"弁作用金属またはその合金から形成される陽極上に誘電体層を形成する誘電体層形成工程と、前記誘電体層上に絶縁性薄膜層を電着法により形成する電着処理工程と、前記絶縁性薄膜層が前記誘電体層上に形成された前記陽極に、電解質溶液中で電圧を印加することにより、前記絶縁性薄膜層を変性させる変性処理工程と、前記絶縁性薄膜層上に電解質層を形成する電解質層形成工程とを備えることを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。前記電着処理工程は、電着粒子を含む電着溶液中で、前記誘電体層が形成された前記陽極に電圧を印加し、前記誘電体層上に前記電着粒子を付着させることにより行うことを特徴とする請求項1に記載の固体電解コンデンサの製造方法。前記電着処理工程は、前記誘電体層上に付着した前記電着粒子を硬化する工程を含むことを特徴とする請求項2に記載の固体電解コンデンサの製造方法。前記変性処理工程において前記陽極に印加する電圧は、前記誘電体層形成工程において前記陽極に印加する電圧以下であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。前記電着粒子は、高分子を含み、前記高分子は、その一部をカルボン酸基で置換したものであることを特徴とする請求項2~4のいずれか1項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。弁作用金属またはその合金から形成される陽極と、前記陽極上に形成された誘電体層と、前記誘電体層の欠陥部上に形成された絶縁性薄膜層と前記絶縁性薄膜層上に形成された電解質層とを備え、前記絶縁性薄膜層は、変性により絶縁性が増加した層であることを特徴とする固体電解コンデンサ。本発明の目的は、誘電体層の欠陥部により生じる漏れ電流を十分に低減させることができる固体電解コンデンサ及びその製造方法を提供することにある。本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、弁作用金属またはその合金から形成される陽極上に誘電体層を形成する誘電体層形成工程と、誘電体層上に絶縁性薄膜層を電着法により形成する電着処理工程と、絶縁性薄膜層が誘電体層上に形成された陽極に、電解質溶液中で電圧を印加することにより、絶縁性薄膜層を変性させる変性処理工程と、絶縁性薄膜層上に電解質層を形成する電解質層形成工程とを備えることを特徴とする。上記の固体電解コンデンサの製造方法によると、電着法により誘電体層上に形成された絶縁性薄膜層に対して、電圧を印加することにより、絶縁性薄膜層を変性して、絶縁性薄膜層の絶縁性を増加させることができるため、陽極と電解質層との間の絶縁性が増加し、漏れ電流を低減させることができる。また、本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、電着処理工程が、電着粒子を含む電着溶液中で、前記誘電体層が形成された前記陽極に電圧を印加し、誘電体層上に電着粒子を付着させることにより行うことを特徴とする。上記の固体電解コンデンサの製造方法によると、誘電体層が形成された陽極に、電着粒子を含む電着溶液中で電圧を印加することにより、欠陥部等の誘電体層中の他の部分に比べて絶縁性の低い部分に電着粒子を吸引し、この絶縁性の低い部分上に絶縁性薄膜層を形成することができる。また、本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、電着処理工程が、誘電体層上に付着した電着粒子を硬化する工程を含むことを特徴とする。上記の固体電解コンデンサの製造方法によると、誘電体層上に付着した電着粒子を硬化することにより、誘電体層上の電着粒子同士の密着力が高まると共に、誘電体層上への密着力も高まり、絶縁性薄膜層が確実に誘電体層上に固定化できるため、誘電体層の欠陥部からの漏れ電流を防ぐことができる。