"基材上に粘着剤層及び接着剤層が順次積層されたダイシングダイボンドフィルムであって、前記接着剤層は無機充填剤を含み、前記粘着剤層との貼り合わせ前における貼り合わせ面には前記無機充填剤により凹凸が付与されており、かつ前記貼り合わせ面の算術平均粗さRaが0.015~1μmであり、前記粘着剤層の算術平均粗さRaは、前記接着剤層との貼り合わせ前において、0.015~0.5μmの範囲であり、前記貼り合わせ面の接触面積は、貼り合わせ面積に対し35~90の範囲であり、前記粘着剤層の粘着力は、前記接着剤層に対して0.04~0.2N/10mm幅であるダイシングダイボンドフィルム。前記無機充填剤の配合量は、前記接着剤層における有機樹脂成分100重量部に対し20~80重量部である請求項1に記載のダイシングダイボンドフィルム。前記無機充填剤の平均粒径が0.1~5μmである請求項1又は2に記載のダイシングダイボンドフィルム。本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、ダイシング工程の際の接着性と、ピックアップ工程の際の剥離性に優れたダイシングダイボンドフィルムを、工業規模においても設計変更することなく製造することが可能なダイシングダイボンドフィルムの製造方法、及びその方法により得られるダイシングダイボンドフィルムを提供することにある。本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、ダイシングダイボンドフィルムの製造方法、及び当該方法により得られるダイシングダイボンドフィルムについて検討した。その結果、接着剤層中に配合する無機充填剤の配合量だけでなく、両者の接触面積を制御することにより、工業規模で製造する場合にも、粘着剤層と接着剤層の間の粘着性及び剥離性を良好にしてダイシングダイボンドフィルムの製造が可能になることを見出して、本発明を完成させるに至った。即ち、本発明に係るダイシングダイボンドフィルムの製造方法は、前記の課題を解決する為に、基材上に粘着剤層及び接着剤層が順次積層されたダイシングダイボンドフィルムの製造方法であって、離型フィルム上に、無機充填剤を含み、算術平均粗さRaが0.015~1μmであり、表面が凹凸状の前記接着剤層を形成する工程と、前記基材上に設けられた粘着剤層と前記接着剤層を、温度30~50°C、圧力0.1~0.6MPaの条件下で貼り合わせ、粘着剤層と接着剤層との接触面積を貼り合わせ面積に対し35~90の範囲とする工程とを有する。前記方法によれば、表面が凹凸状であり、かつ、算術平均粗さRaが0.015~1μmの前記接着剤層を形成し、更に、この接着剤層と粘着剤層とを温度30~50°C、圧力0.1~0.6MPaの条件下で貼り合わせることにより、粘着剤層と接着剤層の間を多点接触ないし海島状の接触状態で接着させることができる。更に、両者の接触面積を貼り合わせ面積に対し90以下にすることにより、粘着剤層との接触面積が大きくなって粘着性が過度に大きくなり過ぎるのを防止し、ピックアップ性が低下するのを防止することができる。その一方、接触面積を35以上にすることにより、粘着剤層との接触面積が小さくなって剥離性が過度に大きくなり過ぎるのを防止し、ダイシングの際における半導体チップのチップ飛びが発生するのを防止することができる。即ち、前記方法であると、粘着剤層と接着剤層の間において、ダイシング工程の際の粘着性と、ピックアップ工程の際の剥離性のバランスを良好に制御したダイシングダイボンドフィルムを得ることができる。また、無機充填剤の配合量の調節によって、粘着剤層と接着剤層の間における接着性及び剥離性を制御する場合と比較して、工業規模での製造を行う場合にも、接着剤層の形成の際における接着剤組成物溶液の塗工条件や、粘着剤層との貼り合わせ条件などの大幅な設計変更を抑制することができる。その結果、製造工程上の煩雑さを低減することができる。前記方法に於いて、前記接着剤層を形成する工程は、前記離型フィルム上に、前記無機充填剤を含む接着剤組成物溶液を塗工して塗布層を形成する工程と、前記塗布層に、風量5~20m/minの乾燥風を、乾燥温度70~160°C、乾燥時間1~5minの条件下で吹き付けて乾燥させる工程とを含むことが好ましい。これにより、粘着剤層との貼り合わせ面を凹凸状にし、かつ、算術平均粗さRaが0.015~1μmの接着剤層を形成することができる。前記方法に於いて、前記無機充填剤の配合量は、前記接着剤層における有機樹脂成分100重量部に対し20~80重量部であることが好ましい。接着剤層の有機樹脂成分100重量部に対し、無機充填剤の配合量を20重量部以上にすることにより、耐熱性の低下を防止することができ、長時間にわたって高温の熱履歴にさらされた場合にも、接着剤層の硬化を防止し、その流動性や埋め込み性の低下を防止することができる。その一方、配合量を80重量部以下にすることにより、接着剤層の引張弾性率が高くなり過ぎるのを防止し、硬化した接着剤が応力緩和しづらくなり、封止樹脂による半導体素子の封止工程の際にも貼り合わせ面における凹凸に対する埋め込み性が低下するのを防止することができる。前記方法に於いては、前記無機充填剤として、その平均粒径が0.1~5μmのものを使用することが好ましい。無機充填剤の平均粒径が0.1μm未満であると、前記接着剤層における算術平均粗さRaを0.015μm以上にすることが困難になる。その一方、前記平均粒径が5μmを超えると、Raを1μm未満にすることが困難になる。前記の方法に於いて、前記塗布層の乾燥は、乾燥時間の経過と共に、乾燥温度を段階的に上昇させて行うことが好ましい。乾燥温度を段階的に上昇させた乾燥方法であると、接着剤組成物溶液の塗工直後に、塗布層表面にピンホールが発生するのを防止することができる。前記粘着剤層の算術平均粗さRaは、前記接着剤層との貼り合わせ前において、0.015~0.5μmの範囲であることが好ましい。また、本発明に係るダイシングダイボンドフィルムは、前記の課題を解決する為に、基材上に粘着剤層及び接着剤層が順次積層されたダイシングダイボンドフィルムであって、前記接着剤層は無機充填剤を含み、前記粘着剤層との貼り合わせ前における貼り合わせ面が凹凸状で、算術平均粗さRaが0.015~1μmであり、前記貼り合わせ面の接触面積は、貼り合わせ面積に対し35~90の範囲である。前記構成において、接着剤層における粘着剤層との貼り合わせ面は凹凸状となっているので、当該粘着剤層と貼り合わせることにより、多点接触ないし海島状の接触状態で接着させることができる。また、接着剤層の貼り合わせ面において、その算術平均粗さRaを0.015~1μmとすることにより、粘着剤層との接触面積を貼り合わせ面積に対し35~90の範囲内としている。この様な構成であると、粘着剤層と接着剤層の間において、ダイシング工程の際の粘着性と、ピックアップ工程の際の剥離性のバランスに優れたものが得られる。前記の構成に於いて、前記無機充填剤の配合量は、前記接着剤層における有機樹脂成分100重量部に対し20~80重量部であることが好ましい。無機充填剤の配合量を20重量部以上にすることにより、耐熱性の低下を防止することができ、長時間にわたって高温の熱履歴にさらされた場合にも、接着剤層の硬化を防止し、その流動性や埋め込み性の低下を防止することができる。その一方、配合量を80重量部以下にすることにより、接着剤層の引張弾性率が高くなり過ぎるのを防止し、硬化した接着剤が応力緩和しづらくなり、封止樹脂による半導体素子の封止工程の際にも貼り合わせ面における凹凸に対する埋め込み性が低下するのを防止することができる。前記の構成に於いては、前記無機充填剤として、その平均粒径が0.1~5μmのものを使用することが好ましい。無機充填剤の平均粒径が0.1μm未満であると、前記接着剤層における算術平均粗さRaを0.015μm以上にすることが困難になる。その一方、前記平均粒径が5μmを超えると、Raを1μm未満にすることが困難になる。前記粘着剤層の算術平均粗さRaは、前記接着剤層との貼り合わせ前において、0.015~0.5μmの範囲であることが好ましい。ダイシングダイボンドフィルムの製造方法基材上に粘着剤層及び接着剤層が順次積層されたダイシングダイボンドフィルムを例にして、本実施の形態に係るダイシングダイボンドフィルムの製造方法を以下に説明する。