"レーザ光を出力するレーザチップをマウント部材の上面に実装した半導体レーザと、この半導体レーザが半田付けにより固着される半導体レーザ取付部を備えた基台と、を有し、前記半導体レーザ取付部は、前記マウント部材の底面が半田を介して接合される取付面を上面に備え、前記半導体レーザは、少なくとも前記レーザチップの出射面側において前記マウント部材が前記取付面の外側に庇状に張り出すように前記半導体レーザ取付部に取り付けられたことを特徴とするレーザ光源装置。前記半導体レーザ取付部は、前記取付面の外側に、その取付面より低く形成された段差面を備え、この段差面に上方が開放された凹部が形成されたことを特徴とする請求項1に記載のレーザ光源装置。前記凹部は、庇状に張り出した前記マウント部材で上方を全て覆われるように設けられたことを特徴とする請求項2に記載のレーザ光源装置。前記凹部は、前記取付面を取り囲むように溝状に形成されたことを特徴とする請求項2若しくは請求項3に記載のレーザ光源装置。前記半導体レーザは、励起用レーザ光を出力するものであり、この半導体レーザから出力された励起用レーザ光により励起されて赤外レーザ光を出力する固体レーザ素子と、この固体レーザ素子から出力された赤外レーザ光の波長を変換して緑色レーザ光を出力する波長変換素子と、を備え、前記固体レーザ素子および前記波長変換素子が、前記半導体レーザともに前記基台に一体的に支持されたことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のレーザ光源装置。前記のような構成の緑色レーザ光源装置は、半導体レーザの他に、固体レーザ素子や波長変換素子などの種々の光学部材を有するため、これらの部材を基台に一体的に支持させる構成とするとよいが、半導体レーザは非常に小型の部品であるため、ねじ止めにより基台に取り付けることが難しい。そこで、半田付けで半導体レーザを基台に固定することが考えられる。半田付けで半導体レーザを基台に固定するには、リフロー方式を作用するとよく、この場合、基台の取付面にペースト状の半田を塗布してその上に半導体レーザを載置してリフロー槽に通すことになる。ところが、このような半田付けの際に、半田に混入されたフラックスが気化して、上方にあるレーザチップの出射面に付着してその出射面を汚染してしまう。この出射面の汚染は、レーザ光の出力低下を招き、十分な強度のレーザ光を出力することができなくなるという問題を招くことから、避けることが望ましい。本発明は、このような従来技術の問題点を解消するべく案出されたものであり、その主な目的は、半導体レーザを半田付けで基台に固定する場合に、半田に混入されたフラックスでレーザチップの出射面が汚染されることを防ぐことができるように構成されたレーザ光源装置を提供することにある。本発明のレーザ光源装置は、レーザ光を出力するレーザチップをマウント部材の上面に実装した半導体レーザと、この半導体レーザが半田付けにより固着される半導体レーザ取付部を備えた基台と、を有し、前記半導体レーザ取付部は、前記マウント部材の底面が半田を介して接合される取付面を上面に備え、前記半導体レーザは、少なくとも前記レーザチップの出射面側において前記マウント部材が前記取付面の外側に庇状に張り出すように前記半導体レーザ取付部に取り付けられた構成とする。本発明によれば、半田に混入されたフラックスの気化により発生するフラックスガスが、庇状に張り出したマウント部材で遮られて、マウント部材の上方にあるレーザチップの出射面に届きにくくなるため、半導体レーザの出射面がフラックスで汚染されることを抑制することができる。前記課題を解決するためになされた第1の発明は、レーザ光を出力するレーザチップをマウント部材の上面に実装した半導体レーザと、この半導体レーザが半田付けにより固着される半導体レーザ取付部を備えた基台と、を有し、前記半導体レーザ取付部は、前記マウント部材の底面が半田を介して接合される取付面を上面に備え、前記半導体レーザは、少なくとも前記レーザチップの出射面側において前記マウント部材が前記取付面の外側に庇状に張り出すように前記半導体レーザ取付部に取り付けられた構成とする。これによると、半田に混入されたフラックスの気化により発生するフラックスガスが、庇状に張り出したマウント部材で遮られて、マウント部材の上方にあるレーザチップの出射面に届きにくくなるため、半導体レーザの出射面がフラックスで汚染されることを抑制することができる。