"電界効果トランジスタを含むイオンセンサであって、前記イオンセンサは、イオンセンサアンテナ及びキャパシタを更に含み、前記イオンセンサアンテナと、前記キャパシタの一方の端子とは、前記電界効果トランジスタのゲート電極に接続され、前記キャパシタの他方の端子には、電圧が印加されることを特徴とするイオンセンサ。前記電圧は、可変であることを特徴とする請求項1に記載のイオンセンサ。前記電界効果トランジスタは、第一電界効果トランジスタであり、前記イオンセンサアンテナは、第一イオンセンサアンテナであり、前記キャパシタは、第一キャパシタであり、前記イオンセンサは、第二電界効果トランジスタ、第二イオンセンサアンテナ及び第二キャパシタを更に含み、前記第二イオンセンサアンテナと、前記第二キャパシタの一方の端子とは、前記第二電界効果トランジスタのゲート電極に接続され、前記第二キャパシタの他方の端子には、電圧が印加され、前記第一キャパシタの容量の大きさと、前記第二キャパシタの容量の大きさとは、互いに異なることを特徴とする請求項1又は2記載のイオンセンサ。前記電界効果トランジスタは、アモルファスシリコン又は微結晶シリコンを含むことを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のイオンセンサ。請求項1~4のいずれかに記載のイオンセンサと、表示部駆動回路を含む表示部とを備えた表示装置であって、前記表示装置は、基板を有し、前記電界効果トランジスタ及び前記イオンセンサアンテナと、前記表示部駆動回路の少なくとも一部とは、前記基板の同一主面上に形成されることを特徴とする表示装置。しかしながら、特許文献1に記載のイオンセンサのように、イオンセンサアンテナに接続されたゲートの電位変化を利用するタイプのイオンセンサ以下、シングルゲートセンサとも言う。では、プラスイオン及びマイナスイオンの両イオンを高精度に検出しようとすると、高コストとなってしまう。シングルゲートセンサは、イオンセンサアンテナで空気中のイオンを捕集し、イオンセンサアンテナが検知したイオンの量に応じてイオンセンサアンテナと接続されたゲートの電位Vgが変化する。Vgの変化に応じて、ドレイン電流Idが変化し、このIdからイオン濃度を算出する。ここで、イオンセンサの感度について説明する。イオン濃度計測開始時のアンテナの電位をV0、所定時間tに亘りイオン濃度を計測した後のアンテナの電位をVtとし、差分V0-VtをΔVとする。更に、イオン濃度計測開始時のドレイン電流をId,0、所定時間t経過後のドレイン電流をId,tとし、差分Id,0-Id,tをΔIdとする。このとき、感度はΔId/ΔVで示される。すなわち、ΔVに対して、ΔIdが大きいほど高感度であると言える。ここで、図11及び図12を用いて、シングルゲートセンサのId-Vgカーブについて説明する。このセンサは、図12に示すNチャネル型のTFT50を含んで構成され、TFT50は、基板59上に形成され、ゲート電極51、絶縁膜52、水素化a-Si層53、na-Si層54、電極層、絶縁膜57及びバックゲート電極58を含み、これらの部材は基板59側からこの順に積層されている。電極層は、ソース電極55及びドレイン電極56を含み、絶縁膜57は、厚み350nmのSiNx膜である。na-Si層54は、リンP等のV族元素がドーピングされる。ゲート電極51には、イオンセンサアンテナ図示せずが接続されている。図11は、図12で示したTFT50のId-Vgカーブを示し、バックゲート電極58の電位Vbを0Vに固定し、ゲート電極51の電位Vgを-20Vから20Vまで変化させた際のId-Vgカーブを示すグラフである。すなわち、図11は、TFT50をシングルゲートセンサとして機能させる場合のId-Vgカーブを示す。なお、ソース及びドレイン間の電圧は、10Vに設定した。マイナスイオン濃度を測定するとき、イオンセンサアンテナは、マイナスイオンを捕集するために、プラスの電位が印加される。このとき、イオンセンサアンテナと接続されたゲート電極51もプラスの電位が印加されることとなり、ΔVは、プラスの電位同士の差分となる。このとき、Id,0及びId,tはいずれも比較的大きく、ΔIdを高精度に検出することができる。つまり、マイナスイオン濃度の測定においては、概ね高精度な測定結果が得られると言える。一方、プラスイオン濃度を測定するとき、イオンセンサアンテナは、プラスイオンを捕集するために、マイナスの電位が印加される。このとき、イオンセンサアンテナと接続されたゲート電極51もマイナスの電位が印加されることとなり、ΔVは、マイナスの電位同士の差分となる。このとき、Id,0及びId,tはいずれも非常に小さく、ΔIdを高精度に検出することが困難である。つまり、プラスイオン濃度の測定においては、高精度な結果を得られないと言える。これは、Nチャネル型のTFTにおいては、ゲート電極51の電位がマイナスであるときは、ほとんどドレイン電流が流れないことに起因する。なお、Pチャネル型のTFTを備えるイオンセンサにおいては、逆に、プラスイオン濃度を高精度に算出することは可能であるが、マイナスイオン濃度を高精度に算出することが困難となる。上記の通り、Nチャネル型又はPチャネル型のTFTのいずれか一方を備えたシングルゲートイオンセンサでは、両イオンを高精度に測定することは困難であった。両イオンを高精度に測定するためには、Nチャネル型及びPチャネル型のTFTの両方を備える必要があり高コストとなってしまう。更に、特許文献2及び3に記載のイオンセンサのように、TFTのバックゲートの電位変化を利用してイオン濃度を測定するタイプのイオンセンサ以下、ダブルゲートセンサとも言う。について説明する。ダブルゲートセンサは、イオンセンサアンテナで空気中のイオンを捕集し、イオンセンサアンテナが検知したイオンの量に応じてイオンセンサアンテナと接続されたバックゲートの電位Vbが変化する。他方、ゲートの電位Vgは、所望の電位に設定される。そして、Vbの変化に応じて、ドレイン電流Idが変化し、このIdからイオン濃度を算出する。図13は、図12で示したTFT50のId-Vgカーブを示し、バックゲート電極58の電位Vbを-6Vから6Vまで変化させた際のId-Vgカーブを示すグラフである。すなわち、図13は、TFT50をダブルゲートセンサとして機能させる場合のId-Vgカーブを示す。なお、ソース及びドレイン間の電圧は、10Vに設定した。バックゲートを有するTFTを用いることで、原理的には、両イオンを検出することが可能である。しかしながら、下記1又は2の対策を施さないとΔIdを大きくできず、高精度にイオンを検出することが困難となる。1イオンの吸着量に比例するバックゲートの電位を大きくとること、2バックゲート及びチャネル間の距離を小さくすること。ただ、コスト面で有利なアモルファスシリコンa-Siを用いる場合、a-Siは、ポリシリコンp-Si等よりもキャリアの移動度が低いため、Id自身を大きくとらないと、ノイズ等の影響を受けて、高精度にイオンを検出することが困難となる。しかし、Idを大きくすると、Vgが閾値よりも高い領域でTFTを駆動することとなるため、ΔIdが小さくなり、高精度にイオンを検出することが困難となる。また、バックゲート及びチャネル間の距離を小さくすると、TFTの歩留まりが低下してしまうため、やはり高コストとなってしまう。本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、低コストでありながら、プラスイオン及びマイナスイオンを高精度に検出することが可能なイオンセンサ及び表示装置を提供することを目的とするものである。