主面上に電極を有する半導体素子を埋設するように被覆する被覆絶縁層を形成する被覆工程と、前記被覆絶縁層の、前記半導体素子の電極側の表面上に、樹脂被膜を形成する被膜形成工程と、前記樹脂被膜の外表面側から前記被覆絶縁層にレーザ加工又は機械加工することにより、前記電極の表面に到達する凹部、及び所望の形状及び深さの回路溝を含む回路パターン部を形成する回路パターン部形成工程と、前記回路パターン部の表面及び前記樹脂被膜の表面に、めっき触媒又はその前駆体を被着させる触媒被着工程と、前記被覆絶縁層から前記樹脂被膜を剥離する被膜剥離工程と、前記樹脂被膜が剥離された前記被覆絶縁層に無電解めっきを施すことにより、前記電極と電気的に接続された回路を形成するめっき処理工程とを備える半導体パッケージの製造方法。前記被覆工程が、前記半導体素子を着脱可能な支持体に、少なくとも1つ以上の前記半導体素子を所定の位置に着接させる着接工程と、前記支持体に着接された半導体素子を埋設するように、封止樹脂で被覆する封止樹脂被覆工程と、前記封止樹脂を硬化させて、第1絶縁層を形成する硬化工程と、前記支持体を、前記半導体素子及び前記第1絶縁層から剥離する支持体剥離工程と、前記半導体素子及び前記第1絶縁層の、前記支持体が接触していた面上に、第2絶縁層を形成することにより、前記被覆絶縁層を形成する第2絶縁層形成工程とを備える請求項1に記載の半導体パッケージの製造方法。前記支持体が、基材と、前記基材の、少なくとも一方の面に、前記半導体素子を着脱可能な層とを備え、前記半導体素子を着脱可能な層が、シリコーン系樹脂からなる粘着層である請求項2に記載の半導体パッケージの製造方法。前記被覆工程が、基材と、前記基材の、少なくとも一方の面上に、前記基材から剥離可能で、前記半導体素子を固着可能な第3絶縁層とを備える支持体の前記第3絶縁層に、少なくとも1つ以上の前記半導体素子を所定の位置に着接させる着接工程と、前記支持体に着接された半導体素子を埋設するように、封止樹脂で被覆する封止樹脂被覆工程と、前記封止樹脂を硬化させて、第4絶縁層を形成することにより、前記被覆絶縁層を形成する硬化工程と、前記基材を、前記第3絶縁層から剥離する基材剥離工程とを備える請求項1に記載の半導体パッケージの製造方法。前記封止樹脂が、硬化性樹脂と無機充填材とを含む、樹脂シート又は樹脂フィルムである請求項2~4のいずれか1項に記載の半導体パッケージの製造方法。前記回路が、前記被覆絶縁層の表面に対して、前記半導体素子の主面に直交する方向に前記半導体素子を投影した形状の外縁より外側に形成されている回路を含む請求項1~5のいずれか1項に記載の半導体パッケージの製造方法。請求項1~6のいずれか1項に記載の半導体パッケージの製造方法により得られた半導体パッケージ。請求項7に記載の半導体パッケージを備え、前記半導体パッケージの回路と電気的に接続された回路を有する配線層を1層以上有する半導体装置。特許文献1によれば、第1絶縁層に半導体チップの電極パッドと接続するための孔を加工し、孔に半導体チップの電極パッドを一致させるように位置合わせを行って半導体チップを第1絶縁層の表面に貼り付けることにより、半導体チップの電極パッドと孔内に形成されるスタッドビアとの接続を高精度に行うことが可能になることが開示されている。そうすることによって、小型化が図れるとともに、ウエハレベルの再配線を行わないベアチップを使用してチップ搭載精度の高精度化を図れるので、製造コストを安価に抑えることができることが開示されている。また、特許文献2によれば、配線基板との間に隙間なしに実装することができる半導体パッケージを得ることができる旨が開示されている。このような絶縁層上に再配線する製造方法であれば、半導体チップ等の半導体素子の電極とプリント配線板等の基板の回路とをはんだバンプ等を介したフリップチップ実装を行わない。よって、フリップチップ実装による接続の場合において発生していた、上記のような問題の発生がしないと考えられる。しかしながら、層間ビアを形成する工程と、再配線する工程とを別途行うので、それぞれにおいて位置合わせが必要となる。このことにより、それぞれの工程において、ずれが発生するので、両者のずれを合わせたずれは、大きくなる場合がある。このため、ずれが発生しても、再配線回路と半導体素子との電気的な接続を確保するために、再配線回路のビアと接続するランド部分や半導体素子の電極等を大きめに設定する必要がある。例えば、層間ビアの径よりも大きなものにすること等が考えられる。このため、半導体素子の電極や再配線の狭ピッチ化には限界がある。本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、半導体素子を被覆する絶縁層上への回路の形成、及び前記回路と前記半導体素子の電極とを電気的に接続するためのビアの形成を高精度に行うことができる半導体パッケージの製造方法、前記製造方法により得られた半導体パッケージ、及び前記半導体パッケージを備える半導体装置を提供することを目的とする。本発明の一態様に係る半導体パッケージの製造方法は、主面上に電極を有する半導体素子を埋設するように被覆する被覆絶縁層を形成する被覆工程と、前記被覆絶縁層の、前記半導体素子の電極側の表面上に、樹脂被膜を形成する被膜形成工程と、前記樹脂被膜の外表面側から前記被覆絶縁層にレーザ加工又は機械加工することにより、前記電極の表面に到達する凹部、及び所望の形状及び深さの回路溝を含む回路パターン部を形成する回路パターン部形成工程と、前記回路パターン部の表面及び前記樹脂被膜の表面に、めっき触媒又はその前駆体を被着させる触媒被着工程と、前記被覆絶縁層から前記樹脂被膜を剥離する被膜剥離工程と、前記樹脂被膜が剥離された前記被覆絶縁層に無電解めっきを施すことにより、前記電極と電気的に接続された回路を形成するめっき処理工程とを備える。