"太陽電池製造プロセスにおける、pn接合形成のためのPりん拡散工程において、拡散熱処理条件を780°C以上850°C以下の温度範囲で、かつ、該温度範囲での拡散熱処理時間を5秒以上30秒以下とすることを特徴とするシリコン太陽電池の製造方法。使用するSi基板がp型の半導体Si単結晶基板またはp型のSi多結晶基板であることを特徴とする請求項1記載のシリコン太陽電池の製造方法。使用する基板がp型の薄膜Si結晶基板または薄膜アモルファスSi基板であることを特徴とする請求項1記載のシリコン太陽電池の製造方法。太陽電池の基板として利用されるSi単結晶中には、不純物やミクロボイドなどの点欠陥や転位が必ず存在し、また、Si多結晶中には前述の欠陥の他に、亜粒界や結晶粒界など多くの欠陥が存在する。このようなSi結晶基板内部に存在する欠陥は、非特許文献1等に記載のような従来の5分~40分間の長時間のPりんの拡散熱処理の間に、再分布したり増殖したりする。再分布や増殖した欠陥は、基板表面から結晶内部へ光が侵入する際の妨げとなり、また、光照射によって発生した少数キャリアを消滅させるため、発生した少数キャリアの一部がpn接合部まで到達する前に消滅してしまうという課題があった。本発明は、このような課題に着目してなされたもので、太陽電池基板結晶内部の欠陥を増大させることなく、光照射によって発生する少数キャリアを高効率に光電流に寄与させ、太陽電池の変換効率を向上させることができるシリコン太陽電池の製造方法を提供することを目的としている。上記目的を達成するために、本発明に係るシリコン太陽電池の製造方法は、太陽電池製造プロセスにおける、pn接合形成のためのPりん拡散工程において、拡散熱処理条件を780°C以上850°C以下の温度範囲で、かつ、該温度範囲での拡散熱処理時間を5秒以上30秒以下とすることを特徴とする。本発明に係るシリコン太陽電池の製造方法は、p型Si結晶基板にPりん拡散によりpn接合を形成させる際、拡散熱処理時間を極めて短時間にすることにより拡散熱処理による基板の劣化を防ぎ、また基板表面の極浅い場所にpn接合を形成させて、基板結晶中の欠陥の影響を極力減らすことで電流密度を最大限に引き上げ太陽電池の高効率化を達成する方法である。本発明に係るシリコン太陽電池の製造方法は、p型Si結晶基板の表面にPりんを含む溶液を塗布し、780°C~850°Cの温度で5秒~30秒という極短時間の拡散熱処理を行うことにより、Pを表面から数nm~数十nm拡散させ、表面から極浅い位置にpn接合を形成することができる。これにより、基板結晶内部に存在する、あらゆる欠陥における少数キャリアの消滅や損失を防止することができる。本発明に係るシリコン太陽電池の製造方法は、使用するSi基板がp型の半導体Si単結晶基板またはp型のSi多結晶基板であってもよい。また、使用する基板がp型の薄膜Si結晶基板または薄膜アモルファスSi基板であってもよい。本発明による数秒~数十秒という極短時間の拡散熱処理時間でpn接合を形成させた太陽電池は、従来の数分~数十分の拡散熱処理時間でpn接合を形成させた太陽電池に比べて、高効率な特性が得られるだけでなく、pn接合プロセスにかかる時間を大幅に短縮することができる。本発明によれば、太陽電池基板結晶内部の欠陥を増大させることなく、光照射によって発生する少数キャリアを高効率に光電流に寄与させ、太陽電池の変換効率を向上させることができるシリコン太陽電池の製造方法を提供することができる。本発明により、太陽電池の短絡電流密度と開放電圧が増加するため、エネルギー変換効率が従来プロセスを施した太陽電池と比較して1以上向上する。本発明のシリコン太陽電池の製造方法によるpn接合形成プロセスが太陽電池の高効率化に有効であることを実証するために、チョクラルスキー法により作製された市販のSi単結晶基板を用いて太陽電池を試作し、特性評価を行った。