"基板の端子と電子部品の端子とを異方性導電接続させる接続方法において、前記基板の端子上に異方性導電フィルムを貼り付ける貼付工程と、前記異方性導電フィルム上に電子部品を載置する載置工程と、前記異方性導電フィルムに磁場をかけながら、前記電子部品を加熱押圧部材により加熱及び押圧する加熱押圧工程と、を含み、前記異方性導電フィルムが、導電性粒子及び絶縁性粒子を含有し、前記導電性粒子が、磁性を有し、前記絶縁性粒子が、磁性を有する芯粒子を絶縁層で被覆した粒子であることを特徴とする接続方法。異方性導電フィルムにおける導電性粒子と絶縁性粒子との質量比率導電性粒子:絶縁性粒子が、80:20~50:50である請求項1に記載の接続方法。導電性粒子が、ニッケル粒子であり、絶縁性粒子が、ニッケル粒子を絶縁層で被覆した粒子である請求項1から2のいずれかに記載の接続方法。導電性粒子の平均粒子径が、絶縁性粒子の平均粒子径以上である請求項1から3のいずれかに記載の接続方法。請求項1から4のいずれかに記載の接続方法により製造されることを特徴とする接合体。導電性粒子と絶縁性粒子とを含有し、前記導電性粒子が、磁性を有し、前記絶縁性粒子が、磁性を有する芯粒子を絶縁層で被覆した粒子であることを特徴とする異方性導電フィルム。本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、磁力を利用したファインピッチの異方性導電接続において、隣接する端子間の絶縁抵抗が得られつつ、異方性導電接続ができる異方性導電フィルム、並びに該異方性導電フィルムを用いた接続方法、及び接合体を提供することを目的とする。前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、<1>基板の端子と電子部品の端子とを異方性導電接続させる接続方法において、前記基板の端子上に異方性導電フィルムを貼り付ける貼付工程と、前記異方性導電フィルム上に電子部品を載置する載置工程と、前記異方性導電フィルムに磁場をかけながら、前記電子部品を加熱押圧部材により加熱及び押圧する加熱押圧工程と、を含み、前記異方性導電フィルムが、導電性粒子及び絶縁性粒子を含有し、前記導電性粒子が、磁性を有し、前記絶縁性粒子が、磁性を有する芯粒子を絶縁層で被覆した粒子であることを特徴とする接続方法である。<2>異方性導電フィルムにおける導電性粒子と絶縁性粒子との質量比率導電性粒子:絶縁性粒子が、80:20~50:50である前記<1>に記載の接続方法である。<3>導電性粒子が、ニッケル粒子であり、絶縁性粒子が、ニッケル粒子を絶縁層で被覆した粒子である前記<1>から<2>のいずれかに記載の接続方法である。<4>導電性粒子の平均粒子径が、絶縁性粒子の平均粒子径以上である前記<1>から<3>のいずれかに記載の接続方法である。<5>前記<1>から<4>のいずれかに記載の接続方法により製造されることを特徴とする接合体である。<6>導電性粒子と絶縁性粒子とを含有し、前記導電性粒子が、磁性を有し、前記絶縁性粒子が、磁性を有する芯粒子を絶縁層で被覆した粒子であることを特徴とする異方性導電フィルムである。本発明によれば、従来における前記諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、磁力を利用したファインピッチの異方性導電接続において、隣接する端子間の絶縁抵抗が得られつつ、異方性導電接続ができる異方性導電フィルム、並びに該異方性導電フィルムを用いた接続方法、及び接合体を提供することができる。異方性導電フィルム本発明の異方性導電フィルムは、導電性粒子と絶縁性粒子とを少なくとも含有し、更に必要に応じて、その他の成分を含有する。<導電性粒子>前記導電性粒子としては、磁性を有する導電性粒子であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、銅、鉄、ニッケル、金、銀、アルミニウム、亜鉛、ステンレス、ヘマタイトFe2O3、マグネタイトFe3O4、一般式:MFe2O4、MOnFe2O3両式中、Mは、2価の金属を表し、例えば、Mn,Co,Ni,Cu,Zn,Ba,Mgなどが挙げられる。nは、正の整数である。そして、前記Mは、繰り返し時において同種であってもよいし、異種であってもよい。で表される各種フェライト、ケイ素綱粉、パーマロイ、Co基アモルファス合金、センダスト、アルパーム、スーパーマロイ、ミューメタル、パーメンター、パーミンバー等の各種金属粉、その合金粉などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、接続信頼性の点から、金属粒子が好ましく、ニッケル粒子がより好ましい。前記異方性導電フィルムにおける前記導電性粒子の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記導電性粒子の平均粒子径としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、0.1μm~50.0μmが好ましく、2.0μm~30.0μmがより好ましい。また、前記導電性粒子の平均粒子径は、前記絶縁性粒子の平均粒子径以上であることが、基板の端子と電子部品の端子との導通抵抗値が優れる点で好ましく、前記絶縁性粒子の平均粒径よりも大きいことが、基板の端子と電子部品の端子との導通抵抗値が優れる点、及びショート数が少ない点でより好ましい。