"[A]下記式1で表される化合物、及び[B]ベース樹脂となる重合体を含有する感放射線性樹脂組成物。式1中、R1は、炭素数1~20のアルキル基、炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基、炭素数6~15のアリール基又は炭素数4~15のヘテロアリール基である。R2は、2価の連結基である。Rfは、フッ素原子又は炭素数1~30のフッ素化アルキル基である。Mは、1価のカチオンである。n1及びn2は、それぞれ独立して、0又は1である。上記R1が、炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基である請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。上記Mが、スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンである請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。[B]重合体が、下記式5で表される構造単位又は式6で表される構造単位と、下記式7で表される構造単位とを含むアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性の重合体である請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。式5、式6及び式7中、R9、R13及びR15は、それぞれ独立して水素原子又はメチル基である。式5中、R10、R11及びR12は、それぞれ独立して水素原子、ヒドロキシル基、シアノ基又は-COOR19である。R19は、水素原子、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数3~20のシクロアルキル基である。式6中、R14は、単結合又は2価の連結基である。RLcは、ラクトン構造を有する1価の有機基である。式7中、R16、R17及びR18は、それぞれ独立して炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体、又は炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基である。但し、R16、R17及びR18の少なくとも1つの基は、炭素数4~20の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体であるか、又はいずれか2つの基が、それぞれが結合している炭素原子と共に炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成する。[C][B]重合体よりもフッ素原子含有割合が高い重合体をさらに含む請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。本発明は以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は現像後のパターン倒れに対する耐性、LWR及びMEEFのバランスに優れた感放射線性樹脂組成物を提供することである。上記課題を解決するためになされた発明は、[A]下記式1で表される化合物以下、[A]化合物とも称する、及び[B]ベース樹脂となる重合体以下、[B]重合体とも称するを含有する感放射線性樹脂組成物である。式1中、R1は、炭素数1~20のアルキル基、炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基、炭素数6~15のアリール基又は炭素数4~15のヘテロアリール基である。R2は、2価の連結基である。Rfは、フッ素原子又は炭素数1~30のフッ素化アルキル基である。Mは、1価のカチオンである。n1及びn2は、それぞれ独立して、0又は1である。上記R1は、炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基であることが好ましい。上記Mは、スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンであることが好ましい。[B]重合体は、下記式5で表される構造単位又は式6で表される構造単位と、下記式7で表される構造単位とを含むアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性の重合体であることが好ましい。式5、式6及び式7中、R9、R13及びR15は、それぞれ独立して水素原子又はメチル基である。式5中、R10、R11及びR12は、それぞれ独立して水素原子、ヒドロキシル基、シアノ基又は-COOR19である。R19は、水素原子、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数3~20のシクロアルキル基である。式6中、R14は、単結合又は2価の連結基である。RLcは、ラクトン構造を有する1価の有機基である。式7中、R16、R17及びR18は、それぞれ独立して炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体、又は炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基である。但し、R16、R17及びR18の少なくとも1つの基は、炭素数4~20の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体であるか、又はいずれか2つの基が、それぞれが結合している炭素原子と共に炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成する。当該感放射線性樹脂組成物は、[C][B]重合体よりもフッ素原子含有割合が高い重合体以下、[C]重合体とも称するをさらに含むことが好ましい。なお、本明細書にいう感放射線性樹脂組成物の放射線とは、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等を含む概念である。本発明によれば、現像後のパターン倒れに対する耐性、LWR及びMEEFのバランスに優れた感放射線性樹脂組成物を提供することができる。従って、当該感放射線性樹脂組成物は、KrFエキシマレーザー又はArFエキシマレーザー等の遠紫外線、シンクロトロン放射線等のX線、電子線等の荷電粒子線等の放射線を使用する微細加工に有用な化学増幅型レジストとして好適に使用できる。<感放射線性樹脂組成物>本発明の感放射線性樹脂組成物は、[A]化合物及び[B]重合体を含有する。また、好適成分として[C]重合体を含有する。さらに、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の任意成分を含有してもよい。以下、各成分について詳述する。<[A]化合物>[A]化合物は、上記式1で表され、放射線の照射によって下記式1’で表される化合物を発生する。上記式1及び式1’中、R1は、炭素数1~20のアルキル基、炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基、炭素数6~15のアリール基又は炭素数4~15のヘテロアリール基である。R2は、2価の連結基である。Rfは、フッ素原子又は炭素数1~30のフッ素化アルキル基である。n1及びn2は、それぞれ独立して、0又は1である。上記式1中、Mは、1価のカチオンである。上記R1としては、炭素数1~20のアルキル基及び炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基が好ましい。上記R1としては、発生する酸の拡散長以下、拡散長とも称するが適度に抑制され、LWR、MEEF等の現像性能が良好になることから炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基がより好ましい。上記R1で示される炭素数1~20のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基、2-2-メチルプロピル基、1-ペンチル基、2-ペンチル基、3-ペンチル基、1-2-メチルブチル基、1-3-メチルブチル基、2-2-メチルブチル基、2-3-メチルブチル基、ネオペンチル基、1-ヘキシル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基、1-2-メチルペンチル基、1-3-メチルペンチル基、1-4-メチルペンチル基、2-2-メチルペンチル基、2-3-メチルペンチル基、2-4-メチルペンチル基、3-2-メチルペンチル基、3-3-メチルペンチル基等が挙げられる。上記R1で示される炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基としては、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、2-ノルボルニル基、1-アダマンチル基、2-アダマンチル基等が挙げられる。これらのうち、シクロヘキシル基、1-アダマンチル基が好ましい。また、R1は水素原子の一部又は全部が置換されていてもよい。置換基としては、例えば、シアノ基、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子等、フェニル基、ヒドロキシル基、アシロキシ基、アルコキシ基等が挙げられる。上記R2で示される2価の連結基としては、例えばエーテル基、エステル基、カルボニル基、炭素数1~30の2価の鎖状炭化水素基、炭素数3~30の2価の環状炭化水素基、炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基からなる群より選択される少なくとも1種又は2種以上の基を組合わせた基等が挙げられる。上記R2としては、炭素数1~30の2価の鎖状炭化水素基、炭素数3~30の2価の環状炭化水素基、炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基が好ましく、炭素数1~10の直鎖状又は分岐状の2価の炭化水素基がより好ましい。上記Rfで示される炭素数1~30のフッ素化アルキル基としては、例えば少なくとも1以上のフッ素原子で置換された炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、少なくとも1以上のフッ素原子で置換された炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基若しくはそれから誘導される基等が挙げられる。Rfとしては、フッ素原子又はトリフルオロメチル基が好ましい。少なくとも1以上のフッ素原子で置換された炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基、2-2-メチルプロピル基、1-ペンチル基、2-ペンチル基、3-ペンチル基、1-2-メチルブチル基、1-3-メチルブチル基、2-2-メチルブチル基、2-3-メチルブチル基、ネオペンチル基、1-ヘキシル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基、1-2-メチルペンチル基、1-3-メチルペンチル基、1-4-メチルペンチル基、2-2-メチルペンチル基、2-3-メチルペンチル基、2-4-メチルペンチル基、3-2-メチルペンチル基、3-3-メチルペンチル基等の部分フッ素化又はパーフルオロアルキル基等が挙げられる。