集積回路構造であって、トレンチ格子構造およびイオン不純物インプラントを含む高抵抗率シリコンHRS基板層と、前記HRS基板層上に位置してこれに接触し、前記トレンチ格子構造を充填する埋め込み酸化物層BOX層と、前記埋め込み酸化物層上に位置してこれに接触する回路層と、を含み、前記回路層が、受動構造によって分離された能動回路群を含み、前記回路層が前記集積回路構造の上部であり前記HRS基板が前記集積回路構造の下部である上面から前記集積回路構造を見た場合に前記トレンチ格子構造が前記能動回路群間に位置し、前記集積回路構造を前記上面から見た場合に前記トレンチ格子構造が前記受動構造の下にあり前記回路群の下にはないようになっている、集積回路構造。前記HRS基板層が1kΩ-cmより大きい抵抗率を有する、請求項1に記載の集積回路構造。前記イオン不純物インプラントが、アルゴン、炭素、およびホウ素を含む、請求項1に記載の集積回路構造。前記能動回路が、無線周波数RF回路、電力増幅回路、電圧制御発振回路、リング発振回路、低ノイズ増幅回路、ミキサ回路、デジタル-アナログ変換回路、およびアナログ-デジタル変換回路を含む、請求項1に記載の集積回路構造。前記集積回路構造を前記上面から見た場合に前記トレンチ格子構造が前記能動回路群を取り囲んでいる、請求項1に記載の集積回路構造。集積回路構造であって、トレンチ構造およびイオン不純物インプラントを含むシリコン基板層と、前記シリコン基板層上に位置してこれに接触し、前記トレンチ構造を充填する埋め込み絶縁層と、前記埋め込み絶縁層上に位置してこれに接触する回路層と、を含み、前記回路層が、受動構造によって分離された能動回路群を含み、前記回路層が前記集積回路構造の上部であり前記シリコン基板が前記集積回路構造の下部である上面から前記集積回路構造を見た場合に前記トレンチ構造が前記能動回路群間に位置し、前記集積回路構造を前記上面から見た場合に前記トレンチ構造が前記受動構造の下にあり前記回路群の下にはないようになっている、集積回路構造。前記シリコン基板層が1kΩ-cmより大きい抵抗率を有する、請求項6に記載の集積回路構造。前記イオン不純物インプラントが、アルゴン、炭素、およびホウ素を含む、請求項6に記載の集積回路構造。前記能動回路が、無線周波数RF回路、電力増幅回路、電圧制御発振回路、リング発振回路、低ノイズ増幅回路、ミキサ回路、デジタル-アナログ変換回路、およびアナログ-デジタル変換回路を含む、請求項6に記載の集積回路構造。前記集積回路構造を前記上面から見た場合に前記トレンチ構造が前記能動回路群を取り囲んでいる、請求項6に記載の集積回路構造。集積回路構造を形成する方法であって、高抵抗率シリコンHRS基板層にトレンチ格子構造をパターニングすることと、前記HRS基板層内にイオン不純物インプラントを注入することと、前記HRS基板層上かつ前記トレンチ格子構造内に埋め込み酸化物BOX層を形成することと、前記埋め込み酸化物層上に回路層を形成することと、を含み、前記回路層が、受動構造によって分離された能動回路群を含み、前記回路層が前記集積回路構造の上部であり前記HRS基板が前記集積回路構造の下部である上面から前記集積回路構造を見た場合に前記トレンチ格子構造が前記能動回路群間に位置するようにパターニングされ、前記集積回路構造を前記上面から見た場合に前記トレンチ格子構造が前記受動構造の下にあり前記回路群の下にはないようになっている、方法。前記HRS基板層が1kΩ-cmより大きい抵抗率を有する、請求項11に記載の方法。前記イオン不純物インプラントが、アルゴン、炭素、およびホウ素を含む、請求項11に記載の方法。前記能動回路が、無線周波数RF回路、電力増幅回路、電圧制御発振回路、リング発振回路、低ノイズ増幅回路、ミキサ回路、デジタル-アナログ変換回路、およびアナログ-デジタル変換回路を含む、請求項11に記載の方法。前記集積回路構造を前記上面から見た場合に前記トレンチ格子構造が前記能動回路群を取り囲むようにパターニングされている、請求項11に記載の方法。