭窄層9は、たとえば厚さ30nmであり、Al1-xGaxAsからなるAl含有層を選択酸化することによって形成される。すなわち、選択酸化層9bは、このAl含有層が外周部から積層面に沿って所定範囲だけ酸化されることで開口部9aの外周に輪帯状に形成されている。選択酸化層9bは、絶縁性を有し、p側電極15から注入される電流を狭窄して開口部9a内に集中させることで、開口部9a直下における活性層6内の電流密度を高めている。なお、開口部9aの開口径はたとえば6μmであるが、4μm~15μmが好ましく、5μm~10μmがさらに好ましい。活性層6は、3層の量子井戸層6aと2層の障壁層6bとが交互に積層した多重量子井戸構造MQW:MultipleQuantumWellを有する。なお、量子井戸層6aはたとえばGa0.75In0.25As等のGaInAs系の半導体材料からなる。障壁層6bはたとえばGaAsからなる。この活性層6は、p側電極15から注入されて電流狭窄層9によって狭窄された電流により、少なくとも850nm以上の波長の光を含む自然放出光を発するようにその半導体材料の組成および膜厚が設定されている。上部DBRミラー16は、第2低屈折率層として機能するSiO2層と、第2高屈折率層として機能するSiN層との周期構造で構成された誘電体多層膜ミラーとして形成されている。上部DBRミラー16は、SiO2層とSiN層とのペアを1ペアとすると、たとえば9ペアからなる。SiO2層およびSiN層の厚さはそれぞれ、下部DBRミラー2と同様にλ/4nとされている。なお、上部DBRミラー16の直径は、p型コンタクト層14の直径よりも小さいため、p型コンタクト層14は上部DBRミラー16の外周側に延設している。p側電極15は、活性層6に電流を注入するためのものであり、p型コンタクト層14の上記延設した部分の表面に、上部DBRミラー16を取り囲むようにリング状に形成されている。すなわち、p側電極15は、上部DBRミラー16を介さずにp型コンタクト層14上に形成されている。一方、n側電極4は、メサポストMの外周側に延設したn型コンタクト層3の延設部分の表面に形成され、活性層6に電流を注入するためのものであり、メサポストMの周囲を取り囲むようにC字状に形成されている。すなわち、n側電極4は、下部DBRミラー2を介さずにn型コンタクト層3上に形成されている。また、n側引出電極17およびp側引出電極18は、それぞれn側電極4およびp側電極15に接続している。このように、この面発光レーザ101は、下部DBRミラー2および上部DBRミラー16の両方を介さずに活性層6に電流を注入できるダブルイントラキャビティ構造を有している。また、制御器102は、n側引出電極17およびp側引出電極18を介してp側電極15およびn側電極4に電気的に接続している。この制御器102は、p側電極15とn側電極4との間に所定のバイアス電圧と、このバイアス電圧を中心として正負方向にほぼ同一の振幅を有する変調信号としての変調電圧とを印加するように構成されており、たとえばレーザ駆動用の公知のICドライバーにより実現される。変調電圧の変調周波数はたとえば10GHz以上である。つぎに、この光源100の動作について説明する。はじめに、制御器102が、p側電極15とn側電極4との間にバイアス電圧および変調電圧を印加し電流を注入する。p側のキャリアホールについては、主に図2の経路Pが示すように、p側電極15からp型コンタクト層14、p型スペーサ層13を通過し、高導電率のp型高導電率層12においては層内を紙面横方向に流れ、その後p型スペーサ層11、上部組成傾斜層10を通過し、電流狭窄層9の開口部9a内に集中して密度が高められた状態で、下部組成傾斜層8を介して活性層6に注入される。一方、n側のキャリア電子については、n側電極4からn型コンタクト層3、n型クラッド層5を通過して、活性層6に注入される。キャリアが注入された活性層6は、自然放出光を発生する。発生した自然放出光は、活性層6の光増幅作用と光共振器の作用とによって、850nm以上の波長、たとえば1000nm帯の波長においてレーザ発振する。その結果、この面発光レーザ101は、上部DBRミラー16上側から変調信号に対応するレーザ信号光を出力する。ここで、面発光レーザ101は、ダブルイントラキャビティ構造を有している。その結果、この面発光レーザ101は、p側電極15およびn側電極4と、活性層6との間に存在するヘテロ界面の数が少ないため、低しきい値電流特性および高電力効率特性を有する。さらに、この面発光レーザ101は、下部DBRミラー2が、p型の低屈折率層2aと、n型の高屈折率層2bとの周期構造で構成されている。その結果、低屈折率層2aと高屈折率層2bとのpn接合の界面で空乏層が広がるため、下部DBRミラー2の容量は低減する。