実装基板と、前記実装基板上に配置された信号配線電極と、前記実装基板上若しくは前記実装基板を貫通して配置されたパワー配線電極と、前記信号配線電極と電気的に接合可能なゲートパッド電極と、前記パワー配線電極と電気的に接合可能なソースパッド電極とを有する半導体デバイスと、前記信号配線電極と前記ゲートパッド電極との間に配置された第1金属粒子接合層と、前記パワー配線電極と前記ソースパッド電極との間に配置された第2金属粒子接合層とを備え、前記半導体デバイスが前記実装基板上にフリップチップ接続されたことを特徴とする半導体装置。前記第1金属粒子接合層および前記第2金属粒子接合層は、導電性粒子を含むペースト層を焼成して形成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記導電性粒子は、金属微粒子であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記金属微粒子は、銀ナノ粒子、金ナノ粒子またはニッケルナノ粒子のいずれかであることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。実装基板上に信号配線電極を形成する工程と、前記実装基板上に若しくは前記実装基板を貫通してパワー配線電極を形成する工程と、前記信号配線電極と電気的に接合可能なゲートパッド電極と、前記パワー配線電極と電気的に接合可能なソースパッド電極とを有する半導体デバイスを形成する工程と、前記信号配線電極もしくは前記ゲートパッド電極の一方若しくは両方に第1金属粒子接合層を形成する工程と、前記パワー配線電極もしくは前記ソースパッド電極の一方若しくは両方に第2金属粒子接合層を形成する工程と、前記半導体デバイスを前記実装基板上にフリップチップ接続する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記第1金属粒子接合層を形成する工程は、導電性粒子を含む第1ペースト層を前記信号配線電極もしくは前記ゲートパッド電極の一方若しくは両方に塗布する工程を有し、前記第2金属粒子接合層を形成する工程は、導電性粒子を含む第2ペースト層を前記パワー配線電極もしくは前記ソースパッド電極の一方若しくは両方に塗布する工程を有することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。前記半導体デバイスを前記実装基板上にフリップチップ接続する工程は、前記第1ペースト層を介して前記信号配線電極と前記ゲートパッド電極とを当接させ、当該当接状態において前記第1ペースト層を所定温度で焼成し、前記信号配線電極と前記ゲートパッド電極とを接合する工程と、前記第2ペースト層を介して前記パワー配線電極と前記ソースパッド電極とを当接させ、当該当接状態において前記第2ペースト層を所定温度で焼成し、前記パワー配線電極と前記ソースパッド電極とを接合する工程とを有することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。前記第1ペースト層を前記信号配線電極もしくは前記ゲートパッド電極の一方若しくは両方に塗布する工程は、前記信号配線電極もしくは前記ゲートパッド電極の一方若しくは両方に、当該各電極位置に合わせた開口部を有するマスクを位置合わせして重ね合わせる工程と、当該マスクの上に前記第1ペースト層を堆積する工程と、スキージによって前記第1ペースト層を前記開口部に充填する工程と、前記マスクを取り除く工程と、を有することを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。前記第2ペースト層を前記パワー配線電極もしくは前記ソースパッド電極の一方若しくは両方に塗布する工程は、前記パワー配線電極もしくは前記ソースパッド電極の一方若しくは両方に、当該各電極位置に合わせた開口部を有するマスクを位置合わせして重ね合わせる工程と、当該マスクの上に前記第2ペースト層を堆積する工程と、スキージによって前記第2ペースト層を前記開口部に充填する工程と、前記マスクを取り除く工程とを有することを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。前記ペースト層の焼成を行う前に、前記実装基板と前記半導体デバイスとを対向する方向に押圧して、前記ペースト層に所定の圧力を加える工程をさらに有することを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。前記所定の圧力は、2~30MPaであることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。前記ペースト層は、前記導電性粒子として銀ナノ粒子、金ナノ粒子またはニッケルナノ粒子のいずれかを所定の溶媒に分散させた金属ナノ粒子ペースト層であることを特徴とする請求項6~11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記導電性粒子に適用される銀ナノ粒子の濃度は、80~95質量であることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の製造方法。前記導電性粒子に適用される銀ナノ粒子の粒径は、10~100nmであることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の製造方法。