基板と、該基板上に設けられた発光素子と、前記基板上に設けられ、前記発光素子を前記発光素子と間をあけて被覆するとともに、下端の外周側に段差を有し、前記下端が透光性部材を介して前記基板に接合された波長変換部材と、前記基板上に設けられ、前記発光素子と前記透光性部材との間に配置された遮光部材と、を備え、前記波長変換部材は、前記波長変換部材の下端が前記透光性部材上から前記透光性部材の側部にかけて設けられていることを特徴とする発光装置。請求項1に記載の発光装置であって、前記遮光部材は、前記発光素子の側部と対向する前記遮光部材の内側部に凹部が設けられていることを特徴とする発光装置。請求項2に記載の発光装置であって、前記遮光部材は、前記基板の上面に沿った平面方向における前記凹部の大きさが、前記基板の上面に対する垂直方向における前記凹部の大きさよりも大きいことを特徴とする発光装置。請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の発光装置であって、前記遮光部材は、平面視して前記発光素子を中心に環状に形成されていることを特徴とする発光装置。請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の発光装置であって、前記透光性部材は、前記遮光部材上から前記遮光部材の外側部を介して前記基板上にまで連続して形成されていることを特徴とする発光装置。請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の発光装置であって、前記発光素子は、前記発光素子を直接被覆する封止部材で覆われており、前記基板には、平面透視して前記遮光部材の直下の一部に溝が設けられており、前記封止部材の一部が前記溝内にまで入っていることを特徴とする発光装置。請求項6に記載の発光装置であって、前記溝は、前記発光素子を取り囲むように形成されていることを特徴とする発光装置。以下に添付図面を参照して、本発明に係る発光装置の一実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されないものとである。<発光装置の概略構成>本発明の一実施形態に係る発光装置1は、基板2と、基板2上に設けられた発光素子3と、基板2上に設けられ、発光素子3を発光素子3と間をあけて被覆するとともに、下端の外周部に段差を有し、下端が透光性部材5を介して基板2に接合された波長変換部材6とを備えている。さらに、発光装置1は、基板2上に設けられ、発光素子3と透光性部材5との間に配置された遮光部材4を備えている。そして、波長変換部材6は、波長変換部材6の下端が透光性部材5上から透光性部材5の側部にかけて設けられている。なお、発光素子3は、例えば、発光ダイオードであって、半導体を用いたpn接合中の電子と正孔とが再結合することによって発光し、外部に向かって光を放出する。基板2は、絶縁性の基板であって、例えば、アルミナまたはムライト等のセラミック材料、あるいはガラスセラミック材料等から成る。また、基板2は、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料を用いることができる。また、基板2は、基板2の熱膨張を調整することが可能な金属酸化物微粒子を分散させた高分子樹脂を用いることができる。基板2には、基板2の内外を電気的に導通する配線導体が形成されている。配線導体は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガンまたは銅等の導電材料からなる。配線導体は、例えば、タングステン等の粉末に有機溶剤を添加して得た金属ペーストを、基板2となる複数のセラミックグリーンシートに所定パターンで印刷し、これらのセラミックグリーンシートを積層して、焼成することにより形成することができる。なお、基板2の内外に露出する配線導体の表面には、酸化防止のためにニッケルまたは金等の鍍金層が被着されている。また、基板2の上面には、基板2上方に効率良く光を反射させるために、配線導体および鍍金層と間を空けて、例えば、アルミニウム、銀、金、銅またはプラチナ等の金属反射層を形成する。また、金属反射層は、白色のセラミック粉末が含有されたシリコーン樹脂等の絶縁性の透明部材を、基板2上面の発光素子を除く部位に塗布することによって形成することができる。発光素子3は、基板2上に実装される。