"強磁性強誘電性物質層を少なくとも1層含む磁気記録膜が基盤の表面に形成されている回転ディスクと、前記基盤に対して電位を持つことで前記基盤との間に電束を生成する書込み電極を持ち電界により情報の書込みを前記磁気記録膜に対して行う書込み素子と、前記情報の書込み動作ごとに、前記書込み電極に複数の電位レベルのうちの1つの電位を選択して与える書込み回路と、を備え、前記書込み回路が前記書込み電極に与えた電位に応じて生成された前記電束により、前記強磁性強誘電性物質層を特定の方向に磁化する、ことを特徴とする電界書込み型磁気記録装置。前記基盤を構成する基体が導電体からなること、または、前記基盤を構成する基体が絶縁体または半導体からなり前記基体の前記磁気記録膜との間に導電層が形成されていること、を特徴とする請求項1に記載の電界書込み型磁気記録装置。前記磁気記録膜は、前記電束の拡散を抑制するための導電性の電束拡散抑制層を少なくとも1層含むことを特徴とする請求項1または2に記載の電界書込み型磁気記録装置。前記磁気記録膜は、導電性または絶縁性の強磁性層を少なくとも1層含むことを特徴とする請求項1または2に記載の電界書込み型磁気記録装置。前記強磁性強誘電性物質層が1層であり、前記電束の拡散を抑制するための導電性の電束拡散抑制層と、導電性または絶縁性の強磁性層とをそれぞれ少なくとも1層含むこと、または、前記強磁性強誘電性物質層を複数層含むとともに、前記電束の拡散を抑制するための導電性の電束拡散抑制層および導電性または絶縁性の強磁性層をそれぞれ少なくとも1層含むこと、を特徴とする請求項1または2に記載の電界書込み型磁気記録装置。前記書込み回路は、前記書込み動作ごとに、正負の2つの電位レベルのうち何れかの電位を前記書込み素子に与える、ことを特徴とする請求項1から5の何れか1項に記載の電界書込み型磁気記録装置。前記書込み素子は、複数の書込み電極を備え、前記書込み回路は、前記書込み動作ごとに、前記複数の書込み電極のそれぞれに、複数の電位レベルのうちの1つの電位を前記書込み素子に与える、ことを特徴とする請求項1から5の何れか1項に記載の電界書込み型磁気記録装置。前記書込み素子が、前記回転ディスクの表面上を前記回転ディスクの径方向に移動できるように構成されていることを特徴とする請求項1から5の何れか1項に記載の電界書込み型磁気記録装置。さらに、前記磁気記録膜の磁化状態を読み取る読取り素子を備えたことを特徴とする請求項1から8の何れか1項に記載の電界書込み型磁気記録装置。ところが、従来のハードディスク装置は、磁束による書込みを行っているため、情報書込み時の、書込みヘッドのコイルの抵抗等による消費電力が非常に大きい。また、書込みには、コイルに流れる電流を高速に制御しなくてはならない。高密度記録を行おうとすると、コイルコアの磁化の向きを超高速に変更する必要があるが、反転には自ずと限界がある。コイルから発生する最大磁束密度は、コイルコアの材質の飽和磁束密度で決まる。このため、もっとも大きな磁束密度を発生させるFe-Coを使用しても、最大磁束密度は、2.4Tテスラ程度である。よって、通常のコイルを使用した場合には、超高密度記録に対応し得る、保磁力が極めて高い磁気記録膜を、NまたはSの極性で磁化することができない書込みを行うことができない。また、従来のハードディスク装置の書込みヘッドは、微細なコイルやコイルコア等を含む複雑な構造をしているし、これが製造コストが高くなる原因となっている。また、磁気記録媒体は大量の貴金属元素を含むため、これも製造コストが高くなる原因となっている。なお、現行の磁気記録媒体は厚い多層構造であるため、製造装置の規模が巨大化しているといった問題もある。また、従来のハードディスク装置の磁気記録媒体に使用される貴金属元素の安定供給が、現状では保証されていない。したがって、従来のハードディスク装置では、抜本的な低消費電力化、書込みの超高速化、記録情報の超高密度化、低価格化を図ることが容易ではない。また、従来のハードディスク装置では、磁気記録媒体の製造装置の巨大化は避けられないし、磁気記録媒体の安定供給を図ることにも限界がある。なお、特許文献1に記載の発明では、複数層からなる磁気記録材料層の一層にマルチフェロイック材料を使用し、データの書込み時に電界を、磁気記録材料に与える。