半導体構造上にオーミック接触を形成する組成物であって、前記半導体構造と少なくとも部分的に連続的なTiAlxNy材料を含み、前記半導体構造は少なくとも1つの半導体材料を含み、xおよびyが同時にゼロであることはなく、yがゼロである時、xは1ではない、組成物。前記TiAlxNy材料と前記半導体構造との間の連続性は、n型ドープGaN材料と少なくとも部分的な連続性を含む、請求項1に記載の組成物。前記TiAlxNy材料と前記半導体構造との間の連続性は、少なくとも1つの半導体材料と少なくとも部分的な連続性を含む、請求項1に記載の組成物。前記TiAlxNy材料と前記半導体構造との間の連続性は、非ドープ、n型ドープ、またはp型ドープ可能な少なくとも1つの半導体材料との少なくとも部分的な連続性を含み、非ドープ、n型ドープ、またはp型ドープされた半導体材料は、GaN、InGaN、AlGaN、AlGaInN、InN、GaAs、AlGaAs、AlGaAs、GaAsP、AlGaInP、GaP、AlGaP、ZnSe、SiC、Si、ダイアモンド、BN、AlN、MgO、SiO、ZnO、LiAlO2、SiC、Ge、InAs、InAt、InP、C、Ge、SiGe、AlSb、AlAs、AlP、BP、BAs、GaSb、InSb、AlzGa1-zAs、InGaAs、InzGa1-zAs、InGaP、AlInAs、AlInSb、GaAsN、AlGaP、AlGaP、InAsSb、InGaSb、AlGaAsP、AlInAsP、AlGaAsN、InGaAsN、InAlAsN、GaAlAsN、GaAsSbN、GaInNAsSb、およびGaInAsSbPのうちの少なくとも1つのドープ前またはドープ後の状態のいずれかまたは両方を含む、請求項1に記載の組成物。前記TiAlxNy材料は、アニーリング工程前またはアニーリング工程の少なくとも一部期間において前記半導体構造と少なくとも部分的に連続的である、請求項1に記載の組成物。前記半導体構造は、発光ダイオードLED半導体デバイスになる、請求項1に記載の組成物。前記TiAlxNy材料は、原子層堆積、物理気相堆積PVD、または化学気相堆積CVDのうちの少なくとも1つを使用して追加される、請求項1に記載の組成物。前記TiAlxNy材料は、約50~2000オングストロームの厚さである、請求項1に記載の組成物。前記TiAlxNy材料は、約200オングストロームの厚さである、請求項1に記載の組成物。xは約3であり、yは約ゼロである、請求項1に記載の組成物。前記組成物は、アルミニウム材料をさらに含み、前記アルミニウム材料は前記TiAlxNy材料の少なくとも一部と連続的であり、前記TiAlxNy材料は前記半導体構造と前記アルミニウム材料との間にある、請求項1に記載の組成物。前記アルミニウム材料は、原子層堆積、物理気相堆積PVD、または化学気相堆積CVDのうちの少なくとも1つを使用して追加される、請求項11に記載の組成物。前記アルミニウム材料は、約5~4000オングストロームの厚さである、請求項11に記載の組成物。前記アルミニウム材料は、約1000オングストロームの厚さである、請求項11に記載の組成物。前記TiAlxNy材料は、約25~300オングストロームの厚さである、請求項11に記載の組成物。前記TiAlxNy材料は、約100オングストロームの厚さである、請求項11に記載の組成物。xは、約0~10である、請求項1に記載の組成物。yは、約0~10である、請求項1に記載の組成物。半導体構造上にオーミック接触を形成する方法であって、請求項1に記載の組成物をアニーリングする工程を含む、方法。前記アニーリングする工程は、約500~1500°C以下で行われる、請求項19に記載の方法。前記アニーリングする工程は、約800°C以下で行われる、請求項19に記載の方法。前記アニーリングする工程は、約0.001~200分間で行われる、請求項19に記載の方法。前記アニーリングする工程は、約30~60秒間で行われる、請求項19に記載の方法。半導体構造上にオーミック接触を形成する方法であって、半導体構造を提供するステップであって、前記半導体構造は、n型ドープされたGaN材料を含む、ステップと、前記n型ドープされたGaN材料の少なくとも一部と連続的にTiAlxNy材料を堆積させるステップであって、前記TiAlxNy材料は約200~2000オングストロームの厚さであり、xおよびyが同時にゼロであることはなく、yがゼロである時、xは1ではない、ステップと、前記半導体構造および前記TiAlxNy材料をアニーリングするステップであって、前記アニーリングは約660~800°C以下で、約30~60秒の継続時間で行われる、ステップと、を含む方法。半導体構造上にオーミック接触を形成する方法であって、半導体構造を提供するステップであって、前記半導体構造はn型ドープされたGaN材料を含む、ステップと、前記n型ドープされたGaN材料の少なくとも一部と連続的にTiAlxNy材料を堆積させるステップであって、前記TiAlxNy材料は、約50~200オングストロームの厚さであり、xおよびyが同時にゼロであることはなく、yがゼロである時、xは1ではない、ステップと、前記TiAlxNy材料がアルミニウム材料とn型ドープされたGaN材料との間にあるように、前記TiAlxNy材料の少なくとも一部と連続的に前記アルミニウム材料を堆積させるステップであって、前記アルミニウム材料は約1000オングストロームの厚さである、ステップと、前記半導体構造および前記TiAlxNy材料および前記アルミニウム材料をアニーリングするステップであって、前記アニーリングは約660°C以下で、約30~60秒の継続時間で行われる、ステップと、を含む、方法。