"ノボラック型フェノール樹脂と、環状オレフィン樹脂と、ナフトキノンジアジド基含有化合物からなる感光剤とを含むフォトレジスト用樹脂組成物。前記環状オレフィン樹脂がノルボルネン樹脂である請求項1記載のフォトレジスト用樹脂組成物。前記環状オレフィン樹脂が下記一般式1で示される繰り返し単位を含む環状オレフィン樹脂である請求項1記載のフォトレジスト用樹脂組成物。[式1中、XはO、CH2、CH2CH2のいずれかであり、nは0~5までの整数である。R1~R4はその構造中にO及び/又はFを含んでいても良い炭素数1~30の一価の有機基または水素よりそれぞれ独立に選ばれる。R1~R4は単量体の繰り返しの中で異なっていてもよいが、全繰り返し単位のR1~R4のうち、少なくとも一つは酸性基を有する。]前記酸性基がカルボキシル基,フェノール基,フルオロアルコール基及びスルホアミド基からなる群から選択される1つ以上の基である請求項3記載のフォトレジスト用樹脂組成物。前記酸性基がフェノール基を有する請求項3又は4記載のフォトレジスト用樹脂組成物。前記環状オレフィン樹脂の重量平均分子量が1000~500,000ダルトンである請求項1~4のいずれか一項に記載のフォトレジスト樹脂組成物。前記環状オレフィン樹脂の重量平均分子量が1000~500,000ダルトンである請求項5記載のフォトレジスト樹脂組成物。前記フェノール樹脂に対する前記環状オレフィン樹脂の混合比率が1~90重量である請求項1~4のいずれか一項に記載のフォトレジスト樹脂組成物。前記フェノール樹脂に対する前記環状オレフィン樹脂の混合比率が1~90重量である請求項5記載のフォトレジスト樹脂組成物。前記フェノール樹脂に対する前記環状オレフィン樹脂の混合比率が1~90重量である請求項6記載のフォトレジスト樹脂組成物。前記フェノール樹脂に対する前記環状オレフィン樹脂の混合比率が1~90重量である請求項7記載のフォトレジスト樹脂組成物。本発明の目的は特に高耐熱性を有し、良好な感度解像度、高残膜性をもち、その他特性についても汎用のものより劣ることのないフォトレジスト用樹脂組成物を提供することにある。本発明の一態様のフォトレジスト用樹脂組成物は、ノボラック型フェノール樹脂と、環状オレフィン樹脂と、ナフトキノンジアジド基含有化合物からなる感光剤とを含むフォトレジスト用樹脂組成物である。上記フォトレジスト用樹脂組成物において、前記環状オレフィン樹脂がノルボルネン樹脂であってもよい。上記フォトレジスト用樹脂組成物において、前記環状オレフィン樹脂が下記一般式1で示される繰り返し単位を含む環状オレフィン樹脂であってもよい。ここで、上記式1中、XはO、CH2、CH2CH2のいずれかであり、nは0~5までの整数であり、R1~R4はその構造中にO及び/又はFを含んでいても良い炭素数1~30の一価の有機基または水素よりそれぞれ独立に選ばれ、R1~R4は単量体の繰り返しの中で異なっていてもよいが、全繰り返し単位のR1~R4のうち、少なくとも一つは酸性基を有する。上記フォトレジスト用樹脂組成物において、前記酸性基がカルボキシル基,フェノール基,フルオロアルコール基及びスルホアミド基からなる群から選択される1つ以上の基であってもよい。上記フォトレジスト用樹脂組成物において、前記環状オレフィン樹脂の重量平均分子量が1000~500,000ダルトンであってもよい。上記フォトレジスト用樹脂組成物において、前記フェノール樹脂に対する前記環状オレフィン樹脂の混合比率が1~90重量であってもよい。本発明により、高耐熱性を有し、良好な感度、解像度、高残膜性をもち、その他特性についても汎用のものより劣ることのないフォトレジスト用樹脂組成物を提供することができる。以下に、本発明について詳細に説明する。本発明は、フォトレジスト用樹脂組成物に関するものである。本発明のフォトレジスト組成物の製造に用いるノボラック型フェノール樹脂は、定法に則りフェノール類とアルデヒド類とを酸触媒の存在下で縮合反応させることにより合成される。上記反応で用いられるフェノール類としては特に限定されないが、例えば、フェノール、o-クレゾール、m-クレゾール、p-クレゾール等のクレゾール類、2,3-キシレノール、2,4-キシレノール、2,5-キシレノール、2,6-キシレノール、3,4-キシレノール、3,5-キシレノール等のキシレノール類、o-エチルフェノール、m-エチルフェノール、p-エチルフェノール等のエチルフェノール類、イソプロピルフェノール、ブチルフェノール、p-tert-ブチルフェノール等のアルキルフェノール類のほか、レゾルシン、カテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、フロログルシン等の多価フェノール類、アルキルレゾルシン、アルキルカテコール、アルキルハイドロキノンなどのアルキル多価フェノール類いずれのアルキル基も、炭素数は1~4であるが挙げられる。