センサーパネルとシンチレータパネルとを備える放射線検出装置であって、前記シンチレータパネルは、基板と、前記基板の上に配置されたシンチレータと、第1有機保護層及び無機保護層を有し、前記シンチレータを覆うシンチレータ保護膜とを備え、前記シンチレータ保護膜は、前記センサーパネルと前記シンチレータとの間に位置し、前記第1有機保護層は前記無機保護層よりも前記シンチレータ側に位置し、前記シンチレータの前記センサーパネル側の表面は部分的に前記無機保護層に接していることを特徴とする放射線検出装置。前記シンチレータは柱状結晶の集合体を有し、前記柱状結晶の先端が前記第1有機保護層を貫通して前記無機保護層に接していることを特徴とする請求項1に記載の放射線検出装置。前記シンチレータ保護膜は第2有機保護層をさらに有し、前記第2有機保護層は前記無機保護層よりも前記センサーパネル側に位置し、前記第1有機保護層により前記無機保護層と前記シンチレータとが接着され、前記第2有機保護層により前記無機保護層と前記センサーパネルとが接着されることを特徴とする請求項1又は2に記載の放射線検出装置。前記センサーパネルは、画素アレイを形成する半導体部材及び導電部材を有し、前記半導体部材の少なくとも一部と前記導電部材の少なくとも一部とは前記第2有機保護層に接している部分を有することを特徴とする請求項3に記載の放射線検出装置。前記半導体部材の少なくとも一部と前記導電部材の少なくとも一部とは前記第2有機保護層を貫通して前記無機保護層に接している部分を有することを特徴とする請求項4に記載の放射線検出装置。前記センサーパネルは、画素アレイを形成する半導体部材及び導電部材と、前記半導体部材及び前記導電部材を覆うセンサーパネル保護膜とを有し、前記センサーパネル保護膜は前記第2有機保護層に接している部分を有することを特徴とする請求項3に記載の放射線検出装置。前記センサーパネル保護膜のうち前記半導体部材及び前記導電部材を覆う部分は前記第2有機保護層を貫通して前記無機保護層に接している部分を有することを特徴とする請求項6に記載の放射線検出装置。前記第1有機保護層を軟化状態にするための温度と前記第2有機保護層を軟化状態にするための温度とはともに、前記無機保護層を軟化状態にするための温度よりも低いことを特徴とする請求項3乃至7の何れか1項に記載の放射線検出装置。前記第1有機保護層及び前記第2有機保護層は有機樹脂フィルムであり、前記無機保護層は酸化物又は窒化物の膜であることを特徴とする請求項3乃至8の何れか1項に記載の放射線検出装置。基板と、前記基板の上に配置されたシンチレータと、有機保護層及び無機保護層を有し、前記シンチレータを覆うシンチレータ保護膜とを備え、前記有機保護層は前記無機保護層よりも前記シンチレータ側に位置し、前記シンチレータの前記基板側の表面とは反対側の表面は部分的に前記無機保護層に接していることを特徴とするシンチレータパネル。請求項1乃至9の何れか1項に記載の放射線検出装置と、前記放射線検出装置によって得られた信号を処理する信号処理手段とを備えることを特徴とする放射線検出システム。基板の上にシンチレータを形成する形成工程と、有機保護層及び無機保護層を有するシンチレータ保護膜を準備する工程と、前記有機保護層が前記シンチレータに接するように前記シンチレータを前記シンチレータ保護膜で覆う被覆工程と、前記シンチレータ保護膜を前記シンチレータに対して熱圧着する接着工程と、前記シンチレータ保護膜で覆われた前記シンチレータとセンサーパネルとを貼り合わせる接着工程とを有し、前記接着工程において、前記有機保護層へ部分的に入り込んだ前記シンチレータの前記基板側の表面とは反対側の表面は前記無機保護層に到達して停止することを特徴とする放射線検出装置の製造方法。基板の上にシンチレータを形成する形成工程と、有機保護層及び無機保護層を有するシンチレータ保護膜を準備する工程と、前記有機保護層が前記シンチレータに接するように前記シンチレータを前記シンチレータ保護膜で覆う被覆工程と、前記シンチレータ保護膜を前記シンチレータに対して熱圧着する接着工程とを有し、前記接着工程において、前記有機保護層へ部分的に入り込んだ前記シンチレータの前記基板側の表面とは反対側の表面は前記無機保護層に到達して停止することを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。上述のように、シンチレータパネルとセンサーパネルとが貼り合わされた放射線検出装置では、シンチレータの耐湿性を高めるとともに、シンチレータパネルとセンサーパネルとの間の距離を短くすることが望まれる。そこで、本発明は、放射線検出装置においてシンチレータの耐湿性を高めるとともにシンチレータとセンサーパネルとの間の距離を短縮するための技術を提供することを目的とする。