極端紫外線ビームをリソグラフィ装置に供給する放射源デバイスであって、前記放射源デバイスは、放射生成要素を囲む真空チャンバと、前記放射生成要素によって放出される放射を集光し、かつ前記放射を中間焦点に誘導される放射ビームに形成する放射コレクタと、前記中間焦点の近くに配置されかつガス源に接続されたデブリ軽減デバイスであって、前記デブリ軽減デバイスは、前記ガス源によって供給されたガスを前記放射生成要素または前記放射コレクタに向かうガス流へと誘導するノズルを含み、前記ガス流は、前記中間焦点に向かって移動する微粒子デブリを偏向または遅延させるのに十分である、デブリ軽減デバイスと、を含む、放射源デバイス。放射生成要素を囲む真空チャンバと、前記放射生成要素によって放出される放射を集光し、かつ前記集光した放射を中間焦点に誘導される放射ビームに形成する放射コレクタと、前記中間焦点の近くに配置されかつガス源に接続されたデブリ軽減デバイスであって、前記デブリ軽減デバイスは、前記ガス源によって供給されたガスを前記放射生成要素または前記放射コレクタに向かうガス流へと誘導するノズルを含み、前記ガス流は、前記中間焦点に向かって移動する微粒子デブリを偏向または遅延させるのに十分である、デブリ軽減デバイスと、を含む、放射源デバイス。前記デブリ軽減デバイスは、前記放射ビームの周りに配置された複数のノズルを含む、請求項1または2に記載の放射源。前記デブリ軽減デバイスは、前記放射ビームと平行する方向に間隔を空けて配置された複数のノズルを含む、請求項1、2または3に記載の放射源。前記ノズルのうちの第1ノズルは、第1ガス流速でガスを放出し、前記ノズルのうちの第2ノズルは、第2ガス流速でガスを放出し、前記ノズルのうちの前記第2ノズルは、前記ノズルのうちの前記第1ノズルより前記中間焦点から離れており、前記第2ガス流速は前記第1ガス流速より大きい、請求項4に記載の放射源。前記ノズルまたはノズルは、前記真空チャンバの壁から内側に突出する、請求項1~5のいずれかに記載の放射源。前記デブリ軽減デバイスは、前記ガス流によって偏向されたデブリを収集するデブリ捕獲デバイスをさらに含む、請求項1~6のいずれかに記載の放射源。前記ガス源におけるガス圧および前記ノズルの形状は、前記ノズルにおけるガス速度が前記ガスにおける音速とほぼ等しいように選択される、請求項1~7のいずれかに記載の放射源。前記ガス源によって供給されるガス圧および前記ノズルの形状は、前記ノズルから出るガス速度が音速であるように選択される、請求項1~8のいずれかに記載の放射源。前記デブリ軽減デバイスは、前記ノズルの後に前記放射ビームが通り抜けた下流領域に熱を提供するヒータをさらに含む、請求項1~9のいずれかに記載の放射源。パターニング手段のイメージを基板上に投影するリソグラフィ装置であって、前記放射ビームによって前記パターニング手段を照明する請求項1~10のいずれかに記載の放射源を含む、リソグラフィ装置。リソグラフィ装置であって、放射源デバイスであって、放射生成要素を囲む真空チャンバと、前記放射生成要素によって放出される放射を集光し、かつ前記集光した放射を中間焦点に誘導される放射ビームに形成する放射コレクタと、前記中間焦点の近くに配置されかつガス源に接続されたデブリ軽減デバイスであって、前記デブリ軽減デバイスは、前記ガス源によって供給されたガスを前記放射生成要素または前記放射コレクタに向かうガス流へと誘導するノズルを含み、前記ガス流は、前記中間焦点に向かって移動する微粒子デブリを偏向または遅延させるのに十分である、デブリ軽減デバイスと、を含む、放射源デバイスと、前記放射ビームをパターン付けするパターニングデバイスと、前記パターン付きビームを基板上に投影する投影システムとを含む、リソグラフィ装置。リソグラフィ装置であって、放射生成要素を囲む真空チャンバと、前記放射生成要素によって放出される放射を集光し、かつ前記集光した放射を中間焦点に誘導される放射ビームに形成する放射コレクタと、前記中間焦点の近くに配置されかつガス源に接続されたデブリ軽減デバイスであって、前記デブリ軽減デバイスは、前記ガス源によって供給されたガスを前記放射生成要素または前記放射コレクタに向かうガス流へと誘導するノズルを含み、前記ガス流は、前記中間焦点に向かって移動する微粒子デブリを偏向または遅延させるのに十分である、デブリ軽減デバイスと、前記中間焦点の後に位置決めされ、かつ前記放射ビームをパターニング手段上へと調整および誘導する照明システムとを含む、リソグラフィ装置。前記真空チャンバは、第1アパーチャおよび前記第1アパーチャを囲う第1円錐形壁部を有し、前記照明システムは、第2アパーチャおよび前記第2アパーチャを囲う第2円錐形壁部を有する第2真空チャンバ内に含まれ、前記第1円錐形壁部および前記第2円錐形壁部は、一緒に接続されて前記真空チャンバを前記第2真空チャンバに接続しかつ前記放射ビームが前記照明システムに伝搬することを可能にする、請求項13に記載のリソグラフィ装置。