"透明導電膜上に半導体層を設けてなる半導体電極と、対向電極と、前記両極間に保持された電解質層とを備えた光電変換素子であって、前記半導体層が、金属酸化物半導体粒子の平均粒子径の異なる層が2層以上積層してなる積層膜であり、前記電解質層が、酸化還元対としてベンゾキノン誘導体及びヒドロキノン誘導体の両方をそれぞれ1.0mM~1.0M、添加剤としてアンモニウム塩を1.0mM~2.0M含有することを特徴とする光電変換素子。積層膜において、対向電極に向かうほど、平均粒子径の大きい層が位置するように積層されていることを特徴とする請求項1記載の光電変換素子。積層膜において、透明導電膜に最も近い層の金属酸化物半導体粒子の平均粒子径が100nm以下であり、透明導電膜から最も遠い層の金属酸化物半導体粒子の平均粒子径が200~700nmであることを特徴とする請求項1または2記載の光電変換素子。積層膜において、透明導電膜に最も近い層の厚さが5μm以上で、透明導電膜から最も遠い層の厚さが3μm以上であることを特徴とする請求項3記載の光電変換素子。アンモニウム塩が、下記一般式Aで表される基本骨格を有することを特徴とする請求項1~4の何れか1項に記載の光電変換素子。NH4X-A式中、X-は無機アニオンまたは有機アニオンである本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、変換効率により優れ、色彩性を損なうことなく意匠性にも優れ、太陽電池用として好適な光電変換素子を提供することを目的とする。前記課題を解決するため、本発明は、下記の光電変換素子を提供する。1透明導電膜上に半導体層を設けてなる半導体電極と、対向電極と、前記両極間に保持された電解質層とを備えた光電変換素子であって、前記半導体層が、金属酸化物半導体粒子の平均粒子径の異なる層が2層以上積層してなる積層膜であり、前記電解質層が、酸化還元対としてベンゾキノン誘導体及びヒドロキノン誘導体の両方をそれぞれ1.0mM~1.0M、添加剤としてアンモニウム塩を1.0mM~2.0M含有することを特徴とする光電変換素子。2積層膜において、対向電極に向かうほど、平均粒子径の大きい層が位置するように積層されていることを特徴とする上記1記載の光電変換素子。3積層膜において、透明導電膜に最も近い層の金属酸化物半導体粒子の平均粒子径が100nm以下であり、透明導電膜から最も遠い層の金属酸化物半導体粒子の平均粒子径が200~700nmであることを特徴とする上記1または2記載の光電変換素子。4積層膜において、透明導電膜に最も近い層の厚さが5μm以上で、透明導電膜から最も遠い層の厚さが3μm以上であることを特徴とする上記3記載の光電変換素子。5アンモニウム塩が、下記一般式Aで表される基本骨格を有することを特徴とする上記1~4の何れか1項に記載の光電変換素子。NH4X-A式中、X-は無機アニオンまたは有機アニオンである本発明では、ヒドロキノン/ベンゾキノン系酸化還元対を用いるが、ヨウ素電荷輸送材と比較すると、着色を抑えることはできるものの、発電効率に劣るという問題がある。そこで、特定のアンモニウム塩を添加することで、電荷輸送材として高い性能安定性を達成し、更にはヨウ素と比較して着色を抑えた酸化還元対を達成することができる。また、半導体層を色素の吸着能力が高い小径の金属酸化物半導体粒子からなる層と、その上に光封じ込め効果に優れる大径の金属酸化物半導体粒子からなる層とを積層した半導体層により、変換効率が高まる。本発明の光電変換素子は、電解質層に含まれるヒドロキノン誘導体/ベンゾキノン誘導体、アンモニウム塩混合電荷輸送材が、酸化還元対として高い性能安定性を有するだけでなく、ヨウ素系電荷輸送材と比べて薄色であるため、光電変換素子の色彩性を損なわず、高効率で意匠性に優れ、更には平均粒径が異なる金属酸化物半導体粒子からなる半導体層により高い変換効率が得られる。以下に、本発明の光電変換素子に関して、図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の光電変換素子Aを示す断面図である。透明基体1の一方の面には透明導電膜2が形成され、更に透明導電膜2の表面に半導体層3が形成されて半導体電極9を構成している。半導体層3は、金属酸化物半導体粒子からなる層が積層した積層膜で構成されるが、透明導電膜2に近い層ほど平均粒子径が小さくなるように積層されている。