ベース基板;前記ベース基板に実装され、前記ベース基板と電気的に連結される多数個の高電力チップ;前記ベース基板に実装され、前記ベース基板と電気的に連結される多数個の低電力チップ;及び多数個の前記高電力チップと多数個の前記低電力チップ及び前記ベース基板を電気的に連結する多数個の金属リード板を含むことを特徴とするパワーパッケージモジュール。多数個の前記高電力チップと多数個の前記低電力チップは、前記ベース基板に順に交互に実装されることを特徴とする請求項1に記載のパワーパッケージモジュール。前記金属リード板は、前記ベース基板に順に交互に実装される前記高電力チップ2個と前記低電力チップ2個を前記ベース基板と電気的に連結することを特徴とする請求項1に記載のパワーパッケージモジュール。前記金属リード板は、前記高電力チップと連結される高電力チップ連結部;前記低電力チップと連結される低電力チップ連結部;前記ベース基板と連結されるベース基板連結部;前記高電力チップ連結部と前記ベース基板連結部を連結する第1連結部;前記低電力チップ連結部と前記ベース基板連結部を連結する第2連結部;及び前記高電力チップと前記低電力チップを連結する第3連結部を含むことを特徴とする請求項1に記載のパワーパッケージモジュール。前記高電力チップはワイヤボンディングするための溝が形成されていることを特徴とする請求項4に記載のパワーパッケージモジュール。前記第1連結部、前記第2連結部及び前記第3連結部はベンディング部を備えることを特徴とする請求項4に記載のパワーパッケージモジュール。前記高電力チップは絶縁ゲート型バイポーラトランジスタIGBTであり、前記低電力チップはダイオードDiodeであることを特徴とする請求項1に記載のパワーパッケージモジュール。前記ベース基板の外周面及び側面を包むように形成されたハウジング;前記ハウジングに形成され、前記ベース基板と電気的に連結されるリード;前記ベース基板に実装された前記高電力チップ、前記低電力チップ及び前記金属リード板を覆うように前記ベース基板の内部に充填されるモールディング部;及び前記モールディング部を覆うカバーをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のパワーパッケージモジュール。前記金属リード板と前記ベース基板、前記高電力チップ及び前記低電力チップを電気的に連結する接着層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のパワーパッケージモジュール。前記接着層は半田層であることを特徴とする請求項9に記載のパワーパッケージモジュール。ベース基板を準備する段階;前記ベース基板と電気的に連結される多数個の高電力チップ及び多数個の低電力チップを実装する段階;及び多数個の前記高電力チップ、多数個の前記低電力チップ及び前記ベース基板を連結する多数個の金属リード板を前記ベース基板に実装する段階を含むことを特徴とするパワーパッケージモジュールの製造方法。前記ベース基板を準備する段階は、金属層を陽極酸化して陽極酸化層を形成し、一面の前記陽極酸化層に回路層を形成して、その回路層を陽極酸化基板に形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載のパワーパッケージモジュールの製造方法。前記高電力チップは絶縁ゲート型バイポーラトランジスタIGBTであり、前記低電力チップはダイオードDiodeであることを特徴とする請求項11に記載のパワーパッケージモジュールの製造方法。前記ベース基板の外周面及び側面を包むハウジングを形成し、前記ハウジングに前記ベース基板と連結されるリードを実装する段階;前記ベース基板に実装された多数個の前記高電力チップ、多数個の前記低電力チップ及び多数個の前記金属リード板を覆うように、前記ハウジング内部に充填されるモールディング部を実装する段階;及び前記モールディング部にカバーを実装する段階をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載のパワーパッケージモジュールの製造方法。多数個の前記高電力チップ及び多数個の前記低電力チップを実装する段階は、前記ベース基板に接着層をスクリーンプリント工法で実装する段階;及び前記接着層を介して前記ベース基板と電気的に連結される多数個の前記高電力チップ及び多数個の前記低電力チップを前記ベース基板に実装する段階をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載のパワーパッケージモジュールの製造方法。