"二次電池とその装着機器との間における電力の入出力経路中に介挿される保護回路モジュールであって、複数の金属配線層、および当該金属配線層間に介挿された絶縁層からなる基板と、前記基板の一方の主面に実装され、前記電力の入出力経路中に介挿された電子素子と、前記基板における前記一方の主面または他方の主面に配置された感熱素子と、を備え、前記基板および前記電子素子および前記感熱素子を、前記基板の一方の主面に対して直交する方向から平面視し、且つ、前記基板における前記絶縁層を透視するとき、前記基板における前記複数の金属配線層の内、前記電子素子に対して前記絶縁層を間に挟んだ前記一方の主面に最も近い内層の金属配線層の一部は、前記電子素子の少なくとも一部と前記感熱素子の全部とに重複する状態で形成されており、前記感熱素子は、前記金属配線層の一部を介して前記電子素子の温度を検知することを特徴とする保護回路モジュール。前記電子素子は、スイッチング素子であることを特徴とする請求項1に記載の保護回路モジュール。前記基板における前記一方の主面には、前記スイッチング素子に対して間隔をあけた状態で、第2スイッチング素子が実装されており、前記スイッチング素子および前記第2スイッチング素子は、ともにFET素子であり、前記基板における前記内層の金属配線層の一部は、前記スイッチング素子と前記第2スイッチング素子のドレイン同士の接続に供されていることを特徴とする請求項2に記載の保護回路モジュール。前記感熱素子は、前記基板における前記一方の主面上において、前記スイッチング素子と前記第2スイッチング素子との間に配置されていることを特徴とする請求項3に記載の保護回路モジュール。前記スイッチング素子と前記第2スイッチング素子のドレイン同士の接続に供されている前記内層の金属配線層の一部は、前記スイッチング素子と前記第2スイッチング素子のドレイン同士の間の第1領域と、当該第1領域から前記ドレイン同士を結ぶ方向に対して交差する方向に向けて膨出した第2領域とを有し、前記第1領域と第2領域とは連続形成されているとともに、前記感熱素子は、前記第2領域の上方に相当する位置に配置されていることを特徴とする請求項3に記載の保護回路モジュール。前記一方の主面における前記金属配線層の一部であり、前記スイッチング素子および前記第2スイッチング素子のドレインがそれぞれ接続される導電ランドは、前記基板における前記内層の金属配線層の一部に対して、各々複数のスルーホールにより接続されていることを特徴とする請求項3から請求項5の何れかに記載の保護回路モジュール。前記感熱素子は、チップサーミスタ素子であることを特徴とする請求項1から請求項6の何れかに記載の保護回路モジュール。1または複数の二次電池と、請求項1から請求項7の何れかの保護回路モジュールと、を備えることを特徴とする電池パック。しかしながら、保護回路モジュールの製造時においては、発熱源である電子素子と感熱素子との熱カップリングのためのシリコーン樹脂層の形成を自動化することが困難であり、手作業が必要である。このため、シリコーン樹脂層の形成における作業の必要性から、製造コストの低減の障害となる。本発明は、上記のような問題に鑑み、発熱源である電子素子とその熱を検知する感熱素子との間の熱伝達性を高く維持しながら、製造コストの低減を図ることができる保護回路モジュールおよびこれを備えた電池パックを提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明は、次の構成を採用することを特徴とする。本発明に係る保護回路モジュールは、二次電池とその装着機器との間における電力の入出力経路中に介挿されるモジュールであって、基板と、電子素子と、感熱素子とを備える。基板は、複数の金属配線層、および当該金属配線層間に介挿された絶縁層からなる。電子素子は、基板の一方の主面に実装され、電力の入出力経路中に介挿されている。感熱素子は、基板における一方の主面電子素子が実装された側の主面または他方の主面電子素子が実装された側の主面とは反対側の主面に配置されている。本発明に係る保護回路モジュールは、上記において、基板および電子素子および感熱素子を、基板の一方の主面に対して直交する方向から平面視し、且つ、基板における前記絶縁層を透視するとき、基板における複数の金属配線層の内、電子素子に対して絶縁層を間に挟んだ上記一方の主面に最も近い内層の金属配線層の一部が、電子素子の少なくとも一部と感熱素子の全部とに重複する状態で形成されている。そして、感熱素子は、金属配線層の一部を介して電子素子の温度を検知することを特徴とする。また、本発明に係る電池パックでは、1または複数の二次電池と、上記構成の本発明に係る保護回路モジュールを備える、ことを特徴とする。