下地基板を準備する基板準備工程と、前記下地基板に半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層から前記下地基板を除去するリフトオフ工程と、前記下地基板を除去して露出させた側の前記半導体層に複数の凹部又は凸部を形成する半導体層加工工程と、前記複数の凹部又は凸部を形成した側の前記半導体層に前記半導体層と屈折率が異なる透光性材料層を直接接するように形成する透光性材料層形成工程と、を含むことを特徴とする発光素子の製造方法。前記透光性材料層は、前記発光素子を封止する封止材より屈折率が大なることを特徴とする請求項1に記載の発光素子の製造方法。前記透光性材料層は、前記半導体層より屈折率が小なることを特徴とする請求項1または2に記載の発光素子の製造方法。前記半導体層加工工程は、前記半導体層を粗面化して凹凸面を形成することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。前記透光性材料層は、ガラスであることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。前記透光性材料層形成工程は、前記複数の凹部又は凸部に前記ガラスをホットプレスして前記半導体層と一体化させることを特徴とする請求項5に記載の発光素子の製造方法。前記半導体層はGaN系半導体層であることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。前記下地基板は、前記半導体層より屈折率が小なることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。前記半導体層形成工程は、前記下地基板としてのサファイア基板に前記GaN系半導体層を形成することを特徴とする請求項8に記載の発光素子の製造方法。前記リフトオフ工程は、レーザー光線の照射により、前記下地基板を剥離させて除去することを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。前記透光性材料層は、蛍光体を含むことを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。前記半導体層に電極を形成する電極形成工程を含むことを特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。しかし、特許文献1に記載された発光素子によれば、III族窒化物系化合物半導体層から直接取り出される光以外の、層内に閉じ込められた光層内閉込光の取り出しについては凹凸加工を施したとしても層内閉込光の反射性が充分でなく、III族窒化物系化合物半導体層とサファイア基板の屈折率差に依存するため、光取り出し効率に限界がある。また、III族窒化物系化合物半導体層は光吸収係数が大であることにより、層内閉込光となると減衰して有効に活用することができない。従って、本発明の目的は、光吸収係数の大なる層に光を留めることなく外部放射を促進させることができる発光素子の製造方法を提供することにある。本発明は、上記の目的を達成するため、下地基板を準備する基板準備工程と、前記下地基板に半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層から前記下地基板を除去するリフトオフ工程と、前記下地基板を除去して露出させた側の前記半導体層に複数の凹部又は凸部を形成する半導体層加工工程と、前記複数の凹部又は凸部を形成した側の前記半導体層に前記半導体層と屈折率が異なる透光性材料層を直接接するように形成する透光性材料層形成工程と、を含むことを特徴とする発光素子の製造方法を提供する。本発明によれば、半導体層内に留まる層内閉込光を半導体層に貼り付けられる透光性材料層を介して取り出すことで、界面反射が抑えられて光取り出し性が高まる。そのことによって光吸収係数の大なる層に光を留めることなく外部放射を促進させることができる。LED素子1の構成図1aおよびbは、本発明と関連する製造方法によって製造されたLED素子であり、aは縦断面図、bは臨界角を示す説明図である。このフリップチップ型のLED素子1は、図1aに示すように発光層14を有するGaN系半導体層100より高屈折率の透光性高屈折率材料であるガラス部材11と、GaN半導体化合物によって形成されるn-GaN層13と、n-GaN層13上に積層される発光層14と、発光層14上に積層されるp-GaN層15と、p-GaN層15からn-GaN層13にかけてエッチングにより除去されたn-GaN層13に設けられるn-電極16と、p-GaN層15上に設けられるp-電極18とを有する。