"可動機械部を含むマイクロエレクトロメカニカルシステムの製造方法であって、少なくとも1つの可動機械部の浮遊工程を含み、該浮遊工程が、半導体材料の第1ウェハ1内に、少なくとも1つの多孔質ゾーン30を形成する工程と;前記第1ウェハ1の前面に少なくとも1つの可動機械部35を構成するのに適した材料のパターンを少なくとも1パターン形成し、犠牲層内39に前記パターンを少なくとも一部封入する工程と;前記犠牲層39用の溶液を用いて前記多孔質ゾーン30を介する前記第1ウェハの裏面から前記可動機械部を浮遊させる工程81とを含む、方法。請求項1に記載の方法であって、前記犠牲層39用の溶液のアタックに耐える材料の層を前記犠牲層39の上に形成する、方法。請求項1または2に記載の方法であって、前記可動機械部を浮遊させる工程の前に、第2ウェハ60上に前記第1ウェハ1の前面を結合させる移動の工程51と;前記多孔質ゾーン30が検知70されるまで前記第1のウェハ1の裏面からの薄化の工程とを行う、方法。請求項1から3のいずれか一項に記載の方法であって、前記犠牲層39が前記多孔質ゾーン30を少なくとも部分的に覆う、方法。請求項4に記載の方法であって、前記可動機械部の周辺で浮遊されるゾーンを少なくとも1ゾーン画定するのに適した少なくとも1つのバリア45によって前記犠牲層39を遮り、該バリア45が前記犠牲層用の溶液によるアタックに耐える材料でできている、方法。請求項1から5のいずれか一項に記載の方法であって、前記犠牲層39が前記第1ウェハ1を構成する半導体材料の酸化物でできている、方法。請求項1から6のいずれか一項に記載の方法であって、前記可動機械部のパターンを構成するのに適した材料が単結晶体シリコンである、方法。請求項7に記載の方法であって、前記パターンの単結晶シリコン345が、単結晶シリコンで構成されている前記第1ウェハ1からの選択エピタキシャル成長によって得られる、方法。請求項8に記載の方法であって、前記多孔質ゾーン30上に少なくとも1つの酸化物パターン337を形成し、該酸化物パターン337が前記犠牲層39の一部を成し、前記酸化物パターン337を覆うようにエピタキシャル成長を行う、方法。請求項6に記載の方法であって、前記パターンの単結晶シリコン445が、表面上の多孔質シリコン層407の形成後、単結晶シリコンの第3ウェハ402上に形成されるエピタキシャル層412の移動によって得られる、方法。請求項10に記載の方法であって、前記多孔質ゾーン30の形成後に第1ウェハ上へ酸化物層435が堆積され、前記エピタキシャル層412の形成後に第3ウェハ上へ酸化物417が堆積されて、結合469によってアセンブリされる、方法。請求項11に記載の方法であって、前記第1ウェハ1の表面に単結晶シリコンの連続層445を残すように、多孔質シリコン層407のレベルで前記第3ウェハを分割する工程468を含む方法。請求項8または10または11に記載の方法であって、前記多孔質ゾーン30に直交して酸化物で充填された少なくとも1つの溝350を形成し、前記多孔質ゾーン30上に予め形成された酸化物層435またはパターン337とともに、前記可動機械部を覆う前記犠牲層39を構成するために、第1ウェハの全表面に酸化物を堆積させる、方法。請求項7から12のいずれか一項に記載の方法であって、単結晶シリコン層345、445内にマイクロエレクトロメカニカルシステムの電子コンポーネントを少なくとも1つ形成する工程を含む方法。請求項1から5のいずれか一項に記載の方法であって、前記可動機械部分のパターンを構成するのに適した材質が多結晶シリコンである、方法。請求項1から15のいずれか一項に記載の方法であって、前記犠牲層39用の溶液によるアタックに耐える材料の層40の上にマイクロエレクトロメカニカルシステムの電子コンポーネントを製造する工程250を含む方法。請求項1から16のいずれか一項に記載の方法であって、前記多孔質ゾーン30を閉鎖することでマイクロエレクトロメカニカルシステムを密封するのに適した材料を、前記第1ウェハの前面に対向する裏面上に堆積させる工程を含む方法。