これにより、当該磁気記録材料内の面外磁気異方性を低下させ、磁束を与えた際に容易に磁化反転させることができるため、磁気データ記憶装置の容量を増加させることができる。特許文献1に記載の発明では、本発明と同様、マルチフェロイック材料を使用しているが、特許文献1に記載の発明は、データの書込みを磁気コイルで行うので、本発明とは直接の関係が無い。本発明の目的は、書込み素子により、基盤との間に電束を生成し、当該電束により、書込み動作ごとに前記基盤に形成した強磁性強誘電性物質層を特定の方向に磁化する電界書込み型磁気記録装置を提供することである。本発明の他の目的は、磁気記録装置の、抜本的な低消費電力化、書込みの超高速化、記録情報の超高密度化、低価格化を図ること、および、磁気記録媒体の製造装置の巨大化を抑制し、磁気記録媒体の安定供給を図ることである。本発明の電界書込み型磁気記録装置は、以下を要旨とする。1強磁性強誘電性物質層を少なくとも1層含む磁気記録膜が基盤の表面に形成されている回転ディスクと、前記基盤に対して電位を持つことで前記基盤との間に電束を生成する書込み電極を持ち電界により磁界によらずに情報の書込みを前記磁気記録膜に対して行う書込み素子と、前記情報の書込み動作ごとに、前記書込み電極に複数の電位レベルのうちの1つの電位を選択して与える書込み回路と、を備え、前記書込み回路が前記書込み電極に与えた電位に応じて生成された前記電束により、前記強磁性強誘電性物質層を特定の方向に磁化する、ことを特徴とする電界書込み型磁気記録装置。書込み回路は、2つの電位レベルのうちから1つの電位を選択して書込み電極に与えるように構成できる。この場合、6に明示するように、書込み回路は、書込み動作ごとに、2つの電位レベル書込み電位レベル、V1,V2を書込み電極に与えることができる。典型的には、V2>0>V1であるが、V2>V1>0または0>V2>V1であってもよい。また、書込み回路は、3つ以上の電位レベルのうちから1つの電位を選択して書込み電極に与えることができる。たとえば、書込み回路は、4つの電位レベル書込み電位レベル、V2,V1,V1,V2V2>V1>0>V1>V2を書込み電極に与えることができる。電位レベルがV2のときはプラス方向方向に大きな磁化MMで磁化し、電位レベルがV1のときはプラス方向方向に小さな磁化Mmで磁化する。また、電位レベルがV1のときはマイナス方向-方向に小さな磁化Mmで磁化し、電位レベルがV2のときはマイナス方向-方向に大きな磁化MMで磁化することで、情報の書込みを行う。なお、この例では、電位を生成する電界の向きと磁化の向きが平行同方向の場合を説明したが、電位を生成する電界の向きと磁化の向きが反平行逆方向となる場合もある。強磁性強誘電性物質層は、いわゆるマルチフェロイック層である。強磁性強誘電性物質層が電束により磁化される特定の方向とは、典型的には、基盤の表面に垂直な二方向の何れかであるが、当該表面に平行な方向または傾斜した方向であってもよい。すなわち、磁化が基盤の表面に平行であることもあるし、平行な成分を持つこともある。本発明の電界書込み型磁気記録装置は、9において説明するように、磁気記録膜の磁化を読み取る読取り素子を備えることができ、この読取り素子が磁気記録膜の特定の方向の磁化を読み取ることができる。強磁性強誘電性物質層としては、電界をかけることにより磁化が変化する、強磁性強誘電性の物質であれば、どのような物質を用いてもよい。たとえば、強磁性強誘電性物質層として、単一の層で、電界により磁化が変化する強磁性強誘電性物質を用いることもできるし、強磁性材料の層と強誘電性の層との積層体を用いることもできる。ただし、強磁性材料の層と強誘電性の層との積層体を強磁性強誘電性物質層として用いる場合には、記録速度が著しく低下することがある。このようなことから、単一の層で、電界により磁化が変化する強磁性強誘電性の物質が好ましく使用される。強磁性強誘電性物質層の構成材料として、たとえば、下記の一般式1で示される強磁性強誘電性物質を用いることができる。AxB1xlMyN1ymOn11式中、A及びBは、それぞれ、Bi,La,Tb,Pb,Y,Cr,Co,Ba,Lu,YbまたはEuのいずれかの元素を表す。MおよびNは、それぞれ、Fe,Mn,Ni,Ti,Cr,CoまたはVのいずれかの元素を表す。xは0~1の実数を表し、yは0~1の実数を表す。