透明電極層と、前記透明電極層上に設けられた光電変換層と、を備え、前記光電変換層は、p型半導体層と、i型半導体層と、n型半導体層とを含み、前記透明電極層と前記p型半導体層との間に非晶質半導体層が隣接して配置され、前記非晶質半導体層の前記p型半導体層に隣接する側の酸素原子濃度が、前記透明電極層に隣接する側の酸素原子濃度よりも低い、光電変換素子。前記透明電極層から離れるにしたがって前記非晶質半導体層の酸素原子濃度が小さくなる、請求項1に記載の光電変換素子。前記透明電極層から離れるにしたがって前記非晶質半導体層の酸素原子濃度が連続的に小さくなる、請求項2に記載の光電変換素子。前記透明電極層から離れるにしたがって前記非晶質半導体層の酸素原子濃度が段階的に小さくなる、請求項2に記載の光電変換素子。透明電極層上に隣接して非晶質半導体層を形成する工程と、前記非晶質半導体層上に隣接してp型半導体層を形成する工程と、前記p型半導体層上にi型半導体層を形成する工程と、前記i型半導体層上にn型半導体層を形成する工程と、を含み、前記非晶質半導体層を形成する工程においては、前記非晶質半導体層の前記p型半導体層に隣接する側の酸素原子濃度が、前記透明電極層に隣接する側の酸素原子濃度よりも低くなるように炭酸ガスを供給する、光電変換素子の製造方法。前記非晶質半導体層を形成する工程においては、前記透明電極層から離れるにしたがって前記非晶質半導体層を形成する際の炭酸ガス供給量を小さくする、請求項5に記載の光電変換素子の製造方法。前記非晶質半導体層を形成する工程において、前記透明電極層から離れるにしたがって前記非晶質半導体層を形成する際の炭酸ガス供給量を連続的に小さくする、請求項6に記載の光電変換素子の製造方法。前記非晶質半導体層を形成する工程において、前記透明電極層から離れるにしたがって前記非晶質半導体層を形成する際の炭酸ガス供給量を段階的に小さくする、請求項6に記載の光電変換素子の製造方法。しかしながら、特許文献1に記載のアモルファスシリコン太陽電池において、透明導電層とp型半導体層との界面に存在するアモルファス酸化シリコン層は、バンドギャップの大きい半導体であって導電率が低いため、光電変換素子の直列抵抗を低減することは困難であり、光電変換素子の変換効率の改善を困難としていた。上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、高い変換効率を有する光電変換素子および光電変換素子の製造方法を提供することにある。本発明は、透明電極層と、透明電極層上に設けられた光電変換層とを備え、光電変換層は、p型半導体層と、i型半導体層と、n型半導体層とを含み、透明電極層とp型半導体層との間に非晶質半導体層が隣接して配置され、非晶質半導体層のp型半導体層に隣接する側の酸素原子濃度が、透明電極層に隣接する側の酸素原子濃度よりも低い光電変換素子である。ここで、本発明の光電変換素子においては、透明電極層から離れるにしたがって非晶質半導体層の酸素原子濃度が小さくなることが好ましい。また、本発明の光電変換素子においては、透明電極層から離れるにしたがって非晶質半導体層の酸素原子濃度が連続的に小さくなることが好ましい。また、本発明の光電変換素子においては、透明電極層から離れるにしたがって非晶質半導体層の酸素原子濃度が段階的に小さくなることが好ましい。さらに、本発明は、透明電極層上に隣接して非晶質半導体層を形成する工程と、非晶質半導体層上に隣接してp型半導体層を形成する工程と、p型半導体層上にi型半導体層を形成する工程と、i型半導体層上にn型半導体層を形成する工程と、を含み、非晶質半導体層を形成する工程においては、非晶質半導体層のp型半導体層に隣接する側の酸素原子濃度が、透明電極層に隣接する側の酸素原子濃度よりも低くなるように炭酸ガスを供給する光電変換素子の製造方法である。ここで、本発明の光電変換素子の製造方法においては、非晶質半導体層を形成する工程において、透明電極層から離れるにしたがって非晶質半導体層を形成する際の炭酸ガス供給量を小さくすることが好ましい。