半導体基板と、前記半導体基板の上に設けられたn型クラッド層と、前記n型クラッド層の上に設けられ、量子井戸層を含む活性層と、前記活性層を挟む第1および第2の光ガイド層とを有する活性領域層と、前記活性領域層の上に設けられた第1p型クラッド層と、前記第1p型クラッド層の上に設けられ、p型不純物濃度が1.0×1018cm3以上2.0×1018cm3以下である第2p型クラッド層とを備え、前記活性領域層内であって前記量子井戸層側に位置する前記第2光ガイド層の面から前記第1p型クラッド層側へ向かって20nm以上40nm以下離れた領域内において、p型不純物の濃度が5.0×1017cm3以下にまで急峻に低下する半導体レーザ装置。前記活性領域層内であって前記量子井戸層側に位置する前記第2光ガイド層の面におけるp型不純物濃度は、1×1017cm3以下である請求項1に記載の半導体レーザ装置。前記第2p型クラッド層側に位置する前記第1p型クラッド層の面におけるp型不純物濃度は、前記第2p型クラッド層におけるp型不純物濃度と同一である請求項1または2に記載の半導体レーザ装置。前記p型不純物は、前記第2p型クラッド層内において均一に存在している請求項1~3のいずれかに記載の半導体レーザ装置。前記第1p型クラッド層と前記第2p型クラッド層とでは組成が同じであり、前記第1p型クラッド層と前記第2p型クラッド層とは少なくともA1xGa1xyIn1yP0≦x≦1、0≦y≦1を含む請求項1~4のいずれかに記載の半導体レーザ装置。前記第1p型クラッド層は、前記活性領域層に接している請求項1~5のいずれかに記載の半導体レーザ装置。前記第2p型クラッド層は、エッチングストップ層を介して前記第1p型クラッド層の上に設けられている請求項1~6のいずれかに記載の半導体レーザ装置。前記p型不純物は、MgまたはZnである請求項1~7のいずれかに記載の半導体レーザ装置。特許文献3には、不純物の固溶度が大きく拡散定数の小さなMgをp型不純物として用いた場合が記載されているが、この特許文献に記されているMg濃度プロファイルは次の通りである。Mg濃度は、p型クラッド層の上に設けられたp-ESLecthingstoplayer層とp型クラッド層との界面から10nm程度p型クラッド層内に入ったところでは1×1018cm3程度であり、その地点からp型クラッド層内では概ね単調に減少するが、活性層内であってp型クラッド層との界面から50nm程度離れた地点において1.0×1017cm3程度までに減少する。しかし、特許文献3には、p型クラッド層よりも上にバンド不連続緩和層およびキャップ層が設けられていることが記載されており、バンド不連続緩和層はバンド不連続をできるだけ小さくするためにp型不純物濃度をかなり高く設定する必要があり、キャップ層はp側電極との接触抵抗を下げるためにp型不純物濃度をかなり高く設定する必要がある。このため、p型不純物がバンド不連続緩和層およびキャップ層の各層から活性層近傍まで拡散するおそれがある。また、特許文献3には、Mgがp型クラッド層から20nm程度ほど活性層内へ拡散したMg濃度プロファイルも示されている。しかし、p型ドーパントが活性領域まで拡散すると、活性領域自体の非発光再結合が増加するため、閾値電流の増加をもたらす。一方、p型クラッド層のキャリア濃度を高くすると、活性層内への不純物の拡散を促すだけでなく、次に示す不具合をも招く。すなわち、レーザ光は、活性層だけではなくp型クラッド層内まで拡がる。そのため、p型クラッド層中のキャリア濃度が2.0×1018cm3を超えると、フリーキャリアによる光吸収を受け、よって、発光効率の低下を招く。これらのことから、従来の半導体レーザ装置におけるp型クラッド層中のキャリア濃度としては、p型不純物としてZnを用いた場合には6×1017cm3~1.0×1018cm3程度たとえば7×1017cm3とすることが通例であり、p型不純物としてMgを用いた場合には0.9×1018cm3~1.5×1018cm3程度たとえば1×1018cm3とすることが通例である。しかし、p型クラッド層中のキャリア濃度を上記のように設定すると、p型クラッド層内であって活性層から50nm以上離れた領域ではp型キャリア濃度が低下することとなり、高温および高出力時における半導体レーザ装置の特性の低下を引き起こし、よって、半導体レーザ装置の信頼性の低下を引き起こすという不具合を招くことがある。