"複数の放射線透過部と放射線吸収部とを有する放射線画像撮影用グリッドであって、前記放射線透過部は、非線形単結晶からなることを特徴とする放射線画像撮影用グリッド。前記放射線透過部には、蛍光体がドープされており、放射線の照射により発光することを特徴とする請求項1記載の放射線画像撮影用グリッド。前記放射線透過部及び前記放射線吸収部は、放射線の焦点に向かって収束するように設けられていることを特徴とする請求項1または2記載の放射線画像撮影用グリッド。前記放射線吸収部及び前記放射線透過部は、一方向に延伸されかつ前記延伸方向に直交する配列方向に沿って交互に複数個が配置されていることを特徴とする請求項1~3いずれか記載の放射線画像撮影用グリッド。請求項2記載の放射線画像撮影用グリッドと、前記放射線画像撮影用グリッドから射出された光を検出する光検出部と、を備えたことを特徴とする放射線画像検出器。前記放射線画像撮影用グリッドを、前記放射線吸収部及び前記放射線透過部の周期方向に所定のピッチで移動させる走査手段を備えたことを特徴とする請求項5記載の放射線画像検出器。放射線を透過する部分と吸収する部分とからなるグリッド構造が周期的に配置され、放射線源から照射された放射線を通過させて第1の周期パターン像を形成する第1のグリッドと、前記第1の周期パターンに対して位相が異なる少なくとも1つの相対位置で前記第1の周期パターン像に強度変調を与える強度変調手段と、前記強度変調手段により前記相対位置で生成された第2の周期パターン像を検出する放射線画像検出器と、前記放射線画像検出器により検出された少なくとも1つの前記第2の周期パターン像に基づいて、位相情報を画像化する演算処理手段と、を備えた放射線画像撮影システムであって、前記第1のグリッドに、請求項1記載の放射線画像撮影用グリッドを用いたことを特徴とする放射線画像撮影システム。前記強度変調手段は、前記第1の周期パターンを透過する部分と吸収する部分とからなるグリッド構造が周期的に配置された第2のグリッドと、前記第1及び第2のグリッドのいずれか一方を、前記第1及び第2のグリッドのグリッド構造の周期方向に所定のピッチで移動させる走査手段とからなり、前記走査手段により移動される各位置が前記相対位置に対応する放射線画像撮影システムであって、前記第2のグリッドに、請求項1記載の放射線画像撮影用グリッドを用いたことを特徴とする請求項7記載の放射線画像撮影システム。前記放射線源と前記第1のグリッドとの間に配置され、前記放射線源から照射された放射線を部分的に遮蔽して多数の線光源とする第3のグリッドを有し、前記第3のグリッドに、請求項1記載の放射線画像撮影用グリッドを用いたことを特徴とする請求項7または8記載の放射線画像撮影システム。前記放射線画像検出器として、請求項6記載の放射線画像検出器を用い、前記強度変調手段として、前記走査機構を用いたことを特徴とする請求項7記載の放射線画像撮影システム。単分極化された非線形単結晶基板の第1面に複数の電極を形成する工程と、前記第1面の反対側の第2面側から前記非線形単結晶基板に電圧を印加し、前記非線形単結晶基板の前記電極と向き合う部分の分極の向きを反転させる工程と、前記非線形単結晶基板の一表面をエッチングし、分極が反転された分極反転部と、分極反転されていない非反転部とのエッチングレート差を利用して、前記非反転部を除去する工程と、前記非反転部が除去された空間内に放射線吸収材を充填する工程と、を含むことを特徴とする放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記分極反転部に、蛍光体をドープする工程を含むことを特徴とする請求項11記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記非線形単結晶基板の前記第2面に、前記第1面の電極に対して位置がずらされた第2の電極を形成し、前記第2の電極に電圧を印加することを特徴とする請求項11記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。