III族窒化物系化合物半導体層の形成方法は、特に限定されないが、周知の有機金属気相成長法MOCVD法、分子線結晶成長法MBE法、ハライド系気相成長法HVPE法、スパッタ法、イオンプレーティング法、電子シャワー法等によって形成することができる。なお、発光素子の構成としては、ホモ構造、ヘテロ構造若しくはダブルへテロ構造のものを用いることができる。さらに、量子井戸構造単一量子井戸構造若しくは多重量子井戸構造を採用することもできる。ガラス部材11は、屈折率n=2.0、熱膨張率:7.0×10-6/°C、屈伏点:650°C、Bi2O3系材料で、図示しないサファイア基板上に成長させたGaN系半導体化合物をレーザ光線の照射に基づいて剥離することによりサファイア基板から分離し、露出したn-GaN層13に熱融着されている。図1bは、ガラス部材を用いた場合の臨界角の違いを示す図である。サファイア基板である場合、界面1Aに対して臨界角はn=1.7の矢印で示される範囲界面方向に対し45度となり、ガラス部材11の場合より全反射することなく外部放射される光が少なくなる。外部放射されない光は層内閉込光となってGaN系半導体層100内での光吸収や電極部材による光吸収によって光ロスになる。一方、n-GaN層13に表面にガラス部材11を貼り付けた場合、ガラス部材11の界面1Aに対して臨界角はn=2.0の矢印で示される範囲界面方向に対し56度となる。これによって、GaN系半導体層100内での光吸収を減じ、光放射効率の向上を図ることができる。LED素子1の製造工程図2は、図1に示したLED素子の製造工程を示す図である。以下にLED素子1の製造工程について説明する。基板準備工程図2aは、基板準備工程を示す図である。まず、下地基板となるウエハー状のサファイア基板10を準備する。バッファ層形成工程図2bは、サファイア基板へのバッファ層形成工程を示す図である。サファイア基板10の表面にAlNバッファ層12を形成する。半導体層形成工程図2cは、GaN系半導体層の形成工程を示す図である。AlNバッファ層12上にn-GaN層13と、発光層14と、p-GaN層15とを順次設けた後、p-GaN層15からn-GaN層13にかけてをエッチングにより除去することによってn-GaN層13を露出させる。リフトオフ工程図2dは、サファイア基板とGaN系半導体層とのリフトオフ工程を示す図である。図2cに示すGaN系半導体層100を積層されたサファイア基板10に対し、サファイア基板10側からレーザ光線をウエハー全面に照射する。ここで照射されるレーザ光線は、サファイア基板を透過し、GaN系半導体層100を透過しない波長のものが使用される。このようなレーザ光線の照射に基づいてサファイア基板10とn-GaN層13の界面が局所的に加熱され、その結果、n-GaN層13から形成基板であるサファイア基板10が剥離する。ここでn-GaN層13側に残留したAlNバッファ層12は酸洗浄に基づいて除去される。ガラス準備工程図2eは、サファイア基板が剥離されたGaN系半導体層に熱融着されるガラス部材を準備するガラス準備工程を示す図である。図2eでサファイア基板10をリフトオフされたGaN系半導体層100に対し、n-GaN層13側にn=2.0のガラス部材11を配置する。ガラス圧着工程図2fは、n-GaN層13にガラス部材を熱融着するガラス圧着工程を示す図である。ガラス部材11は、n-GaN層13にホットプレスされることにより熱融着される。電極形成工程図2gは、電極を形成する電極形成工程を示す図である。エッチングにより露出させたn-GaN層13に第1の電極としてn-電極16を形成し、p-GaN層15上に第2の電極としてp-電極18を形成する。電極形成後、ダイサーで個々のLED素子1に切断し、電極を除く表面に図示しない絶縁膜が形成される。なお、LED素子1の切断は、ダイサーによるカット以外の他の方法、例えば、スクライブによって行うこともできる。このようにして形成されたLED素子1を用いて、LEDランプを形成するには、まず、配線パターンを設けられたセラミックス基板にLED素子1をAuバンプを介して実装する。次に、封止樹脂でLED素子1を一体的に封止してパッケージ化する。LED素子1の動作上記したLEDランプの配線パターンを図示しない電源部に接続して通電すると、配線パターンを介してn-電極16及びp-電極18に順方向の電圧が印加され、発光層14においてホール及びエレクトロンのキャリア再結合が生じて発光する。この発光に基づいて生じた青色光のうち、発光層14からガラス部材11側に放射される青色光は、ガラス部材11を介して封止樹脂に入射し、封止樹脂から外部放射される。また、発光層14からp-GaN層15側に放射された青色光は、p-電極18で反射されてガラス部材11の方向に導かれる。ここで、ガラス部材11の臨界角の範囲にある光はガラス部材11を透過してLED素子1の外部に放射される。