2つの溶接電極の間に溶接電流を流して溶接対象としての2つの溶接対象物を互いに溶接するパラレルギャップ溶接装置であって、前記溶接対象物が載置される載置面を有する溶接ステージと、前記溶接電極を研磨する研磨面を有する研磨部とを備え、前記載置面に対して前記研磨面を平行に位置調整する平行位置調整部を備えることを特徴とするパラレルギャップ溶接装置。請求項1に記載のパラレルギャップ溶接装置であって、前記平行位置調整部は、前記研磨面が当接される研磨面当接部を有して前記研磨面を固定する研磨面固定部と、前記研磨部を移動させて前記研磨面を前記研磨面当接部に押し当てる研磨面押し当て部と、前記研磨面固定部に固定された前記研磨面を前記載置面に対して平行にする移動機構部とを備えることを特徴とするパラレルギャップ溶接装置。請求項2に記載のパラレルギャップ溶接装置であって、前記研磨面当接部は、前記研磨面固定部の上端に配置された爪部であることを特徴とするパラレルギャップ溶接装置。請求項1に記載のパラレルギャップ溶接装置であって、前記平行位置調整部は、前記載置面および前記研磨面を検出するレーザー変位計と、前記レーザー変位計で検出した前記研磨面を前記レーザー変位計で検出した前記載置面に対して平行にする移動機構部とを備えることを特徴とするパラレルギャップ溶接装置。請求項4に記載のパラレルギャップ溶接装置であって、前記レーザー変位計は、前記載置面に対向して配置された載置側レーザー変位計と、前記研磨面に対向して配置された研磨側レーザー変位計とを含むことを特徴とするパラレルギャップ溶接装置。請求項5に記載のパラレルギャップ溶接装置であって、前記載置面に対して平行に配置され、前記載置側レーザー変位計が配置された載置面対向部と、前記研磨側レーザー変位計が配置された研磨面対向部とを有する計器基準部を備えることを特徴とするパラレルギャップ溶接装置。請求項1に記載のパラレルギャップ溶接装置であって、前記平行位置調整部は、前記載置面に当接する当接平面を有する当接治具が前記載置面に載置されて前記当接平面を前記載置面に当接させた状態で、前記研磨部を前記当接平面の方向へ移動させて前記研磨面を前記当接平面に当接させる移動機構部を備えることを特徴とするパラレルギャップ溶接装置。請求項2から請求項7までのいずれか一つに記載されたパラレルギャップ溶接装置であって、前記移動機構部は、前記研磨部を支持する研磨ステージと、前記研磨ステージの3か所に配置されて前記研磨面の高さ位置を調整する高さ調整部とを備え、前記高さ調整部は、前記研磨ステージに対する平面視で2等辺三角形を構成し、前記2等辺三角形の高さが占める高さ位置は、前記研磨部が有する研磨方向と平行で前記研磨部の中心を通る配置とされていることを特徴とするパラレルギャップ溶接装置。請求項1から請求項8までのいずれか一つに記載のパラレルギャップ溶接装置であって、前記2つの溶接電極は、それぞれの先端が長辺と短辺を有する矩形状とされてあり、前記溶接電極の先端の前記載置面に対する平行度は、前記長辺で1μm以内とされていることを特徴とするパラレルギャップ溶接装置。請求項1から請求項9までのいずれか一つに記載のパラレルギャップ溶接装置であって、前記溶接電極が当接される一方の前記溶接対象物は、厚さが5μmから100μmまでの金属箔であることを特徴とするパラレルギャップ溶接装置。請求項10に記載のパラレルギャップ溶接装置であって、前記金属箔は、銀または銀を主成分とする金属材料であること、あるいは、鉄を主成分とするコバールまたはインバーを基材として前記基材に銀メッキを施した金属材料であることを特徴とするパラレルギャップ溶接装置。しかしながら、特許文献5に記載の技術は、パラレルギャップ溶接装置に関する技術ではないこと、割り出しテーブル機構を利用するものであることから装置が大掛かりになり操作上の課題が生じることなどから、パラレルギャップ溶接装置で適用される溶接電極に対しては適用することが困難であり、より高精度な研磨方法、より高精度な研磨を施すことが可能な研磨装置を備えるパラレルギャップ溶接装置が求められていた。本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、溶接ステージの載置面に対して研磨部の研磨面を平行に位置調整する平行位置調整部を備えることにより、溶接電極の先端を載置面に対して平行に研磨するので、2つの溶接電極を溶接対象物に均等に当接させて密着性を向上し、良好な溶接を施すことができ、溶接の作業性歩留まり、信頼性を向上させるパラレルギャップ溶接装置を提供することを目的とする。本発明に係るパラレルギャップ溶接装置は、2つの溶接電極の間に溶接電流を流して溶接対象としての2つの溶接対象物を互いに溶接するパラレルギャップ溶接装置であって、前記溶接対象物が載置される載置面を有する溶接ステージと、前記溶接電極を研磨する研磨面を有する研磨部とを備え、前記載置面に対して前記研磨面を平行に位置調整する平行位置調整部を備えることを特徴とする。したがって、本発明に係るパラレルギャップ溶接装置は、載置面を基準として研磨面を載置面と平行に調整することから、溶接電極の先端を載置面に対して平行に研磨するので、2つの溶接電極を溶接対象物に均等に当接させて密着性を向上し、良好な溶接を施すことができ、溶接の作業性歩留まり、信頼性を向上させる。また、本発明に係るパラレルギャップ溶接装置では、前記平行位置調整部は、前記研磨面が当接される研磨面当接部を有して前記研磨面を固定する研磨面固定部と、前記研磨部を移動させて前記研磨面を前記研磨面当接部に押し当てる研磨面押し当て部と、前記研磨面固定部に固定された前記研磨面を前記載置面に対して平行にする移動機構部とを備えることを特徴とする。したがって、本発明に係るパラレルギャップ溶接装置は、研磨面押し当て部によって研磨面を研磨面当接部に押し当てて研磨面固定部に固定し、研磨面固定部に固定された研磨面を移動機構部によって載置面に対して平行にすることから、簡単な構造で容易にかつ高精度に研磨面を載置面と平行にすることができ、研磨面の位置調整での作業性を向上する。