"それぞれ、半導体基板上に形成されたインダクタと、スイッチが接続された開放端を有し、前記インダクタの近傍に形成されたループ状導体とを有する第1のセットおよび第2のセットを有し、前記第1のセットの前記スイッチおよび前記第2のセットの前記スイッチによる前記開放端の開放又は短絡によって、それぞれインダクタンスが可変とされ、前記第1のセットの前記ループ状導体と、前記第1のセットの前記インダクタに接続された信号回路の入力と、前記第1のセットの前記ループ状導体と、前記第1のセットの前記インダクタに接続された信号回路の入力と共通の接地レベルに接続されると共に、前記第1のセットの前記半導体基板の接地レベルにも接続されており、前記第2のセットの前記ループ状導体と、前記第2のセットの前記インダクタに接続された信号回路の入力と、前記第2のセットの前記ループ状導体と、前記第2のセットの前記インダクタに接続された信号回路の入力と共通の接地レベルに接続されると共に、前記第1のセットの前記半導体基板の接地レベルにも接続されており、前記第1のセットの前記ループ状導体と前記第2のセットの前記ループ状導体との間に相互磁気誘導が発生し得る位置に、前記第1のセットと前記第2のセットとが設けられている可変インダクタ。前記第1のセットの前記スイッチと前記第2のセットの前記スイッチとを独立して制御可能な制御装置をさらに有する請求項1に記載の可変インダクタ。前記ループ状導体が、前記インダクタを取り囲むように設けられた請求項2に記載の可変インダクタ。前記ループ状導体は複数の巻数を有する請求項3に記載の可変インダクタ。前記第1のセットの前記インダクタおよび前記ループ状導体と、前記第2のセットの前記インダクタおよび前記ループ状導体とが同じ面に形成されている請求項4に記載の可変インダクタ。前記ループ状導体として、内周側ループ状導体とこれを囲む外周側ループ状導体とが設けられている請求項5に記載の可変インダクタ。少なくとも1つの可変インダクタを有し、上記可変インダクタが、それぞれ、半導体基板上に形成されたインダクタと、スイッチが接続された開放端を有し、前記インダクタの近傍に形成されたループ状導体とを有する第1のセットおよび第2のセットを有し、前記第1のセットの前記スイッチおよび前記第2のセットの前記スイッチによる前記開放端の開放又は短絡によって、それぞれインダクタンスが可変とされ、前記第1のセットの前記ループ状導体と、前記第1のセットの前記インダクタに接続された信号回路の入力と、前記第1のセットの前記ループ状導体と、前記第1のセットの前記インダクタに接続された信号回路の入力と共通の接地レベルに接続されると共に、前記第1のセットの前記半導体基板の接地レベルにも接続されており、前記第2のセットの前記ループ状導体と、前記第2のセットの前記インダクタに接続された信号回路の入力と、前記第2のセットの前記ループ状導体と、前記第2のセットの前記インダクタに接続された信号回路の入力と共通の接地レベルに接続されると共に、前記第1のセットの前記半導体基板の接地レベルにも接続されており、前記第1のセットの前記ループ状導体と前記第2のセットの前記ループ状導体との間に相互磁気誘導が発生し得る位置に、前記第1のセットと前記第2のセットとが設けられている可変インダクタである半導体装置。前記第1のセットの前記スイッチと前記第2のセットの前記スイッチとを独立して制御可能な制御装置をさらに有する請求項7に記載の半導体装置。前記半導体基板上に設けられた前記ループ状導体が、前記半導体基板上の絶縁層のスルーホールを介して前記半導体基板上の接地領域に接続されている請求項8に記載の半導体装置。近年、インダクタを必要とする回路、例えば、増幅器、発振器、ミキサー、フィルタ、スイッチ回路等を含む、電気回路、電子回路を使用する電子機器の規模が大きくなっている。例えば、無線通信用RFICにおいては多数のインダクタが用いられるが、複数の周波数帯域に対応するために、従来、周波数帯域毎にRF回路が構成され用いられている。このため、周波数帯域に対応した複数系統の高周波回路の構成のために、多数のインダクタが必要となるので、小型化、低コスト化が困難となっている。特に、インダクタは他の素子、例えば、容量、抵抗、トランジスタ等に比べて素子サイズが大きいため、電子機器の小型化が難しくなってきている。