また、第2の発明は、前記第1の発明において、前記半導体レーザ取付部は、前記取付面の外側に、その取付面より低く形成された段差面を備え、この段差面に上方が開放された凹部が形成された構成とする。これによると、マウント部材を庇状に張り出すことで、取付面からはみ出した余剰の半田が取付面から流れ落ちるが、取付面の外周側の段差面に凹部が形成されていることから、余剰の半田が凹部に流れ込んで停留するため、余剰の半田が基台の半導体レーザ取付部以外の部分へ流れ出してその部分を汚染することを防止することができる。また、第3の発明は、前記第2の発明において、前記凹部は、庇状に張り出した前記マウント部材で上方を全て覆われるように設けられた構成とする。これによると、凹部に溜まった半田から発生するフラックスガスが、庇状に張り出したマウント部材で遮られて、マウント部材の上方にあるレーザチップの出射面に届きにくくなるため、レーザチップの出射面が流れ落ちた半田に起因するフラックスで汚染されることを防ぐことができる。また、第4の発明は、前記第2若しくは第3の発明において、前記凹部は、前記取付面を取り囲むように溝状に形成された構成とする。これによると、凹部が取付面を取り囲むように溝状に形成されているため、取付面からはみ出した余剰の半田を確実に捕捉して、余剰の半田が基台の半導体レーザ取付部以外の部分へ流れ出すことを確実に防止することができる。また、第5の発明は、前記第1乃至第4の発明において、前記半導体レーザは、励起用レーザ光を出力するものであり、この半導体レーザから出力された励起用レーザ光により励起されて赤外レーザ光を出力する固体レーザ素子と、この固体レーザ素子から出力された赤外レーザ光の波長を変換して緑色レーザ光を出力する波長変換素子と、を備え、前記固体レーザ素子および前記波長変換素子が、前記半導体レーザともに前記基台に一体的に支持された構成とする。これによると、高出力の緑色レーザ光を出力することができる。以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。図1は、本発明による画像表示装置の光学エンジン部1の概略構成図である。この光学エンジン部1は、所要の画像をスクリーンに投影表示するものであり、緑色レーザ光を出力する緑色レーザ光源装置2と、赤色レーザ光を出力する赤色レーザ光源装置3と、青色レーザ光を出力する青色レーザ光源装置4と、映像信号に応じて各レーザ光源装置2~4からのレーザ光の変調を行う液晶反射型の光変調素子5と、各レーザ光源装置2~4からのレーザ光を反射させて光変調素子5に照射させるとともに光変調素子5から出射された変調レーザ光を透過させる偏光ビームスプリッタ6と、各レーザ光源装置2~4から出射されるレーザ光を偏光ビームスプリッタ6に導くリレー光学系7と、偏光ビームスプリッタ6を透過した変調レーザ光をスクリーンに投射する投射光学系8と、を備えている。この光学エンジン部1は、いわゆるフィールドシーケンシャル方式でカラー画像を表示するものであり、各レーザ光源装置2~4から各色のレーザ光が時分割で順次出力され、各色のレーザ光による画像が視覚の残像効果によってカラー画像として認識される。リレー光学系7は、各レーザ光源装置2~4から出射される各色のレーザ光を平行ビームに変換するコリメータレンズ11~13と、コリメータレンズ11~13を通過した各色のレーザ光を所要の方向に導く第1および第2のダイクロイックミラー14,15と、ダイクロイックミラー14,15により導かれたレーザ光を拡散させる拡散板16と、拡散板16を通過したレーザ光を収束レーザに変換するフィールドレンズ17と、を備えている。投射光学系8からスクリーンSに向けてレーザ光が出射される側を前側とすると、青色レーザ光源装置4から青色レーザ光が後方に向けて出射され、この青色レーザ光の光軸に対して緑色レーザ光の光軸および赤色レーザ光の光軸が互いに直交するように、緑色レーザ光源装置2および赤色レーザ光源装置3から緑色レーザ光および赤色レーザ光が出射され、この青色レーザ光、赤色レーザ光、および緑色レーザ光が、2つのダイクロイックミラー14,15で同一の光路に導かれる。すなわち、青色レーザ光と緑色レーザ光が第1のダイクロイックミラー14で同一の光路に導かれ、青色レーザ光および緑色レーザ光と赤色レーザ光が第2のダイクロイックミラー15で同一の光路に導かれる。