メモリをアクセスするためのインターリーブ比を選択する、コンピュータにより実施される方法であって、フラッシュメモリデバイスにおいて、複数のフラッシュメモリセル上でのメモリ動作を実行する要求を受信し、前記要求が受信されたときに前記フラッシュメモリデバイスにより使用されている1つまたは複数の現在の動作設定を特定し、前記現在の動作設定は、前記フラッシュメモリデバイスの動作中に可変であり、前記複数のフラッシュメモリセルの少なくとも一つまたは前記フラッシュメモリデバイスに関連し、前記要求されたメモリ動作が書込み動作または読出し動作のいずれであるかを判断し、該判断に基づいて、i前記要求の受信に応じて、現在の動作設定に基づいて、予め定義された基準のセットを用いて前記フラッシュメモリデバイスにより書込みインターリーブ比を動的に計算し、前記書込みインターリーブ比は書込み動作において同時にアクセスされるフラッシュメモリセルの数を示し、前記予め定義された基準のセットは、現在の動作設定のもとで読出し動作のための予め定められた基準のセットにより選択される読出しのインターリーブ比と異なる書込みインターリーブ比の選択に帰結し、前記選択された書込みインターリーブ比を用いて前記複数のフラッシュメモリセルへ要求されたデータを書き込むこと、またはii前記要求の受信に応じて、現在の動作設定に基づいて、予め定義された基準のセットを用いて前記フラッシュメモリデバイスにより、読出しインターリーブ比を動的に計算し、前記読出しインターリーブ比は読出し動作において同時にアクセスされるフラッシュメモリセルの数を示し、前記予め定義された基準のセットは、現在の動作設定のもとで読出し動作のための予め定められた基準のセットにより選択される書込みのインターリーブ比と異なる読出しインターリーブ比の選択に帰結し、前記選択された読出しインターリーブ比を用いて前記複数のフラッシュメモリセルから要求されたデータを読み出すこと、のいずれかを行なうことを特徴とする方法。前記複数のフラッシュメモリセルから前記要求されたデータを読み出すのに用いられる前記読出しインターリーブ比は、読み出されている前記データを書き込むのに用いられる書込みインターリーブ比と異なる、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記複数のメモリセルまたは前記フラッシュメモリデバイスに関連する現在の動作設定は、前記フラッシュメモリデバイスの動作の前記現在のモードを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記フラッシュメモリデバイスの動作の前記現在のモードは電力節約モードを含み、前記電力節約モードの間は前記フラッシュメモリデバイスは電力消費を最小化するオプションを選択するように構成される、ことを特徴とする請求項3に記載の方法。前記フラッシュメモリデバイスは、外部電源からポータブル電源に切り替えられたことを検出することに応じて、前記電力節約モードに移行する、ことを特徴とする請求項4に記載の方法。前記ポータブル電源はバッテリを備える、ことを特徴とする請求項5に記載の方法。前記フラッシュメモリデバイスのための電源により供給される電圧が電源レベルの閾値を下回ったことに応じて、前記フラッシュメモリデバイスは前記電源節約モードへ移行することを特徴とする請求項4に記載の方法。前記電源はポータブル電源であることを特徴とする請求項7に記載の方法。前記フラッシュメモリデバイスの動作の前記現在のモードは最小遅延モードを含み、前記最小遅延モードの間は、前記フラッシュメモリデバイスは、少なくともメモリベースの動作について実行時間を最小化するオプションを選択する、ことを特徴とする請求項3に記載の方法。前記フラッシュメモリデバイスがポータブル電源から外部電源へ切り替えられたことを検出したことに応じて、前記フラッシュメモリデバイスは前記最小遅延モードへ移行する、ことを特徴とする請求項9に記載の方法。前記複数のフラッシュメモリセルまたは前記フラッシュメモリデバイスと関連した前記現在の動作設定は、前記フラッシュメモリデバイスのディスプレイのための現在の表示設定を含む、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記現在の表示設定は高輝度設定を含み、前記高輝度設定の間、前記ディスプレイは、最小輝度レベルもしくはそれよりも高い輝度レベルで動作する、ことを特徴とする請求項11に記載の方法。前記複数のフラッシュメモリセルまたは前記フラッシュメモリデバイスの少なくとも一つに関連した前記現在の動作設定は、前記複数のフラッシュメモリセルに関連した1または複数の予め定義された最小の動作電圧と、前記フラッシュメモリデバイスのための電源からの利用可能な電圧を含む、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記予め定められた最小の動作電圧の各々は、前記複数のメモリセルが配置される、1つまたは複数のフラッシュメモリダイに関連しており、ことを特徴とする請求項13に記載の方法。