少なくとも表面が平坦なベースと、前記ベース上の少なくとも一部に設置された吸着部と、を有する、ガラス基板を吸着して保持するガラス基板保持手段であって、前記吸着部は、前記ガラス基板と接触させた際に、該ガラス基板をファンデルワールス力で吸着可能な表面構造と柔軟性とを有し、前記吸着部は、下記aおよびbを満たすガラス基板保持手段。a前記ガラス基板の1辺の長さをLmmとするとき、前記ガラス基板の端部からの距離が1/5L以下の前記ガラス基板の外縁部のみに前記吸着部が接触する。b前記ガラス基板の質量をTgとするとき、前記吸着部による基板吸着力FgfがF=α×T[1≦α≦200]となるように、前記吸着部の単位表面積当たりの吸着力F0gf/mm2、および、前記ガラス基板に対する前記吸着部の合計接触面積Smm2を選択する。少なくとも表面が平坦なベースと、前記ベース上の少なくとも一部に設置された吸着部と、を有する、ガラス基板を吸着して保持するガラス基板保持手段であって、前記吸着部は、前記ガラス基板と接触させた際に、該ガラス基板をファンデルワールス力で吸着可能な表面構造と柔軟性とを有し、前記吸着部は、下記c~eを満たすガラス基板保持手段。cガラス基板の1辺の長さをLmmとするとき、ガラス基板の端部からの距離が1/5L以下のガラス基板の外縁部のみに吸着部が接触する。d吸着部の単位表面積当たりの吸着力F0が0.0225~16.5gf/mm2である。eガラス基板に対する吸着部の合計接触面積Sが20mm2以上である。前記吸着部は、空気中に曝すとその表面に正電荷を帯電する性質を有する、請求項1または2に記載のガラス基板保持手段。前記吸着部がシリコーン樹脂により形成されている、請求項1~3のいずれかに記載のガラス基板保持手段。前記吸着部は、長さが0.1nm~2000nm、直径が400nm以下、アスペクト比が2.5以上の柱状体ピラーを105~1012本/cm2の密度で表面に有する構造である、請求項1~4のいずれかに記載のガラス基板保持手段。ガラス基板を持ち上げて前記吸着部から剥離するためのリフトアップ機構を有している、請求項1~5のいずれかに記載のガラス基板保持手段。ガラス基板の側面、および、ガラス基板の上面の外縁部を覆う遮蔽部材を有している、請求項1~6のいずれかに記載のガラス基板保持手段。ガラス基板の側面をファンデルワールス力で吸着保持する側面吸着部をさらに有している、請求項1~7のいずれかに記載のガラス基板保持手段。ガラス基板の一方の面にEUV光を反射する反射層が形成されたEUVリソグラフィEUVL用反射層付基板の製造方法であって、乾式成膜法によって、前記ガラス基板上に、前記反射層を形成する際に、請求項1~8のいずれかに記載ガラス基板保持手段によって前記ガラス基板を保持することを特徴とする、EUVL用反射層付基板の製造方法。ガラス基板の一方の面にEUV光を反射する反射層、および、EUV光を吸収する吸収層が少なくともこの順に形成されたEUVリソグラフィEUVL用反射型マスクブランクスの製造方法であって、乾式成膜法によって、前記ガラス基板上に、前記反射層、および、前記吸収層のうち、少なくとも1つを形成する際に、請求項1~8のいずれかに記載のガラス基板保持手段によって前記ガラス基板を保持することを特徴とする、EUVL用反射型マスクブランクスの製造方法。ガラス基板の一方の面にEUV光を反射する反射層、および、EUV光を吸収する吸収層が少なくともこの順に形成され、該ガラス基板の他方の面に導電膜が形成されたEUVリソグラフィEUVL用反射型マスクブランクスの製造方法であって、乾式成膜法によって、前記ガラス基板上に、前記導電膜、前記反射層、および、前記吸収層のうち、少なくとも1つを形成する際に、請求項1~8のいずれかに記載のガラス基板保持手段によって前記ガラス基板を保持することを特徴とする、EUVL用反射型マスクブランクスの製造方法。ガラス基板の一方の面にEUV光を反射する反射層、および、EUV光を吸収する吸収層が少なくともこの順に形成されたEUVリソグラフィEUVL用反射型マスクブランクスの前記吸収層をパターニングしてEUVL用反射型マスクを得る、EUVL用反射型マスクの製造方法であって、前記吸収層をパターニングする際に、請求項1~8のいずれかに記載のガラス基板保持手段によって前記ガラス基板を保持することを特徴とする、EUVL用反射型マスクの製造方法。ガラス基板の一方の面にEUV光を反射する反射層、および、EUV光を吸収する吸収層が少なくともこの順に形成されており、前記吸収層がパターニングされたEUVリソグラフィEUVL用反射型マスクを用いて、被露光体に露光を行うことにより半導体集積回路を製造する半導体集積回路の製造方法であって、前記EUVリソグラフィEUVL用反射型マスクを用いて被露光体に露光を行う際に、請求項1~8のいずれかに記載のガラス基板保持手段によって前記ガラス基板を保持することを特徴とする、半導体集積回路の製造方法。上記した従来技術の問題点を解決するため、本発明は、ガラス基板の成膜面への傷の発生およびそれによる発塵、ならびに、裏面中心部への傷の発生および異物の付着を解消することができ、多層反射膜および吸収層の形成時において、保持手段自体からの発塵を抑制することができるガラス基板保持手段、ならびに、それを用いたEUVマスクブランクスの製造方法、反射型マスクの製造方法、および、半導体集積回路の製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明は、少なくとも表面が平坦なベースと、前記ベース上の少なくとも一部に設置された吸着部と、を有する、ガラス基板を吸着して保持するガラス基板保持手段であって、前記吸着部は、前記ガラス基板と接触させた際に、該ガラス基板をファンデルワールス力で吸着可能な表面構造と柔軟性とを有し、前記吸着部は、下記aおよびbを満たすガラス基板保持手段1を提供する。a前記ガラス基板の1辺の長さをLmmとするとき、前記ガラス基板の端部からの距離が1/5L以下の前記ガラス基板の外縁部のみに前記吸着部が接触する。b前記ガラス基板の質量をTgとするとき、前記吸着部による基板吸着力FgfがF=α×T[1≦α≦200]となるように、前記吸着部の単位表面積当たりの吸着力F0gf/mm2、および、前記ガラス基板に対する前記吸着部の合計接触面積Smm2を選択する。また、本発明は、少なくとも表面が平坦なベースと、前記ベース上の少なくとも一部に設置された吸着部と、を有する、ガラス基板を吸着して保持するガラス基板保持手段であって、前記吸着部は、前記ガラス基板と接触させた際に、該ガラス基板をファンデルワールス力で吸着可能な表面構造と柔軟性とを有し、前記吸着部は、下記c~eを満たすガラス基板保持手段2を提供する。cガラス基板の1辺の長さをLmmとするとき、ガラス基板の端部からの距離が1/5L以下のガラス基板の外縁部のみに吸着部が接触する。d吸着部の単位表面積当たりの吸着力F0が0.0225~16.5gf/mm2である。eガラス基板に対する吸着部の合計接触面積Sが20mm2以上である。以下、本明細書において、本発明のガラス基板保持手段1、2をまとめて本発明のガラス基板保持手段という場合がある。