"半導体素子を搭載したパッケージ又はその他のパッケージの構成に用いられるものであって、絶縁性樹脂で封止されるかもしくは接着剤層が適用される被覆面を少なくとも表面の一部に備えるパッケージ部品において、前記パッケージ部品が、導体基材と、その表面を部分的もしくは全体的に被覆した導電性皮膜とからなり、かつ前記導電性皮膜が、前記被覆面において、粗面化された表面プロファイルをもった粗面めっき層からなることを特徴とするパッケージ部品。前記パッケージ部品の実質的にすべての表面が、前記被覆面によって占有されており、粗面化された表面プロファイルをもった粗面めっき層からなることを特徴とする請求項1に記載のパッケージ部品。前記パッケージ部品の表面が、前記絶縁性樹脂及び又は接着剤層の不存在において外部に露出される非被覆面を、前記被覆面とともに有しており、該非被覆面において、前記導電性皮膜が、平滑な表面プロファイルをもった平滑面めっき層からなることを特徴とする請求項1に記載のパッケージ部品。前記被覆面の粗面めっき層と前記非被覆面の平滑面めっき層が、同一もしくは異なるめっき金属から形成されていることを特徴とする請求項3に記載のパッケージ部品。前記被覆面の粗面めっき層と前記非被覆面の平滑面めっき層が、同一もしくは異なる膜厚を有していることを特徴とする請求項3又は4に記載のパッケージ部品。前記めっき金属が、ニッケル、銅、パラジウム、金、銀、すず、クロム又はその合金からなることを特徴とする請求項4又は5に記載のパッケージ部品。前記導電性皮膜の粗面化された表面プロファイルが、めっき金属の針状結晶構造からなることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載のパッケージ部品。前記めっき金属が、ニッケル、銅、パラジウム又はその合金からなることを特徴とする請求項7に記載のパッケージ部品。前記被覆面において、前記導電性皮膜が、2層もしくはそれ以上の多層構造からなることを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載のパッケージ部品。前記導電性皮膜の多層構造が、下記の群:1導体基材上に順に形成された、平滑面めっき層及び粗面めっき層、2導体基材上に順に形成された、粗面めっき層及び表面めっき層、及び3導体基材上に順に形成された、平滑面めっき層、粗面めっき層及び表面めっき層、から選ばれる一員であることを特徴とする請求項9に記載のパッケージ部品。前記表面めっき層が、下地の粗面めっき層の粗面化された表面プロファイルを複製していることを特徴とする請求項10に記載のパッケージ部品。前記表面めっき層が、金、銀、銅、パラジウム、ニッケル、すず、クロム又はその合金からなる群から選ばれためっき金属から形成されていることを特徴とする請求項11に記載のパッケージ部品。前記表面めっき層が、下地のめっき層を酸化処理することにより粗面化させためっき層からなることを特徴とする請求項10に記載のパッケージ部品。前記導体基材が、銅又は非銅系金属の合金もしくは化合物からなることを特徴とする請求項1~13のいずれか1項に記載のパッケージ部品。前記非銅系金属が、アルミニウム又は鉄-ニッケルであることを特徴とする請求項14に記載のパッケージ部品。リードフレーム、放熱板又はその組み合わせであることを特徴とする請求項1~15のいずれか1項に記載のパッケージ部品。少なくとも1個の半導体素子を、請求項1~16のいずれか1項に記載のパッケージ部品と組み合わせて備えてなることを特徴とする半導体パッケージ。前記パッケージ部品がリードフレームであり、該リードフレームの所定の位置に前記半導体素子が搭載され、絶縁性樹脂で封止されていることを特徴とする請求項17に記載の半導体パッケージ。前記リードフレームの実質的に全部が前記絶縁性樹脂で封止されたパッケージであることを特徴とする請求項18に記載の半導体パッケージ。一部の表面が外部に露出した外部露出型放熱板をさらに有していることを特徴とする請求項19に記載の半導体パッケージ。前記リードフレームの一部が外部に露出したパッケージであることを特徴とする請求項18に記載の半導体パッケージ。前記パッケージ部品が放熱板であり、その一部の表面が外部に露出していることを特徴とする請求項17に記載の半導体パッケージ。前記半導体素子が配線基板上に搭載されており、該配線基板に接着剤層を介して前記放熱板が接合されていることを特徴とする請求項22に記載の半導体パッケージ。本発明の目的は、したがって、密着性に優れ、しかも密着性に劣化がない、例えばリードフレーム、放熱板等のパッケージ部品を提供することにある。また、本発明の目的は、密着性に優れ、密着性に劣化がないことに加えて、キズやシミなどの欠陥を生じることがないパッケージ部品を提供することにある。さらに、本発明の目的は、密着性に優れ、密着性に劣化がないパッケージ部品を備えた半導体パッケージを提供することにある。さらにまた、本発明の目的は、密着性に優れ、密着性に劣化がないことに加えて、キズやシミなどの欠陥を生じることがないパッケージ部品を備えた半導体パッケージを提供することにある。本発明の上記した目的やその他の目的は、以下の詳細な説明から容易に理解することができるであろう。本発明は、その1つの面において、半導体素子を搭載したパッケージ又はその他のパッケージの構成に用いられるものであって、絶縁性樹脂で封止されるかもしくは接着剤層が適用される被覆面を少なくとも表面の一部に備えるパッケージ部品において、前記パッケージ部品が、導体基材と、その表面を部分的もしくは全体的に被覆した導電性皮膜とからなり、かつ前記導電性皮膜が、前記被覆面において、粗面化された表面プロファイルをもった粗面めっき層からなることを特徴とするパッケージ部品にある。