"多孔性支持膜と高分子膜からなる複合半透膜であって、前記高分子膜は繰り返し単位の中に正電荷を有する少なくとも一種類の高分子aと、繰り返し単位の中に負電荷を有する少なくとも一種類の高分子bからなり、高分子aと高分子a、および/または、高分子aと高分子b、および/または、高分子bと高分子bの間にシロキサン結合による架橋構造を有することを特徴とする複合半透膜。前記高分子a、高分子bの少なくとも一方がシロキサン結合の前駆体となる原子団を有さず、該高分子aおよび高分子bを前記多孔性支持膜に接触させる工程中に、または工程後に、架橋試薬cを接触させ、さらに乾燥工程を行うことによって形成される請求項1に記載の複合半透膜。前記高分子a、高分子bの少なくとも一方がシロキサン結合の前駆体となる原子団を有し、該高分子aおよび高分子bを前記多孔性支持膜に接触させる工程を行い、その後、乾燥工程を行うことによって形成される請求項1に記載の複合半透膜。本発明は、高い耐久性と、高い溶質除去性水透過性を両立した複合半透膜を提供することを目的とする。高分子間の架橋方法として、シロキサン結合Si-O-Siは有用である。シロキサン結合は安定な結合であり、これを含むシリコーン樹脂などの高分子は一般的に高い熱的化学的安定性を有する。そこで、ポリイオンコンプレックス膜を架橋させる手段としてシロキサン結合を用いることにより、分離膜に安定性耐久性を付与することを着想し、以下の発明に到達した。1多孔性支持膜と高分子膜からなる複合半透膜であって、前記高分子膜は繰り返し単位の中に正電荷を有する少なくとも一種類の高分子aと、繰り返し単位の中に負電荷を有する少なくとも一種類の高分子bからなり、高分子aと高分子a、および/または、高分子aと高分子b、および/または、高分子bと高分子bの間にシロキサン結合による架橋構造を有することを特徴とする複合半透膜。2前記高分子a、高分子bの少なくとも一方がシロキサン結合の前駆体となる原子団を有さず、該高分子aおよび高分子bを前記多孔性支持膜に接触させる工程中に、または工程後に、架橋試薬cを接触させ、さらに乾燥工程を行うことによって形成される上記1に記載の複合半透膜。3前記高分子a、高分子bの少なくとも一方がシロキサン結合の前駆体となる原子団を有し、該高分子aおよび高分子bを前記多孔性支持膜に接触させる工程を行い、その後、乾燥工程を行うことによって形成される、上記1に記載の複合半透膜。本発明の複合半透膜によれば、高分子膜を構成する高分子a間、高分子ab間、高分子b間の少なくとも一つの間をシロキサン結合により架橋しているので高い耐久性と、高い溶質除去性水透過性を両立することができる。この複合半透膜は、例えば海水やかん水の淡水化、硬水の軟水化などの逆浸透膜分離に好適に用いることができる。以下に、本発明の実施の形態を詳細に説明する。本発明の複合半透膜は、多孔性支持膜とポリイオンコンプレックス膜により構成される。ポリイオンコンプレックス膜は、正電荷を有する高分子と負電荷を有する高分子を吸着または結合した高分子膜である。本発明において多孔性支持膜は、実質的にイオン等の分離性能を有さず、実質的に分離性能を有するポリイオンコンプレックス膜に強度を与えるためのものである。多孔性支持膜における孔のサイズや分布は特に限定されないが、例えば、均一で微細な孔、あるいはポリイオンコンプレックス膜が形成される側の表面からもう一方の面まで徐々に大きな微細孔をもち、かつ、ポリイオンコンプレックス膜が形成される側の表面で微細孔の大きさが0.1nm以上1μm以下であるような支持膜が好ましい。多孔性支持膜に使用する材料やその形状は特に限定されないが、例えば支持体基材に樹脂をキャストして形成した薄膜を例示することができる。基材としては、ポリエステル、芳香族ポリアミドから選ばれる少なくとも一種を主成分とする布帛が例示される。基材にキャストする樹脂の種類としては、例えばポリスルホンや酢酸セルロースやポリ塩化ビニル、あるいはそれらを混合したものが好ましく使用され、化学的機械的熱的に安定性の高いポリスルホンを使用するのが特に好ましい。具体的には、次の構造式に示す繰り返し単位からなるポリスルホンを用いると、孔径が制御しやすく、寸法安定性が高いため好ましい。例えば、上記ポリスルホンのN,N-ジメチルホルムアミド以下DMFと記載する。