また、本発明の光電変換素子の製造方法においては、非晶質半導体層を形成する工程において、透明電極層から離れるにしたがって非晶質半導体層を形成する際の炭酸ガス供給量を連続的に小さくすることが好ましい。また、本発明の光電変換素子の製造方法においては、非晶質半導体層を形成する工程において、透明電極層から離れるにしたがって非晶質半導体層を形成する際の炭酸ガス供給量を段階的に小さくすることが好ましい。本発明によれば、高い変換効率を有する光電変換素子および光電変換素子の製造方法を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。本発明は非晶質シリコン、及び微結晶シリコン層を有する光電変換素子に関するものである。また、本明細書において、多結晶と微結晶と結晶質の用語は、シリコン系薄膜光電変換素子の技術分野において通常用いられているように、結晶質とともに部分的に非晶質アモルファスを含んでいる場合をも含んでいてもよいことを意味するものとする。<実施の形態1>基本構成図1に、実施の形態1の光電変換素子の模式的な断面図を示す。図1に示すように、実施の形態1の光電変換素子は、絶縁性基板1と、絶縁性基板1上に設けられた透明電極層2と、透明電極層2上に設けられた非晶質半導体層4と、非晶質半導体層4上に設けられたp型半導体層31と、p型半導体層31上に設けられたi型半導体層32と、i型半導体層32上に設けられたn型半導体層33と、n型半導体層33上に設けられた透明導電層5と、透明導電層5上に設けられた裏面電極層6と、を備えている。ここで、非晶質半導体層4は、透明電極層2およびp型半導体層31のそれぞれと隣接して設けられている。また、光電変換層3は、p型半導体層31とi型半導体層32とn型半導体層33との積層体から構成されている。絶縁性基板絶縁性基板1としては、光を透過させることができるとともに絶縁性を有する基板を用いることができ、たとえば、ガラス基板、ポリイミド樹脂などの透明樹脂を含む樹脂基板、またはこれらの基板の複数を積層した基板などの透光性基板を用いることができる。透明電極層透明電極層2としては、光を透過させることができるとともに導電性を有する層が用いられ、たとえば、酸化錫膜、ITOIndiumTinOxide膜、酸化亜鉛膜、若しくはこれらの膜に微量の不純物を添加した膜の単層またはこれらを複数重ね合わせた複数層などを用いることができる。透明電極層2が複数層から構成される場合には、すべての層が同一の材料から形成されていてもよく、少なくとも1層が他と異なる材料から形成されていてもよい。また、透明電極層2の表面にはたとえばテクスチャ構造等の凹凸が形成されていることが好ましい。透明電極層2の表面に凹凸が形成されていることによって、絶縁性基板1側から入射した入射光を散乱および/または屈折させて光路長を伸ばすことができ、光電変換層3における光閉じ込め効果を高めることができるため短絡電流密度を増大させることができる。透明電極層2の表面に凹凸を形成する方法としては、たとえば、エッチング法やサンドブラストのような機械加工による方法、または透明電極層2の結晶成長を利用する方法などを用いることができる。非晶質半導体層非晶質半導体層4としては、シリコン、炭素、酸素および水素を含む非晶質半導体a-SiCOからなる層であって、非晶質半導体層4のp型半導体層31に隣接する側の酸素原子濃度が、非晶質半導体層4の透明電極層2に隣接する側の酸素原子濃度よりも低くなる層が用いられ、好ましくは非晶質半導体層4の厚さ方向において透明電極層2から離れるにしたがって酸素原子濃度が小さくなる層が用いられる。ここで、非晶質半導体層4として、非晶質半導体層4のp型半導体層31に隣接する側の酸素原子濃度が、非晶質半導体層4の透明電極層2に隣接する側の酸素原子濃度よりも低くなる層を用いる場合には、非晶質半導体層4の酸素原子濃度は、たとえば図2に示すように、非晶質半導体層4の厚さ方向において透明電極層2から離れるにしたがって連続的に小さくなってもよく、たとえば図3に示すように、透明電極層2から離れるにしたがって段階的に小さくなってもよい。