"透明基板と、該透明基板上に、フォトマスクパターンを形成するためのパターン形成膜と、該パターン形成膜の上に、パターン形成膜のエッチングマスクとして用いるエッチングマスク膜とを備えるフォトマスクブランクのエッチングマスク膜の評価方法であって、パターン形成膜からフォトマスクパターンを形成する際にパターン形成膜に適用するエッチング条件でエッチングマスク膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイムC1と、エッチングマスク膜からエッチングマスクパターンを形成する際にエッチングマスク膜に適用するエッチング条件でエッチングマスク膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイムC2とを測定し、両者のクリアタイム比C1/C2により、エッチングマスク膜の性能を評価することを特徴とするエッチングマスク膜の評価方法。上記パターン形成膜に適用するエッチングがフッ素系ドライエッチングであり、上記エッチングマスク膜に適用するエッチングが塩素系ドライエッチングであることを特徴とする請求項1記載のエッチングマスク膜の評価方法。上記パターン形成膜が、ケイ素とケイ素以外の金属とを含有する材料で形成され、上記エッチングマスク膜が、クロムを含有し、ケイ素を含有しない材料で形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載のエッチングマスク膜の評価方法。サイズが50nm以下のフォトマスクパターンを形成するためには、膜厚150nm以下のレジスト膜が求められる。そのような薄いレジスト膜に最適化されたエッチングマスク膜は、膜厚30nm以下が必要とされている。上記のようにエッチングマスク膜を用いるときにはエッチングマスク膜はより薄い方がレジスト膜も薄くできるので望ましい。しかし、エッチングマスク膜を薄くするという観点だけでエッチングマスク膜を選ぶと、パターン形成膜にパターン欠陥が生じたり、パターンが設計どおりに形成されないという問題が生じる。また、エッチングマスク膜はパターン形成膜のエッチングに対してエッチング耐性があった方が好ましい。しかし、パターン形成膜のエッチングに対してエッチング耐性のある膜はエッチングマスク膜のエッチングに対してもエッチングしにくいことが多く、エッチングマスク膜をパターニングするためのレジスト膜を薄くできない等の問題が生じる。エッチングマスク膜は、少なくとも、パターン形成膜のエッチングが終了するまで残存する程度の膜厚が必要であるが、エッチングマスク膜をパターン形成するときにはレジストのダメージが極力小さい状態でエッチングされるように、なるべく薄い方がよい。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、エッチングマスク膜について、パターン形成膜をエッチングする際の耐エッチング性と、エッチングマスク膜自体をエッチングする際の被エッチング性との双方を評価して、良好なエッチング性能を与えるエッチングマスク膜を見出すことができるエッチングマスク膜の評価方法を提供することを目的とする。本発明者らは、エッチングマスク膜のエッチング特性について検討した結果、パターン形成膜をエッチングするときに、エッチングマスク膜がどのようなものであっても、エッチングクリアタイムが長いながらもエッチングされてしまうことがわかった。そして、遮光膜などのパターン形成膜に生じるパターン欠陥などの原因は、エッチングマスク膜のパターニングの際にエッチングマスクとなるレジスト膜が、エッチングマスク膜のパターニングの際にエッチングされること、また、パターン形成膜のパターニングの際にエッチングマスクとなるエッチングマスク膜が、パターン形成膜のパターニングの際にエッチングされることにあることを知見した。そこで、本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討を重ねた結果、エッチングマスク膜について、パターン形成膜をエッチングする際の耐エッチング性と、エッチングマスク膜自体をエッチングする際の被エッチング性との双方を相対的に評価する方法として、パターン形成膜からフォトマスクパターンを形成する際にパターン形成膜に適用するエッチング条件でエッチングマスク膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイムC1と、エッチングマスク膜からエッチングマスクパターンを形成する際にエッチングマスク膜に適用するエッチング条件でエッチングマスク膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイムC2とを測定し、両者のクリアタイム比C1/C2により、エッチングマスク膜の性能を評価することで、良好なエッチング性能を与えるエッチングマスク膜を選定することができることを見出し、本発明をなすに至った。