上記課題に鑑みて、センサーパネルとシンチレータパネルとを備える放射線検出装置であって、前記シンチレータパネルは、基板と、前記基板の上に配置されたシンチレータと、第1有機保護層及び無機保護層を有し、前記シンチレータを覆うシンチレータ保護膜とを備え、前記シンチレータ保護膜は、前記センサーパネルと前記シンチレータとの間に位置し、前記第1有機保護層は前記無機保護層よりも前記シンチレータ側に位置し、前記シンチレータの前記センサーパネル側の表面は部分的に前記無機保護層に接していることを特徴とする放射線検出装置が提供される。上記手段により、放射線検出装置においてシンチレータの耐湿性を高めるとともにシンチレータとセンサーパネルとの間の距離を短縮するための技術が提供される。以下、本発明の実施形態について添付の図面を用いて詳細に説明する。まず、図1を用いて本発明の1つの実施形態に係る放射線検出装置100の例示の構造について説明する。図1aは放射線検出装置100の一部の模式断面図を示し、図1bは放射線検出装置100のシンチレータパネル109に注目した模式断面図である。放射線検出装置100はセンサーパネル113とシンチレータパネル109とを備えうる。センサーパネル113は、ガラス等からなる絶縁性基板112と、絶縁性基板112上に形成された画素アレイとを備えうる。画素アレイは、光電変換素子やTFTなどの半導体部材110と、半導体部材110に接続された導電部材111とにより形成されうる。画素アレイには半導体部材110を含む画素がマトリックス状に配置され、各画素の半導体部材110が導電部材111により接続されうる。光電変換素子はシンチレータパネル109によって放射線から変換された光を電荷に変換しうる。光電変換素子は例えばアモルファスシリコン、ポリシリコンなどの材料を用いて形成されうる。光電変換素子は、例えばMIS型センサー、PIN型センサー、TFT型センサー等でありうる。また、光電変換素子は単結晶シリコン基板に形成されうるCCD型センサーやCMOS型センサーでありうる。導電部材111は、光電変換素子で光電変換された電荷を、TFTを介して読み出すための信号線、光電変換素子に電圧Vsを印加するためのバイアス線、およびTFTを駆動するための駆動線を含みうる。光電変換素子で光電変換された電荷はTFTによって読み出され、導電部材111および周辺回路不図示を介して外部の信号処理回路不図示に出力されうる。また行方向に配列されたTFTのゲートは行ごとに駆動線に接続され、TFT駆動回路不図示により行毎にTFTが選択されうる。シンチレータパネル109はシンチレータ基板107とシンチレータ保護膜108とを備えうる。シンチレータ基板107はシンチレータ支持基板102と、シンチレータ支持基板102の上に配置されたシンチレータ101とを備えうる。シンチレータ101はハロゲン化アルカリを主成分とする材料を用いて形成されうる柱状結晶の集合体を有してもよい。柱状結晶はシンチレータ支持基板102から延びており、シンチレータ基板側の表面とは反対側センサーパネル側の表面となる柱状結晶の先端は先細りのテーパー形状を有しうる。テーパー形状を有することによってシンチレータ101の柱状結晶がシンチレータ保護膜108に入り込みやすくなる。シンチレータ101が柱状結晶の集合体を有する場合に、シンチレータ101は導光性を有し、高いシンチレータ特性を得ることができる。ハロゲン化アルカリを主成分とする材料として、例えばCsI:Tl、CsI:Na、CsBr:Tl、NaI:Tl、LiI:Eu、およびKI:Tl等を用いうる。シンチレータ支持基板102はシンチレータ101を支持する。シンチレータ支持基板102は、シンチレータ101を形成するための真空蒸着中の温度で変形しない材料で形成されうる。シンチレータ支持基板102は、シンチレータ101で変換して発せられた光のうち、センサーパネル113とは反対側に進行した光を反射してセンサーパネル113に導く反射層として機能してもよい。反射層として機能することにより放射線検出装置100の光利用効率が向上しうる。反射層はまた、放射線検出装置100の外部からの光線を遮蔽し、放射線検出装置100において外部光線に起因するノイズが生じることを防止する機能を有する。シンチレータ支持基板102を反射層として機能させる場合に、シンチレータ支持基板102として耐熱性が高く且つ表面反射率の高い金属板を用いてもよい。シンチレータ支持基板102による放射線の吸収量が大きいと、被撮影者が被爆する線量の増加につながる恐れがある。そこで、シンチレータ支持基板102として金属板を用いる場合に、例えばX線吸収の少ないアルミニウムなどを用いうる。シンチレータ支持基板102を反射層として機能させない場合に、シンチレータ支持基板102として耐熱性が高く且つX線吸収の少ない炭素系樹脂やPPS樹脂系等の基板を用いてもよい。この場合に、図2に示されるシンチレータパネル200のように、シンチレータ支持基板102の上に金属箔または金属薄膜等の反射層120を別途配置してもよい。