溶液を、密に織ったポリエステル布あるいは不織布の上に一定の厚さに注型し、それを水中で湿式凝固させることによって、表面の大部分が直径数十nm以下の微細な孔を有する多孔性支持膜を得ることができる。多孔性支持膜の形態は、走査型電子顕微鏡や透過型電子顕微鏡、原子間力顕微鏡により観察することが出来る。たとえば走査型電子顕微鏡で観察するのであれば、基材からキャストした樹脂を剥がしたあと、これを凍結割断法で切断して断面観察のサンプルとする。このサンプルに白金または白金-パラジウム、または四塩化ルテニウム、好ましくは四塩化ルテニウムを薄くコーティングし、3~6kVの加速電圧で高分解能電界放射型走査型電子顕微鏡UHR-FE-SEMを用いて観察する。高分解能電界放射型走査型電子顕微鏡は、日立製S-900型電子顕微鏡などが使用できる。得られた電子顕微鏡写真からは、多孔性支持膜の膜厚や表面孔径を決定する。なお、本発明における厚みや孔径は平均値を意味するものである。本発明において、ポリイオンコンプレックス膜を構成する高分子膜は、繰り返し単位の中に正電荷を有する高分子aと繰り返し単位の中に負電荷を有する高分子bにより形成される。ここで、繰り返し単位の中に正電荷を有する高分子aとは、分子の繰り返し単位の中にカチオン性官能基を有する高分子物質をいう。高分子aとしては、例えばポリビニルアミン、ポリアリルアミン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリエチレンイミン、ポリビニルイミダゾリン、ポリビニルピロリドン、キトサン、ポリリシン、ポリパラフェニレン、ポリp-フェニレンビニレン、およびそれらの塩や、ポリ4-スチリルメチルトリメチルアンモニウム塩などを挙げることができる。高分子aは単独で用いても、二種以上を同時に用いてもよく、また、高分子aを含むコポリマーを用いても良い。中でも、膜の選択分離性や水透過性、耐熱性を考慮すると、ポリ4-スチリルメチルトリメチルアンモニウム塩を含むコポリマーを用いることがより好ましい。繰り返し単位の中に負電荷を有する高分子bとは、分子の繰り返し単位の中にアニオン性官能基を有する高分子物質をいう。たとえば、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリグルタミン酸、ポリアミック酸、ポリチオフェン-3-酢酸およびそれらの塩などを挙げることができる。高分子bは、単独で用いても、二種以上を同時に用いてもよく、また、高分子bを含むコポリマーを用いても良い。なかでも、膜の選択分離性や水透過性、耐熱性を考慮すると、ポリメタクリル酸ナトリウム、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム、ポリスチレンスルホン酸カリウムを含むコポリマーを用いることがより好ましい。高分子aおよび高分子bの分子量は1~1000kDaの範囲内であることが好ましく、均一な高分子層を形成し、複合半透膜の溶質除去性を確保するためには5~500kDaの範囲内であるとさらに好ましい。そして本発明では、高分子aと高分子a、および/または、高分子aと高分子b、および/または、高分子bと高分子bの間にシロキサン結合を用いた架橋構造を有することが重要である。静電相互作用のみで吸着した高分子の間を安定なシロキサン結合で化学的に架橋することにより、ポリイオンコンプレックス膜に、高イオン濃度の水溶液や塩素洗浄等に対する耐久性を付与することができる。このためには、高分子にシロキサン結合の前駆体となる原子団を導入するか、またはシロキサン結合を形成する架橋試薬を用いる必要がある。すなわち、繰り返し単位の中に正電荷を有する高分子aおよび/または繰り返し単位の中に負電荷を有する高分子bは、シロキサン結合の前駆体となる原子団を含んでもよい。シロキサン結合の前駆体となる原子団としては、たとえばケイ素原子上に一つ以上のアルコキシ基、アセチルオキシ基、アルキルシリルオキシ基、アミノ基、ハロゲノ基を有する原子団を挙げることができる。これらの原子団は加水分解によりシラノール基を生じるが、シラノール基は後に述べる架橋反応により容易に縮合してシロキサン結合を形成する。繰り返し単位の中に正電荷を有する高分子aおよび繰り返し単位の中に負電荷を有する高分子bの両方が、シロキサン結合の前駆体となる原子団を有しない場合は、これらに加えて架橋試薬cを用いる。