本発明のガラス基板保持手段において、前記吸着部は、空気中に曝すとその表面に正電荷を帯電する性質を有することが好ましい。本発明のガラス基板保持手段において、前記吸着部がシリコーン樹脂により形成されていることが好ましい。本発明のガラス基板保持手段において、前記吸着部は、長さが0.1nm~2000nm、直径が400nm以下、アスペクト比が2.5以上の柱状体ピラーを105~1012本/cm2の密度で表面に有する構造であることが好ましい。本発明のガラス基板保持手段において、前記吸着部は、ガラス基板に対して複数の接触部位を有していてもよい。本発明のガラス基板保持手段は、ガラス基板を持ち上げて前記吸着部から剥離するためのリフトアップ機構を有していることが好ましい。本発明のガラス基板保持手段は、ガラス基板の側面、および、ガラス基板の上面の外縁部を覆う遮蔽部材を有していることが好ましい。本発明のガラス基板保持手段は、ガラス基板の側面をファンデルワールス力で吸着保持する側面吸着部をさらに有していてもよい。また、本発明は、ガラス基板の一方の面にEUV光を反射する反射層が形成されたEUVリソグラフィEUVL用反射層付基板の製造方法であって、乾式成膜法によって、前記ガラス基板上に、前記反射層を形成する際に、本発明のガラス基板保持手段によって前記ガラス基板を保持することを特徴とする、EUVL用反射層付基板の製造方法を提供する。また、本発明は、ガラス基板の一方の面にEUV光を反射する反射層、および、EUV光を吸収する吸収層が少なくともこの順に形成されたEUVリソグラフィEUVL用反射型マスクブランクスの製造方法であって、乾式成膜法によって、前記ガラス基板上に、前記反射層、および、前記吸収層のうち、少なくとも1つを形成する際に、本発明のガラス基板保持手段によって前記ガラス基板を保持することを特徴とする、EUVL用反射型マスクブランクスの製造方法1を提供する。また、本発明は、ガラス基板の一方の面にEUV光を反射する反射層、および、EUV光を吸収する吸収層が少なくともこの順に形成され、該ガラス基板の他方の面に導電膜が形成されたEUVリソグラフィEUVL用反射型マスクブランクスの製造方法であって、乾式成膜法によって、前記ガラス基板上に、前記導電膜、前記反射層、および、前記吸収層のうち、少なくとも1つを形成する際に、本発明のガラス基板保持手段によって前記ガラス基板を保持することを特徴とする、EUVL用反射型マスクブランクスの製造方法2を提供する。また、本発明は、ガラス基板の一方の面にEUV光を反射する反射層、および、EUV光を吸収する吸収層が少なくともこの順に形成されたEUVリソグラフィEUVL用反射型マスクブランクスの前記吸収層をパターニングしてEUVL用反射型マスクを得る、EUVL用反射型マスクの製造方法であって、前記吸収層をパターニングする際に、本発明のガラス基板保持手段によって前記ガラス基板を保持することを特徴とする、EUVL用反射型マスクの製造方法を提供する。また、本発明は、ガラス基板の一方の面にEUV光を反射する反射層、および、EUV光を吸収する吸収層が少なくともこの順に形成されており、前記吸収層がパターニングされたEUVリソグラフィEUVL用反射型マスクを用いて、被露光体に露光を行うことにより半導体集積回路を製造する半導体集積回路の製造方法であって、前記EUVリソグラフィEUVL用反射型マスクを用いて被露光体に露光を行う際に、本発明のガラス基板保持手段によって前記ガラス基板を保持することを特徴とする、半導体集積回路の製造方法を提供する。本発明のガラス基板保持手段はガラス基板の裏面のみを吸着保持するため、ガラス基板の成膜面への傷の発生およびそれによる発塵を防止することができる。また、EUVマスクブランクスの製造時において、機械的チャックのような、基板を直接挟持するような機構が存在しないため、ガラス基板保持手段自体からの成膜時の発塵を抑制できる。本発明のガラス基板保持手段はガラス基板の裏面外縁部のみを吸着保持するため、ガラス基板の裏面中心部例えば、1524mm角の基板の場合、基板中心部の146mm角の領域への異物の付着、傷の発生を解消することができる。本発明のガラス基板保持手段は、静電チャックのような、高電圧を印加して強い静電気力を発生させる吸着が不要で、吸着部のファンデルワールス力、および、静電引力吸着部が正極に帯電する場合によってガラス基板を吸着保持するため、静電チャックでガラス基板を吸着保持した場合のように、残留電荷や漏洩電場によって異物を引き付ける問題が発生するおそれがない。ガラス基板の保持手段として本発明のガラス基板保持手段を用いる、本発明のEUVマスクブランクスの製造方法、および、反射型マスクの製造方法によれば、裏面中心部での異物や傷のないEUVマスクブランクス、および、反射型マスクを製造することができる。以下、図面を参照して本発明を説明する。図1は、本発明のガラス基板保持手段の1実施形態を模式的に示した平面図である。図2~4は図1に示すガラス基板保持手段の側面図である。図2はガラス基板のガラス基板の搬入搬出時の状態を模式的に示しており、図3はガラス基板の保持時の状態を模式的に示しており、図4はガラス基板の離脱時の状態を模式的に示している。図1~4に示すガラス基板保持手段100Aにおいて、ベース10はガラス基板保持手段100Aの基台をなす部分である。ベース10は、ガラス基板200を水平に保持するのに十分な機械的強度を有する材料で作製されている。ベース10の構成材料の一例をあげると、酸化アルミニウム、アルミニウム、アルミニウム合金等で形成されている。これらアルミニウム系材料は、十分な機械的強度を有する一方で、軽量であることや、加工が容易で平面度が出しやすいことから好ましい。ガラス基板200を水平に保持するため、少なくともベース10の表面が平坦になっている。ベース10表面のうち、外縁部の一部には吸着部20が設けられている。ここで、外縁部全体に吸着部20を設けていないのは、リフトアップ機構30、および、基板搬送用のアーム50が通過するための溝部40を設けているためである。図1において、ガラス基板200を載せたアーム50は、図中矢印方向に移動して、ベース10上へのガラス基板200の搬入、および、ベース10上からのガラス基板200の搬出を行う。ガラス基板200の搬入搬出時の状態は図2に示されている。ガラス基板の吸着保持は図3に示すように、ガラス基板200を下降させて、ガラス基板200と吸着部20とを接触させることによって行う。ガラス基板の離脱時には、図4に示すように、リフトアップ機構30によってガラス基板200を上昇させることにより、ガラス基板200と、吸着部20と、が接触しないようにする。吸着部20は、ガラス基板200と接触させた際に、該ガラス基板200をファンデルワールス力で吸着可能な表面構造と柔軟性とを有している。図20、21は、ガラス基板をファンデルワールス力で吸着するためにどのような表面構造を有していることが求められるかを説明するための図である。図20は、一般的な物質例えば、上述したアルミニウム系材料製のベース300と、ガラス基板200と、を接触させた場合の両者の接触界面付近の構造を示した部分拡大断面図である。