"物理量に応じて静電容量が変化する第1容量センサ、第2容量センサ、第3容量センサ、第4容量センサを用いる容量検出装置であって、少なくとも第1発振信号を生成する発振部と、前記第1容量センサを用いて、前記第1発振信号を微分した信号に相当する第1微分信号を生成する第1微分部と、前記第1容量センサと逆向きに静電容量が変化する前記第2容量センサを用いて、前記第1発振信号を微分した信号に相当する第2微分信号を生成する第2微分部と、前記第1容量センサと同じ向きに静電容量が変化する前記第3容量センサを用いて、前記第1発振信号を反転した信号である第2発振信号を微分した信号に相当する第3微分信号を生成する第3微分部と、前記第1容量センサと逆向きに静電容量が変化する前記第4容量センサを用いて、前記第1発振信号を反転した信号である第2発振信号を微分した信号に相当する第4微分信号を生成する第4微分部と、積分制御信号とサンプルホールド制御信号を生成する制御部と、あらかじめ定めた第1の位相のときに前記第1微分信号と前記第4微分信号とを合成した信号に対応する第1合成信号を生成し、あらかじめ定めた第2の位相のときに前記第2微分信号と前記第3微分信号とを合成した信号に対応する第2合成信号を生成し、前記積分制御信号にしたがって前記第1合成信号と前記第2合成信号とを積分し、積分信号を生成する積分部と、前記積分信号の値を前記サンプルホールド制御信号に従って保持するサンプルホールド部と、を備え、前記制御部は、前記第1発振信号または前記第2発振信号の複数周期ごとに前記積分信号の値を保持するサンプルホールド制御信号を生成し、前記積分信号の値を保持した後に前記積分信号をリセットする積分制御信号を生成する容量検出装置。物理量に応じて静電容量が変化する第1容量センサ、第2容量センサ、第3容量センサ、第4容量センサを用いる容量検出装置であって、少なくとも第1発振信号を生成する発振部と、前記第1容量センサを用いて、前記第1発振信号を微分した信号に相当する第1微分信号を生成する第1微分部と、前記第1容量センサと逆向きに静電容量が変化する前記第2容量センサを用いて、前記第1発振信号を微分した信号に相当する第2微分信号を生成する第2微分部と、前記第1容量センサと同じ向きに静電容量が変化する前記第3容量センサを用いて、前記第1発振信号を反転した信号である第2発振信号を微分した信号に相当する第3微分信号を生成する第3微分部と、前記第1容量センサと逆向きに静電容量が変化する前記第4容量センサを用いて、前記第1発振信号を反転した信号である第2発振信号を微分した信号に相当する第4微分信号を生成する第4微分部と、積分制御信号とサンプルホールド制御信号を生成する制御部と、あらかじめ定めた第1の位相のときに前記第1微分信号と前記第4微分信号とを合成した信号に対応する第1合成信号を生成し、あらかじめ定めた第2の位相のときに前記第2微分信号と前記第3微分信号とを合成した信号に対応する第2合成信号を生成し、前記積分制御信号にしたがって前記第1合成信号と前記第2合成信号とを積分し、第1積分信号を生成する第1積分部と、前記第2の位相のときに前記第1微分信号と前記第4微分信号とを合成した信号に対応する第3合成信号を生成し、前記第1の位相のときに前記第2微分信号と前記第3微分信号とを合成した信号に対応する第4合成信号を生成し、前記積分制御信号にしたがって前記第3合成信号と前記第4合成信号とを積分し、第2積分信号を生成する第2積分部と、前記第1積分信号と前記第2積分信号との差に対応した積分信号を生成する差動増幅部と、前記積分信号の値を前記サンプルホールド制御信号に従って保持するサンプルホールド部と、を備え、前記制御部は、前記第1発振信号または第2発振信号の複数周期ごとに前記積分信号の値を保持するサンプルホールド制御信号を生成し、前記積分信号の値を保持した後に前記積分信号をリセットする積分制御信号を生成する容量検出装置。請求項1または2記載の容量検出装置であって、物理量があらかじめ定めた値のときに、前記第1微分部内の前記第1容量センサと抵抗で決まる時定数と、前記第4微分部内の前記第4容量センサと抵抗で決まる時定数とは、一致し、前記あらかじめ定めた値のときに、前記第2微分部内の前記第2容量センサと抵抗で決まる時定数と、前記第3微分部内の前記第3容量センサと抵抗で決まる時定数とは、一致することを特徴とする容量検出装置。物理量に応じて抵抗値が変化する第1抵抗センサ、第2抵抗センサ、第3抵抗センサ、第4抵抗センサを用いる抵抗検出装置であって、少なくとも第1発振信号を生成する発振部と、前記第1抵抗センサを用いて、前記第1発振信号を微分した信号に相当する第1微分信号を生成する第1微分部と、前記第1抵抗センサと逆向きに抵抗値が変化する前記第2抵抗センサを用いて、前記第1発振信号を微分した信号に相当する第2微分信号を生成する第2微分部と、前記第1抵抗センサと同じ向きに抵抗値が変化する前記第3抵抗センサを用いて、前記第1発振信号を反転した信号である第2発振信号を微分した信号に相当する第3微分信号を生成する第3微分部と、前記第1抵抗センサと逆向きに抵抗値が変化する前記第4抵抗センサを用いて、前記第1発振信号を反転した信号である第2発振信号を微分した信号に相当する第4微分信号を生成する第4微分部と、積分制御信号とサンプルホールド制御信号を生成する制御部と、あらかじめ定めた第1の位相のときに前記第1微分信号と前記第4微分信号とを合成した信号に対応する第1合成信号を生成し、あらかじめ定めた第2の位相のときに前記第2微分信号と前記第3微分信号とを合成した信号に対応する第2合成信号を生成し、前記積分制御信号にしたがって前記第1合成信号と前記第2合成信号とを積分し、積分信号を生成する積分部と、前記積分信号の値を前記サンプルホールド制御信号に従って保持するサンプルホールド部と、を備え、前記制御部は、前記第1発振信号または第2発振信号の複数周期ごとに前記積分信号の値を保持するサンプルホールド制御信号を生成し、前記積分信号の値を保持した後に前記積分信号をリセットする積分制御信号を生成する抵抗検出装置。