前記ペースト層の焼成温度は、200~400°Cであることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の製造方法。SiCデバイスでは、理論的に、300°C以上もの高温動作が可能であり、従来のはんだ材では接合部が溶融し、電極間のショート、接合部の剥離などを生じ信頼性を損なうものとなっていた。また、SiCデバイスはIGBTに比べて低抵抗なため電力密度を高くできる。そのため、パワーデバイスに一般的に用いられているアルミもしくは銅ワイヤによるワイヤボンディング配線では電流集中により信頼性の確保が困難になるという問題があった。本発明の目的は、低コストで高い耐熱性ワイヤレス接合を有する半導体装置およびその製造方法を提供することにある。上記目的を達成するための本発明の一態様によれば、実装基板と、前記実装基板上に配置された信号配線電極と、前記実装基板上に若しくは前記実装基板を貫通して配置されたパワー配線電極と、前記信号配線電極と電気的に接合可能なゲートパッド電極および前記パワー配線電極と電気的に接合可能なソースパッド電極を有する半導体デバイスと、前記信号配線電極と前記ゲートパッド電極との間に配置された第1金属粒子接合層と、前記パワー配線電極と前記ソースパッド電極との間に配置された第2金属粒子接合層とを備え、前記半導体デバイスが前記実装基板上にフリップチップ接続された半導体装置が提供される。本発明の他の態様によれば、実装基板上に信号配線電極を形成する工程と、前記実装基板上に若しくは前記実装基板を貫通してパワー配線電極を形成する工程と、前記信号配線電極と電気的に接合可能なゲートパッド電極と、前記パワー配線電極と電気的に接合可能なソースパッド電極とを有する半導体デバイスを形成する工程と、前記信号配線電極もしくは前記ゲートパッド電極の一方に第1金属粒子接合層を形成する工程と、前記パワー配線電極もしくは前記ソースパッド電極の一方に第2金属粒子接合層を形成する工程と、前記半導体デバイスを前記実装基板上にフリップチップ接続する工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。本発明によれば、低コストで高い耐熱性ワイヤレス接合を有する半導体装置およびその製造方法を提供することができる。次に、図面を参照して、実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。又、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施の形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の実施の形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。第1の実施の形態半導体装置の構成第1の実施の形態に係る半導体装置1の模式的平面パターン構成は、図1に示すように表され、図1のI-I線に沿う模式的断面構造は、図2に示すように表される。図1は、図2において、実装基板8上に配置された半導体デバイス16のドレイン電極36側から見た平面パターン構成に対応している。第1の実施の形態に係る半導体装置1は、図1および図2に示すように、実装基板8と、実装基板8上に配置された信号配線電極12と、実装基板8上に配置されたパワー配線電極13と、信号配線電極12と電気的に接合可能なゲートパッド電極GPおよびパワー配線電極13と電気的に接合可能なソースパッド電極SPを有する半導体デバイス16と、信号配線電極12とゲートパッド電極GPとの間に配置された第1金属粒子接合層18Gと、パワー配線電極13とソースパッド電極SPとの間に配置された第2金属粒子接合層18Sとを備える。ここで、半導体デバイス16は、実装基板8上にフリップチップ接続されている。すなわち、半導体デバイス16は、ゲートパッド電極GPおよびソースパッド電極SPが実装基板8の表面に対してフェースダウンFaceDownに接続され、ドレイン電極36は、ゲートパッド電極GPおよびソースパッド電極SPが配置される半導体基板26の面に対向する面実装基板8とは反対側の面に配置される。ここで、第1金属粒子接合層18Gおよび第2金属粒子接合層18Sは、導電性粒子を含むペースト材料を焼成して形成される。ペースト材料の焼成温度は、例えば、約200~400°Cである。導電性粒子は、金属微粒子であり、例えば、銀粒子、金粒子またはニッケルや銅粒子などである。例えば、金属微粒子として銀粒子を適用する場合、銀粒子の濃度は、例えば、約80質量~約95質量である。また、銀ナノ粒子の場合の平均粒径は、約10nm~約100nm程度である。尚、図示は省略されているが、パワー配線電極13上の第2金属粒子接合層18Sと接する界面には、銀メッキ層を形成して、パワー配線電極13と第2金属粒子接合層18Sとの密着性をさらに確保しても良い。図2において、半導体基板26の上方にはドレイン電極36が配置されている。また、ドレイン電極36と対向する半導体基板26の表面には、ゲートパッド電極GP、ソースパッド電極SPがそれぞれ配置されている。なお、特には限定されないが、ドレイン電極36、ゲートパッド電極GPおよびソースパッド電極SPは、ポリシリコン、Al、Ni等で構成される。第1の実施の形態においては、実装基板8は、絶縁体基材から成る板状のプリント基板であり、実装基板8上の所定位置にパワー配線電極13が配置されている。図2に示すように、半導体デバイス16のソースパッド電極SPと対向する位置にパワー配線電極13が配置されている。パワー配線電極13は、厚銅箔で形成される。