酸化アルミニウムの結晶相、およびチタン酸アルミニウムの結晶相を含有するセラミック体と、前記セラミック体の表面に設けられた、酸化珪素を主成分として含む絶縁層とを有する絶縁層付きセラミック構造体であって、前記セラミック体は、前記絶縁層によって被覆された第1表面部分を備える第1の領域と、前記第1の領域以外に配置された、表面抵抗率が1×106~1×109Ω/□である第2の領域とを有し、前記第1の領域の表面抵抗率は、前記第2の領域の表面抵抗率よりも高いことを特徴とする絶縁層付きセラミック構造体。前記セラミック体は、一方端面と、他方端面と、前記一方端面および前記他方端面の間を貫通した貫通孔とを有する円筒形状であり、前記第1の領域が、前記セラミック体の外周面の、前記一方端面および前記他方端面の間の中央領域に配置され、前記第2の領域は、前記セラミック体の前記一方端面および前記他方端面の間で前記貫通孔の内周面を経て連続していることを特徴とする請求項1に記載の絶縁層付きセラミック構造体。前記セラミック体は、化学等量より酸素量が少ないチタン酸アルミニウム結晶相である酸素欠乏チタン酸化物を含み、前記酸素欠乏チタン酸化物は、前記第1の領域に比べて、前記第2の領域により多く含まれていることを特徴とする請求項1に記載の絶縁層付きセラミック構造体。前記第1の領域の体積固有抵抗は、前記第2の領域の体積固有抵抗に比べて大きいことを特徴とする請求項1に記載の絶縁層付きセラミック構造体。前記セラミック体は、前記第2の領域の表面から内部に向かって、前記酸素欠乏チタン酸化物が減少していることを特徴とする請求項1に記載の絶縁層付きセラミック構造体。請求項2に記載の絶縁層付きセラミック構造体と、前記セラミック体の前記一方端面に被着された第1の接合層と、前記第1の接合層を介して前記一方端面に接合された第1の金属体と、前記セラミック体の前記他方端面に被着された第2の接合層と、前記第2の接合層を介して前記他方端面に接合された第2の金属体とを有することを特徴とする金属体付きセラミック構造体。請求項6に記載の金属体付きセラミック構造体と、前記金属体付きセラミック構造体の前記貫通孔を通過するように荷電粒子線を出射する荷電粒子線出射手段と、前記第1の金属体と前記第2の金属体とに接続された、前記第1の金属体と前記第2の金属体との間に前記荷電粒子線を加速するための電位差を与えるための電圧印加手段とを備えることを特徴とする荷電粒子線出射装置。酸化アルミニウムを主成分とする第1の粉末と、チタン酸アルミニウムを主成分とする第2の粉末との混合物を成形し、得られた成形体を焼成した後、得られた焼成体の表面の一部に、酸化珪素を主成分として含む還元抑制層を形成し、得られた還元抑制層付き焼成体を還元雰囲気にて還元焼成することで、前記還元抑制層が焼成された、酸化珪素を主成分として含む絶縁層と、酸化アルミニウムの結晶相およびチタン酸アルミニウムの結晶相を含有するセラミック体とを有する絶縁層付きセラミック構造体であって、前記セラミック体が、前記絶縁層によって被覆された第1表面部分を備える第1の領域と、前記第1の領域以外に配置された、表面抵抗率が1×106~1×109Ω/□である第2の領域とを有し、前記第1の領域の表面抵抗率が、前記第2の領域の表面抵抗率よりも高い絶縁層付きセラミック構造体を得ることを特徴とする絶縁層付きセラミック構造体の製造方法。以下に、添付の図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。図1aは、本発明の金属体付きセラミック構造体の一実施形態である、荷電粒子加速用部材10以降、加速部材10とするの概略斜視図であり、図1bは加速部材10の概略概略図である。加速部材10は、本発明の絶縁層付きセラミック構造体の一実施形態である、絶縁層付きセラミック構造体11以降、セラミック構造体11とすると、第1の金属体14aと、第2の金属体14bとを備えて構成されている。セラミック構造体11は、セラミック体12と絶縁層15とを備えている。セラミック構造体11と第1の金属体14aとは、第1の接合層18aを介して接合されており、セラミック構造体11と第2の金属体14bとは、第2の接合層18bを介して接合されている。