"式Iで表されるモノマー、式Iで表されるモノマーに由来する構造単位からなる重合体、並びに、式Iで表されるモノマーに由来する構造単位及び式IIで表されるモノマーに由来する構造単位からなる重合体からなる群から選ばれる1種以上と、式Iで表されるモノマーに由来する構造単位を有さず、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸と作用してアルカリ水溶液で溶解しえる樹脂と、酸発生剤とを含むレジスト組成物。[式I中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。W1は、C3~C202価の飽和環状炭化水素基を表し、該飽和環状炭化水素基に含まれる水素原子は、水酸基、ハロゲン原子、シアノ基又はニトロ基で置換されていてもよく、該飽和環状炭化水素基に含まれる-CH2-は-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。A1は、単結合又は-O-CO-R2-を表し、R2はC1~C102価の飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は-O-、-CO-又は-NH-で置き換わっていてもよい。はNとの結合手を表す。][式II中、R3は、水素原子又はメチル基を表す。A2は、単結合又は-O-CO-CH2n-を表す。はR4との結合手を表す。nは1~7の整数を表す。R4は、置換基を有していてもよいC3~C20飽和環状炭化水素基を表し、該飽和環状炭化水素基に含まれる-CH2-は-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。]W1が、式W1-Aで表される基である請求項1記載のレジスト組成物。[式W1-A中、R5は、水酸基、ハロゲン原子、シアノ基又はニトロ基を表す。mは、0~5の整数を表し、mが2以上の場合、複数のR5は同じでも異なってもよい。]R5が水酸基である請求項2記載のレジスト組成物。酸発生剤が、式B1で表される酸発生剤である請求項1~3のいずれか記載のフォトレジスト組成物。[式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又はC1~C6ペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、単結合又は2価のC1~C17飽和炭化水素基を表し、前記2価の飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよいC1~C18脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよいC3~C18飽和環状炭化水素基を表し、前記脂肪族炭化水素基及び前記飽和環状炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-、-SO2-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]1請求項1~4のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含むパターン形成方法。従来のレジスト組成物では、得られるパターンの露光マージンが必ずしも満足できない場合があった。本発明は、以下の発明を含む。[1]式Iで表されるモノマー、式Iで表されるモノマーに由来する構造単位からなる重合体、並びに、式Iで表されるモノマーに由来する構造単位及び式IIで表されるモノマーに由来する構造単位からなる重合体からなる群から選ばれる1種以上と、式Iで表されるモノマーに由来する構造単位を有さず、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸と作用してアルカリ水溶液で溶解しえる樹脂と、酸発生剤とを含むレジスト組成物。[式I中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。W1は、C3~C202価の飽和環状炭化水素基を表し、該飽和環状炭化水素基に含まれる水素原子は、水酸基、ハロゲン原子、シアノ基又はニトロ基で置換されていてもよく、該飽和環状炭化水素基に含まれる-CH2-は-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。A1は、単結合又は-O-CO-R2-を表し、R2はC1~C102価の飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は-O-、-CO-又は-NH-で置き換わっていてもよい。はNとの結合手を表す。][式II中、R3は、水素原子又はメチル基を表す。A2は、単結合又は-O-CO-CH2n-を表す。はR4との結合手を表す。nは1~7の整数を表す。R4は、置換基を有していてもよいC3~C20飽和環状炭化水素基を表し、該飽和環状炭化水素基に含まれる-CH2-は-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。][2]W1が、式W1-Aで表される基である[1]記載のレジスト組成物。[式W1-A中、R5は、水酸基、ハロゲン原子、シアノ基又はニトロ基を表す。mは、0~5の整数を表し、mが2以上の場合、複数のR5は同じでも異なってもよい。][3]R5が水酸基である[2]記載のレジスト組成物。[4]酸発生剤が、式B1で表される酸発生剤である[1]~[3]のいずれか記載のフォトレジスト組成物。[式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又はC1~C6ペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、単結合又は2価のC1~C17飽和炭化水素基を表し、前記2価の飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよいC1~C18脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよいC3~C18飽和環状炭化水素基を表し、前記脂肪族炭化水素基及び前記飽和環状炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-、-SO2-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。][5]1[1]~[4]のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含むパターン形成方法。本発明のレジスト組成物によれば、優れた露光マージンを有するパターンを形成することができる。本発明のレジスト組成物は、式Iで表されるモノマー、式Iで表されるモノマーに由来する構造単位からなる重合体、並びに、式Iで表されるモノマーに由来する構造単位及び式IIで表されるモノマーに由来する構造単位からなる重合体からなる群から選ばれる1種以上と、式Iで表されるモノマーに由来する構造単位を有さず、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸と作用してアルカリ水溶液で溶解しえる樹脂と、酸発生剤とを含む。[式I中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。W1は、C3~C202価の飽和環状炭化水素基を表し、該飽和環状炭化水素基に含まれる水素原子は、水酸基、ハロゲン原子、シアノ基又はニトロ基で置換されていてもよく、該飽和環状炭化水素基に含まれる-CH2-は-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。A1は、単結合又は-O-CO-R2-を表し、R2はC1~C102価の飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は-O-、-CO-又は-NH-で置き換わっていてもよい。はNとの結合手を表す。]W1におけるC3~C202価の飽和環状炭化水素基とは、環を形成する1つの炭素原子から結合手が2本出ている基をいう。C3~C202価の飽和環状炭化水素基としては、例えば以下の基が挙げられる。下記式中、はNとの結合手を表す。該飽和環状炭化水素基に含まれる-CH2-が-O-又は-CO-で置き換わっているW1として、例えば以下の基が挙げられる。該飽和環状炭化水素基に含まれる水素原子が、水酸基で置換されているW1として、例えば以下の基が挙げられる。該飽和環状炭化水素基に含まれる水素原子が、ハロゲン原子、シアノ基又はニトロ基で置換されているW1として、例えば以下の基が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。A1における-O-CO-R2-のうち、R2はC1~C102価の飽和炭化水素基を表し、、該2価の飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は-O-、-CO-又は-NH-で置き換わっていてもよい。C1~C102価の飽和炭化水素基としては、C1~C10アルキレン基等が挙げられる。A1としては、下記の基が挙げられる。式Iで表されるモノマーの具体例を表に示す。式Iで表されるモノマーの製造方法について説明する。例えば、式IIIで表されるオキシム誘導体と式IVまたは式VIで表されるカルボニル誘導体とを、例えば、トルエン、テトラヒドロフラン、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトニトリル、クロロホルム、塩化メチレン等の不活性溶媒中にて、塩基存在下に、0~150°C程度の温度範囲、好ましくは0~60°C程度の温度範囲にて攪拌して反応させて、式Iで表されるカルボニルオキシム誘導体を得る方法などが挙げられる。式Vで表されるモノマーは、式Iで表されるモノマーのうちA1が単結合であるモノマーである。式VIIで表されるモノマーは、式Iで表されるモノマーのうちA1が-O-CO-R2-であるモノマーである。