"半導体素子と、該半導体素子を挟んで積層した2つの通電部材と、これら半導体素子と2つの通電部材のそれぞれとを接合した接合部材と、前記2つの通電部材間に充填されて前記半導体素子を封止したモールド樹脂と、を備えた半導体装置であって、前記半導体素子の周縁に沿って複数設けられ、前記2つの通電部材の一方の通電部材から他方の通電部材へ向かって延びて、前記半導体素子の前記積層方向と直交する方向への位置ずれを規制する絶縁性の突起を備え、前記突起は、その先端を前記他方の通電部材から離間して配置したことを特徴とする半導体装置。前記突起は、前記半導体素子の周縁と対向する内側の高さに対して、これと反対の外側の高さを低く設定したことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記突起の先端を傾斜して形成することにより、前記内,外側の高さを設定したことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記突起を、先端に頂面を備える基部と、該基部の頂面に前記半導体素子の周縁と対向する内側に偏寄した位置で、先端が該半導体素子の配置高さよりも高く突設した小突起と、で構成することにより、前記内,外側の高さを設定したことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記他方の通電部材には、前記突起との間の間隔を前記積層方向に広げる凹部を備えたことを特徴とする請求項1~4の何れか1つに記載の半導体装置。前記凹部は、装置外周方向側の周縁部に、凹底面に向かって深くなる傾斜面を備えたことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。前記凹部は、装置中心方向側の周縁部に、凹底面から装置中心方向に向かって浅くなる傾斜面を備えたことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。特許文献1に開示の半導体装置は、半導体素子と2つの通電部材とを積層して半田付けする積層複合体の形成工程と、この積層複合体にモールド樹脂を充填して半導体素子を封止するモールド成形工程と、を経て製造される。ところが、この特許文献1の開示技術では、上述の積層複合体の形成工程で、積層配置されたシート状半田あるいは半田ペーストが加熱炉で加熱されて溶融した際に、半導体素子がその積層方向と直交する方向に、つまり、水平方向に位置ずれする可能性がある。そこで、本発明は積層した半導体素子と2つの通電部材とを接合する際に、半導体素子が積層方向と直交する方向に位置ずれを生じることがなく、品質を安定化することができるモールド封止型の半導体装置を提供するものである。本発明の半導体装置は、半導体素子と、該半導体素子を挟んで積層した2つの通電部材と、これら半導体素子と2つの通電部材のそれぞれとを接合した接合部材と、2つの通電部材間に充填されて半導体素子を封止したモールド樹脂と、を備えている。2つの通電部材の少なくとも一方は、半導体素子の積層方向と直交する方向への位置ずれを規制する絶縁性の複数の突起を備えている。そして、複数の突起は、先端を対向する他方の通電部材から離間して配置したことを主要な特徴としている。本発明によれば、2つの通電部材の少なくとも一方は、半導体素子の積層方向と直交する方向への位置ずれを規制する複数の突起を備えているため、半導体素子と通電部材との接合部材による接合時に、該半導体素子を適正位置に定置させて位置ずれを回避でき、品質の安定化を実現することができる。しかも、この突起は、先端を対向する他方の通電部材から離間して配置してあるため、万一、モールド樹脂と突起との間に剥離が生じた場合でも、当該突起と他方の通電部材との間のモールド樹脂による封止状態を維持する。これにより、突起の周面に沿って、2つの通電部材間に亘って放電路が生じるようなことはなく、沿面放電を回避して絶縁性を高めることができる。以下、本発明の実施形態を図面と共に詳述する。図1に示す第1実施形態の半導体装置1は、半導体素子10と、2つの通電部材としての第1,第2電極部材21,22と、これら半導体素子10と第1,第2電極部材21,22とを接合する接合部材としての第1,第2半田31,32と、半導体素子10を封止したモールド樹脂40と、を備えている。