大気中に暴露された第1のIII-V族化合物半導体結晶上にp型III-V族化合物半導体結晶を再成長させたIII-V族化合物半導体結晶であって、前記p型III-V族化合物半導体結晶を、p型不純物及びSbを含む第2のIII-V族化合物半導体結晶と、前記p型不純物を含む第3のIII-V族化合物半導体結晶とを順次積層して構成すると共に、前記第2のIII-V族化合物半導体結晶中における前記p型不純物の濃度を前記第3のIII-V族化合物半導体結晶中における前記p型不純物の濃度より高くしたことを特徴とするIII-V族化合物半導体結晶。請求項1に記載のIII-V族化合物半導体結晶において、前記第2のIII-V族化合物半導体結晶中における前記Sbの濃度を、0より高く0.5以下としたことを特徴とするIII-V族化合物半導体結晶。請求項1又は請求項2に記載のIII-V族化合物半導体結晶において、前記第2のIII-V族化合物半導体結晶の厚さを、1原子層以上0.1μm以下としたことを特徴とするIII-V族化合物半導体結晶。大気中に暴露されると共に表面に回折格子が形成された第1のIII-V族化合物半導体結晶の表面上にp型III-V族化合物半導体結晶を再成長させたIII-V族化合物半導体結晶を有する光半導体素子であって、当該p型III-V族化合物半導体結晶として、請求項1から請求項3のいずれか1つに記載の前記第2のIII-V族化合物半導体結晶及び前記第3のIII-V族化合物半導体結晶を用いたことを特徴とする光半導体素子。大気中に暴露されると共にメサ構造に加工された第1のIII-V族化合物半導体結晶の加工表面上にp型III-V族化合物半導体結晶を再成長させたIII-V族化合物半導体結晶を有する光半導体素子であって、当該p型III-V族化合物半導体結晶として、請求項1から請求項3のいずれか1つに記載の前記第2のIII-V族化合物半導体結晶及び前記第3のIII-V族化合物半導体結晶を用いたことを特徴とする光半導体素子。請求項1から請求項5のいずれか1つに記載のIII-V族化合物半導体結晶又は光半導体素子において、前記第1のIII-V族化合物半導体結晶がp型不純物を含むことを特徴とするIII-V族化合物半導体結晶又は光半導体素子。大気中に暴露された第1のIII-V族化合物半導体結晶上にp型III-V族化合物半導体結晶を再成長させるIII-V族化合物半導体結晶の製造方法であって、前記第1のIII-V族化合物半導体結晶の表面に、V族原子を含むガスを供給する第1の工程と、前記V族原子を含むガスとp型不純物を含むガスとSbを含むガスとを同時に供給する第2の工程と前記V族原子を含むガスと前記p型不純物を含むガスとIII族原子を含むガスとを同時に供給する第3の工程とを有し、前記第1から第3の工程により、前記p型III-V族化合物半導体結晶として、前記p型不純物及びSbを含む第2のIII-V族化合物半導体結晶と、前記p型不純物を含む第3のIII-V族化合物半導体結晶とを順次積層すると共に、前記第2のIII-V族化合物半導体結晶中における前記p型不純物の濃度を前記第3のIII-V族化合物半導体結晶中における前記p型不純物の濃度より高くすることを特徴とするIII-V族化合物半導体結晶の製造方法。請求項7に記載のIII-V族化合物半導体結晶の製造方法において、前記第2の工程における前記Sbを含むガスの供給量を、前記第2のIII-V族化合物半導体結晶中における前記Sbの濃度が0より高く0.5以下となる供給量とすることを特徴とするIII-V族化合物半導体結晶の製造方法。請求項7又は請求項8に記載のIII-V族化合物半導体結晶の製造方法において、前記第2のIII-V族化合物半導体結晶の厚さを、1原子層以上0.1μm以下とすることを特徴とするIII-V族化合物半導体結晶の製造方法。大気中に暴露されると共に表面に回折格子が形成された第1のIII-V族化合物半導体結晶の表面上にp型III-V族化合物半導体結晶を再成長させたIII-V族化合物半導体結晶を有する光半導体素子の製造方法であって、当該p型III-V族化合物半導体結晶として、請求項7から請求項9のいずれか1つに記載の前記第1から第3の工程を用いて、前記第2のIII-V族化合物半導体結晶と前記第3のIII-V族化合物半導体結晶とを順次積層することを特徴とする光半導体素子の製造方法。大気中に暴露されると共にメサ構造に加工された第1のIII-V族化合物半導体結晶の加工表面上にp型III-V族化合物半導体結晶を再成長させたIII-V族化合物半導体結晶を有する光半導体素子の製造方法であって、当該p型III-V族化合物半導体結晶として、請求項7から請求項9のいずれか1つに記載の前記第1から第3の工程を用いて、前記第2のIII-V族化合物半導体結晶と前記第3のIII-V族化合物半導体結晶とを順次積層することを特徴とする光半導体素子の製造方法。