少なくとも1以上のフッ素原子で置換された炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基若しくはそれから誘導される基としては、例えばシクロペンチル基、シクロペンチルメチル基、1-1-シクロペンチルエチル基、1-2-シクロペンチルエチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、1-1-シクロヘキシルエチル基、1-2-シクロヘキシルエチル基、シクロヘプチル基、シクロヘプチルメチル基、1-1-シクロヘプチルエチル基、1-2-シクロヘプチルエチル基、2-ノルボルニル基等の脂環式アルキル基の部分フッ素化又はパーフルオロアルキル基等が挙げられる。上記Mで示される1価のカチオンとしては、特に限定されないが、スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンであることが好ましい。Mで示される1価のカチオンが、スルホニウムカチオンである場合の[A]化合物としては、下記式2で表されるスルホニウム塩が挙げられる。上記式2中、R1、R2、Rf、n1及びn2は、上記式1と同義である。R3、R4及びR5は、それぞれ独立して炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基、炭素数6~18のアリール基、アラルキル基、又はアリールオキソアルキル基である。但し、これらの基は水素原子の一部又は全部が置換されていてもよい。また、R3、R4及びR5のいずれか2以上が相互に結合して、それぞれが結合している硫黄原子と共に環構造を形成してもよい。スルホニウムカチオンとしては、下記式2-1及び式2-2で表されるスルホニウムカチオンが好ましい。上記式2-1中、Ra、Rb及びRcは、それぞれ独立して水素原子、炭素数1~12の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素数6~12のアリール基、又は炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基である。但し、これらの基は水素原子の一部又は全部が置換されていてもよい。n3、n4及びn5は、それぞれ独立して0~5の整数である。但し、Ra、Rb及びRcがそれぞれ複数の場合、複数のRa、Rb及びRcはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。上記式2-2中、Rdは、水素原子、炭素数1~8の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素数6~8のアリール基、又は炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基である。但し、これらの基は水素原子の一部又は全部が置換されていてもよい。n6は、0~7の整数である。但し、Rdが複数の場合、複数のRdは同一であっても異なっていてもよい。Reは、水素原子、炭素数1~7の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素数6~7のアリール基、又は炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基である。n7は、0~5の整数である。但し、Reが複数の場合、複数のReは同一であっても異なっていてもよい。n8は、0~3の整数である。上記式2-1及び式2-2で表されるスルホニウムカチオンとしては、例えば下記式i-1~式i-65で表されるスルホニウムカチオン等が挙げられる。これらのうち、上記式i-1、式i-2、式i-6、式i-8、式i-13、式i-19、式i-25、式i-27、式i-29、式i-33、式i-51、式i-54及び式i-65で表されるスルホニウムカチオンが好ましい。Mで示される1価のカチオンがヨードニウムカチオンである場合の[A]化合物としては、下記式3で表されるヨードニウム塩が挙げられる。上記式3中、R1、R2、Rf、n1及びn2は、上記式1と同義である。R6及びR7は、上記式2中のR3及びR4とそれぞれ同義である。ヨードニウムカチオンとしては、下記式3-1で表されるヨードニウムカチオンが好ましい。上記式3-1中、Rh及びRgは、それぞれ独立して水素原子、炭素数1~12の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素数6~12のアリール基、又は炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基である。n9及びn10は、それぞれ独立して0~5の整数である。但し、Rg及びRhがそれぞれ複数の場合、複数のRg及びRhはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。上記式3-1で表されるヨードニウムカチオンとしては、例えば下記式ii-1~式i-39で表されるヨードニウムカチオン等が挙げられる。これらのうち、上記式ii-1及び式ii-11で表されるヨードニウムカチオンが好ましい。[A]化合物は単独又は2種以上を混合して使用することができる。[A]化合物の使用量としては、後述する[B]重合体100質量部に対して、通常0.1質量部~20質量部、好ましくは0.1質量部~15質量部、より好ましくは0.2質量部~13質量部である。[A]化合物の使用量が0.1質量部未満では、本発明の所期の効果が十分発現されない場合がある。一方、20質量部を超えると、放射線に対する透明性、パターン形状、耐熱性等が低下する場合がある。<[A]化合物の合成方法>[A]化合物は、例えば下記式1-0で表される化合物を原料として用いて合成することができる。上記式1-0中、R2、Rf、n2及びMは、上記式1と同義である。上記式1-0で表される化合物のうち、n2が1の化合物は、例えばJournalofFluorineChemistry,1292008,607に記載の方法により合成することができる。n2が0の化合物は、例えば下記式1-0’で表される化合物を原料として、JournalofFluorineChemistry,1292008,607に記載の方法により合成することができる。上記式1-0’中、R2及びRfは、上記式1と同義である。R8は、1価の有機基である。上記式1-0で表される化合物について、例えば下記反応をさせることによって式1で表される化合物を得ることができる。上記反応式中、R1、R2、Rf、n2及びMは、上記式1と同義である。X1は、水酸基、ハロゲン原子又はO-CO-R1である。X2は、ハロゲン原子である。当該感放射線性樹脂組成物は、[A]化合物以外の感放射線性化合物以下、他の感放射線性化合物とも称するを1種以上併用することができる。他の感放射線性化合物としては、例えばオニウム塩化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、スルホンイミド化合物、ジアゾメタン化合物、ジスルホニルメタン化合物、オキシムスルホネート化合物、ヒドラジンスルホネート化合物等が挙げられる。他の感放射線性化合物としては、例えばジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムp-トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウム2-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム2,4-ジフルオロベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム2-5-t-ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム2-6-t-ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム1,1-ジフルオロ-2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルエタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムp-トルエンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム2-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム2,4-ジフルオロベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム1,1-ジフルオロ-2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムp-トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート、トリフェニルスルホニウム2-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2,4-ジフルオロベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-5-t-ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-6-t-ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-5-ピバロイルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-6-ピバロイルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-5-ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-6-ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-5-メタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-6-メタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-5-i-プロパンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-6-i-プロパンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-5-n-ヘキサンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-6-n-ヘキサンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-5-オキソビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-6-オキソビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム1,1-ジフルオロ-2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルエタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム2-5-t-ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム2-6-t-ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム1,1-ジフルオロ-2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルエタンスルホネート、N-トリフルオロメタンスルホニルオキシスクシンイミド、N-10-カンファースルホニルオキシスクシンイミド、N-5-メチル-5-カルボキシメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルスルホニルオキシスクシンイミド、N-トリフルオロメタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-10-カンファースルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-5-オキソビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-6-オキソビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-1,1-ジフルオロ-2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルエタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、ビスシクロヘキサンスルホニルジアゾメタン、ビスt-ブチルスルホニルジアゾメタン、ビス1,4-ジオキサスピロ[4.5]デカン-7-スルホニルジアゾメタン、WO2009/051088の[0086]~[0113]に記載の化合物等が挙げられる。