"少なくとも1つのマトリックス材料および少なくとも1つのドープ材料を含み、上記ドープ材料は式1の化合物から選択され、R1はアリールおよびヘテロアリールから独立して選択され、上記アリールおよびヘテロアリールは少なくとも1つの、好ましくは完全に電子欠乏置換基で置換され、上記マトリックス材料は式2の化合物から選択され、R1からR18は水素およびアルキル、好ましくはC1-C9アルキルからそれぞれ独立して選択され、上記アルキルは分枝または非分枝であることを特徴とする有機半導体材料。上記ドープ材料は上記マトリックス材料に含有されていることを特徴とする請求項1に記載の有機半導体材料。上記ドープ材料および上記マトリックス材料は2つの層を形成し、上記2つの層は接触していることを特徴とする請求項1に記載の有機半導体材料。上記ドープ材料および上記マトリックス材料は相互に、好ましくはドープ半導体層の形で混合されていることを特徴とする請求項1に記載の有機半導体材料。上記ドープ材料は、2,2’,2-シクロプロパン-1,2,3-トリイリデントリス2-パーフルオロフェニル-アセトニトリル、2,2’,2-シクロプロパン-1,2,3-トリイリデントリス2-パーフルオロピリジン-4-イル-アセトニトリル、2,2’,2-シクロプロパン-1,2,3-トリイリデントリス2-4-シアノパーフルオロフェニル-アセトニトリル、2,2’,2-シクロプロパン-1,2,3-トリイリデントリス2-2,3,5,6-テトラフルオロ-4-トリフルオロメチルフェニル-アセトニトリル、および、シクロプロパン-1,2,3-トリイリデントリス2-2,6-ジクロロ-3,5-ジフルオロ-4-トリフルオロメチルフェニル-アセトニトリルから選択されたものであることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の有機半導体材料。請求項1から5の何れか1項に記載の有機半導体材料を含む有機部品。発光部品であることを特徴とする請求項6に記載の有機部品。有機太陽電池であることを特徴とする請求項6に記載の有機部品。陰極、陽極および基板を備え、陰極が陽極よりも基板に近いことを特徴とする請求項8に記載の有機部品。上記陰極が透明であり、上記基板および上記陽極のうち少なくとも1つが反射型であることを特徴とする請求項9に記載の有機部品。少なくとも1つのマトリックス材料およびドープ半導体層を製造するための少なくとも1つのドープ材料を含み、上記ドープ材料は式1の化合物から選択され、R1はアリールおよびヘテロアリールから独立して選択され、上記アリールおよびヘテロアリールは少なくとも1つの、好ましくは完全に電子欠乏置換基で置換され、上記マトリックス材料は式2の化合物から選択され、R1からR18は水素およびアルキル、好ましくはC1-C9アルキルからそれぞれ独立して選択され、上記アルキルは分枝または非分枝であることを特徴とする混合物。上記マトリックス材料は、N4,N4,N4,N4-テトラ[1,1’-ビフェニル]-4-イル-[1,1’:4’,1-ターフェニル]-4,4-ジアミンであることを特徴とする請求項11に記載の混合物。上記ドープ材料は、2,2’,2-シクロプロパン-1,2,3-トリイリデントリス2-パーフルオロフェニル-アセトニトリル、2,2’,2-シクロプロパン-1,2,3-トリイリデントリス2-パーフルオロピリジン-4-イル-アセトニトリル、2,2’,2-シクロプロパン-1,2,3-トリイリデントリス2-4-シアノパーフルオロフェニル-アセトニトリル、2,2’,2-シクロプロパン-1,2,3-トリイリデントリス2-2,3,5,6-テトラフルオロ-4-トリフルオロメチルフェニル-アセトニトリル、および、シクロプロパン-1,2,3-トリイリデントリス2-2,6-ジクロロ-3,5-ジフルオロ-4-トリフルオロメチルフェニル-アセトニトリルから選択されたものであることを特徴とする請求項11または12に記載の混合物。[実施例]本発明はいくつかの実施例に基づいて、より詳細に説明される。3ラジアレン化合物の合成207mmolの出発物質a~eおよび250mmolの炭酸カリウムを含む370mlのジメチルホルムアミドの溶液を撹拌しながら、これに対して、207mmolのシアノ酢酸エステルを含む50mlのジメチルホルムアミドの溶液を速やかに滴下して加えた。