大気圧よりも低いプロセス圧力にてプロセスが行われるチャンバへガスを供給するガス減圧供給装置であって、一次圧を減圧し、大気圧よりも低く前記プロセス圧力よりも高い圧力に二次圧を調整する圧力調整器と、前記圧力調整器の二次側配管内の圧力を測定する圧力測定器と、前記二次側配管に設けられる第1の開閉バルブと、前記第1の開閉バルブを開閉する開閉バルブ制御器と、前記圧力測定器により測定される二次側配管内の圧力を、前記プロセス圧力よりも所定の圧力だけ高い第1の設定圧力と比較する圧力比較器と、前記二次側配管内の圧力が前記第1の設定圧力以下であると前記圧力比較器により判定された場合に、前記第1の開閉バルブを閉止する閉止信号を前記開閉バルブ制御器へ出力する制御部とを備えるガス減圧供給装置。前記二次側配管において前記第1の開閉バルブ及び前記圧力測定器の下流側に設けられる第2の開閉バルブと、前記第1の開閉バルブ及び前記第2の開閉バルブを閉じたときに、前記圧力測定器により測定される圧力が所定のレート以上のレートで上昇する場合に警報信号を出力する警報信号発生部とを更に備える、請求項1に記載のガス減圧供給装置。前記二次側配管に対して、開閉可能な第3の開閉バルブを介して接続されるガスエジェクタを更に備え、測定された前記二次側配管内の圧力が、前記第1の設定圧力よりも高い第2の設定圧力以上であると前記圧力比較器により判定された場合に、前記ガスエジェクタが起動される、請求項1又は2に記載のガス減圧供給装置。前記圧力調整器が電空レギュレータである、請求項1から3のいずれか一項に記載のガス減圧供給装置。筐体内に配置される、請求項1から4のいずれか一項に記載のガス減圧供給装置と前記筐体内において前記圧力調整器の一次側に接続される少なくとも一つのガスシリンダと、を備えるシリンダキャビネット。筐体内に配置される、請求項1から4のいずれか一項に記載のガス減圧供給装置と前記筐体内に配置され、所定のガス供給源からのガス供給ラインと接続される一又は二以上の開閉バルブと、前記一又は二以上の開閉バルブに対応して接続され、所定の基板処理装置に接続される配管と、を備えるバルブボックス。筐体内に配置され、請求項1から4のいずれか一項に記載のガス減圧供給装置と前記ガス減圧供給装置からプロセスガスが供給され、大気圧よりも低いプロセス圧力でプロセスが行われるチャンバとを備える基板処理装置。ガス供給源からのプロセスガスを圧力調整器により減圧し、大気圧よりも低く、基板処理が行われるプロセス圧力よりも高い圧力で前記プロセスガスを前記圧力調整器の二次側配管に提供するステップと、前記二次側配管に設けられた圧力測定器により、前記二次側配管内の圧力を測定するステップと、測定された前記二次側配管内の圧力と、前記プロセス圧力よりも所定の圧力だけ高い第1の設定圧力とを比較するステップと、比較の結果、前記二次側配管内の圧力が前記第1の設定圧力よりも低いと判定された場合に、前記二次側配管に設けられた第1の開閉バルブを閉じるステップとを含む、ガス減圧供給方法。前記第1の開閉バルブと、前記二次側配管において前記第1の開閉バルブ及び前記圧力測定器の下流側に設けられる第2の開閉バルブと、を閉じるステップと、前記第1の開閉バルブ及び前記第2の開閉バルブを閉じたときに、前記圧力測定器により測定される圧力を監視するステップと、監視される前記圧力が、所定のレート以上のレートで上昇する場合に警報信号を出力するステップとを更に含む、請求項8に記載のガス減圧供給方法。測定された前記二次側配管内の圧力が、前記第1の設定圧力よりも高い第2の設定圧力以上であると判定された場合に、前記二次側配管に接続されるガスエジェクタを起動する、請求項8又は9に記載のガス減圧供給方法。上述のように、ガス漏洩検知や、バルブボックス内の定常的な排気又は漏洩時の強制排気、配管の加熱などを行うと、半導体製造装置そのものを稼働する電力以外の電力が必要となり、半導体の製造コストの上昇につながる。このため、そのような電力を節約することが望まれている。そこで、本発明は、プロセスガスを負圧で供給することにより、半導体製造装置の稼働に要する電力以外に必要となる用役電力を低減できるガス減圧供給装置、これを備えるシリンダキャビネット、バルブボックス、及び基板処理装置を提供する。本発明の第1の態様によれば、大気圧よりも低いプロセス圧力にてプロセスが行われるチャンバへガスを供給するガス減圧供給装置が提供される。