また、本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、変性処理工程において陽極に印加する電圧が、誘電体層形成工程において陽極に印加する電圧以下であることが好ましい。上記の固体電解コンデンサの製造方法によると、変性処理工程において、誘電体層形成工程で形成された誘電体層の上にさらに誘電体層が形成されることを防ぎ、誘電体層の膜厚が厚くなり、静電容量が減少するのを抑制することができる。また、本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、電着粒子が、高分子を含み、高分子は、その一部をカルボン酸基で置換したものであることを特徴とする。上記の固体電解コンデンサの製造方法では、電着粒子が、一部をカルボン酸基で置換した高分子を含むことにより、電解液中で電着粒子の表面にはカルボニルイオンが存在する。このカルボニルイオンは負の電荷を帯びるため、電着溶液中での電圧印加により、誘電体層中の他の部分に比べて絶縁性の低い部分に、電着粒子が吸引され、付着される。上記の固体電解コンデンサの製造方法により製造された固体電解コンデンサでは、漏れ電流する。これは、変性処理工程において、電着粒子の表面に存在するカルボニルイオンが、イオン伝導の原因とならない化合物に変化するため、電着粒子から形成される絶縁性薄膜層の絶縁性が増大するためと考えられる。また、本発明の固体電解コンデンサは、弁作用金属またはその合金から形成される陽極と、陽極上に形成された誘電体層と、誘電体層の欠陥部上に形成された絶縁性薄膜層と絶縁性薄膜層上に形成された電解質層とを備え、絶縁性薄膜層は、変性により絶縁性が増加した層であることを特徴としている。ここで、欠陥部とは、誘電体層のクラックや剥離、亀裂、あるいは不純物の混入、結晶性の変化や組成の変化が起こった箇所、膜厚が薄くなった箇所等であり、誘電体層の絶縁性を低下させる要因となる部分である。上記の固体電解コンデンサは、変性していない絶縁性薄膜層よりも、絶縁性薄膜層の絶縁性が増加しているため、誘電体層の欠陥部を通じて流れる漏れ電流を低減することができる。本発明の固体電解コンデンサ及びその製造方法によれば、誘電体層の欠陥部による漏れ電流を低減させることができる。以下、本発明を具体的な実施例により説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。実施例1図1は、本実施例の固体電解コンデンサの製造方法によって形成される固体電解コンデンサを示す模式的断面図である。略直方体形状を有する陽極1には、陽極リード1aの一部が埋め込まれている。陽極1の表面には、誘電体層2が形成されている。陽極1は、弁作用金属またはその合金からなる粉末を焼結した多孔質体から形成されている。ここで、弁作用金属としては、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン等の金属を用いることができる。また、弁作用金属の合金としては、弁作用金属同士の合金又は弁作用金属と弁作用金属以外の金属との合金を用いることができる。具体的には、図2に示すように多孔質体の陽極1は、多数の粉末を互いに間隔を空けて焼結することにより、成型されたものであり、陽極1を構成する弁作用金属の粉末の表面に、誘電体層2が形成されている。ここで、誘電体層2としては、弁作用金属の酸化物が用いられる。この誘電体層2には、欠陥部2aが存在する。欠陥部2aは、例えば、誘電体層2を形成する際に発生したクラックであり、そのクラックを通じて陽極と陰極とが導通するため、欠陥部2aにおいて、誘電体層2の絶縁性が低下している。誘電体層2上には、部分的に絶縁性薄膜層3が形成されている。図2に示すように、絶縁性薄膜層3は、誘電体層2の欠陥部2a上に部分的に形成されている。ここで、絶縁性薄膜層3は、アクリル系、及びエポキシ系の樹脂からなる数百nm~数μmの微小な粒子が硬化されたものである。