[式III~式VII中、R1、W1及びR2は上記と同じ意味を表す。X1はハロゲン原子を表す]式IV又は式VIで表されるカルボニル誘導体の使用量としては、通常、式IIIで表されるオキシム誘導体1モルに対して、0.9~2モル程度で、好ましくは1~1.5モル程度である。塩基としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム等の無機アルカリ塩、ピリジン、トリエチルアミン、ルチジン等の有機塩基、又はこれらの混合物が挙げられる。塩基の使用量としては、通常、式IIIで表されるオキシム誘導体1モルに対して、1~3モル程度で、好ましくは1~2モル程度である。式V又は式VIIで表されるモノマーは再結晶で取り出してもよいし、カラムクロマトグラフィーで精製してもよい。式Iで表されるモノマーの含有量は、組成物の固形分中5~0.1質量であることが好ましい。なお本明細書において組成物中の固形分とは、溶剤Eを除いた組成物成分の合計を意味する。組成物中の固形分、及びこれに対する式Iで表されるモノマーの含有量は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定できる。式Iで表されるモノマーに由来する構造単位からなる重合体式Iで表されるモノマーに由来する構造単位からなる重合体の製造方法について説明する。例えばジオキサン、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、ジクロロエタン等の不活性溶媒中にて、式Iで表されるモノマーに開始剤を加えて反応させることによって、式Iで表されるモノマーに由来する構造単位からなる重合体を含む混合物を得ることができる。重合開始剤としては例えば、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、過酸化ベンゾイルなどが挙げられる。反応温度は、通常室温~100°Cであり、好ましくは60~80°Cである。式Iで表されるモノマーに由来する構造単位からなる重合体を含む混合物を、例えば水、メタノール等の極性溶媒やヘキサン、ヘプタン等の非極性溶液中に添加し、析出した固体を取り出すことによって、式Iで表されるモノマーに由来する構造単位からなる重合体を得ることができる。式Iで表されるモノマーに由来する構造単位からなる重合体の重量平均分子量は、好ましくは、2,500以上より好ましくは5,000以上、30,000以下より好ましくは20,000以下である。式Iで表されるモノマーに由来する構造単位からなる重合体の含有量は、組成物の固形分中5~0.1質量であることが好ましい。式Iで表されるモノマーに由来する構造単位及び式IIで表されるモノマーに由来する構造単位からなる重合体以下重合体Iという場合がある[式II中、R3は、水素原子又はメチル基を表す。A2は、単結合又は-O-CO-CH2n-を表す。はR4との結合手を表す。nは1~7の整数を表す。R4は、置換基を有していてもよいC3~C20飽和環状炭化水素基を表し、該飽和環状炭化水素基に含まれる-CH2-は-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。]式IIで表されるモノマーとしては、後述する酸に不安定な基を有するモノマーa1、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2及びラクトン環を有する酸安定モノマーa3が挙げられる。式IIで表されるモノマーは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。重合体Iの製造方法について説明する。例えばジオキサン、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、ジクロロエタン等の不活性溶媒中にて、式Iで表されるモノマー及び式IIで表されるモノマーに開始剤を加えて反応させることによって、重合体Iを含む混合物を得ることができる。重合開始剤としては例えば、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、過酸化ベンゾイルなどが挙げられる。反応温度は、通常室温~100°Cであり、好ましくは60~80°Cである。重合体Iを含む混合物を、例えば水、メタノール等の極性溶媒やヘキサン、ヘプタン等の非極性溶液中に添加し、析出した固体を取り出すことによって、重合体Iを得ることができる。式Iで表されるモノマーに由来する構造単位の含有量は、重合体Iの全単位において、通常1~99モルであり、好ましくは1~50モルであり、より好ましくは1~30モルであり、特に好ましくは1~10モルである。式IIで表されるモノマーに由来する構造単位の含有量は、重合体Iの全単位において、通常1~99モルであり、好ましくは50~99モルであり、より好ましくは70~99モルであり、特に好ましくは90~99モルである。重合体Iの含有量は、組成物の固形分中5~0.1質量であることが好ましい。組成物中の固形分、及びこれに対する重合体Iの含有量は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定できる。重合体Iは、酸の作用によりアルカリ可溶となる重合体であることが好ましい。よって式IIで表されるモノマーは、酸に不安定な基を有するモノマー以下酸に不安定な基を有するモノマーa1という場合があるであることが好ましい。酸の作用によりアルカリ可溶となるとは、酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となることを意味する。酸に不安定な基を有するモノマーa1は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。酸に不安定な基を有するモノマーa1酸に不安定な基とは、酸と接触すると脱離基が開裂して、親水性基例えばヒドロキシ基又はカルボキシ基を形成する基を意味する。酸に不安定な基としては、例えば、-O-が3級炭素原子但し橋かけ環状炭化水素基の橋頭炭素原子を除くと結合した式1で表されるアルコキシカルボニル基即ち3級アルコール残基を有するエステル結合が挙げられる。なお以下では、式1で表される基を酸に不安定な基1という場合がある。式1中、Ra1~Ra3は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基又は飽和環状炭化水素基を表すか、或いはRa1及びRa2は互いに結合して環を形成していてもよい。は結合手を表す。酸に不安定な基1としては、例えば1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基基1中、Ra1~Ra3がアルキル基であるもの、好ましくはtert-ブトキシカルボニル基、2-アルキル-2-アダマンチルオキシカルボニル基式1中、Ra1、Ra2及び炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ra3がアルキル基であるもの、及び1-1-アダマンチル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基であるものなどが挙げられる。酸に不安定な基を有するモノマーa1は、好ましくは、酸に不安定な基1と炭素-炭素二重結合とを有するモノマー、より好ましくは酸に不安定な基1を有するメタアクリル系モノマーである。なお本明細書においてメタアクリル系モノマーとは、CH2=CH-CO-又はCH2=CCH3-CO-の構造を有するモノマーの少なくとも1種を意味する。同様にメタアクリレート及びメタアクリル酸とは、それぞれアクリレート及びメタクリレートの少なくとも1種並びにアクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも1種を意味する。酸に不安定な基1を有するメタアクリル系モノマーの中でも、C5~C20飽和環状炭化水素基を有するものが好ましい。飽和環状炭化水素基のような嵩高い構造を有するモノマーa1を重合して得られる樹脂を使用すれば、レジストの解像度を向上させることができる。飽和環状炭化水素基は、単環式又は多環式のいずれでもよい。単環式の飽和環状炭化水素基としては、シクロアルキル基例えばシクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などが挙げられる。多環式の飽和環状炭化水素基としては、縮合芳香族炭化水素基を水素化して得られる基例えばヒドロナフチル基、橋かけ環状炭化水素基例えばアダマンチル基、ノルボルニル基などが挙げられる。さらに下記のような、橋かけ環例えばノルボルナン環と単環例えばシクロヘプタン環やシクロヘキサン環又は多環例えばデカヒドロナフタレン環とが縮合した形状の基、或いは橋かけ環同士が縮合した形状の基も、飽和環状炭化水素基に含まれる。酸に不安定な基1と飽和環状炭化水素基とを有するメタアクリル系モノマーの中でも、式a1-1又は式a1-2で表される酸に不安定な基を有するモノマーが好ましい。これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。式a1-1及び式a1-2中、La1及びLa2は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2k1-CO-O-を表し、k1は1~7の整数を表す。但しLa1及びLa2で列挙した-O-等は、それぞれ、左側で式a1-1及び式a1-2の-CO-と結合し、右側でアダマンチル基又はシクロへキシル基と結合することを意味する。Ra4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra6及びRa7は、それぞれ独立に、C1~C8脂肪族炭化水素基、又はC3~C10飽和環状炭化水素基を表し、m1は0~14の整数を表し、n1は0~10の整数を表す。なお本明細書における化学式は立体異性体も包含する。