"下記一般式G1で表されるカルバゾール化合物。但し、式中R1乃至R4はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基、フェニル基及びトリル基のいずれかを表し、R5は炭素数6乃至12のアリール基を表す。また、R6乃至R13はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至12のアリール基のいずれかを表す。また、Phは置換又は無置換のフェニレン基を表し、当該フェニレン基が置換基を有する場合、置換基としては炭素数1乃至4のアルキル基が適用できる。また、Xは硫黄原子若しくは酸素原子である。下記一般式G2で表されるカルバゾール化合物。但し、式中R1乃至R4はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基、フェニル基及びトリル基のいずれかを表し、R5は炭素数6乃至12のアリール基を表す。また、R6、R7、R9及びR12はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至12のアリール基のいずれかを表す。また、Phは置換又は無置換のフェニレン基を表し、当該フェニレン基が置換基を有する場合、置換基としては炭素数1乃至4のアルキル基が適用できる。また、Xは硫黄原子若しくは酸素原子である。下記一般式G3で表されるカルバゾール化合物。但し、式中R1乃至R4はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基、フェニル基及びトリル基のいずれかを表し、R5は炭素数6乃至12のアリール基を表す。また、R7、R9及びR12はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至12のアリール基のいずれかを表す。また、Phは置換又は無置換のフェニレン基を表し、当該フェニレン基が置換基を有する場合、置換基としては炭素数1乃至4のアルキル基が適用できる。また、Xは硫黄原子若しくは酸素原子である。下記一般式G4で表されるカルバゾール化合物。但し、式中R1乃至R4はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基、フェニル基及びトリル基のいずれかを表し、R5は炭素数6乃至12のアリール基を表す。また、Phは置換又は無置換のフェニレン基を表し、当該フェニレン基が置換基を有する場合、置換基としては炭素数1乃至4のアルキル基が適用できる。また、Xは硫黄原子若しくは酸素原子である。下記一般式G5で表されるカルバゾール化合物。但し、式中R5は炭素数6乃至12のアリール基を表す。また、R6乃至R13はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至12のアリール基のいずれかを表す。また、Phは置換又は無置換のフェニレン基を表し、当該フェニレン基が置換基を有する場合、置換基としては炭素数1乃至4のアルキル基が適用できる。また、Xは硫黄原子若しくは酸素原子である。下記一般式G6で表されるカルバゾール化合物。但し、式中R5は炭素数6乃至12のアリール基を表す。また、R6、R7、R9及びR12はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至12のアリール基のいずれかを表す。また、Phは置換又は無置換のフェニレン基を表し、当該フェニレン基が置換基を有する場合、置換基としては炭素数1乃至4のアルキル基が適用できる。また、Xは硫黄原子若しくは酸素原子である。下記一般式G7で表されるカルバゾール化合物。但し、式中R5は炭素数6乃至12のアリール基を表す。また、R7、R9及びR12はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至12のアリール基のいずれかを表す。また、Phは置換又は無置換のフェニレン基を表し、当該フェニレン基が置換基を有する場合、置換基としては炭素数1乃至4のアルキル基が適用できる。また、Xは硫黄原子若しくは酸素原子である。下記一般式G8で表されるカルバゾール化合物。但し、式中R5は炭素数6乃至12のアリール基を表す。また、Phは置換又は無置換のフェニレン基を表し、当該フェニレン基が置換基を有する場合、置換基としては炭素数1乃至4のアルキル基が適用できる。また、Xは硫黄原子若しくは酸素原子である。下記一般式G9で表されるカルバゾール化合物。但し、式中Phは置換又は無置換のフェニレン基を表し、当該フェニレン基が置換基を有する場合、置換基としては炭素数1乃至4のアルキル基が適用できる。また、式中Xは硫黄原子若しくは酸素原子である。下記一般式G10で表されるカルバゾール化合物。但し、式中R5は炭素数6乃至12のアリール基を表す。また、R7、R9及びR12はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至12のアリール基のいずれかを表す。また、Xは硫黄原子若しくは酸素原子である。下記一般式G11で表されるカルバゾール化合物。但し、式中Xは硫黄原子若しくは酸素原子である。下記構造式で表されるカルバゾール化合物。下記構造式で表されるカルバゾール化合物。請求項1又は請求項5において、R6乃至R13はそれぞれ独立に、水素、炭素数1乃至4のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基及びトリル基のいずれか一であるカルバゾール化合物。請求項2、請求項3、請求項6、請求項7及び請求項10のいずれか一項において、R6、R7、R9及びR12はそれぞれ独立に、水素、炭素数1乃至4のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基及びトリル基のいずれか一であるカルバゾール化合物。請求項1乃至請求項8及び請求項10のいずれか一項において、R5がフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基及びトリル基のいずれか一であるカルバゾール化合物。請求項1乃至請求項16のいずれか一項に記載のカルバゾール化合物を含む有機半導体材料。請求項1乃至請求項16のいずれか一項に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子用材料。一対の電極間に有機化合物を含む層を有し、前記電極間に電圧をかけることにより前記有機化合物を含む層から光を得る発光素子であって、前記有機化合物を含む層に、請求項1乃至請求項16のいずれか一項に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子。請求項19に記載の発光素子と、前記発光素子を制御する手段とを含む発光装置。請求項20に記載の発光装置を含む電子機器。請求項19に記載の発光素子を光の供給手段として有する照明装置。そこで、本発明の一態様では、発光素子の輸送層やホスト材料、発光材料として用いることが可能な新規カルバゾール化合物を提供することを課題とする。また、本発明の他の一態様では、上記新規カルバゾール化合物を用いた、発光素子用材料を提供することを課題とする。また、本発明の他の一態様では、上記新規カルバゾール化合物を用いた、有機半導体材料を提供することを課題とする。また、本発明の他の一態様では、発光効率の高い発光素子を提供することを課題とする。また、本発明の他の一態様では、消費電力の小さい発光装置、照明装置又は電子機器を提供することを課題とする。なお、本発明の一態様では上記課題のいずれか一を解決すればよい。本発明者らは、ジベンゾフラン骨格もしくはジベンゾチオフェン骨格の4位がカルバゾール骨格の3位に結合したカルバゾール基の窒素が、ベンゾイミダゾール骨格にフェニレン基を介して結合したカルバゾール化合物を合成することができた。そして当該カルバゾール化合物が良好なキャリア輸送性を有し、発光素子の材料や有機半導体材料として好適に用いることが出来ることを見出した。すなわち、本発明の一態様は、ジベンゾフラン骨格もしくはジベンゾチオフェン骨格の4位がカルバゾール骨格の3位に結合したカルバゾール基の窒素が、ベンゾイミダゾール骨格にフェニレン基を介して結合したカルバゾール化合物である。また、ベンゾイミダゾール骨格における1位の窒素は、炭素数6乃至12のアリール基を有することとする。なお、上述のカルバゾール化合物において、ベンゾイミダゾール骨格における炭素と、ジベンゾフラン骨格またはジベンゾチオフェン骨格における炭素とはそれぞれ置換基を有していても良い。ベンゾイミダゾール骨格が置換基を有する場合、当該置換基としてはそれぞれ独立に炭素数1乃至4のアルキル基、フェニル基のいずれかが挙げられる。また、ジベンゾフラン骨格もしくはジベンゾチオフェン骨格が置換基を有する場合、当該置換基としてはそれぞれ独立に炭素数1乃至4のアルキル基、炭素数6乃至12のアリール基のいずれかが挙げられる。また、上述のカルバゾール化合物におけるカルバゾール骨格は6位に置換基を有していても良く、当該置換基としては、炭素数1乃至4のアルキル基、炭素数6乃至12のアリール基を選択できる。このような構造を有するカルバゾール化合物は、良好なキャリア輸送性を有し、発光素子のホスト材料やキャリア輸送層として好適に用いることができる。当該カルバゾール化合物が良好なキャリア輸送性を有することによって、駆動電圧の小さい発光素子を作製することが可能となる。また、当該カルバゾール化合物は、広いバンドギャップを有することから、青色及び青色より長波長の蛍光を発する発光中心物質や、緑色及び緑色より長波長のりん光を発する発光中心物質を分散するホスト材料として好適に用いることができる。当該カルバゾール化合物が広いバンドギャップ、ひいては大きい三重項励起エネルギーを有することで、ホスト材料で再結合したキャリアのエネルギーを発光中心物質へ有効に移動させることが可能となり、発光効率の高い発光素子を作製することが可能となる。また、広いバンドギャップを有する当該カルバゾール化合物は、青色の蛍光や緑色のりん光を発する発光中心物質を含む発光層に隣接するキャリア輸送層にも、発光中心物質の励起エネルギーを失活させることなく好適に利用することができる。そのため、発光効率の高い発光素子を作製することを可能とする。上述のようなカルバゾール化合物をより具体的に説明する。すなわち、本発明の他の一態様は下記一般式G1で表されるカルバゾール化合物である。但し、式中R1乃至R4はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基、フェニル基及びトリル基のいずれかを表し、R5は炭素数6乃至12のアリール基を表す。また、R6乃至R13はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至12のアリール基のいずれかを表す。また、Phは置換又は無置換のフェニレン基を表し、当該フェニレン基が置換基を有する場合、置換基としては炭素数1乃至4のアルキル基が適用できる。また、Xは硫黄原子若しくは酸素原子である。また、本発明の他の構成は、下記一般式G2で表されるカルバゾール化合物である。但し、式中R1乃至R4はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基、フェニル基及びトリル基のいずれかを表し、R5は炭素数6乃至12のアリール基を表す。また、R6、R7、R9及びR12はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至12のアリール基のいずれかを表す。また、Phは置換又は無置換のフェニレン基を表し、当該フェニレン基が置換基を有する場合、置換基としては炭素数1乃至4のアルキル基が適用できる。また、Xは硫黄原子若しくは酸素原子である。当該カルバゾール化合物は、容易に合成することができる。また、本発明の他の構成は、下記一般式G3で表されるカルバゾール化合物である。但し、式中R1乃至R4はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基、フェニル基及びトリル基のいずれかを表し、R5は炭素数6乃至12のアリール基を表す。また、R7、R9及びR12はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至12のアリール基を表す。また、Phは置換又は無置換のフェニレン基を表し、当該フェニレン基が置換基を有する場合、置換基としては炭素数1乃至4のアルキル基が適用できる。また、Xは硫黄原子若しくは酸素原子である。当該カルバゾール化合物は、蒸着する際のレートが安定しやすいため、優れた蒸着材料である。また、本発明の他の構成は、下記一般式G4で表されるカルバゾール化合物である。但し、式中R1乃至R4はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基、フェニル基及びトリル基のいずれかを表し、R5は炭素数6乃至12のアリール基を表す。また、Phは置換又は無置換のフェニレン基を表し、当該フェニレン基が置換基を有する場合、置換基としては炭素数1乃至4のアルキル基が適用できる。また、Xは硫黄原子若しくは酸素原子である。当該カルバゾール化合物は、原料が入手しやすいため、安価に合成することができる。また、本発明の他の構成は、下記一般式G5で表されるカルバゾール化合物である。但し、式中R5は炭素数6乃至12のアリール基を表す。また、R6乃至R13はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至12のアリール基のいずれかを表す。また、Phは置換又は無置換のフェニレン基を表し、当該フェニレン基が置換基を有する場合、置換基としては炭素数1乃至4のアルキル基が適用できる。また、Xは硫黄原子若しくは酸素原子である。当該カルバゾール化合物は、原料が入手しやすいため、安価に合成することができる。また、本発明の他の構成は、下記一般式G6で表されるカルバゾール化合物である。但し、式中R5は炭素数6乃至12のアリール基を表す。また、R6、R7、R9及びR12はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至12のアリール基のいずれかを表す。また、Phは置換又は無置換のフェニレン基を表し、当該フェニレン基が置換基を有する場合、置換基としては炭素数1乃至4のアルキル基が適用できる。また、Xは硫黄原子若しくは酸素原子である。当該カルバゾール化合物は、容易に合成することができる。また、本発明の他の構成は、下記一般式G7で表されるカルバゾール化合物である。但し、式中R5は炭素数6乃至12のアリール基を表す。また、R7、R9及びR12はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至12のアリール基のいずれかを表す。また、Phは置換又は無置換のフェニレン基を表し、当該フェニレン基が置換基を有する場合、置換基としては炭素数1乃至4のアルキル基が適用できる。また、Xは硫黄原子若しくは酸素原子である。当該カルバゾール化合物は、蒸着する際のレートが安定しやすいため、優れた蒸着材料である。また、本発明の他の構成は、下記一般式G8で表されるカルバゾール化合物である。但し、式中R5は炭素数6乃至12のアリール基を表す。また、Phは置換又は無置換のフェニレン基を表し、当該フェニレン基が置換基を有する場合、置換基としては炭素数1乃至4のアルキル基が適用できる。また、Xは硫黄原子若しくは酸素原子である。当該カルバゾール化合物の構成は、原料が入手しやすいため、安価に合成することができる。また、本発明の他の構成は、下記一般式G9で表されるカルバゾール化合物である。