インターポーザと、前記インターポーザの一面に実装される第1チップと、前記インターポーザの他面に実装される第2チップと、前記第1チップの背面に接続される第1金属板と、前記第2チップの背面上に設けられる第2金属板と、前記インターポーザを貫通し、前記第1金属板と前記第2金属板とに接続されるビアとを含む電子装置。前記ビアは、平面視で前記インターポーザの一又は複数の隅部を貫通する、請求項1記載の電子装置。前記ビアは、Niメッキ、Cuメッキ、又はAgペーストを充填することによって作製される、請求項1又は2記載の電子装置。前記第1金属板の下側に配設される基板と、前記基板の下面に配設される放熱板と、前記基板を貫通し、前記第1金属板と前記放熱板とを接続する第2ビアとをさらに含む、請求項1乃至3のいずれか一項記載の電子装置。前記第2ビアは、Niメッキ、Cuメッキ、又はAgペーストを充填することによって作製される、請求項4記載の電子装置。前記第1金属板又は前記第2金属板は、Ni、Cu、Au、Ag、Fe、Cr、Al、Ti、Mg、Si、Mo、又はW、あるいは、Ni、Cu、Au、Ag、Fe、Cr、Al、Ti、Mg、Si、Mo、又はWのうちのいずれか一つ以上を含む合金によって作製される、請求項1乃至5のいずれか一項記載の電子装置。電子回路基板と、前記電子回路基板に実装される請求項1乃至6のいずれか一項記載の電子装置とを含む、携帯型電子端末機。インターポーザの一面に第1チップを実装する工程と、前記インターポーザの他面に第2チップを実装する工程と、前記第1チップの背面に第1金属板を接続する工程と、前記インターポーザを貫通し、一端が前記第1金属板に達するビアを形成する工程と、前記第2チップの背面側に、前記ビアの他端に接続する第2金属板を設ける工程とを含む電子装置の製造方法。近年、携帯電話端末機又は小型デジタルカメラ等に搭載するための装置の小型化が進行しており、従来のマルチチップモジュールのような電子装置は益々小型化されている。電子装置の小型化を図る手法としてCPU又はメモリ等のチップ同士を直接接合するチップオンチップ方式があるが、チップオンチップ方式では配線を接続するための専用の構造が双方のチップに必要で、チップの汎用性が低くなる。このため、携帯電話端末機又は小型デジタルカメラ等の携帯型電子端末機に搭載される電子装置には、インターポーザの両面にチップを実装するフリップチップ方式が多く用いられている。フリップチップ方式では、チップ同士の間の配線をインターポーザによって再配線することができるため、チップの汎用性も高くなる。ところで、CPU又はメモリ等のチップの線膨張係数とインターポーザの線膨張係数は異なるため、電子装置の製造時にチップとインターポーザを加熱した後に冷却すると、チップとインターポーザとの間に反りが生じる場合がある。このような反りは、CPU又はメモリ等のチップとインターポーザの間に施されるアンダーフィルの硬化収縮によって生じる場合もある。チップとインターポーザとの間に反りが生じると、例えば、モールド樹脂等でパッケージ化する際に、チップ又はモールド樹脂が破損する場合がある。チップ又はモールド樹脂の破損等は、電子装置の信頼性を低下させるという問題があった。そこで、信頼性の高い電子装置、携帯型電子端末機、及び電子装置の製造方法を提供することを目的とする。本発明の実施の形態の電子装置は、インターポーザと、前記インターポーザの一面に実装される第1チップと、前記インターポーザの他面に実装される第2チップと、前記第1チップの背面に接続される第1金属板と、前記第2チップの背面上に設けられる第2金属板と、前記インターポーザを貫通し、前記第1金属板と前記第2金属板とに接続されるビアとを含む。信頼性の高い電子装置、携帯型電子端末機、及び電子装置の製造方法を提供することができる。以下、本発明の電子装置、携帯型電子端末機、及び電子装置の製造方法を適用した実施の形態について説明する。実施の形態の電子装置、携帯型電子端末機、及び電子装置の製造方法について説明する前に、まず、図1を用いて、比較例の電子装置とその問題点について説明する。図1は、比較例の電子装置1の断面構造を示す図である。比較例の電子装置1は、インターポーザ2、チップ3、チップ4、モールド樹脂部5、パッケージ基板6、及びモールド樹脂部7を含む。インターポーザ2は、同一平面上に配設される配線部2Aと絶縁部2Bを有する単層のインターポーザである。インターポーザ2は、いわゆる両面実装型であり、一方の面図1中の下面にチップ3が実装され、他方の面図1中の上面にチップ4が実装される。配線部2Aは、例えば、銅製の金属配線であり、絶縁部2Bは、例えば、絶縁性のある有機材料によって形成されている。配線部2Aのパターンは、チップ3、4の端子の位置及び形状等に合わせて設計されている。