a内面を画定する壁構造体を有するチャンバと、b前記チャンバ内に配置され、かつ上流-下流軸を中心に回転可能なスピンドルであって、ウェハキャリアを、該キャリアの上面がキャリア位置において前記上流方向に面するように、前記軸を中心に回転するよう支持するようになっているスピンドルと、c前記チャンバ内に取り付けられたリングであって、前記上流方向に面している上面を有し、該反応器が動作状態にあるとき、前記スピンドル上に支持された前記ウェハキャリアを密に包囲し、かつ該リングの前記上面が前記キャリアの前記上面と実質的に連続するように構成及び配置されているリングとを具備する反応器。前記キャリア位置の上流で前記チャンバと連通しているガス入口要素と、前記キャリア位置の下流で前記チャンバと連通しているガス排出装置とを更に具備し、前記リングは、前記軸から離れて外側に面している周囲面を有し、前記リングは、該反応器が動作状態にあるとき、前記リングの前記周囲面と前記チャンバの前記内面との間に間隙があるように配置されている、請求項1に記載の反応器。前記スピンドルは、前記ウェハキャリアと解除可能に係合するようになっており、前記チャンバは、ウェハキャリアの挿入及び除去のための開口部を有している、請求項1に記載の反応器。前記チャンバ壁構造体は固定壁構造体を含み、前記リングは、前記上流方向及び下流方向において前記固定壁構造体に対して移動可能である、請求項3に記載の反応器。前記チャンバ壁構造体は、前記内面の一部を画定するシャッタを備え、該シャッタは、前記上流方向及び前記下流方向において前記チャンバの前記固定壁構造体に対して移動可能であり、前記リングの前記周囲面と前記シャッタとの間に間隙が画定されている、請求項4に記載の反応器。前記リングは、前記シャッタに、前記上流方向及び前記下流方向において該シャッタと移動するように取り付けられている、請求項5に記載の反応器。前記リングは、前記軸を中心に回転しないように固定されている、請求項1に記載の反応器。前記リングは、前記軸を中心に回転可能である、請求項1に記載の反応器。前記リングは、前記スピンドルとは無関係に前記軸を中心に回転可能である、請求項8に記載の反応器。前記チャンバ内にヒータを更に具備し、該ヒータは、前記スピンドルに支持される前記ウェハキャリアを加熱するようになっている、請求項1に記載の反応器。前記リングは、該リングの前記上面の下方に中空空間を画定している、請求項1に記載の反応器。前記リングは、複数の同心リングから形成されている、請求項1に記載の反応器。前記同心リングの各々は、同じか又は異なる材料から構成されている、請求項12に記載の反応器。前記リングは、前記チャンバ内に含まれるヒータによって発生する熱に対する断熱体として作用する、請求項1に記載の反応器。前記複数の同心リングのうちの少なくとも1つは加熱要素を含む、請求項12に記載の反応器。前記リングの前記上面は、ガスを前記チャンバ内に導入する少なくとも1つのオリフィスを備えている、請求項1に記載の反応器。前記シャッタは、ガスを前記チャンバ内に導入する少なくとも1つのオリフィスを備えている、請求項5に記載の反応器。a反応チャンバ内にウェハキャリアを、該チャンバ内のリングが前記キャリアを包囲するように、上流方向に面している前記キャリア及び前記リングの上面が実質的に互いに連続するように、かつ前記キャリア上に配置されるウェハの表面が前記上流方向に面するように配置するステップと、b1種又は複数種の処理ガスを、前記上流方向とは反対の下流方向において、前記ウェハキャリア及び前記ウェハの前記上面に向けるステップであって、その間に、前記ウェハキャリア及び前記ウェハを、上流-下流軸を中心に回転させ、それにより、前記処理ガスが、前記キャリアの前記上面及び前記ウェハの前記表面にわたって外側に流れ、かつ前記リングの前記上面にわたって前記キャリアの前記上面から外側に流れるようにする、1種又は複数種の処理ガスを前記ウェハキャリア及び前記ウェハの前記上面に向けるステップとを含む、ウェハを処理する方法。前記リングから下流の前記チャンバからガスを排気するステップであって、それにより、前記リングの前記上面にわたって外側に流れる前記ガスが、前記リングと前記チャンバの壁との間の間隙内を下流に進むようにする、排気するステップを更に含む、請求項18に記載の方法。前記向けるステップの後に、前記チャンバから前記ウェハキャリアを取り除くステップと、新たなウェハが配置された別のウェハキャリアを用いて上述したステップを繰り返すステップと、を更に含む、請求項19に記載の方法。前記向けるステップの後に、かつ前記キャリアを取り除くステップの前に、前記リングを上流又は下流に移動させるステップを更に含む、請求項20に記載の方法。前記向けるステップの後に前記リングを移動させる前記ステップは、前記リングに機械的に接続されたシャッタを、動作位置から、該シャッタが前記チャンバ壁の開口部を閉塞しない開放位置まで移動させるステップを含み、前記ウェハキャリアを取り除く前記ステップは、前記キャリアが開放位置にある間に、該キャリアを前記チャンバから前記開口部を通して取り除くステップを含む、請求項21に記載の方法。前記シャッタ及び前記リングは、該シャッタ及び該リングが動作位置にあるとき協働して前記間隙を画定する、請求項22に記載の方法。前記ウェハキャリアを加熱するステップを更に含み、前記リングは、前記ウェハキャリアから前記チャンバの前記壁への熱伝達を妨げるように作用する、請求項18に記載の方法。