第一基板上に設けられている無機、有機又は有機/無機材料からなる薄膜をパターニングする薄膜のパターニング方法において、前記第一基板上に、A材料からなる薄膜をパターニング形成する工程と、前記第一基板上及び前記A材料からなる薄膜上に、無機、有機又は有機/無機材料であるB材料からなる薄膜を成膜する工程と、前記A材料からなる薄膜上に成膜される前記B材料からなる薄膜と、第二基板と、を接着することで前記第一基板と、前記第二基板と、を貼り合わせて貼り合わせ基板を作製する工程と、前記第一基板から、前記A材料からなる薄膜と、前記A材料からなる薄膜上に設けられる前記B材料からなる薄膜と、を除去する工程と、を有することを特徴とする、薄膜のパターニング方法。水、有機溶媒又は水と有機溶媒との混合溶媒を用いて、前記第一基板上に設けられる前記A材料からなる薄膜を選択的に溶解して除去することを特徴とする、請求項1に記載の薄膜のパターニング方法。前記A材料からなる薄膜の膜厚が、前記B材料からなる薄膜の膜厚よりも厚いことを特徴とする、請求項1又は2に記載の薄膜のパターニング方法。第一基板上に設けられている無機、有機又は有機/無機材料からなる薄膜をパターニングする薄膜のパターニング方法において、前記第一基板上に、少なくともA1材料からなる薄膜とA2材料からなる薄膜とを有する積層体をパターニング形成する工程と、前記第一基板上及び前記積層体上に、無機、有機又は有機/無機材料であるB材料からなる薄膜を成膜する工程と、前記積層体上に成膜される前記B材料からなる薄膜と、第二基板の表面と、を接着することで前記第一基板と、前記第二基板と、を貼り合わせて貼り合わせ基板を作製する工程と、前記第一基板から、前記積層体と、前記積層体上に設けられる前記B材料からなる薄膜と、を除去する工程と、を有し、少なくとも前記A2材料からなる薄膜が、水、有機溶媒、水と有機溶媒との混合溶媒のいずれにも溶解しない材料からなる層であることを特徴とする、薄膜のパターニング方法。前記A1材料からなる薄膜の端部が、前記A2材料からなる薄膜の端部に対して内側に引き込んでいる形状であることを特徴とする、請求項4に記載の薄膜のパターニング方法。請求項1乃至5のいずれか一項に記載の薄膜のパターニング方法を用いて有機化合物層のパターニングを行うことを特徴とする、有機EL表示装置の製造方法。しかしながら、特許文献1の方法では、薄膜の加工という役割を果たし不要となったフォトレジスト等のパターニング部材、あるいはこのパターニング部材上に形成された薄膜等の被リフトオフ材料を除去する際に、これら部材等が基板に再付着することがある。このように除去すべき部材が基板に再付着することによってパターニング不良が生じることがあった。本発明は、上述した課題を解決するためになされたものである。本発明の目的は、薄膜の加工において役割を終えたパターニング部材やこのパターニング部材上に形成された薄膜が基板上に再付着することを回避することを可能にする薄膜のパターニング方法を提供することである。本発明の薄膜のパターニング方法は、第一基板上に設けられている無機、有機又は有機/無機材料からなる薄膜をパターニングする薄膜のパターニング方法において、前記第一基板上に、A材料からなる薄膜をパターニング形成する工程と、前記第一基板上及び前記A材料からなる薄膜上に、無機、有機又は有機/無機材料であるB材料からなる薄膜を成膜する工程と、前記A材料からなる薄膜上に成膜される前記B材料からなる薄膜と、第二基板と、を接着することで前記第一基板と、前記第二基板と、を貼り合わせて貼り合わせ基板を作製する工程と、前記第一基板から、前記A材料からなる薄膜と、前記A材料からなる薄膜上に設けられる前記B材料からなる薄膜と、を除去する工程と、を有することを特徴とする。本発明によれば、薄膜の加工において役割を終えたパターニング部材やこのパターニング部材上に形成された薄膜が基板上に再付着することを回避することを可能にする薄膜のパターニング方法を提供することができる。本発明の薄膜のパターニング方法は、第一基板上に設けられている無機、有機又は有機/無機材料からなる薄膜をパターニングする方法である。ここで本発明の薄膜のパターニング方法は、以下に説明するように、二種類の態様がある。本発明の薄膜のパターニング方法の第一の態様は、下記工程Ia乃至IVaを有する薄膜のパターニング方法である。