物理量に応じて抵抗値が変化する第1抵抗センサ、第2抵抗センサ、第3抵抗センサ、第4抵抗センサを用いる抵抗検出装置であって、少なくとも第1発振信号を生成する発振部と、前記第1抵抗センサを用いて、前記第1発振信号を微分した信号に相当する第1微分信号を生成する第1微分部と、前記第1抵抗センサと逆向きに抵抗値が変化する前記第2抵抗センサを用いて、前記第1発振信号を微分した信号に相当する第2微分信号を生成する第2微分部と、前記第1抵抗センサと同じ向きに抵抗値が変化する前記第3抵抗センサを用いて、前記第1発振信号を反転した信号である第2発振信号を微分した信号に相当する第3微分信号を生成する第3微分部と、前記第1抵抗センサと逆向きに抵抗値が変化する前記第4抵抗センサを用いて、前記第1発振信号を反転した信号である第2発振信号を微分した信号に相当する第4微分信号を生成する第4微分部と、積分制御信号とサンプルホールド制御信号を生成する制御部と、あらかじめ定めた第1の位相のときに前記第1微分信号と前記第4微分信号とを合成した信号に対応する第1合成信号を生成し、あらかじめ定めた第2の位相のときに前記第2微分信号と前記第3微分信号とを合成した信号に対応する第2合成信号を生成し、前記積分制御信号にしたがって前記第1合成信号と前記第2合成信号とを積分し、第1積分信号を生成する第1積分部と、前記第2の位相のときに前記第1微分信号と前記第4微分信号とを合成した信号に対応する第3合成信号を生成し、前記第1の位相のときに前記第2微分信号と前記第3微分信号とを合成した信号に対応する第4合成信号を生成し、前記積分制御信号にしたがって前記第3合成信号と前記第4合成信号とを積分し、第2積分信号を生成する第2積分部と、前記第1積分信号と前記第2積分信号との差に対応した積分信号を生成する差動増幅部と、前記積分信号の値を前記サンプルホールド制御信号に従って保持するサンプルホールド部と、を備え、前記制御部は、前記第1発振信号または第2発振信号の複数周期ごとに前記積分信号の値を保持するサンプルホールド制御信号を生成し、前記積分信号の値を保持した後に前記積分信号をリセットする積分制御信号を生成する抵抗検出装置。請求項4または5記載の抵抗検出装置であって、物理量があらかじめ定めた値のときに、前記第1微分部内の前記第1抵抗センサとコンデンサで決まる時定数と、前記第4微分部内の前記第4抵抗センサとコンデンサで決まる時定数とは、一致し、前記あらかじめ定めた値のときに、前記第2微分部内の前記第2抵抗センサとコンデンサで決まる時定数と、前記第3微分部内の前記第3抵抗センサとコンデンサで決まる時定数とは、一致することを特徴とする抵抗検出装置。特許文献3のようなセンサの高感度化に伴い、検出装置側も高精度化が求められている。特許文献1のスイッチトキャパシタを用いた検出装置の場合、精度を高めようとしてもノイズが大きく、高精度化が図れなかった。また、特許文献2の検出装置は、特許文献1の検出装置よりも高い精度が期待されるはずであるが、十分ではなかった。本発明では、検出装置の高精度化が図れない原因を分析し、その原因に応じた対策を施すことで検出装置の高精度化を図る。本発明の容量検出装置は、加速度力、モーメントなどの物理量の変化に伴って静電容量が変化する4つの容量センサの静電容量を検出し、検出した静電容量から物理量の変化を計測するために用いる。本発明の容量検出装置は、発振部、第1微分部、第2微分部、第3微分部、第4微分部、制御部、積分部、サンプルホールド部を備える。発振部は、少なくとも第1発振信号を生成する。例えば、矩形波を生成すればよい。第1微分部は、静電容量が変化する第1容量センサを用いて、第1発振信号を微分した信号に相当する第1微分信号を生成する。第2微分部は、第1容量センサと逆向きに静電容量が変化する第2容量センサを用いて、第1発振信号を微分した信号に相当する第2微分信号を生成する。第3微分部は、第1容量センサと同じ向きに静電容量が変化する第3容量センサを用いて、第1発振信号を反転した信号である第2発振信号を微分した信号に相当する第3微分信号を生成する。第4微分部は、第1容量センサと逆向きに静電容量が変化する第4容量センサを用いて、第1発振信号を反転した信号である第2発振信号を微分した信号に相当する第4微分信号を生成する。なお、第2発振信号は、発振部が生成してもよいし、第1発振信号を反転させることで生成してもよい。また、第2発振信号は生成せず、第3微分部第4微分部は、第1発振信号を微分した信号を生成し、その信号を反転させた信号を第3微分信号第4微分信号としてもよい。積分部は、第1の位相のときに第1微分信号と第4微分信号とを合成した信号に対応する第1合成信号を生成し、第2の位相のときに第2微分信号と第3微分信号とを合成した信号に対応する第2合成信号を生成し、積分制御信号にしたがって第1合成信号と第2合成信号とを積分し、積分信号を生成する。なお、第1の位相とは、第1発振信号の立上りもしくは立下りのタイミングを含むあらかじめ定めた位相の範囲という意味である。また第2の位相は、第1の位相と反対の位相の範囲とすればよい。サンプルホールド部は、積分信号の値をサンプルホールド制御信号に従って保持する。制御部は、第1または第2発振信号の複数周期ごとに積分信号の値を保持するサンプルホールド制御信号を生成し、積分信号の値を保持した後に前記積分信号をリセットする積分制御信号を生成する。本発明の抵抗検出装置も、発振部、第1微分部、第2微分部、第3微分部、第4微分部、制御部、積分部、サンプルホールド部を備える。発振部は、少なくとも第1発振信号を生成する。第1微分部は、抵抗値が変化する第1抵抗センサを用いて、第1発振信号を微分した信号に相当する第1微分信号を生成する。第2微分部は、第1抵抗センサと逆向きに抵抗値が変化する第2抵抗センサを用いて、第1発振信号を微分した信号に相当する第2微分信号を生成する。第3微分部は、第1抵抗センサと同じ向きに抵抗値が変化する第3抵抗センサを用いて、第1発振信号を反転した信号である第2発振信号を微分した信号に相当する第3微分信号を生成する。第4微分部は、第1抵抗センサと逆向きに抵抗値が変化する第4抵抗センサを用いて、第1発振信号を反転した信号である第2発振信号を微分した信号に相当する第4微分信号を生成する。積分部は、第1の位相のときに第1微分信号と第4微分信号とを合成した信号に対応する第1合成信号を生成し、第2の位相のときに第2微分信号と第3微分信号とを合成した信号に対応する第2合成信号を生成し、積分制御信号にしたがって第1合成信号と第2合成信号とを積分し、積分信号を生成する。サンプルホールド部は、積分信号の値をサンプルホールド制御信号に従って保持する。制御部は、第1または第2発振信号の複数周期ごとに積分信号の値を保持するサンプルホールド制御信号を生成し、積分信号の値を保持した後に積分信号をリセットする積分制御信号を生成する。本発明の容量検出装置と抵抗検出装置によれば、サンプルホールド部が第1または第2発振信号の複数周期ごとに積分信号の値を保持するので、アナログスイッチのチャージインジェクションの変動によって生じるノイズを低減でき、検出精度を高めることができる。以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。なお、同じ機能を有する構成部には同じ番号を付し、重複説明を省略する。<スイッチトキャパシタを用いた検出装置のノイズの分析>ノイズの原因としては、抵抗による熱雑音、PN接合で発生するショットノイズ、格子欠陥や不純物に由来するフリッカノイズなどがある。しかし、上述のスイッチトキャパシタで構成した回路を用いた場合は、アナログスイッチを用いているのでON抵抗は十分に低く、信号ラインにはPN接合もない。