"基板上に、円形または楕円形の断面を有している有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンを形成する段階と、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンが形成された前記基板の全面上に、物質層を形成する段階と、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンが形成されていない部分の前記物質層のみ残るように、前記基板から、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンを除去する段階と、を含む微細パターン形成方法。前記円形または楕円形の断面を有している有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンは、電場補助ロボティックノズルプリンティング、ダイレクトチップドローイング、メニスカスガイデッドダイレクトライティング、メルトスピニング、ウェットスピニング、ドライスピニング、ゲルスピニングまたは電気放射を使用して製造されることを特徴とする請求項1に記載の微細パターン形成方法。前記電場補助ロボティックノズルプリンティングは、吐出用溶液を供給する溶液保存装置、前記溶液保存装置から供給された溶液を吐出するノズル、前記ノズルに高電圧を印加する電圧印加装置、前記ノズルから吐出されて形成された有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドのワイヤが整列される、偏平であって移動可能なコレクタ、前記コレクタ下に設置され、前記コレクタをxy方向水平方向に動かすことができるロボットステージ、z方向垂直方向に、前記ノズルと前記コレクタとの距離を調節するマイクロ距離調節機、及び前記コレクタの平面度を維持し、前記ロボットステージの作動中に発生する振動を抑制するように、前記ロボットステージ下に位置した石定盤を含む電場補助ロボティックノズルプリンタを使用することを特徴とする請求項2に記載の微細パターン形成方法。前記ノズルと前記コレクタとの距離は、10μmないし20mmの範囲にあることを特徴とする請求項3に記載の微細パターン形成方法。前記電場補助ロボティックノズルプリンティングを介して、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンを形成する段階は、有機または有機/無機ハイブリッド材料を、蒸溜水または有機溶媒中に混合させて有機溶液を準備する段階と、前記電場補助ロボティックノズルプリンタの前記溶液保存装置内に、前記有機溶液を込める段階と、前記電場補助ロボティックノズルプリンタの前記電圧印加装置を介して、前記ノズルに高電圧を印加しながら、前記ノズルから、前記溶液保存装置内の前記有機溶液を吐出させる段階と、前記ノズルから吐出される前記有機溶液から形成される有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤを、前記コレクタを移動させながら、前記コレクタ上の前記基板上に整列させる段階と、を含むことを特徴とする請求項1ないし4のうちいずれか1項に記載の微細パターン形成方法。前記有機材料は、有機低分子半導体、有機高分子半導体、伝導性高分子、絶縁性高分子、またはそのブレンドを含むことを特徴とする請求項5に記載の微細パターン形成方法。前記有機材料は6,13-ビストリイソプロピルシリルエチニルペンタセン、トリエチルシリルエチニルアントラジチオフェンTESADT及び[6,6]-フェニルC61ブチル酸メチルエステルPCBMを含む群から選択される有機低分子半導体材料;ポリチオフェン、ポリ3-ヘキシルチオフェンP3HT、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンPEDOT、ポリ9-ビニルカルバゾールPVKまたはその誘導体、ポリp-フェニレンビニレンまたはその誘導体、ポリフルオレンまたはその誘導体、ポリスピロフルオレンまたはその誘導体、ポリアニリンまたはその誘導体、及びポリピロールまたはその誘導体を含む群から選択される有機高分子半導体/伝導性高分子材料;またはポリエチレンオキシドPEO、ポリスチレンPS、ポリカプロラクトンPCL、ポリアクリロニトリルPAN、ポリメチルメタクリレートPMMA、ポリイミド、ポリフッ化ビニリデンPVDF及びポリ塩化ビニルPVCを含む群から選択される有機絶縁性高分子を含むことを特徴とする請求項6に記載の微細パターン形成方法。前記有機/無機ハイブリッド材料は、ナノサイズの粒子;ワイヤリボンロッド形態を有する半導体、金属、金属酸化物、金属または金属酸化物の前駆体;炭素ナノチューブCNT;還元されたグラフェン酸化物;グラフェン;グラフェン量子点;グラフェンナノリボン;グラファイト;またはナノサイズの化合物半導体粒子が中心をなす量子点を少なくとも一つ以上を含むことを特徴とする請求項5に記載の微細パターン形成方法。前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンは、10nmないし100μmの直径を有することを特徴とする請求項1に記載の微細パターン形成方法。前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンは、無作為パターンまたは整列パターンを有することを特徴とする請求項1に記載の微細パターン形成方法。前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤの整列パターンは、2本以上の平行であるワイヤのなす角度が、0°ないし10°である角度誤差範囲を有することを特徴とする請求項10に記載の微細パターン形成方法。前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤの整列パターンは、各ワイヤの直径に対して、0ないし10の範囲で直進度を有することを特徴とする請求項10に記載の微細パターン形成方法。前記物質層は、金属、半導体無機物、伝導性無機物、絶縁性無機物、有機高分子半導体、有機低分子半導体、有機伝導性高分子、有機絶縁性高分子、またはそのブレンドを含むことを特徴とする請求項1に記載の微細パターン形成方法。前記物質層は、金、白金、銀、ニッケル、銅、アルミニウム、チタン、コバルト、鉄、タングステン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、モリブデン、カドミウム、バナジウム、クロム、亜鉛、インジウム、イットリウム、リチウム、スズ、鉛、及びそれらの合金を含む群から選択される金属または伝導性無機物;p-ドーピングまたはn-ドーピングされたシリコン、酸化亜鉛、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物ITO、インジウム亜鉛酸化物IZO、亜鉛酸化物ZnO、シリコン及びゲルマニウムを含む群から選択される半導体無機物;SiO2及びSiNを含む群から選択される絶縁性無機物;ポリ3-ヘキシルチオフェンP3HT、ポリ3-オクチルチオフェンP3OT、ポリブチルチオフェンPBT、PEDOTポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホネートPSS、ポリ9,9’-ジオクチルフルオレン-コ-ビチオフェンF8T2、ポリフェニレンビニレンまたはその誘導体、ポリチエニレンビニレンPTVまたはその誘導体、ポリアセチレンまたはその誘導体、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、及びポリフルオレンまたはその誘導体を含む群から選択される有機高分子半導体/有機伝導性高分子;トリイソプロピルシリルエチニルペンタセンTIPSペンタセン、ペンタセン、テトラセン、アントラセン、ルブレン、α-ヘキサチエニレンα-6Tを含む群から選択される有機低分子半導体;またはポリエチレンオキシドPEO、ポリスチレンPS、ポリカプロラクトンPCL、ポリアクリロニトリルPAN、ポリメチルメタクリレートPMMA、ポリイミド、ポリフッ化ビニリデンPVDF及びポリ塩化ビニルPVCを含む群から選択される有機絶縁性高分子、及びそれらのブレンドを含むことを特徴とする請求項13に記載の微細パターン形成方法。前記基板から、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンを除去する段階は、接着性テープを使用して、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンを持ち上げる段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の微細パターン形成方法。前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンを除去する段階は、前記物質層が蒸着された前記基板を音波処理用有機溶媒内に浸し、前記音波処理用有機溶媒を高周波で音波処理する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の微細パターン形成方法。前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤの整列パターンを利用して形成された前記微細パターンは、10nmないし100cmの幅を有することを特徴とする請求項1及び請求項10ないし12のうちいずれか1項に記載の微細パターン形成方法。基板上に、パターン形成層を形成する段階と、前記基板上に、円形または楕円形の断面を有している有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのエッチングマスクパターンを形成する段階と、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのエッチングマスクパターンをエッチングマスクにして、前記パターン形成層をエッチングする段階と、前記基板から、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのエッチングマスクパターンを選択的に除去する段階と、を含む微細パターン形成方法。前記円形または楕円形の断面を有している有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのエッチングマスクパターンは、電場補助ロボティックノズルプリンティング、ダイレクトチップドローイング、メニスカスガイデッドダイレクトライティング、メルトスピニング、ウェットスピニング、ドライスピニング、ゲルスピニングまたは電気放射を使用して製造されることを特徴とする請求項18に記載の微細パターン形成方法。前記パターン形成層は、金属、伝導体、有機半導体、無機半導体、ナノサイズの酸化物半導体粒子が中心をなす量子点半導体、有機アイソレータ、無機アイソレータ物質及びフルオレンを含む群から選択された物質に形成される0次元素材;半導体リボン、金属ナノリボン、炭素ナノチューブ、半導体ナノワイヤ及び金属ナノワイヤを含む群から選択される一次元素材;グラフェン、MoS2及び六方晶系BNを含む群から選択される物質から形成される二次元素材;または有機材料、高分子材料、無機材料及び有機/無機ハイブリッド材料を含む群から選択される伝導体、半導体またはアイソレータ特性を有する薄膜またはパターン、またはフォトレジストパターンを含むことを特徴とする請求項18に記載の微細パターン形成方法。前記パターン形成層をエッチングする段階は、ガスプラズマエッチング工程、反応性イオンエッチング工程、イオンビームミリング工程を含む乾式エッチング工程;または湿式エッチング工程を使用することを特徴とする請求項18に記載の微細パターン形成方法。請求項18ないし21のうちいずれか1項に記載の微細パターン形成方法を介して、金属、無機半導体、有機半導体またはグラフェン面素材から形成されたことを特徴とするマイクロリボンまたはナノリボン素材、あるいは量子点素材。基板上にゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に、円形または楕円形の断面を有している有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンを形成する段階と、前記ゲート絶縁膜、及び前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターン上に、ソース電極用物質層及びドレイン電極用物質層を形成する段階と、前記基板から、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンをリフトオフし、ソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、前記ソース電極上及び前記ドレイン電極上に、活性層を形成する段階と、を含むボトムゲート構造であることを特徴とする微細チャネルトランジスタの形成方法。