チップ3は、例えば、CPUCentralProcessingUnit:中央演算処理装置又はMPUMicroProcessingUnit:マイクロプロセッサ等の演算処理を行う演算処理部を含むチップである。チップ3は、インターポーザ2の一方の面図1中の下面にフリップチップ方式で実装され、バンプ11によって配線部2Aに接続されている。バンプ11としては、例えば、金ボールを用いることができる。また、チップ3とインターポーザ2の間には、アンダーフィル12が施されている。アンダーフィル12は、チップ3とインターポーザ2との間の接続強度を補強するために設けられている。アンダーフィル12としては、例えば、熱硬化性のあるエポキシ樹脂を用いればよい。なお、図1には、インターポーザ2に1つのチップ3が実装されている状態を示すが、インターポーザ2には、複数のチップ3が実装されていてもよい。チップ4は、例えば、DRAMDynamicRandomAccessMemory、SRAMStaticRandomAccessMemory、FRAMFerroelectricRandomAccessMemory等のようなメモリのチップである。チップ4は、インターポーザ2の他方の面図1中の上面にフリップチップ方式で実装され、バンプ13によって配線部2Aに接続されている。バンプ13としては、例えば、金ボールを用いることができる。また、チップ4とインターポーザ2の間には、アンダーフィル14が施されている。アンダーフィル14は、チップ4とインターポーザ2との間の接続強度を補強するために設けられている。アンダーフィル14としては、例えば、熱硬化性のあるエポキシ樹脂を用いればよい。なお、図1には、インターポーザ2に1つのチップ4が実装されている状態を示すが、インターポーザ2には、複数のチップ4が実装されていてもよい。モールド樹脂部5は、チップ3の側面及び下面を覆うようにモールド成形される樹脂部であり、チップ3を保護するために形成される。モールド樹脂部5としては、例えば、熱硬化性のあるエポキシ樹脂を用いればよい。パッケージ基板6は、コア材21、樹脂部22、配線部23、24、25、26、及びビア27、28、29を有する。コア材21は、例えば、ガラス繊維で形成されており、一方の面図1中の上面に配線部24が形成され、他方の面図1中の下面に配線25が形成されている。配線部24と配線部25は、コア材21を厚さ方向に貫通するビア28によって接続されている。樹脂部22は、コア材21を覆うように形成されている。樹脂部22としては、例えば、エポキシ樹脂を用いればよい。樹脂部22の一方の面図1中の上面には配線部23が形成され、他方の面図1中の下面には配線部26が形成されている。配線部23は、ビア27によって配線部24に接続されており、配線部26は、ビア29によって配線部25に接続されている。配線部23~26は、上述のように、パッケージ基板6の両面及び層間に形成されている。配線部23~26は、例えば、銅箔をパターニングすることによって形成される。図1に示すパッケージ基板6は、4層の配線部23~26を有する多層基板である。ビア27~29は、上述のように、配線部23~26を互いに接続するように、パッケージ基板6のコア材21又は樹脂部22の厚さ方向に形成されている。ビア27~29は、例えば、コア材21又は樹脂部22の厚さ方向に形成される孔部の内面に、銅箔を形成することによって作製される。チップ3、4は、インターポーザ2の両面に実装され、チップ3がモールド樹脂部5に覆われた状態で、モールド樹脂部5が接着剤15でパッケージ基板6の上面に固定されることにより、パッケージ基板6に実装される。この状態で、インターポーザ2の配線部2Aには、ボンディングワイヤ16の一端が接続され、ボンディングワイヤ16の他端は、配線部23に接続される。モールド樹脂部7は、ボンディングワイヤ16によってインターポーザ2の配線部2Aとパッケージ基板6の配線部23とが接続された状態で、チップ4の上面、モールド樹脂部5の側面、及びパッケージ基板6の上面を覆うように形成される。モールド樹脂部7としては、例えば、熱硬化性のあるエポキシ樹脂を用いればよい。パッケージ基板6の下面には、配線部26を除いた部分に、ソルダーレジスト17が形成され、配線部26には半田ボール30が搭載される。なお、ソルダーレジスト17としては、例えば、熱硬化性のあるエポキシ樹脂皮膜を形成すればよい。ところで、インターポーザ2は銅製の配線部2Aと有機材料製の絶縁部2Bを有し、チップ3、4は、例えばシリコン等によって作製されるCPU、MPU、メモリ等の素子を含むため、インターポーザ2の線膨張係数は、チップ3、4の線膨張係数よりも大きい。