"ノズル開口に連通する圧力発生室と、第1電極、前記第1電極上に設けられた圧電体層および前記圧電体層上に設けられた第2電極を備えた圧電素子と、を具備し、前記圧電体層は、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムを含む混晶として表される複合酸化物からなり、前記圧電体層は、第1の圧電体層と、前記第1電極及び前記第2電極の少なくとも一方と前記第1の圧電体層との間に設けられ前記第1の圧電体層よりも前記チタン酸バリウムの含有量が10モル以上多い第2の圧電体層と、を有することを特徴とする液体噴射ヘッド。前記第2の圧電体層は、前記第1電極と前記第1の圧電体層との間、及び、前記第2電極と前記第1の圧電体層との間に設けられていることを特徴とする請求項1に記載する液体噴射ヘッド。前記第2の圧電体層の厚さは、100nm以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載する液体噴射ヘッド。前記第1の圧電体層は下記式1で表される混晶からなる複合酸化物であり、前記第2の圧電体層は下記式2で表される混晶からなる複合酸化物であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載する液体噴射ヘッド。1-x[BiFe1-a,MnaO3]-x[BaTiO3]10<x<0.40、0.01<a<0.101-y[BiFe1-b,MnbO3]-y[BaTiO3]2x0.10≦y<1、0.01<b<0.10請求項1~4のいずれか一項に記載する液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。第1電極と、前記第1電極上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた第2電極とを備え、前記圧電体層は、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムを含む混晶として表される複合酸化物からなり、前記圧電体層は、第1の圧電体層と、前記第1電極及び前記第2電極の少なくとも一方と前記第1の圧電体層との間に設けられ前記第1の圧電体層よりもチタン酸バリウムの含有量が10モル以上多い第2の圧電体層と、を有することを特徴とする圧電素子。しかしながら、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムとの混晶からなる圧電材料を圧電体層とすると、リーク電流が発生するという問題がある。なお、このような問題はインクジェット式記録ヘッドに代表される液体噴射ヘッドに限定されず、他の圧電素子においても同様に存在する。本発明はこのような事情に鑑み、リーク電流の発生を抑制することができる圧電素子を具備する液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子を提供することを目的とする。上記課題を解決する本発明の態様は、ノズル開口に連通する圧力発生室と、第1電極、前記第1電極上に設けられた圧電体層および前記圧電体層上に設けられた第2電極を備えた圧電素子と、を具備し、前記圧電体層は、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムを含む混晶として表される複合酸化物からなり、前記圧電体層は、第1の圧電体層と、前記第1電極及び前記第2電極の少なくとも一方と前記第1の圧電体層との間に設けられ前記第1の圧電体層よりも前記チタン酸バリウムの含有量が10モル以上多い第2の圧電体層と、を有することを特徴とする液体噴射ヘッドにある。かかる態様では、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムを含む混晶として表される複合酸化物からなり、第1の圧電体層と、第1電極及び第2電極の少なくとも一方と第1の圧電体層との間に設けられた第2の圧電体層を有し、この第2の圧電体層を、第1の圧電体層よりもチタン酸バリウムの含有量が10モル以上多いものとすることにより、リーク電流の発生を抑制することができる。前記第2の圧電体層は、前記第1電極と前記第1の圧電体層との間、及び、前記第2電極と前記第1の圧電体層との間に設けられていることが好ましい。これによれば、リーク電流をより抑制することができる。また、前記第2の圧電体層の厚さは、100nm以上であることが好ましい。これによれば、リーク電流が抑制され、且つ、耐圧にも優れたものとなる。そして、前記第1の圧電体層は下記式1で表される混晶からなる複合酸化物であり、前記第2の圧電体層は下記式2で表される混晶からなる複合酸化物であってもよい。これによれば、下記式1で表される混晶からなる複合酸化物の第1の圧電体層と、下記式2で表される混晶からなる複合酸化物の第2の圧電体層とを有し、リーク電流の発生が抑制された圧電素子を有する液体噴射ヘッドとなる。1-x[BiFe1-a,MnaO3]-x[BaTiO3]10<x<0.40、0.01<a<0.101-y[BiFe1-b,MnbO3]-y[BaTiO3]2x0.10≦y<1、0.01<b<0.10本発明の他の態様は、上記液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置にある。かかる態様では、リーク電流の発生が抑制された圧電素子を有するため、信頼性に優れた液体噴射装置となる。