測定対象物を基板表面に成膜した酸化物半導体膜とし、成膜直後の酸化物半導体膜を局所的に加熱する工程と、この加熱した領域で抵抗値測定用プロープを用いて抵抗値を測定する工程と、を含むことを特徴とする膜抵抗測定方法。前記酸化物半導体膜の局所的な加熱を、温風を吹き付けて行うことを特徴とする請求項1記載の膜抵抗値測定方法。前記酸化物半導体膜の局所的な加熱を、ランプヒータにより行うことを特徴とする請求項1記載の膜抵抗値測定方法。前記酸化物半導体膜の局所的な加熱を、不活性ガス雰囲気または大気中で行うことを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の膜抵抗値測定方法。本発明は、上記点に鑑み、成膜直後の基板面内における酸化物半導体膜の抵抗値を効率よく測定することができる膜抵抗値測定方法を提供することをその課題とするものである。上記課題を解決するために、本発明は、測定対象物を基板表面に成膜した酸化物半導体膜とし、成膜直後の酸化物半導体膜を局所的に加熱する工程と、この加熱した領域で抵抗値測定用プロープを用いて抵抗値を測定する工程と、を含むことを特徴とする。本発明によれば、酸化物半導体膜を局所的に加熱するため、当該加熱箇所では、その抵抗値が従来の抵抗値測定用プローブにて抵抗値を測定する範囲まで低下する。そして、加熱により抵抗値が低下した範囲を、上記プローブにて抵抗値を測定し、この局所的な加熱と当該加熱箇所の測定との操作を基板面内全面に亘って繰り返すことで、基板表面に成膜した酸化物半導体膜の抵抗値をその全面に亘って測定する。この場合、酸化物半導体膜が成膜された基板を加熱炉に収納してアニールする上記従来例とは異なり、成膜条件等の相違に基づく膜厚や膜質変化を抵抗値の変化から捉えることが可能になる。その結果、酸化物半導体膜の抵抗値を効率よく測定して成膜時における酸化物半導体膜の膜厚や膜質を管理することができる。なお、加熱温度は、100~250°Cの範囲内の温度とすれば、効果的に抵抗値の変化を確実に捉えることが可能になる。本発明において、酸化物半導体膜として、例えばIn-Ga-Zn-O系材料からなる透明酸化物半導体膜を用いることができる。本発明においては、透明酸化物半導体膜を上記範囲の温度に短時間で効果的に加熱するには、前記透明酸化物半導体膜の局所的な加熱を、温風を吹き付け行うか、または、ランプヒータを用いて行うことが好ましい。また、酸化物半導体膜の局所的な加熱を、不活性ガス雰囲気または大気中で行うようにすればよい。以下、図面を参照して、測定対象物Wを基板表面にスパッタリングにより成膜したIn-Ga-Zn-O系材料からなる透明酸化物半導体膜とし、成膜直後の透明酸化物半導体膜の抵抗値Rsを測定する本発明の実施形態の膜抵抗値測定方法を説明する。図1には、本実施形態の膜抵抗値測定方法を実施することができる測定装置の一例が示されている。測定装置は、床面に設置される脚体1aで水平に支持されたベースプレート1を備え、このベースプレート1上には、透明酸化物半導体膜を成膜した側を上にして測定対象物Wが位置決め保持されるようになっている。また、ベースプレート1には、このベースプレート1に載置される測定対象物Wを跨ぐようにして配置した門型フレーム2を備える。門型フレーム2は、互いに直交する水平2方向をX軸方向及びY軸方向として、ベースプレート1上に固定したX軸方向に長手の左右一対のガイドレール3L、3Rに図示省略のスライダを介して移動自在に支持され、ベースプレート1に対して門型フレーム2がX軸方向に相対移動されるようになっている。門型フレーム2は、スライダを介して立設したY軸方向両側のコラム21、21と、両コラム21、21の上端間に横設したY軸方向に長手のビーム22とから構成される。ビーム22のX軸方向の片面には、図示省略のリニアモータを介してY軸方向に移動自在にY軸ステージ4が支持され、Y軸方向に往復動できるようになっている。Y軸ステージ4には、上下方向にのびる左右一対のガイドレール5L、5Rに図示省略のスライダを介して移動自在に支持されるホルダ5が設けられ、ホルダ5が測定対象物Wに対して上下動するようになっている。ホルダ5には、抵抗値測定用のプローブ6と、温風噴射用のノズル7とがY軸方向に所定間隔を存して設けられている。抵抗値測定用のプローブ6としては、2つのリング状電極で構成された所謂二重リング法によるものが利用でき、内側のリング電極と外側のリング電極の間に電圧を印加し、流れる電流を電流計で測定し、この測定電流から抵抗値が求められる。測定対象物の裏面には、ガード電極を設置しコントローラ側へ直接取り込み、測定対象物の裏面へ流れた電流をグランドに落とすことにより、測定精度を高める。なお、抵抗値の測定方法は上記のものに限定されるものではなく、例えば、所謂四端子法あるいは二端子法によるプローブをY軸ステージに設けてもよい。他方、ノズル7のノズル端は所定面積で矩形の輪郭を有し、このノズル端がZ軸方向下側を指向測定対象物Wと対向するように設置されている。ノズル7にはまた、加熱機構付きの送付ファン等の図外の気流発生装置に接続された送風ダクト図示せずが接続されている。