基板と、該基板上に設けられた絶縁層と、該絶縁層上に設けられたTiOx0≦x≦2よりなる密着層と、該密着層上に設けられた白金よりなる下部電極層と、該Pt下部電極層上に設けられたPZTよりなる圧電体層とを具備し、該密着層のTiOxの組成比xは該絶縁層側が圧電体側よりも大きくなる勾配を有する圧電アクチュエータ。絶縁層を有する基板上にTiOx0≦x≦2よりなる密着層を形成する密着層形成工程と、該密着層上に白金よりなる下部電極層を形成する下部電極層形成工程と、蒸着法により前記下部電極層上にPbZryTi1yO3よりなるPZT圧電体層を形成する圧電体層形成工程と、を具備し、前記密着層形成工程は酸素流量を成長開始時から成長終了時まで減少させながら酸素ガス中で行われるスパッタリング工程である圧電アクチュエータの製造方法。さらに、前記圧電体層形成工程の前に、前記基板、前記密着層及び前記下部電極層を酸素雰囲気で加熱する酸素雰囲気下加熱処理工程を具備する請求項2に記載の圧電アクチュエータの製造方法。しかしながら、上述の図11の圧電アクチュエータにおいては、ADRIP前処理及びADRIP本処理において、ウェハが約500°Cまで加熱されるので、図13に示すごとく、Ti密着層3のTiがPt下部電極層4中に拡散され、また、PZT圧電体層5のPb成分がPt下部電極層4と反応して合金化したり、Ptの粒界に沿ってPt下部電極層4はおろかTi密着層3及び酸化シリコン層2中まで拡散してしまうという問題がある。上述の拡散により、Pt下部電極層4、Ti密着層3及び酸化シリコン層2のPZT形成後の元素濃度分布は、図14に示すごとくなり、Pt下部電極層4、Ti密着層3及び酸化シリコン層2の境界は不明瞭となる。この場合、Tiは酸素、窒素、水素ガスとの親和力が強く、これらガスを吸収して反応すると硬化する性質がある。このため、図15に示す圧電アクチュエータの製造方法において、真空中でのADRIP前処理ステップ1104の代りに、酸素雰囲気中でのADRIP前処理ステップ1501を行う。しかし、この場合においても、図16に示すようなPt下部電極層4、Ti密着層3及び酸化シリコン層2の元素濃度分布は、ADRIP本処理1105後に図17のごとくなり、依然として、Pt下部電極層4、Ti密着層3及び酸化シリコン層2の境界は不明瞭である。尚、図17のエッチング時間は深さに対応する。従って、Pt下部電極層4との密着性を確保するのに必要なTi原子以外の原子が十分に酸化できないので、Pt下部電極層4とPZT圧電体層5のPbもしくはTi密着層3のTiが拡散、反応するために、図18のAに示すごとく、Pt下部電極層4の結晶性や構造が乱れ、従って、表面ラフネスが大きくなり、また、図18のBに示すごとく、Pt下部電極層4の面内方向の結晶性や構造も大きくばらついてしまう。この結果、この上に形成するPZT圧電体層も図19のAに示すごとく、PZT圧電体層5の柱状結晶性もばらつき、また、図19のBに示すごとく、PZT圧電体層5の圧電定数d31もばらつく。さらに、図20に示すごとく、Pt上部電極層6の表面ラフネスも大きくなり、Pt上部電極層6とPt下部電極層4との間に電圧を印加すると、電場が局所的に集中し、耐電圧特性も低下する。これにより、製造歩留りの低下を招くことになる。上述の課題を解決するために、本発明に係る圧電アクチュエータは、基板と、基板上に設けられた絶縁層と、絶縁層上に設けられたTiOx0x2よりなる密着層と、密着層上に設けられた白金よりなる下部電極層と、Pt下部電極層上に設けられたPZTよりなる圧電体層とを具備するものである。これにより、密着層と絶縁層との結合及び密着層と下部電極層との結合を確保する。また、密着層のTi成分の下部電極層への拡散、下部電極層のPt成分の密着層への拡散、及びPZTのPb成分の下部電極層、密着層及び絶縁層への拡散が抑制される。また、密着層のTiOxの組成比xは勾配を有し、絶縁層側でx2に近くかつ圧電体層側でx0に近い。これにより、密着層と絶縁層との結合は絶縁物同士の結合となり、また、密着層と下部電極層との結合は金属同士の結合となる。絶縁層、下部電極層それぞれでの密着性を考えるとTiOxのxは絶縁層側で2以下14以上の範囲内にある最大値から、下部電極層側で145以下0以上の範囲内にある最小値に向って連続的に勾配することが好ましい。さらに、勾配の最大値と最小値の差は03以上とすると、絶縁層、下部電極層それぞれに対し、単一の膜でありながらより密着性の強い密着層とすることができる。また、本発明に係る圧電アクチュエータの製造方法は、絶縁層を有する基板上にTiOx0x2よりなる密着層を形成する密着層形成工程と、密着層上に白金よりなる下部電極層を形成する下部電極層形成工程と、ADRIP法によってPb蒸発量、Zr蒸発量及びTi蒸発量を制御して下部電極層上にPbZrxTi1xO3よりなるPZT圧電体層を形成する圧電体層形成工程とを具備するものである。尚、絶縁層を有する基板と下部電極層との間の密着層バッファ層をZrO2によって構成し、密着層の成分Zrが基板もしくは下部電極層へ拡散するのを抑制する圧電アクチュエータは公知である参照:特許文献3、4。このとき、密着層の基板側はZrとし、他方、密着層の下部電極層側を完全に酸化してZrO2とする。