プリント基板の検査部位の劣化を検査するプリント基板の劣化検査装置であって、検査波形発生部と、前記検査波形発生部からの出力波形を前記検査部位まで伝送させるための波形伝送部と、前記検査波形発生部からの波形が前記検査部位から反射された反射波形を検出する反射波形検出部と、前記反射波形検出部が検出した反射波形および比較のための参照用波形に基づいて、前記検査部位の劣化状態を判断する演算処理部とを備えるプリント基板劣化検査装置。前記演算処理部は、前記参照用波形に予め定められた1または複数の閾値が加減された波形と前記反射波形との比較に基づき、前記検査部位の劣化状態を複数の種別に分類する請求項1に記載のプリント基板劣化検査装置。前記演算処理部は、前記反射波形と前記参照用波形とを比較し、その差の絶対値が、前記閾値を超えている場合に、前記検査部位が劣化状態であると判定する、請求項2に記載のプリント基板劣化検査装置。前記演算処理部は、前記反射波形の微分波形と前記参照用波形の微分波形とを比較し、その差の絶対値が、前記閾値を超えている場合に、前記検査部位が劣化状態であると判定する、請求項2に記載のプリント基板劣化検査装置。前記演算処理部は、前記反射波形と前記反射波形の微分波形とから生成される特徴量と、前記参照用波形と前記参照用波形の微分波形とから生成される参照用特徴量とを比較し、その差の絶対値が、前記閾値を超えている場合に、前記検査部位が劣化状態であると判定する、請求項2に記載のプリント基板劣化検査装置。前記演算処理部は、前記反射波形から前記検査部位の劣化状態を判定するために必要な検査データを生成する波形演算部と、前記参照用波形に対応する参照用データを記憶する記憶部と、前記参照用データと前記検査データを比較することにより、前記検査部位の劣化を判定する判定部と、前記検査波形発生部を制御する測定制御部とをさらに含む、請求項2に記載のプリント基板劣化検査装置。前記検査波形発生部は、パルス波を発生するパルス発生器を含む請求項6に記載のプリント基板劣化検査装置。前記検査部位は複数個あり、前記波形伝送部は、前記出力波形の伝送先を複数個の前記検査部位のいずれかに切り替える切替部をさらに含み、前記演算処理部は、前記切替部を制御する請求項2に記載のプリント基板劣化検査装置。前記波形伝送部は、前記波形伝送部の伝送線と接地電位との間に接続され、前記プリント基板に蓄積した残留電荷を放電するための抵抗をさらに含む請求項2に記載のプリント基板劣化検査装置。前記プリント基板劣化検査装置は、前記プリント基板上に設けられ、前記プリント基板劣化検査装置は、前記演算処理部の判定結果を前記プリント基板の外部へ出力するための通信部をさらに備える請求項2に記載のプリント基板劣化検査装置。前記プリント基板劣化検査装置は、前記プリント基板上に設けられ、前記プリント基板劣化検査装置は、前記演算処理部の判定結果を前記プリント基板の外部へ表示するための表示部をさらに備える請求項2に記載のプリント基板劣化検査装置。プリント基板の検査部位の劣化を検査するプリント基板の劣化検査方法であって、前記検査部位に印加するために、パルス発生器によってパルス波を発生するステップと、前記パルス波を前記検査部位まで伝送するステップと、反射波形検出部によって前記パルス波が前記検査部位から反射された反射波形を検出するステップと、前記反射波形検出部の前記反射波形および比較のための参照用波形に基づいて、前記検査部位の劣化状態を判断するステップとを備えるプリント基板劣化検査方法。しかし、特開2003-232836号公報に開示された技術では、実際には各部品によって温度や湿度や電流量の大小による劣化量の加速係数が異なる上に、各部品自体が寿命にばらつきを持つために正確な寿命評価はできない。さらに、検査用の代表部品を用いて評価する手法でも、部品ごとに環境変数が劣化に及ぼす影響量の加速係数が異なり、また部品自体がばらつくために正確な評価はできない。本発明の目的は、プリント基板を破壊することなく、故障発生前にプリント基板またはプリント基板上の回路の修理もしくは交換を容易にできる劣化検査装置を提供することである。この発明に係るプリント基板の劣化検査装置は、検査波形発生部と、この検査波形発生部からの出力波形を検査部位まで伝送させるための波形伝送部と、この検査波形発生部からの波形が検査部位から反射された反射波形を検出する反射波形検出部と、この反射波形検出部が検出した反射波形および比較のための参照用波形に基づいて、検査部位の劣化状態を判断する演算処理部を備えている。この発明によれば、プリント基板またはプリント基板上の回路以下、検査部位とも称する。を破壊することなく、プリント基板またはプリント基板上の回路の劣化の状態が故障発生前にわかる。その結果、劣化しているプリント基板またはプリント基板上の部品の修理もしくは交換を容易にできる。以下、この発明の各実施の形態について図面を参照して詳しく説明する。なお、同一または相当する部分には同一の参照符号を付して、その説明を繰り返さない。