"半導体発光素子をフリップチップ実装した回路基板を備え、該半導体発光素子を蛍光体キャップで被覆した半導体発光装置の製造方法において、前記回路基板が連結した集合基板と複数の前記半導体発光素子を準備する基板準備工程と、前記集合基板の回路基板の配列ピッチと等しいピッチで前記蛍光体キャップが連結した蛍光体キャップシートを準備する蛍光体キャップシート準備工程と、前記集合基板に前記複数の半導体発光素子をフリップチップ実装するフリップチップ実装工程と、前記半導体発光素子を実装した前記集合基板と前記蛍光体キャップシートとを重ね合わせる重ね合わせ工程と、前記蛍光体キャップシートごと前記集合基板を切断し、前記半導体発光装置を得る個片化工程とを備えることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。前記蛍光体キャップシート準備工程において、金型に蛍光体シートを配置してから、前記金型を使った成形により前記蛍光体シート上に前記蛍光体キャップの側部となる白色反射部材を形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置の製造方法。前記フリップチップ実装工程の後に、前記半導体発光素子に接着剤を塗布する接着剤塗布工程があることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光装置の製造方法。半導体発光素子をフリップチップ実装した回路基板を備える半導体発光装置において、前記半導体発光素子を被覆する蛍光体キャップが前記半導体発光素子と共に前記回路基板上に実装され、前記蛍光体キャップの平面外形と前記回路基板の平面外形が等しく形成されたことを特徴とする半導体発光装置。前記蛍光体キャップと前記半導体発光素子の間に接着層があることを特徴とする請求項4に記載の半導体発光装置。前記蛍光体キャップの側部に白色反射部材があることを特徴とする請求項4又は5に記載の半導体発光装置。しかしながらこのようなLED装置は、実装用の回路基板がない場合、回路基板が担っていたインターポーザやその他の機能を、底部において電極構造や保護部材により補填しなければならない。インターポーザ機能としては、図8に示した特許文献2のLED装置蛍光型LED80のように、所望の位置に外部接続電極を配置するため金属配線を多層化して対応することが多い。また他の機能としては、例えばLED装置の底面から侵入しようとする有害物質や応力の防止機能があげられる。有害物質としては水分や硫黄などがあり、絶縁膜のピンホールを通じて半導体層に侵入し半導体層を劣化させる。このため底面に配置する保護部材を強化しなくてはならない。また外部接続電極がLED素子底面に直接的に形成されていると、外部から侵入して来る応力が半導体に含まれる金属層などを剥離させることがある。そこで外部接続電極の柔軟性や配線間の位置関係、金属層間の接続力などを調整して対応せざるを得ない。以上のような不具合は回路基板があれば回路基板により軽減される。しかしながらLEDダイを回路基板上に実装したLED装置を多数個準備し、このLED装置で照明装置を構成するとき、各LED装置に蛍光体キャップを被せる工程が負担になるという課題がある。そこで本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、蛍光体を節約できたり発光色の方位角依存性が少なかったりする蛍光体キャップのメリットを享有しながら、蛍光体キャップを被せる工程が大きな負担とならない半導体発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するため本発明の半導体発光装置の製造方法は、半導体発光素子をフリップチップ実装した回路基板を備え、該半導体発光素子を蛍光体キャップで被覆した半導体発光装置の製造方法において、前記回路基板が連結した集合基板と複数の前記半導体発光素子を準備する基板準備工程と、前記集合基板の回路基板の配列ピッチと等しいピッチで前記蛍光体キャップが連結した蛍光体キャップシートを準備する蛍光体キャップシート準備工程と、前記集合基板に前記複数の半導体発光素子をフリップチップ実装するフリップチップ実装工程と、前記半導体発光素子を実装した前記集合基板と前記蛍光体キャップシートとを重ね合わせる重ね合わせ工程と、前記蛍光体キャップシートごと前記集合基板を切断し、前記半導体発光装置を得る個片化工程とを備えることを特徴とする。この半導体発光装置の製造方法は、複数の回路基板が連結した集合基板に複数の半導体発光装置をフリップチップ実装し、並行して準備しておいた蛍光体キャップシートを重ねあわせ、蛍光体キャップシートごと回路基板を切断することにより、多数個同時に半導体発光装置を作成するものである。