"移植可能眼科デバイスであって、密封シールされたフィードスルーを有する第1基板であって、前記フィードスルーは前記第1基板の第1側から前記第1基板の第2側への電気的連通のための導電経路を与える第1基板と、密封シールされたキャビティの少なくとも一部を画定するべく前記第1基板の第1側に接合された第2基板と、前記密封シールされたキャビティ内にあって前記密封シールされたフィードスルーが与える前記導電経路と電気的に連通する電子コンポーネントとを含む移植可能眼科デバイス。前記密封シールされたフィードスルーは、前記第1基板の第1側及び第2側を接続するチャネルと、前記導電経路を与える前記チャネル内の導電材料とを含む、請求項1に記載の移植可能眼科デバイス。前記導電材料は、熱膨張係数が前記第1基板の熱膨張係数とほぼ等しい、請求項2に記載の移植可能眼科デバイス。前記導電材料及び前記第1基板の熱膨張係数は、約2.0ppmから約5.0ppmである、請求項3に記載の移植可能眼科デバイス。前記導電材料は、チタン、ニッケル、金、及び鉄の少なくとも一つを含む、請求項2に記載の移植可能眼科デバイス。前記フィードスルーは、直径が約100μmから約250μmである、請求項1に記載の移植可能眼科デバイス。ヘリウムリーク試験を受けた場合に前記密封シールされたフィードスルー及び前記密封シールされたキャビティは、少なくとも約5×10-12Pam3s-1の速度でリークする、請求項1に記載の移植可能眼科デバイス。前記第1基板及び第2基板の少なくとも一つはホウケイ酸ガラス及び/又は石英ガラスを含む、請求項1に記載の移植可能眼科デバイス。前記第1基板は、厚さが約25μmから約300μmである、請求項1に記載の移植可能眼科デバイス。前記第1基板は、前記第2基板にレーザ溶融接合される、請求項1に記載の移植可能眼科デバイス。前記第1基板は、前記第2基板に陽極接合される、請求項1に記載の移植可能眼科デバイス。前記電子コンポーネントは、特定用途向け集積回路プロセッサ、キャパシタ、メモリ、プログラマブルロジックアナライザ、アナログデジタル変換器、及びバッテリ充電器を含む、請求項1に記載の移植可能眼科デバイス。前記密封シールされたフィードスルーと他の電子コンポーネントとの間に電気接続を与える生体親和性導電材料をさらに含む、請求項1に記載の移植可能眼科デバイス。前記生体親和性導電材料は、厚さが約10μmから約200μmである、請求項13に記載の移植可能眼科デバイス。前記生体親和性導電材料は、抵抗が約10オーム以下である、請求項13に記載の移植可能眼科デバイス。前記第1基板の第2側に接合されて前記密封シールされたキャビティを画定する第3基板をさらに含む、請求項1に記載の移植可能眼科デバイス。前記密封シールされたフィードスルーを介して前記電子コンポーネントと電気的に連通する電気的活性要素をさらに含む、請求項1に記載の移植可能眼科デバイス。前記密封シールされたキャビティまわりに堆積されるコンフォーマルコーティングをさらに含み、前記密封シールされたキャビティにおいて進展し得る割れ又は亀裂を通してのリークが防止される、請求項1に記載の移植可能眼科デバイス。移植可能眼科デバイスを作る方法であって、a密封シールされたフィードスルーと電気的に連通する電子コンポーネントを配置することであって、前記フィードスルーは第1基板の第1側から前記第1基板の第2側への導電経路を与えることと、b前記電子コンポーネントを包含する密封シールされたキャビティの少なくとも一部を画定するべく前記第1基板の第1側に第2基板を接合することとを含む方法。aは、前記第1基板の第1側から前記第1基板の第2側へのチャネルを作ることと、前記チャネルに導電材料を充填して前記導電経路を画定することとをさらに含む、請求項19に記載の方法。aは、前記第1基板及び導電材料の少なくとも一つを加熱して前記チャネルを密封シールすることによって、前記密封シールされたフィードスルーを形成することをさらに含む、請求項20に記載の方法。前記チャネルは、直径が約100μmから約250μmである、請求項20に記載の方法。前記導電材料は、熱膨張係数が前記第1基板の熱膨張係数とほぼ等しい、請求項20に記載の方法。前記導電材料及び前記第1基板の熱膨張係数は、約2.0ppmから約5.0ppmである、請求項22に記載の方法。前記導電材料は、チタン、ニッケル、金、及び鉄の少なくとも一つを含む、請求項20に記載の方法。aは、前記チャネルの一端を介して前記導電材料と電気的に連通する生体親和性導電層を形成することをさらに含む、請求項20に記載の方法。前記生体親和性導電層及び前記導電経路を介して前記電子コンポーネントと電気的に連通する他の電子コンポーネントを配置することをさらに含む、請求項22に記載の方法。bは、前記第2基板を前記第1基板の第1側に溶融接合することをさらに含む、請求項19に記載の方法。