"主成分として有機金属化合物を含有する金属酸化物膜形成用塗布液を、基板上に塗布して塗布膜を形成する塗布工程、前記塗布膜を乾燥して乾燥塗布膜を形成する乾燥工程、前記乾燥塗布膜を無機化して、金属酸化物である無機成分を主成分とする無機膜を形成する加熱処理工程の各工程を経て形成される、金属酸化物膜の製造方法であって、前記加熱処理工程が、前記乾燥工程で形成された有機金属化合物を主成分とする前記乾燥塗布膜を、露点温度-10°C以下の酸素含有雰囲気下で、少なくとも前記有機金属化合物成分の無機化が起こる温度以上まで昇温する加熱処理を行い、前記乾燥塗布膜に含まれる有機成分を熱分解または燃焼、或いは熱分解並びに燃焼により除去することで金属酸化物を主成分とする金属酸化物微粒子が緻密に充填した金属酸化物微粒子層を形成する工程であり、前記有機金属化合物が、有機アルミニウム化合物、有機ケイ素化合物、有機スカンジウム化合物、有機チタン化合物、有機バナジウム化合物、有機クロム化合物、有機マンガン化合物、有機鉄化合物、有機コバルト化合物、有機ニッケル化合物、有機銅化合物、有機ガリウム化合物、有機ゲルマニウム化合物、有機イットリウム化合物、有機ジルコニウム化合物、有機ニオブ化合物、有機モリブデン化合物、有機ルテニウム化合物、有機アンチモン化合物、有機ランタン化合物、有機ハフニウム化合物、有機タンタル化合物、有機タングステン化合物、有機ビスマス化合物、有機セリウム化合物、有機ネオジム化合物、有機サマリウム化合物、有機ガドリニウム化合物、有機マグネシウム化合物、有機カルシウム化合物、有機ストロンチウム化合物、有機バリウム化合物のいずれか一つ以上からなり、前記金属酸化物が、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化スカンジウム、酸化チタン、酸化バナジウム、酸化クロム、酸化マンガン、酸化鉄、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化銅、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アンチモン、酸化ランタン、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化タングステン、酸化ビスマス、酸化セリウム、酸化ネオジム、酸化サマリウム、酸化ガドリニウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウムのいずれか一つ以上であることを特徴とする金属酸化物膜の製造方法。前記露点温度-10°C以下の酸素含有雰囲気下で、少なくとも前記有機金属化合物の無機化が起こる加熱温度以上まで昇温する加熱処理に続いて、露点温度0°C以上の酸素含有雰囲気下で加熱処理することを特徴とする請求項1記載の金属酸化物膜の製造方法。前記露点温度-10°C以下の酸素含有雰囲気下で、少なくとも前記有機金属化合物の無機化が起こる加熱温度以上まで昇温する加熱処理に続いて、中性雰囲気または還元性雰囲気下で加熱処理することを特徴とする請求項1記載の金属酸化物膜の製造方法。前記露点温度0°C以上の酸素含有雰囲気下での加熱処理に続いて、中性雰囲気または還元性雰囲気下で加熱処理することを特徴とする請求項2記載の金属酸化物膜の製造方法。前記中性雰囲気が、窒素ガス、不活性ガスのいずれか一種以上、または前記還元性雰囲気が、水素ガス若しくは前記中性雰囲気に水素ガス或いは有機溶剤蒸気の少なくとも一種以上が含まれた雰囲気であることを特徴とする請求項3または4記載の金属酸化物膜の製造方法。前記露点温度-10°C以下の酸素含有雰囲気下での加熱処理における前記酸素含有雰囲気の露点温度が、-20°C以下であることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の金属酸化物膜の製造方法。前記露点温度-10°C以下の酸素含有雰囲気下での加熱処理を施す際に、エネルギー線照射を行うことを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の金属酸化物膜の製造方法。前記エネルギー線照射が、少なくとも200nm以下の波長を主要成分の一つとして含む紫外線の照射であることを特徴とする請求項7に記載の金属酸化物膜の製造方法。前記少なくとも200nm以下の波長を主要成分の一つとして含む紫外線の照射が、低圧水銀ランプ、アマルガムランプ、エキシマランプのいずれかから放射される紫外線の照射であることを特徴とする請求項8に記載の金属酸化物膜の製造方法。前記有機金属化合物が、アセチルアセトン金属錯体化合物または金属アルコキシド化合物、あるいはアセチルアセトン金属錯体化合物と金属アルコキシド化合物からなることを特徴とする請求項1~9のいずれか1項に記載の金属酸化物膜の製造方法。前記塗布工程における金属酸化物膜形成用塗布液の基板上への塗布方法が、インクジェット印刷法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、フレキソ印刷法、ディスペンサ印刷法、スリットコート法、ダイコート法、ドクターブレードコート法、ワイヤーバーコート法、スピンコート法、ディップコート法、スプレーコート法のいずれかであることを特徴とする請求項1記載の金属酸化物膜の製造方法。請求項1~11のいずれか1項に記載の金属酸化物膜の製造方法で得られたことを特徴とする金属酸化物膜。金属酸化物微粒子層を備える素子において、前記金属酸化物微粒子層が、請求項12記載の金属酸化物膜であることを特徴とする素子。前記素子が、前記金属酸化物微粒子層を、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として用いる薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項13記載の素子。基板上に金属酸化物膜を備える金属酸化物膜付き基板において、前記金属酸化物膜が、請求項12記載の金属酸化物膜であることを特徴とする金属酸化物膜付き基板。透明電極を備えるデバイスにおいて、前記透明電極が、請求項15記載の金属酸化物膜付き基板であることを特徴とするデバイス。前記デバイスが、発光デバイス、発電デバイス、表示デバイス、入力デバイスから選ばれた1種であることを特徴とする請求項16記載のデバイス。このような状況を鑑み本発明は、低コストかつ簡便な金属酸化物膜の製造方法であるインク塗布法を用いて形成される高い緻密性を有し、かつ膜強度に優れる金属酸化物膜、及びこの金属酸化物膜の製造方法、その金属酸化物膜を用いた素子、及び金属酸化物膜付き基板並びにそれを用いたデバイスの提供を目的とするものである。発明者らは、上記課題に鑑み、有機アルミニウム化合物、有機ケイ素化合物、有機スカンジウム化合物、有機チタン化合物、有機バナジウム化合物、有機クロム化合物、有機マンガン化合物、有機鉄化合物、有機コバルト化合物、有機ニッケル化合物、有機銅化合物、有機ガリウム化合物、有機ゲルマニウム化合物、有機イットリウム化合物、有機ジルコニウム化合物、有機ニオブ化合物、有機モリブデン化合物、有機ルテニウム化合物、有機アンチモン化合物、有機ランタン化合物、有機ハフニウム化合物、有機タンタル化合物、有機タングステン化合物、有機ビスマス化合物、有機セリウム化合物、有機ネオジム化合物、有機サマリウム化合物、有機ガドリニウム化合物、有機マグネシウム化合物、有機カルシウム化合物、有機ストロンチウム化合物、有機バリウム化合物のいずれか一つ以上の有機金属化合物を主成分として含有する金属酸化物膜形成用塗布液を基板上に塗布、乾燥、加熱処理して得られる金属酸化物膜について鋭意研究を重ねた結果、その加熱処理時の昇温過程において、露点温度の低い、即ち水蒸気含有量の少ない空気雰囲気を適用すると、加熱処理の初期段階における金属酸化物の結晶成長が抑制されることにより、金属酸化物微粒子が緻密に充填した金属酸化物微粒子層の膜構造が得られ、高い緻密性を有し、かつ膜強度にも優れる金属酸化物膜を発明したものである。即ち、本発明の第1の発明は、主成分として有機金属化合物を含有する金属酸化物膜形成用塗布液を、基板上に塗布して塗布膜を形成する塗布工程、その塗布膜を乾燥して乾燥塗布膜を形成する乾燥工程、前記乾燥塗布膜を無機化して、金属酸化物である無機成分を主成分とする無機膜を形成する加熱処理工程の各工程を経て形成される金属酸化物膜の製造方法であって、加熱処理工程が、乾燥工程で形成された有機金属化合物を主成分とする乾燥塗布膜を露点温度-10°C以下の酸素含有雰囲気下で、少なくとも前記有機金属化合物成分の無機化が起こる加熱温度以上まで昇温する加熱処理を行い、乾燥塗布膜に含まれる有機成分を熱分解または燃焼、或いは熱分解並びに燃焼により除去することで金属酸化物を主成分とする金属酸化物微粒子が緻密に充填した金属酸化物微粒子層を形成する工程であり、さらに、その有機金属化合物が、有機アルミニウム化合物、有機ケイ素化合物、有機スカンジウム化合物、有機チタン化合物、有機バナジウム化合物、有機クロム化合物、有機マンガン化合物、有機鉄化合物、有機コバルト化合物、有機ニッケル化合物、有機銅化合物、有機ガリウム化合物、有機ゲルマニウム化合物、有機イットリウム化合物、有機ジルコニウム化合物、有機ニオブ化合物、有機モリブデン化合物、有機ルテニウム化合物、有機アンチモン化合物、有機ランタン化合物、有機ハフニウム化合物、有機タンタル化合物、有機タングステン化合物、有機ビスマス化合物、有機セリウム化合物、有機ネオジム化合物、有機サマリウム化合物、有機ガドリニウム化合物、有機マグネシウム化合物、有機カルシウム化合物、有機ストロンチウム化合物、有機バリウム化合物のいずれか一つ以上の有機金属化合物からなり、その金属酸化物が、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化スカンジウム、酸化チタン、酸化バナジウム、酸化クロム、酸化マンガン、酸化鉄、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化銅、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アンチモン、酸化ランタン、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化タングステン、酸化ビスマス、酸化セリウム、酸化ネオジム、酸化サマリウム、酸化ガドリニウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウムのいずれか一つ以上である金属酸化物膜の製造方法である。本発明の第2の発明は、前記露点温度-10°C以下の酸素含有雰囲気下で、少なくとも前記有機金属化合物の無機化が起こる加熱温度以上まで昇温する加熱処理に続いて、露点温度0°C以上の酸素含有雰囲気下で加熱処理することを特徴とする第1の発明に記載の金属酸化物膜の製造方法である。本発明の第3の発明は、前記露点温度-10°C以下の酸素含有雰囲気下で、少なくとも前記有機金属化合物の無機化が起こる加熱温度以上まで昇温する加熱処理に続いて、中性雰囲気または還元性雰囲気下で加熱処理することを特徴とする第1の発明に記載の金属酸化物膜の製造方法である。本発明の第4の発明は、前記露点温度0°C以上の酸素含有雰囲気下での加熱処理に続いて、中性雰囲気または還元性雰囲気下での加熱処理することを特徴とする第2の発明に記載の金属酸化物膜の製造方法である。本発明の第5の発明は、前記中性雰囲気が、窒素ガス、不活性ガスのいずれか一種以上、または前記還元性雰囲気が、水素ガス若しくは前記中性雰囲気に水素ガス或いは有機溶剤蒸気の少なくとも一種以上が含まれた雰囲気であることを特徴とする第3または4の発明に記載の金属酸化物膜の製造方法である。本発明の第6の発明は、前記露点温度-10°C以下の酸素含有雰囲気下での加熱処理における前記酸素含有雰囲気の露点温度が、-20°C以下であることを特徴とする第1~5の発明のいずれかに記載の金属酸化物膜の製造方法である。本発明の第7の発明は、前記露点温度-10°C以下の酸素含有雰囲気下での加熱処理を施す際に、エネルギー線照射を行うことを特徴とする第1~6の発明のいずれかに記載の金属酸化物膜の製造方法である。本発明の第8の発明は、前記エネルギー線照射が、少なくとも200nm以下の波長を主要成分の一つとして含む紫外線の照射であることを特徴とする第7の発明に記載の金属酸化物膜の製造方法である。本発明の第9の発明は、前記少なくとも200nm以下の波長を主要成分の一つとして含む紫外線の照射が、低圧水銀ランプ、アマルガムランプ、エキシマランプのいずれかから放射される紫外線の照射であることを特徴とする第8の発明に記載の金属酸化物膜の製造方法である。本発明の第10の発明は、前記有機金属化合物が、アセチルアセトン金属錯体化合物または金属アルコキシド化合物、あるいはアセチルアセトン金属錯体化合物と金属アルコキシド化合物からなることを特徴とする第1~9の発明のいずれかに記載の金属酸化物膜の製造方法である。本発明の第11の発明は、前記塗布工程における金属酸化物膜形成用塗布液の基板上への塗布方法が、インクジェット印刷法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、フレキソ印刷法、ディスペンサ印刷法、スリットコート法、ダイコート法、ドクターブレードコート法、ワイヤーバーコート法、スピンコート法、ディップコート法、スプレーコート法のいずれかであることを特徴とする第1の発明に記載の金属酸化物膜の製造方法である。本発明の第12の発明は、第1~11の発明のいずれかに記載の金属酸化物膜の製造方法で得られたことを特徴とする金属酸化物膜である。本発明の第13の発明は、金属酸化物微粒子層を備える素子において、前記金属酸化物微粒子層が、第12の発明に記載の金属酸化物膜であることを特徴とする素子である。本発明の第14の発明は、前記素子が、前記金属酸化物微粒子層を、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として用いる薄膜トランジスタであることを特徴とする第13の発明に記載の素子である。本発明の第15の発明は、基板上に金属酸化物膜を備える金属酸化物膜付き基板において、その金属酸化物膜が、第12の発明に記載の金属酸化物膜であることを特徴とする金属酸化物膜付き基板である。本発明の第16の発明は、透明電極を備えるデバイスにおいて、前記透明電極が、第15の発明に記載の金属酸化物膜付き基板であることを特徴とするデバイスである。本発明の第17の発明は、前記デバイスが、発光デバイス、発電デバイス、表示デバイス、入力デバイスから選ばれた1種であることを特徴とする第16の発明に記載のデバイスである。本発明の金属酸化物膜の製造方法によれば、その加熱処理時の昇温過程において、露点温度の低い、即ち水蒸気含有量の少ない空気雰囲気を適用すると、加熱処理の初期段階における金属酸化物の結晶成長が抑制されることにより、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化スカンジウム、酸化チタン、酸化バナジウム、酸化クロム、酸化マンガン、酸化鉄、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化銅、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アンチモン、酸化ランタン、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化タングステン、酸化ビスマス、酸化セリウム、酸化ネオジム、酸化サマリウム、酸化ガドリニウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウムのいずれか一つ以上の金属酸化物を主成分とする金属酸化物微粒子が緻密に充填した金属酸化物微粒子層を形成できるため、得られる金属酸化物膜は、高い緻密性を有し、かつ膜強度に優れる。本発明に係る金属酸化物膜は、各種のコーティング、素子、デバイスに用いることが可能で、金属酸化物膜を透明導電膜として適用する場合例えば、前述のNTO膜などには、基板上に上記金属酸化物膜を形成した金属酸化物膜付き基板として、LED素子、エレクトロルミネッセンスランプエレクトロルミネッセンス素子、フィールドエミッションランプ等の発光デバイス、太陽電池等の発電デバイス、液晶ディスプレイ液晶素子、エレクトロルミネッセンスディスプレイエレクトロルミネッセンス素子、プラズマディスプレイ、電子ペーパー素子、エレクトロクロミック素子等の表示デバイス、及びタッチパネル等の入力デバイス等に好適である。