外力を検出する検出装置であって、基準点の回りに第一容量電極を複数個配置した第一基板と、前記第一容量電極を挟んで前記第一基板と対向配置された第二基板と、前記第一基板と前記第二基板との間に配置された、弾性体若しくは流体からなる誘電体と、前記第一基板と前記第二基板との間において前記誘電体を挟んで前記第一容量電極と対向配置された第二容量電極と、前記基準点と重なる位置に重心が位置すると共に、先端部が前記第一基板に当接した状態で弾性変形する弾性体突起が形成された第三基板と、を備える事を特徴とする検出装置。外力によって前記弾性体突起が弾性変形する事により変化する、前記第一容量電極と前記第二容量電極と前記誘電体とで構成される複数の容量検出素子の静電容量値のうち任意に組み合わされた各容量検出素子の静電容量値の差分を演算し、その差分に基づいて外力が加えられた方向と外力の大きさを演算する演算装置を備える事を特徴とする請求項1に記載の検出装置。前記容量検出素子は、前記弾性体突起の弾性変形による静電容量値の変化と前記誘電体の変形による静電容量値の変化とを分けて検出可能になっている事を特徴とする請求項2に記載の検出装置。前記複数の第一容量電極は、前記基準点に対して点対称に配置されている事を特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の検出装置。前記複数の第一容量電極は、互いに直交する2方向に行列状に配置されている事を特徴とする請求項4に記載の検出装置。前記第二容量電極は、前記第二基板に配置されている事を特徴とする請求項5に記載の検出装置。前記第二容量電極は、前記第一基板の前記基準点と重なる位置に配置されている事を特徴とする請求項5に記載の検出装置。前記複数の第一容量電極は、互いに直交する2方向に少なくとも4行4列に配置されている事を特徴とする請求項6又は7に記載の検出装置。前記弾性体突起は前記第三基板に複数形成されており、前記複数の弾性体突起は、互いに離間して配置されている事を特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の検出装置。前記第一基板と前記第二基板の間には、少なくとも隣接する前記弾性体突起の境界に、前記第一基板と前記第二基板との間の距離を一定に保つスペーサーが配置されている事を特徴とする請求項9に記載の検出装置。前記第三基板の前記弾性体突起が形成された側と反対の側には、前記第三基板よりも高い剛性を有する補強部材が配置されている事を特徴とする請求項9又は10に記載の検出装置。請求項1乃至11のいずれか一項に記載の検出装置を備える事を特徴とする電子機器。請求項1乃至11のいずれか一項に記載の検出装置を備える事を特徴とするロボット。しかしながら、特許文献1と3の検出装置では、測定面にかかる圧力の面内方向の力滑り力を測定する事ができないという課題があった。又、特許文献2の検出装置では、外力を三次元の力ベクトルとして検出する事は可能であるが、突起の変形の度合いで外力の検出限界が制限されていた。以上の様に、特許文献1乃至3の検出装置では、いずれも外力の大きさと方向とを高い精度で検出する事ができないという課題があった。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決する為になされたものであり、以下の形態又は適用例として実現する事が可能である。適用例1本適用例に係わる検出装置は、外力を検出する検出装置であって、基準点の回りに第一容量電極を複数個配置した第一基板と、第一容量電極を挟んで第一基板と対向配置された第二基板と、第一基板と第二基板との間に配置された、弾性体若しくは流体からなる誘電体と、第一基板と第二基板との間において誘電体を挟んで第一容量電極と対向配置された第二容量電極と、基準点と重なる位置に重心が位置すると共に、先端部が第一基板に当接した状態で弾性変形する弾性体突起、が形成された第三基板と、を備える事を特徴とする。この構成によれば、弾性体突起と誘電体との二段構成により、特許文献1や特許文献2の検出装置に比べて、外力の検出精度を高める事ができる。第三基板の表面に所定の方向の外力が付加されると、弾性体突起はある程度の厚みまで圧縮変形する。付加される外力が更に大きくなると、弾性体突起はこれ以上変形しない臨界点を迎える。弾性体突起に臨界点を越えた外力が作用すると、誘電体が柔軟に変形する。この為、弾性体突起が変形しうる臨界点以上の大きさの外力を検出する事ができる。又、弾性体突起は、所定方向の外力により変形に偏りが生じる。即ち、外力に面内の所定方向の滑り力成分がある場合、弾性体突起の重心は基準点からずれて所定方向滑り方向に移動する。すると、弾性体突起の重心が移動した部分の誘電体の厚みが相対的に薄くなる。つまり、各容量検出素子で異なる値の静電容量が検出される。具体的には、弾性体突起の重心と重なる位置の容量検出素子では相対的に大きい静電容量が検出され、弾性体突起の重心と重ならない位置の容量検出素子では相対的に小さい静電容量が検出される事となる。よって、演算装置により、各容量検出素子で検出された静電容量の差分を演算し、その差分に基づいて外力が加えられた方向と外力の大きさとを求める事ができる。従って、外力の大きさと方向とを高い精度で検出する事が可能な検出装置を提供する事ができる。適用例2上記適用例に係わる検出装置において、外力によって弾性体突起が弾性変形する事により変化する、第一容量電極と第二容量電極と誘電体とで構成される複数の容量検出素子の静電容量値のうち任意に組み合わされた各容量検出素子の静電容量値の差分を演算し、その差分に基づいて外力が加えられた方向と大きさを演算する演算装置を備えている事が好ましい。この構成によれば、大規模な演算装置を用いずとも、小規模で簡単な演算装置にて比較的正確に外力の大きさと方向とを計測する事ができる。適用例3上記適用例に係わる検出装置において、容量検出素子は、弾性体突起の弾性変形による静電容量値の変化と誘電体の変形による静電容量値の変化とを分けて検出可能になっている事が好ましい。この構成によれば、容量検出素子が弾性体突起の弾性変形の弾性変形による静電容量値の変化と誘電体の変形による静電容量値の変化とを一括して検出する場合に比べて、外力を検出する事が容易となる。例えば、弾性体突起が臨界点を迎えるまで誘電体がほとんど変形しないとすると、弾性体突起の弾性変形の弾性変形による静電容量値の変化を検出すれば、外力が加えられた方向と外力の大きさとを求める事ができる。従って、各容量検出素子の静電容量値の差分を演算する事が容易となり、外力を効率よく検出する事ができる。適用例4上記適用例に係わる検出装置において、複数の第一容量電極は、基準点に対して点対称に配置されている事が好ましい。この構成によれば、基準点から各第一容量電極への距離が、点対称の関係にある第一容量電極同士で等しくなるので、弾性体突起の変形量と、第一容量電極と第二容量電極とを含んで構成される容量検出素子が検出する静電容量値と、の関係が互いに等しくなる。これがもし、第一容量電極が基準点からそれぞれに異なる距離に配置されていると、弾性体突起の変形量が同じであっても、各容量検出素子が検出する静電容量値は皆異なった値となる。この為、検出値を用いて各種の演算をする際に、各第一容量電極の配置位置に応じた補正係数が必要となる。一方、この構成によれば、弾性体突起の変形量と各容量検出素子が検出する静電容量値との関係が、点対称の関係にある第一容量電極同士で等しくなるので、補正係数は不要となる。従って、各容量検出素子で検出された静電容量値から外力の大きさと方向とを演算する事が容易となり、外力を効率よく検出する事ができる。適用例5上記適用例に係わる検出装置において、複数の第一容量電極は、互いに直交する2方向に行列状に配置されている事が好ましい。この構成によれば、外力が作用する第三基板の一面に対して、行方向又は列方向をX軸又はY軸と定義でき、外力のX軸成分とY軸成分とを分離して計測する事が容易にできる。即ち、滑り力を面内の二方向成分に分解する事が容易となる。適用例6上記適用例に係わる検出装置において、第二容量電極は、第二基板に配置されている事が好ましい。この構成によれば、第一容量電極及び第二容量電極が同一の基板に配置される場合に比べて、第一容量電極と第二容量電極との間に印加される電界のベクトル成分が誘電体の厚み方向と平行な方向の成分を多く含む事となる。つまり、第一容量電極と第二容量電極との間に印加される電界のベクトル成分は、外力が加えられる方向とほぼ同じとなる。従って、外力の大きさと方向とを高い精度で検出する事ができる。適用例7上記適用例に係わる検出装置において、第二容量電極は、第一基板の基準点と重なる位置に配置されている事が好ましい。この構成によれば、第一容量電極及び第二容量電極を同一の工程で形成する事が可能となる。従って、製造工程を簡略化する事ができ、製造効率の向上及び製造コストの低減を図る事ができる。又、製造プロセス中の加熱工程などにおいて第二基板に反り等が生じる事を抑制する事ができるので、外力の検出精度を向上させる事ができる。又、弾性体突起の変形の過程において電極間の距離を一定に保つ事ができるので、外力の大きさと方向とを高い精度で検出する事ができる。適用例8上記適用例に係わる検出装置において、複数の第一容量電極は、互いに直交する2方向に少なくとも4行4列に配置されている事が好ましい。この構成によれば、配置される第一容量電極の数が多くなる。この為、多数の容量検出素子で検出される静電容量に基づいて、外力の作用する方向と大きさとを求める事ができる。即ち、外力を高い精度で検出する事ができる。適用例9上記適用例に係わる検出装置において、弾性体突起は第三基板に複数形成されており、複数の弾性体突起は、互いに離間して配置されている事が好ましい。検出装置では、複数の第一容量電極に対して一つの弾性体突起を以て単位検出領域としている。従って、この構成によれば、検出装置が複数個の単位検出領域を有している場合に、単位検出領域を互いに離間して配置する事ができる。