円形上面と、該上面の境界を画す周囲面と、ウェハ処理反応器のスピンドルを前記上面及び前記周囲面が該スピンドルと同心であるように係合するようになっている取付具とを有する本体を備え、該本体は、各々がウェハを保持するようになっている複数のポケットを更に画定し、該ポケットは、ウェハを、該ウェハの一部が前記周囲面の約5mm以内に位置するように保持するようになっている外側ポケットを含む、ウェハキャリア。前記上面は、直径が約465mmであり、前記ポケットは、各々が約6インチの直径のウェハを保持するようになっている少なくとも6個のポケットを含む、請求項25に記載のウェハキャリア。したがって、当該技術分野においてこれまで、こうしたシステムの最適化を設計するために著しい労力が捧げられてきたが、依然として更なる改善が望ましい。本発明の一態様は反応器を提供する。本発明のこの態様による反応器は、内面を画定する壁構造体を有するチャンバを具備することが望ましい。反応器は、前記チャンバ内に配置され、かつ上流-下流軸を中心に回転可能なスピンドルであって、ウェハキャリアを、該キャリアの上面がキャリア位置において前記上流方向に面するように、前記軸を中心に回転するよう支持するようになっているスピンドルを具備することが好ましい。本発明のこの態様による反応器は、前記チャンバ内に取り付けられたリングであって、前記上流方向に面している上面を有し、当該反応器が動作状態にあるとき、前記スピンドル上に支持された前記ウェハキャリアを密に包囲し、かつ該リングの前記上面が前記キャリアの前記上面と実質的に連続するように構成及び配置されているリングも具備することが好ましい。リングは、通常、チャンバ内に移動可能に取り付けられ、それにより、リングはキャリアの装填又は取外しを妨げない。通常、前記反応器は、前記キャリア位置の上流で前記チャンバと連通しているガス入口要素、及び前記キャリア位置の下流で前記チャンバと連通しているガス排出装置も具備する。前記リングは通常、前記軸から離れて外側に面している周囲面を有し、前記リングは、該反応器が動作状態にあるとき、前記リングの前記周囲面と前記チャンバの前記内面との間に間隙があるように配置されている。さらに後述するように、反応器の動作中、ガス入口要素から放出されるガスは、ウェハキャリアに向かって下流に、かつキャリア及びキャリア上に保持されているウェハの上面にわたって流れ、かつリングを越えて外側に流れる。実際には、リングは、キャリアの拡張部を形成し、そのため、ガス流は、径がより大きいキャリアで得られるものと同様である。境界層は、キャリア全体にわたって、又は略キャリア全体にわたって実質的に均一な厚さを有することができ、そのため、ウェハ部分又はウェハを、キャリアの縁領域に配置することができる。本発明の更なる態様は、ウェハを処理する方法を提供する。本発明のこの態様によるウェハを処理する方法は、反応チャンバ内にウェハキャリアを、該チャンバ内のリングが前記キャリアを包囲するように、上流方向に面している前記キャリア及び前記リングの上面が実質的に互いに連続するように、かつ前記キャリア上に配置されるウェハの表面が前記上流方向に面するように配置するステップを含むことが望ましい。本方法は、1種又は複数種の処理ガスを、前記上流方向とは反対の下流方向において、前記ウェハキャリア及び前記ウェハの前記上面に向けるステップであって、その間に、前記ウェハキャリア及び前記ウェハを、上流-下流軸を中心に回転させ、それにより、前記処理ガスが、前記キャリアの前記上面及び前記ウェハの前記表面にわたって外側に流れ、かつ前記リングの前記上面にわたって前記キャリアの前記上面から外側に流れるようにする、向けるステップも含むことが好ましい。本方法は通常、前記リングから下流の前記チャンバからガスを排気するステップであって、それにより、前記リングの前記上面にわたって外側に流れる前記ガスが、前記リングと前記チャンバの壁との間の間隙内を下流に進むようにする、排気するステップを更に含む。本発明の更に別の態様はウェハキャリアを提供する。本発明のこの態様によるウェハキャリアは、円形上面と、該上面の境界を画す周囲面と、ウェハ処理反応器のスピンドルと前記上面及び前記周囲面が該スピンドルと同心であるように係合するようになっている取付具とを有する本体を備えることが望ましい。該本体は、各々がウェハを保持するようになっている複数のポケットを更に画定することが望ましく、該ポケットは、ウェハを、該ウェハの一部が前記周囲面の約5mm以内に位置するように保持するようになっている外側ポケットを含む。本発明の主題及びそのさまざまな利点のより完全な理解を、添付図面を参照する以下の詳細な説明を参照することによって達成することができる。例示しかつ図面を参照して説明する本主題の好ましい実施形態を説明する際、明確にするために特定の専門用語を使用する。しかしながら、本発明は、本明細書で用いるいかなる特定の用語にも限定されるようには意図されておらず、各特定の用語は、同様の目的を達成するために同様に動作する全ての技術的均等物を含むことが理解されるべきである。本発明の一実施形態による装置は、反応チャンバ10を組み込んでおり、反応チャンバ10は、中心軸14を有する略円柱状空間15を画定する固定壁12と、内部空間と連通する開口部16とを組み込んでいる壁構造体を有している。更に後述するように、動作中の反応チャンバ内のガス流は、概して、図1の図の上部の領域から、図の底部の領域に向かう。