マスクブランクスの欠陥検査段階での欠陥座標と基板保持の平坦度情報、及び前記マスクブランクスのフリースタンディング状態における平坦度情報を求めておく工程と、前記検査段階での平坦度情報と前記フリースタンディング状態での平坦度情報を基に、前記検査段階の欠陥座標を前記フリースタンディング状態の欠陥座標に座標変換する工程と、前記マスクブランクスにパターンを描画する際に、前記座標変換された欠陥座標を用い、前記欠陥を避けるために前記ブランクスの回転XYシフト量を決定する工程と、を含むことを特徴とする露光用マスクの製造方法。前記マスクブランクスは、基板上に多層反射膜が形成され、該多層反射膜の上に吸収体が形成されたものであり、描画装置で前記吸収体にパターンを描画した際に、前記吸収体のパターンで前記欠陥が隠れるように前記ブランクスの回転XYシフト量を決定することを特徴とする請求項1記載の露光用マスクの製造方法。前記マスクブランクスにパターンを描画する際の平坦度情報と、前記露光用マスクのパターンを被加工基板上に転写する際のマスクの平坦度情報とを基に、前記転写する際の平坦度情報と前記描画する際の平坦度情報との違いによる転写位置ずれを補正することを特徴とする請求項1又は2に記載の露光用マスクの製造方法。前記マスクブランクスにパターンを描画する際に、前記マスクブランクスにパターンを描画する際の平坦度情報と、前記露光用マスクのパターンを被加工基板上に転写する際のマスクの平坦度情報と、前記マスクブランクスの欠陥検査段階での平坦度情報とを基に、前記露光用マスクのパターンを前記被加工基板上に転写する際に前記吸収体パターンで前記欠陥が隠れるように、前記マスクブランクスの回転XYシフト量を決定することを特徴とする請求項1又は2に記載の露光用マスクの製造方法。露光用マスクの欠陥検査段階での欠陥座標と基板保持の平坦度情報を求めておく工程と、前記露光用マスクの欠陥合否判定を行う欠陥合否判定装置での基板保持の平坦度情報を求める工程と、前記欠陥検査段階での平坦度情報と前記欠陥合否判定装置での平坦度情報を基に、前記前記露光用マスクの欠陥検査段階での欠陥座標を、前記欠陥合否判定装置での欠陥座標に変換する工程と、前記座標変換された欠陥座標を用いて、前記欠陥合否判定装置により前記露光用マスクの欠陥合否判定を行う工程と、を含むことを特徴とする露光用マスクの欠陥合否判定方法。露光用マスクの欠陥合否判定を行う欠陥合否判定段階での欠陥座標と基板保持の平坦度情報を求めておく工程と、前記露光用マスクの欠陥を修正する欠陥修正装置での基板保持の平坦度情報を求める工程と、前記欠陥合否判定段階での平坦度情報と前記欠陥修正装置での平坦度情報を基に、前記欠陥合否判定段階での欠陥座標を前記欠陥修正装置での欠陥座標に変換する工程と、前記座標変換された欠陥座標を用いて、前記欠陥修正装置により前記露光用マスクの欠陥を修正する工程と、を含むことを特徴とする露光用マスクの欠陥修正方法。発明が解決しようとする課題は、平坦度の違いによる位置ずれを抑制し、ブランクス状態における位相欠陥をマスク段階で吸収体により隠すことができ、製造歩留まりの向上に寄与し得る露光用マスクの製造方法を提供することである。また、発明が解決しようとする他の課題は、ブランクス欠陥検査座標からAIMS計測を行う際に高精度なステージ位置決めを行うことができ、判定精度の向上をはかり得る欠陥合否判定方法を提供することである。さらに、発明が解決しようとする他の課題は、ブランクス欠陥検査座標から欠陥修正を行う際に高精度なステージ位置決めを行うことができ、欠陥修正箇所を高精度に決定することのできる欠陥修正方法を提供することである。実施形態の露光用マスクの製造方法は、マスクブランクスの欠陥検査段階での欠陥座標と基板保持の平坦度情報、及びマスクブランクスのフリースタンディング状態における平坦度情報を求めておき、検査段階での平坦度情報とフリースタンディング状態での平坦度情報を基に、検査段階の欠陥座標をフリースタンディング状態の欠陥座標に座標変換する。そして、マスクブランクスにパターンを描画する際に、座標変換された欠陥座標を用い、欠陥を避けるためにブランクスの回転XYシフト量を決定する。露光用マスク製造における描画工程前に、ブランクス欠陥座標から最適なブランクスの回転/XYシフト量を決定する際に、ブランクス欠陥検査装置での基板保持の平坦度状態での欠陥座標から、基板保持が無いことを仮定したフリースタンディング状態での座標系へ変換を行った欠陥位置情報を適用する。マスク描画においては、マスク基板保持が無い状態で高精度な位置精度が達成できるよう、描画装置側で位置補正が施されていることから、本手法によって、吸収体パターンにブランクス起因の欠陥を精度良く隠すことができる。また、EUV露光用マスクにおいては、反射型マスクで斜入射であることに加えて、マスク描画時と露光時のマスク保持方法の違いによる転写位置ずれが存在し、マスク描画時に転写位置ずれを補正する手法が検討されている。