集積回路構造を形成する方法であって、シリコン基板層にトレンチ構造をパターニングすることと、前記シリコン基板層内にイオン不純物インプラントを注入することと、前記シリコン基板層上かつ前記トレンチ構造内に埋め込み絶縁層を形成することと、前記埋め込み絶縁層上に回路層を形成することと、を含み、前記回路層が、受動構造によって分離された能動回路群を含み、前記回路層が前記集積回路構造の上部であり前記シリコン基板が前記集積回路構造の下部である上面から前記集積回路構造を見た場合に前記トレンチ構造が前記能動回路群間に位置するようにパターニングされ、前記集積回路構造を前記上面から見た場合に前記トレンチ構造が前記受動構造の下にあり前記回路群の下にはないようになっている、方法。前記シリコン基板層が1kΩ-cmより大きい抵抗率を有する、請求項16に記載の方法。前記イオン不純物インプラントが、アルゴン、炭素、およびホウ素を含む、請求項16に記載の方法。前記能動回路が、無線周波数RF回路、電力増幅回路、電圧制御発振回路、リング発振回路、低ノイズ増幅回路、ミキサ回路、デジタル-アナログ変換回路、およびアナログ-デジタル変換回路を含む、請求項16に記載の方法。前記集積回路構造を前記上面から見た場合に前記トレンチ構造が前記能動回路群を取り囲むようにパターニングされている、請求項16に記載の方法。Kerrにおいて説明されているように、高抵抗率シリコン基板は約1kΩ-cmまたはそれ以上の抵抗率を有し、これは1x1013cm-3またはそれ以下のドーピングレベルに相当する。この低いドーピングレベルのために、少量の固定酸化物電荷または界面トラップ電荷でさえ、界面におけるバンドの曲がりbandbendingに大きく影響する可能性がある。Si-SiO2界面は界面の近傍に正の固定酸化物電荷を有し、これはSi表面を反転させるのに充分な強さである。この反転層は、寄生伝導層と呼ばれ、基板の損失および結合において予想される利点を部分的に損なってしまう。一部の化合物半導体とは異なり、シリコン界面は表面フェルミ準位をピンニングする高濃度の界面トラップを有さず、このためにシリコンは金属酸化膜半導体MOSデバイスに有用となる。更に、MOSデバイスにおけるように、印加電界によってバンドの曲がりおよび表面電荷状態が変わる。または換言すると、容量は電圧に依存し、これは高調波ひずみの源となる場合がある。電圧波の周波数が多数キャリアの誘電緩和時間の逆数よりも高い場合、またはHRSでは約10MHzよりも高い場合、キャリアは応答不可能であると予想され得る。しかしながら、界面全体が反転している場合には、キャリアは界面に沿って横方向に動くことができ、それらの応答時間はRF信号に追従するのに充分な速さである。従って、HRS基板を用いることの副産物は、ハンドルウェハ/酸化物界面において電荷層が形成される可能性があることである。固定酸化物および界面の電荷は寄生表面伝導層を誘発し、これは電子反転層である。この電荷層は有効基板抵抗を50オーム-cmのオーダーまで大きく低下させる。更に、電荷層によって有効基板抵抗がウェハの上側の交流AC電圧に応じて変化し、いずれかの回路において非線形の挙動を引き起こすことがある。この電荷層の結果として、高損失、低分離、および低線形性が生じることがわかっている。Kerrの論文は、ハンドルウェハ/酸化物界面に発生する電荷層の問題に対するいくつかの解決策を説明している。更に具体的には、Kerrは、HRS基板から発する高調波ひずみを著しく低減させるトラップの多い層traprichlayerを提供する。Kerrによって言及された他の解決策には、伝送ラインの下にシールド層を追加すること、GaAs基板またはシリコンオンサファイアSOS基板を用いること、または従来のSOI基板の形成後にハンドルウェハを除去してこれをトラップの多い層で置換することが含まれる。しかしながら、かかる解決策は費用が高く、標準的な製造環境における実行が難しい。