基板上に、円形または楕円形の断面を有している有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンを形成する段階と、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターン上に、ソース電極用物質層及びドレイン電極用物質層を形成する段階と、前記基板から、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンをリフトオフし、ソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、前記ソース電極上及び前記ドレイン電極上に、活性層を形成する段階と、前記活性層上に、ゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に、ゲート電極を形成する段階と、を含むトップゲート構造であることを特徴とする微細チャネルトランジスタの形成方法。前記円形または楕円形の断面を有している有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンは、電場補助ロボティックノズルプリンティング、ダイレクトチップドローイング、メニスカスガイデッドダイレクトライティング、メルトスピニング、ウェットスピニング、ドライスピニング、ゲルスピニングまたは電気放射を使用して製造されることを特徴とすることを特徴とする請求項23または24に記載の微細チャネルトランジスタの形成方法。前記電場補助ロボティックノズルプリンティングを介して、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンを形成する段階は、有機または有機/無機ハイブリッド材料を、蒸溜水または有機溶媒中に混合させて有機溶液を準備する段階と、吐出用溶液を供給する溶液保存装置、前記溶液保存装置から供給された溶液を吐出するノズル、前記ノズルに高電圧を印加する電圧印加装置、前記ノズルから吐出されて形成された有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドのワイヤが整列される、偏平であって移動自在なコレクタ、前記コレクタ下に設置され、前記コレクタをxy方向水平方向に動かすことができるロボットステージ、z方向垂直方向に、前記ノズルと前記コレクタとの距離を調節するマイクロ距離調節器、及び前記コレクタの平面度を維持し、前記ロボットステージの作動中に発生する振動を抑制するように、前記ロボットステージ下に位置した石定盤を含む電場補助ロボティックノズルプリンタの前記溶液保存装置内に、前記有機溶液を込める段階と、前記電場補助ロボティックノズルプリンタの前記電圧印加装置を介して、前記ノズルに高電圧を印加しながら、前記ノズルから、前記溶液保存装置内の前記有機溶液を吐出させる段階と、前記ノズルから吐出される前記有機溶液から形成される有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤを、前記コレクタを移動させながら、前記コレクタ上の前記基板上に整列させる段階と、を含むことを特徴とする請求項23ないし25のうちいずれか1項に記載の微細チャネルトランジスタの形成方法。前記ソース電極及び前記ドレイン電極間の間隔が、10nmないし100μmの範囲を有することを特徴とする請求項23または24に記載の微細チャネルトランジスタの形成方法。前記活性層は、シリコン、ゲルマニウム及び酸化亜鉛ZnOを含む群から選択される無機半導体材料;ポリ3-ヘキシルチオフェンP3HT、ポリ3-オクチルチオフェンP3OT、ポリブチルチオフェンPBT及びポリピロールまたはその誘導体を含む群から選択される有機高分子半導体材料;またはトリイソプロピルシリルエチニルペンタセンTIPSペンタセン、ペンタセン、アントラセンを含む群から選択される有機低分子半導体材料を含むことを特徴とする請求項23または24に記載の微細チャネルトランジスタの形成方法。前記活性層は、熱蒸着、電子ビーム蒸着、原子層蒸着、化学気相蒸着、スピンコーティング、ディップコーティング、ドロップキャスティングまたはスパッタリングによって形成することを特徴とする請求項23または24に記載の微細チャネルトランジスタの形成方法。前記活性層を、電場補助ロボティックノズルプリンタを利用して、有機ワイヤ状に形成することを特徴とする請求項23または24に記載の微細チャネルトランジスタの形成方法。前記活性層を形成する段階は、活性層材料を、蒸溜水または有機溶媒中に混合させて活性層材料溶液を準備する段階と、前記電場補助ロボティックノズルプリンタの前記溶液保存装置内に、前記活性層材料溶液を盛る段階と、前記電場補助ロボティックノズルプリンタの前記電圧印加装置を介して、前記ノズルに高電圧を印加しながら、前記ノズルから、前記溶液保存装置内の前記活性層材料溶液を吐出させる段階と、前記ノズルから吐出される前記活性層材料溶液から形成される有機ワイヤを、前記コレクタを移動させながら、前記コレクタ上の前記基板上に整列させる段階と、を含むことを特徴とする請求項30に記載の微細チャネルトランジスタの形成方法。基板上にゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に、円形または楕円形の断面を有している有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンを形成する段階と、前記ゲート絶縁膜、及び前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターン上に、ソース電極用物質層及びドレイン電極用物質層を形成する段階と、前記基板から、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンをリフトオフし、ソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、前記ソース電極上及び前記ドレイン電極上に、発光性活性層を形成する段階と、を含むボトムゲート構造であることを特徴とする微細チャネル発光トランジスタの形成方法。基板上に、円形または楕円形の断面を有している有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンを形成する段階と、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターン上に、ソース電極用物質層及びドレイン電極用物質層を形成する段階と、前記基板から、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンをリフトオフし、ソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、前記ソース電極上及び前記ドレイン電極上に、発光性活性層を形成する段階と、前記発光性活性層上に、ゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に、ゲート電極を形成する段階と、を含むトップゲート構造であることを特徴とする微細チャネル発光トランジスタの形成方法。前記円形または楕円形の断面を有している有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンは、電場補助ロボティックノズルプリンティング、ダイレクトチップドローイング、メニスカスガイデッドダイレクトライティング、メルトスピニング、ウェットスピニング、ドライスピニング、ゲルスピニングまたは電気放射を使用して製造されることを特徴とする請求項32または33に記載の微細チャネル発光トランジスタの形成方法。前記発光性活性層は、GaAs、AlGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、GaN、InGaN、ZnSe、CdSe、CdTe及びCdSを含む群から選択される無機発光性半導体粒子;量子点、ロッドワイヤ薄膜材料、ポリ9-ビニルカルバゾールまたはその誘導体、ポリ9,9’-ジオクチルフルオレン-コ-ビチオフェンF8T2またはその誘導体、ポリ9,9-ジオクチルフルオレン-コ-ベンゾチアジアゾールF8BTまたはその誘導体、ポリp-フェニルビニレンまたはその誘導体、ポリp-フェニレンまたはその誘導体、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリフルオレンまたはその誘導体、及びポリスピロ-フルオレンまたはその誘導体を含む群から選択される有機発光性高分子半導体材料;テトラセン、ルブレン、α,ω-ビスビフェニリルテルチオフェンBP3T、α-キンクエチオフェンα-5T、α-セキシチオフェンα-6T及びN,N’-ジトリデシルペニレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸ジイミドP13を含む群から選択される有機発光性低分子半導体材料;またはそのブレンドを含むことを特徴とする請求項32または33に記載の微細チャネル発光トランジスタの形成方法。前記発光性活性層は、正孔と電子との注入を容易にするイオン性ドーパントをさらに含むことを特徴とする請求項32または33に記載の微細チャネル発光トランジスタの形成方法。前記イオン性ドーパントは、テトラプロピルアンモニウムテトラフルオロボレートTPABF4、テトラブチルアンモニウムテトラフルオロボレートTBABF4、リチウムトリフルオロメタンスルホネートLiOTf、カリウムトリフルオロメタンスルホネートKTf及びナトリウムトリフルオロメタンスルホネートNaTfを含む群から選択されることを特徴とする請求項36に記載の微細チャネル発光トランジスタの形成方法。前記発光性活性層は、熱蒸着、電子ビーム蒸着、原子層蒸着、化学気相蒸着、スピンコーティング、ディップコーティング、ドロップキャスティングまたはスパッタリングによって形成することを特徴とする請求項32または33に記載の微細チャネル発光トランジスタの形成方法。前記発光性活性層を、電場補助ロボティックノズルプリンタを利用して、有機ワイヤ状に形成することを特徴とする請求項32または33に記載の微細チャネル発光トランジスタの形成方法。本発明の目的は、パターンの位置及び方向を正確に調節することができ、大面積でパターンを形成することができる微細パターン形成方法、及びそれを利用した電子素子の形成方法を提供することである。本発明の一具現例による微細パターン形成方法が提供される。前記微細パターン形成方法は、基板上に、円形または楕円形の断面を有している有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンを形成する段階と、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンが形成された前記基板の全面上に、物質層を形成する段階と、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンが形成されていない部分の前記物質層のみ残るように、前記基板から、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンを除去する段階と、を含む。前記円形または楕円形の断面を有している有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンは、電場補助ロボティックノズルプリンティング、ダイレクトチップドローイングdirecttipdrawing、メニスカスガイデッドダイレクトライティングmeniscus-guideddirectwriting、メルトスピニングmeltspinning、ウェットスピニングwetspinning、ドライスピニングdryspinning、ゲルスピニングgelspinningまたは電気放射electrospinningを使用して製造される。前記電場補助ロボティックノズルプリンティング方法に使用される電場補助ロボティックノズルプリンタは、吐出用溶液を供給する溶液保存装置、前記溶液保存装置から供給された溶液を吐出するノズル、前記ノズルに高電圧を印加する電圧印加装置、前記ノズルから吐出されて形成された有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドのワイヤが整列される、偏平であって移動自在なコレクタ、前記コレクタ下に設置され、前記コレクタをxy方向水平方向に動かすことができるロボットステージrobotstage、z方向垂直方向に、前記ノズルと前記コレクタとの距離を調節するマイクロ距離調節機、及び前記コレクタの平面度を維持し、前記ロボットステージの作動中に発生する振動を抑制するように、前記ロボットステージ下に位置した石定盤を含むことができる。