"固体粒子Pと有機分散媒Dとを含む導電性ペーストであって、該導電性ペースト中には固体粒子Pと有機分散媒Dとの割合P/Dが50~85質量/50~15質量質量の合計は100質量となるように配合されており、該固体粒子Pが平均一次粒子径1~150nmの導電性金属微粒子P180~95体積と、平均粒子径0.5~10μmの昇華性又は熱分解性を有し、かつ有機分散媒Dに不溶である有機粒子P220~5体積体積の合計は100体積とからなる、ことを特徴とする導電性ペースト。前記導電性金属微粒子P1の融点バルク状態の融点が1100°C未満であるとき、有機粒子P2の融点又は昇華温度常圧下が150°C以上で、かつ沸点常圧下又は熱分解温度が300°C以下であり、導電性金属微粒子P1の融点バルク状態の融点が1100°C以上であるとき、有機粒子P2の融点又は昇華温度常圧下が200°C以上で、かつ沸点常圧下又は熱分解温度が300°C以下であることを特徴とする、請求項1に記載の導電性ペースト。前記有機粒子P2が、カルボキシル基を1つ以上有する有機カルボン酸化合物であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の導電性ペースト。前記有機カルボン酸化合物が、サリチル酸、フマル酸、コハク酸、フタル酸、及びアコニット酸の中から選択される1種又は2種以上であることを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の導電性ペースト。前記導電性金属微粒子P1が、銅、金、銀、ニッケル、コバルトの中から選択される1種又は2種以上であることを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載の導電性ペースト。前記有機分散媒Dが、有機溶媒S単独、又は有機溶媒S80~100質量と有機バインダーR20~0質量質量の合計は100質量とからなることを特徴とする、請求項1から5のいずれかに記載の導電性ペースト。前記有機分散媒Dが水を含有しており、該水の含有量が有機溶媒Sと水Wとの割合S/Wで75~99.9質量/25~0.1質量質量の合計は100質量である、ことを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の導電性ペースト。前記有機溶媒Sが、i常圧における沸点が100°C以上で、かつ分子中に1もしくは2以上のヒドロキシル基を有するアルコール及び/もしくは多価アルコールからなる有機溶媒S1、又はii少なくとも、常圧における沸点が100°C以上で、かつ分子中に1もしくは2以上のヒドロキシル基を有するアルコール及び/もしくは多価アルコールからなる有機溶媒S15~95体積、及びアミド基を有する有機溶媒SA95~5体積からなる有機溶媒S2、であることを特徴とする請求項6又は7に記載の導電性ペースト。前記有機溶媒S1が、ヒドロキシル基を2つ以上有しており、該ヒドロキシル基が結合している炭素基部分が-CHOH-構造の多価アルコールを1種又は2種以上含有していることを特徴とする、請求項8に記載の導電性ペースト。前記多価アルコールが、エチレングリコール、ジエチレングリコール、1,2-プロパンジオール、1,3-プロパンジオール、1,2-ブタンジオール、1,3-ブタンジオール、1,4-ブタンジオール、2-ブテン-1,4-ジオール、2,3-ブタンジオール、ペンタンジオール、ヘキサンジオール、オクタンジオール、グリセロール、1,1,1-トリスヒドロキシメチルエタン、2-エチル-2-ヒドロキシメチル-1,3-プロパンジオール、1,2,6-ヘキサントリオール、1,2,3-ヘキサントリオール、及び1,2,4-ブタントリオールの中から選択される1種又は2種以上である、ことを特徴とする請求項8又は9に記載の導電性ペースト。前記有機溶媒SAがN-メチルアセトアミド、N-メチルホルムアミド、N-メチルプロパンアミド、ホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、N,N-ジメチルホルムアミド、1-メチル-2-ピロリドン、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、2-ピロリジノン、ε-カプロラクタム、及びアセトアミドの中から選択される1種又は2種以上である、ことを特徴とする、請求項8から10のいずれかに記載の導電性ペースト。前記有機バインダーRが、セルロース樹脂系バインダー、アセテート樹脂系バインダー、アクリル樹脂系バインダー、ウレタン樹脂系バインダー、ポリビニルピロリドン樹脂系バインダー、ポリアミド樹脂系バインダー、ブチラール樹脂系バインダー、及びテルペン系バインダーの中から選択される1種又は2種以上であることを特徴とする、請求項6から11のいずれかに記載の導電性ペースト。前記セルロース樹脂系バインダーがアセチルセルロース、メチルセルロース、エチルセルロース、ブチルセルロース、及びニトロセルロース;アセテート樹脂系バインダーがメチルグリコールアセテート、エチルグリコールアセテート、ブチルグリコールアセテート、エチルジグリコールアセテート、及びブチルジグリコールアセテート;アクリル樹脂系バインダーがメチルメタクリレート、エチルメタクリレート、及びブチルメタクリレート;ウレタン樹脂系バインダーが2,4-トリレンジイソシアネート、及びp-フェニレンジイソシアネート;ポリビニルピロリドン樹脂系バインダーがポリビニルピロリドン、及びN-ビニルピロリドン;ポリアミド樹脂系バインダーがポリアミド6、ポリアミド6.6、及びポリアミド11;ブチラール樹脂系バインダーがポリビニルブチラール;テルペン系バインダーがピネン、シネオール、リモネン、及びテルピネオール、の中から選択される1種又は2種以上であることを特徴とする、請求項12に記載の導電性ペースト。請求項1から13のいずれかに記載の導電性ペーストを製造するに際し、前記導電性金属微粒子P1と有機粒子P2とを混合後、有機分散媒Dを添加して練り込むことを特徴とする、導電性ペーストの製造方法。前記有機粒子P2が遊星ボールミル装置で粉砕して粒子化されたものであることを特徴とする、請求項14に記載の導電性ペーストの製造方法。前記導電性金属微粒子P1が水溶液中で金属イオンからの還元反応により形成された粒子であることを特徴とする、請求項14又は15に記載の導電性ペーストの製造方法。請求項1から13のいずれかに記載の導電性ペーストを電子部品における半導体素子もしくは回路基板の電極端子又は導電性基板の接合面に載せた後、該導電性ペースト上に更に接続する他方の電極端子又は導電性基板の接合面を配置して加熱処理により焼結して形成された金属多孔質体からなる導電接続部材。前記導電接続部材が半導体素子間を接合するための導電性バンプであることを特徴とする請求項17に記載の導電接続部材。