光変調器と、前記光変調器の冷却を行う第1の冷却部と、前記第1の冷却部とは別の冷却を行う第2の冷却部と、前記光変調器と前記第1の冷却部と前記第2の冷却部を格納するパッケージと、前記パッケージに設けられた入力部から前記光変調器まで変調信号を伝送し、前記入力部と前記第1の冷却部との間で前記第2の冷却部に接触している伝送線路と、を備えることを特徴とする光モジュール。光源を更に備え、前記光変調器は、前記光源の出力光を光変調し、前記第1の冷却部は、前記光源と前記光変調器の冷却を行う、ことを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。前記光源は分布帰還型半導体レーザであり、前記光変調器は半導体光変調器である、ことを特徴とする請求項2に記載の光モジュール。前記第2の冷却部は、他の光学素子の冷却を行う、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光モジュール。前記光源の出力光の波長を検出する波長検出部を更に備え、前記第2の冷却部は、前記波長検出部の冷却を行う、ことを特徴とする請求項2又は3に記載の光モジュール。前記第1の冷却部と前記第2の冷却部の吸熱量に対する消費電力の変化率は、吸熱量が大きい範囲の変化率が、吸熱量が小さい範囲の変化率より大きい、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の光モジュール。請求項1乃至6のいずれか1項に記載の光モジュールを備える光送信装置。前記光モジュール内に備える光変調器の温度が、前記光モジュールの使用環境温度範囲より低温に制御される、ことを特徴とする請求項7に記載の光送信装置。パッケージに第1の冷却部と第2の冷却部を実装するステップと、光変調器を前記第1の冷却部上に実装するステップと、前記光変調器に変調信号を供給する伝送線路を、前記パッケージに設けられた変調信号入力部と前記光変調器との間で前記第2の冷却部に接触させて、前記変調信号入力部から前記光変調器まで設置するステップと、を有することを特徴とする光モジュール製造方法。パッケージ内において、半導体光変調器に変調信号を入力するための伝送線路は、パッケージに設けた変調信号入力部からTECに搭載された光変調器まで配置される。ここで、パッケージの温度がDFB-LDと半導体光変調器を集積した光学素子の温度より高い場合には、伝送線路を介してパッケージからの熱流入があり、光学素子が搭載されたTECは、伝送線路を介した熱流入による温度上昇分も冷却する必要がある。ここで、ペルチェ素子を適用したTECは、吸熱量の増加に対して、消費電力が指数関数的に増加するという特性を有しており、吸熱量が多い範囲では、吸熱量の増加により消費電力が急激に増加する。DFB-LDと光変調器は放熱量が多いため、DFB-LDと光変調器からなる光学素子が搭載されたTECは、吸熱量が多い状態に加えて伝送線路を介した熱流入による吸熱量の増加があり、これに伴い消費電力が大幅に増加するという問題があった。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、簡易な構成で、かつ、低い消費電力での光学素子の温度制御が可能な光モジュール等を提供することを目的とするものである。上記目的を達成するため、本発明の光モジュールは、光変調器と、前記光変調器の冷却を行う第1の冷却部と、前記第1の冷却部とは別の冷却を行う第2の冷却部と、前記光変調器と前記第1の冷却部と前記第2の冷却部を格納するパッケージと、前記パッケージに設けられた入力部から前記光変調器まで変調信号を伝送し、前記入力部と前記第1の冷却部との間で前記第2の冷却部に接触している伝送線路と、を備えることを特徴とする。本発明によれば、簡易な構成で、かつ、低い消費電力での光学素子の温度制御が可能となる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態に係る光送信装置1は、図1に示すように、互いに波長の異なる光を出力する1以上の光モジュール10と、各光モジュール10に入力し各光モジュール10の出力光を変調する変調信号を入力する変調信号入力コネクタ20と、各光モジュールの出力光を合波して出力するカプラ30と、カプラ30から出力される光信号を出力する光信号出力コネクタ40を備える。光モジュール10は図2に示すような内部構造を有している。