基板上に形成された第1導電型の第1の分布型ブラッグ反射鏡と、前記第1の分布型ブラッグ反射鏡の層構造の間に形成された、少なくとも1つの半導体被酸化層と、前記第1の分布型ブラッグ反射鏡上に形成された活性領域と、前記活性領域上に形成された第2導電型の第2の分布型ブラッグ反射鏡とを備え、前記第2の分布型ブラッグ反射鏡は柱状構造であり、前記第1の分布型ブラッグ反射鏡には、前記第2の分布型ブラッグ反射鏡の柱状構造の周囲に設けられた、前記少なくとも1つの半導体被酸化層に到達する、少なくとも1つの孔または溝が形成され、前記半導体被酸化層には、前記少なくとも1つの孔または溝の側面から酸化されることにより、前記柱上構造の周方向に連続する酸化領域が形成され、前記第1の分布型ブラッグ反射鏡には、前記酸化領域によって囲まれた導電領域による電流経路と、前記酸化領域によって囲まれない導電領域による電流経路が形成されている面発光型半導体レーザ。本発明は、電流経路の抵抗を低減し、かつ横モード制御が可能な面発光型半導体レーザ、およびこれを用いた光学装置、光照射装置、情報処理装置、光送信装置、光空間伝送装置ならびに光伝送システムを提供することを目的とする。請求項1に係る面発光型半導体レーザは、基板上に形成された第1導電型の第1の分布型ブラッグ反射鏡と、前記第1の分布型ブラッグ反射鏡の層構造の間に形成された、少なくとも1つの半導体被酸化層と、前記第1の分布型ブラッグ反射鏡上に形成された活性領域と、前記活性領域上に形成された第2導電型の第2の分布型ブラッグ反射鏡とを備え、前記第2の分布型ブラッグ反射鏡は柱状構造であり、前記第1の分布型ブラッグ反射鏡には、前記第2の分布型ブラッグ反射鏡の柱状構造の周囲に設けられた、前記少なくとも1つの半導体被酸化層に到達する、少なくとも1つの孔または溝が形成され、前記半導体被酸化層には、前記少なくとも1つの孔または溝の側面から酸化されることにより、前記柱上構造の周方向に連続する酸化領域が形成され、前記第1の分布型ブラッグ反射鏡には、前記酸化領域によって囲まれた導電領域による電流経路と、前記酸化領域によって囲まれない導電領域による電流経路が形成されている面発光型半導体レーザ。好ましくは前記第2の分布型ブラッグ反射鏡は、電流経路を制限する電流狭窄層を含む。好ましくは前記酸化領域により囲まれた導電領域の径は、前記電流狭窄層の導電領域の径と同等もしくは小さい。好ましくは前記酸化領域により囲まれた導電領域の径は5μm以上である。好ましくは前記少なくとも1つの半導体被酸化層は、Alを構成元素そして含む。好ましくは前記電流狭窄層は、Alを構成元素として含み、柱状ポスト構造の側面から選択的に酸化された絶縁領域を含む。好ましくは前記電流狭窄層は、イオン注入により形成された絶縁領域を含む。好ましくは前記電流狭窄層は、埋め込み半導体層により電流経路を制限した領域を含む。好ましくは第1の分布型ブラッグ反射鏡には、複数の半導体被酸化層が形成され、各々の半導体被酸化層の酸化領域により囲まれた導電領域の径が前記活性領域に近づくにつれ大きくなる。好ましくは前記複数の半導体被酸化層は、Alの組成または膜厚を異にする。好ましくは前記少なくとも1つの半導体被酸化層の酸化領域により囲まれた導電領域の中心は、前記柱状構造の中心軸に一致する。好ましくは光学装置は、面発光型半導体レーザと、面発光型半導体レーザに電気的に接続された電気接続端子と、面発光型半導体レーザから出射された光を入射する光学部品とを備える。好ましくは光照射装置は、面発光型半導体レーザと、面発光型半導体レーザから発せられた光をレンズおよびミラーの少なくとも1つを含む光学部品を介して照射する照射手段と備える。好ましくは情報処理装置は、光学装置と、面発光型半導体レーザから発せられた光を送信する送信手段とを備える。好ましくは光送信装置は、光学装置と、面発光型半導体レーザから発せられた光を送信する送信手段とを備える。好ましくは光空間伝送装置は、光学装置と、面発光型半導体レーザから発せられた光を空間伝送する伝送手段とを備える。