"上面及び側面を被覆する樹脂層が側面から下方に延出する部分を有し、底面に突起電極を備える半導体発光素子の製造方法において、ダイが配列して連結するウェハーを準備する準備工程と、前記ウェハーに突起電極を形成する突起電極形成工程と、前記突起電極をレジスト材で覆うレジスト材塗布工程と、前記ウェハーを前記ダイに個片化する第1個片化工程と、前記ダイを粘着シート上に配列させる配列工程と、前記粘着シートとともに前記ダイの側面を前記樹脂層で被覆する被覆工程と、前記粘着シートを剥がし、前記レジスト材を除去するレジスト材除去工程と、前記樹脂層を切断し、個片化した前記半導体発光素子を得る第2個片化工程とを備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。前記樹脂層が蛍光体を含有し、前記被覆工程において、前記ダイの側面とともに前記ダイの上面を前記樹脂層で被覆することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法。前記樹脂層が反射材を含有する第1の樹脂層と蛍光体を含有する第2の樹脂層からなり、前記被覆工程において、前記第1の樹脂層で前記ダイの側面を被覆し、その後前記第2の樹脂層で前記ダイの上面を被覆することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法。前記樹脂層が蛍光体を含有する第3の樹脂層と反射材を含有する第4の樹脂層からなり、前記第1個片化工程の前に前記ダイの上面を前記第3の樹脂層で被覆し、前記被覆工程において前記ダイの側面とともに前記第3の樹脂層の側面を前記第4の樹脂層で被覆することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法。前記被覆工程において金型を使って前記樹脂層を形成することを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。特許文献3のようにウェハーを直接的に加工してLED素子を得る方法は、LEDダイが密集しているため加工効率が良く、LEDダイの並べ替えもないのでパッケージの外形精度も高い。しかしながらLEDダイの側面まで被覆しようとするとLEDダイ間の溝を太くせざるを得ず、例えば特許文献3のように被覆材である蛍光体が十分に機能するためには幅が300~500μm程度必要になる。このように発光に関わらない太い領域があると、削り量が多くなるばかりでなく、LEDダイの取り個数が減り好ましくない。さらに不良品のLEDダイも最後まで加工することになったり、LEDダイごとの発光特性の違いを補正できなくなったりもする。以上のようにウェハーから直接的にLED素子を得る方法は加工上のメリットが小さくなる。特許文献2のように個片化したLEDダイを粘着シートに貼り付け直した後、封止個片化を行なう場合、ウェハーに対し通常のダイシング条件以外の制限がないためウェハーの削り量が少なく取り個数も減らない。また不良品のLEDダイはダイシング直後廃棄可能であり、粘着シートに特性のそろったLEDダイを選別して配列させることも可能になる。しかしながら特許文献2に示したLEDダイは底面積が小さいものを想定しているため追加工によりインターポーザ層を形成していた。この結果、ダイ側面を封止被覆した後の工程が長くなっていた。これに対しウェハー段階で突起電極を形成しておけば、LEDダイが高精度高密度で配列しているうえ、ウェハー自体が硬質であることから電極形成に対する効率が良い。しかしながら特許文献1に示されるような封止工程では、LEDダイの厚さが変動したり、LEDダイの底面積が変動したりすると、バンプ上面から液面までの高さ一定にならず、突起電極の突起量が一定しないという課題がある。そこで本発明は、上記課題に鑑みて為されたものであり、上面及び側面を被覆する樹脂層が側面から下方に延出する部分を有し、底面に突起電極を備える半導体発光素子を簡便に効率よく製造する半導体発光素子の製造方法を提供することである。本発明の半導体発光素子の製造方法は、上面及び側面を被覆する樹脂層が側面から下方に延出する部分を有し、底面に突起電極を備える半導体発光素子の製造方法において、ダイが配列して連結するウェハーを準備する準備工程と、前記ウェハーに突起電極を形成する突起電極形成工程と、前記突起電極をレジスト材で覆うレジスト材塗布工程と、前記ウェハーを前記ダイに個片化する第1個片化工程と、前記ダイを粘着シート上に配列させる配列工程と、前記粘着シートとともに前記ダイの側面を前記樹脂層で被覆する被覆工程と、前記粘着シートを剥がし、前記レジスト材を除去するレジスト材除去工程と、前記樹脂層を切断し、個片化した前記半導体発光素子を得る第2個片化工程とを備えることを特徴とする。