"複数の半導体素子4,5と、前記複数の半導体素子4,5の一面側に結合する平板状の第1電極2と、前記複数の半導体素子4,5の他面側に結合する平板状の第2電極3と、前記第1電極2と前記第2電極3の間に前記複数の半導体素子を封止するモールド材67とを備える半導体モジュールにおいて、前記第1電極2の周縁部に、前記第2電極3に向かって延伸する突起部16を設け、前記突起部16は、前記モールド材67を囲む半導体モジュール。請求項1に記載の半導体モジュールにおいて、前記突起部16の内周側に隣接して溝17を設けた半導体モジュール。複数の半導体素子4,5と、前記複数の半導体素子4,5の一面側に結合する平板状の第1電極2と、前記複数の半導体素子4,5の他面側に結合する平板状の第2電極3と、前記第1電極2の周縁部に、前記第2電極3に向かって延伸する突起部16と、をモールド成形することによって半導体モジュールを形成するモールド装置において、第1開口部を有する第1金型41と、第2開口部を有し、前記第1金型41の第1開口部とともにモールド室を構成する第2金型31とを備え、前記第1金型41は、型締め方向に移動すると共に、前記第1電極2に接触する部材と、該部材を前記第1電極に押圧する弾性部材とを有し、前記第2開口部は、前記突起部を当接させる当接部を有するモールド装置。請求項3に記載のモールド装置において、前記突起部16の内周側に隣接して溝17を設けたモールド装置。複数の半導体素子4,5と、前記複数の半導体素子4,5の一面側に結合する平板状の第1電極2と、前記複数の半導体素子4,5の他面側に結合する平板状の第2電極3と、前記第1電極2の周縁部に、前記第2電極3に向かって延伸する突起部16と、からなるモールド対象物をモールド成形するモールド成形方法において、前記モールド対象物を第1金型の開口部および第2金型の開口部によって構成されたモールド室に配置する工程と、前記第1金型を型締め方向に移動させることにより、前記突起物を塑性変形させつつ、前記モールド対象物を型締めする工程と、型締め完了後に、前記第2金型と前記第1電極と前記第2電極と前記突起部とにより仕切られた空間に樹脂を注入する工程と、前記注入した樹脂を硬化させる工程と、樹脂が硬化した後に前記型締めを開放して前記モールド対象物を離型する工程と、を含むモールド成形方法。以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。本実施形態は、パワー素子を含む電子回路と、その両面に電極が配置された半導体装置を樹脂によってモールド成形して、半導体装置半導体モジュールを製造するモールド装置に本発明を適用するものである。第1実施形態図1は、モールド対象物である半導体装置1半導体モジュールの概略縦断面図、図2は、図1に示す半導体装置1のZ-Z’線断面図である。なお、図1では、一点鎖線で囲ったYY部の拡大図を下方に示している。図1に示すように、半導体装置1では、トランジスタやPTO等、両面冷却構造のパワー素子4、5の上下両面に、各電極2、3が配置されている。言い換えると、2つの電極2、3の間に、パワー素子4、5が挟まった構造になっている。パワー素子4、5には、鉛直上方に例えばプラス端子が、鉛直下方にマイナス端子が設けられている。パワー素子4、5のプラス端子は、鉛直上方にある電極以下上方電極という。2と、半田6、8で接続されている。また、パワー素子4、5のマイナス端子は、鉛直下方にある電極以下下方電極という。3と半田7、9で接続されている。図1において、半導体装置1では、上方電極2が水平位置にあるのに対して、下方電極3は、左側の方が鉛直上方に持ち上がっている。言い換えると、上方電極2の鉛直上面2a左端と下方電極3の鉛直下面3a左端との上下方向厚さより、上方電極2の鉛直上面2a右端と下方電極3の鉛直下面3a右端との上下方向厚さのほうが大きくなっている。つまり、半導体装置1の上下の両面には、傾きバラツキが生じている。