好ましくは光伝送システムは、光学装置と、面発光型半導体レーザから発せられた光を伝送する伝送手段とを備える。請求項1によれば、従来の面発光型半導体レーザに比べて電流経路の抵抗を低減することができ、発熱に伴う特性劣化を抑制することができる。以下、本発明を実施するための最良の形態について図面を参照して説明する。図1Aは、本発明の第1の実施例に係るVCSELの概略平面図、図1Bは、図1AのA1-A1線で切断したときの概略断面図である。なお、これらの図は、VCSELの主要な構成を説明するものであり、必ずしもVCSELの最終形態を示すものではない。同図に示すように、第1の実施例に係るVCSEL10は、N型の基板12と、基板12上に形成されたN型の分布型ブラッグ反射鏡DistributedBraggReflector以下、DBRという14と、下部DBR14上に形成された活性領域16と、活性領域16上に形成されたP型の上部DBR18と、上部DBR18上に形成された環状の上部電極20と、基板12の裏面に形成された下部電極22とを含んで構成される。なお、図1Aにおいて、上部電極20はハッチングで表されている。基板12は、好ましくは、GaAs等の半導体基板から構成され、半導体基板上にエピタキシャル成長により複数の半導体層を積層することで、下部DBR14、活性領域16および上部DBR18を構成している。好ましくは、下部DBR14および上部DBR18は、Al組成の異なる1組のAlGaAs半導体層を複数組積層したものであり、各層の膜厚は、1/4λλは、発振波長である。また、上部DBR18および活性領域16は、半導体層をエッチングすることにより円筒状のポストPに加工されている。VCSEL10は、下部DBR14と上部DBR18により垂直共振器を構成する。上部電極20および下部電極22からの電流の注入により活性領域16において発生され光は、垂直共振器により増幅され、上部電極20の中央の円形状の開口24からレーザ光として出射される。従来の典型的なVCSELは、ポスト内に選択酸化された酸化領域を形成し、当該選択酸化領域により電流狭窄および光閉じ込めを行っているが、本実施例のVCSEL10は、光閉じ込めを行う酸化領域をポストP内に形成するのではなく、下部DBR14内に形成する。ポストPの中心軸Cに関して回転対称となる位置に複数の円形状の孔30が形成される。すなわち、図1Aに示すように、孔30は、中心軸Cから等しい距離に、45度の等間隔で配置されている。下部DBR14は、光閉じ込めを行うための酸化領域を形成するために半導体被酸化層32を含んでいる。例えば、下部DBR14がN型の1組のAlxGa1xAs層およびAlyGa1yAs層X>Yを含むとき、半導体被酸化層32は、N型のAlAs層またはAlzGa1zAs層Z>Xである。このAlzGa1zAs層は、AlxGa1xAs層を置換する。8つの孔30は、下部DBR14の表面から、半導体被酸化層32に至るかあるいはそれを幾分だけ越える深さを有する。半導体被酸化層32は、孔30によって露出された側面を有し、この側面から一定の距離だけ酸化される。孔30が円形状である場合、半導体被酸化層32の酸化は、孔30を中心に半径方向に等方的に広がり、その停止位置は、酸化時間を制御することにより決定される。図1Aに示すように、1つの孔30の側面から進行した酸化領域34の境界36は、近似的に孔30と同心円状となる。酸化領域34は、隣接する他の孔30の酸化領域34と重複し、酸化領域34の境界36を制御することで、酸化領域34によって囲まれた非酸化領域38を形成することができる。酸化領域34は、電気的に絶縁された領域であるが、非酸化領域38は電気的に導電性のある領域である。図1Aに示す非酸化領域38の輪郭は、8つの境界36によって決定された略多角形状であり、非酸化領域38の概略中心は、ポストPの中心軸Cに一致する。非酸化領域38の大きさは、制御する横モードに応じて、かつ活性領域16からの距離に応じて適宜選択される。