弾性体突起が弾性変形した際に、第三基板本体の面内に平行な方向への弾性体突起の変形量を或る程度許容する事ができる。こうして、第一の弾性体突起が変形した結果、第一の弾性体突起の隣に位置する第二の弾性体突起に当接して誤動作させる事態を抑制できる。この為、複数の弾性体突起が互いに接触して配置されている場合に比べて、外力をより正確に誘電体に伝達する事ができる。従って、外力の大きさと方向とを高い精度で検出する事ができる。適用例10上記適用例に係わる検出装置において、第一基板と第二基板の間には、少なくとも隣接する弾性体突起の境界に、第一基板と第二基板との間の距離を一定に保つスペーサーが配置されている事が好ましい。この構成によれば、外力はスペーサーで囲まれた単位検出領域毎に作用する事となる。この為、スペーサーで囲まれた単位検出領域においては、他の単位検出領域との間で相互作用を及ぼし合う事なく、別個独立して外力を検出する事ができる。従って、外力の大きさと方向とを高い精度で検出する事ができる。適用例11上記適用例に係わる検出装置において、第三基板の弾性体突起が形成された側と反対の側には、第三基板よりも高い剛性を有する補強部材が配置されている事が好ましい。この構成によれば、例えば、外力が2つの隣り合う弾性体突起の間の領域に作用する場合、補強部材が無い時に比べて、2つの隣り合う弾性体突起が互いに反対の方向に圧縮変形する事態を抑制できる。つまり、外力の加えられた方向と反対の方向を検出するといった誤検出を抑制する事ができる。従って、外力の大きさと方向とを高い精度で検出する事ができる。適用例12本適用例に係わる電子機器は、上記適用例に係わる検出装置を備える事を特徴とする。この構成によれば、上述した検出装置を備えているので、外力の大きさと方向とを高い精度で検出する事が可能な電子機器を提供する事ができる。適用例13本適用例に係わるロボットは、上記適用例に係わる検出装置を備える事を特徴とする。この構成によれば、上述した検出装置を備えているので、把持力の大きさと方向とを高い精度で検出する事が可能なロボットを提供する事ができる。以下、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内にて任意に変更可能である。又、以下の各図においては、各構成を判り易くする為に、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。以下の説明においては、図1中に示されたXYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材について説明する。XYZ直交座標系は、外力が作用していない状態で、X軸及びY軸が第三基板30に対して平行な方向に設定され、XY平面z=0を検出面図1aの第三基板本体31の表面と称す。又、Z軸が第三基板30に対して直交する方向検出面の法線方向に設定されている。尚、外力が検出面に作用した場合、第三基板30は変位や変形を起こすが、XYZ直交座標系はここに記述した方向と変わらず、不変である。実施形態1図1は、実施形態1に係る検出装置の概略構成を示す図であり、aは断面図で、bは平面図である。検出装置1は外力を検出し、図1aに示す様に、第一基板10と第二基板20と第三基板30と誘電体40とを備えている。前述の如く、第三基板30の表面が検出面となっており、検出面に作用した外力が、検出装置1に依って検出される。尚、第一基板10も第二基板20も第三基板30も基板の一面を表面と称し、表面に反対の他面を裏面と称している。本明細書では、Z軸の正の方向図1aの上向きに面する方を表面と称し、Z軸の負の方向図1aの下向きに面する方を裏面と称する。第一基板10には基準点Pが定められ、基準点Pの回りに容量検出素子Siが複数個配置されているiは2以上の整数。容量検出素子Siは圧力センサーとして機能する。第一基板10は第一基板本体11と第一容量電極12とを含み、第一容量電極12は第一基板本体11の裏面に設けられている。一方、第二基板20は第二基板本体21と第二容量電極22とを含み、第二容量電極22は第二基板本体21の表面に設けられている。第一基板10と第二基板20との間には誘電体40が挟持されている。即ち、誘電体40は第一容量電極12と第二容量電極22とで挟まれており、第一容量電極12と第二容量電極22と誘電体40とで容量検出素子Siを構成している。この結果、第一容量電極12と第二容量電極22との間の誘電体40に縦方向Z方向の電界が印加され、容量検出素子Siは縦電界の静電容量式となっている。又、第三基板30は第三基板本体31と弾性体突起32とを含み、弾性体突起32は第三基板本体31の裏面に設けられている。弾性体突起32は、第三基板本体31の裏面底部にてその幅平面視で弾性体突起形状が円形の場合には直径がもっとも広く、先端部に近づく程幅が狭くなっている。先端部における弾性体突起32の接平面は第一基板10にほぼ平行で、弾性体突起32の先端部は第一基板10に当接している。本実施形態では、弾性体突起32の先端部は第一基板本体11の表面に当接している。弾性体突起32の重心Gは基準点Pに重なっている。即ち、重心GのX、Y座標と基準点PのX、Y座標とはほぼ等しい。換言すると、基準点Pとは、弾性体突起32や第一基板10が変形や変位をしていない時に、弾性体突起32の中心と平面視で一致する場所である。図1bに示す様に、検出装置1には1個以上の弾性体突起32が設けられ、各弾性体突起32に対応して単位検出領域Sが定められる。一台の検出装置1に設けられる単位検出領域Sの数は1個でも良いが、複数個設けた方が外力の大きさと方向とを検出する感度が向上する。本実施形態では、一台の検出装置1に4個の弾性体突起32が設けられており、4個の単位検出領域Sが存在する。尚、一つの単位検出領域Sに一つの弾性体突起32が対応していれば良く、一台の検出装置1に設けられる弾性体突起32の数と単位検出領域Sの数とは異なっていても良い。即ち、一台の検出装置1に設けられる弾性体突起32の数が単位検出領域Sの数よりも多くても良い。単位検出領域Sの平面視における中心に基準点Pが定められ、外力が加えられない状態でこの基準点Pに一致する様に重心Gが設定される。基準点Pの回りには容量検出素子Siが複数個配置されている。1個の単位検出領域に配置される容量検出素子Siの数は2個以上が好ましい。容量検出素子Siの数が2個で有れば、これら2個の容量検出素子Siを結ぶ直線方向の滑り力を検出できる。容量検出素子Siの数が3個で有れば、滑り力をX成分とY成分とに分離できる。図1bに示される様に、容量検出素子Siの数が4個S1、S2、S3、S4で有れば、滑り力のX成分とY成分との分離が容易となる。これらに関しては後に詳述する。容量検出素子Siは、基準点Pに対して点対称になる様に複数個が配置されている。図1bでは容量検出素子Siが、互いに直交する二方向X方向及びY方向に行列状に配置されている。具体的には、容量検出素子Siは、単位検出領域S当たり縦2行横2列に合計4個配置されて、4個の容量検出素子Siの中心単位検出領域Sの中心が基準点Pとなっている。これにより、基準点から各容量検出素子Siへの距離が、4個の容量検出素子Siで総て等しくなるので、弾性体突起32や第一基板10の変形量と各容量検出素子Siで検出される静電容量値との関係が、4個の容量検出素子Siで皆等しくなる。従って、各容量検出素子Siで検出された静電容量値から外力の方向と大きさとを演算する事が容易となり、外力を効率よく検出する事ができる。換言すると、各容量検出素子S1乃至S4の静電容量値のうち任意に組み合わされた各容量検出素子S1乃至S4の静電容量値の差分を演算する事が容易となる。尚、検出された静電容量値を用いた演算方法については後述する。単位検出領域Sの大きさ平面視のサイズは、縦2.8mm×横2.8mm程度になっている。また、4つの容量検出素子Siの各面積がほぼ等しくなっている。単位検出領域S内で隣り合う容量検出素子Siの間隔は、0.1mm程度になっている。この為、外乱や静電気等の影響により隣り合う位置の容量検出素子Siで検出される静電容量値にノイズがのらない様になっている。第一基板本体11の裏面には第一容量電極12とこの第一容量電極12を制御する薄膜回路とが形成されている。薄膜回路は薄膜トランジスターを用いて組まれる。第一基板本体11は可撓性物質から成り、ポリイミドフィルムやポリエステルフィルムなどの各種プラスチックフィルムが用いられる。第一基板本体11の大きさ平面視のサイズは、例えば、縦6.0mm×横6.0mm程度である。第一容量電極12は、単位検出領域S当たり縦2行横2列に計4個配置されている。第一容量電極12の面積は4個ともほぼ等しく、1個の第一容量電極12の大きさ平面視のサイズは、縦1.3mm×横1.3mm程度になっている。又、第一容量電極12の形成材料としては、例えばアルミニウムAl等の金属材料を用いる事ができる。第二基板本体21の表面には、平面視でほぼ全面に第二容量電極22が形成されている。即ち、第二容量電極22は、複数の第一容量電極12の全体と重なる位置に配置されている。具体的には、第二容量電極22は、第二基板本体21の表面の露出する部位全体に亘って形成されている。第二容量電極22の形成材料としては、第一容量電極12と同様に、例えばアルミニウムAl等の金属材料を用いる事ができる。この結果、第二容量電極は、複数の第一容量電極に対して、同電位共通電位Vcom、図2参照を取る。第二基板本体21は、例えばガラス、石英及びプラスチック等の材料で構成された矩形板状で、第一基板本体11と同程度の大きさである。誘電体40は、第一基板10と第二基板20との間に配置された、弾性体若しくは流体からなるものである。誘電体40の形成材料としては、例えば、ゴム等の弾性体を用いる事もできるし、シリコンオイルや液晶等の流体を用いる事もできる。