bは、前記第2基板を前記第1基板の第1側に陽極接合することをさらに含む、請求項19に記載の方法。前記第1基板の第2側に第3基板を接合して前記密封シールされたキャビティを画定することをさらに含む、請求項19に記載の方法。前記密封シールされたフィードスルーを介して前記電子コンポーネントと電気的に連通する電気的活性要素を配置することをさらに含む、請求項19に記載の方法。iガラス管を介してキャビティに液晶材料を充填することと、ii前記ガラス管を閉じて前記液晶材料を前記キャビティにシールすることとによって前記電気的活性要素を作ることをさらに含む、請求項31に記載の方法。i変性された内部表面を有するチャネルを介してキャビティに液晶材料を充填することと、ii前記チャネルをつぶして前記液晶材料を前記キャビティにシールすることとによって前記電気的活性要素を作ることをさらに含む、請求項31に記載の方法。アミノシラン、シラノール、及び/又はヒドロキシシラン誘導体によって前記チャネルを処理して前記変性された内部表面を作ることをさらに含む、請求項33に記載の方法。前記密封シールされたキャビティの少なくとも一部のまわりにコンフォーマルコーティングを堆積することをさらに含み、前記密封シールされたキャビティにおいて進展し得る割れを通してのリークが防止される、請求項19に記載の方法。ヘリウムリーク試験を受けた場合に前記密封シールされたフィードスルー及び前記密封シールされたキャビティは、少なくとも約5×10-12Pam3s-1の速度でリークする、請求項19に記載の方法。前記第1基板及び第2基板の少なくとも一つはホウケイ酸ガラスを含む、請求項19に記載の方法。前記第1基板は、厚さが約25μmから約300μmである、請求項19に記載の方法。密封シールされたキャビティ及びフィードスルーを有する移植可能眼科デバイス患者の視覚に影響を与える偽水晶体眼、無水晶体症等の症状を永久的又は半永久的に修正する役割を果たすべく、典型的には、眼内レンズ、眼内インプラント、角膜インレイ、及び角膜オンレイのような移植可能眼科デバイスが眼に移植される。例示的な移植可能眼科デバイスは、眼の前房又は後房において、嚢袋又は角膜実質の中に角膜インレイと同様若しくは角膜上皮層の中に角膜オンレイと同様又は眼の任意の解剖学的構造内に挿入又は移植され得る。これらは眼自体に挿入又は移植されるので、液晶材料又はバッテリに使用される電解質のような異物を、眼又は周囲組織の中にリーク又は又は浸出させてはならない。さもなくば、これらは眼及び/又は眼の周囲組織に取り返しのつかない障害をもたらし得る。図1は、一の例示的移植可能眼科デバイスのための電子アセンブリ100の分解図である。これは、当該デバイス100からの異物が眼へリークすることを防止するべく密封シールされたキャビティ110及びフィードスルー112を有する。ここに定義するが、密封シールされたキャビティ又はフィードスルーは、米国材料試験協会ASTME493/E493M-11の、5.0×10-12Pam3s-1によるヘリウムリーク試験に合格するキャビティ又はフィードスルーである。好ましい実施例において、ヘリウムリーク中に密封シールからリークするヘリウムの量は検出不能、すなわちヘリウムの通常大気濃度未満である。アセンブリ100は、中間ウェハ104におけるキャビティ110内に配置される電子コンポーネントを含む。当該電子コンポーネントは、この場合、異なる機能ブロックを有し、かつ、付加的電子コンポーネントとともに集合配置され得る特定用途向け集積回路ASICs130である。ASICs130は、3次元すべての機械的公差が±10μmとなるTiAgNiAuパッド材料を介しての熱圧接合を使用して、サブコンポーネントとともに集合配置され得る。当該アセンブリはまた、01005SMD表面実装キャパシタのようなAgPbキャパシタ図示せずを含み得る。これは、異方性導電接着剤によって、±50μmの側方整合公差でプリント回路基板PCB図示せずに接合される。好ましい実施例において、PCB表面からキャパシタ頂部までの高さの合計は約255±10μmである。キャビティ110は、底部ウェハ102と頂部ウェハ106との間にある中間ウェハ104に複数のアパチャを密封することによって画定される。底部ウェハ102及び頂部ウェハ106は、以下に説明するように、レーザ溶融接合、加圧接合、及び/又は陽極接合を使用して一緒に接合され得る。電気的活性セル160及びぼかし体obscuration162のような他の要素が、ウェハ102、104、及び106間に貼り付けられ又はシールされ得る。ぼかし体162は、入射光の90超過を吸収する不透明層を含む。ウェハ102、104、及び106は、ホウケイ酸ガラス例えばBorofloat登録商標33又はD263登録商標、ピュアシリカSiO2、石英ガラス、又は他の任意の適切な材料から作られ得る。