実施の形態1図1は、実施の形態1に従うプリント基板劣化検査装置1の構成を示すブロック図である。図1を参照して、プリント基板劣化検査装置1は、時間領域反射率計TDR50と、高周波伝送部40とインターフェース部30と、コンピュータ60とを含む。TDR50は、急峻な立ち上がりのパルス波を出力するパルス発生器51と、パルス発生器51の出力ノード52における電圧波形を測定する測定機としてのオシロスコープ53とを含む。パルス発生器51およびオシロスコープ53は、高周波伝送部40によってインターフェース部30の同軸コネクタ35と接続される。パルス発生器51から出力されたパルス波は、インターフェース部30を介してプリント基板20に印加される。オシロスコープ53は、パルス発生器51の出力ノード52の電圧波形を測定する。パルス発生器51から出力されたパルス波は、プリント基板20上のコンデンサ、抵抗、IC素子の回路が設置されている基板上の各場所から反射される。オシロスコープ53は、これによって生じた反射波以下、測定電圧波形とも称する。を検出する。オシロスコープ53によって測定電圧波形は、デジタル変換されてコンピュータ60に出力される。高周波伝送部40は、TDR50と接続される同軸コネクタ44と、端子43Aにおいて、同軸コネクタ44に接続される同軸リレー43と、端子43Bと接地電位との間に接続されている抵抗45と、端子43Cにおいて、同軸リレー43と接続される同軸ケーブル41Aと、同軸ケーブル41Aと接続される同軸リレー42Aと、同軸リレー42Aのリレー端子の一端で接続される同軸ケーブル41Bと、同軸ケーブル41Bと接続される次段の同軸リレー42Bと、次段の同軸リレー端子42Bと接続される接続用同軸ケーブル46とを含む。なお、以降の説明において、同軸ケーブル41A、41Bおよび同軸リレー42A、42Bをそれぞれ同軸ケーブル41、同軸リレー42とも称する。また、高周波伝送部40は、同軸ケーブル41および同軸リレー42のように複数段設置することができ、それにより、所望の検査部位にパルス波を伝送させる。コンピュータ60は、同軸リレー42A、42Bを制御する。これにより、同軸リレー42は、所望の検査部位へパルス波を伝送させる。また、複数の接続用同軸ケーブル46のいずれかによって、パルス発生器51から出力されたパルス波がインターフェース部30に伝送される。次に、インターフェース部30は、高周波伝送部40に含まれる接続用同軸ケーブル46と接続される同軸コネクタ35と、同軸コネクタ35に接続されるセミリジッド同軸ケーブル36と、セミリジッド同軸ケーブル36に接続される基板実装型高周波リレー37とを含む。なお、インターフェース部30は、セミリジッド同軸ケーブル36と基板実装型高周波リレー37とを複数段配置することができ、それにより、所望の検査部位にパルス波を伝送させる。さらに、インターフェース部30は、最終段の基板実装型高周波リレー37の各リレー端子と接続されるための複数のマイクロストリップライン34と、マイクロストリップライン34に接続されるプローブ32を含む。複数の同軸コネクタ35によって高周波伝送部40と接続される。コンピュータ60が基板実装型高周波リレー37を制御し、パルス波伝送経路を切り替える。伝送経路の切り替えにより、パルス発生器51から出力されたパルス波は複数のプローブ32のいずれかに伝送される。また、実際に劣化検査する際に、高周波伝送部40の同軸リレー43の接続を端子43Aから端子43Bに切り替えて、その後、プリント基板とインターフェース部30とを接続すると、同軸リレー43の端子43Bに接続されている抵抗45を介して、プリント基板等に蓄積されている残留電荷を除去することができる。すべての伝送経路を一通り抵抗45に接続して残留電荷を除去後、同軸リレー端子43Bを43Aに切り替えて、TDR50をプリント基板20に接続すれば、耐電圧が低いTDR50は保護され、また、過剰な電流が流れることによるプリント基板20に実装された部品の破壊を防ぐことができる。図2は、図1のプリント基板劣化検査装置1のインターフェース部30の概略的な構成を示す図である。図2では、さらに、検査部位であるプリント基板20の概略的な構成も併せて示す。図4は、図2のインターフェース部30の一部の拡大図である。図2、図4では、断面部分にハッチングを付している。図2、図4を参照して、プリント基板20は、絶縁性基板21に配線パターンが形成されたプリント配線板20Aに、多数の電子部品が実装されたものである。配線パターンは、スルーホール22の導電層や、この導電層に接続されたランド23、24などを含む。プリント基板劣化検査装置1は、プリント基板20に実装された電子部品の劣化状態を検査する。図2には、検査部位の1つとして、アルミ電解コンデンサ26が示されている。アルミ電解コンデンサ26は、プリント基板に実装される様々な部品の中で最も寿命が問題となる部品である。すなわち、アルミ電解コンデンサ26は、劣化状態を検査する必要がある部品である。