前記半導体パッケージの製造方法において、前記被覆工程が、前記半導体素子を着脱可能な支持体に、少なくとも1つ以上の前記半導体素子を所定の位置に着接させる着接工程と、前記支持体に着接された半導体素子を埋設するように、封止樹脂で被覆する封止樹脂被覆工程と、前記封止樹脂を硬化させて、第1絶縁層を形成する硬化工程と、前記支持体を、前記半導体素子及び前記第1絶縁層から剥離する支持体剥離工程と、前記半導体素子及び前記第1絶縁層の、前記支持体が接触していた面上に、第2絶縁層を形成することにより、前記被覆絶縁層を形成する第2絶縁層形成工程とを備えることが好ましい。前記半導体パッケージの製造方法において、前記支持体が、基材と、前記基材の、少なくとも一方の面に、前記半導体素子を着脱可能な層とを備え、前記半導体素子を着脱可能な層が、シリコーン系樹脂からなる粘着層であることが好ましい。前記半導体パッケージの製造方法において、前記被覆工程が、基材と、前記基材の、少なくとも一方の面上に、前記基材から剥離可能で、前記半導体素子を固着可能な第3絶縁層とを備える支持体の前記第3絶縁層に、少なくとも1つ以上の前記半導体素子を所定の位置に着接させる着接工程と、前記支持体に着接された半導体素子を埋設するように、封止樹脂で被覆する封止樹脂被覆工程と、前記封止樹脂を硬化させて、第4絶縁層を形成することにより、前記被覆絶縁層を形成する硬化工程と、前記基材を、前記第3絶縁層から剥離する基材剥離工程とを備えることが好ましい。前記半導体パッケージの製造方法において、前記封止樹脂が、硬化性樹脂と無機充填材とを含む、樹脂シート又は樹脂フィルムであることが好ましい。前記半導体パッケージの製造方法において、前記回路が、前記被覆絶縁層の表面に対して、前記半導体素子の主面に直交する方向に前記半導体素子を投影した形状の外縁より外側に形成されている回路を含むことが好ましい。本発明の他の一態様に係る半導体パッケージは、前記半導体パッケージの製造方法により得られた半導体パッケージである。本発明の他の一態様に係る半導体装置は、前記半導体パッケージを備え、前記半導体パッケージの回路と電気的に接続された回路を有する配線層を1層以上有する半導体装置である。本発明によれば、半導体素子を被覆する絶縁層上への回路の形成、及び前記回路と前記半導体素子の電極とを電気的に接続するためのビアの形成を高精度に行うことができる半導体パッケージの製造方法を提供することができる。また、前記製造方法により得られた半導体パッケージ、及び前記半導体パッケージを備える半導体装置が提供される。以下、本発明に係る実施形態について説明するが、本発明は、これらに限定されるものではない。本実施形態に係る半導体パッケージの製造方法は、主面上に電極を有する半導体素子を埋設するように被覆する被覆絶縁層を形成する被覆工程と、前記被覆絶縁層の、前記半導体素子の電極側の表面上に、樹脂被膜を形成する被膜形成工程と、前記樹脂被膜の外表面側から前記被覆絶縁層にレーザ加工又は機械加工することにより、前記電極の表面に到達する凹部、及び所望の形状及び深さの回路溝を含む回路パターン部を形成する回路パターン部形成工程と、前記回路パターン部の表面及び前記樹脂被膜の表面に、めっき触媒又はその前駆体を被着させる触媒被着工程と、前記被覆絶縁層から前記樹脂被膜を剥離する被膜剥離工程と、前記樹脂被膜が剥離された前記被覆絶縁層に無電解めっきを施すことにより、前記電極と電気的に接続された回路を形成するめっき処理工程とを備える。まず、本実施形態に係る半導体パッケージの製造方法について説明する。図1は、本発明の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法における各工程を説明するための模式断面図である。はじめに、主面上に電極11aを有する半導体素子11を埋設するように被覆する被覆絶縁層を形成する。この被覆絶縁層は、半導体素子11を埋設するように被覆する絶縁層であれば、特に限定されず、具体的には、図1aに示すように、第1絶縁層12と第2絶縁層13とを含んで構成されるものが挙げられる。なお、この工程は、被覆工程に相当する。そして、この被覆工程については、後述する。次に、図1bに示すように、被覆絶縁層の、半導体素子11の電極11a側の表面上に、樹脂被膜14を形成する。被覆絶縁層の、半導体素子11の電極11a側の表面とは、被覆絶縁層の表面のうち、半導体素子11の電極11aを被う第2絶縁層13の表面である。なお、この工程は、被膜形成工程に相当する。次に、図1cに示すように、樹脂被膜14の外表面側から被覆絶縁層の第2絶縁層13にレーザ加工又は機械加工することにより、電極11aの表面に到達する凹部15a、及び所望の形状及び深さの回路溝15bを含む回路パターン部15を形成する。回路溝15bの一部として、貫通孔や他の電子部品と電気的な接続を確保するためのランド部を形成するための凹部を形成してもよい。また、回路パターン部15によって、無電解めっきによって無電解めっき膜が形成される部分、すなわち、電気回路が形成される部分が規定される。また、凹部15aを形成させるためのレーザ加工又は機械加工は、樹脂被膜14の外表面を基準として、樹脂被膜14及び第2絶縁層13の厚み分以上の切削を行う穴あけ加工である。また、回路溝15bを形成させるためのレーザ加工又は機械加工は、樹脂被膜14の外表面を基準として、樹脂被膜14の厚み分を超えて切削する。なお、この工程は、回路パターン部形成工程に相当する。次に、図1dに示すように、回路パターン部15の表面、及び回路パターン部15が形成されなかった樹脂被膜14の表面に、めっき触媒又はその前駆体16を被着させる。なお、この工程は、触媒被着工程に相当する。次に、図1eに示すように、被覆絶縁層、具体的には、半導体素子11の電極11aを被う第2絶縁層13の表面から、回路パターン部15を形成した後に残存している樹脂被膜14を剥離する。そうすることによって、第2絶縁層13の、回路パターン部15にのみ、めっき触媒又はその前駆体16を残存させることができる。すなわち、凹部15aには、その位置に対応するめっき触媒又はその前駆体16aを、回路溝15bには、その位置に対応するめっき触媒又はその前駆体16bを残存させることができる。一方、樹脂被膜14の表面に被着されためっき触媒又はその前駆体は、樹脂被膜14に担持された状態で、樹脂被膜14とともに除去される。