低温部に設置される超電導応用機器に接続される低温側電極と、常温部に設置される外部機器に接続される常温側電極と、一方の面に前記低温側電極が接合され、他方の面に前記常温側電極が接合されるペルチェ素子と、を備え、前記超電導応用機器と前記外部機器とを接続する電流リードであって、前記ペルチェ素子の前記低温側電極、前記常温側電極との接合面に、5~40μm厚のNiめっき層が形成され、前記低温側電極、前記常温側電極の前記ペルチェ素子との接合面に、5~40μm厚のAgめっき層が形成され、前記ペルチェ素子、前記低温側電極、及び前記常温側電極が、前記Niめっき層と前記Agめっき層が対向するように配置され、これらが半田接合された構造を備えていることを特徴とする電流リード。前記Agめっき層及び前記Niめっき層の厚さが、5~30μmであることを特徴とする請求項1に記載の電流リード。前記Agめっき層及び前記Niめっき層の厚さが、5~25μmであることを特徴とする請求項2に記載の電流リード。前記半田接合に用いられる半田のSn含有量が、90~99重量であることを特徴とする請求項1から3の何れか一項に記載の電流リード。前記ペルチェ素子が、5~50重量のTeを含有し、前記低温側電極及び前記常温側電極が、90重量以上のCuを含有することを特徴とする請求項1から4の何れか一項に記載の電流リード。ところで、ペルチェ素子と電極を半田接合する際に電極表面が酸化すると、酸化物層絶縁層が生成し、あるいは接合面に凹凸や微小な空隙等の欠陥が生じ、熱伝導性が低下するとともに、電気抵抗が増大する虞がある。そのため、従来は、電極表面ペルチェ素子との接合面にフラックスを塗布することにより、電極表面が酸化するのを防止している。また、金属表面の酸化を防止する技術としては、予め金属表面にAg等の金属被膜を形成する手法がある例えば特許文献5。また、BiTe系半導体からなるペルチェ素子と電極を半田接合する場合、半田中のSnとペルチェ素子中のTeが反応し、この半田反応層によってペルチェ素子の特性が劣化する虞がある。そこで、一般にはペルチェ素子の電極との接合面に、予めNi等のめっきが施される例えば特許文献6。しかしながら、特許文献5、6に記載の技術を適用した熱電冷却型の電流リードは、特性が経時的に低下することが判明した。すなわち、特許文献5、6に記載の技術を利用すると強固な半田接合を実現することはできるが、熱電冷却型の電流リードに適用するには、さらなる改善が必要である。本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、安定した特性を有する信頼性の高い電流リードを提供できるとともに、製造時の生産性を向上することができる電流リードを提供することを目的とする。本発明の電流リードは、低温部に設置される超電導応用機器に接続される低温側電極と、常温部に設置される外部機器に接続される常温側電極と、一方の面に前記低温側電極が接合され、他方の面に前記常温側電極が接合されるペルチェ素子と、を備え、前記超電導応用機器と前記外部機器とを接続する電流リードであって、前記ペルチェ素子の前記低温側電極、前記常温側電極との接合面に、5~40μm厚のNiめっき層が形成され、前記低温側電極、前記常温側電極の前記ペルチェ素子との接合面に、5~40μm厚のAgめっき層が形成され、前記ペルチェ素子、前記低温側電極、及び前記常温側電極が、前記Niめっき層と前記Agめっき層が対向するように配置され、これらが半田接合された構造を備えていることを特徴とする。本発明によれば、ペルチェ素子表面に形成されるNiめっき層により半田反応層の形成が防止され、電極表面に形成されるAgめっき層により電極表面の酸化が防止されるので、強固な半田接合が実現される。また、Niめっき層、Agめっき層が最適な厚さで形成されるので、電流リードの特性が経時的に低下することもない。したがって、安定した特性を有する信頼性の高い電流リードを提供できるとともに、製造時の生産性を向上することができる。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図2は、本発明の一実施の形態に係る電流リードを用いた超電導磁石装置を示す図である。図2に示すように、超電導磁石装置1は、低温部に設置される超電導コイル11と、常温部に設置される電源12と、電源12と超電導コイル11を電気的に接続する2つの電流リード10を備えている。2つの電流リード10を区別する場合は、電流リード10A、10Bと称する。超電導コイル11は、例えば、真空断熱構造を有する低温容器13内に設置され、液体ヘリウムによって冷却される。電源12は、超電導コイル11を励磁するのに必要な電流を、電流リード10を介して供給する。電流リード10は、熱電変換素子であるペルチェ素子101を有する熱電冷却型の電流リードである。