本発明者らは、低コストでありながら、プラスイオン及びマイナスイオンを高精度に検出することが可能なイオンセンサについて種々検討したところ、トランジスタのゲート電極にキャパシタを接続することにより、TFTのゲートの電位Vgをプラスに突上げる又はマイナスに突下げることができ、高精度にイオンを検知するのに適した電圧領域にVgをシフトでき、その結果、Nチャネル型のTFT、又は、Pチャネル型のTFTのいずれか一方のみを備えるイオンセンサであっても、プラスイオン及びマイナスイオンの両方を高精度に検出することが可能であることを見出し、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。すなわち、本発明の一側面は、電界効果トランジスタを含むイオンセンサであって、前記イオンセンサは、イオンセンサアンテナ及びキャパシタを更に含み、前記イオンセンサアンテナと、前記キャパシタの一方の端子とは、前記電界効果トランジスタのゲート電極に接続され、前記キャパシタの他方の端子には、電圧が印加されることを特徴とするイオンセンサである。以下、前記イオンセンサについて詳述する。前記イオンセンサは、電界効果トランジスタFieldEffectTransistor、以下、FETとも言う。を含み、感知するイオンの濃度に応じてFETのチャネルの電気抵抗が変化し、この変化をFETのソース及びドレイン間の電流又は電圧変化として検出する。前記FETの種類は特に限定されるものではないが、薄膜トランジスタThinFilmTransistor、以下TFTとも言う。及びMOSFETMetalOxideSemiconductorFETが好ましい。TFTは、アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置や有機ELOrganicElectro-Luminescence表示装置に好適に用いられる。MOSFETは、LSIやIC等の半導体チップに好適に用いられる。なお、TFTの半導体材料は特に限定されず、例えば、アモルファスシリコンa-Si、ポリシリコンp-Si、微結晶シリコンμc-Si、連続粒界結晶シリコンCG-Si、酸化物半導体等が挙げられる。また、MOSFETの半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコンが挙げられる。前記イオンセンサは、イオンセンサアンテナ以下、単にアンテナとも言う。を更に含み、前記イオンセンサアンテナは、前記電界効果トランジスタのゲート電極に接続される。アンテナは、空気中のイオンを感知捕集する導電部材である。より詳細には、アンテナにイオンが到来するとそのイオンによってアンテナの表面が帯電し、そして、アンテナに接続されたFETのゲート電極の電位が変化し、その結果、FETのチャネルの電気抵抗が変化する。前記イオンセンサは、キャパシタを更に含み、前記キャパシタの一方の端子は、電界効果トランジスタのゲート電極に接続され、前記キャパシタの他方の端子には、電圧が印加される。これにより、FETのソース及びドレイン間の電流又は電圧値を測定する時、FETの導電型がNチャネル型の場合はFETのゲートの電位をプラスに突上げ、FETの導電型がPチャネル型の場合はFETのゲートの電位をマイナスに突下げることができる。そのため、Nチャネル型又はPチャネル型において、高精度にイオンを検知するのに適した電圧領域にゲートの電位をシフトすることができる。その結果、Nチャネル型又はPチャネル型のいずれかの導電型のFETのみを用いて、プラスイオン及びマイナスイオンの両方を高精度に検出することが可能となる。また、Nチャネル型又はPチャネル型のいずれかの導電型のFETを形成するだけでよいので、製造コストを削減することができる。前記キャパシタの種類は特に限定されるものではないが、単板型の構造を有するキャパシタであることが好ましい。該キャパシタは、FETの電極や配線と同時に形成されることが可能であり、低コスト化が可能である。前記イオンセンサの構成としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、その他の構成要素により特に限定されるものではない。前記イオンセンサにおける好ましい形態について以下に詳しく説明する。前記キャパシタの他方の端子に印加される電圧は、可変であることが好ましい。これにより、Vgの突上げ又は突下げ量を適宜調整することができるので、Vgを最適な電圧領域に容易に移動させることができる。前記FETは、第一FETであり、前記イオンセンサアンテナは、第一イオンセンサアンテナであり、前記キャパシタは、第一キャパシタであり、前記イオンセンサは、第二FET、第二イオンセンサアンテナ及び第二キャパシタを更に含み、前記第二イオンセンサアンテナと、前記第二キャパシタの一方の端子とは、前記第二FETのゲート電極に接続され、前記第二キャパシタの他方の端子には、電圧が印加され、前記第一キャパシタの容量の大きさと、前記第二キャパシタの容量の大きさとは、互いに異なってもよい。これにより、同じ電圧を第一及び第二キャパシタに印加したとしても、第一FETを含む回路と、第二FETを含む回路とにおいて、最適なVgの突上げ又は突下げ量をそれぞれ得ることができる。前記第一及び第二FETは、a-Si又はμc-Siを含むことが好ましい。a-Si及びμc-Siの移動度は、p-Si等よりも低い。したがって、上述のように、a-Si又はμc-Siを含む従来のダブルゲートセンサでは、高精度に両イオンを検出することが特に困難であった。それに対して、前記イオンセンサによれば、a-Si又はμc-Siを含む場合でもプラスイオン及びマイナスイオンを高精度に検出することができる。すなわち、本発明の効果を特に効果的に奏することができる。また、比較的安価なa-Si又はμc-Siを用いることで、低コストでありながら高精度に両イオンを検出することが可能なイオンセンサを提供することが可能となる。本発明の他の側面は、前記イオンセンサと、表示部駆動回路を含む表示部とを備えた表示装置であって、前記表示装置は、基板を有し、前記電界効果トランジスタ及び前記イオンセンサアンテナと、前記表示部駆動回路の少なくとも一部とは、前記基板の同一主面上に形成される表示装置でもある。これにより、イオンセンサを基板の額縁領域等の空いたスペースに設けることができ、また、表示部駆動回路を形成する工程を援用してイオンセンサを形成できる。その結果、前記イオンセンサ及び表示部を備えた、低コストでかつ小型化が可能な表示装置を提供することが可能となる。前記表示装置の種類は特に限定されないが、好適には、フラットパネルディスプレイFPDが挙げられる。FPDとしては、例えば、液晶表示装置、有機ELディスプレイ、プラズマディスプレイ等が挙げられる。前記表示部は、表示機能を発揮させるための要素を含むものであり、表示部駆動回路の他に、例えば、表示素子、光学フィルム等を含む。前記表示部駆動回路は、表示素子を駆動するための回路であり、例えば、TFTアレイ、ゲートドライバ、ソースドライバ等の回路を含む。なかでも、前記表示部駆動回路の少なくとも一部は、TFTアレイであることが好ましい。なお、表示素子とは、発光機能又は調光機能光のシャッター機能を有する素子であり、表示装置の画素又はサブ画素毎に設けられる。例えば、液晶表示装置は、通常、対向する一対の基板と、両基板の間に調光機能を有する表示素子とを備える。より具体的には、液晶表示装置の表示素子は、通常、一対の電極と、両基板の間に狭持された液晶とを含む。