"シリコンから構成されて互いに離間して配置されたソースおよびドレイン、シリコンから構成されて前記ソースおよびドレイン間に接続して配置された細線部、前記細線部に絶縁層を介して設けられたシリコン層、および前記細線部にゲート絶縁層を介して設けられたゲート電極を備える単電子トランジスタと、前記ゲート電極に電圧を印加するゲート電圧印加手段とを備え、前記ゲート電圧印加手段が印加する電圧は、前記細線部が形成された領域を含む受光領域に光を照射することによって前記ソースおよびドレイン間のコンダクタンスが低下する電圧であることを特徴とする受光装置。請求項1記載の受光装置において、前記細線部に、単電子島が形成されていることを特徴とする受光装置。請求項2記載の受光装置において、前記シリコン層に電圧を印加して前記シリコン層の前記受光領域における前記絶縁層との界面近傍のバンド端のエネルギーに変化がない状態とするシリコン層電圧制御手段を備えることを特徴とする受光装置。しかしながら、上述した負性フォトコンダクタンスの技術は、実用には供されていない。この原因の1つとして、実現されている材料系が、複雑なことにある。また、この現象は、一般に用いられている半導体材料、特に、通常の集積回路やフォトセンサーに用いられるCCDChargeCoupledDeviceやMOSMetalOxideSemiconductor型光センサーを構成する半導体材料であるシリコンでは、実現できないと考えられていた。本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、シリコンを用いた素子で負性フォトコンダクタンスが実現できるようにすることを目的とする。本発明に係る受光装置は、シリコンから構成されて互いに離間して配置されたソースおよびドレイン、シリコンから構成されてソースおよびドレイン間に接続して配置された細線部、細線部に絶縁層を介して設けられたシリコン層、および細線部にゲート絶縁層を介して設けられたゲート電極を備える単電子トランジスタと、ゲート電極に電圧を印加するゲート電圧印加手段とを備え、ゲート電圧印加手段が印加する電圧は、細線部が形成された領域を含む受光領域に光を照射することによってソースおよびドレイン間のコンダクタンスが低下する電圧である。上記受光装置において、細線部に、単電子島が形成されていてもよい。この場合、シリコン層に電圧を印加してシリコン層の受光領域における絶縁層との界面近傍のバンド端のエネルギーに変化がない状態とするシリコン層電圧制御手段を備えるようにしてもよい。以上説明したように、本発明によれば、細線部の形成領域を含む受光領域に光を照射することによってソースおよびドレイン間のコンダクタンスが低下する電圧をゲート電極に印加するようにしたので、シリコンを用いた素子で負性フォトコンダクタンスが実現できるという優れた効果が得られる。以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。実施の形態1はじめに、本発明の実施の形態1について説明する。図1は、本発明の実施の形態1における受光装置の構成を示す構成図である。図1において、aは、斜視図、bは平面図、cは、断面図である。本実施の形態における受光装置は、まず、シリコン基板シリコン層101と、シリコン基板101の上に形成された絶縁層102と、絶縁層102の上に形成されたソース103およびドレイン104とを備える。ソース103およびドレイン104は、シリコンから構成されて互いに離間して配置されている。また、この受光装置は、ソース103およびドレイン104の間にこれらと接続して配置された細線部105を備える。細線部105は、ソース103およびドレイン104と同様にシリコンから構成されている。また、細線部105にゲート絶縁層111を介して設けられたゲート電極106を備える。これらの細線部105,ソース103,ドレイン104,およびゲート電極106により、よく知られた単電子トランジスタが構成されている。さらに、細線部105に、単電子島が形成される構成としてもよい。例えば、細線部105とソース103との間、および細線部105とドレイン104との間に各々トンネル接合が形成される状態とすれば、これらのトンネル接合に挟まれた領域に単電子島が形成できる。