半導体チップと、前記半導体チップを搭載する素子搭載部を有するリードフレームと、前記半導体チップ、前記素子搭載部の前記半導体チップの搭載面、及び前記リードフレームのリードの一部を封止する封止樹脂と、を備え、前記素子搭載部は、周縁部の前記半導体チップの搭載面に、前記素子搭載部の裏面側に向けて傾斜した傾斜部を備える半導体装置。請求項1に記載の半導体装置において、前記素子搭載部における中央部の厚さは、前記リードの厚さと等しい半導体装置。請求項1または2に記載の半導体装置において、前記素子搭載部は、前記周縁部から前記素子搭載部の中心方向に、交互に逆向きに屈曲している半導体装置。請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体装置において、前記傾斜部よりも前記素子搭載部の中心側に溝部を備える半導体装置。請求項4に記載の半導体装置において、前記溝部は、前記素子搭載部の板厚が減少することにより形成されている半導体装置。複数のリードと、半導体チップを搭載するための素子搭載部と、を備え、前記素子搭載部は、周縁部の前記半導体チップの搭載面に、前記素子搭載部の裏面側に向けて傾斜した傾斜部を備えるリードフレーム。リードフレームの素子搭載部のうち、周縁部の半導体チップの搭載面に、前記素子搭載部の裏面側に向けて傾斜した傾斜部を形成する工程と、前記素子搭載部に前記半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップ、前記素子搭載部の前記半導体チップの搭載面、及び前記リードフレームのリードの一部を封止樹脂で封止する工程と、を備える半導体装置の製造方法。しかし、特許文献1では、プレス加工時に、大きい面積を有する素子搭載部の中心部分をダイに押圧し、突出壁を形成している。このため、素子搭載部に加工歪が残り、反りが発生しやすい。このように、素子搭載部に反りが発生した状態では、封止樹脂充填時において、金型と素子搭載部との間に隙間が生じ、封止樹脂が染み出してしまう可能性がある。本発明によれば、半導体チップと、前記半導体チップを搭載する素子搭載部を有するリードフレームと、前記半導体チップ、前記素子搭載部の前記半導体チップの搭載面、及び前記リードフレームのリードの一部を封止する封止樹脂と、を備え、前記素子搭載部は、周縁部の前記半導体チップの搭載面に、前記素子搭載部の裏面側に向けて傾斜した傾斜部を備える半導体装置、が提供される。本発明によれば、複数のリードと、半導体チップを搭載するための素子搭載部と、を備え、前記素子搭載部は、周縁部の前記半導体チップの搭載面に、前記素子搭載部の裏面側に向けて傾斜した傾斜部を備えるリードフレーム、が提供される。本発明によれば、リードフレームの素子搭載部のうち、周縁部の半導体チップの搭載面に、前記素子搭載部の裏面側に向けて傾斜した傾斜部を形成する工程と、前記素子搭載部に半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップ、前記素子搭載部の前記半導体チップの搭載面、及び前記リードフレームのリードの一部を封止樹脂で封止する工程と、を備える半導体装置の製造方法、が提供される。本発明によれば、素子搭載部は、周縁部の半導体チップの搭載面に、素子搭載部の裏面側に向けて傾斜した傾斜部を備える。この半導体装置を金型により封止樹脂で封止する時には、素子搭載部の周縁部を金型に押し付ける方向に応力が働く。これにより、封止樹脂が素子搭載部の周縁部から染み出すことを抑制することができる。以上のように、封止樹脂の染み出しが少なく、素子搭載部の裏面が露出した半導体装置を提供することができる。本発明によれば、封止樹脂の染み出しが少ない素子搭載部の裏面が露出した半導体装置を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る半導体装置の構成を示す図である。図1aは、第1の実施形態における半導体装置の金型成型時における上面図であり、図1bは、点線A部の断面図である。この半導体装置は、半導体チップ100と、リードフレーム200と、封止樹脂500と、を備えている。リードフレーム200は、半導体チップ100を搭載する素子搭載部220を有している。また、封止樹脂500は、素子搭載部220の半導体チップ100の搭載面不図示、及びリードフレーム200のリード260を封止している。素子搭載部220は、周縁部の半導体チップ100の搭載面に、素子搭載部220の裏面側に向けて傾斜した傾斜部240を備えている。以下、詳細を説明する。半導体チップ100は、たとえば、シリコン基板不図示にFETFieldEffectTransistor不図示などを備えている。シリコン基板上には、多層配線層不図示が形成されている。また、多層配線層の最上層には、電極パッド不図示が形成されている。