図2aは、光モジュール10を上方から見た図であり、図2bは、図2aのA-A’線を含む紙面に垂直な面で切った断面図である。光モジュール10は、図2に示すように、光学素子11、パッケージ12、第1の冷却部13、波長モニタ14、第2の冷却部15、伝送線路16から構成される。パッケージ12の内部に、光学素子11、第1の冷却部13、波長モニタ14、第2の冷却部15、伝送線路16を格納する。光学素子11は、半導体レーザと半導体光変調器が集積された素子である。ここでは、半導体レーザが、分布帰還型レーザダイオードdistributedfeedbacklaserdiode、以下DFB-LDと呼ぶの場合について説明する。DFB-LDは、単一波長の光を出力する発光素子である。DFB-LDの波長は、駆動温度により変化する特性を有しているため、光送信装置1に備えられる複数の光モジュール10内の光学素子11を互いに異なる素子温度下で駆動させることにより、それぞれの光学素子11から波長の異なる光信号を出力させることができる。半導体光変調器は例えばマッハツェンダ光変調器であり、小型であり駆動電圧を低く設定できるという特徴を有している。ただし、DFB-LDと同様に、一定温度下で駆動する必要がある。DFB-LDと光変調器は、駆動時に発熱するため、光学素子11を搭載する第1の冷却部13で吸熱することにより温度を一定に保つことができる。光学素子11の温度は、光学素子11の近傍に備えた温度検出部の出力に基づいて、光学素子11を搭載する第1の冷却部13の吸熱量を制御することにより、略一定に制御することができる。さらに波長モニタ14でDFB-LDの出力光の波長を検出し、検出した波長に基づいて第1の冷却部13の吸熱量を微調整することにより、光学素子11の波長を高精度に制御することができる。パッケージ12は、各種素子、部品を実装して封止できる矩形箱形の筐体である。各素子への駆動電流を入出力する端子やGND端子等の入出力部121や変調信号を入力する変調信号入力部122を備える。また、光学素子11のDFB-LDが出力する光を伝送するためのファイバ123を備える。DFB-LDの出力光をファイバに結合させるために、集光レンズ124等を備えても良い。第1の冷却部13は、板状の素子であり、光学素子11を搭載する面から吸熱する機能を有する。例えば、ペルチェ素子等の熱電冷却素子ThermoelectricCooler、以下TECと呼ぶから構成され、一方の面から吸収した熱を他方の面に熱移動させ他方の面より放出させる。他方の面は、パッケージ12に熱的に接合しており、他方の面から放出した熱は、パッケージ12に伝導し、パッケージ12から外部に放出される。第1の冷却部13の吸熱量は、TECに流す電流の量により制御する。第1の冷却部13上の光学素子11の近傍に備えた温度検出部の出力が示す温度が設定温度より高い場合には電流を増加させて吸熱量を増加させ、温度検出部の出力が示す温度が設定温度より低い場合には電流を減少させて吸熱量を減少させる。また、波長モニタ14が示す波長が設定波長に対してずれがある場合には、電流を増減させ吸熱量を増減させて微調整する。なお、通常は、DFB-LDや光変調器は発熱量が多いため、第1の冷却部13が吸熱量を調整するのみで温度を一定に制御できる。波長モニタ14は光学素子11が出力する光の波長を検出する受光素子である。波長モニタ14は、波長に依存して周期的に変化するモニタ電流を出力する。温度検出部の出力に基づく第1の冷却部の制御により略一定温度に保たれた状態で、波長モニタ14の出力電流に基づく第1の冷却部の微調整を行うことにより、光学素子11の波長を固定させることができる。波長モニタ14は、温度依存性を有する光学部品を含み、環境温度が変わると出力モニタ電流も変化するため、波長モニタ14も、一定温度下で駆動させる必要がある。ただし、光学素子11とは設定温度が異なる場合もあるため、第1の冷却部13とは別の冷却部で冷却する必要がある。波長モニタ14は第2の冷却部15上に搭載することにより、温度を一定に制御する。第2の冷却部15も第1の冷却部13と同様に板状の素子であり、波長モニタ14を搭載する面から吸熱する機能を有する。第2の冷却部15の放熱経路等は、第1の冷却部13と同様である。波長モニタ14の近傍に備えた温度検出部の出力が示す温度が設定温度より高い場合には電流を増加させて吸熱量を増加させ、温度検出部の出力が示す温度が設定温度より低い場合には電流を減少させて吸熱量を減少させる。なお、通常は、波長モニタ14は発熱量が多いため、第2の冷却部15が吸熱量を調整するのみで温度を一定に制御できる。