前記接着層は半田層であることを特徴とする請求項15に記載のパワーパッケージモジュールの製造方法。本発明は、上述のような従来技術の問題点を解決するために導き出されたものであり、熱応力によるベース基板及び前記ベース基板に結合される高電力チップ及び低電力チップの歪み現象を減少させて、放熱効果及び信頼性が向上するパワーパッケージモジュール及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明の好ましい実施例によるパワーパッケージモジュールは、ベース基板、前記ベース基板に実装され、前記ベース基板と電気的に連結される多数個の高電力チップ、前記ベース基板に実装され、前記ベース基板と電気的に連結される多数個の低電力チップ、及び多数個の前記高電力チップと多数個の前記低電力チップ及び前記ベース基板を電気的に連結する多数個の金属リード板を含むことを特徴とする。また、多数個の前記高電力チップと多数個の前記低電力チップは、前記ベース基板に順に交互に実装されることを特徴とする。そして、前記金属リード板は、前記ベース基板に順に交互に実装される前記高電力チップ2個と前記低電力チップ2個を前記ベース基板と電気的に連結することを特徴とする。また、前記金属リード板は、前記高電力チップと連結される高電力チップ連結部、前記低電力チップと連結される低電力チップ連結部、前記ベース基板と連結されるベース基板連結部及び前記高電力チップ連結部と前記ベース基板連結部を連結する第1連結部、前記低電力チップ連結部と前記ベース基板連結部を連結する第2連結部、及び前記高電力チップと前記低電力チップを連結する第3連結部を含むことを特徴とする。また、前記高電力チップは、ワイヤボンディングするための溝が形成されていることを特徴とする。そして、前記第1連結部、前記第2連結部及び前記第3連結部は、ベンディング部を備えることを特徴とする。また、前記高電力チップは、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタIGBTであり、前記低電力チップは、ダイオードDiodeであることを特徴とする。そして、前記ベース基板の外周面及び側面を包むように形成されたハウジング、前記ハウジングに形成され、前記ベース基板と電気的に連結されるリード、前記ベース基板に実装された前記高電力チップ、前記低電力チップ及び前記金属リード板を覆うように前記ベース基板の内部に充填されるモールディング部、及び前記モールディング部を覆うカバーをさらに含むことを特徴とする。また、前記金属リード板と前記ベース基板、前記高電力チップ及び前記低電力チップを電気的に連結する接着層をさらに含むことを特徴とする。そして、前記接着層は、半田層であることを特徴とする。本発明の好ましい実施例によるパワーパッケージモジュールの製造方法は、ベース基板を準備する段階、前記ベース基板と電気的に連結される多数個の高電力チップ及び多数個の低電力チップを実装する段階、及び多数個の前記高電力チップ、多数個の前記低電力チップ及び前記ベース基板を連結する多数個の金属リード板を前記ベース基板に実装する段階を含むことを特徴とする。また、前記ベース基板を準備する段階は、金属層を陽極酸化して陽極酸化層を形成し、一面の前記陽極酸化層に回路層を形成して、その回路層を陽極酸化基板に形成する段階をさらに含むことを特徴とする。そして、前記高電力チップは、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタIGBTであり、前記低電力チップは、ダイオードDiodeであることを特徴とする。また、前記ベース基板の外周面及び側面を包むハウジングを形成し、前記ハウジングに前記ベース基板と連結されるリードを実装する段階、前記ベース基板に実装された多数個の前記高電力チップ、多数個の前記低電力チップ及び多数個の前記金属リード板を覆うように、前記ハウジング内部に充填されるモールディング部を実装する段階、及び前記モールディング部にカバーを実装する段階をさらに含むことを特徴とする。そして、多数個の前記高電力チップ及び多数個の前記低電力チップを実装する段階は、前記ベース基板に接着層をスクリーンプリント工法で実装する段階、及び前記接着層を介して前記ベース基板と電気的に連結される多数個の前記高電力チップ及び多数個の前記低電力チップを前記ベース基板に実装する段階をさらに含むことを特徴とする。本発明の特徴及び利点は、添付図面に基づいた以下の詳細な説明によってさらに明らかになるであろう。