半導体を製造する方法であって、a.表面を有する溶融半導体物質を提供するステップと、b.形成表面を有する多孔性モールドを提供するステップと、c.前記形成表面と前記溶融物質との間に自立式セラミックシートを提供するステップと、d.前記形成表面を前記セラミックシートに接触させ、半導体物質本体が前記セラミックシート上で凝固するように、接触時間の間、前記セラミックシートを前記溶融物質表面に接触させるステップと、e.前記セラミックシートに接触させた状態で、前記溶融半導体物質との接触から前記凝固体を取り外すステップと、を含むことを特徴とする方法。前記半導体物質はシリコンを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記形成表面の少なくとも一部での圧力が前記溶融物質表面での圧力よりも低いように、差圧形態を提供するステップをさらに含み、前記接触時間の少なくとも一部の間、前記差圧形態が存在することを特徴とする請求項1に記載の方法。前記接触時間の少なくとも一部の間、前記半導体物質の融点以下の温度で、前記形成表面の少なくとも一部を提供するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記差圧形態の度合を減少させるステップをさらに含み、これにより、前記セラミックシート及び前記凝固体の少なくとも一方で前記形成表面から離脱することに貢献することを特徴とする請求項3に記載の方法。前記セラミックシートを提供するステップは、前記セラミックシートを前記形成表面上に提供することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記セラミックシートを前記形成表面にクランプするステップをさらに含むことを特徴とする請求項6に記載の方法。前記形成表面と前記溶融物質との間に少なくとも1つの追加のセラミックシートを提供するステップをさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の方法。前記セラミックシートをクランプするステップは、前記セラミックシートが前記形成表面から離れて吊り下がって前記セラミックシートが接触位置で前記溶融物質に接触するように前記セラミックシートをクランプし、その後、前記形成表面が前記接触位置の前記セラミックシートの対応面に接触することを含むことを特徴とする請求項7に記載の方法。少なくとも2つのセラミックシートの2つが互いに異なる組成を有することを特徴とする請求項8に記載の方法。少なくとも2つの隣接するセラミックシートは、互いに強力に付着しない物質から構成されていることを特徴とする請求項8に記載の方法。前記形成表面の少なくとも一部での圧力が、前記形成表面から離れて対面する前記セラミックシートの面での圧力よりも低いように差圧形態を提供することにより、前記セラミックシートを前記形成表面に固定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項6に記載の方法。前記セラミックシートは、シリカ、窒化ケイ素、オキシ窒化ケイ素、オキシ炭化ケイ素、炭化ケイ素、炭窒化ケイ素、オキシ炭窒化ケイ素、アルミナ、ムライト及び窒化ホウ素からなる群から選択されることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記セラミックシートは、約1~約15ミクロン、好ましくは、約2~約5ミクロンの質量等価厚を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。前記セラミックシートは、柔軟性を有し、好ましくは、前記セラミックシートの柔軟性は、全く破断を形成することなく、約325mmよりも小さく、より好ましくは約150mmよりも小さく、さらに好ましくは2mmよりも小さい半径に湾曲されるシート性能によって特徴付けられることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記セラミックシートは多孔性であり、好ましくは、多孔性の度合いが約1から多くても約80であることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記セラミックシートは、約1ミクロンから約100ミクロンの間の径を有する開口を有することを特徴とする請求項16に記載の方法。前記セラミックシートは、約5ppmw未満の遷移金属を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。前記セラミックシートは、シリコン半導体の凝固に十分な接触時間の間、有意な劣化なしに、少なくとも約1400°Cの温度に耐えることが可能であることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記セラミックシートは、融合物質を備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記融合物質は、針形状粒子から融合されることを特徴とする請求項20に記載の方法。