"式Iで表される化合物と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂と、式B1で表される酸発生剤とを含むレジスト組成物。[式I中、Laは、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。R1及びR2は、互いに独立に、炭素数1~12の炭化水素基を表す。][式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、単結合又は炭素数1~17の2価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基がメチレン基を有している場合、そのメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基がメチレン基を有している場合、そのメチレン基は、オキシ基、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]さらに溶剤を含む請求項1記載のレジスト組成物。1請求項2記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2基板上に塗布されたレジスト組成物から前記溶剤を除去することにより、該基板上に組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。従来のレジスト組成物では、レジストパターン形成時のフォーカスマージンDOFが必ずしも満足できるものではなかった。本発明は、以下の発明を含む。1式Iで表される化合物と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸との作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂と、式B1で表される酸発生剤とを含むレジスト組成物。[式I中、Laは、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。R1及びR2は、互いに独立に、炭素数1~12の炭化水素基を表す。][式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、単結合又は炭素数1~17の2価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基がメチレン基を有している場合、そのメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基がメチレン基を有している場合、そのメチレン基は、オキシ基、スルホニル基又はカルボニル基からなる群より選ばれる基で置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]2さらに溶剤を含む上記1記載のレジスト組成物。31上記2記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2基板上に塗布されたレジスト組成物から前記溶剤を除去することにより、該基板上に組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。本発明のレジスト組成物は、レジストパターン形成時のフォーカスマージンDOFが広い。本発明のレジスト組成物は、式Iで表される化合物以下化合物Iと記載することがあると、後述する特定の樹脂と、式B1で表される酸発生剤とを含む。なお、本明細書では、特に断りのない限り、同様の置換基を有するいずれの化学構造式も、炭素数を適宜選択しながら、後述する具体的な各置換基を適用することができる。直鎖状、分岐状又は環状いずれかをとることができるものは、特記ない限りそのいずれをも含み、また、同一の基において、直鎖状、分岐状及び/又は環状の部分構造が混在していてもよい。さらに、各置換基は、結合部位によって一価又は二価の置換基となり得る。立体異性体が存在する場合は、それらの立体異性体の全てを包含する。メタアクリル系モノマーとは、CH2=CH-CO-又はCH2=CCH3-CO-の構造を有するモノマーの少なくとも1種を意味する。同様にメタアクリレート及びメタアクリル酸とは、それぞれアクリレート及びメタクリレートの少なくとも1種並びにアクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも1種を意味する。<式Iで表される化合物>式Iで表される化合物以下化合物Iということがあるは、いかの通りである。[式I中、Laは、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。R1及びR2は、互いに独立に、炭素数1~12の炭化水素基を表す。]Laの2価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の2価の飽和環状炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせたものでもよい。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、プロパン-1,2-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基、トリデカン-1,13-ジイル基、テトラデカン-1,14-ジイル基、ペンタデカン-1,15-ジイル基、ヘキサデカン-1,16-ジイル基、ヘプタデカン-1,17-ジイル基、エタン-1,1-ジイル基、プロパン-1,1-ジイル基及びプロパン-2,2-ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基;直鎖状アルカンジイル基に、アルキル基特に、炭素数1~4のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等の側鎖を有したもの、例えば、ブタン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,2-ジイル基、ペンタン-1,4-ジイル基、2-メチルブタン-1,4-ジイル基等の分岐状アルカンジイル基;シクロブタン-1,3-ジイル基、1,3-シクロペンタン-1,3-ジイル基、シクロヘキサン-1,4-ジイル基及びシクロオクタン-1,5-ジイル基等のシクロアルカンジイル基である単環式の2価の飽和環状炭化水素基;ノルボルナン-1,4-ジイル基、ノルボルナン-2,5-ジイル基、1,5-アダマンタン-1,5-ジイル基及びアダマンタン-2,6-ジイル基等の多環式の2価の飽和環状炭化水素基等が挙げられる。具体的には、以下のものが挙げられる。R1及びR2の炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及びこれらを組み合わせた基等が挙げられる。また、後述する芳香族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、1-エチルプロピル基、2-エチルプロピル基、n-ヘキシル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基、1-エチルブチル基、2-エチルブチル基、3-エチルブチル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基、イソプロピル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、2-エチルヘキシル基、tert-オクチル基等のアルキル基が挙げられる。脂環式炭化水素基としては、単環式及び多環式のいずれでもよい。また、芳香性を示さない不飽和及び飽和のいずれでもよい。具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基のシクロアルキル基;アダマンチル基、イソボルニル基、ノルボルニル基及びメチルノルボルニル基、並びに下記に示す基などが挙げられる。これらを組み合わせた基としては、下記の基が挙げられる。は結合手を表す。式Iにおいては、Laは、炭素数8~12のアルカンジイル基が好ましく、-CH28-、-CH212-がより好ましい。R1及びR2は、互いに独立に、炭素数1~6のアルキル基、炭素数3~8のシクロアルキル基、炭素数1~8のシクロアルキル-アルキル基等が好ましい。化合物Iとしては、以下の化合物が挙げられる。<化合物Iの製造方法>化合物Iは、式Iaで表される化合物と式Ibで表される化合物とを反応させることにより製造することができる。なお、式IにおけるLa、R1及びR2は上記と同じ意味を表す。式Iaで表される化合物としては、12-ブロモ-1-ドデカノール等が挙げられる。式Ibで表される化合物としては、ジメチルアミン、N-メチルブチルアミン等が挙げられる。<樹脂以下、樹脂Aという場合がある。>樹脂Aは、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂である。酸の作用によりアルカリ可溶となるとは、酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となることを意味する。このような樹脂Aは、分子内にある親水性基の一部又は全部が、酸との接触により脱離し得る保護基により保護されているものであり、樹脂Aが酸と接触すると当該保護基が脱離して、樹脂Aはアルカリ水溶液に可溶な樹脂となる。保護基により保護されている親水性基を以下、酸不安定基という。前記親水性基としては、ヒドロキシ基又はカルボキシ基が挙げられ、カルボキシ基がより好ましい。樹脂Aは、酸不安定基を有するモノマー以下、モノマーa1という場合がある。を重合することによって製造できる。かかる重合の際には、モノマーa1を1種のみ使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。<モノマーa1>モノマーa1は酸不安定基を有する。親水性基がカルボキシ基である場合の酸不安定基は、カルボキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、オキシ基と結合する有機残基の原子が第三級炭素原子である基が挙げられる。このような酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は、例えば、以下の式1で表されるもの以下、場合により酸不安定基1という。である。式1中、Ra1、Ra2及びRa3以下、Ra1~Ra3のように表記する。以下同様は、それぞれ独立に、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表すか、或いは、Ra1及びRa2は互いに結合して、それらが結合する炭素原子とともに炭素数3~20の環を形成する。該脂肪族炭化水素基、該脂環式炭化水素基又はRa1及びRa2が互いに結合して形成される環がメチレン基を有する場合、そのメチレン基は、オキシ基、チオキシ基-S-又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。は結合手を表す。Ra1~Ra3の脂肪族炭化水素としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、1-エチルプロピル基、2-エチルプロピル基、n-ヘキシル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基、1-エチルブチル基、2-エチルブチル基、3-エチルブチル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基、イソプロピル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、2-エチルヘキシル基、tert-オクチル基等のアルキル基が挙げられる。脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の飽和炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基、下記のような基等が挙げられる。脂環式炭化水素基は、飽和の脂環式炭化水素基であることが好ましく、その炭素数が3~16の範囲であることが好ましい。Ra1及びRa2が互いに結合して形成する環は、-CRa1Ra2Ra3で表される基として、以下に示すような基が挙げられる。このような環の炭素数は、好ましくは3~12である。酸不安定基1の具体例は、1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1~Ra3が全てアルキル基である基、このアルキル基のうち、1つはtert-ブトキシカルボニル基であると好ましい。、2-アルキルアダマンタン-2-イルオキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2が互いに結合し、これらが結合する炭素原子とともにアダマンチル環を形成し、Ra3がアルキル基である基及び1-アダマンタン-1-イル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基などが挙げられる。一方、親水性基がヒドロキシ基である場合の酸不安定基は、該ヒドロキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、アセタール構造を含む基となったものが挙げられる。このような酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は例えば、以下の式2で表されるもの以下、場合により酸不安定基2というである。式2中、Rb1及びRb2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表し、Rb3は、炭素数1~20の炭化水素基を表すか、或いは、Rb2及びRb3は互いに結合して、それらが各々結合する炭素原子及び酸素原子とともに炭素数3~20の環を形成する。