これらは、単独または2種類以上組み合わせて使用することができる。上記フェノール類の中でも、特に、m-クレゾールとp-クレゾールとを用いることが好ましい。これらのフェノール類を用い、かつ、両者の配合比率を調節することで、フォトレジストとしての感度、耐熱性などの諸特性を調節することができる。この場合、m-クレゾールとp-クレゾールとの比率は特に限定されないが、重量比m-クレゾール/pクレゾール=9/1~1/9とすることが好ましい。さらに好ましくは8/2~2/8である。m-クレゾールの比率が上記下限値未満になると感度が低下することがあり、上記上限値を超えると耐熱性が低下することがある。上記反応で用いられるアルデヒド類としては特に限定されないが、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ポリオキシメチレン、クロラール、ヘキサメチレンテトラミン、フルフラール、グリオキザール、nブチルアルデヒド、カプロアルデヒド、アリルアルデヒド、ベンズアルデヒド、クロトンアルデヒド、アクロレイン、テトラオキシメチレン、フェニルアセトアルデヒド、oトルアルデヒド、サリチルアルデヒド等が挙げられる。これらの中でも、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒドを用いることが特性上好ましい。上記フェノール類Pとアルデヒド類Fとの反応モル比F/Pは、特に限定されず、ノボラック型フェノール樹脂の製造において公知の反応モル比にて、本発明の一態様は実施することができる。特に、得られたノボラック型フェノール樹脂をフォトレジスト用に適用する場合は、反応モル比を0.5~1.0とすることが好ましい。これにより、フォトレジスト用として好適な分子量を有する樹脂組成物が得られる。上記反応モル比が上記上限値を超えると、樹脂組成物はフォトレジスト用とするには過剰に高分子量化したり、反応条件によってはゲル化したりすることがある。また、上記下限値未満では、低核体成分の含有量が相対的に多くなるため、これを除去する際の効率が低下することがある。前記フェノール類とアルデヒド類との反応には、酸触媒が一般的に使用される。酸触媒としては、特に限定はされないが、例えば、蓚酸、酢酸などの有機カルボン酸などが挙げられる。これらの中から、単独あるいは2種以上を混合して使用することもできる。酸触媒の使用量は特に限定されないが、前記フェノール類に対して0.01~5重量であることが好ましい。また、フォトレジスト用樹脂をフォトレジスト組成物に用いる時には、フォトレジストの特性への干渉を防ぐために、樹脂に残留している触媒は少量であることが好ましい。もちろん樹脂を合成する過程で、一般的な除去方法中和、水洗やフィルターろ過等により、触媒を除去してもよい。また、本発明のフォトレジスト用樹脂組成物を製造するのに使用される反応溶媒としては、適度に非極性な溶媒が好適であり、例えばヘキサン、ベンゼン、キシレンなどが挙げられる。本発明のフォトレジスト用樹脂組成物を製造するのに用いるフェノール樹脂としては、GPCGelPermeationChromatographyにより測定される重量平均分子量が1000~20000ダルトンであるフェノール樹脂が好ましく、さらに好ましい重量平均分子量は3000~10000ダルトンである。用いるフェノール樹脂の重量平均分子量を、上記範囲内とすることで、フォトレジスト用樹脂組成物の感度、耐熱性、残膜率を最適なものとすることができる。上記重量平均分子量は、ポリスチレン標準物質を用いて作成した検量線をもとに計算されるものである。GPC測定は、テトラヒドロフランを溶出溶媒とし、流量1.0ml/min、カラム温度40°Cの条件で示差屈折計を検出器として用いて実施することができる。用いることのできる装置は、例えば、1本体:TOSOH社製HLC-80202検出器:波長280nmにセットしたTOSOH社製UV-80113分析用カラム:昭和電工社製SHODEXKF-802、KF-803、KF-805をそれぞれ使用することができる。本発明のフォトレジスト用樹脂組成物を製造するのに用いられる環状オレフィン樹脂は、その主鎖中に環状オレフィン構造を有する樹脂であり、環状オレフィン由来の環構造がポリマーの鎖長方向に直接連結した剛直な構造を有するため、高いガラス転移点を有するものである。このような樹脂の中でも、得られるフォトレジスト組成物の性能の見地より好ましいのは、ノルボルネン樹脂である。ノルボルネン樹脂の構造としては、たとえば一般式1で表されるものを挙げることができる。ノルボルネン樹脂上の官能基としては、得られるフォトレジスト組成物の使用目的に応じて適宜選択され、特に制限されず用いることができる。ここで式1中、XはO、CH2、CH2CH2のいずれかであり、nは0~5までの整数である。