RF増幅回路と、電力検出回路とを具備するRF電力増幅器であって、前記RF増幅回路の入力端子に所定の周波数帯域を有するRF入力信号が供給されることによって、前記RF増幅回路は前記RF入力信号の電力増幅を実行して前記RF増幅回路の出力端子から前記所定の周波数帯域を有するRF増幅出力信号が生成され、前記電力検出回路の入力端子は前記RF増幅回路の前記出力端子に接続され、前記電力検出回路は前記RF増幅出力信号の基本波成分の周波数の整数倍の高調波周波数を有する高調波成分を検出して、当該検出された当該高調波成分から前記RF増幅出力信号の前記基本波成分の信号レベルを示す検出信号を前記電力検出回路が出力端子に生成することを特徴とするRF電力増幅器。請求項1において、前記電力検出回路は、前記高調波成分を検出する入力回路と、前記出力端子に前記検出信号を生成する出力回路とを有して、前記入力回路は、前記RF増幅回路の前記出力端子と接地電位との間に接続された第1容量と第1インダクタとの直列接続により構成された高調波終端回路としても機能することを特徴とするRF電力増幅器。請求項2において、前記出力回路は、第2インダクタを含み、前記第2インダクタが前記入力回路の前記第1インダクタと電磁気結合されることにより、前記出力回路は当該電磁気結合によって前記第2インダクタに生成される前記検出信号を前記電力検出回路の前記出力端子に生成することを特徴とするRF電力増幅器。請求項3において、前記直列接続により構成された前記高調波終端回路は、前記RF増幅回路の前記出力端子に接続された出力整合回路に含まれたことを特徴とするRF電力増幅器。請求項4において、前記直列接続により構成された前記高調波終端回路は、前記出力整合回路の入力端子と出力端子と当該入力端子と当該出力端子との間の中間タップのいずれかと前記接地電位との間に接続されたことを特徴とするRF電力増幅器。請求項4において、前記出力回路の前記第2インダクタの一端は終端抵抗を介して前記接地電位に接続されることによって、前記第2インダクタの他端から前記検出信号が生成されることを特徴とするRF電力増幅器。請求項4において、前記出力整合回路の出力端子は、周波数分割デュプレックス方式の送信動作と受信動作とを実現するためのデュプレクサと接続可能とされたことを特徴とするRF電力増幅器。請求項4において、前記RF入力信号の前記所定の周波数帯域は、略700MHzのRF周波数であることを特徴とするRF電力増幅器。請求項8において、前記略700MHzのRF周波数は、LTE方式のバンド12とバンド13とバンド14とバンド17のいずれかの周波数であることを特徴とするRF電力増幅器。請求項9において、前記RF電力増幅器は、ハイバンドとローバンドとの複数の周波数帯域の送信を可能とするRF電力増幅装置の前記ハイバンドの送信を実行する高周波帯域RF電力増幅器と前記ローバンドの送信を実行する低周波帯域RF電力増幅器のうち、当該低周波帯域RF電力増幅器を構成することを特徴とするRF電力増幅器。RF増幅回路と、電力検出回路とを具備するRF電力増幅器の動作方法であって、前記RF増幅回路の入力端子に所定の周波数帯域を有するRF入力信号が供給されることによって、前記RF増幅回路は前記RF入力信号の電力増幅を実行して前記RF増幅回路の出力端子から前記所定の周波数帯域を有するRF増幅出力信号が生成され、前記電力検出回路の入力端子は前記RF増幅回路の前記出力端子に接続され、前記電力検出回路は前記RF増幅出力信号の基本波成分の周波数の整数倍の高調波周波数を有する高調波成分を検出して、当該検出された当該高調波成分から前記RF増幅出力信号の前記基本波成分の信号レベルを示す検出信号を前記電力検出回路が出力端子に生成することを特徴とするRF電力増幅器の動作方法。請求項11において、前記電力検出回路は、前記高調波成分を検出する入力回路と、前記出力端子に前記検出信号を生成する出力回路とを有して、前記入力回路は、前記RF増幅回路の前記出力端子と接地電位との間に接続された第1容量と第1インダクタとの直列接続により構成された高調波終端回路としても機能することを特徴とするRF電力増幅器の動作方法。請求項12において、前記出力回路は、第2インダクタを含み、前記第2インダクタが前記入力回路の前記第1インダクタと電磁気結合されることにより、前記出力回路は当該電磁気結合によって前記第2インダクタに生成される前記検出信号を前記電力検出回路の前記出力端子に生成することを特徴とするRF電力増幅器の動作方法。請求項13において、前記直列接続により構成された前記高調波終端回路は、前記RF増幅回路の前記出力端子に接続された出力整合回路に含まれたことを特徴とするRF電力増幅器の動作方法。請求項14において、前記直列接続により構成された前記高調波終端回路は、前記出力整合回路の入力端子と出力端子と当該入力端子と当該出力端子との間の中間タップのいずれかと前記接地電位との間に接続されたことを特徴とするRF電力増幅器の動作方法。請求項14において、前記出力回路の前記第2インダクタの一端は終端抵抗を介して前記接地電位に接続されることによって、前記第2インダクタの他端から前記検出信号が生成されることを特徴とするRF電力増幅器の動作方法。請求項14において、前記出力整合回路の出力端子は、周波数分割デュプレックス方式の送信動作と受信動作とを実現するためのデュプレクサと接続可能とされたことを特徴とするRF電力増幅器の動作方法。請求項14において、前記RF入力信号の前記所定の周波数帯域は、略700MHzのRF周波数であることを特徴とするRF電力増幅器の動作方法。請求項18において、前記略700MHzのRF周波数は、LTE方式のバンド12とバンド13とバンド14とバンド17のいずれかの周波数であることを特徴とするRF電力増幅器の動作方法。