Ia第一基板上に、A材料からなる薄膜をパターニング形成する工程IIa第一基板上及びA材料からなる薄膜上に、無機、有機又は有機/無機材料であるB材料からなる薄膜を成膜する工程IIIaA材料からなる薄膜上に成膜されるB材料からなる薄膜と、第二基板と、を接着することで第一基板と、第二基板と、を貼り合わせて貼り合わせ基板を作製する工程IVa第一基板から、A材料からなる薄膜と、A材料からなる薄膜上に設けられるB材料からなる薄膜と、を除去する工程また本発明の薄膜のパターニング方法の第二の態様は、下記工程Ib乃至IVbを有する薄膜のパターニング方法である。Ib第一基板上に、少なくともA1材料からなる薄膜とA2材料からなる薄膜とを有する積層体をパターニング形成する工程IIb第一基板上及び当該積層体上に、無機、有機又は有機/無機材料であるB材料からなる薄膜を成膜する工程IIIb当該積層体上に成膜されるB材料からなる薄膜と、第二基板の表面と、を接着することで第一基板と、第二基板と、を貼り合わせて貼り合わせ基板を作製する工程IVb第一基板から、当該積層体と、当該積層体上に設けられるB材料からなる薄膜と、を除去する工程尚、本発明の薄膜のパターニング方法の第二の態様において、少なくともA2材料からなる薄膜は、水、有機溶媒、水と有機溶媒との混合溶媒のいずれにも溶解しない材料からなる層である。以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。尚、以下の説明において、特に図示又は記載されない部分に関しては、本発明に係る技術分野において周知又は公知の技術を適用することができる。また以下に説明する実施形態は、あくまでも本発明の実施形態の一つに過ぎず、本発明はこれらに限定されるものではない。図1は、本発明の薄膜のパターニング方法における第一の実施形態を示す断面模式図である。以下、図1を適宜参照しながら各工程について説明する。IaA材料からなる薄膜のパターニング工程まず図1aに示されるように、第一基板1上に、A材料からなる薄膜11以下、単に、薄膜11という場合がある。をパターニング形成する。薄膜11の構成材料であるA材料は、後述するリフトオフ工程を支障なく行うことができれば特に限定されるものではない。またA材料は、一種類の材料で構成されていてもよいし、複数種類の材料で構成されていてもよい。ただし、A材料は、特定の溶媒に対する溶解度が後述するB材料よりも高い材料を選択する必要がある。この材料選択によって、後述するリフトオフ工程において、当該特定の溶媒を用いることでA材料からなる薄膜11を選択的に第一基板1から除去することが可能となる。尚、上述した材料選択は、B材料の材質に応じて適宜行う必要がある。以下、材料選択の具体例を説明する。例えば、B材料が有機材料等の非水溶性材料である場合、A材料として水溶性材料を選択する。尚、A材料が複数種類の材料で構成されている場合は、構成材料の一部が水溶性材料であればよい。ここでA材料として水溶性材料を選択する場合、後述するリフトオフ工程で使用される溶媒A材料の溶解液を水にするのが好ましい。ここでA材料として選択される水溶性材料としては、LiF、NaCl等の水溶性無機材料、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロドリン等の水溶性ポリマーが挙げられる。ただし、本発明においてはこれらに限定されるものではない。またB材料がアルコール類メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等に対して不溶あるいは難溶である場合、A材料として複素環化合物を選択する。A材料として選択される複素環化合物として、例えば、フェナントロリン、ピリジンを含む複素環化合物が挙げられる。より具体的には、下記構造式で示される化合物が挙げられる。複素環化合物は、炭素以外の元素N、S、O等に電荷が極在化する。例えば、複素環化合物であるピリジンの窒素元素に環上のマイナスの電荷が極在化する。この極性部位とアルコール分子のOH基に含まれる水素とが相互作用を起こして水素結合を形成する。これにより複素環化合物はアルコール類に溶解し易くなる。よって、極性のある複素環化合物はアルコールによる溶解速度が速い。以上より、B材料の特性、具体的には、B材料の特定の溶媒に対する溶解性を考慮することで、A材料を適宜選択することができる。言い換えると、B材料は、後述するリフトオフ工程で使用される、A材料を溶解する溶媒に溶解しない材料を選択する。