電極パッドは、多層配線中に形成された配線不図示、ビア不図示及びコンタクト不図示を介して、FET等に接続している。図1aのように、リードフレーム200は、素子搭載部220、複数のリード260、及び、タイバー280を有している。ここで、素子搭載部220の中央には、半導体チップ100が搭載されている。半導体チップ100の電極パッド不図示は、ボンディングワイヤ400を介して、リードフレーム200のリード260に接続されている。また、図1bのように、封止樹脂500は、半導体チップ100、素子搭載部220の半導体チップ100の搭載面、及びリードフレーム200のリード260を封止している。このうち、素子搭載部220の裏面は、封止樹脂500から露出している。さらに、素子搭載部220は、周縁部の半導体チップ100の搭載面に、素子搭載部220の裏面側に向けて傾斜した傾斜部240を備えている。後述するように、この傾斜部240は、プレス加工により、素子搭載部220の周縁部を裏面側に向けて屈曲させることにより形成されている。このとき、傾斜部240の長さは、たとえば、0.2mm以上0.5mm以下であり、高さは、たとえば5μm以上20μm以下である。具体的には、傾斜部240の長さは0.4mmであり、高さは10μmである。また、素子搭載部220における中央部の厚さは、リード260の厚さと等しい。これは、後述するように、プレス加工時に、素子搭載部220の中央部を強く押圧しないためである。これにより、封止時において、素子搭載部220が反ることがない。そのほか、第1の実施形態では、傾斜部240に加えて、周縁部に平坦部242が設けられている。このように、屈曲されている部分が多く設けられていることで、パッケージの強度を増すことができる。なお、この平坦部242は無くてもよい。次に、第1の実施形態における半導体装置の製造方法について説明する。リードフレーム200の素子搭載部220のうち、周縁部の半導体チップ100の搭載面に、素子搭載部220の裏面側に向けて傾斜した傾斜部240を形成する。次いで、素子搭載部220に半導体チップ100を搭載する。次いで、半導体チップ100、素子搭載部220の半導体チップ100の搭載面、及びリードフレーム200のリード260の一部を封止樹脂500で封止する。以下、詳細を説明する。まず、打ち抜き加工されたリードフレーム200を準備する。打ち抜き加工後のリードフレーム200は、上記したように、素子搭載部220、複数のリード260、及び、タイバー280を有している。次いで、プレス加工機において、素子搭載部220の部分に傾斜部240を有するプレス金型に、リードフレーム200を設置し、プレス加工を行う。このとき、プレス金型は、素子搭載部220の周縁部のみを屈曲させる。一方、素子搭載部220の中央部を、強く押圧しないようにする。これにより、素子搭載部220の中央部に、加工歪みを生じさせることがない。この工程によって、リードフレーム200の素子搭載部220のうち、周縁部の半導体チップ100の搭載面に、素子搭載部220の裏面側に向けて傾斜した傾斜部240を形成する。次いで、半導体チップ100を、銀ペーストなどを用いて、素子搭載部220の中央部に搭載する。このとき、ワイヤーボンディング装置不図示を用いて、ボンディングワイヤ400により、半導体チップ100の電極パッド不図示をリードフレーム200のリード260に接続する。次いで、半導体チップ100を搭載したリードフレーム200を封止用の金型不図示内に投入する。次いで、金型内に封止樹脂500を充填させ、半導体チップ100、素子搭載部220の半導体チップ100の搭載面、及びリードフレーム200のリード260の一部を封止樹脂500で封止する。次いで、加熱処理を行い、封止樹脂500を硬化させる。次いで、金型から封止されたリードフレーム200を取り出し、封止樹脂500の不要部分を除去し、リード260、タイバー280を切断する。以上により、第1の実施形態の半導体装置を得ることができる。次に、第1の実施形態の効果について説明する。第1の実施形態によれば、素子搭載部220は、周縁部の半導体チップ100の搭載面に、素子搭載部220の裏面側に向けて傾斜した傾斜部240を備える。この半導体装置を金型により封止樹脂500で封止する時には、素子搭載部220の周縁部を金型に押し付ける方向に応力が働く。これにより、封止樹脂500が素子搭載部220の周縁部から染み出すことを抑制することができる。また、素子搭載部220の裏面にも傾斜部240が形成されている場合は、封止樹脂500の染み出しが起きたとしても、傾斜部240によって封止樹脂500が留まるため、素子搭載部220の中央部は汚染されることがない。これにより、半田付け性を悪化させたり、放熱性を低下させたりすることがない。以上のように、第1の実施形態によれば、封止樹脂500の染み出しが少ない素子搭載部220の裏面が露出した半導体装置を提供することができる。