なお、この工程は、被膜剥離工程に相当する。次に、樹脂被膜14が剥離された第2絶縁層13に無電解めっきを施す。そうすることによって、めっき触媒又はその前駆体16が残存する部分にのみ無電解めっき膜が形成される。すなわち、図1fに示すように、凹部15aの位置に対応する無電解めっき膜17aを、回路溝15bの位置に対応する無電解めっき膜17bが形成される。なお、この工程は、めっき処理工程に相当する。この無電解めっきにより形成される、回路溝15bの位置に対応する無電解めっき膜17bが、そのまま電気回路になるものであってもよい。また、無電解めっき膜17bが、そのまま電気回路になるものでなくてもよい。その場合、さらに無電解めっきフィルアップめっきを施して、電気回路とすればよい。また、この無電解めっきにより形成される、凹部15aの位置に対応する無電解めっき膜17aが、無電解めっき膜17bと半導体素子11の電極11aとの電気的な接続を確保するビアになるものであってもよいし、そのままビアになるものでなくてもよい。そのままビアになることができない場合、さらに無電解めっきフィルアップめっきを施して、ビアとすればよい。このような製造方法によれば、半導体素子11を被覆する第2絶縁層13被覆絶縁層上への回路17bの形成、及び回路17bと半導体素子11の電極11aとを電気的に接続するためのビアの形成を高精度に行うことができる。このことは、以下のことによる。まず、本実施形態に係る半導体パッケージの製造方法が、上述のように、半導体素子を被覆する被覆絶縁層単に絶縁層とも称するに、半導体の電極の表面に到達する凹部や回路溝を含む回路パターン部を形成し、その回路パターン部を用いて、回路を形成するものである。このことにより、回路を形成する際に、被覆絶縁層絶縁層から半導体素子の電極に至るビアも同時に形成される。すなわち、絶縁層上に回路を形成することによって、同時にビアも形成される。このことにより、絶縁層上に回路パターン部を形成する際に、レーザ加工又は機械加工を施す位置決めを一回行えばよい。これに対して、半導体素子を被覆する絶縁層上に、ビアと回路とを別個に形成する場合、ビアを形成するための位置決めと、回路を形成するための位置決めとをそれぞれ行う必要があり、位置決めを少なくとも2回行う必要がある。そうすると、それぞれの位置決めで、ずれが発生するので、両者のずれを合わせたずれは大きくなる場合がある。上記のように、本実施形態に係る半導体パッケージの製造方法によれば、半導体素子を被覆する絶縁層被覆絶縁層上への回路の形成、及び回路と半導体素子の電極とを電気的に接続するためのビアの形成とを同時に行うことができ、位置決めにより発生するずれを抑制することができる。よって、半導体素子を被覆する絶縁層被覆絶縁層上への回路の形成、及び回路と半導体素子の電極とを電気的に接続するためのビアの形成を高精度に行うことができる。すなわち、半導体素子の電極と電気的に接続された回路を高精度に形成できる。さらに、半導体素子を被覆する絶縁層上に、ビアと回路とを別個に形成する場合、上記のようなずれが発生した場合でも、ビアと回路とが電気的に接続するように、通常、回路の、ビアと連結する部分を大きくして、ランド部を形成している。これに対して、本実施形態に係る製造方法の場合、ビアと回路とを同時に形成するので、ビアと回路とには、ずれの発生を抑制でき、ランド部を小さくすることができる。さらに、ランド部を形成しなくてもビアと回路との良好な電気的接続を確保できるので、いわゆるランドレスであってもよい。また、本実施形態に係る製造方法の場合、ビアを形成するための凹部と回路溝とを同時レーザ加工又は機械加工により形成するので、ビアを形成するための凹部と回路溝との間には、ずれの発生を抑制できる。このため、この加工における位置合わせとして、各半導体素子の位置を基準に行うと、被覆工程で、多少のずれが発生しても、回路とビアとを高精度で行うことができる。なお、本実施形態に係る製造方法は、無電解めっきを施した後にデスミア処理を施してもよい。フィルアップめっきを施す場合は、フィルアップめっきを施す前又は施した後に、デスミア処理を施してもよい。デスミア処理を施すことによって、無電解めっき膜に付着してしまった不要な樹脂を除去することができる。また、得られた半導体パッケージを備え、その半導体パッケージの回路と電気的に接続された回路を有する配線層を1層以上積層した多層の半導体装置を想定した場合、半導体パッケージの、回路が形成されていない箇所を粗し、この半導体パッケージに積層された配線層との密着性を高めることができる。また、デスミア処理は、特に限定されず、公知のデスミア処理を用いることができる。例えば、過マンガン酸溶液等への浸漬処理等が挙げられる。最後に、ビア17aと回路17bとを形成した後、図1gに示すように、ビア17a及び回路17bを被うように、第2絶縁層13上に、別途絶縁層18を形成してもよい。そして、この絶縁層18に、回路17bに至る凹部を形成し、その凹部に、他の電子部品や、この半導体パッケージの回路と他の配線層の回路との電気的接続を確保するためのビア19を形成してもよい。また、半導体素子11が2個以上ある場合は、隣り合う半導体素子の間で切断することによって、個片化させて、半導体パッケージとしてもよい。また、この半導体パッケージの回路と電気的に接続された回路を有する配線層を、半導体パッケージ上に形成することによって、いわゆる多層構造の半導体装置が得られる。すなわち、半導体パッケージを備え、この半導体パッケージの回路と電気的に接続された回路を有する配線層を1層以上有する半導体装置が得られる。また、回路17bは、図1fに示すように、被覆絶縁層の表面に対して、半導体素子11の主面に直交する方向に半導体素子11を投影した形状の外縁より外側にまで形成されていることが好ましい。すなわち、回路17bは、半導体素子11の幅を超えて広く形成されていることが好ましい。そうすることによって、他の電子部品との電気的な接続が確保しやすくなったり、多層構造の半導体装置を製造する際、配線層の回路との電気的な接続が確保しやすくなる。