したがって、これらを原因とするノイズによって測定精度が向上できないとは考えにくい。そこで、検出装置で発生するノイズの原因の1つとして、チャージインジェクションに着目してみた。次に、アナログスイッチによって生じるチャージインジェクションについて分析する。図2にアナログスイッチによって生じるチャージインジェクションの変動を確認する実験に用いた回路を示す。図2Aはアナログスイッチによって生じるチャージインジェクションを測定するための回路であり、図2Bはチャージインジェクションと同じ電圧矩形波を生成する発振器を用いたときの回路である。回路900は、アナログスイッチ910、コンデンサ920、オペアンプ930から構成され、P点の電圧を測定した結果を端子940に出力する。実験ではアナログスイッチ910にADG1212を、オペアンプ930にTL072を用い、コンデンサ920は10pFとした。なお、オペアンプ930はP点の電圧を正確に測定するために備えている。アナログスイッチ910は200kHz、デューティ比50でON/OFFした。図3は、図2Aの端子940からの出力波形である。アナログスイッチ910をOFFにしたタイミングで約-10mVの電圧が生じた。このことから、P点には-0.1pC=10pF×-10mVの電荷チャージインジェクションが蓄積されていることが分かる。なお、ADG1212のデータシートにはチャージインジェクションの最大値が-0.3pCであることが示されているので、本実験では正しくチャージインジェクションが計測できていることが分かる。また、図3からチャージインジェクションが、毎回微妙に異なることも分かる。もし毎回同じチャージインジェクションが生じるのであれば、チャージインジェクションによって生じる誤差を補正することは可能である。しかし、毎回異なる場合、この変化分はノイズとなってしまう。そこで、図2Bの回路950ように、矩形波の発振器960とコンデンサ920とオペアンプ930で構成した回路を用いて端子970からの出力を測定した。発振器960は、毎回同じチャージインジェクションが生じる場合を模擬しており、200kHz、デューティ比50、電圧が0Vと-10mVの矩形波を生成する。なお、端子970の出力を示す図は省略する。図4は、端子940の電圧と正確な200kHz、デューティ比50、電圧が0Vと-10mVの矩形波との差破線実験回路で示すと、端子970の電圧と正確な200kHz、デューティ比50、電圧が0Vと-10mVの矩形波との差実線10mV矩形波で示すを、周波数成分ごとに示した図である。縦軸はノイズ密度を示しており、正確な矩形波との差を示す尺度である。横軸は周波数である。アナログスイッチによるチャージインジェクションのノイズは、矩形波の発振器のノイズよりも20dB程度大きいことが分かる。これは、約10倍の大きさのノイズが発生していることを示している。つまり、図2に示したコンデンサ920とオペアンプ930から構成された回路によって生じるノイズよりも、アナログスイッチのチャージインジェクションによって生じるノイズの方が約10倍大きいことを示している。このように、チャージインジェクションの毎回の変動は無視できない大きさであることが分かる。そこで、スイッチトキャパシタで構成した回路の精度を向上するためにチャージインジェクションの変動の影響を受けにくい容量検出装置を考えた。<先願の構成1>次に、本願出願人により出願済であり未公開の特許出願特願2010-81927号に記載されている容量検出センサについて説明する。図5に先願の容量検出装置の機能構成例を、図6に先願の容量検出装置の第1微分部、第2微分部、積分部の具体的な構成例を示す。また、図7は各部での信号の様子を示すタイミングチャートである。容量検出装置100は、物理量の変化によって静電容量の差が変化する第1容量センサ121aと第2容量センサ121bの静電容量の差を検出する。容量検出装置100は、発振部110、第1微分部120a、第2微分部120b、積分部130、サンプルホールド部150、制御部180、フィルタ部190を備える。発振部110は、発振信号を生成する。第1微分部120aは、第1容量センサ121aと固定抵抗122aを用いて微分回路を形成し、発振信号を微分した第1微分信号を生成する。第2微分部120bは、第2容量センサ121bと固定抵抗122bを用いて微分回路を形成し、発振信号を微分した第2微分信号を生成する。図7の例では、第1容量センサの静電容量Caの方が第2容量センサの静電容量Cbよりも大きい場合を示している。したがって、第1微分信号の方が第2微分信号よりも幅が広い。積分部130は、あらかじめ定めた位相のときに第1微分信号と第2微分信号との差に対応した信号となる積分信号を生成する。また、積分部は、積分信号を積分制御信号にしたがってリセットする。積分部130は、ダイオード131、132、抵抗133、オペアンプ134、コンデンサ135、アナログスイッチ136を用いて構成すればよい。S点での電圧は、発振信号の半周期分は第1微分信号となり、残りの半周期分は第2微分信号となり、正負は反対となる。S点での電圧を積分するときは、アナログスイッチ136はOFFの状態であり、コンデンサ135に電荷をためることによって、オペアンプ134の出力側にS点の電圧の積分値が出力される。S点での電圧は、発振信号の半周期分は第1微分信号、残りの半周期分は第2微分信号であり、それぞれの正負は反対なので、少なくとも発振信号の1周期分を積分したタイミングでは、第1微分信号と第2微分信号の差に対応した値となっている。また、オペアンプの出力電圧はS点の電圧と正負が反対になるので、第1微分信号が入力されている間は積分信号が増加している。サンプルホールド部150は、積分信号の値をサンプルホールド制御信号に従って保持する。なお、保持のタイミングは、積分信号が第1微分信号と第2微分信号との差に対応した信号となるタイミングとすればよい。フィルタ部190は、スイッチングノイズを除去する。なお、図5ではフィルタ部190も具備しているが、フィルタ部190は必要に応じて具備すればよい。制御部180は、発振信号の複数周期ごとに積分信号の値を保持するサンプルホールド制御信号を生成し、積分信号の値を保持した後に積分信号をリセットする積分制御信号を生成する。図7の例では発振信号の4周期分を積分しており、サンプルホールド制御信号によって4周期分を積分したところで、サンプルホールド部150が積分信号の値を保持している。そして、積分制御信号が積分部130のアナログスイッチ136をON状態にし、コンデンサ135の電荷を放電することで、積分信号はリセットされる。複数周期分を積分することにより積分信号の値が大きくなるので、積分信号に対するアナログスイッチ136で生じるチャージインジェクションの変動の割合を小さくできる。したがって、この容量検出装置は、アナログスイッチ136で生じるチャージインジェクションの変動によるノイズを低減できる。