npp型又はpnn型構造をシリコンウェハ上に作製する方法であって、以下の連続工程、a前面8と裏面9とを備えたp型又はn型のシリコンウェハ1上に、PECVDを実行して、前記裏面9上にホウ素ドープシリコン酸化物BSG2を、次いで、SiOx3拡散に対するバリア層を形成する工程と、bリン源を、リンとホウ素とが、共拡散し、-工程aの結果として得られた前記ウェハの前記前面8上に、リンドープシリコン酸化物層PSG4と、nドープ領域5とを、-そして、工程aの結果として得られた前記ウェハの前記裏面9上に、ホウ素リッチ層BRL6と、pドープ領域7とを形成するように拡散させる工程と、c前記BSG2、PSG4及びSiOx3の層を除去し、前記BRL6を酸化させ、この酸化の結果として得られた層を除去する工程とを含んだことを特徴とする作製方法。請求項1に記載の作製方法であって、前記BSG層2の形成の間に、ホウ素源として使用する前駆体はトリメチルボレートであることを特徴とする作製方法。請求項1又は2に記載の作製方法であって、前記BSG層2の形成は、300乃至400°Cの温度及び500乃至1500Wのパワーで行うことを特徴とする作製方法。請求項1乃至3の何れか1項に記載の作製方法であって、PECVDによるSiOx3の堆積は、300乃至400°Cの温度及び500乃至1500Wのパワーで行うことを特徴とする作製方法。請求項1乃至4の何れか1項に記載の作製方法であって、工程bは、低圧下又は大気圧下で熱拡散炉において行うことを特徴とする作製方法。請求項1乃至5の何れか1項に記載の作製方法であって、工程bは、以下の連続工程、b1まず、工程aの終了時に形成された前記BSG層2から前記シリコンウェハ1中にホウ素を拡散させる工程と、b2リン源を、ホウ素とリンとが共拡散するように拡散させる工程とを含んだことを特徴とする作製方法。請求項1乃至6の何れか1項に記載の作製方法であって、工程cは、以下の連続工程、c1第1化学エッチングを行って、前記BSG2及びPSG4の層を除去する工程と、c2前記BRL6を酸化させる工程と、c3第2化学エッチングを行って、工程c2の終了時に形成された酸化物層を除去する工程とを含んだことを特徴とする作製方法。請求項1乃至7の何れか1項に記載の作製方法で得られるnpp型又はpnn型構造を有しているシリコンウェハ。光起電力セルの製造方法であって、以下の工程、a請求項1乃至7の何れか1項に記載の作製方法に従ってnpp型又はpnn型構造を有しているシリコンウェハを作製する工程と、b反射防止層を、工程aの終了時に得られた前記シリコンウェハの前記前面に堆積させる工程と、c任意に、パッシベーション層を前記裏面上に堆積させる工程と、d電気接点を、工程bの結果として又は任意に工程cの結果として得られた前記シリコンウェハの前記前面及び前記裏面上に、グリッドの形態で配置する工程とを含んだことを特徴とする製造方法。請求項9に記載の製造方法を用いて得られる光起電力セル。