前記導電接続部材が半導体素子と導電性基板間を接合するための導電性ダイボンド部であることを特徴とする請求項17に記載の導電接続部材。前記加熱処理の温度が150~400°Cであることを特徴とする請求項17から19のいずれかに記載の導電接続部材。前記導電性ペーストを焼成する際の昇温速度が10°C/分以下であることを特徴とする請求項17から20のいずれかに記載の導電接続部材。前記加熱処理が両電極端子間、又は電極端子と基板間を0.5~15MPaで加圧した状態で行われることを特徴とする請求項17から21のいずれかに記載の導電接続部材。前記金属多孔質体中の体積空隙率が5~35であることを特徴とする、請求項17から22のいずれかに記載の導電接続部材。前記電極端子の接合面の面積が0.25~400cm2であることを特徴とする請求項17から23のいずれかに記載の導電接続部材。上記特許文献1に開示のミクロンサイズ1μm以上1000μm未満のサイズをいう、以下同じ。の金属粒子を焼結して得られる金属多孔質体はナノサイズナノサイズとは1μm未満のサイズをいう、以下同じ。の金属多孔質体と比較して耐熱応力が低いので熱サイクル特性が相対的に十分でないという問題点がある。すなわち、上記特許文献1に具体的に開示されている多孔質体はミクロンサイズの金属粒子の結合体の間にミクロンサイズの空孔が存在する構造である。金属材料中のクラック亀裂の伝播の理論によれば、亀裂を空孔ととらえ、空孔サイズが十分に小さいとき大きい応力が働いても空孔亀裂の拡大が抑制されることが知られている日本材料学会編、疲労設計便覧、1995年1月20日、養賢堂発行、148~195頁参照。この場合、例えばナノサイズの空孔を持つバンプは、ミクロンサイズの空孔を持つバンプよりおよそ100倍程度の耐応力性があると推測される。上記特許文献2に開示の焼結体からなるバンプを適用する場合には、実装の際に横方向の変形のおそれがあり、バンプ間隔ピッチを損ねることがある。上記特許文献3、及び特許文献4に開示のナノサイズからなる金属微粒子を焼結する際には、焼結温度近辺まで固体粉末が残存し分散媒から発生するガスの取り込みによる粗大ボイドの形成、膨れや亀裂を形成し易いという問題点がある。特許文献5に開示の昇華性物質は有機溶媒に溶解するので、導電性ペースト中に有機分散剤が含有されているペースト用組成物には適用できない。優れた熱サイクル特性を有する導電性バンプは、ナノサイズの金属微粒子を含有する導電性ペーストを焼成して、該微粒子の表面が結合すると共にナノサイズの空孔が形成されている多孔質体とすることが好ましいが、導電性ペーストにおいて、導電性ペーストを加熱処理する際に有機分散媒が蒸発又は熱分解して生じた気泡が成長して、多孔質体内部に粗大ボイドやクラックを形成すると、機械的強度や熱サイクル特性が著しく低下する。本発明者らは、上記従来技術に鑑みて、導電性ペーストに、有機分散媒中に平均一次粒子径1~150nmの導電性金属微粒子と、平均粒子径0.5~10μmの昇華性又は熱分解性を有し、かつ有機分散媒の成分である有機溶媒に不溶である有機粒子とをそれぞれ一定割合配合させることにより粗大ボイドやクラックが発生しない金属多孔質体からなる導電性バンプ、導電性ダイボンド部等の導電接続部材が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、本発明は、以下の1~24に記載する発明を要旨とする。1固体粒子Pと有機分散媒Dとを含む導電性ペーストであって、該導電性ペースト中には固体粒子Pと有機分散媒Dとの割合P/Dが50~85質量/50~15質量質量の合計は100質量となるように配合されており、該固体粒子Pが平均一次粒子径1~150nmの導電性金属微粒子P180~95体積と、平均粒子径0.5~10μmの昇華性又は熱分解性を有し、かつ有機分散媒Dに不溶である有機粒子P220~5体積体積の合計は100体積とからなる、ことを特徴とする導電性ペースト以下、第1の態様ということがある。2前記導電性金属微粒子P1の融点バルク状態の融点が1100°C未満であるとき、有機粒子P2の融点又は昇華温度常圧下が150°C以上で、かつ沸点常圧下又は熱分解温度が300°C以下であり、導電性金属微粒子P1の融点バルク状態の融点が1100°C以上であるとき、有機粒子P2の融点又は昇華温度常圧下が200°C以上で、かつ沸点常圧下又は熱分解温度が300°C以下であることを特徴とする、前記1に記載の導電性ペースト。3前記有機粒子P2が、カルボキシル基を1つ以上有する有機カルボン酸化合物であることを特徴とする、前記1又は2に記載の導電性ペースト。4前記有機カルボン酸化合物が、サリチル酸、フマル酸、コハク酸、フタル酸オルソフタル酸、C6H4COOH2、及びアコニット酸の中から選択される1種又は2種以上であることを特徴とする、前記1から3のいずれかに記載の導電性ペースト。5前記導電性金属微粒子P1が、銅、金、銀、ニッケル、コバルトの中から選択される1種又は2種以上であることを特徴とする、前記1から4のいずれかに記載の導電性ペースト。6前記有機分散媒Dが、有機溶媒S単独、又は有機溶媒S80~100質量と有機バインダーR20~0質量質量の合計は100質量とからなることを特徴とする、前記1から5のいずれかに記載の導電性ペースト。7前記有機分散媒Dが水を含有しており、該水の含有量が有機溶媒Sと水Wとの割合S/Wで75~99.9質量/25~0.1質量質量の合計は100質量である、ことを特徴とする前記1から6のいずれかに記載の導電性ペースト。8前記有機溶媒Sが、i常圧における沸点が100°C以上で、かつ分子中に1もしくは2以上のヒドロキシル基を有するアルコール及び/もしくは多価アルコールからなる有機溶媒S1、又はii少なくとも、常圧における沸点が100°C以上で、かつ分子中に1もしくは2以上のヒドロキシル基を有するアルコール及び/もしくは多価アルコールからなる有機溶媒S15~95体積、及びアミド基を有する有機溶媒SA95~5体積からなる有機溶媒S2、であることを特徴とする前記6又は7に記載の導電性ペースト。9前記有機溶媒S1が、ヒドロキシル基を2つ以上有しており、該ヒドロキシル基が結合している炭素基部分が-CHOH-構造の多価アルコールを1種又は2種以上含有していることを特徴とする、前記8に記載の導電性ペースト。10前記多価アルコールが、エチレングリコール、ジエチレングリコール、1,2-プロパンジオール、1,3-プロパンジオール、1,2-ブタンジオール、1,3-ブタンジオール、1,4-ブタンジオール、2-ブテン-1,4-ジオール、2,3-ブタンジオール、ペンタンジオール、ヘキサンジオール、オクタンジオール、グリセロール、1,1,1-トリスヒドロキシメチルエタン、2-エチル-2-ヒドロキシメチル-1,3-プロパンジオール、1,2,6-ヘキサントリオール、1,2,3-ヘキサントリオール、1,2,4-ブタントリオールの中から選択される1種又は2種以上である、ことを特徴とする、前記8又は9に記載の導電性ペースト。