基板と、前記基板上に位置する接合金属層と、前記接合金属層上に位置する第一電極と、前記第一電極上に位置し、横方向のエピタキシャル成長によって形成される半導体構造と、第二電極であり、前記半導体構造上に位置し、前記半導体構造は前記第二電極により被蓋していない上表面がナノスケール粗化構造を形成する第二電極と、を含むことを特徴とするナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオード。前記半導体構造は、p型3-5族半導体層と、n型3-5族半導体層と、前記p型3-5族半導体層と前記n型3-5族半導体層の間に位置し、多重量子井戸構造を有する発光半導体層と、を含むことを特徴とする、請求項1に記載のナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオード。前記ナノスケール粗化構造は規則的或いは不規則的なナノメートルサイズの幾何学パターンであることを特徴とする、請求項1に記載のナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオード。前記ナノスケール粗化構造は、規則的なナノメートルサイズの円形か楕円形か多辺形であることを特徴とする、請求項1に記載のナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオード。前記ナノスケール粗化構造は、規則的なナノメートルサイズの幾何学パターンであり、ナノスケール粗化構造の構造周期或いは構造サイズは0.01~0.9ナノメートルであることを特徴とする、請求項1に記載のナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオード。前記半導体構造はナノスケール粗化構造を有するエピタキシャル基板上に横方向エピタキシャル成長後に剥離して形成されたもので、前記ナノスケール粗化構造は前記エピタキシャル基板上のナノスケールパターンと対応することを特徴とする、請求項1に記載のナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオード。エピタキシャル基板を提供し、その上にナノスケールパターン化酸化シリコン層を形成する工程と、前記ナノスケールパターン化酸化シリコン層上において横方向エピキシーによって半導体構造を形成し、前記半導体構造の底表面にナノスケール粗化構造を形成し、それを前記ナノスケールパターン化酸化シリコン層のパターンに対応させる工程と、前記半導体構造上において第一電極を形成する工程と、第二基板を提供し、前記第二基板上に接合金属層を形成する工程と、前記第一電極を前記接合金属層上に接合した後、前記エピタキシャル基板を取り除き、前記半導体構造の前記ナノスケール粗化構造を露出させる工程と、前記半導体構造上において第二電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする、ナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオードの製造方法。前記ナノスケールパターン化酸化シリコン層の製造工程は、前記エピタキシャル基板上において酸化シリコン層とナノスケール金属層を順に形成する工程と、前記エピタキシャル基板に対してアニーリングプロセスを施し、前記ナノスケール金属層の金属粒子が自ら凝集してナノスケールマスクを形成する工程と、マスクとして前記ナノスケールマスク用いて前記酸化シリコン層に対してエッチングを行い、その後前記ナノスケールマスクを取り除き、前記ナノスケールパターン化酸化シリコン層を形成する工程と、を含むことを特徴とする、請求項7に記載のナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオードの製造方法。前記半導体構造を堆積形成する工程は、n型3-5族半導体層を堆積させる工程と、発光半導体層を堆積させ、前記発光半導体層は多重量子井戸構造を有するようにする工程と、p型3-5族半導体層を堆積させる工程と、を含むことを特徴とする、請求項7に記載のナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオードの製造方法。前記エピタキシャル基板を取り除く工程はレーザー剥離方を利用して達成することを特徴とする、請求項7に記載のナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオードの製造方法。前記ナノスケール粗化構造は、規則的或いは不規則的なナノメートルサイズの幾何学図形であることを特徴とする、請求項7に記載のナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオードの製造方法。前記ナノスケール粗化構造は規則的なナノメートルサイズの円形か楕円形か多辺形であることを特徴とする、請求項7に記載のナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオードの製造方法。前記ナノスケール粗化構造は、規則的なナノメートルサイズの幾何学図形であり、ナノスケール粗化構造の構造周期或いは構造サイズは0.01~0.9ナノメートルであることを特徴とする、請求項7に記載のナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオードの製造方法。本発明は上述の公知技術の欠点に対して、上述の問題を克服すべく、ナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオード及びその製造方法を提案する。