"In,Ga及びZnを含み、周囲よりもInの含有量が多い組織と、周囲よりもGa及びZnの含有量が多い組織を備えている酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。前記Inの含有量が多い組織の酸素含有量が、周囲の組織よりも少ない、請求項1に記載のスパッタリングターゲット。前記Inの含有量が多い組織が、15μm以上の連結構造を有している、請求項1又は2に記載のスパッタリングターゲット。前記酸化物焼結体が、In2O3で表されるビックスバイト構造とInGaZnO4で表されるホモロガス構造を含む、請求項1~3のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲット。前記酸化物焼結体が、In2O3で表されるビックスバイト構造とZnGa2O4で表されるスピネル構造を含む、請求項1~3のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲット。前記酸化物焼結体が、In2O3で表されるビックスバイト構造とIn1.5Ga0.5Zn2O5で表されるホモロガス構造を含む、請求項1~3のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲット。前記酸化物焼結体のIn、Ga及びZnの原子比が下記の式を満たす、請求項1~6のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲット。0.20≦In/InGaZn≦0.700.01≦Ga/InGaZn≦0.500.05≦Zn/InGaZn≦0.60前記酸化物焼結体のIn、Ga及びZnの原子比が下記の式を満たす、請求項7に記載のスパッタリングターゲット。Ga/InGaZn≦0.450.10≦Zn/InGaZn≦0.40In/InGa<0.60前記酸化物焼結体のIn、Ga及びZnの原子比が下記の式を満たす、請求項7に記載のスパッタリングターゲット。In/InGaZn≦0.650.10≦Ga/InGaZn0.10≦Zn/InGaZn0.60≦In/InGa0.51≦In/InZn前記酸化物焼結体が、さらに下記式を満たす原子比でSnを含有する、請求項1~9のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲット。0.0001<Sn/InGaZnSn<0.10実質的にIn,Ga,Zn及びOのみを含有する、請求項1~10のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲット。ZnGa2O4で表されるスピネル構造を持つ酸化物を含む成形体を焼結する工程を含む、請求項5に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。請求項1~11のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲットを用いて酸化物膜を成膜する工程を含む、半導体素子の製造方法。本発明の目的は、還元処理を行わなくても比抵抗の低い、酸化物半導体膜形成用のターゲットを提供することである。上記目的を達成するため、本発明者らは鋭意研究を行い、In,Ga及びZnを含む酸化物ターゲットは、周囲よりもInの含有量が多い組織以下、Inリッチ組織というを含んでいると、還元処理、特に高温での還元処理を行わなくても比抵抗の低いターゲットを作製しうることを見出した。これは、Inリッチ組織を含むことで酸素欠損を生じさせやすくなるためと推察される。さらに、元素の組成比原子比と製造条件を選定することでIn,Ga及びZnを含む酸化物焼結体中にInリッチ組織を生成させうることを見出した。さらに、このターゲットはInの含有量が少ないため、ITO等のInを多量に含むターゲットと比べスパッタ時のノジュール発生が極めて少なく、薄膜トランジスタを作製した際にノジュールによる異常放電等から発生するパーティクルによる不良発生の低減も期待できることがわかった。さらに、この酸化物焼結体からなるターゲットを用いて作製した半導体素子、特に薄膜トランジスタは優れたTFT特性を有し、半導体素子の作製に適したスパッタリングターゲットが作製できることを見出し、本発明を完成させた。本発明によれば、以下のスパッタリングターゲット、その製造方法及び半導体素子の製造方法が提供される。1.In,Ga及びZnを含み、周囲よりもInの含有量が多い組織と、周囲よりもGa及びZnの含有量が多い組織を備えている酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。2.前記Inの含有量が多い組織の酸素含有量が、周囲の組織よりも少ない、上記1に記載のスパッタリングターゲット。3.前記Inの含有量が多い組織が、15μm以上の連結構造を有している、上記1又は2に記載のスパッタリングターゲット。4,前記酸化物焼結体が、In2O3で表されるビックスバイト構造とInGaZnO4で表されるホモロガス構造を含む、上記1~3のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。5.前記酸化物焼結体が、In2O3で表されるビックスバイト構造とZnGa2O4で表されるスピネル構造を含む、上記1~3のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。6.前記酸化物焼結体が、In2O3で表されるビックスバイト構造とIn1.5Ga0.5Zn2O5で表されるホモロガス構造を含む、上記1~3のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。7.