"酸化セリウム粒子、パラトルエンスルホン酸、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物B及び水を含むCMP用の研磨液であって、前記パラトルエンスルホン酸の含有量が、研磨液全質量に対して0.001~1質量であり、前記高分子化合物Bの含有量が、研磨液全質量に対して0.01~0.50質量であり、pHが4.0以上7.0以下である、研磨液。前記酸化セリウム粒子及び前記水を含む第1の液と、前記パラトルエンスルホン酸、前記高分子化合物B及び前記水を含む第2の液と、から構成される二液式研磨液として保存される、請求項1に記載の研磨液。前記第1の液が、分散剤をさらに含む、請求項2に記載の研磨液。基板表面に形成された被研磨膜を請求項1~3のいずれか一項に記載の研磨液を用いて研磨する、基板の研磨方法。しかしながら、配線やSTIのデザインルールの微細化の進展に伴い、前記のような酸化セリウム研磨液に対して更なる平坦性の向上例えば、絶縁膜のディッシング量の低減が求められている。また、半導体デバイスの生産のさらなる精度向上も求められており、例えば、トレンチ密度の異なる部分における絶縁膜の残膜厚差が小さいことや、ストッパー膜の過剰研磨の量が少ないことが求められている。さらに、同時に研磨プロセスの尤度が大きいことも、精度の高い半導体デバイス生産には、重要なことである。本発明は、前記実情に鑑みてなされたものであり、基板の表面に形成された被研磨膜を研磨するCMP技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、さらに研磨後の平坦性を向上させることが可能な研磨液及びこの研磨液を用いた基板の研磨方法を提供することを目的とする。本発明は、酸化セリウム粒子、パラトルエンスルホン酸、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物B及び水を含むCMP用の研磨液であって、パラトルエンスルホン酸の含有量が、研磨液全質量に対して0.001~1質量であり、高分子化合物Bの含有量が、研磨液全質量に対して0.01~0.50質量であり、pHが4.0以上7.0以下である、研磨液を提供する。本発明の研磨液では、基板の表面に形成された被研磨膜例えば、層間絶縁膜、BPSG膜、STI膜を研磨するCMP技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、かつ研磨後の平坦性を向上させることができる。本発明の研磨液は、酸化セリウム粒子及び水を含む第1の液と、パラトルエンスルホン酸、高分子化合物B及び水を含む第2の液と、から構成される二液式研磨液として保存しておいてもよい。これにより、研磨液を使用する直前まで酸化セリウム粒子の分散安定性をより良好に保つことができるため、より効果的な研磨速度及び平坦性を得ることが可能である。なお、本発明の研磨液は、前記第1の液が、分散剤をさらに含むことが好ましい。これにより、酸化セリウム粒子の分散安定性をさらに良好に保つことができる。本発明は、また、基板表面に形成された被研磨膜を本発明の研磨液を用いて研磨する、基板の研磨方法を提供する。本発明の研磨液を使用するこのような研磨方法によれば、被研磨膜の研磨速度を向上させ、さらに研磨後の平坦性を向上させることが可能である。本発明によれば、基板の表面に形成された被研磨膜例えば、STI膜を研磨するCMP技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、さらに研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液及びこの研磨液を用いた基板の研磨方法を提供することができる。以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。[研磨液]本実施形態に係る研磨液は、酸化セリウム粒子と、分散剤と、有機酸と、高分子化合物Bと、水とを含有するCMP用の研磨液である。