したがって、図1において矢印Dによって示す、軸に沿って図の底部に向かう方向を、本明細書では下流方向と呼び、矢印Uによって示す反対方向を、本明細書では上流方向と呼ぶ。チャンバの壁構造体は、リング状シャッタ18を更に備えている。シャッタ18は、中心軸14と一致する中心軸を有している。シャッタ18は、上流方向及び下流方向において固定壁に対して移動するように取り付けられ、移動アクチュエータ20に接続されている。アクチュエータ20は、シャッタを、図1において実線で示す動作位置と、図1において18’の破線で示す開放位置との間で移動するように構成されている。シャッタ18は、動作位置にあるとき、開口部16を覆う。通常、シャッタ18は、開口部16において気密シールを形成しない。固定壁12及びシャッタ18には、壁内部又はそれらの外面に冷却剤通路図示せずが設けられている。冷却剤通路は、冷却剤供給装置図示せずに接続されており、それにより、固定壁及びシャッタを、プロセス中に所望の温度で維持することができる。チャンバ10の上流端において、図1の図の上部に向かってガス入口要素22が設けられている。ガス入口要素は、1つ又は複数の処理ガスを供給するように構成された1つ又は複数の供給源24に接続されている。ガス入口要素22を、概して従来のものとすることができ、概して下流方向Dに向けられている流れにおいて処理ガスを放出するように構成することができる。ガス入口要素は、通常、中心軸14を中心に間隔が空けられ、かつ中心軸からさまざまな半径方向の距離に分散された、放出のパターンで、処理ガスを放出するように構成されている。ガス入口要素にも、通常、プロセス中にその温度を維持するための冷却剤流路図示せずが設けられている。チャンバの下流端に隣接して、中空フープ状排気マニホルド26が設けられている。排気マニホルドは、内部通路28とチャンバの内部に開放している多数のポート30とを有している。そして、排気マニホルドの内部通路28は排気システム32に接続され、排気システム32は、内部空間15からガスを汲み出し、ガスを廃棄するために排出するように構成されている。固定壁構造体12に、中心軸14を中心に回転するスピンドル34が取り付けられている。スピンドル34は、回転駆動機構36に接続されている。スピンドルは、その上流端に取付具38を有している。取付具は、ウェハキャリア40に解除可能に係合し、図1に示すキャリア位置でウェハキャリア40を保持するように構成されている。キャリア位置は、ガス入口要素22から下流であるが、排気マニホルド26から上流に配置されている。キャリア位置から下流にヒータ42が配置されており、スピンドル34を包囲している。ヒータ42は、固定壁構造体12に固定された支持体図示せずによってチャンバ内で支持されている。円形バッフル44がヒータを包囲し、キャリア位置から下流に延在している。ヒータパージガス源45が、バッフル44内部の空間と連通している。図2に最もよく見られるように、バッフルは、ウェハキャリア40がキャリア位置に取り付けられたとき、バッフルとキャリアとの間に小さい間隙47があるように寸法が決められている。動作中、ヒータパージガス源45は、窒素等のパージガスをバッフル44内の空間に送り込み、それにより、パージガスは、間隙47を通ってこの空間から流れ出て、後述する他のガス流とともに排気装置32に進む。ヒータパージガスは、処理ガスがヒータ42に接触しヒータ42を腐食しないようにする。副チャンバ48が、固定壁構造体の開口部16と連通している。副チャンバ48には、図1において概略的に示す、ゲート弁要素50等の閉鎖体が設けられている。ゲート弁要素は、副チャンバを封止し、したがって、副チャンバ48と内部空間15との連通を阻止するように構成されている。弁要素50を、後退位置図示せずまで移動させて、副チャンバと内部空間15との間の連通を可能にすることができる。弁要素が後退位置にあり、かつシャッタ18が開放位置18’にあるとき、ウェハキャリア40を、スピンドルの取付具38との係合を解除し、ロボット搬送装置robotichandlingapparatus図示せずを用いて、開口部16を通して副チャンバ内に移動させることができる。新たなウェハキャリア40’を、副チャンバから反応チャンバ内に移動させ、新たなウェハキャリアがキャリア位置に配置されるように、取付具38と係合させることができる。リング52がシャッタ18に取り付けられ、したがって、チャンバの内部空間15内に配置されている。図2及び図3に最もよく見られるように、リング52は、上流方向に面している上面54と、中心軸から離れる方向に、半径方向外側に面している外周面56と、中心軸に向かって半径方向内側に面している内面58とを有している。リング52は、チャンバの周囲に配置された支柱60によってシャッタ18に取り付けられている。1つのこうした支柱を図2及び図3に示す。支柱は、上面54の下方に配置されている。リングの外周面56は、シャッタ18の隣接面の半径方向内側に配置されており、それにより、シャッタの表面とリングとの間に間隙62がある。例えば、465mm径ウェハキャリアを保持するように構成された装置では、間隙62のその最も狭い箇所における幅を、13mm程度とすることができる。支柱60は相対的に薄いため、実質的に間隙62をふさがない。