"二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧が印加される過飽和吸収体部と、ゲイン電流が注入されるゲイン部を含む自励発振半導体レーザと、前記自励発振半導体レーザからの発振光を二つに分離する光分離部と、前記分離された一方の前記発振光を光記録媒体上に集光する対物レンズと、前記光分離部によって分離された他方の発振光を受光する受光素子と、前記受光素子が受光した発振光のパルスを検出するパルス検出部と、マスタークロック信号を生成する基準信号生成部と、前記マスタークロック信号及び前記パルス間の位相差を算出する位相比較部と、前記マスタークロック信号のタイミングに合わせて負の電圧で記録信号を生成して、前記記録信号を前記負のバイアス電圧として前記自励発振半導体レーザの過飽和吸収体部に印加する記録信号生成部と、前記位相差に基づいて、前記自励発振半導体レーザの前記ゲイン部に注入する前記ゲイン電流または、前記過飽和吸収体部に印加する前記負のバイアス電圧を変化させ、前記自励発振半導体レーザの発振周波数を制御する制御部と、を含む記録装置。前記制御部は、前記自励発振半導体レーザの発振期間における前記負のバイアス電圧を制御する請求項1に記載の記録装置。前記発振期間における前記負のバイアス電圧は、一定の直流電圧である請求項2に記載の記録装置。前記制御部は、前記自励発振半導体レーザの発振期間における前記ゲイン電流を制御する請求項1に記載の記録装置。前記発振期間における前記ゲイン電流は、一定の直流電流である請求項4に記載の記録装置。前記制御部は、前記発振期間における前記ゲイン電流または前記負のバイアス電圧を制御することにより、前記発振光のパワーを制御する請求項3または5に記載の記録装置。前記自励発振半導体レーザは、活性層の一方の表面上に、GaInNガイド層、p型AlGaN障壁層、p型GaN/AlGaN超格子第一クラッド層及びp型GaN/AlGaN超格子第二クラッド層をこの順に備える請求項6に記載の光発振装置。前記自励発振半導体レーザは、前記活性層の他方の表面上に、n型GaNガイド層、n型AlGaNクラッド層、n型GaN層をこの順に備える請求項7に記載の光発振装置。二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部と、ゲイン電流を注入するゲイン部を含む自励発振半導体レーザと、前記自励発振半導体レーザからの発振光を分離する光分離部と、前記光分離部によって分離された一方の発振光を受光する受光素子と、前記受光素子が受光した発振光のパルスを検出するパルス検出部と、マスタークロック信号を生成する基準信号生成部と、前記マスタークロック信号と前記パルスとの位相差を算出する位相比較部と、前記マスタークロック信号のタイミングに合わせて負の電圧による所定の信号を生成して、前記所定の信号を前記負のバイアス電圧として前記自励発振半導体レーザの過飽和吸収体部に印加する信号生成部と、前記位相差に基づいて、前記自励発振半導体レーザの前記ゲイン部に注入する前記ゲイン電流もしくは、前記過飽和吸収体部に印加する前記負のバイアス電圧を制御する制御部と、を含む光発振装置。このような高出力かつパルス幅の短い光源は、例えば二光子吸収記録媒体への記録光源や、非線形光学生体イメージング、マイクロマシニング等、様々な分野への応用が期待される。他にも近年においては、信号転送の高速化のために、シリコン電子デバイス間を光配線で接続し、光で信号転送を行う光回路も提案されている。将来、光回路による演算処理を可能とするためには、電子回路のマスタークロックを発生させる光発振子が必要となる。このような光発振子として自励発振型のレーザを用いる場合には、用途に応じて特定の周波数のものを用意しなければならない。また、記録再生装置においては、光記録媒体から読み取ったウォルブ信号や、光記録媒体を回転させるスピンドルモータからの回転同期信号に同期させた記録信号を光源から出射させる必要がある。しかし、自励発振型のレーザの周波数は、一般的にその構造によって特有のパルス光周波数に決まってしまう。このため、用途毎にそれぞれレーザを製造する必要がある上に、非常に高い製造精度も必要とする。したがって、コストは高くなる。上述の点を鑑みて、本技術は、簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本技術による光発振装置は、二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧が印加される過飽和吸収体部と、ゲイン電流が注入されるゲイン部を含む自励発振半導体レーザを含む。