このガス減圧供給装置は、一次圧を減圧し、大気圧よりも低く前記プロセス圧力よりも高い圧力に二次圧を調整する圧力調整器と、前記圧力調整器の二次側配管内の圧力を測定する圧力測定器と、前記二次側配管に設けられる第1の開閉バルブと、前記第1の開閉バルブを開閉する開閉バルブ制御器と、前記圧力測定器により測定される二次側配管内の圧力を、前記プロセス圧力よりも所定の圧力だけ高い第1の設定圧力と比較する圧力比較器と、前記二次側配管内の圧力が前記第1の設定圧力以下であると前記圧力比較器により判定された場合に、前記第1の開閉バルブを閉止する閉止信号を前記開閉バルブ制御器へ出力する制御部とを備える。本発明の第2の態様によれば、筐体内に配置される第1の態様のガス減圧供給装置と前記筐体内において前記圧力調整器の一次側に接続される少なくとも一つのガスシリンダと、を備えるシリンダキャビネットが提供される。本発明の第3の態様によれば、筐体内に配置される第1の態様のガス減圧供給装置と前記筐体内に配置され、所定のガス供給源からのガス供給ラインと接続される一又は二以上の開閉バルブと、前記一又は二以上の開閉バルブに対応して接続され、所定の基板処理装置に接続される配管と、を備えるバルブボックスが提供される。本発明の第4の態様によれば、筐体内に配置される第1の態様のガス減圧供給装置と前記ガス減圧供給装置からプロセスガスが供給され、大気圧よりも低いプロセス圧力でプロセスが行われるチャンバとを備える基板処理装置が提供される。本発明の第5の態様によれば、ガス供給源からのプロセスガスを圧力調整器により減圧し、大気圧よりも低く、基板処理が行われるプロセス圧力よりも高い圧力で前記プロセスガスを前記圧力調整器の二次側配管に提供するステップと、前記二次側配管に設けられた圧力測定器により、前記二次側配管内の圧力を測定するステップと、測定された前記二次側配管内の圧力と、前記プロセス圧力よりも所定の圧力だけ高い第1の設定圧力とを比較するステップと、比較の結果、前記二次側配管内の圧力が前記第1の設定圧力よりも低いと判定された場合に、前記二次側配管に設けられた第1の開閉バルブを閉じるステップとを含む、ガス減圧供給方法が提供される。本発明の実施形態によれば、プロセスガスを負圧で供給することにより、半導体製造装置の稼働に要する電力以外に必要となる用役電力を低減できるガス減圧供給装置、これを備えるシリンダキャビネット、バルブボックス、及び基板処理装置が提供される。以下、添付の図面を参照しながら、本発明の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。第1の実施形態図1は、本発明の第1の実施形態によるガス減圧供給装置を含むシリンダキャビネットと、このシリンダキャビネットからガスが供給される基板処理装置とを示す概略図である。図示のとおり、シリンダキャビネット10は、外部環境との隔離が可能な筐体で構成され、内部には、基板処理装置20のチャンバ22へ供給されるプロセスガスが充填されたガスシリンダ12が配置されている。また、ガスシリンダ12は、メインバルブ13を介して、レギュレータ31の一次側に接続されている。本実施形態においては、レギュレータ31として、二次側の圧力が負圧であっても安定して圧力を調整できるものが使用される。また、本実施形態におけるレギュレータ31においては、レギュレータ31に備わるハンドルを手動で回転して二次圧が調整されるが、後述のとおり、他の実施形態においては電空レギュレータをレギュレータ31として利用しても良い。レギュレータ31の二次側には配管32が接続され、配管32には開閉バルブ33が設けられている。開閉バルブ33は、例えばエアオペレーションバルブであり、電磁バルブを介して図示しないエア配管いずれも図示しないが接続されている。電磁バルブのON/OFFをバルブ制御器36により電気的に制御することにより、エアオペレーションバルブが開閉される。なお、開閉バルブ33として、いわゆるノーマリーオフ型のエアオペレーションバルブが用いられると好ましい。また、配管32には、開閉バルブ33の下流側開閉バルブ33に対しガスシリンダ2よりも遠い側において、圧力センサ34が設けられている。圧力センサ34は、配管32内の圧力、すなわちレギュレータ31の二次圧を測定するとともに、測定した圧力を示す信号を圧力モニタ35へ出力する。