前記セラミックシートの物質が、前記半導体の粒を核形成することにおいて、前記形成表面の物質よりも低い傾向を有していることを特徴とする請求項1に記載の方法。自立式多孔性セラミック体であって、物質の相互接続されたネットワークを備え、10ミクロン未満のME厚並びに第1表面及び対応面を有し、固体物質が、半導体を形成するのに十分な接触時間の間、少なくとも約1400°Cで溶融半導体との接触に耐えることが可能であり、約5ppmw未満の遷移金属を有することを特徴とする自立式多孔性セラミック体。a.形成表面を有する多孔性モールドと、b.第1及び第2表面を有する自立式多孔性耐熱セラミックシートであって、前記第1表面で前記モールドの前記形成表面に固定された自立式多孔性耐熱セラミックシートと、c.前記セラミックシートの前記第2表面に固定された、溶融量の半導体物質から直接的に形成された半導体と、を備えることを特徴とするアセンブリ。半導体物質の溶融供給物から半導体を製造するための装置であって、a.形成表面を備える多孔性モールドと、b.前記形成表面に対面して自立式セラミックシートを保持するように構成された保持機構であって、前記セラミックシートが前記形成表面から離れて吊り下がって、前記セラミックシートが接触位置で溶融物質の表面に接触可能であり、且つ、前記形成表面を前記接触位置の前記セラミックシートの対応面に接触するように運搬可能である、保持機構と、c.前記接触位置での圧力が前記溶融物質表面での圧力よりも低いように、差圧形態を提供するように構成された構造と、を備えることを特徴とする装置。形成界面に重要である、核形成の減少、粒成長の制御、熱流の制御及び他の機能のような多様な機能を実現するための物質は、これらに限定されないが、シリカ、窒化ケイ素、オキシ窒化ケイ素、オキシ炭化ケイ素、炭化ケイ素、炭窒化ケイ素、オキシ炭窒化ケイ素等を含む適切な物質の自立式シートの形態で提供可能である。他には、アルミナ、ムライト、窒化ホウ素を含んでもよい。一般的には、劣化することなく熱に耐えられるセラミックを使用可能である。例えばアルミナ、ムライト及び窒化ホウ素のような半導体の形成に有害な物質を含むセラミックは、有意な量の該有害物質がセラミックから出て半導体に入るような条件でなければ、使用してもよい。このようなシートを介在シートとここに称する。自立式free-standingとは、その意図される使用前のある時期に製造される物体であって、より大きく、硬い基板に固定しなくても別個に取り扱い可能であることを意味している。自立式物体は、1又は複数の面上に比較的に薄いシートを有し、該1又は複数の面上に、局所コーティング、シード等のような他の二次的な小さい要素を運搬し得る。このような物質の介在シートは、別の工程で予め作成される。そして、ここに説明するとおり、該介在シートは、援用する直接ウエハ特許出願で説明されている方法と同じ方法によって、更に1又は複数の介在シートを採用し、ウエハ等の半導体を作成することに使用される。このようなシートを、介在シート、又は単にシートと呼ぶ。この方法で形成されうる半導体は、ソーラーセル用のシリコンウエハである。しかしながら、他の半導体の形成も可能である。図4Aに示すように、モールドシート45の形成表面46と溶融物質413の表面415との間に介在シートを提供可能である。該介在シートは、図4A~4Gに示すとおり、モールドシートにクランプされて掛かっている実施形態で提供可能であり後述、実施形態によっては、図5A~5Dに示すとおり、その延在面に亘ってより密着に固定される形態で提供可能であり、或いは、溶融表面415上に配置可能である開示しない。介在シートは多孔性であり、直接ウエハ出願に記載の方法のバキュームのような圧力差を可能にして、介在シートを通過して溶融シリコンを伝搬する。介在シートの多孔性の度合いは、たった1から多くても約80まで幅広く変更可能である。孔の直径は、1ミクロンから約100ミクロンまで変更可能である。約100ミクロンの孔でも、溶融シリコンが多孔性モールドシート45の形成表面46に接触することを許容しない。これは特に、最小限の粒の核形成を提供するように構成された介在シートに使用される物質が、溶融シリコンによって濡れにくいからである。バキュームをモールドシート及び介在シートを通って伝達させるように、少なくとも一部の多孔性が開放多孔性openporosityであることが有利である。また、多孔性が完全に開放多孔性であることも可能である。ある程度の閉セル多孔性が存在してもよい。図6A~6Cは、多孔性の範囲と、孔及び固体基部の構成とを示す図である。図6Aは、他の図に比べて相対的に低い多孔性の介在シートを示す。図6Bは、適度な多孔性の介在シートを示す。図6Cは、より高い多孔性の介在シートを示す。本明細書では、シート厚を述べるとき、それは質量等価厚Mass-EquivalentThickness、いわゆるME厚である。つまり、5ミクロンのME厚の多孔性シートは、同じ物質で形成された同じ面積の完全に隙間がないシートの5ミクロン厚のシートと同等の質量を有する。例えば、シートの気孔性が50であり、ME厚が5ミクロンである場合、一方の表面の頂点から他方の表面の頂点までのシートの厚さの程度は、少なくとも10ミクロンである。