高分子aおよび高分子bの一方がシロキサン結合の前駆体となる原子団を有しない場合も、架橋試薬cを用いることができる。架橋試薬cは、ヒドロキシ基やカルボキシ基、アミノ基等のプロトンを有する化合物二分子以上と反応してシロキサン結合による架橋を生じうるケイ素化合物であり、たとえば、ケイ素原子上に二つ以上のイソシアネート基、アルコキシ基、アセチルオキシ基、アルキルシリルオキシ基、アミノ基、ハロゲノ基を有する化合物を挙げることができる。すなわち、架橋試薬cとしては、例えばテトライソシアネートシラン、モノメチルトリイソシアネートシラン、ジメチルジイソシアネートシラン、エチルトリイソシアネートシラン、ジエチルジイソシアネートシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラキスジメチルシリルオキシシラン、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリエトキシシラン、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、2-シアノエチルトリエトキシシラン、2-シアノエチルトリエトキシシラン、3-2-アミノエチルアミノプロピルトリエトキシシラン、3-2-アミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-クロロプロピルトリエトキシシラン、3-クロロプロピルトリメトキシシラン、3-グリシジルオキシプロピルトリエトキシシラン、3-グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、3-ブロモプロピルトリエトキシシラン、3-ブロモプロピルトリメトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリエトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、クロロメチルトリエトキシシラン、クロロメチルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリエトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、トリエトキシ3,3,3-トリフルオロプロピルシラン、トリエトキシ3-イソシアナトプロピルシラン、トリエトキシ3-イソシアナトプロピルシラン、トリメトキシ3,3,3-トリフルオロプロピルシラン、ビス[3-トリエトキシシリルプロピル]アミン、ビス[3-トリメトキシシリルプロピル]アミン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、トリメトキシメチルシラン、トリエトキシエチルシラン、トリエトキシメチルシラン、トリエトキシプロピルシラン、トリメトキシプロピルシラン、ブチルトリエトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、トリエトキシペンチルシラン、トリメトキシペンチルシラン、トリエトキシヘキシルシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、トリエトキシヘプチルシラン、ヘプチルトリメトキシシラン、トリエトキシオクチルシラン、トリメトキシオクチルシラン、トリエトキシノニルシラン、トリメトキシノニルシラン、トリエトキシドデシルシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ベンジルトリエトキシシラン、ベンジルトリメトキシシラン、1,2-ビストリエトキシシリルエタン、1,2-ビストリメトキシシリルエタン、3-2-アミノエチルアミノプロピルジエトキシメチルシラン、3-2-アミノエチルアミノプロピルジメトキシメチルシラン、3-アミノプロピルジエトキシメチルシラン、3-アミノプロピルジメトキシメチルシラン、3-クロロプロピルジエトキシメチルシラン、3-クロロプロピルジメトキシメチルシラン、3-グリシジルオキシプロピルジエトキシメチルシラン、3-グリシジルオキシプロピルジメトキシメチルシラン、3-メルカプトプロピルジエトキシメチルシラン、3-メルカプトプロピルジメトキシメチルシラン、シクロヘキシルジエトキシメチルシラン、シクロヘキシルジメトキシメチルシラン、ジエトキシ3-グリシジルオキシプロピルメチルシラン、ジエトキシ3-グリシジルオキシプロピルメチルシラン、ジエトキシジメチルシラン、ジエトキシメチルビニルシラン、ジメトキシジメチルシラン、ジメトキシメチルビニルシランなどを挙げることができる。