真空槽と、前記真空槽内を真空排気する真空排気装置と、前記真空槽内にスパッタガスを導入するガス導入系と、前記真空槽内に露出されスパッタされるスパッタ面をもつターゲットと、前記ターゲットの前記スパッタ面の裏側に配置され前記ターゲットに対して相対的に移動可能に構成された磁石装置と、前記ターゲットに電圧を印加する電源装置とを有し、前記磁石装置は、前記スパッタ面に磁場を発生させる向きで設置された、中心磁石と、前記中心磁石の周囲に連続的な形状で設置された外周磁石をもち、前記中心磁石と前記外周磁石は前記スパッタ面に対して互いに異なる極性の磁極を向けるように配置されたスパッタ成膜装置であって、前記ターゲットの表面のうち前記スパッタ面を含む面が不連続となる前記ターゲット端部には、絶縁性のセラミックスからなる防着部材が前記スパッタ面の周囲を取り囲むように設置され、前記磁石装置は、前記外周磁石の外周全体が前記スパッタ面の周囲を取り囲む前記防着部材の内周よりも内側に入る位置と、前記外周磁石の外周の一部が前記スパッタ面の周囲を取り囲む防着部材の内周よりも外周側にはみ出る位置との間で移動するよう構成されたスパッタ成膜装置。前記ターゲットと、前記ターゲットの前記スパッタ面の裏側に設置された前記磁石装置との対を複数もち、複数の前記ターゲットは、互いに離間して並んで配置されて前記スパッタ面を前記真空槽内に搬入された成膜対象物に向けられ、前記電源装置は複数の前記ターゲットの少なくとも一つに電圧を印加するように構成された請求項1記載のスパッタ成膜装置。前記ターゲットは曲面の前記スパッタ面をもつ円筒形状であり、前記磁石装置は前記ターゲットの長手方向に平行に移動するように構成された請求項1又は請求項2のいずれか1項記載のスパッタ成膜装置。少なくとも一つの前記ターゲットのスパッタ面の裏側に設置された前記磁石装置は、前記外周磁石の外周全体が当該ターゲットの前記スパッタ面の周囲を取り囲む前記防着部材の内周よりも内側に入る位置と、前記外周磁石の外周の一部が当該ターゲットの前記防着部材の内周よりも外側と、当該ターゲットに隣接する他の前記ターゲットの前記スパッタ面の周囲を取り囲む前記防着部材の内周との間にはみ出る位置との間で移動するように構成された請求項2記載のスパッタ成膜装置。本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、ターゲットのスパッタ面のうち従来より広い面積をスパッタできるスパッタ成膜装置を提供することにある。上記課題を解決するために本発明は、真空槽と、前記真空槽内を真空排気する真空排気装置と、前記真空槽内にスパッタガスを導入するガス導入系と、前記真空槽内に露出されスパッタされるスパッタ面をもつターゲットと、前記ターゲットの前記スパッタ面の裏側に配置され前記ターゲットに対して相対的に移動可能に構成された磁石装置と、前記ターゲットに電圧を印加する電源装置とを有し、前記磁石装置は、前記スパッタ面に磁場を発生させる向きで設置された、中心磁石と、前記中心磁石の周囲に連続的な形状で設置された外周磁石をもち、前記中心磁石と前記外周磁石は前記スパッタ面に対して互いに異なる極性の磁極を向けるように配置されたスパッタ成膜装置であって、前記ターゲットの表面のうち前記スパッタ面を含む面が不連続となる前記ターゲット端部には、絶縁性のセラミックスからなる防着部材が前記スパッタ面の周囲を取り囲むように設置され、前記磁石装置は、前記外周磁石の外周全体が前記スパッタ面の周囲を取り囲む前記防着部材の内周よりも内側に入る位置と、前記外周磁石の外周の一部が前記スパッタ面の周囲を取り囲む防着部材の内周よりも外周側にはみ出る位置との間で移動するよう構成されたスパッタ成膜装置である。本発明はスパッタ成膜装置であって、前記ターゲットと、前記ターゲットの前記スパッタ面の裏側に設置された前記磁石装置との対を複数もち、複数の前記ターゲットは、互いに離間して並んで配置されて前記スパッタ面を前記真空槽内に搬入された成膜対象物に向けられ、前記電源装置は複数の前記ターゲットの少なくとも一つに電圧を印加するように構成されたスパッタ成膜装置である。本発明はスパッタ成膜装置であって、前記ターゲットは曲面の前記スパッタ面をもつ円筒形状であり、前記磁石装置は前記ターゲットの長手方向に平行に移動するように構成されたスパッタ成膜装置である。本発明はスパッタ成膜装置であって、少なくとも一つの前記ターゲットのスパッタ面の裏側に設置された前記磁石装置は、前記外周磁石の外周全体が当該ターゲットの前記スパッタ面の周囲を取り囲む前記防着部材の内周よりも内側に入る位置と、前記外周磁石の外周の一部が当該ターゲットの前記防着部材の内周よりも外側と、当該ターゲットに隣接する他の前記ターゲットの前記スパッタ面の周囲を取り囲む前記防着部材の内周との間にはみ出る位置との間で移動するように構成されたスパッタ成膜装置である。ターゲットのスパッタ面のうち従来より広い面積をスパッタできるので、ターゲットの使用効率が高まり、ターゲットの寿命が延びる。平板ターゲットの場合には、隣り合うターゲットの間隔を広げることができるので、使用するターゲット材の量を減らすことができ、コストダウンになる。<本発明のスパッタ成膜装置の第一例>本発明のスパッタ成膜装置の第一例の構造を説明する。図1はスパッタ成膜装置10の内部構成図を示し、図2は同A-A線切断断面図、図3は同B-B線切断断面図を示している。スパッタ成膜装置10は真空槽11と複数のスパッタ部201~204とを有している。各スパッタ部201~204の構造は同じであり、符号201のスパッタ部で代表して説明する。スパッタ部201は、真空槽11内に露出されスパッタされるスパッタ面231をもつ金属材料のターゲット211と、バッキングプレート221と、ターゲット211の表面のうちスパッタ面231を含む面が不連続となるターゲット211端部に、スパッタ面231の周囲を取り囲むように設置された防着部材251と、ターゲット211のスパッタ面231の裏側に配置され、ターゲット211に対して相対的に移動可能に構成された磁石装置261とを有している。ターゲット211は、表面の大きさがバッキングプレート221表面よりも小さい平板形状に形成され、ターゲット211の外周全体がバッキングプレート221の外周より内側に位置し、バッキングプレート221の周縁部の全周がターゲット211の外周から露出するようにバッキングプレート221表面に重ねて貼り合わされている。防着部材251は絶縁性のセラミックスであり、リング状にされている。ここでいうリング状とは、ターゲット211のスパッタ面231の周囲を取り囲む形状を示すのであって、必ずしも一つの継ぎ目のない円環であることを意味しない。