"第1の電極と、前記第1の電極上に設けられた混合層と、前記混合層上に設けられた発光性の物質を含む層と、前記発光性の物質を含む層上に設けられた第2の電極と、を有し、前記混合層は、第1の材料と、第2の材料と、を含み、前記第1の材料は、アクセプターとして機能する金属酸化物であり、前記第2の材料は、正孔輸送性化合物であることを特徴とする発光装置。請求項1において、前記混合層は、第3の材料を含み、前記第3の材料は立体障害の大きな化合物であることを特徴とする発光装置。請求項1又は請求項2において、前記混合層は前記第1の材料と前記第2の材料とを共蒸着することにより形成されたものであることを特徴とする発光装置。請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、前記第1の電極は、反射性を有し、且つ、陽極であり、前記第2の電極は、透光性を有し、且つ、陰極であることを特徴とする発光装置。請求項4において、前記第1の電極はアルミニウムを含む電極であることを特徴とする発光装置。請求項4において、前記第1の電極はタンタルを含む電極であることを特徴とする発光装置。本発明では、駆動電圧が低く、また従来の発光素子よりもさらに長寿命化できる発光素子およびその発光素子の作製方法を提供することを課題とする。本発明の発光素子は、一対の電極間に複数の層を有し、前記複数の層のうち少なくとも一層は、酸化物半導体および金属酸化物の中から選ばれた一の化合物と正孔輸送性の高い化合物とを含む層であることを特徴としている。なお前記複数の層は、電極から離れたところに発光領域が形成されるように、キャリア注入性の高い物質やキャリア輸送性の高い物質等からなる層を組み合わせて構成されたものである。このような構成の発光素子とすることにより、酸化物半導体および金属酸化物の中から選ばれた一の化合物と正孔輸送性の高い化合物とを含む層の結晶化を抑制することができる。また結晶化が抑制された結果、発光素子が長寿命化する。前記酸化物半導体および前記金属酸化物の具体例としては、モリブデン酸化物MoOx、バナジウム酸化物VOx、ルテニウム酸化物RuOx、タングステン酸化物WOx等があげられる。この他、インジウム錫酸化物ITOや亜鉛酸化物ZnO、錫酸化物SnOを用いることができる。但し、ここに示したものに限らず、その他の物質を用いてもよい。前記正孔輸送性の高い化合物としては、例えば4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニル-アミノ]-ビフェニル略称:α-NPDや4,4’-ビス[N-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ]-ビフェニル略称:TPDや4,4’,4’’-トリスN,N-ジフェニル-アミノ-トリフェニルアミン略称:TDATA、4,4’,4’’-トリス[N-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ]-トリフェニルアミン略称:MTDATAなどの芳香族アミン系即ち、ベンゼン環-窒素の結合を有するの化合物が挙げられる。但し、ここに示したものに限らず、その他の物質を用いてもよい。本発明の発光素子は、一対の電極間に複数の層をし、前記複数の層のうち少なくとも一層は、酸化物半導体および金属酸化物の中から選ばれた一の化合物と正孔輸送性の高い化合物と立体障害の大きな化合物とを含む層である特徴としている。なお前記複数の層は、上記と同様に、電極から離れたところに発光領域が形成されるように、キャリア注入性の高い物質やキャリア輸送性の高い物質等からなる層を組み合わせて構成されたものである。このように酸化物半導体および金属酸化物の中から選ばれた一の化合物と正孔輸送性の高い化合物とを含む層に、さらに立体障害の大きな化合物を含む構成の発光素子とすることにより、当該層の結晶化をさらに抑制することができる。また結晶化が抑制された結果、発光素子がより長寿命化する。なお、前記酸化物半導体と前記金属酸化物と前記正孔輸送性の高い化合物とは、それぞれ上記したものと同様である。立体障害の大きなつまり平面構造とは異なり空間的な広がりを有する構造をもつ化合物としては、5,6,11,12-テトラフェニルテトラセン略称:ルブレンが好ましい。但し、これ以外にヘキサベニルベンゼン、ジフェニルアントラセン、t-ブチルペリレン、9,10-ジフェニルアントラセン、クマリン545Tなどを用いてもよい。また、この他、デンドリマー等も有効である。本発明により、酸化物半導体や金属酸化物の凝集を抑制し、当該酸化物半導体または金属酸化物を含む層の結晶化を抑制することができる。また、結晶化を抑制することにより、結晶化に起因したリーク電流の発生などが抑制され、長寿命化した発光素子を得ることができる。本発明の発光素子は、一つの電極間に複数の層を有するものである。当該複数の層は、電極から離れたところに発光領域が形成されるように、つまり電極から離れた部位でキャリア担体の再結合が行われるように、キャリア注入性の高い物質やキャリア輸送性の高い物質からなる層を組み合わせて積層されたものである。本発明の発光素子の一態様について図2Aを用いて以下に説明する。本形態において、発光素子210は、これを支持するための基板201上に設けられており、第1の電極202と、第1の電極202の上に順に積層した第1の層203、第2の層204、第3の層205、第4の層206と、さらにその上に設けられた第2の電極207とから構成されている。なお、本形態では第1の電極202は陽極として機能し、第2の電極207は陰極として機能するように構成されている。基板201としては、例えばガラス、またはプラスチックなどを用いることができる。なお、発光素子を作製工程において支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。第1の電極202は、仕事関数の大きい仕事関数4.0eV以上金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などで形成されていることが好ましい。具体的には、インジウム錫酸化物ITO:IndiumTinOxide、珪素を含有したインジウム錫酸化物、酸化インジウムに2~20の酸化亜鉛ZnOを混合したIZOIndiumZincOxideの他、金Au、白金Pt、ニッケルNi、タングステンW、クロムCr、モリブデンMo、鉄Fe、コバルトCo、銅Cu、パラジウムPd、または金属材料の窒化物TiN等を用いることができる。