第1および第2のダイクロイックミラー14,15は、表面に所定の波長のレーザ光を透過および反射させるための膜が形成されたものであり、第1のダイクロイックミラー14は、青色レーザ光を透過するとともに緑色レーザ光を反射させる。第2のダイクロイックミラー15は、赤色レーザ光を透過するとともに青色レーザ光および緑色レーザ光を反射させる。これらの各光学部材は、筐体21に支持されている。この筐体21は、各レーザ光源装置2~4で発生した熱を放熱する放熱体として機能し、アルミニウムや銅などの熱伝導性の高い材料で形成されている。緑色レーザ光源装置2は、側方に向けて突出した状態で筐体21に形成された取付部22に取り付けられている。この取付部22は、リレー光学系7の収容スペースの前方と側方にそれぞれ位置する前壁部23と側壁部24とが交わる角部から側壁部24に直交する向きに突出した状態で設けられている。赤色レーザ光源装置3は、ホルダ25に保持された状態で側壁部24の外面側に取り付けられている。青色レーザ光源装置4は、ホルダ26に保持された状態で前壁部23の外面側に取り付けられている。赤色レーザ光源装置3および青色レーザ光源装置4は、いわゆるCANパッケージで構成され、レーザ光を出力するレーザチップが、ステムに支持された状態で缶状の外装部の中心軸上に光軸が位置するように配置されたものであり、外装部の開口に設けられたガラス窓からレーザ光が出射される。この赤色レーザ光源装置3および青色レーザ光源装置4は、ホルダ25,26に開設された取付孔27,28に圧入するなどしてホルダ25,26に対して固定される。青色レーザ光源装置4および赤色レーザ光源装置3のレーザチップの発熱は、ホルダ25,26を介して筐体21に伝達されて放熱され、各ホルダ25,26は、アルミニウムや銅などの熱伝導率の高い材料で形成されている。緑色レーザ光源装置2は、励起用レーザ光を出力する半導体レーザ31と、半導体レーザ31から出力された励起用レーザ光を集光する集光レンズであるFACFastAxisCollimatorレンズ32およびロッドレンズ33と、励起用レーザ光により励起されて基本レーザ光赤外レーザ光を出力する固体レーザ素子34と、基本レーザ光の波長を変換して半波長レーザ光緑色レーザ光を出力する波長変換素子35と、固体レーザ素子34とともに共振器を構成する凹面ミラー36と、励起用レーザ光および基本波長レーザ光の漏洩を阻止するガラスカバー37と、各部を支持する基台38と、各部を覆うカバー体39と、を備えている。この緑色レーザ光源装置2は、基台38を筐体21の取付部22に取り付けて固定され、緑色レーザ光源装置2と筐体21の側壁部24との間に所要の幅例えば0.5mm以下の間隙が形成される。これにより、緑色レーザ光源装置2の熱が赤色レーザ光源装置3に伝わりにくくなり、赤色レーザ光源装置3の昇温を抑制して、温度特性の悪い赤色レーザ光源装置3を安定的に動作させることができる。また、赤色レーザ光源装置3の所要の光軸調整代例えば0.3mm程度を確保するため、緑色レーザ光源装置2と赤色レーザ光源装置3との間に所要の幅例えば0.3mm以上の間隙が設けられている。図2は、緑色レーザ光源装置2におけるレーザ光の状況を示す模式図である。半導体レーザ31のレーザチップ41は、波長808nmの励起用レーザ光を出力する。FACレンズ32は、レーザ光のファースト軸光軸方向に対して直交し且つ図の紙面に沿う方向の拡がりを低減する。ロッドレンズ33は、レーザ光のスロー軸図の紙面に対して直交する方向の拡がりを低減する。固体レーザ素子34は、いわゆる固体レーザ結晶であり、ロッドレンズ33を通過した波長808nmの励起用レーザ光により励起されて波長1064nmの基本波長レーザ光赤外レーザ光を出力する。この固体レーザ素子34は、YイットリウムVO4バナデートからなる無機光学活性物質結晶にNdネオジウムをドーピングしたものであり、より具体的には、母材であるYVO4のYに蛍光を発する元素であるNd3に置換してドーピングしたものである。固体レーザ素子34におけるロッドレンズ33に対向する側には、波長808nmの励起用レーザ光に対する反射防止と、波長1064nmの基本波長レーザ光および波長532nmの半波長レーザ光に対する高反射の機能を有する膜42が形成されている。固体レーザ素子34における波長変換素子35に対向する側には、波長1064nmの基本波長レーザ光および波長532nmの半波長レーザ光に対する反射防止の機能を有する膜43が形成されている。