なお、図2および図3において、横軸が非晶質半導体層4の厚さ方向における透明電極層2からの距離を示し、縦軸が非晶質半導体層4の酸素原子濃度を示している。また、a-SiCOからなる非晶質半導体層4には、酸素に起因したドナー準位が形成されるため、非晶質半導体層4はn型の伝導性を示す。非晶質半導体層4の厚さTは、3nm以上7nm以下であることが好ましい。非晶質半導体層4の厚さTが3nm以上である場合には、非晶質半導体層4の透明電極層2の表面上へのカバレッジが良好となるため、透明電極層2とp型半導体層31との間に非晶質半導体層4を挿入したことによる効果を十分に得ることができる傾向にある。また、非晶質半導体層4の厚さTが7nm以下である場合には、絶縁性基板1側から入射した光の非晶質半導体層4における吸収量を十分に少なくすることができるため、光電変換素子の変換効率が向上する傾向にある。また、非晶質半導体層4の透明電極層2との接触界面における酸素原子濃度は、非晶質半導体層4を構成する原子全体の5原子以上20原子以下であることが好ましく、7原子以上15原子以下であることがより好ましい。非晶質半導体層4の透明電極層2との接触界面における酸素原子濃度が5原子以上20原子以下である場合、特に7原子以上15原子以下である場合には、非晶質半導体層4のバンドギャップが十分に大きくなって、非晶質半導体層4での入射光の吸収量を十分に抑制することができるため、光電変換素子の変換効率を大幅に向上させることができる。さらに、非晶質半導体層4のp型半導体層31との接触界面における酸素原子濃度は、非晶質半導体層4を構成する原子全体の0原子以上10原子以下であることが好ましく、2原子以上8原子以下であることがより好ましい。非晶質半導体層4のp型半導体層31との接触界面における酸素原子濃度が0原子以上10原子以下である場合、特に2原子以上8原子以下である場合には、非晶質半導体層4の導電率が十分に大きくなって、再結合電流が十分に高くなり、非晶質半導体層4とp型半導体層31との接触抵抗を十分に低減することができるため、光電変換素子の変換効率を大幅に向上させることができる。光電変換層光電変換層3は、p型半導体層31とi型半導体層32とn型半導体層33との積層体から構成されたpin接合を有している。なお、光電変換層3は、pin接合を1つのみ有する場合に限られず、複数のpin接合を有していてもよい。p型半導体層p型半導体層31としては、p型の半導体からなる層を用いることができ、たとえば、p型非晶質シリコン層、p型微結晶シリコン層、p型非晶質炭化シリコン層、p型微結晶炭化シリコン層、p型非晶質窒化シリコン層、またはp型微結晶窒化シリコン層などのp型層の単層またはこれらを複数重ね合わせた複数層を用いることができる。第1のp型半導体層3が複数層から構成される場合には、すべての層が同一の半導体材料から形成されていてもよく、少なくとも1層が他と異なる半導体材料から形成されていてもよい。第1のp型半導体層3にドープされるp型不純物元素としては、たとえばボロンなどを用いることができる。i型半導体層i型半導体層32としては、i型の半導体からなる層を用いることができ、たとえば、非晶質シリコン層の単層若しくは複数層、または微結晶シリコン層の単層または複数層などを用いることができる。i型半導体層32は、p型不純物元素およびn型不純物元素のいずれもドープされない真性半導体であるが、p型半導体層31との界面近傍およびn型半導体層33との界面近傍ではそれぞれp型不純物元素およびn型不純物元素がi型半導体層32中に微量に含まれる場合がある。また、i型半導体層32のバンドギャップを制御するために、炭素、ゲルマニウム等の元素を積極的に添加した非晶質炭化シリコン、非晶質シリコンゲルマニウム等を用いることもできる。n型半導体層n型半導体層33としては、n型の半導体からなる層を用いることができ、たとえば、n型非晶質シリコン層、またはn型微結晶シリコン層などのn型層の単層またはこれらを複数重ね合わせた複数層などを用いることができる。n型半導体層33が複数層から構成される場合には、すべての層が同一の半導体材料から形成されていてもよく、少なくとも1層が他と異なる半導体材料から形成されていてもよい。