半導体被酸化層32が活性領域16から遠くなるほど、非酸化領域38を大きくすることができ、好ましくは、基本横モードを制御するために、非酸化領域38の大きさを5μm以上とする。5μm以上の径は、光出力の低下の抑制および低抵抗化に寄与し得る。図1AおよびBに示すVCSEL10を駆動するとき、下部DBR14および上部DBR18が順方向バイアスとなるように上部電極20および下部電極22に電圧が印加され、上部電極20から正孔が注入され、下部電極22から電子が注入される。このとき、下部電極22から活性領域16へ向かう電流経路は、酸化領域34によって囲まれた非酸化領域導電領域38を通過する経路K1に加えて、酸化領域34によって囲まれない経路、すなわち非活性領域38の外側を通過する経路K2が形成される。従って、従来のポストP内に非酸化領域を形成する場合に比べて、本実施例のVCSEL10の素子抵抗を低減することができる。このように第1の実施例によれば、光閉じ込め層となる半導体被酸化層32をポストPに形成するのではなく、活性領域16の下部である下部DBR14内に形成し、下部DBR14に形成された孔30の側面から半導体被酸化層32を酸化することにより、下部DBR14内の活性領域16への電流通路は、光モード制御層となる非酸化領域38の経路K1だけではなく、酸化領域34を廻り込む経路K2が発生するため、素子の抵抗を低減することができる。これにより、光出力の低下や、抵抗による発熱のための特性劣化を抑制することができる。次に、本発明の第2の実施例について説明する。図2Aおよび図2Bは、第2の実施例に係るVCSELの概略平面図と、そのA2-A2線の概略断面図である。第2の実施例に係るVCSEL10Aは、上部DBR18、すなわちポストP内に電流狭窄層50を含んでいる。それ以外の構成は、第1の実施例と同様である。電流狭窄層50は、選択酸化による半導体被酸化層、イオン注入による絶縁層、あるいは埋め込み半導体層などにより構成することができる。ここでは、電流狭窄層50として半導体被酸化層を用いる場合を説明する。上部DBR18がP型のAlGaAs層であるとき、その一部がP型のAlAs層またはAl組成の高いAlGaAs層に置換される。酸化速度はAlの組成に比例し、Alの組成が大きいほど酸化速度または酸化距離が大きくなる。基板上にポストPを形成した後に、ポストPの側面から電流狭窄層50を一定時間酸化することで、電流狭窄層50には、酸化領域52と、酸化領域52によって囲まれた非酸化領域54が形成される。電流狭窄層50の酸化は、ポストPの側面からほぼ等方的に内側に向けて進行するため、非酸化領域54は、ポストPの外形を反映した円形状となる。好ましくは、非酸化領域54の中心は、ポストPの中心軸Cにほぼ一致し、さらには下部DBR14内の非酸化領域38の中心にほぼ一致する。また、酸化領域52は、電気的に絶縁であり、非酸化領域54は、電気的に導電性であり、上部電極20から注入された電流経路を狭窄する。第2の実施例によれば、VCSEL10Aを駆動するとき、上部電極20から活性領域16へ向かう電流経路K3は、電流狭窄層50の非酸化領域54を通過するように絞られるため、活性領域16における正孔と電子の結合効率が増加し、発光効率を向上させることができる。電流狭窄層を酸化によって形成する場合には、電流狭窄層50の酸化速度を、半導体被酸化層32よりも遅くし、電流狭窄層32と半導体被酸化層50を同時に酸化することによって、大きさの異なる非酸化領域38、54を同時に形成することができる。具体的には、半導体被酸化層32のAlの組成や膜厚に対して、電流狭窄層50のAl組成を低くする、もしくは膜厚を薄くする。例えば、半導体被酸化膜32のAlの組成が100、膜厚が30nmであった場合、電流狭窄層50のAl組成は97~99、膜厚は30nmもしくはAl組成100、膜厚は10~29nmとされる。また、電流狭窄層50の酸化速度を、半導体被酸化層32よりも早くするため、半導体被酸化層32のAlの組成や膜厚に対して、電流狭窄層50のAl組成を高くする、もしくは膜厚を厚くする。