"表面を有する担体と、前記表面に付着した複数のナノワイヤーとを備える分子送達デバイスであって、前記担体は、導電性であり、前記ナノワイヤーは、導電層でコーティングされている、分子送達デバイス。前記ナノワイヤーのそれぞれが、前記表面に対して実質的に垂直方向に沿って前記表面に付けられている、請求項1に記載のデバイス。前記ナノワイヤーのそれぞれが、半導体、化合物半導体、金属酸化物、金属、炭素、窒化ホウ素、またはこれらの組合せから形成される、請求項1に記載のデバイス。前記半導体がシリコンである、請求項3に記載のデバイス。前記ナノワイヤーのそれぞれが、高さ20~10,000nm、および直径10~500nmである、請求項1に記載のデバイス。前記高さが100~5,000nmであり、前記直径が50~250nmである、請求項5に記載のデバイス。前記高さが800~1,200nmであり、前記直径が70~180nmである、請求項6に記載のデバイス。前記導電層が、金属、金属酸化物、半導体、化合物半導体、金属窒化物、またはこれらの組合せから形成される、請求項1に記載のデバイス。前記ナノワイヤーの密度が、0.05~10μm-2である、請求項1に記載のデバイス。前記密度が0.1~5μm-2である、請求項9に記載のデバイス。前記密度が0.2~2μm-2である、請求項10に記載のデバイス。細胞に分子を送達する方法であって、表面を有する担体、および前記表面に付着した複数のナノワイヤーを提供するステップであって、前記担体およびナノワイヤーはともに導電性である、ステップと、前記ナノワイヤーを前記細胞と接触させることによって、1つまたは複数のナノワイヤーを前記細胞内に貫通させるステップであって、前記細胞は、前記分子を含有する浴溶液中に浸漬されている、ステップと、前記担体と前記浴溶液中の電極との間に電流波形または電圧波形を印加し、それによって、前記分子が、細胞膜上に一過性に形成された孔を通じて前記細胞内に入るステップとを含む、方法。前記ナノワイヤーが導電層でコーティングされている、請求項12に記載の方法。前記分子が、DNA、RNA、タンパク質、多糖、または小分子である、請求項12に記載の方法。前記細胞が原核細胞または真核細胞である、請求項12に記載の方法。前記真核細胞が、初代細胞、形質転換細胞、または癌性細胞である、請求項15に記載の方法。前記初代細胞が、ニューロン、神経芽細胞、β細胞、筋細胞、骨芽細胞、線維芽細胞、ケラチノサイト、単球、免疫細胞、幹細胞、または卵母細胞である、請求項16に記載の方法。前記電圧波形の振幅が0.1~10Vである、請求項12に記載の方法。前記振幅が3~7Vである、請求項18に記載の方法。前記振幅が4~6Vである、請求項19に記載の方法。細胞に分子を送達する方法であって、表面を有する担体、およびそれぞれが第1の端部および第2の端部を有する複数の導電性ナノワイヤーを提供するステップであって、前記担体、および前記ナノワイヤーのそれぞれは、前記ナノワイヤーのそれぞれの前記第1の端部および第2の端部を除いて電気絶縁層でコーティングされており、前記第1の端部は、前記表面に付けられており、前記第2の端部は、導電層でコーティングされている、ステップと、前記ナノワイヤーを、前記分子を含有する浴溶液中に浸漬された前記細胞と接触させることによって、1つまたは複数のナノワイヤーを前記細胞内に貫通させるステップと、一方が前記ナノワイヤーのそれぞれの前記第1の端部に接続され、他方が前記浴溶液中に配置された2つの電極間に電流波形または電圧波形を印加し、それによって前記分子が、細胞膜上に一過性に形成された孔を通じて前記細胞内に入るステップとを含む、方法。前記分子が、DNA、RNA、タンパク質、多糖、または小分子である、請求項21に記載の方法。前記細胞が原核細胞または真核細胞である、請求項21に記載の方法。前記真核細胞が、初代細胞、形質転換細胞、または癌性細胞である、請求項23に記載の方法。前記初代細胞が、ニューロン、神経芽細胞、β細胞、筋細胞、骨芽細胞、線維芽細胞、ケラチノサイト、単球、免疫細胞、幹細胞、または卵母細胞である、請求項23に記載の方法。前記電圧波形の振幅が0.1~10Vである、請求項21に記載の方法。前記振幅が3~7Vである、請求項26に記載の方法。