lアルファベットのエルは1~3の整数を表し、mは1~3の整数を表し、nは3~6の整数を表す。具体的には、電界により磁化が変化する既知の強磁性強誘電性材料として、BiMnO3,TbMnO3,TbMn2O5,YMnO3,EuTiO3,CoCr2O4,Cr2O3,BiMn05Ni05O3,BiFe05Cr05O3,La01Bi09MnO3,La1xBixNi05Mn05O3,Bi1xBaxFeO3等を用いることができる。2前記基盤を構成する基体が導電体からなること、または、前記基盤を構成する基体が絶縁体または半導体からなり前記基体の前記磁気記録膜との間に導電層が形成されていること、を特徴とする1に記載の電界書込み型磁気記録装置。前記基体として使用される導電体は、たとえばアルミニウム等の金属である。また、前記基体として使用される絶縁体は、たとえばガラスであり、前記基体として使用される半導体は、たとえばシリコンである。3前記磁気記録膜は、前記電束の拡散を抑制するための導電性の電束拡散抑制層を少なくとも1層含むことを特徴とする1または2に記載の電界書込み型磁気記録装置。回転ディスクの表面には、通常、保護膜たとえば、ダイヤモンドライクカーボンからなるが形成されており、磁気記録膜は前記保護膜により保護される。ただし、本発明では、保護膜が前記電束拡散抑制層としての機能を奏することは妨げない。4前記磁気記録膜は、導電性または絶縁性の強磁性層を少なくとも1層含むことを特徴とする1または2に記載の電界書込み型磁気記録装置。強磁性層は、強磁性強誘電性物質層からの磁化情報の読取りに際しての補助として使用されるし、強磁性強誘電性物質層に記録した磁気情報が消失することを防止することができる。強磁性層が、導電性であるときは、当該強磁性層は電束拡散抑制層としても機能することもできる。逆に、電束拡散抑制層が強磁性層からなるときは、当該電束拡散抑制層は強磁性層としても機能する強磁性強誘電性物質層からの磁化情報の読取りに際しての補助として使用され、強磁性強誘電性物質層に記録した磁気情報が消失することを防止することができる。5前記強磁性強誘電性物質層が1層であり、前記電束の拡散を抑制するための導電性の電束拡散抑制層と、導電性または絶縁性の強磁性層とをそれぞれ少なくとも1層含むこと、または、前記強磁性強誘電性物質層を複数層含むとともに、前記電束の拡散を抑制するための導電性の電束拡散抑制層および導電性または絶縁性の強磁性層をそれぞれ少なくとも1層含むこと、を特徴とする1または2に記載の電界書込み型磁気記録装置。6前記書込み回路は、前記書込み動作ごとに、正負の2つの電位レベルのうち何れかの電位を前記書込み素子に与える、ことを特徴とする1から5の何れか1項に記載の電界書込み型磁気記録装置。7前記書込み素子は、複数の書込み電極を備え、前記書込み回路は、前記書込み動作ごとに、前記複数の書込み電極のそれぞれに、複数の電位レベルのうちの1つの電位を前記書込み素子に与える、ことを特徴とする1から5の何れかに記載の電界書込み型磁気記録装置。8前記書込み素子が、前記回転ディスクの表面上を前記回転ディスクの径方向に移動できるように構成されていることを特徴とする1から5の何れか1項に記載の電界書込み型磁気記録装置。9さらに、前記磁気記録膜の磁化状態を読み取る読取り素子を備えたことを特徴とする1から8の何れかに記載の電界書込み型磁気記録装置。磁気記録膜の磁化状態は、典型的には、磁気記録膜の磁化方向または/および磁気記録膜の磁化の大きさである。読取り素子は、磁気記録膜に保持された磁化状態を情報として読み取ることができる。本発明では、実質上、電界による書込みを行っている。これにより、情報書込み時の電力消費は極めて小さくなる。また、書込みのための素子にはコイルがないのですなわちインダクタンスがなく構成が簡単なので、超高速書込み、記録情報の超高密度化が可能となる。さらに、本発明では、記録媒体の積層数を少なくでき、トータル膜厚を薄くできるので、記録媒体製造装置の規模を半分程度に縮減できる。しかも、記録媒体には、貴金属元素をほとんど使用しないので、記録媒体が低価格で安定して提供される。図1は本発明の電界書込み型磁気記録装置を示す説明図であり、Aは平面説明図、Bは側面説明図である。実際の電界書込み型磁気記録装置は、両面に磁性膜が成膜されたディスクを間隔を空けて数枚配置される。