また、本技術の光発振装置は、自励発振半導体レーザからの発振光を分離する光分離部と、光分離部によって分離された一方の発振光を受光する受光素子と、受光素子が受光した発振光のパルスを検出するパルス検出部と、を含む。また、本技術の光発振装置は、マスタークロック信号を生成する基準信号生成部と、マスタークロック信号及びパルス間との位相差を算出する位相比較部を含む。さらに、本技術の光発振装置は、マスタークロック信号のタイミングに合わせて負の電圧で所定の信号を生成して、所定の信号を負のバイアス電圧として自励発振半導体レーザの過飽和吸収体部に印加する信号生成部を含む。そして、本技術の光発振装置は、上述の位相差に基づいて、自励発振半導体レーザのゲイン部に注入するゲイン電流または、過飽和吸収体部に印加する負のバイアス電圧を変化させ、自励発振半導体レーザの発振周波数を制御する制御部を含む。また、本技術による記録装置は、上述の光発振装置において、信号生成部の代わりに記録信号を生成する記録信号生成部を設け、さらに、上述の光分離部によって分離されたもう一方の発振光を光記録媒体上に集光する対物レンズを配置したものである。本技術の光発振装置及び記録装置によれば、自励発振半導体レーザのゲイン部に注入するゲイン電流もしくは、過飽和吸収体部に印加する負のバイアス電圧のどちらか一方を制御することにより、発振光の発振周波数を制御することができる。このため、任意の発振周波数で、容易に自励発振半導体レーザを発光させることができる。本技術の光発振装置及び記録装置によれば、任意の発振周波数の発振光を容易に得ることができる。以下本技術を実施するための最良の形態の例を説明するが、本技術は以下の例に限定されるものではない。説明は以下の順序で行う。1.自励発振半導体レーザの構成2.第1の実施形態発振周波数を発振期間における直流電流で制御する例3.第2の実施形態発振周波数を発振期間における直流電圧で制御する例1.自励発振半導体レーザの構成まず初めに、本技術において用いる自励発振半導体レーザ1の構成について説明する。図1は、本技術における自励発振半導体レーザ1を示す概略構成図である。この自励発振半導体レーザ1は、上述の非特許文献1において示されている自励発振半導体レーザである。自励発振半導体レーザ1は、過飽和吸収体部2と、第1のゲイン部3と、第2のゲイン部4とによって構成されるTripleSectional型の自励発振半導体レーザである。図1に示すように、過飽和吸収体部2は、第1のゲイン部3と、第2のゲイン部4とに挟まれるように位置する。過飽和吸収体部2を設けると、吸収体に入射する光の強度が大きくなるにつれて吸収体の吸収率が低下し、強度の大きいパルスしか吸収体を透過できないため、より狭いパルスが得られる。また、第1のゲイン部3及び第2のゲイン部4にはゲイン電流が注入される。n型GaN基板6の0001面上には、GaInN/GaN/AlGaN材料による二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造が形成されている。すなわち、n型GaN基板6の一方の表面上に、n型GaN層7、n型AlGaNクラッド層8、n型GaNガイド層9、二重量子井戸活性層10がこの順で積層して形成される。さらに、二重量子井戸活性層10上に、GaInNガイド層11、p型AlGaN層12、p型AlGaN障壁層13、p型AlGaN/GaN超格子第一クラッド層14がこの順で積層して形成される。このヘテロ構造は、例えばMOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法によって形成することができる。このp型AlGaN/GaN超格子第一クラッド層14の中央部には、図1に示すようにリッジ構造が形成され、リッジ上面には、p型GaNコンタクト層16が形成される。また、リッジ側面や、p型AlGaN/GaN超格子第一クラッド層14のリッジが形成されていない部分の上には、SiO2/Si絶縁層15が形成される。p型GaNコンタクト層16及びSiO2/Si絶縁層15上には、p型電極である第1の主電極17、第2の主電極18並びに副電極19がオーミックコンタクトにより形成される。具体的には、第1のゲイン部3上には第1の主電極17が形成され、過飽和吸収体部2上には副電極19が形成される。また、第2のゲイン部4上には、第2の主電極18が形成される。これらの電極は、溝状の分離部20によって分離されており、互いに電気的に分離される。