即ち、図の例では、透明導電膜2に接して小径の金属酸化物半導体粒子からなる第1の半導体層4の上に、大径の金属酸化物半導体粒子からなる第2の半導体層5が積層している。尚、半導体層3は、図示される2層に限らず、3層以上とすることもできるが、例えば3層の場合は、透明電極膜2に近い側から順に、平均粒子径の最も小さい第1の半導体層と、平均粒子径が第1の半導体層よりも大きい第2の半導体層と、平均粒子径が第2の半導体層よりも大きい第3の半導体層とを積層する。また、各半導体層を構成する金属酸化物半導体粒子には、増感色素が吸着される。増感色素としては、太陽光により励起されて半導体層3に電子注入できるものであればよく、一般的に光電変換素子に用いられている色素を用いることができるが、変換効率を向上させるためには、その吸収スペクトルが太陽光スペクトルと広波長域で重なっていて、耐光性が高いことが望ましい。増感色素としては、金属錯体色素、例えば、ルテニウム錯体、鉄錯体、銅錯体などが挙げられる。さらに、シアン系色素、ポルフィリン系色素、ポリエン系色素、クマリン系色素、シアニン系色素、スクアリン酸系色素、メチン系色素、キサンテン系色素、インドリン系色素などが挙げられる。また、電極基材8の一方の面には触媒層7が形成され、対向電極10を構成している。そして、半導体電極9の透明電極膜2と、対向電極10の触媒層7とが対向するように離間して配置され、それらの間に電解質層5が介在されている。下記に、各構成要素について詳説する。透明基体1透明基体1は、可視光を透過するものが使用でき、透明なガラスが好適に利用できる。また、透明導電膜2が形成される側の表面を加工して入射光を散乱させることで、高効率で入射光を利用することができる。また、ガラスに限らず、光を透過するものであればプラスチック板やプラスチックフィルム等も使用できる。透明基体1の厚さは、光電変換素子Aの形状や使用条件により異なるため特に限定はされないが、例えば、屋外設置用太陽電池パネルなどのように、剛性耐久性が求められるガラスやプラスチックなどでは、1mm~1cm程度が好ましく、小型の家電製品などに用いられ、フレキシブル性が求められるプラスチックフィルムなどでは、1μm~1mm程度が好ましい。透明導電膜2透明導電膜2には、可視光を透過して、かつ導電性を有する材料が使用できる。このような材料としては、例えば金属酸化物が挙げられる。特に限定はされないが、例えばフッ素をドープした酸化スズ以下、FTOと略記する。や、酸化インジウム、酸化スズと酸化インジウムの混合体以下、ITOと略記する。、アンチモンをドープした酸化スズ、酸化亜鉛などが好適に用いることができる。また、分散させるなどの処理により可視光が透過すれば、不透明な導電性材料を用いることもできる。このような材料としては炭素材料や金属が挙げられる。炭素材料としては、特に限定はされないが、例えば黒鉛グラファイト、カーボンブラック、グラッシーカーボン、カーボンナノチューブやフラーレンなどが挙げられる。また、金属としては、特に限定はされないが、例えば白金、金、銀、ルテニウム、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、クロム、鉄、モリブデン、チタン、タンタル、およびそれらの合金などが挙げられる。透明導電膜2の厚さは、用いる材料により導電性が異なるため特には限定されないが、一般的に使用されるFTO被膜付ガラスでは、0.01μm~5μmであり、好ましくは0.1μm~1μmである。また、必要とされる導電性は、使用する電極の面積により異なり、広い電極ほど低抵抗であることが求められるが、一般的にシート抵抗面抵抗率で100Ω/□以下、好ましくは10Ω/□以下、より好ましくは5Ω/□以下である。このシート抵抗は、薄膜やフィルム状物質の電気抵抗値であり、単位はΩであるが、シートであることを示すため慣用的にΩ/□と記述している。透明基体1及び透明導電膜2との積層体の厚さ、または透明基体1と透明導電膜2とを一体化した厚さは、上述のように光電変換素子Aの形状や使用条件により異なるため特に限定はされないが、一般的に1μm~1cm程度である。半導体層3半導体層3は、平均粒子径が異なる金属酸化物半導体粒子からなる層が、多層に積層したものである。