尚、ガラス部材11に至った光は高い効率で外部に放射される。すなわち、図1においては、説明のためガラス部材11と各GaN層との厚さを同等として描いてあるが、実際にはガラス部材11が100ミクロン程度であるのに対し、GaN層13発光層14p-GaN層15は数ミクロンの厚さであり、GaNに閉じ込められる光は層内吸収と電極部材吸収によって著しく減衰する。一方、ガラス部材に至った光は、ガラス部材11での吸収は無視できるものであり、封止樹脂n=1.5とガラス部材11との臨界角は約50度のため、上面で外部放射されない光は側面から外部放射される。他の界面反射の場合も同様、2度の界面反射内で外部放射される。そして、ガラス部材11は十分な厚さがあるので、このような2度の界面反射の確率は高い。図1のLED素子の効果図1のLED素子によると、以下の効果が得られる。1LED素子1のn-GaN層13からサファイア基板をリフトオフし、サファイア基板よりも高い屈折率を有するガラス部材11をn-GaN層13に接合したので、GaN層内に閉じ込められる層内閉込光を低減して外部放射される青色光を増やすことができ、その結果、光取り出し性を向上させることができる。サファイア基板10を用いた場合、n-GaN層13との屈折率比に基づく臨界角θcは、1.7サファイア/2.4GaN:θc=45度となるが、上記した屈折率n=2.0のガラス部材11を用いた場合には、θcが56度になるため、開口角の立体角は52増となり、ガラス部材11へ透過しうる青色光が50余り増す。このため、光吸収係数の大なる層に青色光を留めることなく外部放射を促進させることができる。2n-GaN層13からサファイア基板10をレーザ光線でリフトオフして、透過性材料であるガラス部材11を一体化するようにしたので、発光波長や、所望の光取り出し性に応じたLED素子1を容易に形成することができる。3透過性材料として熱変形自在なガラス材料をホットプレスにより熱融着しているので、n-GaN層13との接着性に優れるとともに接合作業を容易に行うことができる。また、熱膨張率が同等となるようにしてあるので、熱融着後、クラックや大きな反りが生じることを防ぐことができる。LED素子1の構成図3は、本発明と関連する他の製造方法によって製造されたLED素子の縦断面図である。このフリップチップ型のLED素子1は、図1aの形態で説明したガラス部材11に代えて蛍光体を含有した蛍光体含有ガラス部材11Bを設けた構成において図1aの形態と相違している。蛍光体含有ガラス部材11Bは、蛍光体として、例えば、青色光によって励起されて黄色光を放射するYAG:Ceの蛍光体粒子を用いることができる。また、他の蛍光体として蛍光錯体を用いることができる。図3のLED素子の効果図3のLED素子によると、高屈折率のガラス部材に蛍光体を含有した蛍光体含有ガラス部材11Bを用いることにより、高屈折率材料外に蛍光体を備えるものと比べ、蛍光体へ至る光量を増すことができ、波長変換できる光量を増すことができる。また、蛍光体による波長変換光黄色光は、GaN層内吸収、電極吸収とも青色光と比較し大幅に小さい。このため、光取り出し性に優れ、かつ、蛍光体の良好な励起に基づく色むらのない白色光を放射する波長変換型のLED素子1が得られる。LED素子1の構成図4は、本発明と関連する他の製造方法によって製造されたLED素子の縦断面図である。このフリップチップ型のLED素子1は、図1aの形態で説明したn-GaN層13に平坦なガラス部材11を熱融着し、その光取り出し面に微細な凹凸形状部11Cを設けている構成において図1aの形態と相違している。凹凸形状部11Cは、ガラス部材11をn-GaN層13にホットプレスする金型に設けられた凹凸によって転写される。なお、凹凸形状は転写以外の方法で形成することも可能であり、予め凹凸形状を形成されたガラス部材11をホットプレスによりn-GaN層13に一体化するようにしても良い。図4のLED素子の効果図4のLED素子によると、n-GaN層13に接合されるガラス部材11に光取り出し面に微細な凹凸形状部11Cを設けたので、表面積を増すこと等によって、ガラス部材11の光取り出し面における青色光の光取り出し性を、向上させることができる。LED素子1の構成図5aからcは、本発明と関連する他の製造方法によって製造されたLED素子を示す図であり、aは縦断面図、bはaの外形および切断部を示す平面図、cはカット部に入射する光を示す図である。このフリップチップ型のLED素子1は、図1aの形態で説明したLED素子1のガラス部材11の角部を45度にカットしたカット部110を設けて青色光の光取り出し性を高めている構成において図1aの形態と相違している。カット部110は、LED素子1の切り出し後にガラス部材11の角部をカットして形成されている。