電子機器に使用される各種の高周波回路において、よく使用されるスパイラルコイルインダクタ等によって、大きなインダクタンスを実現しようとすると、大きな実装面積が必要となり、高周波回路の小型化の障害となっており、インダクタの小型化が望まれている。しかも、安定したインダクタンスの生成が要求されている。可変インダクタを用いることができれば、異なる固定インダクタンスをもった複数のインダクタを1つの可変インダクタに置き換えることができるので、回路サイズの小型化が可能となり、低コストにつながるので、Si,GaAs等を基板として用いた半導体装置の製造に好適に使用でき、安定してインダクタンスを生成する高性能な可変インダクタが望まれている。上記のRFICでは、可変インダクタの使用により、周波数帯域毎のRF回路を1つの回路にすることが可能となり、電子機器の小型化、低コスト化につながる。特許文献1では、図7Aに示すように、第1副インダクタL3は第1副スイッチSW3を介して接地されているが、第1副スイッチSW3による寄生抵抗、寄生容量とその影響に関しては配慮がされておらず、第1副インダクタL3を安定した電位に保持した状態で、第1主インダクタL1のインダクタンスを変化させて、インダクタンスを安定した値として生成することに関しては、配慮がなされていなかった。本発明は、上述したような課題を解決するためになされたものであって、その目的は、インダクタと、この近傍に形成されスイッチによって開放又は短絡される開放端をもつループ状導体とを有し、開放端の開放又は短絡によってインダクタンスが可変とされ、安定なインダクタンスを生成することができる可変インダクタ及びこれを用いた半導体装置を提供することにある。即ち、本発明は、半導体基板上に形成されたインダクタと、スイッチが接続された開放端を有し、前記インダクタの近傍に形成されたループ状導体とを有し、前記スイッチによる前記開放端の開放又は短絡によって、インダクタンスが可変とされる可変インダクタにおいて、前記ループ状導体が、前記インダクタに接続された信号回路の入力と共通の接地レベルに接続されると共に、前記半導体基板の接地レベルにも接続されていることを特徴とする、可変インダクタに係るものである。また、本発明は、上記の可変インダクタを用いた半導体装置に係るものである。本発明によれば、半導体基板上に形成されたインダクタの近傍に、スイッチが接続された開放端をもつループ状導体が設けられ、前記ループ状導体が、前記インダクタに接続された信号回路の入力と共通の接地レベルに接続されると共に、前記半導体基板の接地レベルにも接続され、前記ループ状導体、前記信号回路、前記半導体基板が同電位に置かれるので、前記スイッチによる前記開放端の開放又は短絡によって、インダクタンスが可変とされ、この際、基準電位の変動が生じないために、安定した値をもったインダクタンスを生成させることができる可変インダクタを提供することができる。この可変インダクタを用いることによって、実装部品の数を低減することができ、小型化、低コスト化を図ることができ、動作が安定な信頼性の高い半導体装置を提供することができる。本発明の可変インダクタでは、前記ループ状導体が、前記インダクタを取り囲むように設けられた構成とするのがよい。可変インダクタを大きな面積を必要とすることなく、小型に形成することができる。また、前記ループ状導体は複数の巻数を有する構成とするのがよい。開放端が短絡された前記ループ状導体と前記インダクタとの間の大きな相互磁気誘導によって、インダクタンスの可変量を大きくでき、可変インダクタの可変幅を大きくすることができ、安定したインダクタンスを生成することができる。また、前記ループ状導体として、内周側ループ状導体とこれを囲む外周側ループ状導体とが設けられている構成とするのがよい。内周側ループ状導体の開放端に接続されるスイッチのオン又はオフの状態と、外周側ループ状導体の開放端に接続されるスイッチのオン又はオフの状態とを組み合わせることによって、開放端が短絡された内周側ループ状導体と前記インダクタとの間の相互磁気誘導、及び、開放端が短絡された外周側ループ状導体と前記インダクタとの間の相互磁気誘導の発生を独立して制御することができるので、インダクタンスの可変量を複数のレベルに変化させることができ、可変インダクタの可変幅を大きくすることができ、安定した複数のレベルのインダクタンスを生成することができる。