セラミック体12は、酸化アルミニウムの結晶相、およびチタン酸アルミニウムの結晶相を含有する。なお、セラミック体は、酸化アルミニウムの結晶相を含有するのみでなく、第3遷移元素Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Znおよび第4遷移元素Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cdから選ばれた少なくとも1種以上の特定遷移元素の酸化物をさらに含有するものであってもよい。セラミック体12は、絶縁層15によって被覆された第1の領域13aと、第1の領域13a以外に配置された、表面抵抗率が1×106~1×109Ω/□である第2の領域13bとを有する。第1の領域13aの表面抵抗率は、第2の領域13bの表面抵抗率よりも高い。セラミック体12は、一方端面12Aと、他方端面12Bと、一方端面12Aおよび他方端面12Bの間を貫通した貫通孔17とを有する円筒形状である。第1の領域13aは、セラミック体12の外周面12Cの、一方端面12Aおよび他方端面12Bの間の中央領域に配置され、第2の領域13bは、セラミック体12の一方端面12Aおよび他方端面12Bの間で貫通孔17の内周面を経て連続している。絶縁層15は、酸化珪素を主成分とした層であり、表面抵抗率および体積固有抵抗が、第1の領域13aより高くなっている。絶縁層15が被覆された状態で、第1の領域13aと絶縁層15とを合わせた表面抵抗率は、例えば1×1010~1×1014Ω/□となっている。なお、本明細書における表面抵抗率の大きさは、例えばAgilent社製HighResistanceMeter4339Bを用い、印加電圧DC1kVの条件で測定した値である。セラミック体12は、第1の領域13aも第2の領域13bも、比較的高い表面抵抗率を有し、例えば第1の金属体14aおよび第2の金属体14bの間に比較的高い電圧を印加した場合であっても、セラミック体12の表面を流れるリーク電流は小さくされている。また、本実施形態のセラミック体12は、第1の領域13aに比べて表面抵抗率が低い第2の領域13bが、貫通孔17の内面に露出し、セラミック体12の一方端面12Aおよび他方端面12Bの間で貫通孔17の内周面を経て連続している。すなわち、貫通孔17の内周面の全体には、適度な導電性を有する第2の領域13bが露出しており、この第2の領域13bが、一方端面12Aに設けられた金属体14Aと電気的に接合するとともに、他方端面12Bに設けられた金属体14Bと電気的に接続している。このため、貫通孔17の内周面に到達した陽イオンや電子による電荷は、貫通孔17の内周面に長時間留まることなく、比較的早く金属体14aまたは金属体14bまで移動し、金属体14aまたは金属体14bからごく微量な電流として逃げていく。このため、例えばセラミック体12の貫通孔17に荷電粒子を通した場合でも、この荷電粒子によって発生したイオン等が、セラミック体12の貫通孔17の内周面に到達して長時間留まり、貫通孔17の内周面に大きな電荷が蓄積されることが抑制されている。セラミック体12は、また、第1の領域13aが、セラミック体12の外周面の、一方端面12Aおよび他方端面12Bの間の中央領域に配置され、第1の領域13aは絶縁層15によって被覆されている。加速部材10は例えば、貫通孔17に荷電粒子を通してこの荷電粒子を加速する、荷電粒子線出射装置の加速部材等に用いられる。セラミック体12の外周面は、貫通孔17の内周面に比べて、真空度が低い雰囲気に曝されることが多い。セラミック体12の外周面に水分や気体分子が付着すると、その部分で抵抗率が極端に低減して、外周面に露出した第1の領域13aの表面を介してリーク電流が流れることがある。セラミック体12では、第1の領域13a全体が絶縁層15で被覆されており、水分やガス分子などの不純物が付着することが抑制されており、水分やガスに起因した外周面でのリーク電流が抑制されている。このように、セラミック体12を備えて構成された加速部材10では、第1の金属体14aおよび第2の金属体14bの間に比較的高い電圧を印加した場合であっても、セラミック体12の表面の帯電を抑制することができ、帯電による絶縁破壊に伴うリーク電流も抑制することができる。