誘電体層2上には、その上に形成された絶縁性薄膜層3を覆うように、ポリピロールからなる第1の導電性高分子層4aが形成されている。本実施例において、第1の導電性高分子層4aは、化学的酸化重合により形成されている。第1の導電性高分子層4aの上には、ポリピロールからなる第2の導電性高分子層4bが形成されている。第2の導電性高分子層4bは、本実施例において、電気化学的電解重合により形成されている。第1の導電性高分子層4a及び第2の導電性高分子層4bから、導電性高分子層4が構成されている。図2に示すように、導電性高分子層4は、多孔質体の陽極1を構成する弁作用金属の粉末の隙間にまで入り込んで、誘電体層2及び絶縁性薄膜層3の表面を覆うように形成されている。ここで、導電性高分子層4は、誘電体層2及び絶縁性薄膜層3の表面の全てを覆っている必要はなく、少なくとも絶縁性薄膜層3の表面上に形成されていればよい。なお、導電性高分子層4は、本発明の電解質層の一例である。陽極1の外周部の第2の導電性高分子層4bの上には、カーボン層5aが形成されており、カーボン層5aの上には、銀層5bが形成されている。ここで、カーボン層5aは、カーボン粒子を含む層からなり、銀層5bは、銀粒子を含む層からなる。カーボン層5aと銀層5bから陰極層5が構成されている。以上のようにして本実施例のコンデンサ素子が構成される。このコンデンサ素子に対して、銀層5bに導電性接着層6を介して陰極端子7が電気的に接続され、陽極リード1aに陽極端子8が電気的に接続される。最後に、陰極端子7及び陽極端子8の端部が露出するように樹脂外装体9をモールド成形し、本実施例の固体電解コンデンサ100が作製される。図3は本実施例の固体電解コンデンサの製造方法のフローを示す図、図4は本実施例の固体電解コンデンサの製造方法を示す図である。図3、図4を用いて、本実施例の固体電解コンデンサの製造方法について、以下に詳しく説明する。陽極形成工程21では、図4aに示すように、約2μmの平均径を有するタンタル粉末をバインダーと共に成型し、陽極リード1aを埋設した後、1100°Cで加熱することにより、タンタルの粉末を焼結した多孔質体からなる陽極1を形成する。陽極1は、4.5mm×3.3mm×1.0mmの直方体の形状を有しており、側面3.3mm×1.0mmに陽極リード1aを埋設する。次に、誘電体層形成工程22では、図4bに示すように、陽極形成工程21において形成された陽極1を、65°Cの0.1重量のリン酸水溶液中で定電圧8Vを印加して10時間陽極酸化することにより、陽極1の表面に誘電体層2を形成する。ここで、誘電体層2の膜厚は、陽極1に印加する電圧によって定まる。その後、電着処理工程23では、図5に示すように、電着溶液10中に誘電体層2が形成された陽極1を浸漬し、陽極1と電着溶液10中の対極である陰極板11の間に、0.1~8Vの間の電圧、例えば、4Vの電圧を4分間印加し、電着溶液10中の電着粒子12を誘電体層2上に付着させる図4c参照。ここで、電着粒子12は、アクリル系、及びエポキシ系の樹脂からなる数百nm~数μmの微小な粒子であり、粒子を構成する高分子の一部をカルボン酸基で置換しており、電着粒子12の表面にはカルボニルイオンが存在している。このカルボニルイオンは電着溶液10中で負の電荷を帯びるため、図5中の矢印の示すように、陽極1に電圧を印加することにより、電着粒子12が誘電体層2の表面に引き寄せられる。一方、欠陥部2aを通じてわずかに流れる電流により、電着溶液10中の水が電気分解され、欠陥部2a周辺にHイオンが生成される。その結果、誘電体層2の表面に引き寄せられた電着粒子12の内、欠陥部2a周辺に存在する電着粒子12の表面のカルボニルイオンが、Hイオンによって中和されるため、電着粒子12が欠陥部2a上に選択的に付着し、その付着した部分に絶縁性薄膜層3が形成される。