そして、気流発生装置で発生させた温風が送風ダクトを介してノズル7に供給され、ノズル端に対向する測定対象物Wの面にのみ温風が吹き付けられて加熱されるようになっている。なお、ノズル7先端の開口の直径は、抵抗値の変化を捉えられるように50~100mmの範囲であることが好ましい。また、測定対象物Wの所定範囲にのみ吹き付ける気体として通常大気が用いられるが、アルゴン、窒素などの不活性ガスを用いてもよい。以下に、上記測定装置を用いた、In-Ga-Zn-O系材料からなる透明酸化物半導体膜の膜抵抗値測定方法を説明する。先ず、ガラス基板やシリコンウエハ等の基板表面に、酸素ガスを導入した公知の反応性スパッタリング法により非晶質IGZO膜を成膜する。なお、成膜用のスパッタリング装置やその成膜条件としては公知のものが利用できるため、ここでは詳細な説明を省略する。基板表面に非晶質IGZO膜が所定の膜厚で成膜されると、この基板測定対象物Wをスパッタリング装置の真空チャンバから取り出し、測定装置のベースプレート1上に位置決め保持させる。この場合、門型フレーム2は、測定対象物WからX方向に離間した退避位置にあり、Y軸ステージ4もまた退避位置にある。次に、門型フレーム2をX軸方向に移動し、Y軸ステージ4に設けたノズル7のノズル端が測定対象物WのX軸方向及びY軸方向の隅部の直上に位置させる図1中、右側の上端。この状態で、温風噴射用のノズル7から測定対象物Wに対して局所的に温風を所定時間吹き付ける。この場合、測定対象物Wが100~250°Cの範囲内の温度に加熱される。測定対象物Wの温度が100°Cより低いと、抵抗が高いままで測定ができないという不具合があり、他方で、250°Cを超えると、熱処理の雰囲気と反応して酸化物半導体の構造緩和が起こり、成膜条件等の相違に基づく抵抗値の変化を捉えることができなくなるという不具合が生じる。測定対象物Wが所定温度に加熱されると、Y軸ステージ4を他側に向けて所定1ピッチ分だけ移動するつまり、プローブ6が、加熱した範囲の直上に位置するように移動する。そして、Y軸ステージ4を下動し、プローブ6を測定対象物に当接させて、当該範囲内の抵抗値が測定される。このとき、温風噴射用のノズル7から測定対象物Wのうち、Y軸方向に1ピッチ分ずれた所定範囲に対して局所的に温風を所定時間吹き付け、次の測定準備を行うようにしてもよい。次に、Y軸方向に所定ピッチ毎に抵抗値を測定した後、門型フレーム2をX軸方向に所定間隔移動し、上記同様、Y軸方向に抵抗値を測定していく。そして、上記操作を繰り返し、測定対象物Wの全面に亘って抵抗値が測定される。以上によれば、非晶質IGZO膜透明酸化物半導体膜を局所的に加熱するため、当該加熱箇所は、抵抗値が従来のプローブにて抵抗値を測定する範囲まで低下する。そして、加熱により抵抗値が低下した範囲をプローブ6にて抵抗値を測定し、この操作を基板面内全面に亘って繰り返すことで、測定対象物W表面に成膜した非晶質IGZO膜の抵抗値がその全面に亘って測定される。この場合、非晶質IGZO膜が成膜された基板を加熱炉に収納してアニールする上記従来例とは異なり、成膜条件等の相違に基づく膜厚や膜質変化を抵抗値の変化から捉えることが可能になる。その結果、酸化物半導体膜の抵抗値を効率よく測定して成膜時における酸化物半導体膜の膜厚や膜質を管理することができる。以上の効果を確認するために次の実験を行った。先ず、基板としてシリコンウエハを用い、酸素ガスを導入した反応性スパッタリングよりこのシリコンウエハ表面に厚さ50nmの非晶質IGZO膜を成膜した。この場合、ターゲットへの投入電力や成膜時の圧力等のスパッタ条件は、成膜時の酸素分圧以外を同一とし、3枚のシリコンウエハに対して成膜した試料1:酸素分圧0.02Pa、試料2:酸素分圧:0.15Pa、試料3:酸素分圧0.3Pa。次に、非晶質IGZO膜成膜直後のシリコンウエハを上記測定装置に移送し、抵抗値を測定した。この場合、温風を発生する気流発生装置の消費電力を500~3000Wとし、シリコンウエハを局所的に200°Cに加熱することとし、また、プローブ6としては二重リング法による公知のものを用いた。図2は、上記条件で抵抗値を測定したときのグラフである。なお、加熱することなく、上記プローブ6で抵抗値を測定しようとしたところ、いずれの試料1~3もその抵抗値を測定することはできなかった。他方で、温風を吹き付けて加熱すれば、上記プローブ6にて抵抗値の測定ができ、また、成膜条件の違いでシート抵抗値Ω/□が変化していることが確認された。これにより、本発明を適用して、非晶質IGZO膜の抵抗値を効率よく測定して成膜時における非晶質IGZO膜の膜厚や膜質を管理できることが判る。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態では、温風にて非晶質IGZO膜を局所的に加熱するものを例に説明したが、これに限定されるものではなく、ランプヒータ等を用いて加熱することができる。また、上記実施形態では、大気中で抵抗値を測定するものを例に説明したが、例えば、ベースプレート及びこれに設けられる各部品を気密容器内に収納し、抵抗値測定時に、気密容器内を不活性ガス雰囲気とすることができる。これによれば、温風処理による酸化還元反応を低減させ、構造緩和による抵抗値の変化を抑制できるという利点がある。