この場合には、フリースタンディング状態での座標系への変換に加えて、マスク描画時に意図的に施されている位置補正も考慮に入れてブランクス欠陥座標の変換を行うと、より高精度にブランクス欠陥を吸収体に隠すことができる。また、AIMSAerialImagingMeasuringSystem、修正装置、等を含めた装置座標系に対して、各装置間の検出座標をリンクする際に、各装置でのマスクの保持方法の違い等に起因する基板平坦度の違いを考慮して位置座標変換を行えば、ブランクス欠陥検査座標からAIMS計測や欠陥修正を行う際に高精度なステージ位置決めを達成することができる。以下、実施形態の露光用マスクの製造方法を、図面を参照して説明する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係わる露光用マスク製造におけるブランクス欠陥検査、マスクパターン形成、マスク欠陥検査、AIMS計測、欠陥修正までの大まかなフローを示す図である。図1において、マスクブランクにおける欠陥検査ステップS1の後に、座標変換を行いステップS2、ブランクス欠陥座標をフリースタンディング状態の座標に変換する。次いで、マスク描画時に、ブランクス回転シフト量を算出しステップS3、パターン形成を行うステップS4。次いで、露光用マスクの欠陥を検査するステップS5。次いで、欠陥検査時の座標をAIMS計測時の座標に変換ステップS6した後、AIMS計測を行うステップS7。次いで、AIMS座標を欠陥修正座標に変換ステップS8した後、欠陥修正を行うステップS9。なお、欠陥合否判定のためのAIMSとは、露光光と等価或いは相関の取れる露光条件でマスクパターンの空間像を計測し、リファレンスパターンとの空間像比較で良否判定を行うものであり、照明系及び投影系は露光装置と略等価であるが、マスクの観察領域は極めて小さくなっている。このようなフローに対して、パターン形成、AIMS計測、欠陥修正の各工程前に基板の平坦度を考慮した欠陥座標の補正を施してこの情報を各工程にインプットすることにより、ブランクス欠陥と吸収体パターンに対して高精度な位置決め達成することができ、ブランクス欠陥検査座標からAIMS計測や欠陥修正を行う際に高精度なステージ位置決めを達成することができる。図2a~eは、各工程でのブランクス及びマスク基板の状態を示す図である。ブランクス検査、パターン形成、マスク欠陥検査、AIMS計測、欠陥修正の各工程で基板保持方法に応じてブランクス及びマスク基板の平坦度が変化し、これによりマスク位置ずれが発生することが模式的に描かれている。ここで、図2aが前記図1のステップS1に相当し、図2bがステップS4に相当し、図2cがステップS5に相当し、図2dがステップS7に相当し、図2eがステップS9に相当している。図3a~cは、マスクブランクスから露光用マスクを形成するまでのフローを示す断面図である。まず、図3aに示すマスクブランクスを用意する。このマスクブランクスは、低熱膨張率基板10上に露光光を反射する40対程度に積層したMo/Si多層膜11が形成され、多層膜11上に保護層12としてRuが形成されている。保護層12上に、露光光を吸収する吸収体13としてTaBNが形成され、吸収体13上にマスク欠陥検査用の低反射層以下LR層14が形成されている。また、基板10の裏面には、静電チャックのための導電層15が形成されている。EUV用ブランクスは、基板10上に多層膜11が成膜されているため、フリースタンディング状態では弓形形状をしているが、ブランクスの欠陥検査時S1における基板10は、図2aに示すように、自重撓みによりフリースタンディングでの弓形状態よりは若干の緩和傾向がみられる。多層膜ブランクス段階で、ブランクス検査と共に多層膜のブランクス平坦度計測も実施される。ブランクス欠陥検査時に平坦度情報を取得するには、欠陥検査装置等のフォーカス情報を参照すればよい。そして、ブランクス検査で得られた欠陥座標情報について、フリースタンディング状態での欠陥座標情報へ変換しておくS2。次いで、図3bに示すように、吸収体13を成膜されたマスクブランクス上にEB描画用ポジ型レジスト16を塗布し、電子ビーム露光によりレジストパターンを形成するS4。パターン形成時の基板の撓みは図2bに示す通りである。ここで、ブランクスメーカからはフリースタンディングの状態での欠陥座標とブランクスの平坦度データがマスクショップに提供される。マスクショップでは得られたブランクス欠陥検査座標を元に最適なブランクス回転角度とXYパターンシフト量を算出しS3、描画データへ反映させる。EUV露光用マスクには、反射型で斜入射であることに加えてマスク描画時と露光時のマスク保持方法の違いによる転写位置ずれが存在するため、マスク描画時に転写位置ずれを補正する手法が提案されている。