電力用半導体素子と、複数の板状配線材を並べて平坦に形成された回路部と、外部回路への接続端子とを有し、前記電力用半導体素子が前記回路部の一方の面に実装されたリードフレームと、前記回路部の他方の面に対して、放熱面の反対側の面が絶縁膜を介して接合されるとともに、前記回路部の板状配線材間の隙間に対向し、かつ当該隙間内で開口する窪みが形成された放熱板と、前記リードフレームの接続端子と前記放熱板の少なくとも放熱面とを除いて当該電力用半導体装置を封止する封止体とを備え、前記絶縁膜には、前記放熱板の窪みの位置に対応した貫通孔が形成され、前記封止体は、前記回路面の前記半導体素子が実装された面側から前記板状配線材間の隙間と前記絶縁膜の貫通孔を通して前記放熱板の窪みの内部に食い込む食い込み部を有することを特徴とする電力用半導体装置。前記窪みは、前記板状配線材間の隙間のうち、大きい隙間に対向して開口するように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の電力用半導体装置。前記窪みは、前記開口から深くなるにつれ狭くなる傾斜部が形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の電力用半導体装置。前記窪みは、前記放熱板の厚み方向に沿って凹凸となるように内側面に溝が形成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。前記窪みは、前記放熱面まで貫通していることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。前記窪みは、前記放熱板の面方向における長手方向に直交する方向に延びていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。前記電力用半導体素子がワイドバンドギャップ半導体材料により形成されていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。前記ワイドバンドギャップ半導体材料は、炭化ケイ素、窒化ガリウム、またはダイヤモンド、のうちのいずれかであることを特徴とする請求項7に記載の電力用半導体装置。そこで、例えば、特許文献1の半導体装置の放熱板に特許文献2に記載された金属板構造を取り入れることも考えられる。しかしながら、特許文献2の半導体装置には、金属板とリードフレームとを絶縁するという考え方がない。そのため、上記のような凹凸構造を単純に取り入れて、封止体と放熱板との密着性を確保するようにすると、リードフレームと放熱板間において、絶縁層の厚みが変化する部分が生じ、絶縁膜が剥離したときと同様に、絶縁耐圧が低下してしまう。本発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、動作温度域が高くなっても絶縁耐圧を維持して信頼性の高い電力用半導体装置を得ることを目的としている。本発明の電力用半導体装置は、電力用半導体素子と、複数の板状配線材を並べて平坦に形成された回路部と、外部回路への接続端子とを有し、前記電力用半導体素子が前記回路部の一方の面に実装されたリードフレームと、前記回路部の他方の面に対して、放熱面の反対側の面が絶縁膜を介して接合されるとともに、前記回路部の板状配線材間の隙間に対向し、かつ当該隙間内で開口する窪みが形成された放熱板と、前記リードフレームの接続端子と前記放熱板の少なくとも放熱面とを除いて当該電力用半導体装置を封止する封止体とを備え、前記絶縁膜には、前記放熱板の窪みの位置に対応した貫通孔が形成され、前記封止体は、前記回路面の前記半導体素子が実装された面側から前記板状配線材間の隙間と前記絶縁膜の貫通孔を通して前記放熱板の窪みの内部に食い込む食い込み部を有することを特徴とする。本発明の電力用半導体装置によれば、封止体の一部が放熱板の窪みに食い込んでアンカーとして働くので、動作温度域が高くなっても、絶縁膜がリードフレームと放熱板との密着が保たれ、絶縁耐圧を維持して信頼性の高い電力用半導体装置を得ることができる。