更に、本発明の金属酸化物膜は、上記透明導電膜以外の用途として、例えば、酸化チタン、酸化セリウムは紫外線カットコーティングに、酸化アルミニウム屈折率=1.62、酸化ケイ素屈折率=1.46、酸化チタン屈折率=2.5~2.7、酸化イットリウム屈折率=1.82、酸化ジルコニウム屈折率=2.15、酸化セリウム屈折率=2.1~2.5、酸化ネオジム屈折率=2.0、酸化ハフニウム屈折率=1.91~2.15、酸化ニオブ屈折率=2.2~2.3、酸化アンチモン屈折率=2.04、酸化ランタン屈折率=1.88、酸化タンタル屈折率=2.16、酸化マグネシウム屈折率=1.72はその屈折率と透明性を応用した反射防止膜や高反射膜等の各種光学コーティング等に利用できる。また、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化セリウムは、その透明性と絶縁性を応用して、透明導電膜上に形成する絶縁オーバーコーティング等に利用でき、酸化タングステンはエレクトロクロミック表示材料や、セシウム等をドープしたセシウムドープ酸化タングステンとして近赤外線吸収材料熱線遮蔽材料に利用できる。以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。本発明の金属酸化物膜の製造方法は、有機金属化合物を主成分とする金属酸化物膜形成用塗布液を、基板上に塗布、乾燥、加熱処理して形成される金属酸化物膜の製造方法であって、金属酸化物を主成分とする金属酸化物微粒子の結晶成長が進み、かつ緻密に充填した金属酸化物微粒子層を形成するため、金属酸化物膜の膜強度の向上を図ることが可能で、さらに得られる金属酸化物膜を透明導電膜として用いた場合では導電性の向上、高屈折率膜に用いた場合では屈折率の向上を図ることができる。すなわち各種機能性膜として用いた場合には、その膜が有する機能の向上が達成可能である。[金属酸化物膜構造]先ず、金属酸化物膜構造を説明する。例えば、スパッタリング法等の気相成長法を用いて金属酸化物膜を形成した場合、通常、金属酸化物の結晶粒が粒界を介して配列した膜構造である多結晶の金属酸化物膜構造が形成され、膜構造において金属酸化物微粒子はほとんど観察されない。また、有機金属化合物を主成分とする金属酸化物膜形成用塗布液を基板上に塗布、乾燥、加熱処理する塗布法で形成した金属酸化物膜では、通常、金属酸化物微粒子同士が結合した膜構造を有しており、金属酸化物微粒子の粒子径や金属酸化物微粒子間に存在する空隙の大きさは、加熱処理条件などで異なるが、少なからず開空隙オープンポアを有する金属酸化物微粒子で構成される金属酸化物膜となることが知られている。そして、この塗布法で形成された金属酸化物微粒子同士が結合した金属酸化物膜を透明導電膜に適用した場合は、金属酸化物膜における導電機構が、金属酸化物微粒子の接触部分結合部分を介在するものであることから、金属酸化物微粒子同士が微小面積で接触するために起こると考えられる接触部分での導電性低下、開空隙を通して大気中の酸素や水蒸気が膜内に進入し金属酸化物微粒子同士の接触を劣化させるために起こると考えられる大気曝露における導電性の経時劣化、金属酸化物微粒子が粗に充填しているために起こると考えられる膜強度の低下などを生じる。このような従来の金属酸化物膜に対して、本発明は、金属酸化物微粒子を緻密に充填させると同時に、金属酸化物微粒子の結晶成長も促進させて、開空隙オープンポアが少なく緻密で、かつ金属酸化物微粒子同士の接触が強化された金属酸化物微粒子層を有する膜構造を形成するというものであり、その導電性の向上を図ると共に、膜強度の向上も得られるものである。更に、導電性の経時劣化も大きく抑制することも可能である。即ち、本発明において、緻密な金属酸化物微粒子層は、前述の金属酸化物膜形成用塗布液を用いた塗布法において、その加熱処理時の昇温過程で水蒸気含有量の少ない、すなわち露点温度が低い酸素含有雰囲気を適用することで形成されるものである。このような緻密な金属酸化物微粒子層の形成機構については、いまだ明らかとはいえず、後でも詳細に説明段落[0104]から[0108]に記載するが、要は酸素含有雰囲気中に水蒸気が存在すると、有機金属化合物等が熱分解燃焼して生じる無機化による金属酸化物の結晶化並びに結晶成長が、水蒸気で促進され、熱分解燃焼を行なう加熱処理工程での初期段階で金属酸化物微粒子同士を固着して動けなくしてしまうため、金属酸化物微粒子の緻密化を阻害するためと推測される。一方、本発明の金属酸化物膜においては、水蒸気含有量の少ない、すなわち露点温度が低い酸素含有雰囲気を適用しており、金属酸化物の種類にもよるが、例えば、金属酸化物膜における金属酸化物微粒子の充填密度は金属酸化物の真比重の約90程度まで高めることが可能であり、水蒸気を含む酸素含有雰囲気を適用した場合には、真比重の60~70程度に留まる。[金属酸化物膜形成用塗布液]次に、本発明で用いられる金属酸化物膜形成用塗布液について詳細する。本発明では、有機アルミニウム化合物、有機ケイ素化合物、有機スカンジウム化合物、有機チタン化合物、有機バナジウム化合物、有機クロム化合物、有機マンガン化合物、有機鉄化合物、有機コバルト化合物、有機ニッケル化合物、有機銅化合物、有機ガリウム化合物、有機ゲルマニウム化合物、有機イットリウム化合物、有機ジルコニウム化合物、有機ニオブ化合物、有機モリブデン化合物、有機ルテニウム化合物、有機アンチモン化合物、有機ランタン化合物、有機ハフニウム化合物、有機タンタル化合物、有機タングステン化合物、有機ビスマス化合物、有機セリウム化合物、有機ネオジム化合物、有機サマリウム化合物、有機ガドリニウム化合物、有機マグネシウム化合物、有機カルシウム化合物、有機ストロンチウム化合物、有機バリウム化合物のいずれか一つ以上からなる有機金属化合物を主成分とする金属酸化物膜形成用塗布液を用いて、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化スカンジウム、酸化チタン、酸化バナジウム、酸化クロム、酸化マンガン、酸化鉄、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化銅、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アンチモン、酸化ランタン、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化タングステン、酸化ビスマス、酸化セリウム、酸化ネオジム、酸化サマリウム、酸化ガドリニウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウムのいずれか一つ以上の金属酸化物を形成している。まず、有機金属化合物を主成分とする透明導電膜形成用塗布液について、以下に説明する。本発明で用いる有機金属化合物には、有機アルミニウム化合物、有機ケイ素化合物、有機スカンジウム化合物、有機チタン化合物、有機バナジウム化合物、有機クロム化合物、有機マンガン化合物、有機鉄化合物、有機コバルト化合物、有機ニッケル化合物、有機銅化合物、有機ガリウム化合物、有機ゲルマニウム化合物、有機イットリウム化合物、有機ジルコニウム化合物、有機ニオブ化合物、有機モリブデン化合物、有機ルテニウム化合物、有機アンチモン化合物、有機ランタン化合物、有機ハフニウム化合物、有機タンタル化合物、有機タングステン化合物、有機ビスマス化合物、有機セリウム化合物、有機ネオジム化合物、有機サマリウム化合物、有機ガドリニウム化合物、有機マグネシウム化合物、有機カルシウム化合物、有機ストロンチウム化合物、有機バリウム化合物のいずれか一つ以上からなり、前記金属酸化物が、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化スカンジウム、酸化チタン、酸化バナジウム、酸化クロム、酸化マンガン、酸化鉄、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化銅、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アンチモン、酸化ランタン、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化タングステン、酸化ビスマス、酸化セリウム、酸化ネオジム、酸化サマリウム、酸化ガドリニウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム等のいずれか一種以上が好ましい。有機アルミニウム化合物としては、アルミニウムアセチルアセトン錯体としてのアセチルアセトンアルミニウム正式名称:アルミニウムIII-2,4-ペンタンジオネート[AlC5H7O23]、アルミニウムアルコキシドとしてのアルミニウムIIIエトキシド[AlC2H5O3]、アルミニウムIII-n-ブトキシド[AlC4H9O3]、アルミニウムIII-tert-ブトキシド[AlC4H9O3]、アルミニウムIIIイソプロポキシド[AlC3H7O3]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機アルミニウム化合物であれば良い。これらの中でも、アセチルアセトンアルミニウム、アルミニウムIII-n-ブトキシドは、比較的安価で入手し易いので好ましい。有機金属化合物の有機ケイ素化合物としては、多くのタイプの有機化合物が存在するが、例えば、シリコンアルコキシドとしてのシリコンIVテトラメトキシド[SiCH3O4]、シリコンIVテトラエトキシド[SiC2H5O4]、シリコンIV-tert-ブトキシド[SiC4H9O4]、シリコンIVテトラ-n-ブトキシド[SiC4H9O4]、シリコンIVテトライソプロポキシド[SiC3H7O4]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機ケイ素化合物であれば良い。有機金属化合物の有機スカンジウム化合物としては、例えば、スカンジウムアセチルアセトン錯体としてのアセチルアセトンスカンジウム正式名称:スカンジウムIII-2,4-ペンタンジオネート[ScC5H7O23]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機スカンジウム化合物であれば良い。有機金属化合物の有機チタン化合物としては、例えば、チタンアセチルアセトン錯体としてのアセチルアセトンチタン正式名称:チタンIVジ-n-ブトキシドビス2,4-ペンタンジオネート[TiC4H9O2C5H7O22]、チタニルIVアセチルアセトネート[C5H7O22TiO]、チタンIVジイソプロポキシドビス2,4-ペンタンジオネート[TiC3H7O2C5H7O22]等や、チタンアルコキシドとしてのチタンIVテトラエトキシド[TiC2H5O4]、チタンIV-tert-ブトキシド[TiC4H9O4]、チタンIVテトラ-n-ブトキシド[TiC4H9O4]、チタンIVテトライソプロポキシド[TiC3H7O4]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機チタン化合物であれば良い。これらの中でも、アセチルアセトンチタン、チタンIVテトラ-n-ブトキシド、チタンIVテトライソプロポシドは、安価で入手し易いので好ましい。有機金属化合物の有機バナジウム化合物としては、例えば、バナジウムアセチルアセトン錯体としてのバナジウムIVオキサイドビス-2,4-ペンタンジオネート[VOC5H7O22]、アセチルアセトンバナジウム正式名称:バナジウムIII-2,4-ペンタンジオネート[VC5H7O23]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機バナジウム化合物であれば良い。有機金属化合物の有機クロム化合物としては、例えば、クロムアセチルアセトン錯体としてのアセチルアセトンクロム正式名称:クロムIII-2,4-ペンタンジオネート[CrC5H7O23]等、クロムアルコキシドとしてのクロムIIIイソプロポキシド[CrC3H7O3]等、有機酸クロムとしての酢酸クロムII[CrCH3COO2]、二酢酸ヒドロキシクロムIII[CrCH3COO2OH]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機クロム化合物であれば良い。有機金属化合物の有機マンガン化合物としては、例えば、マンガンアセチルアセトン錯体としてのアセチルアセトンマンガン{正式名称:マンガンII-2,4-ペンタンジオネート[MnC5H7O22]、正式名称:マンガンIII-2,4-ペンタンジオネート[MnC5H7O23]}等や、有機酸マンガンとしての酢酸マンガンII[MnCH3COO2]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機マンガン化合物であれば良い。有機金属化合物の有機鉄化合物としては、例えば、鉄アセチルアセトン錯体としてのアセチルアセトン鉄正式名称:鉄III-2,4-ペンタンジオネート[FeC5H7O23]等、鉄アルコキシドとしての鉄IIIエトキシド[FeC2H5O3]等、有機酸鉄としての酢酸鉄III[FeCH3COO3]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機鉄化合物であれば良い。有機金属化合物の有機コバルト化合物としては、例えば、コバルトアセチルアセトン錯体としてのアセチルアセトンコバルト{正式名称:コバルトII-2,4-ペンタンジオネート[CoC5H7O22]、正式名称:コバルトIII-2,4-ペンタンジオネート[CoC5H7O23]}等や、有機酸コバルトとしての酢酸コバルトII[CoCH3COO2]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機コバルト化合物であれば良い。有機金属化合物の有機ニッケル化合物としては、例えば、ニッケルアセチルアセトン錯体としてのアセチルアセトンニッケル正式名称:ニッケルII-2,4-ペンタンジオネート[NiC5H7O22]等や、有機酸ニッケルとしての蟻酸ニッケルII[NiHCOO2]、酢酸ニッケルII[NiCH3COO2]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機ニッケル化合物であれば良い。有機金属化合物の有機銅化合物としては、例えば、銅アセチルアセトン錯体としてのアセチルアセトン銅正式名称:銅II-2,4-ペンタンジオネート[CuC5H7O22]等、銅アルコキシドとしての銅IIエトキシド[CuC2H5O2]等、有機酸銅としての蟻酸銅II[CuHCOO2]、酢酸銅II[CuCH3COO2]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機銅化合物であれば良い。有機金属化合物の有機ガリウム化合物としては、ガリウムアセチルアセトン錯体としてのアセチルアセトンガリウム正式名称:ガリウムIII-2,4-ペンタンジオネート[GaC5H7O23]、ガリウムアルコキシドとしてのガリウムIIIエトキシド[GaC2H5O3]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機ガリウム化合物であれば良い。有機金属化合物の有機ゲルマニウム化合物としては、例えば、ゲルマニウムアルコキシドとしてのゲルマニウムIVテトラエトキシド[GeC2H5O4]、ゲルマニウムIVテトラ-n-ブトキシド[GeC4H9O4]、ゲルマニウムIVテトライソプロポキシド[GeC3H7O4]等や、β-カルボキシエチルゲルマニウムIVオキシド[GeCH2CH2COOH2O3]、テトラエチルゲルマニウムIV[GeC2H54]、テトラブチルゲルマニウムIV[GeC4H94]、トリブチルゲルマニウムIVハイドライド[GeC4H93H]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機ゲルマニウム化合物であれば良い。これらの中でも、ゲルマニウムIVテトラエトキシド、ゲルマニウムIVテトラ-n-ブトキシド、ゲルマニウムIVテトライソプロポキシドは、比較的安価で入手し易いので好ましい。有機金属化合物の有機イットリウム化合物としては、例えば、イットリウムアセチルアセトン錯体としてのアセチルアセトンイットリウム正式名称:イットリウムIII-2,4-ペンタンジオネート[YC5H7O23]等、イットリウムアルコキシドとしてのイットリウムIIIイソプロポキシド[YC3H7O3]等、有機酸イットリウムとしての酢酸イットリウムIII[YCH3COO3]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機イットリウム化合物であれば良い。