本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、キャリアオーバーフローの発生が抑制されるとともに活性層へのp型不純物の拡散が抑制された半導体レーザ装置を提供することである。本発明に係る半導体レーザ装置は、半導体基板と、半導体基板の上に設けられたn型クラッド層と、n型クラッド層の上に設けられ、量子井戸層を含む活性層と、活性層を挟む第1および第2の光ガイド層とを有する活性領域層と、活性領域層の上に設けられた第1p型クラッド層と、第1p型クラッド層の上に設けられ、p型不純物濃度が1.0×1018cm3以上2.0×1018cm3以下である第2p型クラッド層とを備える。活性領域層内であって量子井戸層側に位置する第2光ガイド層の面以下では第2光ガイド層の下面と記すから前記第1p型クラッド層側へ向かって20nm以上40nm以下離れた領域内において、p型不純物の濃度が5.0×1017cm3以下にまで急峻に低下する。第2光ガイド層の下面におけるp型不純物濃度は、1×1017cm3以下であることが好ましい。第2p型クラッド層側に位置する第1p型クラッド層の面におけるp型不純物濃度は、第2p型クラッド層におけるp型不純物濃度と同一であることが好ましい。p型不純物は、第2p型クラッド層内において均一に存在していることが好ましい。第1p型クラッド層と第2p型クラッド層とでは組成が同じであることが好ましい。第1p型クラッド層と第2p型クラッド層とは少なくともA1xGa1xyIn1yP0≦x≦1、0≦y≦1を含むことが好ましい。第1p型クラッド層は、活性領域層に接していることが好ましい。第2p型クラッド層は、エッチングストップ層を介して第1p型クラッド層の上に設けられていることが好ましい。p型不純物は、MgまたはZnであることが好ましい。本発明に係る半導体レーザ装置によれば、キャリアオーバーフローの発生が抑制されるとともに活性層へのp型不純物の拡散が抑制される。以下、本発明の半導体レーザ装置について図面を用いて説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表すものである。また、長さ、幅、厚さ、深さなどの寸法関係は図面の明瞭化と簡略化のために適宜変更されており、実際の寸法関係を表すものではない。<半導体レーザ装置の構成>図2は、本発明に係る半導体レーザ装置の構成の一例を示す断面図である。図2に示す半導体レーザ装置は、基板1の上に、バッファ層3とn型クラッド層5と活性領域層7と第1p型クラッド層15とエッチングストップ層17と第2p型クラッド層19と中間層21とp型コンタクト層23とが順に積層されて構成されている。p型コンタクト層23の上面上にはp側電極25が設けられており、基板1の下面上にはn側電極27が設けられている。第2p型クラッド層19と中間層21とp型コンタクト層23とは、光導波方向に対して垂直な方向における中央部において光導波方向に所定の幅で延在するリッヂ導波路を形成する。つまり図2に示す半導体レーザ装置はリッジ導波路型のレーザ装置である。このような半導体レーザ装置は、650nm帯の赤色レーザダイオードなどとして使用可能であり、DVD-R/RW装置などに使用可能である。以下、図2に示す半導体レーザ装置の構成要素を順に示す。<基板>基板1は、半導体基板であり、n-GaAsまたはn-GaInPなどからなることが好ましく、GaAs半導体基板であることがより好ましい。これにより、基板1上に積層される活性層11などは、基板1に格子整合可能となる。基板1の厚みは特に限定されないが、50μm以上120μm以下であることが好ましい。<バッファ層>バッファ層3は、基板1とn型クラッド層5との格子定数、および基板1とn型クラッド層5とのバンドギャップの差などを緩衝させるために設けられ、たとえばn-GaInPまたはn-AlGaAsなどからなることが好ましい。バッファ層3がn型不純物を含むときには、n型不純物は特に限定されないがSi、P、AsまたはSbなどであることが好ましく、バッファ層3におけるn型不純物濃度はたとえば5×1017cm3以上2×1018cm3以下であることが好ましい。なお、n型不純物の具体例については下記<n型クラッド層>などにおいても同様である。バッファ層3の厚みは特に限定されないが、0.1μm以上0.3μm以下であることが好ましい。