請求項1から17のいずれか一項に記載の方法であって、複数の多孔質ゾーン30および/または複数の可動機械部のパターンが形成される、方法。半導体材料のウェハ1、犠牲層39および犠牲層用の溶液によるアタックに耐える材料の層40の重ね合わせと、前記犠牲層39内に少なくとも一部封入された少なくとも1つの可動機械部とを含むマイクロエレクトロメカニカルシステムの製造方法であって、少なくとも1つの多孔質ゾーンが、前記犠牲層39へ流体がアクセスできるように前記ウェハ1の厚さ方向全体にわたって該ウェハ1内に形成される、方法。半導体材料のウェハ1および少なくとも1つの可動機械部のチャンバを画定する層40を含むマイクロエレクトロメカニカルシステムであって、前記チャンバへ流体がアクセスできるように前記ウェハ1の厚さ方向全体にわたって該ウェハ1内に形成された少なくとも1つの多孔質ゾーンを含むマイクロエレクトロメカニカルシステム。こうした理由から、本発明は、上記で示した問題を一部または全面的に解決する、MEMSデバイスの可動部浮遊に関する新たな方法を提供するものである。特に、MEMSデバイスの可動部の浮遊が、コンポーネントや機械等が製造される側の面で行なわれる必要のない方法を提供することを目的とする。本発明のもう1つの目的は、多孔質ゾーンによりMEMS部分に流路を備えるMEMSデバイスの新たな構造を提案するものである。本流路はガス体や液体の通路としてMEMSの機能に使われるものである。本発明に付随するその他の目的、特徴、利点等は、下記の記述および添付の図面で述べられている。また、その他の利点が加えられる可能性もある。本発明は、マイクロエレクトロメカニカルの可動機械部の浮遊方法を提案するものである。方法は、多孔質ゾーンがウェハ内で、好ましくは、半導体材料の第1ウェハの前面に形成されることに特徴づけられる。マイクロエレクトロメカニカルの可動機械部の構成に適した材料のパターンは多孔質ゾーンの右の第1ウェハの前面に形成される。パターンは、犠牲層で覆われている。さらに、犠牲層用の溶液によるアタックに対して耐久性のある材料の層が堆積される。第2ウェハ上への第1ウェハ前面の接合による移動の後には、第1ウェハの裏面から多孔質ゾーン検出までの薄化が続く。可動機械部の浮遊は、犠牲層用の溶液のおかげで多孔質ゾーンを通して第1ウェハの裏面で行われる。本方法は、さらに下に述べる特徴選択可能、蓄積可能、交互使用可能を含む:溶液アタックに耐性のある材料層の堆積と可動機械部の浮遊の間で次の工程を行うこと。;‐第2ウェハ上の第1ウェハの前面の接合による移動‐第1ウェハの裏面から多孔質ゾーンの検知までの薄層化犠牲層が少なくとも部分的に多孔質ゾーンを覆っていること。可動機械部周辺で少なくとも部分的な浮遊ゾーンの限定に適したバリアにより犠牲層を遮る。上記バリアは犠牲層用の溶液によるアタックに耐久する材料で形成されること。犠牲層は第1ウェハを構成する半導体材料の酸化物で形成されていること。機械部分のパターン形成に適す材料が単結晶シリコンであること。パターンの単結晶シリコンは、それ自体が単結晶シリコンで構成された第1ウェハからの選択エピタキシャル成長により得られること。多孔質ゾーン上に少なくとも1つ酸化物パターンを形成する。この酸化物パターンとは犠牲層の一部を構成する。酸化物パターンを覆うようにエピタキシャル成長を行う。パターンの単結晶シリコンは、その表面に多孔質シリコン層を形成した後単結晶シリコンの第3ウェハ上に形成されたエピタキシャル層の移動によって得られる。多孔質ゾーンの形成よりできた第1ウェハへの酸化物層の堆積およびエピタキシャル層の形成よりできた第3ウェハへの酸化層の塗布は、接着によりアセンブリ組立てを目指して行われること。多孔質シリコン層レベルでの第3ウェハの分割段階、および単結晶シリコンの連続層である第1ウェハ表面を残すための研磨段階。