"イオン源として熱電子を放出するフィラメントと、前記フィラメントを有しプラズマを生成するプラズマ生成室と、前記プラズマ生成室の外面に複数配置された磁石と、前記フィラメントを前記磁石に対して近づく方向または遠ざかる方向に移動させるフィラメント移動手段と、前記プラズマ生成室に連通する処理室と、前記プラズマ生成室から前記処理室へイオンビームを引き出す引き出し電極と、を備えたことを特徴とするイオンミリング装置。請求項1に記載のイオンミリング装置において、前記磁石は少なくとも前記イオンビームが引き出される方向に対して直交する前記プラズマ生成室の外面に配置されていることを特徴とするイオンミリング装置。請求項2に記載のイオンミリング装置において、前記磁石は棒状に形成され、前記プラズマ生成室の前記外面の中央部から外周部に向かって配置されていることを特徴とするイオンミリング装置。請求項1乃至3のいずれか一項に記載のイオンミリング装置において、前記フィラメントは前記イオンビームが引き出される方向および、前記イオンビームが引き出される方向に対して交差する方向に移動可能であることを特徴とするイオンミリング装置。請求項4に記載のイオンミリング装置において、前記フィラメントは複数配置され、それぞれの前記フィラメントは前記フィラメント移動手段により独立して移動可能であることを特徴とするイオンミリング装置。従来のイオンミリング装置では、被加工物の材質、加工後の表面状態などに対応してイオンビーム強度を適正に制御して加工が行われる。一般に、イオンビーム強度の設定には引き出し電極のイオンビームを引き出す引き出し穴の開口率の調整などで行われている。このように、イオンミリング加工ではそれぞれの被加工物の加工に適した引き出し電極を採用する必要がある。しかしながら、引き出し電極を製作後においては、放出されるイオンビーム強度や面内均一性などの加工プロファイルの微調整が困難であり、また、製作された引き出し電極には汎用性がないという課題がある。本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例にかかるイオンミリング装置は、イオン源として熱電子を放出するフィラメントと、前記フィラメントを有しプラズマを生成するプラズマ生成室と、前記プラズマ生成室の外面に複数配置された磁石と、前記フィラメントを前記磁石に対して近づく方向または遠ざかる方向に移動させるフィラメント移動手段と、前記プラズマ生成室に連通する処理室と、前記プラズマ生成室から前記処理室へイオンビームを引き出す引き出し電極と、を備えたことを特徴とする。この構成によれば、プラズマ生成室の外面に複数配置された多極の磁石に対して、近づく方向または遠ざかる方向にフィラメントを移動させるフィラメント移動手段を備えている。フィラメントから放出された熱電子などの荷電粒子は多極の磁石で形成された磁場中でローレンツ力を受けて円運動サイクロトロン運動を行う。フィラメント位置を変更することでサイクロトロン運動を利用し荷電粒子を任意の場所に集めることが可能となる。このことから、プラズマ生成室で生成されるプラズマのプラズマ分布を制御することができ、同じ引き出し電極を用いてもイオンビームの強度やイオンビームによる加工プロファイルを容易に調整することができる。[適用例2]上記適用例にかかるイオンミリング装置において、前記磁石は少なくとも前記イオンビームが引き出される方向に対して直交する前記プラズマ生成室の外面に配置されていることが好ましい。この構成によれば、磁石はイオンビームが引き出される方向に対して直交するプラズマ生成室の外面に配置されている。このように磁石を配置することで、イオンビームが引き出される方向に磁場を形成することができ、荷電粒子を任意の場所に集めることが容易になる。[適用例3]上記適用例にかかるイオンミリング装置において、前記磁石は棒状に形成され、前記プラズマ生成室の前記外面の中央部から外周部に向かって配置されていることが好ましい。この構成によれば、複数の磁石は棒状に形成され、プラズマ生成室の外面の中央部から外周部に向かって配置されている。このように磁石を配置することで、プラズマ生成室のイオンビームが引き出される方向に対して直交する面において、中央部方向または外周部方向に荷電粒子を集めることが可能である。[適用例4]上記適用例にかかるイオンミリング装置において、前記フィラメントは前記イオンビームが引き出される方向および、前記イオンビームが引き出される方向に対して交差する方向に移動可能であることが好ましい。この構成によれば、フィラメントはイオンビームが引き出される方向、つまりプラズマ生成室のイオンビームが引き出される方向に対して直交する面に対して、近づく方向および遠ざかる方向に移動できる。