"ブロック単位にデータの消去が行われ、当該ブロックに対するデータの書き込みおよび読み出しが行われる不揮発性メモリと、タスクスケジューリング機能を含み、前記不揮発性メモリのアクセス動作を制御し、前記不揮発性メモリのデータ変化状態のレベルを監視して、前記不揮発性メモリのリフレッシュ動作を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、タスクを優先度に応じて処理し、前記リフレッシュ動作を低優先度タスクとして処理するメモリ装置。前記制御部は、リフレッシュ処理よりも優先度の高いタスクが実行待ちの場合には、当該実行待ちのタスクの処理を先に実行し、リフレッシュ動作処理よりも優先度の高いタスクがすべて実行完了した後に、リフレッシュ動作を実行する請求項1記載のメモリ装置。前記制御部は、リフレッシュ処理よりも優先度の高いタスクが連続して発生して、リフレッシュ処理があらかじめ規定された条件で実行できないような場合に、リフレッシュ処理の優先度を一時的に引き上げて実行する請求項1記載のメモリ装置。前記制御部は、リフレッシュ処理実行中に、優先度の高いタスクが発生した場合には、リフレッシュ処理を一時停止して、優先度の高いタスクを実行する請求項1記載のメモリ装置。前記制御部は、リフレッシュ処理実行中に、優先度の高いタスクが発生した場合には、リフレッシュ処理の完了を待ってから優先度の高いタスクを実行する請求項1記載のメモリ装置。前記制御部は、リフレッシュ処理の完了を待つ場合には、リフレッシュ処理のタスクに細分化して実行する請求項5記載のメモリ装置。前記制御部は、実ブロックを複数ページ単位に分割してリフレッシュ処理を実行する請求項6記載のメモリ装置。前記制御部は、仮想ブロックを実ブロック単位に分割してリフレッシュ処理を実行する請求項6記載のメモリ装置。ブロック単位にデータの消去が行われる不揮発性メモリに対して、当該ブロックに対するデータの書き込みまたは読み出しを行うアクセスステップと、タスクスケジューリングを行いつつ、前記不揮発性メモリのアクセス動作を制御し、前記不揮発性メモリのデータ変化状態のレベルを監視して、前記不揮発性メモリのリフレッシュ動作を制御する制御ステップと、を有し、前記制御ステップでは、タスクを優先度に応じて処理し、前記リフレッシュ動作を低優先度タスクとして処理するメモリ制御方法。前記制御ステップにおいては、リフレッシュ処理よりも優先度の高いタスクが実行待ちの場合には、当該実行待ちのタスクの処理を先に実行し、リフレッシュ動作処理よりも優先度の高いタスクがすべて実行完了した後に、リフレッシュ動作を実行する請求項9記載のメモリ制御方法。前記制御ステップにおいては、リフレッシュ処理よりも優先度の高いタスクが連続して発生して、リフレッシュ処理があらかじめ規定された条件で実行できないような場合に、リフレッシュ処理の優先度を一時的に引き上げて実行する請求項9記載のメモリ制御方法。前記制御ステップにおいては、リフレッシュ処理実行中に、優先度の高いタスクが発生した場合には、リフレッシュ処理を一時停止して、優先度の高いタスクを実行する請求項9記載のメモリ制御方法。前記制御ステップにおいては、リフレッシュ処理実行中に、優先度の高いタスクが発生した場合には、リフレッシュ処理の完了を待ってから優先度の高いタスクを実行する請求項9記載のメモリ制御方法。前記制御ステップにおいては、リフレッシュ処理の完了を待つ場合には、リフレッシュ処理のタスクに細分化して実行する請求項13記載のメモリ制御方法。前記制御ステップにおいては、実ブロックを複数ページ単位に分割してリフレッシュ処理を実行する請求項14記載のメモリ制御方法。前記制御ステップにおいては、仮想ブロックを実ブロック単位に分割してリフレッシュ処理を実行する請求項14記載のメモリ制御方法。