多孔質ゾーンの右側に酸化物で充填した溝を少なくともひとつ形成し、その後、多孔質ゾーン上に、予め形成された酸化物層またはパターンとともに、可動機械部を覆う犠牲層を構成するために第1ウェハの全表面上に酸化層物被覆する工程が続くこと。単結晶シリコン層にマイクロエレクトロメカニカルシステムを少なくともひとつ作成。可動機械部のパターンを構成するのに適する材料は、多結晶シリコンであること。犠牲層の溶液によるアタックに耐性のある材料で形成された層上の、上記マイクロエレクトロメカニカルシステムに関与する電子コンポーネントの製造工程。多孔質ゾーン閉鎖でマイクロエレクトロメカニカルシステムを密閉するのに適した材料を第1ウェハの前面に対向する裏面へ形成する工程。可動機械部のパターンおよび/または多孔質ゾーンの形成。本発明は、可動機械部の浮遊を可能にするための多孔質ゾーンを含有するマイクロエレクトロメカニカルシステムを提供するものでもある。本発明は、半導体材料のウェハ、犠牲層および犠牲層用の溶液によるアタックに耐える材料の層の重ね合わせと、犠牲層内に少なくとも一部封入された少なくとも1つの可動機械部とを含むマイクロエレクトロメカニカルシステムの製造方法であって、少なくとも1つの多孔質ゾーンが、犠牲層へ流体がアクセスできるようにウェハの厚さ方向全体にわたって該ウェハ内に形成される、方法に関するものである。本発明は、半導体材料のウェハおよび少なくとも1つの可動機械部のチャンバを画定する層を含むマイクロエレクトロメカニカルシステムであって、チャンバへ流体がアクセスできるようにウェハの厚さ方向全体にわたって該ウェハ内に形成された少なくとも1つの多孔質ゾーンを含むマイクロエレクトロメカニカルシステムを提供するものでもある。本発明の目的、対象、特徴は、添付の図面に描かれている本発明の実現方法の詳細な説明により明らかである。図面の工程の段階フェーズは、ページ左側の上より下へ、そしてページ右側の上から下へ進むよう記されている。添付図は、ほんの一例として挙げられているもので、本発明を限定するものではない。図中の同参照符号は、全図において同様の要素又は作業を示すものである。以下の説明は、可動部の完全浮遊の状態でなされるが、限定的なものではない。浮遊は一部分または単に一部分の可動部が浮遊する可能性もある。また、可動部という言葉は、位置を変えられる上記部分の能力と理解される。可動性という言葉は広範囲、または部分的なことを指す。例えば、その部分が全て可動しなくとも、たわみによる変形で単に運動的に浮遊するという意味でも使われる。図2は、本発明を適用した第1の方法として、可動部の多結晶シリコンでの形成を記している。本発明の方法は、全マイクロエレクトロニクス産業の基本材料、一般的に低濃度ドープの単結晶シリコンのウェハ1を使用し、そのウェハは硬く扱いやすくなるよう十分な厚さを有する。ウェハWaferは、そこからデバイスが製造される基板を構成する。ウェハの上面は、光学研磨されている。従来の方法では、デバイスが実現されるのは、この面からのみである。本発明にかかわる全ての説明において、上面つまりデバイス、機械、その他を形成する初期ウェハの面は、初期ウェハの裏面もしくは底面を指称する別の面に対しての前面とも指称され得ることは留意されたい。本発明の最初の工程11は、ウェハ上層に多角質シリコンゾーン30を作成することからなる。このゾーンは、これらのゾーンのレベルに位置するMEMSの可動部を、小孔を介して浮遊させる最終工程に使われる。シリコン多孔化は、簡潔に後述する既存の技術を使用することに限定されるものではない。1950年代以降、多孔質シリコンが単結晶シリコンから電子化学的に得られることは周知である。多孔質化はフッ化水素酸HF中で陽極溶解することにより得られる。各シリコンウェハ1の処理には適正な設備を使用しなければならない。多孔質化されるゾーンは、予めウェハ上層と限られる。このため、陽極溶解に耐える保護材料の層5がまず堆積され、典型的には窒化シリコン層Si3N4である。感光性レジスト層10を堆積後、多孔質化されるゾーンはフォトリソグラフィ工程で画定され15、窒化層にパターンのエッチングが可能となる20。