絶縁表面に隣接して配置された第1導体と第2導体とを分離する前記絶縁表面を横切るエレクトロマイグレーションを抑制する方法であって、前記導体間に段差、溝およびリッジの内の1つを形成する工程を含む方法。IMATモジュールは、従来の、ほぼ1000°Cの動作温度に比べると低い動作温度の方向に移行しつつある。750°Cまたは、それより低い動作温度の利点の1つは、白金など他の貴金属の代わりに電極および/または電流コレクタに銀の使用を可能にしている。したがって、これらのシステムのコストは、かなり低減可能である。しかし、最も導電性の材料の1つであるが、銀は特にエレクトロマイグレーションも受けやすい。今日までの固体電気化学デバイスに関する銀マイグレーションの実験は電解マイグレーションに注目されてきた。銀エレクトロマイグレーションは、銀マイグレーションによって酸素流量が減少するために酸素発生用のIMATの寿命が制限されるという問題で足りる。銀のマイグレーションが、ついには導体間間隔を横切って短絡させることによって故障を引き起こす。本発明の主たる目的はエレクトロマイグレーションによって生じる銀導体の間の短絡を阻止することである。簡潔に説明すると、第1実施形態では、表面上に置かれた少なくとも1つの導体が銀を含む2つの間隔を空けた導体間で表面内に形成された溝によって銀マイグレーションが効果的に阻止される。第2実施形態も説明され、そこでは、表面上に置かれた少なくとも1つの導体が銀を含む2つの間隔を空けた導体間で表面上に形成されたリッジによって銀マイグレーションが効果的に阻止される。添付の図面と共に以下の詳細な説明を参照することによって、本発明の前述した、また別の特徴や利点と、それらを達成する方法が認識されるようになり、より容易に理解されることになるであろう。明快にするために、また適切であると見なされる場合に、図の中で対応する特徴を表すために参照番号が繰り返されること、さらに図面中、様々な要素が本発明の特徴をよりよく示すために必ずしも原寸通りに描かれていないことを理解されたい。図1を参照すると、セラミック表面14上に2つの導体10および12の断面図が図示されている。銀イオンを表す丸はもちろん原寸通りに描かれていない。導体10は、導体12に対して正であると想定しており、銀イオンは、導体10から導体12へマイグレートし、ついには2つの導体間に短絡を形成することになる。図2は、2つの導体の間に垂直な障壁、つまりリッジ16を備える図1の断面図であり、図3は、2つの導体の間に段差ステップ18を備える断面図であり、図4は、2つの導体10と12の間に溝20を備える図1の断面図である。リッジ突起部16、段差18および溝20は、銀が導体間間隔を横切ってマイグレート移動し、2つの導体10と12の間に短絡が生じるのを阻止するバッファゾーンを形成する。銀電解マイグレーションは、2つの導体10と12の間で電界によって駆動される。リッジ16と溝20は、銀マイグレーション速度が、このゾーン内部でゼロまたは、ほぼゼロとなるようにゼロまたは、ほぼゼロの電界をともなって2つの導体10と12の間でセラミック表面内にゾーンを生じさせる。段差18は、2つの導体10と12の間で短絡を効果的に阻止するように、2つの導体10と12の間で電界が十分、低減されるゾーンを形成する。好ましくは、これらの障壁16と20は、電界方向に対し垂直または、ほぼ垂直<2°の少なくとも1つの壁を有する。これらの壁に沿う電界がゼロまたは、ほぼゼロであることから、銀イオンは、これらの壁に沿って移動することができないか、移動することはとてもありそうもないことになる。したがってリッジまたは溝は、銀がアノードからカソードへマイグレートするのを阻止するバッファゾーンとなる。金属の種類、2つの導体10と12の間の電位差、2つの導体10と12の間のギャップの幅、および溝20の深さ、または段差18やリッジ16の高さなど金属マイグレーションに関する他の要因によって決まる2°より大きい角度が用いられることもある。好ましい実施形態では、溝20の深さは1.016mmから1.27mm0.040インチから0.050インチの範囲であり、電位差は0.5Vと1Vの間であり、導体10と12の間の最も狭いギャップは約1.27mm0.050インチである。好ましい実施形態では、溝20は、セラミック成形操作中に形成され、表面14に対し垂直から約1°になるように溝20の壁が傾けられ、その結果セラミック部品が押型モールド、moldから取り外されることになる。成形操作中に溝20を形成する代わりに、その部品が成形された後に、溝20が表面14内に機械的にカットされてもよい。所定の溝20の深さ、ならびに所定のリッジ16と段差18の高さに対し側壁が、ほぼ平坦であるだけ長ければ、溝20の底およびリッジ16や段差18の上面は、何か特別の形状である必要はない。図5aと5bは、その中に形成した溝を備える電気的駆動の熱処理前と、後のセリアベース電解質上に形成された2つの銀導体を示しているIMAT部品の2つの異なる部分の写真である。9つの溝がグリーン部品上に機械加工され、その後に焼結された。図1に図示された2つの導体10および12に相当し、銀ストライプ22および24が溝の両側に置かれた。溝20は、電解質内に形成された9つの溝の内の1つである。溝は約1.168mm0.046インチ幅、1.016mm0.040インチ深さであった。456時間、650°Cで、導体22と24の両端に8Vの電圧が印加された。テスト後、溝20内に銀堆積の兆候はなく、また他の溝のどれにも銀がある兆候はなかった。同様の結果が、溝20の代わりにリッジ16を障壁として用いた場合に見いだされた。やはり同様の結果が、溝幅20を0.762mm0.030インチに減少させた場合に見いだされた。意図された特定の用途に適するように、様々な実施形態中で、また様々な変更形態と共に、当業者がそれによって本発明を利用可能であるように、説明した実施形態は、本発明の原理の図示とその実際の適用例を提供するために選択されている。したがって、前述の説明は限定であるよりは、むしろ例示であると見なされるべきであり、本発明の真の範囲は、添付の特許請求の範囲に説明されているそれである。