3次元微小電気機械システムMEMS慣性測定ユニットIMUチップを製作する方法であって、複数のウェハに複数のMEMSジャイロスコープおよび複数のMEMS加速度計をパターン化するステップと、ウェハ積層体を形成するように前記複数のウェハを積層するステップであり、隣接するウェハが一緒に接合され、前記ウェハ積層体が上部表面および下部表面を有する、ステップと、前記ウェハ積層体の前記上部表面および前記下部表面に導電性トレースをパターン化するステップと、前記ウェハ積層体の1つまたは複数の切断刃の通り道内に前記ウェハ積層体を通る複数の開口を形成するステップと、前記導電性材料が前記ウェハ積層体の前記上部表面および前記下部表面の前記導電性トレースに接続されるように前記複数の開口の側壁に金属を堆積させるステップと、前記側壁の前記導電性材料が、結果として得られる積層ダイの縁部部分に露出されるように、前記1つまたは複数の切断刃の通り道に沿い、前記複数の開口を通って前記ウェハ積層体をダイシングするステップとを含む、方法。請求項1に記載の方法において、前記側壁に導電性材料を堆積させる前に前記側壁に誘電体材料を堆積させるステップを含む、方法。請求項1に記載の方法において、それぞれの開口の前記導電性材料の第1の部分が第1の結果として得られる積層ダイ上にあり、それぞれの開口の前記導電性材料の第2の部分が第2の結果として得られる積層ダイ上にあるように、ダイシングするステップが前記複数の開口を分割するステップを含む、方法。0003一例では、1つまたは複数の垂直相互接続を製作する方法が提供される。この方法は、ウェハ積層体を形成するために複数のウェハをパターニングおよび積層するステップを含む。ウェハ積層体の1つまたは複数の切断刃の通り道内でウェハ積層体に複数の開口を形成することができ、導電性材料を複数の開口の側壁に堆積させることができる。ウェハ積層体は、側壁の導電性材料が、結果として得られる積層ダイの縁部部分に露出されるように、1つまたは複数の切断刃の通り道に沿い、複数の開口を通ってダイシングすることができる。0004図面は例示的実施形態のみを示し、したがって発明の範囲を限定するものと考えるべきでないことを理解した上で、例示的実施形態は添付図面を使用して追加の特定性および詳細とともに説明される。0008一般的な方法に従って、様々な記載のフィーチャは、正しい縮尺で描かれるのではなく、例示的実施形態に関する特定の特徴を強調するように描かれる。0009以下の詳細な説明では、本発明の一部を形成し、実例として特定の例示的実施形態を示す添付図面を参照する。しかし、他の実施形態を利用することができ、論理的、機械的、および電気的な変更を行うことができることが理解されるべきである。さらに、描かれた図および明細において提示される方法は、個々のステップが行われ得る順序を限定するものと解釈されるべきではない。したがって、以下の詳細な説明は限定的な意味で解釈されるべきではない。0010以下で説明される実施形態は、3次元3Dチップの1つまたは複数の縁部に1つまたは複数の垂直相互接続をバッチ製作する方法に関する。特に、垂直相互接続はウェハレベルで製作することができる。一例では、垂直相互接続は、ウェハの積層体の1つまたは複数の切断刃の通り道に複数の開口を形成することによって形成される。次に、導電性材料が複数の開口の側壁に堆積される。次に、ウェハの積層体は複数の開口を分割するようにダイシングされ、その結果、各開口の垂直方位の導電性材料の一部が、隣接の得られる積層ダイの縁部上にある。0011図1は、複数の縁部に垂直相互接続を有する例示の3Dチップ100の斜視図である。チップ100は、互いの上に積層された複数の層で構成される。層はウェハから形成されたダイを含む。層の1つまたは組合せはその中に製作された1つまたは複数の微小電気機械システムMEMSデバイスを含むことができる。一例では、複数の層はその中に複数のMEMSジャイロスコープおよびMEMS加速度計を含むことができ、チップ100はMEMS慣性測定ユニットIMUを含む。特定の例では、複数の層は、3つの直交軸の回転を感知するように方位を定められた少なくとも3つのMEMSジャイロスコープと、3つの直交軸の加速度を感知するように方位を定められた少なくとも3つのMEMS加速度計とを含むことができる。層の基材はガラスまたはシリコンなどの任意の好適なMEMS製作材料で構成することができ、さらに、ある層は第1の材料例えば、ガラスで構成することができ、他の層は第2の材料例えば、シリコンで構成することができる。簡単にするために、チップ100は、2つの層、すなわち、第1の層102および第2の層104を含むように示されている。