また、前記インダクタ及び前記ループ状導体の組を複数有し、これらの組み合わせが選択される構成とするのがよい。各組における前記ループ状導体の開放端に接続されたスイッチのオン又はオフの制御によって、各組における前記インダクタは複数レベルのインダクタンスを生成することができ、1各組における前記インダクタを単独で使用する、2各組における前記インダクタを直列接続して使用する、3各組における前記インダクタを並列接続して使用する等の、態様で使用をすることができるので、インダクタンスの可変量を複数のレベルで変化させることができ、可変インダクタの可変幅を大きくすることができ、安定した複数のレベルのインダクタンスを生成することができる。本発明の半導体装置では、前記半導体基板上に設けられた前記ループ状導体が、前記半導体基板上の絶縁層のスルーホールを介して前記半導体基板上の接地領域に接続されている構成とするのがよい。前記ループ状導体が、短い距離で前記半導体基板上の接地領域に接続される構成とするので、寄生容量や寄生抵抗の発生とその影響を抑制することができ、前記ループ状導体が、前記半導体基板の接地、及び、前記ループ状導体が接続される信号回路の接地と同電位におかれるので、安定したインダクタンスを生成することができる可変インダクタを用いた半導体装置を提供することができる。以下、図面を参照しながら本発明よる実施の形態について詳細に説明する。なお、以下の各図面では、実施の形態に係る可変インダクタのみを示しており、可変インダクタが形成される同じ半導体基板には半導体装置を構成するアナログ回路やディジタル回路が形成されているが、各図ではこれらのアナログ回路やディジタル回路は省略している。また、以下の説明では、代表的な例として、インダクタをスパイラルインダクタによって構成する例をとって説明するが、インダクタは、ミアンダコイル、ソレノイドコイル等、任意のコイルによって構成することができる。本発明による可変インダクタは、半導体基板上に形成されたインダクタの近傍の位置に、開放端をもつループ状導体が設けられており、このループ状導体の開放端に接続されているスイッチのオン短絡又はオフ開放によって、インダクタとループ状導体との間での相互磁気誘導の発生を制御する。ループ状導体の接地レベル、インダクタに接続された信号回路の接地レベル、及び、半導体基板の接地レベルが同じ電位同電位となるように、ループ状導体は、信号回路、半導体基板の各接地レベルに接続される。なお、上記の近傍の位置とは、相互磁気誘導が起こり得る位置を意味する。この結果、インダクで発生する磁束によって、開放端が短絡され閉ループをなすループ状導体に発生する誘導電流が、安定した状態で流れることになり、ループ状導体の開放端のスイッチによる開放又は短絡によって、インダクタとループ状導体との間での相互磁気誘導の発生が制御され、インダクタンスが可変とされ、安定した値をもったインダクタンスが生成される。また、インダクタとループ状導体とを同じ面に形成し、インダクタを取り囲むようにループ状導体を設けることによって、可変インダクタを小面積で薄型に形成することができる。この可変インダクタは、例えば、周波数帯毎の各系統の高周波回路でインダクタを共有する構成として、各系統に応じてインダクタンスが安定した値として生成される可変インダクタとして使用することができ、信頼性が向上し、高周波回路の小型化、低コスト化が可能となる。可変インダクタを用いることによって、実装部品の数を低減することができ、小型化、低コスト化を図ることができ、動作が安定な信頼性の高い半導体装置を製造することができる。第1の実施の形態本実施の形態では、スパイラルコイルによってインダクタコイルを構成し、開放端をもつループ状導体で取り囲むようにして、スパイラルコイルとループ状導体とが同一面をなすように配置される。図1は、本発明の第1の実施の形態における可変インダクタの構成例を説明する図であり、図1Aは斜視図、図1Bは平面図、図1CはZ-Z部の断面図である。