基板と、前記基板の上に形成された下部クラッド層と、前記下部クラッド層の上に形成され、共振器端面に接しない部分に無秩序化された無秩序部を有する活性層と、前記活性層の上に形成された上部クラッド層と、前記活性層の上方の層又は下方の層の一部に形成された回折格子と、を備え、前記無秩序部は、前記回折格子が形成された領域である回折格子部と前記回折格子が形成されない領域であるバルク部との境界を横断するように形成されたことを特徴とするレーザ素子。前記活性層のうち前記共振器端面に接する部分は無秩序化されたことを特徴とする請求項1に記載のレーザ素子。前記活性層のうち前記回折格子の直下部分又は直上部分は無秩序化されたことを特徴とする請求項1に記載のレーザ素子。前記無秩序部は、Zn拡散又はSi拡散により無秩序化されたことを特徴とする請求項1に記載のレーザ素子。基板の上に活性層を形成する工程と、前記活性層の上方の層又は下方の層の一部に回折格子を形成する工程と、前記活性層のうち、前記回折格子が形成された領域である回折格子部と前記回折格子が形成されない領域であるバルク部との境界を横断する部分を無秩序化する工程と、を備えたことを特徴とするレーザ素子の製造方法。基板の上に活性層を形成する工程と、前記活性層の一部を無秩序化して無秩序部を形成する工程と、前記無秩序部を形成した後に、前記活性層の上方の層の一部に回折格子を形成する工程と、を備え、前記回折格子を形成する工程では、前記無秩序部が、前記回折格子が形成される領域である回折格子部と前記回折格子が形成されない領域であるバルク部との境界を横断するように、前記回折格子を形成することを特徴とするレーザ素子の製造方法。回折格子を有するレーザ素子では、回折格子が形成された領域と回折格子が形成されない領域の境界において光密度が増大することがある。この光密度の増大によりCOD光学損傷に至ることがある。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、回折格子が形成された領域と回折格子が形成されない領域の境界において光密度を低減できるレーザ素子とその製造方法を提供することを目的とする。本発明に係るレーザ素子は、基板と、該基板の上に形成された下部クラッド層と、該下部クラッド層の上に形成され、共振器端面に接しない部分に無秩序化された無秩序部を有する活性層と、該活性層の上に形成された上部クラッド層と、該活性層の上方の層又は下方の層の一部に形成された回折格子と、を備える。そして、該無秩序部は、該回折格子が形成された領域である回折格子部と該回折格子が形成されない領域であるバルク部との境界を横断するように形成されたことを特徴とする。本発明に係るレーザ素子の製造方法は、基板の上に活性層を形成する工程と、該活性層の上方の層又は下方の層の一部に回折格子を形成する工程と、該活性層のうち、該回折格子が形成された領域である回折格子部と該回折格子が形成されない領域であるバルク部との境界を横断する部分を無秩序化する工程と、を備えたことを特徴とする。本発明に係る他のレーザ素子の製造方法は、基板の上に活性層を形成する工程と、該活性層の一部を無秩序化して無秩序部を形成する工程と、該無秩序部を形成した後に、該活性層の上方の層の一部に回折格子を形成する工程と、を備える。そして、該回折格子を形成する工程では、該無秩序部が、該回折格子が形成される領域である回折格子部と該回折格子が形成されない領域であるバルク部との境界を横断するように、該回折格子を形成することを特徴とする。本発明によれば、回折格子が形成された回折格子部と回折格子が形成されないバルク部の境界を横断するように無秩序部が形成されるため、当該境界において光密度を低減できる。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1に係るレーザ素子の断面図である。本発明の実施の形態1に係るレーザ素子10は、基板12を備えている。基板12はn型のGaAsで形成されている。基板12の上には下部クラッド層14が形成されている。下部クラッド層14は、n型のAlGaAsで形成されている。下部クラッド層14の上には活性層16が形成されている。活性層16は、多重量子井戸構造で形成されている。活性層16は、共振器端面に接しない部分に無秩序化された無秩序部16aを有している。無秩序部16aは無秩序化されていない部分16bに挟まれている。活性層16の上には、上部クラッド層18が形成されている。