典型的に、自立式介在シートは、1~10ミクロンのME厚を有し、好適には2~5ミクロンのME厚を有する。好適には、介在シートは、その薄く多孔性の特性により、かなりの柔軟性可撓性を有する。この柔軟性により、介在シートの取り扱いハンドリング及びクランプが容易となり、且つ、介在シートを使用する目的にも貢献し、これは介在シートをモールドシートの形成表面及び液体メルトの表面に良好に適合させ、後述するように、介在シートを意図的な湾曲形状にすることを含む。ある実施形態では、シートが湾曲半径2mmまで曲がることが可能であるべきである。例えば、図4Aに示すとおり、クランプ434は、半径約2mmを有する湾曲形状をとる介在シート430を固定する。場合によっては、最低限の柔軟性は重要ではない。他の目的の為の介在シートの厚みにより、それは、形成表面形状又は溶融表面の非水平領域に適合するのに本質的に十分薄い。しかしながら、上述したクランプのようないくつかの目的に関しては、より高程度の柔軟性が必要であり、且つ、非常に有益である。図5A~5Dに概略的に示すとおり、介在シート530は、例えば多孔性モールドシート55を通過するバキューム吸引を用いて、多孔性モールドシート55に付着され得る。あるいは、図4A~4Cに概略的に示すとおり、そのエッジをクランプ434でクランプ固定することにより、介在シート430は、モールドシート45から支持され、又は、該モールドシート45を保持するヘッド41から支持され得る。クランプと、バキューム47のような取付の第2手段を同時に使用することが可能である。選択されたセラミック物質に応じて、介在シートを帯電可能であり、介在シートをモールドシートの形成表面に付着させることに当該帯電を利用可能である。このような介在シートのモールドシートへの静電気付着は、モールドシート上に電圧を形成することによっても達成可能である。付着した介在シートを有するモールドシートは、メルト内に下ろされ、バキュームが起動し、半導体ウエハが凝固される。モールドシート及び凝固半導体シートは、介在シートの存在によって明らかに拡張されているが直接ウエハ出願で述べたものと同様の様々な方法でメルトから除去可能である。バキュームは、介在シートがメルトと接触する前又は接触した後に開始可能である。図4Aに示すとおり、多孔性シート430がそのエッジでモールドシート45から支持されるとき、介在シート430が吊り下がる状態にされ得る。この方法では、図4Bに示すとおり、介在シート430の自由な中央部432が、モールドシート45の形成表面46に接触せずに、最初にメルトの表面415に接触する。モールドシート45が降下を続け、それから図4C及び4Dに示すとおり、介在シート430の裏面433を押圧し、そして、メルト413の表面415のレベルに到達する。これによって、モールドシート45の形成表面46が介在シートの裏面433に接触する前に、介在シート430が温まり、メルト413で濡れる時間が介在シート430に与えられる。例えば、160x160mmの多孔性モールドシート45では、介在シートの中央部432が形成表面46から約10mm吊り下がるように、介在シート430がその両エッジでクランプされてもよい。これは、介在シートが湾曲半径325mm以下までをとることが可能であることを必要とする。約150mmの湾曲半径をとることが可能な介在シートは、広く様々な構成で取り扱い可能である。より高程度の柔軟性があれば、約2~3mmの半径で湾曲可能であるように、図4A~4Gの434で示される小径クランプによって介在シートをクランプ可能である。他の実施形態では、別々の図面で示さないが、介在シートは、モールドシートとは独立した溶融シリコンの表面に配置可能であり、且つ、介在シートが濡れるのに十分な時間典型的には数秒が許容される。介在シートを配置可能な機構は、クランプ434の結合要素がモールドシート46を保持するヘッド41でないことを除いて、434で図4Aに示されたものと同じとすることができる。さらに、それは分離要素とすることができ、典型的には、より大きいフレームの一部である。当該フレームは、十分に大きい開口領域を有する。該開口領域は、溶融表面415に配置されるとき、全体ヘッド41及びモールドシート46のアセンブリが該開口を通して適合して介在シート430の裏側433に接触するのに十分に大きい。すなわち、機械的機能は、それがメルト表面近くに運搬されてメルトに接触するときに、介在シート430を保持するようにクランプ434と結合することと同じであるが、また選択的にメルト上にある間、その位置にそれを固定する。そして、多孔性形成表面は、フレーム内の開口を通して、濡れた介在シート上に降下可能であり、全てがメルトから一緒に引き離し可能である。介在シートの前濡れpre-wettingは、必要に応じて、より大きい粒径を生成可能である。形成表面が介在シートの裏に接触する前に介在シートをメルト上に配置する他の装置及び方法を使用可能である。その保持から介在シートを解除可能である機構を有し、そして、配置した介在シートがその位置に残るか、あるいは、モールドシートがそこにのしかかるまで確実に運搬されるように制御された運動を実行するかを確実にすることが重要になり易い。