パワー素子4、5を冷却するため、2つの電極2、3は、図2に示すように、所定の面積を有する四角の平板状に形成されている。この2つの電極2、3に、上下から冷却装置を接触させることで、電極2、3を介して、半導体装置1の全体を冷却することができる。上下2つの電極2、3の隙間上下方向幅は、数百μmという狭いピッチであり、パワー素子4、5の側面もしくは上下の電極2、3間で放電を引き起こす可能性があるため、上下2つの電極2、3の隙間空間に絶縁物を介在させる必要がある。また、半導体装置1では、2つの電極2、3間に挟まれる複数のパワー素子4、5の上下方向の厚さが異なる。このため、上下2つの電極2、3の平行度が悪いことに起因する傾きバラツキの他、上下2つの電極2、3を含めた半導体装置1トータルでの上下方向の厚さバラツキが発生するという特徴がある。このように、傾きバラツキや厚さバラツキを有している半導体装置1であっても、上下2つの電極2、3の隙間空間に絶縁物としての樹脂によってモールド成形するため、本実施形態では、塑性変形し得るライニング部材11を上方電極2の周縁を取り巻くように設けている。ライニング部材11は、図1下方の拡大図に示すように、主に枠部12、溝14、突起部16から構成されている。枠部12の内周側面13には、水平方向の溝14を設けている。一方、上方電極2の外周上側には、切り欠き2aを設けることによって、水平方向外側への突出部2bを形成している。このため、上方電極2の突出部2bと、枠部12の溝14とを嵌合することで、枠部12が上方電極2の周縁に支持される。逆に言うと、枠部12によって上方電極2を含めた半導体装置1の全体が支持されることとなる。枠部12の下面15には、鉛直下方に向けて突出延伸する突起部16が設けられている。この突起部16も、図2に示すように、上方電極2の周縁を取り囲んでいる。突起部16を含めたライニング部材11の材質としては、割れたりせずに、塑性変形し得るものであれば、どんな物質でも構わない。例えば、ポリフェニレンスルファイドPPS等の熱硬化性樹脂を採用すればよい。PPS樹脂の場合、塑性変形させるためには加熱を必要としない。モールド装置のモールド室に半導体装置1を収納して型締めする際に、ライニング部材11の突起部16に型締め方向の力を加えることで、突起部16を塑性変形させることができる。なお、ライニング部材11の全体が塑性変形し得る物質である必要はなく、少なくとも突起部16が塑性変形し得る物質であればよい。一方、突起部16に弾性変形し得る物質を用いることはできない。突起部16が弾性変形している状態で、半導体装置1の隙間に樹脂注入を行ったとしても、樹脂が硬化したあとに突起部16が弾性変形する前の元の状態に戻り、樹脂が半導体装置1から剥離してしまうためである。図3は、モールド装置21の概略断面図で、左側には半導体装置1に対し樹脂によってモールド成形する前の状態を、右側には半導体装置1に対し樹脂によってモールド成形した後の状態を示している。なお、図3でも、一点鎖線で囲ったY部の拡大図を下方に示している。モールド装置21は、同じ直方体状の下金型31第2金型と上金型41第1金型とで構成される。鉛直下方に位置して設けられる下金型31の鉛直上面32には、凹部33が形成されている。一方、鉛直上方に位置して設けられる上金型41の鉛直下面42にも凹部43が形成されている。対向する2つの凹部33、43によって、モールド室51が構成されている。下金型31の凹部底面34と上金型41の凹部上面44とは水平な平面で形成されている。図3の左側に示すように、モールド室51に半導体装置1を収納し、ライニング部材11の突起部16先端を下金型31の鉛直上面32と当接させたとき、ライニング部材11によって半導体装置1の全体が下金型31の凹部33内に宙づり状態となるようにする。つまり、半導体装置1がライニング部材11によって、下金型31の凹部33内に宙吊り状態となるように、突起部16の鉛直方向長さや位置のほか、下金型31の凹部33の水平方向長さ及び深さ、上金型41の凹部43の水平方向長さ及び深さを定めておく。