セラミック又は樹脂からなる冷却部の実装面に金属製の回路基板を介して半導体素子を実装した半導体装置であって、前記回路基板の素子実装面を含む少なくとも一部を前記冷却部に対して樹脂モールドしたことを特徴とする半導体装置。前記冷却部は、セラミックからなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記半導体素子及び前記冷却部の線膨張係数は前記回路基板よりも小さく、前記半導体素子と前記冷却部との間に前記回路基板を介在させていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記半導体素子、前記回路基板、及び前記冷却部の全体が樹脂モールドされていることを特徴とする請求項1~請求項3のうち何れか一項に記載の半導体装置。ところで、引用文献1の半導体装置のように金属製アルミニウムの放熱装置を採用した場合は、回路基板と放熱装置の線膨張係数の相違に起因して熱応力が発生し、半導体素子と回路基板の接合部や回路基板と放熱装置の接合部などに剥離などが生じる可能性がある。したがって、引用文献1の半導体装置では、各接合部の信頼性を確保するために、回路基板と放熱装置の間に熱応力を緩和させる応力緩和部材を介在させている。本発明は、このような従来の技術に存在する問題点に着目してなされたものであり、その目的は、半導体素子と回路基板の接合部や、回路基板と冷却部の接合部の信頼性を向上させることができる半導体装置を提供することにある。上記問題点を解決するために、請求項1に記載の発明は、セラミック又は樹脂からなる冷却部の実装面に金属製の回路基板を介して半導体素子を実装した半導体装置であって、前記回路基板の素子実装面を含む少なくとも一部を前記冷却部に対して樹脂モールドしたことを要旨とする。これによれば、セラミック又は樹脂による冷却部を採用するとともに、回路基板の素子実装面を含む少なくとも一部を冷却部に対して樹脂モールドすることにより、半導体素子と回路基板の接合部や回路基板と冷却部の接合部の信頼性を向上させることができる。つまり、樹脂モールドにより熱的な変形を抑制し得るので、各接合部の信頼性を向上させることができる。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の半導体装置において、前記冷却部は、セラミックからなることを要旨とする。これによれば、冷却部をセラミックで形成することで、冷却部自体に冷却機能と絶縁機能を持たせることが可能となる。このため、半導体素子が実装される回路基板を冷却部に対して直接接合することができる。したがって、半導体装置の構成を簡素化することができる。請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の半導体装置において、前記半導体素子及び前記冷却部の線膨張係数は前記回路基板よりも小さく、前記半導体素子と前記冷却部との間に前記回路基板を介在させていることを要旨とする。これによれば、回路基板を、当該回路基板よりも線膨張係数が小さい半導体素子とセラミックからなる冷却部との間に介在させることで、熱応力の発生を抑制することができる。したがって、各接合部の信頼性をさらに向上させることができる。請求項4に記載の発明は、請求項1~請求項3のうち何れか一項に記載の半導体装置において、前記半導体素子、前記回路基板、及び前記冷却部の全体が樹脂モールドされていることを要旨とする。これによれば、半導体素子、回路基板、及び冷却部の全体を樹脂モールドすることにより、半導体装置の取り扱いを容易にすることができる。特に、冷却部をセラミックとする場合には、冷却部全体を樹脂モールドすることで冷却部の保護性能が向上し、効果的である。本発明によれば、半導体素子と回路基板の接合部や、回路基板と冷却部の接合部の信頼性を向上させることができる。以下、本発明を具体化した一実施形態を図1にしたがって説明する。図1に示すように、本実施形態の半導体装置10は、セラミックからなる基体11Aの内部に冷媒を流す複数本の冷媒流路Tを備えた冷却部としての放熱装置11を備えている。放熱装置11の実装面冷却対象物の搭載面12には、電子部品としての半導体素子13を素子実装面14aに実装した回路基板としての金属回路板14が接合されている。すなわち、金属回路板14は、放熱装置11と半導体素子13の間に介在されている。金属回路板14は、配線層電極及び接合層として機能するとともに、純アルミニウム例えば、工業用アルミニウムである1000系アルミニウムや銅により形成されている。