請求項7から請求項11のいずれか1つに記載のIII-V族化合物半導体結晶の製造方法又は光半導体素子の製造方法において、前記第1から第3の工程の前に、前記第1のIII-V族化合物半導体結晶にp型不純物を導入する工程を有することを特徴とするIII-V族化合物半導体結晶の製造方法又は光半導体素子の製造方法。本発明は上記課題に鑑みなされたもので、n型不純物のパイルアップによるp型キャリア濃度の低減を抑制したIII-V族化合物半導体結晶、光半導体素子及びそれらの製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決する第1の発明に係るIII-V族化合物半導体結晶は、大気中に暴露された第1のIII-V族化合物半導体結晶上にp型III-V族化合物半導体結晶を再成長させたIII-V族化合物半導体結晶であって、前記p型III-V族化合物半導体結晶を、p型不純物及びSbを含む第2のIII-V族化合物半導体結晶と、前記p型不純物を含む第3のIII-V族化合物半導体結晶とを順次積層して構成すると共に、前記第2のIII-V族化合物半導体結晶中における前記p型不純物の濃度を前記第3のIII-V族化合物半導体結晶中における前記p型不純物の濃度より高くしたことを特徴とする。上記課題を解決する第2の発明に係るIII-V族化合物半導体結晶は、上記第1の発明に記載のIII-V族化合物半導体結晶において、前記第2のIII-V族化合物半導体結晶中における前記Sbの濃度を、0より高く0.5以下としたことを特徴とする。上記課題を解決する第3の発明に係るIII-V族化合物半導体結晶は、上記第1又は第2の発明に記載のIII-V族化合物半導体結晶において、前記第2のIII-V族化合物半導体結晶の厚さを、1原子層以上0.1μm以下としたことを特徴とする。上記課題を解決する第4の発明に係る光半導体素子は、大気中に暴露されると共に表面に回折格子が形成された第1のIII-V族化合物半導体結晶の表面上にp型III-V族化合物半導体結晶を再成長させたIII-V族化合物半導体結晶を有する光半導体素子であって、当該p型III-V族化合物半導体結晶として、上記第1~第3のいずれか1つの発明に記載の前記第2のIII-V族化合物半導体結晶及び前記第3のIII-V族化合物半導体結晶を用いたことを特徴とする。上記課題を解決する第5の発明に係る光半導体素子は、大気中に暴露されると共にメサ構造に加工された第1のIII-V族化合物半導体結晶の加工表面上にp型III-V族化合物半導体結晶を再成長させたIII-V族化合物半導体結晶を有する光半導体素子であって、当該p型III-V族化合物半導体結晶として、上記第1~第3のいずれか1つの発明に記載の前記第2のIII-V族化合物半導体結晶及び前記第3のIII-V族化合物半導体結晶を用いたことを特徴とする。上記課題を解決する第6の発明に係るIII-V族化合物半導体結晶又は光半導体素子は、上記第1~第5のいずれか1つの発明に記載のIII-V族化合物半導体結晶又は光半導体素子において、前記第1のIII-V族化合物半導体結晶がp型不純物を含むことを特徴とする。上記課題を解決する第7の発明に係るIII-V族化合物半導体結晶の製造方法は、大気中に暴露された第1のIII-V族化合物半導体結晶上にp型III-V族化合物半導体結晶を再成長させるIII-V族化合物半導体結晶の製造方法であって、前記第1のIII-V族化合物半導体結晶の表面に、V族原子を含むガスを供給する第1の工程と、前記V族原子を含むガスとp型不純物を含むガスとSbを含むガスとを同時に供給する第2の工程と前記V族原子を含むガスと前記p型不純物を含むガスとIII族原子を含むガスとを同時に供給する第3の工程とを有し、前記第1から第3の工程により、前記p型III-V族化合物半導体結晶として、前記p型不純物及びSbを含む第2のIII-V族化合物半導体結晶と、前記p型不純物を含む第3のIII-V族化合物半導体結晶とを順次積層すると共に、前記第2のIII-V族化合物半導体結晶中における前記p型不純物の濃度を前記第3のIII-V族化合物半導体結晶中における前記p型不純物の濃度より高くすることを特徴とする。上記課題を解決する第8の発明に係るIII-V族化合物半導体結晶の製造方法は、上記第7の発明に記載のIII-V族化合物半導体結晶の製造方法において、前記第2の工程における前記Sbを含むガスの供給量を、前記第2のIII-V族化合物半導体結晶中における前記Sbの濃度が0より高く0.5以下となる供給量とすることを特徴とする。上記課題を解決する第9の発明に係るIII-V族化合物半導体結晶の製造方法は、上記第7又は第8の発明に記載のIII-V族化合物半導体結晶の製造方法において、前記第2のIII-V族化合物半導体結晶の厚さを、1原子層以上0.1μm以下とすることを特徴とする。