また、n型GaN基板6のn型GaN層7とは反対側の面には、n型の下部電極5がオーミックコンタクトにより形成される。図1に示すように、この自励発振半導体レーザ1では、副電極19によって、過飽和吸収体部2に逆バイアスの電圧を加える。そしてこの時、第1のゲイン部3及び第2のゲイン部4に対してそれぞれ第1の主電極17及び第2の主電極18から電流ゲイン電流を注入することにより、レーザ光が出射される。本提案者らは、この自励発振半導体レーザ1に対し、上述の逆バイアス電圧の変化によって発振光を変調し、かつ、上述のゲイン電流直流電流を変化させることにより発振周波数を制御できることを見出した。さらに、本提案者らは、逆バイアス電圧の変化によって発振光を変調し、かつ、自励発振半導体レーザ1の発振期間における、逆バイアス電圧発振期間において直流電圧の値を変化させることにより、発振周波数を制御できることを見出した。なお、ここで発振期間における逆バイアス電圧は、その期間において電圧値一定の直流電圧である。すなわち、本技術において、発振光の変調は、逆バイアス電圧を制御することで行い、発振周波数の制御は、発振期間における逆バイアス電圧またはゲイン電流による直流信号の値の制御によって行われる。ここで、発振期間における直流信号とは、本技術において、自励発振半導体レーザ1が発振している間において、逆バイアス電圧は直流電圧であり、かつ、ゲイン電流が直流電流であることを意味する。そして、この逆バイアス電圧及びゲイン電流のどちらか一方の値を制御することにより、発振周波数を制御できる。例えば、図2に、本技術の自励発振半導体レーザ1において、発振時の逆バイアス電圧直流電圧を一定にし、ゲイン電流を変化させたときの発振光の発振周波数を測定した結果を示す。横軸はゲイン電流Igainであり、縦軸は、発振周波数である。なお、逆バイアス電圧Vsaは、0Vから-6.0Vまで、1.0V刻みで変化させ、それぞれの電圧値における発振周波数の変化を調べた。図2に示すように、逆バイアス電圧Vsaが一定であるとき、ゲイン電流Igainを大きくすると、自励発振半導体レーザ1から出射する発振光の発振周波数は大きくなることがわかる。したがって、自励発振半導体レーザ1の発振時において、ゲイン電流直流電流の値を変化させることで、発振周波数を制御することが可能である。一方で、図3は、ゲイン電流直流電流を一定にし、自励発振半導体レーザ1の発振時における逆バイアス電圧発振時において直流電圧の変化に対する発振周波数の変化を調べたものである。横軸は逆バイアス電圧Vsaであり、縦軸は、発振周波数である。なお、ゲイン電流は、80mAから200mAまで、20mA刻みで変化させ、それぞれの電流値における発振周波数の変化を調べた。図3に示すように、ゲイン電流Igainが一定であるとき、逆バイアス電圧Vsaを負の方向に大きくすると、自励発振半導体レーザ1から出射する発振光の発振周波数は小さくなることがわかる。すなわち、自励発振半導体レーザ1の発振時発振期間において、逆バイアス電圧直流電圧の値を変化させることで、発振周波数を制御することが可能である。また、図4は、ゲイン電流Igainを200mA以下で一定にしたときの自励発振半導体レーザ1に印加した逆バイアス電圧Vsaと、自励発振半導体レーザ1からの発振光のピークパワーとの関係を示す図である。横軸は逆バイアス電圧Vsaであり、縦軸は、ピークパワーである。図4からわかるように、逆バイアス電圧Vsaをゼロから負の方向に大きくすると、ピークパワーが大きくなる。またさらに、ある所定の電圧よりも負の方向に大きくなると、ピークパワーは小さくなっていき、最終的には発振が停止する。このように、逆バイアス電圧Vsaによって、ピークパワーの値が変化するので、逆バイアス電圧Vsaによりピークパワーを制御することが可能である。また、図5は、ゲイン電流Igainを200mA以上で一定にしたときの自励発振半導体レーザ1に印加した逆バイアス電圧Vsaと、自励発振半導体レーザ1からの発振光のピークパワーとの関係を調べたものである。横軸は逆バイアス電圧Vsaであり、縦軸はピークパワーである。ゲイン電流は、200mAから235mAまで5mA刻みで変化させ、それぞれの電流値におけるピークパワーの変化を調べた。図5に示すように、このゲイン電流Igainの範囲では、逆バイアス電圧Vsaが約-7Vよりも負の方向に大きくなると、自励発振半導体レーザ1の発振が停止する。したがって、例えば、図5の線L1に示す逆バイアス電圧が-5.5Vの時を自励発振半導体レーザ1のオン発振状態とし、線L2に示す逆バイアス電圧が-7.5Vの時を自励発振半導体レーザ1のオフ非発振状態とすることができる。