"ベンゾビスチアジアゾール由来の骨格を有する化合物であって、該化合物は、下記式1;式中、R1、R2は、同一又は異なって、置換基を表し、R1、R2は、それぞれ少なくとも1つが電子求引性基である。m、nは、同一又は異なって、置換基の数を表し、それぞれ1~10の整数である。Ar1、Ar2は、m、nがいずれも1の場合は、同一又は異なって、アリール基及び/又はπ不足系ヘテロ芳香環基を表し、m、nの少なくとも一方が2以上の場合は、同一又は異なって、アリール基、π不足系ヘテロ芳香環基及びπ過剰系ヘテロ芳香環基からなる群より選択される少なくとも1種の基を表す。で表されることを特徴とするベンゾビスチアジアゾール化合物。前記式1におけるAr1、Ar2は、アリール基及び/又はπ不足系ヘテロ芳香環基であることを特徴とする請求項1に記載のベンゾビスチアジアゾール化合物。前記π不足系ヘテロ芳香環基は、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジンのいずれかのπ不足系ヘテロ芳香環化合物由来の基であることを特徴とする請求項1又は2に記載のベンゾビスチアジアゾール化合物。請求項1~3のいずれかに記載のベンゾビスチアジアゾール化合物を用いて形成されることを特徴とするn型有機半導体。有機半導体は材料に希少金属を使用せず、また塗布により半導体層を形成することができる等、無機半導体にはないメリットも有していることから、優れた電気特性を発揮する有機半導体への期待は高く、そのような高い性能を発揮することができる有機半導体の材料となる化合物の開発が求められている。中でもベンゾビスチアジアゾール骨格を有する種々の化合物が発現するn型材料は原理的に難しく現在でも報告数は少ない。加えて、有機半導体が作るデバイスに対する要求低コスト化、フレキシブル化、軽量化は強く、より簡易な構造つまり簡易な封止でも使えるものが求められてきている。上記のように、ベンゾビスチアジアゾール骨格を有する種々の化合物はその有力な候補であり、その合成や電気特性の検討がされているが、いずれも上記要求を満たしているとはいえないのが現状である。本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、優れた電気特性を発揮し、有機半導体の材料として好適に用いることができるベンゾビスチアジアゾール骨格を有する化合物を提供することを目的とする。本発明者は、優れた電気特性を発揮することができるベンゾビスチアジアゾール骨格を有する化合物について種々検討したところ、ベンゾビスチアジアゾール骨格のベンゼン環の左右に、電子求引性基を有する特定の置換基が結合した構造の化合物が、これまで知られているベンゾビスチアジアゾール骨格を有する化合物に比べてさらにLUMOが低く、より大気安定なn型有機半導体の材料として好適に用いることができることを見いだし、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。すなわち本発明は、ベンゾビスチアジアゾール由来の骨格を有する化合物であって、上記化合物は、下記式1;式中、R1、R2は、同一又は異なって、置換基を表し、R1、R2は、それぞれ少なくとも1つが電子求引性基である。m、nは、同一又は異なって、置換基の数を表し、それぞれ1~10の整数である。Ar1、Ar2は、m、nがいずれも1の場合は、同一又は異なって、アリール基及び/又はπ不足系ヘテロ芳香環基を表し、m、nの少なくとも一方が2以上の場合は、同一又は異なって、アリール基、π不足系ヘテロ芳香環基及びπ過剰系ヘテロ芳香環基からなる群より選択される少なくとも1種の基を表す。で表されることを特徴とするベンゾビスチアジアゾール化合物である。以下に本発明を詳述する。なお、以下において記載する本発明の個々の好ましい形態を2つ以上組み合わせたものもまた、本発明の好ましい形態である。本発明のベンゾビスチアジアゾール化合物は、下記式1;式中、R1、R2は、同一又は異なって、置換基を表し、R1、R2は、それぞれ少なくとも1つが電子求引性基である。m、nは、同一又は異なって、置換基の数を表し、それぞれ1~10の整数である。Ar1、Ar2は、m、nがいずれも1の場合は、同一又は異なって、アリール基及び/又はπ不足系ヘテロ芳香環基を表し、m、nの少なくとも一方が2以上の場合は、同一又は異なって、アリール基、π不足系ヘテロ芳香環基及びπ過剰系ヘテロ芳香環基からなる群より選択される少なくとも1種の基を表す。で表されるものである。本発明のベンゾビスチアジアゾール化合物は、ベンゾビスチアジアゾール骨格のベンゼン環に結合した、Ar1、Ar2で表される基と1つ又は複数のR1、R2で表される置換基に含まれる電子求引性基との作用により、ベンゾビスチアジアゾールや、上記文献に開示された従来より知られたベンゾビスチアジアゾール骨格のベンゼン環に種々の置換基が結合したベンゾビスチアジアゾール化合物に比べて、LUMOのエネルギー準位が低くなり、n型有機半導体等の材料として好適に用いることができる。上記式1におけるAr1、Ar2は、m、nがいずれも1の場合は、同一又は異なって、アリール基及び/又はπ不足系ヘテロ芳香環基を表す。すなわち、Ar1、Ar2は、それぞれアリール基であってもよく、π不足系ヘテロ芳香環基であってもよく、また、アリール基とπ不足系ヘテロ芳香環基とが結合して形成される基であってもよい。また、Ar1、Ar2は、m、nの少なくとも一方が2以上の場合は、アリール基、π不足系ヘテロ芳香環基及びπ過剰系ヘテロ芳香環基からなる群より選択される少なくとも1種の基を表す。