"基板上に裏面電極層を積層する第1工程と、前記裏面電極層上に、カルコパイライト型の光吸収層を積層する第2工程と、前記光吸収層上にバッファ層を積層する第3工程と、前記バッファ層上にスパッタリングで透明電極層を積層する第4工程と、を含む太陽電池の製造方法であって、前記第4工程は、前記基板の温度を低下させながら前記透明電極層を積層する期間を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。前記第4工程の開始時の前記基板の温度を150°C以上250°C以下とすることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記第4工程の終了時の前記基板の温度を100°C以下とすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の太陽電池の製造方法。前記のように、透明電極層をスパッタリングする際の基板温度を150°C~250°Cの間に保持した場合つまり、透明電極層のスパッタリング直前の基板温度を150°C~250°Cまで昇温させ、スパッタリング終了時までその温度を一定に保持した場合、次のような問題が生じる。すなわち、例えば、InSのバッファ層上に、前記温度を保持したままで透明電極層をスパッタリングで積層すると、その熱でバッファ層を構成する原子例えば、Inなどが光吸収層のCu空孔に拡散することとなる。なお、カルコパイライト型の太陽電池では、最も生成しやすいCu空孔がアクセプタとなることを利用し、光吸収層をp形半導体として機能させている。ここで、前記のようにInが光吸収層のCu空孔に拡散された場合、当該InがCu空孔を埋め、ドナーであるInCuが増加する。したがって、n形半導体として機能するバッファ層に対して、p形半導体として機能する光吸収層の電圧が低下する。したがって、前記電圧の低下によって、太陽電池のエネルギ変換効率が低下してしまうという問題が生じる。そこで、本発明は、エネルギ変換効率がより高い太陽電池の製造方法を提供することを課題とする。前記課題を解決するために本発明に係る太陽電池の製造方法は、基板上に裏面電極層を積層する第1工程と、前記裏面電極層上に、カルコパイライト型の光吸収層を積層する第2工程と、前記光吸収層上にバッファ層を積層する第3工程と、前記バッファ層上にスパッタリングで透明電極層を積層する第4工程と、を含む太陽電池の製造方法であって、前記第4工程は、前記基板の温度を低下させながら前記透明電極層を積層する期間を含むことを特徴とする。このような構成によれば、第1工程~第3工程において裏面電極層、光吸収層、及びバッファ層を基板上に順次積層し、その後の第4工程は、基板の温度を低下させながら透明電極層を積層する期間を含む。ここで、第4工程において基板の温度を低下させると、それにともなってバッファ層の温度も低下していく。そして、バッファ層の温度を低下させることによって、バッファ層の構成原子が光吸収層の空孔に拡散することを抑制できる。また、光吸収層の空孔は正孔のキャリアとして機能するため、バッファ層の構成原子が光吸収層に拡散することを抑制することで、太陽電池のキャリア密度を増加させることができる。したがって、太陽電池の開放電圧を高くすることができ、それに伴ってエネルギ変換効率も高くすることができる。また、前記太陽電池の製造方法において、前記第4工程の開始時の前記基板の温度を150°C以上250°C以下とすることが好ましい。このような構成によれば、第4工程の開始時、つまり、透明電極層の積層を開始する時点での基板温度を、比較的高温の150°C以上250°C以下とする。そうすると、基板からバッファ層への伝熱により、バッファ層の温度も比較的高温となる。この場合、バッファ層と透明電極層との界面において、透明電極層の構成原子がバッファ層に拡散し、バッファ層の格子欠陥を減少させることとなる。