例えば、半導体被酸化膜32のAlの組成が98、膜厚が30nmであった場合、電流狭窄層50のAl組成は99~100、膜厚は30nmもしくはAl組成98、膜厚は30nmより大きくされる。また、電流狭窄層50は電流狭窄をおこなうため、上部DBR内の活性領域直近もしくは1~3対pair離れた場所に位置される。それに対し、半導体被酸化層32は電流狭窄層ではなく、酸化領域よって囲まれていない導電領域による電流経路の抵抗値を低減するため、電流狭窄層50よりも活性領域から離れた下部DBR内に位置される。例えば活性領域から3~15pair離れた場所に位置される。なお、電流狭窄層をイオン注入により形成する場合には、例えば、ポストPの頂部に、上記した酸化領域52以外の部分にマスクを形成し、ポストPの頂部からプロトンを一定のエネルギーで注入することで、酸化領域52に代わる絶縁領域を形成することができる。また、電流狭窄層を半導体埋め込み層により形成する場合には、例えば、酸化領域52に対応する領域にN型の半導体層を形成し、VCSEL駆動時に逆バイアスとなるようにする。次に、本発明の第3の実施例について説明する。図3Aおよび図3Bは、第3の実施例に係るVCSELの概略平面図と、そのA3-A3線の概略断面図である。第3の実施例に係るVCSEL10Bは、下部DBR14内に、複数の半導体被酸化層を有する。それ以外の構成は、第1の実施例と同様である。下部DBR14は、第1の実施例で示した半導体被酸化層32に加えて、さらに別の半導体被酸化層60を含んでいる。下部DBR14に形成された孔30は、半導体被酸化層60および32を貫通する深さを有している。孔30の側面から半導体被酸化層60および32を酸化することで、半導体被酸化層32には、第1の実施例と同様に、酸化領域34とそれによって囲まれた非酸化領域38が形成され、半導体被酸化層60には、酸化領域62とそれによって囲まれた非酸化領域64が形成される。好ましくは、活性領域16に近い半導体被酸化層60の酸化領域62によって囲まれた非酸化領域64が、半導体被酸化層32の非酸化領域38よりも大きな面積を持つようにする。活性領域16に近いほうの光閉じ込めを領域を緩和することで、光の集光性が良くなり、横モード制御をし易くなる。半導体被酸化層60は、例えば、下部DBR14がN型のAlGaAs層であるとき、半導体被酸化層60は、AlGaAs層の一部を、N型のAlAs層またはAl組成の高いAlGaAs層に置換したものである。また、半導体被酸化層60の酸化速度を、半導体被酸化層32よりも遅くするため、半導体被酸化層60の膜厚は、半導体被酸化層32よりも薄くされる。例えば、半導体被酸化層32よりも5nm薄い膜厚である。これにより、半導体被酸化層32、60を同時に酸化した場合、大きさの異なる非酸化領域38、64を同時に形成することができる。半導体被酸化層32と半導体被酸化層60の酸化速度を異ならせる方法として、上記のように膜厚を異ならせる以外に、両者のAl組成を異ならせるようにしてもよい。また、下部DBR14の反射鏡としての機能を損なわれないようにするため、半導体被酸化層60と半導体被酸化層32との間には、少なくとも1つのAl組成の低いAlGaAs層が介在される。次に、本発明の第4の実施例について説明する。図4Aおよび図4Bは、第4の実施例に係るVCSELの概略平面図と、そのA4-A4線の概略断面図である。第4の実施例に係るVCSEL10Cは、第2の実施例で用いた複数の孔30図2を参照の代わりに単一の孔または溝を有している。それ以外の構成は、第2の実施例と同様である。図4Aに示すように、下部DBR14には、ポストPの中心軸Cと同心円状の円弧状の溝70が形成されている。図示されている溝70は、不連続部分72による不連続な円弧であるが、不連続部分72以外にも、不連続部分があってもよい。溝70は、下部DBR14の半導体被酸化層32に至る深さを有しており、溝70によって露出された側面から半導体被酸化層32が酸化される。