上記課題を解決する第10の発明に係る光半導体素子の製造方法は、大気中に暴露されると共に表面に回折格子が形成された第1のIII-V族化合物半導体結晶の表面上にp型III-V族化合物半導体結晶を再成長させたIII-V族化合物半導体結晶を有する光半導体素子の製造方法であって、当該p型III-V族化合物半導体結晶として、上記第7~第9のいずれか1つの発明に記載の前記第1から第3の工程を用いて、前記第2のIII-V族化合物半導体結晶と前記第3のIII-V族化合物半導体結晶とを順次積層することを特徴とする。上記課題を解決する第11の発明に係る光半導体素子の製造方法は、大気中に暴露されると共にメサ構造に加工された第1のIII-V族化合物半導体結晶の加工表面上にp型III-V族化合物半導体結晶を再成長させたIII-V族化合物半導体結晶を有する光半導体素子の製造方法であって、当該p型III-V族化合物半導体結晶として、上記第7~第9のいずれか1つの発明に記載の前記第1から第3の工程を用いて、前記第2のIII-V族化合物半導体結晶と前記第3のIII-V族化合物半導体結晶とを順次積層することを特徴とする。上記課題を解決する第12の発明に係るIII-V族化合物半導体結晶の製造方法又は光半導体素子の製造方法は、上記第7~第11のいずれか1つの発明に記載のIII-V族化合物半導体結晶の製造方法又は光半導体素子の製造方法において、前記第1から第3の工程の前に、前記第1のIII-V族化合物半導体結晶にp型不純物を導入する工程を有することを特徴とする。従来、大気中に暴露された平坦若しくは加工されたIII-V族化合物半導体結晶上にp型III-V族化合物半導体結晶を再成長する際、Si、Se、S等のn型不純物のパイルアップによるp型キャリア濃度の低減を抑制することは困難であったが、本発明によれば、再成長界面におけるn型不純物のパイルアップによるn転層を容易にp転化することができ、キャリア濃度の減少の無いIII-V族化合物半導体結晶を容易に作製することができる。その結果、III-V族化合物半導体結晶を含む半導体デバイスの高性能化に極めて有用となる。本発明に係るIII-V族化合物半導体結晶、当該III-V族化合物半導体結晶を用いた光半導体素子及びそれらの製造方法の好適な実施例を以下に説明する。実施例1本発明の第1の実施例となるIII-V族化合物半導体結晶及びその製造方法について、具体的には、p型InP層上へのZnをドーパントとしたp型InP層の再成長について、図1を用いて説明する。本実施例では、結晶成長に、反応炉を50Torrに減圧したMOVPE法を用いた。成長温度は620°Cとした。この成長温度は、MOVPE成長炉のサセプタに、熱電対を埋め込んだSiウエハを置いて測定した値である。又、III族原料としてはトリメチルインジウムTMInを用い、V族原料としてはホスフィンPH3を使用した。p型不純物となるZnの原料には、ジエチル亜鉛DEZnを用いた。Sb原料には、トリスジメチルアミノアンチモンTDMASbを用いた。InP層及び再成長界面のキャリア濃度の測定には、Biorad社製のCVプロファイラPN-4200を用い、不純物濃度の測定にはCAMECA製のSIMSSecondaryIonMassSpectrometer;二次イオン質量分析計を用いた。まず、n型InP基板11上にInPバッファ層12を成長し、続いて、Znをp=5×1017cm3ドープしたp型InP層13a第1のIII-V族化合物半導体結晶を成長した。このときのDEZnの供給量は2μmol/minとした。この試料を大気中に取り出し、その後、再成長前の表面処理として、試料を25°Cに保たれた硫酸に1分間浸して表面を洗浄してから結晶成長装置内に入れた。この硫酸よる表面処理は、必ずしも必要ではない。再成長方法として2通り検討した。1つは、従来の方法であり、装置内導入後、ホスフィン雰囲気で成長温度まで昇温した後、DEZnを2μmol/minの供給量で10秒間先行投入し、その後、TMInを投入することで、Znをp=5×1017cm3ドープしたp型InP層を再成長する方法である。もう1つは、図2aに示すガスシーケンスであり、装置内導入後、ホスフィンを供給し第1の工程、ホスフィン雰囲気で成長温度まで昇温した後、DEZn供給量:2μmol/minと同時にTDMASbを25μmol/minの供給量で10秒間先行投入し第2の工程、TDMASbのみ供給を停止した後に、TMInを投入することで第3の工程、p型InP層14a、14bを再成長する方法である。p型InP層14bには、Znがp=5×1017cm3ドープされる。TDMASbはInP層成長前に先行して投入しており、InP層成長中には供給していない。その結果、p型InP層14a第2のIII-V族化合物半導体結晶及びp型InP層14b第3のIII-V族化合物半導体結晶を再成長している。