実施の形態1.図1~図5は、本発明の実施の形態1にかかる電力用半導体装置を説明するためのもので、図1は電力用半導体装置の外観を示しており、図1aは裏面の平面図、図1bは長手方向の側面のうち、図1aのb方向からの側面図、図1cは長手方向の側面のうち、図1aのc方向からの側面図、図1dは短手方向の側面のうち、図1aのd方向からの側面図である。図2は図1aにおけるd方向から見た断面図の天地を逆転させたものであり、図2aはA-A線における断面図、図2bはB-B線における断面図である。図3は電力用半導体装置のうち、放熱板とパワーリードフレーム部分を抜き出した平面図である。図4は図3からさらにパワーリードフレーム部分を除外して記載した図であり、図4aは放熱板の絶縁膜側から見た平面図、図4bは図4aのD-D線における断面図である。そして、図5は放熱板に設けた窪み部近傍の構成を説明するための図3のC-C線における部分断面図である。本実施の形態1にかかる電力用半導体装置の特徴は、絶縁膜とリードフレームを挟んだ放熱板と封止樹脂間の構造にあるが、はじめに、電力用半導体装置および部材の基本的な構成について説明する。電力用半導体装置1は、図1に示すように、長手方向の両側面にパワーリード端子5Lと制御リード端子6Lを配置したDIPDualInlinePackageタイプの電力用半導体装置である。そして、図2、図3に示すように、銅板を打ち抜いて形成された電力回路用のリードフレーム5パワーリードと制御回路用のリードフレーム6制御リードとを備え、パワーリード5には、例えば炭化珪素SiCのようなワイドバンドギャップ半導体材料で構成された整流素子であるダイオード2とスイッチング素子であるMOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistorのトランジスタ3が搭載され、本電力用半導体装置での電力用の主電流の流れを制御する電力回路が形成されている。また、制御リード6には、例えばケイ素Si:シリコンで構成された半導体素子の集積回路であるIC4が搭載され、パワー半導体であるトランジスタ3の動作を制御するための制御回路が形成されている。なお、パワーリード5には、複数の板状配線材を並べてダイオード2やトランジスタ3を搭載するためのダイパッドや、電力回路を形成するための配線パターン構造を有する平坦な回路部5Cが一端側に形成され、外部回路への主電流経路を形成するための接続端子であるパワーリード端子5Lが他端側に形成されている。同様に、制御リード6には、IC4を搭載するためのダイパッドや制御回路を形成するための配線構造、および電力回路との中継端子を有する回路部6Cが一端側に形成され、外部回路への接続端子である制御リード端子5Lが他端側に形成されている。そして、6組のダイオード2とトランジスタ3が、パワーリード5の回路部5C内のダイパッド表面に、それぞれはんだ9aで接合され、IC4は制御リード6の回路部6C内のダイパッド表面に導電性接着剤9bで固着されている。なお、制御リード6やパワーリード5は、平面図でみると複雑に入り組んだ形状をなし、ひとつの直線で切断した断面には、本来、分割部分や連続部分が混在することになるが、図2では、簡略化のために、説明で区別すべき部分以外は、つながった状態で描いている。電力回路を構成するダイオード2、トランジスタ3は、上述したようにワイドバンドギャップ半導体材料であるSiCを主構成材としており、実動作時に高温200~300°Cで使用するため、はんだ9aには高融点のものが求められる。さらに、環境に配慮すると、Pbを含まない、いわゆる鉛フリーのはんだが好ましく、例えば、Sn-Sb系、Au-Sn系が好ましい。なお、ダイオード2やトランジスタ3と回路部5Cとの接続は、はんだに限るものではなく、焼結性銀ペーストなどの導電性の接着剤など、導電性に優れる材料であればよいが、モールド時や実動作時の温度を考えると使用可能温度が200°C以上で、かつある程度の接着力を有することが好ましい。