また、本発明の他の態様は、第1電極と、前記第1電極上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた第2電極とを備え、前記圧電体層は、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムを含む混晶として表される複合酸化物からなり、前記圧電体層は、第1の圧電体層と、前記第1電極及び前記第2電極の少なくとも一方と前記第1の圧電体層との間に設けられ前記第1の圧電体層よりもチタン酸バリウムの含有量が10モル以上多い第2の圧電体層と、を有することを特徴とする圧電素子にある。かかる態様では、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムを含む混晶として表される複合酸化物からなり、第1の圧電体層と、第1電極及び前記第2電極の少なくとも一方と第1の圧電体層との間に設けられた第2の圧電体層を有し、この第2の圧電体層を、第1の圧電体層よりもチタン酸バリウムが10モル以上多いものとすることにより、リーク電流の発生を抑制することができる。実施形態1図1は、本発明の実施形態1に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図2は、図1の平面図であり、図3aは図2のA-A′線断面図、図3bは図3aの要部拡大図である。図1~図3に示すように、本実施形態の流路形成基板10は、シリコン単結晶基板からなり、その一方の面には二酸化シリコンからなる弾性膜50が形成されている。流路形成基板10には、複数の圧力発生室12がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板10の圧力発生室12の長手方向外側の領域には連通部13が形成され、連通部13と各圧力発生室12とが、各圧力発生室12毎に設けられたインク供給路14及び連通路15を介して連通されている。連通部13は、後述する保護基板のマニホールド部31と連通して各圧力発生室12の共通のインク室となるマニホールド100の一部を構成する。インク供給路14は、圧力発生室12よりも狭い幅で形成されており、連通部13から圧力発生室12に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。なお、本実施形態では、流路の幅を片側から絞ることでインク供給路14を形成したが、流路の幅を両側から絞ることでインク供給路を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向から絞ることでインク供給路を形成してもよい。本実施形態では、流路形成基板10には、圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及び連通路15からなる液体流路が設けられていることになる。また、流路形成基板10の開口面側には、各圧力発生室12のインク供給路14とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口21が穿設されたノズルプレート20が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート20は、例えば、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板、ステンレス鋼等からなる。一方、このような流路形成基板10の開口面とは反対側には、上述したように弾性膜50が形成され、この弾性膜50上には、例えば厚さ30~50nm程度の酸化チタン等からなり、弾性膜50等の第1電極60の下地との密着性を向上させるための密着層56が設けられている。なお、弾性膜50上に、必要に応じて酸化ジルコニウム等からなる絶縁体膜が設けられていてもよい。さらに、この密着層56上には、第1電極60と、厚さが3μm以下、好ましくは0.3~1.5μmの薄膜である圧電体層70と、第2電極80とが、積層形成されて、圧電素子300を構成している。ここで、圧電素子300は、第1電極60、圧電体層70及び第2電極80を含む部分をいう。一般的には、圧電素子300の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層70を各圧力発生室12毎にパターニングして構成する。本実施形態では、第1電極60を圧電素子300の共通電極とし、第2電極80を圧電素子300の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。また、ここでは、圧電素子300と当該圧電素子300の駆動により変位が生じる振動板とを合わせてアクチュエーター装置と称する。なお、上述した例では、弾性膜50、密着層56、第1電極60及び必要に応じて設ける絶縁体膜が振動板として作用するが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、弾性膜50や密着層56を設けなくてもよい。また、圧電素子300自体が実質的に振動板を兼ねるようにしてもよい。本実施形態においては、圧電体層70は、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムを含む混晶として表されるペロブスカイト型構造を有する複合酸化物である。なお、ペロブスカイト型構造、すなわち、ABO3型構造のAサイトは酸素が12配位しており、また、Bサイトは酸素が6配位して8面体オクタヘドロンをつくっている。そして、このAサイトにBi及びBaが、BサイトにFe、Mn及びTiが位置している。