"少なくとも2種類のポリマーを含むブロック共重合体の膜を基板に形成するステップと、前記ブロック共重合体の膜を加熱するステップと、加熱された前記ブロック共重合体の膜に紫外光を照射するステップと、紫外光が照射された前記ブロック共重合体の膜に現像液を供給するステップと、を含むパターン形成方法。前記照射するステップにおいて、紫外光の光源として低圧紫外ランプが使用される、請求項1に記載のパターン形成方法。前記照射するステップにおいて、紫外光の光源としてXeエキシマランプ及びKrClエキシマランプの双方又はいずれか一方が使用される、請求項1に記載のパターン形成方法。前記少なくとも2種類のポリマーの一つがケトン基を含み、他の一つがケトン基を含まない、請求項1から3のいずれか一項に記載のパターン形成方法。前記少なくとも2種類のポリマーの一つがポリスチレンであり、他の一つがポリメチルメタクリレートである、請求項1から4のいずれか一項に記載のパターン形成方法。前記現像液が水酸化テトラメチルアンモニウムである、請求項1から5のいずれか一項に記載のパターン形成方法。基板を支持して回転する基板回転部と、前記基板回転部に支持される前記基板に、ブロック共重合体を含む塗布液を供給する塗布液供給部と、前記ブロック共重合体の膜が形成された前記基板を加熱する加熱部と、加熱された前記ブロック共重合体の膜に対して紫外光を照射する光源と、前記紫外光が照射された前記ブロック共重合体の膜に対して現像液を供給する現像液供給部とを備えるパターン形成装置。前記加熱部が、赤外光又は遠赤外光を発する複数の発光素子を含む、請求項7に記載のパターン形成装置。前記光源が低圧紫外ランプを含む、請求項7又は8に記載のパターン形成装置。前記光源が、Xeエキシマランプ及びKrClエキシマランプの双方又はいずれか一方を含む、請求項7又は8に記載のパターン形成装置。電子線フォトレジストにより形成されるフォトレジスト膜をパターニングして、電子線フォトレジストで形成される複数の第1のラインを形成するステップと、前記第1のラインの間のスペースを、少なくとも2種類のポリマーを含むブロック共重合体の膜で埋めるステップと、前記ブロック共重合体の膜を加熱するステップと、加熱された前記ブロック共重合体の膜に紫外光を照射するステップと、紫外光の照射を経た前記ブロック共重合体の膜に現像液を供給するステップと、を含む、パターン形成方法。前記照射するステップにおいて、低圧紫外ランプからの紫外光が前記ブロック共重合体の膜に照射される、請求項11に記載のパターン形成方法。前記照射するステップにおいて、Xeエキシマランプ及びKrClエキシマランプの双方又はいずれか一方からの紫外光が前記ブロック共重合体の膜に照射される、請求項11に記載のパターン形成方法。前記少なくとも2種類のポリマーの一つがケトン基を含み、他の一つがケトン基を含まない、請求項11から13のいずれか一項に記載のパターン形成方法。前記少なくとも2種類のポリマーの一つがポリスチレンであり、他の一つがポリメチルメタクリレートである、請求項11から14のいずれか一項に記載のパターン形成方法。前記現像液が水酸化テトラメチルアンモニウムである、請求項11から15のいずれか一項に記載のパターン形成方法。ブロック共重合体のパターニングには例えば酸素プラズマが利用される場合がある。Aポリマー鎖及びBポリマー鎖の化学的性質に応じて、酸素プラズマにより除去灰化される速度が異なる所定の選択比を有しているため、ブロック共重合体を酸素プラズマに晒すことにより、一方を除去することができる。しかし、Aポリマー鎖もBポリマー鎖も有機物であるため、選択比を大きくすることが難しい。例えばAポリマー鎖がポリスチレンpolystyrene:PSであり、Bポリマー鎖がポリメチルメタクリレートpoly:PMMAであるブロック共重合体poly:PS-b-PMMAにおいては、PS対PMMAの選択比は1対2程度に過ぎない。しかも、熱処理によりPS領域とPMMA領域とが規則的に配列されるのは、それぞれの領域の幅の2倍に相当する厚さ程度まであるため、例えば15nmの領域幅でPSとPMMAとを配列させるためには、基板上に塗布されるブロック共重合体の厚さは30nm程度とせざるを得ない。ここで、30nmの厚さを有するブロック共重合体中のPMMA領域を酸素プラズマにより除去すると、基板上に残るPS領域の厚さはわずか15nm程度になってしまう。これでは、規則的なパターンを有するPS領域をエッチングマスクとして使用できない事態ともなる。一方、酸素プラズマを用いないパターニング方法も提案されている。例えば特許文献1では、基板上に塗布されたブロック共重合体に対して、電子線、γ線、又はX線などのエネルギー線を照射し、照射されたブロック共重合体を水系溶媒や有機溶媒でリンスする方法が検討されている。この方法は、相分離したPS-b-PMMAにエネルギー線を照射すると、PMMAの主鎖が切断され、有機溶剤に溶けやすくなる性質を利用している。また、非特許文献1には、PS-b-PMMAに対して紫外光を照射し、酢酸によりPMMAを除去する方法が提案されている。しかし、エネルギー線を基板に照射するには装置が大がかりとなり、例えば酢酸などの酸を用いる場合には、酸供給のための新たな供給設備が必要となる。本発明は、上記の事情に鑑み、ブロック共重合体を用いて簡便にパターンを形成することが可能なパターン形成方法、及びパターン形成装置を提供する。