"基板上に第1電極を形成する工程と、ポリシランを含む溶液を不活性ガス雰囲気下でパターン塗付し乾燥する手法を用いて、前記第1電極上にn型シリコン層、i型シリコン層、p型シリコン層を積層してシリコン層を形成する工程と、前記シリコン層上に第2電極を形成する工程とを含み、前記シリコン層を形成する工程において、前記n型シリコン層、前記i型シリコン層、前記p型シリコン層の少なくともいずれか1層にダングリングボンド低減処理を行うことを特徴とする薄膜シリコン太陽電池の製造方法。液体材料をパターン塗布する手法を用いて、前記第1及び第2電極を形成することを特徴とする請求項1に記載の薄膜シリコン太陽電池の製造方法。前記第1電極のn型シリコン層表面及び前記p型シリコン層の表面の少なくともいずれか一方に、凹部を周期的に形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の薄膜シリコン太陽電池の製造方法。前記凹部を0.1μm~0.8μmの周期で形成することを特徴とする請求項3に記載の薄膜シリコン太陽電池の製造方法。前記ダングリングボンド低減処理を行う工程において、水素を用いてダングリングボンドを終端化させることを特徴とする請求項1に記載の薄膜シリコン太陽電池の製造方法。前記ダングリングボンド低減処理を行う工程において、所定の温度で焼成を行った後に水素を用いてダングリングボンドを終端化させることを特徴とする請求項1に記載の薄膜シリコン太陽電池の製造方法。前記焼成を行う温度は420°C~440°Cであることを特徴とする請求項6に記載の薄膜シリコン太陽電池の製造方法。前記電極と透明導電膜との間に前記シリコン層を複数形成することを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の薄膜シリコン太陽電池の製造方法。前記基板としてステンレス製の薄板を用いることを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の薄膜シリコン太陽電池の製造方法。基板と、前記基板上に配置された第1電極と、ポリシランを含む溶液を不活性ガス雰囲気下でパターン塗付し乾燥する手法を用いて、前記第1電極上にn型シリコン層、i型シリコン層、p型シリコン層が積層されたシリコン層と、前記シリコン層上に配置された第2電極とを有し、前記第1電極の前記n型シリコン層表面及び前記p型シリコン層の表面の少なくともいずれか一方に、周期的に凹部を備え、前記n型シリコン層、前記i型シリコン層、前記p型シリコン層の少なくともいずれか1層は、水素を用いてダングリングボンドが終端化されていることを特徴とする薄膜シリコン太陽電池。前記凹部を0.1μm~0.8μmの周期で備えることを特徴とする請求項10に記載の薄膜シリコン太陽電池。前記第1電極と前記第2電極との間に前記シリコン層を複数形成することを特徴とする請求項10に記載の薄膜シリコン太陽電池。前記n型シリコン層、前記i型シリコン層、前記p型シリコン層の少なくともいずれか1層は、所定の温度で焼成が行われた後に水素を用いてダングリングボンドが終端化されていることを特徴とする請求項10に記載の薄膜シリコン太陽電池。前記焼成を行う温度は420°C~440°Cであることを特徴とする請求項13に記載の薄膜シリコン太陽電池。本発明の第一の課題は、シリコン層のダングリングボンドの増加を抑えつつ、簡易に製造することができる塗布法を用いた薄膜シリコン太陽電池の製造方法を提供することにある。本発明の第二の課題は、太陽光の取り込み率を向上させることができる薄膜シリコン太陽電池及びその製造方法を提供することにある。本発明の第1の態様は、基板上に第1電極を形成する工程と、ポリシランを含む溶液を不活性ガス雰囲気下でパターン塗付し乾燥する手法を用いて、第1電極上にn型シリコン層、i型シリコン層、p型シリコン層を積層してシリコン層を形成する工程と、シリコン層上に第2電極を形成する工程とを含み、シリコン層を形成する工程において、n型シリコン層、i型シリコン層、p型シリコン層の少なくともいずれか1層にダングリングボンド低減処理を行う薄膜シリコン太陽電池の製造方法を要旨とする。