トランジスタ3の上部電極のうち、大電流となる電力用の主電流を流す電極例えばソース電極とダイオード2とは、アルミニウムのワイヤで構成される配線部材10aで電気的に接続され、ダイオード2とパワーリード端子5Lの根元部分もアルミニウムのワイヤで構成される配線部材10aで電気的に接続される。また、トランジスタ3と制御リード6の中継端子とも配線部材10aによって接続されている。なお、配線部材10aのうち、例えば、トランジスタ3~ダイオード2~リード端子5L間については、図3に示すように連続的に形成するようにしてもよい。また、配線部材10aには、アルミニウムにかぎらず、アルミニウムを主成分とする合金や、他の金属を用いても構わない。一方、制御回路内でのIC4と制御リード端子6Lの根元部分および回路部6Cの中継端子とは、金で構成される金属細線10bで電気的に接続される。なお、金属細線10bは、制御用に電圧を印加するためのものであり、大きな電流を流す必要がなく、集積回路であるIC4に形成された狭い電極との接続が要求されるので、配線部材10aよりも線径の細いワイヤが好ましい。IC4との接合のしやすさから、材料としては金が好ましいが、これらの仕様を満たすのであれば、金を主成分とする合金や、他の金属、例えば銅やアルミニウム、あるいはその合金などを用いても構わない。パワーリード5のうち、回路部5Cの裏面半導体素子2、3が接合された面の反対側の面には放熱性と絶縁性の高い絶縁膜7が接着されており、絶縁膜7を介してさらに放熱用のアルミニウム製の放熱板8ヒートシンクが接着されている。絶縁膜7は絶縁性で熱伝導率の高いAl2O3、SiO2などの無機物フィラーと、電気抵抗率が高いエポキシ樹脂などの有機物のバインダーとで構成され、高い放熱性と絶縁性を兼ね備えている。なお、フィラーとしては、熱伝導率が高く、絶縁性を有する材料であれば、上記に示すセラミックス材料以外の材料でも良い。また、バインダーはエポキシ樹脂以外の有機成分を含んでもよく、またエポキシ樹脂を含んでいなくても良い。そして、上記部材のうち、パワーリード端子5L部分、制御リード端子6L部分、および放熱板8の放熱面8rを除いた部分を封止樹脂11で封止することでパッケージング成型されている。これにより、電力用半導体装置1は、電力回路としては、いわゆる6in1の3相インバータ回路で、制御回路にICを内蔵したトランスファーモールド型のIPMIntelligentPowerModuleとなる。なお、電力用半導体装置1の放熱板8の長手方向両端あるいはその近傍の封止体11には、図示しない放熱フィンに取り付けるための取り付け穴11hを設けている。電力用半導体装置1を実使用する場合、必要に応じて電力用半導体装置1の放熱板8の放熱面8rに、外部の放熱フィンなどと熱伝導性グリスを介してネジ固定するためである。取り付け穴11hを放熱板8両端あるいはその近傍に設置することにより、放熱面8rと外部の放熱フィンを密着させた状態で確実に固定できるため、優れた放熱性を確保できる。つぎに、本実施の形態1にかかる電力用半導体装置の特徴について説明する。図4に示すように、放熱板8には窪み部8dを設けており、絶縁膜7には貫通孔7hを設けている。平面方向において窪み部8dと貫通孔7hとが同じ位置になるように放熱板8に絶縁膜7を重ねている。そして、パワーリード5を重ねたときに、図3および図5に示すように、窪み部8dと貫通孔7hによる開口部分が、回路部5Cに形成された隙間5Cs内に収まるように設計してある。つまり、窪み部8dと貫通孔7hの開口部の上に回路部5Cの板状配線材金属板部分が被さらないようにしている。そして、後述するように、封止体11の一部が窪み部8d内にも食い込んでいる。なお、貫通孔7hは必ずしも窪み部8dの開口と同じ形状である必要はなく、後述するように樹脂が通るだけの径があればよい。