発電機に内蔵され、界磁巻線と複数組の電機子巻線とを有する回転電機に接続されて、前記回転電機で発電された交流電力を直流電力に変換する電力変換装置であって、前記界磁巻線に流れる界磁電流を制御する界磁電力変換部と、前記複数組の電機子巻線のそれぞれに対応して設けられ、正極側アームのスイッチング素子および負極側アームのスイッチング素子を含むブリッジ回路を有する電機子電力変換部と、前記発電機の入出力端子であるB端子-E端子間の電圧が第1所定電圧値を超えたことを検出した場合に、一部の組の電機子巻線に接続された前記ブリッジ回路の負極側アームまたは正極側アームのスイッチング素子をすべてオンするとともに、当該アームと対になる正極側アームまたは負極側アームのスイッチング素子をすべてオフし、かつ前記界磁巻線に流れる前記界磁電流を低減してロードダンプエネルギーの低減動作を開始し、その後、所定条件が満たされた場合に、オンしているスイッチング素子をすべてオフする制御部と、を備えた電力変換装置。前記制御部は、前記ロードダンプエネルギーの低減動作の開始後、前記界磁電流が所定電流値以下になった場合に、前記所定条件が満たされたと判断する請求項1に記載の電力変換装置。前記制御部は、前記ロードダンプエネルギーの低減動作の開始後、所定時間が経過した場合に、前記所定条件が満たされたと判断する請求項1に記載の電力変換装置。前記制御部は、前記ロードダンプエネルギーの低減動作の開始後、前記B端子-E端子間の電圧が第2所定電圧値を下回ったことを検出した場合に、前記ロードダンプエネルギーの低減動作を終了し、以降の前記ロードダンプエネルギーの低減動作を禁止する請求項1から請求項3までの何れか1項に記載の電力変換装置。前記制御部は、前記ロードダンプエネルギーの低減動作の開始時、直前の前記ロードダンプエネルギーの低減動作において短絡した電機子巻線の組とは異なる組の電機子巻線を短絡する請求項1から請求項4までの何れか1項に記載の電力変換装置。前記制御部は、前記ロードダンプエネルギーの低減動作の開始後、一定時間毎に、短絡する電機子巻線の組を別の組に切り替える請求項1から請求項5までの何れか1項に記載の電力変換装置。発電機に内蔵され、界磁巻線と複数組の電機子巻線とを有する回転電機に接続されて、前記回転電機で発電された交流電力を直流電力に変換する電力変換装置の制御方法であって、前記発電機の入出力端子であるB端子-E端子間の電圧が第1所定電圧値を超えたことを検出した場合に、一部の組の電機子巻線に接続されたブリッジ回路の負極側アームまたは正極側アームのスイッチング素子をすべてオンするとともに、当該アームと対になる正極側アームまたは負極側アームのスイッチング素子をすべてオフするステップと、前記界磁巻線に流れる界磁電流を低減するステップと、その後、所定条件が満たされた場合に、オンしているスイッチング素子をすべてオフするステップと、を備えた電力変換装置の制御方法。しかしながら、従来技術には、以下のような課題がある。特許文献2に示された方法でロードダンプサージを抑制する場合には、発生したロードダンプエネルギーを吸収するために、大きな定格のMOSFETを採用しなければならず、コストが高くなるという問題がある。また、特許文献3に示された方法でロードダンプサージを抑制する場合には、短絡動作中に電機子から外部への電力供給が不可能である。そのため、バッテリ外れによってロードダンプサージが発生した場合には、大容量の平滑コンデンサが内蔵されていない限り、B端子電圧が瞬時に低下してしまい、接続されている車両電気負荷への電力供給が不可能になる恐れがあるという問題がある。なお、一般的に、車両用の発電機およびその制御装置は、エンジンの直近に設置されるので、極めて高い雰囲気温度での動作が要求される。そのため、安価で大容量なアルミ電解コンデンサを用いることが困難であり、小容量で高価なセラミックコンデンサが用いられる場合が多い。