尚、上記特定の溶媒は、上述した水、アルコール類に限定されるものではなく、パターニングの対象となるB材料からなる膜を溶解しないという条件を満たせば特に限定されるものではない。A材料を溶解する溶媒が水の場合では、B材料として水に不溶である非水溶性材料を選択する。非水溶性材料として、水に溶解しない有機材料、無機材料又は有機材料と無機材料とを組み合わせてなるハイブリッド材料、有機材料と無機材料との混合材料が挙げられる。例えば、無機材料では、窒化シリコン、酸化シリコン等の珪素化合物、水に溶解せずかつ水と反応しない金属を挙げることができる。ただし、本発明はこれらに限定されるものではない。A材料を溶解する溶媒が水酸基を含むアルコール類、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールである場合では、B材料として当該アルコール類に難溶である材料を選択する。ここでアルコール類に難溶である材料として、芳香族炭化水素化合物が挙げられる。芳香族炭化水素化合物として、例えば、ナフタレン、フルオランテン、アントラセン、テトラセン、フェナントレン、ピレン、トリフェニレン、クリセン等の縮合環芳香族炭化水素化合物を主骨格として含むが挙げられる。ここで縮合多環炭化水素化合物とは、炭化水素のみで構成された環状不飽和有機化合物である。より具体的には、少なくともベンゼン環等の芳香環の1辺が縮合されてなる縮合環を含む化合物である。また縮合多環炭化水素化合物は、縮合環上のπ電子が均一に分散して非極在化しているので極性が生じない。このため、縮合多環炭化水素化合物はアルコールに溶解し難い材料である。ただし、上記の縮合多環炭化水素化合物は、そのままでは熱安定性が低いため、B材料からなる薄膜12の構成材料としては不適格である。従って、これらの縮合多環炭化水素化合物に置換基が付加された化合物がB材料からなる薄膜12の構成材料として使用される。ここでB材料からなる薄膜12薄膜12が複数の層からなる積層体である場合は、その最上層の構成材料である化合物として、好ましくは、上述した縮合多環炭化水素化合物が単結合により複数結合されてなる有機化合物である。尚、この有機化合物には、主骨格である縮合多環炭化水素化合物にメチル基、エチル基等のアルキル基が適宜置換されている化合物も含まれる。尚、この有機化合物には、主骨格中あるいは置換基中にヘテロ原子N、O等を有する化合物は含まれない。ここで縮合多環炭化水素化合物が単結合により複数結合されてなる有機化合物として、例えば、下記構造式で示される化合物が挙げられるが、本発明はこれに限定されるものではない。ところで、A材料からなる薄膜のパターニングを行う方法として、フォトリソグラフィー法、インクジェット法、印刷法等がある。ここでフォトリソグラフィー法を利用する場合は、まず基板第一基板1の全面にA材料からなる薄膜11を形成する必要がある。A材料からなる薄膜11の形成方法としては、CVDChemical-Vapor-Deposition法、蒸着法、スピンコート法、ディップコート法、インクジェット法等の既存の方法を用いることができる。基板第一基板1の全面にA材料からなる薄膜11を形成した後、形成したA材料からなる薄膜11のパターニングを行う。具体的には、A材料からなる薄膜11上にフォトレジスト膜を塗布形成した後、露光、現像工程を経て、フォトレジスト膜に被覆されていない領域に設けられているA材料からなる薄膜11をエッチングウェットエッチング又はドライエッチングにより除去する。以上により、図1aに示されるように所望の形状にパターニングされたA材料からなる薄膜11を形成することができる。尚、フォトリソグラフィー法を利用する場合、フォトレジストを溶解する溶媒として有機溶媒が使用されることから、A材料からなる薄膜11のパターニングをする際に、A材料そのものが溶解してしまう場合がある。この場合では、インクジェット法や印刷法を採用するのが好ましい。具体的には、A材料を含む溶液を所定の位置あるいは領域に選択的に塗布する。これにより、図1aに示されるように所望の形状にパターニングされたA材料からなる薄膜11を形成することができる。IIaB材料からなる薄膜を成膜する工程上記工程Iaの後、図1bに示されるように、B材料からなる薄膜12以下、単に、薄膜12という場合がある。を、第一基板1上又はA材料からなる薄膜11上に成膜する。B材料からなる薄膜12を形成する方法としては、CVDChemical-Vapor-Deposition法、蒸着法、スピンコート法、ディップコート法、インクジェット法等の既存の方法を用いることができる。