"塗布液が塗布された被処理基板に対し前記塗布液の減圧乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥装置であって、被処理基板を収容し、処理空間を形成するチャンバと、前記チャンバ内に設けられ、前記被処理基板を保持する保持部と、前記保持部を昇降移動させる昇降手段と、前記チャンバに形成された給気口と、前記給気口から不活性ガスをチャンバ内の処理空間に供給する供給手段と、前記チャンバに形成された排気口と、前記排気口からチャンバ内の雰囲気を排気する排気手段と、前記被処理基板の上方に設けられ、複数のエリアに分割された第1の熱処理部と、前記第1の熱処理部のエリア毎に温度制御する第1の制御部と、を備え、前記減圧乾燥処理する際、前記第1の制御部にて前記第1の熱処理部をエリア毎に制御し、被処理基板を加熱または冷却することを特徴とする減圧乾燥装置。塗布液が塗布された被処理基板に対し前記塗布液の減圧乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥装置であって、被処理基板を収容し、処理空間を形成するチャンバと、前記チャンバ内に設けられ、前記被処理基板を保持する保持部と、前記保持部を昇降移動させる昇降手段と、前記チャンバに形成された給気口と、前記給気口から不活性ガスをチャンバ内の処理空間に供給する供給手段と、前記チャンバに形成された排気口と、前記排気口からチャンバ内の雰囲気を排気する排気手段と、前記保持部に設けられ、複数のエリアに分割された第2の熱処理部と、前記第2の熱処理部のエリア毎に温度制御する第2の制御部とを備え、前記減圧乾燥処理する際、前記第2の制御部にて前記第2の熱処理部をエリア毎に制御し、被処理基板を加熱または冷却することを特徴とする減圧乾燥装置。前記第1、第2の熱処理部は、加熱または冷却手段を備えることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の減圧乾燥装置。前記加熱手段は赤外線ヒータあるいはペルチェ素子であり、冷却手段はペルチェ素子であること特徴とする請求項3に記載の減圧乾燥装置。ところで近年にあっては、例えばFPD等に用いられるガラス基板が大型化し、減圧乾燥処理ユニットにおいても、ガラス基板を収容するチャンバが大型化している。このようなチャンバを用いてレジスト膜が形成された基板を減圧乾燥した場合には、減圧時に基板表面を伝って排気口に向うように気流が形成され、その基板表面の気流が一定方向ではく、気流方向にバラツキが生じている。また、大きな容積を有するチャンバから断面積の小さな排気口に、気流が流入するため、排気口周辺の流速が最も早くなり、基板表面の流速にもバラツキが生じている。この基板表面の気流方向のバラツキ、流速のバラツキによって、基板全面における乾燥度合が異なり、それが乾燥ムラとなり、減圧乾燥後に行われる加熱処理以下、プリベーク処理という後の残膜ハーフ露光時の現像残膜も含むに差ができるという技術的課題があった。即ち、前記した乾燥ムラの発生が、基板の品質を低下させ、また歩留まりを低下させるという解決すべき課題があった。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、塗布液が塗布された被処理基板の塗布膜に対して、チャンバ内の気流方向のバラツキや流速のバラツキがあった場合でも、基板の温度をエリア毎に補正することで、塗布膜の乾燥状態のバラツキを抑制し、塗布液が塗布された被処理基板に対し、塗布膜を均一に乾燥させることで乾燥ムラの発生を抑制し、且つ良好な残膜形成を行うことのできる減圧乾燥装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するためになされた本発明に係る減圧乾燥装置は、塗布液が塗布された被処理基板に対し前記塗布液の減圧乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥装置であって、被処理基板を収容し、処理空