なお、電着粒子12としては、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマーと、2-ヒドロキシエチルメタクリレート、4-ヒドロキシブチルアクリレート等のヒドロキシ基含有メタアクリレートと、スチレン等の疎水性モノマーとを共重合した高分子から形成することができる。疎水性モノマーとしては、耐薬品性、高誘電性を有するアクリル酸2,2,2-トリフルオロエチル等のフッ素系モノマーを用いることもできる。また、電着粒子12としては、これらに限らず、溶液中で電荷を帯び、電着処理により絶縁性薄膜層を形成できるものであれば、利用することができる。また、電着溶液10は、これらの電着粒子12をイソプロピルアルコール等の有機溶媒と水との混合溶液中に分散させたものである。ここで、電着粒子12を分散させる溶液としては、有機溶媒と水との混合溶液に限らず、電着粒子12を均一に分散できるものであれば、どのような溶液を用いてもよい。特に、分散、安定化を図るために、界面活性剤等を混合してもよい。また、電着処理工程23での印加電圧は、電着粒子12が付着できる範囲で低い方が好ましい。電着処理工程23で高い電圧を印加すると、絶縁性薄膜層3が厚くなりすぎるために、静電容量が低下してしまうためである。本実施例の場合、誘電体層形成工程22での印加電圧8Vよりも低い4Vの電圧を印加した。次に、誘電体層2の欠陥部2aに電着粒子12が付着した陽極1を水洗した後、110°Cで予備乾燥し、さらに180°Cで本硬化させることで、誘電体層2の欠陥部2aに絶縁性薄膜層3を形成した。ここで、絶縁性薄膜層3は、付着した電着粒子12が硬化したものである。次に、変性処理工程24では、電着処理工程23で用いた図5と同様の装置を用いて、誘電体層2の欠陥部2aに絶縁性薄膜層3が形成された陽極1を、電着溶液10の代わりに電解質溶液中に浸漬し、陽極1と電解質溶液中の対極である陰極板11の間に、8Vの電圧を1時間印加して、絶縁性薄膜層3を変性させる図4c参照。なお、電解質溶液としては、誘電体層形成工程22と同じ0.1重量のリン酸水溶液を用いた。ここで、電解質溶液としては、導電性を有するものであれば、リン酸水溶液以外のものでもよく、アジピン酸ナトリウム水溶液、硫酸等を用いることができる。また、変性処理工程24での印加電圧は、誘電体層形成工程22での印加電圧以下であることが好ましい。誘電体層形成工程22での印加電圧よりも高い電圧を印加して変性処理工程24を行うと、誘電体層の厚さが増加し、静電容量が低下してしまうためである。本実施例の場合、誘電体層形成工程22での印加電圧と同じ8Vの電圧を印加した。次に、電解質層形成工程25では、ピロール3.0Mモル/リットルを含むエタノール溶液に5分間浸漬し、次に過硫酸アンモニウム0.1M及びアルキルナフタレンスルホン酸0.1Mを含む水溶液に浸漬して、誘電体層2の上に、ポリピロールからなる第1の導電性高分子層4aを形成した。次に、ピロール0.2M及びアルキルナフタレンスルホン酸0.2Mを含む水溶液中に、第1の導電性高分子層4aを形成した陽極1を浸漬し、第1の導電性高分子層4aをアノードとして、0.5mAの電流を通電することにより、ポリピロールからなる第2の導電性高分子層4bを形成した図4d参照。次に、陰極形成工程26では、陽極1の外周部の第2の導電性高分子層4bの上に、カーボンペーストを塗布した後乾燥し、カーボン層5aを形成した。カーボン層5aの上に、銀ペーストを塗布して乾燥し、銀層5bを形成した図4e参照。このようにして、実施例1の製造方法に係る固体電解コンデンサ素子A1を作製した。この後、この固体電解コンデンサ素子A1の陽極リード1aに陽極端子8を溶接し、銀層5bの上に導電性接着層6を介して陰極端子7を接続し、エポキシ樹脂を用いてトランスファー成形により陰極端子7及び陽極端子8の端部が露出するように樹脂外装体9で固体電解コンデンサ素子A1を被覆して、図1に示す固体電解コンデンサ100が完成する。