気相成長装置の清浄度を評価する方法であって、厚み1000μm以上2000μm以下のシリコンウェーハを準備し、前記気相成長装置を用いて、前記シリコンウェーハ上にシリコンエピタキシャル層を成長させたモニタウェーハを作製し、前記モニタウェーハのライフタイム値を測定し、前記測定したモニタウェーハのライフタイム値から前記気相成長装置の清浄度を評価することを特徴とする気相成長装置の清浄度評価方法。請求項1に記載の気相成長装置の清浄度評価方法により評価した気相成長装置を用いて、シリコンエピタキシャルウェーハを製造することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。このWLT法は、簡便でありながら微量の汚染でも検出できるため、熱処理炉の汚染管理や気相成長装置エピ成膜装置の汚染管理に広く用いられている。特に気相成長装置の場合、P-やN-の導電型を持つシリコンウェーハを準備し、評価対象となる気相成長装置を用いてそのシリコンウェーハの上にシリコンエピタキシャル層を成膜し、そのエピタキシャルウェーハを上述のμPCD法でWLT値を測定することで気相成長装置の清浄度評価を行うことができる。しかしながら、ライフタイムモニタリング用のエピタキシャルウェーハ以下、モニタウェーハと呼ぶことがあるを用いてWLT法により気相成長装置の清浄度の評価を行っても、実際の清浄度が反映されていないことがあり、高感度に清浄度を評価できないという問題があった。本発明は、上記問題に鑑みなされたものであって、気相成長装置の清浄度を高感度で評価することができる清浄度評価方法を提供することを目的とする。本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、気相成長装置の清浄度を評価する方法であって、厚み1000μm以上2000μm以下のシリコンウェーハを準備し、前記気相成長装置を用いて、前記シリコンウェーハ上にシリコンエピタキシャル層を成長させたモニタウェーハを作製し、前記モニタウェーハのライフタイム値を測定し、前記測定したモニタウェーハのライフタイム値から前記気相成長装置の清浄度を評価することを特徴とする気相成長装置の清浄度評価方法を提供する。このように、モニタウェーハの基板となるシリコンウェーハとして1000μm以上2000μm以下の厚みを有するものを用いることにより、モニタウェーハにおける少数キャリアの再結合のうち、表面再結合の割合を小さくすることができる。その結果、ウェーハライフタイムの検出上限値を上げることができるので、気相成長装置の清浄度を高感度で評価することができる。また、本発明は、上記の気相成長装置の清浄度評価方法により評価した気相成長装置を用いて、シリコンエピタキシャルウェーハを製造することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。このようにしてシリコンエピタキシャルウェーハを製造すれば、汚染の少ない高品位なエピタキシャルウェーハを歩留まり良く製造することが可能となる。本発明に係る気相成長装置の清浄度評価方法によれば、ウェーハライフタイムの検出上限値を上げることができるので、気相成長装置の清浄度を高感度で評価することができる。そのため、不純物汚染レベルが低い場合であっても高感度に正確に評価できる。また、本発明に係る方法で汚染がないことを評価した気相成長装置でシリコンエピタキシャルウェーハを製造することにより、汚染の少ない高品位なシリコンエピタキシャルウェーハを歩留まりよく製造することができる。以下、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。上記のように、従来通りにモニタウェーハを用いてWLT法により気相成長装置の清浄度の評価を行っても、高感度に清浄度を評価できないという問題があった。本発明者は、上記問題点について検討を重ねた。モニタウェーハにおいて、少数キャリアが拡散し表面に到達すると、そこで表面再結合してしまう。この表面再結合の割合が高くなると、正確なウェーハライフタイムが測定できない。それならば、表面再結合の割合を少なくするためにウェーハの厚みを厚くすればいいのではないかと考え、本発明に至った。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。図1に、本発明に係る気相成長装置の清浄度評価方法の概略を示した。