"両主面にアルミニウム合金層を有し、一主面が回路基板の接合面として用いられ、他の主面が放熱面として用いられるアルミニウム-炭化珪素質複合体の製造方法において、下記の工程を順次経ることを特徴とするアルミニウム-炭化珪素質複合体の製造方法。1気孔率55~75体積の炭化珪素質多孔体の放熱面を凸型の反り形状に成形または機械加工する工程。2前記炭化珪素質多孔体の両主面に、アルミナ又はシリカから成る繊維、球状粒子、破砕形状粒子のうち1種以上を5~40質量含有したスペーサーを配し、0.03mm以下の平行度になるように2枚の離型板で挟み込んで積層する工程。3前記炭化珪素質多孔体の側面の20面積以上の開口部から、アルミニウム合金を30MPa以上の圧力で加圧含浸する工程。4含浸後、離型したアルミニウム-炭化珪素質複合体の外周部をマシニング加工、レーザー加工又はウォータージェット加工のいずれかで外周形状加工後、放熱面のアルミニウム合金層に機械加工を施し、凸型の反り形状を形成する工程。5反り形状形成後、取り付け穴の加工を行い、表面にめっき処理を行う工程。炭化珪素質多孔体の両主面において、離型板とスペーサーの間にアルミニウムを主成分とするアルミニウム箔を挟み込んで積層することを特徴とする請求項1記載のアルミニウム-炭化珪素質複合体の製造方法。炭化珪素質多孔体の両主面において、離型板と炭化珪素質多孔体の間にアルミニウム箔を挟み込んで積層することを特徴とする請求項1記載のアルミニウム-炭化珪素質複合体の製造方法。両主面のアルミニウム合金層中に、アルミナ又はシリカから成る繊維、球状粒子、破砕形状粒子のうち1種以上を5~40質量含有させることを特徴とする請求項1又は2記載の製造方法によって得られるアルミニウム-炭化珪素質複合体。回路基板接合面のアルミニウム合金層の平均厚みが0.1~0.3mm、前記回路基板接合面のアルミニウム合金層の面内厚み差が0.1mm以内であり、更に両主面のアルミニウム合金層の平均厚みの差が、厚い方のアルミニウム合金層の平均厚みの40以内であることを特徴とする請求項3又は請求項4記載のアルミニウム-炭化珪素質複合体。加工歪み除去のための加熱処理前後の放熱面の長軸上の反り量の差が、200mmあたり30μm以下であることを特徴とする請求項5記載のアルミニウム-炭化珪素質複合体。熱伝導率が180W/mK以上、並びに熱膨張率が10×10-6/K以下であることを特徴とする請求項5又は6記載のアルミニウム-炭化珪素質複合体。本発明の目的は、上記の状況に鑑み、含浸法に関して生産性の良好なアルミニウム-炭化珪素質複合体の製造方法を提供すること及びセラミックス回路基板用ベース板として好適なアルミニウム-炭化珪素質複合体を提供することである。即ち、本発明は、両主面にアルミニウムを主成分とする金属から成るアルミニウム合金層を有し、一主面が回路基板に接合され他の主面が放熱面として用いられるアルミニウム-炭化珪素質複合体の製造方法において、下記の工程を順次経ることを特徴とするアルミニウム-炭化珪素質複合体の製造方法である。1気孔率55~75体積のSiCプリフォームの放熱面を凸型の反り形状に成形または機械加工する工程。2前記SiCプリフォームの両主面に、アルミナ若しくはシリカを主成分とする繊維、球状粒子、破砕形状の粒子のうち1種以上を5~40質量含有したスペーサーを配し、0.03mm以下の平行度になるように2枚の離型板で挟み込んで積層する工程。3前記SiCプリフォームの側面の20面積以上の開口部から、アルミニウムを主成分とする金属を30MPa以上の圧力で加圧含浸する工程。4含浸後、離型したアルミニウム-炭化珪素質複合体の外周部をマシニング加工、レーザー加工、ウォータージェット加工のいずれかで外周形状加工後、放熱面のアルミニウム合金層に機械加工を施し、凸型の反り形状を形成する工程。