"一方の面に、配線パターンと当該配線パターンの一部に形成された凸状のバンプとを備えている第1の絶縁基板と、当該第1の絶縁基板の配線パターンと対向する面に、配線パターンと前記凸状のバンプを受ける受け導体ランドとを備えている第2の絶縁基板とが対向配置され、かつ当該凸状のバンプの少なくとも先端部と受け導体ランドとの間に、金属粒子を含む異方性導電膜が挟持されていると共に、当該凸状のバンプの側方には層間絶縁樹脂層が配置されていることを特徴とする多層プリント配線板。前記記載の異方性導電膜が、金属粒子、エポキシ樹脂、硬化剤及び溶剤の組成物からなることを特徴とする請求項1に記載の多層プリント配線板。前記記載の異方性導電膜が、層間絶縁樹脂層に含まれる樹脂と同じ樹脂を含有していることを特徴とする請求項1又は2に記載の多層プリント配線板。前記記載の異方性導電膜の積層工程時の温度たる70°C~180°Cで軟化している粘度が、層間絶縁樹脂よりも低いことを特徴とする請求項1~3の何れか1項に記載の多層プリント配線板。異方性導電膜に含まれる金属粒子が、前記凸状のバンプ又は前記受け導体ランドの銅めっき及び/又は銅箔より硬いことを特徴とする請求項1~4の何れか1項に記載の多層プリント配線板。前記記載の異方性導電膜に含まれる金属粒子が、金コーティングされていることを特徴とする請求項1~5の何れか1項に記載の多層プリント配線板。図4に示した従来技術は、シート状の異方性導電フィルム704a,704bを凸状のビアや回路と上層の導体層との間に挟持することにより層間の導通抵抗値を得るものである。しかし、積層工程にて、圧力を基板に掛けた際に異方性導電フィルムの樹脂が層間接続部外に排出されると共に、金属粒子も層間接続部外に相当数の金属粒子が流れてしまうため、必要な金属粒子を凸状のビアや回路と上層の導体層との間で挟持することができず、リフロー後の導通抵抗値の変化率が大きく安定しないという問題点が発生していた。図5に示した従来技術は、層間接続部のみに異方性導電ペーストを塗布し、他の層間絶縁層部分は、エポキシ樹脂からなるプリント配線板である。しかし、層絶縁層部分と層間接続部に塗布された異方性導電ペーストの厚みに差がないため、凸状に形成された導電ペーストに挟持される際に、異方性導電膜の樹脂分が、積層プレス工程の圧力で層間接続部外に排出されると共に、金属粒子も一緒に流れてしまうため、必要な数の金属粒子を凸状に形成された導電ペーストと銅箔間に挟持することができず、リフロー後の導通抵抗値の変化率が上昇するという問題が発生していた。本発明は、上記の如き従来の問題を、一方の面に、配線パターンと当該配線パターンの一部に形成された凸状のバンプとを備えている第1の絶縁基板と、当該第1の絶縁基板の配線パターンと対向する面に、配線パターンと前記凸状のバンプを受ける受け導体ランドとを備えている第2の絶縁基板とが対向配置され、かつ当該凸状のバンプの少なくとも先端部と受け導体ランドとの間に、金属粒子を含む異方性導電膜が挟持されていると共に、当該凸状のバンプの側方には層間絶縁樹脂層が配置されていることを特徴とする多層プリント配線板により解決したものである。本発明によれば、凸状のバンプと受け導体ランドとの間に異方性導電膜が層間絶縁層よりも薄く形成される結果、当該凸状のバンプの先端部分と受け導体ランド間に多くの金属粒子が挟持されると共に、異方性導電膜に含有されている樹脂で凸状のバンプと受け導体ランド間が接合されているため、導通抵抗値の変化率を抑制することが可能となる。以下、本発明多層プリント配線板の製造例を図1a~d及び図2e~fを用いて説明すると共に、本発明多層プリント配線板の構造例を図3を用いて説明する。図1aに示すように、まず表裏両面に導体層を備えた絶縁基板100を用意し、その一方の面に配線パターン101を形成すると共に、前記配線パターン101の一部で層間接続部に該当する部分に凸状のバンプ102を配置する。当該バンプの高さは配線パターン101上で30~40μm程度、またバンプ径はφ100~250μm程度が好ましい。次いで、絶縁基板100の表裏の導体層に粗化処理を施す。当該粗化処理工程としては、物理研磨や化学研磨が適宜選択されるが、安定した粗化層図示せずを形成するために、化学研磨処理を施すことが好ましい例えば、第二銅錯体と有機酸塩とを配合した液によってエッチングすることが、粗化面が均一な凹凸になり層間絶縁樹脂と導体層の密着性を向上させるためには有効である。尚、当該絶縁基板100の表裏は、ビアフィルによる銅めっきの充填あるいは導電性ペーストにより接続されている。次いで、図1bに示すように、絶縁基板100の凸状のバンプ102の箇所に当該バンプ径よりも50~150μm大きく開口させた状態で絶縁樹脂103を塗布する。当該塗布工程で塗布された絶縁樹脂103の厚みは、層間絶縁抵抗を確保するため、配線パターン101上で70~80μm程度が好ましい。