太陽電池の製造方法であって、基板上に後面電極を形成するステップと、前記後面電極に対し後処理工程を施すステップとを含み、前記後面電極はモリブデンからなり、前記後面電極に対する後処理工程では前記モリブデン後面電極に電子ビームを照射することを特徴とする太陽電池の製造方法。前記電子ビームを前記後面電極の全体表面に対して照射することを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記電子ビーム後処理工程では、7×10E-7torrの圧力、且つ、5ないし10sccm流量のアルゴンガス雰囲気下における工程チャンバー内で、2.5ないし3.5KvのDCパワーおよび200ないし300WのRFパワーの電子ビームを利用して前記照射を行うことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記電子ビームによる処理時間は5分以下であることを特徴とする請求項3に記載の太陽電池の製造方法。本発明は、背面電極であるモリブデン薄膜の比抵抗を減らし厚さを減らすことができてモリブデン薄膜の伝導度を向上させることができる太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。本発明による太陽電池の製造方法は、基板上にモリブデン薄膜を形成するステップと、モリブデン薄膜に対し後処理工程を施して後面電極を形成するステップとを含み、モリブデン薄膜に対する後処理工程ではモリブデン薄膜に電子ビームを照射することを特徴とする。ここで、モリブデン薄膜に対する後処理工程では、7×10E-7torrの圧力、且つ、5ないし10sccm流量のアルゴンガス雰囲気下における工程チャンバー内で、2.5ないし3.5KvのDCパワーおよび200ないし300WのRFパワーの電子ビームを利用して前記照射を行うことが望ましい。以上のような本発明による太陽電池の製造方法は、背面電極の形成段階でモリブデン薄膜の厚さを減らし、比抵抗を減らすと同時に、電極材料の節減および工程時間の短縮効果を得ることができる。以下、本発明による太陽電池の製造方法について詳しく説明する。図1はCu-Zn-Sn-SCu2ZnSnS4、以下、CZTSという太陽電池、CuInSe2またはCuInS2以下、CISという太陽電池およびCuInGaSe2またはCuInGaS2以下、CIGSという太陽電池の構造を概略的に示した図である。CZTS太陽電池、CIS太陽電池およびCIGS太陽電池は同一の構造を有する。つまり、CZTS太陽電池、CIS太陽電池およびCIGS太陽電池それぞれは基板10上に背面電極20、光吸収膜30、バッファー膜40、ウィンドウ膜50、そして反射防止膜60が順次形成された構造を有し、反射防止膜60のパターニング領域に形成されたグリッド電極70を含む。以下、太陽電池の各構成部材について具体的に説明する。基板10基板10はガラスからなることができ、ガラス以外にアルミナのようなセラミック、ステンレススチール、銅テープCutapeのような金属材料、およびポリマーなどで製造することができる。ガラス基板の材料として低価格のソーダ石灰ガラスsoda-limeglassが用いられる。また、ポリマイドpolyimideのような柔軟性のある高分子材質やステンレススチール薄板なども基板10の材料として用いられる。背面電極20基板10上に形成された背面電極20の材料としてはモリブデンMoが用いられる。モリブデンは高い電気伝導度を有し、後述するCu-Zn-Sn-SCu2ZnSnS4光吸収膜とオーミック接合し、硫黄S雰囲気下で高温安定性を有している。また、モリブデンは後述するCuInSe2光吸収膜またはCuInS2光吸収膜とのオーミック接合し、セレンSeまたは硫黄S雰囲気下で高温安定性を有している。モリブデン薄膜は電極として比抵抗が低くなければならないし、また、熱膨張係数の差によって剥離現象が起こらないようにガラス基板に対する粘着性にも優れていなければならない。光吸収膜30背面電極20上に形成された光吸収膜30は実際に光を吸収するp-型半導体である。CZTS太陽電池で、光吸収膜30はCu-Zn-Sn-S具体的には、Cu2ZnSnS4からなる。Cu2ZnSnS4は1.0eV以上のエネルギーバンドギャップを有しており、光吸収係数が半導体の中で最も高い。