ブロック単位にデータの消去が行われる不揮発性メモリに対して、当該ブロックに対するデータの書き込みまたは読み出しを行うアクセス処理と、タスクスケジューリングを行いつつ、前記不揮発性メモリのアクセス動作を制御し、前記不揮発性メモリのデータ変化状態のレベルを監視して、前記不揮発性メモリのリフレッシュ動作を制御する制御処理と、を有し、前記制御処理では、タスクを優先度に応じて処理し、前記リフレッシュ動作を低優先度タスクとして処理するメモリ制御処理をコンピュータに実行させるプログラム。上述したように、提案されているリフレッシュ手法は、ビット化けの発生数や、読み出しや書き換えの回数などが、一定の閾値を超えた場合、すなわちデータの信頼性が一定の閾値を下回った場合にリフレッシュ動作を行う。図2は、ホスト装置からメモリ装置へのアクセス、リフレッシュ動作、およびリフレッシュ動作によるオーバヘッドを模式的に示す図である。たとえばホスト装置1からメモリ装置2のコントロールデバイス2Aに書き込みや読み出しのコマンドが送信される。コントロールデバイス2A、コマンドに応じた書き込みや読み出しのオペレーションを不揮発性メモリ2Bに対して実行する。この間、不揮発性メモリ2Bはビジー状態となる。そして、コントロールデバイス2Aは、データの信頼性が一定の閾値を上回った場合にリフレッシュ動作を行う。しかしながら、このリフレッシュ手法では、閾値を上回る状態が発生すると、システムの他の処理に関係なく、直ちにリフレッシュ動作を開始する。このため、信頼性を確保する代わりに、リフレッシュ時間がオーバヘッド時間となって、処理速度を低下させてしまうという不利益がある。この問題について、図3に関連付けてさらに説明する。図3は、リフレッシュ動作が必要となった場合における他タスク完了までの流れを示す図である。従来手法では、図3に示すように、高いパフォーマンスが要求されるようなタスクを実行中であっても、リフレッシュ動作が必要となった場合には即座にリフレッシュ動作を行ってしまうため、要求されるパフォーマンスでのタスク実行を行うことができない。さらに、リフレッシュ動作中は、他のタスク実行ができないためパフォーマンスの低下を引き起こしてしまう。本技術は、処理速度の低下を防止でき、要求されるパフォーマンスでのタスク実行を行うことが可能で、状況に応じた的確なリフレッシュ動作を実現することが可能なメモリ装置、メモリ制御方法、およびプログラムを提供することにある。本技術の第1の観点のメモリ装置は、ブロック単位にデータの消去が行われ、当該ブロックに対するデータの書き込みおよび読み出しが行われる不揮発性メモリと、タスクスケジューリング機能を含み、前記不揮発性メモリのアクセス動作を制御し、前記不揮発性メモリのデータ変化状態のレベルを監視して、前記不揮発性メモリのリフレッシュ動作を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、タスクを優先度に応じて処理し、前記リフレッシュ動作を低優先度タスクとして処理する。本技術の第2の観点のメモリ制御方法は、ブロック単位にデータの消去が行われる不揮発性メモリに対して、当該ブロックに対するデータの書き込みまたは読み出しを行うアクセスステップと、タスクスケジューリングを行いつつ、前記不揮発性メモリのアクセス動作を制御し、前記不揮発性メモリのデータ変化状態のレベルを監視して、前記不揮発性メモリのリフレッシュ動作を制御する制御ステップと、を有し、前記制御ステップでは、タスクを優先度に応じて処理し、前記リフレッシュ動作を低優先度タスクとして処理する。本技術の第3の観点は、ブロック単位にデータの消去が行われる不揮発性メモリに対して、当該ブロックに対するデータの書き込みまたは読み出しを行うアクセス処理と、タスクスケジューリングを行いつつ、前記不揮発性メモリのアクセス動作を制御し、前記不揮発性メモリのデータ変化状態のレベルを監視して、前記不揮発性メモリのリフレッシュ動作を制御する制御処理と、を有し、前記制御処理では、タスクを優先度に応じて処理し、前記リフレッシュ動作を低優先度タスクとして処理するメモリ制御処理をコンピュータに実行させるプログラムである。