炭化水素基又はRb2及びRb3は互いに結合して形成される環がメチレン基を有する場合、そのメチレン基は、オキシ基、チオキシ基-S-又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。は結合手を表す。Rb1及びRb2の炭化水素基は、例えば、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基が挙げられる。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、p-メチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、2,6-ジエチルフェニル基、2-メチル-6-エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。Rb1~Rb2のうち、少なくとも1つは水素原子であることが好ましい。酸不安定基2の具体例としては、以下の基が挙げられる。酸不安定基を有するモノマーa1は、好ましくは、酸不安定基と炭素-炭素二重結合とを有するモノマー、より好ましくは酸不安定基を有するメタアクリル系モノマーである。特に、モノマーa1は、好ましくは、酸不安定基1及び/又は酸不安定基2と、炭素-炭素二重結合とをともに分子内に有するモノマーであり、より好ましくは酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーである。酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーの中でも、酸不安定基1が、炭素数5~20の脂環式炭化水素構造を有する基が好ましい。このような立体的に嵩高い脂環式炭化水素構造を有する基を有するモノマーa1を重合して得られる樹脂Aは、該樹脂Aを含む本レジスト組成物を用いてレジストパターンを製造したとき、より良好な解像度でレジストパターンを製造することができる。脂環式炭化水素構造を含む酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーの中でも、式a1-1で表されるモノマー以下、モノマーa1-1という。及び式a1-2で表されるモノマー以下、モノマーa1-2という。が好ましい。樹脂Aを製造する際、これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。式a1-1及び式a1-2中、La1及びLa2は、それぞれ独立に、オキシ基又は-O-CH2k1-CO-O-で表される基を表す。ここで、k1は1~7の整数を表し、はカルボニル基-CO-との結合手を表す。Ra4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表し、n1は0~10の整数を表す。n1’は0~3の整数を表す。なお、式a1-1においてアダマンタン環にある-CH3m1の表記は、アダマンタン環を構成する炭素原子に結合する水素原子すなわちメチレン基及び/又はメチン基の水素原子が、メチル基に置き換わっており、該メチル基の個数がm1個であることを意味する。式a1-1及び式a1-2においては、La1及びLa2は、好ましくは、オキシ基又は-O-CH2f1-CO-O-但し、f1は1~4の整数を表すで表される基あり、より好ましくはオキシ基である。f1は、より好ましくは1である。Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。Ra6又はRa7の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数6以下の基である。Ra6又はRa7の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数8以下であり、より好ましくは6以下である。Ra6又はRa7が脂環式炭化水素基である場合、飽和及び不飽和のいずれでもよいが、飽和脂環式炭化水素基であることが好ましい。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1’は、好ましくは0又は1である。モノマーa1-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。これらの中でも、モノマーa1-1としては、2-メチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート、2-エチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート及び2-イソプロピルアダマンタン-2-イルメタアクリレートが好ましく、2-メチルアダマンタン-2-イルメタクリレート、2-エチルアダマンタン-2-イルメタクリレート及び2-イソプロピルアダマンタン-2-イルメタクリレートがより好ましい。モノマーa1-2としては、例えば、以下のものが挙げられる。これらの中でも、モノマーa1-2としては、1-エチルシクロヘキシルメタアクリレートが好ましく、1-エチルシクロヘキシルメタクリレートがより好ましい。樹脂Aをモノマーa1-1及び/又はモノマーa1-2を用いて製造する場合、得られる樹脂Aの全構造単位を100モルとしたとき、これらモノマーに由来する構造単位の含有量の合計は、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。モノマーa1-1に由来する構造単位及び/又はモノマーa1-2に由来する構造単位の含有量の合計を、このような範囲にするためには、樹脂Aを製造する際に、全モノマーの使用量に対するモノマーa1-1及び/又はモノマーa1-2の使用量を調整すればよい。樹脂Aの製造には、該メタアクリル系モノマーすなわちモノマーa1-1及びモノマーa1-2以外に、酸不安定基1と炭素-炭素二重結合とを分子内に有する他のモノマーを用いることもできる。このような他のモノマーとして、例えば、以下の式a1-3で表されるノルボルネン環を有するモノマー以下、モノマーa1-3という場合がある。が挙げられる。式a1-3中、Ra9は、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3の脂肪族炭化水素基、カルボキシル基、シアノ基又は-COORa13を表す。Ra13は、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Ra10、Ra11及びRa12は、それぞれ独立に、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表すか、或いは、Ra10及びRa11が互いに結合して、これらが結合している炭素原子とともに、炭素数3~20の環を形成し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基等で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。ここで、Ra9の-COORa13としては例えば、メトキシカルボニル基及びエトキシカルボニル基等が挙げられる。ヒドロキシ基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などが挙げられる。アルコキシカルボニル基は例えば、メトキシカルボニル基及びエトキシカルボニル基等のアルコキシ基にカルボニル基が結合した基が挙げられる。脂肪族炭化水素基及び脂環式炭化水素基としては例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、2-オキソ-オキソラン-3-イル基、又は2-オキソ-オキソラン-4-イル基などが挙げられる。Ra10~Ra12としては例えば、メチル基、エチル基、シクロへキシル基、メチルシクロへキシル基、ヒドロキシシクロへキシル基、オキソシクロへキシル基及びアダマンチル基等が挙げられる。Ra10及びRa11が互いに結合して形成される環は脂環式炭化水素の環が好ましく、具体的には、シクロへキサン環及びアダマンタン環等が挙げられる。モノマーa1-3としては例えば、5-ノルボルネン-2-カルボン酸-tert-ブチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-シクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチルシクロヘキシル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-メチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-エチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-メチルシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-ヒドロキシシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチル-1-4-オキソシクロヘキシルエチル及び5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-1-アダマンチル-1-メチルエチル等が挙げられる。モノマーa1-3を用いて製造された樹脂Aにはモノマーa1-3に由来する、立体的に嵩高い構造単位が含まれることになる。したがって、この構造単位を有する樹脂Aを含む本レジスト組成物を用いてレジストパターンを製造すれば、より良好な解像度でレジストパターンを得ることができる。さらにモノマーa1-3を用いることにより、樹脂Aの主鎖に剛直なノルボルナン環を導入できるため、該樹脂Aを含む本レジスト組成物は、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ易いという傾向がある。上述のように、良好な解像度でレジストパターンを製造できることや、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ易いという点では、樹脂Aの全構造単位100モルに対する、モノマーa1-3に由来する構造単位の含有量は10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。また、他のモノマーとしては、以下の式a1-4で表されるモノマー以下、モノマーa1-4という場合がある。も用いることができる。式a1-4中、Ra32は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。Ra33は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。laは0~4の整数を表す。laが2以上である場合、複数のRa33は同一であっても異なってもよい。Ra34及びRa35はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表す。Xa2は、単結合又は2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基で置換されていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、カルボニル基、オキシ基、チオキシ基、スルホニル基-SO2-又は-NRc-で示される基で置き換わっていてもよい。ここで、Rcは、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。Ya3は、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基であり、該脂肪族炭化水素基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基の各々に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基で置換されていてもよい。ハロゲン原子は例えば、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子などである。ハロゲン原子を有してもよいアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルクロロメチル基、ペルブロモメチル基及びペルヨードメチル基などが挙げられる。アルコキシ基としては例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロピポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、n-ペントキシ基及びn-ヘキトキシ基などが挙げられる。アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基などが挙げられる。アシルオキシ基としては、例えば、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基及びブチリルオキシ基などが挙げられる。炭化水素基は、例えば、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれかである。脂肪族炭化水素基としては、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基が好ましい。脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、アダマンチル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基及びイソボルニル基等が好ましい。