これに加えて、ブランクスメーカーから得られたフリースタンディング状態での欠陥座標に対して、マスク描画時に意図的に施されている位置補正も考慮に入れてブランクス欠陥座標の変換を行うと、より高精度にブランクス欠陥を吸収体に隠すことができる。図4にEUV露光用マスクの膜厚分布と転写位置ずれの関係を、図5にEUV露光用マスクの裏面の形状と静電チャックへ吸着された際の位置ずれの関係をそれぞれ表す。これらEUV露光用マスクが反射型で斜入射であることに加えて、マスク描画時と露光時のマスク保持方法の違いにより発生する転写位置ずれが存在することから、マスク描画時に転写位置ずれ補正を行う。この転写位置ずれ補正を考慮してブランクス欠陥座標についても変換を行う。図4に示すように、z方向にΔZのずれがあったとすると、光を斜め方向から照射するために、マスク上及びウェハ上でのずれは次式のようになる。但し、θ:6degはマスク法線に対するEUV主光線の角度、magは縮小倍率1/4を示している。ΔMaskΔZ×tanθΔWaferΔmask×magまた、図5に示すように、マスクの厚みtに分布があった場合、静電チャックへ吸着された際の位置ずれは次のようになる。ΔMaskdzdx×t2ΔWaferΔmask×mag次いで、レジストパターンをマスクに、LR-TaBN吸収体13をRIE加工によりパターン形成した。その後、マスクからレジストを剥離し、洗浄し、更にマスクパターン検査工程へ進めるS5。パターン検査工程での基板の撓みは、前記図2cに示す通りであり、このマスクパターン検査工程において、マスク検査工程最中のフォーカス情報からマスク基板平坦度情報も取得しておく。このように、ブランクス欠陥座標を元に最適なブランクス回転角度とXYパターンシフト量を算出する場合にブランクスの平坦度状態を考慮することで、吸収体パターンでブランクス起因の欠陥を高精度に隠すことができる。次いで、予め多層膜ブランクス段階で検出された欠陥の座標情報や、前記マスクパターン検査工程により得られた座標情報を元に、欠陥合否判定のためのAIMS工程S7へと進める。AIMS計測時の基板の撓みは、前記図2dに示す通りである。欠陥部のAIMS検査前に、マスク全体のフォーカス合わせを行い基板平坦度計測を行う。さらに、先の多層膜ブランクス段階で取得されたブランクスの平坦度情報や、前記マスクパターン検査工程で取得されたマスク平坦度情報と合わせてAIMS検査座標系への変換を行いS6、欠陥部のAIMS画像取得が行われる。次に、AIMSにより転写に与えるインパクトが大きく修正する必要があると判断されると、位相近傍領域の吸収体パターン修正へ進む。修正装置内のマスクステージにマスクがロードされた後にマスク面内の平坦度計測を行う。欠陥修正時の基板の撓みは、前記図2eに示す通りである。先のAIMS検査時に取得されたマスク平坦度情報と合わせて修正装置座標系への変換を行いS8、欠陥部の修正が行われるS9。このようにAIMS、修正装置を含めた装置座標系に対して、各装置間の検出座標をリンクする際に、各装置でのマスクの保持方法の違い等に起因する基板平坦度の違いを考慮して位置座標変換を行ことにより、ブランクス欠陥検査座標からAIMS計測や欠陥修正を行う際に高精度なステージ位置決めを達成することができる。なお、本実施形態ではマスクパターン検査としてDUV光を用いたが、EBやEUV光を用いてマスクパターン検査を行っても良い。その際には、TaBN上のLR層は必ずしも必要ではない。図6は、約400nmPVの平坦度のマスクが約100nmPV以下に平坦度が緩和された時の最大露光領域内パターンの位置ずれ量を示した図である。平坦度変化により最大で約25nmパターン位置ずれが存在し、パターンサイズが微細になると平坦度変化による位置ずれは無視できないことが分かる。このように本実施形態によれば、EUV露光用マスクを製造する際に、ブランクス状態における位相欠陥を吸収体で隠すことができ、マスクの製造歩留まりの向上に寄与することができる。また、ブランクス欠陥検査座標からAIMS計測を行う際に、高精度なステージ位置決めを行うことができ、判定精度の向上をはかることができる。さらに、ブランクス欠陥検査座標から欠陥修正を行う際に、高精度なステージ位置決めを行うことができ、欠陥修正箇所を高精度に決定することができる。変形例なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではない。実施形態ではEUV露光用マスクを例に説明したが、EUVに限らず各種の露光用マスクに適用することができる。さらに、反射型に限らないのも勿論のことである。また、実施形態では、ブランクスの検査段階から欠陥修正段階までの各段階で座標変換を行っているが、基板の撓み量の違いによる位置ずれが問題とならない場合は座標変換は必ずしも必要なく、従って必要な部分のみで座標変換を行うようにしても良い。本発明の幾つかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。