X線リソグラフィでは、指向性の高いシンクロトロン放射光により感光性樹脂層を露光する必要があるが、シンクロトロン放射光による露光が可能な設備は国内でも限られており、露光に長時間を要するためスループットが悪いという問題がある。また、ドライエッチングを用いる手法も、コストが高くスループットが低い。上述した分極反転は、シンクロトロン放射光を用いたLIGA法や、ドライエッチングに比べてスループットが高く、コストが低いため、この手法を用いてグリッドを形成することが考えられる。しかし、特許文献2及び非特許文献3には、グリッドを形成するための具体的な手法は開示されていない。本発明は、非線形単結晶を分極反転することにより形成したグリッドを提供することを目的としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項1の放射線画像撮影用グリッドは、複数の放射線透過部と放射線吸収部とを有する放射線画像撮影用グリッドであって、放射線透過部を非線形単結晶から構成している。請求項2の放射線画像撮影用グリッドは、放射線透過部に蛍光体がドープされている。また、請求項3記載の放射線画像撮影用グリッドは、放射線透過部及び前記放射線吸収部が放射線の焦点に向かって収束するように設けられている。放射線吸収部及び放射線透過部は、一方向に延伸されかつ延伸方向に直交する配列方向に沿って交互に複数個が配置されていることが好ましい。本発明の放射線画像検出器は、上述した放射線透過部に蛍光体がドープされている放射線画像撮影用グリッドと、放射線画像撮影用グリッドから射出された光を検出する光検出部とを備えている。この場合、放射線画像撮影用グリッドを、放射線吸収部及び放射線透過部の周期方向に所定のピッチで移動させる走査手段を備えることが好ましい。本発明の放射線画像撮影システムは、放射線を透過する部分と吸収する部分とからなるグリッド構造が周期的に配置され、放射線源から照射された放射線を通過させて第1の周期パターン像を形成する第1のグリッドと、第1の周期パターンに対して位相が異なる少なくとも1つの相対位置で第1の周期パターン像に強度変調を与える強度変調手段と、強度変調手段により相対位置で生成された第2の周期パターン像を検出する放射線画像検出器と、放射線画像検出器により検出された少なくとも1つの第2の周期パターン像に基づいて、位相情報を画像化する演算処理手段とを備えた放射線画像撮影システムであって、第1のグリッドに請求項1または3の放射線画像撮影用グリッドを用いたものである。強度変調手段は、第1の周期パターンを透過する部分と吸収する部分とからなるグリッド構造が周期的に配置された第2のグリッドと、第1及び第2のグリッドのいずれか一方を、第1及び第2のグリッドのグリッド構造の周期方向に所定のピッチで移動させる走査手段とからなり、走査手段により移動される各位置が相対位置に対応する放射線画像撮影システムの場合には、第2のグリッドに請求項1または3の放射線画像撮影用グリッドを用いてもよい。また、放射線源と第1のグリッドとの間に配置され、放射線源から照射された放射線を部分的に遮蔽して多数の線光源とする第3のグリッドを有する放射線画像撮影システムの場合には、第3のグリッドに請求項1または3の放射線画像撮影用グリッドを用いてもよい。また、放射線画像検出器として、上記放射線画像検出器を用い、強度変調手段として、走査機構を用いてもよい。本発明の放射線画像撮影用グリッドの製造方法は、単分極化された非線形単結晶基板の第1面に複数の電極を形成する工程と、第1面の反対側の第2面側から非線形単結晶基板に電圧を印加し、非線形単結晶基板の電極と向き合う部分の分極の向きを反転させる工程と、非線形単結晶基板の一表面をエッチングし、分極が反転された分極反転部と、分極反転されていない非反転部とのエッチングレート差を利用して、非反転部を除去する工程と、非反転部が除去された空間内に放射線吸収材を充填する工程とを含むものである。分極反転部に、蛍光体をドープする工程を設けてもよい。また、非線形単結晶基板の第2面に、第1面の電極に対して位置がずらされた第2の電極を形成し、第2の電極に電圧を印加してもよい。