介在シートは、図4Bの一般的に線である432で示すように、それが最初にその中央近傍の領域で接触するようにメルトに適用可能である。接触領域は、シートのエッジ又は斜線に平行であるような線、あるいは、非常に小さい領域であってもよい。介在シートが専用の目的の配置装置によって配置されるか、あるいは、モールドシート45をも保持するヘッド41にクランプされるかどうかに拘わらず、介在シートを使用してウエハを形成する1つの方法は、形成表面が介在シートの背面に係合してメルトから離れる前に、約0.1秒から約5秒の間、メルト表面上に介在シートを配置することである。図4Eに示すとおり、形成表面46が、バキューム47の下にあり、すなわち、メルト表面のものよりも低い差圧の下にあり、介在シート430と接触する過冷却シリコン434内に比較的少量の粒を核形成する。過冷却溶液は、その融点以下の温度でさえ液体のままである。メルト内での後続の滞留時間、形成表面温度、バキュームレベル及びモールドシートの熱特性に応じて、大きい粒10mmまで観測されたを有する所望厚のウエハのような半導体419が成長する。そして、図4Fに示すとおり、それがメルト413から除去される。粒サイズ及び厚みの50:1までのアスペクト比が観測され、粒サイズがウエハ厚の50倍である。ウエハは、バキューム47によって、2つの間に介在する介在シート430で、モールドシート形成表面46に結合される。形成ウエハ体419の形成表面46との非化学的又は機械的相互作用がほとんどない。それらは互いに接触していない。図4Gに示すとおり、バキューム圧47を低減又は除去することによって、形成半導体419が介在シート430と依然関連した状態で、介在シート430が形成表面46から離れて移動されて形成表面46から分離する。そして、後述するとおり、典型的には、別の後のプロセスにおいて、介在シート430が凝固体419から分離する。介在シートを使用するための別の構成配置は、図5A~5Dに概略的に示されている。るつぼ511は、他よりも相対的に低い少なくとも1つの側部542を有する。メニスカス515が低壁542の高さの上方に存在するような深さで溶融物質が提供される。低壁は、るつぼの全幅に亘って延在してもよいページへの寸法で。あるいは、それは、角隅で高い壁部を有して、このような幅の部分領域のみを占めてもよい。図示しない、るつぼの壁部は、断面によって、低壁542を有する角隅で低くなって、傾斜されてもよく、あるいは、完全により高くてもよい。モールドシート55は、ヘッドアセンブリ51の部分であり、これは、るつぼ511に沿って向かう矢印M左方向に示されるの方向に移動可能である。介在シート530は、上述のバキュームのような差圧57からの吸引作用を含むが図示しない手段によってモールドシート55の形成表面に固定される。ヘッドアセンブリ51が矢印Mの方向に移動されるとき、るつぼ511が典型的にそれに合うように矢印Cの方向に移動されてもよい。この相互運動は、初期接触の位置で形成ウエハにおける不整合を最小化することを助ける。図5Bは、矢印Mの方向に沿って、モールドシート55に対して引き付けられている溶融溶液513を概略的に示す。図4A~4Gを参照して説明した実施形態に関して上述したのと同様に、溶融物質は、介在シート530に直接的に接触しており、モールドシート55に接触していない。図5Cは、少し経過後の状況を示しており、凝固半導体519が介在シート530上に形成している。モールドシート55は、溶融物質よりも相対的に冷たく、後述するとおり同じように再び、粒の核生成が開始される。図5Dは、さらなる少し経過後の状況を示しており、完全な形成体519が介在シート530に付着している。るつぼ511は、半導体から離れるように図5Dの矢印Cの方向下方に移動される。他方、ヘッドアセンブリ51が矢印Mの方向に移動し続ける。すなわち、半導体が溶融物質513から離脱する。この相互運動が、最終接触の位置で形成ウエハの不整合を最小化することを助ける。介在シート及び形成半導体は、上述したとおり、バキューム57の停止及び他の手段によって、モールドシート55から除去され得る。そして、介在シートは、説明したとおり、エッチング又は他の手段等によって、形成半導体への任意の付着から除去され得る。図5Aに示すような、るつぼは、直接ウエハ特許出願に開示及び説明されたような、介在シートを使用することなく、半導体を形成する方法において使用可能である。それは、直接ウエハ出願の図4A及び図5Aに示された、るつぼと同じように使用可能である。また、介在シートをモールドシートから吊り下げることなく、図4A~4Gを参照して示したものと同様に、るつぼ内に介在シートを垂直に提供することも可能である。図5Aに示した構成と同様に形成表面46により密着してそれを保持してもよい。ここでは、介在シート530がモールドシート55の形成表面に密着状態で対面して保持される。他の目的に適切であるが、高度に核形成する、大部分がグラファイト又はSiCのような物質で構成された形成表面を使用するプロセスと比較して、介在シートは、形成シリコンウエハの劇的に増加した粒サイズを生成することが分かった。