また、本発明は、そのもう1つの面において、少なくとも1個の半導体素子を本発明のパッケージ部品と組み合わせて備えてなることを特徴とする半導体パッケージにある。以下の詳細な説明から理解されるように、本発明によれば、半導体パッケージ等の作製に使用した時に、封止樹脂、接着剤等との密着性に優れ、しかも密着性に劣化がない、例えばリードフレーム、放熱板等のパッケージ部品を提供することができる。また、本発明のパッケージ部品は、密着性に優れ、密着性に劣化がないばかりでなく、半導体パッケージ等の製造途中あるいはハンドリング中にキズやシミなどの欠陥を生じることがなく、生産性の向上、そして外観品質の向上に大きく貢献することができる。さらに、本発明のパッケージ部品を使用することによって、半導体パッケージを含めたいろいろなタイプの製品外観及び性能に優れたパッケージを容易に、歩留まりよく製造することができる。特に本発明によれば、パッケージ部品に対して、粗面めっき層と平滑面めっき層を組み合わせて導電性皮膜を付与することができるので、半導体パッケージ等に課されている、密着性の向上、ハンドリング時のキズやシミの防止等の多様化された要求特性を同時に満足させることができる。本発明は、半導体素子を搭載したパッケージ半導体パッケージ又はその他のパッケージの構成に用いられるパッケージ部品にある。ここで、半導体パッケージに組み込まれる半導体素子の種類、数、搭載部位などは、特に限定されるものではない。例えば、半導体素子は、ICチップ、LSIチップなどの半導体チップを包含する。これらの半導体素子は、1個のみが搭載されていてもよく、必要なら、2個もしくはそれ以上の半導体素子が任意に組み合わさって搭載されてもよい。また、このような半導体素子に代えて、あるいは半導体素子と組み合わせて、任意の能動素子あるいは受動素子を搭載してもよい。本発明のパッケージ部品は、半導体パッケージ以外のパッケージにも適用することができる。本発明の実施において適当なその他のパッケージとしては、ガラス端子などがある。上記のような半導体パッケージやその他のパッケージにおいて、本発明のパッケージ部品は、絶縁性樹脂で封止されるかもしくは接着剤層が適用される被覆面を少なくとも表面の一部に備えることが必須である。すなわち、本発明のパッケージ部品は、以下に詳細に説明するように、粗面めっき層の存在によって絶縁性樹脂や接着剤層との密着性を改善できることを大きな特徴としているからである。パッケージ部品は、その使用によって本発明の作用効果が発揮される限りにおいて特に限定されるものではない。適当なパッケージ部品は、半導体パッケージやその他のパッケージにおいて広く使用されている部品、典型的には、リードフレーム、放熱板などである。これらのパッケージ部品は、単独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。例えば、リードフレームに半導体チップを搭載するとともに、その半導体チップに密着させて放熱板を取り付けることができる。本発明によるパッケージ部品は、導体基材と、その表面を被覆した導電性皮膜とからなる。導電性皮膜は、導体基材の表面に全体的に被覆されていてもよく、必要とされる部分のみに部分的に被覆されていてもよい。本発明のパッケージ部品において、導体基材は、そのパッケージ部品の種類や求められる特性などに応じていろいろな材料から形成することができる。導体基材の形成に適当な材料としては、以下に列挙するものに限定されるわけではないけれども、例えば銅やその合金もしくは化合物、そして銅以外の金属非銅系金属の合金もしくは化合物を挙げることができる。非銅系金属の例としては、アルミニウム、鉄-ニッケル合金などを挙げることができる。例えば、パッケージ部品がリードフレームである場合、導電性に優れ、加工のし易い銅やその合金を導体基材に有利に使用することができる。また、パッケージ部品が放熱板である場合、導体基材はさらに伝熱特性や放熱特性に優れていることが望ましく、従って、銅、アルミニウム等やその合金を導体基材として有利に使用することができる。導電性皮膜は、導体基材と同一の材料から形成されていてもよく、異なる材料から形成されていてもよい。また、導電性皮膜は、通常、単層の形で形成されるけれども、必要ならば、2層もしくはそれ以上の多層構造の形で形成されてもよい。さらに、導電性皮膜は、好ましくはめっき法によってめっき層として形成されるけれども、必要ならば、めっき法以外の薄膜形成技術、例えば蒸着、スパッタリングなどによって形成されてもよい。本発明のパッケージ部品の場合、その導体基材を被覆した導電性皮膜が、粗面化された表面プロファイルをもった粗面めっき層を少なくとも部分的に有することが必要である。粗面めっき層は、通常、無光沢である。パッケージ部品における粗面めっき層の形成部位は、特に限定されるわけではないけれども、半導体パッケージやその他のパッケージが絶縁性樹脂で封止される時に、その封止樹脂が密着されるべき部分や、パッケージ部品どうしの接合や素子の接合のために、接着剤の塗布や粘着テープの貼付によって接着剤層が適用される部分などが典型的であり、これらの部位を、本発明では特に被覆面という。