リソグラフィ装置を用いるデバイス製造方法であって、前記方法は、放射源を用いて放射を生成することと、前記放射を集光し、かつ前記放射を中間焦点に誘導して放射ビームを形成することと、パターニング手段を用いて前記放射ビーム上にパターンを付与することと、前記パターン付き放射ビームを基板上に投影することと、前記中間焦点の近くに配置されたノズルから前記放射源に向かって水素の流れを誘導することであって、前記ガス流は、前記中間焦点に向かって移動する微粒子デブリを偏向または遅延させるのに十分である、こととを含む、デバイス製造方法。0030本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ1つ以上の実施形態を開示する。開示される実施形態は、本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示される1つ以上の実施形態に限定されない。本発明は添付の特許請求の範囲によって定義される。0031記載される実施形態、および一実施形態、実施形態、例示的実施形態などへの本明細書における言及は、記載される1つ以上の実施形態が特定の特徴、構造または特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造または特性を含まないことを示す。さらに、そのようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。さらに、一実施形態に関連して特定の特徴、構造または特性について記載している場合、明示的に記載されているか記載されていないかにかかわらず、そのような特徴、構造、または特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識にあることが理解される。0032実施形態をより詳細に説明する前に、本発明の実施形態を実施することができる例示的環境を示すことが有益である。0033図1は、本発明の一実施形態による放射源コレクタモジュールSOを含むリソグラフィ装置100を概略的に示す。このリソグラフィ装置は、放射ビームB例えば、EUV放射を調整するように構成された照明システムイルミネータILと、パターニングデバイス例えば、マスクまたはレチクルMAを支持するように構築され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1ポジショナPMに連結されたサポート構造例えば、マスクテーブルMTと、基板例えば、レジストコートウェーハWを保持するように構築され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに連結された基板テーブル例えば、ウェーハテーブルWTと、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば、1つ以上のダイを含む上に投影するように構成された投影システム例えば、屈折投影レンズシステムPSとを備える。0034照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、さまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。0035サポート構造MTは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスMAを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。0036パターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することができる。0037パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型位相シフト、およびハーフトーン型位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。0038投影システムは、照明システムのように、さまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。他のガスは放射を吸収しすぎることがあるので、EUV放射に対しては真空を使用することが望ましい場合がある。したがって、真空壁および真空ポンプを用いてビームパス全体に真空環境を提供することができる。0039本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの例えば、反射型マスクを採用しているものであってもよい。0040リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ以上の基板テーブルおよび/または2つ以上のマスクテーブルを有する型のものであってもよい。そのようなマルチステージ機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を1つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の1つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。0041図1を参照すると、イルミネータILは、放射源コレクタモジュールSOから極端紫外線EUV放射ビームを受ける。