"被成膜基板上に成膜されたCxNyHz膜であって、x,y,zは下記式1~4を満たすことを特徴とするCxNyHz膜。10.4<x<0.720.01<y<0.530≦z<0.34xyz=1請求項1において、前記CxNyHz膜は水の接触角が50°以下である表面を有することを特徴とするCxNyHz膜。非磁性基板上に形成された磁性層と、前記磁性層上に形成された請求項1または2に記載のCxNyHz膜と、前記CxNyHz膜上に形成されたフッ化有機膜と、を具備することを特徴とする磁気記録媒体。請求項3において、前記CxNyHz膜と前記磁性層との間に形成されたDLC膜をさらに具備することを特徴とする磁気記録媒体。請求項3または4において、前記フッ化有機膜は、CaFb膜、CaFbNc膜、CaFbHd膜、CaFbOe膜、CaFbOeHd膜、CaFbNcOe膜及びCaFbNcOeHd膜のいずれかの膜であることを特徴とする磁気記録媒体。ただし、a,b,c,d,eは、自然数である。請求項5において、前記CaFb膜、CaFbNc膜、CaFbHd膜、CaFbOe膜、CaFbOeHd膜、CaFbNcOe膜及びCaFbNcOeHd膜それぞれはアモルファス膜であることを特徴とする磁気記録媒体。ただし、a,b,c,d,eは、自然数である。請求項5または6において、前記いずれかの膜の厚さは3nm以下であることを特徴とする磁気記録媒体。被成膜基板上に、出発原料を気化させたガスを用いたCVD法により請求項1または2に記載のCxNyHz膜を成膜する成膜方法であって、前記出発原料は、CXHYNZからなり、常温で液体または固体であり、下記式1~4を満たすことを特徴とする成膜方法。ただし、X,Y,Zは自然数である。14≦X≦1220≦Y≦432≦Z≦124Y/X<1請求項8において、前記出発原料は、C4H2N2、C5H3N3、C7H3N3、C6H2N4、C5H2N4、C10H2N4、C12H4N4およびC6N4のいずれか一の原料であることを特徴とする成膜方法。請求項8または9に記載の成膜方法により成膜された前記CxNyHz膜上にフッ化有機膜を形成する磁気記録媒体の製造方法であって、前記被成膜基板は、非磁性基板上に磁性層を形成したものであり、前記CxNyHz膜は水の接触角が50°以下である表面を有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。請求項10において、前記CxNyHz膜と前記磁性層との間にDLC膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。請求項10または11において、前記フッ化有機膜は、原料ガスを用いたCVD法により形成されたCaFb膜、CaFbNc膜、CaFbHd膜、CaFbOe膜、CaFbOeHd膜、CaFbNcOe膜及びCaFbNcOeHd膜のいずれかの膜であり、前記原料ガスは、炭素とフッ素を含む有機物原料ガスを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。ただし、a,b,c,d,eは、自然数である。請求項12において、前記有機物原料ガスが3個以上の炭素を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。請求項12または13において、前記膜上に前記CaFb膜を形成する場合の前記有機物原料ガスは、C3F6、C4F6、C6F6、C6F12、C6F14、C7F8、C7F14、C7F16、C8F16、C8F18、C9F18、C9F20、C10F8、C10F18、C11F20、C12F10、C13F28、C15F32、C20F42、及びC24F50の少なくとも一つを有し、前記膜上に前記CaFbNc膜を形成する場合の前記有機物原料ガスは、C3F3N3、C3F9N、C5F5N、C6F4N2、C6F9N3、C6F12N2、C6F15N、C7F5N、C8F4N2、C9F21N、C12F4N4、C12F27N、C14F8N2、C15F33N、C24F45N3、及びトリヘプタフルオロプロピルアミンの少なくとも一つを有し、前記膜上に前記CaFbOd膜を形成する場合の前記有機物原料ガスは、C3F6O、C4F6O3、C4F8O、C5F6O3、C6F4O2、C6F10O3、C8F4O3、C8F8O、C8F8O2、C8F14O3、C13F10O、C13F10O3、及びC2F6OC3F6OnCF2Omの少なくとも一つを有し、前記膜上に前記CaFbNcOd膜を形成する場合の前記有機物原料ガスは、C7F5NOを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。請求項12乃至14のいずれか一項において、前記有機物原料ガスとしてパーフルオロアミン類を用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。請求項12乃至15のいずれか一項において、前記原料ガスを用いたCVD法は、前記CxNyHz膜を保持電極に保持し、前記保持電極に保持された前記CxNyHz膜に対向する対向電極を配置し、前記保持電極および前記対向電極の一方の電極に電力を供給して直流プラズマを形成する際の直流電圧または高周波プラズマを形成する際の直流電圧成分を150V~-150VとしたプラズマCVD法であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。本発明の一態様は、高密度のCxNyHz膜および成膜方法を提供することを課題とする。本発明の一態様は、磁性層とフッ化有機膜との間の膜の厚さを薄くした磁気記録媒体またはその製造方法を提供することを課題とする。本発明の一態様は、被成膜基板上に成膜されたCxNyHz膜であって、x,y,zは下記式1~4を満たすことを特徴とするCxNyHz膜。10.4<x<0.720.01<y<0.530≦z<0.34xyz=1また、本発明の一態様において、前記CxNyHz膜は水の接触角が50°以下より好ましくは30°以下である表面を有することが好ましい。