超伝導体の一面に当該超伝導体における酸化のギブズエネルギーより小なる酸化のギブズエネルギーを有する金属が設けられるとともに、前記超伝導体から前記金属へ当該超伝導体の酸素が移動することで当該金属の酸化と当該超伝導体の還元が進行するために必要な活性化エネルギー以上のエネルギーが与えられるように加熱することによって得られる超伝導特性が弱められた領域が前記超伝導体の前記金属が設けられた領域下に存在することを特徴とするジョセフソン素子。超伝導体の一面に当該超伝導体における酸化のギブスエネルギーより小なる酸化のギブスエネルギーを有する金属を接触させた後、前記超伝導体から前記金属へ当該超伝導体の酸素が移動することで当該金属の酸化と当該超伝導体の還元が進行するために必要な活性化エネルギー以上のエネルギーが与えられるように加熱することによって、前記超伝導体の前記金属と接触した領域下に超伝導特性が弱められた領域を作ることを特徴とするジョセフソン素子の製造方法。前記加熱を、前記金属を接触させた領域を局所的に加熱する電流加熱であることを特徴とする請求項2に記載のジョセフソン素子の製造方法。前記超伝導体は、Bi2Sr2CuO6δ、Bi2Sr2CaCu2O8δ、Bi2Sr2Ca2Cu3O10δ、YBa2Cu3O7δ、La2xBaxCuO4、TlBa2Can1CunO2n3n=1、2、3、4、5、Tl2Ba2Can1CunO2n4n=1、2、3、4、HgBa2YCan1CunO2n2δn=1、2、3、4、5、La2xSrxCuO4、Nd2xCexCuO4、La2xSrxCuO4のいずれか1つより選択された物質であり、前記金属は、Al、Cu、Ti、Ni、Ta、V、Cr、Sb、Mn、Fe、Co、Zn、Hf、Nb、Mo、Sn、Siのいずれか1つ或いはその合金より選択された物質であることを特徴とする請求項1に記載のジョセフソン素子。前記超伝導体は、Bi2Sr2CuO6δ、Bi2Sr2CaCu2O8δ、Bi2Sr2Ca2Cu3O10δ、YBa2Cu3O7δ、La2xBaxCuO4、TlBa2Can1CunO2n3n=1、2、3、4、5、Tl2Ba2Can1CunO2n4n=1、2、3、4、HgBa2YCan1CunO2n2δn=1、2、3、4、5、La2xSrxCuO4、Nd2xCexCuO4、La2xSrxCuO4のいずれか1つより選択された物質であり、前記金属は、Al、Cu、Ti、Ni、Ta、V、Cr、Sb、Mn、Fe、Co、Zn、Hf、Nb、Mo、Sn、Siのいずれか1つ或いはその合金より選択された物質であることを特徴とする請求項2又は3に記載のジョセフソン素子の製造方法。本発明は従前の技術に鑑み、微細加工が出来、又制御性の高い、ジョセフソン素子および同素子の製造方法を提供する。本発明請求項1に係る発明は、超伝導体の一面に当該超伝導体における酸化のギブズエネルギーより小なる酸化のギブズエネルギーを有する金属が設けられるとともに、前記超伝導体から前記金属へ当該超伝導体の酸素が移動することで当該金属の酸化と当該超伝導体の還元が進行するために必要な活性化エネルギー以上のエネルギーが与えられるように加熱することによって得られる超伝導特性が弱められた領域が前記超伝導体の前記金属が設けられた領域下に存在することを特徴とするジョセフソン素子を提供する。なお、上述の弱められた領域とは、超伝導特性が完全に壊され絶縁化された場合も含むものとする。本発明請求項2に係る発明は、超伝導体の一面に当該超伝導体における酸化のギブズエネルギーより小なる酸化のギブズエネルギーを有する金属を接触させた後、前記超伝導体から前記金属へ当該超伝導体の酸素が移動することで当該金属の酸化と当該超伝導体の還元が進行するために必要な活性化エネルギー以上のエネルギーが与えられるように加熱することによって、前記超伝導体の前記金属と接触した領域下に超伝導特性が弱められた領域を作ることを特徴とするジョセフソン素子の製造方法を提供する。なお、上述の接触させた金属が、最終的に素子に残す場合も残さない場合も含むものである。本発明請求項3に係る発明は、前記加熱を、前記金属を接触させた領域を局所的に加熱する電流加熱であることを特徴とする請求項2に記載のジョセフソン素子の製造方法を提供する。本発明請求項4に係る発明は、前記超伝導体は、Bi2Sr2CuO6δ、Bi2Sr2CaCu2O8δ、Bi2Sr2Ca2Cu3O10δ、YBa2Cu3O7δ、La2xBaxCuO4、TlBa2Can1CunO2n3n=1、2、3、4、5、Tl2Ba2Can1CunO2n4n=1、2、3、4、HgBa2YCan1CunO2n2δn=1、2、3、4、5、La2xSrxCuO4、Nd2xCexCuO4、La2xSrxCuO4のいずれか1つより選択された物質であり、前記金属は、Al、Cu、Ti、Ni、Ta、V、Cr、Sb、Mn、Fe、Co、Zn、Hf、Nb、Mo、Sn、Siのいずれか1つ或いはその合金より選択された物質であることを特徴とする請求項1に記載のジョセフソン素子を提供する。