R1~R4はその構造中にO及び/又はFを含んでいても良い炭素数1~30の一価の有機基または水素よりそれぞれ独立に選ばれる。R1~R4は単量体の繰り返しの中で異なっていてもよいが、全繰り返し単位のR1~R4のうち、少なくとも一つは酸性基を有するものである。樹脂にアルカリ可溶性を付与する酸性基としては、カルボキシル基、フェノール基、フルオロアルコール基、スルホアミド基などをあげることができ、これらのうち1種あるいは2種以上を導入することができる。これらのうち、感光剤とのインタラクションにより高コントラスト及び高残膜率の発現が期待できるフェノール基が特に好ましい。一般的にこれらの樹脂の合成法の例としては一般式2で示される環状オレフィンをモノマーとして重合することをあげることができる。ここで式2中、XはO、CH2、CH2CH2のいずれかであり、nは0~5までの整数である。R1~R4はその構造中にO及び/又はFを含んでいても良い炭素数1~30の一価の有機基または水素よりそれぞれ独立に選ばれる。R1~R4は単量体の繰り返しの中で異なっていてもよいが、全繰り返し単位のR1~R4のうち、少なくとも一つは酸性基を有するものである。酸性基としてはカルボキシル基,フェノール基,フルオロアルコール基,スルホアミド基をあげることができ、これらのうち1種あるいは2種以上導入することができる。本発明で用いられる環状オレフィンモノマーの具体例としては、例えば、ビシクロ2.2.1ヘプト-2-エン-5-カルボン酸、テトラシクロ4.4.0.125.1710ドデック-3-エン-8-カルボン酸、8-メチルテトラシクロ4.4.0.125.1710ドデック-3-エン-8-カルボン酸、ビシクロ2.2.1ヘプト-2-エン-5-イル酢酸、2-ビシクロ2.2.1ヘプト-2-エン-5-イルプロピオン酸、3-ビシクロ2.2.1ヘプト-2-エン-5-イル酪酸、3-ビシクロ2.2.1ヘプト-2-エン-5-イル吉草酸、3-ビシクロ2.2.1ヘプト-2-エン-5-イルカプロン酸、コハク酸モノ-2-ビシクロ2.2.1ヘプト-2-エン-5-イルカルボニルオキシエチルエステル、コハク酸モノ-2-ビシクロ2.2.1ヘプト-2-エン-5-イルカルボニルオキシプロピルエステル、コハク酸モノ-2-ビシクロ2.2.1ヘプト-2-エン-5-イルカルボニルオキシブチルエステル、フタル酸モノ-2-ビシクロ2.2.1ヘプト-2-エン-5-イルカルボニルオキシエチルエステル、カプロン酸モノ-2-ビシクロ2.2.1ヘプト-2-エン-5-イルカルボニルオキシブチルエステル、ビシクロ2.2.1ヘプト-2-エン-5-イルカルボニルオキシ酢酸、2-ビシクロ2.2.1ヘプト-2-エン-5-イルメチルフェノール、3-ビシクロ2.2.1ヘプト-2-エン-5-イルメチルフェノール、4-ビシクロ2.2.1ヘプト-2-エン-5-イルメチルフェノール、4-ビシクロ2.2.1ヘプト-2-エン-5-イルフェノール、4-ビシクロ2.2.1ヘプト-2-エン-5-イルメチルカテコール、3-メトキシ-4-ビシクロ2.2.1ヘプト-2-エン-5-イルメチルフェノール、3-メトキシ-2-ビシクロ2.2.1ヘプト-2-エン-5-イルメチルフェノール、2-ビシクロ2.2.1ヘプト-2-エン-5-イルメチルレゾルシン、1,1-ビストリフルオロメチル-2-ビシクロ2.2.1ヘプト-2-エン-5-イルエチルアルコール、1,1-ビストリフルオロメチル-3-ビシクロ2.2.1ヘプト-2-エン-5-イルプロピルアルコール、1,1-ビストリフルオロメチル-4-ビシクロ2.2.1ヘプト-2-エン-5-イルブチルアルコール、1,1-ビストリフルオロメチル-5-ビシクロ2.2.1ヘプト-2-エン-5-イルペンチルアルコール、1,1-ビストリフルオロメチル-6-ビシクロ2.2.1ヘプト-2-エン-5-イルヘキシルアルコール、などをあげることができるが、これら構造に限定されない。または、一般式2で示される環状オレフィンモノマーの代わりに酸性基を有しない環状オレフィンモノマーを使用して同様の重合を行った後、その残基に高分子反応で酸性基を導入することによっても得ることができる。あるいは、一般式2で示される環状オレフィンモノマー中の酸性基の電離しうる水素原子を他の構造で置換したモノマーを使用し、これを付加重合した後、脱保護して元の水素原子を導入することにより得ることもできる。脱保護による酸性基の復元は定法によって行うことができる。本発明のフォトレジスト用樹脂組成物の製造に用いられる、酸性基を側鎖に有する環状オレフィン樹脂の酸性基当量としては、その分子構造にもよるため特にここでは限定されないが、600g/モル以下、更に400g/モル以下であることが好ましい。