図2A及び2Bはそれぞれ、キャビティ210が代替底部ウェハ202と代替頂部ウェハ206との間に形成された代替アセンブリ200の立面図及び平面図である。頂部ウェハ206は、アパチャを画定する代わりに、2つの空洞又は凹部を両端に含む。各凹部は、ASIC130及び/又は他の電子コンポーネントを保持するのに十分な大きさである。ASIC130及び/又は他のコンポーネントが凹部内に位置決めされ、例えばレーザ溶融接合又は陽極接合によって底部ウェハ202を頂部ウェハ206に接合することでキャビティ210が形成される。密封シールされたフィードスルー112は、キャビティ210においてASIC130及び/又は他の電子コンポーネントへの電気接続を与える。当業者であれば、ウェハ及びキャビティの他の配列も可能であることがわかる。例えば、キャビティは2つのウェハにおける凹部間に形成されてよい。加えて、単数のウェハが、図1を参照して記載されたキャビティを形成するアパチャと、図2A及び2Bを参照して記載されたキャビティを形成する凹部との双方を含んでもよい。図1を再び参照すると、ASICs130は、頂部ウェハ106を貫通するフィードスルー112を介してバッテリ140に電気接続される。再充電可能であってよいバッテリ140は複数のセル141を含む。複数のセル141は、セパレータ144により離隔保持され、ケーシング142の中に覆われる。ケーシング142は、25年以上までのリーク保護を与える。バッテリケーシング隔離リング146が、アセンブリ100の残りからセル141を絶縁し、バッテリインサートプレート148がバッテリ140及びそのコンポーネントを、頂部ウェハ106に対して所定位置に保持する。アセンブリ100はまた、バッテリ140を再充電するべく使用することができる誘導アンテナコイル150及び光起電力セル170も含む。コイル150及び光起電力セル170はまた、例えば一方又は双方のASICs130についてのメモリ格納情報を更新及び/又は抽出するべく、外部プロセッサとの無線通信に使用することもできる。光起電力セル170はまた、調節トリガ、瞳孔直径変化、及び/又は他の生理学的若しくは環境的兆候を、平均感度約0.48nA/ルクスmm2で検出するべく使用することもできる。いくつかの実施例において、アセンブリ100は、2つのTiAuPINZnO光起電力セル、すなわち直径約1.175から1.225mmの第1セル及び寸法約0.1mm×1.8mmの第2セルを含む。いくつかの例では、コイル150は、約5.7mm×2.6mmの周囲に配置された約15回の巻線を有する。コイル150及び光起電力セル170はまた、フィードスルー112を介してASICs130と電気的に連通する。例えば、ASICs130の一方におけるバッテリ充電器図示せずが、その全体がここに参照として組み入れられるFehrらによる国際特許出願第US2011/040896号明細書に記載される再充電プロセスを制御してもよい。同様に、ASICs130の一方におけるプロセッサが、Fehrらによる国際特許出願第US2011/040896号明細書に記載される瞳孔直径を代表する信号を光起電力セル170から受信してもよい。プロセッサはまた、例えば、その全体がここに参照として組み入れられる特許文献1に記載されているように、光起電力セル170からの信号への応答として、電気的活性セル160によって画定されるアパチャの直径を制御してもよい。図3Aから3Dは、電子アセンブリの残りに対するコイル150の様々な配列を示す。例えば、コイル150は、図3A及び3Cに示されるように、バッテリ140のまわりをラップすることができる。バッテリ140まわりの巻線コイル150は、コイル150に対して良好な機械的安定性を与えるが、インプラントの組み付け方法例えばコイル150の前のバッテリ140に制約を課し得る。バッテリ140はまた、コイル150と外部電磁気源アンテナとの誘導結合に干渉を与え得る。コイル150はまた、図1及び3Bに示されるように、分離サポート152まわりに巻くこともできる。いくつかの場合、非球面レンズ又は球面レンズのような光学系がサポート152に統合され得る。例えば、当該サポートの外部表面の一部に、入射光を屈折又は回折させるカーブ又はパターンを施してもよい。分離サポート152はまた、所定コンポーネント例えば,バッテリ140をコイル150の前に搭載する必要性をなくすことによって製造プロセスの柔軟性を増加させる。これはまた、コイル150を潜在的な干渉源から離れた経路に従わせることによって、コイル結合効率を最適化することもできる。しかしながら、分離サポート152は、移植可能眼科デバイスの製造複雑性及び総質量を増加させ得る。代替的に、コイル150は自立型であってもよい。すなわち、付加的なサポートをなんら必要としなくてもよい。