"キャッププレート及び電極組立体を具備したベアセルと、前記キャッププレートの一面に配された保護回路モジュールと、前記保護回路モジュール上に配されるカバーと、前記カバー及び前記保護回路モジュールと結合され、前記カバー及び前記保護回路モジュールを、前記キャッププレートに固定する、ネジ山が形成された少なくとも1つのコネクタと、からなるバッテリパックであり、前記少なくとも1つのコネクタは、研磨された前記ネジ山を具備し、前記研磨されたネジ山は、前記キャッププレートと結合され、前記少なくとも1つのコネクタを、前記キャッププレートに固定するバッテリパック。前記少なくとも1つのコネクタのネジ山は、化学研磨されたネジ山であることを特徴とする請求項1に記載のバッテリパック。前記保護回路モジュールを、前記ベアセルに固定する少なくとも1つのタップをさらに具備し、前記少なくとも1つのタップは、前記ネジ山が形成された少なくとも1つのコネクタの本体部を受容する結合ホールが形成されたことを特徴とする請求項1に記載のバッテリパック。前記ネジ山が形成された少なくとも1つのコネクタは、第1コネクタ及び第2コネクタを具備し、前記少なくとも1つのタップは、前記第1コネクタ及び前記第2コネクタをそれぞれ受容する第1タップ及び第2タップを具備することを特徴とする請求項3に記載のバッテリパック。前記ネジ山が形成された少なくとも1つのコネクタは、第1コネクタ及び第2コネクタを具備することを特徴とする請求項1に記載のバッテリパック。前記第1コネクタ及び前記第2コネクタは、頭部及び前記ネジ山が形成された本体部を具備するスクリューを具備し、前記本体部は、前記キャッププレートに形成された受容溝の内周面に結合され、前記第1コネクタ及び前記第2コネクタを、前記キャッププレートに固定することを特徴とする請求項5に記載のバッテリパック。前記キャッププレートは、前記ネジ山が形成された少なくとも1つのコネクタを受容する受容溝を含み、前記コネクタの端部は、前記受容溝の底と離れており、前記コネクタの端部と前記キャッププレートとの間の空間を画定することを特徴とする請求項1に記載のバッテリパック。前記ネジ山が形成された少なくとも1つのコネクタは、メッキされたことを特徴とする請求項1に記載のバッテリパック。前記ネジ山が形成された少なくとも1つのコネクタは、金属酸化を防止するためにメッキされたことを特徴とする請求項8に記載のバッテリパック。前記カバーは、前記少なくとも1つのコネクタを受容するための開口部を含むことを特徴とする請求項1に記載のバッテリパック。前記カバーの前記開口部内に配され、前記少なくとも1つのコネクタを覆うコネクタ覆蓋をさらに含むことを特徴とする請求項10に記載のバッテリパック。カバー及び保護回路モジュールをバッテリパックのベアセルに固定できるように、ネジ山が形成された少なくとも1つのコネクタの寸法を加工する段階と、前記少なくとも1つのコネクタのネジ山のサイズを調節するために、前記少なくとも1つのコネクタの前記ネジ山を研磨する段階と、を含むバッテリパックの製造方法。前記少なくとも1つのコネクタのネジ山を研磨する段階は、前記少なくとも1つのコネクタを化学的に研磨する段階を含むことを特徴とする請求項12に記載のバッテリパックの製造方法。前記少なくとも1つのコネクタを化学的に研磨する段階は、苛性ソーダ、界面活性剤及び水を利用した脱脂段階と、塩酸、スケール除去剤及び水を利用した酸処理段階と、フッ化アンモニウム、過酸化水素及び水を含む研磨液を利用した前記ネジ山が形成された少なくとも1つのコネクタを研磨する段階と、前記酸処理を活性化処理する段階と、界面活性剤及び第三リン酸ソーダを利用し、前記少なくとも1つのコネクタを中性化する段階と、を含むことを特徴とする請求項13に記載のバッテリパックの製造方法。前記ネジ山が形成された少なくとも1つのコネクタをメッキする段階を、さらに含むことを特徴とする請求項12に記載のバッテリパックの製造方法。前記ネジ山が形成された少なくとも1つのコネクタを研磨する段階は、前記ネジ山が形成された少なくとも1つのコネクタのサイズ及び表面粗さを調節するために、前記研磨液の温度を調節する段階を含むことを特徴とする請求項14に記載のバッテリパックの製造方法。