"極端紫外光EUVリソグラフィシステムの光源集光モジュールであって、パルスレーザ光線を生成するレーザ光源と、光源集光モジュール軸に沿って配置され、前記パルスレーザ光線を受光して前記光源集光モジュール軸の第1方向に前記パルスレーザ光線を反射するように構成される折り返しミラーと、キセノンアイスが前記パルスレーザ光線に照射される照射位置に前記キセノンアイスを供給するように構成され、前記第1方向とほぼ反対の第2方向にEUVを生成するレーザ生成プラズマLPPを形成するキセノンアイス源と、入射端および出射端を有し、前記入射端において前記EUVを受光し、前記出射端に隣接する中間焦点において、受光した前記EUVを集束するように配置される斜入射集光器GICミラーとを備える、光源集光モジュール。中心軸と、凝縮面と、コールドフィンガーおよび単離ガスを収容する内部空間とを有し、前記凝縮面上を流れるキセノンガスが前記凝縮面上に凝縮してキセノンアイスが形成される回転可能な格納容器をさらに備える請求項1に記載の光源集光モジュール。前記凝縮面は、前記レーザ光線が前記キセノンアイスに入射可能な前記照射位置に開口を有する熱シールドによって少なくとも部分的に囲まれている請求項2に記載の光源集光モジュール。前記回転可能な格納容器に機械接続され、前記回転可能な格納容器を当該格納容器の中心軸周りに回転させるように構成される回転駆動部をさらに備える請求項2または3に記載の光源集光モジュール。前記キセノンアイスは、前記凝縮面の周囲に帯状に形成され、前記回転可能な格納容器の回転により、前記帯状のキセノンアイスが前記照射位置を通過するように回転する請求項4に記載の光源集光モジュール。前記中間焦点に隣接して配置される放射線集光強化装置RCEDをさらに備え、RCEDは、軸方向において前記中間焦点の少なくとも片側に配置される少なくとも一つの漏斗部を有し、前記少なくとも一つの漏斗部は、前記中間焦点に近接する幅狭端を有する請求項1から5のいずれかに記載の光源集光モジュール。前記RCEDは、前記中間焦点の各側に配置される第1漏斗部と第2漏斗部とを備える請求項6に記載の光源集光モジュール。前記GICミラーは、多層コーティングを含まない第1反射面を有する請求項1から7のいずれかに記載の光源集光モジュール。前記GICミラーは、Ruコーティング及び多層コーティングのいずれかを有する請求項1から7のいずれかに記載の光源集光モジュール。前記GICミラーは、少なくとも一つの区画化GICシェルを有し、前記区画化GICシェルは、多層コーティングを含まない第1反射面と、多層コーティングを含む第2反射面とを有する請求項1から7のいずれかに記載の光源集光モジュール。反射レチクルに光を照射する極端紫外光EUVリソグラフィシステムであって、請求項1から10のいずれかに記載の光源集光モジュールと、前記中間焦点に形成された前記集束EUVを受光して凝縮EUVを形成し、前記凝縮EUVを前記反射レチクルに照射するように構成されるイルミネータとを備える、EUVリソグラフィシステム。前記EUVリソグラフィシステムは、感光性半導体ウエハ上にパターン像を形成するためのEUVリソグラフィシステムであり、前記反射レチクルの下流に配置され、前記反射レチクルによって反射されたEUVを受光し、そこから前記感光性半導体ウエハ上に前記パターン像を形成するように構成される投影光学システムをさらに備える請求項11に記載のEUVリソグラフィシステム。レーザ生成プラズマLPPから極端紫外光EUVを集光する方法であって、入射端および出射端を有する斜入射集光器GICミラーを軸方向に配置することと、キセノンアイスを供給するように構成されるLPPターゲットシステムを前記GICミラーの入射端に隣接して配置し、照射位置を通過するように前記キセノンアイスを移動させることと、前記GICミラーの軸方向にパルスレーザ光線を照射し、前記パルスレーザ光を前記GICミラーの前記出射端から前記GICミラーを介して前記入射端まで通過させ、前記パルスレーザ光を前記照射位置の前記キセノンアイスに到達させることにより、前記EUVを放射する前記LPPを形成することと、前記GICミラーを使用して、前記LPPからのEUVの一部を前記GICミラーの入射端で集光し、集光した前記EUVを前記GICミラーの出射端から出射し、中間焦点に焦点スポットを形成することとを備える方法。前記中間焦点の近傍に放射集光強化装置RCEDを配置することをさらに備え、RCEDは、軸方向において前記中間焦点の少なくとも片側に配置される少なくとも一つの漏斗部を有し、前記少なくとも一つの漏斗部は、前記中間焦点に近接する幅狭端を有する請求項13に記載の方法。前記GICミラーの出射端と前記中間焦点との間に上流漏斗部を設けると共に、前記上流漏斗部を使用して、通常は前記中間焦点に導かれない前記EUVの一部を前記中間焦点に導くことと、前記中間焦点からEUVを集光し、前記集光したEUVを下流位置に導くように、前記GICミラーとは反対側の前記中間焦点に隣接する位置に下流漏斗部を設けることとをさらに備える、請求項13または14に記載の方法。