また、本発明に係るパラレルギャップ溶接装置では、前記研磨面当接部は、前記研磨面固定部の上端に配置された爪部であることを特徴とする。したがって、本発明に係るパラレルギャップ溶接装置は、研磨面が研磨面当接部としての爪部に当接されて研磨面固定部に位置決めされることから、高精度に研磨面の位置を位置決めできるので、研磨面を高精度に載置面と平行に位置決めすることができる。また、本発明に係るパラレルギャップ溶接装置では、前記平行位置調整部は、前記載置面および前記研磨面を検出するレーザー変位計と、前記レーザー変位計で検出した前記研磨面を前記レーザー変位計で検出した前記載置面に対して平行にする移動機構部とを備えることを特徴とする。したがって、本発明に係るパラレルギャップ溶接装置は、レーザー変位計によって載置面の位置および研磨面の位置を無接触で検出することから、容易にかつ高精度に位置を検出して載置面に対する研磨面の位置を平行に調整するので、研磨面研磨部に対する保持機構を簡略化し、併せて精度を向上させることができる。また、本発明に係るパラレルギャップ溶接装置では、前記レーザー変位計は、前記載置面に対向して配置された載置側レーザー変位計と、前記研磨面に対向して配置された研磨側レーザー変位計とを含むことを特徴とする。したがって、本発明に係るパラレルギャップ溶接装置は、載置面に対向して配置された載置側レーザー変位計と、研磨面に対向して配置された研磨側レーザー変位計とを備えることから、載置面に対する距離と研磨面に対する距離とを高精度に検出するので、載置面に対する研磨面の位置決めを容易にかつ高精度に施すことができる。また、本発明に係るパラレルギャップ溶接装置では、前記載置面に対して平行に配置され、前記載置側レーザー変位計が配置された載置面対向部と、前記研磨側レーザー変位計が配置された研磨面対向部とを有する計器基準部を備えることを特徴とする。したがって、本発明に係るパラレルギャップ溶接装置は、載置面に対して平行に配置された計器基準部が、載置側レーザー変位計が配置された載置面対向部と、研磨側レーザー変位計が配置された研磨面対向部とを備えることから、レーザー変位計による検出の精度と速度を向上させることができる。また、本発明に係るパラレルギャップ溶接装置では、前記平行位置調整部は、前記載置面に当接する当接平面を有する当接治具が前記載置面に載置されて前記当接平面を前記載置面に当接させた状態で、前記研磨部を前記当接平面の方向へ移動させて前記研磨面を前記当接平面に当接させる移動機構部を備えることを特徴とする。したがって、本発明に係るパラレルギャップ溶接装置は、載置面に当接された当接平面に対して移動機構部によって研磨面を移動させて当接させることから、当接平面を有する当接治具という極めて単純な部材を適用することによって、容易にかつ高精度に研磨面の位置を載置面の位置に対して位置決めすることができる。また、本発明に係るパラレルギャップ溶接装置では、前記移動機構部は、前記研磨部を支持する研磨ステージと、前記研磨ステージの3か所に配置されて前記研磨面の高さ位置を調整する高さ調整部とを備え、前記高さ調整部は、前記研磨ステージに対する平面視で2等辺三角形を構成し、前記2等辺三角形の高さが占める高さ位置は、前記研磨部が有する研磨方向と平行で前記研磨部の中心を通る配置とされていることを特徴とする。したがって、本発明に係るパラレルギャップ溶接装置は、高さ調整部が構成する2等辺三角形の高さ位置を研磨部が有する研磨方向と平行にして研磨部の中心と一致させることから、研磨部研磨面に対する高さ調整部の配置をバランス良く配置するので、2つの溶接電極を均等性良く高精度に研磨することができ、溶接の信頼性を向上させる。また、本発明に係るパラレルギャップ溶接装置では、前記2つの溶接電極は、それぞれの先端が長辺と短辺を有する矩形状とされてあり、前記溶接電極の先端の前記載置面に対する平行度は、前記長辺で1μm以内とされていることを特徴とする。したがって、本発明に係るパラレルギャップ溶接装置は、溶接電極の先端での長辺の平坦性のばらつきを1μm以内に抑えることから、溶接対象物に対する溶接電極の接触性を均等化して、均等な溶接を施すことができるので、高精度な溶接を歩留まり良く施すことができる。また、本発明に係るパラレルギャップ溶接装置では、前記溶接電極が当接される一方の前記溶接対象物は、厚さが5μmから100μmまでの金属箔であることを特徴とする。したがって、本発明に係るパラレルギャップ溶接装置は、厚さが5μmから100μm程度までの薄い金属箔に対する溶接を容易にかつ高精度に施すことから、このような金属箔が適用される例えば宇宙衛星用太陽電池セルに対する金属箔の溶接に適用され、宇宙用太陽電池セルの接続の作業性と信頼性を向上する。また、本発明に係るパラレルギャップ溶接装置では、前記金属箔は、銀または銀を主成分とする金属材料であること、あるいは、鉄を主成分とするコバールまたはインバーを基材として前記基材に銀メッキを施した金属材料であることを特徴とする。したがって、本発明に係るパラレルギャップ溶接装置は、金属箔が、銀などを主成分とする金属材料、あるいは、コバールまたはインバーを基材として銀メッキを施した金属材料で形成されることから、例えば太陽電池セルに対する金属箔の溶接に適用した場合、接続の作業性と信頼性を向上する。本発明に係るパラレルギャップ溶接装置は、溶接ステージの載置面に対して研磨部の研磨面を平行に位置調整する平行位置調整部を備える。したがって、本発明に係るパラレルギャップ溶接装置は、溶接電極の先端を載置面に対して平行に研磨するので、2つの溶接電極を溶接対象物に均等に当接させて密着性を向上し、良好な溶接を施すことができ、溶接の作業性、信頼性を向上させる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。<実施の形態1>図1Aないし図3Bを参照して本実施の形態に係るパラレルギャップ溶接装置1について説明する。なお、本実施の形態では、パラレルギャップ溶接装置1の基本原理について、説明する。