処理液で基板の液処理を行う液処理槽と、前記液処理槽の上方に設けられ、前記基板の乾燥処理を行う乾燥処理槽と、前記液処理槽と乾燥処理槽との間に設けられ、前記液処理槽と乾燥処理槽とを遮蔽可能な遮蔽扉と、前記液処理槽と乾燥処理槽との間で前記基板の搬送を行う基板搬送手段と、前記遮蔽扉に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、を有することを特徴とする基板処理装置。前記洗浄液供給手段は、前記遮蔽扉の少なくとも上面に前記洗浄液を供給することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。前記遮蔽扉の上面を凹状に形成したことを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。前記遮蔽扉の凹状の上面に前記洗浄液を排出する排液口を形成したことを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。前記遮蔽扉の凹状の上面の最下端部に前記排液口を形成したことを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。前記排液口から前記洗浄液を吐出することを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の基板処理装置。前記洗浄液供給手段は、前記遮蔽扉の開放時に前記遮蔽扉を収容する遮蔽扉収容ケーシングの内部で洗浄液を遮蔽扉に供給することを特徴とする請求項1~請求項6のいずれかに記載の基板処理装置。前記洗浄液供給手段を制御する制御手段を有し、前記制御手段は、前記乾燥処理槽で前記基板を乾燥処理する前に前記洗浄液供給手段で前記遮蔽扉の洗浄を行うように制御することを特徴とする請求項1~請求項7のいずれかに記載の基板処理装置。前記制御手段は、前記液処理槽で前記基板を液処理している間に前記洗浄液供給手段で前記遮蔽扉の洗浄を行うように制御することを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。液処理槽で基板を液処理する液処理工程と、前記基板を前記液処理槽の上方に設けられた乾燥処理槽に搬送する基板搬送工程と、前記液処理槽と乾燥処理槽とを遮蔽扉で遮蔽する遮蔽工程と、前記乾燥処理槽で前記基板を乾燥処理する乾燥処理工程と、前記遮蔽扉を洗浄液で洗浄する遮蔽扉洗浄工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。前記遮蔽扉洗浄工程は、前記遮蔽扉の少なくとも上面に前記洗浄液を供給して前記遮蔽扉の洗浄を行うことを特徴とする請求項10に記載の基板処理方法。前記遮蔽扉洗浄工程は、前記乾燥処理槽で前記基板を乾燥処理する前に前記遮蔽扉の洗浄を行うことを特徴とする請求項10又は請求項11に記載の基板処理方法。前記遮蔽扉洗浄工程は、前記液処理槽で前記基板を液処理している間に前記遮蔽扉の洗浄を行うことを特徴とする請求項12に記載の基板処理方法。液処理槽に、基板を液処理させる液処理工程と、基板搬送手段に、前記基板を前記液処理槽から上方の乾燥処理槽に搬送させる基板搬送工程と、遮蔽扉に、前記液処理槽と乾燥処理槽とを遮蔽させる遮蔽工程と、前記乾燥処理槽に、前記基板を乾燥処理させる乾燥処理工程と、洗浄液供給手段に、洗浄液を前記遮蔽扉に供給して前記遮蔽扉を洗浄液で洗浄させる遮蔽扉洗浄工程と、を有する基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。ところが、上記従来の基板処理装置では、液処理槽で基板を液処理している間に、処理液の雰囲気によって遮蔽扉に処理液が付着するおそれがある。