請求項19、24、または25のいずれかに記載の方法を含む方法によって少なくとも部分的に形成される、組成物または製品。請求項1に記載の組成物を含む、または請求項19、24、または25に記載の方法のいずれかを含む方法によって少なくとも部分的に用意される、LED。本発明は半導体構造上にオーミック接触を形成する組成物を提供する。この組成物はTiAlxNy材料を含む。TiAlxNy材料は半導体構造と少なくとも部分的に連続している。半導体構造は少なくとも1つの半導体材料を含む。変数xとyが同時にゼロであることはない。変数yがゼロである時、xは1ではない。本発明は半導体構造上にオーミック接触を形成する方法を提供する。この方法は半導体構造を提供することを含む。半導体構造はn型ドープGaN材料を含む。この方法はまたTiAlxNy材料の堆積も含んでいる。TiAlxNy材料はn型ドープGaN材料の少なくとも一部に連続堆積される。TiAlxNy材料は約200~2000オングストロームの厚さである。変数xおよびyが同時にゼロであることはない。変数yがゼロである時、変数xは1ではない。この方法はまた半導体構造のアニーリングおよびTiAlxNy材料を含む。アニーリングは約660~880°C以下で行われる。アニーリングは約30~60秒の時間で行われる。本発明は半導体構造上にオーミック接触を形成する方法を提供する。この方法は半導体構造を提供することを含む。半導体構造はn型ドープGaN材料を含む。この方法はTiAlxNy材料の堆積を含む。TiAlxNy材料はn型ドープGaN材料の少なくとも一部に連続して堆積される。TiAlxNy材料は約50~200オングストロームの厚さである。変数xおよびyが同時にゼロであることはない。変数yがゼロである時、変数xは1ではない。この方法はまたアルミニウム材料の堆積を含む。アルミニウム材料はTiAlxNy材料の少なくとも一部に連続して堆積される。アルミニウム材料はTiAlx材料がアルミニウム材料とn型ドープGaN材料との間にあるように堆積される。アルミニウム材料は約1000オングストロームの厚さである。この方法はまた半導体構造のアニーリングとTiAlxNy材料とアルミニウム材料を含む。アニーリングは約660°C以下で行われる。アニーリングは約30~60秒の時間で行われる。本発明は種々の実施形態で半導体構造上にオーミック接触を形成する組成物および方法を提供する。種々の実施形態において、組成物はTiAlxNy材料を含む。TiAlxNy材料は半導体構造と少なくとも部分的に連続している。TiAlxNyはTiAl3であり得る。組成物はアルミニウムを含むことができる。アルミニウムはTiAlxNyがアルミニウムと半導体構造体との間にあるように、TiAlxNyの少なくとも一部に連続することができる。この方法は半導体構造上にオーミック接触を形成するため組成物をアニーリングすることを含む。本発明は半導体構造上にオーミック接触を形成する組成物および方法に関する。特に断らない限り、組成物および方法を説明するとき、以下の用語は以下の意味を有する。本明細書において用いられる場合、用語連続性は物理的に接しているtouchingまたは接触しているcontacting領域を指す。本明細書において用いられる場合、用語連続しては任意の程度で物理的に接触もしくは接続していることを指す。本明細書において用いられる場合、用語オーミック接触はほぼ線形な電圧-電流関係を提供し低抵抗を示す接触を指す。オーミック接触は半導体構造または半導体デバイスに電位を接続するために使用することができる。オーミック接触は半導体構造であると考えることができ、それはまた半導体構造の一部であると考えることができる。本明細書において用いられる場合、用語半導体デバイスは電子部品として使用するために用意され、その使用目的のために用意されている半導体構造、および集積回路内のコンポーネントとして機能するために用意されている半導体構造を指す。この用語は半導体デバイスの意図する動作のために必要な半導体材料のすべての層が適切に配置され、必要に応じてアニーリングされ、必要なパッシベーションが行われ、必要な接触が構造全体で所望の電位の適用を有効にするために半導体構造上に形成されている製造状態を参照することができるが、これに限定されるわけではない。用語は意図された使用の用意がされた複数の半導体デバイス、および複数の半導体構造を参照することができる。本明細書において用いられる場合、用語半導体材料は化学的化合物を含む材料、但し排他的に化学的化合物を含む必要はない材料を参照し、前記の化学的化合物は純粋な状態で導体と絶縁体との中間の導電性を有する。半導体材料は非ドープ、n型ドープ、またはp型ドープであり得て、ドープ前の状態もしくはドープ後の状態において、GaN、InGaN、AlGaN、AlGaInN、InN、GaAs、AlGaAs、AlGaAs、GaAsP、AlGaInP、GaP、AlGaP、ZnSe、SiC、Si、ダイアモンド、BN、AlN、MgO、SiO、ZnO、LiAlO2、SiC、Ge、InAs、InAt、InP、C、Ge、SiGe、AlSb、AlAs、AlP、BP、BAs、GaSb、InSb、AlzGa1-zAs、InGaAs、InzGa1-zAs、InGaP、AlInAs、AlInSb、GaAsN、AlGaP、AlGaP、InAsSb、InGaSb、AlGaAsP、AlInAsP、AlGaAsN、InGaAsN、InAlAsN、GaAlAsN、GaAsSbN、GaInNAsSb、またはGaInAsSbPのうちの少なくとも1つを含むが、この状態に限定されるものではない。