伝送線路16は、変調信号を伝送する線路であり、パッケージ12の変調信号入力部122と光学素子11を接続し、第1の冷却部13に接触するように配置されている。伝送線路16は、変調信号入力部122から第1の冷却部13の光学素子11を搭載する面に接する箇所までの間に、第2の冷却部15の波長モニタ14を搭載する面に接触している。ここで、接触している状態とは、伝送線路16と第2の冷却部15が熱的に接合しており、接合点で熱の伝導がある状態を指している。ここで、第2の冷却部15の波長モニタ14を搭載した面の温度Tmが、第1の冷却部13の光学素子11を搭載した面の温度Toより高い場合には、伝送線路16を通じて、第2の冷却部15の波長モニタ14を搭載した面から第1の冷却部13の光学素子11を搭載した面へ熱が流入する。したがって、第1の冷却部13は、光学素子11が発する熱と、伝送線路16を通じて流入した熱を吸収することになる。一方、パッケージ12の変調信号入力部122の温度Tpが、第2の冷却部15の波長モニタ14を搭載した面の温度Tmより高い場合には、伝送線路16を通じて、パッケージ12の変調信号入力部122から第2の冷却部15の波長モニタ14を搭載した面へ熱が流入する。したがって、第2の冷却部15は、波長モニタ14が発する熱と、伝送線路16を通じて流入した熱を吸収することになる。ここで、伝送線路16による熱流入を抑制するために伝送線路16として熱伝導率の小さい材料を用いることが考えられるが、この場合には伝送線路を伝送する変調信号が劣化してしまうため、熱伝導率の小さいものは採用できない。以上のような構成の光モジュールの製造方法を、図3を用いて説明する。まず、パッケージ12に第1の冷却部13と第2の冷却部15を固定し、入出力部121、変調信号入力部122、光ファイバ123、レンズ124等を取り付ける図3A。そして、第1の冷却部13上に光学素子11を実装する。ここで、光学素子11のDFB-LDを試験的に発光させその出力光が光ファイバ123にできるだけ多く入射するように光軸を調整して、光学素子11を第1の冷却部13上に固定する。また、波長モニタ14を第2の冷却部15上に実装する。ここでも、光学素子11のDFB-LDを試験的に発光させ、波長モニタ14が光学素子11から出力される光を受光できるように、波長モニタ14の位置を調整する図3B。ここでは、光学素子11の光ファイバ側と逆側から射出する後方光を受光する。その後、伝送線路16を変調信号入力部122から光学素子11まで配置するが、パッケージ12に設けられた変調信号入力部122から、第1の冷却部13の光学素子11を搭載する面に接する箇所までの間に、伝送線路16が第2の冷却部15に接触するように配置する図3C。以上のように構造、製造方法について説明した光モジュール10において、第1の冷却部13、第2の冷却部15による吸熱について詳細に述べる。このとき、図4に示すような、変調信号入力部122から、第1の冷却部13の光学素子11を搭載する面に接する箇所までの間に、伝送線路16が第2の冷却部15に接触していない場合と比較して説明する。ここで、第1の冷却部13、第2の冷却部15は、同様の特性を示すペルチェ素子などのTECであり、これらの吸熱量と消費電力との関係は図5のグラフに示すとおりである。吸熱量が高い領域での消費電力の吸熱量に対する変化率は大きく、吸熱量が低い領域での消費電力の吸熱量に対する変化率は小さくなっている。また、パッケージ12の温度Tpは光学素子11の温度Toより高い。つまり、パッケージ12の温度Tpは、使用環境温度に依存するものであるから、光学素子11の温度Toは、前記光モジュール10の使用環境温度範囲より低温に制御されていると言える。さらに、パッケージ12の温度Tpは波長モニタ14の温度Tmより高く、波長モニタ14の温度Tmは光学素子11の温度Toより高い。まず、伝送線路16が第2の冷却部15に接触していない光モジュール50図4の、第1の冷却部13、第2の冷却部15が吸収する熱量吸熱量と、これらの冷却部の消費電力について説明する。この場合の、第1の冷却部13が吸収する熱Q1は、式1に示すように、光学素子11が発する熱Qdと、伝送線路16を通じて流入する熱Qaである。伝送経路16を通じて流入する熱は、パッケージ12の変調信号入力部122の温度Tpと光学素子11の温度Toの温度差があることにより、光学素子11に流入する熱であるから、熱流入量Qaは式2で示す値である。