放電チャンバ壁を有するトロイド形状放電チャンバを含む誘電体バリア放電DBDランプデバイスであって、管状内壁セクションと、管状外壁セクションと、2つのリング形状端壁セクションと、を含み、各リング形状端壁セクションは、前記管状外壁セクションの端部と前記管状内壁セクションの端部との間に延在する、DBDランプデバイス。前記放電チャンバ壁の前記管状外壁セクションの外面に設けられる高電圧電極を含む、請求項1に記載のDBDランプデバイス。前記高電圧電極は、間隔があけられた平行ワイヤを含むワイヤメッシュを含む、請求項2に記載のDBDランプデバイス。前記高電圧電極は、前記リング形状端壁セクションのうちの1つに又は付近に少なくとも部分的に設置される導体を介して付勢される、請求項2又は3に記載のDBDランプデバイス。低電圧電極は、前記放電チャンバ壁の前記管状内壁セクションによって囲まれる導電性流体を含む、請求項1乃至4の何れか一項に記載のDBDランプデバイス。前記低電圧電極は更に、前記放電チャンバ壁の前記管状内壁セクションによって囲まれ、前記管状内壁セクションの第1の端部からもう一方の端部まで少なくとも部分的に延在する導電性要素を含み、前記導電性要素は、前記第1の端部においてのみ電気的に接続されている、請求項5に記載のDBDランプデバイス。前記導電性要素は、ワイヤ、前記管状内壁セクション上のコーティング、又は、メッシュである、請求項6に記載のDBDランプデバイス。前記管状内壁セクションの両端部に又は両端部付近に2つのブッシュを含み、前記ブッシュは、導電性部分を含み、前記導電性要素は、前記2つのブッシュのうちの第1のブッシュの前記導電性部分に、第2のブッシュの前記導電性部分に接触することなく、電気的に接続されている、請求項6又は7に記載のDBDランプデバイス。前記2つのブッシュのうちの少なくとも一方は、前記導電性部分から完全に形成されている、請求項8に記載のDBDランプデバイス。前記放電チャンバ壁の前記管状外壁セクションの内面に設けられる反射層を含む、請求項1乃至9の何れか一項に記載のDBDランプデバイス。前記放電チャンバ壁の前記管状外壁セクションの前記内面に設けられる第1のルミネッセンス層を含む、請求項1乃至10の何れか一項に記載のDBDランプデバイス。前記放電チャンバ壁の前記管状内壁セクションの外面に設けられる第2のルミネッセンス層を含む、請求項1乃至11の何れか一項に記載のDBDランプデバイス。前記リング形状端壁セクションから延出する前記管状内壁セクションの管状延長部を含み、反射要素又は反射層が前記管状延長部の外側に配置されて、前記ランプによって発生されたUV光を前記管状延長部の外に配置された光センサに向けて反射する、請求項1乃至12の何れか一項に記載のDBDランプデバイス。請求項1乃至13の何れか一項に記載のDBDランプデバイスを含む光学流体処理デバイスであって、前記放電チャンバ壁の前記管状内壁セクションが、前記DBDランプデバイスの前記放電チャンバ内で発生された光によって照射される流体用のダクトの壁の一部を形成する、光学流体処理デバイス。前記DBDランプデバイスは、前記放電チャンバ内に放電を発生させるランプドライバを含み、前記ランプドライバの少なくとも一部は、前記ダクト壁に熱的に接触して、前記ランプドライバから前記ダクト内の前記流体への熱の流動を可能にする、請求項14に記載の光学流体処理デバイス。前記DBDランプデバイスの低電圧端子は、前記ダクト内の流体に電気的に接触する接触面を有する、請求項14又は15に記載の光学流体処理デバイス。前記ダクト内又は前記ダクトと流体連結する空間内の前記流体の存在を検知する流体存在センサを含み、前記DBDランプデバイスは、前記流体存在センサによって前記流体の存在が検知される場合に起動される、請求項14乃至16の何れか一項に記載の光学流体処理デバイス。前記ダクト内の前記流体の存在を検知する流体存在センサを含み、前記流体存在センサは、前記導電性要素と前記2つのブッシュのうちの前記第2のブッシュの前記導電性部分との間の電流の流れを測定する、請求項8又は9に従属する請求項14乃至16の何れか1項に記載の光学流体処理デバイス。前記ダクト内の前記流体の流動状態を検知する流体流動状態センサを含み、前記DBDランプデバイスは、前記流体流動状態センサによって前記流体の流動状態が検知される場合に起動される、請求項14乃至18の何れか一項に記載の光学流体処理デバイス。前記流体流動状態センサは、前記ダクト内のバルブを開けることによって起動され、前記流体流動状態センサはバルブアクチュエータに結合されている、請求項19に記載の光学流体処理デバイス。流体を収容し、流体排出開口を有する流体コンパートメントと、請求項14乃至20の何れか一項に記載の光学流体処理デバイスと、を含み、前記流体コンパートメントの前記流体排出開口は、流体リザーバから流体を注ぐ際に、前記流体コンパートメントから前記光学流体処理デバイスの前記ダクトを介して流体が流れるように、前記ダクトに接続される、流体リザーバ。流体処理に適した小型DBDランプを提供することが望ましい。また、より安価なDBDランプを提供することも望ましい。また、DBDランプデバイスを含み、頑丈な機械デザインを有する流体処理デバイスを提供することが更に望ましい。これらの検討事項のうちの1つ以上の検討事項に取り組むため、本発明の第1の態様では、放電チャンバ壁を有するトロイド形状放電チャンバを含む誘電体バリア放電DBDランプデバイスが提供される。当該DBDランプデバイスは、管状内壁セクションと、管状外壁セクションと、2つのリング形状端壁セクションとを含み、各端壁セクションは、外壁セクションの端部と内壁セクションの端部との間に延在する。このような構造は、DBDランプ内で発生される放射によって処理される流体用のダクトの一部であるDBDランプの管状内壁セクションを提供することによって、DBDランプデバイスがその中で使用される光学流体処理デバイスの単純かつコンパクトな構成の新しい可能性を開くDBDランプデバイスを提供する。