本明細書において用いられる場合、用語半導体構造は半導体材料の少なくとも1つの層を指すが、これに限定されるものではなく、また半導体デバイスになる半導体材料の複数のレイヤーを指すことができる。製造プロセスが完了すると半導体デバイスになるという状態が発生し得る。用語半導体構造は製造の中間段階で1つまたは複数の半導体デバイスを参照することもできる。この用語は複数の半導体デバイスになる半導体材料の層を参照することができるが、層に限定されるものではない。この用語はまた構造が少なくとも1つの半導体材料の層または複数の層を含んでいる場合に半導体デバイスとなる構造を包含し、構造はまたオーミック接触の形成を目的とした半導体材料の少なくとも1つの層と連続する他の材料の層を含んでもいる。本明細書において用いられる場合、化学式TiAlxNyはチタンTiとアルミニウムAlと窒素Nに対するモル比が1:x:yであり、xとyはそれぞれ独立してゼロであることができる化合物を参照するが、これに限定されるものではない。化学式はまたTiとAlとNに対するモル比が1:x:yである、チタン、アルミニウム、および窒素を要素とする混合物を追加的または代替的に参照することができるが、これに限定されるものではない。この場合、チタン、アルミニウム、および窒素の原子はTiAlxNyの化学式を有する化合物として一緒に結合しておらず、むしろ均質、半均質または不均質な混合物として存在する。この場合、チタン、アルミニウムおよび/または窒素の原子は化合物として化学的に一緒に結合され得るが、必ずしも化合物として化学的に一緒に結合されていなくてもよい。この化合物は必ずしも同じものではない。この化合物はこれらの元素3つすべてを同じ割合で含み得るが、必ずしも同じ割合で含んでいない。この化合物は意図的に形成されてもよいが、必ずしも意図的に形成されない。この化合物は一時的または永続的な期間で存在し得るが、必ずしもそうではない。いくつかの実施形態では、xと追加的または代替的にyがTiAlxNy材料全体で一貫した値ではない。したがって、いくつかの実施形態において、TiAlxNy材料の他の場所と比較してTiAlxNy材料のいくつかの場所では、xまたはyが正確な値を有するというよりはむしろある範囲内の値を有することがあり得る。xまたはyの値が指定されているいくつかの実施形態では、値の指定はxまたはyが材料全体で指定した値と一貫して等しい実施形態を包含するだけでなく、また、xまたはyの値がその全体を通してサンプリングされたTiAlxNy材料の組成物として指定された値にほぼ平均化する実施形態をも包含する。それに対応して、xとyの値の特定のペアが禁止されている実施形態では、禁止されたペアの値のTiAlxNyのサンプルをTiAlxNy材料内に見つけることができる実施形態が禁止されているのではなく、むしろ、材料全体にxとyの値の禁止されたペアを一貫して有しているTiAlxNy材料での実施形態が禁止されているのみであり、または全体を通してサンプリングされるTiAlxNy材料の組成物のxとyの平均値としてxとyの値の禁止されたペアを有しているTiAlxNy材料での実施形態が禁止されているのみである。ここで本発明の特定の実施形態が詳細に参照され、その例示が添付の構造や数式によって図説されている。本発明は列挙された特許請求の範囲と併せて説明されるが、これら特許請求の範囲に本発明を限定するものではないことが理解されよう。それどころか、本発明は特許請求の範囲によって定義される本発明の範囲内に含めることができるすべての代替、改変、および均等物を包含することを意図している。一実施形態、ある実施形態、実施形態例等の明細書における参照は、実施形態が特定の機能、構造、または特性を含み得ることを示しているが、すべての実施形態は、必ずしもその特定の機能、構造、または特性を含んでいなくてもよい。さらに、このようなフレーズは、必ずしも同一の実施形態を指すものではない。さらに、特定の機能、構造、または特性が実施形態に関連して記述されている場合、明示的に記述されているか否かに関係なく、そのような機能、構造、または特性を他の実施形態と結び付けて利用することが、当該技術分野における当業者の知識の範囲内であることが提示されている。いくつかの実施形態において、本発明は半導体構造と少なくとも部分的に連続的であり、xおよびyが同時にゼロであることはないTiAlxNy材料を含む、半導体構造上にオーミック接触を形成する組成物を提供する。本発明のいくつかの実施形態は、少なくとも1つの半導体材料を含む半導体構造とすることができる。本発明のいくつかの実施形態は、集積回路を含む回路に使用する、および半導体デバイス用途のための1つ以上の半導体デバイスになる半導体構造とすることができる。本発明のいくつかの実施形態は、請求された半導体構造になる半導体デバイスの種類は無制限であり、以下を含むがこれに限定されない:MOSFET金属酸化膜半導体電界効果トランジスタを含む任意のトランジスタ、任意のMOSデバイス、すべてのタイプのLEDを含む任意のダイオード一般的には、一方向にのみ電流を流すデバイス、集積回路複数の半導体素子を含む小型化電子回路、マイクロプロセッサ、およびRAMランダムアクセスメモリとROM読み出し専用メモリを含む任意のメモリ。本発明のいくつかの実施形態では、TiAlxNyおよび代替的または追加的に半導体構造は、いくつかの化学的不純物を含んでもよく、これらの実施形態でTiAlxNyはTi、AlまたはNではないいくつかの化学元素を含んでもよくもしくは含まなくてもよく、半導体構造は半導体材料ではないいくつかの化学元素を含んでもよくもしくは含まなくてもよい。アルミニウム存在する場合はアルミニウムではないいくつかの化学元素を含んでもよくもしくは含まなくてもよい。