酸性基当量が前記規定値以下であれば現像時に用いる水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、水酸化テトラメチルアンモニウムやエチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン類などの有機アルカリ類の水溶液に可溶となる。酸性基当量が前記上限値よりも大きいと、上記アルカリ水溶液への溶解性が発現しにくくなり、パターン加工を行うことが困難になる。樹脂中の酸性基の量は標準アルカリ溶液を使用した樹脂溶液の滴定などにより測定することができる。得られる樹脂の酸性基当量は、使用する酸性基を有するモノマーの分子構造の選択、あるいは酸性基を有するモノマーと有しないモノマーとの存在比を変えて共重合することなどにより制御することができる。環状オレフィン樹脂を製造する方法としては、従来公知の手法を適用することができる。例えば、配位重合触媒であるニッケル化合物あるいはパラジウム化合物などを用いて付加重合させることができる。ニッケル化合物の例としては例えば化学式:EnNiC6F52で表されるような触媒を挙げることができ、この化学式では、nは1または2であり、そしてEは中性の配位子を表わす。nが1である場合、Eは好ましくは、トルエン、ベンゼン、及びメシチレンのようなπ-アレーン配位子である。nが2である場合、Eは好ましくは、ジエチルエーテル、THFテトラヒドロフラン、エチルアセテート、及びジオキサンから選択される。例えばトルエンビスペルフルオロフェニルニッケル、メシチレンビスペルフルオロフェニルニッケル、ベンゼンビスペルフルオロフェニルニッケル、ビステトラヒドロフランビスペルフルオロフェニルニッケル、ビスエチルアセテートビスペルフルオロフェニルニッケル、及びビスジオキサンビスペルフルオロフェニルニッケルなどを挙げることができる。詳細についてはPCTWO97/33198、PCTWO00/20472、特表2010-523766号公報、特表平11-505880号公報等に述べられている。これらの重合に使用される好ましい重合溶媒としては炭化水素や芳香族溶媒が含まれる。炭化水素溶媒の例としてはペンタン,ヘキサン,ヘプタンなどがあげられるがこれらに限定されない。また芳香族溶媒の例としては、トルエン、キシレン、メシチレンなどであるが、やはりこれらに限定されない。その他、テトラヒドロフラン,ジエチルエーテル,酢酸エチル、ラクトン、ケトンなども使用できる。これらの溶媒は一種類単独で使用できる他、二種類以上を混合したものを重合溶媒として使用できる。本発明のフォトレジスト用樹脂組成物に含まれるモノマーの重合については、重合で得られる樹脂の分子量を、例えば、触媒とモノマーの比率を変化させたり、重合温度や重合溶媒の極性などによっても制御することが可能である。また適宜連鎖移動剤の添加によっても、重合で得られる樹脂の分子量を制御することができる。本発明のフォトレジスト用樹脂組成物の製造に用いられる環状オレフィン樹脂の重量平均分子量は、1000~500,000ダルトンである。重量平均分子量が上記範囲を超えると、その光加工時に樹脂組成物のアルカリ水溶液に対する溶解性が低下し、良好な光加工性が得られなくなる恐れがある。一方、重量平均分子量が前記下限未満であると、添加による性能向上効果が十分得られない可能性がある。フェノール樹脂に対する環状オレフィン樹脂の配合量としては、1~90重量が好ましく、より好ましくは5~50重量である。添加量は所望する耐熱性向上効果の程度によって任意に設定可能であるが、添加量が多すぎるとフェノール樹脂の有する感度等の性質を低下させる恐れがある。一方、添加量が少なすぎると耐熱性の向上効果が不十分である場合がある。本発明のフォトレジスト組成物の製造に用いる感光剤は、ナフトキノンジアジド基含有化合物である。ナフトキノンジアジド基含有化合物としては、例えば、12,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,4-トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,6-トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,6-トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4-トリヒドロキシ-2-メチルベンゾフェノン、2,3,4,4-テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2,4,4-テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4,6-ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,2,3,4,4-ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