凝縮面上に前記キセノンアイスを帯状に形成し、前記凝縮面を回転させることにより、前記キセノンアイスを移動させることをさらに備える請求項13から15のいずれかに記載の方法。多層コーティングを含まない第1反射面を有する前記GICミラーを設けることをさらに備える請求項13から16のいずれかに記載の方法。Ruコーティング及び多層コーティングのいずれかを有する前記GICミラーを設けることをさらに備える請求項13から16のいずれかに記載の方法。第1反射面と、前記多層コーティングを有する第2反射面とを有する少なくとも一つの区画化GICシェルを有する前記GICミラーを設けることをさらに備える請求項13から16のいずれかに記載の方法。前記中間焦点においてEUVから凝縮EUVを形成し、前記凝縮EUVを反射レチクルに照射することをさらに備える請求項13から19のいずれかに記載の方法。前記反射レチクルによって反射されたEUVを受光し、そこから投影光学システムを使用して前記感光性半導体ウエハ上に前記パターン像を形成することをさらに備える請求項20に記載の方法。パルスレーザ光線を生成するレーザ光源と、帯状のキセノンアイスを凝縮するために冷却される凝縮面と、前記凝縮面に機械接続され、パルスレーザ光線が前記キセノンアイスに入射する照射位置を通過するように、凝縮面に形成された前記帯状のキセノンアイスを回転させるように構成された回転駆動部とを備える、レーザ生成プラズマLPPターゲットシステム。本発明は、一般に、斜入射集光器GICに関し、特に、EUVリソグラフィシステムで使用される光源集光モジュールSOCOMOを形成するために使用されるGICミラーに関する。ここで、SOCOMOは、EUVを生成するためにキセノンアイスとレーザ光源とを使用するLPPターゲットシステムを備える。本発明の一態様は、極端紫外光EUVリソグラフィシステムのSOCOMOである。ここで、SOCOMOは、レーザ光源と折り返しミラーとを備える。レーザ光源は、パルスレーザ光線を生成する。折り返しミラーは、光源集光モジュール軸に沿って配置され、パルスレーザ光線を受光して光源集光モジュール軸の第1方向にパルスレーザ光線を反射するように構成されている。また、SOCOMOは、キセノンアイス源を備える。キセノンアイス源は、キセノンアイスがパルスレーザ光線によって照射される照射位置にキセノンアイスを供給させるように構成されている。そして、これにより、第1方向とほぼ反対の第2方向にEUVを放射するLPPが生成される。また、SOCOMOは、GICミラーを備える。GICミラーは、入射端および出射端を有する。そして、GICミラーは、入射端においてEUVを受光し、出射端に隣接する中間焦点において、受光したEUVを集束するように配置されている。上述のSOCOMOは、回転可能な格納容器をさらに備えることが好ましい。回転可能な格納容器は、中心軸、凝縮面および内部を有する。内部には、コールドフィンガーと単離ガスが収容され、凝縮面上を流れる気体キセノンが凝縮面上に凝縮してキセノンアイスが形成される。上述のSOCOMOにおいて、凝縮面は、少なくとも部分的に熱シールドに囲まれることが好ましい。熱シールドは、レーザ光線がキセノンアイスに入射可能な照射位置に開口を有する。上述のSOCOMOは、回転駆動部をさらに備えることが好ましい。回転駆動部は、回転可能な格納容器に機械接続されている。また、この回転駆動部は、回転可能な格納容器を当該格納容器の中心軸周りに回転させるように構成されている。上述のSOCOMOにおいて、キセノンアイスは、凝縮面の周囲に帯状に形成されることが好ましい。さらに、回転可能な格納容器の回転により、帯状のキセノンアイスが照射位置を通過するように回転する。上述のSOCOMOは、放射線集光強化装置RCEDをさらに備えることが好ましい。RCEDは、中間焦点に隣接して配置される。RCEDは、少なくとも一つの漏斗部を有する。少なくとも一つの漏斗部は、軸方向において中間焦点の少なくとも片側に配置される。また、少なくとも一つの漏斗部は、中間焦点に近接する幅狭端を有する。上述のSOCOMOにおいて、RCEDは、第1漏斗部と第2漏斗部とを備えることが好ましい。第1漏斗部と第2漏斗部とは、中間焦点の各側に配置される。上述のSOCOMOにおいて、GICミラーは、多層コーティングを含まない第1反射面を有することが好ましい。上述のSOCOMOにおいて、GICミラーは、Ruコーティング及び多層コーティングのいずれかを有することが好ましい。上述のSOCOMOにおいて、GICミラーは、少なくとも一つの区分化GICシェルを備えることが好ましい。少なくとも一つの区分化GICシェルは、多層コーティングを含まない第1反射面と、多層コーティングを含む第2反射面とを有する。本発明の他の態様は、反射レチクルに光を照射する極端紫外光EUVリソグラフィシステムである。