La1及びLa2は、好ましくは、-O-又は-O-CH2f1-CO-O-であり前記f1は、1~4の整数である、より好ましくは-O-である。Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは6以下であり、飽和環状炭化水素基の炭素数は、好ましくは8以下、より好ましくは6以下である。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、1-メチルエチル基イソプロピル基、1,1-ジメチルエチル基tert-ブチル基、2,2-ジメチルエチル基、プロピル基、1-メチルプロピル基、2,2-ジメチルプロピル基、1-エチルプロピル基、ブチル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、1-プロピルブチル基、ペンチル基、1-メチルペンチル基、ヘキシル基、1,4-ジメチルヘキシル基、ヘプチル基、1-メチルヘプチル基、オクチル基などが挙げられる。Ra6及びRa7の飽和環状炭化水素基としては、例えばシクロヘプチル基、メチルシクロヘプチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基などが挙げられる。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、0好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。k1は、好ましくは1~4の整数、より好ましくは1である。アダマンチル基を有するモノマーa1-1としては、例えば以下のものが挙げられ、これらの中でも、2-メチル-2-アダマンチルメタアクリレート、2-エチル-2-アダマンチルメタアクリレート、及び2-イソプロピル-2-アダマンチルメタアクリレートが好ましく、メタクリレート形態のものがより好ましい。シクロへキシル基を有するモノマーa1-2としては、例えば以下のものが挙げられ、これらの中でも1-エチル-1-シクロヘキシルメタアクリレートが好ましく、1-エチル-1-シクロヘキシルメタクリレートがより好ましい。重合体Iにおける式a1-1又は式a1-2で表されるモノマーに由来する構造単位の含有量は、重合体の全単位において、通常10~95モルであり、好ましくは15~90モルであり、より好ましくは20~85モルである。式IIで表されるモノマーは、酸に不安定な基を有さないモノマー以下酸安定モノマーという場合があるであることが好ましい。重合体Iは、好ましくは、式Iで表されるモノマーと、式IIで表されるモノマーとして酸に不安定な基を有するモノマーa1及び酸安定モノマーとの共重合体である。酸安定モノマーは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。重合体Iが、式Iで表されるモノマー、酸に不安定な基を有するモノマーa1と酸安定モノマーとの共重合体である場合、酸に不安定な基を有するモノマーa1に由来する構造単位は、全構造単位100モルに対して、通常10~95モルであり、好ましくは15~90モルであり、より好ましくは20~85モルである。またアダマンチル基を有するモノマー特に酸に不安定な基を有するモノマーa1-1に由来する構造単位を、酸に不安定な基を有するモノマーa1100モルに対して15モル以上とすることが好ましい。アダマンチル基を有するモノマーの比率が増えると、レジストのドライエッチング耐性が向上する。酸安定モノマーとしては、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するものが好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー以下ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2という又はラクトン環を含有する酸安定モノマー以下ラクトン環を有する酸安定モノマーa3というに由来する構造単位を有する重合体Iを使用すれば、レジストの解像度及び基板への密着性を向上させることができる。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2ArFエキシマレーザ露光193nmなどを用いる場合は、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2として、式a2-1で表されるヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーを使用することが好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーとして、式a2-1で表されるモノマーが挙げられる。式a2-1中、La3は、-O-又は-O-CH2k2-CO-O-を表し、k2は1~7の整数を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。La3は、好ましくは、-O-、-O-CH2f1-CO-O-であり前記f1は、1~4の整数である、より好ましくは-O-である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーa2-1としては、例えば以下のものが挙げられ、これらの中でも、3-ヒドロキシ-1-アダマンチルメタアクリレート、3,5-ジヒドロキシ-1-アダマンチルメタアクリレート及びメタアクリル酸1-3,5-ジヒドロキシ-1-アダマンチルオキシカルボニルメチルが好ましく、3-ヒドロキシ-1-アダマンチルメタアクリレート及び3,5-ジヒドロキシ-1-アダマンチルメタアクリレートがより好ましく、3-ヒドロキシ-1-アダマンチルメタクリレート及び3,5-ジヒドロキシ-1-アダマンチルメタクリレートがさらに好ましい。重合体Iにおける式a2-1で表されるモノマーに由来する構造単位の含有量は、重合体Iの全単位において、通常0.1~40モルであり、好ましくは0.1~35モルであり、より好ましくは1~20モルである。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3酸安定モノマーa3が有するラクトン環は、例えばβ-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環、δ-バレロラクトン環のような単環でもよく、或いは単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ-ブチロラクトン環、及びγ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3は、好ましくは式a3-1、式a3-2又は式a3-3で表される。これらの1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。式a3-1~式a3-3中、La4~La6は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2k3-CO-O-を表し、k3は1~7の整数を表す。Ra18~Ra20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra21は、C1~C4脂肪族炭化水素基を表し、p1は0~5の整数を表す。Ra22及びRa23は、それぞれ独立にカルボキシ基、シアノ基又はC1~C4脂肪族炭化水素基を表し、q1及びr1は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。p1、q1又はr1が2以上のとき、それぞれ、複数のRa21、Ra22又はRa23は、互いに同一でも異なってもよい。La4~La6としては、La3で説明したものが挙げられる。La4~La6は、それぞれ独立に、-O-、-O-CH2d1-CO-O-であることが好ましく前記d1は、1~4の整数である、より好ましくは-O-である。但しLa4~La6で列挙した-O-等は、それぞれ、左側で式a3-1~式a3-3の-CO-と結合し、右側でラクトン環と結合することを意味する。Ra18~Ra20は、好ましくはメチル基である。Ra21は、好ましくはメチル基である。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。p1~r1は、それぞれ独立に、好ましくは0~2、より好ましくは0又は1である。γ-ブチロラクトン環を有する酸安定モノマーa3-1としては、例えば以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環を有する酸安定モノマーa3-1として、酸不安定モノマーを例示することも可能である。例えば以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-2としては、例えば以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-2として、酸不安定モノマーを例示することも可能である。例えば以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とシクロヘキサン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-3としては、例えば以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とシクロヘキサン環との縮合環を有するモノマーa3-3として、酸不安定モノマーを例示することも可能である。例えば以下のものが挙げられる。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3の中でも、メタアクリル酸5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イル、メタアクリル酸テトラヒドロ-2-オキソ-3-フリル、メタアクリル酸2-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イルオキシ-2-オキソエチルが好ましく、メタクリレート形態のものがより好ましい。