すなわち、Ar1、Ar2は、それぞれアリール基であってもよく、π不足系ヘテロ芳香環基であってもよく、π過剰系ヘテロ芳香環基であってもよい。また、アリール基、π不足系ヘテロ芳香環基及びπ過剰系ヘテロ芳香環基から選択される2種又は3種の基が結合して形成される基であってもよい。なお、π不足系ヘテロ芳香環基には、π不足系ヘテロ芳香環が2つ以上結合して形成される基が含まれ、π過剰系ヘテロ芳香環基には、π過剰系ヘテロ芳香環が2つ以上結合して形成される基が含まれる。上記式1におけるπ不足系ヘテロ芳香環とは、ヘテロ原子を有する芳香環であって、芳香環を形成する各炭素原子のπ電子密度が、ベンゼン環を構成する各炭素原子のπ電子密度よりも小さいもののことである。例えば、ピリジンは1つ窒素原子と5つの炭素原子とで形成される6員環構造を有する化合物である。ピリジンは、環内に3つの二重結合を有しており、6つのπ電子を有しているが、窒素原子の電気陰性度が炭素原子の電気陰性度よりも高いため、π電子はやや窒素原子に引きつけられることになり、ピリジン環を形成する5つの炭素原子上のπ電子密度は、6つの炭素原子に対して6つのπ電子があるベンゼンに比べて小さくなる。したがって、ピリジンはπ不足系ヘテロ芳香環である。また上記π過剰系ヘテロ芳香環とは、ヘテロ原子を有する芳香環であって、芳香環を形成する各炭素原子のπ電子密度がベンゼン環を構成する各炭素原子のπ電子密度よりも大きいもののことである。例えば、ピロールは窒素原子1つと炭素原子4つとから形成される5員環であるが、窒素原子上に孤立電子対があるため、6つのπ電子を有することになる。窒素原子の電気陰性度が炭素原子の電気陰性度よりも高いため、π電子はやや窒素原子に引きつけられることになるが、ピロール環を形成する4つの炭素原子上のπ電子密度は、6つの炭素原子に対して6つのπ電子があるベンゼンに比べて高くなる。したがって、ピロール環はπ過剰系ヘテロ芳香環である。上記π不足系ヘテロ芳香環としては、ピリジン環の他、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、キノキサリン等のジアジン類の環、トリアジンの環、キノリン等が挙げられる。上記π過剰系ヘテロ芳香環としては、ピロール環の他、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドール等のベンゼン縮合環、イミダゾール、ピラゾール、1,2,4-トリアゾール、チアゾール、オキザゾール等のアゾールの環等が挙げられる。これらの中でも、π不足系ヘテロ芳香環としては、ピリジン、ピラジン、キノキサリンが好ましい。このように、π不足系ヘテロ芳香環基は、ピリジン、ピラジン、キノキサリンのいずれかのπ不足系ヘテロ芳香環化合物由来の基であることは、本発明の好適な実施形態の1つである。π不足系ヘテロ芳香環としては、より好ましくは、ピリジンである。また、π過剰系ヘテロ芳香環としては、チオフェン、フラン、インドール、チアゾールが好ましい。より好ましくは、チオフェンである。上記Ar1、Ar2がピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、キノキサリン、トリアジンの環、キノリンのいずれかに由来するπ不足系ヘテロ芳香環由来の基である場合、これらのπ不足系ヘテロ芳香環を構成する炭素原子のうち、いずれかの炭素原子でベンゾビスチアジアゾール骨格のベンゼン環の炭素原子と結合し、該ベンゾビスチアジアゾール骨格のベンゼン環の炭素原子と結合した炭素原子と同一の炭素原子又は異なる炭素原子のいずれかの炭素原子でR1又はR2で表される置換基と結合することになればよい。これらのうち、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、キノキサリン、トリアジンの環、キノリンは、2位の炭素原子でベンゾビスチアジアゾール骨格のベンゼン環の炭素原子と結合することが好ましい。ピリダジンは、3位の炭素原子でベンゾビスチアジアゾール骨格のベンゼン環の炭素原子と結合することが好ましい。ピリジンは、3~6位の炭素原子のいずれか1つ以上がR1又はR2で表される置換基と結合することが好ましく、より好ましくは、4~6位の炭素原子のいずれか1つ以上がR1又はR2で表される置換基と結合することである。ピラジンは、3、5、6位の炭素原子のいずれか1つ以上がR1又はR2で表される置換基と結合することが好ましく、より好ましくは、5、6位の炭素原子のいずれか1つ以上がR1又はR2で表される置換基と結合することである。ピリミジンは、4~6位の炭素原子のいずれか1つ以上がR1又はR2で表される置換基と結合することが好ましい。ピリダジンは、5、6位の炭素原子のいずれか1つ以上がR1又はR2で表される置換基と結合することが好ましい。キノキサリンは、5~8位の炭素原子のいずれか1つ以上がR1又はR2で表される置換基と結合することが好ましい。トリアジンの環は、4又は6位の炭素原子のいずれか1つ以上がR1又はR2で表される置換基と結合することが好ましい。キノリンは、4~8位の炭素原子のいずれか1つ以上がR1又はR2で表される置換基と結合することが好ましい。上記Ar1、Ar2がπ不足系ヘテロ芳香環由来の基と、アリール基及び/又はπ過剰系ヘテロ芳香環化合物由来の基とが結合して形成される基である場合、上記π不足系ヘテロ芳香環由来の基におけるベンゾビスチアジアゾール骨格のベンゼン環の炭素原子と結合するための好ましい炭素原子や、R1又はR2で表される置換基と結合するための好ましい炭素原子において、アリール基及び/又はπ過剰系ヘテロ芳香環化合物由来の基や、ベンゾビスチアジアゾール骨格のベンゼン環の炭素原子、R1又はR2で表される置換基との結合が形成されることが好ましい。