真空チャンバー内に基材をセットし、前記チャンバー内を常温かつ真空状態にし、前記基材の周辺にプラズマを発生させて基材の表面をスパッタリングし、その後に基材に負の高電圧パルスを印加してDLCの原料ガスとO2を前記真空チャンバー内に供給し、その原料ガスとO2を真空チャンバー内で反応させて、前記基材に親水性DLCを注入しながら基材表面に親水性DLCを堆積させることで親水性DLC膜を形成することを特徴とする基材への親水性DLC膜の成膜方法。請求項1記載の基材への親水性DLC膜の成膜方法において、親水性DLC膜の形成前にO2を含むSi系ガスを真空チャンバー内に供給し、そのSi系ガスを真空チャンバー内で分解反応させて、前記基材にO2含有層を形成することを特徴とする基材への親水性DLC膜の成膜方法。請求項2記載の基材への親水性DLC膜の成膜方法において、Si系ガスとしてヘキサメチルジシロキサンHMDSOを用いることを特徴とする基材への親水性DLC膜の成膜方法。請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の基材への親水性DLC膜の成膜方法において、親水性DLC膜の形成前にDLCの原料ガスを供給して、その原料ガスを真空チャンバー内で反応させて、前記基材にDLCを注入しながら基材表面にDLC膜を形成したことを特徴とする基材への親水性DLC膜の成膜方法。請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載の基材への親水性DLC膜の成膜方法において、DLC膜の形成前にDLC膜との付着性を高めるためのミキシング層を形成することを特徴とする基材への親水性DLC膜の成膜方法。クリーニングされた基材の表面に、DLCの原料ガスとO2を反応させて形成された親水性DLC膜を備えたことを特徴とする親水性DLC成膜基材。請求項6記載の親水性DLC成膜基材において、基材と親水性DLC膜との間に、Si系ガスを反応させて形成されたO2含有層を備えたことを特徴とする親水性DLC成膜基材。請求項7記載の親水性DLC成膜基材において、O2含有層がヘキサメチルジシロキサンHMDSOを反応させて形成されたものであることを特徴とする記載の親水性DLC成膜基材。請求項6乃至請求項8のいずれか1項記載の親水性DLC成膜基材において、基材と親水性DLC膜との間に、DLCの原料ガスを反応させて形成されたDLC膜が設けられたことを特徴とする親水性DLC成膜基材。請求項9記載の親水性DLC成膜基材において、基材とDLC膜の間にDLC膜との付着性を高めるためのミキシング層が設けられたことを特徴とする親水性DLC成膜基材。請求項6乃至請求項10のいずれか1項記載の親水性DLC成膜基材において、基材がコーティングロール、ドクターロール、ドクターバーのいずれかであることを特徴とする親水性DLC成膜基材。請求項6乃至請求項10のいずれか1項記載の親水性DLC成膜基材において、基材が、ゴム、樹脂、SUS、アルミニウムのロール若しくはバー、又は表面にCrメッキ又はNiメッキされた金属ロール若しくはバーのいずれかであることを特徴とする親水性DLC成膜基材。請求項6乃至請求項12のいずれか1項記載の親水性DLC成膜基材において、基材がロールであり、その表面にV字溝又はU字溝が形成され、それら溝内にも親水性DLC成膜が設けられたことを特徴とする親水性DLC成膜基材。請求項6乃至請求項13のいずれか1項記載の親水性DLC成膜基材において、親水性DLC成膜の接触角が5~60°であることを特徴とする親水性DLC成膜基材。請求項6乃至請求項14のいずれか1項記載の親水性DLC成膜基材において、親水性DLC成膜中に炭素、水素、酸素が含まれていることを特徴とする親水性DLC成膜基材。請求項6乃至請求項15のいずれか1項記載の親水性DLC成膜基材において、親水性DLC成膜の膜厚が0.2~5μmであることを特徴とする親水性DLC成膜基材。請求項6乃至請求項16のいずれか1項記載の親水性DLC成膜基材において、親水性DLC成膜の膜硬度800~2500HVであることを特徴とする親水性DLC成膜基材。本願発明の課題は、水溶性溶剤との親水性に富み、耐摩擦性に優れ、塗料が短時間でロール表面に馴染じみ易く、塗りムラができにくく、塗り厚を均一にし易い親水性DLC膜の成膜方法と親水性DLC膜を備えた基材を提供することにある。