この半導体発光装置は、半導体発光素子を実装した回路基板を備え、さらにこの蛍光体キャップシートを切断して得られる蛍光体キャップで半導体発光素子を被覆しているので、蛍光体キャップ及び回路基板のメリットを亨有している。そして個別の半導体発光素子に個別に蛍光体キャップを被せる必要がないため蛍光体キャップを被せる工程が大きな負担とならない。前記蛍光体キャップシート準備工程において、金型に蛍光体シートを配置してから、前記金型を使った成形により前記蛍光体シート上に前記蛍光体キャップの側部となる白色反射部材を形成してもよい。前記フリップチップ実装工程の後に、前記半導体発光素子に接着剤を塗布する接着剤塗布工程があっても良い。上記目的を達成するため本発明の半導体発光装置は、半導体発光素子をフリップチップ実装した回路基板を備える半導体発光装置において、前記半導体発光素子を被覆する蛍光体キャップが前記半導体発光素子と共に前記回路基板上に実装され、前記蛍光体キャップの平面外形と前記回路基板の平面外形が等しく形成されたことを特徴とする半導体発光装置。この半導体発光装置は、まず複数の回路基板が連結した集合基板に複数の半導体発光装置をフリップチップ実装し、これと並行して複数の蛍光体キャップが連結した蛍光体キャップシートを準備しておき、この回路基板上に蛍光体キャップシートを重ね、その後蛍光体キャップシートごと回路基板を切断することにより、多数個同時に作成できる。また本発明の半導体発光装置は、半導体発光素子を実装した回路基板を備え、さらにこの蛍光体キャップシートを切断して得られる蛍光体キャップが半導体発光素子を被覆している。このようにして本発明の半導体発光装置は、蛍光体キャップ及び回路基板のメリットを享有しながら、個別の半導体発光素子に個別に蛍光体キャップを被せる必要がないため蛍光体キャップを被せる工程が大きな負担とならない。前記蛍光体キャップと前記半導体発光素子の間に接着層があっても良い。前記蛍光体キャップの側部に白色反射部材があっても良い。以上のように本発明の半導体発光装置及びその製造方法によれば、蛍光体を節約でき発光色の方位角依存性が少ない蛍光体キャップのメリットを享有していながら、製造工程を短縮した半導体発光装置が得られる。以下、添付図1~6を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また説明のため部材の縮尺は適宜変更している。さらに特許請求の範囲に記載した発明特定事項との関係をカッコ内に記載している。第1実施形態図1により本発明の第1実施形態におけるLED装置10半導体発光装置の外観を説明する。図1はLED装置10の外観を示す外形図であり、aが正面図、bが底面図である。LED装置10を正面から眺めると、蛍光体キャップ11の下部に回路基板14が見え、さらに回路基板14の下に外部接続電極12,13が見えるa。なお図示していないがLED装置10を上面から眺めると蛍光体キャップ11のみが見える。LED装置10を下から眺めると、回路基板14の内側に外部接続電極12,13が見えるb。図2によりLED装置10の内部構造を説明する。図2は図1bのAA線に沿って描いたLED装置10の断面図である。LED装置10は、回路基板14と、その回路基板14にフリップチップ実装したLEDダイ20半導体発光素子と、接着剤15を介してLEDダイ20を被覆している蛍光体キャップ11とからなる。LEDダイ20は、サファイア基板21と、サファイア基板21の底面に形成されたn型半導体層22と、n型半導体層22の下に形成されたp型半導体層23と、p型及びn型半導体層23,22を覆い開口部を有する絶縁膜24と、絶縁膜24の開口部においてそれぞれp型及びn型半導体層23,22と接続するp側及びn側の電極25,26とを備えている。サファイア基板21は透明絶縁基板であり厚さが80~120μmである。n型半導体層22はGaNバッファ層とn型GaN層からなり厚さが5μm程度である。p型半導体層23は、反射や原子拡散防止などさまざまな機能に対応する金属多層膜とp型GaN層からなり厚みが1μm程度である。図示していないが発光層はp型半導体層23とn型半導体層22の境界部にあり、平面形状はp型半導体層23とほぼ等しい。絶縁膜24はSiO2やポリイミドからなり厚さが数100nm~1μm程度である。p側及びn側の電極25,26はAu又はCuをコアとするバンプであり、電解メッキ法で形成し厚さが10~30μm程度である。回路基板14は、上面に内部接続電極16,17、並びに下面に外部接続電極12,13が形成され、内部接続電極16,17と外部接続電極12,13はスルーホール電極18,19で接続している。回路基板14の板材は、熱伝導性等や反射率を考慮して、金属、セラミック、樹脂などから選択する。内部接続電極16,17及び外部接続電極12,13はNiとAuをメッキした銅箔であり、厚さは数μm~50μm程度である。