<n型クラッド層>n型クラッド層5は第1p型クラッド層15とともに活性領域層7を挟んでおり、活性領域層7よりも屈折率が低く且つバンドギャップエネルギーが高い層である。たとえば、n型クラッド層5はn-AlGaInPまたはn-AlGaAsなどからなることが好ましい。n型クラッド層5におけるn型不純物濃度は特に限定されないが、たとえば5×1017cm3以上1×1018cm3以下であることが好ましい。n型クラッド層5の厚みは特に限定されないが、2μm以上5μm以下であることが好ましい。<活性領域層>活性領域層7は、第1光ガイド層9と活性層11と第2光ガイド層13とが順に積層されて構成されている。第1光ガイド層9は、活性層11で発光された光が活性層11から漏れることを防止し、n型クラッド層5よりも高屈折率である。たとえば、第1光ガイド層9はi-AlGaInPまたはi-AlGaAsなどからなることが好ましい。第1光ガイド層9の厚みは特に限定されないが、10nm以上30nm以下であることが好ましい。同様に、第2光ガイド層13は、活性層11で発光された光が活性層11から漏れることを防止し、第1p型クラッド層15よりも高屈折率である。たとえば、第2光ガイド層13はi-AlGaInPまたはi-AlGaAsなどからなることが好ましく、第1光ガイド層9と同一の材料からなっても良いし、第1光ガイド層9とは異なる材料からなっても良い。第2光ガイド層13の厚みは特に限定されないが、10nm以上30nm以下であることが好ましい。活性層11は、量子井戸層11Aとバリア層11Bとが交互に積層されて構成されている。量子井戸層11Aは、電子と正孔とを誘導放出させる層であり、バリア層11Bよりもバンドギャップエネルギーが小さい層である。量子井戸層11Aは、基板1に格子接合されていることが好ましく、より好ましくは当該量子井戸層11Aからのフォトルミネッセンスの波長が室温下での測定において630nm~660nmとなるように構成されていることである。たとえば、量子井戸層11Aはi-GaInPからなることが好ましい。バリア層11Bは、電子と正孔とを量子井戸層11Aに閉じ込める層であり、たとえばi-AlGaInPまたはi-AlGaAsなどからなることが好ましい。なお、量子井戸層11Aおよびバリア層11Bは導電型不純物を含んでいても良いが、導電型不純物を含んでいない方が好ましい。量子井戸層11Aおよびバリア層11Bの各厚みは特に限定されない。たとえば、量子井戸層11Aの厚みは5nm以上8nm以下であることが好ましく、バリア層11Bの厚みは3nm以上10nm以下であることが好ましい。なお、本発明では、量子井戸層11Aおよびバリア層11Bの各層数は特に限定されない。また、活性層11は、多重量子井戸構造に限定されず、単一量子井戸構造であっても良い。<第1p型クラッド層>第1p型クラッド層15は、n型クラッド層5と同じく活性領域層7よりも屈折率が低く且つバンドギャップエネルギーが高い層である。第1p型クラッド層15には、MgまたはZnなどのp型不純物が含まれている。p型不純物の具体例については下記<第2p型クラッド層>などにおいても同様である。第1p型クラッド層15は、A1xGa1xyIn1yP0≦x≦1、0≦y≦1を含むことが好ましく、たとえばAlGaInPまたはAlGaAsなどからなることがより好ましい。第1p型クラッド層15の膜厚は特に限定されないが、0.1μm以上0.4μm以下であることが好ましい。<エッチングストップ層>エッチングストップ層17は、第2p型クラッド層19と中間層21とp型コンタクト層23とをエッチングすることによりリッヂ導波路を形成する際に第1p型クラッド層15および活性領域層7などがエッチングされることを防止するための層であり、たとえばGaInPまたはGaAsなどからなることが好ましい。エッチングストップ層17がp型不純物を含む場合には、エッチングストップ層17におけるp型不純物濃度はたとえば1×1018cm3以上3×1018cm3以下であることが好ましい。エッチングストップ層17の厚みは特に限定されないが、たとえば10nm以上15nm以下であることが好ましい。<第2のp型クラッド層>第2p型クラッド層19は、第1p型クラッド層15と同じく活性領域層7よりも屈折率が低く且つバンドギャップエネルギーが高い層である。第2p型クラッド層19は、第1p型クラッド層15と同一の材料からなっても良いし、第1p型クラッド層15とは異なる材料からなっても良く、p-AlGaInPまたはp-AlGaAsなどからなることが好ましい。