リング52の寸法及びそのシャッタ18への取付けは、図1において実線で示すように、かつ図2に示すように、シャッタ18が動作状態にあるとき、かつ、ウェハキャリア40が、動作状態に配置されかつスピンドル34の取付具38と係合してキャリア位置に位置決めされたとき、リングの上面54が、キャリア40の上面すなわち上流面64と実質的に同一平面にあるように選択されている。リング52の幅又は半径方向の広がりを、約13mm~15mmとすることができることが望ましく、更に大きいリング幅がより望ましい。概して、リング52は、実現可能である程度に幅が広いものであるべきである。リングが、リングのない最初に構築された既存のシステムに取り付けられる場合、リング幅は、十分な幅の間隙62を提供する必要があるために制限される。また、リング52は、この動作状態で、リングの内面58がウェハキャリア40の外周面66に隣接して位置し、それらの面の間に小さい間隙70しかないように、寸法が決められかつ取り付けられている。望ましくは、間隙70は、構成要素の熱膨張差に対する製造公差及び許容差と一貫して、実際的である程度に小さい。例えば、間隙70を、約2mm幅以下とすることができる。好ましくは、間隙70の断面積は、間隙62の最も狭い箇所で測定して、リングの外周面とシャッタ18との間の間隙62の断面積の約5未満である。図1及び図2に最もよく見られるように、各ウェハキャリア40は多数のポケット72を画定し、ポケット72の各々は、ウェハの上面がキャリアの上面64と実質的に同一平面上であるように、ウェハ74を保持するように構成されている。望ましくは、ウェハキャリア40は、その上面64及び周囲面66の接合部において相対的に鋭利な縁を有しており、リング52もまた、望ましくは、その上面の内面58及び外周面56との接合部において鋭利な縁を有している。これらの鋭利な縁は、望ましくは、約0.1mm未満の半径を有している。動作時、装置は、図1~図3に示す動作状態になり、ウェハ74を支持するウェハキャリア40がスピンドル上に配置され、シャッタ18は実線で示す動作位置にあり、それにより、リング52は、キャリア40の周囲面を密に包囲する。ヒータ42が作動して、ウェハキャリア及びウェハを所望の温度にし、ガス入口要素22が処理ガスを放出するように作動する一方で、回転駆動機構36が作動して、中心軸14を中心にスピンドル34及びウェハキャリア40を回転させる。ガス入口要素22によって放出されるガスは、概して、図1における流れ矢印Fによって示すように進む。したがって、ガスは、入口要素から下流にキャリア位置に向かって進み、キャリア40の上面すなわち上流面にわたって概して半径方向外側に流れる。流れるガスは、ウェハキャリアの周辺部を越えてかつリング52を越えて外側に進み、その後、リングとシャッタ18によって画定される内壁面との間の間隙62を通って下方に進む。僅かな量のガスが間隙70を通って下方に進むが、この僅かな量は、システムの流れの動特性に実質的に影響を与えない。好ましくは、ウェハキャリアの上面にわたって進むガスの約5未満が、間隙70を通過し、残りは、リング52の外側で間隙62を通過する。ガスは、排気マニホルド26に向かって下流に流れ続け、排気マニホルド内に進み、排気システム32を介してシステムから出る。図2に最もよく見られるように、ウェハキャリアの上面64にわたってかつウェハ74の表面にわたって外側に流れるガスは、境界層Bを形成する。この境界層内で、ガス流の流線は、キャリアの上面に対して略平行であり、それにより、境界層は実質的に均一な厚さとなる。しかしながら、ガスが間隙62に近づくに従い、流線は、明らかに領域Rにおいて収束し、境界層の厚さは、この領域内で明らかに低減する。しかしながら、この領域は、ウェハキャリアの上ではなくリング52の上に配置されている。したがって、境界層は、ウェハキャリアの実質的に上面全体にわたって実質的に均一な厚さを維持する。これにより、ウェハ74がキャリアの周囲面66に直接隣接して配置される場合であっても、ウェハ74の表面にわたって実質的に均一な反応速度が可能になる。処理の後、シャッタ18は、開放18’配置まで移動する。リング52は、シャッタとともに、図1において52’に示す位置まで移動する。シャッタが後退位置にあるとき、リング及びシャッタの両方が、開口部16から離れており、ウェハキャリアのチャンバに入りかつチャンバから出る移動を妨げない。図4は、図2に示すシステムと同一のシステムであるが、リング52がなく、キャリアの上面とキャリアの周囲面との接合部に相当な半径がある通常のウェハキャリアを用いるシステムを示す。このシステムでは、ガスは、ウェハキャリアの周囲面66のすぐ外側を下流に進む。したがって、流線は、ウェハキャリア自体の外側部分にわたって明らかに収束する。境界層の厚さが不均一である領域Rは、ウェハキャリアの周囲面66から内側に延在し、キャリア上面の著しい部分を覆う。したがって、ウェハ74の一部が、領域Rによって覆われるキャリアの領域内に配置される場合、これらのウェハは、不均一な成長速度に晒されることになる。したがって、リング52のないシステムでは、ウェハ保持ポケットは、通常、それらをキャリアの周辺部から更に離れるように維持するように、異なるように配置される。これにより、ウェハキャリアの容量が低減する。言い換えれば、リング52図1~図3の存在により、ウェハキャリアポケットをキャリアの周辺部に近接して配置することができ、したがって、キャリアの容量が増大する。