このとき、突起部16の下端と下金型31の鉛直上面32との間にほぼ隙間が生じないようにする。突起部16の鉛直方向長さは全周で同じであるため、傾きバラツキが生じている半導体装置1を下金型31の凹部33内に宙づり状態で収納したとき、下方電極3の左側が右側よりも鉛直上方に持ち上がる。これによって、下方電極3の右側と凹部底面34との上下方向の間隔より、下方電極3の左側と凹部底面34との上下方向の間隔のほうが大きくなっている。このように、傾きバラツキが生じている半導体素子1が宙づり状態となっても、下方電極3が凹部底面34に当接することがないように、突起部16の鉛直方向長さ及び下金型31の凹部33の深さを定めておく。半導体装置1がライニング部材11によって宙づり状態となっているとき、突起部16の下端と下金型31の鉛直上面32との間に隙間がほぼ生じないようにしているので、モールド室51が2つに区画される。すなわち、下金型31、上方電極2及びライニング部材11によって囲まれる空間52と、その外側図3では上側の空間53との2つに区画される。一方、下金型31の凹部33に収納した半導体装置1を上金型41によって型締め方向図3で鉛直下方に押圧するため、上金型41の凹部43には、上方電極2と同じ四角の平板状の倣い板61板材とバネ65弾性部材とを配置し、バネ65によって倣い板61がほぼ水平となるように吊している。すなわち、バネ65の上端は、上金型41の凹部上面44に固定され、バネ65の下端は、倣い板61の鉛直上面62に固定されている。バネ65は、半導体装置1を型締めする際に、上金型41からの型締め力がバネ65を介して倣い板61に均等な力が加わるように、複数設けている。上金型41は、下金型31に対して接離する方向図3で上下方向に移動する。モールド成形時には、図3の左側に示すように、まずライニング部材11によって宙づり状態となっている半導体装置1の鉛直上方に倣い板61を配置する。次に、上金型41の鉛直下面42が下金型31の鉛直上面32に当接するまで上金型41を鉛直下方に向けて移動することにより半導体装置1を型締めする。このとき、上金型41の型締め力を受ける突起部16は塑性変形する。このときの塑性変形によって、突起部16は鉛直方向に縮まるとともに水平方向に拡大し、図3の右側に示す状態成形後となる。すなわち、下方電極3の下面3a全てが下金型31の凹部底面34に当接し、下方電極3が平行状態に落ち着いている。なお、下方電極3が平行状態となるため、上方電極2の右側が左側よりも鉛直上方に持ち上がり、この状態の上方電極2の上面2a全てに倣い板61の下面63が当接している。突起部16が塑性変形した後も、突起部16の下端と下金型31の鉛直上面32との間に隙間は生じていない。つまり、図3の右側に示す半導体装置1の型締め完了状態となっても、下金型31、上方電極2及びライニング部材11によって囲まれる空間この空間を第1空間とする。52と、その外側の空間この空間を第2空間とする。53との2つにモールド室51が区画されている。なお、型締め前の宙づり状態では、突起部16の下端と下金型31の鉛直上面32との間に隙間が多少あってもかまわないが、型締め完了時には、後述する理由により、突起部16の下端と下金型31の鉛直上面32との間に隙間が生じないようにする必要がある。このようにして区画される第1空間52には、図3の紙面手前あるいは紙面奥よりこの第1空間に開口する図示しないモールド樹脂供給通路を設けている。図3の右側に示す半導体装置1の型締め完了状態で、このモールド樹脂供給通路を介して第1空間52内に圧力注入可能な樹脂モールド樹脂67を供給すると、第1空間内、つまり2つの電極2、3の隙間空間に樹脂67が充填される。この場合に、突起部16の下端と下金型31の鉛直上面32との間に隙間があれば、その隙間が、樹脂67が漏れる経路となり得る。しかし、本実施形態では、突起部16が塑性変形した後も、突起部16の下端と下金型31の鉛直上面32との間に隙間は生じていない。