具体的には、発光素子3は、基板2上に形成される配線導体の表面に被着する鍍金層上に、例えば、ロウ材または半田を介して電気的に接続される。発光素子3は、透光性基体と、透光性基体上に形成される光半導体層を有している。透光性基体は、有機金属気相成長法または分子線エピタキシャル成長法等の化学気相成長法を用いて、光半導体層を成長させることが可能なものであればよい。透光性基体に用いられる材料としては、例えば、サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、セレン化亜鉛、シリコンカーバイド、シリコンまたは二ホウ化ジルコニウム等を用いることができる。なお、透光性基体の厚みは、例えば50μm以上1000μm以下である。光半導体層は、透光性基体上に形成された第1半導体層と、第1半導体層上に形成された発光層と、発光層上に形成された第2半導体層から構成されている。第1半導体層、発光層および第2半導体層は、例えば、III族窒化物半導体、ガリウム燐またはガリウムヒ素等のIII-V族半導体、あるいは、窒化ガリウム、窒化アルミニウムまたは窒化インジウム等のIII族窒化物半導体などを用いることができる。なお、第1半導体層の厚みは、例えば1μm以上5μm以下であって、発光層の厚みは、例えば25nm以上150nm以下であって、第2半導体層の厚みは、例えば50nm以上600nm以下である。また、発光素子3では、例えば370nm以上420nm以下の波長範囲の励起光を発する素子を用いることができる。遮光部材4は、発光素子3と間を空けて基板2上に設けられている。遮光部材4は、発光素子3の発する励起光を反射する機能、発光素子3の発する励起光を吸収する機能のいずれか一方を少なくとも備えている。遮光部材4は、例えば、アルミナまたはムライト等のセラミック材料、白色のエポキシ材料またはポリテトラフルオロエチレン等の樹脂材料、透明なエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂に白色のアルミナ粉末を含有させた複合系材料、あるいはアルミニウム、銀メッキや金メッキが施された銅または鉄-ニッケル合金等の金属材料からなる。遮光部材4は、例えば、シリコーン樹脂またはアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の接着材を介して基板2上に設けられている。なお、遮光部材4の熱伝導率は、例えば0.1W/mK以上418W/mK以下である。遮光部材4は、発光素子3を取り囲むように設けられている。平面視したときに、遮光部材4は環状である。なお、遮光部材4の外径は、例えば5mm以上20mm以下であって、遮光部材4の内径は、例えば4mm以上19mm以下である。また、遮光部材4の上下方向の大きさは、例えば0.1mm以上1mm以下である。遮光部材4が発光素子3を取り囲むため、発光素子3から平面方向で出射した光を、遮光部材4にて反射したり、遮光部材4で吸収したりすることができる。遮光部材4は、発光素子3を中心に環状に形成されている。そのため、発光素子3から平面方向に放射状に進行した光を、遮光部材4によって偏り少なく内方に向かって反射させたり、吸収したりすることができ、発光装置1から外部に取り出される光が偏った個所に集中するのを抑制することができ、視認性に優れた発光装置1を実現することができる。遮光部材4は、発光素子3の側部と対向する遮光部材4の側部に凹部Pが設けられている。凹部Pは、基板2の上面と凹部Pの内壁面の一部である天井面との間の大きさが、例えば0.05mm以上0.9mm以下に設定されている。また、凹部Pの平面方向の大きさは、例えば0.5mm以上10mm以下に設定されている。遮光部材4は、基板2の上面に沿った平面方向における凹部Pの大きさが、基板2の上面に対する垂直方向における凹部Pの大きさよりも大きく設定されている。仮に、凹部Pの平面方向の大きさを、凹部Pの垂直方向の大きさよりも小さくした場合は、発光素子4から平面方向に進行する光が、遮光部材4によって必要以上に内方に向かって反射されて、発光装置1から外部に向かって進行する光の進行角度の範囲が必要以上に狭くなってしまう虞がある。そこで、凹部Pの平面方向の大きさを凹部Pの垂直方向の大きさよりも大きくすることで、発光装置1から外部に向かって進行する光の進行角度が必要以上に狭くなるのを抑制することができる。