本発明は、日射量が最も多い本願装置の真上方向からの光入射を基準として前記装置を設置し、太陽光の一般的光路変化である、前記光入射基準方向に対しての光入射角がプラス90度、マイナス90度の範囲を考慮に入れて、前記装置を使用想定する場合に、1次入射光を電子等の電荷に変換する光電変換領域を有する受光素子部に、1次入射光の進行方向に対して、前記光電変換領域が、1次入射光の進行方向に沿って形を成す曲線において、前記曲線上に任意の2点を取る場合に、前記各点における接線の傾きについて、前記1次入射光側の1点の接線の傾きを正とすると、前記残りの本願装置の基板寄りの1点の接線の傾きが負となるように設けてなる括れ状の内壁を設けた穴形体の括れ付き光電変換装置。解決しようとする問題点は、従来の光電変換領域を有する太陽電池は、太陽光を出来るだけ多く太陽電池内部に取り込もうとして太陽電池表面にピラミッド断面形あるいは上下逆ピラミッド断面形の凹凸テクスチャーを設けているが、まだ電力会社から購入する電気を代替するほどの経済性には至っていない点である。前記の光電変換効率のように従来の凹凸付き太陽電池では大部分の光エネルギーは活用出来ていないという問題がある。本発明はこのような問題点を解決すべく為されたものであり、入射光の閉じ込め作用に優れる形体の光電変換装置であり、一次太陽光入射単位面積当たりについて、より大きな出力エネルギーを得ることができる光電変換装置を提供することを目的とする。ここで、本願発明における括れの定義について説明する。図3は本願発明の特徴である括れの定義を示した図である。日射量が最も多い本願装置の真上方向からの光入射を基準として、つまりn型半導体5に対して光入射基準方向11の位置関係となるように前記装置を設置し、太陽光の一般的光路変化である、前記光入射基準方向に対しての光入射角がプラス90度、マイナス90度の範囲を考慮に入れて、前記装置を使用想定する場合に、1次入射光を電子等の電荷に変換する光電変換領域を有する受光素子部に、1次入射光の進行方向に対して、前記光電変換領域、例えばn型半導体5が1次入射光の進行方向に沿って形を成す曲線において、前記曲線上に任意の2点、12、13を取る。前記2点、12、13を通る仮想の直線を設けると、点13を点12に限りなく近づけた時の極限が、点12における接線である。また、点12を点13に限りなく近づけた時の極限が、点13における接線である。前記点12、点13における接線の傾きについて、前記1次入射光側の点12の接線14の傾きを、正とすると、前記残りの本願装置の基板寄りの点13の接線15の傾きが負となるように設けてなる形を括れと定義する。本発明は、入射光を電気に変換する光電変換領域を有する光電変換装置において、超高効率光電変換を可能とするため、一次太陽光入射方向に対して括れ形成部9、および括れの下方側に形成してなる抉れ部10を設けてなる内壁を設けて、光電変換領域が前記括れ形体状に設けてなり、一次太陽光入射単位面積当たりの実効光電変換表面積をより大きく設けてなり、光路長をより大きく設けてなり、一次太陽光入射方向側に返す光をより少なくする形体で、前記入射光を光電変換することを主要な特徴とする。請求項1の光電変換装置によれば、前記主要な特徴を備えているので、光の利用効率を高めることができる。請求項1の光電変換装置によれば、一次太陽光入射単位面積当たりの実効光電変換表面積がより大きくなり、加えて、一次太陽光入射方向側に返す光をより少なくすることができるので、光の利用効率を高めることができる。従って、エネルギー変換効率が高くなることで、出力当たりの単価が改善され、出力の増加に伴って、経済性を高めることができる。本発明は一次太陽光入射方向に対して光電変換領域に括れ形体を設けて、入射した光を入射元の方向に、より反射させないように構成されてなる。より具体的には、穴状の場合は、瓢箪形状に括れを設けてなる態様が好適である。前記瓢箪形状は複数段に積み上げるとさらに良い。前記瓢箪形状は複数段に積み上げる場合、前記各段毎に膜厚、抉れ形状、膜材料を変えて、広い範囲の波長の光を変換できるようにしても良い。前記瓢箪形状は複数段に積み上げる場合、前記各段は直列の電気接続の態様を形成すると好適である。前記瓢箪形状穴と、隣接する瓢箪形状穴の間の上層表面に凸形状を設ける場合は、球形、円錐形、多角錐等が良く、傾斜面の角度は大きく尖らす態様を形成すると好適である。以下、本発明を図示実施例に従って説明する。図1は、穴形体を設けてなる本光電変換装置の一つの実施例である。本光電変換装置の大きな特徴はp型半導体3とn型半導体4の接合で形成される光電変換領域が括れ形体を設けてなることである。p型半導体3に括れ形成部9、および括れの下方側に形成してなる抉れ部10を形成する。ここで、抉れおよび括れの下方側に形成してなる抉れとは瓢箪形状穴を外側から見た時の形状による。次にp型半導体3とn型半導体4の接合を形成し、しかる後、n拡散層と、透明電極層7を形成してなる。次にp型半導体3の裏面に酸化膜2と、p拡散層4と、裏面電極層1を形成してなる。このような、穴形体を設けてなる本光電変換装置によれば、外部からの一次入射太陽光は、隣接する瓢箪形状穴の間の上層表面の光電変換層に入射して、前記太陽光は光電変換される。前記隣接する瓢箪形状穴の間の上層表面の横を通過した一次入射太陽光については、穴形体の内側の光電変換層に入射して、前記太陽光は光電変換される。