第1の層203は、酸化物半導体および金属酸化物の中から選ばれた一の化合物と正孔輸送性の高い化合物とを含む層である。酸化物半導体および金属酸化物の具体例としては、モリブデン酸化物MoOx、バナジウム酸化物VOx、ルテニウム酸化物RuOx、タングステン酸化物WOx等が挙げられる。この他、インジウム錫酸化物ITOや亜鉛酸化物ZnOを用いることができる。但し、ここに示したものに限らず、その他の物質を用いてもよい。また、正孔輸送性の高い化合物としては、例えば4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニル-アミノ]-ビフェニル略称:α-NPDや4,4’-ビス[N-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ]-ビフェニル略称:TPD、4,4’,4’’-トリスN,N-ジフェニル-アミノ-トリフェニルアミン略称:TDATA、4,4’,4’’-トリス[N-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ]-トリフェニルアミン略称:MTDATAなどの芳香族アミン系即ち、ベンゼン環-窒素の結合を有するの化合物を用いることができる。ここに述べた物質は、主に106cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。上記のような構成を有する第1の層203は、正孔注入性の高い層である。第1の層203においては、当該層に含まれる正孔輸送性の高い物質によって酸化物半導体または金属酸化物の凝集が抑制されている。つまり、第1の層203の結晶化が抑制されている。なお、第1の層203は、上記のような単層のものだけでなく、例えば半導体と正孔輸送性の高い化合物を含み、その混合比が異なる層が二層以上積層した構造としてもよい。また、第1の層203は、酸化物半導体および金属酸化物の中から選ばれた一の化合物と正孔輸送性の高い化合物とに加えて、さらに立体障害の大きなつまり平面構造とは異なり空間的な広がりを有する構造をもつ化合物を有するものであってもよい。立体障害の大きな化合物としては、5,6,11,12-テトラフェニルテトラセン略称:ルブレンが好ましい。但しこれ以外に、ヘキサベニルベンゼン、ジフェニルアントラセン、t-ブチルペリレン、9,10-ジフェニルアントラセン、クマリン545T等も用いることができる。この他、デンドリマーなども有効である。このように、立体障害の大きな構造、つまり平面構造とは異なり空間的な広がりを有する構造をもつ物質を混合することにより、モリブデン酸化物の結晶化を一層抑制することができる。第2の層204は、正孔輸送性の高い物質、例えばα-NPDやTPD、TDATA、MTDATAなどの芳香族アミン系即ち、ベンゼン環-窒素の結合を有するの化合物からなる層である。ここに述べた物質は、主に106cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、第2の層204は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものであってもよい。第3の層205は、発光性の高い物質を含む層である。例えば、N,N’-ジメチルキナクリドン略称:DMQdや2H-クロメン-2-オン略称:クマリン等の発光性の高い物質とトリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq3や9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA等のキャリア輸送性が高く成膜性がよいつまり結晶化しにくい物質とを自由に組み合わせて構成される。但し、Alq3やDNAは発光性も高い物質であるため、これらの物質を単独で用いた構成とし、第3の層205としても構わない。第4の層206は、電子輸送性の高い物質、例えばトリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq3、トリス5-メチル-8-キノリノラトアルミニウム略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]-キノリナトベリリウム略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト-4-フェニルフェノラト-アルミニウム略称:BAlqなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等からなる層である。また、この他ビス[2-2-ヒドロキシフェニル-ベンゾオキサゾラト]亜鉛略称:ZnBOX2、ビス[2-2-ヒドロキシフェニル-ベンゾチアゾラト]亜鉛略称:ZnBTZ2などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBDや、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-tert-ブチルフェニル-4-フェニル-5-4-ビフェニリル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、3-4-tert-ブチルフェニル-4-4-エチルフェニル-5-4-ビフェニリル-1,2,4-トリアゾール略称:p-EtTAZ、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCPなども用いることができる。ここに述べた物質は、主に106cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を第4の層206として用いても構わない。また、第4の層206は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。第2の電極207を形成する物質としては、仕事関数の小さい仕事関数3.8eV以下金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の1族または2族に属する元素、すなわちリチウムLiやセシウムCs等のアルカリ金属、およびマグネシウムMg、カルシウムCa、ストロンチウムSr等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金Mg:Ag、Al:Liが挙げられる。