この混合物を室温で48時間撹拌した。この混合物にその後、1Lの氷水を加えた。この溶液を激しく撹拌し、100mlの濃酢酸を加えた。その後、この水溶液をクロロホルムで4回抽出した。その後、精製した有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、真空下で完全に濃縮した。この粗生成物をさらなる精製を行うことなく次の合成に使用した。アリールシアノ酢酸エステルf~j全量を84mlの酢酸50中で、4.15mlの濃硫酸と共に16時間、加熱還流した。冷却の後、全量に120mlの氷水を加え、30分撹拌した。層を分離し、水層を100mlのクロロホルムで抽出した。精製した有機層を100mlの水および100mlの飽和炭酸水素ナトリウム溶液で洗浄した。硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を除去した後、真空蒸留の後に無色の油状物k~oが得られた。水素化リチウム98を、600mlのグライムで懸濁し、0°Cに冷却した。152mmolのアリールアセトニトリルk~oを60mlのグライム中にゆっくりと滴下して加えた。氷浴を外し、混合物の温度を室温まで上げた。室温で15分撹拌した後、混合物を再び0°Cに冷却し、40mlのグライム中に含まれる40.0mmolのテトラクロロプロペンをゆっくりと滴下して加えた。いったん室温まで加熱し、混合物をさらに44時間撹拌した。その後、混合物に1.2Lの氷水を加え、塩酸pH=1を用いて酸性にした。この水溶液を各500mlの酢酸エチルと共に振り混ぜることを3回行い、精製された有機層を、まず飽和の共通の塩の溶液で洗浄し、次に水で洗浄し、炭酸ナトリウム溶液で洗浄し、最後に再び水で洗浄した。洗浄後の有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を真空下で除去した。残った濃褐色の油を、さらなる精製なしで次の合成に用いた。上記物質を1.4Lの酢酸に溶解し、予め準備した360mlの臭化水素酸48および120mlの硝酸65の混合物に滴下、撹拌することによって混合した。1.5時間の撹拌の後、ろ過した。赤色固体p~tを水で洗浄し、真空下で乾燥し、その後、勾配昇華によって精製した。HTMの合成式3のHTMの例0.5から1Lの丸底フラスコを70g0.14molの4,4-ジヨードターフェニル、140g0.44molのビス-ビフェニルリル-アミン、45gの炭酸カリウム、220mlのマルロタームMARLOTHERM登録商標および0.3mlのトルエンで満たした。この混合物を110°Cに加熱し、20gの銅触媒を加えた。この混合物を3.5時間以内に、約195°Cの温度に加熱した。この温度を42時間維持した。その後、このバッチを90°Cまで冷却し、吸引濾過による除去にて、無機化合物を分離した。そして、100mlのメタノールを加え、吸引濾過を介して生成物を真空下で分離した。生成物を2Lのジメチルホルムアミドから再結晶した。吸蔵されたジメチルホルムアミドを除去するため、再結晶した生成物が分離された時点で、200mlのメタノールで洗浄した。100°Cでの乾燥の後、83gの生成物が得られた。測定方法薄膜のサンプルの導電率は、二点法を用いて測定される。この場合、接点は、基板に用いられる、例えば金または酸化インジウムスズといった導体材料からなる。検査された薄層がその後、基板の広範囲に亘って蒸着され、接点は薄層によって被覆される。接点に電圧が印加された後、電流が測定される。薄層材料の導電率はその後、接点の形状に基づいて、このようにして得られる抵抗値およびサンプルの膜厚から決定される。二点法は、薄層の抵抗が、給電ラインの抵抗または接点の抵抗よりもかなり大きい場合には、問題なく用いることができる。これは、接点の十分に広いギャップを供給することによって実験的に保証され、電流-電圧特性曲線の直線性の確認を可能にする。熱安定性は、ドープまたは非ドープ層を徐々に加熱する手法と同様の方法および同様の構造を用い、停止期間の後、その導電率を測定することで決定される。層が望みの半導体特性を喪失することなく維持される最高温度は、その後、導電性が無くなる直前の温度である。例えば、上述したように、ドープ層が2つの隣接する電極を有する基板上で1°Cずつ加熱される。