ここで、例えば、インターポーザ2にはチップ3を先に実装してからチップ4を実装するものとする。この場合、インターポーザ2、チップ3、バンプ11、及びアンダーフィル12を加熱してインターポーザ2にバンプ11でチップ3を接続すると、冷却されたときに線膨張係数の違いによってインターポーザ2とチップ3の間に応力が生じる。この応力は、インターポーザ2の中央部を凸にさせるように働き、これによってインターポーザ2とチップ3に反りが生じる。また、このような反りは、アンダーフィル12の熱収縮によって生じる場合もある。インターポーザ2とチップ3の反りは、インターポーザ2とチップ3との接続不良、又は、後に樹脂モールド5又は樹脂モールド7を形成した際に、樹脂モールド5又は7の割れを生じさせる場合があるという問題があった。また、上述のように反りが生じた状態でインターポーザ2の配線部2Aに2つ目のチップ4を実装しようとすると、インターポーザ2が反っているために、バンプ13による配線部2Aとチップ4との接続が不完全になることにより、チップ4の実装性が低下する場合があるという問題があった。また、チップ3、4の排熱に関しては、CPU又はMPU等のように演算処理を行うチップ3は、メモリ等の演算処理を行わないチップ4に比べて発熱量が多い。チップ3は、上側がインターポーザ2とアンダーフィル12によって覆われており、下側がモールド樹脂5によって覆われている。ここで、シリコンの熱伝導率は148W/mKであり、モールド樹脂部5及びアンダーフィル12に用いるエポキシ樹脂の熱伝導率は約0.4W/mKであるため、樹脂の熱伝導率はシリコンの約370分の1であることになる。従って、比較例の電子装置1では、チップ3が発する熱がモールド樹脂部5及びアンダーフィル12を通じて排熱されることはあまり期待できず、チップ3の排熱経路が十分に確保されていないという問題があった。また、チップ4はチップ3よりも発熱量が少ないが、チップ4が発熱した場合に、チップ4の排熱経路も十分に確保されていないという問題があった。このような排熱経路の問題は、チップ3の裏面図1中の下面にCPU又はMPU等のシリコン基板が露出している場合、又は、チップ4の裏面図1中の上面にメモリのシリコン基板が露出している場合には、特に顕著であった。チップの破損、実装性の低下、又は排熱経路の不足等は、電子装置の信頼性を低下させるという問題があった。以上のように、比較例の電子装置1では、チップの破損、実装性の低下、又は排熱経路の不足等は、電子装置の信頼性を低下させるという問題点があった。このため、以下で説明する実施の形態では、上述の問題点を解決した携帯型電子端末機を提供することを目的とする。以下、実施の形態の電子装置、携帯型電子端末機、及び電子装置の製造方法について説明する。<実施の形態>図2は、実施の形態の電子装置100を含む携帯型電子端末機50を示す図であり、Aは斜視透視図、Bは携帯型電子端末機50に含まれるマザーボード54を示す図である。以下で実施の形態の電子装置100について説明するにあたり、比較例の電子装置1と同一又は同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。図2Aに示すように、携帯電話端末機50の筐体51の外面には、表示部52及び操作部53が設けられており、筐体51の内部には、破線で示すマザーボード54が収納されている。ここで、携帯電話端末機50は携帯型電子端末機の一例であり、マザーボード54は、電子回路基板の一例である。筐体51は、樹脂製又は金属製の筐体であり、表示部52及び操作部53を設置するための開口部を有する。表示部52は、例えば、文字、数字、画像等を表示できる液晶パネルであればよい。また、操作部53は、テンキーに加え、携帯電話端末機50の機能を選択するための種々の選択キーを含む。なお、携帯電話端末機50は、近接通信装置赤外線通信装置、電子マネー用の通信装置等又はカメラ等の付属装置を含んでもよい。また、図2Bに示すマザーボード54は、例えばFR4ガラス布基材エポキシ樹脂基板で構成され、表面54Aには銅箔をパターニングすることにより配線部55が形成されている。配線部55は、電子機器の駆動に必要な各種信号の伝送経路となるものである。配線部55は、例えば、レジストを用いたエッチング処理によってパターニングされている。配線部55には、携帯電話端末機50で通話、電子メール、又はインターネット等の通信を行うための処理を実行する電子装置100が接続されている。電子装置100は、半田ボール30図3参照によって配線部55に接続されることにより、マザーボード54に実装されている。マザーボード54として用いるFR4は、一般に、複数の絶縁層を積層し、各絶縁層の間層間、積層構造の最上面、及び積層構造の最下面にパターニングされた銅箔を有する。