その結果、この面発光レーザ101は寄生容量が低減するため、カットオフ周波数の低減が防止され、より高速で動作するものとなる。製造方法つぎに、本実施の形態1に係る光源100の製造方法の一例について説明する。まず、MBE、ガスソースMBE、MOCVD等の公知の成長方法を用いて、表面にアンドープGaAsバッファ層を積層したn型GaAs基板1上に、下部DBRミラー2、n型コンタクト層3、n型クラッド層5、活性層6、p型クラッド層7、下部組成傾斜層8、電流狭窄層9を形成するためのAl1-xGaxAsからなるAl含有層、上部組成傾斜層10、p型スペーサ層11、p型高導電率層12、p型スペーサ層13、p型コンタクト層14を順次積層形成する。なお、MOCVD法を用いる場合は、原料ガスとして、有機金属材料としてはトリメチルガリウムTMGaやトリメチルアルミニウムTMAlを用い、As材料としてはアルシンAsH3などを用いる。また、n型の半導体層を形成する場合には、n型のドーパントであるたとえば珪素Siをドープし、p型の半導体層を形成する場合には、p型のドーパントであるたとえば亜鉛Znをドープする。下部DBRミラー2の高屈折率層2bは、n型のドーパントを意図的にドープして形成される。低屈折率層2aは、p型のドーパントを意図的にドープして形成される。ところで、従来の面発光レーザのように、MOCVD法を用いてアンドープの下部DBRミラーを成長する場合に、非特許文献1で示されるように、有機金属材料中の炭素Cが半導体層中に意図せずオートドープされ、下部DBRミラーが、キャリア濃度1×1017cm-3以上のp型の導電型になりやすい。特に、低屈折率層のように構成元素としてアルミニウムAlを含ませる場合、Alは半導体層中に一緒にCを取り込む性質を有するため、p型のキャリア濃度が高くなりやすい。このように下部DBRミラーがp型の導電型になりやすい現象は、有機金属材料を用いたMBE法を用いた場合にも発生する。このように下部DBRミラーがp型の導電型になった場合は、下部DBRミラーの容量が増大する。これに対して、本実施の形態1の下部DBRミラー2は、高屈折率層2bを成長する際には、Cがオートドープされたとしてもn型の導電型となるようにn型のドーパントをドープする。そして、このn型の高屈折率層2bとp型の低屈折率層2aとの周期構造を形成することによって、下部DBRミラー2内に空乏層が広がるようにしている。したがって、従来のアンドープの下部DBRミラーのような容量の増大の問題は発生しない。また、AsH3を用いる場合、AsH3の流量を増加させることによって、オートドープにより半導体層にドープされるCの濃度を減少させることができる。ただし、この方法によれば、AsH3の使用量が非常に多くなるので、製造コストが高くなる。これに対して、本実施の形態1の下部DBRミラー2の構成を採用すれば、製造コストを高めることなく下部DBRミラーの容量を低減できるので好ましい。つぎに、リフトオフ法を用いて、p型コンタクト層14上にp側電極15を形成する。つぎに、p側電極15をSiN膜で覆い、酸性エッチング液等を用いてn型クラッド層5に到る深さまでエッチングして円柱状のメサポストMを形成する。つぎに、水蒸気雰囲気中において熱処理を行って、Al含有層をメサポストMの外周側から選択酸化し、電流狭窄層9を形成する。このように、電流狭窄層9はAl含有層の選択酸化によって簡易かつ高精度に所望の形状に形成できる。つぎに、メサポストMの外周側のn型コンタクト層3の表面にn側電極4を形成し、さらにn側引出電極17およびp側引出電極18を形成する。つぎに、上部DBRミラー16を形成した後に、n型GaAs基板1の裏面を研磨して所望の厚さとし、素子分離を行って、面発光レーザ101が完成する。そして、この面発光レーザ101と、レーザ駆動用の公知のICドライバーを備える制御器102とを接続し、光源100が完成する。DBRミラーの容量つぎに、DBRミラーの容量についてより具体的に説明する。まず、Al0.9Ga0.1Asからなる低屈折率層とGaAsからなる高屈折率層との40.5ペアの周期構造で構成された、80μm×80μmのサイズのDBRミラーの容量を、キャリア濃度の設定値を変えながら計算した。この計算の際には、計算1として低屈折率層および高屈折率層の導電型が互いに異なる場合すなわちいずれか一方がp型、もう一方がn型と、計算2として低屈折率層および高屈折率層がいずれもp型である場合と、を計算した。なお、キャリア濃度については、ペアとなる低屈折率層および高屈折率層で同じキャリア濃度としている。また、各屈折率層の厚さについては、波長λを1100nmとして、λ/4nとしている。