本実施形態のセラミック体12は、アルミニウムAlをAl2O3換算で68~98質量含有し、かつチタンTiを酸化物換算で2~32質量含有している。セラミック体12は、酸化アルミニウムを主成分とする結晶相21a図3を参照、およびチタン酸アルミニウムを主成分とする結晶相21b図3を参照をそれぞれ含んで構成されている。ここで、チタン酸アルミニウムまたは酸化チタンに含まれるチタンは、平均の原子価が4未満であることが好ましい。チタン酸アルミニウムおよび酸化チタンは、完全に酸化された状態、例えば化学式でAl2TiO5、TiO2からなる場合は、通常絶縁体であるが、チタンの原子価が4以下酸素欠乏チタン酸化物であると電気抵抗が低下する。セラミック体12において、第1の領域13aおよび第2の領域13bは、チタンの原子価が4以下酸素欠乏チタン酸化物である結晶相が含有されており、セラミック体12は半導電性とされている。また、セラミック体12は、α-アルミナ酸化アルミニウムをアルミナともいうを主成分とし、半導電性結晶としてチタン酸アルミウムAl2TiO5-xxは0より大きく5より小さいの結晶相を含むことがさらに好ましい。この場合には、絶縁破壊し難いα-アルミナを主成分とするので、セラミック体12がより絶縁破壊しにくくなる。ここで、耐絶縁性を向上するには、セラミック体12に含まれるα-アルミナは70~85質量、チタン酸アルミニウムAl2TiO5-xが15~30質量であることが好ましい。第1の領域13aと第2の領域13bとは、酸素欠乏チタン酸化物の含有割合が異なっており、第1の領域13aに対して第2の領域13bの方が、酸素欠乏チタン酸化物の含有割合がより多くなっている。第2の領域13bは、例えば、還元雰囲気下での熱処理を経て形成することができる。即ち、チタン酸アルミニウム粉末をアルミナ粉末に含めたものを成形、焼成することで形成された、第1の領域13aと同様の表面部分について、Al2TiO5やAl2TiO5-xを還元雰囲気でさらに熱処理して、酸素欠乏チタン酸化物の割合を多くすることで、第2の領域13bを形成することができる。還元は、表面から内部に向けて進行するので、セラミック体12の表面から内部に向けて、酸素欠乏チタン酸化物の含有量が漸減している。酸素欠乏チタン酸化物の含有量は、例えばX線回折またはオージェ電子分光分析によって、焼結体内のTi4量とTi3量との合計を求めることで、確認することができる。セラミック構造体11は、例えば以下のように製造することができる。図2a~cは、セラミック構造体11の製造方法の一実施形態について説明する概略断面図である。まず、高純度のアルミナ粉末68~99質量と、酸化チタン粉末1~32質量とを秤量し、水とともにボールミルにて混合、粉砕する。アルミナ粉末は、純度99質量以上で、平均粒径が0.3~1μmのアルミナ粉末を用いることが好ましい。得られたスラリーに有機バインダーを添加し、噴霧乾燥して顆粒を作製する。得られた顆粒をプレス成形、CIP冷間等方加圧成形などの公知の方法で成形して、図2aに示すような、略円筒状の生成形体30を作製する。成形圧は最大で80~200MPaの範囲内であることが好ましい。続いて、加工した生成形体を約1400~1600°Cで焼成してセラミック焼結体32を作製する。このセラミック焼結体32は、アルミナの結晶相とチタン酸アルミニウムの結晶相とを含んでいる。この焼成では、生成形体が収縮を開始する温度から最高温度までの昇温速度と、最高温度から結晶の粒成長が止まるまでの降温速度とを制御し、アルミナ結晶の粒界にチタン酸アルミニウム結晶を分散させることが好ましい。このようにして得られたセラミック焼結体32は、遷移元素であるTiが、内部に比べて表面により多く分布している。次に、このセラミック焼結体32の表面に、絶縁層15の前駆体である釉薬を塗布し、この釉薬からなる還元抑制層19を形成する。釉薬としては、例えば、高純度のSiO2粒子をバインダと混合させたペースト状のものを用いればよい。次に、この還元抑制層19が設けられたセラミック焼結体32を、還元雰囲気中で熱処理する。この際、水素、窒素、あるいはアルゴンなどの還元雰囲気において、1000~1500°Cでの熱処理を行う。