n型半導体層33にドープされるn型不純物元素としては、たとえばリンなどを用いることができる。なお、p型半導体層31およびn型半導体層33としては、i型半導体層32と同一の半導体材料を用いてもよく、異なる半導体材料を用いてもよい。たとえば、p型半導体層31およびi型半導体層32にそれぞれp型非晶質シリコン層およびi型非晶質シリコン層を用いるとともに、n型半導体層33にn型微結晶シリコン層を用いてもよい。また、たとえば、p型半導体層31にp型非晶質炭化シリコン層を用い、i型半導体層32に非晶質シリコン層を用い、n型半導体層33にn型微結晶シリコン層を用いてもよい。また、本明細書において、非晶質シリコンは水素化非晶質シリコンを含む概念であり、微結晶シリコンは水素化微結晶シリコンを含む概念である。透明導電層透明導電層5としては、光を透過させることができるとともに導電性を有する層を用いることができ、たとえば、酸化錫膜、ITO膜、酸化亜鉛膜、若しくはこれらの膜に微量の不純物を添加した膜の単層またはこれらを複数重ね合わせた複数層などを用いることができる。透明導電層5が複数層から構成される場合には、すべての層が同一の材料から形成されていてもよく、少なくとも1層が他と異なる材料から形成されていてもよい。なお、透明導電層5を形成しなくてもよいが、入射光に対する光閉じ込め向上効果および光反射率向上効果が得られることに加えて、透明導電層5の存在によって、裏面電極層6を構成する原子がn型半導体層33に拡散をするのを抑制することができる点からは透明導電層5を形成することが好ましい。裏面電極層裏面電極層6としては、たとえば、導電性を有するとともに光の反射率の高い材料からなる層を用いることができる。光の反射率の高い材料からなる層としては、たとえばAg銀層、Alアルミニウム層またはこれらの層の積層体などが挙げられる。なお、裏面電極層6として導電性を有するとともに光の反射率の高い材料からなる層を用いた場合には、光電変換層3で吸収されなかった光を反射して光電変換層3に戻すことができるため、光電変換素子の変換効率の向上に寄与する。製造方法以下、図4~図9の模式的断面図を参照して、実施の形態1の光電変換素子の製造方法の一例について説明する。まず、図4に示すように、絶縁性基板1の表面上に透明電極層2を形成する。ここで、透明電極層2は、たとえば、スパッタリング法、CVD法、電子ビーム蒸着法、ゾルゲル法、スプレー法および電析法などの方法によって形成される。なお、絶縁性基板1の表面上に透明電極層2を形成する場合に限られず、予め透明電極層2が設けられた絶縁性基板1を入手してもよい。次に、図5に示すように、透明電極層2の表面に接するようにして非晶質半導体層4を形成する。ここで、非晶質半導体層4は、炭酸ガスCO2、シランSiH4および水素H2を含むガスを用いたプラズマCVD法により形成され、透明電極層2から離れるにしたがってすなわち、非晶質半導体層4の形成時間が進行するにしたがって、非晶質半導体層4を形成する際にプラズマCVD装置の成膜室内に供給される炭酸ガスの供給量が小さくなるようにして形成される。これにより、非晶質半導体層4の酸素原子濃度が透明電極層2から離れるにしたがって小さくなる。非晶質半導体層4は、非晶質半導体層4のp型半導体層31に隣接する側の酸素原子濃度が、非晶質半導体層4の透明電極層2に隣接する側の酸素原子濃度よりも低くなるように炭酸ガスを供給して形成される。ここで、非晶質半導体層4を形成する際の炭酸ガス供給量は、たとえば図6に示すように、透明電極層2から離れるにしたがって連続的に小さくしてもよく、たとえば図7に示すように、透明電極層2から離れるにしたがって段階的に小さくしてもよい。炭酸ガス供給量が増大すると非晶質半導体層4の酸素原子濃度が増加し、炭酸ガス供給量が減少すると非晶質半導体層4の酸素原子濃度が減少するため、非晶質半導体層4の酸素原子濃度もたとえば、図6に示すように連続的、または図7に示すように段階的に減少することになる。