複数のバンクを有し、かつオートリフレッシュモードおよびセルフリフレッシュモードを含む複数の動作モードのうちの1つを実行するように構成されている揮発性メモリと、前記揮発性メモリに、前記複数の動作モードのうちの1つを実行することを命令するように構成されているメモリコントローラと、を備えるメモリシステムであって、前記メモリコントローラが前記揮発性メモリに前記セルフリフレッシュモードを実行するように命令すると、前記メモリコントローラはさらにエントリバンクアドレスを前記揮発性メモリに提供するように構成されており、前記エントリバンクアドレスは前記セルフリフレッシュモード時にリフレッシュされる最初のバンクに対応しており、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了すると、前記揮発性メモリはさらに終了バンクアドレスを前記メモリコントローラで使用可能にするように構成されており、前記終了バンクアドレスは、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了する前にリフレッシュされた最後のバンクに対応している、メモリシステム。前記メモリコントローラはさらに、前記メモリコントローラが前記終了バンクアドレスを受信した後に、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了する前にリフレッシュされた最後のバンクに続くバンクをリフレッシュするオートリフレッシュコマンドを前記揮発性メモリに発行するように構成されている、請求項1に記載のシステム。前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了すると、前記揮発性メモリはさらに、終了行アドレスを前記メモリコントローラで使用可能にするように構成されており、前記終了行アドレスは、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了する前にリフレッシュされた最後の行に対応している、請求項1に記載のシステム。前記揮発性メモリは、ダイナミックランダムアクセスメモリDRAMまたは同期型DRAMのうちの一方である、請求項1に記載のシステム。エントリバンクアドレスラッチと、終了バンクアドレスラッチと複数のバンクとを有する揮発性メモリと、オートリフレッシュモードおよびセルフリフレッシュモードを含む複数の動作モードのうちの1つを実行することを前記揮発性メモリに命令するように構成されているメモリコントローラと、を備えるメモリシステムであって、前記メモリコントローラが前記揮発性メモリに前記セルフリフレッシュモードを実行するように命令すると、前記メモリコントローラはさらに、エントリバンクアドレスを前記エントリバンクアドレスラッチにロードするように構成されており、前記エントリバンクアドレスは前記セルフリフレッシュモード時にリフレッシュされる最初のバンクに対応しており、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了すると、前記揮発性メモリはさらに、終了バンクアドレスを前記終了バンクアドレスラッチにロードするように構成されており、前記終了バンクアドレスは、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了する前にリフレッシュされた最後のバンクに対応しており、前記終了バンクアドレスラッチは前記メモリコントローラにアクセス可能である、メモリシステム。前記メモリコントローラはさらに、前記メモリコントローラが前記終了バンクアドレスラッチから前記終了バンクアドレスを検索した後に、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了する前にリフレッシュされた最後のバンクに続くバンクをリフレッシュするオートリフレッシュコマンドを前記揮発性メモリに発行するように構成されている、請求項5に記載のシステム。前記揮発性メモリはさらに終了行アドレスラッチを含んでおり、前記終了行アドレスラッチは前記メモリコントローラにアクセス可能であり、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了すると、前記揮発性メモリはさらに、終了行アドレスを前記終了行アドレスラッチにロードするように構成されており、前記終了行アドレスは、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了する前にリフレッシュされた最後の行に対応している、請求項5に記載のシステム。前記揮発性メモリはダイナミックランダムアクセスメモリDRAMまたは同期型DRAMのうちの一方である、請求項5に記載のシステム。複数のバンクと、エントリバンクアドレスを記憶するための第1の記憶手段と、終了バンクアドレスを記憶するための第2の手段とを有する揮発性メモリと、オートリフレッシュモードおよびセルフリフレッシュモードを含む複数の動作モードのうちの1つを実行することを前記揮発性メモリに命令するように構成されているメモリコントローラと、を備えるメモリシステムであって、前記メモリコントローラが前記揮発性メモリに前記セルフリフレッシュモードを実行するように命令すると、前記メモリコントローラはさらに前記エントリバンクアドレスを前記第1の記憶手段にロードするように構成されており、前記エントリバンクアドレスは、前記セルフリフレッシュモード時にリフレッシュされる最初のバンクに対応しており、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了すると、前記揮発性メモリはさらに前記終了バンクアドレスを前記第2の記憶手段にロードするように構成されており、前記終了バンクアドレスは、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了する前にリフレッシュされた最後のバンクに対応しており、前記第2の記憶手段は前記メモリコントローラにアクセス可能である、メモリシステム。