第2p型クラッド層19におけるp型不純物濃度は特に限定されないが、1×1018cm3以上2×1018cm3以下であることが好ましい。第2p型クラッド層19の厚みは特に限定されないが、たとえば1μm以上3μm以下であることが好ましい。第2p型クラッド層19におけるp型不純物の分布は特に限定されないが、p型不純物が第2p型クラッド層19内において均一に分布していることが好ましい。<中間層>中間層21は、第2p型クラッド層19とp型コンタクト層23とのバンドギャップエネルギーの差を緩和させるために設けられ、たとえばp-GaInPまたはp-AlGasなどからなることが好ましい。中間層21がp型不純物を含む場合には、中間層21におけるp型不純物濃度はたとえば1×1017cm3以上3×1018cm3以下であることが好ましい。中間層21の厚みは特に限定されず、たとえば0.1μm以下であることが好ましい。<p型コンタクト層>p型コンタクト層23は、p側電極25がオーミック接合される層であり、たとえばp-GaAs、P-GaInPからなることが好ましい。p型コンタクト層23におけるp型不純物濃度は特に限定されないが、2×1018cm3以上3×1018cm3以下であることが好ましい。p型コンタクト層23の厚みは特に限定されず、たとえば0.3μm以上0.7μm以下であることが好ましい。<n側電極、p側電極>n側電極27およびp側電極25は、半導体レーザ装置に駆動電力を供給するための電極である。n側電極27は、たとえば、AuとGeとNiとの混合層、チタン層および金層がこの順序で積層されて構成されていることが好ましく、100nm以上300nm以下の厚みを有することが好ましい。p側電極25は、たとえばチタン層、および金層がこの順序で積層されて構成されていることが好ましく、200nm以上4000nm以下の厚みを有することが好ましい。<p型不純物の分布>p型不純物濃度は、活性領域層7内であって第2光ガイド層13の下面から第1p型クラッド層15側へ向かって20nm以上40nm以下離れた領域内において5.0×1017cm3以下にまで急峻に低下し、好ましくは当該領域内において5×1016cm3以下にまで急峻に低下する。ここで、p型不純物濃度が5×1017cm3以下にまで急峻に低下するは、p型不純物濃度が層厚1nmあたり5×1016cm3以上低下することを意味する。このように、図2に示す半導体レーザ装置では、p型不純物濃度が活性領域層7内であって第2光ガイド層13の下面から第1p型クラッド層15側へ向かって20nm以上40nm以下離れた領域内において5.0×1017cm3以下にまで急峻に低下するので、活性層11と第2光ガイド層13とが直接接する構成であっても活性層11へのp型不純物の拡散を防止できる。よって、活性領域層7特に量子井戸層11Aにおける非発光再結合の発生を防止できるので、閾値電流の増加を防止できる。したがって、半導体レーザ装置の性能低下を防止できる。それだけでなく、閾値電流の増加を防止できるので、高温かつ高出力動作での半導体レーザ装置の性能低下を防止でき、その結果、半導体レーザ装置の信頼性を確保することができる。この効果を有効に得るためには、第2光ガイド層13の下面におけるp型不純物濃度が1×1017cm3以下であることが好ましく、より好ましくは5×1016cm3以下である。また、p型不純物濃度が活性領域層7内であって第2光ガイド層13の下面から第1p型クラッド層15側へ向かって20nm以上40nm以下離れた領域内において5.0×1017cm3以下にまで急峻に低下するので、レーザ光が第1p型クラッド層15内まで拡がっても第1p型クラッド層15内におけるフリーキャリアによる光吸収が抑制される。よって、発光効率の低下が防止される。なお、p型不純物濃度が活性領域層7内であって第2光ガイド層13の下面から第1p型クラッド層15側へ向かって20nm以上40nm以下離れた領域内において低下した結果、その濃度が5×1017cm3よりも高いときには、p型不純物が第2光ガイド層13から活性層11へ拡散するおそれがある。一方、p型不純物濃度が活性領域層7内であって第2光ガイド層13の下面から第1p型クラッド層15側へ向かって所定の距離>40nm離れた領域内において低下した結果、その濃度が1.0×1016m3未満であれば、第1p型クラッド層15がp型層として機能し得ないことがある。