比較例1比較例1では、誘電体層形成工程22の後に、電着処理工程23と変性処理工程24を行わずに、電解質層形成工程25を行った以外は、実施例1と同様にして、比較例1の製造方法に係る固体電解コンデンサ素子Y1を作製した。比較例2比較例2では、実施例1の誘電体層形成工程22の後に、電着処理工程23を行わずに、そのまま続けて、変性処理工程24と同じ0.1重量のリン酸水溶液中で定電圧8Vを1時間印加する工程を行った。その後、実施例1と同様にして、電解質層形成工程25及び陰極形成工程26を行うことで、比較例2の製造方法に係る固体電解コンデンサ素子Y2を作製した。比較例3比較例3では、電着処理工程23を行った後に、変性処理工程24を行わずに、電解質層形成工程25を行った以外は、実施例1と同様にして、比較例3の製造方法に係る固体電解コンデンサ素子Y3を作製した。固体電解コンデンサの特性の評価上述の実施例1及び比較例1~3で得られた各固体電解コンデンサ素子A1,Y1~Y3について、漏れ電流を測定した。漏れ電流の測定は、陽極リード1aと銀層5bとの間に定格電圧2.5Vを印加して40秒後に流れる電流値を計測し、漏れ電流とした。同じ条件で作製した固体電解コンデンサ素子を20個試作し、明らかに破損していると思われる漏れ電流が40μAより大きいものを除外して、漏れ電流の平均値をとったものを表1に示す。なお、表1に示す値は、比較例1の製造方法に係る固体電解コンデンサ素子Y1の漏れ電流の値を1.00とした相対値である。実施例1の製造方法に係る固体電解コンデンサ素子A1は、電着処理工程23を行っていない比較例1、2の製造方法に係る固体電解コンデンサ素子Y1、Y2に対して、漏れ電流の値が小さくなっているだけでなく、電着処理工程23の後、変性処理工程24を行っていない比較例3の製造方法に係る固体電解コンデンサ素子Y3に対しても、漏れ電流の値が小さくなっている。これは、変性処理により、誘電体層に付着した絶縁性薄膜層の絶縁性が増加したためと考えられる。この点について、以下に詳しく説明する。上述の電着処理工程23において、電着粒子12の表面にはカルボニルイオンが存在しており、このカルボニルイオンが負の電荷を帯びるため、電着溶液10中での電圧印加により、特に誘電体層2の欠陥部2aにおいて、陽極1に電着粒子12が吸引、付着される。一方で、このカルボニルイオンはイオン伝導の原因となり、電着粒子12を硬化させた絶縁性薄膜層3の絶縁性を低下させると考えられる。そこで、上述の変性処理工程24を行うことで、このカルボニルイオンが以下の1に示す化学反応コルベ反応により、カルボニルイオンが分解されて、イオン伝導の原因とならない化合物に変化するものと考えられる。その結果、絶縁性薄膜層3の絶縁性が増大し、誘電体層2の欠陥部2aでの漏れ電流を低減させることができたものと考えられる。以上のように、本実施例に係る固体電解コンデンサの製造方法によれば、電着処理により誘電体層2の欠陥部2aに形成された絶縁性薄膜層3の絶縁性を、変性処理により増加させるため、誘電体層2の欠陥部2aからの漏れ電流を十分に低減させることができる。これにより、本実施例に係る固体電解コンデンサは、誘電体層2上に絶縁性薄膜層3を形成した後、変性処理を行うことなく電解質層を形成した固体電解コンデンサに比べ、漏れ電流を低減させることができる。なお、上述の実施例1において、導電性高分子層4を構成する導電性高分子として、ポリピロールを用いていたが、ポリチオフェンやポリアニリン等の導電性を持つ高分子であれば用いることができる。また、上述の実施例1において、電解質層として、導電性高分子層4を用いていたが、二酸化マンガン等の無機酸化物等の導電性を有する材料であれば用いることができる。また、上述の実施例1において、陽極1として、タンタル等の弁作用金属の粒子を焼結した多孔質体を用いていたが、弁作用金属又はその合金からなる平板や箔等を用いてもよい。"