図2は図1bに示したシンチレータパネル109の変形例を説明する図であり、両図で共通する要素は同一の参照部号を付して説明を省略する。シンチレータパネル200の反射層120としてアルミニウム、金、銀等の金属材料を用いることができ、特に反射特性の高いアルミニウム、金を用いてもよい。シンチレータ基板107は、シンチレータ支持基板102とシンチレータ101との間に支持基板保護層103をさらに備えうる。この場合に、シンチレータ支持基板102と支持基板保護層103とが一体となってシンチレータ101を支持する。支持基板保護層103を備えることで、シンチレータ101との接触によるシンチレータ支持基板102の腐食を軽減でき、且つシンチレータ支持基板102に対するシンチレータ101の密着力を向上できる。また、支持基板保護層103を備えることで、シンチレータ支持基板102からシンチレータ101への反射を調整することもできる。支持基板保護層103はシンチレータ支持基板102によって反射される光の吸収が少ない材料で形成されうる。支持基板保護層103を有機材料で形成する場合に、耐熱性が高く且つ光透過率も高いポリイミド系樹脂やアクリル系樹脂、シリコーン系樹脂を有機材料として用いうる。支持基板保護層103を無機材料で形成する場合に、耐熱性が高く且つ光透過率も高いAl2O3やSiO2、TiO2等の酸化物やSiN等の窒化物を無機材料として用いうる。シンチレータ101の材料がハロゲン化アルカリ系材料である場合に、シンチレータ101は潮解性を有する。そこで、シンチレータ101の一部又は全部をシンチレータ保護膜108で覆うことにより、耐久性の高いシンチレータパネル109を製造することができる。図1の例では、シンチレータ101のうち支持基板保護層103に接していない面、すなわちシンチレータ101の側面と上面とがシンチレータ保護膜108で覆われる。シンチレータ保護膜108はさらに、支持基板保護層103のうちシンチレータ101により覆われていない部分を覆う。シンチレータ保護膜108は有機保護層104、無機保護層105、および有機保護層106との三層構造を有する。以下の説明において、無機保護層105よりもシンチレータ101側シンチレータ側に位置する第1有機保護層を有機保護層104で表す。また、無機保護層105よりもセンサーパネル113側センサーパネル側に位置する第2有機保護層を有機保護層106で表す。シンチレータ保護膜108が無機保護層105を有することによって、有機保護層104へ入り込んだシンチレータ101は、無機保護層105に到達して停止する。すなわち、無機保護層105は熱圧着時における位置決め機能を有しうる。その結果、シンチレータ101は部分的に有機保護層104を貫通して無機保護層105に接した状態となる。具体的には、シンチレータ101を形成する柱状結晶のうちシンチレータ支持基板102とは反対側の先端が有機保護層104を貫通して無機保護層105に接した状態となる。本実施形態に係るシンチレータ保護膜108はシンチレータ101に対して外気からの水分の侵入を防止する機能を有しうる。シンチレータ保護膜108はまた、半導体部材110や導電部材111をシンチレータ101による腐食や破損から保護する防湿機能を有しうる。シンチレータ保護膜108はまた、センサーパネル113とシンチレータパネル109とを接着する機能を有しうる。また、シンチレータ保護膜108はシンチレータ101からの光を画素アレイへ透過しうる。シンチレータ保護膜108はシンチレータ101とセンサーパネル113との間に位置する。シンチレータ保護膜108の厚さが10μm未満の場合に、シンチレータ101の表面の凹凸やスプラッシュ欠陥を完全に被覆することができず、防湿機能が低下する恐れやセンサーパネル113を破壊するがある。一方、シンチレータ保護膜108の厚さが100μmを超えるとシンチレータ101で発生した光や反射層で反射された光がシンチレータ保護膜108内で散乱しやすくなる。その結果、放射線検出装置100で得られる画像の鮮鋭度及びMTFModulationTransferFunctionが低下する恐れがある。そこで、シンチレータ保護膜108のうちシンチレータ101の上部を覆う部分の厚さが10μm以上100以下μmとなるようにシンチレータ保護膜108を形成しうる。無機保護層105の無機材料として、高い硬度を有するSiO2やAl2O3、TiO2、ITO、ZnO、SiN等を用いうる。有機保護層104および有機保護層106の有機材料として、例えば、熱圧着により成型が可能なポリイミド系、エポキシ系、ポリオレフィン系、ポリエステル系、ポリウレタン系、ポリアミド系等のホットメルト樹脂などを用いうる。その中でも、特に水分透過率の低い樹脂を用いうる。有機材料として、これらの樹脂材料を単独で用いてもよいし、何れか2種類以上の混合物を用いてもよい。有機保護層104に用いられる有機材料と有機保護層106に用いられる有機材料とは同じであってもよいし、異なっていてもよい。