従って、本発明は、以下のエッチングマスク膜の評価方法を提供する。請求項1:透明基板と、該透明基板上に、フォトマスクパターンを形成するためのパターン形成膜と、該パターン形成膜の上に、パターン形成膜のエッチングマスクとして用いるエッチングマスク膜とを備えるフォトマスクブランクのエッチングマスク膜の評価方法であって、パターン形成膜からフォトマスクパターンを形成する際にパターン形成膜に適用するエッチング条件でエッチングマスク膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイムC1と、エッチングマスク膜からエッチングマスクパターンを形成する際にエッチングマスク膜に適用するエッチング条件でエッチングマスク膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイムC2とを測定し、両者のクリアタイム比C1/C2により、エッチングマスク膜の性能を評価することを特徴とするエッチングマスク膜の評価方法。請求項2:上記パターン形成膜に適用するエッチングがフッ素系ドライエッチングであり、上記エッチングマスク膜に適用するエッチングが塩素系ドライエッチングであることを特徴とする請求項1記載のエッチングマスク膜の評価方法。請求項3:上記パターン形成膜が、ケイ素とケイ素以外の金属とを含有する材料で形成され、上記エッチングマスク膜が、クロムを含有し、ケイ素を含有しない材料で形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載のエッチングマスク膜の評価方法。本発明によれば、良好なエッチング性能を与えるエッチングマスク膜を選定することができ、このようなエッチングマスク膜を用いたフォトマスクブランクから、フォトマスクを作製すれば、パターン形成膜へのフォトマスクパターンの転写性が良好であり、パターン欠陥の少ないフォトマスクを得ることができる。以下、本発明について更に詳しく説明する。本発明においては、石英基板等の透明基板と、透明基板上に、フォトマスクパターンを形成するためのパターン形成膜と、パターン形成膜の上に、パターン形成膜のエッチングマスクとして用いるエッチングマスク膜とを備えるフォトマスクブランクにおいて、パターン形成膜の上に形成されたエッチングマスク膜、好ましくはパターン形成膜に隣接して形成されたエッチングマスク膜のエッチング性能を評価する。パターン形成膜には、フォトマスクを作製したときに遮光パターンを形成するための遮光膜、位相シフトパターンを形成するためのハーフトーン位相シフト膜等の位相シフト膜などが含まれ、フォトマスクとして用いるときに、フォトマスクパターンとして光学作用を与える光学機能膜である。一方、エッチングマスク膜は、パターン形成膜をエッチングする際に、エッチング耐性を有する膜であり、そのエッチングマスクパターンを利用して、パターン形成膜をエッチングするために用いられる膜、いわゆるハードマスク膜である。パターン形成膜、エッチングマスク膜は、いずれも、単層で構成された膜でも、複数層で構成された膜でもよい。また、パターン形成膜は、反射防止膜、密着性改善膜、保護膜などを含んでいてもよい。パターン形成膜とエッチングマスク膜とは、エッチング性が異なればよく、例えば、パターン形成膜及びエッチングマスク膜のうちの一方の膜、特に、パターン形成膜を、SF6、CF4などのフッ素系エッチングガスを用いたフッ素系ドライエッチングでエッチングされ、塩素ガスと酸素ガスとを含む塩素系エッチングガスを用いた塩素系ドライエッチングでエッチングされにくい膜とすることができる。このような膜としては、例えば、ケイ素膜、ケイ素を含有し、ケイ素以外の金属を含有しない膜、ケイ素とケイ素以外の金属とを含有する材料で形成した膜などが挙げられる。この場合、上記ケイ素以外の金属としては、例えば、モリブデン、タングステン、タンタル及びジルコニウムから選ばれる1種以上が挙げられ、モリブデンが、加工性がよく好ましい。これらの膜は、更に、酸素、窒素、炭素及び水素から選ばれる1種以上の軽元素を含んでいてもよい。この場合、他方の膜上記一方の膜がパターン形成膜であれば、エッチングマスク膜は、SF6、CF4などのフッ素系エッチングガスを用いたフッ素系ドライエッチングでエッチングされにくく、塩素ガスと酸素ガスとを含む塩素系エッチングガスを用いた塩素系ドライエッチングでエッチングされる膜とするのがよい。このような膜としては、例えば、クロムを含有し、ケイ素を含有しない材料で形成した膜、タンタルを含有し、ケイ素を含有しない材料で形成した膜などが挙げられる。これらの膜は、更に、酸素、窒素、炭素及び水素から選ばれる1種以上の軽元素を含んでいてもよい。