但し、式中Phは置換又は無置換のフェニレン基を表し、当該フェニレン基が置換基を有する場合、置換基としては炭素数1乃至4のアルキル基が適用できる。また、式中Xは硫黄原子若しくは酸素原子である。また、本発明の他の構成は、下記一般式G10で表されるカルバゾール化合物である。但し、式中R5は炭素数6乃至12のアリール基を表す。また、R7、R9及びR12はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至12のアリール基のいずれかを表す。また、Xは硫黄原子若しくは酸素原子である。当該カルバゾール化合物の構成は、高いキャリアの輸送性を有する。また、本発明の他の構成は、下記一般式G11で表されるカルバゾール化合物である。但し、式中Xは硫黄原子若しくは酸素原子である。また、本発明の他の構成は、下記構造式で表されるカルバゾール化合物である。また、本発明の他の構成は、下記構造式で表されるカルバゾール化合物である。また、本発明の他の構成は、上記カルバゾール化合物を含む有機半導体材料である。また、本発明の他の構成は、一対の電極間に有機化合物を含む層を有し、当該電極間に電圧をかけることにより有機化合物を含む層から光を得る発光素子であって、前記有機化合物を含む層に、上記カルバゾール化合物を含む発光素子である。また、本発明の他の構成は、上記発光素子と、発光素子を制御する手段とを含む発光装置である。また、本発明の他の構成は、上記発光装置を含む電子機器である。また、本発明の他の構成は、上記発光素子を含む照明装置である。上記構成を有するカルバゾール化合物は、優れたキャリア輸送性と広いバンドギャップとを併せ持つ物質であり、発光素子の輸送層を構成する材料や発光層におけるホスト材料、発光中心物質として好適に用いることが可能である。また、当該カルバゾール化合物を含む発光素子用材料を用いた発光素子は、発光効率の高い発光素子とすることができる。また、当該カルバゾール化合物を含む発光素子用材料を用いた発光素子は、駆動電圧の小さい発光素子とすることができる。また、当該カルバゾール化合物は有機半導体材料として用いることもできる。以下、本発明の実施の形態について説明する。ただし、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1本実施の形態におけるカルバゾール化合物は、ジベンゾフラン骨格もしくはジベンゾチオフェン骨格の4位がカルバゾール骨格の3位に結合したカルバゾール基の窒素が、ベンゾイミダゾール骨格にフェニレン基を介して結合した構造を有する。なお、ベンゾイミダゾール骨格は、1位の窒素が炭素数6乃至12のアリール基を有することとする。当該カルバゾール化合物は良好なキャリア輸送性を有し、発光素子の材料や有機半導体材料として好適に用いることが出来る新規化合物である。なお、上述のカルバゾール化合物において、ベンゾイミダゾール骨格における、ベンゼン環を構成する炭素は置換基を有していても良い。当該置換基としてはそれぞれ独立に炭素数1乃至4のアルキル基、フェニル基及びトリル基のいずれかが挙げられる。炭素数1乃至4のアルキル基としては、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基及びブチル基などが挙げられる。置換基を有する炭素が複数ある場合、当該置換基はそれぞれ異なっていても良い。また、ベンゾイミダゾール骨格の1位の窒素に置換する炭素数6乃至12のアリール基としては、具体的にはフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基及びトリル基を挙げることができる。また、ジベンゾフラン骨格もしくはジベンゾチオフェン骨格における炭素も置換基を有していて良い。当該置換基としてはそれぞれ独立に炭素数1乃至4のアルキル基、炭素数6乃至12のアリール基のいずれかが挙げられる。炭素数1乃至4のアルキル基としては、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基及びブチル基が、炭素数6乃至12のアリール基としては、具体的にはフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基及びトリル基を挙げることができる。また、上述のカルバゾール化合物におけるカルバゾール骨格は、6位に置換基を有していても良く、当該置換基としては、炭素数1乃至4のアルキル基、炭素数6乃至12のアリール基を選択できる。炭素数1乃至4のアルキル基としては、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基及びブチル基が、炭素数6乃至12のアリール基としては、具体的にはフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基及びトリル基を挙げることができる。このような構造を有するカルバゾール化合物は、良好なキャリア輸送性を有し、発光素子のホスト材料やキャリア輸送層として好適に用いることができる。当該カルバゾール化合物が良好なキャリア輸送性を有することによって、駆動電圧の小さい発光素子を作製することが可能となる。また、当該カルバゾール化合物は、広いバンドギャップを有することから、青色及び青色より長波長の蛍光を発する発光中心物質や、緑色及び緑色より長波長のりん光を発する発光中心物質を分散するホスト材料として好適に用いることができる。当該カルバゾール化合物が広いバンドギャップ、ひいては大きい三重項励起エネルギーを有することで、ホスト材料で再結合したキャリアのエネルギーを発光中心物質へ有効に移動させることが可能となり、発光効率の高い発光素子を作製することが可能となる。また、広いバンドギャップを有する当該カルバゾール化合物は、青色の蛍光や緑色のりん光を発する発光中心物質を含む発光層に隣接するキャリア輸送層にも、発光中心物質の励起エネルギーを失活させることなく好適に利用することができる。そのため、発光効率の高い発光素子を作製することを可能とする。上述のようなカルバゾール化合物は下記一般式G1のように表すこともできる。但し、式中R1乃至R4はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基、フェニル基及びトリル基のいずれかを表し、R5は炭素数6乃至12のアリール基を表す。Xは硫黄原子若しくは酸素原子である。また、R6乃至R13はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基及び置換又は無置換の炭素数6乃至12のアリール基のいずれかを表す。当該アリール基が置換基を有する場合、置換基としては、具体的には炭素数1乃至4のアルキル基が挙げられる。また、Phは置換又は無置換のフェニレン基を表し、当該フェニレン基が置換基を有する場合、置換基としては炭素数1乃至4のアルキル基が適用できる。一般式G1中、R1乃至R4で表される基の具体的な例としては、下記構造式R-1乃至R-13で表される基が挙げられる。一般式G1中、R5で表される基の具体的な例としては、下記構造式R5-1乃至R5-11で表される基が挙げられる。一般式G1中、R6乃至R13で表される基の具体的な例としては、下記構造式R-1乃至R-20で表される基が挙げられる。上記一般式G1において、ジベンゾチオフェン骨格若しくはジベンゾフラン骨格が置換基を有する場合、当該置換基の位置は、R7、R9及びR12のいずれか若しくは複数であることが好ましい。これらの置換基は、臭素化若しくはボロン酸化によって容易に導入することが可能であり、合成が容易であることがその理由である。なお、R7乃至R13はすべて水素であることが、原料調達の容易さと言う観点から有利であり、安価に合成ができるためさらに好ましい構成である。同じ理由によりR1乃至R4、R6もすべて水素であることが好ましい。また、Phはパラ置換のフェニル基であることが、キャリアの輸送性が良好であるため好ましい構成である。また、熱物性例えば、ガラス転移温度:Tgの向上も期待できる。また、メタ置換のフェニレン基を用いた場合は、パラ置換のフェニレン基を用いた場合より、一般式G1で表されるカルバゾール化合物の立体性的な構造となり、成膜した際、アモルファス状態を保ちやすく、好ましい構成である。また、パラ置換のフェニレン基と比較するとバンドギャップがより広くなること、また、高いT1準位となることが期待できる。上記一般式G1として表されるカルバゾール化合物の具体的な構造の例としては、下記構造式100乃至162、200乃至262で表される物質などが挙げられる。以上のようなカルバゾール化合物は、キャリアの輸送性に優れていることからキャリア輸送材料やホスト材料として好適である。これにより、駆動電圧の小さい発光素子を提供することもできる。また、高い三重項励起エネルギー三重項励起状態と基底状態とのエネルギー差を有し、発光効率の高いりん光発光素子を得ることができる。また、高い三重項励起エネルギーを有するということは、広いバンドギャップを有するということもまた意味するため、青色蛍光を呈する発光素子も効率よく発光させることができる。さらに、本実施の形態で説明したカルバゾール化合物はバイポーラ性を有することから、発光領域の偏りを抑制し、三重項-三重項消滅などの影響を低減することができ、さらに発光効率の向上に寄与する。また、本実施の形態におけるカルバゾール化合物は、ジベンゾチオフェンやジベンゾフランのような剛直な基を有するため、モルフォロジーに優れ、膜質が安定である。さらに、熱物性にも優れる。また、青~紫~紫外の発光を呈する発光材料としても用いることができる。実施の形態2続いて、本実施の形態では、下記一般式G1で表されるカルバゾール化合物の合成方法について説明する。カルバゾール化合物の合成方法としては種々の反応を適用することができる。例えば、以下に示す合成反応を行うことによって、一般式G1で表されるカルバゾール化合物を合成することができる。まず、9H-カルバゾールの3位が、ハロゲン基、またはトリフラート基を有する化合物1と、ジベンゾフランまたはジベンゾチオフェンのボロン酸化合物化合物2とをカップリングさせることで、9H-カルバゾールの3位と、ジベンゾフランまたはジベンゾチオフェンの4位が結合した構造を有する9H-カルバゾール誘導体化合物3を得ることができる反応式A-1。反応式A-1においてXは硫黄または酸素を表し、X1はハロゲン基、またはトリフラート基等を表し、R6乃至R13は、水素、または、炭素数1乃至4のアルキル基、または、炭素数6乃至12のアリール基を表し、アリール基は置換基を有していても良い。また、化合物2は、ボロン酸がエチレングリコールなどにより保護されたホウ素化合物でも良い。反応式A-1において行うカップリング反応は、パラジウム触媒を用いた鈴木宮浦カップリング反応を用いることができる。また、化合物2のボロン酸化合物の代わりにグリニヤール試薬を用いた熊田カップリング反応や、ボロン酸化合物の代わりに有機亜鉛化合物を用いた根岸カップリング反応や、ボロン酸化合物の代わりに有機すず化合物を用いた右田小杉スティルカップリング等を行っても良い。次に、得られた9H-カルバゾール誘導体化合物3と、ベンゾイミダゾール誘導体のハロゲン化物化合物4とをカップリングすることにより、目的の化合物G1を得ることができる反応式A-2。反応式A-2において、Xは硫黄、または酸素を表し、X3はハロゲン基等を表わし、R1乃至R4は、水素、炭素数1乃至4のアルキル基、または、フェニル基を表し、R5は、炭素数6乃至12のアリール基を表し、R6乃至R13は、水素、炭素数1乃至4のアルキル基、または、炭素数6乃至12のアリール基を表し、アリール基は置換基を有していても良い。反応式A-2において行うカップリング反応は、パラジウム触媒を用いたブッフバルトハートウィッグ反応や、銅または銅化合物を用いたウルマン反応等により行うことができる。以上のように、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を合成することができる。実施の形態3本実施の形態では、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を有機半導体素子の一種である縦型トランジスタ静電誘導トランジスタ:SITの活性層として用いる形態を例示する。素子の構造としては、図2に示すように、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む薄膜状の活性層1202をソース電極1201およびドレイン電極1203で挟み、ゲート電極1204が活性層1202に埋め込まれた構造を有する。ゲート電極1204は、ゲート電圧を印加するための手段に電気的に接続されており、ソース電極1201およびドレイン電極1203は、ソース電極-ドレイン電極間の電圧を制御するための手段に電気的に接続されている。このような素子構造において、ゲート電極に電圧を印加しない状態においてソース電極-ドレイン電極間に電圧を印加すると、電流が流れるON状態となる。そして、その状態でゲート電極に電圧を印加するとゲート電極1204周辺に空乏層が発生し、電流が流れなくなるOFF状態となる。以上の機構により、トランジスタとして動作する。縦型トランジスタにおいては、発光素子と同様、高いキャリア輸送性と良好な膜質を兼ね備えた材料が活性層に求められるが、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物はその条件を十分に満たしており、好適に用いることができる。実施の形態4本実施の形態では実施の形態1に示したカルバゾール化合物を用いた発光素子の一態様について図1Aを用いて以下に説明する。本実施の形態における発光素子は、一対の電極間に複数の層を有する。本形態において、発光素子は、第1の電極102と、第2の電極104と、第1の電極102と第2の電極104との間に設けられた有機化合物を含む層103とから構成されている。なお、本形態では第1の電極102は陽極として機能し、第2の電極104は陰極として機能するものとして、以下説明をする。つまり、第1の電極102の方が第2の電極104よりも電位が高くなるように、第1の電極102と第2の電極104に電圧を印加したときに、発光が得られる構成となっている。基板101は発光素子の支持体として用いられる。基板101としては、例えばガラス、またはプラスチックなどを用いることができる。なお、発光素子の支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。第1の電極102としては、仕事関数の大きい具体的には4.0eV以上金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム-酸化スズITO:IndiumTinOxide、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム-酸化スズ、酸化インジウム-酸化亜鉛IZO:IndiumZincOxide、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムIWZO等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル-ゲル法などを応用して作製しても構わない。例えば、酸化インジウム-酸化亜鉛IZOは、酸化インジウムに対し1~20wtの酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムIWZOは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを0.5~5wt、酸化亜鉛を0.1~1wt含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。この他、金Au、白金Pt、ニッケルNi、タングステンW、クロムCr、モリブデンMo、鉄Fe、コバルトCo、銅Cu、パラジウムPd、グラフェン、または金属材料の窒化物例えば、窒化チタン等が挙げられる。