すなわち、例えば逆バイアス電圧を、-5.5Vと-7.5Vとで切り替えを行うことにより、自励発振半導体レーザ1のオン発振とオフ非発振を制御することができる。このように、逆バイアス電圧の制御を行うことで、自励発振半導体レーザ1から出射する発振光の変調を行うことが可能である。なお、この図4,5で示すピークパワー値は、光出力の平均パワーモニター値と高速フォトディテクタ40GHzで測定したパルス幅から換算している。ディテクタの帯域不足で実際の最小パルス幅15psに対して40ps程度までしか検出できていないため、ピーク値が低めに表示されている。また、図6は、逆バイアス電圧Vsaを一定にしたときの自励発振半導体レーザ1に注入するゲイン電流Igainと、自励発振半導体レーザ1からの発振光のピークパワーとの関係を示す図である。横軸はゲイン電流であり、縦軸は、ピークパワーである。この図6からわかるように、ゲイン電流Igainを大きくする程、発振光のピークパワーが大きくなることがわかる。したがって、ゲイン電流Igainによって自励発振半導体レーザ1の発振光のピークパワーを制御することが可能である。自励発振半導体レーザ1の上述した特性は、図7A、図7Bを用いて以下のように説明できる。図7Aは、自励発振半導体レーザ1に注入したゲイン電流と、電流の注入により自励発振半導体レーザ1内に蓄積された電荷の密度との関係を示す図であり、図7Bは、このときに自励発振半導体レーザ1から出射される光の波形を示す図である。なお、このとき、逆バイアス電圧は一定の値としている。図7Aにおいて、特性L3は、自励発振半導体レーザ1に注入した電流であり、特性L4は、そのときに自励発振半導体レーザ1内に蓄積された電荷の密度である以下、電荷密度という。矢印A1に示すように、ゲイン電流を大きくしていくと、自励発振半導体レーザ1内に蓄積された電荷の密度が高くなる。そして、この電荷密度が特性L5に示す発光閾値に到達すると、図7Bに示すパルス光Pu1が放出される。このとき、パルス光の放出により電荷が消費され、矢印A2に示すように、自励発振半導体レーザ1内の電荷密度は低下する。そして再びゲイン電流によって自励発振半導体レーザ1内に電荷が蓄積され、電荷密度が特性L5の発光閾値に到達するとパルス光を放出する。こうした過程を繰り返すことによって、自励発振半導体レーザ1はパルス光の連続発振を行う。特性L5に示す、電荷密度に対する発光閾値は、自励発振半導体レーザ1に印加する逆バイアス電圧の値によって変化する。例えば、逆バイアス電圧を負の方向に大きくすると、特性L5に示す電荷密度に対する発光閾値は、矢印A3に示すように大きくなる。このため、電荷密度が発光閾値に到達するまでの時間が長くなるので、パルス光が放出される間隔は長くなり、自励発振半導体レーザ1の発振周波数は小さくなる。すなわち、この原理により、自励発振半導体レーザ1の発振周波数を逆バイアス電圧によって制御することができる。また、逆バイアス電圧を負の方向に大きくすることにより発光閾値が大きくなると、レーザ光の発振に必要とされる電荷密度が大きくなり、発振時に消費される電荷量も大きくなるので、放出されるパルス光のエネルギーも大きくなる。このため、逆バイアス電圧によって、自励発振半導体レーザ1の発振光のピークパワーを制御することができる。また、ゲイン電流の値が大きくなると、電荷密度が特性L5に示す発光閾値に到達するまでの時間が短くなる。このため、パルス光が放出される間隔は短くなり、自励発振半導体レーザ1の発振周波数は大きくなる。すなわち、この原理により、自励発振半導体レーザ1の発振周波数をゲイン電流によって制御することができる。また一方で、自励発振半導体レーザ1に蓄積された電荷は、パルス光の放出によって消費される以外に、自励発振半導体レーザ1から自然に流出する消費されることでも失われる。このため、自励発振半導体レーザ1に蓄積させることのできる電荷量電荷密度には、限界が存在する。したがって、逆バイアス電圧Vsaの値を負の方向に大きくし過ぎると、蓄積可能な電荷密度に対して発光閾値が大きくなり過ぎ、発光閾値にまで、電荷密度を高めることができなくなる。このため、図4に示したように、逆バイアス電圧Vsaを負の方向に所定の値にまで大きくすると、自励発振半導体レーザ1は発振しなくなる。このように、逆バイアス電圧Vsaには、負の値の領域において、自励発振半導体レーザ1が発振しなくなる閾値が存在する。したがって、自励発振半導体レーザ1のオンオフの切り替えを行う際には、オフ時の逆バイアス電圧を、この閾値よりも負の方向に大きい値に設定することが好ましい。