上記の部材を用いて、電力用半導体装置1を製造する方法について説明する。リードフレーム5と6を図示しない治具を用いて位置決め固定し、回路実装を行う。ダイシングされたIC4を、図2、3に示すように、制御リード6部分に形成された回路部6Cに形成されたダイパッドにそれぞれ導電性接着剤9bで固着する。次にダイオード2と、トランジスタ3を、それぞれはんだ9aで、パワーリード5の回路部5Cに形成されたダイパッドにダイボンディングする。そして、電力回路側のトランジスタ3とダイオード2とをアルミワイヤの配線部材10aを用いてワイヤボンディングにより電気的に接続し、ダイオード2とパワーリード端子5Lとをアルミワイヤの配線部材10aを用いてワイヤボンディングにより電気的に接続する。さらに、トランジスタ3と制御リード5の中継端子間をワイヤボンディングにより電気的に接続する。つづいて、制御回路内のIC4と制御リード端子6Lおよび中継端子とを、金からなる金属細線10bを用いてワイヤボンディングにより電気的に接続する。これにより、電力回路とその電力回路を制御する制御回路とを備えた回路部材が形成される。上記回路部材の形成とは別に、放熱板8の用意を行う。所定厚みの金属板例えばアルミニウム板をプレスで放熱板形状に打抜き、その後窪み部8dを加工して放熱板8とする。予めシート状に形成された絶縁膜を切り抜き、所定位置に貫通孔を形成して絶縁膜7とする。平面方向において窪み部8dの開口の位置に貫通孔7hが位置するように、放熱板8に絶縁膜7を重ねる。そして、プレスにて温度と圧力をかけて両部材を仮接着させる。このとき、プレスと絶縁膜7の間には圧力が均一にかかるように紙などの緩衝材をいれておくことが望ましい。これにより、絶縁膜7を仮接着させた放熱板8が用意できる。放熱板8の放熱面8r側を熱源に載置し、絶縁膜7の上面に上記回路部材を設置する。このとき、窪み部8dと貫通孔7hによる開口部分が、パワーリード5に形成された隙間5Csの範囲内に収まるように設置する。そして型締め後、封止体11を構成する封止樹脂11Rを流し込んで封止する。このときに、絶縁膜7を構成するバインダーも硬化するので、絶縁膜7は放熱板8とパワーリード5に対して強固に接着する。さらに、封止樹脂11Rは、パワーリード5の板状配線部材間の隙間5Cs、絶縁膜7の貫通孔7hを通って窪み部8dにも流れ込む。窪み部8dに流れ込んだ封止樹脂11Rは、封止体11本体と一体硬化して、放熱板8に食い込む食い込み部11a図2b参照が形成される。なお、パワーリード端子5L、制御リード端子6L、放熱板8の放熱面8rは封止樹脂11から外部に露出している。封止樹脂から露出したパワーリード端子5L、制御リード端子6Lを所定のリード形状になるようにリードフォーミングを行って電力用半導体装置1が完成する。なお、リードフレーム5、6の表面には、必要に応じメッキ等の技術により表面加工がなされる。上記、モールド工程において、一般に樹脂には硬化収縮があるため、トランスファーモールド後に室温に戻る際、収縮した樹脂が放熱板を中心方向に引っ張る。一方、放熱板はもとの形状に戻ろうとする反力が残留応力として働く。この状態で温度差のある環境にさらされると、線膨張係数差による熱応力が放熱板と絶縁膜間、または絶縁膜と封止体間に働き接着強度が弱まる。パワー半導体素子として、SiCを用いた場合、高温側が175°C、低温側が室温のような非常に大きな温度差にさらされることもある。最悪の場合は接着強度が弱くなった部分で層間剥離が発生することもあり、剥離が発生すると剥離部分と剥離していない部分との境界に電位勾配が集中して部分放電が発生し、耐圧が低くなる。とくに、高温動作に対応するため、絶縁膜の放熱性を高めようとすると、フィラー充填率を高める必要があり、相対的に接着を担うバインダーの比率が減り接着強度が低くなる。そのため、運転温度が高温になるほど、熱応力が大きくなるのに対して、それに対抗するための接着力は逆に低下してしまうので、ますます剥離が生じやすくなり、耐圧性能も低下しやすくなってしまう。