先ず、本実施の形態に係るダイシングダイボンドフィルムの製造方法は、離型フィルム上に接着剤層を形成する工程と、基材上に設けられた粘着剤層と接着剤層を貼り合わせる工程とを少なくとも含む。前記接着剤層を形成する工程としては、例えば、離型フィルム上に、無機充填剤を含む接着剤組成物溶液詳細は後述する。を塗工して塗布層を形成する工程を行い、その後、前記塗布層を乾燥させる工程を行う方法が挙げられる。前記接着剤組成物溶液の塗工方法としては特に限定されず、例えば、コンマコート法、ファウンテン法、グラビア法などを用いて塗工する方法が挙げられる。塗工厚みとしては、塗布層を乾燥して最終的に得られる接着剤層の厚さが5~100μmの範囲内となる様に適宜設定すればよい。更に、接着剤組成物溶液の粘度としては特に限定されず、400~2500mPasが好ましく、800~2000mPasがより好ましい。前記離型フィルムとしては特に限定されず、従来公知のものを使用することができる。具体的には、例えば、離型フィルムの基材における接着剤層との貼り合わせ面に、シリコーン層等の離型コート層が形成されたものが挙げられる。また、離型フィルムの基材としては、例えば、グラシン紙のような紙材や、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル等よりなる樹脂フィルムが挙げられる。前記塗布層の乾燥は、塗布層に乾燥風を吹き付けることにより行う。当該乾燥風の吹き付けは、例えば、その吹き付け方向を離型フィルムの搬送方向と平行となる様に行う方法や、塗布層の表面に垂直となる様に行う方法が挙げられる。乾燥風の風量は特に限定されず、通常は5~20m/min、好ましくは5~15m/minである。乾燥風の風量が5m/min以上にすることにより、塗布層の乾燥が不十分になるのを防止することができる。その一方、乾燥風の風量を20m/min以下にすることにより、塗布層の表面近傍における有機溶剤詳細は後述する。の濃度を均一にするので、その蒸発を均一にすることができる。その結果、表面状態が面内において均一な接着剤層の形成が可能になる。乾燥時間は接着剤組成物溶液の塗工厚みに応じて適宜設定され、通常は1~5min、好ましくは2~4minの範囲内である。乾燥時間が1min未満であると、硬化反応が十分に進行せず、未反応の硬化成分や残存する溶媒量が多く、これにより、後工程にてアウトガスやボイドの問題が発生する場合がある。その一方、5minを超えると、硬化反応が進行しすぎる結果、流動性や被着体に対する埋まり込み性が低下する場合がある。乾燥温度は特に限定されず、通常は70~160°Cの範囲内で設定される。但し、本発明に於いては、乾燥時間の経過と共に、乾燥温度を段階的に上昇させて行うことが好ましい。具体的には、例えば乾燥初期乾燥直後から1min以下では70°C~100°Cの範囲内で設定され、乾燥後期1minを超えて5min以下では100~160°Cの範囲内で設定される。これにより、塗工直後に乾燥温度を急激に上昇させた場合に生じる塗布層表面のピンホールの発生を防止することができる。その結果、表面が凹凸状で、かつ、算術平均粗さRaが0.015~1μmの接着剤層を形成することができる。前記粘着剤層と接着剤層の貼り合わせ工程は、圧着により行われる。貼り合わせ温度は30~50°Cであり、好ましくは35~45°Cである。また、貼り合わせ圧力は0.1~0.6MPaであり、好ましくは0.2~0.5MPaである。これらの圧着条件で粘着剤層と接着剤層を貼り合わせることにより、両者を多点接触ないし海島状の接触状態で接着させることができ、かつ、接触面積を貼り合わせ面に対し35~90の範囲内にすることができる。尚、前記接触面積の値は、撮影して得られた画像を2値化する画像解析により得られる。前記画像解析を行うための画像処理装置としては、撮影された濃淡画像を2値化処理できるものであれば特に限定されず、従来公知のものを全て使用することができる。具体的には、例えば、類似した画像を連続的に検査する場合が多いので、最初の画像任意の画像について解析者が画面を見ながらしきい値を設定し、他の画像については、最初の画像で設定したしきい値に基づいてそのしきい値を設定する。画像信号の2値化は、市販の画像解析ソフトウェアを用いて行うことができる。例えば、三谷商事株式会社製のWinROOF登録商標、アドビシステムズ株式会社製のAdobePhotoshop登録商標、ナノシステム株式会社製のNanoHunterNS2K-Pro登録商標等が挙げられる。前記離型フィルムは、粘着剤層と接着剤層の貼り合わせ後に剥離してもよく、あるいは、そのままダイシングダイボンドフィルムの保護フィルムとして使用し、半導体ウエハ等との貼り合わせの際に剥離してもよい。これにより、本実施の形態に係るダイシングダイボンドフィルムを製造することができる。尚、基材上に粘着剤層を形成する方法即ち、ダイシングフィルムの形成方法については特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用することができる。具体的には、次の通りである。先ず、前記基材は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Tダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。次に、前記粘着剤層は、基材上に粘着剤組成物溶液を塗工した後、所定条件下で乾燥させる必要に応じて加熱架橋させることにより形成することができる。塗工方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。塗工の際の塗工厚みとしては、塗布層を乾燥して最終的に得られる粘着材層の厚さが1~50μmの範囲内となる様に適宜設定すればよい。更に、粘着材組成物溶液の粘度としては特に限定されず、400~2500mPasが好ましく、800~2000mPasがより好ましい。前記塗布層の乾燥方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用することができる。表面が平滑な粘着剤層を形成する場合には、乾燥風を用いずに乾燥させることが好ましい。乾燥時間は粘着材組成物溶液の塗工量に応じて適宜設定され、通常は0.5~5min、好ましくは2~4minの範囲内である。乾燥温度は特に限定されず、通常は80~150°Cであり、好ましくは80~130°Cである。以上により、接着剤層との貼り合わせ面における算術平均粗さRaが、0.015~0.5μmの範囲である粘着剤層を形成することができる。尚、粘着剤層の形成は、セパレータ上に粘着剤組成物を塗工してその塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて粘着剤層を形成してもよい。その後、基材上に粘着剤層を転写することにより、ダイシングフィルムが得られる。ダイシングダイボンドフィルム図1aに示すように、ダイシングダイボンドフィルム10は、基材1上に粘着剤層2及び接着剤層3が順次積層された構成である。また、図2に示すように、ワーク貼り付け部分にのみ接着剤層3’を形成した構成であってもよい。図1bに示すように、粘着剤層2と接着剤層3は多点接触ないし海島状の接触状態で接着しており、その接触面積は貼り合わせ面積に対し35~90の範囲内であり、好ましくは35~85、より好ましくは35~80、特に好ましくは35~75である。接触面積を35以上にすることにより、粘着剤層との接触面積が小さくなって剥離性が過度に大きくなり過ぎるのを防止し、ダイシングの際における半導体チップのチップ飛びが発生するのを防止することができる。その一方、接触面積を90以下にすることにより、粘着剤層との接触面積が大きくなって粘着性が過度に大きくなり過ぎるのを防止し、ピックアップ性が低下するのを防止することができる。前記接着剤層3の粘着剤層2との貼り合わせ面における算術平均粗さRaは、0.015~1μmであり、好ましくは0.05~1μm、より好ましくは0.1~1μmである。算術平均粗さRaが0.015μm以上であると、粘着剤層2と接着剤層3の接触面積が90以下に抑制し、密着力が大きくなり過ぎるのを防止できる。その結果、半導体チップのピックアップの際におけるピックアップ性の低下を低減することができる。