"ICチップの裏面腹部に形成された突起状電極とフィルム状回路基板の回路導体とをフリップチップ接続したICモジュールであって、前記フィルム状回路基板は、突起状電極と相対する側にフィルムを突出させて形成した突起を備えており、ICチップとフィルム状回路基板は、突起状電極と突起とによって平行性が保たれていることを特徴とするICモジュール。前記突起状電極の高さと回路導体の厚みの合計の高さと突起の高さとが概ね同じ高さであることを特徴とする請求項1に記載のICモジュール。前記突起は、突起状電極の偏在を補完する位置に配設されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のICモジュール。前記突起は、フィルム状回路基板の回路導体により被覆されていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のICモジュール。前記突起の裏面側内面が回路導体により被覆されていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のICモジュール。前記ICチップが複数搭載されていることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のICモジュール。少なくとも、フィルム上に配線回路を形成しフィルム状配線基板を製造する工程と、プレス加工によりフィルム状回路基板に突起を形成する工程と、フィルム状配線基板にICチップを搭載し、ICチップ裏面腹部の突起状電極と配線基板の配線導体とをフリップチップ接続する工程と、を有することを特徴とするICモジュールの製造方法。フリップチップ接続では、スペーサを敷設する方法もダミー電極を敷設する何れの方法も、ICチップ面と回路基板面を平行に保ってその離間距離を一定にするために、精度の高い追加の構造体の準備とアライメント工程を必要とするか、余分な追加工程を準備する必要があるなどして、著しく実装コストを増加させてしまうという問題がある。本発明は、上述の状況を鑑みなされたもので、その目的は、ICチップ裏面腹部に突起状電極が偏在するICチップについて、スペーサやダミー電極を使用せずに、ICチップと回路基板との平行性を保てる簡便な技術の提供を目的とした。上記の課題を達成するための請求項1に記載の発明は、ICチップの裏面腹部に形成された突起状電極とフィルム状回路基板の回路導体とをフリップチップ接続したICモジュールであって、前記フィルム状回路基板は、突起状電極と相対する側にフィルムを突出させて形成した突起を備えており、ICチップとフィルム状回路基板は、突起状電極と突起とによって平行性が保たれていることを特徴とするICモジュールとしたものである。請求項2に記載の発明は、前記突起状電極の高さと回路導体の厚みの合計の高さと突起の高さとが概ね同じ高さであることを特徴とする請求項1に記載のICモジュールとしたものである。請求項3に記載の発明は、前記突起は、突起状電極の偏在を補完する位置に配設されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のICモジュールとしたものである。請求項4に記載の発明は、前記突起は、フィルム状回路基板の回路導体により被覆されていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のICモジュールとしたものである。請求項5に記載の発明は、前記突起の裏面側内面が回路導体により被覆されていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のICモジュールとしたものである。請求項6に記載の発明は、前記ICチップが複数搭載されていることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のICモジュールとしたものである。請求項7に記載の発明は、少なくとも、フィルム上に配線回路を形成しフィルム状配線基板を製造する工程と、プレス加工によりフィルム状回路基板に突起を形成する工程と、フィルム状配線基板にICチップを搭載し、ICチップ裏面腹部の突起状電極と配線基板の配線導体とをフリップチップ接続する工程と、を有することを特徴とするICモジュールの製造方法としたものである。