図21は、吸着部20と、ガラス基板200と、を接触させた場合の両者の接触界面付近の構造を示した部分拡大断面図である。一般的な物質と、ガラス基板と、を接触させた際に、両者の間にファンデルワールス力が働くためには、該物質を構成する分子と、ガラス基板を構成する分子と、の分子間距離が1~5Åになることが好ましい。ここで、図20に示すように、一般的な物質300の表面には、μmオーダーの微小な凹凸310が存在する。ガラス基板200についても同様であり、その表面にはμmオーダーの微小な凹凸210が存在する。このため、一般的な物質300と、ガラス基板200と、を接触させると、物質300の表面に存在する凹凸310と、ガラス基板200の表面に存在する凹凸210と、がぶつかり合い、両者の接触界面では点接触状態になる。したがって、該物質300を構成する分子と、ガラス基板200を構成する分子と、の分子間距離が1~5Åまで近づいている部分の面積が非常に小さい。このため、ガラス基板200に対する物質300のファンデルワールス力はほとんど働かず、ガラス基板200が物質300に吸着されることはない。これに対して、図21に示すように、吸着部20の表面は、ヤモリの手の剛毛のように、例えば、長さ1μmで直径200nm程度のピラーpillar22を多数植毛したような構造を有している。別の言い方をすると、吸着部20の表面には、微細な柱状体ピラーが密に存在している。このため、ガラス基板200と、吸着部20と、を接触させた際に、これらのピラー22がガラス基板200の表面に存在するμmオーダーの微小な凹凸210に従って撓むため、両者の接触界面において、凹凸210と、ピラー22と、が面接触状態になる。この結果、吸着部20を構成する分子と、ガラス基板200を構成する分子と、の分子間距離が1~5Åまで近づいている部分の面積が非常に大きくなる。このため、ガラス基板200に対する吸着部20のファンデルワールス力が働いて、ガラス基板200が吸着部20に吸着されることとなる。本発明のガラス基板保持手段において、吸着部は、長さが好ましくは0.1nm~2000nm、より好ましくは1nm~300nm、さらに好ましくは10nm~200nm、直径が好ましくは400nm以下、より好ましくは2nm~30nm、さらに好ましくは3nm~20nm、アスペクト比が好ましくは2.5以上、より好ましくは5~50、さらに好ましくは10~30の柱状体ピラーを、好ましくは105~1012本/cm2、より好ましくは106~1011本/cm2の密度で表面に有する構造であることが、ファンデルワールス力を効果的に発揮させるうえで好ましい。但し、図21は、吸着部の表面構造の一例を示したものであり、本発明のガラス基板保持手段における吸着部の表面構造はこれに限定されない。すなわち、ガラス基板と、吸着部と、を接触させた際に、吸着部の表面がガラス基板の表面に存在するμmオーダーの微小な凹凸に従って変形し、吸着部を構成する分子と、ガラス基板を構成する分子と、の分子間距離が1~5Åまで近づいている部分の面積が大きくなり、ガラス基板に対して吸着部のファンデルワールス力が働く構造であればよい。上述したメカニズムによりファンデルワールス力を発揮する構造の吸着部であれば、ガラス基板と、吸着部と、を接触させた際に、吸着部の表面がガラス基板の表面に存在するμmオーダーの微小な凹凸に従って変形することにより、ガラス基板に対する吸着部の平坦度が見かけ以上に良くなり、吸着力の均一性も高まる。なお、ガラス基板200と接触させた際に、該ガラス基板200をファンデルワールス力で吸着可能な表面構造と柔軟性とを有している吸着部20は、例えば、シリコーン樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、フッ素系樹脂、メタアクリル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂例えば、ポリエチレン系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、エチレン-酢酸ビニル共重合体EVA系樹脂等の高分子樹脂を少なくとも一つを用いて形成することができる。吸着部20をシリコーン樹脂により形成した場合、ガラス基板200と吸着部20との間には、ファンデルワールス力に加えて、静電引力も作用する。シリコーン樹脂は、帯電性にも優れており、空気中に曝すとその表面に正電荷を帯電する。すなわち、ほとんどの樹脂は、負極に帯電するが、シリコーン樹脂では正極に帯電する特徴がある。例えば、樹脂であるカプトンの表面電位は、-0.14kVで、シリコーン樹脂の表面電位は、0.11kVとなる。一方、ガラス基板200表面は負極に帯電するので、ガラス基板200と、吸着部20と、を接触させた際に、負極に帯電するガラス基板200と、正極に帯電する吸着部20と、の間に静電引力が作用する。したがって、吸着部20をシリコーン樹脂により形成した場合、ファンデルワールス力と、静電引力と、によってガラス基板200が吸着されることとなる。但し、帯電によるシリコーン樹脂の表面電位は、上述したように、0.11kV程度であり、従来の静電チャックの表面電位に比べて非常に低い。したがって、静電チャックでガラス基板を保持した場合のように、残留電荷や漏洩電場によって異物を引き付けることがない。なお、ガラス基板200と吸着部20との間に作用するファンデルワールス力、および、静電引力吸着部の表面が正極に帯電する場合は、リフトアップ機構30を上昇させる機械的力に比べて極めて小さいので、リフトアップ機構30を上昇させることによって、ガラス基板200を吸着部20から容易に剥離することができる。本発明のガラス基板保持手段100Aにおいて、ベース10表面のうち、外縁部のみに吸着部20が設けられているのは、ガラス基板200の中心部に異物が付着するのを防止するために、ガラス基板200の外縁部のみに吸着部20を接触させるためである。すなわち、吸着部20は、ガラス基板200の外縁部のみに接触する位置に設けられている。具体的には、ガラス基板の1辺の長さをLmmとするとき、ガラス基板の端部からの距離が1/5L以下のガラス基板の外縁部のみに接触する位置に吸着部20が設けられている。本発明のガラス基板保持手段において、ガラス基板の端部からの距離が1/10L以下のガラス基板の外縁部のみに接触する位置に吸着部20が設けられていることが好ましく、3/100L以下のガラス基板の外縁部のみに接触する位置に吸着部20が設けられていることがより好ましい。本発明のガラス基板保持手段は、ガラス基板200を吸着部20に接触させた際に、ガラス基板200を保持するのに十分な吸着力を発揮する。具体的には、ガラス基板の質量をTgとするとき、吸着部による基板吸着力Fgfが下記式1を満たすことが求められる。F=α×T1式1中のαは、1≦α≦200である。ここで、α<1だと、基板吸着力が不十分となり、EUVマスクブランクスの製造時や、EUVマスクブランクスから反射型マスクを作製する際に実施される吸収層のパターニング時、あるいは、EUVリソグラフィでの露光時の反射型マスクのハンドリングの際に、ガラス基板の位置ずれや落下が生じるおそれがある。