一実施形態では、DBDランプデバイスは、放電チャンバ壁の外壁セクションの外面に設けられる高電圧電極を含む。外壁セクションの外面の略全面に延在する当該高電圧電極は、例えばDBDランプデバイスの外壁セクションの周りに高電圧電極材料シートを巻き付けることによって、外壁セクションの周りに高電圧電極材料スリーブを滑らせることによって、又は、外壁セクションの周りに高電圧電極材料のワイヤ又はストリップを巻くことによって、非常に簡単に付与される。一実施形態では、高電圧電極は、間隔があけられた平行ワイヤを含むワイヤメッシュを含む。高電圧電極が付勢されると、各ワイヤは、DBDランプデバイスの放電チャンバ内の放電を促進する局所的に高い電場勾配を生成し、放電チャンバ内の放電の均等分布がもたらされる。一実施形態では、高電圧電極は、端壁セクションのうちの1つに又は付近に少なくとも部分的に設置される導体を介して付勢される。導体は、このように配置され、また、高電圧電極が付勢されると、対応する端壁セクションに局所的に高い電場勾配を生成する。これは、DBDランプデバイスの放電チャンバ内の放電現象の開始を促進する。一実施形態では、DBDランプデバイスの低電圧電極は、放電チャンバ壁の内壁セクションによって囲まれる導電性流体を含む。当該流体は、任意の位置において、ランプドライバの低電圧端子によって接触されると、DBDランプデバイスの内壁セクションの内面における低電圧電極として機能する。低電圧端子と流体との接触位置は、例えば内壁セクションが、流体がその中に存在する又はその中を流れるダクトの壁の一部を形成する場合、内壁セクションの領域の外側であってもよい。ランプドライバは、DBDランプデバイスの放電チャンバ内に放電を引き起こす電圧を発生する。一実施形態では、導電性流体で作られる低電圧電極は更に、放電チャンバ壁の内壁セクションによって囲まれ、内壁セクションの第1の端部からもう一方の端部まで少なくとも部分的に延在する導電性要素を含み、当該導電性要素は、第1の端部においてのみ例えば接続端子又はランプドライバに電気的に接続されている。例えば金属要素又は炭素要素である導電性要素は、任意のデザインを有し、また、2つの管端部間で管状内壁セクションの少なくとも半分を上回って延在することが好適である。導電性要素は、直線形、例えば内壁セクションの壁に接触するらせん形、又は任意の他の形を有するワイヤから形成される。この要素は更に、内壁セクション上のコーティングによって又はメッシュ構造体によって形成されてもよい。この導電性要素が電極として機能することによって、導電性流体への低電圧接触が向上される。一実施形態では、DBDランプデバイスは、内壁セクションの各端部に又はその付近に1つずつある、2つのブッシュを含む。当該ブッシュは、例えば金属部分である導電性部分を含むか、又は、金属といった導電性材料で完全に作られる。ブッシュは、例えばリング内部プラスチック材料上に成形されるか又は接着剤/Oリングによってプラスチック材料にシールされるといった導電性部分を有するプラスチック又はゴム部分として形成されてもよい。導電性要素は、2つのブッシュのうちの片方に、具体的には導電性部分に、電気的に接続され、第2のブッシュの導電性部分には接触しない。導電性要素に接続する第1のブッシュの導電性部分は、導電性ワイヤによって、ドライバの低電圧出力部にも接続される。第2のブッシュの導電性部分は、導電性要素と第2のブッシュの導電性部分との間の流体の伝導率を測定できるように、即ち、流体の伝導率を測定できるように、ドライバの測定入力部に電気的に接続される。この実施形態では、流体存在センサは、低電圧電極を使用して実現される。導電性要素は、第2のブッシュの導電性部分に近接するが、第2のブッシュの当該部分には触れないようにデザインされる。即ち、導電性要素は、その端部と、第2のブッシュ又はその導電性部分との間に間隙を残す。当該間隙は、導電性要素の端部から、第2のブッシュの導電性部分までの流体の電気抵抗が測定できて、かつ、流体の存在を検出するために使用できるような寸法にされる。これにより、流体内に任意の更なる流体検出器を導入する必要がなくなり、デバイスのメンテナンスのし易さと信頼性を高める。第2のブッシュは、例えば数cmほど、ランプの端部から幾らかの距離分、離されてもよい。一実施形態では、放電チャンバ壁は、ガラス、具体的には石英ガラスで作られる。放電チャンバ壁の様々な壁セクションのガラスのタイプは、同じでも異なってもよい。具体的には、DBDランプデバイスが、光学流体処理デバイス、即ち、光によって流体を処理するデバイスにおいて使用される場合、放電チャンバ壁の内壁セクションは、放電チャンバ内で発生された放射が内壁セクションによって囲まれた空間内に放射されるように光透過性である。このような放射は、当該空間内に存在する、流れる、又は循環する流体を処理するように使用される。一実施形態では、DBDランプデバイスは、放電チャンバ壁の外壁セクションの内面に設けられる反射層を含む。当該反射層は、放電チャンバ内で発生された放射が外壁セクションを介して放電チャンバから出ないようにし、また、放電チャンバ内で発生された放射を、内壁セクションに及び内壁セクションによって囲まれた空間に導く。このようにすると、当該空間における放射量が最大化される。一実施形態では、第1のルミネッセンス層が放電チャンバ壁の外壁セクションの内面に設けられる。第2のルミネッセンス層が放電チャンバ壁の内壁セクションの外面に設けられる。第1及び第2のルミネッセンス層は、所望通りに一定量のかつ様々な放射を生成するように同じ波長及び/又は異なる波長の光を発生する。一実施形態では、DBDランプデバイスは、端壁セクションから延出する内壁セクションの管状延長部を含む。