"酸水素ガスから火炎を形成するバーナと、水素ガスを前記バーナへ供給する水素供給配管と、前記バーナへ供給する水素ガスの流量を調整する水素用MFCと、該水素用MFCの上流側の前記水素供給配管に分岐接続された窒素供給配管と、を備え、前記水素用MFCを介して、非稼動中は前記窒素供給配管から窒素ガスを供給すると共に、稼動時に該窒素供給配管から前記水素供給配管に切り替え、前記バーナへ水素ガスを供給する光ファイバ用ガラス母材の製造装置であって、前記水素用MFCは、水素ガスへの切り替え時において、設定流量以上の水素ガスが瞬間的に流れる突入流量の最大値を40SLM以下にして、前記バーナ内の水素ガス濃度が4以下となるように流量を制御することを特徴とする光ファイバ用ガラス母材の製造装置。請求項1に記載の光ファイバ用ガラス母材の製造装置であって、前記水素用MFCが逆止弁を備えていることを特徴とする光ファイバ用ガラス母材の製造装置。請求項1に記載の光ファイバ用ガラス母材の製造装置であって、前記水素用MFCの上流側の前記水素供給配管に、第2の水素用MFCを備えていることを特徴とする光ファイバ用ガラス母材の製造装置。非稼動中は水素用MFCを介して窒素ガスを供給し、稼動時には窒素ガスから水素ガスにラインを切り替え、前記水素用MFCを介してバーナへ水素ガスを供給する光ファイバ用ガラス母材の製造方法であって、窒素ガスから水素ガスへの切り替え時において、前記水素用MFC内に設定流量以上の水素ガスが瞬間的に流れる突入流量の最大値を40SLM以下にして、前記バーナ内の水素ガス濃度が4以下となるように、前記水素用MFCに逆流防止機能を付加して流量を制御することを特徴とする光ファイバ用ガラス母材の製造方法。しかしながら、稼動開始時に窒素ガスから水素ガスへ切り替える際、設定流量以上の大きな流量の水素ガスが瞬間的にMFCに流れることがある。このように水素ガスの突入流がバーナに流れると、点火時にバーナ出口付近で小爆発が生じ、バーナなどにダメージを与える可能性がある。この水素ガスがオーバーシュート突入流の発生する原因は、安全面の観点から通常水素ガスの供給圧力を窒素ガスに比べて低く設定しているため、ガス切り替え時に一瞬窒素ガスが水素ガスのラインに流れ、MFCのセンサ部の入口圧力が低くなり、センサ部内のガスが逆流し、これを打ち消そうと余分にガスを流そうとするために発生すると考えられる。本発明の目的は、突入流量の上限値を規定し、バーナ内の水素ガス濃度を抑えることで、窒素ガスから水素ガスへの切り替え時の小爆発を防止することができる光ファイバ用ガラス母材の製造装置及び製造方法を提供することにある。上記課題を解決することができる本発明に係る光ファイバ用ガラス母材の製造装置は、酸水素ガスから火炎を形成するバーナと、水素ガスを前記バーナへ供給する水素供給配管と、前記バーナへ供給する水素ガスの流量を調整する水素用MFCと、該水素用MFCの上流側の前記水素供給配管に分岐接続された窒素供給配管と、を備え、前記水素用MFCを介して、非稼動中は前記窒素供給配管から窒素ガスを供給すると共に、稼動時に該窒素供給配管から前記水素供給配管に切り替え、前記バーナへ水素ガスを供給する光ファイバ用ガラス母材の製造装置であって、前記水素用MFCは、水素ガスへの切り替え時において、設定流量以上の水素ガスが瞬間的に流れる突入流量の最大値を40SLM以下にして、前記バーナ内の水素ガス濃度が4以下となるように流量を制御することを特徴としている。また、上記光ファイバ用ガラス母材の製造装置において、前記水素用MFCが逆止弁を備えていることが好ましい。また、上記光ファイバ用ガラス母材の製造装置において、前記水素用MFCの上流側の前記水素供給配管に、第2の水素用MFCを備えていることが好ましい。