本発明の主な目的は、ナノスケールパターン化された酸化シリコン層を有するエピタキシャル基板上において、横方向エピタキシャル成長技術を用いて半導体構造を製造し、半導体構造のエピタキシャル成長時の積層欠陥を抑止し、貫通転位密度を低下させ、発光半導体層の結晶品質を高めるのに有効なナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオード及びその製造方法を提供することである。本考案のもう1つの目的は、半導体構造の発光面について再度表面の粗化の必要が無く、外部量子効率を高めることができるナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオード及びその製造方法を提供することである。本考案の更なる目的は、その製造過程において黄色光リソグラフィによってエッチングパターンを作成する必要がなく、製造工程の複雑度を大幅に下げ、製造コストも削減できるナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオード及びその製造方法を提供することである。上述の目的を達成するために、本発明の提供するナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオードは、基板と、基板上に位置する接合金属層と、接合金属層上に位置する第一電極と、第一電極上に位置して横方向のエピタキシャル成長によって形成される半導体構造と、第二電極であり半導体構造上に位置して上述の半導体構造は第二電極により被蓋していない上表面がナノスケール粗化構造を形成する第二電極と、を含む。本発明の提案するナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオードの製造方法は、エピタキシャル基板を提供して、その上にナノスケールパターン化酸化シリコン層を形成する工程と、ナノスケールパターン化酸化シリコン層上において横方向エピタキシーによって半導体構造を形成し、半導体構造の底表面にはナノスケール粗化構造を形成して、それをナノスケールパターン化酸化シリコン層のパターンに対応させる工程と、半導体構造上において第一電極を形成する工程と、第二基板を提供して第二基板上に接合金属層を形成する工程と、第一電極を接合金属層上に接合した後にエピタキシャル基板を取り除いて半導体構造のナノスケール粗化構造を露出させる工程と、半導体構造上において第二電極を形成する工程と、を含む。本発明の提供するナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオード及びその製造方法によると、ナノスケールパターン化された酸化シリコン層を有するエピタキシャル基板上において、横方向エピタキシャル成長技術を用いて半導体構造を製造することで、半導体構造のエピタキシャル成長時の積層欠陥を有効に抑止し、貫通転位密度を低下させ、発光半導体層の結晶品質を高めることができる。また、本発明の製造工程では、半導体構造の発光面は再度表面の粗化の必要が無く、外部量子効率を高めることができる。本発明の全体的な構造は、レーザー剥離方式を用いた薄膜発光ダイオードの製造に有利であり、製造工程での収率を向上させることができる。また、本発明の製造過程全体においては、黄色光リソグラフィによってエッチングパターンを作成する必要が無く、製造工程の複雑度を大幅に下げ、製造コストも削減できる。本発明の目的、技術内容、特徴、達成する効果の更なる理解のために、以下に具体的な実施例を挙げて詳しく説明する。図1は本発明のナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオードの構造を示す図である。図が示すように、本発明のナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオードは、基板12と、基板12上に位置する接合金属層14と、接合金属層14上に位置する第一電極16と、第一電極16上に位置する半導体構造18と、半導体構造18上に位置する第二電極20であり、その半導体構造18は第二電極20により被蓋していない上表面にナノスケール粗化構造22を形成する第二電極20と、を含む。上述の接合金属層14は二層構造であり、下から上の順にチタン層と金層となる。上述の第一電極16は三層構造が可能であり、下から上の順に、金層、プラチナ層、クロム層となる。このため、接合金属層14の金層は第一電極16の金層に接触する。上述の第二電極20は二層構造が可能であり、下から上の順に、金層とクロム層となる。基板12は放熱性により優れたシリコン基板或いは金属基板を採用する。上述の半導体構造18は電気ショックを受けて光線を発し、半導体構造18は、p型3-5族半導体層24と、表面に上述のナノスケール粗化構造22を形成するn型3-5族半導体層26と、p型3-5族半導体層24とn型3-5族半導体層26の間に位置し、多重量子井戸構造multiquantumwellを有する発光半導体層28と、を含む。また、ここに述べる3-5族半導体層の材料は窒化ガリウム或いはガリウムリンである。上述のナノスケール粗化構造22は規則的或いは不規則的なナノメートルサイズの幾何学パターンである。ナノスケール粗化構造22が規則的である時、その幾何学パターンはナノメートルサイズの円形か楕円形か多辺形であり、且つ、構造周期或いは構造サイズは0.01~0.9ナノメートルである。