本発明に係る保護回路モジュールでは、基板などを平面視する場合において、基板に実装された感熱素子が、上記一方の主面に最も近い内層の金属配線層の一部に対して、その全部が重複する状態となっている。このため、電子素子で発生した熱は、上記金属配線層の一部に伝達され、感熱素子へと伝達される。この際、感熱素子の全部が上記金属配線層の一部に重複しているので、従来技術のように電子素子と感熱素子との間をシリコーン樹脂層の形成により熱カップリングを図らなくても、感熱素子における熱検知性能を高く維持することができる。また、本発明に係る保護回路モジュールの構成においては、その製造時において手作業でのシリコーン樹脂層の形成が必要なく、製造における自動化をより推進することができ、製造コストの低減を図ることが可能である。従って、本発明に係る保護回路モジュールは、発熱源である電子素子とその熱を検知する感熱素子との間の熱伝達性を高く維持しながら、製造コストの低減を図ることができる。また、本発明に係る電池パックは、本発明に係る保護回路モジュールを備えるので、上記同様に、発熱源である電子素子とその熱を検知する感熱素子との間の熱伝達性を高く維持しながら、製造コストの低減を図ることができる。本発明に係る保護回路モジュールおよび電池パックでは、一例として、次のようなバリエーション構成を採用することができる。本発明に係る保護回路モジュールおよび電池パックでは、上記構成において、電子素子がスイッチング素子である、という構成を採用することができる。ただし、スイッチング素子以外にも、電力流通経路中に介挿される抵抗素子などの他の素子とすることもできる。本発明に係る保護回路モジュールおよび電池パックでは、上記構成において、基板における上記一方の主面に、上記スイッチング素子に対して間隔をあけた状態で、第2スイッチング素子が実装されている、という構成を採用することもできる。この場合において、上記スイッチング素子および上記第2スイッチング素子が、ともにFET素子であり、基板における上記内層の金属配線層の一部が、上記スイッチング素子と上記第2スイッチング素子のドレイン同士の接続に供されている、という構成を採用することもできる。このような構成を採用する場合には、各FET素子のドレインを通して上記内層の金属配線層の一部に対して熱が伝達されるので、高精度で速い速度で熱が伝達される。本発明に係る保護回路モジュールおよび電池パックでは、上記構成において、感熱素子が、基板における上記一方の主面上で、スイッチング素子と第2スイッチング素子との間に配置されている、という構成を採用することもできる。このような構成を採用する場合には、スイッチング素子および第2スイッチング素子で発した熱が、上記内層の金属配線層の一部だけでなく、輻射により伝達されるので、より高い検知性能が確保される。あるいは、本発明に係る保護回路モジュールおよび電池パックでは、上記構成において、スイッチング素子と第2スイッチング素子とのドレイン同士の接続に供されている上記内層の金属配線層の一部が、スイッチング素子と第2スイッチング素子のドレイン同士の間の第1領域と、当該第1領域からドレイン同士を結ぶ方向スイッチング素子と第2スイッチング素子とを最短で結ぶ仮想直線の延伸方向に対して交差する方向に向けて膨出した第2領域とを有し、第1領域と第2領域とが連続形成されているとともに、感熱素子が第2領域の上方に相当する位置に配置されているという構成を採用することもできる。このような構成を採用する場合にあっても、第1領域に対して連続形成された第2領域にスイッチング素子および第2スイッチング素子で発した熱が高効率に伝導され、結果として感熱素子にも高効率に伝達される。よって、このような構成を採用した場合にも、感熱素子の高い検知性能が確保される。本発明に係る保護回路モジュールおよび電池パックでは、上記構成において、基板の上記一方の主面における上記金属配線層の一部であり、上記スイッチング素子および上記第2スイッチング素子のドレインがそれぞれ接続される導電ランドが、基板における上記内層の金属配線層の一部に対して、各々複数のスルーホールにより接続されている、という構成を採用することもできる。このような構成を採用する場合には、スイッチング素子および第2スイッチング素子で発した熱が、スルーホールにおけるプラグを介して上記内層の金属配線層の一部される。よって、このような構成を採用する場合にも、感熱素子のさらなる検知性能の向上を図ることができる。本発明に係る保護回路モジュールおよび電池パックでは、上記構成において、感熱素子がチップサーミスタ素子である、という構成を採用することができる。なお、感熱素子が、素子本体と、これから延出されたリードとからなる構成の場合には、素子の構成の内、熱検知に寄与する素子本体の全部が、平面視において、上記内層の金属配線層の一部に対して重複する配置となっていればよい。