インプリント法によるパターン形成に用いる凹凸パターンを備えたインプリントモールドであって、前記凹凸パターンが形成されている領域が、その周囲の面よりも高いメサ構造になっていることを特徴とするインプリントモールド。基板にハードマスク層を形成し、前記ハードマスク層をパターニング処理し、前記パターニングされたハードマスク層をエッチングマスクとする異方性エッチングを前記基板に対して行い、前記異方性エッチングを行った基板から前記パターニングされたハードマスク層を除去し、所望のパターン領域以外の領域を、前記所望のパターン領域よりも低くなるように加工することを特徴とするインプリントモールドの作製方法。前記ハードマスク層のパターニングは、前記ハードマスク層上にレジスト層を形成し、電子線リソグラフィによって前記レジスト層のパターニングを行い、前記パターニングされたレジスト層をエッチングマスクとする異方性エッチングを前記ハードマスク層に対して行う、ことを特徴とする、請求項2に記載のインプリントモールド作製方法。前記レジスト層のパターニングを行う領域の最外周は、所望のパターン領域の最外周よりも2μm以上外側であることを特徴とする、請求項2又は3に記載のインプリントモールド作製方法。前記基板は、石英基板であり、前記ハードマスク層は、Crからなる層であることを特徴とする、請求項2乃至4のいずれかに記載のインプリントモールドの作製方法。請求項1に記載のインプリントモールドを用いて、該インプリントモールドに形成された凹凸パターンを基材上の被転写層に転写することを特徴とするパターン形成体。本発明は、上述した問題を解決するためになされたものであり、微細なパターンの形成に好適なインプリントモールド及びその作製方法、インプリントモールドを用いて製造されるパターン形成体を提供することを目的とする。請求項1に係る発明は、インプリント法によるパターン形成に用いる凹凸パターンが形成されている領域が、その周囲の面よりも高いメサ構造を有することを特徴とするインプリントモールドにある。請求項2に係る発明は、基板にハードマスク層を形成し、前記ハードマスク層をパターニング処理し、前記パターニングされたハードマスク層をエッチングマスクとする異方性エッチングを前記基板に対して行い、前記異方性エッチングを行った基板から前記パターニングされたハードマスク層を除去し、前記パターン領域以外の領域を、該パターン領域よりも低くなるように加工することを特徴とするインプリントモールドの作製方法にある。請求項3に係る発明は、前記ハードマスク層のパターニングを、前記ハードマスク層上にレジスト層を形成し、電子線リソグラフィによって前記レジスト層のパターニングを行い、前記パターニングされたレジスト層をエッチングマスクとする異方性エッチングを前記ハードマスク層に対して行うことを特徴とするインプリントモールドの作製方法にある。請求項4に係る発明は、前記レジスト層のパターニングを行う領域の最外周を、該パターン領域の最外周よりも2μm以上外側としたことを特徴とするインプリントモールド作製方法にある。請求項5に係る発明は、前記基板は、石英基板であり、前記ハードマスク層は、Crからなる層であることを特徴とするインプリントモールドの作製方法にある。請求項6に係る発明は、請求項1に記載のインプリントモールドを用いて、該インプリントモールドに形成された凹凸パターンが基材上の被転写層に転写されることを特徴とするパターン形成体にある。本発明によれば、微細なパターンの形成に好適なインプリントモールド及びその作製方法、インプリントモールドを用いて製造されるパターン形成体を提供することができる。以下、本発明の実施の形態に係るインプリントモールド及びその作製方法、パターン形成体ついて、図面を参照して説明する。図1は、本発明の一実施の形態に係るインプリントモールド及びその作製方法を示すもので、まず、工程Aにおいて基板11上にはハードマスク層12を形成する同図a参照。このハードマスク層12の形成方法としては、ハードマスク層12に選択した材料に応じて、適宜公知の薄膜形成技術を用いて形成して良い。例えば、スパッタリング法等を用いて良い。基板11は、用途に応じて適宜選択して良い。基板11としては、例えば、シリコン基板、石英基板、サファイア基板、SOI基板等を好適に用いて良い。そして、ハードマスク層12は、基板11とのエッチング選択比が高い材料であれば良い。ここで、例えば、基板11として石英基板を用いた場合、ハードマスク層12にはCrクロムからなる層を用いることが望ましい。石英基板は、一般的な露光光に対して透過性を有しており、特に、光インプリント法に用いるインプリントモールドや、フォトマスク等の製造工程に、本発明によるパターン形成方法を用いる場合に好適である。