圧力センサ34としては、例えば隔膜式真空計やピラニセンサなどの真空計を用いることができる。さらに、配管32は、シリンダキャビネット10の天板において配管14と接続され、配管14は、後述する基板処理装置20内の配管23に接続されている。すなわち、シリンダキャビネット10内のガスシリンダ12に充填されるプロセスガスは、シリンダキャビネット10から基板処理装置20へ配管14を通して供給される。基板処理装置20内の配管23は、開閉バルブ25を介して、例えばマスフローコントローラなどの流量制御器24に接続されている。流量制御器24は、開閉バルブ27が設けられたメイン配管26によりチャンバ22に接続されている。チャンバ22は、排気配管26bを有し、排気配管26bは、図示しない排気装置に接続されている。また、排気配管26bにはメインバルブ22cが設けられている。以上の構成によれば、排気装置によりチャンバ22内の圧力が所定のプロセス圧力に減圧調整され、開閉バルブ25及び27が開くと、シリンダキャビネット10から供給されるプロセスガスが、流量制御器24により流量制御されてチャンバ22へ供給される。これにより、ガスの種類に応じて、チャンバ22内のサセプタ22a上に載置されるウエハWに対して所定の処理成膜、エッチング等が行われる。図1中のシリンダキャビネット10に再び着目すると、シリンダキャビネット10内にはエジェクタ16が設けられている。エジェクタ16は、流入口、高圧ガス流入口、及び流出口を有している。流入口には、開閉バルブ15が設けられた配管16aの一端が接続され、配管16aの他端は配管32に接続されている。高圧ガス流入口には、図示しない高圧ガス源に接続され、開閉バルブ16Vが設けられた配管16bが接続されている。流出口には、配管16cの一端が接続され、配管16cの他端は例えば除害設備図示せずに接続されている。配管16bの開閉バルブ16Vを開いて高圧ガス源からの高圧ガスをエジェクタに供給すると、エジェクタ内では高圧ガスが流入口に向かって高速で流れ、これに伴って流入口側が減圧される。これにより、配管16a内のガスがエジェクタ16内に吸引され、高圧ガスと共に流出口から流出する。また、開閉バルブ15及び16Vは、エジェクタ制御器17により制御されて開閉する。エジェクタ制御器17により開閉バルブ15及び16Vが開くと、上述のとおり、エジェクタ16が機能する。また、エジェクタ制御器17は、圧力モニタ35と電気的に接続されており、後述するように圧力モニタ35からの信号に基づいて、開閉バルブ15及び16Vを開閉する。上述の圧力センサ34からの信号を入力する圧力モニタ35は、入力した信号に基づく配管32内の圧力と、予め記憶された第1の設定圧力とを比較する。ここで、第1の設定圧力は、基板処理装置20におけるチャンバ22のプロセス圧力に基づいて決定することが好ましい。一般に、流量制御器24マスフローコントローラの安定動作のため、ガス流入口とガス流出口とにおける圧力差が、仕様上、所定の範囲に定められている。ここで、例えば仕様上の圧力差が100Torrであれば、圧力モニタ35に記憶される第1の設定圧力は、プロセス圧力に対して100Torrより大きい圧力であることが望ましい。一方、レギュレータ31の二次圧は、本発明の実施形態においては760Torrより低いため、圧力モニタ35における第1の設定圧力は、プロセス圧力流量制御器24の仕様で決まる圧力差よりも高く、760Torrよりも低い範囲に設定される。より具体的には、第1の設定圧力は、プロセス圧力流量制御器24の仕様で決まる圧力差よりも数十Torr高い圧力、例えば50から60Torrに設定すると好ましい。圧力モニタ35は、レギュレータ31の二次側の配管32内の圧力と第1の設定圧力とを比較した結果、配管32内の圧力が第1の設定圧力以下と判定された場合、バルブ制御器36に対して、開閉バルブ33を閉じるよう指示する指示信号を出力する。バルブ制御器36は、この指示信号を入力すると開閉バルブ33を閉める。これにより、シリンダキャビネット10からのガスの供給が停止される。また、圧力モニタ35により、レギュレータ31の二次側の配管32内の圧力が、第1の設定圧力には達していなくても、第1の圧力よりも僅かに高い圧力例えば約10Torrを下回ったと判定された時点で、警報を発するとともに、基板処理装置20の操作パネル等図示せずに、その旨を表示しても良い。