第1端面に反射防止膜が形成されるレーザ光源と、前記レーザ光源の前記第1端面から出射されるレーザが入射され、印加される電圧に応じて前記レーザを偏向して出力する光偏向素子と、前記光偏向素子から出力されるレーザが入射され、当該レーザの入射角に応じて当該レーザのうちの特定の波長のレーザを共鳴反射する共鳴フィルタと、前記共鳴フィルタで共鳴反射された前記特定の波長のレーザを前記共鳴フィルタに反射する反射ミラーとを含み、前記特定の波長のレーザは、前記レーザ光源の前記第1端面とは反対側の前記第2端面と、前記反射ミラーとの間で共振する、波長可変レーザ光源装置。前記反射ミラーは、前記共鳴フィルタにおける共鳴反射の反射角によらずに、入射光が垂直に入射する反射面を有する、請求項1記載の波長可変レーザ光源装置。前記レーザ光源の前記第2端面は所定の反射率を有するとともに、前記反射ミラーの反射面は全反射を行う反射面であり、前記レーザ光源の前記第2端面からレーザを出力する、請求項1又は2記載の波長可変レーザ光源装置。前記レーザ光源の前記第2端面は前記第1端面側から入射するレーザを全反射する端面であるとともに、前記反射ミラーの反射面は所定の反射率を有する反射面であり、前記反射ミラーの前記反射面からレーザを出力する、請求項1又は2記載の波長可変レーザ光源装置。前記光偏向素子は、電気光学効果を有する導波路を有し、前記導波路に印加される電圧に応じてレーザを偏向して出力する、請求項1乃至4のいずれか一項記載の波長可変レーザ光源装置。前記光偏向素子は、前記導波路内に分極反転部を有する、請求項1乃至5のいずれか一項記載の波長可変レーザ光源装置。前記共鳴フィルタは、基板と、前記基板上に形成され、前記基板よりも屈折率の高い高屈折率層と、前記高屈折率層の上部に所定のピッチで凹凸が形成される凹凸部とを有する、請求項1乃至6のいずれか一項記載の波長可変レーザ光源装置。しかしながら、従来の波長可変レーザ光源装置は、モードホップを回避するために、回折格子の角度と光路方向における位置を調節する機構が必要である。このような機構は複雑な構成を有するため、高速での波長の変更は困難であり、回折格子の角度調整に高度な正確性が必要になる。このように、従来の波長可変レーザ光源装置には、構成が複雑であるという課題がある。そこで、本発明は、簡易な構成の波長可変レーザ光源装置を提供することを目的とする。本発明の実施の形態の一観点の波長可変レーザ光源装置は、第1端面に反射防止膜が形成されるレーザ光源と、前記レーザ光源の前記第1端面から出射されるレーザが入射され、印加される電圧に応じて前記レーザを偏向して出力する光偏向素子と、前記光偏向素子から出力されるレーザが入射され、当該レーザの入射角に応じて当該レーザのうちの特定の波長のレーザを共鳴反射する共鳴フィルタと、前記共鳴フィルタで共鳴反射された前記特定の波長のレーザを前記共鳴フィルタに反射する反射ミラーとを含み、前記特定の波長のレーザは、前記レーザ光源の前記第1端面とは反対側の前記第2端面と、前記反射ミラーとの間で共振する。簡易な構成の波長可変レーザ光源装置を提供できる。以下、本発明の波長可変レーザ光源装置を適用した実施の形態について説明する。<実施の形態1>図1は、実施の形態1の波長可変レーザ光源装置を示す図である。実施の形態1の波長可変レーザ光源装置100は、レーザ光源11、コリメートレンズ12、集光レンズ13、光偏向素子14、集光レンズ15、反射素子16、反射ミラー17、信号発生部18、及びコリメートレンズ19を含む。レーザ光源11は、半導体レーザであればよく、使用する周波数帯に応じて半導体レーザの種類を適宜選択すればよい。レーザ光源11の一方の端面11Aには、無反射膜AR膜が形成される。レーザ光源11の端面11Aは、第1端面の一例であり、無反射膜は、反射防止膜の一例である。なお、無反射膜は、反射率を低下させるための無反射コーティングを施すことによって実現すればよく、例えば、屈折率の異なる多層膜を形成すればよい。レーザ光源11の他方の端面11Bには、無反射膜は形成されず、所定の高い反射率例えば、50~90程度を有するように構成される。レーザ光源11の端面11Bは、第2端面の一例である。なお、端面11Bには、反射率を調整するために必要に応じて反射膜をコーティングすればよい。