他の感放射線性化合物としては、オニウム塩化合物、スルホンイミド化合物及びジアゾメタン化合物が好ましい。他の感放射線性化合物の使用量としては、[A]化合物と他の感放射線性化合物との合計100質量部に対して、通常95質量部以下、好ましくは90質量部以下、より好ましくは80質量部以下である。他の感放射線性化合物の使用割合が95質量部を超えると、本発明の所期の効果が損なわれる場合がある。<[B]重合体>[B]重合体は、当該感放射線性樹脂組成物のベース樹脂となるものである。このような重合体としては、例えば酸解離性基を有するアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性の重合体であって、酸解離性基が解離したときにアルカリ易溶性となる重合体以下、B1重合体とも称する;又はアルカリ現像液と親和性を示す官能基、例えばフェノール性水酸基、アルコール性水酸基、カルボキシル基等の酸素含有官能基を1以上有するアルカリ現像液に可溶な重合体以下、B2重合体とも称するが挙げられる。上記B1重合体を含む感放射線性樹脂組成物はポジ型感放射線性樹脂組成物として好適に用いることができ、上記B2重合体を含む感放射線性樹脂組成物はネガ型感放射線性樹脂組成物として好適に用いることができる。なお、アルカリ不溶性又はアルカリ難溶性とは、レジストパターン形成工程において使用されるアルカリ現像条件下において、レジスト膜の代わりに酸解離性基含有重合体のみを用いた塗膜を現像した場合に、塗膜の初期膜厚の50以上が現像後に残存する性質をいう。[B]重合体を後述する[C]重合体とともに用いる場合、[B]重合体におけるフッ素原子含有割合は、フッ素含有重合体全体を100質量とした際に、通常5質量未満であり、好ましくは0質量~4.9質量、より好ましくは0質量~4質量である。なお、フッ素原子含有割合は13C-NMRにより測定することができる。[B]重合体におけるフッ素原子含有割合を上記範囲内とすることで、[B]重合体及び[C]重合体を含む当該感放射線性樹脂組成物から形成されるレジスト膜表面の撥水性を高めることができ、液浸露光時に上層膜を別途形成する必要がない。[B1重合体]酸解離性基としては、例えばフェノール性水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基等の酸性官能基中の水素原子を置換基で置換した基であり、酸の存在下で解離する基を意味する。このような酸解離性基としては、例えば置換メチル基、1-置換エチル基、1-置換-n-プロピル基、アシル基、環式酸解離性基等が挙げられる。上記置換メチル基としては、例えばWO2009/051088[0117]に記載の基等が挙げられる。上記1-置換エチル基としては、例えばWO2009/051088[0118]に記載の基等が挙げられる。上記1-置換-n-プロピル基としては、例えばWO2009/051088[0119]に記載の基等が挙げられる。上記アシル基としては、例えばWO2009/051088[0120]に記載の基等が挙げられる。上記環式酸解離性基としては、例えばWO2009/051088[0121]に記載の基等が挙げられる。これらの酸解離性基のうち、ベンジル基、t-ブトキシカルボニルメチル基、1-メトキシエチル基、1-エトキシエチル基、1-シクロヘキシルオキシエチル基、1-エトキシ-n-プロピル基、t-ブチル基、1,1-ジメチルプロピル基、t-ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロチオフラニル基が好ましい。B1重合体において、酸解離性基は1以上存在してもよい。B1重合体中の酸解離性基の導入率B1重合体中の酸性官能基と酸解離性基との合計数に対する酸解離性基数の割合は、酸解離性基や酸解離性基が導入される重合体の種類により適宜選定されるが、好ましくは5~100、より好ましくは10~100である。B1重合体の構造は、上述した性状を有する限り特に限定されないが、ポリ4-ヒドロキシスチレン中のフェノール性水酸基の水素原子の一部又は全部を酸解離性基で置換した重合体、4-ヒドロキシスチレン及び/又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンとメタアクリル酸との共重合体中のフェノール性水酸基の水素原子及び/又はカルボキシル基の水素原子の一部又は全部を酸解離性基で置換した重合体が好ましい。また、B1重合体の構造は、使用する放射線の種類に応じて適宜選定することができる。例えばKrFエキシマレーザーを用いるポジ型感放射線性樹脂組成物においては、B1重合体としては、例えば下記式4で表される構造単位以下、構造単位4とも称すると、構造単位4中のフェノール性水酸基を酸解離性基で保護した構造単位とを有するアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性の重合体が好ましい。なお、この重合体は、ArFエキシマレーザー等の他の放射線を使用する場合にも好適である。上記式4中、n11及びn12は、それぞれ独立して1~3の整数である。Rkは、水素原子又は1価の有機基である。但し、Rkが複数の場合、複数のRkは同一であっても異なっていてもよい。例えばArFエキシマレーザーを用いるポジ型感放射線性樹脂組成物においては、B1重合体としては、例えば上記式5で表される構造単位以下、構造単位5とも称する又は式6で表される構造単位以下、構造単位6とも称する、及び式7で表される構造単位以下、構造単位7とも称するとを有するアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性の重合体が好ましい。なお、この重合体は、KrFエキシマレーザー等の他の放射線を用いる場合にも好適である。上記式5、式6及び式7中、R9、R13及びR15は、それぞれ独立して水素原子又はメチル基である。式5中、R10、R11及びR12は、それぞれ独立して水素原子、ヒドロキシル基、シアノ基又は-COOR19である。R19は、水素原子、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数3~20のシクロアルキル基である。式6中、R14は、単結合又は2価の連結基である。RLcは、ラクトン構造を有する1価の有機基である。式7中、R16、R17及びR18は、それぞれ独立して炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体、又は炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基である。但し、R16、R17及びR18の少なくとも1つの基は、炭素数4~20の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体であるか、又はいずれか2つの基が、それぞれが結合している炭素原子と共に炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成する。上記R14で示される2価の連結基としては、例えば上記R2の説明を適用することができる。構造単位5としては、メタアクリル酸3-ヒドロキシアダマンタン-1-イル、メタアクリル酸3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イル、メタアクリル酸3-シアノアダマンタン-1-イル、メタアクリル酸3-カルボキシアダマンタン-1-イル、メタアクリル酸3,5-ジカルボキシアダマンタン-1-イル、メタアクリル酸3-カルボキシ-5-ヒドロキシアダマンタン-1-イル、メタアクリル酸3-メトキシカルボニル-5-ヒドロキシアダマンタン-1-イルに由来する構造単位が好ましい。構造単位6中のRLcで示されるラクトン構造を有する1価の有機基としては、例えば下記式で表される基が挙げられる。上記式中、R20及びR24は、それぞれ独立して酸素原子又はメチレン基である。R21、R22、R23、R25、R26及びR27は、それぞれ独立して水素原子、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のフッ素化アルキル基、又は炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシル基である。n13及びn15は、それぞれ独立して0又は1である。n14は、0~3の整数である。n16は、0~6の整数である。n17は、1~3の整数である。n18は、0~2の整数である。n19は、0~4の整数である。n20は、0~9の整数である。但し、R21、R22、R25、R26、及びR27がそれぞれ複数の場合、複数のR21、R22、R25、R26、及びR27はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。構造単位7としては、メタアクリル酸1-メチルシクロペンチル、メタアクリル酸1-エチルシクロペンチル、メタアクリル酸1-メチルシクロヘキシル、メタアクリル酸1-エチルシクロヘキシル、メタアクリル酸2-メチルアダマンタン-2-イル、メタアクリル酸2-エチルアダマンタン-2-イル、メタアクリル酸2-n-プロピルアダマンタン-2-イル、メタアクリル酸2-i-プロピルアダマンタン-2-イルに由来する構造単位が好ましい。B1重合体は、上記構造単位4~7以外の他の構造単位を含むこともできる。