本発明になるICモジュールは、ICチップの裏面腹部に突起状電極が偏在するICチップを、前記突起状電極の偏在を補完する所定の位置に突起を配設したフィルム状回路基板にフリップチップ接続したもので、その直接的な効果は、ICチップ側の突起状電極とフィルム状回路基板側の突起があいまってICチップと回路基板の平行性が保たれる点にある。平行が維持された状態でフリップチップ実装がなされるので、電極接続部に歪の蓄積がなく接続信頼性を向上させたICモジュールを提供できる。また、ICチップ面と回路基板面の距離と平行度を得るために、高さがほぼ同一の突起がICチップと回路基板の隙間に均一もしくは対称に配置されるようにしたもので、精度の高い追加の構造体を準備し正確に固定し配置したり、追加工程を準備する必要がないので安価にICモジュールを提供できる。さらに、塑性変形により形成された突起は適度な緩衝性を持たせることができるので平行度を保ちつつICチップ面に著しい負担の無いICモジュールが提供できる。さらにまた、突起の上あるいは突起の裏側にフィルム状回路基板の導体を積層することで耐熱性や物理的強度を調整できるのでIC実装や封止に対する製法の対応性の高いICモジュールを提供できる。本発明の主旨は、突起状の接続端子が裏面に偏って形成されたICチップと配線基板間に、フリップチップ実装に適した平行度を達成し接続信頼性を向上させるために、ICチップの実装部分に精度の高い追加の構造体などを導入し平行度を得るのではなく、回路基板を組成するフィルムを局所的に塑性変形させて微細な突起を突出形成することにある。以下、本発明を実施形態に沿って図面を参照しながら説明する。図1は、本発明になるICモジュールの平面視の図、同図Bは、AのAAにおける断面視の図である。また、図2は、ICチップと回路基板を対向させた状態における斜視図であり、図3は図2を下方側からの見た場合の斜視図である。図4、図5は、突起の構成に若干変更を加えた場合の断面視の図であり、図6は、本発明に係る突起をプレス加工により製造する様子を説明する工程図である。先ず、本発明の実施形態に係わるICモジュールについて詳細に説明する。図1Aは、フィルム状回路基板5にICチップ1を実装したICモジュールの平面図であり、同図Bは、AのAAにおける断面図である。ICモジュールは、ICチップ1をフィルム状回路基板5に、ICチップ1の突起状電極2とフィルム状回路基板5の路導体4を対向させるようにフリップチップ実装することにより構成されている。ICチップ1は、フィルム状配線基板5の配線を工夫することで一個に限らず複数搭載することができる。ICチップ1の裏面には、一つの端辺20に近い部分に突起状電極2が偏在して設けられていて、突起状電極2はICチップ1の内部の所定の回路と導通している。一方、フィルム状回路基板5のICチップ端辺20の突起状電極2と相対する側の対向する面には、ICチップの突起状電極2の偏在を補完する位置に突起3が設けられている。具体的には、突起3は端辺20の向かい側の端辺21の下側に配設される。突起3の高さ22は、ICチップの突起状電極2の高さと回路導体4の厚みの合計の高さ23とがほぼ同じになるように設定される。例えば、ICチップの突起状電極2の高さが20μmで回路導体4の厚みが30μmの場合、突起3の高さ22が約50μmになる様にすれば良い。図1では突起3は2個設けられているがICチップ1とフィルム状回路基板5との平行度に不足があれば、数を増やして配設しても構わないし、1個であっても良い。また、図1では突起3は略四角錐台の形状であるが、ICチップ1とフィルム状回路基板5との平行度が得られるのであれば、当該形状に限定するものではなく、配設する位置も含め所望の形状を選定すればよい。例えば、略四角錐台の上面の一辺を100μm、底面の一辺を200μmなど突起の形成に無理の無い範囲で自由に選べばよい。当然、突起状電極2と回路導体4とは接合されているのであるが、突起状電極2の表面は、金、半田、ニッケル、銅などやその組み合わせを用いた公知のメッキ膜が形成されている。接続後には、さらにICチップ1とフィルム状回路基板5の間隙にUV硬化性の封止樹脂6が充填され硬化させることで接続部が保護されている。封止樹脂としては熱硬化性の封止樹脂を用いても構わない。フィルム状回路基板5の突起3は次のようにして形成される。図6Aの上下の斜線部は、図1AのAA断面に対応したプレス加工用金型の断面図である。