"被処理基板の下面側に配置されるステージと、前記被処理基板の上面側に配置される複数のプローブと、前記ステージ及び前記複数のプローブの少なくとも1つを駆動する駆動ユニットと、前記複数のプローブに接続される描画ユニットと、前記駆動ユニット及び前記描画ユニットを制御する制御ユニットとを具備し、前記制御ユニットは、前記複数のプローブを用いて同一パターンを同一条件でテスト描画し、前記テスト描画された複数のパターンの位置及びサイズの目標値に対するずれを位置ずれ及びサイズずれとして求め、前記位置ずれ及び前記サイズずれが許容範囲内にある正常プローブを選択し、前記被処理基板のメイン描画エリアのうち、前記正常プローブが描画するサブ描画エリアを調整する補正処理を実行し、かつ、前記正常プローブを用いて前記サブ描画エリアの描画を実行するパターン形成装置。前記制御ユニットは、前記正常プローブによる描画回数が所定値に達したとき、前記テスト描画及び前記補正処理を再度実行する請求項1に記載のパターン形成装置。前記テスト描画された前記複数のパターンの位置及びサイズを計測する計測ユニットをさらに具備し、前記位置ずれ及び前記サイズずれは、前記計測ユニットにより求める請求項1に記載のパターン形成装置。前記制御ユニットは、前記複数のプローブのピッチをpとしたとき、前記メイン描画エリアを、前記ピッチ方向の幅がx2の複数のサブ描画エリアに分割し、かつ、前記複数のプローブの各々を前記複数のサブ描画エリアのうちの1つに割り当てる、但し、x2≦pである請求項1に記載のパターン形成装置。前記制御ユニットは、前記複数のプローブのうちの1つが異常プローブであるとき、前記異常プローブに割り当てられたサブ描画エリアを解除し、かつ、前記異常プローブに隣接する前記正常プローブに割り当てられるサブ描画エリアの前記ピッチ方向の幅を拡大する請求項4に記載のパターン形成装置。前記制御ユニットは、前記複数のプローブのピッチをpとしたとき、前記メイン描画エリアを、前記ピッチ方向の幅がx2の複数のサブ描画エリアに分割し、かつ、前記複数のプローブの各々を前記複数のサブ描画エリアのうちの1つに割り当てる、但し、p<x2である請求項1に記載のパターン形成装置。前記複数のプローブの前記ピッチ方向の可動範囲をx1としたとき、p<x2≦x1である請求項6に記載のパターン形成装置。前記制御ユニットは、前記複数のプローブのうちの1つが異常プローブであるとき、前記異常プローブを除く前記複数のプローブのうちの1つを前記正常プローブとして前記複数のサブ描画エリアのうちの1つに割り当てる請求項7に記載のパターン形成装置。前記制御ユニットは、前記メイン描画エリアを複数のサブ描画エリアに分割し、かつ、前記複数のサブ描画エリアの各々の描画を前記複数のプローブのうちの少なくとも2つを用いた複数回の描画により実行する請求項1に記載のパターン形成装置。実施形態は、マルチプローブリソグラフィ技術におけるパターン描画精度を向上させる技術を提案する。実施形態によれば、パターン形成装置は、被処理基板の下面側に配置されるステージと、前記被処理基板の上面側に配置される複数のプローブと、前記ステージ及び前記複数のプローブの少なくとも1つを駆動する駆動ユニットと、前記複数のプローブに接続される描画ユニットと、前記駆動ユニット及び前記描画ユニットを制御する制御ユニットとを備え、前記制御ユニットは、前記複数のプローブを用いて同一パターンを同一条件でテスト描画し、前記テスト描画された複数のパターンの位置及びサイズの目標値に対するずれを位置ずれ及びサイズずれとして求め、前記位置ずれ及び前記サイズずれが許容範囲内にある正常プローブを選択し、前記被処理基板のメイン描画エリアのうち、前記正常プローブが描画するサブ描画エリアを調整する補正処理を実行し、かつ、前記正常プローブを用いて前記サブ描画エリアの描画を実行する。以下、図面を参照しながら実施形態を説明する。マルチプローブリソグラフィ技術は、複数のプローブを用いてパターンを形成する技術のことである。この技術の課題は、複数のプローブの特性が、製造誤差や、経時変化などによって変化することにある。例えば、複数のプローブは、常に同一パターンを同一条件で描くということはなく、結果として、複数のプローブの使用履歴は、必ず異なるものとなる。従って、高い使用頻度を有するプローブは、他のプローブに比べて、磨耗や変形などが早く発生し、場合によっては、破損して、使用不可能な異常プローブとなることもあり得る。そこで、以下の実施形態では、このような状況に鑑み、複数のプローブの特性描画されたパターンの位置ずれや、サイズずれなどをリアルタイムに検出し、これら特性が許容範囲内にある正常プローブを選択し、正常プローブのみを用いて描画を実行する。