また、本発明のパッケージ部品の場合、封止樹脂や接着剤層が適用される必要のない部位、すなわち、半導体パッケージやその他のパッケージにおいてパッケージ部品がそのまま外部に露出される部位は、パッケージ部品に被覆面と区別するため、非被覆面という。導電性皮膜の粗面めっき層は、必要に応じてめっき法以外の方法で形成してもよいけれども、簡便性やコストなどの面から、めっき法で形成するのが有利である。特に、電解めっき法を有利に使用することができる。適当なめっき金属は、以下に列挙するものに限定されるわけではないけれども、例えば、ニッケル、銅、パラジウム、金、銀、すず、クロム又はその合金である。粗面めっき層の形成に使用するめっき浴は、対象とするめっき層の種類に応じて任意に変更することができる。例えば、粗面めっき層をニッケルから形成するような場合には、塩化ニッケルめっき浴などを有利に使用することができる。例えば、本発明の実施に好適な塩化ニッケルめっき浴は、次のような組成を有することができる。塩化ニッケル75g/Lチオシアン酸ナトリウム15g/L塩化アンモニウム30g/LpH4.5~5.5このような塩化ニッケルめっき浴は、例えば、次のような処理条件で使用することができる。浴温常温約25°C処理時間約15秒間~約30分間陰極電流密度約1~3A/cm2粗面めっき層は、いろいろな膜厚で形成することができる。粗面めっき層の膜厚は、そのめっき層の構成単層もしくは多層やめっき層に求められている特性などによって変動してくるけれども、通常、約0.2~50μmの範囲であり、好ましくは、約0.3~10μmの範囲である。本発明の実施において、粗面めっき層の膜厚が特に限定されることはない。本発明のパッケージ部品において、導電性皮膜として形成される粗面めっき層は、上記したようにいろいろな部位に形成することができる。1つの面において、本発明のパッケージ部品は、その実質的にすべての表面が被覆面によって占有されており、その被覆面が、粗面化された表面プロファイルをもった粗面めっき層からなることが好ましい。このようなパッケージ部品は、好ましくは、半導体パーケージなどで使用することができ、典型例は、リードフレームである。例えば、この半導体パッケージの場合、リードフレームの所定の位置に1個もしくはそれ以上の半導体素子を搭載するとともに、リードフレームの実質的に全部を絶縁性樹脂で封止することができる。なお、このような半導体パッケージにおいて、一部の表面が外部に露出した外部露出型放熱板などをリードフレームに併用してもよい。もう1つの面において、本発明のパッケージ部品は、その表面に被覆面と非被覆面を同時に備えることができる。非被覆面は、パッケージ部品の表面のなかで、絶縁性樹脂及び又は接着剤層の不存在において外部に露出されるべき特定の表面である。この場合、パッケージ部品の表面における被覆面と非被覆面の使い分けは、パッケージ部品の種類や使用目的などに応じて任意に変更することができ、複数のパッケージ部品を使用する場合には、その選択肢はさらに多岐に及ぶことができる。例えば、リードフレームをパッケージ部品として樹脂封止により半導体パッケージを作製する場合、リードフレームの一部を外部に露出した状態とした場合、このリードフレームの露出表面が、本発明でいう非被覆面となる。リードフレームの素子搭載側の表面は、絶縁性樹脂で封止された状態であるので、本発明でいう被覆面である。また、パッケージ部品が放熱板である場合、その放熱板の表面は少なくとも部分的に外部に露出しているので、この露出部分が非被覆面となる。放熱板の残りの部分は通常絶縁性樹脂で封止され、被覆面となる。さらに、半導体素子が配線基板上に搭載されており、その配線基板に接着剤層を介して蓋状の放熱板が接合されているような場合、放熱板の接合面が被覆面となり、放熱板の外部に露出した面が非被覆面となる。上記のように被覆面と非被覆面を同時に備える本発明のパッケージ部品において、非被覆面は、所望ならば被覆面と同一もしくは類似の粗面めっき層を有していてもよいけれども、平滑な表面プロファイルをもった平滑面めっき層を導電性皮膜として有していることが好ましい。平滑面めっき層は、通常、光沢又は半光沢である。非被覆面の平滑面めっき層は、被覆面の粗面めっき層と同一もしくは異なるめっき金属から形成することができる。適当なめっき金属は、以下に列挙するものに限定されるわけではないけれども、例えば、ニッケル、銅、パラジウム、金、銀、すず、クロム又はその合金である。平滑面めっき層は、必要に応じてめっき法以外の方法で形成してもよいけれども、簡便性やコストなどの面から、めっき法で形成するのが有利である。特に、電解めっき法を有利に使用することができる。また、その際に使用するめっき浴は、対象とするめっき層の種類に応じて任意に変更することができる。例えば、平滑面めっき層をニッケルから形成するような場合には、スルファミン酸ニッケルめっき浴、ワットニッケルめっき浴、臭化ニッケルめっき浴、ウッドニッケルめっき浴などを有利に使用することができる。例えば、本発明の実施に好適なスルファミン酸ニッケルめっき浴は、次のような組成を有することができる。スルファミン酸ニッケル320g/L硼酸30g/L臭化ニッケル10g/LpH3.0~4.0このようなニッケルめっき浴は、例えば、次のような処理条件で使用することができる。浴温約30~50°C処理時間約15秒間~約30分間陰極電流密度約3~30A/cm2また、非被覆面の平滑面めっき層は、被覆面の粗面めっき層と同様に、任意の膜厚で形成することができる。