すなわち、ターゲット211のスパッタ面231の周囲を取り囲む形状であればよく、複数の部品からなってもよいし、ある部分に直線的な形状を有していてもよい。ここでは図2に示すように、防着部材251のリングの外周はバッキングプレート221の外周より大きく、リングの内周はターゲット211の外周と同じかそれよりも大きくされている。防着部材251は、防着部材251のリングの中心がターゲット211の中心と重なるような相対位置で、バッキングプレート221のターゲット211が固定された表面上に配置され、バッキングプレート221のターゲット211の外周から露出した周縁部を覆い、防着部材251のリングの内周でターゲット211の外周を取り囲んでいる。防着部材251のリングの内周とターゲット211の外周との隙間に後述するプラズマが浸入しないように、リングの内周はなるべく小さい方が好ましい。ターゲット211の両面のうちバッキングプレート221と密着した方の面を裏面、その逆を表面と呼ぶと、防着部材251のリングの内側にはターゲット211の表面全体が露出して、ターゲット211の表面全体がスパッタされるスパッタ面を成している。符号231はスパッタ面を示している。本発明の防着部材251は、防着部材251のリングの内周がターゲット211の外周と同じかそれより大きい場合に限定されず、図4に示すように、防着部材251のリングの内周がターゲット211の外周よりも小さい場合も含まれる。この場合には、防着部材251を上述のようにターゲット211表面上に配置すると、防着部材251はターゲット211の周縁部を覆うため、ターゲット211表面のうち防着部材251のリングの内側に露出した部分がスパッタされるスパッタ面231になる。磁石装置261は、バッキングプレート221の裏面側に配置され、すなわちターゲット211の裏面側に配置されている。磁石装置261は、スパッタ面231に磁場を発生させる向きで設置された、中心磁石27b1と、中心磁石27b1の周囲に連続的な形状で設置された外周磁石27a1とを有している。中心磁石27b1はバッキングプレート221と平行な磁石固定板27c1上にここでは直線状に配置され、外周磁石27a1は磁石固定板27c1上で中心磁石27b1の周縁部から所定距離をおいて環状に中心磁石27b1を取り囲んでいる。すなわち、外周磁石27a1はリング状にされ、外周磁石27a1のリングの中心軸線はターゲット211の裏面と垂直に交差するように向けられ、中心磁石27b1は外周磁石27a1のリングの内側に配置されている。ここでいうリング形状とは、中心磁石27b1の周囲を取り囲む形状を示すのであって、必ずしも一つの継ぎ目のない円環であることを意味しない。すなわち、中心磁石27b1の周囲を取り囲む形状であればよく、複数の部品からなってもよいし、ある部分に直線的な形状を有していてもよい。また、閉じた円環又は円環を閉じたまま変形させた形状でもよい。外周磁石27a1と中心磁石27b1は、それぞれターゲット211の裏面に、互いに異なる極性の磁極を対向させて配置されている。すなわち、中心磁石27b1と外周磁石27a1はスパッタ面231に対して互いに異なる極性の磁極を向けるように配置されている。スパッタ成膜装置10の全体の構造を説明すると、各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224は、真空槽11の内側の壁面上に、それぞれバッキングプレート221~224の裏面を壁面と対向させて、互いに離間して一列に並んで配置されている。各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224は柱状の絶縁物14を介して真空槽11の壁面に取り付けられ、各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224と真空槽11とは電気的に絶縁されている。各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224の外周の外側には柱状の支持部24が立設され、各スパッタ部201~204の防着部材251~254は支持部24の先端に固定されている。支持部24が導電性の場合には、支持部24は各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224の外周から離間されている。導電性の支持部24は真空槽11に電気的に接続されているが、防着部材251~254は絶縁性のため、たとえ防着部材251~254がバッキングプレート221~224に接触しているとしても、バッキングプレート221~224と真空槽11とは電気的に絶縁されている。各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224には電源装置35が電気的に接続されている。電源装置35は複数のターゲット211~214の少なくとも一つに電圧を印加するように構成されている。本実施例では、電源装置35は各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224にここでは交流電圧を、隣り合う二つのターゲット間では半周期ずらして印加するように構成されているいわゆるACスパッタ方式。隣り合う二つのターゲットに互いに逆極性の交流電圧が印加されると、隣り合う二つのターゲットのうち一方が正電位に置かれるときには他方が負電位に置かれた状態になり、隣り合うターゲット間で放電が生じるようになっている。交流電圧の周波数は、20kHz~70kHz20kHz以上70kHz以下の場合には隣り合うターゲット間での放電を安定させて維持できるので好ましく、さらに好ましくは55kHzである。本発明の電源装置35は各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224に交流電圧を印加する構成に限定されず、パルス状の負電圧を複数回印加するように構成してもよい。この場合には、隣り合う二つのターゲットのうち一方のターゲットに負電圧を印加し終えた後でかつ次に負電圧を印加し始める前に、他方のターゲットに負電圧を印加するように構成する。あるいは、各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224と後述する成膜対象物保持部32とに交流電源である電源装置35を電気的に接続し、各ターゲット211~214と成膜対象物31とに互いに逆極性の交流電圧を印加するように構成してもよいいわゆるRFスパッタ方式。