前記酸化物焼結体のIn、Ga及びZnの原子比が下記の式を満たす、上記1~6のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。0.20≦In/InGaZn≦0.700.01≦Ga/InGaZn≦0.500.05≦Zn/InGaZn≦0.608.前記酸化物焼結体のIn、Ga及びZnの原子比が下記の式を満たす、上記7に記載のスパッタリングターゲット。Ga/InGaZn≦0.450.10≦Zn/InGaZn≦0.40In/InGa<0.609.前記酸化物焼結体のIn、Ga及びZnの原子比が下記の式を満たす、上記7に記載のスパッタリングターゲット。In/InGaZn≦0.650.10≦Ga/InGaZn0.10≦Zn/InGaZn0.60≦In/InGa0.51≦In/InZn10.前記酸化物焼結体が、さらに下記式を満たす原子比でSnを含有する、上記1~9のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。0.0001<Sn/InGaZnSn<0.1011.実質的にIn,Ga,Zn及びOのみを含有する、上記1~10のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。12.ZnGa2O4で表されるスピネル構造を持つ酸化物を含む成形体を焼結する工程を含む、上記5に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。13.上記1~11のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを用いて酸化物膜を成膜する工程を含む、半導体素子の製造方法。本発明によれば、還元処理を行わなくても比抵抗の低い、酸化物半導体膜形成用のターゲットを提供することができる。本発明によれば、優れた成膜性を有するスパッタリングターゲット、特に酸化物半導体膜形成用のスパッタリングターゲットを提供することができる。本発明のスパッタリングターゲット以下、本発明のターゲットというは、In,Ga及びZnを含み、周囲よりもInの含有量が多い組織と、周囲よりもGa及びZnの含有量が多い組織を備えている酸化物焼結体からなることを特徴とする。Inリッチ組織を備えていると、還元処理を行わなくとも、比抵抗を下げることが容易である。Inリッチ組織とは、Inの含有量が周囲より多い組織をいう。Ga,Znリッチ組織とは、Ga及びZnの含有量がともに周囲より多い組織をいう。Ga,Znリッチ組織を備えていることにより、Ga単独領域が現れることによる高抵抗化を抑制することが期待できる。また、Ga単独領域の生成によるターゲット組成とスパッタで作製した膜の組成比の相違や異常放電の発生を抑制することも期待できる。Inリッチ組織、及びGa,Znリッチ組織を備えていることは、電子プローブマイクロアナライザEPMAを用いたIn,Ga,Zn,Oの分散MAPにより確認できる。例えば、後述する実施例4で得られた酸化物焼結体のIn,Ga,Zn,Oの分散MAPを図2に示す。図2からわかるように、本発明のターゲットを構成する酸化物焼結体では、Inリッチ組織とGa,Znリッチ組織とが混在した状態となっている。EPMAによる測定装置名:日本電子株式会社JXA-8200測定条件加速電圧:15kV照射電流:50nA照射時間1点当りの:50mS本発明のターゲットを構成する酸化物は酸素欠損を有することが好ましい。酸素欠損量は、3×10-5~3×10-1の範囲であることが好ましいく、1×10-4~1×10-1の範囲であることがより好ましい。上記範囲内であると、比抵抗が下げやすい。酸素欠損量とは、1モルの酸化物結晶中に含まれる酸素イオンの数を化学量論量の酸素イオンの数から差し引いた値をモル単位で示した値である。酸化物結晶中に含まれる酸素イオンの数は、例えば、酸化物結晶を炭素粉末中で加熱させて生成する二酸化炭素の量を赤外吸収スペクトルで測定することで算出することができる。また、化学量論量の酸素イオンの数は酸化物結晶の質量から算出することができる。酸素欠損量は焼結条件や、焼結時、昇温時、降温時の雰囲気等で調整することができる。また、焼結後に還元処理を施すこと等によって調整することもできる。尚、Inリッチ組織を備えていると焼結後に還元処理を行わなくとも酸素欠損量を前記範囲内に調整することが容易である。本発明のターゲットでは、前記Inの含有量が多い組織Inリッチ組織の酸素含有量が、周囲の組織よりも少ないことが好ましい。Inリッチ組織の周囲の組織とは、Inリッチ組織を取り囲むGa,Znリッチ組織、その他の組織を意味する。Inリッチ組織の酸素含有量がGa,Znリッチ組織やその他の組織の酸素含有量よりも少ないことは、EPMAを用いたIn,Ga,Zn,Oの分散MAPにより確認できる。例えば、後述する実施例4で得られた酸化物焼結体のIn,Ga,Zn,Oの分散MAPを示す図3において、各組織を比較すれば、Inリッチ組織の酸素含有量が周囲の組織よりも少ないことがわかる。本発明のターゲットでは、前記Inの含有量が多い組織Inリッチ組織が、15μm以上の連結構造を有していることが好ましい。Inリッチ組織が15μm以上の連結構造を有していることは、EPMAを用いたIn,Ga,Zn,Oの分散MAPにより確認できる。例えば、後述する実施例4で得られた酸化物焼結体のEPMA画像の拡大図を図4に示す。図4における点線で示した部分がInリッチ組織の連結構造である。Inリッチ組織が15μm以上の長さの連結構造をしていることで、Inリッチ組織を伝わって導電することで比抵抗を下げることができる。連結構造の長さは、20μm以上がより好ましく、30μm以上が特に好ましい。連結構造の幅は、20μm以下が好ましく、10μm以下がより好ましく、5μm以下が特に好ましい。長さ15μm以上の連結構造のアスペクト比は1.5以上が好ましく、2以上がより好ましく、3以上が特に好ましい。