金属酸化物半導体の種類は特に限定はされないが、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズなどが挙げられ、特に二酸化チタン、さらにはアナターゼ型二酸化チタンが好適である。また、電気抵抗値を下げるため、金属酸化物の粒界は少ないことが望ましい。また、透明導電膜2に最も近い半導体層図の例では第1の半導体層4を構成する金属酸化物半導体粒子は、その平均粒子径が最も小さく、好ましくは100nm以下、より好ましくは10~80nmである。また、透明導電膜2から最も遠い半導体層図の例では第2の半導体層5は、その平均粒子径が最も大きく、好ましくは200~700nmであり、より好ましくは300~600nmである。金属酸化物半導体粒子が小さくなるほど表面積が大きくなって増感色素の吸着量が大きくなるが、その一方で光散乱性が小さくなって変換効率が小さくなる。そのため、本発明では、小径の金属酸化物半導体粒子による増感色素の吸着量増加と、大径の金属酸化物半導体粒子による光散乱効果とを併合するが、その際、小径の金属酸化物半導体粒子を透明導電膜2の近くに配置して増感色素の量をより多くするとともに、大径の金属酸化物半導体粒子を遠くに配置して光散乱効果をより高めることにより、全体としての光電変換効率をより高める。このような効果を確実に得るために、各半導体層における金属酸化物半導体粒子の大きさを上記のように規定する。即ち、透明導電膜2に最も近い半導体層を構成する金属酸化物半導体粒子の平均粒子径が100nmを越えると増感色素の吸着量が十分ではなく、透明導電膜2から最も遠い半導体層を構成する金属酸化物半導体粒子の平均粒子径が200nmよりも小さいと光散乱効果が十分に得られない。また、平均粒子径が700nmを超えるような大径の金属酸化物半導体粒子では、増感色素を吸着可能な表面積が著しく少なく、光電変換効率が低くなるばかりでなく、成膜性が悪くなり均一な半導体膜3が得られなくなる。増感色素の吸着量をより高めるためには、透明導電膜2に最も近い半導体層を構成する金属酸化物半導体粒子のBET比表面積が50~200m2/g、透明導電膜2に最も遠い半導体層を構成する金属酸化物半導体粒子のBET比表面積が5~20m2/gであることが好ましい。また、透明導電膜2に最も近い半導体層の厚さは5μm以上、透明導電膜2に最も遠い半導体層の厚さは3μm以上であることが好ましい。半導体層の厚さは、構成する金属酸化物半導体粒子の平均粒子径により異なるが、このような厚さとすることにより、増感色素の吸着量及び光散乱効果が十分に得られ、光電変換効率が向上する。このような半導体層3は、既知の成膜方法で透明導電膜2上に設けることができ、例として、ゾルゲル法や、分散体ペーストの塗布、また、電析や電着させる方法がある。その際、上記の多層構造となるように、平均粒子径の小さな金属酸化物半導体粒子からなる層から順に成膜工程を繰り返す。電解質層6電解質層6は、酸化還元対としてヒドロキノン誘導体と、ベンゾキノン誘導体と、下記一般式Aで表されるアンモニウム塩を混合した組成となっている。NH4X-A式中、X-は無機アニオンまたは有機アニオンであるが、有機溶媒への溶解性を考慮すると有機アニオンが好ましい。有機アニオンの種類に関しては、特別限定はされないが、酸解離定数が小さく、NH4が安定に存在できることから酢酸イオン、プロピオン酸イオン、安息香酸イオンなどに代表されるカルボン酸イオンが好ましい。また、無機アニオンとしては塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン等が挙げられる。酸化還元組成物中のアンモニウム塩の濃度としては、溶媒に対して1.0mM~2.0Mの範囲である。濃度が1.0mMより小さい場合、アンモニウム塩の添加効果がほとんど得られなくなり、変換効率の向上はほとんど見られない。一方、濃度が2.0Mより大きくしても、変換効率の向上はほとんど見られないだけではなく、溶解度の問題から、アンモニウム塩が溶液中で析出してしまう虞がある。好ましい濃度は、20mM~2.0Mである。ヒドロキノン誘導体としては、下記一般式Iで表される基本骨格を有するものが好適である。式中、Rはアルキル基、アリール基を示しており、添字のnは置換基を0個以上有することを示す。