また、LED素子1の切り出し時にダイサー等の切削に基づいてV字状の切り込みを形成し、この切り込みの底部を中心に分断することによって傾斜面を形成するようにしても良い。コーナーカット部形状は、平面による45度カットに限らず、45度以外のカット、あるいは凸面によるカット形状でもよい。図5bは、LED素子1の平面図である。LED素子1は、p-電極18の設けられる領域の発光層14において発光し、ガラス部材11を介して青色光を外部放射する。図5cは、発光層で生じた青色光LBのガラス部材11における透過を示す図である。発光層14で生じた青色光LBのうち、上面方向に放射された青色光LBだけでなく45度方向に放射された光についてもカット部110において垂直入射に近づくこととなることにより、界面反射による光ロスの発生を防げる。図5のaからcのLED素子の効果図5のaからcのLED素子によると、ガラス部材11の角部を45度にカットしたカット部110を設けたことにより、ガラス部材11に入射した青色光を外部により効率良く取り出すことができ、光放射効率を向上させることができる。また、LED素子1を硬質部材で封止する際などエッジが鋭角でないため、クラックが発生しにくいといった利点もある。LED素子1の構成図6は、本発明と関連する他の製造方法によって製造されたLED素子の縦断面図である。このフリップチップ型のLED素子1は、図5aの形態で説明したLED素子1のp-電極18を素子中央部に配置し、曲面で形成される光学形状を有したガラス部材11の上面に青色光が垂直入射するようにした構成において図5aの形態と相違している。図6のLED素子の効果図6のLED素子によると、図5aの形態の好ましい効果に加えて、発光層14から放射される青色光の配光をp-電極18の配置とガラス部材11の形状に基づいて設定することにより、制御することができる。但し、屈折によるレンズ効果を得るためには、LED素子の封止材料の屈折率に対し有意な差のあるガラス部材11の屈折率とする必要がある。このためにも、n=1.7以上の屈折率が望ましい。なお、図6のLED素子では、n-GaN層13に光学形状を有したガラスを設けた構成を説明したが、例えばTiO2、SiC、あるいはGaNといった発光層14と同等の屈折率を有する基板を貼り付けたものであっても良い。これにより、GaN層方向伝搬光を発光層14等の吸収率の高い層の影響を受けることなく側面に至らしめることができ、高い外部放射効率を得ることができる。特に、LED素子サイズの1/5以上の基板厚があれば、LED素子1の中心軸に対し、90°付近の角度をなすGaN層方向伝搬光を外部放射するにあたり、十分有意なものとすることができる。また、LED素子1はフリップチップ型であるため、サファイア基板をリフトオフした面は電気的な制約や、エピタキシャル成長のための格子定数の整合性といった制約なく光取り出し効率を向上させるための基板を選択することが可能になる。LED素子1の構成図7は、本発明の実施の形態の製造方法によって製造されたLED素子の縦断面図である。このフリップチップ型のLED素子1は、図1aの形態で説明したガラス部材11とn-GaN層13との界面に微細な凹凸部1Bを設けた構成において図1aのLED素子と相違している。凹凸部1Bは、サファイア基板をリフトオフしたn-GaN層13を粗面化加工して形成されており、凹凸部1B上にガラス部材11をホットプレスすることによってガラス部材11を一体化している。図7のLED素子の効果図7のLED素子によると、ガラス部材11をホットプレスにより粘度を下げ加圧することで、界面に微細な凹凸部を設けたエピ成長させた半導体層であるGaN層形状に対応させることができる。そして、図1aの実施形態では図1bのように界面方向に対し、56度以上の角度方向で界面に入射する光は、全反射が生じガラス部材11へは入射されないが、ガラス部材11とn-GaN層13との界面に凹凸部1Bを設けることによって、n-GaN層13における層内閉込光をGaN層面方向に対し56度以上の光も界面へ臨界角以内で入射させることができ、ガラス部材11へ至る光量が増す。これによって外部放射効率を向上させることができる。LED素子1の構成図8aからcは、本発明の他の実施の形態の製造方法によって製造されたLED素子を示す図である。このフリップチップ型のLED素子1は、図1aの形態で説明したガラス部材11とn-GaN層13との界面に凹部13Aを設けた構成において図1aの形態と相違している。n-GaN層13に形成される凹部13Aは略柱状形状であり、凹部13Aの傾斜面は図の中心軸Aに対し略平行な角度で形成されている。図8aからcのLED素子の効果図8aからcのLED素子によると、ガラス部材11とn-GaN層13との界面に略柱状形状の凹部13Aを設けることによって、n-GaN層13における層内閉込光のガラス部材11への取り出し性がより向上し、青色光の外部放射効率を高めることができる。