次に、被覆工程について説明する。被覆工程は、半導体素子11を埋設するように被覆する被覆絶縁層を形成することができる工程であれば、特に限定されない。具体的には、以下のような工程が挙げられる。本実施形態に係る半導体パッケージの製造方法における被覆工程の一例を説明する。具体的には、前記被覆工程が、前記半導体素子を着脱可能な支持体に、少なくとも1つ以上の前記半導体素子を所定の位置に着接させる着接工程と、前記支持体に着接された半導体素子を埋設するように、封止樹脂で被覆する封止樹脂被覆工程と、前記封止樹脂を硬化させて、第1絶縁層を形成する硬化工程と、前記支持体を、前記半導体素子及び前記第1絶縁層から剥離する支持体剥離工程と、前記半導体素子及び前記第1絶縁層の、前記支持体が接触していた面上に、第2絶縁層を形成することにより、前記被覆絶縁層を形成する第2絶縁層形成工程とを備える工程が挙げられる。図2は、本発明の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法における被覆工程の一例を説明するための模式断面図である。はじめに、図2a~cに示すように、半導体素子を着脱可能な支持体21に、少なくとも1つ以上の半導体素子11を所定の位置に着接させる。なお、この工程は、着接工程に相当する。この支持体21は、半導体素子を、固着させたり、剥離させたりが可能な着脱可能なものであれば、特に限定されない。具体的には、図2aに示すような支持体21等が挙げられる。この支持体21は、基材22と、この基材22の、少なくとも一方の面上に、半導体素子を着脱可能な層23とを備えるものである。そして、この着接工程は、支持体21の、半導体素子を着脱可能な層23に、半導体素子11を着接させる工程であり、半導体素子11の電極11aのある面を着接させることが好ましい。半導体素子を着脱可能な層23とは、例えば、半導体素子に対する、接着性又は粘着性を有する層等が挙げられる。より具体的には、シリコーン系樹脂からなる粘着層、ゴム系粘着剤からなる粘着層、アクリル系粘着剤からなる粘着層、及びウレタン系粘着剤からなる粘着層等が挙げられる。また、半導体素子を着脱可能な層23は、半導体素子と着接可能であり、かつ、半導体素子と着接後、そのまま剥離可能なものであってもよいし、半導体素子と着接可能であり、かつ、半導体素子と着接後、加熱又は紫外線照射により、剥離可能になるものであってもよい。この中でも、耐熱性、半導体素子の着脱容易性再剥離性、及び耐薬品性の点で、シリコーン系樹脂からなる粘着層が好ましい。なお、基材22としては、半導体素子11を着脱可能な層23を保持することができ、被覆工程の際、形状を維持できるものであれば、特に限定されない。具体的には、ガラス基板、セラミック基板、有機基板、及びステンレス鋼SUS板等の金属板等が挙げられる。次に、図2d及び図2eに示すように、支持体21に着接された半導体素子11を埋設するように、封止樹脂25で被覆する。この工程は、封止樹脂被覆工程に相当する。この封止樹脂被覆工程は、封止樹脂を塗布する工程であってもよいが、図2d及び図2eに示すように、封止樹脂25と、封止樹脂25を支持する基材26とからなる樹脂シート又は樹脂フィルム24を被覆し、押圧することによって、支持体21に着接された半導体素子11を埋設するように、封止樹脂25で被覆する工程等が好ましく用いられる。このような樹脂シート又は樹脂フィルム24を用いると、広い面積を容易に被覆することができるので、被覆可能な半導体素子の数を多くすることが可能である。すなわち、同時に製造できる半導体パッケージの数を増やすことが可能である。なお、封止樹脂としては、特に限定されず、すなわち、このような樹脂シート又は樹脂フィルムに限らず、例えば、粉封止材や液状封止材を用いることができる。また、この粉封止材や液状封止材は、封止樹脂被覆工程を、封止樹脂を塗布する工程で行う場合の、封止樹脂として用いることができる。また、この封止樹脂25は、支持体21に着接された半導体素子11を埋設する被覆させた後、硬化等によって、絶縁層を形成できるものであれば、特に限定されない。具体的には、この封止樹脂25は、硬化等によって、図2fに示すような第1絶縁層12を形成できるもの等が挙げられる。また、封止樹脂25は、硬化性樹脂を含む、樹脂シート又は樹脂フィルムであることが好ましい。このような封止樹脂であれば、上述したように、広い面積を容易に被覆することができるので、被覆可能な半導体素子の数を多くすることが可能である。また、封止樹脂25は、封止樹脂だけではなく、充填材を含むことが好ましい。そして、この充填材としては、封止樹脂に含有される充填材であれば、特に限定されない。例えば、無機微粒子等の無機充填材や、有機微粒子等が挙げられる。また、充填材としては、無機充填材が好ましい。すなわち、封止樹脂25は、硬化性樹脂と無機充填材とを含む、樹脂シート又は樹脂フィルムであることがより好ましい。このような封止樹脂であれば、得られた絶縁層が、他の絶縁層や半導体素子等とのそりの発生を抑制することができる。このことは、他の絶縁層や半導体素子等との熱膨張率を、含有される無機充填材によって、近似させることが可能であるためであると考えられる。また、封止樹脂25に含まれる硬化性樹脂が、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネイト樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、及びビスマレイミド樹脂等の熱硬化性樹脂等が挙げられる。また、封止樹脂25に含まれる無機充填材は、他の絶縁層や半導体素子等との熱膨張率を合わせるように調整可能なものであれば、特に限定されず、例えば、シリカ微粒子等の無機微粒子等が挙げられる。また、封止樹脂25に含まれる有機微粒子は、他の絶縁層や半導体素子等との熱膨張率の違いにより熱時に発生する応力を緩和可能なものであれば、特に限定されず、例えば、ゴム粒子等が挙げられる。