"一方の面に該面から内部に延在するパターンが形成された基板の前記一方もしくは他方の面に、前記基板に対し所定の深さまで浸透する浸透性を有する照明光を照射する照射ステップと、前記照明光が前記基板で反射または透過した光を検出する検出ステップと、前記検出ステップで検出した前記パターンに基づく情報を用いて前記基板の検査を行う検査ステップとを有することを特徴とする基板の検査方法。前記基板はシリコン基板であり、前記検査ステップにおいて、前記照明光の前記シリコン基板への浸透特性に基づいて、前記検出ステップで検出した前記シリコン基板からの検出信号から、前記シリコン基板の所望深さ位置までの前記検査を行うことを特徴とする請求項1に記載の基板の検査方法。前記照明光として約600nm~約1100nmの波長の光が用いられることを特徴とする請求項1または2に記載の基板の検査方法。前記パターンは、前記基板に穴あけ形成された複数のホールからなるホールパターンであり、前記ホールは、前記基板に貫通電極を形成するためのホールであることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の基板の検査方法。前記基板からの光と前記ホールの径との相関を利用して、前記検出ステップで検出した検出信号から前記ホールの径を算出する演算ステップを有することを特徴とする請求項4に記載の基板の検査方法。前記照射ステップにおいて、前記基板の前記パターンで回折光が発生するように、前記照明光を前記基板に照射し、前記検出ステップにおいて、前記照明光が照射されて前記基板の前記パターンで発生した前記回折光を検出することを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の基板の検査方法。前記照射ステップにおいて、前記照明光として、少なくとも前記パターンに到達する程度の浸透性を有する照明光を前記他方の面から照射することを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の基板の検査方法。前記浸透性の互いに異なる複数の波長の照明光を用いて、前記照射ステップ、前記検出ステップ、前記検査ステップを前記複数の波長の照明光毎に繰り返すことを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の基板の検査方法。一方の面に該面から内部に延在するパターンが形成された基板の前記一方もしくは他方の面に、赤外線である照明光を照射する照射部と、前記照明光が照射された前記基板からの光を検出し、検出信号を出力する検出部と、前記基板と前記照射部と前記検出部とのうち少なくとも1つを前記パターンに応じて調整する調整部と、前記検出信号の状態を用いて前記基板の検査を行う検査部とを備えて構成されることを特徴とする基板の検査装置。前記基板はシリコン基板であり、前記検査部は、前記照明光の前記シリコン基板への浸透特性と、前記シリコン基板からの前記検出信号とに基づいて、前記シリコン基板の所望深さ位置までの前記検査を行うことを特徴とする請求項9に記載の基板の検査装置。前記照射部は、前記照明光として複数の波長の照明光をそれぞれ前記基板に照射し、前記検査部は、前記照明光の前記基板への浸透特性に基づいて、前記所望深さ位置の前記検査を行うことを特徴とする請求項9または10に記載の基板の検査装置。前記照明光として約600nm~約1100nmの波長の光が用いられることを特徴とする請求項9から11のいずれか一項に記載の基板の検査装置。前記照射部は、前記パターンが形成されていない前記他方の面側から、少なくとも前記パターンに到達する程度の浸透性を有する光を、前記基板に照射することを特徴とする請求項9から12のいずれか一項に記載の基板の検査装置。前記パターンは、前記基板に表面から内部に向かって形成された複数のホールからなるホールパターンであり、前記ホールは、前記基板に貫通電極を形成するためのホールであることを特徴とする請求項9から13のいずれか一項に記載の基板の検査装置。さらに、前記基板からの光と前記ホールの径との相関を利用して、前記検出信号から前記ホールの径を算出する演算部を備えることを特徴とする請求項14に記載の基板の検査装置。前記照射部は、前記基板の前記パターンで回折光が発生するように、前記照明光を前記基板に照射し、前記検出部は、前記照明光が照射されて前記基板の前記パターンで発生した前記回折光を検出することを特徴とする請求項9から15のいずれか一項に記載の基板の検査装置。基板の表面に所定のパターンを露光する露光装置と、前記露光装置により露光されて表面に前記パターンが形成された基板の検査を行う検査装置とを備え、前記検査装置は、請求項9から16のいずれか一項に記載の検査装置であって、前記検査部による前記検査の結果を前記露光装置へ出力し、前記露光装置は、前記検査装置から入力された前記検査の結果に応じて、前記露光装置の露光条件を設定することを特徴とする露光システム。基板の表面に所定のパターンを露光する露光工程と、前記露光が行われた前記パターンに応じて基板の表面にエッチングを行うエッチング工程と、前記露光もしくは前記エッチングが行われて表面に前記パターンが形成された基板の検査を行う検査工程とを有した半導体装置の製造方法であって、前記検査工程が請求項1から8のいずれか一項に記載の検査方法を用いて行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。しかしながら、この方式を用いた従来の装置では、照明光の波長が可視~深紫外の波長域であり、ウェハの表面付近の状態、すなわち、ウェハ表面におけるTSVの径や開口部の異常の検査しかできず、TSVにおける穴の深い部分の異常が検出できないという問題があった。本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、パターンの奥部まで検査可能な基板の検査方法および検査装置、並びに、これらを利用した露光システムおよび半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。このような目的達成のため、本発明に係る基板の検査方法は、一方の面に該面から内部に延在するパターンが形成された基板の前記一方もしくは他方の面に、前記基板に対し所定の深さまで浸透する浸透性を有する照明光を照射する照射ステップと、前記照明光が前記基板で反射または透過した光を検出する検出ステップと、前記検出ステップで検出した前記パターンに基づく情報を用いて前記基板の検査を行う検査ステップとを有している。なお、上述の検査方法では、前記基板はシリコン基板であってもよく、前記検査ステップにおいて、前記照明光の前記シリコン基板への浸透特性に基づいて、前記検出ステップで検出した前記シリコン基板からの検出信号から、前記シリコン基板の所望深さ位置までの前記検査を行うようにしてもよい。また、上述の検査方法では、前記照明光として約600nm~約1100nmの波長の光が用いられてもよい。