尚、本発明の主たる特徴としては、第一基板1上に配置されたA材料からなる薄膜11及び薄膜11上に形成されたB材料からなる薄膜12を、薄膜12と接着している第二基板2を用いて第一基板1から取り外すことにある。このため、A材料からなる薄膜11が第一基板1から取り外しやすい構成であることが好ましい。図2は、本発明の好適例の一例を示す図である。図2に示されるように、第一基板1上にA材料からなる薄膜11とB材料からなる薄膜12とをそれぞれ形成する際に、A材料からなる薄膜11をB材料からなる薄膜12よりも膜厚を厚く形成するのが好ましい。即ち、B材料からなる薄膜12がA材料からなる薄膜11よりも薄くなるように薄膜11を形成しておくのが好ましい。こうすることで、A材料からなる薄膜11の端部にA材料を溶解させる溶媒が接触しやすくなるので歩留まりよくパターニングすることができる。IIIa貼り合わせ基板の作製工程上記工程IIaの後、図1cに示されるように、B材料からなる薄膜12と第二基板2とを貼り合わせて、第一基板1と第二基板2とからなる張り合わせ基板を作製する。本工程で使用される第二基板2は、その表面が、第一基板1上に設けられるA材料からなる薄膜11上に形成されたB材料からなる薄膜12と接着できる構成であることが必要である。ここで第二基板2は、A材料からなる薄膜を溶解する溶媒に溶解しない材料からなる基板であれば、特に限定されるものではない。第二基板2として、具体的には、シリコンウェーハ、ガラス基板、PET樹脂、アクリル樹脂等の有機樹脂シート等が挙げられるが特に限定されない。またB材料からなる薄膜12との接着力を増すために、第二基板2の表面に予め接着層不図示を形成しておいてもよい。接着層は、接着シートを貼りつけることで形成してもよいし、接着剤となる材料を第二基板2の表面に塗布して形成してもよい。接着層の材料として、具体的には、熱硬化型ポリマー樹脂、エポキシ樹脂系接着剤、反応形アクリル系接着剤等が挙げられる。ただし本発明はこれらに限定されるものではない。一方、本工程において、第一基板1と第二基板2とを貼り合わせて貼り合わせ基板を作製する具体的な手段については、接着剤貼り合わせ法、基板表面活性化法等の既存の方法を用いることができるが、特に限定されるものではない。IVaリフトオフ工程上記工程IIIaの後、第二基板2を動かして、A材料からなる薄膜11とこの薄膜11上に形成されているB材料からなる薄膜12とを一緒に、もしくは同時に第一基板1から除去する。これにより図1dに示されるように、B材料からなる薄膜12が所望の領域にのみ残存することで、B材料からなる薄膜12が所望の形状にパターニングされる。本工程は、第一基板1とA材料からなる薄膜11との界面又はその界面の近傍において、第一基板1上に設けられているA材料からなる薄膜11を取り外す工程である。ここでA材料からなる薄膜11を取り外す方法としては、力学的な方法、化学的な方法、熱的な方法等が挙げられるが、本発明においては特に限定されない。力学的な方法としては、予め、第一基板1とA材料からなる薄膜11との界面における接着強度を、A材料からなる薄膜11とB材料からなる薄膜12との界面及びB材料からなる薄膜12と第二基板2と界面における接着強度よりも小さくしておく。こうすれば、第一基板1又は第二基板2を、対向する基板から引き離す方向に力を加わることでA材料からなる薄膜11を第一基板1から除去することができる。熱的な方法としては、A材料からなる薄膜11の融点又は軟化点を、第一基板1、B材料からなる薄膜12、第二基板2の融点又は軟化点より低温になるように材料を選定する。こうすることで、貼り合わせ基板に熱を加えながら第一基板1又は第二基板2を引き離すことでA材料からなる薄膜11を第一基板1から除去することができる。化学的な方法としては、A材料からなる薄膜11を選択的に溶解する溶媒溶解液を第一基板1と第二基板2との間に設けられる空隙に浸透せしめてA材料からなる薄膜11を溶解する方法である。つまり、A材料からなる薄膜11を溶解する溶媒が、A材料からなる薄膜11に浸透することにより、A材料からなる薄膜11が溶解する。このときA材料からなる薄膜11上に形成されるB材料からなる薄膜12は第二基板2に接着しているので、第一基板1と第二基板2とを引き離すと、第二基板2の表面に接着しているB材料からなる薄膜12は、第一基板1から引き離される。