本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び請求範囲に用いられた用語や単語は、通常的かつ辞書的な意味に解釈されてはならず、発明者が自らの発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されるべきである。本発明によるパワーパッケージモジュール及びその製造方法は、多数個の高電力チップと多数個の低電力チップ及びベース基板を連結するベンディング部を備える金属リード板を提供することにより、前記高電力チップ及び前記低電力チップから発生する熱応力によって発生する前記ベース基板の歪み現象だけでなく、前記高電力チップと前記低電力チップに連結された前記金属リード板の歪み現象まで減少させる効果がある。また、前記金属リード板のベンディング部で前記高電力チップ及び前記低電力チップから発生する熱を放熱させるため、チップとチップ及びチップとベース基板の接合温度を低める効果がある。そして、一つの前記金属リード板が多数個の前記高電力チップと多数個の前記低電力チップを前記ベース基板に電気的に連結することにより、既存のワイヤボンディング工程より工程時間を短縮させる効果がある。また、多数個の前記高電力チップ及び多数個の前記低電力チップを一つの金属リード板で接合させることにより、前記金属リード板と接合された多数個の前記高電力チップと前記低電力チップに均一な電流分散が可能であるため、SOAsafeofares領域を拡張させる効果がある。本発明の目的、特定の長所及び新規の特徴は、添付図面に係わる以下の詳細な説明および好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ異なる図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。また、第1、第2などの用語は、多様な構成要素を説明するために用いられることができるが、前記構成要素は、前記用語によって限定されてはならない。前記用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別するためにのみ用いられる。また、本発明の説明において、係わる公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要にぼかす可能性があると判断される場合は、その詳細な説明を省略する。以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。パワーパッケージモジュールの構造図2は、本発明の好ましい実施例によるパワーパッケージモジュール200の平面図であり、図3は、図2のA部分を拡大して示した断面図である。図2及び図3に示すように、本実施例によるパワーモジュール200は、ベース基板210、前記ベース基板210上に形成された多数個の高電力チップ220及び多数個の低電力チップ230、多数個の前記高電力チップ220と多数個の前記低電力チップ230及び前記ベース基板210を電気的に連結する多数個の金属リード板270を含むことを特徴とする。前記ベース基板210の上面には、好ましくは陽極酸化基板未図示が形成され、前記陽極酸化基板未図示は、金属層211、陽極酸化層212及び回路層213を含む。ここで、前記金属層211は、例えば、アルミニウムで構成されることができる。アルミニウムは、軽くて熱伝導性が優れるため、前記金属層211がアルミニウムで構成される場合、前記ベース基板210の重量が軽くなり、前記高電力チップ220及び低電力チップ230から発生した熱が外部に速かに放出されることができる。但し、前記金属層211の材質は、これに限定されず、陽極酸化が可能な金属であれば、どのような材質でも可能である。また、前記陽極酸化層212は、前記金属層211を陽極酸化して形成された層であり、前記金属層211がアルミニウムで構成された場合、前記陽極酸化層212は、酸化アルミニウムAl2O3で構成されることができる。また、前記陽極酸化層212は、前記金属層211の表面全体または一部に形成されることができる。前記回路層213は、一面の前記陽極酸化層212に形成された層であり、前記高電力チップ220及び前記低電力チップ230が前記回路層213に電気的に連結されることができる。これにより、前記回路層213は、前記高電力チップ220及び前記低電力チップ230と電気的に連結され、回路信号を伝達する役割を遂行することにより、前記高電力チップ220及び前記低電力チップ230と前記ベース基板210が電気的に連結される。