重合体Iにおける式a3-1、式a3-2又は式a3-3で表されるモノマーに由来する構造単位の含有量は、重合体Iの全単位において、通常1~80モルであり、好ましくは10~80モルであり、より好ましくは30~70モルである。好ましい重合体Iは、少なくとも、式Iで表されるモノマーと、式IIで表されるモノマーとして酸に不安定な基を有するモノマーa1、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2及び/又はラクトン環を有する酸安定モノマーa3とを重合させた共重合体である。この好ましい共重合体において、酸に不安定な基を有するモノマーa1は、より好ましくはアダマンチル基を有するモノマーa1-1及びシクロへキシル基を有するモノマーa1-2の少なくとも1種さらに好ましくはアダマンチル基を有するモノマーa1-1であり、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2は、好ましくはヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーa2-1であり、ラクトン環を有する酸安定モノマーa3は、より好ましくはγ-ブチロラクトン環を有する酸安定モノマーa3-1及びγ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-2の少なくとも1種である。重合体Iは、公知の重合法例えばラジカル重合法によって製造できる。重合体Iの重量平均分子量は、好ましくは、2,500以上より好ましくは3,000以上、50,000以下より好ましくは30,000以下である。本発明のレジスト組成物における、式Iで表されるモノマー、式Iで表されるモノマーに由来する構造単位からなる重合体、並びに、式Iで表されるモノマーに由来する構造単位及び式IIで表されるモノマーに由来する構造単位からなる重合体からなる群から選ばれる1種以上の含有量は、組成物の固形分中5~0.1質量であることが好ましい。酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸と作用してアルカリ水溶液で溶解しえる樹脂ただし式Iで表されるモノマーに由来する構造単位を含まない以下樹脂Aという場合がある。樹脂Aは、上述した酸に不安定な基を有するモノマーa1に由来する構造単位を有する。樹脂Aにおける酸に不安定な基を有するモノマーa1に由来する構造単位の含有量は、樹脂Aの全単位において、通常10~95モルであり、好ましくは15~90モルであり、より好ましくは20~85モルである。樹脂Aは、上述した酸安定モノマーに由来する構造単位を有することが好ましい。酸不安定モノマーは、上述したヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2であることが好ましい。樹脂Aにおける酸安定モノマーa2に由来する構造単位の含有量は、樹脂Aの全単位において、通常0.1~40モルであり、好ましくは0.1~35モルであり、より好ましくは1~20モルである。酸不安定モノマーは、上述したラクトン環を有する酸安定モノマーa3であることが好ましい。樹脂Aにおけるラクトン環を有する酸安定モノマーa3に由来する構造単位の含有量は、樹脂Aの全単位において、通常1~80モルであり、好ましくは10~80モルであり、より好ましくは30~70モルである。好ましい樹脂Aは、少なくとも、酸に不安定な基を有するモノマーa1、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2及び/又はラクトン環を有する酸安定モノマーa3を重合させた共重合体である。この好ましい共重合体において、酸に不安定な基を有するモノマーa1は、より好ましくはアダマンチル基を有するモノマーa1-1及びシクロへキシル基を有するモノマーa1-2の少なくとも1種さらに好ましくはアダマンチル基を有するモノマーa1-1であり、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2は、好ましくはヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーa2-1であり、ラクトン環を有する酸安定モノマーa3は、より好ましくはγ-ブチロラクトン環を有する酸安定モノマーa3-1及びγ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-2の少なくとも1種である。樹脂Aは、公知の重合法例えばラジカル重合法によって製造できる。樹脂Aの重量平均分子量は、好ましくは、2,500以上より好ましくは3,000以上、50,000以下より好ましくは30,000以下である。樹脂Aの含有量は、組成物の固形分中80質量以上であることが好ましい。樹脂Aの含有量は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定できる。酸発生剤以下酸発生剤Bという場合がある酸発生剤Bは、非イオン系とイオン系とに分類される。非イオン系酸発生剤には、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類例えば2-ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、N-スルホニルオキシイミド、N-スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、DNQ4-スルホネート、スルホン類例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン等が含まれる。イオン系酸発生剤は、オニウムカチオンを含むオニウム塩例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩が代表的である。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン等がある。酸発生剤Bとしては、レジスト分野で使用される酸発生剤特に光酸発生剤だけでなく、光カチオン重合の光開始剤、色素類の光消色剤、又は光変色剤等の放射線光によって酸を発生する公知化合物及びそれらの混合物も、適宜、使用できる。例えば特開昭63-26653号、特開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038号、特開昭63-163452号、特開昭62-153853号、特開昭63-146029号や、米国特許第3,779,778号、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、欧州特許第126,712号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物を使用できる。酸発生剤Bは、好ましくはフッ素含有酸発生剤であり、より好ましくは式B1で表されるスルホン酸塩である。[式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又はC1~C6ペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、単結合又は2価のC1~C17飽和炭化水素基を表し、前記2価の飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよいC1~C18脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよいC3~C18飽和環状炭化水素基を表し、前記脂肪族炭化水素基及び前記飽和環状炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-、-SO2-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又はC1~C6ペルフルオロアルキル基を表す。ペルフルオロアルキル基としては、例えばペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。Q1及びQ2は、それぞれ独立に、好ましくはペルフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。式B1中、Yは、C1~C18脂肪族炭化水素基又はC3~C18飽和環状炭化水素基を表す。Yは、-CH2-が-O-又は-CO-で置き換わった飽和環状炭化水素基でもよい。即ちYは、例えば環状エーテルの基-CH2-が-O-で置き換わった基、オキソ基を有する飽和環状炭化水素基-CH2-が-CO-で置き換わった基、スルトン環の基隣り合う2つの-CH2-が、それぞれ、-O-又は-SO2-で置き換わった基又はラクトン環の基隣り合う2つの-CH2-が、それぞれ、-O-又は-CO-で置き換わった基であってもよい。Yの脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、i-ペンチル基、t-ペンチル基、ネオペンチル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、1,2-ジメチルプロピル基、1-エチルプロピル基、n-ヘキシル基、1-メチルペンチル基、n-ヘプチル基等のC1~C6アルキル基が挙げられる。Yの飽和環状炭化水素基としては、例えば式Y1~式Y26で表される基が挙げられる。飽和環状炭化水素基は、好ましくは式Y1~式Y19のいずれかで表される基であり、より好ましくは式Y11、式Y14、式Y15又は式Y19で表される基であり、さらに好ましくは式Y11又は式Y14で表される基である。Yは、置換基を有していてもよい。