一方、α>200だと、基板吸着力が大きすぎるため、吸着部からガラス基板を剥離するのが困難になる。上記式1におけるαは、1.2≦α≦100であることが好ましく、より好ましくは1.5≦α≦50、特に好ましくは1.7≦α≦10である。吸着部による基板吸着力Fは、吸着部の単位表面積当たりの吸着力F0gf/mm2、および、ガラス基板に対する吸着部の合計接触面積Smm2との間で下記式2に示す関係を満たす。F=F0×S2したがって、吸着部による基板吸着力Fが上記式1を満たすように、吸着部の単位表面積当たりの吸着力F0、および、ガラス基板に対する吸着部の合計接触面積Sを選択すればよい。一例を挙げると、保持するガラス基板が、EUVマスクブランクスの基板として一般的に用いられる152.4mm角のガラス基板の場合、その質量は約330gである。ここで、吸着部として、単位表面積当たりの吸着力F0が4gf/mm2のシリコーン樹脂を使用する場合、上記式1、2から、最低限必要となる吸着部の合計接触面積Sは82.5mm2となる。また、EUVマスクブランクスの基板として一般的に用いられる152.4mm角のガラス基板を保持する場合には、単位表面積当たりの吸着力F0が0.0225gf/mm2以上16.5gf/mm2以下の吸着部を使用し、上記式1、2を満たすように、ガラス基板に対する吸着部の合計接触面積Sを設定することで、ガラス基板を保持するのに十分な吸着力を発揮されることになる。具体的には、単位表面積当たりの吸着力F0が0.0225gf/mm2の場合にはガラス基板に対する吸着部の合計接触面積Sを14667mm2以上とすればよく、単位表面積当たりの吸着力F0が16.5gf/mm2の場合にはガラス基板に対する吸着部の合計接触面積Sを20mm2以上とすればよい。単位表面積当たりの吸着力F0が0.0225gf/mm2超16.5gf/mm2未満の場合には、上記の考え方にしたがって、ガラス基板に対する吸着部の合計接触面積Sを適宜選択すればよい。単位表面積当たりの吸着力F0は、0.1gf/mm2~12gf/mm2がより好ましく、1gf/mm2~7gf/mm2がさらに好ましく、3gf/mm2~5gf/mm2が特に好ましい。図1~4に示すガラス基板保持手段100Aを用いて、本発明のガラス基板保持手段を説明したが、下記a、bの条件を満たす限り、吸着部の配置は図示した態様に限定されない。aガラス基板の端部からの距離が1/5L以下のガラス基板の外縁部のみに接触する位置に吸着部が設けられている。b吸着部による基板吸着力Fが上記式1を満たす。図5~7は、本発明のガラス基板保持手段における吸着部の配置のバリエーションを模式的に示した平面図である。図5に示すガラス基板保持手段100Bでは、ベース10の外縁部全体に吸着部20が設けられており、該吸着部20に囲まれる形で、ベース10の四隅にはリフトアップ機構30が設けられている。ベース10には基板搬送用のアーム50が通過するための溝部が設けられていないが、リフトアップ機構30によってガラス基板200を上昇させる高さが十分で、ベース10の上方をアーム50が通過できる場合には、このような吸着部の配置も可能である。なお、ベース上におけるリフトアップ機構の配置は、ガラス基板を傾けることなく、水平な状態に保ったままで上下方向に移動させることができ、基板搬送用のアームの移動や吸着部によるガラス基板の吸着の妨げにならない限り特に限定されず、図示した以外の配置であってもよい。図6に示すガラス基板保持手段100Cは、ベース10上における吸着部20、および、リフトアップ機構30の配置が図4に示すガラス基板保持手段100Bと類似している。但し、ガラス基板保持手段100Cでは、ベース10上に基板搬送用のアーム50が通過するための溝部40が設けられている。ベース10上にアーム50が通過するための溝部40を設けることは、ガラス基板200の着脱時において、リフトアップ機構30によるガラス基板200の上下方向の移動を少なくできることから好ましい。図7に示すガラス基板保持手段100Dは、ベース10上におけるリフトアップ機構30の配置、および、基板搬送用のアーム50が通過するための溝部40の配置が、図1に示すガラス基板保持手段100Aと類似している。但し、小片状の吸着部20がドット状にベース10上に多数配置された構造となっている。吸着部全体としての基板吸着力Fが上記式1を満たすことができる限り、このような構造であってもよい。EUVマスクブランクの製造時におけるガラス基板の保持に使用する場合、本発明のガラス基板保持手段は、ガラス基板の側面、および、ガラス基板の上面の外縁部を覆う遮蔽部材を有していることが好ましい。図8は、遮蔽部材を有する本発明のガラス基板保持手段を模式的に示した平面図である。図9~11は、図8に示すガラス基板保持手段の側面図である。図9はガラス基板の搬入搬出時の状態を模式的に示している。図10はガラス基板の保持時の状態を模式的に示している。図11はガラス基板の離脱時の状態を模式的に示している。図8~11に示すガラス基板保持手段100Eは、ガラス基板200の保持時において、該ガラス基板200の側面、および、該ガラス基板200の上面の外縁部を覆う遮蔽部材60、ならびに、該遮蔽部材60を上下方向に移動するためのリフトアップ機構70を有する点を除いて、図1~4に示すガラス基板保持手段100Aと同様の構成である。図8~11に示すガラス基板保持手段100Eでは、遮蔽部材60によってガラス基板200の側面、および、該ガラス基板200の上面の外縁部が覆われるため、後述する手順でEUVマスクブランクを製造する際に、これらの部位への着膜を抑制することができる。遮蔽部材60は、ガラス基板200の側面、および、該ガラス基板200の上面の外縁部への着膜を抑制するためには有効であるが、ガラス基板の搬入搬出時や、ガラス基板の離脱時には、遮蔽部材60が妨げとなるおそれがある。このため、図9、11に示すように、リフトアップ機構70で遮蔽部材60を上昇させることで、ガラス基板の搬入搬出時や、ガラス基板の離脱時に遮蔽部材60が妨げとならないようにする。EUVマスクブランクス用のガラス基板では、該ガラス基板の成膜面全体がマスクパターンの形成に用いられるわけではない。例えば、152.4mm角のガラス基板の場合、該ガラス基板を用いて製造されるEUVマスクにおける光学特性の品質保証領域は132mm角の領域である。このため、EUVマスクブランクスをパターニングしてEUVマスクを作成する際に、レジスト膜が形成される領域は142mm角の領域である。成膜面上に反射層および吸収層を形成する場合も、レジスト膜が形成される142mm角の領域に反射層および吸収層を形成すればよく、それよりも外側の成膜面の外縁部への着膜は、ガラス基板の側面への着膜につながるので望ましくない。また、ガラス基板成膜面の外縁部には、安全上の理由や、ガラス基板の表裏を認識しやすくするために、面取り部やノッチマークが設けられる場合があるが、角部が存在する面取り部やノッチマークに着膜すると、剥離しやすく、剥離した膜材料は基板側面への着膜の原因となったり、製造されるマスクブランクスにおける欠陥の発生源となるので望ましくない。