p型不純物濃度は、活性領域層7内であって第2光ガイド層13の下面から第1p型クラッド層15側へ向かって所定の距離>40nm離れた領域では、5×1017cm3よりも高いことが好ましく、さらに好ましくは第2p型クラッド層19におけるp型不純物濃度以下である。これにより、活性領域層7から第1p型クラッド層15への電子のオーバーフローの発生が抑制される。この効果を有効に得るためには、第1p型クラッド層15の上面図2に示す場合には第1p型クラッド層15とエッチングストップ層17との界面におけるp型不純物濃度が第2p型クラッド層19におけるp型不純物濃度と同一であることが好ましい。なお、活性領域層7内であって第2光ガイド層13の下面から第1p型クラッド層15側へ向かって所定の距離>40nm離れた領域におけるp型不純物の分布は特に限定されない。p型不純物はこの領域において均一に分布していても良いし、p型不純物濃度が第1p型クラッド層15側から活性領域層7側へ向かって低くなるように分布していても良い。このようなp型不純物濃度分布を得るためには、たとえば下記<半導体レーザ装置の製造方法>に示すように活性領域層7上にノンドープ層15Aとドープ層15Bとを順に積層することが好ましい。積層後にエピタキシャル成長または半導体レーザ装置の形成プロセスにおける熱履歴を経れば、上記p型不純物濃度分布を実現することができる。なお、図2には、説明の都合上、ノンドープ層15Aとドープ層15Bとの境界を図示しているに過ぎない。本発明に係る半導体レーザ装置では、ノンドープ層15Aとドープ層15Bとの境界が存在しない方が好ましい。以上説明したように、図2に示す半導体レーザ装置では、p型不純物濃度は、活性領域層7内であって第2光ガイド層13の下面から第1p型クラッド層15側へ向かって20nm以上40nm以下離れた領域内において、5×1017cm3以下にまで急峻に低下する。よって、活性領域層7から第1p型クラッド層15への電子のオーバーフローの発生の抑制と閾値電流の増加の防止および発光効率の低下の防止という相反する効果を同時に得ることができる。なお、本発明に係る半導体レーザ装置は図2に示す半導体レーザ装置に限定されない。たとえばエッチングストップ層17は設けられていなくても良い。また、中間層21も設けられていなくても良い。<半導体レーザ装置の製造方法>まず、たとえばMOCVD法またはMBE法などにより、基板1上にバッファ層3とn型クラッド層5と活性領域層7と第1p型クラッド層15とエッチングストップ層17と第2p型クラッド層19と中間層21とp型コンタクト層23とを順に積層する。次に、第2p型クラッド層19と中間層21とp型コンタクト層23との一部分をエッチングにより除去して、光導波方向に延在するリッヂ導波路を形成する。その後、p型コンタクト層23の上面上にp側電極25を設け、基板1の下面上にn側電極27を設ける。このようにして、図2に示す半導体レーザ装置が得られる。第1p型クラッド層15を作製するさい、まずp型不純物の濃度プロファイルを設定することが好ましい。この濃度プロファイルは、p型不純物濃度が第1p型クラッド層15内であって第1p型クラッド層15の下面から20nm以上40nm以下離れた領域内において5×1017cm3以下にまで急峻に低下するように計算された濃度プロファイルであることが好ましく、より好ましくは高温および高出力動作時における半導体レーザ装置の特性が最も良好となるように計算された濃度プロファイルである。そして、第1p型クラッド層15および第2p型クラッド層19を成長させる際の原料ガスp型不純物の原料となるガスも含むの流量を調整して、第1p型クラッド層15および第2p型クラッド層19におけるp型不純物の濃度分布が設定した濃度プロファイルとなるようにシミュレーションを行う。チャンバ内において原料ガスなどが拡散することを考慮して、シミュレーションを行うことが好ましい。具体的には、活性領域層7上にノンドープ層15Aおよびドープ層15Bを順に形成してから、エピタキシャル成長または半導体レーザ装置の形成プロセスにおける熱履歴を経れば、第1p型クラッド層15を得ることができる。以下、ノンドープ層15Aおよびドープ層15Bについて示す。ノンドープ層15AはAlxGa1xyIn1yP0≦x≦1、0≦y≦1を含むことが好ましく、たとえばAlGaInPまたはAlGaAsなどからなることがより好ましい。