有機金属化合物の有機ジルコニウム化合物としては、例えば、ジルコニウムアセチルアセトン錯体としてのジルコニウムIVジ-n-ブトキシドビス2,4-ペンタンジオネート[ZrC4H9O2C5H7O22]、アセチルアセトンジルコニウム正式名称:ジルコニウムIV-2,4-ペンタンジオネート[ZrC5H7O24]、ジルコニウムアルコキシドとしてのジルコニウムIVエトキシド[ZrC2H5O4]、ジルコニウムIV-n-プロポキシド[ZrC3H7O4]、ジルコニウムIVイソプロポキシド[ZrC3H7O4]、ジルコニウムIV-n-ブトキシド[ZrC4H9O4]、ジルコニウムIV-tert-ブトキシド[ZrC4H9O4]、ジルコニウムIV-2-メチル-2-ブトキシド[ZrC5H11O4]、ジルコニウムIV-2-メトキシメチル-2-プロポキシド[ZrCH3OC4H8O4]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機ジルコニウム化合物であれば良い。これらの中でも、ジルコニウムIV-n-プロポキシド、ジルコニウムIV-n-ブトキシドは、比較的安価で入手し易いので好ましい。有機金属化合物の有機ニオブ化合物としては、例えば、ニオブアルコキシドとしてのニオブVエトキシド[NbC2H5O5]、ニオブV-n-ブトキシド[NbC4H9O5]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機ニオブ化合物であれば良い。有機金属化合物の有機モリブデン化合物としては、例えば、モリブデンアセチルアセトン錯体としてのモリブデンVIオキサイドビス-2,4-ペンタンジオネート[MoO2C5H7O22]、モリブデンアルコキシドとしてのモリブデンVエトキシド[MoC2H5O5]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機モリブデン化合物であれば良い。有機金属化合物の有機ルテニウム化合物としては、ルテニウムアセチルアセトン錯体としてのアセチルアセトンルテニウム正式名称:ルテニウムIII-2,4-ペンタンジオネート[RuC5H7O23]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機ルテニウム化合物であれば良い。有機金属化合物の有機アンチモン化合物としては、例えば、酢酸アンチモンIII[SbCH3COO3]、アンチモンアルコキシドとしてのアンチモンIIIエトキシド[SbC2H5O3]、アンチモンIII-n-ブトキシド[SbC4H9O3]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機アンチモン化合物であれば良い。これらの中でも、アンチモンIII-n-ブトキシドは、比較的安価で入手し易いので好ましい。有機金属化合物の有機ランタン化合物としては、例えば、ランタンアセチルアセトン錯体としてのアセチルアセトンランタン正式名称:ランタンIII-2,4-ペンタンジオネート[LaC5H7O23]等、ランタンアルコキシドとしてのランタンIIIイソプロポキシド[LaC3H7O3]等、有機酸ランタンとしての酢酸ランタンIII[LaCH3COO3]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機ランタン化合物であれば良い。有機金属化合物の有機ハフニウム化合物としては、例えば、ハフニウムアセチルアセトン錯体としてのハフニウムIVジ-n-ブトキシドビス2,4-ペンタンジオネート[HfC4H9O2C5H7O22]、アセチルアセトンハフニウム正式名称:ハフニウムIV-2,4-ペンタンジオネート[HfC5H7O24]、ハフニウムアルコキシドとしてのハフニウムIVエトキシド[HfC2H5O4]、ハフニウムIV-n-ブトキシド[HfC4H9O4]、ハフニウムIV-tert-ブトキシド[HfC4H9O4]、ハフニウムIVイソプロポキシドモノイソプロピレート[HfC3H7O4C3H7OH]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機ハフニウム化合物であれば良い。これらの中でも、ハフニウムIV-n-ブトキシドは、比較的安価で入手し易いので好ましい。有機金属化合物の有機タンタル化合物としては、例えば、タンタルアセチルアセトン錯体としてのタンタルVテトラエトキシド-ペンタンジオネート[TaC5H7O2OC2H54]、タンタルアルコキシドとしてのタンタルVメトキシド[TaCH3O5]、タンタルVエトキシド[TaC2H5O5]、タンタルVイソプロポキシド[TaC3H7O5]、タンタルV-n-ブトキシド[TaC4H9O5]、テトラエトキシアセチルアセトナトタンタルV[TaC2H5O4C5H7O2]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機タンタル化合物であれば良い。有機金属化合物の有機タングステン化合物としては、例えば、タングステンアルコキシドとしてのタングステンVエトキシド[WC2H5O5]、タングステンVIエトキシド[WC2H5O6]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機タングステン化合物であれば良い。有機金属化合物の有機ビスマス化合物としては、例えば、ビスマスアセチルアセトン錯体としてのアセチルアセトンビスマス正式名称:ビスマスIII-2,4-ペンタンジオネート[BiC5H7O23]等や、ビスマスアルコキシドとしてのビスマスIIIペントキシド[BiC5H11O3]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機ビスマス化合物であれば良い。有機金属化合物の有機セリウム化合物としては、例えば、セリウムアセチルアセトン錯体としてのアセチルアセトンセリウム正式名称:セリウムIII-2,4-ペンタンジオネート[CeC5H7O23]、セリウムアルコキシドとしてのセリウムIVメトキシエトキシド[CeCH3OC2H5O4]、セリウムIV-tert-ブトキシド[CeC4H9O4]、セリウムIVイソプロポキシド[CeC3H7O4]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機セリウム化合物であれば良い。有機金属化合物の有機ネオジム化合物としては、例えば、ネオジムアセチルアセトン錯体としてのアセチルアセトンネオジム正式名称:ネオジムIII-2,4-ペンタンジオネート[NdC5H7O23]等、ネオジムアルコキシドとしてのネオジムIIIメトキシエトキシド[NdCH3OC2H4O3]等、有機酸ネオジムとしての酢酸ネオジムIII[NdCH3COO3]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機ネオジム化合物であれば良い。有機金属化合物の有機サマリウム化合物としては、例えば、サマリウムアセチルアセトン錯体としてのアセチルアセトンサマリウム正式名称:サマリウムIII-2,4-ペンタンジオネート[SmC5H7O23]等、サマリウムアルコキシドとしてのサマリウムIIIイソプロポキシド[SmC3H7O3]等、有機酸サマリウムとしての酢酸サマリウムIII[SmCH3COO3]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機サマリウム化合物であれば良い。有機金属化合物の有機ガドリニウム化合物としては、例えば、ガドリニウムアセチルアセトン錯体としてのアセチルアセトンガドリニウム正式名称:ガドリニウムIII-2,4-ペンタンジオネート[GdC5H7O23]等や、有機酸ガドリニウムとしての酢酸ガドリニウムIII[GdCH3COO3]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機ガドリニウム化合物であれば良い。有機金属化合物の有機マグネシウム化合物としては、例えば、マグネシウムアセチルアセトン錯体としてのアセチルアセトンマグネシウム正式名称:マグネシウムII-2,4-ペンタンジオネート[MgC5H7O22]等や、マグネシウムアルコキシドとしてのマグネシウムIIエトキシド[MgC2H5O2]、マグネシウムIIn-プロポキシド[MgC3H7O2]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機マグネシウム化合物であれば良い。有機金属化合物の有機カルシウム化合物としては、例えば、カルシウムアセチルアセトン錯体としてのアセチルアセトンカルシウム正式名称:カルシウムII-2,4-ペンタンジオネート[CaC5H7O22]等、カルシウムアルコキシドとしてのカルシウムIIエトキシド[CaC2H5O2]等、有機酸カルシウムとしての酢酸カルシウムII[CaCH3COO2]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機カルシウム化合物であれば良い。有機金属化合物の有機ストロンチウム化合物としては、例えば、ストロンチウムアセチルアセトン錯体としてのアセチルアセトンストロンチウム正式名称:ストロンチウムII-2,4-ペンタンジオネート[SrC5H7O22]等、ストロンチウムアルコキシドとしてのストロンチウムIIイソプロポキシド[SrC3H7O2]等、有機酸ストロンチウムとしての酢酸ストロンチウムII[SrCH3COO2]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機ストロンチウム化合物であれば良い。有機金属化合物の有機バリウム化合物としては、例えば、バリウムアセチルアセトン錯体としてのアセチルアセトンバリウム正式名称:バリウムII-2,4-ペンタンジオネート[BaC5H7O22]等、バリウムアルコキシドとしてのバリウムIIイソプロポキシド[BaC3H7O2]等、有機酸バリウムとしての酢酸バリウムII[BaCH3COO2]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機バリウム化合物であれば良い。金属酸化物膜形成用塗布液における上記有機金属化合物は、基板上に金属酸化物膜を形成させるための主たる化合物原料であり、その含有量は1~30重量の範囲であることが好ましく、更に好ましくは5~20重量とするのが良い。その合計含有量が1重量未満であると膜厚の薄い金属酸化物膜しか得られなくなるため十分な導電性が得られない。また、30重量より多いと金属酸化物膜形成用塗布液中の有機金属化合物が析出し易くなって塗布液の安定性が低下したり、得られる金属酸化物膜が厚くなり過ぎて亀裂クラックが発生する場合がある。必要に応じて、上記透明導電膜形成用塗布液に少量の有機インジウム化合物、有機錫化合物、有機亜鉛化合物のいずれか1つ以上を添加しても良い。例えば、有機インジウム化合物としては、アセチルアセトンインジウム正式名称:トリスアセチルアセトナトインジウムIII[InC5H7O23]、2-エチルヘキサン酸インジウムIII[InC7H15COO23]、蟻酸インジウムIII[InHCOO3]、酢酸インジウムIII[InCH3COO3]、インジウムアルコキシドとしてのインジウムIIIメトキシエトキシド[InCH3OC2H4O3]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機インジウム化合物であれば良い。これらの中でもアセチルアセトンインジウムは有機溶剤への溶解性が高く、200~250°C程度の温度で熱分解燃焼酸化して酸化物となるため好ましい。有機錫化合物化合物中の錫の価数は2価、4価にこだわらないとしては、例えば、アセチルアセトン錫正式名称:ジ-n-ブチルビス2,4-ペンタンジオナト錫IV、[SnC4H92C5H7O22]、2-エチルヘキサン酸錫II別名:オクチル酸錫II[SnC7H15COO22]、酢酸錫II[SnCH3COO2]、酢酸錫IV[SnCH3COO4]、ジ-n-ブチル錫IVジアセテート[SnC4H92CH3COO2]、蟻酸錫II[SnHCOO2]、錫アルコキシドとしての錫IV-tert-ブトキシド[SnC4H9O4]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機錫化合物であれば良い。これらの中でも、アセチルアセトン錫は、比較的安価で入手し易いので好ましい。有機亜鉛化合物としては、例えば、亜鉛アセチルアセトン錯体としてのアセチルアセトン亜鉛正式名称:亜鉛II-2,4-ペンタンジオネート[ZnC5H7O22]、亜鉛II-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオネート[ZnC11H19O22]、亜鉛アルコキシドとしての亜鉛IIメトキシエトキシド[ZnCH3OC2H4O2]等が挙げられるが、基本的には、溶剤に溶解し、加熱処理時において塩素ガスや窒素酸化物ガスなどの有害ガスが発生せずに酸化物に分解する有機亜鉛化合物であれば良い。これらの中でも、アセチルアセトン亜鉛は、安価で入手し易いので好ましい。さらに、金属酸化物膜形成用塗布液には、必要に応じて有機バインダーを添加しても良い。有機バインダーを加えることで、基板に対する濡れ性が改善されると同時に、塗布液の粘度調整を行うことができる。上記有機バインダーは加熱処理時において燃焼や熱分解する材料が好ましく、このような材料として、セルロース誘導体、アクリル樹脂等が有効である。有機バインダーに用いられるセルロース誘導体としては、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシエチルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、カルボキシエチルセルロース、カルボキシエチルメチルセルロース、ニトロセルロース等が挙げられるが、これらの中でもヒドロキシプロピルセルロース以下、HPCと表記する場合があるが好ましい。なお、上記各種セルロース誘導体やアクリル樹脂では、分子量が異なる多くの種類が市販されており、例えば、HPCでは、その分子量の大きさに応じて、高分子量タイプ、中分子量タイプ、低分子量タイプがあり、分子量が大きいほど、バインダーとして配合した金属酸化物膜形成用塗布液の粘度を高めることができる。分子量タイプの選定、および、配合量の決定は、金属酸化物膜形成用塗布液の塗布性、および金属酸化物膜形成用塗布液の塗布方法や塗布膜厚に応じ、随時最適化する必要がある。上記HPCを用いれば、通常、5重量以下の含有量で十分な濡れ性が得られると同時に、大幅な粘度調整を行うことができる。またHPCの燃焼開始温度は300°C程度であり、加熱処理を300°C以上、好ましくは350°C以上の加熱温度で行えば燃焼するので、生成する導電性粒子の粒成長を阻害せず、導電性が良好な金属酸化物膜を作製することができる。HPCの含有量が5重量より多くなると、ゲル状になって塗布液中に残留し易くなり、極めて多孔質の金属酸化物膜を形成して透明性や導電性が著しく損なわれる。ここで、セルロース誘導体として、例えばHPCの代わりにエチルセルロースを用いた場合には、通常、HPCを用いた場合よりも塗布液の粘度が低く設定できるが、高粘度塗布液が好適であるスクリーン印刷法等ではパターン印刷性が若干低下する。ところで、ニトロセルロースは、熱分解性は優れているが、加熱処理時において有害な窒素酸化物ガスの発生があり、加熱処理炉の劣化や排ガス処理に問題を生じる場合がある。以上のように、使用するセルロース誘導体は、状況に応じて適宜選択する必要がある。また、アクリル樹脂としては、比較的低温で燃焼するアクリル樹脂が好ましい。金属酸化物膜形成用塗布液に用いる溶剤としては、各種金属アセチルアセトン錯体化合物や各種金属アルコキシド化合物を高濃度で溶解できるN-メチル-2-ピロリドンNMPやγ-ブチロラクトンが好ましい。更に、別の好ましい溶剤として、アルキルフェノール、アルケニルフェノールのいずれか或いは両者と二塩基酸エステル、もしくはアルキルフェノール、アルケニルフェノールのいずれか或いは両者と酢酸ベンジル、またはこれらの混合溶液が挙げられる。