"入力端子と、前記入力端子と内部回路とを接続する配線と、前記配線にソースが接続され、ドレインが接地され、ゲートとバックゲートが共通接続されたPチャネル型MOSトランジスタからなる第1の保護トランジスタと、前記配線と前記ソースの接続点と前記内部回路の間の前記配線に挿入された保護抵抗と、を備えることを特徴とする入力保護回路。前記入力端子には電池の電圧が印加され、前記内部回路は、前記入力端子に印加された前記電池の電圧を検出するように構成されたことを特徴とする請求項1に記載の入力保護回路。前記第1の保護トランジスタのソースドレイン耐圧は、前記入力端子に印加される前記電池の電圧の絶対値より高いことを特徴とする請求項1又は2に記載の入力保護回路。前記保護抵抗と前記内部回路の間の前記配線に挿入され、ゲートが接地されたPチャネル型MOSトランジスタからなる第2の保護トランジスタを備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の入力保護回路。前記第2の保護トランジスタのソースドレイン耐圧は、前記入力端子に印加される前記電池の電圧の絶対値より高いことを特徴とする請求項4に記載の入力保護回路。しかしながら、入力端子1に電池が逆接続された場合、つまり、入力端子1に電池の負電圧端子が接続され、電池の正電圧端子が接地された時には、入力端子1には接地に対して負の高電圧例えば、-80Vが定常的に印加されることになる。すると、保護トランジスタ4に定常的に大電流が流れ、保護トランジスタ4が破壊するおそれがあった。これは、図5bを参照すると、保護トランジスタ4と等価なダイオードDA1が順方向にオンするからである。保護トランジスタ4が破壊すると、入力保護回路が機能しなくなる。そこで、本発明は、内部回路を静電破壊から保護すると共に、入力端子に電池が誤って逆接続された場合のように、入力端子に負の電圧が印加される場合であっても、保護トランジスタ4の破壊を防止することができる入力保護回路を提供することを目的とする。本発明の入力保護回路は、入力端子と内部回路とを接続する配線と、前記配線にソースが接続され、ドレインが接地され、ゲートとバックゲートが共通接続されたPチャネル型のMOSトランジスタからなる第1の保護トランジスタと、前記配線と前記ソースの接続点と前記内部回路の間の前記配線に挿入された保護抵抗と、を備えることを特徴とする。本発明の入力保護回路によれば、内部回路を静電破壊から保護することができると共に、入力端子に電池が誤って逆接続された場合のように、入力端子に負の電圧が印加される場合であっても、第1の保護トランジスタに大電流が流れないので、その破壊を防止することができる。<<本発明の実施形態>>本発明の実施形態における入力保護回路を図1乃至3に基づいて説明する。図1に示すように、入力端子1と内部回路2の信号入力端は配線3によって接続されている。入力端子1は、内部回路2等が内蔵されたLSIがLSIメーカーから出荷される前は接地されているが、当該LSIがLSIメーカーからセットメーカーに出荷された後、セットのプリント基板等に組み込まれる時、電池BAが入力端子1に接続される。電池BAは、複数の電池BA1~BAn例えば、リチウムイオン電池が直列接続されてなり、入力端子1に電池BAの正電圧端子が接続され、電池BAの負電圧端子-は接地される。つまり、電池BAが接続されていない時は、入力端子1の電圧は接地レベル0Vに設定され、電池BAが入力端子1に接続されると、入力端子1の電圧は電池BAの電圧例えば、80Vになる。内部回路2は、この入力端子1の電圧に基づいて、入力端子1に電池BAが接続されたか否かを検出する。内部回路2は、電池BAが接続されたことを検出すると、内部回路2が内蔵されたLSI例えば、マイコンを制御するレギュレータの動作をイネーブルに設定するように構成されている。そして、入力端子1に近い箇所の配線3と接地の間にPチャネル型の第1の保護トランジスタ4Aが接続されている。また、第1の保護トランジスタ4AのソースS1と配線3の接続点と内部回路2の間の配線3に保護抵抗5が挿入されている。第1の保護トランジスタ4Aにおいて、ソースS1は配線3に接続され、ドレインD1は接地され、ゲートG1とバックゲートB1とは電気的に共通接続されている。従来の入力保護回路図5では、保護トランジスタ4のゲートGとバックゲートBとは共にソースSに電気的に直接接続されているが、本実施形態の入力保護回路は、ゲートG1とバックゲートB1とはソースS1には電気的に直接接続されていない点で従来例のものと異なっている。また、本実施形態の入力保護回路は、ゲートG1及びバックゲートB1は、入力保護回路以外の回路によってバイアス電圧が印加されていない。第1の保護トランジスタ4Aは、図2aに示すように、それぞれのカソードが共通接続された2つのダイオードDA1,DA2と等価である。1つのダイオードDA1のアノードは接地されており、もう1つのダイオードDA2のアノードは配線3に接続されている。図3は、第1の保護トランジスタ4Aの断面図である。P型半導体基板10の表面にN型ウエル11が形成されている。Nウエル11はバックゲートB1に相当する。N型ウエル11の表面にソースS1に相当するP層が形成されている。ソースS1は、前述のように入力端子1に接続されている。N型ウエル11の表面にドレインD1に相当するP層が形成されている。ドレインD1は前述のように接地されている。P型半導体基板10の表面にP層14が形成され、このP層14を介してP型半導体基板10は接地されている。N型ウエル11の表面にはゲート絶縁膜12が形成されており、このゲート絶縁膜12上にゲートG1に相当するゲート電極が形成されている。Nウエル11の表面にはN層13が形成され、ゲートG1とN層13は配線16を介して接続されている。