,2,3,4,5-ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4,5,6-ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、2,3,3,4,4,5-ヘキサヒドロキシベンゾフェノンなどのポリヒドロキシベンゾフェノン類、2ビス2,4-ジヒドロキシフェニルメタン、ビス2,3,4-トリヒドロキシフェニルメタン、2-4-ヒドロキシフェニル-2-4-ヒドロキシフェニルプロパン、2-2,4-ジヒドロキシフェニル-2-2,4-ジヒドロキシフェニルプロパン、2-2,3,4-トリヒドロキシフェニル-2-2,3,4-トリヒドロキシフェニルプロパン、4,4-{1-[4-2-4-ヒドロキシフェニル-2-プロピルフェニル]エチリデン}ビスフェノール,3,3-ジメチル-{1-[4-2-3-メチル-4-ヒドロキシフェニル-2-プロピルフェニル]エチリデン}ビスフェノールなどのビス[ポリヒドロキシフェニル]アルカン類、3トリス4-ヒドロキシフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシ-3、5-ジメチルフェニル-4-ヒドロキシフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシ-2,5-ジメチルフェニル-4-ヒドロキシフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシ-3,5-ジメチルフェニル-2-ヒドロキシフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシ-2,5-ジメチルフェニル-2-ヒドロキシフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシ-2,5-ジメチルフェニル-3,4-ジヒドロキシフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシ-3,5-ジメチルフェニル-3,4-ジヒドロキシフェニルメタンなどのトリスヒドロキシフェニルメタン類又はそのメチル置換体、4ビス3-シクロヘキシル-4-ヒドロキシフェニル-3-ヒドロキシフェニルメタン,ビス3-シクロヘキシル-4-ヒドロキシフェニル-2-ヒドロキシフェニルメタン,ビス3-シクロヘキシル-4-ヒドロキシフェニル-4-ヒドロキシフェニルメタン,ビス5-シクロヘキシル-4-ヒドロキシ-2-メチルフェニル-2-ヒドロキシフェニルメタン,ビス5-シクロヘキシル-4-ヒドロキシ-2-メチルフェニル-3-ヒドロキシフェニルメタン、ビス5-シクロヘキシル-4-ヒドロキシ-2-メチルフェニル-4-ヒドロキシフェニルメタン、ビス3-シクロヘキシル-2-ヒドロキシフェニル-3-ヒドロキシフェニルメタン、ビス5-シクロヘキシル-4-ヒドロキシ-3-メチルフェニル-4-ヒドロキシフェニルメタン、ビス5-シクロヘキシル-4-ヒドロキシ-3-メチルフェニル-3-ヒドロキシフェニルメタン、ビス5-シクロヘキシル-4-ヒドロキシ-3-メチルフェニル-2-ヒドロキシフェニルメタン、ビス3-シクロヘキシル-2-ヒドロキシフェニル-4-ヒドロキシフェニルメタン、ビス3-シクロヘキシル-2-ヒドロキシフェニル-2-ヒドロキシフェニルメタン、ビス5-シクロヘキシル-2-ヒドロキシ-4-メチルフェニル-2-ヒドロキシフェニルメタン、ビス5-シクロヘキシル-2-ヒドロキシ-4-メチルフェニル-4-ヒドロキシフェニルメタンなどの、ビスシクロヘキシルヒドロキシフェニルヒドロキシフェニルメタン類又はそのメチル置換体などと、ナフトキノン-1,2-ジアジド-5-スルホン酸又はナフトキノン-1,2-ジアジド-4-スルホン酸などのキノンジアジド基含有スルホン酸との完全エステル化合物、部分エステル化合物、アミド化物又は部分アミド化物、などを挙げることができる。ここで上記ナフトキノンジアジド基含有化合物成分としては、一種単独で含有してもよいし、2種以上を含有してもよい。本発明の樹脂組成物において、感光剤の配合量としては特に限定されないが、フェノール樹脂100重量部に対し、通常5~100重量部、好ましくは10~50重量部の範囲で配合することができる。感光剤の配合量が上記下限値未満ではパターンに忠実な画像を得にくく、転写性が低下することがある。一方、上記上限値を超えると、フォトレジストとして感度の低下がみられることがある。本発明の組成物に配合される溶媒は、前記フェノール樹脂と環状オレフィン樹脂とナフトキノンジアジド基含有化合物とが溶解するものであれば特に限定されない。本発明においてはこれらの成分を溶媒に溶解して使用する。