実施の形態1の波長可変レーザ光源装置100は、レーザ光源11の端面11Bと、反射ミラー17との間でレーザを共振させる外部共振器を有する。外部共振器の一端は端面11Bであり、他端は反射ミラー17である。レーザ光源11の端面11Bは、波長可変レーザ光源装置100の外部共振器の一端になるとともに、レーザの出射面になるため、端面11Bの反射率は、外部共振器でのレーザの出力の増幅度合等に応じて設定すればよい。コリメートレンズ12は、レーザ光源11から出射されたレーザを平行光にするレンズである。集光レンズ13は、コリメートレンズ12によって平行光にされたレーザを光偏向素子14に入射させる前に集光して適切なビーム径にするレンズである。光偏向素子14は、集光レンズ13で集光されたレーザが入射され、信号発生部18によって印加される電圧に応じてレーザを偏向して出力する素子である。光偏向素子14によってレーザが偏向される角度は、信号発生部18から光偏向素子14に入力される信号電圧によって調整される。光偏向素子14は、一端14Aと他端14Bとの間に、電気光学効果を有する強誘電体材料で形成される光導波路14Cを有し、光導波路14C内に、強誘電体材料の一部が分極反転されたパターン部分極反転パターン部を備える。光偏向素子14に入射したレーザは、光導波路14Cを通過する。光偏向素子14の光導波路14Cは、強誘電体材料の電気光学効果により、信号発生部18から印加される電圧によって屈折率を変化させる。図1には、強誘電体の分極反転パターン部としてプリズム形状の例を示す。このような分極反転パターン部に信号発生部18から入力される電圧を印加することにより、光導波路14Cを通過するレーザを偏向する。光偏向素子14は、信号発生部18によって生成される電圧信号が入力されることにより、光偏向作用を示す。なお、光偏向素子14の詳細については、図2及び図3を用いて後述する。集光レンズ15は、光偏向素子14で偏向されたレーザを適切なビーム径に集光して反射素子16に入射させる。反射素子16は、光偏向素子14で偏向され、集光レンズ15で集光されたレーザのうち、特定の波長のレーザを共鳴反射する共鳴フィルタである。反射素子16の詳細については後述する。反射ミラー17は、反射素子16で反射されたレーザが垂直に入射する反射面17Aを有する。反射面17Aには全反射コーティングが施される。全反射コーティングは、例えば、アルミの薄膜を形成するか、又は、屈折率の異なる多層膜を形成することによって行えばよい。ここで、図1に示すようにXYZ座標系を定義すると、反射面17Aは、XZ平面に平行な断面形状は凹型の曲線であるが、Y軸を含む平面に平行な断面形状は直線になるように構成されている。また、光偏向素子14での偏向度合によって反射素子16で反射される点は異なるが、反射面17Aは、反射素子16のいずれの点で反射されたレーザであっても、反射面17Aに垂直に入射する形状を有する。また、反射ミラー17は、反射素子16のいずれの点で反射されたレーザであっても、光偏向素子14の他端14Bと、反射面17Aとの間の光路が、波長の整数倍になるように構成されている。このため、光偏向素子14で偏向され、集光レンズ15で集光されたレーザのうち、特定の波長のレーザは、反射素子16で共鳴反射され、反射ミラー17の反射面17Aに垂直に入射する。反射ミラー17で反射されたレーザは、入射時と同一の光路を辿り、集光レンズ15から出射した後に反射素子16で共鳴反射された点と同一点で再び共鳴反射される。反射素子16で再び共鳴反射されたレーザは、集光レンズ15から出射されたときの光路と同一の光路を辿り、集光レンズ15を経て光偏向素子14に入射する。ここで、信号発生部18によって生成される電圧信号の違いにより、光偏向素子14から互いに異なる3つの方向のレーザ30A、30B、30Cが出射される場合について説明する。レーザ30A、30B、30Cは、実際には光偏向素子14から同一のタイミングで出射されることはないが、ここでは説明の便宜上、レーザ30A、30B、30Cのすべてを図1に示す。レーザ30A、30B、30Cは、それぞれ、図1に示すように、光偏向素子14の他端14Bから出射されてから、集光レンズ15及び反射素子16を経て反射ミラー17で反射され、再び反射素子16及び集光レンズ15を経て光偏向素子14の他端14Bに戻るまで、同一の光路を辿る。