なお、本実施の形態における受光装置においては、細線部105の形成領域を含んで受光領域107が構成されている。また、この受光装置は、ゲート電極106に電圧を印加するゲート電圧印加部108を備える。ゲート電圧印加部108は、細線部105が形成された領域を含む受光領域107に光を照射することによってソース103およびドレイン104の間のコンダクタンスが低下する電圧を、ゲート電極106に印加する。言い換えると、ゲート電圧印加部108は、受光領域107に光が照射されていない状態に比較して受光領域107に光が照射されている状態の方が、ソース103およびドレイン104間のコンダクタンスが低下する条件となるゲート電圧を、ゲート電極106に印加する。ここで、シリコン基板101,絶縁層102および絶縁層102の上に設けられているソース103,ドレイン104,細線部105は、例えば、よく知られたSOISilicononInsulator基板を用いて形成することができる。SOI基板のシリコンからなる基部がシリコン基板101であり、埋め込み絶縁層が絶縁層102である。また、SOI基板における埋め込み絶縁層の上の表面シリコン層を、公知のリソグラフィー技術およびエッチング技術などで微細加工することで、ソース103,ドレイン104,および細線部105が形成できる。また、ゲート電極106は、例えば、n型の不純物が高濃度に添加されたポリシリコンから構成すればよい。ポリシリコンから構成したゲート電極106であれば、ゲート電極106を介して受光領域107の細線部およびシリコン基板101に、入射した光が到達する。特に、ゲート電極106は、層厚が1μm以下と薄いので、十分に光が透過するこの場合は、シリコン基板101から見てゲート電極106の側より光を入射した場合である。また、シリコン基板101の側より受光領域107に対して光を入射する場合、ゲート電極106は、どの様な材料から構成してもよい。なお、酸化物や窒化物から構成されるゲート絶縁層111および絶縁層102は、よく知られているように光が透過する。上述した構成とした本実施の形態における受光装置によれば、細線部105をチャネルとした電界効果型トランジスタの構成としており、よく知られているように、ゲート電極106に印加するゲート電圧Vgの変化に対し、図2に示すように、ソースドレイン間コンダクタンスが変化振動する。本実施の形態における受光装置によれば、受光領域107に対する光照射により、図2に示すゲート電圧変化に対するソースドレイン間コンダクタンスの変化の関係がシフトし、同じゲート電圧であっても、ソースドレイン間コンダクタンスが異なるものとなる。従って、まず、ゲート電圧印加部108により、受光領域107に光を照射することによってソース103およびドレイン104の間のコンダクタンスが低下する電圧を、ゲート電極106に印加しておく。このようなゲート電圧の状態では、光が照射されていない場合、ソースドレイン間コンダクタンスは高い状態となるが、光が照射されると、上述したようにゲート電圧変化に対するソースドレイン間コンダクタンスの変化の関係がシフトし、ソースドレイン間コンダクタンスが低い状態となる。このように、本実施の形態によれば、シリコンを用いた素子で負性フォトコンダクタンスが実現できるようになる。以下、受光領域107のシリコン基板101に対する光照射と、ゲート電圧変化に対するソースドレイン間コンダクタンスの変化の関係のシフトとの関係について、より詳細に説明する。なお、以下では、特に断らない限り、光の照射は、受光領域107のシリコン基板101に対するものである。上述したように、単電子トランジスタのソースドレイン間のコンダクタンスは、図2に示すように、ゲート電圧の変化に対して振動する特性を示す。言うまでもなく、ゲート電圧を一定にしておけば、コンダクタンスは変化しない。小さな電圧をソースドレイン間に印加すれば、コンダクタンスとほぼ比例する電流が流れることになるので、図2の縦軸は、ドレイン電流と読み替えてもよい。次に、光を照射した場合の効果を示す。光の照射がない場合の、単電子島細線部105を含んで、面内に垂直な方向のポテンシャルバンド図を、図3のaに示す。表面ゲート電極106側を左側に、シリコン基板101の側を右側に取って示してある。