エッチング槽と、前記エッチング槽に収納され、半導体ウエハ表面をウエットエッチングするエッチング液と、前記エッチング槽を封止する蓋とを具備し、前記蓋の前記エッチング液と対向する内側には、その周縁部に少なくとも2列の突起構造物が複数配列され、前記複数の突起構造物は千鳥状に配列されていることを特徴とする半導体製造装置。している。前記突起構造物の配列が第1の配列と、当該第1の配列とは隣接する第2の配列を有する場合において、前記第1の配列の互いに隣接する突起構造物間の間隔は、当該間隔に対向する前記第2の配列の突起構造物の長さと等しいかそれより短くしたことを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。図5に記載されたエッチング槽100でウエットエッチングを行う場合、エッチング液103として用いる85wtリン酸水の沸点約160°Cの沸騰力を利用して、160°C前後でエッチングが進むように処理を行う。つまり、ヒータ104でエッチング液103を高温にし、処理中に蒸発した水分を補うように供給パイプ106から水を足しつつ160°C前後で処理をする。すなわち、この半導体装置の製造工程では、沸点の温度を変化させないでリン酸水の濃度を85wt一定にしながら複数の製品処理を続けることが望ましい。その際、断続的な水の供給を考えるばかりでなく、液面から立ち昇る蒸気を蓋が一旦受け止めて液槽に水分を戻すことが肝要である。しかしながら、高温で蓋が変形したりして蓋面が歪み、また、水分が液槽の縁側に逃げる即ち、横流れをするなどして液面に戻る水分が減少し、85wtリン酸濃度を維持できず沸点温度が上昇してしまい、その結果、処理温度160°Cで沸騰力による液揺動を著しく弱めてしまう。本発明は、このような事情によりなされたもので、水分濃度低下を防ぎ、沸騰力を長く持続させたリン酸水のライフ長期化が可能な半導体製造装置を提供するものである。本発明の半導体製造装置は、エッチング槽と、前記エッチング槽に収納され、半導体ウエハ表面をウエットエッチングするエッチング液と、前記エッチング槽を封止する蓋とを具備し、前記蓋の前記エッチング液と対向する内側には、その周縁部に少なくとも2列の突起構造物が複数配列され、前記複数の突起構造物は千鳥状に配列されていることを特徴としている。前記突起構造物の配列が第1の配列と、当該第1の配列とは隣接する第2の配列を有する場合において、前記第1の配列の互いに隣接する突起構造物間の間隔は、当該間隔に対向する前記第2の配列の突起構造物の長さと等しいかそれより短くしても良い。本発明は、このような構成により、蓋の内側の周縁部に、エッチング液の水分が蒸発して形成された水滴の横流れを防ぐ構造が形成される。また、突起構造物の配列の隙間から気体が流れ出るので槽内で上昇していく圧力を緩和することができる。つまり、槽内の圧力が上がらず、しかもエッチング槽外へ水分が流れ出ない事を両立できる。その結果、水分濃度低下の防止、沸騰力を長く持続させたリン酸水のライフ長期化が実現できる。以下、実施例を参照して発明の実施の形態を説明する。図1乃至図3を参照して実施例1を説明する。図2及び図3に示すように、この実施例で説明する半導体製造装置は、高温ウェットエッチング装置である。図2及び図3は、高温ウェットエッチング装置の断面図及び平面図上面図であり、平面図は、突起構造物を透視して表示する。図2aは、図2bのC-C′線に沿う部分の断面図、図3aは、図3bのD-D′線に沿う部分の断面図である。エッチング槽10内部には85wtリン酸水がエッチング液3として収納されている。エッチング槽10内には複数の半導体基板シリコンウエハ2がカセット21に収納された状態で搭載され、エッチング液3中に浸漬されている。エッチング槽10内には温度センサ7が取り付けられている。また、エッチング槽10の開口は、蓋1により封止されている。この蓋1を介して水の供給パイプ6の先端部分がエッチング槽10内に挿入されている。さらに、エッチング槽10の周辺にはヒータ4が配置されてエッチング槽10内のエッチング液3を加熱するように構成されている。半導体装置製造工程中において、例えば、シリコンウエハに形成されたシリコン窒化膜SiNをパターニングなどにより除去する工程をこのエッチング槽10で行う。この場合、エッチング液3として用いる85wtリン酸水の沸点約160°Cの沸騰力を利用して、160°C前後でエッチングが進むように処理を行う。即ち、エッチング槽10の底面及び側面に配置されたヒータ4によりエッチング液3を高温にし、さらに、処理中に蒸発した水分を補い、濃度を一定に保つように水供給パイプ6から水を足しながら160°C前後で処理をする。エッチング液3を処理中に沸騰状態にさせることで、エッチング液全体が揺れる、即ち、エッチング槽10を振動させる。