即ち、リードについては、必ずしも重複する位置関係をとらなくてもよい。以下では、本発明を実施するための形態について、図面を参酌しながら説明する。なお、以下で示す具体例は、本発明の構成およびその構成から奏される作用効果を分かりやすく説明するために用いる一例であって、本発明は、発明の本質とする構成部分以外について、以下の具体例に何ら限定を受けるものではない。[実施の形態]1.電池パック1の全体構成電池パック1の全体構成について、図1を用い説明する。図1に示すように、本実施の形態に係る電池パック1は、Y軸方向の幅およびZ軸方向の高さに比べて、X軸方向の長さが長い長尺状の外装ケース10に、3本の円筒形の素電池11,12,13と、これら素電池11,12,13に接続された保護回路モジュール14とが収納されている。3本の素電池11,12,13は、ともにリチウムイオン二次電池であって、X軸方向に軸芯を併せた状態で直列配置されている。保護回路モジュール14は、X軸方向に長い短冊状の基板140を有し、3本の素電池11,12,13に沿った状態で配置されている。保護回路モジュール14においては、基板140の主面Z軸方向上側主面に、装着機器との電気接続に供される外部接続端子141が実装されている。なお、図1においては、電池パック1の内部構造が分かるように、本来、Z軸方向上側に配される外装ケースを省略して図示している。2.保護回路モジュール14の概略構成保護回路モジュール14の概略構成について、図2を用い説明する。図2aは、保護回路モジュール14を、基板140の一方の主面オモテ面を示す平面図であり、図2bは、保護回路モジュール14を、基板140の他方の主面裏面を示す平面図である。図2aに示すように、保護回路モジュール14においては、基板140のオモテ面に、FET素子142,142およびサーミスタ素子144を含む複数の電子チップが実装されており、また、外部接続端子141も実装されている。ここで、FET素子142,143の内の一方は、充電用の素子であり、他方が放電用の素子である。そして、サーミスタ素子144は、X軸方向においてFET素子142,143の間に挟まれた状態で配置されているA部を参照。また、図2のA部に示すように、サーミスタ素子144に対して、Y軸方向下方には温度ヒューズ素子147も配されている。温度ヒューズ素子147もFET素子142,143などの温度を検知する素子である。図2bに示すように、基板140の裏面には、保護に係る制御用のIC素子145,146を含む複数の電子チップが実装されている。なお、FET素子142,143の各ゲートは、一方のIC素子145に接続されており、サーミスタ素子144の一方の端子は、他方のIC素子146に接続されている詳細な配線レイアウトおよび回路図は省略。3.FET素子142,143とサーミスタ素子144FET素子142,143とサーミスタ素子144との熱カップリングに係る構成について、図3を用い説明する。なお、本実施の形態に係る保護回路モジュール14の基板140は、複数の金属配線層140a1,140b1,140c1,140d1,140e1,140f1,140g1,140h1,140a2,140b2,140a3,140b3,140a4,140b4と、各層間に介挿された絶縁層140a5,140a6,140a7とからなる構成を有する。図3では、基板140の構成の内、絶縁層140a5,140a6,140a7については図示の都合上、二点鎖線で描いており、金属配線層140a1,140b1,140c1,140d1,140e1,140f1,140g1,140h1,140a2,140b2,140a3,140b3,140a4,140b4についても模式的に描いている。また、温度ヒューズ素子147などの基板140における他の部品については、図示を省略している。図3に示すように、基板14のオモテ面には、金属配線層140a1,140b1,140c1,140d1,140e1,140f1,140g1,140h1が形成されている。このうち、金属配線層140a1にはFET素子142のゲート142bが接続され、金属配線層140b1にはソース142cが接続されている。また、金属配線層140c1にはFET素子142のドレイン142dが接続されている。同様に、金属配線層140f1にはFET素子143のドレイン143dが接続され、金属配線層140g1にはゲート143bが接続され、金属配線層140h1にはソース143cが接続されている。サーミスタ素子144は、チップサーミスタ素子であって、素子本体144aの両端に端子144b,144cが設けられている。そして、金属配線層140d1にはサーミスタ素子144の端子144bが接続され、金属配線層140e1には他方の端子144cが接続されている。