"サファイア基板と、該サファイア基板上に設けられ、300nm以下の波長を有するワイドギャップ半導体層と、前記ワイドギャップ半導体層に電子線を照射する電子線源とを具備し、前記ワイドギャップ半導体層側より前記電子線源からの電子線を照射して前記ワイドギャップ半導体層を励起して該励起されたワイドギャップ半導体層から発生した深紫外光を前記サファイア基板より放射するようにし、前記サファイア基板の厚さt1μmがt1≧aE3但し、Eは前記電子線のエネルギーkeV、aは1μm3である深紫外光源。前記ワイドギャップ半導体層がAlxGa1xN井戸層02≦x≦08及びAlN障壁層よりなるAlxGa1xNAlN多重量子井戸層を具備する請求項1に記載の深紫外光源。さらに、前記AlxGa1xNAlN多重量子井戸層上に設けられ、厚さ30~60nmのアルミニウムメタルバック層を具備する請求項2に記載の深紫外光源。前記AlxGa1xNAlN多重量子井戸層の厚さが300~400nmであり、前記電子線のエネルギーが6~7keVである請求項2に記載の深紫外光源。さらに、前記電子線を発生するためのグラファイトナノ針状ロッドにより構成される電子放出源を具備する請求項1に記載の深紫外光源。前記サファイア基板の光取り出し面は平均同期が750nm以上アスペクト比が1以上である砂面状をなしている請求項1に記載の深紫外光源。さらに、前記電子線を前記ワイドギャップ半導体層上にフォーカスさせるための静電レンズを具備する請求項1に記載の深紫外光源。前記電子線のエネルギーが4keV以上15keV以下である請求項1に記載の深紫外光源。さらに、内部が真空であるガラス管を具備し、前記電子線源は前記ガラス管内に設置され、前記ワイドギャップ半導体層は前記ガラス管に密着されている請求項1に記載の深紫外光源。しかしながら、上述の第5の従来の深紫外光源においては、次の課題がある。第1に、多重量子井戸層の電子線照射による励起によって深紫外光以外に有害なX線を放射する。第2に、多重量子井戸層の導電性は悪いので、短時間の電子線照射によって多重量子井戸層が帯電して絶縁破壊を招く。第3に発光効率は未だ不充分である。第4に電子線照射のための電子放出源はタングステンWフィラメント等の熱電子放出源あるいは冷陰極電子放出源たとえばカーボンナノチューブCNTが考えられるが、寿命は1000時間と短い。この結果、装置の寿命も短い。また、熱電子放出源は加熱電力を要するために発光効率が低く、また、冷陰極電子放出源では高真空封止を行う必要があり、この結果、製造コストが高くなる。上述の課題を解決するために、本発明に係る深紫外光源は、サファイア基板と、サファイア基板上に設けられ、300nm以下の波長を有するワイドギャップ半導体層とを具備し、ワイドギャップ半導体層側より電子線を照射してワイドギャップ半導体層を励起してワイドギャップ半導体層から発生した深紫外光をサファイア基板より放射するようにし、サファイア基板の厚さt1μmがt1≧aE3但し、Eは電子線のエネルギーkeV、aは1μm3である。これにより、サファイア基板は深紫外光以外の有害な漏洩X線を阻止する。また、ワイドギャップ半導体層がAlxGa1xN井戸層02≦x≦08及びAlN障壁層よりなるAlxGa1xNAlN多重量子井戸層を具備する。さらに、AlxGa1xNAlN多重量子井戸層上に設けられ、厚さ30~60nmのアルミニウムメタルバック層を具備する。これにより、多重量子井戸層が帯電して絶縁破壊するのを防止する。また、AlxGa1xNAlN多重量子井戸層の厚さが300~400nmであり、電子線のエネルギーが6~7keVである。これにより、発光効率が最高となる。さらに、電子線を発生するためのグラファイトナノ針状ロッドにより構成される電子放出源を具備する。これにより、真空封止の真空度が下がり、電子放出源が長寿命となる。本発明によれば、漏洩有害X線を阻止することができる。図1は本発明に係る深紫外光源の実施の形態を示す断面図である。図1において、深紫外光源は、サファイア0001基板1、サファイア0001基板上に形成された厚さ約600nmのAlNバッファ層2、AlNバッファ層2上に形成された厚さ約3μmのグレーティングAlN層3、グレーティングAlN層3上に形成された厚さ約15μmのAlN層4、AlN層4上に形成された厚さ約3nmのAl07Ga03N井戸層及び厚さ約3nmのAlN障壁層を1周期として10繰返周期を含む厚さ約60nmのAl07Ga03NAlN多重量子井戸層5、及びAl07Ga03NAlN多重量子井戸層5上に形成されたアルミニウムAlメタルバック層6よりなる。