これらの実施形態では、不純物の存在はTiAlxNyまたは少なくとも半導体構造の一部である半導体材料またはアルミニウム存在する場合を参照するために指定する必要はない。これらの実施形態では、不純物の存在のレベルがオーミック接触の意図的な形成を防止するのに十分ではなく、また、半導体構造が形成される半導体デバイスの動作を防止するのにも十分ではない。いくつかの実施形態では、化学的不純物と呼ばれる半導体材料の特定の化合物の存在は意図されており、時には半導体材料はドープされることがあり、そのような場合一般的に不純物の存在は半導体デバイスの意図する動作を可能にする。本発明のいくつかの実施形態は複数の接触を形成する組成物および方法を含むがこれに限定されるものではなく、1つの接触を形成、もしくは一度に1つの接触を形成する組成物および方法に限定されない。したがって、本発明のいくつかの実施形態では複数の接触を形成する組成物および方法を含み、さらに、本発明の実施形態では、一度に複数の接触を形成する組成物および方法を包含する。本発明の一実施形態は半導体構造のいたる所に延在する1つ以上のオーミック接触を形成する組成物および方法を含み、アニーリング後および時には他のステップの後に、多くの別々の半導体構造または半導体デバイスに切断、細断、分割もしくはスライスすることができる。図1、2、および3は、製造が完了した後、複数のLED半導体デバイスになる半導体構造100を示す。これらの図で示されている半導体構造は簡略化されており、図1~3には示されていないが、実際の実施形態では材料や構造の厚さまたは形状のテクスチャやばらつきがある場合もある。図1は半導体構造100の2次元断面図を示す。図2は半導体構造100の3次元図を示す。図3は半導体構造100の3次元拡大図を示す。この特定の実施形態では、半導体構造は拡散バリア124に続いて、ミラー122、サファイア120、バッファ118を含んでいる。バッファ118上にn型ドープGaNの112があり、続いてアクティブ領域110、p型ドープGaN108、およびインジウムスズ酸化物ITO106がある。半導体構造100と少なくとも部分的に連続し、具体的に少なくともn型GaN112と部分的に連続しているのは、TiAl3116である。TiAl3116と少なくとも部分的に連続しているのはアルミニウム114である。半導体構造100と少なくとも部分的に連続し、具体的に少なくともITO106と部分的に連続しているのはTiAl3104である。TiAl3と少なくとも部分的に連続しているのはアルミニウム102である。図2に見られる、半導体構造100と少なくとも部分的に連続し、具体的に少なくともn型GaN112と部分的に連続しているのはTiAl3117である。TiAl3117と少なくとも部分的に連続しているのはAl115である。材料の化学組成を変更するアニーリング後に、半導体構造100はAlとTiAl3が位置していた場所に3つの別々で広範なオーミック接触を含むことができ、具体的には、115と117、102と104、および114と116であり、アニーリングすることにより化学的に変更することができるn型GaN部分を含む。アニーリング後、そして時には他の工程の後に、半導体構造100は多くの別々の半導体構造または半導体デバイスに切断、細断、分割もしくはスライスされ、例えば、それぞれが複数のオーミック接触を含む単一のLEDである。本発明のいくつかの実施形態は、わずか数原子の連続または半導体構造の表面の大部分とTiAlxNyとの連続を含む、半導体構造とTiAlxNy間との任意の程度の連続を包含する。本発明のいくつかの実施形態は、TiAlxNyと少なくとも半導体構造の一部である半導体材料の1つの特定の部分との間の連続を包含する。本発明のいくつかの実施形態では、追加的または代替的にTiAlxNyと少なくとも半導体構造の一部である半導体材料の複数の特定の部分との間の連続を包含する。本発明の一実施形態は、半導体構造と少なくとも部分的に連続した、xおよびyが同時にゼロであることはないTiAlxNy材料を含む、半導体構造上にオーミック接触を形成する組成物である。いくつかの実施形態では、yがゼロである時、xは1ではない。いくつかの実施形態では、TiAlxNy材料と半導体構造の間の連続はn型ドープGaNとの少なくとも部分的な連続を含む。いくつかの実施形態では、TiAlxNy材料と半導体構造との間の連続は、p型ドープGaNとの少なくとも部分的な連続を含む。いくつかの実施形態では、TiAlxNy材料と半導体構造との間の連続は、半導体構造の少なくとも一部との少なくとも部分的な連続を含む。本発明のいくつかの実施形態では、TiAlxNy材料と半導体構造との間の連続は、半導体構造体の複数の部分との少なくとも部分的な連続を含む。本発明の一実施形態は、半導体構造と少なくとも部分的に連続したTiAlxNy材料を含む、半導体構造上にオーミック接触を形成する組成物であり、TiAlxNy材料と半導体構造との間の連続は非ドープ、n型ドープ、またはp型ドープが可能な半導体材料の少なくとも一部分との少なくとも部分的な連続を含み、非ドープ、n型ドープ、またはp型ドープされた材料は以下の材料の少なくとも1つのドープ前、またはドープ後の状態のいずれかまたは両方を含む。GaN、InGaN、AlGaN、AlGaInN、InN、GaAs、AlGaAs、AlGaAs、GaAsP、AlGaInP、GaP、AlGaP、ZnSe、SiC、Si、ダイアモンド、BN、AlN、MgO、SiO、ZnO、LiAlO2、SiC、Ge、InAs、InAt、InP、C、Ge、SiGe、AlSb、AlAs、AlP、BP、BAs、GaSb、InSb、AlzGa1-zAs、InGaAs、InzGa1-zAs、InGaP、AlInAs、AlInSb、GaAsN、AlGaP、AlGaP、InAsSb、InGaSb、AlGaAsP、AlInAsP、AlGaAsN、InGaAsN、InAlAsN、GaAlAsN、GaAsSbN、GaInNAsSb、またはGaInAsSbP。