"入射光を減衰させる光アッテネータであって、入射光の波長域で透明なガラス基板の表裏の少なくとも一方の面に光透過率の異なる複数の光透過領域が設けられ、前記光透過領域は、入射光が回折を生じる大きさの凹凸パターンの繰返しからなる微細構造が形成された部分と入射光が回折を生じない大きさの開口部とから構成されたものを含み、前記微細構造と開口部とから構成された光透過領域の光透過率は前記微細構造の0次光透過率と前記開口部の開口率により設定されていることを特徴とする減衰率可変の光アッテネータ。前記微細構造はピッチが一定であり、全ての前記光透過領域の微細構造はピッチもピッチに対する凸部の割合を示すフィリングファクタも等しい凹凸パターンからなる同じ微細構造である請求項1に記載の光アッテネータ。前記光透過領域の微細構造は、入射光の波長に対して0次光透過率がほぼ0になるように、ピッチ、フィリングファクタ、及び凹凸パターンの深さが設定されている請求項2に記載の光アッテネータ。前記微細構造はピッチが一定であり、全ての前記光透過領域の微細構造のピッチが等しく、ピッチに対する凸部の割合を示すフィリングファクタは異なる前記光透過領域の間では異なっている請求項1に記載の光アッテネータ。前記光透過領域は前記ガラス基板の表面上で一直線に沿って複数個が配置されており、前記開口部の開口率が前記光透過領域ごとに異なるように設定されている請求項1から4のいずれか一項に記載の光アッテネータ。前記光透過領域は前記ガラス基板の表面上で円周方向に沿って複数個が配置されており、前記開口部の開口率が前記光透過領域ごとに異なるように設定されている請求項1から4のいずれか一項に記載の光アッテネータ。前記微細構造の凹凸パターンの表面及び開口部の表面に入射光の波長の半分以下のピッチをもつ凹凸構造の反射防止構造が形成されている請求項1から6のいずれか一項に記載の光アッテネータ。請求項1から7のいずれか一項に記載の光アッテネータと、前記光透過領域に対する入射光の入射位置が前記光透過領域間で移動するように前記ガラス基板を変位させる移動機構と、を備えた光アッテネータモジュール。前記光アッテネータに対する入射光のビーム径を小さくするための集光レンズと、前記光アッテネータを透過した0次回折光を受光する集光レンズをさらに配置した請求項8に記載の光アッテネータモジュール。2つ以上のアッテネータを組み合わせることによって、1つのアッテネータよりも大きな光減衰率を得るようにした請求項8又は9に記載の光アッテネータモジュール。入射光が直線偏光であり、該光アッテネータモジュールの光入射側にλ/4波長板が配置されている請求項8から10のいずれか一項に記載の光アッテネータモジュール。該光アッテネータモジュールの入射光の一部を分岐して取り出す第1の光分岐手段と、該光アッテネータモジュールの出射光の一部を分岐して取り出す第2の光分岐手段と、前記第1,第2の光分岐手段により取り出された光をそれぞれ受光して検出する第1、第2の受光素子と、前記第1、第2の受光素子の検出信号を取り込み、その検出信号のレベル比が設定した減衰率に対応したものとなるように前記移動機構を制御する移動機構制御装置と、をさらに備えた請求項8から11のいずれか一項に記載の光アッテネータモジュール。いずれの方式も薄膜を使用する。薄膜は製作時の歩留まりが悪いために価格が高くなる。特に、高性能薄膜は膜厚を厳密に制御しなければならないために歩留まりが一層悪くなるうえ、薄膜材料が高価であることも加わって価格が一層高くなる。バタフライ方式でも膜分布方式でも、誘電体多層膜を用いるものは、YAGレーザ加工装置のような高出力の光学系に光アッテネータを使用する場合に、薄膜がレーザ光を吸収して薄膜材料が昇華するなど、耐久性が課題となる。いずれの方式も薄膜を光束が透過する。薄膜の透過率特性は使用温度によって変化する。さらに、いずれも入射光量のうち透過しなかった光量は素子に吸収されることになるので、素子自体の温度上昇に伴って薄膜の物理膜厚が変化し透過率が変化する。膜の吸収係数が大きい高性能薄膜では温度上昇はより顕著である。そのため、実使用を可能にするには、レーザを照射し続け、素子温度が一定になって透過率が安定するまで待たなければならなかった。従来の方式は薄膜を使用することから波長依存性が大きく、使用波長範囲が狭いため使用するレーザ波長毎に専用の光学素子が必要である。