前記ネジ山が形成された少なくとも1つのコネクタを研磨する段階は、前記研磨液と、前記ネジ山が形成された少なくとも1つのコネクタが反応する反応時間とを調節する段階を含むことを特徴とする請求項16に記載のバッテリパックの製造方法。前記研磨液の温度は、30°Cないし50°Cであり、前記反応時間は、10sないし15sであることを特徴とする請求項17に記載のバッテリパックの製造方法。前記ネジ山が形成された少なくとも1つのコネクタを研磨する段階における前記少なくとも1つのコネクタは、外径が1.22mmないし1.27mmであり、内径IDが0.88mmないし0.93mmであることを特徴とする請求項18に記載のバッテリパックの製造方法。前記ネジ山が形成された少なくとも1つのコネクタを研磨する段階における前記少なくとも1つのコネクタの外径は、1.226mmないし1.235mmであり、内径は、0.889mmないし0.895mmであることを特徴とする請求項19に記載のバッテリパックの製造方法。本発明の目的は、バッテリパック及びその製造方法、さらに詳細には、タッピングスクリューを具備するバッテリパック及びその製造方法を提供するところにある。本発明のこと実施形態は、キャッププレート及び電極組立体を具備したベアセルと、前記キャッププレートの一面に配された保護回路モジュールと、前記保護回路モジュール上に配されるカバーと、前記カバー及び前記保護回路モジュールと結合され、前記カバー及び前記保護回路モジュールを前記キャッププレートに固定する、ネジ山が形成された少なくとも1つのコネクタと、からなるバッテリパックであり、前記少なくとも1つのコネクタは、研磨された前記ネジ山を具備し、前記研磨されたネジ山は、前記キャッププレートと結合され、前記少なくとも1つのコネクタを、前記キャッププレートに固定するバッテリパックを提供する。前記少なくとも1つのコネクタのネジ山は、化学研磨されたネジ山でありうる。前記保護回路モジュールを、前記ベアセルに固定する少なくとも1つのタップをさらに具備し、前記少なくとも1つのタップは、前記ネジ山が形成された少なくとも1つのコネクタの本体部を受容する結合ホールが形成されうる。前記少なくとも1つのネジ山が形成されたコネクタは、第1コネクタ及び第2コネクタを具備し、前記少なくとも1つのタップは、前記第1コネクタ及び前記第2コネクタをそれぞれ受容する第1タップ及び第2タップを具備できる。ネジ山が形成された少なくとも1つのコネクタは、第1コネクタ及び第2コネクタを具備できる。前記第1コネクタ及び前記第2コネクタは、頭部及び前記ネジ山が形成された本体部を具備するスクリューを具備し、前記本体部は、前記キャッププレートに形成された受容溝の内周面に結合され、前記第1コネクタ及び前記第2コネクタを、前記キャッププレートに固定できる。前記キャッププレートは、前記ネジ山が形成された少なくとも1つのコネクタを受容する受容溝を含み、前記コネクタの端部は、前記受容溝の底と離れており、前記コネクタの端部と前記キャッププレートとの間の空間を画定できる。前記ネジ山が形成された少なくとも1つのコネクタは、メッキされうる。前記ネジ山が形成された少なくとも1つのコネクタは、金属酸化を防止するためにメッキされうる。前記カバーは、前記少なくとも1つのコネクタを受容するために、開口部を含むことができる。前記バッテリパックは、前記カバーの前記開口部内に配され、前記少なくとも1つのコネクタを覆うコネクタ覆蓋をさらに含むことができる。本発明の他の実施形態によれば、カバー及び保護回路モジュールをバッテリパックのベアセルに固定できるように、ネジ山が形成された少なくとも1つのコネクタの寸法を加工する段階と、前記少なくとも1つのコネクタのネジ山のサイズを調節するために、前記少なくとも1つのコネクタの前記ネジ山を研磨する段階と、を含むバッテリパックの製造方法を提供する。前記少なくとも1つのコネクタのネジ山を研磨する段階は、前記少なくとも1つのコネクタを化学的に研磨する段階を含むことができる。前記少なくとも1つのコネクタを化学的に研磨する段階は、苛性ソーダ、界面活性剤及び水を利用した脱脂段階;塩酸、スケール除去剤及び水を利用した酸処理段階;フッ化アンモニウム、過酸化水素及び水を含む研磨液を利用した前記ネジ山が形成された少なくとも1つのコネクタを研磨する段階;前記酸処理を活性化処理する段階;界面活性剤及び第三リン酸ソーダを利用し、前記少なくとも1つのコネクタを中性化する段階;を含むことができる。