"放射線源から照射された前記放射線を通過させて第1の周期パターン像を生成する第1の格子と、前記第1の周期パターン像に対して強度変調を与えて第2の周期パターン像を生成する強度変調手段と、前記第1の格子の格子線方向及びその直交方向に沿って画素が2次元配列され、前記直交方向に配列された画素群が電荷読み出し用の信号線により共通に接続され、前記第2の周期パターン像を検出して画像データを生成する放射線画像検出器と、前記画像データに基づいて位相微分像を生成する位相微分像生成手段と、前記位相微分像を前記信号線に対応する方向に積分することにより位相コントラスト画像を生成する位相コントラスト画像生成手段と、を備えることを特徴とする放射線撮影システム。前記強度変調手段は、前記第1の周期パターン像に対して位相が異なる複数の相対位置で強度変調を与えて複数の第2の周期パターン像を生成し、前記放射線画像検出器は、前記各第2の周期パターン像を検出して複数の画像データを生成し、前記位相微分像生成手段は、前記複数の画像データに基づき、前記相対位置に対する画素データの強度変化を表す強度変調信号の位相ズレ量を算出することにより前記位相微分像を生成する請求項1に記載の放射線撮影システム。前記放射線画像検出器は、画素ごとに放射線により生成された電荷を、TFTを介して前記信号線に読み出すTFT型の放射線画像検出器であることを特徴とする請求項1または2に記載の放射線撮影システム。前記強度変調手段は、前記第1の周期パターン像と同一方向の周期パターンを有する第2の格子と、前記第1及び第2の格子のいずれか一方を所定のピッチで移動させる走査手段とからなり、前記走査手段による前記第1または第2の格子の移動方向が前記信号線の方向と平行であることを特徴とする請求項2または3に記載の放射線撮影システム。前記第1及び第2の格子は、吸収型格子であり、前記第1の格子は、前記放射線源からの放射線を前記第1の周期パターン像として線形的に前記第2の格子に投影することを特徴とする請求項4に記載の放射線撮影システム。前記第1の格子は、位相型格子であり、前記第1の格子は、タルボ干渉効果により、前記放射線源からの放射線を前記第1の周期パターン像として前記第2の格子の位置に形成することを特徴とする請求項4に記載の放射線撮影システム。前記放射線画像検出器は、前記第1の周期パターン像を静電潜像として記録し、記録した静電潜像を、読取光を走査することにより前記第2の周期パターン像を検出し画像データとして読み出す光読取型の放射線画像検出器であり、前記強度変調手段を兼ねていることを特徴とする請求項2に記載の放射線撮影システム。前記放射線画像検出器は、前記第1の周期パターン像の周期パターン方向に該周期より短いピッチで読取光を走査することを特徴とする請求項7に記載の放射線撮影システム。前記放射線源の射出側に線源格子を備えることを特徴とする請求項1から8いずれか1項に記載の放射線撮影システム。放射線画像検出器を着脱自在に固定する固定手段を備えることを特徴とする請求項1から9いずれか1項に記載の放射線撮影システム。前記放射線画像検出器が前記固定手段に、前記信号線の方向が前記格子線方向に直交する向き以外の向きに装着されることを防止する誤装着防止手段を備えることを特徴とする請求項10に記載の放射線撮影システム。前記放射線画像検出器が前記固定手段に、前記信号線の方向が前記格子線方向に直交する向き以外の向きに装着された場合に前記放射線源からの放射線の照射を禁止する誤曝射防止手段を備えることを特徴とする請求項10に記載の放射線撮影システム。放射線源から照射された前記放射線を通過させて第1の周期パターン像を生成する第1の格子と、前記第1の周期パターン像に対して強度変調を与えて第2の周期パターン像を生成する強度変調手段と、前記第1の格子の格子線方向及びその直交方向に沿って画素が2次元配列され、前記直交方向に配列された画素群が電荷読み出し用の信号線により共通に接続され、前記第2の周期パターン像を検出して画像データを生成する放射線画像検出器と、を備えた放射線撮影システムの画像処理方法であって、前記画像データに基づいて位相微分像を生成するステップと、前記位相微分像を前記信号線に対応する方向に積分することにより位相コントラスト画像を生成するステップと、を有することを特徴とする画像処理方法。X線撮影システムに用いられるX線画像検出器には、TFT方式や光スイッチング方式光読取型などがあるが、いずれも画素が2次元マトリクス状に配列されたものであり、一方向に並ぶ画素は同一の信号線読み出しラインを通して信号電荷が出力され、積分アンプなどの検出回路やA/D変換器を通して画素値が得られる構成となっている。このため、同一の信号線を共用する画素群の各画素値は、信号線、検出回路、A/D変換器等の特性差に起因するオフセットの加算やリニアリティ電圧に対する画素値の線形性の劣化などにより同様に劣化する。したがって、X線画像検出器により得られる画像には、図13に示すように、信号線方向にスジ状のノイズが生じ、画像にムラが生じることになる。このようなスジ状の画像ムラは、縞走査により得られる複数の画像から生成される位相微分像にも生じ、位相コントラスト画像の画質を劣化させることになるが、従来のX線撮影システムでは、上記のような画像ムラについては何ら対策が施されていない。