このEUVリソグラフィシステムは、上述の光源集光モジュールと、イルミネータとを備える。このイルミネータは、中間焦点に形成された集束EUVを受光して凝縮EUVを形成し、その凝縮EUVを反射レチクルに照射するように構成される。上述のEUVリソグラフィシステムは、感光性半導体ウエハ上にパターン像を形成するためのEUVリソグラフィシステムであることが好ましい。このEUVリソグラフィシステムは、投影光学システムをさらに備えることが好ましい。この投影光学システムは、反射レチクルの下流に配置される。また、この投影光学システムは、反射レチクルによって反射されたEUVを受光し、そこから感光性半導体ウエハ上にパターン像を形成するように構成される。本発明の他の態様は、LPPからEUVを集光する方法である。この方法は、入射端および出射端を有するGICミラーを軸方向に配置することを備える。また、この方法は、キセノンアイスを供給するように構成されるLPPターゲットシステムをGICミラーの入射端に隣接して配置し、照射位置を通過するようにキセノンアイスを移動させることを備える。また、この方法は、GICミラーの軸方向にパルスレーザ光線を照射し、パルスレーザ光をGICミラーの出射端からGICミラーを介して入射端まで通過させ、照射位置のキセノンアイスに到達させることにより、EUVを放射するLPPを形成することをさらに備える。また、この方法は、GICミラーを使用して、LPPからのEUVの一部をGICミラーの入射端で集光し、集光したEUVをGICミラーの出射端から出射し、中間焦点に焦点スポットを形成することを備える。上述の方法は、中間焦点に近傍に放射線集光強化装置RCEDを配置することをさらに備えることが好ましい。RCEDは、少なくとも一つの漏斗部を有する。少なくとも一つの漏斗部は、軸方向において中間焦点の少なくとも片側に配置される。また、少なくとも一つの漏斗部は、中間焦点に近接した幅狭端を有する。上述の方法は、GICミラーの出射端と中間焦点との間に上流漏斗部を設けると共に、上流漏斗部を使用して、通常は中間焦点に導かれないEUVの一部を中間焦点に導くことと、中間焦点からEUVを集光し、集光したEUVを下流位置に導くように、GICミラーとは反対側の中間焦点に隣接する位置に下流漏斗部を設けることをさらに備えることが好ましい。上述の方法は、凝縮面上にキセノンアイスを帯状に形成し、凝縮面を回転させることにより、キセノンアイスを移動させることをさらに備えることが好ましい。上述の方法は、多層コーティングを含まない第1反射面を有するGICミラーを設けることをさらに備えることが好ましい。上述の方法は、Ruコーティング及び多層コーティングのいずれかを有するGICミラーを設けることをさらに備えることが好ましい。上述の方法は、第1反射面と第2反射面とを有する少なくとも一つの区画化GICシェルを備えるGICミラーを設けることをさらに備えることが好ましい。ここで、第2反射面は多層コーティングを有する。上述の方法は、中間焦点においてEUVから凝縮EUVを形成し、凝縮EUVを反射レチクルに照射することをさらに備えることが好ましい。上述の方法は、反射レチクルによって反射されたEUVを受光し、そこから投影光学システムを使用して感光性半導体ウエハ上にパターン像を形成することをさらに備えることが好ましい。本発明の他の態様は、LPPターゲットシステムである。LPPターゲットシステムは、レーザ光源と、凝縮面とを備える。レーザ光源は、パルスレーザ光線を生成する。凝縮面は、帯状のキセノンアイスを凝縮するために冷却される。また、LPPターゲットシステムは、回転駆動部を備える。回転駆動部は、凝縮面に機械接続される。また、この回転駆動部は、パルスレーザ光線がキセノンアイスに入射する照射位置を通過するように、凝縮面に形成される帯状のキセノンアイスを回転させるように構成されている。本発明のさらなる特徴および利点は、下記の詳細な説明発明を実施するための形態に明記されている。また、それらの一部は、詳細な説明の記載内容から当業者にとって直ちに明白となるか、下記の詳細な説明、特許請求の範囲、添付図面を含む、ここに記載された発明を実施することによって認識される。本願では、一般に、GICが開示され、特に、EUVリソグラフィシステムに利用される光源集光モジュールSOCOMOを形成するために使用されるGICミラーが開示される。なお、EUVリソグラフィシステムは、LLP方式のEUV光源を有する。図3A及び図3Bは、LPPGIC型SOCOMO100の一般例の概略図である。本図では、LPP24及び中間焦点IFはGICミラーMGの反対側に位置する。GICミラーMGは、入射端3および出射端5を有する。LPP24を生成するLPPターゲットシステム40についても図示されており、以下、LPPターゲットシステム40の例について詳細に議論する。図3Bにおいて、LPPGIC型SOCOMO100は、さらに放射線集光強化装置RCED110を選択的に備えている。