ここで、加熱は1°C上昇するごとに10秒のインターバルを有する。そして、導電率が測定される。導電率は、温度変化によって変化し、ある温度を超えると突如喪失する。これによって、熱安定度は、導電性が突然喪失しない温度として与えられる。ドープ濃度ドープ濃度において、ドープ剤と、マトリックス分子またはポリマーマトリックス分子のモノマー単位との比が1:1以下であることが好ましい。上記比が1:2以下であると好ましく、1:5、または1:10以下であるとより好ましい。ドープ濃度は1:5から1:10000の範囲に限定されてもよい。ドープの手順本発明で使用されるp-ドープ剤を用いたマトリックス材料のそれぞれのドープは、以下の処理のうち1つ、または複数を組み合わせて実行してもよい。a1種のマトリックス材料および1種のドープ剤の原料を、真空下で混合蒸着するbp-ドープ剤の溶液の溶媒を揮発させ、特に熱処理によってマトリックス層をドープするcドープ剤の層によってマトリックス材料層の表面をドープするdマトリックス分子およびドープ剤の溶液を調製し、その後、溶媒の濃縮、またはスピンコーティングといった従来の方法で、この溶液から層を生成する。このようにして、本発明に係る、様々な方法の使用が可能である有機半導体のp-ドープ層の製造が可能となる。導電率の測定ドープ半導体層-実施例1:式3のHTMの50nmの薄膜を化合物pによってドープした。ドープ層を式3のHTMおよびドープ剤pの高真空での混合蒸着によって製造した。マトリックス内のドープ剤の濃度は3molであった。ドープ剤の濃縮温度は372°Cであった。ドープ層は、6×104S/cmの高い導電率を示した。層の熱安定度は、133°Cであった。部品:実施例1:式3のHTMの層を、化合物pによってドープした。高真空下でドープ剤pと共に式3のHTMの混合蒸着によって、ITOが塗布されたガラス基板上にドープ層を堆積した。マトリックス中のドープ剤の濃度は、1.5;3.0;4.5wtであった。加えて、化合物pが3wtドープされたα-NPD層を、参照用として同様の基板上に堆積した。その後、α-NPD層、青色蛍光層、非ドープETLおよび遮断層、n-ドープ電子移動層、およびアルミニウム陰極を、真空のまま堆積した。このようにして加工された部品を、その後、予め適切なゲッターが使用されたカバーガラス内に封入することによって、水分から保護した。このようにして、ガラス基板を通して発光する青色OLEDを製造した。上記OLEDの特性データを以下の表にまとめる。式3のHTMが使用された場合の作業電圧が、α-NPDと比べて向上していることを、上記表から読み取ることができる。さらに、より低い初期電圧が、より良い効率をもたらしている。例えば、参照用では出力効率が10.18lm/Wであるのに対して、式3のHTMの使用によって10.72lm/Wに向上している。ここで、式3のHTMとα-NPDは共に3wtのpがドープされている。この効率の向上は、5以上である。OLEDの部品におけるさらに重要な性能パラメータは、特定の電流密度での初期輝度が半分になるまでの時間の長さとして定義される耐用期間である。上記表を見ると、この場合においても、式3のHTMの使用で、α-NPDに比べて、損失が無い期間が持続されることになる。それに対して、30mA/cm2での耐用期間は、上記例の3wtの電気ドープにより、476時間から556時間、すなわち15以上向上している。実施例2:式3のHTMの層を化合物pによってドープした。高真空下でドープ剤pと共に式3のHTMを混合蒸着することによってITOが塗布されたガラス基板上にドープ層を堆積した。マトリックス中のドープ剤の濃度は、3.0wtであった。加えて、化合物pが3wtドープされたα-NPD層を、参照用として同様の基板上に堆積した。その後、α-NPD層または式3のHTM層を、真空のまま堆積した。部品は、赤色蛍光層、非ドープETLおよび遮断層、n-ドープ電子移動層、およびアルミニウム陰極によって完成した。このようにして加工された部品を、その後、予め適切なゲッターが使用されたカバーガラス内に封入することによって、水分から保護した。このようにして、ガラス基板を通して発光する赤色OLEDを製造した。上記OLEDの特性データを以下の表にまとめる。赤色OLEDの効率が、参照用のOLEDに比べて、ドープ層および非ドープ層としての式3のHTMの使用でかなり向上していることを、上記表から読み取ることができる。