"外部接続端子および複数の発光素子が設けられた素子基板に封止膜と保護基板とが設けられた発光装置の製造方法であって、前記外部接続端子の上に剥離層を形成する工程と、前記複数の発光素子および前記外部接続端子の上に前記封止膜を形成する工程と、前記封止膜の上に接着層を介して前記保護基板を貼り合わせる工程と、前記保護基板を、前記発光素子を覆う領域と前記外部接続端子を覆う領域とに分割する工程と、前記外部接続端子を覆う領域の前記保護基板と共に、前記外部接続端子の上の前記接着層および前記封止膜を除去する工程と、を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。前記発光素子は複数の有機化合物層を含む有機発光素子であり、前記剥離層を前記複数の有機化合物層の少なくとも1層と同層で形成することを特徴とする請求項1に記載の発光装置の製造方法。前記封止膜の上に接着層を介して前記保護基板を貼り合わせる工程は、前記外部接続端子の上の接着層と、前記発光素子の上の接着層とを離間して形成することを特徴とする請求項1に記載の発光装置の製造方法。前記発光装置の製造方法は、前記封止膜を除去する工程の後に洗浄工程を含んでおり、前記剥離層は、前記洗浄工程で用いる洗浄溶媒に可溶な材料であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。特許文献1に開示されている封止膜を除去する方法の場合、封止膜除去のためのエッチング装置が必要となり、また封止膜のエッチングにかかる時間も長いため、量産には適さない。本発明の目的は、封止膜に接着層を介して封止基板保護基板を貼り合わせた封止構成の発光装置の製造方法であって、外部接続端子の上の封止膜を、簡便で安価な方法で除去する方法を提供するものである。本発明にかかる発光装置の製造方法は、外部接続端子および複数の発光素子が設けられた素子基板に封止膜と保護基板とが設けられた発光装置の製造方法であって、前記外部接続端子の上に剥離層を形成する工程と、前記複数の発光素子および前記外部接続端子の上に前記封止膜を形成する工程と、前記封止膜の上に接着層を介して前記保護基板を貼り合わせる工程と、前記保護基板を、前記発光素子を覆う領域と前記外部接続端子を覆う領域とに分割する工程と、前記外部接続端子を覆う領域の前記保護基板と共に、前記外部接続端子の上の前記接着層および前記封止膜を除去する工程と、を含むことを特徴とする。本発明によれば、外部接続端子上の保護基板の除去と同時に、外部接続端子上に形成された接着層および封止膜が取り除かれるため、専用工程や高価なエッチング装置を追加することなく、簡便かつ確実に外部接続端子を露出させることができる。その結果、信頼性の高い発光装置を低コストで製造することが可能となる。以下、図面を用いて有機発光素子を用いた発光装置の例を説明する。ただし、本発明は有機発光素子を用いた表示装置に限定されるものではなく、無機発光素子やLEDなどを用いた発光装置にも適用することができる。説明に用いる図面は、いずれも模式図であり、実物とは部材の寸法比率や形状が異なっている場合がある。本発明にかかる表示装置の製造方法は、次の工程i~vをこの順に含んでいる。i外部接続端子の上に剥離層を設ける工程剥離層形成工程ii素子基板の上に封止膜を形成する工程封止膜形成工程iii封止膜に接着層を介して保護基板を貼り合わせる工程保護基板貼り合わせ工程iv保護基板をスクライブする工程保護基板スクライブ工程v外部接続端子領域の保護基板を、接着層および封止膜と共に除去する工程外部接続端子露出工程最初に本発明の製造方法で形成される発光装置の構成を説明した後、i乃至vの各工程について説明する。図1は素子基板の斜視図で、複数の発光素子が配置された領域Aを含む発光領域Bと、外部接続端子4が設けられた外部接続端子領域Cを有している。図2は、図1のXI-XII断面の概略を示している。