このアルキルフェノールあるいはアルケニルフェノールとしては、クレゾール類、キシレノール、エチルフェノール、p-tert-ブチルフェノール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、カシューナット殻液[3ペンタデカデシールフェノール]等が挙げられ、二塩基酸エステル例えば二塩基酸ジメチル、二塩基酸ジエチル等としては、コハク酸エステル、グルタル酸エステル、アジピン酸エステル、マロン酸エステル、フタル酸エステル等が用いられる。更に、塗布液を低粘度にしたり、塗布性を改善させるために金属酸化物膜形成用塗布液に配合する溶剤には、各種有機金属化合物とセルロース誘導体やアクリル樹脂を溶解させた溶液と相溶性があれば良く、上記以外の溶剤として、水、メタノールMA、エタノールEA、1-プロパノールNPA、イソプロパノールIPA、ブタノール、ペンタノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコールDAA等のアルコール系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンMEK、メチルプロピルケトン、メチルイソブチルケトンMIBK、シクロヘキサノン、イソホロン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、ギ酸アミル、酢酸イソアミル、プロピオン酸ブチル、酪酸イソプロピル、酪酸エチル、酪酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、オキシ酢酸メチル、オキシ酢酸エチル、オキシ酢酸ブチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、3-オキシプロピオン酸メチル、3-オキシプロピオン酸エチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、2-オキシプロピオン酸メチル、2-オキシプロピオン酸エチル、2-オキシプロピオン酸プロピル、2-メトキシプロピオン酸メチル、2-メトキシプロピオン酸エチル、2-メトキシプロピオン酸プロピル、2-エトキシプロピオン酸メチル、2-エトキシプロピオン酸エチル、2-オキシ-2-メチルプロピオン酸メチル、2-オキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、2-メトキシ-2-メチルプロピオン酸メチル、2-エトキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、2-オキソブタン酸メチル、2-オキソブタン酸エチル等のエステル系溶媒、エチレングリコールモノメチルエーテルMCS、エチレングリコールモノエチルエーテルECS、エチレングリコールイソプロピルエーテルIPC、エチレングリコールモノブチルエーテルBCS、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルPGM、プロピレングリコールエチルエーテルPE、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートPGM-AC、プロピレングリコールエチルエーテルアセテートPE-AC、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル等のグリコール誘導体、トルエン、キシレン、メシチレン、ドデシルベンゼン等のベンゼン誘導体、ホルムアミドFA、N-メチルホルムアミド、ジメチルホルムアミドDMF、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルフォキシドDMSO、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、1、3-ブチレングリコール、ペンタメチレングリコール、1、3-オクチレングリコール、テトラヒドロフランTHF、クロロホルム、ミネラルスピリッツ、ターピネオール等、及びこれらのいくつかの混合液が挙げられるが、これらに限定されるものではない。塗布液の安定性や成膜性を考慮すると、使用する溶剤としては、メチルエチルケトンMEK、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGM、N-メチル-2-ピロリドンNMP、γ-ブチロラクトン等が好ましい。本発明で用いる金属酸化物膜形成用塗布液は、上記有機アルミニウム化合物、有機ケイ素化合物、有機スカンジウム化合物、有機チタン化合物、有機バナジウム化合物、有機クロム化合物、有機マンガン化合物、有機鉄化合物、有機コバルト化合物、有機ニッケル化合物、有機銅化合物、有機ガリウム化合物、有機ゲルマニウム化合物、有機イットリウム化合物、有機ジルコニウム化合物、有機ニオブ化合物、有機モリブデン化合物、有機ルテニウム化合物、有機アンチモン化合物、有機ランタン化合物、有機ハフニウム化合物、有機タンタル化合物、有機タングステン化合物、有機ビスマス化合物、有機セリウム化合物、有機ネオジム化合物、有機サマリウム化合物、有機ガドリニウム化合物、有機マグネシウム化合物、有機カルシウム化合物、有機ストロンチウム化合物、有機バリウム化合物のいずれか一つ以上からなり、前記金属酸化物が、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化スカンジウム、酸化チタン、酸化バナジウム、酸化クロム、酸化マンガン、酸化鉄、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化銅、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アンチモン、酸化ランタン、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化タングステン、酸化ビスマス、酸化セリウム、酸化ネオジム、酸化サマリウム、酸化ガドリニウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム等のいずれか一つ以上の有機金属化合物、必要に応じてこれら以外の各種有機金属化合物のいずれか一種以上、更に、必要に応じて有機バインダーを加えた混合物を溶剤に加熱溶解させることによって製造する。加熱溶解は、通常、加熱温度を60~200°Cとし、0.5~12時間攪拌することにより行われる。加熱温度が60°Cよりも低いと十分に溶解せず、例えば、有機インジウム化合物を主成分とする金属酸化物膜形成用塗布液であれば、アセチルアセトンインジウム等の金属化合物の析出分離が起って塗布液の安定性が低下してしまい、200°Cよりも高いと溶剤の蒸発が顕著となり塗布液の組成が変化してしまうので好ましくない。金属酸化物膜形成用塗布液の粘度は、上記有機バインダーの分子量や含有量、溶剤の種類によって調整することができるので、インクジェット印刷法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、フレキソ印刷法、ディスペンサ印刷法、スリットコート法、ダイコート法、ドクターブレードコート法、ワイヤーバーコート法、スピンコート法、スプレーコート法等の各種塗布法のそれぞれに適した粘度に調整して対応することができる。高粘度5000~50000mPas程度の塗布液は、高分子量の有機バインダーを5重量以下、好ましくは2~4重量含有させることで作製でき、低粘度5~500mPas程度は、低分子量の有機バインダーを5重量以下、好ましくは0.1~2重量含有させ、かつ低粘度の希釈用溶剤で希釈することで作製できる。また、中粘度500~5000mPasの塗布液は、高粘度の塗布液と低粘度の塗布液を混合することで作製できる。[金属酸化物膜の製造方法]本発明の金属酸化物膜の製造方法について詳細する。本発明の金属酸化物膜は、金属酸化物膜形成用塗布液を基板上に塗布して塗布膜を形成する塗布工程、その塗布膜を乾燥して乾燥塗布膜を形成する乾燥工程、その乾燥塗布膜を露点温度の低い酸素含有雰囲気下で加熱処理して無機膜を形成する加熱処理工程の各工程を経て形成される。a塗布工程基板上への金属酸化物膜形成用塗布液の塗布は、インクジェット印刷法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、フレキソ印刷法、ディスペンサ印刷法、スリットコート法、ダイコート法、ドクターブレードコート法、ワイヤーバーコート法、スピンコート法、スプレーコート法等の各種塗布法を用いて塗布される。これらの塗布は、クリーンルーム等のように清浄でかつ温度や湿度が管理された雰囲気下で行うことが好ましい。温度は室温25°C程度、湿度は40~60RHが一般的である。その耐熱基板としては、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、石英ガラス等の無機基板や、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリエチレンテレフタレートPET、ナイロン、ポリエーテルスルホンPES、ウレタン、シクロオレフィン樹脂ゼオノア[日本ゼオン株式会社製]やアートン[JSR株式会社製]等、フッ素系樹脂、ポリイミドPI等の樹脂基板耐熱性プラスチックフィルムを用いることができる。b乾燥工程次の乾燥工程では、金属酸化物膜形成用塗布液を塗布した基板を、通常大気中80~180°Cで1~30分間、好ましくは2~10分間保持して塗布膜の乾燥を行い、乾燥塗布膜を作製する。その乾燥条件乾燥温度、乾燥時間は、用いる基板の種類や金属酸化物膜形成用塗布液の塗布厚み等によって、適宜選択すればよく、上記乾燥条件に限定される訳ではない。ただし、生産性を考慮すれば、乾燥時間は、得られる乾燥塗布膜の膜質が悪化しない必要最低限度に短縮することが望ましい。また、乾燥温度は、用いる基板の耐熱温度以下であることが必要で、例えば、上記PENフィルムであれば乾燥時間にもよるが200°C程度以下に設定する必要がある。なお、必要に応じて大気中乾燥に代えて、減圧乾燥到達圧力:通常1kPa以下を適用することも可能である。この減圧乾燥では、塗布された透明導電膜形成用塗布液中の溶剤が、減圧下で強制的に除去されて乾燥が進行するため、大気中乾燥に比べてより低温での乾燥が可能となるため、耐熱性や耐溶剤性に乏しい素材からなる基板を用いる場合に有用である。この作製した乾燥塗布膜は、金属酸化物膜形成用塗布液から前述の有機溶剤が揮発除去されたものであって、上記有機金属化合物、必要に応じて少量添加される、有機インジウム化合物、有機錫化合物、有機亜鉛化合物、有機バインダー等の有機系成分で構成されている。c加熱処理工程加熱処理工程では、乾燥工程で作製した乾燥塗布膜を露点温度の低い酸素含有雰囲気下で加熱処理して乾燥塗布膜中の上記有機金属化合物、あるいは少量添加の有機金属化合物を含んだ上記有機金属化合物、および有機バインダー等の有機系成分を熱分解燃焼酸化により無機化させて無機成分金属酸化物が主成分からなる緻密な無機膜金属酸化物微粒子が緻密に充填した金属酸化物微粒子層としての金属酸化物膜を形成するものである。すなわち、加熱処理工程の昇温過程で加熱温度が高くなってくると、乾燥塗布膜中の上記有機金属化合物少量有機金属化合物を含有する物も含むは徐々に熱分解燃焼酸化されて、まずアモルファス状態ここでは、X線回折で求めた結晶子サイズ=3nm未満の非常に微細な粒子の状態を称するの金属酸化物への変換、所謂無機化が生じる。その後加熱温度が一層上昇して通常300~330°Cの範囲を越えるか、あるいは300~330°Cの範囲のままであっても加熱時間が長くなると上記金属酸化物の結晶化が起き、更に結晶成長して金属酸化物微粒子となり最終的な金属酸化物膜の構成要素となる。なお、この300~330°Cの温度は、上記無機化や結晶化が生じやすい一般的な温度範囲を示すものであって、例えば、加熱時間が長い場合には、270°C程度でも上記記金属酸化物の無機化、結晶化、結晶成長が生じる場合もあるため、本発明の加熱処理工程の加熱温度が300°C以上に限定されるものではない。一方、有機バインダーも同様に、加熱処理工程の昇温過程で徐々に熱分解燃焼酸化するが、主に二酸化炭素CO2に転化されて雰囲気中に揮散して膜中から消失有機バインダーの種類にもよるが、例えば前述のHPCであれば約300~350°Cでほぼ消失していくため、最終的には金属酸化物膜中にはほとんど残留しない。なお、加熱処理工程の初期段階昇温過程のある段階で、例えば室温から加熱して300°Cまで到達した段階までは有機バインダーが多く残留し、上記アモルファス状態の金属酸化物間に有機バインダーが均一に介在して結晶化を抑制しているが、更に加熱処理を進めると有機バインダー成分が徐々に消失していって上記金属酸化物の結晶化が起こるものと考えられる。以下、加熱処理工程をより詳細に説明する。本発明の乾燥塗布膜の加熱処理工程において、先ず露点温度の低い、即ち水蒸気含有量の少ない酸素含有雰囲気参考として、図1に、空気中の飽和水蒸気含有量体積と露点温度°Cの関係を示すを昇温過程の雰囲気に適用することで、上記の通り加熱処理工程の初期段階に生じる無機化による金属酸化物の結晶化、並びに結晶成長が抑制されて、金属酸化物微粒子が緻密に充填した本発明の金属酸化物微粒子層の膜構造を得ることができる。なお、金属酸化物微粒子が緻密に充填するメカニズムに関しては、必ずしも明らかではないが、例えば、以下のように考えることができる。すなわち、少なくとも加熱処理工程の昇温過程で生じた無機化による金属酸化物の結晶化が起こる時点加熱処理工程の初期段階;本発明では通常300~330°C程度までは上記アモルファス状態の金属酸化物間に有機バインダーが均一に介在した膜構造が維持され、この膜構造が有機物質である有機バインダーの作用で柔軟性を有して基板と垂直方向への膜の収縮緻密化を可能とするため、露点温度の低い空気雰囲気下で昇温して加熱処理した場合は、有機バインダーが消失するぎりぎりの加熱温度まで約300~350°C程度まで金属酸化物の結晶化が抑制されて上記収縮可能な膜構造を取ることができ、膜の緻密化につながるものと推測される。なお、上述した露点温度の低い、即ち水蒸気含有量の少ない空気雰囲気下において金属酸化物の結晶化、並びに結晶成長が抑制される理由は明らかではないが、例えば、空気雰囲気中の水蒸気が、1金属酸化物間に介在している有機バインダー成分の熱分解燃焼酸化の促進作用を有する、2金属酸化物自体の結晶化、並びに結晶成長を促進する作用を有する、等が考えられる。具体的には、先ず露点温度-10°C以下の酸素含有雰囲気ガスを供給しながら金属酸化物の結晶化が起こる温度以上通常300~330°C以上に昇温して加熱処理を行い、膜の緻密化を図る。以上のような露点温度-10°C以下の酸素含有雰囲気下での単純な加熱処理でも緻密な透明導電膜を得ることはできるが、以下に述べるエネルギー線照射を上記単純な加熱処理と併用する加熱処理以後、加熱エネルギー線照射と表記する場合があるであれば、上記露点温度-10°C以下の酸素含有雰囲気下での加熱処理の加熱温度を大幅に低下後述のように、加熱温度100~200°Cまで低下させることができる。すなわち、乾燥工程で得られた乾燥塗布膜を、露点温度-10°C以下の酸素含有雰囲気下で、加熱しながらエネルギー線照射を施す方法である。この方法によって乾燥塗布膜の有機成分が徐々に分解燃焼酸化して、膜の無機化が進行し、膜の厚みは徐々に低下していき緻密化がより一層促進される。例えば、厚み300~500nm程度の乾燥塗布膜を、上記酸素含有雰囲気下での150~200°Cという低温の加熱エネルギー線照射によって、最終的に厚み80~100nm程度の緻密な無機膜に変化させることができる。ここで、例えば、100~200°Cでの上記加熱エネルギー線照射を行った後、引き続き、露点温度-10°C以下の酸素含有雰囲気下での単純な加熱処理を300°C以上で行うこともできる。この場合、比較的低温100~200°Cでの加熱エネルギー線照射により膜の緻密化がより促進され、かつ、比較的高温300°C以上での単純な加熱処理により結晶化が促進されるため、より良質な金属酸化物膜をえることが可能となる。なお、加熱エネルギー線照射における加熱温度は、300°C未満が良く、好ましくは40~250°C、より好ましくは、100~200°C、更に好ましくは100~150°Cの範囲である。300°C以上だと、エネルギー線照射前にエネルギー線照射を施す乾燥塗布膜の熱分解が始まるため、膜の緻密化が阻害されるため好ましくない。また、40°C未満は、全く実用的でないとは言えないが、加熱エネルギー線照射による乾燥塗布膜の無機化や緻密化の速度が低下することに十分注意する必要がある。