絶縁樹脂103の塗布方法や樹脂の組成によっては、絶縁樹脂103を複数回に分けて形成することも可能である。例えば、スクリーン印刷法で、凸状のバンプ部分をバンプ径より開口させたスクリーン版を使用し、絶縁樹脂103を塗布することで第1絶縁層を形成、仮乾燥後、同じ工程で開口径を絞った状態で第2絶縁層を形成することで層間絶縁樹脂層の厚みを安定的に確保することもできる。ここで、層間絶縁樹脂103は、主に球形の無機フィラーが50~70wt混入されているものが望ましい。層間絶縁樹脂103に無機フィラーが混入されることで、次工程の積層工程で異方性導電樹脂104と層間絶縁樹脂103の樹脂の流動性を制御することが可能となる。また、層間絶縁樹脂103に無機フィラーが含有していることで、完成後の多層プリント配線板としての層間絶縁層の温度変化による線膨張係数を小さく押さえることができる。層間接続樹脂の熱による収縮を押さえることで層間接続部に与える影響が少なく、導通抵抗値の変化率の安定化に繋がる。次いで、塗布した絶縁樹脂103を100°C~130°Cで15分~80分間仮乾燥した後、図1cに示すように、凸状のバンプ102部分に金属粒子105を含む異方性導電樹脂104を塗布する。当該異方性導電樹脂104は、塗布した状態で20~30μmの厚みで形成されることが好ましい。特に、次工程の積層工程で、異方性導電樹脂104に含まれる樹脂分と一緒に金属粒子105が層間接続部外に排出されることを防ぐためにも凸状のバンプ102の先端部分に異方性導電樹脂104を薄く塗布塗布状態で20~30μmすることが、導通抵抗値の変化率を抑える上で有効である。次いで、異方性導電樹脂104を100°C~130°Cで10分~50分間仮乾燥する。次いで、図1dに示すように、絶縁基板100に設けられた凸状のバンプ102に対向する受け導体ランド106を備えた絶縁基板200を用意する。当該絶縁基板200は、凸状のバンプ102と対向する面に、予め配線パターン101や受け導体ランド106が形成されている。当該絶縁基板200に設けられた導体層も物理的あるいは化学的研磨により粗化処理を施すが、安定した粗化層図示せずを形成するために、化学研磨処理を施すことが好ましい。例えば、第二銅錯体と有機酸塩とを配合した液によってエッチングすることが、粗化面が均一な凹凸になり層間絶縁樹脂と導体層の密着性を向上させるためには有効である。尚、当該絶縁基板200の表裏は、ビアフィルによる銅めっきの充填あるいは導電性ペーストにより接続さている。次いで、絶縁基板100に設けられた凸状のバンプ102と絶縁基板200に設けられた受け導体ランド106の位置決めをするが、この位置決め方法としては、例えば光学カメラで位置決めマークを認識する方法やX線カメラによる穴位置での位置決め方法が適宜選択される。あるいは、次工程のピンラミネーションによる積層方法などで位置決めしても構わない。次いで、積層プレスで積層する。積層条件は、使用されるエポキシ樹脂の組成に応じて適宜選択される。例えば、高温時の保持条件本硬化条件として、180°C45分以上、保持温度までの昇温速度として3°C/分程度が好ましい。当該積層工程での加熱加圧によって、異方性導電樹脂104が層間絶縁樹脂103より先に溶融粘度が低くなることで、異方性導電樹脂104に含まれる余分な樹脂が、層間接続部外に排出されるので、図2eに示すように、凸状のバンプ102と受け導体ランド106間に必要な数の金属粒子105が挟持される結果、導通抵抗値の変化率を抑制する効果がある。次いで、図2fに示すように、積層工程後、貫通穴を形成し、全面にパネルめっきを施し、貫通めっきスルーホール301を形成し、フォトマスクによるエッチング工程により、外層の配線パターン302形成を施し、さらに、外層のソルダーレジスト303を形成する工程を経て本発明の4層多層プリント配線板300を得ることができる。次に、上記の製造工程で得られた本発明の多層プリント配線板300の構造について、その概略断面説明図を示す図3を用いて説明する。100は第1の絶縁基板で、一方の面に、配線パターン101と当該配線パターン101の一部に形成された凸状のバンプ102とを備えている。200は、第2の絶縁基板で、前記第1の絶縁基板100の配線パターン101と対向する面に、配線パターン101と当該第1の絶縁基板100の凸状のバンプ102を受ける導体ランド106とを備えている。これら第1の絶縁基板100と第2の絶縁基板200の表裏は、それぞれビアフィルによる銅めっきの充填あるいは導電ペーストにより接続されている。当該第1の絶縁基板100と第2の絶縁基板200は対向配置され、凸状のバンプ102の少なくとも先端部と受け導体ランド106との間に、金属粒子105を含む異方性導電膜204が挟持されていると共に、当該凸状のバンプ102の側方には層間絶縁樹脂層203が配置されている。