初めに図1Aないし図1Kによってパラレルギャップ溶接装置1による溶接工程について説明する。図1Aは、本発明の実施の形態1に係るパラレルギャップ溶接装置1が備える溶接ステージ10の状態を示す断面図である。パラレルギャップ溶接装置1は、載置面11を有する溶接ステージ10を備える。また、溶接ステージ10に隣接させて補助ステージ12が配置されている。図1Bは、図1Aに示したパラレルギャップ溶接装置1が備える溶接ステージ10に溶接対象としての溶接対象物MW1が載置された状態を示す断面図である。溶接ステージ10の載置面11に溶接対象物MW1が載置される。溶接対象物MW1は、例えば半導体素子更に具体的には、例えば宇宙用太陽電池素子であり、平板状に形成され溶接面とは逆の裏面が載置面11に向けて載置される。なお、補助ステージ12の高さは、溶接対象物MW1の高さと一致するように予め調整されている。図1Cは、図1Bに示した溶接対象物MW1に対して他方の溶接対象である溶接対象物MW2が載置された状態を示す断面図である。溶接対象物MW1に溶接対象物MW2が載置される。つまり、溶接よって接続される溶接対象物MW1と溶接対象物MW2は相互に溶接位置を位置決めされる。また、補助ステージ12の表面に対して溶接対象物MW1の表面が一致していることから、溶接対象物MW2は溶接対象物MW1に対して平行に位置決めされる。なお、相互の位置合わせは予め溶接対象となる部分に対して施される。溶接対象物MW2は、例えば、溶接対象物MW1半導体素子に接続されるコネクタリードである。相互の位置合わせは、例えば真空吸着を用いて行われる。つまり、溶接ステージ10は、真空吸着によって溶接対象物MW1を固定し、補助ステージ12は、溶接対象物MW1に位置決めされた溶接対象物MW2を真空吸着によって固定する。したがって、溶接対象物MW1および溶接対象物MW2は、高精度に位置決めされる。図1Dは、図1Cに示した溶接対象物MW1および溶接対象物MW2を相互に溶接する溶接電極13および溶接電極14が移動されて接近された状態を示す断面図である。溶接電極13および溶接電極14は、相互に絶縁された状態となっており、溶接電極13は、先端13tを有し、溶接電極14は、先端14tをそれぞれ有している。つまり、先端13tおよび先端14tが溶接対象としての溶接対象物MW2に当接される。図1Eは、図1Dに示した溶接対象物MW1および溶接対象物MW2に対して溶接電極13および溶接電極14が当接された状態を示す断面図である。先端13tおよび先端14tは、溶接対象として重ねられた溶接対象物MW1および溶接対象物MW2の一方である溶接対象物MW2に適宜の圧力状態で加圧され当接密着されている。先端13tおよび先端14tは、溶接対象物MW2に正確に位置決めされている。溶接電極13および溶接電極14は、互いに略同一の形状を有し、互いに絶縁された状態で溶接ヘッド溶接電極保持部:不図示に取り付けられている。溶接電極13および溶接電極14は互いに平行な位置関係にあり、一定の隙間を介して互いに対向している。図1Fは、図1Eに示した溶接対象物MW1および溶接対象物MW2に対して溶接電極13および溶接電極14を介して溶接電流Iwが流された状態を示す断面図である。例えば溶接電極14から溶接電極13へ向けて溶接電流Iwが流される。溶接電流Iwは、溶接電極14→溶接対象物MW2→溶接対象物MW1→溶接対象物MW2→溶接電極13の経路で流れる。溶接電流Iwによって溶接対象物MW1の素子電極不図示とコネクタリードである溶接対象物MW2の間に抵抗熱が発生する。発生した抵抗熱によって溶接対象物MW1素子電極と溶接対象物MW2コネクタリードとが互いに溶着溶接される。溶接対象物MW1と溶接対象物MW2は、互いに溶接されたことから、溶接対象物MW1と溶接対象物MW2との間に溶接痕MWsが形成された状態となる。図1Gは、図1Fに示した溶接対象物MW1および溶接対象物MW2に対する溶接を終了した溶接電極13および溶接電極14が溶接ステージ10から離された状態を示す断面図である。溶接を終了した溶接電極13および溶接電極14は、当初の位置へ戻される。図1Hは、図1Gに示した溶接対象物MW1および溶接対象物MW2が溶接を終了して次の工程へ移動される前の状態を示す断面図である。溶接対象物MW1および溶接対象物MW2は、溶接ステージ10に静止され溶接状態溶接痕MWsが安定化される。図1Jは、図1Hに示した溶接対象物MW1および溶接対象物MW2が溶接ステージ10から分離された状態を示す断面図である。溶接対象物MW1素子電極および溶接対象物MW2コネクタリードは、相互に溶接され、溶接対象物MW1は、コネクタリード付きの半導体素子として回収され、次の工程へ送られる。図1Kは、図1D、図1E、図1F、図1Gに示した溶接電極13および溶接電極14の先端13t、先端14tの状態を示す端面図である。溶接電極13が有する先端13t、溶接電極14が有する先端14tは、それぞれ同様な形状とされ、相互に対向する方向での長さが短辺SSとされ、短辺SSと交差する方向での長さが長辺LSとされている。したがって、先端13tおよび先端14tは、矩形状とされている。また、対向する面に沿う方向の長さを長辺LSとすることから、長辺LSに沿う方向で複数の溶接対象物MW2コネクタリードを配置し、複数のコネクタリードを同時に接続することができる。上述したとおり、パラレルギャップ溶接装置1を利用して溶接対象物MW1および溶接対象物MW2を相互に溶接するパラレルギャップ方式では、半田を用いて接合する方法とは異なり、溶接対象物MW1半導体素子の電極と溶接対象物MW2コネクタリードとが直接接触した状態で接合が形成される。例えば、宇宙衛星用太陽電池セルのAg電極溶接対象物MW1に、Agを材料とするコネクタリード溶接対象物MW2が溶接された場合、低温と高温との温度サイクルが繰り返された場合であっても、Ag電極溶接対象物MW1とAgを材料とするコネクタリード溶接対象物MW2とは同種の材料であり、溶接接続されていることから、熱膨張係数の差による乖離が生じる虞がない。