図3は、計算したDBRミラーのキャリア濃度と容量との関係を示す図である。線l1、l2はそれぞれ計算1、計算2の結果を示している。また、線l3は、DBRミラーの容量が、これに含まれるキャリアの影響を受けず、単にGaAsの誘電率で決まる容量となる場合の値を示している。この値は0.12pFである。すなわち、線L3は、DBRミラーの実質的な容量の下限を示している。図3は、計算1の方が計算2よりも容量が小さいことを示している。すなわち、実施の形態1のように、低屈折率層および高屈折率層の導電型が互いに異なる構成を採用することによって、DBRミラーの容量を低減できることが確認された。特に、本構成においてキャリア濃度を1×1017cm-3より小さくすることによって、DBRミラー内のキャリアの影響が全くない程度の値まで容量を低減できるので好ましい。つぎに、基板上にDBRミラーを作製し、その容量を測定した実験について説明する。図4は、基板上にDBRミラーを作製したサンプルSの模式的な断面図である。作製したサンプルSは、裏面にオーミック電極S1を形成したn型GaAs基板S2上に、Al0.9Ga0.1Asからなる低屈折率層とGaAsからなる高屈折率層との40.5ペアの周期構造で構成されたDBRミラーS3をMOCVD法によって積層形成し、さらにDBRミラーS3上にオーミック電極S4を形成し、600μm×600μmのサイズにカットしたものである。なお、作製の際には、以下のサンプル群1、2を作製した。サンプル群1は、低屈折率層がp型、高屈折率層がn型であり、サンプルごとにキャリア濃度を変えたものである。また、サンプル群2は、低屈折率層および高屈折率層がいずれもp型であり、サンプルごとにキャリア濃度を変えたものである。なお、各サンプル群において、キャリア濃度については、ペアとなる低屈折率層および高屈折率層で同じキャリア濃度とした。また、各屈折率層の厚さについては、波長λを1100nmとして、λ/4nとした。図5は、DBRミラーのp型キャリア濃度と容量との関係の測定結果を示す図である。なお、縦軸の容量については、計算との比較のため、80μm×80μmのサイズの値に換算している。また、縦軸および横軸において、Eは10のべき乗を表す記号であり、たとえば1.E01は1.0×101を意味する。また、図3と同様に、線l1、l2はそれぞれ計算1、計算2の結果を示し、線l3は、GaAsの誘電率で決まるDBRミラーの容量の値である0.12pFを示している。また、黒三角はサンプル群1の測定結果を示し、黒丸はサンプル群2の測定結果を示している。図5に示すように、各サンプル群の測定結果は対応する計算と良く一致しており、低屈折率層および高屈折率層の導電型が互いに異なる構成によってDBRミラーの容量を低減できることが実験的にも確認された。以上説明したように、本実施の形態1に係る光源100は、寄生容量が低減され、より高速で動作するものとなる。特に、本実施の形態1に係る光源100は、近年要求されている、カットオフ周波数が20GHz以上という高周波特性を実現できる。実施の形態1の変形例つぎに、実施の形態1の変形例に係る光源100を説明する。実施の形態1の変形例に係る光源100は、図1及び図2に示した構成を有し、下部DBRミラー2以外は、実施の形態1に係る光源100と同じ構成を有する。実施の形態1の変形例に係る光源100の下部DBRミラー2は、n型GaAs基板1上にアンドープGaAsバッファ層を介して形成される。下部DBRミラー2は、半導体多層膜ミラーで形成される。下部DBRミラー2を形成する半導体多層膜ミラーは、p型のAl0.9Ga0.1Asで形成された第1低屈折率層である低屈折率層2a、及び、n型のGaAsで形成された第1高屈折率層である高屈折率層2bの、周期構造で形成される。下部DBRミラー2は、低屈折率層2aと高屈折率層2bとのペアを1ペアとすると、例えば、40.5ペアの低屈折率層2aと高屈折率層2bとを有する。また、低屈折率層2aおよび高屈折率層2bの厚さは、いずれも、λ/4nλ:発振波長、n:屈折率である。一例として、低屈折率層2aのp型キャリア濃度は1×1016cm-3であり、高屈折率層2bのn型キャリア濃度は1×1015cm-3である。低屈折率層2a及び高屈折率層2bは、いずれも、p型のドーパント及びn型のドーパントを意図的にドープせずに形成される。図6は、アンドープのGaAsの形成条件と、導電性との関係を示す図である。すなわち、図6において、p型のドーパント及びn型のドーパントのいずれも意図的に添加しないアンドープのGaAsをMOCVD法で形成するときの、成長温度°Cを横軸、AsH3の流量ccmを縦軸に示す。図6のグラフ中の丸印は、実験結果を示す。