当該第1の絶縁基板100と第2の絶縁基板200は、さらに、表裏の導通接続として、貫通めっきスルーホール301と最外層配線パターン302とソルダーレジスト303を備え、全体として4層の多層プリント配線板300となっている。斯かる多層プリント配線板300の構成により、凸状のバンプ102と受け導体ランド106間に多くの金属粒子105が挟持されると共に、異方性導樹脂104に含有されている樹脂で凸状のバンプ102と受け導体ランド106間が接合されているため、初期の導通抵抗値からリフロー後の導通抵抗値が極端に上昇するのを抑制することが可能となる。前記異方性導電膜204としては、金属粒子105、エポキシ樹脂、硬化剤及び溶剤の組成物からなるものが望ましい。すなわち、異方性導電膜204に無機フィラーが含まれないことによって、金属粒子105と凸状のバンプ102と受け導体ランド106間の接触の妨げになることを防止する作用がある。このことにより、より多くの金属粒子105を凸状のバンプ102と受け導体ランド106間に挟持することが可能となり、導通抵抗値の安定化に繋がる。また、当該異方性導電膜204としては、層間絶縁樹脂層203に含まれる樹脂と同じ樹脂を含有するものが望ましい。すなわち、異方性導電膜204に含有されている樹脂と層間絶縁樹脂層203に含まれる樹脂とを同一の樹脂にすることによって、積層工程時の圧力で層間接続部外に排出された樹脂が混ざり合っても相溶性もよく、絶縁信頼性に不具合が生じない。また、当該異方性導電膜204としては、積層工程時の温度たる70°C~180°Cで軟化している粘度が、層間絶縁樹脂層203よりも低いものが望ましい。すなわち、異方性導電膜204の方が、層間絶縁樹脂層203よりも上記記載の温度で軟化している粘度が低いため、層間接続部外に異方性導電膜204に含まれる余分な樹脂が排出されることで、凸状のバンプ102と受け導体ランド106間で必要な導電粒子を挟持し、安定した導通抵抗値を確保することが可能となる。また、当該異方性導電膜204に含まれる金属粒子105としては、前記凸状のバンプ102又は前記受けランド106が形成されている銅めっき及び/又は銅箔より硬いものが望ましい。すなわち、凸状のバンプ102及び/又は受け導体ランド106よりも硬い金属粒子105を用いることで、凸状のバンプ102又は受け導体ランド106に金属粒子105が食い込むため、導通抵抗値が安定する。また、当該異方性導電膜204に含まれる金属粒子105としては、金コーティングされているものが望ましい。すなわち、金属粒子105が金コーティングされていることで、金属の表面酸化を抑制し、初期の導通抵抗値の安定化によりリフロー後の導通変化率が抑制されることが可能となる。以上のように、両面絶縁基板100と両面絶縁基板200の間に異方性導電樹脂104と層間絶縁樹脂103を設け、一括積層することで本発明の4層のプリント配線板を得ることができる。特に、層間接続部は、凸状のバンプ102と受け導体ランド106間に異方性導電樹脂104を挟持することによって一括積層部分の導通抵抗を得ることができる。本発明は、この4層基板に限定されることはなく、例えば、4層多層プリント配線板の上下に両面の絶縁基板100を用意し、層間接続部と層間絶縁層部に各々異方性導電樹脂104と層間絶縁樹脂103を塗布し、一括積層することで8層の多層プリント配線板を得ることもできる図示せず。さらに、両面絶縁基板200の上に両面絶縁基板100を3枚用意し、当該絶縁基板100には、層間接続部と層間絶縁層部に各々異方性導電樹脂104と層間絶縁樹脂103を塗布し、一括積層することで8層の多層プリント配線板を得ることもできる図示せず。すなわち、絶縁基板100と他の絶縁基板を適宜組み合わせることによって、必要な構成の多層プリント配線板を得ることができることは言うまでもない。試験例下記試験基板1~5n=10について、初期の導通抵抗値とリフロー後の導通抵抗値の変化率を測定した。尚、リフロー条件として、ピーク温度260°Cで2回処理を行なった。その結果は表1のとおりであった。試験基板1:金コーティングした金属粒子、エポキシ樹脂層間絶縁樹脂層に含まれる樹脂と同一、硬化剤及び溶剤の組成物からなる異方性導電膜を、第1の絶縁基板の凸状バンプに25μmの厚みで形成した図3に示される4層のプリント配線板試験基板2:異方性導電膜の厚みを70μm層間絶縁樹脂層の厚さと同一とした以外は試験基板1と同一試験基板3:異方性導電膜に使用されるエポキシ樹脂の組成と層間絶縁樹脂層に使われるエポキシ樹脂の組成とを違うものにした以外は試験基板1と同一試験基板4:異方性導電樹脂に更に無機フィラーを含有させた以外は試験基板1と同一試験基板5:金コーティングしていない金属粒子を用いた以外は試験基板と同一上記表1から、異方性導電膜としては、金コーティングした金属粒子と層間絶縁樹脂層に含まれる樹脂と同一の樹脂を含有し、無機フィラーを含有しない組成物を用い、層間絶縁樹脂層より薄く形成した方が、リフロー後の導通変化率をより抑制できることが明らかである。"