5反り形状形成後、取り付け穴の加工を行い、表面にめっき処理を行う工程。さらに、本発明は、SiCプリフォームの両主面において、離型板とスペーサーの間にアルミニウムを主成分とするアルミニウム箔を挟み込んで積層することで、めっき密着性を改善してなることを特徴とする該アルミニウム-炭化珪素質複合体の製造方法であり、更に、SiCプリフォームの両主面において、離型板とSiCプリフォームの間にアルミニウムを主成分とするアルミニウム箔を挟み込んで積層することで、めっき密着性を改善してなることを特徴とする該アルミニウム-炭化珪素質複合体の製造方法である。アルミニウムを主成分とする金属からなるアルミニウム合金層中に、アルミナ若しくはシリカを主成分とする繊維、球状粒子、破砕形状の粒子のうち1種以上を5~40質量含有させることを特徴とする該アルミニウム-炭化珪素質複合体であり、回路基板接合面のアルミニウム合金層の平均厚みが0.1~0.3mm、前記回路基板接合面内のアルミニウム合金層の厚み差が0.1mm以内であり、更に両主面のアルミニウム合金層の平均厚みの差が、厚い方のアルミニウム合金層の平均厚みの40以内であることを特徴とする該アルミニウム-炭化珪素質複合体である。更に、熱伝導率が180W/mK以上、並びに熱膨張率が10×10-6/K以下であることを特徴とする該アルミニウム-炭化珪素質複合体である。本発明により、含浸法による生産性の良好なアルミニウム合金セラミックス質複合体の製造方法が提供される。即ち、SiCプリフォームを積層する際に、鉄製枠体が不要であり、SiCプリフォームの側面の20面積以上の開口部から、アルミニウムを主成分とする金属を加圧含浸することができる。更に、積層する際に、離型板とスペーサー若しくは離型板とSiCプリフォームの間にアルミニウムを主成分とするアルミニウム箔を挟み込むことで、めっき密着性が良好となる。金属セラミックス質複合体の製造方法については、大別すると含浸法と粉末冶金法の2種類がある。このうち粉末冶金法は熱伝導率等の特性面で十分なものが得られておらず、実際に商品化されているのは、含浸法によるものである。含浸法にも種々の製法があり、常圧で行う方法と、高圧下で行う方法高圧鍛造法がある。高圧鍛造法には、溶湯鍛造法とダイキャスト法がある。本発明に好適な方法は、高圧下で含浸を行う高圧鍛造法であり、溶湯鍛造法とダイキャスト法のどちらも使用できるが、溶湯鍛造法がより好ましい。高圧鍛造法は、高圧容器内にセラミックス多孔体を配置し、これにアルミニウム合金の溶湯を高圧で含浸させてアルミニウム合金セラミックス質複合体を得る方法である。以下、本発明について、溶湯鍛造法による製法を説明する。原料である炭化珪素以下SiCという粉末は、必要に応じて例えばシリカ等の結合剤を添加し、成形、仮焼してプリフォームを作製する。金属製の簡易治具に、アルミナ若しくはシリカを主成分とする繊維、球状粒子、破砕形状の粒子のうち1種類以上を5~40質量含むスペーサーを両主面に配置したプリフォームと離型板を0.03mm以下の平行度になるように交互に配置積層し、一つのブロックとする。前記ブロックを500~700°Cで予備加熱後、高圧容器内に1個または2個以上配置し、ブロックの温度低下を防ぐため出来るだけ速やかにアルミニウム合金の溶湯を30MPa以上の圧力で加圧し、アルミニウム合金をSiCプリフォームの側面の20面積以上の開口部から加圧含浸させることで、両主面にアルミニウム合金層を設けたアルミニウム合金セラミックス質複合体が得られる。尚、含浸時の歪み除去の目的でアニール処理を行うこともある。