本発明の別の実施形態は、半導体構造と少なくとも部分的に連続したTiAlxNy材料を含む、半導体構造上にオーミック接触を形成する組成物である。いくつかの実施形態では、TiAlxNy材料がアニーリング処理前または少なくともアニーリング処理の一部期間において半導体構造と少なくとも部分的に連続している。いくつかの実施形態では、TiAlxNy材料が、少なくとも次のいずれかを使用して追加される:原子層堆積、物理気相堆積PVD、または化学気相堆積CVD。一実施形態において、本発明は半導体構造と少なくとも部分的に連続したTiAlxNy材料を含む、半導体構造上にオーミック接触を形成する組成物を提供し、式中、xは約3であり、yは約ゼロである。別の実施形態では、TiAl3材料は約5~4000オングストロームの厚さである。別の実施形態では、TiAl3材料は約50~4000オングストロームの厚さである。別の実施形態では、TiAl3材料は約50~2000オングストロームの厚さである。別の実施形態では、TiAl3材料は約100~1000オングストロームの厚さである。別の実施形態では、TiAl3は約200オングストロームの厚さの材料である。別の実施形態では、TiAl3材料は約150オングストロームの厚さである。別の実施形態では、TiAl3材料は約100オングストロームの厚さである。一実施形態において、本発明は半導体構造と少なくとも部分的に連続したTiAlxNy材料を含む、半導体構造上にオーミック接触を形成する組成物を提供し、組成物がさらにアルミニウム材料を含み、アルミニウム材料がTiAlxNy材料の少なくとも一部と連続している。関連する実施形態において、TiAlxNyは半導体構造とアルミニウムの間にある。別の関連する実施形態では、アルミニウムは少なくとも次のいずれかを使用して追加される:原子層堆積、物理気相堆積PVD、または化学気相堆積CVD。別の関連する実施形態では、アルミニウムは約5~4000オングストロームの厚さである。別の関連する実施形態では、アルミニウムは約250~2000オングストロームの厚さである。別の関連する実施形態では、アルミニウムは約750~1250オングストローム厚さである。別の関連する実施形態では、アルミニウムは約1000オングストロームの厚さである。いくつかの実施形態において、本発明は半導体構造と少なくとも部分的に連続したTiAlxNy材料を含む、半導体構造上にオーミック接触を形成する組成物を提供し、TiAlxNy材料は約5~4000オングストロームの厚さである。別の実施形態では、TiAlxNy材料は約50~4000オングストロームの厚さである。別の実施形態では、TiAlxNyは約50~2000オングストロームの厚さである。別の実施形態では、TiAlxNy材料は約100~1000オングストロームの厚さである。別の実施形態では、TiAlxNy材料は約200オングストロームの厚さである。別の実施形態では、TiAlxNy材料は約150オングストロームの厚さである。別の実施形態では、TiAlxNy材料は約100オングストロームの厚さである。本発明の別の実施形態は、半導体構造と少なくとも部分的に連続したTiAlxNy材料を含む、半導体構造上にオーミック接触を形成する組成物を提供し、式中、xは約ゼロ~10である。別の実施形態では、xは約1~10である。別の実施形態では、xは約ゼロ~5である。別の実施形態では、xは約ゼロ~1である。別の実施形態では、xはゼロ~0.5である。いくつかの実施形態では、本発明は半導体構造と少なくとも部分的に連続したTiAlxNy材料を含む、半導体構造上にオーミック接触を形成する組成物を提供し、式中、yは約ゼロ~10である。別の実施形態では、yは約ゼロ~5である。別の実施形態では、yは約ゼロ~1である。別の実施形態では、yは約ゼロ~0.5である。本発明の実施形態は、半導体構造上にオーミック接触を形成のための方法を含み、半導体構造上のオーミック接触形成用組成物をアニールするステップを含み、組成物は半導体構造と少なくとも部分的に連続したTiAlxNy材料を含む。いくつかの実施形態では、半導体構造は500°C~1500°C未満の温度で、約1000°C~1500°C未満の温度で、約800°Cの温度で、約660°C未満の温度で、または、約500°C未満の温度でアニーリングすることができる。本発明の実施形態は、半導体構造上にオーミック接触を形成する方法を含み、半導体構造上のオーミック接触形成用組成物をアニールするステップを含み、組成物は半導体構造と少なくとも部分的に連続したTiAlxNy材料を含む。いくつかの実施形態では、半導体構造は、約0.001~10分間、約5~10分間、約1~5分間、約1分間、約30~60秒間、または約0.001~1分間アニーリングすることができる。いくつかの実施形態では、本発明は半導体構造上にオーミック接触を形成する方法を提供し、n型ドーピングされたGaN材料を含む半導体構造を提供するステップと、n型ドープされたGaNの少なくとも一部と連続的にTiAlxNy材料を堆積させるステップであって、式中、xおよびyが同時にゼロであることはない、ステップと、半導体構造およびTiAlxNyをアニーリングするステップとを含む。関連する実施形態では、xは約3であり、yは約ゼロである。別の関連する実施形態では、TiAlxNy材料は約200~2000オングストロームの厚さである。