本発明の放射線画像撮影用グリッドは、2以上の複数元素からなる非線形単結晶により放射線透過部を構成しているので、シリコン等の単元素からなる単結晶に比べて、放射線吸収部に用いられる金の拡散を少なく抑えることができる。これは、単元素の単結晶では結合が弱く反応しやすいため拡散が起こりやすくなるのに対し、複数元素で構成される非線形単結晶は、単元素の単結晶よりも異種元素間の結合が強いため、金の拡散を少なく抑えられるからである。これにより、本発明は、金の拡散によるグリッドの性能低下を抑えることができる。また、放射線吸収部及び放射線透過部を放射線の焦点に向かって収束するように設けることもできるので、コーンビーム状の放射線のケラレを小さくすることができる。本発明の放射線画像撮影用グリッドは、放射線透過部に蛍光体をドープし、放射線の照射により発光できるようにしたので、放射線画像検出部のシンチレータとして兼用することができる。また、単結晶は多結晶に比べて充填率が高いため、高い発光効率を得ることができ、散乱光を少なくすることができるので、本発明の放射線画像検出器の画質を向上させることができる。更に、本発明の放射線画像検出器は、グリッドを走査させる走査機構を備えているので、位相コントラスト画像の撮影にも対応することができる。本発明の放射線画像撮影システムによれば、上記グリッドを使用するので、高画質な位相コントラスト画像を撮影することができる。本発明の放射線画像撮影用グリッドの製造方法によれば、単分極化された非線形単結晶基板を分極反転させて溝の形成に利用するので、高いアスペクト比の放射線吸収部を高スループットでローコストに形成することができる。また、蛍光体のドープにより、グリッドにシンチレータとしての機能を簡単に付与することができる。更に、非線形単結晶基板の第1面と第2面の電極の位置をずらすことにより、斜め方向に分極反転させることもできるので、放射線の焦点に向かって収束された放射線吸収部及び放射線透過部も容易に形成することができる。[第1実施形態]図1は、本発明のX線画像撮影システム10の構成を示す概念図である。X線画像撮影システム10は、X線照射方向であるz方向に沿って配置されたX線源11、線源グリッド12、第1のグリッド13、第2のグリッド14、及びX線画像検出器15を備えている。X線源11は、例えば、回転陽極型のX線管と、X線の照射野を制限するコリメータとを有し、被検体Hにコーンビーム状のX線を放射する。X線画像検出器15は、例えば、半導体回路を用いたフラットパネル検出器FPD:FlatPanelDetectorであり、第2のグリッド14の背後に配置されている。X線画像検出器15には、X線画像検出器15により検出された画像データから位相コントラスト画像を生成する位相コントラスト画像生成部16が接続されている。線源グリッド12、第1のグリッド13及び第2のグリッド14は、X線を吸収する吸収型グリッドであり、z方向においてX線源11に対向配置されている。線源グリッド12と第1のグリッド13との間には、被検体Hが配置可能な間隔が設けられている。また、第1のグリッド13と第2のグリッド14との距離は、最小のタルボ干渉距離以下とされている。すなわち、本実施形態のX線画像撮影システム10は、タルボ干渉効果を用いず、X線を投影することによって位相コントラスト画像を撮影する。第2のグリッド14及び走査機構18は、本発明の強度変調手段を構成する。走査機構18は、位相コントラスト画像の撮影時に、第2のグリッド14の格子ピッチを等分割例えば、5分割した走査ピッチで、格子ピッチ方向x方向に並進移動させる機構である。第2のグリッド14を例にして、グリッドの構造を説明する。図2Aは、第2のグリッド14をX線画像検出器15側から見た正面図であり、同図Bは同図AのA-A断面図である。第2のグリッド14は、グリッドとして機能するグリッド層20と、このグリッド層20のX線源11側の面に設けられた支持基板21と、グリッド層20と支持基板21との間に設けられたシーズ層22とからなる。グリッド層20は、z方向に直交する面内でy方向に延伸された複数のX線吸収部24及びX線透過部25を備えている。