第1の面と前記第1の面とは反対の側の第2の面とを有し、発光層を有しInxGayAl1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、xy≦1を含む積層体と、前記積層体の前記第1の面の上に設けられ、銀または銀合金を含む金属反射層であって、網状構造および島状構造のいずれかを有する金属反射層と、前記網状構造および前記島状構造の前記いずれかに設けられた開口部に露出した前記積層体の前記第1の面と、前記金属反射面の表面と、を覆うように設けられた金属パッド部と、前記積層体の前記第2の面の側に設けられ、透光性を有する基板と、を備え、前記発光層からの放出光は、前記積層体の前記第2の面の側から放出され、前記金属反射層が前記網状構造を有する場合、前記網状構造における網状体の幅は、30μm以下でありかつ前記開口部の幅よりも大きく、前記金属反射層が前記島状構造を有する場合、前記島状構造における島状体の幅は、30μm以下でありかつ前記島状体の間の距離よりも大きい半導体発光素子。第1の面と前記第1の面とは反対の側の第2の面とを有し、発光層を有しInxGayAl1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、xy≦1を含む積層体と、前記積層体の前記第1の面の上に設けられ、銀または銀合金を含む金属反射層であって、網状構造および島状構造のいずれかを有する金属反射層と、前記網状構造および前記島状構造の前記いずれかに設けられた開口部に露出した前記積層体の前記第1の面と、前記金属反射面の表面と、を覆うように設けられた金属パッド部と、を備え、前記発光層からの放出光は、前記積層体の前記第2の面の側から放出される半導体発光素子。前記金属反射層が前記網状構造を有する場合、前記網状構造における網状体の幅は、30μm以下でありかつ前記開口部の幅よりも大きく、前記金属反射層が前記島状構造を有する場合、前記島状構造における島状体の幅は、30μm以下でありかつ前記島状体の間の距離よりも大きい請求項2記載の半導体発光素子。前記積層体の前記第2の面の側に設けられ、透光性を有する基板をさらに備えた請求項2記載の半導体発光素子。半田層を介して前記金属パッド部と接着された基板をさらに備えた請求項2または3に記載の半導体発光素子。発光層を有しInxGayAl1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、xy≦1を含む積層体を結晶成長基板の上に形成する工程と、前記積層体の表面に銀または銀合金を含む金属膜を形成する工程と、前記金属膜に開口部を形成することにより前記積層体の表面を露出させ、網状構造または島状構造を有する金属反射層を形成したのち酸素を含む雰囲気で熱処理する工程と、前記積層体の前記表面のうち、前記開口部に露出した領域の一部と、前記金属反射層の表面の一部と、覆うように金属パッド部を形成する工程と、を備えた半導体発光素子の製造方法。前記金属パッド部の表面の側と、導電性を有する基板と、を接着し、さらに前記結晶成長基板を除去する工程をさらに備えた請求項6記載の半導体発光素子の製造方法。発光強度分布が均一で、かつ光出力が高められた半導体発光素子およびその製造方法を提供する。実施形態の半導体発光素子は、積層体と、金属反射層と、金属パッド部と、基板と、を有する。積層体は、発光層を有しInxGayAl1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、xy≦1を含む。金属反射層は、銀または銀合金を含み、網状構造および島状構造のいずれかを有する。金属パッド部は、網状構造および島状構造のいずれかに設けられた開口部に露出した積層体の前記第1の面と、金属反射面の表面と、を覆うように設けられる。基板は、積層体の第2の面の側に設けられ、透光性を有する。発光層からの放出光は、積層体の第2の面の側から放出される。金属反射層が網状構造を有する場合、網状構造における網状体の幅は、30μm以下でありかつ開口部の幅よりも大きい。また、金属反射層が島状構造を有する場合、島状構造における島状体の幅は、30μm以下でありかつ島状体の間の距離よりも大きい。以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。図1aは第1の実施形態にかかる半導体発光素子の模式平面図、図1bはA-A線に沿った模式断面図、である。半導体発光素子10は、基板20と、基板20の上に設けられInGaAlN系材料からなる積層体30と、第1電極50と、第2電極52と、を有する。積層体30は、第1の面30aと、第1の面30aとは反対となる第2の面30bと、を有する。基板20は、たとえばサファイヤのような透光性材料からなり、積層体30の第2の面30bの側に設けられる。積層体30は、基板20の上に、第1の層33、第2の層34、発光層36、第3の層38、をこの順序で含んでいる。