半導体被酸化層32の酸化は、等方的に進行するため、酸化領域74は、外側の円弧状の境界76aと、内側の円弧状の境界76bとによって囲まれた領域に形成される。この酸化によって、溝70の不連続部分72も酸化されることになる。内側の円弧状の境界76bは、非酸化領域78の外形を規定する。非酸化領域78は、好ましくは、その中心がポストPの中心軸Cに一致し、かつポストP内の電流狭窄層50の非酸化領域の中心と一致する。第4の実施例によれば、複数の孔の代わりに単一の溝70により半導体被酸化層32に酸化領域74を形成するため、酸化領域74の制御が容易となり、これにより、非酸化領域78の大きさの精度を良くすることができる。次に、本発明の第5の実施例について説明する。図5Aおよび図5Bは、第5の実施例に係るVCSELの概略平面図と、そのA5-A5線の概略断面図である。第5の実施例に係るVCSEL10Dは、第2の実施例で用いた上部DBRを変形するものであり、それ以外の構成は、第2の実施例と同様である。第5の実施例に係るVCSEL10Dにおいて、上部DBR80は、P型の半導体層によりDBRを構成する半導体DBR82と、半導体DBR82上に積層される誘電体膜によりDBRを構成する誘電体DBR84とを含む。半導体DBR82は、第2の実施例のときと同様に、内部に電流狭窄層50を含み、その表面に上部電極20が形成されている。上部電極20は、半導体DBR82に電流を注入する。誘電体DBR84は、例えばTiO2とSiOsの誘電体膜、あるいはノンドープのAl組成の異なるAlGaAs層から構成される。上部DBR80は、半導体DBR82と誘電体DBR84の組み合わせにより上部側の共振器を構成する。この場合、上部電極20は、ポストP内の内部電極として機能する。第5の実施例によれば、基板上のエピタキシャル成長される半導体層の層数を削減し、低コストのVCSELを提供することができる。なお、第1ないし第5の実施例において、基板上に単一のポストPを有するシングルスポットタイプのVCSELを例示したが、基板上に複数のポストPを形成し、複数のポスト構造Pからレーザ光を出射するマルチビームまたはマルチスポットのVCSELであってもよい。さらに、AlGaAs系の半導体層を用いたVCSELを例示したが、他のIII-V族化合物半導体を用いたVCSELであってもよい。さらに、ポストPの形状は、円筒状の他、矩形状であってもよいし、下部DBRに形成する孔および溝の形状や数も適宜変更することが可能である。次に、本発明の第2の実施例に係るVCSELの製造方法について図6および図7を参照して説明する。図6Aに示すように、有機金属気相成長法により、n型GaAs基板12上に、Al09Ga01AsとAl015Ga085Asとをそれぞれの膜厚が媒質内波長の1/4となるように交互に40.5周期積層した、キャリア濃度1×1018cm3のN型の下部DBR14、アンドープ下部Al06Ga04Asスぺーサー層とアンドープ量子井戸活性層とアンドープ上部Al06Ga04Asスぺーサー層とで構成された膜厚が媒質内波長となる活性領域16、その上にAl09Ga01AsとAl015Ga085Asとをそれぞれの膜厚が媒質内波長の1/4となるように交互に30周期積層したキャリア濃度が1×1018cm3のP型の上部DBR18を順次積層する。下部DBR14には、横モード制御層として光を閉じ込めるためのN型のAlAsからなる半導体被酸化層32が形成されている。また、上部DBR18には、P型のAlAsからなる電流狭窄層50が形成されている。さらに、基板12と下部DBR14との間に、キャリア濃度1×1018cm3のN型GaAsバッファ層を形成することができ、上部DBR18の最上層には、キャリア濃度が1×1019cm3となる膜厚20nm程のP型GaAsコンタクト層を形成することができる。次に、図6Bに示すように、フォトリソ工程により上部DBR18上にマスクM1を形成し、反応性イオンエッチングにより下部DBR14に到達するまでエッチングする。