スルーホール電極18,19は直径100~数100μmのスルーホールに金属ペーストを充填したものである。なお回路基板14は蛍光体キャップ11と平面的なサイズが等しい。蛍光体キャップ11は、蛍光体を含有したシリコーン樹脂からなり、上側が閉じた箱形をしている。シリコーン樹脂はミラブルであり柔軟性を有する。ここでミラブルとはゴム状に架橋したシリコーンを硫黄でさらに架橋したものであるが、硬質のシリコーンに比べ架橋が少なくなっている。蛍光体キャップ11の上面と側面は厚さが100~200μmである。なお蛍光体キャップ11の下端は回路基板14と近接しているので、LEDダイ20の底面の周辺部から洩れ出そうとする光を遮っている。蛍光体キャップ11とLEDダイ20を接着する接着剤15は、サファイア基板21の屈折率と蛍光体キャップの屈折率を連続的に変化させ発光効率を低下させないという機能もある。接着剤15はLEDダイ20の下部に存在することが好ましく、回路基板14と蛍光体キャップ11の間に接着剤15が薄く存在しても良い。LEDダイ20のp側及びn側の電極25,26と回路基板の内部接続電極16,17とはAu-Sn共晶により接続させると良い。このAu-Sn共晶接合は、予めp側及びn側の電極25,26若しくは内部接続電極16,17上にAu-Sn合金層を形成しておき、Au-Sn合金層を溶融させてそれぞれの電極を接合する。Au-Sn共晶接合は溶融温度を300~400°Cに設定できるため、LED装置10をマザー基板図示せずに半田リフローで接合するとき、p側及びn側の電極25,26と内部接続電極16,17の接続部を固体状態にしておけるため好ましい。ちなみに半田リフローは260°C程度である。次に図3によりLED装置10の製造方法を説明する。図3はLED装置10の製造方法の説明図であり、aが集合基板14aとLED素子20を準備する基板準備工程、bがLED素子20を集合基板14aにフリップチップ実装するフリップチップ実装工程、cがLED素子20に接着剤15を塗布する接着剤塗布工程、dが蛍光体キャップシート11aを準備する蛍光体キャップシート準備工程、eがLED素子20を実装した集合基板14aと蛍光体キャップシート11aを重ね合わせる重ね合わせ工程、fが蛍光体キャップシート11aごと集合基板14aを切断しLED装置10を得る個片化工程、を示している。なお図3では、LEDダイ20のp型及びn型半導体層23,22、回路基板14の内部接続電極16,17等図2参照を図示せず、LEDダイ20、集合基板14aを簡略化して描いている。まずaで示す基板準備工程において、回路基板14が連結した集合基板14aと複数のLEDダイ20を準備する。次にbで示すフリップチップ実装工程において、集合基板14aに複数のLEDダイ20をフリップチップ実装する。集合基板14a上の内部接続電極16,17図2参照のピッチにあわせてLEDダイ20を粘着シート図示せずに配列し、この粘着シートを集合基板14aと重ね、粘着シートごとLEDダイ20を加熱加圧し、一括して複数のLEDダイ20を集合基板14aに接続する。なお粘着シートにはLEDダイ20のサファイア基板21図2参照を貼り付け、p側及びn側の電極25,26図2参照を露出する。またLEDダイ20のp側及びn側の電極25,26の下面、又は内部接続電極16a,17aの上面に予めAu-Sn層を形成しておき、接続面が所定の温度300~400°Cになっている状態を数秒から数10秒間維持する。次にcで示す接着剤塗布工程において、LEDダイ20の上面に適量の接着剤をディスペンサで塗布する。これらa,b,cで示した基板準備工程,フリップチップ実装工程,接着剤塗布工程と並行して、dで示す蛍光体キャップシート11aを準備する。蛍光体キャップシート11aは、集合基板14aにおける回路基板14の配列ピッチと等しいピッチで蛍光体キャップ11が連結したものであり、射出成型で作成する。蛍光体キャップシート11aの材料であるシリコーン樹脂は、重合度3000から10000の線状ポリマーを主成分とし、シリカ系補強性充填剤、潤滑剤、各種添加剤を配合したもので、使用時に加硫剤を添加することにより加熱硬化する。フリップチップ実装したLEDダイ20に接着剤15aを塗布した集合基板14aと、蛍光体キャップシート11aが準備できたら、これらを重ね合わせる。eで示す重ね合わせ工程において、集合基板14aと蛍光体キャップシート11aを重ね合わせたら加熱加圧し接着剤15aを硬化させ接着層15を形成する。このとき接着剤15aはLEDダイ20の側面及び底面に回り込んでいる。最後にfで示す個片化工程において、蛍光体キャップシート11aごと集合基板14aを切断し、LED装置10を得る。ダイサーにより切断するとき、蛍光体キャップシート11aと集合基板14aの硬さが異なるため、異なったブレードを使用してもよい。このとき回路基板14の平面サイズと蛍光体キャップ11の平面サイズは加工精度の分だけ僅かに異なる。