11前記有機溶媒SAがN-メチルアセトアミド、N-メチルホルムアミド、N-メチルプロパンアミド、ホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、N,N-ジメチルホルムアミド、1-メチル-2-ピロリドン、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、2-ピロリジノン、ε-カプロラクタム、及びアセトアミドの中から選択される1種又は2種以上である、ことを特徴とする、前記8から10のいずれかに記載の導電性ペースト。12前記有機バインダーRが、セルロース樹脂系バインダー、アセテート樹脂系バインダー、アクリル樹脂系バインダー、ウレタン樹脂系バインダー、ポリビニルピロリドン樹脂系バインダー、ポリアミド樹脂系バインダー、ブチラール樹脂系バインダー、及びテルペン系バインダーの中から選択される1種又は2種以上であることを特徴とする、前記6から11のいずれかに記載の導電性ペースト。13前記セルロース樹脂系バインダーがアセチルセルロース、メチルセルロース、エチルセルロース、ブチルセルロース、及びニトロセルロース;アセテート樹脂系バインダーがメチルグリコールアセテート、エチルグリコールアセテート、ブチルグリコールアセテート、エチルジグリコールアセテート、及びブチルジグリコールアセテート;アクリル樹脂系バインダーがメチルメタクリレート、エチルメタクリレート、及びブチルメタクリレート;ウレタン樹脂系バインダーが2,4-トリレンジイソシアネート、及びp-フェニレンジイソシアネート;ポリビニルピロリドン樹脂系バインダーがポリビニルピロリドン、及びN-ビニルピロリドン;ポリアミド樹脂系バインダーがポリアミド6、ポリアミド6.6、及びポリアミド11;ブチラール樹脂系バインダーがポリビニルブチラール;テルペン系バインダーがピネン、シネオール、リモネン、及びテルピネオール、の中から選択される1種又は2種以上であることを特徴とする、前記12に記載の導電性ペースト。14前記1から13のいずれかに記載の導電性ペーストを製造するに際し、前記導電性金属微粒子P1と有機粒子P2とを混合後、有機分散媒Dを添加して練り込むことを特徴とする、導電性ペーストの製造方法以下、第2の態様ということがある。15前記有機粒子P2が遊星ボールミル装置で粉砕して粒子化されたものであることを特徴とする、前記14に記載の導電性ペーストの製造方法。16前記導電性金属微粒子P1が水溶液中で金属イオンからの還元反応により形成された粒子であることを特徴とする、前記14又は15に記載の導電性ペーストの製造方法。17請求項1から13のいずれかに記載の導電性ペーストを電子部品における半導体素子もしくは回路基板の電極端子又は導電性基板の接合面に載せた後、該導電性ペースト上に更に接続する他方の電極端子又は導電性基板の接合面を配置して加熱処理により焼結して形成された金属多孔質体からなる導電接続部材以下、第3の態様ということがある。18前記導電接続部材が半導体素子間を接合するための導電性バンプであることを特徴とする前記17に記載の導電接続部材。19前記導電接続部材が半導体素子と導電性基板間を接合するための導電性ダイボンド部であることを特徴とする前記17に記載の導電接続部材。20前記加熱処理の温度が150~400°Cであることを特徴とする前記17から19のいずれかに記載の導電接続部材。21前記導電性ペーストを焼成する際の昇温速度が10°C/分以下であることを特徴とする前記17から20のいずれかに記載の導電接続部材。22前記加熱処理が両電極端子間を1~15MPaで加圧した状態で行われることを特徴とする前記17から21のいずれかに記載の導電接続部材。23前記金属多孔質体中の体積空隙率が5~35であることを特徴とする、前記17から22のいずれかに記載の導電接続部材。24前記電極端子の接合面の面積が0.25~400cm2であることを特徴とする前記17から23のいずれかに記載の導電接続部材。i前記1に記載の導電性ペーストは、平均一次粒子径が1~150nmの導電性金属微粒子P1と、昇華性又は熱分解性を有する、0.5~10μmの有機粒子P2が有機分散媒D中に均一に分散しているので、加熱処理焼結して、金属多孔質体からなる導電接続部材を形成する際に、有機粒子P2が昇華して有機溶媒S、又は有機溶媒Sと有機バインダーRから発生する気泡の抜け道が形成されるので、焼結された多孔質体中に有機分散媒D取り込みによる粗大ボイドやクラックは存在せず、均質な導電性バンプ、導電性ダイボンド部等の導電接続部材を作製することができる。ii前記14に記載の導電性ペーストの製造方法により得られる導電性ペーストを電極端子の接合面等で加熱処理焼結して得られる導電接続部材は、上記iに記載したと同様の効果を得ることができる。iii前記17に記載の導電性バンプ中には、粗大ボイドやクラックは存在せず、均質な導電接続部材である。以下に、本発明の前記第1の態様ないし第3の態様について記載する。1第1の態様の導電性ペーストについて本発明の第1の態様の導電性ペーストは、固体粒子Pと有機分散媒Dとを含む導電性ペーストであって、該導電性ペースト中には固体粒子Pと有機分散媒Dとの割合P/Dが50~85質量/50~15質量質量の合計は100質量となるように配合されており、該固体粒子Pが平均一次粒子径1~150nmの導電性金属微粒子P180~95体積と、平均粒子径0.5~10μmの昇華性又は熱分解性を有し、かつ有機分散媒Dに不溶である有機粒子P220~5体積体積の合計は100体積とからなる、ことを特徴とする。1固体粒子P固体粒子Pは、平均一次粒子径1~150nmの導電性金属微粒子P1が80~95体積、及び平均粒子径0.5~10μmの昇華性又は熱分解性を有し、かつ有機分散媒Dに不溶である有機粒子P2が20~5体積体積の合計は100体積からなる。固体粒子P中の有機粒子P2が5体積未満では、導電性ペーストを加熱処理する際に有機分散媒Dから発生する気泡の抜け道が形成されづらくなり、導電性ペーストを加熱処理焼結して得られる導電性バンプ、導電性ダイボンド部等の導電接続部材中に粗大ボイドやクラック発生の抑制効果が効果的に発揮されない、一方、有機粒子P2が20体積を超えると、導電性ペーストを加熱処理焼結して得られる導電接続部材中の空隙率が増加して機械的強度が低下すると共に導電性も低下するおそれがある。1-1導電性金属微粒子P1導電性金属微粒子P1は、平均一次粒子径が1~150nmである。