しかしながら、第2の電極207と発光層との間に、電子注入を促す機能を有する層を、当該第2の電極と積層して設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Al、Ag、ITO、珪素を含むITO等様々な導電性材料を第2の電極207として用いることができる。なお、電子注入を促す機能を有する層としては、フッ化リチウムLiF、フッ化セシウムCsF、フッ化カルシウムCaF2等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属の化合物を用いることができる。また、この他、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含有させたもの、例えばAlq3中にマグネシウムMgを含有させたもの等を用いることができる。また、第1の層203、第2の層204、第3の層205、第4の層206の形成方法は、上記のような蒸着法以外の方法でもよい。例えばインクジェット法またはスピンコート法など用いても構わない。また各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。以上のような構成を有する本発明の発光素子は、第1の電極202と第2の電極207との間に生じた電位差により電流が流れ、発光性の高い物質を含む層である第3の層205において正孔と電子とが再結合し、発光するものである。つまり第3の層205に発光領域が形成されるような構成となっている。但し、第3の層205の全てが発光領域として機能する必要はなく、例えば、第3の層205のうち第2の層204側または第4の層206側にのみ発光領域が形成されるようなものであってもよい。発光は、第1の電極202または第2の電極207のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第1の電極202または第2の電極207のいずれか一方または両方は、透光性を有する物質で成る。第1の電極202のみが透光性を有する物質からなるものである場合、図2Aに示すように、発光は第1の電極202を通って基板側から取り出される。また、第2の電極207のみが透光性を有する物質からなるものである場合、図2Bに示すように、発光は第2の電極207を通って基板と逆側から取り出される。第1の電極202および第2の電極207がいずれも透光性を有する物質からなるものである場合、図2Cに示すように、発光は第1の電極202および第2の電極207を通って、基板側および基板と逆側の両方から取り出される。なお第1の電極202と第2の電極207との間に設けられる層の構成は、上記のものには限定されない。発光領域と金属とが近接することによって生じる消光が抑制されるように、第1の電極202および第2の電極207から離れた部位に正孔と電子とが再結合する領域を設けた構成であり、且つ酸化物半導体および金属酸化物の中から選ばれた一の化合物と正孔輸送性の高い化合物とを含むさらに、立体障害の大きい化合物を含んでいてもよい層を有するものであれば、上記以外のものでもよい。つまり、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質または正孔輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性電子及び正孔の輸送性の高い物質の物質等から成る層を、酸化物半導体および金属酸化物の中から選ばれた一の化合物と正孔輸送性の高い化合物とを含む層と自由に組み合わせて構成すればよい。また、例えば極薄の酸化珪素膜等からなる層を設けることによってキャリアの再結合部位を制御したものであってもよい。例えば図3に示すような構成であってもよい。但し、層構成はこれらのものに限定されない。図3に示す発光素子は、陰極として機能する第1の電極502の上に電子輸送性の高い物質からなる第1の層503、発光性の高い物質を含む第2の層504、正孔輸送性の高い物質からなる第3の層505、酸化物半導体および金属酸化物の中から選ばれた一の化合物と正孔輸送性の高い化合物とを含む第4の層506、陽極として機能する第2の電極507とが順に積層された構成となっている。なお、501は基板である。本実施の形態においては、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に発光素子を作製している。一基板上にこのような発光素子を複数作製することで、パッシブ型の発光装置を作製することができる。また、ガラス、プラスチックなどからなる基板以外に、例えば薄膜トランジスタTFTアレイ基板上に発光素子を作製してもよい。これにより、TFTによって発光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の発光装置を作製できる。なお、TFTの構造は、特に限定されない。スタガ型のTFTでもよいし逆スタガ型のTFTでもよい。また、TFTアレイ基板に形成される駆動用回路についても、N型およびP型のTFTからなるものでもよいし、若しくはN型またはP型のいずれか一方からのみなるものであってもよい。上記のように、酸化物半導体および金属酸化物の中から選ばれた一の化合物と正孔輸送性の高い物質とを含む層を有する発光素子では、当該層の結晶化が抑制することができる。このため、当該層の結晶化に起因したリーク電流の発生などが抑制され、長寿命な発光素子を得ることができる。また、酸化物半導体および金属酸化物の中から選ばれた一の化合物と正孔輸送性の高い物質とに加えさらに立体障害の大きい物質を含む層を有する発光素子では、当該層の結晶はさらに抑制され、より長寿命な発光素子が得られる。本発明の発光素子の作製方法、並びにその発光素子の特性について説明する。ガラス基板上にインジウム錫酸化物ITOを成膜して第1の電極を形成する。次に真空雰囲気中で150度、30分間、ITOが成膜されたガラス基板を処理する。次に、モリブデン酸化物と正孔輸送性の高い物質であるα-NPDとを共蒸着し、第1の電極の上に、第1の層を形成した。なお、モリブデン酸化物とα-NPDの重量比は、0.245モリブデン酸化物:1α-NPDとなるようにした。また、膜厚は130nmとなるようにした。ここで、共蒸着とは、一つの処理室内に設けられた複数の蒸着源からそれぞれ原料を気化させ、気化した原料を気相状態で混合し、被処理物上に堆積させる蒸着法をいう。次に、α-NPDを蒸着し、第1の層の上に第2の層を形成した。膜厚は10nmとなるようにした。次に、Alq3とクマリン6とを共蒸着し、第2の層の上に第3の層を形成した。なお、Alq3とクマリン6の重量比は、1:0.002となるようにした。