言い換えると、こうした設定を行った自励発振半導体レーザ1では、レーザ光の発振が停止された非発振期間におけるバイアス電圧が、レーザ光の発振が行われる発振期間における逆バイアス電圧よりも負の方向に大きくなる。このような設定を行うことにより、精度良く、自励発振半導体レーザ1のオンオフの切り替えを行うことができる。また、逆バイアス電圧の制御によって、自励発振半導体レーザ1から出射する発振光の変調が可能となる原理について、図8A~図8Cをもとに以下に説明する。図8Aに示すように、例えば自励発振半導体レーザ1の発振光に対して、0、1、1、0、0の順に二値信号を載せる場合を考える。また、図8Bは自励発振半導体レーザ1に印加した逆バイアス電圧の波形特性L6、このときの発光閾値特性L7、自励発振半導体レーザに注入したゲイン電流の波形特性L8、自励発振半導体レーザ1に蓄えられた電荷密度特性L9を示す図である。また、図8Cは、このときに自励発振半導体レーザ1から出射する発振光の波形を示す図である。なお、図8Cに示すように、自励発振半導体レーザ1から出射するパルス光2個分が、二値信号の‘1’に対応するものとする。まず、二値信号の‘0’を自励発振半導体レーザ1によって表現するときには、図8Bに示す期間T1において、特性L9に示す電荷密度は、特性L7に示す発光閾値を超えない。したがって、期間T1においては、自励発振半導体レーザ1は発振しない非発振期間。一方、二値信号の‘1’を自励発振半導体レーザ1によって表現するときには、図8Bに示す期間T2において、特性L6に示す逆バイアス電圧を、負の値の範囲内で、正の方向に大きくする。これにより、特性L7に示す発光閾値が低下して、特性L9に示す電荷密度が発光閾値に到達する。そしてその結果、図8Cに示すパルス光Pu2が放出される。パルス光Pu2の放出により電荷が消費されることで、図8Bの矢印A4に示すように、電荷密度は低下する。一方、特性L8に示すゲイン電流は、期間T1非発振期間及び期間T2発振期間の両方において値が一定である直流電流なので、再び自励発振半導体レーザ1には電荷が蓄えられ、矢印A5に示すように電荷密度が上昇する。また、このとき特性L6に示す逆バイアス電圧は、期間T2内においては値が一定の直流電圧であるので、特性L7に示す発光閾値は低下したままである。したがって、電荷密度は再び発光閾値に到達する。これにより、図8Cに示すパルス光Pu3が放出され、二値信号の‘1’が表現される。また、二値信号の‘1’から‘0’へ切り替わるときには、図8Bの期間T3非発振期間に示すように、特性L6の逆バイアス電圧を負の方向に大きくする。これにより、期間T3において、特性L7に示す発光閾値が上昇し、特性L9に示す電荷密度が発光閾値に到達しなくなる。このため、自励発振半導体レーザは発振せずに停止状態となり、二値信号の‘0’が表現される。この変調動作の確認実験を行った結果を図9A、図9Bに示す。図9Aは、自励発振半導体レーザ1から出射した発振光の波形を示す図であり、図9Bは、自励発振半導体レーザ1に印加した逆バイアス電圧を示す図である。逆バイアス電圧は、期間T4に示す発振期間30nsecにおいて-5.6Vとし、期間T5に示す非発振期間120nsecにおいて-7.7Vとした。また、ゲイン電流は、期間T4及び期間T5の両方において一定の230mAとした。図9A及び図9Bからわかるように、逆バイアス電圧が-7.7Vである期間T5において自励発振半導体レーザ1は発振しなかった。一方で、逆バイアス電圧が-5.6Vである期間T4では、自励発振半導体レーザ1は複数のパルス光を連続発振し、7.9Wの発振出力が得られた。このことから、逆バイアス電圧を-5.6Vと-7.7Vとで切り替えることにより、自励発振半導体レーザ1のオン状態発振期間とオフ状態非発振期間との切り替えが可能であることがわかる。すなわち、逆バイアス電圧を制御することで、自励発振半導体レーザ1が出射する発振光の変調を行うことができる。また、図10A及び図10Bは、それぞれこの期間T4発振期間において自励発振半導体レーザ1から出射した発振光の波形の拡大図、及び、このときの逆バイアス電圧の波形の拡大図である。また、波形は逆バイアス電圧をトリガーとした同期による複数の繰り返し発光波形の残像を表示しており、同期性を示すものである。この図10より、逆バイアス電圧が-7.7Vから-5.6Vに向かって立ち上がり始めてから10nsec以内に、自励発振半導体レーザ1の発振が始まっていることがわかる。