その一方、算術平均粗さRaが1μm以下であると、粘着剤層2と接着剤層3の接触面積を35以上にできるので、粘着剤層2と接着剤層3の貼り合わせを可能にし、ダイシングの際に半導体チップのチップ飛びが発生するのを防止することができる。また、半導体チップのダイボンディングの際に、接着剤層3と被着体との間に空隙が生じるのを抑制することができる。その結果、信頼性の低下を防止して半導体装置を製造することができる。尚、前記算術平均粗さRaは、JIS表面粗さB0601により定義される算術平均粗さである。算術平均粗さの測定方法としては、例えば、VEECO社製の非接触三次元表面形状測定装置NT8000、ZYGO社製のNewView5032、島津製作所製の原子間力顕微鏡SPM-9500型等を用いた方法が挙げられる。次に、本実施の形態に係るダイシングダイボンドフィルム10を構成する各構成部材について詳述する。前記基材1は紫外線透過性を有し、かつダイシングダイボンドフィルム10、12の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン-酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン-メタアクリル酸共重合体、エチレン-メタアクリル酸エステルランダム、交互共重合体、エチレン-ブテン共重合体、エチレン-ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド紙、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属箔、紙等が挙げられる。また基材1の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材1を熱収縮させることにより粘着剤層2と接着剤層3、3’との接着面積を低下させて、半導体チップの回収の容易化を図ることができる。基材1の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤例えば、後述する粘着物質によるコーティング処理を施すことができる。前記基材1は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材1には、帯電防止能を付与する為、前記の基材1上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが30~500Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材1は単層あるいは2種以上の複層でもよい。基材1の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には5~200μm程度である。前記粘着剤層2は、例えば、紫外線硬化型粘着剤を含み構成されている。紫外線硬化型粘着剤は、紫外線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、図2に示す粘着剤層2の半導体ウェハ貼り付け部分に対応する部分2aのみを紫外線照射することにより他の部分2bとの粘着力の差を設けることができる。また、図2に示す接着剤層3’に合わせて紫外線硬化型の粘着剤層2を硬化させることにより、粘着力が著しく低下した前記部分2aを容易に形成できる。硬化し、粘着力の低下した前記部分2aに接着剤層3’が貼付けられる為、粘着剤層2の前記部分2aと接着剤層3’との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、紫外線を照射していない部分は十分な粘着力を有しており、前記部分2bを形成する。前述の通り、図1に示すダイシングダイボンドフィルム10の粘着剤層2に於いて、未硬化の紫外線硬化型粘着剤により形成されている前記部分2bは接着剤層3と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。この様に紫外線硬化型粘着剤は、半導体チップを基板等の被着体に固着する為の接着剤層3を、接着剥離のバランスよく支持することができる。図2に示すダイシングダイボンドフィルム11の粘着剤層2に於いては、前記部分2bがウェハリングを固定することができる。前記紫外線硬化型粘着剤は、炭素-炭素二重結合等の紫外線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。紫外線硬化型粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の紫外線硬化型粘着剤を例示できる。前記感圧性粘着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、メタアクリル酸アルキルエステル例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、s-ブチルエステル、t-ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、2-エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数1~30、特に炭素数4~18の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等及びメタアクリル酸シクロアルキルエステル例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等の1種又は2種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、メタアクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び/又はメタクリル酸エステルをいい、本発明のメタとは全て同様の意味である。前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記メタアクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルメタアクリレート、カルボキシペンチルメタアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー;無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー;メタアクリル酸2-ヒドロキシエチル、メタアクリル酸2-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸4-ヒドロキシブチル、メタアクリル酸6-ヒドロキシヘキシル、メタアクリル酸8-ヒドロキシオクチル、メタアクリル酸10-ヒドロキシデシル、メタアクリル酸12-ヒドロキシラウリル、4-ヒドロキシメチルシクロヘキシルメチルメタアクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー;スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2-メタアクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、メタアクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピルメタアクリレート、メタアクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー;2-ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー;アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、1種又は2種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の40重量以下が好ましい。