そして、各ディスクの両面に、先端に書込み素子および読取り素子が搭載されたアームが配置される。図1の電界書込み型磁気記録装置1は、説明のために簡略化して示してあり、回転ディスクは一枚からなり、かつ回転ディスクの片面のみに磁気記録膜が形成されている。電界書込み型磁気記録装置1は、回転ディスク11と、先端に書込み素子121および読取り素子122これらは、図1Aでは図示せずが搭載されたアーム1201と、書込み用の信号を書込み素子121に与える書込み回路13図1Bでは図示せずと、回転ディスク11に書き込まれた情報を読取り素子122を介して読み取る読取り回路14図1Bでは図示せずとを備えている。図1において、回転ディスク11の表面には後述する磁気記録膜図4~図9の符号112参照が形成されている。アーム1201は、アクチュエータ1202により回動操作される。これにより、書込み素子121および読取り素子122は、回転ディスク11の表面上を回転ディスク11の径方向に移動できる。アクチュエータ1202の先端に設けられた書込み素子121および読取り素子122の構成は後述する図2参照。書込み回路13は書込み素子121を駆動し、読取り回路14は読取り素子122を駆動する。図1A,Bの電界書込み型磁気記録装置1の技術的特徴は、図2A,BおよびCに明示されている。図2Aはアーム1201の先端を示す正面模式図であり、図2Bは図2Aの矢視B-B′方向の断面図、図2Cは図2Aの矢視C-C′方向の断面図である。図1の書込み回路13は、書込み素子121に書込み信号を送る。図2Aに示す書込み素子121の書込み電極図4~図9の符号1211には、正または負の極性の電位が生じ、回転ディスク11の表面の磁気記録膜に磁気情報典型的にはNまたはSのビット情報を書き込まれる。図2Aに示す読取り素子122の読取り部1221は、回転ディスク11の表面の磁気記録膜に書き込まれている磁気情報典型的にはNまたはSのビット情報を読み取り、図1の読取り回路14に送出する。従来の、電界書込み型磁気記録装置では、書込みヘッドは、コイルおよびコイルコアからなる。したがって、一つの書込みヘッドに、コイルおよびコイルコアの組を、複数、隣接させて設けることは不可能であった。しかし、電界書込み型磁気記録装置1の書込み素子121は構造が単純なので、図3Aに示すように、書込み素子121に複数の書込み電極1211を隣接させることが可能である。また、図3B,Cに示すように、書込み素子121に形成される書込み電極1211を突出させないように構成することもできる。図3Bは書込み電極が1つの場合を、図3Cは書込み電極が複数の場合を例示している。以下、電界書込み型磁気記録装置1の構成主として書込み動作にかかる構成を詳細に説明する。なお、以下の説明でも、基盤111、磁気記録膜112、書込み素子121等を模式的に示してあり、これらの図面上の形状、サイズ等は実際のものを反映してはいない。また、便宜上、書込み電極1211が基盤111に対して正電位である場合を示す。さらに、実際の磁気記録膜112の表面には、ダイヤモンドライクカーボン等の保護膜が形成されるが、以下の説明では保護層の説明は省略する。図4は、磁気記録膜112が強磁性強誘電性物質層からなる本発明の電界書込み型磁気記録装置1の実施形態を示す図である。図4Aは基盤111を構成する基体が導電体である場合を示している。図4Bは基盤111を構成する基体が絶縁体である場合を示している。なお、図4および図5~8では、説明をわかりやすくするために、書込まれた分極方向に対する記録磁化の向きを同方向で示してある。図4Aの電界書込み型磁気記録装置1Aでは、回転ディスク11の基盤111は、アルミニウム等の導電体からなる基体1111からなる。基盤111の表面には、磁気記録膜112が形成されている。磁気記録膜112は、強磁性強誘電性物質層1121からなる。強磁性強誘電性物質層1121としては、電界をかけることにより磁化が変化する、強磁性強誘電性の物質であれば、どのような物質を用いてもよい。たとえば、強磁性強誘電性物質層1121として、単一の層で、電界により磁化が変化する強磁性強誘電性物質を用いることもできるし、強磁性材料の層と強誘電性の層との積層体を用いることもできる。