Yの置換基としては、例えばハロゲン原子但しフッ素原子を除く、ヒドロキシ基、オキソ基、C1~C12脂肪族炭化水素基、ヒドロキシ基含有C1~C12脂肪族炭化水素基、C3~C16飽和環状炭化水素基、C1~C12アルコキシ基、C6~C18芳香族炭化水素基、C7~C21アラルキル基、C2~C4アシル基、グリシジルオキシ基、或いは-CH2j2-O-CO-Rb1基式中、Rb1は、C1~C16脂肪族炭化水素基、C3~C16飽和環状炭化水素基或いはC6~C18芳香族炭化水素基を表す。j2は、0~4の整数を表す。などが挙げられる。ハロゲン原子としては、例えば塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、重合体Iで説明したものなどが例示できる。ヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基としては、例えばヒドロキシメチル基などが挙げられる。アルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基などが挙げられる。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントニル基、p-メチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-アダマンチルフェニル基などが挙げられる。アラルキル基としては、例えばベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基などが挙げられる。アシル基としては、例えばアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基などが挙げられる。複数の置換基は、互いに同一でも異なっていてもよい。Yの置換基である脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基、芳香族炭化水素基及びアラルキル基等は、さらに置換基を有していてもよい。以下、置換基を有するYを例示する。まず脂肪族炭化水素基を有するYとしては、例えば以下のものが挙げられる。ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基を有するYとしては、例えば以下のものが挙げられる。芳香族炭化水素基を有するYとしては、例えば以下のものが挙げられる。-CH2j2-O-CO-Rb1基を有するYとしては、例えば以下のものが挙げられる。Yは、好ましくは置換基例えばオキソ基等を有していてもよいアダマンチル基であり、より好ましくはアダマンチル基又はオキソアダマンチル基である。式B1中、Lb1は、単結合、或いは2価のC1~C17飽和炭化水素基を表す。2価の飽和炭化水素基として、まず直鎖状アルカンジイル基、例えばメチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基、トリデカン-1,13-ジイル基、テトラデカン-1,14-ジイル基、ペンタデカン-1,15-ジイル基、ヘキサデカン-1,16-ジイル基、ヘプタデカン-1,17-ジイル基が挙げられる。Lb1は、分枝鎖状アルカンジイル基でもよい。分枝鎖状アルカンジイル基としては、例えば、前記直鎖状アルカンジイル基に、C1~C4アルキル基例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等の側鎖を付け加えたものが挙げられる。環式の2価の飽和炭化水素基としては、シクロアルカンジイル基例えばシクロヘキサンジイル基、2価の橋かけ環状炭化水素基例えばアダマンタンジイル基が挙げられる。Lb1はこれらの基のうち2種以上を組み合わせたものでもよい。Lb1の-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Lb1は、好ましくは式b1-1~式b1-6のいずれか、より好ましくは式b1-1~式b1-4のいずれか、さらに好ましくは式b1-1又は式b1-2で表される。なお式b1-1~式b1-6は、その左右を式B1に合わせて記載しており、左側でCQ1Q2-と結合し、右側で-Yと結合する。以下の式b1-1~式b1-6の具体例も同様である。式b1-1、Lb2は、単結合、或いはC1~C15アルカンジイル基を表す。式b1-2中、Lb3は、単結合、或いはC1~C12アルカンジイル基を表し、Lb4は、C1~C13アルカンジイル基を表す。但しLb3及びLb4の炭素数上限は13以下である。式b1-3中、Lb5は、C1~C15アルカンジイル基を表す。式b1-4中、Lb6及びLb7は、それぞれ独立に、C1~C15アルカンジイル基を表す。但しLb6及びLb7の炭素数上限は16以下である。式b1-5中、Lb8は、C1~C14アルカンジイル基を表す。式b1-6中、Lb9及びLb10は、それぞれ独立に、C1~C11アルカンジイル基を表す。但しLb6及びLb7の炭素数上限は12以下である。これらの中でも式b1-1で表される2価の基が好ましく、Lb2が単結合又は-CH2-である式b1-1で表される2価の基がより好ましい。式b1-1で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-2で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-3で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-4で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-5で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-6で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。スルホン酸アニオンは、式b1-1で表される2価の基を有するものが好ましく、式b1-1-1~式b1-1-9で表されるものがより好ましい。式b1-1-1~式b1-1-9中、Q1、Q2及びLb2は、前記と同じである。Rb2及びRb3は、それぞれ独立にC1~C4脂肪族炭化水素基好ましくはメチル基を表す。次に具体的なスルホン酸アニオンを例示する。まず、無置換のYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオン又は脂肪族炭化水素基を有するYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。-CH2j2-O-CO-Rb1基を有するYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基を有するYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。芳香族炭化水素基又はアラルキル基を有するYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。環状エーテルであるYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。ラクトン環であるYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。オキソ基を有するYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。無置換のYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオン又は脂肪族炭化水素基を有するYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。-CH2j2-O-CO-Rb1基を有するYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基を有するYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。環状エーテルであるYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。ラクトン環であるYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。オキソ基を有するYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。芳香族炭化水素基を有するYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。無置換のYと式b1-3で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオン又は脂肪族炭化水素基を有するYと式b1-3で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。アルコキシ基を有するYと式b1-3で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基を有するYと式b1-3で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。オキソ基を有するYと式b1-3で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。脂肪族炭化水素基を有するYと式b1-4で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。アルコキシ基を有するYと式b1-4で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基を有するYと式b1-4で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。オキソ基を有するYと式b1-4で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。上述のもののなかでも、式b1-1で表される2価の基を有する以下のスルホン酸アニオンが好ましい。次に酸発生剤Bに含まれるカチオンについて説明する。