尚、連結構造の長さと幅とは、連結構造に外接する楕円形の長軸と短軸をいう。また、長軸÷短軸をアスペクト比とする。連結構造のアスペクト比が高いほど比抵抗が下がることが期待できる。後述する実施例4で得られたターゲットにおけるアスペクト比の測定の一例を、図5に示す。連結構造の長さ幅アスペクト比は、EPMAの写真から20個の連結構造をランダムに選び平均をとる。本発明のターゲットにおいては、前記酸化物焼結体が、In2O3で表されるビックスバイト構造とInGaZnO4で表されるホモロガス構造を含むことが好ましい。In2O3で表されるビックスバイト構造とInGaZnO4で表されるホモロガス構造を含むことは、X線回折測定XRDで確認できる。例えば、下記の装置条件で測定できる。X線回折測定XRD装置:株リガク製Ultima-IIIX線:Cu-Kα線波長1.5406Å、グラファイトモノクロメータにて単色化2θ-θ反射法、連続スキャン1.0°/分サンプリング間隔:0.02°スリットDS、SS:2/3°、RS:0.6mmIn2O3で表されるビックスバイト構造あるいは希土類酸化物C型の結晶構造とは、Th7,Ia3の空間群を持つ立方晶系で、Mn2O3I型酸化物結晶構造とも言う。Sc2O3、Y2O3、Tl2O3、Pu2O3、Am2O3、Cm2O3、In2O3、ITOIn2O3に10wt程度以下のSnをドープしたものがこの結晶構造を示す非特許文献1。In2O3で表されるビックスバイト構造希土類酸化物C型の結晶構造を示すことは、X線回折でJCPDSカードNo.6-0416のパターンを示すことから確認できる。希土類酸化物C型の結晶構造は、MX2M:陽イオン、X:陰イオンで示される化合物の結晶構造の一つである蛍石型結晶構造から、化学量論比がM2X3のため、陰イオンの四つに一つが抜けている構造となる。陽イオンに対して陰イオン通常酸化物の場合は、酸素が6配位し、残りの二つの陰イオンサイトは空となっている空となっている陰イオンサイトは準イオンサイトとも呼ばれる非特許文献1。陽イオンに酸素陰イオンが6配位した希土類酸化物C型の結晶構造は、酸素八面体稜共有構造を有している。酸素八面体稜共有構造を有していると、陽イオンであるp金属のns軌道が互いに重なり合って電子の伝導路を形成し、有効質量が小さくなり高い電子の移動度を示す。In2O3で表されるビックスバイト構造希土類酸化物C型の結晶構造は、X線回折でJCPDSカードNo.6-0416のパターンを示していれば、化学量論比がM2X3からずれていてもよい。即ち、M2O3-dとなっていてもよい。InGaO3ZnOmmは1~20の整数で表される結晶構造のm=1の場合がInGaO3ZnOである。InGaO3ZnOmmは1~20の整数で表される結晶構造は六方晶層状化合物あるいはホモロガス相の結晶構造と呼ばれ、異なる物質の結晶層を何層か重ね合わせた長周期を有する自然超格子構造から成る結晶である。結晶周期ないし各薄膜層の厚さが、ナノメーター程度の場合、これら各層の化学組成や層の厚さの組み合わせによって、単一の物質あるいは各層を均一に混ぜ合わせた混晶の性質とは異なる固有の特性が得られる。そして、ホモロガス相の結晶構造は、例えばターゲットを粉砕したパウダーあるいはターゲットから直接測定したX線回折パターンが、組成比から想定されるホモロガス相の結晶構造X線回折パターンと一致することから確認できる。具体的には、JCPDSJointCommitteeofPowderDiffractionStandardsカードから得られるホモロガス相の結晶構造X線回折パターンと一致することから確認することができる。InGaO3ZnOの場合は、JCPDSカードNo.38-1104である。In2O3で表されるビックスバイト構造の格子定数aは、10.14以下が好ましく、10.10以下がより好ましく、10.08以下が特に好ましい。格子定数aは、XRDのフィティングで求める。格子定数が小さいと移動度の向上によって比抵抗を下げられることが期待できる。本発明のターゲットにおいては、前記酸化物焼結体が、In2O3で表されるビックスバイト構造とZnGa2O4で表されるスピネル構造を含むことが好ましい。ZnGa2O4で表される結晶構造は、X線回折でJCPDSカードNo.38-1240のパターンを示していれば、化学量論比がずれていてもよい。即ち、ZnGa2O4-dとなっていてもよい。酸素欠損量dが3×10-5~3×10-1の範囲であることが好ましい。dは焼結条件や、焼結時、昇温時、降温時の雰囲気等で調整することができる。また、焼結後に還元処理をすること等によって調整することもできる。本発明のターゲットにおいては、前記酸化物焼結体が、In2O3で表されるビックスバイト構造とIn1.5Ga0.5Zn2O5で表されるホモロガス構造を含むことが好ましい。In1.5Ga0.5Zn2O5で表されるホモロガス構造は、インジウム元素In、ガリウム元素Ga、及び亜鉛元素Znを含む、In-Ga-Zn系酸化物であって、下記の条件1を満たすことを特徴とする。さらに条件2を満たすことが好ましく、さらに条件3を満たすことが特に好ましい。条件1:X線回折測定Cukα線により得られるチャートにおいて、下記のA~Eの領域に回折ピークが観測される。A.入射角2θ=7.0°~8.4°好ましくは7.2°~8.2°B.2θ=30.6°~32.0°好ましくは30.8°~31.8°C.2θ=33.8°~35.8°好ましくは34.3°~35.3°D.2θ=53.5°~56.5°好ましくは54.1°~56.1°E.2θ=56.5°~59.5°好ましくは57.0°~59.0°条件2:2θが30.6°~32.0°上記領域B及び33.8°~35.8°上記領域Cの位置に観測される回折ピークの一方がメインピークであり、他方がサブピークである。