本発明の一態様は、非磁性基板上に形成された磁性層と、前記磁性層上に形成された上述したCxNyHz膜と、前記CxNyHz膜上に形成されたフッ化有機膜と、を具備することを特徴とする磁気記録媒体である。また、本発明の一態様において、前記CxNyHz膜と前記磁性層との間に形成されたDLC膜をさらに具備するとよい。また、本発明の一態様において、前記フッ化有機膜は、CaFb膜、CaFbNc膜、CaFbHd膜、CaFbOe膜、CaFbOeHd膜、CaFbNcOe膜及びCaFbNcOeHd膜のいずれかの膜であるとよい。ただし、a,b,c,d,eは、自然数である。また、本発明の一態様において、前記CaFb膜、CaFbNc膜、CaFbHd膜、CaFbOe膜、CaFbOeHd膜、CaFbNcOe膜及びCaFbNcOeHd膜それぞれはアモルファス膜であるとよい。ただし、a,b,c,d,eは、自然数である。また、本発明の一態様において、前記いずれかの膜の厚さは3nm以下であるとよい。本発明の一態様は、被成膜基板上に、出発原料を気化させたガスを用いたCVD法により請求項1または2に記載のCxNyHz膜を成膜する成膜方法であって、前記出発原料は、CXHYNZからなり、常温で液体または固体であり、下記式1~4を満たすことを特徴とする成膜方法。ただし、X,Y,Zは自然数である。14≦X≦1220≦Y≦432≦Z≦124Y/X<1ここで、出発原料とは、薄膜の構成元素を含む化合物のことである。また、本発明の一態様において、前記出発原料は、C4H2N2、C5H3N3、C7H3N3、C6H2N4、C5H2N4、C10H2N4、C12H4N4およびC6N4のいずれか一の原料であるとよい。本発明の一態様は、上述した成膜方法により成膜された前記CxNyHz膜上にフッ化有機膜を形成する磁気記録媒体の製造方法であって、前記被成膜基板は、非磁性基板上に磁性層を形成したものであり、前記CxNyHz膜は水の接触角が50°以下である表面を有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。また、本発明の一態様において、前記CxNyHz膜と前記磁性層との間にDLC膜を形成するとよい。また、本発明の一態様において、前記フッ化有機膜は、原料ガスを用いたCVD法により形成されたCaFb膜、CaFbNc膜、CaFbHd膜、CaFbOe膜、CaFbOeHd膜、CaFbNcOe膜及びCaFbNcOeHd膜のいずれかの膜であり、前記原料ガスは、炭素とフッ素を含む有機物原料ガスを有するとよい。ただし、a,b,c,d,eは、自然数である。また、本発明の一態様において、前記有機物原料ガスが3個以上の炭素を含むとよい。また、本発明の一態様において、前記膜上に前記CaFb膜を形成する場合の前記有機物原料ガスは、C3F6、C4F6、C6F6、C6F12、C6F14、C7F8、C7F14、C7F16、C8F16、C8F18、C9F18、C9F20、C10F8、C10F18、C11F20、C12F10、C13F28、C15F32、C20F42、及びC24F50の少なくとも一つを有し、前記膜上に前記CaFbNc膜を形成する場合の前記有機物原料ガスは、C3F3N3、C3F9N、C5F5N、C6F4N2、C6F9N3、C6F12N2、C6F15N、C7F5N、C8F4N2、C9F21N、C12F4N4、C12F27N、C14F8N2、C15F33N、C24F45N3、及びトリヘプタフルオロプロピルアミンの少なくとも一つを有し、前記膜上に前記CaFbOd膜を形成する場合の前記有機物原料ガスは、C3F6O、C4F6O3、C4F8O、C5F6O3、C6F4O2、C6F10O3、C8F4O3、C8F8O、C8F8O2、C8F14O3、C13F10O、C13F10O3、及びC2F6OC3F6OnCF2Omの少なくとも一つを有し、前記膜上に前記CaFbNcOd膜を形成する場合の前記有機物原料ガスは、C7F5NOを有するとよい。また、本発明の一態様において、前記有機物原料ガスとしてパーフルオロアミン類を用いるとよい。また、本発明の一態様において、前記原料ガスを用いたCVD法は、前記CxNyHz膜を保持電極に保持し、前記保持電極に保持された前記CxNyHz膜に対向する対向電極を配置し、前記保持電極および前記対向電極の一方の電極に電力を供給して直流プラズマを形成する際の直流電圧または高周波プラズマを形成する際の直流電圧成分を150V~-150VとしたプラズマCVD法であるとよい。本発明の一態様によれば、高密度のCxNyHz膜および成膜方法を提供することができる。また、本発明の一態様によれば、磁性層とフッ化有機膜との間の膜の厚さを薄くした磁気記録媒体またはその製造方法を提供することができる。以下では、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。第1の実施形態図1は、本発明の一態様に係る磁気記録媒体の製造方法を説明するための断面図である。図2は、図1に示すCxNyHz膜14を成膜するためのCVD装置を模式的に示す断面図である。まず、図1に示すように、非磁性基板11の上に少なくとも磁性層12を形成した被成膜基板2を用意し、この被成膜基板2の上に膜厚1nm好ましくは0.5nmのDLC膜13をCVD法により成膜する。なお、被成膜基板2は、例えばバードディスク基板、メディアヘッドなどである。次に、DLC膜13の上に膜厚1nm好ましくは0.5nmのCxNyHz膜14を図2に示すCVD装置を用いて成膜する。CxNyHz膜14の表面の水の接触角は50°以下より好ましくは30°以下となる。x,y,zは下記式1~4を満たし、好ましくは下記式1~4を満たす。10.4<x<0.720.01<y<0.530≦z<0.34xyz=110.5<x<0.720.05<y<0.430≦z<0.34xyz=1この後、CxNyHz膜14をフッ素系のフォンブリン油にディッピングすることにより、CxNyHz膜14の上にはフォンブリン油が塗布される。次に、被成膜基板2を150°Cの温度で1時間アニールすることにより、CxNyHz膜14上には固体潤滑剤として機能する膜厚4nmのフッ化有機膜15が形成される。