基板と、前記基板に形成される導体と、を備え、前記導体は、第1の金属と、前記第1の金属よりも低い融点を有する第2の金属との金属間化合物と、前記金属間化合物内に分散した、前記第1の金属からなる複数の粒子と、を含むことを特徴とする回路基板。請求項1に記載の回路基板において、前記第1の金属は、Cu、Ni、Agの少なくとも1つを含み、前記第2の金属は、前記第1の金属と前記金属間化合物を形成する金属を含むことを特徴とする回路基板。請求項2に記載の回路基板において、前記第1の金属は、Cuであり、前記第2の金属は、Snであることを特徴とする回路基板。請求項2に記載の回路基板において、前記第1の金属は、Agであり、前記第2の金属は、Snであることを特徴とする回路基板。請求項2に記載の回路基板において、前記第2の金属は、Inを含むことを特徴とする回路基板。請求項1乃至5のいずれか1項に記載の回路基板において、前記導体はさらに樹脂を含むことを特徴とする回路基板。請求項1乃至6のいずれか1項に記載の回路基板において、前記導体がビアであることを特徴とする回路基板。請求項1乃至6のいずれか1項に記載の回路基板において、前記導体が配線であることを特徴とする回路基板。請求項1乃至8のいずれか1項に記載の回路基板において、前記基板に電子部品を搭載可能であることを特徴とする回路基板。基板に、第1の金属からなる複数の粒子と、前記第1の金属の融点より低い融点を有する第2の金属からなる複数の粒子とを供給し、前記基板を加熱して、前記第1の金属と前記第2の金属との金属間化合物内に前記複数の粒子が分散した導体を形成することを特徴とする回路基板の製造方法。請求項10に記載の回路基板の製造方法において、前記第1の金属は、Cu、Ni、Agの少なくとも1つを含み、前記第2の金属は、前記第1の金属と前記金属間化合物を形成する金属を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。請求項11に記載の回路基板の製造方法において、前記第1の金属は、Cuであり、前記第2の金属は、Snであることを特徴とする回路基板の製造方法。請求項11に記載の回路基板の製造方法において、前記第1の金属は、Agであり、前記第2の金属は、Snであることを特徴とする回路基板の製造方法。請求項11に記載の回路基板の製造方法において、前記第2の金属は、Inを含むことを特徴とする回路基板の製造方法。請求項10乃至14のいずれか1項に記載の回路基板の製造方法において、前記第1の導体はさらに樹脂を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。請求項10乃至15のいずれか1項に記載の回路基板の製造方法において、前記導体がビアであることを特徴とする回路基板の製造方法。請求項10乃至15のいずれか1項に記載の回路基板の製造方法において、前記導体が配線であることを特徴とする回路基板の製造方法。請求項10乃至17のいずれかに1項に記載の回路基板の製造方法において、前記基板に電子部品を搭載可能であることを特徴とする回路基板の製造方法。以上説明した従来のスクリーン印刷によって導体回路を形成する方法においては、導電性ペーストに用いている導電材料が銀の場合には、図5に示すように電気抵抗値が50×105Ωcmで導電性は優れているが、硫黄と反応して硫化銀になったり、マイグレーションを起こすという問題点があり、導電性ペーストに用いている導電材料が銅の場合には、図5に示すように電気抵抗値が25×104Ωcmで導電性が銀よりも劣るという問題点があり、導電性ペーストに用いている導電材料がカーボンの場合には、硫黄と反応して硫化したり、マイグレーションを起こすことはないが、図5に示すように電気抵抗値が30×102Ωcmで導電性が銅よりも更に劣るという問題点がある。積層セラミック電子部品の端子電極に用いられる導電性の金属ペーストに関する発明が特開平0246603号により公開されており、この発明においては、銅粉末の表面に亜鉛をコーティングした複合金属粉末を積層セラミック電子部品の端子電極として用いているので、500~600°Cで焼結すると、亜鉛と銅の間で相互拡散が進み、亜鉛部分が黄銅となり密度の高い焼結体を得ることができ、また、銅粉末を黄銅で囲むことにより、銅端子電極表面が酸化するのを防止している。