なお、図6および図7において、横軸が非晶質半導体層の厚さ方向における透明電極層2からの距離を示し、縦軸がプラズマCVD装置の成膜室内に供給される炭酸ガスの供給量を示している。次に、図8に示すように、非晶質半導体層4の表面に接するようにしてp型半導体層31を形成し、その後、p型半導体層31上にi型半導体層32を形成し、さらにi型半導体層32上にn型半導体層33を形成する。ここで、p型半導体層31、i型半導体層32およびn型半導体層33は、それぞれ、プラズマCVD法により形成される。次に、図9に示すように、n型半導体層33の表面上に透明導電層5を形成する。ここで、透明導電層5は、たとえば、スパッタリング法、CVD法、電子ビーム蒸着法、ゾルゲル法、スプレー法および電析法などの方法によって形成することができる。次に、図1に示すように、透明導電層5の表面上に裏面電極層6を形成して、実施の形態1の光電変換素子が製造される。ここで、裏面電極層6は、たとえば、CVD法、スパッタリング法、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スプレー法、スクリーン印刷法および電析法などの方法によって形成することができる。なお、上記においては、1枚の絶縁性基板1上に1つの光電変換層3を形成する場合について説明したが、透明電極層2、光電変換層3、透明導電層5および裏面電極層6に分離溝を設ける等によって、1枚の絶縁性基板1上に複数の光電変換層3が直列に接続された構成としてもよい。作用効果実施の形態1の光電変換素子は、上記の構成を有するため、以下の作用効果を有する。上述したように、透明電極層2とp型半導体層31との間に配置された非晶質半導体層4は、炭酸ガス、シラン、水素を含むガスをプラズマCVD装置の成膜室内に供給して、プラズマCVD法により形成され、シリコン、炭素、酸素および水素を含む非晶質半導体a-SiCOとなる。a-SiCOは、酸素に起因したドナー準位が形成されるため、ドーパントを添加しないにも関わらず、n型の伝導性を示す。a-SiCOからなる非晶質半導体層4とp型半導体層31との界面においてはpn接合が形成されるため、再結合電流が流れ、非晶質半導体層4とp型半導体層31との接触抵抗が低下する。ここで、プラズマCVD装置の成膜室内に供給される炭酸ガスの供給量を大きくした場合には、a-SiCO中の酸素原子濃度が高くなる。それに伴って、非晶質半導体層4の欠陥密度が増加して、導電率が低下する。これにより、非晶質半導体層4とp型半導体層31との接触抵抗が高くなって、光電変換素子の変換効率の向上の妨げとなる。したがって、この観点からは、非晶質半導体層4の酸素原子濃度は低い方が好ましい。一方、プラズマCVD装置の成膜室内に供給される炭酸ガスの供給量を小さくした場合には、a-SiCO中の酸素原子濃度が低くなる。それに伴って、非晶質半導体層4のバンドギャップが小さくなって、光透明性が低下する。これにより、非晶質半導体層4での光吸収により、絶縁性基板1側から光電変換層3に到達する入射光量が少なくなるため、光電変換素子の変換効率の向上の妨げとなる。したがって、この観点からは、非晶質半導体層4の酸素原子濃度は高い方が好ましい。そこで、本発明者が鋭意検討した結果、透明電極層2とp型半導体層31との間に隣接して配置された非晶質半導体層4のプラズマCVD法による形成時に、透明電極層2から離れるにしたがって非晶質半導体層4を形成する際の炭酸ガス供給量を小さくすること等によって、非晶質半導体層4のp型半導体層31に隣接する側の酸素原子濃度を透明電極層2に隣接する側の酸素原子濃度よりも低くすることによって、非晶質半導体層4とp型半導体層31との接触抵抗の低下と、絶縁性基板1側から光電変換層3に到達する入射光量の増加とを両立することができ、光電変換素子の変換効率が向上することを見い出し、本発明を完成するに至った。すなわち、非晶質半導体層4の透明電極層2に隣接する側においては、プラズマCVD装置の成膜室内に供給される炭酸ガスの供給量を大きくして非晶質半導体層4における酸素原子濃度を大きくすることによって、非晶質半導体層4のバンドギャップを大きくして、非晶質半導体層4での入射光の吸収量を抑制する。