ハードマスク層12には、Crからなる層を用いることで、後段のハードマスク層12のパターニングを行う工程Bにおけるハードマスク層12のパターニングにおいて、一般的なエッチング条件において、ハードマスク層12を基板11に対してエッチング選択比を高く設定することができる。次に、ハードマスク層12のパターニングを行う工程Bに移行される。ハードマスク層12のパターニングを行う方法としては、レジスト膜13を用いたリソグラフィを用いる。例えばハードマスク層12のパターニングは、基板11のハードマスク層12を形成した面に、レジスト膜13を形成して図1b参照、このレジスト膜13をパターニングし、レジストパターン14を形成する図1c参照。このレジスト膜13のパターニングの方法としては、例えば電子線リソグラフィを用いる。ここで、所望のパターン領域41よりも広い領域42のレジスト膜13を図1c及び図2に示すようにパターニングする。このとき、パターンを形成する領域42の最外周は所望のパターン領域41の最外周よりも2μm以上外側であることが望ましい。このようにパターンを形成する領域42を、所望のパターン領域41よりも十分に広く設定することによって、パターンを形成する領域42の中心付近と比較して実質の露光量が少ない領域を所望のパターン領域41よりも外側のみに存在させることができ、所望のパターン領域41内の全面における実質の露光量が均一になり、均一な寸法のパターンを形成することができる。次に、レジストパターン14をマスクとしてエッチングを行うことにより、ハードマスク層12のパターニングを行い、ハードマスクパターン15を形成する図1d参照。そして、ハードマスク層12のパターニングを行った後は、レジストパターン14を洗浄して剥離する図1e参照。続いて、基板11に異方性エッチングを行う工程Cにおいて、基板11上のハードマスクパターン15が形成された側から、基板11に異方性エッチングを行う図1f参照。このエッチングとしては、適宜公知のエッチング方法を用いて良く、例えばドライエッチング、ウェットエッチング等を用いて行っても良い。そして、エッチングの条件は、用いたハードマスク層12及び基板11の材料に応じて、適宜調節してよい。基板11に異方性エッチングを行った後は、パターン17上のハードマスクパターン15を洗浄して剥離する図1g参照。次に、パターン17が形成されたモールド16をメサ構造にする工程Dにおいて、モールド16の、所望のパターン領域41より外側の厚みを薄くしてメサ構造にする図1h参照。このとき、パターン17が形成されたモールド16の、パターン17が形成された側から加工を行う。加工の方法としては、適宜公知の加工方法を用いて良く、例えば、機械加工や、エッチング等を用いて行っても良い。このとき、所望のパターン領域41より外側を加工する深さ44は、パターン17の深さ43よりも深いことが望ましい。このようにパターン17が形成されたモールド16をメサ構造にすることによって、後のインプリントモールド20を用いてインプリントを行う工程Eにおいて、インプリントモールド20表面のパターン領域41の外側に突起31や異物35が存在していても、図3abに示すようにモールド16と基材21上の樹脂層22の適切な接触が阻害されてしまうことを防ぐことができ、図3cのようにパターン領域41は、基材21上の樹脂層22に適切に接触することができる。そのため、モールド20に形成されたパターン17の凹部への樹脂の充填不足を防ぐことができ、また、残膜24の厚さが厚くなったり不均一になったりすることを防ぐことができる。そして、モールド20を基材21上の樹脂層22に接触させる際、モールド20に形成されたパターン17の凸部によって押し出された余剰な樹脂が、パターン領域41よりも外側のモールド20と基材21との間の空間に流れていくため、図4aのように残膜34が厚くなることを防ぐことができ、図4bのように残膜24の厚さを薄く均一にすることができる。一方、モールド16のパターン領域41の外側に突起31や異物35が存在すると、図3abに示すようにモールド16と基材21上に樹脂22の適切な接触が阻害され、樹脂の充填不足32、厚さが不均一な残膜33や、厚い残膜34が発生する可能性がある。上述した工程A~Dにより、寸法精度が高く転写性に優れたインプリントモールド20が作製される。なお、離型性向上のために、インプリントモールド20のパターン17が形成された面に離型性向上のための表面処理を行っても良い。例えば、フッ素ポリマー加工やプラズマ処理等を行っても良い。次に、前記インプリントモールド20を用いてインプリントを行う工程Eにおいて、該モールド20を用いて基材21上にインプリントを行う。インプリントとしては、適宜公知のインプリント方法を用いて良く、例えば、熱インプリント法、光インプリント法等を用いて行っても良い。