この還元処理により、図2cに示すように、酸化珪素を主成分として含む絶縁層15図2bに示す還元抑制層19が焼成された層と、酸化アルミニウムの結晶相およびチタン酸アルミニウムの結晶相を含有するセラミック体12とを有する絶縁層付きセラミック構造体11を得ることができる。本実施形態の製造方法によれば、表面抵抗率が1×106~1×109Ω/□である第2領域と、第2領域に比べて表面抵抗率がより高い、絶縁層によって被覆された第1の領域を備えるセラミック体を、比較的安価に製造することができる。なお、本発明者は、実験によって、絶縁層15が被着されている領域についても、条件によっては、還元雰囲気による再焼成によって表面低効率が低減することを確認している。すなわち、釉薬層などの還元抑制層を設けても、この還元抑制層を介して還元を進行させ、還元抑制層下の領域も表面抵抗率を低減させることができる。図3を参照し、第1の接合層18aおよび第2の接合層18bの構成について説明しておく。図3は、第1の接合層18aの近傍を拡大して示す図である。なお、第2の接合層18bの構成は、第1の接合層18aと同様の構成となっている。本明細書では、第1の接合層18aについて説明する。金属層18aは、第1の層22、第2の層24、第3の層26、および第4の層28を有して構成されている。第1の層22はTiを含有し、セラミック体12の表面に接合している。この第1の層22の表面には、Ag、Cu、およびTiとを含む第2の層24が積層している。第1の層22におけるチタンTiの含有割合は、第2の層24のチタンの含有割合に比べて高い。第1の層22および第2の層24は、例えば、従来周知の厚膜ペースト法を用いて形成することができる。具体的には、例えば、銀Agの粉末と銅Cuの粉末とチタンTiの粉末とを所定量計量し、エチルセルロースなどのバインダーをテルピネオールなどの有機溶剤で溶剤したビヒクルと、上記の各粉末とをミキサーで混合し、ペーストAg-Cu-Tiろうう材を作製する。作製したこのAg-Cu-Tiろう材を、スクリーン印刷などでセラミック体12の一方端面12Aに塗布し、真空雰囲気で焼成して、第1の層22および第2の層24を形成すればよい。ペーストにおける銀粉末と銅粉末とチタン粉末との配合割合は、例えば、銀Agと銅CuとチタンTiとが、不可避不純物以外た合計100質量となるように、銀Agを50~90質量、銅Cuを10~50質量、チタンTiを3.0~9.0質量の範囲内で混合させて用いることが望ましい。第1の層22および第2の層24を形成するためのAg-Cu-Tiろう材は、融点が800~850°Cと比較的低く、第1の層22および第2の層24を形成する際の温度を比較的低く抑えることができる。第1の層22および第2の層24を、Ag-Cu-Tiろう材を用いて形成した場合、セラミック体12の焼成温度に対し、十分に低い温度でろう材層を形成することができる。加速用部材10では、第2の層24のチタンの含有割合に比べて、この第1の層22におけるチタンの含有割合が高い。第1の層22は、セラミック体12の表面に設けたAg-Cu-Tiろう中のチタン成分と、セラミック体12に含まれるチタン成分が、セラミック体12とAg-Cu-Tiろうとの境界部分に集中して形成された層である。このチタンを主成分とする第1の層22は、セラミック体12との接合強度が高い。チタンが含有されたこの第1の層22によって、セラミック体12と金属体14との接合強度が高くされている。第2の層24は、第1の層22と同時焼成されて形成された層であり、ペースト中のチタン成分が第1の層22に偏析することで、チタン成分の含有割合は比較的少なくされている。本実施形態のセラミック体12は、チタン酸アルミニウムの結晶相21bを含んでいる。このチタン酸アルミニウムの結晶相21bは、セラミック体12の表面にも露出している。すなわち、セラミック体12と第1の層22との境界面においても露出している。第1の層22に多く含まれるチタンTi成分は、チタン酸アルミニウム結晶相21bと結合する。加速部材10では、セラミック体12の一方端面12Aのチタン酸アルミニウム結晶相21bと、第1の層22のチタンとが良好に結合し、セラミック体12と第1の層22とが強固に接合されている。