導電性金属微粒子P1の平均一次粒子径が1~150nmであることにより、加熱処理して得られる金属多孔質体は、金属微粒子同士が表面で接触して形成される結果、金属多孔質体中の空孔径も小さくなり、ミクロンサイズの金属粒子からなる金属多孔質体と比較して、熱サイクル特性が向上して優れた耐クラック性が得られる。前記導電性金属微粒子P1は、導電性、ナノ粒子の焼結性の点から銅、金、銀、ニッケル、コバルトの中から選択される1種又は2種以上であることが好ましい。平均一次粒子径が1~150nmある導電性金属微粒子P1の製造方法としては、特に制限はなく、例えば湿式化学還元法、アトマイズ法、めっき法、プラズマCVD法、MOCVD法等の方法を用いることができる。湿式化学還元法の例としては、金属イオンが存在する電解水溶液から、電解還元、無電解還元等の還元反応による製造方法が挙げられ、具体的には、特開2008-231564号公報に開示された方法を採用することができる。該公報に開示された製造方法を採用する際に、金属イオンの還元反応終了後に還元反応水溶液に凝集剤を添加して該水溶液から遠心分離等の操作により不純物を除去後回収された導電性金属微粒子P1に有機分散媒D等を混合、混練して、本発明の導電性ペーストを製造することができる。1-2有機粒子P2有機粒子P2は、平均粒子径0.5~10μmの昇華性又は熱分解性を有し、かつ有機分散媒Dに不溶である有機化合物粒子である。有機粒子P2の平均粒子径が0.5μm以上であると、導電性ペーストを加熱処理して導電性金属微粒子P1を焼結する際に、有機分散媒Dが蒸発、又は蒸発と加熱分解で発生する気泡の抜けが促進される空孔径が形成され、該気泡を取り込んで粗大ボイドやクラック発生の抑制効果が効果的に発揮される。一方、有機粒子P2の平均粒子径が10μmを超えると、導電性ペースト中で有機粒子P2同士の表面接触が生ずる結果、得られる金属多孔質体からなる導電性バンプ、導電性ダイボンド部等の導電接続部材の空孔径が粗大化して、機械的強度が低下するおそれがある。又、前記導電性金属微粒子P1の融点バルク状態の融点が1100°C未満であるとき、有機粒子P2の融点又は昇華温度常圧下が150°C以上で、かつ沸点常圧下又は熱分解温度が300°C以下であり、導電性金属微粒子P1の融点バルク状態の融点が1100°C以上であるとき、有機粒子P2の融点又は昇華温度常圧下が200°C以上で、かつ沸点常圧下又は熱分解温度が300°C以下であることが好ましい。有機粒子P2の融点又は昇華温度、及び沸点又は分解温度が上記範囲であることにより、導電性ペーストを加熱処理する際に、平均一次粒子径が1~150nmの導電性金属微粒子P1の焼結、有機粒子P2から空孔の形成、及び有機分散媒Dから有機溶媒Sの蒸発、又は該蒸発と有機バインダーRの熱分解が並行して進行する結果、有機粒子P2から形成される空孔により有機分散媒Dから発生する気泡の抜けが容易になる。有機粒子P2は上記物性を有するものであれば使用可能であるが有機分散媒Dへの不溶性、昇華性又は熱分解性、平均粒子径が0.5~10μmの粒子の入手、及び取扱い性を考慮すると、カルボキシル基を1つ以上有する有機カルボン酸化合物であることが好ましい。該有機カルボン酸化合物の具体例としては、サリチル酸昇華温度76°C、フマル酸昇華温度200°C、コハク酸分解温度235°C、フタル酸分解温度210°C、及びアコニット酸分解温度195°Cが例示でき、これらの1種又は2種以上の混合物を使用することができる。2有機分散媒D有機分散媒Dは、有機溶媒S単独、又は有機溶媒S80~100質量と有機バインダーR20~0質量質量の合計は100質量とからなることが好ましい。有機分散媒Dは、導電性ペースト中で主に固体粒子Pを均一に分散させ、適度な粘度の調節、及び印刷塗布された導電性バンプ前駆体、導電性ダイボンド部前駆体等の導電接続部材前躯体が加熱処理される際に乾燥、焼成速度を調節する機能を発揮し、また導電性金属微粒子P1が通常の焼結温度より低い温度で焼結することを可能とする還元性機能を発揮することも期待することができる。2-1有機溶媒S前記有機溶媒Sは、i常圧における沸点が100°C以上で、かつ分子中に1もしくは2以上のヒドロキシル基を有するアルコール及び/もしくは多価アルコールからなる還元性を有する有機溶媒S1、又はii少なくとも、常圧における沸点が100°C以上で、かつ分子中に1もしくは2以上のヒドロキシル基を有するアルコール及び/もしくは多価アルコールからなる還元性を有する有機溶媒S15~95体積、及びアミド基を有する有機溶媒SA95~5体積からなる有機溶媒S2、であることが好ましい。有機分散媒D中に還元性を有する有機溶媒S1が含有されていると、導電性ペーストを加熱処理する際に、先ず金属微粒子表面の還元が促進され、その後に該微粒子の表面間で焼結に基づく結合は進行すると考えられるので、有機溶媒S1が連続的に蒸発して、液体および蒸気が存在する雰囲気で還元焼成すると、焼結が促進されて良好な導電性を有する導電性バンプ、導電性ダイボンド部等の導電接続部材が形成される。従って、有機分散媒D中に還元性を有する有機溶媒S1が存在すると、加熱処理の際に非酸化性雰囲気が形成されて、金属微粒子P表面における還元、結合が促進される。尚、前記有機溶媒S1については、ヒドロキシル基を2つ以上有しており、該ヒドロキシル基が結合している炭素基部分が-CHOH-構造の多価アルコールが後述する還元機能を発揮し易い点からより好ましい。かかる観点から、有機溶媒Sは有機溶媒S160~95体積、及びアミド基を有する有機溶媒SA40~5体積からなる有機溶媒S2がより好ましい。有機溶媒S2中にアミド系有機溶媒SAを上記割合含有させると、有機溶媒S1との混ざりがよく、また有機溶媒S1として沸点の高い有機溶媒を使用する際に溶媒の蒸発を促進して粒子間の焼結を進行させるため、焼成後の焼結粒子と導電性基板との密着性と接合強度の向上が期待できる。また、前記有機分散媒Dが水を含有して、該水の含有量が有機溶媒Sと水Wとの割合S/Wで75~99.9質量/25~0.1質量質量の合計は100質量とすることもできる。後述する有機溶媒Sは水との親和性が良いものが多いので、水を吸収し易く、そのため予め水を添加しておくことで導電性ペーストの経時的な粘性変化が生ずるのを抑制することが可能になる。前記多価アルコールの具体例としては、エチレングリコ-ル沸点197°C、ジエチレングリコ-ル沸点244°C、1,2-プロパンジオ-ル沸点188°C、1,3-プロパンジオ-ル沸点212°C、1,2-ブタンジオ-ル沸点192°C、1,3-ブタンジオ-ル沸点208°C、1,4-ブタンジオ-ル沸点230°C、2-ブテン-1,4-ジオール沸点235°C、2,3-ブタンジオ-ル、ペンタンジオ-ル沸点239°C、ヘキサンジオ-ル沸点250°C、オクタンジオ-ル沸点244°C、グリセロール沸点290°C、1,1,1-トリスヒドロキシメチルエタン、2-エチル-2-ヒドロキシメチル-1,3-プロパンジオール沸点161°C、1,2,6-ヘキサントリオール、1,2,3-ヘキサントリオール、1,2,4-ブタントリオール等が例示できる。