反射要素又は反射層が管状延長部の外側に配置され、ランプによって発生されたUV光を、管状延長部の外に配置された光センサに向けて反射する。DBDランプのこのデザインは、ランプ端部のうちの対応する1つへと散乱され、かつ、反射要素によりランプの外の光センサへと反射されたUV光を測定することによって、ランプのUV出力と、流体例えば水への吸収とを測定することを可能にする。光センサは、直接UVセンサであっても、反射UV光が可視光に変換される場合は、可視光用のフォトダイオードであってもよい。この変換は、反射要素と光センサとの間に配置される蛍光体層によって行われる。UV-C放射で流体を消毒するためにDBDランプデバイスを使用する場合、デバイスが確実に動作し、UV-C出力が望む消毒レベルとなるのに十分であることが重要である。内管から到来するUV-C放射を測定し、また、この放射を適切なセンサへと反射することによって、UV-C出力の測定を簡単に実現することができる。本発明の第2の態様では、光学流体処理デバイスが提供される。当該光学流体処理デバイスは、上記DBDランプデバイスを含み、放電チャンバ壁の内壁セクションが、DBDランプデバイスの放電チャンバ内で発生される光によって照射される流体用のダクトの壁の一部を形成する。DBDランプのトロイド形状デザインによって、低体積流量即ち、毎分1リットル未満から高体積流量を含む家庭用、医療用、又は工業上の用途といった様々な流体処理用途に容易に組み込むことができるコンパクトな構造体が得られる。高電位にあるDBDランプの部品は、流体処理デバイス内の流体から離れており、また、容易に絶縁されるので、コンパクトで、頑丈で、低コストで、安全なデバイスが提供される。このような特性は、反応チャンバ内で光源周りを処理されるべき流体が流れることが開示される国際特許公開公報WO2010079401とは対照的に、DBDランプ内のダクト反応チャンバを処理されるべき流体が通るように導く本発明の光学流体処理デバイスにおいて得られる。本発明の流体処理デバイスの一実施形態では、DBDランプデバイスは、放電チャンバ内に放電を発生させるランプドライバを含み、ランプドライバの少なくとも一部はダクト壁に熱的に接触して、ランプドライバからダクト内の流体への熱の流れを可能にする。したがって、ランプドライバの1つ以上のコンポーネントの冷却は、当該コンポーネントにおいて発生した熱が、流体が熱を吸収することによってデバイスから除去されるように当該コンポーネントからダクト又はダクト壁への熱の流路を確立することによって、実現される。本発明の流体処理デバイスの一実施形態では、DBDランプデバイスの低電圧端子は、ダクト内の流体に電気的に接触する接触面を有する。ダクト内の流体は、それが導電性である限り、低電圧端子を介してランプドライバに電気的に接続されるDBDランプの低電圧電極として機能する。したがって、DBDランプに低電圧電極を設けることが、DBDランプのトロイド形状における流体を使用することによって大幅に容易にされる。一実施形態では、本発明の流体処理デバイスは、ダクト内又はダクトと流体連結する空間内の流体の存在を検知する流体存在センサを含み、DBDランプデバイスは、流体存在センサによって流体の存在が検知される場合に起動される。流体存在センサが、流体処理デバイスのダクト内に、又は、ダクトと流体連結する空間内に流体がないことを示す場合、DBDランプデバイスによって処理すべき流体がないので、DBDランプデバイスは、例えばDBDランプデバイスの放電チャンバ内に放電を発生するようにDBDランプデバイスの電極に電圧を供給するランプドライバによって起動される必要がない。さらに、流体、具体的には、DBDランプの内壁セクションによって囲まれる流体が、DBDランプの低電圧電極として使用される場合、流体処理デバイスのダクト内に流体がないということは、いかようにも放電を発生することができないことを意味する。したがって、DBDランプデバイスは、流体処理デバイスのダクト内に流体の存在が検知された場合のみ起動されればよい。ランプドライバは、流体存在センサからの検知信号を処理して、流体の有無を示す検知信号に応じてランプドライバを動作させるコントローラを含む。一実施形態では、本発明の流体処理デバイスは、ダクト内の流体の流動状態を検知する流体流動状態センサを含み、DBDランプデバイスは、流体流動状態センサによって流体の流動状態が検知される場合に起動される。幾つかの用途では、DBDランプデバイスは、流体がダクト内に不動で存在する場合には起動される必要がなく、流体が流れている場合にのみ起動される必要がある。このような用途の例としては、流体処理デバイスを介して水供給源に接続される水栓デバイスが挙げられる。この水供給源は、例えば公共の配水管網の一部であっても、又は、ダクトの出口における水の流れがダクト内の機械的に又は電気的に操作されるバルブによって制御される水容器であってもよい。流体の流動状態は、流体に接触している流動センサによって直接検知されても、又は、機械的に又は電気的に操作されるバルブの開状態又は閉状態を検知することによって間接的に検知されてもよい。後者の場合、流体流動状態センサは、流体処理デバイスのダクト内のバルブを開けることによって起動され、流体流動状態センサはバルブアクチュエータに結合される。機械的に操作されるバルブの場合、バルブアクチュエータは、ノブ若しくはレバー、又は、同様の手段であり、流体流動状態センサは、バルブアクチュエータの位置を検知する。電気的に操作されるバルブの場合、バルブアクチュエータは、手で又は自動的に操作されるスイッチである。本発明の更なる態様では、流体差し又は流体ホルダ又は流体ピッチャー又は流体容器である流体リザーバが提供される。当該流体リザーバは、流体を収容する流体コンパートメントを含む。流体コンパートメントには、流体排出開口が設けられる。