したがって、自励発振半導体レーザ1は、逆バイアス電圧として自励発振半導体レーザ1に印加された変調信号に対して、良好に同期した発振光を出射していると言える。2.第1の実施形態発振周波数を発振期間における直流電流で制御する例上述の特性を有する自励発振半導体レーザ1を用いて構成した記録装置について、以下に説明する。図11は、第1の実施形態に係る記録装置100を示す概略構成図である。本実施形態の記録装置100は、光発振部110と、光発振部110から出射した発振光を光記録媒体43上に集光する対物レンズ41とを有する。また、本実施形態の記録装置100は、光発振部110から出射した発振光を対物レンズに導くミラー40と、光記録媒体43を光記録媒体43の面内方向に回転させるスピンドルモータ42とを有する。光発振部110は、光源として上述の自励発振半導体レーザ1と、自励発振半導体レーザ1からの光をコリメートするコリメータレンズ31と、コリメータレンズ31を透過した光を分離する光分離部32とを備える。また、光発振部110は、光分離部32によって分離された一方の光を集光する集光レンズ33と、集光レンズ33によって集光された光を受光する受光素子34とを備える。またさらに、光発振部110は、受光素子34によって受光された光を検出するパルス検出部35と、マスタークロック信号を生成する基準信号生成部36と、パルス検出部35によって検出された光の位相とマスタークロック信号の位相とを比較する位相比較部37とを備える。また、本実施形態の光発振部110は、位相比較部37が求めた位相差及び受光素子34が受光した光の強度に基づいて、自励発振半導体レーザ1に注入するゲイン電流を制御する制御部38を備える。また、本実施形態の光発振部110は、マスタークロック信号にタイミングを合わせて、記録信号を生成する記録信号生成部39を備える。まず、記録信号生成部39は、基準信号生成部36によって生成されるマスタークロックのタイミングに合わせて、例えば光ディスク等の光記録媒体に記録する記録信号二値信号を生成する。この記録信号は、自励発振半導体レーザ1に対して逆バイアス電圧として印加される。このとき、既述のように、自励発振半導体レーザ1の非発振期間二値信号の‘0’における逆バイアス電圧は、発振期間二値信号の‘1’における逆バイアス電圧よりも負の方向に大きい値とする。これにより、自励発振半導体レーザ1から出射する発振光を、記録信号に応じて変調することができる図8A~図8C参照。記録信号に応じて変調された自励発振半導体レーザ1からの発振光は、コリメータレンズ31によってコリメートされた後、光分離部32に入射する。光分離部32は、例えばビームスプリッタ等によって構成され、自励発振半導体レーザ1から出射した光を二つの光束に分離する。二つに分離された光束のうち、例えば、光分離部32によって反射された光束は、集光レンズ33によって受光素子34上に集光される。この受光素子34には、例えばフォトダイオード等が用いられる。また、パルス検出部35は、コンデンサ44を介して受光素子34に接続され、受光素子34によって受光された光のパルスを検出する。そして、位相比較部37は、基準信号生成部36において生成されたマスタークロックと、パルス検出部35において検出されたパルスの位相とを比較し、両者の位相差を算出する。制御部38は、位相比較部37において求められた位相差に基づいて、自励発振半導体レーザ1に注入するゲイン電流の大小を制御することにより、自励発振半導体レーザ1から発振するパルス光の周波数を制御する。なお、制御部38は、受光素子34において受光された光の強度に基づいて、自励発振半導体レーザ1に注入するゲイン電流の制御も行う。すなわち、本実施形態では、ゲイン電流発振期間及び非発振期間の両方において一定の直流電流の値を制御することにより、自励発振半導体レーザ1から出射する発振光の周波数制御及びパワー制御の両方を行う。一方で、光分離部32を透過した自励発振半導体レーザ1からの発振光は、ミラー40に入射する。そして、この発振光はミラー40によって反射されて光路を変え、対物レンズ41に入射する。対物レンズ41に入射した発振光は、光記録媒体43上に集光される。光記録媒体43は、スピンドルモータ42によって光記録面の面内方向に回転する。また、レーザ光の集光スポットは、図示しないスレッドモータ等によって光記録媒体43の径方向に随時移動する。これにより、自励発振半導体レーザ1からの発振光は、光記録媒体43の光記録面に対して渦巻き状、もしくは同心円状に照射され、発振光に載せられた記録情報が、光記録媒体43に順次記録される。