通常、アルミ電解コンデンサ26が用いられている回路では、アルミ電解コンデンサ26の電極間に電圧をかけるとアルミ電解コンデンサ26とは別のルートを通って電流が流れてくる。さらに、特性改善のためにアルミ電解コンデンサ26は複数個並列で使用されることが多い。このため、プリント基板実装状態にあるアルミ電解コンデンサ26の特性を測定することは難しい。そこで、プリント基板劣化検査装置1は、検査部位であるアルミ電解コンデンサの劣化状態を時間領域反射率測定TDR法によって検査する。図2を参照して、インターフェース部30は、絶縁性基板33と、絶縁性基板33上に形成されたマイクロストリップライン34と、複数のプローブ32と、複数のプローブ32が埋め込まれた絶縁性のブロック31と、セミリジッド同軸ケーブル36と、基板実装型高周波リレー37と、位置決めピン38と、プッシュピン39とを含む。プローブ32は、プリント基板20の複数の検査部位を一度に検査するために複数個設けられている。プローブ32は、劣化状態を検査する部品に配線距離が最も近く、かつ検査される部品の隣接する部品から配線距離が遠い位置にあるランド24もしくはスルーホール22の導電層にプロービングでき、かつ、検査部位の極性を考慮して配置する。また、TDR測定では高周波のパルス波を伝達するためにグランド線が重要であるため、プローブ32は、プリント基板劣化検査装置1のグランドとプリント基板20のグランドとを接続するために、さらに複数個設けられている。また、プローブ32は、プリント基板20の電源ラインおよびグランド線のランド24もしくはスルーホール22の導電層に多数の点でプロービングできるように配置されている。この配置により、プリント基板20の電源ラインおよびグランド線は、TDR50の測定時のグランド線としても利用することができる。図3は、実際にプリント基板20とプリント基板劣化検査装置1とを接続した図である。図3を参照して、インターフェース部30の位置決めピン38が、プリント基板20の基準穴25を貫通する。これにより、プリント基板20とインターフェース部30との位置あわせがされる。また、プッシュピン39よる外力で、プリント基板20は、インターフェース部30に押し当てられる。具体的には、プリント基板20上のランド24とプローブ32とが、接触不良なく接続される。この際、プリント基板20をたわませるとプリント基板20に損傷を与えたり、また、プリント基板20とインターフェース部30に接触不良が生じたりするため、プッシュピン39は適切に分散配置されている。図4を参照して、プローブ32は、円筒部32Aと、円筒部32Aの両端にそれぞれ挿入された第1、第2の接触子32B、32Cと、接触子32B、32Cの間に設けられたバネ部材32Dとを含む。第1の接触子32Bは、検査部位のプリント基板20のランド24と電気的に接触する。良好な電気的接触を得るために、接触子32Bの端部は王冠状に突出した形状を有する。第2の接触子32Cは、絶縁性基板33に形成されたマイクロストリップライン34と電気的に接触する。接触子32Cは、マイクロストリップライン34を介して同軸コネクタ35に接続される。バネ部材32Dは、接触子32B、32Cを円筒部32Aの両端から突出するように付勢する。これによって、プローブ32とプリント基板20のランド24との間、およびプローブ32とマイクロストリップライン34との間の電気的接触を確実にする。さらにプローブ32とマイクロストリップライン34との間の電気的接触が確実に取れるように、マイクロストリップライン34の表面は金メッキされていることが好ましい。なお、マイクロストリップライン34が形成された絶縁性基板33は、検査部位のプリント基板20に応じて交換可能な構成となっている。再び図1を参照して、インターフェース部30の各基板実装型高周波リレー37は、各プローブ32と個別に対応し、各プローブ32と同軸コネクタ35とを接続するマイクロストリップライン34に設けられる。コンピュータ60は、同軸リレー42および基板実装型高周波リレー37のリレー端子を切り替えることによって、TDR50に接続されるプローブ32を順次切り替える。こうして、プリント基板劣化検査装置1は、各プローブ32に接続された図2のプリント基板に実装された複数の部品コンデンサ、抵抗、IC素子および基板の劣化の状態を順々に検査する。すなわち、多数の測定点を順々に測定することにより、何百点もの部品を短時間で測定することができる。特に、短時間で劣化検査を行なう必要がある場合定期メンテナンスなどでも、実施の形態1により、プリント基板上に実装された部品の劣化の状態を短時間で検査できる。次に、コンピュータ60の構成について説明する。コンピュータ60は、中央処理装置、メモリ回路、および信号の入出力のためのインターフェース回路などを含む。機能的に見ると、コンピュータ60は、測定制御部64と、波形演算部61と、記憶部62と、判定部63とを含む。測定制御部64は、パルス発生器51がパルス波を出力するタイミング、およびオシロスコープが電圧を測定するタイミングを制御する。