"半導体基板11の一面側に、光を電気信号に変換する受光素子20が複数形成され、前記半導体基板11における前記受光素子20の形成面11a上に、透光膜30を介して遮光膜40が形成され、前記遮光膜40に、前記受光素子20それぞれに対応した透光用の開口部41が形成された光センサであって、少なくとも3つの前記受光素子20の中心と、各受光素子20に対応する前記開口部41の中心とを結ぶ仮想直線それぞれの仰角及び左右角の少なくとも一方が異なるように、前記受光素子20が前記半導体基板11に形成され、前記開口部41が前記遮光膜40に形成されており、前記受光素子20の受光面積が、対応する前記開口部41の開口面積と略同一であることを特徴とする光センサ。複数の前記受光素子20が、前記半導体基板11の一面側にマトリックス状に形成され、複数の前記開口部41が、前記マトリックスの中心点Pから放射状に延びる仮想直線に沿って、対応する受光素子20から離れるように、前記遮光膜40に形成されており、前記開口部41と、該開口部41に対応する受光素子20との離間距離は、前記中心点Pと前記受光素子20との距離に比例することを特徴とする請求項1に記載の光センサ。各受光素子20の出力信号に基づいて、前記半導体基板11に入射する光の仰角と左右角とを算出する算出部50を有し、前記受光素子20によって構成されるマトリックスは、一方が行番号の増減する方向に沿い、他方が列番号の増減する方向に沿い、前記中心点Pにて交差する十字線によって、4つの受光素子群21~24に分割され、4つの前記受光素子群21~24は、行番号と列番号とが小さい第1受光素子群21、行番号が大きく列番号が小さい第2受光素子群22、行番号が小さく列番号が大きい第3受光素子群23、及び、行番号と列番号とが大きい第4受光素子群24であり、前記算出部50は、4つの前記受光素子群21~24それぞれの出力信号を比較することで、光の入射方向を概算することを特徴とする請求項2に記載の光センサ。前記算出部50は、前記第1受光素子群21と前記第2受光素子群22の出力信号、若しくは、前記第3受光素子群23と前記第4受光素子群24の出力信号に基づいて、光の左右角を算出し、前記第1受光素子群21と前記第3受光素子群23の出力信号、若しくは、前記第2受光素子群22と前記第4受光素子群24の出力信号に基づいて、光の仰角を算出することを特徴とする請求項3に記載の光センサ。前記遮光膜40は、前記透光膜30に多層に形成され、各層の遮光膜40に形成された開口部41によって、光の仰角が規定されていることを特徴とする請求項1~4いずれか1項に記載の光センサ。上記したように、特許文献1に示される光センサでは、複数の受光素子に1つの通光孔が対応し、受光面積よりも開口面積が大きくなっている。このため、各受光素子の受光面に入射する光の角度範囲指向性が広くなり、各受光素子の指向特性に差異が生じ難かった。したがって、複数の受光素子それぞれの出力信号に基づいて、光の入射角度を検出しようとする場合、入射角度の検出精度に問題が生じる虞がある。そこで、本発明は上記問題点に鑑み、指向性を狭くすることで、光の入射角度の検出精度を向上することが可能な光センサを提供することを目的とする。上記した目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、半導体基板11の一面側に、光を電気信号に変換する受光素子20が複数形成され、半導体基板11における受光素子20の形成面11a上に、透光膜30を介して遮光膜40が形成され、遮光膜40に、受光素子20それぞれに対応した透光用の開口部41が形成された光センサであって、少なくとも3つの受光素子20の中心と、各受光素子20に対応する開口部41の中心とを結ぶ仮想直線それぞれの仰角及び左右角の少なくとも一方が異なるように、受光素子20が半導体基板11に形成され、開口部41が遮光膜40に形成されており、受光素子20の受光面積が、対応する開口部41の開口面積と略同一であることを特徴とする。本発明によれば、光の強度と角度とを含む、それぞれの値が異なる出力信号を、少なくとも3つ得ることができるので、光の入射角度を検出することが可能となっている。