前記メモリコントローラはさらに、前記メモリコントローラが前記終了バンクアドレスを前記第2の記憶手段から検索した後に、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了する前にリフレッシュされた最後のバンクに続くバンクをリフレッシュするオートリフレッシュコマンドを前記揮発性メモリに発行するように構成されている、請求項9に記載のシステム。前記揮発性メモリはさらに、終了行アドレスを記憶するための第3の記憶手段を含んでおり、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了する際に、前記揮発セメモリはさらに前記終了行アドレスを前記第3の記憶手段にロードするように構成されており、前記終了行アドレスは、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了する前にリフレッシュされた最後の行に対応しており、前記第3の記憶手段は前記メモリコントローラにアクセス可能である、請求項9に記載のシステム。前記揮発性メモリはダイナミックランダムアクセスメモリDRAMまたは同期型DRAMのうちの一方である、請求項10に記載のシステム。複数のバンクと、エントリバンクアドレスラッチと、終了バンクアドレスラッチと、リフレッシュクロックと、リフレッシュカウンタとを有する揮発性メモリであって、前記リフレッシュカウンタはさらに行アドレスカウンタおよび行インクリメントカウンタを有しており、前記リフレッシュクロックは前記リフレッシュカウンタおよび前記エントリバンクアドレスラッチをコントロールするように構成されており、前記行インクリメントカウンタは前記行アドレスカウンタをインクリメントするように構成されている揮発性メモリと、前記揮発性メモリをコントロールしてオートリフレッシュモードまたはセルフリフレッシュモードを実行するように構成されているメモリコントローラであって、ターゲットバンクのバンクアドレスを前記エントリバンクアドレスラッチにロードするようにさらに構成されているメモリコントローラと、を備えるメモリシステムであって、前記メモリコントローラはさらに、前記揮発性メモリに前記オートリフレッシュモードを実行してオートリフレッシュ動作を前記ターゲットバンクに実行することを命令するように構成されており、前記行インクリメントカウンタは、オートリフレッシュ動作が実行されるたびにインクリメントされるように構成されており、前記行インクリメントカウンタはさらに、所定数のオートリフレッシュ動作が実行された後に前記行アドレスカウンタをインクリメントするように構成されており、前記行アドレスカウンタは、前記ターゲットバンクの行を前記オートリフレッシュ動作のために識別するのに使用可能な行アドレスを含んでおり、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードになると、前記揮発性メモリはさらに、前記エントリバンクアドレスラッチに記憶されている前記バンクアドレスと前記リフレッシュカウンタに記憶されている内容とを使用して1つ以上のセルフリフレッシュ動作を実行するように構成されており、前記揮発性メモリはさらに、各セルフリフレッシュ動作後に必要に応じて前記エントリバンクアドレスラッチおよび前記リフレッシュカウンタをインクリメントするように構成されており、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了すると、前記揮発性メモリは、前記エントリバンクアドレスラッチの現在値を前記終了バンクアドレスラッチにロードするように構成されており、前記終了バンクアドレスラッチの前記値は、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了する前にリフレッシュされた最後のバンクに対応している、メモリシステム。前記終了バンクアドレスラッチは前記メモリコントローラにアクセス可能であり、前記メモリコントローラはさらに、前記メモリコントローラが前記終了バンクアドレスラッチに記憶されている値を検索した後に、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了する前にリフレッシュされた最後のバンクに続くバンクをリフレッシュするオートリフレッシュコマンドを前記揮発性メモリに発行するように構成されている、請求項13に記載のシステム。前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了すると、前記揮発性メモリはさらに、前記行インクリメントカウンタをリセットしないように構成されている、請求項13に記載のシステム。前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了すると、前記メモリコントローラはさらに、平均リフレッシュ期間内に追加リフレッシュを発行しないように構成されている、請求項13に記載のシステム。前記揮発性メモリはさらに終了行アドレスラッチを含んでおり、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了すると、前記揮発性メモリは前記行アドレスカウンタの現在値を前記終了行アドレスラッチにロードするように構成されており、前記終了行アドレスラッチの前記値は、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了する前にリフレッシュされた最後の行に対応している、請求項13に記載のシステム。前記揮発性メモリはダイナミックランダムアクセスメモリDRAMまたは同期型DRAMのうちの一方である、請求項13に記載のシステム。