当該流体リザーバは更に、上記光学流体処理デバイスを含む。流体コンパートメントの流体排出開口は、流体リザーバから流体を注ぐ際に、流体コンパートメントからダクトを介して流体が流れるように、光学流体処理デバイスのダクトに接続される。したがって、流体リザーバから流体を注ぐ際に流体は光学的に処理される。一実施形態では、流体リザーバは、DBDランプデバイスの主要な電気コンポーネントを流体から離すように、DBDランプデバイスを収容する処理コンパートメントを含む。一実施形態では、DBDランプデバイスによってダクト内の流体に電気的に接触する接触面が、流体コンパートメントの流体排出開口に設置される。一実施形態では、流体リザーバのDBDランプデバイスは、流体リザーバの傾斜角を検出する傾斜センサを含み、DBDランプデバイスは、この傾斜角が所定範囲内にある場合に起動される。流体リザーバが使用されていない場合、即ち、流体リザーバから水が注がれていない場合、DBDランプデバイスは、起動されている必要はない。即ち、光を発生する必要はない。したがって、流体リザーバの場合には電池によって供給されるエネルギーを節約するために、流体リザーバからの流体の注ぎは、傾斜センサによって検出され、流体リザーバの使用が示される。DBDランプデバイスは、DBDランプデバイスのダクトの配置を考慮して、流体リザーバの傾斜が、水がダクトを介して流れるのに十分である場合にのみ、起動される。十分な傾斜は、傾斜角が所定範囲内にある場合に確立される。傾斜センサは、流体流動状態センサの一実施形態である。本発明のこれらの及び他の態様は、以下の詳細な説明を参照して、同様の参照符号は同様の部分を示す添付図面に関連して検討することにより理解できるにつれてより容易に理解されよう。図1及び図2は、誘電体バリア放電DBDランプデバイスの一実施形態の一部を示す。放電チャンバ10は、トロイド形状の放電チャンバ壁12によって画定される。放電チャンバ壁12は、ある一定長さを有する略管状の内壁セクション14と、ある一定長さを有する略管状の外壁セクション16と、外壁セクション16の第1の端部と内壁セクション14との間に延在する第1の略リング形状の端壁セクション18と、外壁セクション16の第1の端部の反対側の外壁セクション16の第2の端部と内壁セクション14との間に延在する第2の略リング状の端壁セクション20とを含む。図1では、内壁セクション14及び外壁セクション16の長さは、矢印IIの方向に延在する。一実施形態では、内壁セクション14と、第1及び第2の端壁セクション18、20と、外壁セクション16としたがって、放電チャンバ壁12全体は一体に作られる。一実施形態では、内壁セクション14と、第1及び第2の端壁セクション18、20と、外壁セクション16とは、例えば石英ガラスである透明材料といった同じ材料で作られる。なお、様々な壁セクションの形状及び寸法は、様々であってよい。内壁セクション14又は外壁セクション16の直径は、図1に示されるように、その長さに沿って同じでも、その長さに沿って変動してもよい。外壁セクション16の外径は、約1又は1.5cmから数cmであってよい。図1に示されるように、内壁セクション14の直径又は外壁セクション16の直径は、その長さより小さい。他の実施形態では、内壁セクション14又は外壁セクション16の直径は、その長さより大きくてもよい。更に、端壁セクション18又は20は、端壁セクション18又は20及び外壁セクション16について図1において見られるように、内壁セクション14又は外壁セクション16の、場合により曲線状の端縁部分に接合する曲線状の縁部分を有する。また、様々な壁セクションは、各壁セクションの全体を、又は、例えば放電チャンバ壁12を局所的に強化するために、1つの壁セクションにおいて局所的に様々な厚さを有してよい。更に、図1は、内壁セクションが直線ダクトを画定するものとして示すが、他の実施形態では、このダクトは曲線状であってもよい。また、内壁セクション14及び/又は外壁セクション16の断面は、図2に示されるように、円形であってよいが、例えば楕円形、長円形、又は多角形であってもよく、端壁セクション18、20は対応する周囲形状を有する。図1を参照すると、放電チャンバ壁12の外壁セクション16の外面には、高電圧電極22が設けられている。概略的に示されるように、高電圧電極22は、第1の方向に延在する間隔があけられた複数の平行ワイヤに、この第1の方向から0ではない角度にある第2の方向に延在する間隔があけられた複数の平行ワイヤが織り込まれて又は織り込まれないで例えば重ねられて又は巻きつけられて作られるメッシュといったワイヤメッシュを含む。このように構成されたワイヤメッシュでは、第1及び第2の方向に延在するワイヤは、第1及び第2の方向のワイヤ間に開口メッシュを作る。一実施形態では、ワイヤ直径は、約0.1~約3mm、例えば約0.3mmである。同じ方向に延在する並行ワイヤ間の距離は、約0.5~約25mmである。代替実施形態では、高電圧電極は、外壁セクション16の外面に付与される高電圧電極材料シートを含む。高電圧電極の別の代替実施形態では、外壁セクション16の外面に付与される高電圧電極材料シートに開口パターンが付けられる。これらの開口は、任意の形状及び表面積、例えば1~5mm2の表面積を有してよい。連続的な又は開口パターンが付けられている高電圧電極材料シートを付与するのではなく、外壁セクション16の外面に、連続的な又は開口パターンが付けられた高電圧電極材料コーティングを設けてもよい。高電圧電極材料は、金属例えば銅若しくはアルミニウム、又はそれらの化合物といった任意の導電性材料であってよい。高電圧電極は、図1に稲光のシンボルlightningsymbolによって示されるように、端壁セクション18の付近に又は端壁セクション18に少なくとも部分的に設置されるケーブルといった導体24を介して付勢される。