したがって、コストが高くなるとともに、実現が困難である。この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、大型のMOSFETや大容量の平滑コンデンサを用いることによるコストアップを招くことなく、ロードダンプサージを抑制し、過電圧を防止することができる電力変換装置および電力変換装置の制御方法を得ることを目的とする。この発明に係る電力変換装置は、発電機に内蔵され、界磁巻線と複数組の電機子巻線とを有する回転電機に接続されて、回転電機で発電された交流電力を直流電力に変換する電力変換装置であって、界磁巻線に流れる界磁電流を制御する界磁電力変換部と、複数組の電機子巻線のそれぞれに対応して設けられ、正極側アームのスイッチング素子および負極側アームのスイッチング素子を含むブリッジ回路を有する電機子電力変換部と、発電機の入出力端子であるB端子-E端子間の電圧が第1所定電圧値を超えたことを検出した場合に、一部の組の電機子巻線に接続されたブリッジ回路の負極側アームまたは正極側アームのスイッチング素子をすべてオンするとともに、当該アームと対になる正極側アームまたは負極側アームのスイッチング素子をすべてオフし、かつ界磁巻線に流れる界磁電流を低減してロードダンプエネルギーの低減動作を開始し、その後、所定条件が満たされた場合に、オンしているスイッチング素子をすべてオフする制御部と、を備えたものである。また、この発明に係る電力変換装置の制御方法は、発電機に内蔵され、界磁巻線と複数組の電機子巻線とを有する回転電機に接続されて、回転電機で発電された交流電力を直流電力に変換する電力変換装置の制御方法であって、発電機の入出力端子であるB端子-E端子間の電圧が第1所定電圧値を超えたことを検出した場合に、一部の組の電機子巻線に接続されたブリッジ回路の負極側アームまたは正極側アームのスイッチング素子をすべてオンするとともに、当該アームと対になる正極側アームまたは負極側アームのスイッチング素子をすべてオフするステップと、界磁巻線に流れる界磁電流を低減するステップと、その後、所定条件が満たされた場合に、オンしているスイッチング素子をすべてオフするステップと、を備えたものである。この発明に係る電力変換装置および電力変換装置の制御方法によれば、制御部ステップは、発電機の入出力端子であるB端子-E端子間の電圧が第1所定電圧値を超えたことを検出した場合に、一部の組の電機子巻線に接続されたブリッジ回路の負極側アームまたは正極側アームのスイッチング素子をすべてオンするとともに、当該アームと対になる正極側アームまたは負極側アームのスイッチング素子をすべてオフし、かつ界磁巻線に流れる界磁電流を低減してロードダンプエネルギーの低減動作を開始し、その後、所定条件が満たされた場合に、オンしているスイッチング素子をすべてオフする。そのため、大型のMOSFETや大容量の平滑コンデンサを用いることによるコストアップを招くことなく、ロードダンプサージを抑制し、過電圧を防止することができる。また、バッテリが外れた後も、残存する車両電気負荷に対して発電を継続することができる。以下、この発明に係る電力変換装置および電力変換装置の制御方法の好適な実施の形態につき図面を用いて説明するが、各図において同一、または相当する部分については、同一符号を付して説明する。実施の形態1.図1は、この発明の実施の形態1に係る電力変換装置20を含む発電機1、およびこの発電機1を搭載した車両システムを示す構成図である。図1において、この車両システムは、発電機1、バッテリ2、車両電気負荷3a、3b、エンジン4およびベルト5を備えている。発電機1は、動力伝達手段であるベルト5等を介してエンジン4に接続されている。また、発電機1は、電力の高位側出力端子であるB端子および低位側出力端子であるE端子を備え、B端子とE端子との間には、バッテリ2や各種の車両電気負荷3a、3b等が接続されている。