"下記式1で表わされる化合物を含む、ルテニウム膜形成用材料。RuPR13lL1mL2n1上記式1中、R1は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~4の炭化水素基、または炭素数1~4のハロゲン化炭化水素基であり、L1は、水素原子、またはハロゲン原子であり、L2は、少なくとも二つの二重結合を有する炭素数4~10の不飽和炭化水素化合物であり、lは1~5の整数であり、mは0~4の整数であり、nは0~2の整数である。ただし、lm2n=5または6である。化学気相成長法用である、請求項1に記載のルテニウム膜形成用材料。請求項1または2に記載のルテニウム膜形成用材料を用いる、ルテニウム膜形成方法。請求項2に記載のルテニウム膜形成用材料を、基体上に供給するルテニウム膜形成用材料供給工程と、該ルテニウム膜形成用材料を加熱分解して、上記基体上にルテニウム膜を形成させる膜形成工程とを含む、ルテニウム膜形成方法。上記膜形成工程における加熱分解の温度が100°C~800°Cである、請求項4に記載のルテニウム膜形成方法。上記膜形成工程における加熱分解を不活性気体または還元性気体中で行う、請求項4又は5に記載のルテニウム膜形成方法。本発明は上記問題に鑑みなされたもので、その目的は酸素などの酸化剤の非存在下においても容易に分解し、短時間で高純度かつ基板に対する密着性に優れたルテニウム膜を成膜することのできるルテニウム膜形成用材料、及び該材料を用いたルテニウム膜形成方法を提供することにある。上記目的を達成するため、本発明者らは鋭意研究を行い、下記式1で表される化合物を用いることにより上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明は以下の[1]~[6]を提供するものである。[1]下記式1で表わされる化合物を含む、ルテニウム膜形成用材料。RuPR13lL1mL2n1上記式1中、R1は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~4の炭化水素基、または炭素数1~4のハロゲン化炭化水素基であり、L1は、水素原子、またはハロゲン原子であり、L2は、少なくとも二つの二重結合を有する炭素数4~10の不飽和炭化水素化合物であり、lは1~5の整数であり、mは0~4の整数であり、nは0~2の整数である。ただし、lm2n=5または6である。[2]化学気相成長法用である、前記[1]に記載のルテニウム膜形成用材料。[3]前記[1]または[2]に記載のルテニウム膜形成用材料を用いる、ルテニウム膜形成方法。[4]前記[2]に記載のルテニウム膜形成用材料を、基体上に供給するルテニウム膜形成用材料供給工程と、該ルテニウム膜形成用材料を加熱分解して、上記基体上にルテニウム膜を形成させる膜形成工程とを含む、ルテニウム膜形成方法。[5]上記膜形成工程における加熱分解の温度が100°C~800°Cである、前記[4]に記載のルテニウム膜形成方法。[6]上記膜形成工程における加熱分解を不活性気体または還元性気体中で行う、前記[4]又は[5]に記載のルテニウム膜形成方法。本発明のルテニウム膜形成用材料は、酸素などの酸化剤の非存在下においても容易に分解してルテニウム膜を形成することができる。このため、隣接材料の酸化及びそれに伴う性能劣化が生じるおそれが小さい。また、本発明のルテニウム膜形成用材料によれば、残留不純物量が少ない高純度の良質なルテニウム膜を短時間で容易に得ることができる。このルテニウム膜は、バリア膜及びメッキ成長膜としての性能に優れ、また、基板に対する密着性にも優れる。以下、本発明について詳細に説明する。本発明のルテニウム膜形成用材料は、下記式1で表される化合物を含んでなる。RuPR13lL1mL2n1上記式1中、R1は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~4の炭化水素基、または炭素数1~4のハロゲン化炭化水素基であり、ハロゲン原子、炭素数1~4の炭化水素基、または炭素数1~4のハロゲン化炭化水素基であることが好ましく、ハロゲン原子であることがより好ましい。R1においてハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子、塩素原子が好ましく、フッ素原子がより好ましい。また、R1において炭素数1~4の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基を挙げることができ、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、t-ブチル基であることが好ましく、メチル基、エチル基であることがより好ましい。