前記電場補助ロボティックノズルプリンティング装備を介して、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンを形成する段階は、有機または有機/無機ハイブリッド材料を、蒸溜水または有機溶媒中に混合させ、有機溶液を準備する段階と、前記電場補助ロボティックノズルプリンタの前記溶液保存装置内に、前記有機溶液を込める段階と、前記電場補助ロボティックノズルプリンタの前記電圧印加装置を介して、前記ノズルに高電圧を印加しながら、前記ノズルから、前記溶液保存装置内の前記有機溶液を吐出させる段階と、前記ノズルから吐出される前記有機溶液から形成される有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤを、前記コレクタを移動させながら、前記コレクタ上の前記基板上に整列させる段階と、を含んでもよい。本発明の他の一具現例による微細パターン形成方法が提供される。基板上に、パターン形成層を形成する段階と、前記基板上に、円形または楕円形の断面を有している有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのエッチングマスクパターンを形成する段階と、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのエッチングマスクパターンをエッチングマスクにして、前記パターン形成層をエッチングする段階と、前記基板から、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのエッチングマスクパターンを選択的に除去する段階と、を含む。前記円形または楕円形の断面を有している有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのエッチングマスクパターンは、電場補助ロボティックノズルプリンティング、ダイレクトチップドローイング、メニスカスガイデッドダイレクトライティング、メルトスピニング、ウェットスピニング、ドライスピニング、ゲルスピニングまたは電気放射を使用して製造される。本発明の他の一側面によるボトムゲート構造の微細チャネルトランジスタの形成方法が提供される。前記ボトムゲート構造の微細チャネルトランジスタの形成方法は、基板上にゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に、円形または楕円形の断面を有している有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンを形成する段階と、前記ゲート絶縁膜、及び前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターン上に、ソース電極用物質層及びドレイン電極用物質層を形成する段階と、前記基板から、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンをリフトオフし、ソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、前記ソース電極上及び前記ドレイン電極上に、活性層を形成する段階と、を含む。本発明の他の一側面によって、トップゲート構造の微細チャネルトランジスタの形成方法が提供される。前記トップゲート構造の微細チャネルトランジスタの形成方法は、基板上に、円形または楕円形の断面を有している有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンを形成する段階と、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターン上に、ソース電極用物質層及びドレイン電極用物質層を形成する段階と、前記基板から、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンをリフトオフし、ソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、前記ソース電極上及び前記ドレイン電極上に、活性層を形成する段階と、前記活性層上に、ゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に、ゲート電極を形成する段階と、を含む。前記円形または楕円形の断面を有している有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンは、電場補助ロボティックノズルプリンティング、ダイレクトチップドローイング、メニスカスガイデッドダイレクトライティング、メルトスピニング、ウェットスピニング、ドライスピニング、ゲルスピニングまたは電気放射を使用して製造される。前記活性層は、熱蒸着thermalevaporation、電子ビーム蒸着Ebeamevaporation、原子層蒸着atomiclayerdeposition、化学気相蒸着chemicalvapordeposition、スピンコーティングspincoating、ディップコーティングdipcoating、ドロップキャスティングdropcastingまたはスパッタリングsputteringによって形成することができる。または、前記活性層は、電場補助ロボティックノズルプリンタを利用して、有機ワイヤ状に形成することができる。本発明の他の一側面によって、ボトムゲート構造の微細チャネル発光トランジスタの形成方法が提供される。前記ボトムゲート構造の微細チャネル発光トランジスタの形成方法は、基板上にゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に、円形または楕円形の断面を有している有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンを形成する段階と、前記ゲート絶縁膜、及び前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターン上に、ソース電極用物質層及びドレイン電極用物質層を形成する段階と、前記基板から、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンをリフトオフし、ソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、前記ソース電極上及び前記ドレイン電極上に、発光性活性層を形成する段階と、を含む。本発明の他の一側面によって、トップゲート構造の微細チャネル発光トランジスタの形成方法が提供される。前記トップゲート構造の微細チャネル発光トランジスタの形成方法は、基板上に、円形または楕円形の断面を有している有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンを形成する段階と、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターン上に、ソース電極用物質層及びドレイン電極用物質層を形成する段階と、前記基板から、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンをリフトオフし、ソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、前記ソース電極上及び前記ドレイン電極上に、発光性活性層を形成する段階と、前記発光性活性層上に、ゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に、ゲート電極を形成する段階と、を含む。前記円形または楕円形の断面を有している有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンは、電場補助ロボティックノズルプリンティング、ダイレクトチップドローイング、メニスカスガイデッドダイレクトライティング、メルトスピニング、ウェットスピニング、ドライスピニング、ゲルスピニングまたは電気放射を使用して製造される。前記発光性活性層は、GaAs、AlGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、GaN、InGaN、ZnSe、CdSe、CdTe及びCdSを含む群から選択される無機発光性半導体の粒子、量子点、ロッド、ワイヤ、薄膜材料;ポリ9-ビニルカルバゾールpoly9vinylcarbazoleまたはその誘導体、ポリ9,9’-ジオクチルフルオレン-コ-ビチオフェンF8T2またはその誘導体、ポリ9,9-ジオクチルフルオレン-コ-ベンゾチアジアゾールF8BTまたはその誘導体、ポリp-フェニルビニレンポリp-phenylenevinyleneまたはその誘導体、ポリp-フェニレンポリp-フェニレンまたはその誘導体、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリフルオレンまたはその誘導体、及びポリスピロ-フルオレンまたはその誘導体を含む群から選択される有機発光性高分子半導体材料;テトラセンtetracene、ルブレンrubrene、α,ω-ビスビフェニリルテルチオフェンBP3T、α-キンクエチオフェンα-5T、α-セキシチオフェンα-6T及びN,N’-ジトリデシルペニレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸ジイミドP13を含む群から選択される有機発光性低分子半導体材料;またはそのブレンドを含んでもよい。本発明では、全ての蛍光材料及びリン光材料、並びにそれらの混合物が含まれてもよいので、特別に特定発光材料に制限されるものではない。前記発光性活性層は、正孔と電子との注入を容易にするイオン性ドーパントをさらに含んでもよい。前記イオン性ドーパントは、テトラプロピルアンモニウムテトラフルオロボレートTPABF4、テトラブチルアンモニウムテトラフルオロボレートTBABF4、リチウムトリフルオロメタンスルホネートLiOTf、カリウムトリフルオロメタンスルホネートKTfまたはナトリウムトリフルオロメタンスルホネートNaTfを含んでもよい。前記発光性活性層は、熱蒸着、電子ビーム蒸着、原子層蒸着、化学気相蒸着、スピンコーティング、ディップコーティング、ドロップキャスティングまたはスパッタリングによって形成することができる。前記発光性活性層を電場補助ロボティックノズルプリンタを利用して、有機ワイヤ状に形成することができる。本発明の一形態による微細間隔を有するパターン形成方法は、円形または楕円形の断面を有している有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンを形成し、その上に物質層を形成した後、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンを除去することにより、微細間隔を有するパターンを大面積で、所望の位置に正確に形成することができる。有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンの形成は、常温、常圧で行われるので、フォトリソグラフィや電子ビームリソグラフィのような既存の高価な微細パターン形成方法を代替することができる。本発明の他の一形態による微細チャネルトランジスタの形成方法は、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンを介して、微細間隔を有するソース電極及びドレイン電極を形成することにより、微細チャネルを有する高性能トランジスタ素子を製造することができる。また、本発明の他の一形態による微細チャネル発光トランジスタの形成方法は、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンを介して、微細間隔を有するソース電極及びドレイン電極を形成し、ソース電極及びドレイン電極を介して、正孔及び電子を発光性活性層にさらに良好に注入させることにより、高発光効率を有する発光トランジスタ素子を製造することができる。以下、添付された図面を参照し、本発明の望ましい実施例について詳細に説明する。しかし、本発明は、ここで説明される実施例に限定されるものではなく、他の形態で具体化されもする。むしろここで紹介される実施例は、開示された内容が、徹底したものであり、かつ完全なものになるように、そして当業者に、本発明の思想が十分に伝達されるように提供されるのである。図面において、層及び領域の厚みは、明確性を期するために、誇張されている。明細書全体にわたり、同一の参照番号は、同一の構成要素を示す。本明細書で、有機/無機ハイブリッドというのは、有機物質と無機物質とが混合しているということを意味する。図1は、本発明の一具現例による微細パターンの形成方法について、順序通りに説明するためのフローチャートである。図1を参照すれば、まず、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンを基板上に形成するS110。有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンは、均一な直径diameterで形成することができる。例えば、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンは、約10nmないし約100μm範囲の直径を有するように形成することができる。