それに対し、本発明の実施の形態1にかかる電力用半導体装置1では、封止体11が、放熱板8に対して回路部5Cと絶縁膜7の隙間5Cs、7hを通して食い込む食い込み部11aを備えている。食い込み部11aが放熱板8に対してアンカー効果を発揮することにより、温度サイクルが生じても、封止体11に対する放熱板8の反りやゆがみ、あるいは、放熱板8に対する封止体11の反りやゆがみが抑えられる。つまり、回路部5Cと絶縁膜7を間に挟んだ封止体11と放熱板8との間隔は、間に入る部材の膨張収縮分での変化にとどまり、平行度の変化が抑えられる。つまり、放熱板8~絶縁膜7~回路部5C~封止体11間に局所的な剥離層ができる余地がなくなるので、絶縁膜7の回路部5を構成する板状配線材や放熱板8からの剥離を抑えることができ、耐圧性能を維持することができる。そのため、SiCのようなワイドバンドギャップ半導体の性能を発揮して、175°Cといった従来のSi半導体よりも高温で使用しても長期絶縁性を確保することが可能となる。さらには、剥離層が生じないために伝熱性も確保され、高い放熱効率を長期間確保することにもなる。また、絶縁膜7は原料を混合する過程などで空気を巻き込むことがあり、トランスファーモールドプロセス時に気泡が発生する可能性がある。このとき絶縁膜の中心付近で発生した気泡は抜けにくく、絶縁膜内、もしくは界面にトラップされてしまう可能性がある。特に絶縁膜の面積が大きくなるほどトラップされやすいという問題があった。それに対し、本発明の実施の形態1にかかる電力用半導体装置1では、絶縁膜7に貫通孔7hを設けているため、加熱されたときに生じる気泡が貫通孔7hから抜けていく。このため、絶縁膜7に気泡としてのボイドが残らなくなり、絶縁耐圧低下が抑制され、より大きな電流を扱った場合でも絶縁信頼性を確保することができる。ボイドが残らないようにすることは、伝熱性の確保にもつながり、高い放熱効率の長期間確保という効果ももたらす。一方、絶縁膜7は熱硬化させる際に一度ゲル状に軟化する。そのため、仮接着の段階で、絶縁膜7の貫通孔8hの穴径が放熱板8の窪み部8dの穴径と同じであったとしても、図5に示すように、ゲル状になった絶縁膜7が、窪み部8dの開口部内側に向かって一部はみ出した後硬化して、はみ出し部7eとして残る。はみ出し部7eが放熱板8に対するアンカーとして機能することで、絶縁膜7と放熱板8との接着強度がさらに高くなる。なお、パワーリード5回路部5Cの導電部分である板状配線材と放熱板8との間の絶縁距離を確保する必要があることから、回路部5Cの隙間5Csのうち、貫通孔7hを囲む板状配線材間の隙間5Csの幅DLhを、貫通孔7hを囲まない板状配線材間の隙間の幅DLnよりも広くするようにしている。また、図では窪み部8dの開口形状は四角のものについて記載しているが、四角形でなくともよく、丸型や多角形でもよい。以上のように、本発明の実施の形態1にかかる電力用半導体装置1によれば、電力用半導体素子2、3と、複数の板状配線材を並べて平坦に形成された回路部5Cと、外部回路への接続端子5Lとを有し、電力用半導体素子2、3が回路部5Cの一方の面に実装されたリードフレーム5と、回路部5Cの他方の面に対して、放熱面8rの反対側の面が絶縁膜7を介して接合されるとともに、回路部5Cの板状配線材間の隙間5Csに対向し、かつ当該隙間の範囲内で開口する窪み8dが形成された放熱板8と、リードフレーム5の接続端子5Lと放熱板8の少なくとも放熱面8rとを除いて当該電力用半導体装置1を封止する封止体11とを備え、絶縁膜7には、放熱板8の窪み8dの位置に対応した貫通孔7hが形成され、封止体11は、回路面5Cの半導体素子2、3が実装された面側から板状配線材間の隙間5Csと絶縁膜7の貫通孔7hを通して放熱板8の窪み8dの内部に食い込む食い込み部11aを有するように構成したので、封止体11の食い込み部11aが放熱板8にアンカーとしてはたらき、封止体11と放熱板8とでリードフレーム5の回路部5Cと絶縁膜7とを挟み込むことができる。