更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させる為、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジメタアクリレート、ポリエチレングリコールジメタアクリレート、ポリプロピレングリコールジメタアクリレート、ネオペンチルグリコールジメタアクリレート、ペンタエリスリトールジメタアクリレート、トリメチロールプロパントリメタアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタアクリレート、エポキシメタアクリレート、ポリエステルメタアクリレート、ウレタンメタアクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも1種又は2種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の30重量以下が好ましい。前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は2種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは30万以上、更に好ましくは40万~300万程度である。また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー100重量部に対して、5重量部程度以下、更には0.1~5重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。配合する前記紫外線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタンメタアクリレート、トリメチロールプロパントリメタアクリレート、テトラメチロールメタンテトラメタアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタアクリレート、ペンタエリストールテトラメタアクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタメタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタアクリレート、1,4-ブタンジオールジメタアクリレート等が挙げられる。また紫外線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が100~30000程度の範囲のものが適当である。紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー100重量部に対して、例えば5~500重量部、好ましくは40~150重量部程度である。また、紫外線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の紫外線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素-炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の紫外線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の紫外線硬化型粘着剤は、低分子量成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。前記炭素-炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素-炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。前記アクリル系ポリマーへの炭素-炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素-炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素-炭素二重結合を有する化合物を、炭素-炭素二重結合の紫外線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素-炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素-炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、m-イソプロペニル-α,α-ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや2-ヒドロキシエチルビニルエーテル、4-ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。前記内在型の紫外線硬化型粘着剤は、前記炭素-炭素二重結合を有するベースポリマー特にアクリル系ポリマーを単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。紫外線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー100重量部に対して30重量部の範囲内であり、好ましくは0~10重量部の範囲である。前記紫外線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、4-2-ヒドロキシエトキシフェニル2-ヒドロキシ-2-プロピルケトン、α-ヒドロキシ-α,α’-ジメチルアセトフェノン、2-メチル-2-ヒドロキシプロピオフェノン、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα-ケトール系化合物;メトキシアセトフェノン、2,2-ジメトキシ-2-フェニルアセトフエノン、2,2-ジエトキシアセトフェノン、2-メチル-1-[4-メチルチオ-フェニル]-2-モルホリノプロパン-1等のアセトフェノン系化合物;ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物;ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物;2-ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物;1-フェノン-1,1―プロパンジオン-2-o-エトキシカルボニルオキシム等の光活性オキシム系化合物;ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、3,3’-ジメチル-4-メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物;チオキサンソン、2-クロロチオキサンソン、2-メチルチオキサンソン、2,4-ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、2,4-ジクロロチオキサンソン、2,4-ジエチルチオキサンソン、2,4-ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物;カンファーキノン;ハロゲン化ケトン;アシルホスフィノキシド;アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー100重量部に対して、例えば0.05~20重量部程度である。また紫外線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭60-196956号公報に開示されている、不飽和結合を2個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。前記粘着剤層2の粘着力は、接着剤層3、3’に対して0.04~0.2N/10mm幅であることが好ましく、0.06~0.1N/10mm幅であることがより好ましい90度ピール剥離力、剥離速度300mm/mm。前記数値範囲内であると、ダイボンドフィルムの接着剤付き半導体チップをピックアップする際に、該半導体チップを必要以上に固定することなく、より良好なピックアップ性が図れる。前記粘着剤層2に前記部分2aを形成する方法としては、基材1に紫外線硬化型の粘着剤層2を形成した後、前記部分2aに部分的に紫外線を照射し硬化させる方法が挙げられる。部分的な紫外線照射は、半導体ウェハ貼り付け部分3a以外の部分3b等に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に紫外線を照射し硬化させる方法等が挙げられる。