尚、メインピークとは、2θが5~80°の範囲で最も強度の強いピークピーク高さの高いピークであり、サブピークとは、2番目に強度の強いピークピーク高さの高いピークである。条件3:X線回折測定Cukα線により得られるチャートにおいて、下記のF~Kの領域に回折ピークが観測される。F.2θ=14.8°~16.2°好ましくは15.0°~16.0°G.2θ=22.3°~24.3°好ましくは22.8°~23.8°H.2θ=32.2°~34.2°好ましくは32.7°~33.7°I.2θ=43.1°~46.1°好ましくは43.6°~45.6°J.2θ=46.2°~49.2°好ましくは46.7°~48.7°K.2θ=62.7°~66.7°好ましくは63.7°~65.7°In1.5Ga0.5Zn2O5で表されるホモロガス構造のX線回折測定Cukα線により得られるチャートの例を図6に示す。上記条件を満たす酸化物結晶は、JCPDSJointCommitteeofPowderDiffractionStandardsカードにはなく、今まで確認されていない新規な結晶である。In1.5Ga0.5Zn2O5で表されるホモロガス構造のX線回折チャートは、InGaO3ZnO2JCPDS:40-0252で示される結晶構造及びIn2O3ZnO2JCPDS:20-1442で示される結晶構造に類似している。しかしながら、この酸化物はInGaO3ZnO2特有のピーク上記領域Aのピーク、及びIn2O3ZnO2特有のピーク上記領域D及びEのピークを有し、かつ、InGaO3ZnO2及びIn2O3ZnO2には観測されないピーク上記領域Bを有する。従って、InGaO3ZnO2ともIn2O3ZnO2とも異なる新たな周期性を有していると判断できる。即ち、In1.5Ga0.5Zn2O5で表されるホモロガス構造の酸化物は、InGaO3ZnO2及びIn2O3ZnO2とは異なる。上記領域Bのピークについて、このピークはIn2O3ZnO2とInGaO3ZnO2のメインピークの間、即ち、31°付近と32°付近の間にある。従って、InGaO3ZnO2のメインピークよりも低角側にシフトしており格子間距離が広がっていると思われる、In2O3ZnO2のメインピークよりも高角側にシフトしている格子間距離が狭まっていると思われる。この結晶構造は、InGaO3ZnO2JCPDS:40-0252の結晶構造及びIn2O3ZnO2JCPDS:20-1442の結晶構造に類似していると考えられる。上記公知の結晶構造を基に、上記新規結晶構造の構造式In1.5Ga0.5Zn2O5を推定した過程を図7に示す。本発明のターゲットにおいては、前記酸化物焼結体のIn、Ga及びZnの原子比が下記の式を満たすことが好ましい。0.20≦In/InGaZn≦0.700.01≦Ga/InGaZn≦0.500.05≦Zn/InGaZn≦0.60上記範囲外であると、Inリッチ組織とGa,Znリッチ組織の2層を生成させることが難しい。また、薄膜トランジスタとした場合に、In/InGaZnが0.20未満であると移動度が低くなるおそれがある。0.70超であるとノーマリーオンになるおそれがある。Ga/InGaZnが0.01未満であると耐湿性が低下するおそれや、光電流が増加するおそれがある。0.50超であると移動度が低下するおそれがある。Zn/InGaZnが0.05未満であるとウェットエッチングの際に残渣が増えるおそれがある。0.60超であると耐湿性が低下するおそれや、ウェットエッチングの際にエッチング速度が早くなりすぎて制御が難しくなるおそれがある。さらに、下記範囲であると薄膜トランジスタを作製した際に移動度が高くなる。さらに、得られる酸化物焼結体にInリッチ組織とGa、Znリッチ組織を生成させやすい。0.51≦In/InZnさらに好ましくは、0.35≦In/InGaZn≦0.600.15≦Ga/InGaZn≦0.450.10≦Zn/InGaZn≦0.45さらに領域1と領域2に区分される。領域1In/InGa<0.60領域20.60≦In/InGa領域1は、下記範囲であると特に好ましい。Ga/InGaZn≦0.450.10≦Zn/InGaZn≦0.40In/InGa<0.60領域2は、下記範囲であると特に好ましい。In/InGaZn≦0.650.10≦Ga/InGaZn0.10≦Zn/InGaZn0.60≦In/InGa0.51≦In/InZn上記領域1あるいは領域2の範囲内であると、Inリッチ組織とGa,Znリッチ組織の2層をより生成させやすい。薄膜トランジスタを作製した際、光電流が少ない、耐薬品性が向上する、ノーマリーオンになりにくい等の利点が期待できる点では、領域1が好ましい。領域1は、さらに、前記酸化物焼結体のIn、Ga及びZnの原子比が下記の式を満たす場合、光電流の増加や耐薬品性の低下がさらに抑制できるため、製造プロセスの制約を低減することができる。0.30≦In/InGaZnZn/InGaZn≦0.35In/InGa<0.56領域1のスパッタリングターゲットを作製するには、焼結は、1100~1380°Cで1~100時間行うことが好ましい。焼結温度は、1200~1350°Cがより好ましく、1250~1320°Cが特に好ましい。1380°C以上であると、In2O3で表されるビックスバイト構造が失われるおそれがある。また、Zn亜鉛が蒸発して組成比がずれる、ターゲットの比抵抗が高くなる、想定外の結晶型が生じる、焼結に多大なエネルギーが必要となりコスト高となる、等のおそれがある。1100°C未満であると相対密度が低くなる、比抵抗が高くなる、焼結に時間が掛かりコスト高となる等のおそれがある。昇温速度室温~400°Cは5°C/分以下が好ましく、0.2~3°C/分がより好ましく、0.4~1°C/分が特に好ましい。昇温速度400°C~焼結温度は5°C/分以下が好ましく、0.2~3°C/分がより好ましく、0.4~1°C/分が特に好ましい。