遮光部材4に凹部Pが設けられていることで、仮に、遮光部材4に凹部Pが設けられていない場合と比較して、遮光部材4の体積を小さくすることができる。発光素子3は、発光するとともに熱が発生するが、その熱が発光素子3から基板2を介して遮光部材4に伝わる。また、発光素子3から発生する熱は、波長変換部材6で囲まれる気体中を介して遮光部材4にも伝わる。そこで、遮光部材4の体積を小さくすることで、波長変換部材5に伝わる熱を少なくすることができる。また、凹部Pが発光素子3と対向する遮光部材4の内側部に設けた場合は、凹部Pの内壁面と発光素子3との間の距離を長くすることができ、遮光部材4に伝わる熱を低減することができる。その結果、波長変換部材6に伝わる熱を少なくすることができ、蛍光体の温度が高温になることで、熱による波長変換部材6の光の変換効率が低減するのを抑制することができる。また、波長変換部材6と遮光部材4との間の、両者の材料の違いによる熱応力をも緩和することができる。そして、遮光部材4に対する波長変換部材6の剥離を抑制することができる。また、遮光部材4に凹部Pが設けられていることで、波長変換部材6から熱応力が印加されるときに、遮光部材4が変形する。遮光部材4の変形は、例えば、遮光部材4の凹部Pの天井面の傾斜角度が変形し、凹部Pにて応力を緩和することができる。その結果、遮光部材4が破壊される虞を低減することができ、発光装置1の気密性を向上させることができ、さらには発光装置1の製品寿命を長くすることができる。波長変換部材6は、発光素子3と間を空けて被覆するとともに、遮光部材4と透光性部材5を介して接合されている。波長変換部材6は、発光素子3から発せられる光が内部に入射して、内部に含有される蛍光体が励起されて光を発するものである。波長変換部材6は、平面視したときに円形状であって、内部空間を有するキャップ体である。なお、波長変換部材6の外径は、例えば5mm以上20mm以下であって、波長変換部材6の内部空間の内径は、例えば4mm以上19mm以下に設定されている。また、波長変換部材6の下端から上端までの間の長さは、例えば2.5mm以上10mm以下に設定されている。また、波長変換部材6の内部空間の上下方向の長さは、例えば2mm以上9.5mm以下に設定されている。波長変換部材6は、平面視したときに円形状とし、その内部の中心位置に発光素子3を配置することで、平面視したときの波長変換部材6の縁の厚みを略一定にすることができ、外部に取り出される光の変換量を均一に近づけることができる。なお、ここで波長変換部材6の縁の厚みが略一定とは、断面視したときの波長変換部材6の縁の厚みの差が、例えば1mm以下に設定されている状態をいう。発光素子3の発する光は、波長変換部材6で囲まれた内部空間を進行し、波長変換部材6に入射する。発光素子3の発する光のうち、波長変換部材6に入射する前の光は、内部空間を進行するため、反射、屈折または減衰等の影響を受けにくく、効率良く波長変換部材6内に光が進入する。波長変換部材6には、例えばシリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性の絶縁樹脂、透光性のガラス材料から成り、その絶縁樹脂やガラス中に、例えば430nm以上490nm以下の蛍光を発する青色蛍光体、例えば500nm以上560nm以下の蛍光を発する緑色蛍光体、例えば540nm以上600nm以下の蛍光を発する黄色蛍光体、例えば590nm以上700nm以下の蛍光を発する赤色蛍光体が含有されている。また、蛍光体は、波長変換部材6中に均一に分散するようにしている。なお、波長変換部材6の熱伝導率は、例えば0.1W/mK以上0.8W/mK以下に設定されている。また、波長変換部材6は、図3に示すように、下端の外周側に段差を有している。そして、波長変換部材6は、段差が設けられている個所が、透光性部材5上から透光性部材5の側部にかけて延在する延在部6aとして機能する。延在部6aは、波長変換部材6の一部である。延在部6aは、透光性部材5を介して遮光部材4に接合されている。透光性部材5は、例えばシリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性の絶縁樹脂が用いられる。なお、透光性部材5の熱伝導率は、例えば0.1W/mK以上0.8W/mK以下に設定されている。