以下、本実施形態に係る研磨液に含まれる各成分について詳細に説明する。酸化セリウム粒子酸化セリウム粒子としては、特に制限はなく、公知のものを使用することができる。一般に酸化セリウムは、炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩、しゅう酸塩等のセリウム化合物を酸化することによって得られる。酸化セリウム粒子を作製する方法としては、焼成、過酸化水素等による酸化法等が挙げられる。TEOS-CVD法等で形成される酸化珪素膜の研磨に酸化セリウム粒子を使用する場合、酸化セリウム粒子の結晶子径結晶子の直径が大きく、かつ結晶歪みが少ない程、即ち結晶性が良い程、高速研磨が可能であるが、被研磨膜に研磨傷が入りやすい傾向がある。このような観点から、酸化セリウム粒子は、2個以上の結晶子から構成され、結晶粒界を有する粒子が好ましく、結晶子径が1~300nmの範囲内である粒子がより好ましい。前記結晶子径は走査型電子顕微鏡SEMによる観察で測定することができる。具体的には、走査型電子顕微鏡SEM観察で得られた画像から、粒子の長径と短径とを測定し、長径と短径との積の平方根を粒子径とする。酸化セリウム粒子中のアルカリ金属及びハロゲン類の含有率は、半導体素子の製造に係る研磨に好適に用いられることから、10ppm以下であることが好ましい。酸化セリウム粒子の平均粒径は、10~500nmであることが好ましく、20~400nmであることがより好ましく、50~300nmであることが更に好ましい。酸化セリウム粒子の平均粒径が10nm以上であれば、良好な研磨速度が得られる傾向があり、500nm以下であれば、被研磨膜に傷がつきにくくなる傾向がある。ここで、酸化セリウム粒子の平均粒径は、レーザ回折式粒度分布計例えば、Malvern社製商品名:MasterSizerMicroplus、屈折率:1.93、光源:He-Neレーザ、吸収0で測定したD50の値体積分布のメジアン径、累積中央値を意味する。平均粒径の測定には、適切な濃度例えば、He-Neレーザに対する測定時透過率Hが60~70となる濃度に研磨液を希釈したサンプルを用いる。なお、酸化セリウム研磨液が、後述するように酸化セリウム粒子を水に分散させた酸化セリウムスラリと、添加剤を水に溶解させた添加液とに分けて保存されている場合は、酸化セリウムスラリを適切な濃度に希釈して測定することができる。酸化セリウム粒子の含有量は、良好な研磨速度が得られる傾向がある観点で、研磨液全質量基準で0.1質量以上が好ましく、0.5質量以上がより好ましい。また、酸化セリウム粒子の含有量は、粒子の凝集が抑制されて被研磨膜に傷がつきにくくなる傾向がある観点で、20質量以下が好ましく、5質量以下がより好ましく、1.5質量以下が更に好ましい。パラトルエンスルホン酸本実施形態に係る研磨液は、有機酸としてパラトルエンスルホン酸及び/又はその塩を含有する。これにより、研磨速度を向上させ、かつ研磨終了後の被研磨膜例えば、酸化珪素膜の平坦性を向上させることができる。より詳細には、凹凸を有する被研磨面を研磨した場合に、研磨時間を短縮できることに加え、一部が過剰に研磨されて皿のように凹む現象、いわゆるディッシングDishingが生じることを抑制することができる。この効果は、パラトルエンスルホン酸及び/又はその塩と、酸化セリウム粒子とを併用することにより、より効率的に得られる。パラトルエンスルホン酸及び/又はその塩の含有量は、研磨液全質量基準で0.001~1質量である。パラトルエンスルホン酸及び/又はその塩の含有量が0.001質量以上であれば、研磨終了後の被研磨膜例えば、酸化珪素膜の平坦性を向上させることができる傾向があり、この観点で、パラトルエンスルホン酸及び/又はその塩の含有量は0.005質量以上が好ましく、0.01質量以上がより好ましい。一方、含有量が1質量以下であれば、被研磨膜の研磨速度が充分に向上する傾向があり、また酸化セリウム粒子の凝集が抑制される傾向があり、この観点で、パラトルエンスルホン酸及び/又はその塩の含有量は0.1質量以下が好ましく、0.05質量以下がより好ましい。