本発明の第2の態様は、基板と、基板上に配置された第1電極と、ポリシランを含む溶液を不活性ガス雰囲気下でパターン塗付し乾燥する手法を用いて、前記第1電極上にn型シリコン層、i型シリコン層、p型シリコン層が積層されたシリコン層と、シリコン層上に配置された第2電極とを有し、第1電極の前記n型シリコン層表面及び前記p型シリコン層の表面の少なくともいずれか一方に、周期的に凹部を備え、n型シリコン層、i型シリコン層、p型シリコン層の少なくともいずれか1層は、水素を用いてダングリングボンドが終端化されている薄膜シリコン太陽電池を要旨とする。本発明によれば、シリコン層のダングリングボンドの増加を抑えつつ、簡易に製造することができる塗布法を用いた薄膜シリコン太陽電池の製造方法が提供される。本発明によれば、太陽光の取り込み率を向上させることができる薄膜シリコン太陽電池及びその製造方法が提供される。以下に、実施形態を挙げて本発明の説明を行うが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。尚、図中同一の機能又は類似の機能を有するものについては、同一又は類似の符号を付して説明を省略する。第一の実施形態に係る薄膜シリコン太陽電池図1に示す第一の実施形態に係る薄膜シリコン太陽電池11Aは、基板1と、基板1上に配置された第1電極3と、第1電極3上に、n型シリコン層5An、i型シリコン層5Ai、p型シリコン層5Apが積層されたシリコン層5Aと、シリコン層5A上に配置された第2電極8とを有する。なお、図示を省略しているが第1電極3と第2電極8は電気的に接続されている。基板1としては、薄膜状の基板1であれば特に制限されないが、例えばステンレス性の薄膜状の基板等を用いることができる。第1電極3としては、アルミニウムAlまたは銀Agのナノ粒子を含む液体金属材料を基板1上に塗付し乾燥して得られた膜を用いることができる。シリコン層5Aとしては、ポリシランを含む溶液を不活性ガス雰囲気下でインクジェット法等により塗付し乾燥して得られる膜を用いることができる。i型シリコン層5Ai等を図26に示すような構成を備えるプラズマ発生装置内に設置した後、i型シリコン層5Aiに水素処理、例えば水素プラズマもしくは大気圧水素プラズマを曝すこと等によりダングリングボンド低減処理されていることが好ましい。第2電極8としては、ITO透明導電膜、酸化インジウムスズまたはSn02等のナノ粒子を含む液体材料をシリコン層5A上に塗付し乾燥して得られる膜を用いることができる。第一の実施形態に係る薄膜シリコン太陽電池の製造方法イ図2に示すように、基板1を用意する。例えば、幅1100mのロール型ステンレス製の薄膜状の基板1を用意する。ロールツーロール方法を用いて連続プロセスを用いることができる観点からは、ロール型ステンレス製の薄膜状の基板を用いることが好ましい。そして、基板1を酸素濃度1ppm以下に制御した不活性ガス雰囲気の処理室内で15mm/sで移送させることが好ましい。後のシリコン層5Aの積層工程において阻害要因となる酸素源等を除去することができるからである。不活性ガスとしては、窒素N2ガス、アルゴンArガス、ヘリウムHeガス等を用いることができる。ロ図3に示すように、基板1上に第1電極3を形成する。例えば、アルミニウムをスクリーン塗布で基板1全面に塗布し、430°Cで焼成して厚さ100μm、シート抵抗値<1Ω/sqの電極3を形成する。ハ次に、ポリシランを含む溶液を不活性ガス雰囲気下でパターン塗付し乾燥する手法を用いて、第1電極3上に第1電極3側からn型シリコン層5An、i型シリコン層5Ai、p型シリコン層5Apの順に積層してシリコン層5Aを形成する。ここでは、n型シリコン層5An、i型シリコン層5Ai、p型シリコン層5Apのそれぞれがアモルファス型であるシリコン層5Aの形成方法について以下に説明する。ニn型シリコン層5Anを形成するには、例えば図4に示すように、電極3上にリンをドープしたポリシランを含む溶液を不活性ガス雰囲気下でパターン塗付し乾燥してn型シリコン層5Anを形成する。具体的には、シクロペンタシランCPSに対して白リンP4を0.25質量混合して得られた溶液に、波長405nm、3000mWの光を1~30分で適宜照射する。この溶液をトルエン等の炭化水素系溶媒で10程度に希釈して、電極3上にパターン塗布し200°Cで10秒間予備加熱する。その後、400°C~460°C、好ましくは420°C~440°Cで60分間焼成を行うことで、膜厚30nm、伝導度2.5×10-3S/cmのn型シリコン層5Anが電極3上に形成される。