なお、マザーボード54には、複数の電子装置100が実装されていてもよく、電子装置100はマザーボード54の裏面に形成されていてもよい。また、マザーボード54は、配線部55を形成でき、回路を搭載することのできる誘電体製の基板であれば、FR4以外の基板であってもよい。また、配線部55は、電力損失が小さく、導電率が高い金属であれば銅Cu以外の金属例えば、アルミニウムAl等であってもよい。なお、図2には、携帯型電子端末機の一例として携帯電話端末機50を示したが、携帯型電子端末機は、携帯電話端末機50に限定されず、例えば、スマートフォンの端末機、デジタルカメラ、ビデオカメラ、又は、ゲーム機等であってもよい。次に、図3を用いて、実施の形態の電子装置100について説明する。図3は、実施の形態の電子装置100の断面構造を示す図である。実施の形態の電子装置100は、インターポーザ102、チップ3、チップ4、モールド樹脂部105、パッケージ基板106、及びモールド樹脂部107に加えて、金属板201、ビア202、及び金属板203を含む。インターポーザ102は、比較例のインターポーザ2と基本的に同様であるが、絶縁部102Bにビア202が挿通されている点が比較例のインターポーザ2と異なる。インターポーザ102のその他の構成は比較例のインターポーザ2と同様であるため、インターポーザ102についての説明は、比較例のインターポーザ2の説明を援用し、ここでは相違点を中心に説明する。チップ3は、比較例のチップ3と同様であり、例えば、CPU又はMPU等のような演算処理を行う演算処理部を含むチップである。チップ3は、インターポーザ102の一方の面図3中の下面にフリップチップ方式で実装され、バンプ11によって配線部102Aに接続されている。チップ3とインターポーザ102の間には、アンダーフィル12が施されている。ここで、チップ3の表面能動面は、インターポーザ102に接続される側の面図3中の上側の面であり、チップ3の裏面背面は、表面とは反対側の面図3中の下側の面である。チップ3は、金属板201に搭載されている。チップ3と金属板201の間は、導電性接着剤221によって接続されている。チップ3とインターポーザ102の間には、アンダーフィル12が施されている。なお、導電性接着剤221の代わりに、導電ペーストを用いてもよい。導電ペーストとしては、例えば、銀ペーストが挙げられる。ここで、チップ3は第1チップの一例であり、金属板201は、第1チップとしてのチップ3の裏面に接続される第1金属板の一例である。なお、図3には、インターポーザ102に1つのチップ3が実装されている状態を示すが、インターポーザ102には、複数のチップ3が実装されていてもよい。チップ4は、比較例のチップ4と同様であり、例えば、DRAM、SRAM又はFRAM等のメモリのチップである。チップ4は、バンプ13によってインターポーザ102の他方の面図3中の上面にフリップチップ方式で実装されている。チップ4とインターポーザ102の間には、アンダーフィル14が施されている。チップ4は、インターポーザ102の配線部102Aを介して、チップ3から電源供給を受ける。ここで、チップ4の表面能動面は、インターポーザ102に接続される側の面図3中の下側の面であり、チップ4の裏面背面は、表面とは反対側の面図3中の上側の面である。なお、図3には、インターポーザ102に1つのチップ4が実装されている状態を示すが、インターポーザ102には、複数のチップ4が実装されていてもよい。モールド樹脂部105は、金属板201の上でチップ3の側面を覆うようにモールド成形される樹脂部であり、チップ3を保護するために形成される。モールド樹脂部105は、チップ3の底面を覆わずに側面を覆う点と、ビア202が形成される点が比較例のモールド樹脂部105と異なるが、その他は比較例のモールド樹脂部5と同様である。モールド樹脂部105としては、例えば、熱硬化性のあるエポキシ樹脂を用いればよい。パッケージ基板106は、コア材21、樹脂部22、配線部23、24、25、26、及びビア27、28、29を有する点は比較例のパッケージ基板6と同様であるが、ビア211及び放熱板212が形成されている点が比較例のパッケージ基板6と異なる。ビア211は、パッケージ基板106を厚さ方向に貫通するように形成されており、内部には、例えば、Niメッキ、Cuメッキ、又はAgペーストが充填される。ビア211は、上端が導電性接着剤を介して金属板201に接続され、下端が放熱板212に接続される。なお、導電性接着剤の代わりに、導電ペーストを用いてもよい。導電ペーストとしては、例えば、銀ペーストが挙げられる。パッケージ基板106は、半田ボール30を介して、マザーボード54の配線部55に接続される。