フラッシュメモリをアクセスするための読出しおよび書込みインターリーブ比を選択するシステムであって、複数のフラッシュメモリセルと、前記複数のフラッシュメモリセルに対するデータの読出しおよびデータの書込みを行うための要求を受信するインターフェースと、前記要求の受信に応じて、前記要求を受信したときの前記フラッシュメモリデバイスにより用いられている1つまたは複数の現在の動作設定に基づいて、読出しおよび書込みのインターリーブ比を動的に計算するプロセッサと、前記現在の動作設定は前記フラッシュメモリデバイスの動作中に可変であり、前記複数のフラッシュメモリセルに対するデータの読出しまたはデータの書込みの要求の受信に応じて前記複数のフラッシュメモリセルまたはフラッシュメモリデバイスに関連し、読出しおよび書込みインターリーブ比はそれぞれ読出しおよび書込みの間に同時にアクセスされるフラッシュメモリの数を示し、前記読出しインターリーブ比と書込みインターリーブ比をそれぞれ選択して用いて、前記複数のフラッシュメモリセルに対するデータの読出しおよびデータの書込みを行うメモリコントローラと、を備え、同じ現在の動作設定に対して、前記メモリコントローラにより選択される前記読出しインターリーブ比は、前記選択される書込みインターリーブ比と異なる、ことを特徴とするシステム。フラッシュメモリデバイスであって、複数のフラッシュメモリセルと、命令を格納する不揮発性メモリと、前記格納された命令を実行するプロセッサと、前記格納された命令を実行することにより、フラッシュメモリデバイスにおいて、複数のフラッシュメモリセルにデータを書き込むための要求を受信し、前記要求が受信されたときに前記フラッシュメモリデバイスにより使用されている1つまたは複数の現在の動作設定を特定し、前記現在の動作設定は前記フラッシュメモリデバイスの動作中に可変であり、前記複数のフラッシュメモリセルまたは前記フラッシュメモリデバイスに関連し、前記フラッシュメモリデバイスにより前記受信された書込み要求に応じて、前記現在の動作設定に基づいて書込みインターリーブ比を動的に計算し、前記書込みインターリーブ比は書込み動作において同時にアクセスされるフラッシュメモリの数を示し、前記選択された書込みインターリーブ比を用いて前記複数のフラッシュメモリセルにデータを書込み、前記フラッシュメモリデバイスにおいて前記複数のフラッシュメモリセルからデータを読み出すことの要求を受信し、前記フラッシュメモリデバイスにより前記受信された読出し要求に応じて、前記現在の動作設定に基づいて読出しインターリーブ比を動的に計算し、前記読出しインターリーブ比は読出し動作において同時にアクセスされるフラッシュメモリの数を示し、前記選択された読出しインターリーブ比は前記選択された書込みインターリーブ比と異なり、前記選択されたインターリーブ比を用いて前記複数のフラッシュメモリセルから要求されたデータを読み出すことを含む動作を前記プロセッサが実行する、ことを特徴とするフラッシュメモリデバイス。インターリーブされたメモリを使用してデータを処理するためのシステムであって、複数のメモリ素子と、前記複数のメモリ素子への同時アクセスのインターリーブ比を選択的に制御するメモリコントローラと、ここで、前記インターリーブ比は、同時にアクセスされる複数のメモリ素子の数を定義し、前記複数のメモリ素子へのアクセスは、前記複数のメモリ素子からの読出しおよび前記複数のフラッシュメモリへの書込みからなるグループから選択され、命令を受け取るプロセッサとを備え、該命令は、実行されると、前記プロセッサに、前記メモリ素子へのアクセス要求を受け取り、ここで、前記メモリ素子へのアクセス要求は前記メモリ素子に含まれている複数のメモリセルからの読出しの要求を含み、前記複数のメモリセルは選択された書込みインターリーブ比を用いて書き込まれたデータを格納しており、前記複数のメモリ素子をアクセスするのに使用される、前記複数のメモリ素子に動作可能に接続された電源の種類を特定し、前記電源が第1のタイプの電源であると特定された場合に、前記複数のメモリセルに対する読出し要求を実行するときの第1のインターリーブ比を選択し、前記電源が第2のタイプの電源であると特定された場合に、前記複数のメモリセルに対する読出し要求を実行するときの、前記第1のインターリーブ比とは異なる第2のインターリーブ比を選択し、前記複数のメモリセルから読出しを行うための前記第2のインターリーブ比は、前記複数のメモリセルにデータを書き込むのに用いられる前記選択された書込みインターリーブ比とは独立して選択され、前記選択されたインターリーブ比を前記メモリコントローラに対して決定することを含む処理を実行させることを特徴とするシステム。前記複数のメモリ素子は、フラッシュメモリを備えることを特徴とする請求項17に記載のシステム。前記第2のタイプの電源は、携帯型の蓄積エネルギー源を備えることを特徴とする請求項17に記載のシステム。前記第2のインターリーブ比の選択は、使用可能な最大インターリーブ比未満のインターリーブ比を選択することを含むことを特徴とする請求項19に記載のシステム。本発明の一態様によれば、インターリーブされたメモリを使用してデータを処理するためのシステムであって、電源と、前記電源と接続されて動作可能な複数のメモリ素子と、前記複数のメモリ素子へのアクセスのインターリーブ比を選択的に制御するメモリコントローラと、命令を受け取るプロセッサとを備え、該命令は、前記プロセッサに前記メモリコントローラに対して前記インターリーブ比を特定させる処理を実施させ、前記処理が、前記メモリ素子に対するアクセス要求を受け取り、受け取られた前記アクセス要求を処理するための前記電源から前記メモリに引き出されるピーク電流を、前記アクセス要求を実施すべきインターリーブ比を選択することによって制御することを含むシステムが提供される。また、本発明の他の態様によれば、インターリーブされたデータを記憶するように構成されたフラッシュメモリにアクセスするためのインターリーブポリシーを選択する方法であって、インターリーブされたフラッシュメモリの読出しの要求を受け取り、第1の基準セットに基づいて、前記フラッシュメモリからの読出しのための読出しインターリーブ比を特定し、前記フラッシュメモリへの書込みの要求を受け取り、第2の基準セットに基づいて、前記フラッシュメモリへの書込みのための書込みインターリーブ比を特定することを含み、特定される前記読出しインターリーブ比と書込みインターリーブ比とが異なる方法が提供される。