高分子化合物B本実施形態に係る研磨液は、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Bを含む。ここで、カルボン酸基とは、-COOHで表される官能基であり、カルボン酸塩基とは、-COOXで表される官能基であるXは塩基由来の陽イオンであり、例えば、アンモニウムイオン、ナトリウムイオン及びカリウムイオンが挙げられる。特に、高分子化合物Bとしてカルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する水溶性有機高分子及び/又はその塩を含有することが好ましい。これにより、研磨終了後の被研磨膜例えば、酸化珪素膜の平坦性を向上させることができる。より詳細には、凹凸を有する被研磨面を研磨した場合に、一部が過剰に研磨されて皿のように凹む現象、いわゆるディッシングが生じることを抑制することができる。この効果は、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する水溶性有機高分子及び/又はその塩と、パラトルエンスルホン酸及び/又はその塩と、酸化セリウム粒子とを併用することにより、より効率的に得られる。高分子化合物Bカルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する水溶性有機高分子の具体例としては、ポリアスパラギン酸、ポリグルタミン酸、ポリリシン、ポリリンゴ酸、ポリアミド酸、ポリアミド酸アンモニウム塩、ポリアミド酸ナトリウム塩及びポリグリオキシル酸等のポリカルボン酸及びその塩;アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸等のカルボン酸基を有するモノマの単独重合体及び当該重合体のカルボン酸基の部分がアンモニウム塩等である単独重合体等が挙げられる。また、カルボン酸塩基を有するモノマと、カルボン酸のアルキルエステル等の誘導体との共重合体が挙げられる。その具体例としては、ポリメタアクリル酸、又はポリメタアクリル酸のカルボン酸基の一部が、カルボン酸アンモニウム塩基に置換されたポリマ以下、ポリメタアクリル酸アンモニウムと称する等が挙げられる。ここでポリメタアクリル酸とは、ポリアクリル酸とポリメタクリル酸の少なくとも一方であることを示す。高分子化合物Bとしては、前記の中でも、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸等のカルボン酸基を有するモノマの単独重合体及び当該重合体のカルボン酸基の部分がアンモニウム塩等である単独重合体が好ましく、メタアクリル酸の単独重合体ポリメタアクリル酸及びそのアンモニウム塩がより好ましく、ポリアクリル酸及びそのアンモニウム塩が更に好ましい。高分子化合物Bの含有量は、研磨終了後の被研磨膜例えば、酸化珪素膜の平坦性を向上させることができる傾向がある観点で、研磨液全質量基準で0.01質量以上であるが、同様の観点で、0.02質量以上が好ましく、0.05質量以上がより好ましい。また、含有量が0.50質量以下であれば、被研磨膜の研磨速度が充分に向上する傾向があり、また酸化セリウム粒子の凝集が抑制される傾向がある観点で、高分子化合物Bの含有量は、研磨液全質量基準で0.50質量以下であるが、0.40質量以下が好ましく、0.30質量以下がより好ましく、0.20質量以下が更に好ましい。高分子化合物Bの重量平均分子量は、特に制限はないが、被研磨膜の研磨速度が充分に得られる傾向があり、また、酸化セリウム粒子の凝集を抑制しやすい傾向がある観点で、100000以下が好ましく、10000以下がより好ましい。また、平坦性向上効果を得やすくなる傾向がある観点で、高分子化合物Bの重量平均分子量は、1000以上が好ましい。なお、重量平均分子量は、GPCGelPermeationChromatography:ゲル浸透クロマトグラフィーで測定し、標準ポリオキシエチレン換算した値である。