また、有機溶媒S1として、トレイトール、エリトリト-ル沸点331°C、ペンタエリスリト-ル、ペンチト-ル、キシリトール沸点216°C、リビトール、アラビトール、ヘキシト-ル、マンニトール、ソルビトール、ズルシトール、グリセリンアルデヒド、ジオキシアセトン、トレオース、エリトルロース、エリトロース、アラビノース、リボース、リブロース、キシロース、キシルロース、リキソース、グルコ-ス、フルクト-ス、マンノース、イドース、ソルボース、グロース、タロース、タガトース、ガラクトース、アロース、アルトロース、ラクト-ス、キシロ-ス、アラビノ-ス、イソマルト-ス、グルコヘプト-ス、ヘプト-ス、マルトトリオース、ラクツロース、及びトレハロース、等の糖類も使用することが可能であるが、これらの中で融点が高いものについては他の有機溶媒S1と混合して使用することができる。尚、上記多価アルコールの例示において、カッコ内は常圧における沸点を示す。有機溶媒SAの具体例として、N-メチルアセトアミド、N-メチルホルムアミド、N-メチルプロパンアミド、ホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、N,N-ジメチルホルムアミド、1-メチル-2-ピロリドン、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、2-ピロリジノン、ε-カプロラクタム、及びアセトアミド等が挙げられる。2-2有機バインダーR有機バインダーRは、導電性ペースト中で固体粒子Pの凝集の抑制、導電性ペーストの粘度の調節、及びバンプ前躯体、導電性ダイボンド部前躯体等の導電接続部材前躯体の形状を維持する機能を発揮する。前記有機バインダーRは、セルロース樹脂系バインダー、アセテート樹脂系バインダー、アクリル樹脂系バインダー、ウレタン樹脂系バインダー、ポリビニルピロリドン樹脂系バインダー、ポリアミド樹脂系バインダー、ブチラール樹脂系バインダー、及びテルペン系バインダーの中から選択される1種又は2種以上が好ましい。有機バインダーRの具体例として、前記セルロース樹脂系バインダーがアセチルセルロース、メチルセルロース、エチルセルロース、ブチルセルロース、及びニトロセルロース;アセテート樹脂系バインダーがメチルグリコールアセテート、エチルグリコールアセテート、ブチルグリコールアセテート、エチルジグリコールアセテート、及びブチルジグリコールアセテート;アクリル樹脂系バインダーがメチルメタクリレート、エチルメタクリレート、及びブチルメタクリレート;ウレタン樹脂系バインダーが2,4-トリレンジイソシアネート、及びp-フェニレンジイソシアネート;ポリビニルピロリドン樹脂系バインダーがポリビニルピロリドン、及びN-ビニルピロリドン;ポリアミド樹脂系バインダーがポリアミド6、ポリアミド66、及びポリアミド11;ブチラール樹脂系バインダーがポリビニルブチラール;テルペン系バインダーがピネン、シネオール、リモネン、及びテルピネオール、の中から選択される1種又は2種以上であることが好ましい。3導電性ペースト導電性ペーストは、導電性金属微粒子P1と有機粒子P2からなる固体粒子Pと、有機溶媒S単独、又は有機溶媒Sと有機バインダーRからなる有機分散媒Dとを含み、固体粒子Pが有機分散媒D中に分散されたペースト状のものである。これを加熱処理すると、ある温度に達すると有機溶媒Sの蒸発、又は有機溶媒Sの蒸発と有機バインダーRの熱分解が進行して、導電性金属微粒子P1の表面が現れ、互いに結合焼結する原理を利用して接合材として機能するものである。該導電性ペースト中には固体粒子Pと有機分散媒Dとが50~85質量/50~15質量質量の合計は100質量の割合P/Dとなるように配合されている。固体粒子Pが前記85質量を超えるとペーストが高粘度となり、加熱処理焼結において導電性金属微粒子P1表面間の結合不足が生じて導電性が低下するおそれがある。一方、固体粒子Pが前記50質量未満では、ペーストの粘度が低下して半導体素子の電極端子又は回路基板の電極端子の接合面に塗布された導電性ペーストの形状維持が困難となるおそれがあると共に、加熱処理の際に多孔質体が収縮するという不具合が生ずるおそれがある。かかる観点から、前記固体粒子Pと有機分散媒Dとの割合P/Dは55~80質量/45~20質量が好ましい。尚、本発明の効果を損なわない範囲において、本発明の導電性ペーストに他の固体粒子、有機分散剤等を配合することができる。又、該有機分散媒Dは有機溶媒S単独、又は有機溶媒S80~100質量と有機バインダーR20~0質量質量の合計は100質量とからなることが好ましい。前記有機分散媒D中の有機バインダーRの配合割合が20質量を超えると、導電接続部材前躯体を加熱処理する際に有機バインダーRが熱分解して飛散する速度が遅くなり、また導電接続部材中に残留カーボン量が増えると焼結が阻害されて、クラック、剥離等の問題が生ずる可能性があり好ましくない。有機溶媒Sの選択により、該溶剤のみで固体粒子Pを均一に分散させ、導電性ペーストの粘度の調節、及び導電性バンプ前駆体、導電性ダイボンド部前駆体等の導電接続部材前躯体の形状を維持できる機能を発揮できる場合には、有機分散媒Dとして有機溶媒Sのみからなる成分を使用できる。導電性ペーストには、前記した成分に必要に応じて消泡剤、分散剤、可塑剤、界面活性剤、増粘剤など公知の添加物を加えることができる。2第2の態様の導電性ペーストの製造方法第2の態様の導電性ペーストの製造方法は、第1の態様で記載した導電性金属微粒子P1と有機粒子P2とを混合後、有機分散媒Dを添加して練り込むことを特徴とする。導電性ペーストの製造方法に使用する固体粒子Pと有機分散媒Dの成分と、その配合割合は第1の態様に記載した通りであり、導電性ペーストには、前記の通り必要に応じて消泡剤、分散剤、可塑剤、界面活性剤、増粘剤など公知の添加物を加えることができる。有機粒子P2を平均粒子径0.5~10μmの粒子に調製するには、遊星ボールミル装置を用いて粉砕し、粒子化することが好ましい。又、平均一次粒子径1~150nmの導電性金属微粒子P1は第1の態様に記載した通りであるが、前述の通り、湿式化学還元法として、金属イオンが存在する電解水溶液から、電解還元、無電解還元等の還元反応による製造方法を採用することができる。導電性ペーストを製造するに際し、前記導電性金属微粒子P1と有機粒子P2とを混合後、有機分散媒Dを添加してせん断応力を付加することにより、混練し、導電性ペーストを調製することができる。該せん断応力を付加する方法としては、例えば、ニーダー、三本ロール等の混練装置、密閉系で混練可能なライカイ器等を用いることができる。