1mmよりも大きく、約5mmまでの最大粒を有する平均サイズの粒が、この方法によって定常的に作成可能である。介在シートは、核形成を促さず、場合によっては、核形成を抑える。これにより、核形成なしにメルトのサブクール過冷却が可能となる。このような介在シートの使用の別の重要な利点は、介在シートが、モールドシート形成表面からの非常にきれいな離脱cleanreleaseを提供することである。基本的に、介在シートの使用にとって、接触時間に亘ってかなりの程度において形成表面に反応又は結合しない任意の物質を、形成表面から形成半導体をきれいに離脱させることを助けるために使用可能である。良好な結果でグラファイト形成表面を有するよう、介在シートにSiO2及びSi3N4を使用可能である。多くの高温耐熱物質が、それらがシリコンのような溶融半導体物質が形成シートに到達することを防ぐ限り、比較的良好に機能することが信じられている。典型的には、個々の介在シートは一度限り使用されることを想定されている。場合によっては、介在シートを形成半導体から剥離することが可能である。介在シートが薄いので、屡々、半導体上に過度の機械的ストレスを与えることなく剥離可能である。他の場合では、介在シートは、化学エッチングで形成半導体から除去可能である。好ましくは、下層の半導体をアタックしないエッチャントを使用する。介在シートの1回使用の特性は、顕著なプロセス制御の手段を提供する。すなわち、各形成ウエハが同じ形成サイクルを経験し、介在シートの経時によって前の形成ウエハとの相違することがない。しかしながら、所定の個々の介在シートを使用して複数のウエハを形成することも可能である。介在シートは、援用する直接ウエハ出願に記載されたもの介在シートの使用が明らかに拡張されたがと同様の他の実施形態に使用することも可能である。例えば、介在シートは、その図22A及び図22Bに示された垂直式の実施形態に使用されてもよい。このような介在シートの使用の別の利点は、粒サイズの制御を実行することを助けるように、溶融シリコンからモールドシートまでの熱流量に対して制御された量の抵抗を提供可能であることである。一般的に、より小さい熱流が、相対的に大きい粒サイズを生成する。熱流への抵抗の程度は、介在シートの厚み、組成及び粗度によって変更可能である。相対的に厚い介在シートは、相対的に薄いシートよりも、熱流量に対してより大きい抵抗を与える。相対的に高い多孔性は、相対的に低い多孔体よりも、熱流量に対してより大きい抵抗を与える。介在シート表面の粗度は、熱流量を制御することに使用してもよい。介在シートの使用の別の利点は、溶融物質と形成面との間の化学反応を防止し、凝固ウエハの形成表面への付着が防止されることである。すなわち、付着した介在シートを有する凝固ウエハと形成表面との間の界面が自由に滑る。形成ウエハ及び形成表面が冷却すると、形成ウエハと形成表面との間に異なる収縮が存在する。介在シートが形成ウエハと形成表面との間の滑りを可能にし、これにより、異なる収縮が冷却ウエハに大きいストレスを課すことを防止する。この方法では、ウエハへの転位の形成及びストレスの導入が最小化される。1つの物質から形成された1つの介在シートは、上述した複数の利点を与える。例えば、融合SiO2の1つのシートが、熱伝達を妨げるよう制御して、滑りを許容してきれいな離脱を提供してもよい。しかしながら、2以上の物質を1つの介在シートに混合し、介在シートの様々な利点からより完全な利益を得ることは有利であり得る。例えば、1つの介在シート内の窒化ケイ素及びシリカの混合粉末は、有用であることが分かっている。SiO2は半導体形成を可能にすると共にある程度の核形成の抑制を提供する。Si3N4は、形成ウエハ体の酸素汚染を制限する。本発明の方法の別実施形態では、2以上の介在シートを積層可能であり、各介在シートが同じ組成であるか、又は、異なる組成である。2以上の介在シートの積層は、例えば、きれいな離脱を保証する点で特に有用である。例えば、大部分がSiO2の介在シートが、溶融半導体物質に対面するように提供されてもよく、尚且つ、形成表面に面する隣接の介在シートの大部分がSi3N4で構成されてもよい。これら2つの物質は、互いにあまり強く付着することなく、すなわち、2つの間の積層の分離が比較的に簡単に達成可能である。複数のシートの別の有利な使用は、核形成特性を制御するように1つのシートを主に使用し、且つ、熱伝達を遅延させることで制御するように他のシートを主に使用することである。例えば、一方の介在シートは、少なくとも1つの他の介在シートのものよりも相対的に大きい熱伝達に対する抵抗を有してもよい。同様に、一方の介在シートは、少なくとも1つの他の介在シートのものよりも相対的に小さい核形成特性を有してもよい。また、2以上の介在シートの使用は、少なくとも1つの追加の界面を提供し、そこでは該界面に隣接する本体の滑りを発生させることが可能であり、この滑りは、CTE不整合の有害な効果を最小化することに使用され得る。場合によっては、図2に示すとおり、モールドシート35がテクスチャ形成表面9を有してもよい。