この公知例は、二種類の金属元素の間で形成される合金の融点は各元素の融点よりも低温になることを利用した発明である。一方、二種類の金属元素の間で形成される金属間化合物の融点は、二種類の金属元素の低い方の融点よりも高くなる。本発明は以上のような状況から、プリント配線板の絶縁基板の耐熱温度よりも高い融点を有し、電子部品のはんだ付け温度に耐えることが可能な金属間化合物からなる導体回路用の導電材料、導電材料の製造方法、回路基板、及び回路基板の製造方法の提供を目的としたものである。本発明の一観点によれば、基板と、前記基板に形成される導体と、を備え、前記導体は、第1の金属と、前記第1の金属よりも低い融点を有する第2の金属との金属間化合物と、前記金属間化合物内に分散した、前記第1の金属からなる複数の粒子とを含むことを特徴とする回路基板が提供される。基板の耐熱温度よりも高い融点を有する導体回路を低温で形成することができる。以下の実施形態においては、導電性ペースト中の導電材料の核となる金属とこの核の表面に被膜として形成されている金属が、プリント配線板の絶縁基板の耐熱温度以下の低温で溶融し、結合して金属間化合物が形成されるが、この核となる金属と被膜として形成されていた金属との金属間化合物の融点が、この金属間化合物からなる導体回路を形成したこの絶縁基板の耐熱温度よりも高く、熱的に安定しており、電子部品をプリント配線板に搭載する場合のはんだ付け温度では再溶融することはない。また金属間化合物の電気抵抗値はプリント配線板の導体回路として用いることが可能な値を有しているので、以下の実施形態の導電材料及び導電性ペーストを用いて形成した導体回路を備えたプリント配線板に電子部品を搭載することが可能となる。また、複数種の金属の粒子からなる導電材料が、プリント配線板の絶縁基板の耐熱温度以下の温度で溶融し、結合して金属間化合物が形成されるが、この複数種の金属のうちの少なくとも二つの金属の金属間化合物の融点が、この金属間化合物からなる導体回路を形成したこの絶縁基板の耐熱温度よりも高く、熱的に安定しており、電子部品をプリント配線板に搭載する場合のはんだ付け温度では再溶融することはない。また金属間化合物の電気抵抗値はプリント配線板の導体回路として用いることが可能な値を有しているので、以下の実施形態の導電材料及び導電性ペーストを用いて形成した導体回路を備えたプリント配線板に電子部品を搭載することが可能となる。以下図1~図4により本発明の実施例について詳細に説明する。図1は本発明の導電材料の構成を示す模式図、図2は本発明の導電材料において形成された金属間化合物の構成を示す模式図、図3は本発明に使用する他の導電材料の構成を示す模式図、図4は本発明の実施例により形成した導体回路の電気抵抗値を示す図である。本発明の第1の実施例においては、径が約5μmの銅の粒子の表面に、厚さ1μmのインジウムの被膜を無電界めっき法にて形成した導電フィラー900gと、ビスフェノールA50gと、ジアミノジフェニルメタン5g及びエチレングリコールジグリシジルエーテル45gを混合して導電性ペーストを作り、この導電性ペーストをスクリーン印刷法によりガラス布基材エポキシ樹脂基板以下、ガラスエポキシ基板と略称するよりもずっと高いので、電子部品をプリント配線板に搭載する場合のはんだ付け温度では再溶融することはない。また、この導電性ペーストを150μm径のビアに埋め込み、210°Cで180秒間加熱した。この導体回路及びビアを四端子法により測定した値は、図4に示すように50×106Ωcmであった。本発明の第2の実施例においては、第1の実施例と同じ銅の粒子の表面に、厚さ1μmの錫の被膜を無電界めっき法にて形成した導電フィラー900gと、第1の実施例と同じ薬品とを混合して導電性ペーストを作り、この導電性ペーストをスクリーン印刷法により第1の実施例と同様に導体回路とビアを形成し、同様にこの導体回路及びビアを四端子法により測定した。その測定値は図4に示すように80×106Ωcmであった。本発明の第3の実施例においては、第2の実施例とは異なる銀の粒子の表面に、厚さ1μmのインジウムの被膜を無電界めっき法にて形成した導電フィラー900gと、第1の実施例と同じ薬品とを混合して導電性ペーストを作り、この導電性ペーストをスクリーン印刷法により第1の実施例と同様に導体回路とビアを形成し、同様にこの導体回路及びビアを四端子法により測定した。