さらに、600~1100°Cの間で0.2時間以上10時間以下の昇温を止めた保持時間を設け、2段階以上の段階的に昇温させることが均一性が増す、クラックが入りにくくなるという点で特に好ましい。ターゲットを作製する際に、希少資源であるGaの使用量を削減できる、原料の比表面積などを制限しなくとも高抵抗物質であるGa2O3の生成を抑制できる、ターゲットの比抵抗を下げやすい等の点、及び薄膜トランジスタを作製した際に、移動度が高い、S値が小さい等の利点が期待できる点では、領域2が好ましい。領域2は、さらに、前記酸化物焼結体のIn、Ga及びZnの原子比が下記の式を満たす場合、光電流の増加や耐薬品性の低下を比較的抑制できるため、構造面での制約を低減することができる。0.20<Ga/InGaZnZn/InGaZn<0.30領域2のスパッタリングターゲットを作製するには、焼結は、1100~1600°Cで1~100時間行うことが好ましい。焼結温度は、1200~1490°Cがより好ましく、1300~1480°Cが特に好ましい。1600°C以上であると、Zn亜鉛が蒸発して組成比がずれる、ターゲットの比抵抗が高くなる、想定外の結晶型が生じる、焼結に多大なエネルギーが必要となりコスト高となる等のおそれがある。1100°C以下であると相対密度が低くなる、比抵抗が高くなる、焼結に時間が掛かりコスト高となる等のおそれがある。昇温速度室温~400°Cは5°C/分以下が好ましく、0.2~3°C/分がより好ましく、0.4~1°C/分が特に好ましい。昇温速度400°C~焼結温度は5°C/分以下が好ましく、0.2~3°C/分がより好ましく、0.4~1°C/分が特に好ましい。さらに、600~1100°Cの間で0.2時間以上10時間以下の昇温を止めた保持時間を設け、2段階以上の段階的に昇温させることが均一性が増す、クラックが入りにくくなるという点で特に好ましい。本発明のターゲットは、本発明の効果を損ねない範囲において、上述したIn、Ga、Zn以外の金属元素、例えば、Sn、Ge、Si、Ti、Zr及びHf等を含有していてもよい。本発明のターゲットにおいては、Snを含有することで、Inの含有量が多い組織の抵抗を下げられることが期待できる、Inの含有量が多い組織の生成を容易にできる場合がある、錫の低級酸化物の生成による比抵抗の上昇や抵抗の高い錫化合物の生成を抑制しやすい等の点から、前記酸化物焼結体がさらに、下記式を満たす原子比でSnを含有することが好ましい。0.0001<Sn/InGaZnSn<0.10また、バックチャンネルエッチ型の薄膜トランジスタを作製した際に、半導体層の膜厚の均一性が向上するという利点が期待できるという点で下記範囲が好ましい。0.01<Sn/InGaZnSn<0.05より好ましくは下記式を満たす。0.015≦Sn/InGaZnSn≦0.045特に好ましくは下記式を満たす。0.02≦Sn/InGaZnSn≦0.04本発明のターゲットは、実質的にIn,Ga,Zn及びOのみを含有することが好ましい。実質的にIn,Ga,Zn及びOのみを含有するとは、製造工程で不可避的に入る不純物以外には、添加元素を含まないことを意味する。具体的には、上記元素以外の元素の濃度は10ppm未満である。実質的にIn,Ga,Zn及びOのみを含有していると、製造時に管理すべき元素数が抑えられ、管理を簡便化できるという利点がある。本発明のターゲットを構成する焼結体の相対密度は95以上が好ましく、96以上がより好ましく、97以上が特に好ましい。95未満であるとターゲットが割れやすかったり、異常放電が発生しやすかったりするおそれがある。相対密度とは、加重平均より算出した理論密度に対して相対的に算出した密度である。各原料の密度の加重平均より算出した密度が理論密度であり、これを100とする。比抵抗は0.01mΩcm以上20mΩcm以下が好ましく、0.1mΩcm以上10mΩcm以下がより好ましく、0.2mΩcm以上5mΩcm以下が特に好ましい。比抵抗が20mΩcm超では、長時間DCスパッタリングを続けていると、異常放電によりスパークが発生し、ターゲットが割れたり、スパークにより飛び出した粒子が成膜基板に付着し、酸化物半導体膜としての性能を低下させたりする場合がある。比抵抗が0.01mΩcmより小さい抵抗値では、ターゲットの抵抗がパーティクルの抵抗より小さくなり、飛散してきたパーティクルにより異常放電が起きるおそれがある。本発明のスパッタリングターゲットの製造方法以下、本発明のターゲット製造方法というは、Inを主成分とする酸化物粉体とGa及びZnを主成分とする酸化物粉体を原料とする成形体を作製し焼結することが好ましい。上記製造方法をとることで、Inの含有量が多い組織とGa及びZnの含有量が多い組織からなるターゲットを得やすい。例えば、ZnGa2O4で表されるスピネル構造を持つ酸化物を含む成形体を焼結することで、In2O3で表されるビックスバイト構造とZnGa2O4で表されるスピネル構造を含む本発明のターゲットを得ることができる。例えば、ZnGa2O4で表されるスピネル構造を持つ酸化物粉末とIn2O3で表されるビックスバイト構造を持つ酸化物粉末から、ZnGa2O4で表されるスピネル構造を持つ酸化物とIn2O3で表されるビックスバイト構造を持つ酸化物とを含む成形体を作製し、その成形体を焼結すると、In2O3で表されるビックスバイト構造とZnGa2O4で表されるスピネル構造以外の構造の酸化物が生成しにくく、安定してIn2O3で表されるビックスバイト構造とZnGa2O4で表されるスピネル構造を含む酸化物焼結体を作製できるという利点がある。原料であるZnGa2O4で表されるスピネル構造を持つ酸化物は、例えば、次のようにして製造することができる。ZnO粉及びGa2O3粉をZnとGaの原子比が1:2となる割合で混合し、焼成し、ZnGa2O4で表されるスピネル構造を持つ粉体を合成する。