したがって、バッファ層で生成された電子のうち、前記格子欠陥でトラップされるものが減少するため、太陽電池のエネルギ変換効率をより高くすることができる。また、前記太陽電池の製造方法において、前記第4工程の終了時の前記基板の温度を100°C以下とすることが好ましい。このような構成によれば、第4工程の終了時、つまり、透明電極層の積層を終了した時点での基板温度を、比較的低温の100°C以下とする。これによって、バッファ層の構成原子が光吸収層の空孔に拡散することをより好適に抑制できる。したがって、太陽電池のエネルギ変換効率をより高くすることができる。本発明によれば、エネルギ変換効率がより高い太陽電池の製造方法を提供することができる。本発明の一実施形態について、図1~図6を参照して説明する。なお、以下の記載において、カルコパイライト型の光吸収層とは、正方晶系に属するカルコパイライト型結晶構造の化合物で構成される光吸収層を示すものとする。≪太陽電池の構成≫図1は、本実施形態に係る太陽電池の製造方法によって製造される太陽電池の概略断面図である。太陽電池100は、太陽光の光エネルギを直流電力に変換するものであり、基板1上に裏面電極層2、光吸収層3、バッファ層4、透明電極層5が順次積層された構成となっている。なお、太陽電池100は、透明電極層5に対して太陽光が照射されるように設置される。また、実際には、基板1上に積層された複数の太陽電池セル裏面電極層2、光吸収層3、バッファ層4、及び透明電極層5を直列接続した太陽電池モジュールを用いて所望の電力を得ることとなる。基板1サブストレートは、その上部に積層された各層を支持固定するものである。基板1として、ソーダライムガラスSodaLimeGlass:SLG、低アルカリガラス、ステンレス、ポリイミド、チタン箔などを用いることができる。ちなみに、太陽電池モジュールを製造する際には、一枚の基板1上に複数の太陽電池セルを配置し、それらを直列接続する。裏面電極層2は、太陽電池100のプラス電極6に接続され、基板1上に積層される。裏面電極層2として、Moモリブデンなどを用いることができる。光吸収層3は、p形半導体として機能するものであり、裏面電極層2上に積層される。光吸収層3はカルコパイライト型結晶構造の化合物であり、例えば、CuIn,GaSe2、CuInS2、CuIn,GaS,Se2などを用いることができる。透明電極層5を介して光が入射すると、光吸収層3の価電子帯の電子が励起されて伝導帯に移り、電子-正孔対が生成される。バッファ層4は、n形半導体として機能するものであり、光吸収層3上に積層される。バッファ層4として、例えば、InS,O,OH,In2S3,ZnS,O,OH,CdSなどを用いることができる。バッファ層4は、光吸収層3上に積層されることでpn接合を形成するほか、伝導帯不連続性による太陽電池100の性能低下を防止するなどの機能を果たす。透明電極層5TCO:TransparentConductingOxidesは、太陽電池100のマイナス電極7に接続され、太陽光を透過して光吸収層3に到達させる機能を有する。また、透明電極層5は、バッファ層4上に積層される。透明電極層5として、例えば、ZnO:Al,ITOIndiumTinOxideなどを用いることができる。ちなみに、前記Alは、ドーピング添加元素である。≪動作原理とFFの制限要因≫太陽電池100に光が入射すると、pn接合付近光吸収層3とバッファ層4との接合面付近において、バンドギャップ以上のエネルギを有する照射光によって電子-正孔対励起子が生成される。そして、励起された電子はpn接合の内部電界により、バッファ層4を介して透明電極層5に向かう。一方、励起された正孔はpn接合の内部電界により、裏面電極層2に向かう。その結果、透明電極層5側が負に帯電し、裏面電極層2側が正に帯電して、図1に示すプラス電極とマイナス電極との間に電位差が生じる。この電位差を起電力として、各電極間を導線で接続すると光電流が得られる、つまり、太陽光の光エネルギが電気エネルギに変換されることとなる。