図3には、前記回路層213がパターニングされていないこととして図示したが、これは、図示の便宜のためのものであり、前記回路層213は、パターニングされている。前記ベース基板210には、多数個の前記高電力チップ220と多数個の前記低電力チップ230が実装される。ここで、前記高電力チップ220と前記低電力チップ230は、順に交互に実装され、好ましくは、高電力チップ、低電力チップ、高電力チップ、低電力チップの順に、または反対に、低電力チップ、高電力チップ、低電力チップ、高電力チップの手に、前記ベース基板210上の一つの列に高電力チップ2個と低電力チップ2個が実装される。そして、接着層である半田層282、285は、前記回路層213と多数個の前記高電力チップ220及び多数個の前記低電力チップ230を電気的に連結することができるように、例えば、電気伝導性物質で構成されることが好ましい。また、前記高電力チップ220は、例えば、電力素子である絶縁ゲート型バイポーラトランジスタIGBTであることが好ましく、前記低電力チップ230は、例えば、制御素子であるダイオードであることが好ましい。図4は、本発明の好ましい実施例による金属リード板270の斜視図であり、図5から図7は、本発明の好ましい実施例による第1連結部273、第2連結部274及び第3連結部275の断面図である。前記金属リード板270は、好ましくは高電力チップ、低電力チップ、高電力チップ、低電力チップの順に、または反対に、低電力チップ、高電力チップ、低電力チップ、高電力チップの順に、前記ベース基板210上の一つの列に順に交互に実装される前記2個の高電力チップ220及び前記2個の低電力チップ230と前記ベース基板210を電気的に連結するために、前記高電力チップ220と連結される高電力チップ連結部271と、前記低電力チップ230と連結される低電力チップ連結部272、及び前記ベース基板210を連結するベース基板連結部276、277を含む。また、前記金属リード板270は、前記高電力チップ連結部271と前記ベース基板連結部276を連結する第1連結部273と、前記低電力チップ連結部272と前記ベース基板連結部277を連結する第2連結部274、及び前記高電力チップ220と前記低電力チップ230を連結する第3連結部275を含み、前記高電力チップ連結部271にはワイヤボンディングをするための溝278が形成される。そして、前記金属リード板270は、熱伝導性及び電気伝導性に優れたCu、Ag、Alまたは合金材質で構成することができる。前記金属リード板270の前記高電力チップ連結部271は、前記高電力チップ220上に実装され、前記高電力チップ連結部271と前記高電力チップ220の間には、電気的に連結することができるように、例えば、電気伝導性物質で構成される半田層281を形成することもできる。また、前記金属リード板270の前記低電力チップ連結部272は、前記低電力チップ230上に実装され、前記低電力チップ連結部272と前記低電力チップ230の間には、電気的に連結することができるように、例えば、電気伝導性物質で構成される半田層284を形成することもできる。そして、前記金属リード板270の前記ベース基板連結部276、277が前記ベース基板210と連結されることにより、多数個の前記高電力チップ220及び多数個の前記低電力チップ230は、前記金属リード板270によって前記ベース基板210と電気的に連結される。また、前記ベース基板連結部276、277と前記ベース基板210の間には、電気的に連結することができるように、例えば、電気伝導性物質で構成される半田層280、283を形成することもできる。これにより、一つの前記金属リード板270は、2個の前記高電力チップ220と2個の前記低電力チップ230及び前記ベース基板210と電気的に連結される。前記高電力チップ220と前記低電力チップ230から熱応力が発生し、前記金属リード板270に熱が伝達される場合、前記金属リード板270は、熱応力によって反復的な膨脹/収縮現象の影響を受けるようになる。しかし、図4に図示されたように、前記金属リード板270の前記第3連結部275は、曲面形状のベンディング部を備えているため、前記高電力チップ220と前記低電力チップ230から発生する熱応力がベンディング部の両方向に分散される放熱効果により、熱応力によって前記金属リード板270と前記高電力チップ220及び前記低電力チップ230が歪む現象を防止することができ、前記金属リード板270と前記高電力チップ220及び前記低電力チップ230が破損されることを防止するようになる。また、前記高電力チップ220と前記低電力チップ230から発生する熱応力は、前記回路層213、前記陽極酸化層212、前記金属層211に伝達され、最終的には前記ベース基板210への熱伝逹を発生させる。