即ち、これら特性が許容範囲外にある異常プローブを描画に使用しない。また、複数のプローブの特性は、一定期間が経過したとき、例えば、描画回数が所定値に達したときに、再び検出される。このように、定期的に異常プローブの検出を行うことにより、パターン描画精度を向上させることができる。さらに、基板のメイン描画エリアのうち、正常プローブが描画するサブ描画エリアを調整する補正処理を実行した後に、正常プローブのみを用いてサブ描画エリアの描画を実行する。このように、正常プローブが担当する描画エリアを調整することにより、パターン描画精度をさらに向上させることができる。1.実施例図1は、パターン形成装置の実施例を示している。ステージ11は、基板被処理基板12の下面側に配置される。ステージ11は、基板11を支持すると共に、基板11の下面に固定電位例えば、正電位を印加する機能を有する。基板11は、例えば、半導体ウェーハである。プローブユニット13は、基板12の上面側に配置される。プローブユニット13は、複数のプローブA,B,C,D,Eを有する。複数のプローブA,B,C,D,Eの各々は、例えば、カンチレバー型を有するが、それに限定されることはない。基板11に対する描画は、例えば、複数のプローブA,B,C,D,Eの各々の電位を制御し、各プローブから放出される電子を制御することにより行うことができる。本例では、プローブユニット13の複数のプローブA,B,C,D,Eの数は5本であるが、それに限定されることはない。また、基板12の上面側に配置されるプローブユニット13の数は、1つに限られない。例えば、プローブユニット13の数は、2個以上に設定しても構わない。駆動ユニット14,15は、ステージ11及びプローブユニット13の少なくとも1つを駆動する。ステージ11のみを駆動するときは、駆動ユニット15を省略してもよい。また、プローブユニット13のみを駆動するときは、駆動ユニット14を省略してもよい。当然、駆動ユニット14,15を用いて、ステージ11及びプローブユニット13の双方を駆動してもよい。駆動ユニット14は、ステージ11を駆動する。例えば、駆動ユニット14は、ステージ11を二次元的x-y方向に駆動する。但し、ステージ11は、駆動ユニット14により、一次元的又は三次元的に駆動させることも可能である。駆動ユニット15は、プローブユニット13を駆動する。例えば、駆動ユニット15は、プローブユニット13を一次元的z方向に駆動する。但し、プローブユニット13は、駆動ユニット15により、二次元的又は三次元的に駆動することも可能である。描画ユニット16は、基板12内のメイン描画エリアに対して描画を実行するために、プローブユニット13を介して、複数のプローブA,B,C,D,Eの各々に電気的に接続される。計測ユニット18は、複数のプローブA,B,C,D,Eの特性の補正処理を行うためにテスト描画された複数のパターンの位置及びサイズを計測するために設けられる。テスト描画は、複数のプローブA,B,C,D,Eを用いて、同一パターンを同一条件で描くことにより行う。計測ユニット18は、テスト描画された複数のパターンの位置及びサイズの目標値に対するずれを位置ずれ及びサイズずれとして求める。制御ユニット17は、駆動ユニット14,15及び描画ユニット16を制御する。制御ユニット17は、基板12とプローブユニット13との相対位置を変化させる。例えば、制御ユニット17は、プローブユニット13内の複数のプローブA,B,C,D,Eが基板12に対して直線的に走査するように、駆動ユニット14,15を制御する。また、制御ユニット17は、複数のプローブA,B,C,D,Eのうちから、計測ユニット18により求めた位置ずれ及びサイズずれが許容範囲内にある正常プローブを選択し、基板12のメイン描画エリアのうち、正常プローブが描画するサブ描画エリアを調整する補正処理を実行し、かつ、正常プローブを用いてサブ描画エリアの描画を実行する。図2は、正常プローブと異常プローブを示している。正常プローブは、プローブの中心点と基準点とが一致している。これに対し、位置ずれΔx,Δyを有するプローブは、位置ずれΔx,Δyが許容範囲内にないときは、使用不可の異常プローブとして取り扱われる。また、サイズずれΔrを有するプローブは、サイズずれΔrが許容範囲内にないときは、使用不可の異常プローブとして取り扱われる。このように、異常プローブは、位置ずれ、サイズずれ及びこれらの組み合わせによって発生する。図3は、正常パターンと異常パターンを示している。サンプル1~10は、それぞれのプローブに対応している。