本願発明の基材への親水性DLC膜の成膜方法は、真空チャンバー内に基材をセットし、前記チャンバー内を常温かつ真空状態にし、基材の周辺にプラズマを発生させて基材に負の高電圧パルスを印加し、基材表面をイオンエッチング処理による洗浄後、DLCの原料ガスとO2を前記真空チャンバー内に供給し、その原料ガスとO2を真空チャンバー内で反応させて生成される酸素を含むDLC親水性DLCを前記基材の表層に注入しながらその表面に親水性DLCを堆積させることで親水性DLC膜を形成する方法である。前記基材は、硬質或いはフレキシブルな回路基板へのレジストのコーティング、印刷インクによる印刷等に使用されるコーティングロール、ドクターロール、ドクターバーとか、複写機用の感光ドラム等である。それらロールやドラムは表面に溝を備えたものであってもよい。本願発明は、前記親水性DLC膜の成膜方法において、親水性DLC膜の形成前に少なくともO2を含むSi系ガスを真空チャンバー内に供給して、当該Si系ガスを真空チャンバー内で分解反応させて前記基材の表面にO2含有層を形成し、当該O2含有層に親水性DLC膜を注入堆積することもできる。この場合、Si系ガスとしてヘキサメチルジシロキサンHMDSOを用いることができる。本願発明では、前記親水性DLC膜の成膜方法において、親水性DLC膜の形成前に、真空チャンバー内にDLCの原料ガスを供給してその原料ガスを真空チャンバー内で反応させて生成されるDLCを基材の表面に注入しながら酸素を含まないDLC膜を堆積させ、そのDLC膜の表面に親水性DLC膜を形成することもできる。この場合、DLC膜の形成前に基板とDLC膜の付着性を高めるためのミキシング層を形成することもできる。本願発明の親水性DLC成膜基材は、クリーニングされた基材の表面に、DLCの原料ガスとO2を反応させて生成された親水性DLC膜を備えたものである。前記親水性DLC成膜基材は、基材と親水性DLC膜との間に、少なくともO2を含むSi系ガスを分解反応させて生成されたO2含有層を備えたものであってもよい。前記親水性DLC成膜基材は、O2含有層がヘキサメチルジシロキサンHMDSOを分解反応させて形成されたものであってもよい。前記親水性DLC成膜基材は、基材と親水性DLC膜との間に、DLCの原料ガスを反応させて生成された酸素を含まないDLC膜を設けることもできる。基材とDLC膜との間に、基板とDLC膜の付着性を高めるためのミキシング層を設けることもできる。前記親水性DLC成膜基材において、基材はコーティングロール、ドクターロール、ドクターバーのいずれかとすることもできる。前記親水性DLC成膜基材は、基材を、ゴム、SUS、アルミニウムのロール若しくはバー、又は表面にCrメッキやNiメッキされた金属製のロール若しくはバーのいずれかとすることもできる。前記親水性DLC成膜基材は、基材が表面に溝が形成されたロールであり、それら溝内にも親水性DLC成膜が設けられたものであってもよい。前記親水性DLC成膜基材は、親水性DLC膜の接触角を5~60°とすることができる。前記親水性DLC成膜基材は、親水性DLC成膜中に炭素、水素、酸素が含まれているものとすることができる。前記親水性DLC成膜基材は、親水性DLC成膜の膜厚を0.2~5μmとすることができる。前記親水性DLC成膜基材は、親水性DLC成膜の膜硬度800~2500HVとすることができる。本願発明の基材への親水性DLC膜の成膜方法は次のような効果がある。1真空チャンバー内にDLCの原料ガスのみならず、O2を注入して、DLC膜を親水性にしてあるので、この方法で製作された基材を使用すれば、慣らし運転に費やす水溶性溶剤の使用量の低減及び空運転時間の短縮を図ることができ、コーティング作業や印刷作業の作業性の向上も期待できる。2親水性DLC膜の下にO2含有層を設ければ、親水性DLC膜の形成時のOH基がO2含有層と結合食い込みし易くなる。3親水性DLC膜の下にO2を含有しないDLC層を設ければ、膜厚が増し、DLC膜特有の硬度等を維持することができる。4基材とDLC膜の間にミキシング層を設ければ基材とDLC膜の付着性が向上し、DLC膜が剥離し難くなる。5基材表面をイオンエッチング処理により洗浄してから、その表面に親水性DLC膜を成膜するので、親水性DLC膜が基材に結合し易い。6真空チャンバー内を常温にして親水性DLC膜を成膜できるので、真空チャンバー内を高温にする場合に比して基材が変形し難い。