間を形成するチャンバと、前記チャンバ内に設けられ、前記被処理基板を保持する保持部と、前記保持部を昇降移動させる昇降手段と、前記チャンバに形成された給気口と、前記給気口から不活性ガスをチャンバ内の処理空間に供給する供給手段と、前記チャンバに形成された排気口と、前記排気口からチャンバ内の雰囲気を排気する排気手段と、前記被処理基板の上方に設けられ、複数のエリアに分割された第1の熱処理部と、前記第1の熱処理部のエリア毎に温度制御する第1の制御部と、を備え、前記減圧乾燥処理する際、前記第1の制御部にて前記第1の熱処理部をエリア毎に制御し、被処理基板を加熱または冷却することに特徴を有する。このような減圧乾燥装置によれば、基板表面を流れる気流の流速や気流方向のバラツキが生じても、第1の熱処理部によってエリア毎に基板表面の温度を制御することができるため、塗布膜の乾燥度合を制御することが可能となり、基板表面の塗布膜の乾燥均一性を図ることができる。特に、第1の熱処理部を、複数のエリアに分割し、エリア毎に温度制御することにより、基板表面をより細かな領域で温度を制御することができ、基板表面の塗布膜の乾燥の均一性の精度をより向上させることができる。また上記目的を達成するためになされた本発明に係る減圧乾燥装置は、塗布液が塗布された被処理基板に対し前記塗布液の減圧乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥装置であって、被処理基板を収容し、処理空間を形成するチャンバと、前記チャンバ内に設けられ、前記被処理基板を保持する保持部と、前記保持部を昇降移動させる昇降手段と、前記チャンバに形成された給気口と、前記給気口から不活性ガスをチャンバ内の処理空間に供給する供給手段と、前記チャンバに形成された排気口と、前記排気口からチャンバ内の雰囲気を排気する排気手段と、前記保持部に設けられ、複数のエリアに分割された第2の熱処理部と、前記第2の熱処理部のエリア毎に温度制御する第2の制御部とを備え、前記減圧乾燥処理する際、前記第2の制御部にて前記第2の熱処理部をエリア毎に制御し、被処理基板を加熱または冷却することに特徴を有している。このような減圧乾燥装置によれば、基板表面を流れる気流の流速や気流方向のバラツキが生じても、第2の熱処理部によってエリア毎に基板表面の温度を制御することができるため、塗布膜の乾燥度合を制御することが可能となり、基板表面の塗布膜の乾燥均一性を図ることができる。特に、第2の熱処理部を、複数のエリアに分割し、エリア毎に温度制御することにより、基板表面をより細かな領域で温度を制御することができ、基板表面の塗布膜の乾燥の均一性の精度をより向上させることができる。ここで、前記第1、第2の熱処理部は、加熱または冷却手段を備えることが望ましく、前記加熱手段は赤外線ヒータあるいはペルチェ素子であり、冷却手段はペルチェ素子であることが望ましい。本発明によれば、塗布液が塗布された被処理基板の塗布膜に対して、チャンバ内の気流方向のバラツキや流速のバラツキがあった場合でも、基板の温度をエリア毎に補正することで、塗布膜の乾燥状態のバラツキを抑制し、塗布液が塗布された被処理基板に対し、塗布膜を均一に乾燥させることで乾燥ムラの発生を抑制し、且つ良好な残膜形成を行うことのできる減圧乾燥装置を得ることができる。以下、本発明にかかる一実施の形態につき、図1乃至図6に基づいて説明する。尚、図1では、図2に示された蓋状の上部チャンバ10側の構成を省略して図示している。本発明の減圧乾燥装置は、例えば、フォトリソグラフィ工程において被処理基板にレジスト膜を形成する塗布プロセス部1内の減圧乾燥ユニット5に適用することができる。図1、図2に示すように、塗布プロセス部1は、支持台2の上に、ノズル3を有するレジスト塗布ユニット4と、減圧乾燥ユニット5とが処理工程の順序に従い横一列に配置されている。この支持台2の両側には一対のガイドレール6が敷設され、このガイドレール6に沿って平行移動する一組の搬送アーム7により、基板Gがレジスト塗布ユニット4から減圧乾燥ユニット5へ搬送できるようになされている。