図3に、CVプロファイラで測定した、作製した試料のキャリア濃度分布を示す。図3aはDEZnのみ先行投入した従来技術による試料であり、図3bはDEZnと同時にTDMASbを先行投入した本実施例による試料の結果である。DEZnのみを先行投入した試料では、再成長界面でp型キャリア濃度が減少していることがわかる。一方、DEZnとTDMASbを同時に投入した試料では、再成長界面でキャリア濃度が減少することなく、ほぼ一定となっている。図4には、これらの試料のZn及びn型不純物として最も混入しやすいSiのSIMSプロファイルを示す。図4aに示す、DEZnのみ先行投入した従来技術による試料では、Zn濃度は成長界面を含め、再成長前のInPと再成長したInP中で一定であり、Si濃度は再成長界面近傍のみ増加しており、パイルアップしていることがわかる。つまり、図3aに示したp型キャリア濃度の減少は、このn型不純物となるSiによってp型となるキャリアがトラップされてしまうことにより引き起こされていることを示している。一方、図4bに示す、DEZnとTDMASbを同時に先行投入した本実施例による試料では、再成長界面のみのZn濃度が大きくなっており、Siのパイルアップ量は変わらない。つまり、TDMASbを同時に供給することで、界面近傍の再成長したp型InP層14a第2のIII-V族化合物半導体結晶に取り込まれるZn濃度が増加し、これにより、トラップされるキャリアを補償することで、再成長界面でのSiパイルアップの影響を無くし、キャリア濃度の減少を抑制することができる。このときの再成長界面付近におけるSbのSIMSプロファイルを図5に示す。成長界面にSbが取り込まれていることがわかる。又、InP中のSbは偏析効果により、組成のピークを2つ持つことが知られており非特許文献1、本実施例でも2つのピークが観測された。しかしながら、界面ではない2つ目のピーク値は、界面のピーク値に比べて、1桁以上小さいため、無視しても差し支えない。TDMASbの供給は、InPを成長する前であり、InP成長中は供給していないが、Sbは成長表面に滞在しやすい元素であるため、残留したSbが結晶中に取り込まれる。この残留しているSbがInPへのZnの取り込み効率を増加させるために、界面近傍のみのZn濃度を増加させることが可能となるのである。SbはV族元素であるためInP中ではドーパントとして働かず、InSbとして結晶中に取り込まれ得るが、Sbが結晶に取り込まれる効率はPに比べて非常に小さく、図5に示したInPのV族元素中のSb量は多くとも0.5以下である。但し、InSbは格子定数がInPに比較して非常に大きいため、InP中に多量に取り込まれると、つまり、InPSbのSb組成が大きくなると、格子歪が大きくなり結晶性の劣化の要因となる。図6にInPSbのSb組成とInPに対する格子歪の関係を示す。本実施例におけるSb組成は多くとも0.5であり、図6の線形近似式からもわかるように、格子歪量に換算すると、0.05である。格子歪と結晶劣化の無い膜厚の関係は、臨界膜厚として知られている。ある格子歪を含有する結晶膜において、結晶劣化結晶欠陥の発生無く結晶成長可能な膜厚を臨界膜厚と呼び、理論的に求めることができる。図7に、PeopleとBeanにより報告されている理論非特許文献2から求めた格子歪量と臨界膜厚の関係を示す。この関係より、Sb組成0.5のInPSb格子歪量0.05の臨界膜厚は70μmであり、10μmを超えている。そして、図5の界面近傍のピークからわかるように、界面近傍のSb組成が大きい領域図5では2次イオン強度が104以上は、1原子層以上100nm0.1μm以内であり、Sbを含むInPSbの領域の膜厚、つまり、p型InP層14a第2のIII-V族化合物半導体結晶に該当する領域の膜厚が100nm以内となる。この領域の膜厚は、上述した臨界膜厚よりも十分小さく、この程度の膜厚では結晶劣化は問題とならないことがわかる。又、供給するTDMASbの供給量や、供給時間を変化させても、100nm以上となることは無い。このことから、本実施例のように成長前にSbを供給しただけでは臨界膜厚を超えることはなく、歪による結晶性の劣化はほとんど無視できる。そのため、本発明の適用上限となるSb量は、Sbの混入に伴う格子歪による結晶劣化が生じないSb量とすることができる。図7に示すように、少なくとも、格子歪が1.0以下であれば、臨界膜厚は100nm以上であるため、結晶劣化無く、本発明の効果を得ることができることは明らかである。このような界面近傍のみのZn濃度を増加させる方法としては、DEZn供給量を増加することが考えられるが、Zn濃度を高くしなればならないInP膜厚は非常に薄いものであるため、短時間でDEZn供給量を変化させる必要がある。