そして、上記従来の基板処理装置では、液処理槽で液処理を行った後に遮蔽扉で遮蔽した状態で乾燥処理槽で基板の乾燥処理を行うと、遮蔽扉に付着した処理液に起因して乾燥処理後の基板にパーティクルが付着して、良好に基板の処理を行えないおそれがある。そこで、本発明では、基板処理装置において、処理液で基板の液処理を行う液処理槽と、前記液処理槽の上方に設けられ、前記基板の乾燥処理を行う乾燥処理槽と、前記液処理槽と乾燥処理槽との間に設けられ、前記液処理槽と乾燥処理槽とを遮蔽可能な遮蔽扉と、前記液処理槽と乾燥処理槽との間で前記基板の搬送を行う基板搬送手段と、前記遮蔽扉に洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを有することにした。また、前記洗浄液供給手段は、前記遮蔽扉の少なくとも上面に前記洗浄液を供給することにした。また、前記遮蔽扉の上面を凹状に形成することにした。また、前記遮蔽扉の凹状の上面に前記洗浄液を排出する排液口を形成することにした。また、前記遮蔽扉の凹状の上面の最下端部に前記排液口を形成することにした。また、前記排液口から前記洗浄液を吐出することにした。また、前記洗浄液供給手段は、前記遮蔽扉の開放時に前記遮蔽扉を収容する遮蔽扉収容ケーシングの内部で洗浄液を遮蔽扉に供給することにした。また、前記洗浄液供給手段を制御する制御手段を有し、前記制御手段は、前記乾燥処理槽で前記基板を乾燥処理する前に前記洗浄液供給手段で前記遮蔽扉の洗浄を行うように制御することにした。また、前記制御手段は、前記液処理槽で前記基板を液処理している間に前記洗浄液供給手段で前記遮蔽扉の洗浄を行うように制御することにした。また、本発明では、基板処理方法において、液処理槽で基板を液処理する液処理工程と、前記基板を前記液処理槽の上方に設けられた乾燥処理槽に搬送する基板搬送工程と、前記液処理槽と乾燥処理槽とを遮蔽扉で遮蔽する遮蔽工程と、前記乾燥処理槽で前記基板を乾燥処理する乾燥処理工程と、前記遮蔽扉を洗浄液で洗浄する遮蔽扉洗浄工程とを有することにした。また、前記遮蔽扉洗浄工程は、前記遮蔽扉の少なくとも上面に前記洗浄液を供給して前記遮蔽扉の洗浄を行うことにした。また、前記遮蔽扉洗浄工程は、前記乾燥処理槽で前記基板を乾燥処理する前に前記遮蔽扉の洗浄を行うことにした。また、前記遮蔽扉洗浄工程は、前記液処理槽で前記基板を液処理している間に前記遮蔽扉の洗浄を行うことにした。また、本発明では、基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、液処理槽に、基板を液処理させる液処理工程と、基板搬送手段に、前記基板を前記液処理槽から上方の乾燥処理槽に搬送させる基板搬送工程と、遮蔽扉に、前記液処理槽と乾燥処理槽とを遮蔽させる遮蔽工程と、前記乾燥処理槽に、前記基板を乾燥処理させる乾燥処理工程と、洗浄液供給手段に、洗浄液を前記遮蔽扉に供給して前記遮蔽扉を洗浄液で洗浄させる遮蔽扉洗浄工程とを有することにした。本発明によれば、遮蔽扉の洗浄が行え、遮蔽扉に付着した処理液に起因するパーティクルの発生を防止することができ、基板の処理を良好に行うことができる。以下に、本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。図1に示すように、基板処理装置1は、液処理手段2の上方に乾燥処理手段3を設け、液処理手段2と乾燥処理手段3との間に遮蔽手段4を設けるとともに、液処理手段2及び乾燥処理手段3に基板搬送手段5を設けている。ここで、液処理手段2は、基板6の液処理を行う。乾燥処理手段3は、基板6の乾燥処理を行う。遮蔽手段4は、液処理手段2と乾燥処理手段3とを遮蔽する。基板搬送手段5は、基板6を液処理手段2に搬入し、液処理手段2と乾燥処理手段3との間で基板6を搬送し、乾燥処理手段3から基板6を搬出する。