第2の実施形態図2は、第2の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。なお、図2は、図1aの点線A部に相当する部分の断面図を示している。第2の実施形態は、素子搭載部220が、周縁部から素子搭載部220の中心方向に、交互に逆向きに屈曲している点を除いて、第1の実施形態と同様である。図2のように、素子搭載部220は、周縁部から素子搭載部220の中心方向に、交互に逆向きに屈曲している。本実施形態では、傾斜部240は、周縁部から二箇所において、形成されている。このとき、素子搭載部220の周縁部から素子搭載面までの傾斜部240の長さは、たとえば、0.2mm以上0.5mm以下であり、高さは、たとえば10μm以上20μm以下である。具体的には、傾斜部240の長さは0.4mmであり、高さは10μmである。第2の実施形態によれば、素子搭載部220の周縁部は、交互に逆向きに屈曲している。このようにバネのように複数回屈曲していることにより、この半導体装置を金型により封止樹脂500で封止する時には、素子搭載部220の周縁部を金型に押し付ける方向に、さらに強い応力が働く。したがって、より確実に、封止樹脂500が素子搭載部220の周縁部から染み出すことを抑制することができる。第3の実施形態図3は、第3の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。なお、図3は、図1aの点線A部に相当する部分の断面図を示している。第3の実施形態は、傾斜部240よりも素子搭載部220の中心側に溝部244を備えている点を除いて、第1の実施形態と同様である。図3のように、素子搭載部220には、傾斜部240よりも素子搭載部220の中心側に、溝部244を備えている。溝部244は、断面形状がV字になるように形成されている。溝部244の深さは、たとえば、0.05mm以上0.1mm以下である。具体的には、溝部244の深さは、0.1mmである。また、周縁部の傾斜部240は、溝部244で屈曲することにより形成されている。また、第3の実施形態において、リードフレーム200をプレス加工する工程は、以下のように行う。まず、プレス加工機において、素子搭載部220の周縁部のみを圧延して減厚加工する。次いで、所定のプレス金型にリードフレーム200を設置し、プレス加工を行う。このとき、プレス金型の上金型は、V字の溝部244を形成する位置に、所定の形状の凹部を備え、下金型は、所定の凸部を備えている。このようにして、素子搭載部220に、傾斜部240と溝部244を形成する。他の工程は、第1の実施形態と同様である。第3の実施形態においても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、第3の実施形態によれば、封止樹脂500の染み出しが起きたとしても、溝部244によって確実に封止樹脂500が留まるため、素子搭載部220の中央部は汚染されることがない。第4の実施形態図4は、第4の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。なお、図4は、図1aの点線A部に相当する部分の断面図を示している。第4の実施形態は、溝部246が素子搭載部220の板厚が減少することにより形成されている点を除いて、第3の実施形態と同様である。図4のように、素子搭載部220には、傾斜部240よりも素子搭載部220の中心側に、Vノッチ形状の溝部246を備えている。Vノッチ形状の溝部246は、素子搭載部220の板厚が減少することにより形成されている。溝部246の深さは、たとえば、20μm以上50μm以下である。具体的には、溝部246の深さは、30μmである。また、周縁部の傾斜部240は、Vノッチ形状の溝部246で屈曲することにより形成されている。また、第4の実施形態において、リードフレーム200をプレス加工する工程は、以下のように行う。まず、プレス加工機において、所定のプレス金型にリードフレーム200を設置し、プレス加工を行う。このとき、プレス金型は、下金型のみにおいて、Vノッチ形状の溝部246を形成する位置に、所定の凸部を備えている。このようにして、素子搭載部220に、Vノッチ形状の溝部246を形成する。次いで、プレス加工により、溝部246よりも周縁部側を、素子搭載部220の裏面側に向けて屈曲させる。以上により、素子搭載部220に、傾斜部240と溝部246を形成する。他の工程は、第1の実施形態と同様である。第4の実施形態においても、第3の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、このVノッチ形状の溝部246は、予めエッチング加工などにより形成しておいてもよい。以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。