このとき、レーザ30A、30B、30Cは、反射ミラー17の反射面17Aにすべて垂直に入射し入射角は90度であり、光偏向素子14の他端14Bから反射ミラー17で反射されて再び光偏向素子14の他端14Bに戻るまでの光路は、それぞれ、レーザ30A、30B、30Cの波長の整数倍である。信号発生部18は、光偏向素子14の光導波路14Cの屈折率を変化させるために、光偏向素子14に電圧を印加する。信号発生部18から電圧が印加されることにより、光偏向素子14は、光導波路14Cの屈折率を変化させ、光偏向作用を示す。コリメートレンズ19は、レーザ光源11の端面11Bから出射したレーザを平行光にして出力する。コリメートレンズ19から出力されるレーザは、実施の形態1の波長可変レーザ光源装置100の出力であり、外部装置に案内される。以上のような実施の形態1の波長可変レーザ光源装置100において、コリメートレンズ12、集光レンズ13、集光レンズ15、及びコリメートレンズ19は、光学素子を構成する。次に、実施の形態1の波長可変レーザ光源装置100の光偏向素子14について説明する。図2及び図3は、実施の形態1の波長可変レーザ光源装置100の光偏向素子14を示す図である。図2は光偏向素子14の断面を示し、図3は平面視における光偏向素子14を示す。図2に示す断面は、図3におけるA-A矢視断面であり、光偏向素子14の長手方向における中心軸における断面を示す。光偏向素子14の長手方向における中心軸は、図3の破線上にある。光偏向素子14は、基板41、接着層42、下部電極層43、下部クラッド層44、コア層45、上部クラッド層46、上部電極層47、及び分極反転領域48を有する。基板41の上には、接着層42により、下部電極層43、下部クラッド層44、コア層45、上部クラッド層46、及び上部電極層47の積層体が接着されている。分極反転領域48は、コア層45の中央部に形成されている。下部クラッド層44、コア層45、上部クラッド層46、及び分極反転領域48は、光導波路14C薄膜光導波路:図3参照を構成する。基板41は、例えば、ニオブ酸リチウムLiNbO3製の基板を用いることができる。これは、後述するコア層45としてもニオブ酸リチウムLiNbO3を用いるため、両者の材料を揃えることで、熱膨張による影響を低減させるためである。接着層42、例えば、アクリル系の樹脂接着剤である。下部電極層43は、接着層42によって基板41に接着されており、例えば、チタンTi製の電極であればよい。下部電極層43の厚さは、例えば、200nmである。下部電極層43は、信号発生部18に接続されており、信号発生部18から電圧が印加される。下部電極層43は、後述する上部電極層47と同様に、平面視で分極反転領域48が形成される領域を覆うように形成されている。下部クラッド層44は、下部電極層43の上に形成されている。下部クラッド層44は、導波路の下面側において、コア層45よりも屈折率が低い層でありコア層45との界面でレーザを全反射して閉じこめるために設けられている。下部クラッド層44は、例えば、酸化タンタルTa2O5を成膜することによって作製することができ、その厚さは、例えば、1μmでよい。コア層45は、下部クラッド層44の上に形成されており、下部クラッド層44よりも屈折率の高い層である。コア層45としては、例えば、ニオブ酸リチウムLiNbO3を用いることができる。コア層45は、例えば、10μm程度の厚さで形成される。コア層45の中央部には、図3に示すように、平面視で三角形のプリズム状の分極反転領域48が形成されている。図3には、分極反転領域48を7つ示す。このため、図2に示す断面では、7つの分極反転領域48とコア層45矢印で示すレーザの進行方向において交互に現れるように構成されている。上部クラッド層46は、コア層45の上側に形成されている。上部クラッド層46は、コア層45よりも低い屈折率を有する。これにより、上部クラッド層46は、コア層45との界面でコア層45内を伝搬するレーザを全反射して閉じこめている。上部クラッド層46は、例えば、酸化タンタルTa2O5を成膜することによって作製することができ、その厚さは、例えば、1μmでよい。上部電極層47は、上部クラッド層46の上側において、図3に示すように平面視で分極反転領域48を覆う領域に形成されている。