本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、X線画像検出器の信号線に対応する方向に生じるスジ状のノイズに起因した位相コントラスト画像の画質の劣化を低減することを可能とする放射線撮影システム及びその画像処理方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の放射線撮影システムは、放射線源から照射された前記放射線を通過させて第1の周期パターン像を生成する第1の格子と、前記第1の周期パターン像に対して強度変調を与えて第2の周期パターン像を生成する強度変調手段と、前記第1の格子の格子線方向及びその直交方向に沿って画素が2次元配列され、前記直交方向に配列された画素群が電荷読み出し用の信号線により共通に接続され、前記第2の周期パターン像を検出して画像データを生成する放射線画像検出器と、前記画像データに基づいて位相微分像を生成する位相微分像生成手段と、前記位相微分像を前記信号線に対応する方向に積分することにより位相コントラスト画像を生成する位相コントラスト画像生成手段と、を備える。前記強度変調手段は、前記第1の周期パターン像に対して位相が異なる複数の相対位置で強度変調を与えて複数の第2の周期パターン像を生成し、前記放射線画像検出器は、前記各第2の周期パターン像を検出して複数の画像データを生成し、前記位相微分像生成手段は、前記複数の画像データに基づき、前記相対位置に対する画素データの強度変化を表す強度変調信号の位相ズレ量を算出することにより前記位相微分像を生成する。前記放射線画像検出器は、画素ごとに放射線により生成された電荷を、TFTを介して前記信号線に読み出すTFT型の放射線画像検出器である。前記強度変調手段は、前記第1の周期パターン像と同一方向の周期パターンを有する第2の格子と、前記第1及び第2の格子のいずれか一方を所定のピッチで移動させる走査手段とからなり、前記走査手段による前記第1または第2の格子の移動方向が前記信号線の方向と平行である。前記第1及び第2の格子は、吸収型格子であり、前記第1の格子は、前記放射線源からの放射線を前記第1の周期パターン像として線形的に前記第2の格子に投影する。前記第1の格子は、位相型格子であり、前記第1の格子は、タルボ干渉効果により、前記放射線源からの放射線を前記第1の周期パターン像として前記第2の格子の位置に形成するものであってもよい。前記放射線画像検出器は、前記第1の周期パターン像を静電潜像として記録し、記録した静電潜像を、読取光を走査することにより前記第2の周期パターン像を検出し画像データとして読み出す光読取型の放射線画像検出器であり、前記強度変調手段を兼ねたものであることも好ましい。前記放射線画像検出器は、前記第1の周期パターン像の周期パターン方向に該周期より短いピッチで読取光を走査する。本発明の放射線撮影システムは、前記放射線源の射出側に線源格子をさらに備えることが好ましい。本発明の放射線撮影システムは、放射線画像検出器を着脱自在に固定する固定手段をさらに備えることが好ましい。本発明の放射線撮影システムは、前記放射線画像検出器が前記固定手段に、前記信号線の方向が前記格子線方向に直交する向き以外の向きに装着されることを防止する誤装着防止手段を備えることが好ましい。本発明の放射線撮影システムは、前記放射線画像検出器が前記固定手段に、前記信号線の方向が前記格子線方向に直交する向き以外の向きに装着された場合に前記放射線源からの放射線の照射を禁止する誤曝射防止手段を備えることも好ましい。本発明の画像処理方法は、放射線源から照射された前記放射線を通過させて第1の周期パターン像を生成する第1の格子と、前記第1の周期パターン像に対して強度変調を与えて第2の周期パターン像を生成する強度変調手段と、前記第1の格子の格子線方向及びその直交方向に沿って画素が2次元配列され、前記直交方向に配列された画素群が電荷読み出し用の信号線により共通に接続され、前記第2の周期パターン像を検出して画像データを生成する放射線画像検出器と、を備えた放射線撮影システムの画像処理方法であって、前記画像データに基づいて位相微分像を生成するステップと、前記位相微分像を前記信号線に対応する方向に積分することにより位相コントラスト画像を生成するステップと、を有する。本発明は、位相微分像生成手段により生成された位相微分像を、放射線画像検出器の電荷読み出し用の信号線に対応する方向に積分することにより位相コントラスト画像を生成するので、信号線に対応する方向に生じるスジ状のノイズに起因した位相コントラスト画像の画質の劣化を低減することができる。第1実施形態図1において、本発明の第1実施形態に係るX線撮影システム10は、被検体HにX線を照射するX線源11と、X線源11に対向配置され、X線源11から被検体Hを透過したX線を検出して画像データを生成する撮影部12と、撮影部12から読み出された画像データを記憶するメモリ13と、メモリ13に記憶される複数の画像データを画像処理して位相コントラスト画像を生成する画像処理部14と、画像処理部14により生成された位相コントラスト画像が記録される画像記録部15と、X線源11及び撮影部12の制御を行う撮影制御部16と、操作部やモニタからなるコンソール17と、コンソール17から入力される操作信号に基づいてX線撮影システム10の全体を統括的に制御するシステム制御部18とから構成されている。X線源11は、高電圧発生器、X線管、コリメータいずれも図示せず等から構成されており、撮影制御部16の制御に基づいて、被検体HにX線を照射する。例えば、X線管は、回転陽極型であり、高電圧発生器からの電圧に応じて、フィラメントから電子線を放出し、所定の速度で回転する回転陽極に電子線を衝突させることによりX線を発生する。