なお、圧力モニタ35は、上記の指示信号を出力する際に、例えば基板処理装置20の制御部図示せずへ同様の指示信号を出力しても良い。これにより、基板処理装置20において警報が発せられるとともに、基板処理装置20における処理が停止される。また、バルブ制御器36は、例えば基板処理装置20の制御部図示せずと接続され、基板処理装置20に設けられる操作パネル等図示せずを用いた操作により信号を入力し、その信号に基づいて開閉バルブ33を開閉することができる。さらに、バルブ制御器36は、圧力モニタ35からの指示信号又は基板処理装置20からの信号により開閉バルブ33を閉めると同時に、後述する基板処理装置20におけるバルブ制御器28に対して信号を出力しても良い。この信号を入力したバルブ制御器28は、基板処理装置20のチャンバ22のメイン配管26に設けられた開閉バルブ27且つ/又は開閉バルブ25、以下同じを閉める。これにより、開閉バルブ33と開閉バルブ27との間の配管が封じ切られる。なお、バルブ制御器36は、開閉バルブ33と開閉バルブ27との間が封じ切られた場合、その旨を圧力モニタ35に通知することが好ましい。この通知により、圧力モニタ35は、圧力センサ34により測定される開閉バルブ33と27の間の配管内の圧力を監視し、圧力上昇レートを算出することができる。開閉バルブ33と開閉バルブ27が閉じられているため、圧力上昇が認められた場合には、開閉バルブ33と開閉バルブ27との間の配管においてリークが生じたことが疑われる。そこで、圧力モニタ35は、圧力上昇レートが所定の値を超えているか否かを判定し、超えていると判定した場合には、例えば基板処理装置20に対して警報信号を出力すると好ましい。この警報信号を入力した基板処理装置20は、操作パネル等図示せずに圧力上昇レート異常の表示をすることにより、基板処理装置20の操作者に知らせることができる。この後、操作者は当該配管のリークチェック等を行ってリーク箇所を特定し、補修することができる。なお、封じ切られた配管内の圧力の監視及び圧力上昇レートの算出は、例えば基板処理装置20が所定の期間、待機状態にあるときに自動的に行っても良く、基板処理装置20の操作者が操作パネル等を通して手動で行っても良い。さらに、待機状態の際にではなく、基板処理装置20のメンテナンス中に行っても良い。さらにまた、開閉バルブ33を閉じた時点で配管内の圧力の監視を開始し、開閉バルブ33を開くときに圧力上昇レートを算出しても良い。この場合、圧力上昇レートが所定の値を上回った場合に、開閉バルブ33が開かないように制御してもよい。また、圧力モニタ35は、上述の第1の設定圧力よりも高い第2の設定圧力を記憶することができ、圧力センサ34により測定される配管32内の圧力レギュレータ31の二次圧と、記憶した第2の設定圧力とを比較し、圧力センサ34により測定される圧力が第2の設定圧力以上であると判定した場合に、エジェクタ制御器17に対して、エジェクタ16を起動する信号を出力する。この信号を入力したエジェクタ制御器17は、開閉バルブ15及び16Vを開いて、エジェクタ16を機能させる。また、圧力センサ34により測定される圧力が第2の設定圧力に達していない場合であっても、例えば第2の設定圧力よりも僅かに低い圧力例えば約10Torrを上回った時点で、警報を発するとともに、開閉バルブ33が開かないように制御してもよい。以上の構成によれば、ガスシリンダ12に充填されるプロセスガスをガスシリンダ12からレギュレータ31に対し充填圧力で提供すると、レギュレータ31により減圧されて、大気圧よりも低くプロセス圧力よりも高い圧力が二次圧として二次側に出力される。したがって、大気圧より低い圧力でプロセスガスが基板処理装置20へ供給される。一方、レギュレータ31の二次側の配管32内の圧力が圧力センサ34により測定され、その圧力は、圧力モニタ35において第1の設定圧力と比較され、第1の設定圧力よりも低い場合に、配管32の開閉バルブ33が閉じてプロセスガスの供給が停止される。また、圧力モニタ35において、配管32内の圧力は第2の設定圧力とも比較され、第2の設定圧力よりも高い場合に、エジェクタ16が起動して配管32内の圧力が強制的に低下される。