前記レジスト塗布ユニット4は、前記したようにノズル3を有し、このノズル3は支持台2上に固定されたゲート8に懸垂状態で固定されている。このノズル3にはレジスト液供給手段図示せずから塗布液であるレジスト液Rが供給され、搬送アーム7によってゲート8の下を通過移動する基板Gの一端から他端にわたりレジスト液Rを塗布するようになされている。また、減圧乾燥ユニット5は、上面が開口している底浅容器型の下部チャンバ9と、この下部チャンバ9の上面に気密に密着可能に構成された蓋状の上部チャンバ10とを有している。また、図1乃至図3に示すように、下部チャンバ9は略四角形で、中心部には基板Gを水平に載置して吸着保持するための板状のステージ11保持部が配置されている。一方、前記上部チャンバ10は、上部チャンバ移動手段12によって前記ステージ11の上方に昇降自在に配置されている。そして、減圧乾燥処理の際には、上部チャンバ10が下降して下部チャンバ9と密着して閉じ、ステージ11上に載置された基板Gを処理空間に収容した状態とする。尚、図4,5に示すように、前記ステージ11は、例えばモータを駆動源とするボールねじ機構からなる昇降装置25昇降手段によって昇降移動可能となされているまた、下部チャンバ9における基板Gの搬送方向下流側基板の流れ方向端部には、所定の間隔をおいて一対の排気口13が設けられている。この排気管13には、真空ポンプ15が接続された排気管14が接続されている。これにより、前記チャンバ内の雰囲気は、前記排気口13から排気される。そして、前記下部チャンバ9に前記上部チャンバ10を被せた状態で、チャンバ内の処理空間を前記真空ポンプ15により所定の真空度まで減圧できるようになっている。また、下部チャンバ9における、基板Gの搬送方向の上流側には、下部チャンバ9の幅方向に延設され、一対の排気口13と対向する位置まで設けられた給気口16が設けられている。前記給気口16には、図4,5に示すように給気管17が接続され、更に給気管17には、不活性ガス供給部18給気手段が接続されている。そして、前記不活性ガス供給部18給気手段から給気管17を介して給気口16には不活性ガス例えば窒素ガスが供給され、チャンバ内雰囲気がパージされる。ここで、前記給気口16からの不活性ガスの供給は、チャンバ内気圧が所定値例えば400Pa以下に達したとき、もしくは、チャンバ内が減圧開始されてから所定時間の経過後に開始される。この給気口16からの不活性ガスの供給の制御は、図示しない制御装置によってなされる。また、図4、図5に示すように、上部チャンバ10の直下には、熱処理部としての熱処理板20が設けられている。この熱処理板20は、上部チャンバ10の下面に懸垂状態で固定されている。この熱処理板20は、図9に示すように、複数のエリア20aに分割して温度制御することが可能となっている。即ち、図9に示す熱処理板20は、6×6の36個のエリア20aに分割されている。そして、例えば、複数のエリア20aを夫々、個別に温度制御できるように構成されている。例えば、この熱処理板20の領域20A、20B、20Cを加熱状態にする必要がある場合には、それら領域に対応するエリア20aを制御し、加熱状態になすように構成されている。この各エリア20aを制御する制御部の構成を図10に基づいて説明する。図10に示すように、熱処理板20の各エリア20aに加熱冷却ユニット20a1が設けられ、また温度センサー20bも配置されている。加熱冷却ユニット20a1の加熱手段としては、赤外線ヒータやペルチェ素子を用いることができ、また冷却手段としてはペルチェ素子を用いることができる。前記加熱冷却ユニット20a1は、加熱冷却制御部40に接続され、加熱冷却制御部40と温度センサー20bは共に温度制御部41へ接続されている。そして、前記温度センサー20bから得られた温度情報を基に、温度制御部41は加熱冷却制御部40に対して温度の指示を行い、加熱冷却制御部40は所定の温度になるように、加熱冷却ユニット20a1の加熱または冷却手段の制御を行う。