エントリバンクアドレスラッチと、終了バンクアドレスラッチと、複数のバンクと、複数のリフレッシュ行カウンタとを有する揮発性メモリであって、各リフレッシュ行カウンタは対応するバンクと関連しており、かつターゲット行アドレスを記憶するように構成されている揮発性メモリと、前記揮発性メモリにオートリフレッシュモードを実行することを命令するように構成されており、さらに、ターゲットバンクアドレスを前記エントリバンクアドレスラッチにロードするように構成されているメモリコントローラと、を備えるメモリシステムであって、前記揮発性メモリは前記オートリフレッシュモードでオートリフレッシュ動作を実行するように構成されており、前記オートリフレッシュ動作は、前記ターゲットバンクと関連した前記リフレッシュ行カウンタに記憶されている前記ターゲット行アドレスを使用して前記ターゲットバンクアドレスによって識別されたターゲットバンクに実行され、前記メモリコントローラはさらに、前記揮発性メモリにセルフリフレッシュモードを実行することを命令するように構成されており、前記揮発性メモリはさらに、前記エントリバンクアドレスラッチをインクリメントして現在のターゲットバンクアドレスを生成することによって前記セルフリフレッシュモードで前記複数のバンクを巡回するように構成されており、各セルフリフレッシュ動作時に、前記揮発性メモリはさらに、前記関連リフレッシュ行カウンタに記憶されている前記ターゲット行アドレスに基づいて現在のターゲットバンクアドレスによって識別された前記バンクをリフレッシュするように構成されており、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了する際に、前記揮発性メモリはさらに、前記エントリバンクアドレスラッチに記憶されている値を前記終了バンクアドレスラッチにロードするように構成されており、前記終了バンクアドレスラッチの前記値は、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了する前にリフレッシュされた最後のバンクに対応している、メモリシステム。前記終了バンクアドレスラッチは前記メモリコントローラにアクセス可能であり、前記メモリコントローラはさらに、前記メモリコントローラが前記終了バンクアドレスラッチに記憶されている値を検索した後に、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了する前にリフレッシュされた最後のバンクに続くバンクをリフレッシュするオートリフレッシュコマンドを前記揮発性メモリに発行するように構成されている、請求項19に記載のシステム。前記揮発性メモリはさらに、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードになる前に拡張リフレッシュを実行しないように構成されている、請求項19に記載のシステム。前記揮発性メモリはさらに終了行アドレスラッチを含んでおり、前記終了行アドレスラッチは前記メモリコントローラにアクセス可能であり、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了する際に、前記揮発性メモリはさらに、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了する前にリフレッシュされた最後のバンクと関連した前記リフレッシュ行カウンタに記憶されている値を前記終了行アドレスラッチにロードするように構成されている、請求項19に記載のシステム。前記揮発性メモリはダイナミックランダムアクセスメモリDRAMまたは同期型DRAMのうちの一方である、請求項19に記載のシステム。複数のバンクを有する揮発性メモリのメモリリフレッシュを制御する方法であって、エントリバンクアドレスを前記揮発性メモリに送ることと、前記揮発性メモリに、セルフリフレッシュモードを実行して、前記エントリバンクアドレスに基づいて1つ以上のセルフリフレッシュ動作を実行するように命令することであって、前記エントリバンクアドレスは、前記1つ以上のセルフリフレッシュ動作が開始するターゲットバンクに対応していることと、前記揮発性メモリに、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了する際に終了バンクアドレスを使用可能にするように命令することであって、前記終了バンクアドレスは、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了する前にリフレッシュされた最後のバンクに対応していることと、を備える方法。オートリフレッシュモードを実行して、前記終了バンクアドレスによって識別された前記バンクに続くバンクにオートリフレッシュ動作を実行することを前記揮発性メモリに命令することをさらに備える、請求項24に記載の方法。前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了する際に前記揮発性メモリに終了行アドレスを使用可能にするように命令することであって、前記終了行アドレスは、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了する前にリフレッシュされた最後の行に対応している、請求項24に記載の方法。エントリバンクアドレスラッチと、終了バンクアドレスラッチと複数のバンクとを有する揮発性メモリのメモリリフレッシュを制御する方法であって、エントリバンクアドレスを前記エントリバンクアドレスラッチにロードすることと、前記揮発性メモリに、前記エントリバンクアドレスを前記エントリバンクアドレスラッチから検索するように命令することと、前記揮発性メモリに、セルフリフレッシュモードを実行して、前記エントリバンクアドレスに基づいて1つ以上のセルフリフレッシュ動作を実行するように命令することであって、前記エントリバンクアドレスは、前記1つ以上のセルフリフレッシュ動作が開始するターゲットバンクに対応していることと、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了する際に終了バンクアドレスを前記終了バンクアドレスラッチに記憶することであって、前記終了バンクアドレスは、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了する前にリフレッシュされた最後のバンクに対応していることと、を備える方法。