本技術によれば、処理速度の低下を防止でき、要求されるパフォーマンスでのタスク実行を行うことが可能で、状況に応じた的確なリフレッシュ動作を実現することができる。以下、本実施形態を添付図面に関連付けて説明する。なお、説明は以下の順序で行う。1.情報処理システムの全体構成の概要2.メモリ装置のリフレッシュ動作制御の概要3.メモリ装置のリフレッシュ動作制御の具体例<1.情報処理システムの全体構成の概要>図4は、本実施形態に適用される情報処理システムの概略構成を示す図である。図4に示すように、この情報処理システムは、ホスト装置10と、ホスト装置10に着脱自在に装着可能な情報処理装置としてのメモリ装置20を主構成要素として有している。本実施形態において、メモリ装置20はNANDフラッシュメモリ等の不揮発性メモリを含んで構成されている。ホスト装置10は、パーソナルコンピュータPC、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、オーディオレコーダ等の機器により形成される。ホスト装置10は、制御部11、メモリ12、ディスプレイ13、入出力処理I/O部14、および外部メモリンタフェースI/F15を備える。制御部11は、メモリ12、ディスプレイ13、I/O部14および外部メモリI/F15とバス16を介し相互に接続されている。メモリ12は、プログラム格納用のROM、作業用メモリであるRAM等を有する。外部メモリI/F15は、制御部11の制御命令に従ってメモリ装置20との間でデータを送受する。メモリ装置20は、制御部21、メモリ22、不揮発性メモリ23、およびデバイスI/F24を備える。制御部21は、メモリ22、不揮発性メモリ23およびデバイスI/F24とバス25を介し相互に接続されている。メモリ22は、プログラム格納用のROM、作業用メモリであるRAM等を有する。メモリ22は、たとえば内部RAM、バッファRAMを含む。不揮発性メモリ23は、たとえば、NAND型あるいはNOR型のフラッシュメモリにより形成される。本実施形態では、不揮発性メモリとしてNANDフラッシュメモリを例に説明する。デバイスI/F24は、制御部21の制御命令に従ってホスト装置10あるいは周辺機器との間でデータを送受する。図5は、図4に示されるメモリ装置20のより具体的な構成例を示すブロック図である。メモリ装置20は、たとえばホスト装置デバイス10に装着されているとき、ホスト装置10から供給されるデータが書き込まれ、記憶したデータが読み出される。メモリ装置20は、制御部21として、プロセッサ211、およびエラー訂正部としての機能を含むECCコントローラ212を含んで構成されている。また、本実施形態において、制御部21として機能するプロセッサ211およびECCコントローラ212は、タスクスケジューリング機能を含む。また、メモリ22は、バッファRAM221および内部RAM222を含んで構成される。プロセッサ211は、デバイスI/F24を通してのホスト装置10との間のコマンドやデータの転送制御、ECCコントローラ212を通しての不揮発性メモリ23に対しての書き込みや読み出し制御等、メモリ装置20全体の制御を行う。ECCコントローラ212は、プロセッサ211の制御の下、不揮発性メモリ23に対して、必要に応じて書き込みデータに誤り訂正符号を付加してデータを書き込み、読出し時にエラー検出と訂正を行うことによって、データの信頼性を改善する機能を含む。また、ECCコントローラ212は、プロセッサ211の制御の下、タスクスケジューリングを行いつつ、不揮発性メモリ23の状態に応じて、データ信頼性向上のためにリフレッシュ動作を行う。ECCコントローラ212は、プロセッサ211の制御の下、後で詳述するように、基本的にタスクを優先度に応じて処理し、リフレッシュ動作を低優先度タスクとして処理する。