種々の実施形態において、製品ならびに関連する方法およびシステムは、読出しインターリーブポリシーreadinterleavingpoliciyの選択と、書込みインターリーブポリシーwriteinterleavingpoliciyの選択とを独立して行うことに関する。様々な実施形態では、動作中の選択は、静的であることも動的であることもある。読出しインターリーブポリシーおよび書込みインターリーブポリシーを動的に選択する実施形態においては、選択は、温度、電源、バッテリ電圧、動作モードなど様々な動作状態に基づくことができる。動作モードの例としては、1外部電源に接続されたときにフラッシュメモリの読出しまたは書込みを行うもの、2携帯型電源例えば、バッテリから給電されたときにフラッシュメモリの読出しを行うもの、および3携帯型電源から給電されたときにフラッシュメモリへの書込みを行うものを挙げることができる。いくかの実施形態は、1つまたは複数の利点をもたらす。例えば、携帯型電源の応用例では、バッテリ寿命が延長される。読出しおよび書込みインターリーブポリシーは、許容可能な電力消費例えばピーク電流特徴を有し、メモリアクセス時間が最小限に抑えられる所望の性能を達成するように、独立して設定または選択することができる。読出しおよび書込みインターリーブポリシーの選択は、様々な動作状態に従って適合され得る。いくかの実施形態では、例えば温度情報、電源の使用可能度、バッテリ電圧、および/または動作モードなどの動作状態に基づいて、アクセス時間を短縮することとピーク電流を最小限に抑えることとを動的に選択することができる。添付の図面および以下の説明では、本発明の1つまたは複数の実施形態の詳細が詳しく記載される。本発明のその他の特徴、目的、および利点は、以下の説明および添付の図面ならびに添付の特許請求の範囲を読めば明らかとなるであろう。様々な図面において、同様の参照符号は同様の要素を指す。図1は、フラッシュメモリを使用してデータを記憶および検索することが可能なシステム100の一例を示している。システム100は、例えばMP3プレーヤ、形態電話、PDA携帯情報端末、全地球測位システム、携帯型処理デバイス、携帯型オーディオ/ビジュアル記録デバイス、携帯型ビデオプレーヤなどのハンドヘルド式携帯型デバイスであってよい。システム100は、読出し動作に適したインターリーブポリシーと、書込み動作に適したインターリーブポリシーとを使用および/または選択することが可能である。いくつかの実施形態では、選択される読出しインターリーブポリシーは、選択される書込みインターリーブポリシーとは異なることもある。いくつかの実施形態では、読出しおよび書込みインターリーブポリシーは、動的にかつ/または互いに独立して選択され得る。システム100は、マイクロプロセッサ102と、メモリコントローラ104と、1つまたは複数のフラッシュメモリ106a、106b、106c、106dとを含む。マイクロプロセッサ102は、読出しまたは書込みインターリーブポリシーを選択した後に、読出しまたは書込み動作を実施することができる。例えば、マイクロプロセッサ102は、選択済みの読出しインターリーブポリシーおよび読出しコマンドをメモリコントローラ104に送ることによって、フラッシュメモリ106a、106b、106c、106dの読出しを開始することができる。こうして、メモリコントローラ104は、選択済みの読出しインターリーブポリシーに従って読出しコマンドを実行する。同様に、マイクロプロセッサ102は、選択済みの書込みインターリーブポリシーおよび書込みコマンドをメモリコントローラ104に送ることによって、フラッシュメモリへの書込みを開始することができる。こうして、メモリコントローラ104は、選択済みの書込みインターリーブポリシーに従って書込みコマンドを実行する。システム100は、例えば電源、バッテリ電圧、温度、および/または動作モードなど現在の動作状態に適したインターリーブポリシーを選択するように構成され得る。選択済みの読出しおよび/または書込みインターリーブポリシーは、フラッシュメモリ106a、106b、106c、および106dへの同時アクセス数を決定する。メモリコントローラ104はインターリーブを使用することによって、複数のメモリデバイスにわたってインターリーブされたデータを同時に読み出すことも書き込むこともできる。インターリーブポリシーは、動作状態に適したインターリーブ比を選択するように定義され得る。例えば、4:1のインターリーブ比は、システム100が単一の動作で4ワードのデータをメモリに書き込むこと、すなわち、フラッシュメモリ106a~106dの異なる位置に各ワードが同時に書き込まれることに対応する。また、2:1のインターリーブ比は、システム100が2回の動作を使用して4ワードのデータをメモリに書き込むこと、すなわち、2ワードが同時に書き込まれることに対応する。1:1のインターリーブ比は、システム100が4回の動作を使用して4ワードのデータをメモリに書き込むこと、すなわち、一度に1ワードずつが書き込まれることに対応する。インターリーブ比が高くなるほど、フラッシュメモリのデータの読出しまたは書込みに掛かる時間が短くなるが、メモリ動作に関連するピーク電流が高くなる。一方、インターリーブ比が低くなるほど、フラッシュメモリのデータの読出しまたは書込みに掛かる時間が長くなるが、メモリ動作に関連するピーク電流は低くなる。