また、R1において炭素数1~4のハロゲン化炭化水素基としては、フッ素化炭化水素基、塩素化炭化水素基、臭素化炭化水素基であることが好ましく、フッ素化炭化水素基であることがより好ましい。具体的にはクロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル基、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、ペルフルオロ-n-プロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロ-n-ブチル基、ペルフルオロイソブチル基、ペルフルオロ-t-ブチル基を挙げることができ、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、ペルフルオロ-n-プロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロ-t-ブチル基であることが好ましく、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基であることがより好ましい。一般式1中、L1は、水素原子、またはハロゲン原子であり、水素原子であることが好ましい。L1がハロゲン原子である場合、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子、塩素原子が好ましく、フッ素原子がより好ましい。また、一般式1中、L2は、少なくとも二つの二重結合を有する炭素数4~10の不飽和炭化水素化合物である。二重結合の数は、化合物の入手が容易である観点から、好ましくは二つである。この場合、不飽和炭化水素化合物は、共役ジエン化合物でもよいし、非共役ジエン化合物でもよい。上記不飽和炭化水素化合物の炭素数は、4~10個、好ましくは5~8個である。具体的には、1,3-ブタジエン、2,3-ジメチル-1,3-ブタジエン、1,3-ペンタジエン、1,5-ヘキサジエン、1,4-ヘキサジエン、1,3-ヘキサジエン、2,4-ヘキサジエン、3-メチル-1,3-ペンタジエン、2-メチル-1,4-ペンタジエン、1,6-ヘプタジエン、1,5-ヘプタジエン、1,4-ヘプタジエン、1,7-オクタジエン、1,6-オクタジエン、1,5-オクタジエン、1,4-オクタジエン等の鎖状ジエン、シクロペンタジエン、1,5-シクロオクタジエン、1,3-シクロオクタジエン、1,4-シクロヘキサジエン、1,3-シクロヘキサジエン、2,5-ノルボルナジエン等の環状ジエンを挙げることができる。また、一般式1中、lは1~5の整数であり、化合物の蒸気圧が高いという観点から、3~5の整数であることが好ましい。また、一般式1中、mは0~4の整数であり、化合物の融点が低いという観点から、0~3の整数であることが好ましく、0~2の整数であることがより好ましい。また、一般式1中、nは0~2の整数であり、良質な純度の高いルテニウム膜を形成する観点から0または1であることが好ましく、0であることがより好ましい。なお、lm2n=5または6である。上記一般式1で表される化合物の合成法は、例えば、三塩化ルテニウムと上記一般式1中のPR13で表わされる化合物とを反応させる工程を含む方法が挙げられる。なお、上記工程において、必要に応じて、水素、フッ素、塩素、臭素およびヨウ素から選ばれる少なくとも一種の化合物、ならびに上記一般式1中のL2で表わされる少なくとも二つの二重結合を有する炭素数4~10の不飽和炭化水素化合物とから選ばれる少なくとも一種の化合物を反応させることもできる。上記反応は、触媒の存在下で行われることが好ましく、触媒としては例えば銅、亜鉛などを挙げることができる。反応温度としては、特に限定されるものではないが、50~400°Cであることが好ましく、100~350°Cであることがより好ましく、120°C~300°Cであることがさらに好ましい。また、反応時の圧力としては特に限定されるものではないが、トリフルオロホスフィン、水素、フッ素、塩素等の標準条件において気体である化合物を反応させる場合には、通常10~1000気圧以下、atmともいう。であり、50~800気圧であることが好ましく、100~600気圧であることがより好ましい。