第一基板10と第二基板20との間には、第一基板10と第二基板20との間の距離を一定に保つスペーサー図示略が複数配置されている。複数のスペーサーは、弾性体突起32が行列状に配置された領域の外周部に配置される。これにより、誘電体40は、第一基板10と第二基板との間においてZ方向に一定の厚みを有して構成されている。第三基板30は、矩形板状の第三基板本体31と、第三基板本体31に配置された複数の弾性体突起32と、を具備して構成されている。第三基板本体31は、外力を直接受ける部分である。第三基板本体31は、例えばガラス、石英及びプラスチック等の材料で構成する事もできるし、発泡ウレタン樹脂等の樹脂材料で構成する事もできる。本実施形態では、第三基板本体31及び弾性体突起32の形成材料として樹脂材料を用い、第三基板本体31及び弾性体突起32を金型で一体形成している。複数の弾性体突起32は、第三基板本体31上においてX方向及びY方向に行列状に配置されている。弾性体突起32は、基準点Pに重なる位置に重心Gが位置すると共に、外力によって先端部が第一基板10に当接した状態で弾性変形する。弾性体突起32の先端部は、球面の錘状となっており、第一基板本体11の表面に当接している。弾性体突起32の重心は、基準点Pと重なる位置に配置されている。又、複数の弾性体突起32は、互いに離間して配置されている。この為、弾性体突起32が弾性変形した時や、第一基板10が変位や変形を生じた時に、XY平面に平行な方向の変形量を許容する事ができる。弾性体突起32のサイズは任意に設定する事ができる。ここでは、弾性体突起32の基部の径弾性体突起32が第三基板本体31に接する部分の直径は1.8mm程度になっている。弾性体突起32の高さ弾性体突起32のZ方向の距離は2mm程度になっている。隣り合う弾性体突起32の離間間隔は1mm程度になっている。弾性体突起32のデュロメーター硬さタイプA、ISO7619準拠のデュロメーターによる硬さ測定値は30程度になっている。更に、検出装置1は、不図示の演算装置を備えている。演算装置は、各容量検出素子Siで検出された静電容量値と、基準点Pに対するその容量検出素子Siの位置と、を変数とする関数の値を計算すると共に、その関数にて計算された値を用いて所定の演算を行って、外力の大きさと方向とを特定する。換言すると、演算装置は、外力によって弾性体突起32が弾性変形する事により変化する複数の容量検出素子S1乃至S4の静電容量値のうち任意に組み合わされた各容量検出素子Siの静電容量値の差分を演算し、その差分に基づいて外力が加えられた方向と外力の大きさを演算する。尚、各容量検出素子Siは、弾性体突起32の弾性変形による静電容量値の変化と誘電体40の変形による静電容量値の変化とを分けて検出する事が可能になっている。図2は、容量検出素子Siを用いて外力を検出するセンシング回路の等価回路図である。尚、図2において、符号Clは容量検出素子Si図1に示す符号S1乃至S4を示している。センシング回路60は、リセットトランジスター61と、増幅トランジスター62と、選択トランジスター63と、基準容量素子Crと、容量検出素子SiClと、を備えている。容量検出素子SiClは、第一容量電極12と第二容量電極22とを含み、第二容量電極22には共通電位Vcomが供給される。リセットトランジスター61のドレインは電源線70に接続されている。リセットトランジスター61のソースは増幅トランジスター62のゲートに接続されている。電源線70には電源電位VRHが供給される。リセットトランジスター61のゲートは第1制御線72に接続されている。第1制御線72にはリセット信号RESが供給される。増幅トランジスター62のドレインは電源線70に接続されている。増幅トランジスター62のソースは選択トランジスター63のドレインに接続されている。増幅トランジスター62のゲートと第1制御線72との間には基準容量素子Crが設けられている。又、増幅トランジスター62のゲートは容量検出素子SiClの第一容量電極12と接続されている。選択トランジスター63のソースは検出線74に接続されている。選択トランジスター63のゲートは第2制御線76に接続されている。第2制御線76には選択信号SELが供給される。回路動作次に、センシング回路60の動作を図3乃至図6を参照しながら説明する。図3は、本実施形態に係わるセンシング回路の動作を示すタイミングチャートである。図4は、リセット期間におけるセンシング回路の動作を示す説明図である。図5は、センシング期間におけるセンシング回路の動作を示す説明図である。図6は、読出期間におけるセンシング回路の動作を示す説明図である。図3に示す様に、センシング回路60は、リセット期間Tres、センシング期間Tsen、及び読出期間Toutを一単位として動作する。リセット期間先ず、リセット期間Tresにおいて、第1制御線72に供給されるリセット信号RESのレベルは電位VDに設定される。即ち、リセット期間Tresにおいては、リセット信号RESのレベルはハイレベルに設定され、リセットトランジスター61はオン状態となる。一方、第2制御線76に供給される選択信号SELはローレベルに設定され、選択トランジスター63はオフ状態となる。すると、図4に示す様に、増幅トランジスター62のゲート電位VAは電源電位VRHに設定リセットされる。又、容量検出素子SiClの第一容量電極12にも電源電位VRHが供給され、容量検出素子SiClの第一容量電極12と第二容量電極22との間の電圧はVRH-Vcomに設定される。センシング期間次に、リセット期間Tres経過後の次の期間であるセンシング期間Tsenにおいては、リセット信号RESのレベルがVDからGND=0Vに変化する。すると、図5に示す様に、リセットトランジスター61はオフ状態となる。又、センシング期間Tsenにおいては、選択信号SELはローレベルに設定され、選択トランジスター63はオフ状態となる。増幅トランジスター62のゲートのインピーダンスは十分に高い為、センシング期間Tsenにおいては、増幅トランジスター62のゲートは電気的にフローティング状態となる。基準容量素子Crの一方の電極は第1制御線72に接続されている為、第1制御線72に供給されるリセット信号RESのレベルがVDからGNDに変化する。すると、それに応じて増幅トランジスター62のゲートの電位VAも変化する。この時のゲートの電位VAの変化量は、基準容量素子Crと容量検出素子SiClとの容量比に応じた値となる。読出期間センシング期間Tsenの次の期間である読出期間Toutにおいては、選択信号SELがローレベルからハイレベルに変化する。すると、図6に示す様に、選択トランジスター63がオン状態となる。これにより、増幅トランジスター62のゲートの電位VAに応じた大きさの検出電流Itが検出線74を流れる。この検出電流Itは、対象物例えば指と検出装置1との接触を検出する検出回路図示略へ供給される。センシング期間Tsenにおいて容量検出素子SiClの容量値が変化すると、それに応じて増幅トランジスター62のゲートの電位VAも変化する。従って、対象物が検出装置1に接触していない状態の時に読出期間Toutで出力される検出電流Itの値と、対象物が検出装置1に接触した時に読出期間Toutで出力される検出電流Itの値とは異なる。ここで、対象物が検出装置1に接触していない状態における容量検出素子SiClの容量値をClc、対象物が検出装置1に接触した時の容量検出素子SiClの容量値の変化量をΔClc、基準容量素子Crの容量値をCref、第1制御線72の電位変化をΔV=VDとすると、対象物が検出装置1に接触した時の増幅トランジスター62のゲートの電位VAの変化量ΔVAは、以下に示す式1で表される。ただし、式1において寄生容量は無視している。検出回路図示略は、検出電流It検出信号に相当の値に基づいて対象物と検出装置1との接触を検出する。対象物が検出装置1に接触した時のゲートの電位VAの変化量ΔVAが大きいほど、非接触時における検出電流Itの値と接触時における検出電流Itの値との差が大きくなり、検出感度も高くなる。図7及び図8は、単位検出領域Sに作用する外力の大きさと方向とを検出する方法の説明図である。図7a乃至cは、実施形態1に係わる容量検出素子Siによる静電容量の変化を示す断面図である。図8a乃至cは、図7a乃至cに対応した、実施形態1に係わる容量検出素子Siによる静電容量の変化を示す平面図である。尚、図7a及び図8aは第三基板30の表面に外力が付加される前の状態外力の作用がない時を示している。図7b及び図8bは第三基板30の表面に垂直方向滑り力がない状態の外力が付加された状態を示している。図7c及び図8cは第三基板30の表面に斜め方向滑り力がある状態の外力が付加された状態を示している。又、図8a乃至cにおいて、符号Gは弾性体突起32の重心圧力中心を示している。図7a及び図8aに示す様に、第三基板30の表面に外力が付加される前においては、弾性体突起32は変形しない。これにより、第一容量電極12と第二容量電極22との間の距離は一定に保たれる。この時、弾性体突起32の重心Gは基準点Pと重なる位置に配置されている。この時の各容量検出素子S1乃至S4の静電容量値は図示略のメモリーに記憶されている。メモリーに記憶された各容量検出素子S1乃至S4の静電容量値を基準として外力の作用する方向や大きさが求められる。図7b及び図8bに示す様に、第三基板30の表面に垂直方向の外力Fが付加された時には、弾性体突起32は先端部が第一基板10の表面に当接した状態でZ方向に圧縮変形する。更に、複数の容量検出素子Siは弾性体突起32の先端部に等しく押圧され、第一基板10はZ軸の負の方向に撓む。この結果、第一容量電極12と第二容量電極22との間の距離は、容量検出素子Siの場所に応じて、外力の作用がない時に比べて小さくなる。つまり、この時の容量検出素子Siの静電容量値は、外力の作用がない時に比べて大きくなる。但し、その変化量は4個の容量検出素子Siで、皆、略同じ値となる。弾性体突起32は、外力の大きさに応じて圧縮変形する。