しかし、チップ100は2つよりも多い層を含むことができることが理解されるべきである。複数の層102、104は積層チップ100を形成するように互いに積層される。隣接する層102、104は接合などの任意の好適なダイアタッチを使用して互いに取り付けることができる。0012チップ100は、上面106、下面108、および複数の縁部110を含む複数の面を含むことができる。上面106および下面108は、チップ100を形成するのに使用されるウェハの従来の加工面または加工表面に平行に方位を定められる面である。複数の縁部110は、上面106および下面108に垂直に方位を定められ、したがって、チップ100を形成するのに使用されるウェハの従来の加工面または加工表面に垂直に方位を定められる面である。しかし、チップ100はどのようにも方位を定めることができ、上面106が上であり、下面108が下であるように限定されないことが理解されるべきである。0013チップ100は、縁部110のうちの1つまたは複数の上に複数の相互接続112を含むことができる。相互接続112は、垂直にチップ100を形成するのに使用されるウェハの従来の加工面または加工表面に対して方位を定めることができ、チップ100の上面106および下面108の1つまたは複数のトレース114に結合することができる。したがって、相互接続112は、チップ100の上面106のトレース114をチップ100の下面108のトレース114に電気的に結合することができる。一例では、複数の相互接続112はチップの縁部110に露出される。他の例では、複数の相互接続112は誘電体または他の材料で覆うことができる。いくつかの例では、相互接続112と層102、104の基材との間を電気絶縁するために誘電体を相互接続112と層102、104の基材との間に配置することができる。トレース114は、チップ100内に製作された構成要素に、および/または回路基板などの取付け基板または特定用途向け集積回路ASICにチップ100を接続するためのパッド例えば、入力/出力パッドに結合することができる。したがって、パッドは、回路基板へのASICの接合および/または回路基板への表面実装を行えるように構成することができる。したがって、一例として、チップ100の第1の層102内の構成要素は、相互接続112を使用してチップ100の下部例えば、反対表面108のパッドに結合することができる。別の例では、第1の層102内の構成要素は、相互接続112を介して第2の層104内の構成要素に結合することができる。トレース114および対応する相互接続112は、基板貫通ビアTSV116を介してチップ100内の1つまたは複数の構成要素に結合することができる。一例では、相互接続112はチップ100の上部表面106から下部表面108まで延びる。一例では、1つまたは複数の相互接続112は回路基板および/またはASICに接続するように構成することができる。したがって、チップ100は回路基板および/またはASICに縁部110で接続することができる。これにより、チップ100を様々な方位で取り付けるのを可能にすることができる。0014相互接続112はチップ100の縁部110の溝118内に配置された導電性材料例えば、金属を含むことができる。溝118はチップ100の各層102、104の基材に形成することができる。いくつかの例では、各溝118において導電性材料と基材との間に誘電体材料を配置することができる。誘電体材料を使用して、基材およびその中の任意の導電性部分を相互接続112の導電性材料から絶縁することができる。したがって、チップ100は、複数の相互接続112を形成する導電性材料を有する複数の溝118を含むことができる。0015図2は、3Dチップ300に垂直相互接続図3Dを形成する例示の方法200の流れ図である。図3A~3Eは方法200の例示の段階の斜視図である。0016方法200は、3Dチップに含まれるべき構成要素例えば、MEMSデバイスをもつ複数のウェハ302をパターニングすることによって始まる図2のブロック202。パターニングは、各ウェハ302の従来の加工面または加工表面に複数のデバイス区域304例えば、ダイシングされていないダイを形成することができる。パターニングは任意の好適な製作技法を使用して遂行することができる。一例では、各デバイス区域304の構成要素は少なくとも1つのジャイロスコープまたは少なくとも1つの加速度計を含むことができる。単一のウェハ302が図3Aに示されているが、複数のウェハ302がパターニングされる。