詳述すると、特許文献2等に記載されるように、圧電材料として、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムの混晶として表される複合酸化物、すなわち、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムが均一に固溶した固溶体として表される複合酸化物が知られており、このような複合酸化物を主成分として本発明の圧電体層70が構成されている。なお、かかる複合酸化物は、X線回折パターンにおいて、鉄酸マンガン酸ビスマスや、チタン酸バリウムは、単独では検出されないものである。また、本発明においては、圧電体層70は、図3bに示すように、第1の圧電体層74と、第2の圧電体層72a、72bとを有する。そして、本実施形態においては、図3bに示すように、第1の圧電体層74と第1電極60との間に第2の圧電体層72aを設け、第1の圧電体層74と第2電極80との間に第2の圧電体層72bを設けた。また、上述したように、圧電体層70を構成する第1の圧電体層74及び第2の圧電体層72a、72bは、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムを含む混晶として表されるペロブスカイト型構造を有する複合酸化物であるが、第2の圧電体層72a、72bは、第1の圧電体層74よりもチタン酸バリウムが10モル以上多いものである。なお、本実施形態においては、第1電極60と第1の圧電体層74との間に設けた第2の圧電体層72aと、第2電極80と第1の圧電体層74との間に設けた第2の圧電体層72bとを、同じ組成としたが、異なる組成としてもよい。例えば、チタン酸バリウム量を各第2の圧電体層で異なるものとしてもよく、また、一方の第2の圧電体層を構成する複合酸化物を、もう一方の第2の圧電体層を構成する複合酸化物よりもAサイトのBiが過剰になるようにしてもよい。このように、圧電体層70を、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムを含む混晶として表される複合酸化物からなるものとし、且つ、第1の圧電体層74と、第1電極60及び第2電極80の少なくとも一方と第1の圧電体層74との間に設けられ第1の圧電体層74よりもチタン酸バリウムが10モル以上多い第2の圧電体層72a、72bとを有するものとすることにより、後述する実施例に示すように、第2の圧電体層72a、72bを有さない圧電体層70と比較して、リーク電流を抑制することができる。したがって、信頼性に優れたインクジェット式記録ヘッドとなる。ここで、第2の圧電体層72a、72bは、第1の圧電体層74よりもチタン酸バリウムが10モル以上多いものであればよく、その上限値は特に限定されないが、第1の圧電体層74を構成する複合酸化物の組成と、第2の圧電体層72a、72bを構成する複合酸化物の組成が、大きく異なると、圧電体層70全体として歪量が少なくなるため、所望の歪量に合わせて、第2の圧電体層72a、72bの組成を設定すればよい。このような圧電体層70において、例えば、第1の圧電体層74は下記式1で表される混晶からなる複合酸化物であり、第2の圧電体層72a、72bは下記式2で表される混晶からなる複合酸化物である。下記式1におけるaと下記式2におけるbは同じか近い値であることが好ましい。1-x[BiFe1-a,MnaO3]-x[BaTiO3]10<x<0.40、0.01<a<0.101-y[BiFe1-b,MnbO3]-y[BaTiO3]2x0.10≦y<1、0.01<b<0.10また、第2の圧電体層72a、72bの厚さは特に限定されないが、例えば、100nm以上とすることが好ましい。第2の圧電体層72a、72bの膜厚を100nm以上とすることにより、リーク電流を抑制できると共に、耐圧にも優れたものとなる。第2の圧電体層72a、72bの膜厚の上限値も特に限定されないが、第1の圧電体層74の膜厚に対する、第2の圧電体層72a、72bの膜厚が大きくなりすぎると、圧電体層70全体として歪量が少なくなるため、所望の歪量に合わせて、第2の圧電体層72a、72bの膜厚を設定すればよい。また、本実施形態では、第1の圧電体層74と第1電極60との間に第2の圧電体層72aを設け、第1の圧電体層74と第2電極80との間に第2の圧電体層72bを設けたが、第2の圧電体層は、第1電極60と第1の圧電体層74との間、または、第2電極80と第1の圧電体層74との間の少なくとも一方に設ければよい。但し、第1電極60と第1の圧電体層74との間、及び、第2電極80と第1の圧電体層74との間の両方に設けると、一方の電極と第1の圧電体層74との界面のみに第2の圧電体層72aまたは72bを設けた場合よりもさらにリーク電流を抑制できるため、好ましい。このような圧電素子300の個別電極である各第2電極80には、インク供給路14側の端部近傍から引き出され、弾性膜50上や必要に応じて設ける絶縁体膜上にまで延設される、例えば、金Au等からなるリード電極90が接続されている。このような圧電素子300が形成された流路形成基板10上、すなわち、第1電極60、弾性膜50や必要に応じて設ける絶縁体膜及びリード電極90上には、マニホールド100の少なくとも一部を構成するマニホールド部31を有する保護基板30が接着剤35を介して接合されている。このマニホールド部31は、本実施形態では、保護基板30を厚さ方向に貫通して圧力発生室12の幅方向に亘って形成されており、上述のように流路形成基板10の連通部13と連通されて各圧力発生室12の共通のインク室となるマニホールド100を構成している。また、流路形成基板10の連通部13を圧力発生室12毎に複数に分割して、マニホールド部31のみをマニホールドとしてもよい。