混練の際、銅粉の酸化が過度に進行しないようにすることが好ましい。第2の態様の導電性ペーストの製造方法で得られた導電性ペーストを加熱処理焼結すると、導電性金属微粒子P1の表面が還元され始め、更に有機溶媒Sの蒸発、又は有機溶媒Sの蒸発と有機バインダーRの熱分解が進行して、導電性金属微粒子P1の表面同士が接触し、導電性金属微粒子P1の表面が互いに結合焼結した、焼結体が得られる。3第3の態様の導電接続部材1導電接続部材の作製第3の態様の導電接続部材は、前記第1の態様で記載した導電性ペーストを、電子部品における半導体素子もしくは回路基板の電極端子又は導電性基板の接合面に載せた後、該導電性ペースト上に更に接続する他方の電極端子又は導電性基板の接合面を配置して加熱処理により焼結して形成された金属多孔質体からなることを特徴とする。導電接続部材としては、半導体素子間を接合するための導電性バンプ、半導体素子と導電性基板間を接合するための導電性ダイボンド部等が挙げられるがこれらに限定されない。導電性バンプは、導電性ペーストを電子部品における半導体素子もしくは回路基板の電極端子の接合面に載せ塗布、印刷等も含まれる、該導電性ペースト上に更に接続する他方の電極端子の接合面を配置した後、加熱処理、又は加圧下に加熱処理により焼結して形成される。前記接続する他方の電極端子にはワイヤボンディングを行う場合の金ワイヤ等のワイヤも含まれる。尚、前記導電性ペースト上に更に接続する他方の電極端子の接合面を配置する際に位置合わせを行うことが望ましい。導電性ダイボンド部は、通常、導電性ペーストを電子部品における回路基板の接合面に載せ塗布、印刷等も含まれる、該導電性ペースト上に更に接続する他方の電極端子の接合面を配置した後、加熱処理、又は加圧下に加熱処理により焼結して形成される。前記加圧下の加熱処理は、両電極端子間、又は電極端子と導電性基板間の加圧により導電接続部材と、電極端子接合面又は導電性基板との接合を確実にするか、または導電接続部材と電極端子との接合面、又は導電接続部材と導電性基板との接合面との接合面積が大きくなり、接合信頼性を一層向上することができる。また、導電接続部材前躯体と半導体素子間、又は導電接続部材前躯体と基板間を加圧型ヒートツ-ル等を用いて加圧下で焼成すると、接合部での焼結性が向上してより良好な接合部が得られる。前記両電極端子間、又は電極端子と基板間の加圧は、0.5~15MPaが好ましい。該加圧が0.5MPa未満の加圧では、接合面の大きなボイド形成の抑制効果が十分に発揮されないおそれがあり、一方、15MPaを超えると導電性金属微粒子P1間の空隙部が圧縮されて空隙率が減少するおそれがある。また、前記電極端子の接合面の面積は.25~400cm2であることが好ましい。該導電性ペーストは、固体粒子Pと有機分散媒Dを含み、該導電性ペースト中には固体粒子Pと有機分散媒Dとの割合P/Dが50~85質量/50~15質量質量の合計は100質量となるように配合されており、固体粒子P中には、平均一次粒子径1~150nmの導電性金属微粒子P180~95体積、及び平均粒子径0.5~10μmの昇華性又は熱分解性を有し、かつ有機分散媒Dに不溶である有機粒子P220~15体積体積の合計は100体積がそれぞれ含有されている。尚、前記有機分散媒Dとして、有機溶媒BRR単独、又は有機溶媒S80~100質量と有機バインダーR20~0質量質量の合計は100質量とからなる有機分散媒を使用することができる。導電性ペーストを半導体素子の電極端子の接合面上に載せて導電性バンプ前駆体、導電性ダイボンド部前駆体等の導電接続部材前躯体を形成する手段としては、例えば公知のスクリーン印刷、後述するレジスト等により開口部を形成して該開口部に導電性ペーストを塗布する方法等が挙げられる。スクリーン印刷を使用する場合には、半導体素子の電極端子の接合面上に版膜レジストが設けられたスクリーン版を配置して、その上に導電性ペーストを載せてスキージで該ペーストを摺動すると、導電性ペーストはレジストのない部分のスクリーンを通過して、電極端子の接合面上に転移して、導電性バンプ前駆体、導電性ダイボンド部前駆体等の導電接続部材前躯体が形成される。導電性ペーストを充填するための開口部形成方法としては、露光現像工程を経て感光性樹脂層にパターンを形成するフォトリソグラフィー方法、レーザー光、電子線、イオンビーム等の高エネルギー線を素子上に設けた絶縁樹脂層に照射して、加熱による溶融もしくは樹脂の分子結合を切断するアブレーションにより該樹脂層に開口部を形成する方法がある。これらの中で、実用性の点からフォトリソグラフィー法、又はレーザー光を用いたアブレーションによる開口部形成方法が好ましい。加熱処理後に、半導体素子上の電極端子と、回路基板の電極端子とが電気的接続を確保できるように接触させるための位置合わせは、例えば、半導体素子上の電極端子と、テープリール等で搬送されてきた基板の接続電極端子部とを光学装置等を用いて行うことができる。半導体素子の電極端子面等の上に形成され、対となる端子電極と接している状態の導電性バンプ前駆体、導電性ダイボンド部前駆体等の導電接続部材前躯体は、150~400°C程度の温度で加熱処理焼結して導電性バンプ、導電性ダイボンド部等の導電接続部材を形成し、半導体素子の電極端子等と相対する端子電極等を該導電性バンプ、導電性ダイボンド部等の導電接続部材を介して電気的、機械的に接合する。前記導電性ペーストを焼成する際の昇温速度が10°C/分以下であることが好ましい。該昇温速度が10°C/分を超えると粗大ボイドやクラックが発生するおそれがある。導電性金属微粒子P1として平均一次粒子径が1~150nmの粒子を使用するので、加熱により有機分散媒Dが除去されれば、その表面のエネルギーによってバルク状態の金属の融点より低温で凝集して、金属微粒子表面間での結合焼結が進み、金属多孔質体からなる導電性バンプ、導電性ダイボンド部等の導電接続部材が形成される。2導電接続部材上記加熱処理により、導電性金属微粒子P1同士が面接触して、結合焼結して形成された金属多孔質体からなる導電性バンプ、導電性ダイボンド部等の導電接続部材が形成されることで、適度な弾力性と柔らかさを有し、かつ、良好な導電性が得られる。このようにして得られる金属多孔質体からなる導電接続部材は、空隙率が5~35であり、かつ粗大ボイドやクラックが形成されない均質な金属多孔質体である。本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。本実施例、比較例における評価方法を以下のi~ivに記載する。i導電接続部材の体積空隙率導電接続部材の空隙率は、走査型電子顕微鏡SEMを用いて、観察倍率1000~10000倍の電子顕微鏡写真を撮り、その断面像を解析することにより求めた。