一方、非晶質半導体層4のp型半導体層31に隣接する側においては、プラズマCVD装置の成膜室内に供給される炭酸ガスの供給量を小さくして非晶質半導体層4における酸素原子濃度を小さくすることによって、非晶質半導体層4の導電率を大きくし、再結合電流を高めて、非晶質半導体層4とp型半導体層31との接触抵抗を低減する。以上により、実施の形態1の光電変換素子においては、非晶質半導体層4とp型半導体層31との接触抵抗の低下と、絶縁性基板1側から光電変換層3に到達する入射光量の増加とを両立することができるため、変換効率を向上させることができる。なお、プラズマCVD装置の成膜室内に供給される炭酸ガス供給量は、透明電極層2とp型半導体層31との間に隣接して配置される非晶質半導体層4の成膜時間の経過とともに小さくすれば、上述のように、連続的に小さくしても、段階的に小さくしても同様の効果が得られる。<実施の形態2>図10に、実施の形態2の光電変換素子の模式的な断面図を示す。図10に示すように、実施の形態2の光電変換素子は、a-SiCOからなる非晶質半導体層4が、透明電極層2側のa-SiCOからなる第1の非晶質半導体層41と、p型半導体層31側のa-SiCOからなる第2の非晶質半導体層42との積層体から構成されており、第1の非晶質半導体層41の形成時にプラズマCVD装置の成膜室内に供給される炭酸ガスの供給量を第2の非晶質半導体層42の形成時にプラズマCVD装置の成膜室内に供給される炭酸ガスの供給量よりも大きくすることによって、透明電極層2側の第1の非晶質半導体層41の酸素原子濃度が、p型半導体層31側の第2の非晶質半導体層42の酸素原子濃度よりも大きくなることを特徴としている。実施の形態2の光電変換素子においては、透明電極層2側の第1の非晶質半導体層41のバンドギャップがp型半導体層31側の第2の非晶質半導体層42のバンドギャップよりも大きくなり、絶縁性基板1側から非晶質半導体層4に入射する入射光の非晶質半導体層4での吸収量を抑制することができる。また、p型半導体層31側の第2の非晶質半導体層42の導電率を透明電極層2側の第1の非晶質半導体層41の導電率よりも大きくし、再結合電流を高めて、非晶質半導体層4とp型半導体層31との接触抵抗を低減することができる。以上により、実施の形態2の光電変換素子においても、変換効率を大幅に向上させることができる。また、透明電極層2側の第1の非晶質半導体層41の酸素原子濃度は、第1の非晶質半導体層41を構成する原子全体の5原子以上20原子以下であることが好ましく、7原子以上15原子以下であることがより好ましい。第1の非晶質半導体層41の酸素原子濃度が5原子以上20原子以下である場合、特に7原子以上15原子以下である場合には、第1の非晶質半導体層41のバンドギャップが十分に大きくなって、第1の非晶質半導体層41での入射光の吸収量を十分に抑制することができるため、光電変換素子の変換効率を大幅に向上させることができる。さらに、p型半導体層31側の第2の非晶質半導体層42の酸素原子濃度は、第2の非晶質半導体層42を構成する原子全体の0原子以上10原子以下であることが好ましく、2原子以上8原子以下であることがより好ましい。第2の非晶質半導体層42の酸素原子濃度が0原子以上10原子以下である場合、特に2原子以上8原子以下である場合には、第2の非晶質半導体層42の導電率が十分に大きくなって、再結合電流が十分に高くなり、第2の非晶質半導体層42とp型半導体層31との接触抵抗を十分に低減することができるため、光電変換素子の変換効率を大幅に向上させることができる。なお、実施の形態2においても、プラズマCVD装置の成膜室内に供給される炭酸ガス供給量を透明電極層2とp型半導体層31との間に隣接して配置される非晶質半導体層4の成膜時間の経過とともに小さくすれば、上述のように、連続的に小さくしても、段階的に小さくしても同様の効果が得られる。