本発明の第1の態様によれば、少なくとも2種類のポリマーを含むブロック共重合体の膜を基板に形成するステップと、前記ブロック共重合体の膜を加熱するステップと、加熱された前記ブロック共重合体の膜に紫外光を照射するステップと、紫外光が照射された前記ブロック共重合体の膜に現像液を供給するステップとを含むパターン形成方法が提供される。本発明の第2の態様によれば、基板を支持して回転する基板回転部と、前記基板回転部に支持される前記基板に、ブロック共重合体を含む塗布液を供給する塗布液供給部と、前記ブロック共重合体の膜が形成された前記基板を加熱する加熱部と、加熱された前記ブロック共重合体の膜に対して紫外光を照射する光源と、前記紫外光が照射された前記ブロック共重合体の膜に対して現像液を供給する現像液供給部とを備えるパターン形成装置が提供される。本発明の第3の態様によれば、電子線フォトレジストにより形成されるフォトレジスト膜をパターニングして、電子線フォトレジストで形成される複数の第1のラインを形成するステップと、前記第1のラインの間のスペースを、少なくとも2種類のポリマーを含むブロック共重合体の膜で埋めるステップと、前記ブロック共重合体の膜を加熱するステップと、加熱された前記ブロック共重合体の膜に紫外光を照射するステップと、紫外光の照射を経た前記ブロック共重合体の膜に現像液を供給するステップとを含む、パターン形成方法が提供される。本発明の実施形態によれば、ブロック共重合体を用いて簡便にパターンを形成することが可能なパターン形成方法、及びパターン形成装置が提供される。以下、添付図面を参照しながら、本発明の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付図面においては、同一の又は対応する部品又は部材には、同一の又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。<第1の実施形態>図1から図5までを参照しながら、本発明の第1の実施形態によるパターン形成方法について説明する。この方法においては、まず、ポリスチレンPS-ポリメチルメタクリレートPMMAブロック共重合体以下、PS-b-PMMAを有機溶媒に溶解した溶液塗布液とも言うが用意される。有機溶媒は、PS-b-PMMAを構成するPS及びPMMAと相溶性の高いものであれば特に限定されることなく、例えばトルエン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAなどであって良い。次に、例えばスピン塗布法により基板S上に塗布液を塗布すると、図1aに示すように、PS-b-PMMAの膜21が形成される。この膜21においては、図1aの挿入図に模式的に示すように、PSポリマーとPMMAポリマーとが互いに混ざり合っている。次いで、図1bに示すように、PS-b-PMMAの膜21が形成された基板SをヒータプレートHP上に置き、所定の温度に加熱すると、PS-b-PMMAに相分離が生じる。これにより、図1bの挿入図に示すように、PS領域DSとPMMA領域DMとが交互に配列することとなる。ここで、PSの分子長の整数倍で領域DSの幅が決まり、PMMAの分子長の整数倍で領域DMの幅が決まるため、PS-b-PMMAの膜21においては、領域DS及び領域DMが等しいピッチ領域DSの幅領域DMの幅で繰り返し配列される。また、PS分子の重合数によりPS領域DSの幅が決まり、PMMA分子の重合数によりPMMA領域DMの幅が決まるため、重合数の調整により、所望のパターンを決定することができる。加熱終了後、図1cに示すように、基板S上のPS-b-PMMAの膜21に対し大気中で紫外光が照射される。紫外光の光源Lとしては、紫外光領域に属する波長を発する限りにおいて、特に限定されないが、例えば、波長185nmと波長254nmに強いピークを有する紫外光を発する低圧紫外ランプ低圧水銀灯、波長172nmの単一波長光を発するXeエキシマランプ、又は波長222nmの単一波長光を発するKrClエキシマランプが好ましい。また、Xeエキシマランプ及びKrClエキシマランプを用いて、波長172nmの紫外光と波長222nmの紫外光を同時に又は交互にPS-b-PMMAの膜21に照射しても良い。また、PS-b-PMMAの光吸収性を考慮し、吸収される波長領域の紫外光をPS-b-PMMAの膜21に照射しても良い。そのような紫外光を得るため、例えば遠紫外領域から真空紫外領域にかけて比較的ブロードな発光スペクトルを有するランプと、例えば約230nmの波長より長い波長を遮蔽する波長カットフィルターとを用いることが好ましい。紫外光が照射されると、紫外光と、雰囲気中の酸素かつ/又は水とによりPMMAが酸化されて、現像液に対する可溶性が生じると考えられる。次に、図1dに示すように、PS-b-PMMAの膜21に対して現像液DLが供給される。現像液DLとしては、フォトリソグラフィー技術において、露光されたフォトレジスト膜の現像に使用され得る現像液で良く、例えば水酸化テトラメチルアンモニウムTMAHであることが好ましい。紫外光により改質されたPMMAは現像液に対する可溶性を有しているため、PMMAが選択的に現像液中に溶け出す。なお、図1dでは、基板Sを静止したまま膜21に対して現像液を供給しており、供給された現像液は、表面張力によって膜21上に留まっているが、基板Sを回転しつつ現像液を供給しても良い。