表面または/および内部にめっき引出線が延び、かつ、前記表面に複数の半導体チップ搭載位置を有する多数品取りのパッケージ基板を準備する工程と、前記パッケージ基板に対して、前記複数の半導体チップ搭載位置のそれぞれに半導体チップを搭載するチップ搭載工程と、前記チップ搭載工程が行われた前記パッケージ基板に対して、前記複数の半導体チップ搭載位置の外周に、前記めっき引出線が分断される程度の深さを有する溝を設けるハーフカット工程と、前記ハーフカット工程を行った後、前記溝が設けられたパッケージ基板に対して、前記溝内に樹脂が充填されるように、モールド樹脂による封止を行う封止工程と、前記封止工程の後、前記ハーフカットで形成された溝内の封止樹脂を前記溝の深さ方向に沿ってカットすることによりダイシングを行い、モールド封止樹脂を複数の半導体パッケージに分ける工程と、を備えることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。前記パッケージ基板は、それぞれが導体パターンを有する複数の層を備え、前記めっき引出線は、前記パッケージ基板の内部の層の導体パターンと接続するめっき引出線を少なくとも1つ含み、かつ、前記複数の層のうちの最下層には設けられていないことを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージの製造方法。表面または/および内部にめっき引出線が延び、かつ、前記表面に複数の半導体チップ搭載位置を有する多数品取りのパッケージ基板を準備する工程と、前記パッケージ基板に対して、前記複数の半導体チップ搭載位置のそれぞれに半導体チップを搭載するチップ搭載工程と、前記チップ搭載工程が行われた前記パッケージ基板に対して、前記複数の半導体チップ搭載位置の外周に、切断面に前記めっき引出線が現れるように前記パッケージ基板をカットするフルカット工程と、前記フルカット工程を行った後、カットがなされた複数のパッケージ基板片に対して、モールド樹脂による封止を行う封止工程と、前記封止工程の後、前記フルカットがなされた複数のパッケージ基板片の間に充填された封止樹脂をダイシングすることにより、モールド封止樹脂を複数の半導体パッケージに分ける工程と、を備えることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。前記パッケージ基板は、それぞれが導体パターンを有する複数の層を備え、前記めっき引出線は、前記複数の層のうち最下層の導体パターンから前記パッケージ基板側面に延びる最下層めっき引出線を含むことを特徴とする請求項3に記載の半導体パッケージの製造方法。めっき引出線が側面に露出するパッケージ基板と、前記パッケージ基板に搭載された半導体チップと、前記半導体チップを封止し、かつ、少なくとも前記めっき引出線を覆うように前記パッケージ基板の前記側面を覆う樹脂封止体と、を備えることを特徴とする半導体パッケージ。前記パッケージ基板は、それぞれに導体パターンを有する複数の層と、前記複数の層の導体パターンを接続するスルーホールまたは/およびビアと、を備えたガラスエポキシ多層基板であり、前記複数の層のうち最上層の導体パターンに、前記半導体チップが実装され、前記めっき引出線は、前記複数の層のうち最下層の導体パターンから前記パッケージ基板側面に延びる最下層めっき引出線を含み、前記樹脂封止体は、前記パッケージ基板の前記側面において前記最下層を覆うことを特徴とする請求項5に記載の半導体パッケージ。本願発明者は、下記に述べる技術的課題を認識し、半導体パッケージにおけるめっき引出線のパッケージ外への露出を防止することの重要性を見出したものである。すなわち、従来の電解めっきパッケージ基板を有する半導体パッケージの製造工程においては、シート状態でのモールドが行われた後に、個片化のためのダイシングが行われる。ここでいうシート状態でのモールドとは、具体的には、多数品取りのパッケージ基板に複数の半導体チップが搭載された状態で、モールド樹脂封止を行うことをいう。