前述の問題に対処するため、本明細書における1つの例示的な実施形態が含む集積回路構造は、トレンチ格子構造およびイオン不純物インプラントを含む高抵抗率シリコンHRS基板層を含む。埋め込み酸化物BOX層が、HRS基板層上に位置してこれに接触し、BOX層はトレンチ格子構造を充填する。更に、回路層が、埋め込み絶縁層上に位置してこれに接触する。回路層は、受動構造によって分離された能動回路群を含む。集積回路構造を上面ここで、回路層は集積回路構造の任意の上部であり、HRS基板は集積回路構造の任意の下部であるから見た場合、トレンチ格子構造は能動回路群間に位置する。従って、集積回路構造を上面から見た場合、かかるトレンチ格子構造は受動構造の下にあるが、回路群の下にはない。本明細書における別の例示的な集積回路構造は、トレンチ構造およびイオン不純物インプラントを有するシリコン基板層を含む。絶縁層が、シリコン基板層上に位置してこれに接触する。また、絶縁層はトレンチ構造を充填する。回路層が、埋め込み絶縁層上に位置してこれに接触する。回路層は、受動構造によって分離された能動回路群を含む。集積回路構造を上面から見た場合、トレンチ構造は能動回路群間に位置する。このため、集積回路構造を上面から見た場合、トレンチ構造は受動構造の下にあり、回路群の下にはない。本明細書における集積回路構造を形成する例示的な方法の実施形態は、HRS基板層にトレンチ格子構造をパターニングし、HRS基板層内にイオン不純物インプラントを注入する。この方法は、HRS基板層上かつトレンチ格子構造内にBOX層を形成し、埋め込みBOX層上に回路層を形成する。回路層は、受動構造によって分離された能動回路群を含む。集積回路構造を上面から見た場合、トレンチ格子構造は能動回路群間に位置するようにパターニングされる。このため、集積回路構造を上面から見た場合、トレンチ格子構造は受動構造の下にあるが、回路群の下にはない。本明細書における別の例示的な方法は、シリコン基板層にトレンチ構造をパターニングし、シリコン基板層内にイオン不純物インプラントを注入し、シリコン基板層上かつトレンチ構造内に絶縁層を形成し、埋め込み絶縁層上に回路層を形成する。回路層は、受動構造によって分離された能動回路群を含む。集積回路構造を上面から見た場合、トレンチ格子構造は能動回路群間に位置するようにパターニングされる。このため、集積回路構造を上面から見た場合、トレンチ格子構造は受動構造の下にあり、回路群の下にはない。本明細書における設計構造の実施形態は、集積回路を設計、製造、または試験するために機械読み取り可能媒体においてタンジブルに具現化される。設計構造は、トレンチ構造およびイオン不純物インプラントを有するシリコン基板層を含む集積回路構造を含む。絶縁層が、シリコン基板層上に位置してこれに接触する。絶縁層はトレンチ格子構造を充填する。回路層が、埋め込み絶縁層上に位置してこれに接触する。回路層は、受動構造によって分離された能動回路群を含む。集積回路構造を上面から見た場合、トレンチ構造は能動回路群間に位置する。このため、集積回路構造を上面から見た場合、かかるトレンチ格子構造は受動構造の下にあり、回路群の下にはない。上述のように、HRS基板を用いることの副産物は、ハンドルウェハ/酸化物界面において電荷層が形成される可能性があることである。この問題に対処するため、本明細書における実施形態は、イオン注入および格子トレンチ形成を用いて電荷層を排除し、これによってもっと費用の高い代替案に頼る必要性をなくす。ウェハ全体にわたってイオンインプラントionimplantを適用し、能動デバイス間かつ受動デバイスの下にトレンチの格子を形成することによって、本明細書における実施形態はKerrに記載された電荷層を排除する。更に具体的には、図6のフローチャートの項目200に図示し、図1に概略的に示すように、本明細書の例示的な方法において、HRS基板層102にトレンチ格子構造106をパターニングすることによって集積回路構造を形成する。