また、有機ELディスプレイは、通常、発光機能を有する表示素子を基板上に備える。より具体的には、有機ELディスプレイの表示素子は、通常、陽極、有機発光層及び陰極が積層された構造を含む。また、プラズマディスプレイは、通常、対向する一対の基板と、両基板の間に発光機能を有する表示素子とを備える。より具体的には、プラズマディスプレイの発光素子は、通常、一対の電極と、一方の基板に形成された蛍光体と、両基板の間に封入された希ガスとを含む。前記表示装置の構成としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、その他の構成要素により特に限定されるものではない。前記表示装置における好ましい形態について以下に詳しく説明する。なお、第一FET及び第一イオンセンサアンテナに係る形態は、前記第二FET及び第二イオンセンサアンテナに適用することも可能である。前記FETは、第一FETであり、前記表示部駆動回路は、第三FETを含み、前記第一FET及びイオンセンサアンテナ第一イオンセンサアンテナと、前記第三FETとは、前記基板の同一主面上に形成されることが好ましい。これにより、第一及び第三FETを形成するための材料や工程の少なくとも一部を同じくすることが可能となり、第一及び第三FETの形成に必要なコストを削減することが可能となる。また、従来のイオンセンサと表示部とを備えた装置においては、イオンセンサは平行平板型の電極を利用したものが一般的であった。例えば、特許文献4に記載のイオンセンサは、対向する平板型の加速電極及び捕集電極を備えている。このような平行平板型のイオンセンサは、製造上の加工精度の限界から、μmオーダーでの加工は困難であるため、小型化が困難である。特許文献5に記載のイオンセンサ内蔵家電製品用リモコンにおいても、イオンセンサには、一組のイオン加速電極とイオン捕集電極からなる並行平板電極が用いられており、やはり小型化が困難である。一方、上記形態のように、イオンセンサ素子として、FET及びアンテナを利用することにより、フォトリソ法によってイオンセンサ素子の製造が可能となるため、μmオーダーでの加工が可能となり、平行平板型のイオンセンサよりも小型化することが可能である。また、液晶表示パネルにおいては電極間ギャップTFTアレイ基板と対向基板とのギャップは一般的には3~5μm程度であり、TFTアレイ基板及び対向基板にそれぞれ電極を設け、平行平板型のイオンセンサを形成しても、ギャップにイオンを導入することが困難と考えられる。一方、上記形態のように、FET及びアンテナを利用するイオンセンサ素子は、対向基板を必要としないため、イオンセンサを備えた表示装置を小型化することが可能である。なお、イオンセンサ素子とは、空気中のイオン濃度を電気的な物理量に変換するための必要最低限の素子である。前記第三FETの種類は特に限定されるものではないが、TFTであることが好ましい。TFTは、アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置や有機EL表示装置に好適に用いられる。なお、第三FETをTFTとした場合の半導体材料は特に限定されず、例えば、a-Si、p-Si、μc-Si、CG-Si、酸化物半導体等が挙げられるが、なかでも、a-Si及びμc-Siが好適である。前記イオンセンサアンテナ第一イオンセンサアンテナは、透明導電膜を含む表面露出部を有することが好ましい。換言すれば、前記イオンセンサアンテナの表面は、透明導電膜によって覆われることが好ましい。これにより、アンテナの非露出部例えば、金属配線を含んで構成される部分が外部環境に曝露され、腐食するのを防ぐことができる。前記透明導電膜は、第一透明導電膜であり、前記表示部は、第二透明導電膜を有することが好ましい。透明導電膜は、導電性と光学的な透明性とを合わせ持つことから、上記形態により、第二透明導電膜を表示部の透明電極として好適に用いることができる。また、第一透明導電膜及び第二透明導電膜を形成するための材料や工程の少なくとも一部を互いに同じくすることが可能となるので、第一透明導電膜を低コストで形成することが可能となる。前記第一透明導電膜及び前記第二透明導電膜は、同一の材料を含むことが好ましく、同一の材料のみからなることがより好ましい。これにより、第一透明導電膜をより低コストで形成することが可能となる。前記第一透明導電膜及び第二透明導電膜の材質としては、特に限定されるものではないが、例えば、インジウム酸化スズITO:IndiumTinOxide、酸化インジウム亜鉛IZO:IndiumZincOxide、酸化亜鉛ZnO、フッ素ドープ酸化スズFTO:Fluorine-dopedTinOxide等が好適に用いられる。前記第一FETは、光により特性が変化する半導体を含み、前記半導体は、遮光膜によって遮光されることが好ましい。光により特性が変化する半導体としては、例えば、a-Siやμc-Si等が挙げられる。したがって、これらの半導体をイオンセンサに用いるためには、遮光して特性が変化しないようにすることが好ましい。そのため、光により特性が変化する半導体を遮光することにより、光により特性が変化する半導体を表示部だけでなくイオンセンサにおいても好適に用いることが可能となる。前記遮光膜は、前記第一FETを表示装置外部の光外光及び/又は表示装置内部の光から遮光するものである。表示装置内部の光としては、例えば、表示装置内部で生じた反射光等が挙げられる。また、表示装置が有機ELやプラズマディスプレイ等、自発光型であるときは、それらの表示装置が備える発光素子からの光が挙げられる。一方、非自発光型である液晶表示装置のときは、バックライトの光が挙げられる。表示装置内部で生じた反射光等は、数10Lx程度であり、第一FETに与える影響は比較的小さい。一方、外光としては、太陽光、室内照明例えば蛍光灯等が挙げられる。太陽光は、3000~100000Lxであり、実使用時暗室での使用は除く。の室内の蛍光灯は、100~3000Lxであり、いずれも第一FETに与える影響は大きい。したがって、前記遮光膜は、好適には前記第一FETを少なくとも外光から遮断するものであり、より好適には外光と表示装置内部の光との両方を遮断するものである。前記遮光膜は、第一遮光膜であり、前記表示部は、第二遮光膜を有することが好ましい。これにより、本発明の表示装置として例えば液晶表示装置や有機ELディスプレイを適用した場合、混色を抑制することを目的として、表示部の各画素又はサブ画素の境界に第二遮光膜を設けることができる。また、第一遮光膜及び第二遮光膜を形成するための材料や工程の少なくとも一部を互いに同じくすることが可能となり、第一遮光膜を低コストで形成することが可能となる。前記第一遮光膜及び前記第二遮光膜は、同一の材料を含むことが好ましく、同一の材料のみからなることがより好ましい。これにより、第一遮光膜をより低コストで形成することが可能となる。前記イオンセンサアンテナ第一イオンセンサアンテナは、前記第一FETのチャネル領域と重ならなくてもよいし、重なってもよい。アンテナは、通常、光により特性が変化する半導体を含まないため、遮光される必要はない。すなわち、例え第一FETを遮光する必要が生じたとしても、アンテナの周辺に遮光膜が配されている必要はない。したがって、前者の形態のように、アンテナをチャネル領域外に設ければ、第一FETの配置場所の制約を受けることなく、アンテナの配置場所を自由に決定することができる。そのため、イオンをより効果的に検出できる場所、例えば、大気をアンテナに導くための流路やファンの近くの場所等にアンテナを容易に形成することが可能となる。