あるいは、本発明は後述するように導電性材料であるターゲット211~214をスパッタして成膜対象物31表面に導電性材料の薄膜を形成するので、各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224と成膜対象物保持部32とに直流電源である電源装置35を電気的に接続し、各ターゲット211~214に負電圧を印加し、成膜対象物31に正電圧を印加するように構成してもよいいわゆるDCスパッタ方式。RFスパッタ方式やDCスパッタ方式では、電源装置35から各バッキングプレート221~224と成膜対象物保持部32とにそれぞれ所定の電圧を印加すると、各ターゲット211~214と成膜対象物31との間で放電が生じるようになっている。RFスパッタ方式やDCスパッタ方式では、ACスパッタ方式と比べて、使用するターゲットの数が単数の場合でも実施できるという利点がある。各スパッタ部201~204の磁石装置261~264の磁石固定板27c1~27c4の裏面側にはXYステージである移動装置29が配置され、各磁石装置261~264は移動装置29に取り付けられている。移動装置29には制御装置36が接続され、制御装置36から制御信号を受けると、移動装置29は各スパッタ部201~204の磁石装置261~264を当該スパッタ部201~204のターゲット211~214の裏面に平行な方向に移動させるように構成されている。各スパッタ部201~204の構成は同じであり、符号201のスパッタ部で代表して説明すると、制御装置36は、磁石装置261を、外周磁石27a1の外周全体がターゲット211のスパッタ面231の外周より内側に入る位置と、外周磁石27a1の外周の一部がスパッタ面231の外周の外側にはみ出る位置との間を移動させるように構成されている。すなわち、磁石装置261は、外周磁石27a1の外周全体がスパッタ面231の周囲を取り囲む防着部材251の内周よりも内側に入る位置と、外周磁石27a1の外周の一部がスパッタ面231の周囲を取り囲む防着部材251の内周よりも外周側にはみ出る位置との間で移動するよう構成されている。後述するようにスパッタ中に外周磁石27a1の外周の一部がスパッタ面231の外周の外側にはみ出ると、磁石装置261が形成する磁場に捕捉されたプラズマが防着部材251と接触するが、本発明のスパッタ成膜装置10では防着部材251は絶縁性のセラミックスでありプラズマは維持されるので、スパッタは継続され、スパッタ面231のうち従来より広い面積がスパッタされるようになっている。そのため、ターゲット211の使用効率が上がり、ターゲット211の寿命が延びることになる。スパッタ中に外周磁石27a1の外周の一部がスパッタ面231の外周から、後述するはみ出し最小値より長い距離をはみ出ると、スパッタ面231の外周の内側の点から外周位置までが連続的にスパッタされるようになっている。ここでは制御装置36は、磁石装置261に上記のような移動を繰り返させる間に、外周磁石27a1の表面をターゲット211のスパッタ面231全体の各点の真裏の点と少なくとも一度ずつ対面させ、かつ外周磁石27a1の外周をスパッタ面231の外周全周の各部分と少なくとも一度ずつ交差させるように構成されている。そのため、スパッタ面231の外周の内側全体がスパッタされ、外周磁石27a1の外周の一部がスパッタ面231の外周の一部からしかはみ出ない場合よりもターゲット211の使用効率が向上するようになっている。なお、各スパッタ部201~204のうちの一のスパッタ部例えば符号201と、それに隣接する他のスパッタ部202との関係で言うと、制御装置36は、一のスパッタ部201の磁石装置261を、当該磁石装置261の外周磁石27a1の外周全体が当該スパッタ部201のターゲット211のスパッタ面231の外周よりも内側に入る位置と、当該外周磁石27a1の外周の一部が当該スパッタ面231の外周と、当該ターゲット211に隣接する他のスパッタ部202のターゲット212のスパッタ面232の外周との間にはみ出る位置との間でも移動させるように構成されている。すなわち、一のスパッタ部201のターゲット211のスパッタ面231の外周と、当該スパッタ部201に隣接する他のスパッタ部202のターゲット212のスパッタ面232の外周との間を外側領域と呼ぶと、制御装置36は、当該スパッタ部201の磁石装置261を、当該磁石装置261の外周磁石27a1の外周全体が当該スパッタ部201のターゲット211のスパッタ面231の外周よりも内側に入る位置と、外側領域にはみ出る位置との間でも移動させるように構成されている。言い換えると、少なくとも一つのターゲット211のスパッタ面231の裏側に設置された磁石装置261は、外周磁石27a1の外周全体が当該ターゲット211のスパッタ面231の周囲を取り囲む防着部材251の内周よりも内側に入る位置と、外周磁石27a1の外周の一部がターゲット211の防着部材251の内周よりも外側と、当該ターゲット211に隣接する他のターゲット212のスパッタ面232の周囲を取り囲む防着部材252の内周との間にはみ出る位置との間で移動するように構成されている。そのため本発明では、各スパッタ部201~204のターゲット211~214のスパッタ面231~234の大きさを従来と同じにし、かつ一のスパッタ部ここでは符号201のターゲット211のスパッタ面231のうちスパッタされるエロージョン領域の外周と、隣接する他のスパッタ部202のターゲット212のスパッタ面232のエロージョン領域の外周との間の幅を従来と同じにする場合には、隣り合うターゲット211~214の外周間の隙間を従来より広くできるので、使用するターゲット材の量を従来より減らすことができ、コストダウンになる。真空槽11の壁面には排気口が設けられ、排気口には真空排気装置12が接続されている。真空排気装置12は排気口から真空槽11内を真空排気するように構成されている。また真空槽11の壁面には導入口が設けられ、導入口にはガス導入系13が接続されている。ガス導入系13はスパッタガスを放出するスパッタガス源を有し、スパッタガスを導入口から真空槽11内に導入可能に構成されている。このスパッタ成膜装置10を使用して成膜対象物31の表面にAlの薄膜を形成するスパッタ成膜方法を説明する。先ず、各スパッタ部201~204の磁石装置261~264の外周磁石27a1~27a4の外周の一部を当該スパッタ部201~204のターゲット211~214のスパッタ面231~234の外周からはみ出させる量の最小値であるはみ出し最小値と、最大値であるはみ出し最大値とを求める測定工程を説明する。