また、上述の検査方法では、前記パターンは、前記基板に穴あけ形成された複数のホールからなるホールパターンであってもよく、前記ホールは、前記基板に貫通電極を形成するためのホールであってもよい。また、上述の検査方法では、前記基板からの光と前記ホールの径との相関を利用して、前記検出ステップで検出した検出信号から前記ホールの径を算出する演算ステップを有してもよい。また、上述の検査方法では、前記照射ステップにおいて、前記基板の前記パターンで回折光が発生するように、前記照明光を前記基板に照射してもよく、前記検出ステップにおいて、前記照明光が照射されて前記基板の前記パターンで発生した前記回折光を検出してもよい。また、本発明に係る基板の検査装置は、一方の面に該面から内部に延在するパターンが形成された基板の前記一方もしくは他方の面に、赤外線である照明光を照射する照射部と、前記照明光が照射された前記基板からの光を検出し、検出信号を出力する検出部と、前記基板と前記照射部と前記検出部とのうち少なくとも1つを前記パターンに応じて調整する調整部と、前記検出信号の状態を用いて前記基板の検査を行う検査部とを備えて構成される。なお、上述の検査装置において、前記基板はシリコン基板であってもよく、前記検査部は、前記照明光の前記シリコン基板への浸透特性と、前記シリコン基板からの前記検出信号とに基づいて、前記シリコン基板の所望深さ位置までの前記検査を行うようにしてもよい。また、上述の検査装置において、前記照射部は、前記照明光として複数の波長の照明光をそれぞれ前記基板に照射してもよく、前記検査部は、前記照明光の前記基板への浸透特性に基づいて、前記所望深さ位置の前記検査を行うようにしてもよい。また、上述の検査装置において、前記照明光として約600nm~約1100nmの波長の光が用いられてもよい。また、上述の検査装置において、前記照射部は、前記パターンが形成されていない前記他方の面側から、少なくとも前記パターンに到達する程度の浸透性を有する光を、前記基板に照射してもよい。また、上述の検査装置において、前記パターンは、前記基板に表面から内部に向かって形成された複数のホールからなるホールパターンであってもよく、前記ホールは、前記基板に貫通電極を形成するためのホールであってもよい。また、上述の検査装置において、前記基板からの光と前記ホールの径との相関を利用して、前記検出信号から前記ホールの径を算出する演算部を備えてもよい。また、上述の検査装置において、前記照射部は、前記基板の前記パターンで回折光が発生するように、前記照明光を前記基板に照射してもよく、前記検出部は、前記照明光が照射されて前記基板の前記パターンで発生した前記回折光を検出してもよい。また、上述の検査方法では、前記基板で反射した光を検出する際に、前記照明光として、少なくとも前記パターンに到達する程度の浸透性を有する照明光を前記他方の面から照射してもよい。また、上述の検査方法では、前記浸透性の互いに異なる複数の波長の照明光を用いて、前記照射光を照射することと、前記基板で反射又は透過した光を検出することと、前記基板の検査を行うこととを、前記複数の波長の照明光毎に繰り返してもよい。また、本発明に係る露光システムは、基板の表面に所定のパターンを露光する露光装置と、前記露光装置により露光されて表面に前記パターンが形成された基板の検査を行う検査装置とを備え、前記検査装置は、本発明に係る検査装置であって、前記検査部による前記検査の結果を前記露光装置へ出力し、前記露光装置は、前記検査装置から入力された前記検査の結果に応じて、前記露光装置の露光条件を設定するようになっている。また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板の表面に所定のパターンを露光する露光工程と、前記露光が行われた前記パターンに応じて基板の表面にエッチングを行うエッチング工程と、前記露光もしくは前記エッチングが行われて表面に前記パターンが形成された基板の検査を行う検査工程とを有した半導体装置の製造方法であって、前記検査工程が本発明に係る検査方法を用いて行われるようになっている。本発明によれば、シリコン基板のパターンの内部まで検査を行うことができる。以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。第1実施形態の検査装置を図2に示しており、この装置によりシリコン基板であるウェハWの表面全体を一度に検査する。第1実施形態の検査装置10は、略円盤形に形成されたウェハWを保持するウェハチャック15を備え、不図示の搬送装置によって搬送されてくるウェハWは、ウェハチャック15の上に載置されるとともに真空吸着によって固定保持される。ウェハチャック15に保持されたウェハWは、回転チルト機構16により、ウェハWの回転対称軸ウェハチャック15の中心軸を回転軸として回転可能である。また、回転チルト機構16により、ウェハチャック15に保持されたウェハWを、ウェハWの表面を通る軸を中心にチルト傾動させることが可能であり、照明光の入射角を調整できるようになっている。検査装置10はさらに、ウェハチャック15に保持されたウェハWの表面に照明光を平行光として照射する照明系照射部20と、照明光の照射を受けたときのウェハWからの光を集光する受光系30と、受光系30により集光された光を受けてウェハWの像を撮像する撮像装置検出部35と、コントローラ調整部40および画像処理部検査部45とを備えて構成される。照明系20は、照明光を射出する光源部21と、光源部21から射出された照明光をウェハWの表面に向けて反射させる照明側凹面鏡25とを有して構成される。光源部21は、ハロゲンランプ等から構成され、図示しない複数の波長選択フィルタを用いて、詳細は後述する複数の波長から選択した光を射出することができるようになっている。なお、波長選択フィルタに限らず、分光器を用いて照明光の波長を選択するようにしてもよい。そして、光源部21から照明側凹面鏡25へ射出された照明光は、光源部21の射出部が照明側凹面鏡25の焦点面に配置されているため、照明側凹面鏡25により平行なテレセントリックな光となってウェハチャック15に保持されたウェハWの表面全体に照射される。なお、ウェハWに対する照明光の入射角と出射角は、ウェハチャック15をチルト傾動させてウェハWの載置角度を変化させることにより調整可能である。ウェハWからの出射光回折光や正反射光等は受光系30により集光される。受光系30は、ウェハチャック15に対向して配設された受光側凹面鏡31を主体に構成され、受光側凹面鏡31により集光された出射光は、撮像装置35の撮像面上に達し、ウェハWの像が結像される。撮像装置35は、図示しない対物レンズやイメージセンサ等から構成され、イメージセンサの撮像面上に形成されたウェハWの像を光電変換して画像信号検出信号を生成し、生成した画像信号を、コントローラ40を介して画像処理部45に出力する。