バタフライ方式では透過率を変化させるためには入射角度を変更するが、薄膜は光学特性に対する入射角度依存性が大きく、入射角度のわずかな差で特性が大きく変化するため、調光の分解能が悪い。本発明は耐久性が高く、透過率特性も安定した光アッテネータと、それを用いた光アッテネータモジュールを提供することを目的とするものである。本発明の光アッテネータは、入射光の波長域で透明なガラス基板の表裏の少なくとも一方の面に光透過率の異なる複数の光透過領域が設けられたものであり、光透過領域として、入射光が回折を生じる大きさの凹凸パターンの繰返しからなる微細構造が形成された部分と入射光が回折を生じない大きさの開口部とから構成されたものを含んでいる。開口部の大きさは入射光のビーム径よりも小さい。微細構造と開口部とから構成された光透過領域の光透過率は、微細構造の0次光透過率と開口部の開口率により設定されている。開口率は単位面積当たりの開口部の割合であるが、具体的には開口部の大きさと開口部が配置される間隔により設定される。微細構造への入射光は光アッテネータ素子に吸収されることなく、0次回折光の他、一次回折光や二次回折光としてこの光アッテネータ素子から出射していく。開口部では入射光のうち開口部に入射した光は回折を受けることなくそのまま透過する。光透過領域の光透過率は入射光の光量に対する出射光の光量の比率として定義される。その場合の出射光は微細構造を透過した0次光の光量と開口部を透過した出射光の合計である。微細構造は種々の0次光透過率をとることができ、その中には0次光透過率が0のものも含まれる。凹凸パターンからなる微細構造のピッチは入射光が回折を生じる大きさ以上である。具体的には、微細構造のピッチは入射光波長の2倍~600倍の範囲が好ましい。この範囲は次のように求められる。回折が発生する条件はピッチ>入射光波長である。しかし、ピッチが入射光波長と同等の領域では微細構造の凹凸パターンの深さを変えても透過率が0にならない。図3に微細構造の凹凸パターンの深さと0次回折光の透過率の関係を示す。図3のデータの入射光波長は1064nm、フィリングファクタFFは05である。フィリングファクタは、凹凸パターンにおいてピッチに対する凸部の割合を示す。例えば、ピッチを2μmにすると微細構造の凹凸パターンの深さが14μmのときに0次回折光の透過率が約7になる。0次回折光の透過率をさらに0に近づけようとすると、微細構造のピッチの下限は使用波長の2倍以上が必要になる。微細構造のピッチの上限については、回折が生じるという条件からは制限はない。しかし、微細構造のピッチが大きくなると回折角度が小さくなるので、0次回折光回折角度は0°と1次回折光の分離が困難になる。例えば、ピッチが入射光波長の100倍であれば1次回折光の回折角度は057°、500倍であれば012°、575倍であれば010°、1000倍であれば006°である。0次回折光と1次回折光の分離の観点からピッチの上限は入射光波長の600倍程度である。また、微細構造の凹部の深さはピッチの01~80が適当である。この範囲は次のように求められる。図3の結果によれば、例えばピッチが2μmの微細構造であれば、0次回折光の透過率を最大値から最小値まで変化させるには微細構造の凹部の深さを0~14μm程度の範囲で変化させる必要がある。このときの微細構造の凹部の深さはピッチの0~70に相当する。同様にしてピッチ20μmまでの関係をまとめたものが表1である。0次回折光の透過率は後で図2に示すようにフィリングファクタが05のときに最小値をとるので、表1の結果からピッチを15μmとすると微細構造の凹部の深さはピッチの80にしなければならない。ピッチを20μmとすると微細構造の凹部の深さはピッチの6でよくなる。さらにピッチを大きくすれば微細構造の凹部の深さは浅くてもすむようになる。ピッチには実用的な観点からの上限が存在するので、微細構造の凹部の深さもいくらでも浅くできるものではなく、01程度が限界である。微細構造をドライエッチングにより形成するので、1つのガラス基板にフィリングファクタの異なる微細構造を形成する実施の形態では、凹部の深さはフィリングファクタの大きい領域では浅く、フィリングファクタの小さい領域では深くなる。