他方、後者の形態のように、アンテナをチャネル領域内に設ければ、第一FETのゲート電極そのものをアンテナとして機能させることができる。したがって、イオンセンサ素子をより小型化することが可能となる。前記イオンセンサの少なくとも一部と、前記表示部駆動回路の少なくとも一部とは、共通の電源に接続されることが好ましい。共通の電源を用いることで、イオンセンサと表示部とが、別々の電源を有しているものよりも、電源を形成するためのコスト、及び、電源を配置するためのスペースを削減することができる。より具体的には、少なくとも、第一FETのソース又はドレインと、TFTアレイのTFTのゲートとが共通の電源に接続されることが好ましい。前記表示装置に係る製品は、特に限定されないが、好適には、テレビ、パーソナルコンピュータ用ディスプレイ等の据え置き型ディスプレイが挙げられる。これにより、据え置き型ディスプレイが置かれた室内環境におけるイオン濃度を該ディスプレイに表示させることが可能となる。また、携帯電話機、PDAPersonalDigitalAssistants等の携帯機器も好適な例として挙げられる。これにより、様々な場所のイオン濃度を手軽に計測することが可能となる。更に、表示部を備えたイオン発生装置も好適な例として挙げられ、これにより、イオン発生装置から放出されるイオンの濃度を表示部に表示させることが可能となる。本発明によれば、低コストでありながら、プラスイオン及びマイナスイオンを高精度に検出することが可能なイオンセンサ及び表示装置を実現することができる。以下に実施形態を掲げ、本発明を図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。実施形態1本実施形態では、Nチャネル型のTFTを含み、検知対象が空気中のイオンであるイオンセンサと、該イオンセンサを備えた液晶表示装置とを例に挙げて説明する。図1は、本実施形態に係るイオンセンサ及び表示装置のブロック図である。本実施形態に係る表示装置110は、液晶表示装置であり、空気中のイオン濃度を測定するためのイオンセンサ120イオンセンサ部と、種々の映像を表示するための表示部130とを備える。表示部130は、表示部駆動回路115として、表示部駆動用TFTアレイ101、ゲートドライバ表示用走査信号線駆動回路103及びソースドライバ表示用映像信号線駆動回路104を含む。イオンセンサ120は、イオンセンサ駆動/読出し回路105、演算処理LSI106及びイオンセンサ回路107を含む。電源回路109は、イオンセンサ120及び表示部130に共用される。イオンセンサ回路107は、空気中のイオン濃度を電気的な物理量に変換するために必要な素子好ましくは、FET及びイオンセンサアンテナを少なくとも含む回路であり、イオンを検知捕集する機能も含む。表示部130は、従来の液晶表示装置等のアクティブマトリクス型の表示装置と同様の回路構成を有する。すなわち、TFTアレイ101が形成された領域、すなわち表示領域に、線順次駆動により映像が表示される。イオンセンサ120の機能について概略すると以下の通りである。まず、イオンセンサ回路107において、空気中のイオンを検知捕集し、検知されたイオンの量に応じた電圧値を生成する。この電圧値は駆動/読出し回路105に送られ、ここでデジタル信号に変換される。この信号は、LSI106に送られ、ここで所定の計算方法に基づきイオン濃度が演算されるとともに、該演算結果を表示領域に表示するための表示用データが生成される。この表示用データは、ソースドライバ104を介してTFTアレイ101に送信され、表示データに応じたイオン濃度が最終的に表示される。電源回路109は、TFTアレイ101、ゲートドライバ103、ソースドライバ104、及び、駆動/読出し回路105に電源を供給する。駆動/読出し回路105は、上記機能の他、後述する突上げ/突下げ配線、リセット配線及び入力配線を制御し、それぞれの配線に所望のタイミングで所定の電源を供給する。なお、駆動/読出し回路105は、イオンセンサ回路107、ゲートドライバ103、ソースドライバ104等の他の回路に含まれてもよく、LSI106に含まれてもよい。また、本実施形態においては、LSI106の代わりに、パーソナルコンピュータPC上で機能するソフトウェアを用いて演算処理を行ってもよい。図2を用いて、表示装置110の構造について説明する。図2は、図1に示す線分A1-A2にて切断した状態におけるイオンセンサ及び表示装置の断面模式図である。イオンセンサ120は、イオンセンサ回路107と、空気イオン導入/導出路42と、ファン図示せずと、遮光膜12a第一遮光膜とを備える。イオンセンサ回路107は、イオンセンサ素子である、センサTFT第一FET30及びイオンセンサアンテナ41を含む。一方、表示部130は、ピクセルTFT第三FET40を含むTFTアレイ101と、遮光膜12b第二遮光膜と、RGB、RGBY等の色を含むカラーフィルタ13と、液晶32と、偏光板31a、31bとを備える。アンテナ41は、空気中のイオンを検知捕集する導電部材であり、センサTFT30のゲートに接続されている。アンテナ41は、外部環境に曝露される部分露出部を含み、アンテナ41の表面露出部にイオンが付着するとアンテナ41の電位が変化し、それに応じてセンサTFT30のゲートの電位も変化する。その結果、センサTFT30のソース及びドレイン間の電流及び/又は電圧が変化する。このように、イオンセンサ素子が、アンテナ41と、センサTFT30とから形成されることにより、従来の平行平板型のイオンセンサよりも小型化することが可能である。導入/導出路42は、アンテナ41上を効率的に通気させるための経路であり、ファンによって、図2の手前から奥、又は、奥から手前に空気が流れる。また、表示装置110は、大部分が対向する二枚の絶縁性基板1a、1bを備え、基板1a、1bの間には液晶32が狭持されている。センサTFT30及びTFTアレイ101は、基板1a、1bが対向する位置において、基板1aTFTアレイ基板の液晶側の主面上に設けられる。TFTアレイ101には、ピクセルTFT40がマトリクス状に多数配されている。アンテナ41、導入/導出路42及びファンは、基板1a、1bが対向しない位置において、基板1aの液晶側の主面上に設けられる。このように、アンテナ41は、センサTFT30のチャネル領域外に設けられる。これにより、導入/導出路42及びファンの近くにアンテナ41を容易に配置することができるので、アンテナ41に効率よく大気を送り込むことが可能となる。また、センサTFT30及び遮光膜12aは、表示部130の端部額縁領域に設けられる。これにより、額縁領域の空いたスペースを有効活用することができるので、表示装置110のサイズを変更することなく、イオンセンサ回路107を形成することが可能となる。このように、基板1aの同一主面上には、イオンセンサ回路107に含まれるセンサTFT30及びイオンセンサアンテナ41と、表示部駆動回路115に含まれるTFTアレイ101とが少なくとも形成される。これにより、TFTアレイ101を形成する工程を援用してセンサTFT30及びイオンセンサアンテナ41を形成できる。他方、遮光膜12a、12b及びカラーフィルタ13は、基板1a、1bが対向する位置において、基板1b対向基板の液晶側の主面上に設けられる。遮光膜12aは、センサTFT30と対向する位置に設けられ、遮光膜12b及びカラーフィルタ13は、TFTアレイ101と対向する位置に設けられる。後に詳述するが、センサTFT30は、光に対する特性が変化する半導体であるa-Siを含む。