本発明請求項5に係る発明は、前記超伝導体は、Bi2Sr2CuO6δ、Bi2Sr2CaCu2O8δ、Bi2Sr2Ca2Cu3O10δ、YBa2Cu3O7δ、La2xBaxCuO4、TlBa2Can1CunO2n3n=1、2、3、4、5、Tl2Ba2Can1CunO2n4n=1、2、3、4、HgBa2YCan1CunO2n2δn=1、2、3、4、5、La2xSrxCuO4、Nd2xCexCuO4、La2xSrxCuO4のいずれか1つより選択された物質であり、前記金属は、Al、Cu、Ti、Ni、Ta、V、Cr、Sb、Mn、Fe、Co、Zn、Hf、Nb、Mo、Sn、Siのいずれか1つ或いはその合金より選択された物質であることを特徴とする請求項2又は3に記載のジョセフソン素子の製造方法を提供する。本発明は、微小領域の超伝導特性制御が可能であるとともに、必要な操作が電極形式と加熱のみであるため、大容量、高密度化が容易である。勿論、任意の形状に金属を堆積させることで、エッチングを要することなく超伝導回路を組むことも出来る。また、異なる金属を使うことで超伝導を弱める程度を調整することも可能となる。さらにまた、電極に電圧を印加し、ジュール熱を発生させることでも同等の効果が期待されること、即ち、局所加熱が可能なため、熱に弱い素子との混載も可能である。下記実施例では、Bi-2212Bi2Sr2CaCu2O8δであり、BSCCOと略記することあり超伝導単結晶を例示したが、その他、以下のような超伝導単結晶についても同様な方法で、絶縁層或いは超伝導が弱められた領域を超伝導単結晶表面近傍或いは表面から十分内部まで形成することができる。ここで、十分内部とは絶縁領域或いは超伝導が弱められた領域が超伝導体単結晶の一方の表面から他方の表面まで到達する場合を含む。上述の超伝導単結晶例は、Bi2Sr2CuO6δ、Bi2Sr2Ca2Cu3O10δ、YBa2Cu3O7δ、La2xBaxCuO4、TlBa2Can1CunO2n3n=1、2、3、4、5、Tl2Ba2Can1CunO2n4n=1、2、3、4、HgBa2YCan1CunO2n2δn=1、2、3、4、5、La2xSrxCuO4、Nd2xCexCuO4、La2xSrxCuO4である。実施例1以下、本発明の一例である固有ジョセフソントンネルデバイスの作製方法のフローを説明する。本発明によって得られるBi-2212超伝導単結晶を用いた固有ジョセフソントンネルデバイスは、次の1~5のプロセスを経て得られた。Bi-2212は、ビスマスBiを中心とした銅酸化物で、構成する元素記号割合を示すと、Bi2、Sr2、Ca1、Cu2、O8δである。ビスマス-2212は、結晶を作るだけで、自然に、超伝導層と絶縁層が交互に配置されたサンドイッチ層ジョセフソン接合列を形成する。さらに、それら層は極めて薄くできる優れた特性があることから、半導体に代わる素子として期待されている。1劈開工程2.0mm×1.5mm×0.02mm程度のサイズを有するBi-2212超伝導単結晶をスコッチスリーエム社登録商標テープ或いは剃刀をab面表裏面に対して平行に超伝導体単結晶に挿入することで劈開し、清浄面を出した。2電極形成工程工程1で用意した単結晶劈開面上にスパッタリング法によってPt電極を4つ並べて配列した図1、b。ここで、外側の2電極を電流端子、内側の2電極を電圧端子に用い、4端子法による電流電圧特性、抵抗温度特性を測定した。3超伝導体還元用電極形成工程Pt電圧端子の間にスパッタリング法によりAl電極を形成した図1、b。4還元熱処理工程工程1から3で作製したものをAr雰囲気中において、100、200、300、400、500°Cでそれぞれ1時間ずつ熱処理した。尚、図1、はそれぞれ図1におけるA-A′断面図、B-B′断面図である。5電気パス偏向工程工程1から4で作製したものにおいて、IH端子およびIL端子を電流端子として用い、一方でVH端子およびVL端子を電圧端子として用いることで、図2にそのイメージを示すように、電流パスを固有ジョセフソン接合列が存在する深さ方向に偏向した。図3に熱処理後に測定した抵抗温度特性を示す。電気抵抗値が半導体的振舞いを示すことから、本実施例における超伝導体Bi-2212と超伝導体還元用電極Alの構成においては、Ar中において500°Cで1時間の熱処理によって、電流パスを固有ジョセフソン接合列が存在する深さ方向に偏向出来ることが分かる。また、固有ジョセフソントンネルデバイスとしての動作の確認は、図4に示すように、電流-電圧特性測定で観測された電圧の不連続な飛びから確認された。