回転陽極は、電子線が固定位置に当り続けることによる劣化を軽減するために回転しており、電子線の衝突部分が、X線を放射するX線焦点となっている。また、コリメータは、X線管から発せられたX線のうち、被検体Hの検査領域に寄与しない部分を遮蔽するように照射野を制限するものである。撮影部12には、半導体回路からなるフラットパネル検出器FPD20、被検体HによるX線の位相変化角度変化を検出し位相イメージングを行うための第1の吸収型格子21及び第2の吸収型格子22が設けられている。FPD20は、X線源11から照射されるX線の光軸Aに沿う方向以下、z方向いうに検出面20aが直交するように配置されている。第1の吸収型格子21は、z方向に直交する面内の一方向以下、y方向というに延伸した複数のX線遮蔽部X線高吸収部21aが、z方向及びy方向に直交する方向以下、x方向というに所定のピッチp1で配列されたものである。同様に、第2の吸収型格子22は、y方向に延伸した複数のX線遮蔽部X線高吸収部22aが、x方向に所定のピッチp2で配列されたものである。X線遮蔽部21a,22aの材料としては、X線吸収性に優れる金属が好ましく、例えば、金Auや白金Ptが好ましい。また、撮影部12には、第2の吸収型格子22を格子線方向y方向に直交する方向x方向に並進移動させることにより、第1の吸収型格子21に対する第2の吸収型格子22との相対位置を変化させる走査機構23が設けられている。走査機構23は、例えば、圧電素子等のアクチュエータにより構成される。走査機構23は、後述する縞走査の際に、撮影制御部16の制御に基づいて駆動される。詳しくは後述するが、メモリ13には、縞走査の各走査ステップで撮影部12により得られる画像データがそれぞれ記憶される。なお、第2の吸収型格子22と走査機構23とが特許請求の範囲に記載の強度変調手段を構成している。画像処理部14は、位相微分像生成部30及び位相コントラスト画像生成部31からなる。位相微分像生成部30は、走査機構23による縞走査の各走査ステップで撮影部12により撮影され、メモリ13に記憶された複数の画像データに基づき、位相微分像を生成する。位相コントラスト画像生成部31は、位相微分像生成部30により生成された位相微分像を走査方向x方向に沿って積分することにより、位相コントラスト画像を生成する。位相コントラスト画像生成部31により生成された位相コントラスト画像は、画像記録部15に記録された後、コンソール17に出力されてモニタ図示せずに表示される。コンソール17は、モニタの他、操作者が撮影指示やその指示内容を入力する入力装置図示せずを備えている。この入力装置としては、例えば、スイッチ、タッチパネル、マウス、キーボード等が用いられる。入力装置の操作により、X線管の管電圧やX線照射時間等のX線撮影条件、撮影タイミング等が入力される。モニタは、液晶ディスプレイやCRTディスプレイからなり、X線撮影条件等の文字や、上記位相コントラスト画像を表示する。図2において、FPD20は、X線を電荷に変換して蓄積する複数の画素40が、x方向及びy方向に沿ってアクティブマトリクス基板上に2次元配列されてなる受像部41と、画素40からの電荷の読み出しタイミングを制御するゲートドライバ42と、画素40から電荷を読み出し、電荷をデジタル形式の画像データに変換して出力する読み出し回路43とから構成されている。画素40は、アモルファスセレン等のX線変換層図示せずによりX線が変換されることにより生じる電荷を収集する画素電極40aと、スイッチング素子としての薄膜トランジスタTFT40bとを備えている。TFT40bは、ゲート電極がゲート走査線44に接続され、ソース電極及びドレイン電極の一方が信号線45に接続され、他方が画素電極40aに接続されている。ゲート走査線44と信号線45とは格子状に配線されている。ゲート走査線44はゲートドライバ42に接続されており、信号線45は読み出し回路43に接続されている。画素40の配列ピッチは、x方向及びy方向にそれぞれ100μm程度である。y方向に配列された画素40のTFT40bは、共通のゲート走査線44に接続されており、1つのゲート走査線44をオンとすることで、このゲート走査線44に接続された画素40の電荷が信号線45を介して出力され、読み出し回路43に入力される。ゲートドライバ42は、シフトレジスタ等により構成されており、ゲート走査線44を順にオンとする。また、x方向に配列された画素40は、同一の信号線45に接続されており、該信号線45を介して電荷が読み出し回路43へ出力される。読み出し回路43は、積分アンプ46、マルチプレクサMUX47、及びA/D変換器48により構成されている。積分アンプ46は、各信号線45に接続されており、画素40から信号線45を介して伝送される電荷を積算し、電圧信号に変換して出力する。複数の積分アンプ46ごとに1つのマルチプレクサMUX47が接続されており、各MUX47の出力側には、1つのA/D変換器48が接続されている。MUX47は、接続された複数の積分アンプ46から順に1つの積分アンプ46を選択し、選択した積分アンプ46から出力される電圧信号をA/D変換器48に入力する。A/D変換器48は、入力された電圧信号をデジタル化して出力する。なお、上記X線変換層は、酸化ガドリニウムGd2O3やヨウ化セシウムCsI等からなるシンチレータ図示せずでX線を一旦可視光に変換し、変換された可視光をフォトダイオード図示せずで電荷に変換する間接変換型ものでも良い。また、本実施形態では、TFTパネルを用いてFPD20を構成しているが、これに限られず、CCDセンサやCMOSセンサ等の固体撮像素子を用いて構成することも可能である。