図1においては、電子放出源7より電子線EBが照射されると、Al07Ga03NAlN多重量子井戸層5が励起されて深紫外光DUVがサファイア0001基板1の光取り出し面Fより放射される。始めに、サファイア0001基板1について詳述する。図2の黒点はそれぞれの電子線エネルギーEkeVの時、シミュレーションによって求めた漏洩X線が法定規定値となるサファイア0001基板の厚さを示したものである。サファイア0001基板の厚さを黒点が示す値以上にすることで漏洩X線を法定規定値以下とすることができる。これをプロットすると点線のようなカーブを描く。従って、サファイア0001基板1の厚さt1は漏洩X線を防止するために、プロットされた点線を表す式から、図2に示すように、t1≧aE3但し、Eは電子線EBのエネルギーkeVaは1μm3である。すなわち、制動幅射によって発生するX線の最も高いエネルギーは電子線EBのエネルギーと同一である。従って、たとえば、E=6keVのときに、サファイア0001基板の厚さt1は216μm以上、E=10keVのときに、サファイア0001基板の厚さt1は1000μm以上である。このように、サファイア0001基板の厚さt1を上述の式に基づいて設定することにより漏洩X線の強度を法定規定値以下とすることができる。また、サファイア基板1上の光取り出し面Fは砂面状凹凸状になっている。すなわち、深紫外光DUVはサファイア0001基板を通して大気中に放射されるが、サファイア0001基板の屈折率nは184と大きいので、もし、サファイア0001基板の光取り出し面Fを鏡面状にすると、Al07Ga03NAlN多重量子井戸層5で発生した深紫外光DUVはほとんど空気とサファイア0001基板との界面である鏡面状の光取り出し面Fで反射されて深紫外光DUVは大気中に取り出すことができない。そこで、サファイア0001基板1の光取り出し面Fをたとえば平均周期が750nm以上アスペクト比が1以上の砂面状凹凸状にする。これにより、光取り出し効率を光取り出し面Fを鏡面状にした場合に比較して50以上向上させることができる。サファイア基板を砂面状にする手法としては、フォトリソグラフィーを利用したサファイア基板上へのレジストパターン砂面の形成およびこれをマスクとした反応性イオンエッチングRIE法によるサファイアエッチング手法を取れば良い。次に、サファイア0001基板1上のAlNバッファ層2、グレーティングAlN層3、AlN層4、Al07Ga03NAlN多重量子井戸層5の形成方法を詳述する。サファイア0001基板1を有機金属化学的気相成長MOCVD装置に装着し、キャリアガスとして水素H2ガスを供給すると共に基板温度を1200°Cにして10分間保持し、サファイア0001基板1の表面の前処理を行う。次に、MOCVD装置において、基板温度を1200°Cに保持したままで、トリメチルアルミニウム3Al及びアンモニアNH3を、それぞれ、流量10sccm及び5slmで供給して厚さ約600nmのAlNバッファ層2を形成する。次に、MOCVD装置において、基板温度を1300°Cに上昇させ、トリメチルアルミニウム3Al及びアンモニアNH3を、それぞれ、流量10sccm及び5slmで供給して厚さ約3μmのAlN層を形成する。次に、後述のAlN層4の転位密度をエピタキシャル横方向成長法によって低減させるために、上述の厚さ約3μmのAlN層表面に周期約3μm、深さ約500nmのグレーティング構造を形成してグレーティングAlN層3を形成する。具体的には、AlN層上にフォトリソグラフィ法を用いて幅約3μmのストライプ状のレジストパターン図示せずを形成し、次いで、反応性イオンエッチングRIE法を用いて上述のレジストパターンをマスクとしてAlN層をエッチングする。次いで、有機溶剤等を用いてレジストパターンを除去する。この結果、ラインアンドスペース周期が約3μm、深さが500nmの溝凹凸構造が形成される。本実施の形態においてはグレーティング構造としたが凹凸状の形状であればよく、たとえば凹凸がドット状に並ぶ形状としてもかまわない。