基板102は、ウェハ、セラミック材料、絶縁体、シリコン材料等のいずれかの適切な絶縁材料を含むことができる。HRS基板層102は1KΩ-cmより大きい抵抗率を有する。所望の場合、基板102は1つ以上のドーピングしたウェル領域を含むことができる。トレンチ格子構造106を形成するには、最初にいずれかのタイプのマスキング構造104フォトレジスト、窒化物ハードマスク等を形成しパターニングして格子構造を画定する。続いて、マスク104を介して、基板102の材料に対して選択的な材料除去プロセス反応性イオンエッチング等を実行して、トレンチ領域106から材料を除去する。次いで、基板102に影響しない洗滌プロセスを用いてマスク104を除去する。図2および図6の項目202に示すように、本明細書の方法では、HRS基板層102にイオン不純物109を注入して、基板102内にイオン不純物インプラント108を生成する。イオン不純物インプラント108は、いずれかの適切なエネルギレベルおよびいずれかの適切な濃度で注入したアルゴン、炭素、ホウ素等の材料から発生したいずれかの適切なイオンを含む。適切なエネルギレベルおよび濃度は、製造している特定の品目に応じて変動する。項目204図6および図3に示すように、この方法は、HRS基板層102の上およびトレンチ格子構造106内に埋め込み酸化物BOX層110を形成する。BOX層110は誘電体絶縁体であり、例えば乾燥酸素雰囲気または蒸気のいずれかから成長させることができる。あるいは、誘電体110は、現在利用可能な多くの候補となる高誘電率高k材料のいずれかを用いて形成成長または堆積することも可能である。この材料は、限定ではないが、窒化シリコン、酸窒化シリコン、SiO2およびSi3N4のゲート誘電体スタック、および酸化タンタルのような金属酸化物を含む。絶縁体110の厚さは、必要なデバイス性能に応じて異なる場合がある。図6の項目206において、更に図3に示すように、本明細書の方法は、埋め込み絶縁層110の上に回路層を形成する。回路層は、受動構造114によって分離された能動回路群112を含む。能動回路112と基板102との間のボディコンタクト116を用いて、デバイスのボディを固定電位に接続させ、フローティングボディ効果を防ぐことができる。かかる構造のための形成プロセスは、米国特許出願公開第2010/0052053号に明示されているように当業者には周知である。能動回路112は、無線周波数RF回路、電力増幅回路、電圧制御発振回路、リング発振回路、低ノイズ増幅回路、ミキサ回路、デジタル-アナログ変換回路、およびアナログ-デジタル変換回路等、ある状態から別の状態に切り替わって論理機能例えばトランジスタを実行するいずれかの形態の回路を含むことができる。受動構造114は、一般に状態を切り換えることはなく、例えば抵抗器、コンデンサ、インダクタ等を含むことができる。図4および図5は上面から見た集積回路構造を示し、この場合、回路層は集積回路構造の任意の上部であり、HRS基板102は集積回路構造の任意の下部である。図4および図5の上面図BOX層110は半透明に示して、その下のトレンチをいっそう容易に見えるようにしているにおいて更に明らかに図示するように、ステップ200でのトレンチ格子構造106のパターニングは、その後に形成する能動回路群112の間に位置するように行う。図5はトレンチ構造の一部分の拡張拡大図であり、この構造が側壁120によって分離された多数の個別のトレンチ118を含むことを示している。このため、集積回路構造を上面から見た場合、トレンチ格子構造106は受動構造114の下にあるが能動回路群112の下にはなく、集積回路構造を上面から見た場合、トレンチ格子構造106は能動回路群112を取り囲むようにパターニングされている。Kerrにおいて上述したように、HRS基板のドーピングレベルが低いので、少量の固定酸化物電荷または界面トラップ電荷でさえも、BOXおよび基板の界面におけるバンドの曲がりに大きく影響を及ぼす可能性がある。