7ドライプロセス処理であるため排液がなく、排液による公害発生の心配がなく、環境に優しい常温成膜処理が可能である。本願発明の親水性DLC成膜基材は次のような効果がある。1基材表面のDLC膜が親水性であるため、水溶性塗料が短時間で基材に馴染み、空運転時間を短縮でき、水溶性溶剤の使用料を低減し、コーティングや印刷の作業性が向上する。2基材表面にDLC膜があるため、基材の耐摩耗性が向上し、機械部品の交換スパンが長くなり経済的である。また、交換頻度が少なくなるため、メンテナンスも容易になる。3親水性DLC膜がロールの溝内にも形成されるため、水溶性塗料が溝の内部まで入り易くなり、溝内に空気だまりが生じにくく、空気だまりに気泡が溜まりにくいので、ピンホールなどができにくい。4親水性DLC膜の下にO2含有層がある場合、O2含有層への親水性DLC膜の結合食い込みが確実になり、更なる親水性の向上が期待できる。5親水性DLC膜の下にO2を含有しないDLC層を設ければ、DLC膜特有の硬度等を維持することができる。6基材とDLC膜の間にミキシング層を設ければ基材とDLC膜の付着性が向上し、DLC膜が剥離し難くなる。[親水性DLC膜の成膜方法の概要]本願発明の基材への親水性DLC膜の成膜方法の一例を、図1を参照して説明する。図1は本願発明の親水性DLC膜の成膜方法に用いる装置の一例である。真空チャンバー1内に基材2を設置し、そのチャンバー1内を常温かつ真空状態にし、RF高周波電源3からRF電極4に高周波を供給して基材2の周辺にプラズマを発生させ、基材2に高電圧パルス電源5から基材2に負の高電圧パルスを印加することで基材表面をイオンエッチングによりクリーニングする。基材2が溝付きロールの場合は、前記クリーニング時にその溝内をもクリーニングする。ここで、常温状態とは15°C以上100°C以下であるが、より望ましくは20°C以上50°C以下である。前記クリーニング後に、高電圧パルス電源5から基材2に負の高電圧パルスを印加し、DLCの原料ガスとO2を真空チャンバー1内に供給して、その原料ガスとO2を真空チャンバー1内で反応させてイオン化させる。同時に高電圧パルス電源5から基材2に負のパルス電圧を印加することにより、前記イオンを基材2に引きつけて、基材2の表面に親水性DLCを注入し、親水性DLCを堆積させることで親水性DLC膜を形成する。親水性DLC膜11の成膜前に、DLC膜特有の硬度等を維持するためのDLC膜13を成膜することもできる。この場合、基材2とDLC膜13の付着性を高めるため、DLC膜13の成膜前にミキシング層12を形成することもできる。基材2が絶縁材の場合、基材2の背面に電極を設ける。親水性DLC膜の成膜方法の実施形態1本願発明の親水性DLC膜の成膜方法の一例について、図2aを参照して説明する。この成膜方法は基材がアルミロールといった導電材の場合の例である。1基材のセット真空チャンバー1内のRF電極4内に基材2をセットする。基材2としては、アルミ、カーボン、樹脂、ゴム、金属、非鉄金属等の各種材質製ロール、バー、ドラム等を利用することができる。ステンレスSUSその他の金属製のパイプの場合は、その表面にCrメッキやNiメッキが施されているものも適する。2基材表面のクリーニング基材2の表面の洗浄及び付着力向上を目的として、基材2の表面をアルゴン、水素イオンによりエッチング処理してクリーニングする。前記基材表面のクリーニングは、例えば次の条件で行うことができる。使用ガス:Ar、H2負パルス電圧:-1~-15kVRF出力:50~1500W3基材表面へのミキシング層の形成高電圧パルス電源5により基材2に負の高電圧パルスを印加し、電圧を制御して、ガス注入口6から原料ガス例えば、C、Siを真空チャンバー1内に注入し、Cラジカルを生成して基材2の表面にミキシング層12を形成してDLCの付着力密着性を高める。なお、ここで原料ガスとしてSiイオンを注入すると、Siがプライマーの役割を担うことができる。また、原料ガスとして、N2、Ar、CH4、C2H2、CF4、C、H、B等の混合ガスを注入することもできる。前記ミキシング層12の形成は、例えば次の条件で行うことができる。