光透過領域としては微細構造を備えずに開口部のみを備えたものも含む。この場合にはその光透過領域の光透過率は100である。さらに、光透過領域としては開口部を備えずに微細構造のみを備えたものも含まれる。この場合にはその光透過領域の0次回折光の光透過率は微細構造のピッチとフィリングファクタによって所定の値に設定され、0次回折光の光透過率が0のものも含まれる。微細構造の0次回折光の光透過率はピッチとフィリングファクタによって設定されるが、後で示すように高透過率にしようとするとフィリングファクタが0又は1に近づくことになる。これは微細構造の凹凸パターンの凸部又は凹部の幅が狭くなることを意味する。パターンの幅が1μm以下になると、フォトリソグラフィ工程において従来の半導体用縮小光学露光機で解像できなくなる。そのため、高透過率領域の光量確保が難しくなる。具体的には、0次回折光の透過率90以上を確保することが難しくなる。これを解消する方法としては、電子線描画EB描画方法があるが、描画時間が長くなり、高価となる欠点がある。そこで、本発明では微細構造と開口部の組合せによって光透過率を調節する。微細構造は所定の0次回折光透過率をもつように設定することもできるが、0次回折光透過率が0になるように設定することもできる。開口部は所定の光透過率となるように開口率を調節することができ、特に高透過率領域において光透過率を正しく設定するのに有効である。本発明ではいくつかの光透過領域を微細構造が形成された部分と、入射光のビーム径よりも小さい面積でパターンをもたない開口部とで構成する。本発明の一実施形態においては、微細構造はピッチが一定であり、全ての光透過領域の微細構造はピッチもフィリングファクタも等しい凹凸パターンからなる同じ微細構造とすることができる。その場合、光透過領域の微細構造は、入射光の波長に対して0次回折光の光透過率がほぼ0になるように、ピッチ、フィリングファクタ、及び凹凸パターンの深さが設定されているようにすることができる。この実施の形態では、開口部のサイズとレイアウトを制御することで、開口部で回折を発生させないので、屈折率が1.0の合成石英ガラス基板を使用した場合、光透過率を0~92の範囲で調節することができる。また、この実施の形態では、微細構造のラインとスペースの比率フィリングファクタが0.5のときは1:1は一定のままであり、全ての光透過領域にわたってスペース幅を狭くする必要がないため、スペース幅をステッパーの解像限界まで設定できる。つまりピッチを小さくすることが可能になるため回折角度の設計自由度が増し、短波長にも対応できるようになる。その結果、製作時の利点として、従来の露光装置を使用して製作できること、微細構造の0次回折光透過率を0に設定すると、0次光の透過率を制御するためにはパターンなし部開口部のレイアウトと寸法を調節するだけでよく、かつこの設計は容易である。他の実施の形態では、微細構造はピッチが一定であり、全ての光透過領域の微細構造のピッチが等しく、ピッチに対する凸部の割合を示すフィリングファクタは異なる光透過領域の間では異なっているようにすることもできる。この実施の形態においては、微細構造のフィリングファクタと開口部のサイズ及びレイアウトを調節することによって光透過領域の光透過率を設定することができる。この場合も、開口部で回折を発生させないので、屈折率が1.0の合成石英ガラス基板を使用した場合、光透過率を0~92の範囲で調節することができる。光透過領域はガラス基板の表面上で一直線に沿って複数個が配置されており、開口部の開口率が光透過領域ごとに異なるように設定されているようにすることができる。また、光透過領域はガラス基板の表面上で円周方向に沿って複数個が配置されており、開口部の開口率が光透過領域ごとに異なるように設定されているようにすることもできる。微細構造の凹凸パターンの表面及び開口部の表面に入射光の波長の半分以下のピッチをもつ凹凸構造の反射防止構造が形成されていてもよい。本発明の光アッテネータモジュールは、本発明の光アッテネータと、光透過領域に対する入射光の入射位置が光透過領域間で移動するようにガラス基板を変位させる移動機構とを備えたものである。また、2つ以上のアッテネータを組み合わせることによって、1つのアッテネータよりも大きな光減衰率を得るようにすることもできる。