中でも、反応速度を考慮すると、テトライソシアネートシランやモノメチルトリイソシアネートシランを用いることがより好ましい。次に、本発明の複合半透膜の製造方法について説明する。本発明の複合半透膜におけるポリイオンコンプレックス膜は、繰り返し単位の中に正電荷を有する高分子aと繰り返し単位の中に負電荷を有する高分子bにより形成される。例えば、多孔性支持膜を、それぞれの高分子の溶液に接触させることで、正電荷を有する高分子層と負電荷を有する高分子層とのポリイオンコンプレックス膜を形成することができる。ここで、それぞれの高分子溶液の濃度は0.01~100mg/mLの範囲内であることが好ましく、より好ましくは0.1~10mg/mLの範囲内である。この範囲内であると、十分な溶質除去性および水透過性を有するポリイオンコンプレックス膜を得ることができる。多孔性支持膜は、必要に応じて正または負の電荷を有するように常法によって事前に化学的に処理される。多孔性支持膜が正電荷を有する場合には、最初に負電荷を有する高分子bと接触させ、多孔性支持体が負電荷を有する場合には、最初に正電荷を有する高分子aと接触させて、ポリイオンコンプレックス膜の第一層を形成させる。この接触方法としては、多孔性支持膜を高分子溶液に浸漬してもよく、高分子溶液を多孔性支持膜表面に塗布してもよい。接触時間は、均一な表面被覆と生産効率を両立するためには1秒~1時間が好ましく、10秒~30分間がさらに好ましい。高分子溶液と接触させた膜表面は、必要に応じて溶媒による洗浄を行う。このようにしてポリイオンコンプレックス膜の第一層を形成させた後、二層目の高分子溶液を接触させ、同様に洗浄を行う。この接触、洗浄の工程を、正電荷を有する高分子aと負電荷を有する高分子bとで交互に行うことにより、ポリイオンコンプレックス膜を形成することができる。繰り返し単位の中に正電荷を有する高分子aおよび繰り返し単位の中に負電荷を有する高分子bの少なくとも一方が、シロキサン結合の前駆体となる原子団を有しない場合は、これらに加えて架橋試薬cを用いることができる。ここでは、高分子溶液の接触と同時に架橋試薬cを高分子溶液に加えてもよく、高分子溶液の接触後に架橋試薬cをポリイオンコンプレックス膜に接触させてもよい。高分子溶液の接触後にポリイオンコンプレックス膜を架橋試薬cと接触させる方法は、浸漬、塗布などのいずれの方法でもよい。接触時間は1秒~1時間が好ましい。接触時間を1秒~1時間とすることで、十分な架橋反応が進行する。本発明では、このようにして得られるポリイオンコンプレックス膜を架橋反応させ、高分子aと高分子a、および/または、高分子aと高分子b、および/または、高分子bと高分子bの間、特に正電荷を有する高分子aと負電荷を有する高分子bを共有結合によって架橋させる。このことにより、ポリイオンコンプレックス膜に高イオン濃度の水溶液や塩素洗浄等に対する耐久性を付与する。本発明において、シロキサン結合による架橋反応を進行させるための乾燥工程としては、室温~150°Cの範囲内で1分~48時間、乾燥させる工程が好適に用いられる。150°C以上の場合はポリスルホンからなる多孔性支持膜の性能が低下すると考えられる。1分~48時間の範囲内であれば、生産効率を落とさずに架橋反応を進行させることができる。また、乾燥は常圧で行ってもよいし、真空下で行ってもよい。このように形成される本発明の複合半透膜は、プラスチックネットなどの原水流路材と、トリコットなどの透過水流路材と、必要に応じて耐圧性を高めるためのフィルムと共に、多数の孔を穿設した筒状の集水管の周囲に巻回され、スパイラル型の複合半透膜エレメントとして好適に用いられる。さらに、このエレメントを直列または並列に接続して圧力容器に収納した複合半透膜モジュールとすることもできる。また、上記の複合半透膜やそのエレメント、モジュールは、それらに原水を供給するポンプや、その原水を前処理する装置などと組み合わせて、流体分離装置を構成することがきる。この分離装置を用いることにより、原水を飲料水などの透過水と膜を透過しなかった濃縮水とに分割して、目的にあった水を得ることができる。