さらに、測定制御部64は、高周波伝送部40の同軸リレー42とインターフェース部30の基板実装型高周波リレー37を切り替えることによって、たとえば、検査部位のアルミ電解コンデンサ26が接続されている回路とTDR50とを選択的に接続する。こうして、パルス発生器51から出力されたパルス波は、インターフェース部30のマイクロストリップライン34、プローブ32、図2のプリント基板20の配線パターンを介して、検査部位であるアルミ電解コンデンサ26に到達する。アルミ電解コンデンサ26の劣化の状態に応じて生じた反射波は逆の経路をたどってパルス発生器51に戻り、オシロスコープ53によって検出される。波形演算部61は、オシロスコープ53によって測定電圧波形のデータに基づいた種々の波形を生成する。波形演算部61は、微分演算部65と、特徴量抽出部66とを含む。波形演算部61により、測定電圧波形から直接特徴量を抽出することができる。また、加えて、測定電圧波形を微分演算部65において微分した後に特徴量抽出部66で特徴量を抽出することもできる。微分演算部65において微分することで、測定電圧波形からプローブ32の接触抵抗成分を取り除いたり、時間変化に注目した特徴量を抽出したりすることが可能となる。たとえば、波形演算部61は測定電圧波形のデータを時間微分し、特定の時間内の微分値の最大値を抽出することができる。記憶部62は、良好な参照用のプリント基板に対してTDR50によって測定電圧波形を参照用の電圧波形以下、参照電圧波形とも称する。およびその電圧波形を微分した微分波形以下、参照微分波形とも称する。を参照用の波形データとして記憶する。さらに記憶部62は、各測定点の各時間における複数の判定閾値および波形演算部61が生成する各特徴量以下、参照特徴量とも称する。に対する閾値を記憶する。判定部63には、測定電圧波形と、測定電圧波形を微分演算部65において微分された微分波形と、特徴量抽出部66から抽出された特徴量とが入力される。判定部63は、検査部位に応じて、測定電圧波形、微分波形および特徴量を任意に選択し、記憶部62に記憶された対応する参照電圧波形、参照微分波形および参照特徴量とをそれぞれ比較する。具体的には、判定部63は、記憶部62に記憶されている各時間における複数の判定閾値のどの間にあたるかにより劣化度を判断する。また、判定部63は、種々の特徴量が記憶部62に記憶されている複数の判定閾値のどの間にあたるかにより劣化度を判断する。なお、TDR法による測定を行なっているため、時間的分解能に位置情報が含まれる。このため、プローブ点からの検査部位の位置と反射波の測定時間との間に関係に考慮して、判定閾値は、測定時間および検査部位の特性に対応して設けている。図5は、参照電圧波形70および参照電圧波形70に、複数の判定閾値を段階的に加減した波形71~76である。また、図5の縦軸を電圧とし、横軸を時間としている。上述したように、TDR法による測定では、その測定時間の長さにより、プローブ点から検査部位の位置がわかる。早い時間に現れる波形ほどプローブ点に近い部品からの反射波になるために、部品ごとに判定区間を定めることができる。たとえば、プリント基板上に部品A、部品B、部品Cがプローブ点からの近い順に部品A、B、Cが配置されているとき、以下の時間帯の測定電圧波形を確認することで部品A、B、Cの劣化の状態を判断できる。まず、部品Aについては、図5の最初の時間帯t1~t2の測定電圧波形を確認し、部品Bについては、次の時間帯t2~t3の測定電圧波形を確認し、部品Cでは、最後の時間帯t3~t4の測定電圧波形を確認することで、劣化の状態が確認できる。参照電圧波形70は、良好な参照用のプリント基板に対してTDR50によって測定電圧波形であり、劣化の状態を判定するための波形である。波形71は、参照電圧波形70に、各時間帯に応じた第1の閾値を加えた波形である。波形72は、各時間帯に応じた参照電圧波形70に第1の閾値を減じた波形である。また、波形73は、参照電圧波形70に、各時間帯に応じた第2の閾値を加えた波形である。波形74は、各時間帯に応じた参照電圧波形70に第2の閾値を減じた波形である。さらに、波形75は、参照電圧波形70に、各時間帯に応じた第3の閾値を加えた波形である。波形76は、各時間帯に応じた参照電圧波形70に第3の閾値を減じた波形である。ここで、測定電圧波形を用いて、検査部位の劣化の状態の判定をする場合を説明する。図示していない測定電圧波形と参照電圧波形70に第1から第3の閾値を加減した波形71~波形76を直接比較して、検査部位の劣化の状態を判定する。たとえば、図示していない測定電圧波形が、すべての時間帯において、波形71と波形72の間に納まっているときには、測定された検査部位の劣化状態が、第1状態にあると判定する。また、測定電圧波形が、ある時間帯において、波形71および波形72の間に測定電圧波形が納まっていないが、波形73および波形74の間に納まっている場合、その時間帯に対応する検査部位の劣化状態が、第2状態にあると判定する。