"NiOとZnOとの固溶体を主成分とするp型半導体層と、ZnOを主成分としかつ前記p型半導体層の一部が表面に露出した形態で前記p型半導体層に接合されたn型半導体層と、前記p型半導体層に埋設された内部電極と、前記p型半導体層の両端部に形成された端子電極とを有する紫外線センサにおいて、前記p型半導体層は、表面粗さが、1.5μm以下であることを特徴とする紫外線センサ。前記p型半導体層は、前記表面粗さが、1.0μm以下であることを特徴とする請求項1記載の紫外線センサ。前記p型半導体層は、前記表面粗さが、0.3μm以上であることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の紫外線センサ。NiOとZnOとの固溶体を主成分とするグリーンシートを複数作製するグリーンシート作製工程と、前記複数のグリーンシートのうち、一のグリーンシートの表面に導電性ペーストを塗布し所定パターンの導電膜を形成する導電膜形成工程と、前記導電膜が形成されたグリーンシートを挟持するような形態で前記複数のグリーンシートを積層し、成形体を作製する成形体作製工程と、前記成形体を焼成してp型半導体層を作製する焼成工程とを含む紫外線センサの製造方法において、前記焼成工程を実施する前に前記成形体を被研磨物として表面研磨する第1の研磨工程を含み、前記第1の研磨工程は、前記成形体の表面粗さが1.0μm以下となるように表面研磨することを特徴とする紫外線センサの製造方法。NiOとZnOとの固溶体を主成分とするグリーンシートを複数作製するグリーンシート作製工程と、前記複数のグリーンシートのうち、一のグリーンシートの表面に導電性ペーストを塗布し、所定パターンの導電膜を形成する導電膜形成工程と、前記導電膜が形成されたグリーンシートを挟持するような形態で前記複数のグリーンシートを積層し、成形体を作製する成形体作製工程と、前記成形体を焼成してp型半導体層を作製する焼成工程とを含む紫外線センサの製造方法において、前記p型半導体層を被研磨物として表面研磨する第2の研磨工程を含み、前記第2の研磨工程は、前記p型半導体層の表面粗さが1.0μm以下となるように表面研磨することを特徴とする紫外線センサの製造方法。NiOとZnOとの固溶体を主成分とするグリーンシートを複数作製するグリーンシート作製工程と、前記複数のグリーンシートのうち、一のグリーンシートの表面に導電性ペーストを塗布し、所定パターンの導電膜を形成する導電膜形成工程と、前記導電膜が形成されたグリーンシートを挟持するような形態で前記複数のグリーンシートを積層し、成形体を作製する成形体作製工程と、前記成形体を焼成してp型半導体層を形成する焼成工程とを含む紫外線センサの製造方法において、前記焼成工程を実施する前に前記成形体を被研磨物として表面研磨する第1の研磨工程と、前記p型半導体層を被研磨物として表面研磨する第2の研磨工程とを含み、前記第1の研磨工程は、前記成形体の表面粗さが1.0μm以下となるように表面研磨し、前記第2の研磨工程は、前記p型半導体層の表面粗さが1.0μm以下となるように表面研磨することを特徴とする紫外線センサの製造方法。前記表面研磨は、前記被研磨物を媒体と共に容器に投入し、前記容器を回転、振動、傾斜、又は揺動させてバレル研磨することを特徴とする請求項4乃至請求項6のいずれかに記載の紫外線センサの製造方法。ZnOを主成分とするn型半導体層を前記p型半導体層の一部が表面露出した形態で前記p型半導体層の表面に形成するn型半導体層形成工程を含み、前記n型半導体層形成工程は、ZnOを主成分とするZnO焼結体を作製するZnO焼結体作製工程と、前記ZnO焼結体をターゲットにしてスパッタリングし、前記n型半導体層を形成するスパッタリング工程とを有していることを特徴とする請求項4乃至請求項7のいずれかに記載の紫外線センサの製造方法。前記p型半導体層の両端に端子電極を形成する端子電極形成工程を含むことを特徴とする請求項4乃至請求項8のいずれかに記載の紫外線センサの製造方法。しかしながら、特許文献1では、Ni,ZnO層の焼結表面が凹凸状であるため、該Ni,ZnO層上にZnO等の薄膜材料層を形成して紫外線を照射した場合、薄膜材料層の表面やNi,ZnO層と薄膜材料層との接合界面で乱反射が生じ、光透過率も低くなるため、光吸収効率が低いという問題があった。すなわち、特許文献1では、Ni,ZnO層のキャリア濃度はZnO層等の薄膜材料層のキャリア濃度に比べて極端に低い上に、上述したように光吸収効率も低いため、十分な光電流を得ることができない。このため外部に電源回路を設け、抵抗値の変化により紫外線を検知せざるを得なかった。このように特許文献1では、外部に電源回路を設け、紫外線強度を抵抗値の変化として検出しなければならないため、電源回路の搭載スペースを確保する必要があり、デバイスの大型化を招くという問題があった。しかも、上述したように焼成後のNi,ZnO層の表面が凹凸状であるため、内部電極と端子電極との間で接合不良が生じたり、表面にピンホール等の欠陥が残存し、このため開放不良や短絡不良が生じて信頼性を損なうおそれもあった。一方、紫外線センサの場合、用途に応じて種々の波長帯域で紫外光を検出する必要がある。例えば、紫外線センサを殺菌灯等に使用する場合は、230~330nm程度UV-B、UV-Cの波長帯域で応答する必要があり、産業用の紫外線照射装置に使用する場合は、350~370nm程度UV-Aの波長帯域で応答する必要がある。したがって、同一の材料系で種々の波長帯域で強く応答するような紫外線センサが実現できれば好都合である。しかしながら、特許文献1のような従来の紫外線センサでは、波長応答特性が材料の吸収特性に支配されるため、材料種のみで波長応答特性を制御するのは困難であり、このため同一の材料系で種々の波長帯域で応答する紫外線センサを得るのは困難な状況にあった。