さらに、フィラメントはイオンビームが引き出される方向に対して交差する方向、つまりプラズマ生成室の外周面に近づく方向および遠ざかる方向に移動できる。このことから、フィラメントが磁石により形成される磁場の中を任意に移動できる。このことから、荷電粒子の移動を精度よく制御することができる。[適用例5]上記適用例にかかるイオンミリング装置において、前記フィラメントは複数配置され、それぞれの前記フィラメントは前記フィラメント移動手段により独立して移動可能であることが好ましい。この構成によれば、フィラメントは複数配置され、それぞれのフィラメントはフィラメント移動手段により独立して移動可能である。このことから、複数のフィラメントを任意の位置にそれぞれ配置でき、荷電粒子の移動を精度よく制御することができる。以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の寸法の割合を適宜変更している。第1実施形態<イオンミリング装置の構成>図1はイオンミリング装置の構成を示す模式図である。なお、以下の説明では直交座標を用い、装置の平面の一方向をX軸方向とし、X軸に直交する平面方向をZ軸方向、X軸およびZ軸に直交する装置の高さ方向をY軸方向と呼び、位置関係を説明する。イオンミリング装置1は、プラズマを生成するプラズマ生成室10と、プラズマ生成室10からイオンビームを引き出す引き出し電極30と、引き出されたイオンビームが導入される処理室40と、プラズマ生成室10を覆いフィラメント移動機構25を配置する機構配置室24と、を備えている。プラズマ生成室10は、円筒状に形成され、円筒胴部12がX軸方向に延設されるように配置されている。プラズマ生成室10のX軸方向と直交する一方の面は開放されて処理室40と連通している。そして、プラズマ生成室10のX軸方向と直交する他方の面には円筒平面部11が形成されている。また、プラズマ生成室10は、外部よりアルゴンArなどの放電ガスが供給されるガス導入口16を備えている。プラズマ生成室10の内部には、イオン源として複数のフィラメント20が設けられている。フィラメント20は、例えばタングステンWなどからなり、フィラメント20に電圧を印加することで、プラズマ生成室10内に熱電子荷電粒子を放出する。フィラメント20は、フィラメント20をプラズマ生成室10内で移動可能とするフィラメント移動機構25に接続されている。フィラメント移動機構25は、プラズマ生成室10を覆って形成された機構配置室24に配置され、第1リニアステッピングモーター26と第2リニアステッピングモーター28とを備えている。第1リニアステッピングモーター26のモーター軸26aはY軸方向に往復運動可能であり、その先端には第2リニアステッピングモーター28が固定されている。このため、第1リニアステッピングモーター26の作動により第2リニアステッピングモーター28はY軸方向に移動可能である。第2リニアステッピングモーター28のモーター軸28aはX軸方向に往復運動可能であり、その先端にはフィラメント取り付け板21に固定されたフィラメント20が配置されている。このため、第2リニアステッピングモーター28の作動によりフィラメント20はX軸方向に移動可能である。なお、第2リニアステッピングモーター28のモーター軸28aは、機構配置室24からプラズマ生成室10の円筒平面部11の溝部15を介してプラズマ生成室10内にモーター軸28aの先端が配置されるように構成されている。このようなフィラメント移動機構25を用いることで、第1リニアステッピングモーター26を作動させてフィラメント20をプラズマ生成室10内でY軸方向に移動でき、また、第2リニアステッピングモーター28を作動させてフィラメント20をプラズマ生成室10内でX軸方向に移動できる。そして、各フィラメント20は各フィラメント移動機構25により、独立して任意の位置に移動させることが可能である。また、プラズマ生成室10の円筒平面部11および円筒胴部12の外周には、多極の磁石13,14が配置されている。図2はプラズマ生成室の磁石配置状態を示す模式平面図であり、図1のP矢視方向X軸方向から見た図である。図3は図2のA-A断線に沿う模式断面図である。なお、図中の磁石に示した矢印は磁石内で磁力の向かう方向を示している。図2に示すように、プラズマ生成室10の円筒平面部11には多数の磁石13a、13b、13c、13dが配置されている。磁石13a、13b、13c、13dは棒状に形成され、4種類の長さのものが用意されている。以下、各磁石の説明は長さの長い磁石の順に行う。