支持基板1には、発光素子を駆動するための画素回路や周辺回路を構成するトランジスタや配線、絶縁層2等を含む回路層3と、外部接続端子4が設けられている。支持基板1として、ガラス基板や合成樹脂等からなる絶縁性基板や表面に酸化シリコンや窒化シリコン等の絶縁層を形成した導電性基板や、半導体基板等を用いることができる。支持基板1は発光装置の光放出する方向次第で、透明であっても不透明であってもよい。なお、図2にはトランジスタを有するアクティブ型の発光装置を示しているが、パッシブ型の発光装置であってもよい。外部接続端子4は、絶縁膜2の上に設けられ、回路層3に含まれる配線と同層、もしくは、後述する第1電極6と同層のいずれか一方、もしくはそれらの積層により構成される。図2では、外部接続端子が1辺にだけ形成されている場合を示しているが、2辺以上に外部接続端子が設けられていてもよい。回路層3の上には、回路層3の構成に起因する凹凸を平坦化するため、平坦化膜5がフォトリソグラフィー法等を用いて所望のパターンに形成されている。平坦化膜5は、アクリル樹脂、ポリイミド系樹脂、ノルボルネン系樹脂、フッ素系樹脂等が好ましいが、絶縁材料であれば材料や製法は特に限定されない。尚、平坦化膜5と回路層3との間に、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化シリコン等の無機材料からなる絶縁膜を設けてもよい。領域A内の平坦化膜5の上の有機発光素子を形成する位置には、回路層3と電気的に接続された第1電極6が配置されている。第1電極6は透明電極であってもよいし反射電極であってもよいし、透明電極と反射電極の積層構成としてもよい。第1電極6を透明電極とする場合はITO、InZnO等、第1電極6を反射電極とする場合は、Au、Ag、Al、Pt、Cr、Pd、Se、Ir等の金属やこれら金属を組み合わせた合金、ヨウ化銅等の金属化合物等を好適に用いることができる。第1電極6の膜厚は、好ましくは0.01μm乃至1μmである。第1電極6の周縁部には、第1電極6の端部を覆うように素子分離膜7が設けられている。素子分離膜7には、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化シリコン等からなる無機絶縁材料や、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック系樹脂等の樹脂絶縁材料が好適である。バンクの膜厚は、好ましくは0.1μm乃至3μmである。素子分離膜7は発光素子ごとに発光面積を区画するものであるが、必要に応じて設ければよく、省略も可能である。第1電極6上には有機化合物層8が設けられている。有機化合物層8は、単層で構成されてもよいし、複数の層で構成されていてもよい。有機化合物層8を構成する層として、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等が挙げられる。これらの層は、公知の化合物材料を、公知の製法を用いて形成することができる。有機化合物層8の上には第2電極10が設けられ、第1電極6と有機化合物層8と第2電極10とからなる有機発光素子が構成される。第2電極10にも第1電極6と同様の材料を用いることができるが、光放出方向に応じて、第1電極6および第2電極10の少なくとも一方に透明な材料を用いる。このように第2電極10までが形成された支持基板を、本発明では素子基板11と呼ぶ。素子基板11の上には、封止膜12が設けられており、封止膜12の上には接着層13を介して保護基板14が設けられている。次に、発光装置を1枚ずつ形成する場合を例にとり、本発明の製造方法のi乃至vの工程を、図4を用いて順に説明する。i剥離層形成工程素子基板11が完成した後、外部接続端子領域Cに、外部接続端子4を露出するための剥離層9を形成する。剥離層9の形成には、蒸着法、スパッタ法、印刷法、インクジェット法など、外部接続端子領域Cに精度よく形成できる方法を用いる。