ペルチェ素子101の一方の面には超電導コイル11に接続される低温側電極102が接合され、他方の面には電源12に接続される常温側電極103が接合されている。低温側電極102、常温側電極103は、電気抵抗の面からCu含有量が90重量以上であることが望ましく、例えば純度99.99以上の無酸素銅で構成される。ペルチェ素子101と低温側電極102、ペルチェ素子101と常温側電極103は、それぞれ半田付けにより接合される。この場合に用いられる半田としては、Sn含有量が90~99重量であるSn-Ag-Cuいわゆる鉛フリー半田が耐熱性の面から好適である。ペルチェ素子101と低温側電極102、常温側電極103を半田接合する方法については、後述する。ペルチェ素子101は、例えばBiTe系、BiTeSb系、又はBiSb系の化合物半導体で構成される。特に、熱電変換効率の面からTe含有量が5~50重量であるBiTe系半導体又はBiTeSb系半導体が好適である。BiTe系半導体又はBiTeSb系半導体を適用した場合、常温から200K付近までの温度範囲で良好な冷却能力が得られる。また、BiSb系半導体を適用した場合、200K付近から液体窒素温度77K付近までの温度範囲で良好な冷却能力が得られる。また、ペルチェ素子101には、室温以下の低温において、性能指数Z=α2/κρ、α:ゼーベック係数、κ:熱伝導率、ρ:比抵抗の値が最大となるように組成が調整された半導体を使用することが望ましい。電源12の正極側に接続される電流リード10Aのペルチェ素子101にはn型半導体が適用され、負極側に接続される電流リード10Bのペルチェ素子101にはp型半導体が適用される。例えば、BiTe系半導体の導電型は、SbI3を添加することによりn型に制御され、PbI3を添加することによりp型に制御される。また、構成元素の量を化学量論比からわずかにずらすことによって、BiTe系半導体の導電型を制御することもできる。何れの電流リード10A、10Bにおいても、ペルチェ素子101の低温側で吸熱が生じ、常温側で発熱が生じる。すなわち、ペルチェ素子101において、通電時に低温側から常温側に向けて熱が移動するので、低温部への熱侵入が低減されるとともに、超電導コイル11を効率よく冷却することができる。図3は、実施の形態に係る電流リード10の詳細な構成を示す図である。図3に示すように、電流リード10において、ペルチェ素子101の一方の面には低温側電極102が半田付けにより接合され、他方の面には常温側電極103が半田付けにより接合されている。ここでは、常温側電極103が、2つの部材第1の常温側電極103a、第2の常温側電極103bと称するに分割されている。そして、第1の常温側電極103aと第2の常温側電極103bは、可とう性を有するフレキシブル導体105により接続されている。フレキシブル導体105は、例えば平編み銅線で構成される。フレキシブル導体105は、電流リード10、特にペルチェ素子101、低温側電極102、常温側電極103の接合部Bに生じる曲げや歪みを吸収する。円盤状の常温側固定板110の中央部には開口図示略が形成されており、この開口に第1の常温側電極103aが挿嵌される。第1の常温側電極103aには、常温側固定板110の開口よりも大径のフランジが形成される等により、常温側固定板110に第1の常温側電極103aを挿嵌した状態で、第1の常温側電極103aが脱落しないようになっている。常温側固定板110の周縁部には複数例えば等間隔で4つの挿通孔が形成されており、この挿通孔に常温側固定ボルト108が挿通される。そして、常温側固定ボルト108が連結スペーサ111の一端側に螺着されることにより、第1の常温側電極103aが固定される。低温側電極102の固定態様も第1の常温側電極103aの固定態様とほぼ同様である。すなわち、円盤状の低温側固定板109の中央部には開口図示略が形成されており、この開口に低温側電極102が挿嵌される。低温側電極102には、低温側固定板109の開口よりも大径のフランジが形成される等により、低温側固定板109に低温側電極102を挿嵌した状態で、低温側電極102が脱落しないようになっている。低温側固定板109の周縁部には複数例えば等間隔で4つの挿通孔が形成されており、この挿通孔に低温側固定ボルト107が挿通される。そして、低温側固定ボルト107が連結スペーサ111の他端側に螺着されることにより、低温側電極102が固定される。このように、ペルチェ素子101、低温側電極102、第1の常温側電極103aとの接合部Bは、低温側固定板109と常温側固定板110により狭持された状態で、固定されている。また、低温側固定ボルト107の頭部と低温側固定板109との間に付勢部材としてのコイルばね104を介在させている。低温側固定ボルト107を連結スペーサ111に螺着させることに伴い、コイルばね104が圧縮されて付勢力が生じるので、低温側固定板109を介して接合部Bには所定の圧力が加えられることになる。