平滑面めっき層の膜厚は、そのめっき層の構成単層もしくは多層やめっき層に求められている特性などによって変動してくるけれども、通常、約0.2~50μmの範囲であり、好ましくは、約0.3~10μmの範囲である。本発明の実施において、平滑面めっき層の膜厚が特に限定されることはない。さらに詳しく述べると、本発明のパッケージ部品において、導体基材の被覆面の粗面めっき層は、その表面プロファイルとしていろいろな粗面化形態を有することができる。特に好ましい粗面化形態は、本発明者らが電子顕微鏡によって観察した結果によれば、めっき金属の針状結晶構造からなる。すなわち、以下に図面として添付した電子顕微鏡写真を参照して説明するように、導体基材の被覆面に形成された粗面めっき層の表面には、めっき金属に由来する先端が尖った針状の突起が無数に存在し、これらの突起が、封止樹脂や接着剤層に対するアンカーの役割を果たしている。針状の突起は、いろいろな形態を有することができるけれども、典型的には、三角錐状形態、梨地状形態、羽毛状形態などの形態である。また、針状の突起は、それが被覆面の全体に全面的に分布しているのが一般的に好ましいが、所期の効果が得られるのであるならば、被覆面の実質的な部分例えば、約80もしくはそれ以上の領域を占有しているだけでもよい。さらに、針状の突起は、それらの突起の全部が針状である必要はなく、場合によっては、所期の効果が得られるのであるならば、一部の突起が角のとれた丸みを帯びた先端を有する突起であってもよい。めっき金属の針状結晶構造は、その形状によって接合面積の増加をもたらすことに加えて、アンカー効果も導いているからである。粗面めっき層は、上記のようなめっき層のみからなる単層構造であってもよく、2層もしくはそれ以上のめっき層からなる多層構造であってもよい。多層構造の粗面めっき層としては、以下に列挙するものに限定されるわけではないけれども、1導体基材上に順に形成された、下地めっき層例えば、平滑面めっき層及び粗面めっき層の組み合わせ、2導体基材上に順に形成された、粗面めっき層及び表面めっき層の組み合わせ、3導体基材上に順に形成された、下地めっき層例えば、平滑面めっき層、粗面めっき層及び表面めっき層の組み合わせ、などを挙げることができる。多層構造1において、粗面めっき層を表面めっき層ということもできる。なお、下地めっき層は、存在もしくは不存在のいずれであってもよいけれども、もしも存在させる場合には、工数及びコストの削減などを考慮して、非被覆層に形成される平滑面めっき層を利用するのが好ましい。表面めっき層は、もしもそのめっき層を併用するのであるならば、粗面めっき層に特有の粗面化された表面プロファイルをそのまま複製する形で用いるのが好ましく、したがって、導電性皮膜の表面粗面が埋め込まれて表面が平滑になるような膜厚で形成するのは避けることが望ましい。表面めっき層は、通常、金、銀、銅、パラジウム、ニッケル、すず、クロム又はその合金からなる群から選ばれためっき金属からめっきによって形成するのが好ましい。しかし、比較可能な作用効果が得られるのであるならば、めっき以外の手法で表面めっき層を形成してもよい。下地のめっき層を酸化処理することによって、粗面化させためっき層を形成することが推奨される。例えば、表面めっき層は、下地の粗面めっき層の酸化によって、酸化されためっき層酸化膜の形で形成してもよい。酸化膜は、好ましくは、粗面めっき層の表面を熱的に酸化するか、さもなければ化学的及び又は電気化学的に酸化することによって形成することができる。さもなければ、上記多層構造1の粗面めっき層表面めっき層などの場合には、下地めっき層を酸化処理黒化処理などすることで、粗面化させることができる。本発明はまた、本発明のパッケージ部品を備えた半導体パッケージやその他のパッケージにある。本発明は、特に、少なくとも1個の半導体素子を本発明のパッケージ部品と組み合わせて備えてなることを特徴とする半導体パッケージにある。半導体素子は、上記したように、ICチップ、LSIチップ等の半導体チップやその他の素子を包含する。本発明の半導体パッケージにおいて、パッケージ部品は、好ましくは、リードフレームである。かかる半導体パッケージにおいて、リードフレームの所定の位置に半導体素子が搭載され、しかも素子搭載部が絶縁性樹脂で封止されていることが好ましい。また、半導体パッケージは、リードフレームの実質的に全部が絶縁性樹脂で封止された樹脂封止型パッケージであることが好ましい。さらに、このような樹脂封止型パッケージの場合、一部の表面が外部に露出した外部露出型放熱板をさらに有しているも好ましい。パッケージ部品がリードフレームである半導体パッケージにおいて、リードフレームの一部が外部に露出したパッケージも有利に採用することができる。このようなパッケージの典型例は、QFNQuadFlatNon-leadedパッケージである。パッケージ部品が放熱板である半導体パッケージもある。この場合にも、放熱板の一部の表面が絶縁性樹脂の外部に露出していることが必須である。パッケージ部品が放熱板である別の半導体パッケージもある。このような半導体パッケージの例として、半導体素子が配線基板上に搭載されており、該配線基板に接着剤層を介して放熱板が接合されているタイプの半導体パッケージを挙げることができる。以上に説明したように、本発明のパッケージ部品及び半導体パッケージは、それぞれ、いろいろな形態で有利に実施することができる。以下、これらの発明を添付の図面を参照しながらさらに具体的に説明する。なお、本発明は、下記の具体的な実施形態に限定されるものではない。