液処理手段2は、液処理槽7に処理液供給機構8と処理液排出機構9とを接続している。液処理槽7は、上端部を開口させた貯留槽10の上端外周部に上端部を開口させたオーバーフロー槽11を形成し、オーバーフロー槽11の上端外周部に上端部開口させたシール槽12を形成している。貯留槽10は、処理液を貯留するとともに、貯留した処理液に基板6を浸漬させて、基板6の液処理を行う。オーバーフロー槽11は、貯留槽10からオーバーフローした処理液を貯留する。なお、オーバーフロー槽11に貯留された処理液は、貯留槽10で循環利用したり外部へ排液される。シール槽12は、貯留した純水等で液処理槽7の内部と外部とを遮断する。処理液供給機構8は、貯留槽10の内側底部に左右一対の処理液吐出ノズル1313を配置し、処理液吐出ノズル1313に洗浄液供給源14とリンス液供給源15とをそれぞれ流量調整器1617を介して接続している。洗浄液供給源14は、基板6を洗浄処理するためのフッ酸等の洗浄液を供給する。リンス液供給源15は、基板6をリンス処理するための純水等のリンス液を供給する。流量調整器1617は、制御手段18に接続しており、制御手段18で開閉制御及び流量制御される。なお、制御手段18は、基板処理装置1の全体を制御する。この処理液供給機構8は、洗浄液供給源14又はリンス液供給源15から供給される洗浄液又はリンス液のいずれかの処理液を流量調整器1617で流量調整しながら処理液吐出ノズル1313から貯留槽10の内部に供給する。処理液排出機構9は、貯留槽10の内側底部中央に排出口19を形成し、排出口19に開閉弁20を介して外部のドレン21に接続している。開閉弁20は、制御手段18に接続しており、制御手段18で開閉制御される。この処理液排出機構9は、開閉弁20を開放することで貯留槽10の内部に貯留した処理液を排出口19から外部のドレン21に排出する。乾燥処理手段3は、乾燥処理槽22に乾燥流体供給機構23と蓋開閉機構24とを接続している。乾燥処理槽22は、上端部及び下端部を開口させた槽本体25の上端開口部に蓋体26を開閉可能に設けている。乾燥流体供給機構23は、乾燥処理槽22の槽本体25の上部に左右一対の乾燥流体吐出ノズル2727を配置し、乾燥流体吐出ノズル2727にIPA供給源28と不活性ガス供給源29とをそれぞれ流量調整器3031を介して接続している。流量調整器3031は、制御手段18に接続しており、制御手段18で開閉制御及び流量制御される。この乾燥流体供給機構23は、IPA供給源28から供給されるIPA蒸気や不活性ガス供給源29から供給される不活性ガスを流量調整器3031で流量調整することでイソプロピルアルコールIPA蒸気と不活性ガスの混合流体や加熱された不活性ガスなどからなる乾燥流体を生成し、その乾燥流体を乾燥流体吐出ノズル2727から乾燥処理槽22の内部に供給する。蓋開閉機構24は、乾燥処理槽22の蓋体26に接続されており、蓋体26を上下に昇降させることで蓋体26を開閉する。この蓋開閉機構24は、制御手段18に接続しており、制御手段18で開閉制御される。遮蔽手段4は、中空箱型状のケーシング32の内部に遮蔽扉33を移動開閉可能に収容し、遮蔽扉33に遮蔽扉開閉機構34と排液機構35とを接続するとともに、遮蔽扉33に洗浄液供給手段36を設けている。洗浄液供給手段36は、遮蔽扉33に洗浄液を供給して遮蔽扉33の洗浄を行う。ケーシング32は、液処理槽7と乾燥処理槽22との間に介在して液処理槽7の上端開口部と乾燥処理槽22の下端開口部とを連通させる連通ケーシング37と、遮蔽扉33の開放時に遮蔽扉33を収容する遮蔽扉収容ケーシング38とで構成している。このケーシング32は、下端面に矩形枠状のシール片39を形成している。このシール片39は、シール槽12に貯留した純水に浸漬される。