ただし、基板Sを回転しつつ現像液を供給すると、現像液は基板S上を外周に向かって流れるため、この流れにより現像液に溶けずに残るべきPS領域DSが押し流されてしまうおそれがある。よって、基板Sを静止したまま現像液を供給することが好ましい。所定の時間が経過した後、リンス液により現像液DLを洗い流し、基板Sの表面を乾燥すると、図1eに示すように、PS領域DSからなるパターンが形成される。ここで、リンス液は、例えば脱イオン水DIWであって良いが、乾燥時にPS領域DSが倒れないように、DIWの表面張力よりも小さい表面張力を有する液体であると好ましい。そのような液体としては、アルコール例えばメチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコールIPAなどや界面活性剤がある。PMMAポリマーは、図2aに示すように、カルボキシル基COOHとメチル基CH3の間の炭素C原子とメチレン基CH2のC原子とが化学結合することにより、CH2CCH3COOCH3が重合した構造を有している。ここで紫外光が照射されると、紫外光のエネルギーがケトン基>C=Oに作用し、図2bに示すように、C原子間の化学結合が切れて、アルカン酸エステルが生じる。現像時には、現像液中に含まれるH2Oによりアルカン酸エステルが加水分解してアルカン酸が生じる図2c。アルカン酸はTMAHに溶けるため、TMAHによりPMMAポリマーが除去されることになる。一方、PS-b-PMMA中のPSにはケトン基はなく、露光によってもエステル化が起こらないため、PSはTMAHには溶けない。以上の理由により、PMMAが選択的に除去されると考えられる。したがって、本発明の実施形態によるパターン形成方法では、ケトン基を有しないAポリマーと、ケトン基を有するBポリマーとから構成されるブロック共重合体を使用することが好ましい。以下、実施例を参照しながら、本発明の実施形態によるパターン形成方法を説明する。なお、以下、従来のフォトレジスト、フォトマスクなどを用いるフォトリソグラフィー技術との類推から、PS-b-PMMA膜への紫外光の照射を露光といい、現像液によるパターニングを現像という場合がある。<実施例1>まず、PS-b-PMMAの塗布液を用意した。この塗布液は、例えばトルエンを溶媒として用い、この溶媒にPS-b-PMMAを溶かすことにより作製した。塗布液中のPS-b-PMMAの固形成分濃度は2体積であった。スピンコータにより、この塗布液を基板上に塗布し、基板上にPS-b-PMMAの膜厚さ約60nmを形成した。PS-b-PMMAの膜が形成された基板をホットプレート上で約240°Cの温度で、約2分間加熱し、冷却後、低圧水銀灯を用いてPS-b-PMMAの膜に紫外光を約15分間照射した。このときの紫外光の照射強度ドーズ量は、低圧水銀灯からの紫外光中の波長254nmのピークにて5.4J/cm2程度であった。低圧水銀灯からの紫外光中の波長185nmのピークの強度は、波長254nmのピークの強度の100分の1程度であるため、波長185nmのピークでのドーズ量は54mJ/cm2である。また、低圧水銀灯と基板PS-b-PMMAの膜との間の距離D図1b参照は約17mmとした。露光後、PS-b-PMMAの膜が形成された基板にTMAH2.38を滴下し、PS-b-PMMAの膜の上にTMAHを留めたまま約20秒間放置した。その後、TMAHを流し流し、基板表面をIPAで洗浄し、乾燥させた。以上の手順により得られた試料を走査型電子顕微鏡SEMにて観察した結果を図3に示す。図3aは、塗布後のPS-b-PMMA膜のSEM像を示し、図3bは、露光後のPS-b-PMMA膜のSEM像を示し、図3cは、現像後のPS-b-PMMA膜のSEM像を示している。また、各図において、上から下の順に表面像、側面像、及び斜視像が示されている。図3aの表面像を参照すると、PS-b-PMMA膜は塗布後には一様な表面モフォロジーを示している。しかし、露光後には、図3bの表面像のように、指紋状のパターンが見られるようになる。更に図3cの表面像から分かるように、現像後にはPMMAが除去され、指紋状のパターンが明瞭に観察されている。また、図3cの斜視図に最も良く示されているように、現像後の指紋状のパターンは、残存するPSのラインLiと、PMMAが除去されてできたスペースSpとから構成されている。また、ラインLiの厚さは約31nmである。すなわち、得られたパターンは、下地層に対するエッチングマスクとして機能し得る程度の厚さを有することができる。なお、PS-b-PMMAのPS領域とPMMA領域とを所定のパターンすなわち回路パターンで配列させるためには、PS-b-PMMAが塗布される下地層の表面にガイドパターンが形成されるが、本実施例においては、ガイドパターンを形成せずにPS-b-PMMAが塗布されている。このため、図3cのように、指紋状のパターンが形成されている。指紋状ではあるものの、このパターンにおけるライン残存する、PSの領域の幅、及びスペース除去された、PMMAの領域の幅はほぼ一定である。これは、上述のとおり、PS及びPMMAの分子長により幅が決定されているためである。<実施例2>次に、実施例1と同様にPS-b-PMMA膜を形成し、加熱し、低圧水銀灯の代わりにXeエキシマランプ発光波長172nmで露光し、TMAHで現像した結果を図4に示す。