前記バッテリパックの製造方法は、前記ネジ山が形成された少なくとも1つのコネクタをメッキする段階をさらに含むことができる。前記ネジ山が形成された少なくとも1つのコネクタを研磨する段階は、前記少なくとも1つのネジ山が形成されたコネクタのサイズ及び表面粗さを調節するために、前記研磨液の温度を調節する段階を含むことができる。前記ネジ山が形成された少なくとも1つのコネクタを研磨する段階は、前記研磨液と、前記少なくとも1つのネジ山が形成されたコネクタが反応する反応時間とを調節する段階を含むことができる。前記研磨液の温度は、30°Cないし50°Cであり、前記反応時間は、10sないし15sでありうる。前記研磨段階による前記少なくとも1つのコネクタは、外径ODが1.22mmないし1.27mmであり、内径IDが0.88mmないし0.93mmでありうる。前記少なくとも1つのコネクタの外径は、1.226mmないし1.235mmであり、内径は,0.889mmないし0.895mmでありうる。本発明によれば、ベアセルとケースとの結合力が上昇し、外部衝撃によるベアセルと保護回路基板との間の電気的抵抗の増大が抑制される。以下、添付された図面に図示された実施形態を参照しつつ、本発明について詳細に説明する。本発明の一実施形態によれば、本発明は、バッテリパック100において、ベアセルbarecell110とケース150とを結合するタッピングスクリュー141,142及びその製造方法に関する。図1A、図1B、図1C及び図2を参照しつつ、バッテリパック100について説明し、図3ないし図6を参照しつつ、タッピングスクリュー141,142及びその製造方法について説明する。まず、図1A、図1B、図1C及び図2を参照し、バッテリパック100について説明する。図1Aは、本発明の一実施形態によるバッテリパック100の分解斜視図である。図1Bは、図1Aのバッテリパック100が結合された状態の斜視図である。図1Cは、図1Bに図示されたバッテリパック100のIc-Ic’に沿って切り取った部分断面図である。図1Aないし図1Cに図示されているように、本発明の一実施形態によるバッテリパック100は、ベアセル110、保護回路基板120、ケース150及びタッピングスクリュー141,142を具備する。ベアセル110は、電極組立体図示せずと、電極組立体を内部に収納する密封組立体111とを具備する。ここで、電極組立体は、正極板図示せず、負極板図示せず及びセパレータ図示せずを巻き取ったり、あるいは積層して構成されたものでありうる。ここで、密封組立体111は、キャッププレート111aと、金属型缶111bとを具備できる。このとき、密封組立体111は、アルミニウムのような導電部材から構成できる。金属型缶111bは、一端部が開口された形状であり、キャッププレート111aは、金属型缶111bを覆うように、金属型缶111bの入口に配される。このとき、金属型缶111bとキャッププレート111aとのうちいずれか一つには、電極端子114が、絶縁体114aによって絶縁されて設けられうる。図1Aと図1Cとでは、キャッププレート111aに、電極端子114が、絶縁体114aによって絶縁されて挿入されている。このとき、ベアセル110の正極は、密封組立体111に電気的に連結され、ベアセル110の負極は、電極端子114に電気的に連結されうる。ここで、ベアセル110の負極である電極端子114と、正極である密封組立体111とは、相互間で極性を異ならせることができる。本実施形態では、電極端子114が電極組立体の負極板と電気的に連結されて負極を形成し、密封組立体111が電極組立体の正極板と電気的に連結されて正極を形成できるが、正極と負極との構成は、これに制限されるものではない。すなわち、ベアセル110は、電極組立体を金属材質の密封組立体111で密封し、電極組立体の極性のうちいずれか1つの極性を有する極板を密封組立体111と電気的に連結して、他の極性を有する極板を、電極端子114と連結させることができる。ここで、ベアセル110は、二次電池でありうる。例えば、ベアセル110は、リチウムイオン電池、またはリチウムポリマー電池でありうる。