"反応炉内に半導体原料ガスを供給し、反応炉内の基板上に化合物半導体膜を成長させる気相成長装置において、前記反応炉内に半導体原料ガスの供給口を複数設け、前記複数の供給口からそれぞれ半導体原料ガスを供給して前記反応炉内の半導体原料ガス濃度を局所的に調整することを特徴とする気相成長装置。各供給口から供給される前記半導体原料ガスの濃度測定を行い、それに基づいて各供給口に供給する半導体原料ガスの濃度を調整して、前記反応炉内の半導体原料ガス濃度を局所的に調整する請求項1記載の気相成長装置。各供給口から供給される前記半導体原料ガスの濃度測定を行い、それに基づいて各供給口に供給する半導体原料ガスを希釈するガス量を調整して、前記反応炉内の半導体原料ガス濃度を局所的に調整する請求項1記載の気相成長装置。反応炉内に設けられたサセプタの載置部に基板を載置する工程と、前記反応炉内に設けられた複数の供給口から半導体原料ガスを供給し、前記基板上に化合物半導体層を形成する工程とを有し、前記複数の供給口からそれぞれ半導体原料ガスを供給して反応炉内の半導体原料ガス濃度を局所的に調整することを特徴とする気相成長方法。前記複数の供給口から供給される半導体原料ガスは、それぞれ独立に濃度制御される請求項4記載の気相成長方法。前記基板上に化合物半導体層を形成する際に、前記基板を公転させる請求項4又は5記載の気相成長方法。請求項4~6記載の気相成長方法を用いて形成され、化合物半導体層の厚さの面内分布が0.1未満であることを特徴とするエピタキシャルウェハ。エピタキシャル層の膜厚分布ウェハ面内均一性は、エピタキシャル層自身の特性だけでなく、後工程におけるエッチング均一性や、チップ化後の特性の分布に大きく影響する重要な要素である。膜厚分布が悪い大きいとウェハの中心部分と外周部分とで特性が異なってしまい、歩留り悪化の原因となる。エピタキシャル層の膜厚分布は、反応炉内に供給された原料が、ヒーターにより分解され、各原料が基板上で化学反応し、堆積する量化学反応により堆積に寄与する原料の濃度で決まる。さらに、膜厚分布は、メンテ等による反応炉内の冶具の微妙なズレや、生産に伴う反応炉内への累積デポ厚等による炉内環境の変化によっても時々刻々変化する。従来は、膜厚分布の調整は成長温度、及び原料の供給量濃度のバランス等により行ってきたが、成長温度の変更には、膜厚分布だけでなく、他の特性への影響もあるため慎重に行う必要があり、製品成長前の条件出しが多数必要となり、生産コストの増加に繋がる。さらに、この成長温度や従来の原料供給量の調整は、原料の供給側から排気側に向かう原料の流れに対して平行な方向の原料濃度の調整であるため、基板が公転しかしない反応炉においてはその調整にも限界があり、場合によっては炉を開放して冶具の設置し直し等を行わざるを得ない場合もあり、時間的なロスも多大であった。そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、膜厚分布の調整を容易、且つより均一な膜厚分布を実現できる気相成長装置及び気相成長方法、並びにエピタキシャルウェハを提供することにある。上記課題を解決するために創案された本発明は、反応炉内に半導体原料ガスを供給し、反応炉内の基板上に化合物半導体膜を成長させる気相成長装置において、前記反応炉内に半導体原料ガスの供給口を複数設け、前記複数の供給口からそれぞれ半導体原料ガスを供給して前記反応炉内の半導体原料ガス濃度を局所的に調整する気相成長装置である。各供給口から供給される前記半導体原料ガスの濃度測定を行い、それに基づいて各供給口に供給する半導体原料ガスの濃度を調整して、前記反応炉内の半導体原料ガス濃度を局所的に調整してもよい。各供給口から供給される前記半導体原料ガスの濃度測定を行い、それに基づいて各供給口に供給する半導体原料ガスを希釈するガス量を調整して、前記反応炉内の半導体原料ガス濃度を局所的に調整してもよい。また、本発明は、反応炉内に設けられたサセプタの載置部に基板を載置する工程と、前記反応炉内に設けられた複数の供給口から半導体原料ガスを供給し、前記基板上に化合物半導体層を形成する工程とを有し、前記複数の供給口からそれぞれ半導体原料ガスを供給して反応炉内の半導体原料ガス濃度を局所的に調整する気相成長方法である。前記複数の供給口から供給される半導体原料ガスは、それぞれ独立に濃度制御されてもよい。前記基板上に化合物半導体層を形成する際に、前記基板を公転させてもよい。さらに、本発明は、前記気相成長方法を用いて形成され、化合物半導体層の厚さの面内分布が0.1未満のエピタキシャルウェハである。本発明によれば、膜厚分布の調整を容易、且つより均一な膜厚分布を実現できる。本発明の好適な一実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。図1は、本実施の形態に係る気相成長装置を模式的に示したものであり、aは側断面図、bは平面図である。図1a,bに示すように、本実施の形態に係る気相成長装置10は、MOVPE法を適用するための装置であり、成長炉反応炉11内に半導体原料ガス以下、原料ガスを供給し、反応炉11内の基板12上に化合物半導体膜を成長させるものである。