また、光学的に非常に安定であるため、このような物質からなる膜は太陽電池の光吸収膜として非常に理想的である。光吸収膜としてのCZTS薄膜は多元化合物であるため、製造工程が非常に難しい。物理的な薄膜の製造方法としては、蒸着法やスパッタリングセレン化、化学的な方法としては電気メッキなどがあり、各方法においても出発物質金属、二元化合物などの種類によって多様な製造方法が用いられる。一方、CIS太陽電池ではCuInSe2膜またはCuInS2膜が、そしてCIGS太陽電池ではCuInGaSe2膜またはCuInGaS2膜が光吸収膜30としての機能を行う。CuInSe2とCuInS2、そしてCuInGaSe2とCuInGaS2は1.0eV以上のエネルギーバンドギャップを有し、光吸収係数が半導体の中で最も高く、かつ、光学的に非常に安定であるため、このような物質からなる膜は太陽電池の光吸収膜として非常に理想的である。光吸収膜であるCIS薄膜およびCIGS薄膜は多元化合物であるため、製造工程が非常に難しい。物理的な薄膜の製造方法としては、蒸着法やスパッタリングセレン化、化学的な方法としては電気メッキなどがあり、各方法においても出発物質金属、二元化合物などの種類によって多様な製造方法が用いられる。最もよい効率が得られると知られた同時蒸着法は、出発物質として4つの金属元素Cu、In、Ga、Seを使用する。バッファー膜40CZTS太陽電池でp型半導体であるCu2ZnSnS4薄膜光吸収膜、CIS太陽電池でp型半導体であるCuInSe2薄膜またはCuInS2薄膜光吸収膜、そしてCIGS太陽電池でp型半導体であるCuInGaSe2薄膜またはCuInGaS2薄膜光吸収膜はn型半導体でウィンドウ膜後述するとして使用される酸化亜鉛ZnO薄膜とpn接合を形成する。しかし、二つの物質は格子定数とエネルギーバンドギャップの差が大きいため、良好な接合を形成するためには、エネルギーバンドギャップが二つの物質のエネルギーバンド値の間の値を有するバッファー膜40を必要とする。太陽電池のバッファー膜40の材料としては硫化カドミウムCdSが望ましい。ウィンドウ膜50前述したように、ウィンドウ膜50はn型半導体であって光吸収膜40CZTS膜、CIS膜またはCIGS膜とpn接合を形成し、太陽電池の透明前面電極としての機能を遂行する。したがって、ウィンドウ膜50は光透過率が高く電気伝導性に優れた材料、例えば酸化亜鉛ZnOからなる。酸化亜鉛はエネルギーバンドギャップが約3.3eVであり、約80以上の高い光透過率を有する。反射防止膜60およびグリッド電極70太陽電池に入射する太陽光の反射損失を減らせば約1程度の太陽電池の効率向上が可能である。太陽電池の効率を向上させるためにウィンドウ膜50上には反射防止膜60が形成され、太陽光の反射を抑制する反射防止膜60の材質としては、通常、マグネシウムフルオライドMgF2が使用される。グリッド電極70は太陽電池表面での電流を収集する機能を遂行し、アルミニウムAl、またはニッケル/アルミニウムNi/Alで形成される。グリッド電極70は反射防止膜60のパターニングされた領域に形成される。このような構造を有する太陽電池に太陽光が入射されるとp型半導体膜である光吸収膜30つまり、CZTS太陽電池でのCu2ZnSnS4薄膜、CIS太陽電池でのCuInSe2薄膜またはCuInS2薄膜、そしてCIGS太陽電池でのCuInGaSe2薄膜またはCuInGaS2薄膜とn型半導体膜であるウィンドウ膜50の間で電子-正孔対が生成され、生成された電子はウィンドウ膜60に集まり、生成された正孔は光吸収膜30に集まることになり、光起電力photovoltageが発生する。この状態で、基板10とグリッド電極70に電気負荷を連結すれば、電流が流れることになる。以下、このような構造を有する本発明によるCZTS太陽電池、CIS太陽電池およびCIGS太陽電池の製造方法を図1および図2a乃至図2gを通して説明する。図2aにあるように、まず、基板10が提供される。基板10はガラス、セラミックまたは金属で製造されることができる。図2bにあるように、基板10上に背面電極20を形成する。本発明による方法において、背面電極を形成する工程は次の通りである。まず、モリブデンに対するスパッタリング工程を進行してガラス基板10上にモリブデン薄膜を形成する。その後、モリブデン薄膜、好ましくはモリブデン薄膜の全体表面に電子ビームを照射することによって最終的なモリブデン背面電極20を形成する。