上記の通り、センサTFT30が、遮光膜12aによって遮光されることで、a-Siの特性、すなわちセンサTFT30の出力特性が変化するのを抑制できるので、イオン濃度をより高精度に測定することができる。偏光板31a、31bは、基板1a、1bの液晶とは反対側外側の主面上にそれぞれ設けられる。図3を用いて、表示装置110の構造について更に詳述する。図3は、本実施形態に係るイオンセンサ及び表示装置の断面模式図である。絶縁性基板1aの液晶側の主面上には、第一導電層、絶縁膜3、水素化a-Si層、na-Si層、第二導電層、パッシベーション膜9及び第三導電層がこの順に積層されている。第一導電層には、イオンセンサアンテナ電極2a、リセット配線2b、後述する接続配線22、突上げ/突下げ容量電極2c及びゲート電極2d、2eが形成される。これらの電極は、第一導電層に形成され、例えば、スパッタ法及びフォトリソ法により、同一の材料から同一の工程により形成されることが可能である。第一導電層は、単層又は積層の金属層から形成される。具体的には、アルミニウムAlの単層、下層のAl/上層のチタンTiの積層、下層のAl/上層のモリブデンMoの積層等が挙げられる。リセット配線2b、接続配線22及び容量電極2cについては、図4を用いて後に詳述する。絶縁膜3は、イオンセンサアンテナ電極2a、リセット配線2b、接続配線22、突上げ/突下げ容量電極2c及びゲート電極2d、2eを覆うように、基板1a上に設けられる。絶縁膜3上には、水素化a-Si層4a、4b、na-Si層5a、5b、ソース電極6a、6b、ドレイン電極7a、7b及び突上げ/突下げ容量電極8が形成される。ソース電極6a、6b、ドレイン電極7a、7b及び容量電極8は、第二導電層に形成され、例えば、スパッタ法及びフォトリソ法により、同一の材料から同一の工程により形成されることが可能である。第二導電層は、単層又は積層の金属層から形成される。具体的には、アルミニウムAlの単層、下層のAl/上層のTiの積層、下層のTi/上層のAlの積層等が挙げられる。また、水素化a-Si層4a、4bは、例えば、化学気相成長CVD:ChemicalVaporDepositionCVD法及びフォトリソ法により、同一の材料から同一の工程により形成されることが可能であり、na-Si層5a、5bも、例えば、CVD法及びフォトリソ法により、同一の材料から同一の工程により形成されることが可能である。上記の通り、各種電極や半導体を形成するにあたり、材料や工程の少なくとも一部を同じくすることが可能である。これにより、各種電極や半導体から構成されるセンサTFT30及びピクセルTFT40の形成に必要なコストを削減することが可能となる。TFT30、40の構成要素については、後に更に詳述する。パッシベーション膜9は、水素化a-Si層4a、4b、na-Si層5a、5b、ソース電極6a、6b、ドレイン電極7a、7b及び容量電極8を覆うように、絶縁膜3上に設けられる。パッシベーション膜9上には、透明導電膜11a第一透明導電膜及び透明導電膜11b第二透明導電膜が形成される。透明導電膜11aは、絶縁膜3及びパッシベーション膜9を貫通するコンタクトホール10aを介してアンテナ電極2aと接続される。コンタクトホール10aによってアンテナ電極2aが剥き出しとならないように透明導電膜11aが配されることで、アンテナ電極2aが外部環境に曝露され腐食するのを防ぐことができる。透明導電膜11bは、パッシベーション膜9を貫通するコンタクトホール10bを介してドレイン電極7bと接続される。透明導電膜11a、11bは、第三導電層に形成され、例えば、スパッタ法及びフォトリソ法により、同一の材料から同一の工程により形成されることが可能である。第三導電層は、単層又は積層の透明導電膜から形成される。具体的には、ITO膜、IZO膜等が挙げられる。なお、透明導電膜11a、11bを構成する全ての材料が互いに完全に同一である必要はなく、また、透明導電膜11a、11bを形成するための全ての工程が完全に同一である必要はない。例えば、透明導電膜11a及び/又は透明導電膜11bが多層構造を有しているとき、二つの透明導電膜に共通する層のみを同一の材料から同一の工程により形成することも可能である。上記の通り、透明導電膜11bを形成するための材料や工程の少なくとも一部を透明導電膜11aの形成に流用することで、透明導電膜11aを低コストで形成することが可能となる。また、遮光膜12a及び遮光膜12bも同一の材料から同一の工程により形成されることが可能である。具体的には、遮光膜12a、12bは、クロムCr等の不透明な金属膜、不透明な樹脂膜等から形成される。該樹脂膜としては、炭素を含有するアクリル樹脂等が挙げられる。上記の通り、遮光膜12bを形成するための材料や工程の少なくとも一部を遮光膜12aの形成に流用することで、遮光膜12aを低コストで形成することが可能となる。TFT30、40の構成要素について更に詳述する。センサTFT30は、ゲート電極2d、絶縁膜3、水素化a-Si層4a、na-Si層5a、ソース電極6a及びドレイン電極7aから形成される。ピクセルTFT40は、ゲート電極2e、絶縁膜3、水素化a-Si層4b、na-Si層5b、ソース電極6b及びドレイン電極7bから形成される。絶縁膜3は、センサTFT30及びピクセルTFT40において、ゲート絶縁膜として機能する。TFT30、40は、ボトムゲート型のTFTである。na-Si層5a、5bは、リンP等のV族元素がドーピングされる。すなわち、センサTFT30及びピクセルTFT40は、Nチャネル型TFTである。アンテナ41は、透明導電膜11a及びアンテナ電極2aから形成される。また、突上げ/突下げ容量電極2c、8と、誘電体として機能する絶縁膜3とから、キャパシタである突上げ/突下げ容量43が形成される。容量電極2cは、ゲート電極2d及びアンテナ電極2aに接続され、容量電極8は、突上げ/突下げ配線23に接続されている。これにより、ゲート電極2d及びアンテナ41の容量を大きくすることができるので、イオン濃度の測定中における外来ノイズの影響を抑えることができる。したがって、センサ動作をより安定にでき、精度をより高くすることができる。また、両イオンを高精度に検出することができるが、その詳細は後述する。次に、図4を用いて、イオンセンサ回路107及びTFTアレイ101の回路構成及び動作機構について説明する。図4は、本実施形態に係るイオンセンサ回路107とTFTアレイ101の一部とを示す等価回路である。まず、TFTアレイ101について説明する。ピクセルTFT40のゲート電極2dは、ゲートバスラインGn、Gn1、を介して、ゲートドライバ103と接続され、ソース電極6bは、ソースバスラインSm、Sm1、を介して、ソースドライバ104と接続される。ピクセルTFT40のドレイン電極7bは、画素電極として機能する透明導電膜11bと接続される。ピクセルTFT40は、サブ画素毎に設けられ、スイッチング素子として機能する。ゲートバスラインGn、Gn1、には、ゲートドライバ103から所定のタイミングで走査パルス走査信号が供給され、該走査パルスは、線順次方式で各ピクセルTFT40に印加される。ソースバスラインSm、Sm1、には、ソースドライバ104で生成された任意の映像信号、及び/又は、マイナスイオン濃度に基づき算出された表示用データが供給される。そして、走査パルスの入力により一定期間だけオン状態とされたピクセルTFT40に接続された画素電極透明導電膜11bに、映像信号及び/又は表示用データが所定のタイミングで供給される。