Ra32及びRa33がアルキル基である場合、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ra33のアルコキシ基としては、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。Ra34及びRa35の炭化水素基としては、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基及びイソボルニル基等が好ましい。上述したように、Xa2及びYa3は、これらに含まれる水素原子がハロゲン原子、ヒドロキシ基等に置換されていてもよいが、このように水素原子が置換されている場合、その置換基は好ましくはヒドロキシ基である。モノマーa1-4としては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。樹脂Aが、モノマーa1-4に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。酸不安定基2を有するモノマーa1は、メタアクリル系モノマーが好ましく、例えば、式a1-5で表されるモノマー以下、モノマーa1-5という場合がある。が挙げられる。式a1-5中、R31は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。L1~L3は、オキシ基、チオキシ基又は-O-CH2k1-CO-O-で表される基を表す。ここで、k1は1~7の整数を表し、はカルボニル基-CO-との結合手である。Z1は、単結合又は炭素数1~6のアルキレン基であり、該アルキレン基中に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。s1及びs1’は、それぞれ独立して、0~4の整数を表す。式a1-5においては、R31は、水素原子又はメチル基が好ましい。L1は、オキシ基が好ましい。L2及びL3は、一方がオキシ基、他方がチオキシ基であること好ましい。s1は、1が好ましい。s1’は、0~2が好ましい。Z1は、単結合又は-CH2-CO-O-が好ましい。モノマーa1-5として例えば、以下のモノマーが挙げられる。樹脂Aが、モノマーa1-5に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定モノマー>レジスト組成物に用いる樹脂Aとしては、モノマーa1に加えて、酸不安定基を有さないモノマー以下酸安定モノマーという場合があるを用いて得られる共重合体であることが好ましい。酸安定モノマーを併用して樹脂Aを製造する場合、モノマーa1の使用量を基準にして、酸安定性モノマーの使用量を定めるとよい。モノマーa1の使用量と酸安定モノマーの使用量の割合は、モノマーa1/酸安定モノマーで表して、好ましくは10~80モル/90~20モルであり、より好ましくは20~60モル/80~40モルである。また、アダマンチル基を有するモノマー特に、モノマーa1-1を、モノマーa1に用いる場合、該モノマーa1の使用量の総量100モルに対して、アダマンチル基を有するモノマーの使用量を15モル以上とすることが好ましい。このようにすると、樹脂Aを含むレジスト組成物から得られるレジストパターンのドライエッチング耐性がより良好になる傾向がある。酸安定モノマーとしては、ヒドロキシ基又はラクトン環を分子内に有するものが挙げられる。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa2という場合がある。及び/又はラクトン環を含有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa3という場合がある。に由来する構造単位を有する樹脂Aは、樹脂Aを含むレジスト組成物を基板に塗布したとき、基板上に形成される塗布膜又は塗布膜から得られる組成物層が基板との間に優れた密着性を発現し易くなる。また、このようなレジスト組成物は良好な解像度で、レジストパターンを製造することができる。<酸安定モノマーa2>酸安定モノマーa2を樹脂Aの製造に用いる場合、樹脂Aを含むレジスト組成物からレジストパターンを得る際の露光源の種類によって、各々、好適な酸安定モノマーa2を挙げることができる。すなわち、本レジスト組成物を、KrFエキシマレーザ露光波長:248nm、電子線あるいはEUV光などの高エネルギー線露光に用いる場合には、酸安定モノマーa2として、フェノール性水酸基を有する酸安定モノマーa2-0例えば、ヒドロキシスチレン類等を樹脂Aの製造に用いることが好ましい。短波長のArFエキシマレーザ露光波長:193nmを用いる場合は、酸安定モノマーa2として、後述の式a2-1で表される酸安定モノマーを樹脂Aの製造に用いることが好ましい。このように、樹脂A製造に用いる酸安定モノマーa2は各々、レジストパターンを製造する際の露光源によって好ましいものを選ぶことができるが、当該酸安定モノマーa2は、露光源の種類に応じて好適なモノマー1種のみを用いて樹脂Aを製造してもよく、露光源の種類に応じて好適なモノマー2種以上を用いて樹脂Aを製造してもよく、或いは、露光源の種類に応じて好適なモノマーと、それ以外の酸安定モノマーa2とを組み合わせた2種以上を用いて樹脂Aを製造してもよい。酸安定モノマーa2としては、以下の式a2-0で表されるp-又はm-ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマー以下、酸安定モノマーa2-0という。が挙げられる。なお、この式a2-0は、フェノール性水酸基が適当な保護基で保護されていない形式で示す。[式a2-0中、Ra30は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。Ra31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maは0~4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31はそれぞれ独立である。]Ra30のハロゲン原子及びハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基の具体例は、前記モノマーa1-4のRa32の説明で例示したものと同じものを挙げることができる。これらのうち、Ra30は、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。R31のアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、炭素数1又は2のアルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ra31のアルコキシ基の具体例は、前記モノマーa1-4のRa33の説明で例示したものと同じものを挙げることができる。これらのうち、Ra31は、炭素数1~4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。maは0、1又は2が好ましく、0又は1がより好ましく、0がさらに好ましい。このような酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位を有する樹脂Aを製造する場合は、酸安定モノマーa2-0にあるフェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護されてなるモノマー保護フェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーを用いることもできる。ここでいう保護基としては例えば、アセチル基等が好ましい。アセチル基で保護されたフェノール性ヒドロキシ基は、酸との接触により該アセチル基が脱保護されるため、アセチル基で保護されたフェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーに由来する構造単位からは容易に、酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位と同じものを形成することができる。ただし、本発明に用いる樹脂Aは上述のとおり、酸不安定基を有するモノマーa1に由来する構造単位を有しているので、フェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護されてなるモノマーに由来する構造単位を脱保護する際には、この酸不安定基を著しく損なわないようにして、脱保護を実施する必要がある。酸安定モノマーa2-0としては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。なお、以下の例示でも、フェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護されていない形式で示す。なかでも、4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンが特に好ましい。4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンを用いて樹脂Aを製造する際には、これらにあるフェノール性ヒドロキシ基を保護基で保護したものを用いることが好ましい。樹脂Aが、酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~95モルの範囲から選ばれ、10~80モルの範囲がより好ましく、15~80モルの範囲がさらに好ましい。酸安定モノマーa2-1としては、以下の式a2-1で表されるモノマーが挙げられる。式a2-1中、La3は、オキシ基又は-O-CH2k2-CO-O-を表し、k2は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。式a2-1では、La3は、好ましくは、オキシ基、-O-CH2f1-CO-O-ここでf1は、1~4の整数であるであり、より好ましくはオキシ基である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。酸安定モノマーa2-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。これらの中でも、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート、3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート及びメタアクリル酸1-3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルオキシカルボニルメチルが好ましく、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート及び3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレートがより好ましく、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタクリレート及び3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタクリレートがさらに好ましい。樹脂Aが、酸安定モノマーa2-1に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、3~40モルの範囲から選ばれ、5~35モルの範囲がより好ましく、5~30モルの範囲がさらに好ましく、5~15モルが特に好ましい。<酸安定モノマーa3>酸安定モノマーa3が有するラクトン環は例えば、β-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環及びδ-バレロラクトン環のような単環式でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ-ブチロラクトン環及びγ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。酸安定モノマーa3は好ましくは、以下の式a3-1、式a3-2又は式a3-3で表されるものである。樹脂Aの製造においては、これらのうち1種のみを使用してもよく、2種以上を併用してもよい。なお、以下の説明においては、式a3-1で示される酸安定モノマーa3を酸安定モノマーa3-1といい、式a3-2で示される酸安定モノマーa3を酸安定モノマーa3-2といい、式a3-3で示される酸安定モノマーa3を酸安定モノマーa3-3という。式a3-1、式a3-2及び式a3-3中、La4、La5及びLa6以下、La4~La6のように表記する。は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2k3-CO-O-を表す。k3は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra18、Ra19及びRa20以下、Ra18~Ra20のように表記する。は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra21は、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表す。p1は0~5の整数を表す。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表す。q1及びr1は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。p1、q1又はr1が2以上のとき、それぞれ、複数のRa21、Ra22又はRa23は、それぞれ独立である。式a3-1~式a3-3中のLa4~La6としては、La3で説明したものが挙げられる。La4~La6は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2d1-CO-O-であることが好ましくここでd1は、1~4の整数である、より好ましくは-O-である。