ここで、これらのドープ層および非ドープ層は共に、標準的な材料のα-NPDで構成されている。この特徴的な場合において、出力効率が、例えば7.8lm/Wから8.4lm/Wに向上し、これにより約8向上した。実施例3:さらなる部品の例が、ドープ半導体層の意外な熱安定性を示すだろう。この目的を達するために、式4のHTM、式5のHTM、および式6のHTMのそれぞれの30nmの薄膜をITOガラス状に加工した。加えて、参照用の30nmのα-NPD層を加工した。これらの材料の全てを、同時蒸着によって3のpを電気的にドープした。高安定性を示すホール移動材料TBRbtertブチルルブレンの50nmの均一な薄膜層を、これらの層の全てに追加抵抗として堆積した。ホール移動部品は100nmの厚みの共通のアルミニウム電極によって終端処理した。このようにして加工された部品を、その後、予め適切なゲッターが使用されたカバーガラス内に封入することによって、水分から保護した。このようにして得られた部品の電流-電圧特性曲線を測定した。熱安定性を評価する目的のために、全てのOLEDをその後、120°Cで1時間、加熱炉内で加熱した。室温まで冷却した後、再び電流-電圧特性曲線を測定した。このようにして得られたダイオード特性曲線を図2に示す。21は式6のHTMを示し、22は式5のHTMを示し、23は式3のHTMを示し、24はα-NPDのI-Vデータを示す。特性曲線によって、1Vおよび1V未満の電圧のための寄生漏れ電流より大きい電圧のための望みの順方向電流を、おおまかに分割することができる。この場合、1Vは部品のターンオン電圧である。α-NPD部品が、本発明に係る材料である、同様に直接加工された後の式3のHTM、式4のHTM、式5のHTM、および式6のHTMと比べて、より高い漏れ電流を有することがはっきりとわかる。例えば、-5Vでの違いは、約2桁になる。寄生漏れ電流の問題は、加熱した後のα-NPDでより増幅する。この場合、漏れ電流は、-5Vで約10mA/cm2となる。一方で、本発明に係るホール移動層を使用する部品は、温度上昇に対して強く、-5Vにおいて、0.0001mA/cm2と、α-NPDの参照値よりも5桁以上少ない。一例として、標準的なホール移動材料であるα-NPDを使用する場合よりも熱的に安定である、本発明に係るホール移動材料を使用して製造された有機部品を示す。実施例4:HTM下記表参照からなる4つの層を、化合物pによってドープした。ドープ層を、高真空下で、ドープ剤pと共に混合蒸着することによって、ITOが塗布されたガラス基板上に堆積した。マトリックス中のドープ剤の濃度は4つの場合いずれも3.0wtであった。加えて、3wtの化合物pがドープされたα-NPDを、参照用として同じ基板に堆積させた。その後、α-NPD層、赤色発光層、黄色発光層、青色発光層、緑色発光層、非ドープETLおよび遮断層、n-ドープ電子移動層、およびアルミニウム陰極を、真空のまま堆積した。このようにして加工された部品を、その後、予め適切なゲッターが使用されたカバーガラス内に封入することによって、水分から保護した。加工されたOLEDは、色座標で0.39,0.40の暖白色光を発する。対応する特性データは、下記表にまとめられている。本発明に係るホール移動層が使用された部品の初期効率が、標準的なホール移動材料であるα-NPDに比べて、ある部分では僅かに良く、別のある部分では僅かに悪いことを、上記表から読み取ることができる。一方で、85°Cでの測定値として上記のように定義づけされた部品の耐用期間に関しては、大きな向上が得られている。後者については、例えば、式6のHTMの使用の場合、35以上向上している。本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。基板11上のドープされたホール移動層12の概略図であり、ホール移動層12は2つの電極13および電極14に電気的に接続されている。従って、例えばレジスタや導電性経路などといった、平面構造が使用される。基板15上の2つの電極16および電極17の間の、ドープされたホール移動層17の概略図である。さらなる層18が備えられてもよい。このような積層構造は、例えばOLEDや有機太陽電池などで使用される。ダイオードの特性曲線の図である。"