"一端が粗動電動ステージに固定された、微動ピエゾステージである圧電素子に、駆動電圧を与えることにより該圧電素子を変位させ、該圧電素子の他端に取り付けられた試料載置用のサンプル台を移動させるようにした、走査型プローブ顕微鏡を用いて材料欠陥を検出する材料欠陥検出方法において、サンプル台を、微動ピエゾステージと粗動電動ステージとで動かすとともに、微動ピエゾステージにより走査する間隔を、検出する必要の有る材料欠陥の大きさよりも小さい間隔とすることを特徴とする材料欠陥検出方法。微動ピエゾステージによる走査が、一定の間隔を有するドット状パターンで行われることを特徴とする請求項1に記載の材料欠陥検出方法。微動ピエゾステージによる走査が、一定の間隔を有するライン状パターンで行われることを特徴とする請求項1に記載の材料欠陥検出方法。微動ピエゾステージによる走査が、一定の間隔を有する格子状パターンで行われることを特徴とする請求項1に記載の材料欠陥検出方法。この問題を鑑み、特許文献1においては、探針で試料表面を走査し、探針と試料表面との間に働く相互作用を検出する走査プローブ顕微鏡において、粗動ステージと微動ステージとを用いて、広範囲に試料を走査することが開示されている。しかし、この方法でも、試料表面の全域を走査しようとしているので、その検出時間は膨大なものとなる。そこで、本発明の目的は、特定の大きさの欠陥を、大面積の走査範囲から検出するために、効率的に欠陥からの信号を検出することを可能にする材料欠陥検出方法を提供することにある。本発明によれば、上記の課題を解決するために、一端が粗動電動ステージに固定された、微動ピエゾステージである圧電素子に、駆動電圧を与えることにより該圧電素子を変位させ、該圧電素子の他端に取り付けられた試料載置用のサンプル台を移動させるようにした、走査型プローブ顕微鏡を用いて材料欠陥を検出する材料欠陥検出方法において、サンプル台を、微動ピエゾステージと粗動電動ステージとで動かすとともに、微動ピエゾステージにより走査する間隔を、検出する必要の有る材料欠陥の大きさよりも小さい間隔とすることとする。ここで、微動ピエゾステージによる走査が、一定の間隔を有するドット状パターンで行われること、微動ピエゾステージによる走査が、一定の間隔を有するライン状パターンで行われること、微動ピエゾステージによる走査が、一定の間隔を有する格子状パターンで行われることが好ましい。本発明によれば、走査プローブ顕微鏡を用いて、たとえば半導体デバイスの電気特性の測定を、測定対象面に対して、微動ピエゾステージを、決められたピッチで粗く間歇的に測定することにより、短時間で、ピッチに応じた特定の大きさの欠陥のみを、迅速に測定することができる。[実施例1]実施例1として、Si-MOSFET半導体デバイスにおけるゲート酸化膜の欠陥検出例を示す。実施例1のデバイスでは、チップ全体の大きさを3mm×3mm、チップ内に配置されたゲート電極の占める大きさを20μm×20μmとし、φ2μm以上の絶縁異常箇所を不良と判定し、位置と個数とを抽出するものである。図1に示すように、デバイス1は、走査プローブ顕微鏡中の微動用3軸ピエゾスキャナ2と接続した導電性サンプル台3に固定され、更にピエゾスキャナ圧電素子2は、粗動用x-y電動ステージ4に搭載されている。ピエゾスキャナ2の一端は、電動ステージ上に固定されており、圧電素子に電圧が印加されることで、上面がx、y、zの3軸に対して精度よく移動することが可能になっている移動範囲は30μm×30μm~100μm×100μmである。。電動ステージ4には、ステッピングモータが搭載されており、x-y平面を長距離で移動可能である移動範囲は10cm~15cm×10cm~15cmである。。マイクロ加工された導電性探針5は、移動機構を持たず、電動ステージ4とピエゾスキャナ2の移動によって、デバイスとの相対位置を変化させるものである。なお、探針は、たとえば、シリコンの細い針先端径φ十数nmに、ロジウムをコートしたものである。探針5とデバイス1との間は、サンプル台3を介して電気的に接合されており、直流電源6および抵抗7、電流計8を中間に配置することによって、探針5とデバイス1との間に定電圧を印加した場合の電流が測定される。更に、電流を測定しながら電動ステージ4とピエゾスキャナ2の位置を移動させることによって、デバイス上の異なる点における電流値を測定することができる。電動ステージ4の位置は、装置の基準位置を基準とした座標情報として、ソフトウェアで管理され、ピエゾスキャナ2もまた、電動ステージ4の基準位置に対する座標情報として管理される。