紫外線硬化型の粘着剤層2の形成は、セパレータ上に設けたものを基材1上に転写することにより行うことができる。部分的な紫外線硬化はセパレータ上に設けた紫外線硬化型の粘着剤層2に行うこともできる。ダイシングダイボンドフィルム10の粘着剤層2に於いては、前記部分2aの粘着力<その他の部分2bの粘着力、となるように粘着剤層2の一部を紫外線照射してもよい。即ち、基材1の少なくとも片面の、半導体ウェハ貼り付け部分3aに対応する部分以外の部分の全部又は一部が遮光されたものを用い、これに紫外線硬化型の粘着剤層2を形成した後に紫外線照射して、半導体ウェハ貼り付け部分3aに対応する部分を硬化させ、粘着力を低下させた前記部分2aを形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着等で作製することができる。これにより、効率よく本発明のダイシングダイボンドフィルム10を製造可能である。粘着剤層2の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保持の両立性等の点よりは、1~50μm程度であるのが好ましい。好ましくは2~30μm、更には5~25μmが好ましい。前記接着剤層は接着機能を有する層であり、その構成材料としては、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを併用したものが挙げられる。又、熱可塑性樹脂単独でも使用可能である。接着剤層3、3’の積層構造は特に限定されず、例えば接着剤層の単層のみからなるものや、コア材料の片面又は両面に接着剤層を形成した多層構造のもの等が挙げられる。前記コア材料としては、フィルム例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-アクリル酸共重合体、エチレン-アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、6-ナイロンや6,6-ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、PETやPBT等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数30以下、特に炭素数4~18の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの1種又は2種以上を成分とする重合体等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、へキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、メタアクリル酸2-ヒドロキシエチル、メタアクリル酸2-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸4-ヒドロキシブチル、メタアクリル酸6-ヒドロキシヘキシル、メタアクリル酸8-ヒドロキシオクチル、メタアクリル酸10-ヒドロキシデシル、メタアクリル酸12-ヒドロキシラウリル若しくは4-ヒドロキシメチルシクロヘキシル-メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2-メタアクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、メタアクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピルメタアクリレート若しくはメタアクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は2-ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビスフェノールS型、臭素化ビスフェノールA型、水添ビスフェノールA型、ビスフェノールAF型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、tert-ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基1当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が0.5~2.0当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、0.8~1.2当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。尚、本発明に於いては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂を用いたダイボンドフィルムが特に好ましい。これらの樹脂は、イオン性不純物が少なく耐熱性が高いので、半導体素子の信頼性を確保できる。この場合の配合比は、アクリル樹脂成分100重量部に対して、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の混合量が10~200重量部である。本発明の接着剤層3、3’を予めある程度架橋をさせておく場合には、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくのがよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。前記架橋剤としては、従来公知のものを採用することができる。特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、p-フェニレンジイソシアネート、1,5-ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、前記の重合体100重量部に対し、通常0.05~7重量部とするのが好ましい。架橋剤の量が7重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。その一方、0.05重量部より少ないと、凝集力が不足するので好ましくない。また、この様なポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。また、接着剤層3、3’には、無機充填剤を適宜配合することができる。無機充填剤の配合は、接着剤層3、3’の表面に凹凸を付与する。また、導電性の付与や熱伝導性の向上、貯蔵弾性率の調節等も可能にする。前記無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田等の金属、又は合金類、その他カーボン等からなる種々の無機粉末が挙げられる。これらは、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。なかでも、シリカ、特に溶融シリカが好適に用いられる。無機充填剤の平均粒径は、0.1~5μmの範囲内であることが好ましく、0.2~3μmの範囲内であることがより好ましい。無機充填剤の平均粒径が0.1μm未満であると、前記接着剤層のRaを0.15μm以上にすることが困難になる。その一方、前記平均粒径が5μmを超えると、Raを1μm未満にすることが困難になる。尚、本発明においては、平均粒径が相互に異なる無機充填剤同士を組み合わせて使用してもよい。また、平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計HORIBA製、装置名;LA-910により求めた値である。前記無機充填剤の配合量は、有機樹脂成分100重量部に対し20~80重量部に設定することが好ましい。特に好ましくは20~70重量部である。無機充填剤の配合量が20重量部未満であると、耐熱性が低下するため、長時間高温の熱履歴にさらされると接着剤層3、3’が硬化し、流動性や埋め込み性が低下する場合がある。また、80重量部を超えると、接着剤層3、3’の貯蔵弾性率が大きくなる。このため、硬化した接着剤が応力緩和しづらくなり、封止工程において凹凸に対する埋め込み性が低下する場合がある。尚、接着剤層3、3’には、前記無機充填剤以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β-3、4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。