いくつかの動作状態では、システム100は、ピーク電流と最小メモリアクセス時間のいずれかを制限または最小化するように構成される。例えば、システム100は、バッテリ電圧が閾値を下回った場合には、読出し動作に関してより低いインターリーブ比を選択するように構成され得る。メモリコントローラ104は、読出しコマンドまたは書込みコマンドを受け取ると、マイクロプロセッサによって選択された読出しまたは書込みインターリーブポリシーに従って当該コマンドを実行することになる。いくつかの実施形態においては、マイクロプロセッサ102およびメモリコントローラ104は、別個のデバイス例えば、独立した集積回路とすることができる。また、別の実施形態では、マイクロプロセッサ102およびメモリコントローラ104は、単一のデバイス例えば、ASIC、マイクロコントローラに統合され得る。この例では、メモリコントローラ104は、メディアインターフェイス108を含む。メディアインターフェイス108は、4つのレジスタ110a、110b、110c、および110dを含む。4つの各レジスタ110a~110dは、それぞれフラッシュメモリ106a~106dに送られる、または、そこから受け取られたワードまたはバイト、ロングワード、クワッドワードなどのデータを一時的に記憶することができる。一例において、システム100は、読出しおよび書込みコマンドに関するインターリーブポリシーを次のように選択し使用することができる。例えば、マイクロプロセッサ102は、書込みコマンドを開始し、これに続いて読出しコマンドを開始する場合を説明する。書込みコマンドは、4ワードのデータを4つのフラッシュメモリ106a、106b、106c、106dの4つの位置に書き込むことを含む。読出しコマンドは、4ワードのデータを4つのフラッシュメモリ106a、106b、106c、106dの4つの位置から読み出すことを含む。マイクロプロセッサ102は、まず、書込みコマンドおよび選択済みの書込みインターリーブポリシーをメモリコントローラ104に送る。本例では、選択済みの書込みインターリーブポリシーは、4:1であるとする。次いで、書込みコマンドの実行を完了させるために、メモリコントローラ104は、レジスタ110a、110b、110c、110dに記憶されているデータをフラッシュメモリ106a、106b、106c、106dに同時に書き込む。書込みコマンドが完了した後に、マイクロプロセッサ102は、読出しコマンドおよび選択済みの読出しインターリーブポリシーをメモリコントローラ104に送る。本例では、選択済みの読出しインターリーブポリシーは、1:1であるとする。読出しコマンドの実行を完了させるために、メモリコントローラ104は、4回のメモリ動作を使用して、フラッシュメモリ106a、106b、106c、106dから、レジスタ110a、110b、110c、110dに記憶されたデータを1つずつ読み出すことができる。例えば、メモリコントローラ104はまず、フラッシュメモリ106aに記憶されているデータをレジスタ110aに転送させる。次いで、メモリコントローラ104は、フラッシュメモリ106bに記憶されているデータをレジスタ110bに転送させる。その後、メモリコントローラ104は、フラッシュメモリ106cに記憶されているデータをレジスタ110cに転送させる。最後に、メモリコントローラ104は、フラッシュメモリ106dに記憶されているデータをレジスタ110dに転送させる。この例では、各フラッシュメモリ106a、106b、106c、106dは、4つのフラッシュメモリダイと、コントローラと、レジスタ112とを含む。レジスタ112は、各フラッシュメモリ106a~106dの最小動作電圧を記憶することができる。各フラッシュメモリ106a~106dの最小動作電圧は、インターリーブポリシーの選択に影響を及ぼし得る。例えば、書込み動作中にバッテリ電圧が、各フラッシュメモリ106a~106dの最小動作電圧よりも高い閾値マージンを下回った場合は、マイクロプロセッサは、低いインターリーブ比を有する書込みインターリーブポリシーを選択することができる。書込み動作に関する閾値マージン情報は、書込みインターリーブポリシー130と関連付けてNVM124に記憶することができ、読出し動作に関する閾値マージン情報は、読出しインターリーブポリシー130と関連付けてNVM124に記憶することができる。図示の一例では、最小動作電圧は、3.1ボルトであり、電圧マージンは、書込みインターリーブポリシーについては、0.5ボルトにセットされ閾値は3.6ボルトとなる、読出しインターリーブポリシーについては、0.2ボルトにセットされているものとする閾値は3.3ボルトとなる。マイクロプロセッサ102は、バッテリ電圧が3.6ボルトを下回ったときは、書込みインターリーブ比を例えば2:1から1:1に減少させる。また、マイクロプロセッサ102は、バッテリ電圧が3.3ボルトを下回った場合には、読出しインターリーブ比を例えば4:1から2:1に減少させる。尚、これらの値は単なる例示に過ぎず、バッテリ電圧の範囲を限定するものではない。いくつかの実施形態では、電圧の閾値にヒステリシスバンドhysteresisbandが適用され得る。システム100の電力は、外部電力入力114またはバッテリ蓄積エネルギー源116から供給され得る。外部電力入力114およびバッテリ116は、電圧レギュレータ118に電力を引き渡す。電圧レギュレータ118としては、線形レギュレータ、スイッチモードDC/DC変換器、および/または低ドロップアウトレギュレータ図示せずを挙げることができ、システム100の電気状態122に関するリストを記憶する電力マネージャ120を含んでいる。