水水としては、特に制限されないが、脱イオン水、イオン交換水及び超純水等が好ましい。水の含有量は、前記各含有成分の含有量の残部でよく、研磨液中に含有されていれば特に限定されない。なお、研磨液は、必要に応じて水以外の溶媒、例えば、エタノール、アセトン等の極性溶媒等を更に含有してもよい。分散剤本実施形態に係る研磨液には、酸化セリウム粒子を分散させるための分散剤を含有させることができる。分散剤としては、水溶性陰イオン性分散剤、水溶性非イオン性分散剤、水溶性陽イオン性分散剤及び水溶性両性分散剤等が挙げられ、中でも、水溶性陰イオン性分散剤が好ましい。これらは一種類を単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、高分子化合物Bとして例示された前記化合物例えば、ポリアクリル酸アンモニウムを分散剤として使用することもできる。水溶性陰イオン性分散剤としては、共重合成分としてアクリル酸を含む高分子及びその塩が好ましく、当該高分子の塩がより好ましい。共重合成分としてアクリル酸を含む高分子及びその塩としては、例えば、ポリアクリル酸及びそのアンモニウム塩、アクリル酸とメタクリル酸との共重合体及びそのアンモニウム塩、並びに、アクリル酸アミドとアクリル酸との共重合体及びそのアンモニウム塩が挙げられる。その他の水溶性陰イオン性分散剤としては、例えば、ラウリル硫酸トリエタノールアミン、ラウリル硫酸アンモニウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸トリエタノールアミン及び特殊ポリカルボン酸型高分子分散剤が挙げられる。また、水溶性非イオン性分散剤としては、例えば、ポリエチレングリコールモノラウレート、ポリエチレングリコールモノステアレート、ポリエチレングリコールジステアレート、ポリエチレングリコールモノオレエート、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレン硬化ヒマシ油、2-ヒドロキシエチルメタクリレート及びアルキルアルカノールアミドが挙げられる。水溶性陽イオン性分散剤としては、例えば、ポリビニルピロリドン、ココナットアミンアセテート及びステアリルアミンアセテートが挙げられる。水溶性両性分散剤としては、例えば、ラウリルベタイン、ステアリルベタイン、ラウリルジメチルアミンオキサイド及び2-アルキル-N-カルボキシメチル-N-ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタインが挙げられる。分散剤の含有量は、酸化セリウム粒子の分散性を向上させて沈降を抑制し、被研磨膜の研磨傷を更に減らす観点から、研磨液全質量基準で0.001~10質量の範囲が好ましい。分散剤の重量平均分子量は、特に制限はないが、100~150000が好ましく、1000~20000がより好ましい。分散剤の分子量が100以上であれば、酸化珪素膜又は窒化珪素膜等の被研磨膜を研磨するときに、良好な研磨速度が得られやすい傾向がある。分散剤の分子量が150000以下であれば、研磨液の保存安定性が低下しにくい傾向がある。なお、重量平均分子量は、GPCで測定し、標準ポリオキシエチレン換算した値である。[その他の添加剤]本実施形態に係る研磨液は、パラトルエンスルホン酸及び/又はその塩、並びにカルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する水溶性有機高分子及び/又はその塩とは別の添加剤として水溶性高分子を使用することができる。このような水溶性高分子としては、例えば、アルギン酸、ペクチン酸、カルボキシメチルセルロース、寒天、カードラン及びプルラン等の多糖類;ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン及びポリアクロレイン等のビニル系ポリマ等が挙げられる。これら水溶性高分子の重量平均分子量は、500以上が好ましい。なお、重量平均分子量は、GPCで測定し、標準ポリオキシエチレン換算した値である。