請求項19において、前記RF電力増幅器は、ハイバンドとローバンドとの複数の周波数帯域の送信を可能とするRF電力増幅装置の前記ハイバンドの送信を実行する高周波帯域RF電力増幅器と前記ローバンドの送信を実行する低周波帯域RF電力増幅器のうち、当該低周波帯域RF電力増幅器を構成することを特徴とするRF電力増幅器の動作方法。本発明者は本発明に先立って、LTE方式によって基地局との無線通信が可能な携帯電話端末に搭載可能なRF電力増幅器の開発に従事した。図5は、3GPPによって作成されたLTE方式の技術仕様書に記載された多数の周波数帯域とアップリンク周波数とダウンリンク周波数とを示す図である。アップリンク周波数は携帯電話端末のRF電力増幅器による基地局への送信動作時の送信周波数であり、ダウンリンク周波数は基地局からのRF送信信号の携帯電話端末による受信動作時の受信周波数である。図5に示したLTE方式のアップリンク周波数およびダウンリンク周波数は、従来から使用されている代表的なバンド1とバンド2とバンド3とバンド4とバンド5とバンド8と比較して、バンド12とバンド13とバンド14とバンド17の周波数帯域において略700MHzの比較的低いRF周波数帯域が使用されていることが特徴である。この略700MHzの比較的低いRF周波数帯域は、日本および米国において、アナログテレビジョン放送の終了によって、携帯電話無線通信に新規に割り当てられたものである。しかし、本発明に先立った本発明者による検討によって、略700MHzの比較的低いRF周波数帯域のアップリンクを可能とする携帯電話端末に搭載可能なRF電力増幅器では、従来からRF送信電力の検出に使用されている方向性結合器のサイズが増大するものとなり、携帯電話端末およびRF電力増幅器の小型化の障害となると言う問題が明らかとされた。すなわち、上記特許文献1に記載されているように、方向性結合器は、一対の伝送線、すなわち主線路と副線路とによって構成される。良く知られているように、方向性結合器の主線路と副線路は波長λの4分の1の長さを有するλ/4結合部において結合されているので、主線路の進行波信号は副線路に伝達される。更に、λ/4結合部は主線路の進行波信号の一端から他端への伝達に際して主線路の両端間に90°の位相差を生成する一方、負荷によって反射された反射波信号の主線路の他端から一端への伝達に際して主線路の両端間に90°の位相差を生成する。その結果、主線路の進行波信号の一端において、進行波信号と反射波信号とは180°、すなわち逆位相となるので、進行波信号と反射波信号とは打ち消される。進行波信号の大きさよりも反射波信号の大きさは小さいので、両者の信号の大きさの減算の後の大きさを有する進行波信号が方向性結合器の主線路の一端に残留する。従って、主線路の一端に残留したキャンセルの後の進行波信号が方向性結合器の副線路に伝達されるので、キャンセルの後の反射波信号が主線路から副線路に伝達されることなく、キャンセルの後の進行波信号が主線路から副線路に一方向性で伝達される。上述した方向性結合器の一端における進行波信号と反射波信号とのキャンセルの後の進行波信号が主線路から副線路に一方向性で伝達される原理によって、方向性結合器の副線路から生成される検出電圧は反射波信号の成分を含まずに進行波信号の成分のみを含むものである。一方、携帯電話端末では、アンテナの導電物質への接触によってRF電力増幅器の負荷の負荷インピーダンスが変動して、反射波信号の大きさが変動する。しかし、上述したように方向性結合器においては、方向性結合器の副線路から生成される検出電圧は実質的に反射波信号の成分を含まないので、進行波信号の成分のみを正確に示すことが可能となる。従って、RF電力増幅器の電力検出に使用される方向性結合器が、負荷からの反射波信号の誤差成分を含むことなく、負荷への進行波信号のRF送信信号成分のみを正確に示すことが可能となる。しかしながら、RF電力増幅器の電力検出が高精度である方向性結合器は、上述したようにRF送信信号の波長λの4分の1の長さを有するλ/4結合部を必要とする。従って、従来から使用されているバンド1とバンド2とバンド3とバンド4とバンド5とバンド8等との略800MHz以上の比較的高いRF周波数帯域では、RF送信信号の波長λ自体が短いので、方向性結合器のサイズが小さくなり携帯電話端末およびRF電力増幅器の小型化が可能となる。それに対して、バンド12とバンド13とバンド14とバンド17との略700MHzの比較的低いRF周波数帯域では、RF送信信号の波長λ自体が長くなるので、方向性結合器のサイズが増大するものとなり、携帯電話端末およびRF電力増幅器の小型化の障害となると言う問題が明らかとされた。更にRF電力増幅器の電力検出に方向性結合器を使用しない方法として、上記非特許文献2に記載されたACセンスィング方式および上記特許文献1に記載された電流センスィング方式の採用も本発明に先立って本発明者によって検討された。しかし、本発明に先立った本発明者による検討によって、上述のACセンスィング方式においては、負荷変動による反射波信号の成分によってRF増幅トランジスタのコレクタ電流が変動して、RF増幅トランジスタおよびRF信号センスィングトランジスタのベースエミッタ電圧が変動して、RF信号センスィングトランジスタのコレクタから生成される電力検出信号に誤差が発生すると言う問題が明らかとなった。更に本発明に先立った本発明者による検討によって、上述の電流センスィング方式においても、負荷変動による反射波信号の成分の変動が結合容量を介して包落線検波器の入力端子に供給されるので、包落線検波器の検波電圧に誤差が発生すると言う問題が明らかとなった。