ECCコントローラ212は、リフレッシュ動作時には、内部RAM222に一旦不揮発性メモリ23の一ブロックから読み出したデータを退避させ、退避させたデータを他のブロックに書き戻す。ECCコントローラ212は、リフレッシュ動作でない非リフレッシュ動作時は、バッファRAM221に一時的に保持されるデータに対する処理を行う。たとえばNANDフラッシュメモリにより形成される不揮発性メモリ23は、ブロック単位にデータの消去が行われ、ブロックに対してブロック単位より小さい、たとえばページ単位でデータの書き込みおよび読み出しが行われる。<2.メモリ装置のリフレッシュ動作制御の概要>以下に、本実施形態に係るメモリ装置20におけるリフレッシュ動作制御の概要について説明する。本実施形態においては、制御部21のECCコントローラ212は、プロセッサ211の制御の下、不揮発性メモリ23のデータ変化状態のレベルを監視して、不揮発性メモリ23のリフレッシュ動作を制御する。なお、データ変化状態のレベルとはデータの信頼性を判断するための情報である。ECCコントローラ212は、リフレッシュ処理よりも優先度の高いタスクが実行待ちの場合には、この実行待ちのタスクの処理を先に実行し、リフレッシュ動作処理よりも優先度の高いタスクがすべて実行完了した後に、リフレッシュ動作を実行する。ECCコントローラ212は、リフレッシュ処理よりも優先度の高いタスクが連続して発生して、リフレッシュ処理があらかじめ規定された条件で実行できないような場合に、リフレッシュ処理の優先度を一時的に引き上げて実行する。この規定された条件としては、たとえば書き込みが行われてからの経過時間放置時間や前回のリフレッシュ処理からの書き込みの実行回数や経過時間等が適用可能である。また、本実施形態のECCコントローラ212は、リフレッシュ処理実行中に、優先度の高いタスクが発生した場合には、リフレッシュ処理を一時停止して、優先度の高いタスクを実行する。また、ECCコントローラ212は、リフレッシュ処理実行中に、優先度の高いタスクが発生した場合には、リフレッシュ処理の完了を待ってから優先度の高いタスクを実行する。ECCコントローラ212は、リフレッシュ処理の完了を待つ場合には、リフレッシュ処理のタスクに細分化して実行する。この場合、ECCコントローラ212は、実ブロックを複数ページ単位に分割してリフレッシュ処理を実行することが可能である。あるいは、ECCコントローラ212は、仮想ブロックを実ブロック単位バンク単位に分割してリフレッシュ処理を実行することが可能である。<3.メモリ装置のリフレッシュ動作制御の具体例>次に、本実施形態に係るメモリ装置20におけるリフレッシュ動作制御の具体例について、図面に関連付けて説明する。以下では、上述の記載と重複する部分もあるが、フラッシュメモリの特性や本実施形態のリフレッシュ動作制御を行う理由等も含めて説明する。図6は、不揮発性メモリのデータの信頼性について説明するための図である。図6において、横軸は不揮発性メモリに対するデータの読み出し、書き込みの実時間を、縦軸は不揮発性メモリにおけるデータの信頼度の相対的な値を、それぞれ示している。図7は、メモリ装置における不揮発性メモリのリフレッシュ動作の基本的なデータの流れを示す図である。図8は、基本的なリフレッシュ動作のフローチャートである。図9は、一般的なリフレッシュ方法を説明するための図である。図10は、本実施形態に係るタスクスケジューリングを伴うリフレッシュ制御方法を説明するためのフローチャートである。図11は、本実施形態に係るタスクスケジューリングを伴うリフレッシュ制御方法の一例を説明するための図である。本実施形態に係るメモリ装置20は、図5に示すように、半導体不揮発性メモリを主たる記憶媒体とする。そのフラッシュメモリにより形成される不揮発性メモリ23は、図6に示すように、実時間の経過や、読み出しや書き込み処理を繰り返し行うことによりデータの信頼性が低下するような特性を持つ。こうした情報処理システムにおいて、データの信頼性低下を防ぐ方法として、リフレッシュ方法を採用している。