EUV放射を生成する方法としては、材料を、EUV範囲内の1つ以上の輝線を有する、例えばキセノン、リチウムまたはスズなどの少なくとも1つの元素を有するプラズマ状態に変換することが挙げられるが必ずしもこれに限定されない。そのような一方法では、レーザ生成プラズマLPPと呼ばれることが多い所要のプラズマを、所要の線発光元素を有する材料の小滴、流れまたはクラスタなどの燃料をレーザビームで照射することによって生成することができる。放射源コレクタモジュールSOは、燃料を励起するレーザビームを提供するためである、図1に図示されていないレーザを含むEUV放射システムの一部分であってもよい。結果として生じるプラズマは、例えばEUV放射などの出力放射を放出し、これは、放射源コレクタモジュールに配置された放射コレクタを用いて集光される。例えば、燃料励起のためのレーザビームを提供するためにCO2レーザが使用される場合、レーザと放射源コレクタモジュールは、別個の構成要素であってもよい。0042そのような場合には、レーザは、リソグラフィ装置の一部分を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、レーザから放射源コレクタモジュールへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源がDPP源と呼ばれることが多い放電生成プラズマEUVジェネレータである場合、放射源は、放射源コレクタモジュールの一体部分とすることもできる。0043イルミネータILは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。通常、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲それぞれ値σouterおよび値σinnerを有するを調節することができる。さらに、イルミネータILは、ファセット視野および瞳ミラーデバイスといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。0044放射ビームBは、サポート構造例えば、マスクテーブルMT上に保持されているパターニングデバイス例えば、マスクMA上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス例えば、マスクMAから反射した後、放射ビームBは投影システムPSを通過し、投影システムPSは、基板Wのターゲット部分C上にビームの焦点をあわせる。第2ポジショナPWおよび位置センサPS2例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサを使って、例えば、さまざまなターゲット部分Cを放射ビームBの経路内に位置決めするように、基板テーブルWTを正確に動かすことができる。同様に、第1ポジショナPMおよび別の位置センサPS1を使い、パターニングデバイス例えば、マスクMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス例えば、マスクMAおよび基板Wは、マスクアライメントマークM1およびM2と、基板アライメントマークP1およびP2とを使って、位置合わせされてもよい。0045例示のリソグラフィ装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも1つのモードで使用できる。00461.ステップモードにおいては、サポート構造例えば、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影するすなわち、単一静的露光。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。00472.スキャンモードにおいては、サポート構造例えば、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影するすなわち、単一動的露光。サポート構造例えば、マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの縮小拡大率および像反転特性によって決めることができる。00483.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造例えば、マスクテーブルMTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。0049上述の使用モードの組合せおよび/またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。0050図2は、放射源コレクタモジュールSO、照明システムILおよび投影システムPSを含む装置100をより詳細に示す。放射源コレクタモジュールSOは、真空環境が放射源コレクタモジュールSOの閉鎖構造220内で維持できるように構築および配置される。EUV放射放出プラズマ210は、放電生成プラズマ源によって形成されてよい。EUV放射は、ガスまたは蒸気、例えばXeガス、Li蒸気またはSn蒸気によって生成されてよい。このガスまたは蒸気では、電磁スペクトルのEUV範囲内の放射を放出するために非常に高温のプラズマ210が生成される。