これにより、実施の形態の電子装置100は、マザーボード54に実装される。なお、半田ボール30によってパッケージ基板106がマザーボード54の配線部55に接続された状態では、パッケージ基板106とマザーボード54との間には隙間があり、放熱板212は、隙間を介してマザーボード54の上面54Aに対向している。放熱板212は、パッケージ基板106の下面に形成される放熱用の金属プレートであり、ビア211の下端に接続されている。放熱板212は、例えば、アルミニウム製又は銅製のプレート、あるいは、アルミ箔又は銅箔を用いることができる。放熱板212は、例えば、蒸着によって形成してもよいし、薄い板状のプレートをパッケージ基板106の下面に接着し、ビア211とは導電性接着剤等で接続してもよい。また、導電性接着剤の代わりに、導電ペーストを用いてもよい。導電ペーストとしては、例えば、銀ペーストが挙げられる。モールド樹脂部107は、ビア202が形成される点と、上面に金属板203が配設される点が比較例のモールド樹脂部7と異なるが、その他は比較例のモールド樹脂部7と同様である。金属板201は、平面視矩形状の金属板であり、上面の中央部にチップ3が導電性接着剤221によって固定されるとともに、上面の四隅の近傍にビア202の下端が接続される。また、金属板201は、導電性接着剤222によってパッケージ基板106の上面に固定される。金属板201は、チップ3とインターポーザ102を接続することによってチップ3とインターポーザ102の間に生じ得る応力に反して、チップ3及びインターポーザ102の反りを抑制するために設けられている。また、金属板201は、チップ3が発生する熱を排熱するために設けられている。このため、金属板201は、ビア202を通じて金属板203に接続されている。金属板201は、例えば、ニッケルNi、銅Cu、金Au、銀Ag、鉄Fe、クロムCr、アルミニウムAl、チタンTi、マグネシウムMg、シリコンSi、モリブデンMo、又はタングステンWによって作製すればよい。また、金属板201を合金で作製する場合は、Ni、Cu、Au、Ag、Fe、Cr、Al、Ti、Mg、Si、Mo、又はWのうちのいずれか一つ以上を含む合金によって作製すればよい。金属板201は、チップ3及びインターポーザ102の間に生じ得る応力よってチップ3及びインターポーザ102に生じ得る反りを十分に抑制できる程度の強度を有するように、三次元的な寸法縦及び横の長さと厚さと密度等を有するように作製すればよい。ビア202は、モールド樹脂部107、インターポーザ102、及びモールド樹脂部105を貫通し、金属板201の上面に接続されている。ビア202は、例えば、モールド樹脂部107、インターポーザ102、及びモールド樹脂部105を貫通し、金属板201の上面に達する孔部を形成した後に、内部に、例えば、ニッケルNiメッキ、銅Cuメッキ、又は銀Agペーストが充填されることによって作製される。モールド樹脂部107、インターポーザ102、及びモールド樹脂部105を貫通し、金属板201の上面に達する孔部は、例えば、ドリルによる加工処理、又は、マスクを用いてレーザ照射によるエッチング処理で形成すればよい。金属板203は、モールド樹脂部107及びビア202の上面を覆うように固定される。金属板203は、導電性接着剤223によってモールド樹脂部107及びビア202の上面に接続される。金属板203は、例えば、ニッケルNi、銅Cu、金Au、銀Ag、鉄Fe、クロムCr、アルミニウムAl、チタンTi、マグネシウムMg、シリコンSi、モリブデンMo、又はタングステンWによって作製すればよい。また、金属板201を合金で作製する場合は、Ni、Cu、Au、Ag、Fe、Cr、Al、Ti、Mg、Si、Mo、又はWのうちのいずれか一つ以上を含む合金によって作製すればよい。次に、図4を用いて、実施の形態の電子装置100の平面視での構造について説明する。図4は、実施の形態の電子装置100の平面視での構造を透過的に示す図である。図4には、モールド樹脂部107及び金属板203を除いた平面視での電子装置100の構成を示す。図4に示すように、平面視における電子装置100では、チップ3が中央に位置し、その外側にはインターポーザ102が位置し、さらにその外側にパッケージ基板106が位置している。図4には、一例として、チップ3、インターポーザ102、及びパッケージ基板106は、平面視で略正方形である。インターポーザ102は、平面視でチップ3の四辺に沿って位置するように、36個の配線部102Aを有する。36個の配線部102Aは、チップ3の四辺の各辺に沿って9個ずつ配列されている。また、ビア202は、インターポーザ102の四隅において、絶縁部102Bを貫通するように形成されている。