なお、フッ化有機膜15の作製方法として蒸着法を用いても良く、その場合の蒸着温度は110°Cである。ここで、図2に示すCVD装置について説明する。CVD装置は、チャンバー1を有しており、チャンバー1には、チャンバー1の内部を真空排気する排気口が設けられている。この排気口は排気ポンプ図示せずに接続されている。チャンバー1内の下方には被成膜基板2を保持する保持電極4が配置されている。保持電極4は例えば周波数13.56MHzの高周波電源6に電気的に接続されており、保持電極4はRF印加電極RFカソードとしても作用する。高周波電源6によって高周波を印加した保持電極4の高周波出力密度は、例えば1×10-2W/cm2以下である。保持電極4の周囲及び下部はアースシールド5によってシールドされている。なお、本実施形態では、高周波電源6を用いているが、他の電源、例えば直流電源又はマイクロ波電源を用いても良い。チャンバー1内の上方には、保持電極4に対向して平行の位置にガスシャワー電極対向電極7が配置されている。これらは一対の平行平板型電極である。ガスシャワー電極7は接地電位に接続されている。ガスシャワー電極7の下面には、被処理基板2のDLC膜13が形成された側ガスシャワー電極7と保持電極4との間の空間にシャワー状の原料ガスを供給する複数の供給口図示せずが形成されている。ガスシャワー電極7の内部にはガス導入経路図示せずが設けられている。このガス導入経路の一方側は上記供給口に繋げられており、ガス導入経路の他方側は原料ガスの供給配管28の一端に接続されている。この供給配管28の周囲はヒータ21によって覆われており、供給配管28は二手に分岐されている。供給配管28の一方の他端はバルブ29に接続されており、バルブ29は配管を介してマスフローコントローラ31に接続されている。マスフローコントローラ31は配管を介してバルブ30に接続されており、バルブ30は配管を介してN2供給源に接続されている。供給配管28の他方の他端はバルブ19に接続されている。バルブ19は配管を介してマスフローコントローラ20に接続されており、マスフローコントローラ20は配管を介してバルブ18に接続されている。バルブ18は配管を介して出発原料16を収容する原料容器に接続されている。原料容器、バルブ18,19およびマスフローコントローラ20は恒温槽17内に配置されている。出発原料16は、CXHYNZからなり、常温で液体または固体であり、下記式1~4を満たし、好ましくは下記式1~4を満たすものである。ただし、X,Y,Zは自然数である。14≦X≦1220≦Y≦432≦Z≦124Y/X<1より好ましくは3/7≦Y/X<114≦X≦720≦Y≦432≦Z≦44Y/X<1より好ましくは3/7≦Y/X<1上記式1のようにした理由は、Xが4未満であると出発原料が常温で気体になるからであり、Xが12より大きくなると出発原料を蒸発させるのが困難になるからである。出発原料16の具体例は、C4H2N2フマルニトリル、C5H3N3シアノピラジン、シアノピリミジンおよびC7H3N3ピリジンジカルボニトリルなどが挙げられる。次に、図2に示すCVD装置を用いた成膜方法について説明する。被成膜基板2をチャンバー1内に挿入し、このチャンバー1内の保持電極4上に被成膜基板2を保持する。次いで、排気ポンプによってチャンバー1内を真空排気する。次いで、出発原料16を恒温槽17で加熱することによって気化させ、その帰化させた原料ガスをマスフローコントローラ20によって流量制御し、その流量制御した原料ガスをヒータ21によって温度低下しないように維持しながら供給配管およびガス導入経路を通して、ガスシャワー電極7の供給口からシャワー状の原料ガスを、チャンバー1内に導入して被成膜基板2の表面に供給する。この供給された原料ガスは、保持電極4とアースシールド5との間を通ってチャンバー1の外側へ排気ポンプによって排気される。そして、原料ガスの供給量と排気のバランスにより、所定の圧力、原料ガス流量に制御することによりチャンバー1内を原料ガス雰囲気とし、高周波電源6により例えば13.56MHzの高周波RFを印加し、プラズマを発生させることにより被成膜基板2のDLC膜13の上にCxNyHz膜14を成膜する。なお、本実施形態では、上記の原料ガスにN2ガスを加えていないが、N2供給源からのN2ガスをマスフローコントローラ31によって流量制御して上記の原料ガスに加えてもよい。これにより、CxNyHz膜14中のNの含有量を増やすことができる。次いで、高周波電源6からの電力供給を停止し、ガスシャワー電極7の供給口からの原料ガスの供給を停止し、成膜処理を終了する。本実施形態によれば、上述した出発原料16を用いることにより、水素含有量が少なくて高密度なCxNyHz膜14を成膜することができる。このため、CxNyHz膜14に、磁性層12からCrなどの不純物が溶け出してフッ化有機膜15に到達するいわゆるコロージョンのを防ぐためのバリア性を持たせることができる。従来はDLC膜13だけに持たせていたバリア性をCxNyHz膜14にも持たせることにより、DLC膜13を薄くしてもコロージョンを防ぐことが可能になる。その結果、磁性層12とフッ化有機膜15との間の膜の厚さを従来のものより薄くすることができる。また、CxNyHz膜14の表面の水の接触角は50°以下とすることができるため、フッ化有機膜15とCxNyHz膜14との密着力を十分に確保することができ、フッ化有機膜15がCxNyHz膜14から剥離することを抑制できる。なお、本実施形態では、磁性層12上にDLC膜13を形成し、このDLC膜13上にCxNyHz膜14を形成し、このCxNyHz膜14上にフッ化有機膜15を形成しているが、磁性層12上にCxNyHz膜14を形成し、このCxNyHz膜14上にフッ化有機膜15を形成してもよい。また、本実施形態では、非磁性基板11の上に少なくとも磁性層12を形成した被成膜基板10を用意し、この被成膜基板10の上に成膜したDLC膜13上にCxNyHz膜14を形成しているが、これに限定されず、他の基板上にCxNyHz膜14を形成してもよい。この場合の他の基板は、種々の基板を用いることが可能であり、例えば電子デバイスを用いても良い。