磁石13aは、円筒平面部11の中央部から外周部に向かうように配置されている。そして、磁石13aは4つ備えられ、Y軸方向およびZ軸方向に円筒平面部11の中心から90度間隔で配置されている。また、この磁石13aの表面に現れた極性はS極となるように構成されている。磁石13bは、一つの磁石13aに対して両側からほぼ平行に挟み、円筒平面部11の中央部から外周部に向かうように配置されている。そして、この8つの磁石13bの表面に現れた極性は、隣の磁石13aとは反対の極性となるN極となるように構成されている。磁石13cは、一つの磁石13aに対して両側から挟んだ磁石13bのさらに外側からほぼ平行に挟んで配置されている。そして、この8つの磁石13cの表面に現れた極性は、隣の磁石13bとは反対の極性となるS極となるように構成されている。磁石13dは、一つの磁石13aに対して両側から挟んだ2つの磁石13b、および2つの磁石13cをさらに外側からほぼ平行に挟んで配置されている。そして、この8つの磁石13dの表面に現れた極性は、隣の磁石13cとは反対の極性となるN極となるように構成されている。このように、隣り合う磁石13a、13b、13c、13dは反対の極となるように配置されている。また、磁石13a、13b、13c、13dは円筒平面部11の中心に対して点対称となる配置である。また、プラズマ生成室10の円筒胴部12の外周には多数の磁石14が配置されている。磁石14は棒状に形成され、X軸方向に表面に同じ極が現れるように配置され図3参照、円周方向において隣の磁石は極性が反対となるように配置される。これらの磁石13a、13b、13c、13d,14は、磁力線によりプラズマをプラズマ生成室10内に閉じ込めるとともに、放電領域に磁界をかけてイオンの飛程距離を長くしてイオン化率を増大させる機能を有する。そして、上記の図2に示す平面視において、磁石13aと磁石13bの間にフィラメント20が配置される。なお、フィラメント20はプラズマ生成室10の円筒平面部11に形成した溝部を介してプラズマ生成室10内に配置されるが、図2では溝部は省略して示している。フィラメント20は、図3に示すように、X軸方向に移動可能であり、プラズマ生成室10の円筒平面部11の内面からの高さ寸法hを変更でき、円筒平面部11の内面に近づく方向および遠ざかる方向に移動できる。また、フィラメント20はY軸方向にも移動可能であり、プラズマ生成室10の円筒胴部12に近づく方向および遠ざかる方向に移動できる。フィラメント20はフィラメント電源図示せずに接続され、このフィラメント電源から所定の電圧が印加される。またプラズマ生成室10にはアーク電源図示せずの正極側が接続され、負極側はフィラメント電源の正極側に接続されて、アーク電圧が印加される。そして、フィラメント20のマイナス端子とプラズマ生成室10のアノードとなる内壁との間の放電によって、供給されたArなどの放電ガスがイオン化されるように構成されている。図1に戻り、プラズマ生成室10と処理室40との間には引き出し電極30が配置されている。引き出し電極30は、加速電極30a、減速電極30b、接地電極30cの3枚の電極から構成されている。プラズマ生成室10に近い方から加速電極30a、減速電極30b、接地電極30cの順に配置され、電極取り付け板31に固定されている。各電極は円板状に形成され、モリブデンなどの高融点材料が用いられている。そして、各電極の円板内にイオンビームが通過する多数の引き出し穴32a,32b,32cが設けられている。加速電極30aには加速電源図示せずの正極が接続されて正電圧が印加される。また、加速電源の正極側は抵抗を介してアーク電源の正極側に接続されており、負極側は接地されている。減速電極30bには減速電源図示せずの負極が接続されて負電圧が印加され、減速電源の正極側は接地されている。接地電極30cは接地、または接地に対して-100V未満の電圧が印加されている。これらの加速電極30aおよび減速電極30bに印加する電圧を調整することによって、引き出し電極30から照射されるイオンビームのエネルギーを調整することができる。そして、処理室40にはマイクロ波プラズマニュートライザー50が配置されている。マイクロ波プラズマニュートライザー50は、引き出し電極30の下流にマイクロ波放電によるプラズマを生成する。この、マイクロ波放電によるプラズマは、基板などの被加工物の表面にイオンビームが照射されて帯電するのを防止するための電子供給源として用いられる。処理室40には、排気装置図示せずが接続され、処理室40およびそれに連結されるプラズマ生成室10、機構配置室24を減圧状態に保つことが可能である。そして、処理室40には被加工物の基板などの被加工物を保持する基板ホルダー41が設置されている。