Si-SiO2界面は界面の近傍に正の固定酸化物電荷を有し、これはSi表面を反転させるのに充分な強さである。このため、HRS基板を用いることの副産物は、ハンドルウェハ/酸化物界面において電荷層が形成される可能性があることである。固定酸化物および界面の電荷は寄生表面伝導性を誘発し、これは電子反転層である。この反転層は、基板の損失および結合において予想される利点を部分的に損なってしまう。この状況に対処するために多くの解決策が提案されている。しかしながら、かかる解決策は費用が高く、標準的な製造環境における実現が難しい。従って、本明細書における実施形態は、イオン注入および格子トレンチ形成を用いて電荷層を排除し、これによってもっと費用の高い代替案に頼る必要性をなくす。ウェハ全体にわたってイオンインプラントを適用し、能動デバイス間かつ受動デバイスの下にトレンチの格子を形成することによって、本明細書における実施形態はKerrに記載された電荷層を排除して、高電力スイッチ等のRF機能のための設計目標を達成する。本明細書における実施形態は、電力増幅器PA、電圧制御発振器VCO、リング発振器RO、低ノイズ増幅器LNA、ミキサ、デジタル-アナログ変換器DAC、およびアナログ-デジタル変換器ADC等の様々な高速の用途において有用である。また、本明細書により実行されるトレンチ形成を用いて、回路ブロック機能を相互に分離させる。図7に、本発明の実施形態を実行するための代表的なハードウェア環境を示す。この概略図は、本発明の実施形態に従った情報処理/コンピュータシステムのハードウェア構成を示す。このシステムは、少なくとも1つのプロセッサまたは中央演算処理装置CPU10を含む。CPU10は、システムバス12を介して、ランダムアクセスメモリRAM14、読み出し専用メモリROM16、および入出力I/Oアダプタ18等の様々なデバイスと相互接続されている。I/Oアダプタ18は、ディスクユニット11およびテープドライブ13等の周辺デバイス、またはこのシステムによって読み取り可能な他のプログラム記憶デバイスに接続することができる。システムは、プログラム記憶デバイス上の本発明の命令を読み取り、これらの命令に従って本発明の実施形態の方法論を実行することができる。システムは更にユーザインタフェースアダプタ19を含み、これは、キーボード15、マウス17、スピーカ24、マイクロフォン22、またはタッチスクリーンデバイス図示せず等の他のユーザインタフェースデバイスあるいはそれら全てをバス12に接続してユーザ入力を収集する。更に、通信アダプタ20がバス12をデータ処理ネットワーク25に接続し、ディスプレイアダプタ21がバス12をディスプレイデバイス23に接続する。ディスプレイデバイス23は、例えばモニタ、プリンタ、または送信器等の出力デバイスとして具現化することができる。図面におけるフローチャートおよびブロック図は、本発明の様々な実施形態に従ったシステム、方法、およびコンピュータプログラムの可能な実施のアーキテクチャ、機能性、および動作を例示する。この点で、フローチャートまたはブロック図における各ブロックは、規定された論理機能複数の論理機能を実施するための1つ以上の実行可能命令を含むコードのモジュール、セグメント、または一部を表すことができる。また、いくつかの代替的な実施において、ブロックに明記した機能は、図面に明記した順序どおりでなく発生する場合があることに留意すべきである。例えば、関与する機能性に応じて、連続して示した2つのブロックは実際には実質的に同時に実行されることがあり、またはブロックは時に逆の順序で実行される場合がある。また、ブロック図またはフローチャート図あるいはその両方の各ブロック、およびブロック図またはフローチャート図あるいはその両方におけるブロックの組み合わせは、規定された機能もしくは行為を実行する特殊目的ハードウェアベースのシステム、または特殊目的ハードウェアおよびコンピュータ命令の組み合わせによって実施可能であることに留意すべきである。上述したような方法は、集積回路チップの製造において用いられる。