モリブデン薄膜に電子ビームを照射することによって薄膜のグレインサイズが増加し、したがって、結晶性が増加する。結果的に、モリブデン薄膜の組織膜質が緻密になり、これによってモリブデン薄膜の比抵抗が減少する。一方、本発明に利用された電子ビームは既存のフィラメントに電流が加わって出る熱電子概念ではない高密度プラズマAr形成を通してイオンと電子に分離して照射する方式であって、グリッドレンズGridlensとエレクトロプレーティングelectroplatingを通じて効率的に電子/イオンに分離し、大面積化することができるという効果がある。図2cにあるように、モリブデン薄膜20上に光吸収膜図1の30を形成するための前駆体膜30aが形成される。CZTS太陽電池を製造するための前駆体膜30aの形成工程ではモリブデン薄膜20上に銅Cu層、亜鉛Zn層、錫Sn層、そして硫黄S層からなる積層構造を形成することができ、または銅、亜鉛、錫、そして硫黄の化合物からなる単一層を形成することができる。一方、CIS太陽電池を製造するための前駆体膜30aの形成工程ではモリブデン薄膜20上に銅Cu層、インジウムIn層、そしてセレンSe層または硫黄S層からなる積層構造を形成することができ、または銅、インジウム、そしてセレンまたは硫黄の化合物からなる単一層を形成することもできる。また、CIGS太陽電池を製造するための前駆体膜30aの形成工程ではモリブデン薄膜20上に銅Cu層、インジウムIn層、ガリウムGa層、そしてセレンSe層または硫黄S層からなる積層構造を形成することができ、または銅、インジウム、ガリウム、そしてセレンまたは硫黄の化合物からなる単一層を形成することもできる。このようにモリブデン薄膜20上に光吸収膜の形成のための元素の積層構造または単一層を形成した後、スパッタリング工程または同時蒸着co-evaporation工程を進行することによって光吸収前駆体膜30aが形成される。図2dにあるように、光吸収前駆体膜30a上に拡散防止膜30bを形成する。拡散防止膜30bは物理気相蒸着法PVDまたは化学気相蒸着法CVDを通じて形成される。その後、光吸収前駆体膜30aの結晶化の工程を進行して光吸収膜30を形成する。前述した通り、基板10はガラスからなることができ、また、CZTS太陽電池のための光吸収前駆体膜30aの構成成分Cu-Zn-Sn-Sの一つである硫黄Sは揮発性元素violationelementである。したがって、光吸収前駆体膜30aの結晶化のために熱処理工程を進行する場合、熱によってガラス基板10の変形が発生し得る。また、熱処理工程中に光吸収前駆体膜30aから硫黄が揮発して光吸収前駆体膜30aを構成する構成成分の組成比が変化し得る。結晶化の工程を通して光吸収前駆体膜30aの構成元素が結晶化して光吸収膜30が形成される図2e参照。図2fにあるように、湿式または乾式エッチング工程によって拡散防止膜30bを除去して光吸収膜30を露出させる。拡散防止膜30bの除去のためのエッチング工程ではBOEBufferedOxideEtchant溶液湿式エッチングまたはフッ素系ガス乾式エッチングが用いられる。その後、露出した光吸収膜30上にバッファー膜40を形成し、バッファー膜40上にウィンドウ膜50を形成する。前述した通り、光吸収膜30とウィンドウ膜50はエネルギーバンドギャップenerghybandgapの差が大きいため、良好なp-n接合を形成しにくい。したがって、光吸収膜30とウィンドウ膜50との間にエネルギーバンドギャップがこれら二つの物質のバンドギャップの間にある物質例えば、2.46eVのエネルギーバンドギャップを有する硫化カドミウムからなるバッファー膜40を形成することが望ましい。ウィンドウ膜50はn型半導体であって、光吸収膜30とpn接合を形成し、太陽電池の透明前面電極としての機能を遂行する。したがって、ウィンドウ膜50は光透過率が高く電気伝導性に優れた材料、例えば酸化亜鉛ZnOからなる。酸化亜鉛はエネルギーバンドギャップが約3.3eVであり、約80以上の高い光透過率を有する。図2gにあるように、ウィンドウ膜50上に例えば、スパッタリング工程によって反射防止膜60を形成し、反射防止膜60の一部領域をパターニングした後、パターニングされた領域に上部電極であるグリッド電極70を形成する。