"FZ法において、原料結晶棒を加熱して浮遊帯域を形成するために用いられる複巻誘導加熱コイルであって、外側に位置するコイルの方が、内側に位置するコイルよりも電気抵抗率が小さいものを有することを特徴とする複巻誘導加熱コイル。前記外側に位置するコイルは、前記内側に位置するコイルの材質よりも電気抵抗率が小さい材質からなるものであることを特徴とする請求項1に記載の複巻誘導加熱コイル。前記外側に位置するコイルは、金属からなる母材の表面に、前記内側に位置するコイルの材質よりも電気抵抗率の小さい材質からなる被覆膜が形成されたものであることを特徴とする請求項1に記載の複巻誘導加熱コイル。前記被覆膜は、厚さが1μm以上であることを特徴とする請求項3に記載の複巻誘導加熱コイル。FZ法による単結晶製造装置であって、請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の複巻誘導加熱コイルを具備するものであることを特徴とする単結晶製造装置。FZ法による単結晶製造方法であって、請求項5に記載の単結晶製造装置を用いて単結晶を製造することを特徴とする単結晶製造方法。単結晶の大口径化が進む中、このような単結晶製造において、例えば特許文献1に記載されたような単巻の誘導加熱コイルに代わって、例えば特許文献2に記載されたような複巻の誘導加熱コイルの使用が主力となっている。しかしながら、直径150mm以上の単結晶製造では、製造される単結晶の中心部と外周部の温度差が従来以上に大きくなっており、上記のような複巻誘導加熱コイルを使用しても、その有転位化率を効果的に下げることができず、直径150mm未満の単結晶製造に比べ、その有転位化率は2倍以上となっている。この原因としては、単結晶の中心部と外周部との温度差が大きくなることにより、固液界面深さが深くなり、熱せん断応力が増加したためであると考えられる。尚、ここで言う固液界面深さとは、単結晶の最外周凝固面位置と単結晶中心の凝固面位置までの距離を言う。本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、製造される単結晶の中心部と外周部における温度差を小さくし、単結晶成長時における固液界面深さを小さくすることで有転位化の発生を抑制できる複巻誘導加熱コイル及び該複巻誘導加熱コイルを有する単結晶製造装置並びに該単結晶製造装置が用いられる単結晶製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明は、FZ法において、原料結晶棒を加熱して浮遊帯域を形成するために用いられる複巻誘導加熱コイルであって、外側に位置するコイルの方が、内側に位置するコイルよりも電気抵抗率が小さいものを有することを特徴とする複巻誘導加熱コイルを提供する。このようなものであれば、複巻誘導加熱コイルを構成するコイルのうち、外側に位置するコイルに流れる高周波電流を大きくすることができる。これによって、誘導加熱コイルからの、成長中の単結晶における中心部と外周部への加熱量を均等に近づけ、これらの温度差を小さくすることができる。さらにこれによって、浮遊帯域における固液界面深さを小さくできるため、単結晶中の熱せん断応力の増加を抑制し、これによる有転位化の発生も抑止することができる。またこのとき、前記外側に位置するコイルは、前記内側に位置するコイルの材質よりも電気抵抗率が小さい材質からなるものとすることができる。またこのとき、前記外側に位置するコイルは、金属からなる母材の表面に、前記内側に位置するコイルの材質よりも電気抵抗率の小さい材質からなる被覆膜が形成されたものとすることができる。このようにすれば、容易に且つ確実に、相対的に前記外側に位置するコイルの電気抵抗率を小さくすることができ、これによって有転位化の発生をより効果的に抑制することができるため好ましい。またこのとき、前記被覆膜は、厚さが1μm以上であることが好ましい。このようなものであれば、外側に位置するコイルとして、前記母材の表面に被覆膜が形成されたものを用いた場合に、該コイルにおいてより大きな高周波電流量を得ることができる。