前記太陽光の一部は反射を繰り返す。その際、穴形体に設けてなる括れ形成部9、および括れの下方側に形成してなる抉れ部10は反射光を閉じ込めて、一次太陽光入射方向側に返す光をより少なくする機能を果たす。というのは、きのこ柱形体に設けてなる括れ形成部9、および括れの下方側に形成してなる抉れ部10が入射光を前記抉れ部の奥側へ導く作用を生ぜしめるからである。尚、太陽電池の製造プロセスは、蒸着、露光、蝕刻エッチングなど、従来からの、半導体、液晶パネルの製造プロセスを踏襲しており、前記括れ形成部9、および括れの下方側に形成してなる抉れ部10を形成することは、CVD法や選択式露光、等方性エッチング等を駆使して形成することが出来る。次に詳しく説明する。シリコン系は結晶の状態により結晶シリコンと薄膜シリコンに分類できる。結晶シリコンは単結晶シリコンと多結晶シリコンに分類できる。薄膜シリコンは微結晶シリコンとアモルファス非晶質シリコンに分類できる。シリコン系の結晶型の違いはシリコンの結晶粒界面、つまり結晶欠陥の数の違いであり、結晶欠陥の少ない順に、単結晶シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、アモルファス非晶質シリコンとなる。一般的に前記結晶欠陥の数が少ない、および前記結晶欠陥に伴う不純物の数が少ないほど太陽電池の変換効率は高くなる。つまり、結晶欠陥が多いほど、電気が効率良く流れなくなる。本願発明の括れをどのように生成するかを詳しく説明する。本光電変換装置の基板にp型半導体3を使用する。結晶シリコン太陽電池は一般的に高純度シリコンインゴットからシリコンウエーハという薄い板状にしたものを使用する。薄膜シリコンの場合はシリコンウエーハもしくはガラス基板などが使用される。p型半導体3はホウ素原子をp型不純物として熱拡散により混ぜて作る。薄膜シリコンの場合は一般的にプラズマCVD化学的気相成長法装置を使用して、シランガスを放電により分解し、結晶シリコンやガラスなどの基板に化学的にシリコンを付着させる。次いで、ホウ素原子をp型不純物として熱拡散により混ぜて作り、p型半導体3を形成する。次に括れ形成について説明する。結晶シリコンでは、前記状態のp型半導体3の表面に、前記状態のp型半導体3の表面を薄く酸化した後、シリコンナイトライド膜をCVDで堆積する。次いでフォトリソグラフィを使用してパターンを形成した後に、シリコンナイトライド膜をウエットまたはドライエッチングする。レジストを除去し、残ったシリコンナイトライド膜をマスクにして、前記酸化膜をフッ酸でエッチングする。次いで異方性エッチングをするとV字的形状に形成される。一般的にはKOH-IPA系水溶液が知られている。残った酸化膜とシリコンナイトライド膜はウエットまたはドライエッチングする。この方法で隣接する瓢箪形状穴の間の上層表面凹凸形状を形成できる。次いでフォトリソグラフィを使用して前記V字的形状の開口パターンより小さいパターンをレジストで形成した後に、等方性エッチングのドライエッチングまたはウエットエッチングをする。エッチングが回り込むことによって、アンダーカットサイドエッチングが得られる。次いでレジストは除去する。次いで、フォトリソグラフィを使用して前記瓢箪形状穴形状の開口パターンより小さいパターンをレジストで形成した後に、等方性エッチングのドライエッチングまたはウエットエッチングをする。エッチングが回り込むことによって、アンダーカットサイドエッチングが得られる。次いでレジストは除去する。このようにして括れ形成部9および括れの下方側に形成してなる抉れ部10を得ることができる。p型半導体3に括れ形成部9および括れの下方側に形成してなる抉れ部10を得た後は、n型半導体5を作る。n型半導体5はリン元素をn型不純物として熱拡散により混ぜて作る。前記p型不純物、n型不純物濃度を微調整するときは、フォトリソグラフィを使用してパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクにしてホウ素イオンやリンイオンを使用してイオン注入を行う。前記イオン注入後に、p拡散層4やn拡散層6が得られる。その後に加熱アニールにより、結晶性を整えてpn接合ができる。p拡散層4を作るためのリンイオン注入の実施順は、加熱アニールの前であれば良い。次に、光が当たるn型半導体5に、蒸着等を利用してITO等の透明電極層7をつける。次に、蒸着等を利用して全面にアルミニウムやAg等をつける。次いで、フォトリソグラフィを使用してパターンを形成し、次いで、ドライエッチング等で取り出し電極8を形成する。裏面については残していた酸化膜2に、フォトリソグラフィを使用してパターンを形成し、裏面からの電極取り出しのパターンを形成する。次いで、スクリーン印刷や蒸着を使用して、裏面電極層1を形成する。前記裏面電極層1については、一般的にアルミニウムやAg等の使用が知られている。前記方法により形成した前記括れ形成部9、および括れの下方側に形成してなる抉れ部10を前記光電変換領域に設けることで、太陽光の入射方向から観察すると、本光電変換装置は、より黒体様に見えることになる。本願発明によって、一次太陽光入射単位面積当たりの実効光電変換表面積をより大きく設けてなり、光路長をより大きく設けてなり、一次太陽光入射方向側に返す光をより少なくする形体にすることができる。