"筒状に形成された枠体と、前記枠体の上面および下面に接合された第1の蓋体および第2の蓋体と、前記枠体内の前記第1の蓋体と前記第2の蓋体との対向空間に、その上面および下面の中心部を前記第1の蓋体および前記第2の蓋体に接合した状態で支持固定され、前記第1の蓋体および前記第2の蓋体に間隙部を介して対向する第1の板面および第2の板面を有する柱体と、前記柱体の第1の板面および第2の板面の少なくとも一方の面に搭載された磁気抵抗素子をセンサ素子とする磁気センサ回路とを備えることを特徴とする磁気センサ。請求項1に記載された磁気センサにおいて、前記第1の蓋体および前記第2の蓋体は、中央部分および周縁部分に厚肉部を有し、中央部分の厚肉部が前記柱体の上面および下面の中心部に接合され、周縁部分の厚肉部が前記枠体の上面および下面に接合され、前記柱体の第1の板面は、前記第1の蓋体に接合された前記上面の中心部を除く残りの面とされ、前記柱体の第2の板面は、前記第2の蓋体に接合された前記下面の中心部を除く残りの面とされていることを特徴とする磁気センサ。請求項1に記載された磁気センサにおいて、前記柱体は、その中心部に位置する支柱と、この支柱の上下面の途中より一体的に張り出された張出部とを有し、前記支柱の上面および下面が前記第1の蓋体および前記第2の蓋体に接合されており、前記柱体の第1の板面は、前記張出部の前記第1の蓋体に対向する面とされ、前記柱体の第2の板面は、前記張出部の前記第2の蓋体に対向する面とされていることを特徴とする磁気センサ。請求項1~3の何れか1項に記載された磁気センサにおいて、前記第1の蓋体と前記第2の蓋体と前記枠体とで形成されるハウジング構造が外側から樹脂で封止されていることを特徴とする磁気センサ。しかしながら、従来の磁気センサでは、磁気センサと樹脂との接合部を高接着強度で密着する場合、その製作時に発生する残留応力、もしくは、温度変化時に発生する応力などにより、磁気センサの出力が影響を受けてセンサ出力が変動してしまい、結果的に回転角度などの検出精度が悪化するという問題があった。本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、製作時に発生する残留応力や温度変化時に発生する応力などの影響を排除し、回転角度などの検出精度を高めることが可能な磁気センサを提供することにある。このような目的を達成するために本発明は、筒状に形成された枠体と、枠体の上面および下面に接合された第1の蓋体および第2の蓋体と、枠体内の第1の蓋体と第2の蓋体との対向空間に、その上面および下面の中心部を第1の蓋体および第2の蓋体に接合した状態で支持固定され、第1の蓋体および第2の蓋体に間隙部を介して対向する第1の板面および第2の板面を有する柱体と、柱体の第1の板面および第2の板面の少なくとも一方の面に搭載された磁気抵抗素子をセンサ素子とする磁気センサ回路とを備えることを特徴とする。この発明では、第1の蓋体と第2の蓋体と枠体とでハウジング構造が形成され、このハウジング構造の内部の空間枠体内の第1の蓋体と第2の蓋体との対向空間に、柱体がその上面および下面の中心部を第1の蓋体および第2の蓋体に接合した状態で支持固定されている。この構成において、磁気抵抗素子をセンサ素子とする磁気センサ回路は、間隙部を介して第1の蓋体および第2の蓋体に対向する柱体の第1の板面および第2の板面の少なくとも一方に搭載されており、上蓋からも下蓋からも枠体からも物理的に分離されているので、製作時に発生する残留応力や温度変化時に発生する応力などが磁気センサ回路の磁気抵抗素子まで伝達することはない。本発明によれば、磁気抵抗素子をセンサ素子とする磁気センサ回路を、ハウジング構造の内部の空間にその上面および下面の中心部を第1の蓋体および第2の蓋体に接合した状態で支持固定された柱体の第1の板面および第2の板面の少なくとも一方の面に搭載するようにしたので、製作時に発生する残留応力や温度変化時に発生する応力などが磁気センサ回路の磁気抵抗素子まで伝達するのを防止するようにして、製作時に発生する残留応力や温度変化時に発生する応力などの影響を排除し、回転角度などの検出精度を高めることが可能となる。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。実施の形態1図1はこの発明に係る磁気センサの一実施の形態実施の形態1の要部を示す側断面図である。同図において、2は筒状この例では、四角の枠状に形成された枠体、3は枠体2の上面2aに接合された上蓋第1の蓋体、4は枠体2の下面2bに接合された下蓋第2の蓋体、5は枠体2内の上蓋3と下蓋4との対向空間6にその上面5aの中心部5a1および下面5bの中心部5b1を上蓋3および下蓋4に接合した状態で支持固定された柱体である。