テクスチャ表面を有する介在シートを使用することが可能である。その1つの方法は、それ自体がテクスチャ表面と同じテクスチャ形状をとる介在シートを提供することである。例えば、溝付きの形成表面9の使用のために、介在シートを溝に適合する波形状に提供することが可能である。このような形状の介在シートは、例えば、図4A~4Gに示した、るつぼ内に垂直に介在シートを送るような、あるいは、図5A~Dに示した、1つの低壁を有する、るつぼに介在シートを送るような開示した任意の実施形態で使用可能である。介在シートを製造する代表的な方法では、所望の物質の微細粒子で開始して、セラミック処理の関連しない技術で既知の層形成又は堆積法を使用し、続いて高温で焼成された薄層を形成して、自立式本体を作成する。このような方法は、基板へのスプレー、テープキャスティング及びスリップキャスティングを含む。このような技術は、半導体製造の技術においては一般的に知られていない。粒子は、形状において球形、等軸形状又はプレートレット状であってもよい。いくつかの目的で、針状粒子を使用することが有利である。層堆積技術は、水又は有機溶媒中の粒子のスラリーを作成することと、セラミック処理技術で既知の方法によって、基板上にスラリーをスプレー、スリップキャスティング又はドクターブレード処理することを含む。スラリーは、該技術分野において既知の分散剤及び一時レオロジー調整剤fugitiverheologymodifierを有してもよい。形成された介在シートは、図2に示すように、テクスチャ形成表面9に関連して使用するために上述のとおり、スプレー及びスリップコーティングで製造可能である。針形状の粒子を使用することにより、それが製造されるとき、介在シートの収縮がより少なくなり、これにより、より簡単に許容範囲を維持することができる。針形状粒子からなる介在シートの別の利点は、溶融半導体物質との接触の使用及び後続の冷却の間、他の形状の粒子よりも比較的に小さい収縮が起こる。典型的には、介在シートは、互いに融合又は焼結された粒子で構成される。介在シートの所望の粒子を集約するために、それは、十分なガス流が通過可能であるように、適切な範囲で多孔性である。それは、自立式であるように十分に耐久性があるべきである。すなわち、それは、ハンドリング、クランプ、吊り下げ及び平坦でないモールドシート表面及び溶融表面への適合を強化するように幾らかの柔軟性を有し、許容可能な量を超えて不純物が介在シートから溶融物質に入らない程度に、溶融物質に対して接触する時間に亘って化学的に比較的不活性であり、加熱及び例えばシリコンのような溶融半導体の化学環境の下で劣化に抵抗するのに十分な程度に熱的安定性耐熱性を有する。また、おそらく他の手段によって、熱流を妨げることにより、核形成を抑制することも助けるべきである。それは、化学的又は機械的手段のいずれかによって、形成半導体から介在シートを取り除くことをも可能であるべきである。それは、シリコンのような溶融半導体の比較的高温でのこれら特性を維持可能であるべきである。典型的には、シリコンで使用するために、介在シートが約1400°Cに耐えることができ、5ppmwの遷移金属より少ない量を有するべきである。繰り返し述べるが、上述の適切な物質は、限定されないが、シリカ、窒化ケイ素、オキシ窒化ケイ素、オキシ炭化ケイ素、炭化ケイ素、炭窒化ケイ素、オキシ炭窒化ケイ素等を含む。他には、アルミナ、ムライト及び窒化ホウ素又はセラミックを含有するホウ素を含んでもよい。一般的に、劣化なしに温度に耐えることが可能な任意のセラミックを使用可能である。無有意な量の有害物質が半導体に入るような条件であれば、アルミナ、ムライト及び窒化ホウ素のような半導体の形成に有害である物質を含むセラミックを使用可能である。窒化シリコンは、そこから介在シートを形成するのに魅力的な物質である。物質を結合することを助けるために、窒化ケイ素にシリカを提供することは有用であり得る。しかしながら、窒化ケイ素及び酸化ケイ素又は二酸化ケイ素のような酸化ケイ素の組成物もまた有用である。特定の実施形態が示されて説明されたが、様々な変更及び改変がその広い実施例の開示から外れることなく実施可能であることは、当該技術分野の当業者により理解されうる。明細書及び図面内に包含される全ての事項は、本発明を限定するものではなく説明するものとして解釈されることを意図している。本開示は2つ以上の発明を説明し開示している。本発明は、本開示に基づくすべての特許出願の手続き中に提出および展開された、本明細書の請求項および関連文書に記載されている。発明者らは、後に判定されるように、先行技術によって許可された限定に対して、各種発明のすべてを請求することが意図する。本明細書に記載される特徴は、本明細書に開示される各発明にとって必須ではない。よって、発明者らは、本明細書に開示されているが、本開示に基づく特許の具体的な請求項では請求されていない特徴を、上記請求には組み込まないことを意図する。ハードウェアのアセンブリまたはステップ群は、本明細書では発明と称する。