アニール処理には、アルミニウム合金層と炭化珪素質複合体の接合をより強固にする効果もある。本発明におけるアルミニウム合金の含浸圧力は、30MPa以上である事が望ましい。含浸圧力が30MPaより低い場合、アルミニウム合金がプリフォーム中へ十分に含浸せず、熱伝導率が小さくなる場合がある。本発明における積層体の平行度は、0.03mm以下である事が望ましい。平行度が0.03mmより大きい場合、両主面のアルミニウム合金層の厚み制御が困難となる場合があり、製品の厚みにバラツキが生じてしまう。また、プリフォーム一枚に対するアルミニウム合金の含浸面積は、プリフォームの側面の20面積以上の開口部である事が望ましい。含浸面積がプリフォームの側面の20面積より少ない場合、アルミニウム合金が十分に含浸する事ができず、生産性が低下する場合がある。本発明に係るSiCプリフォームの製造方法に関して特に制限はなく、公知の方法で製造することが可能である。例えば、SiC粉末にシリカ或いはアルミナ等を結合剤として添加して混合、成形し、800°C以上で焼成することによって得ることができる。成形方法についても特に制限はなく、プレス成形、押し出し成形、鋳込み成形等が採用可能であり、必要に応じて保形用バインダーの併用が可能である。SiCプリフォームに添加するシリカ或いはアルミナ等の結合剤は、セラミックス質粉末に対して2~8質量固形分換算添加することが好ましい。添加量が8質量を超えると、強度は高くなるが熱伝導率が低下する場合があり、一方、添加量が2質量未満の場合、強度が低下して溶解時にアルミニウムが溶け出しやすくなる場合がある。SiCプリフォームの一主面を、凸型の反り形状に成形又は機械加工する方法に関して特に制限はない。SiC粉末成形時に形状を付加した成形型を用いる方法、又は、焼成後に一主面を機械加工して凸型の形状を形成する方法のいずれも使用可能である。アルミニウム-炭化珪素質複合体の重要な特性は、熱伝導率と熱膨張係数である。アルミニウム-炭化珪素質複合体中のSiC含有率の高い方が、熱伝導率が高く、熱膨張係数が小さくなるため好ましいが、含有率が高くなるとアルミニウム合金が十分に含浸しない場合がある。実用的には、40μm以上の粗いSiC粒子を40質量以上含み、SiCプリフォームの相対密度が55~75の範囲にあるものが好ましい。SiCプリフォームの強度は、取り扱い時や含浸中の割れを防ぐため、曲げ強度で3MPa以上あることが好ましい。原料であるセラミックス質粉末の粒度については、特に限定されるものではないが、粗粉のみでは強度発現性に乏しく、微粉のみでは得られる複合体について高い熱伝導率が望めない場合があり、必要に応じて粒度調整を行ってもよい。SiCプリフォームは、SiC粉末の成形体を、脱脂、焼成することにより得られる。焼成温度が800°C以上であれば、焼成時の雰囲気に関係なく、曲げ強度が3MPa以上のプリフォームが得られる。しかしながら、酸化性雰囲気中では、1100°Cを超える温度で焼成すると、SiCの酸化が促進され、アルミニウム-炭化珪素質複合体の熱伝導率が低下してしまう場合があるので、酸化性雰囲気中では、1100°C以下の温度で焼成することが好ましい。焼成時間は、SiCプリフォームの大きさ、焼成炉への投入量、焼成雰囲気等の条件に合わせて適宜決められる。本発明に係るSiCプリフォームは、成形時に所定の形状にする場合、1枚ずつ乾燥を行うか、SiCプリフォーム間にプリフォーム形状と等しい形状のカーボン等のスペーサーを用いて乾燥することで、乾燥による反り形状の変化を防ぐことが出来る。また、焼成に関しても乾燥時と同様の処理を行うことにより、内部組織の変化に伴う形状変化を防ぐことが可能である。