別の関連する実施形態では、TiAlxNy材料は約200オングストロームの厚さである。別の関連する実施形態では、アニーリング処理は約800°Cで行われる。別の関連する実施形態ではアニーリング処理は660°C未満で行われる。別の関連する実施形態では、アニーリング処理は約0.1~10分間行われる。別の関連する実施形態では、アニーリング処理は約30~60秒間行われる。本発明の別の実施形態は、半導体構造上にオーミック接触を形成する方法を提供し、半導体構造であって、n型ドープGaN材料を含む半導体構造を提供するステップと、n型ドープされたGaNの少なくとも一部と連続的にTiAlxNy材料を堆積させるステップであって、式中、xおよびyが同時にゼロであることはない、ステップと、TiAlxNyがAlとn型ドープGaNとの間にあるように、TiAlxNyの少なくとも一部と連続的にAlを堆積させるステップと、半導体構造およびTiAlxNy材料およびAl材料をアニーリングするステップと、を含む。関連する実施形態では、xは約3であり、yは約ゼロである。別の関連する実施形態では、TiAlxNy材料は約50~200オングストロームの厚さであり、Al材料は約1000オングストロームの厚さである。別の関連する実施形態では、アニーリング処理は660°C未満で行われる。別の関連する実施形態では、アニーリング処理は約0.1~10分間行われる。別の関連する実施形態では、アニーリング処理は約30~60秒間行われる。本発明の種々の実施形態は、LEDを製造する方法を提供し、半導体構造と少なくとも部分的に連続的なTiAlxNy材料を含む、半導体構造上にオーミック接触を形成する組成物の使用であって、xおよびyが同時にゼロであることはない、使用を含むか、または半導体構造と少なくとも部分的に連続的なTiAlxNy材料を含む、半導体構造上にオーミック接触形成用組成物をアニーリングするステップを含む、半導体構造上にオーミック接触を形成する方法であって、xおよびyが同時にゼロであることはない、方法を含むか、または半導体構造上にオーミック接触を形成する方法であって、n型ドープされたGaN材料を含む、半導体構造を提供するステップと、n型ドープされたGaNの少なくとも一部と連続的にTiAlxNy材料を堆積させるステップであって、式中、xおよびyが同時にゼロであることはない、ステップと、半導体構造およびTiAlxNy材料をアニーリングするステップと、を含む、方法を含むか、または半導体構造上にオーミック接触を形成する方法であって、n型ドープされたGaN材料を含む、半導体構造を提供するステップと、半導体構造はn型ドープされたGaNの少なくとも一部と連続的にTiAlxNy材料を堆積させるステップであって、xおよびyが同時にゼロであることはない、ステップと、TiAlxNyがアルミニウムとn型ドープされたGaNとの間にあるように、TiAlxNyの少なくとも一部と連続的にアルミニウム材料を堆積させるステップと、半導体構造およびTiAlxNy材料およびアルミニウム材をアニーリングするステップと、を含む、方法を含む。本発明の種々の実施形態は、以下のいずれかの方法により形成された組成物または製品を提供し、半導体構造と少なくとも部分的に連続的なTiAlxNy材料を含む、半導体構造上のオーミック接触形成用組成物をアニーリングするステップを含む、半導体構造上にオーミック接触を形成する方法であって、xおよびyが同時にゼロであることはない、方法を含むか、または、半導体構造上にオーミック接触を形成する方法であって、n型ドープされたGaN材料を含む、半導体構造を提供するステップと、n型ドープされたGaN材料の少なくとも一部と連続的にTiAlxNy材料を堆積させるステップであって、xおよびyが同時にゼロであることはない、ステップと、半導体構造およびTiAlxNy材料をアニーリングするステップと、を含む、方法を含むか、または半導体構造上にオーミック接触を形成する方法であって、n型ドープされたGaN材料を含む、半導体構造を提供するステップと、n型ドープされたGaNの少なくとも一部と連続的にTiAlxNyを堆積させるステップであって、xおよびyが同時にゼロであることはない、ステップと、TiAlxNyがアルミニウムとn型ドープされたGaNとの間にあるように、TiAlxNyの少なくとも一部と連続的にアルミニウム材料を堆積させるステップと、半導体構造およびTiAlxNy材料およびアルミニウム材料をアニーリングするステップと、を含む、方法を含む。本発明の種々の実施形態は、半導体構造と少なくとも部分的に連続的なTiAlxNy材料を含む、半導体構造上にオーミック接触を形成する組成物であって、xおよびyが同時にゼロであることはない、組成物を含むLEDを提供するか、あるいは、半導体構造と少なくとも部分的に連続的なTiAlxNy材料を含む、半導体構造上にオーミック接触形成用組成物をアニールするステップを含む、半導体構造上にオーミック接触を形成する方法であって、xおよびyが同時にゼロであることはない、方法を含むか、または半導体構造上にオーミック接触を形成する方法であって、n型ドープされたGaN材料を含む、半導体構造を提供するステップと、n型ドープされたGaNの少なくとも一部と連続的にTiAlxNy材料を堆積させるステップであって、式中、xおよびyが同時にゼロであることはない、ステップと、半導体構造およびTiAlxNy材料をアニーリングするステップと、を含む、方法を含むか、または、半導体構造上にオーミック接触を形成する方法であって、n型ドープされたGaN材料を含む、半導体構造を提供するステップと、n型ドープされたGaNの少なくとも一部と連続的にTiAlxNy材料を堆積させるステップであって、式中、xおよびyが同時にゼロであることはない、ステップと、TiAlxNyがアルミニウムとn型ドープGaNとの間にあるように、TiAlxNyの少なくとも一部と連続的にアルミニウム材料を堆積させるステップと、半導体構造およびTiAlxNy材料およびアルミニウム材料をアニーリングするステップと、を含む、方法を含む、方法のうちのいずれか1つによって用意されるLEDを提供する。