有機化合物を含む層103の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質を含む層または正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性電子及び正孔の輸送性の高い物質の物質を含む層等を適宜組み合わせて構成すればよい。例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等を適宜組み合わせて構成することができる。本実施の形態では、有機化合物を含む層103は、第1の電極102の上に順に積層した正孔注入層111、正孔輸送層112、発光層113、電子輸送層114を有する構成について説明する。各層を構成する材料について以下に具体的に示す。正孔注入層111は、正孔注入性の高い物質を含む層である。モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン略称:H2Pcや銅フタロシアニンCuPC等のフタロシアニン系の化合物、4,4’-ビス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DPAB、N,N’-ビス[4-[ビス3-メチルフェニルアミノ]フェニル]-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:DNTPD等の芳香族アミン化合物、或いはポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸PEDOT/PSS等の高分子等によっても正孔注入層111を形成することができる。また、正孔注入層111として、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることができる。本明細書中において、複合材料とは、単に2つの材料を混合させた材料のことを指すのではなく、複数の材料を混合することによって材料間での電荷の授受が行われ得る状態になることを言う。この電荷の授受は、電界が存在している場合にのみ実現される場合も含むこととする。なお、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させたものを用いることにより、電極の仕事関数に依らず電極を形成する材料を選ぶことができる。つまり、第1の電極102として仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料も用いることができるようになる。アクセプター性物質としては、7,7,8,8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン略称:F4-TCNQ、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。複合材料に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール化合物、芳香族炭化水素、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等など、種々の有機化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。ただし、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料における正孔輸送性の高い物質として用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。例えば、芳香族アミン化合物としては、N,N’-ジp-トリル-N,N’-ジフェニル-p-フェニレンジアミン略称:DTDPPA、4,4’-ビス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DPAB、N,N’-ビス[4-[ビス3-メチルフェニルアミノ]フェニル]-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:DNTPD、1,3,5-トリス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ベンゼン略称:DPA3B等を挙げることができる。複合材料に用いることのできるカルバゾール化合物としては、具体的には、3-[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA1、3,6-ビス[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA2、3-[N-1-ナフチル-N-9-フェニルカルバゾール-3-イルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCN1等を挙げることができる。また、複合材料に用いることのできるカルバゾール化合物としては、他に、4,4’-ジN-カルバゾリルビフェニル略称:CBP、1,3,5-トリス[4-N-カルバゾリルフェニル]ベンゼン略称:TCPB、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPA、1,4-ビス[4-N-カルバゾリルフェニル]-2,3,5,6-テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。また、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、2-tert-ブチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、2-tert-ブチル-9,10-ビス4-フェニルフェニルアントラセン略称:t-BuDBA、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、2-tert-ブチルアントラセン略称:t-BuAnth、9,10-ビス4-メチル-1-ナフチルアントラセン略称:DMNA、2-tert-ブチル-9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]アントラセン、9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]アントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン、9,9’-ビアントリル、10,10’-ジフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス2-フェニルフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス[2,3,4,5,6-ペンタフェニルフェニル]-9,9’-ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11-テトラtert-ブチルペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、1×10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有し、炭素数14~42である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。なお、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、4,4’-ビス2,2-ジフェニルビニルビフェニル略称:DPVBi、9,10-ビス[4-2,2-ジフェニルビニルフェニル]アントラセン略称:DPVPA等が挙げられる。また、ポリN-ビニルカルバゾール略称:PVKやポリ4-ビニルトリフェニルアミン略称:PVTPA、ポリ[N-4-{N’-[4-4-ジフェニルアミノフェニル]フェニル-N’-フェニルアミノ}フェニルメタクリルアミド]略称:PTPDMA、ポリ[N,N’-ビス4-ブチルフェニル-N,N’-ビスフェニルベンジジン]略称:Poly-TPD等の高分子化合物を用いることもできる。また実施の形態1に記載のカルバゾール化合物も、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素である。正孔輸送層112は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、上述の複合材料として用いることができる正孔輸送性の高い物質として挙げたものを同様に用いることができる。なお、繰り返しとなるため詳しい説明は省略する。複合材料の記載を参照されたい。実施の形態1に記載の一般式G1で表されるカルバゾール化合物はバイポーラ性を有するため、正孔輸送層112として適用することもできる。広いバンドギャップを有する当該カルバゾール化合物は、青色の蛍光や緑色のりん光を発する発光中心物質を含む発光層に隣接するキャリア輸送層を構成する材料としても、発光中心物質の励起エネルギーを失活させることなく好適に利用することができる。そのため、発光効率の高い発光素子を作製することを可能とする。もちろん、青より長波長の蛍光や緑より長波長のりん光を発する発光中心物質を含む発光層に隣接するキャリア輸送層を構成する材料としても用いることが可能であるし、青より短波長の蛍光や緑より短波長のりん光を発する発光中心物質を含む発光層に隣接するキャリア輸送層を構成する材料として用いてもかまわない。発光層113は、発光性の物質を含む層である。発光層113は、発光物質単独の膜で構成されていても、ホスト材料中に発光中心物質を分散された膜で構成されていても良い。発光層113において、発光物質、若しくは発光中心物質として用いることが可能な材料としては特に限定は無く、これら材料が発する光は蛍光であってもりん光であっても良い。上記発光物質又は発光中心物質としては例えば、以下のようなものが挙げられる。蛍光発光性の物質としては、N,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrn、N,N’-ビス[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N,N’-ジフェニルスチルベン-4,4’-ジアミン略称:YGA2S、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:YGAPA、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-9,10-ジフェニル-2-アントリルトリフェニルアミン略称:2YGAPPA、N,9-ジフェニル-N-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPA、ペリレン、2,5,8,11-テトラ-tert-ブチルペリレン略称:TBP、4-10-フェニル-9-アントリル-4’-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルトリフェニルアミン略称:PCBAPA、N,N’’-2-tert-ブチルアントラセン-9,10-ジイルジ-4,1-フェニレンビス[N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン]略称:DPABPA、N,9-ジフェニル-N-[4-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPPA、N-[4-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPAPPA、N,N,N’,N’,N’’,N’’,N’’’,N’’’-オクタフェニルジベンゾ[g,p]クリセン-2,7,10,15-テトラアミン略称:DBC1、クマリン30、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCABPhA、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPABPhA、9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-N-[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N-フェニルアントラセン-2-アミン略称:2YGABPhA、N,N,9-トリフェニルアントラセン-9-アミン略称:DPhAPhA、クマリン545T、N,N’-ジフェニルキナクリドン略称:DPQd、ルブレン、5,12-ビス1,1’-ビフェニル-4-イル-6,11-ジフェニルテトラセン略称:BPT、2-2-{2-[4-ジメチルアミノフェニル]エテニル}-6-メチル-4H-ピラン-4-イリデンプロパンジニトリル略称:DCM1、2-{2-メチル-6-[2-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:DCM2、N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルテトラセン-5,11-ジアミン略称:p-mPhTD、7,14-ジフェニル-N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルアセナフト[1,2-a]フルオランテン-3,10-ジアミン略称:p-mPhAFD、2-{2-イソプロピル-6-[2-1,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:DCJTI、2-{2-tert-ブチル-6-[2-1,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:DCJTB、2-2,6-ビス{2-[4-ジメチルアミノフェニル]エテニル}-4H-ピラン-4-イリデンプロパンジニトリル略称:BisDCM、2-{2,6-ビス[2-8-メトキシ-1,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:BisDCJTMなどが挙げられる。りん光発光性の物質としては、ビス[2-3’,5’-ビストリフルオロメチルフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIピコリナート略称:IrCF3ppy2pic、ビス[2-4’,6’-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:FIracac、トリス2-フェニルピリジナトイリジウムIII略称:Irppy3、ビス2-フェニルピリジナトイリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irppy2acac、トリスアセチルアセトナトモノフェナントロリンテルビウムIII略称:Tbacac3Phen、ビスベンゾ[h]キノリナトイリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbzq2acac、ビス2,4-ジフェニル-1,3-オキサゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irdpo2acac、ビス[2-4’-パーフルオロフェニルフェニルピリジナト]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irp-PF-ph2acac、ビス2-フェニルベンゾチアゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbt2acac、ビス[2-2’-ベンゾ[4,5-α]チエニルピリジナト-N,C3’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbtp2acac、ビス1-フェニルイソキノリナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpiq2acac、アセチルアセトナトビス[2,3-ビス4-フルオロフェニルキノキサリナト]イリジウムIII略称:IrFdpq2acac、アセチルアセトナトビス2,3,5-トリフェニルピラジナトイリジウムIII略称:Irtppr2acac、2,3,7,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィリン白金II略称:PtOEP、トリス1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオナトモノフェナントロリンユーロピウムIII略称:EuDBM3Phen、トリス[1-2-テノイル-3,3,3-トリフルオロアセトナト]モノフェナントロリンユーロピウムIII略称:EuTTA3Phenなどが挙げられる。