本発明の気相成長装置の清浄度を評価する方法では、まず、図1aに示したように、モニタウェーハの基板となる、厚み1000μm以上2000μm以下のシリコンウェーハを準備する。厚みをこのような範囲とする詳細な理由は後述する。また、ここで準備するシリコンウェーハの直径、面方位、導電型、及び抵抗率等は特に制限されない。次に、図1bに示したように、評価対象の気相成長装置を用いて、準備したシリコンウェーハ上にシリコンエピタキシャル層を成長させたモニタウェーハを作製する。図2に、2層からなるモニタウェーハエピタキシャルウェーハの構造を示した。モニタウェーハ10は、シリコンウェーハ11及びシリコンエピタキシャル層12からなる。シリコンエピタキシャル層12も、その直径、面方位、導電型、及び抵抗率等は特に制限されない。次に、図1cに示したように、作製したモニタウェーハのライフタイム値を測定する。ウェーハライフタイム値の測定方法は、公知の方法によることができ、特に制限されないが、簡単に測定を行えるμPCD法で行うことが好ましい。次に、図1dに示したように、測定したモニタウェーハのライフタイム値から評価対象の気相成長装置の清浄度を評価する。モニタウェーハのシリコンエピタキシャル層に不純物、特に金属が取り込まれるとライフタイム値が小さくなる。そのため、評価対象となる気相成長装置を用いてモニタウェーハを製造した結果、そのモニタウェーハが汚染されてライフタイム値が小さくなっている場合には、気相成長装置の清浄度が低いと評価できる。逆に、ライフタイム値の減少が小さければ、気相成長装置に由来するモニタウェーハの汚染は少ないと評価でき、気相成長装置の清浄度は高いと評価できる。以下では、本発明において準備する厚いシリコンウェーハの厚みを1000μm以上2000μm以下とする理由を具体的に説明する。ウェーハライフタイムは測定されるウェーハの厚みに強く影響される。その理由は、ウェーハ表面でのキャリア再結合のためである。上述のようμPCD法では、光によって少数キャリアを励起させる。その少数キャリアはウェーハ内を拡散し、やがてウェーハの汚染量に応じたライフタイムで再結合し消滅する。しかし、ウェーハの厚みが少数キャリアの拡散長に比べ小さい場合、励起された少数キャリアの多くがウェーハ内部で再結合する前に表面にまで達してしまう。この場合、ウェーハの汚染レベルに関係なく、ある表面再結合速度に応じて表面でキャリアの再結合が起きる。従来のライフタイムモニタリング用のエピタキシャルウェーハモニタウェーハの構造は、直径200mmあるいは300mmのウェーハで700μm程度の厚みを有する、基板となるシリコンウェーハの上に、10μm程度のシリコンエピタキシャル層を成膜したものである。この場合、少数キャリアの拡散長に比べウェーハの厚みが小さいため、励起された少数キャリアがウェーハの表面まで簡単に達してしまう。そのため、ウェーハ表面でのキャリア再結合成分が多く含まれ、必要としているモニタウェーハ内部バルク部のライフタイム情報が薄まってしまう。この問題は、シリコン中での拡散速度が大きい金属不純物元素例えば、Fe、Cuに特に顕著である。シリコンウェーハ中の少数キャリアの拡散長は以下の式で表される。L=√D×τL:少数キャリアの拡散長D:少数キャリアの拡散係数τ:ライフタイムシリコン中における少数キャリアの拡散係数はおおよそ、正孔ホールの場合約12.5cm2/secであり、電子の場合約35.5cm2/secである。ライフタイムが1000μsecの場合、拡散長は1000~2000μmとなる。モニタウェーハの厚みが、この拡散長と同程度かそれより長ければ、ウェーハ表面に拡散する少数キャリアの成分が少なくなり、表面再結合するキャリアも少なくなる。その結果、モニタウェーハ内部で再結合するキャリアの割合が増え、高感度に汚染を検出できるようになる。また、基板となるシリコンウェーハの厚みは2000μm以下とする。基板となるシリコンウェーハの厚みが厚ければ厚いほど、表面再結合する割合は少なくなり、汚染に関する情報成分は多くなる。しかしながら、厚くすると経済的に無駄が生じる。さらに、気相成長装置で用いられるウェーハ搬送装置も、あまりウェーハの厚みが厚いと搬送できなくなる。このような理由により、基板となるシリコンウェーハの厚みは、キャリアの拡散長と同程度の2000μm以下の厚みとする。以上のような理由により、本発明では、モニタウェーハのウェーハライフタイムにおける表面再結合による寄与を小さくするため、基板となるシリコンウェーハの厚みを厚く、具体的には1000μm以上2000μm以下とする。