このため、第1空間52内を水平方向外側に向かう樹脂67は、塑性変形後の突起部16によって阻止されるため、樹脂67が第1空間52の外側に位置する第2空間53へと漏れることはない。また、下方電極3の下面3aと下金型31の凹部底面34とは全体的に当接しているので、下方電極3の下面3aと下金型31の凹部底面34との隙間に樹脂67が漏れることはない。ここで、本実施形態の作用効果について説明する。本実施形態では、上金型41第1金型と、下金型31第1金型と共にモールド室を構成する第2金型とを備えるモールド装置21において、上金型41は、型締め方向に移動すると共に、半導体装置1の上方電極2の鉛直上面2aモールド対象物の一面に接触する倣い板61板材と、倣い板61を半導体装置1に押圧するバネ65弾性部材とを有し、半導体装置1の上方電極2の鉛直上面2aモールド対象物の一面の周縁部に下金型31に対して延伸する突起部16を設け、半導体装置1を型締めする際、突起部16が下金型31に当接した後に塑性変形するようにしている。本実施形態によれば、樹脂によってモールド成形される空間を有する半導体装置1モールド対象物を型締めする際の荷重により突起部16が塑性変形することで、半導体装置1の傾きバラツキを吸収しつつ、樹脂67が漏れる経路を遮断することができる。これによって、第1空間52の外側にある第2空間53への樹脂67の漏れを防止することができる。本実施形態によれば、モールド対象物は、パワー素子4、5の両側に平板状の電極2、3を設けた半導体装置1である。モールド対象物の一面の周縁部は、上方電極2一方の電極の周縁部であり、半導体装置1の型締めが完了したときに、下方電極3他方の電極と下金型31第2金型とが当接している。これにより、下方電極3の下面3aと下金型31の凹部底面34との隙間に樹脂67が漏れることを防ぐことができる。樹脂漏れ防止と搬送の利便性のため、モールド対象物の周囲にリードフレームが設けられる従来装置JP2007-320102Aの図1のW4参照では、最後にリードフレームを切り離す必要がある。一方、本実施形態では、塑性変形後のラインニング部材11は、半導体装置1にそのまま残しても半導体装置1の性能に影響しないので、モールド成形後に、ライニング部材11を切り離す工程は不要である。これによって、従来装置より工数を減らすことができる。図4は、傾きバラツキのある半導体装置1のモールド成形方法を、ワークセット、型締め、樹脂注入硬化、型締め開放、離型の5つの工程に分けて示す工程図である。まず、1に示すワークセット工程で、ワークとしての半導体装置1をモールド室内に収納し、突起部16が下金型31の鉛直上面32と当接するようにセットして、半導体装置1が下金型31の凹部33内で宙づり状態となるようにする。このとき、突起部16は、下金型31に向かって延伸している。上方電極2の鉛直上方には、倣い板61をセットする。2に示す型締め工程では、上金型41の鉛直下面42が下金型31の鉛直上面32に当接するまで上金型41を型締め方向図4で鉛直下方に移動させる。この型締めにより、倣い板61が上方電極2を押し下げ、倣い板61の下面全体が上方電極2の鉛直上面2aに当接した後に、下方電極3の右端が下金型31の凹部底面34に当接する。さらに、上金型41を型締め方向に移動させると、突起部16には、倣い板61を介して鉛直下向きの均一な荷重がかかり、この荷重を受けて突起部16の下端には、下金型31からの鉛直上向きの反力が生じる。この反力の大きさは、型締め力の大きさと同じである。この反力を受けて突起部16は、塑性変形してゆく。すなわち、上下電極2、3の傾きの分だけ、突起部16に偏った荷重分布反力分布が作用して塑性変形する。これにより、3に示す型締め工程の完了時には、下方電極3の鉛直下面3a全体が下金型31の凹部底面34と当接する共に、下金型31、半導体装置1の上方電極2及びライニング部材11によって、モールド室51内に第1空間52が区画形成される。