レジスト除去後、ウェハの上面を、窒化シリコンに保護されていないゾーンを多孔質化するため、フッ化水素酸の水溶液と接触させる25。そして電位差を印加して、フッ化水素酸に浸漬する陰極と多孔化するウェハの下面と電気接触する陽性との間に電流を流す。水溶液内のフッ化水素酸の濃度、印加される電流の値、陽極化の時間は、特に、得るべき多孔質層の特徴をコントロールできるパラメーターである。水溶液中の照射は必要であれば多孔質層の特徴をさらにコントロールする方法として利用できる。実現する多孔質ゾーンの厚さとその特性は、本発明の適用の仕方によりかなり異なる。特に、作成される小孔の大きさは、典型的には、略百ナノメートルから十数マイクロメートルの厚さに対して、数ナノメートルから数マイクロメートルにまで値が広がる。保護として使用された窒化シリコンの除去後、初期シリコンウェハは、前述の陽極溶解操作によってコントロールされた深さにエッチングされた窒化物のパターンに合致する多孔質ゾーン30で覆われる。多孔質ゾーンという言葉は、上述ゾーンの形状、寸法、パターンのいずれをも制限するものではないことは留意されたい。また、多孔質ゾーンは、層の一部に限られず、層全体の可能性もある。多孔質ゾーンが形成された後は、マイクロシステムの実現は、本発明の第1実施形態では多結晶シリコンのパターンによってできた機械部分の作成段階31へ続く。本パターン35は多孔質ゾーン上に並べられ、第1酸化層上232に形成され、後述するように、可動部の浮遊のために溶解されるアセンブリ全体を形成する犠牲酸化層39内に、最終的には完全に封入される。これらのパターンや垂直構造を得る方法は当業者に良く知られている。特に、マイクロエレクトロニクスでは長い間用いられてきている、シリコン酸化物および多結晶シリコンを堆積させる方法が適用される。また、パターンはフォトリソグラフィ工程やエッチングといった従来の技術で画定される。アセンブリ39を形成するための酸化物の第1堆積物と第2堆積物との間の表面状態は、最適な状態でデバイスの製造を続けることができるための平坦化が得られるように、化学機械的またはCMPchemical-mechanicalpolishing法といった研磨を必要とする。オプションとして、可動部を封入する酸化シリコンを溶解する化学溶液に耐えられる材料層40を形成する。上述のように、酸化シリコンを溶解するための溶液は典型的にはフッ素水素酸を主成分とした溶液であり、そして保護層は窒化シリコンの保護層40である。本願で説明されるように、本層が存在しなければ、可動部の浮遊工程は時間ステップで行われる。つまり、溶液による犠牲層の既知のアタック速度によって行われる。オプションとして、可動部の浮遊を水平に限定するための垂直の停止ゾーン45も作成できる。ここでも、層40に使用されるのと同様の可能性を持つ保護材料で充填される溝を作成するための、当業者に周知の全技術が使用され得る。一般的に、本発明は図2に記述された構造を得るためには、特殊な方法の適用を要求しない。本発明は、機械部分に多結晶シリコンの使用を基にした第1実施形態で製造されるデバイスのタイプを仮定しているものでもない。マイクロエレクトロニクス産業に使用される多種多様な材料による追加層250も形成され得て、そのパターンはフォトリソグラフィ工程やエッチングといった前述の技術で画定される。工程51後の時点で、MEMSも入れた全てのデバイスを含んだ初期シリコンウェハは、可動部の浮遊を可能にするよう第2支持体60上に移動される。第2支持体は、ウェハ操作に必要な機械的性質を備えている必要があり、また、デバイスが製造された第1ウェハの上面への結合を可能にする必要がある。第2支持体の固定には、その内部で回路が部分的または全て製造されるウェハの堆積を可能にする周知の技術方法を用いる。第2支持体は、第1支持体1と同タイプの別のシリコンウェハであり得て、低温での分子接着による酸化物上への酸化物の結合を用いることができる。