図4aの斜視像及び図4bの断面像に示すように、Xeエキシマランプを用いた場合であっても、指紋状のパターンが形成されることが分かる。以上説明したとおり、第1の実施形態によるパターン形成方法によれば、加熱により相分離が生じ、PS領域及びPMMA領域が規則的に配列されたPS-b-PMMAブロック共重合体の膜を紫外光により露光し、現像液により現像することにより、PS領域をラインとするパターンを形成することができる。紫外光による露光は、例えば低圧水銀灯やエキシマランプを用いて大気中で行えば良いため、大がかりな装置を必要とすることがない。また、現像液を用いて現像できるため、既存の設備を大きく変更することなく利用することができ、低コストで簡便なパターン形成方法を提供することができる。さらに、紫外光による露光と現像液による現像とに対して、PS領域が耐性を有するため、エッチングマスクとして利用するのに十分な厚さを有するパターンが得られる。<第2の実施形態>次に、図5及び図6を参照しながら、本発明の第2の実施形態によるパターン形成方法について、ライン幅及びスペース幅がともに12nmのラインアンドスペースパターンを有するエッチングマスクを作製する場合を例にとって説明する。図5aを参照すると、基板S上に、薄膜12、及びフォトレジスト膜13がこの順に積層されている。基板Sは、半導体例えばシリコン基板だけでなく、半導体素子や配線に対応した導電膜、これらを絶縁する絶縁膜が形成された基板であっても良い。薄膜12は、後に説明するようにエッチングの対象であり、例えば酸化シリコンSiO、窒化シリコンSiN、又は酸窒化シリコンSiNOなどの絶縁膜、アモルファスシリコンαSi又はポリシリコンpolySiのような導電膜を例えば気相堆積法により堆積することにより形成される。本実施形態では、薄膜12はSiNで形成されている。また、薄膜12の厚さは、例えば20~200nmであって良い。フォトレジスト膜13は、本実施形態においては、電子線に対して感度を有する、ネガ型の電子線レジストを薄膜12上に塗布することにより形成される。次に、フォトレジスト膜13に対し、所定のパターンを有するフォトマスクを介して電子線を照射することによってフォトレジスト膜13を露光し、露光されたフォトレジスト膜13を有機溶媒で現像することにより、図5bに示すように、フォトレジストパターン13aが得られる。本実施形態では、フォトレジストパターン13aは、例えば30nmのライン幅と132nmのスペース幅とを有している。図5cを参照すると、フォトレジストパターン13aのスペースが、PS-b-PMMAブロック共重合体の膜21により埋め込まれている。この膜21は、薄膜12上にフォトレジストパターン13aが形成された基板S上に、PS-b-PMMAの塗布液を塗布することにより形成される。塗布後のPS-b-PMMAの膜21内では、PSポリマーとPMMAポリマーとが互いに混ざり合っている。次に、基板Sを加熱すると、PS-b-PMMAが相分離を起こし、膜21内には、図6dに模式的に示すようにPS領域DSとPMMA領域DMとが形成される。図示のとおり、フォトレジストパターン13aのスペース内には、PMMA領域及びPS領域が交互に配列されている。このような配列は、親水性を有するPMMAポリマーが、親水性を有するフォトレジストパターン13aの側壁に優先的に吸着する性質により自己組織的に実現される。また、本実施形態では、スペース内に配列するPMMA領域及びPS領域はそれぞれ12nmの幅を有している。これは、塗布液中のPMMAポリマー及びPSポリマーの重合度を調整することにより実現される。この後、第1の実施形態及び実施例1において説明したように紫外光を用いた露光とTMAHを用いた現像を行うと、図6eに示すように、PS領域DSが残ることとなる。PS領域DS及びPMMA領域の幅は上述のとおり約12nmなので、結果として、約12nmのライン幅と約12nmのスペース幅を有するラインアンドスペースパターンPが形成される。なお、露光後のPS-b-PMMAをTMAHで現像する際、電子線レジストで形成されたフォトレジストパターン13aがTMAHに対する耐性を有しているため、TMAHに溶けることは殆どない。次いで、ラインアンドスペースパターンPをエッチングマスクとして薄膜12をエッチングすると、図6fに示すように、約30nmのライン幅及び約132nmのスペース幅を有するパターンと、このパターンのスペースにおいて、約12nmのライン幅及び約12nmのスペース幅を有するパターンとにパターニングされた薄膜12aが得られる。以上、本実施形態によれば、電子線レジストを塗布し、電子線で露光することにより、フォトレジストパターン13aを形成した後、PS-b-PMMAの塗布液を塗布し、加熱し、紫外光で露光し、TMAHで現像することにより、フォトレジスト膜の電子線露光によっても実現が難しい、約12nmのライン幅と約12nmのスペース幅を有するラインアンドスペースパターンPが形成される。フォトレジストパターン13aの間に形成されるPS領域によるラインは、その幅がPSの分子長で決定されるため、LWRLineWidthRoughnessが低減されるという利点がある。<第3の実施形態>次に、図7から図11までを参照しながら、第1の実施形態によるパターン形成方法及び第2の実施形態によるパターン形成方法の実施をするのに好適な、本発明の第3の実施形態によるパターン形成装置について説明する。