図1Aに示すように、正方形状のスパイラルコイル10及びこれを取り囲み開放端をもつ、外形が正方形をなす巻き数1回の周囲配線以下、ループ状導体という。20は、絶縁層29を介してシリコン基板18上に形成されている。巻き数2回のスパイラルコイル10の導体は、絶縁層30a上に形成された第1層11、絶縁層30b上に形成された第2層12、及び、絶縁層30bに形成され、第1層11と第2層12とを接続する層間導電層25から構成される。開放端をもつループ状導体20の導体は、絶縁層30a上に形成された第1層21、絶縁層30b上に形成された第2層22、及び、絶縁層30bに形成され、第1層21と第2層22とを接続する層間導体層25から構成されている。スパイラルコイル10の第2層12、及び、ループ状導体20の第2層22は、絶縁層30cで覆われている。第2層12、第2層22の各導体は同じ面に形成されており、ループ状導体20の第2層22は、スパイラルコイル10の第2層12を取り囲んでいる。ループ状導体20とスパイラルコイル10は、小面積で薄型に形成されている。ループ状導体20の開放端には、例えば、FETで構成されたスイッチ16が接続され、開放端の開放オフ又は短絡オンは制御回路14によって制御されている。スパイラルコイル10の端子P1、P2は、スパイラルコイル10に接続される信号回路13に接続されている。信号回路13の回路入力端、回路出力端は、シリコン基板18に形成された図示しないアナログ回路又はディジタル回路に接続されている。ループ状導体20は、インダクタが接続される信号回路13の接地に接続されると共に、シリコン基板18に形成されたエピタキシャル層に接続され、ループ状導体20は、エピタキシャル層のP層27の一部に形成されたP層26に導体層32スルーホール内を介して電気的に接続されている。P層26はシリコン基板の基準電位とする接地レベルに電気的に接続されている。ループ状導体20は、インダクタに接続される信号回路13の接地レベル、及び、シリコン基板18の接地レベルと同電位に保持され、接地されている。ここで、ループ状導体20の抵抗値、スイッチ16のオン抵抗は十分に小さいものとする。スイッチ16を制御回路14によってオン又はオフする制御によって、スパイラルコイル10の端子P1、P2間のインダクタンスを可変とすることができる。スイッチ16がオンの場合は、ループ状導体20は閉ループをなし、スパイラルコイル10で発生する磁束が、閉ループをなすループ状導体20を貫通することによって、閉ループをなすループ状導体20に上記の磁束を打ち消す誘導電流が流れ、この結果、スパイラルコイル10のインダクタンスは、スイッチ16がオフの場合ループ状導体20が閉ループを形成しない場合である。に比べて変化し低下する。このインダクタンスの変化は、ループ状導体20の電位の変化の影響を受ける。例えば、シリコン基板18の基板抵抗が変化して、ループ状導体20とシリコン基板18との間、ループ状導体20と信号回路13との間に不安定な電位差を有する場合には、閉ループをなすループ状導体20に電流が流れ、これによって磁束が発生し、この磁束によってスパイラルコイル10に誘導電流が流れるので、インダクタンスの変化は不安定となる。従って、信号回路13のために生成されるインダクタンスは不安定となってしまい、例えば、信号回路13が共振回路である場合、共振周波数が変化し、不安定となってしまう。本実施の形態では、上述のように、ループ状導体20はスパイラルコイル10を取り囲むように同じ面に形成され、大きな面積を必要とすることなく、可変インダクタのレイアウト面積を削減することができ、薄型で小型化された可変インダクタを可能とし、ループ状導体20、信号回路13、シリコン基板18は同電位に保持されるので、ループ状導体20は、インダクタンスを可変させると共に、安定したインダクタンスを生成させるための機能を有している。図2は、図1に示す可変インダクタの等価回路モデルを示す図である。ループ状導体20、スパイラルコイル10、信号回路13は、シリコン基板18に形成されている。スイッチ16がオン及びオフの何れの時でも、ループ状導体20は、スパイラルコイルインダクタ10に接続された回路インダクタが使用される回路13の接地に接続され、ループ状導体20は信号回路13の接地電位と同電位におかれる。