実験結果に示されるように、710°Cの成長温度で、AsH3の流量を210ccmとして、p型のドーパント及びn型のドーパントのいずれも意図的に添加せずにGaAsを形成すると、p型キャリア濃度が1×1015cm-3のGaAsが形成される。また、710°Cの成長温度で、AsH3の流量を840ccmとして、p型のドーパント及びn型のドーパントのいずれも意図的に添加せずにGaAsを形成すると、n型キャリア濃度が1×1015cm-3のGaAsが形成される。GaAsが形成されるときの成長温度が高くなるか、あるいは、AsH3の流量が多くなると、TMGに含まれるメチル基の分解が促進されるので、p型のドーパント及びn型のドーパントのいずれも意図的に添加せずに形成されたGaAsはn型となる。すなわち、図6の右上の領域では、n型のGaAsが形成される。一方、GaAsの成長温度が低いか、あるいは、AsH3の流量が少なくなると、図6の左下の領域に示されるように、p型のドーパント及びn型のドーパントのいずれも意図的に添加せずに形成されたGaAsはp型となる。以上のように、p型のドーパント及びn型のドーパントのいずれも意図的にドープしなくても、形成されるGaAsは、残留する不純物によって、p型またはn型の導電型を有する。GaAsに残留する不純物に含まれるp型のドーパントの総量と、n型のドーパントの総量とを比較したときに、総量が多いドーパントの導電型で、GaAsの導電型が決まる。p型のドーパントは、例えば、炭素C、亜鉛Znなどであり、n型のドーパントは、例えば、珪素Si、錫Snなどである。すなわち、残留する不純物中に含まれるp型のドーパントの総量より、n型のドーパントの総量が多ければ、GaAsはn型となる。また、残留する不純物中に含まれるn型のドーパントの総量より、p型のドーパントの総量が多ければ、GaAsはp型となる。これに対して、p型のドーパント及びn型のドーパントのいずれも意図的にドープせずに、MOCVD法で高アルミ組成のAlGaAsを形成すると、形成条件にかかわらず、形成されるAlGaAsはn型にはならない。これは、TMAに含まれるメチル基と、アルミ原子の結合エネルギーが高いことによる。ここで、高アルミ組成のAlGaAsとは、Al1-xGaxAsx≧0.5をいう。n型の高アルミ組成のAlGaAsを形成するには、珪素Si、錫Snなどのn型のドーパントをドープすればよい。実施の形態1の変形例に係る光源100の下部DBRミラー2は、p型のドーパント及びn型のドーパントをいずれも意図的にドープせずに形成される。すなわち、第1低屈折率層である低屈折率層2a、及び、第1高屈折率層である高屈折率層2bが、交互に、p型のドーパント及びn型のドーパントをいずれも意図的にドープすることなくMOCVD法で形成される。一例として、p型のドーパント及びn型のドーパントをいずれも意図的にドープすることなく、第1低屈折率層である低屈折率層2aがp型のAl0.9Ga0.1Asで形成され、第1高屈折率層である高屈折率層2bがn型のGaAsで形成される。このとき、例えば、形成温度を710°C、AsH3の流量を840ccmとする。これにより、低屈折率層2aのp型キャリア濃度は1×1016cm-3となり、高屈折率層2bのn型キャリア濃度は1×1015cm-3となる。実施の形態1の変形例に係る光源100の面発光レーザ101は、下部DBRミラー2が、p型の低屈折率層2aと、n型の高屈折率層2bとの周期構造で構成されている。その結果、低屈折率層2aと高屈折率層2bとのpn接合の界面で空乏層が広がるため、下部DBRミラー2の容量は低減する。その結果、この面発光レーザ101は寄生容量が低減するため、カットオフ周波数の低減が防止され、より高速で動作するものとなる。実施の形態2つぎに、本発明の実施の形態2として、本発明の面発光レーザを用いた、光インターコネクション用の信号光源等に用いられる面発光レーザアレイ装置について説明する。図7は、実施の形態2に係る面発光レーザアレイ装置の模式的な斜視図である。図7に示すように、この面発光レーザアレイ装置200は、CLCCCeramicLeadedChipCarrierと呼ばれる周知のフラットパッケージ201に、面発光レーザアレイチップ210が実装されたものである。なお、面発光レーザアレイチップ210は、不図示の配線によって金属キャスター電極202と接続している。図8は、図7に示す面発光レーザアレイチップ210の模式的な平面図である。図8に示すように、面発光レーザアレイチップ210は、中央部に設けられ、本発明の面発光レーザ206を40個だけ2次元的に配列して構成された面発光レーザアレイ部205と、面発光レーザアレイ部205の周囲に設けられ、面発光レーザアレイ部205の各面発光レーザ206の電極と不図示の配線で接続した複数の電極パッド203とを有している。