図3において、FPD20は、第1及び第2の吸収型格子21,22を収容した格子モジュール50と一体的に形成された固定具51に着脱自在に固定可能に構成されている。FPD20には、検出面20aの外周を覆うように枠体52が設けられている。固定具51は、側部にFPD20を挿入可能とする側部開口51aと、FPD20が挿入された際に、FPD20の検出面20aを露呈させる前面開口51bとが設けられている。枠体52の上部には、上辺に沿って線状の溝部53が形成されている。固定具51には、溝部53に係合するように、線状の突起54が形成されている。溝部53及び突起54は1組しか設けられていないため、FPD20は、同図に示す向きでのみ固定具51に装着可能である。FPD20は、同図に示す向き以外の向きでは、突起54が邪魔となり、挿入不可能である。固定具51は、FPD20を、その信号線45が第1及び第2の吸収型格子21,22の格子線方向に直交するように換言すると、信号線45が走査機構23による走査方向に平行になるようにのみ装着可能としており、溝部53及び突起54が誤装着防止手段として機能している。図4において、第1の吸収型格子21のX線遮蔽部21aは、x方向に所定のピッチp1で、互いに所定の間隔d1を空けて配列されており、間隔d1の部分には、X線低吸部21bが設けられている。同様に、第2の吸収型格子22のX線遮蔽部22aは、x方向に所定のピッチp2で、互いに所定の間隔d2を空けて配列されており、間隔d2の部分には、X線低吸部22bが設けられている。第1及び第2の吸収型格子21,22は、入射X線に位相差を与えるものでなく、強度差を与えるものであり、振幅型格子とも称される。X線低吸部21b,22bは、シリコンSiやポリマーからなることが好ましく、さらには、空隙であっても良い。第1及び第2の吸収型格子21,22は、X線低吸部21b,22bを通過したX線を線形的幾何光学的に投影するように構成される。具体的には、間隔d1,d2を、X線源11から照射されるX線のピーク波長より十分大きな値とすることで、照射X線に含まれる大部分のX線をX線低吸部21b,22bで回折させずに、直進性を保ったまま通過するように構成される。例えば、前述のX線管の回転陽極としてタングステンを用い、管電圧を50kVとした場合には、X線のピーク波長は、約0.4Åである。この場合には、間隔d1,d2を1~10μm程度とすれば、X線低吸部21b,22bで大部分のX線が回折されずに線形的に投影される。格子ピッチp1,p2は、2~20μm程度である。X線源11から照射されるX線は、平行ビームではなく、X線焦点を発光点としたコーンビームであるため、第1の吸収型格子21を通過することにより形成される第1の周期パターン像以下、G1像というは、X線焦点11aからの距離に比例して拡大される。第2の吸収型格子22の格子ピッチp2及び間隔d2は、X線低吸部22bのパターンが、第2の吸収型格子22の位置におけるG1像の明部の周期パターンとほぼ一致するように決定されている。すなわち、X線焦点11aから第1の吸収型格子21までの距離をL1、第1の吸収型格子21から第2の吸収型格子22までの距離をL2とした場合に、格子ピッチp2及び間隔d2は、次式1及び2の関係を満たすように決定される。第1の吸収型格子21から第2の吸収型格子22までの距離L2は、タルボ干渉計の場合には、第1の回折格子の格子ピッチとX線波長とで決まるタルボ干渉距離に制約されるが、本実施形態の撮影部12では、第1の吸収型格子21が入射X線を回折させずに投影する構成であって、第1の吸収型格子21のG1像が、第1の吸収型格子21の後方のすべての位置で相似的に得られるため、該距離L2を、タルボ干渉距離と無関係に設定することができる。上記のように本実施形態の撮影部12は、タルボ干渉計を構成するものではないが、第1の吸収型格子21でX線の回折が生じ、タルボ干渉効果が生じていると仮定した場合のタルボ干渉距離Zは、第1の吸収型格子21の格子ピッチp1、X線波長ピーク波長λ、及び正の整数mを用いて、次式3で表される。本実施形態では、前述のように距離L2をタルボ干渉距離と無関係に設定することができるため、撮影部12のz方向への薄型化を目的とし、距離L2を、m=1の場合の最小のタルボ干渉距離Zより短い値に設定する。すなわち、距離L2は、次式4を満たす範囲の値に設定される。X線遮蔽部21a,22aは、コントラストの高い周期パターン像を生成するためには、X線を完全に遮蔽吸収することが好ましいが、上記したX線吸収性に優れる材料金、白金等を用いたとしても、吸収されずに透過するX線が少なからず存在する。このため、X線の遮蔽性を高めるためには、X線遮蔽部21a,22aのそれぞれの厚みz方向の厚さをできるだけ厚くすることすなわち、アスペクト比を高めることが好ましい。例えば、X線管の管電圧が50kVの場合に、照射X線の90以上を遮蔽することが好ましく、X線遮蔽部21a,22aの厚みは、10μm~200μmの範囲であることが好ましい。以上のように構成された第1及び第2の吸収型格子21,22では、第1の吸収型格子21により生成されたG1像が第2の吸収型格子22との重ね合わせにより部分的に遮蔽され、強度変調されることにより、第2の周期パターン像以下、G2像というが生成される。このG2像はFPD20によって撮像される。第2の吸収型格子22の位置におけるG1像のパターン周期と、第2の吸収型格子22の格子ピッチp2とは、配置誤差などにより若干の差異が生じている。この微小な差異により、G2像にはモアレ縞が生じる。