RCED110については米国特許仮出願第61/341,806号発明の名称:EUVの集光を強化したEUV集光システムに記載されており、当該仮出願は本出願に援用される。RCED110は、光学軸A1に沿って、GICミラーMG側で中間焦点IFおよび開口絞りASに隣接して配置される。RCED110は、開口絞りASを通過して中間焦点IFに達し焦点スポットFSを形成するEUV30の光量を増大させるように構成されている。この構成は、RCED110により方向転換され、開口絞りASを通過して中間スポットFSを形成する屈折EUV光線30Sにより図示されている。実施形態の一例では、RCED110は、逆漏斗状部下流漏斗部111Dを備える。逆漏斗状部111Dは、中間焦点IFの下流に配置され、EUV30を中間焦点IFから下流位置例えば、後述の図10に示す照明光学系に導くように構成されている。こうした実施形態は、下流のイルミネータで投影されたEUV30をより均一な状態にし、レチクル面で良好に利用する際に有効となる。RCED110は、上流漏斗部111Uおよび下流漏斗部111Dを備えてもよい。なお、ここに記載する上流および下流は、中間画像IFの位置を基準に定義されている。RCED110は、上流漏斗部111U例えば図4を参照および下流漏斗部111Dのいずれかを備えてもよい。他の例では、RCED110は、別個の構成要素ではなく、連続型一体型の構成要素であり、上流漏斗部111Uと下流漏斗部111Dとを結合して、上流漏斗部と下流漏斗部とを有する一つの漏斗部111を形成する。一つの漏斗部111を使用する場合、漏斗部111を単純にRCED110と称する。図4は、図3Bの一般構成に基づくLPPGIC型SOCOMO100の一例の概略図である。図4のLPPGIC型SOCOMO100は、光源部41およびターゲット部42を備えるLPPターゲットシステム40を利用する。光源部41は、光学軸A1に垂直な軸A2に沿ってレーザ光線13を発するレーザ光源12を備える。また、光源部41は、光学軸A1及び軸A2の交点に光学軸A1に沿って配置される折り返しミラーFMを備える。なお、交点は、GICミラーMGと中間焦点IFとの間例えば、GICミラーMGとRCED110との間に位置する。これにより、マルチシェル型GICミラーMG図4の一例では、2つのGICシェルM1及びM2を有するが、光学軸1に沿ってLPP24と中間焦点IFとの間に配置される構成が実現する。詳細は後述するが、レーザ光線13をターゲット部42の焦点F13に焦点合わせし、LPP24を形成する際に、レーザ光源12に隣接するレンズ17がこれを補助する。一実施形態において、GICシェルM1及びM2は、各反射面にRuコーティング図示せずを有する。ターゲット部42は、光学軸A1に沿って-X方向にGICミラーMGを進行するレーザ光線13によって照射される。これにより、ほぼX方向に放射されるEUV30が生成される。折り返しミラーFMによる軸方向の広がりは最小となっている。したがって、レーザ光線13は、ほぼ光学軸A1に沿ってGICミラーMGを一方向即ち、-X方向に進行し、EUV30はほぼ反対方向即ち、X方向にGICミラーMG、RCED110を進行し、中間焦点IFに到達する。LPPターゲットシステム図5Aは、EUV30を生成するキセノンアイス源を構成するターゲット部42の一例の概略側面図である。図5Bは、ターゲット部42の実施形態の一例のより詳細な概略図である。ターゲット部42は、内部空間122を有する真空チャンバ120を備える。真空システム126は、真空チャンバ120の内部空間122に空気圧接続されており、内部空間122を真空状態にするように動作可能である。図中、ターゲット部42は、典型的には真空チャンバ120の外側に配置されるキセノンガスフローシステム130を有する。キセノンガスフローシステム130は、測定流量のキセノンガス132Gをガス流管134に供給するように構成されている。後述するように、ターゲット部42は、二段階クライオスタットコールドフィンガー180を冷蔵する密閉サイクル式ヘリウムクライオスタット140をさらに備える。内部空間122には、キセノンアイス部150が配置されている。キセノンアイス部150は、ガス流管134を介してキセノンガスフローシステム130に流体接続され、管144を介して密閉サイクル式ヘリウムクライオスタット140に流体接続されている。後述の通り、キセノンアイス部150は、凍結キセノンキセノンアイス132Fを照射位置、即ち、集束レーザ光線13が凍結キセノン132F即ち、キセノンアイスに入射し、EUV30が形成される照射位置158に供給するように構成されている。図5Bを参照すると、キセノンアイス部150の一例は、開放内部領域162を規定する熱シールド160を備える。熱シールド160は、開放底部165および開口164を有する。また、キセノンアイス部150は、開放内部領域162内に回転可能な格納容器170を備える。回転可能な格納容器170は、中心軸ALを有し、密閉内部172を規定する。