"ウエハのプラズマエッチングプロセス中にプロセスパラメータを決定するためのプロセスモニタであって、広帯域の光を射出するフラッシュランプと、前記ウエハで反射された光に応答する分光器と、前記分光器からの第1の信号であって、前記ウエハで反射された射出光量を表す前記第1の信号を処理し、プロセスパラメータを決定するためのデータ処理要素と、を備えるプロセスモニタ。請求項1記載のプロセスモニタであって、さらに、前記射出光をコリメート可能な光線形成モジュールを備える、プロセスモニタ。請求項2記載のプロセスモニタであって、前記コリメート光は、前記ウエハに垂直に入射する、プロセスモニタ。請求項1記載のプロセスモニタであって、分光器の積分期間は、前記フラッシュランプと同期する、プロセスモニタ。請求項1記載のプロセスモニタであって、前記フラッシュランプが広帯域の光を射出していない期間中に前記ウエハで反射された光量を表す第2の信号は、前記データ処理要素によって処理され、プロセスパラメータを決定するために前記第1の信号から減算される、プロセスモニタ。請求項1記載のプロセスモニタであって、前記射出光の強度を表す第3の信号は、前記第1の信号を正規化するために前記データ処理要素によって処理される、プロセスモニタ。請求項6記載のプロセスモニタであって、前記正規化された第1の信号は、前記プロセスパラメータを決定するために前記データ処理要素によって処理される、プロセスモニタ。請求項1記載のプロセスモニタであって、前記プロセスパラメータは、さらに、前記ウエハ上の層の厚さを含む、プロセスモニタ。請求項1記載のプロセスモニタであって、前記プロセスパラメータは、さらに、前記ウエハ上の層のエッチング速度を含む、プロセスモニタ。請求項1記載のプロセスモニタであって、前記プロセスパラメータは、さらに、プロセスの終点を含む、プロセスモニタ。ウエハのプラズマ堆積プロセス中にプロセスパラメータを決定するためのプロセスモニタであって、広帯域の光を射出するフラッシュランプと、前記ウエハで反射された光に応答する分光器と、前記分光器からの第1の信号であって、前記ウエハで反射された射出光量を表す前記第1の信号を処理し、プロセスパラメータを決定するためのデータ処理要素と、を備えるプロセスモニタ。請求項11記載のプロセスモニタであって、さらに、前記射出光をコリメート可能な光線形成モジュールを備える、プロセスモニタ。請求項12記載のプロセスモニタであって、前記コリメート光は、前記ウエハに垂直に入射する、プロセスモニタ。請求項11記載のプロセスモニタであって、分光器の積分期間は、前記フラッシュランプと同期する、プロセスモニタ。請求項11記載のプロセスモニタであって、前記フラッシュランプが広帯域の光を射出していない期間中に前記ウエハで反射された光量を表す第2の信号は、前記データ処理要素によって処理され、プロセスパラメータを決定するために前記第1の信号から減算される、プロセスモニタ。請求項11記載のプロセスモニタであって、前記射出光の強度を表す第3の信号は、前記第1の信号を正規化するために前記データ処理要素によって処理される、プロセスモニタ。請求項16記載のプロセスモニタであって、前記正規化された第1の信号は、前記プロセスパラメータを決定するために前記データ処理要素によって処理される、プロセスモニタ。請求項11記載のプロセスモニタであって、前記プロセスパラメータは、さらに、前記ウエハ上の層の厚さを含む、プロセスモニタ。請求項11記載のプロセスモニタであって、前記プロセスパラメータは、さらに、前記ウエハ上の層の堆積速度を含む、プロセスモニタ。請求項11記載のプロセスモニタであって、前記プロセスパラメータは、さらに、プロセスの終点を含む、プロセスモニタ。ウエハのプラズマプロセス中にプロセスをモニタリングし、プロセスパラメータを決定するための方法であって、広帯域の光を射出するフラッシュランプを準備する工程と、前記ウエハで反射された光に応答する分光器を準備する工程と、前記分光器からの第1の信号であって、前記ウエハで反射された射出光量を表す前記第1の信号を処理し、プロセスパラメータを決定するためのデータ処理要素を準備する工程と、を含む方法。請求項21記載のプロセスモニタリング方法であって、さらに、前記射出光をコリメート可能な光線形成モジュールを準備する工程を含む、プロセスモニタリング方法。請求項22記載のプロセスモニタリング方法であって、前記コリメート光は、前記ウエハに垂直に入射する、プロセスモニタリング方法。請求項21記載のプロセスモニタリング方法であって、さらに、分光器の積分期間を前記フラッシュランプに同期させる工程を含む、プロセスモニタリング方法。請求項21記載のプロセスモニタリング方法であって、さらに、前記フラッシュランプが広帯域の光を射出していない期間中に前記ウエハで反射された光量を表す第2の信号を処理する工程と、プロセスパラメータを決定するために前記処理済みの第2の信号を減算する工程と、を含む、プロセスモニタリング方法。請求項21記載のプロセスモニタリング方法であって、さらに、前記第1の信号を正規化するために、前記射出光の強度を表す第3の信号を処理する工程を含む、プロセスモニタリング方法。請求項26記載のプロセスモニタリング方法であって、さらに、前記プロセスパラメータを決定するために、前記正規化された第1の信号を処理する工程を含む、プロセスモニタリング方法。請求項21記載のプロセスモニタリング方法であって、前記プロセスパラメータは、さらに、前記ウエハ上の層の厚さを含む、プロセスモニタリング方法。請求項21記載のプロセスモニタリング方法であって、前記プロセスパラメータは、さらに、前記ウエハ上の層のエッチング速度を含む、プロセスモニタリング方法。請求項21記載のプロセスモニタリング方法であって、前記プロセスパラメータは、さらに、前記ウエハ上の層の堆積速度を含む、プロセスモニタリング方法。