本発明の第1の実施形態によれば、ガスシリンダ12内のプロセスガスの圧力がレギュレータ31により減圧され、二次圧として、大気圧よりも低くプロセス圧力よりも高い圧力がレギュレータ31の二次側に出力される。この圧力は、配管32に設けられた圧力センサ34により測定され、圧力モニタ35において、予め記憶された第1の設定圧力と比較される。測定された圧力が第1の設定圧力よりも低いと判定された場合には、バルブ制御器36により、レギュレータ31の二次側の配管32に設けられる開閉バルブ33が閉止される。配管32内の圧力が第1の設定圧力よりも低くなると、基板処理装置20内の流量制御器24による流量制御が不安定となって基板処理装置20における適正な処理が行えなくなる可能性があるが、上記の構成によれば、そのような場合に、プロセスガスの供給が停止されるので、不適正な処理を避けることができる。したがって、レギュレータ31の二次側の配管32、14、及び23内の圧力を大気圧よりも低く維持しつつ、かつ、プロセスガスをチャンバ22へ安定して供給することが可能となる。また、レギュレータ31の二次側から基板処理装置20までの間の配管が大気圧よりも低い圧力に維持されるため、配管途中の継ぎ手をバルブボックス内に集約したり、ガス漏洩検知器によりガス漏洩を監視したりする必要がなくなる。したがって、ガス漏洩検知器の設置費用、ガス漏洩検知器の動作に必要な電力、及びガス漏洩検知器の定期点検費用などを低減することができる。また、シリンダキャビネット10内のレギュレータ31の二次側から基板処理装置20の排気配管26bまでの間に、陽圧ガスが流れる部分がないため、基板処理装置20内の排気筐体排気をする必要が無い。したがって、筐体排気に要する設備費用及び電力を節約することができる。また、液体が充填されたシリンダをガスシリンダ12として用い、液体を加熱することにより蒸気圧を高くして蒸気又はガスを供給する場合であっても、プロセス圧力よりも高く第1の設定圧力よりも低い圧力にまで蒸気圧を高くすれば十分であるため、配管内での蒸気又はガスの凝結又は液化を抑えることができる。したがって、配管を加熱しなくて良くなるため、また、加熱する場合であっても温度を低くするできるため、配管の加熱に要する電力を節約することが可能となる。さらに、シリンダキャビネット10にはエジェクタ16が設けられており、配管32及び配管14、23内の圧力が異常に上昇し、第2の設定圧力よりも高くなった場合に、エジェクタ16が動作することにより、配管32内の圧力を低下させることができる。第2の設定圧力を大気圧よりも低い例えば600から750Torr程度に設定しておけば、配管32ひいては配管14及び23内の圧力を大気圧以下に維持することが可能となる。また、エジェクタ16には駆動部が無いため、保守点検が比較的容易という利点がある。また、シリンダキャビネット10内の開閉バルブ33と基板処理装置20内の開閉バルブ27とを閉めたときに、これらの開閉バルブ33と開閉バルブ27の間の配管32、14、及び23内の圧力の上昇レートを監視することができるため、これらの配管におけるリークを検出することが可能となる。配管内が減圧される場合に、万が一漏洩が起きたときは、室内の空気が配管内に吸引されることになる。この場合、ガス漏洩検知器で検知できないばかりでなく、吸引された空気中の酸素によってプロセスガスが酸化され、基板処理装置20内で処理されるウエハWに欠陥が生じるといった問題が生じ得る。しかし、上記の構成によれば、減圧配管におけるリークの検出が可能となるので、そのような問題を避けることが可能となる。第2の実施形態次に、図2を参照しながら、本発明の第2の実施形態について説明する。図示のとおり、本実施形態においては、第1の実施形態におけるレギュレータ31二次圧を手動で設定するタイプに代わり、電空レギュレータ310が用いられる。以下では、この相違点を中心に説明する。電空レギュレータ310は、二次圧を測定する圧力センサ図示せずと、この圧力センサにより測定された圧力値と設定圧力値との比較結果に応じて制御される電磁弁図示せずとを含んでいる。このような構成により、二次圧をより安定に維持することが可能となる。また、例えばプロセスガスの供給量が多い場合には、第1の実施形態におけるレギュレータ31では二次圧が低下してしまい、所望の供給量を実現できなくなる可能性があるが、電空レギュレータによれば、電空レギュレータそのものが有する圧力センサに基づいて、二次圧を調整できるため、ガスの大量供給に伴う圧力の低下を低減し、所望の供給量を実現することが可能となる。