また、本実施形態では、図2に示すCVD装置を用いてCxNyHz膜14を成膜しているが、図3~図9それぞれに示すCVD装置を用いてもよい。なお、図3~図9において図2と同一部分には同一符号を付し、同一部分の説明は省略する。変形例1図3に示すCVD装置はバルブ19を有し、バルブ19は配管を介してニードルバルブ22に接続されている。ニードルバルブ22は配管を介してバルブ18に接続されており、バルブ18は配管を介して出発原料16を収容する原料容器に接続されている。原料容器、バルブ18,19およびニードルバルブ22は恒温槽17内に配置されている。出発原料16の具体例は、C6H2N4ジシアノピラジン、C5H2N4ジシアノイミダゾール、C10H2N4テトラシアノベンゼンおよびC12H4N4テトラシアノキノジメタンなどが挙げられる。出発原料16の具体例は、C4H2N2フマルニトリル、C5H3N3シアノピラジン、シアノピリミジン、C7H3N3ピリジンジカルボニトリルおよびC6N4テトラシアノエチレンなどが挙げられる。次に、図3に示すCVD装置を用いた成膜方法について説明する。被成膜基板2をチャンバー1内に挿入し、このチャンバー1内の保持電極4上に被成膜基板2を保持する。次いで、排気ポンプによってチャンバー1内を真空排気する。次いで、出発原料16を恒温槽17で加熱することによって気化させ、その帰化させた原料ガスをニードルバルブ22によって流量制御し、その流量制御した原料ガスをヒータ21によって温度低下しないように維持しながら供給配管およびガス導入経路を通して、ガスシャワー電極7の供給口からシャワー状の原料ガスを、チャンバー1内に導入して被成膜基板2の表面に供給する。この供給された原料ガスは、保持電極4とアースシールド5との間を通ってチャンバー1の外側へ排気ポンプによって排気される。そして、原料ガスの供給量と排気のバランスにより、所定の圧力、原料ガス流量に制御することによりチャンバー1内を原料ガス雰囲気とし、高周波電源6により例えば13.56MHzの高周波RFを印加し、プラズマを発生させることにより被成膜基板2のDLC膜13の上にCxNyHz膜14を成膜する。なお、本変形例では、上記の原料ガスにN2ガスを加えていないが、N2供給源からのN2ガスをマスフローコントローラ31によって流量制御して上記の原料ガスに加えてもよい。これにより、CxNyHz膜14中のNの含有量を増やすことができる。図3に示すCVD装置では、ニードルバルブ22によって流量制御するため、マスフローコントローラの使用温度の上限を超えるような高温に加熱して気化させるような出発原料16であっても流量を制御することが可能であり、CxNyHz膜14を成膜することができる。図3に示すCVD装置で成膜したCxNyHz膜14であっても、本実施形態と同様の効果表面の水の接触角が50°以下であること、バリア性を有することを得ることができる。変形例2図4に示すCVD装置はバルブ19を有し、バルブ19は配管を介して気化器27に接続されている。気化器27及びバルブ19はヒータ21によって加熱されるようになっている。気化器27は配管を介して液体MFM25に接続されており、液体MFM25は配管を介してバルブ18に接続されている。バルブ18は配管を介して出発原料16を収容する原料容器に接続されている。原料容器、バルブ18および液体MFM25は恒温槽17内に配置されている。気化器27は配管を介してバルブ24に接続されており、バルブ24は配管を介してマスフローコントローラ20に接続されている。マスフローコントローラ20は配管を介してバルブ23aに接続されており、バルブ23aは配管を介してキャリアガス供給源Ar、He、N2等に接続されている。キャリアガス供給源は配管を介してバルブ23bに接続されており、バルブ23bは配管を介して原料容器内に接続されている。次に、図4に示すCVD装置を用いた成膜方法について説明する。被成膜基板2をチャンバー1内に挿入し、このチャンバー1内の保持電極4上に被成膜基板2を保持する。次いで、排気ポンプによってチャンバー1内を真空排気する。次いで、出発原料16を恒温槽17で所定の温度に加熱し、液体状の出発原料を液体MFM25にN2などのキャリアガスで圧送し、この液体MFMによって流量制御された液体状の出発原料を気化器27に導入するとともに、キャリアガス供給源からのキャリアガスをマスフローコントローラ20によって流量制御して気化器27に導入し、この気化器27によって出発原料を気化させ、その帰化させた出発原料およびキャリアガスを含む原料ガスをヒータ21によって温度低下しないように維持しながら供給配管28およびガス導入経路を通して、ガスシャワー電極7の供給口からシャワー状の原料ガスを、チャンバー1内に導入して被成膜基板2の表面に供給する。この供給された原料ガスは、保持電極4とアースシールド5との間を通ってチャンバー1の外側へ排気ポンプによって排気される。そして、原料ガスの供給量と排気のバランスにより、所定の圧力、原料ガス流量に制御することによりチャンバー1内を原料ガス雰囲気とし、高周波電源6により例えば13.56MHzの高周波RFを印加し、プラズマを発生させることにより被成膜基板2のDLC膜13の上にCxNyHz膜14を成膜する。なお、本変形例では、上記の原料ガスにN2ガスを加えていないが、N2供給源からのN2ガスをマスフローコントローラ31によって流量制御して上記の原料ガスに加えてもよい。これにより、CxNyHz膜14中のNの含有量を増やすことができる。図4に示すCVD装置で成膜したCxNyHz膜14であっても、本実施形態と同様の効果表面の水の接触角が50°以下であること、バリア性を有することを得ることができる。変形例3図5に示すCVD装置は、図4に示す液体MFM25及び気化器27をマスフローコントローラ20に変更したものである。次に、図5に示すCVD装置を用いた成膜方法における原料ガスの被処理基板2への供給方法ついて説明する。なお、この供給方法以外の成膜方法は本実施形態と同様である。