また、第1及び第2の吸収型格子21,22の格子配列方向に誤差が生じ、配列方向が同一でない場合には、G2像にいわゆる回転モアレが発生する。しかし、G2像にこのようなモアレ縞が発生した場合でも、モアレ縞のx方向またはy方向の周期が画素40の配列ピッチより大きい範囲であれば特に問題はない。理想的にはモアレ縞が発生しないことが好ましいが、モアレ縞は、後述するように、縞走査の走査量第2の吸収型格子22の並進距離を確認するために利用することができる。X線源11と第1の吸収型格子21との間に被検体Hを配置すると、FPD20により検出されるG2像は、被検体Hにより変調を受ける。この変調量は、被検体Hによる屈折効果によって偏向したX線の角度に比例する。したがって、FPD20で検出されたG2像を解析することによって、被検体Hの位相コントラスト画像を生成することができる。次に、G2像の解析方法について原理的な説明を行う。同図には、被検体Hのx方向に関する位相シフト分布Φxに応じて屈折する1つのX線が例示されている。符号60は、被検体Hが存在しない場合に直進するX線の経路を示している。この経路60を進むX線は、第1及び第2の吸収型格子21,22を通過してFPD20に入射する。符号61は、被検体Hが存在する場合に、被検体Hにより屈折して偏向したX線の経路を示している。この経路61を進むX線は、第1の吸収型格子21を通過した後、第2の吸収型格子22のX線遮蔽部22aにより遮蔽される。被検体Hの位相シフト分布Φxは、被検体Hの屈折率分布をnx,z、zをX線の進む方向として、次式5で表される。第1の吸収型格子21から第2の吸収型格子22の位置に投影されたG1像は、被検体HでのX線の屈折により、その屈折角φに応じた量だけx方向に変位する。この変位量Δxは、X線の屈折角φが微小であることに基づいて、近似的に次式6で表される。ここで、屈折角φは、X線波長λと被検体Hの位相シフト分布Φxを用いて、次式7で表される。このように、被検体HでのX線の屈折によるG1像の変位量Δxは、被検体Hの位相シフト分布Φxに関連している。そして、この変位量Δxは、FPD20で検出される各画素40の強度変調信号の位相ズレ量ψ被検体Hがある場合とない場合とでの各画素40の強度変調信号の位相のズレ量に、次式8のように関連している。したがって、各画素40の強度変調信号の位相ズレ量ψを求めることにより、式8から屈折角φが求まり、式7を用いて位相シフト分布Φxの微分量が求まるから、これをxについて積分することにより、被検体Hの位相シフト分布Φx、すなわち被検体Hの位相コントラスト画像を生成することができる。縞走査法では、第1及び第2の吸収型格子21,22の一方を他方に対して相対的にx方向に並進移動させながら撮影を行うすなわち、両者の格子周期の位相を変化させながら撮影を行う。本実施形態では、前述の走査機構23により第2の吸収型格子22を移動させる。G2像に生じるモアレ縞は、第2の吸収型格子22の移動に伴って移動し、並進距離x方向への移動量が、第2の吸収型格子22の格子周期の1周期格子ピッチp2に達するとすなわち、位相変化が2πに達すると、元の位置に戻る。このように、格子ピッチp2の整数分の1ずつ第2の吸収型格子22を移動させながら、FPD20でG2像を撮影し、撮影により得られた複数の画像データから各画素の強度変調信号を取得し、前述の画像処理部14内の位相微分像生成部30で演算処理することにより、各画素の強度変調信号の位相ズレ量ψを得る。この位相ズレ量ψの2次元分布が位相微分像に相当する。図5は、格子ピッチp2をM2以上の整数個に分割した走査ピッチp2/Mずつ第2の吸収型格子22を移動させる様子を模式的に示している。走査機構23は、k=0,1,2,,M-1のM個の各走査位置に、第2の吸収型格子22を順に並進移動させる。なお、同図では、第2の吸収型格子22の初期位置を、被検体Hが存在しない場合における第2の吸収型格子22の位置でのG1像の暗部が、X線遮蔽部22aにほぼ一致する位置k=0としているが、この初期位置は、k=0,1,2,,M-1のうちいずれの位置としてもよい。まず、k=0の位置では、主として、被検体Hにより屈折されなかったX線の成分非屈折成分が第2の吸収型格子22を通過する。次に、k=1,2,と順に第2の吸収型格子22を移動させていくと、第2の吸収型格子22を通過するX線は、非屈折成分が減少する一方で、被検体Hにより屈折したX線の成分屈折成分が増加する。特に、k=M/2の位置では、主として、屈折成分のみが第2の吸収型格子22を通過する。k=M/2の位置を超えると、逆に、第2の吸収型格子22を通過するX線は、屈折成分が減少する一方で、非屈折成分が増加する。k=0,1,2,,M-1の各位置で、FPD20により撮影を行い画像データを生成すると、各画素40について、M個の画素データが得られる。以下に、このM個の画素データから各画素40の強度変調信号の位相ズレ量ψを算出する方法を説明する。第2の吸収型格子22の位置kにおける各画素40の画素データIkxは、一般に次式9で表される。ここで、xは画素のx方向に関する座標、A0は入射X線の強度、Anは強度変調信号のコントラストに対応する値、nは正の整数、iは虚数単位である。また、φxは、上記屈折角φを画素40の座標xの関数として表したものである。次式10で表される関係式を適用すると、上記屈折角φxは、式11のように表される。ここで、arg[]は、偏角の抽出を意味しており、位相ズレ量ψxに相当する。したがって、各画素40で得られたM個の画素データで表される強度変調信号から、式11に基づいて位相ズレ量ψxを算出することにより、屈折角φxが求まる。