第1の層33および第2の層34は、第1導電形を有する。第3の層38は、第2導電形を有する。また、第2の層34と、発光層36と、第3の層38と、は、基板20よりもサイズの小さいメサ部39を構成する。なお、第1の実施形態では、第1導電形をn形とし、第2導電形をp形とするが、本発明はこれに限定されず逆導電型であってもよい。なお、本明細書において、積層体30を構成するそれぞれの層は、InxGayAl1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、xy≦1なる組成式で表されるInGaAlN系材料からなり、アクセプタやドナーとなる元素を含んでもよい。発光層36をこのような組成とすることにより、たとえば、青色光を含み、紫外~緑色光波長範囲の光を放出することができる。積層体30の第1の面30aには、第2電極52が設けられる。第2電極52は、金属反射層40と、金属パッド部42と、を有する。図1aのように、金属反射層40は、島状構造を有し、銀Agまたは銀合金などからなる。金属パッド部42は、島状構造における島状体の間の開口部40aに露出した第1の面30aと、島状構造の金属反射層40の表面40dと、を覆うように設けられる。第1電極50は、メサ部39に隣接したn形の第1の層33の面33aの上に設けられる。また、第2電極52は、積層体30の第1の面30ap形に設けられる。図1bのように、第2電極52から注入されたキャリアは金属反射層40の周辺部において密度が高い。すなわち、電流密度は金属反射層40の周辺部近傍で高くなる。第1の実施形態では、複数の島状体に分割された金属反射層40のそれぞれから均一にキャリアが注入される。このため、それぞれの島状体を通る電流強度を揃えることが容易となる。このため、発光層36の面内において、発光強度分布を均一にできる。ドット線で表す電流Jは、第1電極50と、第2電極52と、の間を流れる。なお、発光層36から金属反射層40へ向かった光g1は、金属反射層40により反射され発光層36を通過したのち基板20から放出されるG1。このため、光出力を高めることができる。また、金属パッド部42も、構成する金属材料の光反射率に応じて光を反射するので、光出力をさらに高めることができる。図2aは、円形の島状体を有する金属反射層の模式平面図、図2bはB-B線に沿った模式断面図、である。島状体の形状は、矩形、円、楕円、多角形、ストライプ形、などとすることができる。島状体の幅W1は、金属反射層の面内にみた島状体の幅のうちで最も大きい幅と定義する。また、開口部40aの幅W2は、2つの島状体のあいだの最短距離として定義する。島状体の大きさが異なってもよいが、複数の島状体を同一形状かつ規則的に配列とすると、反射金属層40をより均一に動作することができるので好ましい。もし、島状体の大きさが異なる場合でも、島状体域の幅W1の内の最小値は、開口部40aの幅W2の最大値よりも大きくすることが好ましい。図3a~cは、第1の実施形態の半導体発光素子の製造方法を説明する模式図であり、図3aはエピタキシャル成長後の模式断面図、図3bはメサ部形成後の模式断面図、図3cは第1電極形成後の模式断面図、である。図3aにおいて、サファイヤなどからなり透光性を有する基板20の上に、n形を有する第1導電形層32、発光層36、p形を有する第3の層38、をこの順序で含む積層体30を、たとえばMOCVD法やMBEMolecularBeamEpitaxy法などを用いてエピタキシャル成長する。続いて、フォトリソグラフィー法やRIEReactiveIonEtching法などを用いて、積層体30の上部をメサ部39となるようにエッチング加工する。メサ部39は、第1導電形層32のうちの上方の一部である第2の層34と、発光層36と、p形である第3の層38と、を含む。第2の層34は、たとえば、電流拡散層、クラッド層、および光ガイド層などを含むことができる。発光層36をMQWMultiQuantumWell構造とすると、波長制御性を高め、発光効率を高めることが容易となる。なお、MQW構造を構成する井戸層は、ノンドープでも導電性を有していてもよい。第3の層38は、たとえば、光ガイド層、クラッド層、電流拡散層、およびコンタクト層GaNなどを含むことができる。なお、第1導電形層32のうち、エッチングされずに残る部分は第1の層33となる。第1の層33の表面がコンタクト層を含むようにすると、第1電極50に対してオーミックコンタクトとすることができる。続いて、第1の層33の面33aに、リフトオフ法などを用いて第1電極50を形成する。第1電極50は、たとえば、Ti/Al/Ta/Ti/Ptなどの金属多層膜とすることができる。図4aおよびbは第1の実施形態にかかる半導体発光素子の製造方法を説明する模式図であり、図4aは金属反射層を形成した後の模式断面図、図4bは金属パッド部を形成した後の模式断面図、である。