透光性部材5が波長変換部材6の下面全面に被着することで、透光性部材5を介して遮光部材4に被着する面積を大きくし、遮光部材4と波長変換部材6とを強固に接続することができる。その結果、遮光部材4と波長変換部材6の接続強度を向上させることができ、波長変換部材6の剥離を抑制することができる。また、仮に、波長変換部材6の下端に段差がなければ、波長変換部材6の下端は遮光部材4の上面のみとしか接続されない。本実施形態に係る発光装置1は、延在部6aが、遮光部材4の上面から遮光部材4の側面にかけて延在した形状であって、その延在部6aと遮光部材4との間に透光性部材5が介在されるため、延在部6aと遮光部材4との接続面積を大きくすることができ、波長変換部材6と遮光部材4とを効果的に強固に接続することができる。透光性部材5の熱伝導率は、波長変換部材6の熱伝導率よりも小さく設定されている。透光性部材5の熱伝導率を、波長変換部材6の熱伝導率よりも小さくすることで、発光素子3から基板2、遮光部材4および透光性部材5を順番に介して波長変換部材6に熱が伝わりにくくすることができる。また、波長変換部材6には、発光素子3が発する光を蛍光体によって波長変換する際の変換損失に起因した熱が発生し、この熱によって発光素子3の温度が上昇する。その熱を波長変換部材6から透光性部材5を介して伝達され難くすることで、発光素子3が高温になるのを抑制することができる。そして、発光素子3が高い温度に起因して発する光が変化するのを抑制することができ、発光装置1から外部に取り出される光色を良好に維持することができる。波長変換部材6が高温になると、発光素子3の発する励起光によって励起される光の色温度が変化し、所望する色温度の光色になりにくくなる。そこで、透光性部材5の熱伝導率を波長変換部材6の熱伝導率よりも小さく、熱抵抗を大きくすることで、発光素子3からの熱が基板2を伝導し、透光性部材5を介して波長変換部材6に伝導することを抑制できることから、波長変換部材6の温度が高温になるのを抑制することができ、所望する光色を取り出すことができる。透光性部材5は、透光性部材5上から透光性部材5の外側部にかけて連続して形成され、さらに、遮光部材4の外側部から基板2の上面にかけて連続して形成されている。そして、透光性部材5上には、波長変換部材6の下端が接続される。波長変換部材6の延在部6aは、発光装置1を側面透視したときは、延在部6aと遮光部材4とが重なり合うように設けられる。透光性部材5が、透光性部材5上から透光性部材5の外側部を介して基板2上にまで連続して形成されていることで、透光性部材5そのものを温度の伝達経路として用いることができる。そして、発光素子3が発する熱によって、波長変換部材6で囲まれる領域内の温度が高くなるが、波長変換部材6で囲まれる領域内の温度を透光性部材5を介して効果的に外部に直接放散することができ、波長変換部材6で囲まれる領域内の温度が上昇するのを抑制することができる。その結果、外部に取り出される光色を変化しにくくすることができ、視認性を良好に維持することができる発光装置1を実現することができる。発光素子3から平面方向に進行する光の多くは、遮光部材4にて反射して波長変換部材6に進行する。また、発光素子3から平面方向に進行する光のうち、透光性部材5内を進行する光が存在するが、側面透視したときに、延在部6aを遮光部材4と重なるように設けたことで、透光性部材5内を進行した光は延在部6a内に進入する。そして、延在部6a内で波長変換された光が、発光装置1の外部に取り出される。仮に、発光装置1を側面透視したときに、波長変換部材6と遮光部材4が重なり合っていない場合は、発光素子3から平面方向に進行する光のうち、透光性部材5内を進行する光は、波長変換部材6内に進入せず、そのまま外部に取り出され、波長変換部材6内で波長変換されない。一方、本実施形態に係る発光装置1は、延在部6aが遮光部材4上から遮光部材4の側端部にかけて設けられているため、発光素子3から平面方向に進行する光は、波長変換部材6内に進入する。その結果、本実施形態に係る発光装置1は、光の変換効率を向上させることができる。仮に、延在部6aが遮光部材4の内側部に設けられていた場合は、波長変換部材6が熱膨張を起こすと、波長変換部材6が外方に向かって大きくなろうとし、遮光部材4に応力が大きくかかりやすい。そして、その応力に起因して、遮光部材4が基板2から剥離することがある。