一方、本発明のアルミニウム-炭化珪素質複合体中のアルミニウム合金は、含浸時にプリフォームの空隙内に十分に浸透するために融点がなるべく低いことが好ましい。このようなアルミニウム合金として、例えばシリコンを7~25質量含有したアルミニウム合金が挙げられる。更にマグネシウムを含有させることは、炭化珪素粒と金属部分との結合がより強固になり好ましい。アルミニウム合金中のアルミニウム、シリコン、マグネシウム以外の金属成分に関しては、極端に特性が変化しない範囲であれば特に制限はなく、例えば銅等が含まれていても良い。本発明において、所定の厚みのアルミニウム合金層を形成させるために、アルミナ若しくはシリカを主成分とする繊維、球状粒子、破砕形状の粒子のうち1種以上からなるスペーサーを積層工程において、SiCプリフォームの表面に直接接するように配置することが好ましい。更に、離型板とスペーサー若しくは離型板とSiCプリフォームの間にアルミニウムを主成分とするアルミニウム箔を挟み込むことが好ましい。これにより、めっき密着性が良好となる。アルミニウム-炭化珪素質複合体中の、アルミナ若しくはシリカを主成分とする繊維、球状粒子、破砕形状の粒子のうちの1種以上からなる添加材料は、5~40質量が好ましい。含有量が5質量未満では、両主面のアルミニウム合金層の厚み制御が困難となる場合があり、加工後のアニール処理により反り形状が大きく変化してしまう場合がある。一方、含有量が40質量を超えると含浸時の圧力によりプリフォームが割れる場合がある。SiCプリフォームへのアルミニウム合金含浸時の歪み除去の目的で行うアニール処理は、400~550°Cの温度で10分以上行うことが好ましい。アニール温度が400°C未満であると、複合体内部の歪みが十分に開放されずに機械加工後のアニール処理工程で反りが大きく変化してしまう場合がある。一方、アニール温度が550°Cを越えると、含浸で用いたアルミニウム合金が溶融する場合がある。アニール時間が10分未満であると、アニール温度が400~550°Cであっても複合体内部の歪みが十分に開放されず、機械加工後の加工歪み除去のためのアニール処理工程で、反りが大きく変化してしまう場合がある。本発明に係るアルミニウム-炭化珪素質複合体の外周加工方法に特に制限はなく、マシニング加工、レーザー加工、ウォータージェット加工のいずれかで採用可能である。アルミニウム-炭化珪素質複合体表面に設けられるアルミニウム合金層の厚みは、機械加工で両主面を加工する場合には両主面の厚みを等しくしてもよいが、放熱面側のみを加工する場合は、加工後に両主面のアルミニウム合金層の厚みが大きく異ならないように、予め加工する放熱面側のアルミニウム合金層の厚みを厚くしておいた方が良い。回路基板接合面のアルミニウム合金層の平均厚みは0.1~0.3mmが好ましく、両主面のアルミニウム合金層の平均厚みの差が、厚い方のアルミニウム合金層の平均厚みの40以内であることが好ましい。回路基板接合面のアルミニウム合金層の平均厚みが0.1mm未満であると、機械加工の際にアルミニウム-炭化珪素質複合体部分に加工刃が当たりチッピングの原因となると共に、アルミニウム-炭化珪素質複合体層が露出してめっき不良の原因となる場合がある。一方、回路基板接合面のアルミニウム合金層の平均厚みが0.3mmを超えると、セラミックス回路基板を半田付けした後に放熱面の形状が歪になり、放熱フィンとの間に隙間が生じて十分な放熱特性が得られない場合がある。又、両主面のアルミニウム合金層の平均厚みの差が、厚い方のアルミニウム合金層の平均厚みの40を超えると、熱伝導率が低下したり、その後の加工歪み除去のためのアニール処理の際に、両主面のアルミニウム合金層の熱膨張係数差により反り量が変化する場合がある。