有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンは、無作為randomorientatedパターンと整列alignedパターンとのうちから選択して形成することができる。有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤの整列パターンは、2本以上の平行であるワイヤのなす角度が、0°ないし10°の角度誤差範囲を有する。また、各ワイヤのプリンティング方向に対して、0ないし10の範囲で、直進度straightnessを有する。また、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤの整列パターンは、均一な間隔で形成することができる。例えば、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤの整列パターンは、約10nmないし約100cm範囲の間隔を有するように形成することができる。一方、前記条件を満足させないパターンをランダムパターンと言う。ランダムパターンは、円形、楕円形、曲線、直線及び曲折形などの多様な形態の組み合わせになる。有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンは、円形または楕円形の断面を有するように形成する。有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンの断面が、円形または楕円形ではない場合、マスクパターン上に物質層を形成すれば、マスクパターン上の物質層と、マスクパターンが形成されていない部分の物質層とがつながっている形態に形成される。このとき、マスクパターンを除去すれば、マスクパターンが形成されていない部分の物質層のうち、マスクパターン周辺の一部物質層がマスクパターン上の物質層と共に除去されることにより、正確な微細パターン形成がなされないこともある。また、マスクパターンの断面が、円形または楕円形ではない場合、マスクパターンと基板との接触面積が広くなるので、マスクパターンの除去も望ましくなされないこともある。従って、円形または楕円形の断面を有する有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンが望ましい。前記円形または楕円形の断面を有している有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンは、電場補助ロボティックノズルプリンティング、ダイレクトチップドローイングdirecttipdrawingJShi,MGuo,BLi,Appl.Phys.Lett,93,1211012008参照、メニスカスガイデッドダイレクトライティングmeniscus-guideddirectwritingJTKim,SKSeol,JPyo,JSLee,JHJe,GMargaritondo,Adv.Mater.23,1968-19702011参照、メルトスピニングmeltspinningSKase,TMatsuo,J.PolymerSci.PartA,3,2541-25541965参照、ウェットスピニングwetspinningGCEast,YQin,J.Appl.PolymerSci.50,1773-17791993参照、ドライスピニングdryspinningSGogolewski、AJPennings,Polymer,26,1394-14001985参照、ゲルスピニングgelspinningRFukae,AMaekawa,OSangen,Polymer,46,11193-111942005参照または電気放射electrospinningVThavasi,GSingh,SRamakrishna,EnergyEnviron.Sci.,1,205-2212008参照などを使用して製造されるが、これらに制限されるものではない。次に、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンが形成された基板の全面に、パターンを形成しようとする物質層を形成するS120。物質層は、例えば、金属、半導体無機物、伝導性無機物、絶縁性無機物、有機高分子半導体、有機低分子半導体、有機伝導性高分子、有機絶縁性高分子またはそのブレンドで形成することができる。そして、物質層が形成された基板から、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンを除去するS130。それにより、物質層の有機ワイヤ上、または有機/無機ハイブリッドワイヤ上の部分も、共に除去されliftoff、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤの直径にあたる微細間隔を有するパターンが形成される。図2A及び図2Bは、それぞれ本発明の一具現例の一微細パターン形成時、電場補助ロボティックノズルプリンティングによって、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクを形成するのに使用される電場補助ロボティックノズルプリンタ100の概略的な斜視図及び側面図である。図2A及び図2Bを参照すれば、本発明による電場補助ロボティックノズルプリンタ100は、溶液保存装置10、吐出調節器20、ノズル30、電圧印加装置40、コレクタ50、ロボットステージ60、石定盤61及びマイクロ距離調節器70を含む。溶液保存装置10は、有機溶液を込め、ノズル30が有機溶液を吐出することができるように、ノズル30に、前記有機溶液を供給する部分である。溶液保存装置10は、シリンジsyringe形態である。溶液保存装置10は、プラスチック、ガラスまたはステンレススチールなどからなるが、それらに制限されるものではない。溶液保存装置10の保存容量は、約1μlないし約5,000mlの範囲内で選択されてもよいが、それらに制限されるものではない。望ましくは、溶液保存装置10の保存容量は、約10μlないし約50mlの範囲内で選択される。ステンレススチール材質の溶液保存装置10の場合には、溶液保存装置10にガスを注入することができるガス注入口図示せずがあり、ガスの圧力を利用して、有機溶液を溶液保存装置の外に吐出させることができる。一方、コアシェル構造の有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤを形成するために、溶液保存装置10は、複数個からなってもよい。吐出調節器20は、溶液保存装置10内の有機溶液を、ノズル30を介して、一定速度で吐出させるために、溶液保存装置10内の有機溶液に圧力を加える部分である。吐出調節器20として、ポンプまたはガス圧力調節器が使用されてもよい。吐出調節器20は、有機溶液の吐出速度を、1nl/minないし50ml/minの範囲内で調節することができる。複数個の溶液保存装置10を使用する場合、それぞれの溶液保存装置10に別個の吐出調節器20が具備され、独立して作動する。ステンレススチール材質の溶液保存装置10の場合、吐出調節器20として、ガス圧力調節器図示せずが使用されてもよい。ノズル30は、溶液保存装置10から有機溶液を供給され、有機溶液が吐出される部分であり、吐出される有機溶液は、ノズル30端で、液滴dropを形成することができる。ノズル30の直径diameterは、約100nmないし約1.5mmの範囲を有することができるが、それらに制限されるものではない。ノズル30は、単一ノズル、二重dualconcentricノズル、三重tripleconcentricノズルを含んでもよい。コアシェル構造の有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤを形成する場合、二重ノズルまたは三重ノズルを使用して、2種類以上の有機溶液を吐出させることができる。その場合、二重ノズルまたは三重ノズルに、2個または3個の溶液保存装置10が連結される。電圧印加装置40は、ノズル30に高電圧を印加するためのものであり、高電圧発生装置を含んでもよい。電圧印加装置40は、例えば、溶液保存装置10を介して、ノズル30に電気的に連結される。電圧印加装置40は、約0.1kVないし約50kVの電圧を印加することができるが、それらに制限されるものではない。電圧印加装置40によって、高電圧が印加されたノズル30と、接地されたコレクタ50との間に電場が存在することになり、前記電場によって、ノズル30端で形成された液滴が、テイラコーンTaylorconeを形成することになり、この端で、連続して有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドのワイヤが形成される。コレクタ50は、ノズル30から吐出された有機溶液から形成された有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドのワイヤが整列されて付く部分である。コレクタ50は、偏平な形態であり、その下のロボットステージ60によって、水平面の上で移動自在である。コレクタ50は、ノズル30に加えられた高電圧に対して、相対的に接地されている。参照番号51は、コレクタ50が接地されていることを示す。コレクタ50は、伝導性材質、例えば、金属からなり、0.5μmないし10μm範囲の平面度flatnessを有することができる平面度は、完全に水平である面の平面度が0の値を有するとき、完全な水平面からの実際面の最大誤差値を示す。例えば、1つの面の平面度は、その面の最低点と最高点との距離である。ロボットステージ60は、コレクタ50を移動させる手段である。ロボットステージ60は、サーボモータservomotorによって駆動され、精密な速度で移動することができる。ロボットステージ60は、例えば、水平面上で、x軸とy軸との2方向に移動するように制御されてもよい。ロボットステージ60は、例えば、x軸方向に移動するx軸ロボットステージ60aと、y軸方向に移動するy軸ロボットステージ60bとからなってもよい。ロボットステージ60は、距離を10nm以上100cm以内の範囲の間隔で移動することができるが、それらに制限されるものではない。望ましくは、ロボットステージ60の距離は、10μm以上20cm以内の範囲である。ロボットステージ60の移動速度は、1mm/minないし60,000mm/minの範囲で調節することができるが、それらに制限されるものではない。ロボットステージ60は、石定盤baseplate61上に設置され、石定盤61は、0.1μmないし5μm以内の平面度を有することができる。石定盤61の平面度によって、ノズル30とコレクタ50との距離が一定に調節される。すなわち、石定盤61の平面度が高いので、石定盤61上を移動するロボットステージ60上に位置したコレクタ50とノズル30との距離が一定に調節される。また、石定盤61は、ロボットステージ60の作動によって発生する振動を抑制することにより、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのパターンの精度を調節することができる。マイクロ距離調節器microdistancecontroller70は、ノズル30とコレクタ50との距離を調節するための手段である。マイクロ距離調節器70が、溶液保存装置10とノズル30とを垂直に移動させることにより、ノズル30とコレクタ50との距離を調節することができる。マイクロ距離調節器70は、ジョグjog71と微細調節器micrometer72とからなってもよい。ジョグ71は、ミリメートル単位またはセンチメートル単位の距離を大まかに調節するのに使用され、微細調節器72は、最小10μmの微細な距離を調整するのに使用される。ジョグ71でノズル30をコレクタ50に接近させた後、微細調節器72で、ノズル30とコレクタ50との距離を精密に調節することができる。マイクロ距離調節器70によって、ノズル30とコレクタ50との距離は、10μmないし20mmの範囲で調節される。例えば、xy平面に平行なコレクタ50を、ロボットステージ60によって、xy平面上で移動させることができ、マイクロ距離調節器70によって、z軸方向に、ノズル30とコレクタ50との距離を調節することができる。電気放射でノズルから放射されるナノファイバの三次元経路を計算したDHReneker,ALYarin,HFong,SKoombhongse,Bendinginstabilityofelectricallychargedliquidjetsofpolymersolutionsinelectrospinning,J.Appl.Phys.,87,9,4531-45462000の論文に、コレクタとノズルとの距離が長いほど、ナノファイバの撹乱perturbationが大きくなるということが開示されている。前記論文によれば、下記数式1A及び数式1Bが示されている。ここでx、yは、コレクタと水平である面でのx軸方向とy軸方向との位置であり、Lは、長さスケールを示す定数であり、λは、撹乱波長perturbationwavelengthであり、zは、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのコレクタz=0に対する垂直位置であり、hは、ノズルとコレクタとの距離である。