機械的支持の機能を有する基板を含む、マイクロエレクトロニクス、マイクロオプトエレクトロニクスまたはマイクロメカニクスのデバイスを製造するための支持体であって、該基板上に、気体吸収物質が別個の堆積物の形状で堆積され、その堆積物は、該支持体の近くに存在する大気に少なくとも一部暴露されることを特徴とする支持体。該別個の堆積物が、該支持体の近くに存在する大気に完全に暴露されることを特徴とする請求項1記載の支持体。該基板が、マイクロエレクトロニクスもしくはマイクロメカニクスのデバイスまたはその部品の製造と適合性の物質の層で被覆され、該層は、該支持体の近くに存在する大気と該堆積物をつなぐ通路を有することを特徴とする請求項1または2記載の支持体。該基板が、該気体吸収物質の別個の堆積物を含むように適合された空洞を備えることを特徴とする請求項1または2記載の支持体。該基板が実現される物質が、金属、セラミック、ガラスまたは半導体の中から選択されることを特徴とする請求項1または2記載の支持体。該物質がシリコンであることを特徴とする請求項5記載の支持体。該気体吸収物質がゲッター物質であることを特徴とする請求項1または2記載の支持体。該ゲッター物質が、金属Zr、Ti、Nb、Ta、V、これらの金属間の合金または、これらの金属と、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Al、Y、Laおよび希土類の中から選ばれる1種以上の元素との間の合金から選択される請求項7記載の支持体。該ゲッター物質がチタンであることを特徴とする請求項8記載の支持体。該ゲッター物質がジルコニウムであることを特徴とする請求項8記載の支持体。該ゲッター物質が、Zr84Al16の重量百分率組成を有する合金であることを特徴とする請求項8記載の支持体。該ゲッター物質が、Zr70V246Fe54の重量百分率組成を有する合金であることを特徴とする請求項8記載の支持体。該ゲッター物質が、Zr808Co142TR5の重量百分率組成を有する合金であり、TRは希土類、イットリウム、ランタンまたはこれらの混合物を意味することを特徴とする請求項8記載の支持体。該気体吸収物質が乾燥剤物質であることを特徴とする請求項1または2記載の支持体。該乾燥剤物質が、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属の酸化物の中から選択されることを特徴とする請求項14記載の支持体。該乾燥剤物質が酸化カルシウムであることを特徴とする請求項15記載の支持体。気体吸収物質の該別個の堆積物が、01~5μmの範囲内の厚みを有することを特徴とする請求項3または4記載の支持体。該マイクロエレクトロニクス、マイクロオプトエレクトロニクスもしくはマイクロメカニクスのデバイスまたはその部品の製造と適合性の物質が半導体物質である請求項3記載の支持体。該物質がシリコンである請求項14記載の支持体。マイクロエレクトロニクス、マイクロオプトエレクトロニクスもしくはマイクロメカニクスのデバイスまたはその部品の製造と適合性の物質の該層が、1~20μmの範囲内の厚みを有する請求項3記載の支持体。請求項1記載の支持体を、マイクロメカニクスのデバイスの製造において被覆要素として使用する方法。図面に関して、本発明を以下に記載する。ここで、明確に記載するために、図においては、本発明の支持体の高さ直径の比および、基板上の気体吸収物質堆積物の横方向の寸法は、実際の寸法に関して誇張されている。さらに、図においては、支持体はいつもウエハの幾何学的形態、すなわち低い円盤の物質で示されている。というのは、これは固体デバイスの製造業者に一般的に採用された形態であるからであるが、この形態はまた異なることができ、例えば正方形または長方形であることができる。図1には、本発明の第1の実施態様の支持体10の一部断面図が示されている。該支持体10は、支持体およびそれに由来するデバイスの裏張り支持の機能のみを有し、支持体10のほぼ全厚みミリメートルの範囲内を構成する基板11を含む。基板材料は、金属、セラミック、ガラスまたは半導体、好ましくはシリコンであることができる。基板11の表面の領域12、12’、...には、気体吸収物質の別個の堆積物13、13’、...が得られる。次にこれらの堆積物は、ICもしくはMMの製造プロセスと適合性の物質の層14で覆われる。この層14は、IC、マイクロオプトエレクトロニクスデバイスもしくはMMを構成するために次にその上に置かれる層のためのアンカーの責務を果たすか、またはそれ自体これらのデバイスが構成される層であることすらできる例えば、マイクロマシーンの可動部を、その一部を除去することによって、この層に得ることができる。その上、最終的なデバイスのはんだ付けを、あるいは層14の端に直接行なうことができる。図2にまた示されるように、堆積物13、13’、...と対応する層14には、気体吸収物質を支持体10の周りの大気にさらす機能を有する通路15、15’、...が次に実現される。通路15、15’、...は、当技術分野で公知の除去技術による、堆積物13、13’、...の上の層14の選択的除去によって作ることができる。堆積物13、13’、...のために使用される気体吸収物質は、遺失粒子の現象がない任意の物質であることができ、種々の気体分子を吸収することができる一般にゲッターと呼ばれる物質および、水蒸気の吸収に特異的な乾燥剤物質の中から選択される。ゲッター物質の場合には、例えばZr、Ti、Nb、Ta、Vのような金属;これらの金属間の合金または、これらの金属と、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Al、Y、Laおよび希土類の中から選ばれる1種以上の元素との間での合金、例えば2元合金TiV、ZrV、ZrFeおよびZrNi、3元合金ZrMnFeもしくはZrVFeまたはさらなる成分との合金であることができる。