なお、塩素系エッチングガスも、フッ素系エッチングガスも、更にヘリウムやアルゴンなどの不活性ガスを含んでいてもよい。エッチングの組合せとして、フッ素系エッチングガスを用いたフッ素系ドライエッチングと、塩素ガスと酸素ガスとを含む塩素系エッチングガスを用いた塩素系ドライエッチングとの組合せを挙げたが、これに限定されるものではない。その他のエッチングの組合せとしては、塩素ガスを含み、酸素ガスを含まない塩素系エッチングガスを用いた塩素系ドライエッチングと、塩素ガスと酸素ガスとを含む塩素系エッチングガスを用いた塩素系ドライエッチングとの組合せ、塩素ガスと酸素ガスとを異なる比率で含む塩素系エッチングガスを用いた2種の塩素系ドライエッチングの組合せ、フッ素系エッチングガスを用いたフッ素系ドライエッチングと、塩素ガスを含み、酸素ガスを含まない塩素系エッチングガスを用いた塩素系ドライエッチングとの組合せなどを挙げることができる。エッチングマスク膜を用いて、遮光膜等のパターン形成膜のフォトマスクパターンを形成する方法を、パターン形成膜がMoSi系の遮光膜、エッチングマスク膜がCr系の膜であるフォトマスクブランクからフォトマスクを製造する場合を具体例として、その一例を説明する。まず、透明基板上に、MoSi系遮光膜とCr系エッチングマスク膜とが順に積層されたフォトマスクブランクを準備し、Cr系エッチングマスク膜の上にレジスト膜を形成する。次に、レジスト膜を加工してレジストパターンを得た後、塩素系ドライエッチングでエッチングマスク膜をパターン加工する。次に、レジスト膜を除去し、エッチングマスク膜をエッチングマスクとして、フッ素系ドライエッチングで遮光膜をパターン加工することによりフォトマスクが製造される。この場合、エッチングマスクパターンは、必要に応じて除去することができる。微細なフォトマスクパターンを高精度で形成するためには、アスペクト比の観点からレジストの膜厚を薄くするほうがよい。レジストの膜厚はエッチングマスク膜をパターン加工する際のエッチング時間に依存している。薄膜レジストで十分な加工を可能にするためには、エッチングマスク膜のエッチング時間を短くする必要がある。短いエッチング時間で十分な加工を可能にすることは、1エッチングクリアタイムが短い膜組成膜構成にすること、及び2エッチングマスク膜の膜厚を薄くすることの少なくとも一方により達せられる。しかし、エッチングマスク膜を用いて遮光膜等のパターン形成膜を加工する際は、エッチングマスク膜は、パターン形成膜のエッチングに対し十分な耐性が必要である。耐性を向上させることは、3エッチングクリアタイムが長い膜組成膜構成にすること、及び4エッチングマスク膜の膜厚を厚くすることの少なくとも一方により達せられる。つまり、エッチングマスク膜に求められるのは、エッチングマスク膜のエッチング条件に対するエッチングクリアタイムは短く、パターン形成膜のエッチング条件に対するエッチングクリアタイムは長い膜組成膜構成である。本発明においては、パターン形成膜からフォトマスクパターンを形成する際にパターン形成膜に適用するエッチング条件でエッチングマスク膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイムC1と、エッチングマスク膜からエッチングマスクパターンを形成する際にエッチングマスク膜に適用するエッチング条件でエッチングマスク膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイムC2とを測定し、両者のクリアタイム比C1/C2により、エッチングマスク膜の性能を評価する。本発明は、パターン形成膜に適用するエッチング条件でエッチングマスク膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイムC1と、エッチングマスク膜に適用するエッチング条件でエッチングマスク膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイムC2とのクリアタイム比C1/C2を、FOMFigureofMerit:性能指数とし、エッチングマスク膜の膜構成膜組成のエッチング特性の指標とする評価方法である。前者C1は、パターン形成膜をエッチングする際のエッチングマスク膜の耐エッチング性に相当し、後者C2は、エッチングマスク膜自体をエッチングする際の被エッチング性に相当する。従って、C1/C2はより大きい方が好ましいものとなり、好ましくは8以上、より好ましくは9以上、更に好ましくは9.5以上である。なお、C1/C2の上限は、特に限定されるものではないが、エッチングマスク膜がCr系の膜であり、パターン形成膜に適用するエッチングガスがフッ素系で、エッチングマスク膜に適用するエッチングガスが塩素系である場合、実用上は、例えば12以下である。