コントローラ40は、ウェハチャック15、回転チルト機構16、光源部21、撮像装置35等の作動をそれぞれ制御する。なお、コントローラ40は、後述の回折条件を合わせるために、ウェハチャック15、回転チルト機構16、光源部21、撮像装置35の少なくとも1つを調整するように構成されている。画像処理部45は、撮像装置35から入力されたウェハWの画像信号に基づいて、ウェハWのデジタル画像を生成する。画像処理部45と電気的に接続されたデータベース46には、良品ウェハの画像データが予め記憶されており、画像処理部45は、ウェハWの画像デジタル画像を生成すると、生成したウェハWの画像データとデータベース46に記憶された良品ウェハの画像データとを比較して、ウェハWにおける異常欠陥の有無を検査する。そして、画像処理部45による検査結果およびそのときのウェハWの画像が図示しない画像表示装置で出力表示される。なお、データベース46は画像処理部45と必ずしも電気的に接続されていなくてもよく、例えば、無線回線を通じて情報伝達可能に接続されていてもよい。ところで、検査対象となるウェハWは、検査対象となる加工処理例えば、エッチング処理の後、加工装置例えば、エッチング装置から不図示の搬送装置によりウェハチャック15上に搬送される。なおこのとき、検査対象となるウェハWは、ウェハWのパターンもしくは外縁部に設けられた位置基準ノッチやオリエンテーションフラット等を基準としてアライメントが行われた状態で、ウェハチャック15上に搬送される。ウェハWの表面には、例えば図3に示すような繰り返しパターンホールパターンが形成されている。このパターンAは、シリコンSiからなるベアウェハに規則的な配置で穴ビア又はホールが形成された構造となっている。ここで、図3aはウェハWを上から見たときの一部を拡大したものであり、図3bはウェハWの断面図を拡大したものである。一例として、穴の直径は2μm、穴のピッチは4μm、穴の深さは20μmである。なお、ウェハWの厚さは725μmであり、図3ではウェハWの厚さを省略して記載している。また、図3では、シリコンの部分を斜線ハッチングで、穴の部分を白色で示している。パターンAを構成する穴が正常に形成されなかった場合の例を図4に示す。ここで、図4aは穴の途中が膨らんでしまった場合を示し、図4bは穴の深いところが先細りになってしまった場合を示している。このような形状になってしまうと、その後の形成プロセスおよび出来上がったTSVの機能に支障をきたすので、検査により発見しなければならない。以上のように構成される検査装置10を用いたウェハWの検査方法について、図1に示すフローチャートを参照しながら説明する。なお予め、不図示の搬送装置により、検査対象となるウェハWを表面が上方を向くようにウェハチャック15上に搬送しておく。また、搬送の途中で不図示のアライメント機構によりウェハWの表面に形成されているパターンAの位置情報を取得しており、ウェハWをウェハチャック15上の所定の位置に所定の方向で載置することができる。なお、以下の動作は不図示の記憶装置に記憶されたシーケンスをコントローラ40が各部に実行するよう指令を出すことによって実現される。まず、ウェハWの表面に、ウェハWに対し透過性浸透性を有する照明光を照射するステップS101。この照射ステップにおいて、所定の波長可視光もしくは近赤外線の波長域を有する照明光が光源部21から照明側凹面鏡25へ射出され、照明側凹面鏡25で反射した照明光が平行光となってウェハチャック15に保持されたウェハWの表面全体に照射される。このとき、光源部21から射出される照明光の波長と、ウェハチャック15に保持されたウェハWの回転角度および傾き角度を調整すること以下、回折条件を合わせると称するにより、規則的に形成された所定ピッチの繰り返しパターンAからの回折光を撮像装置35で受光しウェハWの像を形成することができる。具体的には、回転チルト機構16により、ウェハWの表面上における照明方向照明系20から受光系30へ向かう方向とパターンAの繰り返し方向とが一致するようにウェハチャック15を回転させるとともに、パターンAのピッチをPとし、ウェハWの表面に照射する照明光の波長をλとし、照明光の入射角をθ1とし、n次回折光の出射角をθ2としたとき、ホイヘンスの原理より、次の数式1を満足するように設定を行うウェハチャック15をチルトさせる。次に、照明光が照射されたウェハWからの回折光を検出するステップS102。ウェハWの繰り返しパターンAで発生した回折光は、受光側凹面鏡31により集光されて撮像装置35の撮像面上に達し、ウェハWの像回折光による像が結像される。この検出ステップにおいて、撮像装置35のイメージセンサは、撮像面上に形成されたウェハWの像を光電変換して画像信号を生成し、画像信号を画像処理部45に出力する。そして、検出した回折光の情報回折光の強度を利用してウェハWの検査を行うステップS103。この検査ステップにおいて、画像処理部45は、撮像装置35から入力された画像信号に基づいて、ウェハWの画像デジタル画像を生成する。また、画像処理部45は、ウェハWの画像デジタル画像を生成すると、生成したウェハWの画像データとデータベース46に記憶された良品ウェハの画像データとを比較して、ウェハWにおける異常欠陥の有無を検査する。なお、ウェハWの検査は、チップ領域ごとに行われ、検査対象となるウェハWの信号強度輝度値と良品ウェハの信号強度輝度値との差が所定の閾値よりも大きい場合に、異常と判定する。一方、信号強度輝度値の差が閾値よりも小さければ、正常と判定する。そして、画像処理部45による検査結果およびそのときのウェハWの画像が図示しない画像表示装置で出力表示される。本実施形態の検査装置10を用いてウェハW全面からの回折光に基づく画像を取得すると、取得した画像は回折光の強度に応じた明るさを有する画像以下、回折画像と称するとなる。回折光の強度は回折効率の分布に応じて変化し、規則的に形成されたパターンAが均一にできていれば、回折効率の局所的な変化は生じない。これに対し、一部領域のパターンAの形状が変化していると、その領域の回折効率が変化し、結果として対応する領域の回折画像の明るさが変化するので、対応する領域におけるパターンの変化を検出することができる。なお、パターンの変化とは、パターンAの線幅穴径や断面形状の変化である。撮像装置35により撮像取得した回折画像の1画素に相当するウェハW上の距離ピクセルサイズは、例えば300μmであって、パターンAの寸法や繰り返しピッチよりもはるかに大きいが、回折画像における各画素の明るさは、ウェハW上の該当する領域のパターンからの回折光の平均的な強度に対応したものとなる。パターンを形成するための露光装置等の不具合により、ウェハWのパターンAが正常に形成されない場合、ある面積を持った領域のパターン全体が同じように変形するので、ピクセルサイズがパターンAの寸法や繰り返しピッチより大きくても、該当する領域の異常不良を検出することが可能である。