他のコイルと同様、自立型コイルも、許容可能な機械的公差内で位置決めする必要があり、接着剤を使用してウェハに対し所定位置に保持され得る。自立型コイルが、アクリル、樹脂、又は他の媒体における電子アセンブリ100のカプセル化中に変形しないよう注意が必要である。コイル150は、図3Cに示されるように頂部ウェハ106上に位置決めされて複数のバッテリ140の間又はこれらのまわりの空間を充填する。代替的に、コイル150は、図3Dに示されるように底部ウェハ202の底部側上又はこれのまわりに位置決めすることもできる。コイル150を底部ウェハ202の底部に取り付けることは、コイル150に対する位置決め公差を緩和し、ぼかし体162の位置決めを簡単にする。底部ウェハ202を貫通するフィードスルー112及び/又は底部ウェハ202の周縁を巡るワイヤが、コイル150と、ASICs130、バッテリ140、及び他の任意電子コンポーネントとを接続する。コイル150はまた、図4A及び4Bに示されるように、キャビティ内にシールされてコイル150とASICs130との間のフィードスルーの必要性を排除することもできる。この例では、コイル150は、0.3mm厚のガラスディスクの内部に埋め込まれる。当該ディスクの一側上には2つの電気接続が存在する。コイル150がキャビティ内に密封シールされるので、非生体親和性材料をコイルワイヤに対して例えば金の代わりに銅及び絶縁層に対して使用することができる。コイル150をキャビティ内に密封することはまた、コイル150をキャビティ内のコンポーネントに接続する生体親和性導電材料を使用する必要性も排除する。コイル150は以下のようにしてキャビティ内にシールすることができる。まず、コイル150を保持する深いキャビティ及び電気接続154を保持する浅いキャビティが、頂部ウェハ206の中にマシニング加工される。適切なマシニング法は、等方性エッチング例えば湿式エッチング、異方性エッチング例えば深い反応性イオンエッチング、マイクロサンドブラスト、レーザアブレーション、及び超音波マイクロマシニングを含むがこれらに限られない。頂部ウェハ202のマシニング加工された表面は、底部ウェハ202との密封接合を可能とするべく再研磨される。次に、当該深いキャビティの内部にコイル150が挿入され、当該浅いキャビティの内部において2つのエンドワイヤがフィードスルーに接続されて電気接続154が形成される。ワイヤ及びコイル150は、加圧圧縮接合、ワイヤ接合、接着導電性接着剤による、及び直接的なはんだづけ非生体親和性であり得る共晶材料の使用によるを使用して接続することができる。ひとたびコイル150が適切に位置決めかつ接続されると、底部ウェハ202は、以下に記載するレーザ溶融接合、加圧接合、又は低温陽極接合を使用して頂部ウェハ206に接合される。必要であれば、底部ウェハ202及び/又は頂部ウェハ206は、当該スタックの全体厚さが低減されるように薄くすることができる。当業者であれば、コイル150をキャビティ内及び/又は他のキャビティ内に他の態様で配置できることが容易にわかる。例えば、コイル150は、ASIC、キャパシタ、又は他の電子コンポーネントを収容するキャビティの内部壁に対して巻くことができる。密封シールされたフィードスルーを製造する図1に示されるもののような電子アセンブリの製造は、密封シールされたフィードスルー112の製造から開始される。フィードスルー112、アパチャ、カットライン、及び他のポイントが、ガラスウェハのような一基板上に約1から10μmの精度でレイアウトされる。次に、当該基板は、フィードスルー112及び他のアパチャがドリル又はエッチングされた後、図1、2A、及び2B.に示されるもののような個々のウェハにカット又はダイスされる。当該複数のウェハは、他のコンポーネントと組み合わされ及び一緒に接合されてアセンブリを形成する。当該アセンブリは、アクリル等の適切な材料にカプセル化される。図5は、密封シールされたフィードスルー112を作る一方法を例示する。フィードスルー112の製造は、ホウケイ酸ガラス等の適切な材料であり得るガラス基板302の一側の中に、凹部304をドリル又はエッチングすることから開始される。例えば、凹部304は、レーザアブレーション例えば紫外レーザによる、マイクロサンドブラスト、又は超音波マイクロマシニングによって形成することができる。基板302の当該表面は、保護を目的としてドリル又はエッチングの前にレジスト層によってコーティングされ得る。基板302は厚さ約25から300μmであり、好ましくは約125から200μm例えば約175μmである。次に、基板302の他側の中に、もう一つの凹部がドリル又はエッチングされてチャネル306が形成される。チャネル306は基板302を貫通する。いくつかの場合、チャネル306は、2つの円錐台の小さい方の端を合わせて置くことにより形成されるほぼ砂時計又はディアボロのような形状とされる。