さらに、各電極パッド203はフラットパッケージ201の金属キャスター202と接続している。さらに、金属キャスター202は、各面発光レーザ206の発光を制御するための外部の制御回路図示しないに電気的に接続している。なお、面発光レーザ206としては、たとえば実施の形態1に係る面発光レーザ101を使用することができる。つぎに、この面発光レーザアレイ装置200の動作を説明する。面発光レーザアレイ部205の各面発光レーザ206は、外部の制御回路から金属キャスター202と電極パッド203とを介してバイアス電圧と変調電圧とを印加され、それぞれの上部から所定の波長のレーザ信号光を出射する。この面発光レーザアレイ装置200は、寄生容量が低減されており、かつ面発光レーザ206間の電気的クロストークも抑制されるために変調時のジッタも抑制されるため、高速動作が可能なものとなる。なお、この面発光レーザアレイ装置200の面発光レーザアレイ部205は、面発光レーザ206を2次元的に配列したものであるが、1次元的に配列してもよい。また、面発光レーザアレイ部205を構成する面発光レーザ206の数も特に限定はされない。たとえば、光インターコネクション用の信号光源としては、4~15個の面発光レーザを1次元的に配列したものが、現状の光モジュールでは好適に使用されている。実施の形態3本発明の実施の形態3として、本発明の面発光レーザを備えた光源であり、光インターコネクション用の信号光源等に用いられる面発光レーザパッケージについて説明する。図9は、本実施の形態3に係る面発光レーザパッケージの模式的な断面図である。図9に示すように、この面発光レーザパッケージ300は、本発明の面発光レーザ312、面発光レーザ312を載置する基板311、基板311に設けられた電極313、および面発光レーザ312と電極313とを接続するワイヤ314を備える面発光レーザモジュール310と、面発光レーザモジュール310を収容するハウジング320と、面発光レーザモジュール310の上方に設けられ、アーム324によってハウジング320に保持されたレンズ323と、ハウジング320上部に設けられた光ファイバマウント321と、光ファイバマウント321に挿通保持された光ファイバ322とを備えている。電極313は、面発光レーザモジュール310の発光状態を制御するための外部の制御回路図示しないに電気的に接続している。なお、面発光レーザ312としては、たとえば実施の形態1に係る面発光レーザ101を使用することができる。つぎに、この面発光レーザパッケージ300の動作を説明する。面発光レーザ312は、外部の制御回路から電極313とワイヤ314とを介してバイアス電圧と変調電圧とを印加され、その上部から所定の波長のレーザ信号光L1を出射する。レンズ323はレーザ信号光L1を集光し、光ファイバ322に結合する。光ファイバ322は結合されたレーザ信号光L1を伝送する。この面発光レーザパッケージ300は、寄生容量が低減されているため、高速動作が可能なものとなる。実施の形態4つぎに、本発明の実施の形態4として、本発明の面発光レーザを備えた光源であり、光記憶媒体の書き込み/読み出し装置に用いられる光ピックアップについて説明する。図10は、本実施の形態4に係る光ピックアップの模式的な一部断面図である。図10に示すように、この光ピックアップ301は、本発明の面発光レーザ332、面発光レーザ332を載置する基板331、基板331に設けられた電極333、基板331に載置された駆動IC334、面発光レーザ332と駆動IC334と電極333とを順次接続するワイヤ335、およびこれらの要素を封止する樹脂336からなる面発光レーザモジュール330と、面発光レーザモジュール330の上方に設けられたハーフミラー340と、面発光レーザモジュール330とハーフミラー340との間に設けられた回折格子341と、ハーフミラー340と光記憶媒体360との間に設けられたレンズ342と、ハーフミラー340を挟んで光記憶媒体360とは反対側に設けられた光センサ350とを備えている。なお、面発光レーザ332としては、たとえば実施の形態1に係る面発光レーザ101を使用することができる。また、樹脂336の上部は凸状に加工され、レンズ336aを構成している。また、電極333は、光ピックアップ301の発光状態を制御するための不図示の外部の制御回路図示しないに電気的に接続している。つぎに、この光ピックアップ301の動作を、光記憶媒体360に記録された情報の読み出しを行なう場合について説明する。面発光レーザ332は、外部の制御回路から電極333とワイヤ335とを介して電力と電気信号とを供給された駆動IC334によって、バイアス電圧と変調電圧とを印加され、その上部からレーザ信号光L2を出射する。