そして、測定電圧波形が、ある時間帯において、波形73および波形74の間に測定電圧波形が納まっていないが、波形75および波形76の間に納まっている場合、その時間帯に対応する検査部位の劣化状態が、第3状態にあると判定する。さらに、測定電圧波形が、ある時間帯において、波形75および波形76の間にも測定電圧波形が納まっていない場合は、その時間帯に対応する検査部位の劣化状態が、第4状態にあると判断できる。また、別の例として、図示していない測定電圧波形と参照電圧波形70の差の絶対値が、すべての時間帯において、第1の閾値の範囲内に納まっているときには、測定された検査部位の劣化状態が、第1状態にあると判定する。また、測定電圧波形と参照電圧波形70の差の絶対値が、ある時間帯において、第1の閾値の範囲内に測定電圧波形が納まっていないが、第2の閾値の範囲内に納まっている場合、その時間帯に対応する検査部位の劣化状態が、第2状態にあると判定する。そして、測定電圧波形と参照電圧波形70の差の絶対値が、ある時間帯において、第2の閾値の範囲内に測定電圧波形が納まっていないが、第3の閾値の範囲内に納まっている場合、その時間帯に対応する検査部位の劣化状態が、第3状態にあると判定する。さらに、ある時間帯において、第3の閾値の範囲内にも測定電圧波形が納まっていない場合は、その時間帯に対応する検査部位の劣化状態が、第4状態にあると判断する。たとえば、判定された第1状態から第4状態に対して、第1状態は正常使用範囲内、第2状態は次回メンテナンスの際、検査部位の再度確認必要、第3状態は検査部位に対応する部品を交換が必要、第4状態はプリント基板の稼動停止後、基板全体を交換が必要など予め定義しておくとにより、プリント基板または検査部位に対する劣化の状態を簡易にユーザーが容易に判定することができる。なお、第1~3の閾値は、上記の例に限られない。すなわち、閾値は、任意に設定できる。また、微分波形、特徴量を用いて検査部位の劣化の状態を判定する場合も同じであるので、ここでは説明を繰り返さない。さらに、実施の形態1により、単純な2端子間の抵抗値だけではなく、様々な特性の変化量を検出し、劣化の状態を判断することが可能となる。たとえば、各周波数に対するインピーダンスの変化をとらえることにより、基板の層間剥離、トランジスタの特性変化、ICの入力インピーダンスの変化、コンデンサの等価直列抵抗の変化等を検出することが可能となる。測定電圧波形に対する特性の変化をとらえることにより、トランジスタの特性変化、ダイオードの特性変化等を検出することが可能となる。また、時定数情報の変化をとらえることによりコンデンサの静電容量、コイルのインダクタンス変化等を検出することが可能となる。さらに、時間的分解能により位置情報を含むため、劣化した部品の位置を特定することが可能となる。以上により、この劣化検査装置を用いて、抵抗、静電容量等の値を絶対的に正確に求めることはできない。しかし、この劣化検査装置は、プリント基板または検査部位の劣化の状態について、相対的に様々な特性を一度に広範囲に簡便に検査できる。これにより、検査部位の劣化の状態を容易に判定することができる。さらに、プリント基板または検査部位が故障する前の変化を詳細に検出することが可能となる。これにより、プリント基板または検査部位が故障発生前に交換等を行い、突発的なシステム停止に基づく大規模な損失を防ぐことができる。次に、具体的に、プリント基板上にあるコンデンサ、抵抗、IC素子の劣化の状態の検査手順について、詳しく述べる。まず、プリント基板上にあるコンデンサの劣化検査について説明する。コンデンサにはいくつかの種類が存在するが、電解系のコンデンサは基板に実装される部品の中でしばしば寿命が問題となる部品のうちのひとつである。基板上にあるコンデンサは、周囲に別のコンデンサが多数用いられることが多い。また、回路の別のルートを通って電流が流れてくるため、基板実装状態において、コンデンサの特性を測定することが難しい。コンデンサの劣化を正確に測定するために、検査部位のコンデンサの一端は正極に、他端は負極に接続され、この正極になるべく近い位置にある信号線と負極になるべく近く位置にあるグランド線とをプロービングすることが望ましい。なお、検査部位のコンデンサの近傍に別のコンデンサがある場合は、別のコンデンサから遠い位置にあって検査部位のコンデンサの端点と接続されている信号線またはグランド線をプロービングできれば好ましい。具体的には、検査部位のコンデンサの劣化の状態を測定するため、プロービング用の信号線およびグランド線の間に、抵抗、IC素子が挟まっているような場合でも検査することを可能になる。また、コンデンサの劣化が進行してくるとしてくると等価直列抵抗が増加し、容量が減少する。ただし、通常、高信頼性が要求される基板は、その基板上にあるコンデンサの多少の等価直列抵抗の変化および容量の変化に対してマージンをもつように設計されている。しかし、その許容範囲内であっても、劣化している状態をそのままにしておくと、劣化がさらに進行し、故障に至る可能性がある。