外力が大きくなると、弾性体突起32はこれ以上変形しない臨界点を迎える。弾性体突起32に臨界点を越えた外力が作用すると、弾性体突起32は臨界点の形状を保ったまま、誘電体40が単独でZ方向に柔軟に変形する。この為、弾性体突起32が変形しうる臨界点以上の大きさの外力を検出する事ができる。図7c及び図8cに示す様に、第三基板30の表面に斜め方向の外力Fが付加された時には、弾性体突起32は先端部が第一基板10の表面に当接した状態で斜めに傾いて圧縮変形すると共に、第一基板10も変位や変形を起こす。これにより第一容量電極12と第二容量電極22との間の距離が外力の作用がない時に比べて小さくなる。この際に、弾性体突起32に強く押圧された容量検出素子Siからは大きな静電容量値が検出され、反対に弾性体突起32に弱く押圧されたり、或いは押圧されなかったりする容量検出素子Siからは小さな静電容量値が検出される。即ち、第一基板10の変位や変形によって、各容量検出素子Siで異なる値の静電容量値が検出される。例えば、図7cや図8cに示す様に滑り力がX軸の正の方向とY軸の正の方向とを向いている場合、第一基板10の撓み量は-X方向成分よりもX方向成分の方が大きくなる。更に、弾性体突起32の重心Gは基準点PからX方向及びY方向にずれる。この場合、弾性体突起32の先端部と4個の第一容量電極12との重なる面積は互いに異なる。具体的には、弾性体突起32の先端部と4個の第一容量電極12との重なる面積は、4個の第一容量電極12のうち-X方向及び-Y方向に配置された部分と重なる面積よりもX方向及びY方向に配置された部分と重なる面積のほうが大きくなる。弾性体突起32は、外力の大きさに応じて斜めに圧縮変形し、外力が大きくなるとこれ以上変形しない臨界点を迎える。又、弾性体突起32は、斜め方向の外力により変形に偏りが生じる。即ち、弾性体突起32の重心は基準点Pからずれて滑り方向X方向及びY方向に移動する。すると、弾性体突起32の重心が移動した部分の誘電体40の厚みが相対的に薄くなる。つまり、各容量検出素子Siで異なる値の静電容量が検出される。具体的には、弾性体突起32の重心と重なる位置の容量検出素子Siでは相対的に大きい静電容量が検出され、弾性体突起32の重心と重ならない位置の容量検出素子Siでは相対的に小さい静電容量が検出される事となる。そして、後述する差分の演算方法に基づいて外力が加えられた方向と大きさが求められる。図9は、実施形態1に係る単位検出領域の座標系を示す図である。図10は、実施形態1に係る容量検出素子Siによる垂直方向の圧力分布を示す図である。図11は、実施形態1に係る容量検出素子Siによる滑り方向の計算例を示す図である。次に各容量検出素子Siにて計測された静電容量値から外力の大きさと方向とを求める演算方法を説明する。外力Fの大きさと方向とを求めるには、一つの容量検出素子Siで検出された静電容量値と、基準点に対するその容量検出素子Siの位置と、を変数とする関数の値を計算すると共に、得られた値を用いて所定の演算を行う。図9に示す様に、複数の容量検出素子S1~S4は、単位検出領域S当たり縦2行横2列に計4つ配置されている。ここで、各容量検出素子S1~S4が検出する静電容量値から定まる圧力値をそれぞれPS1、PS2、PS3、PS4とし、各容量検出素子Siの面積をAとすると、外力のX方向成分Fx外力の面内方向成分のうちX方向に作用する分力は以下の式2で表される。また、外力のY方向成分Fy外力の面内方向成分のうちY方向に作用する分力は以下の式3で表される。尚、式2及び式3のfは検出装置1に固有な比例定数で力の単位を有する。また、外力のZ方向成分Fz外力の垂直方向成分は以下の式4で表される。本実施形態では、外力の成分を検出する際に法線成分Fzに関しては式4を用い、滑り力に関しては式2及び式3を用いる。滑り力に関しては、次の手順を踏む。まず、検出面上で第一軸例えばX軸と第二軸例えばY軸とを定める。第一軸に沿った滑り力の成分を検出するには、静電容量値と容量検出素子Siの位置とを変数とする関数として、基準点より第一軸の正の方向に位置する容量検出素子Si例えばS2とS4に関しては、1を検出された静電容量値に乗じ、第一軸の負の方向に位置する容量検出素子Si例えばS1とS3に関しては、-1を検出された静電容量値に乗じ、これらの総和を取るものとする。次に、得られた数値一軸差分と称するを用いて所定の演算する事で、第一軸に沿った滑り力の成分を求める。同様に、第二軸に沿った滑り力の成分を検出するには、基準点より第二軸の正の方向に位置する容量検出素子Si例えばS1とS2に関しては、1を検出された静電容量値に乗じ、第二軸の負の方向に位置する容量検出素子Si例えばS3とS4に関しては、-1を検出された静電容量値に乗じ、これらの総和を取るものとする。次に、得られた数値二軸差分と称するを用いて所定の演算する事で、第二軸に沿った滑り力の成分を求める。所定の演算の一例としては、先の数値一軸差分や二軸差分を、総ての容量検出素子Si例えばS1~S4で検出された静電容量値の総和にて除し、検出装置1に固有な比例定数fを乗ずる。式2に示す様に、外力のX方向成分Fxにおいては、4つの容量検出素子S1~S4で検出された静電容量値のうちX方向に配置された容量検出素子S2及びS4で検出された値が組み合わされると共に、-X方向に配置された容量検出素子S1及びS3で検出された値が組み合わされる。この様に、X方向に配置された容量検出素子S2及びS4の組み合わせによる静電容量値と-X方向に配置された容量検出素子S1及びS3の組み合わせによる静電容量値との差分に基づいて外力のX方向成分が求められる。式3に示す様に、外力のY方向成分Fyにおいては、4つの容量検出素子S1~S4で検出された静電容量値のうちY方向に配置された容量検出素子S1及びS2で検出された値が組み合わされると共に、-Y方向に配置された容量検出素子S3及びS4で検出された値が組み合わされる。この様に、Y方向に配置された容量検出素子S1及びS2の組み合わせによる静電容量値と-Y方向に配置された容量検出素子S3及びS4の組み合わせによる静電容量値との差分に基づいて外力のY方向成分が求められる。式4に示す様に、外力のZ方向成分Fzにおいては、4つの容量検出素子S1~S4の静電容量値から求められる圧力値と第一容量電極12の面積Aとの積を足し合わせた合力で求められる。但し、外力のZ方向成分Fzは、外力のX方向成分Fx及び外力のY方向成分Fy分力に比べて検出値が大きく検出される傾向がある。例えば、第一基板10の材質として硬いものを用いたり、或いは弾性体突起32の先端部の形状を先鋭にしたりすると、外力のZ方向成分Fzの検出感度が高くなる。具体的には、第一基板10の材質として硬いものを用いると、第一基板10の変位や変形が生じにくくなり、外力の面内方向の検出値が小さくなってしまう。又、弾性体突起32の先端部の形状を先鋭にすると接触面を指で触った時のタッチ感に強い感度違和感を与える場合がある。この為、外力のZ方向成分Fzの検出感度を、外力のX方向成分Fx及び外力のY方向成分Fyの検出感度と揃えるには、第一基板10の材質や弾性体突起32や形状によって決定される補正係数で検出値を適宜補正する必要がある。実際には、こうした影響を正しく補正する様に検出装置1に固有な比例定数fが定められる。図10は、検出装置1を15行15列の行列状合計225個に並べて、タッチパッドとした例で、各検出装置1は、単位検出領域Sに容量検出素子S1~S4を縦2行横2列の合計4個配置している。図10では、タッチパッドの検出面の中央部より左上寄りの位置を指で斜めに押している。この時、外力の垂直方向の圧力は、外力が作用した部分の中心部が最も大きくなっている容量検出素子Siの出力電圧90~120mV程度。また、外力の垂直方向の圧力は、中心部に次いでその周辺部60~90mV程度、最外周部30~60mV程度の順に小さくなっている。また、指で押されていない領域は、容量検出素子Siの出力電圧が0~30mV程度となっている。尚、本実施形態では静電容量に対応する電圧値を計測している。図10に示すタッチパッドの検出面の中央部より左上寄りの位置を指で斜めに押した場合に外力の面内方向成分滑り方向の算出方法を考える。図11は、外力を算出する一例を示している。図11の例では、指の押圧力外力は、縦15行×横15列に配置された検出装置1の内の縦3行×横3列に配置された部分に作用している。外力の垂直方向の圧力は、図10と同様に、外力が作用した3行3列の中心部がもっとも大きくなっている110mV。各検出装置1は、それぞれ4つの容量検出素子S1~S4を有しており、4つの容量検出素子S1~S4からの出力の和が外力の法線成分となる上述の式4。例えば、先の中央部の検出装置1では各容量検出素子Siから圧力に相当する電圧値の和は54mV28mV18mV10mV=110mVとなっている。一方、各容量検出素子S1~S4で検出された静電容量値のうち任意に組み合わされた各容量検出素子Siで検出された静電容量値の差分を演算し、その差分に基づいて外力が加えられた方向滑り力の方向が演算される。つまり、各検出装置1にて、上述した式2及び式3に基づいて外力のX方向成分Fx及び外力のY方向成分Fyが算出される。例えば、中心部の検出装置1ではFx=2810-54-18/110f=-0.31f、Fy=5428-18-10/110f=0.49fとなっている。従ってtanθ=-0.49/0.31=-1.58となり、滑り力の方向はθ=122°である。この様に9個の検出装置1にて検出された滑り力の方向の平均を取ると、X方向を基準として反時計回りに約123°の方向に外力が作用している事が分かる。尚、外力の作用する方向の算出にあっては、ここで行われた様に複数の検出装置1から算出された結果の平均値で求める方法の他に、例えば、複数の検出装置1から算出された結果の最大値を採用する方法や、所定の閾値よりも大きい検出値を採用する方法等を用いる事ができる。