そのため、絶縁膜7の放熱性を優先するためにフィラー充填率を高めることで、接着性が低下したとしても、絶縁膜7がリードフレーム5の回路部5Cあるいは放熱板8からの剥離するのを抑制することができ、絶縁耐圧を維持して信頼性の高い電力用半導体装置を得ることができる。とくに、窪み8dは、板状配線材間の隙間のうち、大きい隙間に対向して開口するように形成する。あるいは、回路部5Cは、窪み部8dが対向する隙間5Cs幅DLhが、他の板状配線材間の隙間幅DLnより広くなるように形成する。と、いうように構成すれば、窪み部8d周囲の絶縁距離を保ち、絶縁耐圧を高めることができる。実施の形態2.本実施の形態2にかかる電力用半導体装置においては、実施の形態1にかかる電力用半導体装置に対し、放熱板に設けた窪みの形状を異なるようにしたものである。その他の部材については実施の形態1にかかる電力用半導体装置と同様であるので、説明を省略する。図6~図8は、本実施の形態2にかかる電力用半導体装置の構成を説明するためのもので、図6は電力用半導体装置のうち、放熱板とパワーリードフレーム部分を抜き出した平面図である。図7は放熱板に設けた窪み部近傍の構成を説明するための図で、図7aは図6のE-E線における部分断面図であり、図7bは放熱板に絶縁膜を仮接着する際の状態を示す部分断面図を示している。図8は本実施の形態2および実施の形態1にかかる放熱板に設けた窪み部近傍の構成の違いを説明するための部分断面図で、図8aは図6aに、図8bは図5に対応し、それぞれ、寸法対象を明確にするため、背景に見える線を一部省略している。図6および図7aに示すように、本実施の形態2にかかる電力用半導体装置201は、放熱板208に設けた窪み部208dの開口入口部に、傾斜部208daを持たせたものである。そして、図7bに示すように、絶縁膜のシート207Sを放熱板208に仮接着する際のプレス金型20には、傾斜部208daの形状に合わせた三角形状の突起20pを設けている。プレス時にこの突起20pを放熱板208の窪み部208dの傾斜部208daに合わせて加圧すれば、傾斜部208da部分にも絶縁膜207を介して均一にプレス圧力をかけることができる。このとき緩衝材21をプレス金型20と絶縁膜シート207Sとの間に載置し、プレス時に三角形状の突起20pが緩衝材21および絶縁膜のシート207Sを突き破って傾斜部208daを加圧する。その結果、図6に示すように、絶縁膜207には窪み部208dに対応した貫通孔207hを形成することができ、図7aに示すように、傾斜部208da部分には、傾斜部208daに沿って絶縁膜7が接着される。このように、傾斜部208daを有するように窪み部を変形することにより、実施の形態1と比べて電力用半導体装置のサイズを小さくすることができることについて図8を用いて説明する。図8では、パワーリードのうち、絶縁膜を介して放熱板に接合されている回路部の板状配線材間の絶縁距離について説明したものであり、貫通孔を取り囲む板状配線材間の間隔DLhと、板状配線材と放熱板との沿面距離Dcrとの関係を示している。図において、本実施の形態2にかかる電力用半導体装置での回路部205Cと放熱板208との沿面距離Dcr2図8aと、実施の形態1にかかる電力用半導体装置での回路部5Cと放熱板8との沿面距離Dcr1図8bとは、ほぼ同じになるように設定している。しかしながら、本実施の形態2にかかる電力用半導体装置では、絶縁膜207が傾斜部208adに沿って、窪み208の深さ方向に進出しているので、同じ沿面距離Dcrを確保するにあたり、実施の形態1における電力用半導体装置におけるパワーリードの回路部5Cにおける貫通孔8dを取り囲む板状配線材間の間隔DLh1よりも短い板状配線材間の間隔DLh2に設定することができる。そのため、パワーリード205の回路部205Cのサイズを小さくすることで、製品自体を小型化できる。