半導体素子10は、第1,第2電極部材21,22を通じて電流が供給されることにより駆動するIGBTInsulatedGateBipolarTransistorやダイオード等のパワー半導体素子である。第1,第2電極部材21,22は、例えば、銅やアルミニウム、またはこれらの合金等、電気伝導性および熱伝導性が良好な材料からなり、半導体素子10を挟んでその両側面に積層して配置してある。これら第1,第2電極部材21,22は、それぞれ半導体装置1の外部の配線部材に電気的に接続され、電力変換装置として機能する。第1,第2半田31,32として、例えば、シート状の半田が用いられるが、半田ぺーストを用いてもよい。半導体素子10がIGBTである場合、第1半田31で接合される面がエミッタ電極となり、第2半田32で接合される面がコレクタ電極となる。第1,第2電極部材21,22の何れか一方、例えば、第2電極部材22は、半導体素子10の積層方向と直交する方向以下では平面方向とも言うへの位置ずれを規制する複数の突起41を備えている。突起41は、電気絶縁性の材料、例えばPPSPolyphenylenesulfide樹脂の円柱部材として形成され、金属-樹脂接合技術等により第2電極部材22の一側面上に一体的に突設してある。勿論、突起41の断面形状は円柱に限らず、角柱、楕円柱状であってもよい。本実施形態にあっては、図2に示すように半導体素子10を平面正四角形に形成してあり、そこで、突起41はこの半導体素子10の4側辺の各中央に対応した位置に配置してある。また、これら突起41は、半導体素子10が、例えばその中心位置を中心として回転した場合に、該半導体素子10の各対応する側辺が突起41に接触して、回転方向にも位置ずれを規制可能としている。即ち、突起41は半導体素子10の平面方向の位置ずれの許容範囲を考慮してその突設位置が設定される。更に、突起41は、何れも先端を対向する第1電極部材21から離間して配設してある。具体的には、突起41の先端高さは、第2半田32の厚み寸法バラツキを考慮した半導体素子10の下面高さ位置よりも高く設定され、かつ、半導体素子10の厚み寸法バラツキおよび第1半田31の厚み寸法バラツキを考慮した第1電極部材21の下面高さ位置よりも低く設定されている。次に、半導体装置1の製造工程を図3,図4を参照して詳述する。図3に示すように、先ず、第2電極部材22上に第2半田32が載置され、その上に半導体素子10と第1半田31とがこの順に載置される。これらの部品32,10,31を第2電極部材22上に載置する際に、複数の突起41が位置決めの役割を果たすことになり、半導体素子10の位置決めが容易となる。次いで、第1電極部材21が第1半田31上に載置される。そして、第1電極部材21が載置された状態で図外の加熱炉に移送され、第1,第2半田31,32が溶融および凝固して、半導体素子10と第1,第2電極部材21,22との半田付けが行われる。このようにして、半導体素子10と第1,第2電極部材21,22との積層複合体が形成されると、次に、例えば、図4に示すトランスファーモールド工程においてモールド樹脂40による半導体素子10のモールド封止が行われる。半導体素子10と第1,第2電極部材21,22との積層複合体は、トランスファー成形装置の下型51内に定置される。そして、下型51と上型52とを閉じて、所要の型締め力Fで型締めした状態で、ゲート53からエポキシ等の溶融した熱硬化性樹脂を高圧で第1,第2電極部材21,22間の半導体素子10の周囲に充填する。これにより、半導体素子10がモールド樹脂40により封止された半導体装置1が成形される。以上の構成からなる本実施形態の半導体装置1によれば、第2電極部材22は、半導体素子10の積層方向と直交する方向への位置ずれを規制する複数の突起41を備えている。このため、半導体素子10と第1,第2電極部材21,22とを、加熱炉でそれらの間に介装した第1,第2半田31,32を溶融乃至凝固させて接合する際に、該半導体素子10の平面方向の位置ずれを許容範囲に規制することができる。これにより、例えば、ワイヤボンディングの際に、半導体素子10の上面側に設けられた図外の電極パッドの位置が不確定となることがなく、品質の安定化を実現することができる。また、突起41は、先端を対向する第1電極部材21から離間して配設してあるため、万一、モールド樹脂40と突起41との間に剥離が生じた場合でも、これら突起41と第1電極21との間のモールド樹脂40による封止状態を維持する。