波長変換素子35は、いわゆるSHGSecondHarmonicsGeneration素子であり、固体レーザ素子34から出力される波長1064nmの基本波長レーザ光赤外レーザ光の波長を変換して波長532nmの半波長レーザ光緑色レーザ光を生成する。この波長変換素子35は、強誘電体結晶に、分極が反転した領域とそのままの領域を交互に形成した、周期的な分極反転構造を備えたものであり、分極反転周期方向分極反転領域の配列方向に基本波長レーザ光を入射させる。なお、強誘電体結晶には、例えばLNニオブ酸リチウムにMgOを添加したものが用いられる。波長変換素子35における固体レーザ素子34に対向する側には、波長1064nmの基本波長レーザ光に対する反射防止と、波長532nmの半波長レーザ光に対する高反射の機能を有する膜44が形成されている。波長変換素子35における凹面ミラー36に対向する側には、波長1064nmの基本波長レーザ光および波長532nmの半波長レーザ光に対する反射防止の機能を有する膜45が形成されている。凹面ミラー36は、波長変換素子35に対向する側に凹面を有し、この凹面には、波長1064nmの基本波長レーザ光に対する高反射と、波長532nmの半波長レーザ光に対する反射防止の機能を有する膜46が形成されている。これにより、固体レーザ素子34の膜42と凹面ミラー36の膜46との間で、波長1064nmの基本波長レーザ光が共振して増幅される。波長変換素子35では、固体レーザ素子34から入射した波長1064nmの基本波長レーザ光の一部が波長532nmの半波長レーザ光に変換され、変換されずに波長変換素子35を通過した波長1064nmの基本波長レーザ光は、凹面ミラー36で反射されて波長変換素子35に再度入射し、波長532nmの半波長レーザ光に変換される。この波長532nmの半波長レーザ光は、波長変換素子35の膜44で反射されて波長変換素子35から出射される。ここで、固体レーザ素子34から波長変換素子35に入射して波長変換素子35で波長変換されて波長変換素子35から出射されるレーザ光のビームB1と、凹面ミラー36で一旦反射されて波長変換素子35に入射して膜44で反射されて波長変換素子35から出射されるレーザ光のビームB2とが互いに重なり合う状態では、波長532nmの半波長レーザ光と波長1064nmの基本波長レーザ光とが干渉を起こして出力が低下する。そこでここでは、波長変換素子35を光軸方向に対して傾斜させて、入射面および出射面での屈折作用により、レーザ光のビームB1、B2が互いに重なり合わないようにして、波長532nmの半波長レーザ光と波長1064nmの基本波長レーザ光との干渉を防ぐようにしており、これにより出力低下を避けることができる。なお、図1に示したガラスカバー37には、波長808nmの励起用レーザ光および波長1064nmの基本波長レーザ光が外部に漏洩することを防止するため、これらのレーザ光を透過しない膜が形成されている。図3は、緑色レーザ光源装置2の斜視図である。半導体レーザ31、ロッドレンズ33、固体レーザ素子34、波長変換素子35、および凹面ミラー36は、基台38に一体的に支持されている。基台38の底面51は光軸方向に対して平行となる。ここでは、基台38の底面51に対して直交する方向を高さ方向とし、この高さ方向および光軸方向に対して直交する方向を幅方向とする。また、基台38の底面51に近接する側を下、底面51と相反する側を上として説明するが、これは実際の装置の上下方向と必ずしも一致するものではない。半導体レーザ31は、レーザ光を出力するレーザチップ41をマウント部材52に実装したものである。レーザチップ41は、光軸方向に長い帯板状をなし、光出射面を集光レンズ33側に向けた状態で、平板状をなすマウント部材52の一面の幅方向の略中心位置に固着されている。この半導体レーザ31は、基台38に形成された半導体レーザ取付部53に半田付けで固定される。ロッドレンズ33は、集光レンズホルダ54に保持される。この集光レンズホルダ54は、支持部材55を介して基台38に固定される。集光レンズホルダ54は、光軸方向に移動可能に支持部材55に連結されており、また支持部材55は、高さ方向に移動可能に基台38に連結されており、これによりロッドレンズ33の位置が、高さ方向および光軸方向について調整される。ロッドレンズ33は位置調整作業の前に集光レンズホルダ54に接着剤で固定され、位置調整作業の後に、集光レンズホルダ54と支持部材55と基台38とが接着剤で互いに固定される。