上部電極層47は、例えば、チタンTi製の電極であればよい。上部電極層47の厚さは、例えば、200nmである。上部電極層47は、信号発生部18に接続されており、信号発生部18から電圧が印加される。分極反転領域48は、コア層45の中央部の一部が平面視で三角形のプリズム状に形成される分極反転領域である。分極反転領域48は、電圧印加時にコア層45とは反対の極性で屈折率が変化するように構成される領域である。このような分極反転領域48は、例えば、電気光学結晶に分極反転技術により形成される。分極反転領域48の屈折率変化は、分極反転によってコア層45とは正負逆転するので、図3に示す7つの分極反転領域48のように三角形形状の屈折変化部分ができることにより、レーザは偏向する。このような光偏向素子14を作製するためには、例えば、分極反転領域48を形成した厚さ300μm程度のニオブ酸リチウムLiNbO3の結晶を用意し、このニオブ酸リチウムLiNbO3層の一方の面に下部クラッド層44及び下部電極層43を形成し、他方の面を研磨することによって厚さ10μmのコア層45を作製することができる。研磨は、例えば、CMPChemicalMechanicalPolishing法によって行えばよい。また、このようにして作製したコア層45、下部クラッド層44、下部電極層43の積層体を接着層42によって基板41に接着する。さらに、下部クラッド層44、下部電極層43の積層体を接着層42によって基板41に接着した後に、コア層45の上に上部クラッド層46及び上部電極層47が形成される。以上により、光偏向素子14が完成する。光偏向素子14において、導波路面内のレーザの偏向は、コア層45及び分極反転領域48に信号発生部18から電圧を印加することによって行う。電圧印加時に分極反転領域48とされていない領域分極反転領域48の周囲のコア層45に屈折率の差が生じるため、コア層45に入射されたレーザは、導波路面内で偏向される。ここでコア層45及び分極反転領域48に信号発生部18から印加される電圧による屈折率の変化分Δnは、次の式1で与えられる。Δn=-1/2×r×n3×V/d1ここで、rは電気光学定数ポッケルス定数、nはコア材料の屈折率、Vは電圧、dはコア層45の厚さである。導波路面内でのレーザの偏向を低消費電力で動作させるためにはdを小さく、つまりコア層45を薄くすることで達成される。そのため、実施の形態1では、コア層45の厚さを約10μmに設定した。上部電極層47には信号発生部18図1参照から下部電極層43との間に電圧が印加される。これにより、上部電極層47と下部電極層43との間にある下部クラッド層44、コア層45、分極反転領域48、及び上部クラッド層46に電圧が印加され、コア層45と分極反転領域48の屈折率がポッケルス効果によって変化する。これにより、導波路内を伝搬するレーザを偏向することができる。例えば、下部電極層43を接地して上部電極層47に-150Vから150Vの電圧を印加することにより、導波路の面内方向に約-5°図3において中心軸より左側に約5°から約5°図3において中心軸より右側に約5°の偏向角度が得られる。このようにして作製された光偏向素子14は、任意の周波数において複雑な偏向動作が可能であるため、100kHz程度までの周波数であれば、柔軟な偏向が可能になる。そのため、ある波長領域のみ挿引速度を変化させたり、飛び飛びの任意波長を出力するといった波長変化も可能となる。次に、反射素子16として用いる共鳴フィルタについて説明する。実施の形態1の波長可変レーザ光源装置100の反射素子16として用いる共鳴フィルタは、入射光の波長と同等程度かそれ以下のサイズの凹凸部によって、入射光のうちの特定波長のレーザを共振さることによって反射する共鳴反射を利用している。このような共鳴フィルタについては、例えば、文献RMagnussonandSSWangTransmissionbandpassguidedmoderesonancefiltersApplOptVol34No358106に記載されている。この共鳴フィルタは、回折格子の寸法とレーザの波長との関係に基づく共鳴現象を利用しており、導波路の構造の最適化により、帯域の狭い反射型の波長フィルタを実現している。