体積空隙率が5~35は○、35超は××、5未満は×とした。ii粗大ボイドの有無導電接続部材に10μm以上の粗大ボイドが観察されない場合は○、観察された場合は×とした。iiiクラックの有無導電接続部材にクラックが観察されない場合は○、観察された場合は×とした。iv接合強度ダイシェア試験機で、Siチップ同士を剥離、又は基板からSiチップを剥離させる際にかかった力を導電性バンプの接合面積で除して、単位面積当りの接合強度[N/mm2]を求めた。35N/mm2以上は◎、35N/mm2未満25N/mm2以上は○、25N/mm2未満は×とした。[実施例1]遊星ボールミル装置で平均粒子径3μmに粉砕、調製したフタル酸関東化学株製、オルソフタル酸、C6H4COOH2、分解温度:210°C、以下、フタル酸と記載する粉末と、還元法により調製した平均一次粒子径50nmの球状銀バルクの融点:2162°C微粒子とを体積割合10:90となるように計15g混合後、ペンタンジオール4.5gとエチルセルロース0.5gを添加して、全固体の割合が75質量の導電性ペーストを調製した。該ペーストをスクリーン印刷で導電性基板上に60μmφ×高さ100μmのバンプ前躯体を4個1辺が4mmの正方形の頂点に対応する位置形成した。次に、金スパッタされた4.5mm角のSiチップ金スパッタ面側の角がバンプ前駆体と接するように載せた。そして、導電性ペーストが塗布された導電性基板を大気中で、昇温速度3°C/分で室温から210°Cまで昇温し、210°Cで20分間加熱後、昇温速度3°C/分で240°Cまで加熱し、240°Cで5分間加熱後、室温まで冷却してバンプ接合体を作製した。該バンプの空隙率を測定した。また該バンプ中の粗大ボイドの有無、クラック発生の有無を観察し、バンプの接合強度測定を測定した。結果をまとめて表1に示す。[実施例2]遊星ボールミル装置で平均粒子径5μmに粉砕、調製したフタル酸粉末と、水溶液中で銅イオンからの無電解還元により調製された、平均一次粒子径140nmの球状銅バルクの融点:1084°C微粒子とを体積割合15:85となるように計18g混合後、グリセリン12gを添加して、全固体の割合が60質量の導電性ペーストを調製した。該ペーストをスクリーン印刷で実施例1に記載したと同様にバンプ前躯体を形成した。次に実施例1に記載したと同様にして、バンプ前駆体上にSiチップを載せた。バンプ前躯体が形成された導電性基板を窒素ガス雰囲気下で、昇温速度3°C/分で室温から210°Cまで昇温し、210°Cで20分間加熱後、昇温速度5°C/分で300°Cまで加熱し、300°Cで10分間加熱後室温まで冷却してバンプ接合体を作製した。該バンプ断面の走査型電子顕微鏡SEMを図1に示す。図1において、バンプ中に粗大ボイドやクラックは観察されず、均質なバンプであることが確認される。該バンプを実施例1に記載したと同様の評価を行った。結果をまとめて表1に示す。[実施例3]遊星ボールミル装置で平均粒子径7μmに粉砕、調製したフタル酸粉末と、水溶液中で銅イオンからの無電解還元により調製された、平均一次粒子径120nmの球状銅微粒子を体積割合10:90となるように計21g混合後、グリセリンを7.5gとN-ビニルピロリドンを1.5g添加し全固体の割合が70質量の導電性ペーストを調製した。該ペーストをスクリーン印刷で実施例1に記載したと同様にバンプ前躯体を形成した。次に実施例1に記載したと同様にして、バンプ前駆体上にSiチップを載せた。バンプ前躯体が形成された導電性基板を窒素ガス雰囲気下で、昇温速度3°C/分で室温から210°Cまで昇温し、210°Cで20分間加熱後、昇温速度3°C/分で300°Cまで加熱し、300°Cで10分間加熱後室温まで冷却してバンプ接合体を作製した。該バンプを実施例1に記載したと同様の評価を行った。結果をまとめて表1に示す。[実施例4]遊星ボールミル装置で平均粒子径7μmに粉砕、調製したフタル酸粉末と、水溶液中で銅イオンからの無電解還元により調製された、平均一次粒子径120nmの球状銅微粒子を体積割合10:90となるように計21g混合後、グリセリンを6gとN-メチルアセトアミド1.5g、N-ビニルピロリドンを1.5g添加し全固体の割合が70質量の導電性ペーストを調製した。該ペーストをスクリーン印刷で実施例1に記載したと同様にバンプ前躯体を形成した。次に実施例1に記載したと同様にして、バンプ前駆体上にSiチップを載せた。バンプ前躯体が形成された導電性基板を窒素ガス雰囲気下で、昇温速度3°C/分で室温から210°Cまで昇温し、210°Cで20分間加熱後、昇温速度3°C/分で300°Cまで加熱し、300°Cで10分間加熱後室温まで冷却してバンプ接合体を作製した。該バンプを実施例1に記載したと同様の評価を行った。結果をまとめて表1に示す。[比較例1]遊星ボールミル装置で平均粒子径15μmに粉砕、調製したフタル酸粉末と、水溶液中で銅イオンからの無電解還元により調製された、平均一次粒子径120nmの球状銅微粒子を体積割合25:75となるように計18g混合後、グリセリン12gを添加して、全固体の割合が60質量の導電性ペーストを調製した。該ペーストをスクリーン印刷で実施例1に記載したと同様にバンプ前躯体を形成した。次に実施例1に記載したと同様にして、バンプ前駆体上にSiチップを載せた。バンプ前躯体が形成された導電性基板を窒素ガス雰囲気下で、昇温速度3°C/分で室温から210°Cまで昇温し、210°Cで20分間加熱後、昇温速度5°C/分で300°Cまで加熱し、300°Cで10分間加熱後室温まで冷却してバンプ接合体を作製した。該バンプを実施例1に記載したと同様の評価を行った。結果をまとめて表1に示す。[比較例2]遊星ボールミル装置で平均粒子径15μmに粉砕、調製したフタル酸粉末と、水溶液中で銅イオンからの無電解還元により調製された、平均一次粒子径120nmの球状銅微粒子を体積割合20:80となるように計18g混合後、グリセリンを12g添加し全固体の割合が60質量のペーストを調製した。該ペーストをスクリーン印刷で実施例1に記載したと同様にバンプ前躯体を形成した。次に実施例1に記載したと同様にして、バンプ前駆体上にSiチップを載せた。バンプ前躯体が形成された導電性基板を窒素ガス雰囲気下で、昇温速度3°C/分で室温から210°Cまで昇温し、210°Cで20分間加熱後、昇温速度5°C/分で300°Cまで加熱し、300°Cで10分間加熱後室温まで冷却してバンプ接合体を作製した。該バンプを実施例1に記載したと同様の評価を行った。結果をまとめて表1に示す。[比較例3]遊星ボールミル装置で平均粒子径0.5μmに粉砕、調製したフタル酸粉末と、水溶液中で銅イオンからの無電解還元により調製された、平均一次粒子径120nmの球状銅微粒子を体積割合20:80となるように計18g混合後、グリセリンを12g添加し全固体の割合が40質量のペーストを調製した。