以下、本発明の一実施の形態に係るインプリントモールドを作製してパターン形成を行う場合の具体例について図1及び図5を参照して説明する。但し、パターン形成方法としては、この具体例に限定されるものではない。基板11には、石英基板を用いて図1aに示すように、石英基板11上にハードマスク層12としてCr膜30nm厚を製膜したCr層を形成し、図1bに示すように、Cr層上にポジ型レジストFEP-171富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ社製200nm厚をコートしレジスト膜13とした。そして、図1cに示すように電子線描画装置にて、レジスト膜13に対して電子線をドーズ10μC/cm2で照射した後、現像液を用いた現像処理、リンス、及びリンス液の乾燥を行い、レジストパターン14を得た。ここで、現像液にはTMAH水溶液、リンス液には純水を用いた。このとき、パターンを形成する領域42は、所望のパターン領域4110mm×10mmよりも広い11mm×11mmとした。次に、図1dに示すように、ICPドライエッチング装置を用いたドライエッチングによってCr層12のエッチングを行い、Crパターン15を得た。このとき、Cr層12のエッチング条件は、Cl2流量40sccm、O2流量10sccm、He流量80sccm、圧力30Pa、ICPパワー120W、RIEパワー50Wとした。続いて、図1eに示すように、O2プラズマアッシング条件:O2流量500sccm、圧力30Pa、RIEパワー1000Wによってレジストパターン14を剥離した。以上より、石英基板11上の11mm×11mmの領域にCrパターン15を形成することができた。次に、図1fに示すように、ICPドライエッチング装置を用いたドライエッチングによって石英基板11のエッチングを行った。このとき、石英基板11のエッチングの条件は、C4F8流量10sccm、O2流量10~25sccm、Ar流量75sccm、圧力2Pa、ICPパワー20W、RIEパワー550Wとした。このとき、パターンの高さ43は、100nmとした。続いて、図1gに示すように、残存したCrパターン15のウェット洗浄を行った。以上より、11mm×11mmの領域にパターン17が形成されたモールド16を得ることができた。次に、パターン17が形成されたモールド16のパターン17が形成された側に、1.6μm厚のFEP-171をコートし保護膜とした。そして、パターン17が形成されたモールド16の所望のパターン領域4110mm×10mmよりも外側を機械加工して、メサ構造にした図1h参照。このとき、加工する深さ44は15μmとした。続いて、保護膜をウェット洗浄により剥離した。以上より、寸法精度が高く転写性に優れた石英モールド20を得ることができた。次に、石英モールド20を用いて、基材上の樹脂に光インプリントを行い、基材のパターニングを行った。まず、基材21にはシリコンウェハを用いた。シリコンウェハ上に紫外線硬化樹脂PAK-01東洋合成工業社製250nm厚をコートし、被転写樹脂層22とした図5a参照。そして、シリコンウェハ上の被転写樹脂層22に、石英モールド20のパターンが形成された面が対向するようにモールド20を接触させた図5b参照。続いて、石英モールド20の裏側から高圧水銀灯を光源として、20mJ/cm2の露光を行った。そして、石英モールド20をシリコンウェハから剥離し、シリコンウェハ上に樹脂パターン23を得た図5c参照。このとき、残膜24の厚さは20nmであった。次に、O2プラズマアッシングによって残膜24を除去した図5d参照。このとき、O2プラズマアッシングの条件は、O2流量50sccm、圧力30Pa、RIEパワー100Wであった。続いて、樹脂パターン23をエッチングマスクとして、シリコンウェハのエッチングを行った図5e参照。このとき、シリコンウェハのエッチング条件は、CF4流量30sccm、C4F8流量20sccm、圧力30Pa、ICPパワー500W、RIEパワー50Wであった。次に、O2プラズマアッシング条件:O2流量500sccm、圧力30Pa、RIEパワー1000Wによって残存した樹脂パターン23を除去した図5f参照。以上より、寸法精度が高いパターン25が形成されたシリコンウェハ26を得ることができた。本発明は、上記実施の形態に限ることなく、その他、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実施し得ることが可能である。さらに、上記実施形態には、種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組合せにより、種々の発明が抽出され得る。例えば実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。