半導体素子を樹脂部内に封止すると共に放熱面を露出させた状態で放熱板を上記樹脂部に保持してなる半導体モジュールと、上記放熱面に熱的に接触して上記半導体モジュールを冷却する冷却部と、上記半導体モジュールと上記冷却部とを互いに固定するボルトとを有する半導体装置であって、上記放熱板は、上記ボルトを螺合するボルト穴を、上記放熱面に開口するように形成してなり、上記冷却部は、上記ボルトを挿通するボルト挿通穴を貫通形成してなり、上記ボルトを上記冷却部の上記ボルト挿通穴に挿通すると共に、上記放熱板の上記ボルト穴に螺合することにより、上記半導体モジュールと上記冷却部とが互いに固定されていることを特徴とする半導体装置。請求項1に記載の半導体装置であって、上記放熱板は、上記樹脂部から上記冷却部側に向かって突出する突出部を有し、該突出部に上記放熱面が形成されていることを特徴とする半導体装置。請求項2に記載の半導体装置であって、上記冷却部には、上記突出部と対応する位置に凹部を有しており、該凹部が上記突出部と嵌合していることを特徴とする半導体装置。請求項3に記載の半導体装置であって、上記突出部は、その突出方向と垂直な平面における断面積が上記半導体素子と対向する側と反対側に向かって縮小するテーパ形状を有していることを特徴とする半導体装置。請求項1~4のいずれか一項に記載の半導体装置において、上記半導体モジュールは、上記半導体素子を、間に配するように上記放熱板を一対有しており、上記一対の放熱板には、それぞれ上記冷却部を固定してあることを特徴とする半導体装置。ところで、上記の半導体装置9は、上記のごとく、半導体モジュール91の貫通孔915にボルト93を挿通すると共に、ヒートシンク92にボルト93を螺合することにより構成されている。そのため、半導体モジュール91における半導体素子911の位置は、貫通孔915を避けた位置とする必要がある。このように、半導体素子911の配置に制約が生じるため、半導体モジュール91における半導体素子911の配置の自由度が低くなりやすい。また、半導体モジュール91の放熱板912も貫通孔915を避けるように形成する必要があるため、放熱板912の放熱面積が減少する。そのため、貫通孔915を形成していない放熱板912を備えた半導体モジュール91に比べ、放熱性が低下するおそれがある。本発明は、上記の背景に鑑みてなされたものであり、半導体モジュールにおける半導体素子の配置の自由度を向上すると共に、放熱性に優れた半導体装置を提供しようとするものである。本発明の一態様は、半導体素子を樹脂部内に封止すると共に放熱面を露出させた状態で放熱板を上記樹脂部に保持してなる半導体モジュールと、上記放熱面に熱的に接触して上記半導体モジュールを冷却する冷却部と、上記半導体モジュールと上記冷却部とを互いに固定するボルトとを有する半導体装置であって、上記放熱板は、上記ボルトを螺合するボルト穴を、上記放熱面に開口するように形成してなり、上記冷却部は、上記ボルトを挿通するボルト挿通穴を貫通形成してなり、上記ボルトを上記冷却部の上記ボルト挿通穴に挿通すると共に、上記放熱板の上記ボルト穴に螺合することにより、上記半導体モジュールと上記冷却部とが互いに固定されていることを特徴とする半導体装置にある請求項1。上記半導体装置においては、上記放熱板に設けた上記ボルト穴に、上記ボルトを螺合して上記半導体モジュールと上記冷却部とを固定している。それゆえ、上記半導体モジュールに上記ボルトを貫通させなくても、上記半導体モジュールと上記冷却部とを上記ボルトによって固定することができる。これにより、上記半導体モジュールの上記樹脂部内に封止する上記半導体素子の配置が上記ボルトによって制限されることがない。それゆえ、上記半導体モジュールにおいて、上記半導体素子の配置の自由度を向上させることができる。また、上記半導体装置において、上記半導体モジュールと上記冷却部とを固定した上記ボルトは、上記放熱板及び上記冷却部と接触して配される。そのため、上記ボルトに上記放熱板の熱が伝達される。上記ボルトに伝達された熱は、上記冷却部と上記ボルトとの接触部から上記冷却部へと伝達されると共に、上記ボルトから放熱される。