"反応容器であるチャンバーと、半導体ウエハにSiを主成分とするSi原料ガスを提供するシャワーヘッドと、前記半導体ウエハに熱を加えるヒーターと、載置面に半導体ウエハの外周部が接触して支持される載置部と、この載置部を囲む周縁部と、SiとOとを主成分とする支持部材が前記載置面に部分的に設けられたウエハホルダと、を備えることを特徴とする半導体製造装置。前記支持部材は、CVD法、スパッタ法、塗布法のうちいずれか1つの方法により設けられることを特徴とすることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。前記支持部材は、ピン状に形成されており、前記載置面に脱着可能なように設けられていていることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。基板の主表面上に形成された気相成長層と、前記基板の裏面に形成されたシリコン酸化膜と、前記基板の外周部に部分的に形成され、シリコン樹脂を主成分とする支持部材と、前記シリコン酸化膜を被覆するように形成されたポリシリコン膜と、を有することを特徴とする半導体装置。前記支持部材は、SiとOとを主成分とする溶液であることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。従来より、厚膜形成を目的とするエピタキシャル成長装置ではエピタキシャル成長時にウエハホルダに載置した半導体ウエハがホルダに貼り付いてしまい、ウエハに微小な欠けである所謂チッピングの発生が問題となっていた。チッピングが発生すると、エピタキシャル成長装置内や後の工程でウエハが破損してしまう懸念があり、生産性に大きな影響を与えかねない。この点、ウエハの裏面をシリコン酸化膜SiO2で覆うことでウエハホルダとウエハとの接触面でのエピタキシャル成長を抑え、両者の貼り付きを防ぐ対策が考えられる。しかしながら、裏面全面をシリコン酸化膜とした場合、ガスの回り込みにより、裏面に多結晶のシリコン粒が堆積し、ウエハ搬送用ハンドでの真空吸着エラーを引き起こす等、製造装置を汚染する原因となる。そこで、エピタキシャル成長時における、ウエハホルダに対する半導体ウエハの貼り付きを抑制することを課題とする。実施形態によれば、この半導体製造装置は、反応容器であるチャンバーと、半導体ウエハにSiを主成分とするSi原料ガスを提供するシャワーヘッドと、前記半導体ウエハに熱を加えるヒーターと、載置面に半導体ウエハの外周部が接触して支持される載置部と、この載置部を囲む周縁部と、SiとOとを主成分とする支持部材が前記載置面に部分的に設けられたウエハホルダと、を備える。また、実施形態によれば、この半導体装置は、基板の主表面上に形成された気相成長層と、前記基板の裏面に形成されたシリコン酸化膜と、前記基板の外周部に部分的に形成され、シリコン樹脂を主成分とする支持部材と、前記シリコン酸化膜を被覆するように形成されたポリシリコン膜と、を有する。以下、図面を参照しながら発明の実施の形態を説明する。第1の実施形態図1は本発明の第1の実施形態にかかる半導体製造装置の構成の一例を示す概念図である。この半導体製造装置1は、気相成長装置の一例であり、半導体ウエハを支持するウエハホルダ100と、反応容器となるチャンバー120と、半導体ウエハに四塩化ケイ素SiCl4、三塩化ケイ素SiHCl3、ジクロルシランSiH2Cl2またはモノシランSiH4等を主成分とするSi原料ガスを提供するシャワーヘッド130、ウエハホルダ100を回転させる回転部材140、半導体ウエハに熱を加えるヒーター150、を有している。一例として、シリコンSiからなる半導体ウエハ200を半導体装置1を用いてエピタキシャル成長させる場合について説明する。まず、ウエハホルダ100の回転により半導体ウエハ200を所定の回転数で回転させる。そして、回転させながら、シャワーヘッド130からSi原料ガスをチャンバー120内に供給する。そして、ヒーター150により加熱された半導体ウエハ200の表面で原料ガスの熱分解或いは水素還元を行なう。