Ra18~Ra21は、好ましくはメチル基である。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。p1、q1及びr1は、それぞれ独立に、好ましくは0~2の整数であり、より好ましくは0又は1である。酸安定モノマーa3-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-2としては、例えば以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とシクロヘキサン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-3は例えば、以下のものが挙げられる。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3の中でも、メタアクリル酸5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イル、メタアクリル酸テトラヒドロ-2-オキソ-3-フリル、メタアクリル酸2-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イルオキシ-2-オキソエチルといったメタクリレートエステル類がより好ましい。樹脂Aが、モノマーa3-1に由来する構造単位、モノマーa3-2に由来する構造単位及びモノマーa3-3に由来する構造単位からなる群より選ばれる構造単位酸安定モノマーa3に由来する構造単位を有する場合、その合計含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~60モルが好ましく、5~50モルがより好ましく、10~40モルの範囲がさらに好ましく、15~40モルの範囲が特に好ましい。また、モノマーa3-1に由来する構造単位、モノマーa3-2に由来する構造単位及びモノマーa3-3に由来する構造単位それぞれの含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~60モルが好ましく、10~55モルがより好ましく、20~50モルがさらに好ましい。<酸安定モノマーa4>さらに、酸安定モノマーa2及び酸安定モノマーa3以外の酸安定モノマー以下酸安定モノマーa4という場合がある。としては、下記式a4-1で表される無水マレイン酸、下記式a4-2で表される無水イタコン酸、及び、下記式a4-3で表されるノルボルネン環を有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa4-3という場合がある。などが挙げられる。式a4-3中、Ra25及びRa26は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3の脂肪族炭化水素基、シアノ基、カルボキシ基又はアルコキシカルボニル基-COORa27、ここで、Ra27は、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、オキソ基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。但し-COORa27が酸不安定基となるものは除く即ちRa27は、第三級炭素原子が-O-と結合するものを含まないを表すか、或いはRa25及びRa26は互いに結合して-CO-O-CO-を形成する。モノマーa4-3のRa25及びRa26において、ヒドロキシ基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Ra27の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~8、より好ましくは炭素数1~6の基である。飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数4~18、より好ましくは炭素数4~12の基である。このRa27としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、2-オキソ-オキソラン-3-イル基及び2-オキソ-オキソラン-4-イル基などが挙げられる。ノルボルネン環を有する酸安定モノマーa4-3としては、例えば、2-ノルボルネン、2-ヒドロキシ-5-ノルボルネン、5-ノルボルネン-2-カルボン酸、5-ノルボルネン-2-カルボン酸メチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-ヒドロキシ-1-エチル、5-ノルボルネン-2-メタノール、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物などが挙げられる。樹脂Aが、式a4-1で表される無水マレイン酸に由来する構造単位、式a4-2で表される無水イタコン酸に由来する構造単位及びモノマーa4-3に由来する構造単位からなる群より選ばれる構造単位酸安定モノマーa4に由来する構造単位を有する場合、その合計含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、2~40モルの範囲が好ましく、3~30モルの範囲がより好ましく、5~20モルの範囲がさらに好ましい。また、酸安定モノマーa4としては、例えば、式a4-4で表されるスルトン環を有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa4-4という場合がある。などが挙げられる。式a4-4中、La7は、-O-又は-O-CH2k2-CO-O-を表し、k2は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra28は、水素原子又はメチル基を表す。W16は、置換基を有していてもよいスルトン環を含む残基を表す。スルトン環としては、下記に示すものが挙げられる。スルトン環を含む残基は、例えば、下記スルトン環にある水素原子の1つが、La7との結合手に置き換わったものが挙げられる。置換基を有していてもよいスルトン環を含む残基とは、上述のLa7との結合手に置き換わった水素原子以外の水素原子がさらに置換基で置換されたものであり、該置換基としては、水酸基、シアノ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のフッ素化アルキル基、炭素数1~6のヒドロキシアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数1~7のアルコキシカルボニル基、炭素数1~7のアシル基又は炭素数1~8のアシルオキシ基が挙げられる。フッ素化アルキル基としては、例えば、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、1,1-ジフルオロエチル基、2,2-ジフルオロエチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、1,1,2,2-テトラフルオロプロピル基、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロプロピル基、ペルフルオロエチルメチル基、1-トリフルオロメチル-1,2,2,2-テトラフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、1,1,2,2-テトラフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3,4,4-オクタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、1,1-ビストリフルオロメチル-2,2,2-トリフルオロエチル基、2-ペルフルオロプロピルエチル基、1,1,2,2,3,3,4,4-オクタフルオロペンチル基、ペルフルオロペンチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルオロペンチル基、1,1-ビストリフルオロメチル-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル基、ペルフルオロペンチル基、2-ペルフルオロブチルエチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルオロヘキシル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-ドデカフルオロヘキシル基、ペルフルオロペンチルメチル基及びパーフルオロヘキシル基が挙げられる。なかでも、その炭素数が1~4であることが好ましく、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基及びペルフルオロプロピル基がより好ましく、トリフルオロメチル基が特に好ましい。ヒドロキシアルキル基としては、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などが挙げられる。酸安定モノマーa4-4の具体例を下記に示す。樹脂Aが、酸安定モノマーa4-4に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、2~40モルの範囲が好ましく、3~35モルの範囲がより好ましく、5~30モルの範囲がさらに好ましい。さらに、酸安定モノマーa4としては、例えば、以下に示すようなフッ素原子を有する酸安定モノマーモノマー以下、酸安定モノマーa4-5という場合がある。も使用できる。このようなモノマーの中でも、単環式又は多環式の脂環式炭化水素基を有するメタアクリル酸5-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸6-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸4,4-ビストリフルオロメチル-3-オキサトリシクロ[4.2.1.02,5]ノニルが好ましい。樹脂Aが、酸安定モノマーa4-5に由来する構造単位を有する場合、その合計含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、1~20モルの範囲が好ましく、2~15モルの範囲がより好ましく、3~10モルの範囲がさらに好ましい。<式3で表される基を有するその他の酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa5という場合がある。>本発明の樹脂Aの製造には、式3で表される基を有するその他の酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa5という場合がある。を用いてもよい。<酸安定モノマーa5>モノマーa5は以下の式3で表される基を有する。[式3中、R10は、炭素数1~6のフッ化アルキル基を表す。]R10のフッ化アルキル基は、その炭素数が1~4であると好ましく、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基及びペルフルオロプロピル基がより好ましく、トリフルオロメチル基が特に好ましい。酸安定モノマーa5としては、例えば、以下で表されるものが挙げられる。樹脂Aが、酸安定モノマーa5に由来する構造単位に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~90モルの範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。<式4で表される基を有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa6という場合がある。>酸安定モノマーa6は以下の式4で表される基を有するものである。[式4中、R11は置換基を有してもよい炭素数6~12の芳香族炭化水素基を表す。R12は、置換基を有してもよい炭素数1~12の炭化水素基を表し、該炭化水素基は、ヘテロ原子を含んでいてもよい。A2は、単結合、-CH2m-SO2-O-又は-CH2m-CO-O-を表し、ここに示す該-CH2m-に含まれるメチレン基は、オキシ基、カルボニル基又はスルホニル基で置き換わっていてもよく、-CH2m-に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。mは、1~12の整数を表す。]芳香族炭化水素基の置換基としては、炭素数1~4のアルキル基、ハロゲン原子、フェニル基、ニトロ基、シアノ基、水酸基、フェニルオキシ基及びtert-ブチルフェニル基などが挙げられる。R11としては、以下の基が挙げられる。なお、は炭素原子との結合手である。R12における炭素数1~12の炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基が挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-ウンデシル基及びドデシル基などの直鎖状;イソプロピル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、メチルペンチル基、エチルペンチル基、メチルヘキシル基、エチルヘキシル基、プロピルヘキシル基及びtert-オクチル基などの分岐鎖状でもよい。好ましくはイソプロピル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基及びエチルヘキシル基である。脂環式炭化水素基としては、以下に表される基が挙げられる。R12が脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基である場合、これら脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基はヘテロ原子を含んでいてもよい。ヘテロ原子としては、ハロゲン原子、硫黄原子、酸素原子又は窒素原子などである連結基として、スルホニル基、カルボニル基を含む形態でもよい。