非常に高温のプラズマ210は、例えば放電によって生成され、これは少なくとも部分的にイオン化されたプラズマをもたらす。例えば、10PaのXe、Li、Sn蒸気あるいは任意の他の適したガスまたは蒸気の分圧は、放射の効率的な生成のために必要とされる場合がある。一実施形態では、EUV放射を生成するために励起されたスズSnのプラズマが提供される。0051高温のプラズマ210によって放出された放射は、放射源チャンバ211から、放射源チャンバ211における開口部内またはその後方に位置決めされた任意選択のガスバリアまたは汚染物質トラップ230場合によっては、汚染物質バリアまたはフォイルトラップとも呼ばれているを介してコレクタチャンバ212へと進む。汚染物資トラップ230は、チャネル構造を含んでもよい。汚染物質トラップ230は、ガスバリア、またはガスバリアとチャネル構造との組み合わせを含んでもよい。本明細書中にさらに述べる汚染物質トラップまたは汚染物質バリア230は、当該技術分野で公知であるように、少なくともチャネル構造を含む。0052コレクタチャンバ211は、いわゆるかすめ入射コレクタであり得る放射コレクタCOを含んでもよい。放射コレクタCOは、上流放射コレクタ側251および下流放射コレクタ側252を有する。コレクタCOを通り抜けた放射は、スペクトルフィルタ240から反射して仮想光源点IFで合焦することができる。仮想光源点IFを一般的に中間焦点と呼び、放射源コレクタモジュールは、中間焦点IFが閉鎖構造220内の開口部221にまたはその近くに配置されるように配置される。仮想光源点IFは、放射放出プラズマ210のイメージである。0053その後、放射は照明システムILを通り抜け、この照明システムILは、パターニングデバイスMAにて放射ビーム21の所望の角度分布ならびにパターニングデバイスMAにて放射強度の所望の均一性を提供するように配置されたファセット視野ミラーデバイス22およびファセット瞳ミラーデバイス24を含んでよい。サポート構造MTによって保持されるパターニングデバイスMAにて放射ビーム21が反射すると、パターン付けされたビーム26が形成され、このパターン付けされたビーム26は、投影システムPSによって反射要素28および30を介してウェーハステージまたは基板テーブルWTによって保持された基板W上に結像される。0054照明光学ユニットILおよび投影システムPS内には、通常、図示されたものよりも多くの要素が存在し得る。格子スペクトルフィルタ240は、リソグラフィ装置の種類によって任意的に存在してよい。さらに、図示されているものより多くのミラーがあってもよく、例えば、図2に示す投影システムPS内に存在する反射要素より1~6個多くの反射要素が存在してもよい。0055図2に示すように、集光系COは、単なるコレクタまたは集光ミラーの一例として、かすめ入射リフレクタ253、254および255を有する入れ子化されたコレクタとして示される。かすめ入射リフレクタ253、254および255は、光軸Oの周りで軸対称に配置され、このタイプの集光系COは、DPP源と呼ばれることが多い放電生成プラズマ源と組み合わせて使用される。0056あるいは、図3に示すように、放射源コレクタモジュールSOは、LPP放射システムの一部分であってもよい。レーザLAは、キセノンXe、スズSnまたはリチウムLiなどの燃料にレーザエネルギーを堆積させるように配置され、数十eVの電子温度を有する高イオン化されたプラズマ210を生成する。これらのイオンの逆励起および再結合中に生成されるエネルギー放射はプラズマから放出され、近法線入射集光系COによって集光されて閉鎖構造220内の開口部221上で合焦される。0057EUVリソグラフィ装置では、放射源モジュール、照明システムおよび投影システム、ならびに投影ビームが通り抜ける他のあらゆる部分には、通常、低圧例えば、20~30mbar水素環境が提供される。なぜなら、水素はEUV放射に対して低い吸収係数を有し、さらに、あらゆる炭素およびスズ堆積を装置の部分から洗浄するためにも役立つからである。しかしながら、ヘリウムなどの他のガスを代わりに用いることもでき、この場合、別の保護化合物が適切となり得る。0058図4は、本発明の実施形態によって扱われる放射源の問題を図示するレーザ生成プラズマの概略図である。そのような放射源では、小滴ジェネレータ40は、例えばスズSnなどの溶融燃料の小滴41を放出し、これは、例えば、直径約20~50μmであってよい。これらの小滴は、既知の軌道に沿って落ち、小滴ジェネレータの近くの放射源図示せずによって放出される水素ガス流によって運ばれかつ小滴キャッチャー図示せずの近くのアウトレットによって取り除かれる。小滴の経路に沿った所定の場所において、パルスCO2レーザビーム42は各小滴上に誘導される。レーザビームのパルスは、各スズ小滴からプラズマを生成するための十分なエネルギーを有するように配置される。プラズマはEUV放射を放出し、これは集光光学系COによって集光されて中間焦点IFに向かって誘導される。プラズマは、大量の小さい微粒子デブリ431つの小滴につき約107粒子も放出し、その一部は中間焦点に向かって進み、リソグラフィ装置の残部またはスキャナに入り得る。