DEZn等の有機金属材料は、原料中に水素等のキャリアガスを通過させることで、飽和蒸気圧分の原料が供給される方式がとられるため、このような短時間での供給量変化は、飽和蒸気圧の不安定を引き起こし、正確に原料供給量を制御することが困難となってしまう。一方、本発明では、DEZn供給量は常に一定を保ち、TDMASbを供給することのみで界面近傍のZn濃度を制御することが可能であるという利点もある。なお、本実施例では、再成長される側のInP層にZnをドーピングしたp型InP層を用いたが、再成長される側のp型InP層のドーパントはZnに限定されるものではないことは明らかである。例えば、BeやMg等でも問題はない。又、本実施例では、DEZnの供給量やTDMASbの供給量、供給時間を変えていないが、本発明はZnを含む原料とSbを含む原料が再成長前に同時に供給される工程を含めば良いため、原料の供給量や供給時間に制限されるものでない。具体的には、図2b中のP1~P11に示すような如何なるSb原料の供給ガスシーケンスでも本発明の効果を得ることができる。ここで、P1~P11に示す供給ガスシーケンスについて説明する。ちなみに、代表的な例となる図2aの供給ガスシーケンスは、ホスフィンを供給し、その後、DEZnと同時にTDMASbを供給し、その後、TMInの供給開始と同時にTDMASbの供給を停止するガスシーケンスである。P1は、ホスフィンを供給し、その後、DEZnと同時にTDMASbを供給し、その後、TMInの供給開始前にTDMASbの供給を停止し、その後、TMInを供給するガスシーケンスである。P2は、ホスフィンを供給し、その後、DEZnと同時にTDMASbを供給し、その後、TMInを供給し、その後、TDMASbの供給を停止するガスシーケンスである。つまり、InP成長の初期段階までTDMASbを供給している。P3は、ホスフィンを供給し、その後、DEZnを供給し、その後、TDMASbを供給し、その後、TMInの供給開始前にTDMASbの供給を停止し、その後、TMInを供給するガスシーケンスである。P4は、ホスフィンを供給し、その後、DEZnを供給し、その後、TDMASbを供給し、その後、TMInの供給開始と同時にTDMASbの供給を停止するガスシーケンスである。P5は、ホスフィンを供給し、その後、DEZnを供給し、その後、TDMASbを供給し、その後、TMInを供給し、その後、TDMASbの供給を停止するガスシーケンスである。P6は、ホスフィンを供給し、その後、TDMASbを供給し、その後、DEZnを供給し、その後、TMInの供給開始前にTDMASbの供給を停止し、その後、TMInを供給するガスシーケンスである。P7は、ホスフィンを供給し、その後、TDMASbを供給し、その後、DEZnを供給し、その後、TMInの供給開始と同時にTDMASbの供給を停止するガスシーケンスである。P8は、ホスフィンを供給し、その後、TDMASbを供給し、その後、DEZnを供給し、その後、TMInを供給し、その後、TDMASbの供給を停止するガスシーケンスである。P9は、ホスフィンと同時にTDMASbを供給し、その後、DEZnを供給し、その後、TMInの供給開始前にTDMASbの供給を停止し、その後、TMInを供給するガスシーケンスである。P10は、ホスフィンと同時にTDMASbを供給し、その後、DEZnを供給し、その後、TMInの供給開始と同時にTDMASbの供給を停止するガスシーケンスである。P11は、ホスフィンと同時にTDMASbを供給し、その後、DEZnを供給し、その後、TMInを供給し、その後、TDMASbの供給を停止するガスシーケンスである。又、本実施例では、ZnとSbの原料としてDEZnとTDMASbを用いたが、どちらの原料も成長表面では完全に分解してZnとSbになっている。つまり、ZnとSbを成長表面に供給できる原料であればDEZnとTDMASb以外の原料の組み合わせでも良く、例えば、Zn原料であるジメチル亜鉛DMZn、Sb原料であるトリメチルアンチモンTMSbやトリエチルアンチモンTESbのいずれの組み合わせでも同様の効果を得ることができる。又、本実施例では、III-V族化合物半導体膜の結晶成長にMOVPE法を用いたが、ZnとSbを供給できる成長法であればMOVPE法に限られるものではない。例えば、MBE法や化学ビームエピタキシー法を用いても、同様の効果を得ることができる。又、本実施例では、p型InP層上のp型InP層の再成長界面について述べたが、本発明は、SbによるZnの取り込みを増大させる効果を利用しているため、In、Ga、Al、As、P等からなるIII-V族化合物半導体の各種組み合わせに適用できることは言うまでも無い。例えば、p型GaAs層上へのp型GaAs層の再成長や、p型InP層上へのp型InGaAsP層の再成長、p型InGaAsP層上へのp型InP層の再成長界面においても、同様の効果を得ることができる。