監視される状態情報としては、例えば外部電力入力114が電源に接続されているかどうか、バッテリが存在するかどうか、およびバッテリ電圧情報を挙げることができる。いくつかの実施形態では、マイクロプロセッサ102は、電気状態122に応じてインターリーブポリシーを選択することができる。例えば、マイクロプロセッサ102は、システム100が外部電源に接続されているときは、それによってピーク電流を比較的高くすることが可能になり、メモリアクセス時間を短縮するために、最大インターリーブ比を有するインターリーブポリシーを選択するように構成することができる。マイクロプロセッサ102は、不揮発性メモリ124と通信することができる。不揮発性メモリNVM124は、試験コード126と、制御コード128と、読出しインターリーブポリシーおよび書込みインターリーブポリシーを含めたインターリーブポリシー130とを記憶する。マイクロプロセッサ102は、試験コード126を実行してシステム100内の様々な状態をチェックする。試験コード126は、例えば電源、バッテリ電圧、温度、および/または動作モードをチェックするコードを含み得る。次いで、マイクロプロセッサ102は、制御コード128を実行する。制御コード128は、読出しインターリーブポリシーおよび書込みインターリーブポリシーを選択するためのルールを含み得る。選択の後、マイクロプロセッサ102は、選択済みのインターリーブポリシーをNVM124に記憶させることができる。インターリーブポリシー情報130は、現在選択されている読出しインターリーブポリシーと、現在選択されている書込みインターリーブポリシーとを含む。マイクロプロセッサ102は、データインターフェイス132を介して外部デバイスにデータを送ることも、そこからのデータを受け取ることもできる。データインターフェイス132とマイクロプロセッサ102との間で転送されるデータは、バッファ134に一時的に記憶することができる。データインターフェイス132の動作モードは、インターリーブポリシーの選択に影響を及ぼすことがある。例えば、データインターフェイス132が外部ソースからデータを受け取っている場合、マイクロプロセッサ102は、より高いインターリーブ比を有する読出しインターリーブポリシーを選択する。また、例えば、システム100がフラッシュメモリに関するデータを受け取る携帯型デバイスとして動作している場合、マイクロプロセッサ102は、より低いインターリーブ比を有する書込みインターリーブポリシーを選択する。システム100は、現在の動作状態を監視することもできる。例えば、システム100は、システム100内の温度を測定する温度センサ136を含む。マイクロプロセッサ102は、例えばシステム100の温度が選択済みの閾値温度を超えた場合に、より低いインターリーブポリシーを選択することができる。システム100はまた、ユーザインターフェイス138と、オーディオ出力デバイス140と、ディスプレイ142とを含む。ユーザは、例えばタッチパッド、キーボード、AppleClickWheel商標入力AppleComputerInc社から市販されているなどのユーザインターフェイス138を使用して、システム100に命令を供給することができる。ユーザ選択されるインターリーブポリシーは、少なくとも部分的にユーザ入力に基づくようにしてもよい。例えば、ユーザは、バッテリ寿命を最大化するように設計されたバッテリ節約モードを選択することができる。バッテリ寿命を拡大させるには、例えば、読出しおよび/または書込みインターリーブポリシーについてのインターリーブ比をより低くすることが考えられる。別の例では、ユーザは、メモリアクセス処理に掛かる時間を最小限に抑えるように設計された最小遅延モードを選択することができる。メモリアクセス時間を短縮するには、例えば、読出しインターリーブポリシーについてのインターリーブ比をより高くすることが考えられる。また、いくつかの実施形態において、このようにユーザ選択された入力がオーバーライドされ得るようにしてもよい。例えば、外部電力が外部電力入力114に接続されている場合、マイクロプロセッサ102は、例えばユーザが最大バッテリ寿命モードを選択していても、達成可能な最大インターリーブ比を選択することができる。また、別の例では、システム100の温度が事前に設定された閾値を超えた場合に、マイクロプロセッサ102は、例えばユーザが最小遅延時間モードを選択しており、外部電源が外部電力入力114に接続されている場合にも、達成可能な最小インターリーブ比を選択することができる。様々な実施形態において、オーディオ出力デバイス140は、内部スピーカ、ブザー、および/または他のオーディオインジケータであってもよい。いくつかの実施形態では、オーディオ情報を含む信号この信号は外部で増幅されることもあるを1組または複数組のヘッドフォンまたは外部スピーカに供給するように適合された出力コネクタに、増幅器が結合される。また、いくつかの実施形態では、システム100と外部オーディオトランスデューサデバイスとの間に、有線または無線例えば、Bluetoothや他のRFインターフェイスを設けることができる。いくつかの実施形態において、ディスプレイ142は、例えばテキストベースインターフェイスおよび/またはグラフィカルインターフェイスをユーザに提供するLCDまたはTFTディスプレイとすることができる。ディスプレイ142の明度brightnessおよび/または輝度intensityは、調整可能とすることができる。いくつかの実施形態では、ディスプレイ142が高い明度および/または輝度で動作しているときに、マイクロプロセッサ102は、バッテリ寿命を保存するために、より低いインターリーブポリシーを選択する。