あるいは、他の部品に許容範囲を超えた電流等の負担がかかり、そのために他の部品が故障してしまう可能性もある。やはり、コンデンサの劣化をその特性変化の変化により容易に検出することが必要になる。具体的には、この等価直列抵抗が増加すると図示していない測定電圧波形は、図5の時刻t1から時刻t2の間にある波形のように初期時点での波形の傾きよりも小さくなる。よって、このように、予め測定された特徴量を設定し、この特徴量を劣化の指標とし、この指標からある閾値を超えた段階で基板を交換する必要があると判断することができる。このような特徴量として、たとえば、2つの測定電圧間が変化するのにかかる時間や微分波形の最小値などがあげられる。また、他にも測定電圧波形の時間積分値もあげられる。この時間積分値を特徴量としている理由は、以下のとおりである。信号線とグランド線が絶縁されている場合には、測定電圧波形はある程度時間が経過するとパルス波の電圧と一致し、それまでの電圧低下量の積分値はコンデンサに蓄えられたエネルギーと相関性がある。また、一般にコンデンサに蓄えられるエネルギーはコンデンサの容量によって変化するので、測定電圧波形の電圧低下量の積分値からコンデンサの容量の時間変化を検出することが可能となるからである。なお、この方法は、TDR測定器の時間分解能が低く、隣接するコンデンサとの切り分けが難しい際に特に有効な手段である。次に、基板上にある抵抗の検査について説明する。抵抗の劣化原因としては、たとえば、高温での長期間の使用による抵抗上昇等がある。なお、抵抗上昇が起こると、測定電圧波形は上昇するので、抵抗の位置に対応した時間の電圧波形の上昇をとらえることで検出することができる。また、抵抗の短絡が起これば、測定電圧波形は下降するので抵抗の位置に対応した時間の測定電圧波形の下降をとらえることで検出することができる。抵抗の劣化状態を正確に測定するため、検査部位の抵抗の近傍にある信号線とグランド線の間に検査部位の抵抗が挟み込みこまれるようにし、プロービングされる。なお、グランド線はプリント基板20のグランド線および電源ラインを利用することもできる。このような方法で検出した測定電圧波形を比較することで、抵抗の劣化の状態を判断できる。次に、基板上にあるIC素子の検査について説明する。一般的に、IC素子の劣化原因として多いのは、パッケージの劣化によるワイヤー断線やリーク電流の増加等があげられる。従来の測定方法インサーキットテスト等では、IC素子の高い入出力インピーダンスは、回路上の他の経路の低インピーダンスにより検出がうまくできない。従って、IC素子の劣化を容易に判断することが難しい。しかし、実施の形態1による測定では、少なくともIC素子と基板とを電気的接続しているボンディングワイヤ程度までは、パルス波形が十分な強度をもって到達するので、容易に劣化検査を行なうことが十分に可能になる。具体的には、ボンディングワイヤが断線しているときは、IC素子の抵抗上昇が起こり測定電圧波形も上昇する。したがって、ボンディングワイヤの位置に対応した時間の測定電圧波形の上昇を検出し、劣化の状態を判断することができる。また、リーク電流が増加しているときは、IC素子の抵抗低下が起こり測定電圧波形も下降する。従って、抵抗の位置に対応した時間の波形の下降を検出し、劣化の状態を判断することができる。なお、オシロスコープの性能および回路により決定される測定電圧波形の状態によっては、十分に時間が経過した時点での波形の乖離量を比較した方が検出しやすく、劣化の状態を判断しやすい場合もある。次に、基板配線等の検査について説明する。一般的に、基板配線等の劣化原因として多いのは、基板の長期間の運用による劣化により、抵抗上昇、リーク電流増加、基板の絶縁体の絶縁性能の低下等が考えられる。通常の直流を用いる電気的検査では直流抵抗値に影響しない基板の絶縁体の劣化を検出することは難しい。しかし、TDR法を用いた検査では信号線とグランド線間の絶縁体内に発生する電磁波をとらえることができる。このため、基板の絶縁体の誘電率透磁率の変化を検出し、絶縁性能の劣化を判断することができる。具体的には、抵抗値信号線を印加電圧温度が高い場所等の劣化が予測される場所の配線にプロービングし、グランド線をプリント基板20の接地地点および電源線にプロービングする。実施の形態2図6は、実施の形態2に従うプリント基板劣化検査装置2の構成を示すブロック図である。図6を参照して、プリント基板劣化検査装置2は、プリント基板120と、高周波伝送部140、時間領域反射率計TDR150と、コンピュータ160と、プリント基板120上の回路素子たとえば、アルミ電解コンデンサ126、抵抗127、IC素子128等とを含む。高周波伝送部140には、TDR150と接続されるマイクロストリップライン134と、基板実装型高周波リレー137A~137F以下、基板実装型高周波リレー137とも称する。と、同軸コネクタ135と、同軸コネクタ135どうしを接続する接続用同軸ケーブル146と、残留電荷を除去する抵抗145とを含む。