例えば、コントローラ40からの指令により光源部21から波長546nme線の光照明光が射出されるように設定し、回折条件を合わせると、撮像装置35により回折画像を取得することができる。この回折画像から、上述したように、パターンAの異常不良を検出することができる。ただし、波長546nmの光はシリコンを透過しないので、検出できる異常はウェハW表面付近の異常のみである。すなわち、検出できる異常は、ウェハW表面付近の穴径の異常や、ウェハW表面付近の穴の断面形状の異常などである。コントローラ40からの指令により光源部21から波長1100nmの光照明光が射出されるように設定し、回折条件を合わせると、同様に回折画像を取得することができるが、波長1100nmの光はシリコンを透過するので、穴の奥深い部分の異常不良であっても、検出することができる。波長1100nmの光はシリコンを透過するが、ウェハWのシリコンの部分と穴の部分の屈折率の違いにより反射散乱された光が強め合うことで、回折光回折現象が生じるためである。ただ、この場合、ウェハ面上のどの位置に異常不良があるのかは、回折画像上の明るさが変わった位置から求めることができるが、その異常が穴の深さ方向のどの部分にあるのかは、この回折画像から特定することは困難である。図5は、照明光の波長に対する複素屈折率の変化をグラフで表したものである。図5のグラフにおいて、nが実数部屈折率であり、kが虚数部消衰係数である。このkが吸収の度合いを表す。このkから、光の強度が吸収により1/e、1/10、1/100になる距離侵入長と称するをそれぞれ計算してグラフにすると、図6のようになる。ここでeは、自然対数の底である。さらにこの関係から、光の強度が吸収により1/10になる距離が1μm,5μm,10μm,20μm,30μm...となる、kを持つ波長を計算により求めると、図7のようになる。すなわち、照明波長を変えることにより、光が到達する深さを変えることができる。光の強度が1/10まで減衰して到達した部分の異常不良を検出できるように構成された検査装置では、例えば、波長623nmの光であれば、深さ1μm程度までの異常のみを検出できるのに対して、波長816nmの光では深さ30μmまでの異常、波長845nmの光では深さ50μmまでの異常を検出することができる。この3種類の波長を用いた検査を順次行えば、異常箇所のおおよその深さを切り分けることができる。波長623nmの光で異常が検出されれば、1μmより浅い部分の異常であり、波長623nmの光で異常が検出されず波長816nmの光で異常が検出されれば、1μmから30μmまでの範囲の異常であり、波長623nmの光および波長916nmの光でともに異常が検出されず波長845nmの光で異常が検出されれば、30μm~50μmの間の異常であるといえる。なお、図7の数値侵入長は、分かりやすさのために、ウェハWの表面に対し垂直に光が入射したときの侵入長を示しているが、本実施形態の検査装置10においては垂直入射ではないので、それを考慮して修正する必要がある。また、図7の例では光の強度が1/10になるところの異常不良を検出できるとしたが、光の強度がどの程度まで減衰したときまで異常を検出できるかは、撮像装置35イメージセンサの感度や画像処理の内容によって決まるものである。いずれにしても、互いに検査の透過率の異なる複数の波長を用いて回折光による検査を行うことにより、検出された異常が深さ方向のどの位置にあるのかを切り分けることが可能である。このように、第1実施形態によれば、所定のパターンAが形成されたウェハWシリコン基板の表面に、ウェハWに対し透過性浸透性を有する照明光を照射して、パターンAの周期性による光の特性例えば、回折光を利用したウェハWの検査を行うため、照明光がウェハWの内部にまで到達して、パターンAにおける穴の奥深い部分の異常不良を検出できることから、ウェハWのパターンAの深部まで検査を行うことが可能になる。また、照明光の透過率透過特性に基づいて、ウェハWの所定深さ位置までの検査を行うようにすれば、検出された異常がウェハWの深さ方向のどの位置にあるのかを識別することができる。また、照明光として近赤外線または可視光線を用いるようにすれば、一般的なイメージセンサを用いてウェハWからの光を検出ウェハWの像を撮像することができ、簡便な構成で検査を行うことができる。なお、近赤外線に対しては、イメージセンサの感度が低下し信号雑音比signalnoiseratioが低下する場合があるので、必要に応じて冷却型イメージセンサを用いて信号雑音比を高めることができる。また、シリコン貫通電極TSVを形成するための穴の検査を行うようにすれば、穴の奥深い部分の異常不良を検出できることから、シリコン貫通電極TSVの検査精度を向上させることができる。また、回折光を利用して検査を行うようにすれば、ウェハWの画像のピクセルサイズがパターンAの寸法や繰り返しピッチより大きくても、該当する領域の異常を検出することが可能である。なお、赤外線でTSVの形成されたウェハWを検査すると、ウェハWを透過して下のウェハチャック15の形状、例えばバキュームチャックのための溝が見えてしまい、検査の支障になる場合がある。これを回避するためには、ウェハチャック15を溝などがない平坦なものとすればよい。ウェハを電気的に吸着する静電チャックの方式などを用いれば、ウェハチャック15を平坦にすることが可能である。また、バキュームチャックのための溝の断面を矩形とせずになだらかな山形状とすることにより、溝の見えを薄く若しくは見えなくすることができる。一方、ウェハチャックは通常のチャックのままでも、照明波長の工夫によって検査の支障とならないようにすることが可能である。すなわち、パターンが形成されたウェハWの表面から検査を行う場合、シリコンの部分まで到達するがウェハWの厚さ方向の全部を透過しない照明波長を選択することにより、ウェハチャック15に邪魔されずに検査を行うことができる。例えば、波長976nmの光を用いると、図7の場合と同様の計算で、光の強度が吸収により1/10になる距離が500μmになる。本実施形態のように、ウェハWの厚さが725μmである場合には、ウェハW表面のTSVの検査は可能で、かつウェハチャック15まで見えない検査を行うことができる。また、ロジックデバイスのウェハWではTSVの配列が規則的でない場合があるが、このような場合でも上述のウェハWの検査方法をQC用途として使用することができる。すなわち、エッチング装置等の条件出しや精度確認のために、TSVを規則的に配置したパターンを形成したウェハパイロットウェハを用いて回折検査を行うようにすれば、加工の均一性などを評価することができる。次に、検査装置の第2実施形態について説明する。第2実施形態の検査装置は、ウェハWを裏返してウェハチャック15に保持させる点を除いて、第1実施形態の検査装置10と同様の構成であり、各部に第1実施形態の場合と同一の符号を付して詳細な説明を省略する図2参照。そこで、第2実施形態の検査装置を用いたウェハWの検査方法について説明する。