この温度制御を、熱処理板20のエリア20a毎に行うことができるため、精度の高い温度制御を行うことができる。このように、この実施形態の減圧乾燥装置にあっては、被処理基板Gの上部に熱処理板20が設けられ、基板表面の温度を制御することができ、残膜を制御することができる。即ち、被処理基板Gの表面を流れる気流方向、流速のバラツキにより、基板表面のレジスト膜の乾燥速度にバラツキが生じ、その状態にてプリベークを行い、露光し、現像処理を行うと、残膜にもバラツキが生じる。より具体的には、基板表面のレジスト膜の上を流れる気流が早い場合は、レジスト膜の乾燥も速くなり、現像処理後の残膜も厚くなる。一方、基板表面のレジスト膜の上を流れる気流が遅い場合は、レジスト膜の乾燥も遅くなり、現像処理後の残膜も薄くなる。したがって、予め基板の各エリアの残膜状態を計測することで、残膜が厚いエリアについては、レジスト膜の乾燥速度を抑制するために、基板温度を常温より低くし、また、残膜が薄いエリアについては、レジスト膜の乾燥速度を促進するために、基板温度を常温より高くする。このように、基板の各エリアの温度を制御することで、残膜を制御することが可能となる。続いて、このように形成された塗布プロセス部1の動作について図1から図10に基づき説明する。先ず、基板Gが搬入され搬送アーム7上に載置されると、搬送アーム7はガイドレール6上を移動し、レジスト塗布ユニット4のゲート8下を通過移動する。その際、ゲート8に固定されたノズル3からは、その下を移動する基板Gに対しレジスト液Rが吐出され、基板Gの一辺から他辺に向かってレジスト液Rが塗布される図7のステップS1。尚、レジスト液Rが基板Gの全面にわたり塗布された時点塗布終了位置では、基板Gは減圧乾燥ユニット5の上部チャンバ10の下に位置する状態となる。次いで、基板Gは減圧乾燥ユニット5のステージ11に載置され図7のステップS2、ステージ11は、昇降装置25の駆動によりチャンバ内の下方位置まで下降移動し、基板Gが下部チャンバ9の底部に近接した状態で停止する図7のステップS3。その後、基板Gは、その上方から上部チャンバ移動手段12により下降移動する上部チャンバ10によって覆われる。そして基板Gは、下部チャンバ9に対して上部チャンバ10を閉じることにより形成された処理空間内に収容される図7のステップS4。前記上部チャンバ10によって下部チャンバ9が閉じられると、この状態から真空ポンプ15が作動され図7のステップS5、排気口13から処理空間内の気体が吸引され、処理空間の気圧が所定の真空状態となるまで減圧される。ここで、基板Gの上面は熱処理板20に近接しており、基板Gの上面にある気体は、熱処理板20の下面を通って排気口13へ流れる。このとき、前記排気口13は例えば2箇所に配置されており、チャンバ内のガスは、2箇所の排気口13に分かれて排気されることになる。そのため、図6に示すように、基板上に形成される気流方向は一定方向ではなく、バラツキが生じる。また基板上に形成される気流の流速も一定方向ではなく、排気口13の近くが最も流速が早くなり、流速にもバラツキが生じる。具体的には、基板表面を流れる気流の流速が早ければ早いほど、そのエリアの基板表面の塗布膜の乾燥も早くなり、逆に流速が遅いエリアは、基板表面の塗布膜の乾燥が遅くなる。また、気流方向が一定でない場合は、基板表面の塗布膜の乾燥の度合も一定でなくなる。こうして、基板表面の塗布膜の乾燥均一性にバラツキが発生することとなる。例えば、基板表面の温度を室温より低くすると、塗布膜に含まれる溶剤が飛びにくくなり乾燥が遅れることとなる。また、基板表面の温度を室温より高くすると塗布膜に含まれる溶剤が飛びやすくなり乾燥が促進されることとなる。この熱処理板20により、基板表面の塗布膜の温度をエリア毎に制御することで、気流方向のバラツキや気流の流速にバラツキがあっても、塗布膜の乾燥速度の補正を行うことができ、乾燥ムラを抑制することが可能となる。