さらに、プリント基板劣化検査装置2は、通信部170と表示部171とを含む。測定制御部164が、通信部170および表示部171を制御している。通信部170は、コンピュータ160から情報を受けて、検査部位の劣化の状態の判定結果や基板実装型高周波リレー137A~137Fの制御情報を出力する。また、表示部171も、コンピュータ160から情報を受けて、検査部位の劣化の状態の判定結果、基板実装型高周波リレー137A~137Fの制御情報を表示することができる。この実施の形態2では、TDR150、高周波伝送部140およびコンピュータ160がプリント基板120にあらかじめすべてが組み込まれていると想定しているが、特にこれに限られない。図6を参照して、TDR150は、2チャンネルDDSDirectDigitalSynthesizer154と、2チャンネルDDS154からの信号に合わせて高速パルスを発生させる高速コンパレータ151以下、コンパレータ151とも称する。と、2チャンネルDDS154からの別の信号に合わせてサンプリングを行なう広帯域高速A/Dコンバータ153以下、A/Dコンバータ153とも称する。とを含む。ここで、コンパレータ151は、急峻な立ち上がりのパルス波を出力するパルス発生器としての役割を果たす。A/Dコンバータ153は、コンパレータ151から出力されたパルス波の反射波の波形を測定するオシロスコープとしての役割を果たす。なお、TDR150の時間分解能を上げる方法には、たとえば、2チャンネルDDS154の周波数をごくわずかにずらすことにより、等価サンプリング法によって安価で容易に実現することができる。プリント基板120上のたとえばある抵抗値に整合したマイクロストリップライン134および基板実装型高周波リレー137とを介して、TDR150と検査部位とを接続する。なお、コンピュータ160は、基板実装型高周波リレー137を制御する。この制御により、基板実装型高周波リレー137は、コンパレータ151から発生したパルス波の伝送先を所望の検査部位に切り替える。次に、コンピュータ160の構成について説明する。コンピュータ160は、中央処理装置、メモリ回路、および信号の入出力のためのインターフェース回路などを含む。機能的に見ると、コンピュータ160は、測定制御部164と、波形演算部161と、記憶部162と、判定部163とを含む。なお、コンピュータ160はプリント基板120にすでに組み込まれているマイコンなどでその機能を代用できる。測定制御部164は、コンパレータ151がパルス波を出力するタイミングを制御する。さらに、測定制御部164は、基板実装型高周波リレー137A~137Fを切り替えることによって、検査部位とTDR150とを選択的に接続する。こうして、コンパレータ151から出力されたパルス波は、基板実装型高周波リレー137A~137Fおよびマイクロストリップライン134を介して、検査部位に到達する。検査部位の劣化の状態に応じて生じた反射波は逆の経路をたどってTDR150に戻り、A/Dコンバータ153によって検出される。波形演算部161は、A/Dコンバータ153によって測定電圧波形のデータに基づいた種々の波形を生成する。波形演算部161は、第1の微分演算部165、第2の微分演算部167とインピーダンス変換部166とを含む。第1の微分演算部165は、A/Dコンバータ153によって測定電圧波形のデータを時間微分する。なお、第1の微分演算部165に入力された測定電圧波形はデジタルデータであるので、微分は差分商で近似できる。インピーダンス変換部166は、A/Dコンバータ153によって変換された測定電圧波形のデータに基づいて、出力ノード152から検査対象であるプリント基板側を見たインピーダンスの波形を算出する。第2の微分演算部167は、インピーダンス変換部166によって算出されたインピーダンス波形を時間微分する。なお、インピーダンス波形はデジタルデータとして与えられるので、微分は差分商で近似できる。記憶部162は、良好な参照用のプリント基板に対してTDR150によって測定電圧波形を参照用の電圧波形として記憶する。さらに記憶部162は、参照用の電圧波形の微分波形、および参照用の電圧波形に基づいて算出されたインピーダンスの微分波形を記憶する。判定部163は、検査用のプリント基板に対して測定電圧波形、測定電圧波形の微分波形、およびインピーダンスの微分波形を、記憶部162に記憶された参照用のプリント基板に対する参照電圧波形、参照電圧波形の微分波形、およびインピーダンスの微分波形とそれぞれ比較する。電圧波形比較の結果に基づいて、判定部163は、検査部位の劣化の状態の判定を行なう。劣化の状態の判定基準の詳細については実施の形態1と同じであるので、ここでは説明を繰り返さない。プリント基板がTDR150およびコンピュータ160を備えている場合には、このプリント基板自体が、プリント基板または検査部位に対して、劣化検査を自動的におこなうことができる。