本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、光吸収効率を向上させて所望の大きな光電流を直接検知すると共に、良好な信頼性を確保し、かつ波長応答特性を制御して種々の波長帯域の紫外光に強く応答することができる紫外線センサ及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明者は、p型半導体層としてNi,ZnOを主成分とする酸化化合物半導体を使用し、n型半導体層としてZnOを主成分とする酸化物半導体を使用し、内部電極をp型半導体層に埋設させた紫外線センサについて鋭意研究を行ったところ、p型半導体層の表面粗さを1.5μm以下、好ましくは0.3μm以上、1.0μm以下とすることにより、p型半導体層表面の凹凸が低減されて内部電極と端子電極との接合性が向上すると共に、光吸収効率を飛躍的に向上させることができるという知見を得た。本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係る紫外線センサは、NiOとZnOとの固溶体を主成分とするp型半導体層と、ZnOを主成分としかつ前記p型半導体層の一部が表面に露出した形態で前記p型半導体層に接合されたn型半導体層と、前記p型半導体層に埋設された内部電極と、前記p型半導体層の両端部に形成された端子電極とを有する紫外線センサにおいて、前記p型半導体層は、表面粗さが、1.5μm以下であることを特徴としている。尚、本発明では、表面粗さは、算術平均粗さ以下、表面粗さRaと記す。をいうものとする。また、本発明の紫外線センサは、前記p型半導体層は、前記表面粗さRaが、1.0μm以下であるのが好ましい。また、本発明の紫外線センサは、前記p型半導体層は、前記表面粗さRaが、0.3μm以上であるのが好ましい。また、本発明者の更なる鋭意研究の結果、上記材料系において、焼成前の成形体又は焼成されたp型半導体層の表面粗さRaを調整することにより、波長応答特性を制御することができ、これにより種々の波長帯域の紫外光に強く反応することができる紫外線センサを得ることができるという知見を得た。具体的には、焼成前の成形体の表面粗さRaが1.0μm以下となるように表面研磨を行うことにより、230~330nmの波長帯域で選択的に応答する紫外線センサを得ることができ、焼成後のp型半導体層の表面粗さRaが1.0μm以下となるように表面研磨を行うことにより、350~370nmの波長帯域の紫外光に強く応答し、かつ230~330nmの波長帯域の紫外光にも応答することのできる紫外線センサを得ることができ、さらに両者を組み合わせることにより、230~370nmの広範囲の波長帯域の紫外光に対しより一層鋭敏に応答する紫外線センサを得ることができる。すなわち、本発明に係る紫外線センサの製造方法は、NiOとZnOとの固溶体を主成分とするグリーンシートを複数作製するグリーンシート作製工程と、前記複数のグリーンシートのうち、一のグリーンシートの表面に導電性ペーストを塗布し所定パターンの導電膜を形成する導電膜形成工程と、前記導電膜が形成されたグリーンシートを挟持するような形態で前記複数のグリーンシートを積層し、成形体を作製する成形体作製工程と、前記成形体を焼成してp型半導体層を作製する焼成工程とを含む紫外線センサの製造方法において、前記焼成工程を実施する前に前記成形体を被研磨物として表面研磨する第1の研磨工程を含み、前記第1の研磨工程は、前記成形体の表面粗さが1.0μm以下となるように表面研磨することを特徴としている。また、本発明に係る紫外線センサの製造方法は、NiOとZnOとの固溶体を主成分とするグリーンシートを複数作製するグリーンシート作製工程と、前記複数のグリーンシートのうち、一のグリーンシートの表面に導電性ペーストを塗布し、所定パターンの導電膜を形成する導電膜形成工程と、前記導電膜が形成されたグリーンシートを挟持するような形態で前記複数のグリーンシートを積層し、成形体を作製する成形体作製工程と、前記成形体を焼成してp型半導体層を作製する焼成工程とを含む紫外線センサの製造方法において、前記p型半導体層を被研磨物として表面研磨する第2の研磨工程を含み、前記第2の研磨工程は、前記p型半導体層の表面粗さが1.0μm以下となるように表面研磨することを特徴としている。さらに、本発明に係る紫外線センサの製造方法は、NiOとZnOとの固溶体を主成分とするグリーンシートを複数作製するグリーンシート作製工程と、前記複数のグリーンシートのうち、一のグリーンシートの表面に導電性ペーストを塗布し、所定パターンの導電膜を形成する導電膜形成工程と、前記導電膜が形成されたグリーンシートを挟持するような形態で前記複数のグリーンシートを積層し、成形体を作製する成形体作製工程と、前記成形体を焼成してp型半導体層を形成する焼成工程とを含む紫外線センサの製造方法において、前記焼成工程を実施する前に前記成形体を被研磨物として表面研磨する第1の研磨工程と、前記p型半導体層を被研磨物として表面研磨する第2の研磨工程とを含み、前記第1の研磨工程は、前記成形体の表面粗さが1.0μm以下となるように表面研磨し、前記第2の研磨工程は、前記p型半導体層の表面粗さが1.0μm以下となるように表面研磨することを特徴としている。そして、上記表面研磨は、バレル研磨により大量かつ効率よく行うことができる。すなわち、本発明の紫外線センサの製造方法は、前記表面研磨は、前記被研磨物を媒体と共に容器に投入し、前記容器を回転、振動、傾斜、又は揺動させてバレル研磨するのが好ましい。また、本発明の紫外線センサの製造方法は、ZnOを主成分とするn型半導体層を前記p型半導体層の一部が表面露出した形態で前記p型半導体層の表面に形成するn型半導体層形成工程を含み、前記n型半導体層形成工程は、ZnOを主成分とするZnO焼結体を作製するZnO焼結体作製工程と、前記ZnO焼結体をターゲットにしてスパッタリングし、前記n型半導体層を形成するスパッタリング工程とを有しているのが好ましい。本発明の紫外線センサの製造方法は、前記p型半導体層の両端に端子電極を形成する端子電極形成工程を含むのが好ましい。本発明の紫外線センサによれば、p型半導体層は、表面粗さRaが、1.5μm以下好ましくは、0.3μm以上、1.0μm以下であるので、p型半導体層表面の凹凸が低減されて表面平滑性が向上し、有効面積の増加が可能になると共に、n型半導体層表面やp型半導体層とn型半導体層の接合界面での乱反射が抑制され、紫外光を効率よく透過させることができる。