使用ガス:HMDSOSi系ガス、CH4、C2H2負パルス電圧:-1~-15kVRF出力:50~1500W4酸素を含まないDLC膜の形成真空チャンバー1内は常温状態にて、高電圧パルス電源5により前記高電圧パルスの周波数とは異なる周波数の高電圧パルスを基材2に印加し、真空チャンバー1内にガス注入口6からDLCの原料ガス前記混合ガスを注入し、真空チャンバー1内でそれらガスを反応C-Cの再結合させながら、基材表面へのDLCの注入及びDLCの堆積によってDLC膜13を常温成膜する。DLC膜13は2回以上に分けて形成することができる。また、この場合、原料ガスとしては前層と異なるものを用いることも出来る。例えば、最初のDLC膜13aはC2H2アセチレンとCH4メタンを用いて形成し、2回目のDLC膜13bはC2H2とC7H8トルエンを用いて形成する。DLC膜13はいずれか一方だけ形成することもできる。夫々のDLC膜13a、13bの形成は例えば次の条件で行うことができる。1回目のDLC膜13aの形成条件使用ガス:CH4、C2H2負パルス電圧:-1~-15kVRF出力:50~1500W2回目のDLC膜13bの形成条件使用ガス:C7H8、C2H2負パルス電圧:-1~-15kVRF出力:50~1500W酸素を含まないDLC膜13を形成するのは、DLC膜特有の高硬度を維持するための厚膜化を目的として中間層緩衝層を形成するためである。5O2含有層の形成高電圧パルス電源5により、前記高電圧パルスの周波数とは異なる周波数の高電圧パルスを印加し、真空チャンバー1内にガス注入口6からSi系ガス例えば、HMDSO又はSi系ガス例えば、HMDSOと炭素イオンを注入し、真空チャンバー1内でそれらガスを分解反応させながらO2含有層14を形成する。O2含有層14の形成は親水性DLC膜11の密着性を高めるためである。HMDSOの組成はC6H18OSi2であり図3、Si、C、H2のほかにO2を含有しているため、O2含有層14はプライマーの役割を担うことができ、その後に行う親水性DLC膜11の形成時のOH基の生成が容易になる。前記O2含有層14の形成処理は、例えば次の条件で行うことができる。使用ガス:HMDSOSi系ガス、CH4、C2H2負パルス電圧:-1~-15kVRF出力:50~1500W6親水性DLC膜の形成常温の真空チャンバー1内に、主原料として炭化水素系ガスを供給すると共にO2を供給して真空チャンバー1内でそれらガスを反応させながら、基材2の表面又は前記O2含有層14の上、又はO2を含まないDLC膜13の上に親水性DLCを注入し、堆積させて、基材2の表面に親水性DLC膜11を形成する。前記親水性DLC膜11の形成は、例えば次のような条件で行うことができる。使用ガス:C2H2、O2負パルス電圧:-1~-15kVRF出力:50~1500W前記親水性DLC膜11の成膜では、炭化水素系ガスにC2H2を用いたが、CH4を使用することもできる。C2H2を用いる理由としては、親水性DLC成膜の意味の他に、プラズマを容易に発生させ、使用するHMDSOやC7H8などの原料ガスの分解を促進させるためでもある。前記原料ガスとしてはN2、Ar、CH4、C2H2、CF4、C、H、B等の混合ガスを使用することができる。それらガスの混合比率を変えることでDLCの物性を変えることができる。DLCの物性はSP2/SP3比、水素含有量、密度、自由空間割合等の因子により左右され、真空チャンバーに注入するガスの種類のみならず、ガス圧、注入量、プラズマエネルギー、極性基、注入条件を変えることにより、親水性、接着性付与等を変えることもできる。例えば、前記原料ガスにホウ素を混合させると基材2の表面を導電性に富んだものとすることができる。親水性DLC膜の成膜方法の実施形態2本願発明の基材への親水性DLC膜の成膜方法の他例について、図2bを参照して説明する。この成膜方法は基材が絶縁材の場合の例である。1電極の形成表面処理したい基材2の背面に電極を設ける。電極は貼り付け、印刷、吹付けなどの方法で行うことができる。2真空チャンバー内へのセット電極を設けた基材2を真空チャンバー1内にセットする。基材2が金属製の場合は、基材2の表面に硬質クロームメッキ、カーボンメッキ等が表面処理されたものであっても、メッキされていないものであってもよい。3基材表面のクリーニング図1のRF電極4をアンテナにして真空チャンバー1内に、RF高周波電源3より高周波電圧を印加して、真空チャンバー1内のRF電極4付近にプラズマを発生させて基材2に負の高電圧パルスを印加し、エッチング処理を行うことで基材2の表面をクリーニングする。