次に、再びMOCVD装置において、基板温度を1300°Cに上昇させ、トリメチルアルミニウム3Al及びアンモニアNH3を、それぞれ流量10sccm及び5slmで供給して厚さ約15μmのAlN層4を形成する。AlN層4を約15μmと厚くすることにより次に成長させるAl07Ga03NAlN多重量子井戸層5の膜質を良質にできる。次に、AlN層4上にAl07Ga03NAlN多重量子井戸層5を形成する。すなわち、MOCVD装置において、化学量論比でAl:Ga:N=0.7:0.3:1となるように、トリメチルガリウム3Ga、トリメチルアルミニウム3Al及びアンモニアNH3を、それぞれ、流量20sccm、8sccm及び7slmで供給すると共に、基板温度を1080°Cとする。これにより、厚さ3nmのAl07Ga03N井戸層を形成する。また、同一MOCVD装置において、化学量論比でAl:N=1:1となるように、トリメチルアルミニウム3Al及びアンモニアNH3を、それぞれ、流量10sccm、及び5slmで供給すると共に、基板温度を1200°Cとする。これにより、厚さ3nmのAlN障壁層を形成する。このAl07Ga03N井戸層及びAlN障壁層を1周期として10周期~150周期繰返して厚さ約60~900nmのAl07Ga03NAlN多重量子井戸層5を形成する。図3は、電子線EBのエネルギーを10keVとし、電子線EBのビーム径を1μmとし、Alメタルバック層6の厚さを30nmとし、Al07Ga03NAlN多重量子井戸層5の厚さを720nmとした場合、電子線EBの反射電子の拡散のモンテカルロシミュレーション結果を示す図である。すなわち、電子線EBはほとんどたとえば99以上Al07Ga03NAlN多重量子井戸層5に吸収されており、Al07Ga03NAlN多重量子井戸層5がこれ以上厚いと、製造コストの点で無駄となる。他方、Al07Ga03NAlN多重量子井戸層5が薄すぎると、Al07Ga03NAlN多重量子井戸層5は電子線EBの励起エネルギーを十分に吸収できず、この結果、得られる深紫外光DUVの発光効率が低下する。尚、図3において、Al07Ga03NAlN多重量子井戸層5は縦縞で図示されているが、これは便宜上のものであり、実際には、Al07Ga03NAlN多重量子井戸層及びAlN障壁層は横方向に積層されている。後述の図6、図7も同様である。次に、Al07Ga03NAlN多重量子井戸層5上に形成されたアルミニウムメタルバック層6はAl07Ga03NAlN多重量子井戸層5が短時間の電子線EBの照射によって帯電した場合に電荷を逃がしてAl07Ga03NAlN多重量子井戸層5の絶縁破壊を防止するものであるが、アルミニウムメタルバック層6の厚さは重要であるので、これについて詳述する。上述のごとく、Al07Ga03NAlN多重量子井戸層5の厚さは約60~900nmと小さいので、電子線EBがAl07Ga03NAlN多重量子井戸層5を励起するには発光効率の点から電子線EBのエネルギーは小さい方がよい。また、漏洩X線の影響を回避するためにも、電子線EBのエネルギーは小さい方がよい。従って、電子線EBのエネルギーは10keV以下と小さく、言い換えると、電子線EBの電子は低速である。低速電子がアルミニウムメタルバック層6を透過するためには、アルミニウムメタルバック層6の厚さは小さい方がよい。尚、アルミニウムメタルバック層の厚さが大きいと、電子線EBがアルミニウムメタルバック層6によって吸収されてAl07Ga03NAlN多重量子井戸層5を十分に励起できず、やはり、発光効率が低下する。このような点からは、アルミニウムメタルバック層6の厚さはできるだけ小さい方がよい。他方、Al07Ga03NAlN多重量子井戸層5から発生した深紫外光DUVがアルミニウムメタルバック層6に到達した場合には、アルミニウムメタルバック層6はできるだけ多くの深紫外光DUVを反射してサファイア0001基板1へ戻すことにより、発光効率を上げることができる。この点からはアルミニウムメタルバック層6の厚さはできるだけ大きい方がよい。但し、アルミニウムメタルバック層6の厚さt6が30nm以上の範囲では、アルミニウムメタルバック層6への入射角θに関係なくアルミニウムメタルバック層6の反射率は大きくなる。すなわち、図4のに示すごとく、アルミニウムメタルバック層6の厚さt6が10nmのときには、十分な反射率は得られない。