酸発生剤のカチオンとしては、オニウムカチオン、例えばスルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、ホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。式B1中のZは、好ましくは式b2-1~式b2-4のいずれかで表される。式b2-1中、Rb4~Rb6は、それぞれ独立に、C1~C30脂肪族炭化水素基、C3~C36飽和環状炭化水素基又はC6~C18芳香族炭化水素基を表す。前記脂肪族炭化水素基は、ヒドロキシ基、C1~C12アルコキシ基又はC6~C18芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、前記飽和環状炭化水素基は、ハロゲン原子、C2~C4アシル基、又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、前記芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、C1~C36脂肪族炭化水素基、C3~C36飽和環状炭化水素基又はC1~C12アルコキシ基で置換されていてもよい。式b2-2中、Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、C1~C12脂肪族炭化水素基又はC1~C12アルコキシ基を表し、m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。式b2-3中、Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、C1~C36脂肪族炭化水素基又はC3~C36飽和環状炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、C1~C36脂肪族炭化水素基、C3~C36飽和環状炭化水素基或いはC6~C18芳香族炭化水素基を表す。Rb9~Rb11の脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは1~12であり、飽和環状炭化水素基の炭素数は、好ましくは3~36、より好ましくは4~12である。Rb12は、C1~C12脂肪族炭化水素基、C3~C18飽和環状炭化水素基或いはC6~C18芳香族炭化水素基を表す。前記芳香族炭化水素基は、C1~C12脂肪族炭化水素基、C1~C12アルコキシ基、C3~C18飽和環状炭化水素基又はアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。Rb9とRb10と、及びRb11とRb12とは、それぞれ独立に、互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環を形成していてもよく、これらの環の-CH2-は、-O-、-S-、-CO-で置き換わっていてもよい。式b2-4中、Rb13~Rb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、C1~C12脂肪族炭化水素基又はC1~C12アルコキシ基を表す。Lb11は、-S-又は-O-を表す。o2、p2、s2、及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表し、q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表し、u2は0又は1を表す。o2~t2のいずれかが2であるとき、それぞれ、複数のRb13~Rb18のいずれかは互いに同一でも異なってもよい。次に式b2-1~式b2-4に含まれる置換基を説明する。脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基及び芳香族炭化水素基としては、上述したものを例示できる。好ましい脂肪族炭化水素基は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、及び2-エチルヘキシル基である。好ましい飽和環状炭化水素基は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2-アルキル-2-アダマンチル基、1-1-アダマンチル-1-アルキル基、及びイソボルニル基である。好ましい芳香族炭化水素基は、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-シクロへキシルフェニル基、4-メトキシフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基である。置換基が芳香族炭化水素基である脂肪族炭化水素基アラルキル基としては、ベンジル基などが挙げられる。アルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブチトキシ基、tert-ブチトキシ基、n-ペントキシ基、n-ヘキトキシ基、ヘプトキシ基、オクトキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基などが挙げられる。Rb9及びRb10が形成する環としては、例えばチオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環、1,4-オキサチアン-4-イウム環などが挙げられる。Rb11及びRb12が形成する環としては、例えばオキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環、オキソアダマンタン環などが挙げられる。カチオンb2-1~カチオンb2-4の中でも、カチオンb2-1が好ましく、式b2-1-1で表されるカチオンがより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0がさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19~Rb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、C1~C36脂肪族炭化水素基、C3~C36飽和環状炭化水素基又はC1~C12アルコキシ基を表す。前記脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは1~12であり、飽和環状炭化水素基の炭素数は、好ましくは4~36である。前記脂肪族炭化水素基は、ヒドロキシ基、C1~C12アルコキシ基或いはC6~C18芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、前記飽和環状炭化水素基は、ハロゲン原子、C2~C4アシル基、又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよい。v2~x2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2~x2のいずれかが2以上のとき、それぞれ、複数のRb19~Rb21のいずれかは、互いに同一でも異なってもよい。式b2-1-1中のRb19~Rb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、C1~C12アルキル基、又はC1~C12アルコキシ基を表し、v2~x2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。次に酸発生剤Bに含まれる具体的なカチオンを例示する。まずカチオンb2-1-1の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-2の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-3の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-4の具体例としては、以下のものが挙げられる。酸発生剤B1は、上述のスルホン酸アニオン及び有機カチオンの組合せである。上述のアニオンとカチオンとは任意に組み合わせることができるが、アニオンb1-1-1~アニオンb1-1-9のいずれかとカチオンb2-1-1との組合せ、並びにアニオンb1-1-3~b1-1-5のいずれかとカチオンb2-3との組合せが好ましい。好ましい酸発生剤B1は、式B1-1~式B1-17で表されるものであり、これらの中でもトリフェニルスルホニウムカチオンを含む酸発生剤B1-1、B1-2、B1-6、B1-11、B1-12、B1-13及びB1-14がより好ましい。酸発生剤Bの含有量は、式Iで表されるモノマーに由来する構造単位からなる重合体、重合体I及び樹脂Aの合計100質量部に対して、好ましくは1質量部以上より好ましくは3質量部以上、好ましくは30質量部以下より好ましくは25質量部以下である。塩基性化合物以下塩基性化合物Cという場合がある本発明のレジスト組成物は、塩基性化合物Cを含有していてもよい。塩基性化合物Cの含有量は、レジスト組成物の固形分量を基準に、0.01~1質量程度であることが好ましい。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物例えばアミンである。アミンは、脂肪族アミンでも、芳香族アミンでもよい。脂肪族アミンは、1級アミン、2級アミン及び3級アミンのいずれも使用できる。芳香族アミンは、アニリンのような芳香族環にアミノ基が結合したものや、ピリジンのような複素芳香族アミンのいずれでもよい。好ましい塩基性化合物Cとして、式C2で表される芳香族アミン、特に式C2-1で表されるアニリンが挙げられる。式C2中、Arc1は、芳香族炭化水素基を表す。Rc5及びRc6は、それぞれ独立に、水素原子、脂肪族炭化水素基好ましくはアルキル基、或いはシクロアルキル基、飽和環状炭化水素基或いは芳香族炭化水素基を表す。但し前記脂肪族炭化水素基、前記飽和環状炭化水素基又は前記芳香族炭化水素基の水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基、又はC1~C6アルコキシ基で置換されていてもよく、前記アミノ基は、C1~C4アルキル基で置換されていてもよい。