上記Ar1、Ar2がピロール、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドール、イミダゾール、ピラゾール、1,2,4-トリアゾール、チアゾール、オキザゾールのいずれかに由来するπ過剰系ヘテロ芳香環由来の基である場合、これらのπ過剰系ヘテロ芳香環を構成する炭素原子のうち、いずれかの炭素原子でベンゾビスチアジアゾール骨格のベンゼン環の炭素原子と結合し、該ベンゾビスチアジアゾール骨格のベンゼン環の炭素原子と結合した炭素原子と同一の炭素原子又は異なる炭素原子のいずれかの炭素原子でR1又はR2で表される置換基と結合することになればよい。これらのうち、ピロール、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドール、イミダゾール、チアゾール、オキザゾールは、2位の炭素原子でベンゾビスチアジアゾール骨格のベンゼン環の炭素原子と結合することが好ましい。ピラゾール、1,2,4-トリアゾールは、5位の炭素原子でベンゾビスチアジアゾール骨格のベンゼン環の炭素原子と結合することが好ましい。ピロール、フラン、チオフェンは、4又は5位の炭素原子のいずれか1つ以上がR1又はR2で表される置換基と結合することが好ましい。なお、ピロールは、環を形成する窒素原子がR1又はR2で表される置換基と結合していてもよい。ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドールは、4~7位の炭素原子のいずれか1つ以上がR1又はR2で表される置換基と結合することが好ましい。イミダゾール、チアゾール、オキザゾールは、4又は5位の炭素原子のいずれか1つ以上がR1又はR2で表される置換基と結合することが好ましい。ピラゾールは、4、5位の炭素原子のいずれか1つ以上がR1又はR2で表される置換基と結合することが好ましい。1,2,4-トリアゾールは、3位の炭素原子のいずれか1つ以上がR1又はR2で表される置換基と結合することが好ましい。上記Ar1、Ar2がπ過剰系ヘテロ芳香環由来の基と、アリール基及び/又はπ不足系ヘテロ芳香環化合物由来の基とが結合して形成される基である場合、上記π過剰系ヘテロ芳香環由来の基におけるベンゾビスチアジアゾール骨格のベンゼン環の炭素原子と結合するための好ましい炭素原子や、R1又はR2で表される置換基と結合するための好ましい炭素原子において、アリール基及び/又はπ不足系ヘテロ芳香環化合物由来の基や、ベンゾビスチアジアゾール骨格のベンゼン環の炭素原子、R1又はR2で表される置換基との結合が形成されることが好ましい。上記アリール基としては、炭素数6~16の芳香族炭化水素化合物由来の基が好ましい。より好ましくは、炭素数6~12の芳香族炭化水素化合物由来の基である。アリール基には、ベンゼンのように1つの芳香環のみからなる芳香族炭化水素化合物由来の基、ビフェニルのように2以上の芳香環が結合した構造の化合物由来の基、ナフタレンのように2つ以上の芳香環が縮合した構造の化合物由来の基のいずれのものも含まれる。上記アリール基としては、下記式2-1~2-9で表される化合物のいずれかに由来する2価の基が好ましい。より好ましくは、2-1である。上記Ar1、Ar2が下記式2-1~2-9で表される化合物のいずれかに由来する基である場合、これらの芳香環を構成する炭素原子のうち、いずれかの炭素原子でベンゾビスチアジアゾール骨格のベンゼン環の炭素原子と結合し、該ベンゾビスチアジアゾール骨格のベンゼン環の炭素原子と結合した炭素原子と同一の炭素原子又は異なる炭素原子のいずれかの炭素原子でR1又はR2で表される置換基と結合することになればよい。好ましくは、上記Ar1、Ar2がベンゼン由来の基、すなわち、下記式2-1で表される化合物の基である場合、ベンゾビスチアジアゾール骨格のベンゼン環の炭素原子と結合した炭素原子に対して、メタ位又はパラ位の炭素原子のいずれか1つ以上にR1又はR2で表される置換基が結合することが好ましい。上記Ar1、Ar2がビフェニル由来の基、すなわち、下記式2-2で表される化合物由来の基である場合、ビフェニルの1位又は2位の炭素がベンゾビスチアジアゾール骨格のベンゼン環の炭素原子と結合し、ビフェニルの5位、1’位、2’位、3’位、5’位又は6’位の炭素のいずれか1つ以上がR1又はR2で表される置換基と結合することが好ましい。上記Ar1、Ar2がナフタレン又は1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン由来の基、すなわち、下記式2-3又は2-4で表される化合物由来の基である場合、ナフタレン又は1,2,3,4-テトラヒドロナフタレンの2位の炭素がベンゾビスチアジアゾール骨格のベンゼン環の炭素原子と結合し、ナフタレン又は1,2,3,4-テトラヒドロナフタレンの5~8位の炭素原子のいずれか1つ以上がR1又はR2で表される置換基と結合することが好ましい。上記Ar1、Ar2がフルオレン由来の基、すなわち、下記式2-5で表される化合物由来の基である場合、フルオレンの2位の炭素がベンゾビスチアジアゾール骨格のベンゼン環の炭素原子と結合し、フルオレンの7位又は9位の炭素原子のいずれか1つ以上がR1又はR2で表される置換基と結合することが好ましい。