また、本発明に係る光ファイバ用ガラス母材の製造方法は、非稼動中は水素用MFCを介して窒素ガスを供給し、稼動時には窒素ガスから水素ガスにラインを切り替え、前記水素用MFCを介してバーナへ水素ガスを供給する光ファイバ用ガラス母材の製造方法であって、窒素ガスから水素ガスへの切り替え時において、前記水素用MFC内に設定流量以上の水素ガスが瞬間的に流れる突入流量の最大値を40SLM以下にして、前記バーナ内の水素ガス濃度が4以下となるように、前記水素用MFCに逆流防止機能を付加して流量を制御することを特徴としている。本発明に係る光ファイバ用ガラス母材の製造装置及び製造方法によれば、窒素ガスから水素ガスへの切り替え時の突入流量の最大値を40SLM以下にして、バーナ内の水素ガス濃度を4以下に抑えることで、窒素ガスから水素への切り替え時の小爆発を防ぐことができる。以下、本発明の第1実施形態である光ファイバ用ガラス母材の製造装置及び製造方法について、VAD法によるガラス微粒子堆積体の製造装置を一例に説明する。なお、原料ガスや酸素などの水素ガス以外のガスの供給配管についての説明は省略する。図1に示すように、本実施形態の光ファイバ用ガラス母材の製造装置10は、稼動時に水素ガスH2が流れる水素ガス供給配管11と、非稼動時に窒素ガスN2が流れる窒素ガス供給配管12と、を備えている。なお、ここで云う稼動時とは、後述する反応容器内でガラス微粒子堆積体が作製されていて、バーナがガラス微粒子生成用の火炎を形成している状態である。したがって、非稼動時とは、バーナが火炎を形成していない状態である。水素ガス供給配管11側には、水素ガスの供給圧力を検知する第1圧力計13と、水素ガス供給配管11を開閉する第1流路開閉バルブ14以下、単に第1バルブと云う。と、を備えている。また、窒素ガス供給配管12側には、窒素ガスの供給圧力を検知する第2圧力計17と、窒素ガス供給配管12を開閉する第2流路開閉バルブ18以下、単に第2バルブと云う。と、を備えている。稼動時には、第1バルブ14は全開状態で、第2バルブ18は全閉状態である。また、非稼動時には、第2バルブ18は全開状態にして、第1バルブ14は全閉状態にする。このように第1バルブ14と第2バルブ18によって水素ガス供給配管11と窒素ガス供給配管12を切り替えることができる。加えて、製造装置10は、水素ガス供給配管11の開度を調整して水素ガスの流量を調整する水素用MFC15と、水素ガスにより反応容器20内で火炎を形成するガラス微粒子生成用のバーナ16と、を備えている。製造装置10の稼動中は、不図示の他の供給配管から原料ガスや酸素をバーナ16へ供給すると共に、水素ガスをバーナ16に供給し、該バーナ16の火炎内で、火炎分解反応によりガラス微粒子を生成し、該ガラス微粒子を出発ガラスロッド21に堆積させてガラス微粒子堆積体22を作製する。このとき、第1バルブ14は全開状態で、水素用MFC15により設定された所定量の水素ガスがバーナ16に供給されている。製造装置10の非稼動時は、反応容器20内でガラス微粒子堆積体22の作製が行われておらず、第1バルブ14は全閉状態で、第2バルブ18は全開状態である。これにより、水素用MFC15により設定された所定量の窒素ガスがパージガスとしてバーナ16に供給される。製造装置10の再稼動時は、第2バルブ18は全閉状態で、再び第1バルブ14を全開状態にする。これにより、所定量の水素ガスが水素用MFC15を介して再びバーナ16に供給される。従来は、上記したように、この窒素ガスから水素ガスへの切り替え時に、設定流量よりも大きな流量の水素ガスが瞬間的に水素用MFC15内に流れる突入流が発生していた。水素ガスの突入流がバーナ16に流れると、バーナ16内の水素濃度が高くなるため、点火時にバーナ出口付近で小爆発が生じ、バーナ16などにダメージを与える可能性がある。