前記振幅が4~6Vである、請求項27に記載の方法。この方法は、ある特定の細胞について有効に機能するが、小さな免疫細胞およびニューロンの電気穿孔は、それほど成功していない。電気穿孔のために小さな細胞またはニューロンに均一電場が印加されるとき、細胞膜の大部分にわたる電位は、破壊電位を超え、低い細胞生存度をもたらす。これらの細胞のための改善された電気穿孔法を開発する必要がある。本発明は、振幅が10V未満の電圧波形により、一セットの導電性ナノワイヤーを集合的に細胞内電極として使用して、細胞を効率的に電気穿孔することができるという予期しない発見に基づく。一態様では、本発明は、i担体substrateと、ii表面の表面に付着した複数のナノワイヤーとを含む分子送達デバイスを特徴とする。担体は導電性であり、ナノワイヤーは導電層でコーティングされている。上述したデバイスにおいて使用される導電性担体は、導電性材料でコーティングされた表面を有する非導電性材料または半導電性材料から作製された担体とすることができ、この表面は、ナノワイヤーと電気的に連絡している。あるいは、これは、導電性材料から作製されてもよい。担体の材料の例として、半導体例えば、SiおよびGe、化合物半導体例えば、InPおよびGaAs、金属酸化物例えば、ZnO、ITO、およびIr酸化物、ならびに金属例えば、Au、Pt、Ag、Ir、およびCrが挙げられる。用語ナノワイヤーまたは以下でNWは、1nm~1μmの範囲の直径を有するワイヤー、ロッド、または錐体の形状での材料を指す。本明細書では、錐体は、0~90度例えば、0~15度の範囲の半角を有する。NWは、表面に対して実質的に垂直方向すなわち、60~90度に沿って表面に付着していることが好ましい。これらは、20~10,000nm例えば、100~5,000nm、および800~1,200nmの高さ、10~500nm例えば、50~250nm、および70~180nmの直径、ならびに1μm2当たり0.05~10ワイヤー例えば、1μm2当たり0.1~5ワイヤー、および1μm2当たり0.2~2ワイヤーの密度を有することができる。これらは、半導体例えば、SiおよびGe、化合物半導体例えば、GaAsおよびInP、金属酸化物例えば、ZnO、金属例えば、Au、Ag、Ir、Pt、炭素、窒化ホウ素、またはこれらの組合せから形成することができる。NW上にコーティングされる導電層、および担体は、金属例えば、Au、Ag、Pt、Pd、Cr、Ni、Ir、Al、W、Ti、およびFe、金属酸化物例えば、Ir酸化物、ITO、およびZnO、半導体例えば、SiおよびGe、化合物半導体例えば、GaAs、GaP、InP、InAs、InGaAs、およびGaN、金属窒化物例えば、TiN、ZrN、およびTaN、またはこれらの組合せから形成することができる。化合物半導体は、2種以上の元素から形成することができ、例えば、IV-IV半導体例えば、SiCおよびSiGe、III-V半導体例えば、AlN、AlP、AlGaAs、GaN、GaAs、InP、およびInGaAs、II-V半導体例えば、Zn3Sb2およびCd3As2、II-VI半導体例えば、CdS、CdSe、およびCdTe、IV-VI半導体例えば、SnSおよびPbSnTe、I-VI半導体例えば、Cu2S、I-VII半導体例えば、CuCl、ならびに酸化物半導体例えば、SnO2、CuO、およびCu2Oなどである。別段の明言のない限り、本発明の電気デバイスに使用される半導体には、その固有形態すなわち、純粋形態、およびドープ形態すなわち、1つまたは複数のドーパントを含有するの両方が含まれる。用語組合せは、2種以上の成分の混合物、合金、または適当な反応生成物を指す。例えば、シリコンと金属の組合せは、シリコンと金属の混合物、または金属のケイ化物である場合がある。別の態様では、本発明は、細胞内に外因性分子を送達する方法に関する。この方法は、i表面を有する担体、およびこの表面に付着した複数のNWを提供するステップであって、担体およびNWのそれぞれは、導電性であるステップと、iiNWを細胞と接触させることによって、細胞内にNWを貫通させるステップと、iii浴溶液中で担体と電極の間に電流波形または電圧波形を印加するステップとを含む。