ホi型シリコン層5Aiを形成するには、例えば図5に示すように、n型シリコン層5An上にポリシランを含む溶液を不活性ガス雰囲気下でパターン塗付し乾燥してi型シリコン層5Aiを形成する。具体的にはCPSを含む溶液に波長405nm、3000mWの光を1~30分で適宜調整して分子量約1000のポリシラン溶液を得る。このポリシラン溶液をトルエン等の炭化水素系溶媒で30程度に希釈して、ディスペンサーでn型シリコン層5An上にパターン塗布し200°Cで10秒間予備加熱する。その後、400°C~460°C、好ましくは420°C~440°Cで60分間熱分解を行うことで、膜厚200nmのi型シリコン層5Aiが形成される。ヘp型シリコン層5Apを形成するには、例えば図7に示すように、i型シリコン層5Ai上にボラン化合物をドープしたポリシランを含む溶液を不活性ガス雰囲気下でパターン塗付し乾燥してp型シリコン層5Apを形成する。具体的には、CPSに対してデカボラン等のボラン化合物を1混合して得られた溶液に、波長405nm、3000mWの光を1~30分で適宜照射するこの溶液をトルエン等の炭化水素系溶媒で10程度に希釈して、ディスペンサーでi型シリコン層5Ai上にパターン塗布し200°Cで10s間予備加熱する。その後、400°C~460°C、好ましくは420°C~440°Cで60分間熱分解を行って、膜厚30nm、伝導度2.6×10-5S/cmのp型シリコン層5Apが形成される。トシリコン層5Aを形成する工程において、n型シリコン層5An、i型シリコン層5Ai、p型シリコン層5Apの少なくともいずれか1層にダングリングボンド低減処理を行う。例えば水素を用いてダングリングボンドを終端化させることが好ましい。更に、ダングリングボンド低減処理の前処理として、重合反応に適した温度で熱処理を行うのが好ましく、特に好ましくは420°C~440°Cの温度で熱処理を行う。ここでは、i型シリコン層5Aiを積層した後、p型シリコン層5Apを積層する前に、図6に示すように、真空チャンバー内でi型シリコン層5Aiに水素プラズマ12を曝してダングリングボンド低減処理を行う。水素プラズマ12の照射条件としては、例えば水素流量100sccm、マイクロ波出力445W、圧力191.95Pa1.44Torr、ヒーター温度480°C基板表面温度400°C、照射時間10分程度とすることが好ましい。水素プラズマ12処理を行う場合、シリコン層5Aがエッチングされることを防ぐ必要があることから、シリコン層5Aがエッチングされない温度で加熱する方法、シリコン層5A表面にシリコン酸化膜等のエッチング保護膜を設けて処理する方法などを用いることが好ましい。エッチング保護膜を用いた際はダングリングボンド低減処理後にフッ化水素等の薬液でエッチング保護膜を除去することが好ましい。なお、真空チャンバー内で水素プラズマ12処理を行う他にも、大気圧水素プラズマ処理、高圧水蒸気処理などを用いることができる。チ次に、図1に示すように、シリコン層5A上に第2電極8を形成する。例えば、ITOの材料となる直径5~20nmのナノ粒子を含む液体をシリコン層5A上にパターン塗布し、膜厚100nm、シート抵抗値<10Ω/sqの第2電極8を形成する。以上により、図1に示す薄膜シリコン太陽電池11Aが製造される。上記工程において、シリコン層5Aの他に、第1電極3及び第2電極8も、液体材料をパターン塗布することにより形成することが好ましい。液体材料をパターン塗布する手法を用いることで、製造設備を簡略化できるからである。また第三の実施形態で詳しく説明するように、電極3の表面の加工がし易くなることで太陽光の取り込み率を向上させることができるからである。塗布方法としては、インクジェット装置、ディスペンサー、マイクロディスペンサー、スリットコーター等の一般的な液滴塗布装置を用いてパターン塗布する方法が挙げられる。ポリシランおよび液体金属材料は酸素と反応して変性するので、一連の工程は酸素が存在しない不活性ガス雰囲気中であることが好ましい。さらに必要に応じて水素などの還元性ガスを混入することが好ましい。上記工程を実施可能であれば製造装置は特に制限されないが、ロールツーロール製造装置を用いることが好ましい。薄膜シリコン太陽電池11Aの連続生産が容易になるからである。