Q1=QdQa1Qa=Tp-To/Rop2ここで、Ropは、変調信号入力部122から第1の冷却部13の光学素子11を搭載する面と接する箇所までの間の、伝送線路16の熱抵抗単位はK/Wであり線路長に比例する値を有する。一方、第2の冷却部15が吸収する熱Q2は、式3に示すように、波長モニタ14が発する熱Qmのみである。Q2=Qm3次に、伝送線路16が第2の冷却部15に接触している場合図2の場合の、第1の冷却部13、第2の冷却部15が吸収する熱量吸熱量と、これらの冷却部の消費電力について説明する。この場合の、第1の冷却部13が吸収する熱Q1’は、式4に示すように、光学素子11が発する熱Qdと、伝送線路16を通じて流入する熱Qa’である。伝送経路16を通じて流入する熱Qa’は、伝送線路16が第2の冷却部15に接触している箇所、すなわち波長モニタ14近傍の温度Tmと、光学素子11の温度Toの温度差があることにより、光学素子11に流入する熱であるから、熱流入量Qa’は式5で示す値である。Q1’=QdQa’4Qa’=Tm-To/Rom5ここで、Romは、伝送線路16が第2の冷却部15の波長モニタを搭載する面に接している箇所から、伝送線路16が第1の冷却部13の光学素子11を搭載する面に接している箇所までの間の、伝送線路16の熱抵抗である。一方、第2の冷却部15が吸収する熱Q2’は、式6に示すように、波長モニタ14が発する熱Qmと、伝送線路16を通じて流入する熱Qb’である。伝送経路16を通じて流入する熱Qb’は、パッケージ12の変調信号入力部122の温度Tpと、伝送線路16が第2の冷却部15に接触している箇所、すなわち波長モニタ14近傍の温度Tmの温度差があることにより、光学素子11に流入する熱であるから、熱流入量Qb’は式7で示す値である。Q2’=QmQb’6Qb’=Tp-Tm/Rmp7ここで、Rmpは、変調信号入力部122と、伝送線路16が第2の冷却部15に接触している箇所との間の熱抵抗である。図5に示すように、Q1はQ2より大きく、Q1’はQ2’より大きい。これは、光学素子11の発熱量が、波長モニタ14の発熱量や伝送線路16から流入する熱量より十分に大きいからである。また、TpがTmに比べて十分に高く、Tp-ToのTm-Toに対する比が、RopのRmoに対する比より大きい場合には、QaはQa’より大きくなる。よって、第1の冷却部13が吸熱する吸熱量は、伝送線路16が第2の冷却部15に接触していない構成の場合のQ1の方が、伝送線路16が第2の冷却部15に接触している構成の場合のQ1’より多いと言える。一方、第2の冷却部15が吸熱する吸熱量は、伝送線路16が第2の冷却部15に接触していない構成の場合のQ2の方が、伝送線路16が第2の冷却部15に接触している構成の場合のQ2’よりQb’分少ないと言える。つまり、図5に示すように、伝送線路16を第2の冷却部15に接触していない状態から接触している状態に変えることにより、第1の冷却部13の吸熱量はQ1からQ1’に減るが、第2の冷却部15の吸熱量はQ2からQ2’に増えることになる。ここで、第1の冷却部13、第2の冷却部15の吸熱量と消費電力の関係は図5に示す通り、吸熱量が多い範囲内では消費電力の吸熱量に対する変化率は大きく、吸熱量が少ない範囲内では消費電力の吸熱量に対する変化率は小さくなっている。図5より、伝送線路16が第2の冷却部15に接触していない構成の場合、第1の冷却部13の吸熱量はQ1であるから、そのときの消費電力はP1であり、第2の冷却部15の吸熱量はQ2であるから、そのときの消費電力はP2である。また、伝送線路16が第2の冷却部15に接触している構成の場合、第1の冷却部13の吸熱量はQ1’であるから、そのときの消費電力はP1’であり、第2の冷却部15の吸熱量はQ2’であるから、そのときの消費電力はP2’である。P1からP1’への減少分矢印1はP2からP2’への増加分矢印2より多いため、第1の冷却部13と第2の冷却部15の消費電力の和は、伝送線路16が第2の冷却部15に接触している構成の場合のP1’P2’の方が、伝送線路16が第2の冷却部15に接触していない構成の場合のP1P2より低いことがわかる。したがって、本実施の形態に係る、伝送線路16が第2の冷却部15に接触している構成の光モジュール10の方が、伝送線路16が第2の冷却部15に接触していない構成の光モジュール50より消費電力を低く抑えた状態で光モジュール10を駆動できる。