また、p型半導体層の表面での凹凸が低減されることから、内部電極と端子電極との接合性が向上し、不要な接触抵抗が減少し、接合不良も抑制することが可能となる。そしてこれにより光吸収効率を飛躍的に向上させることができ、従来のように外部に電源回路を設けて紫外線強度の抵抗値の変化で検出する必要がなく、所望の大きな光電流を直接検知することが可能となる。また、接触不良や接合不良が抑制されることから、短絡不良や開放不良も低減することができ、信頼性の良好な紫外線センサを得ることができる。また、本発明の紫外線センサの製造方法によれば、焼成工程を実施する前に成形体を被研磨物として表面研磨する第1の研磨工程を含み、該第1の研磨工程で、前記成形体の表面粗さが1.0μm以下となるように表面研磨し、その後、焼成工程を実施するので、表面近傍は焼成中のZnの揮発によりキャリアが少ない状態になる。そして、キャリアは、キャリア濃度の高いn型半導体層からキャリア濃度の低いp型半導体層に移動することから、空乏層は実質的にp型半導体層側の表層面近傍のみに形成され、これによりNi,ZnOに由来する230~330nmの波長帯域にのみ効果的に応答する紫外線センサを得ることができる。また、本発明の紫外線センサの製造方法によれば、p型半導体層を被研磨物として表面研磨する第2の研磨工程を含み、前記第2の研磨工程は、前記p型半導体層の表面粗さが1.0μm以下となるように表面研磨するので、前記第2の研磨工程で、キャリアが少ないp型半導体層の表面が削り取られることとなり、キャリア濃度の適度に安定した状態で、p型半導体層とn型半導体層とが接合する。そしてこれにより、n型半導体層側の界面近傍及びp型半導体層側の界面近傍の双方に空乏層が形成され、350~370nmの波長帯域に鋭敏に応答し、かつ230~330nmの波長帯域にも効果的に応答する紫外線センサを得ることができる。また、p型半導体層を表面研磨しているので、n型半導体層とp型半導体層の接合領域の確率が増加し、有効面積を増加させ、反射光も利用できるため吸収効率が上昇し、より一層鋭敏に応答する。また、本発明の紫外線センサの製造方法は、焼成工程を実施する前に前記成形体を被研磨物として表面研磨する第1の研磨工程と、p型半導体層を被研磨物として表面研磨する第2の研磨工程とを含み、前記第1の研磨工程は、前記成形体の表面粗さが1.0μm以下となるように表面研磨し、前記第2の研磨工程は、前記p型半導体層の表面粗さが1.0μm以下となるように表面研磨するので、焼成前に表面研磨した場合と焼成後に表面研磨した場合の双方の効果が相乗され、230~370nmの広範な波長帯域で、より一層鋭敏に応答し、より大きな光電流を有する信頼性の良好な紫外線センサを得ることができる。また、前記表面研磨は、前記被研磨物を媒体と共に容器に投入し、前記容器を回転、振動、傾斜、又は揺動させてバレル研磨することにより、所望の表面粗さRaを有する被研磨物を高効率で得ることができる。このように本発明の紫外線センサの製造方法によれば、成形体及び/又はp型半導体層を表面研磨して表面粗さRaをそれぞれ1.0μm以下に調整することにより、同一の材料系であっても、種々の波長帯域に応答して大きな光電流を直接検出することができる受光感度の良好な紫外線センサを実現することができる。次に、本発明の実施の形態を添付図面を参照しながら詳説する。図1は、本発明に係る紫外線センサの一実施の形態を模式的に示す断面図である。すなわち、この紫外線センサは、NiOとZnOとの固溶体を主成分とするp型半導体層1と、ZnOを主成分とするn型半導体層2とを有し、n型半導体層2は、p型半導体層1の表面の一部が露出した形態でp型半導体層1に接合されている。p型半導体層1は、一般式Ni1xZnxO以下、Ni,ZnOと表記する。で表わすことができ、Znの配合モル比xは、良好な感度を安定して得る観点からは、0.2≦x≦0.4が好ましい。これはxが0.2未満になると、Niの含有量が過剰となって高抵抗化するおそれがあり、一方、xが0.4を超えると、Znの含有量が過剰となってZnO粒子が結晶粒界に析出し、n型に半導体化してしまうおそれがあるからである。また、n型半導体層2は、ZnOを主成分とし、ドープ剤として微量のAl、Co、In、Ga等が含有されている。そして、斯かるドープ剤を含有することにより導電性が付与され、n型に半導体化されている。尚、n型半導体層2には、その他の微量の添加物が含まれていてもよく、例えば、拡散剤として、Fe、Ni、Mn等を含有していてもよい。また、不純物として微量のZr、Si等を含有していても特性に影響を与えるものではない。また、p型半導体層1の両端には第1及び第2の端子電極3a、3bが形成されている。すなわち、p型半導体層1の上部には、一端が表面露出するように内部電極4が埋設されており、第1の端子電極3aは、内部電極4と電気的に接続されるようにp型半導体層1の一方の端部に形成されている。また、第2の端子電極3bは、n型半導体層2と電気的に接続されるようにp型半導体層1の他方の端部に形成されている。また、第1及び第2の端子電極3a、3bは、Ag等からなる外部電極の表面にNi等からなる第1のめっき皮膜及びSn等からなる第2のめっき皮膜が順次形成されている。内部電極4は、希土類元素RとNiを主成分とした一般式RNiO3で表されるペロブスカイト型構造の酸化物や一般式R2NiO4で表される酸化物を含有する低抵抗の複合酸化物で形成されている。すなわち、希土類元素RとNiを主成分とした複合酸化物は、Ni,ZnOと同様、Ni系酸化物であり、両者はエネルギー準位が近く、Ni,ZnOとの間で不必要なショットキー障壁が形成されるのを抑制でき、オーミック接触に近くなる。また、希土類元素は、Niに比べ、Ni,ZnO側に拡散しにくく、Pdのような酸素放出作用もないことから、Ni,ZnOの比抵抗を低下させることが可能となる。しかも、上述したように希土類元素RとNiを主成分とした複合酸化物は、Ni,ZnOと同様のNi系酸化物であることから、高温での収縮挙動がNi,ZnOと近く、p型半導体層2と内部電極4との間でデラミネーションは招じ難く、焼結体内部に電極を引き込むような現象もない。