これにより、システムのスループット、すなわち単位時間当たりに処理することができるウェハの数が増大する。さらに、ウェハを、キャリアの周辺部により近接して配置することにより、処理ガスの効率的な使用が促進される。これらのガスは、通常、高価で高純度の物質である。通常、各ガスの量は、ウェハキャリアの全領域にわたって単位面積当り一定の量を提供するように決められる。ウェハをキャリアの周辺部により近接して配置することにより、キャリアの面積のより広い部分をウェハによって覆うことができ、ガスのより多くが、ウェハを処理するために使用されることになる。リング52を加えることによって導入される流れの動特性の変化の効果を、図5に更に示す。図5の曲線100は、リングがなく、ウェハキャリアに丸みのある縁がある、図4に示す反応器を使用する化学気相成長プロセスにおける、厚さ対半径方向位置の計算されたプロットを表している。曲線102は、リング52があり、ウェハキャリアの周辺部に鋭利な縁がある、図1~図3に示すような反応器を用いる同じ化学気相成長プロセスにおける計算された堆積厚さの同様のプロットである。堆積した層の厚さを、正規化厚さ、すなわち、中心線から190mmの半径方向位置における厚さに対する、各半径方向位置における厚さの比として述べる。各々、ウェハキャリアは直径が465mmであり、それにより、ウェハキャリアの周囲面は、中心軸から232.5mmの半径方向距離に配置されている。中心線からおよそ223mmの半径方向距離にある垂直線104は、各々の直径が2インチである54個のウェハを収容するようにキャリアが構成されている場合の、キャリア上のウェハの最外箇所の半径方向位置を表している。およそ127mmの半径方向距離にある垂直線106は、キャリアが6個の6インチ径ウェハを収容するように構成されている場合の、ウェハ上の最外箇所の半径方向位置を表している。図4の従来の反応器に対する曲線100は、線104において、正規化厚さが1.1を超えていることを示す。比較して、曲線102は、正規化厚さが線104においておよそ1.02であることを示す。言い換えれば、ウェハキャリアが、54個の2インチ径ウェハを収容するように構成されている場合、リングのないシステムでは、幾つかの箇所が同じウェハの他の箇所よりおよそ12大きい厚さであるウェハがもたらされ、一方で、リングのあるシステムでは、実質的に厚さが約2以内まで均一な層が堆積したウェハがもたらされる。さらに、ウェハキャリアが、6個の6インチ径ウェハを保持するように構成されている場合、リングのないシステムでは、堆積した層の厚さの変動が40を超える、すなわち、垂直線106において正規化厚さが1.4であるウェハがもたらされることになる。それに対し、曲線102は、多くの用途に対して依然として許容可能な限界内にある、線106におけるおよそ7の厚さ変動を示す。したがって、リングのあるシステムを、リングのないシステムと同じ径のウェハキャリアを用いて、6個の6インチウェハを処理するためにより容易に使用することができる。したがって、リングによってもたらされる改善により、ウェハキャリアの周辺部に近接してポケットがあるウェハキャリアの構築が可能となる一方で、依然としてウェハの均一な処理が可能である。図7に示すウェハキャリア340は、略平面の上面364及び周囲面366を備えた円形本体を有している。本体は、図1に示す処理装置のスピンドル34等、処理装置のスピンドルと嵌合するようになっている取付具367を有している。取付具を任意の構成とすることができ、図1に示すような円錐状取付具38を有するスピンドルの場合、キャリアの取付具は、通常、本体の底部において円錐状開口部である。ウェハキャリアは、各々がウェハを保持するようになっている、ポケット372の形態のウェハ保持要素を有している。ポケット372の各々が、周囲面366に近接して位置している。したがって、各ポケットの最外部分と周囲面366との間の距離Xは、約5mm未満である。ポケットをそのように周囲面に近接して配置することは、以前は、厚さが不均一になるために許容可能ではなかった。ポケットと周囲面との間の距離は、ポケットと、上面が周囲面と接合する縁との間で測定される。キャリア340の本体は、任意の直径を有することができるが、望ましくは、直径は300mmを超える。一例では、キャリアは、直径が約465mmであり、図7に示すように6個のポケットを有し、各ポケットは、1つの6インチ径ウェハを保持するようになっている。キャリアは、より多くのより径の小さいポケットを備えることができ、ポケットを、ポケットのうちの幾つかのみが周囲面の近くで本体の外側に配置されるように構成することができる。リング52はまた、ウェハキャリアの周辺部とシャッタ18によって画定されるチャンバの隣接する壁面との間の熱障壁としても作用する。通常、ウェハキャリアは、反応器の壁より実質的に高い温度で維持される。例えば、ウェハキャリアを、およそ1000°C~1200°C以上の温度で維持することができ、反応器の壁を、100°C未満の温度で維持することができる。ウェハキャリアの縁と隣接する壁面との間に著しい放射伝熱がある。これは、ウェハキャリアの縁領域を、ウェハキャリアの他の領域より低温にする傾向があり、したがって、縁領域におけるウェハを同様により低温にする。こうした不均一な温度分布により、反応速度が不均一になり、堆積した層の組成が不均一になる可能性がある。