起磁手段を含み、少なくとも第1の温度に加熱される第1の部材と、前記第1の部材と対向して配置される第2の部材と、前記第1の部材と第2の部材の間に位置し、前記第1の部材と接触する第1位置と、前記第2の部材と接触する第2の位置との間を変位する感温磁性体であって、前記第1の温度よりも低く、前記第2の部材の温度よりも高いキュリー温度を有する感温磁性体と、前記感温磁性体を前記第1の位置から前記第2の位置に復帰させる復元手段とを含むアクチュエータ。前記復元手段の復元力は、前記第1位置における前記起磁手段と前記感温磁性体との間の吸引力よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載のアクチュエータ。前記復元手段の復元力は、前記第2位置における前記起磁手段と前記感温磁性体との間の吸引力よりも小さいことを特徴とする請求項2に記載のアクチュエータ。前記起磁手段は、前記第1の温度よりも高いキュリー温度を有する強磁性体を含むことを特徴とする請求項1に記載のアクチュエータ。一対の前記感温磁性体と、一対の前記起磁手段とを有し、前記復元手段は、前記一対の感温磁性体が両端に配置された支持リンクと、前記支持リンクを回動可能に支持する支点とを有するシーソー機構であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のアクチュエータ。前記シーソー機構は、前記感温磁性体の各々を、前記支持リンクの対応する端部に対して回転可能に保持する回転軸をさらに有することを特徴とする請求項5に記載のアクチュエータ。前記一対の感温磁性体の各々は、前記第1位置と、前記第2位置の間を並行に移動することを特徴とする請求項5に記載のアクチュエータ前記一対の感温磁性体の一方が前記第1位置で前記第1部材と接触するときは、前記一対の感温磁性体の他方は前記第2位置で前記第2部材と接触することを特徴とする請求項5に記載のアクチュエータ。前記支持リンクは2本のリンクを含み、前記一対の感温磁性体の各々は、前記2本のリンクの間に架橋されていることを特徴とする請求項5に記載のアクチュエータ。前記感温磁性体の各々を前記リンクに対して架橋するトーションバーをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載のアクチュエータ。前記復元手段は、前記感温磁性体に連結された弾性膜であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のアクチュエータ。前記起磁手段は、固定磁石であることを特徴とする請求項1に記載のアクチュエータ。前記起磁手段は、リング磁石と、前記リング磁石内に配置されるコイルとを含むことを特徴とする請求項1に記載のアクチュエータ。前記第1位置と第2位置の間を移動する前記感温磁性体の移動に応じて、前記コイルを貫通する磁束が増減することを特徴とする請求項13に記載のアクチュエータ。請求項1~14のいずれか1項に記載のアクチュエータと、前記アクチュエータの前記第1部材と前記第2部材の間に流路を形成するチャンバーと、前記アクチュエータの感温磁性体に連結されて前記チャンバー内で変位するダイアフラムと、を含み、前記感温磁性体が前記第2位置から前記第1位置に移動するときに、前記ダイアフラムは前記チャンバー内の圧力を増大し、前記感温磁性体が前記第1位置から前記第2位置に移動するときに、前記ダイアフラムは前記チャンバー内の圧力を減少することを特徴とするマイクロポンプ。前記チャンバー内に流体を導入する第1バルブと、前記チャンバーから前記流体を排出する第2バルブをさらに有し、前記第1バルブ、前記第2バルブ、及び前記ダイアフラムは一体形成されていることを特徴とする請求項15に記載のマイクロポンプ。前記ダイアフラムの少なくとも一部は半導体材料であることを特徴とする請求項16に記載のマイクロポンプ。請求項15に記載のマイクロポンプと、前記マイクロポンプに用いられる前記アクチュエータの前記第1の部材と接触して配置される電子部品と、前記マイクロポンプに接続されて流体を循環させる循環系と、を含む電子機器。前記循環系に接続される主ポンプ、をさらに含むことを特徴とする請求項18に記載の電子機器。上記の問題点に鑑みて、本発明は、電気エネルギーではなく、熱エネルギーによって補助ホンプ等を自立的に駆動させるアクチュエータの構成と、これを用いたマイクロポンプ及び電子機器を提供することを課題とする。第1の観点では、マイクロアクチュエータは、起磁手段を含み、少なくとも第1の温度に加熱される第1の部材と、前記第1の部材と対向して配置される第2の部材と、前記第1の部材と第2の部材の間に位置し、前記第1の部材と接触する第1位置と、前記第2の部材と接触する第2の位置との間を変位する感温磁性体であって、前記第1の温度よりも低く、前記第2の部材の温度よりも高いキュリー温度を有する感温磁性体と、前記感温磁性体を前記第1の位置から前記第2の位置に復帰させる復元手段とを含む。第2の観点では、上述したマイクロアクチュエータを用いたポンプを提供する。マイクロポンプは、上記のアクチュエータと、前記アクチュエータの第1部材と第2部材の間に流路を形成するチャンバーと、前記アクチュエータの感温磁性体に連結されて前記チャンバー内で変位するダイアフラムと、を含み、前記感温磁性体が前記第2位置から前記第1位置に移動するときに、前記ダイアフラムは前記チャンバー内の圧力を増大し、前記感温磁性体が前記第1位置から前記第2位置に移動するときに、前記ダイアフラムは前記チャンバー内の圧力を減少する。第3の観点では、電子機器を提供する。電子機器は、上述したマイクロポンプと、前記マイクロポンプに用いられる前記アクチュエータの前記第1の部材と接触して配置される電子部品と、前記マイクロポンプに接続されて流体を循環させる循環系と、を含む。