ここで、上記加熱エネルギー線照射に用いるエネルギー線照射は、少なくとも200nm以下の波長を主要成分の一つとして含む紫外線の照射であることが望ましく、より具体的には、低圧水銀ランプ、アマルガムランプ、エキシマランプのいずれかから放射される紫外線の照射が好ましい。紫外線の照射量は、波長200nm以下の光の照度:2mW/cm2以上、好ましくは4mW/cm2以上である。照射時間は、1分間以上、好ましくは2分間以上、好ましくは4分間以上が良い。照射時間が短すぎると、エネルギー線照射の効果無機化、緻密化が不十分となり、また、逆に長くなり過ぎると例えば60分間を超える長時間、生産性処理効率が著しく低下する一方で、エネルギー線照射の効果無機化、緻密化は、途中でほぼ飽和してしまうため好ましいとは言えない。この紫外線の照射量は、基板とランプとの距離照射距離、照射時間、またはランプの出力によって適宜調整できる。このランプを用いた基板全面へのエネルギー線照射では、例えば直管状のランプを並行に配列させて照射しても良いし、グリッド型ランプの面光源を用いても良い。ところで、上記エネルギー線照射用のランプからは、通常、紫外線等のエネルギー線以外に熱線も放出されるため、例えば加熱エネルギー線照射での加熱温度が40~50°C程度と低い場合には、必ずしも基板を加熱装置ホットプレートなどで加熱するは必要ない。言い換えれば、加熱装置で加熱しなくても、エネルギー線照射ランプからの熱線照射によって、基板は少なくとも40~50°C程度まで加熱されることになる。ここで、加熱エネルギー線照射におけるエネルギー線照射は、乾燥塗布膜の全面に施しても良いし、乾燥塗布膜のある特定部分だけにパターン形状に施しても良い。この場合、エネルギー線照射を施した部分だけで上述した膜の無機化や緻密化が進行するため、パターン形状を有する金属酸化物微粒子層を形成することができる。なお、金属酸化物微粒子層が形成されなかった乾燥塗布膜部分エネルギー線が照射されなかった乾燥塗布膜部分の除去が必要な場合は、その部分は無機化していないため、乾燥塗布膜を溶解可能な有機溶剤で溶解して除去することができる。一方で、無機化した金属酸化物微粒子層部分は有機溶剤に全く溶解しないため、金属酸化物微粒子層部分だけを基板上に残すことが可能となる。上記乾燥塗布膜の溶解性に優れる有機溶剤としては、例えば、メチルエチルケトンMEK、メチルプロピルケトン、メチルイソブチルケトンMIBK、シクロヘキサノン、アセチルアセトン2、4-ペンタンジオン、ジメチルホルムアミドDMF、ジメチルスルフォキシドDMSO、N-メチル-2-ピロリドンNMP、γ-ブチロラクトン等が挙げられる。以下、波長200nm以下の光を放射可能な低圧水銀ランプとエキシマランプについて詳細に説明するが、加熱エネルギー線照射では、使用上の制約が少なく、加熱処理と併用した場合にランプへの加熱の影響を小さくできる低圧水銀ランプを用いることがより好ましい。なお、アマルガムランプは、低圧水銀ランプが一般に石英ガラス管内にアルゴンガスと水銀を封入するのに対し、水銀と特殊希少金属の合金であるアマルガム合金を封入することで、低圧水銀ランプと比べて、2~3倍程度の高出力化を可能としたもので、出力波長特性はほぼ低圧水銀ランプと同じであるため、詳細説明は省略する。当然のことながら、アマルガムランプも、低圧水銀ランプと同様に、加熱エネルギー線照射では、使用上の制約が少なく、加熱処理と併用した場合にランプへの加熱の影響を小さくできるため好ましい。ただし、紫外線の吸収を伴わない窒素ガス等を冷却ガスとしてランプを冷却する特殊な装置を用いる事も可能で、そのような場合はこの限りでない。低圧水銀ランプは、185nmと254nmの波長の紫外線を放射し、例えば空気中では、下記反応式1~3のように185nmの光は酸素を分解してオゾンを生成し、更に、そのオゾンを254nmの光がmsミリ秒単位の速さで分解して、高エネルギーの活性原子状酸素O1Dを生成する。これと同時に185nmの光フォトンエネルギー:647kJ/mol、及び254nmの光は有機物の化学結合を切断し、その化学結合が切断された有機物にオゾンや活性原子状酸素が作用して、最終的に有機物を水や炭酸ガスに酸化分解揮発させると考えられる。その有効照射距離は0~20mm臨界照射距離は200mmと比較的長い照射距離が確保できる。一方、エキシマランプキセノンエキシマランプは、172nmの波長の紫外線を放射し、例えば空気中では、低圧水銀ランプと異なり、下記反応式4に示す高エネルギーの活性原子状酸素O1Dを直接生成できるという特徴がある反応式4の解離には波長175nm以下が必要なので、低圧水銀ランプの185nmの光ではこの解離は起きない。また、反応式5によりオゾンを生成し、反応式6によっても活性原子状酸素を生成できる反応式6は2次反応であり、主たる活性原子状酸素の生成は反応式4によると考えられる。更に、フォトンのエネルギーが696kJ/molと大きいので有機物の結合を切る能力が高いという利点もあるほとんどの有機物の分子結合エネルギーより高いため分子結合が切れる確率が高くなる。ただし、172nmの光は、低圧水銀ランプの185nmの光に比べて酸素の吸収係数が約100倍も大きく、酸素に強く吸収されるため、上記オゾンや高エネルギーの活性原子状酸素は、ランプ表面近傍でしか酸化反応が起こせず、大気中での有効照射距離が0~3mm臨界照射距離は8mmと極端に短くなる欠点がある。以上のようにして、乾燥塗布膜中の有機成分を熱分解燃焼酸化により無機化させながら緻密化させて、緻密な無機膜を得ることができる。ところで、上記露点温度-10°C以下の酸素含有雰囲気下での加熱処理による膜緻密化後に、必要に応じて、次に露点温度0°C以上の酸素含有雰囲気ガスを供給しながら加熱処理し、金属酸化物微粒子同士の結晶成長を促進させることもできる。更には、膜の緻密化露点温度-10°C以下の酸素含有雰囲気ガス中での加熱処理を図った後、あるいは上記緻密化後の結晶成長の促進化露点温度0°C以上の酸素含有雰囲気ガス中での加熱処理を図った後に、特に、金属酸化物膜を透明導電膜として適用する場合は、中性雰囲気または還元性雰囲気ガスを供給しながら加熱処理を行うことが好ましい。本発明で使用する酸素含有雰囲気ガスは、空気、または酸素ガス、あるいは、酸素ガスと中性雰囲気ガス窒素不活性ガスアルゴン、ヘリウム等の混合ガスが挙げられるが、安価で入手しやすい空気が好ましい。露点温度-10°C以下の酸素含有雰囲気ガスの露点温度は、好ましくは-15°C以下、より好ましくは-20°C以下、更に好ましくは-30°C以下、最も好ましくは-40°C以下である。また、露点温度-10°C以下の酸素含有雰囲気下で金属酸化物の結晶化が起こる温度以上本発明では通常300~330°C以上に昇温する加熱処理において、その露点温度が-10°Cを越えると、金属酸化物微粒子からなる金属酸化物微粒子層の形成過程において、加熱処理の初期段階での有機バインダーがまだ多く残留している段階で水蒸気が金属酸化物の結晶化、並びに結晶成長を促進して前述のアモルファス状態の金属酸化物間に有機バインダーが均一に介在した膜垂直方向に収縮可能な膜構造が破壊されて、金属酸化物微粒子同士が固着し動けなくなるため、膜の緻密化が阻害され、金属酸化物膜の導電性や膜強度が低下するため、好ましくない。さらに、膜緻密化後に必要に応じて行なう、結晶化促進のための露点温度0°C以上の酸素含有雰囲気ガス中での加熱処理において、露点温度0°C以上の酸素含有雰囲気ガスの露点温度は、好ましくは10°C以上、更に好ましくは20°C以上である。この露点温度が0°C以上だと、水蒸気が緻密化した膜の金属酸化物微粒子同士の結晶成長を促進するため、膜の緻密化と結晶成長を両立できて、金属酸化物膜の導電性や膜強度を高めることができるからである。露点温度-10°C以下の酸素含有雰囲気下での金属酸化物の結晶化が起こる温度以上本発明では通常300~330°C以上に昇温する加熱処理は、その昇温で到達する加熱温度ピーク温度が300°C以上、より好ましくは350°C以上、更に好ましくは400°C以上の加熱温度で5~120分間、より好ましくは15~60分間である。300°Cよりも低い加熱温度特に270°C未満の加熱温度では、通常、乾燥塗布膜に含まれる有機成分有機金属化合物、有機バインダー等に含まれる有機成分の熱分解或いは燃焼が不十分となり易く、それら有機成分が金属酸化物膜に残留して金属酸化物の結晶化が起こらず、膜の緻密化も不十分となって、膜の透明性や導電性を悪化させる恐れがあるため好ましいとは言えない。ただし、加熱処理時間を例えば60分間程度以上と長くした場合や、最終的な金属酸化物膜の膜厚が130nm程度以下と薄い場合等では、例えば270°C程度でも上記有機成分の熱分解或いは燃焼が進行するため、膜の透明性や導電性が悪化しない場合もある。したがって、一般的には300°C以上の加熱温度が好ましいが、各工程の条件膜厚、加熱処理時間等によっては、270°C程度の加熱温度も適用可能である。また、加熱温度の上限は特に限定されないが、加熱処理工程で用いる加熱処理装置の種類や基板の耐熱性に影響受け、安価で最も一般的に用いられるソーダライムガラス基板では、歪点が約510°Cであるので、この温度よりも低い温度で加熱処理することが好ましい。ただし、ソーダライムガラス基板をより耐熱性の高い耐熱性基材上で加熱処理すれば、基板の歪みを比較的少なくできるため、約600°C程度での加熱処理も可能である。もちろん、石英ガラス基板、無アルカリガラス基板、高歪点ガラス基板等のより耐熱性が高いガラス基板を用いる場合は、更に高い加熱温度が適用できる。なお、基板として耐熱性プラスチックであるポリイミドPIフィルムを用いた場合は、ポリイミドの種類にもよるが、400°C程度までの加熱処理が可能である。加熱処理工程で用いる加熱処理装置には、ホットプレート、熱風循環加熱処理炉、遠赤外線加熱装置等が挙げられるが、これらに限定される訳ではない。ただし、本発明を実施するためには露点温度-10°C以下の酸素含有雰囲気を用いる必要があるため、上記加熱処理装置には加熱処理雰囲気の制御が可能であることが求められる。なお、加熱処理工程の昇温過程における金属酸化物の結晶化が起こる温度以上までの昇温速度については特に制約はないが、5~40°C/分の範囲、より一般的には10~30°C/分である。5°C/分より昇温速度が遅いと昇温に時間がかかりすぎて効率が悪くなり、一方40°C/分を越える昇温速度を上記加熱処理装置で実現しようとすると、ヒーター容量が大きくなりすぎて現実的でない。また、上記露点温度0°C以上の酸素含有雰囲気下での加熱処理の処理条件も、上記露点温度-10°C以下の酸素含有雰囲気下で、金属酸化物の結晶化が起こる温度以上に昇温する加熱処理の通常の処理条件通常300~330°C以上と同様に、加熱温度は300°C以上、より好ましくは350°C以上、更に好ましくは400°C以上の加熱温度で5~120分間、より好ましくは15~60分間である。300°Cよりも低い加熱温度特に270°C未満の加熱温度では、前述と同様に、通常、金属酸化物微粒子同士の結晶化促進効果が不十分となり易く、導電性や膜強度の大幅な向上が期待しにくいため好ましいとは言えない。金属酸化物膜を透明導電膜に適用する場合には、上記酸素含有雰囲気下での加熱処理に引き続き、中性雰囲気または還元性雰囲気下での加熱処理を行うと、金属酸化物の種類によっては、金属酸化物微粒子に酸素空孔が形成されてキャリア濃度が増加し、金属酸化物膜の導電性が向上するため好ましい。なお、この中性雰囲気または還元性雰囲気下での加熱処理は、膜中に形成された酸素空孔が金属酸化物微粒子の成分元素金属元素、酸素等を拡散しやすくするため、上記露点温度0°C以上の酸素含有雰囲気ガス中の加熱処理による金属酸化物微粒子同士の結晶成長促進よりも、より強い促進効果を有しており、上記金属酸化物膜の導電性向上だけでなく、導電性の安定化経時変化抑制にも有効である点からも好ましい。この中性雰囲気は、窒素ガス、不活性ガスアルゴン、ヘリウム等のいずれか1種以上からなり、還元性雰囲気は、水素ガスまたは該中性雰囲気に水素または有機溶剤蒸気メタノール等の有機ガスの少なくとも1種以上が含まれる雰囲気などが挙げられるが、緻密に充填した金属酸化物微粒子から酸素原子を奪い酸素空孔を形成して導電キャリア濃度を高めることができれば良く、これらに限定されない。加熱温度が250~600°C程度であれば、1~2水素-99~98窒素の混合ガスは、大気に漏洩しても爆発の恐れがないため好ましい雰囲気である。中性雰囲気または還元性雰囲気下での加熱処理の処理条件は、加熱温度が250°C以上、より好ましくは350°C以上の加熱温度で5~120分間、より好ましくは15~60分間である。なお、前述の金属酸化物微粒子同士の結晶成長をより促進させるという観点からすると、加熱温度は350°C以上、更に好ましくは450°C以上が望ましい。250°Cよりも低い加熱温度では、金属酸化物微粒子に酸素空孔が十分に形成できず、キャリア濃度の増加による金属酸化物膜の導電性向上が期待できないため、金属酸化物膜を透明導電膜に適用した場合には、好ましくない。また、この加熱温度の上限は特に限定されないが、加熱処理工程で用いる加熱処理装置の種類や基板の耐熱性に影響受ける点は、酸素含有雰囲気下での加熱処理と同様である。更に、還元性雰囲気下の加熱処理では、加熱温度が高くなり過ぎると、金属酸化物膜を構成する金属酸化物が過度に還元される場合があり注意を要する。例えば600°Cを越える加熱温度の場合には、水素ガス等のように強い還元性を有する還元性雰囲気を用いると、金属酸化物の種類によっては、金属酸化物が金属元素まで短時間で還元されてしまう場合があるため、適切な還元性雰囲気の選定や還元時間の設定が必要となる。なお、露点温度-10°C以下の酸素含有雰囲気下で、金属酸化物の結晶化が起こる温度以上に昇温する加熱処理、露点温度0°C以上の酸素含有雰囲気下の加熱処理、及び中性雰囲気または還元性雰囲気下の加熱処理は、連続して行うことができる。即ち、乾燥塗布膜が形成された基板の加熱処理において、例えば、基板の温度を300°C以上の加熱温度に昇温した後、その温度を保ったまま、雰囲気だけを露点温度-10°C以下の酸素含有雰囲気から露点温度0°C以上の酸素含有雰囲気、あるいは、中性雰囲気または還元性雰囲気に切替えればよい。前述のように、中性雰囲気または還元性雰囲気下での加熱処理は、前述の金属酸化物に酸素空孔を形成してキャリア濃度を増加させる働きに加え、酸素空孔の存在により金属酸化物膜の構成元素を移動し易くして結晶成長を促進する働きも有しており、金属酸化物膜の強度や導電性の一層の向上に寄与している。次に、本発明の金属酸化物膜が適用される薄膜トランジスタ素子について説明する。薄膜トランジスタ素子TFT素子には、例えば、コプレナー型構造やスタガード型構造の電界効果トランジスタ素子が挙げられ、詳細は割愛するが、いずれの構造においても、基板上にソース/ドレイン電極、ゲート絶縁膜、チャネル活性層、ゲート電極を備えた素子である。薄膜トランジスタ素子は、後述するアクティブマトリクス方式の液晶ディスプレイやエレクトロルミネッセンスディスプレイ等のディスプレイやイメージセンサーのドライバ素子として使用されている。これまで薄膜トランジスタ素子のゲート絶縁膜には、シリコン酸化膜である二酸化ケイ素SiO2:比誘電率ε=3.9が広く用いられてきたが、素子の微細化は急速に進んでおり、酸化ケイ素だとその比誘電率が低いため、素子の微細化によるゲート絶縁膜の薄型化に限界トンネル電流によるゲートリーク電流の増大があり、ゲート絶縁膜を厚くしても素子を駆動できる高誘電率の金属酸化物をゲート絶縁膜に適用する試みが行われている。その高誘電率の金属酸化物には、酸化ハフニウムHfO2:比誘電率ε=約30、酸化ジルコニウムZrO2:比誘電率ε=約25等が挙げられる。その高誘電率の金属酸化物膜の成膜には、一般に、有機金属気相堆積法Metal-OrganicChemicalVaporDeposition:MOCVD法や、原子層堆積法AtomicLayerDeposition:ALD法等が用いられている。本発明で得られる金属酸化物膜は、金属酸化物を主成分とする金属酸化物微粒子が極めて緻密に充填した金属酸化物微粒子層となるため、例えば薄膜トランジスタのゲート絶縁膜に適用可能な良質の高誘電率の金属酸化物膜を、例えば300°C未満の低温加熱で形成することができる。次に、本発明において、金属酸化物膜を透明導電膜として用いた場合の金属酸化物膜、金属酸化物膜付き基板が適用されるデバイスについて説明する。