なお、屈折角φxと位相ズレ量ψxとは、上記式8で示されるように比例関係にあるため、共に位相シフト分布Φxの微分量に対応する物理量である。これらをx方向に積分することで位相シフト分布Φxに対応する物理量が得られる。具体的には、図6に示すように、強度変調信号は、第2の吸収型格子22の位置kに対して、格子ピッチp2の周期で周期的に変化する。同図中の破線は、被検体Hが存在しない場合の強度変調信号を示しており、同図中の実線は、被検体Hが存在する場合の強度変調信号を示している。この両者の波形の位相差が上記位相ズレ量ψxに相当する。以上の説明では、画素40のy方向に関するy座標を考慮していないが、各y座標について同様の演算を行うことにより、x方向及びy方向に関する2次元的な位相ズレ量ψx,yが得られる。被検体Hの位相シフト分布Φx,yは、位相ズレ量ψx,yを用い、次式12に従って積分処理を行うことにより得られる。次に、以上のように構成されたX線撮影システム10の作用を説明する。FPD20を固定具51に装着し、コンソール17により撮影開始指示がなされると、システム制御部18により各部の制御が行われ、走査機構23による第2の吸収型格子22の走査とともに、X線源11によるX線の曝射及びFPD20による検出動作が行われ、縞走査の結果、メモリ13に記憶された複数の画像データに基づき、位相微分像生成部30により位相微分像ψx,yが生成される。そして、位相コントラスト画像生成部31により、上記式12に基づく積分処理が行われ、位相コントラスト画像が生成される。この位相コントラスト画像は、画像記録部15に記録された後、コンソール17に出力され、モニタに表示される。メモリ13に記憶される各画像データには、FPD20の信号線45の特性差や、信号線45に接続される積分アンプ46やA/D変換器48の特性差が起因して、図13に示すように、信号線45に対応する方向にスジ状のノイズが生じる。このノイズは、位相微分像ψx,yにもx方向のスジ状ノイズとなって現れる。この対策として、本実施形態では、固定具51により、FPD20を、信号線45が走査機構23による走査方向と平行になるように固定しているため、位相コントラスト画像生成部31による位相微分像ψx,yの積分方向x方向が、ノイズのスジ方向と等しい。位相微分像ψx,yの積分は、上記式12に示されるように、原点0から位置xまでのx方向の積分である。積分方向にノイズ量が均一であるため、ノイズの変化が積分の結果に反映されず、位相コントラスト画像の画質劣化が抑えられる。これに対して、積分方向をノイズのスジ方向と直交させた場合には、この方向にノイズが激しく変化するため、積分結果に影響が生じ、位相コントラスト画像の画質が劣化することになる。第2実施形態上記第1実施形態では、FPD20に設けた溝部53と、固定具51に設けた突起54とにより、FPD20と固定具51とを一方向にのみ係合可能とすることで、FPD20の誤装着を防止しているが、これに代えて、FPD20が正しい向きに装着された場合にのみ曝射を可能とするように構成しても良い。本発明の第2実施形態として、図7に示すように、FPD70は、検出面70aの周囲を覆う枠体71の一箇所に、バーコードやICタグ等により情報が付与された情報付与部72が設けられている。また、FPD70が装着される固定具73には、FPD70が装着された際に情報付与部72に近接する位置に、バーコードリーダやICタグリーダ等の情報読取部74が設けられている。なお、FPD70は、枠体71に溝部に代えて情報付与部72を有すること以外は、第1実施形態のFPD20と同一構成である。また、固定具73は、突起に代えて情報読取部74を有すること以外は、第1実施形態の固定具51と同一構成である。本実施形態では、システム制御部18は、情報読取部74の読取信号を監視し、FPD70の情報付与部72の情報を読み取り可能な場合、すなわち、FPD70が固定具73に正しい向きで装着されている場合にのみX線源11によるX線の曝射を許可する。これにより、FPD70の信号線45が走査機構23による走査方向に平行である場合にのみ撮影が可能となる。このように、情報付与部72及び情報読取部74は、誤曝射防止手段として機能する。なお、情報付与部72と情報読取部74とは、電気的な接点とスイッチとで構成されたものなどであっても良い。第3実施形態上記第1実施形態では、X線源11からFPD20までの距離を長くした場合に、X線焦点11aの焦点サイズ一般的に0.1mm~1mm程度によるG1像のボケが影響し、位相コントラスト画像の画質の低下をもたらす恐れがある。そこで、本発明の第3実施形態として、図8に示すように、X線源11の射出側にマルチスリット線源格子80を配置する。第3実施形態のX線撮影システムは、マルチスリット80を備えること以外は、上記第1実施形態と同一構成である。マルチスリット80は、第1及び第2の吸収型格子21,22と同様な構成の吸収型格子であり、y方向に延伸した複数のX線遮蔽部81が、x方向に周期的に配列されたものである。このマルチスリット80は、X線源11からのX線を部分的に遮蔽してx方向に関する実効的な焦点サイズを縮小するとともに、x方向に多数の点光源分散光源を形成することにより、G1像のボケを抑制する。なお、x方向に隣接するX線遮蔽部81の間には、同様に、X線低吸収部図示せずが設けられている。