図1aのような島状構造を有する金属反射層40を、リフトオフ法などにより形成すると図4aの構造とできる。さらに、たとえば、窒素と酸素との混合雰囲気中で、300~500°Cの温度で熱処理を行う。熱処理を行うことにより、銀と積層体30との密着性を高めることができる。また、金属反射層40の断面構造は、たとえば、Ag200nm/Ni50nmなどとすることができる。Agの上にNiなどを設けると、たとえば、Agの酸化や硫化を抑制できる。開口部40aには、積層体30の第1の面30aが露出する。続いて、図4bのように、開口部40aに露出した積層体30の第1の面30aと、金属反射層40の表面40cと、を覆うように、リフトオフ法などを用いて金属パッド部42を形成する。金属パッド部42の断面構造は、たとえば、Ti20nm/Pt50nm/Au700nmなどとする。このあと、スクライブにより、図1a、bの半導体発光素子が完成する。図5aは発光装置の模式平面図、図5bはC-C線に沿った模式断面図、である。第1の実施形態の半導体発光素子10は、実装部材65を構成する成型体64の凹部64aの内部に設けられている。実装部材65は、第1のリード60、第2のリード62、熱可塑性樹脂などからなり第1のリード60および第2のリード62と一体となった成型体64を有している。半導体発光素子10の第1電極50と、第1のリード60と、は、半田材や金属バンプなどで接着される。また、半導体発光素子10の第2電極52と、第2のリード62と、は半田材やバンプなどで接着される。このようにして、実装部材65の上方へ向けて光を放出できる。もし、凹部64a内に設けられた封止樹脂層66に黄色蛍光体などからなる蛍光体粒子68を分散すると、白色光などの混合光を放出することができる。図6aは比較例にかかる半導体発光素子の模式平面図、図6bはD-D線に沿った模式断面図、である。比較例にかかる半導体発光素子は、基板120と、基板120の上に設けられInGaAlN系材料からなる積層体130と、第1電極150と、第2電極152と、を有する。積層体130は、第1の層133、第2の層134、発光層136、第3の層138、をこの順序で含んでいる。メサ部139は、第2の層134、発光層136、および第3の層138を有する。第2電極152は、開口部を有しておらず、銀または銀合金を含む。この場合、第2電極152から、メサ部139へ注入される電流JCの密度は、第2電極152の周辺部で高いが、中央部で低く、均一にすることが困難である。このため、放出光GGは、第2電極152の周辺部から基板120の方向に向かう。図7aは比較例にかかる半導体発光素子の近視野像を示す光学顕微鏡写真図、図7bは第1の実施形態にかかる半導体発光素子の近視野像を示す光学顕微鏡写真図、である。図7aにおいて、金属反射層152の厚さは、Ag200nm/Ni50nmとする。また、D-D線に平行な辺の長さLは、280μm、動作電流は20mA、とする。発明者らは、比較例の半導体発光素子の発光強度の最大値が金属反射層152の外縁152a近傍にあり、発光強度が最大値の2分の1と低下する位置が外縁152aから内側に約15μm、外側に約15μm、となることを見出した。この結果、金属反射層152152の中央領域における発光強度は周辺部の最大発光強度の2分の1よりも低かった。これに対して、図1に示す第1の実施形態の半導体発光素子において、A-A線に平行な辺の長さLは280μmとする。また、金属反射層40を構成する複数の矩形島状体の幅W1を30μmとし、開口部40aの幅W2を3μmとした第1の実施形態の発光強度分布は、図7bのように、発光層36の面内において均一にできた。また、順方向に同一電圧を加えた場合、第1の実施形態の半導体発光素子に流れる電流は、比較例の半導体発光素子に流れる電流よりも大きくできた。なお、金属反射層40から注入されたキャリアは、横方向に拡散される。このため、金属反射層40が設けられていない開口部40aの下方でも発光を生じる。しかしながら、開口部40aの幅W2を広げ過ぎると、相対的にキャリアを注入できる面積の割合が低下するのでチップサイズが大きくなる。また、金属反射層40により反射される光の割合が低下する。発明者らの実験によれば、開口部40aの幅W2は、金属反射層40の幅W1よりも狭いことが好ましく、金属反射層40から注入されるキャリアの横方向広がりを減少できる5μm以下とするとさらに好ましいことが判明した。図8aは金属反射層の中央部における銀とガリウムとの分布を示すグラフ図、図8bは金属反射層の周辺部の銀とガリウムとの分布を示すグラフ図、である。それぞれの元素の原子百分率は、透過型電子顕微鏡に付加されたエネルギー分散型X線元素分析装置EDX:EnergyDispersiveXraySpectrometryを用いて測定した。