図7は、本実施形態によるパターン形成装置100を示す概略斜視図であり、図8は、パターン形成装置100を示す概略上面図である。図示のとおり、パターン形成装置100は、カセットステーションS1、処理ステーションS2、及びインターフェイスステーションS3を有している。カセットステーションS1には、カセットステージ21と搬送アーム22図8とが設けられている。カセットステージ21には、複数枚例えば25枚の半導体ウエハ以下、ウエハWを収容可能なウエハカセットC以下カセットCというが置かれる。図8に示すように、本実施形態は、カセットステージ21には4個のカセットCを並べて置くことができる。以下の説明において、カセットCが並ぶ方向を、便宜上、X方向とし、これに直交する方向をY方向とする。搬送アーム22は、カセットステージ21上に置かれるカセットCと処理ステーションS2との間でウエハWの受け渡しを行なうため、昇降可能、X方向に移動可能、Y方向に伸縮可能、鉛直軸まわりに回転可能に構成されている。処理ステーションS2は、カセットステーションS1に対して、そのY方向側に結合されている。処理ステーションS2には、Y方向に沿って2つの塗布ユニット32が配置され、これらの上には現像ユニット31と紫外光照射ユニット40とがY方向にこの順に配置されている。また、図8を参照すると、塗布ユニット32及び現像ユニット31に対してX方向側に棚ユニットR1が配置され、塗布ユニット32及び紫外光照射ユニット40に対してX方向側に棚ユニットR2が配置されている。棚ユニットR1及びR2には、後述するようにウエハに対して行われる処理に対応した処理ユニットが積層されている。処理ステーションS2のほぼ中央には、主搬送機構MA図8が設けられており、主搬送機構MAはアーム71を有している。アーム71は、塗布ユニット32、現像ユニット31、紫外光照射ユニット40、並びに棚ユニットR1及びR2の各処理ユニットにアクセスするため、昇降可能、X方向及びY方向に移動可能、鉛直軸まわりに回転可能に構成されている。図9に示すように、棚ユニットR1には、ウエハWを加熱する加熱ユニット61と、ウエハWを冷却する冷却ユニット62、ウエハ表面を疎水化する疎水化ユニット63と、ウエハWが一時的に置かれるステージを有するパスユニット64と、ウエハWの位置合わせを行うアライメントユニット65等とが縦方向に配列されている。また、棚ユニットR2には、ウエハWを加熱し、次いで冷却する複数のCHPユニット66ChillingHotPlateProcessStationと、ウエハWが一時的に置かれるステージを有するパスユニット67等とが縦方向に配列されている。なお、棚ユニットR1及びR2における各ユニットの種類及び配列は、図9に示すものに限らず、種々に変更して良い。次に、図10を参照しながら塗布ユニット32について説明する。図示のとおり、塗布ユニット32は、ウエハWを吸着して保持し、駆動機構35により上下動及び回転が可能なスピンチャック34と、スピンチャック34により保持されるウエハWに対して、塗布液を供給する薬液供給ノズル38と、スピンチャック34に保持されるウエハWを取り囲むように設けられ、ウエハW上に供給されて回転によりウエハW表面から飛散する塗布液を受け取るカップ33とを備える。薬液供給ノズル38は、支持シャフト38Sにより回動可能であり、これにより薬液供給ノズル38の先端部36は、カップ33の外側の所定の位置ホーム位置と、スピンチャック34に保持されるウエハWの中央上方位置供給位置とに配置され得る。先端部36には、塗布液供給チューブ37の一端が接続され、塗布液供給チューブ37の他端は薬液タンク39が接続されている。薬液タンク39には、例えばPS-b-PMMAを有機溶媒に溶解した溶液塗布液が貯留されている。薬液供給ノズル38の先端部36がホーム位置に在るときに、主搬送機構MAのアーム71図8が、スピンチャック34の上方にまでウエハWを搬入すると、スピンチャック34が駆動機構35により上向きに移動してアーム71からウエハWを受け取る。アーム71が退出した後に、スピンチャック34が駆動機構35により下向きに移動することにより、ウエハWがカップ33内に収容される。スピンチャック34によってウエハWが所定の回転速度で回転すると共に、薬液供給ノズル38の先端部36がホーム位置から供給位置まで回動し、塗布液供給チューブ37を通して供給される塗布液をウエハW上に供給する。これにより、ウエハW上にブロック共重合体の膜が形成される。なお、スピンチャック34によりウエハWを回転する場合には、ウエハW上に塗布液を供給するステップ、所定の膜厚となるように塗布液を広げるステップ、塗布液を乾燥させるステップなどに応じて、ウエハWの回転速度を適宜変更して良いことは、ウエハW上にフォトレジスト液を供給してフォトレジスト膜を形成する場合と同様である。また、本実施形態によるパターン形成装置100では、2つの塗布ユニット32の一方をブロック共重合体の膜を形成するために使用し、他方をフォトレジスト膜を形成するために使用しても良い。また、塗布ユニット32に、2つの薬液供給ノズル38を設け、一方を薬液タンク39に接続して塗布液を供給するために使用し、他方をフォトレジストタンク図示せずにフォトレジスト液を供給するために使用しても良い。