X線吸収部24及びX線透過部25は、z方向及びy方向に直交するx方向に沿って交互に配列されており、縞状のグリッドを構成している。X線吸収部24及びX線透過部25は、X線源11から照射されたX線をそれぞれ吸収遮蔽及び透過することにより、縞状の画像を形成する。X線吸収部24は、高いX線吸収性を有する材質からなり、例えば金、白金、銀、鉛等からなる。X線透過部25は、X線吸収部24よりも低いX線吸収性を有する材質からなり、例えばLiNbO3等の非線形単結晶からなる。X線吸収部24に用いられる金は、加熱されたときにX線透過部25に拡散するが、単結晶は多結晶に比べて金が拡散しにくいので、X線透過部25に単結晶を用いることにより、多結晶を用いる場合よりもグリッド性能を維持することができる。支持基板21は、X線透過部25と同様に低いX線吸収性を有し、かつグリッド層20を支持する剛性を備えた材質からなる。シーズ層22は、導電性を有する材質からなり、X線吸収部24を電解メッキによって形成する際に、電極として用いられる。シーズ層22は、グリッド層20及び支持基板21に比べて薄いため、X線透過性に関する影響は少ない。X線吸収部24の幅W2及びピッチP2は、線源グリッド12と第1のグリッド13との間の距離、第1のグリッド13と第2のグリッド14との間の距離、及び第1のグリッド13のX線吸収部のピッチ等によって決まるが、幅W2はおよそ2~20μm、ピッチP2は4~40μm程度である。また、X線吸収部24のz方向の厚みT2は、高いX線吸収性を得るには厚いほどよいが、X線源11から放射されるコーンビーム状のX線のケラレを考慮して、例えば100~200μm程度となっている。本実施形態では、例えば、幅W2が2.5μm、ピッチP2が5μm、厚みT2が100μmであり、X線吸収部24のアスペクト比は40である。図3に示すように、X線画像検出器15は、X線を透過させる材料からなり、全体形状がおよそ箱形で、矩形状の上面が、被検体Hを透過したX線が照射される照射面26aとされた筐体26を備えている。筐体26内には、被検体Hを透過したX射線の到来方向に沿って、照射面26a側から、シンチレータ27、光検出部28、基台29及び制御基板30等が順に配置されている。シンチレータ27は、例えばCsI:Tlや、CsI:Na、GOS等からなり、被検体H及び筐体26を透過して照射されたX線を吸収して光を放出する。光検出部28は、シンチレータ27の光射出側から射出された光を検出するものであり、図4に示すように、フォトダイオード等からなる光電変換部31、薄膜トランジスタ32及び蓄積容量33を備えた画素部34が、平板状で平面視における外形形状が矩形状とされた絶縁性基板35上にマトリクス状に複数形成されたTFTアクティブマトリクス基板によって構成されている。図5に示すように、光検出部28には、一定方向に沿って延設され個々のTFT32をオンオフさせるための複数本のゲート配線37と、前記一定方向と交差する方向に沿って延設され、蓄積容量33に蓄積された電荷をオン状態のTFT32を介して読み出すための複数本のデータ配線36が設けられている。光検出部28の個々のゲート配線37はゲート線ドライバ38に接続されており、個々のデータ配線36は信号処理部39に接続されている。ゲート線ドライバ38及び信号処理部39は、制御基板30に設けられており、フレキシブル基板を介して光検出部28と接続されている。被検体Hを透過したX線がX縁画像検出器15に照射されると、シンチレータ27のうち照射面26a上の各位置に対応する部分からは、前記各位置における放射線の照射量に応じた光量の光が放出され、個々の画素部34の光電変換部31では、シンチレータ27のうちの対応する部分から放出された光の光量に応じた大きさの電荷が発生され、この電荷が個々の画素部34の蓄積容量33に蓄積される。上記のようにして個々の画素部34の蓄積容量33に電荷が蓄積されると、個々の画素部34のTFT32は、ゲート線ドライバ38からゲート配線37を介して供給される信号により行単位で順にオンされ、TFT32がオンされた画素部34の蓄積容量33に蓄積されている電荷は、アナログの電気信号としてデータ配線36を伝送されて信号処理部39に入力される。