ここでの基材26は、樹脂シート又は樹脂フィルム24の押圧によって、形状を維持できるものであれば、特に限定されない。具体的には、PET基板等の有機基板、ガラス基板、及びSUS板等の金属板等が挙げられる。次に、図2fに示すように、封止樹脂25を硬化させて、第1絶縁層12を形成する。封止樹脂25を硬化させる条件は、特に限定されない。封止樹脂25に含まれる硬化性樹脂が熱硬化性樹脂であれば、その樹脂が硬化できる加熱条件であればよい。なお、この工程は、硬化工程に相当する。次に、図2fに示すように、支持体21を、半導体素子11及び第1絶縁層12から剥離する。なお、この工程は、支持体剥離工程に相当する。その際、支持体21を剥離する前又は剥離した後に、図2fに示すように、樹脂シート又は樹脂フィルム24の基材26も剥離してもよいが、剥離しなくてもよい。また、基材26を剥離する場合、その剥離は、支持体21の剥離と同時期、すなわち、支持体剥離工程で剥離してもよいし、その後に剥離してもよい。例えば、後述する、第2絶縁層を形成した後、すなわち、第2絶縁層形成工程の後で剥離してもよい。最後に、図2gに示すように、半導体素子11及び第1絶縁層12の、支持体21が接触していた面上に、第2絶縁層13を形成する。そうすることにより、第1絶縁層12及び第2絶縁層13からなる被覆絶縁層が形成される。なお、この工程は、第2絶縁層形成工程に相当する。この第2絶縁層13の形成は、半導体素子11及び第1絶縁層12の表面上に、絶縁層を形成することができれば、特に限定されない。また、この第2絶縁層13は、樹脂層等が挙げられる。この樹脂層を構成する樹脂としては、具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネイト樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニルエーテル樹脂、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ビスマレイミド樹脂、フェノール樹脂、及びベンゾシクロブテン樹脂等が挙げられる。また、第2絶縁層13は、樹脂だけではなく、充填材を含むことが好ましい。そうすることによって、得られた絶縁層が、他の絶縁層や半導体素子等とのそりの発生を抑制することができる。このことは、他の絶縁層や半導体素子等との熱膨張率を、含有される充填材によって、近似させることが可能であるためであると考えられる。そして、この充填材としては、特に限定されない。例えば、無機微粒子等の無機充填材や、有機微粒子等が挙げられる。また、充填材としては、無機充填材が好ましい。また、第2絶縁層13に含まれる無機充填材は、他の絶縁層や半導体素子等との熱膨張率を合わせるように調整可能なものであれば、特に限定されず、例えば、シリカ微粒子等の無機微粒子等が挙げられる。また、第2絶縁層13に含まれる有機微粒子は、他の絶縁層や半導体素子等との熱膨張率の違いにより熱時に発生する応力を緩和可能なものであれば、特に限定されず、例えば、ゴム粒子等が挙げられる。被覆工程として、このような被覆工程を適用することにより、被覆工程を容易に行うことができる。よって、本実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を容易に行うことができる。また、半導体素子を、支持体に一時的に仮止めした状態で、絶縁層を形成するための硬化工程を含む被覆工程を行うので、半導体素子のずれの発生を抑制できる。また、半導体素子を、支持体に一時的に仮止めした状態で、絶縁層を形成するための硬化工程を含む被覆工程を行うので、支持体の存在により、半導体素子を被覆絶縁層で被覆された構造物にそりが発生することも抑制できる。次に、被覆工程の他の一例について説明する。被覆工程は、上述したように、半導体素子11を埋設するように被覆する被覆絶縁層を形成することができる工程であれば、特に限定されないが、以下のような工程も挙げられる。具体的には、前記被覆工程が、基材と、前記基材の、少なくとも一方の面上に、前記基材から剥離可能で、前記半導体素子を固着可能な第3絶縁層とを備える支持体の前記第3絶縁層に、少なくとも1つ以上の前記半導体素子を所定の位置に着接させる着接工程と、前記支持体に着接された半導体素子を埋設するように、封止樹脂で被覆する封止樹脂被覆工程と、前記封止樹脂を硬化させて、第4絶縁層を形成することにより、前記被覆絶縁層を形成する硬化工程と、前記基材を、前記第3絶縁層から剥離する基材剥離工程とを備える工程が挙げられる。図3は、本発明の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法における被覆工程の他の一例を説明するための模式断面図である。はじめに、図3a~cに示すように、支持体31に、少なくとも1つ以上の半導体素子11を所定の位置に着接させる。なお、この工程は、着接工程に相当する。この支持体31は、図3aに示すように、基材32と、基材32の、少なくとも一方の面上に、基材32から剥離可能で、半導体素子を固着可能な第3絶縁層13とを備えるものである。なお、ここでの第3絶縁層13は、図1においては、第2絶縁層13である。そして、この着接工程は、支持体31の第3絶縁層13に、半導体素子11を着接させる工程であり、半導体素子11の電極11aのある面を着接させることが好ましい。また、第3絶縁層13は、基材32から剥離可能で、半導体素子を固着可能な層であれば、特に限定されない。具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネイト樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニルエーテル樹脂、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ビスマレイミド樹脂、フェノール樹脂、及びベンゾシクロブテン樹脂等が挙げられる。なお、基材32としては、第3絶縁層13を保持することができ、被覆工程の際、形状を維持できるものであれば、特に限定されない。