また、ドープ層15Bはp-AlxGa1xyIn1yPを含むことが好ましく、たとえばp-AlGaInPまたはp-AlGaAsなどからなることがより好ましい。ドープ層15Bは、ノンドープ層15Aを構成する半導体材料とは異なる半導体材料からなる層にp型不純物がドープされて構成されていても良いが、ノンドープ層15Aにp型不純物がドープされて構成されていることが好ましい。これにより、ノンドープ層15Aを構成する窒化物半導体材料の原料ガスの組成を変更することなくp型不純物の原料となるガスたとえばCp2Mgを添加することにより、ドープ層15Bを作製することができる。ドープ層15Bにおけるp型不純物濃度は特に限定されないが、1.0×1017cm3以上2.0×1018cm3以下であることが好ましい。なお、ノンドープ層15Aとは、p型不純物が全くドープされていない層だけでなく、p型不純物がp型層として機能しない程度に低濃度含まれている場合たとえばp型不純物濃度が1.0×1012cm3以下も含まれる。ノンドープ層15Aおよびドープ層15Bの各厚みは特に限定されないが、第1p型クラッド層15の厚みが0.1μm以上0.4μm以下となるようにノンドープ層15Aおよびドープ層15Bの各厚みを設定することが好ましい。たとえば、ノンドープ層15Aの厚みは50nm以上80nm以下であることが好ましく、ドープ層15Bの厚みは200nm以上230m以下であることが好ましい。このように活性領域層7上にノンドープ層15Aおよびドープ層15Bを順に形成すれば、エピタキシャル成長または半導体レーザ装置の形成プロセスにおける熱履歴を経ることによりp型不純物濃度は活性領域層7内であって第2光ガイド層13の下面から第1p型クラッド層15側へ向かって20nm以上40nm以下離れた領域内において5×1017cm3以下にまで急峻に低下することとなる。なお、第1p型クラッド層15の作製方法は上記方法に限定されず、たとえば第1p型クラッドのノンドープ層を成長した後に、ノンドープ層よりも上の層を形成するという手法であっても良い。以下、図2に示す半導体レーザ装置を作製する際の条件を列挙する。成長温度は特に限定されないが、たとえば700°C以上900°C以下であることが好ましい。成長圧力は特に限定されないが、たとえば5kPa以上10kPa以下であることが好ましい。半導体材料の原料ガスとしては、たとえばトリメチルインジウムTrimethylindium:TMI、トリメチルガリウムTrimethylgallium:TMG、トリメチルアルミニウムTrimethylaluminum:TMA、フォスフィンPhosphine:PH3、またはアルシンArsine:AsH3などを用いることができる。n型不純物の原料ガスとしては、たとえばシランSilane:SiH4などを用いることができる。p型不純物の原料ガスとしては、シクロペンタジエニルマグネシウムCyclopentadienyltMg:Cp2Mgなどを用いることができる。マスフローコントローラーMassFlowController:MFCを用いてこれらの原料ガスの流量を制御すれば、所望の組成からなる各層を得ることができる。以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。<実施例>本実施例では、以下に示す方法にしたがって半導体レーザ装置を作製し、得られた半導体レーザ装置に対して以下に示す評価を行なった。まず、第2光ガイド層の下面から20nm以上40nm以下具体的には第2光ガイド層の下面から18nm離れた地点においてp型不純物濃度が5×1017cm3以下具体的には1×1017m3にまで急峻に低下するように、第1p型クラッド層におけるp型不純物の濃度プロファイルを決定した。具体的には、第1p型クラッド層のドープ層における不純物濃度を1×1018cm3以上2×1018cm3以下の値具体的には1.3×1018cm3に設定し、第1p型クラッド層のノンドープ層の厚みを50nmに設定し、第1p型クラッド層のドープ層の厚みを230nmに設定した。次に、MOCVD法にしたがって、n-GaAs基板上に、n-GaInP層バッファ層、n-AlGaInP層n型クラッド層、i-AlGaInP層第1光ガイド層、i-GaInP層量子井戸層とi-AlGaInP層バリア層とを含むMQW活性層活性層、i-AlGaInP層第2光ガイド層、i-AlGaInP層ノンドープ層とp-AlGaInP層ドープ層とからなる第1p型クラッド層、i-GaInP層エッチングストップ層、p-AlGaInP層第2p型クラッド層、p-GaInP層中間層、およびp-GaAs層p型コンタクト層を順に積層させた。