すなわち、低温側固定ボルト107の連結スペーサ111への締め込み量を調整することで、接合部Bに加わる圧力を適宜に調整することができる。コイルばね104には、低温側固定ボルト107を連結スペーサ111に螺着させることに伴い接合部Bに0.3~17.0MPaの圧力が付与されるものが適用される。また、複数の低温側固定ボルト107を連結スペーサ111に螺着したときに、コイルばね104に生じる付勢力が低温側固定板109に均等に伝わるように、低温側固定ボルト107は低温側固定板109と同様の形状を有する均圧板112を介してコイルばね104を圧縮するようになっている。さらに、ペルチェ素子101、低温側電極102、第1の常温側電極103aとの接合部Bの外周には、円筒状の保護管106が配設されている。保護管106は、電流リード10の設置時などに意図しない外力が働いたときに、この外力を直接受ける補強部材である。保護管106には、ガラス繊維をプラスチックに混入して強度を向上させたガラス繊維強化プラスチックGFRP:GlassFiberReinforcedPlastics製のものが好適である。GFRP製の保護管106を用いることにより、外部からの熱の流入を遮断することができるので、保護管106で覆われた内部の構造体の温度上昇、及びこれに伴う機器の損傷、劣化を防止することができる。電流リード10を作製する場合、まず、低温側電極102、第1の常温側電極103aを上述したように固定した後、低温側電極102をコイルばね104が圧縮される方向に押し戻す。次に、低温側電極102と第1の常温側電極103aの間に所定厚の固形半田を介在させてペルチェ素子101を配置する。このとき、図4に示すように、ペルチェ素子101、低温側電極102、第1の常温側電極103aには、予め所定のめっき処理を施しておく。具体的には、ペルチェ素子101の両端面低温側電極102、第1の常温側電極103aとの接合面には、Niめっき層が形成される。Niめっき層の厚さが5μ未満であると、BiTe系半導体からなるペルチェ素子101と半田が反応して半田反応層が形成され、ペルチェ素子101の特性を劣化させる要因となる。また、Niめっき層の厚さが40μmを超えるとめっき工程に長時間を要するために生産性が低下する上、ペルチェ素子101の特性も低下する。したがって、Niめっき層の厚さは、5~40μmであることが望ましい。また、低温側電極102、第1の常温側電極103aの一端面ペルチェ素子101との接合面には、Agめっき層が形成される。Agめっき層の厚さが5μ未満であると、無酸素銅からなる低温側電極102、第1の常温側電極103aが半田接合時に酸化して、ペルチェ素子101の特性を劣化させる要因となる。また、Agめっき層の厚さが40μmを超えるとめっき工程に長時間を要するために生産性が低下する上、ペルチェ素子101の特性も低下する。したがって、Agめっき層の厚さは、5~40μmであることが望ましい。なお、ペルチェ素子101へのNiめっき、及び低温側電極102、第1の常温側電極103aへのAgめっきには、電気めっき、無電解めっき等、公知の技術を適用できるが、めっき厚を5~40μmで形成するには品質の面から電気めっきが好適である。そして、接合部Bに加わる圧力が0.3MPa以上となるように、低温側固定ボルト107の連結スペーサ111への締め込み量を調整する。接合部Bに加わる圧力が0.3MPaよりも小さい状態で半田接合を行うと、接合面に凹凸や微小な空隙等の欠陥が生じ、熱伝導性が低下するとともに、電気抵抗が増大する虞があるためである。この状態で、半田の溶融温度約250°Cまで昇温し、所定時間保持する。このように、本実施の形態では、電流リード10を製造するに際し、ペルチェ素子101の低温側電極102、常温側電極103との接合面に、5~40μm厚のNiめっき層を形成する。また、低温側電極102、第1の常温側電極103aのペルチェ素子101との接合面に、5~40μm厚のAgめっき層を形成する。そして、Niめっき層とAgめっき層が対向するようにペルチェ素子101、低温側電極102、第1の常温側電極103aを配置して、これらを半田接合する。ペルチェ素子101の両端面にはNiめっき層が形成されているので、半田反応層が形成されるのを防止できる。また、低温側電極102、第1の常温側電極103aの表面にはAgめっき層が形成されているので、電極表面が酸化するのを防止できる。したがって、欠陥のない安定した品質の半田層が形成されるので、ペルチェ素子101、低温側電極102、第1の常温側電極103aが強固に接合される。また、Niめっき層、Agめっき層が最適な厚さで形成されるので、電流リード10の特性が経時的に低下することもない。したがって、安定した特性を有する信頼性の高い電流リード10を製造できるとともに、製造時の生産性を向上することができる。