第4実施形態上記第1実施形態では、第1の吸収型格子21を、X線低吸部21bを通過したX線をG1像として線形的に投影するように構成しているが、本発明はこの構成に限定されるものではなく、第1の吸収型格子21でX線を回折することにより、いわゆるタルボ干渉効果が生じる特許第4445397号公報等に記載の構成とすることも可能である。本発明の第4実施形態として、第1の吸収型格子21を回折格子とし、第1及び第2の吸収型格子21,22の間の距離L2をタルボ干渉距離に設定して、タルボ干渉計を構成する。本実施形態では、タルボ干渉効果により生じる第1の格子21のG1画像自己像が、第2の吸収型格子22の位置に形成される。また、本実施形態では、第1の吸収型格子21を、位相型格子位相型回折格子としても良い。この場合には、X線高吸収部21aとX線低吸収部21aとの間で、X線にπまたは0.5πの位相差が生じるように、厚みや材料を設定すれば良い。なお、上記各実施形態では、被検体HをX線源11と第1の吸収型格子21との間に配置しているが、被検体Hを第1の吸収型格子21と第2の吸収型格子22との間に配置しても良い。この場合にも同様に位相コントラスト画像の生成が可能である。第5実施形態また、上記各実施形態では、第2の吸収型格子22がFPD20とは独立して設けられているが、特開平2009-133823号公報に開示された構成のX線画像検出器を用いることにより、第2の吸収型格子22を排することができる。本発明の第5実施形態として、第2の吸収型格子22を排して、下記の構成のX線画像検出器を用いる。本実施形態のX線画像検出器は、X線を電荷に変換する変換層と、変換層において変換された電荷を収集する電荷収集電極とを備えた直接変換型のX線画像検出器において、各画素の電荷収集電極が、一定の周期で配列された線状電極を互いに電気的に接続してなる複数の線状電極群を、互いに位相が異なるように配置することにより構成されている。本実施形態では、電荷収集電極が特許請求の範囲に記載の強度変調手段を構成している。図9において、本実施形態のFPD90には、画素91がx方向及びy方向に沿って一定のピッチで2次元配列されており、各画素91には、X線を電荷に変換する変換層によって変換された電荷を収集するための電荷収集電極92が形成されている。電荷収集電極92は、第1~第6の線状電極群92a~92fから構成されており、各線状電極群の線状電極の配列周期の位相がπ/3ずつずれている。具体的には、第1の線状電極群92aの位相を0とすると、第2の線状電極群92bの位相はπ/3、第3の線状電極群92cの位相は2π/3、第4の線状電極群92dの位相はπ、第5の線状電極群92eの位相は4π/3、第6の線状電極群92fの位相は5π/3である。さらに、各画素91には、電荷収集電極92により収集された電荷を読み出すためのスイッチ群93が設けられている。スイッチ群93は、第1~第6の線状電極群92a~92fのそれぞれに設けられたTFTスイッチからなる。第1~第6の線状電極群92a~92fにより収集された電荷は、スイッチ群93を制御してそれぞれ個別に読み出すことにより、信号線94を介して積分アンプ図示せずに伝送される。信号線94は、x方向に並ぶ画素91を、スイッチ群93を介して共通に接続している。本実施形態では、FPD90を用いることにより、一度の撮影により、互いに位相の異なる6種類のG2像が検出される。この6種類のG2像に対応する複数の画像データに基づいて位相コントラスト画像が生成される。その他の構成については、上記第1実施形態と同一であるので、説明は省略する。本実施形態では、撮影部12から第2の吸収型格子22が不要となるため、コスト削減とともに、さらなる薄型化が可能となる。また、本実施形態では、一度の撮影により、異なる位相で強度変調が行われた複数のG2像を検出することが可能であるため、縞走査のための物理的な走査が不要となり、上記走査機構23を排することができる。なお、上記構成の電荷収集電極92に代えて、特開平2009-133823号公報に記載のその他の構成の電荷収集電極を用いることも可能である。第6実施形態さらに、第2の吸収型格子22を排することを可能とする別の実施形態として、光スイッチング方式光読取型のX線画像検出器を用いることも可能である。本発明の第6実施形態として、第2の吸収型格子22を排して、下記の構成のX線画像検出器を用いる。図10において、FPD100は、X線を透過させる第1の電極層110と、第1の電極層110を透過したX線の入射により電荷対電子-正孔対を発生する記録用光導電層111と、記録用光導電層111で発生した電荷対のうち一方の極性の電荷に対しては絶縁体として作用するとともに、他方の極性の電荷に対しては導電体として作用する電荷輸送層112と、読取光LTの照射を受けることにより電荷対電子-正孔対を発生する読取用光導電層113と、第2の電極層114と、ガラス基板115と、直線状の読取光LTを発生する読出ライン光源116とから構成されている。記録用光導電層111と電荷輸送層112との界面には、記録用光導電層111内で発生した電荷対のうち一方の電荷を蓄積する蓄電部117が形成されている。また、上記各層は、ガラス基板115上に第2の電極層114から順に形成されている。第1の電極層110は、約100nmの厚さの金Auからなる。記録用光導電層111は、厚さが約10μm~1500μmのアモルファスセレンa-Seからなる。電荷輸送層112としては、X線撮影の際に第1の電極層110に帯電する電荷の移動度と、その逆極性となる電荷の移動度の差が大きい例えば102以上、望ましくは103以上ものが好ましい。読取用光導電層113は、厚さが約5μm~20μmのa-Seからなる。