図2、図3を参照し、各スパッタ部201~204のターゲット211~214が取り付けられたバッキングプレート221~224を真空槽11内に搬入し、絶縁物14上に配置する。ここでは各スパッタ部201~204のターゲット211~214にはAlを使用する。各スパッタ部201~204の防着部材251~254を支持部24に固定して、各スパッタ部201~204の防着部材251~254のリングの内側に当該スパッタ部201~204のターゲット211~214のスパッタ面231~234を露出させておく。ここでは各スパッタ部201~204の防着部材251~254にはAl2O3を使用する。成膜対象物31が載置された成膜対象物保持部32を真空槽11内に搬入せずに、真空排気装置12により真空槽11内を真空排気する。以後、真空排気を継続して真空槽11内の真空雰囲気を維持する。ガス導入系13から真空槽11内にスパッタガスを導入する。ここではスパッタガスにArガスを使用する。真空槽11を接地電位にしておく。電源装置35から各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224に20kHz~70kHzの交流電圧を印加すると、隣り合うターゲット211~214の間で放電が生じ、各スパッタ部201~204のターゲット211~214上のArガスが電離され、プラズマ化する。プラズマ中のArイオンは各スパッタ部201~204の磁石装置261~264が形成する磁場に捕捉される。電源装置35から各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224に負電圧が印加されているとき、Arイオンは負電圧を印加されたバッキングプレート221~224上のターゲット211~214のスパッタ面231~234に衝突し、Alの粒子を弾き飛ばす。各スパッタ部201~204のターゲット211~214のスパッタ面231~234から弾き飛ばされたAlの粒子の一部は、各スパッタ部201~204のターゲット211~214のスパッタ面231~234に再付着する。スパッタ中の各スパッタ部201~204の状態は同じであり、符号201のスパッタ部で代表して説明する。図5aは測定工程でのスパッタ中のスパッタ部201の断面を示す模式図である。外周磁石27a1の外周全体がスパッタ面231の外周の内側に位置する移動範囲内で磁石装置261を移動させながらスパッタ面231をスパッタする。スパッタを継続すると、スパッタ面231の中央部はスパッタされて凹形状に削られる。スパッタ面231のうちスパッタされて削られた領域をエロージョン領域と呼ぶ。スパッタ面231のうちエロージョン領域の外側のスパッタされない非エロージョン領域には再付着したAlの粒子が堆積する。符号49は堆積したAlの薄膜を示している。エロージョン領域の外周が視認できるようになるまでエロージョン領域を削る。次いで、真空槽11内の真空排気中のガス組成や圧力をモニタしながら、磁石装置261の移動範囲を徐々に広げて、外周磁石27a1の外周の一部がスパッタ面231の外周の外側にはみ出る量を徐々に大きくする。外周磁石27a1の外周の一部がスパッタ面231の外周の外側にはみ出る量が大きくなるに従って、防着部材251上の磁場の水平成分が大きくなり、防着部材251がスパッタされて削られると、真空槽11内の真空排気中のガス組成が変化する。真空槽11内の真空排気中のガス組成の変化から防着部材251のスパッタが確認されたときに、外周磁石27a1の外周のスパッタ面231の外周からのはみ出し量を測定する。後述する生産工程で、仮に防着部材251がスパッタして削られると、防着部材251の粒子が成膜対象物31の表面に付着して、成膜対象物31の表面に形成する薄膜が不純物で汚染されることになるので、ここで測定したはみ出し量をはみ出し最大値とする。防着部材251の硬度がスパッタされないほど大きい場合には、外周磁石27a1の外周の一部が隣接するターゲット212のスパッタ面232の内側にはみ出して、隣接するターゲット212のスパッタ面232が削られると、真空槽11内の圧力が変化する。真空槽11内の圧力の変化から隣接するターゲット212のスパッタ面232のスパッタが確認されたときに、外周磁石27a1の外周の当該スパッタ面231の外周からのはみ出し量を測定する。後述する生産工程で、仮に一のスパッタ部202のターゲット212のスパッタ面232が、隣接するスパッタ部201の磁石装置261の磁場に捕捉されたプラズマによって削られると、成膜対象物31の表面に形成される薄膜の平面性が低下するので、ここで測定したはみ出し量をはみ出し最大値とする。次いで図3を参照し、各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224への電圧印加を停止し、ガス導入系13からのArガスの導入を停止してスパッタを終了する。各スパッタ部201~204の防着部材251~254を支持部24から取り外し、各スパッタ部201~204のターゲット211~214をバッキングプレート221~224と一緒に真空槽11の外側に搬出する。図5aを参照し、エロージョン領域の外周を視認して、スパッタ面231のうちスパッタされて削られたエロージョン領域の外周とスパッタ面231の外周との間の間隔L1を求める。外周磁石27a1の外周からこの間隔L1より内側はスパッタされて削られるので、ここで求めた間隔L1をはみ出し最小値とする。次いで生産工程として、図3を参照し、各スパッタ部201~204の未使用のターゲット211~214が取り付けられたバッキングプレート221~224を真空槽11内に搬入し、絶縁物14上に配置する。各スパッタ部201~204の防着部材251~254を支持部24に固定して、各防着部材251~254のリングの内側に当該スパッタ部201~204のターゲット211~214のスパッタ面231~234を露出させる。真空排気装置12により真空槽11内を真空排気する。以後、真空排気を継続して真空槽11内の真空雰囲気を維持する。真空槽11内に成膜対象物31を成膜対象物保持部32に載置して搬入し、各スパッタ部201~204のターゲット211~214のスパッタ面231~234と対面する位置に静止させる。準備工程と同様に、ガス導入系13から真空槽11内にスパッタガスを導入し、電源装置35から各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224に20kHz~70kHzの交流電圧を印加して、各スパッタ部201~204のターゲット211~214と成膜対象物31との間のスパッタガスであるArガスをプラズマ化し、各スパッタ部201~204のターゲット211~214のスパッタ面231~234をスパッタする。