さらに、フォトマスクの製造工程において導入されている、ガラス基板側面から光学的に基板を検知する自動搬送機構においては、ガラス基板の側面への着膜がないほうが、基板検知をスムーズに行うことができることからも、成膜面の外縁部への着膜は、ガラス基板の側面への着膜につながるので望ましくない。図8~11に示すガラス基板保持手段100Eでは、ガラス基板の側面、および、該ガラス基板の上面すなわち、成膜面の外縁部への着膜を抑制できるので、ガラス基板の成膜面の外縁部、および、該ガラス基板の側面への着膜による上述した問題を解消することができる。図8~11に示すガラス基板保持手段100Eにおいて、ガラス基板200の上面のうち、遮蔽部材60で覆われる部分の幅ガラス基板200の端部からの距離は、1~9mmであることが好ましい。ガラス基板200の上面のうち、遮蔽部材60で覆われる部分の幅が上記の範囲であれば、EUVマスクブランクスの製造時において、ガラス基板の成膜面の外縁部、および、ガラス基板の側面への着膜を最小限に抑えることができる。また、ガラス基板の成膜面の外縁部に面取り部やノッチマークが設けられている場合、面取り部やノッチマークへの着膜を抑制することができる。ガラス基板200の上面のうち、遮蔽部材60で覆われる部分の幅は3~7mmであることがより好ましく、4~6mmであることがさらに好ましい。ガラス基板保持手段100Eのように、ガラス基板の側面を覆う構造の遮蔽部材を有するガラス基板保持手段では、遮蔽部材上、具体的には、ガラス基板の保持時において、ガラス基板の側面と接触する位置に、上述した吸着部すなわち、ファンデルワールス力でガラス基板を吸着保持する吸着部を設けてもよい。該吸着部は、ガラス基板の側面を吸着保持する側面吸着部として機能する。図12~15は、このような側面吸着部を有するガラス基板保持手段を模式的に示した図である。図12は、ガラス基板保持手段を模式的に示した平面図である。ここで、側面吸着部80の配置を明確にするため、ガラス基板保持手段100Eと同様の構造の遮蔽部材60は省略されている。図13~15は、図12に示すガラス基板保持手段の側面図である。なお、図13はガラス基板の搬入搬出時の状態を模式的に示している。図14はガラス基板の保持時の状態を模式的に示している。図15はガラス基板の離脱時の状態を模式的に示している。図14に示すように、ガラス基板200の保持時においては、遮蔽部材60上に設けた側面吸着部80がガラス基板200の側面と接触することによって、ファンデルワールス力でガラス基板を吸着保持する。ガラス基板保持手段100Fの場合、吸着部20による基板吸着力と、側面吸着部80による基板吸着力と、を合わせたトータルの基板吸着力が、上述した吸着部による基板吸着力Fを満たすように、吸着部吸着部20、側面吸着部80の単位表面積当たりの吸着力、および、ガラス基板に対する吸着部吸着部20、側面吸着部80の合計接触面積を選択すればよい。ガラス基板保持手段100Fでは、ガラス基板の搬入搬出時、および、ガラス基板の離脱時には、側面吸着部80がガラス基板200の側面と接触しないようにする必要がある。このため、ガラス基板保持手段100Fは、遮蔽部材60を上下方向に移動するためのリフトアップ機構70aに加えて、該遮蔽部材60を周方向に平行移動するための機構70bを有している。なお、ガラス基板保持手段100Fでは、遮蔽部材60上に側面吸着部80が設けられているが、本発明のガラス基板保持手段において、側面吸着部を設ける位置はこれに限定されず、ガラス基板の保持時において、ガラス基板の側面と接する位置であれば、いずれの位置に設けてもよい。次に、本発明のEUVマスクブランクスの製造方法について説明する。EUVマスクブランクスは、ガラス基板の一方の面以下、成膜面という。にEUV光を反射する反射層、および、EUV光を吸収する吸収層がこの順に形成されたものを基本構成とする。EUVマスクブランクスの反射層としては、EUV波長域において高反射率を達成できることから、高屈折率膜と低屈折率膜とを交互に複数回積層させた多層反射膜が広く用いられている。本発明の方法によって製造されるEUVマスクブランクスは、上記以外の各種機能層を有していてもよい。このような機能層の具体例としては、反射層の表面が酸化されるのを防止する目的で反射層上に必要に応じて形成される反射層の保護層、パターニングの際に反射層がダメージを受けるのを防止する目的で反射層と吸収層との間に必要に応じて形成されるバッファ層、マスクパターンの検査時のコントラストを向上させる目的で吸収層上に必要に応じて形成されるマスクパターンの検査光に対する低反射層が挙げられる。また、ガラス基板の他方の面、すなわち、成膜面に対する裏面以下、本明細書において、単に裏面という場合がある。には裏面導電膜を有していてもよい。本発明のEUVマスクブランクス製造方法では、ガラス基板上、具体的には、ガラス基板の成膜面上に、反射層および吸収層をマグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、CVD法、および、真空蒸着法といった乾式成膜法によって形成できる。必要に応じて形成される上記の各種機能膜を有するEUVマスクブランクスを製造する場合には、ガラス基板上、具体的には、ガラス基板の成膜面上に、上記の各種機能膜を乾式成膜法によって形成できる。また、裏面導電膜を有するEUVマスクブランクスを製造する場合には、ガラス基板上、具体的には、ガラス基板の裏面上に、裏面導電膜を乾式成膜法や電解めっき法といった湿式成膜法によって形成できる。但し、本発明のガラス基板保持手段を用いてガラス基板を吸着保持した状態で裏面導電膜を形成する場合、乾式成膜法を用いて裏面導電膜を形成する。これらの成膜法のうち、いずれを使用するかは形成する膜によって適宜選択することができるが、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法が、均質な膜厚を作成し易い点、タクトが短い点から好ましい。本発明のEUVマスクブランクス製造方法を用いて、上述した基本構成のEUVマスクブランクスを製造する場合、乾式成膜法によって反射層および吸収層のうち少なくとも1つを形成する際に、本発明のガラス基板保持手段を用いてガラス基板を吸着保持する。裏面導電膜を有するEUVマスクブランクスを製造する場合には、乾式成膜法によって反射層、吸収層および裏面導電膜のうち少なくとも1つを形成する際に、本発明のガラス基板保持手段を用いてガラス基板を保持する。したがって、反射層、吸収層および裏面導電膜のうち、いずれか1つを形成する際のみ、本発明のガラス基板保持手段を用いてガラス基板を保持し、残りの2つを形成する際には他の保持手段例えば、静電チャックを用いてガラス基板を保持してもよい。但し、ガラス基板の被保持面への異物の付着、特に、被保持面の中心部への異物の付着、を防止するためには、これら全てを形成する際に、本発明のガラス基板保持手段を用いてガラス基板を保持することが好ましい。必要に応じて形成される上記の各種機能膜を有するEUVマスクブランクスを製造する場合には、乾式成膜法によって上記各種機能膜を形成する際にも、本発明のガラス基板保持手段を用いてガラス基板を保持することが好ましい。