前記平均粒子径は、例えば、粒度分布計、走査型電子顕微鏡SEMにより測定することができる。<絶縁性粒子>前記絶縁性粒子としては、磁性を有する芯粒子を絶縁層で被覆した粒子であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記磁性を有する芯粒子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記導電性粒子の説明で記載した磁性を有する導電性粒子などが挙げられる。前記絶縁層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、樹脂からなる層などが挙げられる。前記樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、固形エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂ビニル重合体、ポリエステル樹脂、アルキル化セルロース樹脂、フラックス樹脂などが挙げられる。前記絶縁性粒子としては、磁性を有する導電性粒子と優先的に引き合うという観点から、金属粒子を絶縁層で被覆した粒子であることが好ましく、ニッケル粒子を絶縁層で被覆した粒子であることがより好ましい。前記磁性を有する芯粒子を絶縁層で被覆する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、磁性を有する芯粒子を樹脂溶液中に分散させ、その分散体を微細な液滴として噴霧しながら加温し、溶剤を乾燥する方法などが挙げられる。この方法に用いる樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、固形エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂ビニル重合体、ポリエステル樹脂、アルキル化セルロース樹脂、フラックス樹脂などが挙げられる。ここで、前記絶縁性粒子の絶縁性としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、端子同士の間を前記導電性粒子と前記絶縁性粒子とが数珠繋ぎになって橋渡しするような場合に、絶縁抵抗が得られる、即ちショートしないような絶縁性などが挙げられる。前記異方性導電フィルムにおける前記絶縁性粒子の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記絶縁性粒子の平均粒子径としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、0.1μm~49.5μmが好ましく、1.5μm~29.5μmがより好ましい。前記平均粒子径は、例えば、粒度分布計、走査型電子顕微鏡SEMにより測定することができる。前記異方性導電フィルムにおける前記導電性粒子と前記絶縁性粒子との比率としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、質量比率導電性粒子:絶縁性粒子として、80:20~50:50が好ましい。前記質量比率が、前記好ましい範囲内であると、基板の端子同士及び電子部品の端子同士の絶縁抵抗、及び基板の端子と電子部品の端子との導通抵抗値の点で有利である。また、前記異方性導電フィルムにおける前記導電性粒子と前記絶縁性粒子との質量比率導電性粒子:絶縁性粒子は、前記導電性粒子の平均粒子径と前記絶縁性粒子の平均粒子径が同じ場合には、70:30~60:40が好ましい。前記異方性導電フィルムにおける前記導電性粒子と前記絶縁性粒子との質量比率導電性粒子:絶縁性粒子は、前記導電性粒子の平均粒子径が前記絶縁性粒子の平均粒子径よりも大きい場合には、80:20~50:50が好ましい。<その他の成分>前記その他の成分としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、膜形成樹脂、熱硬化性樹脂、硬化剤、シランカップリング剤などが挙げられる。-膜形成樹脂-前記膜形成樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、フェノキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリオレフィン樹脂などが挙げられる。前記膜形成樹脂は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、製膜性、加工性、接続信頼性の点からフェノキシ樹脂が特に好ましい。前記フェノキシ樹脂とは、ビスフェノールAとエピクロルヒドリンより合成される樹脂であって、適宜合成したものを使用してもよいし、市販品を使用してもよい。前記異方性導電フィルムにおける前記膜形成樹脂の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。-熱硬化性樹脂-前記熱硬化性樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などが挙げられる。--エポキシ樹脂--前記エポキシ樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、それらの変性エポキシ樹脂等の熱硬化性エポキシ樹脂などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。