ロールツーロール製造装置としては、ロール型ステンレス製の薄膜状の基板を送り出す送り出しユニットと、薄膜シリコン太陽電池を巻き取る巻き取りユニットを備え、送り出しユニットと、巻き取りユニットの間に上記第一の実施形態に係る薄膜シリコン太陽電池の製造方法の各工程に対応する操作を行うユニットをさらに備えるロールツーロール製造装置図示せずを用いることができる。ロールツーロール製造装置の送り出す送り出しユニットにロール型ステンレス製の薄膜状の基板を取り付け、ロール型ステンレス製の薄膜状の基板を巻き取りながら各ユニットを通過させることで薄膜シリコン太陽電池11Aが連続プロセスで製造される。第一の実施形態に係る薄膜シリコン太陽電池11Aの製造方法によれば、高価なプラズマCVD装置を使うことなく、ポリシランを含む溶液を低酸素雰囲気下で塗布、乾燥させることで、シリコン層5Aを形成することができる。その他にも金属金属酸化物なども液体インクで全て必要パターンを塗布することで、プラズマCVD装置を使用する際必要であったレーザーカット工程も不要となり生産効率が向上する。第一の実施形態に係る薄膜シリコン太陽電池11Aの製造方法によれば、ダングリングボンド低減処理を行うことで、ダングリングボンドが低減し、その結果、明暗比が向上し、また明暗比は変わらず光伝導特性が向上する。第一の実施形態についての実施例1第一の実施形態について、ダングリングボンド低減処理の前段階としてポリシランを含む溶液に対する熱処理効果をみる実験を行った。一例として、i型シリコン層5Aiを形成する際の焼成温度を330°C、430°Cとしたときの結果を表1にまとめて示す。表1より、330°C及び430°Cで焼成した場合の両者を比較すると、光伝導度はほぼ同一であったが、330°Cで焼成した方が、暗伝導度が大きくなることが分かった。これは430°Cで焼成した方が、暗所での伝導性が低いことを示す。以上より、太陽電池特性において暗伝導度の低い方が好ましいことより、焼成温度として430°Cが好ましいことが示された。2第一の実施形態について、ダングリングボンド低減処理の効果をみるべく、水素H2プラズマ処理した場合と、非処理の場合に分けて、電子スピン共鳴装置を用いて不対電子量、即ちダングリングボンド密度を測定し、またシリコン層5Aの膜厚を測定した。得られた結果を表2に示す。表2より、シリコン層5Aに水素プラズマ処理をすることで、膜厚を維持しながら、ダングリングボンドを大幅に低減できることが分かった。3参考のため、塗布法により形成されたi型シリコン層と、一般的なCVD法で形成されたi型シリコン層の水素量、ダングリングボンド密度、光伝導度の文献値を表3に示す。塗布法により形成されたi型シリコン層は、一般的なCVD法で形成されたi型シリコン層と比べ、ダングリングボンド密度のオーダーが一桁程度多い。また光伝導度が低い。一方、第一の実施形態によれば、i型シリコン層5Aiに水素を用いてダングリングボンド低減処理を施すことで、CVD法を用いて作製したアモルファスシリコン層と同じオーダーにまでダングリングボンドが減少したことが示された。次に、第一の実施形態について、シリコン層5Aに対して、水素H2プラズマ処理もしくは水素H2アニール処理を行った場合と、非処理の場合に分けて、フーリエ変換型赤外分光FTIR装置を用いて水素結合量を測定した。得られた結果を図27に示す。図27に示すように、水素H2プラズマ処理することにより、SiH,SiH3の吸収波長で吸光度AUが増加した。このことより水素H2プラズマ処理することで、SiH,SiH3が増加してダングリングボンドが低減したことが示された。また、電気伝導度評価実験を行った。得られた結果を図28に示す。図28に示すように、非処理の場合に比べ、水素プラズマ処理した場合、光伝導特性が向上し明暗比が3倍向上した。以上より、ダングリングボンド低減処理を行うことで、ダングリングボンドが低減し、電気伝導度の明暗比が向上することが示された。第二の実施形態に係る薄膜シリコン太陽電池図8aに示す第二の実施形態に係る薄膜シリコン太陽電池11Bは、基板1と、基板1上に配置された第1電極3と、第1電極3上に、n型シリコン層5Bn、i型シリコン層5Bi、p型シリコン層5Bpが積層されたシリコン層5Bと、シリコン層5B上に配置された第2電極8とを有する。p型シリコン層5Bpの第2電極8表面に周期的に凹部5Bph1、5Bph2、5Bph3、5Bph4、5Bph5、5Bph6、5Bph7を備える。