キャリアガス供給源からのキャリアガスをマスフローコントローラ20によって流量制御して原料容器に供給して出発原料16をバブリングさせながら出発原料16を恒温槽17で加熱することによって気化させ、その帰化させた原料ガスおよびキャリアガスをマスフローコントローラ20によって流量制御し、その流量制御した原料ガスおよびキャリアガスをヒータ21によって温度低下しないように維持しながら供給配管28およびガス導入経路を通して、ガスシャワー電極7の供給口からシャワー状の原料ガスおよびキャリアガスを、チャンバー1内に導入して被成膜基板2の表面に供給する。図5に示すCVD装置で成膜したCxNyHz膜14であっても、本実施形態と同様の効果表面の水の接触角が50°以下であること、バリア性を有することを得ることができる。変形例4図6に示すCVD装置は、出発原料16を収容する原料容器、バルブ18,19、マスフローコントローラ20、配管および供給配管28の周囲はヒータ21によって覆われている。次に、図6に示すCVD装置を用いた成膜方法における原料ガスの被処理基板2への供給方法ついて説明する。なお、この供給方法以外の成膜方法は本実施形態と同様である。出発原料16をヒータ21で加熱することによって気化させ、その帰化させた原料ガスをマスフローコントローラ20によって流量制御し、その流量制御した原料ガスをヒータ21によって温度低下しないように維持しながら供給配管28およびガス導入経路を通して、ガスシャワー電極7の供給口からシャワー状の原料ガスを、チャンバー1内に導入して被成膜基板2の表面に供給する。図6に示すCVD装置で成膜したCxNyHz膜14であっても、本実施形態と同様の効果表面の水の接触角が50°以下であること、バリア性を有することを得ることができる。変形例5図7に示すCVD装置は、図6に示すマスフローコントローラ20をニードルバルブ22に変更したものである。次に、図7に示すCVD装置を用いた成膜方法における原料ガスの被処理基板2への供給方法ついて説明する。なお、この供給方法以外の成膜方法は本実施形態と同様である。出発原料16をヒータ21で加熱することによって気化させ、その帰化させた原料ガスをニードルバルブ22によって流量制御し、その流量制御した原料ガスをヒータ21によって温度低下しないように維持しながら供給配管28およびガス導入経路を通して、ガスシャワー電極7の供給口からシャワー状の原料ガスを、チャンバー1内に導入して被成膜基板2の表面に供給する。図7に示すCVD装置で成膜したCxNyHz膜14であっても、本実施形態と同様の効果表面の水の接触角が50°以下であること、バリア性を有することを得ることができる。変形例6図8に示すCVD装置は、図4に示す恒温槽17をヒータ21aに変更したものである。次に、図8に示すCVD装置を用いた成膜方法における原料ガスの被処理基板2への供給方法ついて説明する。なお、この供給方法以外の成膜方法は本実施形態と同様である。出発原料16をヒータ21aで所定の温度に加熱し、液体状の出発原料を液体MFM25にN2などのキャリアガスで圧送し、この液体MFMによって流量制御された液体状の出発原料を気化器27に導入するとともに、キャリアガス供給源からのキャリアガスをマスフローコントローラ20によって流量制御して気化器27に導入し、この気化器27によって出発原料を気化させ、その帰化させた出発原料およびキャリアガスを含む原料ガスをヒータ21によって温度低下しないように維持しながら供給配管28およびガス導入経路を通して、ガスシャワー電極7の供給口からシャワー状の原料ガスを、チャンバー1内に導入して被成膜基板2の表面に供給する。図8に示すCVD装置で成膜したCxNyHz膜14であっても、本実施形態と同様の効果表面の水の接触角が50°以下であること、バリア性を有することを得ることができる。変形例7図9に示すCVD装置は、図5に示す恒温槽17をヒータ21に変更したものである。次に、図9に示すCVD装置を用いた成膜方法における原料ガスの被処理基板2への供給方法ついて説明する。なお、この供給方法以外の成膜方法は本実施形態と同様である。キャリアガス供給源からのキャリアガスをマスフローコントローラ20によって流量制御して原料容器に供給して出発原料16をバブリングさせながら出発原料16をヒータ21で加熱することによって気化させ、その帰化させた原料ガスおよびキャリアガスをマスフローコントローラ20によって流量制御し、その流量制御した原料ガスおよびキャリアガスをヒータ21によって温度低下しないように維持しながら供給配管28およびガス導入経路を通して、ガスシャワー電極7の供給口からシャワー状の原料ガスおよびキャリアガスを、チャンバー1内に導入して被成膜基板2の表面に供給する。図9に示すCVD装置で成膜したCxNyHz膜14であっても、本実施形態と同様の効果表面の水の接触角が50°以下であること、バリア性を有することを得ることができる。第2の実施形態本実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法では、図1に示すDLC膜13上にCxNyHz膜14を形成するまでの工程は第1の実施形態と同様であるので説明を省略し、図10に示すプラズマCVD装置を用いてCxNyHz膜14の上にフッ化有機膜15を形成する工程から説明する。なお、本実施形態は、フッ化有機膜15を形成する工程以外については第1の実施形態と同様である。図10は、本発明の一態様に係るフッ化有機膜を成膜するためのプラズマCVD装置を模式的に示す断面図である。プラズマCVD装置はチャンバー1を有しており、チャンバー1内の下方には被処理基板2を保持する保持電極4が配置されている。保持電極4は例えば周波数13.56MHzの高周波電源6に電気的に接続されており、保持電極4はRF印加電極としても作用する。保持電極4の周囲及び下部はアースシールド5によってシールドされている。なお、本実施形態では、高周波電源6を用いているが、他の電源、例えば直流電源又はマイクロ波電源を用いても良い。チャンバー1内の上方には、保持電極4に対向して平行の位置にガスシャワー電極対向電極7が配置されている。これらは一対の平行平板型電極である。ガスシャワー電極は接地電位に接続されている。