なお、この図3においては後に説明するレーザチップ41の陰に隠れて見えないが、図2に示したFACレンズ32も図3に示した集光レンズホルダ54に保持される。固体レーザ素子34は、基台38に一体的に形成された固体レーザ素子保持部56に保持される。固体レーザ素子34と固体レーザ素子保持部56とは接着剤で互いに固定される。波長変換素子35は、波長変換素子ホルダ57に保持される。この波長変換素子ホルダ57は、波長変換素子35の幅方向の位置を調整することができるように、基台38に一体的に形成されたホルダ支持部58に対して、幅方向に移動可能に設けられている。波長変換素子35は位置調整作業の前に波長変換素子ホルダ57に接着剤で固定され、位置調整作業の後に、波長変換素子ホルダ57とホルダ支持部58とが接着剤で互いに固定される。凹面ミラー36は、基台38に一体的に形成された凹面ミラー保持部59に保持される。半導体レーザ31のレーザチップ41には、レーザ駆動部61から供給される駆動電圧がリード線62,63を介して印加される。アノード側のリード線62は、中継基板64を介して、レーザチップ41のリード部65に接続されている。カソード側のリード線63は、中継基板64を介して、基台38の半導体レーザ取付部53の側面に突出形成された端子部66に接続されている。半導体レーザ31のマウント部材52は、半田を介して基台38の半導体レーザ取付部53に固着され、マウント部材52の下面側に設けられたカソード側の電極が半田層を介して半導体レーザ取付部53と電気的に接続される。中継基板64は、アノード側およびカソード側の導電パターン67,68を備えている。アノード側の導電パターン67には、中継基板64を貫通する態様で設けられたレーザチップ41のリード部65と、リード線被覆導線62の被覆を除去した端末62aが半田付けされ、リード部65とリード線62とが電気的に接続される。カソード側の導電パターン68には、中継基板64を貫通する態様で設けられた半導体レーザ取付部53の端子部66と、リード線被覆導線63の被覆を除去した端末63aが半田付けされ、端子部66とリード線63とが電気的に接続される。なお、リード線62,63は、電流容量を確保するため、2本ずつ設けられている。図4は、半導体レーザ31を基台38に取り付ける状態を示す斜視図である。図5は、基台38の半導体レーザ取付部53を示す断面図である。図6は、半田およびフラックスガスの状態を示す断面図である。図4に示すように、半導体レーザ31は、基台38の半導体レーザ取付部53に半田付けで固着される。半導体レーザ取付部53には、半導体レーザ31のマウント部材52の底面52aが半田71を介して接合される平坦な取付面72が形成されている。半田付けはリフロー方式で行われ、半田71には、半田粉末にフラックスなどを添加して混練したクリーム半田半田ペーストが用いられ、半田71を取付面72に塗布し、その上に半導体レーザ31を載置してリフロー槽に通す。なお、この半田付け工程は、基台38に他の部品が取り付けられていない状態で行われる。基台38は、ダイカスト用亜鉛合金ZDC2からなるダイカスト成型品である。ダイカスト用亜鉛合金は、比較的安価であり、融点が低いため生産性がよく、さらに複雑な形状を精度よく製作することができる。一方、比較的低い温度で塑性変形を生じる特性クリープ性があるが、半田の融点例えば138°Cを超える高温例えば190°Cでも短時間例えば10秒以下であれば変形が生じないため、リフロー方式による半田付けが可能である。なお、ダイカスト用亜鉛合金の成形品には全面を銅下地とした錫銅メッキが施される。また、基台38の形成材料としては、ダイカスト用亜鉛合金の他に、例えばダイカスト用アルミニウム合金なども可能である。半導体レーザ取付部53の取付面72は、マウント部材52の底面52aより小さく形成され、図5に示すように、マウント部材52が取付面72からはみ出して、マウント部材52が取付面72の外側に庇状に張り出す形態となっている。特にここでは、図4に示したように、略方形状をなす取付面72が、略方形状をなすマウント部材52の底面52aに対して、縦方向光軸方向および横方向幅方向の双方で短寸に形成され、マウント部材52の外縁部が全周に渡って庇状に張り出す形態となっている。また、半導体レーザ取付部53には、取付面72の外周側において取付面72より1段低く形成された段差面73が設けられており、この段差面73から上方に突出するように、取付面72を上面に備えた取付段部74が形成されている。