発電機1は、回転電機10と電力変換装置20とから構成されている。回転電機10は、界磁電流を通電させ、界磁磁束を発生させる界磁巻線界磁コイル11を備えた回転子と、2組の電機子巻線12a、12bを備えた固定子とからなる。界磁巻線11に界磁磁束が発生した状態で回転子を回転させると、電機子巻線12a、12bに誘起電圧が生じ、電力が発生される。電力変換装置20は、界磁電力変換部21、電機子電力変換部22、界磁電流を検出する界磁電流センサ23、および界磁電力変換部21および電機子電力変換部22を制御する制御部24を有している。界磁電力変換部21は、制御部24からのスイッチング素子のオンオフ指令以下、ゲート信号と称するによって動作し、界磁巻線11へPWM制御によって界磁電流を通電させる。界磁電力変換部21は、一般的に、MOSFETによるハーフブリッジ回路が用いられる。電機子電力変換部22は、制御部24からのゲート信号によって動作し、電機子巻線12a、12bからの電機子電流を整流し、電力をバッテリ2や車両電気負荷3a、3bに供給する。制御部24は、B端子-E端子間電圧以下、B端子電圧と称するをある一定の電圧値に保つように、界磁電力変換部21および電機子電力変換部22へのゲート信号を生成する。なお、この電圧値は、例えば図示しない外部のコントローラから、デジタル通信によって指示される。図2は、図1に示した電機子電力変換部22の内部構成を、電機子巻線12a、12とともに示す構成図である。図2において、電機子電力変換部22には、電機子巻線12a、12bの構成に合わせて、3相ブリッジ回路が2回路設けられている。すなわち、電機子電力変換部22は、電機子巻線12aの正極側アームのMOSFETであるUH31、VH32およびWH33、電機子巻線12aの負極側アームのMOSFETであるUL34、VL35およびWL36、電機子巻線12bの正極側アームのMOSFETであるXH41、YH42およびZH43、並びに電機子巻線12bの負極側アームのMOSFETであるXL44、YL45およびZL46を有し、それぞれ制御部24からのゲート信号によってオンオフされる。なお、これらのMOSFETは、過電圧が印加された場合に、何らかの方法で過電圧を抑制する過電圧抑制手段を備えている。ここで、以下の例においては、過電圧抑制手段としてアバランシェ降伏を利用するが、他の手段であってもよい。また、MOSFETと並列に、ツェナーダイオード等の過電圧抑制素子を挿入することによって過電圧を抑制してもよい。この場合には、以下に説明するMOSFETの発熱は、そのままこれらの過電圧抑制素子の発熱と置き換えて考えることができる。なお、この回路構成や発電方法自体は、周知の技術なので、これ以上の詳細な説明は省略する。続いて、図3を参照しながら、ロードダンプ時の電力変換装置20の動作について説明する。図3は、この発明の実施の形態1に係る電力変換装置20の動作を示すタイミングチャートである。まず、発電電圧指令がVrefの状態で、発電中に図1に示した断線の箇所が何らかの理由によって切断された場合、発電機1に接続されている電気負荷は、車両電気負荷3aのみとなり、断線前と比べて急激に減少する。ここで、界磁巻線型の回転電機10は、界磁巻線11に流れる界磁電流が制御されることで発電量が調整されるが、界磁巻線11のインダクタンスは一般的に大きいので、この急激な負荷の減少に追従することができず、余剰な発電をすることとなる。通常時であれば、回転電機10が余剰な発電を短時間したとしても、バッテリ2がある程度の余剰発電分を吸収するのでさほど問題にならないが、バッテリ2が外れたことによるロードダンプの場合には、回路上に蓄電手段が存在しないので、瞬時にB端子電圧が上昇する以上、図中の区間A。このとき、制御部24は、B端子電圧がある一定の電圧値Vth第1所定電圧値を超えた場合に、電機子巻線12aに接続されているブリッジ回路の負極側アームのMOSFETUL34、VL35およびWL36をすべてオンし、正極側アームのMOSFETUH31、VH32およびWH33をすべてオフする。