したがって、パラレルギャップ方式パラレルギャップ溶接装置1を使用して被溶接物同士を接合する溶接方法によれば、接続上の高い信頼性を得ることができる。また、半田のように接続のための材料が接合の対象物に付加されることもないため、接合後における対象物の重量が増加するということもない。つまり、衛星にとって軽量性は打ち上げコストを低減する重要な要素であるが、パラレルギャップ方式の溶接による接続は半田を用いる接続に比べ極めて高い優位性を有している。次に、図2Aないし図2Dによって本実施の形態に係るパラレルギャップ溶接装置1における課題について説明する。つまり、溶接電極13および溶接電極14は、溶接電流Iwを流して抵抗熱を利用して溶接することから、先端13tおよび先端14tの表面が徐々に酸化される。したがって、溶接電極13および溶接電極14は先端先端13tおよび先端14tを研磨することによって表面に形成された酸化物酸化膜を除去する必要がある。図2Aは、本発明の実施の形態1に係る研磨部17によって溶接電極13溶接電極14の先端13t先端14tについて研磨をするときの側面状態を模式的に示す模式側面図である。上述したとおり、溶接電極13溶接電極14の先端13t先端14tは、酸化され酸化膜が形成された状態となっている。また、研磨部17が有する研磨面18は、研磨方向DPに対して傾きを有する場合があることが知見された。なお、研磨部17は、例えば砥石以下、特に砥石と明記しないが、一般的に砥石と呼ばれるものが含まれる。なお、砥石以外のもので、例えば研磨部材などと呼ばれるものも含まれる。で形成されている。図2Bは、図2Aに示した研磨部17によって溶接電極13溶接電極14の先端13t先端14tについて研磨中の側面状態を模式的に示す模式側面図である。研磨面18によって先端13t先端14tの一部が研磨され、少なくとも研磨された領域では酸化膜の除去が行われている。しかし、研磨面18が有する傾斜によって、先端13t先端14tは、傾斜された状態で研磨されている。図2Cは、図2Bに示した研磨部17によって溶接電極13溶接電極14の先端13t先端14tについて研磨を終了したときの側面状態を模式的に示す模式側面図である。先端13t先端14tに対する研磨を終了し、先端13t先端14tの酸化膜は除去された状態となっている。しかしながら、先端13t先端14tの表面は、研磨面18の傾斜がそのまま転写されて傾斜が形成された状態となっている。図2Dは、本発明の実施の形態1に係る研磨部17の研磨面18に対するばらつき状態を検出するための模式平面図である。研磨面18において、テストポイントTP1からテストポイントTP2までの間隔テストポイント間隔Ltpをおき、その間での研磨面18の表面の高さ分布を検出した。研磨面18の傾きによる傾斜面の発生も課題であるが、テストポイント間隔Ltpでの研磨面18の表面の高さ分布も大きいことが知見された。具体的には、10mmの長さとしたテストポイント間隔Ltpにおいて、テストポイントTP1を基準の高さとして30個の砥石の高さ高低差をそれぞれ測定した結果、マイナス38μmからプラス58μmまでの範囲内での分布が存在することが知見された。したがって、傾斜面、あるいは、高低差のばらつきを有する研磨面18を適用して溶接電極13、溶接電極14に対する研磨を施すと、研磨作業の都度、あるいは、研磨部17を交換する都度溶接電極13、溶接電極14の先端状況が異なることになり、均一な溶接作業が困難となる虞がある。次に、溶接作業の精度溶接歩留まりについて図3A、図3Bを参照して説明する。図3Aは、本発明の実施の形態1に係る溶接電極13溶接電極14が正常な場合、2箇所の溶接対象物MW2に対して溶接を施したときの側面状態を模式的に示す側面図である。溶接電極13溶接電極14が平坦であり、溶接対象物MW2に対して平行に配置研磨されていることから、2箇所の溶接対象物MW2は、いずれも正常に溶接電極13溶接電極14に当接され、したがって、正常に溶接され、例えば深さが1μm以上の溶接痕MWsが溶接対象物MW2の2箇所で同様に形成されている。なお、溶接対象物MW1太陽電池セルのAg電極に対して銀を主成分とする金属箔のコネクタリード溶接対象物MW2を溶接する場合、正常な溶接とされるには、溶接痕MWsの深さが1μm以上あることが必要である。図3Bは、本発明の実施の形態1に係る溶接電極13溶接電極14が異常な場合、2箇所の溶接対象物MW2に対して溶接を施した場合の側面状態を模式的に示す側面図である。溶接電極13溶接電極14の先端13t先端14tが傾斜しており、溶接対象物MW2に対して傾斜した状態で配置研磨されていることから、1箇所の溶接はされているが十分ではなく、また、他方は全く溶接されない状態となっている。例えば、溶接電極13溶接電極14の長辺LSの長さが1mmの場合、10mmのテストポイント間隔Ltpにおいて高低差が58μmの研磨部17研磨面18。図2D参照を適用して研磨を施すと、10mmで58μmの高低差が存在しているから、単純に比例計算すれば1mmでは5.8μmの高低差が研磨によって発生することになる。つまり、先端13t先端14tは、1mmの範囲で、5.8μmの高低差を有することから、2箇所の溶接を行う場合、一方が接触によって例え溶接痕MWsを生じたとしても、不十分な溶接であり、他方は全く溶接されない状態で接続不良を生じることとなる。本発明は、上述した新たな知見に基づくものであり、以下に示す実施の形態のとおり、研磨部17が有する研磨面18の位置を調整することによって溶接電極13先端13t、溶接電極14先端14tを溶接対象物MW1溶接対象物MW2に対して高精度に位置決めして当接できるパラレルギャップ溶接装置1を提供する。<実施の形態2>図4Aないし図4Cを参照して、本実施の形態に係るパラレルギャップ溶接装置1について説明する。なお、本実施の形態に係るパラレルギャップ溶接装置1の基本構成は、実施の形態1に係るパラレルギャップ溶接装置1と同様であるから、符号を援用し、主に異なる事項について説明する。