前記終了バンクアドレスを前記終了バンクアドレスラッチから検索することと、前記揮発性メモリに、オートリフレッシュモードを実行して、前記終了バンクアドレスによって識別された前記バンクに続くバンクにオートリフレッシュ動作を実行するように命令することとをさらに備える、請求項27に記載の方法。前記揮発性メモリはさらに終了行アドレスラッチを含んでおり、前記方法はさらに、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了する際に終了行アドレスを前記終了行アドレスラッチに記憶することであって、前記終了行アドレスは、前記揮発性メモリが前記セルフリフレッシュモードを終了する前にリフレッシュされた最後の行に対応していることを備える、請求項27に記載の方法。添付の図面と関連して以下に説明される詳細な説明は本発明の種々の実施形態の説明とされ、本発明が実践可能な実施形態のみを表すことを意図していない。詳細な説明は、本発明の完全な理解を提供するために具体的な詳細を含む。しかしながら、本発明はこれらの具体的な詳細なしで実践可能であることは当業者には明らかであろう。いくつかの例では、本発明の概念のあいまいさを回避するために、既知の構造およびコンポーネントはブロック図の形態で示されている。次にメモリシステムの種々の実施形態を説明する。一実施形態では、メモリがセルフリフレッシュモードになると第1のリフレッシュ動作に対して具体的なバンクを特定可能にするシームレスリフレッシュ方法が提供される。このリフレッシュ方法によってまた、メモリがセルフリフレッシュモードを終了すると、最後にリフレッシュされたバンクに関する情報がメモリコントローラに送られる。図1は、シームレスリフレッシュ方法を実践するために使用可能な配列100を示している。図1に示されるように、シームレスリフレッシュ方法は、揮発性メモリ110と、揮発性メモリ110を制御するように構成されているメモリコントローラ120とによって実践可能である。揮発性メモリ110は例えば、DRAMダイナミックランダムアクセスメモリ、SDRAM同期型DRAM、および種々のタイプのDRAMなどであってもよい。ここに提供されている開示および教示に基づいて、当業者は、リフレッシュ動作を必要とする他のタイプのメモリによって本開示を実践する方法を理解するであろう。一実施形態では、シームレスリフレッシュ方法は、メモリコントローラ120および揮発性メモリ110を制御する制御論理やプロセッサ図示せずによって実行される。制御論理やプロセッサは、独立モジュールとして実施されても、メモリコントローラ120などの別のコンポーネントの一部として一体化されてもよいことが理解されるべきである。図2は、シームレスリフレッシュ方法を実践するために使用可能な揮発性メモリ110の一実施形態を示している。揮発性メモリ110はさらに、多数のバンク200と、エントリバンクアドレスラッチ210と、終了バンクアドレスラッチ220とを含んでもよい。シームレスリフレッシュ方法は、オートリフレッシュサイクルとセルフリフレッシュサイクル間の推移を最適化する。メモリコントローラ120が揮発性メモリ110にセルフリフレッシュモードになるように命令すると、メモリコントローラ120は、ターゲットバンクアドレスを使用することによっていずれのバンクを次にリフレッシュするかを揮発性メモリ110に示唆する。ターゲットバンクアドレスは、エントリバンクアドレスラッチ210にロードされる。図3は、サイクル2において、メモリの最初のセルフリフレッシュサイクルが特定のバンクBankXで実行されることを示すセルフリフレッシュモードに揮発性メモリ110を配置するというコマンドをメモリコントローラ120が発行することを示している。そして、サイクルm1で、揮発性メモリ110はセルフリフレッシュモードを終了して、最後にリフレッシュされたバンクBankYのバンクアドレスを終了バンクアドレスラッチ220にロードする。メモリコントローラ120は終了バンクアドレスラッチ220の内容を検索してから、これを、セルフリフレッシュモードを終了する前に揮発性メモリ110がリフレッシュした最後のバンクを識別するために使用する。メモリコントローラ120は、この最後のバンクがいつリフレッシュされたかを知らないため、メモリコントローラ120は揮発性メモリ110に、可及的速やかにリフレッシュに適したオートリフレッシュ動作を次のバンクBankY1に実行するように命令する。図6に示されているような別の実施形態では、揮発性メモリ110はさらに終了行アドレスラッチ230を含んでもよい。セルフリフレッシュモードを終了する前に、最後にリフレッシュされた行の行アドレスは終了行アドレスラッチ230にロードされてもよい。終了行アドレスラッチ230の内容はメモリコントローラ120図1参照にアクセス可能である。ゆえに、揮発性メモリ110がセルフリフレッシュモードを終了した後、最後にリフレッシュされた行およびバンクのバンクアドレスおよび行アドレスに関する情報が終了行アドレスラッチ230および終了バンクアドレスラッチ220からメモリコントローラ120に使用可能である。そしてメモリコントローラ120はこの情報を将来の動作に対して利用可能である。ここに提供されている開示および教示に基づいて、当業者は、本開示に開示されている概念に従って、ここに開示されているシームレスリフレッシュ方法を異なる揮発性メモリ配列に適用する方法を理解するであろう。例えば、メモリコントローラが、オートリフレッシュモードでメモリ内の特定のバンクにリフレッシュを向けることができるシームレスリフレッシュ方法は、提案されている2つのアプローチと関連して使用可能である。