剥離層9は、図3aのように外部接続端子4の上にだけに形成してもよいし、図3bのように、外部接続端子4を含んで外部接続端子4が形成された辺の端から端まで形成してもよい。剥離層9には、外部接続端子4との密着力、あるいは、後に形成する封止膜12との密着力が、他の界面の密着力よりも弱い材料を用いる。具体的には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物又は低分子有機化合物などを選択することができる。剥離層9に有機化合物層8と同一の材料を用いれば、同一の工程にて成膜することができるため好ましい。例えば、有機化合物層8を蒸着法にて形成する場合には、有機発光素子を形成する領域に対応する開口と、外部接続端子領域Cに対応する開口と、を有するマスクを用いて成膜領域を制限して設けるとよい。こうすることにより、領域Aに形成される有機化合物層と外部接続端子領域Cに形成される有機化合物層が離間して形成されるため、有機化合物層を介して外部から水分が浸入するのを抑制することができる。後に外部接続端子4にはフレキシブル配線基板FPCが接続圧着されるが、外部接続端子4に付着する異物の除去などの表面清浄化を目的に、FPCの接続前には基板洗浄工程が一般的に行われる。そこで、剥離層9に、基板洗浄工程に用いられる有機溶媒や水などの洗浄溶媒に可溶な材料を用いるのが好ましい。そのような材料を用いれば、外部接続端子4の上に剥離層9が残っても、基板洗浄工程で除去することができる。例えば、洗浄溶媒にエタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール類やアセトン等を用いる場合は、剥離層9にアルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物又は有機化合物を用いるとよい。ii封止膜形成工程素子基板11の全面を覆うように封止膜12を形成する図4a。封止膜12の材料は、電気絶縁性と気密性を有し、有機発光素子に水分等が浸入するのを抑制することができる材料であれば特に限定されるものではない。その形成方法には、真空蒸着法、プラズマCVD法、スパッタ法などの公知の成膜方法を採用することができる。材料および成膜方法の選択に当たっては、高温高湿条件下例えば、温度60°C湿度90の条件下における耐久試験で膜を評価し、防湿性等の性能を確認して決めるのが好ましい。例えば、CVD法にて形成された窒化シリコン、酸化シリコン、窒化酸化シリコンは、耐久試験において優れた性能を示すため、封止膜には好適である。工程iにて外部接続端子4を覆う剥離層9を形成しておいたため、外部接続端子4の上に封止膜を形成しても、後の工程で簡単に除去することができる。つまり、外部接続端子領域Cをマスクで遮蔽しながら成膜する必要がない。そのため、マスクに付着したゴミや膜が剥落して封止膜12に欠陥を生じさせる恐れがなく、防湿性の高い膜を形成することができるという効果もある。iii保護基板貼り合わせ工程図4bに示した様に、封止膜12上に接着層13を介して保護基板14を貼り合わせる。接着層11は、封止膜12と保護基板14とを十分な接着力で貼り合わせて互いに固定できれば、材質、厚さ、製法は特に限定されない。例えば、硬化性樹脂組成物等からなるシート状の接着剤接着シートを貼付けたり、硬化性樹脂を塗布して形成することができる。ここで、十分な接着力とは、少なくとも封止膜12と保護基板14との間の接着力が、剥離層9と外部接続端子4との間の密着力、又は剥離層9と封止膜12との間の密着力よりも強いことを意味する。接着力および密着力の大きさは、公知の引張り試験によって評価することができる。接着層11に接着シートを用いる場合は、減圧下で封止膜12まで形成した基板上と保護基板14との間に接着シートを介在させ、加熱等により素子基板11と保護基板14とを互いに貼り合わせて固定することができる図4b。接着シートは、素子基板11の全面を覆うように設けてもよいが、図5のように、発光領域Bと外部接続端子領域Cとに分割して設けてもよい。