一方、基板となるシリコンウェーハ上に形成するシリコンエピタキシャル層の厚みは特に限定されず、必要に応じて設定することができる。例えば、従来のように1~20μm程度、典型的には10μm程度の薄いシリコンエピタキシャル層であっても、基板となるシリコンウェーハの厚みが1000μm以上2000μm以下と十分に厚いので、モニタウェーハ全体の厚みを、キャリアの表面再結合の影響を小さくするためには十分なものとすることができる。さらに、以上のような本発明の気相成長装置の清浄度評価方法により評価した気相成長装置を用いて、シリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる。本発明に係る清浄度評価方法で汚染がないことを評価した気相成長装置でシリコンエピタキシャルウェーハを製造することにより、汚染の少ない高品位なシリコンエピタキシャルウェーハを高歩留まりで製造することができる。特に、シリコン中での拡散速度が大きい金属の汚染が十分に反映された評価に基づいて、シリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる。以下、実施例及び比較例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、これらは本発明を限定するものではない。実施例まず、シリコンウェーハとして、直径が200mm、抵抗率が10Ωcm、厚みが1500μmのP型シリコンウェーハを多数枚準備した。次に、評価対象の気相成長装置を大気開放し、いわゆるメンテナンス作業を行った。なお、一般に、メンテナンス作業を行うと気相成長装置の反応器内が若干汚染され、メンテナンス後から、汚染源がほとんど除去されて汚染による影響がほぼ無くなる汚染が枯れるまで数日間を要する。このように、メンテナンス作業を行った気相成長装置を準備し、この装置を使って、上記のように準備したシリコンウェーハの上に、抵抗率10ΩcmのP型シリコンエピタキシャル層を10μm堆積し、一日一枚の頻度でモニタウェーハを作製した。なお、モニタウェーハを作製していない間は、シリコンエピタキシャル層の成長を行うのと同じシーケンスで気相成長装置の加熱を行い、汚染源を除去する処理を行い続けた。このようにして作製したモニタウェーハについて、ケミカルパッシベーションによる表面処理を行い、μPCD法によるウェーハライフタイム測定装置を使用して、ウェーハライフタイム値を測定した。図3中に、実施例におけるウェーハライフタイム値の日間推移を示した。メンテナンス直後に作製したモニタウェーハでは、ウェーハライフタイム値は約800μsecであるが、その後日数の経過と共にウェーハライフタイム値は高くなり、ほぼ10日目で4500μsec程度まで増加した。比較例次に、比較例として、シリコンウェーハの厚みが従来のように薄い1000μm未満モニタウェーハを作製する例を示す。まず、シリコンウェーハとして、直径が200mm、抵抗率が10Ωcm、厚みが725μmのP型シリコンウェーハを多数枚準備した。実施例と同じメンテナンス作業を行った気相成長装置を準備し、メンテナンス後からの経過時間が実施例のモニタウェーハ作製と同じときに、比較例のモニタウェーハを作製した。このモニタウェーハ作製の際の条件は、シリコンウェーハの上に、抵抗率10ΩcmのP型シリコンエピタキシャル層を10μm堆積するというものである。このようにして作製したモニタウェーハについて、ケミカルパッシベーションによる表面処理を行い、μPCD法によるウェーハライフタイム装置を使ってウェーハライフタイム値を測定した。図3中に、比較例におけるウェーハライフタイム値の日間推移を示した。メンテナンス直後に作製したモニタウェーハでは、ウェーハライフタイム値は約800μsecであるが、その後日数の経過と共にウェーハライフタイムは高くなり、ほぼ2日目で1800μsec程度に落ち着いた。その後、10日目まで大きな変化は無かった。実施例と比べると、比較例では2日目以降、汚染レベルには変化がないように見える。これはすなわち、比較例は2日目以降の汚染レベルの低減が検出できていないことを示している。つまり、実施例の方が不純物の検出能力が高いことが確認された。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。