一方、第一基板1上に直接形成されている第一基板1に接するように形成されているB材料からなる薄膜12は、第二基板2と接着しておらず、薄膜12と第一基板1との間にA材料からなる薄膜11が存在しないので、本工程の後でも第一基板1上に残存する。従って、工程Iaを行った後において残存していたA材料からなる薄膜11が設けられていた領域以外の領域に沿ってB材料からなる薄膜12がパターニングされることになる。またこの方法化学的な方法では、第一基板1とA材料からなる薄膜11の界面にも溶媒が浸透するので、A材料からなる残渣は第一基板1上にほとんど残らない。さらにこの方法化学的な方法では、本工程において生じたB材料等からなる残渣は第二基板2にて回収されるので、当該残渣が第一基板1上に残存することがない。以上の通り説明した方法力学的な方法、熱的な方法、化学的な方法のうち、本工程を行った後のパターニングされたB材料からなる薄膜12の仕上がり状況を考慮すると、化学的な方法を採用するのが好ましい。尚、化学的な方法を利用する場合、貼り合わせた2枚の基板の間に、A材料からなる薄膜11を溶解させる溶媒を浸透させる方法は、貼り合わせ基板を構成する2枚の基板間の内部まで溶媒を浸透させることができる方法であれば、特に限定されるものではない。具体的な方法として、大気圧より圧を減じた減圧雰囲気下にあるチャンバーに貼り合わせ基板を設置した後、A材料を溶解させる溶媒をチャンバー内に導入し、チャンバーの圧を逐次変動させることにより溶媒を浸透させる方法がある。また本工程において使用される溶媒は、A材料の性質、特に、A材料の溶解性を考慮して、水、有機溶媒又は水/有機溶媒の混合溶媒のいずれかから適宜選択される。図3は、本発明の薄膜のパターニング方法における第二の実施形態を示す断面模式図である。以下、図3を適宜参照しながら各工程について説明する。尚、第二の実施形態は、第一の実施形態と共通している部分があるので、以下の説明では、第一の実施形態との相違点を中心に説明する。積層体の成膜工程まず図3aに示されるように、第一基板1上に、A1材料からなる薄膜13以下、単に、薄膜13という場合がある。と、A2材料からなる薄膜14以下、単に、薄膜14という場合がある。とからなる積層体を成膜形成する。図3aに示されるように、本発明では、A材料からなる薄膜11に代えてA1材料からなる薄膜13と、A2材料からなる薄膜14とからなる積層体としてもよい。本発明の第一の実施形態において、A材料からなる薄膜11のパターニングをフォトリソグラフィーで行う場合、薄膜11を構成するA材料がリフトオフ工程においては好適な材料であるが、フォトリソグラフィーに対して好適な材料でない場合がある。そこで本実施形態では、薄膜11の代わりに、A1材料からなる薄膜13と、A2材料からなる薄膜14とからなる積層体を用いる。この積層体を用いることで、薄膜13の構成材料であるA1材料としてリフトオフ工程を行うのに好適な材料を使用し、薄膜14の構成材料であるA2材料としてフォトリソグラフィーを行うのに好適な材料を使用することができる。例えば、薄膜13下層を構成するA1材料として水溶性材料を使用し、薄膜14上層を構成するA2材料として非水溶性材料とすること等が挙げられる。具体的には、A1材料として水溶性ポリマーを選択して薄膜13を形成し、A2材料として窒化シリコン等の非水溶性の無機材料を選択して薄膜14を形成することができる。このような構成により、A1材料がフォトリソグラフィー工程で用いられるフォトレジストの溶媒等に影響を受ける材料であっても、A2材料で表面が保護されているので、問題なく工程を行う可能となる。また図3にて示される本発明の第二の実施形態において、薄膜13の膜厚は、薄膜12の膜厚と比べて、厚くするのが好ましい。こうすることで、A1材料からなる薄膜13の端部にA1材料を溶解させる溶媒が接触しやすくなるので歩留まりよくパターニングすることができる。積層体のパターニング工程次に、薄膜13及び薄膜14で構成される積層体のパターニングを行う。この積層体のパターニングにあたっては、フォトリソグラフィー法を利用する。ここで本実施形態第二の実施形態において、薄膜13及び薄膜14のパターニングを行う際に好ましい態様について以下に説明する。図4は、本発明の第二の実施形態の好適例を示す断面模式図である。図4に示されるように、A1材料からなる薄膜13の端部が、A2材料からなる薄膜14の端部に対して内側に引込んでいる形状にしておくと、薄膜12の成膜時に薄膜12が薄膜13の端部にほとんど付着せず、薄膜13が露出したままになる。