したがって、上記半導体装置における上記半導体モジュールの放熱経路を拡大し、放熱性能を向上することができる。以上のごとく、上記態様によれば、半導体モジュールにおける半導体素子の配置の自由度を向上すると共に、放熱性に優れた半導体装置を提供することができる。上記半導体装置において、上記放熱板は、上記樹脂部から上記冷却部側に向かって突出する突出部を有し、該突出部に上記放熱面が形成されていてもよい請求項2。この場合には、上記放熱板と上記冷却部との接触面圧を向上し、上記放熱板と上記冷却部とをより確実に密着させることができる。また、上記放熱板における上記放熱面の面積を増大させることができる。したがって、上記放熱板の放熱性能を向上し、上記半導体装置における冷却性能を向上することができる。また、上記放熱板が、上記樹脂部から突出した上記突出部を備えることにより、上記放熱板の厚さを大きくしやすい。その結果、上記放熱板に形成する上記ボルト穴を深く形成しやすくなり、上記半導体モジュールと上記冷却部との固定力を向上させやすく、ひいては、上記半導体装置の放熱性を向上することができる。また、上記冷却部には、上記突出部と対応する位置に凹部を有しており、該凹部が上記突出部と嵌合するようにすることができる請求項3。この場合には、上記冷却部と上記放熱板との接触面積を増大することができる。したがって、上記放熱板から上記冷却部への熱伝達がより効率よく行われる。それゆえ、上記半導体装置の冷却性能をより向上することができる。また、上記冷却部の上記凹部と上記放熱板の上記突出部とを嵌合することで、互いの位置決めを行うことができる。そのため、上記半導体装置の生産性を向上することができる。また、上記突出部は、その突出方向と垂直な平面における断面積が上記半導体素子と対向する側と反対側に向かって縮小するテーパ形状とすることができる請求項4。この場合には、上記冷却部の上記嵌合部に上記突出部を嵌合させやすい。したがって、上記半導体装置の生産性を向上することができる。また、上記冷却部を、その内側に冷媒流路を形成すると共に、この冷媒流路に冷媒を流通させるように構成した場合、上記凹部において、冷媒を円滑に流通させることができる。そのため、上記のごとく冷媒を流通する冷却部において、上記凹部を形成することによる冷却性能の低下を防止することができる。また、上記半導体モジュールは、上記半導体素子を間に配するように上記放熱板を一対有しており、上記一対の放熱板には、それぞれ上記冷却部を固定するよう構成することができる請求項5。この場合には、上記一対の放熱板が上記半導体素子を挟み込むように配される。したがって、上記半導体素子により生じる熱を上記一対の放熱板によって、上記半導体モジュールの両面から、より効率よく上記冷却部へと伝達することができる。それゆえ、上記半導体装置の冷却性能を大幅に向上することができる。実施例1半導体装置にかかる実施例について、図1~図3を参照して説明する。本例の半導体装置1は、半導体モジュール2と、冷却部3と、半導体モジュール2と冷却部3とを互いに固定するボルト4とを有している。半導体モジュール2は、半導体素子21を樹脂部22内に封止すると共に放熱面232を露出させた状態で放熱板23を樹脂部22に保持してなる。放熱板23は、ボルト4を螺合するボルト穴235を、放熱面232に開口するように形成してなる。冷却部3は、放熱面232に熱的に接触して半導体モジュール2を冷却するよう構成されると共に、ボルト4を挿通するボルト挿通穴35を貫通形成してなる。半導体装置1は、ボルト4を冷却部3のボルト挿通穴35に挿通すると共に、放熱板23のボルト穴235に螺合することにより、半導体モジュール2と冷却部3とが互いに固定されている。以下、本例の半導体装置1について、詳細に説明する。本例の半導体装置1は、図1~図3に示すごとく、半導体素子21を備える半導体モジュール2と、半導体モジュール2を冷却する冷却部3と、半導体モジュール2と冷却部3とを互いに固定するボルト4とを備えている。