又、Sb量の上限についても、図7の関係は材料に依らないため、上記の各種材料で適用することができることは明らかである。但し、再成長するIII-V族化合物半導体は、再成長させる膜厚に応じて、再成長されるIII-V族化合物半導体に格子定数を合わせる必要があることは明らかである。例えば、膜厚1000nmのIII-V族化合物半導体を再成長する場合、図7より、格子歪量を約0.3以内とする必要がある。実施例2本発明の第2の実施例となるIII-V族化合物半導体結晶及びその製造方法について、具体的には、ノンドープInP層上へのZnをドーパントとしたp型InP層の再成長について、図8を用いて説明する。本実施例でも、結晶成長に、反応炉を50Torrに減圧したMOVPE法を用いた。成長温度は620°Cとした。この成長温度は、MOVPE成長炉のサセプタに、熱電対を埋め込んだSiウエハを置いて測定した値である。又、III族原料としてはトリメチルインジウムTMInを用い、V族原料としてはホスフィンPH3を使用した。p型不純物となるZnの原料には、ジエチル亜鉛DEZnを用いた。Sb原料には、トリスジメチルアミノアンチモンTDMASbを用いた。InP層及び再成長界面の不純物濃度の測定にはCAMECA製のSIMSを用いた。まず、n型InP基板11上にInPバッファ層12を成長し、続いて、ノンドープのInP層13b第1のIII-V族化合物半導体結晶を成長した。この試料を大気中に取り出し、その後、再成長前の表面処理として、試料を25°Cに保たれた硫酸に1分間浸して表面を洗浄してから結晶成長装置内に入れた。この硫酸よる表面処理は、必ずしも必要ではない。再成長方法として2通り検討した。1つは、従来の方法であり、装置内導入後、ホスフィン雰囲気で成長温度まで昇温した後、DEZnを2μmol/minの供給量で10秒間先行投入し、その後、TMInを投入することで、Znをp=5×1017cm3ドープしたp型InP層を再成長する方法である。もう1つは、図2aで示したガスシーケンスであり、装置内導入後、ホスフィンを供給し第1の工程、ホスフィン雰囲気で成長温度まで昇温した後、DEZn供給量:2μmol/minと同時にTDMASbを25μmol/minの供給量で10秒間先行投入し第2の工程、TDMASbのみ供給を停止した後に、TMInを投入することで第3の工程、p型InP層14a、14b第2及び第3のIII-V族化合物半導体結晶を再成長する方法である。p型InP層14bには、Znがp=5×1017cm3ドープされる。図9に、これらの試料のZnのSIMSプロファイルを示す。図9aに示す、DEZnのみ先行投入した従来技術による試料では、Zn濃度は再成長したInP中で一定である。一方、図9bに示す、DEZnとTDMASbを同時に先行投入した本実施例による試料では、再成長界面のみのZn濃度が大きくなっている。つまり、TDMASbを同時に供給することで、界面近傍の再成長したInP層に取り込まれるZn濃度が増加し、これにより、トラップされるキャリアを補償することで、再成長界面でのn型不純物のパイルアップの影響を無くし、キャリア濃度の減少を抑制することができる。なお、本実施例では、DEZnの供給量やTDMASbの供給量、供給時間を変えていないが、本発明はZnを含む原料とSbを含む原料が再成長前に同時に供給される工程を含めば良いため、原料の供給量や供給時間に制限されるものでない。具体的には、図2b中のP1~P11に示すような如何なるSb原料の供給ガスシーケンスでも本発明の効果を得ることができる。又、本実施例では、ZnとSbの原料としてDEZnとTDMASbを用いたが、どちらの原料も成長表面では完全に分解してZnとSbになっている。つまり、ZnとSbを成長表面に供給できる原料であればDEZnとTDMASb以外の原料の組み合わせでも良く、例えば、Zn原料であるジメチル亜鉛DMZn、Sb原料であるトリメチルアンチモンTMSbやトリエチルアンチモンTESbのいずれの組み合わせでも同様の効果を得ることができる。又、本実施例では、III-V族化合物半導体膜の結晶成長にMOVPE法を用いたが、ZnとSbを供給できる成長法であればMOVPE法に限られるものではない。例えば、MBE法や化学ビームエピタキシー法を用いても、同様の効果を得ることができる。又、本実施例では、ノンドープInP層上のp型InP層の再成長界面について述べたが、本発明は、SbによるZnの取り込みを増大させる効果を利用しているため、In、Ga、Al、As、P等からなるIII-V族化合物半導体の各種組み合わせに適用できることは言うまでも無い。例えば、ノンドープGaAs層上へのp型GaAs層の再成長や、ノンドープInP層上へのp型InGaAsP層の再成長、ノンドープInGaAsP層上へのp型InP層の再成長界面においても、同様の効果を得ることができる。