前記数式1A及び数式1Bから、同一のz値について、コレクタとノズルとの距離hが大きいほど、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤの撹乱を示すx,y値が大きくなるということが分かる。実際、ノズル端の液滴から生成されて伸張していく有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤは、ワイヤが生成されるノズル近くでは、コレクタに垂直であるz方向にほぼ直線状である。しかし、ノズルから遠くなるほど、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤの水平方向の速度lateralvelocityが増加し、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドのワイヤが反ってしまう。本発明の具現例として使用された電場補助ロボティックノズルプリンタ100は、ノズル30とコレクタ50との距離を十ないし数十μm単位に十分に狭めることができ、ナノのワイヤが撹乱される前に、コレクタ50上に直線に落ちることになる。従って、コレクタ50の移動によって、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのパターンが形成される。コレクタの移動によって、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのパターンを形成することは、ノズル移動に比べて、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのパターン撹乱変数を減らすことにより、さらに精密な有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのパターンを形成することができる。一方、電場補助ロボティックノズルプリンタ100は、ハウジング80中に置かれてもよい。前記ハウジング80は、透明な材質によって形成されてもよい。ハウジング80は、密閉可能であり、ガス注入口図示せずを介して、ハウジング80内にガスを注入することができる。注入されるガスは、窒素、乾燥空気などであり、前記ガスの注入によって、水分によって酸化されやすい有機溶液が安定して維持される。また、ハウジング80には、ベンチレータventilator81と電灯82とが設置されてもよい。ベンチレータ81と電灯82は、適切な位置に設置される。ベンチレータ81は、ハウジング80内の溶媒から発生する蒸気圧を調節し、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤの形成時、溶媒の蒸発速度を調節することができる。溶媒の早い蒸発を必要とするロボティックノズルプリンティングでは、ベンチレータ81の速度を調節し、溶媒の蒸発をサポートすることができる。溶媒の蒸発速度は、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤの形態と電気的特性とに影響を与えもする。溶媒の蒸発速度が過度に速い場合、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドのワイヤが形成される前に、ノズル終端で溶液が乾いてしまい、ノズルが詰まり、溶媒の蒸発速度が過度に遅い場合、固体の有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドのワイヤが形成されず、液体状態でコレクタに置かれてしまう。液体状態の有機溶液ラインは、電気的特性が良好ではないので、これを素子製作に使用することができない。このように、溶媒の蒸発速度が、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤの形成及び特性に影響を与えるので、ベンチレータ81は、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤの形成に重要な役割を行うことができる。図3Aないし図3Cは、本発明の一具現例による微細パターンの形成方法について、工程順序通りに説明するための断面図であり、図4Aないし図4Cは、図3Aないし図3Cに対応する斜視図である。図3A及び図4Aには、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターン111を形成するのに使用した電場補助ロボティックノズルプリンタ100を共に図示した。しかし、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターン111を形成する方法が、電場補助ロボティックノズルプリンタを使用した方法に限定されるものではない。図3A及び図4Aを参照すれば、図2A及び図2Bで説明した電場補助ロボティックノズルプリンタ100を利用して、基板101上に、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターン111を形成する。基板101は、アルミニウム、銅、ニッケル、鉄、クロム、チタン、亜鉛、鉛、金、銀のような伝導体材料;シリコンSi、ゲルマニウムGe、ヒ化ガルウムGaAsのような半導体材料;ガラス、プラスチックフィルム、紙のようなアイソレータ材料などからなってもよいが、それらに制限されるものではない。基板101は、50μmないし50mm範囲の厚みを有することができるが、それらに制限されるものではない。電場補助ロボティックノズルプリンタ100を利用して、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターン111を形成する過程について説明すれば、次の通りである。まず、有機材料を、蒸溜水または有機溶媒に混合させ、有機溶液を準備する。有機材料としては、有機低分子半導体、有機高分子半導体、伝導性高分子、絶縁性高分子またはそのブレンドを使用することができるが、それらに制限されるものではない。有機低分子半導体材料は、例えば、6,13-ビストリイソプロピルシリルエチニルペンタセン613bistriisopropylsilylethynylpentacene、トリエチルシリルエチニルアントラジチオフェンTESADTまたは[6,6]-フェニルC61ブチル酸メチルエステルPCBMであってもよいが、それらに制限されるものではない。有機高分子半導体または伝導性高分子材料は、ポリ3-ヘキシルチオフェンP3HTまたはポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンPEDOTを含むポリチオフェン誘導体;ポリ9-ビニルカルバゾールPVKまたはその誘導体;ポリp-フェニレンビニレンポリp-phenylenevinyleneまたはその誘導体;ポリフルオレンまたはその誘導体;ポリアニリンまたはその誘導体;またはポリピロールまたはその誘導体であってもよいが、それらに制限されるものではない。絶縁性高分子材料は、ポリエチレンオキシドPEO、ポリスチレンPS、ポリカプロラクトンPCL、ポリアクリロニトリルPAN、ポリメチルメタクリレートPMMA、ポリイミドpolyimide、ポリフッ化ビニリデンPVDFまたはポリ塩化ビニルPVCを含んでもよいが、それらに制限されるものではない。有機材料に無機材料が含まれている材料を有機/無機ハイブリッド材料と言う。有機/無機ハイブリッドワイヤを形成する場合、これら有機材料に、ナノサイズの粒子;ワイヤ、リボンribbonまたはロッドrodの形態を有する半導体、金属、金属酸化物、金属または金属酸化物の前駆体;炭素ナノチューブCNT;還元されたグラフェン酸化物reducedgraphemeoxide;グラフェンgraphene;グラファイトgraphite;またはナノサイズの半導体粒子CdSe、CdTe、CdSなどが中心coreをなす量子点の無機材料を含んでよい。有機溶媒としては、有機材料を溶かすことができる溶媒であり、例えば、ジクロロエチレン、トリクロロエチレン、クロロホルム、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、スチレン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、キシレン、トルエン、シクロヘキセン、イソプロピルアルコール、エタノール、アセトン、またはそれらの混合溶媒などが使用されてもよいが、それらに制限されるものではない。有機溶液の濃度と粘度は、電場補助ロボティックノズルプリンタ100に使用されるノズル30の大きさを考慮し、ノズル30から吐出されるのに適する濃度と粘度とに選択される。有機溶液内に、粘度調節のための物質が添加されもする。粘度を調節するための物質は、例えば、ポリエチレンオキシドPEO、ポリ9-ビニルカルバゾールPVK、ポリカプロラクトンPCLまたはポリスチレンPSを含んでもよいが、それらに制限されるものではない。有機材料が、蒸溜水または有機溶媒中に混合された前記有機溶液を、溶液保存装置10に込めた後、吐出調節器20によって、ノズル30から吐出させれば、ノズル30端の部分に液滴が形成される。このノズル30に、電圧印加装置40を利用して、0.1kVないし50kV範囲の電圧を印加すれば、液滴に形成された電荷と、接地されたコレクタ50との間の静電気力electrostaticforceによって、液滴が散らばらずに、電場の方向に大きくなりながら、コレクタ50上の基板101に付着する。または、基板101がコレクタ50を構成することもできる。このとき、液滴が大きくなることにより、液滴から一方向の長さが、他方向より長い有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドのワイヤが形成される。この有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤの直径は、印加電圧及びノズルサイズを調節することにより、10nmないし100μmの範囲で調節することができる。本明細書で、1μm未満のワイヤをナノワイヤと言い、それ以上をマイクロワイヤと言う。ノズル30の荷電された吐出物から形成された有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤを、コレクタ50上の基板101に整列させ、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンを形成する。このとき、ノズル30とコレクタ50との距離を、10μmないし20mmの間で調節することにより、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤを絡まっている形態ではなく、分離した形態で、コレクタ50上の基板上に形成することができる。このとき、ノズル30とコレクタ50との距離は、マイクロ距離調節器70を利用して、調節することができる。また、コレクタ50を移動させることにより、コレクタ50上の基板101上の所望の位置に、所望の方向、所望の個数ほど、整列された有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンを形成することができる。整列された有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤを形成するとき、サーボモータによって駆動されるロボットステージ60によって、コレクタ50を10nmないし100cmの範囲で精密に移動させることにより、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンの幅と、微細間隔を有するパターンの幅とを、10nmないし100cmの範囲で調節することができる。一方、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤは、コレクタ50の移動によって、直線状だけではなく、多様な形態に形成される。例えば、曲がった直線形、曲線形、櫛形comb、サーペンタイン形serpentine、正方形、長方形、菱形、三角形、円形、楕円形、グリッド状、テキスト状、またはその任意混合型のような構造を含んでもよいが、それらに制限されるものではない。図3B及び図4Bを参照すれば、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターン111が形成された基板101上に、微細間隔を有するパターンを形成する物質層120を形成する。このとき、例えば、シャドーマスクを使用して、所望の形態に物質層120を蒸着することができる。物質層120は、基板101上と、微細ワイヤマスクパターン111上とに形成されてもよい。物質層120は、微細間隔を有するパターンの用途によって、多様な物質から形成することができる。例えば、微細間隔を有するパターンを電極として使用する場合には、伝導性物質から形成することができる。