しかしながら、これは、上記アセンブリや群が必然的に、一件の特許出願で審査される発明の数、すなわち、発明の単一性に関する法律や規則により具体的に企図されるような、特許可能な個々の発明であることを認めるものではない。発明の実施形態の略称であると意図される。要約書を本明細書と共に提出する。本要約は、審査官やその他の調査を行う者が技術的開示の主題を急速に確認できるように要約を要求する規則に従い提出されていることを強調しておく。本要約は、特許庁規則で約束されるように、請求項の範囲または意味を解釈または限定するために使用されないという認識の下に提出されている。以上の説明は例示的なものと理解すべきであって、いかなる意味においても限定的であるとみなすべきではない。本発明は好適な実施形態を参照して具体的に図示および説明したが、当業者であれば、請求項によって定義される本発明の技術的範囲から逸脱せずに、形式および詳細に様々な変更を加えることができると了解するであろう。下記請求項内のすべての手段またはステッププラス機能要素の対応する構造、材料、動作および等価物は、具体的に請求されるその他の請求項要素と組み合わせて機能を実行する構造、材料または動作を含む。本発明の以下の実施例がここに記述される。そして、このセクションは、これらが言及されることを確実にする。これらは、実施例として形作られ、請求項と同じように見えるが、請求項ではない。しかしながら、特徴のいくつかのポイントで、出願人は、当該出願及びいずれかの関連する出願の実施例の任意の及び全ての実施例を請求する権利を有する。A1.半導体を製造する方法であって、a.表面を有する溶融半導体物質を提供するステップと、b.形成表面を有する多孔性モールドを提供するステップと、c.前記形成表面と前記溶融物質との間に自立式セラミックシートを提供するステップと、d.前記形成表面を前記セラミックシートに接触させ、半導体物質本体が前記セラミックシート上で凝固するように、接触時間の間、前記セラミックシートを前記溶融物質表面に接触させるステップと、e.前記セラミックシートに接触させた状態で、前記溶融半導体物質との接触から前記凝固体を取り外すステップと、を含むことを特徴とする方法。A2.前記半導体物質はシリコンを含むことを特徴とする実施例A1に記載の方法。A3.前記シリコン体はソーラーセル要素を含むことを特徴とする実施例A2に記載の方法。A4.前記形成表面の少なくとも一部での圧力が前記溶融物質表面での圧力よりも低いように、差圧形態を提供するステップをさらに含み、前記接触時間の少なくとも一部の間、前記差圧形態が存在することを特徴とする実施例A1に記載の方法。A5.前記接触時間の少なくとも一部の間、前記半導体物質の融点以下の温度で、前記形成表面の少なくとも一部を提供するステップをさらに含むことを特徴とする実施例A1に記載の方法。A6.7.前記差圧形態の度合を減少させるステップをさらに含み、これにより、前記セラミックシート及び前記凝固体の少なくとも一方で前記形成表面から離脱することに貢献することを特徴とする実施例A4に記載の方法。A7.前記セラミックシートを提供するステップは、前記セラミックシートを前記溶融物質上に提供することを含むことを特徴とする実施例A1に記載の方法。A8.前記セラミックシートを提供するステップは、前記セラミックシートを前記形成表面上に提供することを含むことを特徴とする実施例A1に記載の方法。A9.前記セラミックシートを前記形成表面にクランプするステップをさらに含むことを特徴とする実施例A8に記載の方法。A10.前記形成表面と前記溶融物質との間に少なくとも1つの追加のセラミックシートを提供するステップをさらに含むことを特徴とする実施例A9に記載の方法。A11.前記セラミックシートをクランプするステップは、前記セラミックシートが前記形成表面から離れて吊り下がって前記セラミックシートが接触位置で前記溶融物質に接触するように前記セラミックシートをクランプし、その後、前記形成表面が前記接触位置の前記セラミックシートの対応面に接触することを含むことを特徴とする実施例A9に記載の方法。A12.前記接触位置は前記セラミックシートの中央部を含むことを特徴とする実施例A11に記載の方法。A13.少なくとも2つのセラミックシートのうちの2つは、互いに異なる組成を有することを特徴とする実施例A10に記載の方法。A14.少なくとも2つの隣接するセラミックシートは、互いに強力に付着しない物質から構成されていることを特徴とする実施例A10に記載の方法。A15.少なくとも1つのセラミックシートは、少なくとも1つの他のセラミックシートよりも相対的に低い核形成傾向を有することを特徴とする実施例A13に記載の方法。A16.少なくとも1つのセラミックシートは、少なくとも1つの他のセラミックシートよりも相対的に大きい熱伝達への抵抗を有することを特徴とする実施例A13に記載の方法。A17.前記形成表面の少なくとも一部での圧力が、前記形成表面から離れて対面する前記セラミックシートの面での圧力よりも低いように差圧形態を提供することにより、前記セラミックシートを前記形成表面に固定するステップをさらに含むことを特徴とする実施例A8に記載の方法。A18.前記セラミックシートは、多孔性シートを含むことを特徴とする実施例A1に記載の方法。