さらに、制御部24は、同時に電機子巻線12bに接続されているMOSFETXH41、YH42、ZH43、XL44、YL45およびZL46をすべてオフするとともに、界磁巻線11の界磁電流を制限して、界磁磁束を弱める。これにより、電機子巻線12aは短絡状態となり、発電電流を出力しなくなる。また、電機子巻線12bから出力される発電電流も、電機子巻線12aを短絡したことによって、磁気的な相互作用により急速に減少する。すなわち、それぞれの電機子巻線12a、12bから出力される発電電流を速やかに減少させることができる。この間のB端子電圧の制限は、電機子巻線12bに接続されているMOSFETのアバランシェ降伏によって行われ、ほぼ一定の電圧値Vclに保たれる。このとき、発電電流が大幅に減少しているので、ロードダンプエネルギーの低減動作を行わない場合と比較して、MOSFETの発熱を大幅に低減することができる以上、図中の区間B。その後、界磁電流がある一定の電流値Ifthまで低下した時点で、制御部24は、電機子巻線12aに接続されているブリッジ回路の負極側アームのMOSFETUL34、VL35およびWL36をすべてオフし、電機子巻線12aの短絡を解除して、通常の発電動作に移行する。この時点からは、余剰分の発電電力をすべてアバランシェ降伏で吸収させることとなるが、この段階ではすでに発電電力が十分に低下しているので、アバランシェ降伏による発熱は低く抑えられる以上、図中の区間C。最終的に、発電電流が車両電気負荷3aの消費電流IAと釣り合うところまで低下し、発電電圧指令がVrefの状態で発電が継続される以上、図中の区間D。なお、短絡させる箇所は、負極側アームである必要はなく、例えば電機子巻線12bに接続されているブリッジ回路の正極側アームのMOSFETXH41、YH42およびZH43をすべてオンしてもよい。また、この実施の形態1では、短絡しない側の電機子巻線に接続されているMOSFETは、すべてオフすることとしているが、通常の発電動作を続けることもできる。このように、2組の電機子巻線12a、12bのうち1組のみを短絡させることにより、発電能力を急激に低下させて、アバランシェ降伏で吸収させるエネルギーを低減するとともに、界磁電流がある程度下がった段階で、短絡を解除してエネルギーをアバランシェ降伏のみで吸収させる。そのため、ロードダンプ直後の瞬間的な発熱を抑制しながら、電圧を落とさずに発電を継続することができる。以上のように、実施の形態1によれば、制御部は、発電機の入出力端子であるB端子-E端子間の電圧が第1所定電圧値を超えたことを検出した場合に、一部の組の電機子巻線に接続されたブリッジ回路の負極側アームまたは正極側アームのスイッチング素子をすべてオンするとともに、当該アームと対になる正極側アームまたは負極側アームのスイッチング素子をすべてオフし、かつ界磁巻線に流れる界磁電流を低減してロードダンプエネルギーの低減動作を開始し、その後、所定条件が満たされた場合界磁電流が所定電流値以下になった場合に、オンしているスイッチング素子をすべてオフする。そのため、大型のMOSFETや大容量の平滑コンデンサを用いることによるコストアップを招くことなく、ロードダンプサージを抑制し、過電圧を防止することができる。また、バッテリが外れた後も、残存する車両電気負荷に対して発電を継続することができる。実施の形態2.上記実施の形態1では、界磁電流がある一定の電流値まで低下した時点で、電機子巻線12aの短絡を解除して、通常の発電動作に移行すると説明したが、ロードダンプエネルギーの低減動作の終了条件は、これに限定されない。以下、図4を参照しながら、ロードダンプ時の電力変換装置20の動作について説明する。図4は、この発明の実施の形態2に係る電力変換装置20の動作を示すタイミングチャートである。