図4は、実施の形態1の波長可変レーザ光源装置100の反射素子16として用いる共鳴フィルタを示す図であり、図4Aは側面図、図4Bは斜視図である。反射素子16は、基板61、導波路層62、低屈折率層63、及び周期構造層64を含む。基板61は、例えば、合成石英ガラス、シリコン、石英、又はサファイア等で作製される。導波路層62は、屈折率の高い高屈折率材料で形成すればよく、例えば、酸化チタンTiO2、五酸化二タンタルTa2O5、又はハフニウム酸化物HfO2で形成すればよい。低屈折率層63は、導波路層62よりも屈折率の低い材料で構成される層であり、例えば、二酸化シリコンSiO2、又は酸化マグネシウムMgO等で作製される。ここで、基板61、導波路層62、及び低屈折率層63を上述の材料を用いて均一な層として形成することは、例えば、スパッタリングや蒸着等の一般的な薄膜形成方法で可能である。なお、基板61、導波路層62、及び低屈折率層63を無機材料ではなく、有機材料で作製することも可能である。周期構造層64は、共鳴フィルタのサブ波長構造部であり、低屈折率層63よりも屈折率の高い層で作製される。周期構造層64は、例えば、導波路層62と同様に、酸化チタンTiO2、五酸化二タンタルTa2O5、又はハフニウム酸化物HfO2で形成すればよい。周期構造層64は、例えば、フォトリソグラフィーとエッチングにより形成することができる。実施の形態1では、電子ビームでの描画によってフォトレジストを用いてレーザの波長以下の周期構造をパターニングし、フォトレジストをマスクとしてドライエッチングで酸化チタンをエッチングして形成する。上述のように、反射素子16では、相対的に低い屈折率nLを持つ低屈折率材料で構成される基板61上に、相対的に高い屈折率nHを持つ高屈折率材料で構成される導波路層62を形成している。基板61と導波路層62の屈折率は、nL<nHとなっている。図4に示す反射素子16では、入射光が共鳴反射を起こすためには、周期構造層64側からのレーザの入射が必要である。この微細な凹凸状の周期構造層64により、反射素子16に入射したレーザのうち周期構造層64と共鳴する波長成分のみが、導波路層62の導波モードとカップリングし、共鳴反射することになり、それ以外の波長ではレーザは透過する。図4に示すように、周期構造層64は、凹凸構造が周期pで一方向に配列した周期構造を有する。周期構造層64のグレーティングの幅は、周期に対してFF倍0<FF<1で定義する。このような周期構造層64においては、偏向方向に対する依存性が発生するため、周期構造層64のグレーティングに平行な電場振動を有する成分をTE偏光図4B参照、グレーティングに垂直な電場振動を有する成分をTM偏光図4B参照と呼ぶことにする。実施の形態1では、波長可変レーザ光源装置100に用いる共鳴フィルタについて、厳密結合波解析RCWAによって設計を行った。図4に示すように、反射素子16は、基板61上に、導波路層62、低屈折率層63、及び周期構造層64が積層して形成されている。基板61の屈折率nsを=1.51、導波路層62の屈折率nHを2.23、低屈折率層63の屈折率nLを1.44、周期構造層64は導波路層62と同質の材料で屈折率を1.51とした。ここで、反射素子16としての共鳴フィルタにおける反射光の波長と反射率の関係について説明する。図5は、実施の形態1の波長可変レーザ光源装置100の反射素子16としての共鳴フィルタにおける反射光の波長と反射率の関係を示す図である。図4に示す反射素子16としての共鳴フィルタに角度θでレーザが入射したとする。レーザの波長は、λ0からλ2までであるとする。このとき、図5Aに示すように、ほとんどの波長λ0~λ2では共鳴フィルタをレーザが透過するのに対して、特定波長λ1λ0<λ1<λ2付近では狭帯域で共鳴を起こし、レーザが反射する。ここで、共鳴フィルタへの入射光の角度がθΔθに変わると、共鳴反射を起こす波長λ1がシフトする。図5Bは、入射角度がθΔθに変化した場合、共鳴反射の発生するレーザの波長がλ1Aになることを示している。すなわち、入射角度がθΔθとなった場合には、λ1の波長のレーザは透過し、λ1Aの波長のレーザが反射されることになる。このようにして、光偏向素子14と共鳴フィルタ36を組み合わせることにより、光偏向素子14によって得られる偏向角に応じて、共鳴フィルタ36で反射させるレーザの波長を選択することが可能になる。