遮蔽扉33は、矩形平板形状となっており、上面外周端縁部にシール部材40を取付けるとともに、上面の外周端縁部から中央部に向けて下方に傾斜させることで上面を凹状に上面凹状部41を形成している。この上面凹状部41は、遮蔽扉33の上面を凹状に形成していればよく、前後左右の4個の傾斜面で形成することもでき、また、下向きに凸状の1個の湾曲面で形成することもできる。遮蔽扉開閉機構34は、遮蔽扉33に接続されており、遮蔽扉33を左右及び上下に移動させることで遮蔽扉33を開閉する。この遮蔽扉開閉機構34は、制御手段18に接続しており、制御手段18で開閉制御される。この遮蔽扉開閉機構34は、遮蔽扉33の開放時には、遮蔽扉33を遮蔽扉収容ケーシング38の内部に移動させて、液処理槽7と乾燥処理槽22とが連通した状態にし、遮蔽扉33の閉塞時には、遮蔽扉33を遮蔽扉収容ケーシング38から連通ケーシング37に横方向に移動させるとともに、連通ケーシング37の内部で上方に移動させ、遮蔽扉33と連通ケーシング37とをシール部材40を介して密着させることで、液処理槽7と乾燥処理槽22とを遮蔽し、乾燥処理槽22を密閉した状態にする。排液機構35は、遮蔽扉33の上面凹状部41の最下端部に排液口42を形成するとともに、遮蔽扉33の内部に排液口42へと連通する連通路43を形成し、連通路43に外部のドレン44を連通流路45を介して接続している。なお、外部のドレン44は、処理液排出機構9に接続したドレン21と共通でもよい。この排液機構35は、基板6の乾燥処理を行う際に基板6から流下する液体を遮蔽扉33の上面凹状部41で収集し外部のドレン44に排出する。洗浄液供給手段36は、排液機構35などの他の機構とは別個独立した機構で構成することもできるが、ここでは、一部を排液機構35と兼用した構成としている。すなわち、洗浄液供給手段36は、連通流路45の中途部に遮蔽扉洗浄液供給源46を流量調整器47を介して接続するとともに、連通流路45と外部のドレン44との接続部に切換弁48を介設し、切換弁48に遮蔽扉洗浄液用のドレン49を接続している。遮蔽扉洗浄液供給源46は、遮蔽扉33を洗浄するためのIPAや常温又は高温の純水などの洗浄液を供給する。流量調整器47は、制御手段18に接続しており、制御手段18で開閉制御及び流量制御される。また、切換弁48は、制御手段18に接続しており、制御手段18で開閉制御及び流路切換制御される。この洗浄液供給手段36は、切換弁48を閉塞するとともに流量調整器47を所定流量で開放すると、遮蔽扉洗浄液供給源46から供給される洗浄液を連通流路45及び連通路43を介して排液口42から遮蔽扉33の上面凹状部41に供給し、遮蔽扉33の上面を洗浄液で洗浄する。また、洗浄液供給手段36は、流量調整器47を閉塞するとともに切換弁48でドレン49を開放することで、上面凹状部41を洗浄した洗浄液を排液口42から連通路43及び連通流路45を介してドレン49へと排出する。このように、上記洗浄液供給手段36では、一部が排液機構35と兼用しており、排液口42を洗浄液の供給口として機能させている。基板搬送手段5は、基板6を保持する保持体50に昇降アーム51を接続し、昇降アーム51に基板搬送機構52を接続している。保持体50は、複数枚の基板6を前後に間隔をあけて平行に下方から保持する。基板搬送機構52は、昇降アーム51を介して保持体50を昇降させることで基板6を上下に搬送する。この基板搬送機構52は、制御手段18に接続しており、制御手段18で搬送制御昇降制御される。基板処理装置1は、以上に説明したように構成しており、制御手段18コンピュータが読み取り可能な記憶媒体53に記憶した基板処理プログラムにしたがって基板6を処理する。