<先願の構成2>次に、未公開の特許出願特願2010-81927号に記載されている別の容量検出センサについて説明する。図8に先願の別の容量検出装置の機能構成例を、図9に先願の別の容量検出装置の第1微分部、第2微分部、第1積分部、第2積分部の具体的な構成例を示す。また、図10は各部での信号の様子を示すタイミングチャートである。容量検出装置200は、発振部110、第1微分部120a、第2微分部120b、第1積分部230a、第2積分部230b、差動増幅部240、サンプルホールド部150、制御部280、フィルタ部190を備える。発振部110、第1微分部120a、第2微分部120b、サンプルホールド部150、フィルタ部190は容量検出装置100と同じである。第1積分部230aは、あらかじめ定めた位相のときに第1微分信号から第2微分信号を引いた値に対応した信号となる第1積分信号を生成する。また、第1積分部230aは、第1積分信号を積分制御信号にしたがってリセットする。第1積分部230aは、図6の積分部130と同じ構成である。第2積分部230bは、少なくとも第1積分部230aと同じタイミングのときに第2微分信号から第1微分信号を引いた値に対応した信号となる第2積分信号を生成する。また、第2積分部230bは、第2積分信号を積分制御信号にしたがってリセットする。第2積分部230bは、ダイオード231、232、抵抗133、オペアンプ134、コンデンサ135、アナログスイッチ136を用いて図9のように構成すればよい。図9の第2積分部230bの場合、ダイオード231は、第1微分信号のうち正の電圧となる部分のみをオペアンプ134側に伝達する。ダイオード232は、第2微分信号のうち負の電圧となる部分のみをオペアンプ134側に伝達する。したがって、Sb点での電圧は図10のように、発振信号の半周期分は第2微分信号となり、残りの半周期分は第1微分信号となり、正負は反対となる。抵抗133、オペアンプ134、コンデンサ135、アナログスイッチ136の部分は第1積分部230aと同じである。ダイオード131、132とダイオード231、232の向きが逆になっていることから、第1積分部230aのSa点に第1微分信号が伝達されているときは第2積分部230bのSb点には第2微分信号が伝達され、Sa点に第2微分信号が伝達されているときはSb点には第1微分信号が伝達される。差動増幅部240は、第1積分信号と第2積分信号との差に対応した積分信号を生成する。サンプルホールド部150は、積分信号の値をサンプルホールド制御信号に従って保持する。なお、保持のタイミングは、第1積分信号が第1微分信号から第2微分信号を引いた値に対応した信号となるタイミングとすればよい。制御部280は、発振信号の複数周期ごとに積分信号の値を保持するサンプルホールド制御信号を生成し、積分信号の値を保持した後に積分信号をリセットする積分制御信号を生成する。図10の例では発振信号の4周期分を積分しており、サンプルホールド制御信号によって4周期分を積分したところで、サンプルホールド部150が積分信号の値を保持している。そして、積分制御信号が第1積分部230aと第2積分部230bのアナログスイッチ136をON状態にし、コンデンサ135の電荷を放電することで、第1積分信号と第2積分信号がリセットされ、積分信号もリセットされる。複数周期分を積分することにより積分信号の値が大きくなるので、積分信号に対するアナログスイッチ136で生じるチャージインジェクションの変動の割合を小さくできる。したがって、この容量検出装置は、アナログスイッチ136で生じるチャージインジェクションの変動によるノイズを低減できる。また、第1積分部230aと第2積分部230bは経路が対称となるように積分しているので、コモンモードノイズも除去できる。したがって、さらにノイズを低減できる。<検証>ここまでの説明では、スイッチトキャパシタで構成した回路の精度を向上するためにチャージインジェクションの変動の影響を受けにくい構成にすれば、容量検出装置の測定精度を向上できるのではないかという予測を基に、その対策を示してきた。そこで、この予測が正しいことを検証する。つまり、アナログスイッチで生じるチャージインジェクションの変動によるノイズが容量検出装置の測定精度に影響を与えていることを確認するとともに、発振信号の複数周期分を積分することによって精度が向上することを確認する。図11は、容量検出装置200の積分の期間を、1周期分としたときと20周期分としたときの容量検出装置の1周期分の出力に含まれるノイズの周波数成分を示す図である。積分期間を20倍にすることでノイズ成分を10dB近く低減できている。容量検出装置200の精度を低下させる原因としては、いろいろな原因が考えられるが、アナログスイッチで生じるチャージインジェクションの変動が主な原因ではないかと予測した。図11の結果から、この予測が正しかったことが分かる。また、容量検出装置200はアナログスイッチで生じるチャージインジェクションの変動の影響を抑える対策を施しているので、検出精度が高くなっていることが分かる。<先願の容量検出装置の分析>図12に、先願の容量検出装置100の積分部130の出力、または先願の容量検出装置200の第1積分部230a、第2積分部230bの出力の一部を示す。積分部130、第1積分部230a、第2積分部230bの出力は、物理量が特定の値例えば、図12では物理量が0のときの静電容量と、物理量によって変化した静電容量が合成されている。つまり、図12に示したように、容量検出装置が計測したい範囲は、容量検出装置の出力範囲より狭くなる。したがって、先願の容量検出装置100、200の感度は、第1容量センサ121aと第2容量センサ121bの感度だけでなく、物理量が特定の値のときの静電容量にも依存している。そこで、本願では、物理量が特定の値のときの静電容量の影響を受けにくくすることで、先願の容量検出装置100、200よりも高感度な容量検出装置を提供する。実施例1の容量検出装置は、加速度、力、モーメント、位置変位などの物理量の変化に伴って静電容量が変化する4つの容量センサの静電容量を検出し、検出した静電容量から物理量の変化を計測するために用いる。例えば図1の加速度センサの検出電極を分割するなどし、4つの容量センサを形成すればよい。そして、1つの容量センサを第1容量センサとし、第2容量センサは第1容量センサと逆向きに静電容量が変化する容量センサとし、第3容量センサは第1容量センサと同じ向きに静電容量が変化する容量センサとし、第4容量センサは第1容量センサと逆向きに静電容量が変化する容量センサとする。図13に実施例1の容量検出装置の機能構成例を、図14に実施例1の容量検出装置の第1微分部、第2微分部、第3微分部、第4微分部、積分部の具体的な構成例を示す。また、図15は各部での信号の様子を示すタイミングチャートである。