従って、個々の画素部34の蓄積容量33に蓄積された電荷は行単位で順に読み出される。信号処理部39は、個々のデータ配線36毎に設けられた増幅器及びサンプルホールド回路を備えており、個々のデータ配線36を伝送された電気信号は増幅器で増幅された後にサンプルホールド回路に保持される。また、サンプルホールド回路の出力側にはマルチプレクサ、A/D変換器が順に接続されており、個々のサンプルホールド回路に保持された電気信号はマルチプレクサに順に入力され、A/D変換器によってデジタルの画像データへ変換される。信号処理部39には画像メモリ47が接続されており、信号処理部39のA/D変換器から出力された画像データは画像メモリ47に順に記憶される。画像メモリ47は複数フレーム分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた画像データが画像メモリ47に順次記憶される。画像メモリ47に記憶された画像データが位相コントラスト画像生成部16により読み出され、位相コントラスト画像が生成される。次に、第2のグリッド14の製造方法について説明する。図6に示すように、最初の工程では、非線形単結晶基板40の第1面40aに、y方向に延伸されかつx方向に沿って所定間隔で配列された複数のラインパターンからなる周期電極41が、Taを用いて形成される。非線形単結晶基板40は、例えば、MgOが5molドープされたLiNbO3MgO-LNの基板である。この非線形単結晶基板40は、単分極化処理がなされ、非線形光学定数が有効に利用できるようにZ面で光学研磨されている。これにより、非線形単結晶基板40の第1面40aがZ面であり、反対側の第2面40bが-Z面となっている。非線形単結晶基板40には、2種類以上の元素からなる単結晶を用いることができ、上述したLiNbO3の他に、例えば、LiTaO3、KTiOPO4、β-BaB2O4、LiB2O3、BiGeO、BiSiO、BiTiO、CdWO、PbWO、GaAs、SiC、CdTe、CdSe、ZnO、TiBaO、TiPbO等を用いることができる。周期電極41は、例えば、非線形単結晶基板40の第1面40aの全域にTa膜を形成し、一般的なフォトリソグラフィ技術を用いてTa膜上に周期電極41と同様のラインパターンを有するレジストマスクを形成し、このレジストマスクを介してTaをエッチングすることにより形成される。周期電極41は、端部が接続されて導通している。例えば、非線形単結晶基板40の厚みTcは0.4mm、周期電極41の厚みTc1は0.1μm、周期電極41のピッチPcは5μmである。図7に示すように、次の工程では、非線形単結晶基板40は、真空チャンバー43内に第1面40aが下方を向くように収容され、ヒーター44によって周期電極41が支持される。非線形単結晶基板40の上方には、第2面40bに対面するようにコロナ放電ワイヤ45が配置されている。コロナ放電ワイヤ45は、高圧電源46に接続されている。真空チャンバー43は、図示しない真空ポンプにより例えば1×10-4Paまで減圧される。非線形単結晶基板40は、ヒーター44により例えば100°Cまで加熱される。そして、高圧電源46からコロナ放電ワイヤ45を介して、-6kVの電圧が非線形単結晶基板40に2秒間印加される。以上の処理を行なうことにより、図8に示すように、周期電極41と向き合う部分において非線形単結晶基板40の自発分極の向きが反転し、ピッチPc=5μmで繰り返す分極反転部40cが形成される。分極反転部40cは、分極反転されていない非反転部40dの第1面40aがZ面であるのに対し、第1面40aが-Z面となり、非反転部40dと逆向きとなる。分極反転は、非線形結晶の結晶軸に沿ってなされるので垂直性が非常に高く、高アスペクト比の周期構造体を形成することができる。なお、コロナ帯電を用いた分極反転処理についての詳しい手順は、特許文献2及び非特許文献3を参照されたい。