従来のモールド樹脂封止体の個片化ダイシングの際には、モールド樹脂とパッケージ基板とがまとめてダイシングされる。従って、ダイシング工程を行うと、個片化した半導体パッケージの断面に、モールド樹脂の断面のほかパッケージ基板の断面も現れる。電解めっきパッケージ基板は、電解めっき処理を行うときに必要となる引出線めっき引出線を有している。このめっき引出線がパッケージ基板の表面や内部を延びている場合には、個片化のダイシングで生じた切断面つまりパッケージ側面からパッケージ基板の断面が露出する構造となり、めっき引出線が半導体パッケージ側面から外部に露出することになる。めっき引出線が半導体パッケージ外部に露出している場合、等価回路上は意図しない電極が露出することとなる。そのような意図しない電極の露出は、種々の弊害、例えば等価回路上からは解析が困難なサージ印加破壊等を発生させる原因となる。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、めっき引出線のパッケージ外への露出を防止することができる半導体パッケージおよびその製造方法を提供することを目的とする。第1の発明は、上記の目的を達成するため、半導体パッケージの製造方法であって、表面または/および内部にめっき引出線が延び、かつ、前記表面に複数の半導体チップ搭載位置を有する多数品取りのパッケージ基板を準備する工程と、前記パッケージ基板に対して、前記複数の半導体チップ搭載位置のそれぞれに半導体チップを搭載するチップ搭載工程と、前記チップ搭載工程が行われた前記パッケージ基板に対して、前記複数の半導体チップ搭載位置の外周に、前記めっき引出線が分断される程度の深さを有する溝を設けるハーフカット工程と、前記ハーフカット工程を行った後、前記溝が設けられたパッケージ基板に対して、前記溝内に樹脂が充填されるように、モールド樹脂による封止を行う封止工程と、前記封止工程の後、前記ハーフカットで形成された溝内の封止樹脂を前記溝の深さ方向に沿ってカットすることによりダイシングを行い、モールド封止樹脂を複数の半導体パッケージに分ける工程と、を備えることを特徴とする。第2の発明は、上記の目的を達成するため、半導体パッケージの製造方法であって、表面または/および内部にめっき引出線が延び、かつ、前記表面に複数の半導体チップ搭載位置を有する多数品取りのパッケージ基板を準備する工程と、前記パッケージ基板に対して、前記複数の半導体チップ搭載位置のそれぞれに半導体チップを搭載するチップ搭載工程と、前記チップ搭載工程が行われた前記パッケージ基板に対して、前記複数の半導体チップ搭載位置の外周に、切断面に前記めっき引出線が現れるように前記パッケージ基板をカットするフルカット工程と、前記フルカット工程を行った後、カットがなされた複数のパッケージ基板片に対して、モールド樹脂による封止を行う封止工程と、前記封止工程の後、前記フルカットがなされた複数のパッケージ基板片の間に充填された封止樹脂をダイシングすることにより、モールド封止樹脂を複数の半導体パッケージに分ける工程と、を備えることを特徴とする。第3の発明は、上記の目的を達成するため、半導体パッケージであって、めっき引出線が側面に露出するパッケージ基板と、前記パッケージ基板に搭載された半導体チップと、前記半導体チップを封止し、かつ、少なくとも前記めっき引出線を覆うように前記パッケージ基板の前記側面を覆う樹脂封止体と、を備えることを特徴とする。本発明によれば、樹脂封止体によって、半導体チップとともにパッケージ基板の側面を覆うことにより、めっき引出線のパッケージ外への露出を防止することができる。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1にかかる半導体パッケージ半導体集積回路の構成を示す斜視図である。図1の斜視図は、半導体パッケージ2における紙面手前側の一部の内部構造を露出させて図示しているが、実際はこの露出部分もモールド樹脂10で覆われている。図1に示すように、実施の形態1にかかる半導体パッケージ2は、ガラスエポキシ基板20上に、半導体チップ12を備えている。