また、ループ状導体20は、図1Cに示すP層26シリコン基板18のパッドに接続されており、ループ状導体20は、信号回路13、シリコン基板18の接地レベルと同電位におかれる。従って、スパイラルコイル10のインダクタンスLspの他に存在する、スパイラルコイル10の配線抵抗Rsp及び寄生容量Csp、シリコン基板18の基板抵抗Rsi及び寄生容量Csi、絶縁層による寄生容量Ciの変化に影響されることなく、ループ状導体20には安定して電流が流れ、インダクタンスは安定した値が保持されることになる。図1に示す構成をとらず、ループ状導体20を、シリコン基板18及び信号回路13の電位と同電位におく構成をとらない場合には、シリコン基板18の基板抵抗Rsiの変動によって、ループ状導体20とシリコン基板18との間、ループ状導体20と信号回路13との間に電位差を生じてしまい、ループ状導体20を流れる電流が変動して、インダクタンスが変動してしまう。図3は、本発明の実施の形態における可変インダクタの動作特性例を説明するための図であり、図3Aは、シミュレーションに用いた可変インダクタの斜視図、図3Bは平面図、図3Cは、インダクタンスの周波数依存性の計算結果を示す図である。図3では、図1に示す正方形状のスパイラルコイル10に代えて、端子P1、P2、P3をもつ円形状のスパイラルコイル10が形成されている。スパイラルコイルの第2層12とループ状導電体20の第2層22とは同じ面に形成されており、ループ状導電体20の第2層22はスパイラルコイルの第2層12を取り囲んでいる。ループ状導電体20とスパイラルコイル10は小面積で薄型に形成されている。P1を電流入力端子とし、P2を電流出力端子とする場合、スパイラルコイル10の第1層11、スパイラルコイル10の第2層12、これらを接続する層間導体層25によって構成されるスパイラルコイル10は、巻き数2回のインダクタを形成することができる。P1を電流入力端子とし、P3を電流出力端子とする場合、及び、P3を電流入力端子とし、P2を電流出力端子とする場合、スパイラルコイル10は巻き数1回のインダクタを形成することができる。なお、信号回路13に接続される端子は、3つの端子P1、P2、P3から選択された2つの端子である。図3Cは、図3A、図3Bに示す可変インダクタのインダクタンスの可変特性の一例を示し、端子P1、P2間のインダクタンスの周波数依存性を示している。図3Bに示すように、可変インダクタの各部の寸法は次の通りである。スパイラルコイル10の第2層12の配線幅W=10μm、第2層12の配線間隔S=4μm、巻き数2回、スパイラルコイル10の内径ID=140μmである。このスパイラルコイル10からG=50μmだけ離れた外周位置に、配線幅WG=10μmのループ状導体20の第2層22が形成されている。スパイラルコイル10、ループ状導体20の厚さは1μmであり、全厚9μmのSiO2又はSi3N4からなる絶縁層の内部に形成されている。また、スパイラルコイル10、ループ状導体20の形成には、アルミニウム配線、銅配線等の基板配線材料が使用される。ループ状導体20の開放端にスイッチFET16が接続されている、FETのGate端子を制御することによって、インダクタンスが可変とされ、図3Cに示すように、スイッチ16がオフ時には、インダクタンスが1.07nHとなり、スイッチ16がオン時には、1.0nH~0.75nHとなり、10GHzで最大約30低下した値を与えている。なお、図3Cに示すインダクタンスは、有限要素法による3次元電磁界シミュレータアンソフト社のQ3DVer6を用いて行った解析結果である。第2の実施の形態本実施の形態は、第1の実施の形態において、複数回の周回する導体をもったスパイラルコイルによってループ状導体を構成した例第1の構成例、巻き数1回の導体の複数によってループ状導体を構成した例第2の構成例を含んでいる。図4は、本発明の第2の実施の形態における可変インダクタの構成例を説明する図であり、図4Aは第1の構成例を示す平面図、図4Bは第2の構成例を示す平面図である。図4Aに示す第1の構成と図1に示す構成例との相違点は、ループ状導体20を、巻き数2回の導体とした点にあり、その他の構成は同じである。