抵抗率2.6Ωcm、基板厚さ約400μmのp型Si100単結晶基板を、1.8cm角にカットし、太陽電池試作用の基板とした。基板表面のテクスチャー構造は作製せず、鏡面表面のまま用いた。基板表面を、HF:HNO3、10HF溶液および純水で洗浄した後、Pりんを含むOCDOhkaCoatDiffusiontypeP-59230溶液をスピンコートにより塗布した。pn接合プロセスは、本発明による極短時間の拡散熱処理プロセスを用いた。835°Cで10秒間という極短時間の熱処理により、pn接合を表面から極浅い位置に形成した。比較のため、従来技術の熱処理時間5分、7分、10分、15分を用いた試料も作製した。熱処理温度は、いずれの基板も835°Cとした。熱処理後、全ての基板において、ITOを用いた単層反射防止膜75-80nmをスパッタによって成膜し、基板の裏面にAlペースト電極を760°Cで約60秒間焼成し、受光面にAgフィンガー電極を作製して太陽電池とした。図1は、試作した各太陽電池のI-V曲線である。縦軸は短絡電流密度CurrentdensityJSCであり、横軸は開放電圧VoltageVOCである。本発明による、拡散熱処理時間を10秒とした高速pn接合プロセスを用いて作製した太陽電池δDiff.10secは、従来の技術である5分~15分の拡散熱処理時間によりpn接合を作製した太陽電池Conv.5,7,10,15minと比較して、短絡電流密度および開放電圧が増加した結果、変換効率が1程度向上しており、本発明の有効性が実証された。図2は、各太陽電池の外部量子効率Externalquantumefficiencyの測定結果である。本発明により作製した太陽電池δDiff.10secは、従来技術により作製した太陽電池Conv.5,7,10,15minに比べて、600nm~1200nmの波長領域で量子効率の向上が見られる。これは、従来の技術では拡散熱処理時間が長いため、熱処理中に結晶内部に存在する転位の増殖が起こり、発生したキャリアが転位によって消滅してしまうが、本発明では極短時間の熱処理のため、熱処理中の転位の増殖が起こらないためである。次に、同様の基板を用いて、P拡散のための熱処理時間の最適範囲を調べるために、熱処理時間を5秒から40秒まで変えてpn接合を作製し、太陽電池を作製した。P拡散のための熱処理温度は、いずれも840°Cとした。図3は、各太陽電池のI-V曲線である。P拡散のための熱処理時間が5秒から30秒までは、I-V曲線の曲線因子FFが0.705以上であり、良好な太陽電池特性が得られているが、熱処理時間が40秒のときは、FFが0.673という低い値となり、特性の向上はみられない。この結果より、P拡散のための拡散熱処理時間としては、5秒から30秒までの範囲が適当であるといえる。さらに、P拡散のための最適な熱処理温度範囲を調べるために、熱処理温度を825°Cから860°Cまで変えてpn接合を作製し、太陽電池を作製した。熱処理時間は、いずれも10秒とした。図4は、各太陽電池のI-V曲線である。P拡散のための熱処理温度が825°Cから850°Cまでは、I-V曲線のFFが0.726以上であり、良好な太陽電池特性が得られているが、熱処理温度が860°Cのときは、FFが0.665という低い値となり、特性の向上はみられない。熱処理温度が高くなると、Pの拡散が速くなり、短時間の熱処理においても表面から深い位置にpn接合が形成されるためである。同様に、P拡散のための熱処理温度を760°Cから800°Cまで変えて、熱処理時間を10秒として特性を評価したところ、熱処理温度が780°C未満の時には特性の向上が見られなかった。これは、熱処理温度が低い時、短時間の熱処理ではPの拡散が起こりにくく、pn接合の形成自体が困難となるためである。以上の結果より、最適な熱処理温度範囲は、780°C以上850°C以下である。"