また、膜厚は37.5nmとなるようにした。次に、Alq3を蒸着し、第3の層の上に第4の層を形成した。膜厚は37.5nmとなるようにした。次に、フッ化カルシウムCaF2を蒸着し、第4の層の上に第5の層を形成した。膜厚は1nmとなるようにした。次に、アルミニウムを成膜し蒸着し、第5の層の上に第2の電極を形成した。膜厚は200nmとなるようにした。以上のようにして作製した発光素子の素子特性を図1、4に示す。図4は、本実施例で作製した発光素子の輝度-電圧特性を示す図である。図4において、横軸は印加した電圧V、縦軸は発光輝度cd/m2を表している。図4より、駆動電圧1cd/m2以上の発光が開始する電圧を駆動電圧とする。は約2.5Vであることが分かる。図1は、本実施例で作製した発光素子の発光輝度の経時的な変化について測定した測定結果である。図1において、横軸は経過時間hour、縦軸は発光輝度を表している。発光輝度は初期輝度を100としたときの初期輝度に対する相対値で表している。なお、発光輝度の経時的な変化の測定は、一定の電流密度の電流を発光素子に流し続け、任意の時間ごとに、発光素子の輝度を測定する方法で行った。なお、電流密度は、初期輝度が1000cd/m2となるときの値を用いた。図1より、本実施例の発光素子において、100時間経過後の発光輝度は初期輝度に対しおよそ18低下し、82となっていることが分かる。本発明の発光素子の作製方法、並びにその発光素子の特性について説明する。ガラス基板上にインジウム錫酸化物ITOを成膜して第1の電極を形成する。次に真空雰囲気中で150度、30分間、ITOが成膜されたガラス基板を処理する。次に、モリブデン酸化物と正孔輸送性の高い物質であるα-NPDと立体障害の高い物質であるルブレンとを共蒸着し、第1の電極の上に、第1の層を形成した。なお、モリブデン酸化物とα-NPDとルブレンの重量比は、0.245モリブデン酸化物:1α-NPD:0.018ルブレンとなるようにした。また、膜厚は130nmとなるようにした。次に、α-NPDを蒸着し、第1の層の上に第2の層を形成した。膜厚は10nmとなるようにした。次に、Alq3とクマリン6とを共蒸着し、第2の層の上に第3の層を形成した。なお、Alq3とクマリン6の重量比は、1:0.002となるようにした。また、膜厚は37.5nmとなるようにした。次に、Alq3を蒸着し、第3の層の上に第4の層を形成した。膜厚は37.5nmとなるようにした。次に、フッ化カルシウムCaF2を蒸着し、第4の層の上に第5の層を形成した。膜厚は1nmとなるようにした。次に、アルミニウムを蒸着し、第5の層の上に第2の電極を形成した。膜厚は200nmとなるようにした。以上のようにして作製した発光素子の素子特性を図1、4に示す。なお、測定方法などは、実施例1に示したものと同様である。図4より、駆動電圧1cd/m2以上の発光が開始する電圧を駆動電圧とする。は約2.5Vであることが分かる。また、図1より、本実施例の発光素子において、100時間経過後の発光輝度相対値は初期輝度に対しおよそ8低下し、92となっていることが分かる。本発明の発光素子の作製方法、並びにその発光素子の特性について説明する。ガラス基板上にインジウム錫酸化物ITOを成膜して第1の電極を形成する。次に真空雰囲気中で150度、30分間、ITOが成膜されたガラス基板を処理する。次に、モリブデン酸化物と正孔輸送性の高い物質である4,4-ビスN-4-N,N-ジ-m-トリルアミノフェニル-N-フェニルアミノビフェニル略称:DNTPDと立体障害の高い物質であるルブレンとを共蒸着し、第1の電極の上に、第1の層を形成した。なお、モリブデン酸化物とDNTPDとルブレンの重量比は、0.5モリブデン酸化物:1DNTPD:0.05ルブレンとなるようにした。また、膜厚は120nmとなるようにした。次に、α-NPDを蒸着し、第1の層の上に第2の層を形成した。膜厚は10nmとなるようにした。次に、Alq3とクマリン6とを共蒸着し、第2の層の上に第3の層を形成した。なお、Alq3とクマリン6の重量比は、1:0.003となるようにした。また、膜厚は37.5nmとなるようにした。次に、Alq3を蒸着し、第3の層の上に第4の層を形成した。膜厚は37.5nmとなるようにした。次に、フッ化カルシウムCaF2を蒸着し、第4の層の上に第5の層を形成した。膜厚は1nmとなるようにした。次に、アルミニウムを蒸着し、第5の層の上に第2の電極を形成した。膜厚は200nmとなるようにした。以上のようにして作製した発光素子の素子特性を図8,9に示す。なお、測定方法などは、実施例1に示したものと同様である。また、図8において横軸は電圧V、縦軸は輝度cd/m2を表す。また、図9において横軸は時間hour、縦軸は発光輝度相対値を表す。図8より、駆動電圧1cd/m2以上の発光が開始する電圧を駆動電圧とする。は約2.4Vであることが分かる。また、図9より、本実施例の発光素子において、100時間経過後の発光輝度は初期輝度に対しおよそ7低下し、93となっていることが分かる。比較例1本発明の発光素子に対する比較例として、第2の層がモリブデン酸化物のみで構成されている発光素子の作製方法、並びにその発光素子の特性について説明する。ガラス基板上にインジウム錫酸化物ITOを成膜して第1の電極を形成する。次に真空雰囲気中で150度、30分間、ITOが成膜されたガラス基板を処理する。次に、モリブデン酸化物を蒸着し、第1の電極の上に、第1の層を形成した。膜厚は100nmとなるようにした。次に、α-NPDを蒸着し、第1の層の上に第2の層を形成した。膜厚は60nmとなるようにした。次に、Alq3とクマリン6とを共蒸着し、第2の層の上に第3の層を形成した。なお、Alq3とクマリン6の重量比は、1:0.002となるようにした。また、膜厚は37.5nmとなるようにした。次に、Alq3蒸着し、第3の層の上に第4の層を形成した。膜厚は37.5nmとなるようにした。次に、フッ化カルシウムCaF2を蒸着し、第4の層の上に第5の層を形成した。膜厚は1nmとなるようにした。次に、アルミニウムを蒸着し、第5の層の上に第2の電極を形成した。膜厚は200nmとなるようにした。以上のようにして作製した発光素子の素子特性を図1、4に示す。なお、測定方法などは、実施例1に示したものと同様である。図4より、駆動電圧1cd/m2以上の発光が開始する電圧を駆動電圧とする。は約2.5Vであることが分かる。また、図1より、本比較例の発光素子において、100時間経過後の発光輝度は急激に低下し、発光しなくなっていることが分かる。これは、第2の層が結晶化してリーク電流が生じたためと考えられる。