放電チャンバ10は、放電チャンバ壁12の外壁セクション16の内面に設けられる反射層26を含む。反射層26はAl2O3を含む。反射層26上には、外壁セクション16の内面に向く方ではなく、放電チャンバ10の内部に向いている側面に、第1のルミネッセンス層28が設けられ、放電チャンバ10内のXeといったガスが放電すると発光する。一実施形態では、第1のルミネッセンス層28によって放出される放射は、UV-C放射波長100~280nmを含む。第1のルミネッセンス層28は、1つ以上の所望の波長を有するUV-C光の放出を刺激するために、YPO4Biといった1つ以上の蛍光体化合物を含む。放電チャンバ10の内部に向く、放電チャンバ壁12の内壁セクション14の外面には、放電チャンバ10内のガスが放電すると、例えばUV-C放射を含む光を放出する第2のルミネッセンス層30が設けられる。第2のルミネッセンス層30は、第1のルミネッセンス層28内の蛍光体化合物と同じであっても又は異なってもよい1つ以上の蛍光体化合物を含む。内壁セクション14の内面によって画定されるダクト32内には、場合により開口が設けられている導電材料シート又は導電性コーティングとして、低電圧電極34が設けられる。しかし、低電圧電極34を用いる代わりに、ダクト32内に少なくとも一箇所において低電圧端子36が接触する導電性流体を充填し、結果として端子36に接触する導電性流体が低電圧電極として機能してもよい。上記箇所は、例えばダクト32の1つの端部又は両端部にあってよい。低電圧電極34又は低電圧端子36は、導体56を介して質量又は接地電位に接続される。動作時、低電圧電極は、質量又は接地電位に維持される。導体24を介して高電圧電極22を適切に付勢すると、放電チャンバ10内に放電が成長する。放電の成長は、端壁セクション18に沿って延在する導体24によって促進され、これにより、局所的に高い電場勾配が生成される。また、高電圧電極22としてワイヤメッシュを付与する場合も、局所的に高い電場勾配が生じ、放電チャンバ10内で生じる放電が促進される。放電チャンバ10内の放電は、UV-C光を発生し、このUV-C発光は、ルミネッセンス層28及び30によってより長い波長を有するUV-C光に変換される。この光は、反射層26によって反射され、基本的にダクト32に誘導される。したがって、内壁セクション14が光透過性であると、ルミネッセンス層28及び30によって放電チャンバ10内に発生された光は、主に、ダクト32内へと放射される。DBDランプは、製造がし易く、したがって低価格である、頑丈な機械デザインを有する。図3は、図1及び図2を参照して上述したDBDデバイスを含む光学流体処理デバイスの一実施形態を示す。図3では、同じ若しくは同様の部分、又は、同じ若しくは同様の機能を有する部分には、図1及び図2と同じ参照符号が付けられている。図3では、内壁セクション14は、内壁セクション14の両端部に、それぞれ、延長部40及び42を有する。延長部40及び42は、それぞれ、例えば可撓性又は剛体流体ダクト44及び46に結合される。したがって、連続的な、閉じられた流体ダクトが設けられ、この中を流体が、流体ダクト44からダクト32を介して流体ダクト46に、又は、その反対に流れる。延長部42上には、プリント回路基板PCB50を含むランプドライバが設けられ、その上に電圧を発生させる電気コンポーネント52が取り付けられる。ランプドライバは、主電源若しくは電池、又は、任意の他の電源図示せずによって付勢される。更に、延長部42上において、ランプドライバは、プリント回路基板において発生された電圧から例えば4.5kVである高電圧を発生するように設けられたトランスフォーマ54を含む。この高電圧は、導体24を介して、高電圧電極22に印加される。導体56は、PCB50を、流体ダクト内に置かれた低電圧端子58に接続する。端子58は、導電材料で作られたリングであってよい。したがって、流体ダクト内の導電性流体は、低電圧電極として機能する。端子58は、ダクト32内の導電性流体と電気的接触できるならば、リングではなく、他の形状又は構成が選択されてもよい。図3では、端子58は、延長部42の端部にあるように示される。更なる低電圧端子図示せずが、延長部40に置かれてもよい。ダクト32の上流及び下流の両方に低電圧端子が設置されることで、この端子対は、これらの端子間の伝導率を測定することによりダクト32内に導電性流体があるかどうかを確認する伝導率センサとして、ランプドライバによって用いられる。これらの端子間に所定閾値を上回る伝導率を有する導電路の存在がランプドライバにおいて確認されると、DBDランプを操作できる。なお、ここでは、光学流体処理デバイスにおける導電性流体の流動方向が既知である場合、ダクト32に対して下流位置にある伝導率センサが、ダクト32内の流体の有無を表す信号を提供する。PCB50及びトランスフォーマ54が延長部42に配置されることによって、PCB50及び/又はトランスフォーマ54と延長部42との間に熱接触がある場合、PCB50及び/又はトランスフォーマ54から流体ダクト内の流体への熱伝達が、1つ以上のコンポーネント52及び/又はトランスフォーマ54を冷却するために確立される。ランプドライバ及び放電チャンバ10を含むDBDランプデバイスが、電源によって付勢されると、放電チャンバ10内で発生される光は、ダクト32内にある又はその中を流れる流体によって受け取られる。これにより、当該流体は、例えば殺菌又は消毒されて、微生物を死滅若しくは非活性化させるか、又は、流体内の物質を酸化若しくは分解されて処理される。ダクト32の体積、及び/又は、ダクト32内の流体の流速、及び/又は、ダクト32の長さ寸法放電チャンバ10の長さ寸法に一致は、所望の流体処理効果が得られるようにダクト32内での流体の任意の一部の所望の滞留時間を得る一方で、流体処理デバイスがコンパクトで、頑丈でかつ低価格であるようにデザイン又は選択されることが可能である。