上記一般式1で表される化合物の具体例としては、例えば、l=5、m=0、n=0である化合物として、ペンタキスルテニウム0、ペンタキスルテニウム0、ペンタキスルテニウム0、ペンタキスルテニウム0等のルテニウムの原子価が0のルテニウム化合物;l=3、m=0、n=1である化合物として、トリスルテニウム0、トリスルテニウム0、トリスルテニウム0、トリスルテニウム0、トリスルテニウム0、トリスルテニウム0、トリスルテニウム0、トリスルテニウム0等のルテニウムの原子価が0のルテニウム化合物;l=4、m=2、n=0である化合物として、テトラキスルテニウムジヒドリド、テトラキスルテニウム、テトラキスルテニウム、テトラキスルテニウムジヒドリド、テトラキスルテニウム、テトラキスルテニウム等のルテニウムの原子価が2のルテニウム化合物;l=3、m=3、n=0である化合物として、トリストリフルオロホスフィンルテニウムIIIトリヒドリド、トリフルオロトリストリフルオロホスフィンルテニウムIII等のルテニウムの原子価が3のルテニウム化合物;l=2、m=4、n=0である化合物として、ビストリフルオロホスフィンルテニウムIVテトラヒドリド、テトラフルオロビストリフルオロホスフィンルテニウムIV、テトラクロロビストリフルオロホスフィンルテニウムIV、トリフルオロテトラキストリフルオロホスフィンルテニウムIVヒドリド、ジフルオロテトラキストリフルオロホスフィンルテニウムIVジヒドリド、ジブロモテトラキストリフルオロホスフィンルテニウムIVジヒドリド、フルオロテトラキストリフルオロホスフィンルテニウムIVトリヒドリド、ヨードテトラキストリフルオロホスフィンルテニウムIVトリヒドリド等のルテニウムの原子価が3のルテニウム化合物;などを挙げることができる。これらの化合物は単独でまたは2種以上を混合してルテニウム膜形成用材料として使用することができる。1種類の化合物を単独でルテニウム膜形成用材料として使用することが好ましい。本発明のルテニウム膜形成方法は上記のルテニウム膜形成用材料を使用するものである。本発明のルテニウム膜形成方法は、上記のルテニウム膜形成用材料を使用する他は、それ自体公知の方法を使用できるが、例えば次のような化学的気相成長方法下記の工程1及び工程2を含むものを採用して実施することができる。本発明のルテニウム膜形成用材料を基体例えば、基板上に供給し、次いで、基体上に供給されたルテニウム膜形成用材料を加熱分解させて、基体上にルテニウム膜を形成させる。具体的には、1本発明のルテニウム膜形成用材料を減圧及び加熱下に気化または蒸発させて、その気化物または蒸発物を基体例えば、基板上に堆積させ、次いで、2得られた堆積物を加熱して熱分解させて、基体上にルテニウム膜を形成させる。なお、上記工程1において、本発明のルテニウム膜形成用材料の分解を伴ったとしても、本発明の効果を弱めるものではなく、上記工程1と上記工程2は同時に行われてもよい。ここで使用できる基体の材料としては、例えば、ガラス、シリコン半導体、石英、金属、金属酸化物、合成樹脂等適宜の材料を使用できるが、ルテニウム化合物を熱分解する工程の温度に耐えられる材料であることが好ましい。上記工程1において、ルテニウム化合物を気化または蒸発させる温度は、好ましくは-100~350°C、更に好ましくは-80~200°C、特に好ましくは-60~150°Cである。上記工程1において、ルテニウム化合物を気化または蒸発させる際の減圧条件は、好ましくは1000Pa以下、更に好ましくは100Pa以下、特に好ましくは50Pa以下である。該減圧条件の下限値は、特に限定されないが、減圧装置の性能の観点から、通常、1Paである。上記工程2において、ルテニウム化合物を加熱分解させる温度は、好ましくは100~800°C、より好ましくは100~600°C、さらに好ましくは180~450°C、さらに好ましくは200~420°C、特に好ましくは250~410°Cである。本発明の化学的気相成長方法は、不活性気体の存在下と不存在下のいずれの条件下でも実施することができ、また、還元性気体の存在下と不存在下のいずれの条件下でも実施することができる。ただし、不活性気体と還元性気体のいずれか一方または両方が存在することが好ましい。ここで不活性気体としては、例えば窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス等が挙げられる。また、還元性気体としては、例えば水素ガス、アンモニアガス等を挙げることができる。また本発明の化学的気相成長方法は、酸化性気体の共存下で実施することも可能である。ここで、酸化性気体としては、例えば酸素、一酸化炭素、亜酸化窒素等を挙げることができる。特に、成膜したルテニウム膜中の不純物の量を低減させる目的から、これら還元性気体を共存させることが好ましい。還元性気体を共存させる場合、雰囲気中の還元性気体の割合は、1~100モルであることが好ましく、3~100モルであることがより好ましい。雰囲気中の酸化性気体の割合は、10モル以下であることが好ましく、1モル以下であることがより好ましく、0.1モル以下であることが特に好ましい。本発明の化学的気相成長方法における上記工程2は、加圧下、常圧下および減圧下のいずれの条件でも実施することができる。中でも、常圧下又は減圧下で実施することが好ましく、15,000Pa以下の圧力下で実施することがさらに好ましい。