他の構造単位を与える単量体としては、例えばメタアクリル酸7-オキソ-6-オキサビシクロ[3.2.1]オクタン-4-イル、メタアクリル酸2-オキソテトラヒドロピラン-4-イル、メタアクリル酸4-メチル-2-オキソテトラヒドロピラン-4-イル、メタアクリル酸5-オキソテトラヒドロフラン-3-イル、メタアクリル酸2-オキソテトラヒドロフラン-3-イル、メタアクリル酸5-オキソテトラヒドロフラン-2-イルメチル、メタアクリル酸3,3-ジメチル-5-オキソテトラヒドロフラン-2-イルメチル、メタアクリル酸2-ヒドロキシエチル等のメタアクリル酸エステル類;メタアクリルアミド、N,N-ジメチルメタアクリルアミド、クロトンアミド、マレインアミド、フマルアミド、メサコンアミド、シトラコンアミド、イタコンアミド等の不飽和アミド化合物;無水マレイン酸、無水イタコン酸等の不飽和ポリカルボン酸無水物;ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-エン又はその誘導体;テトラシクロ[6.2.13,6.02,7]ドデカ-3-エン又はその誘導体等の単官能性単量体;メチレングリコールジメタアクリレート、エチレングリコールジメタアクリレート、2,5-ジメチル-2,5-ヘキサンジオールジメタアクリレート、1,2-アダマンタンジオールジメタアクリレート、1,3-アダマンタンジオールジメタアクリレート、1,4-アダマンタンジオールジメタアクリレート、トリシクロデカンジメチロールジメタアクリレート等の多官能性単量体が挙げられる。例えばF2エキシマレーザーを用いるポジ型感放射線性樹脂組成物においては、B1重合体としては、例えばWO2009/051088の[0136]~[0147]に記載の重合体が好ましい。B1重合体が、重合性不飽和単量体の重合により又は種々の重合を経て製造される場合、B1重合体は、重合性不飽和結合を2つ以上有する多官能性単量体に由来する単位及び/又はアセタール性架橋基によって分岐構造を導入することができる。このような分岐構造を導入することにより、B1重合体の耐熱性を向上させることができる。B1重合体中の分岐構造の導入率は、分岐構造や導入されるB1重合体の種類により適宜選定できるが、全構造単位に対して10モル以下であることが好ましい。B1重合体の分子量は、特に限定されないが、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCで測定したポリスチレン換算重量分子量Mwは、通常1,000~500,000、好ましくは2,000~400,000、より好ましくは3,000~300,000である。分岐構造をもたないB1重合体のMwは、好ましくは1,000~150,000、より好ましくは3,000~100,000である。分岐構造を有するB1重合体のMwは、好ましくは5,000~500,000、より好ましくは8,000~300,000である。このような範囲のMwを有するB1重合体を用いることにより、得られるレジストがアルカリ現像性に優れるものとなる。B1重合体のMwとGPCで測定したポリスチレン換算数平均分子量Mnとの比Mw/Mnについても特に限定されないが、通常1~10、好ましくは1~8、より好ましくは1~5である。このような範囲のMw/Mnを有するB1重合体を用いることにより、得られるレジストが解像性能に優れるものとなる。当該感放射線性樹脂組成物において、B1重合体は、単独又は2種以上を混合して使用することができる。B1重合体の製造方法は、特に限定されないが、予め製造したアルカリ可溶性重合体中の酸性官能基に1以上の酸解離性基を導入する方法;酸解離性基を有する1以上の重合性不飽和単量体を、場合により1以上の他の重合性不飽和単量体と共に重合する方法;酸解離性基を有する1以上の重縮合性成分を、場合により他の重縮合性成分と共に重縮合する方法等によって製造することができる。上記アルカリ可溶性重合体を製造する際の重合性不飽和単量体の重合及び上記酸解離性基を有する重合性不飽和単量体の重合は、使用される重合性不飽和単量体や反応媒質の種類等に応じて、ラジカル重合開始剤、アニオン重合触媒、配位アニオン重合触媒、カチオン重合触媒等の重合開始剤又は重合触媒を適宜選定し、塊状重合、溶液重合、沈澱重合、乳化重合、懸濁重合、塊状-懸濁重合等の重合形態で実施することができる。また、上記酸解離性基を有する重縮合性成分の重縮合は、好ましくは酸性触媒の存在下、水媒質中又は水と親水性溶媒との混合媒質中で実施することができる。[B2重合体]B2重合体としては、例えば下記式8で表される構造単位以下、構造単位8とも称する、式9で表される構造単位以下、構造単位9とも称する及び式10で表される構造単位以下、構造単位10とも称するからなる群から選ばれる1種以上の構造単位を含む。なお、B2重合体がアルカリ現像液に可溶である限り、上記構造単位8~10以外の他の構造単位を有していてもよい。上記他の構造単位としては、例えば上述したB1重合体における他の構造単位と同様の構造単位が挙げられる。上記式8及び式9中、R28及びR30は、それぞれ独立して水素原子又はメチル基である。上記式8中、R29は、ヒドロキシル基、カルボキシル基、-R31COOH、-OR31COOH、-OCOR31COOH又はCOOR31COOH但し、R31は、それぞれ独立して-CH2n21-である。n21は、1~4の整数である。B2重合体中の構造単位8~10の合計含有率は、任意に含有される他の構造単位の種類により適宜選定されるが、好ましくは10モル~100モル、より好ましくは20モル~100モルである。B2重合体としては、ポリ4-ヒドロキシスチレン、4-ヒドロキシスチレン/4-ヒドロキシ-α-メチルスチレン共重合体、4-ヒドロキシスチレン/スチレン共重合体を主成分とする重合体が好ましい。B2重合体のMwは、特に限定されないが、通常1,000~150,000、好ましくは3,000~100,000である。当該感放射線性樹脂組成物において、B2重合体は、単独又は2種以上を混合して使用することができる。当該感放射線性樹脂組成物が、B2重合体を主体とし、即ちネガ型感放射性重合体組成物である場合、酸の存在下でアルカリ可溶性重合体を架橋しうる化合物架橋剤を配合しても良い。架橋剤としては、例えばアルカリ可溶性重合体との架橋反応性を有する官能基架橋性官能基を1種以上有する化合物が挙げられる。架橋剤としては、例えばビスフェノールA系エポキシ化合物、ビスフェノールF系エポキシ化合物、ビスフェノールS系エポキシ化合物、ノボラック重合体系エポキシ化合物、レゾール重合体系エポキシ化合物、ポリヒドロキシスチレン系エポキシ化合物、メチロール基含有メラミン化合物、メチロール基含有ベンゾグアナミン化合物、メチロール基含有尿素化合物、メチロール基含有フェノール化合物、アルコキシアルキル基含有メラミン化合物、アルコキシアルキル基含有ベンゾグアナミン化合物、アルコキシアルキル基含有尿素化合物、アルコキシアルキル基含有フェノール化合物、カルボキシメチル基含有メラミン重合体、カルボキシメチル基含有ベンゾグアナミン重合体、カルボキシメチル基含有尿素重合体、カルボキシメチル基含有フェノール重合体、カルボキシメチル基含有メラミン化合物、カルボキシメチル基含有ベンゾグアナミン化合物、カルボキシメチル基含有尿素化合物、カルボキシメチル基含有フェノール化合物等が挙げられる。架橋剤は、単独又は2種以上を混合して使用することができる。これらの架橋剤のうち、メチロール基含有フェノール化合物、メトキシメチル基含有メラミン化合物、メトキシメチル基含有フェノール化合物、メトキシメチル基含有グリコールウリル化合物、メトキシメチル基含有ウレア化合物及びアセトキシメチル基含有フェノール化合物が好ましく、メトキシメチル基含有メラミン化合物例えばヘキサメトキシメチルメラミン等、メトキシメチル基含有グリコールウリル化合物、メトキシメチル基含有ウレア化合物がより好ましい。メトキシメチル基含有メラミン化合物は、CYMEL300、同301、同303、同305以上、三井サイアナミッド製等の商品名で、メトキシメチル基含有グリコールウリル化合物は、CYMEL1174三井サイアナミッド製等の商品名で、またメトキシメチル基含有ウレア化合物は、MX290三和ケミカル製等の商品名でそれぞれ市販されている。また、架橋剤としては、上記アルカリ可溶性重合体中の酸素含有官能基の水素原子を上記架橋性官能基で置換して、架橋剤としての性質を付与した重合体も好適に使用することができる。その場合の架橋性官能基の導入率は、架橋性官能基や該基が導入されるアルカリ可溶性重合体の種類により一概には規定できないが、B2重合体中の全酸素含有官能基に対して、通常5モル~60モル、好ましくは10モル~50モル、より好ましくは15モル~40モルである。この場合、架橋性官能基の導入率が5モル未満では、残膜率の低下、パターンの蛇行や膨潤等を来しやすくなる傾向があり、一方60モルを超えると、アルカリ現像性が低下する傾向がある。架橋剤の使用量としては、B2重合体100質量部に対して、好ましくは5質量部~95質量部、より好ましくは15質量部~85質量部、特に好ましくは20質量部~75質量部である。架橋剤の使用量が5質量部未満では、残膜率の低下、パターンの蛇行や膨潤等を引き起こす傾向があり、一方95質量部を超えると、アルカリ現像性が低下する傾向がある。<[C]重合体>当該感放射線性樹脂組成物は、[C]重合体を好適に含有することができる。当該感放射線性樹脂組成物が、フッ素原子を含む[C]重合体をさらに含有することで、レジスト膜を形成した場合に[C]重合体の撥油性に起因して、レジスト膜表面に[C]重合体を偏在化させることができる。従って、液浸露光法に好適に用いることができる。[構造単位C1][C]重合体は、分子中にフッ素原子を含むものであって、[B]重合体よりフッ素原子含有量が多ければ特に限定されない。このような構造単位以下、構造単位C1とも称するとしては、例えば下記式11~13で表される構造単位以下、それぞれを構造単位11、構造単位12及び構造単位13とも称するが挙げられる。[C]重合体が、構造単位C1を含むことで、レジスト膜中の[A]化合物、酸拡散制御剤等の液浸露光液対する溶出を抑制し、またレジスト膜と液浸露光液との後退接触角の向上により、液浸露光液に由来する水滴が、レジスト膜上に残り難く、液浸露光液に起因する欠陥の発生を抑制することができる。上記式11~13中、R32、R34及びR39は、それぞれ独立して水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。上記式11中、R33は、炭素数1~30のフッ素化アルキル基である。上記式12中、R35は、n221価の連結基である。n22は、1~3の整数である。上記式13中、R40は、2価の連結基である。上記式12及び式13中、R38及びR43は、それぞれ独立して水素原子、炭素数1~30の1価の炭化水素基、酸解離性基、又はアルカリ解離性基である。R36、R37、R41及びR42は、それぞれ独立して水素原子、フッ素原子又は炭素数1~30のフッ素化アルキル基である。但し、R36、R37、R41及びR42の全てが水素原子である場合はない。また、R36、R37及びR38がそれぞれ複数の場合、複数のR36、R37及びR38はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。上記式11におけるR33としては、少なくとも1以上のフッ素原子で置換された炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は少なくとも1以上のフッ素原子で置換された炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基若しくはそれから誘導される基が挙げられる。これらの基の具体例としては、上述のRfにおける例示を適用することができる。