結果として得られる集積回路チップは、未加工のウェハの形態ですなわち多数の未パッケージチップを有する単一のウェハとして、ベアダイとして、またはパッケージした形態で、製造者により分配することができる。後者の場合、チップは、シングルチップパッケージリードがマザーボードまたは他のもっと高レベルのキャリアに固定されたプラスチックキャリア等に、またはマルチチップパッケージ表面相互接続または埋め込み相互接続の一方または両方を有するセラミックキャリア等に搭載される。いずれの場合であっても、次いで、aマザーボード等の中間製品またはb最終製品のいずれかの一部として、チップを、他のチップ、離散回路要素、または他の信号処理デバイスあるいはそれら全てと集積する。最終製品は、玩具および他のローエンド用途から、ディスプレイ、キーボード、または他の入力デバイス、および中央プロセッサを有する最新コンピュータ製品までの範囲に及ぶ集積回路チップを含むいずれかの製品とすることができる。図8は、例えば半導体IC論理の設計、シミュレーション、試験、レイアウト、および製造において用いられる例示的な設計フロー800のブロック図を示す。設計フロー800は、上述し、設計を表す図または複数の図を記入に示した設計構造またはデバイスあるいはその両方の論理的に同等なequivalentまたは他の機能的に同等な表現を発生するために設計構造またはデバイスを処理するためのプロセス、機械、または機構あるいはそれら全てを含む。設計フロー800によって処理または発生あるいはその両方が行われた設計構造は、機械読み取り可能伝送または記憶媒体上で符号化してデータまたは命令あるいはその両方を含ませることができ、これはデータ処理システム上で実行または他の方法で処理された場合に、ハードウェアコンポーネント、回路、デバイス、またはシステムの論理的、構造的、機械的に同等な、または他の機能的に同等な表現を発生することができる。機械は、限定ではないが、回路、コンポーネント、デバイス、またはシステムの設計、製造、またはシミュレーション等のIC設計プロセスにおいて用いられるいずれかの機械を含む。例えば、機械は、リソグラフィ機械、マスクを発生するための機械または機器あるいはその両方例えばeビームライター、設計構造をシミュレーションするためのコンピュータもしくは機器、製造もしくは試験プロセスにおいて用いられるいずれかの装置、または設計構造の機能的に同等な表現をいずれかの媒体にプログラミングするためのいずれかの機械例えばプログラマブルゲートアレイをプログラミングするための機械を含むことができる。設計フロー800は、設計している表現のタイプに応じて変動する場合がある。例えば、特定用途向けICASICを構築するための設計フロー800は、標準的なコンポーネントを設計するための設計フロー800または設計をプログラマブルアレイにインスタンス化するための設計フロー800とは異なる場合がある。このプログラマブルアレイの例としては、AlteraRInc.またはXilinxRInc.により提供されるプログラマブルゲートアレイPGAまたはフィールドプログラマブルゲートアレイFPGAがある。図8は、好ましくは設計プロセス810によって処理される入力設計構造820を含む多数のかかる設計構造を示す。設計構造820は、設計プロセス810によって発生され処理されてハードウェアデバイスの論理的に同等な機能表現を生成する論理シミュレーション設計構造とすることができる。これに加えてまたはこの代わりに、設計構造820は、設計プロセス810によって処理された場合にハードウェアデバイスの物理構造の機能表現を発生するデータまたはプログラム命令あるいはその両方を含むことも可能である。機能的または構造的あるいはその両方の設計フィーチャを表現する場合、設計構造820は、コア開発者/設計者によって実施されるもの等の電子コンピュータ援用設計ECADを用いて発生させることができる。