パワートランジスタの終端構造であって、アクティブ領域と終端領域とを備え、第1の導電型を持つ半導体基板と、前記終端領域に位置し、前記アクティブ領域の境界から前記半導体基板のエッジの方へ伸びる終端トレンチと、前記終端トレンチより下の前記基板に配置される、第1の導電型を持つドープ領域と、前記境界に近接する側壁に形成され、前記ドープ領域がMOSゲートの一部の下から前記半導体基板の前記エッジの方へ伸びる、前記MOSゲートと、前記MOSゲートの一部を覆い、前記基板のエッジの方へ伸び、前記終端トレンチの上に形成される終端構造酸化層と、前記半導体基板の裏側面に形成される第1の導電層と、前記アクティブ領域、前記MOSゲートの露出された部分、の頂上に形成され、前記終端構造酸化層の一部を覆うために伸びる第2の導電層と、を具備する、パワートランジスタの終端構造。互いに離れており、前記半導体基板の前記アクティブ領域に形成される複数のトレンチMOSデバイスをさらに具備する、請求項1の終端構造。前記MOSゲートは、導電層と、前記終端トレンチの底と前記導電層との間に形成されるゲート酸化層とを具備する、請求項1の終端構造。前記トレンチMOSデバイスは、ショットキーダイオードである、請求項1の終端構造。前記ショットキーダイオードは、前記基板のアクティブ領域における少なくとも1つのトレンチを含むTMBSショットキーダイオードである、請求項4の終端構造。前記パワートランジスタは、ショットキーダイオード、DMOS、およびIGBTを含むグループから選ばれたデバイスである、請求項1の終端構造。前記終端構造酸化層の上に配置され、前記第2の導電層から離れて位置する1つ以上の分けられた金属領域をさらに具備する、請求項1の終端構造。前記ドープ領域は、注入領域である、請求項1の終端構造。前記注入領域は、約1×1011atomscm2から1×1013atomscm2の間の注入量でドープされる、請求項1の終端構造。半導体基板のアクティブ領域に形成され互いに離れている複数のトレンチMOSデバイスを持ち、第1の導電型を持つ、前記半導体基板と、終端領域に位置し、前記アクティブ領域の境界から前記半導体基板のエッジの方へ伸びる終端トレンチと、前記終端トレンチより下の前記基板に配置される、第2の導電型を持つドープ領域と、前記境界に近接する側壁に形成され、前記ドープ領域がMOSゲートの一部の下から前記半導体基板の前記エッジの方へ伸びる、前記MOSゲートと、前記MOSゲートの一部を覆い、前記基板のエッジの方へ伸び、前記終端トレンチの上に形成される終端構造酸化層と、前記半導体基板の裏側面に形成される第1の導電層と、前記アクティブ領域の頂上に形成され、前記トレンチMOSデバイスのうちの近接するものの間に位置する前記基板の1つ以上の部分により1つ以上のショットキーバリアを定義する第2の導電層と、前記MOSゲートの露出された部分と前記終端構造酸化層との上を覆うフィールドプレートと、を具備する、ショットキーダイオード。前記フィールドプレートは、前記終端トレンチへの前記第2の導電層の伸張を含む、請求項10のショットキーダイオード。前記半導体基板は第1の層と基礎基板とを具備し、前記第1の層は第1の導電型の軽ドープされた不純物を持ち、前記基礎基板は第1の導電型の重ドープされた不純物を持つ、請求項10のショットキーダイオード。前記トレンチMOSデバイスおよび前記終端トレンチは、約1-6ミクロンの間の深さを持つ前記第1の層に形成される、請求項12のショットキーダイオード。前記終端トレンチは、約10-50ミクロンの間の幅を持つ、請求項13のショットキーダイオード。前記終端トレンチが1つの側壁のみを持つように、前記終端トレンチは、前記アクティブ領域の前記境界から前記半導体基板のエッジまで形成される、請求項10のショットキーダイオード。前記トレンチMOSデバイスおよび前記MOSゲートは、金属、ポリシリコン、およびアモルファスシリコンを含むグループから選ばれた材料を含む、請求項10のショットキーダイオード。前記終端構造酸化層の上に配置され、前記フィールドプレートから離れて位置する1つ以上の分けられた金属領域をさらに具備する、請求項10のショットキーダイオード。約0.3と10ミクロンとの間で互いから離れて位置する少なくとも2つの分けられた金属領域をさらに具備する、請求項17ショットキーダイオード。