本発明は、以上のような本発明に先立った本発明者等による検討の結果、なされたものである。従って、本発明の目的とするところは、RF電力増幅器の電力検出回路を小型化することにある。また、本発明の他の目的とするところは、RF電力増幅器の電力検出回路を高精度化することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうちの代表的なものについて簡単に説明すれば下記のとおりである。すなわち、本発明の代表的な実施の形態、RF増幅回路と、電力検出回路とを具備するRF電力増幅器である。前記RF増幅回路の入力端子に所定の周波数帯域を有するRF入力信号が供給されることによって、前記RF増幅回路は前記RF入力信号の電力増幅を実行して前記RF増幅回路の出力端子から前記所定の周波数帯域を有するRF増幅出力信号が生成される。前記電力検出回路の入力端子は前記RF増幅回路の前記出力端子に接続され、前記電力検出回路は前記RF増幅出力信号の基本波成分の周波数の整数倍の高調波周波数を有する高調波成分を検出して、当該検出された当該高調波成分から前記RF増幅出力信号の前記基本波成分の信号レベルを示す検出信号を前記電力検出回路が出力端子に生成することを特徴とする。本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記の通りである。すなわち、本発明によれば、RF電力増幅器の電力検出回路を小型化することができる。1.実施の形態の概要まず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。代表的な実施の形態についての概要説明で括弧を付して参照する図面の参照符号は、それが付された構成要素の概念に含まれるものを例示するに過ぎない。1本発明の代表的な実施の形態は、RF増幅回路と、電力検出回路とを具備するRF電力増幅器である。前記RF増幅回路の入力端子に所定の周波数帯域を有するRF入力信号が供給されることによって、前記RF増幅回路は前記RF入力信号の電力増幅を実行して前記RF増幅回路の出力端子から前記所定の周波数帯域を有するRF増幅出力信号が生成される。前記電力検出回路の入力端子は前記RF増幅回路の前記出力端子に接続され、前記電力検出回路は前記RF増幅出力信号の基本波成分の周波数の整数倍の高調波周波数を有する高調波成分を検出して、当該検出された当該高調波成分から前記RF増幅出力信号の前記基本波成分の信号レベルを示す検出信号を前記電力検出回路が出力端子に生成することを特徴とする。前記実施の形態によれば、RF電力増幅器の電力検出回路を小型化することができる。好適な実施の形態では、前記電力検出回路は、前記高調波成分を検出する入力回路と、前記出力端子に前記検出信号を生成する出力回路とを有する。前記入力回路は、前記RF増幅回路の前記出力端子と接地電位との間に接続された第1容量と第1インダクタとの直列接続により構成された高調波終端回路としても機能することを特徴とするものである。他の好適な実施の形態では、前記出力回路は第2インダクタを含む。前記第2インダクタが前記入力回路の前記第1インダクタと電磁気結合されることにより、前記出力回路は当該電磁気結合によって前記第2インダクタに生成される前記検出信号を前記電力検出回路の前記出力端子に生成することを特徴とするものである。更に他の好適な実施の形態では、前記直列接続により構成された前記高調波終端回路は、前記RF増幅回路の前記出力端子に接続された出力整合回路に含まれたことを特徴とする。より好適な実施の形態では、前記直列接続により構成された前記高調波終端回路は、前記出力整合回路の入力端子と出力端子と当該入力端子と当該出力端子との間の中間タップのいずれかと前記接地電位との間に接続されたことを特徴とするものである。他のより好適な実施の形態では、前記出力回路の前記第2インダクタの一端は終端抵抗を介して前記接地電位に接続されることによって、前記第2インダクタの他端から前記検出信号が生成されることを特徴とするものである。更に他のより好適な実施の形態では、前記出力整合回路の出力端子は、周波数分割デュプレックス方式の送信動作と受信動作とを実現するためのデュプレクサと接続可能とされたことを特徴とするものである。別のより好適な実施の形態では、前記RF入力信号の前記所定の周波数帯域は、略700MHzのRF周波数であることを特徴とするものである。具体的な実施の形態では、前記略700MHzのRF周波数は、LTE方式のバンド12とバンド13とバンド14とバンド17のいずれかの周波数であることを特徴とするものである。最も具体的な実施の形態では、前記RF電力増幅器は、ハイバンドとローバンドとの複数の周波数帯域の送信を可能とするRF電力増幅装置の前記ハイバンドの送信を実行する高周波帯域RF電力増幅器と前記ローバンドの送信を実行する低周波帯域RF電力増幅器のうち、当該低周波帯域RF電力増幅器を構成することを特徴とするものである。2本発明の別の観点の代表的な実施の形態は、RF増幅回路と、電力検出回路とを具備するRF電力増幅器の動作方法である。前記RF増幅回路の入力端子に所定の周波数帯域を有するRF入力信号が供給されることによって、前記RF増幅回路は前記RF入力信号の電力増幅を実行して前記RF増幅回路の出力端子から前記所定の周波数帯域を有するRF増幅出力信号が生成される。前記電力検出回路の入力端子は前記RF増幅回路の前記出力端子に接続され、前記電力検出回路は前記RF増幅出力信号の基本波成分の周波数の整数倍の高調波周波数を有する高調波成分を検出して、当該検出された当該高調波成分から前記RF増幅出力信号の前記基本波成分の信号レベルを示す検出信号を前記電力検出回路が出力端子に生成することを特徴とする。