第1のアプローチでは、メモリコントローラは、特定のバンクのターゲットバンクアドレスを、オートリフレッシュモードのオートリフレッシュ動作のために揮発性メモリに提供可能である。図4は、第1のアプローチで指示されたリフレッシュ方法を実践するために使用可能な揮発性メモリ110の一実施形態を示している。揮発性メモリ110はさらに、行アドレスカウンタ450および行インクリメントカウンタ420を有するリフレッシュカウンタ400と、リフレッシュトリガ440と、エントリバンクアドレスラッチ210と多数のバンク410とを含んでもよい。リフレッシュトリガ440は、リフレッシュカウンタ400およびエントリバンクアドレスラッチ210の両方をコントロールするために使用可能である。リフレッシュトリガ440は、オートリフレッシュモードまたはセルフリフレッシュモードのいずれかでリフレッシュ動作を開始するために揮発性メモリ110によって使用される。例えば、メモリコントローラ120図1参照からオートリフレッシュコマンドを受信すると、揮発性メモリ110はリフレッシュトリガ440にオートリフレッシュ動作を開始することを命令してもよい。リフレッシュトリガ440は例えば、クロックや他のタイミング機構であってもよい。行アドレスカウンタ450は、リフレッシュされる行のターゲット行アドレスを記憶するために使用可能である。エントリバンクアドレスラッチ210は、リフレッシュされる行を含む特定のバンクのターゲットバンクアドレスを記憶するために使用可能である。他のメモリバンクがアクセス可能なままである時に、メモリコントローラ120は揮発性メモリ110に、揮発性メモリ110内の特定のメモリバンクをオートリフレッシュするように命令してもよい。メモリコントローラ120によって開始されるオートリフレッシュサイクルごとに、バンクアドレス470はメモリコントローラ120図1参照によってエントリバンクアドレスラッチ210にロードされてもよい。バンクアドレス470はバンク410のうちの1つをリフレッシュに選択するために使用される。メモリコントローラ120図1参照はリフレッシュされる特定のバンクを知っているため、他の内部バンクへのアクセスは中断なく継続可能である。これは、メモリデータバス利用を最大化する傾向があり、不必要な行の開/閉シーケンスを回避することによって電力消費を削減し、また転送待ち時間を最小化するように作用する。行インクリメントカウンタ420は電源投入やリセット時に初期化されてもよい。行インクリメントカウンタ420に対して初期化された値は任意であってもよい。行インクリメントカウンタ420によって行アドレスカウンタ450は、所定数のオートリフレッシュ動作が実行された後にインクリメントされる。行アドレスカウンタ450は、リフレッシュされる行のターゲット行アドレスを含む。行アドレスカウンタ450は、全バンク410の同一行を指し示す。メモリコントローラ120は、オートリフレッシュコマンドを揮発性メモリ110に発行し、かつリフレッシュされるこのバンクのバンクアドレス470をエントリバンクアドレスラッチ210にロードすることによって各オートリフレッシュを開始する。オートリフレッシュコマンドを受信すると、揮発性メモリ110はリフレッシュトリガ440を使用して、各オートリフレッシュ動作を開始する。リフレッシュトリガ440は行インクリメントカウンタ420をインクリメントさせる。周期的に、行アドレスカウンタ450は行インクリメントカウンタ420からの実行信号460によってインクリメントされる。例えば、行インクリメントカウンタ420は2ビットカウンタであってもよく、これは、行インクリメントカウンタ420は4個のリフレッシュクロックサイクルごとに反復するのに対して、行アドレスカウンタ450は各4番目のオートリフレッシュ動作後にインクリメントされることを意味している。行アドレスカウンタ450に記憶されているターゲット行アドレスとエントリバンクアドレスラッチ210に記憶されているバンクアドレスは次いで、識別されたバンクの特定の行をリフレッシュするために使用される。ターゲット行アドレスは所定数のオートリフレッシュ動作に基づいて周期的に変化し、かつメモリコントローラ120は行アドレスカウンタ450がいつインクリメントされるかを知らないため、メモリコントローラ120図1参照は、バンク410に対して一貫した順番でオートリフレッシュコマンドを発行する、つまり、メモリコントローラ120は、各オートリフレッシュサイクル時に順次一度に1つずつ、バンク410のバンクアドレスをエントリバンクアドレスラッチ210にロードする。結果として、バンク410は連続オートリフレッシュサイクルで順次リフレッシュされる。例えば、図4に示されている4個のバンクについて、リフレッシュバンク順番は3-2-1-0-3-2-1-0または0-1-2-3-0-1-2-3のいずれであってもよい。一方の順番がもう一方よりも好都合なわけではない。従って、いずれか一方が使用可能である。一実施では、シーケンス0-1-2-3-0-1-2-3-が使用されてもよい。さらに後述されるように、このシーケンスの選択は、セルフリフレッシュモードへの推移を簡略化する。図4に示されているような揮発性メモリ110の動作はさらに以下のように一例として示される。本例では、行インクリメントカウンタ420の初期値はゼロ0とされ、行インクリメントカウンタ420の実行信号460は、4番目のオートリフレッシュ動作ごとに起動される。メモリコントローラ120図1参照はオートリフレッシュコマンドを揮発性メモリ110に発行し、バンク410aのバンクアドレス470をエントリバンクアドレスラッチ210にロードして最初のオートリフレッシュサイクルを開始する。オートリフレッシュコマンドを受信すると、揮発性メモリ110はリフレッシュトリガ440にオートリフレッシュ動作を開始することを命令する。オートリフレッシュ動作時に、行インクリメントカウンタ420は値1にインクリメントされる。