本発明のルテニウム膜形成用材料は、不活性気体の雰囲気下で保存することが好ましい。不活性気体としては、例えば窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス等が挙げられる。上記の如くして得られたルテニウム膜は、純度および電気伝導性が高く、例えば、配線電極のバリア膜、メッキ成長膜、キャパシタ電極等に好適に使用することができる。以下、実施例によって、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。[合成例1]ペンタキスルテニウム0の合成三塩化ルテニウム5.03g、銅10.08gを入れた反応器を真空にして、トリフルオロホスフィンを500atmになるまで導入し、250°Cで15時間加熱した。反応終了後、溶液を室温まで冷却した後に減圧乾燥を行い、トリフルオロホスフィンを除去した。得られた固体を30°C、0.013atm10Torrで昇華精製することでペンタキスルテニウム07.80gを白色固体として得た。収率は60重量であった。[合成例2]ペンタキスルテニウム0の合成三塩化ルテニウム5.03g、銅10.08g、トリエチルホスフィン10mLを入れたアンプルを封管して、220°Cで24時間加熱した。反応終了後、溶液を室温まで冷却した後に窒素雰囲気下で濾過した。濾液を減圧乾燥してトリエチルホスフィンを除去し、ペンタキスルテニウム03.67gを白色固体として得た。収率は22重量であった。[合成例3]トリスルテニウム0の合成三塩化ルテニウム5.03g、銅10.08g、1,5-シクロオクタジエン50mLを入れた反応器を-78°Cに冷却した後に真空にして、トリフルオロホスフィンを400atmになるまで導入し、180°Cで72時間加熱した。反応終了後、溶液を室温まで冷却した後に窒素雰囲気下で濾過した。濾液を減圧乾燥した後に、窒素雰囲気下でアルミナカラムクロマトグラフィー展開溶媒:ジエチルエーテルを行い、得られた溶液を濃縮し、トリスルテニウム01.71gを淡黄色液体として得た。収率は15重量であった。[合成例4]トリスルテニウム0の合成三塩化ルテニウム5.03g、銅10.08g、1,5-シクロオクタジエン20mL、トリメチルホスフィン10mLを入れたアンプルを封管して、160°Cで90時間加熱した。反応終了後、溶液を室温まで冷却した後に窒素雰囲気下で濾過した。濾液を減圧乾燥した後に、窒素雰囲気下でアルミナカラムクロマトグラフィーを行い、得られた溶液を濃縮し、トリスルテニウム00.63gを淡黄色液体として得た。収率は6重量であった。[合成例5]テトラキスルテニウムIIジヒドリドの合成三塩化ルテニウム5.03g、銅10.08gを入れた反応器を真空にして、トリフルオロホスフィンを300atm、水素を100atm導入し、270°Cで15時間加熱した。反応終了後、溶液を室温まで冷却した後に減圧乾燥を行い、トリフルオロホスフィンと水素を除去した。得られた液体を窒素雰囲気下で濾過し、室温下0.013atm10Torrで減圧蒸留することで、テトラキスルテニウムIIジヒドリド7.68gを無色透明液体として得た。収率は70重量であった。[合成例6]1,5-オクタジエントリストリフルオロホスフィンルテニウム0の合成三塩化ルテニウム5.03g、銅10.08g、1,5-オクタジエン50mLを入れた反応器を-78°Cに冷却した後に真空にして、トリフルオロホスフィンを400atmになるまで導入し、120°Cで100時間加熱した。反応終了後、溶液を室温まで冷却した後に窒素雰囲気下で濾過した。濾液を減圧乾燥した後に、窒素雰囲気下でアルミナカラムクロマトグラフィー展開溶媒:ジエチルエーテルを行い、得られた溶液を濃縮し、1,5-オクタジエントリストリフルオロホスフィンルテニウム01.14gを淡黄色液体として得た。収率は10重量であった。[合成例7]ジクロロテトラキストリフルオロホスフィンルテニウムIIの合成三塩化ルテニウム5.03g、銅10.08gを入れた反応器を真空にして、トリフルオロホスフィンを300atm、塩素を100atm導入し、250°Cで15時間加熱した。反応終了後、溶液を室温まで冷却した後に減圧乾燥を行い、トリフルオロホスフィンと塩素を除去した。得られた液体を窒素雰囲気下で濾過し、室温下10torrで減圧蒸留することで、ジクロロテトラキストリフルオロホスフィンルテニウムII4.83gを淡黄色液体として得た。収率は41重量であった。以下の実施例において、比抵抗は、ナプソン社製の探針抵抗率測定器形式:RT-80/RG-80により測定した。膜厚は、フィリップス社製の斜入射X線分析装置形式:XPertMRDにより測定した。ESCAスペクトルは、日本電子社製の測定器形式:JPS80にて測定した。