前記樹脂層が蛍光体を含有し、前記被覆工程において、前記ダイの側面とともに前記ダイの上面を前記樹脂層で被覆しても良い。前記樹脂層が反射材を含有する第1の樹脂層と蛍光体を含有する第2の樹脂層からなり、前記被覆工程において、前記第1の樹脂層で前記ダイの側面を被覆し、その後前記第2の樹脂層で前記ダイの上面を被覆しても良い。前記樹脂層が蛍光体を含有する第3の樹脂層と反射材を含有する第4の樹脂層からなり、前記第1個片化工程の前に前記ダイの上面を前記第3の樹脂層で被覆し、前記被覆工程において前記ダイの側面とともに前記第3の樹脂層の側面を前記第4の樹脂層で被覆しても良い。前記被覆工程において金型を使って前記樹脂層を形成しても良い。本発明の半導体発光素子の製造方法によれば、まずダイが連結して配列したウェハーに対する処理として、ウェハー上に突起電極を形成し、その突起電極をレジスト材で覆い、ウェハーを個片化して個々のダイを得る。次にこのダイを粘着シートに再度配列させる。このときダイ同士に所定の隙間を持たせる。配列が完了したら、少なくともこの間隙に樹脂を充填しダイの側面を被覆する。このようにするとダイ側面から粘着層上面までの間に樹脂層の延出部が形成される。いっぽうダイの底面にはレジスト材があるため樹脂層が存在しない。被覆後、レジスト材を除去してやると、半導体素子の底面の周辺部には樹脂層の延出部が形成され、底面においてはゴミ等に対し充分な突起電極の突起量が確保される。以上のように本発明の半導体発光装置の製造方法は、レジスト材の塗布及び除去により、上面と側面を被覆する樹脂層が側面から下方に延びる部分を有し、底面に突起電極を備える半導体発光素子を簡便で効率良く製造できる。以下、添付図1~12を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また説明のため部材の縮尺は適宜変更している。さらに特許請求の範囲に記載した発明特定事項との関係をカッコ内に記載している。第1実施形態以下、添付図1~5を参照しながら本発明の第1実施形態について詳細に説明する。まず図1と図2により本実施形態で製造するLED素子10の構造を説明する。図1はLED素子10の外観を示す図であり、aが上面図、bが正面図、cが底面図である。LED素子10を上面から眺めると、長方形の蛍光体層11樹脂層だけが見えるa。LED素子10を正面から眺めると、aと同様に蛍光体層11だけがが見えるb。LED素子10を下から眺めると、蛍光体層11に囲まれた半導体層14が見え、さらに半導体層14の内側に突起電極12,13が見えるc。LEDダイ16の底面は1.0mm×0.5mmであり、蛍光体層11の幅は0.2mmである。この結果、LED素子10は1.4mm×0.9mmとなり、サーフェースマウンタ表面実装機で扱いやすい大きさになっている。次に図2によりLED素子10の内部構造を説明する。図2は図1のAA線に沿ったLED素子10の断面図である。LED素子10において、LEDダイ16はサファイア基板15と半導体層14、保護膜17、突起電極12,13からなり、LEDダイ16の上面と側面は蛍光体層11で覆われている。さらに蛍光体層11にはLEDダイ11の側面から下方に向かって延出する部分がある。一方、LEDダイ16の底面には蛍光体層11が存在しない。なおLEDダイ16はサファイアを透明絶縁基板としたウェハーから切り出されたものであり、突起電極12,13は既にウェハー状態で形成されたものである。サファイア基板15は、厚さが70~150μm程度でLEDダイ16の平面的な外形を決める。サファイア基板15の下面に形成された半導体層14は、p型半導体層14c上に発光層14b、n型半導体層14aが積層した積層体である。さらにp型半導体層14cは複数の金属からなる金属層とp型GaNの積層体であり、厚さが1μm程度である。この金属層は反射層を含み、発光層14bから下向きに出射する光線を上側に向ける。発光層14bは厚さが100nm程度であり青色光を出射する。n型半導体層14aは、n型GaN層と格子定数を調整するバッファ層からなり厚さが5μm程度である。保護膜17は半導体層14を覆い、p型半導体層14cの占める領域及びn型半導体層14aの露出した領域に開口部を備えている。それぞれの開口部においてp型半導体層14cと突起電極12、並びにn型半導体層14aと突起電極13が接続する。