かかる第1の層22では、チタンの含有割合が、6~12質量となっている。なお、チタンの含有割合質量は、例えば走査型電子顕微鏡装置を用いて行う、従来公知のEDSエネルギー分散型X線分析法によって求めることができる。例えば、EDAX社製PHOENIXを用い、加速電圧15kVで各原子に対応するスペクトルを求め、各原子に対応するスペクトル強度から算出することができる。第3の層26は、例えばニッケルNiメッキを主成分として構成されている。チタンなどの遷移金属は反応性に富み、ニッケルや金や銅といったメッキ材料と反応して化合物を形成する。第2の層26の表面にNiメッキを施すことで、第1の層に含有されるチタンが、第3の層26にも含有されるとともに、第2の層24と第3の層26との界面部分でチタン化合物を主成分とする結合層を構成する。第3の層26は、この結合によって、第2の層24と比較的強固に接合している。第3の層を形成するには、ニッケルメッキのみに限らず、金メッキ、銅メッキ等を用いてもよい。第3の層はニッケル、銅、および金のうち少なくとも1種と、チタンとを含んでいればよい。第4の層28は、例えば、銀Agを50~90質量、銅Cuを10~50質量、チタンTiを3~9質量含有するAg-Cu-Tiろう材層で構成されている。第3の層28に含まれるニッケルは、第4の層28に含まれるチタンとも反応して化合物を形成し、第3の層26と第4の層28とが強固に接合されている。また、第4の層28を構成するAg-Cu-Tiろう材は、融点が800~850°Cと比較的低く、第4の層28を形成する際の温度を比較的低く抑えることができる。第4の層28としてAg-Cu-Tiろう材を用いた場合、セラミック体12の焼成温度に対し、十分に低い温度でろう材層を形成することが可能であり、セラミック体12の機械的強度や導電性が、ろう付け工程において変動することが抑制される。なお、第1の層22や第4の層28を構成するろう材は、上記Ag-Cu-Tiろう材のみに限定されず、例えば、Ag-Cuろう、Cuろう、Ag-Pdろう、Au-Cuろう、Au-Pdろう、Pt-Cuろう、Pt-Pdろう、Alろう、Au-Snろう、Ag-Cu-Inろう、Cu-Tiろう、Ag-Pd-Tiろう、Pt-Cu-Tiろう、Pt-Pd-Tiろう、などを用いてもよい。本実施形態の加速部材10では、セラミック体12と電極14a、14bとが、比較的高い接合強度で接合されている。図4は、本発明の荷電粒子線出射装置の一実施形態を説明する概略断面図である。図4に示すように、荷電粒子線出射装置100は、加速部材10と、加速部材10の貫通孔17を通過するように荷電粒子線を出射する荷電粒子線出射手段101と、加速部材10の第1の金属体14aと第2の金属体14bとに接続された、第1の金属体14aと第2の金属体14bとの間に荷電粒子線を加速するための電位差を与えるための電圧印加手段と106とを備えて構成されている。荷電粒子線出射手段101の少なくとも一部および加速部材10は、容器103の内部に配置される。容器103は、例えば、真空チャンバであり、容器103の内部には、荷電粒子が到達する位置に対象物Pが配置される。対象物Pは、例えばステージS上に配置されてもよい。荷電粒子線出射手段101は、例えば公知の電子銃であり、加速部材10は、電極14aおよび14bの間に印加された電圧によって、荷電粒子線出射手段101から出射した電子を加速する。加速部材10は、セラミック体12の第1の領域13aおよび第2の領域13bが、比較的高い体積固有抵抗を有し、例えば電極14aと電極14bとの間に比較的高い電圧を印加した場合であっても、セラミック体12の内部を流れるリーク電流の発生が抑制されている。また、第1の領域13aおよび第2の領域13bは、いずれも表面抵抗率が比較的高くされており、電極14aと電極14bとの間に比較的高い電圧を印加した場合であっても、セラミック体12の表面を流れるリーク電流が抑制されている。加速部材10は、セラミック体12の外側表面に絶縁層15が被着されており、セラミック体12の外側表面に、水分やガス分子などの不純物が付着することが抑制されている。加速部材10では、水分やガスに起因したセラミック体12表面外側表面のリーク電流も抑制されている。