なお、本実施例では400°Cから500°Cのいずれかの温度でグラフ曲線の傾きが負になるのでそのいずれかの温度以上、1時間の熱処理が本発明の範囲とされるが、要するところ、超伝導体から金属へ当該超伝導体の酸素が移動することで当該金属の酸化と当該超伝導体の還元が進行するために必要な活性化エネルギー以上のエネルギーが与えられるように加熱すれば良いのであって、温度、時間など種々の条件設定が可能である。これらのプロセスにより高温超伝導体の単結晶上に、c軸方向ab面に垂直な方向に存在する固有ジョセフソン接合列を活かした形態のトンネルデバイスが形成された。なお、図5に示すように、超伝導体還元用電極下に、超伝導体の一方の表面から他方の表面まで酸素欠乏還元領域を形成することによって、固有ジョセフソン接合を利用することなく、ab面方向のジョセフソン接合を形成することも可能である。超伝導体還元用電極下に、超伝導体の一方の表面から他方の表面まで酸素欠乏還元領域を形成した場合、超伝導体還元用電極が堆積されているのと相対する面における酸素欠乏領域の幅図5のL2は超伝導体還元用電極直下に形成される酸素欠乏領域の幅図5のL1に比べて小さい。故に、アニール温度と時間、超伝導体の厚さ等を工夫することでL2を数ナノメートル程度に調整することが可能であり、ab面内方向にジョセフソン接合を形成できる。この場合、固有ジョセフソン接合を利用しなくてよいため、超伝導体はc軸配向している必要が無く、バルク単結晶や単結晶薄膜は勿論のこと、多結晶薄膜を用いても良い。実施例2図6は本発明の他の実施例における単一磁束量子メモリ、、、はいずれも平面図である。本実施形態ではリング状に形成された超伝導体が連続的に連なった形状をとり、隣接する超伝導リングの間には超伝導の弱い領域、即ちジョセフソン接合を含んでいる。フォトリソグラフィーとスパッタ、蒸着法等を用いて、図7に示す酸化物超伝導体薄膜或いは単結晶上に金属A及びBを成膜する図7。ここで、酸化物超伝導体金属A、金属Bの酸化のギブズエネルギーは金属B≦金属A酸化物超伝導体の関係を満たす。なお、金属Aと金属Bは同一の金属であっても良い。図7で得られた構造を不活性ガス中でアニールする。金属A及びBが酸化物超伝導体から酸素を奪うよう、金属A及びBが酸化し、酸化物超伝導体が還元されるための活性化エネルギーEa以上のアニール温度に設定する。Eaについては図8に示すとおりである。アニール処理により、金属Bが酸化物超伝導体から酸素を強烈に奪うため、金属Bが堆積しているリングの穴に相当する箇所及びリングの周辺部の超伝導は破壊され、超伝導体のリングが形成される。金属AはBに比べて酸化物超伝導体を同じかそれよりも弱く還元するため、金属Aの下には超伝導が弱められた領域が形成される。これにより、図7のジョセフソン接合と記された部分が形成される。以上の工程より、単一磁束量子メモリ構造が得られる。実施例3以下、実施例3を断面図である図9、、を参照しつつ説明する。先ず、図9に示すように電極A、Bに加えて電極Aと向かい合わせに電極Cを形成する。電極Aとしては、図8のエネルギー図を参考に、加熱処理を経て酸化物超伝導体を還元させる材料を選択する。電極B及びCには、酸化し難い材料を選択する。電極Aについては勿論のこと、電極Cについても必ずしも酸化物超伝導体上に成膜される必要はなく、電気的に導通していれば良い。つぎに図9に示すように、電極AとCの間にバイアス電圧を加えて電流を流し、ジュール熱を発生させる。活性化エネルギーEa以上まで温度を上昇させることで、電極Aが酸化し、酸化物超伝導体の電極Aと接触する領域が還元する。ここで、電極A側が正バイアスとなるように電圧印加することで酸素イオンO2がクーロン力によって電極A側に引き寄せられ、より効率的に酸化物超伝導体を還元させることができる。以上の工程により、ジョセフソン接合全体を加熱することなく、酸化物超伝導体の電極Aに接する領域のみを還元することが可能である。この手法は他の回路素子を共に形成する場合等、素子全体の過熱を避けなければならない場合に極めて有効である。なお、電極Cは電気的な接触がとれていれば電極AC間に電流を流す役割を果たすため、必ずしも酸化物超伝導体上に成膜されている必要はない。よって、最終的にCを無くすことも残すことも共に可能である。更に、超伝導体還元用の電極Aに関しても、超伝導体と熱的、物理的或いは電気的に接触していれば良く、必ずしも超伝導体上に堆積されている必要はない。故に、例えば、Al製の端子を超伝導体表面に接触させ、前記Al製端子と前記電極Cの間に電圧を印加することでジュール熱を発生させ、Al端子が酸化することで、超伝導体を還元することが出来る。超伝導体還元後、端子を超伝導体から離すことで、超伝導体上に還元用の電極を堆積することなく酸素欠乏還元領域を任意の箇所に形成することが出来る。