上述した基本構成のEUVマスクブランクスの吸収層を形成する前の状態、すなわち、ガラス基板の成膜面上に反射層を形成したものが本発明の方法により製造されるEUVL用反射層付基板であり、EUVマスクブランクの前駆体をなすものである。本発明のEUVL用反射層付基板の製造方法では、ガラス基板の成膜面上に、乾式成膜法によって反射層を形成する際に、本発明のガラス基板保持手段を用いてガラス基板を吸着保持する。以下、本発明の方法により製造されるEUVマスクブランクスの構成例を示す。EUVマスクブランクスの製造に用いるガラス基板は、EUVマスクブランクス用の基板としての特性を満たす。ガラス基板は、低熱膨張係数0±1.0×107/°Cであることが好ましく、より好ましくは0±0.3×107/°C、さらに好ましくは0±0.2×107/°C、さらに好ましくは0±0.1×107/°C、特に好ましくは0±0.05×107/°Cを有し、平滑性、平坦度、およびマスクブランクスまたはパターン形成後のフォトマスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましい。ガラス基板としては、具体的には低熱膨張係数を有するガラス、例えばSiO2-TiO2系ガラス等を用いることができるがこれに限定されず、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラスなどの基板を用いることもできる。ガラス基板は、0.15nmrms以下の平滑な表面と100nm以下の平坦度を有していることがパターン形成後のフォトマスクにおいて高反射率および転写精度が得られるために好ましい。ガラス基板の大きさや厚みなどはマスクの設計値等により適宜決定されるものである。後で示す実施例では外形6インチ152.4mm角で、厚さ0.25インチ6.35mmのSiO2-TiO2系ガラスを用いた。ガラス基板の成膜面には欠点が存在しないことが好ましい。しかし、存在している場合であっても、凹状欠点および/または凸状欠点によって位相欠点が生じないように、凹状欠点の深さおよび凸状欠点の高さが2nm以下であり、かつこれら凹状欠点および凸状欠点の半値幅が60nm以下であることが好ましい。EUVマスクブランクスの反射層に特に要求される特性は、高EUV光線反射率であることである。具体的には、EUV光の波長領域の光線を反射層表面に入射角度6度で照射した際に、波長13.5nm付近の光線反射率の最大値が60以上であることが好ましく、65以上であることがより好ましい。EUVマスクブランクスの反射層としては、EUV波長域において高反射率を達成できることから、高屈折率膜と低屈折率膜とを交互に複数回積層させた多層反射膜が広く用いられている。多層反射膜の具体例としては、低屈折率膜としてのMo膜と、高屈折率膜としてのSi膜とを交互に複数回積層させたMo/Si多層反射膜が挙げられる。Mo/Si多層反射膜の場合に、EUV光線反射率の最大値が60以上の反射層とするには、膜厚2.3±0.1nmのMo層と、膜厚4.5±0.1nmのSi層とを繰り返し単位数が30~60になるように積層させればよい。なお、Mo/Si多層反射膜を構成する各層は、乾式成膜法、具体的にはマグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法などのスパッタリング法を用いて所望の厚さになるように成膜すればよい。例えば、イオンビームスパッタリング法を用いてMo/Si多層反射膜を形成する場合、ターゲットとしてMoターゲットを用い、スパッタガスとしてArガスガス圧1.3×102Pa~2.7×102Paを使用して、イオン加速電圧300~1500V、成膜速度0.03~0.30nm/secで厚さ2.3nmとなるようにMo層を成膜し、次に、ターゲットとしてSiターゲットを用い、スパッタガスとしてArガスガス圧1.3×102Pa~2.7×102Paを使用して、イオン加速電圧300~1500V、成膜速度0.03~0.30nm/secで厚さ4.5nmとなるようにSi層を成膜することが好ましい。これを1周期として、Mo層およびSi層を40~50周期積層させることによりMo/Si多層反射膜が成膜される。EUVマスクブランクスの吸収層に特に要求される特性は、EUV光線反射率が極めて低いことである。具体的には、EUV光の波長領域の光線を吸収層表面に照射した際に、波長13.5nm付近の最大光線反射率が0.5以下であることが好ましく、0.1以下であることがより好ましい。上記の特性を達成するため、EUV光の吸収係数が高い材料で構成されることが好ましい。EUV光の吸収係数が高い材料の具体例としては、タンタルTaを主成分とする材料が挙げられる。タンタルTaを主成分とする材料で構成される吸収層の具体例としては、Ta、B、Siおよび窒素Nを以下に述べる比率で含有する吸収層TaBSiN膜が挙げられる。Bの含有率1at以上5at未満、好ましくは1~4.5at、より好ましくは1.5~4atSiの含有率1~25at、好ましくは1~20at、より好ましくは2~12atTaとNとの組成比Ta:N8:1~1:1Taの含有率好ましくは50~90at、より好ましくは60~80atNの含有率好ましくは5~30at、より好ましくは10~25at上記組成の吸収層TaBSiN膜は、その結晶状態はアモルファスであり、表面の平滑性に優れている。上記組成の吸収層TaBSiN膜であれば、吸収層表面の表面粗さを0.5nmrms以下とすることができる。吸収層表面の表面粗さが大きいと、吸収層に形成されるパターンのエッジラフネスが大きくなり、パターンの寸法精度が悪くなる。パターンが微細になるに従いエッジラフネスの影響が顕著になるため、吸収層表面は平滑であることが要求される。吸収層表面の表面粗さが0.5nmrms以下であれば、吸収層表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。吸収層の厚さは、50~100nmであることが好ましい。上記組成の吸収層TaBSiN膜は、乾式成膜法、具体的にはマグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法などのスパッタリング法を用いて形成することができる。マグネトロンスパッタリング法を用いる場合、下記1~3の方法で吸収層TaBSiN膜を形成することができる。1Taターゲット、BターゲットおよびSiターゲットを使用し、Arで希釈した窒素N2雰囲気中でこれらの個々のターゲットを同時に放電させることによって吸収層TaBSiN膜を形成する。2TaB化合物ターゲットおよびSiターゲットを用いて、これらのターゲットをArで希釈したN2雰囲気中で同時放電させることによって吸収層TaBSiN膜を形成する。3TaBSi化合物ターゲットを用いて、この3元素が一体化されたターゲットをArで希釈したN2雰囲気中で放電させることによって吸収層TaBSiN膜を形成する。なお、上述した方法のうち、2以上のターゲットを同時に放電させる方法1、2では、各ターゲットの投入電力を調節することによって、形成される吸収層の組成を制御することができる。