前記実施の形態によれば、RF電力増幅器の電力検出回路を小型化することができる。2.実施の形態の詳細次に、実施の形態について更に詳述する。尚、発明を実施するための最良の形態を説明するための全図において、前記の図と同一の機能を有する部品には同一の符号を付して、その繰り返しの説明は省略する。[実施の形態1]《RF電力増幅器の構成》図1は、本発明の実施の形態1によるRF電力増幅器1の構成を示す図である。図1に示す本発明の実施の形態1によるRF電力増幅器1は、多段RF電力増幅回路11と出力整合回路12と検出回路13と高調波検出回路14とを含んでいる。《多段RF電力増幅回路》多段RF電力増幅回路11の各電力増幅段は、電力増幅素子としてLD型のソース接地NチャネルパワーMOSトランジスタを含んでいる。上述したバンド12とバンド13とバンド14とバンド17との略700MHzの比較的低いRF周波数帯域を有するRF送信入力信号Pinが初段電力増幅段の初段増幅素子のMOSトランジスタのゲート入力電極に供給され、この初段増幅素子のMOSトランジスタのドレイン出力電極からRF初段増幅信号が生成される。上述した比較的低いRF周波数帯域を有するRF初段増幅信号は、第1段間整合回路を介して中間段電力増幅段の中間段増幅素子のMOSトランジスタのゲート入力電極に供給され、この中間段増幅素子のMOSトランジスタのドレイン出力電極からRF中間段増幅信号が生成される。上述した比較的低いRF周波数帯域を有するRF中間段増幅信号は、第2段間整合回路を介して最終段電力増幅段の最終段増幅素子のMOSトランジスタのゲート入力電極に供給され、この最終段増幅素子のMOSトランジスタのドレイン出力電極からRF最終段増幅信号が生成される。このRF最終段増幅信号は、出力整合回路12の入力端子に供給される。《出力整合回路》《出力整合回路のインピーダンス変換》出力整合回路12は、多段RF電力増幅回路11の最終段電力増幅段の最終段増幅素子のMOSトランジスタの数Ωの比較的低い出力インピーダンスを図示しない携帯電話端末のアンテナの50Ωの入力インピーダンスにインピーダンス変換する機能を有している。すなわち、出力整合回路12は、上述のインピーダンス変換の機能を実現するために、複数のインダクタL1、L2と複数の容量C1、C2、C3とから構成された多段のローパスフィルタを含んでいる。従って、出力整合回路12の複数のインダクタL1、L2の各インダクタによるインピーダンスは、スミスチャートの上において、各インダクタの入力端子のインピーダンスから出発して、定抵抗円の円弧の上で時計方向に移動する。また出力整合回路12の複数の容量C1、C2、C3の各容量によるインピーダンスは、スミスチャートの上において、各容量の入力端子のインピーダンスから出発して、定コンダクタンス円の円弧の上で時計方向に移動する。出力整合回路12の複数のインダクタL1、L2と複数の容量C1、C2、C3との全てのインピーダンスの移動によって、最終段増幅素子のMOSトランジスタの数Ωの比較的低い出力インピーダンスから出発して、携帯電話端末のアンテナの50Ωの入力インピーダンスに到達することで、インピーダンス変換を実現することが可能となる。《出力整合回路の高調波バイパス》更に、出力整合回路12は、上述したバンド12とバンド13とバンド14とバンド17との略700MHzの比較的低いRF周波数帯域の基本周波数成分を通過する機能を有する一方、基本周波数成分の高調波成分を接地電位GNDにバイパスする機能を有している。この高調波成分は、基本周波数の2倍の周波数を有する2次高調波成分と基本周波数の3倍の周波数を有する3次高調波成分と基本周波数の4倍の周波数を有する4次高調波成分等とを含んでいる。更に出力整合回路12は、上述したバンド12とバンド13とバンド14とバンド17との略700MHzの比較的低いRF周波数帯域の基本周波数成分の高調波成分を低インピーダンスで接地電位GNDに終端する高調波終端機能を有している。すなわち、出力整合回路12は上述の高調波終端機能を実現するために、複数のインダクタとして機能する複数のストリップラインSL1、SL2、SL3を含んでいる。まず、出力整合回路12の入力端子は、容量C1とストリップラインSL1によって構成された2次高調波成分終端回路2HDTを介して、接地電位GNDに接続される。容量C1の容量値とストリップラインSL1のインダクタンス値によって決定される直列共振周波数は、上述したバンド12とバンド13とバンド14とバンド17との略700MHzの比較的低いRF周波数帯域の2倍の周波数を有する2次高調波成分の周波数に設定される。その結果、出力整合回路12の入力端子での2次高調波成分は、容量C1とストリップラインSL1によって構成された直列共振回路の直列共振周波数の略ゼロΩのインピーダンスによって接地電位GNDにバイパスされる。従って、無線通信において有害な妨害波成分を、低減することが可能となる。次に、出力整合回路12の入力端子と出力端子との間の中間タップは、容量C2とストリップラインSL2によって構成された3次高調波成分終端回路3HDTを介して、接地電位GNDに接続される。容量C2の容量値とストリップラインSL2のインダクタンス値とによって決定される直列共振周波数は、上述したバンド12とバンド13とバンド14とバンド17の略700MHzの比較的低いRF周波数帯域の3倍の周波数を有する3次高調波成分の周波数に設定される。従って、出力整合回路12の中間タップでの3次高調波成分は、容量C2とストリップラインSL2によって構成された直列共振回路の直列共振周波数の略ゼロΩのインピーダンスによって接地電位GNDにバイパスされる。