正常ドットパターンは、サンプル1~10の各々が正常プローブであるときに、それらにより描画されたドットパターンのことである。これに対し、異常ドットパターンは、サンプル1~10の各々が位置ずれ又はサイズずれを有する異常プローブであるときに、それらにより描画されたドットパターンのことである。また、異常ラインパターンは、サンプル1~10の各々が異常プローブであるときに、それらにより描画されたラインパターンのことである。このように、異常プローブを用いてパターンを描くと、同一パターンを同一条件で描いたとしても、各々のパターンにばらつきが発生する。そこで、実施例では、パターン形成プロセスにおいて、正常プローブのみを描画に使用するための補正処理を追加する。図4は、パターン形成プロセスの第1の例を示している。このパターン形成プロセスは、図1のパターン形成装置を用いて実行される。まず、プローブユニット内の複数のプローブを用いて、同一パターンを同一条件で描画するテスト描画を行うステップST1。例えば、テスト描画は、ドットパターン及びラインパターンを同一条件で描画することにより行う。次に、描画された複数のパターンの位置及びサイズを計測ユニットにより計測するステップST2。例えば、図3に示すように、全てのプローブが正常であると、描画されたパターン、例えば、ドットパターンは、同一サイズかつ一定ピッチで並んで配置される。しかし、例えば、製造ばらつきなどの原因により位置ずれ又はサイズずれを有するプローブにより描画されたパターン、例えば、ドットパターン及びラインパターンは、位置、サイズなどにばらつきを有する。そこで、これら複数のパターンの位置及びサイズを目標値と比較し、各パターンについて、位置ずれΔx,Δy及びサイズずれΔrを求めるステップST3。この後、全てのパターンの位置ずれΔx,Δy及びサイズずれΔrが許容範囲内にあるか否かを判断するステップST4。全てのパターンの位置ずれΔx,Δy及びサイズずれΔrが許容範囲内にあるときは、プローブユニット内の全てのプローブが正常プローブであると判断する。この場合、メイン描画エリアを複数のサブ描画エリアに分割しステップST5、複数のプローブ正常プローブの各々を複数のサブ描画エリアのうちの1つに割り当てるステップST6。そして、正常プローブのみを用いて描画を実行する。また、描画の実行前又は後に描画回数をカウントするステップST8。また、少なくとも1つのパターンについて、位置ずれΔx,Δy又はサイズずれΔrが許容範囲内にないときは、正常プローブのみを描画に使用するための補正処理を実行するステップST7。補正処理の具体例については後述する。尚、このパターン形成プロセスは、描画パターン形成の度に実行してもよいし、後述するように、一定期間又は一定の描画回数が経過した後に実行してもよい。前者の場合には、ステップST8における描画回数のカウントを省略してもよい。図5は、パターン形成プロセスの第2の例を示している。このパターン形成プロセスも、図1のパターン形成装置を用いて実行される。第2の例が第1の例と異なる点は、パターン形成プロセスにおいて、補正処理を行うか否かの判断を、定期的、即ち、一定期間又は一定の描画回数が経過した後に実行することにある。ここでは、描画回数を基準に、定期的に補正処理を行うか否かの判断を行う例を説明する。まず、描画回数が所定値に達したか否かを判断するステップST1。描画回数が所定値に達していないときは、メイン描画エリアを複数のサブ描画エリアに分割しステップST7、複数のプローブ正常プローブの各々を複数のサブ描画エリアのうちの1つに割り当てるステップST8。そして、正常プローブのみを用いて描画を実行する。また、描画の実行前又は後に描画回数をカウントするステップST10。また、描画回数が所定値に達しているときは、描画回数カウント値をリセットするステップST2。そして、プローブユニット内の複数のプローブを用いて、同一パターンを同一条件で描画するテスト描画を行うステップST3。例えば、テスト描画は、ドットパターン及びラインパターンを同一条件で描画することにより行う。次に、描画された複数のパターンの位置及びサイズを計測ユニットにより計測するステップST4。例えば、図3に示すように、全てのプローブが正常であると、描画されたパターン、例えば、ドットパターンは、同一サイズかつ一定ピッチで並んで配置される。しかし、例えば、使用履歴などにより位置ずれ又はサイズずれが発生したプローブにより描画されたパターン、例えば、ドットパターン及びラインパターンは、位置、サイズなどにばらつきを有する。そこで、これら複数のパターンの位置及びサイズを目標値と比較し、各パターンについて、位置ずれΔx,Δy及びサイズずれΔrを求めるステップST5。