一方、延在部6aは、波長変換部材6に熱が伝わり、波長変換部材6が熱膨張を起こしたとしても、遮光部材4の外側部に設けられているため、波長変換部材6が外方に向かって広がっても、遮光部材4に加わる応力を低減することができ、遮光部材4の剥離を抑制することができる。本実施形態によれば、発光素子3と並設して遮光部材4を設け、さらに、波長変換部材6の延在部6aを透光性部材5上から透光性部材5の側端部にかけて設けることで、発光素子3の平面方向に出射した光を、そのまま透光性部材5内を通って外部に取り出されるのを低減し、遮光部材4で反射するか、あるいは波長変換部材6内にて波長変換することができる。そして、遮光部材4で反射した光は、光の進行方向を変更することで、波長変換部材6内に進行させやすくすることができる。その結果、発光素子3の発する光の多くを波長変換部材6内に進入させることができ、光の変換効率を効果的に向上させることができる。本実施形態によれば、光の波長変換効率を向上させることが可能な発光装置1を提供することができる。なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。例えば、上述した実施形態によれば、波長変換部材6の形状を平面視したときに円形状としたがこれに限られない。発光素子3の発する光を散乱させることができるのであれば、平面視したときに多角形状であってもよく、または立体形状がドーム状であってもよい。なお、波長変換部材6の立体形状をドーム状とすることによって、発光素子4が発する光が通過する波長変換部材6の厚みを略一定にすることができ、外部に取り出される光の変換量を均一に近づけることができる。また、遮光部材4は、表面が拡散反射面でもよい。その結果、透光性部材5に侵入する発光素子3からの光は、遮光部材4の表面で拡散反射されながら波長変換部材6で波長変換されて発光装置1の光出力が向上するとともに、発光素子3の光が発光装置1の外部に放射されることが抑制される。また、透光性部材5は、遮光部材4上より側端部が厚く形成されてもよい。その結果、発光素子3からの光は、遮光部材4上の透光性部材5に侵入し難くなるとともに、遮光部材4の側端部の透光性部材5まで侵入した発光素子3からの光は、遮光部材4の側端部の透光性部材5内で反射されながら波長変換部材6で波長変換される。その結果、発光装置1は、光出力が向上するとともに発光素子3の光が発光装置1の外部に放射されることが抑制される。<変形例>以下、本発明の実施形態の変形例について説明する。なお、本発明の実施形態の変形例に係る発光装置1のうち、本発明の実施形態に係る発光装置1と同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。なお、図4から図7は、一変形例に係る発光装置1の断面図であって、図2の断面図に相当する。上述した実施形態に係る発光装置1は、遮光部材4は、凹部Pが設けられた構造であったが、これに限られない。図4に示すように、遮光部材4に凹部Pが設けられない構造であってもよい。図4に示すように、遮光部材4に凹部Pがない場合は、遮光部材4の下面と基板2の上面との接続される接続面積を大きくすることができ、遮光部材4と基板2との接合性を向上させることができる。その結果、遮光部材4が基板2から剥離するのを抑制することができる。上述した実施形態に係る発光装置1は、透光性部材5が、波長変換部材6の下端の下面にのみ被着していたが、これに限られない。透光性部材5は、波長変換部材6の下端から波長変換部材6の側面にかけて連続して形成されていてもよい。図5に示すように、波長変換部材6の下端の下面から波長変換部材6の下端の側面にかけて連続して被着させることで、波長変換部材6の下端を透光性部材5で取り囲むことができる。そして、延在部6aの外表面を透光性部材5で被覆することで、延在部6aが熱膨張を起こすときに、平面方向に膨張するのを透光性部材5にて抑えることができる。また、波長変換部材6の延在部6aは、遮光部材4の上面から遮光部材4の外側部にかけて設けられているため、延在部6aが熱膨張を起こすと、遮光部材4から離れる方向に力がはたらき、遮光部材4から剥離しようとする。そこで、延在部6aを透光性部材5にて被覆することで、延在部6aが遮光部材4から剥離しようとするのを抑制することができる。上述した実施形態に係る発光装置1は、基板2は絶縁性のセラミック材料から構成したが、これに限られない。図6に示すように、基板2は、金属材料から構成してもよい。