本実施形態では、強磁性強誘電性物質層1121として、111配向のBi1xBaxFe1yMnyO3を使用している。後述するように図9参照、磁気記録膜112は、複数の強磁性強誘電性物質層1121を複数含むことができる。書込み素子121は書込み電極1211を持ち、書込み電極1211は基盤111に対して電位を持つことで基盤111との間に電束Φを生成することができる。書込み回路13は、情報の書込み動作ごとに、書込み電極1211に正電位および負電位の2つの電位レベルのうちの何れかの電位を与えることができる。書込み回路13が書込み電極1211に与えた電位に応じて生成された電束Φにより、強磁性強誘電性物質層1121を特定の方向に磁化する。なお、強磁性強誘電性物質層1121の電束Φが通る領域には当該電束Φの向きに応じた向きに分極Pが起こる。この分極Pに伴い前記領域は当該電束Φの向きに応じた向きに磁化される磁化M。なお、分極Pを白抜き矢印で示し、磁化Mを黒の塗潰し矢印で示す。上記の磁化Mの状態は、強磁性強誘電性物質層1121に記憶されるので、図2A,Cに示した読取り素子122により読取り部1221によりにより読み取ることができる。この磁化Mの方向は、通常は、電束Φの向きΦは正負の方向を持つと同じであるが、基盤111の表面に垂直な方向法線方向または法線方向とは逆の方向に対してゼロ以外の角度を持つ磁化が、基盤111の表面の面内方向に向くか当該面内方向の成分を持つこともある。なお、書込み回路13は、4つの電位レベル書込み電位レベル、V2,V1,V1,V2V2>V1>0>V1>V2を書込み電極1211に与えることができる。電位レベルがV2のときはプラス方向方向に大きな磁化MMで磁化し、電位レベルがV1のときはプラス方向方向に小さな磁化Mmで磁化する。また、電位レベルがV1のときはマイナス方向-方向に小さな磁化Mmで磁化し、電位レベルがV2のときはマイナス方向-方向に大きな磁化MMで磁化することで、情報の書込みを行う。なお、電位を生成する電界の向きと磁化の向きが平行同方向の場合を説明したが、電位を生成する電界の向きと磁化の向きが反平行逆方向となる場合もある。図4Aの電界書込み型磁気記録装置1Aでは、基盤111の基体1111は導電体としたが、図4Bの電界書込み型磁気記録装置1Bでは、基盤111の基体1112を絶縁体としてある。この場合には、絶縁体からなる基体1112と磁気記録膜112との間に導電層1113が形成される。基体1112として使用される絶縁体として、たとえばガラス、セラミック、プラスチック等が使用できる。なお、絶縁体に代えてシリコン等の半導体を使用することもできる。図5Cの電界書込み型磁気記録装置1Cでは、磁気記録膜112は、強磁性強誘電性物質層1121と、電束拡散抑制層1122を含む。すなわち、磁気記録膜112の表面側には電束拡散抑制層1122が形成されている。電束拡散抑制層1122は導電性である。磁気記録膜112の表面側に導電性の層を形成することで、書込み電極1211と磁気記録膜112との間の電束の広がりが抑制される書込み電極1211と磁気記録膜112との間の電束を集束させる。これにより、書込み情報の書込み密度を高くすることができる。図5Cの電界書込み型磁気記録装置1Cでは、基盤111の基体1111は導電体としたが、図5Dの電界書込み型磁気記録装置1Dでは、基盤111の基体1112を絶縁体としてある。この場合には、絶縁体からなる基体1112と磁気記録膜112との間に導電層1113が形成される。図6Eの電界書込み型磁気記録装置1Eでは、磁気記録膜112は、強磁性強誘電性物質層1121と、絶縁性強磁性層1123を含む。すなわち、磁気記録膜112の基盤111側には絶縁性強磁性層1123が形成されている。絶縁性強磁性層1123は、図示するように、強磁性強誘電性物質層1121に接触して形成することが好ましい。書込み電極1211により強磁性強誘電性物質層1121が磁化されると、これに伴い絶縁性強磁性層1123も磁化される。絶縁性強磁性層1123の存在により、磁気記録膜112に記録された磁化方向が安定し、かつ読取り素子122図2A,C参照による、磁気記録膜112に記録された磁化の読取り精度も格段に向上する。なお、絶縁性強磁性層1123は、磁気記録膜112の表面側に形成することもできる。