図1は、本発明のパッケージ部品としてリードフレーム導体基材を使用した半導体パッケージの断面図である。図示の半導体パッケージ10において、リードフレーム1は、実質的に銅もくしはその合金からなっていてもよく、さもなければ、実質的に非銅系金属からなり、かつその最表層が銅もしくはその合金からなっていてもよい。後者の場合、非銅系合金としては例えば鉄-ニッケルFeNi合金などを使用することができ、また、その際、最表層として銅もしくはその合金をめっきやその他の成膜方法で形成することができる。リードフレームは、通常、薄板などの形態で導体基材を入手し、プレス加工、エッチングなどによってリードフレームの形に加工することができる。リードフレーム1は、その表面に導電性皮膜ここでは、Niめっき層2を有している。導電性皮膜2は、図示されるように、リードフレーム1の外周を実質的に覆うように形成されている。また、リードフレーム1は、ワイヤボンディング用に銀めっき層3を備えている。なお、図示していないが、図示の半導体パッケージ10の場合、リードフレーム1と組み合わせてヒートスプレッダーを配置し、より高い放熱性を得ることもでき、そのような場合、ヒートスプレッダーを絶縁性の樹脂9で封止する際の密着性を高めるため、ヒートスプレッダーの表面に本発明の粗面めっき層を有利に適用することができる。リードフレーム1には、その所定の位置に半導体素子5が搭載される。図示しないが、リードフレーム1と半導体素子5の接合には、任意の接合媒体例えば、接着シート、ダイボンディング材などを使用するのが一般的である。半導体素子5は、例えばICチップ、LSIチップなどである。図示の例では1個の半導体素子5が搭載されているが、必要なら、2個もしくはそれ以上の半導体素子を搭載してもよい。また、このような半導体素子に代えて、あるいは半導体素子と組み合わせて、任意の能動素子あるいは受動素子を搭載してもよい。すなわち、本発明の実施において、半導体素子の種類等は特に限定されるものではない。半導体素子5は、その外部接続端子図示せずがリードフレーム1の銀めっき層3とボンディングワイヤ8を介して接続される。ボンディングワイヤ8は、例えば金Au、アルミニウムAlなどの細線からなる。また、必要ならば、図示のワイヤボンディング法に代えてフリップチップFC法を使用して電気的接続を形成してもよい。図示の半導体パッケージ10では、半導体素子5の搭載部も含めて、リードフレーム1の実質的に全部半導体パッケージの機能部が絶縁性の樹脂9で封止されており、リードフレーム1の両端部、すなわち、外部リード部のみが露出している。すなわち、図示の半導体パッケージ10の場合、リードフレーム1の実質的に全部が本発明でいう樹脂被覆面を構成している。封止樹脂9は、半導体パッケージ10を外部の水分や衝撃などから保護する働きがあり、本発明の範囲を損なわない限り、任意の絶縁性樹脂を包含する。適当な封止樹脂としては、以下に列挙するものに限定されるわけではないけれども、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、塩化ビニル樹脂などを挙げることができる。リードフレーム1の導電性皮膜Niめっき層2は、図1の線分II-IIにそった部分拡大図である図2から理解されるように、その封止樹脂9の側において粗面化された表面プロファイルを有している。すなわち、リードフレーム1とその上方の導電性皮膜粗面めっき層;Niめっき層2bを拡大して示す図3に示されるように、粗面めっき層2bは、先の尖った針状突起12をランダムに有している。針状突起12は、粗面めっき層2bの表面において、間断なく分布していることが好ましい。また、接合面積の増加と高められたアンカー効果に基づく界面のせん断強度の増加を確実に得るため、極端にランダムに分布するのを避けることが好ましい。通常三角形の断面で形成される針状突起12の高さも、ほぼ一定であることが好ましく、粗面めっき層2bの構成やめっき条件などによって変動はあるというものの、通常、約0.2~3μmの範囲であるのが好ましい。また、針状突起12の高さを表面粗さRaで表すと、約50nm以上であるのが好ましい。図示の例の場合、導電性皮膜粗面めっき層2は、リードフレーム1の表面に直接的に形成されているけれども、必要ならば、リードフレーム1と導電性皮膜2の間に任意の下地層、例えばめっき層を介在させてもよい。リードフレーム1の被覆面に導電性皮膜として形成された粗面めっき層2は、その上にさらに追加の層を有していることが好ましい。好適な追加の層として、図4に示すような表面層、好ましくは表面めっき層6bを挙げることができる。なお、図では片面のみが示されているが、図2から理解されるように、表面めっき層は、もしも形成される場合、リードフレーム1の表裏両面そしてさらに、側面に形成されるのが一般的である。表面めっき層の膜厚は、所望とする効果などに応じて広い範囲で変更することができるというものの、通常、約0.005~1μmの範囲であり、好ましくは、約0.01~0.05μmの範囲である。表面めっき層は、下地である粗面めっき層2bの針状突起12のプロファイルを正確に再現する必要があり、したがって、突起複製に好適なめっき法で、かつそれに必要なめっき厚で形成することが好ましい。例えば、表面めっき層は、金、銀、銅、パラジウム、ニッケル、すず、クロムなどやその合金からめっき法によって有利に形成することができる。めっき法は、常用の手法に従って実施することができる。