前記異方性導電フィルムにおける前記エポキシ樹脂の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。--アクリル樹脂--前記アクリル樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、イソブチルアクリレート、リン酸基含有アクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート、テトラメチレングリコールテトラアクリレート、2-ヒドロキシ-1,3-ジアクリロキシプロパン、2,2-ビス[4-アクリロキシメトキシフェニル]プロパン、2,2-ビス[4-アクリロキシエトキシフェニル]プロパン、ジシクロペンテニルアクリレート、トリシクロデカニルアクリレート、トリスアクリロキシエチルイソシアヌレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレートなどが挙げられる。なお、前記アクリレートをメタクリレートにしたものを用いることもできる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。前記異方性導電フィルムにおける前記アクリル樹脂の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。-硬化剤-前記硬化剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、カチオン系硬化剤、ラジカル系硬化剤などが挙げられる。--カチオン系硬化剤--前記カチオン系硬化剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スルホニウム塩、オニウム塩などが挙げられる。これらの中でも、芳香族スルホニウム塩が好ましい。前記カチオン系硬化剤は、前記熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂と併用することが好ましい。前記異方性導電フィルムにおける前記カチオン系硬化剤の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。--ラジカル系硬化剤--前記ラジカル系硬化剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、有機過酸化物などが挙げられる。前記ラジカル系硬化剤は、前記熱硬化性樹脂としてのアクリル樹脂と併用することが好ましい。前記異方性導電フィルムにおける前記ラジカル系硬化剤の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。-シランカップリング剤-前記シランカップリング剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、エポキシ系シランカップリング剤、アクリル系シランカップリング剤、チオール系シランカップリング剤、アミン系シランカップリング剤などが挙げられる。前記異方性導電フィルムにおける前記シランカップリング剤の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記異方性導電フィルムの厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。接続方法、及び接合体本発明の接続方法は、貼付工程と、載置工程と、加熱押圧工程とを少なくとも含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。前記接続方法は、基板の端子と電子部品の端子とを異方性導電接続させる接続方法である。本発明の接合体は、本発明の前記接続方法により製造される。<基板>前記基板としては、異方性導電性接続の対象となる、端子を有する基板であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ITOガラス基板、フレキシブル基板、リジッド基板などが挙げられる。前記基板の大きさ、形状、構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。<電子部品>前記電子部品としては、異方性導電性接続の対象となる、端子を有する電子部品であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ICチップ、TABテープ、液晶パネルなどが挙げられる。前記ICチップとしては、例えば、フラットパネルディスプレイFPDにおける液晶画面制御用ICチップなどが挙げられる。<貼付工程>前記貼付工程としては、前記基板の端子上に異方性導電フィルムを貼り付ける工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記異方性導電フィルムは、本発明の前記異方性導電フィルムである。即ち、前記異方性導電フィルムは、前記導電性粒子及び前記絶縁性粒子を含有し、前記導電性粒子は、磁性を有し、前記絶縁性粒子は、磁性を有する芯粒子を絶縁層で被覆した粒子である。