上記Ar1、Ar2がインデン由来の基、すなわち、下記式2-6で表される化合物由来の基である場合、インデンの2位の炭素がベンゾビスチアジアゾール骨格のベンゼン環の炭素原子と結合し、インデンの4~7位の炭素原子のいずれか1つ以上がR1又はR2で表される置換基と結合することが好ましい。上記Ar1、Ar2がインダン由来の基、すなわち、下記式2-7で表される化合物由来の基である場合、インダンの6位の炭素がベンゾビスチアジアゾール骨格のベンゼン環の炭素原子と結合し、インダンの1~3位の炭素原子のいずれか1つ以上がR1又はR2で表される置換基と結合することが好ましい。上記Ar1、Ar2がアントラセン由来の基、すなわち、下記式2-8で表される化合物由来の基である場合、アントラセンの2位の炭素原子がベンゾビスチアジアゾール骨格のベンゼン環の炭素原子と結合し、アントラセンの5~10位の炭素原子のいずれか1つ以上がR1又はR2で表される置換基と結合することが好ましい。上記Ar1、Ar2がピレン由来の基、すなわち、下記式2-9で表される化合物由来の基である場合、ピレンの1位の炭素原子がベンゾビスチアジアゾール骨格のベンゼン環の炭素原子と結合し、ピレンの4~10位の炭素原子のいずれか1つ以上がR1又はR2で表される置換基と結合することが好ましい。上記Ar1、Ar2がアリール基とπ過剰系ヘテロ芳香環由来の基及び/又はπ不足系ヘテロ芳香環化合物由来の基とが結合して形成される基である場合、上記アリール基の炭素原子のうち、ベンゾビスチアジアゾール骨格のベンゼン環の炭素原子と結合するための好ましい炭素原子や、R1又はR2で表される置換基と結合するための好ましい炭素原子において、π過剰系ヘテロ芳香環由来の基及び/又はπ不足系ヘテロ芳香環化合物由来の基や、ベンゾビスチアジアゾール骨格のベンゼン環の炭素原子、R1又はR2で表される置換基との結合が形成されることが好ましい。上記Ar1、Ar2がアリール基、π不足系ヘテロ芳香環基及びπ過剰系ヘテロ芳香環基からなる群より選択される2種の基が結合して形成される基である場合、アリール基とπ不足系ヘテロ芳香環由来の基とが結合して形成される基として好ましくは、ベンゼン環とピリジン環とが結合して形成される基、ベンゼン環とピリミジン環とが結合して形成される基、ベンゼン環とトリアゾール環とが結合して形成される基である。アリール基とπ過剰系ヘテロ芳香環由来の基とが結合して形成される基として好ましくは、ベンゼン環とチオフェン環とが結合して形成される基、ベンゼン環とフラン環とが結合して形成される基、ベンゼン環とピロール環とが結合して形成される基、ベンゼン環とチアゾール環とが結合して形成される基である。π不足系ヘテロ芳香環由来の基とπ過剰系ヘテロ芳香環由来の基とが結合して形成される基として好ましくは、ピリジン環とチアゾール環とが結合して形成される基である。これらの中でも、アリール基とπ不足系ヘテロ芳香環由来の基とが結合して形成される基、又は、アリール基とπ過剰系ヘテロ芳香環由来の基とが結合して形成される基が好ましい。より好ましくは、アリール基とπ不足系ヘテロ芳香環由来の基とが結合して形成される基である。上記式1のAr1、Ar2としては、アリール基、π不足系ヘテロ芳香環基又はπ過剰系ヘテロ芳香環基の中でも、アリール基及び/又はπ不足系ヘテロ芳香環基が好ましい。ベンゾビスチアジアゾール化合物のLUMOのエネルギー準位を効果的に下げるためには、ベンゾビスチアジアゾール骨格のベンゼン環に結合する置換基をより電子求引性の高いものとすることが好ましく、Ar1、Ar2がアリール基及び/又はπ不足系ヘテロ芳香環基であると、ベンゾビスチアジアゾール骨格のベンゼン環に結合する置換基全体R1m-Ar1-及びR2n-Ar2-の電子求引性をより高めることができ、LUMOのエネルギー準位をより低下させることができる。すなわち、式1におけるAr1、Ar2がアリール基及び/又はπ不足系ヘテロ芳香環基であることは本発明の好適な実施形態の1つである。上記式1において、Ar1、Ar2は同一であってもよく、異なっていてもよいが、同一の構造であることが好ましい。R1、R2は、それぞれ少なくとも1つが電子求引性基である置換基であるが、R1、R2で表される置換基の全てが電子求引性基であることが好ましい。R1、R2は、同一であってもよく、異なっていてもよいが、同一の構造であることが好ましい。また、R1が複数ある場合、すなわち、mが2以上の場合、複数のR1は同一であってもよく、異なっていてもよいが、同一の構造であることが好ましい。R2が複数ある場合についても同様である。上記式1において、m、nは、それぞれR1、R2の数を表し、1~10の整数である。R1は、電子求引性基を少なくとも1つ有する置換基であるため、mが1の場合、当該1つの置換基は電子求引性基である。R2についても同様であり、nが1の場合、当該1つの置換基は電子求引性基である。上記式1におけるm、nは、2~6が好ましい。R1、R2は、それぞれ電子求引性基を少なくとも1つ有する置換基であるが、上記のようにR1、R2で表される置換基の全てが電子求引性基であることが好ましく、Ar1、Ar2に結合する電子求引性基の数がそれぞれ2~6であることがより好ましい。n型有機半導体材料において、LUMOのエネルギー準位は大気中のトランジスタ性能に大きな影響を与えることになるが、式1で表されるベンゾビスチアジアゾール化合物において、Ar1、Ar2に結合する電子求引性基の数が多くなるとLUMOのエネルギー順位がより低くなり、n型有機半導体材料として大気中での使用においてもより安定な化合物となる。