なお、実施の形態1に記載の一般式G1で表されるカルバゾール化合物に代表される本発明に係るカルバゾール化合物も、青~紫~紫外領域の発光を呈することから、発光中心物質としての使用も可能である。実施の形態1に記載の一般式G1で表されるカルバゾール化合物は、バンドギャップが広く、及び三重項励起エネルギー三重項励起状態と基底状態とのエネルギー差が大きいため、青色の蛍光を発する発光中心物質や緑色のりん光を発する発光中心物質を分散するホスト材料としても好適に用いることができる。もちろん、青色より長波長の蛍光を発する発光中心物質や緑色よりも長波長のりん光を発する発光中心物質を分散するホスト材料としても用いることが可能であるし、青より短波長の蛍光や緑より短波長のりん光を発する発光中心物質を含む発光層に隣接するキャリア輸送層を構成する材料として用いてもかまわない。当該カルバゾール化合物が広いバンドギャップ若しくは大きい三重項励起エネルギーを有することで、ホスト材料で再結合したキャリアのエネルギーを発光中心物質へ有効に移動させることが可能となり、発光効率の高い発光素子を作製することが可能となる。なお、実施の形態1に記載の一般式G1で表されるカルバゾール誘導体をホストとして用いる場合、発光中心物質としては、当該カルバゾール化合物よりもバンドギャップが狭い若しくは三重項励起エネルギーが小さい物質を選択することが好ましいが、これに限られることはない。また、上記ホスト材料として一般式G1で表されるカルバゾール化合物を用いない場合、ホスト材料としては、トリス8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウムII略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウムIII略称:BAlq、ビス8-キノリノラト亜鉛II略称:Znq、ビス[2-2-ベンゾオキサゾリルフェノラト]亜鉛II略称:ZnPBO、ビス[2-2-ベンゾチアゾリルフェノラト]亜鉛II略称:ZnBTZなどの金属錯体、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBD、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、2,2’,2’’-1,3,5-ベンゼントリイルトリス1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:TPBI、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCP、9-[4-5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CO11などの複素環化合物、4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:NPBまたはα-NPD、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:TPD、4,4’-ビス[N-スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル-N―フェニルアミノ]ビフェニル略称:BSPBなどの芳香族アミン化合物が挙げられる。また、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ジベンゾ[g,p]クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられ、具体的には、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、N,N-ジフェニル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:CzA1PA、4-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:DPhPA、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:YGAPA、N,9-ジフェニル-N-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPA、N,9-ジフェニル-N-{4-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]フェニル}-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPBA、N,9-ジフェニル-N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPA、6,12-ジメトキシ-5,11-ジフェニルクリセン、N,N,N’,N’,N’’,N’’,N’’’,N’’’-オクタフェニルジベンゾ[g,p]クリセン-2,7,10,15-テトラアミン略称:DBC1、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPA、3,6-ジフェニル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DPCzPA、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、9,9’-ビアントリル略称:BANT、9,9’-スチルベン-3,3’-ジイルジフェナントレン略称:DPNS、9,9’-スチルベン-4,4’-ジイルジフェナントレン略称:DPNS2、3,3’,3’’-ベンゼン-1,3,5-トリイルトリピレン略称:TPB3などの他、公知の材料を挙げることができる。なお、発光層113は2層以上の複数層でもって構成することもできる。例えば、第1の発光層と第2の発光層を正孔輸送層側から順に積層して発光層113とする場合、第1の発光層のホスト材料として正孔輸送性を有する物質を用い、第2の発光層のホスト材料として電子輸送性を有する物質を用いる構成などがある。以上のような構成を有する発光層は、複数の材料で構成されている場合、真空蒸着法での共蒸着や、混合溶液としてインクジェット法やスピンコート法やディップコート法などを用いて作製することができる。電子輸送層114は、電子輸送性の高い物質を含む層である。例えば、トリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウム略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウム略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウム略称:BAlqなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等からなる層である。また、この他ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンズオキサゾラト]亜鉛略称:ZnBOX2、ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾチアゾラト]亜鉛略称:ZnBTZ2などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBDや、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCPなども用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。実施の形態1に記載の一般式G1で表されるカルバゾール誘導体はバイポーラ性を有することから電子輸送層114として適用することもできる。広いバンドギャップを有する当該カルバゾール化合物は、青色の蛍光や緑色のりん光を発する発光中心物質を含む発光層に隣接するキャリア輸送層を構成する材料としても、発光中心物質の励起エネルギーを失活させることなく好適に利用することができる。そのため、発光効率の高い発光素子を作製することを可能とする。もちろん、青より長波長の蛍光や緑より長波長のりん光を発する発光中心物質を含む発光層に隣接するキャリア輸送層を構成する材料としても用いることが可能であるし、青より短波長の蛍光や緑より短波長のりん光を発する発光中心物質を含む発光層に隣接するキャリア輸送層を構成する材料として用いてもかまわない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。また、電子輸送層と発光層との間に電子キャリアの移動を制御する層を設けても良い。これは上述したような電子輸送性の高い材料に、電子トラップ性の高い物質を少量添加した層であって、電子キャリアの移動を抑制することによって、キャリアバランスを調節することが可能となる。このような構成は、発光層を電子が突き抜けてしまうことにより発生する問題例えば素子寿命の低下の抑制に大きな効果を発揮する。また、電子輸送層と第2の電極104との間に、第2の電極104に接して電子注入層を設けてもよい。電子注入層としては、フッ化リチウムLiF、フッ化セシウムCsF、フッ化カルシウムCaF2等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を用いることができる。例えば、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を含有させたもの、例えばAlq中にマグネシウムMgを含有させたもの等を用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含有させたものを用いることにより、第2の電極104からの電子注入が効率良く行われるためより好ましい。第2の電極104を形成する物質としては、仕事関数の小さい具体的には3.8eV以下金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウムLiやセシウムCs等のアルカリ金属、およびマグネシウムMg、カルシウムCa、ストロンチウムSr等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金MgAg、AlLi、ユウロピウムEu、イッテルビウムYb等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。しかしながら、第2の電極104と電子輸送層との間に、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Al、Ag、ITO、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム-酸化スズ等様々な導電性材料を第2の電極104として用いることができる。これら導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することが可能である。また、有機化合物を含む層103の形成方法としては、乾式法、湿式法を問わず、種々の方法を用いることができる。例えば、真空蒸着法、インクジェット法またはスピンコート法など用いても構わない。また各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。電極についても、ゾル-ゲル法を用いて湿式法で形成しても良いし、金属材料のペーストを用いて湿式法で形成してもよい。また、スパッタリング法や真空蒸着法などの乾式法を用いて形成しても良い。以上のような構成を有する発光素子は、第1の電極102と第2の電極104との間に生じた電位差により電流が流れ、発光性の高い物質を含む層である発光層113において正孔と電子とが再結合し、発光するものである。つまり発光層113に発光領域が形成されるような構成となっている。発光は、第1の電極102または第2の電極104のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第1の電極102または第2の電極104のいずれか一方または両方は、透光性を有する電極で成る。第1の電極102のみが透光性を有する電極である場合、発光は第1の電極102を通って基板側から取り出される。また、第2の電極104のみが透光性を有する電極である場合、発光は第2の電極104を通って基板と逆側から取り出される。第1の電極102および第2の電極104がいずれも透光性を有する電極である場合、発光は第1の電極102および第2の電極104を通って、基板側および基板と逆側の両方から取り出される。なお、第1の電極102と第2の電極104との間に設けられる層の構成は、上記のものには限定されない。しかし、発光領域と電極やキャリア注入層に用いられる金属とが近接することによって生じる消光が抑制されるように、第1の電極102および第2の電極104から離れた部位に正孔と電子とが再結合する発光領域を設けた構成が好ましい。また、層の積層順もこれに限定されず、基板側から第2の電極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、第1の電極といった、図1Aとは反対の順番に積層された積層構造であっても良い。また、直接発光層に接する正孔輸送層や電子輸送層、特に発光層113における発光領域に近い方に接するキャリア輸送層は、発光層で生成した励起子からのエネルギー移動を抑制するため、そのバンドギャップが発光層を構成する発光物質もしくは、発光層に含まれる発光中心物質が有するバンドギャップより大きいバンドギャップを有する物質で構成することが好ましい。本実施の形態における発光素子は、ホスト材料及び/又は電子輸送層として、バンドギャップの大きい実施の形態1に記載のカルバゾール化合物が用いられていることから、発光中心物質がバンドギャップの大きい、青色の蛍光を呈する物質であっても、効率良く発光させることができ、発光効率の良好な発光素子を得ることができるようになる。このことで、より低消費電力の発光素子を提供することが可能となる。また、ホスト材料やキャリア輸送層を構成する材料からの発光が起こりにくいため、色純度の良い発光を得ることができる発光素子を提供することができるようになる。また、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物は、キャリアの輸送性に優れることから、駆動電圧の小さい発光素子を提供することが可能となる。本実施の形態においては、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に発光素子を作製している。一基板上にこのような発光素子を複数作製することで、パッシブマトリクス型の発光装置を作製することができる。