結果として、分子は、細胞膜中に一過性に形成された孔を通じて細胞内に入る。導電性NWは、1導電性材料でコーティングされた表面を有し、この表面は、NWが付けられている担体の表面と電気的にコミュニケートしている非導電性材料もしくは半導電性材料製、または2導電性材料製とすることができる。この方法で使用されるデバイスは、この方法において使用されるNWが、導電層でコーティングされていても、コーティングされていなくてもよいことを除いて、上述したものと同じである。送達される分子は、核酸例えば、DNA、ならびにsiRNAおよびマイクロRNAを含めたRNA、タンパク質、多糖、または小分子とすることができる。用語小分子は、様々な薬物分子、蛍光色素、オリゴ糖、オリゴヌクレオチド、およびペプチドを含めた、1000Da未満の分子量を有する任意の分子を指す。細胞は、原核細胞例えば、E.coliであっても、真核細胞例えば、酵母細胞およびヒト細胞であってもよい。ヒト細胞は、初代細胞、形質転換細胞例えば、HEK細胞、または癌性細胞例えば、HeLa細胞とすることができる。初代細胞は、卵母細胞、ニューロン、神経芽細胞、β細胞、筋細胞、骨芽細胞、線維芽細胞、ケラチノサイトkerotinocyte、単球、免疫細胞、または幹細胞とすることができる。免疫細胞は、マクロファージ、ナチュラルキラー細胞、T細胞、およびB細胞、および樹状細胞とすることができる。幹細胞は、胚性幹細胞であっても、成体幹細胞例えば、造血幹細胞および間葉幹細胞であってもよい。各生物学的な細胞は、2つ以上のNWによって貫通されることが好ましい。電気シグナルは、電流シグナルまたは電圧シグナルとすることができる。電圧波形の振幅は、0.1~10V例えば、3~7Vおよび4~6Vである。用語波形は、時間の関数としての電圧または電流振幅のプロットである。これは、正方形、三角形、のこぎり歯、または正弦曲線の形状におけるパルスについての一般用語である。本発明のさらに別の態様は、外因性分子を細胞内に送達する方法に関する。この方法は、i電気的に絶縁された層でコーティングされた表面を有する担体と、それぞれが第1の端部および第2の端部を有し、第1の端部および第2の端部を除いて電気絶縁層でコーティングされた複数の導電性ナノワイヤーであって、第1の端部が表面に付けられ、第2の端部が導電層でコーティングされた導電性ナノワイヤーとを提供するステップと、iiナノワイヤーを、分子を含有する浴溶液中に浸漬された細胞と接触させることによって、1つまたは複数のナノワイヤーを細胞内に貫通させるステップと、iii一方がナノワイヤーのそれぞれの第1の端部に接続され、他方が浴溶液中に配置された2つの電極間に電流波形または電圧波形を印加するステップとを含む。結果として、分子は、細胞膜上に一過性に形成された孔を通じて細胞内に入る。この方法で使用される担体は、半導体例えば、Si、化合物半導体例えば、GaAs、InP、GaN、およびGaP、またはダイヤモンドで形成することができる。これは、電気的に絶縁された層でコーティングされている。この方法で使用されるNWは、NWのそれぞれの2つの端部間の領域が電気的に絶縁された層でコーティングされていることを除いて、上述したものと同じである。さらに、各NWは、電圧波形によって個々にアドレス可能となり得る。電気絶縁層は、酸化物例えば、シリカ、アルミナ、およびハフニウム酸化物、窒化物例えば、窒化ケイ素、またはこれらの組合せから形成される。あるいは、電気絶縁層は、有機物質、例えば、パリレン例えば、パリレンC、N、AF-4、SF、HT、A、AM、VT-4、またはCF、ポリジメチルシロキサン、メタクリル酸メチル、フォトレジスト例えば、SU-8、および電子ビームレジスト例えば、ポリメチルメタクリレート、ZEP-520、および水素シルセスキオキサンなどから形成される。細胞は、上述したように、原核細胞および真核細胞とすることができる。送達される分子は、核酸、タンパク質、多糖、または小分子とすることもできる。電気シグナルは、電流シグナルまたは電圧シグナルとすることができる。電圧波形の振幅は、0.1~10Vである。2つの上述したNWベースの電気穿孔法の1つの利点は、分子送達を達成するのに要求される低い電圧波形、すなわち、振幅が10V未満であることである。