第2実施形態では、予め、不図示の搬送装置により、検査対象となるウェハWを裏面が上方を向くようにウェハチャック15上に搬送しておく。なおこのとき、薄膜状の保護部材によりパターンAが形成されたウェハWの表面を被覆し保護するようにしてもよい。まず、第1実施形態の場合と同様にして、ウェハWの裏面に、ウェハWに対し透過性を有する照明光を照射するステップS101。この照射ステップにおいて、所定の波長可視光もしくは近赤外線の波長域を有する照明光が光源部21から照明側凹面鏡25へ射出され、照明側凹面鏡25で反射した照明光が平行光となってウェハチャック15に保持されたウェハWの裏面全体に照射される。次に、第1実施形態の場合と同様にして、照明光が照射されたウェハWからの回折光を検出するステップS102。ウェハWの裏面に照射された照明光が表面側の繰り返しパターンAまで到達し、当該パターンAで発生した回折光は、受光側凹面鏡31により集光されて撮像装置35の撮像面上に達し、ウェハWの像回折光による像が結像される。この検出ステップにおいて、撮像装置35のイメージセンサは、撮像面上に形成されたウェハWの像を光電変換して画像信号を生成し、画像信号を画像処理部45に出力する。そして、第1実施形態の場合と同様にして、検出した回折光の情報を利用してウェハWの検査を行うステップS103。この検査ステップにおいて、画像処理部45は、撮像装置35から入力された画像信号に基づいて、ウェハWの画像デジタル画像を生成する。また、画像処理部45は、ウェハWの画像デジタル画像を生成すると、生成したウェハWの画像データとデータベース46に記憶された良品ウェハの画像データとを比較して、ウェハWにおける異常欠陥の有無を検査する。そして、画像処理部45による検査結果およびそのときのウェハWの画像が図示しない画像表示装置で出力表示される。第2実施形態では、ウェハWを裏返してウェハチャック15に保持させ、穴パターンAが形成された面表面と反対側の面裏面から回折検査を行う。穴形状の検査では、穴の奥深い部分、特に穴の底の形状が最も重要であることが多いが、通常の検査では異常欠陥の有無の検査判定が最も難しい部分である。第1実施形態でも穴の深い部分の検査が可能であるが、検出される情報量としては穴の深い部分に比べて浅い部分の情報の方が多いので、浅い部分に比べ穴の深い部分の異常不良に対しては一般的に感度が低くなる。第2実施形態のように、ウェハを裏返して反対側から回折検査をすれば、浅い部分に比べて穴の深い部分の情報量を多くすることができるので、穴の深い部分を感度良く検査することができる。また、この場合、基板の透過率が異なる複数の波長で回折画像を取得すれば、どの波長において回折光が検出されたかによって、及び/又は波長毎の信号強度によって、おおよその穴の深さを知ることもできる。このように、第2実施形態によれば、第1実施形態の場合と同様の効果を得ることができ、さらには、穴の深い部分を感度良く検査することができる。なお、パターンAが形成される面とは逆のウェハWの裏面から回折検査を行う場合は、ウェハWの裏面が鏡面に研磨されていることが望ましい。さらに、ウェハWの裏面に汚れなどの付着がないように管理することが望ましい。照明光がウェハWの裏面を2回通るので、この面が散乱面未研磨面である場合や、この面に汚れなどが付着している場合は、検査の障害となるからである。なお、上述の第1実施形態と第2実施形態を組み合わせて、表面からの検査と裏面からの検査を行い、それぞれの深さにおける情報を組み合わせることで、更に詳細な検査を行うこともできる。また、上述の各実施形態において、ウェハWのパターンAで生じた回折光を検出して、ウェハWの検査を行っているが、これに限られるものではなく、例えば、ウェハWのパターンAで生じた構造性複屈折による偏光の状態変化を検出するようにしてもよい。構造性複屈折による偏光の状態変化は、照明系20と受光系30の光路中にそれぞれ偏光素子を配置し、照明系20の偏光素子と受光系30の偏光素子をクロスニコルにすることで検出することができる。なお、照明系20の偏光素子と受光系30の偏光素子の関係は、反射光の偏光状態に応じてクロスニコルからずらすことにより感度が上がる場合がある。また例えば、ウェハWの表面もしくは裏面からの正反射光や散乱光を検出するようにしてもよい。また、上述の各実施形態において、TSV形成用の穴が規則的に形成されたウェハWシリコン基板を例に説明したが、これに限られるものではなく、例えば、絶縁膜形成後の検査や、TSV形成後の検査にも適用することができる。また、上述の各実施形態において、ウェハWの表面にホールパターンが形成されているが、これに限られるものではなく、例えば、ラインアンドスペースパターンであってもよい。また例えば、ウェハWを張り合わせた状態積層化した状態でも内部の検査が可能である。なお、純粋なシリコン基板に比べ、半導体を形成するために不純物としてイオンを打ち込んだシリコン基板では、光赤外線の透過率が変わってくるが、それに応じて、検査に使用する波長の選択や、照明光量などを調整すればよい。また、上述の各実施形態において、照明光を照射する側と同じ側に回折した光を検出するウェハWの像を撮像するように構成されているが、これに限られるものではなく、ウェハWの反対側へ透過した回折光や、散乱光、偏光の状態変化等を検出するようにしてもよい。なお、これらの光学系の構成は、検査対象となる基板の厚さ、パターンの構造、光の透過率、検出すべき異常不良の内容などにより、最適な光学構成を選択すればよい。また、上述の各実施形態において、照明系20光源部21が特定波長の照明光をウェハWに照射するように構成されているが、これに限られるものではなく、照明系20光源部21が近赤外域を含む白色光をウェハWに照射して、撮像装置35の直前で特定波長の光回折光のみを透過させる波長選択フィルタを適宜挿入する構成であってもよい。また、上述の各実施形態において、検査装置10はウェハWの表面全体を一度に検査していたが、本教示は必ずしもそのような構成には限られず、例えば、数回に分けてウェハWの表面全体を検査してもよい。続いて、上述した検査方法によりウェハWの検査が行われる半導体装置の製造方法について、図8に示すフローチャートを参照しながら説明する。図8のフローチャートは、3次元積層型の半導体装置におけるTSV形成プロセスを示している。このTSV形成プロセスにおいて、まず、ウェハベアウェハなどの表面にレジストを塗布するステップS201。このレジスト塗布工程では、レジスト塗布装置図示せずを用いて、例えば、ウェハを回転支持台に真空チャック等で固定し、ノズルから液状のフォトレジストをウェハの表面に滴下した後、ウェハを高速回転させて薄いレジスト膜を形成する。次に、レジストが塗布されたウェハの表面に、所定のパターンホールパターンを投影露光するステップS202。この露光工程では、露光装置を用いて、例えば、所定のパターンが形成されたフォトマスクを通して、所定波長の光線紫外線などのエネルギー線をウェハ表面のレジストに照射し、マスクパターンをウェハ表面に転写する。