また、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に、例えば薄膜トランジスタTFTを形成し、TFTと電気的に接続された電極上に発光素子を作製してもよい。これにより、TFTによって発光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の発光装置を作製できる。なお、TFTの構造は、特に限定されない。スタガ型のTFTでもよいし逆スタガ型のTFTでもよい。また、TFTに用いる半導体の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体を用いてもよいし、結晶性半導体を用いてもよい。また、TFT基板に形成される駆動用回路についても、N型およびP型のTFTからなるものでもよいし、若しくはN型のTFTまたはP型のTFTのいずれか一方からのみなるものであってもよい。実施の形態5本実施の形態は、複数の発光ユニットを積層した構成の発光素子以下、積層型素子ともいうの態様について、図1Bを参照して説明する。この発光素子は、第1の電極と第2の電極との間に、複数の発光ユニットを有する発光素子である。発光ユニットとしては、実施の形態4で示した有機化合物を含む層103と同様な構成を用いることができる。つまり、実施の形態4で示した発光素子は、1つの発光ユニットを有する発光素子であり、本実施の形態では、複数の発光ユニットを有する発光素子ということができる。図1Bにおいて、第1の電極501と第2の電極502との間には、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512が積層されており、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512との間には電荷発生層513が設けられている。第1の電極501と第2の電極502はそれぞれ実施の形態4における第1の電極102と第2の電極104に相当し、実施の形態4で説明したものと同様なものを適用することができる。また、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512は同じ構成であっても異なる構成であってもよい。電荷発生層513には、有機化合物と金属酸化物の複合材料が含まれている。この有機化合物と金属酸化物の複合材料は、実施の形態4で示した複合材料であり、有機化合物とバナジウム酸化物やモリブデン酸化物やタングステン酸化物等の金属酸化物を含む。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール化合物、芳香族炭化水素、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等など、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔輸送性有機化合物として正孔移動度が10-6cm2/Vs以上であるものを適用することが好ましい。ただし、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。有機化合物と金属酸化物の複合体は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実現することができる。なお、電荷発生層513は、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と他の材料により構成される層を組み合わせて形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合わせて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電膜とを組み合わせて形成してもよい。いずれにしても、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512に挟まれる電荷発生層513は、第1の電極501と第2の電極502に電圧を印加したときに、一方の発光ユニットに電子を注入し、他方の発光ユニットに正孔を注入するものであれば良い。例えば、図1Bにおいて、第1の電極の電位の方が第2の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加した場合、電荷発生層513は、第1の発光ユニット511に電子を注入し、第2の発光ユニット512に正孔を注入するものであればよい。本実施の形態では、2つの発光ユニットを有する発光素子について説明したが、同様に、3つ以上の発光ユニットを積層した発光素子についても、同様に適用することが可能である。本実施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での長寿命素子を実現できる。また、照明を応用例とした場合は、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる。また、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光装置を実現することができる。また、それぞれの発光ユニットの発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、2つの発光ユニットを有する発光素子において、第1の発光ユニットの発光色と第2の発光ユニットの発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、3つの発光ユニットを有する発光素子の場合でも同様であり、例えば、第1の発光ユニットの発光色が赤色であり、第2の発光ユニットの発光色が緑色であり、第3の発光ユニットの発光色が青色である場合、発光素子全体としては、白色発光を得ることができる。本実施の形態の発光素子は実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むことから、発光効率の良好な発光素子とすることができる。また、駆動電圧の小さな発光素子とすることができる。又、当該カルバゾール化合物が含まれる発光ユニットは発光中心物質由来の光を色純度良く得られるため、発光素子全体としての色の調製が容易となる。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。実施の形態6本実施の形態では、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を用いた発光装置について説明する。本実施の形態では、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を用いて作製された発光装置の一例について図3を用いて説明する。なお、図3Aは、発光装置を示す上面図、図3Bは図3AをA-A’およびB-B’で切断した断面図である。この発光装置は、発光素子の発光を制御するものとして、点線で示された駆動回路部ソース側駆動回路601、画素部602、駆動回路部ゲート側駆動回路603を含んでいる。また、604は封止基板、605はシール材であり、シール材605で囲まれた内側は、空間607になっている。なお、引き回し配線608はソース側駆動回路601及びゲート側駆動回路603に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPCフレキシブルプリントサーキット609からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント配線基板PWBが取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものとする。次に、断面構造について図3Bを用いて説明する。素子基板610上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路601と、画素部602中の一つの画素が示されている。なお、ソース側駆動回路601はnチャネル型TFT623とpチャネル型TFT624とを組み合わせたCMOS回路が形成される。また、駆動回路は、種々のCMOS回路、PMOS回路もしくはNMOS回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。また、画素部602はスイッチング用TFT611と、電流制御用TFT612とそのドレインに電気的に接続された第1の電極613とを含む複数の画素により形成される。なお、第1の電極613の端部を覆って絶縁物614が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。また、被覆性を良好なものとするため、絶縁物614の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物614の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物614の上端部のみに曲率半径0.2μm~3μmを有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物614として、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。第1の電極613上には、有機化合物を含む層616、および第2の電極617がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第1の電極613に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ITO膜、またはケイ素を含有したインジウム錫酸化物膜、2~20wtの酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Zn膜、Pt膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との3層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。また、有機化合物を含む層616は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート法等の種々の方法によって形成される。有機化合物を含む層616は、実施の形態1で示したカルバゾール化合物を含んでいる。また、有機化合物を含む層616を構成する他の材料としては、低分子化合物、または高分子化合物オリゴマー、デンドリマーを含むであっても良い。さらに、有機化合物を含む層616上に形成され、陰極として機能する第2の電極617に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料Al、Mg、Li、Ca、またはこれらの合金や化合物、MgAg、MgIn、AlLi等を用いることが好ましい。なお、有機化合物を含む層616で生じた光が第2の電極617を透過させる場合には、第2の電極617として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜ITO、2~20wtの酸化亜鉛を含む酸化インジウム、ケイ素を含有したインジウム錫酸化物、酸化亜鉛ZnO等との積層を用いるのが良い。なお、第1の電極613、有機化合物を含む層616、第2の電極617でもって、発光素子が形成されている。当該発光素子は実施の形態4乃至実施の形態5いずれかの構成を有する発光素子である。なお、画素部は複数の発光素子が形成されてなっているが、本実施の形態における発光装置では、実施の形態4乃至実施の形態5で説明した構成を有する発光素子と、それ以外の構成を有する発光素子の両方が含まれていても良い。さらにシール材605で封止基板604を素子基板610と貼り合わせることにより、素子基板610、封止基板604、およびシール材605で囲まれた空間607に発光素子618が備えられた構造になっている。なお、空間607には、充填材が充填されており、不活性気体窒素やアルゴン等が充填される場合の他、シール材605で充填される場合もある。なお、シール材605にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板604に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRPFiberglass-ReinforcedPlastics、PVFポリビニルフロライド、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。以上のようにして、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を用いて作製された発光装置を得ることができる。本実施の形態における発光装置は、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を用いているため、良好な特性を備えた発光装置を得ることができる。具体的には、実施の形態1で示したカルバゾール化合物はバンドギャップや三重項励起エネルギーが大きく、発光物質からのエネルギーの移動を抑制することが可能であることから、発光効率の良好な発光素子を提供することができ、もって、消費電力の低減された発光装置とすることができる。また、駆動電圧の小さい発光素子を得ることができることから、駆動電圧の小さい発光装置を得ることができる。ここまでは、アクティブマトリクス型の発光装置について説明したが、以下からはパッシブマトリクス型の発光装置について説明する。図4には本発明を適用して作製したパッシブマトリクス型の発光装置を示す。なお、図4Aは、発光装置を示す斜視図、図4Bは図4AをX-Yで切断した断面図である。図4において、基板951上には、電極952と電極956との間には有機化合物を含む層955が設けられている。電極952の端部は絶縁層953で覆われている。そして、絶縁層953上には隔壁層954が設けられている。隔壁層954の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層954の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接する辺の方が上辺絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接しない辺よりも短い。このように、隔壁層954を設けることで、静電気等に起因した発光素子の不良を防ぐことが出来る。また、パッシブマトリクス型の発光装置においても、低駆動電圧で動作する実施の形態4乃至実施の形態5のいずれかに記載の、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を有することによって、低消費電力で駆動させることができる。また、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むために発光効率の高い実施の形態4乃至実施の形態5のいずれかに記載の発光素子を含むことによって、低消費電力で駆動させることができる。以上、説明した発光装置は、マトリクス状に配置された多数の微小な発光素子をそれぞれ制御することが可能であるため、画像の表現を行う表示装置として好適に利用できる発光装置である。実施の形態7本実施の形態では、実施の形態4又は実施の形態5に示す発光素子をその一部に含む電子機器について説明する。実施の形態4又は実施の形態5に記載の発光素子は、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むことから、消費電力が低減された発光素子であり、その結果、本実施の形態に記載の電子機器は、消費電力が低減された表示部を有する電子機器とすることが可能である。