図6Eの電界書込み型磁気記録装置1Eでは、基盤111の基体1111は導電体としたが、図6Fの電界書込み型磁気記録装置1Fでは、基盤111の基体1112を絶縁体としてある。この場合には、絶縁体からなる基体1112と磁気記録膜112との間に導電層1113が形成される。なお、この場合にも、絶縁性強磁性層1123は、磁気記録膜112の表面側に形成することもできる。図7Gの電界書込み型磁気記録装置1Gでは、磁気記録膜112は、強磁性強誘電性物質層1121と、導電性強磁性層1124を含む。すなわち、磁気記録膜112の表面側には導電性強磁性層1124が形成されている。導電性強磁性層1124は、図示するように強磁性強誘電性物質層1121に接触して形成することが好ましい。書込み電極1211により強磁性強誘電性物質層1121が磁化されると、これに伴い導電性強磁性層1124も磁化される。導電性強磁性層1124の存在により、磁気記録膜112に記録された磁化方向が安定し、かつ読取り素子122図2A,C参照による、磁気記録膜112に記録された磁化の読取り精度も格段に向上する。これに加えて、図7Gの電界書込み型磁気記録装置1Gでは、磁気記録膜112の表面側が導電性である表面側に導電性強磁性層1124が形成されている。したがって、図5Cの電界書込み型磁気記録装置1Cと同様、書込み電極1211と磁気記録膜112との間の電束の広がりが抑制され、これにより、書込み情報の書込み密度を高くすることができる。なお、図7Gの電界書込み型磁気記録装置1Gでは、導電性強磁性層1124は、磁気記録膜112の基盤111側に形成することを妨げるものではない。図7Gの電界書込み型磁気記録装置1Gでは、基盤111の基体1111は導電体としたが、図7Hの電界書込み型磁気記録装置1Hでは、基盤111の基体1112を絶縁体としてある。この場合には、絶縁体からなる基体1112と磁気記録膜112との間に導電層1113が形成される。図7Hの電界書込み型磁気記録装置1Hでは、導電層1113を磁性材により形成したが、非磁性材により形成することを妨げるものではない。図8Iの電界書込み型磁気記録装置1Iでは、磁気記録膜112は、強磁性強誘電性物質層1121と、絶縁性強磁性層1123と、導電性強磁性層1124を含む。すなわち、磁気記録膜112の基盤111側には絶縁性強磁性層1123が形成され、表面側には導電性強磁性層1124が形成されている。導電性強磁性層1124は、書込み電極1211と磁気記録膜112との間の電束の広がりを抑制する書込み電極1211と磁気記録膜112との間の電束を集束させることに役立つし、磁気記録膜112に記録された磁化方向が安定し、かつ読取り素子122図2A,C参照による、磁気記録膜112に記録された磁化の読取り精度も格段に向上することができる。なお、図8Iの電界書込み型磁気記録装置1Iでは、絶縁性強磁性層1123に代えて、導電性強磁性層を用いる妨げるものではない。図8Iの電界書込み型磁気記録装置1Iでは、基盤111の基体1111は導電体としたが、図8Jの電界書込み型磁気記録装置1Jでは、基盤111の基体1112を絶縁体としてある。この場合には、絶縁体からなる基体1112と磁気記録膜112との間に導電層1113が形成される。図9Kの電界書込み型磁気記録装置1Kでは、磁気記録膜112は、2つの強磁性強誘電性物質層1121と、2つの導電性強磁性層1124を含む。すなわち、磁気記録膜112の表面側には第1の導電性強磁性層1124が形成され、その下面に第1の強磁性強誘電性物質層1121が形成され、さらにその下面に第2の導電性強磁性層1124が形成され、その下面に第2の強磁性強誘電性物質層1121が形成されている。導電性強磁性層1124は、書込み電極1211と磁気記録膜112との間の電束の広がりを抑制する書込み電極1211と磁気記録膜112との間の電束を集束させることに役立つし、磁気記録膜112に磁化方向が安定し、かつ読取り素子122図2A,C参照による、磁気記録膜112に記録された磁化の読取り精度も格段に向上する。図9Kの電界書込み型磁気記録装置1Kでは、基盤111の基体1111は導電体としたが、図9Lの電界書込み型磁気記録装置1Lでは、基盤111の基体1112を絶縁体としてある。この場合には、絶縁体からなる基体1112と磁気記録膜112との間に導電層1113が形成される。"