このとき、物質層は、例えば、金、白金、銀、ニッケル、銅、アルミニウム、チタン、コバルト、鉄、タングステン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、モリブデン、カドミウム、バナジウム、クロム、亜鉛、インジウム、イットリウム、リチウム、スズ、鉛またはその合金、p-ドーピングまたはn-ドーピングされたシリコン、酸化亜鉛、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物ITOまたはインジウム亜鉛酸化物IZOのような伝導性物質から形成することができる。または、物質層120は、有機高分子半導体または有機低分子半導体、伝導性高分子、絶縁性高分子、またはそのブレンドなどを使用することができる。有機高分子半導体または伝導性高分子材料は、ポリ3-ヘキシルチオフェンP3HT、ポリ3-オクチルチオフェンP3OT、ポリブチルチオフェンPBT、ポリエチレンジオキシチオフェンPEDOT/ポリスチレンスルホネートPSS、ポリ9,9’-ジオクチルフルオレン-コ-ビチオフェンF8T2を含むポリチオフェン誘導体;ポリフェニレンビニレンpolyphenylenevinyleneまたはその誘導体;ポリチエニレンビニレンPTVまたはその誘導体;ポリアセチレンpolyacetyleneまたはその誘導体;ポリアニリンまたはその誘導体;ポリピロールまたはその誘導体;またはポリフルオレンまたはその誘導体であるが、それらに制限されるものではない。有機低分子半導体材料は、トリイソプロピルシリルエチニルペンタセンTIPSペンタセン、ペンタセンpentacene、テトラセンtetracene、アントラセンanthracene、ルブレンrubreneまたはα-ヘキサチエニレンα-6Tであるが、それらに制限されるものではない。絶縁性高分子材料は、ポリエチレンオキシドPEO、ポリスチレンPS、ポリカプロラクトンPCL、ポリアクリロニトリルPAN、ポリメチルメタクリレートPMMA、ポリイミドpolyimide、ポリフッ化ビニリデンPVDFまたはポリ塩化ビニルPVCを含んでもよいが、それらに制限されるものではない。また、物質層120は、前記物質以外の有機、無機または金属物質から形成され、半導体、伝導性または絶縁性物質であってもよい。前記物質層120は、例えば、ドロップキャスティングdropcasting、スピンコーティングspincoating、電子ビーム蒸着Ebeamevaporation、原子層蒸着法atomiclayerdeposition、化学気相蒸着法chemicalvapordeposition、熱蒸着thermalevaporationまたはスパッタリングsputteringのような方法を使用して形成することができる。また、前記物質層120は、1nmないし10μmの厚みに形成することができるが、それらに制限されるものではない。図3C及び図4Cを参照すれば、基板101から、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターン111を除去する。前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターン111の除去は、接着性テープの付着力adhesiveforceを利用した方法、または有機溶媒内で、高周波音による分解を利用した方法によって行われるが、それらに制限されるものではない。前記接着テープの付着力を利用した方法は、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターン111において、その上に物質層120が形成されていない部分に接着テープを付け、前記接着テープを持ち上げることにより、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターン111を取り除くことができる。有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターン111が、基板101から離れながら、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターン111上に蒸着された物質層120が共に離れる。前記有機溶媒内で、高周波音による分解を利用した方法は、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターン111を選択的に溶かすことができる音波処理用有機溶媒に基板101を入れ、音波処理sonicationを遂行する。このとき、音波処理用有機溶媒は、ジクロロエチレン、トリクロロエチレン、クロロホルム、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、スチレン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、キシレン、トルエン、シクロヘキセン、イソプロピルアルコール、エタノール、アセトン、またはそれらの混合溶媒などが使用されてもよいが、それらに制限されるものではない。有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターン111が、前記有機溶媒によって選択的に溶けながら、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターン111上に形成された物質層120が離れることになる。有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターン111上の物質層120が、選択的に除去されることにより、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターン111の直径ほどの間隔を有する微細パターン121が形成される。従って、微細パターン121の微細間隔は、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターン111の直径によって容易に調節される。本発明の具現例によるパターン形成方法によって、トランジスタに微細間隔を有する電極を形成し、微細間隔で微細チャネルを形成することにより、μm以下のサイズを有するトランジスタの配列を大面積に製造することができる。また、金属物質以外にも、ポリチオフェンのような伝導性高分子で電極を形成することにより、製造コストが非常に低く、かつ高移動度を有するμm以下サイズのトランジスタ素子を製造することができる。図5Aないし図5Dは、本発明の一具現例によるボトムゲート構造の微細チャネルトランジスタの形成方法について説明するための断面図である。図5Aを参照すれば、基板211上に、ゲート電極221を形成する。基板211は、アルミニウム、銅、ニッケル、鉄、クロム、チタン、亜鉛、鉛、金、銀及びステンレススチールなどを含む群から選択される伝導体材料;シリコンSi、ゲルマニウムGe及びヒ化ガルウムGaAsを含む群から選択される半導体材料;ガラス、プラスチックフィルム及び紙を含む群から選択されるアイソレータ材料などを選択することができるが、それらに制限されるものではない。基板211上に、バッファ層図示せずが形成されもする。ゲート電極221は、例えば、金、白金、銀、ニッケル、銅、アルミニウム、チタン、コバルト、鉄、タングステン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、モリブデン、カドミウム、バナジウム、クロム、亜鉛、インジウム、イットリウム、リチウム、スズ、鉛またはその合金、p-ドーピングまたはn-ドーピングされたシリコン、酸化亜鉛、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物ITO及びインジウム亜鉛酸化物IZOを含む群から選択される伝導性物質から形成することができるが、それらに制限されるものではない。図5Bを参照すれば、ゲート電極221上に、ゲート絶縁膜222を形成する。ゲート絶縁膜222は、例えば、シリコン酸化膜、アルミニウム酸化膜のような無機絶縁膜;またはイオン-ゲル高分子電解質のような有機絶縁膜から形成することができる。図5Cを参照すれば、ゲート絶縁膜222上に、微細間隔を有するソース電極及びドレイン電極231を形成する。ソース電極及びドレイン電極231の物質は、ゲート電極221の物質と同様に、金、白金、銀、ニッケル、銅、アルミニウム、チタン、コバルト、鉄、タングステン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、モリブデン、カドミウム、バナジウム、クロム、亜鉛、インジウム、イットリウム、リチウム、スズ、鉛またはその合金、p-ドーピングまたはn-ドーピングされたシリコン、酸化亜鉛、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物ITO及びインジウム亜鉛酸化物IZOを含む群から選択される伝導性物質から形成することができる。微細間隔を有するソース電極及びドレイン電極231は、図2、図3Aないし図3C、及び図4Aないし図4Cの具現例と係わって説明したような微細パターンの形成方法を使用して形成することができる。すなわち、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターン上の物質層を、ソース電極及びドレイン電極231の物質から形成し、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンを除去することにより、ソース電極及びドレイン電極231を形成することができる。また、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターン形成と、ソース電極及びドレイン電極形成とに、電場補助ノズルプリンティング、ダイレクトチップドローイング、メニスカスガイデッドダイレクトライティング、メルトスピニング、ウェットスピニング、ドライスピニング、ゲルスピニングまたは電気放射などを使用することができるが、それらに制限されるものではない。ソース電極及びドレイン電極231は、1nmないし10μmの厚みに形成することができる。ソース電極231とドレイン電極231との間隔は、10nmないし100μmの範囲を有することができる。図5Dを参照すれば、ソース電極及びドレイン電極231上に、チャネルを形成する活性層241を形成する。活性層241は、シリコン、ゲルマニウム及びZnOを含む群から選択される無機半導体材料;炭素ナノチューブCNT、フラーレン及びグラフェンgrapheneを含む群から選択される炭素材料;有機低分子半導体材料、有機高分子半導体材料から形成することができるが、それらに制限されるものではない。前記有機高分子半導体材料としては、ポリ3-ヘキシルチオフェンP3HT、ポリ3-オクチルチオフェンP3OT、ポリブチルチオフェンPBTを含むポリチオフェン誘導体;ポリピロールまたはその誘導体;またはポリアセチレンpolyacetyleneまたはその誘導体であってもよいが、それらに制限されるものではない。前記有機低分子半導体材料は、トリイソプロピルシリルエチニルペンタセンTIPSペンタセン、ペンタセンpentaceneまたはアントラセンanthraceneであってもよいが、それらに制限されるものではない。活性層241を、熱蒸着thermalevaporation法、電子ビーム蒸着Ebeamevaporation法、スピンコーティングspincoating法またはディップコーティングdipcoating法、ドロップキャスティングdropcasting法、スパッタリングsputtering法のような方法で形成する場合、微細間隔を有するソース電極及びドレイン電極231間に微細薄膜チャネルを形成することができる。また、電場補助ロボティックノズルプリンタを使用して、微細間隔を有するソース電極及びドレイン電極231間に有機ワイヤチャネル図示せずを形成することにより、活性層241を形成することができる。すなわち、電場補助ロボティックノズルプリンタで、前記有機半導体材料を吐出させ、移動するコレクタ上の基板上に有機ワイヤ状に蒸着させることにより、有機ワイヤチャネル図示せずを形成することができる。図6Aないし図6Dは、本発明の一具現例によるトップゲート構造の微細チャネルトランジスタ形成方法について説明するための断面図である。図6Aないし図6Dの具現例のトップゲート構造の微細チャネルトランジスタ形成方法は、ゲート電極221が、ソース電極及びドレイン電極231、並びに活性層241の上に形成される点で、図5Aないし図5Dの具現例のボトムゲート構造の微細チャネルトランジスタの形成方法と違いがある。すなわち、基板211上に、まず、ソース電極及びドレイン電極231を形成し、ソース電極及びドレイン電極231上に活性層241を設けた後、ゲート絶縁膜222を形成し、ゲート絶縁膜222上にゲート電極221を形成する。しかし、ソース電極及びドレイン電極231と活性層241とを形成する方法は、図5Aないし図5Dの具現例のボトムゲート構造の微細チャネルトランジスタの形成方法と同一である。