樹脂336のレンズ336aはレーザ信号光L2を平行光レーザ信号光L3とする。ハーフミラー340はレーザ信号光L3を光記憶媒体360の所定の箇所に集光させる。すると、レーザ信号光L3は光記憶媒体360によって反射され、光記憶媒体360に記録された情報を含む反射信号光L4が発生する。反射信号光L4は、レンズ342、ハーフミラー340を順次通過する。そして、光センサ350は反射信号光L4を受光する。その後、光センサ350は反射信号光L4を電気信号に変換し、変換された電気信号は書き込み/読み出し装置に接続されたパーソナルコンピュータ等に送信され、記録された情報の読み出しが行なわれる。この光ピックアップ301は、寄生容量が低減されているため、高速動作が可能なものとなる。なお、上記実施の形態3、4において、各面発光レーザをたとえば実施の形態2のような面発光レーザアレイ装置に適宜置き換えてもよい。また、上記実施の形態3、4では、本発明の面発光レーザを通信用の面発光レーザパッケージ、あるいは光記憶媒体の書き込み/読み出し装置に用いられる光ピックアップに適用したものであるが、本発明の面発光レーザはこれに限らず、測量機器、レーザーポインター、光学マウスなどの光学機器、あるいはプリンタ、フォトレジストの走査露光用光源、レーザポンピング用光源や、加工用ファイバレーザの光源として用いることもできる。実施の形態5本発明の面発光レーザおよび面発光レーザアレイは、光導波路と組み合わせて様々な光モジュールを構成することができる。以下では、本発明の実施の形態5として、本発明の面発光レーザを用いた光モジュールである光送受信モジュールについて説明する。図11は、本実施の形態5に係る2つの光送受信モジュール400A、400Bが、2本の光導波路410A、410Bを介して接続している状態を示す模式的な平面図である。図11において、光送受信モジュール400Aは、保持部材401Aと、保持部材401A上に設けられた各要素、すなわち、光ファイバ等の光導波路410A、410Bを載置してこれらの位置決めを行うためのスペーサ406A、光導波路410Aを介して光信号を送信する本発明の面発光レーザ402A、光導波路410Bを介して送信されてきた光信号を受信し電気信号に変換する受光素子403A、面発光レーザ402Aの発光状態を制御する駆動回路404A、および受光素子403Aが変換した電気信号を増幅する増幅回路405Aとで構成されている。面発光レーザ402Aは外部の制御部図示しないからの制御信号によって駆動回路404Aを介して発光制御される。また、受光素子403Aが変換した電気信号は増幅回路405Aを介して制御部へ送信される。なお、煩雑さを避けるために、駆動回路404Aと面発光レーザ402Aおよび増幅回路405Aと受光素子403Aのワイヤボンディングは記載を省略している。なお、光送受信モジュール400Bは、光送受信モジュール400Aと同様の構成を有するが、光送受信モジュール400Aとは送信に係る構成と受信に係る構成とが入れ替わっている。すなわち、光送受信モジュール400Bは、保持部材401Bと、保持部材401B上に設けられた各要素、すなわち、光導波路410A、410Bの位置決めを行うためのスペーサ406B、光導波路410Bを介して光信号を送信する本発明の面発光レーザ402B、光導波路410Aを介して送信されてきた光信号を受信し電気信号に変換する受光素子403B、面発光レーザ402Bの発光状態を制御する駆動回路404B、および受光素子403Bが変換した電気信号を増幅する増幅回路405Bとで構成されている。面発光レーザ402Bは外部の制御部図示しないからの制御信号によって駆動回路404Bを介して発光制御される。また、受光素子403Bが変換した電気信号は増幅回路405Bを介して制御部へ送信される。この光送受信モジュール400A、400Bは、寄生容量が低減された本発明の面発光レーザ402A、402Bを使用しているため、高速動作が可能なものとなる。つぎに、図11に示す光送受信モジュール400A、400Bにおける面発光レーザ402A、402Bと光導波路410A、410Bとの光結合部分について具体的に説明する。なお、以下では、光送受信モジュール400Aと面発光レーザ402Aと光導波路410Aとを用いて光結合部分の説明を行うが、これらの光結合部分は光送受信モジュール400Bと面発光レーザ402Bと光導波路410Bとの組み合わせに対しても適用できるものである。はじめに、図12は、図11に示す光送受信モジュール400Aにおける面発光レーザ402Aと光導波路410Aとの光結合部分の一例を示す側面図である。