C1/C2がより大きなエッチングマスク膜を用いることによって、エッチングマスク膜をエッチングするときのレジスト膜のエッチング量と、パターン形成膜をエッチングするときのエッチングマスク膜のエッチング量との双方を、相対的に最少化することができる。エッチングクリアタイムは、所定膜厚の膜に対するエッチングのクリアタイム、即ち、エッチング開始から、膜が除去されて、基板や下層の膜が露出するまでの時間によって求めることができる。エッチングクリアタイムは、エッチング中の膜の反射率を測定し、その変化からエッチングの終了を検出して求めることができる他、膜をエッチング中に観察できるときは、目視により、基板や下層の膜の露出を確認し、エッチングの終了を判断して求めることができる。また、エッチングチャンバー中のプラズマの発光スペクトルなどの解析によるプラズマ中のイオン又は元素の分析により、その変化からエッチングの終了を検出して求めることもできる。エッチングマスク膜の膜厚は、パターン形成膜のエッチング条件における、エッチングマスク膜及びパターン形成膜のエッチングクリアタイムにより設定することができる。パターン形成膜のエッチングクリアタイムよりも、エッチングマスク膜のエッチングクリアタイムの方が長ければよく、例えば、1.1~5倍、特に1.2~3倍となる膜厚を設定すればばよい。エッチングマスク膜の膜厚は薄い方が好ましいが、薄すぎるとパターン欠陥を生じ、厚すぎると、レジスト膜が厚くなり、微細なパターン形成に不利になるだけでなく、パターンの粗密依存性が大きくなる。エッチングマスク膜の膜厚は、具体的には、1~30nm、特に1~10nmとすることが好ましい。このようなエッチングマスク膜に対して適用するレジスト膜の膜厚は30~200nm、特に30~150nm、とりわけ30~100nmとすることができる。一方、パターン形成膜の膜厚は、光学機能により異なるが、上記エッチングマスク膜の膜厚に対しては、通常10~100nm、特に20~80nmの膜厚のものが好適である。本発明のエッチングマスク膜の評価方法は、例えば、透明基板上に、パターン形成膜として遮光膜が形成され、その上にエッチングマスク膜が形成されたバイナリーフォトマスクブランクや、透明基板上に、パターン形成膜としてハーフトーン位相シフト膜等の位相シフト膜と、必要に応じてその上に遮光膜とが形成され、更にその上にエッチングマスク膜が形成された位相シフトマスクブランクのエッチングマスク膜の評価方法として有効である。以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に制限されるものではない。[実施例1]石英基板上に、MoSi系材料の遮光膜を成膜し、この遮光膜上に、エッチングマスク膜としてCr系材料の膜を成膜した。Cr系材料膜の成膜には、ターゲットとして金属クロムを用い、スパッタガスとしてアルゴンと窒素と酸素ガスとを用いた。Cr系材料の単層膜及び多層膜を計4種、成膜条件を変えて遮光膜上に成膜し、4種のフォトマスクブランクの試料A~Dを作製した。エッチングマスク膜の膜厚は3nmとなるよう成膜時間を調整した。成膜したCr系材料膜について、塩素系ドライエッチングとフッ素系ドライエッチングの各々でのエッチングクリアタイムを求めた。エッチングに用いたエッチング装置の概略を図1に示す。図1中、1はチャンバー、2はアース、3は下部電極、4はアンテナコイル、5は被処理基板、RF1,RF2は高周波電源である。塩素系ドライエッチングは、下記条件で行った。RF1RIE:リアクティブイオンエッチング:パルス700VRF2ICP:誘導結合プラズマ:CW連続放電400W圧力:6mTorrCl2:185sccmO2:55sccmHe:9.25sccmエッチング中、Cl原子由来のプラズマ発光波長520nmの強度の経時変化を測定した。各々のフォトマスクブランクのエッチングマスク膜のエッチングクリアタイムを表1に示す。フッ素系ドライエッチングは、下記条件で行った。RF1RIE:リアクティブイオンエッチング:CW連続放電54WRF2ICP:誘導結合プラズマ:CW連続放電325W圧力:5mTorrSF6:18sccmO2:45sccmエッチング中、波長675nmの検査光に対する反射率の経時変化を測定した。Cr系材料膜が完全にエッチングされると、MoSi系材料の遮光膜のエッチングが始まり、遮光膜の膜厚が減少することによって反射率が減少し、最終的には石英基板の反射率の値に達する。各々のフォトマスクブランクのエッチングマスク膜のエッチングクリアタイムを表1に示す。測定されたエッチングクリアタイムから、フッ素系ドライエッチングのエッチングクリアタイムに対する塩素系ドライエッチングのエッチングクリアタイムであるC1/C2を求めた。この場合、いずれも膜厚は同じである。これらの試料A~Dでは、試料AのC1/C2が最も高く、最も適した膜構成膜組成であることがわかった。"