チャネル306は直径約50から300μmであり、好ましくは約100から250μmである。平均直径は約200μmであり得る。代替的に、チャネル306は、第1凹部302を単にドリル又はエッチングを続けることによって形成することもできる。これにより、基板302の一側に大きな開口を有し及び基板302の他側に小さな開口を有する円錐台のような形状のチャネルを得ることができる。ひとたびチャネル306が完成すると、例えばガルバニック成長又は電気化学堆積によって、導電材料308がチャネル306内に堆積される。導電材料308は、金のような生体親和性材料であり得る。代替的に、導電材料308は、熱膨張係数CTEが基板302のCTEとほぼ等しい例えばこれの10以内ニッケル合金例えばNiFeのような材料でもよい。いくつかの例では、導電材料308及び基板のCTEsは、約2.0から5.0ppm、例えば3.3ppmであり得る。導電材料308のCTEを基板302のCTEにマッチさせることにより、当該インプラントの製造、試験、及び滅菌中のフィードスルー112及び基板302の加熱及び/又は冷却に起因するリーク又はインプラント劣化のリスクが低減される。導電材料308が生体親和性でない場合、チャネル306の内部表面は、保護外部層を与えるべく生体親和性材料によりコーティング又はライニングされ得る。例えば、チャネル306を、生体親和性チタンによりコーティング又はライニングし、その後導電性ニッケルにより充填することができる。ひとたび完全に堆積されると、導電材料308は導電経路310を形成する。導電経路310は、チャネル306をシールし、及び基板302の一側から当該基板の他側への電気的連通を与える。必要であれば、導電材料308及び/又は基板302は、チャネル306をシールするべく加熱される。チャネル306が完全に充填された後、ガルバニック成長のために形成された任意の導電ベース層が除去されて過成長が防止される。フィードスルー112は、金、TiAu、又は他の任意の適切な生体親和性導電材料から形成される生体親和性導電層314を介して、他の電気コンポーネント及び/又は接続部に接続される。層314は、当該導電経路の一側にあるチャネルアパチャに金球312を配置し、その後金球312を加熱又は圧縮することによって形成することができる。これにより、フィードスルー112の中心を貫通する導電経路310に低抵抗接触を与える生体親和性導電層314が形成される。溶融又は圧縮された金が厚すぎる場合、所望厚さまで研磨することができる。一般に、生体親和性導電層314の厚さは、その抵抗及びコストを決定する。すなわち、薄い層であれば安価となるが高抵抗となりがちである。好ましい実施例において、生体親和性導電層314は約10から200μmの厚さ例えば100μm厚及び約10オーム以下の抵抗である。図6A及び6Bはそれぞれ、フィードスルー112の3×3マトリックスの平面図写真及び斜視図写真を示す。Borofloat登録商標33基板302にNiFe導電経路310及び未研磨金導電層314が存在する。各フィードスルー112は、長さ約150μmから約300ミクロン、平均長さ約200ミクロンの砂時計形状を有する。当該砂時計のウェスト部は直径約50μmであり、当該砂時計の端部は直径約150μmである。基板302は、電子アセンブリを形成するべく使用される個々のウェハにダイスされ、劈開され、又は分離される。ガラスウェハを接合して密封シールされたキャビティを形成する上述のように、フィードスルーを有する複数のガラスウェハは、レーザ溶融接合、加圧接合、陽極接合等の適切な接合法を使用して一緒に接合され、密封シールされたキャビティを形成し得る。レーザ溶融接合又はレーザ溶接は特に魅力的である。互いに接触するウェハの当該領域のみを加熱することができるからである。その結果、当該ウェハ間に付着及び/又は配置されるコンポーネントが、当該溶融プロセス中に加熱されることがない。加えて、レーザ溶融接合は、一ガラス片を他ガラス片に直接接合するべくすなわち当該ガラス片間の層なしで使用することができる。これにより、付加的な材料及び堆積ステップが排除される。レーザ溶融接合において、当該ウェハは互いに接触して保持される。超高速紫外レーザからのビームの焦点が、当該ウェハ間の界面に又はこれの近くに合わせられる。レーザは、当該ウェハを加熱するピコ秒又はフェムト秒の光パルスを放出する。これにより、当該ウェハが一緒に溶解又は溶融する。当該ウェハの周縁に沿った閉ループ内又は単なる内部をパルスレーザビームでスキャンすることにより、当該ウェハ間に密封シールが作られる。パルスレーザビームはまた、付加的な密封シールされた領域を当該ウェハの周囲内に作るべく、複数の閉ループをスキャンすることもできる。例えば、ASICをキャビティ内にシールすることができる。