これにより、突起41の周面に沿って、第1,第2電極21,22間に亘って放電路が生じるようなことはなく、沿面放電を回避して絶縁性を高めることができる。また、このように、突起41は、先端を対向する第1電極部材21から離間して配設してあるため、モールド樹脂40の型成形時に、該第1電極部材21に沿う溶融樹脂の流動の妨げとなることがない。これにより、溶融樹脂の充填効率を高めて品質,生産性を向上できると共に、溶融樹脂として比較的に流動性の低い低廉な樹脂材料の使用が可能となり、コスト的に有利に得ることができる。図5は本発明の第2実施形態を示すもので、半導体素子10の周囲に配設した複数の突起41Aは、半導体素子10の周縁と対向する内側の高さに対して、これと反対の外側の高さを低く設定してある。図5に示す例では、突起41Aを先端に傾斜面42を設けて形成することにより、該突起41Aの内,外側に高,低差を設定している。なお、突起41Aの先端の傾斜面42は平面でも曲面でも良い。このように、突起41Aの内側と外側とで突出高さに高,低差を設けることにより、モールド樹脂40のモールド成形時に、第1電極部材21に沿って成形型のキャビティ周囲から中心方向、つまり、半導体素子10の周囲に向かう溶融樹脂の流動性が良好となって、充填効率をより向上することができる。また、突起41Aの先端に傾斜面42を形成すればよいので、簡単に実現することができる。図6,図7は本発明の第3実施形態を示すもので、本実施形態は前記第2実施形態と同様の趣旨により、突起41Bを、頂面が半導体素子10の配置高さよりも低い基部43と、基部43の頂面に半導体素子10側に片寄って内側に偏寄した位置に突設した小突起44と、で構成している。この小突起44は、その先端高さを半導体素子10の配置高さよりも高くすることは勿論である。この第3実施形態の構成によれば、半導体素子10の位置ずれ規制を行う突起41Bを、突出高さの低い基部43と、その頂面の半導体素子10側に片寄って突設された小突起44とで構成しているため、第1電極部材21と突起41Bとの間を流動する溶融樹脂の流動抵抗を小さくして、充填効率を更に向上することができる。なお、上記の通り本実施例においては基部43の頂面の高さを半導体素子10の配置高さよりも低くしているが、これに限定されない。基部43の頂面の高さは第1電極部材21と突起41Bとの間を流動する溶融樹脂の流動抵抗を考慮して設定すれば良く、適宜変更可能である。図8,図9は本発明の第4実施形態を示している。本実施形態では、第1電極部材21の下面に、突起41との間の間隔を半導体素子10の積層方向に広げる凹部23を設けてある。この凹部23は、半導体装置1の外周方向側の周縁部に、凹底面に向かって深くなる傾斜面23aを、および半導体装置1の中心方向側の周縁部に、凹底面から装置中心方向に向かって浅くなる傾斜面23bを設けることが望ましい。図8,図9に示す例では、凹部23を、各突起41の先端に対向する位置に同心的に設けてある。そして、この凹部23を、それぞれ開放周縁から凹底面に向かって漸次小径となるテーパ状に形成することによって、傾斜面23aと23bとが存在するようにしている。図10は第4実施形態の変形例を示している。この変形例では、凹部23を、複数の突起41が投影平面内に入る矩形環状に形成している。そして、好ましくはその外周側と内周側の各周縁を傾斜面23a,23b図8参照として形成する。この第4実施形態およびその変形例の構成によれば、凹部23によって第1電極部材21と各突起41の先端との間の間隔が積層方向に広がるから、前記第2,第3実施形態と同様にモールド樹脂40の型成形時における流動性が良好となって、成形性を向上することができる。また、凹部23の外周側縁部に傾斜面23aを形成することによって、外周側から凹部23内へ溶融樹脂が流れ込み易くなって流動性をより良好にできると共に、凹部23の外周縁部分に絶縁性の阻害要因となるボイド気泡が発生するのを回避することができる。更に、凹部23の内周側縁部に傾斜面23bを形成することによって、凹部23内から装置中心方向に向けて溶融樹脂が流動し易くなって、流動性を更に良好にできると共に、凹部23内で溶融樹脂が滞留して流動が抑制されることによるボイドの発生を回避することができる。なお、本発明は前記各実施形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、変更を加えてもよいし、各実施形態を組み合わせてもよい。"