シンチレータ101の柱状結晶間の隙間へ有機材料が入り込む量や、センサーパネル113の表面へ有機材料が入り込む量を調整するために、圧着温度や圧着圧力や粘度の異なる有機材料をそれぞれの有機保護層で使用してもよい。特に、センサーパネル113の耐熱性が問題になる場合には、常温例えば5°C以上35°C以下において粘着性を有する粘着剤を有機保護層106として使用してもよい。有機保護層104はシンチレータ101と接しているため、有機保護層104が極性溶媒、溶剤、または水を含む場合にシンチレータ101が潮解してしまい、シンチレータ101の性能が劣化する恐れがある。そのため、有機保護層104として極性溶媒、溶剤、および水を含まない材料を用いてもよい。また、有機保護層106は半導体部材110や導電部材111に接しているため、有機保護層106が導電性を有するとセンサーパネル113の動作を妨げる恐れがある。そのため、有機保護層106として導電性を有しない材料を用いてもよい。ホットメルト樹脂とは、樹脂温度が上昇すると溶融して軟化し、樹脂温度が低下すると固化する性質を有する。ホットメルト樹脂は、軟化状態で他の有機材料および無機材料との接着性を有し、常温で固体状態となり接着性を有しない。また、ホットメルト樹脂は極性溶媒、溶剤、および水を含んでいないので、シンチレータ101に接触してもシンチレータ101を溶解しない。そこで、有機保護層104の材料としてホットメルト樹脂を用いてもよい。また、ホットメルト樹脂はアルミ等の金属やシリコーン等の半金属物質を腐食や溶解することがなく、且つ導電性を有しないため、有機保護層106の材料として用いられてもよい。ホットメルト樹脂は、熱可塑性樹脂を溶剤に溶かし溶媒塗布法によって形成された溶剤揮発硬化型の接着性樹脂とは異なる。ホットメルト樹脂は主成分であるベースポリマーベース材料の種類によって分類さる。ベースポリマーとして、ポリイミド系、エポキシ系、ポリオレフィン系、ポリエステル系、ポリウレタン系、ポリアミド系等を用いうる。シンチレータ保護膜108はシンチレータ101を保護するために、高い防湿性を有していることが重要である。そのため、高い防湿性を有するポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリイミド系樹脂をシンチレータ保護膜108に用いてもよい。さらに、特に吸湿率が低く光透過率の高いポリオレフィン系樹脂、ポリイミド系樹脂をシンチレータ保護膜108に用いてもよい。ポリオレフィン系樹脂は、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-アクリル酸共重合体、エチレン-アクリル酸エステル共重合体、エチレン-メタクリル酸共重合体、エチレン-メタクリル酸エステル共重合体、およびアイオノマー樹脂のうちの少なくとも1種を主成分として含有しうる。エチレン酢酸ビニル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂としてヒロダイン7544ヒロダイン工業製を用いうる。エチレン-アクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂としてO-4121倉敷紡績製を用いうる。エチレン-メタクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂としてW-4210倉敷紡績製を用いうる。エチレン-アクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂としてH-2500倉敷紡績製を用いうる。エチレン-アクリル酸共重合体を主成分とするホットメルト樹脂としてP-2200倉敷紡績製を用いうる。エチレン-アクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂としてZ-2倉敷紡績製を用いうる。エチレン-アクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂としてM-5倉敷紡績製を用いうる。また、ポリイミド系樹脂として、ポリイミドーエポキシ樹脂共重合体を主成分とするホットメルト樹脂であるLNA-1007東レ製やLNA-20東レ製等を用いうる。後述する実施例で説明するように、シンチレータ保護膜108の任意の領域において、シンチレータ101が形成された領域を取り囲むように、シンチレータ保護膜108の表面をホットプレス処理によりヒートシール加熱加圧接着を行ってもよい。このような目的から、シンチレータ保護膜108として、温度が上昇すると溶融して被着体に接着し、樹脂温度が低下すると固化する性質を有するポリオレフィン系、ポリエステル系、ポリアミド系等のホットメルト樹脂を用いてもよい。