硬化性樹脂を用いる場合には、封止膜12の上に硬化性樹脂を塗布し、その上から位置を合わせて保護基板14を乗せ、所定の厚みまで押し広げた後に加熱して硬化を行う。保護基板14は、押圧強度があれば、材質、厚さは特に限定されない。例えば、ガラス板やアクリル板、樹脂フィルム等を用いることができる。防湿性の高い基板であればより好ましい。なお、発光素子で発光された光を保護基板側から放出する場合は、接着層13および保護基板14に、光透過率が80以上の材料を選択するのが好ましい。iv保護基板切断工程およびv外部接続端子露出工程保護基板切断工程では、まず、図4bに示すように、発光領域Bと外部端子領域Cとの間にスクライブライン15aを形成する。スクライブライン15aは、ダイヤモンド等で作られた刃を押し付けたり、レーザーを照射したりして、保護基板14の表面に傷を入れることにより形成することができる。剥離層9にかかる位置にスクライブライン15aを設けておけば、外部接続端子領域Cの保護基板14を取り外す際、封止膜12が剥離しやすくなるため望ましい。続いて、スクライブライン15aに沿って保護基板を折曲げるように適度な力を加えると、保護基板14および接着層13がスクライブライン15aに沿って割れる。そして、素子基板11を傷つけずに、発光領域Bを覆う保護基板14と外部接続端子4を覆う保護基板14とに分割することができる。接着層13が割れにくい場合は、接着層13にも、スクライブライン15aに沿ってスクライブラインを設けておくとよい。その後、外部接続端子4を覆う保護基板14を軽く引っ張ると、保護基板14および接着層9は、剥離層9と封止膜12との界面または剥離層9と外部接続端子4との界面のうち、密着力の弱い側で外部接続端子から剥がれ、外部接続端子4が露出する図4c。外部接続端子4の上に剥離層9が残る場合には、残さ剥離層9の除去工程を別に設けてもよいが、前述したように洗浄工程で用いる洗浄溶媒に可溶な材料を剥離層9に選択しておけば、洗浄工程で同時に除去することができる。図5にように、スクライブライン15aを、発光領域Bと外部接続端子領域Cとの間の接着層13のない領域の上に設けると、接着層13を割る必要がなくなるので、より簡単に保護基板14を除去できるので好ましい。保護基板14の取り外しは、保護基板14を曲げた時に同時に除去することができる。もしうまく除去できない場合は、手作業で行ってよいし、例えば、保護基板14を挟みこんで引っ張るような構成の専用治具もしくは専用装置を用いることもできる。iの工程において、剥離層9を図3aのように外部接続端子4の上にだけに形成する場合には、スクライブライン15aも剥離層9のパターンに合わせて形成するとよい。外部接続端子4の上に形成された封止膜12だけを除去し、その周囲の封止膜12を残すことにより、外部接続端子4と接続する配線を封止膜12で被覆保護することができるため、配線の信頼性を高めることができる。最後に、フレキシブル配線基板FPC17の電気接続工程が行なうが、工程vで表面が露出された外部接続端子4の上には、保護基板14の分割によって発生したカレットなどの異物や剥離層9の残さ等が付着していることがある。外部接続端子4の上に異物や剥離層9が付着していると、外部接続端子4とFPC17との接続不良の原因になるため、除去する必要がある。そこで、FPC17の電気接続工程の前に異物や剥離層9を除去するため、外部接続端子4の表面を洗浄しておく。洗浄工程には、エアーの吹き付けや超音波洗浄の他、水や有機溶媒等の洗浄溶媒を流しかけながらブラシ等でこすり直接的に落とす方法を用いることができる。前述したように、剥離層9に洗浄溶媒に可溶な材質を選択することにより、特別な工程を追加せずとも、外部接続端子4の洗浄工程で剥離層9の残さを一緒に除去することができる。洗浄後、有機発光装置を乾燥させる。このとき乾燥オーブンで有機発光装置を乾燥してもよいし、ドライエアーブローを行ってもよい。続いて、外部接続端子4とFPC17とを電気接続する。