上部クラッド層18は、p型AlGaAsで形成されている。上部クラッド層18の一部には回折格子18aが形成されている。共振器のうち回折格子18aが形成された領域を回折格子部20と称する。また、共振器のうち回折格子18aが形成されていない領域をバルク部22と称する。前述の無秩序部16aは、回折格子部20とバルク部22との境界を横断するように形成されている。上部クラッド層18の上には、コンタクト層24が形成されている。コンタクト層24は、p型AlGaAsで形成されている。回折格子部20とバルク部22の境界では、コンタクト層24、上部クラッド層18、及び活性層16を貫き、下部クラッド層14に至るようにZn拡散領域26が形成されている。Zn拡散領域26はZnが拡散した領域である。Zn拡散領域26における活性層16は、Znにより無秩序化されて無秩序部16aとなっている。コンタクト層24の上には電極30が形成されている。また、基板12の裏面には電極32が形成されている。共振器の前端面には端面コーティング34が施されている。共振器の後端面には端面コーティング36が施されている。続いて、レーザ素子10の製造方法について説明する。まず、基板の上に活性層16を形成する。図2は、基板上に活性層を形成したことを示す断面図である。活性層16は下部クラッド層14と上部クラッド層18に挟まれるように形成する。次いで、活性層の上方の層である上部クラッド層18の一部に回折格子を形成する。図3は、回折格子を形成したことを示す断面図である。回折格子18aは、共振器内の特定の波長の光に利得を持たせるように光を反射するものである。次いで、上部クラッド層18の上方にコンタクト層24を形成する。図4は、コンタクト層24を形成したことを示す断面図である。回折格子18aは、コンタクト層24により埋め込まれる。次いで、コンタクト層の上にZnO膜を形成する。図5は、ZnO膜を形成したことを示す断面図である。ZnO膜40は、回折格子18aが形成された回折格子部20と回折格子が形成されていないバルク部22との境界の上方に形成する。次いで、レーザ素子に熱処理を施してZnO膜40内のZnを共振器に拡散させる。図6は、ZnO膜のZnを拡散させることを示す断面図である。Znは図6の矢印方向に拡散し、活性層16に至る。Znが拡散した領域は拡散領域26である。拡散したZnにより活性層16の一部が無秩序化されて、無秩序部16aが形成される。無秩序部16aは、回折格子が形成された回折格子部20と回折格子が形成されないバルク部22との境界を横断する部分に形成される。無秩序部16aは、無秩序化されていない部分16bよりもエネルギーバンドギャップが大きい。つまり、無秩序部16aは窓構造となっている。次いで、ZnO膜40を除去する。図7は、ZnO膜を除去したことを示す断面図である。次いで、電極30、及び32を形成する。図8は、電極を形成したことを示す断面図である。コンタクト層24の上に電極30を形成する。また、基板12の裏面に電極32を形成する。次いで、共振器の両端面にコーティングを施す。共振器の前端面に端面コーティング34を形成する。また、共振器の後端面に端面コーティング36を形成する。こうして図1に示すレーザ素子10が完成する。以下、本発明の実施の形態1に係るレーザ素子10の理解を容易にするため、比較例について説明する。図9は、比較例のレーザ素子を示す図である。図9Aに示すように、比較例のレーザ素子が備える活性層には無秩序部は形成されていない。比較例のレーザ素子では、回折格子18aにおける光の反射により、回折格子部20とバルク部22の境界において光密度が最大となる。図9Bに、回折格子部20とバルク部22の境界において光密度が最大となることを示す。比較例のレーザ素子では、当該境界で光密度が高くなり、CODに至ることがある。特にレーザ素子を高出力で用いる場合には、CODの懸念が高まる。ところが、本発明の実施の形態1に係るレーザ素子10によれば、回折格子部20とバルク部22の境界を横断するように無秩序部16aが形成されているので、この部分での光吸収を抑制できる。つまり、回折格子部20とバルク部22との境界における光密度を低減できる。よって、レーザ素子10のCODレベルを向上させることができる。本発明の実施の形態1に係るレーザ素子は、回折格子18aが形成された回折格子部20と回折格子が形成されていないバルク部22との境界を横断するように無秩序部16aを形成することが特徴である。本発明の実施の形態1に係るレーザ素子は、この特徴を失わない限りにおいて様々な変形をなしうる。