しかし、ベアセル110の種類は、これらに制限されるものではなく、例えば、ニッケルカドミウムNi-Cd電池、またはニッケル水素Ni-MH電池のような二次電池でもありうることは、いうまでもない。ここで、ベアセル110のキャッププレート111aの一面は、スクリュー受容溝112,113からなるところのうち少なくとも1つを具備することができる。図1Aまたは図1Cにおいて、第1スクリュー受容溝112と第2スクリュー受容溝113とが形成されたキャッププレート111aを図示している。ここで、第1スクリュー受容溝112は、第1タッピングスクリュー141と結合され、第2スクリュー受容溝113は、第2タッピングスクリュー142と結合されうる。また、第1スクリュー受容溝112と第2スクリュー受容溝113との内周面には、第1タッピングスクリュー141と第2タッピングスクリュー142とによってネジ山が形成されうる。ここで、図1Cを参照すれば、キャッププレート111aには、スクリュー受容溝112,113に対応して、キャッププレート111aは、突出部Pを形成することができる。保護回路基板120は、絶縁基板121、印刷回路パターン図示せず、導電パッド123、保護回路部124、充放電端子125、タップ131,132を具備することができる。絶縁基板121に形成された印刷回路パターンには、導電パッド123、保護回路部124及び充放電端子125がソルダリングされうる。保護回路基板120は、ベアセル110と電気的に連結される。保護回路基板120とベアセル110との電気的な連結は、保護回路基板120の負極が、リードタップ120aによって、ベアセル110の負極である電極端子114と連結され、保護回路基板120の正極が、ベアセル110の正極である密封組立体111と、第1タップ131によって電気的に連結されうる。このとき、保護回路基板120の負極と電極端子114との間には、PTCpositivetemperaturecoefficient素子120a1図1Cが電気的に連結され、過度に温度が上昇したり、あるいは過度な電流が流れるときに、保護回路基板120の負極と、電極端子114との電気的な連結を遮断することができる。保護回路部124には、抵抗やコンデンサなどの受動素子、電界効果トランジスタのような能動素子、PTC素子のような安全素子及び集積回路が選択的に形成されうる。また、保護回路部124は、ベアセル110の充放電時に、ベアセル110を充放電させ、ベアセル110の過熱や過電流などの状況においてベアセル110の充放電経路を遮断し、ベアセル110の寿命劣化、過熱及び爆発などを予防することができる。コーティング部160は、ベアセル110を覆い包むように配されうる。コーティング部160は、ベアセル110を保護し、電気的に絶縁する役割を果たすことができる。タップ131,132は、保護回路基板120の一端に配され、保護回路基板120とベアセル110とを電気的に連結する。ここで、タップ131,132は、スクリュー受容溝112,113に対応して、結合ホール131a,132aが形成されうる。図1Cを参照すれば、第1タップ131または/及び第2タップ132は、ベアセル110のキャッププレート111aと連結される。このとき、第1タップ131または/及び第2タップ132上には、キャッププレート111aの第1スクリュー受容溝112及び第2スクリュー受容溝113と対応して、それぞれ第1結合ホール131a及び第2結合ホール132aが形成される。かような第1タップ131及び第2タップ132は、保護回路基板120を、ベアセル110の一面に載置させることができるように支持し、保護回路基板120の正極と、ベアセル110の正極とを電気的に連結する。第1タップ131及び第2タップ132は、ニッケル、またはニッケルを含む合金から形成され、保護回路基板120にソルダリングされうる。このとき、図1Aで保護回路基板120は、2つのタップ、すなわち、第1タップ131及び第2タップ132と連結されると図示されているが、タップの個数は、これに制限されるものではない。例えば、保護回路基板120は、第1タップ131のみを具備することもできる。タッピングスクリュー141,142は、本体部141a,142a及び頭部141b,142bを含んで形成される。