図12に示すように、光導波路410Aの端面はその光軸に対して略45度傾斜するように加工されており、かつ端面には光結合手段としての反射膜411Aが形成され、鏡面加工されている。また、面発光レーザ402Aと反射膜411Aとの相対位置はスペーサ406Aによって位置決めされており、面発光レーザ402Aが反射膜411Aの下方に位置するように調整されている。そして、面発光レーザ402Aから出射した光信号L6は反射膜411Aによって反射されて光導波路410Aに結合し、光導波路410A内を伝播する。図13は、面発光レーザ402Aと光導波路410Aとの光結合部分の他の一例を示す側面図である。図13に示す例では、光結合手段として、面発光レーザ402A上であって光導波路410Aの端面側方に、面発光レーザ402Aに対向する入射面420aと光導波路410Aの端面に対向する出射面420bとを有し、内部に反射面421の設けられたミラーアセンブリ420が設置されている。そして、面発光レーザ402Aから出射した光信号L6は、ミラーアセンブリ420に入射面420aから入射し、反射面421によって反射され、出射面420bから出射されて光導波路410Aの端面で結合し、光導波路410A内を伝播する。なお、ミラーアセンブリ420の入射面420aおよび/または出射面420bに、コリメートや集光を行なうためのマイクロレンズアレイを設けてもよい。また、図14は、面発光レーザ402Aと光導波路410Aとの光結合部分のさらに他の一例を示す一部断面側面図である。図14に示す例では、スペーサ406Aに載置されたコネクタハウジング430内に光ファイバである光導波路410Aが保持され、さらに光結合手段として、光ファイバ心線431が、なめらかに屈曲して一方の端面が光導波路410Aに接続するとともに他方の端面が面発光レーザ402Aに対向するように保持されている。そして、面発光レーザ402Aから出射した光信号L6は、光ファイバ心線431の端面から入射して光ファイバ心線431を伝播し、その後光導波路410A内に結合されて伝播する。また、図15は、面発光レーザ402Aと光導波路410Aとの光結合部分のさらに他の一例を示す側面図である。図15に示す例では、スペーサ406Aに載置された光導波路410Aには、光軸に対して略45度傾斜する傾斜内面を有する楔形の溝412Aが形成されている。また、この傾斜内面には反射膜411Aが形成され、鏡面加工されている。そして、溝412Aと反射膜411Aとが光結合手段を構成している。また、面発光レーザ402Aは、この溝412A上の位置において、光導波路410Aに直接取り付けられている。なお、この面発光レーザ402Aは、その基板側すなわち下方へ光信号L6を出射するように構成されている。そして、面発光レーザ402Aから出射した光信号L6は、溝412Aの傾斜内面に形成された反射膜411Aによって反射されて光導波路410Aに結合し、光導波路410A内を伝播する。実施の形態6つぎに、本発明の実施の形態6として、本発明の面発光レーザおよび面発光レーザアレイを用いた光通信システムについて説明する。図16は、本実施の形態6に係る波長多重伝送システムの模式的な構成図である。図16に示すように、この波長多重伝送システム500は、コンピュータ、ボードあるいはチップ等である信号生成処理手段501と、信号生成処理手段501と電気配線508A、508Bで接続し、CPU、MPU、波長制御回路等から構成される通信制御回路502と、通信制御回路502とそれぞれ電気配線509A、509Bで接続した面発光レーザアレイ503および受光素子集積部504と、面発光レーザアレイ503と光ファイバアレイ510Aで接続した波長多重光合波器505と、受光素子集積部504と光ファイバアレイ510Bで接続した波長多重光分波器506と、波長多重光合波器505および波長多重光分波器506のそれぞれと1本の光ファイバ511A、511Bで接続したネットワーク、PC、ボード、チップ等である通信対象507とを備える。なお、面発光レーザアレイ503は、発振波長が互いに異なる本発明の面発光レーザを1次元的または2次元的に配列したものである。つぎに、波長多重伝送システム500の動作を説明する。信号生成処理手段501は、通信対象507に送信すべき電気信号を生成し、電気配線508Aを介して通信制御回路502に送信する。通信制御回路502は電気配線509Aを介して面発光レーザアレイ503に駆動電力を与えるとともに、面発光レーザアレイ503を構成する各面発光レーザに互いに異なる信号を与えて光信号を発生させる。光ファイバアレイ510Aを構成する各光ファイバは面発光レーザアレイ503を構成する各面発光レーザに光学的に結合しており、発生した各光信号を信号光ごとに異なる光ファイバによって波長多重光合波器505に伝送する。