粒子は、例えば、放射源円錐229の壁または放射源モジュール内の別の表面によって偏向される間接経路によってもリソグラフィ装置の残部に入り得る。粒子43のサイズは、一般には、約100~200nmである。0059図5は、上記の問題を少なくとも部分的に緩和することを目的とする本発明の一実施形態の動作の原理を示す。リソグラフィ装置の放射源および照明システムの両方は、真空チャンバ内に含まれる。これらの真空チャンバを接続して放射源から照明モジュールへの放射ビームの経路を可能とするために、それぞれの真空チャンバには、狭小ネック310で交わる円錐形の突起が設けられる。これらは、それぞれ、放射源円錐229およびスキャナ円錐300と呼ぶことができるが、正確な円錐形である必要はない。集光光学系COによって形成される中間焦点は、放射源円錐とスキャナ円錐との接合部によって形成されるネックにまたはその近くに配置される。したがって、放射源円錐およびスキャナ円錐は、放射ビームを著しく遮断することなく真空チャンバの容積を都合よく最小にするあらゆる形状を有することができる。したがって、放射ビームの収束および発散部分の近くを囲う理想の円錐からのあらゆる偏差は、構造上または製造上の理由により生じ得る。0060本発明の一実施形態によると、1つ以上の開口部、例えば、ノズルまたはスリットは、中間焦点におけるまたはその近くの放射源円錐上の好都合な配置に設けられる。1つ以上の開口部は、放射源または集光光学系COに向かう高速のガス流330、すなわち、上向きビームまたは放射ビームの伝搬の方向と反対方向のビームを生成するように配置される。一実施形態では、ガスはH2であるが、例えば、重水素、三重水素またはヘリウムを用いてもよい。ガス流は、中間焦点IFに向かって移動するスズ粒子43を逆戻りさせる軌道aかまたは放射源円錐229の壁に偏向させる軌道bのに十分であり得る。0061図6は、本発明の実際的な実施形態の関連部分をより詳細に示す。そこから明らかに分かるように、放射源円錐229およびスキャナ円錐300は、放射ビームBの中間焦点に配置されたネック310で交わる。スリット320は、放射源モジュールに向かうガス流330を生成するためにスキャナ円錐229の壁に設けられる。ガスは、ガス供給350からスリット320に供給される。スリット320は、放射源円錐229の周りの完全な環状スリットまたは放射源円錐229の周りに配置された複数の離散的な開口部であってよい。そのような複数の開口部例えば、3つ~6つの各々は、スリットまたは円形ノズルであってよい。スリット320から出るガスの流速は、約3~約70slm1分あたりの標準状態リットルの範囲、望ましくは、約10~約15slm1分あたりの標準状態リットルの範囲であってよい。約3slmの流速は、約100Paの典型的な放射源圧力における1秒あたり120メートルまでの速度を有する平均直径200nmのスズ粒子を止めるのに十分であることが分かった。約10slmの速度は、同じ状況下で300m/sまでの速度を有する200nmの粒子を止める。流速を増加させることは、止められる粒子のサイズおよび速度を増加させる。しかしながら、約15slmの流速より上では、照明システムIL内へのガスの漏れは増加し、増加したガス流を対処するためにその真空システムを改善することが必要となる。0062一実施形態では、ノズル320は中間焦点に近い。一実施形態では、ノズル320と中間焦点が位置決めされたネック310との間の距離は、約5mm~約50mmの間の範囲、例えば、10mmである。一実施形態では、ノズル320の形状は、ガス流がガス内の音速と同等の速度を有する最も狭い部分322を有するような形状である。ノズルの最も狭い部分322の後で、ノズルは、スキャナ円錐229に入るガス流が超音速であるように広がる。別の実施形態では、ノズルの最も狭い部分は出口にある。その場合、ガス流は音速である。ガス流は放射源円錐内でできる限り高いことが望ましい。一実施形態では、ノズル開口部320とスキャナ円錐229との間の接合部321は、ガス流におけるあらゆる乱れまたは不安定性を防ぐように滑らかである。0063図7は、本発明のさらなる実施形態の関連部分を示し、このさらなる実施形態は、以下に述べること以外は上記の第1実施形態と同様である。この実施形態では、スキャナ円錐229の内面上に一連の空洞340が設けられる。軌道cで示すように、これらの空洞は、ガス流330によってスキャナ円錐229の壁へと偏向された粒子をトラップするのに効果的である。空洞は、そのような粒子がスキャナ円錐壁から跳ね返ることを防ぎ、かつ本発明の粒子偏向効果を高めるように作用する。空洞340は、スキャナ円錐壁の内面を整形することによって、あるいは、例えばプレートなどの複数の部材をそこに取り付けることによって形成されてもよい。0064図8は、以下に述べること以外は上記の第1実施形態と同様であり得る本発明のさらなる実施形態の関連部分を示す。この実施形態では、複数のプレート360が、スキャナ円錐229の中で投影ビームBが通り抜ける領域に設けられる。プレート360は、ビームBの伝搬の方向に対して実質的に平行に配置される。お互いに平行となるように図8に示しているが、実際にはそれらは中間焦点に直接向くように配置されてよい。言い換えると、プレート360は、それらが延在した場合に中間焦点で交差するように配置されてよい。