入射光が直線偏光である場合は、光アッテネータモジュールの光入射側にλ/4波長板が配置されていることが好ましい。光アッテネータモジュールの一実施の形態は、光アッテネータモジュールの入射光の一部を分岐して取り出す第1の光分岐手段と、その光アッテネータモジュールの出射光の一部を分岐して取り出す第2の光分岐手段と、第1,第2の光分岐手段により取り出された光をそれぞれ受光して検出する第1、第2の受光素子と、第1、第2の受光素子の検出信号を取り込み、その検出信号のレベル比が設定した減衰率に対応したものとなるように光アッテネータのガラス基板を変位させる移動機構を制御する移動機構制御装置とをさらに備えている。本発明の光アッテネータは、ガラス基板表面に形成した凹凸パターンの微細構造と凹凸パターンのない開口部によって光透過率を調節しているので、薄膜を使用する場合に比べてガラス材料は温度による特性が安定しており、耐久性に優れており、薄膜プロセスを使用しないため安価に製造できる。さらに、ガラス材料は波長依存性が少ないため、使用する光線に対する広帯域特性が得られる等の優れた効果を発揮することができる。一実施例の光アッテネータの光透過領域に形成する微細構造を概略的に図1AとBに示す。本発明で使用する微細構造はピッチが一定であるが、凹凸形状のフィリングファクタは光透過領域が異なっても一定のものと、光透過領域が異なると異なるものとがある。図1は光透過領域を表わしたものではなく、微細構造だけを取りあげてその機能を説明するために示したものである。Aは微細構造の凹凸形状のフィリングファクタが変化している方向に沿った断面図、Bはその両端部の平面図である。ガラス基板2は少なくとも入射光の波長域では透明な材質であり、特に限定されるものではないが、例えば石英ガラスや硼珪酸ガラス等を用いることができる。硼珪酸ガラスとしては、パイレックス登録商標やテンパックス登録商標を使用することができる。ガラス基板2の一方の表面には微細構造4が形成されている。微細構造4は凹凸パターンの繰返しからなるものである。その凹凸パターンは紙面垂直方向に延びる凸部ライン6と溝スペース8からなるラインアンドスペースパターンである。その凹凸パターンの1組の凹凸からなるピッチPは一定である。凸部6のライン幅がL、溝8の幅がSである。P=LSであり、L/PがフィリングファクタFFである。また、dは溝8の深さである。微細構造の凹凸パターンは、ピッチPが図に示された横方向一直線の方向に対して一定であり、フィリングファクタは図の左端では05、右端ではほぼ10である。図の左から右に向かってフィリングファクタが05からほぼ1の範囲で連続的に変化している。入射光は光アッテネータの一方の面から入射し、他方の面へ透過して出射光となる。凹凸パターンのピッチPは入射光の波長の2~600倍の範囲に設定されている。いま例えば入射光として波長1064nmのレーザ光が使用され、ピッチPは20μmに設定されている。しかしピッチPは一例であり、入射光が回折を起こす範囲であれば適宜設定することができる。ここでは、入射光として波長1064nmのレーザ光を使用した例を示すが、他の波長の入射光でも同様である。例えば、入射光として波長266nmのレーザ光を使用する場合は、ピッチPは5μmに設定するのが適当である。入射光が微細構造4に入射すると、回折が起こり、入射光と同一方向に透過する0次回折光のほかに、1次回折光や2次回折光などが発生する。それぞれの回折光は出射方向が異なるために、0次回折光のみを対象物に入射させるように導くことにより、入射光に対する出射光の透過率は、0次回折光以外の回折光が生じることにより減少する。0次回折光の透過率はフィリングファクタによって変化することを示す。図1の例において、ガラス基板2として厚さが10mmのテンパックス登録商標ガラス基板を使用し、微細構造4のピッチPを20μmとし、溝8の深さdを12μmとし、入射光として波長が1064nmの円偏光の単色光を基板2の表面に対し垂直方向に入射させた場合の、フィリングファクタと0次回折光の透過率の測定結果を図2に示す。フィリングファクタが05は図1の左端のようにライン幅Lと溝幅Sが等しい状態である。この結果によれば、フィリングファクタが05のときは回折光が1次以上の回折光となり、0次回折光として入射光と同一方向に出射する光の透過率は0となる。