又、Sb量の上限についても、図7の関係は材料に依らないため、上記の各種材料で適用することができることは明らかである。但し、再成長するIII-V族化合物半導体は、再成長に必要な膜厚に応じて、再成長されるIII-V族化合物半導体に格子定数を合わせる必要があることは明らかである。例えば、膜厚1000nmのIII-V族化合物半導体を再成長する場合、図7より、格子歪量を約0.3以内とする必要がある。実施例3本発明の第3の実施例となる光半導体素子及びその製造方法について、具体的には、埋め込み構造ファブリペローレーザ素子を作製する場合について、図10を用いて説明する。まず、n型InP基板21上にn型InPクラッド層22、n型InGaAsP光閉じ込め層23a波長1.20μm、アンドープInGaAsP波長1.57μm/InGaAsP波長1.25μm8周期多重量子井戸構造からなるMQW層24、p型InGaAsP光閉じ込め層23b波長1.20μm、p=1×1017cm3、p型InPクラッド層25p=5×1017cm3を順次MOVPE法にて作製する。これを結晶装置より取り出し、絶縁膜の形成、フォトリソグラフィを用いたパターニング、ドライエッチングによる半導体加工の工程により、1.5μm幅のメサ構造を作製する。これを再び結晶装置内に導入し、例えば、実施例1の図2aに示したガスシーケンスを用いて、ホスフィン雰囲気で620°Cまで昇温し、DEZnとTDMASbを10秒間先行投入し、p型InP層26a、p型InP電流ブロック層26bを再成長し、その後、n型InP電流ブロック層27を再成長することで、メサ構造の埋め込み成長を行う。この再成長工程では、広義には、III-V族化合物半導体結晶である、n型InP基板21及びメサ構造の部分n型InPクラッド層22~p型InPクラッド層25が第1のIII-V族化合物半導体結晶に該当し、狭義には、p型又はノンドープのIII-V族化合物半導体結晶である、MQW層24、p型InGaAsP光閉じ込め層23b、p型InPクラッド層25が第1のIII-V族化合物半導体結晶に該当する。又、p型InP層26aが第2のIII-V族化合物半導体結晶に該当し、p型InP電流ブロック層26bが第3のIII-V族化合物半導体結晶に該当する。なお、図10中に、第2の再成長界面B2を太い点線で示している。これを大気中に取り出し、メサ頂上の絶縁膜を除去する。これを三たび結晶装置内に導入し、例えば、実施例1の図2aに示したガスシーケンスを用いて、ホスフィン雰囲気で620°Cまで昇温し、DEZnとTDMASbを10秒間先行投入し、p型InP層28a、p型InPクラッド層28bを再成長し、その後、p型InGaAsPコンタクト層29の再成長を行う。この再成長工程では、広義には、III-V族化合物半導体結晶である、p型InPクラッド層25、n型InP電流ブロック層27が第1のIII-V族化合物半導体結晶に該当し、狭義には、p型のIII-V族化合物半導体結晶である、p型InPクラッド層25が第1のIII-V族化合物半導体結晶に該当する。又、p型InP層28aが第2のIII-V族化合物半導体結晶に該当し、p型InPクラッド層28bが第3のIII-V族化合物半導体結晶に該当する。なお、図10中に、第1の再成長界面B1を太い一点鎖線で示している。本発明の効果を明らかにするために、従来技術である再成長界面にSbを有さない構造のレーザを作製し、レーザ特性の比較を行う。p電極及びn電極を共に形成後、共振器長400μmに劈開し、劈開面を反射ミラーとすることで、埋め込み型ファブリペローレーザを作製した。比較の結果、本発明により、リーク電流を抑制することが可能となり、スロープ効率と光出力を大きくすることができ、更に、しきい値電流を低減することが可能であることがわかった。なお、本実施例では、InP基板を用いたレーザについて説明したが、本発明は再成長界面構造によるものであり、InP系の材料に限定されるものではないことは明らかである。例えば、GaAs基板を用いたレーザでも可能である。実施例4本発明の第4の実施例となる光半導体素子及びその製造方法について、具体的には、埋め込み型DFBレーザ素子を作製する場合について、図11を用いて説明する。まず、n型InP基板31上にn型InPクラッド層32、n型InGaAsP光閉じ込め層33a波長1.20μm、アンドープInGaAsP波長1.57μm/InGaAsP波長1.25μm8周期多重量子井戸構造からなるMQW層34、p型InGaAsP光閉じ込め層33b波長1.20μm、p=1×1017cm3、p型InPキャップ層p=5×1017cm3を順次MOVPE法にて作製する。これを結晶装置より取り出し、p型InPキャップ層を選択ウェットエッチングにより除去し、p型InGaAsP光閉じ込め層33bに、電子ビーム露光によるパターニングにより回折格子を加工する。