これは、商業的な電気穿孔システムによって使用されるものの約100分の1である。要求電圧を下げることは、器具使用をより手軽にするだけでなく、これは、細胞死を引き起こし得るアーク放電の可能性も減少させる。さらに、これらの方法は、これらの形状例えば、サイズ、または電圧パルス例えば、振幅およびパルス持続時間を変更することによって、ほとんどすべての真核細胞および原核細胞に分子を送達するのに使用することができる。原核細胞に移行すると、大規模な並列の抗生物質スクリーニングを含めた豊富な新規用途が可能になる。シリコンウエハー上のNWは、量産することができる。このハイスループット、低コスト生産は、本発明の送達方法の広範囲の用途を可能にする。1つまたは複数の実施形態の詳細を、以下の付随する説明において示す。他の態様、特徴、および利点は、以下の図面、実施形態の詳細な説明、およびまた、添付の特許請求の範囲から明らかとなるであろう。本発明は、NWベースの電気穿孔デバイス、および細胞内に外因性分子を電気穿孔する方法に関する。本発明において使用されるNWは、導電性であり、好ましくは、担体に垂直に付けられる。invitro電気穿孔について、細胞は、このようなNW担体上で直接培養し、または別の担体上で培養し、NWと密接に接触させることができる。あるいは、このようなNW担体を、invivoまたはinsitu生体分子送達のために移植することができる。1つまたは複数のNWの一方の端部は、細胞の基底膜を貫通し、その内部に位置する。細胞内部にその端部がある一セットのこれらのNWは、細胞が浸漬された浴溶液中で、細胞外電極と対になった細胞内電極または傍細胞電極として集合的に作用する。電位または電流がこの対の電極にわたって印加されるとき、各NWの細胞内端部は、NW先端部の曲率半径と同等の領域一般的に、直径が100nm未満に電場を集束させることができる。電場のこのナノスケール集束は、電気穿孔プロトコールの開発に追加の自由度を加える。電場分布は、垂直NWの密度、アスペクト比、および曲率半径をリソグラフィーで調整することによって制御することができる。閾値電位を超える細胞膜の部分的範囲を決定し、したがって、細胞、特に、トランスフェクトすることが困難な細胞例えば、幹細胞および免疫細胞の効率的で低毒性の電気穿孔を可能にすることができる。さらに、電圧および電流レベル、パルス持続時間、ならびにパルス数を最適化することによって、所望レベルの効率および生存度を達成することができる。一実施形態では、NWおよびこれらの担体の両方が導電性である。NWは、担体上に均等に広げられている。NWは、Shalekら、2010年、ProceedingsoftheNationalAcademyofSciences、107巻、1870~1875年に記載されているように、ハイスループット様式で導電性Siウエハー上に製作することができる。次いでこれらのNWを金属でコーティングすることができ、これにより、NWの導電率が増強される。分子送達は、NW担体の頂部で細胞を培養し、担体と浴溶液中の電極との間に電流波形または電圧波形を印加することによって達成することができる。生体分子送達に要求される振幅は、わずかに数ボルトである。担体頂部の細胞のほとんどすべてが電気穿孔され、生存可能なままである。NWおよび担体は、導電性材料、半導体材料、および絶縁材料、例えば、シリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化鉄、酸化アルミニウム、酸化イリジウム、タングステン、ステンレス鋼、銀、白金、金、およびガラスなどを含めた任意の材料から形成することができる。導電層は、細胞毒性が低い材料例えば、金、銀、および白金から形成される。別の実施形態では、SiNWは、個々のセットが、細胞内に生体分子を部位特異的に送達することを可能にするように、担体上で成長させられる。各個々のセットは、他のセットから電気的に絶縁されている。同じセット内のNWのみが、他のセットから独立して電気的に接続され、電圧波形によってアドレス可能である。細胞のクラスターの中で、1個の細胞のみが垂直NWの1つの個々にアドレス可能なセットの頂部にあり、電気穿孔を介して蛍光色素を受け取る。