ここで、図4に示すような周期構造層64のグレーティングの方向と電場の振動方向が平行になるような入射光とし、ピッチp=600nm、充填率FF=0.5とした。また、導波路層62の厚さをd1、低屈折率層63の厚さをd2、周期構造層64の厚さをd3としたときに、d1=300nm、d2=50nm、d3=50nmとしてシミュレーションを行った。図6は、実施の形態1の波長可変レーザ光源装置100の反射素子16として用いる共鳴フィルタにおいて、入射角度と共鳴反射したレーザの波長及び反射率との関係を示すシミュレーション結果である。図6では、共鳴フィルタへの入射角度を10°~20°まで1°刻みで変化させると、10nm刻みで波長1250~1350nmの入射光の共鳴反射が生じるように設定されている。図6に示すように、入射角度に応じて共鳴反射によって反射されるレーザの波長が変化していることがわかる。図6に示すように、共鳴波長での反射強度はほぼ100であるため、非常に高い効率で特定波長のレーザを出力することができ、かつ、共鳴反射による反射光のスペクトルの半値幅は1nm程度の狭帯域となっているため、共鳴フィルタから出力されるレーザの波長は、nmオーダーの分解能が得られることが分かる。ここで、図6に示す共鳴反射による反射光のスペクトル特性は一例であり、共鳴フィルタにおいて、スペクトルの線幅や中心波長の設計は、パラメータ層の厚さ、屈折率、周期の設定で容易に調整することが可能である。以上のようにして作製された共鳴フィルタは、非常に狭帯域であり、入射角度に応じて特定波長のみを反射することができる。このようにスペクトル線幅が狭く、波長安定性が良好で、かつ波長が可変である波長可変光源は、特に光通信分野、光計測分野等で要求されているため、実施の形態1の波長可変レーザ光源装置100は、これらの分野に最適である。以上のような実施の形態1の波長可変レーザ光源装置100では、レーザ光源11から出射されるレーザは、コリメートレンズ12、集光レンズ13を通って適切なビーム径に集光され、光偏向素子14の一端14Aに入射する。光偏向素子14は、信号発生部18からの電圧印加による電気光学効果によって強誘電体材料の屈折率を変化させ、光導波路14C内を通過するレーザを偏向し、他端14Bから出射する。光偏向素子14の他端14Bから出射されたレーザは、集光レンズ15で集光され、反射素子16に入射する。反射素子16に入射したレーザのうち、特定の波長のレーザは、反射素子16で共鳴反射され、反射ミラー17の反射面17Aに垂直に入射する。反射ミラー17で反射されたレーザは、入射時と同一の光路を辿り、集光レンズ15から出射した後に反射素子16で共鳴反射された点と同一点で再び共鳴反射される。反射素子16で再び共鳴反射されたレーザは、集光レンズ15から出射されたときの光路と同一の光路を辿り、集光レンズ15を経て光偏向素子14に入射する。再び光偏向素子14の他端14Bに入射したレーザは、光偏向素子14の一端14Aから出射され、集光レンズ13及びコリメートレンズ12を経て、レーザ光源11に入射する。レーザ光源11に入射したレーザは、レーザ光源11の端面11Bで反射され、再びレーザ光源11から出射される。レーザは、レーザ光源11の端面11Bと、反射ミラー17との間で繰り返し反射され、共振が生じる。このようにして、レーザ光源11の端面11Bと、反射ミラー17との間に、外部共振器が構築される。この外部共振器での共振によってレーザの出力が増幅され、出力が増幅されたレーザはレーザ光源11の端面11Bから出射され、コリメートレンズ19に入射する。従って、信号発生部18から印加される電圧信号に応じて波長が選択されたレーザをコリメートレンズ19から外部装置に出力することができる。外部装置としては、例えば、スペクトル線幅が狭く、波長安定性が良好で、かつ波長が可変である波長可変光源が必要になる光通信装置や光計測装置等が挙げられる。以上、実施の形態1によれば、上述のような光偏向素子14を用いるとともに、反射素子16として上述のような共鳴フィルタを用いることにより、非常に波長分解能の高い波長可変レーザ光源装置100を提供することができる。また、薄膜光導波路を有する光偏向素子14と、共鳴フィルタとしての反射素子16とを用いることにより、従来のように波長可変手段可動部を有する光源装置に比べて、小型化を図った波長可変レーザ光源装置100を提供することができる。