当該キャビティ自体が当該デバイスの周囲内にシールされる。図7A及び7Bは、レーザ溶融接合により複数のガラスウェハを一緒に密封して形成された部分的に完成したインプラントの写真である。代替的に、加圧圧縮接合を使用して複数のウェハを一緒に接合することもできる。相対的に厚い例えば約50から250μmであって平均200μm金リング等の適切な材料が、少なくとも被接合ウェハの周囲に沿って堆積される。当該ウェハは互いに整合され、その後一緒に圧縮される。当該圧縮により、第1基板上の金リングが軟らかくなり第2基板に接着する当該リングはまた、伸ばされるか又は変形される。プロセス温度は300°C未満に維持され得る。これは、当該ウェハ上に又は間に配置される所定コンポーネントに対する臨界温度である。図8に示されるように、周知かつ十分に確立された低温例えば約400°C未満陽極接合法を使用して複数対のアルカリ豊富ホウケイ酸ガラスウェハを一緒に接合することもできる。まず、被接合ガラスウェハの一方を、シリコン、ポリシリコン、タンタル、チタン、アルミニウム、及び/又はSiNxの薄層606によってコーティングし、コーティングガラスウェハ608を形成する。コーティングウェハ608が清浄例えばイソプロパノールにより及び乾燥例えば窒素ガスによりされ、その後、電圧源612に接続された頂部ツール602とチャック610との間にある未コーティングガラスウェハ604と整合される。電圧源612の電圧VBを数百ボルトに設定することにより、電流IBがチャック610から頂部ツール602へ、コーティングガラスウェハ608、コーティング606、及び未コーティングガラスウェハ604を介して流れる。電流の流れにより、ガラスウェハ604及び608における陽イオン例えばアルカリイオンが、陰極として作用する頂部ツール602に向かってドリフトし、ガラスウェハ604及び608における陰イオンが、陽極として作用するチャック610に向かってドリフトするこれはまた、ウェハ温度を約280から350°C、例えば約300°Cにまで上昇させる。その結果、コーティング606に接する未コーティングガラスウェハ604から陽イオンが枯渇し、コーティング606の他側上のコーティングガラスウェハ608から陰イオンが枯渇する。この枯渇により、コーティング606に接する未コーティング及びコーティングガラスウェハ604、608の表面の反応性が高まり、ウェハ604と608との間の強固な化学的接合の形成がもたらされる。接合されたガラスウェハを試験する図9及び10は、接合されたガラスウェハの強度を測定するねじり及び剪断強度試験を例示する。ねじり試験において、接合されたガラスウェハ例えば陽極接合されたウェハ604及び608は、手によってねじり分離されるすなわち矢印に示されるように。剪断強度試験において、接合されたガラスウェハ604及び608は、ウェハ604と608との界面平面に沿って加えられる力Fによって剪断分離される。表1は、上述の陽極接合法を使用して一緒に接合されたガラスウェハのねじり及び剪断強度試験の結果を、様々な接合パラメータ及びコーティングについて示す。試験は、Borofloat登録商標33ホウケイ酸ガラスの、500μm厚、10.2センチメートル4インチウェハを使用して行われた。いくつかの場合、当該ウェハは試験前に10mm×10mmチップにダイスされた。各試験は、接合されたウェハの十分な緩和を保証するべく接合後少なくとも1週間経ってから行われた。当該結果は、シリコン、アルミニウム、及びITO/SiNxすべてが、相対的に低い接合温度において相対的に高い強度を与えることを示している。液晶材料を電気的活性要素にシールするここに開示される移植可能眼科デバイスのいくつかの実施例は、プロセッサからの信号に応答して入射光を回折、屈折、及び/又は減衰させる電気的活性セルを含む。例えば、図1に示されるアセンブリ100は電気的活性セル160を含む。電気的活性セル160は、アセンブリ100における密封シールされたキャビティ110内に配置されるASICs130の一方又は双方によって作動される。例示的な電気的活性セルもまた、液晶材料のような電気的活性流体が眼又は周囲組織に漏れ入ることがないようにシールする必要がある。図11Aから11Cは、電気的活性要素930を形成するべくキャビティ910に液晶材料931を充填する一の例示的方法を示す。まず、上述の接合法の一つを使用して一対のガラス基板902及び904を一緒に接合することによってキャビティ910が作られる。しかしながら、製造者は、キャビティ910を密封する代わりに、一周縁に沿って直径約50から250μmの孔又はアパチャを残す。図11Aに示されるように、当該孔の内径よりもわずかに小さい外径を有するガラス管920が、当該孔に押し込まれて緊密なシールを形成するようになるまで、当該孔の中に挿入される。