図5~9はオーミック接触を形成する組成物および方法を示している。図6~9は本発明の特定の実施形態を示しているが、何ら本発明を限定するものではない。図5~9に示されている2次元断面図は、材料間の接合部の関連を示すことを意図しており、完全な構造の半導体材料の全体を表すことができない。したがって、材料は完全な構造での形状や寸法は図5~9に図示されている形状や寸法とは異なるかもしれない。本発明の実施形態ではないn型ドープGaNn型GaN半導体構造上にオーミック接触を形成する方法の不利な点の例を図5に示す。n型GaN材料506を含む半導体構造上に約200オングストロームの厚さのチタン材料504を形成し、続いて、チタン材料504と少なくとも部分的に連続した約1000オングストロームの厚さのアルミニウム材料502の形成を含んでいる。図6~9でも同様だが、図5に図示されるn型GaN材料が、図示されていないより大きいn型GaN材料の断面図であり得ることに注意すべきである。次に構造体はオーミック接触514の形成を可能にするのに十分な時間と温度である1分間800°Cでアニーリングされる。オーミック接触514では、材料がいくつかの化学変化を受け、材料全体を通した原子拡散に起因する新たな化合物を生成される。このように、オーミック接触514では、アルミニウム材料508は材料502にもともと存在していない他の化合物を含むことができ、チタン材料510は材料504にもともと存在しない他の化合物を含むことができ、チタン材料510に近接するn型GaN材料512は材料506にもともと存在しない他の化合物を含むことができる。アニーリング処理中、チタン材料504がn型GaN材料506とアルミニウム材料502との間にあるため、アルミニウム原子がn型GaN表面に到達するためにはチタン材料504を介して拡散する必要があり、接触にオーミック特性を与えることができる化学種の形成を可能にすることができる。材料を介しての拡散はより高いアニーリング温度および追加的または代替的により延長されたアニーリング時間を必要とする。この方法の欠点は半導体構造に熱欠陥をもたらすことのある高温の使用を含むことである。この方法のもう1つの欠点は元素状態のアルミニウムの使用を含み、アルミニウムは約660°C図4参照で溶融し、高温アニーリング処理中に溶融することを意味し、それによりビーディングやモットリングを引き起こし、その結果オーミック接触上の望ましくない表面形態の原因となる。この方法のもう1つの欠点はアニーリング処理に時間が必要なことを含み、半導体構造への高温の負の影響を増加させ、さらに、アルミニウム元素に高温の負の影響、例えば溶融とビーディングを増加させる。本発明のいくつかの実施形態は、LED半導体デバイスになる半導体構造を含む半導体構造上にオーミック接触を形成する既知の組成物および方法に対する利点を提供する。利点はアニーリング処理中のより低温の使用、より短時間のアニーリング処理の使用、および高温アニーリング処理に対してより回復力のある材料の使用を含むことができるが、これらに限定されるものではない。本発明の実施形態は、図6に示されており、半導体構造上にオーミック接触を形成する組成物を提供し、組成物はn型GaN材料604を含む半導体構造と少なくとも部分的に連続したTiAlxNy材料602を含む。アニーリング処理した後に、オーミック接触612が形成される。オーミック接触612では、材料がいくつかの化学変化を受け、材料全体を通した原子拡散に起因する新たな化合物が生成される。このように、オーミック接触612では、TiAlxNy材料608は材料602にもともと存在しない他の化合物を含むことができ、TiAlxNy材料608に近接するn型GaN材料610は材料604にもともと存在しない他の化合物を含むことができる。TiAlxNyのいくつかの組成物は、800°Cを超える融点を有することができるyがゼロであるときの非限定的な例として図4を参照。これにより、半導体構造はアニーリング温度で溶融するオーミック接触を形成する材料を使用することの欠点なしに800°Cでアニーリングすることができ、したがって、結果としてオーミック接触の表面形態を改善し、したがって、結果としてオーミック接触の質を向上させる。本発明のこの実施形態は半導体材料604n型GaNとアルミニウムを含む材料TiAlxNy、材料602の連続性により有利であり得て、アルミニウム原子を別の材料を介して拡散させることなしにn型GaN材料604に拡散させることができ、潜在的にオーミック接触の形成に必要な化合物の迅速な形成を可能にし、半導体構造に形成される熱欠陥の確率を減少させるより短時間のアニール処理を可能とする。この特定の実施形態での、n型GaN材料604へのアルミニウムを含むTiAlxNy材料602の近接性のさらなる利点は、望ましいオーミック接触を生成するためにアニーリング中により少ない熱を必要とすることができ、半導体構造に形成される熱欠陥の確率を減少させる。本発明の別の実施形態は、図7に示されており、半導体構造上にオーミック接触を形成する組成物を提供し、組成物は、n型GaN材料704を含む半導体構造と少なくとも部分的に連続したTiAl3材料702を含む。アニール処理した後に、オーミック接触712が形成される。