前記基材表面のクリーニング処理は例えば次の条件で行うことができる。使用ガス:Ar、H2負パルス電圧:-1~-15kVRF出力:50~1500W4基材表面へのミキシング層の形成高電圧パルス電源5により、RF電極4に負の高電圧パルスを印加する。これによりマイナスの電子はRF電極4の周辺から追い出され、プラズマシースが基材2から数cmのところにでき、シースとRF電極4間に電圧がかかり、絶縁物である基材2もRF電極4に近い電位になる。ガス注入口6からイオンガス例えば、C、Siイオンを真空チャンバー1内に注入し、Cラジカルを生成して基材2の表面にミキシング層12を形成してDLC膜13の付着力密着性を高める。なお、ここでイオンガスとしてSiイオンを注入すると、Siがプライマーの役割を担うことができる。また、イオンガスとして、DLCの原料ガスN2、Ar、CH4、C2H2、CF4、C、H、B等の混合ガスを注入することもできる。前記ミキシング層12の形成は、例えば次の条件で行うことができる。使用ガス:HMDSOSi系ガス、CH4、C2H2負パルス電圧:-1~-15kVRF出力:50~1500W5酸素を含まないDLC膜の形成高電圧パルス電源5により、前記高電圧パルスの周波数とは異なる周波数の高電圧パルスを印加し、真空チャンバー1内にガス注入口6から原料ガス例えば、N2、Ar、CH4、C2H2、CF4、C、H、B等の混合ガスを注入し、それらガスを真空チャンバー1内で反応C-Cの再結合させながら、基材2へのDLC注入及び基材2の表面へのDLCの堆積によってDLC膜13を常温成膜する。このとき、プラズマシースと基材2間に存在するイオンが電極に引き寄せられるように加速して、高エネルギーで注入され、DLC膜13が低エネルギーで前記ミキシング層12の上に常温成膜される。DLC膜13は前記実施形態1の場合と同様に2回に分けて形成することができ、例えば、最初のDLC膜13aはC2H2とCH4を用いて形成し、2回目のDLC膜13bはC2H2とC7H8を用いて形成する。DLC膜13はいずれか一方だけ形成することもできる。DLC膜13の形成は、例えば次の条件で行うことができる。1回目のDLC膜の形成使用ガス:CH4、C2H2負パルス電圧:-1~-15kVRF出力:50~1500W2回目のDLC膜の形成使用ガス:C7H8、C2H2負パルス電圧:-1~-15kVRF出力:50~1500W6O2含有層の形成高電圧パルス電源5により、前記高電圧パルスの周波数とは異なる周波数の高電圧パルスを印加する。これによりマイナスの電子は電極周辺から追い出され、プラズマシースが基材2から数cmのところにでき、シースとRF電極4との間に電圧がかかり、絶縁材である基材2も電極に近い電位になる。この状態で、真空チャンバー1内に、そのガス注入口6からSi系ガス例えば、HMDSO又はSi系ガス例えば、HMDSO及び炭素イオンを注入し、真空チャンバー1内でそれらガスを分解反応させながらO2含有層14を形成する。O2含有層14の形成は親水性DLC膜11の密着性を高めるために行うものである。HMDSOの組成はC6H18OSi2であり図3、、Si、C、H2のほかにO2を含有しているため、Siがプライマーの役割を担うことができき、その後に行う親水性DLC膜11の形成時のOH基の生成が容易になる。イオンガスとしてDLCの原料ガスN2、Ar、CH4、C2H2、CF4、C、H、B等の混合ガスを注入することもできる。前記O2含有層14の形成は、例えば次の条件で行うことができる。使用ガス:HMDSOSi系ガス、CH4、C2H2負パルス電圧:-1~-15kVRF出力:50~1500W7親水性DLC膜の形成常温の真空チャンバー1内に、主原料として炭化水素系ガスを供給すると共にO2を供給して真空チャンバー1内でそれらガスを反応させながら、基材2の表面又は前記O2含有層14の上、又はO2を含まないDLC膜13の上に親水性DLCを注入し、堆積させて、基材2の表面に親水性DLC膜11を形成する。前記親水性DLC膜11の形成は、例えば次のような条件で行うことができる。使用ガス:C2H2、O2負パルス電圧:-1~-15kVRF出力:50~1500Wこの実施形態においても、真空チャンバー1に注入するガスの種類のみならず、ガス圧、注入量、プラズマエネルギー、極性基、注入条件を変えることにより、親水性、接着性付与等を変えることができる。