次に、MFC内で発生する突入流について説明する。図2に示すように、水素用MFC15は、主にガス流路部30と、流量センサ部34と、制御バルブ部35と、制御回路部36と、から構成されている。ガス流路部30は、上流側のガス流路入口31と下流側のガス流路出口32が水素ガス供給配管11のバーナ16手前に接続される。流量センサ部34は、ガス流路部30の上流側に配置され、ガス流路部30から分岐されたU字状のバイパス部37が貫通している。このバイパス部37中を流れる分流ガスG2からガス流路部30中を流れる流入ガスG1の流量を算出する。具体的には、ガス流路入口31から入った流入ガスG1の内、所定量の分流ガスG2がセンサ流路入口38からバイパス部37内に取り込まれる。バイパス部37に流れ込んだ分流ガスG2は、バイパス部37に配置された複数の抵抗体不図示を有する検出部42を通過することで、制御回路部36へ流量信号を出力する。制御バルブ部35は、ガス流路部30の下流側に配置され、ガス流路出口32からバーナ16へ供給される流出ガスG3のガス流量をアクチュエータ41の作動により調整する。制御回路部36は、流量センサ部34から入力された測定流量と既存の設定値とを比較して、制御バルブ部35のアクチュエータ41を駆動制御する。なお、制御回路部36は、不図示の制御装置と接続されており、設定流量等は制御装置で管理されている。通常、窒素ガスの供給圧力は、水素ガスの供給圧力の2倍以上に設定されている。そのため、窒素ガスから水素ガスへの切り替え時に、一瞬窒素ガスが水素ガスのラインに流れ、センサ流路入口38付近の圧力が低くなり、バイパス部37内からガス流路部30へ流れる逆流が発生する。この逆流の発生により流量センサ部34での分流ガスG2のガス流量が減少して、ガス流路部30内を流れる流入ガスG1のガス流量が実際のガス流量より少なく検知されてしまう。これにより、制御回路部36から制御バルブ部35へバルブ開度の開放の制御信号が出力され、設定流量以上の突入流が瞬間的に流れるものと考えられる。本実施形態の水素用MFC15は、図2に示すように、バイパス部37のセンサ流路入口38近傍に逆流防止機能を有する逆止弁40を備えている。これにより、突入流の原因であったバイパス部37内の逆流の発生を確実に防止することができ、突入流の流量を最小限に抑えることができる。次に、突入流と小爆発との関係について説明する。通常の酸水素バーナでは、水素ガスを流し始めてから5秒程度後に水素ガスへ点火する。この5秒間に流れる水素流量がどの程度になったら小爆発が発生するかを調べたところ、約2.5リットルを過ぎたあたりから小爆発が発生することが確認できた。この約2.5リットルは、流れた水素が5秒間に留まる空間の体積を0.064m3と仮定した場合、水素濃度が4になる量に相当する。水素ガスを流し始めてから設定流量に達するまでの流量変化の一例を図3に示す。このように、流し始めてからすぐは、一瞬オーバーシュートし、その後設定値に漸近する。このオーバーシュートした時の最大流量が約40SLMである場合、流し始めてから5秒間に流れる水素流量は、上記した約2.5リットルになる。すなわち、水素ガスのオーバーシュート最大流量が40SLM以上であると、5秒間に流れる水素流量は2.5リットルを超え、水素ガス濃度が爆発限界である4に達するものと考えられる。本実施形態の水素用MFC15は、流量センサ部34に逆流防止機能を有する逆止弁40を設けることにより、設定流量よりも大きな流量の水素ガスが瞬間的に水素用MFC15内に流れる突入流量の最大値を40SLM以下、例えば30SLMになるように設定して、点火時にバーナ16内の水素ガス濃度が4以下となるように水素ガスの流量を制御する。これにより、窒素ガスから水素ガスへの切り替え時に突入流が発生しても、その最大流量を40SLM以下に抑えることができるので、バーナ16の出口付近での小爆発を防止することができる。