半導体素子13としては、例えばIGBTInsulatedGateBipolarTransistorやダイオードが用いられる。金属回路板14と半導体素子13の接合には半田付けが用いられる。一方、金属回路板14と放熱装置11の接合にはろう付けが用いられる。また、放熱装置11には、放熱装置11内に冷媒を供給する図示しない供給管や、放熱装置11内を流通した冷媒を外部に排出する図示しない排出管も接続されている。半導体装置10において半導体素子13の端子には、外部接続端子となる金属製の導電板15が接合されている。また、半導体装置10において放熱装置11の実装面12には、外部接続端子となる金属製の接続ピン16が接合されている。半導体素子13と接続ピン16は、配線材であるワイヤWを介して電気的に接続されている。導電板15と接続ピン16は、銅により形成されている。また、半導体素子13と導電板15の接合、及び放熱装置11と接続ピン16の接合には、半田付けやろう付けが用いられる。放熱装置11を構成するセラミック材料としては、酸化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素、窒化アルミニウム、及びアルミナジルコニウムなどが用いられる。放熱装置11の冷却方式として水冷式を採用する場合、セラミック材料としては、耐水性の高い材料が好ましい。また、セラミック材料としては、半導体素子13の発熱による応力緩和の観点から考えると、半導体素子13の線膨張係数に近い材料が好ましい。これにより、金属回路板14は、線膨張係数が近い放熱装置11と半導体素子13の間に介在されることになる。なお、放熱装置11と半導体素子13の線膨張係数は、金属回路板14の線膨張係数よりも小さい。そして、本実施形態の半導体装置10では、放熱装置11の全体、及び放熱装置11の実装面12に実装された各種部品を覆うように、樹脂17によってモールドされている。放熱装置11の全体とは、実装面12に加え、実装面12の反対面底側及び側面を含む、全面である。また、実装面12に実装される各種部品のうち、半導体素子13及び金属回路板14については全てが樹脂17で覆われている。すなわち、金属回路板14において半導体素子13を実装する素子実装面14aについても樹脂17で覆われている。一方、実装面12に実装される各種部品のうち、外部接続される部品については、一部を樹脂17にて覆い、残りの一部は樹脂17の外に露出されている。なお、外部接続される部品には、導電板15、接続ピン16、前述した供給管や排出管などである。また、モールド用の樹脂17は、エポキシ樹脂よりなる。樹脂17によるモールドは、放熱装置11に対して半導体素子13、金属回路板14、導電板15、及び接続ピン16などの各種部品が接合されるとともに、半導体素子13と接続ピン16のワイヤWによるボンディングの後に行われる。そして、樹脂17によるモールドは、半導体素子13と金属回路板14の半田付けや、放熱装置11と金属回路板14のろう付けの時の温度よりも低い温度で行われる。以下、本実施形態の半導体装置10の作用を説明する。冷媒供給源から供給された冷媒は、放熱装置11に接続される供給管から各冷媒流路Tへ流入する。各冷媒流路Tに流入した冷媒は、同一方向に流れる。このように冷媒が冷媒流路Tを流れると、金属回路板14を介して放熱装置11に伝達された半導体素子13の熱は、冷媒流路Tを流れる冷媒に放熱される。そして、冷媒流路Tを流通した熱交換後の冷媒は、放熱装置11に接続される排出管から外部に排出される。なお、本実施形態の放熱装置11は、セラミック材料で形成されていることから、冷却機能に加えて絶縁機能も有することになる。したがって、本実施形態によれば、以下に示す効果を得ることができる。1本実施形態の半導体装置10では、絶縁部と冷媒の流路を一体形成したセラミック製の放熱装置11を採用し、その放熱装置11を含めて樹脂モールドしている。セラミック製の放熱装置11は、装置自体に絶縁機能と冷却機能を両立させているから、従来のように金属製の放熱装置にDBA基板セラミックなどからなる絶縁基板の両面に金属板を接合した基板を接合する場合に比して、半導体装置10の構成を簡素化することができる。すなわち、本実施形態の半導体装置10は、放熱装置11に対して半導体素子13が実装される金属回路板14を直接接合するので、半導体装置10の構成を簡素化することができる。2そして、放熱装置11をセラミック製とすることで、もともと熱応力が発生し難い構造とした上で、さらに樹脂モールドしているから、半導体素子13と金属回路板14の接合部や、金属回路板14と放熱装置11の接合部の信頼性を向上させることができる。