なお、このような荷電粒子線出射装置では、セラミック体12の貫通孔17内を通過する荷電粒子線によって電離した陽イオンや電子が、セラミック体12の貫通孔17の内周面に到達することがある。貫通孔17の内周面が例えば高純度のアルミナで、表面抵抗率が高すぎる場合、到達した陽イオンや電子が動かずに帯電し、ある一定以上の電荷が溜まった際に、大電流が一気に電極側に流れる場合がある。本実施形態の荷電粒子線装置101では、セラミック体12の貫通孔17の内周面に、表面抵抗率が1×106~1×109Ω/□と比較的低い第2の領域が配置されており、セラミック体12の表面の帯電が抑制されている。かかるセラミック体12を備える荷電粒子線出射装置100では、チャージアップに伴って発生する過大電流や、表面の漏れ電流に伴う、動作不良が比較的少ない。このような荷電粒子線出射装置100は、例えば電子顕微鏡における電子銃や、電子ビーム露光装置における電子銃などとして用いることができる。また、本発明の絶縁層付きセラミック構造体は、例えばX線管用の絶縁碍子や、真空スイッチ用の碍子、また、荷電粒子線の方向を制御する静電偏向部材など、比較的高電圧が印加される種々の装置に用いることができる。このような比較的高電圧が印加される用途に用いられた場合でも、絶縁破壊し難く、適用した装置の動作信頼性を高くすることができる。セラミック構造体における、第1の領域や第2の領域の配置や形状は、印加される電圧分布や、電流発生を抑制したい箇所などに応じて適宜設定すればよい。次に、表面抵抗率が1×106~1×109Ω/□である第2の領域と、第2の領域の表面抵抗率よりも高い表面抵抗率を有する第1の領域とを有するセラミック体の他の例であるセラミック体112を用いた金属体付きセラミック構造体111以降、セラミック構造体111という、およびこのセラミック構造体111の製造方法について説明する。図5は、セラミック構造体111の概略断面図である。セラミック構造体111は、セラミック体112と、セラミック体112の一方端面112Aに接合された第1の金属体114aと、セラミック体112の他方端面112Bに接合された第2の金属体114bとを備えて構成されている、セラミック体112は、上記実施形態のセラミック体12と同様、酸化アルミニウムの結晶相、およびチタン酸アルミニウムの結晶相を含有する。セラミック体112は、表面抵抗率が1×1010~1×1014Ω/□である第1の領域113aと、表面抵抗率が1×106~1×109Ω/□である第2の領域113bとを有する。第2の領域113bは、セラミック体112の貫通孔117の内周面の両端部に配置されており、第1の領域113aは、セラミック体112の貫通孔117の内周面の、一方端面112Aおよび他方端面112Bの中央領域に配置されている。セラミック体112の貫通孔117の内周面において、一方端面112A側の第2の領域113bと、他方端面112B側の第2の領域113bとは、第1の領域113aによって分断された状態となっている。この例では、貫通孔117の内周面全体が第2の領域113bとなっている場合に比べて、第1の金属体114aと第2の金属体114bとの間に電圧が印加された場合に定常的に流れるリーク電流が小さくされている。また、このようなセラミック体112を荷電粒子線出射装置の加速部材として用いた場合など、セラミック体112内を通過する荷電粒子線によって電離した陽イオンや電子が、セラミック体112の貫通117の内周面に到達することがある。貫通孔117の内周面が例えば高純度のアルミナで、表面抵抗率が高すぎると、到達した陽イオンや電子が動かずに帯電し、ある一定以上の電荷が溜まった際に、大電流が一気に電極側に流れる場合がある。本例のセラミック体112では、貫通孔117の内周面に、表面抵抗率が1×1010~1×1014Ω/□である第1の領域113aと、表面抵抗率が1×106~1×109Ω/□である第2の領域113bとが露出しており、適度な導電性を有している。このため、貫通孔117の内周面に到達した陽イオンや電子による電荷は、長時間留まることなく比較的早く第2の金属体114bまで移動し、第1の金属体114aまたは第2の金属体114bからごく微量な電流として逃げていく。