システム100はまた、それぞれ画像およびオーディオ情報をマイクロプロセッサ102に供給するカメラ150と、マイクロフォン152とを含む。いくつかの実施形態では、オーディオおよび/またはビデオ情報は、MPEG、JPEG、wav、ビットマップ、他の広く採用されるデータフォーマットなどの標準フォーマットに符号化される。カメラ150は、例えば画像圧縮の技術分野の当業者に知られている各種技法を使用して圧縮および/または符号化が可能な静止画像および/または動画像例えば、フレーム情報を取り込むように構成される。マイクロフォン152は、画像情報と同期されることも同期されないこともあるオーディオ情報を取り込むように操作される。カメラ150およびマイクロフォン152から受け取られたオーディオおよび/または画像情報は、書込みインターリーブポリシーに従ってフラッシュメモリ106a~106dに記憶される。例えば、カメラ150および/またはマイクロフォン152がデータストリーミングを行い、システムがバッテリからの給電を受ける動作モードにおいては、マイクロプロセッサ102は、最大データ転送速度を処理するのに十分なインターリーブ比を有する書込みインターリーブポリシーを選択することができる。尚、十分なインターリーブ比とは、例えば、オーディオとビデオ情報との組合せであれば4:1、ビデオ情報単独であれば2:1、静止画像またはオーディオ情報であれば1:1とすることができる。別の例を挙げれば、フラッシュ106a~106dの読出しを行う間、システム100がバッテリ116を基に動作する動作モードでは、マイクロプロセッサ102は、バッテリ寿命を最大化するために、より低い読出しインターリーブポリシーを選択する。このような動作モードは、例えばフラッシュメモリ106a~106dに記憶されているビデオ、オーディオ、および/または他の例えば、テキスト情報を再生する携帯型デバイスとしての使用の際に発生し得る。別の例として、フラッシュメモリ106a~106dからの読出しまたはそこへの書込みを行う間、システム100が外部電源から給電される動作モードでは、マイクロプロセッサ102は、アクセス時間を最小限に抑える読出しおよび/または書込みインターリーブポリシーを選択することができる。ある1つの応用例では、転送動作を完了させるのに必要な時間を最小限に抑えるために、データ例えば、曲、ビデオを達成可能な最大データ転送速度でフラッシュメモリ106a~106dに転送したり、そこから転送されるようにしたりすることができる。或いは、読出しおよび書込みインターリーブポリシーは、バッテリ電圧、温度、または動作モードに従って、動的調整を行うことなく独立して決定され、記憶され、あるいは他の方法で事前に設定されるようにしてもよい。マイクロプロセッサ102は、例えば図2~3を参照しながらそれぞれ説明するような、様々な方法に従って、試験コード126や制御コード128などの命令プログラムを実行することができる。図2において、流れ図200は、試験コード126を実行したときにマイクロプロセッサ102が実行し得る動作の一例を示している。図1の例では、マイクロプロセッサ102によって実行される試験コード126の単一のブロックがNVM124に記憶されている様子が示されているが、他のプロセッサまたは論理回路が、これらの動作の一部または全部を実施するようにしてもよいし、RAM図示せず内など、NVM124以外の位置に記憶されている命令を使用するようにしてもよい。この例では、図示の方法は、マイクロプロセッサ102がインターリーブポリシー130の更新を要求することにより、ステップ205から開始される。以下では図2を参照しながら、マイクロプロセッサにインターリーブポリシー130の更新を開始させる条件についてより詳しく説明する。ステップ210において、マイクロプロセッサ102は、温度センサ136に対するポーリングを行うことによって、または他の方法で、温度センサ136を読み出すことによって温度をチェックする。ステップ215で、温度が事前に設定された閾値温度を超えている場合には、ステップ220で、マイクロプロセッサ102は、読出しと書込みの両方に関して、最小インターリーブ比、例えば1:1などの比を有するインターリーブポリシーを選択する。そして、ステップ225において、マイクロプロセッサ102は、選択済みの読出しおよび書込みインターリーブポリシー130をNVM124に記憶させ、ステップ230で本処理を終了する。ステップ215で、温度が事前設定された閾値温度を超えていない場合には、ステップ235において、マイクロプロセッサ102は、電源をチェックする。ステップ240において、システム100が外部電源を使用している場合には、ステップ245において、マイクロプロセッサ102は、読出しと書込みの両方に関して、最大インターリーブ比、例えば4:1などの比を有するインターリーブポリシーを選択する。次に、ステップ225で、マイクロプロセッサ102は、選択済みの読出しおよび書込みインターリーブポリシー130をNVM124に記憶し、ステップ230にて本処理を終了する。ステップ240において、システム100がバッテリ116を電源として使用している場合には、処理はステップ250に進む。ステップ250において、マイクロプロセッサ102は、電圧レギュレータ118内の電力マネージャ120の状態レジスタ122を読み出すことによって、バッテリ電圧をチェックする。次に、ステップ255において、マイクロプロセッサ102は、システム100の動作モードをチェックする。動作モードとしては、例えばシステム100が現在実施している動作や、最大バッテリ寿命モードや最小遅延モードなどユーザ選択された動作モードなどを挙げることができる。