これにより、下部DBR14上に、円筒状のポストPが形成される。なお、このエッチングは、必ずしも下部DBR14の表面で停止することなく下部DBR14の一部がエッチングされてもよい。図6Cに示すように、下部DBR14に形成すべき孔30を除く場所及びポスト周辺を覆うようにマスクM2を形成する。マスクM2には、下部DBR14に形成するべき孔30に対応する開口が形成されている。マスクM2を用いて反応性イオンエッチングを行い、下部DBR14に、複数の孔30を形成する。これにより、下部DBR14の半導体被酸化層32が孔30によって露出される。次に、マスクM2を除去した後に、図7Aに示すように基板の酸化処理を行う。ポストP内の電流狭窄層50は、ポストPの側面から酸化され、また、下部DBR14内の半導体被酸化層32は、孔30の側面から酸化される。これにより、ポストPには、電流狭窄層50の酸化領域52によって囲まれた非酸化領域54が形成され、下部DBR14には、半導体被酸化層32の酸化領域34によって囲まれた非酸化領域38が形成される。好ましくは、電流狭窄層50の酸化速度が、半導体被酸化層32の酸化速度よりも小さいことが望ましい。このため、電流狭窄層50の膜厚を、半導体被酸化層32よりも薄くするか、電流狭窄層50のAlの組成を半導体被酸化層32のAl組成よりも小さくする。後者の場合、電流狭窄層は、AlAsではなく、AlGaAs層とすることができる。次に、図7Bに示すように、ポストPの頂部には、Auからなる上部電極20が形成され、基板裏面にはAu/Geからなる下部電極22が形成される。次に、本実施例のVCSELを利用した光学装置モジュール、光照射装置、光送信装置、伝送システム、光伝送装置等について図面を参照して説明する。図8Aは、VCSELを実装した光学装置の構成を示す断面図である。光学装置300は、VCSELが形成されたチップ310を、導電性接着剤320を介して円盤状の金属ステム330上に固定する。導電性のリード340、342は、ステム330に形成された貫通孔図示省略内に挿入され、一方のリード340は、VCSELのn側電極に電気的に接続され、他方のリード342は、p側電極に電気的に接続される。チップ310を含むステム330上に矩形状の中空のキャップ350が固定され、キャップ350の中央の開口内にボールレンズ360が固定されている。ボールレンズ360の光軸は、チップ310のほぼ中心と一致するように位置決めされる。リード340、342間に順方向の電圧が印加されると、チップ310から垂直方向にレーザ光が出射される。チップ310とボールレンズ360との距離は、チップ310からのレーザ光の広がり角θ内にボールレンズ360が含まれるように調整される。また、キャップ内に、VCSELの発光状態をモニターするための受光素子や温度センサを含ませるようにしてもよい。図8Bは、他の光学装置の構成を示す図であり、同図に示す光学装置302は、ボールレンズ360を用いる代わりに、キャップ350の中央の開口内に平板ガラス362を固定している。平板ガラス362の中心は、チップ310のほぼ中心と一致するように位置決めされる。チップ310と平板ガラス362との距離は、平板ガラス362の開口径がチップ310からのレーザ光の広がり角度θ以上になるように調整される。図9は、VCSELを光源として適用した光照射装置の例を示す図である。光照射装置370は、図8Aまたは図8BのようにVCSELを実装した光学装置300または302、光学装置300または302からのマルチビームのレーザ光を入射するコリメータレンズ372、一定の速度で回転し、コリメータレンズ372からの光線束を一定の広がり角で反射するポリゴンミラー374、ポリゴンミラー374からのレーザ光を入射し反射ミラー378を照射するfθレンズ376、ライン状の反射ミラー378、反射ミラー378からの反射光に基づき潜像を形成する感光体ドラム380を備えている。