各スパッタ部201~204のターゲット211~214のスパッタ面231~234から弾き飛ばされたAlの粒子の一部は、成膜対象物31の表面に付着し、成膜対象物31の表面にAlの薄膜が形成される。スパッタ中の各スパッタ部201~204の状態は同じであり、符号201のスパッタ部で代表して説明する。スパッタ中に、スパッタ部201の磁石装置261に、外周磁石27a1の外周全体が当該スパッタ部201のターゲット211のスパッタ面231の外周の内側になる位置と、外周磁石27a1の外周の一部がスパッタ面231の外周からはみ出る位置との間の移動を繰り返させる。防着部材251は絶縁性の材質で形成されているため、磁石装置261を上述のように移動させる間に、磁石装置261の磁場に捕捉されたプラズマが防着部材251に接触しても、プラズマは消失せず、スパッタを継続できる。従って、ターゲット211のスパッタ面231のうち従来より広い面積をスパッタできる。図5bは生産工程でのスパッタ中のスパッタ部201の断面を示す模式図である。外周磁石27a1の外周の一部をスパッタ面231の外周全周の各部分から測定工程で求めたはみ出し最小値L1より長い距離をはみ出させると、スパッタ面231の外周より内側全体をスパッタして削ることができる。さらに外周磁石27a1の外周がスパッタ面231の外周からはみ出す距離を、測定工程で求めたはみ出し最大値より短い距離に制限すると、防着部材251がスパッタされて削られることを防止できる。図2、図3を参照し、各スパッタ部201~204の磁石装置261~264を上述のように移動させながら所定の時間スパッタを継続して成膜対象物31の表面に所定の厚みのAlの薄膜を形成したのち、各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224への電圧印加を停止し、ガス導入系13からのArガスの導入を停止してスパッタを終了する。成膜対象物31を成膜対象物保持部32と一緒に真空槽11の外側に搬出して後工程に流す。次いで、未成膜の成膜対象物31を成膜対象物保持部32に載置して真空槽11内に搬入し、上述の生産工程によるスパッタ成膜を繰り返す。あるいは、成膜対象物保持部32から成膜された成膜対象物31を取り外し、真空槽11の外側に搬出して後工程に流す。次いで、未成膜の成膜対象物31を真空槽11内に搬入し、成膜対象物保持部32に載置して、上述の生産工程によるスパッタ成膜を繰り返す。<本発明のスパッタ成膜装置の第二例>本発明のスパッタ成膜装置の第二例の構造を説明する。図6はスパッタ成膜装置210の内部構成図を示し、図7は同C-C線切断断面図、図8は同D-D線切断断面図を示している。スパッタ成膜装置210は真空槽211と複数のスパッタ部2201~2204とを有している。各スパッタ部2201~2204の構造は同じであり、符号2201のスパッタ部で代表して説明する。スパッタ部2201は、真空槽211内に露出されスパッタされるスパッタ面2231をもつ金属材料のターゲット2211と、バッキングプレート2221と、ターゲット2211のスパッタ面2231の裏側に配置され、ターゲット2211に対して相対的に移動可能に構成された磁石装置2261とを有している。ターゲット2211とバッキングプレート2221はどちらも筒形状であり、ここではターゲット2211の長手方向の長さはバッキングプレート2221の長手方向の長さよりも短く、ターゲット2211の内周の直径はバッキングプレート2221の外周の直径と同じかそれよりも長くされている。バッキングプレート2221はターゲット2211の内側に挿入され、バッキングプレート2221の外周側面とターゲット2211の内周側面とは互いに密着され、バッキングプレート2221とターゲット2211とは電気的に接続されている。バッキングプレート2221の一端と他端はそれぞれターゲット2211の一端と他端から露出されている。以下ではターゲット2211とターゲット2211の内側に挿入された状態のバッキングプレート2221とをまとめてターゲット部2291と呼ぶ。図7を参照し、真空槽211の天井側の壁面には回転筒2421が気密に挿通されている。回転筒2421の外周の直径はバッキングプレート2221の内周の直径よりも短くされ、回転筒2421の中心軸線は鉛直方向と平行に向けられている。ターゲット部2281は、ターゲット部2281の中心軸線を回転筒2421の中心軸線と一致させて、回転筒2421の下方に配置されている。回転筒2421の下端部はバッキングプレート2221の内側に挿入され、回転筒2421の内側とバッキングプレート2221の内側とは連通されている。バッキングプレート2221の上端部は絶縁物2431を介して回転筒2421の下端部に固定され、バッキングプレート2221は回転筒2421と電気的に絶縁されている。またターゲット部2291は真空槽211の壁面から離間され、真空槽211と電気的に絶縁されている。回転筒2421の上端部には移動装置2291が取り付けられ、移動装置2291には制御装置236が接続されている。移動装置2291は、制御装置236から制御信号を受けると、回転筒2421をターゲット部2291と一緒に回転筒2421の中心軸線の周りに回転可能に構成されている。ターゲット部2281のターゲット2211の外周側面と対面する位置に成膜対象物231を配置したときに、移動装置2291によって回転筒2421を回転させると、ターゲット2211の外周側面のうち新たな面が成膜対象物231と対面を開始し、回転筒2421を一回転させる間にターゲット2211の外周側面の全体が成膜対象物231と対面するようになっている。回転軸2421の内側とバッキングプレート2221の内側には、回転軸2421とバッキングプレート2221の両方に亘って移動軸2411が挿通され、移動軸2411はその軸線方向を鉛直方向と平行に向けられている。磁石装置2261は移動軸2411のうちバッキングプレート2221の内側の部分に取り付けられている。磁石装置2261は、スパッタ面2231に磁場を発生させる向きで設置された、中心磁石227b1と、中心磁石227b1の周囲に連続的な形状で設置された外周磁石227a1と、磁石固定板227c1とを有している。磁石固定板227c1は細長であり、磁石固定板227c1の長手方向は鉛直方向と平行に向けられている。中心磁石227b1は磁石固定板227c1上に磁石固定板227c1の長手方向と平行な直線状に配置され、外周磁石227a1は磁石固定板227c1上に中心磁石227b1の周縁部から離間して中心磁石227b1を環状に取り囲んで配置されている。