なお、光吸収層3には原子が抜けた空孔が多数存在する。例えば、カルコパイライト型の光吸収層としてCuIn,GaSe2を用いた場合、Cu空孔が大量に生成する。これは、Cu空孔が最も生成エネルギが小さいためであり、生成したCu空孔はアクセプタとして機能する。このように多数のCu空孔が存在することによって、光吸収層3をp形半導体として機能させることができる。また、太陽電池100のエネルギ変換効率ηは、以下の式1で表される。なお、式1において、ISCは短絡電流ShortCircuitCurrentであり、太陽電池100のプラス極とマイナス極とを短絡したときに流れる電流である。また、VOCは開放電圧OpenCircuitVoltageであり、太陽電池100を開放状態にしたときの両極間の電圧である。また、FFはフィルファクタFillFactorであり、以下の式2で表される。なお、Im,Vmはそれぞれ、最大電力Pmを与える電流値、電圧値である。≪太陽電池の製造方法≫次に、本実施形態に係る太陽電池の製造方法について説明する。なお、基板1上に裏面電極層2、光吸収層3、バッファ層4を順次積層するまでの工程は様々な方法を採用することができるため、その概略を説明することとする。<第1工程>まず、ソーダライムガラスなどの基板1を洗浄した後、乾燥させる。そして、基板1上に裏面電極層2を、スパッタリングによって積層する。なお、本実施形態では、裏面電極層2としてモリブデンMoを用いたが、これに限定されるものではない。次に、太陽電池の裏面電極層2を分離するために、レーザースクライビングを行う。<第2工程>さらに、裏面電極層2上にIn金属ターゲット及びCu-Ga合金ターゲットをそれぞれ用いたスパッタリングにより、In層とCu-Ga層との二層構造からなる積層成膜を行うプリサーカの形成。さらに、プリサーカを備える基板1ごとアニール処理室図示せず内に収容する。そして、アニール処理室内に挿入されたガス導入管図示せずを介してHe2Seガスを導入するとともに、アニール処理室内を400°Cから600°C程度の温度範囲まで昇温させアニール処理を行う。これによって、カルコパイライト型の光吸収層3を形成することができる。なお、光吸収層3の積層方法は、前記で説明した方法セレン化法に限らない。例えば、多源蒸着法、スパッタ法、ナノ粒子印刷法などによって、光吸収層3を積層することとしてもよい。<第3工程>次に、光吸収層3上にバッファ層4を、溶液成長法によって積層する。なお、本実施形態では、バッファ層4としてInSを用いたが、これに限定されるものではない。ちなみに、バッファ層4の積層方法は溶液成長法に限らず、様々な手法で行うことができる。例えば、スパッタリング、ILGARIonLayerGasReactionなどによって、バッファ層4を積層することとしてもよい。図2aは、基板上に、裏面電極層、光吸収層、及びバッファ層を積層した状態で行う加熱処理を示す説明図である。基板1上に裏面電極層2、光吸収層3、及びバッファ層4を順次積層した積層構造体Kを加熱処理室に収容する。そして、加熱用ランプ11で加熱することによって、加熱処理室内の温度を約200°Cまで昇温させ、積層構造体Kを加熱する。当該加熱を所定時間行うことで、積層構造体Kの温度が約200°Cに達する。<第4工程>図2bは、図2aの加熱処理の後、透明電極層のスパッタリングを開始した時点の状態を示す説明図である。図2aに示した加熱処理の後、積層構造体Kをスパッタ室に移動させ、基板ホルダ12上に載置する。なお、加熱処理室とスパッタ室とを、開閉可能な仕切りを介して隣接して設けることが好ましい。これによって、移動の際に積層構造体Kの温度低下を最小限に抑えることができる。基板ホルダ12は静電チャックなどによって積層構造体を吸着するとともに、その裏面に設置されたヒータ図示せずからの熱を積層構造体Kに対して伝熱する役割を果たす。また、基板ホルダ12は耐熱性及び伝熱性を備える素材からなり、ヒータによって予め約200°Cに加熱されている。