本実施の形態によれば、開放端が短絡され導体線路長が大きなループ状導体20とスパイラルコイル10との間の大きな相互磁気誘導によって、インダクタンスの可変量が大きくなり、可変インダクタの可変幅を大きくすることができ、安定したインダクタンスを生成することができる。なお、ループ状導体20を、巻き数2回以上の導体としてもよいことはいうまでもない。図4Bに示す第2の構成と図1に示す構成例との相違点は、ループ状導体20を、第1層21aと第2層22aから構成され、開放端にスイッチ16aが接続された第1のループ状導体、及び、第1層21bと第2層22bから構成され開放端にスイッチ16bが接続された第2のループ状導体の2重のループによって構成した点にあり、その他の構成は同じである。第1のループ状導体の第2層22a、第2のループ状導体の第2層22b、スパイラルコイル10の第2層12は同じ面に形成され、第1のループ状導体の第2層22aはスパイラルコイル10の第2層12を取り囲み、第2のループ状導体の第2層22bは第1のループ状導体の第2層22aを取り囲んでおり、スパイラルコイル10、第1及び第2のループ状導体は、小面積で薄型に形成されている。第1及び第2のループ状導体は、信号回路13、シリコン基板18と同電位に保持されることはいうまでもない。スイッチ16a、16bは、制御回路14によってそれぞれ独立してオン又はオフの状態の制御がされる。開放端が短絡した状態での第1及び第2のループ状導体の自己インダクタンス、及び、第1及び/又は第2のループ状導体とスパイラルコイル10との間の相互磁気誘導によって、インダクタンス可変量が変化するので、制御回路14によってスイッチ16a、16bのオン又はオフの状態を独立して制御することによって、端子P1-P2間のインダクタンスの可変量を4レベルで変化させ、インダクタンスを安定した値に保持されるようにしている。また、ループ状導体20を2重以上のループによって構成することもでき、端子P1-P2間のインダクタンスの可変量を4以上のレベルで変化させ、インダクタンスを複数の安定した各値に保持されるようにすることができる。以上説明したように、本実施の形態の可変インダクタでは、ループ状導体20として、内周側ループ状導体とこれを囲む外周側ループ状導体とを設け、内側ループ状導体及び/又は外側ループ状導体の開放端に接続されるスイッチのオン又はオフの状態を独立に制御して、内周側ループ状導体の開放端に接続されるスイッチのオン又はオフの状態と、外周側ループ状導体の開放端に接続されるスイッチのオン又はオフの状態とを組み合わせることによって、開放端が短絡された内周側ループ状導体とスパイラルコイル10との間の相互磁気誘導の発生と、開放端が短絡された外周側ループ状導体とスパイラルコイル10との間の相互磁気誘導の発生とを独立して制御して、端子P1-P2間のインダクタンスの可変量を複数のレベルで変化させることができ、安定した複数のレベルのインダクタンスを生成することができ、可変幅が大きな可変インダクタを実現している。第3の実施の形態本実施の形態では、第1の実施の形態において、スパイラルコイル10とループ状導体20の組セットを複数設け、これらの組の組み合わせを選択してインダクタンスを生成する、可変インダクタとしている。図5は、本発明の第3の実施の形態における構成例を説明する図であり、図5Aは平面図、図5Bは可変インダクタの真理値表とインダクタを示す図である。図5Aに示す構成例では、図1に示す構成例のスパイラルコイル10とループ状導体20とのセットが、第1及び第2のセットとして設けられている。これら2つのセットは、2つのスパイラルコイル10間で相互磁気誘導が発生し得る位置に設けられている。第1のセットのループ状導体20にはスイッチSW116cが接続され、第2のセットのループ状導体20にはスイッチSW216dが接続されており、スイッチ16c、16dは、共通の制御回路14によって独立してオン又はオフの状態が制御されている。第1及び第2のセットのループ状導体20、スパイラルコイル10は同じ面に形成されている。スイッチSW116c又はスイッチSW216dの一方がオンONの場合、ON側のスパイラルコイル10の周囲にはループ状導体20によって低抵抗の閉ループが形成されるので、2つのスパイラルコイル10間で相互磁気誘導を生じるが、磁気的な結合は小さい。