上記構造単位11を与える単量体としては、トリフルオロメチルメタアクリル酸エステル、2,2,2-トリフルオロエチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロエチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロn-プロピルメタアクリル酸エステル、パーフルオロi-プロピルメタアクリル酸エステル、パーフルオロn-ブチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロi-ブチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロt-ブチルメタアクリル酸エステル、2-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロピルメタアクリル酸エステル、1-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロシクロヘキシルメチルメタアクリル酸エステル、1-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルメタアクリル酸エステル、1-3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-ヘプタデカフルオロデシルメタアクリル酸エステル、1-5-トリフルオロメチル-3,3,4,4,5,6,6,6-オクタフルオロヘキシルメタアクリル酸エステルが好ましい。上記R38及びR43で示される炭素数1~30の1価の炭化水素基としては、炭素数1~10で直鎖状又は分岐状の1価の炭化水素基、炭素数3~30の1価の環状炭化水素基等が挙げられる。これらの炭化水素基の例は、上述のR1の説明が適用することができる。但し、後述の酸解離性基やアルカリ解離性基に該当するものは除く。また、上記炭化水素基は置換基を有していてもよい。このような置換基としては、上述のR1が有していてもよい置換基の説明を適用することができる。上記R38及びR43で示される酸解離性基としては、例えばヒドロキシル基、カルボキシル基等の極性官能基中の水素原子を置換する基であって酸の存在下で解離する基をいう。具体的には、t-ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、チオテトラヒドロピラニルスルファニルメチル基、チオテトラヒドロフラニルスルファニルメチル基や、アルコキシ置換メチル基、アルキルスルファニル置換メチル基等が挙げられる。なお、アルコキシ置換メチル基におけるアルコキシル基置換基としては、例えば炭素数1~4のアルコキシル基が挙げられる。また、アルキルスルファニル置換メチル基におけるアルキル基置換基としては、例えば炭素数1~4のアルキル基が挙げられる。さらに、酸解離性基としては、式[-CR443]で表される基が挙げられる。R44は、上記式7におけるR16、R17及びR18と同義である。これらの酸解離性基のうち、上記[-CR443]で表される基、t-ブトキシカルボニル基、アルコキシ置換メチル基が好ましい。構造単位12においてはt-ブトキシカルボニル基、アルコキシ置換メチル基が好ましい。構造単位13においてはアルコキシ置換メチル基、[-CR443]で表される基が好ましい。酸解離性基を有する構造単位12及び/又は酸解離性基を有する構造単位13を含む[C]重合体と上述のB1重合体とを併用することでパターン露光部における[C]重合体の溶解性を向上できる点でポジ型感放射線性樹脂組成物としては好ましい。上記R38及びR43で示されるアルカリ解離性基としては、例えばヒドロキシル基、カルボキシル基等の極性官能基中の水素原子を置換する基であってアルカリの存在下で解離する基が挙げられる。このようなアルカリ解離性基としては、上記性質を示すものであれば特に限定されないが、上記式12においては下記式で表される基が好ましい。上記式中、R45は、少なくとも1つのフッ素原子を有する炭素数1~10の炭化水素基である。R45としては、上記炭化水素基の水素原子の全部がフッ素原子に置換された直鎖状又は分岐状の炭素数1~10のパーフルオロアルキル基が好ましく、トリフルオロメチル基がより好ましい。上記式13中におけるアルカリ解離性基としては、下記式14~16で表される基が挙げられる。上記式14及び式15中、R46及びR47は、それぞれ独立してハロゲン原子、炭素数1~10のアルキル基、アルコキシル基、アシル基、又はアシロキシ基である。n23は、0~5の整数である。n24は、0~4の整数である。但し、R46及びR47がそれぞれ複数の場合、複数のR46及びR47は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。上記式16中、R48及びR49は、それぞれ独立して水素原子又は炭素数1~10のアルキル基である。但し、R48及びR49が互いに結合している炭素原子と共に炭素数4~20の脂環式構造を形成してもよい。上記R46及びR47で示されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。これらのうち、フッ素原子が好ましい。上記R46及びR47で示される炭素数1~10のアルキル基としては、上述のR1の説明を適用することができる。また、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基としては、上述のR1が有していてもよい置換基の説明を適用することができる。R48及びR49が互いに結合している炭素原子と共に形成してもよい炭素数4~20の脂環式構造としては、シクロペンチル基、シクロペンチルメチル基、1-1-シクロペンチルエチル基、1-2-シクロペンチルエチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、1-1-シクロヘキシルエチル基、1-2-シクロヘキシルエチル基、シクロヘプチル基、シクロヘプチルメチル基、1-1-シクロヘプチルエチル基、1-2-シクロヘプチルエチル基、2-ノルボルニル基等が挙げられる。式16としては、例えばメチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基、1-ペンチル基、2-ペンチル基、3-ペンチル基、1-2-メチルブチル基、1-3-メチルブチル基、2-3-メチルブチル基、ネオペンチル基、1-ヘキシル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基、1-2-メチルペンチル基、1-3-メチルペンチル基、1-4-メチルペンチル基、2-3-メチルペンチル基、2-4-メチルペンチル基、3-2-メチルペンチル基等が挙げられる。これらのうち、メチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基が好ましい。[C]重合体が、アルカリ解離性基を有する構造単位12及び/又はアルカリ解離性基を有する構造単位13を含むと、[C]重合体の現像液に対する親和性を向上させることができる点で好ましい。また、上記式12及び13中、R38及びR43が水素原子である場合、構造単位12及び構造単位13は極性基であるヒドロキシル基やカルボキシル基を有することになり、[C]重合体の現像液に対する親和性を向上させることができる。上記式12中のR35で示されるn221価の連結基としては、例えば単結合、炭素数1~30のn221価の炭化水素基、この炭化水素基と硫黄原子、イミノ基、カルボニル基、-CO-O-又は-CO-NH-との組み合わせ基等が挙げられる。炭素数1~30のn221価の炭化水素基としては、例えばメタン、エタン、プロパン、ブタン、2-メチルプロパン、ペンタン、2-メチルブタン、2,2-ジメチルプロパン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン等の炭素数1~10の鎖状炭化水素から水素原子をn221個取り除いた基;シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、ビシクロ[2.2.2]オクタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカン等の炭素数4~20の脂環式炭化水素から水素原子をn221個取り除いた基;ベンゼン、ナフタレン等の炭素数6~30の芳香族炭化水素から水素原子をn221個取り除いた基等が挙げられる。上記炭素数1~30のn221価の炭化水素基、この炭化水素基と硫黄原子、イミノ基、カルボニル基、-CO-O-又は-CO-NH-との組み合わせ基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられる。上記式中、R50~R65は、それぞれ独立して単結合、炭素数1~10の2価の鎖状炭化水素基、炭素数4~20の2価の環状炭化水素基、又は炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基である。n25~n32は、1~3の整数である。但し、R51、R53、R55、R57、R59、R61、R63及びR65がそれぞれ複数の場合、複数のR51、R53、R55、R57、R59、R61、R63及びR65はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。R50~R65で示される基の例は、上述のR35の説明を適用することができる。R35は、置換基を有していてもよい。このような置換基としては、上述のR1が有していてもよい置換基の説明を適用することができる。上記式13のR40で示される2価の連結基としては、上記R35の説明においてn22=1とした場合の説明を適用することができる。式12又は13中、Rf2で示される炭素数1~30のフッ素化炭化水素基としては、上述のR33の説明を適用することができる。上記式12におけるR36及びR37の組み合わせとしては、いずれもトリフルオロメチル基である部分構造が好ましい。上記式13におけるR41及びR42の組み合わせとしては、いずれもフッ素原子である部分構造が好ましい。上記好ましい部分構造を有する構造単位12を与える単量体としては、例えば下記式で表される化合物等が挙げられる。上記式中、R34及びR38は、上記式12と同義である。上記式中、R38が酸解離性基又はアルカリ解離性基である化合物は、例えば上記各式においてR38が水素原子である化合物を原料として従来公知の方法により合成することができる。上記好ましい部分構造を有する構造単位13を与える単量体としては、例えば下記式で表される化合物等が挙げられる。上記式中、R39及びR43は、上記式13と同義である。上記式中、R43が酸解離性基又はアルカリ解離性基である化合物は、例えば上記各式においてR43が水素原子である化合物やその誘導体を原料として従来公知の方法により合成することができる。具体的には、例えば下記式17で表される化合物と、式18で表される化合物とを反応させることで得られる。上記式17中、R39~R42は、式13と同義である。R66は、水酸基又はハロゲン原子である。上記式18中、R48及びR49は、式16と同義である。[C]重合体は、上記構造単位11~13を1種のみ含有していてもよいが、2種以上含有することが好ましく、構造単位12と構造単位13とを有することがより好ましい。[C]重合体は、構造単位C1以外にも、上記構造単位C1以外の酸解離性基を有する構造単位以下、構造単位C2とも称する、アルカリ可溶性基を有する構造単位但し、上記構造単位C1に該当するものを除く以下、構造単位C3とも称する、又はラクトン骨格を有する構造単位以下、構造単位4とも処するを、さらにそれぞれ2種以上含んでいてもよい。[構造単位C2][C]重合体が、構造単位C2を有した場合、上記重合体B1と併用することにより、特にポジ型の感放射線性樹脂組成物として好ましい。この場合、フォトレジスト膜の前進接触角と後退接触角との差を小さくすることができ、露光時のスキャン速度向上に対応することができる。構造単位C2としては、例えば上記式7で表される構造単位が好ましい。構造単位C2としては、下記式で表される構造単位がより好ましい。