所望であれば、管920は、当該管920及び孔が一緒にシールされることを保証するべく加熱してもよい。管920の中に挿入されたニードル932を介して液晶材料931がキャビティ910内に注入される。ニードル932は、2つのルーメンを形成する一対の同心壁を有する。当該ルーメンはすなわち、液晶材料931をキャビティ910の中に運ぶ中心ルーメン、及びキャビティ910からガスを除去する外部ルーメンである。代替的に、キャビティ910は、2つの孔、すなわち液晶材料を注入する第1孔及び当該液晶材料に押されたガスを排出する第2孔を有してよい。ひとたびキャビティ910が液晶材料931で充填されると、ガラス管920は、金ワイヤ又は管922によってシールされる。金ワイヤ又は管922はガラス管920の中に挿入され、その後加熱されて密封シールが形成される。所望であれば、ガラス管920及び金ワイヤ922の余剰部分を除去及び/又は研磨して除くこともできる。図12は、複数の微視的チャネルのアレイ1232を介して液晶材料が充填される一の代替的電気的活性要素1230を示す。いくつかの場合、アレイ1232は、数百から数千のチャネルを含み得る。これらはそれぞれ、直径約10から50μmであって、電気的活性要素1230の周縁と、電気的活性要素1230の内部にあるキャビティ1210との間の流体連通経路を与える。液晶材料が、当該チャネルのいくつかを通ってキャビティに拡散し、押されたガスが他の複数のチャネルを介して外に流れる。いくつかの場合、当該チャネルの内部表面は変性、パターン、織り目加工等のパターンが施される例えば、アミノシラン、シラノール、及び/又は他のヒドロキシシラン誘導体による処理を介して。これにより、当該チャネルを通って流れる液体の表面エネルギーが低減されるので、液晶材料がさらに完全にキャビティ1210に充填される。熱処理例えば、レーザアブレーション、火炎加熱等の表面加熱によって当該チャネルがつぶされる。これにより、液晶材料が当該キャビティの外に漏れることを防止する密封シールが形成される。図13は、図1に示されるアセンブリ100のような3ウェハ電子アセンブリの分解側面図である。電気的活性セルに関連づけられた電気接続が例示されている。液晶材料931は、頂部ウェハ106及び底部ウェハ102に接合される中間ウェハ104の両側にある複数のキャビティを充填する。頂部及び底部ウェハの一部が、ITO及びSiO2の層によってコーティングされる。当該層は、一以上の電極を形成するべくパターン化又はピクセル化され得る。当該電極は、業界において十分理解されている電気的活性セルの透過率又は反射率を動かす。中間ウェハ104を貫通する金チップ944が、底部ウェハ202上にあるITO及びSiO2の層を、密封シールされたキャビティ内から電気的活性セルを制御するASIC130に接続する。頂部ウェハ206上にあるITO及びSiO2の層は、ASIC130に直接接続される。ITO及びSiO2の層はまた、中間ウェハ104の複数部分を覆う。これにより、中間ウェハ104にある金フィードスルー946を介して電気的に結合される付加的な複数の電極が形成される。コンフォーマルコーティング図14A及び14Bは、コンフォーマルコーティング1402によってコーティングされた底部ウェハ202を示す。コンフォーマルコーティング1402によって、接合されたウェハ間に形成された密封シールにおける割れ及び亀裂から保護する付加的な層が与えられる。コーティング1402は、当該密封シールにある微視的割れを介して流体がキャビティから逃げることを防止する。典型的なコーティング1402は、生体親和性かつ透明な材料の一以上の層を含む。各層は、厚さが約100から300nm、例えば約200nmである。例えば、コーティング1402は、各層約150nm厚の2層を含んでよい。通常、多くの薄層は、単数の厚い層よりも良好な保護を与える。生体親和性かつ透明なコーティングであることに加え、コーティング材料はまた、アクリル材料に対して及び当該移植可能眼科デバイスを作るべく使用される堆積プロセスに対して不活性でなければならない。適切な材料には、炭化シリコンSiC、窒化シリコンSi3N4、及び/又はシリカSiO2が含まれる。炭化シリコンSiCは、高温堆積プロセスを使用してダイヤモンド状の層に形成することができる。窒化シリコンSi3N4は、熱膨張係数が低く、弾性係数が適度に高く、及び、セラミックに対する破壊靱性が著しく高い。シリカSiO2は、安定性が良好であって非常に良好な誘電体であり、十分に周知であり、及び、極めて十分に確立された堆積プロセスを使用して堆積することができる。結論ここでは、フロー図が使用される。フロー図の使用は、行われる工程の順序に関して制限することを意味するわけではない。