また、本実施の形態では、溶接電極13、溶接電極14、溶接対象物MW1、溶接対象物MW2などの図示は省略してある以下の実施の形態についても同様である。。図4Aは、本発明の実施の形態2に係る平行位置調整部20研磨面固定部21に研磨部17が配置された初期状態を模式的に示す模式側面図である。本実施の形態に係るパラレルギャップ溶接装置1が備える平行位置調整部20は、研磨部17の研磨面18を固定する研磨面固定部21と、研磨面18が当接される研磨面当接部21pと、研磨部17が載置される支持部17sと、支持部17sを移動させる研磨面押し当て部31とを備える。最初に、研磨面固定部21の内側に配置された支持部17sに研磨部17が載置される。この状態では、研磨部17の研磨面18は、載置面11研磨面当接部21pに対してどの程度の平行度平行性を有するか不明な状態である。研磨部17を支持部17sに載置した後、研磨面押し当て部31を調整し、支持部17sに載置された研磨部17を研磨面固定部21研磨面当接部21pに向けて移動させる。つまり、研磨面押し当て部31昇降機構を利用して研磨面当接部21pに研磨部17研磨面18を当接させる。研磨面押し当て部31は、例えば、高さ調整ねじという比較的簡単な構造で高精度の位置決めができる機械要素部材で形成される。支持部17sは、研磨面押し当て部31によって研磨面当接部21pの側へ押し上げられる。支持部17sは、金属板で形成される。支持部17sが金属板で形成されることから、研磨部17の位置精度、固定精度が向上する。また、支持部17sは、繰り返し利用が可能である。図4Bは、図4Aに示した平行位置調整部20において研磨部17の研磨面18が研磨面固定部21に位置決めされた状態を模式的に示す模式側面図である。研磨面押し当て部31によって支持部17sが研磨面当接部21pの側へ押し上げられると、研磨面18は、研磨面当接部21pに端部が当接した状態となる。研磨面18は、研磨部17の形状厚さ、あるいは傾きによる影響を支持部17sと研磨面押し当て部31との間で吸収することによって研磨面当接部21pに沿う配置状態とされる。なお、研磨面当接部21pは、少なくとも3か所において配置され、3か所で研磨面18を位置決めすることができる。図4Cは、図4Bに示した研磨面固定部21研磨面18に対して移動機構部32による位置調整がされた状態を示す模式側面図である。図4Bで示したとおり、研磨部17は、研磨面固定部21平行位置調整部20の研磨面当接部21pに固定位置決めされる。次に、研磨面固定部21は、パラレルギャップ溶接装置1が有する研磨ステージ30に配置された移動機構部32によって昇降制御される。移動機構部32は、研磨ステージ30に対して形成された高さ調整部321、固定ナット322を備え、高さ調整部321によって、研磨面固定部21を図示する矢印方向載置面11、研磨面18に対する垂直方向で昇降させる。つまり、研磨部17を固定した研磨面固定部21は、高さ調整部321によって、固定された台である研磨ステージ30に対して高さ調整がなされ、相対的に、溶接ステージ10に対して高さ調整がなされる。すなわち、研磨面固定部21平行位置調整部20は、研磨ステージ30に対して可動状態とされている高さ調整部321を調整することによって溶接ステージ10載置面11に対する位置を調整される。研磨面固定部21の高さ調整は次のようになされる。つまり、基準面に設置したダイヤルゲージμm単位での測定が可能なダイヤルゲージを用いて溶接ステージ10の載置面11について3か所の高さを測定し、載置面11における3か所の高さに対して研磨ステージ30に配置された研磨面18における3か所が同一の高さあるいは平行面を示すように高さ調整部321を調整する。すなわち、高さ調整部321は、固定された研磨ステージ30に対して研磨面固定部21を昇降させて、研磨面18が載置面11と平行となるように高さを調整する。調整が終了した状態では、研磨面18は、載置面11に対して平行あるいは、同一平面となる。したがって、載置面11に対して研磨面18を高精度に平行に位置決めすることができる。なお、研磨面18研磨面固定部21を研磨ステージ30に対して位置決めした後は、固定ナット322を利用して研磨面固定部21を研磨ステージ30に固定する。なお、ダイヤルゲージDGの代わりに実施の形態3で示すレーザー変位計23図5A参照を適用することができる。研磨部17を交換する際には、研磨面押し当て部31による研磨部17の固定を解除し、研磨部17を研磨面当接部21pから離して研磨部17を回収した後、新しい研磨部17を支持部17sに載置して研磨面押し当て部31によって研磨面固定部21研磨面当接部21pに位置決めして固定する。なお、研磨面固定部21と、研磨ステージ30との間の位置関係を最初に固定しておけば、研磨部17を交換したときは、研磨部17を研磨面固定部21研磨面当接部21pに当接させるだけで良い。上述したとおり、本実施の形態に係るパラレルギャップ溶接装置1によれば、研磨面18の傾きが不明な研磨部17であっても、傾きは全て研磨部17の下面に配置された支持部17sに吸収され、研磨部17研磨面18は常に溶接ステージ10と平行となるように設置することができる。本実施の形態に係るパラレルギャップ溶接装置1は、2つの溶接電極13、溶接電極14の間に溶接電流Iwを流して溶接対象としての2つの溶接対象物MW1、溶接対象物MW2を互いに溶接する。また、パラレルギャップ溶接装置1は、溶接対象物MW1溶接対象物MW2を置載する溶接ステージ10と、溶接電極13、溶接電極14を清掃研磨する研磨部17研磨面18とを備える。また、パラレルギャップ溶接装置1は、溶接電極13、溶接電極14の先端13t、先端14tと溶接ステージ10との平行度を調整するために溶接ステージ10に対する研磨面18の平行度を調整する構成を備える。つまり、パラレルギャップ溶接装置1は、溶接対象物MW1溶接対象物MW2が載置される載置面11を有する溶接ステージ10と、溶接電極13、溶接電極14を研磨する研磨面18を有する研磨部17とを備え、載置面11に対して研磨面18を平行に位置調整する平行位置調整部20を備える。