アルキル基、アリール基の種類に関しては特別限定されないが、有機溶媒への溶解性、共役長が伸びることで可視光の吸収が起こることを考慮すると、アルキル基のほうが好ましい。また、一般式Iの構造として単環式の芳香環のみならず、多環式芳香族のヒドロキノン誘導体も適用できる。多環式芳香族の種類に関しては特別限定されないが、有機溶媒への溶解性や、共役長が伸びることで可視光の吸収が起こることを考慮すると、縮合環数として3以下のものが好ましいと考えられる。縮合環数が3以下の化合物には、例えば、2つの環が縮合したナフトヒドロキノン誘導体や、3つの環が縮合したアントラヒドロキノン誘導体が挙げられる。酸化環元組成物中のヒドロキノン誘導体の濃度としては、溶媒に対して1.0mM~1.0Mの範囲である。濃度が1.0mMより小さい場合、添加効果がほとんど得られなくなり、変換効率の向上はほとんど見られない。一方、濃度を1.0Mより大きくしても、変換効率の向上はほとんど見られないだけではなく、ヒドロキノン誘導体の溶解度の問題から、ヒドロキノン誘導体が溶液中で析出してしまう虞がある。好ましい濃度は、10mM~1.0Mである。ベンゾキノン誘導体としては下記一般式IIで表される基本骨格を有するものが好適である。式中、Rはアルキル基、アリール基を示しており、添字のnは置換基を0個以上有することを示す。アルキル基、アリール基の種類に関しては特別限定されないが、有機溶媒への溶解性、共役長が伸びることで可視光の吸収が起こることを考慮すると、アルキル基のほうが好ましい。また、一般式IIの構造として単環式の芳香環のみならず、多環式芳香族のヒドロキノン誘導体も適用できる。多環式芳香族の種類に関しては特別限定されないが、有機溶媒への溶解性や、共役長が伸びることで可視光の吸収が起こることを考慮すると、縮合環数として3以下のものが好ましいと考えられる。縮合環数が3以下の化合物には、例えば、2つの環が縮合したナフトキノン誘導体や、3つの環が縮合したアントラキノン誘導体が挙げられる。酸化環元組成物中のベンゾキノン誘導体の濃度としては、溶媒に対して1.0mM~1.0Mの範囲である。濃度が1.0mMより小さい場合、添加効果がほとんど得られなくなり、変換効率の向上はほとんど見られない。一方、濃度を1.0Mより大きくしても、変換効率の向上はほとんど見られないだけではなく、ベンゾキノン誘導体の溶解度の問題から、ベンゾキノン誘導体が溶液中で析出してしまう虞がある。好ましい濃度は、10mM~1.0Mである。ヒドロキノン誘導体、ベンゾキノン誘導体の組合せは、一般式I、II中のRnが同じ置換基である組合せが好ましい。また、ヒドロキノン誘導体、ベンゾキノン誘導体、アンモニウム塩の混合比は特に限定されないが、ヒドロキノン誘導体モル濃度をx、ベンゾキノン誘導体のモル濃度をy、アンモニウム塩のモル濃度をzとすると、以下の式を満たすことが好ましい。0.05≦x/y≦20、0.5≦xy/z≦2.0上記酸化還元対を溶解させる溶媒としては、酸化還元対を溶解できる化合物であれば特に制限はなく、非水性有機溶媒、常温溶融塩、プロトン性有機溶媒などから任意に選択できる。また、アンモニウム塩は有機溶媒に難溶であることがあるが、その場合は、溶媒にカルボン酸を添加することで、溶解させることができる。例えば有機溶媒として、アセトニトリル、メトキシアセトニトリル、パレロニトリル、3-メトキシプロピオニトリルなどのニトリル化合物、γ-ブチルラクトンやパレロラクトンなどのラクトン化合物、エチレンカーボネートやプロピレンカーボネートなどのカーボネート化合物、ジオキサンやジエチルエーテル、エチレングリコールジアルキルエーテル、低重合度ポリエチレングリコールなどのエーテル類、メタノール、エタノール等のアルコール類、さらにはジメチルホルムアミドやイミダゾール類などが挙げられ、中でもアセトニトリル、パレロニトリル、3-メトキシプロピオニトリル、プロピレンカーボネート、低重合度ポリエチレングリコールなどを好適に用いることができる。カルボン酸としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ヘキサン酸を代表とする飽和カルボン酸、アクリル酸、メタクリル酸、2-エチルプロペン酸を代表とする不飽和カルボン酸、安息香酸、フタル酸などを代表とする、芳香族カルボン酸、乳酸、リンゴ酸、クエン酸などのヒドロキシ酸などが例として挙げられる。