さらに、例えば、流路形成基板10に圧力発生室12のみを設け、流路形成基板10と保護基板30との間に介在する部材例えば、弾性膜50、必要に応じて設ける絶縁体膜等にマニホールド100と各圧力発生室12とを連通するインク供給路14を設けるようにしてもよい。また、保護基板30の圧電素子300に対向する領域には、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部32が設けられている。圧電素子保持部32は、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。このような保護基板30としては、流路形成基板10の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板10と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。また、保護基板30には、保護基板30を厚さ方向に貫通する貫通孔33が設けられている。そして、各圧電素子300から引き出されたリード電極90の端部近傍は、貫通孔33内に露出するように設けられている。また、保護基板30上には、並設された圧電素子300を駆動するための駆動回路120が固定されている。この駆動回路120としては、例えば、回路基板や半導体集積回路IC等を用いることができる。そして、駆動回路120とリード電極90とは、ボンディングワイヤー等の導電性ワイヤーからなる接続配線121を介して電気的に接続されている。また、このような保護基板30上には、封止膜41及び固定板42とからなるコンプライアンス基板40が接合されている。ここで、封止膜41は、剛性が低く可撓性を有する材料からなり、この封止膜41によってマニホールド部31の一方面が封止されている。また、固定板42は、比較的硬質の材料で形成されている。この固定板42のマニホールド100に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部43となっているため、マニホールド100の一方面は可撓性を有する封止膜41のみで封止されている。このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドIでは、図示しない外部のインク供給手段と接続したインク導入口からインクを取り込み、マニホールド100からノズル開口21に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路120からの記録信号に従い、圧力発生室12に対応するそれぞれの第1電極60と第2電極80との間に電圧を印加し、弾性膜50、密着層56、第1電極60及び圧電体層70をたわみ変形させることにより、各圧力発生室12内の圧力が高まりノズル開口21からインク滴が吐出する。次に、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドの製造方法の一例について、図4~図8を参照して説明する。なお、図4~図8は、圧力発生室の長手方向の断面図である。まず、図4aに示すように、シリコンウェハーである流路形成基板用ウェハー110の表面に弾性膜50を構成する二酸化シリコンSiO2等からなる二酸化シリコン膜を熱酸化等で形成する。次いで、図4bに示すように、弾性膜50二酸化シリコン膜上に、酸化チタン等からなる密着層56を、スパッタリング法や熱酸化等で形成する。次に、図5aに示すように、密着層56の上に、白金、イリジウム、酸化イリジウム又はこれらの積層構造等からなる第1電極60をスパッタリング法や蒸着法等により全面に形成する。次いで、この白金膜上に、圧電体層70を積層する。圧電体層70の製造方法は特に限定されないが、例えば、金属錯体を含む溶液を塗布乾燥し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層圧電体膜を得るMODMetal-OrganicDecomposition法やゾル-ゲル法等の化学溶液法を用いて圧電体層70を製造できる。その他、レーザーアブレーション法、スパッタリング法、パルスレーザーデポジション法PLD法、CVD法、エアロゾルデポジション法など、液相法でも固相法でも圧電体層70を製造することもできる。圧電体層70を化学溶液法で形成する場合の具体的な形成手順例としては、まず、金属錯体、具体的には、Bi、Fe、Mn、Ba及びTiを含有する金属錯体を含むMOD溶液やゾルからなる圧電体膜形成用組成物前駆体溶液であって、第1の圧電体層74を形成するための前駆体溶液と、第2の圧電体層72a、72bを形成するための前駆体溶液とを作成する。この第1の圧電体層74を形成するための前駆体溶液、及び、第2の圧電体層72a、72bを形成するための前駆体溶液は、焼成によりBi、Fe、Mn、Ba及びTiを含む複合酸化物を形成しうる金属錯体を混合し、該混合物を有機溶媒に溶解または分散させたものである。Bi、Fe、Mn、Ba、Tiをそれぞれ含む金属錯体の混合割合は、所望の鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムを含む混晶として表されるペロブスカイト型構造を有する複合酸化物となる割合である。勿論、上述したように、第2の圧電体層72a、72bを構成する鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムを含む混晶として表されるペロブスカイト型構造を有する複合酸化物は、第1の圧電体層74を構成する鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムの混晶として表されるペロブスカイト型構造を有する複合酸化物よりも、チタン酸バリウムが10モル以上多くなるようにする必要がある。