この両者をソフトウェア上で結合することで、デバイス1の位置も装置基準位置に対する座標として数値化される。したがって、探針5とデバイス1との間を流れる電流値は、位置情報を伴ったものになり、欠陥の大きさや位置の特定をすることが可能になる。この、座標決定フローの概念図を図4に示す。図4において、先ず、基準位置を決定する。すなわち、粗動ステージ可動範囲内の基準点0,0を決定する。次に計算機パソコンなどを用いた移動制御に移る。まず第1ステップとして、粗動電動ステージ4の可動範囲内の座標AX1,Y1へ移動する。次に第2ステップで、Aを基準として微動ステージ2が可動範囲内の座標X1’,Y1’に移動する。ここで統一座標絶対座標X,Yは、X1X1’,Y1Y1’である。そして第3ステップで、再び粗動ステージ4を動かし、粗動ステージ4の可動範囲内の座標BX2,Y2に移動する。最後に第4ステップで、更に微動ステージ2をBを基準として可動範囲内の座標X2’,Y2’に移動させる。このときの統一座標絶対座標X,YはX2X2’,Y2Y2’である。このデータを、PCで統一座標に変換し、欠陥の検出状況を描画する。なお、座標が数値化されることを利用して、移動情報を座標指定すれば、任意のパターンでの試料移動、すなわち走査が可能となる。特に、移動距離によって、ピエゾスキャナ2の微動と電動ステージ4の粗動を組み合わせることで、大面積の走査もカバーすることができる。図2aに示すように、小さい欠陥9や大きい欠陥10を有する酸化膜表面を、ドット状パターン11で間歇的に間隔をおいて走査しつつ電気特性を測定した場合、異常が検出された隣接ドット数と欠陥の大きさとの間には相関がある。たとえば、1μmピッチのドット状パターン11で間歇的に走査した場合、検出点が1点のみの場合の欠陥の直径dは0<d<2μmであり、検出点が4点の場合は、1.4<d<3μmである図2b中の4点検出される場合の最大欠陥12および4点検出される場合の最小欠陥13参照。。このように、パターンのピッチと検出点の個数とから、欠陥の大きさが推定できる。ここで、抽出対象とする欠陥の大きさをφ2μm以上とする場合、ドット状パターン11での検出において、ドット状パターン11の1点のみの範囲である欠陥は、検出対象とする欠陥の大きさよりも小さいものとして自動的にふるい落とされ、2点以上の欠陥の場合は、ドット状パターン11間のピッチが1μmなので、欠陥の大きさが2μmであれば、ドット状パターン2つを必ず含む欠陥が、検出される候補として残る。ついで、測定ピッチを1.4μmで走査すれば、4点検出される欠陥の大きさは2<d<4.2μmとなるため、候補の中から、さらにふるいわけをすることができる。[実施例2]サンプル、装置構成は実施例1と同じである。本実施例では、微動ピエゾステージによる走査の仕方が実施例1とは異なる。すなわち、実施例1のドット状とは異なり、ライン状に走査する。小さい欠陥9や大きい欠陥10を有する酸化膜表面を、ライン状パターン14で、図3aに示すように、間歇的に走査しつつ電気特性を測定した場合、欠陥上を横切るラインには、欠陥の大きさに対応して、連続的な電流の増大が観察される。もっとも長距離な電流増大が見られるラインが、欠陥の真の直径にもっとも近いものとなる。ふるい落としたい欠陥径この場合2μmの幅でライン走査をすれば、2μm以上の径を持つ欠陥を検出することができる。[実施例3]サンプル、装置構成は実施例1と同じである。本実施例では、微動ピエゾステージによる走査の仕方が実施例1、2とは異なる。すなわち、図3bに示すように、本実施例では、格子状に走査する。小さい欠陥9や大きい欠陥10、ならびに長いスクラッチ状の欠陥15を有する酸化膜表面を、格子状パターン16により間歇的に走査して電気特性を測定した場合、欠陥上を横切るラインには、欠陥の大きさに対応して、連続的な電流の増大が観察される。もっとも長距離な電流増大が見られるラインが欠陥の真の直径にもっとも近いものとなる。ふるい落としたい欠陥径この場合2μmの幅でライン走査をすれば、これ以上の径を有する欠陥を検出することが可能である。また隣接するラインで、連続的に点状に現れる電流増大部は、ラインとスクラッチとによるものと判定され、増大部の位置と点数とから、スクラッチの角度と長さとが推定される。ラインに平行なスクラッチの検出漏れは、本実施例では格子状の走査90°回転させた2回のライン走査を行っているので、防止することができる。この点が本実施例の特徴である。"