シリコン基板101はp形としてある。また、シリコン基板101とゲート電極106ならびに、ソースドレインも全てゼロ電位としてある。このような構成では、ゲート電極106の仕事関数、シリコン基板101の伝導型や不純物濃度、単電子島の量子サイズ効果により、上述したようにゼロ電位の状態でも、実効的に電圧が印加されたような状態となる。なお、ポテンシャルバンド構造変化に関する以下の説明では、通常使われるn型ポリシリコン多結晶シリコンをゲート電極106に使った場合を想定し、比較的仕事関数が小さい場合を例にとって説明する。また、シリコン基板101には、比較的大きな仕事関数を有する金属からなる電極301が接続されているものとしている。これらの電極の仕事関数が上記構成とは異なった場合、バンド構造の変化に関しては、当該領域の専門家であれば、容易に推定できることは言うまでもない。以上のような電極の電位配置を仮定すると、光照射がない状態では、図3のaに示すように、シリコン基板101のバンドが曲がり、実効的にシリコン基板101に、図3のaに示すEsだけの電圧を印加したように見える。これに光を照射すると、受光領域107のシリコン基板101に電子と正孔が多数励起されるため、図3のbに示すようにバンドの曲がりが解消され、ほぼフラットなバンド状態バンド端のエネルギーに変化がない状態となる。従って、光照射前に、実効的にシリコン基板101に印加されているように見えた電圧Esが、光照射によりなくなる状態となる。これは、Es相当分だけの負電圧が、シリコン基板101に印加された場合と等価な効果が得られるということを示している。図2は、ゲート電圧を変化させたときの、ソースドレイン間電流の変化を示しているが、光が照射されると、シリコン基板101に正の電圧が印加されたことになるので、ゲート電圧変化に対するソースドレイン間コンダクタンスの変化の関係コンダクタンス振動曲線は、図4に示すように、ゲート電圧の負方向にΔVgだけシフトすることになる。すなわち、より低い電圧で同じ状態を実現できることになる。ここで、単電子島とゲート電極106の間の容量をCg、単電子島とシリコン基板101との間の容量をCbとし、光照射によるフェルミレベルの上方へのシフトをEseVとすると、ゲート電圧で見たシフト量ΔVg正方向に取るは概ね、ΔVg=-EsCb/Cgと表される。次に、上記の条件で、シリコン基板101に正の電圧VBが印加されていた場合を仮定して考察する。電圧VBが印加されるシリコン基板101のバンドは、図5のaに示すように、上方向に曲がる。ただし、シリコン基板101はp型としているので、バンドが上に曲がると蓄積状態になり、あまり大きく曲がることはできない。このシリコン基板101のバンドの曲がり分をEseVとする。ここで、光を照射すると、前述同様に、図5のbに示すようにシリコン基板101のバンドはフラットなバンド状態となるので、Es相当分だけ、正に電圧を印加したのと同等な効果が得られる。同様に、ゲート電圧で見たコンダクタンス振動曲線のシフト量ΔVg正方向に取るは、概ねΔVg=EsCb/Cgと表される。この条件では、Esは小さいので、ΔVgも小さな値となる。このときは、正方向にコンダクタンス振動曲線がシフトすることになる。さらに、上記の条件で、シリコン基板101に負の電圧VBが印加されていた場合を仮定する。シリコン基板101のバンドは、図6のaに示すように下方向に大きく曲がる。ここで、シリコン基板101はp型としているので、大きな電圧を印加すると、反転状態となる。このバンドの曲がり分をEseVとする。ここで、光を照射すると、前述同様に、図6のbに示すように、シリコン基板101のバンドはフラットなバンド状態となり、Es相当分だけ、正に電圧を印加したのと同等な効果が得られる。この場合、ゲート電圧で見たコンダクタンス振動曲線のシフト量ΔVg正方向に取るは概ね、ΔVg=-EsCb/Cgと表される。この条件では、Esは比較的大きくできるので、ΔVgも大きな値となることができる。上述したように、光照射によりコンダクタンス振動曲線がシフトするなかで、図4からわかるように、ゲート電圧をVgaに設定しておくと、光が照射されることで、電流が増えるコンダクタンスが増えることになり、またゲート電圧をVgbに設定しておくと、電流が減るコンダクタンスが減ることになる。