スイッチSW116c、スイッチSW216dの両方をオンONとする場合には、2つのスパイラルコイル10間の磁気的な結合は、更に小さい。スイッチSW116c、スイッチSW216dの両方をオフOFFとすることによって、2つのスパイラルコイル10間での相互磁気誘導を大きくして磁気的結合を大きくすることができる。図5Bに示すように、スイッチSW116c、スイッチSW216dのオン又はオフの状態によって、端子P1-P2間のインダクタンスL12、端子P3-P4間のインダクタンスL34はそれぞれ、3値をとる。なお、Mは2つのスパイラルコイル10間の相互インダクタンスであり、例えば0.1nHである。図5Aに示す可変インダクタは、図1に示すように、信号回路13に接続されるが、この接続は、1端子P1、P2を信号回路13に接続する、2端子P3、P4を信号回路13に接続する、3端子P1、P3を第1の共通端子とし端子P2、P4を第2の共通端子として、第1及び第2の共通端子を信号回路13に接続する、4端子P2、P3を接続して、端子P1、P4を信号回路13に接続する等の接続態様によって行われる。この結果、9通りのインダクタンスの各値を信号回路13に生成することができる。なお、上記した第1及び第2のセットに限定されず、各スパイラルコイル10の間で相互磁気誘導が発生し得るように、3以上のセットを設ける構成とすることもできる。以上説明したように、本実施の形態の可変インダクタでは、各セットにおけるループ状導体20の開放端に接続されたスイッチのオン又はオフの状態の制御によって、各セットにおけるスパイラルコイル10は複数レベルのインダクタンスを生成させることができ、1各セットにおけるスパイラルコイル10を単独で使用する、2各セットにおけるスパイラルコイル10を直列接続して使用する、3各セットにおけるスパイラルコイル10を並列接続して使用する等の態様で使用することができるので、インダクタンスの可変量を複数のレベルで変化させることができ、可変幅が大きく、安定した複数のレベルのインダクタンスを生成させることができる。第4の実施の形態本実施の形態は、第1の実施の形態において、ループ状導体20によって取り囲まれたインダクタコイル10を、巻き数1回のスパイラルコイルによって構成した例第1の構成例、この第1の構成例を変形して、巻き数1回のスパイラルコイルがループ状導体20を取り囲むようにした構成例第2の構成例を含んでいる。図6は、本発明の第4の実施の形態における、可変インダクタの構成例を説明する図であり、図6Aは第1の構成例を示す平面図、図6Bは第2の構成例を示す平面図である。なお、図6に示す例では、第1及び第2の構成例による可変インダクタの面積を略同じとして図示している。図6Aに示す第1の構成例では、図1に示す構成例において、スパイラルコイル10の巻き数を1回とし、ループ状導体20を巻き数1回のスパイラルコイルによって形成し、ループ状導体20の内側にスパイラルコイル10を配置している。図6Bに示す第2の構成例では、図6Aに示す第1の構成例の配置とは逆の配置として、巻き数1回のスパイラルコイル10の内側に、巻き数1回のスパイラルコイルによって形成されたループ状導体20を配置している。同じ面積に可変インダクタを形成する場合、第2の構成例による可変インダクタの方が、第1の構成例よりもインダクタンスを大きくすることができる。図6Bに示すスパイラルコイル10のインダクタンスが、図6Aに示すスパイラルコイル10のインダクタンスと同じにすれば、第1の構成例の場合よりも、可変インダクタを小さな面積で形成することができる。以上説明した各実施の形態で例示した、ループ状導体、スパイラルコイルは、正方形状であるが、これに限定されず、長方形状、円形状、多角形状とすることもでき、また、ループ状導体を構成するコイルの巻き数、インダクタを構成するコイル例えば、スパイラルコイル等の巻き数も任意とすることができることはいうまでもない。以上の説明した可変インダクタは、ウエハレベルプロセスWLPを適用することによって製造することができる。以上、本発明を実施の形態について説明したが、本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。"