すなわち、n-GaN層13とガラス部材11との界面を平坦面から特に配慮なくランダムな粗面とした場合、平坦面であればn-GaN層13からガラス部材11へ入射することができる方向で界面に達した光の一部は、界面の角度が変っているため、ガラス部材11へ入射することができなくなる。しかし、図1aに示すLED素子1のn-GaN層13からガラス部材11へ放射される光は、図8cのa、b、cのように同等効率で放射される。さらに図1aに示すようにガラス部材11との界面が平坦である場合、ガラス部材11とn-GaN層13との屈折率差による全反射によってガラス部材11へ放射されなかった光も、dのように放射される。尚、cのようにガラス部材11へ放射される光は、図8cのような2次元では45度あるいは50度以上の臨界角となるものとすれば有効なガラス部材11への光放射となる。臨界角が45度以上であれば、2度の界面入射内でガラス部材11への光放射ができ、更に50度以上であれば、フレネル反射が大きくない角度とできるので、さらなる効率を得ることができる。3次元では柱形状によるが、図8のような直方形状であれば、55度あるいは60度以上の臨界角となるものとすれば、3度の界面入射内でガラス部材11への光放射ができる。高屈折率のガラス部材11を用いることで、これを満たしたもの、あるいはこれに近づけるものとできる。なお、凹部13Aは、GaN側に側面まで連続した溝を形成したものとして説明したが、GaN側にドット状の溝を形成したものとしてもよい。但し残留気泡なしにGaN層13とガラス部材11とを良好に接着するためには、連続した溝形成を行う方が好ましい。また、図5のように、ガラス部材11のコーナーカットを施してもよく、あるいは蛍光体含有ガラスを用いたものとしてもよい。LED素子1の構成図9は、本発明と関連する製造方法によって製造されたLED素子の縦断面図である。以下の説明において、図1aの形態と同一の構成および機能を有する部分については共通の引用数字を付している。このLED素子1は、第1の実施の形態で説明したガラス部材11に代えて、屈折率n=2.0の乳白色ガラス部材11Aを設けた構成およびフェイスアップ型のLED素子であることにおいて図1aの形態と相違している。図9のLED素子の効果図9のLED素子によると、n-GaN層13内を伝搬する層内閉込光が乳白色ガラス部材11Aで拡散されるので、光取り出し性が向上する。また、LED素子1を実装する部材の光吸収影響を受けないという効果もある。Agペーストや有機接着剤等ではLED素子1の発する光や熱によって劣化し、光吸収度合いが大になるといった問題があるが、これを回避することができる。このようにフリップタイプに限らずフェイスアップタイプとして用いてもよい。なお、以上のそれぞれのLED素子では、GaNからなる半導体層を有するLED素子として説明したが、GaAs、AlInGaP等他の材料を用いたものとしてもよい。また、サファイア基板10をリフトオフしたものとして説明したが、半導体層と基板とが同等の屈折率であれば、基板を除去しなくても良い。また、Bi2O3系材料、屈折率2.0のガラス部材として説明したが、Bi2O3系に限らずSiO2-Nb2O5系、SiO2-B2O3など他の材料であってもよい。また、LED素子封止材料あるいは、半導体成長基板より高い屈折率であれば、光取出効率向上効果を得ることができる。例えば、一般に屈折率n=1.5のエポキシ樹脂がLED素子封止材料として一般に用いられているが、GaAsやAlInGaPに屈折率n=1.6以上のガラス部材11を貼り付ければ効果を得ることができる。サファイア基板屈折率n=1.710に成長させたGaNの場合、基板以上の屈折率材料を半導体層へ接着することで効果を得ることができる。基板自体の光透過率が高い場合は、基板以上の屈折率材料とする必要がある。もちろん、GaAsやAlInGaPでも、屈折率n=1.7以上のガラス部材11の方が大きな効果を得ることができる。また、光取出し側に設ける高屈折率材料層は、上記したガラス以外の他の材料からなるものであっても良く、例えば、樹脂からなる高屈折率材料層であっても良い。また、GaN系半導体層100からの光取出し性を高める他の無機材料で構成することも可能である。図10は、本発明と関連する製造方法によって製造されたLED素子を示す断面図である。このフリップチップ型のLED素子1は、図1のLED素子で説明したように、サファイア基板をリフトオフすることにより露出させたn-GaN層13の表面に無機材料からなる薄膜状の高屈折率材料層19を設けた構成を有している。