この影響を、周辺部近くのウェハキャリアの領域に、より熱を加えるようにヒータ42を構成することによって或る程度まで抑制することができるが、この影響を低減することが望ましい。リング52は、放射障壁として作用し、ウェハキャリアの周囲面からシャッタ18によって画定されるチャンバの壁面への直接放射を阻止する。これは、ウェハキャリアにわたる均一の温度分布を維持するのに役立ち、それにより、ウェハの全ての部分にわたるプロセス条件の均一性が促進される。リングの断熱効果を更に強化するために、リング52に、リングの内面と外面との間の熱伝導を最小限にするのに役立つ追加の機能を設けることができる。例えば、図6に見られるように、リング152は、中空内部空間153を備えた、概して逆U字形態である断面形状を有している。中空内部空間は、内面158と周囲面すなわち外面156との間の熱伝導を低減する。好ましくは、リングの上面すなわち上流面154は、連続的な切れ目のない面として残る。空間153を、図6に示すように、その下流端において開放することができ、又はその下流端において閉鎖することができる。面158と面156との間の熱伝導を低減することにより、図6に示すリングは、ウェハキャリア40とシャッタ18との間の熱伝達を更に妨げる。更なる変形では、リング52を、複数の同心リングから形成することができ、それら同心リングの各々を、同じ材料から又は異なる材料から形成することができる。例えば、同心リングを、グラファイト、炭化ケイ素及び/又はシリコンコーティングされたグラファイト等の耐火材とともに、モリブデン、レニウム、タングステン、ニオビウム、タンタル及びそれらの合金等の耐火金属から形成することができる。同心リングのサイズ及び数を、リング52を構成する材料とともに、反応器のタイプ及び/又は反応器内で発生する反応に応じて変更又は調整することができる。更なる別の変形では、リング52は、電気抵抗ヒータ等のヒータを組み込むことができる。例えば、リングが複数のリングの複合体として形成される場合、複数のリングのうちの1つ又は複数は、加熱要素を構成することができる。1つの変形では、ウェハキャリア40の周囲面66に最も近いリングを、加熱要素とすることができる。リングの加熱を用いて、ウェハキャリア縁の温度を制御することができる。リングに組み込まれたヒータを、フィードバック制御系図示せずによって制御することができ、フィードバック制御系は、例えば、1つ又は複数の高温計を用いてウェハキャリア温度を監視する制御系として、縁の近くのウェハキャリア40の温度に対して感度が高い。これらの変形及び他の変形によるリングの寸法を、リング52図1及び図2に関連して上述したように選択することができる。したがって、この場合もまた、リングは、望ましくは、実現可能な程度に幅広く、望ましくは、ウェハキャリアとリングとの間の間隙のサイズを最小限にするように、ウェハキャリアの周囲に最小限の実現可能な隙間を提供する。図8に示す装置は、図1に示す装置に類似しているが、但し、リング252が、中心軸と同心の円錐の一部の形態の上流面すなわち上面254を有している。面254は、半径方向外側方向に、チャンバの中心軸から離れるように上方に傾斜している。言い換えれば、上流面すなわち上面254と外周面256との間の接合部は、リングの上流面254と内面258との間の接合部の上流に位置している。内面258と外面256との間の上面の垂直立上りVは、望ましくは約1mm~約2mmの間である。この上方傾斜は、リングにわたるかつウェハキャリア40の周囲領域にわたる領域における流線の収束を更に抑制するのに役立つ。リングとシャッタ又は壁構造体の最も近い部分との間に同じ隙間Cを提供するように、シャッタ218を他の図に示すものから僅かに変更することができる。更なる変形では、上方に傾斜している上面を、中心軸を中心とする湾曲した母線の回転面として設けることができる。したがって、この実施形態では、上流面すなわち上面は、直線を画定しないが、代りに、上方に傾斜している曲線を画定する。上面254は、代替的に、半径方向外側方向に、すなわちチャンバの中心軸から離れるように、上方に傾斜することができる。更に別の変形では、上流面すなわち上面254を、半球状の形状とすることができ、又は面を横切ってさまざまな形状の隆起若しくは波がある平面とすることができる。他の実施形態は、ウェハキャリア40であって、それ自体がウェハキャリアの上面の周辺部の回りに上方に突出するリップを有することができるウェハキャリア40を備えることができる。上方に傾斜するリップを有するウェハキャリアは、米国特許出願公開第2011/0215071号に記載されており、その開示内容は、引用することにより本明細書の一部をなすものとする。これらの実施形態では、ウェハキャリアの上方傾斜リップを、後に開示するように、リング252の上方傾斜面254と結合することができる。こうした面を、ウェハキャリアがキャリア位置に取り付けられたときに、キャリアリップの上方傾斜面及びリング252が、互いに略連続し、協働して複合上方傾斜面を画定するように構成することができる。これらの上方傾斜面は、ウェハキャリアの縁の近くにおいて堆積速度を更に制御するのを可能にすることができる。上述した構成の変形では、ローラ及びガイドピン図示せず等の構造体を、リング52図1及び図2に、又はバッフル44に取り付けることにより、ウェハキャリア40とリング52との間の接触に対して更なる保証を提供することができる。