インターポーザ102の四隅にビア202を貫通させるのは、インターポーザ102の四隅は、四隅以外の部分よりも配線部102Aを形成しにくく、配線部102Aの位置を殆ど変えることなく、ビア202を絶縁部102Bに貫通させることができるためである。このため、平面視においてチップ3の外側に見えるインターポーザ102の上面に示す部分のうち、36個の配線部102Aとビア202以外の部分は、絶縁部102Bの上面を表す。パッケージ基板106は、平面視で、インターポーザ102の四辺の外側を取り囲むように配設されている。パッケージ基板106の上面には、インターポーザ102の四辺に沿って、36個の配線部23が配置されている。36個の配線部23は、インターポーザ102の四辺の各辺に沿って9個ずつ配置されている。インターポーザ102の配線部102Aと、パッケージ基板106の配線部23とは、ボンディングワイヤ16によって接続されている。なお、図4には、貫通部202がインターポーザ102の四隅の絶縁部102Bを貫通する形態を示すが、貫通部202は、インターポーザ102の四隅以外の絶縁部102Bを貫通するように形成されていてもよい。また、貫通部202の数は、4つに限定されず、少なくとも1つあればよい。次に、図5を用いて、実施の形態の電子装置100における排熱経路について説明する。図5は、実施の形態の電子装置100の排熱経路を示す図である。図5では、排熱経路を矢印で示すため、電子装置100の一部の構成要素にのみ符号を記す。実施の形態の電子装置100において、チップ3が発生する熱は、金属板201、ビア202、及び金属板203を経て、放熱される。すなわち、この場合の排熱経路は、矢印Aで示すように、チップ3から金属板201、ビア202、及び金属板203を通る経路である。また、チップ3が発生する熱は、金属板201、ビア211、及び放熱板212を経る経路によっても放熱される。この場合の排熱経路を矢印Bで示す。なお、メモリ等のチップであるチップ4は、CPU又はMPU等の演算処理部を含むチップ3に比べると発熱量は少ないが、チップ4からインターポーザ102及びチップ3を経て、排熱経路A及びBに接続されているため、チップ4の排熱経路も確保されている。次に、図6乃至図9を用いて、実施の形態の電子装置100の製造工程について説明する。図6乃至図9は、実施の形態の電子装置100の製造工程を示す図である。図6Aに示す状態は、図2に示す状態とは天地が逆である。まず、図6Aに示すように、支持基板300の表面にインターポーザ102を形成し、インターポーザ102の上にアンダーフィル12用の材料を塗布した状態で、バンプ11を付着させたチップ3をインターポーザ102に搭載する。インターポーザ102は、一枚の銅板の表面を加工して、銅板の表面部分に有機材料製の絶縁部102Bを形成することにより、銅板の表面に形成される。支持基板300は、銅板からインターポーザ102の配線部102A及び絶縁部102Bを除いた残りの部分である。この状態で、支持基板300、インターポーザ102、バンプ11、アンダーフィル12用の材料、及びチップ3をアンダーフィル12が熱硬化するように加熱するとともに、チップ3をインターポーザ102に圧着してバンプ11をインターポーザ102の配線部102Aに固着させる。その後、支持基板300、インターポーザ102、バンプ11、アンダーフィル12、及びチップ3を冷却する。ここで、支持基板300は、図6A~図6Dに示す工程においてインターポーザ102を固定するために治具として用いられ、図6Dの工程から図7Aの工程に移行するときに除去される。なお、図6Aには1つの電子装置100に対応する支持基板300、インターポーザ102、バンプ11、アンダーフィル12、及びチップ3を示すが、実際には、多数の電子装置100を一度に作製し、後に個片化を行う。個片化を行うのは、図7Bに示す工程と図7Cに示す工程の間である。このため、実際には、図6Aに示す工程では、支持基板300とインターポーザ102はすべての電子装置100に対して一体化されている。実際の工程では、1つの大きな支持基板300の上に、個片化を行う前のインターポーザ102を搭載し、インターポーザ102の上に、多数のチップ3を搭載した状態で、アンダーフィル12を熱硬化させるとともに、バンプ11をインターポーザ102の配線部102Aに接続する。次に、図6Bに示すように、チップ3、アンダーフィル12、及びインターポーザ102の上に樹脂部105Aをモールド成型する。樹脂部105Aは、すべての電子装置100に対して一体的にモールド成型される。次に、図6Cに示すように、チップ3が表出するまで樹脂部105Aを図6Cに示す上側から研磨する。