なお、本実施形態では、保持電極4に電源を接続し、ガスシャワー電極に接地電位を接続しているが、保持電極4に接地電位を接続し、ガスシャワー電極に電源を接続しても良い。ガスシャワー電極7の下面には、被処理基板2のCxNyHz膜14が形成された側ガスシャワー電極7と保持電極4との間の空間にシャワー状の原料ガスを供給する複数の供給口図示せずが形成されている。原料ガスとしては、炭素とフッ素を含む有機物原料ガスを有するものを用いることができる。この有機物原料ガスは3個以上の炭素を含むことが好ましい。ガスシャワー電極7の内部にはガス導入経路図示せずが設けられている。このガス導入経路の一方側は上記供給口に繋げられており、ガス導入経路の他方側は原料ガスの供給機構3に接続されている。また、チャンバー1には、チャンバー1の内部を真空排気する排気口が設けられている。この排気口は排気ポンプ図示せずに接続されている。また、プラズマCVD装置は、高周波電源6、原料ガスの供給機構3、排気ポンプなどを制御する制御部図示せずを有しており、この制御部は後述するCVD成膜処理を行うようにプラズマCVD装置を制御するものである。次に、図10に示すプラズマCVD装置を用いて図1に示すCxNyHz膜14の上にフッ化有機膜15を形成する工程について説明する。本実施形態では、フッ化有機膜15としてCaFb膜、CaFbNc膜、CaFbOd膜及びCaFbNcOd膜のいずれかの膜を用いる。ただし、a,b,c,dは、自然数である。以下にCaFb膜、CaFbNc膜、CaFbOd膜及びCaFbNcOd膜のいずれかの膜の成膜について詳細に説明する。被成膜基板2を図10に示すチャンバー1内に挿入し、このチャンバー1内の保持電極4上に被成膜基板2を保持する。次に、排気ポンプによってチャンバー1内を真空排気する。次いで、ガスシャワー電極7の供給口からシャワー状の原料ガスを、チャンバー1内に導入して被成膜基板2の表面に供給する。この供給された原料ガスは、保持電極4とアースシールド5との間を通ってチャンバー1の外側へ排気ポンプによって排気される。そして、原料ガスの供給量と排気のバランスにより、所定の圧力、原料ガス流量に制御することによりチャンバー1内を原料ガス雰囲気とし、高周波電源6により例えば13.56MHzの高周波RFを印加し、プラズマを発生させることにより被成膜基板2のDLC膜13の上にCaFb膜15を成膜する。この際の成膜条件は、圧力が0.01Pa~大気圧、処理温度が常温で、高周波プラズマを形成する際の直流電圧成分が150V~-150Vより好ましくは50V~-50Vである条件で行うことが好ましい。このように直流電圧成分を低く抑えることにより、フッ化有機膜15より下層の膜へのプラズマダメージを抑制することができる。次いで、高周波電源6からの電力供給を停止し、ガスシャワー電極7の供給口からの原料ガスの供給を停止し、成膜処理を終了する。上記の原料ガスとしては、炭素とフッ素を含む有機物原料ガスを有するものを用いることが好ましい。有機物原料ガスの具体例は、以下のとおりである。膜15としてCaFb膜を成膜する場合の有機物原料ガスは、C3F6、C4F6、C6F6、C6F12、C6F14、C7F8、C7F14、C7F16、C8F16、C8F18、C9F18、C9F20、C10F8、C10F18、C11F20、C12F10、C13F28、C15F32、C20F42、及びC24F50の少なくとも一つを有するものである。膜15としてCaFbNc膜を成膜する場合の有機物原料ガスは、C3F3N3、C3F9N、C5F5N、C6F4N2、C6F9N3、C6F12N2、C6F15N、C7F5N、C8F4N2、C9F21N、C12F4N4、C12F27N、C14F8N2、C15F33N、C24F45N3、及びトリヘプタフルオロプロピルアミンの少なくとも一つを有するものである。膜15としてCaFbOd膜を成膜する場合の有機物原料ガスは、C3F6O、C4F6O3、C4F8O、C5F6O3、C6F4O2、C6F10O3、C8F4O3、C8F8O、C8F8O2、C8F14O3、C13F10O、C13F10O3、及びC2F6OC3F6OnCF2Omの少なくとも一つを有するものである。膜15としてCaFbNcOd膜を成膜する場合の有機物原料ガスは、C7F5NOを有するものである。なお、本実施形態では、高周波電源6を用いているが、直流電源またはマイクロ波電源を用いても良い。このように直流電源を用いることで直流プラズマを形成する際の直流電圧は、150V~-150Vより好ましくは50V~-50Vであることが好ましい。このようにして被成膜基板2のCxNyHz膜14の上に成膜されたCaFb膜、CaFbNc膜、CaFbHd膜、CaFbOe膜、CaFbOeHd膜、CaFbNcOe膜及びCaFbNcOeHd膜のいずれかの膜15は、その膜厚が3nm以下より好ましくは1nm以下であり、水の接触角が大きく撥水性であり、固体潤滑剤として機能する。この膜15はアモルファス膜であることが好ましい。また、膜15のヤング率は0.1~30GPaであることが好ましい。第3の実施形態図11は、本発明の一態様に係るフッ化有機膜を成膜するためのプラズマCVD装置を模式的に示す断面図であり、図10と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。保持電極4は切り替えスイッチ8aを介して高周波電源6a及び接地電位に電気的に接続されており、切り替えスイッチ8aによって保持電極4には高周波電力又は接地電位が印加されるようになっている。また、ガスシャワー電極7は切り替えスイッチ8bを介して高周波電源6b及び接地電位に電気的に接続されており、切り替えスイッチ8bによってガスシャワー電極7には高周波電力又は接地電位が印加されるようになっている。なお、本実施形態では、高周波電源6a,6bを用いているが、他の電源、例えば直流電源又はマイクロ波電源を用いても良い。また、プラズマCVD装置は、切り替えスイッチ8a,8b、高周波電源6a,6b、プラズマ形成用ガスの供給機構3、排気ポンプなどを制御する制御部図示せずを有しており、この制御部はCVD成膜処理を行うようにプラズマCVD装置を制御するものである。