バッフル44を、キャリア40の上面すなわち上流面64とのリング52の位置合せに役立つように、ローラに近接して壁にバンプ又は隆起を含むように更に変更することも可能である。幾つかの例では、リング52の上面すなわち上流面を、キャリア40の上面すなわち上流面64より高く又は低くすることが望ましい場合もある。他の例では、リング52の内面58を、リング52の上面すなわち上流面より高く又は低くすることが望ましい場合もある。これを、例えば、バッフル44内に位置するローラを上述したバンプ又は隆起の上に載るようにすることにより達成することができる。上述した実施形態では、リングはシャッタに取り付けられている。しかしながら、これは必須ではない。例えば、リングを、別個のアクチュエータに取り付けることができ、シャッタとは無関係に移動させることができる。更に他の実施形態では、反応器の壁構造体はシャッタを備えていない場合もある。この場合、リングは、ウェハキャリアの位置と反応器の固定壁構造体との間に配置される。上述した実施形態では、リングは、シャッタとともに又は無関係に反応器の固定壁構造体に対して移動可能であり、それにより、リングを、ウェハキャリアのチャンバへの装填及びチャンバからの取外し中に邪魔にならないように避けることができる。しかしながら、これは必須ではない。ウェハキャリアの構成と、ウェハキャリアを反応器に入るようにかつ出るように移動させるために使用される要素の構成とに対して可能である場合、ウェハキャリアを、リングを移動させずに設置し取り除くことができる。CVDプロセス中、意図された基板面に加えて反応チャンバ部品に膜成長が発生することが多い。取り除かれない場合、反応器チャンバ部品における更なる膜成長は、CVDプロセスの効率に影響を与え、結果として、歩留まりが期待されるものより低くなるとともに、反応器チャンバに対して追加の保守が必要となる。リング52上の更なる膜成長を除去する1つの方法は、更なる膜成長を取り除くようにフラッシュ加熱する温度までリング52を加熱するというものである。こうした目的に対して構成されたヒータを、上述したように、リング52内に組み込むことができる。更に別の方法は、リング52の振動をもたらすものとすることができる。これを、リング52を上昇及び下降させると同時に、バッフル44内のローラを、その上に位置するバンプ又は隆起の上で回転させることによって達成することができる。振動を、リング52又はその支持要素に超音波変換器を取り付けることによって達成することも可能である。リング又はシャッタ例えばシャッタ18から更なる膜成長を取り除く更に別の方法は、反応器チャンバの内部及び/又はリングの上面に面しているシャッタ壁に1つ又は複数のオリフィスを設け、それにより、非反応性ガスがオリフィス複数の場合もあるを通って流れ、それぞれの面から更なる膜成長を吹き飛ばすことができるようにする、というものである。図9参照数字300、305、310、315、320及び325を除き、参照数字は上述した通りであるに示すように、ガス入口300は、オリフィス325に接続しかつオリフィス325にガスを供給するガス管320を介してガスを送ることができる。この変形では、オリフィス325はまた、シャッタ18の壁を通って出ることも可能である。さらに、上述したように、1つ又は複数のオリフィス325を、反応チャンバの内部に面しているオリフィス複数の場合もある325等、シャッタ18の壁のさまざまな位置に沿って配置することができる。別個のガス入口305もまた、オリフィス315に接続しかつオリフィス315にガスを供給するガス管310を介してガスを送ることができる。しかしながら、この変形では、オリフィス325とは異なり、オリフィス315は、リング152の上面すなわち上流面154を通って出ることができる。上記と同様に、1つ又は複数のオリフィス315を、上面すなわち上流面154内に配置することができる。さらに、オリフィス複数の場合もある315は、リング152の外周の回りで連続的な又は半連続的なスリットの形状をとることができる。オリフィス315及び325を使用して、逐次起動又は同時起動でリング又は他の面上の更なる膜成長を取り除くことができる。使用に適しているガスとしては、例えばH2、N2、Ar及び他の不活性ガスが挙げられる。ガス複数種の場合もあるを、約室温から約1600°Cまでの範囲の温度で、反応器に導入することができる。上述したようなオリフィス315、325に対する代替的な変形は、ガス管322図9において点線で示すを反応器のベースプレートを通して延在させるというものである。ガス管322は、この実施形態では、可撓性ベローズ管とすることができ、オリフィス315、325と同様に、リング152及び/又はシャッタ18から更なる膜成長を取り除く役割を果たすことができる。洗浄以外の、リング152の1つ又は複数のオリフィス315に対する別の使用は、成長プロセス中にパージガスをリング152のオリフィス複数の場合もある315に通すためとすることができる。そうする際、ガスの流速を調整することにより、パージガスの局所領域における境界層の高さを調整することができる可能性があり、それを用いて、リング152を設置することによってもたらされるいかなる高さ変動も補償することができる。すなわち、より高い流れ拡張部リング152、すなわちウェハキャリアの上部平面154の上方に突出するものが必要である場合、より高いガス流速を用いて、パージガスを、リング152の1つ又は複数のオリフィス315に押し通すことができる。