放電チャンバ10内で発生される光の一部は、DBDランプの内壁セクション14内で受け取られ、内部反射を介して、DBDランプの内壁セクション14の長手方向に誘導される。図3の実施形態では、この光は、DBDランプ側ではない延長部40及び42の端面に到達し、そこで処理作用をする。したがって、延長部40及び42の端面における微生物の望ましくない成長が防止される。実際の適用では、高電圧電極及び/又はランプドライバは、ユーザーと動作媒体又は高電圧のDBDランプデバイスコンポーネントとの不注意による電気的接触を回避するために、また、粉塵又は流体による汚染及びそのような汚染によるDBDランプデバイスコンポーネントの短絡を回避するために、絶縁体60によって覆われる。図3に示されるような絶縁スリーブといった絶縁体60具体的には、熱収縮性スリーブには、DBDランプデバイスの高周波動作を起因とする電磁適合性EMC問題具体的には、DBDランプデバイスの高電圧電極22によるEM放射を回避又は低減するように、その外面に導電層62又はスクリーンが設けられている。導電層62又はスクリーンは、質量又は接地に接続される。図4に示されるように、光学流体処理デバイスは、水差しといった流体リザーバ72の一部であってよい。水差しは、流体リザーバ72を手で傾けて流体リザーバ72から流体96を注ぐためのハンドル74を有する。流体リザーバ72は、図示される実施形態では基本的にL字型である流体コンパートメント76を含む。流体コンパートメント76は、その上側に注入口を有してよい。この注入口は、流体コンパートメントの注入が行われない場合は、キャップ又は蓋によって覆われる。流体コンパートメント76は、流体リザーバ72から流体を注ぐ際、その上側において開けられても即ち、流体の通過を可能にする又は閉じられても即ち、流体の通過を可能にしないよい。流体リザーバ72は更に、分離壁によって流体コンパートメントから分離される処理コンパートメント78を含む。処理コンパートメント78は、流体リザーバ72の上部に設置される。処理コンパートメント78は、ダクト92と、電池80と、ランプドライバ82とを有する、概略的に示されるDBDランプ70を収容する。流体コンパートメント76の排出開口90は、ダクト92が流体コンパートメント76と流体連結するようにダクト92の入口開口に隣接する。流体コンパートメント76内に流体96がある場合、流体96の液面84は、流体コンパートメント76及びダクト92においても同じである。処理コンパートメント78では、ダクト92の入口開口及び流体コンパートメントの排出開口90において、流体96と電気的に接触している接触面86が設置される。図4を不明瞭としないように、DBDランプ70の幾つかの部品、電池80、ランプドライバ82、及び絶縁構造体、並びに、それらの間の電気的及び機械的接続は、図4では省略している。流体リザーバ72が、水平面上に置かれる場合、流体差しから流体96は出ず、したがって、DBDランプデバイス70、82によって流体96は光学的に処理されなくてよい。したがって、DBDランプデバイスは、動作せず、又は、少なくともDBDランプ70は動作しない。その一方で、流体を注ぐためにユーザーが流体リザーバ72を持つと、流体差しは傾斜され、流体96が流体コンパートメント76からダクト92を介して流体差しの排出開口98へと流れ、流体リザーバ72から出る。流体96が流れるためには、流体リザーバ72は、少なくとも、所定角度を超えて傾斜される必要がある。ランプドライバ82は、流体リザーバ72の傾斜角を検出する傾斜センサ94を含んでよい。流体リザーバ72が、少なくとも、上記所定角度を超えて傾斜されていることが傾斜センサ94によって検出されると、ランプドライバ82はDBDランプ70を動作可能となるように起動し、これにより、ダクト92内を流れる流体を処理するための光が発生される。なお、DBDランプ70によって発生された光は、ダクト92の透過性壁内を、ダクト92の両端部にまで導かれる。ダクト92の端面から出る光は、当該部分を清潔にする、特に微生物や流体リザーバのユーザーの健康を危険にさらう他の物質から清潔にするために当該部分を光学的に処理する。接触面86によって、ランプドライバ82は流体96に電気的に接触することができ、これにより、ダクト96内の流体は、DBDランプ70の低電圧電極として機能する。処理コンパートメント78には、2つの伝導率センサ接点間の伝導率を測定する伝導率センサ68といった流体存在センサが更に設けられている。伝導率センサ接点は、両伝導率センサ接点に接触する流体によって、伝導率センサ68に結合されるランプドライバ82のコントローラが流体コンパートメント76内の流体の有無を確認できるように、流体コンパートメント76に面している処理コンパートメント78の壁部に設置される。流体コンパートメント76内に流体の存在が確認できない場合、傾斜センサ94が流体リザーバ72の傾斜を検出しても、DBDランプ70は起動される必要がない。図5は、一方で排出ダクト106を介して貯水槽といった流体容器又は流体リザーバ104と、他方でバルブ110を含む排出ダクト108との間に結合されるダクト102を有するDBDランプ100を示す。DBDランプ100を起動するランプドライバ112は、コントローラ114を含む。ランプドライバ112は、ライン116を介してDBDランプ100の高電圧電極に結合され、また、ライン120を介して低電圧端子118に結合される。流体存在センサは、それぞれ、ライン126及び128を介してコントローラ114に結合される第1の流体存在センサ接点122及び第2の流体存在センサ接点124を含む。バルブ110は、1つ以上のライン132を介してコントローラ114に結合される流動状態センサ130を含む。