機械読み取り可能データ伝送、ゲートアレイ、または記憶媒体上に符号化された場合、設計構造820は、設計プロセス810内で1つ以上のハードウェアモジュールまたはソフトウェアモジュールあるいはその両方によりアクセスされ処理されて、設計を表す図または複数の図を記入に示すもの等の、電子コンポーネント、回路、電子もしくは論理モジュール、装置、デバイス、またはシステムをシミュレーションするかまたは他の方法で機能的に表すことができる。このため、設計構造820は、人または機械あるいはその両方により読み取り可能なソースコード、コンパイルされた構造、およびコンピュータ実行可能コード構造を含むファイルまたは他のデータ構造を含むことができ、これが設計またはシミュレーションデータ処理システムによって処理されると、回路または他のレベルのハードウェア論理設計を機能的にシミュレーションするかまたは他の方法で表現する。かかるデータ構造は、ハードウェア記述言語HDL設計エンティティまたは他の、VerilogおよびVHDL等の低級HDL設計言語またはCもしくはC等の高級設計言語あるいはその両方に準拠または対応あるいはその両方のデータ構造を含むことができる。設計プロセス810は、好ましくは、設計を表す図または複数の図を記入に示したコンポーネント、回路、デバイス、または論理構造の設計/シミュレーション機能均等物を同期、変換、または他の方法で処理するためのハードウェアモジュールまたはソフトウェアモジュールあるいはその両方を用いると共に組み込んで、設計構造820等の設計構造を含むことができるネットリスト880を発生する。ネットリスト880は、例えばコンパイルされたかまたは他の方法で処理されたデータ構造を含むことができ、これは、集積回路設計における他の要素および回路に対する接続を記述した、例えばワイヤ、離散コンポーネント、論理ゲート、制御回路、I/Oデバイス、モデル等のリストを表す。ネットリスト880は反復プロセスを用いて合成することができ、このプロセスでは、デバイスのための設計仕様およびパラメータに応じて1回以上ネットリスト880を再合成する。本明細書に記載した他の設計構造タイプと同様に、ネットリスト880は、機械読み取り可能データ記憶媒体上に記録するか、またはプログラマブルゲートアレイにプログラミングすることができる。媒体は、磁気もしくは光ディスクドライブ、プログラマブルゲートアレイ、コンパクトフラッシュ、または他のフラッシュメモリ等の不揮発性記憶媒体とすれば良い。これに加えてまたはこの代わりに、媒体は、システムもしくはキャッシュメモリ、バッファ空間、または電気的もしくは光学的に伝導性のデバイスおよび材料とすることができ、これによってデータパケットを伝送し、インターネットまたは他の適切なネットワーキング手段を介して中間的に記憶することができる。設計プロセス810は、ネットリスト880を含む多種多様な入力データ構造タイプを処理するためのハードウェアモジュールおよびソフトウェアモジュールを含むことができる。かかるデータ構造タイプは、例えばライブラリ要素830内に常駐し、所与の製造技術例えば異なる技術ノード、32nm、45nm、90nm等のための、モデル、レイアウト、および記号表現を含む1組の一般的に用いられる要素、回路、およびデバイスを含むことができる。データ構造タイプは更に、設計仕様840、特徴データ850、検証データ860、設計ルール870、および試験データファイル885を含むことができ、この試験データファイル885は、入力試験パターン、出力試験結果、および他の試験情報を含むことができる。設計プロセス810は更に、例えば鋳造、成形、およびダイプレス形成等の動作のための応力分析、熱分析、機械的イベントシミュレーション、プロセスシミュレーション等の標準的な機械設計プロセスを含むことができる。機械設計の当業者には、本発明の範囲および精神から逸脱することなく設計プロセス810において用いることができる機械設計ツールおよびアプリケーションの程度が認められよう。