A1材料からなる薄膜13を溶解させる溶媒を浸透させる際に、この溶媒が薄膜13の端部に接触しやすくなり、薄膜13の端部にB材料からなる薄膜12が形成されることによる剥離不良の問題を解消させることができる。このため薄膜13の溶解が、より速く進み、より効率よく、かつ歩留まりよくパターニングすることが可能となる。その他の工程以上のように薄膜13と薄膜14とからなる積層体のパターニングを行った後、第一基板1上及び薄膜13と薄膜14とからなる積層体上にB材料からなる薄膜12を成膜する図3b。次に、第一基板1と第二基板2とを貼り合わせて貼り合わせ基板を作製する図3c。次に、リフトオフ工程を行うことにより、積層体のパターニング工程を行った後において残存していた薄膜13と薄膜14とからなる積層体が設けられていた領域以外の領域に沿ってB材料からなる薄膜12がパターニングされることになる図3d。ここで図3aから図3dに至るまでに行われる工程B材料からなる薄膜12の形成工程、貼り合わせ基板の作製工程、リフトオフ工程については、第一の実施形態と同じ方法で行うことができる。本発明の薄膜のパターニング方法は、薄膜状のデバイスや薄膜状の部材を有する電子デバイスを製造する上で有用である。例えば、有機EL素子を構成する電極層や有機化合物層を形成する上で有用である。また薄膜トランジスタTFTやコンタクトプラグ等の薄膜状の半導体デバイスを製造する際においても有用な方法である。[実施例1]図1に示される工程に沿って、第一基板1上に所望の形状にパターニングされた薄膜12を作製した。IaA材料からなる薄膜をパターニング形成する工程本実施例では、A材料として水溶性材料であるPVPポリビニルピロドリンを用いた。具体的には、インクジェット法により、第一基板1上に、A材料を塗布成膜して薄膜11を形成した。このとき薄膜11の膜厚は1μmであった。尚、薄膜11は、第一基板1上に後述するB材料からなる薄膜12を設けない領域に形成した。IIaB材料からなる薄膜の成膜工程本実施例では、B材料として非水溶性材料である窒化シリコンを用いた。具体的には、PVDPhysical-Vapor-Deposition法により、窒化シリコンを、第一基板1上あるいはA材料からなる薄膜11上に成膜した。このとき薄膜12の膜厚は0.5μmであった。IIIa貼り合わせ基板の作製工程第二基板2としてガラス基板を用意し、この第二基板30上に、スピンコーターを用いて熱硬化型ポリマー例えば、フォトレジストを塗布成膜した。このとき熱硬化型ポリマーからなる薄膜の膜厚は、500nmであった。次に、熱硬化型ポリマーからなる薄膜上に、接着剤を塗布して、第一基板1と第二基板2の貼り合わせを行い、貼り合わせ基板を作製した。尚、熱硬化性ポリマーは必ずしも形成する必要はないが、ガラス基板と接着剤との間に熱硬化性ポリマーを設けておけば、熱硬化性ポリマーの剥離液で洗浄することによって、第二基板2の付着物を除去し、第二基板2を再利用することができるため好ましい。IVaリフトオフ工程次に、工程IIIaにて作製した貼り合わせ基板に水を浸透させ、薄膜11を溶解して第二基板2を第一基板1から引き離すことにより、第二基板2に接着された薄膜12を薄膜11ごと除去した。以上のプロセスにより、第一基板1上に、所望の形状にパターニングされたB材料からなる薄膜12が形成された。[実施例2]実施例1において、A材料として下記[1]に示される化合物を、B材料として下記[2]に示される化合物をそれぞれ使用した。また実施例1のIVaのリフトオフ工程において、イソプロピルアルコールと水とを混合してなる混合溶媒を使用した。以上を除いては、実施例1と同様の方法により、B材料からなる薄膜のパターニングを行った。以上のプロセスにより、実施例1と同様に、第一基板1上に、所望の形状にパターニングされたB材料からなる薄膜12が形成された。[実施例3]図3に示される工程に沿って、第一基板1上に所望の形状にパターニングされた薄膜12を作製した。積層体の形成工程まずスピンコート法により、第一基板1上に、PVPを成膜しA1材料からなる薄膜13を形成した。このとき薄膜13の膜厚は1μmであった。次に、CVDChemical-Vapor-Deposition法により、薄膜13上に、窒化シリコンSiNを成膜しA2材料からなる薄膜14を形成した。このとき薄膜14の膜厚は0.5μmであった。