つまり、ゲートG1とバックゲートB1とは電気的に直接接続され、ゲートG1とバックゲートB1は同電位に設定される。これにより、第1の保護トランジスタ4Aは、ソースドレイン間のブレークダウンを起こさない限り、オフ状態になっている。第1の保護トランジスタ4Aには寄生的なPNP型バイポーラトランジスタ15が付随している。このバイポーラトランジスタ15はソースS1に相当するP層をエミッタ又はコレクタとし、ドレインD1に相当するP層をコレクタ又はエミッタとし、バックゲートB1をベースとするものである。この第1の保護トランジスタ4Aのソースドレイン耐圧=バイポーラトランジスタ15のコレクタエミッタ耐圧は、入力端子1に印加される電池BAの電圧の絶対値より高く、例えば100Vである。つまり、入力端子1に電池BAが正しく接続された場合は、入力端子1には正の高電圧例えば、80Vが印加され、入力端子1に電池BAが逆接続された場合には、入力端子1には負の高電圧例えば、-80Vが印加される。第1の保護トランジスタ4Aは、電池BAの正接続、逆接続のいずれの場合にもソースS1ドレインD1間のブレークダウンや、ゲート絶縁膜2の絶縁破壊が生じないような高耐圧のトランジスタである。そのため、電池BAの電圧を考慮して、第1の保護トランジスタ4AのソースS1、ドレインD1は、P層に加えて、P-層を備えたLDD構造とするとともに、ゲート絶縁膜12の膜厚も十分厚くすることが好ましい。また、保護抵抗5と内部回路2の間の配線3に、第2の保護トランジスタ6が挿入されることが好ましい。この第2の保護トランジスタ6は、図1に示すように、Pチャネル型のMOSトランジスタであり、ゲートG2が接地され、ドレインD2が保護抵抗5に接続され、バックゲートB2がソースS2に接続され、ソースS2が内部回路2に接続されている。第2の保護トランジスタ6は、図2bに示すように、アノードが保護抵抗5に接続され、カソードが内部回路2の信号入力端に接続されたダイオードDA3と等価である。この第2の保護トランジスタ6も第1の保護トランジスタ4Aと同様に高耐圧のトランジスタである。入力端子1に電池BAが逆接続され、入力端子1に負の高電圧例えば、-80Vが印加された場合に、第2の保護トランジスタ6はオフ状態となり、ソースS2ドレインD2間のブレークダウンを起こすこともない。これにより、内部回路2に負の高電圧例えば、-80Vが印加され、内部回路2が誤動作し、あるいは破壊するのを防止することができる。この入力保護回路によれば、入力端子1に接地に対して正又は負の極性のサージ電圧が印加されると第1の保護トランジスタ4AがソースS1ドレインD1間のブレークダウンを起こす。また、寄生的なPNP型バイポーラトランジスタ15もオン状態となり、サージ電圧とこれに伴うサージ電流が抜かれる。さらに、保護抵抗4によりサージ電圧/サージ電流が減衰されることにより、内部回路2が静電破壊から保護される。また、入力端子1に電池BAが正しく接続された場合は、前述のように、入力端子1には正の高電圧例えば、80Vが印加されるが、第1の保護トランジスタ4Aはオフ状態であり、前記ブレークダウンも起こらない。また、第2の保護トランジスタ6はオン状態なので、入力端子1に印加された正の高電圧は内部回路2に伝達される。一方、入力端子1に電池BAが逆接続された場合には、前述のように、入力端子1には負の高電圧例えば、-80Vが印加されるが、この場合にも第1の保護トランジスタ4Aはオフ状態であり、前記ブレークダウンも起こらない。つまり、第1の保護トランジスタ4Aに大電流が流れないので、その破壊を防止することができる。この場合、第2の保護トランジスタ6は前述のようにオフ状態となり、内部回路2に負の高電圧例えば、-80Vが印加されることが防止される。なお、本実施形態において、内部回路2は電池BAが接続されたことを検出する機能を有しているが、本発明はこれには限定されず、入力端子1を介して電池の電圧が入力される内部回路の保護に広く適用することができる。また、入力端子1には、電池BAが入力されるが、本発明は、これには限定されず、入力端子1に接地に対して正の電圧と負の電圧が定常的に印加される場合にも適用することができる。<<参考例>>図4は、参考例の入力保護回路の回路図である。この入力保護回路においては、入力端子1に接続された配線3に第2の保護トランジスタ6が接続されている。保護抵抗5は、第2の保護トランジスタ6と内部回路2との間の配線3に挿入されている。また、保護抵抗5と内部回路2との間を接続している配線3と接地の間に保護トランジスタ4が接続されている。保護トランジスタ4は、従来の入力保護回路図5におけるものと同じであって、ソースSは配線3に接続され、ドレインDは接地され、ゲートGとバックゲートBとは共にソースSに電気的に直接接続されている。この入力保護回路によれば、前述のように、入力端子1に電池BAが逆接続されて、入力端子1には負の高電圧例えば、-80Vが印加された場合には、第2の保護トランジスタ6がオフ状態になるので、後段に配置された保護トランジスタ4に大電流が流れることはなく、保護トランジスタ4の破壊を防止することができる。しかしながら、本発明者の検討によれば、この入力保護回路では、入力端子1に接地に対して正又は負の極性のサージ電圧が印加されると、入力端子1に近い側に接続された第2の保護トランジスタ6に大電流が流れて、破壊し易いという問題がある。すなわち、この入力保護回路では、電池BAの逆接続の問題は解決できるが、静電破壊強度が低下するという問題がある。これに対して、前述した本実施形態の入力保護回路では、静電破壊強度を高く確保しながら、入力端子1に電池BAが誤って逆接続された場合でも、第1の保護トランジスタ4Aの破壊を防止することができるという利点がある。"