また、密着性について、JISK-5400に準拠して碁盤目テープ法により評価し、基板とルテニウム膜との剥離が全く見られなかった場合には○、基板とルテニウム膜との剥離が見られた場合には×とした。[実施例1]1ルテニウム膜の形成合成例1にて得られたペンタキスルテニウム00.05gを窒素ガス中で石英製ボート型容器に計り取り、石英製反応容器にセットした。反応容器内の気流の下流方向側の近傍に熱酸化膜付きシリコンウエハを置き、室温下で反応容器内に水素ガスを300mL/分の流量にて20分間流した。その後反応容器中に水素ガスを100mL/分の流量で流し、さらに系内を13Paに減圧した後に、反応容器を80°Cで5分間加熱した。ボート型容器からミストが発生し、近傍に設置した石英基板に堆積物が見られた。ミストの発生が終了した後、減圧を止め、窒素ガスを系に入れて圧力を戻し、次いで101.3kPaで窒素ガス水素ガスの含量:3体積を200mL/分の流量で流し、反応容器の温度を350°Cに上昇させ、そのまま1時間保持したところ、基板上に金属光沢を有する膜が得られた。この膜の膜厚は0.05μmであった。この膜のESCAスペクトルを測定したところ、Ru3d軌道に帰属されるピークが280eVと284eVに観察され、他の元素に由来するピークは全く観察されず金属ルテニウムであることが分かった。また、このルテニウム膜につき、4端子法で比抵抗を評価した結果を表1に示す。ここで形成されたルテニウム膜につき、基板との密着性を碁盤目テープ法によって評価したところ、基板とルテニウム膜との剥離は全く見られなかった。2保存安定性の試験保存安定性の確認として、熱に対する劣化性の検討を行った。ペンタキスルテニウム01gを100mL容量のステンレス製耐圧密閉容器に入れ窒素雰囲気下で密閉し、系内を13Paに減圧した後に容器全体を80°Cに加熱して保管した。1ヶ月後においてもペンタキスルテニウム0の外観上の変化は無かった。その後、容器を室温に戻し、乾燥窒素で容器内を置換してから、上記1と同様の要領で成膜を実施したところ、基板上に金属光沢を有する膜が得られた。得られた金属ルテニウム膜の各種物性について、上記1と同様に評価した。結果を表1に示す。3気化特性の試験気化特性の確認として、下記の試験方法により気化量の測定を行った。乾燥窒素雰囲気の室温下のグローブボックス内にて、100mL容量のバルブ付きの耐圧ステンレス製容器内にペンタキスルテニウム0を1g収容して密栓した。その後、容器をホットプレートの上に置き、バルブを開放し、80°Cで加熱しながら容器内を13Paにて5分間減圧処理した。その後バルブを閉じた後、3時間放冷にて容器を室温に戻し、上記グローブボックス内にてゆっくりとバルブを開けて容器内の圧力を常圧に戻した。その後容器を開けて残存試料量を計測することで減圧処理時の気化量を算出したところ、気化量は0.85gであった。また、実施例1の2と同様の要領で1ヶ月間保存したペンタキスルテニウム01gの気化特性についても、同様にして気化量を算出したところ、気化量は0.84gであった。結果を表1に示す。[実施例2]1ルテニウム膜の形成ペンタキスルテニウム00.05gの代わりに合成例2にて得られたペンタキスルテニウム00.05gを用いる以外は実施例1と同様にして、基板上に金属光沢を有する膜が得られた。得られた金属ルテニウム膜の各種物性について、実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示す。2保存安定性の試験保存安定性の確認として、ペンタキスルテニウム01gの代わりに合成例2にて得られたペンタキスルテニウム01gを用いる以外は実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。3気化特性の試験気化特性の確認として、ペンタキスルテニウム01gの代わりに合成例2にて得られたペンタキスルテニウム01gを用いる以外は実施例1と同様にして気化量の測定を行った。結果を表1に示す。[実施例3]1ルテニウム膜の形成ペンタキスルテニウム00.05gの代わりに合成例3にて得られたトリスルテニウム00.05gを用いる以外は実施例1と同様にして、基板上に金属光沢を有する膜が得られた。得られた金属ルテニウム膜の各種物性について、実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示す。2保存安定性の試験保存安定性の確認として、ペンタキスルテニウム01gの代わりに合成例3にて得られたトリスルテニウム01gを用いる以外は実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。3気化特性の試験気化特性の確認として、ペンタキスルテニウム01gの代わりに合成例3にて得られたトリスルテニウム01gを用いる以外は実施例1と同様にして気化量の測定を行った。