また、これら水溶性高分子の含有量は、研磨液全質量基準で0.01~5質量が好ましい。[研磨液の調製保存方法]本実施形態に係る研磨液は、例えば、酸化セリウム粒子、水及び分散剤を配合して酸化セリウム粒子を分散させた後に、さらにパラトルエンスルホン酸及び/又はその塩及び高分子化合物Bを添加することによって得られる。なお、本実施形態に係る研磨液は、酸化セリウム粒子、分散剤、パラトルエンスルホン酸及び/又はその塩、高分子化合物B、水及び任意に水溶性高分子を含む一液式研磨液として保存してもよく、酸化セリウム粒子、分散剤及び水を含む酸化セリウムスラリ第1の液と、パラトルエンスルホン酸及び/又はその塩、高分子化合物B、水及び任意に水溶性高分子を含む添加液第2の液と、から構成される二液式研磨液として保存してもよい。なお、二液式研磨液の場合は、パラトルエンスルホン酸及び/又はその塩及び高分子化合物B以外の添加剤は、酸化セリウムスラリと添加液のいずれに含まれてもよいが、酸化セリウム粒子の分散安定性に影響がない点で、添加液に含まれることが好ましい。酸化セリウムスラリと添加液とを分けた二液式研磨液として保存する場合、これら二液の配合を任意に変えることにより平坦化特性と研磨速度の調整が可能となる。二液式研磨液を用いて研磨する場合、酸化セリウムスラリ及び添加液をそれぞれ別の配管で送液し、これらの配管を供給配管出口の直前で合流させて両液を混合して研磨パッド上に供給する方法や、研磨直前に酸化セリウムスラリと添加液とを混合する方法を用いることができる。本実施形態に係る研磨液及びスラリは、貯蔵運搬保管等に係るコストを抑制できる観点で、使用時に水等の液状媒体で例えば2倍以上に希釈されて使用される研磨液用貯蔵液又はスラリー用貯蔵液として保管することができる。前記各貯蔵液は、研磨の直前に液状媒体で希釈されてもよいし、研磨パッド上に貯蔵液と液状媒体を供給し、研磨パッド上で希釈されてもよい。前記貯蔵液の希釈倍率としては、倍率が高いほど貯蔵運搬保管等に係るコストの抑制効果が高いため、2倍以上が好ましく、3倍以上がより好ましい。また、上限としては特に制限はないが、倍率が高いほど貯蔵液に含まれる成分の量が多く濃度が高くなり、保管中の安定性が低下する傾向があるため、一般的には10倍以下が好ましく、7倍以下がより好ましく、5倍以下が更に好ましい。なお、三液以上に構成成分を分けてもよく、その場合についても同様である。本実施形態に係る研磨液は、所望のpHに調整して研磨に供する。pH調整剤としては特に制限はないが、例えば、硝酸、硫酸、塩酸、リン酸、ホウ酸及び酢酸等の酸、並びに水酸化ナトリウム、アンモニア水、水酸化カリウム及び水酸化カルシウム等の塩基が挙げられる。研磨液が半導体研磨に使用される場合には、アンモニア水、酸成分が好適に使用される。pH調整剤としては、予めアンモニアで部分的に中和された水溶性高分子のアンモニウム塩を使用することができる。なお、室温25°Cにおける研磨液のpHは4.0以上7.0以下である。pHが4.0以上であることにより研磨液の保存安定性が向上する傾向があり、被研磨膜の傷の発生数が減少する傾向があり、同様の観点で、前記pHは、4.5以上が好ましく、4.8以上がより好ましい。また、pHが7.0以下であることにより、平坦性の向上効果を充分に発揮することができ、同様の観点で、前記pHは6.5以下が好ましく、6.0以下がより好ましく、5.5以下が更に好ましい。研磨液のpHは、pHメータ例えば、横河電機株式会社製のModelPH81商品名で測定することができる。例えば、標準緩衝液フタル酸塩pH緩衝液pH:4.2125°C、中性リン酸塩pH緩衝液pH6.8625°Cを用いて2点校正した後、電極を研磨液に入れて、25°Cで2分以上経過して安定した後の値を測定することで、研磨液のpHを測定することができる。次に、本実施形態に係る研磨液の、基板表面に形成された被研磨膜の研磨への応用Useについて説明する。[研磨方法]本実施形態に係る基板の研磨方法は、基板表面に形成された被研磨膜を前記研磨液を用いて研磨する。