本願のためには、好ましいゲッター物質は、チタン、ジルコニウム、Zr84Al16の重量百分率組成を有する合金St101商標の名称で出願人から製造販売されている、Zr70V246Fe54の重量百分率組成を有する合金St707商標の名称で出願人から製造販売されているおよびZr808Co142TR5ここでTRは希土類、イットリウム、ランタンまたはそれらの混合物であるの重量百分率組成を有する合金St787商標の名称で出願人から製造販売されているであり、ゲッター物質が、遺失粒子の現象が完全にないわけではない場合には、例えば部分焼結またはアニーリング処理によって、該現象を減らすかまたはなくすように適当に処理することができる。乾燥剤物質の場合には、これらは好ましくは、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属の酸化物の中から選ばれ、特に好ましくは、製造中、それを含むデバイスの使用中または処分の際に安全性の問題または環境問題を引き起こさない酸化カルシウム、CaOが使用される。酸化物層は例えば、当該アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属を、酸素が低百分率で存在する希ガス一般にアルゴン雰囲気下で堆積させ、よって金属が堆積中にその酸化物に転化される、いわゆる反応性スパッタリング技術によって得ることができる。これらの層は、一般に、緻密で遺失粒子の問題を有さない。堆積物13、13’、...は、選択的堆積の公知技術によって得ることができ、約01~5μmの範囲の厚みを有することができ;厚みの値が示されたものより低いと、気体吸収力が過度に低下し、一方、厚みの値がそれより高いと、吸収特性には実際的利益がなく、堆積時間が延びる。該堆積物は、最終的な目的の装置に依存して広い範囲内で変わり得る横寸法を有する。例えばICにおける使用が予想されるなら、横の寸法は数ミクロン以下の範囲内であり、一方MMの場合には、寸法は数十ミクロン~数百ミクロンに含まれ得る。層14を構成する物質は、固体デバイスの製造において基体として一般に使用される材料の1つであり、いわゆるIIIV物質例えばGaAsもしくはInPであり得るか、または好ましくはシリコンである。層14は、スパッタリング、エピタクシー、CVDまたは当技術分野で公知の他の技術によって得ることができる。堆積物13、13’、...を有していない領域において一般に60μmより小さい可変の厚み、好ましくは約1~20μmの範囲内の厚みを有する。接着を助けるために、層14は好ましくは基板11と同じ材料を用いて実現され;好ましい組み合わせは、基板11についてはシリコン単結晶もしくは多結晶であり、層14についてはエピタクシーにより成長させたシリコンである。層14の上表面はまた、デバイス製造の以下の操作を考慮して、その化学組成を変更するように、例えば酸化物または窒化物を形成するように、処理されることができる。したがって本発明の支持体は、あらゆる種類の固体デバイスの製造に使用することができる。先の記載から明らかなように、完成され、使用もしくは商品化の用意ができた支持体においては、気体吸収物質の堆積物は被覆されておらず、すなわち外気にさらされている。吸収物質の過度の不動態化および損傷の危険を避けるために、よって支持体を、従来公知のように、不活性大気下、例えばアルゴンもしくは乾燥窒素下のボックスの中に保持することが好ましい。図3~5は、固体デバイスの製造における、特にマイクロマシーンの製造に言及する、支持体10の可能な使用を示す。しかしながら、同じ支持体を、他の固体デバイスを製造するために使用することができる。通路15、15’、...がない層14の表面領域の上に、図3において要素30、30’、...として図式化した、マイクロマシーン可動部を含む構造物が製造される。構造物30、30’、...の製造図には示されていない、マイクロマシーン1個毎の外部電気連絡のための接触を含むが終わったときに、図4の部分に示されるように、被覆要素40が支持体10の上に置かれる。該被覆要素は一般に、同じ基板11物質を用いて実現され、層14に対して容易に可撓性でなければならないシリコンの使用が好ましい。被覆要素40は、支持体10上に構造物30、30’、...が得られ、気体吸収物質の堆積物13、13’、...がさらされる領域と通じる穴41、41’、...を有することができる。特に、該穴のそれぞれは、支持体10および被覆要素40が互いに固定されるときに、30、30’、...のような構造物および気体吸収物質へ接近する通路15、15’、...が含まれる空間42、42’、...が得られるくらい広く、それで、この後者は、空間42、42’、...と直接接触し、該空間中に存在するかまたは時間中放出されるかもしれない気体を吸収することができる。最後に、支持体10および被覆要素40からなる全体を、その接着領域に沿って切断することによって、図5に示されているような1個のマイクロマシーンが得られる。図6および7は、一部断面で、本発明の支持体の第2の可能な実施態様を示す。この場合においてもまた、支持体60は、先に記載した基板11と同じ種類および寸法の基板61を含むが、ここでは、穴65、65’、...が得られ、領域62、62’、...に配置され、気体吸収物質の堆積物63、63’、...を含むように適合される。その特有の穴の配列のおかげで、基板61は、基板11および層14からなる組立物を代用することができる。図8は、図3~5に関して記載されたのと同様のプロセスによって、かつ支持体60上に構造物72、72’、...が配置され、気体吸収物質堆積物63、63’、...が暴露される領域に対応して穴71、71’、...を備えた被覆要素70を用いて、図6および7の支持体60から得ることができる固体デバイス80、特にマイクロマシーンを示す。その結果が、図9に示されたマイクロマシーン90である、先に規定した方法の変形においては、本発明の支持体60は、同じものの基板の代わりに固体デバイスの被覆要素として使用される。この場合には、マイクロマシーンが構成される基板は、気体吸収物質堆積物のない慣用のものである。基板61の内部に得られる空洞65はかくして、可動構造物91を収容するための空間を形成すると同時に、気体吸収物質へ接近する通路63を形成する。同様にして、図1に示されるデバイス10をまた使用することができる。