第2の電極層114は、読取光LTを透過させる複数の透明線状電極114aと、読取光LTを遮光する複数の遮光線状電極114bとからなる。透明線状電極114aと遮光線状電極114bとは、それぞれx方向に検出面の一端から他端まで延伸しており、y方向に所定の間隔を空けて交互に平行に配列されている。透明線状電極114aは、読取光LTを透過させ、かつ導電性を有する材料からからなる。透明線状電極114aは、たとえば、厚さが100nm~200nm程度のITO、IZOやIDIXOにより形成されている。遮光線状電極114bは、読取光LTを遮光し、かつ導電性を有する材料から形成されている。遮光線状電極114bは、後述する読取処理後に蓄電部117に残留した電荷を消去するための消去光を透過させる。このため、遮光線状電極114bは、読取光LTを遮光し、かつ消去光を透過させるカラーフィルタと、上記透明導電材料との組み合わせからなることが好ましい。この透明導電材料の厚さは100nm~200nm程度である。読出ライン光源116は、y方向に検出面の一端から他端まで延伸しており、すべての透明線状電極114aと直交している。読出ライン光源116は、ガラス基板115の下方に配置されており、後述する読取処理時に、ガラス基板115及び第2の電極層114を介して読取用光導電層113に読取光LTを照射する。また、読出ライン光源116は、不図示の移動機構によりx方向に並進移動するように構成されており、読取光LTの照射及び並進移動は、前述の撮影制御部16により制御される。また、FPD100には、撮影制御部16の制御に応じて、第1の電極層110に所定の負電圧、または接地電位を与える電源回路118が設けられている。詳しくは後述するが、電源回路118は、X線像の記録時に負電圧を第1の電極層110に供給し、読取処理時に接地電位を第1の電極層110に供給する。さらに、FPD100には、読取処理時に読取用光導電層113で発生した電荷を読み出すための積分アンプ119が設けられている。積分アンプ119は、各透明線状電極114aにそれぞれ接続されている。一方の遮光線状電極114bはすべて接地されている。積分アンプ119は、電荷を積算する回路であり、積算した電荷をリセットするためのリセットスイッチ119aを備えている。このリセットスイッチ119aの制御は、撮影制御部16により行われる。読出ライン光源116は、読取処理時に、x方向に所定のピッチずつ移動走査され、移動された各位置以下、走査位置というにおいて、読取光LTを照射し、この読取光LTに応じて読取用光導電層113に発生した電荷を、透明線状電極114aを介して積分アンプ119により読み出す。これにより、互いに位相の異なる複数のG2像が検出される。読出ライン光源116を移動させるピッチ以下、走査ピッチというは、FPD100の検出面第1の電極層110の表面110aに投影される吸収型格子21のG1像のx方向へのパターン周期よりも十分に短い。なお、透明線状電極114a及び遮光線状電極114bのy方向への配列ピッチについては、特に制限はないが、該パターン周期と同等程度であることが好ましい。次に、各走査位置におけるFPD100の撮影動作について説明する。図11aに示すように、FPD100に照射されたX線は、第1の電極層110を透過して記録用光導電層111に照射され、記録用光導電層111ではX線照射によって電荷対が発生する。このとき、第1の電極層110は、電源回路118によって負電圧が印加されており、負の電荷が帯電している。記録用光導電層111で発生した電荷対のうち正の電荷が、第1の電極層110の負の電荷と結合して消滅する。一方の負の電荷は、図11bに示すように、潜像電荷静電潜像として蓄電部117に蓄積される。次いで、図12に示すように、電源回路118によって第1の電極層110が接地された状態で、読出ライン光源116から読取光LTが発せられる。読取光LTは、透明線状電極114aを透過して読取用光導電層113に照射される。読取光LTにより、読取用光導電層113で発生した電荷対のうち正の電荷が蓄電部117の潜像電荷と結合するとともに、負の電荷が、積分アンプ119を介して遮光線状電極114bに帯電した正の電荷と結合する。そして、読取用光導電層113において発生した負の電荷と遮光線状電極114bに帯電した正の電荷との結合によって、積分アンプ119に電流が流れ、この電流が積分されて画素信号として出力される。積分アンプ119から出力された画素信号は、A/D変換器図示せずによりデジタル化され画像データとして、順にメモリ13に入力される。本実施形態では、透明線状電極114aが信号線に相当し、透明線状電極114aが縞走査の走査方向換言すると、位相微分像の積分方向に平行である。第7実施形態上記各実施形態では、縞走査法により位相微分像を求めているが、本発明はこれに限定されず、国際公開WO2010/050483に記載されたフーリエ変換法により位相微分像を求めてもよい。このフーリエ変換法は、X線画像検出器により得られた1枚分の画像データをフーリエ変換することによって画像データに生じるモアレ縞のフーリエスペクトルを取得し、このフーリエスペクトルからキャリア周波数に対応したスペクトルを分離して逆フーリエ変換を行なうことにより位相微分像を得る方法である。この位相微分像を同様に積分処理することにより位相コントラスト画像が得られる。以上説明した各実施形態は、医療診断用の放射線撮影システムに限定されず、工業用等のその他の放射線撮影システムに適用することが可能である。また、放射線として、X線以外に、ガンマ線等を用いることも可能である。"