Bi、Fe、Mn、Ba、Tiをそれぞれ含む金属錯体としては、例えばアルコキシド、有機酸塩、βジケトン錯体などを用いることができる。Biを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸ビスマス、酢酸ビスマスなどが挙げられる。Feを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸鉄、酢酸鉄などが挙げられる。Mnを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸マンガン、酢酸マンガンなどが挙げられる。Baを含む金属錯体としては、例えばバリウムイソプロポキシド、2-エチルヘキサン酸バリウム、バリウムアセチルアセトナートなどが挙げられる。Tiを含有する金属錯体としては、例えばチタニウムイソプロポキシド、2-エチルヘキサン酸チタン、チタンジ-i-プロポキシドビスアセチルアセトナートなどが挙げられる。勿論、Bi、Fe、Mn、Ba、Tiを二種以上含む金属錯体を用いてもよい。そして、この第2の圧電体層72aを形成するための前駆体溶液を、図5bに示すように、第1電極60上に、スピンコート法などを用いて塗布して、第2の圧電体層前駆体膜71を形成する塗布工程。次いで、この第2の圧電体層前駆体膜71を所定温度例えば、150~200°Cに加熱して一定時間乾燥させる乾燥工程。次に、乾燥した第2の圧電体層前駆体膜71を所定温度例えば、350~450°Cに加熱して一定時間保持することによって脱脂する脱脂工程。ここで言う脱脂とは、第2の圧電体層前駆体膜71に含まれる有機成分を、例えば、NO2、CO2、H2O等として離脱させることである。乾燥工程や脱脂工程の雰囲気は限定されず、大気中、酸素雰囲気中や、不活性ガス中でもよい。なお、塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程を複数回行ってもよい。次に、図5cに示すように、第2の圧電体層前駆体膜71を所定温度、例えば600~850°C程度に加熱して、一定時間、例えば、1~10分間保持することによって結晶化させ、第1電極60上に、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムを含む混晶として表されるペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなる第2の圧電体層72aを形成する焼成工程。この焼成工程においても、雰囲気は限定されず、大気中、酸素雰囲気中や、不活性ガス中でもよい。なお、図5においては、第2の圧電体層72aを1層のみからなるものとしたが、上述した塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程や、塗布工程、乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程を所望の膜厚等に応じて複数回繰り返して複数層からなる第2の圧電体層72aを形成するようにしてもよい。乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程で用いられる加熱装置としては、例えば、赤外線ランプの照射により加熱するRTARapidThermalAnnealing装置やホットプレート等が挙げられる。次に、図6aに示すように、第2の圧電体層72a上に所定形状のレジスト図示無しをマスクとして第1電極60及び第2の圧電体層72aをそれらの側面が傾斜するように同時にパターニングする。次いで、レジストを剥離した後、第1の圧電体層74を形成するための前駆体溶液を、第2の圧電体層72a上に、スピンコート法などを用いて塗布して、第1の圧電体層前駆体膜を形成する塗布工程。次いで、この第1の圧電体層前駆体膜を所定温度例えば、150~200°Cに加熱して一定時間乾燥させる乾燥工程。次に、乾燥した第1の圧電体層前駆体膜を所定温度例えば、350~450°Cに加熱して一定時間保持することによって脱脂する脱脂工程。乾燥工程や脱脂工程の雰囲気は限定されず、大気中、酸素雰囲気中や、不活性ガス中でもよい。なお、塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程を複数回行ってもよい。次に、第1の圧電体層前駆体膜を所定温度、例えば600~850°C程度に加熱して、一定時間、例えば、1~10分間保持することによって結晶化させ、第2の圧電体層72a上に、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムを含む混晶として表されるペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなる第1の圧電体膜73を形成する焼成工程。この焼成工程においても、雰囲気は限定されず、大気中、酸素雰囲気中や、不活性ガス中でもよい。本実施形態においては、上述した塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程や、塗布工程、乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程を所望の膜厚等に応じて複数回繰り返して複数の第1の圧電体膜73からなる第1の圧電体層74を形成することで、図6bに示すように、第2の圧電体層72a上に、複数層の第1の圧電体膜73からなる所定厚さの第1の圧電体層74を形成する。