ここでは、p型シリコン層5Bpの第2電極8表面に周期的に凹部5Bph1...5Bph7を備えることとしたが、電極3のn型シリコン層5Bn表面及びp型シリコン層5Bpの第2電極8表面の少なくともいずれか一方に、周期的に凹部を備えればよい。なお、図示を省略しているが電極3と第2電極8は電気的に接続されている。ここで、周期とは、図8aに示すように、隣り合う凹部5Bph2、5Bph3の左端間の距離Bをいう。凹部5Bph1...5Bph7のそれぞれの幅Aと深さCは一定である。凹部5Bph1...5Bph7の深さCを100nmとしたときの好ましい周期は0.1μm~1.0μm、より好ましくは0.1~0.8μmである。なお、第二の実施形態に係る薄膜シリコン太陽電池の長手方向に切断して得られる断面概略図は、図8a、図12aおよび図13aは同様である。第二の実施形態に係る薄膜シリコン太陽電池の製造方法第一の実施形態との相違点を中心に説明する。イ第一の実施形態と同様にして、図1~図7の工程に従い、図9に示すように、基板1上に電極3と、シリコン層5Bとを設ける。ロ図10に示すようにp型シリコン層5Bpに凹部5Bph1...5Bph7を設ける。例えばフォトリソグラフィー法等を用いることにより、凹部5Bph1...5Bph7を設けることができる。ハ図11に示すように、第2電極8を設ける。以上により図8に示す薄膜シリコン太陽電池11Bが製造される。第二の実施形態に係る薄膜シリコン太陽電池11Bの製造方法によれば、p型シリコン層5Bpの表面に凹部5Bph1...5Bph7を設けたことで、薄膜シリコン太陽電池11B内に入りこんだ太陽光を乱反射させ薄膜シリコン太陽電池11B内に閉じ込めることができる。その結果、太陽光を効率的に取り込めるので発電効率が増加する。第二の実施形態の実施例第二の実施形態について、凹部の周期が1μmの波長の光の吸収率に与える影響について実験を行った。なお、1μmの波長の光を選んだ理由は太陽光の全波長と近似しうると考えたからである。図29、図30、図31はそれぞれ、電極3のn型シリコン層5Bn側表面に凹部を周期的に形成した場合、p型シリコン層5Bpの第2電極8側表面に凹部を周期的に形成した場合、電極3のn型シリコン層5Bn側表面とp型シリコン層5Bpの第2電極8側表面に凹部を周期的に形成した場合の、凹部の周期に対する波長1μmの光吸収率の変化を示す。図中の点線は凹部を周期的に形成しなかった場合の吸収率薄膜時の値を示す。一連の実験において凹部の深さCは100nmとした。図29より、周期を0.3μmよりも長く0.7μmよりも短くすることで吸収率が向上することが分かった。特に周期を0.4よりも長く0.6よりも短くすることで特に吸収率が向上することが分かった。図30より周期を0.3μmよりも長く0.5μmよりも短くすることで吸収率が向上することが分かった。また図29と図30を比較した場合、図29の場合のほうが吸収率が高くなることが分かった。図31より、周期が0.3μmよりも長く0.5μmよりも短い場合、周期が0.5μmよりも長く0.8μmよりも短い場合に吸収率が向上することが分かった。即ち、周期が0.5μmのときに吸収率が低下した理由は定かではないが、概して周期が0.3μmよりも長く0.8μmよりも短いときに吸収率が向上することが分かった。特に0.5μmよりも長く0.7μmよりも短いときに吸収率が向上することが分かった。図32は凹部の周期と太陽光の吸収率の積分値との関係を示す。図32に示すように、凹部の周期を0.1μm~0.8μmとすることで、凹部を設けない場合よりも、太陽光の吸収率が向上することが分かった。第三の実施形態に係る薄膜シリコン太陽電池図14aに示す第三の実施形態に係る薄膜シリコン太陽電池11Cは、基板1と、基板1上に配置された第1電極3と、第1電極3上に配置された、n型シリコン層5C1n、i型シリコン層5C1i、p型シリコン層5C1pが積層された多結晶シリコン層5C1と、バッファー層9を介して多結晶シリコン層5C1上に、n型シリコン層5C2n、i型シリコン層5C2i、p型シリコン層5C2pが積層されたアモルファスシリコン層5C2と、アモルファスシリコン層5C2上に配置された第2電極8とを有する。p型シリコン層5C2pの第2電極8側表面に周期的に凹部5C2ph1、5C2ph2、5C2ph3、5C2ph4、5C2ph5、5C2ph6、5C2ph7を備える。