GaN、InN、AlNまたはこれらのいずれか2つ以上の混晶を用いた赤色発光半導体素子の製造方法であって、GaN、InN、AlNまたはこれらのいずれか2つ以上の混晶を母体材料として、有機金属気相エピタキシャル法を用いて、900~1100°Cの温度条件の下で、EuまたはPrを、Ga、InあるいはAlと置換するように添加した活性層を、p型層とn型層の間に、p型層とn型層の形成と一連の形成工程において形成するに際して、EuまたはPrと共に、MgまたはAlを添加することを特徴とする赤色発光半導体素子の製造方法。前記母体材料に添加される元素が、Euであることを特徴とする請求項1に記載の赤色発光半導体素子の製造方法。Euが、Eu{N[SiCH33]2}3またはEuC11H19O23により供給されることを特徴とする請求項2に記載の赤色発光半導体素子の製造方法。GaN、InN、AlNまたはこれらのいずれか2つ以上の混晶を母体材料に用いた赤色発光半導体素子であって、基板上に、p型層とn型層に挟まれた活性層を有しており、前記活性層は、GaN、InN、AlNまたはこれらのいずれか2つ以上の混晶に、EuまたはPrが、Ga、InあるいはAlと置換するように添加して形成され、さらに、EuまたはPrと共に、MgまたはAlが添加された活性層であることを特徴とする赤色発光半導体素子。前記活性層において、Mgの添加量が、1×1018~1×1020cm-3であることを特徴とする請求項4に記載の赤色発光半導体素子。前記活性層において、Alの添加量が、0原子を超え40原子を超えないことを特徴とする請求項4に記載の赤色発光半導体素子。光出力が、100μW以上であることを特徴とする請求項4ないし請求項6のいずれか1項に記載の赤色発光半導体素子。GaN、InN、AlNまたはこれらのいずれか2つ以上の混晶を用いた赤色発光半導体素子であって、基板上に、p型層とn型層に挟まれた活性層を有しており、前記活性層は、GaN、InN、AlNまたはこれらのいずれか2つ以上の混晶に、EuまたはPrが、Ga、InあるいはAlと置換するように添加して形成され、さらに、EuまたはPrと共に、Mgが1×1018~1×1020cm-3添加された活性層であり、光出力が100μW以上であることを特徴とする赤色発光半導体素子。GaN、InN、AlNまたはこれらのいずれか2つ以上の混晶を用いた赤色発光半導体素子であって、基板上に、p型層とn型層に挟まれた活性層を有しており、前記活性層は、GaN、InN、AlNまたはこれらのいずれか2つ以上の混晶に、EuまたはPrが、Ga、InあるいはAlと置換するように添加して形成され、さらに、EuまたはPrと共に、Alが0原子を超え40原子を超えない量添加された活性層であり、光出力が100μW以上であることを特徴とする赤色発光半導体素子。そこで、本発明は、上記した従来技術における問題点に鑑み、EuイオンやPrイオンの発光遷移効率を増大させ、優れた発光強度の赤色発光半導体素子とその製造方法を提供することを課題とする。本発明者は、鋭意検討の結果、以下の各請求項に示す発明により、上記の課題が解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。請求項1に記載の発明は、GaN、InN、AlNまたはこれらのいずれか2つ以上の混晶を用いた赤色発光半導体素子の製造方法であって、GaN、InN、AlNまたはこれらのいずれか2つ以上の混晶を母体材料として、有機金属気相エピタキシャル法を用いて、900~1100°Cの温度条件の下で、EuまたはPrを、Ga、InあるいはAlと置換するように添加した活性層を、p型層とn型層の間に、p型層とn型層の形成と一連の形成工程において形成するに際して、EuまたはPrと共に、MgまたはAlを添加することを特徴とする赤色発光半導体素子の製造方法である。本発明者は、上記課題の解決について、種々の実験、検討を行った。その結果、有機金属気相エピタキシャル法OMVPE法を用いてEu添加GaN層活性層を作製する際に、MgやAlを不純物として添加した場合、これらの元素がEuの周囲に選択的に配置されて、Euイオンの周辺局所構造を劇的に変化させ、Euイオンの対称性を大きく低下させることが分かった。これは、通常、GaNに0.1原子程度添加されたEuに、不純物元素を0.1原子程度添加したとしても、上記のように、Euの周囲に選択的に配置されて、Euと隣り合う確率は非常に低いと従来考えられていたため、極めて考え難かった現象であり、本発明者は、実験と検討の繰り返しにより、上記のような現象を発見し、本発明を完成するに至ったものである。そして、所定の成長温度の下、活性層のEuは、Gaと置換する形で配置されて、Euイオンの置換サイトがGaサイトおよびその極近傍となるように制御されるため、そのフォトルミネセンススペクトルPhotoluminescenceSpectrum:PLスペクトルにおいて、Euイオンに起因する621nm付近のピークが支配的となり、充分に発光して高い光出力を得ることができる。