リフレッシュ処理では、図7に示すように、ECCコントローラ212が、不揮発性メモリ23から信頼性の低下したブロックBLKxからデータを訂正しながら読み出しST1,ST2、読み出したデータを、ECCなどを用いて訂正する。そして、ECCコントローラ212は、不揮発性メモリ23の再度読み出したブロックとは別のブロックBLKyへ書き込むST3,ST4、というリフレッシュ動作を行っている。具体的な処理としては、図8に示すような処理が行われる。まず、変数pgを0に設定しST11、リフレッシュソースブロックから所定のページ番号のデータを読み出すST12。そして、ECCコントローラ212を通してデータの訂正を行いST13、読み出しとは異なるリフレッシュデスティネーションブロックの所定の番号のページに書き戻すST14。変数pgをインクリメントしST15、リフレッシュソースブロックの書き込まれている最終ページまでステップST12からの処理を繰り返すST16。最終ページまでの書き戻す処理が完了すると、リフレッシュソースブロックを消去するST17。このリフレッシュ動作のタイミングとして、たとえば図9に示すように、信頼性を表す値が一定の閾値THを下回った場合に、不揮発性メモリ上のデータのリフレッシュを行う方法が用いられる。本実施形態では、メモリ装置20は、接続しているホストデバイスや、周辺機器などから発生する処理を、優先度付けを行って処理するタスクスケジューリング機能を有している。本実施形態では、このリフレッシュ動作の実行制御を、タスクスケジューリングと関連付けて行う。データの信頼性低下を防ぐために、不揮発性メモリ23の信頼性を表す値が一定の閾値を下回ったことを検知したときに、データのリフレッシュ処理を行う。このとき、図10に示すように、このリフレッシュ処理を、低優先度タスクに割り当てて実行する。すなわち、メモリ装置20では、プロセッサ211およびECCコントローラ212は、実行すべきタスクがリフレッシュタスクであるか否かを判別するST21。ここで、タスクがリフレッシュタスクでない場合には、プロセッサ211およびECCコントローラ212は、そのタスクを通常の優先度をもって処理するように制御するST22。タスクがリフレッシュタスクである場合には、プロセッサ211およびECCコントローラ212は、そのリフレッシュタスクを低い優先度をもって処理するように制御するST23。なお、割り当てられる優先度については、優先されるべき他のタスクに割り当てられる優先度と比較して相対的に低ければよいが、システム内の最低優先度に割り当てられても良い。本実施形態においては、図11に示すように、プロセッサ211およびECCコントローラ212は、リフレッシュ処理よりも優先度の高いタスクTask1~4が実行待ちの場合には、次の処理を行う。プロセッサ211およびECCコントローラ212は、図11に示すように、実行待ちのタスクTask1~4の処理を先に実行し、リフレッシュ動作処理よりも優先度の高いタスクがすべて実行完了した後に、リフレッシュ動作を実行する。リフレッシュ処理よりも優先度の高いタスクが連続して発生して、リフレッシュ処理があらかじめ規定された条件で実行できないような場合に、リフレッシュ処理の優先度を一時的に引き上げて実行することも可能である。この規定された条件としては、前述したように、たとえば書き込みが行われてからの経過時間放置時間や前回のリフレッシュ処理からの書き込みの実行回数や経過時間等が適用可能である。また、プロセッサ212およびECCコントローラ212は、リフレッシュ処理実行中に、優先度の高いタスクが発生した場合には、リフレッシュ処理を一時停止して、優先度の高いタスクを実行することも可能である。また、プロセッサ211およびECCコントローラ212は、リフレッシュ処理実行中に、優先度の高いタスクが発生した場合には、リフレッシュ処理の完了を待ってから優先度の高いタスクを実行する。