本実施の形態において、枠体2,上蓋3,下蓋4および柱体5は同一の非磁性体材料無アルカリガラス、石英ガラス等で形成されており、その接合部にも異種材は持たない。上蓋3は、中央部分および周縁部分に厚肉部を有し、中央部分の厚肉部3aが柱体5の上面5aの中心部5a1に接合され、周縁部分の厚肉部3bが枠体2の上面2aに接合されている。下蓋4も上蓋3と同様に、中央部分および周縁部分に厚肉部を有し、中央部分の厚肉部4aが柱体5の下面5bの中心部5b1に接合され、周縁部分の厚肉部4bが枠体2の下面2bに接合されている。なお、下蓋4の中央部分の厚肉部4aの幅W2は、上蓋3の中央部分の厚肉部3aの幅W1よりも大きくされている。その理由については後述する。柱体5の上蓋3に接合された上面5aの中心部5a1を除く残りの面5a2は、すなわち上蓋3に間隙部G1を介して対向する面5a2は、柱体5の第1の板面とされている。柱体5の下蓋4に接合された下面5bの中心部5b1を除く残りの面5b2は、すなわち下蓋4に間隙部G2を介して対向する面5b2は、柱体5の第2の板面とされている。そして、この柱体5の第1の板面5a2および第2の板面5b2の少なくとも一方の面、この例では第1の板面5a2に図17に示した磁気抵抗素子1-1~1-4をセンサ素子とする磁気センサ回路7が形成されている。なお、この例では、第1の板面5a2を基板面として磁気センサ回路7を形成しているが、磁気センサ回路7を形成した回路基板を第1の板面5a2に搭載するようにしてもよい。第1の板面5a2を基板面として磁気センサ回路7を形成した構成も本発明でいう柱体の板面に磁気センサ回路を搭載した状態を指す。この磁気センサ100では、上蓋3と下蓋4と枠体2とでハウジング構造が形成され、このハウジング構造の内部の空間枠体2内の上蓋3と下蓋4との対向空間6に、柱体5がその上面5aの中心部5a1および下面5bの中心部5b1を上蓋3および下蓋4に接合した状態で支持固定されている。この構成において、磁気抵抗素子1-1~1-4をセンサ素子とする磁気センサ回路7は、間隙部G1を介して上蓋3に対向する柱体5の第1の板面5a2に形成されており、上蓋3からも下蓋4からも枠体2からも物理的に分離されている。このため、製作時に発生する残留応力や温度変化時に発生する応力などが上蓋3や下蓋4や枠体2に加わったとしても、これらの応力が磁気センサ回路7の磁気抵抗素子1-1~1-4まで伝達することはない。このようにして、本実施の形態の磁気センサ100では、製作時に発生する残留応力や温度変化時に発生する応力などの影響が排除され、回転角度などの検出精度が高められるものとなる。なお、この磁気センサ100において、柱体5の内部には磁気センサ回路7を電気的に外部に接続する配線が通っている。このため、柱体5には磁気センサ回路7の下面から下蓋4の中央部分の肉厚部4aを通して外部に抜ける配線用の通し穴図示せずが設けられており、この配線用の通し穴を確保するために下蓋4の中央部分の厚肉部4aの幅W2が上蓋3の中央部分の厚肉部3aの幅W1よりも大きくされている。また、この磁気センサ100において、上蓋3と下蓋4と枠体2とで形成されるハウジング構造は外側から樹脂で封止される。このハウジング構造の樹脂封止によって、環境耐性が強化される。また、ハウジング構造内の磁気センサ回路7は、上蓋3からも下蓋4からも枠体2からも物理的に分離されているので、ハウジング構造を封止する樹脂に生じる残留応力や温度変化によって生じる応力の影響を受けることもない。実施の形態2図2は本発明に係る磁気センサの他の実施の形態実施の形態2の要部を示す側断面図である。同図において、図1と同一符号は図1を参照して説明した構成要素と同一或いは同等構成要素を示し、その説明は省略する。この磁気センサ200において、上蓋8はその中央部分も周縁部分も均一な厚さとされている。下蓋9も上蓋8同様に、均一な厚さとされている。枠体2内の上蓋8と下蓋10との対向空間6に設ける柱体10は、その中心部に位置する支柱10-1と、この支柱10-1の上下面の途中より全周面にわたって一体的に張り出された張出部鍔部10-2とを有し、支柱10-1の上面10-1aおよび下面10-1bが上蓋8および下蓋9に接合されている。柱体10の張出部10-2の上面10-2aは、すなわち上蓋8に間隙部G1を介して対向する面10-2aは、柱体10の第1の板面とされている。柱体10の張出部10-2の下面10-2bは、すなわち下蓋9に間隙部G2を介して対向する面10-2bは、柱体10の第2の板面とされている。