さらに、移動手段図示せずによって積層構造体Kをスパッタ室に移動させ、基板ホルダ12上に載置した後、スパッタリングによって積層構造体Kのバッファ層4上に透明電極層5を積層する。なお、本実施形態では、透明電極層5の材料としてZnO:Alを用いた。なお、スパッタリングを開始してから所定時間は、ヒータにより基板1の温度つまり、積層構造体Kの温度を200°Cに維持する。なお、前記所定時間は、スパッタリングされる分子例えば、ZnO:Alによって積層構造体Kを被覆するのに要する時間とする。つまり、積層構造体Kの表面上面のバッファ層4が、透明電極層5の材料例えば、ZnO:Alによって覆い隠されるまでは、積層構造体Kの温度を200°Cに維持するようにヒータの加熱時間を予め設定しておく。図2bの部分拡大図に示すように、ZnO:Alを積層構造体に対してスパッタリングすると、前記加熱処理によって積層構造体Kが高温約200°Cとなっているため、ZnO:Alに含まれるZn原子がバッファ層4上に拡散する。ちなみに、図2bの部分拡大図において、はp形半導体として機能する光吸収層3内のアクセプタを模式的に表し、-はn形半導体として機能するバッファ層4内のドナーを模式的に表している。そして、拡散したZn原子がバッファ層4の格子欠陥Aに入り込むことで、バッファ層4の表面付近の格子欠陥を消滅させることができる。これによって、バッファ層4から透明電極層5に向かう電子が格子欠陥Aにトラップされることを防止でき、フィルファクタFFの値を大きくすることができる。図2cは、図2bで開始した透明電極層のスパッタリングを継続させながら、冷却水で基板ホルダを冷却する処理を示す説明図である。積層構造体Kの温度を200°Cに維持しながら、表面上面のバッファ層4をZnO:Alで被覆した後、さらにスパッタリングを継続させながら基板1の温度を低下させていく。より具体的には、透明電極層5のスパッタリングを開始してから所定時間図3の時刻t3と時刻t2との差が経過すると、ヒータをオフにするとともに冷却水で基板ホルダ12を冷却する。前記冷却水による冷却は、例えば、基板ホルダ12に形成されている流路12aに冷却水を流し、基板ホルダ12の温度を低下させることにより行う。ちなみに、前記冷却における冷却レートは、0.5°C/sec以上1.0°C/sec以下であることが好ましい。また、透明電極層5のスパッタリング終了時における基板1の温度が100°C以下となるように基板1を冷却することが好ましい。なお、冷却レート前記範囲に限定されるものではなく、0.5°C/sec未満、又は、1.0°C/sec以上であってもよい。また、透明電極層5のスパッタリング終了時における基板1の温度は100°C以下に限定されるものではなく、100°Cより高い温度かつ、200°C未満としてもよい。基板1の温度が低下すると、伝熱により裏面電極層2の温度が低下し、さらに、光吸収層3及びバッファ層4の温度が低下する。これによって、バッファ層4を構成する原子例えば、Inなどが熱によってCu空孔に拡散することを防止できる。すなわち、アクセプタとして機能するCu空孔の減少を防止することで、光吸収層3のキャリア密度を増加させることができる。図3は、本実施形態の加熱冷却処理を行った際の基板の温度変化と、従来技術の加熱処理を行った際の基板の温度変化を示す図である。なお、図3において実線は本実施形態に対応し、破線は従来技術に対応する。また、図3には、基板1上に裏面電極層2、光吸収層3、及びバッファ層44を積層した後の工程における基板1の温度変化を示している。図3に示す時刻t1~t2は、図2aに示す加熱処理に対応する。すなわち、時刻t1~t2では、加熱処理室で積層構造体Kを加熱し、基板1の温度を約200°Cまで昇温させる。そして、時刻t2~t3において、積層構造体Kを加熱処理室からスパッタ室に移動させ、加熱された基板ホルダ12によって基板1の温度を200°Cに維持する。