さらに、検査部位の劣化状態をプリント基板に自己診断させた結果を、プリント基板上または遠隔地に出力したり、または表示したりすることができる。たとえば、通信部を介して、作業者は遠隔検査も可能となる。これにより、検査対象のプリント基板をインターフェース部に設置する等の作業も必要とせず無人での劣化検査が可能になる。なお、無人でプリント基板の劣化検査を行なうときは、通常回路と劣化検査用の信号線を切り離す必要があるため、基板実装型高周波リレー137Fを設けている。さらに、定期的にプリント基板が自身で自己の機能の一部を一時停止後に、劣化検査をさせることができる。この劣化検査の反射波形を含む詳細データを記憶部62または外部記憶装置に保持させ、毎回の検査のデータとして取り出せるようにすることもできる。これにより、プリント基板または検査部位の経年劣化を把握できる。ここで、具体的な検査部位の検査手順について説明する。プリント基板120は通常の動作をしているときは、TDR150の保護のためおよび配線をつなぐことによる通常動作信号波形への影響を減らすために基板実装型高周波リレー137Fによって通常の回路とTDR150は切り離されている。測定時には、図6を参照して、第1の例として、IC素子128Aの反射波の波形を測定する場合に、TDR150は、基板実装型高周波リレー137A、137F、137B、137Cおよびその間を接続するマイクロストリップライン134を介して、同軸コネクタ135Aに接続されている。さらに、同軸コネクタ135Aは接続用同軸ケーブル146の一方端と接続され、一方、接続用同軸ケーブル146の他端は同軸コネクタ135Bと接続される。これにより、同軸コネクタ135Bと接続されたIC128Aの反射波の波形が測定される。また、同軸コネクタ135A、135Bを図示していない同軸プローブに接続され、この同軸プローブをプリント基板上の導電部が露出している任意の場所でプロービングすることができる。これにより、任意の場所で反射波の波形を測定することもできる。第2の例として、基板実装型高周波リレー137Cを図6の状態から切り替えると、2つのIC128A、128Bを同時に測定することができる。第3の例として、基板実装型高周波リレー137Bを図6の状態から切り替えると、抵抗127、その先にあるIC128B、およびスルーホール122を介して繋がっている基板上の他の部品を測定することができる。第4の例として、基板実装型高周波リレー137B、137Dを図6の状態からそれぞれ切り替えると、2つのIC128A、128Bを同時に測定することができる。この状態でさらに、基板実装型高周波リレー137Eを切り替えると、IC128A、アルミ電解コンデンサ126、およびアルミ電解コンデンサ126の先にあるスルーホール122を介して繋がっている基板上の他の部品を測定することができる。次に、図7は、実施の形態2を用いて別のプリント基板220を検査する場合の接続関係の一例を示す図である。同軸コネクタ135A、135B間をつないでいた図6の接続用同軸ケーブル146を図7のように別のプリント基板220に設けてある別の同軸コネクタ235Aにつなぎかえ、さらに状況に応じて同軸コネクタ135A、235B間や同軸コネクタ135A、235C間につなぎかえることで、1つのTDR150が、さらに多数の測定箇所を測定することが可能となる。具体的には、図7の状態で、TDR150は、基板実装型高周波リレー137A、137F、137B、137Cおよびその間を接続するマイクロストリップライン134を介して、同軸コネクタ135Aに接続される。さらに、同軸コネクタ135Aは接続用同軸ケーブル146Aの一方端と接続され、一方、接続用同軸ケーブル146Aの他端は同軸コネクタ235Aと接続される。これにより、マイクロストリップライン234を介して、同軸コネクタ235Bに接続された抵抗227およびその先に接続されたIC228の反射波の波形が測定される。また、図7では、接続用同軸ケーブル146Aにより、TDR150の出力波形の経路が確保されるようにプリント基板120とプリント基板220が接続されている。この状態で、図示していない接続用同軸ケーブルを高周波プローブにつなぎかえてプリント基板220上にある測定用のプロービングパッドあるいはプリント基板220上に露出している導電部にプロービングする。こうすることで、1つのTDR150が、さらに多数の検査部位を測定することが可能となる。なお、プリント基板220または検査部位を検査する場合には、記憶部162は、別の基板に関する参照用データを記憶している。このようにすれば、メンテナンス時においても、特別の検査装置等を持ち込まずにプリント基板の検査を行なうことができ、プリント基板上の任意の位置にある回路自体の劣化の状態を簡易に測定できることになる。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。また、各実施の形態において説明された技術的思想は、可能な限り組み合わされて実現されることが意図される。