一方、Ar1、Ar2に結合する電子求引性基の数が多くなると精製が困難となることがあるためAr1、Ar2に結合する電子求引性基の数は、より好ましくは、それぞれ2~4である。上記R1、R2で表される置換基のうち、電子求引性基としては、フッ素や塩素等のハロゲン原子、トリフルオロメチル基等のハロゲン化アルキル基、シアノ基、ニトロ基、フェニル基、及び、-CORで表される基や-COORで表される基Rは、水素原子又は炭化水素基を表し、炭化水素基の水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい。炭化水素基は、炭素数1~3のものが好ましい。、2つの-COOHから形成される下記3-1の基、窒素原子を含む下記3-2の基基中、R’は炭素数1~2の炭化水素基を表し、炭化水素基の水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい。、下記3-3の基基中、R’’は、同一又は異なって、水素原子、ハロゲン原子、又は、炭素数1~3の炭化水素基を表し、炭化水素基の水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい。等の電子求引性基のいずれの基であってもよいが、フッ素原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基のいずれかの基であることが好ましい。より好ましくは、フッ素原子、トリフルオロメチル基、シアノ基である。上記R1、R2で表される置換基のうち、電子求引性基以外の置換基としては、炭素数1~6のアルキル基が挙げられ、このような置換基がAr1やAr2に結合してもよい。下記3-1~3-3における2つのは、2つのの部分でアリール基、π不足系ヘテロ芳香環化合物由来の基、π過剰系ヘテロ芳香環化合物由来の基のいずれかの基の環構造を形成する隣り合う2つの炭素に結合することを意味する。当該隣り合う2つの炭素原子同士の結合と下記3-1~3-3の構造とにより環構造が形成されることになる。本発明のベンゾビスチアジアゾール化合物において、R1m-Ar1-やR2n-Ar2-の具体例としては、例えば、以下の4-1~4-223のような構造が挙げられる。これらの中でも、4-11、4-23、4-77、4-88、4-188、4-191、4-192、4-212で表される構造が好ましい。より好ましくは、4-11、4-23で表される構造である。次に、本発明のベンゾビスチアジアゾール化合物の製造方法について記載する。本発明のベンゾビスチアジアゾール化合物の製造方法は、上記式1で表される構造のベンゾビスチアジアゾール化合物が製造されることとなる限り特に制限されないが、ジブロモジニトロベンゾチアジアゾール下記化合物Aを出発物質として以下の反応経路を経て合成する方法が好ましい。上記反応経路の第1の反応工程化合物A→化合物Bの反応工程は、ジブロモジニトロベンゾチアジアゾールのベンゼン環の置換基をStillカップリング反応を用いて臭素原子からR1m-Ar1-基やR2n-Ar2-基に交換する反応である。この反応は、R1m-Ar1-SnBu3で表される有機スズ化合物及びR2n-Ar2-SnBu3で表される有機スズ化合物を、ジブロモジニトロベンゾチアジアゾール1molに対してこれらの化合物の合計が2.0~3.0molとなる量添加して行うことが好ましい。より好ましくは、2.1~2.8molであり、更に好ましくは、2.2~2.4molである。R1m-Ar1-SnBu3で表される有機スズ化合物とR2n-Ar2-SnBu3で表される有機スズ化合物とが同一の化合物である場合、当該1種類の化合物のジブロモジニトロベンゾチアジアゾール1molに対する使用量が上記範囲であることが好ましい。また、R1m-Ar1-SnBu3で表される有機スズ化合物及びR2n-Ar2-SnBu3で表される有機スズ化合物が異なる化合物である場合、これら2種類の化合物を同じ量ずつ使用することが好ましい。上記第1の反応工程は、触媒を用いて行うことが好ましい。触媒としては、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウムPdPPh34、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウムPdCl2PPh32、ビストリ-tert-ブチルホスフィンパラジウムPdPtBu32、トリスジベンジリデンアセトンジパラジウムPd2dba3、酢酸パラジウムPdOAc2等のパラジウム錯体の1種又は2種以上が好ましい。より好ましくは、PdPPh34又はPdPtBu32である。また触媒の使用量としては、ジブロモジニトロベンゾチアジアゾール1molに対して、0.001~0.2mol用いることが好ましい。より好ましくは、0.01~0.05mol用いることである。また、上記触媒の反応性を上げるために配位子を用いてもよい。配位子としては、例えば、トリフェニルホスフィンPPh3、トリo-トリルホスフィンPo-tol3、トリ2-フリルホスフィン、ジフェニルホスフィノフェロセン、トリ-tert-ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、2-ビフェニルジ-tert-ブチルホスフィン2-ジシクロヘキシルホスフィノ-2‘,6’-ジメトキシビフェニル、2-ジシクロヘキシルホスフィノ-2‘,6’-ジイソプロポキシビフェニル等のリン配位子が挙げられる。