このようなヘテロ原子を含むR12としては、以下の基が挙げられる。A2としては、下記の基が挙げられる。酸安定モノマーa6としては、例えば、式a6-1で表されるモノマーが好ましい。[式a6-1中、R13は、水素原子又はメチル基を表す。R11、R12及びA2は、上記と同じ意味を表す。]式a6-1で表される化合物としては、例えば、以下で表される化合物が挙げられる。樹脂Aが、モノマーa6-1に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~90モルの範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。好ましい樹脂Aは、モノマーa1と、酸安定モノマーa2及び/又は酸安定モノマーa3とを重合させて得られる共重合体である。この好ましい共重合体において、モノマーa1として、上述のモノマーa1-1及びモノマーa1-2の少なくとも1種を用いることが好ましく、モノマーa1-1を用いることがさらに好ましい。酸安定モノマーa2としては、酸安定モノマーa2-1が好ましく、酸安定モノマーa3としては、酸安定モノマーa3-1及び酸安定モノマーa3-2の少なくとも1種が好ましい。樹脂Aは、モノマーa1と、必要に応じて、酸安定モノマーa2、酸安定モノマーa3及び酸安定モノマーa4からなる群より選ばれる酸安定モノマーとを用い、これらが上述のとおりの樹脂Aの全構造単位に対する好適な含有量になるようにして使用量を調節した後、公知の重合法例えばラジカル重合法により製造することができる。樹脂Aの重量平均分子量は、好ましくは2,500以上であり、より好ましくは3,000以上である。該重量平均分子量の上限は50,000以下が好ましく、30,000以下がさらに好ましい。なお、ここでいう重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものであり、該分析の詳細な分析条件は、本願の実施例で詳述する。<酸発生剤以下、酸発生剤Bということがある。>酸発生剤Bとしては、以下の式B1で表される酸発生剤Bが挙げられる。この酸発生剤B1と化合物Iとを含むレジスト組成物は、良好なフォーカスマージンDOFでレジストパターンを製造できるという利点がある。なお、以下の説明において、この酸発生剤B1のうち、正電荷を有するZは有機カチオンといい、該有機カチオンを除去してなる負電荷を有するものをスルホン酸アニオンということがある。式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、単結合又は2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、前記2価の飽和炭化水素基がメチレン基を有する場合、このメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基がメチレン基を含む場合、そのメチレン基は、オキシ基、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。Q1及びQ2のペルフルオロアルキル基は例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基及びペルフルオロヘキシル基等が挙げられる。式B1では、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子が好ましく、Q1及びQ2がともにフッ素原子がより好ましい。Q1及びQ2がともにフッ素原子である酸発生剤B1を、化合物Iを含むレジスト組成物に用いることにより、より広いフォーカスマージンでレジストパターンを製造することができる。Lb1における前記2価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基が、オキシ基又はカルボニル基で置き換わったものとしては、例えば、以下の式b1-1、式b1-2、式b1-3、式b1-4、式b1-5及び式b1-6以下、式b1-1~式b1-6のように表記する。のいずれかで示される基が挙げられる。Lb1は、好ましくは式b1-1~式b1-4のいずれかで示される基であり、さらに好ましくは式b1-1で示される基又は式b1-2で示される基である。なお、式b1-1~式b1-6は、その左右を式B1に合わせて記載しており、左側の結合手は、CQ1Q2と結合し、右側の結合手はYと結合している。以下の式b1-1~式b1-6の具体例も同様である。なお、は結合手を表し、一方はYと、他方はCQ1Q2の炭素原子と結合している。式b1-1~式b1-6中、Lb2は、単結合又は炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb3は、単結合又は炭素数1~12の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb4は、炭素数1~13の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb3及びLb4の合計炭素数の上限は13である。Lb5は、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb6及びLb7は、それぞれ独立に、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb6及びLb7の合計炭素数の上限は16である。Lb8は、炭素数1~14の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb9及びLb10は、それぞれ独立に、炭素数1~11の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb9及びLb10の合計炭素数の上限は12である。酸発生剤B1としては、これらの中でも、式b1-1で表される2価の基をLb1として有する酸発生剤B1が好ましく、Lb2が単結合又はメチレン基である式b1-1で表される2価の基を有するものがより好ましい。式b1-1で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-2で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-3で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-4で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-5で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-6で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。Lb1の2価の飽和炭化水素基は、置換基を有していてもよい。この置換基は例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基及びグリシジルオキシ基等が挙げられる。式B1におけるYの脂肪族炭化水素基としてはアルキル基が好ましく、炭素数1~6のアルキル基がさらに好ましい。Yの脂環式炭化水素基とは、シクロアルキル基が好ましく、炭素数3~12のシクロアルキル基がさらに好ましい。シクロアルキル基は単環式であっても、多環式であってもよい。また、環を構成する原子としてのみ炭素原子を有するシクロアルキル基に留まらず、環を構成する原子の炭素原子にアルキル基が結合してなる基もシクロアルキル基とする。脂肪族炭化水素基及び脂環式炭化水素基は任意に置換基を有する。ここで、置換基を有する脂肪族炭化水素基とは、該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子が、置換基で置換されている基を意味する。一方、置換基を有する脂環式炭化水素基とは、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子が、置換基で置換されている基を意味する。ここでいう置換基は例えば、ハロゲン原子但し、フッ素原子を除く、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基、グリシジルオキシ基又は-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基式中、Rb1は、炭素数1~16の脂肪族炭化水素基、炭素数3~16の飽和環状炭化水素基及び炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。j2は、0~4の整数を表す。等が挙げられる。この置換基である脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びアラルキル基には、例えば、アルキル基、ハロゲン原子又はヒドロキシ基を有していてもよい。また、脂肪族炭化水素基に任意に有する置換基としては、炭素数3~16の脂環式炭化水素基でもよい。Yの脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、オキシ基、スルホニル基-SO2-又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基が、オキシ基、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わった基としては例えば、環状エーテル基脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基の1つ又は2つがオキシ基に置き換わった基、環状ケトン基脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基の1つ又は2つがカルボニル基に置き換わった基、スルトン環基脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、オキシ基及びスルホニル基に置き換わった基及びラクトン環基脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、オキシ基及びカルボニル基に置き換わった基等が挙げられる。特に、Yの脂環式炭化水素基としては、式Y1、式Y2、式Y3、式Y4、式Y5、式Y6、式Y7、式Y8、式Y9、式Y10、式Y11、式Y12、式Y13、式Y14、式Y15、式Y16、式Y17、式Y18、式Y19、式Y20、式Y21、式Y22、式Y23、式Y24、式Y25及び式Y26以下、式Y1~式Y26のように表記する。のいずれかで表される基が挙げられる。このうち、脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基の1~3個がそれぞれ、オキシ基、スルホニル基及びカルボニル基からなる群より選ばれる2価の基に置き換わった基としては、式Y12~式Y26で表される基が挙げられる。なお、これら式Y1~式Y26で表される基において、はLb1に結合している結合手を表す。Yとしては、これらの例示の中でも、式Y1~式Y19のいずれかで表される基が好ましく、式Y11、式Y14、式Y15又は式Y19で表される基がさらに好ましく、式Y11又は式Y14で表される基がより好ましい。環を構成する原子の炭素原子にアルキル基が結合してなる脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。芳香族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。Yとしては、ヒドロキシ基等を置換基として有していてもよいアダマンチル基であると好ましく、好適なYとしてはアダマンチル基又はヒドロキシアダマンチル基を挙げることができる。スルホン酸アニオンとしては、式b1-1-1、式b1-1-2、式b1-1-3、式b1-1-4、式b1-1-5、式b1-1-6、式b1-1-7、式b1-1-8及び式b1-1-9以下、式b1-1-1~式b1-1-1-9のように表記する。で表されるスルホン酸アニオンが挙げられる。この式b1-1-1~式b1-1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンにおいて、Lb1は式b1-1で表される基が好ましい。また、Rb2及びRb3は、それぞれ独立に、Yの脂肪族炭化水素基又脂環式炭化水素基が有していてもよい置換基として挙げたものと同じであり、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基及びヒドロキシ基が好ましく、メチル基及びヒドロキシ基がより好ましい。Yが無置換の脂肪族炭化水素基又は無置換の脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが無置換の脂環式炭化水素基又は置換基として脂肪族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、芳香族炭化水素基又はアラルキル基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記環状エーテル基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記ラクトン環基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記環状ケトン基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記スルトン環基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、脂肪族炭化水素基又は無置換の脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、芳香族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記環状エーテル基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記ラクトン環基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記環状ケトン基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記スルトン環基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、脂肪族炭化水素基であり、Lb1が式b1-3で表される2価の基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、アルコキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-3で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-3で表される2価の基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。