その結果、無線通信において有害な妨害波成分を、低減することが可能となる。更に、出力整合回路12の出力端子は、容量C3とストリップラインSL3によって構成された4次高調波成分終端回路4HDTを介して、接地電位GNDに接続される。容量C3の容量値とストリップラインSL3のインダクタンス値によって決定される直列共振周波数は、上述したバンド12とバンド13とバンド14とバンド17との略700MHzの比較的低いRF周波数帯域の4倍の周波数を有する4次高調波成分の周波数に設定される。その結果、出力整合回路12の出力端子での4次高調波成分は、容量C3とストリップラインSL3によって構成された直列共振回路の直列共振周波数の略ゼロΩのインピーダンスによって接地電位GNDにバイパスされる。従って、無線通信において有害な妨害波成分を、低減することが可能となる。尚、出力整合回路12の出力端子に接続された容量C4は、多段RF電力増幅回路11の最終段電力増幅段の出力直流電圧が携帯電話端末の送信アンテナに供給されないようにする一方、多段RF電力増幅回路11の最終段電力増幅段のRF最終段増幅信号を携帯電話端末の送信アンテナに供給するための結合容量として機能する。尚、出力整合回路12の容量C4を介して、送信アンテナに供給されるRF増幅出力信号Poutが生成される。《高調波検出回路》更に、図1に示した本発明の実施の形態1によるRF電力増幅器1に含まれた高調波検出回路14は、上述した出力整合回路12の2次高調波成分終端回路2HDTのストリップラインSL1と電磁気的に結合されたストリップラインSL4と、このストリップラインSL4の一端と接地電位GNDとの間に接続された終端抵抗R1を含む電力結合器によって構成されている。図1に示した高調波検出回路14としての電力結合器の入力回路として機能する出力整合回路12の2次高調波成分終端回路2HDTのストリップラインSL1には、容量C1の容量値とストリップラインSL1のインダクタンス値とによって決定される直列共振周波数の周波数を有する2次高調波成分のみが印加され、それ以外の周波数成分は実質的に印加されない。その結果、図1に示した高調波検出回路14としての電力結合器の出力回路として機能するストリップラインSL4と終端抵抗R1との直列接続には、上述した電力結合器の入力回路として機能するストリップラインSL1に印加される2次高調波成分の電磁気結合による結合2次高調波成分のみ印加されて、それ以外の周波数成分は実質的に印加されない。従って、高調波検出回路14のストリップラインSL4の他端には、電力結合器による2次高調波成分の電磁気結合による結合2次高調波成分の高調波検出信号が生成される。この結合2次高調波成分の高調波検出信号が検出回路13の入力端子に供給されることによって、検出回路13の出力端子から多段RF電力増幅回路11のRF増幅出力信号の送信電力の制御のための検出電圧Vdetが生成される。尚、図1に示した高調波検出回路14の電力結合器ではストリップラインSL4の一端は終端抵抗R1を介して接地電位GNDに接続されているので、電力結合器は方向性結合器として機能する。すなわち、多段RF電力増幅回路11の出力端子から容量C1を介してストリップラインSL1に流入する2次高調波成分にのみ応答して、電力結合器は2次高調波成分の電磁気結合による結合2次高調波成分の高調波検出信号を生成する。従って、多段RF電力増幅回路11の出力端子に向かって容量C1を介してストリップラインSL1から流出する2次高調波成分には応答せず、電力結合器は2次高調波成分の電磁気結合による結合2次高調波成分の高調波検出信号を生成しないものである。多段RF電力増幅回路11の最終段増幅素子で発生される高調波信号の出力電圧yは、最終段増幅素子の入力電圧をV1とすると一般的に、下記式によって与えられる。上記式において、第1項は直流成分を示し、第2項は基本波送信信号の成分を示し、第3項は基本波送信信号の周波数の2倍の2次高調波信号の成分を示し、第4項は基本波送信信号の周波数の3倍の3次高調波信号の成分を示し、第5項は基本波送信信号の周波数の4倍の4次高調波信号の成分を示す。上記式より、最終段増幅素子の入力電圧V1の増加に応答して、第2項の基本波送信信号の成分と第3項の2次高調波信号の成分と第4項の3次高調波信号の成分と第5項の4次高調波信号の成分とはそれぞれ単調増加する関係となることが理解される。その結果、図1に示した本発明の実施の形態1によるRF電力増幅器1において、高調波検出回路14と検出回路13とによって2次高調波信号の成分を検出して検出電圧Vdetとして出力するとしても、RF電力増幅器1の出力端子から生成されるRF増幅出力信号Poutの送信電力の基本波送信信号の電力検出と電力制御が可能である。尚、上記式において、係数Ckは、下記式で与えられる。更に、上記式において、関数fnonlinearは、下記式で与えられる。《電力検出回路の小型化》上述した図1に示した本発明の実施の形態1によるRF電力増幅器1によれば、高調波検出回路14によるRF増幅出力信号Poutの電力検出が、RF増幅出力信号Poutの基本波送信信号の成分の検出ではなく、基本波送信信号の周波数の2倍の2次高調波信号の成分の検出に基づくものである。従って、図1に示した高調波検出回路14の電力結合器の入力回路および出力回路としてそれぞれ機能するストリップラインSL1、SL4のλ/4結合部の波長λを、RF増幅出力信号Poutの基本波送信信号の波長ではなく、基本波送信信号の周波数の2倍の2次高調波信号の波長に半減することが可能となる。その結果、図1に示した本発明の実施の形態1によるRF電力増幅器1によれば、RF電力増幅器の電力検出回路を小型化することが可能となる。