高屈折率材料層19は、電子ビーム蒸着法により原材料である酸化タンタルTa2O5を加熱蒸気化させてn-GaN層13の表面に膜厚1μmとなるように形成される。Ta2O5は、屈折率n=2.2であり、n-GaN層13との屈折率比に基づく臨界角θcは66°となる。また、高屈折率材料層19の光取出し側となる面には、電子ビーム蒸着法に基づく粗面部19Aが形成される。図10のLED素子の効果図10のLED素子によると、n-GaN層13の表面にn=2.2のTa2O5からなる高屈折率材料層19を設けたことにより、立体角の拡大を図ることができる。また、Ta2O5成膜時においてn-GaN層13の表面にTa2O5が再結晶化する際に粗面部19Aが形成されるので、LED素子1と外部との界面におけるランダムな入射角度を付与することができ、光取出し効率が向上する。なお、上記した高屈折率材料層19は、Ta2O5以外の他の材料で形成しても良く、例えば、ZnSn=2.4、SiCn=2.4、HfO2n=2.0、ITOn=2.0、あるいはGaNであっても良い。これら成膜材料は導電性材料でなくても良く、付着力に優れ、光学特性に優れるものであれば良い。図11は、本発明と関連する製造方法によって製造されたLED素子を示す断面図である。このフリップチップ型のLED素子1は、図10の形態で説明したLED素子1の高屈折率材料層19の表面にn=1.75のガラス部材11を接合した構成を有している。図11のLED素子の効果図11のLED素子によると、n-GaN層13から高屈折率材料層19へ入射した光がガラス部材11との界面で光拡散し、より外部放射性が高められる。これは、Ta2O5からなる高屈折率材料層19の粗面部19Aに加えて、Ta2O5から放射される際の臨界角θcがガラス部材11を介することで大になり、n-GaN層13から高屈折率材料層19への出射効率を高めることができることによる。図12は、本発明と関連する他の製造方法によって製造されたLED素子を示す断面図である。このフリップチップ型のLED素子1は、図10の形態で説明したLED素子1のp-電極18に代えて、熱膨張率が7.7×10-6/°CのITOコンタクト電極20と、Al層21AとAu層21Bからなるボンディングパッド21を設けた構成を有している。図12のLED素子の効果図12のLED素子によると、図10の形態の好ましい効果に加えてGaN系半導体層100と略同等の熱膨張率を有するITOコンタクト電極20を設けたので、p側電極の付着性が向上し、LED素子1の封止加工に伴う熱や、発光に伴って生じる発熱によってp側電極の剥離を生じない信頼性の高いLED素子1が得られる。また、ITOの電流拡散性に基づいて発光むらを小にすることができる。図13aおよびbは、本発明の他の実施の形態の製造方法によって製造されたLED素子を示し、aはLED素子の平面図、bはaのA-A部における断面図である。このフリップチップ型のLED素子1は、図12の形態で説明したLED素子1のn-GaN層13に対して、図13aに示すように所定の幅および深さを有した溝状の凹部13Aを格子状に設け、その表面に図13bに示すように高屈折率材料層19を設けた構成を有する。図13a及びbのLED素子の効果図13a及びbのLED素子によると、図12の形態の好ましい効果に加えて、溝状の凹部13Aを格子状に設けることで、光取出し面が拡大され、かつ平面と垂直面からなる光取出し面となることで、光取出し性が高められる。さらにn-GaN層13の表面に粗面部19Aを有する高屈折率材料層19が設けられているので、n-GaN層13閉込伝搬光は側面に至る前に溝状の凹部13Aから外部放射でき、その際の臨界角は高屈折率材料層19によって広げられる。このため、外部放射性に優れるLED素子1が得られる。図14は、本発明の他の実施の形態の製造方法によって製造されたLED素子を示す断面図である。このフリップチップ型のLED素子1は、図13aの形態で説明したLED素子1の高屈折率材料層19表面にn=1.75のガラス部材11を貼り付けた構成を有する。図14のLED素子の効果図14のLED素子によると、図13aの形態の好ましい効果に加えて、n-GaN層13から高屈折率材料層19へ入射した光がガラス部材11との界面でランダムな入射角度で入射するが、その際の臨界角を大にできるため、より外部放射性を高めることができる。図15は、本発明の他の実施の形態の製造方法によって製造されたLED素子を示す断面図である。このフリップチップ型のLED素子1は、図14の形態で説明したLED素子1のガラス部材11端部に45°の傾斜を有するカット部110を設けた構成を有する。図15のLED素子の効果図15のLED素子によると、図14の形態の好ましい効果に加えて、ガラス部材11を横伝搬する光がカット部110から外部放射されるようになり、より光取出し性を向上させることができる。