上述の構成によれば、電気エネルギーを供給しなくても、電子部品などの発熱体からの熱を利用して自律的に動作するアクチュエータを実現することができる。本発明の具体的な実施の形態を、図面を参照して説明する。以下の実施例では、磁性体のキュリー点を利用して自律的な駆動が可能なアクチュエータの構成と動作を説明する。アクチュエータの一例として、自律的に動作するマイクロポンプと、サーマルアクチュエータ又は感温スイッチを例にとって説明する。いずれの例においても、高温側に配置された強磁性体たとえば固定磁石と、この強磁性体が使用される加熱環境温度よりも低いキュリー温度を有する感温磁性体とを組み合わせて用いる。感温磁性体の温度による透磁率変化により、固定磁石と感温磁性体との間に吸引力が発現、あるいは消失する。この現象を利用して、感温磁性体を、高温側部材と接触する第1位置と、低温側部材と接触する第2位置の間を自律的に変位する可動磁性体として用いる。感温磁性体は、高温側での吸熱と、低温側での放熱を繰り返す。以下、具体的な構成と動作を詳細に説明する。図2は、実施例1におけるアクチュエータの一例として、マイクロポンプ10の概略構成を示す。図2Aはマイクロポンプ10の上面図、図2BはA-A断面図である。マイクロポンプ10は、第1の温度に加熱される高温側部材第1部材21と、高温側部材21と対向する低温側部材第2部材11と、高温側部材21と低温側部材11の間に配置される中間部材3を有する。中間部材3は、第1の温度よりも低いキュリー温度を有して高温側部材21と低温側部材11の間を変位する感温磁性体可動磁性体13と、この可動磁性体13を所定の位置に復帰させる復元手段、たとえば弾性ダイアフラム隔膜12を含む。高温側部材21は、可動磁性体13と接触する第1の面21aに、第1の温度よりも高いキュリー温度の固定磁石23を含む起磁手段磁束発生回路25を有する。可動磁性体13が高温側の第1の面21aと接触する位置を、第1位置とする。低温側部材11は、第1の面21aと対向する第2の面11aを有する。可動磁性体13が低温側部材11の第2の面11aと接する位置を、第2位置とする。ダイアフラム12は、可動磁性体13に取り付けられており、図2Bの破線の仮想線で示すように、可動磁性体13の移動にしたがって、チャンバー26内で第1位置と第2位置の間を変位する。これによってチャンバー26内に圧力変化を生じさせる。マイクロポンプ10はまた、チャンバー26内へ流体不図示を導入するインレット31と、チャンバー26から流体を排出するアウトレット32と、流体の逆流を阻止するインレットバルブ14及びアウトレットバルブ15を有する。インレットバルブ14とアウトレットバルブ15は、破線の仮想線で示すように、ダイアフラム12の動きに応じて開閉を行なう。図2の状態は、マイクロポンプ10の初期状態を示している。したがって、インレットバルブ14とアウトレットバルブ15の両方が閉じている。また、可動磁性体13は低温側部材11と接する第2位置にあり、ダイアフラム12に変形は生じていない。この例では、初期位置と低温側の第2位置とが一致している。実際の使用では、高温側部材21の底面が、LSIチップや半導体パッケージなどの発熱体に接するように配置される。低温側部材11は、たとえばウォータジャケットなどの放熱手段不図示と接するように配置されてもよいし、低温側部材11の内部に冷媒を通すマイクロチャネル不図示を形成してもよい。可動磁性体13は、発熱体による加熱温度よりも低いキュリー点を有する感温磁性体であり、たとえば、CrOキュリー温度:386K、MnAs318K、Gd292Kなどを用いることができる。可動磁性体13のキュリー温度が、加熱環境温度よりも低いことから、キュリー温度を境にその透磁率が大きく変化し、自発磁化力の消失と発現を生じる。高温側に配置される固定磁石23は、発熱体による加熱温度よりも高いキュリー温度を有する強磁性体である。したがって、高温側部材21が発熱体の熱を受けて第1の温度に加熱された場合でも、その透磁率は変化せず、強磁性としての性質を失わない。固定磁石23を一対のコア部材24a、24bで挟み込んで、磁束を発生させる起磁手段磁束発生回路25としてもよい。キュリー温度は磁性材料の組成によって変化する。たとえば、単一元素であれば、鉄Feは770°C前後の値を示すが、ニッケルNiは364°C、ガドリウムGdは20°Cと大きく異なる。また、フェライトのような酸化物磁性体においても、構成する金属酸化物の組成を変えることで、同程度の範囲のキュリー温度を得ることができる。たとえば、ニッケルNiと亜鉛Znを添加したフェライトにおいては、室温付近のキュリー温度を持たせることが可能である。図2のマイクロポンプでは、可動磁性体13のキュリー温度を、発熱体による加熱環境温度よりも低く、かつ室温よりも高い温度範囲、たとえば50°Cに設定しておく。一方、固定磁石23のキュリー温度は加熱環境温度よりも十分に高い温度、たとえば800°Cに設定する。図3A~図3Cは、磁性体のキュリー点の利用を説明する図である。図3Aにおいて、横軸は温度、縦軸は磁性体の比透磁率[μs]である。キュリー点Tcより低い温度では、磁性体は高い比透磁率を有し、強磁性の性質を有する。温度が上昇してキュリー温度Tcを超えると、比透磁率は著しく低下する。この場合、外部磁場がないときは磁化をほとんど持たず磁場が印加されてもその方向に弱く磁化するだけである常磁性。上述のように、キュリー温度は材料の組成によって異なるので、実施例では、高温側の固定磁石23に、加熱温度第1の温度よりも十分に高いキュリー点の強磁性材料を選択する。可動磁性体13として、第1の温度よりも低く室温よりもやや高いキュリー点を有する強磁性材料を選択する。図3Bは、各温度での可動磁性体13の変位量x[mm]と、可動磁性体13に作用する磁力[N]の関係を示すグラフである。