このように、本実施形態の記録装置100では、自励発振半導体レーザ1から出射する発振光を、自励発振半導体レーザ1に印加する逆バイアス電圧によって変調する。この逆バイアス電圧は、記録信号に対応して自励発振半導体レーザ1に印加されるので、自励発振半導体レーザ1から出射する発振光に対して、記録情報を載せることができる。また、さらに、本実施形態の記録装置100では、発振光の周波数及び出力パワーを、自励発振半導体レーザ1に注入するゲイン電流によって制御することができる。このため、発振光の周波数を任意に設定することができ、また、出力パワーを常に一定に維持することが可能となる。このため、光記録媒体への情報の記録を精度良く行うことが可能である。なお、自励発振半導体レーザ1から出射する発振光のパワーは、自励発振半導体レーザ1に印加する逆バイアス電圧の値を変化させることによって制御することも可能である図4参照。したがって、自励発振半導体レーザ1から出射する発振光の変調が可能な範囲内であれば、発振期間における逆バイアス電圧発振期間内において直流電圧の値を変化させることにより発振光のパワー制御を行ってもよい。この場合には、制御部38は、受光素子34での受光強度に基づいて、発振期間における逆バイアス電圧発振期間内において直流電圧の値を制御すればよい。また、自励発振半導体レーザ1からの発振光に載せる信号は、記録信号に限らず任意の信号であってよい。すなわち、記録信号生成部39の代わりに、任意の信号を生成する信号生成部を設けることにより、任意の信号が載った発振光を出射する光発振装置として光発振部110を構成することも可能である。また、ここでは自励発振半導体レーザ1には、二つのゲイン部を有するTripleSectional型の自励発振半導体レーザを用いたが、ゲイン部が一つであるbiSectional型の自励発振半導体レーザを用いても、同様の作用、効果を得ることができる。3.第2の実施形態発振周波数を発振期間における直流電圧で制御する例第1の実施形態においては、自励発振半導体レーザ1の発振周波数を、発振期間におけるゲイン電流の値によって制御した。しかし、図3において示したように、自励発振半導体レーザ1の発振周波数は、逆バイアス電圧の値によっても変化する。ここでは、自励発振半導体レーザ1の発振周波数を、逆バイアス電圧によって制御する記録装置の例について説明する。図12は、第2の実施形態に係る記録装置200を示す概略構成図である。なお、第1の実施形態図11参照と対応する部位には同一符号を付し、重複した説明を避ける。本実施形態の記録装置200は、光発振部210と、光発振部110から出射した発振光を光記録媒体43上に集光する対物レンズ41と、を有する。また、本実施形態の記録装置100は、光発振部110から出射した発振光を対物レンズに導くミラー40と、光記録媒体43を光記録媒体43の面内方向に回転させるスピンドルモータ42とを有する。本実施形態の記録装置200は、光発振部210において、制御部45の動作が、第1の実施形態図11の制御部38と異なること以外は、第1の実施形態の記録装置100と同様である。制御部45は、まず、受光素子34において受光された自励発振半導体レーザ1の強度に基づいて、自励発振半導体レーザ1に注入するゲイン電流を制御する発振期間及び非発振期間において値一定の直流電流。これによって、自励発振半導体レーザ1から出射する発振光のパワーを制御することができる。また、記録信号生成部39において、基準信号生成部36からのマスタークロック信号のタイミングに合わせて、負の電圧により生成された記録信号は、自励発振半導体レーザ1の過飽和吸収体部に逆バイアス電圧として印加される。このとき、例えば記録信号二値信号の‘0’に対応する逆バイアス電圧は、記録信号の‘1’に対応する逆バイアス電圧よりも負の方向に大きい。したがって、第1の実施形態と同様に、記録信号の‘1’を表現するときには、自励発振半導体レーザ1は発振光を出射し発振期間、記録信号二値信号の‘0’を表現するときには、自励発振半導体レーザは発振光を出射しない非発振期間。これにより、自励発振半導体レーザ1から出射する発振光を変調して、記録信号に対応した発振光を自励発振半導体レーザ1から出射させることができる。これらの動作は、第1の実施の形態と同様である。ただし、本実施形態では、制御部45は、発振期間二値信号の‘1’の期間において自励発振半導体レーザ1に印加する逆バイアス電圧記録信号の値を制御する。発振期間における逆バイアス電圧直流電圧の値を制御することにより、発振期間における発光閾値が変化する図8A~図8C参照。