ヒートシールの条件としては、ホットメルト樹脂の溶融開始温度よりも10~60°C程高い温度で、数秒~数分加熱することでホットメルト樹脂を溶融させ、1~50kg/cm2の範囲で加圧しうる。放射線検出装置100は、接続リード114、接続部115、および外部配線116をさらに備えうる。接続リード114は画素アレイと電気的に接続されたボンディングパット等でありうる。外部配線116は外部の回路等が放射線検出装置100に接続するためのフレキシブル配線板等でありうる。接続部115は接続リード114と外部配線116とを電気的に接続するための半田や異方性導電接着フィルムACF等でありうる。放射線検出装置100は、センサーパネル113とシンチレータパネル109との接着部分を封止する封止部材117をさらに備えうる。封止部材117はセンサーパネル113とシンチレータパネル109との間から画素アレイへ外部光が侵入することを防止する機能を有しうる。封止部材117は、支持基板保護層103、有機保護層104、無機保護層105、および有機保護層106間の接着部分をさらに封止してもよい。この場合に、封止部材117はシンチレータ101への水分の侵入を防止する防湿機能を有しうる。封止部材117は防湿性が高く且つ水分透過性の低い材料であるエポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂等を材料として用いてもよいが、それ以外のポリエステル系、ポリオレフィン系、ポリアミド系、ポリイミド系の樹脂を用いてもよい。また、封止部材117は放射線検出装置100の外部からの光を遮光するために透過率が10以下であってもよい。続いて、図3を用いて放射線検出装置100の例示の製造方法について説明する。まず、図3aに示すように、支持基板保護層103が表面に形成されたシンチレータ支持基板102の上に柱状結晶の集合体を有するシンチレータ101を真空蒸着法により形成して、シンチレータ基板107を形成する。例えばCsI:Tlを有するシンチレータ101は、CsI沃化セシウムとTlI沃化タリウムとを共蒸着することによって形成される。シンチレータ101の形成方法の具体例を以下に示す。シンチレータの原料を蒸着材料として抵抗加熱ボートに充填するとともに、支持基板保護層103を形成したシンチレータ支持基板102を回転する支持体ホルダに設置する。続いて蒸着装置内を真空ポンプで排気し、Arガスを導入して真空度を0.1Paに調整し、蒸着を行う。次に、図3bに示されるように、シンチレータ101を覆うようにシンチレータ保護膜108をシンチレータ基板107に熱圧着してシンチレータパネル109を形成する。前述のように、シンチレータ保護膜108は、有機保護層104、無機保護層105、および有機保護層106の三層構造を有する。有機保護層104の厚さは例えば5μm以上50μm以下であり、無機保護層105の厚さは例えば10nm以上100nm以下であり、有機保護層106の厚さは例えば5μm以上50μm以下である。シンチレータ保護膜108の形成方法を以下に説明する。まず、有機樹脂フィルム等の有機保護層104の上にCVD法やスパッタリング法や真空蒸着法を用いて無機保護層105を形成する。具体的には、例えば厚さ30μmのオレフィン系ホットメルト樹脂である倉敷紡績製のM-5を有機保護層104として使用し、その上にスパッタリング法を用いて厚さ100nmのAl2O3を無機保護層105として形成する。さらに、無機保護層105上に真空ラミネータを使用して上述の倉敷紡績製のM-5である有機保護層106を加熱100°C、加圧0.5MPaの条件で熱圧着することによりシンチレータ保護膜108を形成する。次に、シンチレータ保護膜108でシンチレータ101を覆い、真空ラミネータ又はヒートローラを使用してシンチレータ保護膜108をシンチレータ基板107に熱圧着して接着する。これにより、無機保護層105とシンチレータ101とが接着される。この接着のために、例えば真空ラミネータを使用し、加熱100°C、加圧0.5MPaの条件で熱圧着を行う。この条件の下で、有機保護層104は軟化状態となり、シンチレータ101の柱状結晶の先端は有機保護層104へ入り込む。一方で、この条件の下では無機保護層105は軟化状態とならないため、有機保護層104へ入り込んだ柱状結晶の先端は無機保護層105に入り込むことはなく、無機保護層105に到達して停止する。次に、図3cに示されるように、シンチレータパネル109とセンサーパネル113を有機保護層106によって接着する。これにより、無機保護層105とセンサーパネル113とが接着される。センサーパネル113は周知の方法によって準備すればよいため、その説明を省略する。シンチレータパネル109とセンサーパネル113との貼り合わせは、例えば真空ラミネータを使用し、加熱100°C、加圧0.5MPaの条件下で熱圧着を行う。この条件の下で、有機保護層106は軟化状態となり、シンチレータパネル109とセンサーパネル113とを接着する。