第1p型クラッド層を形成するとき、膜厚が50nmに至るまではp型不純物の原料ガスを添加せずに成膜を行った。これにより、i-AlGaInP層ノンドープ層が形成された。その後、半導体材料の原料ガスの流量を一定に保ったままp型不純物の原料ガス具体的にはCp2Mgを添加して、膜厚が230nmのp-AlGaInP層ドープ層を作製した。p型不純物の原料ガスの流量を一定としてドープ層を作製した。ここで、成長温度を760°Cとし成長圧力を6.66KPaとして、MOCVD法による成膜を行なった。また、成膜する層の組成に応じて、TMI、TMG、TMA、PH3およびAsH3の流量を適宜設定した。n型不純物の原料ガスとしてはSiH4を用い、p型不純物の原料ガスとしてはCp2Mgを用いた。p型GaAs層p型コンタクト層を形成してから、p-AlGaInP層第2p型クラッド層、p-GaInP層中間層、およびp-GaAs層p型コンタクト層の一部分をエッチングしてリッジ導波路を作製した。そののち、p型GaAs層p型コンタクト層上にp側電極を作製し、n-GaAs基板の下面上にn側電極を作製した。このようにして本実施例の半導体レーザ装置が得られた。<比較例>p型不純物濃度をMQW活性層活性層内において1×1017cm3に低下させたことを除いては上記実施例に記載の方法にしたがって、比較例の半導体レーザ装置を作製した。<評価>得られた半導体レーザ装置に対して電流と光出力との関係を調べた。図3には電流IFと光出力Poとの関係を示す電流-光出力直線の測定結果を示し、図4には図3に示す電流-光出力直線を微分して得られた電流-効率直線を示す。図3および図4に示すように、本実施例では、比較例に比べて、光出力値が増加し、効率が向上した。一般に、キャリアオーバーフローの発生の有無を調べる指針の一つとして、図4に示す電流-効率直線の線形性からのズレであるpulse-kink以下p-kinkと記すを調べるという方法が知られている。キャリアオーバーフローの発生の少ない半導体レーザ装置としては光出力が350mW以上であるときにおいてp-kinkが25以下であることが望まれる。そこで、第2光ガイド層の下面からpドープフロントまでの距離を変更して、第2光ガイド層の下面からpドープフロントまでの距離とp-kinkおよび閾値電流Ithとの関係を調べた。その結果を図5に示す。ここで、pドープフロントとは、p型不純物濃度が5×1017cm3である領域のうち最も活性領域層側に位置する部分である。図5に示すように、pドープフロントが活性領域層側へ近づくにつれて図5の横軸の値が0に近づくにつれてp-kinkの値が減少したが、pドープフロントが活性領域層側へ近づきすぎると量子活性層での非発光再結合が発生して閾値電流Ithが増大した。この結果から、p型不純物濃度が第1p型クラッド層内であって第1p型クラッド層の下面から20nm以上40nm以下離れた領域内において5×1017cm3以下にまで急峻に低下するようにp型不純物の濃度プロファイルを設定すれば、キャリアオーバーフローの発生を防止できるとともに量子活性層での非発光再結合の発生を防止できることが分かった。さらに、本実施例では、ノンドープ層とドープ層とを積層してエピタキシャル成長または半導体レーザ装置の形成プロセスにおける熱履歴を経ることにより第1p型クラッド層を形成した。よって、比較的簡便な方法でキャリアオーバーフローの発生および量子活性層での非発光再結合の発生を防止可能な半導体レーザ装置を提供できることが分かった。SIMSSecondaryIonmicroprobeMassSpectrometryにより、本実施例および比較例の半導体レーザ装置におけるMg不純物の濃度プロファイルを調べた。その結果を図6に示す。ここで、図6に示すpAlGaInPclad1は第1p型クラッド層を意味し、pAlGaInPclad2は第2p型クラッド層を意味する。図6の右側の縦軸に記載の164CsPは半導体内に含まれるPの信号強度を意味する。図6に示すように、本実施例では、第1p型クラッド層および第2p型クラッドにおけるMg濃度プロファイルが設計どおりであることが分かった。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。