また、図4のBに示すごとく、アルミニウムメタルバック層6の厚さt6が21nmのときには、表面プラズモン吸収が顕著となり、やはり十分な反射率は得られない。さらに、図5のに示すごとく、アルミニウムメタルバック層6の厚さt6が30nmのときには、表面プラズモン吸収は小さくなり、さらに十分な反射率が得られる。さらにまた、図5のに示すごとく、アルミニウムメタルバック層6の厚さt6が60nmのときには、表面プラズモン吸収はなくなり、十分な反射率が得られる。尚、図4、図5はサファイア0001基板1からAlN層2,3,4を介してアルミニウムメタルバック層6に入射角θで入射した場合の全反射減衰ATR信号スペクトル図であって、シミュレーションソフトとしてはマックスプランク研究所開発のWinspallを用いた。波長λ=240nmの深紫外光DUVの基における条件は次のごとくである。サファイア0001基板1について、屈折率n1=1.84消衰係数k1=0AlN層2,3,4について、屈折率n2=1.87消衰係数k2=0アルミニウムメタルバック層6について、屈折率n6=0.172消衰係数k6=2.79以上から電子線EBの吸収損失を最小にし、かつ深紫外光DUVの反射率を最大とするアルミニウムメタルバック層6の厚さt6は約30~60nmであることが好ましい。尚、深紫外光DUVを効率よく反射するメタルバック層としては、アルミニウム以外に銀Agも考えられるが、銀等の重い金属は電子線阻止能が大きいので、電子線EBを吸収してAl07Ga03NAlN多重量子井戸層5を十分に励起つまり発光できない。結局、軽金属で制御性がよくかつ蒸着可能なアルミニウムがメタルバック層として最適である。次に、Al07Ga03NAlN多重量子井戸層5の厚さt5の最適値及び電子線EBのエネルギーEの最適値について検討する。図6、図7はアルミニウムメタルバック層6の厚さt6を30nmとし、Al07Ga03NAlN多重量子井戸層5の厚さt5を60nmとした場合に、電子線EBのエネルギーEを2keV、3keV、4keV、6keVと変化させたときの電子線EBの入射電子の量子井戸層内における拡散の様子をプログラムCASINO商標を用いてモンテカルロシミュレーションをした結果を示す図である。E2keVのときには、図6のAに示すごとく、電子線EBの電子はAl07Ga03NAlN多重量子井戸層5に吸収されるが、E3keV、E4keVとなると、図6のB、図7のAに示すごとく、電子線EBの電子の一部はAl07Ga03NAlN多重量子井戸層5を突き抜け、AlN層4を励起することになる。さらに、E6keVとなると、図7のBに示すごとく、電子線EBの電子の大部分がAl07Ga03NAlN多重量子井戸層5を突き抜け、AlN層4を励起することになる。つまり、Al07Ga03NAlN多重量子井戸層5の各厚さt5に対して電子線EBの最適なエネルギーEが存在することが分かる。ところで、現存する最高の計算技術を用いても、電子線EBのエネルギーEに対するAl07Ga03NAlN多重量子井戸層5からの深紫外光DUVの物理的様子を知ることは困難であるが、半導体層2、3、4、5を構成する元素Al、Ga、NのうちAl07Ga03NAlN多重量子井戸層5に存在する元素Gaに着目することにより上述の深紫外光DUVの物理的様子を知ることができる。すなわち、元素Gaが生成する特性X線L線の強度とAl07Ga03NAlN多重量子井戸層5からの深紫外光DUVの発光強度とはほぼ線形関係を有すると仮定することができる。始めに、アルミニウムメタルバック層6の厚さt6は30nm、Al07Ga03NAlN多重量子井戸層5の厚さt5は一定値たとえば60nmである場合を考察する。この場合、モンテカルロシミュレーション法を用いてAl07Ga03NAlN多重量子井戸層5からの深紫外光DUVの発光強度は図8に示す電子線EBのエネルギーEの関数として得られる。図8においては、電子線EBの最適なエネルギーEは5keVであり、これより大きいエネルギーの電子線EBを用いても深紫外光DUVのより大きな発光強度は得られない。他方、モンテカルロシミュレーション法を用いてAl07Ga03NAlN多重量子井戸層5からの深紫外光DUVの発光効率は図9に示す電子線EBのエネルギーEの関数として得られる。図9においては、電子線EBの最適なエネルギーEは4keVであり、これより大きいエネルギーの電子線EBを用いても深紫外光DUVのより大きな発光効率は得られない。