本例では、実行信号460は起動されず、行アドレスカウンタ450はインクリメントされない。行アドレスカウンタ450およびエントリバンクアドレスラッチ210に現在記憶されているターゲット行アドレスおよびバンクアドレスは次いで、バンク410aの特定の行をリフレッシュするためにそれぞれ使用される。続いて、メモリコントローラ120図1参照は別のオートリフレッシュコマンドを揮発性メモリ110に発行し、バンク410bのバンクアドレス470をエントリバンクアドレスラッチ210にロードして、第2のオートリフレッシュサイクルを開始する。同様に、第2のオートリフレッシュコマンドを受信すると、揮発性メモリ110はリフレッシュトリガ440に別のオートリフレッシュ動作を開始するように命令する。このオートリフレッシュ動作時に、行インクリメントカウンタ420は値2にインクリメントされる。また、実行信号460は起動されず、行アドレスカウンタ450はインクリメントされない。行アドレスカウンタ450およびエントリバンクアドレスラッチ210に現在記憶されているターゲット行アドレスおよびバンクアドレスは次いで、バンク410bの特定の行をリフレッシュするためにそれぞれ使用される。行アドレスカウンタ450はインクリメントされないため、このオートリフレッシュ動作で使用されるターゲット行アドレスは最後のオートリフレッシュ動作で使用されるものと同じである点に注目すべきである。しかしながら、このオートリフレッシュ動作について、エントリバンクアドレスラッチ210に記憶されているバンクアドレスは、異なるバンク410bが識別される点が異なる。結果として、バンク410aとは反対に異なるバンク410bの同一行がリフレッシュされる。同様に、第3および第4のオートリフレッシュサイクルについて、行インクリメントカウンタ420の実行信号460が起動されないため行アドレスカウンタ450はインクリメントされないことが理解されるであろう。結果的に、異なるバンク410cおよび410dの同一行は第3および第4のオートリフレッシュサイクル時にリフレッシュされる。第5のオートリフレッシュサイクルについて、メモリコントローラ120図1参照によってエントリバンクアドレスラッチ210にロードされたバンクアドレス470はバンク410aをまた指し示す。さらに、4個のオートリフレッシュ動作は既に実行されているため、行インクリメントカウンタ420の実行信号460が次に起動される。また実行信号460は行アドレスカウンタ450をインクリメントすることによって、ターゲット行アドレスを新たな行に移動させてリフレッシュする。この同一の新たな行は次いで、連続オートリフレッシュサイクル時に全4個のバンク410についてリフレッシュされる。揮発性メモリ110がオートリフレッシュモードに命令されると、揮発性メモリ110は、メモリコントローラ120が最後のオートリフレッシュコマンドを揮発性メモリ110に発行することを停止したポイントから、エントリバンクアドレスラッチ210に現在記憶されているバンクアドレスを内部的に使用してリフレッシュの生成を開始する。上記のようにメモリコントローラ120はオートリフレッシュコマンドを順次発行するため、これは可能と思われる。続いて、セルフリフレッシュモードの各リフレッシュに続いて、エントリバンクアドレスラッチ210の出力がインクリメントされる。事実、エントリバンクアドレスラッチ210はカウンタになる。ゆえに、セルフリフレッシュモードで、エントリバンクアドレスラッチ210が周期的にインクリメントされ、かつバンク410を巡回するために使用され、また行インクリメントカウンタ420も周期的にインクリメントされ、これはまた、リフレッシュされる行のターゲット行アドレスを含む行アドレスカウンタ450をインクリメントすることによって、行はバンク410を巡回するようになる。図4に示されるような揮発性メモリ110はさらに、上記シームレスリフレッシュ方法を実行するための終了バンクアドレスラッチ220を含んでもよい。セルフリフレッシュモードでリフレッシュされた最後のバンクのバンクアドレスは揮発性メモリ110によって終了バンクアドレスラッチ220にロードされ、メモリコントローラ120で使用可能となる。セルフリフレッシュモードでリフレッシュされた最後のバンクのバンクアドレスは次にメモリコントローラ120で使用可能になるため、メモリコントローラ120は、セルフリフレッシュモードが停止する場所をピックアップして、オートリフレッシュコマンドを揮発性メモリ110のリフレッシュ固有の位置に発行することが可能である。ゆえに、セルフリフレッシュモードを終了する際に揮発性メモリ110は行インクリメントカウンタ420をリセットする必要はなく、また揮発性メモリ110は、セルフリフレッシュモードを終了した後に1個の平均リフレッシュ期間tREFI内に多数のオートリフレッシュを発行する必要もない。別の実施形態では、終了行アドレスラッチ230図6参照は図4に示されているような揮発性メモリ110と併用可能である。揮発性メモリ110はさらに、行アドレスを行アドレスカウンタ450から終了行アドレスラッチ230にロードしてもよい。行アドレスは、揮発性メモリ110がセルフリフレッシュモードを終了する前にリフレッシュされた最後の行を表す。終了バンクアドレスラッチ220および終了行アドレスラッチ230の内容はメモリコントローラ120図1参照で使用可能である。結果として、メモリコントローラ120は、最後にリフレッシュされたバンクおよび行に関する情報を将来の動作について利用可能である。第2のアプローチでは、メモリコントローラは、オートリフレッシュモードのオートリフレッシュ動作のために揮発性メモリに任意の順番でリフレッシュを発行することができ、また揮発性メモリのいくつかのバンクは他のバンクよりも優勢にリフレッシュ可能である。図5は、第2のアプローチで独立リフレッシュ方法を実践するために使用可能な揮発性メモリ110の一実施形態を示している。