別法によれば、粗面めっき層を熱的もしくは化学的及び又は電気化学的手法によって酸化して、目的とする表面めっき層を形成してもよい。表面めっき層の形成に用いられる酸化法は、特に限定されるものではなく、一例を示すと、黒化処理液を使用した酸化法を挙げることができる。黒化処理液は、強アルカリ化合物及び酸化剤を主成分として含有し、例えば、次のような組成を有することができる。亜塩素酸ナトリウムNaClO25~100g/L水酸化ナトリウムNaOH5~60g/Lリン酸三ナトリウムNa3PO40~200g/Lこのような黒化処理液は、例えば、次のような処理条件で使用することができる。浴温約50~100°C処理時間約5秒間~約5分間電流密度約0~10A/dm2本発明による半導体パッケージは、図1を参照して先に説明した半導体パッケージ10以外の半導体パッケージも包含する。本発明の半導体パッケージは、本発明の範囲でいろいろな形態を有することができ、その典型例を図5、図8及び図9を参照して以下に説明する。図5は、本発明による半導体パッケージの好ましい1形態を示した断面図である。図示の半導体パッケージ10は、QFNQuadFlatNon-leadedパッケージと呼ばれるもので、リードフレーム1の外部リード1aとダイパッド1bの裏面が、封止樹脂9の表面に露出している。すなわち、リードフレーム1は、外部に露出した非被覆面と、封止樹脂9に接した被覆面とを同時に有している。ダイパッド1bに搭載された半導体素子5は、その外部接続端子図示せずが外部リード1aの銀めっき層図示せずとボンディングワイヤAuワイヤ8を介して接続される。図示のQFNパッケージ10の場合、そのリードフレーム1は、図6に模式的に示す構成を有している。リードフレーム1は、銅からなる導体基材からなり、その封止樹脂の側の面に、先に具体的に説明した粗面めっき層ここでは、Niめっき層2bを所定の膜厚で有している。また、リードフレーム1の、QFNパッケージ10の外側に位置する面には、平滑面めっき層ここでは、Niめっき層7aが所定の膜厚で形成されている。図5に示したQFNパッケージ10では、図6に示したリードフレーム1に代えて、図7に模式的に示すような別のリードフレームを使用することもできる。図示のリードフレーム1は、平滑面めっき層7aと同じ平滑面めっき層7bを封止樹脂9の側にも有することを特徴とする。すなわち、このQFNパッケージ10の場合、リードフレーム1の両面にそれぞれ平滑面めっき層7a及び7bを形成した後、片面のみに粗面めっき層Niめっき層2bを選択的に形成することができる。図8は、本発明による半導体パッケージのもう1つの好ましい形態を示した断面図である。図示の半導体パッケージ10の場合、リードフレーム1に接着テープ13を介してアルミニウム製の放熱板ヒートシンクともいう4が接合され、さらにその放熱板4の上に半導体素子5が搭載されている。放熱板4は、アルミニウム以外に、銅やその他の高伝熱性金属材料から形成することができる。放熱板4に搭載された半導体素子5は、その外部接続端子図示せずがリードフレーム1の銀めっき層図示せずとボンディングワイヤAuワイヤ8を介して接続されている。図示の半導体パッケージ10において、リードフレーム1の実質的に全体と放熱板4の片面が封止樹脂9によって封止されており、従って、放熱板4の裏面のみが、封止樹脂9の表面に露出している。すなわち、この半導体パッケージ10の場合には、リードフレーム1だけでなく、放熱板4にもまた本発明を適用することができる。リードフレーム1が、封止樹脂9に接した被覆面を有し、かつ放熱板4が、外部に露出した非被覆面と、封止樹脂9に接した被覆面とを同時に有しているからである。リードフレーム1と放熱板4の被覆面に本発明に従い粗面めっき層が形成され、かつ放熱板4の非被覆面に本発明に従い平滑面めっき層が形成されている。図9は、本発明による半導体パッケージのもう1つの好ましい形態を示した断面図である。図示の半導体パッケージ10の場合、回路基板15の上に金Auバンプ17を介して半導体素子5がフリップチップFC接続され、さらに封止樹脂9で封止されている。また、回路基板15には、はんだボール18が外部接続端子として取り付けられている。さらに、半導体素子5の放熱のため、銅もしくは銅合金製の放熱板ヒートスラグともいう14が回路基板15及び半導体素子5の背面に接合されている。放熱板14は、半導体素子5を収納するため、図示のように凹部が加工されている。放熱板14と回路基板15は接着剤層ポリイミドテープ16によって接合されており、この部分に本発明を適用することができる。すなわち、放熱板14と回路基板15の接合面をそれぞれ被覆面とし、本発明に従い粗面めっき層から形成する。さらに、放熱板14の外面を非被覆面とし、平滑面めっき層から形成する。本発明の実施において、パッケージ部品の導電性皮膜は、上記したように、めっき法によって有利に形成することができ、特に電解めっき法が好適である。電解めっき法によって粗面めっき層や平滑面めっき層を形成する場合、常用のめっき法及びめっき処理装置を任意に使用して本発明を実施することができる。例えば、それぞれニッケルからなる粗面めっき層及び平滑面めっき層は、図10及び図11に模式的に示すようなめっき処理装置を使用して有利に実施することができる。図10を参照すると、めっき処理装置50は、処理槽51と処理液ニッケルめっき浴52とからなる。処理液52は、上記したように、形成対象のめっき層にあわせて最適な組成を有することができる。処理槽51に浸漬されたリードフレーム等の導体基材パッケージ部品の前駆体1は、付属の案内ローラー図示せずによって矢印方向に搬送可能である。