また、タッピングスクリュー141,142の本体部141a,142aは、ベアセル110のスクリュー受容溝112,113と螺合されるネジ山が形成され、タッピングスクリュー141,142の頭部141b,142bは、本体部141a,142aの上部に形成され、本体部141a,142aの直径より大きく形成される。また、タッピングスクリュー141,142の頭部141b,142bには、頭部141b,142bの回転を容易にするために、陰刻または陽刻の溝が形成され、例えば、図1Aでは、マークの溝が形成されている。しかし、溝の形状は、これに制限されるものではなく、マーク以外に、-、のように、多様な形態の溝を、当業者であるならば、形成できるであろう。かような溝は、タッピングスクリュードライバが挿入され、タッピングスクリュー141,142をベアセル110のスクリュー受容溝112,113と螺合させることができる。第1タッピングスクリュー141と、第2タッピングスクリュー142とが、ベアセル110の両側部に形成された第1スクリュー受容溝112と、第2スクリュー受容溝113bとに結合されることによって、保護回路基板120をずれないようにし、保護回路基板120にソルダリングされたタップ131,132との結合力をさらに向上させるので、接触抵抗の増大を防止できる。また、タッピングスクリュー141,142は導電体を具備し、タップ131,132を介して、保護回路基板120とベアセル110とを電気的に連結する役割を果たす。ここで、スクリュー受容溝112の内周面にネジ溝が形成され、第1タッピングスクリュー141と螺合されもし、または、ネジ溝が形成されてはいないが、内周面が第1タッピングスクリュー141の外径より小さく形成され、第1タッピングスクリュー141のネジ山が、スクリュー受容溝112の内周面に、ネジ溝を彫って結合するようにすることもできる。例えば、キャッププレート111aのスクリュー受容溝112の内径サイズは、第1タッピングスクリュー141の本体部141aの内径IDより大きくて外径ODより小さく、第1タッピングスクリュー141と結合されるとき、スクリュー受容溝112の内周面は変形され、第1タッピングスクリュー141の本体部141aと密着しうる。このとき、キャッププレート111aは、第1タッピングスクリュー141のネジ山141a1図4によって変形されやすいように、アルミニウムなどの軽合金を具備することができる。ケース150には、少なくとも1つのホール151a,152aが形成されている。ホール151a,152aの外郭には、載置溝151b,152bが形成される。このとき、載置溝151b,152bの内径が、ホール151a,152aの外径より大きく、段差を有するように形成され、例えば、タッピングスクリュー141,142の頭部141b,142bが支持されうる。以下、載置溝151b,152bは、第1載置溝151b及び第2載置溝152bと図示して説明する。第1タッピングスクリュー141は、ケース150に形成された第1ホール151aと、第1タップ131に形成された結合ホール131aとを通過した後、ベアセル110に形成された第1スクリュー受容溝112と結合されうる。このとき、第1タッピングスクリュー141の頭部141bは、ケース150の第1載置溝151bに密着しうる。第2タッピングスクリュー142も、同様に結合されうる。従って、第1タッピングスクリュー141と第2タッピングスクリュー142は、ケース150をベアセル110と結合させる。かようなケース150は、ポリカーボネートのような樹脂材質を射出して形成されたプラスチックケースであり、保護回路基板120を外部衝撃から保護し、保護回路基板120のショートを防止する。このとき、図1A、図1B及び図1Cに図示されているように、タッピングスクリュー141,142を覆うように、スクリュー覆蓋190,192が配されうる。スクリュー覆蓋190,192は、絶縁物を具備することができる。従って、タッピングスクリュー141,142が外部と通電することを防止できる。また、図1Cに図示されているように、ケース150の内側には、リブ161が形成され、リブ161が保護回路基板120の上面を支持し、保護回路基板120をベアセル110に密着させることができる。従って、保護回路基板120の遊動が防止され、保護回路基板120にソルダリングされたタップ131,132とベアセル110との間の接触抵抗が、衝撃によって増大することを防止する。