あるいは、同様にZnO粉及びGa2O3粉をZnとGaの原子比が1:2となる割合で混合し仮焼後、粉砕する。<ターゲットの製造工程毎の説明>1配合工程配合工程は、スパッタリングターゲットの原料である金属酸化物を混合する工程である。原料としては、インジウム化合物の粉末、ガリウム化合物の粉末、亜鉛化合物の粉末等の粉末を用いる。インジウムの化合物としては、例えば、酸化インジウム、水酸化インジウム等が挙げられる。ガリウムの化合物としては、例えば、酸化ガリウム、水酸化ガリウム等が挙げられる。亜鉛の化合物としては、例えば、酸化亜鉛、水酸化亜鉛等が挙げられる。各々の化合物として、焼結のしやすさ、副生成物の残存のし難さから、酸化物が好ましい。また、原料の純度は、通常2N99質量以上、好ましくは3N99.9質量以上、特に好ましくは4N99.99質量以上である。純度が2Nより低いと耐久性が低下する、液晶ディスプレイに用いた際に液晶側に不純物が入り、焼き付けが起こるおそれがある。原料の一部として金属亜鉛亜鉛末を用いることが好ましい。原料の一部に亜鉛末を用いるとホワイトスポットの生成を低減することができる。金属酸化物等のターゲットの製造に用いる原料を混合し、通常の混合粉砕機、例えば、湿式ボールミルやビーズミル又は超音波装置を用いて、均一に混合粉砕することが好ましい。湿式ボールミルを用いる場合、混合粉砕の時間は、通常0.5~60時間、好ましくは6~48時間、より好ましくは8~36時間である。0.5時間未満であると原料の分散不良でホワイトスポットや黒点等の外観不良が生じるおそれがある。60時間超であると、混合時に反応して想定外の結晶型が生じるおそれがある。酸化インジウム、酸化ガリウム及び酸化亜鉛の比表面積BET比表面積は、通常各々3~18m2/g、3~18m2/g、3~18m2/gであり、好ましくは各々7~16m2/g、7~16m2/g、3~10m2/gであり、より好ましくは各々7~15m2/g、7~15m2/g、4~10m2/gであり、特に好ましくは各々11~15m2/g、11~15m2/g、4~5m2/gである。比表面積が小さすぎると焼結体中に各々の元素の凝集体が成長する、原料粉末の結晶型が残存する、想定外の結晶型が生成し性状が変化する、等のおそれがある。比表面積が大きすぎると想定外の結晶型が生成し性状が変化する、分散不良を起こし外観不良や特性のムラが生じる等のおそれがある。ターゲットの原料となる各金属化合物の比表面積BET比表面積は、JISZ8830に記載の方法によって測定することができる。2仮焼工程仮焼工程は、スパッタリングターゲットの原料である化合物の混合物を得た後、この混合物を仮焼する、必要に応じて設けられる工程である。仮焼を行うと、密度を上げることが容易になり好ましいが、コストアップになるおそれがある。そのため、仮焼を行わずに密度を上げられることがより好ましい。仮焼工程においては、500~1200°Cで、1~100時間の条件で金属酸化物の混合物を熱処理することが好ましい。500°C未満又は1時間未満の熱処理条件では、インジウム化合物や亜鉛化合物、錫化合物の熱分解が不十分となる場合があるためである。一方、熱処理条件が、1200°Cを超えた場合又は100時間を超えた場合には、粒子の粗大化が起こる場合があるためである。従って、特に好ましいのは、800~1200°Cの温度範囲で、2~50時間の条件で、熱処理仮焼することである。尚、ここで得られた仮焼物は、下記の成形工程及び焼成工程の前に粉砕するのが好ましい。3成形工程成形工程は、金属酸化物の混合物上記仮焼工程を設けた場合には仮焼物を加圧成形して成形体とする工程である。この工程により、ターゲットとして好適な形状に成形する。仮焼工程を設けた場合には得られた仮焼物の微粉末を造粒した後、加圧成形により所望の形状に成形することができる。本工程で用いることができる成形方法としては、例えば、金型成形、鋳込み成形、射出成形等も挙げられるが、焼結密度の高く、比抵抗が小さく、均質な焼結体ターゲットを得るためには、冷間静水圧CIP、熱間静水圧HIP等で成形するのが好ましい。単なるプレス成形一軸プレスであると圧力にムラ生じて、想定外の結晶型が生成してしまうおそれがある。また、プレス成形一軸プレス後に、冷間静水圧CIP、熱間静水圧HIP等を行い2段階以上の成形工程を設けると再現性を高めるという点で好ましい。CIP冷間静水圧、あるいは静水圧加圧装置を用いる場合、面圧800~3000kgf/cm2で0.5~20分保持することが好ましい。また、面圧が800kgf/cm2以下であると、焼結後の密度が上がらないあるいは抵抗が高くなるおそれがある。面圧3000kgf/cm2以上であると装置が大きくなりすぎ不経済となるおそれがある。保持時間が0.5分以下であると焼結後の密度が上がらないあるいは抵抗が高くなるおそれがある。20分以上であると時間が掛かりすぎ不経済となるおそれがある。尚、成形処理に際しては、ポリビニルアルコールやメチルセルロース、ポリワックス、オレイン酸等の成形助剤を用いてもよい。成形体の厚みは通常6mm以上、好ましくは8mm以上、特に好ましくは10mm以上である。6mm未満であると焼結時に収縮して薄くなりすぎるため熱伝導率のムラが生じ想定外の結晶型が生成する、結晶粒径が大きくなりすぎるおそれがある。4焼結工程焼結工程は、上記成形工程で得られた成形体を焼成する工程である。この場合の焼結条件としては、酸素ガス雰囲気又は酸素ガス加圧下で行うことが好ましい。酸素ガスを含有しない雰囲気で焼結すると、得られるターゲットの密度を十分に向上させることができず、スパッタリング時の異常放電の発生を十分に抑制できなくなる場合がある。焼結は、目的とする焼結体の結晶構造に従って、前記条件で行えばよいが、通常1100~1600°Cで1~100時間行う。1200~1490°Cがより好ましく、1300~1480°Cが特に好ましい。