また、傾斜部208daに沿って絶縁膜207が接着しており、傾斜部208daによる凹み部分で絶縁膜207が放熱板208に対するアンカーになることで接着強度が増し、より高温でも長期絶縁性を保つことができる。なお、上記実施の形態2においては、仮接着時のプレスにより、突起20pが穿孔具となって、絶縁膜のシート207Sに貫通孔を穿孔する例を示したが、予めシートに穴を穿孔しておくようにしてもよい。その場合、穿孔した貫通孔の位置を放熱板の窪み208dの位置に合わせるようにする必要があるが、穴形状が一定になり、貫通孔周囲にひび割れ等が発生することを防止できる。以上のように、本実施の形態2にかかる電力用半導体装置201によれば、窪み部208dは、開口から深くなるにつれ狭くなる傾斜部208daが形成されているように構成したので、傾斜部208dに沿って絶縁膜7が貼りつくことにより、絶縁膜207と放熱板208間の密着性が向上し、剥離をより一層抑制できる。また、傾斜部208daを経由することで、板状配線材間の間隔を狭くしても、回路部205Cと放熱板8間の沿面距離を長くすることができるので、回路部205Cのサイズを小さくし、装置全体をコンパクトにすることができる。実施の形態3.本実施の形態3にかかる電力用半導体装置においては、上記実施の形態1や2にかかる電力用半導体装置に対し、放熱板に設けた窪みの形状を異なるようにしたものである。その他の部材については実施の形態1や2にかかる電力用半導体装置と同様であるので、説明を省略する。図9は、本実施の形態3にかかる電力用半導体装置の構成を説明するためのもので、放熱板に設けた窪み部近傍部分の構成を示す部分断面図である。図9に示すように、本実施の形態3にかかる電力用半導体装置301は、放熱板308に設けた窪み部308dが、ねじ穴のように、内側面が深さ方向に沿って凹凸になっていることである。窪み部308dは、タップを切ることで形成できる。このねじ山状の窪み部308dに封止樹脂11Rが流れ込んで硬化すると、アンカー効果がより強固となり、剥離を効果的に抑制し、より高温時の動作で熱応力がかかる場合でも、接着強度を維持できる。なお、ネジに限ることなく、窪み部の内側面が深さ方向に沿って凹凸になっているようにすればよく、例えば、内側面にらせん状の溝を設けるようにしてもよい。以上のように、本実施の形態3にかかる電力用半導体装置301によれば、窪み308dは、放熱板308の厚み方向に沿って凹凸となるように内側面に溝が形成されているようにしたので、アンカー効果がより強固となり、剥離を抑制して絶縁耐圧を維持できる。実施の形態4.本実施の形態4にかかる電力用半導体装置においては、上記実施の形態1~3にかかる電力用半導体装置に対し、放熱板に設けた窪みを反対側にまで貫通するようにしたものである。その他の部材については実施の形態1~3にかかる電力用半導体装置と同様であるので、説明を省略する。図10は、本実施の形態4にかかる電力用半導体装置の構成を説明するためのもので、放熱板に設けた窪み部近傍部分の構成を示す部分断面図である。図に示すように、本実施の形態4にかかる電力用半導体装置401では、放熱板408に設けた窪み部408dは放熱板408の表面側から裏面の放熱面408r側まで貫通している。なお、窪み部408dは、本来、穴というべきであるが、表面側から見ると窪んでいるという点では他の実施の形態と共通しているので、窪みと称することとする。それ以外の部分は他の実施の形態と同じである。このとき、例えば窪み部408dを表面側よりも放熱面408r側の方の径が広くなるような傾斜テーパーをつけると、厚み方向に働くアンカー効果をより強化することができる。また、例えば窪み部408dの放熱板208の放熱面408r側の開口部にも、実施の形態2のような傾斜部を形成すれば、封止体11が放熱板408裏面に食いつくことで、アンカー効果をより強化することができる。そのため、剥離を防止することかが強化される。