以上のことから、実施例1や実施例2に示した発光素子は、比較例に示すものと同程度の駆動電圧で発光するものであることが分かる。つまり、モリブデン酸化膜のみで形成された層を有する発光素子と同様に、本発明の発光素子も駆動電圧が低いものであることが分かる。実施例1または実施例2で示したような発光素子は、長寿命化していることが分かる。またこれは、α-NPDのような正孔輸送性の高い化合物や、ルブレンのような立体障害の大きい化合物と混合することによって化合物の結晶化が抑制されたためと考えられる。本実施例では、本発明の発光素子を有するアクティブマトリクス型の発光装置の構成について説明する。図5において、基板90上には、駆動用トランジスタ91と本発明の発光素子92が設けられている。発光素子を駆動するための駆動用トランジスタ91は、本発明の発光素子92と電気的に接続されている。ここで、発光素子は、電極93と電極94との間に発光層を有するものであり、一部に、モリブデン酸化物と正孔輸送性の高い物質と、立体障害の大きい物質とを含む層を有する。また、発光素子92は、隔壁層95によって分離されている。本発明の発光素子は、陽極として機能する電極を下方側発光素子に対し駆動用トランジスタが設けられている側、陰極として機能する電極を上方側発光素子に対し駆動用トランジスタが設けられていない側に有するように構成されていてもよいし、または陰極として機能する電極を下方側、陽極として機能する電極を上方側に有するように構成されていてもよい。なお、前者の場合、駆動用トランジスタ91はPチャネル型で、後者の場合、駆動用トランジスタ91はNチャネル型で構成される。但し、駆動用トランジスタ91の構造は、スタガ型でもよいし、逆スタガ型でもよい。また駆動用トランジスタ91は、半導体層に結晶性のものを用いてもよいし、または非晶質のものを用いてもよい。セミアモルファスのものを用いてもよい。なお、セミアモルファスな半導体とは、次のようなものである。非晶質と結晶構造単結晶、多結晶を含むの中間的な構造を有し、自由エネルギー的に安定な第3の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な領域を含んでいるものである。また少なくとも膜中の一部の領域には、0.5~20nmの結晶粒を含んでいる。ラマンスペクトルが520cm1よりも低波数側にシフトしている。X線回折ではSi結晶格子に由来するとされる111、220の回折ピークが観測される。未結合手ダングリングボンドの中和剤として水素またはハロゲンを少なくとも1原子またはそれ以上含ませている。所謂微結晶半導体マイクロクリスタル半導体とも言われている。珪化物気体をグロー放電分解プラズマCVDして形成する。珪化物気体としては、SiH4、その他にもSi2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4などを用いることができる。この珪化物気体をH2、又は、H2とHe、Ar、Kr、Neから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈しても良い。希釈率は2~1000倍の範囲。圧力は概略0.1Pa~133Paの範囲、電源周波数は1MHz~120MHz、好ましくは13MHz~60MHz。基板加熱温度は300°C以下でよく、好ましくは100~250°C。膜中の不純物元素として、酸素、窒素、炭素などの大気成分の不純物は1×1020cm1以下とすることが望ましく、特に、酸素濃度は5×1019/cm3以下、好ましくは1×1019/cm3以下とする。なお、セミアモルファスな半導体を用いたTFT薄膜トランジスタの移動度はおよそ1~10m2/Vsecとなる。陽極として機能する電極および陰極として機能する電極は、いずれか一または両方が透光性を有する物質を用いて構成されている。例えば、陽極として機能する電極が下方側にあり、且つ陽極として機能する電極のみが透光性を有する物質で構成されている場合、図5Aに示すように、駆動用トランジスタが設けられている側から発光する。また、陰極として機能する電極が下方側にあり、且つ陰極として機能する電極のみが透光性を有する物質で構成されている場合にも、図5Aに示すように、駆動用トランジスタが設けられている側から発光する。また、陽極として機能する電極が下方側にあり、且つ陰極として機能する電極のみが透光性を有する物質で構成されている場合、図5Bに示すように、駆動用トランジスタが設けられている側と逆側つまり上方側から発光する。また、陰極として機能する電極が下方側にあり、且つ陽極として機能する電極のみが透光性を有する物質で構成されている場合にも、図5Bに示すように、駆動用トランジスタが設けられている側と逆側から発光する。また、陽極として機能する電極と陰極として機能する電極のいずれもが透光性を有する物質で構成されている場合、いずれの電極が上方側または下方側にあっても、図5Cに示すように両側から発光する。なお、発光素子は、単色発光のものでもよいし、赤R、緑G、青B等複数色の発光が可能なものであってもよい。各発光素子は、隔壁層により分離されていることが好ましく、当該隔壁層は無機物または有機物のうちいずれか一または両方を含む材料のいずれで形成されていてもよい。例えば、酸化珪素膜でもよいし、アクリルやポリイミド、シロキサンシリコンSiと酸素Oとの結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料が用いられる。または置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも1種を有する物質等のいずれの材料でもよい。なお、隔壁層はエッジ部において、曲率半径が連続的に変化する形状であることが好ましい。本発明の発光素子は長寿命なものであるため、本発明を適用した発光装置も長期に渡って表示或いは照明することが可能となる。実施例4で示したような、本発明の発光素子を有する発光装置は、外部入力端子などを装着した後、各種電子機器に実装される。このような本発明を適用した電子機器は、長期に渡って良好な表示が可能である。これは、本発明の発光素子が長寿命なものであることによる。本実施例では、本発明の発光素子を有する発光装置およびその発光装置を実装した電子機器について図6、7を用いて説明する。図6は本発明の発光素子を有する発光装置の上面図である。但し、図7に示したものは一実施例であり、発光装置の構成はこれに限定されるものではない。