図9に示すように、非線形単結晶基板40は、周期電極41が除去された後に、第1面40aが支持基板21に接合され、CMP等の研磨装置により例えば100μm程度まで薄層化される。これにより、非線形単結晶基板40は、第2面40bのみが外部に露呈され、この第2面40bには、分極反転部40cのZ面と非反転部40dの-Z面とが配置される。非線形単結晶基板40と支持基板21との接合には、例えば、非線形単結晶基板40と支持基板21との両方に金を成膜し、これらの金同士を接合するAu-Au接合が用いられ、接合に用いられた金がシーズ層22となる。支持基板21には、X線吸収性が低い材質が用いられ、例えば、ガラス、石英、アルミナ、GaAs、Ge等が望ましく、更にはシリコン等が望ましい。次の工程では、非線形単結晶基板40にウエットエッチングが施される。非線形単結晶基板40は、Z面のエッチング速度が-Z面よりも遅くなる難エッチング面となるため、図10に示すように、非線形単結晶基板40の非反転部40dのみが除去されて分極反転部40cのみが残留し、分極反転部40cの間に、高アスペクト比を有する複数の溝40eが形成される。非線形単結晶基板40のウエットエッチングには、例えばフッ酸:硝酸1:2の混合液が用いられる。図11に示すように、次の工程では、電解メッキ法により、非線形単結晶基板40の分極反転部40cの間の溝40e内に金等のX線吸収材48が埋め込まれる。電解メッキでは、シーズ層22に電流端子が取り付けられる。非線形単結晶基板40と支持基板21とが接合された基板は、メッキ液中に浸漬され、対向する位置にもう一方の電極陽極が配置される。そして、シーズ層22と他方の電極との間に電流が流されることにより、メッキ溶液中の金属イオンがパターン加工した基板に析出され、溝40e内にX線吸収材48が埋め込まれる。これにより、図2に示すように、金からなるX線吸収部24と、分極反転部40cからなるX線透過部25とを備えた第2のグリッド14が完成する。線源グリッド12及び第1のグリッド13は、第2のグリッド14と同様に、グリッド層及び支持基板から構成されている。線源グリッド12及び第1のグリッド13のグリッド基板は、第2のグリッド14のグリッド層20と同様に、y方向に延伸されx方向に沿って交互に配列されたX線吸収部及びX線透過部を備えており、X線透過部は分極反転部により構成されている。このように、線源グリッド12及び第1のグリッド13は、X線吸収部及びX線透過部のy方向の幅及びピッチと、z方向の厚さ等が異なる以外は第2のグリッド14とほぼ同様の構成であるため、詳しい説明は省略する。また、線源グリッド12及び第1のグリッド13は、第2のグリッド14と同様に製造されるため、詳しい説明は省略する。次に、X線画像撮影システム10の作用について説明する。X線源11から放射されたX線は、線源グリッド12のX線吸収部によって部分的に遮蔽されることにより、x方向に関する実効的な焦点サイズが縮小され、x方向に多数の線光源分散光源が形成される。線源グリッド12により形成された多数の線光源のX線は、被検体Hを通過することにより位相差が生じ、このX線が第1のグリッド13を通過することにより、被検体Hの屈折率と透過光路長とから決定される被検体Hの透過位相情報を反映した縞画像第1の周期パターン像が形成される。各線光源の縞画像は、第2のグリッド14に投影され、第2のグリッド14の位置で一致する重なり合うので、X線強度を低下させずに、位相コントラスト画像の画質を向上させることができる。縞画像は、第2のグリッド14により強度変調される。強度変調された縞画像第2の周期パターン像は、例えば、縞走査法により検出される。縞走査法とは、第1のグリッド13に対し、第2のグリッド14を走査機構18によって、X線焦点を中心として格子面に沿った方向に格子ピッチを等分割例えば、5分割した走査ピッチで並進移動させながら、X線源11から被検体HにX線を照射して複数回の撮影を行なってX線画像検出器15により検出し、位相コントラスト画像生成部16により、X線画像検出器15の各画素の画素データの位相のズレ量被検体Hがある場合とない場合とでの位相のズレ量から位相微分像被検体で屈折したX線の角度分布に対応を取得する方法である。