また本発明は、FZ法による単結晶製造装置であって、本発明の複巻誘導加熱コイルを具備するものであることを特徴とする単結晶製造装置を提供する。また本発明は、FZ法による単結晶製造方法であって、本発明の単結晶製造装置を用いて単結晶を製造することを特徴とする単結晶製造方法を提供する。このような単結晶製造装置及び製造方法であれば、複巻誘導加熱コイルを構成するコイルのうち、外側に位置するコイルに流れる高周波電流を大きくすることができ、成長中の単結晶における中心部と外周部への温度差を小さくすることができるため、浮遊帯域における固液界面深さを小さくすることができ、熱せん断応力の増加が抑制され、これによる有転位化の発生も抑止された、無転位の高品質な単結晶を安定して製造することができる。以上説明したように、本発明によれば、複巻誘導加熱コイルを構成するコイルのうち、外側に位置するコイルに流れる高周波電流を大きくすることができる。これによって、成長中の単結晶における中心部と外周部の温度差を小さくすることができる。さらにこれによって浮遊帯域における固液界面深さを小さくすることができるため、単結晶中の熱せん断応力の増加を抑制し、これによる有転位化の発生も抑止することができる。またこれによって、転位の無い高品質な単結晶を高生産性で製造することができる。以下、本発明について図面を参照して詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。まず、図2に示したような、本発明が適用される、一般的なFZ法による単結晶製造装置30について説明する。この単結晶製造装置30は、原料結晶棒1及び、下端に絞り部9に続いて形成される単結晶棒2を収容するチャンバー11と、原料結晶棒1と単結晶棒2の間の浮遊帯域10を形成するための加熱源となる複巻誘導加熱コイル7と、複巻誘導加熱コイル7に電力を供給する高周波発振機12と、原料結晶棒1を保持するための上部保持具4と、原料結晶棒1を回転移動させるための上軸3と、種結晶8を保持するための下部保持具6と、種結晶8を回転移動させるための下軸5と、浮遊帯域10に向かってドーパントガスを導入するためのドープノズル20を有するものである。また、前記複巻誘導加熱コイル7は、図1に示したように、主に原料結晶棒1を加熱するための、内側に位置するコイル以下、内側コイルと呼ぶ13及び主に単結晶棒2の外周部を加熱するための、外側に位置するコイル以下、外側コイルと呼ぶ14を有し、外側コイル14の電気抵抗率は、内側コイル13の電気抵抗率より小さいものとなっている。このような複巻誘導加熱コイル7に高周波発振機12より高周波電流を流すことにより、複巻誘導加熱コイル7からの、成長中の単結晶の中心部と外周部への加熱量を均一に近づけることができるため、浮遊帯域10における固液界面深さを小さくすることができ、単結晶中の熱せん断応力の増加を抑制し、これによる有転位化の発生も抑止することができる。ここで、内側コイル13より電気抵抗率の小さい外側コイル14を準備する方法としては、特には限定されないが、例えば外側コイル14を、内側コイル13の材質よりも電気抵抗率の小さい材質からなるものとすれば、容易にかつ確実に内側コイル13よりも外側コイル14の電気抵抗率を小さくすることが出来るため好ましい。また、高周波電流は、表皮効果により導体の表面付近に集中して流れるため、例えば外側コイル14を、金属からなる母材の表面に、内側コイル13よりも電気抵抗率の小さい材質からなる被覆膜が形成されたものとすれば、より低コストで効率良く内側コイル13よりも外側コイル14の電気抵抗率を小さくすることができるため好ましい。このとき、前記母材の材質、及び前記被覆膜の材質、厚さ並びに形成方法については特には限定されず、例えば銅等からなる母材に、金属メッキや接合等によって、厚さ1μm以上の銀等からなる被覆膜を形成することができる。尚、図1に示した複巻誘導加熱コイル7は2回巻となっているが、本発明はこれに限定されず、3回巻以上のものであっても良い。