半導体チップ12は、ボンディングワイヤ14によってガラスエポキシ基板20に接続されている。コンデンサ16、18は、ガラスエポキシ基板20の配線パターン上の所定位置に実装されている。図1に示すように、ガラスエポキシ基板20は、第1めっき引出線40、第2めっき引出線42、および第3めっき引出線44を備えている。これらのめっき引出線は、電解めっき処理を行うときに必要となるものである。ガラスエポキシ基板20は、これらのめっき引出線を用いて電解めっき処理が行われた電解めっきパッケージ基板である。実施の形態1では、下記に述べるハーフカット工程の結果として、図1に示すようにガラスエポキシ基板20の側面部20aが露出する。図2は、本発明の実施の形態1にかかる半導体パッケージの内部構成およびハーフカットの様子を示す断面図である。ガラスエポキシ基板20は、図2の断面図から把握されるように、スルーホール28を備える多層基板四層基板であり、ガラスエポキシ製のパッケージ基板ガラスエポキシ基板である。なお、図2においては、太い実線に従って個片化されることにより、紙面中央に1つの半導体パッケージ2が得られる様子を、図示している。これは個片化のダイシング工程が実施された後の状態である。つまり、個片化のためのダイシングが実施される前の段階では、図2中央に図示した半導体パッケージ2の構成が紙面横方向に連なったものシート状態でモールド樹脂封止されたものがモールド樹脂工程により提供されている。図2において紙面右側および左側にそれぞれ示した二重波線は、繰り返しの構造が紙面右側および左側に存在することを模式的に図示している。ガラスエポキシ基板20は、紙面上方側の基板表面に、L1導体21、L1ソルダレジスト22、ビアトップ23、第1めっき引出線40を備えている。L1導体21は、ガラスエポキシ基板20の最上層第1層において所定の配線パターン導体パターンを構成している。なお、図2においては、図1に示した半導体チップ12やコンデンサ16、18などは図示を省略しており、第1めっき引出線40、第2めっき引出線42、および第3めっき引出線44近傍の構造を説明するために模式的に図示を行っている。半導体チップ12等の構成は、図示しないが、ガラスエポキシ基板20の紙面上方の表面につまりL1導体21が形成する配線パターン上に、実装されている。ガラスエポキシ基板20は、ビア24、L2導体26および第2めっき引出線42を備えている。ビア24は、L1導体21とL2導体26とを電気的に接続している。L2導体26も、ガラスエポキシ基板20の第2層において所定の配線パターン導体パターンを構成している。ガラスエポキシ基板20は、その内部に、スルーホール28を備えている。スルーホール28は、その一端がL2導体26と接続し、その他端がL3導体30と接続している。L3導体30も、ガラスエポキシ基板20の第3層において所定の配線パターン導体パターンを構成している。L3導体30には、第3めっき引出線44が接続している。ガラスエポキシ基板20は、ビア31を備えている。ビア31は、L3導体30とL4導体32とを接続している。ガラスエポキシ基板20は、図2の紙面下方側を向く基板裏面に、L4導体32、L4ソルダレジスト34、およびL4アンダーコート剤36を備えている。なお、図2の断面図においては図示していないが、半導体パッケージ2は、ガラスエポキシ基板20の裏面側図2では紙面下方側の面に、外部の回路と電気的に接続するための端子外部接続端子を備えている。実施の形態1にかかる半導体パッケージ2は、図1および図2に示すように、ガラスエポキシ基板20の側面が、モールド樹脂10で覆われている。その結果、ガラスエポキシ基板20の端部に露出している第1めっき引出線40、第2めっき引出線42、第3めっき引出線44が、モールド樹脂10で被覆されている。めっき引出線が露出している場合、等価回路上は意図しない電極が露出することとなる。そのような意図しない電極の露出は、等価回路上からは解析が困難なサージ印加破壊等が発生する原因となる。