波長多重光合波器505は伝送された各光信号を波長多重合波して1本の光ファイバ511Aに結合する。光ファイバ511Aは波長多重合波した光信号を通信対象507に伝送する。一方、波長多重光分波器506は、通信対象507から光ファイバ511Bを介して伝送されてきた波長多重合波された光信号を波長ごとに分波し、光ファイバアレイ510Bを構成する各光ファイバに光信号毎に結合させる。光ファイバアレイ510Bは、各光信号を受光素子集積部504に伝送する。光ファイバアレイ510Bを構成する各光ファイバは受光素子集積部504を構成する各受光素子は、光ファイバアレイ510Bを構成する各光ファイバに光学的に結合しており、各光信号を受光して電気信号に変換し、各電気信号を、電気配線509Bを介して通信制御回路502に伝送する。通信制御回路502は各電気信号を、電気配線508Bを介して信号生成処理手段501に伝送する。信号生成処理手段501は各電気信号の信号処理を行なう。この波長多重伝送システム500は、寄生容量が低減された本発明の面発光レーザアレイ503を使用しているため、高速で大容量の波長多重伝送が可能なものとなる。また、面発光レーザアレイ503を構成する各面発光レーザからの各光信号を波長多重光合波器505によって1本の光ファイバ511Aに結合させるようにしているので、1本のファイバで、高スループットに大容量の信号伝送ができる。なお、用途に応じては、この波長多重伝送システム500の構成において、面発光レーザアレイ503および受光素子集積部504のそれぞれを、光ファイバアレイによってそのまま通信対象507に接続して並列伝送システムとすることもできる。さらに、本発明の面発光レーザアレイは、高周波変調特性に優れているので、50Gbit/sを超える伝送速度で、200mを超える長距離通信を実現することができる。また、上記実施の形態においては、下部DBRミラーの全体が、互いに異なる導電型を有する第1低屈折率層と第1高屈折率層とで構成されているが、本発明はこれに限られず、下部DBRミラーは、少なくともその一部において、第1低屈折率層と第1高屈折率層とが互いに異なる導電型を有すればよい。また、上記実施の形態では、第1低屈折率層がp型、第1高屈折率層がn型であるが、互いに異なる導電型であればよく、したがって第1低屈折率層がn型、第1高屈折率層がp型でもよい。また、上記実施の形態においては、上部DBRミラーは全体が誘電体多層膜からなるが、少なくともその一部が誘電体多層膜であり、その他の部分が半導体多層膜である構成としてもよい。また、上部DBRミラーについては、半導体多層膜からなり、上部DBRミラー上に上部電極が形成されていてもよい。すなわち、活性層の上部については、必ずしもイントラキャビティ構造でなくてもよい。また、面発光レーザを構成する半導体材料は、AlGaAs系、GaInAs系に限らず、レーザ発振波長に応じてInP系等の他の半導体材料を使用することができる。本発明は、GaAs基板で実施例を示したが、InP基板でも良い。その際、酸化に供する層は、AlGaInAs若しくはAlInAsとする。また、下部半導体多層膜反射鏡の半導体材料は、レーザ発振波長に応じて適宜選択される。たとえば、第1低屈折率層がAlGaAsからなり、第1高屈折率層がAlGaAsからなっていてもよい。また、第1低屈折率層がAlGaInPからなり、第1高屈折率層がAlGaInPからなっていてもよい。また、第1低屈折率層がInPからなり、第1高屈折率層がAlGaInAsからなっていてもよい。ここで、AlGaAsおよびAlGaInPは、Alの組成がゼロである場合も含むことを意味する。また、上記実施の形態においては、基板と活性層との間にn型半導体層が形成され、活性層の上側にp型半導体層が形成されているが、活性層の上側にn型半導体層を形成してもよい。また、上記実施の形態は、本発明を面発光レーザに適用したものであるが、本発明はこれに限られず、たとえば半導体変調器等の他の電子素子に適用してもよい。すなわち、第1半導体層と第2半導体層との周期構造で構成される半導体多層構造を備え、半導体多層構造の少なくとも一部において、第1半導体層と第2半導体層とが互いに異なる導電型を有する電子素子であれば、第1半導体層と第2半導体層とのpn接合の界面で空乏層が広がるため、その寄生容量を低減することができ、高速動作に適するものとなる。また、上記実施の形態により本発明が限定されるものではない。上記各実施形態の各構成要素を適宜組み合わせて構成したものも本発明に含まれる。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、請求の範囲の記載から明らかである。