このようなデバイスとしては、LED素子、エレクトロルミネッセンスランプエレクトロルミネッセンス素子、フィールドエミッションランプ等の発光デバイス、太陽電池等の発電デバイス、液晶ディスプレイ液晶素子、エレクトロルミネッセンスディスプレイエレクトロルミネッセンス素子、プラズマディスプレイ、電子ペーパー素子、エレクトロクロミック素子等の表示デバイス、及びタッチパネル等の入力デバイス等が挙げられ、本発明の金属酸化物膜、金属酸化物膜付き基板はこれらの透明電極に好適である。以下、幾つかのデバイスについて説明する。ここで、発光デバイスとしての上記エレクトロルミネッセンス素子には有機発光材料を用いる有機EL素子と無機発光材料を用いる無機EL素子があるが、近年では有機EL素子が脚光を浴びている。この有機EL素子は、液晶表示素子と違って自発光素子であり、低電圧駆動で高輝度が得られるためディスプレイ等の表示装置として期待されている。有機EL素子にも低分子型と高分子型があり、例えば高分子型の構造は、アノード電極層としての金属酸化物膜上に、ポリチオフェン誘導体等の導電性高分子から成る正孔注入層ホール注入層、有機発光層塗布により形成される高分子発光層、カソード電極層[発光層への電子注入性の良い、仕事関数の低いマグネシウムMg、カルシウムCa、アルミニウムAl等の金属層]、ガスバリアコーティング層あるいは金属やガラスでの封止処理を順次形成したものである。上記ガスバリアコーティング層は、有機EL素子の劣化を防止するために必要とされ、酸素バリア及び水蒸気バリアが求められるが、例えば、水蒸気に関しては、水蒸気透過率=10-5g/m2/day程度以下の非常に高いバリア性能が要求されており、有機EL素子デバイス内部は外部から完全に封止された構造となっている。なお、有機EL素子の透明電極としての透明導電膜や正孔注入層ホール注入層には高い膜平坦性例えば、中心線平均粗Ra:Roughnessaverage=3nm以下、最大高さRmax:Roughnessmaximum=30nm以下が求められるが、本発明で得られる金属酸化物膜は、基板に塗布された金属酸化物膜形成用塗布液が有する極めて平坦な液体表面が、乾燥塗布膜の表面を経て、最終的に無機膜の表面となること、及び、露点温度の低い、即ち水蒸気含有量の少ない空気雰囲気下で加熱処理して上記無機膜を緻密化し、表面の凹凸形成を抑制することで、非常に高い膜平坦性例えば、中心線平均粗Ra=0.5~2.0nm、最大高さRmax=5~30nmを有しており、その透明導電膜や正孔注入層ホール注入層に好適である。更に、前述の通り、有機EL素子のアノード電極層である透明導電膜や正孔注入層ホール注入層として適用する金属酸化物膜には、正孔ホール輸送層への場合によっては直接発光層への正孔ホール注入を容易とし、有機EL素子の低電圧駆動、発光効率改善、長寿命化を図るために、5eV程度以上の高い仕事関数も必要である。ここで、一例として正孔注入層ホール注入層に適した金属酸化物膜を挙げると、良好なホール注入性を示すためには高い仕事関数も必要なため、仕事関数が5eVエレクトロンボルト程度以上と大きい酸化バナジウム膜、酸化ニオブ膜、酸化モリブデン膜、酸化ルテニウム膜等が挙げられる。発電デバイスとしての太陽電池は、太陽光線を電気エネルギーに変換する発電素子で、また太陽電池はシリコン太陽電池薄膜型、微結晶型、結晶型、CIS太陽電池銅-インジウム-セレン薄膜、CIGS太陽電池銅-インジウム-ガリウム-セレン薄膜、色素増感型太陽電池等があり、例えば、シリコン太陽電池は、透明基板上に透明電極、半導体発電層シリコン、金属電極を順次形成したものである。表示デバイスとしての液晶素子は、携帯電話、PDAPersonalDigitalAssistantおよびPCPersonalComputer等のディスプレイに広く用いられている非発光型の電子表示素子であり、単純マトリクス方式パッシブマトリックス方式とアクティブマトリクス方式がある。画質や応答スピードの点ではアクティブマトリクス方式が優れている。その基本構造は、液晶を透明電極本発明の金属酸化物膜が対応するで挟み込み、電圧駆動で液晶分子を配向させて表示を行う構造体で、実際の素子は、透明電極に加え、カラーフィルター、位相差フィルム、偏光フィルム等を更に積層して用いられている。また、別のタイプの液晶素子には、窓等の光シャッター等に用いられている高分子分散型液晶素子以下PDLC素子と略称やポリマーネットワーク液晶素子以下PNLC素子と略称も含まれる。いずれもその基本構造は、上述のように、液晶層を電極少なくとも一方は透明電極で、本発明の金属酸化物膜が対応するで挟み込み、電圧駆動で液晶分子を配向させて、液晶層の透明/不透明の外観変化を生じさせる構造体であるが、上記液晶表示素子と異なり、実際の素子において、位相差フィルム、偏光フィルムを必要とせず、素子の構造を単純にできるという特徴がある。ところで、PDLC素子は、高分子樹脂マトリックス中にマイクロカプセル化した液晶が分散した構造を採り、一方PNLC素子は、樹脂の網目状ネットワークの網目の部分に液晶が充填した構造を採っている。一般には、PDLC素子は液晶層の樹脂含有割合が高いため数十V以上例えば、80V程度の交流駆動電圧が必要なのに対し、液晶層の樹脂含有割合を低くできるPNLC素子は数~15V程度の交流電圧で駆動できる特徴がある。なお、上記液晶素子の表示安定性を確保するためには、液晶への水蒸気の混入を防止する必要があり、例えば、水蒸気透過率=0.01g/m2/day以下が要求されており、液晶素子デバイス内部は外部から完全に封止された構造となっている。表示デバイスとしての電子ペーパー素子は、自らは発光しない非発光型の電子表示素子であり、電源を切っても表示がそのまま残るメモリ効果を備え、文字表示のためのディスプレイとして期待されている。この表示方式には、電気泳動法により着色粒子を電極間の液体中を移動させる電気泳動方式、二色性を有する粒子を電場で回転させることにより着色させるツイストボール方式、例えばコレステリック液晶を透明電極で挟み込んで表示を行う液晶方式、着色粒子トナーや電子粉流体QuickResponseLiquidPowderを空気中を移動させて表示を行う粉体系方式、電気化学的な酸化還元作用に基づき発色を行うエレクトロクロミック方式、電気化学的な酸化還元により金属を析出溶解させ、これに伴う色の変化で表示を行うエレクトロデポジション方式等が開発されている。これらいずれの方式においても、表示層が金属酸化物膜透明電極と対向電極とではさみ込まれた構造を有している。なお、これらの各種方式の電子ペーパー素子において、その表示安定性を確保するためには、表示層への水蒸気の混入を防止する必要があり、方式にもよるが、例えば、水蒸気透過率=0.01~0.1g/m2/dayが要求されており、電子ペーパー素子デバイス内部は外部から完全に封止された構造となっている。表示デバイスとしてのエレクトロクロミック素子は、電気化学的な酸化還元反応によって物質の光吸収が可逆的に変化するエレクトロクロミック材料を用いた表示素子であり、通常、対向した2つの電極少なくとも一方の電極は透明電極または透光性電極間にエレクトロクロミック材料の薄膜と電解液または固体電解質が挟み込まれた構造を有している。用いられるエレクトロクロミック材料として、無機系では、例えば酸化タングステンWO3、酸化モリブデンMoO3、酸化バナジウムVO2.5等の金属酸化物が挙げられ、有機系では、例えばビオロゲン誘導体、カルバゾール誘導体、スチリル系化合物、金属錯体フタロシアニン、フェナントロリン、プルシアンブルー、ビピリジン錯体等の低分子材料、あるいは、その低分子材料が導入された高分子材料、更に、導電性高分子ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン等が挙げられる。このようなエレクトロクロミック素子では、対向した電極間に電圧を印加し、電解液または固体電解質に接した上記エレクトロクロミック材料の薄膜を、電気化学的な酸化還元反応により発色または消色させて画像表示を行うため、駆動電圧が低く、強い外光下でも視野角依存性のない明瞭な表示が得られる特徴がある。タッチパネルは、位置入力素子であり、抵抗方式や静電容量方式等がある。例えば、抵抗方式タッチパネルでは、座標を検出するための座標検出用抵抗膜としての2枚の金属酸化物膜付き基板がドット状の透明スペーサーを介して貼り合わされている構造を有している。金属酸化物膜付き基板には打点耐久性が必要とされ、金属酸化物膜はクラックが生じないようなフレキシビリティが求められる。また、静電容量方式では解像度のアップにより、金属酸化物膜の一層の導電性向上が求められている。以上の発光デバイス、発電デバイス、表示デバイス、入力デバイス等のいずれにおいてもデバイスの特性向上が求められており、本発明に係る金属酸化物膜、及び金属酸化物膜付き基板をそれらの透明電極に適用することで、デバイスの基本特性が一層向上可能となるために、例えばデバイスの省エネ化や小型化等にも大きく貢献することができるものである。以下、実施例を用いて本発明を詳細するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、本文中の水素-窒素混合ガスのは、体積を示している。[塗布液の作製]ハフニウム-n-ブトキシド室温で液体[HfOC4H94]分子量=470.9510g、N-メチル-2-ピロリドンNMP14g、ジエチレングリコールモノエチルエーテルエチルカルビトール25g、ヒドロキシプロピルセルロースHPC;低分子量タイプ1gを混合し、120°Cに加温して60分間攪拌して溶解させ、次に、得られた溶解液50gに、エチルアルコールEA43g、イソプロピルアルコールIPA7gを混合して均一になるまで良く攪拌し、ハフニウム-n-ブトキシドを10重量、ヒドロキシプロピルセルロースを1重量含有する金属酸化物膜形成用塗布液を作製した。この金属酸化物膜形成用塗布液の粘度25°Cは、10mPas程度であった。[金属酸化物膜の作製]作製した金属酸化物膜形成用塗布液を、25°Cのソーダライムガラス基板10cm×10cm×厚み3mm;ヘイズ値=0.26、可視光透過率=91.1、屈折率=1.53上の全面にスピンコーティング500rpm×30secした後、熱風乾燥機を用いて150°Cで10分間乾燥し、図2の模式図に示すように、更にホットプレートを用いて露点温度が-50°Cの低湿度空気雰囲気3リッター/分供給;基板上の雰囲気ガスの平均流速=約0.045m/秒において、500°Cまで50分かけて昇温昇温速度:10°C/分し、500°Cで15分間加熱処理し、そのまま雰囲気を1水素-99窒素3リッター/分供給;基板上の雰囲気ガスの平均流速=約0.045m/秒に切替えて500°Cで更に15分間加熱処理して酸化ハフニウムHfO2を主成分とする実施例1に係る金属酸化物膜を作製した。[特性評価]次に作製した金属酸化物膜の表面抵抗、ヘイズ値及び可視光透過率、膜厚、結晶子サイズ、鉛筆硬度の諸特性を測定し、その結果を表1に示す。また、得られた実施例1に係る金属酸化物膜の反射プロファイルを、比較例1の金属酸化物膜の反射プロファイルと共に図3に示す。更に、実施例1の金属酸化物膜の断面を透過電子顕微鏡で観察した透過電子顕微鏡写真TEM像を図4に示す。X線回折測定の結果から上記金属酸化物膜はアモルファス膜であり、主に3nm以下の金属酸化物微粒子アモルファス状微結晶が緻密に充填した金属酸化物微粒子層が観察されている。金属酸化物膜の表面抵抗は、三菱化学株式会社製の表面抵抗計ロレスタAPMCP-T400を用い測定した。ヘイズ値と可視光透過率は、日本電色株式会社製のヘイズメーターNDH5000を用いJISK7136ヘイズ値、JISK7361-1透過率に基づいて測定した。膜厚は、KLA-TencorCorporation製触針式膜厚計Alpha-StepIQを用いて測定した。結晶子サイズは、X線回折測定を行い、Scherrer法により求めた。鉛筆硬度は、JISK5400に基づいて測定した。金属酸化物膜の反射プロファイルは、日立製作所株式会社製分光光度計U-4000を用いて測定した。なお、可視光透過率及びヘイズ値は、金属酸化物膜だけの値であり、それぞれ下記数1及び数2により求めた。[塗布液の作製]ニオブ-n-ブトキシド室温で液体[NbC4H9O5]分子量=458.1210g、N-メチル-2-ピロリドンNMP14g、ジエチレングリコールモノエチルエーテルエチルカルビトール25g、ヒドロキシプロピルセルロースHPC;低分子量タイプ1gを混合し、120°Cに加温して60分間攪拌して溶解させ、次に、得られた溶解液50gに、エチルアルコールEA43g、イソプロピルアルコールIPA7gを混合して均一になるまで良く攪拌し、ニオブ-n-ブトキシドを10重量、ヒドロキシプロピルセルロースを1重量含有する金属酸化物膜形成用塗布液を作製した。この金属酸化物膜形成用塗布液の粘度25°Cは、10mPas程度であった。作製した金属酸化物膜形成用塗布液を、25°Cのソーダライムガラス基板10cm×10cm×厚み3mm;ヘイズ値=0.26、可視光透過率=91.1、屈折率=1.53上の全面にスピンコーティング500rpm×30secした後、熱風乾燥機を用いて150°Cで10分間乾燥し、図2の模式図に示すように、更にホットプレートを用いて露点温度が-50°Cの低湿度空気雰囲気3リッター/分供給;基板上の雰囲気ガスの平均流速=約0.045m/秒において、500°Cまで50分かけて昇温昇温速度:10°C/分し、500°Cで15分間加熱処理して、酸化ニオブNbO2.5を主成分とする実施例2に係る金属酸化物膜を作製した。作製した金属酸化物膜の諸特性を実施例1と同様に測定し、その結果を表1に示す。また、得られた実施例2に係る金属酸化物膜の反射プロファイルを、比較例2の金属酸化物膜の反射プロファイルと共に図5に示す。さらに、実施例2の金属酸化物膜の断面を透過電子顕微鏡で観察した透過電子顕微鏡写真TEM像を図6に示す。X線回折測定の結果から上記金属酸化物膜はアモルファス膜であり、主に3nm以下の金属酸化物微粒子アモルファス状微結晶が緻密に充填した金属酸化物微粒子層が観察されている。[塗布液の作製]ジルコニウム-n-ブトキシド室温で液体[ZrC4H9O4]分子量=383.6810g、N-メチル-2-ピロリドンNMP14g、ジエチレングリコールモノエチルエーテルエチルカルビトール25g、ヒドロキシプロピルセルロースHPC;低分子量タイプ1gを混合し、120°Cに加温して60分間攪拌して溶解させ、次に、得られた溶解液50gに、エチルアルコールEA43g、イソプロピルアルコールIPA7gを混合して均一になるまで良く攪拌し、ジルコニウム-n-ブトキシドを10重量、ヒドロキシプロピルセルロースを1重量含有する金属酸化物膜形成用塗布液を作製した。この金属酸化物膜形成用塗布液の粘度25°Cは、10mPas程度であった。この金属酸化物膜形成用塗布液を用いた以外は実施例2と同様にして成膜を行い、酸化ジルコニウムZrO2を主成分とする実施例3に係る金属酸化物膜を作製した。作製した金属酸化物膜の諸特性を実施例1と同様に測定し、その結果を表1に示す。また、得られた実施例3に係る金属酸化物膜の反射プロファイルを、比較例3の金属酸化物膜の反射プロファイルと共に図7に示す。さらに、実施例3の金属酸化物膜の断面を透過電子顕微鏡で観察した透過電子顕微鏡写真TEM像を図8に示す。X線回折測定の結果から上記金属酸化物膜はアモルファス膜であり、主に3nm以下の金属酸化物微粒子アモルファス状微結晶が緻密に充填した金属酸化物微粒子層が観察されている。[塗布液の作製]チタンテトライソプロポキシド室温で液体[TiC3H7O4]分子量=284.2510g、N-メチル-2-ピロリドンNMP14g、ジエチレングリコールモノエチルエーテルエチルカルビトール75g、ヒドロキシプロピルセルロースHPC;低分子量タイプ1gを混合し、120°Cに加温して60分間攪拌して溶解させ、チタンテトライソプロポキシドを10重量、ヒドロキシプロピルセルロースを1重量含有する金属酸化物膜形成用塗布液を作製した。この金属酸化物膜形成用塗布液の粘度25°Cは、10mPas程度であった。この金属酸化物膜形成用塗布液を用いた以外は実施例2と同様にして成膜を行い、酸化チタンTiO2を主成分とする実施例4に係る金属酸化物膜を作製した。次に作製した金属酸化物膜の諸特性を実施例1と同様に測定し、その結果を表1に示す。また、得られた実施例4に係る金属酸化物膜の反射プロファイルを、比較例4の金属酸化物膜の反射プロファイルと共に図9に示す。更に、実施例4の金属酸化物膜の断面を透過電子顕微鏡で観察した透過電子顕微鏡写真TEM像を図10に示す。