"MEMSマイクロフォンであって、音響的活性区域AARと、当該音響的活性区域AARを包囲する縁部区域RRと、メンブレン層にあるメンブレンMであって、当該メンブレンは、前記音響的活性区域AARにおける部分と、前記縁部区域RRにおける部分とを有するメンブレンと、第1のバックプレート層にある第1のバックプレートであって、当該第1のバックプレートは、前記音響的活性区域AARにおける部分と、前記縁部区域RRにおける部分とを有する第1のバックプレートと、を備え、第1のトレンチTR1は、前記縁部区域RRの前記メンブレンMの部分を、前記音響的活性区域AARのメンブレンMの部分から分離し、および/または、前記縁部区域RRの前記第1のバックプレートの部分を、前記音響的活性区域AARの前記第1のバックプレートの部分から分離することを特徴とするMEMSマイクロフォン。請求項1に記載のMEMSマイクロフォンにおいて、前記第1のバックプレートは、さらに、第1のバックプレート絶縁層BIL1と第1の導電性バックプレート層CBL1とを備え、前記第1の導電性バックプレート層CBL1は、前記第1のバックプレート絶縁層BIL1とメンブレンMとの間に配設されており、前記第1のバックプレート絶縁層BIL1は、前記音響的活性区域AARの前記第1の導電性バックプレートCBL1の部分を前記マイクロフォンの本体に機械的に接続することを特徴とするMEMSマイクロフォン。請求項1または2に記載のMEMSマイクロフォンにおいて、さらに、アンカー層の前記縁部区域RRに第1のアンカー部材AN1を備え、前記アンカー層は、前記第1のバックプレートと前記メンブレンMとの間に配設されていることを特徴とするMEMSマイクロフォン。請求項3に記載のMEMSマイクロフォンにおいて、第1のバックプレート絶縁層BIL1と、第1の導電性バックプレート層CBL1とを備え、さらに、その上にメンブレンMが配設されている基板SUを備え、前記基板SUはSiから成り、前記メンブレンMは多結晶Siから成り、前記アンカー層はSiO2から成り、前記第1の導電性バックプレート層CBL1は、多結晶Siから成り、前記第1のバックプレート絶縁層BIL1は、シリコンリッチなシリコン窒化物から成る、ことを特徴とするMEMSマイクロフォン。請求項1乃至4のいずれか1項に記載のMEMSマイクロフォンにおいて、前記第2のバックプレートは、第2のバックプレート絶縁層BIL2と第2の導電性バックプレート層CBL2とを備え、前記第2の導電性バックプレート層CBL2は、前記第2のバックプレート絶縁層BIL2と前記メンブレンMとの間に配設されていることを特徴とするMEMSマイクロフォン。請求項5に記載のMEMSマイクロフォンにおいて、さらに、絶縁部材IEを前記第2の導電性バックプレート層CBL2の前記縁部区域に備え、前記絶縁部材IEは、前記音響的活性区域AARの前記第2の導電性バックプレートの部分を前記縁部区域RRの前記第2の導電性バックプレートの部分から分離していることを特徴とするMEMSマイクロフォン。請求項1乃至6のいずれか1項に記載のMEMSマイクロフォンMにおいて、さらに、第1のメンブレン絶縁層MIL1と、第2のメンブレン絶縁層MIL2と、前記第1のメンブレン絶縁層MIL1と前記第2のメンブレン絶縁層MIL2との間に配設された導電性メンブレン層CMLとを備え、第2のトレンチTR2が、前記縁部区域RRの前記導電性メンブレン層CMLの部分を、前記音響的活性区域AARの前記導電性メンブレン層CMLの部分から分離していることを特徴とするMEMSマイクロフォン。請求項1乃至7のいずれか1項に記載のMEMSマイクロフォンの製造方法であって、基板SUを準備するステップと、前記基板SU上のメンブレンMをパターニングするステップと、前記メンブレンMにアンカー層を堆積するステップと、前記アンカー層にバックプレート層を堆積するステップと、バックプレートおよびアンカー部材をパターニングするステップと、前記バックプレートの前記縁部側の部分RRから前記バックプレートの中央部分AARを分離するトレンチTR1を前記バックプレートにおいてパターニングするステップと、を備えることを特徴とする方法。したがって、本発明の課題は、寄生容量を低減したMEMSマイクロフォンおよびこのようなマイクロフォンの製造方法を提供することである。このため、MEMSマイクロフォンおよびこのようなマイクロフォンの製造方法が独立請求項に記載されている。従属請求項は、本発明の好ましい実施形態を記載する。MEMSマイクロフォンは、音響的活性区域と縁部区域とを備える。縁部区域は、この音響的活性区域を包囲している。このマイクロフォンは、さらにメンブレン層にあるメンブレンを備え、このメンブレンは、上記の音響的活性区域における部分と、上記の縁部区域における部分とを有する。このマイクロフォンは、さらに、第1のバックプレート層にある第1のバックプレートを備え、この第1のバックプレートは、上記の音響的活性区域における部分と、上記の縁部区域における部分とを有する。第1のトレンチは、上記の縁部区域のメンブレン部分を上記の音響的活性区域から分離し、および/または上記の縁部区域の第1のバックプレートの部分を上記の音響的活性区域の第1のバックプレートの部分から分離している。上記の音響的活性区域は、上記のメンブレンが振動する領域である。上記の縁部区域は、このメンブレンがマイクロフォンの本体に強固に接続され、振動できなくなっている領域である。分離とは主に電気的分離を意味する。上記の分離された区域は、直流的に絶縁されていてよい。しかしながら、さらにこれらの分離された区域の間の電気抵抗が大きくされてよい。この抵抗は10GΩ,100GΩ,1000GΩ,または10000GΩであってよい。電気的にほぼ分離されているが、この音響的活性区域の分離部分とこのマイクロフォンの本体との間には、まだ機械的接続が存在している。