前記脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは1~6程度であり、前記飽和環状炭化水素基の炭素数は、好ましくは5~10程度であり、前記芳香族炭化水素基の炭素数は、好ましくは6~10程度である。式C2-1中、Rc5及びRc6は、前記と同じである。Rc7は、脂肪族炭化水素基好ましくはアルキル基、或いはシクロアルキル基、アルコキシ基、飽和環状炭化水素基或いは芳香族炭化水素基を表す。但し脂肪族炭化水素基、アルコキシ基、飽和環状炭化水素基及び芳香族炭化水素基の水素原子は、式C2で説明した置換基を有していてもよい。m3は0~3の整数を表す。m3が2以上のとき、複数のRc7は、互いに同一でも異なってもよい。Rc7の脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基及び芳香族炭化水素基の好ましい炭素数は、式C2のものと同じであり、Rc7のアルコキシ基の炭素数は、好ましくは1~6程度である。芳香族アミンC2としては、例えば1-ナフチルアミン及び2-ナフチルアミンなどが挙げられる。アニリンC2-1としては、例えばアニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、ジフェニルアミンなどが挙げられる。これらの中でもジイソプロピルアニリン特に2,6-ジイソプロピルアニリンが好ましい。また塩基性化合物Cとしては、式C3~式C11で表される化合物が挙げられる。式C3中のRc8は、式C2のRc7で説明したいずれかの基を表す。式C3~式C8中の窒素原子と結合するRc9、Rc10、Rc11~Rc14、Rc16~Rc19及びRc22は、それぞれ独立に、式C2のRc5及びRc6で説明したいずれかの基を表す。式C7~式C11中の芳香族炭素と結合するRc20、Rc21、Rc23~Rc28は、それぞれ独立に、式C2-1のRc7で説明したいずれかの基を表す。式C7、式C9~式C11中のo3~u3は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。o3~u3のいずれかが2以上であるとき、それぞれ、複数のRc20~Rc28のいずれかは互いに同一でも異なってもよい。式C6中のRc15は、脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基又はアルカノイル基を表し、n3は0~8の整数を表す。n3が2以上のとき、複数のRc15は、互いに同一でも異なってもよい。Rc15の脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは1~6程度であり、Rc15の飽和環状炭化水素基の炭素数は、好ましくは3~6程度であり、Rc15のアルカノイル基の炭素数は、好ましくは2~6程度である。式C7及び式C10のLc1及びLc2は、それぞれ独立に、2価の脂肪族炭化水素基好ましくはアルキレン基、-CO-、-C=NH-、-C=NRc3-、-S-、-S-S-、又はこれらの組合せを表す。前記2価の脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは1~6程度である。Rc3は、C1~C4アルキル基を表す。化合物C3としては、例えば、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタンなどが挙げられる。化合物C4としては、例えばピペラジンなどが挙げられる。化合物C5としては、例えばモルホリンなどが挙げられる。化合物C6としては、例えばピペリジン、及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。化合物C7としては、例えば2,2’-メチレンビスアニリンなどが挙げられる。化合物C8としては、例えば、イミダゾール、4-メチルイミダゾールなどが挙げられる。化合物C9としては、例えば、ピリジン、4-メチルピリジンなどが挙げられる。化合物C10としては、例えば、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン、2,2’-ジピコリルアミンなどが挙げられる。化合物C11としては、例えばビピリジンなどが挙げられる。溶剤以下溶剤Eという場合がある本発明のレジスト組成物は、溶剤Eを、組成物中90質量以上の量で含有していてもよい。溶剤Eを含有する本発明のレジスト組成物は、薄膜レジストを製造するために適している。溶剤Eの含有量は、組成物中90質量以上好ましくは92質量以上、より好ましくは94質量以上、99.9質量以下好ましくは99質量以下である。溶剤Eの含有量は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定できる。溶剤Eとしては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類;γ-ブチロラクトンのような環状エステル類;などを挙げることができる。溶剤Eは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。その他の成分以下その他の成分Fという場合がある本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分Fを含有していてもよい。成分Fに特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料などを利用できる。レジストパターンの製造方法本発明のレジストパターンの製造方法は、1上述した本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含む。レジスト組成物の基体上への塗布は、スピンコーターなど、通常、用いられる装置によって行うことができる。塗布後の組成物を乾燥させて溶剤を除去する。溶剤の除去は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させることにより行われるか、あるいは減圧装置を用いて行われ、溶剤が除去された組成物層が形成される。この場合の温度は、例えば、50~200°C程度が例示される。また、圧力は、1~1.0×105Pa程度が例示される。得られた組成物層は、露光機を用いて露光する。この際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2レーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザ等からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。露光後の組成物層は、脱保護基反応を促進するための加熱処理が行われる。加熱温度としては、通常50~200°C程度、好ましくは70~150°C程度である。加熱後の組成物層を、現像装置を用いて、通常、アルカリ現像液を利用して現像する。ここで用いられるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液等が挙げられる。現像後、超純水でリンスし、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。用途本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、EB用のレジスト組成物又はEUV露光機用のレジスト組成物として好適である。本発明の組成物は、レジスト組成物、特に、化学増幅型フォトレジスト組成物に有用であり、半導体の微細加工、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程等、広範な用途に好適に利用することができる。特に、ArFやKrFなどのエキシマレーザリソグラフィならびにArF液浸露光リソグラフィ、EUV露光リソグラフィに好適な化学増幅型フォトレジスト組成として用いることができる。また、液浸露光のほか、ドライ露光などにも用いることができる。さらに、ダブルイメージング用にも用いることができ、工業的に有用である。以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。実施例及び比較例中、含有量及び使用量を表す及び部は、特記ないかぎり質量基準である。重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー東ソー株式会社製HLC-8120GPC型、カラムはTSKgelMultiporeHXL-M3本、溶媒はテトラヒドロフランにより求めた値である。カラム:TSKgelMultiporeHXLMx3guardcolumn東ソー社製溶離液:テトラヒドロフラン流量:1.0mL/min検出器:RI検出器カラム温度:40°C注入量:100μl分子量標準:標準ポリスチレン東ソー社製式I-13で表されるモノマー以下モノマーI-13という場合があるの合成式I-13-aで表される化合物50.0部とテトラヒドロフラン200部との溶液に、N-メチルピロリドン33.7部と式I-13-bで表される化合物56.0部とを加えて、室温で3時間攪拌した。反応混合溶液に5塩酸水溶液を72部とイオン交換水160部を加えて、酢酸エチル400部によって抽出を行なった。得られた酢酸エチルを含む有機層に10炭酸カリウム水溶液167部を加え終夜攪拌した後、水層を排出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄後、減圧濃縮を行いモノマーI-1365.8部を得た。1H-NMRDMSO-d6:δ=6.031H,s,5.73-5.681H,m,3.41-3.331H,m,2.69-2.611H,m,2.09-1.6815H,m式I-76で表されるモノマー以下モノマーI-76という場合があるの合成式I-76-aで表される化合物10.0部とメチルイソブチルケトン70部との溶液に、ピリジン6.0部と式I-76-bで表される化合物7.2部とを加えて、5°Cで1時間攪拌した。