グラフのA点は、図3Cにおいて可動磁性体13が低温側部材11と接する第2位置にある状態、すなわち変位x=0mmの初期位置を示す。B点は、可動磁性体13が高温側の固定磁石23と接触する第1位置へ移動した状態、この例では変位x=1mmの位置を示す。可動磁性体13が固定磁石21に吸引される方向を正の方向、ダイアフラム12が有する復元力が働く方向を負の方向とする。グラフで、実線は室温~30°Cでの可動磁性体13に作用する磁界の力、一点鎖線は80°Cのときに可動磁性体13に作用する磁界の力である。ダイアフラム12の復元力は、グラフの点線で示すように、室温で作用する磁力実線と、加熱温度で作用する磁力一点鎖線の間にあるように設定される。キュリー温度より低い温度では、可動磁性体13は強磁性を示し、図3Cに示すように、固定磁石23から生じる磁界の作用により、固定磁石23側へと吸着される。変位量xが増えるにつれて、すなわち固定磁石23B点に近づくにつれて、可動磁性体23に作用する磁界の力実線は急増する。このときの力はダイアフラム12の復元力よりも大きいため、可動磁性体13は、復元力に抗して固定磁性体23と接触する位置B点へ変位する。可動磁性体13が高温側の固定磁石23と接し、受熱により透磁率が低下すると、磁性体としての性質を消失する。このとき、固定磁石23と接する第1位置B点の可動磁性体13に作用する磁界の力一点鎖線は、グラフの点線で示すダイアフラム12の復元力よりも小さい。したがって、可動磁性体13はダイアフラム12の復元力により、初期位置、すなわち低温側部材11と接触する第2位置A点へ復帰する。図4Aと図4Bは、図3の原理に基づくマイクロポンプ10の動作シーケンスを説明するための図である。まず、図4Aでは、チャンバー26内に冷媒不図示が導入され、CPU等の図示しない発熱体上に高温側部材21が配置される。図示しない発熱体の動作開始直後では、マイクロポンプ10の環境温度は室温に近い。そのため、可動磁性体13は高温側の固定磁石23の磁界の影響を受け、ダイアフラム12の復元力に打ち勝って、固定磁石23と接する第1の位置へ変位する。これによって、可動磁性体13に接着されたダイアフラム12がチャンバー26内に落ち込み、チャンバー26の内圧が増大する。その結果、アウトレットバルブ15が上方に開いて冷媒を排出する。排出後にチャンバー26内の圧力が戻って、アウトレットバルブ15は閉じる。このとき、インレットバルブ14は閉じたままである。発熱体からの熱により高温側部材21が加熱されると、固定磁石23に吸着されている可動磁性体13も高温側部材21を介して加熱される。可動磁性体13の温度がキュリー温度を超えた際に常磁性となり、固定磁石23との間の吸引力が消われる。この場合、ダイアフラム12の弾性変形による復元力のほうが、吸引力よりも大きくなる。その結果、図4Bに示すように、可動磁性体13は低温側部材11と接する第2位置に復帰する。ダイアフラム12の復帰によって、チャンバー26の内圧が減少する。その結果、インレットバルブ14がチャンバー26側に開き、冷媒が流入する。可動磁性体13は、低温側で冷媒と接触して放熱し、キュリー温度よりも低い温度になる。そうすると、失われていた自発磁化力が回復し、固定磁石23が生ずる磁界による吸引力がダイアフラム12の復元力を上回る。可動磁性体13は再度高温側に吸引され、図4Aの状態になる。同時に、ダイアフラム12がチャンバー26内に落ち込み、チャンバー26内の冷媒がアウトレットバルブ15から排出される。この一連の動作を繰り返すことで、高温側の熱量を低温側に輸送することができる。これは高温側を冷却していることに他ならない。好ましい実施例として、固定磁石23にアルニコマグネットAlcomaxを使用し、可動磁性体13に、キュリー温度が50°Cに設定された、NiZnフェライトを用いる。このフェライトの温度特性は、図3Aに示されたものと同一である。室温付近では約2000の比透磁率を示すが、温度を上げると50°C前後から比透磁率が大幅に低下し、約80°Cで1に低下してしまう。このような系において、室温では、固定磁石23の可動磁性体13に対する最大吸引力は5Nで、1mm離間した初期位置では、0.5Nの吸引力が作用していた。これを80°Cにすると、最大吸引力は1Nを下回り、1mm離間した初期位置では、0.1Nの吸引力が作用していた図3B参照。ここで、ダイアフラム12は、以下のように設計しておく。すなわち、低温側では0.4N図3CのA点の状態、高温側図3CのB点の状態では1.1Nの復元力が可動磁性体13に作用するように設計しておく。これはダイアフラム12の初期変形と復元力を利用することで容易に実現できる。このように設計することで、室温20°Cで、低温側A点において固定磁石23から作用する吸引力05Nと、ダイアフラム12の復元力04Nの関係は0.5N>0.4Nとなり、可動磁性体13が低温側から高温側に引き寄せられる図3Bの実線。高温側B点では、5N>1.1Nとなり、可動磁性体は高温側B点に吸着する図3Bの一点鎖線。低温側が室温あるいは冷媒により冷却されていると、可動磁性体13とダイアフラム12は放熱し、温度が低下する。30°Cまで低下すると、再度A点へと変化し、0.5N>0.4Nという力関係となる。その結果、可動磁性体13は低温側を離れ高温側B点に吸着される。CPU等の半導体素子を冷却するために図4A、図4Bのサイクルを行なう場合は、有効面積400mm2、深さ1mmのチャンバー26を形成しておくと、一回の動作図4Aの排出と図4Bの流入により、0.4ml程度の体積の流体を流出することが期待できる。また、可動磁性体13を、面積100mm2、厚さ0.2mmのフェライトとすると、熱容量は0.08J/°C程度である。接触熱抵抗を含めた総熱抵抗を0.5KWとすると、温度変化の時定数はその積より、40msと瞬時に吸熱あるいは放熱を完了することが可能である。