実施例1の容量検出装置300は、発振部310、第1微分部120a、第2微分部120b、第3微分部120c、第4微分部120d、制御部180、積分部330、サンプルホールド部150、フィルタ部190を備える。発振部310は、少なくとも第1発振信号を生成する。例えば、矩形波を生成すればよいが、第1発振信号を矩形波に限定する必要は無い。また、図13の発振部310は、第2発振信号も生成する。第2発振信号は、第1発振信号を反転した信号または、位相が180度異なる信号であり、理想的には振幅が同一である。ただし、振幅が同一でなくても、本発明の効果はある程度得られる。また、図15の第1発振信号はデューティ比50としているが、50に限定する必要はない。第1微分部120aは、静電容量が変化する第1容量センサ121aを用いて、第1発振信号を微分した信号に相当する第1微分信号を生成する。例えば、第1容量センサ121aと固定抵抗122aを用いて微分回路を形成すればよい。図14の第1微分部120aの場合、第1発振信号が矩形波であり電圧がV1ボルト変化した場合ならば、Qa点での電圧は、のようになる。ただし、V1は第1発振信号の電圧、Caは物理量があらかじめ定めた値のときの第1容量センサ121aの静電容量、ΔCaはあらかじめ定めた値からの物理量の変化によって変化した第1容量センサ121aの静電容量の変化分、Raは固定抵抗122aの抵抗、tは第1発振信号の電圧が変化してからの時間である。なお、物理量のあらかじめ定めた値は、高感度に測定したい物理量の範囲にあわせて設定すればよい。例えば、加速度がない状態の近傍を高感度で測定したいのであれば、加速度が0をあらかじめ定めた値とすればよい。また、重力加速度の近傍を高感度で測定したいのであれば、重力加速度をあらかじめ定めた値としてもよい。第2微分部120bは、物理量の変化により第1容量センサ121aと逆向きに静電容量が変化する第2容量センサ121bを用いて、第1発振信号を微分した信号に相当する第2微分信号を生成する。例えば、第2容量センサ121bと固定抵抗122bを用いて微分回路を形成すればよい。図14の第2微分部120bの場合、第1発振信号が矩形波であり電圧がV1ボルト変化した場合ならば、Qb点での電圧は、のようになる。ただし、V1は第1発振信号の電圧、Cbは物理量があらかじめ定めた値のときの第2容量センサ121bの静電容量、ΔCbはあらかじめ定めた値からの物理量の変化によって変化した第2容量センサ121bの静電容量の変化分、Rbは固定抵抗122bの抵抗、tは第1発振信号の電圧が変化してからの時間である。第3微分部120cは、物理量の変化により第1容量センサ121aと同じ向きに静電容量が変化する第3容量センサ121cを用いて、第1発振信号を反転した信号である第2発振信号を微分した信号に相当する第3微分信号を生成する。例えば、第3容量センサ121cと固定抵抗122cを用いて微分回路を形成すればよい。図14の第3微分部120cの場合、第2発振信号が矩形波であり電圧がV2ボルト変化した場合ならば、Qc点での電圧は、のようになる。ただし、V2は第2発振信号の電圧、Ccは物理量があらかじめ定めた値のときの第3容量センサ121cの静電容量、ΔCcはあらかじめ定めた値からの物理量の変化によって変化した第3容量センサ121cの静電容量の変化分、Rcは固定抵抗122cの抵抗、tは第2発振信号の電圧が変化してからの時間である。第4微分部120dは、物理量の変化により第1容量センサ121aと逆向きに静電容量が変化する第4容量センサ121dを用いて、第1発振信号を反転した信号である第2発振信号を微分した信号に相当する第4微分信号を生成する。例えば、第4容量センサ121dと固定抵抗122dを用いて微分回路を形成すればよい。図14の第4微分部120dの場合、第2発振信号が矩形波であり電圧がV2ボルト変化した場合ならば、Qd点での電圧は、のようになる。ただし、V2は第2発振信号の電圧、Cdは物理量があらかじめ定めた値のときの第4容量センサ121dの静電容量、ΔCdはあらかじめ定めた値からの物理量の変化によって変化した第4容量センサ121dの静電容量の変化分、Rdは固定抵抗122dの抵抗、tは第2発振信号の電圧が変化してからの時間である。電圧がV1e-1またはV2e-1まで減衰する時間は、第1微分信号がt=RaCaΔCa、第2微分信号がt=RbCb-ΔCb、第3微分信号がt=RcCcΔCc、第4微分信号がt=RdCd-ΔCdである。したがって、物理量の変化によって静電容量が大きくなれば信号の幅が広くなり、静電容量が小さくなれば信号の幅が狭くなる。なお、図13では、第2発振信号は発振部310が生成している。しかし、例えば発振部の外部で第1発振信号を分割し、一方の第1発振信号を反転させることで第2発振信号を生成してもよい。また、第2発振信号は生成せず、第3微分部120cと第4微分部120dが、第1発振信号を微分した信号を生成し、その信号を反転させた信号を第3微分信号と第4微分信号としてもよい。積分部330は、第1の位相のときに第1微分信号と第4微分信号とを合成した信号に対応する第1合成信号を生成し、第2の位相のときに第2微分信号と第3微分信号とを合成した信号に対応する第2合成信号を生成し、積分制御信号にしたがって第1合成信号と第2合成信号とを積分して積分信号を生成する。また、積分部330は、積分信号を積分制御信号にしたがってリセットする。なお、第1の位相とは、第1発振信号の立上りもしくは立下りのタイミングを含むあらかじめ定めた位相の範囲という意味である。また第2の位相は、第1の位相と反対の位相の範囲とすればよい。例えば第1の位相を、第1発振信号の立上りを含む位相の範囲とした場合は、第2の位相を第1発振信号の立下りを含む位相の範囲とすればよい。図14の積分部330は、ダイオード131、132、137、138、抵抗133、オペアンプ134、コンデンサ135、アナログスイッチ136で構成されている。図14の積分部330の場合、ダイオード131は、第1微分信号のうち負の電圧となる部分のみをオペアンプ134側に伝達する。ダイオード132は、第2微分信号のうち正の電圧となる部分のみをオペアンプ134側に伝達する。ダイオード137は、第3微分信号のうち負の電圧となる部分のみをオペアンプ134側に伝達する。ダイオード138は、第4微分信号のうち正の電圧となる部分のみをオペアンプ134側に伝達する。また、第1発振信号と第2発振信号は反転しているので、第1,第2微分信号と第3,第4微分信号の極性は逆になる。したがって、S点での電圧は図15のように、第1発振信号の半周期分第1の位相のときは第1微分信号と第4微分信号を合成した信号第1合成信号となる。第1微分信号と第4微分信号とは正負が逆転しているので、第1合成信号の振幅は絶対値の差となる。また、残りの半周期分第2の位相のときは第2微分信号と第3微分信号を合成した信号第2合成信号となる。