また、ケース150は、タップ131,132をベアセル110に密着させ、接触抵抗の増大を防止する。このとき、ケース150とタッピングスクリュー141,142とが結合されれば、タップ131,132がベアセル110と一層密着され、タップ131,132とベアセル110との間の接触抵抗が増大することを防止する。このとき、タップ131,132とベアセル110との接触抵抗は、RFFrandomfreefallテストによって測定されうる。RFFテストとは、1メートルMの高さから、6つのバッテリパック100を200回同時に落下させて接触抵抗を測定するテストである。このとき、RFFテストを介して得た接触抵抗の変化量が、所定の値以下になるように、バッテリパック100の構成を調節できる。このとき、接触抵抗の変化量は、例えば、14mΩ未満に調節できる。表1は、バッテリパック100に対するRFFテストの結果を示している。表1に図示されているように、6つのバッテリパック100の中で、4つのバッテリパック100が不良判定を受けた。このとき、実験に使われたバッテリパック100の寸法について、下記表2を参照して説明する。表2に示された寸法は、図2を参照して説明する。ここで、W1及びW2は、ベアセル110の幅を、H1はその高さを、T1はその厚さを意味する。また、W3及びW4はケース150の幅を、H2はその高さを、T2はその厚さを意味する。ここで、ベアセル110とケース150との寸法は、結合装備のジグに一定に載置させるために、所定範囲内の値を有するようにすることができる。このとき、バッテリパック100の重量は、26gほどである。図3Aまたは図3Bを参照しつつ、RFFテスト以前と以後との、第1タップ131とキャッププレート111aとの結合状態について説明する。図3Aは、図1CのIIIa部分を拡大して図示したものである。ここで、タッピングスクリュー141の端部は、スクリュー受容溝112の底と離れており、タッピングスクリュー141の端部とキャッププレート111aとの間に空間が存在する。図3Bは、RFFテスト後における、図3Aに示された部分の状態を図示している。図3Aで、第1タップ131とキャッププレート111aとは、第1タッピングスクリュー141とキャッププレート111aとの結合力によって、密着している。一方、図3Bを参照すると、RFFテスト後において、第1タップ131とキャッププレート111aとの間に、ギャップgが発生していることが分かる。このように、第1タップ131とキャッププレート111aとの間のギャップgが発生し、接触抵抗が増大することが分かる。かようなギャップgの発生原因として、タッピングスクリュー141,142の表面の精度が影響を及ぼすことが考えられる。タッピングスクリュー141,142表面の精度を高めることにより、タッピングスクリュー141,142の結合力を高め、バッテリパック100の不良率を低下させることができる。下記表3は、第4-1実施形態、第4-2比較例及び第4-3比較例の外径OD及び内径IDの値を示す。ここで、タッピングスクリュー141,142の外径OD及び内径IDは、図4を参照すれば、タッピングスクリュー141,142本体部141aの周囲のうち、外側直径が外径ODであり、内側直径が内径IDである。すなわち、本体部141aのネジ山141a1のピークの外接円が外径ODになり、ネジ山141a1の谷の内接円が内径IDになる。このとき、表3を参照すれば、第4-1実施形態は、化学研磨を実施し、メッキ厚は、5.5μmである。第4-2比較例は、化学研磨を実施せず、メッキ厚は2.5μmである。第4-3比較例は、化学研磨を実施せず、メッキ厚は4.5μmである。このとき、第4-1実施形態を、バッテリパック100に適用した場合、不良率は2,000ppmparts-per-millionであるのに対して、第4-2比較例及び第4-3比較例を適用した場合、不良率が20,000ppmに至った。このように不良率に差が現れるのは、タッピングスクリュー141,142の化学研磨処理の有無によって、タッピングスクリュー141,142の表面状態が異なり、かようなタッピングスクリュー141,142の表面状態が、バッテリパック100の不良率に影響を及ぼすことを意味する。