すなわち、外周磁石227a1はリング状にされ、外周磁石227a1のリングの中心軸線はターゲット2211の内周側面と垂直に交差するように向けられ、中心磁石227b1は外周磁石227a1のリングの内側に配置されている。外周磁石227a1の磁石固定板227c1と対向する部分と、中心磁石227b1の磁石固定板227c1と対向する部分には、互いに異なる極性の磁極がそれぞれ配置されている。すなわち、外周磁石227a1と中心磁石227b1はバッキングプレート2221の内周側面に互いに異なる極性の磁極を対向させている。ターゲット2211の外周側面上において、ターゲット2211の内周側面のうちバッキングプレート2221を介して磁石装置2261の磁極と対向する部分の裏面側には磁場が形成されている。すなわち、中心磁石227b1と外周磁石227a1はスパッタ面2231に対して互いに異なる極性の磁極を向けるように配置されている。移動軸2411の上端部は移動装置2291に接続されている。移動装置2291は、制御装置236から制御信号を受けると、移動軸2411を磁石装置2261と一緒に移動軸2411の軸線方向、すなわちターゲット2211の長手方向と平行に往復移動可能に構成されている。移動装置2291によって磁石装置2261を移動させると、磁石装置2261がターゲット2211の外周側面上に形成する磁場は、ターゲット2211の長手方向と平行な方向に往復移動するようになっている。スパッタ成膜装置210の全体の構造を説明すると、各スパッタ部2201~2204のターゲット部2281~2284は、真空槽211の内側に互いに離間して一列に並んで配置され、各スパッタ部2201~2204のターゲット2211~2214の一端はそれぞれ同じ高さに揃えられ、各ターゲット2211~2214の他端もそれぞれ同じ高さに揃えられている。各ターゲット2211~2214の外周側面と対面する位置に成膜対象物231を配置したときに、各ターゲット2211~2214の外周側面と成膜対象物231の表面との間の間隔は等しくなるように揃えられ、各ターゲット2211~2214の内側に配置された磁石装置2261~2264の磁極はそれぞれ成膜対象物231の表面と対面する向きに向けられている。各スパッタ部2201~2204のバッキングプレート2221~2224には電源装置235が電気的に接続されている。電源装置235は複数のターゲット2211~2214の少なくとも一つに電圧を印加するように構成されている。本実施例では、電源装置235は各スパッタ部2201~2204のバッキングプレート2221~2224にここでは交流電圧を、隣り合う二つのターゲット間では半周期ずらして印加するように構成されている。隣り合う二つのターゲットに互いに逆極性の交流電圧が印加されると、隣り合う二つのターゲットのうち一方が正電位に置かれるときには他方が負電位に置かれた状態になり、隣り合うターゲット間で放電が生じるようになっている。交流電圧の周波数は、20kHz~70kHzの場合には隣り合うターゲット間での放電を安定させて維持できるので好ましく、さらに好ましくは55kHzである。本発明の電源装置235は各スパッタ部2201~2204のバッキングプレート2221~2224に交流電圧を印加する構成に限定されず、パルス状の負電圧を複数回印加するように構成してもよい。この場合には、隣り合う二つのターゲットのうち一方のターゲットに負電圧を印加し終えた後でかつ次に負電圧を印加し始める前に、他方のターゲットに負電圧を印加するように構成する。真空槽211の壁面には排気口が設けられ、排気口には真空排気装置212が接続されている。真空排気装置212は排気口から真空槽211内を真空排気するように構成されている。また真空槽211の壁面には導入口が設けられ、導入口にはガス導入系213が接続されている。ガス導入系213はスパッタガスを放出するスパッタガス源を有し、スパッタガスを導入口から真空槽211内に導入可能に構成されている。真空排気装置212によって真空槽211内を真空排気した後、ガス導入系213から真空槽211内にスパッタガスを導入し、電源装置235から各スパッタ部2201~2204のバッキングプレート2221~2224に交流電圧を印加して隣り合うターゲット間で放電を発生させると、スパッタガスはプラズマ化される。プラズマ中のイオンは磁石装置2261~2264が形成する磁場に捕捉され、各ターゲット2211~2214が負電位に置かれているときに当該ターゲット2211~2214の表面に衝突し、当該ターゲット2211~2214の粒子を弾き飛ばすようになっている。各スパッタ部2201~2204の構造は同じであり、符号2201のスパッタ部で説明すると、スパッタ部2201は、ターゲット2211の表面のうちスパッタ面2231を含む面が不連続となるターゲット2211端部に、スパッタ面2231の周囲を取り囲むように設置された第一、第二の防着部材225a1、225b1を有している。第一、第二の防着部材225a1、225b1はどちらも円筒形状にされた絶縁性のセラミックスであり、バッキングプレート2221のターゲット2211の一端と他端からそれぞれ露出した端部を第一、第二の端部と呼ぶと、第一、第二の防着部材225a1、225b1の長手方向の長さは第一、第二の端部の長手方向の長さよりも長く、第一、第二の防着部材225a1、225b1の内周の直径は第一、第二の端部の外周の直径と同じかそれよりも長くされている。第一、第二の防着部材225a1、225b1は、第一、第二の防着部材225a1、225b1の中心軸線をバッキングプレート2221の中心軸線と一致させ、第一、第二の防着部材225a1、225b1の内周側面でバッキングプレート2221の第一、第二の端部の外周側面を取り囲んで配置されている。ここでは第一、第二の防着部材225a1、225b1はそれぞれターゲット2211の一端と他端の間より外側に配置され、ターゲット2211の外周側面の全体が第一、第二の防着部材225a1、225b1の間に露出して、スパッタされるスパッタ面を成している。符号2231はスパッタ面を示している。第一、第二の防着部材225a1、225b1とターゲット2211の一端又は他端との隙間に後述するプラズマが浸入しないように、第一、第二の防着部材225a1、225b1とターゲット2211の一端又は他端との隙間はできるだけ狭い方が好ましい。