回路基板接合面内のアルミニウム合金層の厚み差は、0.1mm以内であることが好ましい。回路基板接合面内のアルミニウム合金層の厚み差が、0.1mmより大きくなると、機械加工を行った場合、その後のアニール処理の際に反りが大きく変化してしまう場合がある。更に、実装された素子からの熱により、最も厚い部位と最も薄い部位での熱膨張差が、クラックの発生原因となる場合がある。放熱面、又は回路基板接合面の反り形成は、旋盤等の機械加工により行うのが一般的である。旋盤等への被加工品の固定は被加工品の周縁部に設けられた穴等を利用してねじ止めする方法が一般的に用いられる。本発明においては、アルミニウム-炭化珪素質複合体表面のアルミニウム合金層を機械加工するため、理想的な球面形状の放熱面を得ることが可能であり、良好な放熱特性と応力緩和性を有するアルミニウム-炭化珪素質複合体を得ることができる。機械加工前のアルミニウム-炭化珪素質複合体のアルミニウム合金層の厚みがほぼ等しいときは、両主面とも加工を行い、両主面のアルミニウム合金層の平均厚みの差が、厚い方のアルミニウム合金層の平均厚みの40以内とすることが必要な場合がある。回路基板接合面を機械加工する際には、放熱面側の様な反り加工を行う必要はなく平面研削でも構わないが、放熱面のみの加工の場合に比べて加工費用が高くなるという課題がある。放熱面側のアルミニウム合金層の厚みを予め厚くした場合は、放熱面のみを加工し、両主面のアルミニウム合金層の平均厚みの差が、放熱面のアルミニウム合金層の平均厚みの40以内に調整することが可能である。さらに、機械加工後の両主面のアルミニウム合金層の平均厚みの合計は1.0mm以下にすることが望ましい。両主面のアルミニウム合金層の平均厚みの合計が1.0mmを超えるとベース板全体の熱膨張係数が大きくなり、半導体部品搭載後に熱負荷がかかった際、ベース板とセラミックス回路基板の熱膨張係数差に起因するクラックが半田層に発生し、その結果、放熱が不十分となって半導体を誤作動させたり、破損させたりする問題が起きる恐れがある。機械加工後の放熱面の反り量は、長軸上で200mmあたり10~400μmになるように加工することが好ましい。放熱面の反り量が10μm未満であると、その後のモジュール組み立て工程において、ベース板と放熱フィンとの間に隙間が生じ、たとえ高熱伝導性の放熱グリースを塗布しても、熱伝導性が低下し、その結果、セラミックス回路基板、ベース板、放熱フィン等で構成されるモジュールの放熱性が低下してしまう場合がある。一方、反り量が400μmを超えると、放熱フィンとの接合の際のネジ止め時に、ベース板、又はセラミックス回路基板にクラックが発生する場合がある。回路基板面の長軸上の反り量は、200mmあたり-200~200μmであることが好ましい。回路基板面の長軸上の反り量が前記範囲をはずれると、回路基板接合の際の半田厚みが一定にならず、又半田付け時にボイドが発生し易く、セラミックス回路基板、ベース板、放熱フィン等で構成されるモジュールの放熱性が低下してしまう場合がある。加工歪み除去のためのアニール処理は400°C~550°Cの温度で10分間以上行うことが好ましい。アニール温度が400°C未満であったり、アニール温度が400°C~550°Cであってもアニール時間が10分未満であると、複合体内部の歪みが十分に開放されずにその後の回路基板の半田付け工程等で反りが大きく変化してしまう場合がある。また、アニール温度が550°Cを超えると含浸したアルミニウム合金が溶融する場合がある。アニール処理前後の放熱面の長軸上の反り量の差は、200mmあたり30μm以下であることが好ましい。