低電圧端子118は、DBDランプ100が起動される場合に、ダクト102内の流体が、DBDランプ100の低電圧電極として機能するように当該流体と電気的に接触する接触面を有する。コントローラ114は、第1及び第2の流体存在センサ接点122、124間の伝導率を測定する。伝導率が閾値を上回る場合、コントローラは、第1及び第2の流体存在センサ接点122、124間に流体が存在すると判断する。なお、第1及び第2の流体存在センサ接点122、124は、図5に示されるそれらの位置ではなく、排出ダクト106内に又は排出ダクト108内に共に設置されてもよい。コントローラ114は更に、流動状態センサ130によってバルブ110が開いているか又は閉じているかを測定する。バルブ110が開いている場合、流体は、流体リザーバ104から、排出ダクト108の排出開口140へと、矢印142の方向に流れる。バルブ110が閉じている場合、流体は、流体リザーバ104、排出ダクト106、ダクト102、及び排出ダクト108内で静止している。したがって、バルブ110の開状態は、流体が排出開口140へと流れる状態を表すのに対し、バルブ110の閉状態は、流体が排出開口140へと流れない状態を表す。DBDランプ100は、コントローラ114が第1及び第2の流体存在センサ接点122、124間の流体の存在を確認し、また、流動状態センサ130を介してバルブ110の開状態を確認すると、ランプドライバ112によって起動される。流動状態センサ130は更に、バルブ110の開きつつある状態、即ち、バルブ110の閉状態から開状態に移動しているがまだ開状態ではない状態も検出する。バルブ110の開きつつある状態では、DBDランプ100によって発生される放射によって最も効果的に流体を処理するために、DBDランプ100は、コントローラ114によって制御されて、流体が流れ始める前からランプドライバ112によって既に起動されている。なお、バルブ110の上流の排出ダクト108の長さは、DBDランプダクト102がバルブ110に事実上接合して、当該長さにおける流体が長時間静止し、また、バルブ110を開けることによって流体が流れ始める際に、DBDランプ100によって処理されないことを回避するように最小限にされる。図6は、一方で流体供給ダクト150に結合され、他方でバルブ154を含む排出ダクト152に結合されるダクト102を有するDBDランプ100を示す。DBDランプ100を起動するランプドライバ156は、コントローラ158を含む。ランプドライバ156は、ライン160を介してDBDランプ100の高電圧電極に結合され、かつ、ライン164を介して低電圧端子162に結合される。流体存在センサは、それぞれ、ライン170及び172を介してコントローラ158に結合される第1の流体存在センサ接点166及び第2の流体存在センサ接点168を含む。バルブ154は、1つ以上のライン176を介してコントローラ158に結合される流動状態センサ174を含む。低電圧端子162は、DBDランプ100が起動される場合に、ダクト102内の流体が、DBDランプ100の低電圧電極として機能するように流体に電気的に接触する接触面を有する。コントローラ158は、第1及び第2の流体存在センサ接点166、168間の伝導率を測定する。伝導率が閾値を上回る場合、コントローラ158は、第1及び第2の流体存在センサ接点166、168間に流体が存在すると判断する。なお、第1及び第2の流体存在センサ接点166、168は、図6に示されるそれらの位置ではなく、排出ダクト152内に共に設置されても、又は、第1及び第2の流体存在センサ接点166、168の一方が流体供給ダクト150内に設置され、もう一方が排出ダクト152内に設置されてもよい。排出ダクト152は、バルブ154が例えばノブ又はレバーによって機械的に又は例えばスイッチを起動することによって電気的に動作される水栓といったタップ180の一部であってよい。タップ180は、表面182にあるシンクに取付けられる。DBDランプデバイスは、表面182の下に取付けられる。実際の実施形態では、DBDランプデバイスは、キッチンシンクの下又は付近、例えばタップ180のユーザーからは見えない食器棚又は他の空間内に取付けられる。コントローラ158は更に、流動状態センサ174によってバルブ154が開いているか又は閉じているかを測定する。バルブ154が開いている場合、流体は、流体供給ダクト150から、排出ダクト152の排出開口190へと、矢印192の方向に流れる。バルブ154が閉じている場合、流体は、流体供給ダクト150、ダクト102、及び排出ダクト152内で静止している。したがって、バルブ154の開状態は、流体が排出開口190へと流れる状態を表すのに対し、バルブ154の閉状態は、流体が排出開口190へと流れない状態を表す。DBDランプ100は、コントローラ158が第1及び第2の流体存在センサ接点166、168間の流体の存在を確認し、また、流動状態センサ174を介してバルブ154の開状態を確認すると、ランプドライバ156によって起動される。流動状態センサ174は更に、バルブ154の開きつつある状態、即ち、バルブ154の閉状態から開状態に移動しているがまだ開状態ではない状態も検出する。バルブ154の開きつつある状態では、DBDランプ100によって発生される放射によって最も効果的に流体を処理するために、DBDランプ100は、コントローラ158によって制御されて、流体が流れ始める前からランプドライバ156によって既に起動されている。図7では、同じ若しくは同様の部分、又は、同じ若しくは同様の機能を有する部分には、図1乃至図3と同じ参照符号が付けられている。図7は、低電圧電極が内管内の金属電極38を含む、DBDランプデバイスの一実施形態を示す。低電圧電極を形成する導電性流体は、ランプの内管を流れる。内管内を流れる流体に確実に接触できるように、内管の端部にOリング48によって密封される2つの金属ブッシュ64、66が設けられる。