すなわち、基板211上に、円形または楕円形の断面を有する有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンを形成し、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターン上に、ソース電極用物質層及びドレイン電極用物質層を形成し、前記基板211から、前記有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤのマスクパターンをリフトオフし、ソース電極及びドレイン電極231を形成する。そして、前記ソース電極及び前記ドレイン電極231上に、活性層241を形成する。本発明の一具現例よって、発光性微細チャネルトランジスタを製作することができる。発光性微細チャネルトランジスタは、活性層として、発光性活性層を選択して製作することができる。発光性トランジスタは、一般的な微細チャネルトランジスタと類似した構造を有し、ソース電極とドレイン電極とで、それぞれ正孔と電子とが注入され、発光性活性層で光を出す特性を有する。もし微細チャネルを有さない場合、正孔及び電子が効果的に注入されないので、発光特性が望ましく示されない。これを解決するために、別途の正孔輸送層及び電子輸送層が必要であり、素子の構造が複雑になる。微細チャネルを形成して発光トランジスタを製作すれば、チャネルが非常に小さいので、正孔と電子とが効果的に注入され、発光特性にすぐれる高性能発光トランジスタを製作することができる。前記微細チャネル発光トランジスタも、ボトムゲート構造またはトップゲート構造で製作することができる。前記発光性活性層は、例えば、GaAs、AlGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、GaN、InGaN、ZnSe、CdSe、CdTe及びCdSを含む群から選択される粒子;量子点;ロッド形態または薄膜形態の無機発光性半導体:ポリ9-ビニルカルバゾールまたはその誘導体;ポリ9,9’-ジオクチルフルオレン-コ-ビチオフェンF8T2またはその誘導体;ポリ9,9-ジオクチルフルオレン-コ-ベンゾチアジアゾールF8BTまたはその誘導体;ポリp-フェニレンビニレンポリpphenylenevinyleneまたはその誘導体;ポリp-フェニレンまたはその誘導体;ポリアニリンまたはその誘導体;ポリチオフェンまたはその誘導体;ポリピロールまたはその誘導体;ポリフルオレンまたはその誘導体;及びポリスピロ-フルオレンまたはその誘導体を含む群から選択される有機発光性高分子半導体材料:テトラセンtetracene、ルブレンrubrene、α,ω-ビスビフェニリルテルチオフェンBP3T、α-キンクエチオフェンα-5T、α-セキシチオフェンα-6T及びN,N’-ジトリデシルペニレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸ジイミドP13を含む群から選択される有機発光性低分子半導体材料:またはそれらの混合物を含んでもよい。一方、本発明では、発光性活性層材料として、全ての蛍光材料、リン光材料またはその混合物が含まれてもよいので、特別に特定発光材料に制限されるものではない。前記発光性活性層は、前記材料のナノサイズの粒子、量子点、ロッド形態を含んでもよい。一方、前記発光性活性層は、イオン性ドーパントをさらに含んでもよい。前記イオン性ドーパントは、発光性活性層内で、双極子モーメントdipolemomentを形成し、正孔と電子との注入及び移動をさらに容易にすることができる。前記イオン性ドーパントは、テトラプロピルアンモニウムテトラフルオロボレートTPABF4、テトラブチルアンモニウムテトラフルオロボレートTBABF4、リチウムトリフルオロメタンスルホネートLiOTf、カリウムトリフルオロメタンスルホネートKTf及びナトリウムトリフルオロメタンスルホネートNaTfを含む群から選択されてもよいが、それらに制限されるものではない。前記発光性活性層は、熱蒸着thermalevaporation、電子ビーム蒸着Ebeamevaporation、原子層蒸着atomiclayerdeposition、化学気相蒸着chemicalvapordeposition、スピンコーティングspincoating、ディップコーティングdipcoating、ドロップキャスティングdropcastingまたはスパッタリングsputteringによって形成することができる。また、前記発光性活性層も、電場補助ロボティックノズルプリンタを利用して、有機ワイヤ状に形成することにより、有機ワイヤ発光チャネルを形成することができる。図7Aないし図7Dは、本発明の他の一具現例による微細パターンの形成方法について、工程順序通りに説明するための断面図である。図7Aを参照すれば、基板311上にパターンを形成する物質からパターン形成層321を形成する。基板311は、特別に制限されるものではなく、乾式エッチングまたは湿式エッチングで変形されずに、耐えることができる材料であるならば、いずれも可能である。基板311は、例えば、ドーピングされたり、あるいはドーピングされていないシリコン、シリコン酸化物、シリコンチッ化物、SrTiO3、NbドーピングされたSrTiO3、ガラス、高分子、金属、またはその組み合わせなどが可能であるが、それらに制限されるものではない。パターン形成層321は、通常の有機高分子及び有機低分子、無機材料、有機/無機ハイブリッド材料からなる金属、伝導体、半導体またはアイソレータの薄膜、またはパターンであってもよい。パターン形成層321はまた、任意の0次元材料例:ナノサイズのII-VI半導体粒子CdSe、CdTe、CdSなどが中心coreをなす量子点半導体、フラーレン、グラフェン量子点、一次元材料例:炭素ナノチューブ、ナノワイヤ、ナノリボン、または二次元材料例:グラフェン、MoS2、六方晶系hexagonalBNを含んでもよい。パターン形成層321はまた、すでに形成されたフォトレジストパターンであってもよい。しかし、パターン形成層321は、それらに制限されるものではない。図7Bを参照すれば、パターン形成層321上に、前述のように円形または楕円形の断面を有している有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤ331を形成する。前記円形または楕円形の断面を有する有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤは、電場補助ロボティックノズルプリンティング、ダイレクトチップドローイング、メニスカスガイデッドダイレクトライティング、メルトスピニング、ウェットスピニング、ドライスピニング、ゲルスピニングまたは電気放射などを使用して、製造することができるが、それらに制限されるものではない。有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤ331の物質は、前記のような有機材料、すなわち、有機低分子半導体、有機高分子半導体、伝導性高分子、絶縁性高分子、そのブレンド、またはそれらと前述の無機材料との混合材料を使用することができるが、それらに制限されるものではない。有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤ331は、10nmないし100μm範囲の直径を有するように形成することができる。図7Cを参照すれば、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤ331をエッチングマスクとして使用して、パターン形成層321をエッチングする。エッチング工程は、乾式エッチングdryetchingまたは湿式エッチングwetetchingを利用することができる。乾式エッチング工程は、例えば、通常のガスプラズマエッチング工程、反応性イオンエッチングreactiveionetching工程、イオンビームミリングionbeammilling工程を使用することができるが、それらに制限されるものではない。湿式エッチング工程は、パターン形成層321の種類によって、適切なエッチング液etchantを選択して遂行される。例えば、無機物オキシドのエッチングに、BOEbufferedoxideetch溶液のように、フッ酸HFを含む溶液を使用することができ、シリコンのエッチングに、フッ酸と硝酸との混合溶液を使用することができる。クロムは、アンモニア硝酸塩溶液でエッチングが可能であり、金Auは、KIとI2との混合溶液でエッチングが可能である。Tiは、FeCl3溶液やMarblesreagent溶液通常50mlHCl:50ml脱イオン蒸溜水:10gCuSO4溶液でエッチングが可能である。エッチング液に過酸化水素水H2O2が含まれもする。図7Dを参照すれば、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤ331を除去し、パターン形成層321から最終パターン322を形成することができる。前述の方法のように、テーピング方法のように、接着テープの付着力を利用して、有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤ331を引き離して除去することができ、または有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤ331を選択的に溶媒に溶かして除去することができる。前述のように、本発明による微細パターン形成方法は、微細な間隔を有するパターン及び微細な直径を有するパターンを形成するのにいずれも適用されてもよい。本発明による微細パターン形成方法によって、金属、無機半導体、有機半導体またはグラフェン面素材graphenesheetからのマイクロリボンまたはナノリボン、または量子点素材、またはこれを利用した電子素子または光電子素子などを製造することができる。実施例1本発明の一実施例による微細パターンパターン形成方法によって、ナノ間隔を有する、金Auからなるパターンを製作した。まず、基板上に、高分子物質からなるナノワイヤマスクパターンを形成した。詳細には、まず、PVKポリN-ビニルカルバゾールをスチレンに溶解させ、PVK溶液を製造した。PVK溶液を、電場補助ロボティックノズルプリンタのシリンジに込め、ノズルに電圧を印加しながら、ノズルから前記PVK溶液を吐出させた。ロボットステージによって移動されるコレクタ上の基板上に、PVKナノワイヤマスクパターンを形成した。このときに使用したノズルの直径は、100μmであり、ノズルとコレクタとの距離は2.5mmであり、印加電圧は4kVであり、溶液の吐出速度は、500nl/minであった。ロボットステージのy軸方向の移動間隔は、50μmであり、x軸方向の移動距離は、15cmであった。ロボットステージのy軸方向の移動速度は1,000mm/minであり、x軸方向の移動速度は、8,000mm/minであった。x軸方向に伸びてy軸方向に約50μmの間隔を有し、約450nmの直径を有するナノワイヤマスクパターンを形成した。次に、前記ナノワイヤマスクパターンが形成された基板の全面に、熱蒸着方法によって金Au層を形成した。金層は、約100nm厚に形成した。そして、接着テープの付着力を利用した方法によって、基板からPVKナノワイヤマスクパターンを除去した。PVKナノワイヤマスクパターンは、基板と最小限の面積で接触しており、金層の厚みはPVKナノワイヤマスクパターンの直径より薄いので、PVKナノワイヤマスクパターンは、切れたり残ったりせずに、基板からきれいに除去される。基板からPVKナノワイヤマスクパターンが離れながら、前記PVKナノワイヤマスクパターン上の金層が共に除去され、ナノ間隔を有する金パターンが形成される。図8は、実施例1によって形成されたナノ間隔を有する金パターンのSEMscanningelectronmicroscopy写真である。図8のSEM写真で測定した結果ナノ間隔を有する金パターンの幅は、50μmであり、PVKナノワイヤマスクパターンの間隔と一致し、ナノ間隔を有する金パターンの間の平均間隔も、約460nmであり、PVKナノワイヤマスクパターンの直径とほぼ一致した。実施例2本発明の一実施例による微細パターンの形成方法によって、ナノ間隔を有する金からなる正方形パターンを製作した。まず、基板上に約460nmの太さと、約50μmの間隔とを有する高分子ナノワイヤマスクパターンの直交パターンを形成した。前記高分子ナノワイヤマスクパターンは、PVK物質から形成した。詳細には、実施例1で説明したように、まず、PVKをスチレンに溶解させてPVK溶液を製造した。前記PVK溶液を、電場補助ロボティックノズルプリンタのシリンジに込め、ノズルに4kVの電圧を印加しながら、ノズルから吐出させた。ロボットステージをx軸方向に移動させ、x軸方向のナノワイヤパターンを形成し、ロボットステージをy軸方向に移動させ、y軸方向のナノワイヤパターンを形成し、ナノワイヤマスク直交パターンを形成した。