縦軸は原子百分率、横軸は金属反射層40と積層体GaN30との界面近傍の深さ方向位置nm、である。図8aでは、第2電極52の側における銀の原子百分率はおよそ70~80の間であり、ガリウムGaの原子百分率は約3以下である。他方、図8bでは、銀Agの原子百分率は52~63であり、ガリウムの原子百分率は20~30である。すなわち、周辺部におけるガリウムの原子百分率は、中央部における原子百分率よりも約10倍と高い。また、図8aに表す電極中央部では、金属反射層40および積層体30内の酸素Oの原子百分率は、略同一であり、5近傍である。他方、図8bに示す周辺部では、酸素の元素百分率が、金属反射層40の側で5~10の間であるのに対し、積層体30の側では0~3の間と低い。すなわち、開口部の近傍では、GaNを含む積層体30との界面の側の金属反射層40の領域には酸素が多く取り込まれており、かつGaがより多く拡散されていることが明らかとなった。すなわち、図1a、bにおいて、ガリウムが、それぞれの島状体へ同じ程度に拡散できることを示している。このような金属反射層40の島状体から積層体30へ注入される電流は、それぞれの島状体の間における電流分布の不均一を低減できる。この結果、図7bのように発光強度がより均一な近視野像とすることができるものと考えられる。図9aは第2の実施形態にかかる半導体発光素子の模式平面図、図9bはE-E線に沿った模式断面図、図9cは基板の側の発光領域を示す模式底面図、である。金属反射層40は、網状構造を有する。網状構造には、開口部40bが設けられている。開口部40bには、積層体30の第1の面30aが露出する。金属反射層40が網状である場合、金属パッド部42は、開口部40bの少なくとも一部を埋めるように設けることができる。また、金属パッド部42を半田層や金属バンプからなるものとし、実装部材を構成するリードに接着することができる。図9cにおいて、基板20の側の発光領域を斜線部で示す。開口部40bが設けられた小さい領域を除いて、発光層36から均一に発光し、光G2を放出することができる。図10aは、円形の開口部を有する網状構造を有する金属反射層の模式平面図、図10bはF-F線に沿った模式断面図、である。開口部40bの形状は、矩形、円、楕円、多角形、ストライプ形、などとすることができる。開口部40bの幅W2は、1つの開口部40b内で最も長い距離とする。また、網状構造における網状体の幅W1は、2つの開口部40bの間の最短距離として定義する。開口部40bの大きさが異なってもよいが、開口部40bを同一形状かつ規則的に設けると、発光強度分布をより均一にできるので好ましい。もし、開口部40bの大きさが異なる場合でも、網状構造における網状体の幅W1の内の最小値は、開口部40bの幅W2の最大値よりも大きくすることが好ましい。金属パッド部42に対する金属反射層40の面積比率は、網状構造とした方が島状構造とするよりも高くできる。このため、たとえば、光出力を高めることが容易である。図11は、第3の実施形態にかかる半導体発光素子の模式断面図である。積層体31は、p形である第2の層34と、発光層36と、n形である第3の層38と、を有する。積層体31の第1の面31aには、金属反射層40が設けられる。金属反射層40は、たとえば網状構造または島状構造とすることができる。たとえば、島状構造の場合、島状体の間に設けられた開口部と、島状体の表面と、を覆うようにバリア金属層41が設けられる。バリア金属層41は、たとえば、Ti/Pt/Auなどとすることができる。他方、支持基板80にもTi/Pt/Auなどからなるバリア金属層44が設けられる。基板80と積層体31の側とは、たとえば、AuSnなどの半田層43により接着される。また、支持基板80をシリコンなどとすると、積層体31を成長するための基板サファイヤなどを除去してもチップの強度を保つことができる。このようにして、積層体31の厚さは、たとえば、10μm以下と薄くすることができる。また、支持基板80を導電性とすることにより、支持基板80の裏面側に裏面電極54を設けることができる。第3の実施形態において、積層体31の第2の面に微小凹凸31cを設けると、光取り出し効率をさらに高めることができる。この場合、第1電極51は、積層体31の第2の面31bに設けることができる。なお、第2の層34をn形とし、第3の層38をp形としてもよい。第1~3の実施形態によれば、発光強度分布が均一で、かつ光出力が高められた半導体発光素子およびその製造方法が提供される。このような半導体発光素子は、照明装置、表示装置、信号機などに広く用いることができる。また、この製造方法によれば、窒化物系積層体とのコンタクト抵抗を低減するためITOIndiumTinOxideなどの透明導電膜を形成する工程が不要である。このため、量産性に富む半導体発光素子の製造が可能となる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。