パワー配線電極13により、低抵抗で放熱性にも優れる厚銅箔を介して、例えば、約数百アンペア程度の大電流も通電可能である。また、半導体デバイス16のゲートパッド電極GPと対向する実装基板8の表面には、信号配線電極12が配置されている。ここで、信号配線電極12は、例えば、銅の薄膜で形成されていても良い。この銅の薄膜の厚さは、例えば、約30~70μmである。銀ナノペーストおよびその焼結体銀ナノペーストは、例えば、粒径約30nm~約100nmの銀ナノ粒子を所定の溶媒に拡散させたものである。溶媒としては、例えばテルピネオール等の極性溶媒、テトラデカン等の炭化水素系溶媒、水系溶媒、ケトン系溶媒等が適用される。銀ナノ粒子は、核としての銀の微粒子の表面を、有機化合物等で構成されるシェル有機殻で覆った構成となっている。これにより、溶媒における分散性を向上させると共に、銀の微粒子の酸化を防ぐことができる。また、焼成処理を行う前工程において、銀ナノペーストから成るペースト層を加圧して、シェルを破砕することにより、銀の微粒子の密度を高めることができ、焼結体としての金属粒子接合層の緻密性を向上させることができる。具体的な加圧の仕方については、図13を参照して後述する。また、第1の実施の形態では、例えば、銀ナノ粒子の濃度が約80質量~約95質量の比較的高濃度の銀ナノペーストを用いても良い。焼成によって析出される金属銀を緻密にして良好な導電性および接合性を確保するためである。また、第1の実施の形態では、銀ナノペーストから成るペースト層の焼成温度は、例えば、約200~400°C程度である。この焼成処理により、高融点の金属銀融点約960°Cが析出して、金属粒子接合層18S、18Gを形成する。この結果、金属粒子接合層18Sを介して、ソースパッド電極SPとパワー配線電極13との間が強固に接合され、金属粒子接合層18Gを介して、ゲートパッド電極GPと信号配線電極12との間が強固に接合される。しかも、この金属粒子接合層18S、18Gは、金属銀Agと同等の特性を発揮することから、電気的に低抵抗100°Cで、約2.08×10-8[Ωm]で、優れた熱伝導率300Kで、約429W/mKを有し、上記のように融点約960°Cという高い耐熱性を備えている。したがって、SiCデバイスを例えば約400°C近くの高温で駆動した場合であっても、接合部が溶融することが無く、デバイス特性の信頼性、実装時の信頼性を向上することができる。半導体装置の製造方法第1の実施の形態に係る半導体装置1の製造方法の一工程であって、半導体デバイス16のフリップチップ接合前の状態を示す模式的断面構造は、図3aに示すように表され、図3aに対応する実装基板8の模式的断面構造は、図3bに示すように表される。また、第1の実施の形態の変形例1に係る半導体装置1の製造方法の一工程であって、半導体デバイス16のフリップチップ接合前の状態を示す模式的断面構造は、図4aに示すように表され、図4aに対応する実装基板8の模式的断面構造は、図4bに示すように表される。また、第1の実施の形態の変形例2に係る半導体装置1の製造方法の一工程であって、半導体デバイス16のフリップチップ接合前の状態を示す模式的断面構造は、図5aに示すように表され、図5aに対応する実装基板8の模式的断面構造は、図5bに示すように表される。第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図3~図5に示すように、実装基板8上に信号配線電極12を形成する工程と、実装基板8上にパワー配線電極13を形成する工程と、信号配線電極12と電気的に接合可能なゲートパッド電極GPおよびパワー配線電極13と電気的に接合可能なソースパッド電極SPとを有する半導体デバイス16を形成する工程と、信号配線電極12もしくはゲートパッド電極GPの一方若しくは両方に第1金属粒子接合層18Gを形成する工程と、パワー配線電極13もしくはソースパッド電極SPの一方若しくは両方に第2金属粒子接合層18Sを形成する工程と、半導体デバイス16を実装基板8上にフリップチップ接続する工程とを有する。また、第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法において、第1金属粒子接合層18Gを形成する工程は、導電性粒子を含むペースト層18を信号配線電極12もしくはゲートパッド電極GPの一方若しくは両方に塗布する工程を有し、第2金属粒子接合層18Sを形成する工程は、導電性粒子を含むペースト層18をパワー配線電極13もしくはソースパッド電極SPの一方若しくは両方に塗布する工程を有する。また、第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法において、半導体デバイス16を実装基板8上にフリップチップ接続する工程は、ペースト層18を介して信号配線電極12とゲートパッド電極GPとを当接させ、当接状態においてペースト層18を所定温度で焼成し、信号配線電極12とゲートパッド電極GPとを接合する工程と、ペースト層18を介してパワー配線電極13とソースパッド電極SPとを当接させ、当接状態においてペースト層18を所定温度で焼成し、パワー配線電極13とソースパッド電極SPとを接合する工程とを有する。第1の実施の形態においては、図3に示すように、実装基板8側に金属粒子接合層18G、18Sが配置されている。より具体的には、パワー配線電極13の表面上に、金属粒子接合層18Sが設けられ、信号配線電極12の表面上に、金属粒子接合層18Gが配置されている。