これらの配位子のうち、トリフェニルホスフィン、トリ-tert-ブチルホスフィンが好ましい。配位子の使用量としては、パラジウム触媒1モルに対して、0.5~4mol用いることが好ましい。より好ましくは、1~2.5mol用いることである。なお、ホスフィン配位子などの安定化剤を含む触媒例えば、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム、ビストリ-tert-ブチルホスフィンパラジウム、ビストリシクロヘキシルホスフィンパラジウムなどを用いた場合には、さらに配位子を用いる必要はない。上記第1の反応工程に使用する溶媒は、THF、ジオキサン、トルエン、キシレンの1種又は2種以上が好ましい。より好ましくは、THF、トルエンである。また、上記第1の工程における反応はフッ化セシウムを添加して攪拌して行うことが好ましい。またフッ化セシウムの使用量としては、ジブロモジニトロベンゾチアジアゾール1molに対して、2.0mol以上用いることが好ましい。より好ましくは、2.4~4.0mol用いることである。このようにすることで反応を高い効率で進めることができ、生成物の収率を高めることができる。上記第1の反応工程における反応は、反応原料を含む反応溶液を還流しながら行うことが好ましい。また、還流後にスズ化合物の除去のため、フッ化カリウム水溶液を添加して攪拌することが好ましい。このようにすることで精製工程を短縮することができる。上記第1の反応工程における反応時間は、5~48時間であることが好ましい。より好ましくは、12~24時間である。また反応温度は、室温~150°Cが好ましい。より好ましくは、60~120°Cである。反応は、常圧、加圧のいずれの条件で行ってもよいが、常圧で行うことが好ましい。また、反応は、アルゴン、窒素、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。また、上記第1の反応工程は上記有機スズ化合物の代わりに下記式5-1又は5-2で表される有機ホウ素化合物のいずれか及び下記式6-1又は6-2で表わされる有機ホウ素化合物のいずれかを用いて鈴木-宮浦カップリング反応により行うこともできる。上記鈴木-宮浦カップリング反応を用いる場合、ジブロモジニトロベンゾチアジアゾール1molに対する上記式5-1、5-2や6-1、6-2で表わされる有機ホウ素化合物の使用量は、Stillカップリング反応を用いる場合のR1m-Ar1-SnBu3やR2n-Ar2-SnBu3で表される有機スズ化合物の使用量と同様であることが好ましい。鈴木-宮浦カップリング反応を用いる場合、触媒として上記Stillカップリング反応の触媒と同様のものを用いることができる。好ましい触媒も同様である。触媒の使用量も、上記Stillカップリング反応に触媒を用いる場合と同様である。また、上記触媒の反応性を上げるために配位子を用いてもよい。配位子としては、上記Stillカップリング反応の配位子と同様のものを用いることができ、好ましい配位子も同様である。配位子の使用量も、上記Stillカップリング反応に配位子を用いる場合と同様である。なお、ホスフィン配位子などの安定化剤を含む触媒例えば、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム、ビストリ-tert-ブチルホスフィンパラジウム、ビストリシクロヘキシルホスフィンパラジウムなどを用いた場合には、さらに配位子を用いる必要はない。また、鈴木-宮浦カップリング反応を用いる場合、溶媒は、THF、ジオキサン、トルエン、キシレン等を用いることが好ましい。鈴木-宮浦カップリング反応を用いる場合の反応時間は、5~48時間であることが好ましい。より好ましくは、12~24時間である。また反応温度は、室温~150°Cが好ましい。より好ましくは、60~120°Cである。また、上記第1の工程における反応は、ホウ素化合物の活性化および反応中生成するホウ酸やHBrを補足するために、塩基性水溶液を添加して攪拌して行うことが必要である。そのような塩基としては炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、水酸化テトラエチルアンモニウム等のの1種又は2種以上を用いることが好ましい。また塩基の使用量としては、ジブロモジニトロベンゾチアジアゾール1molに対して、2.0mol以上用いることが好ましい。より好ましくは、2.4~4.0mol用いることである。上記反応経路の第2の反応工程化合物B→化合物Cの反応工程は、ベンゼン環のニトロ基を還元してアミノ基に変える反応である。ニトロ基のアミンへの還元は、還元剤としてFe、Sn、SnCl2、Zn、Raneyニッケル等を用いることができる。また活性炭に坦持させたパラジウム金属を触媒として水素雰囲気化で水素化することによっても行うことができる。このように、ニトロ基のアミンへの還元反応は、様々な方法が知られており、例えば、実験化学講座第5版丸善株式会社、日本化学会編14巻第357-358頁等の公知文献に種々の方法が記載されている。反応経路の第2の反応工程は、R1m-Ar1-やR2n-Ar2-の種類等に応じて、公知の方法の中から最適な方法を選択して行うことができる。以下においては、その一例として、還元剤としてFeを用い、酢酸を溶媒として用いて行う方法について記載する。還元剤としてFeを用いて化合物Bのベンゼン環のニトロ基を還元してアミノ基にする場合、還元剤の使用量は、化合物B1molに対して1.0~20molであることが好ましい。