また、Pt、Pd等の高価な貴金属材料を使用しなくて済むので、高価格化を抑制することが可能となる。以上の理由から本実施の形態では、希土類元素RとNiを主成分とした一般式RNiO3で表されるペロブスカイト型構造の酸化物や一般式R2NiO4で表される酸化物を含有する低抵抗の複合酸化物で内部電極4を形成している。そして、このような希土類元素としては、Niとの間で複合酸化物を形成した場合に低抵抗であれば、特に限定されるものではなく、例えば、La、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy、Ho、Er、及びYbの中から選択された少なくとも1種を使用することができる。尚、これらの中では、経済的理由から安価なLaを使用するのが好ましい。このように構成された紫外線センサでは、矢印Aに示すように紫外線が照射され、n型半導体層2とp型半導体層1との接合界面7に形成される空乏層に紫外光が当たると、キャリアが励起されて光電流が生じ、この光電流を検知することにより紫外線強度を検出することができる。そして、本実施の形態では、p型半導体層1の表面粗さRaを、1.5μm以下に制御し、該p型半導体層1の表面凹凸を低減している。そしてこれにより光吸収効率を飛躍的に向上させることができると共に、短絡不良や開放不良を低減させることができ、信頼性を向上させることができる。すなわち、p型半導体層1は、焼成された状態では表面が凹凸状となる。したがって、p型半導体層1の表面にn型半導体層2を形成した場合、n型半導体層2とp型半導体層1との界面は凹凸状に接合され、またn型半導体層2の表面も凹凸状となる。このため紫外光が矢印A方向から照射された場合、紫外光は接合界面7やn型半導体層2の表面で乱反射し、透過率が低下して光吸収効率の低下を招く。また、p型半導体層1には内部電極4が埋設されているが、p型半導体層1の側面側の表面が凹凸状に形成されていると、その後に第1及び第2の端子電極3a、3bを形成した場合、内部電極4と第1の端子電極3aとの間に不要な接触抵抗や接合不良が生じるおそれがある。さらにp型半導体層1の表面には成形時に形成されたピンホール等の欠陥が残存しているおそれがある。そして、これら不要な接触抵抗や接合不良、ピンホール等の欠陥は、開放不良や短絡不良の原因となり、信頼性低下を招くおそれがある。そこで、本実施の形態では、p型半導体層1の表面粗さRaを1.5μm以下、好ましくは1.0μm以下に抑制し、これによりp型半導体層1の表面凹凸を低減している。このようにp型半導体層1の表面凹凸を低減することにより、入射される紫外光は接合界面7やn型半導体層2の表面での乱反射が抑制されて透過率が向上すると共に、紫外線検出に関与する有効面積を増加させることができる。また、内部電極4と第1の端子電極3aとの接合性が向上し、不要な接触抵抗を低減できることから、光吸収を高効率で行うことができる。このように本発明では、光吸収効率を飛躍的に向上させることができ、入射する紫外光に対し大きな光電流を得ることが可能となる。したがって、紫外線強度を抵抗値の変化で検出する必要もなくなることから、外部に電源回路を設ける必要もなくなり、デバイスの小型化低コスト化を実現することが可能となる。しかも、上述したように内部電極4と第1及び第2の端子電極3a、3bとの接合性が向上し、成形体の形成されたピンホール等の欠陥を表面研磨して潰すことが可能となることから、開放不良や短絡不良の発生を抑制することができ、信頼性向上を図ることができる。尚、前記表面粗さRaが1.5μmを超えた場合は、表面凹凸を十分に低減することができず、このため光吸収効率の向上効果を発揮するのが困難になる。また短絡不良や開放不良が生じるおそれがあり、十分な信頼性を確保するのが困難になる。したがって、前記表面粗さRaは、少なくとも1.5μm以下に抑制する必要がある。p型半導体層1の表面粗さRaの下限は、特に限定されるものではないが、p型半導体層1を構成する材料固有の吸収波長以上が好ましい。すなわち、p型半導体層1を構成するNi,ZnOの吸収波長は、230~330nmであるので、例えば、0.3μm300nm以上が好ましい。表面研磨の研磨手法は、特に限定されるものではないが、大量かつ効率良く表面研磨でき、しかも製造工程の煩雑化を招くことのないバレル研磨法を使用するのが好ましい。すなわち、多数の被研磨物やアルミナビーズ等の媒体、必要に応じて純水をバレル容器に投入し、表面粗さRaが1.5μm以下、好ましくは0.3μm以上、1.0μm以下となるような所定時間、該バレル容器を回転、振動、傾斜、又は揺動等させて表面研磨を行うことができる。そしてこれにより大量の被研磨物を所望の表面粗さRaに効率良く研磨することができる。尚、p型半導体層1の表面粗さRaを1.5μm以下に制御できるのであれば、焼成前の成形体を被研磨物として表面研磨を行ってもよく、焼成後のp型半導体層1を被研磨物として表面研磨を行ってもよく、或いは焼成前の成形体及び焼成後のp型半導体層1の双方を被研磨物として表面研磨を行ってもよい。このように本実施の形態では、表面粗さRaが、1.5μm以下好ましくは、0.3μm以上、1.0μm以下であるので、p型半導体層1表面の凹凸が低減されて表面平滑性が向上し、有効面積の増加が可能になると共に、n型半導体層2表面やp型半導体層1とn型半導体層2の接合界面7での乱反射が抑制され、紫外光を効率よく透過させることができる。また、p型半導体層1の表面での凹凸が低減されることから、内部電極4と第1及び第2の端子電極3a、3bとの接合性が向上し、不要な接触抵抗が減少し、接合不良も抑制することが可能となる。そしてこれにより光吸収効率を飛躍的に向上させることができ、従来のように外部に電源回路を設けて紫外線強度の抵抗値の変化で検出する必要がなく、所望の大きな光電流を直接検知することが可能となる。また、接触不良や接合不良が抑制されることから、短絡不良や開放不良も低減することができ、信頼性の良好な紫外線センサを得ることができる。また、本発明では、成形体及びp型半導体層1のうちの一方又は双方を表面研磨することにより、同一材料系でありながら波長応答特性を制御することが可能となる。