第1の実施の形態の変形例1においては、図4に示すように、半導体デバイス16側に金属粒子接合層18G、18Sが配置されている。より具体的には、ソースパッド電極SPの上に金属粒子接合層18Sが配置され、ゲートパッド電極GPの上に金属粒子接合層18Gが配置されている。第1の実施の形態の変形例2においては、図5に示すように、半導体デバイス16および実装基板8の両側に金属粒子接合層18G1、18G2、18S1および18S2がそれぞれ配置されている。より具体的には、ソースパッド電極SP上に金属粒子接合層18S1が配置され、ゲートパッド電極GP上に金属粒子接合層18G1が配置され、パワー配線電極13上に、金属粒子接合層18S2が配置され、信号配線電極12上に金属粒子接合層18G2が配置されている。なお、18G1と18G2、18G2と18S1が密着された状態で焼成されて形成される金属粒子接合層の厚さを勘案して、18G1、18G2、18S1および18S2の厚さは、それぞれ約5μm~約50μm程度とされる。第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程において、塗布された金属粒子接合層として銀ナノペーストを加圧する前の状態は、図13aに示すように模式的に表され、加圧後の銀ナノペーストの状態は、図13bに示すように模式的に表される。図13aにおいて、各銀ナノ粒子22は、有機化合物等で構成されるシェル有機殻20aで被覆された形態で、例えば、テルピネオール等の溶媒20中において拡散した状態となっている。この状態からペースト層18を上下方向から圧力Pを加えて圧縮すると、図13bに示す状態に変化する。即ち、有機化合物等で構成されるシェル20aが加圧によって破砕され、各銀ナノ粒子22が密着した状態となる。これにより、ペースト層18の厚さは、L1からL2に縮まった状態となる。金属粒子接合層18G、18Sを形成するペースト層18の塗布には、後述するマスク25およびスキージヘラ部材27を用いたスクリーン印刷の手法が適用される。また、ペースト層18の厚さは、例えば約10μm~約50μmとされる。なお、金属粒子接合層18G、18Sの厚さは、焼成時の収縮によりペースト層18の厚さの半分程度となる。即ち、例えばペースト層18の厚さが約50μmの場合に、焼成後の金属粒子接合層18G、18Sの厚さは約20μm~約30μm程度となることが実験により確認されている。加圧および加熱工程第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程であって、加圧工程を示す模式的断面構造は、図6に示すように表される。第1の実施の形態若しくは変形例1~2において、図6に示すように、金属粒子接合層18G18S加熱加圧前は、ペースト層18を挟んで、実装基板8上に半導体デバイス16をフェースダウン状態で位置合わせして載置し、その状態で、プレス加工機120120a、120bにセットして矢印P方向に圧力を加える。この際の圧力は、例えば、約2MPa~約30MPaとされる。これにより、ペースト層18は、図13aの状態から図13bのように、各銀ナノ粒子22が密着した状態となる。尚、上記の加圧工程では、加圧と加熱を同時に行うために、図示は省略するが、所定のベーキング装置などによって半導体装置全体を約200°C~約400°Cで所定時間にわたって加熱する。これにより、ペースト層18が焼成され、金属銀が析出して金属粒子接合層18G18Sが形成される。この金属銀から成る金属粒子接合層18G18Sは、ゲートパッド電極GP信号配線電極12間、およびソースパッド電極SPパワー配線電極13間を強固に接合し、実装基板8の上に半導体デバイス16がフェースダウン状態で電気的に接合される。第1の実施の形態およびその変形例1~2によれば、銀ナノペーストを塗布して焼成するという簡易な工程により高い耐熱性を備えたワイヤレス接合を形成することができる。また、第1の実施の形態およびその変形例1~2によれば、銀ナノペーストの焼結体である金属銀によって金属粒子接合層を形成することにより、金属粒子接合層の耐熱性、熱伝導性等を高めることができ、SiC系FET、GaN系FETなどの半導体デバイス等に適した半導体装置を提供することができる。また、第1の実施の形態およびその変形例1~2によれば、金属粒子接合層は金属銀で形成され、鉛Pbを用いることが無いので、鉛フリーとなり公害対策に資することができる。第1の実施の形態およびその変形例1~2によれば、低コストで高い耐熱性ワイヤレスを有する半導体装置およびその製造方法を提供することができる。第2の実施の形態半導体装置の構成第2の実施の形態に係る半導体装置1の模式的平面パターン構成は、図7に示すように表され、図7のII-II線に沿う模式的断面構造は、図8に示すように表される。図7は、図8において、実装基板8上に配置された半導体デバイス16のドレイン電極36側から見た平面パターン構成に対応している。第2の実施の形態に係る半導体装置1は、図7および図8に示すように、実装基板8と、実装基板8上に配置された信号配線電極12と、実装基板8を貫通して配置されたパワー配線電極6と、信号配線電極12と電気的に接合可能なゲートパッド電極GPおよびパワー配線電極6と電気的に接合可能なソースパッド電極SPを有する半導体デバイス16と、信号配線電極12とゲートパッド電極GPとの間に配置された第1金属粒子接合層18Gと、パワー配線電極6とソースパッド電極SPとの間に配置された第2金属粒子接合層18Sとを備える。ここで、半導体デバイス16は、実装基板8上にフリップチップ接続されている。