本発明の実施の形態1に係るレーザ素子10は、GaAs/AlGaAs系材料で形成したが、例えばInP/InGaAsP系材料やGaAs/AlGaInP系材料などの材料で形成してもよい。上記の説明では本発明を分かりやすく説明するため、活性層構造等の詳細なエピ構造を記述しなかったが、活性層の構造は、量子井戸構造のSQWシングルカンタムウエル、MQWマルチカンタムウエル構造でも良い。また、クラッド層とコンタクト層の間のバンドギャップ緩和のために、これらの間にバンド不連続緩和層を形成しても良い。また、回折格子18aは、上部クラッド層18以外の層に形成されていてもよい。例えば、レーザ素子に光ガイド層を形成し、光ガイド層に回折格子を形成してもよい。図10は、光ガイド層に回折格子を形成したレーザ素子を示す断面図である。このレーザ素子は、活性層16と上部クラッド層18の間に第1光ガイド層17a、及び第2光ガイド層17bを備えている。そして、第2光ガイド層17bに回折格子17cが形成されている。この場合は、上部クラッド層18に回折格子を形成する必要はない。回折格子は、活性層の上方の層に限定されず、活性層の下方の層の一部に形成してもよい。図11は、活性層の下方の光ガイド層に回折格子を形成したレーザ素子を示す断面図である。このレーザ素子は、活性層16と下部クラッド層14の間に第1光ガイド層15a、及び第2光ガイド層15cを備えている。そして、第1光ガイド層15aに回折格子15bが形成されている。この場合は、上部クラッド層18に回折格子を形成する必要はない。実施の形態2.図12は、本発明の実施の形態2に係るレーザ素子の断面図である。前述のレーザ素子10との相違点のみ説明する。レーザ素子の前端面にはZn拡散領域50が形成されている。Zn拡散領域50における活性層16は無秩序化されて端部無秩序部16cとなっている。端部無秩序部16cは、活性層16のうち共振器前端面に接する部分に形成されている。続いて、本発明の実施の形態2に係るレーザ素子の製造方法について、本発明の実施の形態1に係るレーザ素子の製造方法との相違点のみ説明する。図13は、ZnO膜を形成したことを示す断面図である。ZnO膜52は共振器前端面の上に形成されている。この状態でレーザ素子を加熱する。図14は、ZnO膜のZnを拡散させることを示す断面図である。ZnO膜52のZnが基板方向に拡散してZn拡散領域50を形成する。なお、実施の形態1と同様にZn拡散領域26も形成する。本発明の実施の形態2に係るレーザ素子によれば、回折格子部20とバルク部22の境界を横断するように無秩序部16aを形成することに加えて、共振器前端面における活性層16を無秩序化して端部無秩序部16cを形成する。よって、回折格子部20とバルク部22の境界、及び共振器前端面におけるCODを抑制できる。本発明の実施の形態2に係るレーザ素子では、共振器の前端面に端部無秩序部16cを形成した。しかしながら、共振器の後端面においてCODが懸念される場合は共振器の後端面にも端部無秩序部を形成してもよい。図15は、共振器の後端面にも端部無秩序部を形成したレーザ素子を示す断面図である。Zn拡散領域51における活性層16を無秩序化して端部無秩序部16rを形成することができる。端部無秩序部16rの形成工程は、端部無秩序部16cの形成工程と共通化することができる。なお、本発明の実施の形態2に係るレーザ素子は少なくとも実施の形態1と同程度の変形は可能である。実施の形態3.図16は、本発明の実施の形態3に係るレーザ素子を示す断面図である。前述のレーザ素子10との相違点のみ説明する。回折格子部20とバルク部22の境界、及び回折格子部20には、Zn拡散領域60が形成されている。Zn拡散領域60における活性層16は無秩序化されて無秩序部16aと回折格子下無秩序部16dとなっている。回折格子下無秩序部16dは、回折格子18aの直下部分における活性層16が無秩序化されたものである。続いて、本発明の実施の形態3に係るレーザ素子の製造方法について、本発明の実施の形態1に係るレーザ素子の製造方法との相違点のみ説明する。図17は、ZnO膜を形成したことを示す断面図である。ZnO膜62は回折格子18aの直上及び、回折格子部20とバルク部22の境界上に形成されている。この状態でレーザ素子を加熱する。図18は、ZnO膜のZnを拡散させることを示す断面図である。図18に示すように、ZnO膜62のZnを基板方向に拡散させてZn拡散領域60を形成する。