医療装置において、a少なくとも部分的に放射線透過性材料を含む本体と、b前記本体の少なくとも一部に設けられた多孔性Taコーティングと、を含み、前記Taコーティングが、前記医療装置が放射線不透過性となるように十分な厚みを有し、許容できない剥落が起こることなく、前記医療装置の使用中に生じる歪みに耐えることができ、前記Taコーティングが、概ね単斜晶系の被覆剤または低エネルギー被覆剤のうち一方によって前記本体に施される、医療装置。請求項1に記載の医療装置において、前記Taコーティングは、主にbcc結晶相からなる、医療装置。請求項1に記載の医療装置において、前記Taコーティングの厚みは、約3μm~10μmの範囲である、医療装置。請求項1に記載の医療装置において、前記医療装置は、ステントである、医療装置。請求項1に記載の医療装置において、前記医療装置は、ガイドワイヤである、医療装置。請求項1に記載の医療装置において、前記医療装置は、腔内装置である、医療装置。請求項1に記載の医療装置において、前記Taコーティングは、物理蒸着法によって前記本体に施される、医療装置。請求項7に記載の医療装置において、前記物理蒸着法は、スパッタリング、陰極アーク蒸着、または熱蒸着からなる群から選択される1つを含む、医療装置。請求項1に記載の医療装置において、前記Taコーティング中に、時間とともに溶出する材料、をさらに含む、医療装置。医療装置にTa層を堆積させるための方法において、a少なくとも1つのTaスパッタターゲットを含むスパッタコーティングシステムにおいて、不活性ガスの背景圧力を維持するステップと、b前記Taターゲットに電圧を加えて、スパッタリングを起こすステップと、c所与の時間スパッタリングして、所望の厚みのコーティングを形成するステップと、を含み、前記Ta層が、少なくとも80の可視スペクトル放射率を有し、前記Ta層が、概ね単斜晶系の被覆剤または低エネルギー被覆剤のうち一方によって前記医療装置に施される、方法。請求項10に記載の方法において、堆積の際の前記医療装置の平衡温度を、前記方法によって間接的に制御する、方法。請求項10に記載の方法において、前記平衡温度は、150°C~450°Cの範囲である、方法。請求項10に記載の方法において、前記方法の際に、前記医療装置に電圧を加える、方法。請求項13に記載の方法において、前記電圧は、第1の時間の間、前記医療装置を予備清浄するための初期高電圧を含む、方法。請求項14に記載の方法において、前記初期高電圧は、100V~500Vの範囲である、方法。請求項14に記載の方法において、前記第1の時間は、1分~20分の範囲である、方法。請求項13に記載の方法において、前記電圧は、第2の時間の間加えられる第2の低電圧を含む、方法。請求項17に記載の方法において、前記低電圧は、10V~100Vの範囲である、方法。請求項17に記載の方法において、前記第2の時間は、1時間~5時間の範囲である、方法。請求項10に記載の方法において、前記不活性ガスは、Ar、Kr、およびXeを含む群から選択される、方法。請求項10に記載の方法において、前記電圧は、1μm/時間~5μm/時間の堆積速度を生み出す、方法。請求項10に記載の方法において、前記Ta層は、多孔質である、方法。請求項22に記載の方法において、時間とともに溶出しうる材料を前記Ta層の孔に導入するステップ、をさらに含む、方法。医療装置において、a外層を有する本体と、b前記外層の少なくとも一部分に設けられた放射線不透過性コーティングと、を含み、前記コーティングが、物理蒸着法を用いて、概ね単斜晶系の被覆剤または低エネルギー被覆剤のうち一方によって施される、医療装置。医療装置において、a少なくとも部分的に放射線透過性材料を含む本体と、b前記本体の少なくとも一部に設けられたTaコーティングと、を含み、前記Taコーティングが、許容できない剥落が起こることなく、前記医療装置の使用中に生じる歪みに耐えることができ、前記Taコーティングが、概ね単斜晶系の被覆剤または低エネルギー被覆剤のうち一方によって前記本体に施される、医療装置。実施の態様1医療装置において、a少なくとも部分的に放射線透過性材料を含む本体と、b前記本体の少なくとも一部に設けられた多孔性Taコーティングと、を含み、前記Taコーティングが、前記医療装置が放射線不透過性となるように十分な厚みを有し、許容できない剥落が起こることなく、前記医療装置の使用中に生じる歪みに耐えることができ、前記Taコーティングが、概ね斜めのコーティング束coatingfluxまたは低エネルギーのコーティング束のうち一方によって前記本体に施される、医療装置。2実施態様1に記載の医療装置において、前記Taコーティングは、主にbcc結晶相からなる、医療装置。3実施態様1に記載の医療装置において、前記Taコーティングの厚みは、約3μm~10μmの範囲である、医療装置。