また、基材2の表面をクリーニングする工程と親水性DLC膜11の形成工程以外の工程は適宜省略することができる。また、これら工程の順序も適宜入れ替えることができる。親水性DLC成膜基材の実施形態本願発明の親水性DLC成膜基材の実施形態について、図4を参照して説明する。図4aに示す親水性DLC成膜基材は、クリーニングされた基材2の表面に、DLCの原料ガスとO2を反応させて形成された親水性DLC膜11を備えたものである。図4bに示す親水性DLC成膜基材は、基材2と親水性DLC膜11の間にO2含有層14を設けたものである。図4cに示す親水性DLC成膜基材は基材2とO2含有層14の間にDLC膜13を二層13a及び13b設けたものである。このDLC膜13はいずれか一方だけ設けることもできる。図4cのようにDLC膜13を設ける場合、基材2とDLC膜13の間に、同dに示すミキシング層12を設けることによってDLC膜と基材2の付着性を高めることができる。この実施形態では、基材2がコーティングロールの場合を一例として説明しているが、基材2はドクターロールやドクターバーであってもよい。DLCの物性はSP2/SP3比、水素含有量、密度、自由空間割合等の因子により左右され、DLC膜の物性は真空チャンバーに注入するガスの種類のみならず、ガス圧、注入量、プラズマエネルギー、極性基、注入条件を変えることにより、摩擦係数、親水性、密着性等を変えることもできる。親水性接触角の測定本件発明者は、親水性DLC膜11の形成に炭素イオンとO2を用いた場合の親水性接触角について測定を行った。測定は、図5aに示すように、基材2ロールの表面にテストピース710mm角のシリコンウェハを貼り付け、そのテストピース7上に、マイクロピペットで3μlの純水を滴下し図5b、滴下した純水の直径d及び高さhを測定して行った。親水性DLC膜11の形成に炭素イオンとO2を用いた場合の接触角θの変化を表す測定結果を表1~6に示す。この測定結果は、図5aのアの部分基材2の中心又は略中心であって、基材の端部から1250mmの位置に載せたテストピース7を用いた場合の測定結果である。表1~6において、dは滴下した純水の直径、d/2はその直径から求められる半径、hは滴下した純水の高さを意味し、接触角θは液滴法によるθ/2法により導出された数値である。この測定では、C2H2を一定量にし、O2の量を変えることによって、C2H2とO2との重量比率が異なる6パターンの数値を記録した。具体的には、C2H2とO2の重量比率が、30:0、30:20、30:40、30:60、30:80、30:100の供給比率の場合について数値を記録した。数値は前記パターン毎に10回ずつ計測した。表1C2H2:O2=30:0の場合の接触角表2C2H2:O2=30:20の場合の接触角表3C2H2:O2=30:40の場合の接触角表4C2H2:O2=30:60の場合の接触角表5C2H2:O2=30:80の場合の接触角表6C2H2:O2=30:100の場合の接触角表1~6に示すように、親水性DLC膜11の形成にC2H2のみならずO2をも用いると、C2H2だけを用いた場合表1と比較して、その接触角θが小さくなり、親水性が向上していることが確認された。O2を供給しない場合表1に比べて、O2を供給した場合表2~6の方が、接触角θが小さい親水性が高いことが確認できる。親水性分布の測定本件発明者は、前記親水性接触角の測定とは別に、親水性DLC膜11の形成に炭素イオンとO2を用いた場合の親水性の分布についても測定を行った。この測定は、前記親水性接触角の測定と同様、図5aに示すように、基材2ロールの表面に間隔をあけて貼り付けたア~オの夫々のテストピース710mm角のシリコンウェハの上に、マイクロピペットで3μlの純水を滴下し図5b、滴下した純水の直径d及び高さhを測定して行った。成膜は、C2H2を毎分30cc、O2を毎分60ccずつ供給しながら30分かけて行った。親水性DLC膜の形成に炭素イオンとO2を用いた場合の親水性分布を表す測定結果を表7に示す。表7において、TP位置はテストピース7の設置位置、接触角は液滴法によるθ/2法により導出された数値、平均接触角は各テストピースア~オにおける接触角の平均値である。表7親水性分布表7に示すように、テストピース7の設置箇所によって多少の誤差はあるものの、平均接触角は23~30°の範囲内に収まっていることが確認できる。