この点、実施の形態1にかかる半導体パッケージ2によれば、モールド樹脂10によって、ガラスエポキシ基板20の側面を覆うことにより、第1めっき引出線40、第2めっき引出線42および第3めっき引出線44が半導体パッケージ外へ露出することを防止することができる。以下、図2を用いて、本発明の実施の形態1にかかる半導体パッケージの製造方法について説明する。実施の形態1にかかる製造方法は、半導体チップ12等を実装したガラスエポキシ基板20に対するモールド樹脂封止工程の実施前に、ガラスエポキシ基板20に対してハーフカットを施すものである。まず、複数の半導体チップ実装領域が形成された多数品取りのパッケージ基板を準備する。このパッケージ基板が個片化されることで、ガラスエポキシ基板20が形成される。この多数品取りのパッケージ基板に対して、それぞれ、半導体チップ12等の実装部品が実装される。次に、モールド樹脂封止工程の実施前に、図2に破線で示すようにハーフカットを施す。このハーフカットは、第3めっき引出線44のレイヤー第三層の途中までカットを入れる工程である。続いて、ハーフカットが施された多数品取りのパッケージ基板に対して、モールド樹脂封止工程実施の形態1では、トランスファモールド成型によるものとするが実施される。これにより、モールド樹脂10が、ハーフカットにより形成されたカット溝の内部へと入り込む。ハーフカットで形成されるカット溝の幅は、モールド樹脂封止工程においてそのカット溝内にモールド樹脂10が充填される程度のものとする。つまり、実施の形態1のように多層基板のガラスエポキシ基板20における第3層第3めっき引出線44の層に至るほどに深いハーフカットの場合であってもハーフカット溝内にモールド樹脂10が充填されるように、ハーフカット工程およびモールド樹脂封止工程を実施する。モールド樹脂封止工程の完了後、個片化のためのダイシング工程が行われる。ダイシングは、上記のハーフカットを施した位置に行われる。つまり、上述したモールド樹脂封止工程前のハーフカットは、個片化のためのダイシングを施すべき位置に対して実施される。これにより、個片化されたそれぞれの半導体パッケージ2は、ガラスエポキシ基板20側面の第1めっき引出線40、第2めっき引出線42および第3めっき引出線44がそれぞれモールド樹脂10で覆われた状態で提供される。また、図2に示すようにパッケージ個片化ダイシングのラインに沿って切断されることで、ガラスエポキシ基板20の側面部20aが図1に示すように外部に露出する。実施の形態1にかかる半導体パッケージ2の製造方法では、ハーフカットを施すこととしたので、ガラスエポキシ基板20の最下層まではカットを行わない。これにより、モールド樹脂封止工程前に、多数品取りのパッケージ基板が個片化されて複数のガラスエポキシ基板20となってしまうのを回避することができる。モールド樹脂封止工程前に個片化が完了してしまうと、モールド樹脂封止工程時に、多数品取りのパッケージ基板に対して一括してモールド樹脂封止する場合には生じなかったトラブルが生じうる。そこで、実施の形態1にかかる製造方法では、ハーフカットにとどめることで、そのようなトラブルを回避しつつ、半導体パッケージ2の側面へのモールド樹脂充填を達成している。なお、実施の形態1の製造方法のようにハーフカットを行う場合には、ガラスエポキシ基板20におけるハーフカットで残される層最下層に、めっき引出線が設けられていないことが好ましい。つまり、全てのめっき引出線が、ハーフカットで残される層最下層よりも上の層に配置されていることが好ましい。これにより、実施の形態1にかかる半導体パッケージ2の全てのめっき引出線に対して、モールド樹脂10による被覆を行うことができ、全てのめっき引出線の外部露出を抑制することができる。以下、比較例を用いて、実施の形態1にかかる半導体パッケージ2の効果について説明する。図5は、本発明の実施の形態に対する比較例として示す半導体パッケージ100の構成を示す斜視図である。図6は、本発明の実施の形態に対する比較例として示す半導体パッケージ100の内部構成およびダイシング時の様子を示す断面図である。比較例にかかる半導体パッケージ100は、製造工程において、シート状態でのモールドが行われた後に個片化のためのダイシングが行われる。