突起電極12,13は銅メッキで形成したメッキバンプであり、厚さが10~30μmで、表面に錫層を備えている。なお突起電極13は、n型半導体層14aの露出部が小さいため、一部が保護膜17を介してp型半導体層14cと積層している。突起電極12,13は、それぞれアノードとカソードであり、マザー基板と接続するための接続電極となっている。ここでマザー基板とは抵抗やコンデンサなど他の電子部品とともにLED素子10を実装する基板である。蛍光体層11は蛍光体を含有するシリコーン樹脂であり、LEDダイ16から出射してくる青色光の一部を蛍光体層11中の蛍光体が波長変換する。この波長変換した光と青色光の残りが混色してLED素子10の発光色が白色化する。LEDダイ16の側面から下方に延出する蛍光体層11の延出部は、LEDダイの底面においてp型半導体層14c及び突起電極13のない領域から洩れ出す青色発光を遮る又は白色化するよう機能する。次に図3~5によりLED素子10の製造方法を説明する。図3~5はLED素子10の製造工程の説明図である。図3はLEDダイ16が連結した状態で配列するウェハーに対する加工工程を示し、図4と図5は個片化したLEDダイに対する加工工程を示している。図3によりウェハー30に対する加工工程を説明する。まずaで示す準備工程において、LEDダイ16図2参照が配列して連結するウェハー30を準備する。ウェハー30はサファイア基板15上に複数の半導体層14が形成されている。なおウェハー30上には数千から数万個の半導体層14が形成されるが、本図では説明のため3個だけ示している。また本図では半導体層14がウェハー30上で分離しているが、他の例として半導体層に含まれるn型半導体層がウェハー全面に形成され、p型半導体層だけが分離していることもある。次にbに示す突起電極形成工程において、ウェハー30に突起電電極12,13を形成する。突起電極12,13の形成方法としては、最初にウェハー30の上面全体にスパッタ法でメッキ用共通電極膜を形成する。続いてホトリソグラフィ法で突起電極12,13を設ける領域に開口を有するレジスト膜を形成し、電解メッキ法で突起電極12,13を成長させる。その後レジスト膜を除去し、最後にメッキ電極12,13をマスクとしてメッキ用共通極膜の露出部を除去する。次にcに示すレジスト材塗布工程において、突起電極12,13をレジスト材31で覆う。レジスト材31は透明な感光性樹脂であり、スピンコータやロールコータでウェハー30上に塗布され、その後硬化する。その後、表面を研磨し突起電極12,13の表面を露出させておくと良い。このときレジスト材31の上面はできるかぎり平坦化させておくことが好ましい。レジスト材31はウェハー30の上面と突起電極12,13の間隙を覆うことを目的としているので、感光性樹脂に限らず熱で硬化する樹脂であっても良い。最後にdに示す第1個片化工程において、ウェハー30をLEDダイ16aに個片化する。まずダイシングシート図示せず上にレジスト材31を塗布したウェハー30を貼り付け、続いてダイサーでウェハー30だけを切断し、最後に個片化したLEDダイ16aを得る。またLEDダイ16aはスクライブブレーク法で個片化しても良い。以上でウェハー30に対する加工が終了する。なおLEDダイ16aは、図2で示したLEDダイ16に対し、レジスト材31が付着しているのでサフックスaを追加して区別している。LEDダイ16aは図2よりも簡略化して描いているため、例えば保護膜17図2参照は図示していない。図4と図5により個片化したLEDダイ16aに対する加工工程を説明する。なお図3に対し、図4及び図5ではLEDダイ16aを上下反転させている。まずe及びfで示した配列工程においてLEDダイ16aを粘着シート32上に配列する。本工程では最初に粘着シート32と突起電極12,13の間隙がレジスト材31で覆われたLEDダイ16aを準備するe。その後、支持台図示せずの上に載置された粘着シート32上に隙間を開けてLEDダイ16aを配置するf。粘着シート32は大判であり、実際には多数のLEDダイ16aが搭載されるが、説明のため粘着シート32に搭載するLEDダイ16aを2個で示している以下同様。粘着シート32は厚さが数10μmの樹脂シート上に、厚さが20~100μmの粘着層を積層したものである。LEDダイ16aは、ピッカー又はソーターで一個ずつ粘着シート32上に配置していく。また、いったん他の粘着シート図示せずに複数のLEDダイ16aを配列させておき、この複数のLEDダイ16aを一括して粘着シート32に貼り付け転写しても良い。