すなわち、第2の非晶質半導体層42の形成時にプラズマCVD装置の成膜室内に供給される炭酸ガス供給量が、第1の非晶質半導体層41の形成時にプラズマCVD装置の成膜室内に供給される炭酸ガス供給量よりも多く第2の非晶質半導体層42の酸素原子濃度が第1の非晶質半導体層41の酸素原子濃度よりも高くなっていれば、第1の非晶質半導体層41および第2の非晶質半導体層42のそれぞれにおいて、第1の非晶質半導体層41および第2の非晶質半導体層42のそれぞれの厚さ方向において透明電極層2から離れるにしたがって炭酸ガス供給量が小さくなる酸素原子濃度が低くなるように変化させてもよく、変化させなくてもよい。本実施の形態における上記以外の説明は、実施の形態1と同様であるため、その説明については省略する。<実施例>まず、長辺長さ1400mm×短辺長さ1000mm×厚さ3.9mmの表面を有する無アルカリガラスのガラス基板の当該表面上に予めCVD法により酸化錫層が形成された基板を用意した。なお、酸化錫層の表面は、光閉じ込め効果に有効なテクスチャ構造を有していた。次に、上記の酸化錫層を備えた基板をプラズマCVD装置の成膜室内に設置し、プラズマCVD装置の成膜室の内部の圧力が0.1Paとなるまで成膜室内のガスを排気した後に、成膜室内にSiH4ガス流量:2sccm、H2ガス流量:50sccm、およびCO2ガス流量:1.6sccm→1sccmを導入して、プラズマCVD法により酸化錫層の表面上に厚さ4nmのa-SiCOからなる非晶質半導体層を形成した。ここで、CO2ガスは、非晶質半導体層の成膜時間30秒間の経過とともに酸化錫層から離れるにしたがってCO2ガスの供給量が1.6sccmから1sccmに連続的に小さくなるようにマスフローコントローラーにて流量を調節してプラズマCVD装置の成膜室内に供給された。次に、プラズマCVD装置の成膜室内へのガスの導入を停止し、成膜室の内部の圧力が0.1Paとなるまで成膜室中のガスを排気した後、成膜室内にSiH4ガス流量:2sccm、H2ガス流量:50sccm、B2H6ガス流量:12sccm、およびCH4ガス流量:5sccmを導入して、プラズマCVD法により、非晶質半導体層4の表面上に厚さ7nmのp型非晶質炭化シリコン層を形成した。次に、プラズマCVD装置の成膜室内へのガスの導入を停止し、成膜室の内部の圧力が0.1Paとなるまで成膜室中のガスを排気した後、成膜室内にSiH4ガス流量:10sccmおよびH2ガス流量:130sccmを導入して、プラズマCVD法により、p型非晶質炭化シリコン層の表面上に厚さ500nmのノンドープi型非晶質シリコン層を形成した。次に、プラズマCVD装置の成膜室内へのガスの導入を停止し、成膜室の内部の圧力が0.1Paとなるまで成膜室内のガスを排気した後、成膜室内にSiH4ガス流量:18sccm、H2ガス流量:170sccmおよびPH3ガス流量:50sccmを導入して、プラズマCVD法により、ノンドープi型非晶質シリコン層の表面上に厚さ20nmのn型微結晶シリコン層を形成した。なお、上記の非晶質半導体層、p型非晶質炭化シリコン層、ノンドープi型非晶質シリコン層およびn型微結晶シリコン層の形成時における基板温度は200°Cであり、RFパワーは10~50Wであって、成膜室内の圧力は0.1~5Torrであった。また、表1に、上記の非晶質半導体層、p型非晶質炭化シリコン層、ノンドープi型非晶質シリコン層およびn型微結晶シリコン層のそれぞれの形成時に成膜室内に供給されるガスの流量をまとめる。次に、n型微結晶シリコン層の形成後のガラス基板をプラズマCVD装置から取り出してマグネトロンスパッタリング装置内に設置し、マグネトロンスパッタリング法によってn型微結晶シリコン層の表面上に酸化亜鉛層を形成し、その後銀層を形成した。以上のようにして、実施例の光電変換素子を作製した。<比較例1>非晶質半導体層、p型非晶質炭化シリコン層、ノンドープi型非晶質シリコン層およびn型微結晶シリコン層のそれぞれの形成時に成膜室内に供給されるガスの流量を以下の表2に示すように変更したこと以外は実施例と同様にして、比較例1の光電変換素子を作製した。