A19.前記セラミックシートは、シリカ、窒化ケイ素、オキシ窒化ケイ素、オキシ炭化ケイ素、炭化ケイ素、炭窒化ケイ素、及び、オキシ炭窒化ケイ素からなる群から選択されることを特徴とする実施例A1に記載の方法。A20.前記セラミックシートは、約1~約15ミクロンの質量等価厚を有することを特徴とする実施例A1に記載の方法。A21.前記セラミックシートは、約2~約5ミクロンの質量等価厚を有することを特徴とする実施例A1に記載の方法。A22.前記セラミックシートは柔軟可撓性であることを特徴とする実施例A1に記載の方法。A23.前記セラミックシートの柔軟性は、全く破断を形成することなく、約325mmよりも小さく、より好ましくは約150mmよりも小さく、さらに好ましくは2mmよりも小さい半径に湾曲されるシート性能によって特徴付けられることを特徴とする実施例A22に記載の方法。A24.前記セラミックシートは多孔性であることを特徴とする実施例A1に記載の方法。A25.前記多孔性の度合いが約1から多くても約80であることを特徴とする実施例A24に記載の方法。A26.前記セラミックシートは、約1ミクロンから約100ミクロンの間の径を有する開口を有することを特徴とする実施例A24に記載の方法。A27.前記形成表面に対して前記セラミックシートを帯電して、前記形成表面に電圧を形成することにより前記形成表面に前記セラミックシートを付着するステップをさらに含むことを特徴とする実施例A1に記載の方法。A28.前記セラミックシートは、約5ppmw未満の遷移金属を有することを特徴とする実施例A1に記載の方法。A29.前記セラミックシートは、シリコン半導体の凝固に十分な接触時間の間、有意な劣化なしに、少なくとも約1400°Cの温度に耐えることが可能であることを特徴とする実施例A1に記載の方法。A30.前記セラミックシートは、融合物質を含むことを特徴とする実施例A1に記載の方法。A31.前記セラミックシートは、焼結物質を含むことを特徴とする実施例A1に記載の方法。A32.前記融合物質は、針形状粒子から融合されることを特徴とする実施例A30に記載の方法。A33.前記融合物質は、等軸状粒子から融合されることを特徴とする実施例A30に記載の方法。A34.前記セラミックシートの物質が、前記半導体の粒を核形成することにおいて、前記形成表面の物質よりも低い傾向ポテンシャルを有していることを特徴とする実施例A1に記載の方法。B1.自立式多孔性セラミック体であって、物質の相互接続されたネットワークを備え、10ミクロン未満のME厚並びに第1表面及び対応面obversesurfaceを有し、固体物質が、半導体を形成するのに十分な接触時間の間、少なくとも約1400°Cで溶融半導体との接触に耐えることが可能であり、約5ppmw未満の遷移金属を有することを特徴とする自立式多孔性セラミック体。B2.前記物質のネットワークは、約1ミクロンから約100ミクロンの間の径を有する開口を定めることを特徴とする実施例B1に記載のセラミック体。B3.前記物質のネットワークは、約1から多くても約80の間の多孔率を有することを特徴とする実施例B1に記載のセラミック体。B4.前記セラミックシートは、シリカ、窒化ケイ素、オキシ窒化ケイ素、オキシ炭化ケイ素、炭化ケイ素、炭窒化ケイ素、オキシ炭窒化ケイ素、アルミナ、ムライト及び窒化ホウ素からなる群から選択されることを特徴とする実施例B1に記載のセラミック体。B5.前記物質は、半導体物質の粒を核形成することにおいて、グラファイトよりも低い傾向を有していることを特徴とする実施例B1に記載のセラミック体。B6.第2の本体をさらに備え、前記第1及び第2の本体が互いに強力に付着しない本体から構成されていることを特徴とする実施例B1に記載のセラミック体。C1.アセンブリ集積体であって、a.形成表面を有する多孔性モールドと、b.第1及び第2表面を有する自立式多孔性耐熱セラミックシートであって、前記第1表面で前記モールドの前記形成表面に固定された、自立式多孔性耐熱セラミックシートと、c.前記セラミックシートの前記第2表面に固定された、溶融量の半導体物質から直接的に形成された半導体と、を備えることを特徴とするアセンブリ。C2.前記第1セラミックシート及び前記形成表面の間で各々に固定される第2セラミックシートをさらに備えることを特徴とする実施例C1に記載のアセンブリ。C3.前記第1及び第2セラミックシートは、互いに異なる組成を有することを特徴とする実施例C2に記載のアセンブリ。D1.半導体物質の溶融供給物供給溶融液から半導体を製造するための装置であって、a.形成表面を備える多孔性モールドと、b.前記形成表面に対面して自立式セラミックシートを保持するように構成された保持機構であって、前記セラミックシートが前記形成表面から離れて吊り下がって前記セラミックシートが接触位置で溶融物質の表面に接触可能であり、且つ、前記形成表面を前記接触位置の前記セラミックシートの対応面に接触するように運搬可能である、保持機構と、c.前記接触位置での圧力が前記溶融物質表面での圧力よりも低いように、差圧形態を提供するように構成された構造と、を備えることを特徴とする装置。