なお、本実施形態では、第1の圧電体層74を、第1の圧電体膜73を積層することにより形成したが、1層のみで形成してもよい。次に、この第1の圧電体層74上に、第2の圧電体層72bを形成するための前駆体溶液を用いて、第1電極60上に第2の圧電体層72aを設ける方法と同様の方法で、第2の圧電体層72bを形成する。なお、本実施形態においては、第1電極60と第1の圧電体層74との間に設けた第2の圧電体層72aと、第2電極80と第1の圧電体層74との間に設けた第2の圧電体層72bとを同じ前駆体溶液を用いることにより、第1電極60と第1の圧電体層74との間に設けた第2の圧電体層72aと、第2電極80と第1の圧電体層74との間に設けた第2の圧電体層72bとを同一の組成になるようにしたが、勿論、異なる組成の前駆体溶液を用いてもよい。このようにして形成した第1の圧電体層74と、この第1の圧電体層74と第1電極60との間に形成された第2の圧電体層72aと、第1の圧電体層74と第2電極80との間に形成された第2の圧電体層72bとで、圧電体層70となる。このように、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムを含む混晶として表される複合酸化物からなり、第1の圧電体層74と、第1電極60及び第2電極80の少なくとも一方と第1の圧電体層74との間に設けられ第1の圧電体層74よりもチタン酸バリウムが10モル以上多い第2の圧電体層72a、72bとを有する圧電体層70とすることにより、リーク電流を抑制することができる。このように圧電体層70を形成した後は、図7aに示すように、圧電体層70上に白金等からなる第2電極80をスパッタリング法等で形成し、各圧力発生室12に対向する領域に圧電体層70及び第2電極80を同時にパターニングして、第1電極60と圧電体層70と第2電極80からなる圧電素子300を形成する。なお、圧電体層70と第2電極80とのパターニングでは、所定形状に形成したレジスト図示なしを介してドライエッチングすることにより一括して行うことができる。その後、必要に応じて、例えば、600~850°Cの温度域でアニールを行ってもよい。これにより、圧電体層70と第1電極60や第2電極80との良好な界面を形成することができ、かつ、圧電体層70の結晶性を改善することができる。次に、図7bに示すように、流路形成基板用ウェハー110の全面に亘って、例えば、金Au等からなるリード電極90を形成後、例えば、レジスト等からなるマスクパターン図示なしを介して各圧電素子300毎にパターニングする。次に、図7cに示すように、流路形成基板用ウェハー110の圧電素子300側に、シリコンウェハーであり複数の保護基板30となる保護基板用ウェハー130を接着剤35を介して接合した後に、流路形成基板用ウェハー110を所定の厚さに薄くする。次に、図8aに示すように、流路形成基板用ウェハー110上に、マスク膜52を新たに形成し、所定形状にパターニングする。そして、図8bに示すように、流路形成基板用ウェハー110をマスク膜52を介してKOH等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチングウェットエッチングすることにより、圧電素子300に対応する圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及び連通路15等を形成する。その後は、流路形成基板用ウェハー110及び保護基板用ウェハー130の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハー110の保護基板用ウェハー130とは反対側の面のマスク膜52を除去した後にノズル開口21が穿設されたノズルプレート20を接合すると共に、保護基板用ウェハー130にコンプライアンス基板40を接合し、流路形成基板用ウェハー110等を図1に示すような一つのチップサイズの流路形成基板10等に分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドIとする。以下、実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。実施例1まず、単結晶シリコンSi基板の表面に熱酸化により酸化シリコンSiO2膜を形成した。次に、SiO2膜上にスパッタ法によりジルコニウム膜を作製し、熱酸化することで酸化ジルコニウム膜を形成した。次に、酸化ジルコニウム膜上に厚さ40nmの酸化チタンを積層し、その上にスパッタ法により、111面に配向し厚さ100nmの白金膜第1電極60を形成した。次いで、第1電極60上に圧電体層70をスピンコート法により形成した。その手法は以下のとおりである。まず、2-エチルヘキサン酸ビスマス、2-エチルヘキサン酸鉄、2-エチルヘキサン酸マンガン、2-エチルヘキサン酸バリウム、及び、2-エチルヘキサン酸チタンのn-オクタン溶液を所定の割合で混合して、第1の圧電体層74を形成するための前駆体溶液、及び、第2の圧電体層72a、72bを形成するための前駆体溶液を調製した。なお、第2の圧電体層72a、72bを形成するための前駆体溶液は、第1の圧電体層74を形成するための前駆体溶液よりも、得られる鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムの混晶として表されるペロブスカイト型構造を有する複合酸化物のチタン酸バリウムが10モル多くなるものとした。そして、この第2の圧電体層72aを形成するための前駆体溶液を、酸化チタン膜及び白金膜が形成された上記基板上に滴下し、2500rpmで基板を回転させて第2の圧電体層前駆体膜を形成した塗布工程。