また、本発明では、受光素子20の受光面積が、対応する開口部41の開口面積と略同一となっている。これにより、複数の受光素子に1つの開口部が対応し、受光面積よりも開口面積が大きい構成と比べて、各受光素子21の受光面に入射する光の角度範囲指向性が狭くなる。この結果、各受光素子21の指向特性が向上されるので、各受光素子21の出力信号に基づいて光の入射角度を検出する場合、光の入射角度の検出精度が向上される。なお、上記した仰角とは、受光素子20の受光面に平行な直線と光の進行方向とが成す角度であり、左右角とは、半導体基板11における基準点P周りの角度である。なお、請求項1では、略同一と記載した。この略との記載は、受光素子20の受光面積と、開口部41の開口面積とを全く同一となるように製造しようと試みた際に、製造誤差のために、必ずしも全く同一のものを作成することはできないので、製造誤差が含まれることを明瞭とするためである。したがって、請求項1に記載の略同一とは、同一を包含し、その包含範囲が製造誤差範囲程度であることを示している。受光素子20と開口部41の配置としては、請求項2に記載のように、複数の受光素子20が、半導体基板11の一面側にマトリックス状に形成され、複数の開口部41が、マトリックスの中心点Pから放射状に延びる仮想直線に沿って、対応する受光素子20から離れるように、遮光膜40に形成されており、開口部41と、該開口部41に対応する受光素子20との離間距離は、中心点Pと受光素子20との距離に比例する構成を採用することができる。請求項3に記載のように、各受光素子20の出力信号に基づいて、半導体基板11に入射する光の仰角と左右角とを算出する算出部50を有し、受光素子20によって構成されるマトリックスは、一方が行番号の増減する方向に沿い、他方が列番号の増減する方向に沿い、中心点Pにて交差する十字線によって、4つの受光素子群21~24に分割され、4つの受光素子群21~24は、行番号と列番号とが小さい第1受光素子群21、行番号が大きく列番号が小さい第2受光素子群22、行番号が小さく列番号が大きい第3受光素子群23、及び、行番号と列番号とが大きい第4受光素子群24であり、算出部50は、4つの受光素子群21~24それぞれの出力信号を比較することで、光の入射方向を概算する構成が良い。これによれば、第1受光素子群21の出力信号が最大となる場合、光は、第1受光素子群21から中心点Pに向うように入射していることがわかり、第2受光素子群22の出力信号が最大となる場合、光は、第2受光素子群22から中心点Pに向うように入射していることがわかる。また、第3受光素子群23の出力信号が最大となる場合、光は、第3受光素子群23から中心点Pに向うように入射していることがわかり、第4受光素子群24の出力信号が最大となる場合、光は、第4受光素子群24から中心点Pに向うように入射していることがわかる。このように、4つの受光素子群21~24それぞれの出力信号を比較することで、光の入射方向を概算することができる。請求項4に記載のように、算出部50は、第1受光素子群21と第2受光素子群22の出力信号、若しくは、第3受光素子群23と第4受光素子群24の出力信号に基づいて、光の左右角を算出し、第1受光素子群21と第3受光素子群23の出力信号、若しくは、第2受光素子群22と第4受光素子群24の出力信号に基づいて、光の仰角を算出する構成が良い。請求項5に記載のように、遮光膜40は、透光膜30に多層に形成され、各層の遮光膜40に形成された開口部41によって、光の仰角が規定された構成が好ましい。これによれば、ある開口部41から入射した光が、その開口部41と対応する受光素子20以外の受光素子20に入射することが抑制される。これにより、各受光素子20の出力信号に、外乱出力が含まれることが抑制される。以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。第1実施形態図1は、第1実施形態に係る光センサの概略構成を示すブロック図である。図2は、センサ部の概略構成を示す平面図である。図3は、センサ部の断面図である。