Yが、前記環状ケトン基であり、Lb1が式b1-3で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-4で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、アルコキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-4で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-4で表される基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。Yが前記環状ケトン基であり、Lb1が式b1-4で表される2価の基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。以上例示したスルホン酸アニオンの中でも、Lb1が式b1-1で表される基であるものが好ましい。より好ましいスルホン酸アニオンを以下に示す。酸発生剤に含まれるカチオンは例えば、オニウムカチオン、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン及びホスホニウムカチオン等が挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。酸発生剤B1中の有機カチオンZとしてもスルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、さらに好ましくは、以下の式b2-1、式b2-2、式b2-3及び式b2-4のいずれかで表される有機カチオン以下、各式の番号に応じて、カチオンb2-1、カチオンb2-2、カチオンb2-3及びカチオンb2-4ということがある。である。式b2-1~式b2-4において、Rb4、Rb5及びRb6は、それぞれ独立に、炭素数1~30の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基で置換されていてもよい。Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。Rb9、Rb10及びRb11以下、Rb9~Rb11のように表記する。は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基であり、これらが脂肪族炭化水素基である場合、その炭素数は1~12であることが好ましく、脂環式炭化水素基である場合、その炭素数は3~18であることが好ましく、4~12であることがさらに好ましい。Rb12は、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。Rb9とRb10との組み合わせ、及び/又は、Rb11とRb12との組み合わせは、それぞれ独立に、互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環の脂環式炭化水素環を形成していてもよく、該脂環式炭化水素環に含まれるメチレン基が、オキシ基、チオキシ基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Rb13~Rb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Lb11は、-S-又は-O-を表す。o2、p2、s2及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2が2以上であるとき、複数のRb13は互いに同一でも異なっていてもよく、p2が2以上であるとき、複数のRb14は互いに同一でも異なっていてもよく、s2が2以上であるとき、複数のRb15は互いに同一でも異なっていてもよく、t2が2以上であるとき、複数のRb18は互いに同一でも異なっていてもよい。アルキルカルボニルオキシ基としては例えば、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n-プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n-ブチルカルボニルオキシ基、sec-ブチルカルボニルオキシ基、tert-ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2-エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、好ましくは、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基等である。脂環式炭化水素基としては、好ましくは、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基及びイソボルニル基等である。芳香族炭化水素基は、好ましくは例えば、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-シクロへキシルフェニル基、4-メトキシフェニル基、ビフェニリル基及びナフチル基等である。脂肪族炭化水素基を有する芳香族炭化水素基としては、アラルキル基が挙げられ、具体的にはベンジル基等が挙げられる。Rb9とRb10との組み合わせが結合して形成する環としては例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環及び1,4-オキサチアン-4-イウム環等が挙げられる。Rb11とRb12との組み合わせが結合して形成する環としては例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環等が挙げられる。中でも、カチオンb2-1が好ましく、以下の式b2-1-1で表される有機カチオン以下、カチオンb2-1-1という。がより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0である。又はトリトリルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=1であり、R19、R20及びR21がいずれもメチル基である。がさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。該脂肪族炭化水素基としては、炭素数は1~12の脂肪族炭化水素基が好ましく、炭素数1~12のアルキル基がより好ましい。該脂肪族炭化水素基は、置換基として、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を有していてもよい。該脂環式炭化水素基の炭素数は4~18であることが好ましい。前記脂環式炭化水素基は、置換基として、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよい。v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2が2以上のとき、複数のRb19は互いに同一でも異なっていてもよく、w2が2以上のとき、複数のRb20は互いに同一でも異なっていてもよく、x2が2以上のとき、複数のRb21は互いに同一でも異なっていてもよい。なかでも、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、又は炭素数1~12のアルコキシ基であることが好ましい。カチオンb2-1-1の具体例としては、以下のものが挙げられる。このような有機カチオンを有する酸発生剤B1と化合物Iとを含む本レジスト組成物は、より良好なフォーカスマージンでレジストパターンを製造することができる。カチオンb2-2の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-3の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-4の具体例としては、以下のものが挙げられる。酸発生剤B1は、前記スルホン酸アニオン及び前記有機カチオンを任意に組み合わせることができる。なかでも、式b1-1-1~式b1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンとカチオンb2-1-1との組合せである酸発生剤B1、並びに式b1-1-3~式b1-1-5のいずれかで表されるスルホン酸アニオンとカチオンb2-3との組合せである酸発生剤B1が好ましい。このような酸発生剤B1と、化合物Iとを含む本レジスト組成物は、より一層広いフォーカスマージンでレジストパターンを製造することができる。好ましい酸発生剤B1としては、式B1-1、式B1-2、式B1-3、式B1-4、式B1-5、式B1-6、式B1-7、式B1-8、式B1-9、式B1-10、式B1-11、式B1-12、式B1-13、式B1-14、式B1-15、式B1-16及び式B1-17のいずれかで表されるものが挙げられる。中でもトリフェニルスルホニウムカチオンを含む酸発生剤B1である、式B1-1、式B1-2、式B1-6、式B1-11、式B1-12、式B1-13及びB1-14のいずれかで表されるもの、並びに式B1-3で表されるものがより好ましい。<塩基性化合物以下、塩基性化合物Cという。>レジスト組成物は、さらに、塩基性化合物Cただし、化合物Iとは異なる。を含有していてもよい。ここでいう塩基性化合物とは、酸を捕捉するという特性を有する化合物、特に、既に説明した酸発生剤から発生する酸を捕捉するという特性を有する化合物を意味する。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えば、アミン及びアンモニウムヒドロキシドを挙げることができる。アミンは、脂肪族アミンでも、芳香族アミンでもよい。脂肪族アミンは、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンのいずれも使用できる。芳香族アミンは、アニリンのような芳香環にアミノ基が結合したものや、ピリジンのような複素芳香族アミンのいずれでもよい。好ましい塩基性化合物Cとして、以下の式C2で表される芳香族アミン、特に、以下の式C2-1で表されるアニリン類が挙げられる。式C2及び式C2-1中、Arc1は、芳香族炭化水素基を表す。Rc5及びRc6は、それぞれ独立に、水素原子、脂肪族炭化水素基好ましくは、炭素数1~6程度の脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは、炭素数1~6程度のアルキル基である。、脂環式炭化水素基好ましくは、炭素数5~10程度の脂環式炭化水素基である。又は芳香族炭化水素基好ましくは、炭素数6~10程度の芳香族炭化水素基である。を表す。但し、該脂肪族炭化水素基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基、又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該アミノ基はさらに、炭素数1~4のアルキル基を有していてもよい。Rc7は、脂肪族炭化水素基好ましくは、炭素数1~6程度の脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは、炭素数1~6程度のアルキル基である。、炭素数1~6程度のアルコキシ基、脂環式炭化水素基好ましくは、炭素数5~10程度の脂環式炭化水素基であり、さらに好ましくは、炭素数5~10程度のシクロアルキル基である。又は芳香族炭化水素基好ましくは、炭素数6~10程度の芳香族炭化水素基である。を表す。但し、該脂肪族炭化水素基、該アルコキシ基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子も、ヒドロキシ基、アミノ基、又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該アミノ基はさらに、炭素数1~4のアルキル基を有していてもよい。m3は0~3の整数を表す。m3が2以上のとき、複数のRc7は、互いに同一でも異なっていてもよい。式C2で表される芳香族アミンは例えば、1-ナフチルアミン及び2-ナフチルアミン等が挙げられる。式C2-1で表されるアニリン類は例えば、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン及びジフェニルアミン等が挙げられる。また、以下の式C3、式C4、式C5、式C6、式C7、式C8、式C9、式C10及び式C11のいずれかで表される化合物以下、ここでいう化合物を、式番号に応じて、化合物C3~化合物C11のように表記する。も用いることができる。式C3~式C11中、Rc8は、上記Rc7で説明したいずれかの基を表す。