実施例以下、伝送線路16が第2の冷却部15に接触していない構成と、伝送線路16が第2の冷却部15に接触している構成との実施例における、消費電力の計算について説明する。そして、計算結果を図7に示す。図7aは伝送線路16が第2の冷却部15に接触していない構成の場合の計算結果であり、図7bは伝送線路16が第2の冷却部15に接触している構成の場合の計算結果である。消費電力を計算するに際して設定した条件を以下に示す。光学素子11の発熱量:1.0[W]波長モニタ14の発熱量:0.1[W]伝送線路16の熱抵抗:60×線路長mm[K/W]変調信号入力部122から、伝送線路16が第1の冷却部13の光学素子11を搭載する面に接触している箇所までの線路長:3mm変調信号入力部122から、伝送線路16が第2の冷却部15の波長モニタ14を搭載する面に接触している箇所までの線路長:1.5mm伝送線路16が第2の冷却部15の波長モニタ14を搭載する面に接触している箇所から伝送線路16が第1の冷却部13の光学素子11を搭載する面に接触している箇所までの線路長:1.5mm光学素子11の温度To:10°C波長モニタ14の温度:15°Cパッケージ12の温度Tp:75°C第1の冷却部13、第2の冷却部15の吸熱量と消費電力の関係:図6伝送線路16が第2の冷却部15に接触していない場合は、伝送線路16の熱抵抗Ropは、180[K/W]であるから、式2より伝送線路16による熱流入量Qaは0.36[W]となり、式1より第1の冷却部13の吸熱量Q1は1.36[W]である。そして、図6より、第1の冷却部13の消費電力は16.6[W]である。第2の冷却部15の吸熱量Q2は式3より0.1[W]であるから、消費電力は図6より5.7[W]である。よって、伝送線路16が第2の冷却部15に接触していない場合の消費電力の総和は、22.3[W]である図7a。一方、伝送線路16が第2の冷却部15に接触している場合は、伝送線路16の熱抵抗Romは、90[K/W]であるから、式5より伝送線路16による熱流入量Qa’は0.06[W]となり、式4より第1の冷却部13の吸熱量Q1’は1.06[W]である。そして、図6より、第1の冷却部13の消費電力は11.1[W]である。また、伝送線路16の熱抵抗Rmpは、90[K/W]であるから、式7より伝送線路16による熱流入量Qb’は0.67[W]となり、式6より第2の冷却部15の吸熱量Q2’は0.77[W]である。そして、図6より、第1の冷却部13の消費電力は8.8[W]である。よって、伝送線路16が第2の冷却部15に接触している場合の消費電力の総和は、19.9[W]である図7b。したがって、本実施例において、第1の冷却部13と第2の冷却部15の消費電力の和は、伝送線路16が第2の冷却部15に接触している構成の光モジュール10の方が、伝送線路16が第2の冷却部15に接触していない構成の光モジュール50より2.4[W]低いことがわかる。以上説明したように、本実施の形態によれば、光モジュール10を、変調信号を伝送する伝送線路16が、変調信号入力部122から第1の冷却部13の光学素子11を搭載する面に接触している箇所までの間で、第2の冷却部15の波長モニタ14を搭載する面に接触している構成としたことにより、伝送線路16が第2の冷却部15に接触していない構成と比較して、第1の冷却部13と第2の冷却部15の消費電力の和を低くすることができる。すなわち、冷却部を制御することによる温度制御を、低消費電力で行うことができる。このように本発明は、変調信号を伝送する伝送線路が、パッケージに設けた変調信号入力部から光変調器を含む光学素子の冷却を行う第1の冷却部までの間で、第1の冷却部とは別の第2の冷却部に接触していることにより、簡易な構成で、低い消費電力の温度制御が可能となる。なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の変更は勿論可能である。例えば、上記実施の形態において、光送信装置1に備える光モジュール10の数は任意である。光モジュール10を1つだけ備えて、単一波長の光送信装置1としてもよい。また、第1の冷却部13と第2の冷却部15は吸熱して素子を冷却する機能を有するとしたが、一時的に加熱も可能な構成としても良い。また、図2において、パッケージ12の形状の例を示したが、入出力部121や変調信号入力部122や光ファイバ123等の位置、形状は、これに限られない。バタフライ型等でもよく、パッケージ12の形状に応じて、伝送線路16の位置は任意に配置しうる。