制御装置236は、移動装置2291に制御信号を送って、磁石装置2261を、外周磁石227a1の外周全体がターゲット2211のスパッタ面2231の一端と他端との間より内側に入る位置と、外周磁石227a1の外周の一部がスパッタ面2231の両端のうち少なくともいずれか一方から外側にはみ出る位置との間を移動させるように構成されている。すなわち、磁石装置2261は、外周磁石227a1の外周全体がスパッタ面2231の周囲を取り囲む第一、第二の防着部材225a1、225b1の内周よりも内側に入る位置と、外周磁石227a1の外周の一部がスパッタ面2231の周囲を取り囲む第一、第二の防着部材225a1、225b1の内周よりも外周側にはみ出る位置との間で移動するよう構成されている。ここでは第一、第二の防着部材225a1、225b1の内周とは第一、第二の防着部材225a1、225b1のスパッタ面2231側の縁のことを言う。スパッタ中に外周磁石227a1の外周の一部がスパッタ面2231の両端のうち少なくともいずれか一方から外側にはみ出ると、磁石装置2261が形成する磁場に捕捉されたプラズマは第一の防着部材225a1又は第二の防着部材225b1に接触するが、第一、第二の防着部材225a1、225b1は絶縁性のセラミックスであり、第一、第二の防着部材225a1、225b1に接触してもプラズマは消失せず、スパッタ面2231のうち従来より広い面積がスパッタされるようになっている。そのため、従来よりターゲット2211の使用効率が向上し、ターゲット2211の寿命が延びることになる。さらに、スパッタ中に外周磁石227a1の外周の一部がスパッタ面2231の一端と他端のうち両方からそれぞれ後述するはみ出し最小値より長い距離をはみ出ると、スパッタ面2231の一端から他端までが連続的にスパッタされ、このとき同時に移動装置2291によりターゲット2211をその中心軸線の周りに回転させると、スパッタ面2231の全面がスパッタされるようになっている。本発明は、第一、第二の防着部材225a1、225b1がターゲット2211の一端と他端との間より外側に配置された場合に限定されず、第一、第二の防着部材225a1、225b1のうちいずれか一方又は両方がターゲット2211の一端と他端との間より内側にはみ出して配置された場合も含まれる。この場合には、ターゲット2211の外周側面のうち第一、第二の防着部材225a1、225b1の間に露出した部分がスパッタされるスパッタ面2231になる。ここでは第一、第二の防着部材225a1、225b1はそれぞれバッキングプレート2221に固定され、移動装置2291によってバッキングプレート2221を回転させると第一、第二の防着部材225a1、225b1も一緒に回転するように構成されている。本発明には第一、第二の防着部材225a1、225b1のいずれか一方又は両方がバッキングプレート2221に固定されずに、例えば真空槽211に固定され、バッキングプレート2221がその中心軸線の周りに回転しても第一、第二の防着部材225a1、225b1のいずれか一方又は両方が回転しない構成も含まれる。このスパッタ成膜装置210を使用して成膜対象物231の表面にAlの薄膜を形成するスパッタ成膜方法を説明する。先ず、各スパッタ部2201~2204の磁石装置2261~2264の外周磁石227a1~227a4の外周の一部を当該スパッタ部2201~2204のターゲット2211~2214のスパッタ面2231~2234の一端と他端の間より外側にはみ出させる量の最小値であるはみ出し最小値と、最大値であるはみ出し最大値とを求める測定工程を説明する。ここでは各スパッタ部2201~2204のターゲット2211~2214にはAlを使用し、第一、第二の防着部材225a1~225a1、225b1~225b4はAl2O3を使用する。図7、図8を参照し、真空槽211内に成膜対象物231を搬入せずに、真空排気装置212により真空槽211内を真空排気する。以後、真空排気を継続して真空槽211内の真空雰囲気を維持する。ガス導入系213から真空槽211内にスパッタガスを導入する。ここではスパッタガスにArガスを使用する。真空槽211を接地電位にしておく。電源装置235から各スパッタ部2201~2204のバッキングプレート2221~2224に20kHz~70kHzの交流電圧を上述のように印加すると、隣り合うターゲット2211~2214の間で放電が生じ、各スパッタ部2201~2204のターゲット2211~2214上のArガスが電離され、プラズマ化する。プラズマ中のArイオンは各スパッタ部2201~2204の磁石装置2261~2264が形成する磁場に捕捉される。各スパッタ部2201~2204のターゲット2211~2214が負電位に置かれているとき、Arイオンは当該ターゲット2211~2214のスパッタ面2231~2234に衝突し、Alの粒子を弾き飛ばす。各スパッタ部2201~2204のターゲット2211~2214のスパッタ面2231~2234から弾き飛ばされたAlの粒子の一部は、各スパッタ部201~204のターゲット2211~2214のスパッタ面2231~2234に再付着する。スパッタ中の各スパッタ部2201~2204の状態は同じであり、符号2201のスパッタ部で代表して説明する。スパッタ中に、ターゲット2211を回転させずに静止させたまま、外周磁石227a1の外周全体がスパッタ面2231の一端と他端との間より内側に位置する移動範囲内で磁石装置2261を移動させる。スパッタを継続すると、スパッタ面2231の一端と他端との間の中央部はスパッタされて凹形状に削られる。スパッタ面2231のうちスパッタされて削られた領域をエロージョン領域と呼ぶ。スパッタ面2231のうちエロージョン領域の外側のスパッタされない非エロージョン領域には再付着したAlの粒子が堆積する。エロージョン領域の両端が視認できるようになるまでエロージョン領域を削る。次いで、真空槽211内の真空排気中のガス組成をモニタしながら、磁石装置2261の移動範囲を徐々に広げて、外周磁石227a1の外周の一部がスパッタ面2231の両端のうち少なくともいずれか一方から外側にはみ出る量を徐々に大きくする。外周磁石227a1の外周の一部がスパッタ面2231の両端のうち少なくともいずれか一方から外側にはみ出る量が大きくなるに従って、第一、第二の防着部材225a1、225b1のうち少なくともいずれか一方の外周側面上の磁場の水平成分が大きくなり、第一、第二の防着部材225a1、225b1のうち少なくともいずれか一方がスパッタされて削られると、真空槽211内の真空排気中のガス組成が変化する。真空槽211内の真空排気中のガス組成の変化から第一、第二の防着部材225a1、225b1のスパッタが確認されたときに、外周磁石227a1の外周のスパッタ面2231の両端からのはみ出し量を測定する。