Rc20、Rc21、Rc23、Rc24、Rc25、Rc26、Rc27及びRc28とは上記Rc7で説明したいずれかの基を表す。Rc9、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13、Rc14、Rc16、Rc19及びRc22は、上記のRc5及びRc6で説明したいずれかの基を表す。o3、p3、q3、r3、s3、t3及びu3は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。o3が2以上であるとき、複数のRc20は互いに同一でも異なっていてもよく、p3が2以上であるとき、複数のRc21は互いに同一でも異なっていてもよく、q3が2以上であるとき、複数のRc24は互いに同一でも異なっていてもよく、r3が2以上であるとき、複数のRc25は互いに同一でも異なっていてもよく、s3が2以上であるとき、複数のRc26は互いに同一でも異なっていてもよく、t3が2以上であるとき、複数のRc27は互いに同一でも異なっていてもよく、u3が2以上であるとき、複数のRc28は互いに同一でも異なっていてもよい。Rc15は、脂肪族炭化水素基好ましくは、炭素数1~6程度の脂肪族炭化水素基である。、脂環式炭化水素基好ましくは、炭素数3~6程度の脂環式炭化水素基である。又はアルカノイル基好ましくは、炭素数2~6程度のアルカノイル基である。を表す。n3は0~8の整数を表す。n3が2以上のとき、複数のRc15は、互いに同一でも異なってもよい。Lc1及びLc2は、それぞれ独立に、2価の脂肪族炭化水素基好ましくは、炭素数1~6程度の脂肪族炭化水素基であり、より好ましくは、炭素数1~6程度のアルキレン基である。、カルボニル基、-C=NH-、-C=NRc3-但し、Rc3は、炭素数1~4のアルキル基を表す。、チオキシ基、ジスルフィド結合-S-S-又はこれらの組合せを表す。Rc15の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~6程度であり、脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数3~6程度である。アルカノイル基としては、アセチル基、2-メチルアセチル基、2,2-ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、2,2-ジメチルプロピオニル基等が挙げられ、好ましくは炭素数2~6程度である。塩基性化合物C3としては例えば、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタン等が挙げられる。化合物C4としては例えば、ピペラジン等が挙げられる。化合物C5としては例えば、モルホリン等が挙げられる。化合物C6としては例えば、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物等が挙げられる。化合物C7としては例えば、2,2’-メチレンビスアニリン等が挙げられる。化合物C8としては例えば、イミダゾール及び4-メチルイミダゾール等が挙げられる。化合物C9としては例えば、ピリジン、4-メチルピリジン等が挙げられる。化合物C10としては例えば、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン及び2,2’-ジピコリルアミン等が挙げられる。化合物C11としては例えば、ビピリジン等が挙げられる。塩基性化合物Cとしては、アンモニウムヒドロキシドを使用してもよい。ここでいうアンモニウムヒドロキシドとしては例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3-トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド及びコリン等が挙げられる。塩基性化合物Cとしては、これらの中でもジイソプロピルアニリンが好ましく、2,6-ジイソプロピルアニリンがより好ましい。<溶剤以下、溶剤Dという。>レジスト組成物には、溶剤Dが含有されていてもよい。溶剤Dは、用いる化合物Iの種類及びその量と、樹脂Aの種類及びその量と、酸発生剤Bの種類及びその量とに応じ、さらに後述するレジストパターンの製造において、基板上に本レジスト組成物を塗布する際の塗布性が良好となるという点から適宜、最適なものを選ぶことができる。溶剤Dとしては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチル等のエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノン等のケトン類;γ-ブチロラクトン等の環状エステル類を挙げることができる。溶剤Dは、1種のみを使用してもよく、2種以上を併用してもよい。<その他の成分>レジスト組成物は、必要に応じて、化合物I、樹脂A、酸発生剤B、溶剤D及び塩基性化合物C以外の構成成分を含んでいてもよい。この構成成分を成分Fという。かかる成分Fに特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤及び染料等が挙げられる。<レジスト組成物及びその調製方法>レジスト組成物は、化合物I、樹脂A、酸発生剤B及び溶剤Dを混合することで又は化合物I、樹脂A、酸発生剤B、塩基性化合物C及び溶剤Dを混合することで調製することができる。さらに、上述のとおり成分Fを混合することもある。かかる混合において、その混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10~40°Cの範囲から、用いる化合物I等の種類や化合物1等の溶剤Dに対する溶解度等に応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて選べばよく、0.5~24時間が好ましい。なお、混合手段は特に限定されず、攪拌混合等を用いることができる。本レジスト組成物を調製する際に用いる各成分の使用量により、本レジスト組成物中の各成分の含有量を調節することができる。溶剤Dの含有量は、化合物Iの種類等に応じて適宜調節できるが、本レジスト組成物総質量に対して90質量以上が好ましく、より好ましくは92質量以上であり、さらに好ましくは94質量以上であり、99.9質量以下が好ましく、より好ましくは99質量以下である。ここで、溶剤Dの含有量が90質量である本レジスト組成物では、組成物中の固形分は10質量に相当する。溶剤Dの含有量が上記範囲内であると、例えば後述するレジストパターンの製造方法において、厚み30~300nm程度の組成物層を形成しやすい。この観点からは、本レジスト組成物総質量に対する溶剤Dの含有量は、より好ましくは92質量以上であり、さらに好ましくは94質量以上である。該溶剤Dの含有量の上限は例えば、99.9質量以下であり、好ましくは99質量以下である。この溶剤Dの含有量は、本レジスト組成物を調製する際の溶剤Dの使用量により制御可能であり、本レジスト組成物を調製した後には、該本レジスト組成物を、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段に供して求めることもできる。樹脂Aの含有量は、レジスト組成物の固形分の総質量に対して、80質量以上99質量以下が好ましい。酸発生剤Bの含有量は、レジスト組成物に含まれる樹脂Aの総質量100質量部に対して、好ましくは1質量部以上であり、より好ましくは3質量部以上であり、好ましくは30質量部以下であり、より好ましくは25質量部以下である。化合物Iの含有量は、レジスト組成物の固形分の総質量に対して、0.01~1質量が好ましく、0.05~0.9質量がより好ましく、0.1~0.8質量が更に好ましい。本発明のレジスト組成物において、化合物Iの含有量を、塩基性化合物C特にジイソプロピルアニリンの含有量以上にすることにより、レジストパターン製造の際のフォーカスマージンがより一層広くなるという効果を奏する。かかる効果は、例えば、特許文献1に記載されている従来のレジスト組成物からは容易に想起し得えるものではなく、本発明者等の独自の知見に基づくものである。本レジスト組成物に塩基性化合物Cを用いる場合、その含有量はレジスト組成物の固形分の総質量に対して、0.01~1質量程度が好ましい。なお、上述のとおり、塩基性化合物Cの含有量は、化合物Iの含有量よりも少ないことが好ましい。これら化合物I、樹脂A及び酸発生剤B、並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物Cの各々の好適な含有量も、本レジスト組成物を調製する際の各々の使用量により制御可能である。本レジスト組成物を調製した後には、該本レジスト組成物を、例えばガスクロマトグラフィー、液体クロマトグラフィー等の公知の分析手段に供して求めることもできる。なお、成分Fを本レジスト組成物に用いる場合には、当該成分Fの種類に応じて、適切な含有量を調節することもできる。このように、化合物I、樹脂A、酸発生剤B及び溶剤D、並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物C又は成分Fの各々を好ましい含有量で混合した後は、孔径0.01~0.2μm程度のフィルターを用いてろ過等することにより、本レジスト組成物は調製できる。<レジストパターンの製造方法>本発明のレジストパターンの製造方法は、1本レジスト組成物を基板上に塗布する工程、2基板上に塗布された本レジスト組成物から溶剤を除去することにより、該基板上に組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含む。以下、ここに示す工程の各々を、工程1~工程5のようにいう。工程1における本レジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーター等、半導体の微細加工のレジスト材料塗布用として広く用いられている塗布装置によって行うことができる。かくして基板上にレジスト組成物からなる塗布膜が形成される。当該塗布装置の条件塗布条件を種々調節することで、該塗布膜の膜厚は調整可能であり、適切な予備実験等を行うことにより、所望の膜厚の塗布膜になるように塗布条件を選ぶことができる。本レジスト組成物を塗布する前の基板は、微細加工を実施しようとする種々のものを選ぶことができる。なお、本レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、反射防止膜を形成してもよい。この反射防止膜の形成には例えば、市販の有機反射防止膜用組成物を用いることができる。工程2において、基板上に塗布された本レジスト組成物、すなわち塗布膜から溶剤溶剤Dを除去する。このような溶剤除去は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いた加熱手段いわゆるプリベーク、又は減圧装置を用いた減圧手段、或いはこれらの手段を組み合わせて、該塗布膜から溶剤を蒸発させることにより行われる。加熱手段や減圧手段の条件は、本レジスト組成物に含まれる溶剤Dの種類等に応じて選択でき、例えばホットプレートの場合、該ホットプレートの表面温度を50~200°C程度の範囲にすることが好ましい。また、減圧手段では、適当な減圧機の中に、塗布膜が形成された基板を封入した後、該減圧機の内部圧力を1~1.0×105Pa程度にすればよい。かくして塗布膜から溶剤を除去することにより、該基板上には組成物層が形成される。工程3は該組成物層を露光する工程であり、好ましくは、露光機を用いて該組成物層を露光するものである。この際には、微細加工を実施しようとする所望のパターンが形成されたマスクフォトマスクを介して露光が行われる。露光機の露光光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2エキシマレーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザ等からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。また、該露光機は液浸露光機であってもよい。また、露光機は、電子線、超紫外光EUVを照射するものであってもよい。上述のとおり、マスクを介して露光することにより、該組成物層には露光された部分露光部及び露光されていない部分未露光部が生じる。露光部の組成物層では該組成物層に含まれる酸発生剤Bが露光エネルギーを受けて酸を発生し、さらに発生した酸との作用により、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂が有する樹脂Aにある酸不安定基が脱保護反応により親水性基を生じ、結果として露光部の組成物層にある上記樹脂Aはアルカリ水溶液に可溶なものとなる。一方、未露光部では露光エネルギーを受けていないため、上記樹脂Aはアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶のままとなる。かくして、露光部にある組成物層と未露光部にある組成物層とは、アルカリ水溶液に対する溶解性が著しく相違するため、アルカリ水溶液による現像によりレジストパターンを形成することができる。工程4においては、露光部で生じうる脱保護基反応を、さらにその進行を促進するための加熱処理いわゆるポストエキスポジャーベークが行われる。かかる加熱処理は前記工程2で示したホットプレートを用いる加熱手段等が好ましい。なお、工程4におけるホットプレート加熱を行う場合、該ホットプレートの表面温度は50~200°C程度が好ましく、70~150°C程度がより好ましい。加熱処理により、上記脱保護反応が促進される。工程5は、加熱後の組成物層を現像する工程であり、好ましくは、加熱後の組成物層を現像装置により現像するものである。ここでいう現像とは、加熱後の組成物層をアルカリ水溶液と接触させることにより、露光部の組成物層を該アルカリ水溶液に溶解させて除去することである。未露光部は、上述のとおりアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶であるため、基板に残り、当該基板上にレジストパターンが製造される。