上側プレス加工用金型9にはフィルム状配線基板5の所定の位置に形成される突起3の形状に応じた凹雌型加工11が施されている。下側プレス加工用金型10には、同様に凸雄型加工12が施されている。フィルム状基板回路基板5が上側金型9と下側金型10との間の所定に位置に搬送され図6A、フィルム状回路基板5を挟み込むように上下の金型に圧力が加えられ図6B、フィルム状回路基板5の所定の箇所が可塑変形することにより突起3が形成される図6C。上下の金型からフィルム状配線基板を外せは所望の突起を有する配線基板を得る。また、フィルム状回路基板5を組成するベースフィルムの材質に応じて、圧力による可塑変形を補助する目的で上下の金型9,10を加熱することができる。フィルム状回路基板5のベース基材としては、PETPolyethyleneterephthalate、PENPolyethylenenaphthalate、PBTPolybuthyleneterephthalate、LCPLiquidCrystalPolymer、PIPolyimideなどの熱可塑性樹脂が使用できる。そして、ICチップ1の突起状電極2と突起3を備えたフィルム状回路基板の回路導体4とが超音波フリップチップ実装装置により接合される図示せず。超音波フリップチップ実装装置のボンディングステージに、突起3が形成されたフィルム状回路基板5を突起3が上に向くように載置する。超音波フリップチップ実装装置のボンディングツールにICチップ1を、突起状電極2がフィルム状回路基板の上面に相対するように真空吸着させる。そして、ICチップ1の突起状電極2が、フィルム状回路基板の回路導体4の所定の接合位置にくるようにフィルム状回路基板上の基準点をカメラで認識し、ボンディングツールを水平に移動させて正確に位置合わせを行い、ボンディングツールを下方に変位させてICチップ1をフィルム状回路基板5に実装する。このとき、ボンディングツールとボンディングステージとを約50°Cに加熱し、所定の荷重をかけるとともに超音波振動を加える。このときの荷重は約1.4Nで、超音波振動は40KHz、水平振幅約3μm、約05秒である。突起状電極2とフィルム状回路基板の回路導体4との接触面に荷重と超音波振動によるエネルギーが加わり金属同士が接合され、ICチップ1のフィルム状回路基板5への実装が完了する。そして、ICチップ1とフィルム状回路基板5の間隙に毛細管現象を用いたディスペンス法によりUV硬化型の封止材料6を充填する。そして、所定の条件のUV照射を行い硬化させて樹脂封止を行いICモジュールが完成する。このときのUV照射条件は120mWcm2、60秒である。また、同様な方法で熱硬化型の封止材料を用いても良く、このときの熱硬化条件は、120°C、20分程度である。また、上述では超音波振動によるフリップチップ実装を用いたが、熱硬化型の異方性導電接着剤や異方性導電フィルム等をICチップ1とフィルム状回路基板5の間に配置し、約200°C~250°Cに加熱した加圧ツールでICチップ1を加圧しながら硬化させ実装する方法を用いることも出来る。実装条件は、フィルム状回路基板の熱可塑性樹脂材料の耐熱条件に合わせて選択すれば良いが、実装温度を低く出来る超音波フリップチップ実装と照射時間の短いUV硬化樹脂による封止の組み合わせがより好適である。図4は、突起3の表面がフィルム状回路基板の回路導体4により被覆された態様を示す断面視の図である。金属導体で突起3を被覆形成することによりフィルム状回路基板の熱可塑性樹脂材料だけの場合に比べて耐熱性を向上することができる。異方性導電接着剤や異方性導電フィルム等の熱硬化型の材料を用いたフリップチップ実装に対して好適な構造である。図5は更に、突起3の裏側内側面がフィルム状回路基板5の回路導体4と同一面の金属導体により被覆された態様を示す断面模式図である。突起の表裏が、金属導体7と金属導体8により被覆された態様では突起3の物理的強度が上げられる。被覆状態を形成する方法としては、単に配線導体が形成された部位を、前述したように金型でプレスすれば足りる。本実施形態では、ICチップ1の突起電極2を回路導体4に接合したICモジュールを示したが、フィルム状回路基板にICチップが実装されたものはすべて本特許に含まれる。また、突起3の裏面凹部に適度な強度の充填材で充填することも本特許に含まれる。"