図6において、点線で示された401は駆動回路部ソース側駆動回路、402は画素部、403は駆動回路部ゲート側駆動回路である。また、404は封止基板、405はシール材が塗布された部分である。なお、素子基板410に設けられた配線を介し外部入力端子となるFPCフレキシブルプリントサーキット409からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取ることによってソース側駆動回路401及びゲート側駆動回路403に信号が入力される。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント配線基盤PWBが取り付けられていてもよい。本実施例における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものとする。図6で表されるような発光装置を実装した電子機器の一実施例を図7に示す。図7は、本発明を適用して作製したノート型のパーソナルコンピュータであり、本体5501、筐体5502、表示部5503、キーボード5504などによって構成されている。本発明の発光素子を有する発光装置をパーソナルコンピュータに組み込むことで表示装置を完成できる。なお、本実施例では、ノート型のパーソナルコンピュータについて述べているが、この他に携帯電話やテレビ受像機、カーナビゲイション、或いは照明機器等に本発明の発光素子を有する発光装置を実装しても構わない。本発明の発光素子の作製方法、並びにその発光素子の特性について説明する。本実施例では、第1の層の厚さがそれぞれ異なる4つの発光素子、発光素子1、発光素子2、発光素子3、発光素子4を作製した。ガラス基板上に酸化珪素を含むインジウム錫酸化物を成膜して第1の電極を形成した。次に真空雰囲気中で150度、30分間、第1の電極が形成されたガラス基板を処理した。次に、モリブデン酸化物とルブレンとDNTPDとを共蒸着し、第1の電極の上に、第1の層を形成した。なお、モリブデン酸化物とルブレンとDNTPDとの重量比は、0.67モリブデン酸化物:1DNTPD:0.02ルブレンとなるようにした。ここで、発光素子1においては第1の層の厚さは40nmとなるようにした。また、発光素子2においては第1の層の厚さは80nmとなるようにした。また、発光素子3においては第1の層の厚さは120nmとなるようにした。発光素子4においては第1の層の厚さは160nmとなるようにした。次に、α-NPDを蒸着し、第1の層の上に第2の層を形成した。膜厚は10nmとなるようにした。次に、Alq3とクマリン6とを共蒸着し、第2の層の上に第3の層を形成した。なお、Alq3とクマリン6の重量比は、1:0.005となるようにした。また、膜厚は37.5nmとなるようにした。次に、Alq3を蒸着し、第3の層の上に第4の層を形成した。膜厚は37.5nmとなるようにした。次に、フッ化リチウムLiFを蒸着し、第4の層の上に第5の層を形成した。膜厚は1nmとなるようにした。次に、アルミニウムを成膜し蒸着し、第5の層の上に第2の電極を形成した。膜厚は200nmとなるようにした。以上のようにして作製した発光素子の素子特性を図10、11に示す。図10は、本実施例で作製した発光素子の輝度-電圧特性を示す図である。図10において、横軸は印加した電圧V、縦軸は発光輝度cd/m2を表している。●印は発光素子1、○印は発光素子2、■印は発光素子3、□印は発光素子4の特性をそれぞれ表す。図10より、いずれの発光素子についても駆動電圧1cd/m2以上の発光が開始する電圧を駆動電圧とする。は、約2.5Vである、第1の層の厚さに関わらず同等であることが分かる。つまり、本発明を適用した発光素子では、第1の層の厚さに依存した駆動電圧が殆どみられない。従って、本発明を適用することによって、電極を発光した光の反射面として利用するような発光素子を作製する際、光が通る光路長を第1の層の厚さを変えることによって調整し、発光の外部取り出し効率を向上させることが容易となる。図11は、本実施例で作製した発光素子の発光輝度の経時的な変化について測定した測定結果である。図11において、横軸は経過時間hour、縦軸は発光輝度を表している。発光輝度は初期輝度を100としたときの初期輝度に対する相対値で表している。なお、発光輝度の経時的な変化の測定は、一定の電流密度の電流を発光素子に流し続け、任意の時間ごとに、発光素子の輝度を測定する方法で行った。なお、電流密度は、初期輝度が3000cd/m2となるときの値を用いた。図11より、発光素子1、2、3、4のいずれについても、100時間経過後の発光輝度は初期輝度に対しおよそ14以下の低下率であり、本発明を適用した発光素子は、輝度劣化が少ない発光素子であることが分かる。本発明の発光素子の作製方法、並びにその発光素子の特性について説明する。本実施例では、第1の電極を形成する材料がそれぞれ異なるがそれぞれ異なる4つの発光素子、発光素子11、発光素子12、発光素子13、発光素子14、発光素子15、発光素子16、発光素子17、発光素子18、発光素子19、を作製した。ガラス基板上に、数の珪素を含むアルミニウムを成膜して発光素子11の第1の電極を形成した。また、ガラス基板上に、数のチタンを含むアルミニウムを成膜して発光素子12の第1の電極を形成した。また、ガラス基板上に、チタンを成膜して発光素子13の第1の電極を形成した。また、ガラス基板上に、窒化チタンを成膜して発光素子14の第1の電極を形成した。また、ガラス基板上に、タンタルを成膜して発光素子15の第1の電極を形成した。また、ガラス基板上に、窒化タンタルを成膜して発光素子16の第1の電極を形成した。また、ガラス基板上に、タングステンを成膜して発光素子17の第1の電極を形成した。また、ガラス基板上に、クロムを成膜して発光素子18の第1の電極を形成した。また、ガラス基板上に、モリブデンを成膜して発光素子19の第1の電極を形成した。次に真空雰囲気中で150度、30分間、第1の電極が形成されたガラス基板をそれぞれ処理した。次に、モリブデン酸化物とルブレンとα-NPDとを共蒸着し、第1の電極の上に、第1の層を形成した。なお、モリブデン酸化物とルブレンとα-NPDとの重量比は、0.1モリブデン酸化物:1α-NPD:0.02ルブレンとなるようにした。また、膜厚は60nmとなるようにした。次に、α-NPDを蒸着し、第1の層の上に第2の層を形成した。膜厚は10nmとなるようにした。次に、Alq3とクマリン6とを共蒸着し、第2の層の上に第3の層を形成した。なお、Alq3とクマリン6の重量比は、1:0.005となるようにした。また、膜厚は40nmとなるようにした。