前記アルカリ水溶液としては、アルカリ現像液と称される本技術分野で公知のものを用いることができる。該アルカリ水溶液としては例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液や2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液等が挙げられる。現像後は、好ましくは超純水等でリンス処理を行い、さらに基板及びレジストパターン上に残存している水分を除去することが好ましい。<用途>本レジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線EB照射用のレジスト組成物又はEUV露光用のレジスト組成物、さらに液浸露光用のレジスト組成物として好適である。実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す及び部は、特記しないかぎり質量基準である。樹脂Aの組成比樹脂A製造に用いた各モノマーに由来する構造単位の樹脂Aに対する共重合比は、重合終了後の反応液における未反応モノマー量を、液体クロマトグラフィーを用いて測定し、得られた結果から重合に用いられたモノマー量を求めることにより算出した。また重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。なお、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーの分析条件は下記のとおりである。カラム:TSKgelMultiporeHXLMx3guardcolumn東ソー社製溶離液:テトラヒドロフラン流量:10mL/min検出器:RI検出器カラム温度:40°C注入量:100μl分子量標準:標準ポリスチレン東ソー社製また、化合物の構造は、質量分析LCはAgilent製1100型、MASSはAgilent製LC/MSD型を用い、分子ピークを測定することで確認した。以下の実施例ではこの分子ピークの値をMASSで示す。合成例1[化合物I-1の製造]式I-1-aで表される化合物10.00部及び式I-1-bで表される化合物50.00部を仕込み、23°Cで6時間攪拌した。その後、得られた反応液に、酢酸エチル120部及びイオン交換水40部を仕込み、攪拌、分液を行った。回収された有機層にイオン交換水40部を仕込み、攪拌、分液を行った。この水洗操作を5回行った。回収した有機層を濃縮し、以下の条件でカラム分取することにより、式I-1で表される化合物10.25部を得た。展開媒体;シリカゲル60-200メッシュ;メルク社製展開溶媒:n-ヘプタン/酢酸エチル=2/1容量比MASS:271.3合成例2[化合物I-2の合成]式I-2-aで表される化合物10.00部、クロロホルム10.00部及び式I-2-bで表される化合物4.00部を仕込み、23°Cで2時間攪拌した。その後、得られた反応液を濃縮した。回収された濃縮物を以下の条件でカラム分取することにより、式I-2で表される化合物2.48部を得た。展開媒体;シリカゲル60-200メッシュ;メルク社製展開溶媒:酢酸エチルMASS:89.1合成例3[化合物I-3の製造]式I-1-aで表される化合物10.00部、クロロホルム10.00部及び式I-3-bで表される化合物6.85部を仕込み、23°Cで6時間攪拌した。その後、得られた反応液に、酢酸エチル100部及びイオン交換水30部を仕込み、攪拌、分液を行った。回収された有機層にイオン交換水30部を仕込み、攪拌、分液を行った。この水洗操作を5回行った。回収した有機層を濃縮し、以下の条件でカラム分取することにより、式I-3で表される化合物5.21部を得た。展開媒体;シリカゲル60-200メッシュ;メルク社製展開溶媒:n-ヘプタン/酢酸エチル=4/1容量比MASS:365.4樹脂の合成において使用した化合物モノマーを下記に示す。以下、これらのモノマーをモノマーA~モノマーFという。合成例4樹脂A1の合成モノマーD、モノマーE、モノマーB、モノマーC及びモノマーFを、そのモル比モノマーD:モノマーE:モノマーB:モノマーC:モノマーFが、30:14:6:20:30の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物に、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルとを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1.00molと3.00molとなるように添加し、これを73°Cで約5時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒質量比メタノール:水=4:1に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過回収し、再度、ジオキサンに溶解させ、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過回収するという操作を2回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が約8.1×103である共重合体を収率65で得た。この共重合体は、モノマーD、モノマーE、モノマーB、モノマーC及びモノマーに各々由来する、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂A1とする。合成例5樹脂A2の合成モノマーA、モノマーE、モノマーB、モノマーC及びモノマーFを、そのモル比モノマーA:モノマーE:モノマーB:モノマーC:モノマーFが、30:14:6:20:30の割合となるように混合し、さらに、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルとを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1.00molと3.00molとの割合で添加し、これを73°Cで約5時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒質量比メタノール:水=4:1に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過回収し、再度、ジオキサンに溶解させ、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過回収するという操作を3回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が約7.8×103である共重合体を収率68で得た。この共重合体は、モノマーA、モノマーE、モノマーB及びモノマーCに各々由来する、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂A2とする。合成例6樹脂A3の合成モノマーA、モノマーB及びモノマーCを、そのモル比モノマーA:モノマーB:モノマーCが、50:25:25となるように混合し、さらに、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルとを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1molと3molとの割合で添加し、これを80°Cで約8時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒質量比メタノール:水=4:1に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過回収し、再度、ジオキサンに溶解させ、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過回収するという操作を3回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が約9.2×103である共重合体を収率60で得た。この共重合体は、モノマーA、モノマーB及びモノマーCに各々由来する、以下の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂A3とする。合成例7樹脂A4の合成特開平10-177250号公報に記載されている参考例1に準じて、下記の構造単位を有する樹脂A4を合成した。実施例及び比較例<レジスト組成物の調製>表1に示す成分を、表1に示す質量部で以下に示す溶剤に溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。<樹脂>A1:樹脂A1A2:樹脂A2A3:樹脂A3A4:樹脂A4<酸発生剤>B1:式B-1で表される塩B2:式B-2で表される塩H1:N-10-カンファースルホニルオキシスクシンイミド<クエンチャー>I1:式I-1で表される化合物I2:式I-2で表される化合物I3:式I-3で表される化合物I4:ジエチルアミノエタノールC1:2,6-ジイソプロピルアニリン<溶剤>E1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート100部プロピレングリコールモノメチルエーテル20部γ-ブチロラクトン5部E2:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル20.0部2-ヘプタノン20.0部γ-ブチロラクトン3.5部<レジストパターンの製造及びその評価:KrF>4インチのシリコン製ウェハー上に、有機反射防止膜用組成物[DUV-42;Brewer社製]を塗布して、215°C、60秒の条件でベークすることによって、厚さ60nmの有機反射防止膜を形成した。得られた有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥プリベーク後の膜厚が400nmとなるようにスピンコートした。得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレートで、表1のPB欄に記載された温度で60秒間プリベークPBして、組成物層を形成した。得られたウェハーに、KrFエキシマレーザ露光機[NSR-2250EX12B;株ニコン製、NA=0.55、2/3Annular]を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。露光後、ホットプレート上にて、表1のPEB欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベークPEBを行った。さらに2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。各レジスト組成物からのレジストパターン形成において、200nmのラインアンドスペースパターンの線幅が1:1となる露光量を実効感度とした。以上のようなレジストパターンの製造において、以下の項目を評価した。<フォーカスマージン評価DOF>実効感度において、フォーカスを段階的に変化させてレジストパターンを形成し、得られたレジストパターンの線幅が180nm±5の幅にあるフォーカス範囲171~189nmを線幅指標DOFとし、DOFを以下の2水準で評価した。すなわち、DOFが0.15μm以上であるものを○、0.15μm未満であるものを×とした。以上のようにして求められたフォーカスマージン評価DOFの結果を、上述の水準評価で表し、表2に示す。<レジストパターンの製造及びその評価:ArF>12インチのシリコン製ウェハー上に、有機反射防止膜用組成物[ARC-29;日産化学株製]を塗布して、205°C、60秒の条件でベークすることによって、ウェハー上に膜厚78nmの有機反射防止膜を形成した。得られた有機反射防止膜の上に、表1に示すレジスト組成物の各々を、乾燥プリベーク後の膜厚が110nmとなるようにスピンコートした。得られたウェハーを、ダイレクトホットプレートで、表1のPB欄に記載された温度で60秒間プリベークPBして、組成物層を形成した。このようにして組成物層を形成したウェハーに、液浸露光用ArFエキシマレーザステッパー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=135、2-polesonaxis照明σout=0.97、σin=0.77、Y偏光]を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。尚、液浸媒体としては超純水を使用した。露光後、ホットプレート上にて、表1のPEB欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベークPEBを行った。さらに、2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。各レジスト組成物からのレジストパターン形成において、50nmのラインアンドスペースパターンの線幅が1:1となる露光量となる露光量を実効感度とした。以上のようなレジストパターンの製造において、以下の項目を評価した。<フォーカスマージン評価DOF>実効感度において、フォーカス段階的に変化させてレジストパターンを形成し、得られたレジストパターンの線幅が50nm±5の幅にあるフォーカス範囲47.5~52.5nmを線幅指標DOFとし、DOFを以下の4水準で評価した。すなわち、DOFが0.18μm以上であるものを◎◎、0.15μm以上であるものを◎、0.10μm以上であるものを○、0.10μm未満であるものを×とした。以上のようにして求められたフォーカスマージン評価DOFの結果を、上述の水準評価で表し、表2に示す。本発明のレジスト組成物によれば、そのDOFが○、◎又は◎◎の結果であり、広いDOFでレジストパターンを製造できた。一方、比較例1のレジスト組成物は、DOFは狭く×の結果であった。"