この後、全てのパターンの位置ずれΔx,Δy及びサイズずれΔrが許容範囲内にあるか否かを判断するステップST6。全てのパターンの位置ずれΔx,Δy及びサイズずれΔrが許容範囲内にあるときは、プローブユニット内の全てのプローブが正常プローブであると判断する。この場合、メイン描画エリアを複数のサブ描画エリアに分割しステップST7、複数のプローブ正常プローブの各々を複数のサブ描画エリアのうちの1つに割り当てるステップST8。そして、正常プローブのみを用いて描画を実行する。また、描画の実行前又は後に描画回数をカウントするステップST10。また、少なくとも1つのパターンについて、位置ずれΔx,Δy又はサイズずれΔrが許容範囲内にないときは、正常プローブのみを描画に使用するための補正処理を実行するステップST9。補正処理の具体例については後述する。以上、第1及び第2の例によれば、プローブユニット内の複数のプローブのうち正常プローブのみを用いて描画を実行するための補正処理を行うことにより、パターン描画精度の向上を実現することができる。また、TATの短縮や、製造コストの削減などを図ることができる。次に、補正処理の具体例について説明する。まず、前提条件を説明する。図6に示すように、プローブユニット13は、x方向に一定ピッチpで並ぶ複数のプローブA,B,C,D,Eを有するものとする。また、プローブユニット13の可動範囲は、x方向については、x1とし、y方向については、y1とする。また、図7に示すように、被処理基板内のメイン描画エリアMのサイズは、x2×3×y2×2であるものとする。メイン描画エリアMは、6個のサブ描画エリアS1,S2,S3,S4,S5,S6に分割される。各サブ描画エリアのサイズは、x2×y2であるものとする。図8は、補正処理の第1の例を示している。まず、被処理基板上のメイン描画エリアを複数のサブ描画エリアに分割するステップST1。ここで、各サブ描画エリアのx方向のサイズx2は、複数のプローブのx方向のピッチpと同じ又はそれよりも小さいx2≦p。例えば、x1=y1=100μm、x2=p=30μmである。次に、複数のプローブの各々を複数のサブ描画エリアのうちの1つに割り当てるステップST2。例えば、図9A~Eの全てが正常と仮定したときに示すように、複数のサブ描画エリアS1,S2,S3については、複数のプローブA,B,Cを対応させる。また、複数のサブ描画エリアS4,S5,S6については、複数のプローブC,D,Eを対応させる。この後、ステップST2における割り当てを変更する。即ち、異常プローブに隣接する正常プローブが担当するサブ描画エリアを拡大するステップST3。例えば、図9Cが異常のときに示すように、プローブCが異常であるとき、異常プローブCに隣接する正常プローブBが担当するサブ描画エリアS2を拡大し、かつ、異常プローブCに隣接する正常プローブDが担当するサブ描画エリアS5を拡大する。そして、複数のプローブのうち正常プローブのみを用いてメイン描画エリア内の各サブ描画エリアの描画を行う。以上の補正処理によれば、異常プローブが発生しても、異常プローブに隣接する正常プローブにより描画を行う範囲を拡大するだけで高精度な描画を行うことができる。図10は、補正処理の第2の例を示している。まず、被処理基板上のメイン描画エリアを複数のサブ描画エリアに分割するステップST1。ここで、各サブ描画エリアのx方向のサイズx2は、複数のプローブのx方向のピッチpよりも大きく、かつ、プローブユニットのx方向の可動範囲x1と同じ又はそれよりも小さいp<x2≦x1。例えば、x2=100μm、p=30μmである。x1は、描画時間をできるだけ短縮するためにX2に近付ける又は等しくするのが望ましい。次に、複数のプローブ異常プローブを除くの各々を複数のサブ描画エリアのうちの1つに割り当てるステップST2。ここで、本例では、異常プローブの有無にかかわらず、複数のプローブと複数のサブ描画エリアとの対応関係を一定に保つことができる。例えば、図11A~Eの全てが正常のときに示すように、全てのプローブが正常であるとき、複数のサブ描画エリアS1,S2,S3については、複数のプローブB,E,Aを対応させる。また、複数のサブ描画エリアS4,S5,S6については、複数のプローブA,D,Bを対応させる。また、例えば、図11Cが異常のときに示すように、プローブCが異常であるとき、複数のサブ描画エリアS1,S2,S3については、複数のプローブB,E,Aを対応させる。また、複数のサブ描画エリアS4,S5,S6については、複数のプローブA,D,Bを対応させる。