半導体モジュール2は、同図に示すごとく、半導体素子21と放熱面232とを樹脂部22に保持してなる。半導体素子21は、IGBT絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、MOSFETMOS型電界効果トランジスタ等のスイッチング素子からなる。半導体素子21は、略平板状をなしており、樹脂部22内に封止されている。図1及び図2に示すごとく、平板状の半導体素子21における一方の主面と対向する位置には、放熱板23を配してある。放熱板23は、図1~図3に示すごとく樹脂部22から冷却部3側に向かって突出する突出部231を有し、該突出部231の表面に放熱面232を備えている。放熱板23は主面と垂直な方向から見た平面形状が略長方形状をなしており、その突出方向と垂直な平面における断面積が半導体素子21と反対側に向かって縮小するテーパ形状をなす略四角錐台形状を有している。図3に示すごとく、半導体モジュール2を半導体素子21の主面と垂直な方向から見たとき、半導体素子21は、放熱板23における外周形状の内側に配されている。また、放熱板23の突出部231は、突出方向に配された頂面233と、頂面233の反対側に配された底面237と、頂面233と底面237とを繋ぐ突出部テーパ面234とを備えている。頂面233は、樹脂部22における冷却部3側に配された表面と平行に配されており、底面237は、半導体素子21の主面と平行に配されている。また、頂面233には、その中央に開口されたボルト4を螺合するボルト穴235を形成してある。尚、本例においては、放熱板23の突出部231における表面に配された頂面233及び突出部テーパ面234の露出面を放熱面232とする。また、放熱板23には、銅やアルミニウム合金等の熱伝導性の高い金属材料を用いることが好ましい。図1及び図2に示すごとく、半導体モジュール2における突出部231の突出方向には、放熱板23の放熱面232に熱的に接触して半導体モジュール2を冷却する冷却部3を配してある。冷却部3は、同図に示すごとく、突出部231と対応する位置に凹部31を有している。この凹部31は、半導体モジュール2の突出部231と対応した略四角錐台形状をなしており、凹部31に突出部231を嵌合可能に構成されている。この凹部31は、凹部31の底部に配された底面312とテーパ状に配された凹部テーパ面313とからなる接触面311を有している。また、凹部31の深さは、突出部231の突出高さと同一とした。凹部31における底部には、突出部231のボルト穴235と対応した位置に、ボルト4を挿通するボルト挿通穴35を貫通形成してある。また、冷却部3は、図1及び図2に示すごとく、その内部に冷媒流路33を備えており、図示しない冷媒導入管から流入する冷却媒体を流通することができる。冷媒流路33を流通する冷却媒体は、半導体モジュール2の放熱板23と熱交換を行うことで半導体モジュール2を冷却する。熱交換により昇温された冷却媒体は、図示しない冷媒排出管から排出される。冷却媒体としては、例えば、水やアンモニア等の自然冷媒、エチレングリコール系の不凍液を混入した水、フロリナート等のフッ化炭素系冷媒、HCFC123、HFC134a等のフロン系冷媒、メタノール、アルコール等のアルコール系冷媒、アセトン等のケトン系冷媒等の冷媒を用いることができる。半導体装置1は、図1及び図2に示すごとく、半導体モジュール2と冷却部3とを、ボルト4によって固定することにより形成されている。半導体モジュール2と冷却部3とは、突出部231と凹部31とを嵌合して配する。そして、ボルト4を冷却部3のボルト挿通穴35に挿通し、突出部231の頂面233におけるボルト挿通穴35と対応する位置に開口したボルト穴235にボルト4を螺合する。これにより、ボルト4に生じる軸力によって、半導体モジュール2と冷却部3とが密着して固定される。このとき、凹部31と突出部231とは、接触面311と放熱面232とにおいて密着する。尚、接触面311と放熱面231との間には、熱伝導性及び絶縁性を備えたグリスを介在させてもよい。以下、本例の作用効果について説明する。