したがって、本実施の形態に係るパラレルギャップ溶接装置1は、載置面11を基準として研磨面18を載置面11と平行に調整することから、溶接電極13、溶接電極14の先端先端13t、先端14tを載置面11に対して平行に研磨するので、2つの溶接電極13、溶接電極14を溶接対象物MW1溶接対象物MW2に均等に当接させて密着性を向上し、良好な溶接を施すことができ、溶接の作業性歩留まり、信頼性を向上させる。つまり、本実施の形態に係るパラレルギャップ溶接装置1の溶接電極13先端13t、溶接電極14先端14tは、載置面11に載置された溶接対象物MW1、溶接対象物MW2に対して平行を確保することが可能となり、高精度に接触するので、研磨部17の傾きによらず良好な接続が可能となる。また、平行位置調整部20は、研磨面18が当接される研磨面当接部21pを有して研磨面18を固定する研磨面固定部21と、研磨部17を移動させて研磨面18を研磨面当接部21pに押し当てる研磨面押し当て部31と、研磨面固定部21に固定された研磨面18を載置面11に対して平行にする移動機構部32とを備える。したがって、パラレルギャップ溶接装置1は、研磨面押し当て部31によって研磨面18を研磨面当接部21pに押し当てて研磨面固定部21に固定し、研磨面固定部21に固定された研磨面18を移動機構部32によって載置面11に対して平行にすることから、簡単な構造で容易にかつ高精度に研磨面18を載置面11と平行にすることができ、研磨面18の位置調整での作業性を向上する。つまり、研磨部17を固定する1つの基準としての研磨面当接部21pに研磨面18研磨部17を当接して固定し、次に、研磨面固定部21に固定された研磨面18を移動機構部32高さ調整部321によって載置面11と平行に調整する。また、研磨面当接部21pは、研磨面固定部21の上端に配置された爪部であることが好ましい。この構成によって、パラレルギャップ溶接装置1は、研磨面18が研磨面当接部21pとしての爪部に当接されて研磨面固定部21に位置決めされることから、高精度に研磨面18の位置を位置決めできるので、研磨面18を高精度に載置面11と平行に位置決めすることができる。爪部は、少なくとも3か所に配置され、平面視で研磨面18研磨部17に対して均等に分布されていること。例えば、研磨面18の中心CP図7参照から見てそれぞれの間の角度が120度毎に配置されている状態とすることができる。なお、平面的な配置については、図7で更に説明する。<実施の形態3>図5Aおよび図5Bを参照して、本実施の形態に係るパラレルギャップ溶接装置1について説明する。なお、本実施の形態に係るパラレルギャップ溶接装置1の基本構成は、実施の形態1、実施の形態2に係るパラレルギャップ溶接装置1と同様であるから、符号を援用し、主に異なる事項について説明する。図5Aは、本発明の実施の形態3に係る平行位置調整部20移動機構部33に研磨部17が配置された初期状態を模式的に示す模式側面図である。本実施の形態に係るパラレルギャップ溶接装置1が備える平行位置調整部20は、研磨部17の移動を調整する移動機構部33と、移動機構部33の機構要素としての高さ調整部331、固定ナット332とを備える。なお、移動機構部33は、研磨ステージ30に配置されている。また、パラレルギャップ溶接装置1は、計器基準部24の載置面対向部241に配置されたレーザー変位計23載置側レーザー変位計231、載置側レーザー変位計232を備え、計器基準部24の研磨面対向部242に配置されたレーザー変位計23研磨側レーザー変位計233、研磨側レーザー変位計234を備える。以下では、載置側レーザー変位計231、載置側レーザー変位計232、研磨側レーザー変位計233、研磨側レーザー変位計234を特に区別する必要が無い場合は、単にレーザー変位計23とすることがある。また、載置側レーザー変位計231に載置側レーザー変位計232を含め、研磨側レーザー変位計233に研磨側レーザー変位計234を含めることがある。なお、載置面対向部241は、載置面11に対向し、研磨面対向部242は、研磨面18に対向している。計器基準部24は、載置面対向部241および研磨面対向部242を備えて溶接ステージ10、研磨面18に対する基準位置を構成する。したがって、載置面対向部241において、載置側レーザー変位計231、載置側レーザー変位計232によって計器基準部24載置面対向部241から載置面11までの間隔を測定する。また、研磨面対向部242において、研磨側レーザー変位計233、研磨側レーザー変位計234によって計器基準部24研磨面対向部242から研磨面18までの間隔を測定する。研磨部17研磨面18は、平行位置調整部20移動機構部33に配置されただけで調整がされていない。したがって、研磨面18は、載置面11に対して位置ズレした状態となっている。本実施の形態では、初期状態に対して、載置面対向部241と載置面11との間の間隔を求め、研磨面対向部242と研磨面18との間の間隔が同じになるように研磨面18の位置を調整する。図5Bは、図5Aに示した平行位置調整部20移動機構部33に配置された研磨部17の研磨面18が載置面11と平行とされた状態を模式的に示す模式側面図である。載置面対向部241に配置された載置側レーザー変位計231および載置側レーザー変位計232によって測定した載置面対向部241計器基準部24から載置面11までの間隔に対応させて、研磨面対向部242に配置された研磨側レーザー変位計233および研磨側レーザー変位計234によって測定した研磨面対向部242から研磨面18までの間隔を平行に合わせる。同一の間隔とすれば同一面となって載置面11と研磨面18との平行が実現される。また、適宜の間隔を設けることによって、平行に配置することも可能である。上述したとおり、パラレルギャップ溶接装置1では、平行位置調整部20は、載置面11および研磨面18を検出するレーザー変位計23載置側レーザー変位計231ないし研磨側レーザー変位計234と、レーザー変位計23研磨側レーザー変位計233、研磨側レーザー変位計234で検出した研磨面18をレーザー変位計23載置側レーザー変位計231、載置側レーザー変位計232で検出した載置面11に対して平行にする移動機構部33とを備える。