アルミニウムを含有する基材を研摩する研摩スラリーにおいて、砥粒と、20°Cでの水に対する溶解度が0.1g/100g-H2O以上である無機ホウ素化合物と、水を含有することを特徴とする研摩スラリー。無機ホウ素化合物の含有量は、研摩スラリーに対して、ホウ素原子に換算して0.1質量~20質量である請求項1に記載の研摩スラリー。基材に含有されたアルミニウムは、酸化アルミニウムである請求項1または請求項2に記載の研摩スラリー。砥粒と、20°Cでの水に対する溶解度が0.1g/100g-H2O以上である無機ホウ素化合物と、水を含有する研摩スラリーにより、アルミニウムを含有する基材を研摩することを特徴とする研摩方法。本発明は、以上のような事情の背景になされたもので、サファイア単結晶基板などのAlを含有する、高硬度の基材を、高速で研摩処理し、高い面精度を有した研摩面を実現できる、研摩技術を提供することを目的とする。本発明者は、ホウ素化合物を含有する研摩スラリーについて鋭意検討したところ、ホウ素化合物が無機ホウ素化合物である場合に、ホウ素原子がAlに化学的作用を生じて原子レベルでAlを除去できる現象を見出し、Alを含有する基材を、高い研摩速度で、研摩面も精度良く研摩処理できることを突き止め、本発明を想到するに至った。本発明は、アルミニウムを含有する基材を研摩する研摩スラリーにおいて、砥粒と、20°Cでの水に対する溶解度が0.1g/100g-H2O以上である無機ホウ素化合物と、水を含有する研摩スラリーに関する。本発明の研摩スラリーによれば、Alを含有する基材を高い研摩速度で、非常に平滑な研摩面に研摩処理することができ、特に酸化アルミニウムを含む基板やサファイア単結晶基板の研摩処理に非常に好適なものである。本発明の研摩スラリーが、アルミニウムを含有する基材を、高い研摩速度で、研摩面も精度良く研摩処理できる理由は、例えば、酸化ホウ素またはホウ酸を用いてサファイアAl2O3基板を研摩したときに次のような化学反応を生じるためであると考えられる。2Al2O3B2O3→Al4B2O92Al2O32H3BO3→Al4B2O93H2Oこのような化学反応が生じることで、サファイアAl2O3基板表面から原子レベルでアルミニウムを除去するものとなっていることが考えられる。このような化学反応は無機ホウ素化合物では生じるが、有機ホウ素化合物では生じないため、本発明におけるホウ素化合物は無機ホウ素化合物である必要がある。本発明に係る研摩スラリーの無機ホウ素化合物は、20°Cでの水に対する溶解度が0.1g/100g-H2O以上であり、溶解度が0.1g/100g-H2O未満であると、水に溶解しなかった無機ホウ素化合物により研摩傷が発生する傾向となる。このような無機ホウ素化合物としては、酸化ホウ素B2O3やホウ酸H3BO3、或いは、四ホウ酸ナトリウムや過ホウ酸ナトリウムベルオクソホウ酸ナトリウムなどが好ましい。また、この無機ホウ素化合物の溶解度は、0.5g/100g-H2O以上が好ましく、1.0g/100g-H2O以上がより好ましい。本発明に係る研摩スラリーにおける砥粒としては、酸化ジルコニウム、酸化マンガン、酸化セリウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ケイ素などの種々のものを使用可能であるが、酸化セリウム、酸化チタン、酸化亜鉛が好ましく、特に酸化セリウムが好ましい。砥粒の粒径としては、平均粒径D50で、0.02~3.0μmが好ましく、0.05~2.5μmがより好ましい。0.02μm未満であると、研摩速度が低くなる傾向となり、3.0μmを越えると、研摩面の精度Raが悪くなる傾向となる。本発明において、無機ホウ素化合物の含有量は、研摩スラリーに対して、ホウ素原子に換算して0.1質量~20質量であることが好ましい。含有量が0.1質量未満であると、ホウ素原子の化学作用が低下しすぎ、良好な研摩処理が行えなくなり、20質量を越えると、砥粒が研摩面に滞留し易くなり、研摩面の表面粗さが大きくなる傾向となる。この無機ホウ素化合物の含有量は、0.5質量~10質量がより好ましく、0.7質量~5質量がさらに好ましい。本発明では、アルミニウムを含有する基材を、砥粒と、20°Cでの水に対する溶解度が0.1g/100g-H2O以上である無機ホウ素化合物と、水を含有する研摩スラリーにより研摩処理することが好適である。以上説明したように、本発明に係る研摩スラリーによれば、サファイア単結晶基板などのAlを含有する、高硬度の基材を、高速で研摩処理することが可能となり、高い面精度を有した研摩面を実現できる。