ここに記載される主題は時々、異なるコンポーネントであって、他の異なるコンポーネントに包含されるか又は接続される異なるコンポーネントを例示する。描かれた当該アーキテクチャが単なる例示であって、実際には、同じ機能性を達成する多くの他のアーキテクチャが実装できることを理解すべきである。概念的な意味において、同じ機能性を達成する複数のコンポーネントの任意配列は、所望の機能性を達成するべく、有効に関連づけられる。したがって、特定の機能性を達成するべく組み合わせられる、ここでの任意の2つコンポーネントは、アーキテクチャ又は媒介コンポーネントにかかわらず、所望の機能性を達成すべく互いに関連づけられているとみなすことができる。同様に、このように関連づけられる任意の2つのコンポーネントはまた、所望の機能性を達成するべく互いに動作可能に接続又は動作可能に結合されているとみなすこともできる。このように関連づけることができる任意の2つのコンポーネントは、所望の機能性を達成するべく互いに動作可能に結合可能であるとみなすこともできる。動作可能に結合可能の具体例は、物理的につがいになることができるmateable及び/又は物理的に相互作用する複数のコンポーネント及び/又は無線的に相互作用可能な及び/又は無線的に相互作用する複数のコンポーネント及び/又は論理的に相互作用する及び/又は論理的に相互作用可能な複数のコンポーネントを含むがこれらに限られない。ここでの実質的に任意の複数及び/又は単数の用語の使用に関し、当業者は、文脈及び/又は用途に適するように複数から単数に及び/又は単数から複数に変換することができる。ここでは、明確性を目的として、様々な単数/複数の置き換えを明示的に記載してもよい。当業者が理解すべきことだが、一般に、ここに及び特に添付の特許請求の範囲例えば添付の特許請求の範囲の本文に使用される用語が一般にオープンな用語として意図されることを理解する例えば~を含んでいるは~を含んでいるがこれに限られないと解釈すべきであり、~を有するは少なくとも~を有すると解釈すべきであり、~を含むは~を含むがこれに限られないと解釈すべきである等。当業者がさらに理解すべきことだが、導入される請求項記載の具体的番号が意図されている場合、当該意図は明示的に当該請求項に記載され、当該記載が不在の場合は当該意図が存在しない。例えば、理解を助けるものとして、以下の添付された特許請求の範囲は、請求項記載を導入するべく少なくとも一つ及び一以上という導入フレーズの用法を包含し得る。しかしながら、当該フレーズの使用は、たとえ同請求項が、一以上又は少なくとも一つという導入フレーズ及び一の又は一つののような不定冠詞例えば、一の及び/又は一つのは典型的に少なくとも一つの又は一以上のを意味すると解釈すべきであるを含むとしても、不定冠詞一の又は一つのによる請求項記載の導入が、当該導入された請求項記載を包含する任意の特定請求項を、当該記載を一つのみ包含する発明に限定するものと解釈してはならない。同じことは、請求項記載を導入するべく使用される定冠詞の使用にも当てはまる。加えて、たとえ、導入された請求項記載の具体的な番号が明示的に記載されていても、当業者は、当該記載が典型的に、少なくとも当該記載の番号を意味すると解釈すべきである例えば、単なる2つの記載との記載は、他の修飾語がなければ、少なくとも2つの記載又は二以上の記載を意味するのが典型的である。さらに、A、B、及びCの少なくとも一つ等に類似する慣例が使用される場合において、当該慣例は一般に、当業者が当該慣例を理解するという意味に意図される例えば、A、B、及びCの少なくとも一つを有するシステムは、A単独、B単独、C単独、A及びB一緒、A及びC一緒、B及びC一緒、並びに/又はA、B、及びC一緒等を含むがこれらに限られない。A、B、又はCの少なくとも一つ等に類似する慣例が使用される場合において、当該慣例は一般に、当業者が当該慣例を理解するという意味に意図される例えば、A、B、及びCの少なくとも一つを有するシステムは、A単独、B単独、C単独、A及びB一緒、A及びC一緒、B及びC一緒、並びに/又はA、B、及びC一緒等を含むがこれらに限られない。当業者がさらに理解すべきことだが、二以上の代替的用語を表す実質的に任意の離接的接続語及び/又はフレーズは、当該記載、請求項、又は図面において、当該用語の一つ、当該用語のいずれか、又は双方の用語を含む可能性を検討すべきものと理解すべきである。例えば、A又はBというフレーズは、A、B、又はA及びBの可能性を含むと理解すべきである。例示的な実施例の上記記載は、例示及び説明を目的として提示されてきた。これは、開示された正確な形態に関して包括的又は限定的であることを意図するわけではなく、上記教示に照らして修正例及び変形例が可能であって、開示の実施例の実施から得ることができる。意図されることだが、本発明の範囲はここに添付される特許請求の範囲及びその均等物によって画定される。"