したがって、本実施の形態に係るパラレルギャップ溶接装置1は、レーザー変位計23によって載置面11の位置および研磨面18の位置を無接触で検出することから、容易にかつ高精度に位置を検出して載置面11に対する研磨面18の位置を平行に調整するので、研磨面18研磨部17に対する保持機構を簡略化し、併せて精度を向上させることができる。つまり、溶接ステージ10の載置面11に対して研磨部17の研磨面18を平行にするとき、載置面11と平行に配置された計器基準部24にレーザー変位計23を配置しておくことによって、レーザー変位計23計器基準部24からの距離が同一となるように調整することが好ましい。レーザー変位計23は載置面11および研磨面18のそれぞれに対向させてそれぞれ3個配置なお、図では、見易さを考慮してそれぞれ2台が配置された状態を記載している。しておいても良く、あるいは、単一のレーザー変位計23を適用し、測定位置調整位置を3か所で移動させ、それぞれの位置で検出して調整しても良い。3か所での測定とすることによって高精度に位置決めすることができる。なお、載置面11と研磨面18とを平行とする面には、面一となる場合を含む。パラレルギャップ溶接装置1では、レーザー変位計23は、載置面11に対向して配置された載置側レーザー変位計231載置側レーザー変位計232と、研磨面18に対向して配置された研磨側レーザー変位計233研磨側レーザー変位計234とを含むことが好ましい。この構成によって、パラレルギャップ溶接装置1は、載置面11に対向して配置された載置側レーザー変位計231載置側レーザー変位計232と、研磨面18に対向して配置された研磨側レーザー変位計233研磨側レーザー変位計234とを備えることから、載置面11に対する距離と研磨面18に対する距離とを高精度に検出するので、載置面11に対する研磨面18の位置決めを容易にかつ高精度に施すことができる。また、パラレルギャップ溶接装置1では、載置面11に対して平行に配置され、載置側レーザー変位計231載置側レーザー変位計232が配置された載置面対向部241と、研磨側レーザー変位計233研磨側レーザー変位計234が配置された研磨面対向部242とを有する計器基準部24を備えることが好ましい。この構成によって、パラレルギャップ溶接装置1は、載置面11に対して平行に配置された計器基準部24が、載置側レーザー変位計231が配置された載置面対向部241と、研磨側レーザー変位計233が配置された研磨面対向部242とを備えることから、レーザー変位計23による検出の精度と速度を向上させることができる。載置面11に対する研磨面18の調整は、次の手順で行われる。先ず、研磨部17を研磨ステージ30に形成された移動機構部33平行位置調整部20に配置載置する。次に、載置側レーザー変位計231によって載置面11の3か所の位置高さを計測する。その後、研磨側レーザー変位計233によって研磨面18の3か所の高さを載置面11の高さのデータに一致するように調整する。載置面11の高さの調整は、移動機構部33が備える高さ調整部331を調整することによって行われる。調整が終了した時点で、研磨面18の高さが変わらないように、固定ナット332で固定する。本実施の形態では、研磨部17を交換する都度、研磨面18の傾きを調整して載置面11に対する平行性を維持する。<実施の形態4>図6Aないし図6Cを参照して、本実施の形態に係るパラレルギャップ溶接装置1について説明する。なお、本実施の形態に係るパラレルギャップ溶接装置1の基本構成は、実施の形態1ないし実施の形態3に係るパラレルギャップ溶接装置1と同様であるから、符号を援用し、主に異なる事項について説明する。図6Aは、本発明の実施の形態4に係る平行位置調整部20移動機構部33に研磨部17が配置され、載置面11に当接治具26が配置された初期状態を模式的に示す模式側面図である。先ず、溶接ステージ10の載置面11に密着させて当接治具26を取り付ける。つまり、当接治具26の表面を形成する当接平面261が載置面11に載置される。なお、平行位置調整部20は、研磨ステージ30に取り付けられた移動機構部33を備え、移動機構部33は、高さ調整部331および固定ナット332を備える。図6Bは、図6Aに示した平行位置調整部20移動機構部33が有する高さ調整部331によって当接平面261に研磨面18が当接された状態を模式的に示す模式側面図である。固定されている研磨ステージ30に配置された高さ調整部331を調整することによって、研磨部17を当接治具26の方へ移動させ、研磨面18を当接平面261に当接させる。なお、研磨面18を当接平面261に当接して位置決めした後、固定ナット332によって研磨部17を固定する。本実施の形態では、研磨部17を交換する都度、研磨面18の傾きを調整して載置面11に対する平行性を維持する。図6Cは、図6Bに示した当接治具26当接平面261を取り除いた状態を模式的に示す模式側面図である。研磨部17の位置決めをして固定した後、当接治具26を除去する。研磨面18と載置面11とは面一の平面となっている。なお、当接治具26に載置面11側と研磨面18側との間に適宜の段差を持たせることによって、面一ではなく、平行とすることも可能である。上述したとおり、パラレルギャップ溶接装置1では、平行位置調整部20は、載置面11に当接する当接平面261を有する当接治具26が載置面11に載置されて当接平面261を載置面11に当接させた状態で、研磨部17を当接平面261の方向へ移動させて研磨面18を当接平面261に当接させる移動機構部33を備える。したがって、本実施の形態に係るパラレルギャップ溶接装置1は、載置面11に当接された当接平面261に対して移動機構部33によって研磨面18を移動させて当接させることから、当接平面261を有する当接治具26という極めて単純な部材を適用することによって、容易にかつ高精度に研磨面18の位置を載置面11の位置に対して位置決めすることができる。