また、上述のように、光偏向素子14の電気光学効果を利用してレーザの偏向度合いを選択するため、従来の光源装置のように物理的な可動部を有しない。従って、波長可変レーザ光源装置100の出力として最終的にコリメートレンズ19から出力するレーザの波長を非常に高速で変更することが可能になる。また、これに加えて、信号発生部18から光偏向素子14に印加する電圧信号の電圧値をランダムに変化させることで、コリメートレンズ19から任意の波長のレーザを出力することができる。また、共鳴フィルタとしての反射素子16による反射を利用することにより、特定波長のレーザを狭帯域で得ることができるとともに、ほぼ100での反射率が得られる。これにより、従来のように波長可変手段可動部等を必要としないため、装置の小型化が可能になり、精密な制御を必要としない簡易な構成で十分な光強度を有する波長可変光源を提供することができる。なお、以上では、基板61、導波路層62、低屈折率層63、及び周期構造層64を含む反射素子16を用いる形態について説明したが、反射素子16としてはより簡単な構造の共鳴フィルタを用いてもよい。ここで、図7乃至図10を用いて、反射素子16を変形した波長可変レーザ光源装置について説明する。図7は、実施の形態1の変形例の反射素子16Aを示す図である。反射素子16Aとしての共鳴フィルタは、図4に示す共鳴フィルタにおける低屈折率層63と周期構造層64を一体化して、周期構造層73としたものである。反射素子16Aは、基板71、導波路層72、及び周期構造層73を含む。基板71及び導波路層72は、それぞれ、図4に示す基板61及び導波路層62と同様である。図7に示す反射素子16Aとしての共鳴フィルタは、相対的に低い屈折率nLを持つ低屈折率材料で構成される基板71上に、相対的に高い屈折率nHを持つ高屈折率材料で構成される導波路層72が形成され、さらに、導波路層72の上面に低屈折率材料からなる周期構造層73が形成されている。周期構造層73は、凸部73Aを有する。このように、図7に示すような反射素子16Aを図4に示す反射素子16の代わりに用いてもよい。また、図4に示す反射素子16及び図7に示す反射素子16Aの代わりに、図8に示す反射素子16Bを用いてもよい。図8は、実施の形態1の変形例の反射素子16Bを示す図である。反射素子16Bは、基板81と、図7に示す導波路層72と周期構造層73を一体とした周期構造層82とを含む。基板81は、図7に示す基板71と同様である。周期構造層82は、基板81よりも屈折率の高い材料で構成され、周期的に形成される凸部82Aを有する。反射素子16Bにある角度θでレーザが入射すると、周期構造層82の凸部82Aを除いた導波路内では、周期構造層82の上に存在する空気の屈折率が周期構造層82の屈折率よりも低いために、導波路内で全反射が生じる。すなわち、図8に示す反射素子16Bでは、周期構造層82の上に存在する空気層が低屈折率層となる。このため、導波路内を全反射しながら伝播するレーザのうちの特定波長の成分が共鳴反射を起こし、強い反射光となる。このため、図8に示す反射素子16Bを用いた場合においても、ほとんどの波長では反射素子16Bをレーザが透過するのに対して、特定波長の付近では狭帯域で共鳴を起こし、反射する。また、以上では、反射素子16の周期構造層64図4A、B参照がストライプである形態について説明したが、周期構造層64の構造は、ストライプ状には限られない。図9は、実施の形態1の変形例の反射素子16C、16Dを示す図である。図9Aに示すように、反射素子16Cは、基板61、導波路層62、低屈折率層63、及び周期構造層64Aを含む。周期構造層64Aは、平面視において、マトリクス状に配列された矩形状の凸部である。基板61、導波路層62、及び低屈折率層63は、図4に示す反射素子16の基板61、導波路層62、及び低屈折率層63と同様である。図9Bに示すように、反射素子16Dは、基板61、導波路層62、低屈折率層63、及び周期構造層64Bを含む。周期構造層64Bは、平面視において、マトリクス状に円形の凹部が配列されている。基板61、導波路層62、及び低屈折率層63は、図4に示す反射素子16の基板61、導波路層62、及び低屈折率層63と同様である。