その測定値は、図4に示すように50×106Ωcmであった。本発明の第4の実施例においては、第3の実施例と同じ銀の粒子の表面に、厚さ1μmの錫の被膜を無電界めっき法にて形成した導電フィラー900gと、第1の実施例と同じ薬品とを混合して導電性ペーストを作り、この導電性ペーストをスクリーン印刷法により第1の実施例と同様に導体回路とビアを形成し、同様にこの導体回路及びビアを四端子法により測定した。その測定値は、図4に示すように80×106Ωcmであった。本発明の第5の実施例においては、ニッケルの粒子の表面に、厚さ1μmのインジウムの被膜を無電界めっき法にて形成した導電フィラー900gと、第1の実施例と同じ薬品とを混合して導電性ペーストを作り、この導電性ペーストをスクリーン印刷法により第1の実施例と同様に導体回路とビアを形成し、同様にこの導体回路及びビアを四端子法により測定した。その測定値は、図4に示すように80×106Ωcmであった。本発明の第6の実施例においては、第5の実施例と同じニッケルの粒子の表面に、厚さ1μmの錫の被膜を無電界めっき法にて形成した導電フィラー900gと、第1の実施例と同じ薬品とを混合して導電性ペーストを作り、この導電性ペーストをスクリーン印刷法により第1の実施例と同様に導体回路とビアを形成し、同様にこの導体回路及びビアを四端子法により測定した。その測定値は、図4に示すように90×106Ωcmであった。本発明の第7の実施例においては、第1或いは第2の実施例と同じ銅の粒子の表面に、厚さ1μmのインジウムの被膜を無電界めっき法にて形成した導電フィラー900gと、第1の実施例と同じ薬品とを混合して導電性ペーストを作り、この導電性ペーストで150μm径のビアを形成し、同様にこのビアを四端子法により測定した。その測定値は、図4に示すように50×106Ωcmであった。本発明の第8の実施例においては、第3或いは第4の実施例と同じ銀の粒子の表面に、厚さ1μmのインジウムの被膜を無電界めっき法にて形成した導電フィラー900gと、第1の実施例と同じ薬品とを混合して導電性ペーストを作り、この導電性ペーストで150μm径のビアを形成し、同様にこのビアを四端子法により測定した。その測定値は、図4に示すように50×106Ωcmであった。本発明の第9の実施例においては、第5或いは第6の実施例と同じニッケルの粒子の表面に、厚さ1μmのインジウムの被膜を無電界めっき法にて形成した導電フィラー900gと、第1の実施例と同じ薬品とを混合して導電性ペーストを作り、この導電性ペーストでビアを形成し、同様にこのビアを四端子法により測定した。その測定値は、図4に示すように80×106Ωcmであった。本発明の第10の実施例においては、径が約5μmの銅の粒子の表面に、厚さ1μmの錫の被膜を無電界めっき法にて形成した導電フィラー450gと、径が約5μmの銀の粒子の表面に、厚さ1μmのインジウムの被膜を無電界めっき法にて形成した導電フィラー450gと、ビスフェノールA50gと、ジアミノジフェニルメタン5g及びエチレングリコールジグリシジルエーテル45gを混合して導電性ペーストを作り、この導電性ペーストをスクリーン印刷法によりガラスエポキシ基板の表面に印刷した後、210°Cで180秒間加熱し、線幅150μm、厚さ10μmの導体回路を形成した。また、この導電性ペーストを150μm径のビアに埋め込み、210°Cで180秒間加熱した。この導体回路及びビアを四端子法により測定した値は、図4に示すように80×106Ωcmであった。本発明の第11の実施例においては、径が01~05μmの銅の粒子600gと、径が01~03μmの錫の粒子300gと、ビスフェノールA50gと、ジアミノジフェニルメタン5g及びエチレングリコールジグリシジルエーテル45gを混合して導電性ペーストを作り、この導電性ペーストをスクリーン印刷法によりガラスエポキシ基板の表面に印刷した後、210°Cで180秒間加熱し、線幅150μm、厚さ10μmの導体回路を形成した。また、この導電性ペーストを150μm径のビアに埋め込み、210°Cで180秒間加熱した。この導体回路及びビアを四端子法により測定した値は、図4に示すように90×106Ωcmであった。