位相コントラスト画像生成部16により、位相微分像を上記の縞走査方向に沿って積分することにより、被検体Hの位相コントラスト画像を得ることができる。以上で説明したように、本実施形態の線源グリッド12、第1のグリッド13及び第2のグリッド14は、X線透過部25を2以上の複数元素からなる非線形単結晶により構成したので、シリコン等の単元素からなる単結晶に比べて、X線吸収部24に用いられる金の拡散を少なく抑えることができる。これは、単元素の単結晶では結合が弱く反応しやすいため拡散が起こりやすくなるのに対し、複数元素で構成される非線形単結晶は、単元素の単結晶よりも異種元素間の結合が強いため、金の拡散を少なく抑えられるからである。これにより、金の拡散によるグリッドの性能低下を抑えることができる。また、非線形単結晶に対する分極反転と、ウエットエッチングとを用いてX線吸収部24を形成するための溝40eを形成しているので、LIGA法やシリコンのドライエッチング等に比べ、高アスペクト比を有する溝を高スループットで、低コストに形成することができる。[第2実施形態]図12に示すように、非線形単結晶基板40の溝40e内にX線吸収材48を充填した後または充填する前に、分極反転部40cに蛍光体をドープしてもよい。あるいは、蛍光体をドープした非線形単結晶基板を作成し、これを用いてもよい。これにより、図13に示すように、分極反転部40cは、X線の照射によって発光するようになる。そして、図14に示すように、X線画像検出器60に非線形単結晶基板40を組み込むことにより、非線形単結晶基板40を第2のグリッド及びシンチレータとして兼用させることができる。また、GdOS:Pr,Ce、LuSiO:Ce、YSiO:Ce、YAlO:Ce、LuAlO:Pr、BiGeO、BiSiO、BiTiO等の2種類以上の元素からなる結晶を用いる場合には、蛍光体のドープを行なわなくてもX線の照射により分極反転部を発光させることができる。これによれば、図15に示すように、第2のグリッド14を省略したX線画像撮影システム65を構成することができ、小型化及びローコスト化を図ることができる。また、単結晶は充填密度が高いので発光効率が高く、散乱光が少ないので、X線画像検出器60の画質を向上させることができる。なお、縞走査法を用いて位相コントラスト画像を撮影できるようにするため、X線画像検出器60内に、非線形単結晶基板40をX線吸収部とX線透過部との周期方向に沿って走査させる走査機構61を組み込むのが好ましい。[第3実施形態]また、上記実施形態では、非線形単結晶基板40を厚み方向に沿って真っ直ぐに分極反転させたが、図16に示すように、非線形単結晶基板40の第2面40bに、第1面40aの周期電極41に対して周期をずらした第2の周期電極70を形成し、第2の周期電極70に対してコロナ放電ワイヤ45から個別に電圧をかけることにより、周期がずらされた周期電極41と第2の周期電極70間に沿って、分極反転を生じさせてもよい。これによれば、図17に示すグリッド75のように、X線吸収部24及びX線透過部25を、X線源11のX線が発生されるX線焦点11aに対して収束するようにグリッド面内で傾けることができるので、X線源11から照射されたコーンビーム状のX線のケラレを少なくすることができる。また、上記実施形態では、一方向に延伸されかつ延伸方向に直交する配列方向に沿って交互に配置されたX線吸収部及びX線透過部を有する縞状の一次元グリッドを例に説明したが、本発明は、X線吸収部及びX線透過部が2方向に配列された二次元グリッドにも適用が可能である。さらに、上記実施形態では、被検体HをX線源と第1のグリッドとの間に配置しているが、被検体Hを第1のグリッドと第2のグリッドとの間に配置した場合にも同様に位相コントラスト画像の生成が可能である。また、線源グリッドを備えたX線画像撮影システムについて説明したが、本発明は、線源グリッドを使用しないX線画像撮影システムにも適用可能である。また、上記各実施形態は、矛盾しない範囲で相互に組み合わせることが可能である。