このように、異常プローブの有無にかかわらず、複数のプローブと複数のサブ描画エリアとの対応関係を一定に保つことができる。これは、1回の描画走査において、複数のプローブA,B,C,D,Eの全てを用いずに、それらのうちの数本のみを用いて同時に描画するためである。例えば、本例の場合、隣接する3本のプローブA,B,Cのうちの1本プローブBと、隣接する3本のプローブC,D,Eのうちの1本プローブEとを用いて、2つのサブ描画エリアS1,S2の描画を同時に行う。また、隣接する3本のプローブA,B,Cのうちの1本プローブAと、隣接する3本のプローブC,D,Eのうちの1本プローブDとを用いて、2つのサブ描画エリアS4,S5の描画を同時に行う。この場合、プローブCの正常/異常に関係なく、複数のプローブA,B,C,D,Eと複数のサブ描画エリアS1,S2,S3,S4,S5,S6との対応関係を変えることなく、描画を行うことができる。以上の補正処理によれば、異常プローブが発生しても、複数のプローブと複数のサブ描画エリアとの対応関係を一定に保つことができるため、簡易な制御により高精度な描画を継続して行うことができる。図12は、描画方法を示している。この描画方法は、1つのサブ描画エリアの描画を、複数のプローブを用いる複数回の描画により行ういわゆる多重描画技術に関する。この描画方法によれば、上述のパターン形成プロセス補正処理を含むと組み合わせることによりさらなる描画精度の向上を図ることができる。本例では、図7のサブ描画エリアS1の描画を、5本のプローブA,B,C,D,Eを用いる9回の描画により行う例を説明する。各プローブが1回の描画走査によりサブ描画エリアS1内に描くパターンの範囲は、それぞれ異なる。例えば、1回目の描画範囲を基準としたとき、2回目の描画範囲は、1回目の描画範囲に対してx方向又はy方向に一定値だけシフトする。3回目以降の描画範囲については、それよりも前の全ての描画における描画範囲に対してx方向又はy方向に一定値だけシフトする。本例の場合、まず、プローブAを用いて1回目の描画を行う。また、プローブBを用いて2回目の描画を行い、プローブCを用いて3回目の描画を行い、プローブDを用いて4回目の描画を行い、プローブEを用いて5回目の描画を行う。さらに、プローブAを用いて6回目の描画を行い、プローブBを用いて7回目の描画を行い、プローブCを用いて8回目の描画を行い、プローブDを用いて9回目の描画を行う。同図において、サブ描画エリアS1と各プローブの可動範囲破線とのオーバーラップエリアが実際の描画エリアである。尚、3本のプローブA,B,Cによる1~3回目の描画については、同時に行うことも可能である。同様に、3本のプローブD,E,Aによる4~6回目の描画についても、同時に行うことが可能であるし、3本のプローブB,C,Dによる7~9回目の描画についても、同時に行うことが可能である。このように、多重描画技術を用いれば、1つのサブ描画エリア内のパターンの描画を9回の描画の重ね合わせにより行うことで、パターン描画精度を向上させることができる。また、仮に、異常プローブが発生したとしても、それによるパターン描画精度の低下は、1本のプローブで描画する場合の1/9に減らすことができる。尚、多重描画技術によれば、1回の描画に要する時間を短くできるため、1つのサブ描画エリアに対して複数回の描画を行なっても、描画時間が極端に増加することはない。即ち、多重描画技術を採用しても、TATの短縮や、製造コストの削減などを図ることができる。2.その他図1のパターン形成装置は、原子間力顕微鏡、トンネル電流顕微鏡などのSPM装置を応用することにより製造可能である。また、マルチプローブに関しては、1万本のような莫大な数のプローブを形成するには、MEMS技術を利用して、例えば、ウェーハ内に複数のプローブを形成するのが望ましい。また、上述のパターン形成プロセス補正処理を含むは、図1のパターン形成装置内で連続して行うことができるため、被処理基板の出し入れ作業が不要であり、製造歩留まりの向上にも貢献できる。さらに、パターンの形成に際しては、プローブのスキャンスピードや、プローブと被処理基板との距離などを調整することにより、描画されるパターンのサイズを制御することが可能である。また、プローブ及び被処理基板間の電流値/電圧値、プローブの被処理基板に対する押し付け圧力や、パターン形成装置の内部の温度及び湿度などの物理量などによっても、描画されるパターンのサイズを制御することができる。3.むすび実施形態によれば、マルチプローブリソグラフィ技術におけるパターン描画精度を向上させることができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"