また、第2の実施形態においては、第1の実施形態における圧力センサ34は無く、電空レギュレータ310内の圧力センサを用いて配管32内の圧力が測定される。すなわち、電空レギュレータ310内の圧力センサにより測定された圧力を示す信号が圧力モニタ35へ出力され、圧力モニタ35において、その信号に基づく二次圧と、第1の設定圧力及び第2の設定圧力とが比較される。以上の構成によっても、第1の実施形態と同様に、レギュレータ310の二次側の配管32、14、及び23内の圧力を大気圧よりも低く維持しつつ、かつ、プロセスガスをチャンバ22へ安定して供給することが可能となる。したがって、ガス漏洩検知器にかかわる費用の低減、筐体排気に要する設備費用及び電力の節約、配管加熱にかかわる費用の低減、及び減圧配管の漏洩検知といった効果が発揮される。また、第2の実施形態は、電空レギュレータ310の利用により、二次圧の更なる安定化と、大流量供給とが可能となるという利点を有している。なお、第1の実施形態と同様に圧力センサ34を設け、これにより、配管32内の圧力を測定しても良い。また、この場合、圧力モニタ35において、圧力センサ34の測定値が、第1の設定圧力及び第2の設定圧力と比較されることは言うまでもない。さらに、圧力センサ34を設ければ、シリンダキャビネット10の開閉バルブ33と基板処理装置20の開閉バルブ27とを閉じたときに、これらの間における配管内の圧力上昇レートを算出することができる。圧力上昇レートが所定の値を超えたときに、減圧配管におけるガス漏洩を把握することが可能となる。第3の実施形態次に、図3を参照しながら、本発明の第3の実施形態について説明する。図示のとおり、本実施形態においては、シリンダキャビネット10と基板処理装置20との間に、外部環境との離間が可能な筐体で構成されるバルブボックス40が設けられている。具体的には、シリンダキャビネット10とバルブボックス40とは配管14Aにより接続され、バルブボックス40と基板処理装置20とは配管14Bにより接続されている。バルブボックス40内において、配管14A及び配管14Bを接続する配管に、電空レギュレータ310と開閉バルブ33とが設けられている。電空レギュレータ310は、配管14A内の圧力を減圧して、大気圧よりも低く、基板処理装置20のチャンバ22におけるプロセス圧力よりも高い圧力を二次圧として出力する。これにより、配管14B内では、大気圧よりも低くプロセス圧力よりも高い圧力でプロセスガスが流れる。また、本実施形態においても、第2の実施形態と同様に、電空レギュレータ310の圧力センサにより測定される圧力を示す信号が圧力モニタ35に入力され、圧力モニタ35において、測定される圧力と、第1の設定圧力及び第2の設定圧力と比較される。また、バルブボックス40には他の配管41が接続されている。配管41は、シリンダキャビネット10内の図示しない他のガスシリンダ、図示しない他のシリンダキャビネット、又は例えばクリーンルームの用役設備としてのガス供給源と接続されており、これにより、バブルボックス40に対してプロセスガスが陽圧で供給される。また、配管41は、バルブボックス40内で複数本に分岐しており、各分岐管に対応して開閉バルブ43a~43dが設けられている。さらに、各分岐管は、対応する他の基板処理装置図示せずに接続されている。また、用役設備としての窒素ガス供給源に配管41が接続されている場合、分岐管のうちの少なくとも一つが基板処理装置20に接続され、パージガスとして利用されても良い。一方、シリンダキャビネット10には、高圧プロセスガスが充填されるガスシリンダ12が配置され、ガスシリンダ12内のプロセスガスの圧力が、レギュレータ18により大気圧に対して例えば0.1MPa程度高い二次圧に調整され、この二次圧でプロセスガスが配管14Aへ供給される。本実施形態においては、シリンダキャビネット10及びバルブボックス40内に陽圧ガスが流れる配管がある。このため、シリンダキャビネット10内には、ガス漏洩検知器19が設けられ、シリンダキャビネット10の内部を排気するための排気ポート10aが設けられ、図示しない排気設備により排気されている。同様に、バルブボックス40内にもガス漏洩検知器44が設けられ、バルブボックス40の内部を排気するための排気ポート40aが設けられ、図示しない排気設備により排気されている。