また、設計プロセス810は、タイミング分析、検証、設計ルールのチェック、配置およびルーティング動作等の標準的な回路設計プロセスを実行するためのモジュールを含むことができる。設計プロセス810は、HDLコンパイラおよびシミュレーションモデル構築ツール等の論理的および物理的な設計ツールを用いると共に組み込んで、いずれかの追加の機械設計またはデータ適用可能な場合に加えて、図示した支援的なデータ構造の一部または全てと共に設計構造820を処理して、第2の設計構造890を発生することができる。設計構造890は、機械デバイスおよび構造のデータの交換に用いられるデータフォーマットで例えばIGES、DXF、ParasolidXT、JT、DRG、またはかかる機械設計構造を記憶またはレンダリングするための他のいずれかの適切なフォーマットで記憶された情報、記憶媒体またはプログラマブルゲートアレイ上に常駐する。設計構造820と同様に、設計構造890は、好ましくは1つ以上のファイル、データ構造、または他のコンピュータ符号化データもしくは命令を含み、これらは伝送またはデータ記憶媒体上に常駐し、ECADシステムによって処理されると、設計を表す図または複数の図を記入に示した本発明の実施形態の1つ以上の論理的に同等なまたは他の機能的に同等な形態を発生させる。一実施形態においては、設計構造890は、設計を表す図または複数の図を記入に示したデバイスを機能的にシミュレーションするコンパイルされた実行可能HDLシミュレーションモデルを含むことができる。また、設計構造890は、集積回路のレイアウトデータの交換に用いるデータフォーマットまたは記号データフォーマットあるいはその両方を用いることができる例えば、GDSIIGDS2、GL1、OASIS、マップファイル、またはかかる設計データ構造を記憶するための他のいずれかの適切なフォーマットで記憶された情報。設計構造890は、例えば記号データ、マップファイル、試験データファイル、設計内容ファイル、製造データ、レイアウトパラメータ、ワイヤ、金属レベル、バイア、形状等の情報、製造ラインを介したルーティングのデータ、および製造者または他の設計者/開発者が必要とする他のいずれかのデータを含んで、上述し設計を表す図または複数の図を記入に示したようなデバイスまたは構造を生成することができる。次いで設計構造890は段階895に進み、ここで例えば設計構造890は、テープアウトに進む、製造に放出される、マスクハウスに放出される、別の設計ハウスに送出される、カスタマに返送される等となる。本明細書において用いた用語は、特定の実施形態を記載する目的のためだけのものであり、本開示を限定することは意図していない。本明細書において用いたように、単数形1つのa、an、theは、文脈によって明らかに他の場合が示されない限り、複数形も含むことが意図されている。また、含むまたは含んでいるあるいはその両方の言葉は、本明細書において用いられた場合、述べたフィーチャ、整数、ステップ、動作、要素、またはコンポーネントあるいはそれら全ての存在を規定するが、1つ以上の他のフィーチャ、整数、ステップ、動作、要素、コンポーネント、またはそれらのグループあるいはそれら全ての存在または追加を除外するものではないことは、理解されよう。以下の特許請求の範囲における全てのミーンズまたはステッププラスファンクション要素の対応する構造、材料、行為、および均等物は、具体的に特許請求したような他の特許請求した要素と組み合わせて機能を実行するためのいずれかの構造、材料、または行為を含むことが意図されている。本発明の記載は、例示および記述の目的のために提示したが、網羅的であることや、開示した形態に本発明を限定することは、意図していない。本発明の範囲および精神から逸脱することなく、当業者には多くの変更および変形が明らかであろう。実施形態は、本発明の原理および実際的な用途を最良に説明するため、更に、想定される特定の用途に適した様々な変更と共に様々な実施形態に関して当業者が本発明を理解することを可能とするために、選択し記載したものである。