4に示す樹脂注入硬化工程では、第1空間52に樹脂67を注入して充填し、その後に充填した樹脂67を熱硬化させる。5に示す型締め開放工程では、樹脂67の硬化後、半導体装置1の型締めを開放するため、上金型41を型締め開放方向図4で鉛直上方に移動させる。6示す離型工程では、半導体装置1をモールド装置21から取り出し離型し、モールド成形を終了する。第2実施形態図5は、第2実施形態のモールド装置21の概略断面図で、左側には半導体装置1に対し樹脂によってモールド成形する前の状態を、右側には半導体装置1に対し樹脂によってモールド成形した後の状態を示している。なお、図5においても、一点鎖線で囲ったY部の拡大図を下方に示している。第1実施形態の図3と同一部分には同一番号を付している。第1実施形態では、傾きバラツキのある半導体装置1を対象としたのに対して、第2実施形態では、厚さバラツキのある半導体装置1を対象とする。ここで、厚さバラツキのあるとは、上方電極2と下方電極3とを含めた半導体装置1全体の上下方向厚さが個々の半導体装置1によってバラツクことをいう。例えば、図5に示すように、上方電極2の鉛直上面2a左端と下方電極3の鉛直下面3a左端との間の上下方向厚さと、上方電極2の鉛直上面2a右端と下方電極3の鉛直下面3a右端との間の上下方向厚さとは同じである。つまり、上方電極2上面と下方電極3下面との間の上下方向厚さは同じであるので、図5に示す半導体装置1には、傾きバラツキは生じていない。しかしながら、上方電極2の上面と下方電極3の下面との間の上下方向厚さは、個々の半導体装置1によって大きかったり小さかったりとバラツク厚さバラツキが生じることがある。こうした厚さバラツキのある半導体装置1を対象とする場合にも、図5の左側に示すように、モールド室51に半導体装置1を収納し、ライニング部材11の突起部16下端を下金型31の鉛直上面32と当接させて、ライニング部材11によって半導体装置1の全体が下金型31の凹部33内で宙づり状態となるようにする。つまり、半導体装置1がライニング部材11によって下金型31の凹部33内で宙づり状態となるように、突起部16の鉛直方向長さや位置のほか、下金型31の凹部33の水平方向長さ及び深さ、上金型41の凹部43の水平方向長さ及び深さを定めておく。このとき、突起部16の下端と下金型31の鉛直上面32との間に隙間がほぼ生じないようにする。厚さバラツキのある半導体装置1を対象とする場合にも、半導体装置1が突起部16によって宙づり状態となっているとき、突起部16の下端と下金型31の鉛直上面32との間に隙間がほぼ生じないようにしているので、モールド室51が2つに区画される。すなわち、下金型31、半導体装置1の上方電極2及びライニング部材11によって囲まれる第1空間52と、その外側の第2空間53との2つに区画される。第2実施形態の作用効果は、第1実施形態と同様である。すなわち、第2実施形態によれば、樹脂によってモールド成形される空間を有する半導体装置1モールド対象物を型締めする際の荷重により突起部16が塑性変形することで、半導体装置1の厚さバラツキを吸収しつつ、樹脂67が漏れる経路を遮断することできる。これによって、第1空間52の外側にある第2空間53への樹脂67の漏れを防止することができる。図6は、厚さバラツキのある半導体装置1の樹脂モールド成形方法を、ワークセット、型締め、樹脂注入硬化、型締め開放、離型の5つの工程に分けて示す工程図である。図4と同一部分には同一番号を付している。まず、1に示すワークセット工程で、ワークとしての半導体装置1をモールド室内に収納し、突起部16が下金型31の鉛直上面32と当接するようにセットして、半導体装置1が下金型31の凹部33内で宙づり状態となるようにする。このとき、突起部16は、下金型31に向かって延伸している。上方電極2の鉛直上方には、倣い板61をセットする。2に示す型締め工程では、上金型41の鉛直下面42が下金型31の鉛直正面32に当接するまで上金型41を型締め方向図6で鉛直下方に移動させる。