この半導体装置の製造工程では、沸点の温度を変化させないで、リン酸水の濃度を85wt一定にしながら複数の製品処理を続けることが望ましい。その際、断続的な水の供給を考えるばかりでなく、液面から立ち昇る蒸気を蓋1が一旦受け止めてエッチング槽10に水分を戻すことが重要である。供給パイプ6からのエッチング槽10への水の供給は、例えば、温度センサ7が159°Cを検知すると停止し、159.5°C以上で再開することを繰り返す。温度コントロールを優先するために、水分濃度数の損失がある。蒸発した水分を効率良く戻せば、リン酸水濃度85wt一定により近付けることができる。また、エッチング処理に際して、エッチング液3を沸騰状態にさせて、エッチング液3全体を揺する。この状態で水とリン酸は、均一に混ざる。この沸騰状態を維持させるためには、蒸発した水をエッチング槽10に戻すことが要求される。この実施例は、蒸発した水分を効率良く戻すと共にエッチング槽内の圧力を緩和させることを目的とし、そのために、槽内のエッチング液と対向する蓋内側の周縁部にトラップ構造を設けることに特徴がある。トラップ実施例では突起構造物を用いているは、最低限周縁に2列配列されている。複数の配列は、千鳥状にレイアウトされていれば、何列でも可能である。トラップをこのようにレイアウトすることにより、蓋端に横流れした水が槽外へ漏れ出るのを防止すると共に槽内の圧力を緩和する効果を両立させている。図1は、図2及び図3に記載されたエッチング槽10の蓋1であり、その内側を表示している。図1に示すように、蓋1のエッチング液3と対向する内側には、その周縁部に少なくとも2列の突起構造物8、9が複数配列されているこの実施例では、2列になっている。そして、この複数配列構造は全体的に見ると千鳥状になっている。この複数配列構造において、蓋1の外側の配列を第1の配列とし、内側の配列を第2の配列とする。第1の配列の互いに隣接する突起構造物8間の間隔Aは、この間隔Aに対向する第2の配列の突起構造物9の長さBと等しいかそれより短くなっているA≦B。A、Bの関係をこの様に限定する事により、蓋面の端に水分が流れても、内側の配列の突起構造物で水を塞ぎ止め、それでも捕捉しきれない水は、外側の配列の突起構造物で塞ぎ止める作用をより強くする事ができる。前述のように、ウエハ上のシリコン窒化膜をエッチング処理する場合、沸点の温度を変化させないでリン酸水の濃度を一定にしながら処理を続け、その際断続的な水の供給を考慮するばかりでなく液面から立ち昇る蒸気を蓋が一旦受け止めてエッチング槽内に水分を戻す。即ち、処理中の水蒸気は、蓋まで立ち昇り、そこで水分5に戻ってエッチング液に還元される図2、図3参照。ところが、図5に示すように、従来のエッチング槽においては、蒸気が上昇して蓋にあたり、水分となってエッチング液に戻るが、蓋の中央部分ではこの部分で生成された水分がエッチング液に落下するものの、一部は蓋の周縁部分に流れ、蓋とエッチング槽との境界から槽外へ流れ出てしまう。また、蓋の周縁部分で生成された水分も多くは蓋とエッチング槽との境界から槽外へ流れ出る。このような状態ではエッチング液であるリン酸水の濃度を一定に保つことは難しい処理であった。この実施例では突起構造物の配列構造が千鳥状であるので、蓋面に変形や歪みがあって水が蓋面の端に流れて横流れしても、内側の配列の突起構造物9で水を塞ぎ止め、それでも捕捉しきれない水は、外側の配列の突起構造物8で塞ぎ止めることができる。また、内側の配列の突起構造物9と外側の配列の突起構造物8との間には隙間が形成されているので密閉状態にはない。料理に使われる圧力鍋は、このエッチング鍋とは異なり、密閉状態で用いられるのでその機能は半導体製造装置のエッチング槽とは異なるものである。エッチング槽10は、このような隙間を作ることによって適度なエア抜きが行われて槽内圧力を緩和すると共に、水分の槽外への流出を防止することを可能にするものである。次に、図4を参照して実施例2を説明する。実施例1ではエッチング槽を封止する蓋の内側周縁部に設けたトラップ構造として千鳥状に配列された突起構造物を用いている。この実施例では突起構造物の形状に特徴がある。実施例1では、四角柱体を用いている図4aが、突起構造物は、これのみに限定されるものではない。突起構造物は、このほか多角柱体、円柱体、半円柱体など水分の蓋端への横流れを防ぐと共にエッチング槽内の圧力を緩和することができるならどの様な形状でも良い。この実施例では、蓋内部の周縁部に三角柱体の突起構造物を千鳥状に2列配列している。突起構造物をこのように千鳥状にレイアウトされていることにより、蓋端に横流れした水が槽外へ漏れ出るのを防止すると共に槽内の圧力を緩和することができる。