1600°C以上であると、Zn亜鉛が蒸発して組成比がずれる、ターゲットの比抵抗が高くなる、想定外の結晶型が生じる、焼結に多大なエネルギーが必要となりコスト高となる等のおそれがある。1100°C以下であると相対密度が低くなる、比抵抗が高くなる、焼結に時間が掛かりコスト高となる等のおそれがある。また、焼成時の降温速度冷却速度は、通常4°C/分以下、好ましくは2°C/分以下、より好ましくは1°C/分以下、さらに好ましくは0.8°C/分以下、特に好ましくは0.5°C/分以下である。4°C/分以下であると本発明の結晶型が得られやすい。また、降温時にクラックが発生しにくい。また、昇温の途中で一度昇温を止め保持温度で保持し、2段階以上で焼結を行ってもよい。5還元工程還元工程は、上記焼結工程で得られた焼結体のバルク抵抗をターゲット全体として低減するために還元処理を行う、必要に応じて設けられる工程である。本工程で適用することができる還元方法としては、例えば、還元性ガスによる方法や真空焼成又は不活性ガスによる還元等が挙げられる。還元性ガスによる還元処理の場合、水素、メタン、一酸化炭素や、これらのガスと酸素との混合ガス等を用いることができる。不活性ガス中での焼成による還元処理の場合、窒素、アルゴンや、これらのガスと酸素との混合ガス等を用いることができる。本発明では、還元処理アルゴンや窒素等の不活性ガス雰囲気、水素雰囲気、あるいは真空や低圧での熱処理は行わないことが好ましい。還元処理を行うと、表面部と深部の抵抗値の違いを発生あるいは増幅させるおそれがある。尚、本発明のターゲットは、還元処理を行わなくても比抵抗が低いため、通常は、還元処理は不要である。6加工工程加工工程は、上記のようにして焼結して得られた焼結体を、さらにスパッタリング装置への装着に適した形状に切削加工し、またバッキングプレート等の装着用治具を取り付けるための、必要に応じて設けられる工程である。研削前の焼結体の厚みは5.5mm以上が好ましく、6mm以上がより好ましく、8mm以上が特に好ましい。研削は通常片面0.2mm以上、好ましくは0.5mm以上、さらに好ましくは2mm以上である。厚みの厚い焼結体を作製し、十分研削することで、均質なターゲットが作製できるというメリットがある。酸化物焼結体をスパッタリングターゲット素材とするには、該焼結体を例えば、平面研削盤で研削して表面粗さRaが5μm以下の素材とする。ここで、さらにスパッタリングターゲットのスパッタ面に鏡面加工を施して、平均表面粗さRaが1000オングストローム以下としてもよい。この鏡面加工研磨は機械的な研磨、化学研磨、メカノケミカル研磨機械的な研磨と化学研磨の併用等の、すでに知られている研磨技術を用いることができる。例えば、固定砥粒ポリッシャーポリッシュ液:水で2000以上にポリッシングしたり、又は遊離砥粒ラップ研磨材:SiCペースト等にてラッピング後、研磨材をダイヤモンドペーストに換えてラッピングすることによって得ることができる。このような研磨方法には特に制限はない。ターゲットの厚みは通常2~20mm、好ましくは3~12mm、特に好ましくは4~6mmである。また、表面は200~10,000番のダイヤモンド砥石により仕上げを行うことが好ましく、400~5,000番のダイヤモンド砥石により仕上げを行うことが特に好ましい。200番より小さい、あるいは10,000番より大きいダイヤモンド砥石を使用するとターゲットが割れやすくなるおそれがある。ターゲットの表面粗さRaが0.5μm以下であり、方向性のない研削面を備えていることが好ましい。Raが0.5μmより大きかったり、研磨面に方向性があると、異常放電が起きたり、パーティクルが発生するおそれがある。上記のようにしてターゲット素材をバッキングプレートへボンディングすることでスパッタリングターゲットを得る。また、複数のターゲット素材を一つのバッキングプレートに取り付け、実質一つのターゲットとしてもよい。次に、清浄処理にはエアーブローあるいは流水洗浄等を使用できる。エアーブローで異物を除去する際には、ノズルの向い側から集塵機で吸気を行なうとより有効に除去できる。尚、以上のエアーブローや流水洗浄では限界があるので、さらに超音波洗浄等を行なうこともできる。この超音波洗浄は周波数25~300KHzの間で多重発振させて行なう方法が有効である。例えば周波数25~300KHzの間で、25KHz刻みに12種類の周波数を多重発振させて超音波洗浄を行なうのが良い。本発明のターゲットを用いて作製された酸化物半導体膜は、薄膜トランジスタの半導体層チャンネル層として有用である。得られる薄膜トランジスタは、移動度が高く、S値が低く、光電流が小さい等の優れたTFT特性を示す。本発明の半導体素子の製造方法は、上記本発明のスパッタリングターゲットを用いて酸化物膜を成膜する工程を含むことを特徴とする。本発明のターゲットを用いて作製された酸化物膜は、ホール移動度が高く、半導体として用いるのに適したキャリア密度を示す。本発明の半導体素子の製造方法によって製造された半導体素子は、特に薄膜トランジスタとして有用である。実施例11ターゲットの作製下記条件でターゲットを作製した。a原料In2O3、純度4N、アジア物性材料社製Ga2O3、純度4N、アジア物性材料社製ZnO、純度4N、高純度化学社製b混合:ボールミルで24時間混合した。c造粒:自然乾燥d成形:プレス成形、面圧400kgf/cm2、1分保持CIP静水圧加圧装置、面圧2000kgf/cm2、1分保持e焼結:電気炉昇温速度1°C/分焼結温度1400°C焼結時間20時間焼結雰囲気大気f後処理:還元条件下での熱処理は行わなかった。g加工:厚さ6mmの焼結体を厚さ5mmに研削研磨した。尚、上下面側辺をダイヤモンドカッターで切断して、表面を平面研削盤で研削して表面粗さRaが5μm以下のターゲット素材とした。