一般的に、小型タッピングスクリュー141,142の製作時には、化学研磨工程を実施しないが、小型タッピングスクリュー141,142の製作時に化学研磨工程を追加し、タッピングスクリュー141,142の表面粗さを調節できる。このとき、小型タッピングスクリュー141,142は、例えば、高さが6mm以下であるタッピングスクリューでありうる。図5を参照しつつ、小型タッピングスクリュー141,142の製造方法について説明する。まず、タッピングスクリューを製造するために、原素材rawmaterialを準備する。このとき、原素材は、例えば、SWCH18Aなどの炭素鋼を使用できる。このとき、原素材を加工して、頭部141bを形成できるS501。次に、ローリング工程を介して、ネジ山を形成できるS503。また、ケンチングquenchingHV800とテンパリングtemperingHV500~520とを介して、タッピングスクリュー141,142を熱処理できるS505。その後、化学研磨を介して、タッピングスクリュー141,142の寸法を加工できるS507。その後、金属酸化を防止するために、メッキを施すS509。表4は、ローリングS503、化学研磨S507及びメッキS509を介して得たタッピングスクリューの外径OD及び内径IDの値を示している。表4を参照すれば、タッピングスクリューの外径OD変化量は、化学研磨工程時に最も大きい。なぜならば、内径IDに比べて、ネジ山141a1のピークにおいて面積が狭く、化学研磨S507によって狭まる外径ODの変化が大きいためである。また、タッピングスクリューの内径ID変化量は、メッキ工程時に最も大きい。メッキS509時に、本体部141aの表面がメッキの堆積に有利であり、メッキS509時に、内径IDの変化が大きく現れるためである。図4を参照すれば、化学研磨工程時に、ネジ山141a1のエッジがラウンドRされ、表面粗さが均一になって干渉が小さくなり、タッピングスクリュー141は、小さいトルクで挿入が可能になる。また、化学研磨工程は、タッピングスクリュー141の径のばらつきdistributionを低減させ、不良率を下げることができる。化学研磨S507工程について、図6を参照しつつ詳細に説明する。熱処理S505後、例えば、苛性ソーダ、界面活性剤及び水の比率をそれぞれ1:4:10の体積比で調節し、脱脂工程S601を実施する。その後、塩酸、スケール除去剤及び水の体積比が、例えば、10:1:10になるようにし、酸処理S603を行うことができる。その後、フッ化アンモニウム、過酸化水素及び水の体積比が、例えば、1:2:10の組成となるように研磨液を調整した後、研磨S605を実施できる。その後、塩酸及び水を、例えば、1:2の体積比で活性化処理S607を行い、界面活性剤及び第三リン酸ソーダを介して、中和処理S609を行う。その後、脱水及び乾燥S610し、化学研磨S507工程を終わらせることができる。このとき、図6は、化学研磨S507の一実施形態に過ぎず、各物質の組成比を多様に変化させることができることは、いうまでもない。このとき、研磨S605工程で、研磨液の組成であるフッ化アンモニウム、過酸化水素及び水の混合比率、作業環境及び作業条件によって、タッピングスクリュー141,142の表面状態が変わりうる。また、化学研磨S507を介して、タッピングスクリュー141,142の表面粗さを均一に処理しなければ、その後メッキS509工程を経ても、表面が不良になる。従って、化学研磨S507工程に影響を及ぼす主要要素を考慮し、化学研磨S507工程を実施しなければならない。本発明の一実施形態による化学研磨S507工程によれば、化学研磨S507工程に影響を与える要素を調節し、タッピングスクリュー141,142の寸法を加工し、またタッピングスクリュー141,142の表面粗さを調節できる。すなわち、表4に図示されているように、化学研磨S507工程を介して、タッピングスクリュー141,142の外径及び内径が変化することになるが、この変化量に影響を及ぼす要素を考慮し、タッピングスクリュー141,142の寸法を加工できる。このとき、化学研磨S507工程に影響を与える要素として、化学研磨S507工程時に使われる研磨液の濃度、温度及び時間を考慮することができる。