本発明の実施の形態3に係るレーザ素子によれば、回折格子部20直下の活性層、及び回折格子部20とバルク部22の境界の活性層を無秩序化するので、これらの部分におけるCODを抑制できる。ところで、回折格子は活性層16の下方の層に形成してもよい。この場合、回折格子部の直上の活性層を無秩序化する。なお、本発明の実施の形態3に係るレーザ素子は少なくともここまでの実施の形態と同程度の変形は可能である。実施の形態4.図19は、本発明の実施の形態4に係るレーザ素子を示す断面図である。前述のレーザ素子10との相違点のみ説明する。回折格子部20とバルク部22の境界では、コンタクト層24、上部クラッド層18、及び活性層16を貫き下部クラッド層14に至るように、Si拡散領域70が形成されている。無秩序部16aは、Si拡散領域70のSiによって無秩序化されたものである。続いて、本発明の実施の形態4に係るレーザ素子の製造方法について、本発明の実施の形態1に係るレーザ素子の製造方法との相違点のみ説明する。図20は、マスク膜を形成したことを示す断面図である。マスク膜72、及び74は、回折格子部20とバルク部22の境界を挟むようにコンタクト層24上に形成されている。マスク膜72、及び74は、当該境界上には形成しない。次いで、マスク膜72、及び74をマスクとしてSiイオン注入を実施する。図21は、Siイオンの注入を示す断面図である。Siイオンが矢印の方向に注入されて、Si拡散領域70が形成される。当該領域内の活性層16は無秩序部16aとなる。このように、Siイオン注入によって回折格子部20とバルク部22の境界を横断するように無秩序部16aを形成することができる。本発明の実施の形態4に係るレーザ素子は、様々な変形が可能である。例えば、共振器端部に無秩序部を形成してもよい。図22は、Siイオンの注入により、共振器端部に無秩序部を形成したことを示す断面図である。マスク膜74、及び76をマスクとして共振器端部にSiイオンを注入してSi拡散領域80が形成される。Si拡散領域80内の活性層16は端部無秩序部16cとなる。また、Siイオン注入により回折格子下無秩序部を形成してもよい。図23は、Siイオンの注入により、回折格子下無秩序部を形成したことを示す断面図である。マスク膜82をマスクとして回折格子部20にSiイオンを注入して、Si拡散領域84が形成される。回折格子18a下の活性層16は回折格子下無秩序部16dとなる。なお本発明の実施の形態4に係るレーザ素子は少なくともここまでの実施の形態と同程度の変形は可能である。実施の形態5.本発明の実施の形態5に係るレーザ素子の製造方法は、活性層に無秩序部を形成した後に回折格子を形成することを特徴とする。以後、前述のレーザ素子10の製造方法との相違点を中心に説明する。図24は、基板上に活性層を形成したことを示す断面図である。まず、基板12の上に、活性層16を形成する。活性層16は下部クラッド層14と上部クラッド層18に挟まれるように形成する。次いで、活性層16の一部を無秩序化して無秩序部を形成する。この無秩序化は以下のように実施される。まず上部クラッド層18の一部の上にZnO膜を形成する。図25は、ZnO膜90を形成したことを示す断面図である。次いで、レーザ素子を加熱してZn拡散領域を形成する。図26は、Zn拡散領域92を形成したことを示す断面図である。Zn拡散領域92内の活性層16は無秩序部16aとなる。次いで、ZnO膜90を除去する。図27は、ZnO膜を除去したことを示す断面図である。次いで、活性層の上方の層である上部クラッド層18の一部に回折格子を形成する。図28は、回折格子を形成したことを示す断面図である。回折格子18aは、回折格子18aが形成される回折格子部20と回折格子18aが形成されないバルク部22との境界を無秩序部16aが横断するように形成する。本発明の実施の形態5に係るレーザ素子の製造方法によれば、無秩序部16aの形成後に回折格子18aを形成するので、回折格子が無秩序部形成のための加熱の影響を受けない。よって、回折格子の形状を維持できる。本発明の実施の形態5に係るレーザ素子の製造方法は、無秩序部を形成するだけでなく、前述した端部無秩序部又は回折格子下無秩序部の形成に用いてもよい。また、実施の形態4で説明したSiイオン注入による無秩序部の形成を、回折格子の形成に先立って行ってもよい。なお、本発明の実施の形態5に係るレーザ素子の製造方法は少なくともここまでの実施の形態と同程度の変形は可能である。