第2微分信号と第3微分信号とは正負が逆転しているので、第2合成信号の振幅は絶対値の差となる。S点での電圧を積分するときは、アナログスイッチ136はOFFの状態であり、コンデンサ135に電荷をためることによって、オペアンプ134の出力側にS点の電圧の積分値が出力される。図15の例では、第1容量センサ121aと第3容量センサ121cの静電容量が増加し、第2容量センサ121bと第4容量センサ121dの静電容量が減少した例を示している。この場合、第1微分信号の方が第4微分信号よりも幅が広いので、合成された第1合成信号の極性は負となる。また、第3微分信号の方が第2微分信号よりも幅が広いので、第2合成信号の極性も負となる。オペアンプの出力電圧はS点の電圧と正負が反対になるので、図15の例では積分信号が増加している。サンプルホールド部150は、積分信号の値をサンプルホールド制御信号に従って保持する。なお、保持のタイミングは、第1合成信号と第2合成信号とが0になるタイミング積分が終了したタイミングとすればよい。フィルタ部190は、スイッチングノイズを除去する。なお、図13ではフィルタ部190も具備しているが、フィルタ部190は必要に応じて具備すればよい。制御部180は、第1発振信号の複数周期ごとに積分信号の値を保持するサンプルホールド制御信号を生成し、積分信号の値を保持した後に積分信号をリセットする積分制御信号を生成する。図15の例では、第1発振信号の4周期分を積分しているが、4周期に限定する必要はなく、他の複数周期でもかまわない。また、制御部180は、第2発振信号から同様にサンプルホールド制御信号を生成してもかまわない。本実施例の容量検出装置300において、物理量があらかじめ定めた値のとき例えば、加速度が0のときの第1微分部120aの時定数RaCaと第4微分部120dの時定数RdCdとを一致させ、第1発振信号の電圧V1と第2発振信号の電圧V2とを一致させれば、あらかじめ定めた値のときは式1と式からわかるように、第1微分信号と第4微分信号とは符号が反対で絶対値が一致するのでS点での信号は0となる。また、物理量があらかじめ定めた値のときの第2微分部120bの時定数RbCbと第3微分部120cの時定数RcCcとを一致させ、第1発振信号の電圧V1と第2発振信号の電圧V2とを一致させれば、あらかじめ定めた値のときは式2と式からわかるように、第2微分信号と第3微分信号とは符号が反対で絶対値が一致するのでS点での信号は0となる。つまり、物理量があらかじめ定めた値のときの静電容量に依存した信号は打ち消しあい、積分部330の出力には含まれなくなるので、容量検出装置300の計測範囲は、物理量があらかじめ定めた値のときの静電容量の影響を受けなくなり、容量検出装置300の計測範囲を容量検出装置300の出力範囲まで広げることができる。したがって、先願の容量検出装置と同様にアナログスイッチ136で生じるチャージインジェクションの変動によるノイズを低減でき、かつ先願の容量検出装置よりも検出範囲を広げることができ、またはゲインをあげることにより感度を上げることができる。なお、上述の一致は厳密な一致である必要はなく、求められる感度に応じた範囲内の誤差を含んでもよい。また、微分部の時定数が一致していない場合や、第1発振信号の電圧と第2発振信号の電圧とが一致していない場合でも、物理量があらかじめ定めた値のときの静電容量に依存した信号は打ち消しあう関係となるので、少なくとも先願の容量検出装置よりも検出範囲を広げること、または感度を上げることができる。さらに、固定抵抗122a、122b、122c、122dを可変抵抗にすれば、可変抵抗で、物理量のあらかじめ定めた値での時定数を調整することや、あらかじめ定めた値を変更することも可能である。[変形例]実施例1では、物理量の変化によって静電容量の差が変化する場合を説明した。しかし、図13の第1微分部120a、第2微分部120b、第3微分部120c、第4微分部120dの抵抗を変化させても、同じように物理量の変化を検出できる。そこで、本変形例では、物理量の変化によって抵抗が変化する第1抵抗センサ、第2抵抗センサ、第3抵抗センサ、第4抵抗センサの抵抗を検出し、検出した抵抗値から物理量の変化を計測するために用いる抵抗検出装置について説明する。なお、4つの抵抗センサの中の1つを第1抵抗センサとし、第2抵抗センサは第1抵抗センサと逆向きに抵抗値が変化する抵抗センサとし、第3抵抗センサは第1抵抗センサと同じ向きに抵抗値が変化する抵抗センサとし、第4抵抗センサは第1抵抗センサと逆向きに抵抗値が変化する抵抗センサとする。本変形例の抵抗検出装置の機能構成を図13に、タイミングチャートを図15に示す。また、第1微分部、第2微分部、第3微分部、第4微分部、積分部の具体的な構成例を図16に示す。抵抗検出装置500も、発振部310、第1微分部520a、第2微分部520b、第3微分部520c、第4微分部520d、制御部180、積分部330、サンプルホールド部150、フィルタ部190を備える。実施例1の容量検出装置300との違いは、第1微分部520a、第2微分部520b、第3微分部520c、第4微分部520dだけであり、その他の構成は容量検出装置300と同じである。第1微分部520aが、第1抵抗センサ522aを用いて第1発振信号を微分した第1微分信号を生成する。例えば、第1抵抗センサ522aと静電容量が固定されたコンデンサ521aを用いて微分回路を形成すればよい。図16の第1微分部520aの場合、第1発振信号が矩形波であり電圧がV1ボルト変化した場合ならば、Qa点での電圧は、のようになる。ただし、V1は第1発振信号の電圧、Ca’はコンデンサ521aの静電容量、Ra’は物理量があらかじめ定めた値のときの第1抵抗センサ522aの抵抗値、ΔRa’はあらかじめ定めた値からの物理量の変化によって変化した第1抵抗センサ522aの抵抗値の変化分、tは第1発振信号の電圧が変化してからの時間である。なお、物理量のあらかじめ定めた値は、高感度に測定したい物理量の範囲にあわせて設定すればよい。例えば、加速度がない状態の近傍を高感度で測定したいのであれば、加速度が0をあらかじめ定めた値とすればよい。また、重力加速度の近傍を高感度で測定したいのであれば、重力加速度をあらかじめ定めた値としてもよい。第2微分部520bが、物理量の変化により第1抵抗センサ522aと逆向きに抵抗値が変化する第2抵抗センサ522bを用いて第1発振信号を微分した第2微分信号を生成する。例えば、第2抵抗センサ522bと静電容量が固定されたコンデンサ521bを用いて微分回路を形成すればよい。図16の第2微分部520bの場合、第1発振信号が矩形波であり電圧がV1ボルト変化した場合ならば、Qb点での電圧は、のようになる。ただし、V1は第1発振信号の電圧、Cb’はコンデンサ521bの静電容量、Rb’は物理量があらかじめ定めた値のときの第2抵抗センサ522bの抵抗値、ΔRb’はあらかじめ定めた値からの物理量の変化によって変化した第2抵抗センサ522bの抵抗値の変化分、tは第1発振信号の電圧が変化してからの時間である。