また、回転可能な格納容器170は、外側凝縮面174および底面178を有する。回転可能な格納容器170の密閉内部172内には、二段階クライオスタットコールドフィンガー180が配置されている。二段階クライオスタットコールドフィンガー180は、内部空間図示せず、第1冷却段184および第2冷却段186を有する。詳細は後述するが、密閉内部172には、伝熱ガスの役割を果たすヘリウム伝熱ガス142GSが充填される。二段階クライオスタットコールドフィンガー180は、密閉サイクル式ヘリウムクライオスタット140に密閉接続されている。図5Bを参照すると、一例では、真空チャンバ120および回転可能な格納容器170には、開口190が形成されている。一例では、開口190は幅狭端192および幅広端194を有する円錐形状であり、幅狭端192が上述の開口164を規定する。一例では、幅広端194は、フランジ図示せずを有し、このフランジを介して、LPPGIC型SOCOMO100の他の構成要素に関連する隣接の真空チャンバ図示せずに接続される。一例では、真空チャンバ120には、少なくとも一つの温度センサTSおよび少なくとも一つの圧力センサPSが備えられている。これらのセンサにより、真空チャンバ120の内部空間122、特に、熱シールド160内の開放内部領域162の温度および圧力がそれぞれ監視される。また、キセノンアイス部150は、回転駆動部196を備える。回転駆動部196は、回転可能な格納容器170に底面178で機械接続され、外側凝縮面174を回転させる。また、ターゲット部42は、制御部200を備えている。制御部200は、真空システム126、キセノンガスフローシステム130、密閉サイクル式ヘリウムクライオスタット140、第1冷却段184、第2冷却段186、温度センサTS、圧力センサPS、回転駆動部196、LPPターゲットシステム40の光源部41のレーザ光源12図4参照に動作可能に接続されている。一例において、制御部200は、コンピュータ読み込み可能な媒体メモリに指示ソフトウェアを保存可能なパーソナルコンピュータを備え、コンピュータに搭載されたプロセッサを介して当該指示を実行させ、LPPターゲットシステム40がLPP24を生成するように動作させる。図5A、5Bを参照すると、ターゲット部42の動作時、制御部200は、真空システム126に信号Sg0を送信する。これにより、真空システム126は、真空チャンバ120の内部空間122を真空状態にする。ここで、真空チャンバ120は、LPPGIC型SOCOMO100を収容するより大型の真空チャンバ図示せずに接続されるか、その一部であることが想定されている。また、制御部200は、キセノンガスフローシステム130に信号Sg1を送信し、気体キセノンフローシステム130は、ガス流管134を介して熱シールド160内の開放内部領域162に測定流量のキセノンガス132Gを供給する。これにより、外側凝縮面174の周囲にキセノンガス132Gが流れる。また、制御部200は、密閉サイクル式ヘリウムクライオスタット140に信号Sg2を送信して、二段階クライオスタットコールドフィンガー180へのヘリウムガス142Gを供給し始める。さらに、制御部200は、制御信号SC1,SC2を第1冷却段184および第2冷却段186にそれぞれ送信して、密閉サイクル式ヘリウムクライオスタット140に流れるヘリウムガス142Gを極低温例えば、約4ケルビンに冷却させる。これにより、二段階クライオスタットコールドフィンガー180は、回転可能な格納容器170の密閉内部172においてヘリウム伝熱ガス142GSを冷却する過冷却クライオチップとして機能する。ヘリウム伝熱ガス142GSの圧力は、制御部200によってマスフローバルブ図示せずを介して制御される。これにより、容器内部に含まれるヘリウム伝熱ガス142GSは、外側凝縮面174から二段階クライオスタットコールドフィンガー180への熱伝達を制御する圧力を有する。ヘリウム伝熱ガス142GSは、外側凝縮面174を冷却するように作用する。これにより、外側凝縮面174の周囲を流れるキセノンガス132Gを冷却する役割を果たす。こうした冷却は、クライオチップの端部位置および開口164に対応する位置の外側凝縮面174上において、凍結キセノン132Fが帯状に形成されるまで実行される。一例では、凍結キセノン132Fは1mmの厚みを有する。また、制御部200は、回転駆動部196に制御信号Sg3を送信して、外側凝縮面174を回転させ始める。この回転により帯状の凍結キセノン132Fも回転し、凍結キセノン132Fは連続して開口164を通過する即ち、帯状の凍結キセノン132Fは照射位置158を通過して回転し、帯状の凍結キセノン132Fの一部が常に照射位置158に位置する。一例では、回転可能な格納容器170の回転速度は、典型的には60から100rpmであり、1Khzのレーザ光線13に対して未使用のアイス面を供給するように構成されている。キセノンは、161.4ケルビンで凍結する。