次に、現像を行うステップS203。この現像工程では、現像装置図示せずを用いて、例えば、露光部のレジストを溶剤で溶かし、未露光部のレジストパターンを残す処理を行う。これにより、ウェハ表面のレジストにホールパターンが形成されることになる。次に、レジストパターンホールパターンが形成されたウェハの表面検査を行うステップS204。現像後の検査工程では、表面検査装置図示せずを用いて、例えば、ウェハの表面全体に照明光を照射して、レジストパターンで生じた回折光によるウェハの像を撮像し、撮像したウェハの画像からレジストパターン等の異常の有無を検査する。この検査工程において、レジストパターンの良否を判定し、不良の場合はレジストを剥離してレジスト塗布工程からやり直すアクション、すなわちリワークを行うか否かの判断を行う。リワークが必要な異常欠陥が検出された場合、レジストを剥離しステップS205、ステップS201~S203までの工程をやり直す。なお、表面検査装置による検査結果は、レジスト塗布装置、露光装置、および現像装置にそれぞれフィードバックされる。現像後の検査工程で異常が無いことを確認すると、エッチングを行うステップS206。このエッチング工程では、エッチング装置図示せずを用いて、例えば、残っているレジストをマスクにして、下地のベアウェハのシリコンの部分を除去し、TSV形成用の穴を形成する。これにより、ウェハWの表面に、TSV形成用の穴から構成される繰り返しパターンAが形成される。次に、エッチングによりパターンAが形成されたウェハWの検査を行うステップS207。エッチング後の検査工程は、前述したいずれかの実施形態に係る検査方法を用いて行われる。この検査工程において、異常が検出された場合、異常の種類及び異常の程度に応じて、露光装置の露光条件変形照明条件フォーカスオフセット条件等やエッチング装置のどの部分を調整するのか、そのウェハWを廃棄するかどうか、もしくは、そのウェハWをさらに割って断面観察するなどの詳細な解析が必要かどうか、が判断される。なお、異常の種類及び異常の程度には、判別された異常がどの程度の深さ位置に発生したものであるかについての情報を含む。エッチング後のウェハWに重大かつ広範囲な異常が発見された場合、リワークできないので、そのウェハWは廃棄されるか、もしくは断面観察などの解析に回されるステップS208。エッチング後の検査工程で異常が無いことを確認すると、穴の側壁に絶縁膜を形成しステップS209、絶縁膜を形成した穴の部分にCuを充填するステップS210。これにより、ウェハベアウェハにTSVが形成される。なお、エッチング後の検査工程における検査結果は、主として露光装置やエッチング装置にフィードバックされる。穴の断面形状の異常や、穴径の異常が検出されたときは露光装置のフォーカスやドーズ調整のための情報としてフィードバックを行い、深さ方向の穴形状の異常や穴深さの異常はエッチング装置調整のための情報としてフィードバックを行う。TSV形成プロセスにおけるエッチング工程では、アスペクト比深さ/直径が高い例えば、10~20となる穴を形成しなければならないので、技術的に難易度が高く、フィードバックによる調整は重要である。このように、エッチング工程では、垂直に近い角度で深い穴を形成することが要求され、近年では、RIEReactiveIonEtching:反応性イオンエッチングという方式が広く採用されている。エッチング後の検査の場合、エッチング装置に異常がないかを監視して、異常を検出したらエッチング装置を止めて調整するというフィードバック運用が主に行われる。エッチング装置を調整するためのパラメータとして、例えば、縦方向と横方向のエッチングレート比を制御するパラメータや、深さを制御するパラメータ、ウェハ面内での均一性を制御するパラメータなどが考えられる。なお、現像後の検査工程が実施されていれば、レジスト塗布装置、露光装置、および現像装置の異常は基本的に現像後の検査工程で検出されるが、現像後の検査工程が実施されていない場合や、エッチングしてみて初めて分かるこれらの装置の問題が発見された場合には、各装置へのフィードバック各装置の調整が行われる。一方、エッチング後の検査工程における検査結果を、以降の工程にフィードフォワードすることも可能である。例えば、エッチング後の検査工程でウェハWの一部チップが異常不良と判定された場合、その情報は、前述の検査装置10からオンラインを通じてプロセスを管理するホストコンピュータ図示せずに伝えられて記憶され、以降のプロセスにおける検査測定でその異常部分チップを用いないなどの管理に使われたり、また最終的にデバイスが完成した段階で無駄な電気的テストを行わないことなどに活用される。また、エッチング後の検査工程における検査結果から、異常部分の面積が大きいときは、それに応じて絶縁膜形成やCu充填のパラメータを調整して良品部分への影響を軽減する、などして用いることができる。本実施形態による半導体装置の製造方法によれば、エッチング後の検査工程が前述の実施形態に係る検査方法を用いて行われるため、エッチング後のウェハWのパターンAの深部まで検査を行うことが可能となり、検査精度が向上することから、半導体装置の製造効率を向上させることができる。なお、上述のTSV形成プロセスにおいて、ウェハ上に素子を形成する前の最初の段階でTSVを形成しているが、これに限られるものではなく、素子を形成してからTSVを形成してもよく、素子形成の途中でTSVを形成してもよい。なおこの場合、素子形成過程でイオンの打ち込みなどがされる結果、赤外線に対する透明度が低下するが、完全に不透明になるわけではないので、透明度の変化分を考慮して波長選択や照明光量の調整をすればよい。また、このような方式の生産ラインであっても、ラインの条件出し及びQC目的として、ベアウェハにTSVを形成し検査を行うようにすれば、イオンの打ち込みによる透明度の低下に影響されない検査が可能である。前述したように、エッチング後の検査工程における検査結果を、露光装置にフィードバックすることが可能である。そこで、前述の検査装置10を備えた露光システムについて、図9および図10を参照しながら説明する。この露光システム100は、レジストが塗布されたウェハWの表面に所定のパターンホールパターンを投影露光する露光装置101と、露光装置101による露光工程、現像装置図示せずによる現像工程、エッチング装置図示せずによるエッチング工程等を経て、表面にパターンAが形成されたウェハWの検査を行う検査装置10とを備えて構成される。露光装置101は、図9に示すように、照明系110と、レチクルステージ120と、投影ユニット130と、局所液浸装置140と、ステージ装置150と、主制御装置200図10を参照とを備えて構成される。なお、以下においては、図9に示した矢印X,Y,Zの方向をそれぞれX軸方向、Y軸方向、Z軸方向として説明する。