そして、この柱体10の第1の板面10-2aおよび第2の板面10-2bの少なくとも一方の面、この例では第1の板面10-2aに磁気抵抗素子1-1~1-4をセンサ素子とする磁気センサ回路7が形成されている。なお、この例では、第1の板面10-2aを基板面として磁気センサ回路7を形成しているが、磁気センサ回路7を形成した回路基板を第1の板面10-2aに搭載するようにしてもよい。柱体10の第1の板面10-2aを基板面として磁気センサ回路7を形成した構成も本発明でいう柱体の板面に磁気センサ回路を搭載した状態を指す。この磁気センサ200では、上蓋8と下蓋9と枠体2とでハウジング構造が形成され、このハウジング構造の内部の空間枠体2内の上蓋8と下蓋9との対向空間6に、柱体10が支柱10-1の上面10-1aおよび下面10-1bを上蓋8および下蓋9に接合した状態で支持固定されている。この構成において、磁気抵抗素子1-1~1-4をセンサ素子とする磁気センサ回路7は、間隙部G1を介して上蓋8に対向する柱体の板面10-2aに形成されており、上蓋8からも下蓋9からも枠体2からも物理的に分離されている。このため、製作時に発生する残留応力や温度変化時に発生する応力などが上蓋8や下蓋9や枠体2に加わったとしても、これらの応力が磁気センサ回路7の磁気抵抗素子1-1~1-4まで伝達することはない。このようにして、本実施の形態の磁気センサ200でも、製作時に発生する残留応力や温度変化時に発生する応力などの影響が排除され、回転角度などの検出精度が高められるものとなる。なお、この磁気センサ200においても、柱体10の内部には磁気センサ回路7を電気的に外部に接続する配線が通っている。このため、柱体10には磁気センサ回路7の下面から下蓋9の中央部を通して外部に抜ける配線用の通し穴図示せずが設けられており、この配線用の通し穴を確保するために支柱10-1の下面10-1bの幅W2が支柱10-1の上面10-1aの幅W1よりも大きくされている。また、この磁気センサ200においても、上蓋8と下蓋9と枠体2とで形成されるハウジング構造は外側から樹脂で封止される。このハウジング構造の樹脂封止によって、環境耐性が強化される。また、ハウジング構造内の磁気センサ回路7は、上蓋8からも下蓋9からも枠体2からも物理的に分離されているので、ハウジング構造を封止する樹脂に生じる残留応力や温度変化によって生じる応力の影響を受けることもない。図3に参考としてこの実施の形態2における柱体10および枠体2の具体例を示す。この例では、支柱10-1の上面10-1aが十字形とされており、この十字形とされた支柱10-1の上面10-1aより少し下がった位置に設けられる張出部鍔部10-2に、配線用の通し穴H1~H4が形成されている。この配線用の通し穴H1~H4が形成された張出部鍔部10-2の上面に磁気センサ回路7が形成される。実施の形態1の磁気センサの製法下側台座ウエハ下蓋図4aおよびbに下側台座ウエハDWの側断面図および平面図を示す。下側台座ウエハDWには、その中央部に、レーザドリル加工等によって貫通穴4-1~4-4を形成する。そして、図4cおよびdに示すように、中央部分および周縁部分を残した形状で、その上面4cに対してエッチングによるザグリ加工を行う。これにより、中央部分の厚肉部4aおよび周縁部分の厚肉部4bが形成され、下側台座ウエハDWが下蓋4となる。上側台座ウエハ上蓋図5aおよびbに上側台座ウエハUWの側断面図および平面図を示す。上側台座ウエハUWには、図5cおよびdに示すように、中央部分および周縁部分を残した形状で、その下面3cに対してエッチングによるザグリ加工を行う。これにより、中央部分の厚肉部3aおよび周縁部分の厚肉部3bが形成され、上側台座ウエハUWが上蓋3となる。中間層ウエハ枠体および柱体図6aおよびbに中間層ウエハMWの側断面図および平面図を示す。中間層ウエハMWには、その中央部に、レーザドリル加工等によって貫通穴5-1~5-4を形成する。また、この貫通穴5-1~5-4に導体を埋め込む。なお、中間層ウエハMWの貫通穴5-1~5-4は、下側台座ウエハDWの貫通穴4-1~4-4に対応する位置に形成する。そして、図6cおよびdに示すように、中間層ウエハMWの下面MWbに対してサンドブラスト等によって深溝加工を行い、後述する工程で枠体2と柱体5とに分離するための深溝MWcを形成する。この深溝MWcは枠体2と柱体5とを分離する境界に沿って矩形状に形成する。また、中間層ウエハMWの上面MWaの中心部5a1を除く深溝MWcで囲まれた領域を第1の板面5a2として、磁気抵抗素子1-1~1-4をセンサ素子とする磁気センサ回路7を形成する。