次に、図3に示すように、基板140における2層目オモテ面に最も近い側の内層には、金属配線層140a2,140b2が設けられており、このうち、金属配線層140a2は、オモテ面における金属配線層140c1,140f1と、絶縁層140a5を挿通する複数のスルーホールにより接続されている。また、金属配線層140h1のZ軸方向内方には、金属配線層140b2が設けられている。金属配線層140h1と金属配線層140b2との間についても、絶縁層140a5を挿通する複数のスルーホールにより接続されている。基板140の3層目には、金属配線層140a3,140b3が設けられており、金属配線層140a3は上方の金属配線層140a2と、絶縁層140a6を挿通する複数のスルーホールにより接続され、金属配線層140b3は上方の金属配線層140b2と、絶縁層140a6を挿通する複数のスルーホールにより接続されている。基板140の裏面には、金属配線層140a4,140b4が設けられており、金属配線層140a4はZ軸方向直上における内層の金属配線層140a3と、絶縁層140a7を挿通する複数のスルーホールにより接続され、金属配線層140b4は直上内層の金属配線層140b3と、絶縁層140a7を挿通する複数のスルーホールにより接続されている。4.FET素子142,143からサーミスタ素子144への熱伝達経路FET素子142,143からサーミスタ素子144への熱伝達経路について、図4および図5aを用い説明する。図4に示すように、FET素子142,143の各ドレイン142d,143dは、金属配線層140c1,140f1に接続されており、金属配線140c1,140f1は、スルーホール140i1,140j1を介して直下内層の金属配線層140a2に接続されている。そして、サーミスタ素子144は、金属配線層140a2に対しては、絶縁層図4では、図示を省略。図3を参照。を介し、そのZ軸方向直上に配置されている。図5aに示すように、FET素子142,143とサーミスタ素子144、および金属配線層140a2の配置は、FET素子142,143の一部が下方の金属配線層140a2の一部と重複し、且つ、サーミスタ素子144の全部が金属配線層140a2の一部と重複するようになっている。なお、図5aに示すように、本実施の形態においては、温度ヒューズ素子147は、サーミスタ素子144に対してY軸方向下方に配されており、金属配線層140a2の一部と重複していない。以上の構成により、保護回路モジュール14においては、FET素子142,143で発した熱の一部が、ドレイン142d,143dから金属配線層140c1,140f1、およびスルーホール140i1,140j1を介して金属配線層140a2に伝達される。そして、サーミスタ素子144には、金属配線層140a2から絶縁層140a5を介して熱が伝達される。また、図2および図3に示す通り、サーミスタ素子144は、FET素子142,143の間において、それらに近接した状態で配置されているので、輻射によっても熱がサーミスタ素子144へと伝達される。従って、本実施の形態に係る保護回路モジュール14では、図7に示す従来技術のようなシリコーン樹脂層を設けなくても、FET素子142,143とサーミスタ素子144との間の良好な熱カップリングを図ることができ、高い精度での保護が可能であるとともに、製造時における自動化を阻害することもない。[変形例1]変形例1に係る保護回路モジュールの構成について、図5bを用い説明する。なお、本変形例に係る保護回路モジュールでは、上記実施の形態に対して、金属配線層240a2の形状を除き、同一構成を有する。このため、以下では、上記実施の形態との差異点のみを説明する。図5bに示すように、本変形例に係る保護回路モジュールでは、FET素子142,143のドレイン同士を接続する金属配線層240a2が上記実施の形態に係る保護回路モジュール14の金属配線層140a2よりも、Y軸方向下側に膨出した形状となっている。そして、平面視において、サーミスタ素子144の全体が金属配線層240a2に重複している点は、上記実施の形態と同じであるが、本変形例では、温度ヒューズ素子147についても、その全体が金属配線層240a2に重複している。具体的には、金属配線層140a2について、FET素子142とFET素子143とで挟まれる領域を第1領域A1とし、Y軸方向下側に膨出した領域を第2領域A2とする場合、サーミスタ素子144は第1領域A1のZ軸方向上方紙面手前側に配置され、温度ヒューズ素子147は第2領域A2のZ軸方向上方紙面手前側に配置されている。以上のような構成を採用する本変形例では、サーミスタ素子144がFET素子142,143の温度検知に優れる点は上記同様であるのに加えて、温度ヒューズ素子147についてもFET素子142,143などの温度検知特性が優れている。