次に、図11に示すプラズマCVD装置を用いて図1に示すCxNyHz膜14の上にフッ化有機膜15を形成する工程について説明するが、第2の実施形態と同一部分の説明は省略する。第1の接続状態によって高周波電源6a,6b及び接地電位を保持電極4及びガスシャワー電極7に接続して被成膜基板2のCxNyHz膜14の上にCaFb膜、CaFbNc膜、CaFbHd膜、CaFbOe膜、CaFbOeHd膜、CaFbNcOe膜及びCaFbNcOeHd膜のいずれかの膜15を成膜する場合第1の接続状態は、切り替えスイッチ8aによって高周波電源6aと保持電極4を接続し、切り替えスイッチ8bによって接地電位とガスシャワー電極7を接続した状態である。この状態によって膜15を成膜する具体的な方法は、第1の実施形態と同様であるので説明を省略する。第2の接続状態によって高周波電源6a,6b及び接地電位を保持電極4及びガスシャワー電極7に接続して被成膜基板2のCxNyHz膜14の上にCaFb膜、CaFbNc膜、CaFbHd膜、CaFbOe膜、CaFbOeHd膜、CaFbNcOe膜及びCaFbNcOeHd膜のいずれかの膜15を成膜する場合第2の接続状態は、切り替えスイッチ8aによって接地電位と保持電極4を接続し、切り替えスイッチ8bによって高周波電源6bとガスシャワー電極7を接続した状態である。この状態によって膜15を成膜する具体的な方法は以下のとおりである。排気ポンプによってチャンバー1内を真空排気する。次いで、ガスシャワー電極7の供給口からシャワー状の原料ガスを、チャンバー1内に導入して被成膜基板2のCxNyHz膜14の表面に供給する。この供給された原料ガスは、保持電極4とアースシールド5との間を通ってチャンバー1の外側へ排気ポンプによって排気される。そして、原料ガスの供給量と排気のバランスにより、所定の圧力、原料ガス流量に制御することによりチャンバー1内を原料ガス雰囲気とし、高周波電源6bにより例えば13.56MHzの高周波RFをガスシャワー電極7に印加し、プラズマを発生させることにより被成膜基板2のDLC膜13の上にCaFb膜、CaFbNc膜、CaFbHd膜、CaFbOe膜、CaFbOeHd膜、CaFbNcOe膜及びCaFbNcOeHd膜のいずれかの膜15を成膜する。この際の成膜条件は、圧力が0.01Pa~大気圧、処理温度が常温で、高周波プラズマを形成する際の直流電圧成分が150V~-150Vより好ましくは50V~-50Vである条件で行うことが好ましい。次いで、プラズマ用電源からの電力供給を停止し、ガスシャワー電極7の供給口からの原料ガスの供給を停止し、成膜処理を終了する。本実施形態においても第2の実施形態と同様の効果を得ることができる。<実施例1>基板上にCxNyHz膜を成膜し、このCxNyHz膜をFT-IRによって分析した結果を図12Aに示す。CxNyHz膜の成膜条件基板:Si成膜装置:図6に示すCVD装置出発原料:シアノピラジンガス流量:FULLOPEN10sccmのトルエン用マスフローを使用ガス圧力:5Pa高周波電源の周波数:380kHz高周波出力:900W成膜時間:10min比較例として、基板上にDLC膜を成膜し、このDLC膜をFT-IRによって分析した結果を図12Bに示す。DLC膜の成膜条件基板:Si成膜装置:図6に示すCVD装置出発原料:トルエンガス流量:30sccmガス圧力:0.5Pa高周波電源の周波数:13.56MHz高周波出力:100W成膜時間:20min実験結果図12A,Bは、FT-IRによって分析した結果であり、横軸に波数cm-1、縦軸に吸光度a.u.を示す図である。図12Aに示すように、CxNyHz膜ではCN結合およびNH結合が検出され、図12Bに示すように、DLC膜ではCH結合が検出された。<実施例2>基板上にCxNyHz膜CVD-CNを成膜し、このCxNyHz膜のアッシングレート、水の接触角、XPSatそれぞれを測定した結果を表1に示す。表1のXPS測定結果に示すように、本実施例のCxNyHz膜は第1の実施形態におけるCxNyHz膜14のx、y、zの範囲に入っている。CxNyHz膜の成膜条件基板:Si成膜装置:図13に示すCVD装置出発原料:シアノピラジンガス流量:3.3sccmトルエン用マスフローを使用圧力:0.3Paホットカソード203:タンタルフィラメント交流電源205の出力:220WDC電源207の電流:1650mADC電源212の電圧:250V外部磁場:50G成膜時間:XPS42sec25nm、水の接触角0.8sec0.5nm比較例として、基板上にDLC膜を成膜し、このDLC膜のアッシングレート、水の接触角、XPSat、水素含有量それぞれを測定した結果を表2に示す。DLC膜の成膜条件基板:Si成膜装置:図13に示すCVD装置出発原料:高純度トルエンガス流量:3.3sccm圧力:0.3Paホットカソード203:タンタルフィラメント交流電源205の出力:220WDC電源207の電流:1650mADC電源212の電圧:250V外部磁場:50G成膜時間:XPS21sec30nm、水の接触角0.7sec10nm、RBS/ERDA42sec60nmアッシング条件ガス:O2ガス流量:50sccm圧力:30Pa電極:平行平板型電極に印加する高周波の周波数:13.56MHz電極に印加する高周波出力:500WRBS/ERDA装置:島津製作所製IBA-7500Heエネルギー:2.3MeVHe電荷:72μCERDA検出器角度:30°試料入射角:75°補助検出器RBS角度:160°水の接触角の測定装置:協和界面株式会社製接触角計DropMaster300測定方法:液滴法解析方法:θ/2法液量:1μlXPS測定装置:ULVACQuanteraSXMScanningX-rayMicroscopy加速電圧:3kVエミッション電流:20μA図13は、実施例2によるCxNyHz膜および比較例によるDLC膜を成膜するためのプラズマCVD装置を模式的に示す断面図である。このプラズマCVD装置は被成膜基板例えばディスク基板に対して左右対称の構造を有しており、被成膜基板201の両面に同時に成膜可能な装置であるが、図13では、被成膜基板201に対して左側を示し、右側は省略している。