より詳しくは、例えば、基板表面に形成された被研磨膜を研磨定盤の研磨パッドに押圧した状態で、前記研磨液を被研磨膜と研磨パッドとの間に供給しながら、基板と研磨定盤とを相対的に動かして被研磨膜を研磨する。基板としては、回路素子及び配線パターンが形成された段階の半導体基板や、回路素子が形成された段階の半導体基板等の半導体基板上に無機絶縁膜が形成された基板等の半導体素子製造に係る基板などが挙げられる。前記被研磨膜としては、例えば、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化珪素膜の複合膜等の無機絶縁膜などが挙げられる。このような基板上に形成された無機絶縁膜を、本実施形態に係る研磨液で研磨することによって、無機絶縁膜表面の凹凸を解消し、基板全面にわたって平滑な面とすることができる。また、本実施形態に係る研磨液は、シャロートレンチ分離にも使用できる。以下、無機絶縁膜が形成された半導体基板の場合を例に挙げて、基板の研磨方法を更に詳細に説明する。研磨装置としては、被研磨膜を有する半導体基板等の基板を保持するホルダーと、回転数を変更可能なモータ等が取り付けてあり、研磨パッド研磨布を貼り付け可能な研磨定盤と、を有する一般的な研磨装置を使用することができる。研磨装置としては、例えば、株式会社荏原製作所製の研磨装置:型番EPO-111、AMAT製MIRRA,Reflexion等を使用できる。研磨パッドとしては、一般的な不織布、発泡ポリウレタン及び多孔質フッ素樹脂等を特に制限なく使用できる。また、研磨パッドには、研磨液が溜まるような溝加工が施されていることが好ましい。研磨条件に制限はないが、定盤の回転速度は、半導体基板が飛び出さないように200回転/分以下の低回転が好ましく、半導体基板にかける圧力加工荷重は、研磨後に傷が発生しないように100kPa以下が好ましい。研磨している間は、研磨パッドに研磨液をポンプ等で連続的に供給する。この供給量に制限はないが、研磨パッドの表面が常に研磨液で覆われていることが好ましい。研磨終了後の半導体基板は、流水中で良く洗浄後、スピンドライヤ等を用いて半導体基板上に付着した水滴を払い落として、乾燥させることが好ましい。このように被研磨膜である無機絶縁膜を研磨液で研磨することによって、表面の凹凸を解消し、半導体基板全面にわたって平滑な面が得られる。平坦化されたシャロートレンチを形成した後は、無機絶縁膜の上にアルミニウム配線を形成し、その配線間及び配線上に再度無機絶縁膜を形成後、研磨液を用いて当該無機絶縁膜を研磨して平滑な面を得る。この工程を所定数繰り返すことにより、所望の層数を有する半導体基板を製造することができる。本実施形態に係る研磨液により研磨される無機絶縁膜としては、例えば、酸化珪素膜及び窒化珪素膜が挙げられる。酸化珪素膜は、リン及びホウ素等の元素がドープされていても良い。無機絶縁膜の作製方法としては、低圧CVD法、プラズマCVD法等が挙げられる。低圧CVD法による酸化珪素膜形成は、Si源としてモノシラン:SiH4、酸素源として酸素:O2を用いる。このSiH4-O2系酸化反応を、400°C以下の低温で行うことにより酸化珪素膜が得られる。場合によっては、CVDにより得られた酸化珪素膜は、1000°C又はそれ以下の温度で熱処理される。高温リフローによる表面平坦化を図るために、酸化珪素膜にリン:Pをドープするときには、SiH4-O2-PH3系反応ガスを用いることが好ましい。プラズマCVD法は、通常の熱平衡下では高温を必要とする化学反応が低温でできる利点を有する。プラズマ発生法には、容量結合型と誘導結合型の2つが挙げられる。反応ガスとしては、Si源としてSiH4、酸素源としてN2Oを用いたSiH4-N2O系ガスとテトラエトキシシランTEOSをSi源に用いたTEOS-O系ガスTEOS-プラズマCVD法が挙げられる。基板温度は、250~400°C、反応圧力は、67~400Paが好ましい。低圧CVD法による窒化珪素膜形成は、Si源としてジクロルシラン:SiH2Cl2、窒素源としてアンモニア:NH3を用いる。