実際の動作は流体の粘性抵抗によって制約を受けるが、仮に25Hzの動作を行うと、10ml/sの流量が得られることになり、100Wオーダーの熱量を輸送できることが期待される。図5A、図5B、及び図5Cは、磁性体のキュリー点を利用したアクチュエータの構成を示す。実施例1では、可動磁性体13を元の位置に復元させる手段として、弾性ダイアフラム12の復元力を利用したが、実施例2では、位置復元手段としてシーソー機構50を利用して、可動磁性体の位置の切り換えを行なう。このようなアクチュエータは、サーマルアクチュエータや感温スイッチとして使用することができる。図5Aは、実施例2のシーソー機構50の上面図、図5Bは図5AのA-A断面図、図5Cは図5AのB-B断面図である。図5A~図5Cに示すように、シーソー機構50は、加熱環境温度よりも低いキュリー温度を有する一対の感温磁性体53-1、53-2を、剛体支持リンク58の両端に配置し、回転軸心57で支持された構成を有する。これにより、感温磁性体53-1、53-1を、可動磁性体53-1、53-2として使用することができる。高温側部材61には、可動磁性体53-1、53-2の各々に対応する固定磁石63-1、63-2が配置されている。固定磁石63-1、63-2のキュリー温度は、高温側部材61が使用される加熱環境温度第1の温度よりも高い。たとえば、800°Cのキュリー温度を有する組成の強磁性体を用いる。固定磁石63-1、63-2の各々と、コア部材64a、64bとで起磁手段65を構成してもよい。他方、可動磁性体53-1、53-2のキュリー温度は、加熱環境温度第1の温度よりも低く、室温よりも高い。たとえば、50°Cのキュリー温度を有するNi-Zn添加フェライトを用いる。シーソー機構50は、第1の温度に加熱される高温側部材61と、放熱側となる低温側部材51との間に中間層3として配置され、高温側と低温側から熱的に絶縁されている。シーソー機構50を構成する一対の可動磁性体53-1、53-2も、互いに熱的に絶縁されている。そのため、可動磁性体53-1と固定磁石63-1の組と、可動磁性体53-2と固定磁石63-2の組は、互いに独立したチャンバー66-1、66-2内に収容されている。チャンバー66-1、66-2は、断熱材のハウジング72により形成されてもよい。図6は、シーソー機構50のスイッチング動作を説明するための図である。図示の都合上、可動磁性部材53-1と固定磁石63-1の組と、可動磁性部材53-2と固定磁石63-2の組を互いに熱的に絶縁するチャンバー壁は、省略する。仮に初期状態で、高温側と低温側が同じ室温状態にあるとすると、一対の可動磁性体のいずれか一方たとえば、可動磁性体53-1は固定磁石たとえば固定磁石63-1に吸着され、他方は低温側に接している。このとき、高温側と接触している方の可動磁性体53-1にはたらく吸引力は、低温側と接触している方の可動磁性体53-2に働く吸引力よりも十分に大きい。したがって、回転軸心57回りのトルクは、初期状態を保持する方向に働く。動作時には、高温側部材61は任意の発熱体上に配置され、第1の温度に加熱される。図6Aの状態を初期状態とすると、高温側部材61の吸熱作用にともなって、固定磁石63-1に吸着されている方の可動磁性体53-1の温度が上昇する。可動磁性体53-1がそのキュリー温度を超えて加熱されると、自発磁化力が著しく減退する。他方、初期状態で低温側に位置する他方の可動磁性体53-2は、キュリー温度よりも低い室温で自発磁化力を保持している。このため、対応する固定磁石63-2の磁力の作用を受けて、高温側へ向かうトルクTQ1が優勢になる。そして、可動磁性体53-2は高温側の固定磁石53-2に吸引される。反射的な効果として、常磁性となった一方の可動磁性体53-1は、放熱側へ向かうトルクTQ2を受け、回転軸心57の回りに低温側へ回動する。その結果、図6Bに示す状態に移行する。図6Bの状態では、低温側に移動した可動磁性体53-1が高温側から受ける力は最小となる。逆に、高温側に移動した可動磁性体53-2が高温側から受ける力は最大となり、接触状態が安定する。低温側に移動した可動磁性体53-1は放熱することで温度が下がり、キュリー温度を下回るようになって自発磁化力を回復する。また、高温側に移動した可動磁性体53-2の温度は上昇し、キュリー温度を超えて自発磁化力を失う。そうすると、力の大小関係が反転し、接触状態が反転して、図6Aの状態に戻る。このように、キュリー温度を利用し、シーソー機構50で生じるトルクを可動磁性体53-1、53-2の位置復元手段として用いることで、一対の可動磁性体53-1、53-2は、互いに排他的な関係で吸熱と放熱を繰り返すことができる。なお、高温側と低温側で接触熱抵抗を等しくしておくことが望ましいが、可動磁性体53-1、53-2が低温側部材51-1、51-2と接触するときの可動磁性体からみた熱抵抗が、高温側部材61-1、61-2と接触するときの可動磁性体からみた熱抵抗よりも小さくてもよい。吸熱と放熱を繰り返す一連の動作は、高温側の熱量を低温側に輸送すること、すなわち高温側を冷却することに他ならない。したがって、このようなシーソー機構50をマイクロポンプのような冷却構造に適用することができる。図7A及び図7Bは、シーソー機構50をマイクロポンプ70に適用する例を示す。図7Aは上面図、図7Bは図7AのA-A断面図である。マイクロポンプ70は、図5A-図5Cに示すシーソー機構50と、可動磁性体53-1と固定磁石63-1の組と、可動磁性体53-2と固定磁石63-2の組の各々に対応するチャンバー66-1、66-2と、シーソー機構50の動作に応じてチャンバー内の圧力を変化させる圧力変化手段としてのダイアフラム52-1、52-2を含む。2つのチャンバー66-1、66-2は、回転軸心57をはさんだ位置に設けられる。