[実施例]実施例では、ペルチェ素子101の両端面に形成するNiめっき層の厚さ、低温側電極102、第1の常温側電極103aの一端面に形成するAgめっき厚さを変えて、複数の電流リード10を作製した。このとき、Niめっき層とAgめっき層の厚さは、両方の厚さが5~40μmの範囲に入るように設定した。また、各試験片におけるNiめっき層とAgめっき層は同等の厚さとした。そして、作製した複数の電流リード10を用いて、熱履歴に対する評価を行った。めっき厚は、F40顕微鏡式膜厚測定システムフィルメトリクス株製を使用して測定した。なお、実施例では、常温側電極103を一部材で構成し、保護管106及びフレキシブル導体105も省略した。具体的には、ペルチェ素子101として、断面形状が10mm×10mmの正方形で、厚さ4mmのBiTeSb化合物半導体素子を用いた。ペルチェ素子101の低温側電極102との接合面、及び常温側電極103との接合面には、Niめっき層を形成した。低温側電極102、常温側電極103には、断面形状が10mm×10mmの正方形で、長さが約100mmの無酸素銅を用いた。低温側電極102及び常温側電極103のペルチェ素子101との接合面には、Agめっき層を形成した。Niめっき層、Agめっき層の厚さは、実施例1では約7μm、実施例2では約18μm、実施例3では約27μm、実施例4では約32μm、実施例5では約38μmとした。実施の形態で説明したように、ペルチェ素子101と低温側電極102との間、ペルチェ素子101と常温側電極103との間に、厚さ50μmのSn-Ag-Cu合金からなる固形半田を挿入し、接合部Bに適度な圧力例えば、0.6MPaが加わるように、低温側固定ボルト107の連結スペーサ111への締め込み量を調整した。そして、この状態で250°Cまで昇温して60min間保持し、ペルチェ素子101と低温側電極102、ペルチェ素子101と常温側電極103を半田接合して、通電容量が100Aの電流リード10を作製した。作製した電流リード10を用いて、まず、接合部Bの室温での電気抵抗初期値を、直流4端子法により測定した。次に、電流リード10に直流電流を通電し、ペルチェ素子101の両端の温度差が100°C以上となるように電流値を調整した。ペルチェ素子101の両端の温度は、低温側電極102、常温側電極103のペルチェ素子101近傍部位に設置した熱電対により測定した。この温度差がついた状態を10分間保持した後、通電を中止して大気中に放置し、接合部Bの温度が室温となるまで冷却した。そして、この熱履歴を50回繰り返して電流リード10に与えた熱履歴試験。電流リード10の熱履歴に対する評価は、熱履歴試験後の接合部Bの室温での電気抵抗を直流4端子法により測定し、初期値と比較することにより行った。また、熱履歴試験後の接合部Bの外観を観察した。実施例に係る電流リード10の構成、及び評価結果を表1に示す。表1に示すように、Agめっき層、Niめっき層の両方を5~40μmの厚さで形成した場合に、外観にクラック等の異常は発生せず、初期の電気抵抗、及び初期値からの劣化も小さくなることが確認された実施例1~5。特に、Agめっき層、Niめっき層の両方を5~30μmの厚さで形成した場合には、外観にクラック等の異常は発生せず、初期の電気抵抗、及び初期値からの劣化も小さくなることが確認された実施例1~3。さらに、Agめっき層、Niめっき層の両方を5~25μmの厚さで形成した場合には、初期の電気抵抗、及び初期値からの劣化が極めて小さくなることが確認された実施例1、2。[比較例]比較例では、Niめっき層とAgめっき層の何れかの厚さが、5~40μmの範囲外となるように、それぞれの厚さを設定した。Niめっき層、Agめっき層の厚さ以外の条件は実施例と同じとした。比較例に係る電流リードの構成、及び評価結果を表2に示す。表2に示すように、Niめっき層とAgめっき層の何れかの厚さが5~40μmの範囲外となっている場合には、初期の電気抵抗が大きく、初期値に対する劣化も極めて大きい。また、外観に関しては、接合部Bにクラックが発生していた。このように、実施例と比較例との差は歴然であった。以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づいて具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可能である。例えば、図5に示すように、低温側電極102が、2つの部材102a、102bに分割され、これらが可とう性を有するフレキシブル導体105により接続された電流リードにも、本発明を適用することができる。また、図1に示すような圧力調整機構コイルばね104等を備えていない従来型の電流リードにも本発明を適用することができる。また、Niめっき層、Agめっき層の厚さは、5~40μmの範囲内であれば、それぞれ異なっていてもよい。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。