より好ましくは、3~10molである。上記第2の反応工程における反応時間は、5~48時間であることが好ましい。より好ましくは、6~24時間である。また反応温度は、室温~150°Cが好ましい。より好ましくは、50~100°Cである。反応は、常圧、加圧のいずれの条件で行ってもよいが、常圧で行うことが好ましい。また、反応は、アルゴン、窒素、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。上記反応経路の第3の反応工程化合物C→化合物Dの反応工程は、ベンゼン環の2つのアミノ基の窒素原子を硫黄原子を介して結合させ、環構造を形成する工程である。第3の反応工程は、1化合物CとN-チオニルアニリンPhNSOとを反応させる方法、2化合物Cと塩化チオニルSOCl2とを反応させる方法、のいずれかの方法を用いることができる。第3の反応工程のこれら2種類の方法は、いずれも上記非特許文献4として記載したヨシロウヤマシタYoshiroYamashita外3名、テトラヘドロンTetrahedron、1997年、第53巻、第29号、p.10169-10178の記載を参照して行うことができる。以下においては、このうち化合物CとN-チオニルアニリンPhNSOとを反応させる方法について記載する。化合物CとN-チオニルアニリンPhNSOとを反応させる反応では、化合物C1molに対してN-チオニルアニリンを2.0~4.0mol量添加して行うことが好ましい。より好ましくは、2.1~3.0molであり、更に好ましくは、2.2~2.5molである。化合物CとN-チオニルアニリンPhNSOとを反応させる場合、トリメチルシリルクロライドMe3SiClを用いることが好ましい。またMe3SiClの使用量としては、化合物C1molに対して、2~30molが好ましい。より好ましくは、5~20molである。また、チオニルアニリンの代わりに塩化チオニルを用いてもよいが、この場合はトリメチルシリルクロライドの使用は必要ない。化合物CとN-チオニルアニリンPhNSOとを反応させる場合に使用する溶媒は、ピリジン、トリエチルアミンやジイソプロピルエチルアミンなどの3級アミン類、クロロホルムなどのハロゲン化物類、ベンゼンやトルエンなどの芳香族炭化水素類、THFやジオキサンなどのエーテル類等の1種又は2種以上が好ましい。より好ましくは、ピリジンである。また、ピリジンや3級アミン等の塩基性溶媒以外の溶媒を用いる場合、ピリジンや3級アミン等の塩基を化合物Cに対して過剰量加える必要がある。化合物CとN-チオニルアニリンPhNSOとを反応させる場合の反応時間は、5~48時間であることが好ましい。より好ましくは、6~24時間である。また反応温度は、0~150°Cが好ましい。より好ましくは、室温~溶媒の沸点である。反応は、常圧、加圧のいずれの条件で行ってもよいが、常圧で行うことが好ましい。また、反応は、アルゴン、窒素、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。上記第1~第3の反応工程において、反応によって得られた化合物の精製方法は、特に制限されず、抽出、濾過、カラムクロマトグラフィー、再結晶、昇華等の方法の中から適した方法を適宜選択して用いることができる。また、これらの精製方法のいずれか1つを用いてもよく、2つ以上を用いてもよい。本発明のベンゾビスチアジアゾール化合物は、LUMOのエネルギー準位が低いものであることが好ましく、LUMOのエネルギー準位が4.0eV以下であるものが好ましい。LUMOのエネルギー準位が4.0eV以下である化合物であると、n型有機半導体の材料として用いた場合に得られるn型有機半導体が大気中でも安定に駆動できるものとなるため好ましい。より好ましくは、LUMOのエネルギー準位が4.2eV以下であるものであり、更に好ましくは、LUMOのエネルギー準位が4.3eV以下であるものである。LUMOのエネルギー準位は、後述する実施例に記載のサイクリックボルタンメトリーにより求めることができる。また紫外線光電子分光分析によっても求めることができる。本発明のベンゾビスチアジアゾール化合物は、上述の構成よりなり、電気特性等が検討されてきたベンゾビスチアジアゾール骨格を有する化合物の中で、従来知られていたベンゾビスチアジアゾール化合物よりもLUMOのエネルギー準位が低く、n型有機半導体等の機能性電子素子素材等に好適に用いることができる化合物である。以下に実施例を掲げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。なお、特に断りのない限り、はモルを意味するものとする。実施例において合成した化合物についての各種測定は、以下のように行った。1H-NMR測定試料をテトラメチルシランを含有する重クロロホルムに溶解し、核磁気共鳴装置Gemini2000、300MHz、Varian社製により測定した。合成例14,7-ジ3,5-ビストリフルオロメチルフェニル-5,6-ジニトロ-2,1,3-ベンゾチアジアゾールの合成100mL三口フラスコに4,7-ジブロモ-5,6-ジニトロベンゾチアジアゾール1.47g、3.83mmol、3,5-ビストリフルオロメチルフェニルトリ-n-ブチルスズ4.25g、8.45mmol、ビストリ-tert-ブチルホスフィンパラジウム98mg、0.19mmol、ジオキサン52mLを入れ、窒素雰囲気下、還流しながら12時間加熱攪拌した。反応液を室温まで冷却し、ジオキサンをロータリーエバポレーターで除去した後、残渣をクロロホルムに溶解させ、シリカゲルショートカラムに通した。