しかしながら、基板処理装置20に対しては、バルブボックス40内の電空レギュレータ310により減圧化されたプロセスガスが流れる配管14Bと、減圧下でプロセスが行われる基板処理装置20とにおいては、プロセスガスが陽圧で流れる部分がない。したがって、基板処理装置20においてはガス漏洩検知器を設ける必要なく、基板処理装置20内を排気する必要もない。よって、基板処理装置20の稼働に必要な電力以外の電力を低減することが可能となる。すなわち、本実施形態においても、ガス漏洩検知器にかかわる費用の低減、及び配管加熱にかかわる費用の低減といった効果が発揮される。なお、本実施形態においても、バルブボックス40内の開閉バルブ33と基板処理装置20内の開閉バルブ27との間の配管に圧力センサを設けても良い。これによれば、開閉バルブ33と開閉バルブ27とを閉じたときに、これらの開閉バルブの間の配管内の圧力を圧力センサ34により監視し、圧力モニタ35において圧力上昇レートを算出することができる。圧力上昇レートが所定の値を超えたときに、減圧配管におけるガス漏洩を把握することが可能となる。なお、バルブボックス40に複数の配管14Bを接続し、バルブボックス40内において、シリンダキャビネット10からの配管14Aと、複数の配管14Bとを接続する分岐管を設けても良い。このようにすれば、シリンダキャビネット10からの一つの配管14Bを用いて複数の基板処理装置へプロセスガスを供給することが可能となる。この場合、複数の配管14Bに接続される複数の基板処理装置のうち、減圧雰囲気下でプロセスが行われる基板処理装置については、シリンダキャビネット40内において対応する枝管に上述のように電空レギュレータ310及び開閉バルブ33を設けることが好ましく、大気圧又は常圧雰囲気下でプロセスが行われる基板処理装置については、レギュレータは設けないで、例えば開閉バルブのみを設けると良い。第4の実施形態次に、図4を参照しながら、本発明の第4の実施形態について説明する。図示のとおり、本実施形態においては、電空レギュレータ310が基板処理装置20内に設けられている。これにより、シリンダキャビネット10から配管14を通して基板処理装置20へ供給される陽圧のプロセスガスが、電空レギュレータ310により減圧され、大気圧よりも低く、チャンバ22内のプロセス圧力よりも高い二次圧でプロセスガスが出力される。この場合、基板処理装置20内においては、電空レギュレータ310の一次側の配管にのみ陽圧のプロセスガスが流れる。したがって、図4に示すように電空レギュレータ310の周囲を囲む隔壁20aを設けて隔壁20a内を排気設備により排気し、隔壁20a内にガス漏洩検知器図示せずを設けることが好ましい。基板処理装置20内を局所的に排気すれば良いため、排気にかかわる費用や配管加熱にかかわる費用を低減することができる。変形例図5を参照しながら、図1に示すシリンダキャビネット10の変形例を説明する。図5に示すように、変形例のシリンダキャビネット10においては、ガスシリンダ12A及び12Bが配置されている。これらのガスシリンダ12A及び12Bには、同一のプロセスガスが充填されている。また、変形例のシリンダキャビネット10では、2つのレギュレータ31が並列に配置されており、これらのレギュレータ31は、開閉バルブ13Aを介してガスシリンダ12Aに接続され、開閉バルブ13Bを介してガスシリンダ12Bに接続されている。また、レギュレータ31Aと開閉バルブ13A及び13Bとの間には、開閉バルブ37Aが設けられており、レギュレータ31Bと開閉バルブ13A及び13Bとの間には、開閉バルブ37Bが設けられている。このような構成によれば、ガスシリンダ12A及び12Bを切り替えて使用することができる。すなわち、ガスシリンダ12Aから使用し始め、ガスシリンダ12Aが空になる前に、開閉バルブ13Aを閉めて開閉バルブ13Bを開けることにより、ガスシリンダ12Bを使用することができる。そして、ガスシリンダ12Bを使用している間に、ガスシリンダ12Aを交換すれば、シリンダキャビネット10からのプロセスガス供給を中断する必要が無くなる。また、開閉バルブ37A及び37Bを選択的に開けば、レギュレータ31A及び31Bを選択的に使用することができる。