図7Bに示すように、それぞれのチャンバーにおいて、高温側部材61と、冷却部が設けられることになる低温側部材51を有している。高温部と低温部の間には、いずれかとも熱的に絶縁された中間層3を有する。ダイアフラム52-1はチャンバー66-1と面するように中間層3に設けられている。各チャンバー66-1、66-2には、冷媒などの流体を導入するインレット71-1、71-2と、流体を排出するアウトレット72-1、72-2が接続され、チャンバー66-1、66-2への流体の流入と排出を制御するインレットバルブ54-1、54-2、及びアウトレットバルブ55-1、55-2がそれぞれ設けられている。マイクロポンプ70では、図5A-図5Cを参照して説明したように、一方のチャンバー66-1で可動磁性体53-1が対応する固定磁石63-1と接触しているときは、ダイアフラム52-1がチャンバー66-1内を圧迫して流体を排出する。このとき、他方のチャンバー66-2では、可動磁性体53-2が低温側部材51と接触してダイアフラム52を初期位置に保持するので、流体が流入する。好ましい実施例として、高温側部材61で用いられる固定磁石63-1、63-2にアルニコマグネットAlcomaxを使用し、可動磁性体53-1、53-2にキュリー温度が50°Cに設定されたNi-Znフェライトを用いる。このフェライトは室温付近では約2000の比透磁率を示すが、温度を上げると50°C前後から比透磁率が急激に低下し、約80°Cで1に低下する。可動磁性体53-1、53-2は長さ45mmの支持リンク58で支持され、支持リンク58の中間点で回転できるように、支点回転軸心57を設けておく。室温20°Cでは、高温側の固定磁石63における最大吸引力、すなわち可動磁性体53が接触しているときの吸引力は5N、可動磁性体53が0.8mm離間した場合に作用する吸引力は、1.1Nであった。これを80°Cにすると、固定磁石63と可動磁性体53との間の最大吸引力は1Nを下回り、0.8mm離間した位置では、0.1Nの吸引力が作用していた。図8、図9A及び図9Bは、図7A、図7Bに示したマイクロポンプ70の動作原理を説明するための図である。図8において、実線は、室温~30°Cの範囲でのシーソー機構50の一方の可動磁性体53-1に作用する磁界の力、破線は、他方の可動磁性体53-2に作用する磁界の力を示す。一点鎖線は温度が80°Cのときにシーソー機構50の一方の可動磁性体53-1に作用する磁界の力、点線は他方の可動磁性体53-2に作用する磁界の力を示す。図8及び図9Aを参照すると、A点は一方の可動磁性体53-1が低温側部材51と接触している状態変位x=0mm、C点は他方の可動磁性体53-2が高温側の固定磁石63-1と接触している状態を示す。図8及び図9Bを参照すると、B点はシーソーが働いて、一方の可動磁性体53-1が高温側に0.8mm移動して固定磁石63-1と接触した状態、D点はシーソーが働いて、他方の可動磁性体53-1が低温側に-0.8mm移動して低温側部材51と接触した状態を示す。図8のグラフで実線室温20°Cでは、低温側と接するA点において一方の可動磁性体53-1に働く吸引力は1.1N、高温側と接するC点において他方の可動磁性体53-2に働く吸引力は5Nである。リンク剛体58の長さを45mmとすると、それぞれの可動磁性体53-1、53-2に働くトルクの大小関係は、11×225<5×225となり、シーソー機構50は、図9Aの支点回転軸心57回りに右まわり時計回りのトルクを発生するため、可動磁性体53-1と53-2は、それぞれA点およびC点で低温側と高温側に接触して安定する。高温側の温度が80°Cであり、可動磁性体53-2が温度上昇して80°Cになった場合には、キュリー温度を超えた時点で常磁性に変化し、可動磁性体53-2に作用する磁界の力がC点に変化し、吸引力が1Nに低下する。低温側と接触するA点に働く吸引力は1.1Nなので、トルクの大小関係は、11×225>1×225となり、力の方向が反転する。シーソー機構50は回転軸左まわり反時計回りのトルクを発生するため、一方の可動磁性体53-1はA点変位x=0mmからB点変位x=0.8mmに向かって移動する。その反射的な効果により、他方の可動磁性体53-2はC点からD点に向かって移動を始める。その間に力の差はますます広がるためB点とD点に到達する。このとき、B点では5N、D点では0.5Nなので、トルクの大小関係は、5×225>05N×225となる。シーソー機構50は支点回転軸心57の回りに左まわりのトルクを発生するため、B点とDにて安定する。冷却側にある可動磁性体53-2が放熱し30°C以下になると透磁率を回復してD点に変化し、可動磁性体53-2に働く吸引力が1.1Nになる。一方、高温側にある可動磁性体53-1が温度上昇し、80°CではB点となり吸引力が1Nとなる。従って、トルクの大小関係は、1×225<11×225となり、力の方向が反転する。シーソー機構50は、回転軸右まわり時計回りのトルクを発生するため、可動磁性体53-1はB点からA点に向かって移動する。他方の可動磁性体53-2は、D点からC点に向かって移動を始める。その間に力の差はますます広がるためA点とC点に到達する。このとき、A点では0.5N、C点では5Nなので、トルクの大小関係は、05×225<5N×225となり、シーソー機構は回転軸右まわりのトルクを発生する。これにより図9Aの状態に戻って、A点とC点にて安定する。以上のサイクルを自律的に継続して動作することができる。この際に、図7A及び図7Bに示すように、高温側にチャンバー66-1、66-2室を形成して流体を導入しておくと、A点からB点への移動時にチャンバー66-1での圧力が上昇し、アウトレット側の逆止弁が開き、流体を吐出させることができる。