具体的には、ステンレス鋼SUS板等の金属板、ガラス基板、セラミック基板、及び有機基板等が挙げられる。また、基材32としては、第3絶縁層13を保持するために、表面に粘着層を備えるものであってもよい。具体的には、シリコーン系樹脂からなる粘着層、ゴム系粘着剤からなる粘着層、アクリル系粘着剤からなる粘着層、ウレタン系粘着剤からなる粘着層等の粘着層が、表面に形成されたSUS板等が挙げられる。また、基材32としては、第3絶縁層13の剥離を容易にするために、表面に離型処理されたものであってもよく、表面に離型剤が塗布されたものやポリテトラフルオロエチレンでコーティングされたものであってもよい。離型剤としては、具体的には、シリコーン系離型剤やフッ素系離型剤等が挙げられる。次に、図3d及び図3eに示すように、支持体31に着接された半導体素子11を埋設するように、封止樹脂25で被覆する。なお、この工程は、封止樹脂被覆工程に相当し、図2における封止樹脂被覆工程と同様である。次に、図3fに示すように、封止樹脂25を硬化させて、第4絶縁層12を形成する。そうすることにより、第4絶縁層12及び第3絶縁層13からなる被覆絶縁層が形成される。なお、ここでの第4絶縁層12は、図1においては、第1絶縁層12である。また、この工程は、硬化工程に相当し、図2における硬化工程と同様である。最後に、図3fに示すように、支持体31の基材32を、第3絶縁層13から剥離する。なお、この工程は、基材剥離工程に相当する。その際、基材32を剥離する前又は剥離した後に、図3fに示すように、樹脂シート又は樹脂フィルム24の基材26も剥離してもよいが、剥離しなくてもよい。被覆工程として、このような被覆工程を適用することにより、被覆工程を容易に行うことができる。よって、本実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を容易に行うことができる。また、半導体素子を、被覆絶縁層を構成する一方の絶縁層、具体的には、第3絶縁層13に固着させた状態で、もう一方の絶縁層である第4絶縁層12を形成して、被覆絶縁層を形成するので、半導体素子のずれの発生を抑制できる。また、半導体素子を、第3絶縁層13に固着させた状態で、被覆工程を行うので、第3絶縁層13の存在により、半導体素子を被覆絶縁層で被覆された構造物にそりが発生することも抑制できる。以下、本実施形態に係る製造方法における、被覆工程以外の工程について説明する。<被膜形成工程>被膜形成工程は、上述したように、被覆絶縁層の、半導体素子11の電極11a側の表面上に、樹脂被膜14を形成する工程である。樹脂被膜樹脂被膜14は、被膜剥離工程で剥離除去可能なものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、有機溶剤やアルカリ溶液により容易に溶解しうる可溶型樹脂や、後述する所定の液体膨潤液で膨潤しうる樹脂からなる膨潤性樹脂被膜等が挙げられる。これらの中では、正確な除去が容易である点から膨潤性樹脂被膜が特に好ましい。また、膨潤性樹脂被膜としては、例えば、液体膨潤液に対する膨潤度が50以上であることが好ましい。なお、膨潤性樹脂被膜には、液体膨潤液に対して実質的に溶解せず、膨潤により被覆絶縁層表面から容易に剥離するような樹脂被膜だけではなく、液体膨潤液に対して膨潤し、さらに少なくとも一部が溶解し、その膨潤や溶解により被覆絶縁層表面から容易に剥離するような樹脂被膜や、液体膨潤液に対して溶解し、その溶解により被覆絶縁層表面から容易に剥離するような樹脂被膜も含まれる。樹脂被膜14の形成方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、被覆絶縁層の表面に、樹脂被膜を形成しうる液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、支持基板に液状材料を塗布した後、乾燥することにより形成される樹脂被膜を被覆絶縁層の表面に転写する方法等が挙げられる。なお、液状材料を塗布する方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、従来から知られたスピンコート法やバーコータ法等が挙げられる。樹脂被膜14の厚みとしては、10μm以下であることが好ましく、5μm以下であることがより好ましい。一方、樹脂被膜14の厚みとしては、0.1μm以上であることが好ましく、1μm以上であることがより好ましい。樹脂被膜14の厚みが厚すぎる場合には、回路パターン部形成工程におけるレーザ加工又は機械加工によって形成される回路溝や凹部等の精度が低下する傾向がある。また、樹脂被膜14の厚みが薄すぎる場合は、均一な膜厚の樹脂被膜を形成しにくくなる傾向がある。次に、樹脂被膜14として好適な膨潤性樹脂被膜を例に挙げて説明する。膨潤性樹脂被膜としては、膨潤液に対する膨潤度が50以上である樹脂被膜が好ましく用いられうる。さらに、膨潤液に対する膨潤度が100以上である樹脂被膜がより好ましい。なお、膨潤度が低すぎる場合には、被膜剥離工程において膨潤性樹脂被膜が剥離しにくくなる傾向がある。膨潤性樹脂被膜の形成方法は、特に限定されず、上述した樹脂被膜14の形成方法と同様の方法であればよい。具体的には、例えば、被覆絶縁層の表面に、膨潤性樹脂被膜を形成しうる液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、支持基板に液状材料を塗布した後、乾燥することにより形成される膨潤性樹脂被膜を被覆絶縁層の表面に転写する方法等が挙げられる。膨潤性樹脂被膜を形成しうる液状材料としては、例えば、エラストマーのサスペンジョン又はエマルジョン等が挙げられる。エラストマーの具体例としては、例えば、スチレン-ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー、アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルジョンとして分散されたエラストマー樹脂粒子の架橋度又はゲル化度等を調整することにより所望の膨潤度の膨潤性樹脂被膜を容易に形成することができる。