太陽電池に入射する太陽光の反射損失を減らす反射防止膜60の材料としてマグネシウムフルオライドMgF2が用いられ、太陽電池表面での電流を収集するグリッド電極70はアルミニウムAl、またはニッケル/アルミニウムNi/Alで形成される。以下、電子ビームelectron-beam照射工程を利用した、本発明のモリブデン薄膜背面電極の形成工程について具体的に説明する。一般的な工程、つまり、DCスパッタリング工程だけを利用してガラス基板上にモリブデンを蒸着して所定厚さのモリブデン薄膜を形成した。モリブデン蒸着過程における工程チャンバー内の条件は下記の通りである。基本圧力:7×10E-7torrアルゴンArガス流量:20sccm温度:室温蒸着厚み:250nm基板回転速度:5RPM上記のような雰囲気下における工程チャンバー内で作動圧力10mtorr比較例1、5mtorr比較例2、3mtorr比較例3および1mtorr比較例4の条件下においてモリブデンを蒸着して薄膜をそれぞれ形成した。前記工程によって形成された各比較例によるモリブデン薄膜の比抵抗をそれぞれ測定し、その測定結果は下記表1の通りである。一方、本発明の方法に応じたモリブデン薄膜を形成するために下記のような工程を進行した。まず、DCスパッタリング工程を利用してガラス基板上に一定の厚さのモリブデン薄膜を形成した。モリブデン蒸着工程における工程チャンバー内の条件は下記の通りである。基本圧力:7×10E-7torrArガス流量:7sccm温度:室温蒸着時間:5分基板回転速度:5RPM上記のような雰囲気下における工程チャンバー内で作動圧力10mtorr実施例1、5mtorr実施例2、3mtorr実施例3および1mtorr実施例4の条件下でモリブデンを蒸着して薄膜をそれぞれ形成した。その後、形成された各実施例によるモリブデン薄膜に対する電子ビーム照射工程をそれぞれ5分間行った。この際、照射される電子ビームの条件は下記の通りである。DCパワー:3.0kvRFパワー:300Wここで、モリブデン薄膜の比抵抗を均一にするためにモリブデン薄膜の全体表面に電子ビームを照射した。電子ビーム照射工程後、各実施例によるモリブデン薄膜の比抵抗をそれぞれ測定し、その測定結果は下記表2の通りである。上記の表から分かるように、電子ビーム照射工程後に得られた実施例1ないし4によるモリブデン薄膜の比抵抗は、電子ビーム照射工程を進行しない比較例1ないし4によるモリブデン薄膜の比抵抗より顕著に減少したことが分かる。図3は比較例1および実施例1により製造されたモリブデン薄膜をそれぞれ示す写真であって、左側写真は比較例1によるモリブデン薄膜を、右側写真は実施例1によるモリブデン薄膜をそれぞれ示す。図4は比較例2および実施例2により製造されたモリブデン薄膜をそれぞれ示す写真であって、左側写真は比較例2によるモリブデン薄膜を、右側写真は実施例2によるモリブデン薄膜をそれぞれ示す。図5は比較例3および実施例3により製造されたモリブデン薄膜をそれぞれ示す写真であって、左側写真は比較例3によるモリブデン薄膜を、右側写真は実施例3によるモリブデン薄膜をそれぞれ示す。図6は比較例4および実施例4により製造されたモリブデン薄膜をそれぞれ示す写真であって、左側写真は比較例4によるモリブデン薄膜を、右側写真は実施例4によるモリブデン薄膜をそれぞれ示す。前記図から分かるように、比較例1、2、3および4によるモリブデン薄膜に比べて、実施例1、2、3および4によるモリブデン薄膜はあまり緻密ではない組織を有し、したがって、実施例1、2、3および4によるモリブデン薄膜は比較例1、2、3および4によるモリブデン薄膜の比抵抗より小さい値の比抵抗を有する。図7は比較例1、2、3および4によるモリブデン薄膜と実施例1、2、3および4によるモリブデン薄膜の比抵抗測定結果を示すグラフであって、左側グラフは比較例1ないし4によるモリブデン薄膜の比抵抗測定結果を、右側グラフは実施例1ないし4によるモリブデン薄膜の比抵抗測定結果を示す。上記表およびグラフから比較例1、2、3および4によるモリブデン薄膜に比べて、実施例1、2、3および4のモリブデン薄膜の抵抗が顕著に減少したことが分かる。本明細書で開示されている実施例は様々な実施可能な例中で、当業者の理解を助けるために最も望ましい実施例を選定して提示したものであって、本発明はそれらに限定されるものではなく、本発明の技術的な要旨を逸脱しない範囲内において多様な変形および均等な他実施形態が可能である。