h得られたターゲット用焼結体の表面をエアーブローし、さらに3分間超音波洗浄を行なった後、インジウム半田にて無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングしてターゲットとした。ターゲットの表面粗さRaは0.5μm以下であり、方向性のない研削面を備えていた。2ターゲット用焼結体の評価得られたターゲット用焼結体の評価は下記の方法で行った。a元素組成比原子比誘導プラズマ発光分析装置ICP-AESにより測定した。b比抵抗抵抗率計三菱化学製、ロレスタを使用し四探針法JISR1637に基づき測定、10箇所の平均値を比抵抗値とした。c相対密度原料粉の密度から計算した理論密度と、アルキメデス法で測定した焼結体の密度から、下記計算式にて算出した。相対密度=アルキメデス法で測定した密度÷理論密度×100dX線回折測定XRDターゲット用焼結体の表面を下記条件で直接測定し、結晶型を決定した。装置:株リガク製Ultima-IIIX線:Cu-Kα線波長1.5406Å、グラファイトモノクロメータにて単色化2θ-θ反射法、連続スキャン1.0°/分サンプリング間隔:0.02°スリットDS、SS:2/3°、RS:0.6mme電子プローブマイクロアナライザEPMAの測定ターゲット表面部分を切り出し、下記条件で測定した。装置名:日本電子株式会社JXA-8200測定条件加速電圧:15kV照射電流:50nA照射時間1点当りの:50mSf外観色むら北窓昼光下、50cm離れた場所から焼結体を目視し、下記に分類した。A:色むらがほとんどないB:色むらが若干あるC:色むらがある尚、焼結体に色むらがある場合、例えばターゲットを使用時にその状態の判断が難しくなるおそれがある。EPMAによる観測で、ターゲットは長さ15μm以上のInリッチ組織の連結構造を有していた。また、酸素欠損量を炭素粉末中で加熱させて生成する二酸化炭素の量を赤外吸収スペクトルで測定することで算出した。酸素欠損量は8×10-3であった。また、XRDから求めたIn2O3のビックスバイト構造の格子定数は、格子定数a=10.074であった。実施例1で得られたターゲット表面のX線回折測定Cukα線により得られたチャートを図8に示す。3成膜評価A成膜速度の安定性変動1000時間連続放電成膜前後の成膜速度を比較した。変動が5未満のものをA,5以上10未満のものをB、10以上のものをCと評価した。成膜速度スパッタレートは、触針式表面形状測定器株小坂研究所ET3000で測定した膜厚を成膜時間で割ることで求めた。Bターゲットの成膜特性a異常放電96時間連続成膜で発生した異常放電回数を測定した。異常放電回数が5回未満をA、5回以上20未満をB、20回以上をCと評価した。bノジュールノジュール発生密度以下のとおり評価した。96時間連続成膜後の成膜後のスパッタリングターゲットの写真からノジュールで被覆された面積を計算し、以下の式で発生密度を計算した。ノジュール発生密度=ノジュール発生面積÷スパッタリングターゲット面積その結果、ノジュールが少ない方から順に、10-2以内:A、10-1以内:B、10-1超:Cとして、3段階で評価した。cターゲットと薄膜の組成比の比較スパッタリングで作製した薄膜を用いてターゲットと薄膜の組成比の違いを評価した。薄膜の組成比はICP分析法で分析して求めた。ターゲットと薄膜の組成比はほぼ同一薄膜の各元素の組成比がターゲットの各元素の組成比の±2以内であった。4TFTの作製完成したスパッタリングターゲットを用いて、図1に示すチャンネルストッパー型薄膜トランジスタ1を作製し、評価した。基板は、熱酸化膜付シリコン基板10を用いた。シリコン基板をゲート電極12、熱酸化膜100nmをゲート絶縁膜14とした。続いて、RFスパッタ法により、上記1で作製したターゲットを使用して成膜した後、ウェットエッチングで厚さ25nmの半導体膜チャネル層20を形成した。その後、大気中300°Cで60分間熱処理した。本実施例では、投入RFパワーは200Wとした。成膜時の雰囲気は、全圧0.5Paであり、その際のガス流量比はAr:O2=97:3であった。また、基板温度は50°Cであった。厚さ5nmのMoと厚さ50nmのAlと厚さ5nmのMoをこの順で積層し、フォトリソグラフィー法リフトオフ法により、ソース電極30及びドレイン電極32を形成した。その後、大気中300°Cで60分間熱処理し、チャネル長が40μmで、チャネル幅が40μmのチャンネルストッパー型薄膜トランジスタ1を作製した。5TFTの評価薄膜トランジスタの評価は、以下のように実施した。a移動度電界効果移動度μ及びS値V/decade半導体パラメーターアナライザーケースレー4200を用い、室温、遮光環境下で測定した。b光電流の評価光照射下と遮光環境下の測定を比較し、閾値電圧Vthの変動が2V以内のものをA、2Vを超えるものをBとして2段階で評価した。実施例2~9及び比較例1~4表1-1又は表1-2の組成条件とした以外は実施例1と同様にターゲット及びTFTを作製評価した。結果を表1-1及び表1-2に示す。実施例10ZnO粉及びGa2O3粉をZnとGaの原子比が1:2となる割合で混合し仮焼後、粉砕した原料粉及びIn2O3原料粉を用い成形体を成形した。成形体はZnGa2O4で表される結晶型を含んでいたX線回折で解析して確認した。この成形体を用い、表1-1に示す組成条件とした以外は、実施例1と同様にターゲット及びTFTを作製評価した。結果を表1-1に示す。実施例2、3及び6で得られたターゲット表面のX線回折測定Cukα線により得られたチャートを図9~11に示す。実施例1及び2で作製した酸化物焼結体のEPMAによるIn,Ga,Zn,Oの分散MAPを示す顕微鏡写真を図12及び図13に示した。また、表1-1及び表1-2中のX線回折における結晶型とJCPDSカードNo.との対応関係を表2に示す。表1-1及び表1-2中のX線回折における-は、XRDパターンが確認できなかったことを示す。"