以上から、アルミニウムメタルバック層6の厚さt6が30nmであり、Al07Ga03NAlN多重量子井戸層5の厚さt5が一定値たとえば60nmのときには、電子線EBの最適なエネルギーEは4~5keVということができる。また、上述の実験結果から、発光強度の最適なエネルギーと発光効率の最適なエネルギーは異なるが、深紫外光源として発光強度を重視する場合には5keV、発光効率を重視する場合には4keVの電子線エネルギーを利用する。次に、アルミニウムメタルバック層6の厚さt6は30nm、Al07Ga03NAlN多重量子井戸層5の厚さt5は可変値たとえば60~720nmである場合を考察する。この場合、モンテカルロシミュレーション法を用いてAl07Ga03NAlN多重量子井戸層5からの深紫外光DUVの発光強度は図10に示す電子線EBのエネルギーEの関数として得られる。図10においては、Al07Ga03NAlN多重量子井戸層5の厚さt5が60nm、120nm、180nm、360nm、720nmと増加するに従ってAl07Ga03NAlN多重量子井戸層5全体を励起する電子線EBのエネルギーEも増加するが、得られる深紫外光DUVの発光強度には最高値が存在する。この最高値となる電子線EBのエネルギーEを最適値Eop1とし、この最適値Eop1以上に電子線EBのエネルギーEを上げても、深紫外光DUVの発光強度は飽和もしくは低下する。たとえば、t560nmではEop15keVとなり、t5120nmではEop16keVとなり、t5180nmではEop16keVとなり、t5360nmではEop19keVとなり、t5720nmではEop115keVとなり、深紫外光DUVの発光強度は最高値となる。この最適値Eop1より大きいエネルギーの電子線EBを用いても深紫外光DUVのより大きな発光強度は得られない。他方、モンテカルロシミュレーション法を用いてAl07Ga03NAlN多重量子井戸層5からの深紫外光DUVの発光効率は図11に示す電子線EBのエネルギーEの関数として得られる。図11においては、Al07Ga03NAlN多重量子井戸層5の厚さt5が60nm、120nm、180nm、360nm、720nmと増加するに従って発光効率は増加するが、得られる深紫外光DUVの発光効率には最高値が存在する。この最高値となる電子線EBのエネルギーEを最適値Eop2とし、この最適値Eop2以上に電子線EBのエネルギーEを上げても、深紫外光DUVの発光効率は飽和もしくは低下する。たとえば、t560nmではEop24keVとなり、t5120nmではEop25keVとなり、t5180nmではEop25keVとなり、t5360nmではEop265keVとなり、t5720nmではEop29keVとなり、深紫外光DUVの発光効率は最高値となる。この最適値Eop2より大きいエネルギーの電子線EBを用いても深紫外光DUVのより大きな発光効率は得られない。尚、上述の実験結果から、上記各膜厚において発光強度の最適なエネルギーと発光効率の最適なエネルギーは異なるが、深紫外光源として発光強度を重視する場合には図10に示した特性を、発光効率を重視する場合には図11に示した特性を利用する。従って、電子線のエネルギーは4keV以上15keV以下の範囲から選ばれる。以上から、アルミニウムメタルバック層6の厚さt6が30nmのときに、電子線EBの加速電圧と電流値との積である入力パワーを一定として、Al07Ga03NAlN多重量子井戸層5の各厚さt5が60nm、120nm、180nm、360nm、720nmのときの最高発光効率と電子線EBの最適エネルギーEop2とプロットすると、図12に示すごとくなる。従って、最適発光効率が最高となるAl07Ga03NAlN多重量子井戸層5の最適な厚さt5は約300~400nmということができ、また、電子線EBの最適なエネルギーEは約6~7keVということができる。尚、上述のモンテカルロシミュレーション法はAl07Ga03Nの化学量論比07:03:1を基に行われたものであり、この化学量論比が異なると、多重量子井戸層の最適な厚さ及び電子線の最適なエネルギーは異なる。しかしながら、定性的には、Gaの量が増加する程、多重量子井戸層の厚さは小さくなる。この理由は、元素Gaが他の元素Al、Nよりも重く、電子線阻止能が大きいからである。