プレート360は、中間焦点に向かう直線コースからの少量のガス流330によって偏向される粒子dがプレート360のうちの1つに衝突してそこに付着する。プレート360およびその支持構造は、投影ビームBの吸収を最小にするように配置されてよい。0065図9は、以下に述べること以外は上記の第1または第2実施形態と同様であり得る本発明のさらなる別の実施形態の関連部分を示す。この実施形態では、ヒータ370が、放射源円錐229の一部および/またはノズル320の下流にあるスキャナ円錐300の一部に設けられる。ヒータ370は、放射源円錐およびノズル320の下流にあるスキャナ円錐内に配置されたあらゆるガスを加熱するのに効果的である。この領域内のガスは、約300°Cから1000°Cまでの温度に加熱されてよい。一実施形態では、ガスは、約400°Cから800°Cまでの温度に加熱される。さらなる実施形態では、ガスは、約500°Cから700°Cまでの温度に加熱される。中間焦点の領域内のガスを加熱することによって、この領域内の流れ抵抗は強まる。したがって、これは、放射源およびコレクタに向かう所望の方向ではなく中間焦点へと戻るように流れる、ノズル320から放出されるガス量を減少させる。逆ガス流331を最小限にすることによって、粒子を偏向させるためのノズル320によって放出されるガスの有効性は高まる。0066図10は、以下に述べること以外は上記の第1、第2および第3実施形態と同様であり得る本発明のさらなる別の実施形態の関連部分を示す。この実施形態では、ネック310の下流にあるスキャナ円錐300にガスアウトレット380が設けられる。ガスアウトレット380は、スキャナ円錐に入るガス流331の少なくとも一部を取り除き、それによって、照明モジュール真空チャンバに含まれるガスの望ましくない増加を防ぐ。ガスアウトレット380は、真空ポンプ図示せずに接続されてよい。一実施形態では、ガスアウトレット380は、ネック310のできる限り近くに位置決めされ、それによって、ガス流331は比較的高圧であって、その結果より容易に取り除かれる。0067本発明らは、より高いガス流速、より高い圧力およびガス流を遮断する範囲の増大は、個別におよび合わせて、本発明の実施形態の粒子の阻止力の増加に寄与することを決定した。これは、図11および図12に示している。0068図11は、長さ40mmにわたる圧力100Paにおける500m/sのガス流速を有する本発明の一実施形態の阻止力を示している。y軸は、ガス流に入る粒子の初期速度VIをm/sで示し、x軸は粒子の直径dを示す。輪郭線は、ガス流領域の端の粒子速度を示す。したがって、直径200nmである120m/sまでの初期速度を有する粒子は止められることが分かる。0069図12は、長さ120mmにわたる圧力135Paにおける1000m/sのガス流速を有する一実施形態のための同等の図である。ここでは、315nmまでの初期速度を有する200nmの粒子は止められることが分かる。0070図13では、デブリを偏向させるために高いガス流を有するより大きな領域を提供するデブリ軽減デバイスを有する本発明の改善された実施形態を示している。この実施形態では、第2ノズル232が、放射源円錐229の側壁に設けられ、例えば、ノズル230と同じガス供給などのガス供給図示せずが接続される。第2ノズル323は、ノズル320のように、放射源円錐229の周りを完全に延在する単一の環状ノズル、あるいは、放射源円錐229の周りに間隔を空けて配置された複数の離散的なノズルまたはスリットであってよい。デバイスの使用中、ガスは、放射源プラズマによって放出されるデブリを遅延および/または偏向させるための十分な速度で放射生成要素または放射コレクタに向かって流れるように第2ノズル323から放出される。0071第2ノズル323は、ノズル320によって形成された偏向ゾーンZ1を囲う第2偏向ゾーンZ2を形成する。ノズル320および323によって形成されたガス流領域は、一部の場合、高速のガス流を有する単一の領域を形成するために結合することができる。一実施形態では、この高速のガス流を有する単一の領域は、個別に動作する各ノズルによって生成されるガス流領域の合計より大きくてもよい。高速のガス流を有する追加の領域を提供することによって、および/または高速のガス流を有する領域を延在することによって、より大きい初期速度を有する粒子が中間焦点IFに到達することを防止することができる。0072一実施形態では、ノズル323は、スキャナ円錐229の直径が第1ノズル320の位置におけるスキャナ円錐の直径より約2倍である位置に配置される。一実施形態では、第2ノズル323を通るガス流速は、第1ノズル320を通るガス流速の少なくとも約2倍である。一実施形態では、第3ノズル図示せずは、スキャナ円錐直径が再度2倍となりかつ使用中に第2ノズル323より少なくとも2倍のガス流を放出する位置に設けられる。0073図14は、さらに、デブリを偏向または遅延させるために高速のガス流を有するより大きい領域を提供するデブリ軽減デバイスを有する別の改善された実施形態を示している。この実施形態では、放射生成要素および/または放射コレクタと第1ノズル320との間の放射源円錐に第2ノズル324および第3ノズル325が設けられる。