結果を表1に示す。[実施例4]1ルテニウム膜の形成ペンタキスルテニウム00.05gの代わりに合成例4にて得られたトリスルテニウム00.05gを用いる以外は実施例1と同様にして、基板上に金属光沢を有する膜が得られた。得られた金属ルテニウム膜の各種物性について、実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示す。2保存安定性の試験保存安定性の確認として、ペンタキスルテニウム01gの代わりに合成例4にて得られたトリスルテニウム01gを用いる以外は実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。3気化特性の試験気化特性の確認として、ペンタキスルテニウム01gの代わりに合成例4にて得られたトリスルテニウム01gを用いる以外は実施例1と同様にして気化量の測定を行った。結果を表1に示す。[実施例5]1ルテニウム膜の形成ペンタキスルテニウム00.05gを用い、反応容器を80°Cとする代わりに合成例5にて得られたテトラキスルテニウムIIジヒドリド0.05gを用い、反応容器を-50°Cとする以外は実施例1と同様にして、基板上に金属光沢を有する膜が得られた。得られた金属ルテニウム膜の各種物性について、実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示す。2保存安定性の試験保存安定性の確認として、劣化性の検討を実施した。テトラキスルテニウムIIジヒドリド1gを100mL容量のステンレス製耐圧密閉容器に入れ窒素雰囲気下で密閉し、系内を13Paに減圧した後に容器全体を-50°Cに冷却して保管した。1ヶ月後においてもテトラキスルテニウムIIジヒドリドの外観上の変化は無かった。その後、容器を室温に戻し、乾燥窒素で容器内を置換してから、上記1と同様の要領で成膜を実施したところ、基板上に金属光沢を有する膜が得られた。得られた金属ルテニウム膜の各種物性について、実施例1と同様にして評価したところ、変化は見られなかった。結果を表1に示す。3気化特性の試験気化特性の確認として、下記の試験方法により気化量の測定を行った。乾燥窒素雰囲気の室温下のグローブボックス内にて、100mL容量のバルブ付きの耐圧ステンレス製容器内にテトラキスルテニウムIIジヒドリドを1g収容して密栓した。その後、容器をホットプレートの上に置き、バルブを開放し、-50°Cで冷却しながら容器内を13Paにて5分間減圧処理した。その後バルブを閉じた後、3時間掛けて容器を室温に戻し、上記グローブボックス内にてゆっくりとバルブを開けて容器内の圧力を常圧に戻した。その後容器を開けて残存試料量を計測することで減圧処理時の気化量を算出したところ、気化量は0.98gであった。また、上記実施例52と同様の要領で1ヶ月間保存したテトラキスルテニウムIIジヒドリド1gの気化特性についても、同様にして気化量を算出したところ、気化量は1.00gであった。結果を表1に示す。[実施例6]1ルテニウム膜の形成ペンタキスルテニウム00.05gの代わりに合成例6にて得られたトリスルテニウム00.05gを用いる以外は実施例1と同様にして、基板上に金属光沢を有する膜が得られた。得られた金属ルテニウム膜の各種物性について、実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示す。2保存安定性の試験保存安定性の確認として、ペンタキスルテニウム01gの代わりに合成例6にて得られたトリスルテニウム01gを用いる以外は実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。3気化特性の試験気化特性の確認として、ペンタキスルテニウム01gの代わりに合成例6にて得られたトリスルテニウム01gを用いる以外は実施例1と同様にして気化量の測定を行った。結果を表1に示す。[実施例7]1ルテニウム膜の形成テトラキスルテニウムIIジヒドリド0.05gの代わりに合成例7にて得られたジクロロテトラキスルテニウムII0.05gを用いる以外は実施例5と同様にして、基板上に金属光沢を有する膜が得られた。得られた金属ルテニウム膜の各種物性について、実施例5と同様にして評価した。結果を表1に示す。2保存安定性の試験保存安定性の確認として、テトラキスルテニウムIIジヒドリド1gの代わりに合成例7にて得られたジクロロテトラキスルテニウムII1gを用いる以外は実施例5と同様にして評価した。結果を表1に示す。3気化特性の試験気化特性の確認として、テトラキスルテニウムIIジヒドリド1gの代わりに合成例7にて得られたジクロロテトラキスルテニウムII1gを用いる以外は実施例5と同様にして気化量の測定を行った。結果を表1に示す。"