研磨は、例えば、グラインダを用いて行えばよい。この工程により、樹脂部105Aの上部が削り取られてモールド樹脂部105が完成する。次に、図6Dに示すように、チップ3とモールド樹脂部105との上に導電性接着剤221で金属板201を固定する。金属板201は、すべての電子装置100に対して一体のものを用いればよい。図6Dに示す段階では、金属板201は個片化されておらず、すべての電子装置100に対応するチップ3及びモールド樹脂部105の上に一体的に固定される。次に、図7Aに示すように、支持基板300を取り除く。支持基板300が銅板製である場合は、例えば、塩化第二鉄FeCl3を用いたウェットエッチングによって支持基板300を除去又は剥離すればよい。次に、図7Bに示すように、インターポーザ102、チップ3、及び金属板201を天地反転させてインターポーザ102を上側にした状態で、インターポーザ102の上にアンダーフィル14用の材料を塗布し、バンプ13を付着させたチップ4をインターポーザ102に搭載する。この状態で、支持基板300、インターポーザ102、バンプ13、アンダーフィル14用の材料、及びチップ4をアンダーフィル14が熱硬化するように加熱するとともに、チップ4をインターポーザ102に圧着してバンプ13をインターポーザ102の配線部102Aに固着させる。その後、支持基板300、インターポーザ102、バンプ13、アンダーフィル14用の材料、及びチップ4を冷却する。なお、図7Bに示す工程が終了した時点で、ダイシングを行うことにより、インターポーザ102、モールド樹脂部105、及び金属板201を個片化する。次に、図7Cに示すように、金属板201を導電性接着剤222でパッケージ基板106の上面に接続する。なお、パッケージ基板106は、予めコア材21、樹脂部22、配線部23、24、25、26、ビア27、28、29、ビア211、及び放熱板212が形成されているものを用いる。また、パッケージ基板106は、すべての電子装置100について一体のものを用いる。このため、パッケージ基板106の上には、図7Bに示す工程の終了後に個片化が行われたインターポーザ102、モールド樹脂部105、及び金属板201と、チップ3、4を含む多数の素子が配列されることになる。なお、パッケージ基板106は、図9Cに示す工程が終了した後にダイシングを行うことにより個片化が行われる。次に、図8Aに示すように、ボンディングワイヤ16の一端をインターポーザ102の配線部102Aに接続し、他端をパッケージ基板106の配線部23に接続する。ボンディングワイヤ16の接続は、例えば、超音波を用いて加熱しながら行えばよい。次に、図8Bに示すように、チップ4、ボンディングワイヤ16、モールド樹脂部105、及びパッケージ基板106の上に、モールド成型により、モールド樹脂部107を作製する。モールド樹脂部107は、すべての電子装置100に対して一体的に作製すればよく、図9Cに示す工程の後に行うダイシングによって個片化される。次に、図8Cに示すように、モールド樹脂部107の表面から金属板201の上面に達する貫通孔107Aを形成する。貫通孔107Aは、平面視では、図4に示すようにインターポーザ102の四隅の絶縁部102Bを貫通するように形成される。貫通孔107Aは、例えば、ドリルによる加工処理、又は、マスクを用いてレーザ照射によるエッチング処理でモールド樹脂部107に形成すればよい。なお、ドリルによる加工の場合は、ドリルが金属板201の表面に達し、金属板210の厚さの範囲内で貫通孔107Aの加工が終了するようにすればよい。また、レーザ照射によるエッチングの場合は、貫通孔107Aが金属板201の表面に到達した時点でレーザ照射を停止するようにすればよい。次に、図9Aに示すように、貫通孔107A図8C参照内に金属を充填することにより、ビア202を作製する。次に、図9Bに示すように、モールド樹脂部107とビア202の上に、導電性接着剤223を用いて金属板203を固定する。金属板203は、すべての電子装置100について一体のものを用いればよい。最後に、図9Cに示すように、パッケージ基板106の配線部26に半田ボール30を付着させる。図9Cの工程は、実際には、天地を逆にして、リフロー工程によってパッケージ基板106の配線部26に半田ボール30を付着させる工程である。以上の工程が終了した後に、ダイシングを行い、パッケージ基板106、モールド樹脂部107、及び金属板203の個片化を行うことにより、図3に示す電子装置100が完成する。以上のように、実施の形態の電子装置100は、インターポーザ102の両面に実装されるチップ3、4を含んでおり、インターポーザ102の下側に位置し、チップ4よりも発熱量の多いチップ3を搭載する金属板201を有する。