このようにして、相互作用系内で個々の細胞に特定の摂動をもたらすことによって、細胞間相互作用または細胞-ネットワーク相互作用を試験することができる。NWの上にコーティングされる絶縁層は、細胞毒性が低い材料例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、および窒化ケイ素から形成される。担体上にNWのアレイを得るために、2つの手法が広く使用されている。1つは、前駆体材料からNWを成長させることを本質的に伴う、いわゆるボトムアップ手法である。例えば、化学蒸着法CVDを採用して、NW成長プロセスは、担体の頂部に触媒またはシード粒子通常、1nmから数百ナノメートルの直径を有するを配置またはパターン形成することから始まり、次に、前駆体材料が触媒またはシード粒子に添加され、粒子が前駆体で飽和した状態になると、NWは、デバイスのエネルギーを最小にする形状で成長し始める。前駆体、担体、触媒/シード粒子例えば、担体上のサイズ、密度、および堆積方法、ならびに成長条件を変更することによって、NWを、選択した部位に、様々な材料、サイズ、および形状で作製することができる。別の手法であるトップダウンプロセスは、支持担体から既定の構造を除去する例えば、エッチングによってことを本質的に伴う。例えば、NWが形成される部位がソフトマスク例えば、フォトレジスト中に、最初にパターン形成され、このソフトマスクは、後続のエッチングの間にNWが形成される部位を保護するか、またはハードマスクをパターン形成するのに使用され、エッチングステップがその後実施されることによって湿式または乾式、パターン形成された部位が3次元ワイヤーにされる。異なる細胞型への分子送達の効率は、NWサイズまたは密度を変更することによって操作することができる。上述した電気穿孔法の企図された使用には、以下のことが含まれる。1特に、トランスフェクトすることが困難な細胞へのハイスループット生体分子送達。用途には、トランスフェクション、細胞の再プログラミング、幹細胞分化、ならびに細胞内および細胞間シグナル伝達カスケードのプロービングが含まれる。2相互作用している細胞のネットワークまたはシステム内の生体分子の細胞特異的送達。3再懸濁することが難しい接着細胞ニューロンなどの電気穿孔。4同じ細胞への異なる用量の同じ分子、または様々な用量の異なる分子を用いた、異なる時点での繰り返しの電気穿孔。細胞内電極として細胞膜を貫通するNWは、細胞生存度を損なわないので、これらの細胞は電気穿孔と電気穿孔との間でNW担体上に残ることができる。さらに詳述することなく、上記説明は、本発明を適切に使用可能にしたと考えられる。したがって以下の実施例は、単に例示的であり、形はどうあれ決して本開示の残りを限定するものでないと解釈されるべきである。本明細書に引用される刊行物は、その全体が参照により本明細書に組み込まれている。実施例1電気穿孔のためのNW電極担体の製作シリコン担体上のNWのアレイを、厚さ200nmの熱的に成長させた酸化ケイ素層でコーティングされたシリコンウエハーをドライエッチングすることによって形成した。大きい面積にわたってNWを製作するために、コロイド金ナノ粒子平均直径100nm、TedPellaから購入、購入した試料を約17倍濃縮した後に使用を、3のポリメチル-メタクリレートPMMAのクロロベンゼン溶液中に再懸濁して懸濁液を形成した。次いで、シリコンウエハーに懸濁液を3000RPMでスピンコーティングすることによって、ウエハー表面上に厚さ100nmのPMMA-ナノ粒子膜を生成した。次いで、ウエハーを、反応性イオンエッチングRIEデバイスNEXXDEVICESCIRRUS150内で、CF4プラズマで3分間処理することによって、金ナノ粒子の直下にはない領域内の酸化ケイ素をエッチングした。次いで、金ナノ粒子をTFA金エッチング液でエッチングにより除去して、分離された酸化ケイ素ドットのパターンを生成した。シリコンウエハーを覆うパターンは、垂直NWを形成するのにウエハーをエッチングするためのマスクとして作用した。ウエハーを、別のRIEデバイスSURFACETECHNOLOGYDEVICESICPRIE内で、誘導結合HBr:O2プラズマで10分間エッチングすることによって、垂直に整列したSiNWのアレイを形成した平均長:1000nm;平均直径:150nm;密度:0.5ワイヤー/μm2。