このように、VCSELからのレーザ光を感光体ドラム上に集光する光学系と、集光されたレーザ光を光体ドラム上で走査する機構とを備えた複写機やプリンタなど、光情報処理装置の光源として利用することができる。図10は、図8Aに示す光学装置を光送信装置に適用したときの構成を示す断面図である。光送信装置400は、ステム330に固定された円筒状の筐体410、筐体410の端面に一体に形成されたスリーブ420、スリーブ420の開口422内に保持されるフェルール430、およびフェルール430によって保持される光ファイバ440を含んで構成される。ステム330の円周方向に形成されたフランジ332には、筐体410の端部が固定される。フェルール430は、スリーブ420の開口422に正確に位置決めされ、光ファイバ440の光軸がボールレンズ360の光軸に整合される。フェルール430の貫通孔432内に光ファイバ440の芯線が保持されている。チップ310の表面から出射されたレーザ光は、ボールレンズ360によって集光され、集光された光は、光ファイバ440の芯線に入射され、送信される。上記例ではボールレンズ360を用いているが、これ以外にも両凸レンズや平凸レンズ等の他のレンズを用いることができる。さらに、光送信装置400は、リード340、342に電気信号を印加するための駆動回路を含むものであってもよい。さらに、光送信装置400は、光ファイバ440を介して光信号を受信するための受信機能を含むものであってもよい。図11は、図8Aに示す光学装置を空間伝送システムに用いたときの構成を示す図である。空間伝送システム500は、光学装置300と、集光レンズ510と、拡散板520と、反射ミラー530とを含んでいる。集光レンズ510によって集光された光は、反射ミラー530の開口532を介して拡散板520で反射され、その反射光が反射ミラー530へ向けて反射される。反射ミラー530は、その反射光を所定の方向へ向けて反射させ、光伝送を行う。図12Aは、VCSELを光源に利用した光伝送システムの一構成例を示す図である。光伝送システム600は、VCSELが形成されたチップ310を含む光源610と、光源610から放出されたレーザ光の集光などを行う光学系620と、光学系620から出力されたレーザ光を受光する受光部630と、光源610の駆動を制御する制御部640とを有する。制御部640は、VCSELを駆動するための駆動パルス信号を光源610に供給する。光源610から放出された光は、光学系620を介し、光ファイバや空間伝送用の反射ミラーなどにより受光部630へ伝送される。受光部630は、受光した光をフォトディテクターなどによって検出する。受光部630は、制御信号650により制御部640の動作例えば光伝送の開始タイミングを制御することができる。図12Bは、光伝送システムに利用される光伝送装置の概観構成を示す図である。光伝送装置700は、ケース710、光信号送信/受信コネクタ接合部720、発光/受光素子730、電気信号ケーブル接合部740、電源入力部750、動作中を示すLED760、異常発生を示すLED770、DVIコネクタ780を含み、内部に送信回路基板/受信回路基板を有している。光伝送装置700を用いた映像伝送システムを図13に示す。映像伝送システム800は、映像信号発生装置810で発生された映像信号を、液晶ディスプレイなどの画像表示装置820に伝送するため、図12Bに示す光伝送装置を利用している。すなわち、映像伝送システム800は、映像信号発生装置810、画像表示装置820、DVI用電気ケーブル830、送信モジュール840、受信モジュール850、映像信号伝送光信号用コネクタ860、光ファイバ870、制御信号用電気ケーブルコネクタ880、電源アダプタ890、DVI用電気ケーブル900を含んでいる。以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明に係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。