これとともに、センサーパネル113の半導体部材110および導電部材111のうち露出した部分が有機保護層106へ入り込み、有機保護層106によって覆われる。すなわち、有機保護層106はセンサーパネル113の表面保護層として機能しうる。また、この条件下では無機保護層105が軟化状態となることはないため、半導体部材110および導電部材111が無機保護層105を貫通することはない。従って、半導体部材110および導電部材111とシンチレータ101との間に無機保護層105が存在することになり、シンチレータ101による半導体部材110および導電部材111の破損や腐食を防止できる。最後に、封止部材117を用いてセンサーパネル113とシンチレータパネル109との端部同士を接着して封止することによって、図1に示された放射線検出装置100が形成される。上述の例では有機保護層104および有機保護層106としてオレフィン系ホットメルト樹脂である厚さ30μmの倉敷紡績製のM-5を用いた。しかし、さらに保護層を薄くするために、厚さ7μmのポリイミド系ホットメルト樹脂である東レ製のLNA-1007を用いてもよい。これにより、シンチレータ101とセンサーパネル113との距離を一層近づけることができ、より高い鮮鋭度が得られる。LNA-1007を用いる場合には、加熱120°C、加圧0.5MPaの条件で、上述の図2b、図2cで説明された熱圧着を行う。センサーパネル113の耐熱性が問題になる場合には、常温において粘着性を有する粘着剤を有機保護層106として使用することにより、常温でラミネータを用いて貼り合わせを行うことができ、生産性が向上しうる。続いて、図4~図11を用いて放射線検出装置100の各種変更例について説明する。図4~図11において図1と共通する要素については同一の参照符号を付して説明を省略する。また、放射線検出装置100について上述した変形例は以下に説明する放射線検出装置に対しても同様に適用可能である。図4~図6、図9に示される各放射線検出装置は図3を用いて説明された製造方法と同様の方法で製造されるため、異なる工程のみを説明する。図4に示される放射線検出装置400では半導体部材110および導電部材111が部分的に有機保護層106を貫通して無機保護層105に接している。無機保護層105に接しているのは半導体部材110および導電部材111の一部であってもよいし、全部であってもよい。放射線検出装置400は、図3cを用いて説明した工程において、シンチレータパネル109とセンサーパネル113とを加熱100°C、加圧1MPaの条件で熱圧着することによって形成されうる。放射線検出装置400は放射線検出装置100よりもシンチレータ101とセンサーパネル113との距離を短くすることができる。図5に示される放射線検出装置500は、センサーパネル113の代わりにセンサーパネル118を有する。センサーパネル118は半導体部材110および導電部材111を覆うセンサーパネル保護膜119をさらに備えうる。これにより、センサーパネル118の耐久性が向上する。放射線検出装置500では、センサーパネル保護膜119が有機保護層106と接している部分を有する。センサーパネル保護膜119は、例えばSiN、TiO2、LiF、Al2O3、MgO等で形成されうる。センサーパネル保護膜119は、ポリフェニレンサルファイド樹脂、フッ素樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン樹脂等で形成されてもよい。センサーパネル118は、センサーパネル113の上にスパッタリング法によりSiNを成膜することにより形成されうる。放射線検出装置400は放射線検出装置100よりも耐久性と信頼性とが優れる。図6に示される放射線検出装置600は放射線検出装置500と同様であるが、センサーパネル保護膜119のうち半導体部材110および導電部材111を覆う部分が有機保護層106を貫通して無機保護層105に接している。無機保護層105に接している部分は半導体部材110および導電部材111を覆う部分の一部であってもよいし、全部であってもよい。放射線検出装置600は、図3cを用いて説明した工程において、シンチレータパネル109とセンサーパネル113とを加熱100°C、加圧1MPaの条件下で熱圧着することによって形成されうる。放射線検出装置600は放射線検出装置500よりもシンチレータ101とセンサーパネル113との距離を短くすることができる。続いて、図7を用いて放射線検出装置100の別の製造方法について説明する。図3を用いて説明された製造方法とは異なり、この製造方法ではシンチレータ基板107に対してシンチレータ保護膜108の有機保護層106を有機保護層104および無機保護層105とは別の工程で形成する。まず、図7aに示されるように、シンチレータ基板107を形成する。この工程は図3aを用いて説明した工程と同様であるため説明を省略する。