従って、前記ベース基板210も熱応力によって反復的な膨脹/収縮現象の影響を受けるようになり、前記ベース基板210が歪む現象が発生する。しかし、図4に図示されたように、前記金属リード板270の前記第1連結部273と第2連結部274は、曲面形状のベンディング部を備えているため、熱応力がベンディング部の両方向に分散される放熱効果により、前記ベース基板210が熱応力によって歪む現象を防止することができ、前記ベース基板210及び前記金属リード板270が破損されることを防止するようになる。図5から図7に図示されたように、前記金属リード板270a、270b、270cの第1連結部273a、273b、273c、第2連結部274a、274b、274c及び第3連結部275a、275b、275cは、多様な形状のベンディング部を備える。従って、前記高電力チップ220及び前記低電力チップ230の間の熱膨脹係数の差によって発生する熱応力による膨脹/収縮現象、そして前記高電力チップ220と前記低電力チップ230及び前記ベース基板210の間の熱膨脹係数の差によって発生する熱応力による膨脹/収縮現象を、前記ベンディング部の放熱効果によって減少させることができるため、前記高電力チップ220、前記低電力チップ230及び前記ベース基板210が破損されることを防止することができる効果がある。また、図7に図示されたように、前記第1連結部273c、第2連結部274c及び第3連結部275cにラウンドRをさらに形成することにより、放熱効果を向上させ、膨脹/収縮現象をさらに減少させる効果がある。また、前記パワーパッケージモジュール200には、ハウジング240、リード241、モールディング部250及びカバー260がさらに形成されることができる。ここで、前記リード241は、前記ハウジング240に固定されるように実装され、前記ベース基板210の前記回路層213と外部を電気的に連結する。また、前記リード241は、例えば、金、銀、銅、ニッケルなどのような電気伝導性の金属板であることが好ましい。一方、図2には、前記リード241と前記回路層213がワイヤ242を介して連結された場合を図示したが、これは例示的なものであり、前記リード241と前記回路層213を連結することができる構成であれば可能である。また、図2には、前記ハウジング240が前記ベース基板210上に実装される場合を図示したが、これは例示的なものであり、前記ハウジング240は、前記ベース基板210の側面に実装されることもできる。従って、前記ハウジング240は、前記ベース基板210の側面または前記ベース基板210上に形成され、前記高電力チップ220及び前記低電力チップ230を含んだパワーパッケージモジュール200を保護する部材である。また、前記ハウジング240は、前記パワーパッケージモジュール200の内部と外部を連結するリード241を含んでいるため、短絡されないように絶縁物質で構成されることが好ましい。前記モールディング部250は、前記ハウジング240の内部に満たされ、前記ベース基板210と前記高電力チップ220及び前記低電力チップ230を固定することができる。また、前記モールディング部250は、前記パワーパッケージモジュール200を外部の衝撃から十分に保護することができるように、前記高電力チップ220及び前記低電力チップ230を含んだ前記ベース基板210の上面まで形成されることが好ましい。一方、前記モールディング部250は、例えば、エポキシモールドコンパウンドEMCまたはシリコーンゲルで構成されることが好ましい。前記カバー260は、前記パワーパッケージモジュール200を外部の衝撃から保護するために、前記モールディング部250の上部に形成される部材であり、前記ハウジング240と同一の材料で構成されることが好ましい。また、前記ベース基板210の下部には、ヒートシンク未図示が接合されて、発熱効果をさらに向上させることができる。パワーパッケージモジュールの製造方法図8から図15は、図2及び図3に図示したパワーパッケージモジュール200の製造方法を説明するための工程断面図である。以下、これを参照して、本発明の実施例によるパワーパッケージモジュール200の製造方法を説明すると次の通りである。まず、図8に図示したように、本発明の好ましい実施例として、ベース基板210を形成するために金属層211を陽極酸化して陽極酸化層212を形成する。この際、前記金属層211は、アルミニウム、陽極酸化層212は、酸化アルミニウムAl2O3で構成することができる。