ウェハ302は互いに同じであるか、または異なることができる。一例では、第1のウェハ302は第2のウェハ302と異なる。しかし、ウェハ302は互いの上に積層されるように構成することができる。したがって、一例では、ウェハ302のデバイス区域304はほぼ同じサイズとすることができ、別のウェハ302の対応する構造体に接触または係合するように構成された電気的または機械的な構造体を有することができる。0017図3Bに示されるように、パターニングされたウェハ302を互いの上に積層してウェハ積層体306を形成することができる図2のブロック204。図示のように、第1のウェハ302は第2のウェハ302と位置合わせすることができ、その結果、各ウェハ302のデバイス区域304が位置合わせされる。特に、各ウェハ302のデバイス区域304は、ウェハ積層体306が各ウェハ302の隣接するデバイス区域304間でダイシングされて複数の積層ダイ例えば、チップ100を形成するように位置合わせすることができる。一例では、第1のウェハ302は、陽極接合、はんだ接合、または共晶接合などの好適な接合技法を使用して第2のウェハ302に接合することができる。図3Bに示されたウェハ積層体306は2つのウェハ302を含んでいるが、他の例では、2つよりも多いウェハ302を使用することができる。0018一例では、1つまたは複数のトレース図3Dに316で示されるがウェハ積層体306の上部表面312および/または下部表面314にパターン化され得る。これらのトレース316は導電性材料を含むことができ、デバイス区域304および/またはパッドを未形成の相互接続に電気的に結合することができる。1つまたは複数のトレース316は任意の好適な方法でパターン化することができ、金属またはポリシリコンなどの任意の好適な材料で構成することができる。さらに、1つまたは複数のパッド例えば、下部表面314のは1つまたは複数のトレース316と同じ1つまたは複数のステップでパターン化することができる。一例では、1つまたは複数のトレース316は以下で説明される開口を形成する前にパターン化される。しかし、他の例では、1つまたは複数のトレース316は、開口を形成した後で、または任意の適当な時にパターン化することができる。0019ウェハ積層体306は、隣接するデバイス区域304間に複数の切断刃の通り道308を含むことができる。切断刃の通り道308は、ウェハ積層体306を複数の積層ダイにダイシングするための空間を与えることができる。複数の開口310は、開口310が切断刃の通り道308内に部分的に存在するように形成することができる図2のブロック206。これらの開口はウェハ積層体306をダイシングする前に形成することができる。開口310は、ウェハ積層体306を通って垂直にウェハ302の従来の加工面または加工表面に対して延びることができる。開口310は、ウェハ積層体306の上部表面312からウェハ積層体306の下部表面314まで延びることができる。したがって、開口310はウェハ積層体306を通って完全に延びることができる。一例では、開口310は、一般に、形状が円柱状であるが、開口310は任意の好適な形状とすることができる。0020開口310は1つまたは複数の側壁を含むことができる。1つまたは複数の側壁はウェハ302の基材で構成することができる。したがって、一例では、1つまたは複数の側壁はガラスで構成することができる。開口310は、超音波ドリル、サンドブラスト、レーザドリル、機械ドリル、またはエッチングのうちの1つを使用して形成することができるが、開口310を形成する任意の好適な方法を使用することができる。0021図3Dはウェハ積層体306の拡大図である。図示のように、切断刃の通り道308はウェハ積層体306の隣接するデバイス区域304の間に画定することができる。開口310は、開口310の一部が切断刃の通り道308内にあるように形成することができる。一例では、開口310は、結果として得られる積層ダイに開口310の一部を依然として残しながらダイシング操作を行うのに十分である幅312を有することができる。すなわち、幅312は、ダイシング操作が、結果として得られる積層ダイから開口310を除去しないように切断刃の通り道308よりも大きくすることができる。幅312は、それぞれの切断刃の通り道308の方向に垂直例えば、ソーイング方向sawingdirectionに垂直で、ウェハ積層体306の表面内にある1つまたは複数の方向に対応する。異なる切断刃の通り道308はウェハ積層体306上で異なる方向に方位を定めることができるので、幅312は対応する異なる方向を有することができる。