次に、本実施形態の光ファイバ用ガラス母材の製造方法を説明する。なお、製造工程中、窒素ガスから水素ガスへの切り替え工程に絞って説明し、その他の製造工程の説明は省略する。図1に示すように、製造装置10の非稼動時は、水素用MFC15を介してバーナ16へパージガスとして所定量の窒素ガスが供給されている。このとき、第2バルブ18が全開状態であり、第1バルブ14は全閉状態である。これにより、窒素ガス供給配管12と水素用MFC15が連通している。窒素ガスから水素ガスへの切り替え工程前記非稼動状態から再稼動への切り替えは、第2バルブ18を全閉にして、第1バルブ14を全開状態にする。これにより、水素ガス供給配管11と水素用MFC15が連通して、所定量の水素ガスが水素用MFC15を介してバーナ16に供給される。このとき、図2に示すように、逆流防止機能を有する逆止弁40を備えた水素用MFC15は、窒素ガスから水素ガスへの切り替え時の突入流量の最大値を40SLM以下、例えば30SLMになるように設定して流量を制御することで、点火時のバーナ16内の水素ガス濃度を4以下にできる。したがって、窒素ガスから水素ガスへの切り替え時に突入流が発生しても、その最大流量を40SLM以下に抑えることができるので、バーナ16の出口付近での小爆発を確実に防止することができる。次に、本発明の第2実施形態である光ファイバ用ガラス母材の製造装置及び製造方法について説明する。上記第1実施形態との相違点は、水素ガス供給配管11がバーナ16手前に第1の水素用MFC51を備えると共に、第1の水素用MFC51の上流側で、第1圧力計13の上流側に第2の水素用MFC52を備えていることである。なお、その他の構成に関しては同じなので、図中省略すると共に構成や作用等の説明は省略する。図4に示すように、本実施形態の光ファイバ用ガラス母材の製造装置50は、前述したように水素ガス供給配管11のバーナ16手前に通常の流量の調整機能を有する第1の水素用MFC51を備える。加えて、製造装置50は、第1の水素用MFC51における水素ガスの突入流を調整するために、第1の水素用MFC51の上流側で、同じ水素ガス供給配管11の第1圧力計13の上流側に第2の水素用MFC52を備えている。この2個の水素用MFC51,52は、いずれも市販されているMFCを使用することができる。この第2の水素用MFC52は、その設定値により上限が決められている。このため、窒素ガスから水素ガスへの切り替え時に、第1の実施形態と同様に第1の水素用MFC51のガス流路入口31図2参照付近で圧力が低くなり、第1の水素用MFC51内で逆流が生じたとしても、水素ガスの突入流量を最小限に抑えることができる。つまり、第1の水素用MFC51は、第2の水素用MFC52の流量の制御設定によって、窒素ガスから水素ガスへの切り替え時の突入流量の最大値を40SLM以下、例えば30SLMになるように設定する。これにより、点火時のバーナ16内の水素ガス濃度を4以下に抑えることができ、バーナ16の出口付近での小爆発を確実に防止することができる。なお、上記実施形態では、VAD法によるガラス微粒子堆積体の製造装置及び製造方法について説明したが、本発明の光ファイバ用ガラス母材の製造装置及び製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではなく、適宜、変形、改良等が可能であり、例えばOVD法やMMD法多バーナ多層付け法においても同様の効果があり、火炎研磨工程にも適用することができる。その他、上述した実施形態における各構成要素の材質、形状、寸法、数値、形態、数、配置場所、等は本発明を達成できるものであれば任意に変更可能であり、限定されない。"