本実施形態の検出装置1によれば、弾性体突起と誘電体との2段構成により、特許文献1や特許文献2の検出装置に比べて、外力の方向の検出精度を高める事ができる。第三基板30の表面に所定の方向の外力が付加されると、弾性体突起32はある程度の厚みまで圧縮変形する。付加される外力が大きくなると、弾性体突起32はこれ以上変形しない臨界点を迎える。弾性体突起32に臨界点を越えた外力が作用すると、誘電体40が柔軟に変形する。この為、弾性体突起32が変形しうる臨界点以上の大きさの外力を検出する事ができる。又、弾性体突起32は、所定方向の外力により変形に偏りが生じる。即ち、外力に面内の所定方向の滑り力成分がある場合、弾性体突起32の重心は基準点からずれて所定方向滑り方向移動する。すると、弾性体突起32の重心が移動した部分の誘電体40の厚みが相対的に薄くなる。つまり、各容量検出素子S1乃至S4で異なる値の静電容量が検出される。具体的には、弾性体突起32の重心と重なる位置の容量検出素子Siでは相対的に大きい静電容量が検出され、弾性体突起32の重心と重ならない位置の容量検出素子Siでは相対的に小さい静電容量が検出される事となる。よって、演算装置により、各容量検出素子S1乃至S4で検出された静電容量の差分を演算し、その差分に基づいて外力が加えられた方向と外力の大きさを求める事ができる。従って、外力の大きさと方向とを高い精度で検出する事が可能な検出装置1を提供する事ができる。この検出装置によれば、各容量検出素子S1乃至S4が弾性体突起32の弾性変形の弾性変形による静電容量値の変化と誘電体40の変形による静電容量値の変化とを分けて検出するので、それらを一括して検出する場合に比べて、外力を検出する事が容易となる。例えば、弾性体突起32が臨界点を迎えるまで誘電体がほとんど変形しないとすると、その間は弾性体突起32の弾性変形の弾性変形による静電容量値の変化のみを検出すれば外力が加えられた方向と外力の大きさを求める事ができる。従って、各容量検出素子S1乃至S4の静電容量値の差分を演算する事が容易となり、外力を効率よく検出する事ができる。この構成によれば、複数の第一容量電極12が基準点Pに対して点対称に配置されているので、弾性体突起32の変形量と基準点Pと各第一容量電極12との間の距離との関係が互いに等しくなる。この為、各第一容量電極12と第二容量電極22とを含んで構成される各容量検出素子S1乃至S4が検出する静電容量値が互いに等しくなる。例えば、複数の第一容量電極が基準点から互いに異なる距離に配置される場合、弾性体突起32の変形量が同じであっても、各容量検出素子S1乃至S4が検出する静電容量値は互いに異なる事となる。この為、検出容量の差分を演算する際に各第一容量電極の配置位置に応じた補正係数が必要となる。しかしながら、この構成によれば、弾性体突起32の変形量と各容量検出素子S1乃至S4が検出する静電容量値が互いに等しくなるので、前記補正係数は不要となる。従って、各容量検出素子S1乃至S4の静電容量値の差分から外力の大きさと方向とを演算する事が容易となり、外力を効率よく検出する事ができる。この構成によれば、複数の第一容量電極12が互いに直交する2方向に行列状に配置されているので、各第一容量電極12と第二容量電極22とを含んで構成される各容量検出素子S1乃至S4の静電容量値のうち任意に組み合わされた各容量検出素子S1乃至S4の静電容量値の差分から外力の大きさと方向とを演算する事が容易となる。例えば、面内方向成分のうちX方向成分を演算する場合、複数の第一容量電極12が複数の方向にランダムに配置されている場合に比べて、相対的にX方向に配置された容量検出素子S2及びS4の組み合わせと相対的に-X方向に配置された容量検出素子S1及びS3の組み合わせとを区分けして選出しやすくなる。従って、外力を効率よく検出する事ができる。この構成によれば、第二容量電極22が第二基板に配置されているので、第一容量電極12及び第二容量電極22が同一の基板に配置される場合に比べて、第一容量電極12と第二容量電極22との間に印加される電界は誘電体40の厚み方向と平行な方向の成分を多く含む事となる。つまり、第一容量電極12と第二容量電極22との間に印加される電界のベクトル成分は、外力が加えられる方向とほぼ同じとなる。従って、外力の大きさと方向とを高い精度で検出する事ができる。この構成によれば、複数の弾性体突起32が互いに離間して配置されているので、弾性体突起32が弾性変形した時の第三基板本体31の面内に平行な方向の変形量を許容する事ができる。例えば、一方の弾性体突起32が変形した時に他方の弾性体突起32に変形の影響を及ぼす事を抑制する事ができる。この為、複数の弾性体突起32が互いに接触して配置されている場合に比べて、外力を正確に誘電体40に伝達する事ができる。従って、外力の大きさと方向とを高い精度で検出する事ができる。実施形態2図12は、実施形態2に係る検出装置の概略構成を示す図であり、aは断面図で、bは平面図である。以下、本実施形態に係わる検出装置2について説明する。尚、実施形態1と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。本実施形態の検出装置2は、複数の容量検出素子Siが互いに直交する二方向に少なくとも縦4行横4列に配置されている点で、上述の実施形態1で説明した検出装置1と異なる。尚、図12においては、便宜上、複数の容量検出素子Siが単位検出領域S当たり縦4行横4列に配置されているが、実際には図13及び図14に示す様に複数の容量検出素子Siが単位検出領域S当たり縦4行横4列以上に配置されていても良い。図12aに示す様に、検出装置2は、第一容量電極12と第一基板本体11とを有する第一基板10と、第二容量電極22と第二基板本体21とを有する第二基板20と、先端部が第一基板10に当接している弾性体突起32が形成された第三基板30と、誘電体40と、を備えている。容量検出素子Siは、第一容量電極12と、第二容量電極22と、これらに挟まれた誘電体40とからなり、基準点Pの回りに複数個配置されている。図12bに示す様に、容量検出素子Siは、互いに直交する二方向X方向及びY方向に縦4行横4列に合計16個配置され、これら16個の容量検出素子Siの平面的な中心単位検出領域Sの中心が基準点Pとなっている。基準点PのX、Y座標は重心GのX、Y座標にほぼ一致している。図13a乃至cは、図7a乃至cに対応した、実施形態2に係わる容量検出素子Siによる静電容量の変化を示す断面図である。図14a乃至cは、図13a乃至cに対応した、実施形態2に係わる容量検出素子Siによる静電容量の変化を示す平面図である。尚、図13a及び図14aは第三基板30の表面に外力が付加される前の状態外力の作用がない時を示している。図13b及び図14bは第三基板30の表面に垂直方向の外力が付加された状態を示している。図13c及び図14cは第三基板30の表面に斜め方向の外力が付加された状態を示している。又、図14a乃至cにおいて、符号Gは弾性体突起32の重心を示している。図13及び図14において、図7及び図8と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。図13a及び図14aに示す様に、第三基板30の表面に外力が付加される前においては、弾性体突起32は変形しない。これにより、第一容量電極12と第二容量電極22との間の距離は一定に保たれる。この時、弾性体突起32の重心Gは基準点Pと重なる位置に配置されている。この時の各容量検出素子Siの静電容量値は図示略のメモリーに記憶されている。メモリーに記憶された各容量検出素子Siの静電容量値を基準として外力の作用する方向や大きさが求められる。図13b及び図14bに示す様に、第三基板30の表面に垂直方向の外力Fが付加された時には、弾性体突起32は先端部が第一基板10の表面に当接した状態でZ方向に圧縮変形する。更に、複数の容量検出素子Siは弾性体突起32の先端部に等しく押圧され、第一基板10はZ軸の負の方向に撓む。この結果、第一容量電極12と第二容量電極22との間の距離は、容量検出素子Siの場所に応じて、外力の作用がない時に比べて小さくなる。つまり、この時の容量検出素子Siの静電容量値は、外力の作用がない時に比べて大きくなる物が現れる。但し、その変化量は基準点Pの回りに、同心円状となり、基準点Pからの距離が等しい容量検出素子Siでは、略同じ値となる。図13c及び図14cに示す様に、第三基板30の表面に斜め方向の外力Fが付加された時には、弾性体突起32は先端部が第一基板10の表面に当接した状態で斜めに傾いて圧縮変形すると共に、第一基板10も変位や変形を起こす。これにより第一容量電極12と第二容量電極22との間の距離が外力の作用がない時に比べて小さくなる物も現れる。この際に、弾性体突起32に強く押圧された容量検出素子Siからは大きな静電容量値が検出され、反対に、弾性体突起32に弱く押圧されたり、或いは押圧されなかったりする容量検出素子Siからは小さな静電容量値が検出される。即ち、第一基板10の変位や変形によって、各容量検出素子Siで異なる値の静電容量値が検出される。例えば、図13cや図14cに示す様に滑り力がX軸の正の方向とY軸の正の方向とを向いている場合、第一基板10の撓み量は-X方向成分よりもX方向成分の方が大きくなる。更に、弾性体突起32の重心Gは基準点PからX方向及びY方向にずれる。この場合、弾性体突起32の先端部と複数個の第一容量電極12との重なる面積の割合は、-X方向及び-Y方向に配置された部分と重なる面積よりもX方向及びY方向に配置された部分と重なる面積のほうが大きくなる。図15は、図9に対応した、実施形態2に係わる単位検出領域の座標系を示す図である。尚、図15において、複数の容量検出素子Si100個が行列状に配置されており、このうちの25の容量検出素子Siがそれぞれ-X方向及びY方向に区画された領域、X方向及びY方向に区画された領域、-X方向及び-Y方向に区画された領域、X方向及び-Y方向に区画された領域に配置されている。