また、B点からA点への移動時にチャンバー66-1の圧力が減少し、インレット側の逆止弁が開き、チャンバーに流体が流入することができる。上述した例では、シーソー機構50の中点に回転軸57を設け、左右の磁性体53-1、53-2に働く磁気吸引力の特性を等しくしたが、梃子の原理を利用して、力と回転半径の積が概ね同じになるように設計してもよい。いずれの場合も、電気エネルギーではなく熱エネルギーによってマイクロポンプを自律的に動作させることができる。このように、実施例2では、支点を設けたシーソー機構に取り付けた複数の可動磁性体の透磁率の温度変化を利用し、固定磁石と可動磁性体の間の吸引力と、他の可動磁性体からシーソー機構によって伝達される作用力を動力とする。ポンプには低温側冷却側と高温側発熱源の界面を設け、可動磁性体53-1、53-2は低温側と断熱され、高温側と断熱される。一方の可動磁性体53-1が吸引力により高温側に設けた固定磁石63-1と接触すると温度上昇し、可動磁性体53-1の透磁率が低下し吸着力が低下する。シーソー機構50の他方の可動磁性体53-2が発生する吸着力により、一方の可動磁性体53-1に復元力が作用し、この復元力が低下した吸着力を上回ると、高温側から離脱して低温側に復帰し、低温側と接触して放熱させる。このようなマイクロポンプは、後述するように、強い冷却が必要になると自動的に動作する補助ポンプとして用いることができる。これにより、メインポンプの電力削減や、メインポンプ自体の削減あるいは低グレード化により、コストダウンが可能となる。また、冷却水路内で最も大きな圧力損失を生ずるウォータジャケット近傍にマイクロポンプを置くことによって、水路配管の水圧を低下させて漏水事故に対してのリスクを軽減することが可能となる。図10は、シーソー機構を利用した別のマイクロポンプ80の構成を示す図である。図10の例では、シーソー機構50Aはシーソーを構成する支持リンク58を一対のリンク58で構成し、支点を2本のリンク58に対して捩りバネトーションバー82-3で支持することによって回転軸57を形成する。この構成は、軸受けの摩擦を軽減することができる。この場合の捻りバネによる復元力は、シーソー機構50Aを中点に戻そうという力が働くので、各状態に働く磁力に比べて十分に小さく設計しておくか、上述の力関係を崩さないように適切に設計する必要がある。また、一対の可動磁性体53-1、53-2をトーションバー82-1、82-2によりシーソー機構50Aのリンク58に懸架して第2の回転軸を持たせてもよい。このようにすると、可動磁性体53-1、53-2が高温部や低温部と接触する際に、接触面積が増えるよう自己整合的に変形し、結果的に高温部や低温部との接触熱抵抗を低減することができる。このようなシーソー機構50Aの動作は、図9A及び図9Bで示す動作と同様である。図10のマイクロポンプ80では、一対の可動磁性体53-1、53-2に対応して、高温側に固定磁石63-1、63-2が配置される。また、可動磁性体53-1、53-2に対応して円形のダイアフラム52-1、52-2が用いられ、対応するチャンバー66-1、66-2内部の圧力制御を行う。チャンバー66-1には、インレットバルブ54-1とアウトレットバルブ55-1が設けられ、ダイアフラム52-1の動きに応じて流体冷媒等を導入し、排出する。同様に、チャンバー66-2には、インレットバルブ54-2とアウトレットバルブ55-2が設けられ、ダイアフラム52-2の動きに応じて流体を導入し排出する。図11は、図10のマイクロポンプ80のA-A断面図である。この断面図は、図10のインレットバルブ54-1から可動磁性体53-1とそれを支持するトーションバー82-1を通り、リンク58と回転軸57を支持するトーションバー82-3に至る部分の断面構造を示すものである。図10及び図11を参照するなら、マイクロポンプ80は、起磁手段としての磁石63-163-2を有する高温側部材61と、高温側部材に対向して放熱作用を有する低温側部材51と、これらの間に位置して高熱側部材61と接触する第1位置と、低温側部材51と接触する第2位置との間を変位する感温磁性体53-153-2と、感温磁性体53-153-2を元の位置に復帰させるシーソー機構50Aを有する。高温側部材61は少なくとも冷却対象である発熱体の温度にまで加熱される。感温磁性体53-153-2は、加熱環境温度よりも低いキュリー温度を有する。マイクロポンプ80はまた、高温側に流路を構成するチャンバー66-166-2と、チャンバー66内の圧力を制御するダイアフラム52-152-2を有し、ダイアフラム52-1は、可動磁性体53-1の動きに応じて、チャンバー26内を変位する。一例として、CPU等の発熱部品電子部品を冷却する場合、直径20mm、深さ0.8mmのチャンバー66-1、66-2を形成しておくと、一回の動作により0.25ml程度の体積の流体が流出することが期待できる。また、可動磁性体53-1、53-2を、面積100mm2、厚さ0.2mmのフェライトとすると、熱容量は0.08J/°C程度である。接触熱抵抗を含めた総熱抵抗が0.5K/Wであるとすると、温度変化の時定数はその積より、40msと瞬時に吸熱あるいは放熱を完了することが可能である。実際の動作は流体の粘性抵抗によって制約を受けるが仮に25Hzの動作を行うと、6.25ml/sの流量が得られることになり、100Wオーダーの熱量を輸送できることが期待される。図12A~図15は、図11に示すマイクロポンプ80を作製する製造工程図である。まず、図12A~図12Cに示すように、マイクロポンプ80の中間部材3に用いる第1基板を作製する。図12Aに示すように、SOI基板105の支持層単結晶Si:厚さ525um103にレジスト104を塗布パターニングして、ディープRIEによりシリコン103をエッチング除去する。さらに、RIEにより中間酸化膜102SiO2:厚さ1μmを除去して、ホール107を形成する。