次にg~iで示す被覆工程において、粘着シート32とともにLEDダイ16aを蛍光体層11で覆う。まず粘着シート32を金型34の下蓋34b上にのせ、上蓋34aで粘着シート32を密封するg。続いて硬化前の蛍光体樹脂を金型内に注入し蛍光体層11を形成するh。最後に金型34から粘着シート32を取り出すi。なおg及びhはトランスファー成型をイメージして図示し説明してきたが、コンプレッション成型でも良い。金型34による蛍光体層11の形成手法は蛍光体層の厚さを高精度に管理できることや短時間に大量処理できる特徴があるが、蛍光体層11を形成する手法は金型34に限定されず、塗布法やスキージであっても良い。これらの場合、蛍光体層11を硬化させたら所望の厚さにするため蛍光体層11を研磨することが好ましい。次にj及びkで示すレジスト材除去工程において、粘着シート32を剥がし、レジスト材31を除去する。本工程では、まず粘着シート32を剥がす直前又は直後に、蛍光体層11上にダイシングシート35を貼り付けるj。続いてレジスト材31を溶剤で溶かし除去するk。なおこの溶剤は、レジスト材31は溶かすが蛍光体層11は溶かさないものから選択する。最後にl~mに示す第2個片化工程において、蛍光体層11を切断し、個片化したLED素子10を得る。本工程では、まずダイシングシート35を残すようにしてLEDダイ16の間の蛍光体層11を切断するl。その後、ダイシングシート35から個別のLED素子10を取り外すm。なおダイシングシート35にLEDダイ16が配列した状態{k又はl}で電気特性や光学特性の検査を行ってしまえば、mの工程の終了と同時にLED素子10を搬送テープに収納できる。第2実施形態第1実施形態ではLEDダイ16の上面及び側面を被覆する樹脂が蛍光体体層11であった。しかしながら被覆用の樹脂は蛍光体層11に限られない。前述したように樹脂層は、LED素子に含まれる透明絶縁基板と空気との間の屈折率の変化を緩和し発光効率を改善させる他、樹脂に蛍光体を含有させればLED素子の発光色を白くできる。例えば樹脂に反射性微粒子を含有させれば反射部材としても機能する。つまりLEDダイ16の上面を蛍光体層で被覆し、側面を反射性の樹脂層以下反射層と呼ぶで被覆しても良い。このようなLED素子の簡便で効率的な製造方法を実施形態2,3で説明する。以下、添付図6~8を参照しながら本発明の第2実施形態について詳細に説明する。まず図6と図7により本実施形態で製造するLED素子40の構造を説明する。図6はLED素子40の外観を示す図であり、aが上面図、bが正面図、cが底面図である。LED素子40を上面から眺めると、長方形の蛍光体層41第2の樹脂層だけが見えるa。LED素子40を正面から眺めると、蛍光体層41の下に反射層42第1の樹脂層が見えるb。LED素子40を下から眺めると、反射層42に囲まれた半導体層14が見え、さらに半導体層14の内側に突起電極12,13が見えるc。なおLEDダイ16は図2で示した第1実施形態におけるLEDダイ16と同じものである。次に図7によりLED素子40の内部構造を説明する。図7は図6のBB線に沿ったLED素子40の断面図である。LEDダイ16の側面には反射層42が付着しており、この側面から下方に向かって反射層42の延出部がある。蛍光体層41はLEDダイ16の上面と反射層42の上部を覆っている。蛍光体層41は図1,2で示したLED素子10の蛍光体層11と同様にシリコーン樹脂である。反射層42は酸化チタン等の反射性微粒子を混練したシリコーン樹脂以下反射性樹脂と呼ぶである。LED素子40の側方及び下方に向う光線は、反射層42とp型半導体層14cに含まれる金属反射層により反射しLED素子40の上方に向う。このようにLED素子40は側方に向う光線がないので扱い易い。また反射層42の延出部はLEDダイ16の底部から洩れ出そうとする青色発光を遮っている。次に図8によりLED素子40の製造方法を説明する。図3及び図4のa~fで示した準備工程、突起電極形成工程、レジスト塗布工程、第1個片化工程、及び配列工程は本実施例と共通である。このため、共通部分の最後の工程として図8において配列工程fを示した。fで示すようにLEDダイ16aを粘着シート32上に配列したら、g-2及びh-2で示す被覆工程においてLEDダイ16aの上面と側面をそれぞれ蛍光体層41と反射層42で被覆する。g-2ではLEDダイ16aの間隙に反射層42を充填する工程を示している。