照明系110は、詳細な図示を省略するが、光源と、オプティカルインテグレータ等を備えた照度均一化光学系と、レチクルブラインド等を備えた照明光学系とを有し、レチクルブラインドで規定されたレチクルR上のスリット状の照明領域を照明光露光光により略均一な照度で照明するように構成されている。照明光としては、例えば、ArFエキシマレーザ光波長193nmが用いられる。レチクルステージ120上には、所定のパターン例えば、ホールパターンがそのパターン面図9における下面に形成されたレチクルフォトマスクRが、例えば真空吸着により固定保持されている。レチクルステージ120は、例えばリニアモータ等を備えるレチクルステージ駆動装置121図10を参照によってXY平面内で移動可能であるとともに、走査方向ここではY軸方向とするに所定の走査速度で移動可能に構成されている。レチクルステージ120のXY平面内の位置情報Z軸回りの回転方向の回転情報を含むは、レチクルステージ120に設けられたY軸に直交する反射面を有する第1反射鏡123およびX軸に直交する反射面を有する第2反射鏡図示せずを介して、レチクル干渉計125によって検出される。レチクル干渉計125により検出された当該位置情報は主制御装置200に送られ、主制御装置200は、その位置情報に基づいてレチクルステージ駆動装置121を介してレチクルステージ120の位置および移動速度を制御する。投影ユニット130は、レチクルステージ120の下方に配置され、鏡筒131と、鏡筒131内に保持された投影光学系135とを有して構成される。投影光学系135は、照明光の光軸AXに沿って配列された複数の光学素子レンズエレメントを有し、両側テレセントリックで、所定の投影倍率例えば1/4倍、1/5倍または1/8倍などを有するように構成されている。このため、照明系110から射出された照明光によってレチクルR上の照明領域が照明されると、投影光学系135の物体面とパターン面が略一致して配置されるレチクルRを透過した照明光により、投影光学系135を介してその照明領域内のレチクルRのパターンの縮小像が、投影光学系135の像面側に配置されたウェハW上の露光領域レチクルR上の照明領域に共役な領域に形成される。そして、レチクルステージ120とウェハWを保持するステージ装置150との同期駆動によって、照明領域に対してレチクルRを走査方向Y軸方向に移動させるとともに、露光領域に対してウェハWを走査方向Y軸方向に移動させることで、ウェハW上の1つのショット領域の走査露光が行われ、そのショット領域にレチクルRのパターンマスクパターンが転写される。露光装置101には、液浸方式の露光を行うために局所液浸装置140が設けられている。局所液浸装置140は、図9および図10に示すように、液体供給装置141と、液体回収装置142と、液体供給管143Aと、液体回収管143Bと、ノズルユニット145とを有して構成される。ノズルユニット145は、投影光学系135を構成する最も像面側ウェハ側の光学素子、ここでは先端レンズ136を保持する鏡筒131の下端部周囲を取り囲むように、投影ユニット130を保持する不図示のフレーム部材露光装置101を構成するフレーム部材に支持されている。また、ノズルユニット145は、図9に示すように、その下端面が先端レンズ136の下端面と略同一面になるように設定されている。液体供給装置141は、詳細な図示を省略するが、液体を貯蔵するタンクと、加圧ポンプと、温度制御装置と、液体の流量を制御するためのバルブとを有して構成され、液体供給管143Aを介してノズルユニット145に接続されている。液体回収装置142は、詳細な図示を省略するが、回収した液体を貯蔵するタンクと、吸引ポンプと、液体の流量を制御するためのバルブとを有して構成され、液体回収管143Bを介してノズルユニット145に接続されている。主制御装置200は、図10に示すように、液体供給装置141の作動を制御して液体供給管143Aを介して先端レンズ136とウェハWとの間に液体例えば、純水を供給するとともに、液体回収装置142の作動を制御して液体回収管143Bを介して先端レンズ136とウェハWとの間から液体を回収する。このとき、主制御装置200は、供給される液体の量と回収される液体の量とが常に等しくなるように、液体供給装置141および液体回収装置142の作動を制御する。したがって、先端レンズ136とウェハWとの間には、一定量の液体が常に入れ替わって保持され、これにより液浸領域液浸空間が形成される。このように、露光装置101では、照明光を、液浸領域を形成する液体を介してウェハWに照射することによって、ウェハWに対する露光が行われる。ステージ装置150は、投影ユニット130の下方に配置されたウェハステージ151と、ウェハステージ151を駆動するステージ駆動装置155図10を参照とを有して構成される。ウェハステージ151は、不図示のエアスライダにより数μm程度のクリアランスを有してベース部材105の上方に浮上支持され、ウェハステージ151の上面においてウェハWを真空吸着によって保持するように構成されている。そして、ウェハステージ151は、ステージ駆動装置155を構成するモータにより、ベース部材105の上面に沿ってXY平面内で移動可能になっている。ウェハステージ151のXY平面内の位置情報はエンコーダ装置156図10を参照によって検出される。エンコーダ装置156により検出された当該位置情報は主制御装置200に送られ、主制御装置200は、その位置情報に基づいてステージ駆動装置155を介してウェハステージ151の位置および移動速度を制御する。以上のように構成される露光装置101において、照明系110から射出された照明光によってレチクルR上の照明領域が照明されると、投影光学系135の物体面とパターン面が略一致して配置されるレチクルRを透過した照明光により、投影光学系135を介してその照明領域内のレチクルRのパターンの縮小像が、ウェハステージ151上に支持されて投影光学系135の像面側に配置されたウェハW上の露光領域レチクルR上の照明領域に共役な領域に形成される。そして、レチクルステージ120とウェハWを支持するウェハステージ151との同期駆動によって、照明領域に対してレチクルRを走査方向Y軸方向に移動させるとともに、露光領域に対してウェハWを走査方向Y軸方向に移動させることで、ウェハW上の1つのショット領域の走査露光が行われ、そのショット領域にレチクルRのパターンが転写される。このようにして露光装置101による露光工程が実施されると、現像装置図示せずによる現像工程、エッチング装置図示せずによるエッチング工程等を経て、前述の実施形態に係る検査装置10により、表面にパターンAが形成されたウェハWの検査を行う。すなわち、このエッチング後の検査工程は、前述したいずれかの実施形態に係る検査方法又は前述の実施形態に係る検査方法の組み合わせを用いて行われる。エッチング後の検査工程における検査結果は、主として露光装置101にフィードバックされる。このとき例えば、検査装置10のコントローラ40出力部は、接続ケーブル図示せず等を介して、検査結果に関する情報を露光装置101に出力する。