なお、ロードダンプエネルギーの低減動作の開始条件は、上述した実施の形態1と同様なので、説明を省略する。制御部24は、ロードダンプエネルギーの低減動作の開始後、一定時間以下、継続時間と称する経過した時点で、電機子巻線12aに接続されているブリッジ回路の負極側アームのMOSFETUL34、VL35およびWL36をすべてオフし、電機子巻線12aの短絡を解除して、通常の発電動作に移行する。ここで、通常の発電動作に移行後、B端子電圧がある一定の電圧値Vthを超えている場合に、直ちに再度ロードダンプエネルギーの低減動作を開始する。このとき、再度ロードダンプエネルギーの低減動作を開始するまでの時間は、ごく短時間なので、MOSFETの発熱に大きな影響を与えることはない。このように、この発明の実施の形態2においては、継続時間が終了すれば、界磁電流の大小にかかわらず、ロードダンプエネルギーの低減動作を終了する。そのため、継続時間を短くすれば、図4に示されるように、ロードダンプエネルギーの低減動作と通常の発電動作とを繰り返しながら、ロードダンプサージが抑制される。その後、車両電気負荷3aの消費電流IAと通常の発電動作時の発電電流とがほぼ釣り合った時点で、B端子電圧は上昇しなくなり、ロードダンプエネルギーの低減動作に移行しなくなるので、発電電圧指令がVrefの状態で発電が継続される。以上のように、実施の形態2によれば、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。すなわち、アバランシェ降伏の発熱で問題となるのは、ロードダンプの発生直後なので、過熱を回避することができる。実施の形態3.この発明の実施の形態3では、上述した実施の形態1、2について、ロードダンプエネルギーの低減動作の終了条件を追加したものについて説明する。以下、図5を参照しながら、ロードダンプ時の電力変換装置20の動作について説明する。図5は、この発明の実施の形態3に係る電力変換装置20の動作を示すタイミングチャートである。なお、ロードダンプエネルギーの低減動作の開始条件は、上述した実施の形態1と同様なので、説明を省略する。ロードダンプエネルギーの低減動作の開始後、車両電気負荷3aの消費電流IA必要発電電流が、ロードダンプエネルギーの低減動作中すなわち、1組の電機子巻線を短絡させた状態の発電量を上回る場合には、発電電力が不足し、B端子電圧が低下する。このような場合には、速やかにロードダンプエネルギーの低減動作を終了し、発電量を増加させないと、B端子電圧がそのまま低下してやがて0となり、発電を継続することが不可能になる。一方、ここでロードダンプエネルギーの低減動作を終了した後に、再びB端子電圧が上昇して、電圧値Vthを超えた場合には、再度ロードダンプエネルギーの低減動作が開始されてしまい、ハンチング動作となる恐れがある。そこで、制御部24は、ロードダンプエネルギーの低減動作中に、B端子電圧がある一定の電圧値VthL第2所定電圧値、例えば8Vを下回った場合には、すべてのMOSFETをオフし、電機子巻線12aの短絡を解除して、通常の発電動作に移行する。また、制御部24は、その後のロードダンプエネルギーの低減動作を禁止して、アバランシェ降伏のみでロードダンプエネルギーを吸収させる。この場合、ロードダンプ前と後とで必要発電電力の落差が小さいので、発電機1内部で吸収すべきロードダンプエネルギーはそれほど大きくならず、アバランシェ降伏のみでロードダンプエネルギーを吸収しても、発熱は問題にならない。以上のように、実施の形態2によれば、ロードダンプ発生後の必要発電量が、ロードダンプエネルギーの低減動作中すなわち、1組の電機子巻線を短絡させた状態の発電量を上回る場合であっても、発電を継続することができる。具体的には、片側三相短絡をすることにより、発電量はもとの半分以下になる。