また、実施の形態4又は実施の形態5に記載の発光素子は、駆動電圧の小さい発光素子であるため、駆動電圧の小さい電子機器とすることが可能である。上記発光素子を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を以下に示す。図5Aは、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置は、筐体7101に表示部7103が組み込まれている。また、ここでは、スタンド7105により筐体7101を支持した構成を示している。表示部7103により、映像を表示することが可能であり、表示部7103は、実施の形態4または実施の形態5で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むため発光効率の良好な発光素子とすることが可能である。また、駆動電圧の小さい発光素子とすることが可能である。そのため、当該発光素子で構成される表示部7103を有するテレビ装置は消費電力の低減されたテレビ装置とすることができる。また、駆動電圧の小さいテレビ装置とすることが可能である。テレビジョン装置の操作は、筐体7101が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機7110により行うことができる。リモコン操作機7110が備える操作キー7109により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部7103に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機7110に、当該リモコン操作機7110から出力する情報を表示する表示部7107を設ける構成としてもよい。なお、テレビジョン装置は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向送信者から受信者または双方向送信者と受信者間、あるいは受信者間同士などの情報通信を行うことも可能である。図5Bはコンピュータであり、本体7201、筐体7202、表示部7203、キーボード7204、外部接続ポート7205、ポインティングデバイス7206等を含む。なお、このコンピュータは、実施の形態4または実施の形態5で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して表示部7203に用いることにより作製される。当該発光素子は、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むため発光効率の良好な発光素子とすることが可能である。また、駆動電圧の小さい発光素子とすることが可能である。そのため、当該発光素子で構成される表示部7203を有するコンピュータは消費電力の低減されたコンピュータとすることができる。また、駆動電圧の小さいコンピュータとすることが可能である。図5Cは携帯型遊技機であり、筐体7301と筐体7302の2つの筐体で構成されており、連結部7303により、開閉可能に連結されている。筐体7301には、実施の形態4または実施の形態5で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して作製された表示部7304が組み込まれ、筐体7302には表示部7305が組み込まれている。また、図5Cに示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部7306、記録媒体挿入部7307、LEDランプ7308、入力手段操作キー7309、接続端子7310、センサ7311力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの、マイクロフォン7312等を備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部7304および表示部7305の両方、または一方に実施の形態4または実施の形態5で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して作製された表示部を用いていればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図5Cに示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図5Cに示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。上述のような表示部7304を有する携帯型遊技機は、表示部7304に用いられている発光素子が、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むことによって、良好な発光効率を有することから、消費電力の低減された携帯型遊技機とすることができる。また、表示部7304に用いられている発光素子が実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むことによって、低い駆動電圧で駆動させることができることから、駆動電圧の小さい携帯型遊技機とすることができる。図5Dは、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機7400は、筐体7401に組み込まれた表示部7402の他、操作ボタン7403、外部接続ポート7404、スピーカ7405、マイク7406などを備えている。なお、携帯電話機7400は、実施の形態4または実施の形態5で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して作製された表示部7402を有している。当該発光素子は、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むため発光効率の良好な発光素子とすることが可能である。また、駆動電圧の小さい発光素子とすることが可能である。そのため、当該発光素子で構成される表示部7402を有する携帯電話機は消費電力の低減された携帯電話機とすることができる。また、駆動電圧の小さい携帯電話機とすることが可能である。図5Dに示す携帯電話機は、表示部7402を指などで触れることで、情報を入力することができる構成とすることもできる。この場合、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部7402を指などで触れることにより行うことができる。表示部7402の画面は主として3つのモードがある。第1は、画像の表示を主とする表示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表示モードと入力モードの2つのモードが混合した表示入力モードである。例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部7402を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部7402の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好ましい。また、携帯電話機内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機の向き縦か横かを判断して、表示部7402の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。また、画面モードの切り替えは、表示部7402を触れること、又は筐体7401の操作ボタン7403の操作により行われる。また、表示部7402に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。また、入力モードにおいて、表示部7402の光センサで検出される信号を検知し、表示部7402のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。表示部7402は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部7402に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。なお、本実施の形態に示す構成は、実施の形態1乃至実施の形態3に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。以上の様に、実施の形態4または実施の形態5で説明したような、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を備えた発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を用いることにより、消費電力の低減された電子機器を得ることができる。また、駆動電圧の小さい電子機器を得ることができる。また、実施の形態4または実施の形態5に記載の発光素子は、照明装置に用いることもできる。実施の形態4または実施の形態5に記載の発光素子を照明装置に用いる一態様を、図6を用いて説明する。なお、照明装置とは、実施の形態4または実施の形態5に記載の発光素子を光の照射手段として有し、且つ少なくとも当該発光素子へ電流を供給する入出力端子部を有するものとする。また、当該発光素子は、封止手段によって、外部雰囲気より遮断されていることが好ましい。図6は、実施の形態4または実施の形態5に記載の発光素子をバックライトに適用した液晶表示装置の一例である。図6に示した液晶表示装置は、筐体901、液晶層902、バックライト903、筐体904を有し、液晶層902は、ドライバIC905と接続されている。また、バックライト903には、実施の形態4または実施の形態5に記載の発光素子が用いられおり、端子906により、電流が供給されている。実施の形態4または実施の形態5に記載の発光素子を液晶表示装置のバックライトに適用したことにより、消費電力の低減されたバックライトが得られる。また、実施の形態4または実施の形態5に記載の発光素子を用いることで、面発光の照明装置が作製でき、また大面積化も可能である。これにより、バックライトの大面積化が可能であり、液晶表示装置の大面積化も可能になる。さらに、実施の形態4または実施の形態5に記載の発光素子を適用したバックライトは従来と比較し厚みを小さくできるため、表示装置の薄型化も可能となる。図7は、実施の形態4または実施の形態5に記載の発光素子を、照明装置である電気スタンドに用いた例である。図7に示す電気スタンドは、筐体2001と、光源2002を有し、光源2002として実施の形態4または実施の形態5に記載の発光素子が用いられている。図8は、実施の形態4または実施の形態5に記載の発光素子を、室内の照明装置3001、3002に適用した例である。実施の形態4または実施の形態5に記載の発光素子は消費電力の低減された発光素子であるため、消費電力の低減された照明装置とすることができる。また、実施の形態4または実施の形態5に記載の発光素子は、大面積化が可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、実施の形態4または実施の形態5に記載の発光素子は厚みが小さいため、薄型化した照明装置を作製することが可能となる。実施の形態4または実施の形態5に記載の発光素子は、自動車のフロントガラスやダッシュボードにも搭載することができる。図9に実施の形態4または実施の形態5に記載の発光素子を自動車のフロントガラスやダッシュボードに用いる一態様を示す。表示5000乃至表示5005は実施の形態4または実施の形態5に記載の発光素子を用いて設けられた表示である。表示5000と表示5001は自動車のフロントガラスに設けられた実施の形態4または実施の形態5に記載の発光素子を搭載した表示装置である。実施の形態4または実施の形態5に記載の発光素子は、第1の電極と第2の電極を透光性を有する電極で作製することによって、反対側が透けて見える、いわゆるシースルー状態の表示装置とすることができる。シースルー状態の表示であれば、自動車のフロントガラスに設置したとしても、視界の妨げになることなく設置することができる。なお、駆動のためのトランジスタなどを設ける場合には、有機半導体材料による有機トランジスタや、酸化物半導体を用いたトランジスタなど、透光性を有するトランジスタを用いると良い。表示5002はピラー部分に設けられた実施の形態4または実施の形態5に記載の発光素子を搭載した表示装置である。表示5002には、車体に設けられた撮像素子からの映像を映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を補完することができる。また、同様に、ダッシュボード部分に設けられた表示5003は車体によって遮られた視界を、自動車の外側に設けられた撮像素子からの映像を映し出すことによって、死角を補い、安全性を高めることができる。見えない部分を補完するように映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。表示5004や表示5005はナビゲーション情報、スピードメーターやタコメーター、走行距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その他様々な情報を提供することができる。表示は使用者の好みに合わせて適宜その表示項目やレイアウトを変更することができる。なお、これら情報は表示5000乃至表示5003にも設けることができる。また、表示5000乃至表示5005は照明装置として用いることも可能である。実施の形態4または実施の形態5に記載の発光素子は実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むことによって、駆動電圧の小さい発光素子とすることができ、もしくは消費電力の小さい発光装置とすることができる。このことから、大きな画面を数多く設けても、バッテリーに負荷をかけることが少なく、快適に使用することができ、実施の形態4または実施の形態5に記載の発光素子を用いた発光装置または照明装置は、車載用の発光装置又は照明装置として好適に用いることができる。≪合成例1≫本実施例では一般式G1で表されるカルバゾール誘導体である、2-[4-{3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾール-9-イル}フェニル]-1-フェニルベンゾイミダゾール略称:DBTCzBIm-IIの合成方法について説明する。DBTCzBIm-IIの構造を下記構造式100に示す。まず、DBTCzBIm-IIの合成中間体である、3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールの合成方法を説明する。3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールは下記構造式で表されるカルバゾール誘導体である。<ステップ1:3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールの合成>3.0g12mmolの3-ブロモカルバゾールと、2.8g12mmolのジベンゾチオフェン-4-ボロン酸と、150mg0.5molのトリオルト-トリルホスフィンを、200mL三つ口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物へ40mLのトルエンと、40mLのエタノールと、15mL2.0mol/Lの炭酸カリウム水溶液を加えた。フラスコ内を減圧下で攪拌することにより、混合物を脱気した。