次に、180°Cで3分間乾燥した乾燥工程。次いで、450°Cで3分間脱脂を行った脱脂工程。この塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程からなる工程を2回繰り返し行った後に、酸素雰囲気中で、RTARapidThermalAnnealing装置で800°C、5分間焼成を行うことにより、白金膜上に厚さ120nmの第2の圧電体層72aを形成した焼成工程。次いで、この第2の圧電体層72a上に、第1の圧電体層74を形成するための前駆体溶液を滴下し、2500rpmで基板を回転させて第1の圧電体層前駆体膜を形成した塗布工程。次に、180°Cで3分間乾燥した乾燥工程。次いで、450°Cで3分間脱脂を行った脱脂工程。この塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程からなる工程を2回繰り返し行った後に、酸素雰囲気中で、RTA装置で800°C、5分間焼成を行った焼成工程。次いで、この塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程を2回繰り返した後に一括して焼成する焼成工程を行う工程を4回繰り返し、計8回の塗布により厚さ480nmの第1の圧電体層74を形成した。次に、この第1の圧電体層74上に、上記の白金膜第1電極60上に第2の圧電体層72aを形成する際に用いたものと同じ組成である第2の圧電体層72bを形成するための前駆体溶液を滴下し、2500rpmで基板を回転させて第2の圧電体層前駆体膜を形成した塗布工程。次に、180°Cで3分間乾燥した乾燥工程。次いで、450°Cで3分間脱脂を行った脱脂工程。この塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程からなる工程を2回繰り返し行った後に、酸素雰囲気中で、RTA装置で800°C、5分間焼成を行うことにより、第1の圧電体層74上に、厚さ120nmの第2の圧電体層72bを形成した。その後、第1の圧電体層74上に形成された第2の圧電体層72b上に、第2電極80としてスパッタ法により厚さ100nmの白金膜第2電極を形成した後、酸素雰囲気中で、RTA装置を用いて800°C、5分間焼成を行うことで、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムの混晶として表されるペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなり、第1の圧電体層74と、第1電極60及び第1の圧電体層74の間に設けられ第1の圧電体層74よりもチタン酸バリウムが10モル多い第2の圧電体層72aと、第2電極80及び第1の圧電体層74の間に設けられ第1の圧電体層74よりもチタン酸バリウムが10モル多い第2の圧電体層72bとを有する圧電体層70、具体的には、第1電極60側から順に、0.65[BiFe0.95,Mn0.05O3]-0.35[BaTiO3]で表される混晶からなる複合酸化物で構成された第2の圧電体層72a、0.75[BiFe0.95,Mn0.05O3]-0.25[BaTiO3]で表される混晶からなる複合酸化物で構成された第1の圧電体層74、及び、0.65[BiFe0.95,Mn0.05O3]-0.35[BaTiO3]で表される混晶からなる複合酸化物で構成された第2の圧電体層72bを有する圧電体層70とする圧電素子300を形成した。実施例2白金膜第1電極60上に第2の圧電体層72aを形成する際の塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程からなる工程を1回とすることにより白金膜第1電極60上に形成する第2の圧電体層72aの厚さを60nmとし、第1の圧電体層74上に第2の圧電体層72bを形成する際の塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程からなる工程を1回として第1の圧電体層74上に形成する第2の圧電体層72bの厚さを60nmとし、また、第1の圧電体層74を形成する際に塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程を2回繰り返した後に一括して焼成する焼成工程を行う工程を5回繰り返し計10回の塗布とし、第1電極60側から順に、0.65[BiFe0.95,Mn0.05O3]-0.35[BaTiO3]で表される混晶からなる複合酸化物で構成され厚さ60nmの第2の圧電体層72a、0.75[BiFe0.95,Mn0.05O3]-0.25[BaTiO3]で表される混晶からなる複合酸化物で構成され厚さ600nmの第1の圧電体層74、及び、0.65[BiFe0.95,Mn0.05O3]-0.35[BaTiO3]で表される混晶からなる複合酸化物で構成され厚さ60nmの第2の圧電体層72bを有する圧電体層70とした以外は、実施例1と同様の操作を行った。実施例3第1の圧電体層74上に第2の圧電体層72bを形成せず、また、第1の圧電体層74を形成する際に塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程を2回繰り返した後に一括して焼成する焼成工程を行う工程を5回繰り返し計10回の塗布とし、第1電極60側から順に、0.65[BiFe0.95,Mn0.05O3]-0.35[BaTiO3]で表される混晶からなる複合酸化物で構成され厚さ120nmの第2の圧電体層72a、及び、0.75[BiFe0.95,Mn0.05O3]-0.25[BaTiO3]で表される混晶からなる複合酸化物で構成され厚さ600nmの第1の圧電体層74を有する圧電体層70とした以外は、実施例1と同様の操作を行った。