この型締めにより、倣い板61が上方電極2押し下げ、倣い板61の下面全体が上方電極2の鉛直上面2aに当接した後に、型締め工程の途中では、下方電極3の鉛直下面3aと下金型31の凹部底面34との間にまだ空間が生じている。さらに、上金型41を型締め方向に移動させると、突起部16には、倣い板61を介して鉛直下向きの均一な荷重がかかり、この荷重を受けて突起部16の下端には、下金型31からの鉛直上向きの反力が生じる。この反力の大きさは、型締め力の大きさと同じである。この反力を受けて突起部16は、塑性変形してゆく。すなわち、突起部16に均一な荷重分布反力分布が作用して塑性変形する。これにより、3に示す型締め工程の完了時には、下方電極3の鉛直下面3a全体が下金型31の凹部底面34と当接する共に、下金型31、半導体装置1の上方電極2及びライニング部材11によって、モールド室51内に第1空間52が区画形成される。4に示す樹脂注入硬化工程では、第1空間52に樹脂67を注入して充填し、その後に充填した樹脂67を熱硬化させる。5に示す型締め開放工程では、樹脂67の硬化後、半導体装置1の型締めを開放するため、上金型41を型締め開放方向図6で鉛直上方に移動させる。6示す離型工程では、半導体装置1をモールド装置21から取り出し離型し、モールド成形を終了する。第3実施形態図7は、第3実施形態の半導体装置1の概略縦断面図、図8は、図7に示す半導体装置1のZ-Z’線断面図である。なお、図7では、一点鎖線で囲ったY部の拡大図を下方に示している。第1実施形態の図1、図2と同一部分には同一番号を付している。第3実施形態でも、第1実施形態と同様に、傾きバラツキのある半導体装置1を対象とする。なお、第3実施形態は、傾きバラツキのある半導体装置に限定されるものでないことを示すため、図9には、傾きバラツキのある半導体装置に代えて、厚さバラツキのある半導体装置1を示している。図7に示すように、第3実施形態では、ライニング部材11の枠部下面15に、突起部16の内周側に隣接して鉛直下方に開口する溝17が設けられている。この溝17も、図8にも示すように、上方電極2の周縁を取り巻いている。図9は、第3実施形態のモールド装置21の概略断面図で、左側には、半導体装置1に対し樹脂によってモールド成形する前の状態を、右側には、半導体装置1に対し樹脂によってモールド成形した後の状態を示している。なお、図9においても、一点鎖線で囲ったY部の拡大図を下方に示している。第1実施形態の図3と同一部分には、同一番号を付している。半導体装置1のモールド成形時に、突起部16の塑性変形の仕方が第1実施形態とは相違する。すなわち、突起部16の内周側に隣接して溝17を設けているため、半導体装置1の型締め時には、図9の右側に示すように、突起部16の溝17のある側が溝17内にせり出すようにして塑性変形する。このため、溝17に樹脂67を充填して硬化させることで、溝17に充填された樹脂67の部分がアンカーの働きをする。アンカーは、一般的には地面等の固定部材に鉛直下方に打ち付けることによって、固定部材との密着力を得るものである。ここでは、溝17に充填された樹脂67の部分が鉛直上方に向けて打ち付けているアンカーに相当する。このように、第3実施形態によれば、突起部16の内周側に隣接して溝17を設けているので、溝17に充填されて硬化した樹脂67にくさびアンカー効果が生じ、樹脂67の鉛直方向縦方向および水平方向横方向の密着力が向上する。また、突起部16を構成している材質と樹脂67の接合が悪くても密着効果を出すことができる。以上、本発明を添付の図面を参照して詳細に説明したが、本発明はこのような具体的構成に限定されるものではなく、添付した請求の範囲の趣旨内における様々な変更及び同等の構成を含むものである。例えば、図3、図5、図9の天地をひっくり返した構成としてもかまわない。本願は、2010年12月27日に日本国特許庁に出願された特願2010-290295に基づく優先権を主張し、この出願の全ての内容は参照により本明細書に組み込まれる。"