なお、記憶媒体53は、基板処理プログラム等の各種プログラムを記憶できる媒体であればよく、ROMやRAMなどの半導体メモリー型の記憶媒体であってもハードディスクやCD-ROMなどのディスク型の記憶媒体であってもよい。まず、基板処理プログラムは、図2及び図3に示すように、基板搬入工程を実行する。この基板搬入工程において、基板処理装置1は、制御手段18によって蓋開閉機構24及び基板搬送機構52を制御して、乾燥処理槽22の内部に保持体50で保持した基板6を搬入する。次に、基板処理プログラムは、図2及び図4に示すように、液処理工程を実行する。この液処理工程において、基板処理装置1は、制御手段18によって基板搬送機構52を制御して、予め処理液を貯留した液処理槽7に基板6を搬送し、処理液に基板6を浸漬させる。これにより、基板6は、処理液で液処理される。この液処理工程において、遮蔽扉33は、遮蔽扉収容ケーシング38の内部に収容されている。しかし、処理液の蒸発や拡散などによって処理液が遮蔽扉33の表面に付着することがある。次に、基板処理プログラムは、図2及び図5に示すように、基板搬送工程を実行する。この基板搬送工程において、基板処理装置1は、制御手段18によって基板搬送機構52を制御して、液処理槽7から上方の乾燥処理槽22の内部へ基板6を搬送する。次に、基板処理プログラムは、図2及び図6に示すように、遮蔽工程を実行する。この遮蔽工程において、基板処理装置1は、制御手段18によって遮蔽扉開閉機構34を制御して、遮蔽扉33を遮蔽扉収容ケーシング38から連通ケーシング37に横方向に移動させるとともに、連通ケーシング37の内部で上方に移動させ、乾燥処理槽22を密閉した状態で液処理槽7と乾燥処理槽22とを遮蔽する。次に、基板処理プログラムは、図2及び図7、図8に示すように、遮蔽扉洗浄工程を実行する。この遮蔽扉洗浄工程において、基板処理装置1は、図7に示すように、制御手段18によって洗浄液供給手段36を制御して、切換弁48を閉塞するとともに流量調整器47を所定流量で開放する。これにより、遮蔽扉洗浄液供給源46から供給される洗浄液が連通流路45及び連通路43を介して排液口42から遮蔽扉33の上面上面凹状部41に供給される。なお、洗浄液は、遮蔽扉33の上面から溢れない流量を供給する。その後、基板処理装置1は、図8に示すように、制御手段18によって洗浄液供給手段36を制御して、流量調整器47を閉塞するとともに切換弁48でドレン49を開放する。これにより、上面凹状部41に供給された洗浄液が排液口42から連通路43及び連通流路45を介してドレン49へと排出される。基板処理装置1では、洗浄液の供給と排出とを1回或いは複数回繰り返して行うことで、遮蔽扉33の少なくとも上面を洗浄する。これにより、基板処理装置1では、液処理工程で遮蔽扉33に付着した処理液を除去することができるので、次に行う乾燥処理工程において、遮蔽扉33に付着した処理液に起因するパーティクルの発生を防止することができる。この遮蔽扉洗浄工程は、次の乾燥処理工程よりも前に実行すれば、基板6の乾燥処理時において、パーティクルの発生を防止することができる。そのため、遮蔽扉洗浄工程は、遮蔽工程よりも後に実行する場合に限られず、遮蔽工程よりも前に実行してもよく、液処理工程を実行している間や基板搬送工程を実行している間に同時に実行してもよい。このように、遮蔽扉洗浄工程を液処理工程等を実行している間に行った場合には、基板処理装置1での基板6の処理に要する全体の時間を短縮することができ、基板処理装置1のスループットを向上させることができる。次に、基板処理プログラムは、図2及び図9に示すように、乾燥処理工程を実行する。この乾燥処理工程において、基板処理装置1は、制御手段18によって乾燥流体供給機構23を制御して、流量調整器3031を所定流量で開放する。