次いで、図7bに示されるように、有機保護層104および無機保護層105の二層構造を有するシンチレータ保護膜121を、シンチレータ101を覆うようにシンチレータ基板107上に熱圧着することによりシンチレータパネル122を形成する。まず、シンチレータ基板107に貼り合わせる前に、シンチレータ保護膜121を形成する。例えば、本製造方法では、有機保護層104として厚さ7μmのポリイミド系ホットメルト樹脂である東レ製のLNA-1007を用いうる。また、無機保護層105として厚さ100nmのAl2O3を用いうる。有機保護層104の上にスパッタリング法を用いてAl2O3の薄膜を形成することによって、シンチレータ保護膜121が形成されうる。次に、シンチレータ保護膜121でシンチレータ101を覆い、シンチレータ保護膜121を熱圧着によってシンチレータ基板107に貼り合わせる。例えば、真空ラミネータを使用して、加熱120°C、加圧0.5MPaの条件で熱圧着を行いうる。この条件では無機保護層105は熱融解しないため、三層構造のシンチレータ保護膜108をシンチレータ基板107に貼り付ける場合と比較して、シンチレータ保護膜121の外側シンチレータ101とは反対側の表面を平坦化しうる。その結果としてセンサーパネル113とシンチレータパネル122とを貼り合わせる際に要する温度と圧力を低く抑えることができる。また、図7の製造方法でも、この条件の下で、有機保護層104は軟化状態となり、シンチレータ101の柱状結晶の先端は有機保護層104を貫通して無機保護層105に到達する。一方で、この条件の下では無機保護層105は軟化状態とならないため、柱状結晶の先端は無機保護層105に入り込むことはなく、無機保護層105に接して停止する。上記の工程では二層構造のシンチレータ保護膜108をシンチレータ基板107に貼り付けたが、シンチレータ基板107に有機保護層104を形成した後に、CVD法や真空蒸着法を用いて無機保護層105を形成してもよい。続いて、図7cに示されるように、シンチレータパネル122に対してシンチレータ保護膜121の上に有機保護層106を形成することによってシンチレータパネル109を形成する。シンチレータパネル122のシンチレータ保護膜121の外側の面は無機保護層105で覆われているため、センサーパネル113との接着性を有しない。そこで、シンチレータパネル122に有機保護層106を形成する。例えば、図7の製造方法では、有機保護層106として、厚さ30μmのオレフィン系ホットメルト樹脂である倉敷紡績のM-5を用いうる。真空ラミネータを使用して、加熱100°C、加圧0.5MPaの条件で熱圧着を行い、シンチレータパネル122に有機保護層106を貼り合わせる。続いて、シンチレータパネル109とセンサーパネル113とを、加熱90°C、加圧0.4MPaの条件で貼り合わせる。この条件での温度は、図3の製造方法の温度よりも低い。そのため、図7の製造方法はセンサーパネル113の耐熱性が低い場合に特に有効でありうる。以降の工程は図3を用いて説明された工程と同様のため説明を省略する。続いて、図8を用いて放射線検出装置100のさらに別の製造方法について説明する。図3を用いて説明された製造方法とは異なり、センサーパネル113、シンチレータ基板107、およびシンチレータ保護膜108を一括して熱圧着する。まず、支持基板保護層のうちシンチレータ101の周囲に封止部材124を配置する。封止部材124のうちシンチレータ基板107との接着面には例えばホットメルト樹脂である有機部材123が形成されている。そして、図8aに示されるように、シンチレータ101と封止部材124とを覆う位置にシンチレータ保護膜108を配置し、さらにその上にセンサーパネル113を配置する。その状態で、これらを真空ラミネータに投入し、加熱100°C、加圧0.5MPaの条件で熱圧着を行う。それにより、図8bに示されるような放射線検出装置800が形成されうる。図8の製造方法では、図3、図7の製造方法と比較して、短時間で放射線検出装置800を製造することができ、高い生産性を有する。図9に示される放射線検出装置900は、シンチレータ保護膜108の代わりにシンチレータ保護膜125を有する。シンチレータ保護膜125はシンチレータ保護膜108の無機保護層105と有機保護層106との間にさらに無機層基台126を配置したものである。シンチレータ保護膜125は以下のように製造しうる。まず、厚さ2μmのPET樹脂からなる無機層基台126の一方の面の上に無機保護層105として厚さ50nmのSiO2膜を形成する。次いで、無機保護層105の上に厚さ7μmのポリイミド-エポキシ樹脂からなる熱可塑性樹脂を塗布して有機保護層104を形成する。次いで、無機層基台126の他方の面に厚さ4μmの粘着剤を塗布して有機保護層106を塗布を形成する。このように、PET樹脂を無機層基台126として使用することにより、無機層基台126がホットメルト樹脂や粘着剤の塗布用芯材を兼ねることができる。