次に、時刻t3~t4において、基板1の温度を200°Cに維持しながら透明電極層5の材料例えば、ZnO:Alを積層構造体Kの上面にスパッタリングする。これが、図2bに示すスパッタリング処理に対応する。次に、時刻t4~t5において、前記スパッタリング処理を継続させつつ、基板ホルダ12の流路12a図2c参照に冷却水を流して、その蒸発潜熱によって基板1の温度を徐々に低下させていく。そして、スパッタリング処理が終了する時刻t5における基板1の温度が100°C以下となるようにする。ちなみに、透明電極層6を積層した後は、p形半導体として機能する光吸収層3と、n形半導体として機能するバッファ層4との間に電界が生じるため、金属イオン例えば、Inイオンがバッファ層4に定着する。したがって、透明電極層5を積層した後に加熱処理を行ったとしても、バッファ層4を構成する金属イオンが熱によって光吸収層3のCu空孔に拡散することはない。図3に示すように、従来技術では、スパッタ室で基板ホルダ12を加熱し、透明電極層5の成膜開始から成膜終了まで基板1の温度を約200°Cに維持していた。この場合、前記したように、バッファ層4を構成する原子例えば、Inなどが熱によって光吸収層3のCu空孔に拡散し、Cu空孔が減少してしまう。その結果、光吸収層3のキャリア密度が減少するため、開放電圧VOC及びエネルギ変換効率ηが低くなってしまう。≪実験結果効果≫図4aは、透明電極層の積層温度に対する太陽電池の開放電圧の変化を示すグラフであり、図4bは、透明電極層の積層温度に対する光吸収層のキャリア密度の変化を示すグラフである。図4a及び図4bの横軸であるTCO積層温度とは、透明電極層TCO5の積層が終了した時点での基板1の温度である。すなわち、図4aにおいて、透明電極層5の積層温度が200°Cのデータは、透明電極層5のスパッタリング開始から終了まで、その温度を一定200°Cとした場合の太陽電池の開放電圧VOCである。なお、前記の場合についての3個のサンプルを測定し、その平均値を□印で示した。また、図4aにおいて、透明電極層5の積層温度が約30°Cのデータは、透明電極層5をスパッタリングにより成膜する工程において冷却水で基板1の温度を低下させ図2c、図3の時刻t4~t5参照、透明電極層5の積層が終了した時点での基板1の温度を約30°Cとした場合の太陽電池の開放電圧VOCである。そして、前記の場合についての3個のサンプルを測定し、その平均値を□印で示した。図4aに示すように、基板1の温度を200°Cに維持した場合つまり、従来技術の場合と比較して、冷却水で基板1の温度を下げた場合では、太陽電池100の開放電圧VOCが高くなっている。また、図4bに示すように、基板1の温度を200°Cに維持した場合と比較して、冷却水で基板1の温度を下げた場合では、光吸収層3のキャリア密度が増加している。ちなみに、図4bの各温度におけるデータは、図4aの各温度における平均値のデータに対応している。前記したように、透明電極層5を積層する工程で基板1の温度が低下すると、伝熱によりバッファ層4の温度も低下する。これによって、バッファ層4を構成する原子例えば、Inなどが熱によって光吸収層3のCu空孔に拡散し、Cu空孔が減少することを防止できる。すなわち、アクセプタとして機能するCu空孔の減少を防止することで、光吸収層3のキャリア密度を増加させることができる図4b参照。つまり、バッファ層4に対する光吸収層3の電位が高くなるため、太陽電池100の開放電圧VOCを高くすることができる図4a参照。図5aは、透明電極層の積層温度に対するフィルファクタの値の変化を示すグラフであり、図5bは、透明電極層の積層温度に対するバッファ層界面のZn拡散量の変化を示すグラフである。なお、図5a及び図5bの横軸であるTCO成膜温度とは、透明電極層5の積層が終了した時点での基板1の温度である。図5aでは、透明電極層5の積層が終了した時点の基板1の温度を約30°Cとした場合、及び、前記時点の基板1の温度を200°Cとした場合について、それぞれ3個のサンプを測定し、その平均値を□印で示した。