つまり、樹脂モールドにより熱的な変形を抑制し得るので、各接合部の信頼性を向上させることができる。なお、本実施形態の半導体装置10によれば、放熱装置11をセラミック製とすることで、従来、回路基板と放熱装置の間に介在させていた応力緩和部材は不要となる。3また、金属回路板14を、金属回路板14よりも線膨張係数が小さい半導体素子13とセラミックからなる放熱装置11の間に介在させることで、熱応力の発生を抑制することができる。したがって、各接合部の信頼性をさらに向上させることができる。4また、半導体素子13及び金属回路板14の全体を樹脂17にて覆うことで、これらの部品を放熱装置11に対して固定するための構造例えば、放熱装置11側に押さえ付けるための締結構造を不要とする。したがって、半導体装置10の構成をさらに簡素化することができる。5また、半導体素子13及び金属回路板14に加えて、放熱装置11の全体を樹脂17にて覆うことで、半導体装置10の取り扱いを容易にすることができる。放熱装置11をセラミック製とした場合、その放熱装置11は、金属性の放熱装置11に比して強度的には劣る。しかし、放熱装置11全体を樹脂17にて覆うことにより保護性能が向上されるので、半導体装置10の取り扱いが容易になるとともに、長期的に良好な放熱性能を実現できる。特に、半導体装置10を車載する場合などの組み付け工程においては、取り扱いが容易になることで作業性を向上させることができ、効果的である。6また、放熱装置11の全体を樹脂17にて覆うことで、放熱装置11の密閉性の向上を図ることができる。したがって、放熱性能を向上させることができる。7また、半導体装置10を樹脂モールドして各接合部の信頼性を向上させることで、半導体装置10としての性能信頼性を長期に亘って維持することができる。つまり、半導体装置10の劣化を抑制することができる。8また、樹脂17とセラミックは、線膨張係数の差が小さいので、樹脂17とセラミック製の放熱装置11の接合部の信頼性も確保することができる。つまり、樹脂17と放熱装置11の接合部に剥離などが生じ難いから、樹脂モールドによって生じ得る上記の効果2、4、5~7を長期に亘って維持することができる。9セラミック製の放熱装置11を採用することで、半導体装置10の簡素化に加えて装置の小型化を図ることができる。したがって、半導体装置10を車載する場合などにおいて半導体装置10が占有するスペースを小さくすることができ、設計の自由度を広げることができる。なお、本実施形態は以下のように変更してもよい。○放熱装置11の全体を樹脂17にて覆う構成に代えて、図2に示すように、樹脂モールドする領域を放熱装置11の側面の一部にとどめても良い。すなわち、放熱装置11の実装面12の反対面を樹脂17にて覆わず、露出させる構成とする。これによれば、前記反対面においても発熱体を冷却することができる。また、樹脂17の量を低減させることができるので、半導体装置10の製造コスト低減に寄与することができる。また、樹脂17の量を少なくすることで、樹脂モールドによって樹脂17から受ける応力を緩和させることができる。○放熱装置11の全体を樹脂17にて覆う構成に代えて、図3に示すように、樹脂モールドする領域を放熱装置11の実装面12にとどめても良い。すなわち、放熱装置11の実装面12の反対面を樹脂17にて覆わず、露出させる構成とする。これによれば、図2を用いて説明した上記別例と同様の効果を得ることができるとともに、樹脂17の量をさらに低減させることができる。○また、図2及び図3を用いた別例において、放熱装置11の反対面に発熱体を接合する場合において、その発熱体を含めて全体を樹脂モールドしても良い。○放熱装置11をセラミックに代えて、樹脂にて形成しても良い。○放熱装置11に実装される各種部品の構成を変更しても良い。○放熱装置11における冷媒流路Tは、平面視直線状の通路でも良いし、平面視波線状の通路でも良い。波線状の通路の場合は、直線状の通路に比して冷媒の流れを乱し、乱流効果によって冷却性能をさらに向上させることができる。○放熱装置11に流通させる冷媒は、液体状の冷媒でも良いし、気体状の冷媒でも良い。次に、上記実施形態及び別例から把握できる技術的思想を以下に追記する。イ前記半導体素子、及び前記回路基板の全体が樹脂モールドされている一方で、前記冷却部は前記実装面に対する反対面を含んで樹脂モールドされずに前記反対面が露出されていることを特徴とする請求項1~請求項3のうち何れか一項に記載の半導体装置。