この場合、ECCコントローラ212は、リフレッシュ処理の完了を待つ場合には、図12または図13に示すように、リフレッシュ処理をパフォーマンスの低下を最低限にとどめる程度のタスクに細分化して実行する。図12は、本実施形態において、リフレッシュ処理のタスクに細分化して実行する第1例を示す図である。この第1例では、ECCコントローラ212は、不揮発性メモリ23の実ブロックRBLKを複数ページ単位PGUに分割してリフレッシュ処理を実行する。図13は、本実施形態において、リフレッシュ処理のタスクに細分化して実行する第2例を示す図である。図14は、本実施形態において、リフレッシュ処理のタスクに細分化して実行する第2例を説明するためのフローチャートである。第2例では、ECCコントローラ212は、仮想ブロックVBLKを実ブロック単位であるバンク単位BKUに分割してリフレッシュ処理を実行する。具体的には、図14に示すように、ECCコントローラ212はリフレッシュすべきブロックが残っているか否かを判別するST31。リフレッシュすべきブロックが残っている場合、ターゲットの仮想ブロックVBLKを選択しST32、たとえばブロックBLK0が残っているか否かを判別するST33。ブロックBLK0が残っている場合、バンクBKU0の実ブロックをリフレッシュするST34。ブロックBLK0が残っていない場合、ブロックBLK1が残っているか否かを判別するST35。ブロックBLK1が残っている場合、バンクBKU1の実ブロックをリフレッシュするST36。ブロックBLK1が残っていない場合、ブロックBLK2が残っているか否かを判別するST37。ブロックBLK2が残っている場合、バンクBKU2の実ブロックをリフレッシュするST38。ブロックBLK2が残っていない場合、ブロックBLK3が残っているか否かを判別するST39。ブロックBLK3が残っている場合、バンクBKU3の実ブロックをリフレッシュするST40。この例のようにリフレッシュタスク実行時に、1バンクのみリフレッシュを行うように制御することによって、リフレッシュ動作実行中に発生した他のタスクのウェイト時間を短縮させることが可能となる。このとき、データの信頼性を確認する処理リフレッシュ処理を必要とするかどうか確認する処理も、同様の低優先のタスクとして含めて実行しても良い。以上説明したように、本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。従来手法では、高いパフォーマンスが要求されるようなタスクを実行中であっても、リフレッシュ動作が必要となった場合には直ちに即座にリフレッシュ動作を行ってしまうため、要求されるパフォーマンスでのタスク実行を行うことができない。さらに、リフレッシュ動作中は、他のタスク実行ができないためパフォーマンスの低下を引き起こしてしまう。本実施形態においては、リフレッシュ動作を低優先タスクとして実行することで、高いパフォーマンスが要求されるようなタスク高優先タスクが発生した場合でも、リフレッシュ動作を一時停止して高優先タスクを実行する。これにより、システムのパフォーマンスの維持を実現することが可能となる。さらに、リフレッシュ動作自体を分割実行できるように細分化することで、高優先タスクの実行までの時間を短縮、かつリフレッシュ動作自体の実行可能性を高めることができる。また、システムのパフォーマンス維持とリフレッシュ動作によるデータの信頼性向上を実現することができる。上述した本実施形態に限らず、本技術の要旨を逸脱しない限り、適宜、変更しうることはいうまでもない。また、以上詳細に説明した方法は、上記手順に応じたプログラムとして形成し、CPU等のコンピュータで実行するように構成することも可能である。また、このようなプログラムは、半導体メモリ、磁気ディスク、光ディスク、フロッピー登録商標ディスク等の記録媒体、この記録媒体をセットしたコンピュータによりアクセスし上記プログラムを実行するように構成可能である。なお、本技術は以下のような構成もとることができる。