この中間層ウエハMWの上面MWaへの磁気センサ回路7の形成に際し、磁気センサ回路7と貫通穴5-1~5-4に埋め込まれた導体とは電気的な接続を図る。下側台座ウエハと中間層ウエハとの接合上述した加工を施した後、図7aおよびbに示すように、下側台座ウエハDW下蓋4のザグリ加工が施された上面4cと中間層ウエハMWの深溝MWcが形成された下面MWbとを接合する。そして、図7cおよびdに示すように、中間層ウエハMWの上面MWaよりエッチング等によるザグリ加工を施し、下面MWb側からの深溝MWcを貫通させる。これにより、中間層ウエハMWが枠体2と柱体5とに分離され、下蓋4と枠体2と柱体5との接合体UN1が得られる。下蓋と枠体と柱体との接合体への上側台座ウエハの接合そして、図8aおよびbに示すように、下蓋4と枠体2と柱体5との接合体UN1の磁気センサ回路7が形成されている面に、上側台座ウエハUW上蓋3のザグリ加工が施された下面3cを接合し、下蓋4と枠体2と柱体5と上蓋3との接合体UN2を得る。この場合、上蓋3の中央部分の厚肉部3aが柱体5の上面5aの中心部5a1に接合され、上蓋3の周縁部分の厚肉部3bが枠体5の上面2aに接合され、柱体5の上面5aの板面5a2に形成されている磁気センサ回路7が上蓋3との間の隙間G1に位置するものとなる。電極取り出しそして、この下蓋4と枠体2と柱体5と上蓋3との接合体UN2の底面4dに、図9a,bに示されるように、接合体UN2中の磁気センサ回路7に貫通穴4-1~4-4,5-1~5-4を通して接続される電極P1~P4を取り出す。リードフレームの接続そして、この接合体UN2の底面4dに取り出した電極P1~P4に対し、図10a,bに示すように、リードフレーム11を接続する。樹脂コートそして、このリードフレーム11が接続された接合体UN2の全体を覆うように、図11a,bに示すように、樹脂コート12を施す。そして、図12a,bに示すように、不要なリードフレーム部を切断して、磁気センサ100とする。図13は本発明に係る磁気センサを使用した調節弁制御システムのシステム構成図である。同図において、13は上位コントローラ、14は調節弁、15は調節弁14の弁開度を制御する電空ポジショナである。電空ポジショナ15は、電空変換部15-1とパイロットリレー15-2と角度センサ15-3を備えており、上位コントローラ13からの設定開度情報および調節弁14からの角度センサ15-3を介する実開度情報に基づいて駆動制御信号を生成し、この駆動制御信号を電空変換部15-1にて空気圧信号に変換し、パイロットリレー15-2を介して調節弁14へ与え、調節弁14の開度を制御する。角度センサ15-3は、調節弁14の弁開度をフィードバックレバー図14に示す16の回転角度位置として検出するセンサであり、この角度センサ15-3に本発明に係る磁気センサを使用している。図14は電空ポジショナ7の角度センサ15-3と調節弁14との配置関係を示す図である。調節弁14は駆動部14Aと弁軸14Bと弁14Cとを備えている。駆動部14Aは、ダイアフラムを有してなり、電空ポジショナ15からの導入空気圧に応じ弁軸14Bを上下動させて、弁14Cの開度を調整する。この弁軸14Bのリフト位置、すなわち弁14Cの開度を検出するべく、角度センサ15-3と弁軸14Bとの間にフィードバックレバー16が連結されている。フィードバックレバー16は、弁軸6のリフト位置に応じて角度センサ15-3の中心Oを軸心として、回動する。このフィードバックレバー16の回転角度位置から弁14Cの開度を知ることができる。図15aおよびbは角度センサ15-3の要部を示す平面図および側面図である。この角度センサ15-3において、フィードバックレバー16は回転軸17に軸支されており、この回転軸17との軸支部に磁石18-1,18-2およびヨーク18-3からなる磁界発生手段18が固定されている。磁界発生手段18はフィードバックレバー16と一体となって回動する。そして、この磁界発生手段18が発生する磁界Bに対し、磁気センサ回路7が形成された基板面を平行として、磁気センサ100が配置されている。この磁気センサ100は、センサ取付部材19に固定的に配置されており、フィードバックレバー16とは一体となって回動しない。図16に角度センサ15-3の要部を斜視図として示す。なお、この調節弁制御システムでは、磁界発生手段18が可動部材フィードバックレバー16に保持され、磁気センサ100が固定部材センサ取付部材19に保持されているが、磁界発生手段18を固定部材に保持し、磁気センサ100を可動部材に保持するような構成とされる場合もある。"