また、例えば3回巻の誘導加熱コイルである場合、内側2つのコイルの電気抵抗率が等しく、且つ一番外側のコイルの電気抵抗率のみ他の2つのコイルより小さい電気抵抗率とする構成としたものであっても本発明に含まれる。もちろん4回巻き以上のものであっても同様である。以下に、上記のような本発明の単結晶製造装置を用いた単結晶製造方法の一例について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。まず、原料結晶棒1の溶融を開始する部分をコーン形状に加工し、加工歪みを除去するために表面のエッチングを行う。その後、チャンバー11内に原料結晶棒1を収容し、チャンバー11内に設置された上軸3の上部保持治具4にネジ等で固定する。一方、下軸5の下部保持治具6には種結晶8を取り付ける。ここで高周波発振機12に、例えば図1に示したような本発明の複巻誘導加熱コイル7を固定する。この複巻誘導加熱コイル7は、内側コイル13及び、該内側コイル13よりも電気抵抗率が小さい外側コイル14を有する。このとき、例えば外側コイル14は、内側コイル13の材質よりも電気抵抗率の小さい材質からなるものとするか、または金属からなる母材の表面に、内側コイル13よりも電気抵抗率の小さい材質からなる厚さ1μm以上の被覆膜が形成されたものとすること等によって形成する。次に、原料結晶棒1のコーン部分の下端をカーボンリング不図示で予備加熱する。その後、例えば炉内圧を0.1MPa~0.2MPaとし、流量を20~50L/minとして、チャンバー11下部から不活性ガス例えばAr、N2を供給し、チャンバー11上部より排気する。そして、原料結晶棒1を複巻誘導加熱コイル7で加熱溶融した後、コーン部先端を種結晶8に融着させ、絞り部9により無転位化し、上軸3と下軸5を回転させながら原料結晶棒1と単結晶棒2を、例えば1~5mm/minの速度で下降させることで浮遊帯域10を原料結晶棒1上端まで相対的に移動させてゾーニングし、単結晶棒2を成長させる。このとき、複巻誘導加熱コイル7は、内側コイル13及び、該内側コイル13よりも電気抵抗率の小さい外側コイル14により構成されるため、高周波発振機12により高周波電流を流した際に、成長中の単結晶における中心部と外周部への加熱量を均等に近づけ、これらの温度差を小さくすることができる。さらにこれによって、浮遊帯域における固液界面深さを小さくできるため、単結晶中の熱せん断応力の増加を抑制し、これによる有転位化の発生も抑止することができる。また、N型FZ単結晶またはP型FZ単結晶を製造する場合、ドープノズル20により、製造する導電型、抵抗率に応じた量の不活性ガス例えばAr、N2ベースのPH3又はB2H6を流す。このとき、原料結晶棒1の回転中心となる上軸3と、単結晶棒2の回転中心となる下軸5をずらして偏芯させて単結晶を育成することが好ましい。このように両中心軸をずらすことにより、単結晶化の際に溶融部を撹拌させ、製造する単結晶の品質をより効果的に均一化させることができる。偏芯量については特には限定されず、単結晶の直径に応じて設定すればよい。以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。ここで、以下の実施例及び比較例において、誘導加熱コイルの発熱温度分布を測定するために用いたものであり、特開平5-270966により公開されている発熱温度分布測定具について簡単に説明する。この発熱分布測定具は、誘導加熱コイルによって加熱される、該コイルと同軸且つ近接対峙位置に配置された回転対称形の被加熱体の、コイル側表面部分に複数の熱電対が設けられたものである。誘導加熱コイルから発生する高周波磁界と被加熱体とが相互作用し、被加熱体表面部が加熱され、該被加熱体表面部に配置された複数の熱電対により前記被加熱体表面部の温度分布を測定し、これによって誘導加熱コイルの発熱温度分布を測定するものである。