例えば、焼成前の成形体の表面粗さRaが1.0μm以下となるように表面研磨を行なった場合は、殺菌灯のように230~330nmUVB、UV-Cの波長帯域のみで良好な受光感度を得ることのできる紫外線センサを実現することが可能となる。すなわち、フォトダイオード型の紫外線センサでは、上述したように紫外線を空乏層に照射し、これによりキャリアが励起されて光電流が生じる。そして、通常、n型半導体層2の電子がp型半導体層1側に移動し、p型半導体層1の正孔がn型半導体層2側に移動するため、両者は接合界面近傍で結合して消滅し、これにより空乏層が形成される。しかしながら、p型半導体層1となるべき成形体に表面研磨を行って、表面粗さRaを1.0μm以下に調整した後焼成すると、Znは焼成過程で揮発し易いことから、斯かるZnの揮発によってp型半導体層1の表面近傍はキャリアの少ない状態になる。そして、ZnO系材料を使用してp型半導体層1上にn型半導体層2を形成すると、Ni,ZnOのキャリア濃度は、ZnOのキャリア濃度に比べて極端に低くなり、キャリアは濃度の高い領域から低い領域に移動する。したがって、キャリア濃度の低いp型半導体層1の正孔は、p型半導体層1内に留まる一方で、キャリア濃度の高いn型半導体層2の電子がp型半導体層1方向に移動する。その結果、p型半導体層1の表層面近傍で正孔と電子は結合して消滅し、該p型半導体層1側にキャリアの存在しない空乏層が形成される。すなわち、この場合、空乏層は、実質的にp型半導体層1側の表層面近傍にのみ形成される。したがって、この空乏層に紫外光が照射されると、p型半導体層1、すなわちNi、ZnOに由来する230~330nmの波長帯域に強く応答する紫外線強度を光電流として検出することができる。また、焼成後のp型半導体層1の表面粗さRaが1.0μm以下となるように表面研磨を行なった場合は、産業用の紫外線照射装置の波長帯域である350~370nmUV-Aに鋭敏に応答し、かつ230~330nmUVB、UV-Cの波長帯域でも良好な受光感度を有する紫外線センサの実現が可能となる。すなわち、焼成されたp型半導体層1を表面から深さ方向に所定厚み例えば、100nm以上だけ削って表面粗さRaを1.0μm以下に抑制すると、キャリアの少ないp型半導体層1の表面が削り取られることとなり、p型半導体層1とn型半導体層2の界面は適度なキャリア濃度を有するようになり、n型半導体層2との間で良好な接合がなされる。そしてその結果、p型半導体層1のキャリア正孔はn型半導体層2方向に移動し、n型半導体層2のキャリア電子はp型半導体層1方向に移動し、両者は界面近傍で結合して消滅し、接合界面7を挟んでp型半導体層1側とn型半導体層2側の双方に空乏層が形成される。したがって、空乏層に紫外光が照射されると、ZnOに由来する350~370nmに極めて鋭敏に応答しつつ、Ni,ZnOに由来する230~330nmにも効果的に応答する大きな光電流を検出することができる。また、焼成前の成形体及び焼成後のp型半導体層1の双方に対し、それぞれ表面粗さRaが1μm以下となるように表面研磨を行なった場合は、焼成前に表面研磨した場合と焼成後に表面研磨した場合の双方の効果が相乗され、230~370nmの広範な波長帯域で、より一層鋭敏に応答し、より大きな光電流を有する信頼性の良好な紫外線センサを得ることが可能となる。このように本紫外線センサの製造方法によれば、必要に応じて成形体のみ、p型半導体層のみ、或いは成形体及びp型半導体の双方について表面研磨を行い、表面粗さRaをそれぞれ1.0μm以下に調整することにより、波長応答特性を制御することが可能となる。次に、焼成前の成形体に表面研磨を行った場合について、上記紫外線センサの製造方法を詳述する。ZnO焼結体の作製ZnO粉末、各種ドープ剤、必要に応じて拡散剤等の添加物を用意し、所定量秤量する。そして、これら秤量物に純水等の溶媒を加え、PSZ部分安定化ジルコニア等の玉石を粉砕媒体とし、ボールミルを使用して十分に湿式で混合粉砕し、スラリー状混合物を得る。次いで、このスラリー状混合物を脱水乾燥した後、所定粒径に造粒し、その後、所定温度で約2時間仮焼し、仮焼粉末を得る。次に、このようにして得られた仮焼粉末に、再び、純水等の溶媒を加え、玉石を粉砕媒体とし、ボールミルを使用して十分に湿式で粉砕し、スラリー状粉砕物を得る。次に、このスラリー状粉砕物を脱水乾燥した後、純水、分散剤、バインダ、可塑剤等を添加して成形用スラリーを作製する。そしてこの後、このドクターブレード法等の成形加工法を使用して成形用スラリーに成形加工を施し、所定膜厚のZnOグリーンシートを作製する。次いでこのZnOグリーンシートを所定枚数積層し、圧着して圧着体を作製する。その後、この圧着体を脱脂した後、焼成し、これによりZnO焼結体を得る。Ni,ZnOグリーンシートの作製NiO粉末及びZnO粉末を、Znの配合モル比xが0.2~0.4となるように秤量し、この秤量物に純水等の溶媒を加え、玉石を粉砕媒体としてボールミル内で十分に湿式で混合粉砕し、スラリー状混合物を得る。次いで、この混合物を脱水乾燥し、所定粒径に造粒した後、所定温度で約2時間仮焼し、仮焼粉末を得る。次に、このようにして得られた仮焼粉末に、再び、純水等の溶媒を加え、玉石を粉砕媒体としてボールミル内で十分に湿式で粉砕し、スラリー状粉砕物を得る。次に、このスラリー状粉砕物を脱水乾燥した後、有機溶剤、分散剤、バインダ及び可塑剤等を加えて成形用スラリーを作製する。次いで、ドクターブレード法等の成形加工法を使用して成形用スラリーを成形加工し、これにより所定膜厚のNi,ZnOグリーンシートを得る。内部電極形成用ペーストの作製NiO粉末及びR2O3粉末R:希土類元素を、モル比で21となるように秤量し、この秤量物に純水等の溶媒を添加し、玉石を粉砕媒体としてボールミル内で湿式で十分に混合粉砕し、スラリー状混合物を得る。次いで、このスラリー状混合物を脱水乾燥し、所定粒径に造粒した後、所定温度で約2時間仮焼し、仮焼粉末を得る。次に、このようにして得られた仮焼粉末に、再び、純水等の溶媒を加え、玉石を粉砕媒体としてボールミル内で十分に湿式で粉砕し、スラリー状粉砕物を得る。次に、このスラリー状粉砕物を脱水乾燥し、一般式RNiO3や一般式R2NiO4で表される酸化物を含有した複合酸化物粉末を得る。