このとき、使用したノズルの直径は、100μmであり、ノズルとコレクタとの距離は、2.5mmであり、印加電圧は、4kVであり、溶液の吐出速度は、500nl/minであった。x軸方向のナノワイヤマスクパターンを形成するとき、ロボットステージのy軸方向の移動間隔は、50μmであり、x軸方向の移動距離は、15cmであった。このとき、ロボットステージのy軸方向の移動速度は1,000mm/minであり、x軸方向の移動速度は、8,000mm/minであった。同様に、Y軸方向のナノワイヤマスクパターンを形成するとき、ロボットステージのX軸方向の移動間隔は、50μmであり、Y軸方向の移動距離は、15cmであった。このとき、ロボットステージのX軸方向の移動速度は、1,000mm/minであり、Y軸方向の移動速度は、8,000mm/minであった。次に、前記高分子ナノパターンが形成された基板の全面に、熱蒸着方法によって金層を形成した。金層は、100nm厚に形成した。そして、有機溶媒内の音波処理方法によって、基板からPVKナノワイヤマスクパターンを除去した。有機溶媒としては、クロロホルムを使用した。基板からPVKナノワイヤマスクパターンが離れながら、前記PVKナノワイヤマスクパターン上の金層が共に除去され、金層のナノ間隔の正方形パターンが形成された。図9は、実施例2によって形成されたナノ間隔を有する金からなる正方形パターンのSEM写真scanningelectronmicroscopicmicrographである。図9のSEM写真で測定した結果、正方形金パターンの幅は、50μmであり、ナノワイヤマスクパターンの間隔と一致し、正方形金パターン間の平均間隔も、約460nmであり、ナノワイヤマスクパターンの直径とほぼ一致した。実施例3本発明の一実施例による微細パターン形成方法によって、ナノチャネル薄膜トランジスタを製作した。シリコンウェーハ上に、600μm幅と30nm厚とを有するチタンTiゲート電極を形成した。前記ゲート電極上に、原子蒸着法atomiclayerdepositionによって、50nm厚の酸化アルミニウムAl2O3ゲート絶縁膜を形成した。前記ゲート絶縁膜上に、ソースドレイン電極として、340nmの間隔と70nm厚とを有する金電極を形成した。ナノ間隔を有する金電極を形成するために、まず、チタンゲート電極と酸化アルミニウムゲート絶縁膜とが形成された基板上に、約350nmの直径と約5.5mmの間隔とを有するナノワイヤマスクパターンを形成した。前記ナノワイヤマスクパターンは、PVK物質から形成した。詳細には、前記実施例1で説明したように、まず、PVKをスチレンに溶解させてPVK溶液を製造した。前記PVK溶液を、電場補助ロボティックノズルプリンタのシリンジに込め、ノズルに電圧を印加しながらノズルから吐出させた。ロボットステージによって移動されるコレクタの基板上に、PVKナノワイヤマスクパターンを形成した。PVKナノワイヤマスクパターン上に、熱蒸着法によって金層を形成した。接着テープの付着力を利用した方法によって、基板からPVKナノワイヤマスクパターンを除去した。基板からPVKナノワイヤマスクパターンが離れながら、前記PVKナノワイヤマスクパターン上の金層が共に除去され、ナノ間隔を有する金からなる四角形パターンが形成された。このとき、使用したノズルの直径は、100μmであり、ノズルとコレクタとの距離は、2.5mmであり、印加電圧は、4kVであり、溶液の吐出速度は、500nl/minであった。ロボットステージのy軸方向の移動間隔は、5.5mmであり、x軸方向の移動距離は、15cmであった。ロボットステージのy軸方向の移動速度は、1,000mm/minであり、x軸方向の移動速度は、8,000mm/minであった。そして、前記ゲート絶縁膜と、前記ナノ間隔を有する金電極との上に、シャドーマスクを使用して、熱蒸着を介して、50nm厚のペンタセン活性層を形成した。図10A及び図10Bは、実施例3によって形成したナノチャネルペンタセン薄膜トランジスタのSEM写真である。図10AのSEM写真を参照すれば、シリコン基板上に、チタンゲート電極211が形成されており、ゲート電極211上に、基板全面に酸化アルミニウムゲート絶縁膜213が形成されている。ゲート絶縁膜213上に、ナノ間隔を有するソース金電極及びドレイン金電極221が形成されている。図10BのSEM写真は、図10AのSEM写真で、ソース金電極及びドレイン金電極221の間隔部分を拡大した写真である。図10BのSEM写真で、ソース金電極及びドレイン金電極221の間隔が約340nmであり、高分子ナノワイヤマスクパターンの厚みとほぼ一致した。図10A及び図10Bで、金電極221上のペンタセン活性層は、透明であって識別されない。図11は、実施例3によって形成したナノチャネルペンタセン薄膜トランジスタのドレイン電流対ゲート電圧のグラフである。図11のグラフから、特定ドレイン電圧に対して、ゲート電圧絶対値を増加させれば、ドレイン電流が増加するということと、特定ゲート電圧で、ドレイン電圧絶対値を増加させれば、ドレイン電流が増加するということとを確認することができる。図11のグラフから、ナノ間隔薄膜トランジスタの移動度が0.041cm2/Vsと測定され、トランジスタが安定して作動するということが分かる。実施例4本発明の一実施例による微細パターンの形成方法によって、ナノチャネル有機ナノワイヤトランジスタを製作した。実施例3では、ナノ間隔を有するソースドレイン電極上に、ペンタセンを全面蒸着して活性層を形成したが、本実施例では、ナノ間隔を有するソースドレイン電極上に、有機半導体ナノワイヤを形成することにより、活性層、すなわち、チャネルを形成した。100nm厚にシリコン酸化膜SiO2が形成されたp-ドーピングされたシリコンウェーハ上に、実施例3と同じ方法で340nmの間隔と、100nm厚とを有する金からなるナノ間隔のソースドレイン電極を形成した。このとき、p-ドーピングされたシリコンウェーハとシリコン酸化膜は、それぞれゲート電極及びゲート絶縁膜として使用された。ナノ間隔のソースドレイン電極上に、P3HTナノワイヤチャネルを形成した。P3HTナノワイヤチャネルを形成するために、まず、P3HTとポリエチレンオキシドPEO分子量~400,000を7:3重量比で混ぜた粉末を、クロロベンゼン:トリクロロエチレン=2:1重量比の混合溶液に溶解させ、P3HT溶液を製造した。P3HT溶液で、P3HTの濃度は、全体溶液に対して2.6重量であり、PEOの濃度は、1.1重量であった。P3HT溶液を、電場補助ロボティックノズルプリンタのシリンジに込め、ノズルに1.5kVの電圧を印加しながら、P3HT溶液をノズルから吐出させた。ロボットステージによって移動されるコレクタ上で、ゲート電極、ゲート絶縁膜及びソースドレイン電極が形成されたシリコンウェーハ上に、P3HTナノワイヤチャネルが形成された。このとき、使用したノズルの直径は、100μmであり、ノズルとコレクタとの距離は、5.5mmであり、印加電圧は、1.5kVであり、溶液の吐出速度は、200nl/minであった。ロボットステージのy軸方向の移動間隔は、5.5mmであり、x軸方向の移動距離は、15cmであった。ロボットステージのy軸方向の移動速度は、1,000mm/minであり、x軸方向の移動速度は、30,000mm/minであった。コレクタの大きさは、20cm×20cmであり、コレクタ上の基板の大きさは、8cm×8cmであった。図12は、実施例4で形成したナノチャネル有機ナノワイヤトランジスタのSEM写真である。図12を参照すれば、ナノ間隔を有するソース電極及びドレイン電極の上を横切る有機ワイヤチャネルが確認される。図12で、ソース電極及びドレイン電極の間隔部分を四角形で表示して拡大し、拡大した写真で、チャネル長channellengthに該当するソース電極及びドレイン電極の間隔が337.5nmであり、チャネル幅channelwidthに該当するP3HT:PEOナノワイヤの幅が309.0nmであるということを確認することができる。図13は、実施例4で形成したナノチャネル有機ナノワイヤ薄膜トランジスタのドレイン電流対ゲート電圧のグラフである。前記グラフから、電荷正孔の移動度が、0.0021cm2/Vsであり、オン/オフ電流の比が5.25x102であると計算された。実施例5本発明の一実施例による微細パターンの形成方法によって、ナノ間隔を有するグラフェンナノリボンからなるパターンを製作した。a単一層グラフェンの形成及び転写銅ホイルCu-foil9cm×15cmをチューブラ炉tubularfurnace内に装着し、90mtorrの圧力で、8sccmのH2を供給しながら、1,000°Cまで昇温させた後、30分間前記温度を維持し、前記銅ホイル上に銅グレーンを生成させた。その後、1,000°Cの温度で、460mtorrの圧力で、24sccmのCH4及び8sccmのH2を30分間供給した後、90mtorrの圧力で、8sccmのH2を供給しながら、室温まで冷却させ、前記銅ホイル上に単一層グラフェンmonolayergrapheneを形成した。その後、前記単一層グラフェン上に、ポリメチルメタクリレートPMMA層を接触させて加圧し、銅ホイル/単一層グラフェン/PMMA層のフィルムを形成した。形成された銅ホイル/単一層グラフェン/PMMA層のフィルムを、銅エッチング液である過酸化硫酸アンモニウムammoniumpersulfate水溶液2重量に5~6時間浸漬させた後、脱イオン水で洗浄して銅ホイルを除去することにより、単一層グラフェン/PMMA層のフィルムを修得した。次に、前記単一層グラフェンが、5インチシリコン基板の表面と接触するように、シリコン基板上に、前記単一層グラフェン/PMMA層を配置した後、約100°Cの温度下で、PMMA層の上部を加圧することにより、単一層グラフェンをシリコン基板上に転写した。一方、大面積シリコンにグラフェンは、YounbinLee外8人の共同研究者が発表したNanoLetters、10,490-4932010論文によって形成することができる。b有機ナノワイヤ形成a段階で形成されたシリコン基板上の単一層グラフェン上に、PVKナノワイヤマスクパターンを形成した。PVKナノワイヤマスクパターンは、実施例1で説明したところと同一の方法で形成した。c単一層グラフェンのパターニング酸素プラズマエッチング工程70mTorr、100W、3secを介して、PVKナノワイヤマスクパターンをエッチングマスクにして、単一層グラフェンを選択的にエッチングした。PVKナノワイヤマスクパターンをクロロベンゼン溶媒に溶かした後、音波処理を行い、基板からPVKナノワイヤマスクパターンを選択的に除去した。結果として、10nmの幅を有するグラフェンナノリボンを形成した。実施例6本発明の一実施例による微細パターンの形成方法によって、ナノチャネルを有するF8T2薄膜発光トランジスタを製作した。300nm厚に、シリコン酸化膜SiO2が形成されたp-ドーピングされたシリコンウェーハ上に、実施例3及び実施例4のような方法で、300nmの間隔と、100nm厚とを有する金からなるナノ間隔のソースドレイン電極を形成した。このとき、p-ドーピングされたシリコンウェーハとシリコン酸化膜は、それぞれゲート電極及びゲート絶縁膜として使用された。前記ナノ間隔のソースドレイン電極は、300nmの直径を有するPVKナノワイヤを、ナノワイヤマスクパターンとして利用して製作した。詳細には、前記実施例1で説明したように、まず、PVKをスチレンに溶解させ、PVK溶液を製造した。前記PVK溶液を、電場補助ロボティックノズルプリンタのシリンジに込め、ノズルに電圧を印加しながら、ノズルから吐出させた。ロボットステージによって移動されるコレクタの基板上に、PVKナノワイヤマスクパターンを形成した。PVKナノワイヤマスクパターン上に、熱蒸着法によって金層を形成した。接着テープの付着力を利用した方法によって、基板からPVKナノワイヤマスクパターンを除去した。基板から、PVKナノワイヤマスクパターンが離れながら、前記PVKナノワイヤマスクパターン上の金層が共に除去され、ナノ間隔を有する金からなるソースドレイン電極が形成された。このとき、使用したノズルの直径は、100μmであり、ノズルとコレクタとの距離は、2.5mmであり、印加電圧は、4.2kVであり、溶液の吐出速度は、500nl/minであった。ロボットステージのy軸方向の移動間隔は、5.5mmであり、x軸方向の移動距離は、15cmであった。ロボットステージのy軸方向の移動速度は、1,000mm/minであり、x軸方向の移動速度は、8,000mm/minであった。そして、前記ナノ間隔のソースドレイン電極上に、スピンコーティングspin-coatingを介して、F8T2薄膜チャネルを形成した。このとき、スピンコーティングに使用したF8T2溶液は、ジクロロベンゼンdichlorobenzeneに、F8T2を1重量溶解させ、イオン性ドーパントとして、TPABF4をF8T2の10ほど入れて製造した。スピンコーティングは、500rpmで5秒間遂行した後、2,000rpmで90秒間遂行した。図14は、実施例6で形成したナノチャネルF8T2薄膜発光トランジスタの光学顕微鏡写真である。図14で、ナノ間隔を有するソース及びドレイン間で光を出すF8T2チャネを確認することができる。"