《電力検出回路の高精度化》上述したように、図1に示した本発明の実施の形態1によるRF電力増幅器1によれば、出力整合回路12は多段RF電力増幅回路11の最終段増幅素子の数Ωの低出力インピーダンスと携帯電話端末のアンテナの50Ωの高入力インピーダンスとのインピーダンス変換のために複数のインダクタL1、L2と複数の容量C1、C2、C3から構成された多段のローパスフィルタを含んでいる。一方、アンテナの導電物質への接触によるRF電力増幅器の負荷インピーダンスの変動と負荷からの反射波信号の大きさの変動に際して、出力整合回路12の多段のローパスフィルタは、反射波信号に含まれる上述の2次高調波信号と3次高調波信号と4次高調波信号との各成分を接地電位GNDにバイパスする機能を有している。従って、出力整合回路12の出力端子でアンテナの負荷変動が発生することによりアンテナからの反射波信号が増大したとしても、出力整合回路12の入力端子に高調波検出回路14が接続されているので、出力整合回路12の出力端子から入力端子への反射波信号の伝達の間に高調波信号成分の大部分はローパスフィルタにより接地電位GNDにバイパスされる。その結果、出力整合回路12の入力端子に接続された高調波検出回路の入力端子に伝達される反射波信号中の2次高調波信号等の高調波信号成分が上述のローパスフィルタにより低減されるので、高調波検出回路14と検出回路13で生成される2次高調波信号成分の検出電圧Vdetに含まれる反射波信号の高調波信号成分の影響の低減が可能となる。従って、図1に示した本発明の実施の形態1によるRF電力増幅器1によれば、電力検出回路の高精度化が可能となる。《可変利得増幅器と誤差増幅器を使用する電力制御》図2は、図1に示した本発明の実施の形態1によるRF電力増幅器1の出力端子から生成されるRF増幅出力信号Poutの送信電力を制御するために、RF電力増幅器1に可変利得増幅器211と誤差増幅器212とが接続される様子を示す図である。図2に示すように、RF電力増幅器1の多段RF電力増幅回路11のRF入力端子に、可変利得増幅器211の出力端子から生成されるRF送信入力信号Pinが供給される。尚、図2では図示されていないが、可変利得増幅器211の入力端子には、携帯電話端末に搭載された無線周波数集積回路の送信信号処理回路の内部のアップコンバータにより生成されるRF送信信号が供給される。更に図2に示すように、誤差増幅器212の一方の入力端子と他方の入力端子には送信目標電力に対応する基準電圧Vtargetと高調波検出回路14と検出回路13とによって生成された2次高調波信号の検出電圧Vdetとがそれぞれ供給されて、誤差増幅器212の出力信号は可変利得増幅器211の可変ゲインを制御する。RF電力増幅器1の出力端子から生成されるRF増幅出力信号Poutの送信電力を高レベルに制御する場合には、比較的高いレベルの基準電圧Vtargetが誤差増幅器212の一方の入力端子に供給される。もしも、比較的高いレベルの基準電圧Vtargetに応答してRF増幅出力信号Poutの送信電力が目標電力に増大しない場合には、誤差増幅器212の他方の入力端子に供給される2次高調波信号の検出電圧Vdetが基準電圧Vtargetより低レベルとなって、誤差増幅器212の出力信号は可変利得増幅器211の可変ゲインを増大する。すなわち、検出電圧Vdetのフィードバックループにより検出電圧Vdetが基準電圧Vtargetと一致するまで、可変利得増幅器211の可変ゲインとRF増幅出力信号Poutの送信電力とが増大する。《RF電力増幅器の携帯電話端末への搭載》図3は、図1と図2に示した本発明の実施の形態1によるRF電力増幅器1が周波数分割デュプレックス方式の携帯電話端末に搭載される様子を示す図である。図3に示すように周波数分割デュプレックス方式の携帯電話端末は、図1と図2に示した本発明の実施の形態1によるRF電力増幅器1と、無線周波数信号処理集積回路2と、デュプレクサ3と、アンテナ4を含んでいる。《デュプレクサ》GSM850とGSM900とDCS1800とPCS1900との第2世代のGSM方式では、送信動作と受信動作とが時分割されると言う時分割デュプレックス方式が採用されている。一方、W-CDMA方式等の第3世代やLTE方式では、送信動作と受信動作とが周波数分割されると言う周波数分割デュプレックス方式が採用されている。図3に示した携帯電話端末では、周波数分割デュプレックス方式を実現するためにデュプレクサ3の内部の受信フィルタ32の受信周波数帯域は、デュプレクサ3の内部の送信フィルタ31の送信周波数帯域と異なった周波数帯域に設定されている。《RFIC》無線周波数信号処理集積回路2は、送信信号処理回路21と、低雑音増幅器22と、受信信号処理回路23と、デジタルインターフェース24を含んでいる。デジタルインターフェース24に図示しないベースバンド信号処理ユニットから送信ベースバンドデジタル信号が供給される一方、デジタルインターフェース24は図示しないベースバンド信号処理ユニットに受信ベースバンドデジタル信号を供給する。特に、送信信号処理回路21は、図2で説明した可変利得増幅器211と誤差増幅器212とを含むものである。デジタルインターフェース24からの送信ベースバンドデジタル信号は送信信号処理回路21の内部のデジタルアナログ変換器によって送信ベースバンドアナログ信号に変換され、送信ベースバンドアナログ信号は送信信号処理回路21の内部のアップコンバータにより送信RF信号に変換される。送信信号処理回路21から生成される送信RF信号は、図1と図2に示した本発明の実施の形態1によるRF電力増幅器1のRF信号入力端子に供給される。