また、膨潤性樹脂被膜としては、特に、膨潤度が膨潤液のpHに依存して変化するような被膜であることが好ましい。このような被膜を用いた場合には、触媒被着工程における液性条件と、被膜剥離工程における液性条件とを異なるものにすることにより、触媒被着工程におけるpHにおいては膨潤性樹脂被膜は被覆絶縁層に対する高い密着力を維持し、被膜剥離工程におけるpHにおいては容易に膨潤性樹脂被膜を剥離させることができる。さらに具体的には、例えば、触媒被着工程が、例えば、pH1~3の範囲の酸性めっき触媒コロイド溶液酸性触媒金属コロイド溶液中で処理する工程を備え、被膜剥離工程がpH12~14の範囲のアルカリ性溶液中で膨潤性樹脂被膜を膨潤させる工程を備える場合には、膨潤性樹脂被膜は、酸性めっき触媒コロイド溶液に対する膨潤度が50未満、さらには40以下であり、アルカリ性溶液に対する膨潤度が50以上、さらには100以上、さらには500以上であるような樹脂被膜であることが好ましい。このような膨潤性樹脂被膜の例としては、所定量のカルボキシル基を有するエラストマーから形成されるシートや、プリント配線板のパターニング用のドライフィルムレジスト以下、DFRとも呼ぶ等に用いられる光硬化性のアルカリ現像型のレジストを全面硬化して得られるシートや、熱硬化性やアルカリ現像型シート等が挙げられる。<回路パターン部形成工程>回路パターン部形成工程は、樹脂被膜14の外表面側から被覆絶縁層の第2絶縁層13にレーザ加工又は機械加工することにより、電極11aの表面に到達する凹部15a、及び所望の形状及び深さの回路溝15bを含む回路パターン部15を形成する工程である。回路パターン部15を形成する方法としては、特に限定されない。具体的には、レーザ加工、及びダイシング加工等の切削加工や型押加工等の機械加工等が挙げられる。高精度の微細な回路を形成する場合には、レーザ加工を用いることが好ましい。レーザ加工によれば、レーザの出力等を変化させることにより、切削深さ等を自由に調整することができる。また、型押加工としては、例えば、ナノインプリントの分野において用いられるような微細樹脂型による型押加工が好ましく用いられうる。<触媒被着工程>触媒被着工程は、回路パターン部15の表面、及び回路パターン部15が形成されなかった樹脂被膜14の表面に、めっき触媒又はその前駆体16を被着させる工程である。めっき触媒又はその前駆体16は、めっき処理工程において無電解めっきにより無電解めっき膜を形成したい部分にのみ無電解めっき膜を形成させるために付与される触媒である。めっき触媒としては、無電解めっき用の触媒として知られたものであれば、特に限定なく用いられうる。また、予めめっき触媒の前駆体を被着させ、樹脂被膜の除去後にめっき触媒を生成させてもよい。めっき触媒の具体例としては、例えば、金属パラジウムPd、白金Pt、銀Ag等、または、これらを生成させるような前駆体等が挙げられる。めっき触媒又はその前駆体16を被着させる方法としては、例えば、pH1~3の酸性条件下で処理される酸性Pd-Snコロイド溶液で処理した後、酸溶液で処理するような方法等が挙げられる。具体的には、例えば、次のような方法が挙げられる。はじめに、回路パターン部15が形成された被覆絶縁層の表面に付着している油分等を界面活性剤の溶液クリーナーコンディショナー中で所定の時間湯洗する。次に、必要に応じて、過硫酸ナトリウム-硫酸系のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理する。そして、pH1~2の硫酸水溶液や塩酸水溶液等の酸性溶液中でさらに酸洗する。次に、濃度0.1程度の塩化第一錫水溶液等を主成分とするプリディップ液に浸漬して被覆絶縁層の表面に塩化物イオンを吸着させるプリディップ処理を行う。その後、塩化第一錫と塩化パラジウムを含む、pH1~3の酸性Pd-Snコロイド等の酸性めっき触媒コロイド溶液にさらに浸漬することによりPd及びSnを凝集させて吸着させる。そして、吸着した塩化第一錫と塩化パラジウムとの間で、酸化還元反応SnCl2PdCl2→SnCl4Pd↓を起こさせる。これにより、めっき触媒である金属パラジウムが析出する。なお、酸性めっき触媒コロイド溶液としては、公知の酸性Pd-Snコロイドキャタリスト溶液等が使用でき、酸性めっき触媒コロイド溶液を用いた市販のめっきプロセスを用いてもよい。このようなプロセスは、例えば、ロームアンドハース電子材料株式会社からシステム化されて販売されている。このような触媒被着処理によって、回路パターン部15の表面、及び回路パターン部15が形成されなかった樹脂被膜14の表面にめっき触媒又はその前駆体16を被着させることができる。<被膜剥離工程>被膜剥離工程は、被覆絶縁層の表面から、回路パターン部15を形成した後に残存している樹脂被膜14を剥離する工程である。樹脂被膜14を除去する方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、所定の溶液膨潤液で樹脂被膜14を膨潤させた後に、被覆絶縁層から樹脂被膜14を剥離させる方法、所定の溶液膨潤液で樹脂被膜14を膨潤させ、さらに一部を溶解させた後に、被覆絶縁層から樹脂被膜14を剥離させる方法、及び所定の溶液膨潤液で樹脂被膜14を溶解させて除去する方法等が挙げられる。前記膨潤液としては、樹脂被膜14を膨潤させることができるものであれば、特に限定されない。また、前記膨潤又は溶解は、樹脂被膜14で被覆された被覆絶縁層を膨潤液に所定時間浸漬させること等によって行う。そして、その浸漬中に超音波照射することにより除去効率を高めてもよい。なお、膨潤させて剥離するときには、軽い力で引き剥がしてもよい。また、樹脂被膜14として、膨潤性樹脂被膜を用いた場合について、説明する。膨潤性樹脂被膜を膨潤させる液体膨潤液としては、被覆絶縁層、及び前記めっき触媒又はその前駆体16を実質的に分解又は溶解させることなく、膨潤性樹脂被膜を膨潤又は溶解させることができる液体であれば特に限定なく用いられうる。