次に、Alq3を蒸着し、第3の層の上に第4の層を形成した。膜厚は20nmとなるようにした。次に、リチウムLiと4,4’-ビス5-メチルベンズオキサゾル-2-イルスチルベン略称:BzOsとを共蒸着し、第4の層の上に第5の層を形成した。膜厚は20nmとなるようにした。LiとBzOsの重量比は、0.02Li:1BzOSとなるようにした。また、膜厚は20nmとなるようにした。次に、インジウム錫酸化物を成膜し、第5の層の上に第2の電極を形成した。膜厚は110nmとなるようにした。以上のようにして作製したそれぞれの発光素子に、第2の電極の電位よりも第1の電極の電位が高くなるように電圧を印加して駆動させ、1cd/m2以上の発光が開始する電圧について調べた。その結果を、図12に、■印で示す。図12において、横軸はいずれの発光素子であるかを表し、縦軸は電圧Vを表す。比較例2実施例7に記載の発光素子に対する比較例となる発光素子、発光素子21、発光素子22、発光素子23、発光素子24、発光素子25、発光素子26、発光素子27、発光素子28、発光素子29、について説明する。発光素子21~29は、それぞれ、第1の層を銅フタロシアニンを用いて、20nmの厚さとなるように形成した他は、材料、各層の厚さのいずれについても発光素子11~19と同様にして作製した。なお、発光素子21の第1の電極は数の珪素を含むアルミニウムから成り、発光素子22の第1の電極は数のチタンを含むアルミニウムから成り、発光素子23の第1の電極はチタンから成り、発光素子24の第1の電極は窒化チタンから成り、発光素子25の第1の電極はタンタルから成り、発光素子26の第1の電極は窒化タンタルから成り、発光素子27の第1の電極はタングステンから成り、発光素子28の第1の電極はクロムから成り、発光素子29の第1の電極はモリブデンから成る。発光素子21~29に第2の電極の電位よりも第1の電極の電位が高くなるように電圧を印加して駆動させ、1cd/m2以上の発光が開始する電圧について調べた。その結果を、図12に、▲印で示す。図12より、第1の層を銅フタロシアニンを用いて形成した比較例の発光素子21~29では、発光素子に依って、つまり第1の電極を形成する材料に依存して発光が開始する電圧が大きく異なることが分かる。一方、本発明を適用した発光素子11~21では、発光が開始する電圧は、第1の電極を形成する材料が異なっても殆ど変わらないことが分かる。このように、本発明の発光素子は、電極を形成する材料の種類等からの影響を受けにくい素子であることが分かる。従って、電極を発光した光の反射面として利用するような発光素子を作製する際、本発明を適用することによって、反射率のより良い材料の電極を選択することが容易となる。本発明の発光素子の作製方法、並びにその発光素子の特性について説明する。本実施例では、第1の層の厚さがそれそれ異なる発光素子を作製した。そして、その駆動電圧の膜厚依存性について明らかにした。試料は実施例6において作製した発光素子1~4を用いた。すなわち、発光素子1においては第1の層の厚さは40nmとなるようにした。また、発光素子2においては第1の層の厚さは80nmとなるようにした。また、発光素子3においては第1の層の厚さは120nmとなるようにした。発光素子4においては第1の層の厚さは160nmとなるようにした。それぞれの発光素子に、第2の電極の電位よりも第1の電極の電位が高くなるように電圧を印加して駆動させた。図13に、発光素子1~4の電流密度対電圧特性を示す。これらの発光素子において、第1の層の厚さが異なっていても、電流密度対電圧特性はほとんど変化していない。すなわち、モリブデン酸化物とルブレンとDNTPDで形成される第1の層の膜厚を厚くしても、駆動電圧の上昇は起こっていない。比較例3実施例8に記載の発光素子に対する比較例として、発光素子30、発光素子31、発光素子32、発光素子33、発光素子34、発光素子35について説明する。発光素子30~35は、第2の層の膜厚を異ならせたものである。ここで、第1の層を銅フタロシアニンを用いて、20nmの厚さとなるように形成した。第2の層は、α-NPDを蒸着して形成した。膜厚は、発光素子30が60nm、発光素子31が80nm、発光素子32が100nm、発光素子33が120nm、発光素子34が140nm、発光素子35が160nmとなるようにした。次に、Alq3とクマリン6とを共蒸着し、第2の層の上に第3の層を形成した。なお、Alq3とクマリン6の重量比は、1:0.005となるようにした。また、膜厚は37.5nmとなるようにした。次に、Alq3を蒸着し、第3の層の上に第4の層を形成した。膜厚は37.5nmとなるようにした。次に、フッ化カルシウムCaF2を蒸着し、第4の層の上に第5の層を形成した。膜厚は1nmとなるようにした。次に、アルミニウムを蒸着し、第5の層の上に第2の電極を形成した。膜厚は200nmとなるようにした。それぞれの発光素子に、第2の電極の電位よりも第1の電極の電位が高くなるように電圧を印加して駆動させた。図14に、発光素子30~35の電流密度対電圧特性を示す。これらの発光素子において、第2の層の膜厚を厚くするに伴って、駆動電圧が大幅に上昇している。すなわち、α-NPDで形成される第2の層の膜厚を厚くすると、駆動電圧の上昇が起こる。比較例4実施例8に記載の発光素子に対する比較例として、発光素子36、発光素子37、発光素子38、について説明する。発光素子36~38は、それぞれ、第1の層をモリブデン酸化物で形成し、その膜厚を異ならせたものである。第1の層の上には、第2の層を銅フタロシアニンを用いて、20nmの厚さとなるように形成した。第3の層は、α-NPDを蒸着して、40nmの厚さに形成した。次に、Alq3とクマリン6とを共蒸着し、第3の層の上に第4の層を形成した。また、膜厚は37.5nmとなるようにした。次に、Alq3を蒸着し、第4の層の上に第5の層を形成した。膜厚は37.5nmとなるようにした。次に、フッ化カルシウムCaF2を蒸着し、第5の層の上に第6の層を形成した。膜厚は1nmとなるようにした。次に、アルミニウムを蒸着し、第6の層の上に第2の電極を形成した。膜厚は200nmとなるようにした。それぞれの発光素子に、第2の電極の電位よりも第1の電極の電位が高くなるように電圧を印加して駆動させた。図15に、発光素子36~38の電流密度対電圧特性を示す。これらの発光素子において、モリブデン酸化物で形成した第1の層の膜厚を厚くするに伴って、駆動電圧が上昇している。表1は駆動電圧の膜厚依存性について、実施例8と、比較例3及び比較例4の結果を示している。