このゲート電圧Vgbが、細線部105が形成された領域を含む受光領域107に光を照射することによってソース103およびドレイン104の間のコンダクタンスが低下する電圧である。なお、前述したように、コンダクタンス振動曲線のシフトの方向は基板電圧VBによって変化するので、上記条件は、注意する必要がある。以上、説明したように、ゲート電圧の設定によって、光照射時に、通常のフォトコンダクタンスと、負性微分フォトコンダクタンスとを自由に切り替えることが可能となる。ところで、上述した説明では、細線部105に形成される単電子島における光吸収を考えていないが、後述するように、単電子島の量子サイズ効果による現象が発現されない状態条件においては、これを考える必要はない。例えば、光が吸収されて、単電子島内に電子と正孔の対が生成されたとしても、生成される全チャージは、ゼロである。従って、この場合、図2を用いて説明したコンダクタンス振動曲線は変化シフトしない。単電子島における光吸収の効果が作用したとしても、この効果が得られない領域にゲート電圧を設定しておけばよく、何ら問題はない。特に、後述するが、単電子島における光吸収の効果は、電子数が極めて少ない場合に生じるので、単電子島内の電子数が多い条件を用いて動作させれば、何ら問題はない。実施の形態2次に、本発明の実施の形態2について説明する。図7は、本発明の実施の形態2における受光装置の構成を示す構成図である。図7において、aは、斜視図、bは平面図、cは、断面図である。本実施の形態における受光装置は、まず、シリコン基板シリコン層101と、シリコン基板101の上に形成された絶縁層102と、絶縁層102の上に形成されたソース103およびドレイン104とを備える。ソース103およびドレイン104は、シリコンから構成されて互いに離間して配置されている。また、この受光装置は、ソース103およびドレイン104の間にこれらと接続して配置された細線部105を備える。細線部105は、ソース103およびドレイン104と同様にシリコンから構成されている。また、細線部105にゲート絶縁層111を介して設けられたゲート電極106を備える。これらの細線部105,ソース103,ドレイン104,およびゲート電極106により、よく知られた単電子トランジスタが構成されており、実施の形態2では、細線部105に、単電子島が形成されることが前提となる。なお、細線部105の形成領域を含んで受光領域107が構成されている。また、この受光装置は、ゲート電極106に電圧を印加するゲート電圧印加部108を備える。ゲート電圧印加部108は、細線部105が形成された領域を含む受光領域107に光を照射することによってソース103およびドレイン104の間のコンダクタンスが低下する電圧を、ゲート電極106に印加する。これらの構成は、前述した実施の形態1と同様である。本実施の形態2における受光装置は、図8に示すように、シリコン基板101に電圧を印加してシリコン基板101の受光領域107における絶縁層102との界面近傍のバンド端のエネルギーに変化がない状態とするシリコン層電圧制御部711を備える。シリコン層電圧制御部711によりシリコン基板101に電圧を印加し、バンド端のエネルギーに変化がない状態とすると、受光領域107に光が入射しても、シリコン基板101のバンドに変化は発生せず、前述した実施の形態1における光照射の効果は発現されない。ところで、この状態は、単電子島内の電子数が少ない状態であり、この状態では、光照射により単電子島において発生した電子と正孔の対により、単電子島の帯電状態を変化させることができる。これにより、見かけ上のゲート容量Cgを変化させることができ、結果として、コンダクタンス振動曲線をシフトさせることができる。従って、実施の形態2においても、前述した実施の形態1と同様に、ゲート電圧印加部108により、ゲート電極106に印加するゲート電圧を制御すれば、負性フォトコンダクタンスが実現できるようになる。以下、受光領域107の細線部105に対する光照射と、コンダクタンス振動曲線のシフトとの関係について、より詳細に説明する。なお、以下では、特に断らない限り、光の照射は、受光領域107の細線部105に対するものである。