これにより、半導体ウエハ200の表面にシリコンエピタキシャル膜が成長させられることとなる。チャンバー120には、ガスを供給する流路122とガスを排気する流路123が接続されており、流路122はシャワーヘッド130に接続されている。このような接続状態で、チャンバー120の室内は常圧あるいは所定の真空雰囲気に保持される。ウエハホルダ100は、内側に基板の一例となる半導体ウエハ200と接触する載置部11とその外側に載置部11に接続する周縁部12を有している。載置部11は、所定の内径の貫通する開口部が形成され、炭化シリコンSiCを主な材料としている。上面側から垂直あるいは所定の角度で所定の深さに掘り込まれた載置面13で半導体ウエハ200と接触して半導体ウエハ200を支持する。周縁部12は、外周が円形に形成されており、炭素Cを主な材料として構成されている。この周縁部12は、回転機構図示せずにより半導体ウエハ200と直行する半導体ウエハ200面の中心線を軸に回転させられる回転部材140上に配置される。そして、ウエハホルダ100は、回転部材140と共に回転することで、半導体ウエハ200を回転させることが可能となる。図2は、第1の実施形態にかかるウエハホルダ100を示す図であり、aはウエハホルダ100の上面図、bはウエハホルダ100のA部を3次元に切り抜いた立体断面図である。図2に示されるように、このウエハホルダ100は、載置される半導体ウエハ200よりも大きい外形を有する略円板状に形成されており、半導体ウエハ200が載置される載置面13を有する載置部11と、周縁部12とを備えている。この載置部11には、中心が載置部11の中心と一致する半導体ウエハ200が載置され、半導体ウエハ200の外周部において載置面13と接触し、支持される。周縁部12には、載置部11の周縁を囲む状態に起立する内周面15と、内周面15の上端から載置部11の載置面13に沿って外側に延出形成される上面16とが一体的に形成された略リング板状の周縁部が設けられている。ここで、載置部11に形成された載置面13には、支持部材14が部分的に形成されている。支持部材14は、シリコンSiと酸素Oとを主成分としており、たとえば、CVD法、スパッタ法、あるいは塗布法例えば、ポリシラザン法やゾルゲル法により形成されるシリカガラスであってよい。支持部材14は、円板状に形成された載置面13上に、たとえば60度の間隔で形成されることが好ましい。また、支持部材14は、半導体ウエハ200の底面と側面に接触する部材に其々別々に分けても良く、底面側面の支持部材で貼り付きが無いのであれば、側面底面の支持部材のみでも良い。この支持部材14を介して、半導体ウエハ200が載置部11に形成された載置面13に接触させ、その後、エピタキシャル成長をさせる。なお、支持部材14は、SiO2等の石英を主成分とする硬質の部材であってもよい。支持部材14として硬質の部材を用いる場合、載置面13に埋め込み孔図示せずを形成し、この埋め込み孔に支持部材14としての石英ガラスをはめ込む。あるいは、支持部材14としての石英ガラスをピン状に形成し、載置面13を挟み込むようにネジとナットで支持部材14を固定してもよい。これにより、支持部材14の脱着が可能となり、定期的に交換することも可能となる。この際、載置面13の部材、たとえばSiCとの熱膨張係数差を考慮し、支持部材14のはめ込み部の径よりも埋め込み孔径を大きくしておく。このように、載置部11に部分的に形成された支持部材14を介してウエハホルダ100に半導体ウエハ200を載置させ、エピタキシャル成長をさせることで、ウエハホルダ100に対する半導体ウエハ200の貼り付きを抑制させることが可能となる。これが可能となる一因として、以下が考えられる。すなわち、シリコン樹脂を主成分とする支持部材14をエピタキシャル反応させた場合、SICl4、SiHCl3,SiH2Cl2またはSiH4等のSi原料ガスと化学反応を起こし、支持部材14の部分で塩化水素HCLを自発的に発生させられる。