上記式中、R67は、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基である。R68は、炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキル基である。n33は、1~4の整数である。上記R68で示される炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等が挙げられる。[C]重合体は、構造単位C1及びC2以外の構造単位C3、上記式6で表される構造単位等の他の構造単位をさらに有していてもよい。[C]重合体が、他の構造単位をさらに有する場合、現像液に対する溶解性を向上させることができる。[構造単位C3]構造単位C3におけるアルカリ可溶性基は、pKaが4~11の水素原子を有する官能基であることが好ましい。これは、現像液に対する溶解性向上の観点からである。このような官能基としては、下記式で表される官能基等が挙げられる。上記式中、R69は、炭素数1~10のフッ素化炭化水素基である。炭素数1~10のフッ素化炭化水素基としては、トリフルオロメチル基が好ましい。なお、構造単位C3の主鎖骨格は、特に限定されないが、メタクリル酸エステル、アクリル酸エステル、α-トリフルオロアクリル酸エステルが好ましい。構造単位C3を与える化合物としては、下記式で表される化合物が挙げられる。上記式中、R70及びR73は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R71及びR74は、2価の連結基である。R72は、炭素数1~10のフッ素化炭化水素基である。n34は、0又は1である。上記R71及びR74で示される2価の連結基としては、式13におけるR40と同様の例が適用できる。R72で示される炭素数1~10のフッ素化炭化水素基としては、トリフルオロメチル基が好ましい。[C]重合体中の全構造単位の合計を100molとした場合の、構造単位C1の含有割合としては、20mol~90molが好ましく、20mol~80molがより好ましい。構造単位C2の含有割合としては、通常80mol以下であり、好ましくは20mol~80molであり、より好ましくは30mol~70molである。構造単位C2の含有割合がこの範囲内である場合、前進接触角と後退接触角との差を小さくするという観点から特に有効である。また、構造単位C3の含有割合としては、通常50mol以下であり、好ましくは5mol~30molであり、より好ましくは5mol~20molである。上記式6で表される構造単位の含有割合としては、通常50mol以下であり、好ましくは5mol~30molであり、より好ましくは5mol~20molである。<[C]重合体の合成方法>[C]重合体は、例えば所定の各構造単位に対応する重合性不飽和単量体を、ヒドロパーオキシド類、ジアルキルパーオキシド類、ジアシルパーオキシド類、アゾ化合物等のラジカル重合開始剤を使用し、必要に応じて連鎖移動剤の存在下、適当な溶媒中で重合することにより製造することができる。上記溶媒としては、例えばn-ペンタン、n-ヘキサン、n-ヘプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン等のアルカン類;シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、デカリン、ノルボルナン等のシクロアルカン類;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素類;クロロブタン類、ブロモヘキサン類、ジクロロエタン類、ヘキサメチレンジブロミド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル類;アセトン、2-ブタノン、4-メチル-2-ペンタノン、2-ヘプタノン等のケトン類;テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン類、ジエトキシエタン類等のエーテル類;メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、4-メチル-2-ペンタノール等のアルコール類等が挙げられる。これらの溶媒は、単独又は2種以上を混合して使用することができる。重合における反応温度としては、通常40°C~150°C、好ましくは50°C~120°Cである。反応時間としては通常1時間~48時間、好ましくは1時間~24時間である。[C]重合体のMwは、1,000~50,000が好ましく、1,000~40,000がより好ましく、1,000~30,000が特に好ましい。Mwが、1,000未満の場合、十分な後退接触角を有するフォトレジスト膜を得ることができない場合がある。一方、50,000を超える場合、フォトレジスト膜の現像性が低下する場合がある。[C]重合体のMw/Mnは、1~5が好ましく、1~4がより好ましい。[C]重合体の含有量としては、[B]重合体100質量部に対して、0.1質量部~20質量部が好ましく、1質量部~10質量部がより好ましく、1質量部~7.5質量部が特に好ましい。0.1質量部未満であると、[C]重合体を含有させる効果が十分でない場合がある。一方、20質量部を超えると、レジスト表面の撥水性が高くなりすぎて現像不良が起こる場合がある。[C]重合体におけるフッ素原子含有割合は、フッ素含有重合体全体を100質量とした際に、通常5質量以上であり、好ましくは5質量~50質量、より好ましくは5質量~40質量である。なお、このフッ素原子含有割合は、13C-NMRにより測定することができる。[C]重合体におけるフッ素原子含有割合を上記範囲内とすることで、[C]重合体及び上述の[B]重合体を含むフォトレジスト組成物によって形成されたフォトレジスト膜表面の撥水性を高めることができ、液浸露光時に上層膜を別途形成する必要がない。<その他の任意成分>当該感放射線性樹脂組成物は、上記[A]~[C]成分に加え、本発明の効果を損なわない範囲で、酸拡散制御剤、ラクトン化合物、溶解制御剤、界面活性剤、増感剤等のその他の任意成分を含有することができる。以下、これらの任意成分について詳述する。その他の任意成分は、それぞれを単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。[酸拡散制御剤]酸拡散制御剤は、露光により感放射線性酸発生剤から生じる酸のレジスト膜中における拡散現象を制御し、非露光領域での好ましくない化学反応を抑制する作用を有する。このような酸拡散制御剤を配合することにより、感放射線性樹脂組成物の貯蔵安定性を向上させることができるとともに、解像度をより向上させ、また露光から現像処理までの引き置き時間の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、その結果プロセス安定性に極めて優れた感放射線性樹脂組成物を得ることができる。酸拡散制御剤としては、例えば含窒素化合物α含窒素化合物β、含窒素化合物γ、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物、含窒素有機化合物等が挙げられる。含窒素化合物αとしては、例えばn-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン等のモノアルキルアミン類;ジ-n-ブチルアミン、ジ-n-ペンチルアミン、ジ-n-ヘキシルアミン、ジ-n-ヘプチルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジ-n-ノニルアミン、ジ-n-デシルアミン等のジアルキルアミン類;トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-ノニルアミン、トリ-n-デシルアミン等のトリアルキルアミン類;エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルカノールアミン類;アニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、2-メチルアニリン、3-メチルアニリン、4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、1-ナフチルアミン等の芳香族アミン類等が挙げられる。含窒素化合物βとしては、例えばエチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラキス2-ヒドロキシエチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラキス2-ヒドロキシプロピルエチレンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノベンゾフェノン、4,4’-ジアミノジフェニルアミン、2,2’-ビス4-アミノフェニルプロパン、2-3-アミノフェニル-2-4-アミノフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-3-ヒドロキシフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-4-ヒドロキシフェニルプロパン、1,4-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、1,3-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン等が挙げられる。含窒素化合物γとしては、例えばポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、N-2-ジメチルアミノエチルアクリルアミドの重合体等が挙げられる。上記アミド基含有化合物としては、例えばホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N-メチルピロリドン等が挙げられる。上記ウレア化合物としては、例えば尿素、メチルウレア、1,1-ジメチルウレア、1,3-ジメチルウレア、1,1,3,3-テトラメチルウレア、1,3-ジフェニルウレア、トリ-n-ブチルチオウレア等が挙げられる。上記含窒素複素環式化合物としては、例えばイミダゾール、ベンズイミダゾール、2-メチルイミダゾール、4-メチルイミダゾール、1,2-ジメチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、4-フェニルイミダゾール、4-メチル-2-フェニルイミダゾール、2-フェニルベンズイミダゾール等のイミダゾール類;ピリジン、2-メチルピリジン、4-メチルピリジン、2-エチルピリジン、4-エチルピリジン、2-フェニルピリジン、4-フェニルピリジン、2-メチル-4-フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、8-オキシキノリン、アクリジン等のピリジン類のほか、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、1-ピペリジンエタノール、2-ピペリジンエタノール、モルホリン、4-メチルモルホリン、ピペラジン、1,4-ジメチルピペラジン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。上記含窒素有機化合物としては、例えば酸解離性基を有する化合物を用いることもできる。