又、図15においては、便宜上、100個の容量検出素子Siを図示しているが、容量検出素子Siの配置数はこれに限らず任意に変更する事ができる。図15に示す様に、複数の容量検出素子Siは、単位検出領域S当たり縦10行横10列に計100個配置されている。ここで、各容量検出素子Siが検出する静電容量値検出値に相当する圧力値をそれぞれPii=1~100、基準点Pと各容量検出素子Siとの間の距離の面内方向成分をrii=1~100とする。また、面内方向成分のうちX方向成分をrxii=1~100、面内方向成分のうちY方向成分をryii=1~100とすると、外力のX方向成分Fx外力の面内方向成分のうちX方向に作用する分力は以下の式5で表される。また、外力のY方向成分Fy外力の面内方向成分のうちY方向に作用する分力は以下の式6で表される。尚、式5及び式6のgは検出装置2に固有な比例定数で力/長さの単位を有する。また、外力のZ方向成分Fz外力の垂直方向成分は以下の式7で表される。式7のAは、一つの容量検出素子Siの面積である。本実施形態では、外力の成分を検出する際に法線成分Fzに関しては式7を用い、滑り力に関しては式5及び式6を用いる。滑り力の検出に関しては、次の手順を踏む。まず、検出面上で第一軸例えばX軸と第二軸例えばY軸とを定める。第一軸に沿った滑り力の成分を検出するには、各容量検出素子Siで検出された静電容量値を距離の第一軸成分で重み付けし、これら重み付けされた静電容量値第一モーメントと称するの総和を用いて所定の演算する事で求める。同様に、第二軸に沿った滑り力の成分を検出するには、各容量検出素子Siで検出された静電容量値を距離の第二軸成分で重み付けし、これら重み付けされた静電容量値第二モーメントと称するの総和を用いて所定の演算する事で求める。所定の演算の一例としては、重み付けされた静電容量値の総和を、総ての容量検出素子Siで検出された静電容量値の総和にて除し、検出装置2に固有な比例定数gを乗ずる。式5に示す様に、第一軸をX軸とし、外力のX方向成分Fxを求めるには、100個の容量検出素子Siで検出された静電容量値を用いて100個の第一モーメントを求めて和を取り、これを総ての容量検出素子Siで検出された静電容量値の総和にて除し、検出装置2に固有な比例定数gを乗ずる。同様に、式6に示す様に、第二軸をY軸とし、外力のY方向成分Fyを求めるには、100個の容量検出素子Siの静電容量値を用いて100個の第二モーメントを求めて和を取り、これを総ての容量検出素子Siで検出された静電容量値の総和にて除し、検出装置2に固有な比例定数gを乗ずる。式7に示す様に、外力のZ方向成分Fzを求めるには、100個の容量検出素子Siで検出された静電容量値に相当する圧力値を足し合わせ、これに一つの容量検出素子Siの面積Aを乗ずる。但し、外力のZ方向成分Fzは、外力のX方向成分Fx及び外力のY方向成分Fyに比べて検出値が大きく検出される傾向がある。この為、外力のZ方向成分Fzの検出感度を、外力のX方向成分Fx及び外力のY方向成分Fyの検出感度と揃えるには、第一基板10の材質や弾性体突起32や形状によって決定される補正係数で検出値を適宜補正する必要がある。具体的には、こうした影響を正しく補正する様に検出装置2に固有な比例定数gが定められる。本実施形態の検出装置2によれば、複数の第一容量電極12が互いに直交する2方向に少なくとも縦4行横4列に配置されているので、配置される第一容量電極12の数が多くなる。この為、多数の容量検出素子Siで検出された静電容量値に基づいて、外力の作用する方向と大きさとをより正確に求める事ができる。従って、外力の大きさと方向とを高い精度で検出する事ができる。実施形態3図16は、実施形態3に係る検出装置の概略構成を示す図であり、aは断面図で、bは平面図である。以下、本実施形態に係わる検出装置3について説明する。尚、実施形態1又は2と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。本実施形態の検出装置3は、第一基板10と第二基板20の間において少なくとも隣接する弾性体突起32の境界にスペーサー50が配置されている点で、上述の実施形態2で説明した検出装置2と異なる。図16において、図12と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。図16に示す様に、検出装置3には、基準点Pの回りに容量検出素子Siが複数個配置されている。検出装置3は、第一容量電極12を有する第一基板10と、第一容量電極12を挟んで第一基板10と対向配置された第二基板20と、第一基板10と第二基板20との間に配置された誘電体40と、弾性体突起32が形成された第三基板30と、スペーサー50と、を備えている。弾性体突起32は、基準点Pに重なる位置に重心が位置すると共に外力によって先端部が第一基板10に当接した状態で弾性変形する。又、スペーサー50は、第一基板10と第二基板20の間において少なくとも隣接する弾性体突起32の境界に配置されている。スペーサー50は、円柱形状となっており、隣接する弾性体突起32の境界に配置されている。スペーサー50の配置構成は、前記境界の交差する領域に配置されていても良いし、前記境界を埋めつくすよう例えば枠状形状にするなど、単位検出領域Sの周囲全体に亘って配置されていても良い。ここでは、スペーサー50は前記境界の交差する領域に配置されている。つまり、スペーサー50は単位検出領域Sの4隅に配置されている。図17a乃至cは、図13a乃至cに対応した、実施形態3に係わる容量検出素子Siによる静電容量の変化を示す断面図である。尚、図17aは第三基板30の表面に外力が付加される前の状態外力の作用がない時を示している。図17bは第三基板30の表面に垂直方向の外力Fが付加された状態を示している。図17cは第三基板30の表面に斜め方向の外力Fが付加された状態を示している。図17において、図13と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。図17aに示す様に、第三基板30の表面に外力が付加される前においては、弾性体突起32は変形していない。これにより、第一容量電極12と第二容量電極22との間の距離は一定に保たれる。この時の各容量検出素子Siの静電容量値は図示略のメモリーに記憶されている。メモリーに記憶された各容量検出素子Siの静電容量値を基準として外力の作用する方向や大きさが求められる。図17bに示す様に、第三基板30の表面に垂直方向の外力が付加された時には、弾性体突起32は先端部が第二基板20の表面に当接した状態でZ方向に圧縮変形する。これにより、第一基板10が-Z方向に撓み、第一容量電極12と第二容量電極22との間の距離が外力の作用がない時に比べて小さくなる。つまり、この時の容量検出素子Siの静電容量値は、外力の作用がない時に比べて大きくなる。ところで、スペーサーを弾性体突起が圧縮変形した時の面積よりも狭い距離で配置すると、基板の撓みやすいところと撓みにくいところで変形の度合いで検出値のむらが生じやすくなる事が知られている。本実施形態では、スペーサー50を弾性体突起が圧縮変形した時の面積よりも広い距離で配置している。この為、第一基板10の撓みはスペーサー50で囲まれた領域内で生じる。つまり、外力はスペーサー50で区画された単位検出領域毎に作用する事となる。例えば、指で検出装置3を垂直方向に押した場合、押圧ポイント以外のところで垂直方向の外力が検出される事を抑制する事ができる。図17cに示す様に、第三基板30の表面に斜め方向の外力が付加された時には、弾性体突起32は先端部が第一基板10の表面に当接した状態で斜めに傾いて圧縮変形する。これにより、第一基板10が-Z方向に撓み、第一容量電極12と第二容量電極22との間の距離が外力の作用がない時に比べて小さくなる。又、第一基板10の撓み量は-X方向成分よりもX方向成分の方が大きくなる。この時、弾性体突起32の重心Gは基準点PからX方向及びY方向にずれる。又、第一基板10の撓みはスペーサー50で囲まれた領域内で生じる。つまり、外力はスペーサー50で区画された単位検出領域毎に作用する事となる。例えば、指で検出装置3を斜め方向に押した場合、押圧ポイント以外のところで斜め方向の外力が検出される事を抑制する事ができる。又、第二基板20がスペーサー50で固定されるので、外力が作用した時に第二基板20がつられて移動してしまう事を抑制する事もできる。本実施形態の検出装置3によれば、第一基板10と第二基板20の間に少なくとも隣接する弾性体突起32の境界にスペーサー50が配置されているので、外力はスペーサー50で囲まれた単位検出領域毎に作用する事となる。この為、スペーサー50で囲まれた単位検出領域においては、他の単位検出領域との間で相互作用を及ぼし合う事なく、別個独立して外力を検出する事ができる。従って、外力の大きさと方向とを高い精度で検出する事ができる。実施形態4図18は、実施形態4に係わる検出装置4の概略構成を示す断面図である。尚、実施形態1乃至3と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。本実施形態の検出装置4は、第三基板30の表面に第三基板本体31よりも高い剛性を有する補強部材51が配置されている点で、上述の実施形態で説明した検出装置1~3と異なっている。図18に示す様に、検出装置4には、基準点Pの回りに容量検出素子Siが複数個配置されている。検出装置4は、第一容量電極12を有する第一基板10と、第一容量電極12を挟んで第一基板10と対向配置された第二基板20と、第一基板10と第二基板20との間に配置された誘電体40と、基準点Pに重なる位置に重心が位置すると共に外力によって先端部が第一基板10に当接した状態で弾性変形する弾性体突起32が形成された第三基板30と、補強部材51と、を備えている。