すなわち、半導体デバイス16は、ゲートパッド電極GPおよびソースパッド電極SPが実装基板8の表面に対してフェースダウンFaceDownに接続され、ドレイン電極36は、ゲートパッド電極GPおよびソースパッド電極SPが配置される半導体基板26の面に対向する面実装基板8とは反対側の面に配置される。第2の実施の形態においては、実装基板8を貫通して配置されたパワー配線電極6を備えることによって、第1の実施の形態に比べ、さらに大電流の半導体デバイス16を実装基板8上に搭載可能である。ここで、第1金属粒子接合層18Gおよび第2金属粒子接合層18Sは、導電性粒子を含むペースト材料を焼成して形成される。ペースト材料の焼成温度は、例えば、約200~400°Cである。導電性粒子は、金属微粒子であり、例えば、銀粒子、金粒子、銅粒子またはニッケル粒子のいずれかである。例えば、金属微粒子として銀ナノ粒子を適用する場合、銀ナノ粒子の濃度は、例えば、約80質量~約95質量である。また、銀ナノ粒子の粒径は、約10nm~約100nmである。第2の実施の形態においては、実装基板8は、絶縁体基材から成る板状のプリント基板であり、実装基板8の所定位置にパワー配線電極6が埋め込まれた構成を有する。図8に示すように、半導体デバイス16のソースパッド電極SPと対向する位置にパワー配線電極6が埋め込まれている。パワー配線電極6は、例えば、厚さ0.5~1.0mm程度の厚銅板で形成される。パワー配線電極6により、低抵抗で放熱性にも優れる厚銅板を介して、例えば、約数百アンペア程度の大電流も実装基板8の厚さ方向及び平面方向への通電が可能である。なお、第2金属粒子接合層18Sとして、例えば、銀ナノペーストから成るペースト層およびその焼結体を適用する場合には、第2金属粒子接合層18Sとの接合性を向上させるために、ソースパッド電極SPと対向するパワー配線電極6の表面に、銀メッキ層19が形成されていても良い。第2の実施の形態に係る半導体装置1においては、銀メッキ層19とソースパッド電極SPとの間および信号配線電極12とゲートパッド電極GPとの間には、金属ナノペーストとして、例えば、銀ナノペーストを焼成して得られる金属粒子接合層18S、18Gがそれぞれ配置されている。この金属粒子接合層18S、18Gを介して、銀メッキ層19とソースパッド電極SPとの間および信号配線電極12とゲートパッド電極GPとの間を電気的に接合している。また、半導体デバイス16のゲートパッド電極GPと対向する実装基板8の表面には、信号配線電極12が配置されている。ここで、信号配線電極12は、例えば、銅の薄膜で形成されていても良い。この銅の薄膜の厚さは、例えば、約15~約70μmである。第2の実施の形態に係る半導体装置1において適用可能な銀ナノペーストおよびその焼結体については、第1の実施の形態と同様であるため、重複説明は省略する。半導体装置の製造方法第2の実施の形態に係る半導体装置1の製造方法の一工程であって、半導体デバイス16のフリップチップ接合前の状態を示す模式的断面構造は、図9aに示すように表され、図9aに対応する実装基板8の模式的断面構造は、図9bに示すように表される。また、第2の実施の形態の変形例1に係る半導体装置1の製造方法の一工程であって、半導体デバイス16のフリップチップ接合前の状態を示す模式的断面構造は、図10aに示すように表され、図10aに対応する実装基板8の模式的断面構造は、図10bに示すように表される。また、第2の実施の形態の変形例2に係る半導体装置1の製造方法の一工程であって、半導体デバイス16のフリップチップ接合前の状態を示す模式的断面構造は、図11aに示すように表され、図11aに対応する実装基板8の模式的断面構造は、図11bに示すように表される。第2の実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図9~図11に示すように、実装基板8上に信号配線電極12を形成する工程と、実装基板8を貫通してパワー配線電極6を形成する工程と、信号配線電極12と電気的に接合可能なゲートパッド電極GPおよびパワー配線電極6と電気的に接合可能なソースパッド電極SPとを有する半導体デバイス16を形成する工程と、信号配線電極12もしくはゲートパッド電極GPの一方若しくは両方に第1金属粒子接合層18Gを形成する工程と、パワー配線電極6もしくはソースパッド電極SPの一方若しくは両方に第2金属粒子接合層18Sを形成する工程と、半導体デバイス16を実装基板8上にフリップチップ接続する工程とを有する。また、第2の実施の形態に係る半導体装置の製造方法において、第1金属粒子接合層18Gを形成する工程は、導電性粒子を含むペースト層18を信号配線電極12もしくはゲートパッド電極GPの一方若しくは両方に塗布する工程を有し、第2金属粒子接合層18Sを形成する工程は、導電性粒子を含むペースト層18をパワー配線電極6もしくはソースパッド電極SPの一方若しくは両方に塗布する工程を有する。また、第2の実施の形態に係る半導体装置の製造方法において、半導体デバイス16を実装基板8上にフリップチップ接続する工程は、ペースト層18を介して信号配線電極12とゲートパッド電極GPとを当接させ、当接状態においてペースト層18を所定温度で焼成し、信号配線電極12とゲートパッド電極GPとを接合する工程と、ペースト層18を介してパワー配線電極6とソースパッド電極SPとを当接させ、当接状態においてペースト層18を所定温度で焼成し、パワー配線電極6とソースパッド電極SPとを接合する工程とを有する。