RF電力増幅器1のRF信号出力端子から生成される送信RF電力増幅信号Poutがデュプレクサ3の内部の送信フィルタ31を介してアンテナ4に供給されることによって、アンテナ4から基地局への送信電波が送信される。アンテナ4によって受信される基地局からの受信RF信号は、デュプレクサ3の内部の受信フィルタ32を介して無線周波数信号処理集積回路2の低雑音増幅器22の入力端子に供給される。従って、低雑音増幅器22の出力端子から生成される受信RF増幅信号は、受信信号処理回路23の内部のダウンコンバータにより受信ベースバンドアナログ信号に変換される。受信ベースバンドアナログ信号は受信信号処理回路23の内部のアナログデジタル変換器によって受信ベースバンドデジタル信号に変換されて、受信ベースバンドデジタル信号はデジタルインターフェース24を介して図示しないベースバンド信号処理ユニットに供給される。《デュプレクサと接続されたRF電力増幅器》図3に示したように、図1と図2とに示した本発明の実施の形態1によるRF電力増幅器1のRF出力端子が周波数分割デュプレックス方式を実現するためにデュプレクサ3と接続されることによって、以下に説明する顕著な効果を奏することが可能となる。上述したように、周波数分割デュプレックス方式を実現するためにデュプレクサ3の内部の受信フィルタ32の受信周波数帯域は、デュプレクサ3の内部の送信フィルタ31の送信周波数帯域と異なった周波数帯域に設定されている。特に、デュプレクサ3の送信フィルタ31は送信周波数帯域を通過する一方、デュプレクサ3の送信フィルタ31は送信周波数帯域よりも低い周波数帯域および送信周波数帯域よりも高い周波数帯域で所定の減衰量を持ったバンドパスフィルタによって構成される。すなわち、バンドパスフィルタによって構成されたデュプレクサ3の送信フィルタ31は、送信周波数帯域の基本波送信信号を通過するが基本波送信信号の周波数の2倍の2次高調波信号と3倍の3次高調波信号等の高調波成分を抑圧するものである。従って、図3に示した携帯電話端末においてデュプレクサ3の送信フィルタ31とアンテナ4の間でRF電力増幅器1のRF送信出力信号Poutの反射が発生しても、RF送信出力信号Poutの基本波送信信号の周波数成分の反射が発生するだけであり、基本波周波数の整数倍の高調波成分は送信フィルタ31からアンテナ4に実質的に出力されないので高調波成分の反射は無視することができる。その結果、図3に示したようにデュプレクサ3の送信フィルタ31に接続された図1と図2とに示した本発明の実施の形態1によるRF電力増幅器1においては、デュプレクサ3の機能によって高調波検出回路14と検出回路13で生成される2次高調波信号成分の検出電圧Vdetに含まれる反射波信号の高調波信号成分の影響を低減することが可能となる。また図1に示した出力整合回路12において、出力整合回路12の入力端子と中間タップ出力端子にそれぞれ接続される高調波成分終端回路は、2次高調波成分終端回路2HDTと3次高調波成分終端回路3HDTと4次高調波成分終端回路4HDTの順序にのみ限定されるものではない。例えは、電力検出回路の小型化のみを目的とするならば、図1に示した高調波成分終端回路の順序以外としては、4次高調波成分終端回路4HDTと2次高調波成分終端回路2HDTと3次高調波成分終端回路3HDTの順序、または3次高調波成分終端回路3HDTと4次高調波成分終端回路4HDTと2次高調波成分終端回路2HDTの順序と言うランダムな順序を採用することも可能である。更に電力検出回路の小型化と電力検出回路の高精度化とを目的とするならば、図3に示したデュプレクサ3を使用する場合には、デュプレクサ3の機能によって2次高調波信号成分の検出電圧Vdetに含まれる反射波信号の高調波信号成分の影響を低減できるので、出力整合回路12の入力端子と中間タップと出力端子にそれぞれ接続される高調波成分終端回路は上記と同様に完全にランダムな順序を採用することが可能である。また更に、電力検出回路の小型化と電力検出回路の高精度化とを目的とするならば、図3に示したデュプレクサ3を使用しない場合には、高調波検出回路14が接続される出力整合回路12の接続個所は、出力整合回路12の入力端子と中間タップ出力端子のいずれかとすることが可能となる。もし、高調波検出回路14が接続される出力整合回路12の接続個所を出力整合回路12の出力端子としたとすると、高調波検出回路14と検出回路13とで生成される2次高調波信号成分の検出電圧Vdetに大きな信号レベルの反射波信号の高調波信号成分の影響が含まれるものとなる。また図1に示した高調波検出回路14において、電力結合器のストリップラインSL4の一端は、終端抵抗R1を介して、接地電位GNDに接続されることのみ限定されるものではない。例えば、電力結合器のストリップラインSL4の一端は、終端抵抗R1を介さずに直接接地電位GNDに接続されることが可能となる。それによって、電力結合器は、上述した一方向性を持たない無方向性結合器として機能するものとなる。従って、この無方向性結合器は、容量C1を介してストリップラインSL1に流入する2次高調波成分と容量C1を介してストリップラインSL1から流出する2次高調波成分との両者に応答して、2次高調波成分の電磁気結合による結合2次高調波成分の高調波検出信号を生成するものである。[実施の形態2]《デュアルバンド送信を可能とするRF電力増幅器の構成》図4は、本発明の実施の形態2によるデュアルバンド送信を可能とするRF電力増幅器1の構成を示す図である。図4に示した本発明の実施の形態2によるRF電力増幅器1は、ハイバンド多段増幅回路151Hとハイバンド出力整合回路153Hとハイバンド方向性結合器154Hとハイバンド検出回路155Hと終端抵抗R1と、ローバンド多段増幅回路151Lとローバンド出力整合回路153Lとローバンド高調波検出回路154Lとローバンド検出回路155Lとを含んでいる。