プラズマCVD装置はチャンバー202を有しており、このチャンバー202内には、例えばタンタルからなるフィラメント状のカソード電極ホットカソード203が形成されている。ホットカソード203の両端はチャンバー202の外部に位置する交流電源205に電気的に接続されており、この交流電源205はチャンバー202に対して絶縁された状態で配置されている。交流電源205としては例えば0~50V、10~50Aアンペアの電源を用いることができる。交流電源205の一端はアース206に電気的に接続されている。チャンバー202内には、ホットカソード203の周囲を囲むようにロート状の形状を有するアノード電極ホーンアノード204が配置されており、このホーンアノード204はスピーカーのような形状とされている。ホーンアノード204はDC電源直流電源207に電気的に接続されており、このDC電源207はチャンバー202に対して絶縁された状態で配置されている。このDC電源207のプラス電位側がホーンアノード204に電気的に接続されており、DC電源207のマイナス電位側がアース206に電気的に接続されている。DC電源207としては例えば0~500V、0~7.5Aアンペアの電源を用いることができる。チャンバー202内には被成膜基板201が配置されており、この被成膜基板201はホットカソード203及びホーンアノード204に対向するように配置されている。詳細には、ホットカソード203はホーンアノード204の内周面の中央部付近で包囲されており、ホーンアノード204は、その最大内径側を被成膜基板201に向けて配置されている。ホットカソード203と被成膜基板201との間の距離lは、可能な限り長くすることが好ましく、具体的には200mm以上300mm以下であることが好ましい。この距離lを200mm未満とすると被成膜基板201に成膜される薄膜の硬度が低くなってしまい、距離lを300mm超とすると成膜レートが遅くなり実用的ではないからである。被成膜基板201は、図示しないホルダー保持部および図示しないトランスファー装置ハンドリングロボットあるいはロータリインデックスデーブルにより、図示の位置に、順次供給されるようになっている。被成膜基板201はイオン加速用電源としてのDC電源直流電源212に電気的に接続されており、このDC電源212はチャンバー202に対して絶縁された状態で配置されている。このDC電源212のマイナス電位側が被成膜基板201に電気的に接続されており、DC電源212のプラス電位側がアース206に電気的に接続されている。DC電源212としては例えば0~1500V、0~100mAミリアンペアの電源を用いることができる。チャンバー202内には、ホットカソード203及びホーンアノード204それぞれと被成膜基板201との間の空間を覆うようにプラズマウォール208が配置されている。このプラズマウォール208は、フロート電位図示せずに電気的に接続されており、チャンバー202に対して絶縁された状態で配置されている。また、プラズマウォール208は円筒形状又は多角形状を有しており、その円筒又は多角の内径Bが100mm以上200mm以下である。この内径Bを100mm未満とするとホーンアノード204の近傍で原料ガスのイオン化が高くなりすぎてしまい、遊離カーボンすなわち、すすが発生し易くなり好ましくないからである。また、内径Bを200mm超とするとホーンアノード204の近傍で原料ガスのイオン化が低くなりすぎてしまい、緻密な膜を被成膜基板201に成膜しにくくなり、また後述するネオジウム磁石を用いても高磁場が作りにくくなるからである。プラズマウォール208の被成膜基板201側の端部には膜厚補正板208aが設けられており、膜厚補正板208aは前記フロート電位に電気的に接続されている。この膜厚補正板208aにより被成膜基板201の外周部分に成膜される膜の厚さを制御することができる。チャンバー202の外側にはネオジウム磁石209が配置されている。このネオジウム磁石209は例えば円筒形状又は多角形状を有しており、この円筒側面又は多角側面の筒方向の中心を通る内径211とホットカソード203との距離Aは50mm以内より好ましくは35mm以内であることが好ましい。この内径211の中心は磁石中心210となり、この磁石中心210はホットカソード203の略中心及び被成膜基板201の略中心それぞれと対向するように位置している。ネオジウム磁石209は、その磁石中心210の磁力が50G以上200Gガウス以下であることが好ましく、より好ましくは50G以上150G以下である。また、プラズマCVD装置はチャンバー202内を真空排気する真空排気機構図示せずを有している。また、プラズマCVD装置はチャンバー202内に成膜原料ガスを供給するガス供給機構図示せずを有している。図14は、実施例2のCxNyHz膜をXPSによって表面分析した結果を示す図である。図14は、縦軸が強度c/sを示し、横軸が結合エネルギーeVを示す。図15A~Dは、実施例2のCxNyHz膜をスパッタしながらXPSによって深さ方向に分析した結果を示す図である。図15AはCxNyHz膜のOの分析結果であり、図15BはCxNyHz膜のNの分析結果であり、図15CはCxNyHz膜のCの分析結果であり、図15DはCxNyHz膜のSiの分析結果である。なお、図15A~Dは、縦軸が原子含有量を示し、横軸がスパッタ時間を示す。図16は、比較例のDLC膜をXPSによって表面分析した結果を示す図である。図16は、縦軸が強度c/sを示し、横軸が結合エネルギーeVを示す。図17A~Dは、比較例のDLC膜をスパッタしながらXPSによって深さ方向に分析した結果を示す図である。図17AはDLC膜のOの分析結果であり、図17BはDLC膜のNの分析結果であり、図17CはDLC膜のCの分析結果であり、図17DはDLC膜のSiの分析結果である。なお、図17A~Dは、縦軸が原子含有量を示し、横軸がスパッタ時間を示す。実験結果表1および表2に示すように、CxNyHz膜のアッシングレートは、DLC膜と同程度の値を有することが確認され、CxNyHz膜の水の接触角は50°以下になることが確認された。"