なお、621nm付近のピークが支配的とは、621nmを中心とした618~623nmの範囲の波長での発光がEuイオンに起因する発光であるため、621nm付近のピークをできるだけ大きくすることを意味している。そして、本請求項の発明においては、活性層の形成に用いるOMVPE法における温度条件が重要である。即ち、温度が低すぎると異なる結晶場を有するEuイオンが増加して621nmにおけるピークが減少する一方、温度が高すぎるとEuイオンが表面から脱離してEu添加が困難となる。好ましい温度条件は900~1100°Cであり、950~1050°Cであるとより好ましい。また、p型層と活性層とn型層の形成を一連の形成工程、即ち途中で反応容器から取り出すことなく、反応容器内において順次p型層、活性層、n型層p型層、n型層の順番の前後は問わないを形成することにより、各層間に界面準位が存在せず、キャリアを効率的に注入できる。これらのため、数V程度の低電圧動作が可能となる。なお、前記の観点から、n型層、p型層もOMVPE法により形成することが好ましいが、他の成長法を排除するものではない。以上においては、母材としてGaN、添加元素としてEuを挙げて本発明を説明してきたが、母材としてはGaNに限定されず、InN、AlNまたはこれらの混晶InGaN、AlGaN等を母材としても上記の効果と同様の効果を得ることができる。また、添加元素もEuに限定されず、Prを添加元素としても上記の効果と同様の効果を得ることができる。なお、添加元素をEuまたはPrとしているのは、これらの元素は外殻電子が内殻電子により遮蔽されており、内殻遷移に伴う発光が590nm以上の波長であり、これがNTSC色域、HDTV色域に限定されず、赤みが感じられる光であるからである。そして、本請求項の発明により、前記したような大きな経済的効果を提供することができる。即ち、Eu添加GaNを用いた高い光出力のデバイス特性に優れた赤色発光ダイオードの実現により、赤緑青の光の三原色の発光ダイオードを実用化レベルで集積化することが可能となるため、小型かつ高精細な高出力の発光ダイオードを用いたフルカラーディスプレイを実現することができる。また、現在の白色LEDには含まれていない赤色領域の強度の高い発光を加えることにより、現在赤色LEDとして使用されているAlGaInP系LEDの代替のみならず、周囲の温度によって発光波長が変化しないという希土類元素の特性を生かした高輝度LED照明が可能となる。なお、本請求項の発明を実施するにあたり、Mg供給源としては、Cp2Mgビスシクロペンタジエニルマグネシウム:MgC5H52を挙げることができ、Al供給源としては、TMAトリメチルアルミニウム:CH33Alなどを挙げることができる。請求項2に記載の発明は、前記母体材料に添加される元素が、Euであることを特徴とする請求項1に記載の赤色発光半導体素子の製造方法である。Euは、Prに比べて赤色発光効率が高いため、添加元素としてより好ましい。また、Euはカラーテレビの赤色蛍光体としての実績もあり、Prに比べてEu化合物の入手も容易であるため添加元素として好ましい。請求項3に記載の発明は、Euが、Eu{N[SiCH33]2}3またはEuC11H19O23により供給されることを特徴とする請求項2に記載の赤色発光半導体素子の製造方法である。Eu源としては、例えば、Eu[C5CH35]2、Eu[C5CH34H]2、Eu{N[SiCH33]2}3、EuC5H7O23、EuC11H19O23等を挙げることができるが、これらの内でも、Eu{N[SiCH33]2}3やEuC11H19O23は、反応装置内での蒸気圧が高いため、効率的な添加を行うことができる。請求項4に記載の発明は、GaN、InN、AlNまたはこれらのいずれか2つ以上の混晶を母体材料に用いた赤色発光半導体素子であって、基板上に、p型層とn型層に挟まれた活性層を有しており、前記活性層は、GaN、InN、AlNまたはこれらのいずれか2つ以上の混晶に、EuまたはPrが、Ga、InあるいはAlと置換するように添加して形成され、さらに、EuまたはPrと共に、MgまたはAlが添加された活性層であることを特徴とする赤色発光半導体素子である。前記の通り、MgやAlは、発光遷移効率をより向上させることができるため、これらの元素が共添加されている赤色発光半導体素子は、Euイオンの周辺局所構造が変化して、Euイオンの対称性が大きく低下しているため、高い発光強度の赤色発光半導体素子を提供することができる。なお、活性層が形成される基板としては、通常サファイアが用いられるが、これに限定されるものではなく、例えば、Si、GaN、GaAs等を用いることもできる。請求項5に記載の発明は、前記活性層において、Mgの添加量が、1×1018~1×1020cm-3であることを特徴とする請求項4に記載の赤色発光半導体素子である。