表1に示すデータは、発光素子に100mA/cm2の電流を流すのに必要な駆動電圧である。実施例8において、発光素子1~4に100mA/cm2の電流を流すのに必要な駆動電圧は、6.1~6.3Vである。一方、比較例3において、発光素子30~35に100mA/cm2の電流を流すのに必要な駆動電圧は、12.5Vから、19.9Vまで増加している。また、比較例4において、発光素子36~38に100mA/cm2の電流を流すのに必要な駆動電圧は、11.7Vから、12.7Vまで増加している。表1の結果は、有機化合物と無機化合物を混合した層を設けることにより、有機化合物であるα-NPDや、無機化合物である酸化モリブデンを用いた場合に比べ、駆動電圧を下げることができることを示している。さらに、その膜厚を増加させても、駆動電圧の上昇を抑えることができることを示している。このように、本発明の発光素子を用いることによって、駆動電圧を下げることができ、低消費電力化を図ることが可能となる。さらに、発光素子の厚膜化が可能となるので、上下に形成する電極間の短絡不良を低減することを可能としている。本実施例は、画面サイズが2.4インチでQVGAのアクティブマトリクス型の発光装置の特性について示す。このアクティブマトリクス型の発光装置は、実施例4と同様にトランジスタで発光素子を駆動するものである。発光素子の構成は以下の通りとした。第1の電極は、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物で形成した。第1の電極の上に、モリブデン酸化物と正孔輸送性の高い物質であるα-NPDとを共蒸着し、第1の層を形成した。ここで、モリブデン酸化物とα-NPDを混合して形成される第1の層の膜厚を120nmとしたものを発光装置1、同様に第1の層の膜厚を240nmとしたものを発光装置2と呼ぶこととする。次に、α-NPDを蒸着し、第1の層の上に第2の層を形成した。膜厚は10nmとなるようにした。そして、Alq3とクマリン6とを共蒸着し、第2の層の上に第3の層を形成した。第3の層の膜厚は40nmとなるようにした。第3の層の上にAlq3を蒸着し、第4の層を形成した。第4の層の膜厚は30nmとなるようにした。そして、フッ化カルシウムCaF2を蒸着し、第4の層の上に第5の層を形成した。膜厚は1nmとなるようにした。第5の層の上にアルミニウムを蒸着し、第2の電極を形成した。第2の電極の膜厚は200nmとなるようにした。発光装置1と発光装置2について、通電初期と、温度サイクル試験85°C4時間~-40°C4時間を60時間行った後の暗点画素発光しない画素数を調べた。発光装置1については、通電初期で平均暗点画素数が0.7個であり、温度サイクル試験後は平均暗点画素数が2.3個となった。発光装置2については、通電初期で平均暗点画素数が0.5個であり、温度サイクル試験後も平均暗点画素数が0.5個でありほとんど変化していなかった。なお、平均暗点画素数とは、評価した▲個の発光装置における平均値を示している。比較例5実施例9に対し、発光素子の構成を異ならせたアクティブマトリクス型の発光装置3を作製した。発光素子は、第1の層を銅フタロシアニンを用いて、20nmの厚さとなるように形成した。第2の層は、α-NPDを40nmの厚さで形成した。次に、Alq3とクマリン6とを共蒸着し、第2の層の上に第3の層を形成した。第3の層の膜厚は40nmとなるようにした。第3の層の上にAlq3を蒸着し、膜厚40nmの第4の層を形成した。次に、フッ化カルシウムCaF2を蒸着し、第4の層の上に第5の層を形成した。膜厚は1nmとなるようにした。そして、アルミニウムを蒸着し、第5の層の上に膜厚200nmの第2の電極を形成した。発光装置3について、通電初期と、温度サイクル試験85°C4時間~-40°C4時間を60時間行った後の暗点画素数を調べた。発光装置3は、通電初期の平均暗点欠画素数が18個であった。そして、温度サイクル試験後は平均暗点画素数が444個と約25倍に増加した。表2は通電初期と、温度サイクル試験85°C4時間~-40°C4時間を60時間行った後の暗点画素数について、実施例9と比較例5の結果を示している。実施例9の発光装置1と発光装置2は通電初期から暗点画素はほとんど観測されず、温度サイクル試験後においても増加していない。これに対し、比較例5の発光装置3は通電初期に多数の暗点画素が観測され、温度サイクル試験後にはそれが25倍に増える結果となった。この違いは、モリブデン酸化物とα-NPDを混合して形成される第1の層の膜厚を厚くしたことによる効果として説明することができる。実施例9の結果は、発光素子を厚膜化することで、暗点欠となる画素の数を大幅に低減できることを示している。さらに、実施例8の結果より、発光素子を厚膜化しても駆動電圧の増加がないことが明らかとなっている。以上の結果は、本発明により、駆動電圧が低く、暗点画素を大幅に抑制した発光装置を提供できることを示している。金属酸化物としてモリブデン酸化物、正孔輸送性の高い有機化合物であるα-NPD及びモリブデン酸化物とα-NPDを混合した膜の特性を調べた。これらの膜は蒸着法により作製した。表3に示すように、モリブデン酸化物及びα-NPDと比較して、その両者を混合した膜のイオン化ポテンシャルは約0.1~0.2eV小さくなっている。すなわちホール注入性が向上していることが分かる。図16にこれらの膜の吸収スペクトルを示す。吸収スペクトルでは、α-NPDとモリブデン酸化物は可視光領域に特徴的なピークを与えない。一方、モリブデン酸化物及びα-NPDを混合した膜OMOxでは、モリブデン酸化物のみの場合より吸収が低下している。このことより、モリブデン酸化物に比べ、α-NPDとモリブデン酸化物を混合した層で発光素子を形成した方が、光の吸収損失を低減することができる。また、図16において、α-NPDとモリブデン酸化物を混合した場合には500nm付近に新しい吸収ピークが現れている。これは、酸化モリブデンとα-NPDの間で電荷移動錯体が形成されるためであると考えられる。酸化モリブデンはアクセプターであり、α-NPDはドナーである。なお、α-NPDだけでなくDNTPDのようなアミン系の化合物はドナーとして機能することを確認している。また、実施例1または実施例2で示したように、金属酸化物の中から選ばれた一の化合物と正孔輸送性の高い化合物とを含む層を含む発光素子は、その層の結晶化が抑制され、発光素子の寿命を延ばすことができる。このように、特定の無機材料と有機材料を混合することで、それぞれの単体では得られない相乗効果を発現させることができる。"