脱気後窒素置換し、この混合物へ、23mg0.10mmolの酢酸パラジウムIIを加えてから、110°Cで3時間還流した。還流後、混合物を室温までさましてから、得られた固体を吸引ろ過により回収した。回収した個体を100mLのトルエンに溶かし、この溶液をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、アルミナを通してろ過した。得られたろ液を濃縮して得た固体を、トルエン/ヘキサンにより再結晶したところ白色固体を1.4g、収率32で得た。ステップ1の合成スキームをa-1に示す。<ステップ2:N-フェニル-2-{4-[3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾール-9-イル]フェニル}ベンゾイミダゾール略称:DBTCzBIm-IIの合成>0.36g1.0mmolのN-フェニル-2-4-ブロモフェニルベンゾイミダゾールと、0.36g1.0mmolの3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールを100mLの三口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物へ、10mLのトルエンと、0.10mLのトリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液と、0.15g4.3mmolのナトリウムtert-ブトキシドを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した。この混合物を80°Cに加熱してから、5.0mg0.025mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を加え更に、80°Cで3時間攪拌した。撹拌後、この混合物へ14mg0.025mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を追加してから、更に110°Cで7.5時間撹拌した。撹拌後、混合物へ約30mLのトルエンを加えてから80°Cで撹拌しこの混合物を、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、アルミナを通して酢酸エチルを用いて熱ろ過した。得られたろ液を濃縮し、白色固体を得た。得られた個体を、トルエンに溶かし、シリカゲルカラムクロマドグラフィー展開溶媒、ヘキサン:酢酸エチル=4:1により精製し、さらにトルエン/ヘキサンを用いて再結晶しところ、白色個体を0.41g、収率65で得た。ステップ2の合成スキームをb-1に示す。得られた白色固体0.40gを昇華精製した。昇華精製は、トレインサブリメーション法を用い、圧力は2.3Pa、アルゴンガスを流量5.0mL/minで流しながら、得られた白色固体を290°Cで加熱することにより行った。昇華精製後、無色透明固体を0.32g、回収率78で得た。昇華精製後の無色透明固体を核磁気共鳴法1HNMRにより測定した。以下に測定データを示す。また、1HNMRチャートを図10に示す。なお、図10Bは、図10Aにおける7.00ppm-8.75ppmの範囲を拡大して示したグラフである。1HNMRCDCl3、300MHz:δ=7.31-7.42m、4H、7.44-7.49m、6H、7.51-7.64m、8H、7.79-7.89m、4H、7.94d、J=7.8Hz、1H、8.45-8.23m、3H、8.49d、J=2.1Hz、1H測定結果から、上述の構造式100で表されるカルバゾール誘導体であるDBTCzBIm-IIが得られたことがわかった。次に、DBTCzBIm-IIのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図11Aに、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図11Bに示す。スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、DBTCzBIm-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定した。また、薄膜のスペクトルは、DBTCzBIm-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製した。なお、トルエン溶液の吸収スペクトルは石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示し、薄膜の吸収スペクトルは石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。図11Aより、DBTCzBIm-IIのトルエン溶液における最大発光波長は377nm付近励起波長340nm、図11BよりDBTCzBIm-IIの薄膜における最大発光波長は402nm付近励起波長339nmにあることがわかった。また、薄膜状態のDBTCzBIm-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光装置理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、DBTCzBIm-IIのHOMO準位は-5.68eVであった。図11Bの薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めたDBTCzBIm-IIの吸収端は3.31eVであった。従って、DBTCzBIm-IIの固体状態の光学的バンドギャップは3.31eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのバンドギャップの値から、DBTCzBIm-IIのLUMO準位が-2.37eVと見積もることができる。このように、DBTCzBIm-IIは固体状態において3.31eVの広いバンドギャップを有している事がわかった。また、DBTCzBIm-IIの酸化反応特性及び還元反応特性を測定した。これらは、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。酸化反応特性の測定は、参照電極に対する作用電極の電位を0.00Vから1.10Vまで変化させた後、1.10Vから0.00Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。還元反応特性の測定は、参照電極に対する作用電極の電位を-1.57Vから-2.67Vまで変化させた後、-2.67Vから-1.57Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定結果を図19に示す。なお、図19Aが酸化反応特性、図19Bが還元反応特性のCVチャートである。測定の結果、100サイクル測定後でも、酸化反応特性及び還元反応特性における酸化ピーク及び還元ピークに大きな変化は無くDBTCzBIm-IIは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返し及び還元状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、DBTCzBIm-IIのHOMO準位及びLUMO準位を算出した。まず、使用する参照電極Ag/Ag電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは-4.94eVである。酸化反応特性を表す図19AよりDBTCzBIm-IIの酸化ピーク電位Epaは1.03Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.90Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は0.97Vと算出できる。このことは、DBTCzBIm-IIは0.97[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、DBTCzBIm-IIのHOMO準位は、-4.94-0.97=-5.91[eV]であることがわかった。同様に、還元反応特性を表す図19Bより、DBFCzBIm-IIの酸化ピーク電位Epaは-2.47V、還元ピーク電位Epcは-2.61Vであった。したがって半波電位EpaとEpcの中間の電位は-2.54Vと算出できる。このことは、DBFCzBIm-IIは-2.54[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより還元されることを示しており、このエネルギーはLUMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、DBFCzBIm-IIのLUMO準位は、-4.94--2.54=-2.40[eV]であることがわかった。なお、参照電極Ag/Ag電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、Ag/Ag電極のフェルミ準位に相当し、その算出は、真空準位からのポテンシャルエネルギーが既知の物質を当該参照電極Ag/Ag電極を用いて測定した値から行えば良い。本実施例で用いる参照電極Ag/Ag電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーeVの算出方法を具体的に説明する。メタノール中におけるフェロセンの酸化還元電位は、標準水素電極に対して0.610[Vvs.SHE]であることが知られている参考文献;ChristianR.Goldsmithetal.,J.Am.Chem.Soc.,Vol.124,No.1,83-96,2002。一方、本実施例で用いる参照電極を用いて、メタノール中におけるフェロセンの酸化還元電位を求めたところ、0.11V[vs.Ag/Ag]であった。したがって、この参照電極のポテンシャルエネルギーは、標準水素電極に対して0.50[eV]低くなっていることがわかった。ここで、標準水素電極の真空準位からのポテンシャルエネルギーは-4.44eVであることが知られている参考文献;大西敏博小山珠美著、高分子EL材料共立出版、p.64-67。以上のことから、用いた参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.44-0.50=-4.94[eV]であると算出できる。≪合成例2≫本実施例では実施の形態1に示したカルバゾール誘導体である、2-[4-{3-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾール-9-イル}フェニル]-1-フェニルベンゾイミダゾール略称:DBFCzBIm-IIの合成方法について説明する。DBFCzBIm-IIの構造を下記構造式200に示す。まず、DBFCzBIm-IIの合成中間体である4-9H-カルバゾール-3-イルジベンゾフランの合成方法について説明する。4-9H-カルバゾール-3-イルジベンゾフランは下記構造式で表されるカルバゾール誘導体である。<ステップ1:4-9H-カルバゾール-3-イルジベンゾフランの合成>2.0g8.1mmolの3-ブロモカルバゾールと、1.7g8.1mmolのジベンゾフラン-4-ボロン酸と、150mg0.5molのトリオルト-トリルホスフィンを、200mL三つ口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物へ20mLのトルエンと20mLのエタノールと、15mL0.2molの炭酸カリウム水溶液2.0mol/Lを加えた。フラスコ内を減圧下で攪拌することにより、混合物を脱気した。この混合物へ、23mg0.10mmolの酢酸パラジウムIIを加えてから、80°Cで還流した。還流後、混合物を室温までさましてから、得られた固体を吸引ろ過により回収した。回収した個体を100mLのトルエンに溶かし、この溶液をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、アルミナを通してろ過した。得られたろ液を濃縮して得た固体を、トルエン/ヘキサンにより再結晶したところ白色固体を2.3g、収率85で得た。ステップ1の合成スキームをa-2に示す。<ステップ2:2-[4-{3-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾール-9-イル}フェニル]-1-フェニルベンゾイミダゾール略称:DBFCzBIm-IIの合成>0.70g1.0mmolの2-4-ブロモフェニル-3-フェニルベンゾイミダゾールと、0.67g1.0mmolの4-9H-カルバゾール-3-イルジベンゾフランを100mLの三口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物へ、15mLのトルエンと、0.10mLのトリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液と、0.48g4.3mmolのナトリウムtert-ブトキシドを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した。この混合物を110°Cで20時間攪拌した。撹拌後、混合物を約30mLの水で2回洗浄し、有機層と水層を分離した後、水層を約30mLのトルエンで2回抽出した。有機層と抽出溶液を合わせて、約100mLの飽和食塩水で1回洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥し、この混合物をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、アルミナを通してろ過した。得られたろ液を濃縮し、褐色固体を得た。得られた褐色個体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒は酢酸エチル:トルエン=5:95により精製し、さらにヘキサン/トルエンにより再結晶したところ、淡褐色個体を0.86g、収率71で得た。ステップ2の合成スキームをb-2に示す。得られた淡褐色個体854mgをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製条件は、圧力1.8Pa、アルゴンガス流量5.0mL/min、加熱温度290°Cとした。昇華精製後、目的物の淡褐色固体を0.64g、回収率75で得た。昇華精製後の淡褐色固体を核磁気共鳴法1HNMRにより測定した。以下に測定データを示す。また、1HNMRチャートを図12に示す。なお、図12Bは図12Aにおける7ppm-9ppmの範囲を拡大して示したグラフである。1HNMRCDCl3、300MHz:δ=7.31-7.50m、11H、7.54-7.65m、7H、7.72dd、J1=1.5Hz、J2=7.5Hz、1H、7.88d、J=8.7Hz、2H、7.34-8.03m、4H、8.22d、J=7.5Hz、1H、8.63d、J=1.5Hz、1H測定結果から、上述の構造式200で表されるカルバゾール誘導体であるDBFCzBIm-IIが得られたことがわかった。次に、DBFCzBIm-IIのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図13Aに、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図13Bに示す。スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、DBFCzBIm-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定した。また、薄膜のスペクトルは、DBFCzBIm-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製した。