請求項21記載のプロセスモニタリング方法であって、前記プロセスパラメータは、さらに、プロセスの終点を含む、プロセスモニタリング方法。本発明の上記およびその他の効果は、以下の説明を読み、図面のいくつかの図を検討することで当業者には明らかとなろう。図2は、全体的に30で指定された、複数の波長の照射を利用するシステムの複数の構成要素を示している。システム30は、フラッシュランプ35とトリガ付き電源37とを有する照射モジュール33を備える。システム30は、さらに、マルチチャネル分光器40と、アナログ-デジタル変換器43と、シンクロナイザバスインタフェース45と、第1および第2のデータファイル47,49と、データ処理アルゴリズム展開ブロック50と、を備える。光ファイバ60は、フラッシュランプ35および分光器40を、プラズマチャンバの外部に配置された光線形成モジュール70に光学的に結合する。このシステム30は、以下で説明するように、プラズマチャンバ内に配置されたウエハ上の膜の厚さを計算するために使用される。フラッシュランプ35は、約200nm~約2ミクロンの範囲の広帯域光を生成する。光ファイバ60は、フラッシュランプ35からの広帯域光を、プラズマチャンバの外部に配置された光線形成モジュール70に伝達する。光線形成モジュール70は、コリメータ72図3を含む。コリメータ72は、広帯域光の直径を変化させ、ほぼ平行な光線をウエハ74上でその表面にほぼ垂直にコリメートする。コリメータ72は、単一あるいは複数のレンズ、すなわち、顕微鏡対物レンズを含む。コリメータ72は、さらに、反射光を光ファイバ60上で再び合焦状態とする。広帯域光線がウエハ74を照射するとき、ウエハ74は広帯域光線の一部を反射する。分光器40は、反射光のスペクトルを測定し、反射率のスペクトルを表すアナログ信号を生成する。アナログ-デジタル変換器43は、アナログ信号をデジタル信号に変換し、このデジタル信号をシンクロナイザバスインタフェース45に送る。シンクロナイザバスインタフェース45は、光源35を作動させて光線を生成し、予め決定された時間間隔でウエハ74からの反射光線のスペクトルを分光器40に検出させることができる。シンクロナイザバスインタフェース45は、さらに、ウエハ74がフラッシュランプ35によって照射されていないときに、ウエハ74で反射されるプラズマ発光のスペクトルを分光器に検出させることができる。シンクロナイザバスインタフェース45は、3種類の機能を調整する。第一に、周期的なトリガを電源37に送り、分光器40のデータ収集サイクルと同期してウエハ74を照射する広帯域光パルスをフラッシュランプ35に生成させる。第二に、シンクロナイザバスインタフェース45は、アナログ-デジタル変換器43からのデジタル信号を第1のデータファイル47に記録する。第三に、シンクロナイザバスインタフェース45は、ウエハ74が照射されていないときに、アナログ-デジタル変換器43からの第2のデジタル信号を第2のデータファイル49に記録する。第1および第2のデータファイル47,49に格納された情報は、データ処理アルゴリズム展開ブロック50において使用される。本発明の第1の態様によれば、ブロック50は、第1のデータファイル47に格納された情報を用いて、ウエハ74上の膜の厚さと、エッチング速度または堆積速度と、を計算する。検出されたスペクトル反射関数、特にその複数の最小値および複数の最大値のコンピュータ分析により、膜厚と、エッチング速度または堆積速度と、が提供される。このデータから、プロセスの終点も容易に計算される。本発明の第2の態様によれば、ブロック50は、第2のデータファイル49に格納された情報を用いて、照射干渉信号からプラズマ発光信号を減算する。そして、ブロック50は、この情報と第1のデータファイル47に格納された情報とを用いて、ウエハ74上の膜の厚さと、エッチング速度または堆積速度と、を計算する。本発明の第3の態様によれば、フラッシュランプ35によって生成されたパルスの強度は、光ファイバ62を使って、分光器40により検知される。例えば、フラッシュランプ35のエージング等によって発生するパルス強度の変化に関する情報は、第3のデータファイル図示せずに格納される。ブロック50は、第3のデータファイルに格納された情報を用いて、パルス強度の変化に関して、第1のデータファイル47の情報を正規化する。そして、ブロック50は、この正規化された情報と第1のデータファイル47に格納された情報とを用いて、ウエハ74上の膜の厚さと、エッチング速度または堆積速度と、を計算する。好適な実施形態のフラッシュランプ35は、好ましくは、本発明の光学システムとの効率的な結合のために、点光源に非常に近い小型のアークサイズを有するキセノンフラッシュランプである。有利なことに、このキセノンフラッシュランプは、短期間1マイクロ秒台の高エネルギパルスを提供する。したがって、分光器40の積分時間を短縮することが可能であり、プラズマ発光が干渉信号に与える影響の大部分が排除される。また、ウエハ74に伝達される平均エネルギは低い。さらに、パルス光源を使用することによって、光源の寿命を延ばすことができる。本発明の方法および装置は、好ましくは、紫外光を実質的に伝達するシステムで使用される。紫外光を伝達する光学ビューイングウィンドウおよびコリメータは、この技術において周知であり、その特性とプラズマチャンバでの配置とについては詳しく説明しない。本明細書では本発明のいくつかの実施形態のみを詳細に説明してきたが、本発明の趣旨または範囲から離れることなく、本発明は他の多くの具体的な形態で実施し得ると理解されるべきである。したがって、本明細書の例および実施形態は、制限的ではなく例示的なものと做されるべきであり、本発明は本明細書で述べた詳細に限定されるものではなく、特許請求の範囲内で変形可能である。"