後述する生産工程で、仮に第一、第二の防着部材225a1、225b1のうち少なくともいずれか一方がスパッタして削られると、第一、第二の防着部材225a1、225b1の粒子が成膜対象物231の表面に付着して、成膜対象物231の表面に形成する薄膜が不純物で汚染されることになるので、ここで測定したはみ出し量をはみ出し最大値とする。次いで、各スパッタ部2201~2204のバッキングプレート2221~2224への電圧印加を停止し、ガス導入系213からのArガスの導入を停止してスパッタを終了する。各スパッタ部2201~2204のターゲット部2281~2284を真空槽211の外側に搬出する。真空槽211の外側に搬出したターゲット部2281~2284のターゲット2211~2214のエロージョン領域の両端のうち少なくともいずれか一方を視認して、スパッタ面2231~2234のうちスパッタされて削られたエロージョン領域の端とスパッタ面2231~2234の端との間の間隔を求める。外周磁石227a1~227a4の外周からここで求めた間隔より内側はスパッタされて削られるので、ここで求めた間隔をはみ出し最小値とする。次いで生産工程として、未使用のターゲット部2281~2284を真空槽211内に搬入し、それぞれの回転軸2421~2424に取り付ける。真空排気装置212により真空槽211内を真空排気する。以後、真空排気を継続して真空槽211内の真空雰囲気を維持する。真空槽211内に成膜対象物231を成膜対象物保持部232に載置して搬入し、各ターゲット2211~2214のスパッタ面2231~2234と対面する位置に静止させる。準備工程と同様に、ガス導入系213から各スパッタ部2201~2204のターゲット2211~2214と成膜対象物132との間の空間にスパッタガスを導入し、電源装置235から各スパッタ部2201~2204のバッキングプレート2221~2224に20kHz~70kHzの交流電圧を印加して、各スパッタ部2201~2204のターゲット2211~2214と成膜対象物231との間のスパッタガスであるArガスをプラズマ化し、各スパッタ部2201~2204のターゲット2211~2214のスパッタ面2231~2234をスパッタする。各スパッタ部2201~2204のターゲット2211~2214のスパッタ面2231~2234から弾き飛ばされたAlの粒子の一部は、成膜対象物231の表面に付着し、成膜対象物の表面にAlの薄膜が形成される。スパッタ中の各スパッタ部2201~2204の状態は同じであり、符号2201のスパッタ部で代表して説明する。スパッタ中に、スパッタ部2201の磁石装置2261に、外周磁石227a1の外周全体が当該スパッタ部2201のターゲット2211のスパッタ面2231の一端と他端との間より内側になる位置と、外周磁石227a1の外周の一部がスパッタ面2231の両端のうち少なくともいずれか一方から外側にはみ出る位置との間の移動を繰り返させる。第一、第二の防着部材225a1、225b1は絶縁性のセラミックスで形成されているため、磁石装置2261の磁場に捕捉されたプラズマが第一、第二の防着部材225a1、225b1に接触しても、プラズマは消失せず、スパッタを継続できる。従って、ターゲット2211のスパッタ面2231のうち従来より広い面積をスパッタできる。ターゲット2211をターゲット2211の中心軸線の周りに回転させておく。外周磁石227a1の外周の一部をスパッタ面2231の一端と他端の両方から測定工程で求めたはみ出し最小値より長い距離をはみ出させると、スパッタ面2231の一端と他端との間より内側全体をスパッタして削ることができる。さらに外周磁石227a1の外周がスパッタ面2231の一端と他端の両方から外側にはみ出す距離を、測定工程で求めたはみ出し最大値より短い距離に制限すると、第一、第二の防着部材225a1、225b1がスパッタされて削られることを防止できる。図7、図8を参照し、スパッタを所定の時間継続して成膜対象物231の表面に所定の厚みのAlの薄膜を形成したのち、各スパッタ部2201~2204のバッキングプレート2221~2224への電圧印加を停止し、ガス導入系213からのArガスの導入を停止してスパッタを終了する。成膜対象物保持部232に載置された成膜対象物231を真空槽211の外側に搬出して後工程に流す。次いで、未成膜の成膜対象物231を成膜対象物保持部232に載置して真空槽211内に搬入し、上述の生産工程によるスパッタ成膜を繰り返す。上記説明では、第一例のスパッタ成膜装置10と第二例のスパッタ成膜装置210はそれぞれスパッタ部を複数個有する場合を説明したが、本発明はスパッタ部を一つだけ有する場合も含まれる。この場合には、バッキングプレートと成膜対象物保持部とに電源装置を電気的に接続し、ターゲットと成膜対象物とに互いに逆極性の交流電位を印加して、ターゲットと成膜対象物との間で放電を発生させ、ターゲットと成膜対象物との間のスパッタガスをプラズマ化すればよい。上記説明では図2、図7を参照し、第一例のスパッタ成膜装置10と第二例のスパッタ成膜装置210はどちらも、各スパッタ部のターゲットと成膜対象物とをそれぞれ立てた状態で対面させたが、本発明は各スパッタ部のターゲットと成膜対象物とが互いに対面するならば上記の配置に限定されず、各スパッタ部のターゲットの上方に成膜対象物を配置して互いに対面させてもよいし、各スパッタ部のターゲットの下方に成膜対象物を配置して互いに対面させてもよい。各スパッタ部のターゲットの下方に成膜対象物を配置すると、成膜対象物にパーティクルが落下して薄膜の品質が低下するため、各スパッタ部のターゲットの上方に成膜対象物を配置するか、若しくは上述した実施例のように各スパッタ部のターゲットと成膜対象物とをそれぞれ立てた状態で対面させる方が好ましい。上記説明では、第一例のスパッタ成膜装置10と第二例のスパッタ成膜装置210のどちらもAlのターゲットを用い、Alの薄膜を成膜する場合を説明したが、本発明のターゲットはAlに限定されず、パネル用TFT配線用途材であるCo、Ni、Mo、Cu、Ti、W系合金、Cu系合金、Ti系合金、Al系合金等の金属材料や、ITO、IGZO、IZO、AZO等のTCO材TransparentConductiveOxide、透明導電性酸化物、ASO材AmorphousSemiconductorOxide、アモルファス半導体酸化物も本発明に含まれる。なお、図1では磁石装置261~264の平面形状は細長形状で示されているが、本発明の磁石装置261~264の平面形状は細長形状に限定されない。