2つのブッシュのうちの第1のブッシュ64は、導電性ワイヤ導体56によって、ドライバの低電圧出力部に接続され、第2のブッシュ66は、更なる導体56を介して、ドライバの測定入力部に接続され、これにより、流体の伝導率を測定することによって流体の存在を検出できる。金属電極38は、第1のブッシュ64に接続され、もう一方の管端部に向かって内管内に延在する。金属電極38は、第2のブッシュ66に非常に近接するが、第2のブッシュには触れない。このデザインは、一方で、内管内を流れる流体のより良好な電気的接触を可能にし、他方で、同時に、流体の存在を検出するセンサを形成する。第2のブッシュ66は、例えば最大10cmといった金属ワイヤ56と第2のブッシュ66との間の流体の電気伝導率の測定が依然として可能である距離まで、内管から離れて配置されてもよい。例えば、タップが延長部42の内管の端部に形成されてもよく、また、第2のブッシュは当該タップの出口開口に配置されてもよい。図8は、DBDランプ100のUV-C出力が測定される更なる実施形態を示す。DBDランプ100は、電池及びドライバコンパートメント148に接続されるランプ及びトランスフォーマコンパートメント146内に配置される。DBDランプ100は、両端部に2つの延長部40、42を含む。内管から出るUV-C放射は、内管延長部42の外壁上のミラー88によって反射される。反射されたUV-C放射は、流体内を進行し、内管延長部42の対向壁上の蛍光体によって可視光に変換される。当該可視光は光センサ144によって測定される。DBDランプが依然として新しく、また、既知のUV-C透過率を有する流体である場合、この信号の較正後、この信号は、流体品質及びランプメンテナンス用の測定値となる。これにより、性能が低過ぎる場合は、ユーザーに知らせることができる。光測定の代案として、直接UV-C測定蛍光体による光の変換なしも可能であるが、これらのセンサは精度があまりよくなく、かなり高価である。改良バージョンは、DBDランプデバイスの端部における上記の光測定と組み合わされた、DBDランプのリフレクタを直接通過するUV-Cの直接測定である。これは、DBDランプデバイスのメンテナンスが独立して測定され、初期値に対する相対減少を測定するだけでよいので、システムの精度を向上させる。この場合、UV-Cセンサは、基準に対して較正される必要はない。上述したように、誘電体バリアDBDランプデバイスは、放電チャンバ壁を有するトロイド形状放電チャンバを含む。この放電チャンバ壁は、管状内壁セクションと、管状外壁セクションと、2つのリング形状端壁セクションとを含む。各端壁セクションは、外壁セクションの端部と内壁セクションの端部との間に延在する。高電圧電極が、放電チャンバ壁の外壁セクションの外面に設けられる。低電圧電極は、放電チャンバ壁の内壁セクションによって囲まれる導電性流体を含む。DBDランプデバイスは、光学流体処理デバイスの一部であってよい。なお、DBDランプは、特定の用途に応じてあらゆる向きに取付けることができる。本発明による流体リザーバ又は流体差し又は流体容器の実施形態は、次の箇条A~Dにより定義される。A.流体を収容し、流体排出開口を有する流体コンパートメントと、上記光学流体処理デバイスと、を含み、当該流体コンパートメントの当該流体排出開口は、流体リザーバから流体を注ぐ際に、当該流体コンパートメントから当該光学流体処理デバイスの当該ダクトを介して流体が流れるように、当該ダクトに接続される、流体リザーバ。B.DBDランプデバイスを収容する処理コンパートメントを更に含む、箇条Aに記載の流体リザーバ。C.当該ダクト内の流体に電気的に接触する接触面が、当該流体コンパートメントの当該流体排出開口に又はその付近に設置される、箇条A又はBに記載の流体リザーバ。D.当該DBDランプデバイスは、当該流体リザーバの傾斜角を検出する傾斜センサを含み、当該DBDランプデバイスは、当該傾斜角が所定範囲内にある場合に起動される、箇条A乃至Cの何れか一箇条に記載される流体リザーバ。必要に応じて、本明細書に本発明の詳細な実施形態が開示される。しかし、開示された実施形態は、様々な形態に具現化できる本発明の例示に過ぎないことは理解されるべきである。したがって、本明細書に開示される特定の構造上及び機能上の詳細は、限定的に解釈されるべきではなく、特許請求の範囲の根拠、及び、実質的に任意の適切に詳述される構造体に本発明を様々に採用できるように、当業者に教示するための代表的な根拠としてのみ解釈されるべきである。更に、本明細書で使用される用語及び表現法は、限定ではなく、むしろ、本発明の理解可能な説明を与えることを意図している。本明細書で使用される用語aまたはanは、1つ又は2つ以上と定義される。本明細書で使用される用語複数は、2つ又は3つ以上と定義される。本明細書で使用される用語別のは、少なくとも第2のまたはそれ以上のものとして定義される。本明細書で使用される用語含むincludingおよび/または有するhavingは、包含するcomprisingすなわち、開放言語、他の要素又はステップを除外しないとして定義される。本明細書で使用される用語トロイド又はトロイド形状は、一般に、幾何学的図形外の軸周りに当該幾何学的図形を旋回させることにより生成される環状形状を指す。更に、本明細書で使用される当該用語は、本明細書で更に定義されるように、断面、即ち、当該軸に対し直角の平面において円形でなくともよいが、楕円形、長円形、又は多角形の断面を有してよい内壁セクション及び/又は外壁セクションを有する略環状の形状を指す。特許請求の範囲における任意の参照符号は、特許請求の範囲又は発明を限定するものと解釈されるべきではない。特定の手段が相互に異なる従属請求項に記載されているという単なる事実は、これらの手段のうちの1つ以上の手段の組み合わせを有利に使用することができないことを示すものではない。