上記の中でも2および3の方法が、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で好ましく、3の方法が特に好ましい。TaBSi化合物ターゲットは、その組成がTa=50~94at、Si=5~30at、B=1~20atであることが、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で特に好ましい。上記例示した方法で吸収層TaBSiN膜を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。TaB化合物ターゲットおよびSiターゲットを使用する方法2スパッタガス:ArとN2の混合ガスN2ガス濃度3~80vol、好ましくは5~30vol、より好ましくは8~15vol。ガス圧1.0×101Pa~10×101Pa、好ましくは1.0×101Pa~5×101Pa、より好ましくは1.0×101Pa~3×101Pa。投入電力各ターゲットについて:30~1000W、好ましくは50~750W、より好ましくは80~500W成膜速度:2.0~60nm/sec、好ましくは3.5~45nm/sec、より好ましくは5~30nm/secTaBSi化合物ターゲットを使用する方法3スパッタガス:ArとN2の混合ガスN2ガス濃度3~80vol、好ましくは5~30vol、より好ましくは8~15vol。ガス圧1.0×101Pa~10×101Pa、好ましくは1.0×101Pa~5×101Pa、より好ましくは1.0×101Pa~3×101Pa。投入電力:30~1000W、好ましくは50~750W、より好ましくは80~500W成膜速度:2.0~60nm/sec、好ましくは3.5~45nm/sec、より好ましくは5~30nm/sec裏面導電膜を形成する場合、シート抵抗が100Ω/□以下となるように、構成材料の電気伝導率と厚さを選択する。裏面導電膜の構成材料としては、公知の文献に記載されているものから広く選択することができる。例えば、特表2003-501823号公報本出願に組み入れられるに記載の高誘電率物質層、具体的には、シリコン、TiN、モリブデン、クロム、TaSiからなる群から選択される物質層が挙げられる。また、再表2008/072706に記載のクロムおよび窒素を含有する導電膜CrN膜が挙げられる。該CrN膜は、乾式成膜法、具体的には、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、CVD法、および、真空蒸着法といった乾式成膜法によって形成することができる。該CrN膜をマグネトロンスパッタリング法により形成する場合、ターゲットをCrターゲットとし、スパッタガスをArとN2の混合ガスとして、マグネトロンスパッタリングを実施すればよく、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。ターゲット:Crターゲットスパッタガス:ArとN2の混合ガスN2ガス濃度3~45vol、好ましくは5~40vol、より好ましくは10~35vol。ガス圧1.0×101Pa~50×101Pa、好ましくは1.0×101Pa~40×101Pa、より好ましくは1.0×101Pa~30×101Pa。投入電力:30~1000W、好ましくは50~750W、より好ましくは80~500W成膜速度:2.0~60nm/m次に、本発明の反射型マスクの製造方法について説明する。EUVマスクブランクスから反射型マスクを作製する際、マスクブランクスの吸収層吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層をパターニングする。本発明の反射型マスクの製造方法では、この吸収層吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層のパターニングの際に、本発明のガラス基板保持手段を用いて、EUVマスクブランクスを構成するガラス基板を吸着保持する。本発明の反射型マスクの製造方法において、吸収層吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層のパターニング方法は特に限定されず、例えば、吸収層吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層上にレジストを塗布してレジストパターンを形成し、これをマスクとして吸収層吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層をエッチングする方法を採用できる。レジストの材料やレジストパターンの描画法は、吸収層吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層の材質等を考慮して適宜選択すればよい。吸収層吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層のエッチング方法も特に限定されず、反応性イオンエッチング等のドライエッチングまたはウエットエッチングが採用できる。吸収層吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層をパターニングした後、レジストを剥離液で剥離することにより反射型マスクマスクが得られる。次に、本発明の半導体集積回路の製造方法について説明する。本発明は、EUV光を露光用光源として用いるフォトリソグラフィ法による半導体集積回路の製造方法に適用できる。具体的には、レジストを塗布したシリコンウェハ等の基板をステージ上に配置し、反射鏡を組み合わせて構成した反射型の露光装置に反射型マスクを設置する。そして、EUV光を光源から反射鏡を介して反射型マスクに照射し、EUV光を反射型マスクによって反射させてレジストが塗布された基板に照射する。このパターン転写工程により、回路パターンが基板上に転写される。回路パターンが転写された基板は、現像によって感光部分または非感光部分をエッチングした後、レジストを剥離する。半導体集積回路は、このような工程を繰り返すことで製造される。本発明では、反射型マスクを用いて被露光体レジストが塗布された基板に露光を行う際に、ガラス基板保持手段によって反射型マスクを構成するガラス基板を保持する。以下、実施例により本発明を詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例1実施例1では、図5に示すガラス基板保持手段100Bを作製した。外形6インチ152.4mm角の酸化アルミニウム製のベース10の外縁部に、シリコーン樹脂により吸着部20を形成した。使用したシリコーン樹脂は単位表面積当たりの吸着力F0が4gf/mm2であり、吸着部20の幅は1.5mm、高さは1mmとした。したがって、ガラス基板に対する吸着部20の接触面積Sは約902mm2である。また、上記式2から吸着部20による基板吸着力Fは約3608gfとなる。ベース10の四隅には吸着部20からガラス基板200を剥離するために直径1mmの円形リフトアップ機構30を設けた。作製したガラス基板保持手段100Bを用いて、EUVマスクブランクス用のガラス基板を吸着保持した。