もちろん、この縁部区域内の小さな領域は、上記の音響的活性区域内のそれぞれの部分から必ずしも分離される必要はない。これは、たとえばそれぞれの部分をバイアスするための電気的接続手段がこの縁部区域に配設されるためである。これに伴い、寄生容量が減少されたMEMSマイクロフォンが得られるが、これはこのコンデンサの電極の縁部区域内のそれぞれの領域がこのマイクロフォンのコンデンサから電気的にほぼデカップリングされているからである。1つの実施形態においては、この第1のバックプレートは、さらに第1のバックプレート絶縁層と第1の導電性バックプレート層とを備える。第1の導電性バックプレート層は、第1のバックプレート絶縁層とメンブレンとの間に配設されている。第1のバックプレート絶縁層は、上記の音響的活性区域の第1の導電性バックプレートの部分をマイクロフォンの本体に機械的に接続する。したがって、このバックプレートの音響的活性部分は、電極の不活性領域から電気的にほぼ分離されるが、絶縁層はバックプレートを保持するための機械的接続を形成する。1つの実施形態においては、マイクロフォンはさらにアンカー層の縁部区域にアンカー部材anchorelementを備える。このアンカー層は、第1のバックプレートとメンブレンとの間に配設されている。このアンカー層は、第1のバックプレートとメンブレンとの間の機械的接続を形成する。さらにこのアンカー部材の厚みは、バックプレートとメンブレンとの平衡距離を画定する。このアンカー部材は、第1のバックプレートとメンブレンとの機械的接続を形成するので、このアンカー部材は良好な接着特性を提供することが好ましい。このため、このアンカー部材は、酸化シリコン、たとえば二酸化シリコンSiO2からなっていてよい。第1のバックプレート絶縁層は、このアンカー部材によって機械的に支持されてよい。第1の導電性バックプレート層を、第1のバックプレート絶縁層とアンカー部材との間に配設することが可能である。1つの実施形態においては、マイクロフォンは、第1のバックプレート絶縁層と第1の導電性バックプレート層とを備える。このマイクロフォンは、さらにメンブレンが配設された基板を備える。この基板はSiシリコンから成っている。この基板は多結晶シリコンから成っている。アンカー層はSiO2二酸化シリコンから成っている。第1の導電性バックプレート層は、多結晶シリコンSiから成っている。第1のバックプレート絶縁層は、低引張応力あるいは低圧縮応力の材料から成っている。このような材料は、非化学量論的なシリコンリッチな窒化物のようなシリコン窒化物から成っていてよい。このような材料が好ましいのは、これがバックプレートにおける引張応力を保持することを助けるからである。こうして平坦なバックプレートが得られる。製造の間に、このような材料は、LP低圧CVD法またはPEPlasmaEnhancedCVDのようなCVDChemicalVaporDeposition法を用いて堆積することができる。1つの実施形態においては、マイクロフォンは、さらに第2のバックプレートを備える。この第2のバックプレートは、第2のバックプレート絶縁層と第2の導電性バックプレート層とを備える。第2の導電性バックプレート層は、第2のバックプレート絶縁層とメンブレンとの間に配設されている。他の実施形態においては、この第2の導電性バックプレート層は異なる位置にあってよい。このようにしてダブルバックプレートマイクロフォンが得られる。ダブルバックプレートマイクロフォンは、バランス信号で動作する信号増幅器を必要とするが、一般的に良好なシグナル/ノイズ比および改善されたTHDTotalHarmonicDistortion特性をもたらす。音響的活性区域の第2のバックプレートの部分は、メンブレンおよびこの電極としての第2のバックプレートを含むそれぞれのコンデンサの寄生容量を低減するために、トレンチによって縁部区域の部分から分離されてよい。1つの実施形態においては、ダブルバックプレートマイクロフォンは、さらに第2の導電性バックプレート層の縁部区域に絶縁部材を備える。この絶縁部材は、音響的活性区域の第2の導電性バックプレートの部分を縁部区域の第2の導電性バックプレートの部分から電気的に分離している。言い換えれば、この絶縁部材は、導電性バックプレートと同じ層に配設されるが、SiO2または化学量論的Si3N4または非化学量論的SixNyのようなシリコン窒化物の電気絶縁材料を含み、音響的活性区域の第2のバックプレートのそれぞれの導電性部材を包囲している。このようにして、この縁部区域の第2のバックプレートの導電性部材は、第2のバックプレートと電極としてのメンブレンとを備えるコンデンサから電気的にデカップリングされる。1つの実施形態においては、マイクロフォンのメンブレンは、さらに第1のメンブレン絶縁層と、第2のメンブレン絶縁層と、これらの2つのメンブレン絶縁層との間に配設された導電性メンブレン層とを備える。第2のトレンチは、縁部区域の導電性メンブレン層の部分を、活性区域の導電性メンブレン層の部分から分離する。このようにして、メンブレンの非活性部から電気的にデカップリングされて、ここでもそれぞれの寄生容量が低減される。このようなMEMSマイクロフォンの製造方法は、以下のステップを備える。-基板を準備するステップ。-この基板上にメンブレンを準備してパターニングするステップ。-このメンブレンにアンカー層を堆積するステップ。-このアンカー層にバックプレート層を堆積するステップ。-バックプレートとアンカー部材とをパターニングするステップ。-バックプレートの縁部側の部分からバックプレートの中央部分を分離するトレンチをこのバックプレートにおいてパターニングするステップ。バックプレートの数は制限されない。1つの第2のバックプレートあるいはさらなるバックプレートとさらなるメンブレンとが堆積されてパターニングされ、トレンチと共に設けられてよい。"