このとき適量の反射性樹脂硬化前をディスペンサーにより間隙に充填しても良いが、LEDダイ16aのサファイア基板上面が隠れるくらいまで反射性樹脂を塗布し硬化させ、反射層42を形成してから、サファイア基板上面が露出するまで反射層42を研磨する方が効率的である。次にh-2に示すようにLEDダイ16a及び反射層42の上部に蛍光体層41を形成する。このときLEDダイ16a及び反射層42の上部の蛍光体層41は塗布で形成しても良いし、蛍光体を含有する蛍光体シートを貼り付けても良い。次にk-2に示すレジスト材除去工程において、図5j及びkで示した第1実施形態のレジスト材除去工程と同様に、粘着シート32を剥がし、レジスト材31を除去する。なお本図ではダイシングシート及びダイシングシートを貼り付ける工程について図示を省略した以下同様。最後にm-2に示す第2個片化工程において、図5l及びmで示した第2個片化工程と同様に、蛍光体層41と反射層42を切断し、個片化したLED素子40を得る。第3実施形態以下、添付図9~12を参照しながら本発明の第3実施形態について詳細に説明する。まず図9と図10により本実施形態で製造するLED素子60の構造を説明する。図9はLED素子60の外観を示す図であり、aが上面図、bが正面図、cが底面図である。LED素子60を上面から眺めると、外周部に存在する反射層62とその内側にある長方形の蛍光体層61が見えるa。LED素子60を正面から眺めると、反射層62だけが見えるb。LED素子60を下から眺めると、反射層62に囲まれた半導体層14が見え、さらに半導体層14の内側に突起電極12,13が見えるc。なお半導体層14及び突起電極12,13が含まれるLEDダイ16図10参照は図2で示した第1実施形態におけるLEDダイ16と同じものである。次に図10によりLED素子60の内部構造を説明する。図10は図9のCC線に沿ったLED素子60の断面図である。LED素子60において、LEDダイ16の上面に蛍光体層61があり、LEDダイ16及び蛍光体層61の側面に反射層62が付着している。さらに反射層62にはこれらの側面から下方に向かって延びる延出部がある。蛍光体層61は図1,2で示したLED素子10の蛍光体層11と同様に蛍光体を含有したシリコーン樹脂である。反射層62は、図6,7で示した反射層42と同様に、酸化チタン等の反射性微粒子を含有したシリコーン樹脂からなる。LED素子40の側方及び下方に向う光線は、反射層62とp型半導体層14cに含まれる金属反射層により反射しLED素子60の上方に向う。このようにLED素子60もLED素子40と同様に側方に向う光線がないので扱い易い。また反射層62の延出部はLEDダイ16の底部から洩れ出そうとする青色発光を遮っている。次に図11及び図12によりLED素子60の製造方法を説明する。図11はウェハー30に対する工程を示し、図12はLEDダイ16bに対する工程を示している。図11においてa~cで示す準備工程、レジスト材塗布工程は、図3のa~cに示した第1実施形態の準備工程、レジスト材塗布工程と共通である。図11においてcのレジスト塗布工程のあとに、c-3で示すようにレジスト材31とは反対側図の下側のサファイア基板15面に蛍光体層61を形成する。蛍光体層61は硬化前の蛍光樹脂を塗布し硬化させたものである。最後にd-3で示す第1個片化工程において、蛍光体層61及びレジスト材31ごとウェハー30を切断し個片化したLEDダイ16bを得る。なおLEDダイ16bは蛍光体層61及びレジスト材31を備えているので、図2で示したLEDダイ16と区別するためサフィックスbをつけた。次に図12によりLEDダイ16bに対する加工を説明する。f-3に示す配列工程において、図4e~fに示した配列工程と同様に、LEDダイ16bを粘着シート32上に配列する。次にg-3で示す被覆工程においてLEDダイ16b及び蛍光体層61の側面を反射層62で被覆する。このとき適量の反射性樹脂硬化前をディスペンサーにより間隙に充填しても良い。またLEDダイ16bの蛍光体層61の上面が隠れるくらいまで反射性樹脂を塗布し、硬化させ反射層62を形成してから、蛍光体層61の上面が露出するまで反射部材62を研磨しても良い。次にk-3に示すレジスト材除去工程において、図5j及びkで示した第1実施形態のレジスト材除去工程と同様に、粘着シート32を剥がし、レジスト材31を除去する。なお本図ではダイシングシート及びダイシングシートを貼り付ける工程について図示を省略した。最後にm-3に示す第2個片化工程において、図5l及びmで示した第2個片化工程と同様に、反射部材62を切断し、個片化したLED素子60を得る。"