液晶に書き込まれた所定レベルの映像信号及び/又は表示用データは、これらの信号及び/又はデータが印加された画素電極と、この画素電極に対向する対向電極図示せずとの間で一定期間保持される。ここで、これらの画素電極及び対向電極の間に形成される液晶容量と並列に液晶補助容量Cs36が形成される。液晶補助容量36は、各サブ画素において、ドレイン電極7a及び液晶補助容量線Csn、Csn1、の間に形成される。なお、容量線Csn、Csn1、は、第一導電層に形成され、ゲート配線Gn、Gn1、と平行に設けられる。次に、イオンセンサ回路107の回路構成について説明する。センサTFT30のドレイン電極7aには、入力配線20が接続される。入力配線20には、High電圧10V又はLow電圧0Vが印加され、入力配線20の電圧をVddとする。ソース電極6aには、出力配線21が接続される。出力配線21の電圧をVoutとする。また、センサTFT30のゲート電極2dには、接続配線22を介してアンテナ41が接続される。更に、接続配線22には、リセット配線2bが接続される。配線22、2b同士の交点ノードをnode-Zとする。リセット配線2bは、node-Z、すなわちセンサTFT30のゲートとアンテナ41との電圧をリセットするための配線である。リセット配線2bには、High電圧20V又はLow電圧-10Vが印加され、リセット配線2bの電圧をVrstとする。更に、接続配線22には、突上げ/突下げ容量43を介して突上げ/突下げ配線23が接続される。突上げ/突下げ配線23には、High電圧又はLow電圧例えば-10Vが印加され、突上げ/突下げ配線23の電圧をVrwとする。VrwのHigh電圧及びLow電圧、すなわちVrwの波形は、High電圧及びLow電圧それぞれを供給する電源の値を変化させることによって、所望の値に調整することが可能である。なお、電源の値を変化させる方法としては、下記1又は2の方法が挙げられる。1複数の電源を用意し、スイッチ例えば、半導体スイッチ、トランジスタ等によって配線23に接続される電源を切り替える方法。どの電源に接続するか、すなわち該スイッチの接続先は、ホスト側からの信号により制御される。より具体的には、図16に示すように、電源の値が互いに異なる電源62、63を用意し、スイッチ65、66によって配線23に接続される電源を切り替える方法が挙げられる。2一つの電源にラダー抵抗を接続し、出力したい電圧抵抗を選択する方法。どの電圧抵抗に接続するかは、ホスト側からの信号により制御される。より具体的には、図17に示すように、電源64にラダー抵抗を接続し、出力したい電圧抵抗をスイッチ67、68、69のオンオフにより選択する方法が挙げられる。出力配線21には、定電流回路25及びアナログ-デジタル変換回路ADC26が接続される。定電流回路25は、Nチャネル型のTFT定電流TFTから構成され、定電流TFTのドレインは、出力配線21に接続される。定電流TFTのソースは、定電流源に接続され、その電圧Vssは、VddのHigH電圧よりも低電圧に固定される。定電流TFTのゲートは、定電圧源に接続される。定電流TFTのゲートの電圧Vbaisは、定電流TFTのソース及びドレインの間に一定の電流例えば、1μAが流れるように、所定の値に固定される。定電流回路25及びADC26は、駆動/読出し回路105内に形成される。なお、アンテナ41、センサTFT30のゲート、リセット配線2b、接続配線22及び突上げ/突下げ容量43は、アンテナ電極2a、ゲート電極2d、リセット配線2b、容量電極2c及び接続配線22が第一導電層に一体的に形成されることによって、互いに接続される。他方、駆動/読出し回路105、ゲートドライバ103及びソースドライバ104はそれぞれ、基板1a上には直接形成されず、LSIチップ等の半導体チップに形成され、半導体チップは、基板1a上に実装される。続いて、図5~8を用いてイオンセンサ回路の動作機構について詳細に説明する。図5は、マイナスイオン濃度を測定する際の本実施形態に係るイオンセンサ回路のタイミングチャートであり、図6は、本実施形態に係るイオンセンサ及び表示装置におけるId-Vgカーブを示すグラフである。また、図7は、プラスイオン濃度を測定する際の本実施形態に係るイオンセンサ回路のタイミングチャートであり、図8は、本実施形態に係るイオンセンサ及び表示装置におけるId-Vgカーブを示すグラフである。まず、図5及び6を用いてマイナスイオン濃度の測定について説明する。初期状態において、Vrstは、Low電圧-10Vに設定される。このとき、VrstをLow電圧-10Vに設定するための電源として、ピクセルTFT40のゲート電極2eにLow電圧-10Vを印加するための電源を流用することができる。また、初期状態において、Vddは、Low電圧0Vに設定されている。イオン濃度の測定が開始される前に、まず、リセット配線2bにHigh電圧20Vが印加され、アンテナ41の電圧node-Zの電圧が20Vにリセットされる。このとき、リセット配線2bにHigh電圧20Vに設定するための電源として、ピクセルTFT40のゲート電極2eにHigh電圧20Vを印加するための電源を流用することができる。node-Zの電圧がリセットされた後、リセット配線2bは、ハイインピーダンス状態に保たれる。そして、イオンの導入が開始され、アンテナ41にマイナスイオンが捕集されると、20Vにリセットされた、すなわち、プラスにチャージされたnode-Zの電圧は、マイナスイオンによって中和され低下するセンシング動作。マイナスイオン濃度が高いほど、電圧が低下するスピードは速くなる。イオンを導入してから所定の時間が経過した後、入力配線20にHigh電圧10Vを一時的に印加する。すなわち、入力配線20に10Vのパルス電圧を印加する。同時に、突上げ/突下げ配線23に任意のプラスのパルス電圧High電圧を印加し、突上げ/突下げ容量43を介してnode-Zの電圧を突上げる。また、出力配線21は、定電流回路25に接続されている。したがって、入力配線20に10Vのパルス電圧を印加すると、入力配線20及び出力配線21には一定の電流が流れる。ただし、センサTFT30のゲートの開き具合、すなわち、突上げられたnode-Zの電圧の差に応じて、出力配線21の電圧Voutは変化することとなる。この電圧VoutをADC26で検出することで、マイナスイオン濃度を検出することが可能となる。なお、定電流回路25を設けず、node-Zの電圧の差に応じて変化する出力配線21の電流Idを検出することで、マイナスイオン濃度を検出することも可能である。突上げ/突下げ配線23に印加するプラスの電圧は、図6に示すように、ΔId/ΔVgが所望の値以上となる電圧領域にVgが入るように、すなわち高S/N比が確保できるように、設定される。よって、node-Zの電圧を突き上げなくとも、Vgがマイナスイオン濃度の検出に適した電圧領域に入っているのであれば、node-Zの電圧を突上げる必要はない。続いて、図7及び8を用いてプラスイオン濃度の測定について説明する。初期状態において、Vrstは、High電圧20Vに設定される。このとき、VrstをHigh電圧20Vに設定するための電源として、ピクセルTFT40のゲート電極2eにHigh電圧20Vを印加するための電源を流用することができる。また、初期状態において、Vddは、Low電圧0Vに設定されている。イオン濃度の測定が開始される前に、まず、リセット配線2bにLow電圧-10Vが印加され、アンテナ41の電圧node-Zの電圧が-10Vにリセットされる。