図4は、算出部を説明するための概略的な回路図である。なお、図2では、受光素子20の形成位置を明瞭とするために、受光素子20を実線で示し、開口部41を破線で示している。また、煩雑と成ることを避けるために、一部の受光素子20と開口部41を省略している。更に、図3では、受光素子20の中心と、各受光素子20に対応する開口部41の中心とを結ぶ仮想直線を破線で示している。ちなみに、下記に示す仰角とは、受光素子20の受光面に平行な直線と光の進行方向図3の仮想直線とが成す角度であり、左右角とは、半導体基板11の基準点図2に示す中心点P周りの角度である。図1に示すように、光センサ100は、要部として、センサ部10と算出部50を有する。図2~図4に示すように、センサ部10は、半導体基板11と、受光素子20と、透光膜30と、遮光膜40とを有し、算出部50は、増幅部51と演算部52とを有する。半導体基板11の一面側に受光素子20が形成され、その受光素子20の形成面11a上に透光膜30が形成され、その透光膜30に遮光膜40が形成されている。そして、遮光膜40には、透光用の開口部41が形成されており、この開口部41を介して、光が受光素子20に入射するようになっている。受光素子20と算出部50とは電気的に接続されており、受光素子20の出力信号は、算出部50によって処理される。半導体基板11は、矩形状を成し、上記した受光素子20や、算出部50を構成する電子素子図示略が形成されている。これら電子素子は、半導体基板11に形成された配線パターン図示略を介して電気的に接続されている。受光素子20は、光を電気信号に変換するものである。本実施形態に係る受光素子20は、PN接合を有するフォトダイオードである。図1~図3に示すように、複数の受光素子20がマトリックス状に配置され、81個の受光素子20によって、9行9列のマトリックスが構成されている。9行9列のマトリックスは、一方が行番号の増減する方向以下、行方向と示すに沿い、他方が列番号の増減する方向以下、列方向と示すに沿い、マトリックスの中心点Pにて交差する十字線図2に一点鎖線で示す線によって、4つの受光素子群21~24に分割されている。第1受光素子群21を構成する受光素子20の行番号と列番号は共に小さく、第2受光素子群22を構成する受光素子20の行番号は大きく列番号は小さくなっている。また、第3受光素子群23を構成する受光素子20の行番号は小さく列番号は大きく、第4受光素子群24を構成する受光素子20の行番号と列番号は共に大きくなっている。そして、受光素子群21,22は行番号が5以下である第5列目の受光素子20を共有し、受光素子群23,24は行番号が5以上である第5列目の受光素子20を共有している。また、受光素子群21,23は列番号が5以下である第5行目の受光素子20を共有し、受光素子群22,24は列番号が5以上である第5行目の受光素子20を共有している。図2では、煩雑と成ることを避けるために、第3受光素子群23と、第3受光素子群23を構成する受光素子20に対応する開口部41のみを正確に記述している。透光膜30は、光透過性と絶縁性とを有する材料から成る。このような性質を有する材料としては、例えばシリコン酸化膜がある。図3に示すように、一層の透光膜30が、形成面11a上に形成されている。遮光膜40は、遮光性と導電性を有する材料から成る。このような性質を有する材料としては、例えばアルミニウムがある。図3に示すように、遮光膜40は、透光膜30の上に形成されており、一層の遮光膜40が、透光膜30を介して形成面11a上に形成されている。遮光膜40には、81個の受光素子20それぞれに対応した、81個の開口部41が形成されており、開口部41の開口面積は、受光素子20の受光面積と略同一となっている。図2に示すように、本実施形態では、81個の開口部41が、中心点Pから放射状に延びる仮想直線図示略に沿って、対応する受光素子20から離れるように、遮光膜40に形成されており、開口部41と、該開口部41に対応する受光素子20との離間距離は、中心点Pと受光素子20との距離に比例している。