反り量の差が30μmを超えると、モジュール組み立て工程でベース板と放熱フィンとの間に隙間が生じ、たとえ高熱伝導性の放熱グリースを塗布しても、熱伝導性が低下する場合がある。本発明に係るアルミニウム-炭化珪素質複合体は、良好な放熱特性と応力緩和性を有するもので、例えば、セラミックス回路基板と放熱フィン等の放熱部品との間に介在するベース板として好適である。本発明に係るアルミニウム-炭化珪素質複合体は、両主面上にアルミニウム合金層を有し、放熱面を理想的な球面形状に加工することが可能であるため、ベース板と放熱フィン等の放熱部品との接触が良好となり、セラミックス回路基板、ベース板、並びに放熱フィン等で構成されるモジュールの放熱特性が優れるという効果を奏する。本発明のアルミニウム-炭化珪素質複合体は、熱伝導率が180W/mK以上、熱膨張係数が10×10-6/K以下であることが好ましい。前記の効果に加えて、高熱伝導率で、しかも半導体部品やセラミックス回路基板と同等レベルの低膨張率であるため、これを用いた放熱部品、更にそれを用いたモジュールは、放熱特性に優れ、また、温度変化を受けても変形し難く、その結果、高信頼性が得られるという特長がある。実施例1SiC粉末A大平洋ランダム社製:NG-220、平均粒径:60μm70g、SiC粉末B屋久島電工社製:GC-1000F、平均粒径:10μm30g、及びシリカゾル日産化学社製:スノーテックス10gを秤取し、攪拌混合機で30分間混合した後、185mm×135mm×5.0mmの寸法の平板状に圧力10MPaでプレス成形した。得られた成形体を、大気中、900°Cで2時間焼成して、相対密度が65のSiCプリフォームを得た後、SiCプリフォームの一主面を旋盤により200mmあたり200μmの反りとなるよう凸型球面形状に加工し、中央部の厚みを4.6mmとした。得られたSiCプリフォームの球面形状面放熱面に185mm×135mm×0.4mm、平面形状面回路基板接合面に185mm×135mm×0.2mmの含有量35質量からなるアルミナ繊維田中製紙製,純度97を配置し、0.016mmの平行度になるように両面をカーボンコートしたSUS板で挟んで一体としたものを電気炉で600°Cに予備加熱した。次にそれをあらかじめ加熱しておいた内径300mmのプレス型内に収め、シリコンを12質量、マグネシウムを0.5質量含有するアルミニウム合金の溶湯を注ぎ、SiCプリフォームの側面の70面積の開口部から100MPaの圧力で20分間加圧してSiCプリフォームにアルミニウム合金を含浸させた。室温まで冷却した後、湿式バンドソーにて余剰のアルミニウム合金部を切断し、挟んだSUS板をはがした後、含浸時の歪み除去のために530°Cの温度で3時間アニール処理を行い、アルミニウム-炭化珪素質複合体を得た。次に、アルミニウム-炭化珪素質複合体の外周部を、マシニング加工により製品形状に加工後、縁周部4隅に直径8mmの加工穴を設け、旋盤治具に加工穴を利用してネジ固定し、アルミニウム合金層の厚みが0.4mmの面に200mmあたり200μmの反りを付け、球面形状になるよう加工した。また、研削量は、加工後の両主面のアルミニウム合金層平均厚みが等しくなるように、平均200μmの研削を行い平均厚み5.0mmとした。機械加工後、マッフル炉を用いて530°Cの温度で3時間アニール処理を行い加工歪みの除去を行った。次に、圧力0.4MPa、搬送速度1.0m/minの条件でアルミナ砥粒にてブラスト処理を行い清浄化した後、無電解Ni-P及びNi-Bめっきを行い、複合体表面に8μm厚Ni-P:6μmNi-B:2μmのめっき層を形成した。