基板ホルダー41は円板状に形成され、基板ホルダー41の中心部に軸が設けられて軸を中心に回転可能に形成されている。また、基板ホルダー41は、被処理物の加工速度に合わせ、照射されるイオンビームに対して傾いて配置されている。さらに、引き出し電極30と基板ホルダー41との間に、シャッター52を設けても良い。シャッター52はシャッター駆動装置53により開閉し、基板ホルダー41に保持された被加工物に対してイオンビームを照射するときにはシャッター52を開き、イオンビームを照射しないときにはシャッター52を閉じてイオンビームの照射を制御することができる。なお、処理室40はイオンビームの導入の安定性を確保するために電気的に接地された状態となっている。<イオンミリング装置の動作>次に、上記のイオンミリング装置1の動作について説明する。排気装置により、処理室40、プラズマ生成室10、機構配置室24が排気され、その後、一定流量の放電ガスがプラズマ生成室10に供給される。フィラメント20のマイナス端子とプラズマ生成室10のアノードとなる内壁との間の放電によって、プラズマ生成室10内にプラズマが発生する。生成されたプラズマのイオンは、引き出し電極30により、プラズマ生成室10から処理室40に引き出される。次にシャッター駆動装置53が作動してシャッター52が開き、処理室40に導入されたイオンビームは、回転する基板ホルダー41に保持された被加工物に照射してイオンミリング加工が行われる。ここで、本実施形態で特徴的なプラズマ生成室の中でフィラメント20の位置を変更することの作用、効果について説明する。図4は、磁場のもとで荷電粒子の動作を説明する模式図である。図4aに示すように、磁場Bが一様で、かつ荷電粒子eが磁場Bからの力以外の外力を受けていない場合、荷電粒子eは磁場Bからローレンツ力を受けて磁場Bと垂直な面内で、半径rの円運動を行う。このような磁場のなかでの荷電粒子の円運動をサイクロトロン運動という。このようにして、プラズマを構成している個々の荷電粒子は磁場中でサイクロトロン運動を行う。しかし、荷電粒子eに磁場B以外の外力が加わる場合や、磁場Bが一様でない場合には、円運動の中心が磁場Bと垂直な方向にも動くようになり、荷電粒子がらせん運動を行う。この現象をドリフトという。また、異極となる磁石を互いに間隔をあけて配置した場合、図4bに示すような磁場Bが形成される。このとき、磁石から遠い部分の領域Fでは磁場Bの密度は粗であり、サイクロトロン運動の半径rは大きくなる。これに対して磁石に近い部分の領域Gでは磁場Bの密度は密であり、サイクロトロン運動の半径rは小さくなる。このような、磁場と荷電粒子の間の現象ドリフトを利用して、荷電粒子を制御することが可能である。例えば、図4cに示すように、3本の磁石13a,13b1,13b2を互いに平行に平板上に並べた場合について考察する。磁石13b1と磁石13b2は上面がN極となるように配置され、磁石13b1と磁石13b2に挟まれる磁石13aは上面がS極となるように配置されている。このような磁石の配置において、磁場BはN極からS極に向かって形成される。磁場Bは図4bで示したように磁石に近い場所から、磁力の届く範囲まで磁場Bが形成される。ここで、磁石13b1と磁石13aから比較的近い磁場Bに荷電粒子eが飛び込んできたとき、荷電粒子eは磁場Bからの力と外力を受けて図面の手前側矢印17の方向にらせん運動して移動する。また、磁石13aと磁石13b2から比較的近い磁場Bに荷電粒子eが飛び込んできたとき、荷電粒子eは磁場Bからの力と外力を受けて図面の奥側矢印18の方向にらせん運動して移動する。このように、荷電粒子eがドリフトすることで任意の場所に荷電粒子eを集めることが可能である。このような荷電粒子eの挙動を促すために、フィラメント20の位置を変更して、磁場Bと荷電粒子の位置関係を変更させればよい。次に、プラズマ生成室内におけるフィラメント位置によるプラズマ分布のシミュレーション結果の一例を示す。このシミュレーションには電子軌道シミュレーション装置を用いて行った。本シミュレーションではプラズマ生成室の円筒平面部の内面からフィラメントまでの高さ寸法hのみを変更している。図5はプラズマ生成室の円筒平面部の内面からの高さ寸法hを100mmとしたときのプラズマ分布を示す。図6はプラズマ生成室の円筒平面部の内面からの高さ寸法hを40mmとしたときのプラズマ分布を示す。図5、図6で、aはプラズマ生成室の断面を見た図であり図3に相当し、bはプラズマ生成室を処理室側から見た図である。そして、図中で白く見えるところがプラズマ荷電粒子の密な部分である。