この塩化水素によるエッチング効果により、ウエハホルダ100と半導体ウエハ200の界面でのシリコン核の発生を抑制させることができる。なお、ウエハホルダ100の全体に支持部材14を形成した場合、温度分布熱伝導率などに影響を与えることとなり好ましくない。また、支持部材14の表面積結晶が大きいほど、結晶粒が発生し易くなり半導体製造装置1の汚染が深刻となる。本実施形態では、本ウエハホルダ100に支持部材14を塗布、あるいは石英製の部品を取り付けたうえで、半導体ウエハ200を載置することで、貼り付きの抑制と、一方で結晶粒の発生を抑制することが可能となる。第2の実施形態図3は、第2の実施形態にかかる半導体ウエハ200を示す図であり、aは半導体ウエハ200の上面図、bは半導体ウエハ200のB部を切り抜いた断面図である。第2の実施形態では、半導体ウエハ200の側に支持部材26を形成し、ウエハホルダ100との貼り付きを抑制する。具体的には、図3a、bに示されるように、半導体ウエハ200は、オリエンテーションフラット部以下、オリフラ部20と、シリコン基板21の主表面上に形成されたシリコンエピタキシャル層22と、裏面23に形成されたシリコン酸化膜24と、半導体ウエハ200の外周部25に形成された支持部材26と、シリコン酸化膜24の上面に形成されたポリシリコン膜27と、を有する。ここで、支持部材26は、シリコンSiと酸素Oを主成分としており、たとえば、部分的な塗布法によるシリカ膜、あるいは、CVD酸化膜やシリコン熱酸化膜SiO2により形成されるものであってよい。あるいは、外周部25に全面塗布されていてもよい。以降、一例として、支持部材26がシリコン熱酸化膜である場合を説明する。図4は本実施形態にかかる半導体ウエハ200の製造プロセスを示す図であり、支持部材26が形成された図3aのB部について特に示す。以下、図4を参照しながら本実施形態にかかる半導体ウエハ200の製造プロセスについて説明する。まず、製造されたシリコン単結晶インゴットに対して、面取り工程、スライス工程、ラッピング工程及びエッチング工程を順に行いシリコン基板21を生成する図示せず。次に、図4aに示す通り、CVD法などによりシリコン基板21の表面全域にシリコン酸化膜25を形成する。具体的には、シリコン基板21を350~450°Cに加熱しつつ、原料ガスをキャリアガスとともに吹き付ける。あるいは、シリコン基板21を600~1100°Cに加熱しつつ、酸素を含むガスの雰囲気で、熱酸化膜成長させる。これにより、シリコン酸化膜24はシリコン基板21の表面に形成される。次に、図4bに示す通り、ポリシリコン膜27をシリコン基板の表面全域に形成させる。次に、図4cに示す通り、ケミカルドライエッチング法などにより、シリコン基板21の裏面23にのみポリシリコン膜26を残す。具体的には、CF4などのガスを導入し、10~100Pa程度の圧力に調整された雰囲気で、2.45MHzのマイクロ波によるガスプラズマによりエッチング種を生成させる。この活性種は、シリコン基板21の外周部のうち主表面に回り込み、ポリシリコン膜2627の表面側をエッチングするものの、裏面23には回り込まない。そのため、シリコン基板の裏面にはポリシリコン膜27が残り、半導体ウエハ200の表面部と外周部25にシリコン酸化膜24が露出した状態となる。その後、レジスト塗布、リソグラフィー、反応性イオンエッチング、レジスト除去の各工程を経ることで、半導体ウエハ200の外周部25に支持部材26を形成する。このように、部分的に形成された支持部材26を介して半導体ウエハ200をエピタキシャル成長させることで、ウエハホルダに対する半導体ウエハ200の貼り付きを抑制させることが可能となる。また、裏面23をポリシリコン膜27とすることで、裏面に回りこんだSi原料ガスによる、シリコン酸化膜24の表面に多結晶シリコンの結晶粒の生成を抑制することができる。なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。"