揮発性メモリ110はさらに、エントリバンクアドレスラッチ210と、リフレッシュトリガ530と、多数のリフレッシュ行カウンタ510a~510dと多数のバンク520a~520dとを含んでもよい。エントリバンクアドレスラッチ210は、リフレッシュされる特定のバンクのターゲットバンクアドレスを記憶するために使用される。バンク520a~520dは各々対応するリフレッシュ行カウンタ510a~510dと関連している。リフレッシュ行カウンタ510a~510dの初期値は電源投入やリセット時に初期化される。例えば、リフレッシュ行カウンタ510aはバンク520aと関連している。リフレッシュ行カウンタ510a~510dは、それぞれのバンク520a~520dでリフレッシュされる行のターゲット行アドレスを維持するために使用される。リフレッシュ行カウンタ510a~510d内に記憶されているターゲット行アドレスは相互に独立している。リフレッシュトリガ530は、さらに後述されるように、セルフリフレッシュモード時にエントリバンクアドレスラッチ210を制御するために使用される。リフレッシュトリガ530は例えば、クロックや他のタイミング機構であってもよい。バンク520b~520dなどの他のバンクがアクセス可能なままである時に、メモリコントローラ120図1参照は揮発性メモリ110に、オートリフレッシュモードになり、特定のバンク、例えば揮発性メモリ110内のバンク520aをオートリフレッシュするように命令可能である。オートリフレッシュサイクルを開始するために、メモリコントローラ120図1参照はオートリフレッシュコマンドを揮発性メモリ110に発行し、バンクアドレス540をエントリバンクアドレスラッチ210にロードする。バンクアドレス540は、リフレッシュ目的でバンク520a~520dのうちの1つを識別するために使用される。バンクアドレス540は、リフレッシュされるバンクと関連した対応するリフレッシュ行カウンタを識別するためにも使用される。ゆえに、エントリバンクアドレスラッチ210に記憶されているバンクアドレスと、対応するリフレッシュ行カウンタに記憶されているターゲット行アドレスとによって、特定のバンクの特定の行がリフレッシュのために識別可能である。リフレッシュ動作が実行された後、リフレッシュされたバンクと関連したリフレッシュ行カウンタは制御論理図示せずによってインクリメントされる。メモリコントローラ120はリフレッシュされる特定のバンクを知っているため、他のバンクへのアクセスは中断なく継続可能である。これはメモリデータバス利用を最大化し、不必要な行の開/閉シーケンスを回避することによって電力消費を削減し、また転送待ち時間を最小化するように作用する。加えて、バンク520a~520dは自身のリフレッシュ行カウンタ510a~510dを有しているため、メモリコントローラ120は、独立リフレッシュを特定のバンクに割り当てるという柔軟性を有する。言い換えると、バンク520a~520dは相互に関係なくリフレッシュ可能である。例えば、一例では、メモリコントローラ120は複数のオートリフレッシュコマンドを揮発性メモリ110に発行してバンク520aをオートリフレッシュしてもよい。そして、バンク520aと関連したリフレッシュ行カウンタ510aに記憶されているターゲット行アドレスを発端に、バンク520aの1つ以上の行がリフレッシュされる。別の例では、メモリコントローラ120は複数のオートリフレッシュコマンドを揮発性メモリ110に発行して異なるバンクであるバンク520cをオートリフレッシュしてもよい。バンク520cと関連したリフレッシュ行カウンタ510cに記憶されているターゲット行アドレスを発端に、バンク520cの1つ以上の行がリフレッシュされる。リフレッシュ行カウンタ510aおよび510cに記憶されているターゲット行アドレスはそれぞれ同一でも異なってもよい点に注目すべきである。各バンクが独立してリフレッシュされるようにすることによって、メモリコントローラ120は所与のバンクがアイドルである期間を利用して、複数のオートリフレッシュコマンドを揮発性メモリ110に発行できるため、複数の拡張advancedリフレッシュが、期限前にアイドルバンクに対して実行可能である。結果的に、バンク520a~520dがアクティブである場合には複数のスケジュール済みリフレッシュはそれ程頻繁に実行されないため、バンク520a~520dの使用可能性は増大する。一例では、バンク520aが延長期間中アイドルであれば、複数の追加拡張リフレッシュがバンク520aに対して実行可能であり、続いて、バンク520aがアクティブである時、バンク520aの複数のスケジュール済みリフレッシュはスキップ可能である。別の例では、バンク520bがより短期間アイドルであれば、メモリコントローラ120は、複数のより少数の拡張リフレッシュを開始することを選択してもよい。予定より早くリフレッシュする能力を有することによってバンク520a~520dは、高データトラヒック期間中により効率的に動作可能である。例えば、所与のバンクが予定より早いn個のリフレッシュである場合、メモリコントローラ120はn個の規則的にスケジューリングされたリフレッシュをこのバンクに発行するというオーバーヘッドを回避することができるが、その代わりメモリアクセス動作の実行を継続することができる。これは、メモリデータバス利用を最大化し、不必要な行の開/閉シーケンスを回避することによって電力消費を削減し、また転送待ち時間を最小化するように作用する。さらに、メモリコントローラ120は揮発性メモリ110にセルフリフレッシュモードになるように命令してもよい。セルフリフレッシュモードになると、揮発性メモリ110は、エントリバンクアドレスラッチ210に記憶されている最も新しいバンクアドレスから開始する。最も新しいバンクアドレスは一般的に、最新のオートリフレッシュ動作で使用されるバンクアドレスである。エントリバンクアドレスラッチ210に現在記憶されているバンクアドレスを使用することによって、揮発性メモリ110は、メモリコントローラ120が最後のオートリフレッシュ動作後に停止する場所をピックアップすることができる。