フィリングファクタが05より小さくなっても大きくなっても透過率が上昇し、フィリングファクタが0と1に近づくにつれてほとんど0次回折光のみとなる。図1の例では、フィリングファクタが05からほぼ1の範囲で変化するように形成されているので、入射光の入射位置を図1の左から右方向に変位させると、0次回折光の透過率は0から100近い範囲で変化させることができる。フィリングファクタは1に近づくほど溝の幅Sが狭くなっていくので、ガラス基板をドライエッチングにより形成する方法では0まで連続的に製作することはできない。フィリングファクタの異なるパターンを同時に形成する場合は、フィリングファクタの大きさによって溝の深さdは異なってくる。フィリングファクタが小さいほど溝の幅が広いために深い溝が形成され、フィリングファクタが大きくなるほど溝の深さが浅くなっていく。図4は一実施例の光アッテネータにおける1つの光透過領域の一部を示す拡大平面図である。少なくとも入射光の波長域では透明な材質であるガラス基板として石英ガラス基板を使用し、その一方の表面に複数の光透過領域が形成されている。図4に示されているのは、1つの光透過領域11の一部である。この光透過領域11は入射光が回折を生じる大きさの凹凸パターンの繰返しからなる微細構造12が形成された部分と、入射光が回折を生じない大きさの開口部14とから構成されている。光透過領域11としては、微細構造12のみからなるものや開口部のみのものも含むが、ここでは微細構造12と開口部14をともに含む光透過領域について説明する。この光アッテネータへの入射光は、特に限定されるものではないが、いま波長が1064nmでビーム径が4mmのものが、光アッテネータに対する入射角が0度、すなわち光アッテネータの表面に対して垂直方向に入射するものとする。微細構造4は0次回折光の透過光量が0ではない値になるように設定されている。具体的には、微細構造4の凹凸パターンのピッチPが20μm、凹凸パターンのライン幅が18.5μmフィリングファクタは0.925、凹凸パターンの凸部の高さ凹部の深さと同じことが1.2μmになるように設定されている。この微細構造4は、波長が1064nmの入射光に対しては0次回折光の透過率は73である。したがって、この実施例では、光透過領域の0次光の光透過率は微細構造4の0次回折光透過率と開口部14の開口率によって決まる。開口部14の大きさは入射光の波長では回折が起こらず、入射光のビーム径に対して小さい大きさである。開口部14の大きさと配置は図5に示されるように、回折光が発生せず、光透過率が所望の値になるように決める。具体的には次の4つの光透過領域を作成した。光透過領域の大きさは一辺が6mmの正方形である。1開口部14は直径が0.4mmであり、2mm間隔P0で配置した。この場合の0次光透過率は81.7であった。2開口部14は直径が0.4mmであり、1.5mm間隔P0で配置した。この場合の0次光透過率は88.5であった。3開口部14は直径が0.4mmであり、1mm間隔P0で配置した。この場合の0次光透過率は90.1であった。4開口部14は直径が0.4mmであり、0.5mm間隔P0で配置した。この場合の0次光透過率は94であった。開口部により広い光透過率範囲を設定できることを示すために、開口部14の直径サイズを0.4mmとし、配置する間隔ピッチP0を種々に異ならせたときの光透過率の測定結果を図6に示す。図6で、横軸は開口部14を配置する間隔ピッチP0と直径サイズとの比率として表わしている。この実施例では、微細構造4は0次回折光の透過光量が0になるように設定されている。具体的には、微細構造4の凹凸パターンのピッチPが20μm、凹凸パターンのライン幅が10μmフィリングファクタは0.5、凹凸パターンの凸部の高さ凹部の深さと同じことが1.2μmになるように設定されている。図2に示されているように、この微細構造4は、波長が1064nmの入射光に対しては0次回折光の透過光量が0になる。したがって、この実施例では、光透過領域の0次光の光透過率は開口部14の開口率のみによって決まる。図6の測定結果を得た測定の入射光は、波長が1064nmでビーム径が2mm、4mm及び8mmの3種類で測定した。光アッテネータに対する入射角は0度である。