接着剤層3、3’の厚さ積層体の場合は、総厚は特に限定されないが、例えば、5~100μm程度、好ましくは5~50μm程度である。前記ダイシングダイボンドフィルム10、12の接着剤層3、3’は、セパレータにより保護されていることが好ましい図示せず。セパレータは、実用に供するまで接着剤層3、3’を保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、更に、粘着剤層2に接着剤層3、3’を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイシングダイボンドフィルムの接着剤層3、3’上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。接着剤層3、3’は、その接着機能の面から、少なくとも面内方向に対し垂直な方向に於いてある程度の弾性を有するのが好ましい。一方、接着剤層3、3’全体として過度に弾性を有する場合は、ワイヤーボンディング時にボンディングワイヤーを接続しようとしても、接着剤層3、3’を貼りあわせたリードフレームを十分に固定しておくことが接着剤層3、3’の弾性力によって阻害される。その結果、加圧による圧着エネルギーを緩和して、ボンディング不良が発生する。前記のワイヤーボンディング工程に於いては、150°C~200°C程度の高温条件下で行われる。そのため、接着剤層3、3’の硬化前120°Cに於ける引張貯蔵弾性率が1×104Pa以上であることが好ましく、0.1~20Paであることがより好ましい。前記引張貯蔵弾性率が1×104Pa未満であると、ダイシング時に溶融した接着剤層3、3’が、例えば半導体チップに固着し、ピックアップが困難になる場合がある。また、接着剤層3、3’の硬化後200°Cに於ける引張貯蔵弾性率は50MPa以下であることが好ましく、0.5MPa~40MPaであることがより好ましい。50MPaを超えると、ワイヤーボンディング後のモールドの際に、接着剤層3、3’の凹凸面に対する埋め込み性が低下する場合がある。尚、0.5MPa以上とすることにより、リードレス構造を特徴とした半導体装置では安定した結線が可能になる。引張貯蔵弾性率は、無機充填剤の添加量を適宜調整することにより調整することができる。引張貯蔵弾性率の測定方法としては、離型処理を施した剥離ライナ上へ、厚さが100μmとなるように塗布し接着剤層3、3’のみを得た。その接着剤層3、3’を150°Cで1hrオーブン中に放置した後、粘弾性測定装置レオメトリックス社製:形式:RSA-IIを用いて、200°Cにおける接着剤層3、3’の引張貯蔵弾性率を測定した。より詳細にはサンプルサイズを長さ30.0mm×幅5.0mm×厚さ0.1mmとし、測定試料をフィルム引っ張り測定用治具にセットし、50°C~250°Cの温度域で周波数1.0Hz、歪み0.025、昇温速度10°C/分の条件下で行う。半導体装置の製造方法本発明のダイシングダイボンドフィルム10、12は、接着剤層3、3’上に任意に設けられた離型フィルムを適宜に剥離して、次の様に使用される。以下では、図を参照しながらダイシングダイボンドフィルム10を用いた場合を例にして説明する。先ず、図1に示すように、ダイシングダイボンドフィルム10に於ける接着剤層3の半導体ウェハ貼り付け部分3a上に半導体ウェハ4を圧着し、これを接着保持させて固定するマウント工程。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。次に、半導体ウェハ4のダイシングを行う。これにより、半導体ウェハ4を所定のサイズに切断して個片化し、半導体チップ5を製造する。ダイシングは、例えば半導体ウェハ4の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えばダイシングダイボンドフィルム10まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウェハは、ダイシングダイボンドフィルム10により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウェハ4の破損も抑制できる。ダイシングダイボンドフィルム10に接着固定された半導体チップを剥離する為に、半導体チップ5のピックアップを行う。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ5をダイシングダイボンドフィルム10側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ5をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。ここでピックアップは、粘着剤層2が紫外線硬化型の場合、該粘着剤層2に紫外線を照射した後に行う。これにより、粘着剤層2の接着剤層3aに対する粘着力が低下し、半導体チップ5の剥離が容易になる。その結果、半導体チップを損傷させることなくピックアップが可能となる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、紫外線照射に使用する光源としては、前述のものを使用することができる。ピックアップした半導体チップ5は、接着剤層3aを介して被着体6に接着固定するダイボンド。被着体6としては、リードフレーム、TABフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体6は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体半導体ウェハ等であってもよい。前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Cuリードフレーム、42Alloyリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、BTビスマレイミド-トリアジン、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体素子をマウントし、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。接着剤層3が熱硬化型の場合には、加熱硬化により、半導体チップ5を被着体6に接着固定し、耐熱強度を向上させる。尚、半導体ウェハ貼り付け部分3aを介して半導体チップ5が基板等に接着固定されたものは、リフロー工程に供することができる。また前記のダイボンドは、接着剤層3を硬化させず、単に被着体6に仮固着させてもよい。その後、加熱工程を経ることなくワイヤーボンディングを行い、更に半導体チップを封止樹脂で封止して、当該封止樹脂をアフターキュアすることもできる。この場合、接着剤層3としては、仮固着時の剪断接着力が、被着体6に対して0.2MPa以上のものを使用し、より好ましくは0.2~10MPaの範囲内のものを使用するのが好ましい。接着剤層3の剪断接着力が少なくとも0.2MPa以上であると、加熱工程を経ることなくワイヤーボンディング工程を行っても、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、接着剤層3と半導体チップ5又は被着体6との接着面でずり変形を生じることがない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことがなく、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。前記のワイヤーボンディングは、被着体6の端子部インナーリードの先端と半導体チップ上の電極パッド図示しないとをボンディングワイヤー7で電気的に接続する工程である図3参照。前記ボンディングワイヤー7としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、80~250°C、好ましくは80~220°Cの範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒~数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着工ネルギーの併用により行われる。