また、別の例として、マイクロプロセッサ102は、データインターフェイス132内のデータフロー、ディスプレイ142の動作状態、およびオーディオ出力デバイス140内の出力をチェックすることができる。そして、これらのデバイスが大量の電流を取り入れている場合は、マイクロプロセッサ102は、低いインターリーブ比を有するインターリーブポリシーを選択する。バッテリ電圧および動作モードがチェックされた後に、マイクロプロセッサ102は、ステップ260において書込みインターリーブポリシーを、ステップ265において読出しインターリーブポリシーを、それぞれ独立して選択する。次に、ステップ225において、マイクロプロセッサ102は、選択済みの読出しおよび書込みインターリーブポリシー130をNVM124に記憶し、ステップ230にて本処理を終了する。図3において、流れ図300は、制御コード128が実行されたときにマイクロプロセッサ102が実施できる動作の一例を示している。マイクロプロセッサ102は、制御コード128を実行して適切なインターリーブポリシーを選択し、選択済みのインターリーブポリシーをメモリコントローラ104に送ることができる。この例では、図示の方法は、マイクロプロセッサ102がフラッシュメモリ106a~106dにアクセスすることを求めるコマンドを受け取ることにより、ステップ305から開始する。ステップ310で、マイクロプロセッサ102は、書込みまたは読出しコマンドを受け取る。例えば、ユーザがデータインターフェイス132を介してフラッシュメモリ106a~106dにデータをダウンロードするときは、マイクロプロセッサ102は、書込みコマンドを受け取ることになる。また、別の例として、ユーザがユーザインターフェイス138を使用して、フラッシュメモリ106a~106dに記憶されているビデオを再生するようシステム100に命令するときは、マイクロプロセッサ102は、読出しコマンドを受け取ることになる。次いで、ステップ315で、マイクロプロセッサ102は、インターリーブポリシーを更新する必要があるかどうか判定する。マイクロプロセッサ102は、インターリーブポリシーを更新する必要があると判定した場合には、ステップ350において、流れ図200に示されるように、試験コード126を実行してインターリーブポリシーを選択し、記憶する。例えば、温度、電源、バッテリ電圧、および/または動作モードの内のいずれかが変更されたときは、インターリーブポリシーを変更する必要が生じる可能性がある。また、別の例では、インターリーブポリシーは、スケジュールに従って周期的に例えば、1時間毎、1日毎、1週間毎などに更新され得る。ステップ315でインターリーブポリシーを更新する必要がないと判定した場合にはステップ320に進む。ステップ320において、マイクロプロセッサ102は、当該コマンドが読出しコマンドであるのかそれとも書込みコマンドであるのかチェックする。受け取られたコマンドが書込みコマンドである場合は、ステップ325において、マイクロプロセッサ102は、書込みインターリーブポリシーをメモリコントローラ104に送る。そして、ステップ330において、マイクロプロセッサ102は、書込みコマンドをメモリコントローラ104に送る。その後、ステップ335で本処理を終了する。一方、ステップ320で、当該コマンドが読出しコマンドである場合、ステップ340において、マイクロプロセッサ102は、読出しインターリーブポリシーをメモリコントローラ104に送る。そして、ステップ345において、マイクロプロセッサ102は、読出しコマンドをメモリコントローラ104に送る。その後、ステップ335で本処理を終了する。マイクロプロセッサ102がインターリーブポリシーを選択し記憶した後は、処理はステップ320に戻る。以上、本方法の一実施形態について説明してきたが、他の実施形態は、上記のステップを異なる順序で実施することも、上記のステップを、フラッシュメモリの読出しおよび書込みに適したインターリーブポリシーを選択する同じ主要機能を達成するように修正された構成で実施することもできる。また、図1を参照しながら携帯型であってもよいシステムの一例について説明したが、他の実施形態として、デスクトップやネットワーク環境などのような他の処理応用例に展開されても良い。いくつかのシステムは、本発明の諸実施形態と共に使用され得るコンピュータシステムとして実施され得る。例えば、様々な実施形態は、デジタル回路および/またはアナログ回路、コンピュータハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、またはそれらの組合せを含むことができる。装置は、情報キャリア内に有形に実装されるコンピュータプログラムの形で実施することができ、例えば機械読取り可能な記憶装置の形で、あるいはプログラマブルプロセッサによって実行される伝搬信号の形で実施することができ、また、方法は、入力データを操作し、出力を生成することによって本発明の諸機能を実施する命令プログラムを実行する、プログラマブルプロセッサによって実施することができる。本発明は有利なことに、データ記憶システムとの間でデータおよび命令を送受信するように結合された少なくとも1つのプログラマブルプロセッサ、少なくとも1つの入力デバイス、および/または少なくとも1つの出力デバイスを含むプログラマブルシステム上で実行可能な1つまたは複数のコンピュータプログラムの形で実施することができる。コンピュータプログラムは、ある種の活動を実施しまたはある種の結果をもたらすためにコンピュータ内で直接的にまたは間接的に使用され得る1組の命令である。