第3微分部520cが、物理量の変化により第1抵抗センサ522aと同じ向きに抵抗値が変化する第3抵抗センサ522cを用いて、第1発振信号を反転した信号である第2発振信号を微分した信号に相当する第3微分信号を生成する。例えば、第3抵抗センサ522cと静電容量が固定されたコンデンサ521cを用いて微分回路を形成すればよい。図16の第3微分部520cの場合、第2発振信号が矩形波であり電圧がV2ボルト変化した場合ならば、Qc点での電圧は、のようになる。ただし、V2は第2発振信号の電圧、Cc’はコンデンサ521cの静電容量、Rc’は物理量があらかじめ定めた値のときの第3抵抗センサ522cの抵抗値、ΔRc’はあらかじめ定めた値からの物理量の変化によって変化した第3抵抗センサ522cの抵抗値の変化分、tは第2発振信号の電圧が変化してからの時間である。第4微分部520dが、物理量の変化により第1抵抗センサ522aと逆向きに抵抗値が変化する第4抵抗センサ522dを用いて、第1発振信号を反転した信号である第2発振信号を微分した信号に相当する第4微分信号を生成する。例えば、第4抵抗センサ522dと静電容量が固定されたコンデンサ521dを用いて微分回路を形成すればよい。図16の第4微分部520dの場合、第2発振信号が矩形波であり電圧がV2ボルト変化した場合ならば、Qd点での電圧は、のようになる。ただし、V2は第2発振信号の電圧、Cd’はコンデンサ521dの静電容量、Rd’は物理量があらかじめ定めた値のときの第4抵抗センサ522dの抵抗値、ΔRd’はあらかじめ定めた値からの物理量の変化によって変化した第4抵抗センサ522dの抵抗値の変化分、tは第2発振信号の電圧が変化してからの時間である。電圧がV1e-1またはV2e-1まで減衰する時間は、第1微分信号がt=Ra’ΔRa’Ca’、第2微分信号がt=Rb’-ΔRb’Cb’、第3微分信号がt=Rc’ΔRc’Cc’、第4微分信号がt=Rd’-ΔRd’Cd’である。したがって、物理量の変化によって抵抗値が大きくなれば信号の幅が広くなり、抵抗値が小さくなれば信号の幅が狭くなる。このように本変形例の抵抗検出装置と実施例1の容量検出装置の相違点は、第1または第2発振信号を微分する微分回路の時定数を変化させるのが、抵抗か静電容量かという点だけである。したがって、本変形例の抵抗検出装置も、実施例1と同じようにアナログスイッチ136で生じるチャージインジェクションの変動によるノイズを低減でき、かつ検出範囲を広げることができ、またはゲインをあげることにより感度を上げることができる。なお、上述の一致は厳密な一致である必要はなく、求められる感度に応じた範囲内の誤差を含んでもよい。また、微分部の時定数が一致していない場合や、第1発振信号の電圧と第2発振信号の電圧とが一致していない場合でも、物理量があらかじめ定めた値のときの静電容量に依存した信号は打ち消しあう関係となるので、少なくとも先願の容量検出装置よりも検出範囲を広げること、または感度を上げることができる。さらに、例えば第1抵抗センサ、第2抵抗センサ、第3抵抗センサ、第4抵抗センサに可変抵抗を直列に接続しておけば、可変抵抗で、物理量のあらかじめ定めた値での時定数を調整することや、あらかじめ定めた値を変更することも可能である。実施例2の容量検出装置も、加速度などの物理量の変化に伴って静電容量が変化する4つの容量センサの静電容量を検出し、検出した静電容量から物理量の変化を計測するために用いる。4つの容量センサのうちの1つを第1容量センサとし、第2容量センサは第1容量センサと逆向きに静電容量が変化する容量センサとし、第3容量センサは第1容量センサと同じ向きに静電容量が変化する容量センサとし、第4容量センサは第1容量センサと逆向きに静電容量が変化する容量センサとする。図17に実施例2の容量検出装置の機能構成例を、図18に実施例2の容量検出装置の第1微分部、第2微分部、第3微分部、第4微分部、第1積分部、第2積分部の具体的な構成例を示す。また、図19は各部での信号の様子を示すタイミングチャートである。実施例2の容量検出装置400は、発振部310、第1微分部120a、第2微分部120b、第3微分部120c、第4微分部120d、制御部280、第1積分部430a、第2積分部430b、差動増幅部240、サンプルホールド部150、フィルタ部190を備える。発振部310、第1微分部120a、第2微分部120b、第3微分部120c、第4微分部120d、サンプルホールド部150、フィルタ部190は、実施例1の容量検出装置300と同じである。なお、図19では第1微分信号~第4微分信号は省略しているが、図15と同じである。第1積分部430aは、第1の位相のときに第1微分信号と第4微分信号とを合成した信号に対応する第1合成信号を生成し、第2の位相のときに第2微分信号と第3微分信号とを合成した信号に対応する第2合成信号を生成し、積分制御信号にしたがって第1合成信号と第2合成信号とを積分し、第1積分信号を生成する。また、第2積分部430bは、第2の位相のときに第1微分信号と第4微分信号とを合成した信号に対応する第3合成信号を生成し、第1の位相のときに第2微分信号と第3微分信号とを合成した信号に対応する第4合成信号を生成し、積分制御信号にしたがって第3合成信号と第4合成信号とを積分し、第2積分信号を生成する。図18の第1積分部430aは、ダイオード131、132、137、138、抵抗133、オペアンプ134、コンデンサ135、アナログスイッチ136で構成されており、図14の積分部330と同じ構成である。したがって、Sa点での電圧は図15のS点での電圧と同じであり、図19の第1積分信号は図15の積分信号と同じである。図19の第2積分部430bは、ダイオード231、232、237、238、抵抗233、オペアンプ234、コンデンサ235、アナログスイッチ236で構成されている。図19の第2積分部430bの場合、ダイオード231は、第1微分信号のうち正の電圧となる部分のみをオペアンプ234側に伝達する。ダイオード232は、第2微分信号のうち負の電圧となる部分のみをオペアンプ234側に伝達する。ダイオード237は、第3微分信号のうち正の電圧となる部分のみをオペアンプ234側に伝達する。ダイオード238は、第4微分信号のうち負の電圧となる部分のみをオペアンプ234側に伝達する。したがって、Sb点での電圧は、Sa点が第2微分信号と第3微分信号を合成した信号第2合成信号となる半周期分第2の位相のときに、第1微分信号と第4微分信号を合成した信号第3合成信号となる。第1微分信号と第4微分信号とは正負が逆転しているので、絶対値の差が出力される。また、Sa点が第1微分信号と第4微分信号を合成した信号第1合成信号となる半周期分第1の位相のときに、第2微分信号と第3微分信号を合成した信号第4合成信号となる。