本発明のフォトレジスト組成物の製造に用いる溶媒としては、N-メチル-2-ピロリドン、γ-ブチロラクトン、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル-1,3-ブチレングリコールアセテート、1,3-ブチレングリコール20-3-モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル-3-メトキシプロピオネート等を単独または混合して使用できる。なお、本発明の組成物には、以上説明した成分のほかにも、必要により、酸化防止剤などの安定剤、可塑剤、界面活性剤、密着性向上剤、溶解促進剤などの種々の添加剤を使用してもよい。本発明の組成物の調製方法としては特に限定されないが、組成物に充填材、顔料を添加しない場合には、上記の成分を通常の方法で混合攪拌するだけでよく、充填材、顔料を添加する場合には、例えば、ディゾルバー、ホモジナイザー、3本ロールミル等の分散装置を用いて分散、混合させればよい。また、必要に応じて、さらにメッシュフィルター、メンブレンフィルター等を用いて濾過してもよい。このようにして得られた本発明の組成物に対して、マスクを介して露光を行うことで、露光部においては組成物に構造変化が生じ、アルカリ現像液に対しての溶解性を促進させることができる。一方、非露光部においてはアルカリ現像液に対する低い溶解性を保持しているため、こうして生じた溶解性の差により、レジスト機能を付与することができる。本発明の組成物をフォトレジストとして使用した場合、光の照射により組成物中のナフトキノンジアジド基含有化合物が化学変化を起こし、後の現像工程においてノボラック樹脂と共にアルカリ現像液に溶解し、露光されなかった部分との間に明確な溶解速度差を生ずることで、目的とするパターンを現像により得ることができる。以下、本発明を合成例および実施例により説明する。しかし本発明はこれらの合成例および実施例によって限定されるものではない。また、合成例、実施例及び比較例に記載されている部及びは、すべて重量部及び重量を示す。但し、ホルマリン水溶液の濃度を除く。1.フェノール樹脂の合成合成例1攪拌装置、温度計、熱交換器を備えた3Lの4口フラスコにm-クレゾール600g、p-クレゾール400g、37ホルマリン527g、シュウ酸5gを仕込み、還流条件にて4時間反応させた。この後、内温170°Cまで常圧下で脱水し、さらに9.3×103Paの減圧下で200°Cまで脱水脱モノマーを行い、重量平均分子量4200ダルトンのフェノール樹脂950gを得た。2.環状オレフィン樹脂の合成合成例24-2-ビシクロ2.2.1ヘプタ-5-エンフェニルアセテート11.4g,50mmol、トルエン17.6g及びメチルエチルケトン27.4gを攪拌装置を備えた反応容器に仕込み、乾燥窒素ガスで内部を置換した。内容物を加熱し、内温が50°C到達したところでη6-トルエンNiC6F520.97g,2.00mmolを10gのトルエンに溶解させた溶液を添加した。50°Cで3時間反応させた後、室温まで冷却した。THF50g及び10水酸化カリウム水溶液80gを添加し、5時間還流反応させた。その後、酢酸を添加して中和した後、イオン交換水による水洗作業を3回実施した。有機層をエバポレーターで濃縮した後、ヘキサンで再沈殿した。得られた固体を60°Cの真空乾燥機で一晩乾燥し、8.2gの淡黄色粉末が得られた。得られたポリマーの分子量はGPCによりMw=11,000Mn=5300であった。合成例33-メトキシ-4-ビシクロ2.2.1ヘプト-2-エン-5-イルメチルフェノール、5.0g,18.4mmol、エチル-3-3-ビシクロ2.2.1ヘプタ-5-エンプロパノエート0.89g,4.59mmolトルエン28g及びメチルエチルケトン10gを攪拌装置を備えた反応容器に仕込み、乾燥窒素ガスで内部を置換した。内容物を加熱し内温が60°Cに到達したところでη6-トルエンNiC6F520.22g,0.46mmolを5gのトルエンに溶解させた溶液を添加した。60°Cで3時間反応させた後、室温まで冷却した。THF50g及び10水酸化カリウム水溶液50gを添加し、5時間還流反応させた。その後酢酸を添加して中和した後、イオン交換水による水洗作業を3回実施した。有機層をエバポレーターで濃縮した後、ヘキサンで再沈殿した。得られた固体を60°Cの真空乾燥機で一晩乾燥し、8.2gの淡黄色粉末が得られた。得られたポリマーの分子量はGPCによりMw=16,000Mn=9000であった。合成例4エチル-3-3-ビシクロ2.2.1ヘプタ-5-エンプロパノエート37.3g,0.19mol、1,1-ビストリフルオロメチル-2-ビシクロ2.2.1ヘプト-2-エン-5-イルエチルアルコール13.2g,0.05mol、トルエン55g、トリエチルシラン1.4g、酢酸エチル13g、ジメチルアニリニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート0.06g,0.07mmolを攪拌装置を備えた反応容器に仕込み、乾燥窒素ガスで内部を置換した。