この結果によれば、微細構造部からの0次回折光の光透過率が0であっても、開口部14を配置することにより、0~90余りまでの広範囲の光透過率を実現できることが分かる。このように微細構造と開口部により互いに異なる光透過率をもつように設定された光透過領域は、ガラス基板上で直線上に沿って配置してもよく、円周上に配置してもよい。微細構造4の0次回折光の透過光量が0になるように、微細構造4の凹凸パターンのピッチPが20μm、凹凸パターンのライン幅が10μmフィリングファクタは0.5、凹凸パターンの凸部の高さ凹部の深さと同じことが1.2μmになるように設定された素子において、図6の測定データを得たのと同じように開口部14の直径サイズを0.4mmとし、配置する間隔ピッチP0を種々に異ならせた領域をガラス基板の一直線に沿って配置したものを次の実施例とした。すなわち、図6では横軸は開口部14を配置する間隔と直径との比率であるが、この実施例ではガラス基板の一直線上の位置と光透過率が直線関係になるように、開口部14を配置する間隔と直径との比率の異なる領域をガラス基板の一直線上に沿って配置したものである。その実施例において、波長が1064nm、ビーム径が4mmの入射光で0次光の光透過率を測定したときのガラス基板の一直線上の位置ビーム入射位置と光透過率との関係を図7に示す。図7のデータは図6のデータのビーム径が4mm相当するものである。尚、ここで、図7の横軸は開口部14を配置する間隔と直径との比率の異なる11の領域を配置した光アッテネータの寸法11の領域を配置した一直線方向の寸法を表わしているが、この寸法は任意であり、それよりも長くても短くてもよい。この実施例のように0次光の光透過率の異なる領域を一直線状に配置することにより、入射光に対してこの光アッテネータをその一直線に沿って移動させることにより0次光の光透過率を変化させることができる。図8は異なる光透過率の光透過領域が円周上に配置された実施例を示している。円盤状のガラス基板16の一表面で円周に沿って光透過領域が配置されている。符号18は光透過領域を概略的に示したものである。光透過領域18は図4に示された構造と同じであり、入射光が回折を生じる大きさの凹凸パターンの繰返しからなる微細構造12が形成された部分と、入射光が回折を生じない大きさの開口部14とから構成されている。この実施例では、微細構造12は使用する入射光の波長に対しては0次回折光の光透過率が0になるように形成されている。このような光透過領域18が基板16の円周に沿って配置されている。光透過領域18の0次光透過率は、開口部14の大きさと配置の間隔によって、基板16の回転角の0~360°に対して4~94の範囲で増加していくように設定されている。その光透過率と回転角との関係が図9に開口部ありのデータとして示されている。横軸のビーム入射位置は基板16の回転角である。図10は開口部を設けないで微細構造のみによって0次回折光の光透過率を変化させる場合の比較例を示したものである。この比較例ではフィリングファクタは円周方向に沿って変化するように形成されている。微細構造の凹凸パターンは円の中心から半径方向に延びる凸部9と溝10の繰返しパターンとして形成されている。比較例でも、微細構造の凹凸パターンのピッチPは円周方向に沿って均一に設定されており、フィリングファクタが円周方向に沿って連続的に変化するように形成されている。実施例も比較例も製造方法は同じであり、半導体用縮小光学露光機を用いたフォトリソグラフィ工程によりレジストパターンを形成し、そのパターンをガラス基板にドライエッチングにより転写する方法により製作した。比較例でも光透過率と回転角との関係が図8の実施例と同じようになるようにフィリングファクタが設計されている。しかし、高透過率領域では微細構造の凹凸パターンの溝の幅が狭くなって、設計通りに加工できなくなる。比較例の光透過率と回転角との関係も図9に開口部なしとして示した。高透過率領域では設計通りに加工されていないことが分かる。図9の結果からも分るように、高透過領域を除くと微細構造によっても所定の光透過率を実現することができる。そこで、他の実施例として、比較例のように0次回折光の光透過率が調節できるようにした微細構造と開口部とを組み合わせたものである。