このSiH2Cl2-NH3系酸化反応を、900°Cの高温で行わせることにより窒化珪素膜が得られる。プラズマCVD法による窒化珪素膜形成は、反応ガスとしては、Si源としてSiH4、窒素源としてNH3を用いたSiH4-NH3系ガスが挙げられる。基板温度は、300~400°Cが好ましい。本実施形態に係る研磨液及び基板の研磨方法は、半導体基板に形成された無機絶縁膜だけでなく、各種半導体装置の製造プロセス等にも適用することができる。本実施形態に係る研磨液及び基板の研磨方法は、例えば、所定の配線を有する配線板に形成された酸化珪素膜、ガラス及び窒化珪素等の無機絶縁膜、ポリシリコン、Al、Cu、Ti、TiN、W、Ta及びTaN等を主として含有する膜、フォトマスクレンズプリズム等の光学ガラス、ITO等の無機導電膜、ガラス及び結晶質材料で構成される光集積回路光スイッチング素子光導波路、光ファイバーの端面、シンチレータ等の光学用単結晶、固体レーザ単結晶、青色レーザLED用サファイヤ基板、SiC、GaP及びGaAs等の半導体単結晶、磁気ディスク用ガラス基板、並びに磁気ヘッド等を研磨することにも適用することができる。以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。酸化セリウム粒子の作製市販の炭酸セリウム水和物40kgをアルミナ製容器に入れ、830°C、空気中で2時間焼成することにより黄白色の粉末を20kg得た。この粉末の相同定をX線回折法で行ったところ酸化セリウムであることを確認した。得られた酸化セリウム粉末20kgを、ジェットミルを用いて乾式粉砕し、粉末状粒子状の酸化セリウムを得た。得られた粉末状の酸化セリウムを走査型電子顕微鏡SEMで観察したところ、結晶子サイズの粒子と、2個以上の結晶子から構成され結晶粒界を有する粒子とが含まれていた。得られたSEM画像から任意に50個の結晶子を選択し、それぞれについて長径と短径との積の平方根から粒子径を求めたところ、結晶子径はいずれも1~300nmの範囲に含まれていた。実施例1前記で作製した酸化セリウム粒子200.0gと、脱イオン水795.0gとを混合し、分散剤としてポリアクリル酸アンモニウム水溶液重量平均分子量:8000、40質量5gを添加して、攪拌しながら超音波分散を行い、酸化セリウム分散液を得た。超音波分散は、超音波周波数400kHz、分散時間20分で行った。その後、1リットル容器高さ:170mmに1kgの酸化セリウム分散液を入れて静置し、沈降分級を行なった。分級時間15時間後、水面からの深さ13cmより上の上澄みをポンプでくみ上げた。得られた上澄みの酸化セリウム分散液を、次いで酸化セリウム粒子の含有量が5質量になるように、脱イオン水で希釈して酸化セリウムスラリを得た。酸化セリウムスラリ中における酸化セリウム粒子の平均粒径D50を測定するため、He-Neレーザに対する測定時透過率Hが60~70になるように前記スラリを希釈して、測定サンプルとした。この測定サンプルをレーザ回折式粒度分布計MasterSizerMicroplusMalvern社製、商品名を用い、屈折率:1.93、吸収:0として測定したところ、D50の値は150nmであった。有機酸としてパラトルエンスルホン酸一水和物pKa25°C=-2.80.1gと、脱イオン水800gとを混合し、高分子化合物Bとしてポリアクリル酸水溶液重量平均分子量:4000、40質量を2.5g加えた後、アンモニア水25質量を加えてpH4.525°Cに調整した。さらに脱イオン水を加えて、全体量850gとして有機酸添加液とした。ここに、前記の酸化セリウムスラリ134gを添加して、アンモニア水25質量を加えて、pH5.025°Cに調整し、さらに脱イオン水を加えて、全量を1000gとし、酸化セリウム研磨液酸化セリウム粒子含有量:0.67質量を作製した。また、前記と同様に測定サンプルを調製して、研磨液中の粒子の平均粒径をレーザ回折式粒度分布計で測定した結果、D50の値は150nmであった。