この温度は、さらに低温な状態例えば12ケルビンを生成可能な密閉サイクル式ヘリウムクライオスタット140の凍結能力の十分範囲内にある。ヘリウム伝熱ガス142GSの圧力を制御部200の動作後述するを通じて管理することにより、外側凝縮面174から密閉サイクル式ヘリウムクライオスタット140までの熱漏洩が制御され、外側凝縮面174が確実にキセノンガス132Gの凝固点以下になる。さらに、制御部200は、光源部41図4内のレーザ光源12に信号Sg4を送信して、レーザ光線13を形成し始めさせる。また、制御部200は、密閉内部172のヘリウム伝熱ガス142GSを単離するための温度情報および圧力情報をそれぞれ含む温度信号STおよび圧力信号SPを、温度センサTSおよび圧力センサPSから受信する。実施形態の一例では、このような温度圧力情報は、第1冷却段184および第2冷却段186の動作を制御するために使用される。第1冷却段184、第2冷却段186および二段階クライオスタットコールドフィンガー180によって、密閉内部172に過冷却シリンダを提供する冷却装置が規定される。凍結キセノン132Fが開口164を通過する際、集束レーザ光線13が凍結キセノン132Fを照射し、LPP24透過図として図示が形成される。LPP24は、ほぼX方向にEUV30を放出する。実施形態の一例では、凍結キセノン132Fの任意の一地点が、レーザ光線13の複数パルスによって照射される。これにより、回転可能な格納容器170を低速で回転させることができる。凍結キセノン132Fが連続的に開口164を通過することにより、LPP24の繰り返し率が高くなると共に生成時間が長くなる。本発明のキセノン型LPPターゲットシステム40は、凍結キセノン132Fから形成される塵埃の量が最小であること、動作時間が比較的長いこと、機械的に簡素でありコンパクトであること等の利点を有する。多層第1ミラーのないSOCOMOLPPGIC型SOCOMO100の一構成例では、多層コートが設けられていない第1ミラーが設けられている。即ち、EUV30が最初に入射する最初に反射するミラーまたはミラー部が、多層コーティング18を有していない。LPPGIC型SOCOMO100の他の構成例では、第1ミラーは、実質的に斜入射ミラーである。また、他の実施形態では、第1ミラーが多層コーティング18を有してもよい。LPPGIC型SOCOMO100の主な利点は、その性能が多層被覆反射面の残存に依存しない点にある。一実施形態例に係るGICミラーMGは、例えば、図6に示されるGICシェルM1等のような、少なくとも一つの区画化GICシェルを有している。GICシェルM1は、2つのミラー区画、即ち、第1面Sf1を有するミラー区画M1Aと、第2面Sf2を有するミラー区画M1Bとを有することが示されている。第1面Sf1により第1反射が行われしたがって、第1ミラーであり、第2面Sf2により第2反射が行われる。なお、第2反射はLPP24の目標線上に位置しない。一実施形態例では、第2面Sf2が、多層コーティング18を支持する。これは、EUV30が一旦反射されると、その強度が相当弱められると共に、通常はLPP24が目標線上に位置しないため、多層コーティング18に入射するイオン及び中性原子の量が最小になるからである。GIC型SOCOMO対NIC型SOCOMOLPPNIC型SOCOMO10とLPPGIC型SOCOMO100とには、あるトレードオフの関係が成立する。例えば、LPP24からのEUV30の特定の集光角度に関しては、LPPNIC型SOCOMO10は、LPPGIC型SOCOMO100よりもコンパクトに設計することができる。また、LPPNIC型SOCOMO10は、原則、光学軸A1に対して90°を超える角度で、光源から放射されたEUV30を集光するように設計することができ、集光効率をより高めることができる。しかし、NICの径が過度に大きくなる、または、EUV30が中間焦点IFにおいて光学軸A1となす角度が過度に大きくなるので、通常、上記の利点が実際に利用されることはない。また、LPPGIC型SOCOMO100により生成される遠隔フィールドの強度分布は、GICシェルM1及びM2の厚みの影と、複数のGICミラーMGを支持する機械的構造体の厚みの影とが原因でさらに広がる。しかし、本発明において以下議論する実施形態では、GICの表面が、表面補正機能を有している。この表面補正機能により、GICの複数のシェルの厚みによる陰影効果が低減され、中間焦点IFにおける中間スポットFSの均一性が向上する。さらに、LPPGIC型SOCOMO100は、LPPNIC型SOCOMO10に比べて、中間焦点IFにおいて一般的により大きな中間スポットFSを形成する。こうした大きさの相違は、主としてGICミラーの形状誤差に関係があり、技術進歩に伴い低減されつつある。全体としては、LPPGIC型SOCOMO100から得られる利益、即ち、より長い動作寿命、費用の低減、簡素であること、維持費用および問題の低減が、上記のトレードオフを上回るものであると一般に考えられている。