そして、得られた複合酸化物粉末を有機ビヒクルと混合し、三本ロールミルで混練し、これにより内部電極形成用ペーストを作製する。尚、有機ビヒクルは、バインダ樹脂が有機溶剤に溶解されてなり、バインダ樹脂と有機溶剤とは、例えば体積比率で、1~3:7~9となるように調製されている。バインダ樹脂としては、特に限定されるものではなく、例えば、エチルセルロース樹脂、ニトロセルロース樹脂、アクリル樹脂、アルキド樹脂、又はこれらの組み合わせを使用することができる。また、有機溶剤についても特に限定されるものではなく、α―テルピネオール、キシレン、トルエン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等を単独、或いはこれらを組み合わせて使用することができる。成形体の作製成形体の作製方法を図2を参照しながら説明する。まず、所定枚数のNi,ZnOグリーンシート5a、5b、5c、...5nを用意し、そのうちの1枚のNi,ZnOグリーンシート5bの表面に上述した内部電極形成用ペーストを塗付し、導電膜6を形成する。次に、導電膜の形成されていない所定枚数のNi,ZnOグリーンシート5c~5nを積層し、その上に導電膜6が形成されたNi,ZnOグリーンシート5bを積層し、さらに、その上に導電膜の形成されていないNi,ZnOグリーンシート5aを積層し、圧着して成形体を作製する。成形体の表面研磨第1の研磨工程次に、成形体を被研磨物として表面粗さRaが1.0μm以下となるように、例えば回転バレル研磨等により表面の研磨を行う。すなわち、所定容積のバレル容器に被研磨物としての成形体とアルミナビーズ等の媒体を多数投入し、成形体の表面粗さRaが1.0μm以下となるように、バレル容器を所定時間駆動させ、被研磨物を表面研磨する。バレル容器が駆動する所定時間は、バレル容器の容積、被研磨物や媒体の投入量によって異なるが、例えば、60~960分程度行う。p型半導体層1の作製表面研磨された成形体を十分に脱脂した後、1200°C前後の温度で約5時間焼成し、導電膜6とNi,ZnOグリーンシート5a~5nとを同時焼成し、これにより内部電極4が埋設されたp型半導体層1を得る。端子電極3a、3bの作製p型半導体層1の両端部に外部電極形成用ペーストを塗布して焼付け処理を行い、これにより外部電極を形成する。ここで、外部電極形成用ペーストの導電性材料としては、良好な導電率を有するものであれば、特に限定されるものではなく、Ag、Ag-Pd等を使用することができる。そしてその後、電解めっきを施し、第1のめっき皮膜及び第2のめっき皮膜からなる二層構造のめっき皮膜を形成し、これにより第1及び第2の端子電極3a、3bを形成する。n型半導体層2の形成ZnO焼結体をターゲットとし、所定の開口部を有する金属マスクを介してスパッタリングを行い、p型半導体層1の一部が表面露出し、かつ第2の端子電極3bと電気的に接続されるように、ZnO系薄膜からなるn型半導体層2をp型半導体層1の表面に形成し、これにより紫外線センサを得る。このように焼成工程を実施する前に成形体を被研磨物として表面研磨する第1の研磨工程を含み、前記第1の研磨工程は、前記積層体の表面粗さが1.0μm以下となるように表面研磨することにより、空乏層は実質的にp型半導体層1側の表層面近傍に形成されることから、Ni,ZnOに由来する230~330nmの波長帯域に効率良く応答する紫外線センサを得ることができる。尚、p型半導体層1のみを表面研磨する場合は、上述した第1の研磨工程に代えて、第2の研磨工程としてp型半導体層1を被研磨物として表面粗さRaが1.0μm以下となるように回転バレル研磨を行えばよい。すなわち、所定容積のバレル容器に被研磨物としてのp型半導体層1、アルミナビーズ等の媒体、純水と共に投入し、p型半導体層1の表面粗さRaが1.0μm以下となるようにバレル容器を所定時間駆動させ、被研磨物を表面研磨する。尚、バレル容器の駆動時間は、バレル容器の容積、被研磨物、媒体の投入量によって異なるが、所要時間は5~20分程度が好ましい。すなわち、バレル容器の駆動時間が過度に長くなると、p型半導体層1の表面に媒体が固着して新たな凹凸を形成してしまい、却って光電流の低下を招くおそれがある。このようにp型半導体層1を被研磨物として表面研磨する第2の研磨工程を含み、前記第2の研磨工程は、前記p型半導体層1の表面粗さが1.0μm以下となるように表面研磨することにより、p型半導体層1とn型半導体層2とは適正に接合し、n型半導体層2側の界面近傍及びp型半導体層1側の界面近傍の双方に空乏層が形成され、これにより350~370nmに極めて鋭敏に応答しつつ230~330nmの紫外光に応答する紫外線センサを得ることができる。また、p型半導体層1を表面研磨しているので、n型半導体層2とp型半導体層1の接合領域の確率が増加し、有効面積を増加させ、反射光も利用できるため吸収効率が上昇し、応答強度が強くなる。また、成形体及びp型半導体層1の双方を表面研磨する場合は、第1の研磨工程及び第2の研磨工程の双方を実施すればよく、これにより焼成前に表面研磨した場合と焼成後に表面研磨した場合の双方の効果が相乗され、230~370nmの広範な波長帯域で、より一層大きな光電流を有する信頼性の良好な紫外線センサを得ることができる。このように本発明の製造方法によれば、成形体及び/又はp型半導体層1を表面研磨して表面粗さRaをそれぞれ1.0μm以下に調整することにより、同一の材料系であっても種々の波長帯域に応答した大きな光電流を直接検出することができ、所望の吸収波長帯域で良好な受光感度を有する紫外線センサを実現することができる。尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態では、複合酸化物を含有した内部電極形成用ペーストを作製し、該内部電極形成用ペーストをNi,ZnOグリーンシートの表面に塗付し、その後焼成することにより、内部電極4を形成しているが、内部電極形成用ペースト中にNiを含めることなく、主成分が希土類酸化物R2O3で構成された希土類ペーストを作製し、焼成処理中にNi,ZnOグリーンシート中のNiを、希土類膜側に拡散させることによっても所望の内部電極を形成することができる。