5:1の緩衝酸化物エッチング液中にウエハーを浸漬することによって、酸化ケイ素マスクを除去した。ウエハーを電子ビーム蒸発器内に直ちに装填し、そこで、NWおよび担体の表面を100nmのPtでコーティングした。ウエハーの裏面への金属接触を、同様の様式で作製した。実施例2NWアレイ上での細胞のプレーティングplating80~100の間でコンフルエントなHEK293細胞または線維芽細胞を、トリプシン処理を5分間行うことによって、培養フラスコから取り出した。培地で酵素をクエンチした後、細胞を再懸濁して100万細胞/mLの濃度にした。次に、実施例1で調製された、垂直にエッチングされたNWを有するシリコン担体が入っている48ウェル細胞培養プレートの各ウェルに細胞懸濁液200μLを添加した。細胞培養プレートをインキュベーター5のCO2、90の相対湿度内に配置した。インキュベーションを15分行った後、追加の培地150μLを添加した。追加のインキュベーションを18時間行った後、試料を画像化した。図1aに示したように、ヒト線維芽細胞は、担体に付着し、多数のNWによって貫通されているにもかかわらず生細胞として広がっていた。実施例3NW電気穿孔を介した分子送達上述した方法を使用して、実施例1で調製された、垂直にエッチングされたNWを有するシリコン担体の頂部に、HEK293細胞をプレーティングおよび培養した。担体への裏面電気接触を形成することによって、NW電極を接地した。細胞培養液を囲繞するPDMSウェルを使用することによって、1nMの膜不透過性色素カルセインを含有するリン酸緩衝食塩水PBSの溶液を閉じ込めた。Ag/AgCl対電極を、NW担体の約0.5cm上に、PBS中に配置した。二相性100Hzの矩形波電圧トレインを、対電極とNW担体の間に0.4秒間印加し、30秒後に電圧トレインを繰り返した。30秒後に、色素が加えられたPBSから担体を取り出し、清潔なPBSに通して洗浄し、画像化した。電圧パルスの振幅は、対照実験および送達実験について、それぞれ0Vおよび5.75Vであった。細胞生存度をアッセイするために、電気穿孔した後に、EthD-1中で、室温で20分間細胞をインキュベートし、蛍光で画像化した。膜が電気穿孔から回復しなかった、またはさもなければ多孔質であった細胞は、EthD-1が核DNAに結合しているために強い核蛍光を示す。これらの細胞は、死んでいるとしてカウントし、Hoechst核標識を介してカウントした細胞の全数と比較した。図2に示したように、このNW電気穿孔法は、HEK293細胞内への膜不浸透性色素カルセインの送達において97超の効率を呈し、85超の細胞生存度を維持した。さらに、細胞は、NW担体頂部で生存可能なままであり、必要であれば、繰り返して電気穿孔することができた。実施例4個々にアドレス可能なNW電極の製作シリコン担体上のSiNWのアレイを、いくつかのリソグラフィーステップ、エッチングステップ、および堆積ステップを介して形成した。最初に、電子ビームリソグラフィーEBLを介してエッチマスクを画定した。シリコンオンインシュレーターウエハーに、XR-15416固体ネガティブEビームレジストDowCorningを2000RPMでコーティングすることによって、厚さ約200nmのレジストの層を生成した。次いで、ウエハーを225°Cで2分間ベークした後、電子ビームに曝露した。Raith-150EBLツールを使用することによって、NW形成が望まれる位置に直径100nmの円を画定した。1000μC/cm2の線量で曝露した後、ウエハーを225°Cで4分間、再びベークした。次いでパターンを、25のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH中で15秒間現像した。現像後に残ったレジストは、後続のエッチングプロセスのためのハードマスクとして作用した。HBr:O2の誘導結合プラズマICPをICP-RIEシステムSURFACETECHNOLOGYSYSTEMS内で10分間印加することによって、SiNWのアレイを得た平均長:1000nm;平均直径:150nm;密度:0.5ワイヤー/μm2。