絶縁膜の研磨研磨試験ウエハとして、SEMATECH社製の商品名パタンウエハ764直径:300mmを用いた。この研磨試験ウエハとこれを用いた研磨特性の評価方法を、図1を用いて説明する。図1aは、研磨試験ウエハの一部分を拡大した模式断面図である。ウエハ1の表面には複数の溝が形成されていて、ウエハ1の凸部表面には厚さ150nm1500Åの窒化珪素膜2が形成されている。溝の深さ凸部の表面から凹部の底面までの段差は500nm5000Åである。以下、凸部をアクティブ部、凹部をトレンチ部という。なお、図1には明示されていないが、ウエハ1には、トレンチ部/アクティブ部の断面幅が100μm/100μm、20μm/80μm及び80μm/20μmである3つの領域が形成されている。図1bは、研磨試験ウエハの一部分を拡大した模式断面図である。研磨試験ウエハは、アクティブ部の表面からの酸化珪素膜3の厚さが600nm6000Åとなるように、プラズマTEOS法によってアクティブ部及びトレンチ部に酸化珪素膜3が形成されている。研磨試験では、研磨試験ウエハの酸化珪素膜3を研磨して平坦化を行う。図1cは、酸化珪素膜3を研磨した後の研磨試験ウエハの一部分を拡大した模式断面図である。アクティブ部の窒化珪素膜2表面で研磨を終了し、このときの研磨に要した時間を研磨時間とし、トレンチ部の深さ4からトレンチ部内の酸化珪素膜3の厚さ5を引いた値をディッシング量6とする。なお、研磨時間はなるべく短いほうが良く、ディッシング量6は小さい方が良い。このような研磨試験ウエハの研磨には研磨装置AMAT製のReflexionを用いた。基板取り付け用の吸着パッドを貼り付けたホルダーに研磨試験ウエハをセットした。研磨装置の直径600mmの研磨定盤に、多孔質ウレタン樹脂製の研磨パッド溝形状=パーフォレートタイプ:RohmandHaas社製、型番IC1010を貼り付けた。更に、被研磨膜である絶縁膜酸化珪素被膜面を下にして前記ホルダーを研磨定盤上に載せ、加工荷重を210gf/cm220.6kPaに設定した。前記研磨パッド上に前記酸化セリウム研磨液を250ミリリットル/分の速度で滴下しながら、研磨定盤と研磨試験ウエハとをそれぞれ130回転/分で作動させて、研磨試験ウエハを研磨した。100μm/100μm領域のアクティブ部の窒化珪素膜が表面に露出したときの研磨時間を研磨終了時間とした。ただし、平坦性の評価は、その時間から20のオーバー研磨例えば、研磨終了時間が100秒とすると、その時点から追加で20秒間多い時間研磨することしたウエハについて行った。過剰に研磨することで、評価する項目の値に差が出やすく、評価がしやすいことと、また、過剰に研磨しても数字が良い特性が良いということは、研磨プロセスの面からみてもプロセスの尤度があるということにつながり、有利であるので、その証明もできることからである。研磨後の研磨試験ウエハは、純水で良く洗浄後、乾燥した。平坦性の評価項目として、以下の3項目について評価した。項目1:100μm/100μm領域のトレンチ部のディッシングDishing量:触針式段差計型番P16KLA-tencor製を用いて測定した。項目2:100μm/100μm領域のアクティブ部のSiNロス:ナノメトリクス社製の干渉式膜厚測定装置ナノスペック/AFT5100商品名を用い、研磨により除去された窒化珪素膜SiN膜の厚さを測定した。項目3:20μm/80μm領域及び80μm/20μm領域のトレンチ部のSiO2残膜厚差SiO2密度差:ナノメトリクス社製の干渉式膜厚測定装置ナノスペック/AFT5100商品名を用いて、それぞれの領域における酸化珪素膜SiO2膜の残膜厚を測定し、その差を求めた。実施例2~9および比較例1~9研磨液のpH、パラトルエンスルホン酸一水和物の使用量、又は高分子化合物Bの使用量を表1~3に示すものへ変更した以外は、実施例1と同様にして酸化セリウム研磨液を作製し、絶縁膜の研磨を行った。結果を同表に示す。表1~3から、本発明により提供される研磨液により平坦性の指標である上記3項目の向上が達成されることが明らかとなった。"