第2微分信号と第3微分信号とは正負が逆転しているので、絶対値の差が出力される。Sb点での電圧を積分するときは、アナログスイッチ236はOFFの状態であり、コンデンサ235に電荷をためることによって、オペアンプ234の出力側にSb点の電圧の積分値が出力される。図18の例では、第1容量センサ121aと第3容量センサ121cの静電容量が増加し、第2容量センサ121bと第4容量センサ121dの静電容量が減少した例を示している。この場合、第1微分信号の方が第4微分信号よりも幅が広いので、合成された第3合成信号の極性は正となる。また、第3微分信号の方が第2微分信号よりも幅が広いので、第4合成信号の極性も正となる。オペアンプの出力電圧はSb点の電圧と正負が反対になるので、図19の例では第2積分信号が減少している。差動増幅部240は、第1積分信号と第2積分信号との差に対応した積分信号を生成する。サンプルホールド部150は、積分信号の値をサンプルホールド制御信号に従って保持する。なお、保持のタイミングは、第1合成信号と第2合成信号とが0になるタイミング積分が終了したタイミングとすればよい。フィルタ部190は、スイッチングノイズを除去する。なお、図17ではフィルタ部190も具備しているが、フィルタ部190は必要に応じて具備すればよい。制御部280は、第1発振信号の複数周期ごとに積分信号の値を保持するサンプルホールド制御信号を生成し、積分信号の値を保持した後に積分信号をリセットする積分制御信号を生成する。図19の例では、第1発振信号の4周期分を積分しているが、4周期に限定する必要はなく、他の複数周期でもかまわない。また、制御部280は、第2発振信号から同様にサンプルホールド制御信号を生成してもかまわない。本実施例の容量検出装置400において、物理量があらかじめ定めた値のとき例えば、加速度が0のときの第1微分部120aの時定数RaCaと第4微分部120dの時定数RdCdとを一致させ、第1発振信号の電圧V1と第2発振信号の電圧V2とを一致させれば、あらかじめ定めた値のときは式1と式からわかるように、第1微分信号と第4微分信号とは符号が反対で絶対値が一致するのでS点での信号は0となる。また、物理量があらかじめ定めた値のときの第2微分部120bの時定数RbCbと第3微分部120cの時定数RcCcとを一致させ、第1発振信号の電圧V1と第2発振信号の電圧V2とを一致させれば、あらかじめ定めた値のときは式2と式からわかるように、第2微分信号と第3微分信号とは符号が反対で絶対値が一致するのでS点での信号は0となる。つまり、物理量があらかじめ定めた値のときの静電容量に依存した信号は打ち消しあい、積分部330の出力には含まれなくなるので、容量検出装置400の計測範囲は、物理量があらかじめ定めた値のときの静電容量の影響を受けなくなり、容量検出装置300の計測範囲を出力範囲まで広げることができる。したがって、先願の容量検出装置と同様にアナログスイッチ136で生じるチャージインジェクションの変動によるノイズを低減でき、かつ先願の容量検出装置よりも検出範囲を広げることができ、またはゲインをあげることにより感度を上げることができる。なお、上述の一致は厳密な一致である必要はなく、求められる感度に応じた範囲内の誤差を含んでもよい。また、微分部の時定数が一致していない場合や、第1発振信号の電圧と第2発振信号の電圧とが一致していない場合でも、物理量があらかじめ定めた値のときの静電容量に依存した信号は打ち消しあう関係となるので、少なくとも先願の容量検出装置よりも検出範囲を広げること、または感度を上げることができる。また、第1積分部430aと第2積分部430bは経路が対称となるように積分しているので、コモンモードノイズも除去できる。したがって、実施例1の容量検出装置よりもさらにノイズを低減できる。さらに、固定抵抗122a、122b、122c、122dを可変抵抗にすれば、可変抵抗で、物理量のあらかじめ定めた値での時定数を調整することや、あらかじめ定めた値を変更することも可能である。[変形例]実施例2では、物理量の変化によって静電容量の差が変化する場合を説明した。しかし、図17の第1微分部120a、第2微分部120b、第3微分部120c、第4微分部120dの抵抗を変化させても、同じように物理量の変化を検出できる。そこで、本変形例では、物理量の変化によって抵抗が変化する第1抵抗センサ、第2抵抗センサ、第3抵抗センサ、第4抵抗センサの抵抗を検出し、検出した抵抗値から物理量の変化を計測するために用いる抵抗検出装置について説明する。なお、4つの抵抗センサの中の1つを第1抵抗センサとし、第2抵抗センサは第1抵抗センサと逆向きに抵抗値が変化する抵抗センサとし、第3抵抗センサは第1抵抗センサと同じ向きに抵抗値が変化する抵抗センサとし、第4抵抗センサは第1抵抗センサと逆向きに抵抗値が変化する抵抗センサとする。本変形例の抵抗検出装置の機能構成を図17に、タイミングチャートを図19に示す。また、第1微分部、第2微分部、第3微分部、第4微分部、第1積分部、第2積分部の具体的な構成例を図20に示す。抵抗検出装置600も、発振部310、第1微分部520a、第2微分部520b、第3微分部520c、第4微分部520d、制御部280、第1積分部430a、第2積分部430b、差動増幅部240、サンプルホールド部150、フィルタ部190を備える。実施例2の容量検出装置400との違いは、第1微分部520a、第2微分部520b、第3微分部520c、第4微分部520dだけであり、その他の構成は容量検出装置400と同じである。また、第1微分部520a、第2微分部520b、第3微分部520c、第4微分部520dは、実施例1変形例の抵抗検出装置500と同じなので、各部の詳細な機能についての説明は省略する。本変形例の抵抗検出装置と実施例2の容量検出装置の相違点は、第1または第2発振信号を微分する微分回路の時定数を変化させるのが、抵抗か静電容量かという点だけである。したがって、本変形例の抵抗検出装置も、実施例2と同じようにアナログスイッチ136で生じるチャージインジェクションの変動によるノイズを低減でき、かつ検出範囲を広げることができ、またはゲインをあげることにより感度を上げることができる。なお、上述の一致は厳密な一致である必要はなく、求められる感度に応じた範囲内の誤差を含んでもよい。また、微分部の時定数が一致していない場合や、第1発振信号の電圧と第2発振信号の電圧とが一致していない場合でも、物理量があらかじめ定めた値のときの静電容量に依存した信号は打ち消しあう関係となるので、少なくとも先願の容量検出装置よりも検出範囲を広げること、または感度をあげることができる。さらに、例えば第1抵抗センサ、第2抵抗センサ、第3抵抗センサ、第4抵抗センサに可変抵抗を直列に接続しておけば、可変抵抗で、物理量のあらかじめ定めた値での時定数を調整することや、あらかじめ定めた値を変更することも可能である。"