まず、異方性導電接着フィルムACF16を外部接続端子4の上に低温で仮接着した後、FPC17と外部接続端子4との位置合わせを行い、その後熱圧着ヘッドにより熱圧着を行う。ACF16に突起を有する導電粒子を含ませておくと、外部接続端子4との導通がとりやすいため好ましい。導電粒子は、金属粉末を含むものであってもよいし、樹脂に金属をコーティングしたものや、安価で劣化しにくいカーボンでもよい。また導電粒子の表面の突起の先端の角度は90°以下が望ましい。外部接続端子4とFPC17とを電気接続した後は、その接続箇所に保護樹脂不図示を塗布しておくのが好ましい。保護樹脂は、接続箇所から水分が侵入するのを防止して、配線でイオンマイグレーションが発生するのを抑制すると共に、外部接続端子4とFPC17との接着力を補強という役割を果たす。以上、発光装置を1枚ずつ形成する場合を説明したが、本願発明は、1枚の支持基板に複数の発光領域Bおよび外部接続端子領域Cをマトリクス状に作り込み、保護基板を接着した後に分割し、複数の発光装置を作製する場合にも適用することができる。1枚の支持基板から複数の発光装置を得る場合について、1枚ずつ発光装置を製造する方法と同様の工程の説明は省略し、異なる工程に絞って説明する。図6のように、大判の支持基板の上には複数の発光領域Bおよび外部接続端子領域Cをマトリクス状に配置し、大判の素子基板を形成する。それぞれの外部接続端子4の上に剥離層9を形成した後、大判の素子基板の表面には、素子基板とほぼ同じサイズの1枚の保護基板を接着層にて貼り合わせる。個々の発光領域Bに対して、発光装置1枚分のサイズの保護基板を貼り合わせる方法を選択することもできるが、生産性が著しく損なわれるため、量産には不向きである。工程iiiの保護基板切断工程では、図6に示したように、外部接続端子領域Cの保護基板を除去するためのスクライブライン15aを保護基板に設けると共に、保護基板および素子基板に発光装置ごとに分割するためのスクライブライン15bを設ける。その後、スクライブライン15a、15bに外力が加えられ、個々の発光装置に分割され、外部接続端子4の上の保護基板も除去される。以上のように、本発明の発光装置の製造方法では、外部接続端子のマスキング工程や、封止膜剥離除去工程を簡略化することができる。また、v外部接続端子露出工程において、保護基板の除去と同時に外部接続端子の上に設けられる封止膜も除去できる。その結果、外部接続端子の上に設けられる封止膜を選択的に剥離除去するための工程や装置を新たに導入する必要がなく、その分発光装置の製造コストを削減することができる。本実施例では、図6に示したように1枚の大判基板に複数の発光装置を形成した後、大判基板を分割して図2に示す有機発光装置を作製した。まず、ガラス基板1の上に絶縁層2およびTFTおよび配線を含む回路層3を形成した。回路層3を構成する配線と同層の導電層で外部接続端子4を形成した。次に、回路層3の上に平坦化膜5を形成し、TFTとのコンタクトをとるためのコンタクトホールをパターニングした。次に、平坦化膜5の上の発光素子を形成する位置に、アルミニウムAlとインジウム錫酸化物ITOの積層膜からなる第1電極6を形成した。第1電極6の膜厚は150nmとした。次に、フォトリソ工程法により、第1電極6の周囲を囲むように素子分離膜7ポリイミド製、商品名:フォトニースDL-1000を形成した。素子分離膜7の膜厚は2000nmとした。素子分離膜7まで形成されたガラス基板1を、純水で約5分間洗浄し、約200°C、2時間の条件でベイクして脱水処理をした。続いてガラス基板1に形成された第1電極6をUV/オゾン洗浄処理した。続いて、真空蒸着法により第1電極に対応する開口を有する金属製のマスクを用いて、有機化合物層8を構成する正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層をこの順に形成した後、複数の有機発光素子にわたって共通する第2電極を形成した。