積層体のパターニング工程次に、第一基板10上に設けられている薄膜13と薄膜14とからなる積層体について、フォトリソグラフィー法によるパターニングを行った。まず薄膜14上にポジ型の感光性樹脂を塗布して感光性樹脂膜を形成した。次に、露光装置キヤノン製、商品名;MPA600を用いて感光性樹脂膜に紫外線を照射した。このとき所望の領域薄膜13と薄膜14とからなる積層体を除去する領域に開口が設けられているフォトマスクを介して紫外線を照射した。露光後、現像液AZエレクトロニックマテリアルズ製、製品名312MIFを水で希釈し濃度を50としたものを用いて現像を行った。この現像処理により紫外光に露光された感光性樹脂膜を除去した。次に、薄膜13と薄膜14とからなる積層体のうち、感光性樹脂膜に被覆されていない領域についてエッチング処理を行うことによって所望の形状にパターニングされた薄膜13と薄膜14とからなる積層体を得た。B材料からなる薄膜の成膜工程実施例1のIIaと同様の方法により、B材料からなる薄膜12を成膜した。貼り合わせ基板の作製工程実施例1のIIIaと同様の方法により、貼り合わせ基板を作製した。リフトオフ工程実施例1のIVaと同様の方法でリフトオフを行うことにより、第二基板2に接着された薄膜12を薄膜11ごと除去した。以上のプロセスにより、実施例1と同様に、第一基板1上に、所望の形状にパターニングされたB材料からなる薄膜12が形成された。[実施例4]発光色が異なる二種類の有機EL素子を有する有機EL表示装置を、以下に示す方法により製造した。図5は、本実施例で製造される有機EL表示装置の製造プロセスを示す断面模式図である。第一有機化合物層の形成工程TFT及び下部電極が予め設けられている基板第一基板10上に、第一正孔輸送層と、第一発光層とを順次形成して第一有機化合物層20を形成した図5a。第一有機化合物層の加工工程次に、スピンコート法により、第一有機化合物層20上に、PVPを成膜しA1材料からなる薄膜13を形成した。このとき薄膜13の膜厚は1μmであった。次に、CVDChemical-Vapor-Deposition法により、薄膜13上に、窒化シリコンSiNを成膜しA2材料からなる薄膜14を形成した。このとき薄膜14の膜厚は0.5μmであった。次に、第一有機化合物層20上に設けられている薄膜13と薄膜14とからなる積層体について、フォトリソグラフィー法によるパターニングを行った。まず薄膜14上にポジ型の感光性樹脂を塗布して感光性樹脂膜フォトレジスト膜を形成した。次に、露光装置キヤノン製、商品名;MPA600を用いて感光性樹脂膜に紫外線を照射した。このとき第一有機EL素子を設ける領域以外の領域薄膜13と薄膜14とからなる積層体を除去する領域に開口が設けられているフォトマスクを介して紫外線を照射した。露光後、現像液AZエレクトロニックマテリアルズ製、製品名312MIFを水で希釈し濃度を50としたものを用いて現像を行った。この現像処理により紫外光に露光された感光性樹脂膜を除去した。次に、薄膜13と薄膜14とからなる積層体のうち、感光性樹脂膜に被覆されていない領域についてエッチング処理を行うことによって第一有機EL素子を設ける領域にパターニングされた薄膜13と薄膜14とからなる積層体を得た。尚、薄膜13のエッチング処理を行う際に、薄膜14のエッチングと比較してオーバーエッチングになるようにした。次に、第一有機化合物層20をドライエッチングして、第一有機EL素子を設ける領域以外の領域に設けられていた第一有機化合物層20を除去した図5b。第二有機化合物層の形成工程次に、蒸着法により、第二有機EL素子を構成する第二正孔輸送層と、第二発光層とを順次成膜して第二有機化合物層を形成した。尚、第二有機化合物層は、図5cに示されるB材料からなる薄膜12に相当する。尚、本実施例では、有機化合物からなる薄膜であるB材料からなる薄膜12を蒸着法によって成膜している。一般に、蒸着法による薄膜を形成する場合、分子が直進性であることから、形成される薄膜は図5cに示される形状となる。つまり、薄膜13と薄膜14とからなる積層体によって薄膜12は、予め切れ目ができている断面形状となっている。貼り合わせ基板の作製工程次に、第二基板2としてガラス基板を用意し、この第二基板2上に、スピンコーターを用いて熱硬化型ポリマーを塗布成膜した。このとき熱硬化型ポリマーからなる薄膜の膜厚は、500nmであった。