クロロホルムをロータリーエバポレーターで留去し、得られた固体をメタノールで洗浄し、4,7-ジ3,5-ビストリフルオロメチルフェニル-5,6-ジニトロ-2,1,3-ベンゾチアジアゾール1.99g、3.05mmolを収率80で得た。この反応は、下記反応式7の反応である。得られた4,7-ジ3,5-ビストリフルオロメチルフェニル-5,6-ジニトロ-2,1,3-ベンゾチアジアゾールの物性値は以下の通りであった。1H-NMR300MHz,CDCl3δ:8.13s,4H,8.03s,2H合成例24,7-ジ3,5-ビストリフルオロメチルフェニル-5,6-アミノ-2,1,3-ベンゾチアジアゾールの合成100mL三口フラスコに4,7-ジ3,5-ビストリフルオロメチルフェニル-5,6-ジニトロ-2,1,3-ベンゾチアジアゾール1.6g、2.46mmol、鉄粉2.06g、36.9mmol、酢酸25mLを入れ、窒素雰囲気下、80°Cで5時間加熱攪拌した。反応終了後、室温まで冷却し、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水の順に洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後した。これをろ過し、ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮し、4,7-ジ3,5-ビストリフルオロメチルフェニル-5,6-アミノ-2,1,3-ベンゾチアジアゾール1.40g,2.37mmolを収率96で得た。この反応は、下記反応式8の反応である。得られた4,7-ジ3,5-ビストリフルオロメチルフェニル-5,6-アミノ-2,1,3-ベンゾチアジアゾールの物性値は以下の通りであった。1H-NMR300MHz,CDCl3δ:8.10s,4H,8.00s,2H,4.13s,4H実施例14,8-ビス[3,5-ビストリフルオロメチルフェニル]ベンゾ[1,2-c;4,5-c’]ビス[1,2,5]チアジアゾールの合成50mL三口フラスコに、4,7-ジ3,5-ビストリフルオロメチルフェニル-5,6-アミノ-2,1,3-ベンゾチアジアゾール1.40g、2.37mmolを入れ、ピリジン12mLに溶解させた。反応容器内を窒素雰囲気下にした後、チオニルアニリンをくわえ、80°Cに加熱した。トリメチルクロロシランをくわえ、80°Cで5時間加熱攪拌した。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、水を加えてクロロホルムで抽出した。有機層を3N塩酸水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過した。ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィートルエンで精製し、4,8-ビス[3,5-ビストリフルオロメチルフェニル]ベンゾ[1,2-c;4,5-c’]ビス[1,2,5]チアジアゾール1.0g、1.62mmolを収率68で得た。この反応は、下記反応式9の反応である。4,8-ビス[3,5-ビストリフルオロメチルフェニル]ベンゾ[1,2-c;4,5-c’]ビス[1,2,5]チアジアゾールの物性値は以下の通りであった。1H-NMR300MHz,CDCl3δ:8.82s,4H,8.07s,2H実施例2電気特性の評価実施例1で得られた4,8-ビス[3,5-ビストリフルオロメチルフェニル]ベンゾ[1,2-c;4,5-c’]ビス[1,2,5]チアジアゾールの電気特性をサイクリックボルタンメトリーによる電極に対する相対的還元電位測定によって評価した。ALS社製電気化学アナライザー605BALSを用いて、試料である4,8-ビス[3,5-ビストリフルオロメチルフェニル]ベンゾ[1,2-c;4,5-c’]ビス[1,2,5]チアジアゾールを過塩素酸テトラブチルアンモニウムの0.1MTHF溶液に溶解させ、作用極に活性炭電極、対極に白金電極、参照極にAg/AgNO3を用いた三電極セルにてサイクリックボルタンメトリーCV測定を行った。走査範囲は0V~-1.2Vで、走査速度は100mV/sとした。還元電位はE1/2=-0.67Vであり、飽和カロメル電極基準に変換するとE1/2=-0.0.14Vであった。Ag/AgNO3電極を用いた場合の還元電位から飽和カロメル電極を用いた場合の還元電位への変換は、ChemicalReview1996年96号第2巻pp.877-910879頁、Table1の記載に基づき行った。サイクリックボルタンメトリーCV測定結果を図1に示す。実施例1のサイクリックボルタンメトリーCV測定結果から、4,8-ビス[3,5-ビストリフルオロメチルフェニル]ベンゾ[1,2-c;4,5-c’]ビス[1,2,5]チアジアゾールは、LUMOのエネルギー準位が充分に低く、n型有機半導体の材料として好適に用いることができるものであることが確認された。本発明のベンゾビスチアジアゾール化合物は、いずれも4,8-ビス[3,5-ビストリフルオロメチルフェニル]ベンゾ[1,2-c;4,5-c’]ビス[1,2,5]チアジアゾールと共通する構造的特徴を有するものであり、本発明のベンゾビスチアジアゾール化合物に含まれる種々の化合物について、4,8-ビス[3,5-ビストリフルオロメチルフェニル]ベンゾ[1,2-c;4,5-c’]ビス[1,2,5]チアジアゾールと同様の特性を有し、n型有機半導体の材料として好適に用いることができる。"