なお、図示しないが、遮光膜40は、半導体基板11に形成された配線パターンと電気的に接続しており、各電子素子を電気的に接続する配線としての機能も果たすようになっている。算出部50は、各受光素子20の出力信号に基づいて、半導体基板11に入射する光の仰角と左右角とを算出するものである。図4に示すように、算出部50は、各受光素子20の出力信号を増幅する4つの増幅部51と、該増幅部51の出力信号を演算することで、光センサ100に入射する光の入射量、仰角、及び左右角を算出する演算部52と、を有する。第1の増幅部51aは、第1受光素子群21を構成する受光素子20の各出力信号を加算しつつ増幅し、第2の増幅部51bは、第2受光素子群22を構成する受光素子20の各出力信号を加算しつつ増幅する。また、第3の増幅部51cは、第3受光素子群23を構成する受光素子20の各出力信号を加算しつつ増幅し、第4の増幅部51dは、第4受光素子群24を構成する受光素子20の各出力信号を加算しつつ増幅する。演算部52は、増幅部51a~51dそれぞれの出力信号が入力されると、加算して光の入射量を演算すると共に、4つの出力信号を比較することで、光の入射方向を概算する。例えば、第1受光素子群21の出力信号が最大となる場合、光は、第1受光素子群21から中心点Pに向うように入射していることがわかり、第2受光素子群22の出力信号が最大となる場合、光は、第2受光素子群22から中心点Pに向うように入射していることがわかる。また、第3受光素子群23の出力信号が最大となる場合、光は、第3受光素子群23から中心点Pに向うように入射していることがわかり、第4受光素子群24の出力信号が最大となる場合、光は、第4受光素子群24から中心点Pに向うように入射していることがわかる。このように、演算部52は、4つの出力信号受光素子群21~24それぞれの出力信号を比較することで、光の入射方向を概算する。また、行方向に沿う光が受光素子群21,23に入射する量と受光素子群22,24に入射する量とは異なり、列方向に沿う光が受光素子群21,22に入射する量と受光素子群23,24に入射する量とは異なるので、演算部52は、受光素子群21,22の出力信号、若しくは、受光素子群23,24の出力信号に基づいて光の左右角を算出し、受光素子群21,23の出力信号、若しくは、受光素子群22,24の出力信号に基づいて光の仰角を算出する。次に、本実施形態に係る光センサ100の作用効果を説明する。上記したように、受光素子20の受光面積が、対応する開口部41の開口面積と略同一となっている。したがって、複数の受光素子に1つの開口部が対応し、受光面積よりも開口面積が大きい構成と比べて、各受光素子20の受光面に入射する光の角度範囲指向性が狭くなる。この結果、各受光素子20の指向特性が向上され、光の入射角度の検出精度が向上される。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。本実施形態では、4つの受光素子群21~24が構成される例を示した。しかしながら、群の数としては3つ以上であれば良い。本実施形態では、81個の受光素子20が半導体基板11に形成された例を示した。しかしながら、受光素子20の数としては、3つ以上であればよく、上記例に限定されない。本実施形態では、透光膜30が1層であり、遮光膜40が1層である例を示した。しかしながら、透光膜30及び遮光膜40それぞれの層数は上記例に限定されず、例えば、透光膜30が2層であり、遮光膜40が2層である構成を採用することもできる。このように、透光膜30に遮光膜40が多層に形成されると、一層の遮光膜40に開口部41が形成された構成と比べて、半導体基板11に入射する光の範囲を狭めることができる。これにより、ある開口部41から入射した光が、その開口部41と対応する受光素子20以外の受光素子20に入射することが抑制され、各受光素子20の出力信号に、外乱出力が含まれることが抑制される。本実施形態では、遮光膜40が、遮光性と導電性を有する材料から成る例を示した。しかしながら、遮光膜40によって、半導体基板11に形成された各電子素子を電気的に接続しなくとも良い場合、遮光膜40を、光を吸収する性質を有する材料によって形成しても良い。"