反応混合溶液に2塩酸水溶液70部を加えて、酢酸エチル140部によって抽出を行なった。得られた酢酸エチルを含む有機層に10炭酸カリウム水溶液44部を加え終夜攪拌した後、水層を排出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄後、減圧濃縮を行い式I-76-cで表される化合物14.1部を得た。式I-76-cで表される化合物1H-NMRDMSO-d6:δ=4.502H,s,3.42-3.341H,m,2.69-2.591H,m,2.09-1.6712H,m式I-76-dで表される化合物2.86部とジメチルホルムアミド12部との溶液に、炭酸カリウム2.3部とヨウ化カリウム0.28部とを加えて、40°Cで1時間攪拌した。反応混合溶液に式I-76-cで表される化合物7.3部を加えて40°Cで3時間攪拌した。反応混合溶液を室温まで冷却した後、5シュウ酸水溶液41部と酢酸エチル160部の溶液に加え、酢酸エチル層を抽出した。得られた酢酸エチルを含む有機層をイオン交換水で洗浄後、減圧濃縮を行い式I-76で表されるモノマー7.9部を得た。式I-76で表されるモノマー1H-NMRDMSO-d6:δ=6.14-6.071H,m,5.81-5.731H,m,4.892H,s,3.42-3.291H,m,2.70-2.601H,m,2.09-1.6115H,m式I-4で表されるモノマー以下モノマーI-4という場合があるの合成式I-13-aで表される化合物の代わりに式I-4-aで表される化合物を用いること意外は式I-13で表されるモノマーの合成法と同様に式I-4で表されるモノマーを得る。重合体及び樹脂の合成において使用したモノマーを下記に示す。重合体I1の合成窒素雰囲気下、攪拌機冷却管温度計を備えたフラスコにモノマーM-1を6.50部、モノマーM-2を0.74部、モノマーM-3を9.09部、モノマーM-4を3.70部及びモノマーI-13を0.73部仕込みモル比25:3:51:18:3、全モノマー量の1.5重量倍の1,4-ジオキサンを加えて溶液とした。そこに開始剤として2,2’-アゾビスイソブチロニトリルと2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対してそれぞれ0.8mol、2.4mol添加し、66°Cで約5時間加熱した。その後、反応液を大量のメタノールと水の混合溶媒に注いで沈殿させる操作を行い、濾別した固体はメタノールで洗浄し、重量平均分子量が約1.4×104分散1.89の重合体I1を収率84で得た。重合体I1は、次式の構造単位を有する。重合体I2の合成窒素雰囲気下、攪拌機冷却管温度計を備えたフラスコにモノマーM-1を6.50部、モノマーM-2を0.74部、モノマーM-3を9.09部、モノマーM-4を3.70部及びモノマーI-76を0.91部仕込みモル比25:3:51:18:3、全モノマー量の1.5重量倍の1,4-ジオキサンを加えて溶液とした。そこに開始剤として2,2’-アゾビスイソブチロニトリルと2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対してそれぞれ0.8mol、2.4mol添加し、66°Cで約5時間加熱した。その後、反応液を大量のメタノールと水の混合溶媒に注いで沈殿させる操作を行い、濾別した固体はメタノールで洗浄し、重量平均分子量が約1.4×104分散1.90の重合体I2を収率83で得た。重合体I2は、次式の構造単位を有する。重合体I3の合成モノマーI-13の代わりにモノマーI-4を用いること以外は重合体I1の合成法と同様に重合体I3を得る。重合体I3は、次式の構造単位を有する。樹脂A1の合成モノマーM-1を15.00部、モノマーM-2を4.89部、モノマーM-3を8.81部及びモノマーM-5を11.12部仕込みモル比35:12:30:23、全モノマー量の1.5重量倍のジオキサンを加えて溶液とした。そこに開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対してそれぞれ1mol、3mol添加し、77°Cで約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水の混合溶媒に注いで沈殿させる動作を3回行いうことで精製し、重量平均分子量が約8.1×103の樹脂A1を収率78で得た。樹脂A1は、次式の構造単位を有する。樹脂A2の合成窒素雰囲気下、攪拌機冷却管温度計を備えたフラスコにモノマーM-1を12.00部、モノマーM-2を1.37部、モノマーM-3を17.76部及びモノマーM-4を6.83部仕込みモル比25:3:54:18、全モノマー量の1.5重量倍の1,4-ジオキサンを加えて溶液とした。そこに開始剤として2,2’-アゾビスイソブチロニトリルと2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対してそれぞれ0.8mol、2.4mol添加し、66°Cで約5時間加熱した。その後、反応液を大量のメタノールと水の混合溶媒に注いで沈殿させる操作を行い、濾別した固体はメタノールで洗浄し、重量平均分子量が約1.1×104分散1.69の樹脂A2を収率79で得た。樹脂A2は、次式の構造単位を有する。実施例及び比較例表9及び表10に示すように、以下の各成分を混合して溶解することにより得られた混合物を孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルタで濾過することにより、レジスト組成物を調製した。<式Iで表されるモノマー>I-13:モノマーI-13<式Iで表されるモノマーに由来する構造単位を有する重合体>I1:重合体I1I2:重合体I2<樹脂>A1及びA2:樹脂A1及び樹脂A2<酸発生剤>B1:B2:<塩基性化合物:クエンチャー>C1:2,6-ジイソプロピルアニリン<溶剤E1>プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート240.0部2-ヘプタノン20.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル20.0部γ-ブチロラクトン3.5部実施例1及び212インチのシリコン製ウェハー上に、有機反射防止膜用組成物[ARC-29;日産化学株製]を塗布して、205°C、60秒の条件でベークすることによって、厚さ780Åの有機反射防止膜を形成させた。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が75nmとなるようにスピンコートした。レジスト組成物塗布後、得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表11のPB欄に記載された温度で60秒間プリベークPBした。こうしてレジスト組成物膜を形成したウェハーに、液浸露光用ArFエキシマスキャナー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=135、3/4AnnularX-Y偏向]を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。露光後、ホットプレート上にて、表11のPEB欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベークPEBを行い、さらに2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。露光マージン評価EL;ExposureLatitude:ピッチ90nmライン38nm、スペース52nmのレチクルを介して露光、現像後に得られたパターンについて、パターン形成時の露光量を横軸とし、得られたパターンの線幅を縦軸としてグラフを作成した。パターンの線幅が36nmから44nmの範囲におけるグラフの傾きの絶対値について、1.70以上を×、1.50以上1.70未満を○、1.50未満を◎と表記した。結果を表11に示す。実施例3~7及び比較例112インチのシリコン製ウェハー上に、有機反射防止膜用組成物[ARC-29;日産化学株製]を塗布して、205°C、60秒の条件でベークすることによって、厚さ780Åの有機反射防止膜を形成させた。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が75nmとなるようにスピンコートした。レジスト組成物塗布後、得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表11のPB欄に記載された温度で60秒間プリベークPBした。こうしてレジスト組成物膜を形成したウェハーに、液浸露光用ArFエキシマスキャナー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=135、3/4C-QuadX-Y偏向]を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。露光後、ホットプレート上にて、表11のPEB欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベークPEBを行い、さらに2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。露光マージン評価EL;ExposureLatitudeピッチ180nmライン60nm、スペース120nmのレチクルを介して露光、現像後に得られたパターンについて、パターン形成時の露光量を横軸とし、得られたパターンの線幅を縦軸としてグラフを作成した。パターンの線幅が63nmから77nmの範囲におけるグラフの傾きの絶対値について、1.70以上を×、1.50以上1.70未満を○、1.50未満を◎と表記した。結果を表11に示す。重合体I1の代わりに重合体I3を用いること以外は実施例5と同様に、優れた露光マージンを有するパターンを得ることができる。"