次に、熱硬化型ポリマーからなる薄膜上に、接着剤を塗布して、第一基板1と第二基板2の貼り合わせを行い、貼り合わせ基板を作製した図5d。リフトオフ工程次に、先程作製した貼り合わせ基板に水を浸透させ、薄膜13を溶解して第二基板2を第一基板1から引き離すことにより、第二基板2に接着された薄膜12を薄膜13と14とからなる積層体ごと除去した。以上のプロセスにより、第一基板1上に、所望の形状にパターニングされたB材料からなる薄膜12第二有機化合物層が形成された図5e。上部電極の形成工程等次に、第一有機化合物層上及び第二有機化合物層上に、電子輸送層21と、上部電極22とを、順次形成した。以上により、異なる発光色を発光する二種類の有機EL素子が設けられている有機EL表示装置を得た図5f。[実施例5]タングステンコンタクトプラグWコンタクトプラグを、以下に説明する方法によって製造した。図6は、本実施例で製造されるタングステンコンタクトプラグの製造プロセスを示す断面模式図である。ところで、Wコンタクトプラグの製造にあたっては、Wエッチバック、もしくはW_CMPChemical-Mechanical-Polish法が用いられる。しかしいずれの手法もタングステン膜W膜を厚く堆積させた後に、当該W膜を削る手法が用いられるので、本来素子には必要のない膜厚分も含めてW膜の形成を行う必要がある。一方、以下に説明する本実施例の手法を用いれば、コンタクトブラグ部の所望のホール径を埋めるに足る膜厚を有するW膜のみを形成すればよい。シリコン酸化膜の加工工程所定の領域にメタル配線32が設けられ、このメタル配線32上を含めた基板全面にシリコン酸化膜31が形成されている第一基板1図6aを用意し、以下に示す方法により、シリコン酸化膜31の加工を行った。まず、スピンコート法により、シリコン酸化膜31上に、PVPを成膜しA1材料からなる薄膜13を形成した。このとき薄膜13の膜厚は1μmであった。次に、CVDChemical-Vapor-Deposition法により、薄膜13上に、窒化シリコンSiNを成膜しA2材料からなる薄膜14を形成した。このとき薄膜14の膜厚は0.5μmであった。次に、シリコン酸化膜31上に設けられている薄膜13と薄膜14とからなる積層体について、フォトリソグラフィー法によるパターニングを行った。まず薄膜14上にポジ型の感光性樹脂を塗布して感光性樹脂膜を形成した。次に、露光装置キヤノン製、商品名;MPA600を用いて感光性樹脂膜に紫外線を照射した。このときWコンタクトプラグを設ける領域薄膜13と薄膜14とからなる積層体を除去する領域に開口が設けられているフォトマスクを介して紫外線を照射した。露光後、現像液AZエレクトロニックマテリアルズ製、製品名312MIFを水で希釈し濃度を50としたものを用いて現像を行った。この現像処理により紫外光に露光された感光性樹脂膜を除去した。次に、薄膜13と薄膜14とからなる積層体のうち、感光性樹脂膜に被覆されていない領域についてエッチング処理を行うことによって所望の領域にパターニングされた薄膜13と薄膜14とからなる積層体を得た図6b。尚、薄膜13のエッチング処理を行う際に、薄膜14のエッチングと比較してオーバーエッチングになるようにした。次に、シリコン酸化膜31をドライエッチングして、Wコンタクトプラグを設ける領域に設けられていたシリコン酸化膜31を除去した図6c。W膜の形成工程次に、蒸着法により、タングステン成膜しW膜を形成した。尚、W膜は、図6dに示されるB材料からなる薄膜12に相当する。尚、この工程で形成されるW膜は、図6dに示される形状となる。つまり、薄膜13と薄膜14とからなる積層体によって薄膜12は、予め切れ目ができている断面形状となっている。貼り合わせ基板の作製工程次に、第二基板2としてガラス基板を用意し、この第二基板2上に、スピンコーターを用いて熱硬化型ポリマーを塗布成膜した。このとき熱硬化型ポリマーからなる薄膜の膜厚は、500nmであった。次に、熱硬化型ポリマーからなる薄膜上に、接着剤を塗布して、第一基板1と第二基板2の貼り合わせを行い、貼り合わせ基板を作製した図6e。リフトオフ工程次に、先程作製した貼り合わせ基板に水を浸透させ、薄膜13を溶解して第二基板2を第一基板1から引き離すことにより、第二基板2に接着された薄膜12を薄膜13と14とからなる積層体ごと除去した。以上のプロセスにより、第一基板1上に、所望の形状にパターニングされたB材料からなる薄膜12W膜が形成された図6f。即ち、以上の工程により、Wコンタクトプラグが形成された。