本実施形態においては、フォトレジスト液は、第2の実施形態において説明したとおり、電子線フォトレジストである。現像ユニット31は、薬液タンク39に現像液例えばTMAHが貯留されて現像液が供給される点を除いて、塗布ユニット32と同一の構成を有している。このため、現像ユニット31についての説明を省略する。再び図7及び図8を参照すると、処理ステーションS2のY方向側にはインターフェイスステーションS3が結合され、インターフェイスステーションS3のY方向側には露光装置200が結合されている。インターフェイスステーションS3には搬送機構76図8が配置されている。搬送機構76は、処理ステーションS2内の棚ユニットR2のパスユニット67図9と露光装置200との間でウエハWを搬入出するため、昇降可能、X方向に移動可能、Y方向に伸縮可能、鉛直軸まわりに回転可能に構成されている。次に、図11及び図12を参照しながら紫外光照射ユニット40を説明する。図11は、紫外光照射ユニット40を示す概略側面図である。図示のとおり、紫外光照射ユニット40は、ウエハWが収容されるウエハチャンバ51と、ウエハチャンバ51内に収容されたウエハWに対し紫外光を照射する光源チャンバ52とを有している。ウエハチャンバ51は、筐体53と、筐体53の天井部に設けられ紫外光が透過可能な透過窓54と、ウエハWが置かれるサセプタ57とを備える。透過窓54は、例えば石英ガラスにより形成されている。サセプタ57は、図12に示すように、円板状のプレート57pと、プレート57pの表面に設けられる例えば赤外又は遠赤外光を発する複数の発光素子62と、プレート57pの表面に設けられ、ウエハWを支持する複数の支持ピン58とを有している。円板状のプレート57pは、ウエハWと等しいか又は僅かに大きい直径を有しており、好ましくは、高い熱伝導率を有する熱伝導率、例えば炭化ケイ素SiCやアルミニウムにより形成される。発光素子62は、電源63図11から供給される電力により、赤外又は遠赤外光を放射し、これにより、支持ピン58により支持されるウエハWを加熱する。発光素子62は、図12に示すとおり、プレート57に対して同心円状の複数の円の円周上に所定の間隔で配置されている。発光素子62の配置は、ウエハWを均一に加熱できるように、例えばコンピュータシミュレーションにより決定することが好ましい。また、ウエハWの温度をモニタし、所定の温度に維持するため、例えば放射温度計及び温度調整器ともに図示せずが設けられている。複数の支持ピン58は、ウエハWが過度に加熱されるのを抑制し、加熱後のウエハWの冷却を促進する機能を有している。このため、支持ピン58は、例えば100W/mk以上の高い熱伝導率を有する材料、例えば炭化ケイ素SiCで形成することが望ましい。また、図示の例では、支持ピン58は、プレート57に対してほぼ同心円状の3つの円の円周上に配置されている。ウエハWからサセプタ57への熱伝導を促進するため、図示の例に限らず、更に多数の支持ピン58を設けても良い。図11に示すように、ベースプレート55の内部には、冷却水の流水路55aが形成されている。そして、流水路55aには冷却水供給装置61により冷却水が供給され、ベースプレート55全体が所定の温度に冷却される。また、ベースプレート55上に設けられサセプタ57を支持する支柱56は、例えばアルミニウムで形成されることが好ましい。また、ウエハチャンバ51は、ベースプレート55及びサセプタ57を貫通して昇降動作することにより、ウエハWの搬入出の際にウエハWを下方から支持し昇降させる昇降ピン59と、昇降ピン59を昇降させる昇降機構60とを備えている。さらに、ウエハチャンバ51には搬送口図示せずが形成されており、これを通して、主搬送機構MAのアーム71によりウエハWがウエハチャンバ51内へ搬入され、ウエハチャンバ51から搬出される。また、搬送口には例えばゲートバルブ図示せずが設けられ、これにより搬送口が開閉される。一方、ウエハチャンバ51の上方に配置される光源チャンバ52は、紫外光を照射するための紫外光の光源Lと、光源Lに電力を供給する電源72とを備えている。光源Lは筐体73に収容されている。光源Lは、上述のとおり、例えば低圧水銀灯やエキシマランプで構成して良い。具体的には、光源Lには、複数の低圧水銀灯が並置されても良いし、エキシマランプが並置されても良い。筐体73の底部には光源Lから放出される紫外光をウエハチャンバ51へ透過させるために、照射窓74が設けられている。照射窓74は、例えば石英ガラスにより形成される。光源Lから放出される紫外光が、照射窓74を介してウエハチャンバ51に向けて放射され、ウエハチャンバ51の透過窓54を透過した紫外光がウエハWに照射される。上記のように構成される紫外光照射ユニット40においては、塗布ユニット32にてウエハW上に形成されたPS-b-PMMAの膜が以下のように露光され、現像される。すなわち、PS-b-PMMAの膜が形成されたウエハWが、主搬送機構MAのアーム71によりウエハチャンバ51に搬入され、昇降ピン59により受け取られ、サセプタ57上の支持ピン58に置かれる。次に、サセプタ57の発光素子62に電力が供給され、発光素子62から赤外又は遠赤外光が放射され、これにより、ウエハWが所定の温度に加熱される。所定の時間経過後、発光素子62をオフすると、ウエハWの熱が、支持ピン58及びプレート57pを通してベースプレート55へ伝わり、ウエハWが例えば室温約23°C程度まで冷却される。