基板2は、熱伝導率の高い金属から成る基板であって、例えば、銅またはステンレス等の金属材料から成り、発光素子3の実装部に対応した部位に貫通孔が形成されたプリント基板等の配線基板7が、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂等の接着材、あるいはシール材等を介して基板2上面に取着される。そして、配線基板7上に、波長変換部材6が設けられる。また、発光素子3は、基板2が金属から成る基板の場合、半田またはロウ材、金属粉末が含有された熱伝導性の高い銀エポキシ接着材等の接着材を介して基板2に実装されるとともに、基板2上面に接着された発光素子3の実装部に対応した部位に貫通孔が形成された配線基板7の配線パターンに、ボンディングワイヤ8を介して電気的に接続される。このようにして、発光素子3の発する熱を、基板2を介して外部に効率良く放熱することができる。上述した実施形態に係る発光装置1は、基板2の上面を平坦にした構造であったが、これに限られない。図7に示すように、基板2に溝Cが設けられていても構わない。溝Cは、平面視して、遮光部材4で囲まれる領域内に設けられている。そして、溝Cは、平面視して発光素子3を中心に環状に設けられている。なお、溝Cは、基板2の上面に沿った平面方向の大きさが、例えば0.5mm以上5mm以下に設定されている。溝Cは、基板2の上面に対して垂直方向の大きさが、例えば0.3mm以上3mm以下に設定されている。溝Cは、基板2の上面に沿った平面方向の横断面が、溝Cの上端と溝Cの下端との間に、溝Cの上端よりも大きい個所が設けられている。溝Cは、平面透視して遮光部材4の直下の一部と重なる領域に設けられている。そして、遮光部材4で内方に向かって反射した光の一部が、溝C内で再度上方に向かって反射されて、波長変換部材6に向かって進行させることができ、波長変換部材6で波長変換される光量を増加させることができ、発光装置1の光出力を向上させることができる。また、発光素子3は、発光素子3を直接被覆する封止部材9で覆われている。封止部材9は、封止部材9の一部が溝C内にまで入って固着している。封止部材9は、例えばシリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性の樹脂材料、透光性のガラス材料からなり、発光素子3に対してポッティングして、所定温度で硬化させて形成される。溝Cは、遮光部材4で囲まれる領域に設けられているので、封止部材9が発光素子3上から漏れ広がって、遮光部材4を乗り越えて、所望しない基板2外に漏れ出るのを抑制することができる。また、封止部材9は、封止部材9の一部が溝C内に充填して固定されることで、封止部材9のアンカー効果によって、発光素子3が基板2に対して剥離しにくくすることができる。<発光装置の製造方法>ここで、図1に示す発光装置の製造方法を説明する。まず、基板2を準備する。基板2が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して混合物を得る。そして、基板2の型枠内に、混合物を充填して乾燥させた後、焼結前の基板2を取り出す。また、遮光部材4を準備する。遮光部材4は、例えば鋳造法、射出成形または金型成形等の成形技術を用いて作製することができる。また、タングステンまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。そして、取り出した基板2となるセラミックグリーンシートに所定パターンで配線導体を印刷し、複数のセラミックグリーンシートを積層した状態で焼成する。次に、基板2の内外に露出する配線導体の表面には、配線導体の酸化防止ように鍍金層を形成する。そして、発光素子3を鍍金層上に半田を介して電気的に接続する。その後、遮光部材4を基板2の上面に、発光素子3を取り囲むようにして、シリコーン樹脂から成る接着剤によって接着する。次に、波長変換部材6を準備する。波長変換部材6は、未硬化の樹脂に蛍光体を混合して、例えば、射出成形または金型成形等の成形技術を用いて、作製することができる。また、波長変換部材6は、未硬化の波長変換部材6を型枠に充填し、硬化して取り出すことによって、得ることが出来る。その後、波長変換部材6の下端の縁にシリコーン樹脂を被着させる。そして、波長変換部材6をシリコーン樹脂を介して遮光部材4に接合し、発光装置1を作製することができる。