Mgの添加量が少なすぎる場合には、Euイオンの対称性を充分に低下させることができないため、発光強度を充分に向上させることが困難となり、高い光出力を得ることができない。一方、添加量が多すぎる場合には、母体材料であるGaNにおける結晶性を劣化させる恐れがある。好ましいMgの添加量は、5×1018~5×1019cm-3である。請求項6に記載の発明は、前記活性層において、Alの添加量が、0原子を超え40原子を超えないことを特徴とする請求項4に記載の赤色発光半導体素子である。Alが添加されることにより赤色発光半導体素子の発光強度は増大されるが、40原子を超えると、母体の結晶性が低下して、却って発光強度が低下する恐れがある。好ましいAlの添加量は、15~35原子である。請求項7に記載の発明は、光出力が、100μW以上であることを特徴とする請求項4ないし請求項6のいずれか1項に記載の赤色発光半導体素子である。不純物共添加元素が添加された赤色発光半導体素子は、Euイオンの周辺局所構造が劇的に変化して、Euイオンの対称性が大きく低下するため、発光強度が大きく向上し、従来にない100μW以上の高い光出力の赤色発光半導体素子を提供することができる。請求項8に記載の発明は、GaN、InN、AlNまたはこれらのいずれか2つ以上の混晶を用いた赤色発光半導体素子であって、基板上に、p型層とn型層に挟まれた活性層を有しており、前記活性層は、GaN、InN、AlNまたはこれらのいずれか2つ以上の混晶に、EuまたはPrが、Ga、InあるいはAlと置換するように添加して形成され、さらに、EuまたはPrと共に、Mgが1×1018~1×1020cm-3添加された活性層であり、光出力が100μW以上であることを特徴とする赤色発光半導体素子である。上記のような赤色発光半導体素子は、Mgが不純物共添加元素として適切な量添加されているため、前記したように発光強度が大きく向上し、100μW以上の高い光出力の赤色発光半導体素子を提供することができる。請求項9に記載の発明は、GaN、InN、AlNまたはこれらのいずれか2つ以上の混晶を用いた赤色発光半導体素子であって、基板上に、p型層とn型層に挟まれた活性層を有しており、前記活性層は、GaN、InN、AlNまたはこれらのいずれか2つ以上の混晶に、EuまたはPrが、Ga、InあるいはAlと置換するように添加して形成され、さらに、EuまたはPrと共に、Alが0原子を超え40原子を超えない量添加された活性層であり、光出力が100μW以上であることを特徴とする赤色発光半導体素子である。上記のような赤色発光半導体素子は、Mg共添加の場合と同様、Alが不純物共添加元素として適切な量添加されているため、前記したように発光強度が大きく向上し、100μW以上の高い光出力の赤色発光半導体素子を提供することができる。本発明によれば、EuイオンやPrイオンの発光遷移効率を増大させ、優れた発光強度の赤色発光半導体素子とその製造方法を提供することができる。以下、本発明を実施の形態に基づいて説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。本発明と同一および均等の範囲内において、以下の実施の形態に対して種々の変更を加えることが可能である。赤色発光半導体素子の構造図1に本実施の形態における赤色発光半導体素子の基本的な構造を示す。図1において、10はGaN母材にEuおよび不純物共添加元素が添加されたEu、不純物共添加GaN層、20はアンドープGaN層、30はGaNバッファ層、40はサファイア基板である。実験例1本実験例においては、不純物共添加元素としてMgが共添加されたEu、Mg共添加GaN層が活性層として形成された赤色発光半導体素子を作製し、その発光強度を測定した。1.赤色発光半導体素子の作製最初に、有機金属気層成長法OMVPE法を用いて、サファイア基板40上にGaNバッファ層厚さ30nm30を成長させた。次に、GaNバッファ層30の上に、同様に、OMVPE法を用いて、アンドープGaN層厚さ3.4μm20を成長させた。次に、アンドープGaN層20の上に、活性層となるEu、Mg共添加GaN層厚さ300nm10を積層した。Ga原料、及びN原料としては、それぞれトリメチルガリウム、アンモニアを用い、Eu有機原料としてはEuDPM3、即ち、EuC11H19O23を用いた。また、Mg有機原料としては、Cp2Mgを用いた。Eu、Mg共添加GaN層10の形成は、温度1030°C、圧力100kPaの成長条件下、キャリアガス流量40SLM、成長速度0.8μm/hとなるように制御した。なお、キャリアガスとして水素を用いた。なお、OMVPE装置の配管バルブ等を通常仕様のもの耐熱温度80~100°Cから高温特殊仕様のものに変更することにより、シリンダー温度を135°Cに保つことを可能にさせて、十分な量のEuを反応管に供給することが可能となるようにした。