<載置工程>前記載置工程としては、前記異方性導電フィルム上に前記電子部品を載置する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。通常、この際、異方性導電接続は行われていない。<加熱押圧工程>前記加熱押圧工程としては、前記異方性導電フィルムに磁場をかけながら、前記電子部品を加熱押圧部材により加熱及び押圧する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記異方性導電フィルムにかける磁場の方向としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記基板の端子と前記電子部品の端子とが対向する方向が好ましい。該方向は、前記基板の面と垂直な方向ともいうことができる。そうすることにより、前記基板の端子の周辺、前記電子部品の端子の周辺、及び前記基板の端子と前記電子部品の端子との間に前記導電性粒子が集まり、前記基板と前記電子部品との導通抵抗値が良好となる。前記磁場をかける方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、磁石を用いる方法などが挙げられる。前記加熱押圧部材としては、例えば、加熱機構を有する押圧部材などが挙げられる。前記加熱機構を有する押圧部材としては、例えば、ヒートツールなどが挙げられる。前記加熱の温度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、140°C~200°Cが好ましい。前記押圧の圧力としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、0.1MPa~100MPaが好ましい。前記加熱及び押圧の時間としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、0.5秒間~120秒間が挙げられる。前記加熱押圧工程においては、前記異方性導電フィルムを軟化させることが好ましい。そうすることにより、磁場による前記導電性粒子、及び前記絶縁性粒子の移動が容易になる。前記加熱押圧工程においては、前記導電性粒子及び前記絶縁性粒子に磁場をかけることにより、前記基板の端子同士の間、及び前記電子部品の端子同士の間の少なくともいずれかに存在する前記導電性粒子同士の間に前記絶縁性粒子を介在させることが好ましい。そうすることにより、前記基板の端子同士の絶縁抵抗、及び前記電子部品同士の絶縁抵抗をより高くすることができる。本発明の接続方法の一例について、図を用いて説明する。図1は、本発明の接続方法により製造された接合体を示す概略図である。図1に示す接合体1は、基板2と、基板の端子3と、電子部品4と、電子部品の端子5と、導電性粒子6及び絶縁性粒子7を含有する異方性導電フィルム8とを有している。まず、貼付工程により、基板2の端子3上に、異方性導電フィルム8を貼り付ける。続いて、載置工程により、異方性導電フィルム8上に電子部品4を載置する。この際には、端子3と端子5は、異方性導電接続されていない。続いて、加熱押圧工程により、異方性導電フィルム8に磁場をかけながら、電子部品4を加熱押圧部材により加熱及び押圧する。そうすると、端子3と端子5とが異方性導電接続される。また、かけた磁場の影響により、磁性を有する導電性粒子6及び絶縁性粒子7が端子図1においては端子5の周辺に集まる。この際に、端子同士の間隔が狭いファインピッチ接続においては、端子同士の間に粒子が凝集して、端子同士が凝集した粒子により繋がる。従来の異方性導電フィルムを用いた接続方法においては、異方性導電フィルムに含有される粒子が導電性粒子のみであるので、導電性粒子のみが凝集して端子同士が繋がることにより、端子同士の絶縁抵抗が保てずにショートする。一方、本発明の接続方法では、図1に示すように、端子5同士が、凝集した粒子により繋がっても、粒子には、導電性粒子6の他に絶縁性粒子7が含まれているため、絶縁抵抗が保たれ、ショートを防止できる。以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。実施例1<異方性導電フィルムの作製>フェノキシ樹脂品名:YP50、新日鐵化学社製20質量部と、エポキシ樹脂品名:YD019、新日鐵化学社製20質量部と、エポキシ樹脂品名:EP828、三菱化学社製40質量部と、シランカップリング剤品名:A-187、モメンティブパフォーマンスマテリアルズ社製2質量部と、カチオン系硬化剤品名:SI-60L、三新化学社製5質量部とで構成された接着剤中に、導電性粒子1品名:バーレインコ社製、ニッケルパウダー123、平均粒子径3μm、ニッケル粒子及び下記方法により製造した絶縁性粒子1を、合計40質量部であり、質量比導電性粒子:絶縁性粒子が90:10であり、かつ合計の粒子密度が50,000個/mm2になるよう分散させた。分散後の配合物を剥離処理したPET上に乾燥後の平均厚みが20μmとなるように塗布し、異方性導電フィルムを作製した。-絶縁性粒子1の製造-絶縁性粒子1の製造は、特開2007-258141号公報の段落0112に記載のハイブリダイゼーション法を用いて行った。ビニル重合体からなる粉体状の樹脂材料と、ニッケル粒子バーレインコ社製、ニッケルパウダー123、平均粒子径2.2μmなお、ニッケルパウダー123には平均粒子径の異なるグレードがあるとを、ハイブリダイゼーション装置によって混合し、ニッケル粒子の表面に樹脂材料を静電付着させた。