そして、開口部は特に高透過領域用の光透過領域に配置する。図11は本発明の光アッテネータを製造する一方法を概略的に示したものである。微細構造と開口部は同時に形成する。例えば、基板として合成ガラス基板を用い、基板表面にフォトレジスト層を塗布する。フォトレジストはネガ型でもポジ型でもよく、ここでは一例としてポジ型を使用する。縮小光学露光機を用いてフォトレジストを露光し、現像とリンスを行ってレジストパターンを形成する。そのレジストパターンをマスクとして基板を異方性ドライエッチングすると、基板に図12に示されるような微細構造12と開口部14からなるパターンが形成される。本発明の光アッテネータは、金型をもちいて樹脂層にパターンを転写し、その転写パターンをエッチングにより基板に再度転写するナノインプリント法により製造することもできる。光アッテネータは微細構造の凹凸パターンの表面及び開口部の表面に反射防止構造ARS構造を形成しておくのが好ましい。反射防止構造は微細構造の凹凸パターンよりもさらに微細な凹凸構造であり、入射光の波長の半分以下のピッチをもつ凹凸構造である。反射防止構造の一例は、ピッチが200nm、深さが130nmの凹凸構造である。その凹凸構造を微細構造の凹凸パターンの凸部の表面と凹部の表面、及び開口部の表面に一様に形成することにより、1064nm付近の光透過率を99に維持することができるようになる。そのような反射防止構造は、微細構造の凹凸パターンと開口部を形成する前のガラス基板表面に写真製版とエッチングによる方法又はナノインプリント法により形成しておく。その後に微細構造の凹凸パターンと開口部を形成することになるが、予め反射防止構造が形成されていることが微細構造の凹凸パターンと開口部を形成する際の障害になることはない。図13は光アッテネータモジュールの一実施例を概略的に表したものである。一実施例の光アッテネータ60には移動機構61が設けられている。移動機構61は、光アッテネータ60の形態に応じて、光アッテネータ60を直線的に移動させることにより光アッテネータ60に対する入射光の入射位置を変えて光透過率を変化させるものであるか、光アッテネータ60を回転中心の周りに回転させることにより光アッテネータ60に対する入射光の入射位置を変えて光透過率を変化させるものである。レーザ光源62から光アッテネータ60に入射するレーザ入射光64の一部68を分岐して取り出す第1の光分岐手段として、レーザ入射光64の光路上に光スプリッタ66が配置されている。光スプリッタ66は例えばレーザ光64に対して透明なガラス基板が入射光64の一部を反射して取り出すように傾斜して設けられたものである。レーザ光源60は発振されるレーザ光が直線偏光であるので、円偏光に変えるためにλ/4波長板が設けられており、レーザ光源60から出射されるレーザ光64は円偏光をもっている。光アッテネータ60を透過した出射光70の一部74を分岐して取り出す第2の光分岐手段として、レーザ出射光70の光路上に光スプリッタ72が配置されている。光スプリッタ72も例えばレーザ光64に対して透明なガラス基板が出射光70の一部を反射して取り出すように傾斜して設けられたものである。光スプリッタ66により入射光の一部として取り出された光68を受光して検出するために第1の受光素子として例えばホトダイオード76が配置され、光スプリッタ72により出射光の一部として取り出された光74を受光して検出するために第2の受光素子として例えばホトダイオード78が配置されている。ホトダイオード76,78の検出信号を取り込み、その検出信号のレベル比が設定した減衰率に対応したものとなるように移動機構61を制御するために移動機構制御装置80が設けられている。移動機構制御装置80はコンピュータとインターフェースからなるコンピュータシステムである。この光アッテネータモジュールはレーザ加工装置に適用されるのである場合には、光アッテネータ60を透過したレーザ光は被加工物である対象物82に照射される。光スプリッタ66,72で取り出す光の割合は予めわかっているので、光スプリッタ66,72によるレーザ光の減衰率も予めわかっている。ホトダイオード76,78の検出信号のレベル比から光アッテネータ60による減衰率を求めることができるので、対象物82に照射されるレーザ光の強度を求めることもできる。"