図1の電子放出源7はグラファイトナノ針状ロッドにより構成されている。上述のグラファイトナノ針状ロッドは図13に示す製造方法によって形成される。すなわち、ステップ1301において、図14のAに示すグラファイトロッド表面を有するグラファイト基板を水素ガスを用いたプラズマエッチング法によってエッチングして図14のBに示すナノオーダの凹凸構造のグラファイトナノ針状ロッドを得る。このプラズマエッチング条件は、たとえば、次のごとくである。RFパワー:1001000W圧力:13313300Pa水素流量:5500sccmエッチング時間:1100分尚、ステップ1301でのプラズマエッチング法は、電子サイクロトロン共鳴ECRエッチング法、反応性イオンエッチングRIE法、大気圧プラズマエッチング法等のいずれでもよく、また、処理ガスは、H2ガス以外のArガス、N2ガス、O2ガス、CF4ガス等のいずれでもよい。上述のプラズマエッチングを行うことによって得られたグラファイトナノ針状ロッド基板は、図15に示すごとく、良好な電子放出特性を示す。図16に示すごとく、本発明に係るグラファイトナノ針状ロッドは他の材料であるカーボンナノチューブCNTグラファイトナノファイバGNFと比較して高い放出電流密度を有する。従って、本発明に係るグラファイトナノ針状ロッドを導電性カソード基材と一体で構成すれば、グラファイトナノ針状ロッドの密着性、グラファイトナノ針状ロッドと基材との界面での電圧降下、ひいては、電子放出特性の劣化電流飽和、界面電場集中によるカソード破壊の問題を解決できる。図17は図13のフローの変更例を示し、図13のプラズマエッチングステップ1301の前にステップ1701において、サンドブラスト等の機械的表面研磨による不規則的周期のミクロンサブミクロン機械的凹凸構造加工を行う。また、図13のプラズマエッチングステップ1301の後にステップ1702において、CO2レーザ、YAGレーザ、エキシマレーザ等のハイパワーレーザ照射による表面研磨による不規則的周期のミクロンサブミクロンレーザ照射凹凸構造加工を行う。尚、ステップ1701、1702は両方を行ってもよいが、いずれか一方のみを行えばよい。この場合、小さいナノオーダの凹凸のほうが壊れやすいためにステップ1701を行うことが好ましい。これにより、不規則的周期のたとえばミクロンオーダ、サブミクロンオーダの凹凸構造を形成する。従って、グラファイト基板の表面積が増大してより放出電子が高くなる。尚、図17の不規則的周期のミクロンサブミクロン機械的凹凸構造加工ステップ1701において、グラファイト基板の表面に不規則的周期のミクロンオーダもしくはサブミクロンオーダの凹みを多数形成して表面積を増大させてもよい。たとえば、レジスト層を塗布し、次いで、不規則的周期パターンを有するフォトマスクを用いたフォトリソグラフィによりレジスト層のパターンを形成し、このレジスト層のパターンを用いてグラファイト基板をH2ガス及びO2ガスを用いたプラズマエッチングたとえばRIEを行い、その後、レジスト層のパターンを除去する。また、機械的ルーリングエンジン等を用いた切削方法によって不規則的周期のミクロンオーダあるいはサブミクロンオーダの剣山型凹凸構造を形成して表面積を増大させることもできる。この剣山型凹凸構造はエッチングで逆剣山型の金型を形成し、これに液体状のグラファイト材料、例えばカーボンブラック等を流し込んでも形成できる。尚、電子放出源7は放出する電子線のエネルギーを可変できるものであっても良いし、固定されているものの何れでも良い。サファイア0001基板1の厚さは使用する電子放出源7に併せて設定される。たとえば、電子線のエネルギーがE6keVで固定されているなら216μm以上、E10keVで固定されているなら1000nm以上の厚さが選ばれる。電子放出源7の電子線のエネルギーが可変ならば想定している使用範囲の上限に合わせてサファイア0001基板1の厚さが決まり、上限が10keV以上の範囲なら厚さも1000nm以上の範囲から選ばれる。図18は図1の深紫外光源を実際に組み立てた部分断面図である。図18において、サファイア0001基板1、AlNバッファ層2、グレーティングAlN層3、AlN層4、Al07Ga03NAlN多重量子井戸層5及びアルミニウムメタルバック層6よりなる積層体S及びグラファイトナノ針状ロッドよりなる電子放出源7をガラス管8及び陽極電極9にステムピン真空導入端子等図示せずを用いて真空封止する。