LPPGIC型SOCOMO用GICミラーの一例図7は、LPPGIC型SOCOMO100用のGICミラーMGの一例の概略部分側面図である。一例として、光学設計上、図7のGICミラーMGは、実際には、図8に示されるように、光学軸A1周りに対称な円筒状の8つの入れ子状GICシェル250から構成されている。この例では、GICシェル250の数を最小化するために、3つの最内部GICシェル250は楕円形を有し、残りの5つの最外部GICシェル250は、楕円形かつ双曲線状の断面を有する軸外し二重反射設計に基づいている。なお、このようなGICミラーMGは、欧州特許出願公報第EP1901126A1発明の名称:コレクタ光学システム等に記載されており、当該公報は本出願に援用される。図7は、2つの最外部GICシェル250を図示している。当該最外部GICシェル250は、それぞれ、楕円形部250Eおよび双曲線部250Hを有する。また、図7には、光源焦点SF、仮想共通焦点CFおよび中間焦点IFに加えて、GICシェル250の楕円形部250Eおよび双曲線部250Hそれぞれの軸AEおよび軸AHが図示されている。仮想共通焦点CFと中間焦点IFとの間の距離は、ΔLである。仮想共通焦点CFは、光学軸A1から距離Δr分だけオフセットされている。光学軸A1周りに楕円形部250Eおよび双曲線部250Hの断面を1回転させることで、光学面全体が得られる。GICミラーMGの一例の設計例が、下記の表1及び表2に掲載されている。当該設計の主な光学パラメータは、aLPP24と中間焦点IFとの間の距離ΔL=2400mm、bLPP側の最大集光角度=70.7°である。一実施形態例では、各GICシェル250はRuコーティングを有し、各EUV波長での反射率が改善される。複数のGICシェル250の光学面がRuで被覆された場合、波長13.5nmのEUV30に対するGICミラーMGの理論上の集光効率は、LPP24からの2πステラジアン放射に対して37.6となる。LPPEUV光源は、放電生成プラズマDPPEUV光源に比べて随分小型典型的には、約10分の1の面積である。このため、LPP24を使用すれば、GICミラーMGの出射とイルミネータ入射との間の面積効率etendueを良好に一致させることができる。特に、LPP24における集光角度は、GICミラーMGとイルミネータの面積効率との不一致による効率損失が無視できる程度の状態または極めて限定的な状態で、極めて大きな値に増加し得る。一実施形態例において、集光半角は約70度であるか70度を超える。特定の集光器の光学設計に関して、遠隔フィールドにおける強度分布の均一性がDPP源よりも劣る傾向にあるという点で、LPP24の寸法には問題がある。事実、LPP24は、小型であるため、DPP源に比べて、複数のGICシェル250の厚みによる遠隔フィールドの影がよりくっきりとする傾向がある。こうした効果を少なくとも部分的に相殺するために、各GICシェル250に対して表面形状即ち光学プロファイル補正が加えられ、遠隔フィールドにおける強度分布の均一性が改善されている例えば、国際特許出願公報第WO2009-095219A1号発明の名称:EUV及びX線を適用する改良型斜入射集光器光学システムを参照。なお、当該公報は本出願に援用される。。このように、GICミラーMGの一実施形態例では、各GICシェル250は、GICシェルの2つの縁において、ゼロに等しい多項式補正放物線補正が重畳されている。なお、その値は、最大でも0.01mmである。表1および表2には、図10に示されるGICミラーMGの一設計例が示されている。ミラー番号は、特定のGICシェル250の番号であり、最内部GICシェル250から順に最外部GICシェル250まで付与されている。図9Aは、GICシェルのプロファイルを補正しない場合における、中間焦点IFにおける正規化遠隔フィールド位置と、そこに入射する光線の強度任意の単位との関係を表すプロットである。当該プロットは、中間焦点IFにおいて形成されるLPP24の中間画像即ち、中間スポットFSの均一性に関する測定値である。LPP24は、0.2mmの径を有する球体としてモデル化されている。図9Bは、複数のGICシェル250に上記補正を適用したことを除いて、先と同様のプロットである。図9Aのプロットと図9Bのプロットとを比較すると、図9Bの強度においては振幅が相当低減されており、複数のGICシェル250の表面形状を補正した結果、中間焦点IFにおける中間スポットFSでの遠隔フィールド均一性が著しく改善されていることがわかる。LPPGIC型SOCOMOを備えるEUVリソグラフィシステム図10は、本発明に係るEUVリソグラフィシステム以下、リソグラフィシステムと称す300の一例である。リソグラフィシステム300は、例えば、米国特許出願第US2004/0265712A1号、第US2005/0016679A1号、第US2005/0155624A1号に開示されており、当該出願は本出願に援用される。