ハイバンド入力端子101Hには、上述したバンド1とバンド2とバンド4のハイバンドRF送信信号が図示しない無線周波数集積回路の送信信号処理回路から供給される。このバンド1とバンド2とバンド4のアップリンク周波数は、図5に示したようにそれぞれ1920~1980MHzと1850~1910MHzと1710~1755MHzである。ハイバンド入力端子101Hに供給されるバンド1とバンド2とバンド4とのハイバンドRF送信信号はハイバンド多段増幅回路151Hにより増幅され、ハイバンド多段増幅回路151HのハイバンドRF送信増幅出力信号は上述したように多段ローパスフィルタによって構成されたハイバンド出力整合回路153Hの入力端子に供給される。ハイバンド出力整合回路153Hの出力端子のハイバンドRF送信増幅出力信号は、ハイバンド方向性結合器154Hの主線路を介してハイバンド出力端子102Hに供給される。方向性結合器154Hの副線路の一端は終端抵抗RHを介して接地電位GNDに接続され、副線路の他端からはハイバンド検出信号がハイバンド検出回路155Hの入力端子に供給され、ハイバンド検出回路155Hの出力端子からハイバンド検出電圧VdetHが生成される。ハイバンド方向性結合器154Hの主線路と副線路とは、上述のハイバンドRF送信信号の波長λの4分の1の長さを有するλ/4結合部で結合されているので、主線路の進行波信号は副線路に伝達される。上述したバンド1とバンド2とバンド4のハイバンドRF送信信号の周波数は少なくとも1710MHzと高いので、ハイバンドRF送信信号の波長λの4分の1の長さは短くλ/4結合部で結合されたハイバンド方向性結合器154Hの主線路と副線路の線路長も短くなる。その結果、ハイバンド方向性結合器154Hは、小型化されることが可能となる。ハイバンド出力端子102Hから生成されるハイバンドRF送信増幅出力信号は、図示しないハイバンド用のデュプレクサの送信用フィルタに供給される。更に、ハイバンドの電力検出にはハイバンド方向性結合器154Hが使用されているので、ハイバンド検出回路155Hの出力端子のハイバンド検出電圧VdetHの反射波等の誤差が低減され、高精度のハイバンドの電力検出および電力制御が可能となる。ローバンド入力端子101Lには、上述したバンド5とバンド8とバンド12とバンド13とバンド14とバンド17とのローバンドRF送信信号が図示しない無線周波数集積回路の送信信号処理回路から供給される。このバンド5とバンド8とバンド12とバンド13とバンド14とバンド17のアップリンク周波数は、図5に示したようにそれぞれ824~849MHzと880~915MHzと698~716MHzと777~787MHzと788~798MHzと704~798MHzである。ローバンド入力端子101Lに供給されるバンド5とバンド8とバンド12とバンド13とバンド14とバンド17のローバンドRF送信信号はローバンド多段増幅回路151Lにより増幅され、ローバンド多段増幅回路151LのローバンドRF送信増幅出力信号はローバンド出力整合回路153Lの入力端子とローバンド高調波検出回路154Lの入力端子に供給される。更にローバンド高調波検出回路154Lの出力信号はローバンド検出回路155Lの入力端子に供給されて、ローバンド検出回路155Lの出力端子からローバンド検出電圧VdetLが生成される。またローバンド出力端子102Lから生成されるローバンドRF送信増幅出力信号は、図示していないローバンド用のデュプレクサの送信用フィルタに供給される。図4に示した本発明の実施の形態2によるRF電力増幅器1に含まれたローバンド出力整合回路153Lとローバンド高調波検出回路154Lとローバンド検出回路155Lとは、図1と図2に示した本発明の実施の形態1によるRF電力増幅器1の出力整合回路12と高調波検出回路14と検出回路13とそれぞれ同一の構成によって構成されている。その結果、図4に示した本発明の実施の形態2によるRF電力増幅器1によれば、ローバンドの電力検出回路の小型化と高精度化とが可能となる。以上、本発明者によってなされた発明を種々の実施の形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。例えば、本発明において、RF増幅回路の増幅素子はLD型のソース接地NチャネルパワーMOSトランジスタにのみ限定されるものではない。例えば、GaAs等の化合物半導体を使用したエミッタ接地ヘテロ接合バイポーラトランジスタやGaAs等の化合物半導体を使用したMESFETを使用することもできる。また、高調波検出回路14は、2次高調波以外の3次高調波成分や4次高調波成分等を供給するようすれば、電力検出回路を更に小型化することが可能となる。更に、本発明は、GSM850とGSM900とDCS1800とPCS1900との第2世代のGSM方式の携帯電話端末に搭載されるデュアルバンドRF電力増幅器に適用することも可能である。すなわち、GSM850とGSM900のローバンドの電力検出と電力制御とに、本発明を適用することが可能である。その際の電力制御は、図2に示したようにRF電力増幅器1に接続された可変利得増幅器211を使用せずに、可変利得増幅器211の出力信号によって多段RF電力増幅回路11の増幅ゲインを可変制御するものとなる。すなわち、可変利得増幅器211の出力信号によって多段RF電力増幅回路11のゲートバイアス電圧またはベースバイアス電圧を可変制御するか、または可変利得増幅器211の出力信号によって多段RF電力増幅回路11のドレイン電源電圧またはコレクタ電源電圧を可変制御するものである。