半導体装置1においては、放熱板23に設けたボルト穴235に、ボルト4を螺合して半導体モジュール2と冷却部3とを固定している。それゆえ、半導体モジュール2にボルト4を貫通させなくても、半導体モジュール2と冷却部3とをボルト4によって固定することができる。これにより、半導体モジュール2の樹脂部22内に封止する半導体素子21の配置がボルト4によって制限されることがない。それゆえ、半導体モジュール2において、半導体素子21の配置の自由度を向上させることができる。また、半導体装置1において、半導体モジュール2と冷却部3とを固定したボルト4は、放熱板23及び冷却部3と接触して配される。そのため、ボルト4に放熱板23の熱が伝達される。ボルト4に伝達された熱は、冷却部3とボルト4との接触部から冷却部3へと伝達されると共に、ボルト4から放熱される。したがって、半導体装置1における半導体モジュール2の放熱経路を拡大し、放熱性能を向上することができる。また、放熱板23は、樹脂部22から冷却部3側に向かって突出する突出部231を有し、該突出部231に放熱面232が形成している。そのため、放熱板23と冷却部3との接触面圧を向上し、放熱板23と冷却部3とをより確実に密着させることができる。また、放熱板23における放熱面232の面積を増大させることができる。したがって、放熱板23の放熱性能を向上し、半導体装置1における冷却性能を向上することができる。また、放熱板23が、樹脂部22から突出した突出部231を備えることにより、放熱板23の厚さを大きくしやすい。その結果、放熱板23に形成するボルト穴235を深く形成しやすくなり、半導体モジュール2と冷却部3との固定力を向上させやすく、ひいては、半導体装置1の放熱性を向上することができる。また、冷却部3には、突出部231と対応する位置に凹部31を有しており、該凹部31が突出部231と嵌合する。そのため、冷却部3と放熱板23との接触面積を増大することができる。したがって、放熱板23から冷却部3への熱伝達がより効率よく行われる。それゆえ、半導体装置1の冷却性能をより向上することができる。また、冷却部3の凹部31と放熱板23の突出部231とを嵌合することで、互いの位置決めを行うことができる。そのため、半導体装置1の生産性を向上することができる。また、突出部231は、その突出方向と垂直な平面における断面積が半導体素子21と対向する側と反対側に向かって縮小するテーパ形状を有している。この場合には、冷却部3の嵌合部に突出部231を嵌合させやすい。したがって、半導体装置1の生産性を向上することができる。また、冷却部3を、その内側に冷媒流路33を形成すると共に、この冷媒流路33に冷媒を流通させるように構成した場合、凹部31において、冷媒を円滑に流通させることができる。そのため、上記のごとく冷媒を流通する冷却部3において、凹部31を形成することによる冷却性能の低下を防止することができる。上記のごとく、本例によれば、半導体モジュールにおける半導体素子の配置の自由度を向上すると共に、放熱性に優れた半導体装置を提供することができる。実施例2本例に示す半導体装置1は、実施例1に対して、半導体モジュール2及び冷却部3の構成を変更した例である。図4に示すごとく、本例の半導体装置1における半導体モジュール2は、半導体素子21を間に配するように放熱板23を一対有している。すなわち、半導体モジュール2は、平板状の半導体素子21の両主面に、それぞれ対向する一対の放熱板23を有しており、半導体素子21は、一対の放熱板23に挟まれるように配されている。また、一対の放熱板23には、それぞれに1つずつ冷却部3を固定してある。その他の構成は実施例1と同様である。本例の半導体装置1の半導体モジュール2において、一対の放熱板23は、半導体素子21を挟み込むように配される。したがって、半導体素子21により生じる熱を、半導体素子21の両主面と対向して配された一対の放熱板23によって、半導体モジュール2の両面からより効率よく冷却部3へと伝達することができる。それゆえ、半導体装置1の冷却性能を大幅に向上することができる。また、実施例1と同様の作用効果を得ることができる。