なお、トルエン溶液の吸収スペクトルは石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示し、薄膜の吸収スペクトルは石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。図13Aより、DBFCzBIm-IIのトルエン溶液における極大発光波長は380nm付近、及び395nm付近励起波長340nm、図13BよりDBFCzBIm-IIの薄膜における最大発光波長は405nm付近励起波長332nmにあることがわかった。また、薄膜のDBFCzBIm-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光装置理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、DBFCzBIm-IIのHOMO準位は-5.71eVであった。図13Bの薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めたDBFCzBIm-IIの吸収端は3.28eVであった。従って、DBFCzBIm-IIの固体状態の光学的バンドギャップは3.28eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのバンドギャップの値から、DBFCzBIm-IIのLUMO準位を-2.43eVと見積もることができる。このように、DBFCzBIm-IIは固体状態において3.28eVの広いバンドギャップを有している事がわかった。また、DBFCzBIm-IIの酸化反応特性及び還元反応特性を測定した。これらは、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。酸化反応特性の測定は、参照電極に対する作用電極の電位を0.00Vから1.12Vまで変化させた後、1.12Vから0.00Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。還元反応特性の測定は、参照電極に対する作用電極の電位を-1.26Vから-2.65Vまで変化させた後、-2.65Vから-1.26Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定結果を図20に示す。なお、図20Aが酸化反応特性、図20Bが還元反応特性のCVチャートである。測定の結果、100サイクル測定後でも、酸化反応特性及び還元反応特性における酸化ピーク及び還元ピークに大きな変化は無くDBFCzBIm-IIは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返し及び還元状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、DBFCzBIm-IIのHOMO準位及びLUMO準位を算出した。まず、実施例1で算出したように、使用する参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94eVである。酸化反応特性を表す図20Aより、DBFCzBIm-IIの酸化ピーク電位Epaは1.04Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.89Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は0.97Vと算出できる。このことは、DBFCzBIm-IIは0.97[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、DBFCzBIm-IIのHOMO準位は、-4.94-0.97=-5.91[eV]であることがわかった。同様に、還元反応特性を表す図20Bより、DBFCzBIm-IIの酸化ピーク電位Epaは-2.47V、還元ピーク電位Epcは-2.62Vであった。したがって半波電位EpaとEpcの中間の電位は-2.55Vと算出できる。このことは、DBFCzBIm-IIは-2.55[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより還元されることを示しており、このエネルギーはLUMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、DBFCzBIm-IIのLUMO準位は、-4.94--2.55=-2.39[eV]であることがわかった。本実施例では、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物である、2-[4-{3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾール-9-イル}フェニル]-1-フェニルベンゾイミダゾール略称:DBTCzBIm-II;構造式100及び2-[4-{3-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾール-9-イル}フェニル]-1-フェニルベンゾイミダゾール略称:DBFCzBIm-II;構造式200を、緑色のりん光を発する発光中心物質を用いた発光層におけるホスト材料として用いた発光素子について説明する。なお、本実施例で用いた有機化合物の分子構造を下記構造式i~iv、100、200に示す。素子構造は図1Aにおいて、電子輸送層114と第2の電極104との間に電子注入層を設けた構造とした。≪発光素子1、発光素子2の作製≫まず、第1の電極102として110nmの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物ITSOが成膜されたガラス基板101を用意した。発光領域が2mm×2mmとなるように、ITSO表面は、2mm角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆った。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。次に、ITSOが形成された面が下方となるように、基板101を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。真空装置内を10-4Paに減圧した後、上記構造式iで表される4-フェニル-4’-9-フェニルフルオレン-9-イルトリフェニルアミン略称:BPAFLPと酸化モリブデンVIとを、BPAFLP:酸化モリブデン=2:1質量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。膜厚は50nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。続いて、BPAFLPを10nm蒸着することにより正孔輸送層112を形成した。さらに、正孔輸送層112上に、発光素子1では、上記構造式100で表される実施の形態1で説明したカルバゾール誘導体であるDBTCzBIm-IIと上記構造式iiで表される4-フェニル-4’-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルトリフェニルアミン略称:PCBA1BP及び上記構造式iiiで表されるトリス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irppy3をDBTCzBIm-II:PCBA1BP:Irppy3=1:0.25:0.06質量比となるように20nm、続いてDBTCzBIm-II:Irppy3=1:0.06質量比となるように20nm蒸着することによって発光層113を形成した。次に、DBTCzBIm-IIを15nm、続いて上記構造式ivで表されるバソフェナントロリン略称:BPhenを15nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。発光素子2では、正孔輸送層112上に上記構造式200で表される実施形態1で説明したカルバゾール誘導体であるDBFCzBIm-IIとPCBA1BP及びIrppy3をDBFCzBIm-II:PCBA1BP:Irppy3=1:0.25:0.06質量比となるように20nm、続いてDBFCzBIm-II:Irppy3=1:0.06質量比となるように20nm蒸着することによって発光層113を形成した。次に、DBFCzBIm-IIを15nm、続いてBPhenを15nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。さらに電子輸送層114上にフッ化リチウムを1nmとなるように蒸着することによって電子注入層を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極104としてアルミニウムを200nm成膜し、発光素子1及び発光素子2を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。≪発光素子1及び発光素子2の動作特性≫以上により得られた発光素子1及び発光素子2を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。各発光素子の輝度-電流密度特性を図14、輝度-電圧特性を図15、電流効率-輝度特性を図16に示す。図14では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電流密度mA/cm2を示す。図15では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電圧Vを示す。図16では縦軸が電流効率cd/A、横軸が輝度cd/m2を示す。図16から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を緑色のりん光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、良好な輝度-電流効率特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が広いバンドギャップを有し、そして、広い三重項励起エネルギーを有することから、緑色のりん光を発する発光物質であっても、有効に励起することができるためである。また、図15から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を緑色のりん光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、良好な輝度-電圧特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が、優れたキャリア輸送性を有していることを示している。また、作製した発光素子1及び発光素子2に1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図17に示す。図17では縦軸が発光強度任意単位、横軸が波長nmを示す。発光強度は最大発光強度を1とした相対的な値として示す。図17より発光素子1、発光素子2のいずれも、発光中心物質であるIrppy3起因の緑色の発光を呈することがわかった。次に、初期輝度を1000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件でこれらの素子を駆動し、輝度の駆動時間に対する変化を調べた。図18に規格化輝度-時間特性を示す。図18から、発光素子1及び発光素子2共に、良好な特性を示し、信頼性の高い素子であることがわかった。参考例1上記実施例で用いた4-フェニル-4’-9-フェニルフルオレン-9-イルトリフェニルアミン略称:BPAFLP構造式iの合成方法について具体的に説明する。BPAFLPの構造を以下に示す。[ステップ1:9-4-ブロモフェニル-9-フェニルフルオレンの合成法]100mL三口フラスコにて、マグネシウムを1.2g50mmol減圧下で30分加熱撹拌し、マグネシウムを活性化させた。これを室温に冷まして窒素雰囲気にした後、ジブロモエタン数滴を加えて発泡、発熱するのを確認した。ここにジエチルエーテル10mL中に溶かした2-ブロモビフェニル12g50mmolをゆっくり滴下した後、2.5時間加熱還流撹拌してグリニヤール試薬とした。4-ブロモベンゾフェノンを10g40mmol、ジエチルエーテルを100mL、を500mL三口フラスコに入れた。ここに先に合成したグリニヤール試薬をゆっくり滴下した後、9時間加熱還流撹拌した。反応後、この混合液をろ過してろ物を得た。得られたろ物を酢酸エチル150mLに溶かし、ここに1N-塩酸を酸性になるまで加えて2時間撹拌した。この液体の有機層の部分を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を取り除いた。この懸濁液をろ過し、得られたろ液を濃縮し油状物を得た。500mLなすフラスコに、この油状物と、氷酢酸50mLと、塩酸1.0mLとを入れ、窒素雰囲気下、130°Cで1.5時間加熱撹拌した。反応後、この混合物をろ過してろ物を得た。得られたろ物を水、水酸化ナトリウム水溶液、水、メタノールの順で洗浄したのち乾燥させ、目的物の白色粉末を収量11g、収率69で得た。また、上記合成法の反応スキームを下記J-1に示す。[ステップ2:4-フェニル-4’-9-フェニルフルオレン-9-イルトリフェニルアミン略称:BPAFLPの合成法]100mL三口フラスコへ、9-4-ブロモフェニル-9-フェニルフルオレンを3.2g8.0mmol、4-フェニル-ジフェニルアミンを2.0g8.0mmol、ナトリウムtert-ブトキシドを1.0g10mmol、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を23mg0.04mmol加え、フラスコ内の雰囲気を窒素置換した。この混合物へ、脱水キシレン20mLを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、トリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液0.2mL0.1mmolを加えた。この混合物を、窒素雰囲気下、110°Cで2時間加熱撹拌した。反応後、この混合物にトルエン200mLを加え、この懸濁液をフロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、アルミナを通してろ過した。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒トルエン:ヘキサン=1:4による精製を行った。得られたフラクションを濃縮して得た固体へ、アセトンとメタノールを加えて超音波を照射した後、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量4.1g、収率92で得た。また、上記合成法の反応スキームを下記J-2に示す。シリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒酢酸エチル:ヘキサン=1:10は、目的物は0.41、9-4-ブロモフェニル-9-フェニルフルオレンは0.51、4-フェニル-ジフェニルアミンは0.27だった。上記ステップ2で得られた化合物を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。測定結果から、フルオレン誘導体であるBPAFLPが得られたことがわかった。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=6.63-7.02m,3H,7.06-7.11m,6H,7.19-7.45m,18H,7.53-7.55m,2H,7.75d、J=6.9,2H"