補強部材51は、矩形板状となっており、平面視において第三基板本体31と同じサイズに形成されている。この補強部材51は、第三基板本体31よりも高い剛性を有している。例えば、第三基板本体31の材質が弾性体突起32の材質と同様に発泡ウレタン樹脂デュロメーター硬さ30程度の場合、補強部材51の形成材料としては、エポキシ樹脂を用いたりウレタン樹脂デュロメーター硬さ60程度を用いたりする事ができる。この為、接触面に弾性体突起32の配置間隔よりも小さい対象物例えば先鋭なスタイラスペンによって外力が加えられた場合であっても、外力を正確に検出する事ができる。図19a乃至cは、図13a乃至cに対応した、実施形態4に係わる容量検出素子Siによる静電容量の変化を示す断面図である。尚、図19aは第三基板30の表面補強部材51の表面に外力が付加される前の状態外力の作用がない時を示している。図19bは第三基板30の表面に垂直方向の外力Fが付加された状態を示している。図19cは第三基板30の表面に斜め方向の外力Fが付加された状態を示している。図19において、図13と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。図19aに示す様に、第三基板30の表面に外力が付加される前においては、弾性体突起32は変形しない。これにより、第一容量電極12と第二容量電極22との間の距離は一定に保たれる。この時の各容量検出素子Siの静電容量値は図示略のメモリーに記憶されている。メモリーに記憶された各容量検出素子Siの静電容量値を基準として外力の作用する方向や大きさが求められる。図19bに示す様に、第三基板30の表面に垂直方向の外力が付加された時には、弾性体突起32は先端部が第一基板10の表面に当接した状態でZ方向に圧縮変形する。これにより、第一基板10が-Z方向に撓み、第一容量電極12と第二容量電極22との間の距離が外力の作用がない時に比べて小さくなる。つまり、この時の容量検出素子Siの静電容量値は、外力の作用がない時に比べて大きくなる。又、外力は2つの隣り合う弾性体突起32の間の領域に作用している。本実施形態では第三基板30の表面に第三基板本体31よりも高い剛性を有する補強部材51を備えているので、例えば、指で検出装置4を垂直方向に押した場合、2つの隣り合う弾性体突起32は互いに垂直方向に圧縮変形する事となる。この様に、補強部材51が無い場合に比べて外力により2つの隣り合う弾性体突起32が互いに反対方向に圧縮変形してしまう事を抑制する事ができる。図19cに示す様に、第三基板30の表面に斜め方向の外力が付加された時には、弾性体突起32は先端部が第一基板10の表面に当接した状態で斜めに傾いて圧縮変形する。これにより、第一基板10が-Z方向に撓み、第一容量電極12と第二容量電極22との間の距離が外力の作用がない時に比べて小さくなる。又、第一基板10の撓み量は-X方向成分よりもX方向成分の方が大きくなる。この時、弾性体突起32の重心Gは基準点PからX方向及びY方向にずれる。又、外力は2つの隣り合う弾性体突起32の間の領域に作用している。本実施形態では第三基板30の表面に第三基板本体31よりも高い剛性を有する補強部材51を備えているので、例えば、指で検出装置4を斜め方向に押した場合、2つの隣り合う弾性体突起32は互いに斜め方向に圧縮変形する事となる。この様に、補強部材51が無い場合に比べて外力により2つの隣り合う弾性体突起32が互いに反対方向に圧縮変形してしまう事を抑制する事ができる。本実施形態の検出装置4によれば、第三基板30の弾性体突起32が形成された側と反対の側に第三基板本体31よりも高い剛性を有する補強部材51が配置されているので、外力の方向を高い精度で検出する事ができる。例えば、外力が2つの隣り合う弾性体突起32の間の領域に作用する場合、補強部材が無い時に比べて2つの隣り合う弾性体突起32が互いに反対の方向に圧縮変形してしまう事を抑制する事ができる。つまり、外力の加えられた方向と反対の方向を検出するといった誤検出を抑制する事ができる。従って、外力の大きさと方向とを高い精度で検出する事ができる。尚、本実施形態においては、補強部材51が第三基板30の表面に配置されているが、これに限らない。例えば、補強部材51を設けずに、第三基板本体31自体を弾性体突起32よりも高い剛性を有する材質で形成しても良い。これにより、補強部材51を設ける構成に比べて装置の薄型化を図る事ができる。又、上記実施形態においては、第一基板に第1電極が配置され、第二基板に第2電極が配置された、第1電極と第2電極との間の誘電体に縦方向Z方向の電界を印加させる縦電界方式を採用する構成を例に挙げて説明したが、これに限らない。以下、上記実施形態とは異なる検出装置5について、図20を用いて説明する。実施形態5図20は、実施形態5に係る検出装置の概略構成を示す図であり、aは断面図で、bは平面図である。以下、本実施形態に係わる検出装置5について説明する。尚、実施形態1乃至4と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。本実施形態の検出装置5は、第二容量電極222が第一基板210の基準点Pと重なる位置に配置されている点で、上述の実施形態で説明した検出装置1乃至4と異なる。図20aに示す様に、検出装置5は、第一基板210と、第一基板210と対向配置された第二基板120と、第一基板210と第二基板120との間に配置された誘電体40と、弾性体突起32が形成された第三基板30と、を備えている。第一基板210には基準点Pが定められ、基準点Pの回りに第一容量電極12が複数個配置されると共に、基準点Pと平面視で重なる位置に第二容量電極222が配置されている。弾性体突起32は、第三基板本体31の裏面で、平面視で基準点Pに重なる位置に重心が位置する様に形成されており、先端部が第一基板210に当接している。弾性体突起32は、第三基板30に外力が加えられると、先端部が第一基板210に当接した状態で弾性変形する。この様に、本実施形態では、第一基板210に第一容量電極12と第二容量電極222とが配置されており、第一容量電極12と第二容量電極222との間の誘電体に横方向XY方向の電界を印加させる横電界方式を採用している。第二基板120は一枚板であり、縦電界方式を採用した構成の様に電極が形成されている訳でない。例えば、第二基板120の形成材料としてプラスチック等の樹脂材料を用いて電極を蒸着やスパッタ等の方法で形成すると、製造プロセス中の加熱工程において第二基板に反り等が生じる場合がある。しかしながら、この構成によれば第二基板120に電極を形成する必要がないので、製造プロセス中において第二基板120に反り等が生じる事を抑制する事ができる。又、第二容量電極222は、複数の第一容量電極12と等間隔に配置されている。具体的には、複数の第一容量電極12は、単位検出領域S当たり縦2行横2列に計4個配置されている。これら4個の第一容量電極12の中心単位検出領域Sの中心が基準点Pとなっており、この基準点に第二容量電極222が配置されている。図21a乃至cは、図7a乃至cに対応した、実施形態5に係わる容量検出素子Siによる静電容量の変化を示す断面図である。図22a乃至cは、図21a乃至cに対応した、実施形態5に係わる容量検出素子Siによる静電容量の変化を示す平面図である。尚、図21a及び図22aは第三基板30の表面に外力が付加される前の状態外力の作用がない時を示している。図21b及び図22bは第三基板30の表面に垂直方向の外力Fが付加された状態を示している。図21c及び図22cは第三基板30の表面に斜め方向の外力Fが付加された状態を示している。又、図22a乃至cにおいて、符号Gは弾性体突起32の重心を示している。図21及び図22において、図7及び図8と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。尚、第一容量電極12と第二容量電極222との間の距離は外力が付加される過程において一定に保たれる。図21a及び図22aに示す様に、第三基板30の表面に外力が付加される前においては、弾性体突起32は変形していない。この時、弾性体突起32の重心Gは基準点Pと重なる位置に配置されている。又、弾性体突起32の先端部は第二容量電極222に重なっている。具体的には、弾性体突起32の先端部は第二容量電極222と重なった状態で平面視円形となっている。尚、この時の容量検出素子Siが検出する静電容量値を基準として外力の作用する方向や大きさが求められる。図21b及び図22bに示す様に、第三基板30の表面に垂直方向の外力が付加された時には、弾性体突起32は先端部が第一基板210の表面に当接した状態でZ方向に圧縮変形する。これにより、第一基板210が-Z方向に撓み、誘電体40の厚みが外力の加えられた部位で薄くなる。この結果、水平方向の電気力線の密度が上がり、第一容量電極12と第二容量電極222との間の実効的な距離静電容量値と誘電率とから定まる電極間距離が外力の作用がない時に比べて小さくなる。つまり、この時の容量検出素子Siの静電容量値は、外力の作用がない時に比べて大きくなっている。又、弾性体突起32の先端部は外力の作用がない時よりも大きいサイズの平面視円形となっている。図21c及び図22cに示す様に、第三基板30の表面に斜め方向の外力が付加された時には、弾性体突起32は先端部が第一基板210の表面に当接した状態でZ方向に圧縮変形する。これにより、第一基板210が-Z方向に撓み、誘電体40の厚みが外力の加えられた部位で薄くなる。この結果、水平方向の電気力線の密度が上がり、第一容量電極12と第二容量電極222との間の実効的な距離静電容量値と誘電率とから定まる電極間距離が外力の作用がない時に比べて小さくなる。又、第一基板210の撓み量は-X方向成分よりもX方向成分の方が大きくなる。この時、弾性体突起32の重心Gは基準点PからX方向及びY方向にずれる。この弾性体突起32の重心Gのずれ変位量から外力の面内方向成分上述したFx及びFyを算出する事ができる。