比較例1第1電極60上及び第1の圧電体層74上に、第2の圧電体層72a及び第2の圧電体層72bを形成せず、第1の圧電体層74を形成する際に塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程を2回繰り返した後に一括して焼成する焼成工程を行う工程を6回繰り返し計12回の塗布とし、0.75[BiFe0.95,Mn0.05O3]-0.25[BaTiO3]で表される混晶からなる複合酸化物で構成され厚さ720nmの第1の圧電体層74を有する圧電体層70とした以外は、実施例1と同様の操作を行った。試験例1実施例1~3及び比較例1の各圧電素子について、BrukerAXS社製のD8Discoverを用い、X線源にCuKα線を使用し、室温25°Cで、圧電体層70のX線回折パターンを求めた。結果を図9に示す。この結果、実施例1~3及び比較例1全てにおいて、鉄酸マンガン酸ビスマスや、チタン酸バリウムは、単独では検出されなかった。また、実施例1~3及び比較例1全てにおいて、ペロブスカイト型構造に起因するピークと基板由来のピークが観測され、第2の圧電体層72a及び72bの厚さや位置を変えてもパイロクロア相等の異相由来のピークが観察されず、ペロブスカイト単相であった。試験例2実施例1~3及び比較例1の各圧電素子について、J-ECurveを、ヒューレットパッカード社製4140Bを用い、室温で測定した。20V、30V及び40Vの電圧を印加した時のリーク電流値を、表1に示す。また、圧電素子が破壊した電圧である耐圧値も、表1に示す。この結果、表1に示すように、第2の圧電体層72a及び第2の圧電体層72bの少なくとも一方を設けた実施例1~3では、第2の圧電体層72a及び72bを設けなかった比較例1と比べて、リーク電流値が小さく、第1電極60側及び第2電極80側の両方に第2の圧電体層を設けた実施例1及び2は特にリーク電流値が小さかった。また、第2の圧電体層72a、72bの厚さを100nm以上とした実施例1及び3は、耐圧が比較例1と同程度であり、高い電圧まで破壊せず使用できることが確認された。他の実施形態以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明の基本的構成は上述したものに限定されるものではない。例えば、上述した実施形態では、流路形成基板10として、シリコン単結晶基板を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、SOI基板、ガラス等の材料を用いるようにしてもよい。さらに、上述した実施形態では、基板流路形成基板10上に第1電極60、圧電体層70及び第2電極80を順次積層した圧電素子300を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、圧電材料と電極形成材料とを交互に積層させて軸方向に伸縮させる縦振動型の圧電素子にも本発明を適用することができる。また、これら実施形態のインクジェット式記録ヘッドは、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録装置に搭載される。図10は、そのインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。図10に示すインクジェット式記録装置IIにおいて、インクジェット式記録ヘッドIを有する記録ヘッドユニット1A及び1Bは、インク供給手段を構成するカートリッジ2A及び2Bが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3は、装置本体4に取り付けられたキャリッジ軸5に軸方向移動自在に設けられている。この記録ヘッドユニット1A及び1Bは、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとしている。そして、駆動モーター6の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト7を介してキャリッジ3に伝達されることで、記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3はキャリッジ軸5に沿って移動される。一方、装置本体4にはキャリッジ軸5に沿ってプラテン8が設けられており、図示しない給紙ローラーなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートSがプラテン8に巻き掛けられて搬送されるようになっている。なお、上述した実施形態では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELディスプレイ、FED電界放出ディスプレイ等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオchip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。また、本発明は、インクジェット式記録ヘッドに代表される液体噴射ヘッドに搭載される圧電素子に限られず、超音波発信機等の超音波デバイス、超音波モーター、圧力センサー、IRセンサー等の焦電素子等他の装置に搭載される圧電素子にも適用することができる。また、本発明は強誘電体メモリー等の強誘電体素子にも同様に適用することができる。"