この結合法は、第1ウェハの表面に既に製造されている全デバイスまたはその一部のための保護層の予めの堆積と、アセンブリされるウェハの表面62の準備とを必要とする。しかしながら、本発明は、第2支持体60が特殊な性能を持ち、機械的支持を構成し、後に続く操作の保護の役割を主に担うことを要求するものではない。結果として、2枚のウェハによるアセンブリ65を得ることができる。第1ウェハは、下面から多孔質シリコンゾーン30の裏面70に達するまで薄化される。薄化71の工程は、当業界において周知の技術を用いる。薄化は言うまでもなく2段階を得て実施される。シリコンの迅速な除去がまず行われるが、操作中いかなる場合であっても多孔質ゾーンに接触がないよう万全を期して行われる。例えば、シリコンの大部分は機械研磨または化学方法により除去できる。次の工程で、上記のCMP法で研磨を施すことで、後に続く操作に適した表面状態の十分な平坦化が得られるようになる。研磨の終了は、研磨中の表面に露光して入反射光を計測し、多孔質ゾーンの検知として知られる方法等を用いて自動的に制御される。実際、多孔質ゾーンが明瞭な時、入反射光の値は変化する。次の工程81は、可動部を囲む80犠牲層のシリコン酸化物を溶解して可動部を浮遊させるものである。これらは、第1ウェハ30の表面に予め形成され、第1ウェハの薄化操作により下層からのアクセスが可能となった多孔質シリコンゾーンを介してなされる84。犠牲層のアタックは、1層または1ゾーン、または両方があるときには停止層40および停止ゾーン45により付属的に止められる。そうでなければ、溶液による犠牲層の既知のアタック速度に基づいて時間ステップで止める。犠牲層のアタック化学溶液82は、使用される材料に依存する。前述したように、酸化シリコンSiO2の場合は、フッ素水素酸HFを液体またはガス状で用いる。しかしながら、例えば、水溶液が、様々な濃縮レベルの純HFタイプのものであり得て、また、フッ化アンモニウムNH4Fを混ぜた構成も可能である。使用可能な化学溶液は、例えば市販されているフッ素水素酸濃度49のような希釈化フッ素水素酸であり、これを使用者が典型的には0.1から49の間の最終濃度に更に希釈することができる。また、BOEbufferedoxideetchant,緩衝溶液といった溶液も利用できる。この溶液は、NH4F/HFの混合物である。さらに、NH4Fのみを基とした溶液も考えられる。これら全ての溶液は、犠牲層を構成する酸化物の種類により、シリコン酸化膜に対するアタック速度の特性が異なる:ここで、犠牲層を構成する酸化物としては、前駆体より蒸気相で化学的方法により蒸着されたUSGUndopedSilicateGlassで形成したシリコン酸化物、熱酸化物:シラン、またはTEOStetraethylorthosilicateタイプの酸化物が挙げられる。また、製造デバイスを構成する他の半導体、金属物、材料上への衝撃可能性も、犠牲層のアタックのための化学溶液を選択するときに考慮しなければならない。MEMSの可動部分を浮遊させるためのエッチングを停止する制御とアタック時間の決定が、本発明による方法の実施を条件付ける重要なパラメーターであることは明らかである。一例として、およそ620Å/分1Å=10-10メートルの1100°Cで形成されたSiO2タイプの酸化物のアタック速度は、HFが1に対してNH4Fが7の割合として、NH4F40とHF49の混合に対応するBOEタイプの溶液で観察される。およそ1200から2000Å/分以上のアタック速度は、蒸気相で化学的に形成されたUSGまたはTEOSタイプの酸化物で確認される。蒸気相で形成された1マイクロメートルのシリコン酸化物層は、溶解に約10分を要する。犠牲層は、エッチング、液体、ガス状等、多様な溶液を段階的に使用することでも溶解できる。簡単な方法では、エッチング停止制御は、一方では使用材料、犠牲層の厚さが分かっていて、他方では使用される化学溶液のアタック速度が分かっていれば、推定時間に依存する。