具体的には、1×10-3Paの圧力条件下で、N,N’-α-ジナフチルベンジジンα-NPDからなる正孔輸送層を40nmの膜厚に形成した。続いて、緑色発光することが知られているクマリン色素クマリン-540とトリス[8-ヒドロキシキノリナート]アルミニウムAlq3とからなる発光層を共蒸着により形成した。クマリン色素が発光層の全体量に対して1.0体積となるように共蒸着し、膜厚は30nmとした。次に、発光層上に、下記に示されるフェナントロリン化合物を電子輸送層として形成した。電子輸送層の膜厚は10nmとした。続いて電子輸送層上に、炭酸セシウムとフェナントロリン化合物とを共蒸着し、炭酸セシウムが電子注入層の全体量に対して2.9体積となるように電子注入層を形成した。膜厚は40nmとした。電子注入層まで形成された基板を、スパッタ装置へ搬送し、電子注入層の上にインジウム錫酸化物ITOを第2電極として形成した。第2電極10の膜厚は60nmとした。正孔輸送層の形成に使用した金属製のマスクには、第1電極に対応する開口に加えて外部接続端子領域Cに対応する位置にも開口を設けておき、発光領域Aへの正孔輸送層の形成と同時に剥離層9の形成を行った。剥離層9は、外部接続端子領域Cが配置されている発光装置の1辺を覆うように形成された。次に、金属マスク等を用いずに、VHFプラズマCVD法により素子基板11の全体に封止膜12を形成した。封止膜12は、材料ガスとして、SiH4ガスを4sccm、N2ガスを200sccmの流し、高周波電力40W、圧力70Paの条件の下で成膜を行った。封止膜の膜厚は3μmとした。続いて、スクライブライン15aに対応する位置には接着層が形成されていないポリイミド製の接着層が形成された接着シートを位置合わせして封止膜12上に配置し、保護基板としてガラス基板12を減圧下にて貼り合わせた。大気圧に戻した後、100°C15分焼成して接着層を硬化させた。次に図6のように、保護基板14にスクライブライン15aおよび15b、素子基板11にもスクライブライン15bとほぼ同じ位置にスクライブラインを形成した。続いて、スクライブライン15bで保護基板14および素子基板11をブレイクして個々の有機発光装置に分割した。スクライブライン15aは、剥離層9にかかる位置に形成した。次に、切断された外部接続端子領域Cに位置する保護基板14を専用の固定治具で挟み、引き倒すことにより樹脂層13を分割し、保護基板14を樹脂層13および封止膜12と共に除去した。保護基板14の除去後、外部接続端子4の表面を観察したところ、封止膜12は残っていなかったが、剥離層9が部分的に残っていた。また、封止膜12は、接着層13により引きちぎられたため、発光領域Aを覆う封止膜12の端部は、封止膜12と接する位置の樹脂層13の端部と揃う領域、また、樹脂層13の端部より20μm程度はみ出して、残っている領域ができていた。外部接続端子4の上に残った剥離層9は、FPCの接続前に洗浄工程によって除去した。洗浄工程は、純水によるブラシ洗浄と、イソプロピルアルコールによる拭き取り洗浄を行い、ドライエアーで乾燥させた。洗浄工程後、再度除去した部分を観察し、外部接続端子の表面に剥離層が残っていないのを確認した。次に、FPC17の実装を行った。有機発光装置の外部接続端子4の上にACF16を乗せて80°Cで1秒程度の条件で仮接着した。続いて、ACF16の上の保護シートを除去し、FPC17を外部接続端子4と位置合わせした。続いて、温度230°Cに加熱した熱圧着ヘッドをFPC17上に当て、圧着圧力3MPa、圧着時間12秒の条件で加圧し、外部接続端子4とFPC17とを熱圧着して有機発光装置を得た。得られた有機発光装置のFPCの実装には問題はなく、表示上の不良、輝度の低下およびむらなどは確認されなかった。温度60°C湿度90環境にて500時間、放置した後においても各発光素子に発光不良は現れず、本実施例の製造方法により得られた外部接続端子にはFPC実装が正常に行えることを確認した。"