処理液52は、例えばそれが塩化ニッケルめっき浴である場合、常温で保持され、また、導体基材1の滞留時間は、約15秒間~約30分間である。また、処理槽51は、電解めっきのため、整流器56に接続された2枚の白金電極板54及び55を備えている。白金電極板に代えて、ニッケルチップを使用することもできる。さらに、導体基材1も整流器56から給電されている。図10のめっき処理装置50は、粗面めっき層又は平滑面めっき層を別々に形成する場合に有用である。例えば図6及び図7を参照して説明したように粗面めっき層と平滑面めっき層を同時に有する1枚の導体基材を形成する場合や、粗面めっき層及び平滑面めっき層のいずれか一方のみを有する1枚の導体基材を形成したい場合には、図10のめっき処理装置50を改造してこれを行うことができる。一般的には、非めっき面をメカニカルマスクやレジスト膜によって遮蔽する方法や、電解遮蔽方法を有利に使用することができる。非めっき面を遮蔽した状態で電解めっきを行うことによって、導体基材の露出面のみに選択的にめっきを析出させることができる。図11は、電解遮蔽方法を実施するために図10のめっき処理装置50を改造した例である。本例の場合、1つの処理槽51に2台の整流器56a及び56bを設置し、処理槽51内に2つの電気回路を形成している。整流器56aに接続された一方の電気回路は、白金電極板ニッケルチップでもよい55を備え、整流器56bに接続された他方の電気回路は、図10の白金電極板54に代えて、ダミー電極板57を備えている。ダミー電極板57は、導体基材1の遮蔽面にニッケルめっきが析出するのを抑えるために配置されるもので、図示のように、導体基材1の裏面を通過したニッケルイオンNiがダミー電極板57の表面に選択的に析出可能である。この方法によって、導体基材1の片面のみに粗面めっき層を形成することが容易に可能である。次いで、本発明をその実施例を参照してさらに説明する。なお、以下の実施例では特に銅製リードフレームにNiめっきを異なるめっき条件で形成した例について本発明を説明するが、本発明は、これらの特定に例に限定されないことを理解されたい。実施例1粗面Niめっき層の形成:微量の鉄Feを含有する銅合金材商品名CDA194をサンプルとして用意し、その片面に粗面Niめっき層を異なる膜厚で電解めっきし、下記の4種類のサンプルを作製した。サンプルA:膜厚0.5μmサンプルB:膜厚1.0μmサンプルC:膜厚3.0μmサンプルD:膜厚5.0μm本例で使用した電解めっき浴の組成及びめっき条件は、次の通りであった。塩化ニッケルめっき浴:塩化ニッケル75g/Lチオシアン酸ナトリウム15g/L塩化アンモニウム30g/LpH:約4.5~5.5浴温:常温約25°C陰極電流密度:約1~3A/cm2無光沢の表面をもったサンプルA~Dのそれぞれについて、A走査電子顕微鏡SEM、×10,000による表面形態の観察、B走査電子顕微鏡SEM、×5,000による断面状態の観察、及びC原子間力顕微鏡AFMによる表面状態の解析を行うとともに、平均表面粗さRaも求めた。AFMは、測定範囲:10μm2で実施した。これらの測定結果は、図12~図15に示され、また、下記の第1表にまとめられている。図12...サンプルANi膜厚:0.5μm図13...サンプルBNi膜厚:1.0μm図14...サンプルCNi膜厚:3.0μm図15...サンプルDNi膜厚:5.0μmこれらの測定結果から理解されるように、粗面Niめっき層は、膜厚が増加すればするほど針状突起の形成及び表面粗さが顕著となり、表面積も増大する。実施例2平滑面Niめっき層の形成:微量の鉄Feを含有する銅合金材商品名CDA194をサンプルとして用意し、その片面に平滑面Niめっき層を異なる膜厚で電解めっきし、下記の4種類のサンプルを作製した。サンプルI:膜厚0.5μmサンプルII:膜厚1.0μmサンプルIII:膜厚3.0μmサンプルIV:膜厚5.0μm本例で使用した電解めっき浴の組成及びめっき条件は、次の通りであった。スルファミン酸ニッケルめっき浴:スルファミン酸ニッケル320g/L硼酸30g/L臭化ニッケル10g/LpH:約3.0~4.0浴温:約30~50°C陰極電流密度:約3~30A/cm2半光沢の表面をもったサンプルI~IVのそれぞれについて、A走査電子顕微鏡SEM、×10,000による表面形態の観察、B走査電子顕微鏡SEM、×5,000による断面状態の観察、及びC原子間力顕微鏡AFMによる表面状態の解析を行うとともに、平均表面粗さRaも求めた。AFMは、測定範囲:10μm2で実施した。これらの測定結果は、図16~図19に示され、また、下記の第1表にまとめられている。図16...サンプルINi膜厚:0.5μm図17...サンプルIINi膜厚:1.0μm図18...サンプルIIINi膜厚:3.0μm図19...サンプルIVNi膜厚:5.0μmこれらの測定結果から理解されるように、平滑面Niめっき層は、膜厚が増加したにもかかわらず表面粗さに顕著な変動は認められず、表面積も増大しない。上記第1表にまとめた測定結果から理解されるように、本発明に従ってパッケージ部品の両面に粗面めっき層を形成するかもしくは粗面めっき層と平滑面めっき層を組み合わせて形成した場合、パッケージ部品と封止樹脂、接着剤等との密着性を改善したり、パッケージ部品の表面におけるキズ、シミ等の発生を防止し、外観品質の向上を図ることができる。パッケージ表面におけるキズの発生の防止は、図20及び図21から理解できるであろう。