第2の実施の形態においては、図9に示すように、実装基板8側に金属粒子接合層18G、18Sが配置されている。より具体的には、パワー配線電極13の表面上に、金属粒子接合層18Sが設けられ、信号配線電極12の表面上に、金属粒子接合層18Gが配置されている。第2の実施の形態の変形例1においては、図10に示すように、半導体デバイス16側に金属粒子接合層18G、18Sが配置されている。より具体的には、ソースパッド電極SPの上に金属粒子接合層18Sが配置され、ゲートパッド電極GPの上に金属粒子接合層18Gが配置されている。第2の実施の形態の変形例2においては、図11に示すように、半導体デバイス16および実装基板8の両側に金属粒子接合層18G1、18G2、18S1および18S2がそれぞれ配置されている。より具体的には、ソースパッド電極SP上に金属粒子接合層18S1が配置され、ゲートパッド電極GP上に金属粒子接合層18G1が配置され、パワー配線電極6上に、金属粒子接合層18S2が配置され、信号配線電極12上に金属粒子接合層18G2が配置されている。なお、18G1と18G2、18G2と18S1が密着された状態で焼成されて形成される金属粒子接合層の厚さを勘案して、18G1、18G2、18S1および18S2の厚さは、それぞれ5~25μm程度とされる。第2の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程において、塗布された金属粒子接合層として銀ナノペーストを加圧する前の状態は、図13aに示すように表され、加圧後の銀ナノペーストの状態は、図13bに示すように表される。その他の説明は、第1の実施の形態と同様であるため、重複説明は省略する。加圧および加熱工程第2の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程であって、加圧工程を示す模式的断面構造は、図12に示すように表される。第2の実施の形態若しくは変形例1~2において、図12に示すように、金属粒子接合層18G18S加熱加圧前は、ペースト層18を挟んで、実装基板8上に半導体デバイス16をフェースダウン状態で位置合わせして載置し、その状態で、プレス加工機120120a、120bにセットして矢印P方向に圧力を加える。この際の圧力は、例えば、約2MPa~約30MPaとされる。これにより、ペースト層18は、図13aの状態から図13bのように、各金属粒子22が密着した状態となる。尚、上記の加圧工程では、加圧と加熱を同時に行うために、図示は省略するが、所定のベーキング装置などによって半導体装置全体を200~400°Cで所定時間にわたって加熱する。これにより、ペースト層18が焼成され、金属銀が析出して金属粒子接合層18G18Sが形成される。この金属銀から成る金属粒子接合層18G18Sは、ゲートパッド電極GP信号配線電極12間、およびソースパッド電極SPパワー配線電極13間を強固に接合し、実装基板8の上に半導体デバイス16がフェースダウン状態で電気的に接合される。第2の実施の形態およびその変形例1~2によれば、低コストで高い耐熱性を有する半導体装置およびその製造方法を提供することができる。半導体装置を適用した応用例次に、図14を参照して、第1~第2の実施の形態に係る半導体装置1を用いて構成した3相インバータについて説明する。図14に示すように、3相インバータは、ゲートドライブ部50と、ゲートドライブ部50に接続されたパワーモジュール部52と、3相モータ部54とを備える。パワーモジュール部52は、3相モータ部54のU相、V相、W相に対応して、U、V、W相のインバータが接続されている。パワーモジュール部52は、コンデンサCが接続されたプラス端子とマイナス端子-間に、インバータ構成のSiCMOSFETQ1Q2、Q3Q4、およびQ5Q6が接続されている。さらに、SiCMOSFETQ1~Q6のソースドレイン間には、ダイオードD1~D6がそれぞれ逆並列に接続されている。第1~第2の実施の形態に係る半導体装置1に適用される半導体デバイス16に相当するSiCMOSFETQ1~Q6は、上述のように、金属粒子接合層18S18Gを介して実装基板8の上にフリップチップ構成に電気的に接続される。半導体デバイスの構成例第1~第2の実施の形態に係る半導体装置1に適用する半導体デバイス16の例として、SiCMOSFETの模式的断面構造は、図15に示すように、n高抵抗層からなる半導体基板26と、半導体基板26の表面側に形成されたpベース領域28と、pベース領域28の表面に形成されたソース領域30と、pベース領域28間の半導体基板26の表面上に配置されたゲート絶縁膜32と、ゲート絶縁膜32上に配置されたゲート電極38と、ソース領域30に接続されたソース電極34と、半導体基板26の表面と反対側の裏面に配置されたnドレイン領域24と、nドレイン領域24に接続されたドレイン電極36とを備える。図15では、半導体デバイス16は、プレーナゲート型nチャネル縦型SiCMOSFETで構成されているが、トレンチゲート型nチャネル縦型SiCMOSFETなどで構成されていても良い。また、第1~第2の実施の形態に係る半導体装置1に適用する半導体デバイス16には、SiCMOSFETの代わりに、GaN系FETなどを適用することもできる。更には、第1~第2の実施の形態に係る半導体装置1に適用する半導体デバイス16には、バンドギャップエネルギーが、例えば、1.1eV~8eVの半導体を用いることができる。