実施例3本例の半導体装置1は、実施例2に対して、冷却部3の形状を変更した例である。図5に示すごとく、本例の半導体装置1の冷却部3における凹部31の深さは、放熱板23の高さよりも小さく設定してある。すなわち、ボルト4によって半導体モジュール2と冷却部3とを固定した際に、半導体モジュール2の樹脂部22と冷却部3とにおいて互いに対向する対向面の間には隙間が形成される。また、同図に示すごとく、放熱板23が嵌合する凹部31を形成した側と反対側の外側面に、ボルト4と対応した位置に形成されたボルト側凹部34を有している。このボルト側凹部34は、ボルト4の頭部の高さと略同一の深さを有する略円錐台形状をなしている。その他の構成は実施例2と同様である。上記のごとく、半導体モジュール2の樹脂部22と冷却部3とにおいて互いに対向する対向面の間に隙間を形成することにより、放熱板23の放熱面232と冷却部3とを、充分な面圧にて確実に接触させることができる。これにより、放熱板23と冷却部3とをより確実に密着させ、半導体装置1における冷却性能を向上することができる。また、冷却部3にボルト側凹部34を設けることにより、半導体モジュール2と冷却部3との積層方向の外側へ、ボルト4の頭部が突出する突出量を小さくすることができる。そのため、半導体装置1の外形を小さくすることができる。その他、実施例2と同様の作用効果を得ることができる。尚、本例においては、ボルト側凹部34の深さと、ボルト4の頭部の高さと同一としたが、ボルト側凹部34は、ボルト4の頭部の高さよりも深くしてもよいし、浅くしてもよい。これらの場合にも、本例に準ずる効果を得ることができる。実施例4本例の半導体装置1は、実施例1に対して、放熱板23及び冷却部3の形状を変更した例である。図6に示すごとく、電力変換装置1における半導体モジュール2の放熱板23は、断面形状が長方形からなる平板状をなしている。また、放熱面232と樹脂部22の表面とが同一平面状に配されている。また、冷却部3には凹部が形成されておらず、冷却部3は一様な断面形状を有している。その他の構成は実施例1と同様である。本例においても、実施例1と同様の作用効果を得ることができる。実施例5本例の半導体装置1は、実施例4に対して、放熱板23の構成を変更した例である。図7に示すごとく、電力変換装置1における半導体モジュール2の放熱板23は、平板状をなしており、実施例4の放熱板23に比べて約2倍の厚さを有している。放熱板23は、その厚さの約半分が樹脂部22から冷却部3に向かって突出して突出部231をなしている。その他の構成は実施例4と同様である。本例においては、実施例4に比べて、放熱板23の厚さを大きく設定してある。そのため、放熱板23に形成したボルト穴235を深く形成し、半導体モジュール2と冷却部3との固定力を向上することができる。それゆえ、半導体装置1の放熱性を向上することができる。その他、実施例4と同様の作用効果を得ることができる。実施例6本例に示す半導体装置1は、半導体モジュール2に複数の半導体素子21を設けた例である。図8に示すごとく、本例の半導体モジュール2は、2つの半導体素子21を並列に配置してなる。2つの半導体素子21における一方の主面側には、各半導体素子21とそれぞれ対向するように2枚の放熱板23が配してある。これら2枚の放熱板23は、平板状をなしており、放熱面232と樹脂部22の表面とが同一平面状となるように配されている。放熱板23には、放熱面232に開口されたボルト穴235がそれぞれ形成されている。また、図8に示すごとく、2つの半導体素子21における他方の主面側には、2つの半導体素子21と対向するように配された大型放熱板230を配してある。この大型放熱板230は、平板状をなしており、樹脂部22から後述の第2冷却部302に向かって突出した突出部231を有している。大型放熱板230は、その第2冷却部302と対向する対向面に開口されたボルト穴235を有している。半導体素子21の一方の主面側に配された2つの放熱板23に固定される第1冷却部301には、2つの放熱板23にそれぞれ形成されたボルト穴235と対応する位置に、2つの第1ボルト挿通穴351を備えている。