実施例1まず、直径200mmの発熱分布測定具を使用し、図1に示したような、複合材料から構成されている本発明の2回巻の誘導加熱コイル内側コイル:材質は銅、外径160mm、電気抵抗率1.67×10-6Ωcm室温、外側コイル:材質は銀、外径280mm、電気抵抗率1.59×10-6Ωcm室温の発熱温度分布測定を実施した。ここで、発熱分布測定具は、ワークコイル下面より20mm下に、かつ誘導加熱コイルの内径中心と発熱分布測定具の中心が一致するように設置した。そして、発熱分布測定具の中心が700°Cになるように誘導加熱コイルに高周波電流を印加した。そして温度測定点は電極側0°から345°において15°刻み、かつ発熱分布測定具の中心から外周まで10mm刻みで測定を行った。このときの結果を図3及び下記表1に示す。また、抵抗率1000Ωcm以上の直径150mmのCZシリコン単結晶を原料結晶棒として、FZ法によりゾーニングを行い、直径205mmのノンドープFZシリコン単結晶を製造した。このシリコン単結晶の製造の際には、図2に示したような一般的な単結晶製造装置を用いた。また、誘導加熱コイルとしては、該発熱温度分布測定で用いたものと同じものを用いることとし、炉内圧を0.19MPa、Ar流量を50L/min、成長速度を2.0mm/min、偏芯量を12mmとした。そして、このような条件の下でFZ法によるシリコン単結晶の引上げ行った。このとき、製造されたシリコン単結晶における有転位化率は40であった。また製造されたシリコン単結晶の固液界面深さを調査したところ、27.0mmであった。このときの結果を下記表1に示す。実施例2誘導加熱コイルの外側コイルの材質を、厚さ100μmの銀メッキが施された銅外径280mm、銅の電気抵抗率1.67×10-6Ωcm室温、銀メッキの電気抵抗率1.59×10-6Ωcm室温とし、実施例1と同様に、FZ法によるシリコン単結晶の引上げ行ったところ、製造されたシリコン単結晶における有転位化率は42であった。また製造されたシリコン結晶の固液界面深さを調査したところ、27.2mmであった。このときの結果を下記表1に示す。比較例誘導加熱コイルの外側コイルの材質を、内側コイルと同様に銅外径280mm、電気抵抗率1.67×10-6Ωcm室温としたこと以外は実施例1と同様に、2回巻の誘導加熱コイルの発熱温度分布測定を実施した。このときの結果を図4及び下記表1に示す。また、誘導加熱コイルとしては、該発熱温度分布測定で用いたものと同じものを用いて、実施例1と同様にFZ法によるシリコン単結晶の引上げ行ったところ、製造されたシリコン単結晶における有転位化率が60であった。また製造されたシリコン結晶の固液界面深さを調査したところ、28.3mmであった。このときの結果を下記表1に示す。実施例1及び比較例における発熱温度分布を比較すると、誘導加熱コイルの中心から50mm位置の平均温度では、比較例に比べ実施例1においては5°C上昇、60mm位置の平均温度は8°C上昇、70mm位置の平均温度は10°C上昇、80mm位置の平均温度は12°C上昇、90mm位置の平均温度は13°C上昇、100mm位置の平均温度は14°C上昇したことがわかる。また、最大温度を示す中心から30mm位置と、最低温度を示す最外周部である中心から100mm位置の平均温度の差は、比較例では171°C、実施例1では155°Cとなり、温度差が16°C小さくなったことがわかる。そしてこれにより、得られた単結晶の固液界面深さが、比較例の28.3mmから実施例1の27.0mmと1.3mm小さくなり図5参照、有転位化率も60から40へと改善されたことがわかった。実施例2についても、固液界面深さが比較例の28,3mmから実施例2の27.2mmと1.1mm小さくなり、有転位化率も60から42へと改善されたことがわかった。また、実施例1及び実施例2において、2回巻の誘導加熱コイルを用いたが、もちろん3回巻以上の誘導加熱コイルを用いた場合であっても、同様の結果を得ることができる。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載した技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。"