ウエハWが室温程度になった後、電源72から光源Lに電力が供給され、光源Lから紫外光が放射される。紫外光は、光源チャンバ52の照射窓74とウエハチャンバ51の透過窓54とを通して、ウエハWの表面に照射される。なお、紫外光のドーズ量は照度×照射時間で決まるため、PS-b-PMMAの膜の露光に必要なドーズ量を予め求めておき、紫外光の照度に応じて照射時間を決定することが好ましい。例えば、照射時間は数秒から数分であって良い。所定時間の紫外照射の後、ウエハWは、ウエハWの搬入時と逆の手順により、紫外光照射ユニット40から搬出される。その後、ウエハWは現像ユニット31へ搬送され、ここで例えばPS-b-PMMAの膜が現像されて、PS領域により構成されるパターンが得られる。次に、紫外光照射ユニット40の変形例について図13を参照しながら説明する。変形例による紫外光照射ユニットにおいては、紫外線照射ユニット40と比べると、ウエハチャンバ51が異なり、光源チャンバ52は同一である。以下では、ウエハチャンバを中心に説明する。図13を参照すると、変形例の紫外光照射ユニットのウエハチャンバ510は、上部筐体53Tと下部筐体53Bとを有している。上部筐体53Tは、図示しないシール部材例えばOリングにより下部筐体53Bの上縁に置かれ、これにより上部筐体53Tと下部筐体53Bとが密閉される。一方、上部筐体53Tは、その上方に配置される光源チャンバ52とともに上方へ移動可能であり、上方に移動したときにウエハがウエハチャンバ510へ搬入される。また、上部筐体53Tの内周面には、リング形状を有するとともに、当該内周面に向かって下向きに傾斜するガイド部材53Gが取り付けられている。ガイド部材53Gは、ウエハWに供給され、ウエハWの回転により外側に飛ばされる塗布液や現像液後述を下部筐体53Bへ案内する機能を有している。なお、下部筐体53Bに案内された塗布液や現像液は、下部筐体53Bの底部に形成された排出口53Dから排出される。下部筐体53Bには、ウエハWを支持し回転するウエハ回転部340と、ウエハ回転部340を回転する駆動部Mとが設けられている。ウエハ回転部340は、中央部に開口を有する円環形状のプレート部材34aと、プレート部材34aの裏面側において中央部の開口の開口縁に取り付けられる中空の円筒形状のベース部34bと、プレート部34aの外周から立ち上がる円筒形状の円周部34cとを有している。円周部34cは、ウエハWの外径よりもわずかに大きい内径を有し、上部には、円周部34cから内方に延びる爪部34Sが設けられている。本実施形態においては、円周部34cには、12個の爪部34Sが所定の間隔で設けられている。これらの爪部34SはウエハWの裏面周縁部に接し、これによりウエハWが支持される。なお、爪部34Sは、例えば主搬送機構MAのアーム71によりウエハWを受け取るため、上下動可能に構成されることが好ましい。駆動部Mは、ウエハ回転部340のベース部34bを取り囲むように下部筐体53Bの底面上に配置されている。駆動部Mはベース部34bを回転可能に保持し、これによりウエハ回転部340と、ウエハ回転部340に支持されるウエハWとを回転することができる。下部筐体53Bの底面中央には開口が設けられ、この開口には円筒部材53Cが取り付けられている。円筒部材53Cの内空間には、支持部材620Sが挿入され、円筒部材53Cの内面に対して所定の部材により固定されている。支持部材620Sの上端には、加熱部620が配置されている。加熱部620は、ウエハWの外径と等しいか僅かに大きい外径を有している。加熱部620は、扁平な有底の円筒形状を有しており、底面には複数の発光素子62が配置されている。発光素子62には、図示しない電源電源63に相当が接続されている。また、加熱部620の上端には、赤外又は遠赤外光を透過する透過窓620Wが配置されている。また、ウエハチャンバ510には、ウエハ回転部340に支持されるウエハWに対して、ブロック共重合体PS-b-PMMAの塗布液を供給する塗布液供給ノズル38Aと、現像液例えばTMAHを供給する現像液供給ノズル38Bとが設けられている。塗布液供給ノズル38A及び現像液供給ノズル38Bは、図10に示す塗布液供給ノズル38と同様に構成されており、ウエハWの外側のホーム位置図13にて実線で示すノズル38A,38Bの位置と、ウエハWの中央上方の供給位置図13にて点線で示すノズル38A,38Bの位置とに往復可能である。以上の構成によれば、上部筐体53T及び光源チャンバ52が上方に移動したときに、ウエハWが、例えば主搬送機構MAのアーム71によりウエハチャンバ510に搬入され、ウエハ回転部340により受け取られる。上部筐体53T及び光源チャンバ52が降下し、下部筐体53Bの上縁に置かれた後、駆動部Mによりウエハ回転部340及びウエハWが回転すると共に、塗布液供給ノズル38Aがホーム位置から供給位置へ移動してウエハW上に塗布液を供給し、ホーム位置へ戻る。回転により塗布液がウエハW上に所定の厚さで広がって、ブロック共重合体の膜が形成された後、ウエハ回転部340が停止する。次いで、発光素子62に対して電力が供給され、発光素子62からの赤外又は遠赤外光によりウエハWが照射され、ウエハWが所定の温度に加熱される。所定の時間経過後、発光素子62をオフする。この加熱により、ブロック共重合体の膜内には、PS領域とPMMA領域とが配列される。