各セルフリフレッシュ動作時に、リフレッシュされるターゲットバンクは、エントリバンクアドレスラッチ210に現在記憶されているバンクアドレスによって識別される。リフレッシュされるターゲットバンクの特定の行はさらに、ターゲットバンクと関連したリフレッシュ行カウンタに現在記憶されているターゲット行アドレスによって識別される。ゆえに、リフレッシュ動作はターゲットバンクの特定の行に対して実行可能である。さらに、各セルフリフレッシュ動作時に、エントリバンクアドレスラッチ210はリフレッシュトリガ530によってインクリメントされる。エントリバンクアドレスラッチ210をインクリメントすることによって、バンクアドレスは、リフレッシュされる次のターゲットバンクを識別するために更新される。加えて、リフレッシュされたバンクと関連したリフレッシュ行カウンタもまた制御論理図示せずによってインクリメントされて、このバンクの更新済みターゲット行アドレスを提供し、更新済みターゲット行アドレスは、次回バンクがリフレッシュされるときに使用される。次のセルフリフレッシュ動作は次いで、エントリバンクアドレスラッチ210の更新済みバンクアドレスと、更新済みバンクアドレスによって識別されたバンクと関連した対応するリフレッシュ行カウンタとを使用して実行される。結果として、揮発性メモリ110がセルフリフレッシュモードになると、バンク520a~520dはこの対応するリフレッシュ行カウンタ510a~510dを使用して巡回される。代替的に、揮発性メモリ110がセルフリフレッシュモードになると、全バンク520a~520dは、対応するリフレッシュ行カウンタ510a~510dによってそれぞれ記憶されているターゲット行アドレスを使用して同時にリフレッシュ可能である。全バンク520a~520dの同時リフレッシュと、リフレッシュ行カウンタ510a~510dの関連動作は制御論理図示せずによって達成可能である。ここに提供されている開示および教示に基づいて、当業者は、本開示に開示されている概念に従って同時リフレッシュを実行する方法を理解するであろう。図5に示されているような揮発性メモリ110はさらに、上記シームレスリフレッシュ方法を実行するための終了バンクアドレスラッチ220を含んでもよい。セルフリフレッシュモードになると、セルフリフレッシュサイクルが開始すべきターゲットバンクのバンクアドレスはエントリバンクアドレスラッチ210にロードされる。セルフリフレッシュモードを終了すると、セルフリフレッシュモードでリフレッシュされた最後のバンクのバンクアドレスは終了バンクアドレスラッチ220に揮発性メモリ110によってロードされ、メモリコントローラ120で使用可能となる。エントリおよび終了バンクアドレスラッチ210および220を有することによって、メモリコントローラ120はもはや、セルフリフレッシュモードになる前に追加リフレッシュを実行するように揮発性メモリ110に命令する必要はない。シームレスリフレッシュ方法を使用してメモリコントローラ120および揮発性メモリ110を同期化することなく、セルフリフレッシュモードになる場合およびこれを終了する場合にバンク520の各々について拡張リフレッシュが必要とされることがあるため、揮発性メモリ110がセルフリフレッシュモードになる前に追加拡張リフレッシュがバンクごとに必要となるであろう。別の実施形態では、終了行アドレスラッチ230図6は図5に示されているような揮発性メモリ110と併用可能である。揮発性メモリ110はさらに、行アドレスをリフレッシュ行カウンタ510のうちの1つから終了行アドレスラッチ230にロードしてもよい。行アドレスは、揮発性メモリ110がセルフリフレッシュモードになる前にリフレッシュされた最後の行を表す。終了バンクアドレスラッチ220および終了行アドレスラッチ230の内容はメモリコントローラ120図1参照で使用可能である。結果として、メモリコントローラ120は、最後にリフレッシュされたバンクおよび行に関する情報を将来の動作に利用してもよい。ここに開示されている実施形態と関連して説明された方法やアルゴリズムは、制御論理、プログラミング指令または他の命令の形態で、ハードウェア、プロセッサによって実行可能なソフトウェアモジュール、あるいは両者の組み合わせで直接具現化されてもよい。ソフトウェアモジュールはRAMメモリ、フラッシュメモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、CD-ROM、あるいは当業界で既知の任意の形態の記憶媒体に存在してもよい。プロセッサが記憶媒体から情報を読み取ったり、これに情報を書き込んだりすることができるように、記憶媒体はプロセッサに結合されてもよい。代替例では、記憶媒体はプロセッサと一体的であってもよい。開示された実施形態についての上記説明は、当業者が本発明を為したり、これを使用できるようにするために提供される。これらの実施形態の種々の修正は当業者には容易に明らかであろうし、ここに定義されている一般原理は本発明の範囲の主旨から逸脱することなく他の実施形態にも適用可能である。従って、本発明はここに示されている実施形態に制限されることはないが、請求項に即した全範囲に従うべきであり、ここで、特に言及されなければ単数形の要素への言及は1個かつ唯一であることを意味するわけではなく、1つ以上を意味する。当業者には既知であるか、後に知ることになる、本開示に渡って説明されている種々の実施形態の要素に対する全ての構造的かつ機能的等化物は明らかに参照してここに組み込まれており、請求項に包含されることを意図している。さらに、このような開示が請求項に明確に引用されているか否かに関係なく、ここに開示されているものは一般化されることはない。要素が~のための手段というフレーズを使用して明確に列挙されたり、方法クレームの場合には要素が~のためのステップというフレーズを使用して列挙されたりしない場合には、請求項の要素は米国特許法第112項、第6段落の規定に基づいて解釈されるべきではない。