リソグラフィシステム300は、システム軸A3およびEUV光源LSを備えている。EUV光源LSは、LPPGIC型SOCOMOを備えている。LPPGIC型SOCOMOは、光学軸A1を有し、上述のキセノンアイス方式のLPPターゲットシステム40を備えている。LPPターゲットシステム40は、λ=13.5nmの作用EUV30を放出するLPP24を生成する。LPPGIC型SOCOMO100は、上述の通り、GICミラーMGを備え、RCED110を選択的に備えている。一実施形態例において、GICミラーMGは、米国特許出願第12/592,735号に記載されるように冷却される。なお、当該米国特許出願は、本出願に援用される。また、一例においては、RCED110が冷却される。GICミラーMGは、EUV光源LSの下流側の近傍に配置されており、光学集光器軸A1がシステム軸A3に沿うようにして配置されている。GICミラーMGは、光源焦点SFに位置するEUV光源LSからの作用EUV30即ち、光線LRを集光する。そして、集光された放射光線は、中間焦点IFに中間光源像IS即ち、焦点スポットを結像する。RCED110は、中間焦点IFに通常は到達しないEUV30を中間焦点IFに到達させることにより、EUV30の集光を強化する。LPPGIC型SOCOMO100は、一例において、LPPターゲットシステム40、GICミラーMG及びRCED110を備えている。図3Bに関連して上述したRCED110の実施形態では、少なくとも一つの漏斗部111が備えられている。一例では、漏斗部111は、下流漏斗部111Dあり、EUV30を中間焦点IFの中間焦点焦点スポットFSから、下流位置例えば、中間焦点IFの下流に位置する照明光学系イルミネータの位置に導くように構成されている。他の例では、漏斗部111は、上流漏斗部111Uであり、中間焦点IFに中間焦点焦点スポットFSを形成するようにEUV30を導く。このとき、通常は中間焦点焦点スポットFSの形成に寄与しない放射線を集光することも含まれる。一例では、RCED110は、上流漏斗部111Uおよび下流漏斗部111Dの両方を備える。RCED110は、イルミネータで投影された放射線をより均一にし、レチクル面で良好に利用する役割を果たす。照明システム316は、入射端317および出射端318を有する。また、照明システム316は、入射端317がGICミラーMG側に配置された状態で、システム軸A3に沿ってGICミラーMGの下流側の近傍に配置されている。照明システム316は、入射端317において中間光源像ISからのEUV30を受け、出射端318において略均一なEUVビーム320即ち、凝縮EUVを出射する。リソグラフィシステムシステム300が走査型システムである場合、EUVビーム320は、典型的には、反射レチクル336を走査する略均一なライン状のEUV30として、反射レチクル336上に形成される。投影光学システム326は、屈折したシステム軸A3に沿って、照明システム316の下流および反射レチクル336の下流に配置されている。投影光学システム326は、照明システム316の出射端318に対向する入射端327と、反対側の出射端328とを有する。反射レチクル336は投影光学システム326の入射端327に隣接して配置されており、半導体ウエハ340は投影光学システム326の出射端328に隣接して配置されている。反射レチクル336は、半導体ウエハ340に転写されるパターン図示せずを有し、半導体ウエハ340は感光性コーティング例えば、フォトレジスト層342を有する。動作時において、均一化されたEUVビーム320は、反射レチクル336を照射し、レチクル336によって反射される。そして、投影光学システム326によって、半導体ウエハ340の感光性コーティング342の表面上に、レチクル336上のパターンが結像される。走査型リソグラフィシステムシステム300では、反射レチクル像が感光性コーティング342の表面上を走査し、露光フィールド上にパターンが形成される。典型的には、反射レチクル336と半導体ウエハ340とを同期させて移動させることにより、走査が実行される。一旦、レチクルパターンが半導体ウエハ340に結像されて記録されると、パターン化された半導体ウエハ340は、標準的なフォトリソグラフィ技術および半導体プロセス技術を使用して処理される。その結果、複数の集積回路ICチップが形成される。なお、一般的にリソグラフィシステム300の構成要素は、図10に図示されるように、共通の屈折したシステム軸A3に沿って配置される。当業者であれば、例えば、照明システム316や投影光学システム326の様々な構成要素の入口軸および出口軸がオフセットされる場合もあり得ることは、理解される。当業者には明白であるが、本発明の精神および範囲を逸脱することなく、本発明に対して様々な修正および変更を加えることができる。したがって、本発明は、添付の特許請求の範囲およびその均等範囲内において本発明の修正および変更を包含する。"