さらに窪み部408dが放熱板408の放熱面408r側まで貫通していることにより、トランスファーモールド時に窪み部208dを通って気泡を抜くことができる。このため、さらに効率良く気泡を排出することができ、ボイド発生を抑制することができる。以上のように、本実施の形態4にかかる電力用半導体装置401によれば、窪み408dは、放熱面408rまで貫通しているように構成したので、アンカー効果が高い。さらに、貫通した窪み408dがガス抜き孔となるので、ボイド発生を抑制することができる。また、窪み部408dを放熱面408r側から穿孔するようにして、放熱面408r側が広いテーパー状に形成すれば、さらにアンカー効果を高めることができる。実施の形態5.本実施の形態5にかかる電力用半導体装置においては、上記実施の形態1~4にかかる電力用半導体装置に対し、放熱板に設けた窪みを面方向に延ばしたいわゆる溝状に形成したものである。その他の部材については実施の形態1~4にかかる電力用半導体装置と同様であるので、説明を省略する。図11は、本実施の形態5にかかる電力用半導体装置の構成を説明するためのもので、図11aは絶縁シートを仮接着した放熱板の平面図、図11bは図11aのF-F線における断面図である。窪み部508dは放熱板508の長手方向に対して垂直な方向に延びる溝状をなし、それに伴い貫通孔507hも同じスリット状をなしている。また、後工程で重ねあわされる図示しないリードフレーム505の回路部505Cには、窪み部508dの開口に対応し、開口よりも広い隙間505Csが形成されている。そのため、窪み部508dの開口は、リードフレーム505が重ねあわされた際に、回路部505Cの隙間505Cs内に収まり、窪み部508dを回路部505Cの板状配線材が被さらないようになっている。そして、窪み部508dの延びる方向を封止樹脂の注入方向に沿う平行ように形成しているので、封止樹脂11をトランスファモールドで注入する際、窪み部508d内で封止樹脂11Rの流れを阻害することがなく、封止樹脂11Rが気泡を巻き込むのを抑制することができる。また、封止体は加熱されたあと、冷却、硬化する際に熱収縮する。このとき絶縁膜507と放熱板508を内部に引っ張る力が働き、放熱板508は裏面を凸にして反る。このため絶縁膜507と放熱板508の界面には離れる方向に力が働き、高温でその力が強くなると、剥離が生じる恐れがある。それに対し放熱板508の長手方向に垂直な方向に延びる窪み508dを設けると、窪み508dが長手方向の曲げ剛性を下がるので、反りが低減され、剥離する力が抑制される。以上のように、本実施の形態5にかかる電力用半導体装置501によれば、窪み508dを放熱板508の面方向における長手方向に直交する方向に延びるようにしたので、その方向に樹脂11Rを流せば、気泡を巻き込まずに封止体11を形成できる。また、放熱板508の長手方向の変形に対する剛性が低下するので、温度変化による反りが低減され、絶縁膜507の剥離を抑制できる。なお、上記各実施の形態では、スイッチング素子であるトランジスタ3には、MOSFETを使用した場合を示したが、IGBTInsulatedGateBipolarTransistorを使用してもよい。また、ワイドバンドギャップ半導体素子材料として、炭化珪素以外に窒化ガリウムGaN、またはダイヤモンドといった材料を用いてもよい。さらに、MOSFETのみで、ダイオードのような整流素子が必要ない場合などでもよい。また、上記各実施の形態においては、整流素子ダイオードやスイッチング素子トランジスタとして機能する半導体素子2、3には、炭化ケイ素によって形成されたいわゆるワイドバンドギャップ半導体素子の例を示したが、これに限られることはなく、ケイ素Siで形成されたものであってもよい。しかし、上述したようにケイ素よりもバンドギャップが大きい、いわゆるワイドギャップ半導体を形成できる炭化ケイ素や、窒化ガリウム系材料又はダイヤモンドを用いた時の方が、動作温度域が高いので、本発明による効果をより一層発揮することができる。