本工程は、接着剤層3aによる固着を行うことなく実行することができる。また、本工程の過程で接着剤層3aにより半導体チップ5と被着体6とが固着することはない。前記封止工程は、封止樹脂8により半導体チップ5を封止する工程である図3参照。本工程は、被着体6に搭載された半導体チップ5やボンディングワイヤー7を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂8としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常175°Cで60~90秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば165~185°Cで、数分間キュアすることができる。これにより、封止樹脂を硬化させると共に、接着剤層3aを介して半導体チップ5と被着体6とを固着させる。即ち、本発明に於いては、後述する後硬化工程が行われない場合に於いても、本工程に於いて接着剤層3aによる固着が可能であり、製造工程数の減少及び半導体装置の製造期間の短縮に寄与することができる。前記後硬化工程に於いては、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂8を完全に硬化させる。封止工程に於いて接着剤層3aにより固着がされない場合でも、本工程に於いて封止樹脂8の硬化と共に接着剤層3aによる固着が可能となる。本工程に於ける加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば165~185°Cの範囲内であり、加熱時間は0.5~8時間程度である。また、本発明のダイシングダイボンドフィルムは、図4に示すように、複数の半導体チップを積層して3次元実装をする場合にも好適に用いることができる。図4は、ダイボンドフィルムを介して半導体チップを3次元実装した例を示す断面模式図である。図4に示す3次元実装の場合、先ず半導体チップと同サイズとなる様に切り出した少なくとも1つの接着剤層3aを被着体6上に仮固着した後、接着剤層3aを介して半導体チップ5を、そのワイヤーボンド面が上側となる様にして仮固着する。次に、ダイボンドフィルム13を半導体チップ5の電極パッド部分を避けて仮固着する。更に、他の半導体チップ15をダイボンドフィルム13上に、そのワイヤーボンド面が上側となる様にして仮固着する。次に、加熱工程を行うことなく、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体チップ5及び他の半導体チップ15に於けるそれぞれの電極パッドと、被着体6とをボンディングワイヤー7で電気的に接続する。続いて、封止樹脂8により半導体チップ5等を封止する封止工程を行い、封止樹脂を硬化させる。それと共に、接着剤層3aにより被着体6と半導体チップ5との間を固着する。また、ダイボンドフィルム13により半導体チップ5と他の半導体チップ15との間も固着させる。尚、封止工程の後、後硬化工程を行ってもよい。半導体チップの3次元実装の場合に於いても、接着剤層3a、13の加熱による加熱処理を行わないので、製造工程の簡素化及び歩留まりの向上が図れる。また、被着体6に反りが生じたり、半導体チップ5及び他の半導体チップ15にクラックが発生したりすることもないので、半導体素子の一層の薄型化が可能になる。また、図5に示すように、半導体チップ間にダイボンドフィルムを介してスペーサを積層させた3次元実装としてもよい。図5は、2つの半導体チップをスペーサを介してダイボンドフィルムにより3次元実装した例を示す断面模式図である。図5に示す3次元実装の場合、先ず被着体6上に接着剤層3a、半導体チップ5及びダイボンドフィルム21を順次積層して仮固着する。更に、ダイボンドフィルム21上に、スペーサ9、ダイボンドフィルム21、接着剤層3a及び半導体チップ5を順次積層して仮固着する。次に、加熱工程を行うことなく、図5に示すように、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体チップ5に於ける電極パッドと被着体6とをボンディングワイヤー7で電気的に接続する。続いて、封止樹脂8により半導体チップ5を封止する封止工程を行い、封止樹脂8を硬化させると共に、接着剤層3a、21により被着体6と半導体チップ5との間、及び半導体チップ5とスペーサ9との間を固着させる。これにより、半導体パッケージが得られる。封止工程は、半導体チップ5側のみを片面封止する一括封止法が好ましい。封止は粘着シート上に貼り付けられた半導体チップ5を保護するために行われ、その方法としては封止樹脂8を用いて金型中で成型されるのが代表的である。その際、複数のキャビティを有する上金型と下金型からなる金型を用いて、同時に封止工程を行うのが一般的である。樹脂封止時の加熱温度は、例えば170~180°Cの範囲内であることが好ましい。封止工程の後に、後硬化工程を行ってもよい。尚、前記スペーサ9としては、特に限定されるものではなく、例えば従来公知のシリコンチップ、ポリイミドフィルム等を用いることができる。また、前記スペーサとしてコア材料を用いることができる。コア材料としては特に限定されるものではなく、従来公知のものを用いることができる。具体的には、フィルム例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、ミラーシリコンウェハ、シリコン基板又はガラス基板等を使用できる。その他の事項前記基板等上に半導体素子を3次元実装する場合、半導体素子の回路が形成される面側には、バッファーコート膜が形成されている。当該バッファーコート膜としては、例えば窒化珪素膜やポリイミド樹脂等の耐熱樹脂からなるものが挙げられる。また、半導体素子の3次元実装の際に、各段で使用されるダイボンドフィルムは同一組成からなるものに限定されるものではなく、製造条件や用途等に応じて適宜変更可能である。また、前記実施の形態に於いては、基板等に複数の半導体素子を積層させた後に、一括してワイヤーボンディング工程を行う態様について述べたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、半導体素子を基板等の上に積層する度にワイヤーボンディング工程を行うことも可能である。以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではなく、単なる説明例に過ぎない。尚、各例中、部は特記がない限りいずれも重量基準である。実施例1ブチルアクリレートを主成分としたポリマー根上工業株製、パラクロンSN-710100部に対して、イソシアネート系架橋剤コロネートHX、日本ポリウレタン3部、エポキシ樹脂ジャパンエポキシレジン株製、エピコート100312部、フェノール樹脂三井化学株製、ミレックスXLC-CC7部、無機充填剤として球状シリカ平均粒径:0.5μm、アドマテックス株製:SS0-25R50部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度20重量の接着剤組成物溶液を調製した。この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム厚さ50μmからなる離型フィルム上に、ファウンテンコーターにより塗工した。、塗工厚みは、乾燥後の厚さが25μmとなるようにした。次に、離型フィルム上に塗工した塗布層の乾燥を行った。乾燥は塗布層に乾燥風を吹き付けることにより行った。具体的には、塗工直後から3分間、風量が10m/min、温度が150°Cになる様に熱風をMD方向離型フィルムのフィルム走行方向に塗布層に吹き付けた。これにより、算術平均粗さRaが0.34μm、厚さが25μmの接着剤層を離型フィルム上に形成した。尚、算術平均粗さRaの測定方法は、後述の通りとした。次に、ダイボンドフィルムの作製を行った。即ち、冷却管、窒素導入管、温度計および撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸2-エチルヘキシル以下、2EHAという。88.8部、アクリル酸-2-ヒドロキシエチル以下、HEAという。11.2部、過酸化ベンゾイル0.2部及びトルエン65部を入れ、窒素気流中で61°Cにて6時間重合処理をし、重量平均分子量85万のアクリル系ポリマーAを得た。