上記酸解離性基を有する含窒素有機化合物としては、例えばN―t-ブトキシカルボニルピペリジン、N―t-ブトキシカルボニルイミダゾール、N―t-ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N―t-ブトキシカルボニル-2-フェニルベンズイミダゾール、N―t-ブトキシカルボニルジ-n-オクチルアミン、N―t-ブトキシカルボニルジエタノールアミン、N―t-ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、N―t-ブトキシカルボニルジフェニルアミン、tert-ブチル-4-ヒドロキシ-1-ピペリジンカルボキシレート等が挙げられる。これらの含窒素有機化合物のうち、含窒素化合物α、含窒素化合物β、含窒素複素環式化合物、酸解離性基を有する含窒素有機化合物が好ましい。また酸拡散制御剤としては、例えば下記式で表される化合物等を用いることもできる。XZ-上記式中、Xは、下記式19又は式20で表されるカチオンである。Z-は、OH-、式R75-COO-で表されるアニオン、又は式R75-SO3-で表されるアニオンである。R75は、アルキル基、脂環式炭化水素基、又はアリール基である。但し、これらの基の水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。上記式19中、R76~R78は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、アルコキシル基、水酸基又はハロゲン原子である。上記式20中、R79及びR80は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、アルコキシル基、水酸基又はハロゲン原子である。R76~R78としては、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子であることが好ましい。R75としては、脂環式炭化水素基又はアリール基であることが好ましい。R75で示される置換されていてもよいアルキル基としては、例えばヒドロキシメチル基、1-ヒドロキシエチル基、2-ヒドロキシエチル基、1-ヒドロキシプロピル基、2-ヒドロキシプロピル基、3-ヒドロキシプロピル基、1-ヒドロキシブチル基、2-ヒドロキシブチル基、3-ヒドロキシブチル基、4-ヒドロキシブチル基等の炭素数1~4のヒドロキシアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基等の炭素数1~4のアルコキシル基;シアノ基;シアノメチル基、2-シアノエチル基、3-シアノプロピル基、4-シアノブチル基等の炭素数2~5のシアノアルキル基等の置換基を1以上有する基等が挙げられる。これらのうち、ヒドロキシメチル基、シアノ基、シアノメチル基が好ましい。R75で示される置換されていてもよい脂環式炭化水素基としては、例えばヒドロキシシクロペンタン、ヒドロキシシクロヘキサン、シクロヘキサノン等のシクロアルカン骨格;1,7,7-トリメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-オンカンファー等の有橋脂環骨格等の脂環式炭化水素由来の1価の基等が挙げられる。これらのうち、1,7,7-トリメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-オン由来の基が好ましい。R75で示される置換されていてもよいアリール基としては、例えばフェニル基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、フェニルシクロヘキシル基等を、ヒドロキシル基、シアノ基などで置換した基等が挙げられる。これらのうち、フェニル基、ベンジル基、フェニルシクロヘキシル基が好ましい。Z-としては、下記式で表されるアニオンが好ましい。Xが、上記式19で表されるカチオンである場合、即ち光分解性酸拡散制御剤がスルホニウム塩化合物である場合の具体例としては、例えばトリフェニルスルホニウムハイドロオキサイド、トリフェニルスルホニウムアセテート、トリフェニルスルホニウムサリチレート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムハイドロオキサイド、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムアセテート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムサリチレート、トリフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート、4-t-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート等が挙げられる。なお、これらのスルホニウム塩化合物は、単独又は2種以上を用いることができる。Xが、上記式20で表されるカチオンである場合、即ち光分解性酸拡散制御剤がヨードニウム塩化合物である場合の具体例としては、例えばビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムハイドロオキサイド、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムアセテート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムハイドロオキサイド、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムアセテート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムサリチレート、4-t-ブチルフェニル-4-ヒドロキシフェニルヨードニウムハイドロオキサイド、4-t-ブチルフェニル-4-ヒドロキシフェニルヨードニウムアセテート、4-t-ブチルフェニル-4-ヒドロキシフェニルヨードニウムサリチレート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート等が挙げられる。なお、これらのヨードニウム塩化合物は、単独又は2種以上を用いることができる。酸拡散制御剤の含有量としては、[B]重合体100質量部に対して、好ましくは20質量部以下、より好ましくは0.01質量部~15質量部である。酸拡散制御剤の含有量を0.01質量部以上とすることで、プロセス条件によるパターン形状や寸法忠実度の低下を抑制できる。一方、含有量を20質量部以下とすることで、感度及びアルカリ現像性をより向上させることができる。[ラクトン化合物]ラクトン化合物は、[C]重合体をより効率的にレジスト膜表面に偏在化させる効果を有する。従って、当該感放射線性樹脂組成物が、[C]重合体を用いる際に、ラクトン化合物をさらに含有することで[C]重合体の添加量を少なくすることができる。結果として、レジスト基本特性を損なうことなく、レジスト膜から液浸液への成分の溶出を抑制し、かつ高速スキャンにより液浸露光を行ったとしても液滴を残すことなく、ウォーターマーク欠陥等の液浸由来欠陥を抑制するレジスト膜表面の撥水性を維持することができる。ラクトン化合物としては、例えばγ-ブチロラクトン、バレロラクトン、メバロニックラクトン、ノルボルナンラクトン等が挙げられる。ラクトン化合物の含有量としては、[B]重合体を100質量部とした場合に、通常30質量部~300質量部であり、好ましくは50質量部~250質量部である。このラクトン化合物の含有割合が30質量部未満では、少量の[C]重合体添加においてレジスト膜表面の撥水性を十分に得ることができない。一方、含有量が300質量部を超えると、レジストの基本性能及び現像後のパターン形状が劣化する場合がある。[溶解制御剤]溶解制御剤は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が高くなる性質を有する。溶解制御剤としては、例えばフェノール性水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基等の酸性官能基を有する化合物や、この化合物中の酸性官能基の水素原子を酸解離性基で置換した化合物等が挙げられる。溶解制御剤は低分子化合物でも高分子化合物でもよく、ネガ型感放射線性樹脂組成物における高分子溶解制御剤としては、例えばB1重合体を使用することができる。溶解制御剤の含有量としては、[B]重合体100質量部に対して、通常50質量部以下、好ましくは20質量部以下である。[界面活性剤]界面活性剤は、感放射線性樹脂組成物の塗布性、ストリエーション、現像性等を改良する作用を有する。界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系又は両性の界面活性剤のいずれでも使用することができる。好ましくはノニオン系界面活性剤である。上記ノニオン系界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレン高級アルキルエーテル類、ポリオキシエチレン高級アルキルフェニルエーテル類、ポリエチレングリコールの高級脂肪酸ジエステル類の他、以下商品名でKP信越化学工業製、ポリフロー共栄社化学製、エフトップジェムコ製、メガファック大日本インキ化学工業製、フロラード住友スリーエム製、アサヒガード、サーフロン以上、旭硝子製等が挙げられる。界面活性剤の含有量としては、[B]重合体100質量部に対して、通常2質量部以下、好ましくは1.5質量部以下である。[増感剤]増感剤は、放射線のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを感放射線性酸発生剤に伝達し、それにより酸の生成量を増加する作用を有し、感放射線性樹脂組成物のみかけの感度を向上させる効果を有する。増感剤としては例えばアセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、ビアセチル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセン類、フェノチアジン類等が挙げられる。増感剤の含有量としては、[B]重合体100質量部に対して、通常50質量部以下、好ましくは30質量部以下である。<感放射線性樹脂組成物の調製方法>当該感放射線性樹脂組成物は、例えば使用時に各成分を溶媒に溶解して均一溶液とし、その後必要に応じて、孔径0.2μm程度のフィルター等でろ過することにより調製される。上記溶媒としては、例えばエーテル類、エステル類、エーテルエステル類、ケトン類、ケトンエステル類、アミド類、アミドエステル類、ラクタム類、ハロゲン化炭化水素類等が挙げられる。具体的には、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールジアルキルエーテル類、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、非環式若しくは環式のケトン類、酢酸エステル類、ヒドロキシ酢酸エステル類、アルコキシ酢酸エステル類、アセト酢酸エステル類、プロピオン酸エステル類、乳酸エステル類、他の置換プロピオン酸エステル類、置換酪酸エステル類、ピルビン酸エステル類、N,N-ジアルキルホルムアミド類、N,N-ジアルキルアセトアミド類、N-アルキルピロリドン類、ハロゲン化脂肪族炭化水素類、ハロゲン化芳香族炭化水素類等が挙げられる。上記溶媒の具体例としては、例えばWO2009/051088[0202]に記載の溶媒等が挙げられる。これらの溶媒のうち、酢酸プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、非環式若しくは環式のケトン類、乳酸エステル類、3-アルコキシプロピオン酸エステル類等が、塗布時に良好な膜面内均一性を確保することができる点で好ましい。