また、実施の形態の電子装置100は、金属板201から上方に向けてインターポーザ102を貫通して延出するビア202と、ビア202の上端に接続される金属板203とを有する。このため、電子装置100をマザーボード54に実装した状態において、発熱量の多いチップ3の排熱経路を確保することができる。この排熱経路は、図5に矢印Aで示す経路であり、電子装置100の最上部にある金属板203を利用する経路である。従って、チップ3を効率的に冷却することができる。また、実施の形態の電子装置100は、上述の排熱経路に加えて、金属板201からパッケージ基板106を貫通するビア211を介してパッケージ基板106の下面に配設される放熱板212に至る排熱経路も有する。このため、チップ3の冷却効率をさらに向上させることができる。なお、本実施の形態では、パッケージ基板106を貫通するビア211と、ビア211の下端に接続される放熱板212を含む電子装置100について説明したが、ビア211と放熱板212は、必ずしも必要ではなく、電子装置100は、ビア211と放熱板212を含まなくてもよい。ビア211と放熱板212の有無は、例えば、チップ3の発熱量等に応じて、決定すればよい。なお、インターポーザ102の上側に実装され、チップ3よりも発熱量が少ないチップ4は、インターポーザ102の配線部102A及びチップ3を通じて、チップ3の排熱経路に接続されているため、チップ4も効率的に冷却される。また、実施の形態の電子装置100では、製造工程において最初にインターポーザ102に実装されるチップ3を金属板201に固定する図6D以降の工程参照。従って、製造工程においてインターポーザ102とチップ3の線膨張係数の違い等に起因する反りの発生を抑制することができる。これは、チップ3に固定される金属板201がチップ3の補強材となり、応力に抗して反りの発生を抑制されるためである。このため、実施の形態の電子装置100は、チップ3、モールド樹脂部105、又はモールド樹脂部107に割れ等による電子装置100の破損を抑制でき、電子装置100の歩留まりを上昇させることができる。また、実施の形態の電子装置100は、上述のようにインターポーザ102とチップ3の反りの発生を抑制できるため、その後にインターポーザ102にチップ4を確実に実装することができ、チップ4の実装性が飛躍的に向上する。以上、本実施の形態によれば、放熱効率が高く、製造時の破損を抑制でき、チップの実装性を向上させた電子装置100を提供することができる。以上、本発明の例示的な実施の形態の電子装置、携帯型電子端末機、及び電子装置の製造方法について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。以上の実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。付記1インターポーザと、前記インターポーザの一面に実装される第1チップと、前記インターポーザの他面に実装される第2チップと、前記第1チップの背面に接続される第1金属板と、前記第2チップの背面上に設けられる第2金属板と、前記インターポーザを貫通し、前記第1金属板と前記第2金属板とに接続されるビアとを含む電子装置。付記2前記ビアは、平面視で前記インターポーザの一又は複数の隅部を貫通する、付記1記載の電子装置。付記3前記ビアは、Niメッキ、Cuメッキ、又はAgペーストを充填することによって作製される、付記1又は2記載の電子装置。付記4前記第1金属板の下側に配設される基板と、前記基板の下面に配設される放熱板と、前記基板を貫通し、前記第1金属板と前記放熱板とを接続する第2ビアとをさらに含む、付記1乃至3のいずれか一項記載の電子装置。付記5前記第2ビアは、Niメッキ、Cuメッキ、又はAgペーストを充填することによって作製される、付記4記載の電子装置。付記6前記第1金属板又は前記第2金属板は、Ni、Cu、Au、Ag、Fe、Cr、Al、Ti、Mg、Si、Mo、又はW、あるいは、Ni、Cu、Au、Ag、Fe、Cr、Al、Ti、Mg、Si、Mo、又はWのうちのいずれか一つ以上を含む合金によって作製される、付記1乃至5のいずれか一項記載の電子装置。付記7電子回路基板と、前記電子回路基板に実装される付記1乃至6のいずれか一項記載の電子装置とを含む、携帯型電子端末機。付記8インターポーザの一面に第1チップを実装する工程と、前記インターポーザの他面に第2チップを実装する工程と、前記第1チップの背面に第1金属板を接続する工程と、前記インターポーザを貫通し、一端が前記第1金属板に達するビアを形成する工程と、前記第2チップの背面側に、前記ビアの他端に接続する第2金属板を設ける工程とを含む電子装置の製造方法。