以下、本発明の実施形態について詳説する。第一実施形態:この第一実施形態では、砥粒として酸化セリウムを用い、無機ホウ素化合物として酸化ホウ素B2O3を用いた場合について説明する。砥粒として酸化セリウムを10質量含有する市販の酸化セリウムスラリー三井金属鉱業株製:ミレークH510C、平均粒径D500.11μm、CeO2/TREO99質量以上を用い、この酸化セリウムスラリーと酸化ホウ素とを水に分散させて研摩スラリー酸化セリウム濃度5質量を作製した。表1に示す各酸化ホウ素含有量に調整した研摩スラリーを準備し、サファイア基板を研摩処理する研摩試験を行った。研摩試験は、研摩試験機HSP-2I型、台東精機株製を用い、各研摩スラリーを研摩対象面に供給しながら、研摩パッドで研摩を行った。そして、本研摩試験では、研摩スラリーを5L/minの割合で供給して行った。研摩対象物であるサファイア基板は直径2インチ、厚さ0.25mm研摩処理前の表面粗さRa2nm20Åのものを使用した。また、研摩パッドはポリウレタン製のものを使用した。研摩面に対する研摩パッドの圧力は570g/cm2とし、研摩試験機の回転速度は60min-1rpmに設定し、180分間の研摩をした。研摩速度:研摩速度は、研摩前後のサファイア基板の重量を測定して研摩による減少量を求め、減少量を厚みに換算して算出した。表面粗さRa:表面粗さRaは、基板の表面測定範囲10μm×10μmを、AFM原子間力顕微鏡:Veeco社製NanoscopeIIIaにより、測定した。比較として、本発明の無機ホウ素化合物の含有量範囲からはずれた研摩スラリー表1、比較例1~3と、従来よりサファイア基板の研摩処理に使用されていたコロイダルシリカ酸化ケイ素/SiO2、表2の比較例4の研摩スラリーを用いてサファイア基板を研摩処理した。比較例4のコロイダルシリカの研摩スラリーは、平均粒径D500.08μm、コロイダルシリカ濃度5質量のものを使用した。表1に示すように、比較例1の酸化ホウ素を加えていない研摩スラリーでは研摩処理がほとんど進行せず、本発明の無機ホウ素化合物の含有量範囲からはずれた比較例2、3では、表面粗さRaが0.1nmを越える研摩面となっていた。これに対して、実施例1~9の研摩スラリーでは、比較例4のコロイダルシリカでの研摩処理よりも平滑な研摩面が得られた。また、研摩速度も大きいことが確認された。第二実施形態:この第二実施形態では、無機ホウ素化合物としてホウ酸、四ホウ素ナトリウム、過ホウ酸ナトリウムベルオクソホウ酸ナトリウムを用いた場合について説明する。研摩スラリーの作製条件は、上記第一実施形態の実施例1~9と同様であり、無機ホウ素化合物の含有量は、実施例5と同量ホウ素換算となるように調整した。また、研摩試験条件についても、上記第一実施形態と同様とした。表3に研摩速度、研摩面の表面粗さの結果を示す。この表3には、比較のために、上記第一実施形態の実施例5、比較例1の結果を示している。表3に示すように、無機ホウ素化合物として、ホウ酸、四ホウ素ナトリウム、過ホウ酸ナトリウムを用いた結果、酸化ホウ素と同等以上の研摩処理が可能であることが判った。これにより、本発明における無機ホウ素化合物は、酸化ホウ素に限定されず、種々の無機ホウ素化合物を用いることができることが判明した。第三実施形態:この第三実施形態では、砥粒として酸化ケイ素SiO2、コロイダルシリカ、酸化チタンTiO2、酸化亜鉛ZnOを用い、無機ホウ素化合物として酸化ホウ素を用いた場合について説明する。砥粒として用いた酸化チタンは、平均粒径D501.2μm、関東化学株製を用い、酸化亜鉛は平均粒径D500.3μm、関東化学株製を用いた。また、酸化ケイ素については、比較例4と同一のものを使用した。研摩スラリーの作製条件は、上記第一実施形態と同様であり、無機ホウ素化合物の含有量は、実施例5と同量ホウ素換算となるように調整した。また、研摩試験条件についても、上記第一実施形態と同様とした。比較のために、無機ホウ素化合物を添加していない研摩スラリーについても評価を行った。表4に研摩速度、研摩面の表面粗さの結果を示す。尚、表4には、上記比較例4の結果も併せて記載している。表4に示すように、砥粒として、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化亜鉛を用いた場合、酸化セリウムを砥粒として用いた時と同等レベルの研摩処理が可能であることが判った。これにより、本発明の研摩スラリーに使用する砥粒は、酸化セリウムに限定されず、種々の砥粒を適用できることが判明した。