反応炉11の一端側には反応炉11内に原料ガスを供給するための供給口13が設けられ、他端側には使用済みのガスを排気するための排気口14が設けられる。供給口13から供給される原料ガスは、化合物半導体膜の原料となる材料のガスとキャリアガスとからなる。基板12のエピタキシャル成長面と反対の面側には基板12を加熱するためのヒーター17が配置される。サセプタ15は、基板12をセットするための複数ここでは4つの載置部が形成された基板セット冶具である。このサセプタ15に図2に示すような配置で基板12a~12dをセットして化合物半導体膜を成長させる場合、成長時の炉内の原料濃度は供給側上流側が高く、排気側下流側が低くなっているため、図3aに示すように、基板12a,12cに成長される化合物半導体膜の膜厚分布は、供給側上流側から排気側下流側にかけて薄くなってしまう。この問題を回避すべく、サセプタ15の中心には回転軸16が接続される。これにより、回転軸16と共にサセプタ15が回転し、基板12が公転するようにされ、上流側と下流側の原料濃度膜厚差がキャンセルされる。これは、図3bに示すように、原料ガスの流れ垂直方向図2では上下方向の濃度分布が均一であることを前提としている。しかしながら、サセプタ15の設置位置のズレや生産の進行に伴う反応炉11内への累積堆積物等により、常に原料ガスの流れ垂直方向の濃度分布を均一に保つのは困難であり、成長後のエピタキシャルウェハにおける化合物半導体膜の膜厚分布が悪い場合は、図3cに示すように、原料ガスの流れ垂直方向の膜厚分布が均一でない場合が多い。これは、サセプタ15外の原料ガス濃度が高いため、回転させてもこの濃度分布をキャンセルすることはできないためである。そこで、本実施の形態に係る気相成長装置10では、反応炉11内に原料ガスの供給口13を複数ここでは3つ設け、図3cに示した流れ垂直方向の膜厚分布が均一でない場合に、複数の供給口13からそれぞれ原料ガスを供給して反応炉11内の半導体原料ガス濃度原料ガス濃度を局所的に調整するようにした。つまり、原料ガスの供給口13が従来は1つであるのに対し、気相成長装置10では原料ガスの流れ垂直方向に3つ並べた形であり、各供給口13から供給される原料ガスの濃度を独立して制御できることを特徴とする。各供給口13には、供給される原料ガスの濃度を測定するための濃度測定手段図示せずが設けられている。この気相成長装置10を用いた気相成長方法を説明する。本実施の形態に係る気相成長方法は、反応炉11内に設けられたサセプタ15の載置部に基板12を載置する工程と、反応炉11内に設けられた複数の供給口13から原料ガスを供給し、基板12上にエピタキシャル層を形成する工程とを有し、複数の供給口13からそれぞれ原料ガスを供給して反応炉11内の原料ガス濃度を局所的に調整することを特徴とする。より具体的には、反応炉11内に設けられたサセプタ15の載置部に基板12を載置するあるいは、サセプタ15の載置部に基板12をセットし、そのサセプタ15を反応炉11内に搬入する。その後、ヒーター17で基板12を加熱した状態でサセプタ15を回転基板12を公転させながら、原料ガスを反応炉11に導入する。このとき、各供給口13からそれぞれ供給される原料ガスの濃度測定を行い、それに基づいて各供給口13に供給する原料ガスの濃度を調整、あるいは原料ガスを希釈するガス量を調整して、反応炉11内の原料ガス濃度を局所的に調整する。原料の濃度の調整にあたっては、各供給口13に設けられた濃度測定手段により、実際の成長時の各供給口13における原料濃度測定を行うのが望ましい。このようにして基板12上に化合物半導体膜を成長させることで、エピタキシャル層の厚さの面内分布が0.1未満であるエピタキシャルウェハが得られる。以上説明したように、本発明では、原料ガスの供給口13を増設し、それぞれ独立して制御することができるので、図3cのような膜厚分布の場合は、サセプタ15外周側に相当する中心以外の原料ガス供給量を下げることで、サセプタ15外周側の原料ガス濃度を下げ、化合物半導体膜の膜厚分布を図3bのように均一にすることが可能である。つまり、本発明によれば、膜厚分布の調整を容易、且つより均一な膜厚分布を実現できる。なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記実施の形態では、基板12上のエピタキシャル層の膜厚分布を均一なものとする場合を説明したが、平坦な膜厚分布を望まない場合、外周側が厚いまたは薄い分布のエピタキシャル層を得たい場合は外周側の濃度の調整により、ウェハ外周側を厚く、または薄くといったように微調整してもよい。また、均一な積層構造の一部の層だけ分布を調整することも可能である。また、上記実施の形態では、原料の供給口13を2つ増設したつまり供給口13を3つ設けたが、供給口は3つ以上増設してもよい。さらに、原料の供給口をサセプタの直前に配置してもよい。さらにまた、上記実施の形態では、原料供給口13から供給する原料ガスの濃度をそれぞれ調整したが、原料供給口以外から原料の流路上上流側で希釈ガスを添加できる構成としてもよい。また、原料ガスの供給口、または原料ガスの供給口以外から原料ガスの流路上上流側で希釈ガスを添加できる形で局所的に原料ガスの流速を調整できるようにしてもよい。"