表面抵抗率が1×106~1×109Ω/□である第2の領域113bに比べ、表面抵抗率が1×1010~1×1014Ω/□である第1の領域113aは、帯電した電荷が移動し難いといえるが、セラミック体112の内周面において、第1の金属体114aは、第2の領域113bと隣接しているため、貫通孔117の内周面全体を第1の領域113aが全面を覆っている場合に比べて、第1の領域113aの電荷は、隣接する第2の領域113bを介して比較的早く逃がすことができる。このように、セラミック体112では、第1の金属体114aと第2の金属体114bとの間に比較的高い電圧を印加した場合であっても、セラミック体112の表面を流れるリーク電流についても抑制されているとともに、セラミック体112の表面の帯電を抑制することができる。かかるセラミック体112では、チャージアップに伴って発生する過大電流や、表面の漏れ電流に伴う、動作不良が比較的少ない。図6a~cは、セラミック体112の製造方法について説明する概略断面図である。まず、例えば、高純度のアルミナ粉末68~99質量と、酸化チタン粉末1~32質量とを秤量し、水とともにボールミルにて混合、粉砕する。アルミナ粉末は、純度99質量以上で、平均粒径が0.3~1μmのアルミナ粉末を用いることが好ましい。得られたスラリーに有機バインダーを添加し、噴霧乾燥して顆粒を作製する。得られた顆粒をプレス成形、CIP冷間等方加圧成形などの公知の方法で成形する。この成形によって、貫通孔を備え、この貫通孔の内周面の内周面の中央部付近に凸状部を有する、略円筒状の生成形体130を作製する。成形圧は最大で80~200MPaの範囲内であることが好ましい。続いて、加工した生成形体を最高温度1400~1600°Cで焼成してセラミック焼結体を作製する。このセラミック焼結体は、アルミナの結晶相とチタン酸アルミニウムの結晶相とを含んでいる。この焼成では、生成形体が収縮を開始する温度から最高温度までの昇温速度と、最高温度から結晶の粒成長が止まるまでの降温速度とを制御し、アルミナ結晶の粒界にチタン酸アルミニウム結晶を分散させることが好ましい。このようにして得られた焼結体は、遷移元素であるチタンが、内部に比べて表面により多く分布している。次に、このアルミナ-チタン酸アルミニウム焼結体を還元雰囲気中で熱処理を行う。即ち、水素、窒素、あるいはアルゴンなどの還元雰囲気の焼成炉による熱処理、またはHIP処理にて1000~1500°Cにて熱処理を行う。この還元処理により、図6bに示すように、表面全体に、内側部分132に比べて表面抵抗率が低い、第2の領域に対応する還元層134が形成される。焼成体は、成形体と同様に貫通孔の内周面に凸状部を備え、還元処理によって凸状部の表面も還元処理される。このようにして得られた焼結体を機械研磨して、図6cに示すようなセラミック体112を得ることができる。本実施形態では、外周面を全面的に研磨するとともに、例えば内面ホーミング加工等によって内面を機械研磨し、断面視において、第1の領域113aの表面と第2の領域113bの表面との境界部分が平坦な、円筒状のセラミック体112を形成している。この研磨によって、内周面に形成されていた凸部を覆っていた還元層部分は除去されて、充分に還元が進行していない領域が、貫通孔117の内周面に露出する。本例の製造方法によれば、表面抵抗率が1×1010~1×1014Ω/□である第1の領域113aと、表面抵抗率が1×106~1×109Ω/□である第2の領域113bとを、所望の部分に配置したセラミック体を比較的安価に製造することができる。また本例の製造方法によれば、生成形体130の形状と、還元層134の厚さと、研磨量との調整によって、第1の領域113aと第2の領域113bそれぞれの、チタンTi含有割合および酸素欠乏チタン酸化物の含有割合を調整することができ、各領域の表面抵抗率や体積固有抵抗を、所望の範囲に調整することが可能となっている。以上、本発明の絶縁層付きセラミック構造体、金属体付きセラミック構造体、荷電粒子線出射装置、および絶縁層付きセラミック構造体の製造方法について説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行ってもよいのはもちろんである。