このとき、リセット配線2bにLow電圧-10Vに設定するための電源として、ピクセルTFT40のゲート電極2eにLow電圧-10Vを印加するための電源を流用することができる。node-Zの電圧がリセットされた後、リセット配線2bは、ハイインピーダンス状態に保たれる。そして、イオンの導入が開始され、アンテナ41にプラスイオンが捕集されると、-10Vにリセットされた、すなわち、マイナスにチャージされたnode-Zの電圧は、プラスイオンによって中和され上昇するセンシング動作。プラスイオン濃度が高いほど、電圧が上昇するスピードは速くなる。イオンを導入してから所定の時間が経過した後、入力配線20にHigh電圧10Vを一時的に印加する。すなわち、入力配線20に10Vのパルス電圧を印加する。同時に、突上げ/突下げ配線23に任意のプラスのパルス電圧High電圧を印加し、突上げ/突下げ容量43を介してnode-Zの電圧を突上げる。また、出力配線21は、定電流回路25に接続されている。したがって、入力配線20に10Vのパルス電圧を印加すると、入力配線20及び出力配線21には一定の電流が流れる。ただし、センサTFT30のゲートの開き具合、すなわち、突上げられたnode-Zの電圧の差に応じて、出力配線21の電圧Voutは変化することとなる。この電圧VoutをADC26で検出することで、プラスイオン濃度を検出することが可能となる。なお、定電流回路25を設けず、node-Zの電圧の差に応じて変化する出力配線21の電流Idを検出することで、プラスイオン濃度を検出することも可能である。突上げ/突下げ配線23に印加するプラスの電圧は、図8に示すように、ΔId/ΔVgが所望の値以上となる電圧領域にVgが入るように、すなわち高S/N比が確保できるように、設定される。なお、本実施形態では、VddのHigh電圧は10Vに特に限定されず、リセット配線2bに印加されるHigh電圧、すなわちピクセルTFT40のゲート電極2eに印加されるHigh電圧と同じ20Vとしてもよい。これにより、VddのHigh電圧を印加するための電源として、ピクセルTFT40のゲート電極2eにHigh電圧を印加するための電源を流用することができる。また、node-Zの電圧を突上げしない状態のときの突上げ/突下げ配線23の電圧VrwのLow電圧は、ピクセルTFT40のゲート電極2eに印加されるLow電圧と同じ-10Vとしてもよい。これにより、VrwのLow電圧を印加するための電源として、ピクセルTFT40のゲート電極2eにLow電圧を印加するための電源を流用することができる。一方、node-Zの電圧を突上げるときの突上げ/突下げ配線23の電圧VrwのHigh電圧は、上述のように、ΔId/ΔVgが大きくなるように適宜設定される。実施形態2実施形態2に係る表示装置は、以下の点以外は、実施形態1と同様の構成を有する。すなわち、実施形態1に係る表示装置は、Nチャネル型のセンサTFT30を用いて大気中のイオン濃度が測定可能なイオンセンサを備えるが、実施形態2に係る表示装置は、Pチャネル型のセンサTFT30を用いて大気中のイオン濃度が測定可能なイオンセンサを備える。具体的には、na-Si層5a、5bの代わりにpa-Si層が形成され、pa-Si層には、ホウ素B等のIII族元素がドーピングされる。すなわち、本実施形態では、センサTFT30及びピクセルTFT40は、Pチャネル型TFTである。また、突上げ/突下げ配線23には、High電圧例えば20V又はLow電圧が印加され、VrwのLow電圧は、所望の値に調整することが可能である。続いて、図9及び10を用いてイオンセンサ回路の動作機構について詳細に説明する。図9は、マイナスイオン濃度を測定する際の本実施形態に係るイオンセンサ回路のタイミングチャートであり、図10は、プラスイオン濃度を測定する際の本実施形態に係るイオンセンサ回路のタイミングチャートである。まず、図9を用いてマイナスイオン濃度の測定について説明する。初期状態において、Vrstは、Low電圧-10Vに設定される。このとき、VrstをLow電圧-10Vに設定するための電源として、ピクセルTFT40のゲート電極2eにLow電圧-10Vを印加するための電源を流用することができる。また、初期状態において、Vddは、Low電圧0Vに設定されている。イオン濃度の測定が開始される前に、まず、リセット配線2bにHigh電圧20Vが印加され、アンテナ41の電圧node-Zの電圧が20Vにリセットされる。このとき、リセット配線2bにHigh電圧20Vに設定するための電源として、ピクセルTFT40のゲート電極2eにHigh電圧20Vを印加するための電源を流用することができる。node-Zの電圧がリセットされた後、リセット配線2bは、ハイインピーダンス状態に保たれる。そして、イオンの導入が開始され、アンテナ41にマイナスイオンが捕集されると、20Vにリセットされた、すなわち、プラスにチャージされたnode-Zの電圧は、マイナスイオンによって中和され低下するセンシング動作。マイナスイオン濃度が高いほど、電圧が低下するスピードは速くなる。イオンを導入してから所定の時間が経過した後、入力配線20にHigh電圧10Vを一時的に印加する。すなわち、入力配線20に10Vのパルス電圧を印加する。同時に、突上げ/突下げ配線23に任意のマイナスのパルス電圧Low電圧を印加し、突上げ/突下げ容量43を介してnode-Zの電圧を突下げる。また、出力配線21は、定電流回路25に接続されている。したがって、入力配線20に10Vのパルス電圧を印加すると、入力配線20及び出力配線21には一定の電流が流れる。ただし、センサTFT30のゲートの開き具合、すなわち、突下げられたnode-Zの電圧の差に応じて、出力配線21の電圧Voutは変化することとなる。この電圧VoutをADC26で検出することで、マイナスイオン濃度を検出することが可能となる。なお、定電流回路25を設けず、node-Zの電圧の差に応じて変化する出力配線21の電流Idを検出することで、マイナスイオン濃度を検出することも可能である。突上げ/突下げ配線23に印加するマイナスの電圧は、ΔId/ΔVgが所望の値以上となる電圧領域にVgが入るように、すなわち高S/N比が確保できるように、設定される。続いて、図10を用いてプラスイオン濃度の測定について説明する。初期状態において、Vrstは、High電圧20Vに設定される。このとき、VrstをHigh電圧20Vに設定するための電源として、ピクセルTFT40のゲート電極2eにHigh電圧20Vを印加するための電源を流用することができる。また、初期状態において、Vddは、Low電圧0Vに設定されている。イオン濃度の測定が開始される前に、まず、リセット配線2bにLow電圧-10Vが印加され、アンテナ41の電圧node-Zの電圧が-10Vにリセットされる。このとき、リセット配線2bにLow電圧-10Vに設定するための電源として、ピクセルTFT40のゲート電極2eにLow電圧-10Vを印加するための電源を流用することができる。node-Zの電圧がリセットされた後、リセット配線2bは、ハイインピーダンス状態に保たれる。そして、イオンの導入が開始され、アンテナ41にプラスイオンが捕集されると、-10Vにリセットされた、すなわち、マイナスにチャージされたnode-Zの電圧は、プラスイオンによって中和され上昇するセンシング動作。プラスイオン濃度が高いほど、電圧が上昇するスピードは速くなる。イオンを導入してから所定の時間が経過した後、入力配線20にHigh電圧10Vを一時的に印加する。すなわち、入力配線20に10Vのパルス電圧を印加する。