この場合、陽極電極9は適当な金属板に穴あけした金属構造あるいはガラス管8に金属蒸着して電極をとれる構造である。次に、積層体Sを陽極電極9にインジウムInシール等を利用して真空を保つようにガラス管8の開口部を覆うように密着させる。密着に使用するものはインジウムシールに限らず導電性の材料ならよい。積層体Sと陽極電極9の間にはアルミニウムメタルバック層6があり、使用時にはアルミニウムメタルバック層6から導電性の材料を伝って陽極電極9に電荷を逃がすことができるようになる。また、ガラス管8と陽極電極9とを溶着させる。このとき、ガラスとガラスとの溶着は容易であるが、陽極電極9が穴あけした金属構造の場合には、ガラスから金属に向って徐々に変化する段シールしたガラスを準備する。ガラス管8の陰極側には、ステムピン等を利用してグラファイトナノ針状ロッドよりなる電子放出源7及び円筒状金属よりなる静電レンズ10を取付ける。この静電レンズ10は電子放出源7の電子線EBを積層体S上にフォーカスさせるためのものである。電子放出源7及び静電レンズ10を取付けたステムピンを溶着させた上で真空封止する。図18のように電子放出源7にグラファイトナノ針状ロッドを使用すると、その先端を積層体Sの平面に向けて垂直に設置されることになり、省スペースであるためガラス管も小さくでき装置全体を小型化することができる。このとき、ガラス管8は2極管動作をするので、陰極側の電子放出源7と陽極電極9との距離が所定値となるように、上述のステムピンの溶着を行う。具体的には、上記距離は電子放出源7と陽極電極9との間の電圧kVに対して所定値約05mmkVとなるようにする。直流電源11は陽極電極9と電子放出源7との間に電子から見て低いポテンシャルとなる直流電圧V1を印加するのに対し、直流電源12は電子放出源7と静電レンズ10との間に電子から見て高いポテンシャルとなる直流電圧V2を印加する。グラファイトナノ針状ロッドよりなる電子放出源7を安定的に動作させて深紫外光源の寿命を延ばすには、ガラス管8内真空度を上げればよい。但し、通常の電界放出型電子放出源が107Pa以上の真空度を必要とするのに対し、本発明に係るグラファイトナノ針状ロッドよりなる電子放出源7の場合、106Pa程度の真空度でよい。従って、真空封止時間を大幅に短縮でき、この結果、深紫外光源製造に関しては、タクトタイムを短縮でき、より安価な深紫外光源を提供できる。尚、確立した真空度を長時間保持するためには、ガラス管8内にゲッタ等図示せずを封入しておけばよい。図19は図18の深紫外光源に直流電圧V1として3kV、5kV、10kVを印加して得られる発光強度スペクトルを示す。尚、Al07Ga03NAlN多重量子井戸層5の厚さt5は60nmとする。図19において、AlN1はAlN層2、3、4からの発光、QW1はAl07Ga03NAlN多重量子井戸層5からの発光、AlN2はAlN層2、3、4の欠陥からの発光、QW2はAl07Ga03NAlN多重量子井戸層5の深い準位からの発光を示す。発光効率及び発光強度の評価結果から、V15kVでの特性がV13kV、10kVでの特性より良好であった。その際の電子線EBの電流値は02mAで入力電力5kV02mA1W、深紫外光DUVの発光強度は100mWであったので、深紫外光DUVの発光効率は約10であった。図18におけるAl07Ga03NAlN多重量子井戸層5の厚さt5を300~400nmとした場合、深紫外光DUVの発光効率は、理論的に、上述の10の2倍以上の約20に高めることができる。図20は図18の深紫外光源の寿命を説明するための発光強度を示すタイミング図である。図20に示すごとく、2400時間24時間×100日を超えても、安定な発光強度を維持している。従って、指数関数的寿命予測から寿命は40000時間を超えると期待され、従来の深紫外光源よりも長寿命となると共に、高発光強度かつ高発光効率が期待される。尚、上述の実施の形態においては、ワイドギャップ半導体としてAl07Ga03NAlN多重量子井戸層を用いているが、x07以外のAlxGa1xNAlN02≦x≦08多重量子井戸層を用いてもよく、また、他の300nm以下の波長を有するワイドギャップ半導体たとえばBN等の窒化物半導体を用いることもできる。"