図3で示した製造方法は、集合基板14aを最後の個片化工程で切断していた。なお集合基板14aを複数の回路基板を含むように分割しても良い。同様に蛍光体キャップシートも小型化しても良い。つまり集合基板の精度、LEDダイの実装精度、蛍光体キャップシートの加工精度などを加味して、分割した集合基板等が最も効率的になるようにする。また少数個の試作品を顧客に提供する場合などでは、フリップチップ実装した集合基板を個片化し、同様に蛍光体キャップシートから個片化した蛍光体キャップでLEDダイ20を被覆しても良い。また図3で示した製造方法にはcで示した接着剤塗布工程があった。蛍光体キャップシート11aが半硬化状態で接着性を備えていれば、LEDダイ20の上面又は側面と蛍光体キャップシート11aを直接的に接着することにより接着剤塗布工程を省略できる。第2実施形態図1,2に示したLED装置10は上部に光を出射するとともに側部にも光を出射する。しかしながらLED装置の使い方によっては側部に出射する光を利用しにくいことがある。そこで図4~6により本発明の第2実施形態として側部には出射光がなく、上部にのみ光を出射するLED装置40を説明する。図4により本発明の第2実施形態におけるLED装置40半導体発光装置の外観を説明する。図4はLED装置40の正面図である。LED装置10を正面から眺めると、最上部に蛍光体層41、その下に白色反射部材42が見え、さらにその下に回路基板14と外部接続電極12,13が見える。ここで蛍光体キャップ43は蛍光体層41と白色反射部材42からなる。回路基板14と外部接続電極12,13は、図1に示したLED装置10に含まれる回路基板14と外部接続電極12,13と同じものである。このため図示していないLED装置40の底面は図1bと同じものとなる。次に図5によりLED装置40の内部構造を説明する。なお図5は図1bのAA線に相当する切断線に沿って描いたLED装置40の断面図である。LED装置40の断面と、図2に示したLED装置10の断面は、LED装置40において、蛍光体キャップ43が上部の蛍光体層41と側部の白色反射部材42とからなっていることだけである。蛍光体層41は、蛍光粒子を含有したシート状のシリコーン樹脂である。白色反射部材42は酸化チタン等の反射性微粒子を含有したシリコーン樹脂であり、LEDダイ20をとり囲んでいる。蛍光体層41及び白色反射部材42はともにミラブルである。LEDダイ20の側部から出射した光は白色反射部材42を含むさまざまな面で反射し最終的に上方へ向かう。LED装置40は、反射等に伴う損失があるためLED装置10よりも全光束が小さくなるが、上方に向かう光しかないため使いやすい場合がある。最後に図6により蛍光体キャップシート43aを準備する工程を説明する。図6はLED装置40の蛍光体キャップシート準備工程の説明図である。先ず蛍光体シート41aを準備するa。蛍光体シート41aは、硬化前のシリコーン樹脂に蛍光体を混練し、シート上にして硬化させたものであり、その厚さは100μm程度である。次に金型44を使い白色反射部材42aを形成するb。先ず金型44内に蛍光体シート41aを敷き、金型44をセットしたら硬化前の白色反射部材42aを注入し硬化させる。最後に金型44から蛍光体キャップシート43aを取り出すc。LED装置40の他の工程は図3で示した各工程と同じである。LED装置10及びLED40の製造方法において、基板準備工程では一の集合基板14aに実装するLEDダイ20の特性例えばピーク波長などを揃えておくことが好ましい。このようにしてLED装置10及び40の色度範囲を狭くすることができる。同時に蛍光体キャップシート11a,43aの発光特性を複数通り準備しておくことが好ましい。例えばLEDダイ20が青色で発光する場合、蛍光体キャップ11に含まれる緑色の蛍光体、赤色の蛍光体の量及び比率を複数通り調整しておく。このようにするとLEDダイ20の特性がシフトしても、発光特性の異なる蛍光体キャップシート11a,43aから適切なものを選択することにより、この色度シフトを補償しLED装置10,40の色度範囲を小さくできる。またこの手法は色度を正確に管理する場合だけでなく、色度の仕様変更に迅速に対応するのにも役立つ。例えば顧客が色度を指定してきた場合、予め集合基板14aに実装しておいた蛍光体キャップシート11a,43a実装前のLEDダイ20に、やはり予め準備しておいた蛍光体キャップシート11a,43aを組合せて製品を提供することが可能となる。このように短時間で色度仕様の変更に対応できるため在庫管理にも柔軟に対応できる。すなわち蛍光体キャップシート11a,43aと、LEDダイ20をフリップチップ実装しただけの集合基板14aを準備しておけば、この集合基板14aと蛍光体キャップシート11a,43aとを重ね合わせ、切断するだけで製品供給が可能となるわけである。"