上記の酸化シリコンの犠牲層における標準的な例として、図2の参照符号80が示しているように、シリコン多孔質のアタックは、多孔質シリコンによって画定された開口部から、等方性的に行われる。上述したように、可動部の浮遊段階の適用のため、そして最大の浮遊と最良の制御を行うため、化学的アタックが水平に及ぶのを防ぐためにバリア451壁のみ表示を生成するために他の技術工程を、本方法に追加することができる。前述した窒化シリコンSi3N4に加え、水素化アモルファス炭化シリコンSiC、水素化アモルファス窒化炭化シリコンSiCNといった材料が、可動部周辺のシリコン酸化膜を溶解させるHFアタックに耐えることは良く知られている。これらの物質は、バリア45の実現に使用することできる。さらに、可動部分の浮遊が成された後、デバイスの密封は、例えば全ての多孔質ゾーンを閉鎖するためにアセンブリの底面上に酸化物層を堆積させることで容易に保証できることは留意されたい。図3は、単結晶シリコンの可動部が、デバイスの底面からも浮遊している本発明の第2の実施形態を示している。第1ウェハ表面に多孔質ゾーン30を形成する方法の最初の工程11は、図2の方法と完全に同様である。中間工程は特に断らない限り説明しない。中間工程は、同図面での本発明の第2の実施形態の全工程を記すために、単に便宜上示されている。次の工程31は、図2に示されているように、機械部の製作を可能にするものである。本工程は、電子コンポーネントが、MEMSデバイス、論理回路、アナログ回路を同時に形成するために製造される単結晶シリコン層を、第1ウェハ1の表面で形成することから成ることで異なっている。例えば、CMOS型の論理回路のための電界効果トランジスタがある。本発明の第2の実施形態において、機械部分は、好ましくは、単結晶シリコン製である。そのため、酸化シリコン層332が第1ウェハの全表面に堆積される。多孔質ゾーンのレベルに位置するパターンは、マイクロエレクトロニクスで従来より使用されている方法でエッチングされる337感光性レジスト堆積、フォトリソグラフィ、酸化物エッチング、レジスト除去。後述するように、MEMSの可動部が形成されるのは酸化物パターン上である。パターンは、前述したように、可動部を浮遊させるために最終的に溶解される犠牲層の第1部分を構成する。その後、エピタキシャルにより、酸化物によって保護されていないゾーンから単結晶シリコン層345を形成する。エピタキシャル層は、層が形成されているウェハの構造と同様の結晶構造を成している。隣接したゾーンから行われる側面への成長により、単結晶シリコンによって最終的に覆われる酸化物パターン自体の上にシリコン成長は起こらない。本結果を得るための技術は、当業者には周知の技術である。ELOepitaxylateralovergrowthと呼ばれる技術の使用が可能である。CMP法での研磨は、本操作後、最適の表面状態347を得るために必要となる。次に述べる工程は、単結晶シリコンのエピタキシャル層内で酸化膜パターン337を制限する狭い溝350を作成するためのものである。この段階で、研磨後、酸化膜パターン337に覆われた多孔質シリコン30の埋没したパターンを見出すための異なった方法が存在することには留意されたい。エピタキシャル層345により埋没された最終レベルのアライメントのマークを見出すことを可能にする、カッティングトラックのエッチングおよびフォトリソグラフィを行うことが重要である。まずは大まかなアライメントが、各ウェハ上に存在する位置決めの溝または平面部分を使って行われ、マークが浮き彫りになった後、この目的のために予めつけてあるマークを用いて正確なアライメントが行われる。さらに、溝350が酸化物で充填され、MEMSの可動ゾーン35が酸化物39で完全に封入されるよう、ウェハの全表面を被覆する。酸化物の研磨が必要となり得る。アセンブリ全体が、上述のように、可動部を覆う酸化膜の溶解のアタックに耐える材料の層40によって覆われる。前述したように、同様の条件で、可動部の浮遊を水平に限定するための垂直的停止ゾーン45も、追加的に作成することができる。