流体分離装置の操作圧力は、高い方がその塩阻止率は向上する。しかし、流体分離装置の運転に必要なエネルギーも増加すること、また、複合半透膜の耐久性を考慮すると、複合半透膜に被処理水を透過する際の操作圧力としては、0.1MPa以上、10MPa以下が好ましい。被処理水の温度は、高くなると塩阻止率が低下するが、低くなるにしたがい膜透過流束も減少する。このため、被処理水の温度としては、5°C以上、45°C以下が好ましい。また、供給水被処理水のpHは高くなると、供給水が高塩濃度の海水などである場合、マグネシウムなどのスケールが発生する恐れがあり、また、高pH運転による複合半透膜の劣化が懸念されるため、中性領域での運転が好ましい。本発明の複合半透膜によって処理される原水被処理水としては、海水、かん水、廃水等の500mg/L~100g/Lの塩を含有する液状混合物が挙げられる。実施例以下において、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。実施例および比較例における膜の特性は、複合半透膜に、濃度1000ppm、温度25°C、pH6.5に調整した塩化ナトリウム水溶液または硫酸マグネシウム水溶液を操作圧力0.5MPaで供給して膜ろ過処理を行い、透過水、供給水の水質を測定することにより求めた。塩阻止率塩阻止率=100×{1-透過水中の塩濃度/供給水中の塩濃度}膜透過流束供給水が膜透過した水量を、膜面1平方メートル当たり、1時間当たり、単位圧力当たりの透水量リットルでもって表したL/m2/h/bar。実施例1繰り返し単位の中に正電荷を有する高分子aとして、ポリ4-スチリルメチルトリメチルアンモニウムとポリ3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシランの重量比95:5のコポリマーを合成した。クロロメチルスチレン20gと3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン1.05gを脱水トルエン30mLに溶解し、アゾビスイソブチロニトリル65mgを加えて窒素雰囲気下、70°Cで24時間撹拌した。この溶液1mLをメタノール50mL中に滴下して再沈殿させたのち、テトラヒドロフラン50mLに溶解させ、トリメチルアミンを滴下した。沈殿として、目的とするコポリマーを得た。繰り返し単位の中に負電荷を有する高分子bとしてポリp-スチレンスルホン酸ナトリウムとポリ4-ヒドロキシブチルアクリル酸の重量比95:5のコポリマーを合成した。p-スチレンスルホン酸ナトリウム12gと4-ヒドロキシブチルアクリル酸0.63gを蒸留水30mLに溶解し、過硫酸アンモニウム0.48gを加えて70°Cで24時間撹拌した。この溶液1mLをメタノール50mL中に滴下して再沈殿させ、目的とするコポリマーを得た。室温25°Cにおいて、ポリエステル不織布通気度0.5-1mL/cm2/sec上にポリスルホンの15.7wtDMF溶液を200μmの厚みでキャストし、ただちに純水中に浸漬し5分間静置することによって多孔性支持膜を作製した。このようにして得られた多孔性支持膜厚さ210~215μmを、10mg/mLの高分子a水溶液を50mMのNaCl-イミダゾール溶液で10倍に希釈した高分子溶液に30分間浸漬した後、純水で洗浄した。つづいて、10mg/mLの高分子b水溶液を50mMのNaCl-イミダゾール溶液で10倍に希釈し、テトライソシアネートシラン50μLを加えた高分子溶液に30分間浸漬した後、純水で洗浄した。上記の二つの高分子溶液への浸漬の操作を交互に合計8回繰り返し、ポリイオンコンプレックス膜を得た。これを室温、真空下で24時間乾燥させ、架橋反応を行った。その後、10wtイソプロピルアルコール水溶液に3時間浸漬させ、続いて純水で洗浄した。塩に対する安定性を評価するために、膜を3MのNaCl水溶液に室温で6時間浸漬した。その後純水で洗浄した。これとは別に、塩素に対する安定性を評価するために、膜を次亜塩素酸溶液200ppmNaClO,500ppmCaCl2,pH7に室温で24時間浸漬した。その後純水で洗浄した。架橋反応後のベース膜、NaCl水溶液浸漬後の膜、次亜塩素酸溶液浸漬後の膜の塩阻止率および透水性を評価した結果を表1に示す。