段差面73には、上方が開放された凹部75が形成されている。特にここでは、凹部75が、取付段部74を取り囲むように略方形状の溝状に形成されている。半導体レーザ取付部53に半導体レーザ31を載置してリフロー槽に通すと、図6に示すように、高温により半田71に混入されたフラックスが気化してフラックスガスが発生する。このフラックスガスは、マウント部材52の底面52aと取付面72との間から側方に噴出して上昇するが、庇状に張り出したマウント部材52で遮られるため、マウント部材52の上方にあるレーザチップ41の出射面41aに届きにくくなる。これにより、レーザチップ41の出射面41aがフラックスで汚染されることを防ぐことができる。一方、マウント部材52を庇状に張り出すことで、取付面72からはみ出した余剰の半田が取付面72から流れ落ちるが、ここでは取付面72の外周側の段差面73に凹部75が形成されているため、余剰の半田は凹部75に流れ込んでここに停留する。これにより、余剰の半田が基台38の半導体レーザ取付部53以外の部分へ流れ出してその部分を汚染することを防止することができる。特に、基台38の半導体レーザ取付部53の集光レンズホルダ54図3参照側、すなわち図5における半導体レーザ取付部53の左側面への半田の流れ出しは防がなければならない。半導体レーザ31のレーザチップ41の出射面41aより出射されるレーザ光は、特にファースト軸光軸方向に対して直交し且つ図の紙面に沿う方向への拡がりが顕著であり、急角度で拡がる。そのため、FACレンズ32図2参照と半導体レーザ31のレーザチップ41の出射面41aとは、例えば200μm以内に近接させなければならない。もし余剰の半田が基台38の半導体レーザ取付部53の左側面に流れ出してしまうと、FACレンズ32図2参照を半導体レーザ31のレーザチップ41の出射面41aに近づけることが出来なくなる。したがって、取付面72の外周側の段差面73に凹部75が設けられ、半田の流れ出しを防止している。これにより、FACレンズ32図2参照を半導体レーザ31のレーザチップ41の出射面41aに対して十分に近接させることができる。また、凹部75は、マウント部材52の端面52aより内側に位置し、庇状に張り出したマウント部材52で上方を全て覆われるように設けられている。これにより、凹部75に溜まった半田から発生するフラックスガスが、庇状に張り出したマウント部材52で遮られて、マウント部材52の上方にあるレーザチップ41の出射面41aに届きにくくなるため、レーザチップ41の出射面41aが流れ落ちた半田に起因するフラックスで汚染されることを防ぐことができる。なお、前記の例では、マウント部材52の外縁部が全周に渡って庇状に張り出す構成としたが、レーザチップ41の出射面41a側のみマウント部材52が庇状に張り出す構成としてもよい。これにより、レーザチップ41の出射面41aがフラックスで汚染されることを防ぐことができる。それに加えて、もし万一、余剰の半田が基台38の半導体レーザ取付部53の左側面に流れ出してしまったとしても、マウント部材52のレーザチップ41の出射面41aが基台38の半導体レーザ取付部53の左側面よりも張り出していれば、FACレンズ32図2参照を半導体レーザ31のレーザチップ41の出射面41aに近づけることが出来なくなるという不具合を低減することができる。図7は、本発明による画像表示装置81を携帯型情報処理装置82に内蔵した例を示す斜視図である。携帯型情報処理装置82の本体83には、光ディスク装置などの周辺機器が取り替え可能に収容される収容スペース、いわゆるドライブベイが、キーボード84の裏面側に形成されており、このドライブベイに画像表示装置81が取り付けられている。画像表示装置81は、筐体85と、筐体85に対して出し入れ可能に設けられた可動体86と、を有している。可動体86は、図1に示した光学エンジン部1が収容された光学エンジンユニット87と、この光学エンジンユニット13内の光学エンジン部1を制御するための基板などが収容された制御ユニット88とで構成され、光学エンジンユニット87が上下方向に回動可能に制御ユニット88に支持されている。不使用時には可動体86が筐体85内に格納され、使用時には可動体86が筐体85から引き出され、光学エンジンユニット87を回動させて、光学エンジンユニット87からのレーザ光の投写角度を調整することで、レーザ光をスクリーンS上に適切に投写させることができる。"