例えば、レギュレータ31Aのみを使用している場合に、レギュレータ31Aが故障したときは、開閉バルブ37Aを閉めて開閉バルブ37Bを開けることにより、レギュレータ31Bを使用すれば、プロセスガス供給の中断期間を短縮することが可能となる。さらに、開閉バルブ37A及び37Bの双方を開いておけば、大きな流量でプロセスガスを供給することが可能となる。また、以上の説明以外の部分は、第1の実施形態におけるシリンダキャビネット10と同様に構成されるため、上述の利点に加えて、第1の実施形態と同様の効果が発揮される。次に、本発明の実施形態による省エネルギー効果について算出した結果を説明する。例えばシリンダキャビネット、バルブボックス、及び基板処理装置内の筐体排気を行う場合には、通常、毎分3m3の流量で筐体内が排気される。毎分1m3の排気に要する電力を0.0037kWとすると、毎分0.067kWの電力が消費されるため、一年間では5834kWの電力が消費される。したがって、筐体排気を一箇所で廃止することができれば、一年間でこれだけの電力を節約することができる。この電力をCO2放出量に換算すると、2.3トンものCO2を削減することが可能となる。また、例えばテープヒータを用いて配管を加熱する場合には、配管7.4m当たりの消費電力は、0.296kWhである稼働時の消費電力を0.315kWとし、待機時の消費電力を0.305kWとし、1時間のうちの70において稼働し、25において待機状態となり、5において停止していると仮定。一年間の消費電力は2595kWhとなり、放出CO2量に換算すると、1.04トンとなる。以上より、本発明の実施形態による効果が理解される。特に、クリーンルームの全体及びすべてのクリーンルームにおいて筐体排気や配管加熱が不要となった場合には、消費電力の節約及びCO2放出量削減の効果は莫大なものとなる。以上、幾つかの実施形態及び実施例を参照しながら本発明を説明したが、本発明は上述の実施形態及び実施例に限定されることなく、添付の特許請求の範囲に照らし、種々に変形又は変更が可能である。例えば、シリンダキャビネット10内のガスシリンダ12に高圧ガスが充填されている場合には、シリンダキャビネット10内を常時排気するための排気ポートと、排気ポートと接続される排気管と、ガスシリンダ12内のガスを検知可能なガス漏洩検知器とをシリンダキャビネット10内に設けることが好ましい。ただし、液体が充填されるシリンダのみが用いられる場合には、シリンダキャビネット10内に大気圧よりも高い部分が無いため、排気ポートも排気管も不要となる。また、シリンダキャビネット10内に高圧ガスシリンダと液体シリンダとが配置される場合には、高圧ガスシリンダを密閉し、密閉空間を排気するようにしても良い。これによれば、シリンダキャビネット10内の全体を排気する必要がなくなり、排気のために要する電力を低減することができる。また、第3の実施形態のバルブボックス40において、第1の実施形態におけるレギュレータ31を用い、これに伴って圧力センサ34を設けても良い。さらに、第4の実施形態の基板処理装置20において、第1の実施形態におけるレギュレータ31を用い、これに伴って圧力センサ34を設けても良い。さらにまた、図5に示すシリンダキャビネット10の変形例において、レギュレータ31の代わりに電空レギュレータ310を用いても良い。また、第3及び第4の実施形態においても、第1及び第2の実施形態におけるエジェクタ16を設けて良いことは言うまでもない。また、上記の実施形態において、配管内の圧力上昇レートを監視及び算出する場合に、開閉バルブ33の代わりに、レギュレータ31又は電空レギュレータ310とガスシリンダ12との間に設けられる開閉バルブ13を閉じても良い。この場合、エジェクタ16か、減圧雰囲気下でプロセスが行われる基板処理装置の排気装置かを利用して、レギュレータ31又は電空レギュレータ310と開閉バルブ13との間の配管内を減圧した後に、圧力上昇レートの監視対象区間を封じ切るようにすることが好ましい。図5において、レギュレータ31が並列に設けられる例を説明したが、例えば、図3におけるバルブボックス40や図4における基板処理装置20においてもレギュレータ31を並列に設けても良い。プロセスガスには、例えばCVD装置における原料ガスや、エッチング装置におけるエッチングガスだけでなく、窒素ガスや希ガスなどの不活性ガスや水素ガスも含まれる。