表5は、化学研磨S507工程時に、研磨液の濃度によるタッピングスクリュー141,142の外/内径の変化及び表面粗さを示した表である。研磨液の濃度比重計が5ないし9であるとき、タッピングスクリュー141,142の寸法及び表面粗さが良好である。このとき、濃度は、例えば、ボーメBaume比重計を介して濃度を測定できる。所定の温度において、物質の比重は、その物質に固有な値である。従って、比重を測定して、純度を確認することができる。すなわち、溶液の比重と濃度との関係を利用して、比重を測定することにより、濃度値を測定できる。研磨液の濃度は、フッ化アンモニウム、過酸化水素、水の体積比によって比重を定めることができる。例えば、フッ化アンモニウム、過酸化水素、水の体積比による研磨液のボーメ比重値は、表6の通りである。表7は、研磨液の温度によるタッピングスクリュー141,142の外径/内径の変化及び表面粗さを示した表である。研磨液の温度°Cは、30°Cないし50°Cであるとき、タッピングスクリュー141,142の寸法及び表面粗さが良好であった。すなわち、化学研磨S507時に温度を調節し、タッピングスクリュー141,142の寸法及び表面粗さを調節できる。表8は、経時的なタッピングスクリュー141,142の外径/内径の変化及び表面粗さを示した表である。表8を参照すれば、時間は、10sないし15sであるとき、タッピングスクリュー141,142の寸法及び表面粗さが良好であった。従って、表5ないし表8を参照すれば、濃度比重計は、5ないし9であるとき、温度°Cは、30°Cないし50°Cであるとき、そして時間は、10sないし15sであるとき、タッピングスクリュー141,142の寸法及び表面粗さが良好であった。当該濃度、温度及び時間条件を満たすことで、良好なタッピングスクリュー141,142の寸法及び表面粗さ値を得ることができる。ここで、濃度比重計は、5ないし9であり、温度°Cは、30°Cないし50°Cであり、かつ時間は、10sないし15sであるときの条件を、第1条件と定義する。例えば、第1条件による化学研磨S507によるタッピングスクリュー141,142の外径ODは、1.22mmないし1.27mmであり、内径IDは、0.88mmないし0.93mmでありうる。このとき、さらに詳細には、外径ODは、1.226mmないし1.235mmであり、内径IDは、0.889mmないし0.895mmに加工できる。しかし、本発明は、これらに制限されるものではなく、、濃度、温度及び時間条件が、それぞれタッピングスクリュー141,142の寸法及び表面粗さに影響を及ぼすので、各要素を調節して、所望のタッピングスクリュー141,142を製造するのに使用できることは、いうまでもない。軽合金金属と結合されるタッピングスクリュー141,142は、表面の精度によって、タッピングスクリュー141,142の結合力と不良率とに顕著な違いを示す。すなわち、タッピングスクリュー製造工程で生じる微細な剥離や異物などが、化学研磨S507工程を経つつ除去され、タッピングスクリューのネジ山141a1形状が、丸くなり、表面が滑らかに処理され、タッピングスクリューが軽合金金属に結合されるときに生じる摩擦抵抗と、軽合金素材が受ける損傷とが最小化され、タッピングスクリューの結合力が向上する。例えば、第1条件による化学研磨S507によるタッピングスクリュー141,142は、スクリュー受容溝112,113との結合で、約180Nの結合力を有することができる。第1条件下で、化学研磨S507工程によって寸法が加工されたタッピングスクリュー141,142を利用したバッテリパック100は、RFFテストで、下記表8のような結果を示している。表9を参照すれば、表1の結果と比較して、RFFテストの結果が顕著に向上していることが分かる。また、バッテリパック100は、結合過程で、結合不良率が約1,000ppm以下と、工程安定性が向上している。本発明は、図面に図示された実施形態を参考にして説明したが、それらは、例示的なものに過ぎず、当技術分野における当業者であるならば、それらから多様な変形及び均等な他の実施形態を採用することが可能であるという点を理解することができるであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決まるものである。"