よって、本変形例では、シリコーン樹脂層を形成しなくても、高い安全性を確保することがきる。[変形例2]変形例2に係る保護回路モジュールの構成について、図6aを用い説明する。図6aでは、保護回路モジュールの構成の内、図5aおよび図5bに相当する部分だけを抜き出して描いている。図6aに示すように、本変形例に係る保護回路モジュールでは、FET素子142,143の間に、温度ヒューズ素子347が配置されており、サーミスタ素子344については、温度ヒューズ素子347に対してY軸方向下側に配置されている。また、図6aに示すように、本変形例においても、FET素子142,143のドレイン同士を接続する金属配線層340a2がFET素子142,143間の第1領域A11と、当該領域よりもY軸方向下側に膨出した第2領域A12とを有し構成されている。そして、本変形例では、温度ヒューズ素子347は、金属配線層340a2の第1領域A11のZ軸方向上方紙面手前側に配置され、サーミスタ素子344は、金属配線層340a2の第2領域A12のZ軸方向上方紙面手前側に配置されている。以上のような構成を採用する本変形例においても、サーミスタ素子344および温度ヒューズ素子347がともに金属配線層340a2の直上に位置するため、FET素子142,143で発した熱が、高効率にサーミスタ素子344および温度ヒューズ素子347へと伝達され、シリコーン樹脂層を形成しなくてもよい点は、上記同様である。[変形例3]変形例3に係る保護回路モジュールの構成について、図6bを用い説明する。図6bでも、保護回路モジュールの構成の内、図5aおよび図5b、さらに図6aに相当する部分だけを抜き出して描いている。図6bに示すように、本変形例に係る保護回路モジュールでは、サーミスタ素子444については、その全部が金属配線層440a2における第2領域A22のZ軸方向上方紙面手前側に位置するのではなく、その一部しか金属配線層440a2における第2領域A22のZ軸方向上方紙面手前側に位置していない。ただし、温度ヒューズ素子447については、その全部が金属配線層440a2における第1領域A21のZ軸方向上方紙面手前側に位置している。このため、サーミスタ素子444については、金属配線440a2を介した熱伝達により、ある程度の熱伝達に係る効果を得ることはできるが、上記実施の形態および変形例1,2に対して、熱検知特性が低下してしまう。ただし、金属配線層340a2に対するサーミスタ素子344の重複度合いによっては、上記従来技術に係る保護回路モジュールと同等以上の熱検知特性を得ることができ、シリコーン樹脂層を形成しなくてもよい分だけ製造コストの低減を図ることができる。また、本変形例では、温度ヒューズ素子447については、その全部が金属配線層440a2の上方に位置するので、温度ヒューズ素子447におけるFET素子142,143の熱を検知する性能が高い。[その他の事項]上記実施の形態では、図1に示すように、3本の素電池11,12,13を備える電池パック1を一例としたが、本発明は、素電池の本数や配置、および素電池に対する保護回路モジュールの配置などに関して、種々のバリエーション構成を採用することができる。例えば、素電池については、リチウムイオン電池に限らず、ニッケルカドミウム二次電池やニッケル水素二次電池などを採用することもできるし、素電池の外観形状についても、円筒形に限らず角形のものを採用することもでき、さらには金属ラミネート外装電池などとすることもできる。また、上記実施の形態では、電池パック1に組み込まれた保護回路モジュール14を一例としたが、必ずしも保護回路モジュールが素電池と一緒にパッケージングされている必要はない。即ち、保護回路モジュール単体からなるデバイスとすることもできる。また、保護回路モジュールにおける基板の形状についても、細長い短冊状だけでなく、正方形のものや円形、さらには楕円形などのものとすることもできる。また、上記実施の形態および変形例などでは、サーミスタ素子について、特に言及をしなかったが、例えば、PTCPositiveTemperatureCoefficient素子、NTCNegativeTemperatureCoefficient素子、さらには、温度ヒューズなどを採用することができる。また、上記実施の形態および変形例では、サーミスタ素子144,244によりFET素子142,143の温度を検知することとしたが、検知対象はトランジスタ素子などの他のスイッチング素子や、抵抗素子や外部接続端子、接続配線などとすることもできる。さらに、金属配線層の構成材料としては、熱伝導性が高い銅Cuが望ましいが、その他にアルミニウムAlやニッケルNiメッキ鋼などとすることもできる。"