実施例2~3、比較例1~2SiCプリフォームの相対密度を55としたこと実施例2、SiCプリフォームの相対密度を75としたこと実施例3、SiCプリフォームの相対密度を40としたこと比較例1、SiCプリフォームの相対密度を80としたこと比較例2以外は、実施例1と同様にしてアルミニウム―炭化珪素質複合体を作製した。実施例4~7、比較例3~4アルミナ繊維の含有量を5質量としたこと実施例4、アルミナ繊維の含有量を40質量としたこと実施例5、アルミナ繊維の代わりに球形アルミナ粒子住友化学社製アルミナCB-10グレード純度99.9を35質量充填して使用したこと実施例6、アルミナ繊維の代わりに破砕形状のアルミナ粒子昭和電工社製アルミナAL-15-Hグレード純度99.9を35質量充填して使用したこと実施例7、アルミナ繊維の含有量を3質量としたこと比較例3、アルミナ繊維の含有量を45質量としたこと比較例4以外は、実施例1と同様にしてアルミニウム-炭化珪素質複合体を作製した。実施例8~9、比較例5SiCプリフォームをSUS板で挟み込む際、平行度を0.007mmとしたこと実施例8、平行度を0.030mmとしたこと実施例9、平行度を0.038mmとしたこと比較例5以外は、実施例1と同様にしてアルミニウム-炭化珪素質複合体を作製した。実施例10~11、比較例6SiCプリフォームの側面の50面積の開口部からアルミニウム合金の溶湯を加圧含浸したこと実施例10、SiCプリフォームの側面の20面積の開口部からアルミニウム合金の溶湯を加圧含浸したこと実施例11、SiCプリフォームの側面の15面積からアルミニウム合金の溶湯を加圧含浸したこと比較例6以外は、実施例1と同様にしてアルミニウム―炭化珪素質複合体を作製した。実施例12、比較例7アルミニウム合金の溶湯を30MPaの圧力で加圧含浸したこと実施例12、アルミニウム合金の溶湯を7MPaの圧力で加圧含浸したこと比較例7以外は、実施例1と同様にしてアルミニウム―炭化珪素質複合体を作製した。実施例13~14SiCプリフォームの両主面において、SUS板とアルミナ繊維の間にアルミニウムを主成分とするアルミニウム箔を挟み込んで積層したこと実施例13、SiCプリフォームの両主面において、アルミニウムを主成分とするアルミニウム箔を挟み込んで積層したこと実施例14以外は、実施例1と同様にしてアルミニウム―炭化珪素質複合体を作製した。実施例1~14及び比較例1~7で得られたアルミニウム-炭化珪素質複合体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を算出した。更に、研削加工により熱膨張係数測定用試験体20mm×5mm×5mm、熱伝導率測定用試験体25mm×25mm×1mmの試験片を作製した。それぞれの試験片を用いて、25~150°Cの熱膨張係数を熱膨張計セイコー電子工業社製;TMA300で、25°Cでの熱伝導率をレーザーフラッシュ法理学電機社製;TC-7000で測定した。実施例1~14及び比較例1~7で得られたアルミニウム-炭化珪素質複合体の反り形状は、輪郭形状測定機東京精密社製;コンターレコード1600D-22を使用し、試験体各20点について機械加工後及びアニール処理後の放熱面の対角線上200mmあたりの反り量を測定し、その差を比較した。実施例1~14及び比較例1~7で得られたアルミニウム-炭化珪素質複合体は面内5点の厚さを測定し、そのバラツキを比較した。実施例1~14及び比較例1~7で得られたアルミニウム-炭化珪素質複合体のアルミニウム合金単体部における穴鬆の面積を、光学顕微鏡を用いて測定し、視野に対する穴鬆面積の割合を穴鬆発生率とした。実施例1~14及び比較例1~7で得られたアルミニウム-炭化珪素質複合体のめっき被覆面積を、光学顕微鏡を用いて測定し、単位面積当たりのめっき密着面積の割合をめっき密着率とした。"