そのため、ロードダンプ後もそれ以上の車両電気負荷が残っている場合には、電圧は、三相短絡開始後すぐに低下する。この場合には、三相短絡を解除してアバランシェ降伏のみでロードダンプエネルギーを吸収させても、MOSFETが負担するエネルギーが多くないので、発熱はそれほど問題にならない。また、その後の三相短絡を禁止しないと、三相短絡開始→発電量不足によるB端子電圧低下→低電圧を検出して三相短絡終了→発電量過剰によるB端子電圧上昇→三相短絡開始とハンチング動作が発生する。そのため、一度低電圧状態を検出すると、その後の三相短絡を禁止する。実施の形態4.この発明の実施の形態4では、上述した実施の形態2について、ロードダンプエネルギーの低減動作で短絡させる電機子巻線を変更するものについて説明する。以下、図6を参照しながら、ロードダンプ時の電力変換装置20の動作について説明する。図6は、この発明の実施の形態4に係る電力変換装置20の動作を示すタイミングチャートである。なお、ロードダンプエネルギーの低減動作の開始条件は、上述した実施の形態1と同様なので、説明を省略する。上述した実施の形態2において、ロードダンプエネルギーの低減動作と通常の発電動作とが繰り返し実行されることについて説明したが、この発明の実施の形態4では、このとき、短絡する電機子巻線を、毎回別の組の電機子巻線に切り替える。図6の例では、1回目のロードダンプエネルギーの低減動作では、電機子巻線12aを短絡しているので、2回目のロードダンプエネルギーの低減動作では、電機子巻線12bを短絡している。具体的には、実施の形態2における継続時間を短く例えば、1msに設定して、電圧が下がるまで交互に三相短絡を行う。上述した実施の形態2では、アバランシェ降伏を行うMOSFETが、1つの電機子巻線に接続されるMOSFETに限定されるので、発熱がそれらのMOSFETに集中することになる。しかしながら、実施の形態4によれば、アバランシェ降伏を行うMOSFETが一定時間毎に切り替わるので、MOSFETの発熱を分散することができる。実施の形態5.この発明の実施の形態5では、上述した実施の形態1で示したロードダンプエネルギーの低減動作中に、オンするMOSFETを一定時間ごとに切り替えるものについて説明する。以下、図7を参照しながら、ロードダンプ時の電力変換装置20の動作について説明する。図7は、この発明の実施の形態5に係る電力変換装置20の動作を示すタイミングチャートである。なお、ロードダンプエネルギーの低減動作の開始条件は、上述した実施の形態1と同様なので、説明を省略する。図7において、ロードダンプエネルギーの低減動作の開始時、制御部24は、電機子巻線12aに接続されているブリッジ回路の負極側アームのMOSFETUL34、VL35およびWL36をすべてオンし、正極側アームのMOSFETUH31、VH32およびWH33をすべてオフする。また、制御部24は、同時に電機子巻線12bに接続されているMOSFETXH41、YH42、ZH43、XL44、YL45およびZL46をすべてオフする。そして、制御部24は、一定時間例えば、2.5ms経過後に、電機子巻線12aに接続されているブリッジ回路の負極側アームのMOSFETUL34、VL35およびWL36をすべてオフし、同時に電機子巻線12bに接続されているブリッジ回路の負極側アームのMOSFETXL44、YL45およびZL46をすべてオンすることにより、短絡する電機子巻線を電機子巻線12bに切り替える。その後も、制御部24は、界磁電流がある一定の電流値Ifthに低下するまで、一定時間ごとに短絡する電機子巻線を切り替える。上述した実施の形態1では、アバランシェ降伏を行うMOSFETが、1つの電機子巻線に接続されるMOSFETに限定されるので、発熱がそれらのMOSFETに集中することになる。しかしながら、実施の形態5によれば、アバランシェ降伏を行うMOSFETが一定時間毎に切り替わるので、MOSFETの発熱を分散することができる。