これにより、芯材を有さないシンチレータ保護膜108と比べてホットメルト樹脂や粘着剤を薄く塗布することができ、シンチレータ保護膜125の膜厚を薄くすることができる。本実施形態の例では、シンチレータ保護膜125の膜厚は13μmなる。図3bと同様に、このように形成したシンチレータ保護膜125でシンチレータ101を覆い、真空ラミネータを使用してシンチレータ保護膜125をシンチレータ基板107に熱圧着して接着する。これにより、シンチレータパネル127が形成される。そして、シンチレータパネル127とセンサーパネル118とをロールラミネータを使用して加圧し貼り合わせる。続いて、図10を用いて、より耐湿性の高いシンチレータパネルの製造方法について説明をする。上述の各実施形態におけるシンチレータパネルも十分な耐湿性を有しているが、本実施形態のシンチレータパネルはさらに高い耐湿性を有する。まず図1bに示されるシンチレータパネル109を用意する。このシンチレータパネル109の端部1001シンチレータ保護膜108と支持基板保護層103とが接する部分を170°Cに加熱した幅2mmのヒートシールヘッド1002を用いて1分間加圧してヒートシールを行う。それにより、図10cに示されるヒートシール部1003を有するシンチレータパネルが形成される。ヒートシール部1003により、ホットメルトからなる第一の有機保護層104が支持基板保護層103に対して圧着され、リークパスが狭くなり、より耐湿性の高いシンチレータパネルが得られる。図10ではシンチレータパネル109を例として用いたが、上述の何れのシンチレータパネルの変形を用いてもよい。また近年では、放射線検出装置の大型化や軽量化に伴い基板端部の狭額縁化が進んでいる。例えば、図11aに示されるようにシンチレータ101の端部とシンチレータ支持基板102の端部とが近接している場合や図11bに示されるようにシンチレータ支持基板102の端部までシンチレータ101が蒸着される場合がある。この場合に、図11aや図11bに示されるように、シンチレータ支持基板102の裏側までシンチレータ保護膜108を熱圧着し、この裏面の部分1101、1102においてヒートシールをおこなってもよい。また、図11cに示されるように、シンチレータ保護膜108でシンチレータ基板107を全体的に覆い、シンチレータ保護膜108が重なる部分1103で一方のシンチレータ保護膜108を他方のシンチレータ保護膜108に対してヒートシールしてもよい。以上において説明された各放射線検出装置では、シンチレータ101を無機保護層105で覆うため、シンチレータ101の耐湿性が向上する。例えば、シンチレータパネル109では、CR環境下25°C、40においてMTFの劣化を30日間で5以下に抑制することができる。N2デシケータや真空デシケータ内でシンチレータパネル109を保管した場合にはさらにMTFの劣化を抑制できる。また、シンチレータ保護膜108の熱圧着の際にシンチレータ保護膜108に入り込むシンチレータ101が無機保護層105によって停止されるため、シンチレータ101とセンサーパネル113との間の距離を短縮できる。また、センサーパネル113とシンチレータ101との接着に粘着剤を使用しないため、粘着剤を使用する場合と比較して工数の削減およびコストダウンを達成できる。特に、図1および図4の放射線検出装置ではシンチレータ保護膜108がセンサーパネル保護膜としても機能するため、センサーパネル113とシンチレータ101との間の距離を一層短縮することができるとともに、工数を削減することもできる。<その他の実施形態>図9は本発明に係る放射線用の検出装置のX線診断システム放射線検出システムへの応用例を示した図である。X線チューブ6050放射線源で発生した放射線としてのX線6060は、被験者又は患者6061の胸部6062を透過し、本発明の検出装置の上部に配置した検出装置6040に入射する。この入射したX線には患者6061の体内部の情報が含まれている。X線の入射に対応してシンチレータは発光し、これを光電変換して、電気的情報を得る。この情報はデジタル信号に変換され信号処理手段となるイメージプロセッサ6070により画像処理され制御室の表示手段となるディスプレイ6080で観察できる。なお、放射線検出システムは、検出装置と、検出装置からの信号を処理する信号処理手段とを少なくとも有する。また、この情報は電話回線6090等の伝送処理手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなど表示手段となるディスプレイ6081に表示もしくは光ディスク等の記録手段に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。また記録手段となるフィルムプロセッサ6100により記録媒体となるフィルム6110に記録することもできる。