このとき、自励発振半導体レーザ1のオン発振、オフ非発振に影響を与えない程度の範囲内で発光閾値を変化させる。既述のように、発光閾値の変化によって発振周波数が変化するので、これにより、発振光の変調を行いながら、かつ、発振周波数の制御を行うことができる。なお、本実施形態においても、発振期間における逆バイアス電圧の値によって自励発振半導体レーザ1から出射する発振光のパワーを制御する図4参照ように、制御部45を構成してもよい。また、自励発振半導体レーザ1からの発振光に載せる信号は、記録信号に限らず任意の信号であってよい。すなわち、本実施の形態においても、記録信号生成部39の代わりに、任意の信号を生成する信号生成部を設けることにより、任意の信号が載った発振光を出射する光発振装置として光発振部110を構成することも可能である。また、ここでは自励発振半導体レーザ1には、ゲイン部が一つであるbiSectional型の自励発振半導体レーザを用いても、同様の作用、効果を得ることが可能である。以上、本技術による光発振装置及び記録装置について説明した。本技術は上記実施の形態にとらわれることなく、特許請求の範囲に記載した本技術の要旨を逸脱しない限りにおいて、なお考えられる種々の形態を含むものであることは言うまでもない。また、本技術は、以下のような構成を取ることもできる。1二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧が印加される過飽和吸収体部と、ゲイン電流が注入されるゲイン部を含む自励発振半導体レーザと、前記自励発振半導体レーザからの発振光を二つに分離する光分離部と、前記分離された一方の前記発振光を光記録媒体上に集光する対物レンズと、前記光分離部によって分離された他方の発振光を受光する受光素子と、前記受光素子が受光した発振光のパルスを検出するパルス検出部と、マスタークロック信号を生成する基準信号生成部と、前記マスタークロック信号及び前記パルス間の位相差を算出する位相比較部と、前記マスタークロック信号のタイミングに合わせて負の電圧で記録信号を生成して、前記記録信号を前記負のバイアス電圧として前記自励発振半導体レーザの過飽和吸収体部に印加する記録信号生成部と、前記位相差に基づいて、前記自励発振半導体レーザの前記ゲイン部に注入する前記ゲイン電流または、前記過飽和吸収体部に印加する前記負のバイアス電圧を変化させ、前記自励発振半導体レーザの発振周波数を制御する制御部と、を含む記録装置。2前記制御部は、前記自励発振半導体レーザの発振期間における前記負のバイアス電圧を制御する1に記載の記録装置。3前記発振期間における前記負のバイアス電圧は、一定の直流電圧である2に記載の記録装置。4前記制御部は、前記自励発振半導体レーザの発振期間における前記ゲイン電流を制御する3に記載の記録装置。5前記発振期間における前記ゲイン電流は、一定の直流電流である4に記載の記録装置。6前記制御部は、前記発振期間における前記ゲイン電流または前記発振期間における前記負のバイアス電圧を制御することにより、前記発振光のパワーを制御する3または5に記載の記録装置。7前記自励発振半導体レーザは、活性層の一方の表面上に、GaInNガイド層、p型AlGaN障壁層、p型GaN/AlGaN超格子第一クラッド層、p型GaN/AlGaN超格子第二クラッド層110をこの順に備える1~6に記載の光発振装置。8前記自励発振半導体レーザは、活性層の他方の表面上に、n型GaNガイド層、n型AlGaNクラッド層、n型GaN層をこの順に備える1~7に記載の光発振装置。9二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧が印加される過飽和吸収体部と、ゲイン電流が注入されるゲイン部を含む自励発振半導体レーザと、前記自励発振半導体レーザからの発振光を分離する光分離部と、前記光分離部によって分離された一方の発振光を受光する受光素子と、前記受光素子が受光した発振光のパルスを検出するパルス検出部と、マスタークロック信号を生成する基準信号生成部と、前記マスタークロック信号及び前記パルス間の位相差を算出する位相比較部と、前記マスタークロック信号のタイミングに合わせて負の電圧で所定の信号を生成して、前記所定の信号を前記負のバイアス電圧として前記自励発振半導体レーザの過飽和吸収体部に印加する信号生成部と、前記位相差に基づいて、前記自励発振半導体レーザの前記ゲイン部に注入する前記ゲイン電流または、前記過飽和吸収体部に印加する前記負のバイアス電圧を変化させ、前記自励発振半導体レーザの発振周波数を制御する制御部と、を含む光発振装置。"