その後、これを結晶成長装置内に導入し、例えば、実施例1の図2aに示したガスシーケンスを用いて、ホスフィン雰囲気で620°Cまで昇温し、DEZnとTDMASbを10秒間先行投入し、p型InP層35a、p型InPクラッド層35bp=5×1017cm3を300nm成長する。この再成長工程では、p型のIII-V族化合物半導体結晶である、p型InGaAsP光閉じ込め層33bが第1のIII-V族化合物半導体結晶に該当する。又、p型InP層35aが第2のIII-V族化合物半導体結晶に該当し、p型InPクラッド層35bが第3のIII-V族化合物半導体結晶に該当する。なお、図11中に、第3の再成長界面B3を太い二点鎖線で示している。これを再度取り出し、絶縁膜の形成、フォトリソグラフィを用いたパターニング、ドライエッチングによる半導体加工の工程により、1.5μm幅のメサ構造を作製する。これを三たび結晶装置内に導入し、例えば、実施例1の図2aに示したガスシーケンスを用いて、ホスフィン雰囲気で昇温し、DEZnとTDMASbを10秒間先行投入し、p型InP層36a、p型InP電流ブロック層36bを再成長し、その後、n型InP電流ブロック層37を再成長することで、メサ構造の埋め込み成長を行う。この再成長工程では、広義には、III-V族化合物半導体結晶である、n型InP基板31及びメサ構造の部分n型InPクラッド層32~p型InPクラッド層35bが第1のIII-V族化合物半導体結晶に該当し、狭義には、p型又はノンドープのIII-V族化合物半導体結晶である、MQW層34、p型InGaAsP光閉じ込め層33b、p型InP層35a、p型InPクラッド層35bが第1のIII-V族化合物半導体結晶に該当する。又、p型InP層36aが第2のIII-V族化合物半導体結晶に該当し、p型InP電流ブロック層36bが第3のIII-V族化合物半導体結晶に該当する。p型InPクラッド層35bは、上述した再成長工程では第3のIII-V族化合物半導体結晶に該当するが、この再成長工程、そして、次の再成長工程では、第1のIII-V族化合物半導体結晶に該当することになる。なお、図11中に、第2の再成長界面B2を太い点線で示している。これを大気中に取り出し、メサ頂上の絶縁膜を除去する。これを四たび結晶装置内に導入し、例えば、実施例1の図2aに示したガスシーケンスを用いて、ホスフィン雰囲気で昇温し、DEZnとTDMASbを10秒間先行投入し、p型InP層38a、p型InPクラッド層38bを再成長し、その後、p型InGaAsPコンタクト層39の再成長を行う。この再成長工程では、広義には、III-V族化合物半導体結晶である、p型InPクラッド層35b、n型InP電流ブロック層37が第1のIII-V族化合物半導体結晶に該当し、狭義には、p型のIII-V族化合物半導体結晶である、p型InPクラッド層35bが第1のIII-V族化合物半導体結晶に該当する。又、p型InP層38aが第2のIII-V族化合物半導体結晶に該当し、p型InPクラッド層38bが第3のIII-V族化合物半導体結晶に該当する。なお、図11中に、第1の再成長界面B1を太い一点鎖線で示している。本発明の効果を明らかにするために、従来技術である再成長界面にSbを有さない構造のレーザを作製し、レーザ特性の比較を行う。p電極及びn電極を共に形成後、共振器長250μmに劈開し、埋め込み型DFBレーザ構造を作製した。片方の端面に高反射膜コーティング反射率90以上を施し、もう片方には無反射膜コーティング反射率1以下を施した。本発明のレーザを、再成長界面にSbを有さない従来の再成長方法により作製されたものと比較すると、本発明によるレーザは、リーク電流が抑制されることによりスロープ効率と光出力が大きく、しきい値電流が小さかった。又、活性層直上における図11中の第1再成長界面B1と第3再成長界面B3の2層分の高抵抗化が抑制されるため、シリーズ抵抗を低減することが可能となり、高温でのエージング試験において、従来のレーザでは急速に劣化するのに対し、本発明によるレーザはしきい値電流の増加等の劣化はなかった。なお、本実施例では、InP系レーザについて説明したが、本発明は再成長界面構造によるものであり、InP系の材料に限定されるものではないことは明らかである。又、本実施例では、DFBレーザについて説明したが、本実施例と同様な再成長工程を含む光半導体素子であれば、本発明の効果が得られることは明らかである。具体的には、半導体光アンプ、半導体レーザ部と回折格子が形成されたブラッグ導波路を集積したDBRレーザ、DFBレーザ若しくはDBRレーザと電界吸収型変調器を集積した光半導体素子、DFBレーザ若しくはDBRレーザとマッハツェンダー型光変調器を集積した半導体素子でも良い。