また、前記金属層211をホウ酸、燐酸、硫酸、クロム酸などの電解液に浸した後、前記金属層211に陽極を印加し、電解液に陰極を印加することにより、前記金属層211の表面全体に電気的絶縁を遂行する酸化被膜を成長させることにより、前記陽極酸化層212を形成することができる。次に、一面の前記陽極酸化層212に回路層213を形成して陽極酸化基板未図示を準備し、前記陽極酸化基板未図示で構成されたベース基板210を形成する。また、前記回路層213は、例えば、セミアディティブ工法SAP;Semi-additiveProcessなどの公知された方法で形成することができる。また、前記回路層213は、電気伝導性及び熱伝導性に優れた金属、例えば、銅で構成されることが好ましい。次に、前記ベース基板210に接着層である多数の半田層280、282、283、285を形成する。次に、図9に図示したように、前記ベース基板210に多数個の前記高電力チップ220及び多数個の前記低電力チップ230を順に交互に実装し、好ましくは、高電力チップ、低電力チップ、高電力チップ、低電力チップの順に、または反対に、低電力チップ、高電力チップ、低電力チップ、高電力チップの順に、前記ベース基板210上の一つの列に高電力チップ2個と低電力チップ2個を実装する。この際、多数個の前記高電力チップ220及び多数個の前記低電力チップ230は、前記回路層213上に直接形成されることができ、前記高電力チップ220及び前記低電力チップ230と前記回路層213の間に、例えば、前記半田層282、285のような電気伝導性を有する接着層が介在され、前記高電力チップ220及び前記低電力チップ230が前記ベース基板210と電気的に連結されることができる。また、前記接着層である前記半田層282、285を陽極酸化基板未図示にスクリーンプリント工法で印刷した後、前記高電力チップ220及び前記低電力チップ230を連結することができる。次に、図10に図示したように、前記高電力チップ220に接着層である半田層281を形成し、前記低電力チップ230に接着層である半田層284を形成する。次に、図11に図示したように、接着層である前記半田層280、281、283、284に前記金属リード板270が実装され、前記金属リード板270の高電力チップ連結部271は前記高電力チップ220上の前記半田層281に実装され、ベース基板連結部276は前記半田層280に実装される。また、前記金属リード板270の低電力チップ連結部272は、前記低電力チップ230上の前記半田層284に実装され、ベース基板連結部277は、前記半田層283に実装される。これにより、前記金属リード板270は、前記ベース基板210の前記回路層213の一面に形成された前記高電力チップ220及び前記低電力チップ230をともに含んで前記ベース基板210に電気的に連結される。次に、図12及び図13に図示したように、前記ベース基板210にリード241を含むハウジング240を結合する。また、前記ハウジング240に含まれた前記リード241と前記ベース基板210の前記回路層213とをワイヤ242を介して連結し、前記高電力チップ連結部271に形成された溝278の間にワイヤ243を連結して、前記高電力チップ220と前記ベース基板210を連結する。次に、図14に図示したように、前記ハウジング240の内部にモールディング部250を形成する。この際、前記高電力チップ220と前記低電力チップ230及び前記ベース基板210の上面を全て覆うように前記モールディング部250を形成することができ、前記モールディング部250は、例えば、シリコーンゲルであることが好ましい。次に、図15に図示したように、前記モールディング部250の上部にカバー260を形成する。このような製造工程により、図2及び図3に図示された本発明の好ましい実施例であるパワーパッケージモジュール200が製造される。以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは、本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明によるパワーパッケージモジュール及びその製造方法は、これに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。本発明の単純な変形乃至変更は、いずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は、添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。