上記のような手法に従ってリード状銅製リードフレームに平滑面Niめっき層を施した後、出荷用にシートサイズに切断し、リードのバラツキを抑えるためにリード固定テープを貼付した。得られたリードフレームのNiめっき層の表面状態を顕微鏡×50で観察したけれども、図20Aに示すように、図32Aで観察されたような擦りキズは認められず、また、電子顕微鏡×2,000で拡大して観察もしたけれども、図20Bに示すように、Niめっき層の結晶状態に変化は認められなかった。同じリードフレームについて、別の部位のNiめっき層の表面状態を顕微鏡×50で観察したけれども、図21Aに示すように、図33Aで観察されたような押えキズは認められず、また、電子顕微鏡×20,000で拡大して観察もしたけれども、図21Bに示すように、Niめっき層の結晶状態に変化は認められなかった。実施例3カップせん断強さの測定:本例では、前記実施例1で作製したサンプルA~D及び前記実施例2で作製したサンプルI~IVについて、SEMI標準規格G69-0996に規定される手順に従ってカップせん断強さを測定し、粗面Niめっき層及び平滑面Niめっき層に対する樹脂の密着性を評価した。まず、図22Aに示すような、高さh:3mm、底面直径d1:3.568mm、上面直径d2:3mm及び表面積:10.2mm2の円錐台形カップ21を、下記の2種類の封止樹脂:封止樹脂A...OCNタイプN社製封止樹脂B...BNLタイプH社製から成形した。カップ21を図22Bに示すようにサンプルリードフレーム1の上に載置し、175°Cで6時間にわたって加熱ポストキュアした。加熱によってカップ21が硬化し、サンプル1上に成形後、図22Bに示すように、ゲージ図示せずをカップ21に押し付けて矢印方向に移動させ、せん断強さを測定した。シェアテストは、ゲージの高さ50μm、速度200μm/秒、そしてシェアテスト温度室温約25°Cで行った。図23は、封止樹脂Aを用いた時にそれぞれのサンプルについて測定されたカップせん断強さをプロットしたグラフであり、また、図24は、封止樹脂Bを用いた時にそれぞれのサンプルについて測定されたカップせん断強さをプロットしたグラフである。実施例4本例では、それぞれ3層構造をもった粗面Niめっき層及び平滑面Niめっき層に対する樹脂の密着性をカップせん断強さで評価した。サンプルI-1~I-7の作製:前記実施例2に記載の手法に従って、銅合金材商品名CDA194の片面に平滑面Niめっき層を異なる膜厚0.3,0.5,0.7,1.0,1.2,1.5及び2.0μmで電解めっきした。次いで、図25Aに示すように、形成された平滑面Niめっき層の上に膜厚0.05μmのパラジウムPdめっき層と膜厚0.005μmの金Auめっき層を順次形成した。Auめっき層の表面は、Niめっき層と同様に平滑なままであった。サンプルA-1~A-7の作製:前記実施例1に記載の手法に従って、銅合金材商品名CDA194の片面に粗面Niめっき層を異なる膜厚0.3,0.5,0.7,1.0,1.2,1.5及び2.0μmで電解めっきした。次いで、図25Bに示すように、形成された粗面Niめっき層の上に膜厚0.05μmのパラジウムPdめっき層と膜厚0.005μmの金Auめっき層を順次形成した。Auめっき層の表面は、Niめっき層の粗化面をそのまま再現していた。カップせん断強さの測定:上記のようにして作製したサンプルI-1~I-7及びサンプルA-1~A-7について、前記実施例3と同様の手法でカップせん断強さを測定した。なお、本例では、BNLタイプの封止樹脂Bを使用して円錐台形カップを成形した。まず、初期ポストキュア直後のサンプルI-1~I-7を使用して、SEMI標準規格G69-0996に規定される手順に従ってカップせん断強さを測定し、平滑面Niめっき層に対する樹脂の密着性を評価した。図26は、それぞれのサンプルについて測定されたカップせん断強さをプロットしたグラフである。次いで、サンプルI-1~I-7を、空気中で、300°Cのホットプレート上で10秒間にわたってエージングした後、SEMI標準規格G69-0996に規定される手順に従ってカップせん断強さを測定し、平滑面Niめっき層に対する樹脂の密着性を評価した。なお、エージング処理は、半導体パッケージの実際の作製を考慮して、はんだリフロー工程における高温処理を模擬したものである。図27は、それぞれのサンプルについて測定されたカップせん断強さをプロットしたグラフである。引き続いて、初期ポストキュア直後のサンプルA-1~A-7を使用して、SEMI標準規格G69-0996に規定される手順に従ってカップせん断強さを測定し、粗面Niめっき層に対する樹脂の密着性を評価した。図28は、それぞれのサンプルについて測定されたカップせん断強さをプロットしたグラフである。次いで、サンプルA-1~A-7を、空気中で、300°Cのホットプレート上で10秒間にわたってエージングした後、SEMI標準規格G69-0996に規定される手順に従ってカップせん断強さを測定し、粗面Niめっき層に対する樹脂の密着性を評価した。図29は、それぞれのサンプルについて測定されたカップせん断強さをプロットしたグラフである。平滑面めっき層の測定結果を示す図26及び図27のグラフならびに粗面めっき層の測定結果を示す図28及び図29のグラフから理解されるように、粗面めっき層の場合、めっき層に対する樹脂の密着性は平滑面めっき層のそれよりもはるかに高く、エージングによってその密着性が顕著に低下することもない。"