<実施の形態5>図7を参照して、本実施の形態に係るパラレルギャップ溶接装置1について説明する。本実施の形態に係るパラレルギャップ溶接装置1は、実施の形態1ないし実施の形態4における移動機構部32高さ調整部321、移動機構部33高さ調整部331について共通する事項を実施の形態5として説明する。本実施の形態に係るパラレルギャップ溶接装置1の基本的な構成は、他の実施の形態と共通するので、適宜符合を援用して主に異なる事項について説明する。上述したとおり、溶接電極13、溶接電極14の長辺LS方向に対しては、1μm未満の傾きであることが要請されている。例えば、研磨領域が10mmの砥石を用いて、長辺LS方向の長さが1mmの電極を研磨する場合には、研磨面18砥石の表面の傾きはプラスマイナス10μm未満までは許容される。また、生産性向上のために長辺LSが延長され長辺LS方向の長さが5mmとされた場合には、研磨面18の傾きはプラスマイナス2μm未満が許容範囲となる。したがって、実施の形態2における移動機構部32高さ調整部321による高さ調整、実施の形態3、4における移動機構部33高さ調整部331による高さ調整においては、高精度な位置決めが要請される。なお、高さ調整部321、高さ調整部331による高さ調整は、載置面11に対して垂直方向での高さである。図7は、本発明の実施の形態5に係るパラレルギャップ溶接装置1での研磨ステージ30と移動機構部33との関係を模式的に示す模式平面図である。研磨ステージ30に対して高さ調整部331が2等辺三角形DLTの各頂点に高さ調整部331a、高さ調整部331b、高さ調整部331cとして配置される。なお、移動機構部33について示すが、移動機構部32高さ調整部321についても同様である。溶接電極13、溶接電極14の研磨面18に対する加圧力は、研磨の精度を考慮して2kgf程度とされるため、研磨部17には圧力が加わる。したがって、研磨方向DPでの傾きを抑えることが必要となる。したがって、2等辺三角形DLTの高さ位置HPは、研磨方向DPと平行になるように配置され、また、研磨面18の中心CPを通るように配置されることが好ましい。なお、2等辺三角形DLTとは無関係な配置とすることも可能であり、例えば矩形状に配置することができる。本実施の形態に係るパラレルギャップ溶接装置1は、実施の形態1ないし実施の形態4のいずれかに記載されたパラレルギャップ溶接装置1であって、移動機構部33移動機構部32は、研磨部17を支持する研磨ステージ30と、研磨ステージ30の3か所に配置されて研磨面18の高さ位置を調整する高さ調整部331高さ調整部321とを備え、高さ調整部331高さ調整部321は、研磨ステージ30に対する平面視で2等辺三角形DLTを構成し、2等辺三角形DLTの高さが占める高さ位置HPは、研磨部17が有する研磨方向DPと平行で研磨部17の中心CPを通る配置とされている。したがって、本実施の形態に係るパラレルギャップ溶接装置1は、高さ調整部331高さ調整部321が構成する2等辺三角形DLTの高さ位置HPを研磨部17が有する研磨方向DPと平行にして研磨部17の中心CPと一致させることから、研磨部17研磨面18に対する高さ調整部331高さ調整部321の配置をバランス良く配置するので、2つの溶接電極13、溶接電極14を均等性良く高精度に研磨することができ、溶接の信頼性を向上させる。また、パラレルギャップ溶接装置1では、2つの溶接電極13、溶接電極14は、それぞれの先端が長辺LSと短辺SSを有する矩形状とされてあり図1K、溶接電極13、溶接電極14の先端の載置面11に対する平行度は、長辺LSで1μm以内とされていることが好ましい。この構成によって、パラレルギャップ溶接装置1は、溶接電極13溶接電極14の先端での長辺LSの平坦性のばらつきを1μm以内に抑えることから、溶接対象物MW1、溶接対象物MW2に対する溶接電極13溶接電極14の接触性を均等化して、均等な溶接を施すことができるので、高精度な溶接を歩留まり良く施すことができる。<実施の形態6>溶接対象物MW1、溶接対象物MW2について実施の形態6として補足説明する。溶接電極13溶接電極14が当接される一方の溶接対象物MW2溶接対象物MW1は、厚さが5μmから100μmまでの金属箔であることが好ましい。つまり、本実施の形態に係るパラレルギャップ溶接装置1は、厚さが5μmから100μm程度までの薄い金属箔に対する溶接を容易にかつ高精度に施すことから、このような金属箔が適用される例えば宇宙衛星用太陽電池セルに対する金属箔の溶接に適用され、宇宙用太陽電池セルの接続の作業性と信頼性を向上する。また、本実施の形態に係る厚さが5μmから100μmまでの金属箔は、銀または銀を主成分とする金属材料であること、あるいは、鉄を主成分とするコバールまたはインバーを基材として基材に銀メッキを施した金属材料であることが好ましい。なお、コバールは、例えば、Fe53.5、Ni29、Co17、Mn0.3、Si0.2で形成され、インバーは、鉄64、ニッケル36で形成されている。つまり、本実施の形態に係るパラレルギャップ溶接装置1は、金属箔が、銀などを主成分とする金属材料、あるいは、コバールまたはインバーを基材として銀メッキを施した金属材料で形成されることから、例えば太陽電池セルに対する金属箔の溶接に適用した場合、接続の作業性と信頼性を向上する。また、本実施の形態に係るパラレルギャップ溶接装置1では、溶接対象物MW1、溶接対象物MW2の接続に際して半田などの他の接続部材を適用しないことから、重量が増加することが無く、接続の信頼性、軽量性が求められる宇宙衛星用のデバイス太陽電池素子に適用されることが特に望ましい。上述したとおり、実施の形態2ないし実施の形態4で説明したパラレルギャップ溶接装置1によれば、載置面11に対して平行とされた研磨面18によって溶接電極13、溶接電極14の先端を研磨することから、先端13t、先端14tを載置面11に対して平行に研磨することができるので、溶接対象物MW1、溶接対象物MW2に対して溶接時に密着することとなり、良好な溶接が可能となる。