1ブロック単位にデータの消去が行われ、当該ブロックに対するデータの書き込みおよび読み出しが行われる不揮発性メモリと、タスクスケジューリング機能を含み、前記不揮発性メモリのアクセス動作を制御し、前記不揮発性メモリのデータ変化状態のレベルを監視して、前記不揮発性メモリのリフレッシュ動作を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、タスクを優先度に応じて処理し、前記リフレッシュ動作を低優先度タスクとして処理するメモリ装置。2前記制御部は、リフレッシュ処理よりも優先度の高いタスクが実行待ちの場合には、当該実行待ちのタスクの処理を先に実行し、リフレッシュ動作処理よりも優先度の高いタスクがすべて実行完了した後に、リフレッシュ動作を実行する前記1記載のメモリ装置。3前記制御部は、リフレッシュ処理よりも優先度の高いタスクが連続して発生して、リフレッシュ処理があらかじめ規定された条件で実行できないような場合に、リフレッシュ処理の優先度を一時的に引き上げて実行する前記1または2記載のメモリ装置。4前記制御部は、リフレッシュ処理実行中に、優先度の高いタスクが発生した場合には、リフレッシュ処理を一時停止して、優先度の高いタスクを実行する前記1から3のいずれか一に記載のメモリ装置。5前記制御部は、リフレッシュ処理実行中に、優先度の高いタスクが発生した場合には、リフレッシュ処理の完了を待ってから優先度の高いタスクを実行する前記1から3のいずれか一に記載のメモリ装置。6前記制御部は、リフレッシュ処理の完了を待つ場合には、リフレッシュ処理のタスクに細分化して実行する前記5記載のメモリ装置。7前記制御部は、実ブロックを複数ページ単位に分割してリフレッシュ処理を実行する前記6記載のメモリ装置。8前記制御部は、仮想ブロックを実ブロック単位に分割してリフレッシュ処理を実行する前記6記載のメモリ装置。9ブロック単位にデータの消去が行われる不揮発性メモリに対して、当該ブロックに対するデータの書き込みまたは読み出しを行うアクセスステップと、タスクスケジューリングを行いつつ、前記不揮発性メモリのアクセス動作を制御し、前記不揮発性メモリのデータ変化状態のレベルを監視して、前記不揮発性メモリのリフレッシュ動作を制御する制御ステップと、を有し、前記制御ステップでは、タスクを優先度に応じて処理し、前記リフレッシュ動作を低優先度タスクとして処理するメモリ制御方法。10前記制御ステップにおいては、リフレッシュ処理よりも優先度の高いタスクが実行待ちの場合には、当該実行待ちのタスクの処理を先に実行し、リフレッシュ動作処理よりも優先度の高いタスクがすべて実行完了した後に、リフレッシュ動作を実行する前記9記載のメモリ制御方法。11前記制御ステップにおいては、リフレッシュ処理よりも優先度の高いタスクが連続して発生して、リフレッシュ処理があらかじめ規定された条件で実行できないような場合に、リフレッシュ処理の優先度を一時的に引き上げて実行する前記9または10記載のメモリ制御方法。12前記制御ステップにおいては、リフレッシュ処理実行中に、優先度の高いタスクが発生した場合には、リフレッシュ処理を一時停止して、優先度の高いタスクを実行する前記9から11のいずれか一に記載のメモリ制御方法。13前記制御ステップにおいては、リフレッシュ処理実行中に、優先度の高いタスクが発生した場合には、リフレッシュ処理の完了を待ってから優先度の高いタスクを実行する前記9から11のいずれか一に記載のメモリ制御方法。14前記制御ステップにおいては、リフレッシュ処理の完了を待つ場合には、リフレッシュ処理のタスクに細分化して実行する前記13記載のメモリ制御方法。15前記制御ステップにおいては、実ブロックを複数ページ単位に分割してリフレッシュ処理を実行する前記14記載のメモリ制御方法。16前記制御ステップにおいては、仮想ブロックを実ブロック単位に分割してリフレッシュ処理を実行する前記14記載のメモリ制御方法。"