X線回折測定の結果から上記金属酸化物膜はアモルファス膜であり、主に3nm以下の金属酸化物微粒子アモルファス状微結晶が緻密に充填した金属酸化物微粒子層が観察されている。[塗布液の作製]アセチルアセトンアルミニウム室温で固体正式名称:アルミニウム-2,4-ペンタンジオネート[AlC5H7O23]分子量=324.3110g、p-tert-ブチルフェノール34.6g、二塩基酸エステルデュポンジャパン製51.8g、ヒドロキシプロピルセルロースHPC;高分子量タイプ3.6gを混合し、120°Cに加温して60分間攪拌して均一になるまで良く溶解させ、アセチルアセトンアルミニウムを10重量、ヒドロキシプロピルセルロースを3.6重量含有する金属酸化物膜形成用塗布液を作製した。この金属酸化物膜形成用塗布液の粘度25°Cは、約15000mPasであった。[金属酸化物膜の作製]作製した金属酸化物膜形成用塗布液を、25°Cのソーダライムガラス基板10cm×10cm×厚み3mm;ヘイズ値=0.26、可視光透過率=91.1、屈折率=1.53上に4×5cmの大きさのパターンをスクリーン印刷ポリエステル、200メッシュ版で印刷した後、熱風乾燥機を用いて180°Cで20分間乾燥し、図2の模式図に示すように、更にホットプレートを用いて露点温度が-50°Cの低湿度空気雰囲気3リッター/分供給;基板上の雰囲気ガスの平均流速=約0.045m/秒において、500°Cまで50分かけて昇温昇温速度:10°C/分し、500°Cで15分間加熱処理して酸化アルミニウムAlO1.5を主成分とする実施例5に係る金属酸化物膜を作製した。次に作製した金属酸化物膜の諸特性を実施例1と同様に測定し、その結果を表1に示す。また、得られた実施例5に係る金属酸化物膜の反射プロファイルを、比較例5の金属酸化物膜の反射プロファイルと共に図11に示す。X線回折測定の結果から上記金属酸化物膜はアモルファス膜であり、更に、実施例5の金属酸化物膜の断面を透過電子顕微鏡で観察したところ、主に3nm以下の金属酸化物微粒子アモルファス状微結晶が緻密に充填した金属酸化物微粒子層が観察されている。[塗布液の作製]アセチルアセトンモリブデン室温で固体正式名称:モリブデンVIオキサイドビス-2,4-ペンタンジオネート[MoO2C5H7O22]分子量=326.1710g、N-メチル-2-ピロリドンNMP22.3g、ヒドロキシプロピルセルロースHPC;低分子量タイプ1gを混合し、120°Cに加温して60分間攪拌して溶解させ、次に、得られた溶解液50gに、シクロヘキサノン25g、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGM10g、メチルエチルケトンMEK31.7gを混合して均一になるまで良く攪拌し、アセチルアセトンモリブデンを10重量、ヒドロキシプロピルセルロースを1重量含有する金属酸化物膜形成用塗布液を作製した。この金属酸化物膜形成用塗布液の粘度25°Cは、10mPas程度であった。[金属酸化物膜の作製]作製した金属酸化物膜形成用塗布液を、25°Cの無アルカリガラス基板10cm×10cm×0.7mm厚さ;ヘイズ値=0.26、可視光線透過率=91.2、屈折率=1.52上の全面にスピンコーティング1000rpm×60secした後、熱風乾燥機を用いて150°Cで10分間乾燥し、図2の模式図に示すように、更にホットプレートを用いて露点温度が-55°Cの低湿度空気雰囲気3リッター/分供給;基板上の雰囲気ガスの平均流速=約0.045m/秒において、350°Cまで35分かけて昇温昇温速度:10°C/分し、350°Cで30分間加熱処理して酸化モリブデンMoO3を主成分とする実施例6に係る金属酸化物膜を作製した。次に作製した金属酸化物膜の諸特性を実施例1と同様に測定し、その結果を表1に示す。なお、この金属酸化物膜の膜表面の平坦性は、中心線平均粗Ra=2.6nm、最大高さRmax=28nmと良好であった。また、その仕事関数は5.4eVであった。X線回折測定の結果から上記金属酸化物膜はアモルファス膜であり、更に、実施例6の金属酸化物膜の断面を透過電子顕微鏡で観察したところ、主に3nm以下の金属酸化物微粒子アモルファス状微結晶が緻密に充填した金属酸化物微粒子層が観察されている。[塗布液の作製]タングステンVエトキシド室温で液体[WC2H5O5]分子量=409.1510g、p-tert-ブチルフェノール16g、二塩基酸エステルデュポンジャパン製24gを混合し、120°Cに加温して60分間攪拌して溶解させ、次に、得られた溶解液50gに、ジエチレングリコールモノエチルエーテルエチルカルビトール12g、エチルアルコールEA32.3g、イソプロピルアルコールIPA5.7gを混合して均一になるまで良く攪拌し、タングステンVエトキシドを10重量含有する金属酸化物膜形成用塗布液を作製した。この金属酸化物膜形成用塗布液の粘度25°Cは、5mPas程度であった。[金属酸化物膜の作製]作製した金属酸化物膜形成用塗布液を、25°Cの無アルカリガラス基板10cm×10cm×0.7mm厚さ;ヘイズ値=0.26、可視光線透過率=91.2、屈折率=1.52上の全面にスピンコーティング1000rpm×60secした後、熱風乾燥機を用いて150°Cで10分間乾燥し、図2の模式図に示すように、更にホットプレートを用いて露点温度が-55°Cの低湿度空気雰囲気3リッター/分供給;基板上の雰囲気ガスの平均流速=約0.045m/秒において、300°Cまで30分かけて昇温昇温速度:10°C/分し、300°Cで60分間加熱処理して酸化タングステンWO3を主成分とする実施例7に係る金属酸化物膜を作製した。次に作製した金属酸化物膜の諸特性を実施例1と同様に測定し、その結果を表1に示す。X線回折測定の結果から上記金属酸化物膜はアモルファス膜であり、更に、実施例7の金属酸化物膜の断面を透過電子顕微鏡で観察したところ、主に3nm以下の金属酸化物微粒子アモルファス状微結晶が緻密に充填した金属酸化物微粒子層が観察されている。[塗布液の作製]アセチルアセトンチタン室温で液体正式名称:チタンIVジ-n-ブトキシドビス2,4-ペンタンジオネート[TiC4H9O2C5H7O22]分子量=392.3240g、N-メチル-2-ピロリドンNMP59g、ヒドロキシプロピルセルロースHPC;低分子量タイプ1gを混合し、120°Cに加温して120分間攪拌して溶解させ、次に、得られた溶解液25gに、シクロヘキサノン25g、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGM10g、メチルエチルケトンMEK40gを混合して均一になるまで良く攪拌し、アセチルアセトンチタンを10重量、ヒドロキシプロピルセルロースを1重量含有する金属酸化物膜形成用塗布液を作製した。この金属酸化物膜形成用塗布液の粘度25°Cは、10mPas程度であった。[金属酸化物膜の作製]作製した金属酸化物膜形成用塗布液を、25°Cの無アルカリガラス基板10cm×10cm×0.7mm厚さ;ヘイズ値=0.26、可視光線透過率=91.2、屈折率=1.52上の全面にスピンコーティング1000rpm×60secした後、大気中150°Cで10分間乾燥して乾燥塗布膜膜厚:約300nm、表面抵抗値:>1×1013Ω/□絶縁を得た。図12の模式図に示すように、この乾燥塗布膜3を有する基板2を、露点温度-55°Cの低湿度空気中150°Cに昇温昇温速度:30°C/分し、露点温度-55°Cの低湿度空気を紫外線照射窓5合成石英板;厚さ2mmと基板2との間に供給しながら150°Cに加熱したままで低圧水銀ランプ4を20分間照射する加熱エネルギー線照射を施す加熱処理を行い、乾燥塗布膜3の無機化有機成分の分解または燃焼と緻密化を促進して、酸化チタンTiO2を主成分とする実施例8に係る金属酸化物膜膜厚:98nmを作製した。なお、低圧水銀ランプ4と基板2との距離照射距離は10.5mmで、254nmの光の照度:約20mW/cm2、185nmの光の推定照度:約5mW/cm2であった。更に、基板2と紫外線照射窓5の間隔は3.5mmでその間を流れる雰囲気ガス露点温度-55°Cの低湿度空気の平均流速は約0.29m/秒であった。次に作製した金属酸化物膜の諸特性を実施例1と同様に測定し、その結果を表1に示す。X線回折測定の結果から上記金属酸化物膜はアモルファス膜であり、更に、実施例8の金属酸化物膜の断面を透過電子顕微鏡で観察したところ、主に3nm以下の金属酸化物微粒子アモルファス状微結晶が緻密に充填した金属酸化物微粒子層が観察されている。[塗布液の作製]アセチルアセトンハフニウム室温で固体正式名称:ハフニウムIV-2,4-ペンタンジオネート[HfC5H7O24]分子量=574.9140g、N-メチル-2-ピロリドンNMP59g、ヒドロキシプロピルセルロースHPC;低分子量タイプ1gを混合し、120°Cに加温して120分間攪拌して溶解させ、次に、得られた溶解液25gに、シクロヘキサノン25g、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGM10g、メチルエチルケトンMEK40gを混合して均一になるまで良く攪拌し、アセチルアセトンハフニウムを10重量、ヒドロキシプロピルセルロースを1重量含有する金属酸化物膜形成用塗布液を作製した。この金属酸化物膜形成用塗布液の粘度25°Cは、10mPas程度であった。[金属酸化物膜の作製]作製した金属酸化物膜形成用塗布液を、25°Cの無アルカリガラス基板10cm×10cm×0.7mm厚さ;ヘイズ値=0.26、可視光線透過率=91.2、屈折率=1.52上の全面にスピンコーティング500rpm×60secした後、大気中150°Cで10分間乾燥して乾燥塗布膜膜厚:約470nm、表面抵抗値:>1×1013Ω/□絶縁を得た。図12の模式図に示すように、この乾燥塗布膜3を有する基板2を、露点温度-55°Cの低湿度空気中150°Cに昇温昇温速度:30°C/分し、露点温度-55°Cの低湿度空気を紫外線照射窓5合成石英板;厚さ2mmと基板2との間に供給しながら150°Cに加熱したままで低圧水銀ランプ4を20分間照射する加熱エネルギー線照射を施す加熱処理を行い、乾燥塗布膜3の無機化有機成分の分解または燃焼と緻密化を促進して、酸化ハフニウムHfO2を主成分とする実施例9に係る金属酸化物膜膜厚:87nmを作製した。なお、低圧水銀ランプ4と基板2との距離照射距離は10.5mmで、254nmの光の照度:約20mW/cm2、185nmの光の推定照度:約5mW/cm2であった。更に、基板2と紫外線照射窓5の間隔は3.5mmでその間を流れる雰囲気ガス露点温度-55°Cの低湿度空気の平均流速は約0.29m/秒であった。次に作製した金属酸化物膜の諸特性を実施例1と同様に測定し、その結果を表1に示す。X線回折測定の結果から上記金属酸化物膜はアモルファス膜であり、更に、実施例9の金属酸化物膜の断面を透過電子顕微鏡で観察したところ、主に3nm以下の金属酸化物微粒子アモルファス状微結晶が緻密に充填した金属酸化物微粒子層が観察されている。[塗布液の作製]タンタルV-n-ブトキシド室温で液体[TaC4H9O5]分子量=543.5310g、p-tert-ブチルフェノール35.0g、二塩基酸エステルデュポンジャパン製52.4g、ヒドロキシプロピルセルロースHPC;高分子量タイプ2.6gを混合し、120°Cに加温して60分間攪拌して溶解させ、次に、得られた溶解液20gに、シクロヘキサノン10g、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGM4g、メチルエチルケトンMEK16gを混合して均一になるまで良く攪拌し、タンタルV-n-ブトキシドを4重量、ヒドロキシプロピルセルロースを1.04重量含有する金属酸化物膜形成用塗布液を作製した。この金属酸化物膜形成用塗布液の粘度25°Cは、23mPas程度であった。[金属酸化物膜の作製]作製した金属酸化物膜形成用塗布液を、25°Cの無アルカリガラス基板10cm×10cm×0.7mm厚さ;ヘイズ値=0.26、可視光線透過率=91.2、屈折率=1.52上の全面にスピンコーティング1000rpm×60secした後、熱風乾燥機を用いて150°Cで10分間乾燥して乾燥塗布膜膜厚:約370nm、表面抵抗値:>1×1013Ω/□絶縁を得た。図12の模式図に示すように、この乾燥塗布膜3を有する基板2を、ホットプレート加熱装置1を用いて露点温度が-55°Cの低湿度空気雰囲気3リッター/分供給;基板上の雰囲気ガスの平均流速=約0.045m/秒において、400°Cまで40分かけて昇温昇温速度:10°C/分し、400°Cで15分間加熱処理して酸化タンタルTaO2.5を主成分とする実施例10に係る金属酸化物膜膜厚:62nmを作製した。次に作製した金属酸化物膜の諸特性を実施例1と同様に測定し、その結果を表1に示す。X線回折測定の結果から上記金属酸化物膜はアモルファス膜であり、更に、実施例10の金属酸化物膜の断面を透過電子顕微鏡で観察したところ、主に3nm以下の金属酸化物微粒子アモルファス状微結晶が緻密に充填した金属酸化物微粒子層が観察されている。[塗布液の作製]アセチルアセトンバナジウム正式名称:バナジウムIII-2,4-ペンタンジオネート室温で固体[VC5H7O23]分子量=348.2620g、N-メチル-2-ピロリドンNMP78g、ヒドロキシプロピルセルロースHPC;低分子量タイプ2gを混合し、120°Cに加温して120分間攪拌して溶解させ、次に、得られた溶解液25gに、シクロヘキサノン25g、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGM10g、メチルエチルケトンMEK40gを混合して均一になるまで良く攪拌し、アセチルアセトンバナジウムを5重量、ヒドロキシプロピルセルロースを0.5重量含有する金属酸化物膜形成用塗布液を作製した。この金属酸化物膜形成用塗布液の粘度25°Cは、5mPas程度であった。[金属酸化物膜の作製]作製した金属酸化物膜形成用塗布液を、25°Cの無アルカリガラス基板10cm×10cm×0.7mm厚さ;ヘイズ値=0.26、可視光線透過率=91.2、屈折率=1.52上の全面にスピンコーティング1000rpm×60secした後、熱風乾燥機を用いて150°Cで10分間乾燥して乾燥塗布膜膜厚:約110nm、表面抵抗値:>1×1013Ω/□絶縁を得た。図12の模式図に示すように、この乾燥塗布膜3を有する基板2を、ホットプレート加熱装置1を用いて露点温度が-55°Cの低湿度空気雰囲気3リッター/分供給;基板上の雰囲気ガスの平均流速=約0.045m/秒において、400°Cまで40分かけて昇温昇温速度:10°C/分し、400°Cで15分間加熱処理し、そのまま雰囲気を1水素-99窒素3リッター/分供給;基板上の雰囲気ガスの平均流速=約0.045m/秒に切替えて400°Cで更に15分間加熱処理して、酸化バナジウムVO2.5を主成分とする実施例11に係る金属酸化物膜膜厚:42nmを作製した。次に作製した金属酸化物膜の諸特性を実施例1と同様に測定し、その結果を表1に示す。X線回折測定の結果から上記金属酸化物膜はアモルファス膜であり、更に、実施例11の金属酸化物膜の断面を透過電子顕微鏡で観察したところ、主に3nm以下の金属酸化物微粒子アモルファス状微結晶が緻密に充填した金属酸化物微粒子層が観察されている。[塗布液の作製]アセチルアセトンセリウム正式名称:セリウムIII-2,4-ペンタンジオネート室温で固体[CeC5H7O23]分子量=437.4520g、N-メチル-2-ピロリドンNMP78g、ヒドロキシプロピルセルロースHPC;低分子量タイプ2gを混合し、120°Cに加温して120分間攪拌して溶解させ、次に、得られた溶解液25gに、シクロヘキサノン25g、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGM10g、メチルエチルケトンMEK40gを混合して均一になるまで良く攪拌し、アセチルアセトンセリウムを5重量、ヒドロキシプロピルセルロースを0.5重量含有する金属酸化物膜形成用塗布液を作製した。この金属酸化物膜形成用塗布液の粘度25°Cは、5mPas程度であった。[金属酸化物膜の作製]作製した金属酸化物膜形成用塗布液を、25°Cの無アルカリガラス基板10cm×10cm×0.7mm厚さ;ヘイズ値=0.26、可視光線透過率=91.2、屈折率=1.52上の全面にスピンコーティング1000rpm×60secした後、熱風乾燥機を用いて150°Cで10分間乾燥して乾燥塗布膜膜厚:約100nm、表面抵抗値:>1×1013Ω/□絶縁を得た。