細線部105単電子島が光を吸収すると、電子と正孔の対が生成されるが、通常は、すぐ再結合して消滅する。しかし、例えば、シリコン基板101に正の電圧を印加し、ゲート電極106に負の電圧を印加すると、単電子島に縦方向電界が印加されるので、シリコン基板101の側に電子が引き寄せられ、ゲート電極106の側に正孔が引き寄せられる。このような電圧制御により、正孔と電子とを分離させることができ、単電子島で生成した電子正孔対を、すぐには消滅しない状態とすることができる。ここで、光照射による電子正孔対の生成では、大まかには、単電子島内に、正と負の電荷が1個ずつ生成された状態であり、全体では電荷生成はゼロである。従って、図2を用いて説明した単電子トランジスタの特性コンダクタンス振動曲線としては、何の変化もないと考えられる。しかしながら、単電子島における電子数が少ない領域では、光照射により電子正孔対が生成することで、違いが生じる。例えば、電子1個が安定な状態では、光照射がなければ、電子が1個存在しているだけである。これは、図2に示す特性の最初のピークと2番目のピークの間の状態に相当する。この状態では、単電子島内に1個の電子が、この波動関数が広がる形で存在する。この状態で、シリコン基板101に正の電圧を印加し、ゲート電極106に負の電圧を印加すると、電子は、シリコン基板101の正電圧に多少引かれてシリコン基板101の側に分布すると考えられる。この状態に光が照射され、電子と正孔の対が1つ生成されると、2個の電子と1個の正孔が単電子島内に存在することになる。電子と正孔は正負の電荷が引き合うが、電子同士は負電荷同士が反発するので電子の分布は、シリコン基板101の平面に平行な横に広がることになる。従って、実効的に単電子島の帯電状態が変化する、あるいは単電子島のサイズが実効的に大きくなることになり、見かけのゲート容量Cgが大きくなる。このため、図9に示すように、実線で示すゲート電圧に対するコンダクタンスピークコンダクタンス振動曲線の位置が、点線で示すように、ゲート電圧の低い側にシフトすることになる。この際、電子雲の広がりなども変化するので、実効的なトンネル距離などが変化し、コンダクタンスの変化も同時に生じる。図9は、上記の仮定に基づいて、電子同士の反発で、ソースドレイン方向に電子雲が広がったと仮定し、トンネル距離が短くなり、コンダクタンスが上昇する例を示した。単電子島の形によっては、これと垂直方向に広がることもあるので、この場合は、逆に、コンダクタンスが小さくなることもある。以上の現象は、電子と正孔の量子状態を無視して古典的に考えた場合に成立するものであるが、等方的な形状の単電子島では、大まかには、このようなことが生じる。単電子島が複雑な形状、特に凹凸を持った形状の場合には、このような電子正孔対の生成によるコンダクタンスピークシフトが顕著に起きるが、島の形状と電子数によって、コンダクタンス振動曲線のシフトが必ずしもゲート電圧の負側に起きるとは限らない。また、上記の現象は、電子や正孔の閉じ込めポテンシャルがソフトなエネルギーが高い電子や正孔に対して、島のサイズが大きくなるような場合の方が、顕著に起きることは言うまでもない。回路構成例1次に、本発明の実施の形態における受光装置を用いた回路の構成例1について説明する。図10は、回路構成例1における回路構成を示す回路図である。この回路は、単電子島1001とトンネル接合1002,トンネル接合1003を備える単電子トランジスタのソース1004を接地し、ドレイン1005に、定電流源負荷1011を接続し、ドレイン1005から電圧出力を取り出す。また、ゲート電極1006に加え、シリコン基板1007がもう1つのゲート電極として働く。ゲート電圧Vgあるいは基板電圧Vbを変化させることにより、正のフォトコンダクタンスデバイス、負性微分フォトコンダクタンスデバイスのどちらで動作するかを制御できる。入射される光の強度とVg、Vbによって、出力電圧が変化することになる。回路構成例2次に、本発明の実施の形態における受光装置を用いた回路の構成例2について説明する。図11は、回路構成例2における回路構成を示す回路図である。