又、弾性体突起32の先端部は平面視楕円形となっている。具体的には、弾性体突起32の先端部と複数の第一容量電極12との重なる面積は、-X方向及び-Y方向に配置された部分よりもX方向及びY方向に配置された部分のほうが重なる割合が大きくなっている。図23は、図9に対応した、実施形態5に係わる単位検出領域の座標系を示す図である。図23に示す様に、複数の容量検出素子S1、S2、S3、S4は、単位検出領域S当たり縦2行横2列に計4個配置されている。ここで、各容量検出素子S1、S2、S3、S4が検出する静電容量値検出値をそれぞれPS1、PS2、PS3、PS4とすると、外力のX方向成分Fx外力の面内方向成分のうちX方向に作用する分力の割合は上述した式2で表される。又、外力のY方向成分Fy外力の面内方向成分のうちY方向に作用する分力の割合は上述した式3で表される。又、外力のZ方向成分Fz外力の垂直方向成分は上述した式4で表される。本実施形態では、実施形態1と同様に、外力によって弾性体突起が弾性変形する事により変化する4個の容量検出素子S1、S2、S3、S4の静電容量値のうち任意に組み合わされた各容量検出素子Siの静電容量値の差分を演算し、その差分に基づいて外力が加えられた方向と大きさが演算される。式2に示す様に、外力のX方向成分Fxにおいては、4つの容量検出素子S1~S4で検出された静電容量値のうちX方向に配置された容量検出素子S2及びS4で検出された値が組み合わされると共に、-X方向に配置された容量検出素子S1及びS3で検出された値が組み合わされる。この様に、X方向に配置された容量検出素子S2及びS4の組み合わせによる静電容量値と-X方向に配置された容量検出素子S1及びS3の組み合わせによる静電容量値との差分に基づいて外力のX方向成分が求められる。式3に示す様に、外力のY方向成分Fyにおいては、4つの容量検出素子S1~S4で検出された静電容量値のうちY方向に配置された容量検出素子S1及びS2で検出された値が組み合わされると共に、-Y方向に配置された容量検出素子S3及びS4で検出された値が組み合わされる。この様に、Y方向に配置された容量検出素子S1及びS2の組み合わせによる静電容量値と-Y方向に配置された容量検出素子S3及びS4の組み合わせによる静電容量値との差分に基づいて外力のY方向成分が求められる。式4に示す様に、外力のZ方向成分Fzにおいては、4つの容量検出素子S1~S4の静電容量値を足し合わせた合力で求められる。但し、外力のZ方向成分Fzは、外力のX方向成分Fx及び外力のY方向成分Fy分力に比べて検出値が大きく検出される傾向がある。例えば、第一基板210の材質として硬いものを用いたり、或いは弾性体突起32の先端部の形状を先鋭にしたりすると、外力のZ方向成分Fzの検出感度が高くなる。具体的には、第一基板210の材質として硬いものを用いると、第一基板210の変位や変形が生じにくくなり、外力の面内方向の検出値が小さくなってしまう。又、弾性体突起32の先端部の形状を先鋭にすると接触面を指で触った時のタッチ感に強い感度違和感を与える場合がある。この為、外力のZ方向成分Fzの検出値を、外力のX方向成分Fx及び外力のY方向成分Fyの検出値と揃えるには、第一基板210の材質や弾性体突起32や形状によって決定される補正係数で検出値を適宜補正する必要がある。実際には、こうした影響を正しく補正する様に検出装置5に固有な比例定数fが定められる。本実施形態の検出装置5によれば、第一容量電極12及び第二容量電極222を第一基板210に配置しているので、第一容量電極12及び第二容量電極222を同一の工程で形成する事が可能となる。従って、製造工程を簡略化する事ができ、製造効率の向上及び製造コストの低減を図る事ができる。又、製造プロセス中の加熱工程において第二基板120に反り等が生じる事を抑制する事ができるので、外力の検出精度を向上させる事ができる。又、弾性体突起32の変形の過程において電極間の距離を一定に保つ事ができるので、外力の大きさと方向とを高い精度で検出する事ができる。尚、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加える事が可能である。変形例を以下に述べる。変形例1図24は、変形例1に係る検出装置の概略構成を示す分解斜視図である。次に図24を参照して、変形例1に係る検出装置6を説明する。上述の実施形態では、第一基板10、210に弾性体突起32が当接していたが、これは必須ではなく、本変形例では第二基板20に弾性体突起32が当接している。即ち、第三基板30に対する第一基板10と第二基板20との位置関係を反転させ、図24に示す様に、第二基板本体21の表面に弾性体突起32が当接する様に配置しても良い。この場合、第二基板本体21はポリイミドフィルムやポリエステルフィルムなど、可撓性を有する基板となる。変形例2図25は、変形例2に係る検出装置の概略構成を示す図であり、aは断面図で、bは平面図である。次に図25を参照して、変形例2に係る検出装置7を説明する。上述の実施形態では、容量検出素子Siはアクティブマトリックス型式で、第一基板10に薄膜トランジスターで回路が形成されていたが、これは必須ではなく、本変形例では所謂パッシブマトリックス型式で容量検出素子Siを行列状に配置してある。図25aに示す様に、検出装置7は第一基板10と第二基板20と第三基板30と誘電体40とを備える。誘電体40は第一基板本体11の裏面と第二基板本体21の表面とで挟持される。又、第一基板本体11の表面には弾性体突起32が当接する。第一基板10は更に第一容量電極12を備え、第二基板20は第二容量電極22を備える。第一容量電極12は第一基板本体11の裏面に形成され、第二容量電極22は第二基板20の表面に形成されている。従って、第一容量電極12と第二容量電極22との間に誘電体40としての感圧導電性弾性体が備えられている。容量検出素子Siは第一容量電極12と第二容量電極22と誘電体40とを含んで構成される。一方、平面視においては、図25bに示される様に、第一容量電極12と第二容量電極22とは、帯状で、互いに交差される様に配置される。第一容量電極12と第二容量電極22との交点に形成された四角の重なり部が一つの容量検出素子Siとなる。容量検出素子Siは、第三基板30に外力が作用した時に外力を電気信号に変換する。この様に、容量検出素子Siをパッシブマトリックス型式で形成しても良い。電子機器検出装置1乃至7は、第三基板30に加えられた外力の大きさと方向とを検出するタッチパッド等に使用され、例えば、ノートパソコン等の電子機器においてマウスの代わりのポインティングデバイスとして用いられる。この際に、電子機器は筐体を備え、第二基板20は筐体の一部をなしていても良い。即ち、筐体が第二基板本体21を兼用しても良い。図26は、上記実施形態及び変形例に係る検出装置1乃至7を適用した携帯電話機の概略構成を示す模式図である。携帯電話機1000は、複数の操作ボタン1003及びスクロール装置1002、並びに表示部としての液晶パネル1001を備えている。検出装置1は平面状のスクロール装置1002に用いられ、スクロール装置1002を操作する事によって、液晶パネル1001に表示される画面がスクロールされる。液晶パネル1001にはメニューアイコン図示略が表示される。例えば、スクロール装置1002を操作して、メニューアイコンを選択すると電話帳が表示されたり、携帯電話機の電話番号が表示されたりする。図27は、上記実施形態及び変形例に係る検出装置1乃至7を適用した携帯情報端末PDA:PersonalDigitalAssistantsの概略構成を示す模式図である。携帯情報端末2000は、複数の操作ボタン2002及びタッチパッド2003、並びに表示部として液晶パネル2001を備えている。検出装置1はタッチパッド2003に用いられ、タッチパッド2003を操作する事によって、液晶パネル2001に表示されるポインターが移動されたり、或いはメニューが選択されたりする。例えば、タッチパッド2003を介してポインターを住所録メニューアイコン図示略に移動させ、そこで選択動作を施す事に依り、住所録が表示される。このような電子機器によれば、上述した検出装置1乃至7を備えているので、外力の方向と大きさを高い精度で検出する電子機器を提供する事ができる。尚、電子機器としては、この他にも、例えばパーソナルコンピューター、ビデオカメラのモニター、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、デジタルスチルカメラ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。これらの電子機器に対しても、本発明に係る検出装置1乃至7を適用させる事ができる。ロボット図28は、上記実施形態及び変形例に係る検出装置1乃至7を適用したロボットの概略構成を示す模式図である。図28aに示す様に、ロボットハンド3000は、本体部3003及び一対のアーム部3002、並びに検出装置1乃至7を適用した把持部3001を備えている。例えば、リモコン等の制御装置によりアーム部3002に駆動信号を送信すると、一対のアーム部3002が開閉動作する。図28bに示す様に、ロボットハンド3000でコップ等の対象物3010を把持する場合を考える。この時、対象物3010に作用する力は把持部3001で圧力として検出される。ロボットハンド3000は、把持部3001として上述した検出装置1乃至7を備えているので、対象物3010の表面接触面に垂直な方向の力と併せて重力Mgですべる方向の力滑り力の成分を検出する事が可能である。例えば、柔らかい物体を変形させたり滑りやすい物体を落としたりしないよう、対象物3010の質感に応じて力を加減しながら持つ事ができる。このロボットによれば、上述した検出装置1乃至7を備えているので、把持力の方向と大きさを高い精度で検出する事が可能なロボットを提供する事ができる。