該ペーストをスクリーン印刷で実施例1に記載したと同様にバンプ前躯体を形成した。次に実施例1に記載したと同様にして、バンプ前駆体上にSiチップを載せた。バンプ前躯体が形成された導電性基板を窒素ガス雰囲気中で、昇温速度3°C/分で室温から210°Cまで昇温し、210°Cで20分間加熱後、昇温速度5°C/分で300°Cまで加熱し、300°Cで10分間加熱後室温まで冷却してバンプ接合体を作製した。該バンプ断面の走査型電子顕微鏡SEMを図2に示す。図2において、バンプ断面に粗大ボイドの形成が観察され、十分な接合強度が得られないことが確認される。該バンプを実施例1に記載したと同様の評価を行った。結果をまとめて表1に示す。[比較例4]遊星ボールミル装置で平均粒子径7μmに粉砕、調製したフタル酸粉末と、水溶液中で銅イオンからの無電解還元により調製された、平均一次粒子径120nmの球状銅微粒子を体積割合30:70となるように計18g混合後、グリセリンを12g添加し全固体の割合が60質量のペーストを調製した。該ペーストをスクリーン印刷で実施例1に記載したと同様にバンプ前躯体を形成した。次に実施例1に記載したと同様にして、バンプ前駆体上にSiチップを載せた。バンプ前躯体が形成された導電性基板を窒素ガス雰囲気中で、昇温速度3°C/分で室温から210°Cまで昇温し、210°Cで20分間加熱後、昇温速度5°C/分で300°Cまで加熱し、300°Cで10分間加熱後室温まで冷却してバンプ接合体を作製した。該バンプを実施例1に記載したと同様の評価を行った。結果をまとめて表1に示す。[比較例5]遊星ボールミル装置で0.3μmに調製したフタル酸粉末と、水溶液中で銅イオンからの無電解還元により調製された、平均一次粒子径120nmの球状銅微粒子を体積割合15:85となるように計18g混合後、グリセリンを12g添加し全固体重量60質量のペーストを調製した。該ペーストをスクリーン印刷で実施例1に記載したと同様にバンプ前躯体を形成した。次に実施例1に記載したと同様にして、バンプ前駆体上にSiチップを載せた。バンプ前躯体が形成された導電性基板を窒素ガス中で昇温速度10°C/分で室温から210°Cまで昇温し、210°Cで20分間加熱後、昇温速度15°C/分で300°Cまで加熱し、300°Cで10分間加熱後室温まで冷却してバンプ接合体を作製した。該バンプを実施例1に記載したと同様の評価を行った。結果をまとめて表1に示す。[実施例5]遊星ボールミル装置で平均粒子径3μmに粉砕、調製したフタル酸微粉末と、還元法により調製した平均一次粒子径50nmの球状銀微粒子とを体積割合10:90となるように計15g混合後、ペンタンジオール4gとエチルセルロース0.5gとN-メチルアセトアミド0.5gを添加して、全固体の割合が75質量の導電性ペーストを調製した。該ペーストをスクリーン印刷で導電性基板上に25mm×25mm×高さ150μmのダイボンド部前躯体を形成し、その上に対になるように金スパッタされたSiチップ形状:1辺が20mmの立方体の金スパッタ面側がダイボンド前駆体と接するように載せた。次に、導電性ペーストが塗布された導電性基板に載せたSiチップを10MPaの圧力で加圧しながら大気中で、昇温速度3°C/分で室温から210°Cまで昇温し、210°Cで20分間加熱後、昇温速度3°C/分で240°Cまで加熱し、240°Cで5分間加熱後、室温まで冷却して該導電性基板とSiチップが導電性ダイボンド部により電気的、機械的に接合された導電性ダイボンド部Siチップ接続サンプルを作製した。得られた導電性ダイボンド部及び接合部を実施例1に記載したと同様の評価を行った。結果をまとめて表1に示す。[実施例6]遊星ボールミル装置で平均粒子径5μmに粉砕、調製したフタル酸粉末と、水溶液中で銅イオンからの無電解還元により調製された、平均一次粒子径140nmの球状銅微粒子とを体積割合15:85となるように計18g混合後、グリセリン11gと水1gを添加して、全固体の割合が60質量の導電性ペーストを調製した。該ペーストをスクリーン印刷で実施例5に記載したと同様にダイボンド部前躯体を形成し、その上に対になるように金スパッタされたSiチップ形状:1辺が20mmの立方体を載せた。次に、導電性ペーストが塗布された導電性基板に載せたSiチップを4MPaの圧力で加圧しながら窒素ガス雰囲気下で、昇温速度3°C/分で室温から210°Cまで昇温し、210°Cで20分間加熱後、昇温速度5°C/分で300°Cまで加熱し、300°Cで10分間加熱後室温まで冷却して導電性ダイボンド部Siチップ接続サンプルを作製した。得られた導電性ダイボンド部及び接合部を実施例1に記載したと同様の評価を行った。結果をまとめて表1に示す。[比較例6]遊星ボールミル装置で平均粒子径15μmに粉砕、調製したフタル酸粉末と、水溶液中で銅イオンからの無電解還元により調製された、平均一次粒子径120nmの球状銅微粒子を体積割合25:75となるように計18g混合後、グリセリン12gを添加して、全固体の割合が60質量の導電性ペーストを調製した。該ペーストをスクリーン印刷で実施例5に記載したと同様にダイボンド部前躯体を形成し、その上に対になるように金スパッタされたSiチップ形状:1辺が20mmの立方体を載せた。次に、導電性ペーストが塗布された導電性基板に載せたSiチップを4MPaの圧力で加圧しながら窒素ガス雰囲気下で、昇温速度3°C/分で室温から210°Cまで昇温し、210°Cで20分間加熱後、昇温速度5°C/分で300°Cまで加熱し、300°Cで10分間加熱後室温まで冷却して導電性ダイボンド部Siチップ接続サンプルを作製した。得られた導電性ダイボンド部及び接合部を実施例1に記載したと同様の評価を行った。結果をまとめて表1に示す。[比較例7]遊星ボールミル装置で平均粒子径15μmに粉砕、調製したフタル酸粉末と、水溶液中で銅イオンからの無電解還元により調製された、平均一次粒子径120nmの球状銅微粒子を体積割合20:80となるように計18g混合後、グリセリンを12g添加し全固体の割合が60質量のペーストを調製した。該ペーストをスクリーン印刷で実施例5に記載したと同様にダイボンド部前躯体を形成し、その上に対になるように金スパッタされたSiチップ形状:1辺が20mmの立方体を載せた。次に、導電性ペーストが塗布された導電性基板に載せたSiチップを0.5MPaの圧力で加圧しながら窒素ガス雰囲気下で、昇温速度3°C/分で室温から210°Cまで昇温し、210°Cで20分間加熱後、昇温速度15°C/分で300°Cまで加熱し、300°Cで10分間加熱後室温まで冷却して導電性ダイボンド部Siチップ接続サンプルを作製した。得られた導電性ダイボンド部及び接合部を実施例1に記載したと同様の評価を行った。結果をまとめて表1に示す。"