次に、本発明の実施例を具体的に説明する。試料の作製試料番号2~6ZnO焼結体の作製主成分となるZnOとドープ剤としてのGa2O3とを、配合比がモルでそれぞれ99.9mol、0.1molとなるように秤量した。そして、これら秤量物に純水を加え、PSZビーズを粉砕媒体としてボールミル内で混合粉砕し、平均粒径0.5μm以下のスラリー状混合物を得た。次いで、このスラリー状混合物を脱水乾燥し、50μmの程度の粒径となるように造粒した後、1200°Cの温度で2時間仮焼し、仮焼粉末を得た。次に、このようにして得られた仮焼粉末に、再び、純水を加え、PSZビーズを粉砕媒体としてボールミル内で混合粉砕し、平均粒径0.5μmのスラリー状粉砕物を得た。次に、このスラリー状粉砕物を脱水乾燥した後、純水及び分散剤を加えて混合し、さらにバインダ及び可塑剤を加えて成形用スラリーを作製し、ドクターブレード法を使用して厚みが20μmのグリーンシートを作製した。次いで、このグリーンシートを厚みが20mmとなるように所定枚数積層し、250MPaの圧力で5分間圧着処理を施し、圧着体を得た。次いで、この圧着体を脱脂した後、1200°Cの温度で20時間焼成し、ZnO焼結体を得た。Ni,ZnOグリーンシートの作製NiO粉末及びZnO粉末を、モル比で7:3となるように秤量し、これに純水を加え、PSZビーズを粉砕媒体としてボールミルで混合粉砕し、スラリー状混合物を得た。次いで、このスラリー状混合物を脱水乾燥し、50μmの程度の粒径となるように造粒した後、1200°Cの温度で2時間仮焼し、仮焼粉末を得た。次に、このようにして得られた仮焼粉末に、再び、純水を加え、PSZビーズを粉砕媒体としてボールミル内で粉砕し、平均粒径0.5μmのスラリー状粉砕物を得た。次に、このスラリー状粉砕物を脱水乾燥した後、有機溶剤及び分散剤を加えて混合し、さらにバインダ及び可塑剤を加えて成形用スラリーを作製した。そして、ドクターブレード法を使用し、この成形用スラリーに成形加工を施し、膜厚10μmのNi,ZnOグリーンシートを得た。内部電極形成用ペーストNiO粉末及び希土類酸化物としてのLa2O3粉末を、モル比で2:1となるようにそれぞれ秤量し、この秤量物に純水を加え、PSZビーズを粉砕媒体としてボールミル内で混合粉砕し、スラリー状混合物を得た。次いで、このスラリー状混合物を脱水乾燥し、50μmの程度の粒径となるように造粒した後、1200°Cの温度で2時間仮焼し、仮焼粉末を得た。次に、このようにして得られた仮焼粉末に、再び、純水を加え、PSZビーズを粉砕媒体としてボールミル内で粉砕し、平均粒径0.5μmのスラリー状粉砕物を得た。そして、このスラリー状粉砕物を脱水乾燥し、LaNiO3粉末を得た。その後、得られたLaNiO3粉末を、有機ビヒクルと混合させ、三本ロールミルで混練し、これにより内部電極形成用ペーストを作製した。尚、有機ビヒクルは、バインダー樹脂としてエチルセルロース樹脂30体積、有機溶剤としてα―テルピネオール70体積となるようにエチルセルロース樹脂とα―テルピネオールとを混合し、作製した。成形体の作製NiZnOグリーンシートのうちの1枚について、内部電極形成用ペーストを表面にスクリーン印刷して塗付し、60°Cの温度で1時間乾燥させ、所定パターンの導電膜を形成した。次いで、導電膜の形成されていないNiZnOグリーンシートを50枚積層し、その上に導電膜が形成されたNiZnOグリーンシートを積層し、さらに、その上に導電膜の形成されていないNi,ZnOグリーンシートを1枚順次積層した。そして、これらを200MPaの圧力で圧着した後、2.5mm×1.5mmの寸法に切断し、これにより成形体を作製した。成形体の表面研磨焼成前研磨;第1の研磨工程上述のようして作製された100個の成形体を、容積が5.0×104m3のバレル容器に直径1mmのアルミナビーズ0.5kgと共に投入し、バレル容器を2s1の回転速度で回転させ、表1に示すような時間でバレル研磨を行った。そして、各試料について、バレル研磨後、レーザマイクロスコープキーエンス社製、VK-8700を使用して表面粗さRaを測定した。p型半導体層の作製バレル研磨を行った成形体を300°Cの温度でゆっくりとかつ十分に脱脂した後、1200°Cの温度で1時間大気中で焼成し、これによりp型半導体層を得た。そして、各試料について、上記レーザマイクロスコープを使用し、p型半導体層の表面粗さRaを測定した。端子電極の作製p型半導体層の両端部にAgペーストを塗付して800°Cの温度で10分間焼付け処理を行い、第1及び第2の外部電極を作製した。そして、この第1及び第2の外部電極の表面に電解めっきを施してNi皮膜及びSn皮膜を順次形成し、これにより第1及び第2の端子電極を作製した。n型半導体層の形成ZnO焼結体をターゲットとし、p型半導体層の一方の主面の一部を覆い、かつ第2の端子電極の一部と重なり合うように金属マスクを使用してスパッタリングを行い、厚みが約0.5μmの所定パターンを有するn型半導体層を作製し、これにより試料番号2~6の試料を得た。試料番号7~11試料番号2~6と同様の方法手順で、ZnO焼結体の作製~成形体の作製を行った。そして、各試料について、上記レーザマイクロスコープを使用し、成形体の表面粗さRaを測定した。次いで、このバレル研磨されていない成形体を300°Cの温度でゆっくりとかつ十分に脱脂した後、1200°Cの温度で、1時間大気中で焼成し、これによりp型半導体層を得た。そしてこの後、p型半導体層に研磨処理を行った焼成後研磨;第2の研磨工程。すなわち、上述のようにして作製された100個のp型半導体層を容積が5.0×104m3のバレル容器に直径1mmのアルミナビーズ0.5kg及び純水1.0×104m3と共に投入し、バレル容器を3.3s1の回転速度で回転させ、表1に示す時間でバレル研磨を行った。そして、各試料について、上記レーザマイクロスコープを使用し、p型半導体層の表面粗さRaを測定した。その後、試料番号2~6と同様の方法手順で、端子電極の作製及びn型半導体層の形成を行い、試料番号7~11の試料を作製した。