溶媒の組成は、アンモニウム塩を溶解することができればよいが、カルボン酸成分の添加量が多くなるほど変換効率が低下する傾向があるため、カルボン酸成分の添加量は可能な限り少ないことが好ましい。なお、アンモニウム塩が使用する有機溶媒に溶解する場合は、カルボン酸成分を添加する必要はない。また、電解質層6擬固体化して、より耐久性や信頼性を高めることもできる。例えば、金属酸化物のナノ粒子を分散させて架橋点とすることで、ナノコンポジットゲル化させる。金属酸化物としては、上記の酸化還元対と溶媒とを含む電荷輸送液をゲル化できれば制限はなく、SiO2、TiO2、SnO2、WO2、ZnO2、ITO、BaTiO3、Nb2O5、In2O3、ZrO2、Ta2O5、La2O3、SrTiO3、Y2O3、Ho2O3、Bi2O3、CeO2及びAl2O3などの金属酸化物を用いることが好ましい。これらは、それぞれ単独でもよく、2種以上の混合物であってもよい。ナノ粒子としてポリメチルメタクリレートやポリメチルアクリレート等の高分子ナノ粒子や、カーボンファイバー、カーボンナノチューブ等のカーボン系材料によってもマイクロコンポジットゲル化できるものの、電解質層5の薄色化のためにはナノ粒子は無色もしくは白色である必要があるため、カーボン系材料は好ましくない。また、高分子ナノ粒子は、有機溶媒への溶解性が懸念されるため好ましくない。ナノ粒子の粒径は細かいほど好ましく、1~1000nmが好適である。粒径が1nm未満では製造が困難になり高コストになり、1000nmを超えると電荷輸送液の保持力が小さくなり、液漏れ等の問題が生じる。ナノ粒子の添加量は、電荷輸送液をゲル化できる量であるが、電荷輸送液の重量に対しいて5~70質量が好ましい。添加量が5質量では電荷輸送液の十分な保持ができず電解質層5を擬固体化できない。一方、70質量を超えると、電荷輸送液が完全に固化してしまい、半導体電極8と対向電極9との間での電子の授受が円滑に進まなくなり、変化効率が低下するおそれがある。更に、電解質層6には、支持電解質として、リチウム塩やイミダゾリウム塩、4級アンモニウム塩、常温溶融塩などを添加することができる。これらの添加剤は電解質層の特性を損ねない程度に添加することができる。触媒層7触媒層7としては、電解質中の酸化還元対の酸化体を還元体に還元する還元反応を速やかに進行させることが可能な電極特性を有するものであれば特に限定されないが、塩化白金酸を塗布、熱処理したものや、白金を蒸着した白金触媒電極、活性炭、グラッシーカーボン、カーボンナノチューブのような炭素材料、硫化コバルトなどの無機硫黄化合物、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリンなどの導電性高分子などが使用できるが、その中でも白金触媒電極が好ましく使用できる。また、触媒層7の厚さは、5nm~5μmが適当であり、特に好ましくは50nm~2μmである。電極基材8電極基材8は、触媒層7の支持体兼集電体として用いられるため、表面部分に導電性を有していることが好ましく例えば、金属として白金、金、銀、ルテニウム、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、クロム、鉄、モリブデン、チタン、タンタル、およびそれらの合金や、炭素材料として、例えば黒鉛グラファイト、カーボンブラック、グラッシーカーボン、カーボンナノチューブ、フラーレンなど、金属酸化物として、FTO、ITO、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化アンチモンなどを用いることができる。また、表面が導電性を有するように処理すれば、ガラスやプラスチックなどの絶縁体も用いることができる。以下、実施例を挙げて本発明を更に説明するが、本発明はこれにより何ら制限されるものではない。<実施例1~7>光電変換素子の作製以下のようにして、図1に示す構造の光電変換素子を作製した。半導体電極の作製ジオマテック株製のITO膜付きガラススパッタ品を必要なサイズに切り出し、ガラス洗浄剤で洗い、洗浄剤を純水で洗い流した後、アセトン、ヘキサン、アセトン、純水、純水の順番で各5分ずつ超音波洗浄を行った。