内容物を加熱し内温が100°Cに到達したところでアセトニトリルビストリイソプロピルホスフィンパラジウムアセテートペンタフルオロフェニルボレート0.03g,0.02mmolの酢酸エチル6g溶液を添加した。100°Cで16時間反応させた後室温まで冷却し、THF及び10水酸化カリウム水溶液300gを添加し、5時間還流反応させた。その後酢酸を添加して中和した後、イオン交換水による水洗作業を3回実施した。有機層をエバポレーターで濃縮した後、ヘキサンで再沈殿した。得られた固体を60°Cの真空乾燥機で一晩乾燥し、27gの白色粉末が得られた。得られたポリマーの分子量はGPCによりMw=8,200Mn=4,200であった。合成例51,1-ビストリフルオロメチル-2-ビシクロ2.2.1ヘプト-2-エン-5-イルエチルアルコール9.9g,0.036mol、ビシクロ2.2.1ヘプト-2-エン-5-カルボン酸トリメチルシリルエステル2.2g,0.012mol、酢酸エチル100g、シクロヘキサン100gを攪拌装置を備えた反応容器に仕込み、乾燥窒素ガスで内部を置換した。内容物を加熱し内温が100°Cに到達したところでアリルパラジウムトリシクロヘキシルホスフィントリフルオロアセテート0.006g,0.008mmolの塩化メチレン2g溶液及びリチウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート0.034gのトルエン2g溶液を添加した。更に1-ヘキセン2.6g,0.03molを添加し、20°Cで5時間反応させた後室温まで冷却した。得られたポリマーをメタノールに投入し、沈殿物を凝集し、水で十分洗浄した後、真空下で乾燥し、7.8gの白色粉末が得られた。得られたポリマーの分子量はGPCによりMw=12,200Mn=6,100であった。合成例65-ブチルビシクロ2.2.1ヘプト-2-エン13.0g,0.087mol、トルエン18g及びメチルエチルケトン11gを攪拌装置を備えた反応容器に仕込み、乾燥窒素ガスで内部を置換した。内容物を加熱し内温が60°Cに到達したところでη6-トルエンNiC6F520.42g,0.87mmolを10gのトルエンに溶解させた溶液を添加した。60°Cで3時間反応させた後、室温まで冷却した。反応後の溶液をヘキサン300gに溶解させ、イオン交換水による水洗作業を3回実施した。有機層をエバポレーターで濃縮した後、メタノールで再沈殿し、白色固体を得た。得られた固体を60°Cの真空乾燥機で一晩乾燥し、7.5gの白色粉末が得られた。得られたポリマーの分子量はGPCによりMw=31,000Mn=14、000であった。4.フォトレジスト用組成物の調製実施例1合成例1で得られたノボラック型フェノール樹脂30部と合成例2で得られた環状オレフィン樹脂脂6部、2344’-テトラヒドロキシベンゾフェノンと6-ジアゾ-5,6-ジヒドロ-5-オキソ-ナフタレン-1-スルホン酸とのエステル6部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート150部に溶解した後、孔径1.0μmのメンブレンフィルターを用いて濾過し、フォトレジスト組成物を調製した。実施例2合成例1で得られたノボラック型フェノール樹脂30部と合成例2で得られ環状オレフィン樹脂15部、2344’-テトラヒドロキシベンゾフェノンと6-ジアゾ-5,6-ジヒドロ-5-オキソ-ナフタレン-1-スルホン酸とのエステル6部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート150部に溶解した後、孔径1.0μmのメンブレンフィルターを用いて濾過し、フォトレジスト組成物を調製した。実施例3合成例1で得られたノボラック型フェノール樹脂30部と合成例3で得られ環状オレフィン樹脂3部、2344’-テトラヒドロキシベンゾフェノンと6-ジアゾ-5,6-ジヒドロ-5-オキソ-ナフタレン-1-スルホン酸とのエステル6部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート150部に溶解した後、孔径1.0μmのメンブレンフィルターを用いて濾過し、フォトレジスト組成物を調製した。実施例4合成例1で得られたノボラック型フェノール樹脂30部と合成例4で得られた環状オレフィン樹脂6部、2344’-テトラヒドロキシベンゾフェノンと6-ジアゾ-5,6-ジヒドロ-5-オキソ-ナフタレン-1-スルホン酸とのエステル6部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート150部に溶解した後、孔径1.0μmのメンブレンフィルターを用いて濾過し、フォトレジスト組成物を調製した。