図5に示すように、プラズマ生成室の円筒平面部の内面からの高さ寸法hを100mmとしたときには、プラズマはほぼ全体に均等に分布しているのが分かる。つまり、フィラメントから放出された熱電子や放電ガスから電離した荷電粒子がプラズマ生成室の高さ寸法h方向および平面方向にほぼ均等に分布している。これに対して、図6に示すように、プラズマ生成室の円筒平面部の内面からの高さ寸法hを40mmとしたときには、プラズマは移動して局所に閉じ込められるのが分かる。つまり、高さ寸法h方向ではプラズマ生成室の円筒平面部に近い部分に分布し、平面方向では図4cで示したように磁石の配列に沿って円筒平面部の中央部側および外周部側にプラズマが分布している。なお、上記の高さ寸法hの変更だけでなく、フィラメントをプラズマ生成室の中央部または外周部へ移動させてもプラズマ分布を変えることが可能である。このように、磁石の配置およびフィラメントの位置を適宜選択することで、プラズマ分布を制御できる。以上、本実施形態のイオンミリング装置1は、プラズマ生成室10の外面に複数配置された多極の磁石13a~13dに対して、近づく方向または遠ざかる方向にフィラメント20を移動させるフィラメント移動機構25を備えている。フィラメント20の位置を変更することで荷電粒子のドリフトを利用し荷電粒子を任意の場所に集めることが可能となる。このことから、プラズマ生成室10で生成されるプラズマの分布を制御することができ、イオンビームの強度やイオンビームによる加工プロファイルを調整することが可能となる。例えば、イオンビームを引き出す引き出し電極30を交換することなくフィラメント20の位置を変更することで、被加工物にあったイオンビーム強度の調整や加工プロファイルを得ることが可能である。また、磁石13a~13dはイオンビームが引き出される方向に対して直交するプラズマ生成室10の円筒平面部11に配置されている。さらに、複数の磁石13a~13dは棒状に形成され、プラズマ生成室10の円筒平面部11の中央部から外周部に向かって配置されている。このように磁石13a~13dを配置することで、イオンビームが引き出される方向に磁場を形成することができ、荷電粒子を任意の場所に集めることが容易になる。また、プラズマ生成室10のイオンビームが引き出される方向に対して直交する面において、中央部または外周部に荷電粒子を集めることが可能である。また、フィラメント20はイオンビームが引き出される方向、つまりプラズマ生成室10のイオンビームが引き出される方向に対して直交する面に対して、近づく方向および遠ざかる方向に移動できる。さらに、フィラメント20はイオンビームが引き出される方向に対して交差する方向、つまりプラズマ生成室10の外周面に近づく方向および遠ざかる方向に移動できる。このことから、フィラメント20が磁石により形成される磁場の中を任意に移動でき、荷電粒子の移動を精度よく制御することができる。さらに、フィラメント20は複数配置され、それぞれのフィラメント20はフィラメント移動機構25により独立して移動可能である。このことから、複数のフィラメント20を任意の位置に配置でき、荷電粒子の移動を精度よく制御することができる。なお、本実施形態のイオンミリング装置では、加工条件などは被加工物を加工して合わせこむ方法をとるが、基板ホルダーに設けた荷電粒子を検出するファラデーカップで電流密度を計測してフィードバックする方法をとっても良い。イオンビームの電流密度を計測するファラデーカップは、基板ホルダーに狭いピッチで複数配置することで、加工精度、信頼性を向上させることができる。フィードバック制御では、イオンビーム電流密度とイオンミリングレートの関係、フィラメント電流と磁場の関係などをあらかじめ計測したデータにより関連つけて制御システムを構築すればよい。また、第1実施形態ではイオンミリング加工を行う実施形態を説明したが、このイオンミリング装置1を用いて基板表面の親水処理や撥水処理などの表面処理を行うことも可能である。このように、第1実施形態で説明したイオンミリング装置1は、具体的には基板をイオンミリング加工して基板を平坦化する装置、表面処理装置、圧電素子の周波数調整装置などとして利用することができる。本発明は以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の実施の際の具体的な構造および手順は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などに適宜変更することができる。そして、多くの変形が本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有するものにより可能である。"