同時に、突上げ/突下げ配線23に任意のマイナスのパルス電圧Low電圧を印加し、突上げ/突下げ容量43を介してnode-Zの電圧を突下げる。また、出力配線21は、定電流回路25に接続されている。したがって、入力配線20に10Vのパルス電圧を印加すると、入力配線20及び出力配線21には一定の電流が流れる。ただし、センサTFT30のゲートの開き具合、すなわち、突下げられたnode-Zの電圧の差に応じて、出力配線21の電圧Voutは変化することとなる。この電圧VoutをADC26で検出することで、プラスイオン濃度を検出することが可能となる。なお、定電流回路25を設けず、node-Zの電圧の差に応じて変化する出力配線21の電流Idを検出することで、プラスイオン濃度を検出することも可能である。突上げ/突下げ配線23に印加するマイナスの電圧は、ΔId/ΔVgが所望の値以上となる電圧領域にVgが入るように、すなわち高S/N比が確保できるように、設定される。よって、node-Zの電圧を突下げなくとも、Vgがプラスイオン濃度の検出に適した電圧領域に入っているのであれば、node-Zの電圧を突下げる必要はない。なお、本実施形態では、VddのHigh電圧は10Vに特に限定されず、リセット配線2bに印加されるHigh電圧、すなわちピクセルTFT40のゲート電極2eに印加されるHigh電圧と同じ20Vとしてもよい。これにより、VddのHigh電圧を印加するための電源として、ピクセルTFT40のゲート電極2eにHigh電圧を印加するための電源を流用することができる。また、node-Zの電圧を突下げしない状態のときの突上げ/突下げ配線23の電圧VrwのHigh電圧は、ピクセルTFT40のゲート電極2eに印加されるHigh電圧と同じ20Vとしてもよい。これにより、VrwのHigh電圧を印加するための電源として、ピクセルTFT40のゲート電極2eにHigh電圧を印加するための電源を流用することができる。一方、node-Zの電圧を突下げるときの突上げ/突下げ配線23の電圧VrwのLow電圧は、上述のように、ΔId/ΔVgが大きくなるように適宜設定される。上記の通り、実施形態1、2に係るイオンセンサ、及び、該イオンセンサを備えた表示装置は、node-Zの電圧を突上げる又は突下げることにより、Nチャネル型TFT又はPチャネル型TFTのいずれかのTFTのみを用いて、プラスイオン及びマイナスイオンの両イオンを高精度に検出することが可能となる。なお、実施形態1、2において、node-Zの突上げ又は突下げ電圧は、突上げ/突下げ容量43の大きさ/node-Zのトータル容量の大きさ×ΔVppの式によって決定される。式中、ΔVppは、VrwのHigh電圧と、VrwのLow電圧との差である。したがって、実施形態1、2では、突上げ/突下げ容量43の大きさ及び/又はΔVppを調節することによって、node-Zの突上げ又は突下げ電圧を調整することができる。以下に、実施形態1及び2の変形例を示す。上述のように、node-Zの突上げ又は突下げ電圧は、突上げ/突下げ容量43の大きさによっても変化する。したがって、マイナスイオン検知用回路及びプラスイオン検知用回路を作製し、それぞれの回路においてnode-Z電圧が最適となるように、それぞれの回路の突上げ/突下げ容量の大きさを互いに異ならせてもよい。図14及び図15を用いて、本変形例を実施形態1に適用した場合について更に詳述するが、実施形態2にも同様の思想に基づき、本変形例を適用することができる。図14は、変形例に係るイオンセンサ回路207を示す等価回路である。イオンセンサ回路207は、マイナスイオン検知用回路201と、プラスイオン検知用回路202とを含む。回路201は、センサTFT第一FET30、イオンセンサアンテナ第一イオンセンサアンテナ41、及び、突上げ/突下げ容量60第一キャパシタを含む。回路202は、センサTFT第二FET30、イオンセンサアンテナ第二イオンセンサアンテナ41、及び、突上げ/突下げ容量61第二キャパシタを含む。回路201及び202はそれぞれ、突上げ/突下げ容量43の代わりに、突上げ/突下げ容量60及び61を有すること以外は、実施形態1のイオンセンサ回路107と同じである。容量60の大きさC1及び容量61の大きさC2は、互いに異なる値に設定され、C1は、マイナスイオンを検知するのに最適な値に設定され、C2は、プラススイオンを検知するのに最適な値に設定されている。図15は、変形例に係るマイナスイオン検知用回路及びプラスイオン検知用回路のタイミングチャートである。容量60に印加されるパルス電圧の波形Vrwの波形と、容量61に印加されるパルス電圧の波形Vrwの波形とは同じであり、回路201及び202は共通の電源を使用することができる。しかしながら、C1及びC2が互いに異なるので、回路201及び回路202ではnode-Zの突上げ電圧が異なり、それぞれの回路に最適なnode-Zの突上げ電圧を得ることができる。なお、本変形例では、回路201及び202で更にVrwの波形を互いに異ならせ、node-Zの突上げ電圧を調整してもよい。実施形態1及び2では、液晶表示装置を例に用いて説明したが、各実施形態の表示装置は、有機ELディスプレイ、プラズマディスプレイ等のFPDであってもよい。定電流回路25は、設けられなくてもよい。すなわち、センサTFT30のソース及びドレイン間の電流を測定することでイオン濃度を算出してもよい。イオンセンサ120に形成されるTFTの導電型と、表示部130に形成されるTFTの導電型とは、互いに異なっていてもよい。a-Si層の代わりに、μc-Si層、p-Si層、CG-Si層、酸化物半導体層を用いてもよい。ただし、μc-Siは、a-Si同様、光に対する感度が高いので、μc-Si層を含むTFTは、遮光されることが好ましい。一方、p-Si、CG-Si及び酸化物半導体は、光に対する感度が低いので、p-Si層、又は、CG-Si層を含むTFTは、遮光されなくてもよい。なお、イオンセンサ120に形成されるTFTに含まれる半導体の種類と、表示部130に形成されるTFTの半導体の種類とは、互いに異なっていてもよいが、製造工程を簡略化する観点からは、同じであることが好ましい。基板1a上に形成されるTFTの種類は、ボトムゲート型に限定されず、トップゲート型、プレーナ型等であってもよい。また、例えば、センサTFT30をプレーナ型とした場合、アンテナ41は、TFT30のチャネル領域上に形成されてもよい。すなわち、ゲート電極2dを露出させ、ゲート電極2d自体をイオンセンサアンテナとして機能させてもよい。なお、イオンセンサ120に形成されるTFTの種類と、表示部130に形成されるTFTの種類とは、互いに異なっていてもよい。ゲートドライバ103、ソースドライバ104及び駆動/読出し回路105は、モノリシック化され、基板1a上に直接形成されてもよい。実施形態1及び2では、空気中のプラス又はマイナスイオンの濃度を測定するイオンセンサを例にしたが、本発明のイオンセンサの測定対象種は空気中のイオンに限定されず、溶液中のイオンを測定するものであってもよい。具体的には、たんぱく質、DNA、抗体等を検出するバイオセンサとして機能するものであってもよい。上述した実施形態は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、適宜組み合わされてもよい。なお、本願は、2010年6月3日に出願された日本国特許出願2010-128167号を基礎として、パリ条約ないし移行する国における法規に基づく優先権を主張するものである。該出願の内容は、その全体が本願中に参照として組み込まれている。"