ガラス基板200には外形6インチ152.4mm角、厚さ0.25インチ6.35mmのSiO2-TiO2系ガラス製の基板を使用した。このガラス基板200の質量は約330gであり、22°Cにおける熱膨張係数が0/°Cである。圧力2.0E-4Torrの真空中でガラス基板保持手段100Bのベース10を10rpmで回転させながらガラス基板200を2時間保持した。リフトアップ機構30でガラス基板200を上昇させることによって、吸着部20からガラス基板200を剥離して回収した。ガラス基板の吸着保持側の面の欠陥数、具体的には、該面の検査領域146mm角内の200nm以上の欠陥数を、市販の欠陥検査装置レーザーテック社製M1350にて吸着保持前後に測定した。その結果、吸着保持後に増加した200nm以上の欠陥数は0個であった。上記と同様の手順でガラス基板の吸着保持を10回繰り返したが、該ガラス基板の吸着保持手段100Bのベース10からのズレや落下が見られず、吸着保持力の低下は起こらなかった。実施例2実施例2では、図6に示すガラス基板保持手段100Cを作製した。基板搬送用アーム50が通過するために幅19mmの溝40が加工されたベース10を用いた以外は実施例1と同様の手順でガラス基板保持手段を作製した。したがって、ガラス基板に対する吸着部20の接触面積Sは約788mm2であり、吸着部20による基板吸着力Fは約3152gfとなる。実施例1と同様の手順でガラス基板の吸着保持を行い、吸着保持後に増加した200nm以上の欠陥数を評価したところ、実施例1と同様に0個であった。上記と同様の手順でガラス基板の吸着保持を10回繰り返したが、該ガラス基板の吸着保持手段100Cのベース10からのズレや落下が見られず、吸着保持力の低下は起こらなかった。実施例3実施例3では、図1~4に示すガラス基板保持手段100Aを作製した。実施例2と同様に基板搬送用アーム50が通過するための溝40が加工されたベース10を使用し、該ベース10の外縁部の一部に、実施例1、2と同じシリコーン樹脂により吸着部20を形成した。吸着部20の幅は2mm、高さは1mmとし、ガラス基板に対する吸着部20の合計接触面積Sは約760mm2とした。溝40近傍にはリフトアップ機構30を設けた。吸着部20による基板吸着力Fは約3040gfとなる。実施例1、2と同様の手順でガラス基板の吸着保持を行い、吸着保持後に増加した200nm以上の欠陥数を評価したところ、実施例1、2と同様に0個であった。上記と同様の手順でガラス基板の吸着保持を10回繰り返したが、該ガラス基板の吸着保持手段100Aのベース10からのズレや落下が見られず、吸着保持力の低下は起こらなかった。実施例4実施例4では、図7に示すガラス基板保持手段100Dを作製した。実施例2、3と同様に、基板搬送用アーム50が通過するための溝40が加工されたベース10を使用し、該ベース10の外縁部の一部に実施例1~4と同じシリコーン樹脂により、小片状の吸着部20をドット状に多数形成した。個々の小片の幅は1mm、長さは1mm、高さは0.5mmとし、ガラス基板に対する吸着部20の合計接触面積Sは約500mm2とした。吸着部20による基板吸着力Fは約2000gfとなる。溝40近傍にはリフトアップ30機構を設けた。実施例1~3と同様の手順でガラス基板の吸着保持を行い、吸着保持後に増加した200nm以上の欠陥数を評価したところ、実施例1~3と同様に0個であった。上記と同様の手順でガラス基板の吸着保持を10回繰り返したが、該ガラス基板の吸着保持手段100Dのベース10からのズレや落下が見られず、吸着保持力の低下は起こらなかった。実施例5実施例5では、図8~11に示すガラス基板保持手段100Eを作製した。ガラス基板保持手段100Eは、ガラス基板200の保持時において、該ガラス基板200の側面、および、該ガラス基板200の上面の外縁部を覆う遮蔽部材60、ならびに、該遮蔽部材60を上下方向に移動させるためのリフトアップ機構70を設けた以外は、ガラス基板保持手段100Aと同様の構成である。したがって、吸着部20による基板吸着力Fは約3040gfとなる。実施例1~4と同様の手順でガラス基板の吸着保持を行い、吸着保持後に増加した200nm以上の欠陥数を評価したところ、実施例1~4と同様に0個であった。上記と同様の手順でガラス基板の吸着保持を10回繰り返したが、該ガラス基板の吸着保持手段100Eのベース10からのズレや落下が見られず、吸着保持力の低下は起こらなかった。実施例6実施例6では、図12~15に示すガラス基板保持手段100Fを作製した。ガラス基板保持手段100Fは、遮蔽部材60を上下方向に移動させるためのリフトアップ機構70aに加えて、該遮蔽部材60を周方向に移動させるための機構70bを設けたこと、基板側面も保持するようシリコーン樹脂による吸着部側面吸着部80を遮蔽部材60にも設けた以外は、ガラス基板保持手段100Eと同様の構成である。但し、吸着部20による基板吸着力と、側面吸着部80による基板吸着力と、がトータルで約3040gfとなるように、ガラス基板に対する吸着部20および側面吸着部80の合計接触面積を調整した。実施例1~5と同様の手順でガラス基板の吸着保持を行い、吸着保持後に増加した200nm以上の欠陥数を評価したところ、実施例1~5と同様に0個であった。上記と同様の手順でガラス基板の吸着保持を10回繰り返したが、該ガラス基板の吸着保持手段100Fのベース10からのズレや落下が見られず、吸着保持力の低下は起こらなかった。比較例1比較例1では、酸化アルミニウムを吸着保持面とする静電チャックを用いて、ガラス基板の吸着保持を実施した。静電チャックの吸着保持面は平面形状が、一辺が143mmの正方形形状であり、ガラス基板保持手段100A、C~Fと同様に基板搬送用アーム50が通過するための溝40が加工されている。ガラス基板に対する接触面積は15015mm2である。静電チャックの電極間電圧を1000Vとして、ガラス基板の中心部を吸着保持した。実施例1~6と同様の手順で吸着保持後に増加した200nm以上の欠陥数を評価したところ40000個であり、実施例1~6と比較して40000個多い結果であり、EUVリソグラフィ用途としては使用できないレベルであった。比較例2比較例2では、図16~19に記載の機械的チャックを用いて、ガラス基板の保持を実施した。図16は、比較例2で使用した機械的チャックを模式的に示した平面図である。図17~19は図16に示す機械的チャックの側面図である。図17はガラス基板のガラス基板の搬入搬出時の状態を模式的に示しており、図18はガラス基板の保持時の状態を模式的に示しており、図19はガラス基板の離脱時の状態を模式的に示している。機械的チャック500では、リフトアップ機構510によりガラス基板200を上昇させることによって、ガラス基板200を上下方向から挟持して保持する。ここで、ガラス基板200の挟持力は3300gfであり、ガラス基板200の上下面とも、該ガラス基板200の端部からの距離が5mmまでの部位を挟持した。実施例1~6と同様の手順で吸着保持後に増加した200nm以上の欠陥数を評価したところ、1000個であり、実施例1~6と比較して1000個多い結果であり、EUVリソグラフィ用途としては使用できないレベルであった。