逆に、ウェハキャリアのz面により近い境界層が望まれる場合、ガス流速を低下させることができる。境界層を調整するようにオリフィス複数の場合もある315を通るガス流速を上昇させるか又は低下させることにより、リング152の効率を調整することができることによって、リング152をMOCVDシステムに設置する間の厳密な高さ調整をなくすことにより、器具間整合がより簡単になる。リングが複数の同心リングから形成されるリング152の変形の場合、リングは、異なる材料から形成されるか否かに応じて、動作中に異なる速度で膨張する可能性がある。この効果により、上述した更なる膜成長が、リング複数の場合もあるの上流面すなわち上面から外れるようにすることができる。上述した実施形態では、リングは、動作位置にある間も、ウェハの処理中に固定されたままである。他の実施形態では、処理中、リングを、中心軸を中心に回転させることができる。例えば、リングを、別個の回転駆動機構によって処理中に中心軸を中心に回転させることができるように、スピンドルに取り付けることができる。この実施形態の概略図を図10に示す。リングは、ウェハキャリア及びスピンドルと同じ方向に、又は反対方向に回転することができる。図10に示すように、アセンブリ200は、回転駆動機構136に接続されている外側スピンドル134及び内側スピンドル168を有している。内側スピンドル168は、その上流端に取付具138を有することができる。取付具を、ウェハキャリア440と解除可能に係合し、図1に示すものと同様のキャリア位置でウェハキャリア440を保持するように構成することができる。ウェハキャリア440は、多数のポケット172を備えることができ、それらの各々は、ウェハの上面がウェハキャリア440の上面464と実質的に同一平面上にあるようにウェハ174を保持するように構成されている。外側スピンドル134もまた、その上流端に取付具238を有することができる。取付具を、リング352が取り付けられる支持体360と係合する他の実施形態では、解除可能に係合するように構成することができる。回転駆動機構136は、内側スピンドル168及び外側スピンドル134の独立した回転を可能にし、ウェハキャリアがリングと同じ方向に、反対方向に、又はウェハキャリアが回転する際にリングが固定されたままであるように、回転することができるように設計されている。支持体360は多くの形状をとることができる。幾つかの例では、支持体360を、サセプタとすることができ、又は一続きの支持アームとすることができ、支持アームは、外側スピンドル134からウェハキャリア464の外縁をちょうど超えるまで半径方向に延在し、その超える箇所においてリング352が支持アームに取り付けられる。支持体360を、MOCVD反応器の反応チャンバの内部の高温に耐えることができる任意の適切な材料から作製することができ、同時に、支持体360は、ヒータ142からウェハキャリア440への適切な熱伝達を可能にすることができる。アセンブリ200のヒータ142を、上述したヒータ42と同様に取り付けかつ構成することができる。図11は、支持体360が仮想線で示されている、図10のアセンブリ200の上面図を示す。ウェハキャリア440の周縁466とリング352の内面358との間の間隙170は、上述した間隙70とサイズが類似している。さらに、回転駆動機構136は、リング352の回転を可能にすることを別にして、リング352の上面564に関してウェハキャリア440の上面464の別個の高さ調整を可能にすることができる。幾つかの成長プロセスステップに対して、ウェハキャリア440の上面464を、リング352の上面564と本質的に同一平面上にすることが有利である場合がある。他の成長プロセスステップでは、ウェハキャリア440の上面464を、リング352の上面564より高く又は低くすることが有利である場合もある。リング352はまた、上述したようにリング252の形状及び特性を採用することも可能である。更に別の実施形態では、リングを、チャンバ内に配置し、リングが有効に、動作中にウェハキャリアの暫定部品となるようにウェハキャリアの外縁と解除可能に係合するように構成することができる。反応器要素の構造用の材料及び処理ガスの組成を、従来のものとすることができる。例えば、ウェハキャリアを、グラファイト、炭化ケイ素及び炭化ケイ素でコーティングされたグラファイト等、耐火材から全体として又は部分的に形成することができ、一方で、リング等の要素を、同様の材料から、又はモリブデン等の耐火金属から形成することができる。リングに対して使用される金属を、金属の放射率を上昇させるように任意に黒化処理することができる。処理ガスを、例えば、化学気相成長反応で反応するように選択されたガス、又はウェハの表面をエッチングするか若しくは他の方法で処理するように選択されたガスとすることができる。本発明は特定の実施形態を参照しながら本明細書において説明されてきたが、これらの実施形態は本発明の原理及び応用形態を例示するにすぎないことは理解されたい。それゆえ、添付の特許請求の範囲によって規定されるような本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、例示的な実施形態に数多くの変更を加えることができること、及び他の構成を考案することができることは理解されたい。