次に、光源チャンバ52の光源Lに対して電源72図11から電力が供給され、光源Lからの紫外光がウエハWに、所定の時間、照射される。これにより、ブロック共重合体の膜が露光される。続けて、現像液供給ノズル38Bが、ホーム位置から供給位置へ移動してウエハW上に現像液を供給する。供給された現像液は、ウエハWの表面全面に広がって、表面張力により所定の厚さでウエハWの表面上に留まる。ウエハWの表面上に留まる現像液に、PMMA領域が溶け出し、ブロック共重合体が現像パターニングされる。この後、ウエハ回転部340によりウエハWが回転することにより、ウエハWの表面上に留まる現像液が除去されると共に、図示しないリンス液供給ノズルからリンス液が供給されて、ウエハWの表面が洗浄される。なお、ウエハチャンバ510に隣接して冷却機構図示せずを設け、ウエハWを加熱した後に、上部筐体53Tを上昇させてウエハWを冷却機構へ搬入し、冷却機構においてウエハWを冷却しても良い。以上のように、変形例の紫外光照射ユニットは、ブロック共重合体の形成、露光、及び現像の一連のプロセスが実施されるという利点を有している。最後に、PS-b-PMMAから作製したパターンPS領域の紫外光のドーズ量依存性について調べた実験及びその結果を説明する。この実験では、6枚の基板上に、上述の実施例1と同様にPS-b-PMMA膜を形成し、加熱することにより作製した6つ試料を、対応する6とおりのドーズ量にて低圧水銀灯を用いて露光し、露光したPS-b-PMMA膜をTMAH2.38で現像した。その結果を図14に示す。図14に示すように、約4.0J/cm2から約5.1J/cm2の範囲のドーズ量低圧水銀灯からの紫外光中の波長254nmのピークにより良好なパターンが形成されていることがわかる。また、ドーズ量が上記の範囲よりも小さい場合には、露光後のPMMA領域がTMAHによって十分に除去されず、ドーズ量が上記の範囲より大きい例えば6.9J/cm2や8.6J/cm2の場合には、残ったPS領域の厚さが薄くなる傾向にある。上述の実施例1における結果を考慮すると、低圧水銀灯を用いてPS-b-PMMA膜を露光する場合、そのドーズ量としては約4.0J/cm2から約5.5J/cm2の範囲のドーズ量が好ましいと考えることができる。なお、上記の範囲を、低圧水銀灯からの紫外光中の波長185nmのピークにおけるドーズ量に換算すると、波長185nmのピークの強度が波長254nmのピークの強度の100分の1程度であるため、約40mJ/cm2から約55mJ/cm2までとなる。以上、幾つかの実施形態及び実施例を参照しながら本発明を説明したが、本発明は上述の実施形態及び実施例に限定されることなく、添付の特許請求の範囲に照らし、種々に変形又は変更が可能である。例えば、露光後のブロック共重合体PS-b-PMMAを現像する現像液としては、TMAHに限らず、水酸化カリウムを含む現像液を使用することができる。また、メチルイソブチルケトンMIBK及びIPAの混合液を利用して露光後のブロック共重合体PS-b-PMMAを現像しても良い。第3の実施形態においては、サセプタ57変形例においては加熱部620に発光素子62が設けられているが、ブロック共重合体の膜が形成されるウエハWを加熱するために、発光素子62でなく、サセプタ57加熱部620に電熱ヒータを設けても良い。また、サセプタ57内に流体流路を形成し、温度調整した流体を流すことにより、サセプタ57上のウエハWを加熱しても良い。さらに、発光素子62は、サセプタ57加熱部620にではなく、光源チャンバ52に設け、照射窓74及び透過窓54を通してウエハWに赤外又は遠赤外光を照射しても良い。また、光源チャンバ52に赤外線ランプを設けても良い。また、光源L内に発光素子又は赤外線ランプを設けても良い。第3の実施形態において、ウエハチャンバ51のサセプタ57上の発光素子62によりウエハWを加熱した後、ウエハWを室温程度まで冷却してから、光源Lから紫外光をウエハWに照射する場合を説明したが、ウエハWを加熱したまま紫外光を照射しても良い。また、ウエハWの降温中に紫外光を照射しても良い。また、ウエハチャンバ51内の大気中の酸素の濃度や湿度を調整するため、酸素ガス供給管や、例えば窒素ガスや清浄空気で純水をバブリングして水蒸気を供給する供給管をウエハチャンバ51に設けても良い。また、パターン形成装置100の加熱ユニット61又はCHPユニット66は、第1及び第2の実施形態におけるブロック共重合体PS-b-PMMAの膜を加熱するために使用しても良い。第3の実施形態における紫外光照射ユニット40又は400の光源Lとしてエキシマランプを使用する場合には、複数のXeエキシマランプ発光波長172nmと複数のKrClエキシマランプ発光波長222nmを交互に並置しても良い。この場合、XeエキシマランプとKrClエキシマランプとを同時に点灯しても良いし、交互に点灯しても良い。なお、波長172nmの紫外光は、大気に吸収されやすいため、大気中で例えば5mmの距離だけ透過した場合でも光強度は10程度にまで減衰してしまう。このため、Xeエキシマランプを使用する場合には、このランプと基板との間の間隔D図1は、低圧水銀灯を用いる場合に比べて短くすることが好ましい。また、上記の実施形態においては半導体ウエハを例示したが、本発明では半導体ウエハだけでなく、例えばフラットパネルディスプレイ用のガラス基板を用いても良い。"