また第1電極3のn型シリコン層5Bn側表面に凹部3h1、3h2、3h3、3h4、3h5、3h6、3h7を周期的に備える。なお、図示を省略しているが第1電極3と第2電極8は電気的に接続されている。第三の実施形態に係る薄膜シリコン太陽電池の製造方法第一、第二の実施形態との相違点を中心に説明する。イ第一の実施形態と同様にして、図2,図3の工程に従い、図15に示すように、基板1上に電極3を形成する。電極3の表面の加工がし易くなる観点から液体材料をパターン塗布する手法を用いることが好ましい。ロ図16に示すように電極3に凹部3h1...3h7を設ける。例えばフォトリソグラフィー法等を用いることにより、凹部3h1...3h7を設けることができる。ハ図4の工程と同様にして、図17に示すようにn型シリコン層5C1nを形成する。ニ図5の工程と同様にして、図18に示すようにi型シリコン層5C1iを形成する。ホ図19に示すようにキセノンXeフラッシュランプ14a,14b,14cにより、半値幅1ms以下の光をi型シリコン層5C1iに対して光を照射し、i型シリコン層5C1iを多結晶化する。複数あるシリコン層のうち、電極側最下層のシリコン層を積層した後に、電極側最下層のシリコン層を多結晶化することが好ましい。最上層のシリコン層を多結晶化するとそれよりも下層のシリコン層も多結晶化してしまい、アモルファスシリコン層と多結晶化シリコン層を併せもつことが困難になるからである。i型シリコン層を多結晶化する手段として、グリーンレーザーアニールを用いてもよい。ヘ図6の工程と同様にして、図20に示すようにi型シリコン層5C1iに水素プラズマ12を照射してダングリングボンド低減処理を行う。ト図7の工程と同様にして、図21に示すようにp型シリコン層5C1pを設ける。チ図22に示すようにバッファ-層9を設けた後、図4~図7の工程と同様にして、図23に示すようにアモルファスシリコン層5C2を設ける。リ図24に示すように凹部5C2ph1...5C2ph7を形成する。ヌ図11の工程と同様にして、図25に示すように、第2電極8を形成する。以上により図14に示す薄膜シリコン太陽電池11Cが製造される。第一、第二の実施形態に係る薄膜シリコン太陽電池11A,11Bにおいては、シリコン層5A、5Bを1層としたが、第1電極3と第2電極8との間にシリコン層を複数形成してもよい。例えば図14aの第三の実施形態に係る薄膜シリコン太陽電池11Cのように、多結晶シリコン層5C1と、アモルファスシリコン層5C2とを備える構成にしてもよい。i型シリコン層の一つをi型アモルファスシリコン層とし、他のi型シリコン層をi型多結晶化シリコン層とすることで、互いの層が光の吸収波長を補い合うことで、光の吸収波長の幅が広がり、光の吸収効率が向上するからである。製造プロセスが容易である観点からは基板1側最下層のi型シリコン層5C1iをi型多結晶化シリコン層とすること好ましい。第三の実施形態に係る薄膜シリコン太陽電池11Cの製造方法によれば、p型シリコン層5C2p表面に加えて、第1電極3表面にも凹部3h1...3h7言い換えると、n型多結晶シリコン層の表面に凸部5C1np1...5C1np7を設けたことで、第二の実施形態よりもより効率的に、薄膜シリコン太陽電池11C内に入りこんだ太陽光を乱反射させ薄膜シリコン太陽電池11C内に閉じ込めることができる。その結果、太陽光を効率的に取り込めるので発電効率が増加する。その他の実施形態上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。例えば、第二の実施形態に係る薄膜シリコン太陽電池11Bにおいて、凹部5Bph1...5Bph7は、発明の理解を容易にするため、図8bに示すように帯状に形成した。しかし、薄膜シリコン太陽電池11Bの長手平行に直行して入射する光も効率的に取り込む観点からは、図12bの第二の実施形態の変形例1に示すように、例えば市松模様状に長手方向、幅方向に等間隔に配置することが好ましい。その際、凹部に形成される第2電極8の凸部8Bpの形状は、四角柱状等の多角柱に限らず、図13bに示すように円柱状であっても構わない。また凸部8Bp1...8Bp7同士が接し合う必要はなく図13bの第二の実施形態の変形例2に示すように等間隔に離間して散点状に配置されても構わない。このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。"