一例では、開口310は、一般に、切断刃の通り道308の両側の2つの隣接するデバイス区域304の間に中心がある。これにより、ダイシング操作は開口310を2つの部分に分割できるようになり、結果として得られるスタックダイの各々に1つの部分がある。0022開口310が形成された後、導電性材料を開口310の側壁に堆積させることができる図2のブロック208。この導電性材料は、ウェハ積層体306をダイシングする前に堆積される。導電性材料は金属、ポリシリコン、または他の導電性材料を含むことができる。導電性材料は、スパッタリング、化学気相堆積、めっき、またはそれらの組合せを含む任意の好適な技法を使用して堆積させることができる。導電性材料は、導電性材料がウェハ積層体306の上部表面312から下部表面314までの電気経路を形成するように堆積させることができる。一例では、導電性材料は開口310を実質的に充填することができる。0023一例では、導電性材料を開口310の側壁に堆積させる前に、側壁に誘電体材料を堆積させることができる。誘電体材料はウェハ積層体306の基材を開口310内の導電性材料から絶縁し、それによって、意図しない電気的結合の可能性を低減することができる。二酸化ケイ素SiO2、ポリイミド、またはパリレンなどの任意の好適な誘電体材料を使用することができる。0024上述のように、1つまたは複数のトレース316は上部表面312および/または下部表面314に形成することができる。一例では、1つまたは複数のトレース316と開口310の導電性材料とは、それらが接続されるように堆積させることができる。すなわち、開口310の導電性材料は1つまたは複数のトレース316に接続することができる。トレース316は、開口310の導電性材料を、デバイス区域304の構成要素および/または結果として得られる積層ダイのパッド例えば、入力/出力パッドに結合することができる。特定の例では、上部表面312のトレース316は、デバイス区域304の構成要素に電気的に結合される基板貫通ビアTSVに開口310の導電性材料を結合することができる。さらに、下部表面314のトレース316は、開口310の導電性材料を、結果として得られる積層ダイを取付け基板例えば、回路基板に接続するためのパッドに結合することができる。したがって、第1のウェハ302の構成要素は、上部表面312の第1のトレース316を通って開口310の導電性材料を介して下部表面314のパッドに結合することができる。0025導電性材料が開口310に堆積された後、ウェハ積層体306はダイシングされて、複数の積層ダイが形成される図2のブロック210。ウェハ積層体306は、所与の開口310の導電性材料の一部が、結果として得られる積層ダイの縁部に残るように切断刃の通り道308に沿って開口310を通ってダイシングすることができる。ウェハ積層体306をダイシングするのに使用される切断刃の幅がゼロではないために、ダイシング操作は切断刃の通り道の材料の一部を廃棄物として使い果たす。開口310を通るダイシングにより、開口310の導電性材料のいくらかが廃棄物となる。したがって、所与の開口310の導電性材料の一部が、結果として得られる積層ダイの縁部に残るようにウェハ積層体306をダイシングするために、ダイシング操作の位置に対する開口310の位置およびサイズは、ダイシング操作が開口310の導電性材料をいくらかを廃棄物として使用しながら、結果として得られる積層ダイに他の部分を残すように制御される。図3Eに示されるように、開口310の導電性材料318の残った部分は、結果として得られる積層ダイ300の縁部に露出することができる。一例では、ダイシングは、第1の開口310の導電性材料の第1の部分が第1の積層ダイ上にあり、第1の開口310の導電性材料の第2の部分が第2の積層ダイ上にあるように開口310を分割することを含むことができる。一例では、ダイシングは、第1の部分および第2の部分が全体的に等しいサイズであるように第1の開口310を全体的に均一に分割することができる。ダイシング操作は、ソーブレードでウェハ積層体306をソーイングすることを含む任意の好適な方法で行うことができる。0026したがって、垂直相互接続は、バッチ処理によりウェハレベルで積層ダイの縁部に形成することができる。特定の実施形態が本明細書で図示および説明されたが、同じ目的を達成するように意図されたいかなる構成も提示された特定の実施形態と置き換えることができることが当業者には理解されよう。したがって、本発明は特許請求の範囲およびその均等物によってのみ限定されることが明白に意図される。