重量平均分子量は下記の通りである。2EHAとHEAとのモル比は、100mol対20molとした。このアクリル系ポリマーAに2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート以下、MOIという。12部HEAに対し80molを加え、空気気流中で50°Cにて48時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーA’を得た。次に、アクリル系ポリマーA’100部に対し、ポリイソシアネート化合物商品名コロネートL、日本ポリウレタン株製8部、及び光重合開始剤商品名イルガキュア651、チバスペシャルティーケミカルズ社製5部を加えて、粘着剤溶液を作製した。前記で調製した粘着剤溶液を、PET剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、120°Cで2分間加熱架橋して、厚さ10μmの粘着剤層前駆体を形成した。次いで、当該粘着剤層前駆体表面に、厚さ100μmのポリオレフィンフィルムを貼り合せた。その後、50°Cにて24時間保存をした。その後、粘着剤層前駆体の半導体ウェハ貼り付け部分直径200mmに相当する部分直径220mmにのみ紫外線を照射して粘着剤層を形成した。これにより、算術平均粗さRaが0.042μmの粘着剤層を備えるダイシングフィルムを作製した。尚、紫外線の照射条件は下記の通りとした。<紫外線の照射条件>紫外線UV照射装置:高圧水銀灯紫外線照射積算光量:500mJ/cm2出力:75W照射強度150mW/cm2尚、紫外線照射は粘着剤層前駆体に対し直接照射した。続いて、ダイシングフィルムにおける粘着剤層上に前記接着剤層を圧着した。圧着条件は、ラミネート温度40°C、圧力0.2MPaとした。これにより、本実施例に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。尚、ピール剥離力の評価においては、前記と同様の方法により作製した、算術平均粗さが0.035μmの粘着剤層を備えるダイシングフィルムを用いた。実施例2アクリル酸2-エチルヘキシル70部、アクリル酸n-ブチル25部、アクリル酸5部を構成モノマーとするアクリル系共重合体を調製し、更に、イソシアネート系架橋剤コロネートHX、日本ポリウレタン3部、無機充填剤としての二酸化珪素平均粒径0.5μm、日本触媒社製30部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度20重量の接着剤組成物溶液を調製したこの接着剤組成物溶液を前記実施例1と同様にして、離型フィルム上に塗工した後、乾燥して、接着剤層を形成した。この接着剤層の算術平均粗さRaを測定すると、0.16μmであった。更に、前記実施例1と同様にして、ダイシングフィルムにおける粘着剤層と貼り合わせ、本実施例に係るダイシングダイボンドフィルムを作製した。実施例3ブチルアクリレートを主成分としたポリマー根上工業株製、パラクロンSN-710100部に対して、イソシアネート系架橋剤コロネートHX、日本ポリウレタン3部、エポキシ樹脂ジャパンエポキシレジン株製、エピコート100312部、フェノール樹脂三井化学株製、ミレックスXLC-CC7部、無機充填剤として球状シリカ平均粒径:0.5μm、アドマテックス株製:SS0-25R50部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度20重量の接着剤組成物溶液を調製した。この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム厚さ50μmからなる離型フィルム上に、ファウンテンコーターにより塗工した。塗工厚みは、乾燥後の厚さが25μmとなるようにした。次に、離型フィルム上に塗工した塗布層の乾燥を行った。乾燥は塗布層に乾燥風を吹き付けることにより行った。具体的には、塗工直後から1分の間乾燥初期は、風量が10m/min、温度が90°Cになる様に乾燥風をMD方向に塗布層に吹き付けた。更に、1~3分の間乾燥後期は、風量が15m/min、温度が140°Cになる様に乾燥風をMD方向に塗布層に吹き付けた。これにより、算術平均粗さRaが0.40μm、厚さが25μmの接着剤層を離型フィルム上に形成した。尚、算術平均粗さRaの測定方法は、後述の通りとした。次に、前記実施例1で用いたダイシングフィルムを用意し、当該粘着剤層上に前記接着剤層を圧着した。圧着条件は、ラミネート温度40°C、圧力0.5MPaとした。これにより、本実施例に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。尚、ピール剥離力の評価においては、前記と同様の方法により作製した、算術平均粗さが0.035μmの粘着剤層を備えるダイシングフィルムを用いた。比較例1本比較例においては、接着剤組成物溶液の調製の際に無機充填剤を添加しなかったこと以外は、実施例1と同様にして、本比較例1に係るダイシングダイボンドフィルムを作製した。尚、粘着剤層との貼り合わせ前の接着剤層における算術平均粗さRaは0.026μmであった。比較例2本比較例においては、接着剤組成物溶液の調製の際に添加した無機充填剤の配合量を85部にしたこと以外は、前記実施例2と同様にして、本比較例1に係るダイシングダイボンドフィルムを作製した。尚、粘着剤層との貼り合わせ前における接着剤層表面の算術平均粗さRaは、1.5μmであった。接着面積評価各実施例及び比較例で得られたダイシングダイボンドフィルムにおける接着剤層と粘着剤層の間の接着面積は、次の通りにして測定した。即ち、Nikon株製の光学顕微鏡ECLIPSEME600とOLYMPUS株製E-410カメラを用いて、接着剤層と粘着剤層の間の接着面を観察した。得られた画像を市販ソフトWinroof株三谷商事を用いて、2値化処理し、接着剤層が粘着剤層と接触していない領域の分布状態及び面積比率を算出した。画像解析は3箇所の任意の領域を測定し、平均した値を接触面積とした。結果を下記表1に示す。ピックアップ性各実施例及び比較例で得られたダイシングダイボンドフィルムを、ウエハー直径8インチ、厚さ75μmの裏面に、50°Cで貼り付けた。ダイシングダイボンドフィルム側の貼り合わせ面は接着剤層とした。次に、ダイサーを用いて、ウェハをダイシングした。ダイシング条件としては、スピンドル回転数40,000rpm、切断速度30mm/secとし、10mm×10mm角のサイズに半導体チップを形成した。次に、半導体チップのピックアップを行い、その成功率を調べた。ピックアップ条件としては、ニードル数を9本、引き落とし量を3mm、突き上げ量を300μm、突き上げ速度を10mm/秒とした。また、ピックアップにはピックアップ装置NESマシナリー社製:CPS-100を用い、20個の半導体チップのピックアップ行った。成功率は、半導体チップに破損がなく、ダイボンドフィルム付きの半導体チップがダイシングフィルムから剥離できた数をカウントした。結果を下記表1に示す。ピール剥離力評価各実施例及び比較例で得られたダイシングダイボンドフィルムを、ウエハー直径8インチ、厚さ75μmの裏面に、50°Cで貼り付けた。ダイシングダイボンドフィルム側の貼り合わせ面は接着剤層とした。次に、ピール剥離力評価は、前記の各ダイシングダイボンドフィルムに於いて、接着剤層を粘着剤層から、剥離速度300mm/min、90度で剥離したときの剥離力を10mm幅にて測定した。結果を下記表1に示す。結果表1から明らかな通り、実施例1~2のダイシングダイボンドフィルムに於いては、ダイシング時のチップ飛びが発生せず、また良好なピックアップ性を示した。即ち、本実施例のダイシングダイボンドフィルムであると、歩留まりを向上させて半導体装置の製造が可能であることが示された。これに対して、比較例1のダイシングダイボンドフィルムでは、接着剤層と粘着剤層の接触面積が大きすぎるために、粘着剤層との剥離性が低下し、ピックアップできずに、チップに割れやかけなどの破損が発生した。また、比較例2のダイシングダイボンドフィルムでは、粘着剤層との貼り合わせ前の接着剤層の算術平均粗さが大きすぎるため、粘着剤層との密着性が不良であり、半導体ウェハのダイシングの際にチップ飛びが発生した。"