第1~第2の実施の形態に係る半導体装置によれば、金属粒子ペースト層を焼成して形成される金属粒子接合層18G18Sとして、例えば、金属銀の融点が約960°Cと高い耐熱性を備えているため、この金属粒子接合層18G18SをSiC系FETやGaN系FETなどのパワーデバイスに適用することによって、パワーデバイスを高温で駆動することができる。第1~第2の実施の形態に係るに適用する半導体デバイス16の例であって、ソースパッド電極SP、ゲートパッド電極GPを含むSiCMOSFETの模式的断面構造は、図16に示すように表される。ゲートパッド電極GPは、ゲート絶縁膜32上に配置されたゲート電極38に接続され、ソースパッド電極SPは、ソース領域30に接続されたソース電極34に接続される。また、ゲートパッド電極GPおよびソースパッド電極SPは、図16に示すように、半導体デバイス16の表面を覆うパッシべーション用の層間絶縁膜44上に配置される。尚、ゲートパッド電極GPおよびソースパッド電極SPの下方の半導体基板26内には、図16の構成例では、図示を省略しているが、図15或いは、図16の中央部と同様に、微細構造のトランジスタ構造が形成されていても良い。さらに、図16の構成例では、図示を省略しているが、図16の中央部のトランジスタ構造においても、パッシべーション用の層間絶縁膜44上にソースパッド電極SP若しくはゲートパッド電極GPが延在して配置されていても良い。さらに、実装時には、半導体デバイス16がフェースダウンされ、ゲートパッド電極GPソースパッド電極SPが、図2若しくは図8に示すように、それぞれ金属粒子接合層18G18Sを介して実装基板8に接合される。ペースト層塗布工程第1~第2の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程であって、半導体基板26上にペースト層18を塗布するためのマスク25を配置した状態を示す模式的平面パターン構成は、図17aに示すように表され、図17aのIII-III線に沿う模式的断面構造は、図17bに示すように表される。第1~第2の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程であって、開口部25aを有するマスク25上にペースト層18を堆積した状態を示す模式的断面構造は、図18に示すように表される。第1~第2の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程であって、スキージ27を矢印A方向に移動させてペースト層18をマスク25の開口部25aに充填する工程を示す模式的断面構造は、図19に示すように表される。第1~第2の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程であって、マスク25の開口部25aにペースト層18が充填された状態を示す模式的断面構造は、図20に示すように表される。第1~第2の実施の形態に係る半導体装置の製造方法において、ペースト層18を信号配線電極12もしくはゲートパッド電極GPの一方に塗布する工程は、信号配線電極12もしくはゲートパッド電極GPの一方に、各電極位置に合わせた開口部25aを有するマスク25を位置合わせして重ね合わせる工程と、マスク25の上にペースト層18を堆積する工程と、スキージ27によってペースト層18を開口部25aに充填する工程と、マスク25を取り除く工程とを有する。また、第1~第2の実施の形態に係る半導体装置の製造方法において、ペースト層18をパワー配線電極613もしくはソースパッド電極SPの一方に塗布する工程は、パワー配線電極613もしくはソースパッド電極SPの一方に、各電極位置に合わせた開口部25aを有するマスク25を位置合わせして重ね合わせる工程と、マスク25の上にペースト層18を堆積する工程と、スキージ27によってペースト層18を開口部25aに充填する工程と、マスク25を取り除く工程とを有する。以下、ペースト層塗布工程を詳述する。aまず、図17aおよび図17bに示すように、半導体デバイス16のゲートパッド電極GPおよびソースパッド電極SPを含む部位にマスク例えば、金属製のマスク25を重ね合わせ、マスク25の開口部25aを介してゲートパッド電極GPおよびソースパッド電極SPの所定の領域のみが露出するようにする。なお、ゲートパッド電極GPおよびソースパッド電極SPの表面からマスク25の表面までの距離が、形成するペースト層18の厚さと等しい値、例えば、約10μm~約100μm程度となるように、マスク25の厚さが設定される。b次に、図18に示すように、所定の量の金属微粒子ペーストからなるペースト層18をキャピラリやディスペンサなどを用いて、マスク25および開口部25a上に堆積する。c次に、図19に示すように、スキージヘラ部材27の先端部をマスク25の表面に当接させ、矢印A方向図19上では左側から右側に移動させて、余分なペースト層18を除去すると共に、マスク25の開口部25a内にペースト層18を充填させる。結果として、図20に示すように、マスク25の開口部25aの内壁に沿って、ゲートパッド電極GP上およびソースパッド電極SP上にペースト層18がそれぞれ形成される。そして、この後、マスク25を半導体デバイス16側から取り外し、半導体デバイス16をフェースダウン状態として、実装基板8との接合工程に移行する図4若しくは図10参照。なお、ペースト層18の粘度等の性質に応じて、図20の状態で所定時間にわたって乾燥させ、ペースト層18を半乾きの状態としてからマスク25を取り外した方が良い場合もある。この乾燥工程では、自然乾燥であって、或いは、所定温度で昇温加熱工程を実施しても良い。