比較例1実施例1において、テトライソシアネートシランを添加せず、24時間の乾燥による架橋反応を行わずに、製膜を行った。同様にNaCl溶液または次亜塩素酸溶液への浸漬を行った場合の、塩阻止率および透水性の評価結果を表1に示す。実施例1の膜は、NaCl溶液および次亜塩素酸溶液に浸漬した後も、顕著な性能低下は見られなかった。これに対し、架橋処理を行っていない比較例1の膜は、NaClや次亜塩素酸の溶液に浸漬することにより、大幅に阻止率が低下する結果となった。このように、本発明により得られる複合半透膜は、既存のポリイオンコンプレックス膜では達成できなかった高い耐久性を有している。実施例2繰り返し単位の中に正電荷を有する高分子aとして、ポリ4-スチリルメチルトリメチルアンモニウムとポリ3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシランの重量比95:5のコポリマーを以下の通り合成した。クロロメチルスチレン20gと3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン1.05gを脱水トルエン30mLに溶解し、アゾビスイソブチロニトリル65mgを加えて窒素雰囲気下、70°Cで24時間撹拌した。この溶液1mLをメタノール50mL中に滴下して再沈殿させたのち、テトラヒドロフラン50mLに溶解させ、トリメチルアミンを滴下した。沈殿として、目的とするコポリマーを得た。繰り返し単位の中に負電荷を有する高分子bとしてポリp-スチレンスルホン酸ナトリウムとポリ3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシランの重量比95:5のコポリマーを以下の通り合成した。p-スチレンスルホン酸ナトリウム12gと3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン0.63gを脱水ジメチルスルホキシド120mLに溶解し、過硫酸アンモニウム0.48gを加えて70°Cで24時間撹拌した。この溶液4mLをメタノール200mL中に滴下して再沈殿させ、目的とするコポリマーを得た。室温25°Cにおいて、ポリエステル不織布通気度0.5-1mL/cm2/sec上にポリスルホンの15.7wtDMF溶液を200μmの厚みでキャストし、ただちに純水中に浸漬し5分間静置することによって多孔性支持膜を作製した。このようにして得られた多孔性支持膜厚さ210~215μmを、10mg/mLの高分子a水溶液を50mMのNaCl-イミダゾール溶液で10倍に希釈した高分子溶液に30分間浸漬した後、純水で洗浄した。つづいて、10mg/mLの高分子b水溶液を50mMのNaCl-イミダゾール溶液で10倍に希釈した高分子溶液に30分間浸漬した後、純水で洗浄した。上記の二つの高分子溶液への浸漬の操作を交互に合計8回繰り返し、ポリイオンコンプレックス膜を得た。これを室温、真空下で24時間乾燥させ、架橋反応を行った。その後、10wtイソプロピルアルコール水溶液に3時間浸漬させ、続いて純水で洗浄した。塩に対する安定性を評価するために、膜を3MのNaCl水溶液に室温で6時間浸漬した。その後純水で洗浄した。これとは別に、塩素に対する安定性を評価するために、膜を次亜塩素酸溶液200ppmNaClO,500ppmCaCl2,pH7に室温で24時間浸漬した。その後純水で洗浄した。架橋反応後のベース膜、NaCl水溶液浸漬後の膜、次亜塩素酸溶液浸漬後の膜の塩阻止率および透水性を評価した結果を表2に示す。比較例2実施例2において、繰り返し単位の中に正電荷を有する高分子aとして、ポリ4-スチリルメチルトリメチルアンモニウムを、繰り返し単位の中に負電荷を有する高分子bとしてポリp-スチレンスルホン酸ナトリウムを、それぞれ用いて同様の製膜を行った。同様にNaCl溶液または次亜塩素酸溶液への浸漬を行った場合の、塩阻止率および透水性の評価結果を表2に示す。実施例2の膜は、NaCl溶液および次亜塩素酸溶液に浸漬した後も、顕著な性能低下は見られなかった。これに対し、シロキサン結合を形成し得ない比較例2の膜は、NaClや次亜塩素酸の溶液に浸漬することにより、大幅に阻止率が低下する結果となった。このように、本発明により得られる複合半透膜は、既存のポリイオンコンプレックス膜では達成できなかった高い耐久性を有している。"