その後、レジスト104を除去する。図12Bに示すように、形成したホール107を焼結型として磁性体粉を埋め込む。たとえば、直径が数10nm程度のフェライト、酸化マンガン、酸化亜鉛、酸化銅、のパウダーを一定比率でブレンドして、キャリアガスで吹きつけるエアロゾル成膜法により埋め込む。あるいは水や有機成分からなるバインダー液によりパウダーを繋ぎ、ホットプレス法やナノインプリント法により埋め込むことも可能である。この後、1000°C前後の高温で熱処理して粉体をセラミック化することで、可動磁性体53を形成する。SOI基板105のデバイス層単結晶Si:厚さ3um101にレジスト106を塗布パターニングし、シリコン101とシリコン酸化膜102をエッチングする。図12Cに示すように、レジスト106を除去する。これによりバルブ部分54とダイアフラム部分52が一体的に形成される。なお、図示はしないが、アウトレットバルブ55も同時に一体形成される。再び支持層103側にレジスト108を塗布してパターニングし、シリコン103の所定の箇所をエッチングして開口109を形成し、レジスト108を除去する。これにより第1基板100が形成される。次に、中間部材3に用いる第2基板を作製する。図13Aに示すように、別のシリコンウェーハ単結晶Si:厚さ525um201を用い、レジスト202を塗布パターニングし、シリコン201を10μm程度ハーフエッチングする。これにより、所定の箇所に凹部203が形成される。次に、図13Bに示すように、レジスト202を一旦除去し、再度レジスト204を塗布パターニングし、シリコン201をディープRIEにより所定の箇所205を除去して所望の形状に加工する。レジスト204を除去して、第2基板200が完成する。これにより、リンク58やトーションバー捩りバネ82-1、82-2不図示、82-3を有する第2基板200が形成される。次に、図14に示すように、第1基板200を第1基板100上に接合する。たとえば清浄な表面同士を直接接合し、1000°Cの接合アニールを行うことで、強固な接合が可能である。図15では、別途作製した銅板51、たとえば厚さ1mmで一部0.5mmにエッチングした銅板61を用意する。この銅板版51の上にエポキシ接着剤301を100umディスペンスして200°Cでベークし、銅板51上に接着する。この部分が、低温側部材2となる。同様に別途用意した銅板61、たとえば、厚さ1mmの銅板61上に永久磁石63-1、63-2不図示を接着し、エポキシ樹脂302で固める。チャンバーフレームとなる厚さ0.8mmのシリコーンフィルム305を型抜きしてからエポキシ樹脂302上にマウントする。この部分が、高温側部材1となる。中間部材3を挟んで、高温側部材1と低温側部材2を対向させて組み合わせ、各ポンプチップを切り出すことによって、図11に示すシーソー機構50Aを有するマイクロポンプ80が完成する。図16は、実施例3の変形例としてのシーソー機構50Bを示す。この例では、支持リンク98を2層構造にして、中点における回転軸97aを2つ設ける。また、一対の可動磁性体53-1、53-2の各々に、回転軸96b、97cをそれぞれ2つずつ設ける。このようにすることで、可動磁性体53-1、53-2が平行に上下するため、高温部や低温部との接触熱抵抗を低減することができる。この様子を説明する。図17は、図16のシーソー機構50Bのスイッチング動作を示す図である。図17Aにおいて、室温初期状態では、可動磁性体53-1、53-2の双方が自発磁化力を有しているが、固定磁石63-1から可動磁性体53-1に作用する力のほうが、固定磁石63-2から可動磁性体53-2に作用する力よりも大きいので、この状態で安定している。動作時に、高温側部材61が発熱体不図示の熱を受けて加熱されると、可動磁性体53-1も高温側部材61を介して加熱される。このとき、可動磁性体53-1は2つの回転軸97bで保持されているので、片当たりすることなく、全面で高温側部材61-1と接触している。同様に、可動磁性体53-2も2つの回転軸97cで保持されているので、片当たりすることなく全面で低温側部材51-2と接触している。したがって、熱伝導の効率が良い。可動磁性体53-1がそのキュリー温度を超えて加熱されると自発磁化力を失い、固定磁石63-1からの吸引力が低下する。他方、可動磁性体53-2は低温側と全面で接触しているので自発磁化力を保持し、固定磁石63-2から可動磁性体53-2に作用する吸引力が、可動磁性体53-1に作用する吸引力を超える。その結果、図17Bに示すように、可動磁性体53-2が高温側部材61と接触する。シーソー機構50Bの反射的効果として、可動磁性体53-1は低温側部材51-1と接触する。可動磁性体53-1、53-2の各々が、それぞれ2つずつ回転軸97b、97cで回転可能に保持されているので、高温側部材61-1、61-2と接触する第1位置と、低温側部材51-1、51-2と接触する第2位置の間を、並行移動して全面で接触することができる。図18は、実施例3のさらに別の変形例としてシーソー機構50C、50Dを示す図である。図18Aにおいて、高温部材61に円柱の固定磁石63-1と、それを取り巻くリング状のコア材64を埋め込むことで、起磁回路75-1を構成する。同様に、円柱の固定磁石63-2と、それを取り巻くリング状のコア材64を埋め込むことで、起磁回路75-2を構成する。このような構成で、図17と同様の動作をさせることができる。図18Bでは、リング磁石93-1、93-2内に、それぞれ鉄心ソレノイドコイル94-1、94-2を配置することで起磁回路を構成する。このとき、磁気回路内に発生する磁束が貫通するようなコイル配置とする。温度差によってシーソー機構50Dが動作を始めたときに、コイル94-1、94-2を貫通する磁束密度が増減するので、コイル94-1、94-2の両端には起電力が発生する。