そして、露光装置101の主制御装置200に設けられた補正処理部210は、検査装置10から入力された検査結果に基づいて、露光装置101の各種設定パラメータを補正する。これにより、本実施形態の露光システム100によれば、前述の実施形態に係る検査装置10から入力された検査の結果に応じて、露光装置101の設定を補正するため、より精度の高い検査結果に基づいた補正が可能となり、露光装置101の設定をより適切に行うことができる。なお、上述の露光システム100において、前述の実施形態に係る検査装置10により、エッチング後のウェハWの検査を行っているが、これに限られるものではなく、現像後のウェハの検査を行うようにしてもよい。また、本願の発明者は、テストウェハを作成して、様々な異常欠陥に対する検出感度の検証を行った。この実験では、照明光として波長1100nmの近赤外光を使用した。なお、光源はハロゲンランプで、干渉フィルタにより波長1100nmの光を取り出した。波長1100nmの光において、シリコンのk消衰係数は約0.00003であり、シリコンはほぼ透明となる。しかし、この波長では、イメージセンサの感度も非常に小さくなるので、十分なS/N比信号雑音比を確保するために、冷却タイプの撮像装置を用いた。また実験では、照明光として、波長850nm、波長800nm、波長700nm、波長546nme線、波長436nmg線、波長405nmh線などの光を用いた。図11aに示すウェハ以下、第1テストウェハWAと称するは、標準形状のパターンホールパターンが形成されたウェハである。図12に、波長1100nmの照明光による4次回折光に基づいた第1テストウェハWAの回折画像を示す。第1テストウェハWAの回折画像は、パターン部からの均一な回折光を捉えた画像になっている。図11bに示すウェハ以下、第2テストウェハWBと称するは、ホールパターンの露光時にウェハ面内でドーズを変化させることにより、ショットごとにホール径を変化させて作成したウェハである。なお、エッチングにより形成された穴の径ビアの径もドーズ量変化に応じて変化する。また、同一のショット面内でも穴径にムラがある。図13aに、波長546nme線の照明光による2次回折光に基づいた第2テストウェハWBの回折画像を示す。図13aにおいて、図の上方へ向かうにつれてホール径が小さくなり、図の下方へ向かうにつれてホール径が大きくなるようなショット配置となっている。なお、各ショットの穴径は、CD-SEMにより予め測定されている。また、図13bに、穴径と回折光の強度変化信号強度変化との関係を示す。図13bにおいて、グラフの縦軸は信号強度変化の割合であり、横軸は穴径である。図13aおよびbから分かるように、回折光の強度信号強度は、穴径の変化に応じて、ほぼリニアに変化する。つまり、穴径変化を回折画像の明暗変化として検出可能である。なお、回折光の強度信号強度と穴径との関係式例えば、直線近似式を最小二乗法により求めておき、求めた関係式を利用して回折画像の信号強度から穴径を求める演算部を検査装置10に設けてもよい。また、ウェハWの検査において、演算部により穴径を求めるステップを追加するようにしてもよい。これにより、ウェハWの回折画像から穴径を求めることができる。なお、演算部は、コントローラ40、画像処理部45等に含まれるCPU等の演算回路を利用してもよく、コントローラ40、画像処理部45等とは独立に設けられてもよい。また、図13aと同じ回折画像を図14aに示し、この回折画像における信号強度と穴径との相関を比較した結果を図14bおよびcに示す。図14bにおいて、グラフの縦軸は信号強度または穴径であり、横軸はウェハ面内のY方向図14aの縦方向位置である。また、図14cにおいて、グラフの縦軸は信号強度または穴径であり、横軸は対角線方向でのショット内位置である。図14b、cから分かるように、回折画像の信号強度と穴径に強い相関があることを示している。図11cに示すウェハ以下、第3テストウェハWCと称するは、ホール開口部の径が第1テストウェハWAとほぼ同じで、穴の深いところの径が小さくなっているウェハである。パターン形状が第1テストウェハWAのものから第3テストウェハWCのものに変形したときにそれを検出する、という観点で回折光の強度信号強度を比較したものが図15のグラフである。図15のグラフにおいて、1100BSは波長1100nmの照明光によるウェハ裏面からの回折検査での信号変化を、1100fs850fs,800fs,...は波長1100nm850nm,800nm,...の照明光によるウェハ表面からの回折検査での信号変化を表す。BSはバックサイドの略でありウェハ裏面からの回折を表し、fsはフロントサイドの略でありウェハ表面からの回折を表している。図17においても同様。なお、図15では、それぞれ第1テストウェハWAの信号強度を100とした信号変化率を表している。ウェハ表面からの回折検査では、波長1100nmの照明光での信号変化率が最も大きいが、信号変化率は31である。これに対し、波長1100nmの照明光によるウェハ裏面からの回折検査では、179の信号変化率が得られる。穴先端付近の異常検出には、ウェハ裏面からの回折検査が最も効果的であることが分かる。一方、図16aは、波長1100nmの照明光による14次回折光に基づいた、第1テストウェハWAと同じ条件で作製した別のテストウェハの回折画像である。この画像には、特徴的なドーナツ状のムラがある。ウェハの中心を通るX方向図の横方向の線に沿ってウェハを切断して、ウェハの断面をSEMで観察し、穴深さビアの深さと回折光の強度信号強度とを比較した。その結果、図16aの破線に沿ったショット内プロファイルの比較では、図16bに示すように穴深さと相関が認められた。なお、図16bにおいて、グラフの縦軸は信号強度または穴深さであり、横軸はX方向図の横方向でのショット内位置である。しかし、回折信号は穴深さ以外の形状変化にも反応するので、図16aのドーナツ状のムラは、エッチングとしてDeepRIERIE:ReactiveIonEtchingによる各種形状変化を合わせた、ウェハ面内不均一性を捉えたものであると言える。側壁ラフネスに対する検出感度も検証した。アスペクト比の高い穴を形成するためのエッチングの方法としてBoschprocessがあるが、この方法では、穴の側壁に特徴的な同心円状の段差が生じ易い。側壁ラフネスの大きさによっては、TSV形成の支障となる。この段差を人為的に作製したものが図11dに示す第4テストウェハWDである。第1テストウェハWAから第4テストウェハWDへのパターンの変化に対する信号変化を図17に示す。なお、図17では、それぞれ第1テストウェハWAの信号強度を100とした信号変化率を表している。また、このテストウェハの組み合わせでは、側壁ラフネスだけでなく、断面プロファイルが変わってしまっているので、その両方に対する信号変化が合わせて観測される。図17から分かるように、照明光の波長が長いほど、信号変化が大きい傾向がある。"