本発明のナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオード10は、n型3-5族半導体層26の表面にナノスケール粗化構造22を形成し、発光ダイオード全体の光抽出効率lightextractionefficiencyをさらに強化し、発せられた光線もほぼ設定されたピーク値の波長範囲に位置する。図2aから図2fは上述の本発明のナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオードを製造するの各工程の断面を示す図である。まず図2aが示すように、エピタキシャル基板30を提供し、エピタキシャル基板表面に厚さ200ナノメートルの二酸化シリコン層32を蒸着した後、二酸化シリコン層32上に厚さ50ナノメートルのニッケル層34を蒸着する。その後、850°Cのアニーリングプロセスを1分間施し、ニッケル層のニッケル粒子が自ら凝集してナノスケールマスクmaskを形成する。マスクとしてこのナノスケールマスク用いて酸化シリコン層に対してエッチングを行う。例えば、反応性イオンエッチングシステムによって3分間エッチングを行った後、硝酸を用いてこのナノスケールマスクを除去し、図2bが示すように、ナノスケールパターン化酸化シリコン層36を形成する。ナノスケールパターン化酸化シリコン層36のパターン部分の直径は約100ナノメートル~150ナノメートルである。有機金属化学気相堆積法を利用して、ナノスケールパターン化酸化シリコン層36上においては、図2cが示すように、順に、n型3-5族半導体層26をエピタキシャル成長させ、多重量子井戸構造を有する発光半導体層28を堆積させ、上述の半導体構造18を形成するp型3-5族半導体層24を堆積させる。このn型3-5族半導体層26の底表面には上述のナノスケール粗化構造22が形成され、ナノスケールパターン化酸化シリコン層36のパターンに対応する。エピタキシャル基板30の材質はサファイア等の格子定数と半導体構造の格子定数が近似する基板材質である。また、上述の半導体構造18のエピタキシャル成長が順調に進み、半導体構18が形成される前に、まずエピタキシャル基板30上に厚さ50ナノメートルの窒化ガリウム緩衝層図中未表示を形成する。上述の半導体構造18は、ナノスケールパターン化酸化シリコン層36上に横方向エピタキシャル成長によって形成されたものであるため、エピタキシャル成長過程で生じる積層欠陥stackingfaultの発生抑止に有効であり、貫通転位密度threadingdislocationdensityを低下させ、発光半導体28の結晶品質を高めて漏れ電流を減少させる。また、本発明の半導体構造28のn型3-5族半導体層26の発光面は既に表面粗化構造を有しているので、再度粗化する必要は無く外部量子効率を高めることができる。次に、図2dが示すように、半導体構造18上には上述の第一電極16を形成し、その形成方法は物理或いは化学気相堆積法である。その後、図2eが示すように、表面上に上述の接合金属層14を形成した基板12を提供する。第一電極16を高温高圧で一定時間接合金属層14上に接合する。レーザー剥離方式laserliftoffを利用してエピタキシャル基板30とその上のナノスケールパターン化酸化シリコン層36を半導体構造18上から除去する。例えば、このレーザー剥離方式はエキシマレーザーを使用したもので、その波長は248ナノメートルであり、パルス幅は25nsであり、このエキシマレーザーは緩衝層を照射並びに破壊し、エピタキシャル基板とその上のナノスケールパターン化酸化シリコン層及び半導体構造を分離させることで、除去を達成する。その後、順に、硝酸等の酸性溶液とプラズマによって半導体構造18表面上に残った窒化ガリウム緩衝層に対してエッチング除去を行う。ナノスケール粗化構造22を部分除去するとともに、その上に第二電極20を形成し、図2fが示すように、本発明の発光ダイオードが完成する。更に、半導体構造上に第二電極を形成する工程の前には、誘導結合プラズマinductivecoupledplasmaを利用して半導体構造表面から下に向かって第一電極までエッチングし、数個の発光ダイオードダイスを区切って形成する工程が含まれる。図3は本発明が形成するナノスケールパターン化酸化シリコン層の走査型電子顕微鏡断面画像図である。図が示すように、ナノスケールパターン化酸化シリコン層は直径約100ナノメートル~150ナノメートルのナノメートル柱状パターンを呈する。図4aは従来の薄膜発光ダイオードの透過型電子顕微鏡断面画像であり、図4bは本発明の薄膜発光ダイオードの透過型電子顕微鏡断面画像である。両者を比較すると従来の発光ダイオードの方が高い貫通転位密度threadingdislocationdensityを有することがわかる。図5aは本発明の薄膜発光ダイオードのコンタクトモードの導電性原子間力顕微鏡画像であり、図5bは従来の薄膜発光ダイオードのコンタクトモードの導電性原子間力顕微鏡画像である。両者を比較すると、従来の発光ダイオードの漏れ電流範囲は本発明に比べはるかに大きいことがわかる。図6は本発明の薄膜発光ダイオードと従来の薄膜発光ダイオードの電流と光出力強度のグラフである。如何なる電流値が加えられた状況下においても、光出力については本発明のナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオードの方が従来の薄膜発光ダイオードより優れていることがこのグラフからわかる。以上に述べた内容は、本発明の好ましい実施例に過ぎず、本発明の実施範囲を限定するものではない。本発明の精神から離れない範囲で加えた変更や潤色は全て、本発明の特許保護範囲内に属するものとする。