上記実施形態は、第1及び第2のグリッドを、そのX線透過部を通過したX線を線形的に投影するように構成しているが、本発明はこの構成に限定されるものではなく、第1及び第2のグリッドでX線を回折することにより、いわゆるタルボ干渉効果が生じる構成国際公開WO2004/058070号公報等に記載の構成としてもよい。この場合には、第1及び第2のグリッド間の距離をタルボ干渉距離に設定する必要がある。また、第1のグリッドの種類を、吸収型グリッドではなく、比較的アスペクト比が低い位相型グリッドにすることも可能である。また、上記実施形態では、第2のグリッドにより強度変調された縞画像を縞走査法によって検出して位相コントラスト画像を生成しているが、1回の撮影によって位相コントラスト画像を生成するX線画像撮影システムも知られている。例えば、国際公開WO2010/050483号公報に記載されているX線画像撮影システムでは、第1及び第2のグリッドにより生成されたモアレをX線画像検出器により検出し、この検出されたモアレの強度分布をフーリエ変換することによって空間周波数スペクトルを取得し、この空間周波数スペクトルからキャリア周波数に対応したスペクトルを分離して逆フーリエ変換を行なうことにより微分位相像を得ている。このようなX線画像撮影システムの第1及び第2のグリッドの少なくとも一方に、本発明のグリッドを用いてもよい。また、1回の撮影により位相コントラスト画像を生成するX線画像撮影システムには、強度変調手段として、第2のグリッドの代わりに、X線を電荷に変換する変換層と、変換層により生成された電荷を収集する電荷収集電極とを備えた直接変換型のX線画像検出器を用いたものがある。このX線画像撮影システムは、例えば、各画素の電荷収集電極が、第1のグリッドで形成された縞画像の周期パターンとほぼ一致する周期で配列された線状電極を互いに電気的に接続してなる線状電極群が、互いに位相が異なるように配置されたものであり、各線状電極群を個別に制御して電荷を収集することにより、1度の撮影により複数の縞画像を取得し、この複数の縞画像に基づいて位相コントラスト画像を生成している特開2009-133823号公報等に記載の構成。このようなX線画像撮影システムの第1のグリッドに、本発明のグリッドを用いてもよい。また、1回の撮影により位相コントラスト画像を生成する別のX線画像撮影システムとして、第1及び第2のグリッドを、X線吸収部及びX線透過部の延伸方向が相対的に所定の角度だけ傾くように配置し、この傾きにより上記延伸方向に生じるモアレ周期の区間を分割して撮影することにより、第1及び第2のグリッドの相対位置が異なる複数の縞画像を取得し、これらの複数の縞画像から位相コントラスト画像を生成することも可能である。このようなX線画像撮影システムの第1及び第2のグリッドの少なくとも一方に、本発明のグリッドを用いてもよい。また、光読取型のX線画像検出器を用いることにより、第2のグリッドを省略したX線画像撮影システムが考えられる。このシステムでは、第1のグリッドによって形成された周期パターン像を透過する第1の電極層と、第1の電極層を透過した周期パターン像の照射を受けて電荷を発生する光導電層と、光導電層において発生した電荷を蓄積する電荷蓄積層と、読取光を透過する線状電極が多数配列された第2の電極層とがこの順に積層され、読取光によって走査されることによって各線状電極に対応する画素毎の画像信号が読み出される光読取型のX線画像検出器を強度変調手段として用いており、電荷蓄積層を線状電極の配列ピッチよりも細かいピッチで格子状に形成することにより、電荷蓄積層を第2のグリッドとして機能させることができる。このようなX線画像撮影システムの第1のグリッドに、本発明のグリッドを用いてもよい。以上で説明した実施形態は、医療診断用の放射線画像撮影システムのほか、工業用や、非破壊検査等のその他の放射線撮影システムに適用することが可能である。また、本発明は、X線撮影において散乱線を除去する散乱線除去用グリッドにも適用可能である。更に、本発明は、放射線として、X線以外にガンマ線等を用いることも可能である。"