4実施態様1に記載の医療装置において、前記医療装置は、ステントである、医療装置。5実施態様1に記載の医療装置において、前記医療装置は、ガイドワイヤである、医療装置。6実施態様1に記載の医療装置において、前記医療装置は、腔内装置である、医療装置。7実施態様1に記載の医療装置において、前記Taコーティングは、物理蒸着法によって前記本体に施される、医療装置。8実施態様7に記載の医療装置において、前記物理蒸着法は、スパッタリング、陰極アーク蒸着cathodicarcdeposition、または熱蒸着thermalevaporationからなる群から選択される1つを含む、医療装置。9実施態様1に記載の医療装置において、前記Taコーティング中に、時間とともに溶出する材料、をさらに含む、医療装置。10医療装置にTa層を堆積させるための方法において、a少なくとも1つのTaスパッタターゲットを含むスパッタコーティングシステムにおいて、不活性ガスの背景圧力backgroundpressureを維持するステップと、b前記Taターゲットに電圧を加えて、スパッタリングを起こすステップと、c所与の時間スパッタリングして、所望の厚みのコーティングを形成するステップと、を含み、前記Ta層が、少なくとも80の可視スペクトル放射率を有し、前記Ta層が、概ね斜めのコーティング束または低エネルギーのコーティング束のうち一方によって前記医療装置に施される、方法。11実施態様10に記載の方法において、堆積の際の前記医療装置の平衡温度を、前記方法によって間接的に制御する、方法。12実施態様10に記載の方法において、前記平衡温度は、150°C~450°Cの範囲である、方法。13実施態様10に記載の方法において、前記方法の際に、前記医療装置に電圧を加える、方法。14実施態様13に記載の方法において、前記電圧は、第1の時間の間、前記医療装置を予備清浄するための初期高電圧を含む、方法。15実施態様14に記載の方法において、前記初期高電圧は、100V~500Vの範囲である、方法。16実施態様14に記載の方法において、前記第1の時間は、1分~20分の範囲である、方法。17実施態様13に記載の方法において、前記電圧は、第2の時間の間加えられる第2の低電圧を含む、方法。18実施態様17に記載の方法において、前記低電圧は、10V~100Vの範囲である、方法。19実施態様17に記載の方法において、前記第2の時間は、1時間~5時間の範囲である、方法。20実施態様10に記載の方法において、前記不活性ガスは、Ar、Kr、およびXeを含む群から選択される、方法。21実施態様10に記載の方法において、前記電圧は、1μm/時間~5μm/時間の堆積速度を生み出す、方法。22実施態様10に記載の方法において、前記Ta層は、多孔質である、方法。23実施態様22に記載の方法において、時間とともに溶出しうる材料を前記Ta層の孔に導入するステップ、をさらに含む、方法。24医療装置において、a外層を有する本体と、b前記外層の少なくとも一部分に設けられた放射線不透過性コーティングと、を含み、前記コーティングが、物理蒸着法を用いて、概ね斜めのコーティング束または低エネルギーのコーティング束のうち一方によって施される、医療装置。25医療装置において、a少なくとも部分的に放射線透過性材料を含む本体と、b前記本体の少なくとも一部に設けられたTaコーティングと、を含み、前記Taコーティングが、許容できない剥落が起こることなく、前記医療装置の使用中に生じる歪みに耐えることができ、前記Taコーティングが、概ね斜めのコーティング束または低エネルギーのコーティング束のうち一方によって前記本体に施される、医療装置。従来技術のステントを例示する図である。ステントを取り囲んでいるTaターゲットの平面図である。図2のステントを取り囲んでいるTaターゲットの側断面図である。ステントのストラット12に設けられたTaのコンフォーマルコーティングの断面図である。本発明に従って形成されたTaコーティングの波長に対する反射率を示すグラフである。本発明に従って形成されたTaコーティングのX線回折パターンを示すグラフである。ステントの上にプレートが配置された、図3の位置Cにあるステントを取り囲んでいるターゲットの側断面図である。ステントを取り囲んでいるTaターゲットの平面図である。図8のステントを取り囲んでいるTaターゲットの側断面図である。大きな入射角で平面ターゲットの近傍に配置されたステントの側立面図である。磨きステンレス鋼の表面に施されたTaコーティングの表面の走査電子顕微鏡写真である。本発明の別の好適な実施形態に従って形成され、磨きニチノール基板に施されたTaコーティングの原子力顕微鏡写真である。本発明の別の好適な実施形態に従って形成されたコーティングのX線回折パターンを示すグラフである。