図5aに示すように、基板1の温度を200°Cに維持した場合つまり、従来技術の場合と比較して、冷却水で基板1の温度を下げた場合では、太陽電池100のフィルファクタFFの値が大きくなっている。また、図5bに示すように、基板1の温度を200°Cに維持した場合と比較して、冷却水で基板1の温度を下げた場合では、バッファ層4へのZn拡散量が増加している。ちなみに、図5bの各温度におけるデータは、図5aの各温度における平均値のデータに対応している。前記したように、バッファ層4まで積層された積層構造体Kを、加熱処理によって比較的高温約200°Cにすると、ZnO:Alに含まれるZn原子をバッファ層4上に、より多く拡散させることができる参照。そして、拡散したZn原子がバッファ層4の格子欠陥Aに入り込むことで、バッファ層4の表面付近の格子欠陥Aを消滅させることができる図2b参照。これによって、n形として機能するバッファ層4から透明電極層5に向かう電子が格子欠陥Aにトラップされることを防止し、フィルファクタFFの値を大きくすることができる図5a参照。図6は、透明電極層の成膜温度に対するエネルギ変換効率の変化を示すグラフである。図6の横軸であるTCO積層温度とは、透明電極層5の積層が終了した時点での基板1の温度である。なお、図6の縦軸は太陽電池100のエネルギ変換効率の値を示している。図6に示すように、基板1の温度を200°Cに維持した場合と比較して、冷却水で基板1の温度を下げた場合では、太陽電池100のエネルギ変換効率が増加している。これは、基板1の温度を200°Cに維持した場合と比較して、冷却水によって基板1の温度を下げた場合の太陽電池100の開放電圧VOC及びフィルファクタFFが大きくなっているためである。すなわち、本実施形態によれば、エネルギ変換効率がより高い太陽電池の製造方法を提供することができる。≪変形例≫以上、本発明に係る太陽電池100について前記実施形態により説明したが、本発明の実施態様はこれらの記載に限定されるものではなく、種々の変更などを行うことができる。例えば、前記実施形態において太陽電池100は、基板1上に裏面電極層2、光吸収層3、バッファ層4、透明電極層5が順次積層された構成としていたが、これに限らない。すなわち、各層の間に他の層が介在する構成としてもよい。例えば、基板1としてソーダライムガラスを用いる場合には、基板1内部から光吸収層3へのアルカリ金属成分Naの浸透量を制御するために、基板1と裏面電極層2との間にアルカリ制御層を設けるとともに、裏面電極層2と光吸収層3との間にNaディップ層を設けることとしてもよい。また、前記実施形態では、基板ホルダ12を加熱するヒータをオフにするとともに、冷却水を基板ホルダ12の流路12aに流すことによって基板を冷却することとしたが、これに限らない。例えば、冷却水による冷却を行わずに、単に基板ホルダ12を加熱するヒータをオフにすることにより基板ホルダ12の温度つまり、基板1の温度を低下させることとしてもよい。また、前記実施形態では、透明電極層5をスパッタリングにより積層する際に、スパッタリングの開始から所定時間図3のt3~t4参照は基板1の温度を200°Cに保つこととしたが、これに限らない。すなわち、スパッタリングの開始から終了まで基板ホルダ12を冷却水で冷却することとしてもよい。この場合でも、冷却の開始直後は基板1の温度が略200°Cとなっているため、透明電極層5の材料ZnO:Alに含まれるZn原子をバッファ層4に拡散させることができる。また、基板ホルダ12の冷却つまり、基板1の冷却は、スパッタリングを開始した後、所定時間経過してから終了まで継続して行うこととしたが図3のt4~t5参照、これに限らない。すなわち、基板1の冷却を、スパッタリング開始時刻から終了時刻までの時間図3のt3~t5に含まれる所定時間だけ行うこととしてもよい。また、基板1の冷却を複数回、断続的に行うこととしてもよい。"