これにより、IPA供給源28や不活性ガス供給源29から供給される乾燥流体が乾燥流体吐出ノズル2727から乾燥処理槽22の内部に供給され、乾燥流体によって基板6が乾燥処理される。その際に、基板処理装置1は、制御手段18によって排液機構35洗浄液供給手段36を制御して、切換弁48でドレン44を開放しておく。これにより、基板6の乾燥処理を行う際に基板6から流下した液体が遮蔽扉33の上面凹状部41で収集され、連通路43及び連通流路45を介して外部のドレン44に排出される。なお、遮蔽扉洗浄工程において、洗浄液供給手段36から供給した洗浄液を排液口42から排出せずに、遮蔽扉33の上面凹状部41に貯留しておき、この乾燥処理工程において基板6から流下する処理液などの液体とともに洗浄液を排液口42から排出してもよい。このように、遮蔽扉33に処理液が付着する前に予め遮蔽扉33の上面凹状部41に洗浄液を貯留しておくことで、基板6から流下した処理液が遮蔽扉33の上面に直接付着するのを防止でき、処理液の排出とともに遮蔽扉33の洗浄を行うことができる。次に、基板処理プログラムは、図2に示すように、基板搬出工程を実行する。この基板搬出工程において、基板処理装置1は、制御手段18によって蓋開閉機構24及び基板搬送機構52を制御して、保持体50で保持した基板6を乾燥処理槽22の内部から搬出する。以上に説明したように、基板処理装置1では、基板処理プログラムに従って、基板6の処理を行うとともに、基板6の乾燥処理前に遮蔽扉33の洗浄を行う。このように、上記基板処理装置1では、洗浄液供給手段36を有し、洗浄液供給手段36を用いて遮蔽扉33の洗浄を行うことで、液処理工程で遮蔽扉33に付着した処理液を除去することができるので、基板6の乾燥処理工程において、遮蔽扉33に付着した処理液に起因するパーティクルの発生を防止して、基板6の処理を良好に行うことができる。特に、遮蔽扉33に付着した処理液に起因するパーティクルの発生は、遮蔽扉33の上面に付着した処理液が原因となる。そのため、遮蔽扉33の少なくとも上面に洗浄液を供給して洗浄を行うことで、処理液の付着に起因するパーティクルの発生をより効果的に防止することができる。そして、遮蔽扉33の上面に洗浄液を供給する場合には、遮蔽扉33の上面を凹状に形成することで、供給した洗浄液が遮蔽扉33から不意に溢れだすのを防止することができる。また、遮蔽扉33の凹状の上面に洗浄液を排出する排液口42を形成することで、供給した洗浄液を遮蔽扉33から円滑に排出することができる。さらに、排液口42を遮蔽扉33の凹状の上面の最下端部に形成することで、供給した洗浄液を残留させることなく遮蔽扉33から排出することができ、基板6の乾燥処理時に残留した洗浄液に起因するパーティクルの発生を防止することができる。なお、洗浄液の排液口42が乾燥処理開始直後に基板6から流下する水分の排液口と兼用となっているために、遮蔽扉33の上面に洗浄液が残留してしまったとしても、基板6の乾燥処理の開始直後に基板6から流下した水分によって残留した洗浄液を排出することができる。また、洗浄液供給手段36は、遮蔽扉33に洗浄液を供給できればよい。そのため、図1に示した上記基板処理装置1のように、洗浄液の供給部としての排液口42を遮蔽扉33に設けてもよく、また、図10に示すように、洗浄液の供給部としてのノズル54を遮蔽扉収容ケーシング38の外部乾燥処理槽22の内部に設けてもよく、さらには、図11に示すように、洗浄液の供給部としてのノズル55を遮蔽扉収容ケーシング38の内部に設けてもよい。洗浄液の供給部を遮蔽扉33に設けた場合図1参照。や遮蔽扉収容ケーシング38の内部に設けた場合図11参照。には、遮蔽扉収容ケーシング38の内部で遮蔽扉33に洗浄液を供給することができ、供給した洗浄液が液処理槽7へと流下するのを防止することもできる。