また、膨潤性樹脂被膜を容易に剥離される程度に膨潤させうる液体が好ましい。このような膨潤液は、膨潤性樹脂被膜の種類や厚みにより適宜選択されうる。膨潤性樹脂被膜を膨潤させる方法としては、膨潤液に所定の時間浸漬する方法が挙げられる。また、剥離性を高めるために、浸漬中に超音波照射することが特に好ましい。なお、膨潤のみにより剥離しない場合には、必要に応じて軽い力で引き剥がしてもよい。<めっき処理工程>めっき処理工程は、樹脂被膜14が剥離された第2絶縁層13に無電解めっきを施す工程である。無電解めっき処理の方法としては、部分的にめっき触媒又はその前駆体16が被着された被覆絶縁層を無電解めっき液に浸漬して、めっき触媒又はその前駆体16が被着された部分のみに無電解めっき膜めっき層を析出させるような方法等が用いられうる。無電解めっきに用いられる金属としては、銅Cu、ニッケルNi、コバルトCo、アルミニウムAl等が挙げられる。これらの中では、Cuを主成分とするメッキが導電性に優れている点から好ましい。また、Niを含む場合には、耐食性や、はんだとの密着性に優れる点から好ましい。めっき処理工程により、被覆絶縁層表面のめっき触媒又はその前駆体16が残留する部分のみに無電解めっき膜が析出する。そのために、回路やビアを形成したい部分のみに正確に導電層を形成することができる。一方、回路パターン部を形成していない部分に対する無電解めっき膜の析出を抑制することができる。従って、狭いピッチ間隔で線幅が狭いような微細な回路を複数本形成するような場合でも、隣接する回路間に不要なめっき膜が残らない。そのために、短絡の発生やマイグレーションの発生を抑制することができる。本明細書は、上述したように様々な態様の技術を開示しているが、そのうち主な技術を以下に纏める。本発明の一態様に係る半導体パッケージの製造方法は、主面上に電極を有する半導体素子を埋設するように被覆する被覆絶縁層を形成する被覆工程と、前記被覆絶縁層の、前記半導体素子の電極側の表面上に、樹脂被膜を形成する被膜形成工程と、前記樹脂被膜の外表面側から前記被覆絶縁層にレーザ加工又は機械加工することにより、前記電極の表面に到達する凹部、及び所望の形状及び深さの回路溝を含む回路パターン部を形成する回路パターン部形成工程と、前記回路パターン部の表面及び前記樹脂被膜の表面に、めっき触媒又はその前駆体を被着させる触媒被着工程と、前記被覆絶縁層から前記樹脂被膜を剥離する被膜剥離工程と、前記樹脂被膜が剥離された前記被覆絶縁層に無電解めっきを施すことにより、前記電極と電気的に接続された回路を形成するめっき処理工程とを備える。このような構成によれば、上述したように、半導体素子を被覆する絶縁層上への回路の形成、及び前記回路と前記半導体素子の電極とを電気的に接続するためのビアの形成を高精度に行うことができる半導体パッケージの製造方法を提供することができる。前記半導体パッケージの製造方法において、前記被覆工程が、前記半導体素子を着脱可能な支持体に、少なくとも1つ以上の前記半導体素子を所定の位置に着接させる着接工程と、前記支持体に着接された半導体素子を埋設するように、封止樹脂で被覆する封止樹脂被覆工程と、前記封止樹脂を硬化させて、第1絶縁層を形成する硬化工程と、前記支持体を、前記半導体素子及び前記第1絶縁層から剥離する支持体剥離工程と、前記半導体素子及び前記第1絶縁層の、前記支持体が接触していた面上に、第2絶縁層を形成することにより、前記被覆絶縁層を形成する第2絶縁層形成工程とを備えることが好ましい。このような構成によれば、上述したように、被覆工程を容易に行うことができる。よって、半導体パッケージの製造方法を容易に行うことができる。前記半導体パッケージの製造方法において、前記支持体が、基材と、前記基材の、少なくとも一方の面に、前記半導体素子を着脱可能な層とを備え、前記半導体素子を着脱可能な層が、シリコーン系樹脂からなる粘着層であることが好ましい。このような構成によれば、被覆工程をより容易に行うことができる。前記半導体パッケージの製造方法において、前記被覆工程が、基材と、前記基材の、少なくとも一方の面上に、前記基材から剥離可能で、前記半導体素子を固着可能な第3絶縁層とを備える支持体の前記第3絶縁層に、少なくとも1つ以上の前記半導体素子を所定の位置に着接させる着接工程と、前記支持体に着接された半導体素子を埋設するように、封止樹脂で被覆する封止樹脂被覆工程と、前記封止樹脂を硬化させて、第4絶縁層を形成することにより、前記被覆絶縁層を形成する硬化工程と、前記基材を、前記第3絶縁層から剥離する基材剥離工程とを備えることが好ましい。このような構成によれば、上述したように、被覆工程を容易に行うことができる。よって、半導体パッケージの製造方法を容易に行うことができる。前記半導体パッケージの製造方法において、前記封止樹脂が、硬化性樹脂と無機充填材とを含む、樹脂シート又は樹脂フィルムであることが好ましい。このような構成によれば、ずれやそりの発生をより抑制した半導体パッケージを製造することができる。前記半導体パッケージの製造方法において、前記回路が、前記被覆絶縁層の表面に対して、前記半導体素子の主面に直交する方向に前記半導体素子を投影した形状の外縁より外側に形成されている回路を含むことが好ましい。このような構成によれば、他の電子部品との電気的な接続が確保しやすくなったり、多層構造の半導体装置を製造する際、配線層の回路との電気的な接続が確保しやすい半導体パッケージを製造することができる。本発明の他の一態様に係る半導体パッケージは、前記半導体パッケージの製造方法により得られた半導体パッケージである。このような構成によれば、回路やビアが高精度に形成された半導体パッケージが得られる。本発明の他の一態様に係る半導体装置は、前記半導体パッケージを備え、前記半導体パッケージの回路と電気的に接続された回路を有する配線層を1層以上有する半導体装置である。このような構成によれば、回路やビアが高精度に形成された半導体パッケージを用いて、多層化するので、電気的接続に不良が少ない等の好適な半導体装置が得られる。