その後、この樹脂材料が静電付着した状態のニッケル粒子を攪拌し、樹脂材料を溶融させてニッケル粒子の周りに樹脂層を設け、ニッケル粒子を絶縁層で被覆した絶縁性粒子1平均粒子径2.5μmを製造した。<接続方法接合体の製造>実施例1で作製した異方性導電フィルムをITOコーティングガラス基板上に貼り付け、ICバンプ:Au、高さ;15μm、バンプ間スペース;7.5μmを圧着条件170°C、50MPa、5秒間で異方性導電接続を行い、接合体を製造した。具体的には、前記ITOコーティングガラス基板上に異方性導電フィルムを貼り付けた後、更に、前記異方性導電フィルム上に前記ICを仮固定し、磁石を用いて、磁場の方向が基板と垂直な方向になるように異方性導電フィルムに磁場を印加しながら、ヒートツール1.5mm幅で緩衝材厚み100μmのテフロン登録商標を用いて、圧着条件170°C、50MPa、5秒間ツールスピード10mm/sec、ステージ温度40°Cで異方性導電接続を行い、接合体を製造した。<評価>以下の評価に供した。結果を表1-1に示す。ショート数各接合体について、16chの端子間の抵抗値Ωを2端子法によって測定し、ショート数個を評価した。導通抵抗値上記で作製した接合体について、デジタルマルチメータ品番:デジタルマルチメータ7555、横河電機社製を用いて16chの端子間の抵抗値Ωを測定した。具体的には、4端子法にて電流1mAを流したときの、初期、及び85°C85RHで500時間経過後の抵抗値導通抵抗値、Ωを測定した。導電性粒子捕捉数各接合体について、接合後にバンプ上にある導電性粒子の数接合後の粒子数を金属顕微鏡にてカウントした。合計100個のバンプについてカウントし、その平均値からバンプ1つ当たりの導電性粒子捕捉数を測定した。実施例2~17、比較例1~3<異方性導電フィルムの作製、及び接合体の製造>実施例1において、導電性粒子と絶縁性粒子との質量比、並びに導電性粒子及び絶縁性粒子の種類を表1に記載の導電性粒子と絶縁性粒子との質量比、並びに導電性粒子及び絶縁性粒子の種類に代えた以外は、実施例1と同様にして、異方性導電フィルムの作製、及び接合体の製造を行った。実施例1と同様の評価を行った。結果を表1-1~表1-3に示す。表1-1~表1-3中、YP50、YD019、EP828、A-187、SI-60L、並びに導電性粒子及び絶縁性粒子の配合量の単位は、質量部である。また、導電性粒子と絶縁性粒子との質量比を表の中段に示した。また、表1-1~表1-3の導電性粒子2、絶縁性粒子2~4は、以下のとおりである。<導電性粒子2>ニッケルパウダー123、バーレインコ社製、平均粒子径2.5μm、磁性を有する導電性粒子ニッケル粒子<絶縁性粒子2の製造>前記絶縁性粒子1の製造において、ニッケル粒子をニッケル粒子バーレインコ社製、ニッケルパウダー123、平均粒子径2.5μmに代えた以外は、前記絶縁性粒子1の製造と同様にして、絶縁性粒子2平均粒子径3μmを製造した。<絶縁性粒子3の製造>前記絶縁性粒子1の製造において、ニッケル粒子をニッケル粒子バーレインコ社製、ニッケルパウダー123、平均粒子径3.5μmに代えた以外は、前記絶縁性粒子1の製造と同様にして、絶縁性粒子3平均粒子径4μmを製造した。<絶縁性粒子4の製造>ジビニルベンゼン、スチレン、及びブチルメタクリレートを適宜混合した溶液に、重合開始剤としてベンゾイルパーオキサイドを投入して高速で均一攪拌しながら加熱を行い、重合反応を行うことにより微粒子分散液を得た。前記微粒子分散液をろ過し減圧乾燥することにより微粒子の凝集体であるブロック体を得た。更に、前記ブロック体を粉砕することにより、平均粒子径2.5μmのジビニルベンゼン系樹脂粒子絶縁性粒子4を得た。表1-1~表1-3の結果のとおり、本発明の異方性導電フィルム及び接続方法は、導電性粒子のみを含有する比較例1の異方性導電フィルム及び接続方法と比べて、隣接する端子同士のショート数が少なく、かつ導通抵抗値が良好であり、ファインピッチの異方性導電接続において良好な結果であった。特に、実施例1~9を比較すると、導電性粒子と絶縁性粒子の質量比導電性粒子:絶縁性粒子が、80:20~50:50の場合には、ショート数が非常に少なく0ch/16ch、かつ導通抵抗値Ωも非常に低く、非常に良好な結果であった。また、導電性粒子の平均粒子径が、絶縁性粒子の平均粒子径以上である方が、導通抵抗値が優れる結果となった。実施例12及び13と実施例15及び16参照導電性粒子の平均粒子径が、絶縁性粒子の平均粒子径よりも大きい方が、導通抵抗値が優れ、かつショート数も少ない結果となった実施例2及び5と実施例14及び17参照。また、導電性粒子の平均粒子径が、絶縁性粒子の平均粒子径と同じ場合には、異方性導電フィルムにおける導電性粒子と絶縁性粒子の質量比率導電性粒子:絶縁性粒子は、70:30~60:40が好ましい結果となった実施例14~実施例17参照。導電性粒子の平均粒子径が、絶縁性粒子の平均粒子径よりも大きい場合には、異方性導電フィルムにおける導電性粒子と絶縁性粒子の質量比率導電性粒子:絶縁性粒子は、80:20~50:50が好ましい結果となった実施例1~実施例9参照。また、異方性導電フィルムに導電性粒子と磁性を有さない絶縁性粒子を含有した場合では、隣接する端子間の絶縁抵抗を得ること即ち、ショート数が少なくと、異方性導電接続をすることの両立をすることはできなかった比較例3参照。"