これを電力として利用することができる。あるいは、熱源が十分な発熱を行わないアイドル状態にある場合には、永久磁石93-1、93-2の発生する磁束と反対向きに磁束を発生させるようにコイル94-1、94-2に電流を流すことで、電力を与えてマイクロ可動機構を動作させることも可能である。図19A及び図19Bは、マイクロポンプの使用形態例としての電子機器の図である。これらの例では、マイクロポンプ310は電子機器300A、300Bの一部として用いられる。すなわち、電子部品とともにPC筐体、サーバーラック等の筐体301内に配置されて、発熱体の冷却に用いられる。マイクロポンプ310は、実施例1~3のいずれのマイクロポンプであってもよい。図19Aの電子機器300Aでは、マイクロポンプ310は主ポンプとして使用されている。スタンドアロンPCなどでシングルCPUの場合は、マイクロポンプ310を主ポンプとして使用することができる。この場合、CPU350の使用率に応じてマイクロポンプ310が自律的に動作し、電力を供給しなくても冷却流量を増加することができる。図19Bの電子機器300Bのように、ラックサーバなどで複数のCPU310図示の便宜上、単一のCPUのみを図示を冷却する場合は、主ポンプ330を追加し、マイクロポンプ310を副ポンプ補助ポンプとして用いる。この場合もCPU350の使用率に応じてマイクロポンプ310が自律的に動作して冷却量を増加できる。この構成により、主ポンプ330の電力を低減することができる。図19A、図19Bにおいて、熱源CPU350などの電子部品とウォータジャケットあるいはマイクロチャネルヒートシンク340の温度差を利用してマイクロポンプ310が動作すると、図中、矢印で示すように、冷媒流体が循環する。図19Aの場合、マイクロポンプ310のアウトレット315から排出された冷媒流体は、熱交換器又はラジエター320と電動ファン321、リザーブタンク325をとおってウォータジャケット340に入る。冷媒は、マイクロポンプ310を通して伝達された熱量を受け取り、マイクロポンプ310のインレット314に入る。そして、熱源350とウォータジャケット340の温度差によりアウトレットから排出される。熱交換器320は熱源から受け取った熱量を2次側冷媒に移動する装置であり、2次側冷媒が空気の場合はラジエターである。図19Bの場合は、主ポンプ330から排出された冷媒流体はリザーブタンク325を介してウォータジャケット340に入り、マイクロポンプ310を通して伝達された熱量を受け取り、マイクロポンプ310のインレット314に入る。熱源350とウォータジャケット340の温度差を利用してマイクロポンプが動作すると、アウトレット315から流体が排出され、熱交換器320をとおり主ポンプ330に循環する。マイクロポンプが無い場合は、主ポンプ330は、ウォータジャケット340と往復の配管と熱交換機320の間の全ての圧力損を加味して流体を加圧循環しなければならない。そのため、高い圧力を生成する必要がある。また、主ポンプ330からウォータジャケット340の間の配管は高い陽圧となり、接続部に高い信頼性を必要とする。流体の流量を制御してポンプの消費電力を低減する、あるいは排出する流体の温度を上げて熱交換器320での交換率を稼ぐことも考えられるが、ウォータジャケット340から熱源350へと熱の逆流を伴うリスクが高く、高度なポンプ制御を必要とするため実現できなかった。本実施形態により、マイクロポンプ310はウォータジャケット340から流体を吸いだす機能を果たすことが可能である。マイクロポンプ310が動作しているときは、主ポンプ330は主ポンプ330からウォータジャケット340までの流路と、ウォータジャケット340の圧力損の一部をカバーする圧力を生成すればよい。このようにマイクロポンプ310を補助ポンプとして機能させると圧力の上昇点が全体に分散されるため、流体の循環システムにとっても信頼性を向上する手段となる。冷却水路内で最も大きな圧力損失を生ずるウォータジャケット340の近傍にマイクロポンプ310を配置することによって、水路配管の水圧を低下させて漏水事故に対してのリスクを軽減することが可能となる。マイクロポンプ310が動作していないときは全流路の圧力損を主ポンプ330がカバーする必要があり、簡単に見積ると流量が1/2~1/3程度に低下する。しかし、このときは熱源350の発熱が少なく、本来的に発熱が少ないときなので、冷却能力の低下はむしろ望ましい。しかもマイクロポンプ310では熱源350からウォータジャケット340に向かって一方通行に熱が移動し逆流することは無い。つまり従来に比べてポンプの消費電力を低減することが可能である。以上説明したように、いずれの実施例においても、可動磁性体のキュリー温度前後の磁力変化を動力とし、低温側冷却側と高温側発熱源の界面に設けた可動磁性体を高温側と接触する第1位置と、低温側と接触する第2位置の間で変位させる。また、透磁率の変化によって位置移動した可動磁性体をもとの位置に復帰させる復元手段を設けることによって、往復運動を実現し、電力供給なしに動作するポンプあるいはスイッチとして機能させることができる。ポンプとして用いるときは、可動磁性体にダイアフラムを取り付け、可動磁性体の動きに合わせてダイアフラムをポンプチャンバー内で上下させる。実施例2、3のように位置復元手段としてシーソー機構を用いる場合は、一方の可動磁性体が高温側に吸着して対応するチャンバーの圧力を増加させ、他方の可動磁性体が低温側と接触して対応するチャンバー内に負圧を発生させる。この構成により効率よく冷却を循環させることができる。また、上述した実施例1~3の構成を適宜組み合わせることができる。たとえば、実施例1、実施例2において、高温側の固定磁石をリング磁石とし、リング内に鉄心ソレノイドコイルを配置する構成を採用してもよい。