次いで、49のフッ化水素酸中にウエハーを浸漬することによって、レジストマスクを除去した。次いで、800°CでSiO2の低圧化学蒸着法LPCVDを使用してNWを絶縁した。NW先端部のSiO2を除去するために、S1818フォトレジストMicrochemを3000RPMでスピニングし、O2プラズマUnaxisRIEを使用してストリップバックstripbackし、Si担体上に500nmの膜を残した。次いで、この層の上に突出するNWの先端部を、CF4プラズマを使用してエッチングすることによってSTSICP-RIE、先端部を覆っているSiO2を除去した。次いで、デバイスを1分のO2プラズマデスカムで処理し、その後、緩衝酸化物エッチング液bufferedoxideetchBOE5:1中に10秒間浸漬した。次いで担体を熱蒸発器内に装填し、そこで電子ビーム蒸発器を使用して70nm蒸着した。次いでレジストを、80°CでRemoverPGMicroChemを使用して数時間溶解させ、NW先端部のみに金属層を残した。個々にアドレス可能なNW電極を作製するために、3000PRMでウエハー上にS1818フォトレジストMicrochemをスピニングすることによって、電極路electrodetractをパターン形成した。115°Cで1分間ウエハーをベークした後、UV接触リソグラフィーを使用して電極同士間の領域を露光した。次いで、露光されたレジストを、MF-319Microchemを使用して現像した。残っているレジストは、C4F8:SF6プラズマを使用するSi担体のICP-RIEエッチングSTSのためのマスクとして役割を果たした。RemoverPGを用いてレジストをストリップした後、原子層堆積ALDCambridgeNanoTechを使用して、担体を100nmのAl2O3でコーティングした。接触リソグラフィーを使用して、直径20ミクロンの面積をNWの周囲で露光し、ならびに接触パッドのための1×0.5mmの面積を露光した。現像後、これらの領域中のAl2O3を、TransEtchTranseneを使用して除去した。フォトレジストを除去し、再び塗布し、接触領域単独を露光および現像した。BOE5:1を使用してこれらの領域中のSiO2をストリップした後、Pt層を以前のように蒸着し、フォトレジストをストリップした。実施例5電気穿孔を介して注入されるイオン電流実施例4で調製した個々にアドレス可能なセットの垂直NWを有するシリコン担体頂部にHEK293細胞をプレーティングおよび培養した。電圧パルスをNW電極細胞外溶液中のAg/AgCl電極から約0.5cm離れたに印加しながら、電圧クランプモードで従来のパッチクランプ測定を実施することによって膜貫通電流を測定した。図3に示したように、5.5Vの低い振幅を有する外部電圧波形は、透過化された細胞膜を通るイオン電流を作り出す。実施例6部位特異的生体分子送達実施例4で調製した個々にアドレス可能なセットの垂直NWを有するシリコン担体頂部にHEK293細胞をプレーティングおよび培養した。細胞特異的送達は、4.5Vの振幅を用いて、図3と同様の電圧刺激の後に達成された。細胞外溶液は、1mg/mLの膜不透過性蛍光色素Alexa647を含有するPBSであった。電圧パルスの後、PBSを通して細胞を数回洗浄した後、蛍光画像化を行った。図4に示したように、細胞不透過性蛍光色素は、電圧波形を印加した後、個々にアドレス可能なセットの垂直NWの頂部の個々のHEK293細胞に送達された。他の実施形態本明細書に開示した特徴のすべては、任意の組合せで組み合わせることができる。本明細書に開示した各特徴は、同じ目的、等価な目的、または同様の目的を果たす代替の特徴によって置き換えることができる。したがって、別段の特別な明言のない限り、開示した各特徴は、単に、一般的な一連の等価な特徴または同様の特徴の例である。上記説明から、当業者は、本発明の本質的な特性を容易に確認することができ、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、本発明の様々な変更および改変を行うことによって、本発明を様々な使用法および条件に適応させることができる。したがって、他の実施形態も、以下の特許請求の範囲の範囲内である。"