乾燥後、UVオゾン洗浄機を用いて10分間仕上洗浄を行った後、70°CのTiCl4水溶液中に30分間浸漬した。浸漬後、純水で洗浄し、よく乾燥した。次いで、ITO膜表面に、小径のTiO2ペースト日揮触媒化成製PST-18NR;平均粒子径20nmをスクリーン印刷装置東海商事製で所定の厚さに塗布し、30分程静置、乾燥させた後、80°Cで30分、450°Cで30分の順に大気中で焼成して第1の半導体層を形成した。引き続き、第1の半導体層の上に、大径のTiO2ペースト日揮触媒化成製PST-400C;平均粒子径400nmをスクリーン印刷装置東海商事製で所定の厚さに塗布し、30分程静置、乾燥させた後、80°Cで30分、450°Cで30分の順に大気中で焼成して第1の半導体層を形成した。上記において、第1の半導体層及び第2の半導体層が、表1に示す厚さとなるように、小径及び大径の各TiO2ペーストの塗布厚を調整した。増感色素の吸着増感色素として、N3と呼ばれるシス-ビスイソチオシアナトビス2,2’-ピビリジル-4,4’-ジカルボキシラートルテニウムII和光純薬工業株製を用いた。色素溶液は、0.3mMのエタノール溶液とした。そして、上記の半導体電極を色素溶液に浸漬し、遮光下40°C程度で3時間静置した。その後それぞれエタノールで余分な色素を洗浄し、風乾した。対向電極の作製対向電極は、ガラス基板の上に白金薄膜層を蒸着したものを用いた。白金薄膜の厚さは約200nmであった。電解質層アルゴン置換を行ったガラス容器に安息香酸アンモニウムを278mg2.0mM入れ、1mlの酢酸を加えた。固体が溶けきるまで振り混ぜた後、2,5-ジ-t-ブチルベンゾキノンを220.3mg1.0mM、2,5-ジ-t-ブチルヒドロキノン222.3mg1.0mMを加え、アセトニトリルにて全量を20mlとした。尚、酢酸及びアセトニトリルは、凍結脱気したものを用いた。光電変換素子の組立半導体電極と、対向電極との間に電解質層を介在させ、側面をエポキシ系接着剤でシールした。尚、この作業はアルゴン置換されたグローブボックス内にて行った。光電変換素子の評価光電変換素子の光電変換特性について、ソーラーシミュレーターを用いて評価した。擬似太陽光は、AM1.5条件下で100mW/cm2の光を用い、開放電圧、短絡電流、フィルファクターから変換効率η1を算出した。また、上記した小径のTiO2ペーストのみを用いて同じ厚さの半導体層を形成して比較用光電変換素子を作製した。そして、比較用光電変換素子の変換効率η2との比η1/η2を求めた。<比較例1>小径のTiO2ペーストのみを用いて厚さ15μmの半導体層を形成した以外は実施例と同様にして光電変換素子を作製し、その変換効率を求めた。<比較例2>大径のTiO2ペーストのみを用いて厚さ10μmの半導体層を形成した以外は実施例と同様にして光電変換素子を作製し、その変換効率を求めた。<比較例3>電解液層にヨウ素系酸化還元対を用い、第1の半導体層の厚さを15μm、第2の半導体層の厚さを10μmとして光電変換素子を作製し、その変換効率を求めた。実施例及び比較例の光電変換特性を表1に示すが、実施例の光電変換素子は何れも、電解質層が2,5-ジ-t-ブチルベンゾキノン、2,5-ジ-t-ブチルヒドロキノン、アンモニウム塩を含み、更に小径の金属酸化物半導体粒子からなる第1の半導体層と大径の金属酸化物半導体粒子からなる第2の半導体層とを有するため、変換効率η1は比較例4のヨウ素系電解質層に比べれば小さいものの、変換効率比η1/η2は大きくなっている。このことから、小粒の金属酸化物半導体粒子からなる第1の半導体層と、大径の金属酸化物半導体粒子からなる第2の半導体層とで半導体層を構成することにより、変換効率が向上することがわかる。また、第1の半導体層を5μm以上、第2の半導体層を3μm以上とすることにより、変換効率自体及び変換効率の向上効果が特に大きくなる。従来のヨウ素系電解質を用いた比較例3では、変換効率は実施例よりも上回るが、色素の鮮やかな色にヨウ素系酸化還元対の濃褐色が混ざってしまい、光電変換素子の外観が濃褐色に変化し、意匠性が大きく損なわれてしまっている。また、比較例2のように、電解質層が実施例と同じでも、大径の金属酸化物半導体粒子からなる単一の半導体層を有する光電変換素子では変換効率が小さくなっている。"