第2ノズル324および第3ノズル325は、放射源円錐を囲うまたはほぼ囲う単一の環状スリットであってよい。あるいは、第2ノズル324および第3ノズル325のいずれかまたは両方は、スキャナ円錐の周りに空間を空けて配置された複数の離散的なノズルまたはスリットとして組み込むことができる。0074第2ノズル324および第3ノズル325は、1つ以上のガス源例えば、ノズル320に接続されるガス源と同じものに接続され、それによって、使用中、高速のガス流を放射生成要素または放射コレクタに向かって放出する。高速のガス流は、中間焦点IFに向かって進むデブリ粒子を遅延または偏向させる。図14に示すように、第2ノズル324は、高速ガスを有する第2ゾーンZ2を生成し、第3ノズル325は、ノズル320によって形成される高速ガスゾーンZ1の偏向および遅延効果を補う高速ガスの第3ゾーンZ3を生成する。一実施形態では、高速ガスゾーンZ1、Z2およびZ3は、1つ以上のより大きい高速ガスゾーンを形成するために結合してよい。0075図14にさらに示すように、第2ノズル324および第3ノズル325は、放射源円錐226の側壁から内向きに突出する。第2ノズル324および第3ノズル325の側壁327は、図14の下方部分における粒子軌道eによって示されるように、粒子が中間焦点IFに向かってスキャナ円錐229の壁から跳ね返ることを防止することができるバッフルを形成する。さらに、再循環ゾーンZ4がノズル間に形成される。再循環ゾーンZ4では、ガスが循環する傾向がある。循環ガスは、ゾーンに入る粒子をさらに遅延させかつ捉えることができ、それによって、それらが中間焦点に到達してスキャナ円錐内に入ることを防止する。第2ノズル324および第3ノズル325は、点線328によって示す投影ビームの最も外側の境界までスキャナ円錐内に突出しないことに留意されたい。一実施形態では、連続するノズル320、324および325を通るガス流速は、それぞれのノズルの位置における放射源円錐の直径の二乗に対して比例的に増加する。0076一実施形態では、単一のガス速度プロファイルが、放射源円錐229の軸と垂直である平面例えば、点線329によって示されるにわたって展開される。0077図7~図10、図13および図14の実施形態のさらなる特徴は、当然のことながら、本発明の一実施形態における所望の性能を提供するために必要に応じて任意の所望の組み合わせで組み合わされてもよい。0078本明細書において、IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用されるウェーハまたはダイという用語はすべて、それぞれより一般的な基板またはターゲット部分という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール、メトロロジーツール、および/またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ICを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。0079光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せを加えることによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。0080レンズという用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか1つまたはこれらの組合せを指すことができる。0081発明の概要および要約書の項は、発明者が考える本発明の1つ以上の例示的実施形態を記載できるがそのすべては記載できないため、本発明および添付の特許請求の範囲を決して限定するものではない。0082特定の機能およびそれらの関係の実施態様を示す機能ビルディングブロックを使用して本発明の実施形態について説明した。本明細書においては、これらの機能ビルディングブロックの境界は、説明の便宜上、任意に画定されている。特定の機能およびそれらの関係が適切に実施される限り、代替境界を画定することも可能である。0083特定の実施形態についての上記説明は、本発明の一般的な性質を余すところなく開示しており、したがって当業者は、当分野における知識を適用することにより、不適切な過度の実験作業を必要とすることなく、また、本発明の一般概念から逸脱することなく、様々な用途のためにこのような特定の実施形態に容易に修正を加え、および/または適合させることができる。したがって、このような適合および修正は、開示されている実施形態の、本明細書において示されている教示および手引きに基づく同等物の意味および範囲内に含まれることが意図されている。本明細書における表現または用語は、説明を目的としたものであって本発明を限定するためのものではなく、したがって本明細書の用語または表現は、当業者によって、教示およびガイダンスに照らして解釈されるべきものであることを理解されたい。0084本発明の広さおよび範囲は、上述したいずれの例示的実施形態によっても限定されず、唯一添付の特許請求の範囲およびそれらの同等物によってのみ定義されるものとする。