オーミック接触712では、材料がいくつかの化学変化を受け、材料全体を通した原子拡散に起因する新たな化合物が生成される。このように、オーミック接触712では、TiAl3材料708は材料702にもともと存在しない他の化合物を含むことができ、およびTiAl3材料708に近接するn型GaN材料710は、材料704にもともと存在しない他の化合物を含むことができる。TiAl3の融点は約1370°C図4である。これにより、半導体構造はアニーリング温度で溶融するオーミック接触を形成する材料を使用する不利な点なしに800°Cでアニーリングすることができ、したがって、結果としてオーミック接触の表面形態を改善し、したがって、結果としてオーミック接触の品質を向上させる。本発明のこの実施形態はまた、半導体材料n型GaN、材料704とアルミニウムを含む材料TiAl3、材料702との連続性により有利であり得て、アルミニウム原子を別の材料を介して拡散させることなくn型GaN材料704に拡散させることができ、潜在的にオーミック接触を形成するために必要な化合物の迅速な形成を可能にし、半導体構造に形成される熱欠陥の確率を減少させるより短時間のアニーリング処理を可能とする。この特定の実施形態での、n型GaN材料704へのアルミニウムTiAl3、材料702の近接性の付加的な利点は、望ましいオーミック接触712を生成するためにアニーリング処理中により少ない熱を必要とすることができ、また半導体構造に形成される熱欠陥の確率を減少させる。本発明の別の実施形態は、図8に示されており、半導体構造上にオーミック接触を形成する組成物を提供し、組成物はn型GaN材料806を含む半導体構造と少なくとも部分的に連続した約100オングストロームの厚さのTiAlxNy材料804を含み、さらにTiAlxNy材料804と少なくとも部分的に連続している約1000オングストロームの厚さのアルミニウム材料802を含む。アニーリング処理をした後に、オーミック接触814が形成される。オーミック接触814では、材料がいくつかの化学変化を受け、材料全体を通した原子拡散に起因する新たな化合物が生成される。このように、オーミック接触814では、アルミニウム材料808は材料802にもともと存在しない他の化合物を含むことができ、TiAlxNy材料810は材料804にもともと存在しない他の化合物を含むことができ、およびTiAlxNy材料810に近接するn型GaN材料812は材料806にもともと存在しない他の化合物を含むことができる。本発明のこの実施形態は、アルミニウムを含む材料TiAlxNy、材料804の半導体材料n型GaN、材料806への連続性により有利であり得て、アルミニウム原子を別の材料を介して拡散させることなくn型GaN材料806に拡散させることができ、潜在的にオーミック接触を形成するために必要な化合物の迅速な形成を可能にし、半導体構造に形成される熱欠陥の確率を減少させるより短時間のアニール処理を可能にする。この特定の実施形態での、n型GaN材料806へのアルミニウムTiAlxNy、材料804の近接性の付加的な利点は、望ましいオーミック接触を生成するためにアニーリング中により少ない熱を必要とすることができ、また半導体構造に形成される熱欠陥の確率を減少させる。本発明の別の実施形態は、図9に示されており、半導体構造上にオーミック接触を形成する組成物を提供し、組成物はn型GaN材料906を含む半導体構造と少なくとも部分的に連続した約100オングストロームの厚さのTiAl3材料904を含み、さらにTiAl3材料904と少なくとも部分的に連続した厚さ約1000オングストロームのアルミニウム材料902を含む。アニーリング処理した後に、オーミック接触914が形成される。オーミック接触914では、材料がいくつかの化学変化を受け、材料全体を通した原子拡散に起因する新たな化合物が生成される。このように、オーミック接触914では、アルミニウム材料908は材料902にもともと存在しない他の化合物を含むことができ、TiAl3材料910は材料904にもともと存在しない他の化合物を含むことができ、およびTiAl3材料910に近接するn型GaN材料912は材料906にもともと存在しない他の化合物を含むことができる。本発明のこの実施形態は、n型GaN材料906へのアルミニウムを含有する材料TiAl3材料、904の連続性により有利であり得て、アルミニウム原子を他の材料を介して拡散させることなく、n型GaN材料906に拡散させることができ、潜在的にオーミック接触を形成するために必要な化合物の迅速な形成を可能にし、半導体構造に形成される熱欠陥の確率を減少させるより短時間のアニーリング処理を可能にする。この特定の実施形態では、n型GaN材料906に対するアルミニウムTiAl3中、材料904の近接性の追加の利点は、望ましいオーミック接触を生成するためにアニーリング中により少ない熱を必要とすることができ、半導体構造に形成される熱欠陥の確率を減少させる。アニール処理時に必要とされる熱が少ないことのもう1つの利点は、アルミニウム材料902が溶融するのを避け、結果としてオーミック接触914の表面形態を改善し、結果としてオーミック接触914の品質を向上させる。すべての刊行物、特許および特許出願は、参照により本明細書にて援用される。前述の明細書では、この開示された主題はその特定の好ましい実施形態に関連して説明してきた。多くの詳細は、例示の目的のために述べてきたが、開示された主題はさらなる実施形態を受け入れ可能なことが当業者に明らかであろう。本明細書に記載されている詳細のある種は、開示された主題の基本的な原理から逸脱することなく、大幅に変更させることができる。