この第1ボルト挿通穴351にそれぞれボルト4を挿通し、2つの放熱板23のボルト穴235に螺合することにより第1冷却部301と半導体モジュール2とが固定されている。また、大型放熱板230に固定される第2冷却部302には、大型放熱板230に形成されたボルト穴235と対応する位置に、1つの第2ボルト挿通穴352を備えている。この第2ボルト挿通穴352にボルト4を挿通し、大型放熱板230のボルト穴235に螺合することにより第2冷却部302と半導体モジュール2とが固定されている。上述した実施例1~実施例3に示す半導体装置1においては、1つの半導体モジュール2に、1つの半導体素子21を配したが、本例に示すごとく、1つの半導体モジュール2に、複数の半導体素子21を配することもできる。また、同図に示すごとく、半導体素子21の数に応じて、放熱板23の数を増減させても良いし、複数の半導体と放熱板23が対向するよう1つの放熱板23の大きさを変更してもよい。また、放熱板23を複数設ける場合、それぞれ形状の異なる放熱板23を用いることもできるし、放熱板23ごとに突出部231の有無を設定することもできる。また、本例においても実施例2と同様の作用効果を得ることができる。実施例7本例は、図9及び図10に示すごとく、半導体モジュール2における放熱板23の形状のバリエーションを示す例である。すなわち、放熱板23の形状としては、図9a~図9c及び図10a~図10cに示す種々の形状とすることができる。尚、図9a~図9c及び図10a~図10cの各図において、上側に示すものが厚み方向から見た放熱板23の形状であり、下側に示すものが厚み方向と直交する側面方向からみた放熱板23の形状である。また、同図に示す符号232、233、234、237は、実施例1に準ずる。図9aに示す放熱板23は、厚み方向から見た形状が略楕円形状の楕円柱形状よりなる。また、図9bに示すに示す放熱板23は、厚み方向から見た形状が略菱形形状の四角柱形状よりなる。また、図9cに示すに示す放熱板23は、厚み方向から見た形状が略長方形状の四角柱形状よりなる。また、図10aに示す放熱板23は、厚み方向から見た形状が略楕円形状の楕円錐台形状よりなる。また、図10bに示す放熱板23は、厚み方向から見た形状が略菱形形状の四角錐台形状よりなる。また、図10cに示す放熱板23は、厚み方向から見た形状が略長方形状の四角柱と、この四角柱と同形状の底面からなる四角錐台とを組み合わせて形成されたものである。尚、図10a~図10cに示す楕円錐台形状及び四角錐台形状は、その突出方向と垂直な平面における断面積が半導体素子21と対向する側と反対側に向かって縮小するテーパ形状を有するものである。また、本例は放熱板23の形状の一例を示したものであり、上述した以外の種々の形状を用いることができる。本発明の半導体装置1の半導体モジュール2における放熱板23の材料には、アルミニウム及びアルミニウム合金や銅等、熱伝導性に優れる金属材料を用いることが好ましい。しかし、これらの金属材料は、硬度が小さくボルト4を螺合した際にネジ山のつぶれ等が生じ、必要な軸力を得られない場合がある。そのため、図11に示すごとく、円筒の内周面をボルト穴235とした雌ネジ部材236を放熱板23に配設することもできる。この場合には、放熱板23の冷却性能を低下させることなく、放熱板23にボルト4を螺合することが可能となる。尚、雌ネジ部材236は、必要とする軸力を得られる組付条件において、ボルト4を螺合した際にネジ山のつぶれ等の不具合を生じることのない強度を有するものであることが好ましい。すなわち、雌ネジ部材236の材料としては、例えば、鉄、ステンレス鋼、炭素鋼等を用いることが好ましい。また、冷却部3は、上述した実施例1~実施例3に示した冷媒流路33を備えたもの以外にも、冷却能力を有する種々の冷却装置によって構成することができる。例えば、アルミニウム合金や銅を材料とした中実のヒートシンクを冷却部3としてもよいし、これに冷却フィンを備えたものを冷却部3としてもよい。