使用可能なアタック用溶液および材料は、図2の説明で既に説明してある。可動部の浮遊までの全ての残りの工程は、同様である。第2ウェハ60上への移動51はアセンブリ62を得るための図2と同様の条件で行われる。薄膜化71および底面70の研磨は、可動部の浮遊81が前述のように行われた後で、多孔質ゾーンが現れるよう行われる。単結晶シリコンを使用した本構造では、酸化物の溶解は、エピタキシャル層によって側面に限定され、可動部の浮遊工程を最良に制限する80ように犠牲層39の薄い酸化物の上部層でのみ行われる。停止ゾーン45の形成は、オプションとして選択できる。図4は、エレクトロニクスデバイスやMEMSを有利に同時に製造できる、単結晶シリコン層を得られる本発明の方法の他の実施形態を示したものである。また、MEMSの可動部は図2および3で記されているように浮遊される。本方法は、前述したように多孔質ゾーン30が作られた単結晶シリコンの第1ウェハを得るためのものである。第1ウェハの表面に多孔質ゾーンを形成するための方法1から30の工程は、特に断らなければ、図2の工程と完全に同様である。ここでは、例えば多孔質ゾーンを形成したのと同様の第2単結晶シリコンウェハが、用いられる。多孔質層407は、その全表面に作られる。多孔質層の形成は、この場合、多孔質シリコンが全表面を覆っているため保護材料のエッチングやフォトリソグラフィ操作を必要としないことを除き、図2に記述されている条件と同様に行われる。本操作の後に、エピタキシャル成長により多孔質シリコン層407から単結晶体シリコン層412の形成が続く。エピタキシャル成長の条件は、一般的に使用されるバルクシリコンのものとは異なる。特に、多孔質シリコンが形成された後、エピタキシャルを行う前にシリコンの形態を安定させるために、真空下での第1熱処理を適用する。その後、アセンブリ用に、多孔質シリコンゾーン30が形成された第1ウェハ1と共に反転後、全ての表面417に酸化シリコンを形成する。第1ウェハは、アセンブリ467を形成するための2枚のウェハの接合のために、全表面435に酸化物を堆積させてある。既に述べたように、例えば低温での分子接着による酸化物上への酸化物の結合法469を用いることができる。当業者に知られている他の方法も存在し、こうした方法も2枚の基板のアセンブリに用いることが可能である。論理回路、アナログ回路、MEMSデバイス等の電子コンポーネントを形成することができる単結晶シリコン薄層のみを表面に残すよう、第2ウェハの多孔質シリコン層のレベルにおいて分割468を行えることが知られている。しかも、ウェハの残りの部分は再利用可能である。また、図2に記述されるように、例えば2段階での機械化学研磨による方法も可能である。CMP法の研磨では、多孔質ゾーンの終わりを検知して薄膜化を停止することができる。CMP法での研磨は、単結晶シリコンのエピタキシャル層445および、良質の表面447を見出すために、いずれにせよ施されなければならない。次の操作の位置決めを可能にするため、多孔質シリコンに埋没しているパターンは、図3に記されているように研磨後、見出される。この時点で、2枚の基板のアセンブリは図3で得られたもの345および347と同様である。350以降の全ての工程は、同様の条件で適応される。唯一の違いは、図4の構造で可動部を覆う連続酸化シリコン膜が2層図3では方法は1層だけ存在することであって、可動部の浮遊制限が、顕著に侵されるものではない。図3に記されている、単結晶シリコン層を得ることのできる本発明の第2の実施形態のこの他の適用法では、ウェハが合計で3枚使用され、そのうちの1枚が再利用できる。本発明は、高価なSOI法の高性能ウェハを使用しないという目的を達成することができる。また、本発明は、第2ウェハの移動のため、電子/機械コンポーネントが保護された後、可動部分の浮遊が第1ウェハの裏面または底面より行われることを可能にしている。第2ウェハは、機械的支持体として使われ、また第1ウェハの表面に製造された全デバイスにとって効果的な保護の役を担う。"