コンピュータプログラムは、コンパイル型言語またはインタープリタ型言語を含めた任意の形態のプログラミング言語で書くことができ、また、スタンドアロンプログラム、あるいはモジュール、コンポーネント、サブルーチン、またはコンピューティング環境での使用に適した他のユニットを含めた任意の形態で配備することもできる。命令プログラムの実行に適したプロセッサとしては、例えば、任意の種類のコンピュータの単一のプロセッサまたは複数のプロセッサの内の1つを含んでよい汎用マイクロプロセッサと専用マイクロプロセッサの両方が挙げられる。プロセッサは一般に、読取り専用メモリまたはランダムアクセスメモリあるいはそれらの両方から命令およびデータを受け取る。コンピュータの本質的な要素は、命令を実行するプロセッサと、命令およびデータを記憶する1つまたは複数のメモリである。また、コンピュータは一般に、データファイルを記憶する1つまたは複数の大容量記憶装置を含み、またはそれらと通信するように動作可能に結合されるが、かかるデバイスとしては、内部ハードディスクや取り外し可能ディスクなどの磁気ディスク、光磁気ディスク、および光ディスクが挙げられる。コンピュータプログラム命令およびデータを有形に実装するのに適した記憶装置としては、例えばEPROM、EEPROM、フラッシュメモリデバイスなどの半導体メモリデバイス、内部ハードディスクや取り外し可能ディスクなどの磁気ディスク、光磁気ディスク、ならびにCD-ROMおよびDVD-ROMディスクを含めた全ての形式の不揮発性メモリが挙げられる。プロセッサおよびメモリは、ASIC特定用途向け集積回路によって補完することも、その内部に組み込むこともできる。いくつかの実施形態では、各システム100は、同じまたは同様の情報を用いてプログラムされ、かつ/または揮発性メモリおよび/または不揮発性メモリに記憶されている実質的に同一の情報を用いて初期化され得る。例えば、1つのデータインターフェイスは、デスクトップコンピュータやサーバなど該当するホストデバイスに結合されたときに、自動コンフィギュレーション機能、自動ダウンロード機能、および/または自動更新機能を実施するように構成され得る。いくつかの実施形態では、1つまたは複数のユーザインターフェイス機能は、特定の機能を実施するようにカスタム構成され得る。本発明は、グラフィカルユーザインターフェイスおよび/またはインターネットブラウザを含むコンピュータシステム内で実施され得る。ユーザとの対話を実現するために、いくつかの実施形態は、ユーザに情報を表示するCRT陰極線管やLCD液晶ディスプレイモニタなどの表示デバイスと、キーボードと、ユーザがコンピュータへの入力を行うことができるようになるマウスやトラックボールなどのポインティングデバイスとを有するコンピュータ上で実施され得る。様々な実施形態では、システム100は、適当な通信方法、通信機器、および通信技法を使用して通信することができる。例えば、システム100は、専用物理リンク例えば、光ファイバリンク、2地点間配線、およびデイジーチェーンを経てソースから受信機にメッセージが直接移送される2地点間通信を使用して、互換性のあるデバイス例えば、システム100にデータを転送し、かつ/またはシステム100からデータを転送することが可能なデバイスと通信することができる。システムの各構成部品は、通信ネットワーク上のパケットベースメッセージを含めた任意の形態または媒体のアナログまたはデジタルデータ通信によって情報を交換することができる。通信ネットワークの例としては、例えばLANローカルエリアネットワーク、WANワイドエリアネットワーク、MANメトロポリタンエリアネットワーク、無線および/または光ネットワーク、ならびにインターネットを形成するコンピュータおよびネットワークが挙げられる。他の実施形態は、通信ネットワークによって互いに結合された全てのまたは実質的に全てのデバイスに対して、例えば無指向性無線周波数RF信号を使用した同報通信を行うことによってメッセージを移送することができる。他の実施形態は、任意選択でフォーカス光学系と共に使用され得る指向性すなわちナロービームアンテナまたは赤外線信号を使用して送信される、高指向性の特徴を有するRF信号などのメッセージを移送することができる。それだけに限らないが、例えばUSB2.0、Firewire、ATA/IDE、RS-232、RS-422、RS-485、802.11a/b/g、Wi-Fi、イーサネット登録商標、IrDA、FDDIファイバ分散データインターフェイス、トークンリングネットワーク、周波数分割、時分割、または符号分割に基づく多重化技法など、適切なインターフェイスおよびプロトコルを使用した他の実施形態も可能である。いくつかの実施形態は任意選択で、データの整合性に関する誤り検査訂正ECCや、暗号化例えばWEPやパスワード保護などのセキュリティ対策などの機能を組み込むこともできる。以上、本発明のいくつかの実施形態について説明した。しかしながら、本発明の趣旨および範囲を逸脱することなく、様々な修正を加えることができることが理解されるであろう。例えば、本明細書に開示の技法の各工程が異なる順序で実施された場合、開示のシステムの各構成要素が異なる様式で組み合わされた場合、あるいは、各構成要素が他の構成要素によって置き換えられまたは補完された場合にも、有利な結果が達成され得る。上記の各機能および処理アルゴリズムを含むは、ハードウェアの形で実施されてもソフトウェアの形で実施されてもそれらの組合せの形で実施されてもよく、いくつかの実施形態は、本明細書に記載されるものと同一でないモジュール上またはハードウェア上で実施することができる。したがって、他の実施形態も添付の特許請求の範囲に含まれる。