つまり、図6に示すように、モールド樹脂封止がされたあと、個片化ダイシングの際にモールド樹脂110とガラスエポキシ基板120とがまとめてダイシングされる。その結果、図5の斜視図からも明らかなように、個片化した半導体パッケージ100の断面には、モールド樹脂110の断面のほかガラスエポキシ基板120の断面も現れる。ガラスエポキシ基板120の断面においてめっき引出線140、めっき引出線142およびめっき引出線144が露出することで、等価回路上は意図しない電極が露出することとなる。この点、実施の形態1にかかる半導体パッケージ2によれば、半導体パッケージ100のようなめっき引出線の外部露出を防ぐことができる。実施の形態2.図3は、本発明の実施の形態2にかかる半導体パッケージ半導体集積回路の構成を示す斜視図である。図3の斜視図も、実施の形態1の図1と同様に、半導体パッケージ2における紙面手前側の一部の内部構造を露出させて図示しているが、実際はこの露出部分もモールド樹脂10で覆われている。図4は、本発明の実施の形態2にかかる半導体パッケージの内部構成およびフルカットの様子を示す断面図である。実施の形態2にかかる半導体パッケージの完成品としての構造は、実施の形態1にかかる半導体パッケージ2と同様であるが、基板側面21が露出しない点および製造方法の点において実施の形態1と相違している。以下、図4を用いて、本発明の実施の形態2にかかる半導体パッケージ2の製造方法について説明する。実施の形態2にかかる製造方法は、半導体チップ12等を実装したガラスエポキシ基板20に対するモールド樹脂封止工程の実施前に、ガラスエポキシ基板20に対してフルカットを施すものである。なお、実施の形態2におけるフルカットを行う前後の工程は、基本的には、実施の形態1で説明したハーフカットの場合と同じ製造工程である。フルカットにより個片化されることにより得られた複数のガラスエポキシ基板20に対し、カットで生じた屑を含まないように配慮しつつ、樹脂モールドが施される。実施の形態1と同様に、まず、多数品取りのパッケージ基板を準備し、これに半導体チップ12等の実装部品が実装される。次に、モールド樹脂封止工程の実施前に、図4の破線で示すように、フルカットを施す。このフルカットは、多数品取りのパッケージ基板を完全に複数の部分に切断個片化して、複数のガラスエポキシ基板20に分離する工程である。これにより、半導体チップ12等が実装された状態のガラスエポキシ基板20が、複数個、得られることとなる。続いて、フルカットで個片化された複数のガラスエポキシ基板20が整列した状態で、実施の形態1と同様に、モールド樹脂封止工程が実施される。これらの個片化されたガラスエポキシ基板20をモールド成型用の金型に入れてモールド樹脂封止工程を実施する際には、あらかじめ条件出しを行っておく。これにより、モールド樹脂10が、フルカットにより形成された隙間へと入り込む。その結果、複数のガラスエポキシ基板20が含まれた一個のモールド樹脂封止体が得られる。モールド樹脂封止工程の完了後、個片化のためのダイシング工程が行われる。ダイシングは、上記のフルカットにより生じた隙間位置を切断するように行われる。これにより、実施の形態2においても、実施の形態1における半導体パッケージ2の外観図1の斜視図と同様に、個片化されたそれぞれの半導体パッケージ2はガラスエポキシ基板20側面の第1めっき引出線40、第2めっき引出線42および第3めっき引出線44がそれぞれモールド樹脂10で覆われた状態で提供される。なお、実施の形態2にかかる半導体パッケージの製造法によれば、多数品取りのパッケージ基板に対してフルカットを施し、個々のガラスエポキシ基板20に個片化したうえでモールド樹脂封止工程を行う。このため、ガラスエポキシ基板20の最下層に電解めっき引出し線が設けられていても、ガラスエポキシ基板20における最下層の側面を含めて、モールド樹脂10による被覆を行うことができる。このため、ガラスエポキシ基板20の設計自由度の幅がひろがり、設計上の優位性が得られる。