図12の模式図に示すように、この乾燥塗布膜3を有する基板2を、ホットプレート加熱装置1を用いて露点温度が-55°Cの低湿度空気雰囲気3リッター/分供給;基板上の雰囲気ガスの平均流速=約0.045m/秒において、400°Cまで40分かけて昇温昇温速度:10°C/分し、400°Cで15分間加熱処理して酸化セリウムCeO2を主成分とする実施例12に係る金属酸化物膜膜厚:41nmを作製した。次に作製した金属酸化物膜の諸特性を実施例1と同様に測定し、その結果を表1に示す。X線回折測定の結果から上記金属酸化物膜はアモルファス膜であり、更に、実施例12の金属酸化物膜の断面を透過電子顕微鏡で観察したところ、主に3nm以下の金属酸化物微粒子アモルファス状微結晶が緻密に充填した金属酸化物微粒子層が観察されている。比較例1実施例1で露点温度が-50°Cの低湿度空気の代わりに、露点温度が18°Cの空気を用いた以外は実施例1と同様にして成膜を行い、酸化ハフニウムHfO2を主成分とする比較例1に係る金属酸化物膜を作製した。作製した金属酸化物膜の諸特性を実施例1と同様に測定し、その結果を表1に示す。また、得られた比較例1に係る金属酸化物膜の反射プロファイルを、実施例1の金属酸化物膜の反射プロファイルと共に図3に示す。さらに、比較例1の金属酸化物膜の断面を透過電子顕微鏡で観察した透過電子顕微鏡写真TEM像を図13に示す。X線回折測定の結果から上記金属酸化物膜はアモルファス膜であり、主に3nm以下の金属酸化物微粒子アモルファス状微結晶が充填した金属酸化物微粒子層が観察された。ただし、その金属酸化物微粒子層は、加熱処理工程で露点温度の低い空気を用いて得られた金属酸化物微粒子層に比べ、緻密度合いが低いものであった。比較例2実施例2で露点温度が-50°Cの低湿度空気の代わりに、露点温度が18°Cの空気を用いた以外は実施例2と同様にして成膜を行い、酸化ニオブNbO2.5を主成分とする比較例2に係る金属酸化物膜を作製した。作製した金属酸化物膜の諸特性を実施例1と同様に測定し、その結果を表1に示す。また、得られた比較例2に係る金属酸化物膜の反射プロファイルを、実施例2の金属酸化物膜の反射プロファイルと共に図5に示す。さらに、比較例2の金属酸化物膜の断面を透過電子顕微鏡で観察した透過電子顕微鏡写真TEM像を図14に示す。X線回折測定の結果から上記金属酸化物膜はアモルファス膜であり、主に3nm以下の金属酸化物微粒子アモルファス状微結晶が充填した金属酸化物微粒子層が観察された。ただし、その金属酸化物微粒子層は、加熱処理工程で露点温度の低い空気を用いて得られた金属酸化物微粒子層に比べ、緻密度合いが低いものであった。比較例3実施例3で露点温度が-50°Cの低湿度空気の代わりに、露点温度が18°Cの空気を用いた以外は実施例3と同様にして成膜を行い、酸化ジルコニウムZrO2を主成分とする比較例3に係る金属酸化物膜を作製した。作製した金属酸化物膜の諸特性を実施例1と同様に測定し、その結果を表1に示す。また、得られた比較例3に係る金属酸化物膜の反射プロファイルを、実施例3の金属酸化物膜の反射プロファイルと共に図7に示す。さらに、比較例3の金属酸化物膜の断面を透過電子顕微鏡で観察した透過電子顕微鏡写真TEM像を図15に示す。X線回折測定の結果から上記金属酸化物膜はアモルファス膜であり、主に3nm以下の金属酸化物微粒子アモルファス状微結晶が充填した金属酸化物微粒子層が観察された。ただし、その金属酸化物微粒子層は、加熱処理工程で露点温度の低い空気を用いて得られた金属酸化物微粒子層に比べ、緻密度合いが低いものであった。比較例4実施例4で露点温度が-50°Cの低湿度空気の代わりに、露点温度が18°Cの空気を用いた以外は実施例4と同様にして成膜を行い、酸化チタンTiO2を主成分とする比較例4に係る金属酸化物膜を作製した。作製した金属酸化物膜の諸特性を実施例1と同様に測定し、その結果を表1に示す。また、得られた比較例4に係る金属酸化物膜の反射プロファイルを、実施例4の金属酸化物膜の反射プロファイルと共に図9に示す。さらに、比較例4の金属酸化物膜の断面を透過電子顕微鏡で観察した透過電子顕微鏡写真TEM像を図16に示す。X線回折測定の結果から上記金属酸化物膜はアモルファス膜であり、主に3nm以下の金属酸化物微粒子アモルファス状微結晶が充填した金属酸化物微粒子層が観察された。ただし、その金属酸化物微粒子層は、加熱処理工程で露点温度の低い空気を用いて得られた金属酸化物微粒子層に比べ、緻密度合いが低いものであった。比較例5実施例5で露点温度が-50°Cの低湿度空気の代わりに、露点温度が18°Cの空気を用いた以外は実施例5と同様にして成膜を行い、酸化アルミニウムAlO1.5を主成分とする比較例5に係る金属酸化物膜を作製した。作製した金属酸化物膜の諸特性を実施例1と同様に測定し、その結果を表1に示す。また、得られた比較例5に係る金属酸化物膜の反射プロファイルを、実施例5の金属酸化物膜の反射プロファイルと共に図11に示す。X線回折測定の結果から、その金属酸化物膜はアモルファス膜であり、さらに、比較例5の金属酸化物膜の断面を透過電子顕微鏡で観察したところ、主に3nm以下の金属酸化物微粒子アモルファス状微結晶が充填した金属酸化物微粒子層が観察された。ただし、その金属酸化物微粒子層は、加熱処理工程で露点温度の低い空気を用いて得られた金属酸化物微粒子層に比べ、緻密度合いが低いものであった。比較例6実施例6で露点温度が-55°Cの低湿度空気の代わりに、露点温度が13°Cの空気を用いた以外は実施例6と同様にして成膜を行い、酸化モリブデンMoO3を主成分とする比較例6に係る金属酸化物膜を作製した。作製した金属酸化物膜の諸特性を実施例1と同様に測定し、その結果を表1に示す。なお、その金属酸化物膜の膜表面の平坦性は、中心線平均粗Ra=10.6nm、最大高さRmax=118nmと、加熱処理工程で露点温度の低い空気を用いて得られた金属酸化物膜に比べ、平坦性が低いものであった。また、その仕事関数は5.2eVであった。X線回折測定の結果から上記金属酸化物膜はアモルファス膜であり、さらに、比較例6の金属酸化物膜の断面を透過電子顕微鏡で観察したところ、主に3nm以下の金属酸化物微粒子アモルファス状微結晶が充填した金属酸化物微粒子層が観察された。ただし、その金属酸化物微粒子層は、加熱処理工程で露点温度の低い空気を用いて得られた金属酸化物微粒子層に比べ、緻密度合いが低いものであった。比較例7実施例7で露点温度が-55°Cの低湿度空気の代わりに、露点温度が13°Cの空気を用いた以外は実施例7と同様にして成膜を行い、酸化タングステンWO3を主成分とする比較例7に係る金属酸化物膜を作製した。作製した金属酸化物膜の諸特性を実施例1と同様に測定し、その結果を表1に示す。X線回折測定の結果から、その金属酸化物膜はアモルファス膜であり、さらに、比較例7の金属酸化物膜の断面を透過電子顕微鏡で観察したところ、主に3nm以下の金属酸化物微粒子アモルファス状微結晶が充填した金属酸化物微粒子層が観察された。ただし、その金属酸化物微粒子層は、加熱処理工程で露点温度の低い空気を用いて得られた金属酸化物微粒子層に比べ、緻密度合いが低いものであった。比較例8実施例8で用いた透明導電膜形成用塗布液を用い、実施例8と同様の、乾燥塗布膜3膜厚:約300nm、表面抵抗値:>1×1013Ω/□絶縁を得た後、図12の模式図に示す加熱エネルギー線照射を施す加熱処理において、露点温度-55°Cの低湿度空気の代わりに高湿度の空気[通常の大気;露点温度7°C]を用い、乾燥塗布膜3の無機化有機成分の分解または燃焼を促進した以外は、実施例8と同様に行なって酸化チタンTiO2を主成分とする比較例8に係る金属酸化物膜膜厚:115nmを作製した。作製した金属酸化物膜の諸特性を実施例1と同様に測定し、その結果を表1に示す。X線回折測定の結果から、その金属酸化物膜はアモルファス膜であり、さらに、比較例8の金属酸化物膜の断面を透過電子顕微鏡で観察したところ、主に3nm以下の金属酸化物微粒子アモルファス状微結晶が充填した金属酸化物微粒子層が観察された。ただし、その金属酸化物微粒子層は、加熱処理工程で露点温度の低い空気を用いて得られた金属酸化物微粒子層に比べ、緻密度合いが低いものであった。比較例9実施例9で用いた透明導電膜形成用塗布液を用い、実施例9と同様の、乾燥塗布膜3膜厚:約470nm、表面抵抗値:>1×1013Ω/□絶縁を得た後、図12の模式図に示す加熱エネルギー線照射を施す加熱処理において、露点温度-55°Cの低湿度空気の代わりに高湿度の空気[通常の大気;露点温度7°C]を用い、乾燥塗布膜3の無機化有機成分の分解または燃焼を促進した以外は、実施例9と同様に行なって酸化ハフニウムHfO2を主成分とする比較例9に係る金属酸化物膜膜厚:96nmを作製した。作製した金属酸化物膜の諸特性を実施例1と同様に測定し、その結果を表1に示す。X線回折測定の結果から、その金属酸化物膜はアモルファス膜であり、さらに、比較例9の金属酸化物膜の断面を透過電子顕微鏡で観察したところ、主に3nm以下の金属酸化物微粒子アモルファス状微結晶が充填した金属酸化物微粒子層が観察された。ただし、その金属酸化物微粒子層は、加熱処理工程で露点温度の低い空気を用いて得られた金属酸化物微粒子層に比べ、緻密度合いが低いものであった。比較例10実施例10で露点温度が-55°Cの低湿度空気の代わりに、露点温度が9°Cの空気を用いた以外は実施例10と同様にして成膜を行い、酸化タンタルTaO2.5を主成分とする比較例10に係る金属酸化物膜膜厚:69nmを作製した。作製した金属酸化物膜の諸特性を実施例1と同様に測定し、その結果を表1に示す。X線回折測定の結果から、その金属酸化物膜はアモルファス膜であり、さらに、比較例10の金属酸化物膜の断面を透過電子顕微鏡で観察したところ、主に3nm以下の金属酸化物微粒子アモルファス状微結晶が充填した金属酸化物微粒子層が観察された。ただし、その金属酸化物微粒子層は、加熱処理工程で露点温度の低い空気を用いて得られた金属酸化物微粒子層に比べ、緻密度合いが低いものであった。比較例11実施例11で露点温度が-55°Cの低湿度空気の代わりに、露点温度が9°Cの空気を用いた以外は実施例11と同様にして成膜を行い、酸化バナジウムVO2.5を主成分とする比較例11に係る金属酸化物膜膜厚:47nmを作製した。作製した金属酸化物膜の諸特性を実施例1と同様に測定し、その結果を表1に示す。X線回折測定の結果から、その金属酸化物膜はアモルファス膜であり、さらに、比較例11の金属酸化物膜の断面を透過電子顕微鏡で観察したところ、主に3nm以下の金属酸化物微粒子アモルファス状微結晶が充填した金属酸化物微粒子層が観察された。ただし、その金属酸化物微粒子層は、加熱処理工程で露点温度の低い空気を用いて得られた金属酸化物微粒子層に比べ、緻密度合いが低いものであった。比較例12実施例12で露点温度が-55°Cの低湿度空気の代わりに、露点温度が9°Cの空気を用いた以外は実施例12と同様にして成膜を行い、酸化セリウムCeO2を主成分とする比較例12に係る金属酸化物膜膜厚:46nmを作製した。作製した金属酸化物膜の諸特性を実施例1と同様に測定し、その結果を表1に示す。X線回折測定の結果から、その金属酸化物膜はアモルファス膜であり、さらに、比較例12の金属酸化物膜の断面を透過電子顕微鏡で観察したところ、主に3nm以下の金属酸化物微粒子アモルファス状微結晶が充填した金属酸化物微粒子層が観察された。ただし、その金属酸化物微粒子層は、加熱処理工程で露点温度の低い空気を用いて得られた金属酸化物微粒子層に比べ、緻密度合いが低いものであった。以上の実施例と比較例を比べる実施例1と比較例1の比較、実施例2と比較例2の比較、実施例3と比較例3の比較、実施例4と比較例4の比較、実施例5と比較例5の比較、実施例6と比較例6の比較、実施例7と比較例7の比較、実施例8と比較例8の比較、実施例9と比較例9の比較、実施例10と比較例10の比較、実施例11と比較例11の比較、実施例12と比較例12の比較と、実施例1と比較例1はいずれも500°Cの加熱処理空気雰囲気、及び1体積水素-99体積窒素雰囲気、実施例2~5と比較例2~5はいずれも500°Cの加熱処理空気雰囲気、実施例6と比較例6はいずれも350°Cの加熱処理空気雰囲気、実施例7と比較例7はいずれも300°Cの加熱処理空気雰囲気、実施例8、9と比較例8、9はいずれも150°Cの加熱処理空気雰囲気での加熱エネルギー線照射、実施例10と比較例10はいずれも400°Cの加熱処理空気雰囲気、実施例11と比較例11はいずれも400°Cの加熱処理空気雰囲気、及び1体積水素-99体積窒素雰囲気、実施例12と比較例12はいずれも400°Cの加熱処理空気雰囲気で得られた金属酸化物膜であるが、各実施例では、金属酸化物微粒子が緻密に充填した金属酸化物微粒子層を有する金属酸化物膜で、膜強度鉛筆硬度に優れるのに対して、各比較例では、金属酸化物微粒子の緻密化が不十分な金属酸化物微粒子層を有する金属酸化物膜で、膜強度鉛筆硬度が著しく低いことがわかる。また実施例と比較例を比べる実施例1と比較例1の比較、実施例2と比較例2の比較、実施例3と比較例3の比較、実施例4と比較例4の比較、実施例5と比較例5の比較、実施例6と比較例6の比較、実施例7と比較例7の比較、実施例8と比較例8の比較、実施例9と比較例9の比較、実施例10と比較例10の比較、実施例11と比較例11の比較、実施例12と比較例12の比較と、実施例1と比較例1はいずれも500°Cの加熱処理空気雰囲気、及び1体積水素-99体積窒素雰囲気、実施例2~5と比較例2~5はいずれも500°Cの加熱処理空気雰囲気、実施例6と比較例6はいずれも350°Cの加熱処理空気雰囲気、実施例7と比較例7はいずれも300°Cの加熱処理空気雰囲気、実施例8、9と比較例8、9はいずれも150°Cの加熱処理空気雰囲気での加熱エネルギー線照射、実施例10と比較例10はいずれも400°Cの加熱処理空気雰囲気、実施例11と比較例11はいずれも400°Cの加熱処理空気雰囲気、及び1体積水素-99体積窒素雰囲気、実施例12と比較例12はいずれも400°Cの加熱処理空気雰囲気で得られた金属酸化物膜であるが、各実施例の金属酸化物膜に比べて、各比較例の金属酸化物膜はその膜厚が10~20程度厚いことがわかる103nmに対し117nm、133nmに対し150nm、155nmに対し175nm、63nmに対し72nm、129nmに対し166nm、98nmに対し120nm、90nmに対し115nm、98nmに対し115nm、87nmに対し96nm、62nmに対し69nm、42nmに対し47nm、41nmに対し46nm。更に、実施例と比較例を比べる実施例1と比較例1の比較、実施例2と比較例2の比較、実施例3と比較例3の比較、実施例4と比較例4の比較、実施例5と比較例5の比較と、実施例1と比較例1はいずれも500°Cの加熱処理空気雰囲気、及び1体積水素-99体積窒素雰囲気、実施例2~5と比較例2~5はいずれも500°Cの加熱処理空気雰囲気で得られた金属酸化物膜であるが、図3、5、7、9、11に示された反射プロファイルから明らかなように、各実施例の金属酸化物膜の反射率は、各比較例の金属酸化物膜の反射率よりも高い値を有しており、すなわち、各実施例の金属酸化物膜が各比較例に比べて高い屈折率を有していることがわかる。金属酸化物膜の緻密度合いが低いと、膜中に空隙屈折率=1.0の空気が生じて金属酸化物膜の屈折率が低下し、反射率が低下することが知られており、このことからも各実施例の金属酸化物膜が緻密化していることが明らかである。なお、反射プロファイルは記載していないが、実施例8~12と比較例8~12を比べた実施例8と比較例8の比較、実施例9と比較例9の比較、実施例10と比較例10の比較、実施例11と比較例11の比較、実施例12と比較例12の比較場合においても、各実施例の金属酸化物膜の反射率が、各比較例の金属酸化物膜の反射率よりも高い値を有していることが確認されている。参考までに、各金属酸化物、ガラス基板の屈折率は以下の通り。酸化ハフニウム:1.91~2.15、酸化ニオブ:2.2~2.3、酸化ジルコニウム:2.15、酸化チタン:2.5~2.7、酸化アルミニウム:1.62、酸化タングステン:2.2、酸化タンタル:2.16、酸化バナジウム:2.2~2.5、酸化セリウム:2.1~2.5、ソーダライムガラス:1.53、無アルカリガラス:1.52実施例と比較例を比べる実施例6と比較例6の比較と、いずれも350°Cの加熱処理空気雰囲気で得られた金属酸化物膜であるが、実施例6の金属酸化物膜に比べて、比較例6の金属酸化物膜はその膜表面の平坦性が悪いことがわかる中心線平均粗Ra=2.6nmに対し10.6nm。最大高さRmax=28nmに対し118nm。。また、実施例6の金属酸化物膜の仕事関数は、比較例6の金属酸化物膜の仕事関数よりも高いことがわかる5.4eVに対し5.2eV。"