そのため、熱処理板20のエリア20a毎に、温度センサー20bから得られた温度情報を基に、温度制御部41は加熱冷却制御部40に対して温度の指示を行い、加熱冷却制御部40は所定の温度になるように、加熱冷却ユニット20a1の加熱または冷却動作の制御を行う。ここで、各エリア20aの温度は、事前に被処理基板Gを乾燥、プリベーク、露光、現像処理し、各エリアに対応する被処理基板G上の残膜状態を計測し、その残膜が均一になる温度が求められ、その温度に設定される。更に、図8および図9を参照し、具体的に説明すると、基板G上の塗布膜における排気口13付近の高速気流エリア22については、気流が早く塗布膜の乾燥速度も速くなるため、熱処理板20の低温制御エリア20B,20Cの制御温度を室温よりも低く設定することで、塗布膜の乾燥速度を抑制することができる。また、給気口16付近の低速気流エリア23については、気流が遅く塗布膜の乾燥速度が遅くなる為に、熱処理板20の高温制御エリア20Aの制御温度を室温よりも高く設定することで、塗布膜の乾燥速度を促進することができる。このようにして、例えば、予め塗布膜の露光後の現像膜減り量を基板のエリア毎に計測し、その計測データを下に、熱処理板20の加熱または冷却の温度を決定し、加熱冷却ユニット20a1毎に温度制御を行うことで、塗布膜の乾燥度合を制御することが可能となる。このように、温度制御をエリア20a毎に行いながら乾燥工程を行うため、全体として精度の高い温度制御を行うことができる。即ち、基板Gの上面に熱処理板20を配置することにより、チャンバ内に形成される気流の流速や気流方向にバラツキが発生したとしても、基板に塗布された塗布膜を熱処理するときに、乾燥ムラが抑制され良好な膜形成を行うことができる。そして、更に基板Gの上面に熱処理板20を配置して減圧乾燥処理を行い、チャンバ内の気圧が所定値例えば400Pa以下に達する、もしくは、減圧開始から所定時間が経過すると図7のステップS6、給気口16から不活性ガスが供給される図7のステップ7。チャンバ内が常気圧に達した図7のステップ8ところで、上部チャンバ移動手段12により上部チャンバ10が上昇移動され図7のステップS9、ステージ11が基板搬送位置まで上昇し図7のステップS10、基板Gは減圧乾燥ユニット5から次の処理工程に向け搬出される。以上のように本発明に係る実施の形態によれば、減圧乾燥処理の間に、基板Gの上面に熱処理板20を配置して基板表面の塗布膜の温度をエリア毎に制御可能とすることで、チャンバ内に形成される気流方向のバラツキや流速のバラツキが発生しても、塗布膜の乾燥速度を制御することが可能となる。これにより、良好な塗布膜乾燥均一性を得ることができる。尚、前記実施の形態においては、基板Gを保持する保持部として板状のステージ11を設けたが、その形態に限らず、チャンバ内で基板Gを水平に保持可能な構成であればよい。例えば、保持部として支持ピンリフトピンにより基板Gを保持する構成としてもよいまた、前記実施の形態において、図9に示すように、熱処理板20は、36エリア6×6に分割配置にて示したが、その数や配列レイアウトは限定されるものではない。更に、エリア毎の形状は、正方形を示したが、それに限定されず、長方形、方形等、他の形状であってもよい。また一体的になっておらず、いくつかに分割して配置してもよい。また、上記実施の形態においては、熱処理板20を、基板Gの上方に配置したが、図11に示すように、被処理基板を保持するステージ11に熱処理機能を設けた温調ステージ26を配置してもよい。温調ステージ26についても熱処理板20と同様の制御構成や制御方法を用いることができる。その場合、温調ステージ26の大きさを可能な限り大きく製作することが好ましい。また、熱処理板20と温調ステージ26の両方を使用してもよい。更に、温調ステージ26に熱処理機能を持たせる場合は、四角形状に記載したが、これも限定されるものではなく、基板と同様の形状で、円形であってもよい。また、前記実施の形態において、基板Gは、減圧乾燥ユニット5に対し、搬送アーム7により搬入出がなされる例を示したが、それに限定されず、コロ搬送により基板搬入出を行う構造にも本発明の減圧乾燥装置を適用することができる。"