<比較例2>非晶質半導体層を形成せず、かつp型非晶質炭化シリコン層、ノンドープi型非晶質シリコン層およびn型微結晶シリコン層のそれぞれの形成時に成膜室内に供給されるガスの流量を以下の表3に示すように変更したこと以外は実施例と同様にして、比較例2の光電変換素子を作製した。<評価>実施例、比較例1および比較例2の光電変換素子のそれぞれについて、25°Cの温度でAM1.5、エネルギ密度100[mW/cm2]の擬似太陽光をガラス基板側から照射することによって、電流-電圧曲線I-V曲線を求め、I-V曲線から、短絡電流密度Jsc[mA/cm2]、開放電圧Voc[V]、曲線因子FFおよび変換効率Eff[]を求めた。その結果を表4に示す。また、実施例および比較例1の光電変換素子のa-SiCOからなる非晶質半導体層のそれぞれの酸素原子濃度を測定した。その結果、実施例の光電変換素子の非晶質半導体層の酸素原子濃度は、酸化錫層側からp型非晶質炭化シリコン層側にかけて、14原子から6原子に連続的に減少していた。一方、比較例1の光電変換素子の非晶質半導体層の酸素原子濃度は、酸化錫層側からp型非晶質炭化シリコン層側にかけて8原子で一定であった。ここで、酸素原子濃度は、SIMSSecondaryIonmicroprobeMassSpectrometerにより測定した。表4に示すように、実施例の光電変換素子の短絡電流密度は、比較例1の光電変換素子の短絡電流密度よりも低かった。実施例の光電変換素子の非晶質半導体層は、酸化錫層から離れるにしたがって酸素原子濃度が小さくなり、光学バンドギャップが連続的に小さくなるように、非晶質半導体層の形成時の炭酸ガス供給量が連続的に小さくなるように調整されている。一方、比較例1の光電変換素子の非晶質半導体層は、酸化錫層からp型非晶質炭化シリコン層に至るまで酸素原子濃度が一定であり、光学バンドギャップが一定になるように、非晶質半導体層の形成時の炭酸ガス供給量が一定になるように調整されている。したがって、非晶質半導体層の酸素原子濃度が小さくなっている分だけ、非晶質半導体層における光の吸収量が増加するため、短絡電流密度が低下する。また、表4に示すように、実施例の光電変換素子の短絡電流密度は、比較例2の光電変換素子の短絡電流密度よりも低かった。これは、実施例の光電変換素子においては、酸化錫層とp型非晶質炭化シリコン層との間に配置されている非晶質半導体層の分だけ光の吸収量が増加するためと考えられる。また、表4に示すように、実施例の光電変換素子の開放電圧は、比較例1および比較例2の光電変換素子の開放電圧よりも大きかった。これは、実施例の光電変換素子の非晶質半導体層とp型非晶質炭化シリコン層との接触抵抗が、比較例1よりも小さく、比較例2の光電変換素子の酸化錫層とp型非晶質炭化シリコン層との接触抵抗よりも小さいことに起因しているものと考えられる。また、表4に示すように、実施例の光電変換素子の曲線因子は、比較例1および比較例2の光電変換素子の曲線因子よりも大きかった。これは、開放電圧と同様に、実施例の光電変換素子の非晶質半導体層とp型非晶質炭化シリコン層との接触抵抗が、比較例1よりも小さく、比較例2の光電変換素子の酸化錫層とp型非晶質炭化シリコン層との接触抵抗よりも小さいことに起因しているものと考えられる。さらに、表4に示すように、実施例の光電変換素子の変換効率は、比較例1および比較例2の光電変換素子の変換効率よりも大きかった。これは、実施例の光電変換素子においては、非晶質半導体層における入射光の吸収量の抑制と、非晶質半導体層とp型非晶質炭化シリコン層との接触抵抗の低下とを両立できたことによるものと考えられる。なお、本実施例においては、非晶質半導体層の成膜時間30秒間の経過とともに酸化錫層から離れるにしたがってCO2ガスの供給量を連続的に小さくして非晶質半導体層を作製したが、段階的に小さくした場合でも、上記と同様の効果が得られることが確認された。さらに、本実施例においては、pin接合を1つのみ含む光電変換素子を作製したが、pin接合を複数含む光電変換素子を作製した場合でも、上記と同様の効果が得られることが確認された。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。