試料番号12試料番号2~6と同様の方法手順で、ZnO焼結体の作製~成形体の研磨焼成前研磨;第1の研磨工程を行った。そしてこの後、試料番号7~試料番号11と同様、バレル研磨された成形体を焼成してp型半導体層を作製し、その後、バレル研磨焼成後研磨;第2の研磨工程を行った。次いで、試料番号2~6と同様の方法手順で、端子電極の作製及びn型半導体層の形成を行い、試料番号12の試料を作製した。尚、この試料番号12についても、上記レーザマイクロスコープを使用し、焼成前後の表面粗さRaを測定した。試料番号1焼成前後のいずれでもバレル研磨を行わなかった以外は、上述と同様にして試料番号1の試料を作製した。尚、この試料番号1についても、上記レーザマイクロスコープを使用し、焼成前後の表面粗さRaを測定した。試料の評価試料番号1~12の各試料は、図3に示すように、いずれもp型半導体層31に内部電極32が埋設されると共に、前記p型半導体層31の両端には第1及び第2の端子電極33a、33bが形成され、かつp型半導体層31の表面にはn型半導体層34が接合されている。そして、第1及び第2の端子電極33a、33b間に電流計35を介装させ、これらの各試料について、分光器を備えた紫外線光源から300nm及び370nmの波長の紫外光を、暗室で矢印Bに示すように、n型半導体層34側の外表面に照射し、第1及び第2の端子電極33a,33b間に流れる光電流を計測した。また、試料番号1~12の各試料20個について、短絡テスト及び開放テストを行い、信頼性を評価した。ここで、短絡テストは、テスターにて第1及び第2の端子電極33a,33b間の抵抗を測定し、抵抗が1MΩ以下の試料を短絡不良と判断し、短絡不良が生じた試料を計数して評価した。また、開放テストは、高絶縁計にて第1及び第2の端子電極33a,33b間の抵抗を測定し、抵抗が1GΩ以上の試料を開放不良と判断し、開放不良が生じた試料を計数して評価した。尚、光の照射強度は、波長300nmで0.5mW/cm2とし、370nmで1mW/cm2とし、測定温度は、25°C±1°Cとなるように制御した。表1は、試料番号1~12の各試料について、各研磨時間、表面粗さRa、光電流、及び各試料20個中の短絡不良、開放不良の個数を示している。試料番号1は、焼成前後で表面研磨を一切行わなかったため、焼成前の表面粗さRaは1.5μm、焼成後の表面粗さRaは2.0μmとなった。すなわち、表面粗さRaが本発明範囲外であるため、得られた光電流も、波長300nmで10nA、波長370nmで3nAと小さかった。これは、表面粗さRaが大きいため、p型半導体層31とn型半導体層34とが適正な状態で接合しておらず、紫外光が接合界面等で乱反射し、このため光吸収効率が低下したためと思われる。また、この試料番号1では、短絡不良が20個中5個発生し、開放不良が20個中7個発生し、信頼性に劣ることも分かった。これは内部電極32と第1の端子電極33aとの間で不要な接触抵抗や接合不良の生じる確率が増えたことや、成形体に形成されたピンホール等の欠陥がp型半導体層31の表面に残存しているためと思われる。これに対し試料番号2~6は、表面粗さRaが1.0μm以下となるように焼成前研磨を行っているので、焼成後の表面粗さRaも1.5μm以下に抑制することができ、波長300nmの紫外光に対し、25nA~50nAの光電流を得ることができた。これは光吸収効率の向上と共に、焼成前研磨により、p型半導体層31側の表層面近傍に空乏層が形成され、Ni,ZnOの吸収波長帯域である300nmで大きな光電流を得ることができたものと思われる。また、短絡不良及び開放不良も、焼成前の表面粗さRaを1.0μm以下とすることにより、20個中0~2個に低減できることが分かった。これは、内部電極32と第1の端子電極33aとの接合性が向上したため、不要な接触抵抗や接合不良が抑制され、また、成形体の表面に形成されるピンホール等の欠陥を潰すことができ、短絡不良が減少したためと思われる。また、試料番号7~11は、波長370nmで大きな光電流を得ることができた。これは試料番号7~11では、表面粗さRaが1.0μm以下となるように焼成後研磨を行っているため、キャリアが少ないp型半導体層31の表面が削り取られ、その結果、光吸収効率の向上と共に、接合が良好なものとなり、Ni,ZnOに由来する230~330nmの波長帯域のみならず、ZnOに由来する370nmの波長で大きな光電流が得られたものと思われる。また、短絡不良及び開放不良も、20個中、0~1個に低減した。試料番号12は、焼成前及び焼成後の双方でバレル研磨を行っているので、波長300nmの紫外光に対して74nA、波長370nmの紫外光に対して150nAの大きな光電流を得ることができた。次に、試料番号1、3について、放射照度を0.5mWcm2とし、紫外光の光源波長を200nmから600nmまで10nm毎に階段状に変化させて波長応答特性を調べた。図4はその測定結果を示し、横軸が波長nm、縦軸が出力電流nAである。図中、△印が試料番号1、●印が試料番号3の波長応答特性を示している。この図4から明らかなように、試料番号3は、280nmの波長をピークとして230~330nmの波長の紫外光に強く応答し、したがってUV-B、UV-Cの波長帯域で良好な波長応答特性を有することが確認された。一方、試料番号1も、試料番号3と略同様、280nmの波長をピークとして230~330nmの波長の紫外光に反応するものの、小さい光電流しか得られないことが分かった。次に、試料番号1、8について、放射照度を1mWcm2とし、紫外光の光源波長を200nmから600nmまで10nm毎に階段状に変化させて波長応答特性を調べた。図5はその測定結果を示し、横軸が波長nm、縦軸が出力電流nAである。図中、△印が試料番号1、●印が試料番号8の波長応答特性を示している。この図5から明らかなように、試料番号1は、230~330nmの波長の紫外光に応答しているものの、小さい光電流しか得られないのに対し、試料番号8は、280nmの波長をピークとして230~330nmの波長帯域、及び360nmの波長をピークとして350~370nmの波長帯域の紫外光に応答し、UV-A、UV-B、UV-Cの広範の波長帯域で良好な波長応答特性を有することが確認された。"