また、図17~図20の例では、半導体デバイス16側にペースト層18を塗布する工程について説明したが、同様の手法で、実装基板8上の信号配線電極12やパワー配線電極136上にペースト層18を形成することもできる図3b若しくは図9b参照。また、図5若しくは図11に示すように、同様の手法で、半導体デバイス16側と実装基板8側の両方にペースト層18を形成し、18G1と18G2、18S1と18S2とを対向させて接合することもできる。この際に、18G1、18G2側および18S1、18S2側の少なくとも一方については、所定時間にわたって乾燥させて半乾きの状態とした方が、より良好に接合できる。第2の実施の形態およびその変形例1~2によれば、金属微粒子ペーストを塗布して焼成するという簡易な工程により高い耐熱性を備えたワイヤレス接合を形成することができる。また、第2の実施の形態およびその変形例1~2によれば、金属微粒子ペーストの焼結体である金属によって接合層を形成することにより、金属粒子接合層の耐熱性、熱伝導性等を高めることができ、SiC系FET、GaN系FETなどの半導体デバイス等に適した半導体装置を提供することができる。また、第2の実施の形態およびその変形例1~2によれば、金属接合層は銀、金、銅またはニッケルで形成され、鉛Pbを用いることが無いので、鉛フリーとなり公害対策に資することができる。第2の実施の形態およびその変形例1~2によれば、低コストで高い耐熱性ワイヤレス接合を有する半導体装置およびその製造方法を提供することができる。また、第2の実施の形態およびその変形例1~2によれば、実装基板を貫通して配置されたパワー配線電極を備えるため、第1の実施の形態に比べ、さらに大電流の半導体デバイスを実装基板上に搭載可能である。さらに、第1~第2の実施の形態に係る半導体装置においては、図21~図22に示すように、ドレイン電極36上に半田などのドレイン電極接合層36aを介して柱状電極4を配置しても良い。柱状電極4は、例えば、銅モリブデンCuMoなどのSiCと相対的に線膨張係数の値の近い金属材料を選択する。ドレイン電極接合層36aは、金属粒子接合層18S18Gと同様の導電性粒子を含むペースト材料を焼成して形成しても良い。ペースト材料の焼成温度は、例えば、約200~400°Cである。導電性粒子は、金属微粒子であり、例えば、銀粒子、金粒子またはニッケルや銅粒子などである。柱状電極4上には、さらにヒートスプレッダー2が配置される。さらに、実装基板8を搭載するヒートスプレッダーを配置することで、第1~第2の実施の形態に係る半導体装置においては、両面冷却を実施可能である。比較例図23~図25を参照して、比較例について簡単に説明する。図23に示す比較例は、絶縁基板100上に形成された半導体デバイス140のソースパッド電極SPの上に柱状電極180を形成すると共に、ゲートパッド電極GPについては橋状のリード部材160を介して配線部125との接合を図った構成を示す。この構成では、従来のワイヤボンディングを行わなくて良いという利点がある反面、リード部材160自体が微細部品であり、マウントが難しいという問題がある。また、リード部材160自体が比較的高価であるため、コストが嵩むという不都合もある。また、半導体デバイス140側と配線部125側とに高低差を生じた場合には、図23のbに示すようにリード部材160の端部が浮いてしまい、接続不良を生じるという難点もある。図22に示す比較例は、絶縁基板100上に形成された半導体デバイス140のソースパッド電極SPの上に柱状電極180を形成すると共に、ゲートパッド電極GPについては銀ナノペーストの焼結体18Aを介して配線部125との接合を図った構成を示す。この構成では、従来のワイヤボンディングを行わなくても良く、また図23の比較例のように配線部品を用いなくても良いという利点がある。しかしながら、銀ナノペーストの焼結体18Aと半導体デバイス140の側面や、銀ナノペーストの焼結体18Aの下方の絶縁性確保が難しいという問題がある。図25に示す比較例は、絶縁基板100上に形成された半導体デバイス140のソースパッド電極SPの上に柱状電極180を、ゲートパッド電極GPの上に柱状電極200をそれぞれ形成し、柱状電極180および柱状電極200の上部端面を介して絶縁基板100と対向する実装基板図示省略等との接合を図る構成を示す。しかしながら、微細加工の柱状電極が必要であり、特に約500μm角以下の柱状電極を形成することが難しいという問題がある。また、柱状電極を用いる場合には、垂直方向の配線に限定され、水平方向の配線には適用できないという不都合もある。また、柱状電極180および柱状電極200の上部端面と実装基板等との接合を半田を介して行う場合には、高耐熱接合技術の応用が困難であり、SiCデバイス等の高温での動作に対応できないという不都合もある。本実施の形態によれば、低コストで高い耐熱性を有する半導体装置の実装構造を提供することができる。また、本実施の形態によれば、簡易な工程により高い耐熱性を有するワイヤレス接合を実施可能な半導体装置の実装方法を提供することができる。その他の実施の形態上記のように、実施の形態および変形例によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態などを含む。例えば、上記実施の形態では、導電性粒子を含むペースト材料として銀ナノペーストを用いる場合について説明したが、これに限定されず、金ナノ粒子またはニッケルナノ粒子を所定の溶媒に分散させた金属ナノ粒子ペーストを用いるようにしてもよい。