上記溶媒は、単独又は2種以上を混合して使用することができる。また必要に応じて、上記溶媒と共に、例えばベンジルエチルエーテル、ジ-n-ヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1-オクタノール、1-ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート等の高沸点溶媒を使用することができる。上記他の溶媒は、単独又は2種以上を混合して使用することができる。他の溶媒の使用割合は、全溶媒に対して、通常50質量以下、好ましくは30質量以下である。溶媒の合計使用量は、感放射線性組成物の全固形分濃度が、通常0.5質量~50質量、好ましくは1質量~30質量、より好ましくは1質量~10質量となる量である。溶液の全固形分濃度を上記範囲とすることで、塗布時に良好な膜面内均一性を確保することができる。<レジストパターンの形成方法>レジストパターンは、当該感放射線性樹脂組成物を回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段によって、シリコンウエハー、アルミニウムで被覆されたウエハー等の基板上に塗布し、場合により加熱処理PBを行うことでレジスト膜を形成し、所定のマスクパターンを介して露光、現像することで形成できる。露光の際に使用する放射線としては、水銀灯の輝線スペクトル波長254nm、KrFエキシマレーザー波長248nm、ArFエキシマレーザー波長193nm、F2エキシマレーザー波長157nm、EUV波長13nm等等の遠紫外線;シンクロトロン放射線等のX線;電子線等の荷電粒子線等が挙げられる。好ましくは遠紫外線及び荷電粒子線である。より好ましくはKrFエキシマレーザー波長248nm、ArFエキシマレーザー波長193nm、F2エキシマレーザー波長157nm及び電子線である。なお、レジスト膜上に液浸露光液を配置し、液浸露光液を介してレジスト膜を露光することもできる。また、放射線量等の露光条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成等により適宜選定される。露光後に加熱処理PEBを行うことが好ましい。PEBの加熱条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成、添加剤の種類等により変わるが、通常30°C~200°C、好ましくは50°C~150°Cである。露光されたレジスト膜をアルカリ現像液で現像することにより、所定のポジ型又はネガ型のレジストパターンを形成する。上記アルカリ現像液としては、例えばアルカリ金属水酸化物、アンモニア水、アルキルアミン類、アルカノールアミン類、複素環式アミン類、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド類、コリン、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネン等のアルカリ性化合物の1以上を溶解したアルカリ性水溶液が挙げられる。アルカリ現像液としては、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド類の水溶液が好ましい。上記アルカリ性水溶液の濃度としては、好ましくは10質量以下、より好ましくは1質量~10質量、特に好ましくは2質量~5質量である。この場合、アルカリ性水溶液の濃度を10質量以下とすることで、非露光部ポジ型の場合又は露光部ネガ型の場合のアルカリ現像液への溶解を抑制することができる。なお、上記アルカリ性水溶液には、界面活性剤等を適量添加することが好ましい。以下、実施例及び比較例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。[B]重合体及び[C]重合体の合成に用いた単量体を下記に示す。<[B]重合体の合成>[合成例1]上記化合物M-131.63g35モル、M-349.60g45モル及びM-46.45g10モルを2-ブタノン200gに溶解し、さらに2,2’-アゾビス2-メチルプロピオニトリル8.14gを投入した単量体溶液を準備した。上記化合物M-212.32g10モル及び100gの2-ブタノンを投入した1,000mLの三口フラスコを30分窒素パージし、窒素パージの後、反応釜を攪拌しながら80°Cに加熱し、事前に準備した上記単量体溶液を滴下漏斗を用いて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合溶液は水冷することにより30°C以下に冷却し、4,000gのメタノールへ投入し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別された白色粉末を400gのメタノールに分散させてスラリー状にして洗浄した後にろ別する操作を2回行い、その後50°Cにて17時間真空乾燥し、白色粉末の共重合体B-1を得た。共重合体B-1は、Mw=4,300、Mw/Mn=1.30であり、13C-NMR分析の結果、化合物M-1、M-2、M-3、M-4に由来する各構造単位の含有率は、35.6:8.9:46.2:9.3モルであった。<[C]重合体の合成>[合成例2]上記化合物M-537.41g40モル及びM-662.59g60モルを2-ブタノン100gに溶解し、さらに2,2’-アゾビス2-メチルプロピオニトリル4.79gを投入した単量体溶液を準備した。2-ブタノン100gを投入した1,000mLの三口フラスコを30分窒素パージし、窒素パージの後、反応釜を攪拌しながら80°Cに加熱し、事前に準備した上記単量体溶液を滴下漏斗を用いて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合溶液から2-ブタノンを150g減圧除去した。30°C以下に冷却後、メタノール900gと超純水100gの混合溶媒へ投入して析出した白色粉末をろ別した。ろ別された白色粉末を100gのメタノールに分散させスラリー状にして洗浄し、その後再びろ別する操作を2回行った。得られた白色粉末を50°Cにて17時間真空乾燥し共重合体C-1を得た。共重合体C-1は、Mw=6,920、Mw/Mn=1.592であり、13C-NMR分析の結果、化合物M-5、M-6に由来する各構造単位の含有率は、40.8:59.2モルであった。フッ素含有量は9.6質量であった。実施例及び比較例の感放射線性樹脂組成物の調製に用いた[A]化合物、酸拡散制御剤、溶媒及びラクトン化合物を以下に示す。<[A]化合物>A-1:下記式で表されるトリフェニルスルホニウム4-1-アダマンタンカルボニルオキシ-1,1,2-トリフルオロブタンスルホナートA-2:下記式で表される化合物A-3:下記式で表される化合物CA-1:下記式で表されるトリフェニルスルホニウム4-1-アダマンタンカルボニルオキシ-1,1,2,2-テトラフルオロブタンスルホナート<酸拡散制御剤>D-1:下記式で表されるトリフェニルスルホニウムサリチレートD-2:下記式で表されるtert-ブチル-4-ヒドロキシ-1-ピペリジンカルボキシレート<溶媒>E-1:酢酸プロピレングリコールメチルエーテルE-2:シクロヘキサノン<ラクトン化合物>F-1:γ-ブチロラクトン<感放射線性樹脂組成物の調製>[実施例1][A]化合物としてA-113質量部、[B]重合体としてB-1100質量部、[C]重合体としてC-13質量部、拡散制御剤としてD-113質量部、溶媒としてE-11,980質量部及びE-2848質量部、並びにラクトン化合物としてF-1200質量部を添加し、各成分を混合して均一溶液とした。その後、孔径0.2μmのメンブランフィルターを用いてろ過することにより、ポジ型感放射線性樹脂組成物を調製した総固形分濃度約4。[実施例2~12及び比較例1~8]表1に示す種類、量の各成分を使用した以外は実施例1と同様に操作して、各感放射線性樹脂組成物を調製した。なお、表1中の-は、該当する成分を使用しなかったことを示す。<レジストパターンの形成>下記に示すパターン形成方法P-1又はP-2により、調製した各感放射線性樹脂組成物を用いてレジストパターンを形成した。各感放射線性樹脂組成物の使用したパターン形成方法を表1にあわせて示す。[パターン形成方法P-1]下層反射防止膜ARC66、日産化学製を形成した12インチシリコンウェハ上に、感放射線性樹脂組成物を塗布し、表1に示す温度で60秒間PBを行い、膜厚75nmの塗膜を形成した。次に、この塗膜をArFエキシマレーザー液浸露光装置NSRS610C、NIKON製を用い、NA=1.3、ratio=0.800、Annularの条件により、マスクパターンを介して露光した。露光後、表1に示す温度で60秒間PEBを行った。その後、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により現像、水洗、乾燥してポジ型のレジストパターンを形成した。[パターン形成方法P-2]パターン形成方法P-1と同様に操作して、膜厚75nmの塗膜を形成した。次に、この塗膜上に、WO2008/047678実施例1に記載の上層膜形成用組成物をスピンコートし、PB90°C、60秒を行うことにより膜厚90nmの塗膜上層膜を形成した。この塗膜を、上記ArFエキシマレーザー液浸露光装置を同様の条件で用い、マスクパターンを介して露光した。露光後、表1に示す温度で60秒間PEBを行った。その後、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により現像し、水洗、乾燥してポジ型のレジストパターンを形成した。<評価>上記のように形成したレジストパターンについて、以下のように各種物性を評価した。結果を表1にあわせて示す。[MEEF]ターゲットサイズが50nm1L/1Sのマスクパターンを介して露光することによって線幅が50nmのラインアンドスペースLSパターンが形成される露光量を最適露光量とした。この最適露光量にてライン幅のターゲットサイズを46nm、48nm、50nm、52nm、54nmとするマスクパターンをそれぞれ用い、ピッチ100nmのLSパターンを形成し、レジスト膜に形成されたライン幅を測長SEMCG4000、日立製作所製にて測定した。このとき、ターゲットサイズnmを横軸に、各マスクパターンを用いてレジスト膜に形成されたライン幅nmを縦軸にプロットしたときの直線の傾きをMEEFとして算出した。MEEF直線の傾きはその値が1に近いほどマスク再現性が良好である。[LWRnm]ターゲットサイズが50nm1L/1.8Sのマスクパターンを介して露光することによって線幅が50nmのLSパターンが形成される露光量を最適露光量とした。この最適露光量にて得られたLSパターンを上記測長SEMにて測定した。測長SEMにてパターン上部から、線幅を任意のポイントで10点観測し、その測定ばらつきを3シグマで表現した値をLWRとした。LWRが5.7以下の場合に、パターンの直線性に優れ、LWRを良好と判断した。[最小倒壊寸法nm]ターゲットサイズが50nm1L/1.8Sのマスクパターンを介して1mJずつ露光量を変化させながら露光した。ラインの倒れが発生した露光量よりも1mJ小さい露光量にて形成されたパターンのライン幅を上記測長SEMにより測定し、最小倒壊寸法とした。最小倒壊寸法の値が37以下の場合に耐パターン倒れ性が良好と判断した。表1に示される結果から明らかなように、当該感放射線性樹脂組成物から形成されるレジストパターンは、パターン倒れに対する耐性及びLWRに優れ、MEEFとのバランスも良好であることがわかった。"