そして、各層の形成は、途中で試料を反応管より取り出すことなく、成長の中断がないように一連の工程で行った。作製された活性層におけるEu濃度およびMg濃度を、二次イオン質量分析SIMSにより測定したところ、Eu濃度は3×1019cm-3であり、Mg濃度は5×1019cm-3であった。2.比較試験体の作製別途、比較のために、上記と同じ条件で、活性層としてEuしか添加されていないEu添加GaN層を有する赤色発光半導体素子を作製した。3.発光特性次に、得られた各赤色発光半導体素子について、ヘリウムカドミウムレーザーを用いて、各活性層からのフォトルミネッセンススペクトルPLスペクトルを測定した室温。図2に結果を示す。なお、図2において、縦軸はPL強度任意単位、a.u.であり、横軸は波長nmである。また、実線はMg共添加された活性層からのPLスペクトルであり、破線はEuのみが添加された活性層からのPLスペクトルである。図2に示すように、不純物元素としてMgをEuに共添加することによって、619nm付近に新規発光ピークが発生していることが分かる。これは、従来のEuしか添加されていないEu添加GaN層のピークがシフトしたものではなく、EuとMgの複合体により新たに発生したピークである。そして、その発光強度が室温において従来のピークより5倍強く、Mgを共添加してEuイオンの局所構造の対称性を低下させることにより、発光強度が増大することを示している。実験例2本実験例においては、不純物共添加元素としてAlが共添加されたEu、Al共添加GaN層が活性層として形成された赤色発光半導体素子を作製し、その発光強度を測定した。1.赤色発光半導体素子の作製実験例1と同様にして、サファイア基板40上にGaNバッファ層厚さ30nm30、およびアンドープGaN層厚さ3.4μm20を成長させた。次に、アンドープGaN層20の上に、活性層となるEu、Al共添加GaN層厚さ300nm10を積層した。なお、このとき、Al濃度が、8原子、16原子、24原子、35原子、40原子となるように制御、即ち、形成される活性層がそれぞれ、Al0.08Ga0.92N、Al0.16Ga0.84N、Al0.24Ga0.76N、Al0.35Ga0.65N、Al0.40Ga0.60Nとなるように制御して、5種類の赤色発光半導体素子を作製した。Ga原料、及びN原料としては、それぞれトリメチルガリウム、アンモニアを用い、Eu有機原料としてはEuDPM3を用いた。また、Al有機原料としては、トリメチルアルミニウムを用いた。成長温度は1030°Cとした。また、成長圧力については、実験例1の場合と同様に100kPaとした場合にはEu有機原料とAl有機原料との間に気相反応が生じてEuがAlGaN相に取り込まれなくなるため、減圧させて20kPaとした。そして、キャリアガス流量は40SLM、成長速度は0.8μm/hとなるように制御した。なお、キャリアガスとして水素を用いた。なお、OMVPE装置の配管バルブ等を通常仕様のもの耐熱温度80~100°Cから高温特殊仕様のものに変更することにより、シリンダー温度を135°Cに保つことを可能にさせて、十分な量のEuを反応管に供給することが可能となるようにした。そして、各層の形成は、途中で試料を反応管より取り出すことなく、成長の中断がないように一連の工程で行った。作製された活性層におけるEu濃度を、二次イオン質量分析SIMSにより測定したところ、いずれの試験体も3×1019cm-3であった。2.比較試験体の作製別途、比較のために、成長圧力を100kPaとした他は上記と同じ条件で、活性層としてEuしか添加されていないEu添加GaN層を有する赤色発光半導体素子を作製した。3.発光特性次に、得られた各赤色発光半導体素子について、実験例1と同様に、PLスペクトルを測定した室温。図3に結果を示す。なお、図3において、縦軸はPL強度任意単位、a.u.であり、横軸は波長nmである。なお、図3における×2、×3などの記載は、それぞれのPL強度が縦軸方向に2倍、3倍に拡大されていることを示す。図3より、はじめは、Al組成濃度が高くなるにつれてPL強度が増大し、Al組成24で最大となった後は、Al組成が高くなるにつれてPL強度が減衰していることが分かる。これは、高Al組成になるほど、母体の結晶性が低下することと関係している。また、Al組成が増大するに従って、発光ピークのブロード化、長波長化が観測されることから、Eu発光にはAlが関与していることが分かる。以上より、Eu添加GaN形成製膜時にAlを共添加することによっても、発光強度が増大することが分かった。以上のように、本発明においては、適切な不純物元素を共添加することにより、優れた光出力の赤色発光半導体素子を製造して提供することが可能となる。そして、これにより、前記したような小型かつ高精細な高出力の発光ダイオードを用いたフルカラーディスプレイや、高輝度LED照明の実現が可能となる。