この回路は、単電子島1101およびトンネル接合1102,トンネル接合1103を備える単電子トランジスタと、単電子島1111およびトンネル接合1112,トンネル接合1113とを、直列に接続している。一方の単電子トランジスタのソース1104と他方の単電子トランジスタのドレイン1115とを接続している。また、一方の単電子トランジスタのドレイン1105に低電流源付加1121を接続し、他方の単電子トランジスタのソース1114を接地している。ゲート電極1106およびゲート電極1116に加え、シリコン基板1107がもう1つのゲート電極として働く。また、ソース1104とドレイン1115との間より電圧出力を取り出している。基板電圧Vbを適宜に設定し、また、ゲート電圧Vg1およびゲート電圧Vg2を各々適宜に設定することにより、一方の単電子トランジスタを正のフォトコンダクタンスデバイス、もう一方を負性微分フォトコンダクタンスデバイスとして動作させることができる。この構成の場合は、直接電源を接続することが可能で、2つの直列接続された単電子トランジスタの中間から出力端子を取り出すことで、光の照射に応じて、出力の電圧が増加、あるいは減少することになる。すなわち、負荷抵抗などを接続することなく、電圧変化として光の信号を取り出すことが可能である。以上に説明した本発明では、単電子トランジスタの、ゲート電圧に対してソースドレイン間のコンダクタンスが振動する現象を利用している。この現象は、ゲート電圧が変化するとコンダクタンスが振動するものである。この現象においては、光照射により、実効的にゲート電圧を印加したのと同等な効果を与えれば、光を照射することでコンダクタンスを増やすことも減らすことも可能となる。このため、単電子トランジスタのチャネルとなる細線部単電子島の近くに配置されたシリコン層シリコン基板に光を照射して電子-正孔対を励起し、シリコン層通常p形あるいはn型のフェルミレベルをシフトさせることで、実効的に電圧を印加した状態が実現できる。これにより、光照射によりコンダクタンスを増やす、あるいは減らすことが可能となる。また、単電子トランジスタの単電子島の中に、反対の電荷単一電子を移動させる単電子トランジスタの場合は正孔を光照射で励起すれば、単電子島内の全ての電荷数は正負相殺して同じであっても、量子状態の変化により、ゲート電圧に対する電流ピーク位置コンダクタンス振動曲線がシフトする。この現象を利用すれば、やはり、実効的にゲート電圧を印加したことと同等な効果が得られ、光照射によりコンダクタンスを増やす、あるいは減らすことが可能となる。上述した2つの現象ともに、設定条件によって、ある程度自由に、光を照射した場合に、コンダクタンスが減少するようにも、増加するようにもできる。上述した本発明によれば、光が当たると電流が流れにくくなる現象を容易に実現できる。従来より、光に反応する装置は数多く存在し、光通信用のフォトダイオードから、手をかざすと水道の水が出るというようなセンサーまで、広く使われている。このような広い意味での光センサーは、光が当たると、電流が流れやすくなる現象を用いている。これに対し、これまでは、光が当たると電流が流れにくくなる現象は、実用に供するようなデバイスができなかったために使われてこなかった。素子に制御端子のようなものを設けることで、この端子に印加する電圧を変化させることによって、正のフォトコンダクタンスと負性微分フォトコンダクタンスを切り替えて使うことは、従来では実現されていない。しかしながら、本発明によれば、これらのことが実現できるようになる。なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。例えば、ゲート電極は、ポリシリコンに限らず、例えば、ITOIndiumTinOxideなどの透明電極材料から構成してもよい。また、上述では、細線部を挟んでゲート電極に対向して細線部に容量結合するシリコン層を、シリコン基板から構成したが、これに限るものではない。例えば、基板の上において、基板平面方向に、細線部とは絶縁分離した状態で、細線部を挟んでゲート電極およびシリコン層を配置してもよい。また、例えば、ゲート電極に加えてチャネル細線部に容量結合するシリコン基板シリコン層で光を受光して動作させる構成では、細線部に単電子島が形成されている必要はなく、微細なMOS構造となっていればよい。"