実施例5合成例1で得られたノボラック型フェノール樹脂30部と合成例5で得られた環状オレフィン樹脂6部、2344’-テトラヒドロキシベンゾフェノンと6-ジアゾ-5,6-ジヒドロ-5-オキソ-ナフタレン-1-スルホン酸とのエステル6部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート150部に溶解した後、孔径1.0μmのメンブレンフィルターを用いて濾過し、フォトレジスト組成物を調製した。実施例6合成例1で得られたノボラック型フェノール樹脂30部と合成例6で得られた環状オレフィン樹脂3部、2344’-テトラヒドロキシベンゾフェノンと6-ジアゾ-5,6-ジヒドロ-5-オキソ-ナフタレン-1-スルホン酸とのエステル6部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート150部に溶解した後、孔径1.0μmのメンブレンフィルターを用いて濾過し、フォトレジスト組成物を調製した。比較例1合成例1で得られたノボラック型フェノール樹脂30部、234,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノンと6-ジアゾ-5,6-ジヒドロ-5-オキソ-ナフタレン-1-スルホン酸とのエステル6部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート150部に溶解した後、孔径1.0μmのメンブレンフィルターを用いて濾過し、フォトレジスト組成物を調製した。実施例1~5、及び比較例1~2で得られたフォトレジスト組成物を用いて、下記に示す特性評価を行った。結果を表1に示す。5.特性の評価方法1耐熱性の評価方法ヘキサメチルジシラザン処理したシリコンウエハ上にスピンコーターで乾燥時の膜厚が1.5μmになるように塗布し、110°Cで90秒間ホットプレ-ト上で乾燥させた。その後、縮小投影露光装置を用い、テストチャ-トマスクを介して露光し、現像液2.38テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液を用い、60秒間現像した。得られたシリコンウエハ-を温度を変えたホットプレ-ト上で3分間放置し、シリコウエハ-上のレジストパタ-ンの形状を走査型電子顕微鏡で観察し、正常なレジストパターンが得られなくなった時の温度を耐熱温度とした。2残膜率測定方法フォトレジスト組成物を3インチシリコンウエハ上に約1μmの厚さになるようにスピンコーターで塗布し、110°Cのホットプレート上で100秒間乾燥させた。そのウエハを現像液2.38水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に60秒間浸した後、水で洗浄し、110°Cのホットプレート上で100秒間乾燥させた。現像前の膜厚に対する、現像後の膜厚の比を百分率で表し、残膜率とした。これにより、感光剤とフォトレジストとして用いたときの残膜耐性の程度がわかり、数値が高いほど残膜率が高いことを示す。3感度の測定方法フォトレジスト組成物を3インチのシリコンウエハに約1μmの厚さになるようにスピンコーターで塗布し、110°Cのホットプレート上で100秒間乾燥させた。次いでこのシリコンウエハにテストチャートマスクを重ね、20mJ/cm2,40mJ/cm2,60mJ/cm2の紫外線をそれぞれ照射し、現像液2.38の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用い90秒間現像した。得られたパターンを走査型電子顕微鏡でパターン形状を観察することにより以下の基準で評価した。A20mJ/cm2以下で画像が形成できる。B20mJ/cm2超、40mJ/cm2以下で画像が形成できる。C40mJ/cm2超、60mJ/cm2以下で画像が形成できる。4解像度の測定上記調製したフォトレジスト組成物を、スピンコーターを用いてシリコンウエハ上に塗布し、110°C、100秒間プリベークして、膜厚1.5μmのレジスト膜を形成した。これに100~1μmの線幅が刻まれたパターンマスクを介し、紫外線を用いて露光した。露光後、直ちに2.38wtのテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイト水溶液により、23°Cで60秒間現像し、水洗、乾燥を行い、ポジ型パターンを得た。その際、一定の露光量で解像される最小のフォトレジストパターンの寸法を解像度とした。表1の結果から、実施例1~5は、本発明のフォトレジスト用樹脂組成物であり、本発明の樹脂組成物でない比較例1~2に比べて、優れた残膜率、感度及び特に耐熱性を持つものであることが証明できた。"