しかしながら、この場合、密着層と基板絶縁層との密着及び密着層と下部電極層との密着は金属/絶縁物結合力によって行われ、このような金属/絶縁物結合力は分子間力、電気的引力によるもので弱く、従って、ADRIP法を適用した場合、ADRIP処理時の高温/冷却時に結合界面が剥離を引起こし、密着性は低下する。本発明によれば、密着層による絶縁層と下部電極層との結合を確保できると共に、Ti成分、Pt成分及びPb成分の拡散が抑制されるので、下部電極層、密着層及び絶縁層の境界を明瞭にすることができ、この結果、圧電定数のばらつきを小さくできかつ耐電圧特性を向上させることができ、引いては、製造歩留りを向上させることができる。図1は本発明に係る圧電アクチュエータの実施の形態を示す断面図である。図1においては、図10のTi密着層3の代りに、TiOx0x2密着層3’を設けてある。すなわち、TiOx密着層3’はTiを不完全に酸化させて成膜したものである。この場合、TiOx密着層3’のシート抵抗はたとえば2×102Ω/□程度である。好ましくは、TiOx密着層3’のTiOxの組成比xは勾配を有し、TiOx密着層3’の酸化シリコン層2側のTiOxはTiO2x2に近く、他方、TiOx密着層3’のPZT圧電体層5側のTiOxはTix0に近くする。これにより、酸化シリコン層2とTiOx密着層3’との結合は絶縁物同士の結合により密着性を確保し、また、TiOx密着層3’とPt下部電極層4との結合は金属同士の結合により密着性を確保する。また同時に、TiOx密着層3’のO成分が酸化シリコン層2のSiのTiOx密着層3’への拡散及びTiOx密着層3’のTiの酸化シリコン層2及びPt下部電極層4への拡散を抑止し、また、PZT圧電体層5のPb成分のPt下部電極層4との反応合金化及び拡散を抑止する。図2は図1の圧電アクチュエータの製造方法を説明するためのフローチャートである。図2においては、図15のArガスを用いたスパッタリング処理ステップ1102をArガス及びO2ガスを用いたスパッタリング処理ステップ201に代えてある。図3は図2のArガス及びO2ガスを用いたスパッタリング処理ステップ201における最適な酸素流量を説明するグラフである。図3に示すように、酸素流量が小さ過ぎると、TiOx密着層3’の組成比xは0に近づき、この結果、PZT圧電体層5の圧電定数d31はばらつき、逆に、酸素流量が多過ぎると、TiOx密着層3’の組成比xは2に近づき、やはり、PZT圧電体層5の圧電定数d31はばらつくだけでなく、密着性が低下するためか剥離しやすいことが明らかとなった。従って、酸素流量を最適に選択することにより不完全な酸化物としてのTiOx密着層3’を得、PZT圧電体層5の圧電定数d31のばらつきを小さくすることができる。そしてこのTiOx密着層3’のTiOxの組成比xに勾配をもたせる方法の一つとして、TiOx密着層3’の成長開始時は酸素流量を大きくしてTiOxをTiO2に近づけ、他方、TiOx密着層3’の成長終了時には酸素流量を小さくしてTiOxをTiに近づけ、成長途中においては、酸素流量を減少させる勾配をつけてTiOx密着層3’のTiOxの組成比xに勾配をつける。この結果、TiOx密着層3’と酸化シリコン層2との結合は絶縁物同士となって強くなり、また、TiOx密着層3’とPt下部電極層4との結合は金属同士となって強くなる。もしくは、ステップ1501の酸素雰囲気中でのADRIP前処理によってTiOx密着層3’のPt下部電極層4側の金属Ti及び不完全に酸化されているTiをさらに酸化させることによってTiの他の層への拡散を抑制する。この結果、PZT成膜時の絶縁層に付着する金属Pbが粒界を浸透して酸化シリコン層2や単結晶シリコン基板1まで拡散することによるPt下部電極層4の構造の崩れを防止する。ただし、Pt下部電極層4側のTiOxは完全に酸化まで至らせずxは2未満とすることで、構造の崩れを引き起こさない程度にわずかにだけPt下部電極層4にTiを拡散させることにより、密着性を向上させることができる。上述の構成によれば、TiOx密着層3’のTi成分のPt下部電極層4への拡散及び酸化シリコン層2への拡散はTiOx密着層3’の酸素成分自身によって抑制され、さらに、PZT圧電体層5のPb成分の密着層、酸化シリコン層への拡散はTiOx密着層3’の酸素成分によって抑制される。従って、図4、図5に示すごとく、PZT圧電体層5、Pt下部電極層4、TiOx密着層3’及び酸化シリコン層2の元素濃度の境界は明瞭となる。尚、図5のエッチング時間は深さに対応する。この結果、図6に示すごとく、Pt下部電極層4の結晶性のばらつきがなくなって表面ラフネスが小さくなり、また、PZT圧電体層5の柱状結晶性のばらつき、従って、圧電定数d31のばらつきもなくなる。さらに、図7に示すごとく、Pt上部電極層6の表面ラフネスも小さくなり、Pt上部電極層6とPt下部電極層4との間に電圧を印加しても、電場の局所的集中が緩和され、耐電圧特性も向上する。これにより、製造歩留りが向上することになる。本発明者はPZT圧電体層5の圧電定数d31のばらつきについて実験を行った結果、従来は、ウェハ内±16ロット内±21であったのに対し、上述の実施の形態においては、ウェハ内±3ロット内±3と著しく向上が見られた。