図9Aに示す反射素子16C、又は、図9Bに示す反射素子16Dを用いても、図4に示す反射素子16を用いる場合と同様に、光偏向素子14によって変更される角度に応じて、特定波長のレーザを反射することができる。また、以上では、上述のような分極反転技術により屈折率が反転する分極反転領域を形成する形態について説明したが、上部電極層47と下部電極層43の電極形状自体を平面視で三角形形状にすることにより、電極形状に応じた屈折率変化を与える態様としてもよい。<実施の形態2>図10は、実施の形態2の波長可変レーザ光源装置を示す図である。実施の形態1の波長可変レーザ光源装置200は、レーザ光源211、コリメートレンズ12、集光レンズ13、光偏向素子14、集光レンズ15、反射素子16、反射ミラー217、信号発生部18、集光レンズ220、及び光出力部221を含む。実施の形態2の波長可変レーザ光源装置200は、レーザの出力経路が実施の形態1の波長可変レーザ光源装置100と異なり、反射ミラー217を透過したレーザを集光レンズ220を経て光出力部221から出力する。実施の形態2の波長可変レーザ光源装置200では、レーザ光源211の端面211Bを一端とし、反射ミラー217を他端とする外部共振器が構築される。以下、実施の形態1の波長可変レーザ光源装置100と同様の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。また、以下では、実施の形態1の波長可変レーザ光源装置100との相違点を中心に説明する。レーザ光源211は、一方の端面221Aに無反射膜が形成される点は実施の形態1のレーザ光源21と同様であるが、他方の端面211Bには全反射コーティングが施される点が実施の形態1のレーザ光源21と異なる。レーザ光源211の端面211Bは、外部共振器の共振によってレーザ光源211に戻ってくるレーザを全反射する。全反射コーティングは、例えば、アルミの薄膜を形成するか、又は、屈折率の異なる多層膜を形成することによって行えばよい。反射ミラー217は、反射面217Aの反射率が所定の高い反射率例えば、50~90程度を有するように構成される点が実施の形態1の反射ミラー17と異なる。なお、反射面217Aには、反射率を調整するために必要に応じて反射膜をコーティングすればよい。反射ミラー217の反射面217Aは、波長可変レーザ光源装置200の外部共振器の他端になるとともに、レーザを出射する出射面となる。このため、反射面217Aの反射率は、外部共振器でのレーザの出力の増幅度合等に応じて設定すればよい。なお、反射ミラー217の反射面217Aは、実施の形態1の反射ミラー17の反射面17Aと同様に、XZ平面に平行な断面形状は凹型の曲線であるが、Y軸を含む平面に平行な断面形状は直線になるように構成されている。また、反射面217Aは、反射素子16のいずれの点で反射されたレーザであっても、反射面217Aに垂直に入射する形状を有するとともに、反射素子16のいずれの点で反射されたレーザであっても、光偏向素子14の他端14Bと、反射面217Aとの間の光路が、波長の整数倍になるように構成されている。このため、光偏向素子14で偏向され、集光レンズ15で集光されたレーザのうち、特定の波長のレーザは、反射素子16で共鳴反射され、反射ミラー217の反射面217Aに垂直に入射する。集光レンズ220は、反射ミラー217から出射されるレーザを集光し、光出力部221に出力する。光出力部221は、集光レンズ220を経て入射するレーザを外部装置に出力する。光出力部221としては、例えば、光ファイバを用いることができる。以上のような実施の形態2の波長可変レーザ光源装置200において、レーザ光源211から出射されるレーザは、コリメートレンズ12、集光レンズ13を通って適切なビーム径に集光され、光偏向素子14の一端14Aに入射する。光偏向素子14は、信号発生部18からの電圧印加による電気光学効果によって強誘電体材料の屈折率を変化させ、光導波路14C内を通過するレーザを偏向し、他端14Bから出射する。光偏向素子14の他端14Bから出射されたレーザは、集光レンズ15で集光され、反射素子16に入射する。反射素子16に入射したレーザのうち、特定の波長のレーザは、反射素子16で共鳴反射され、反射ミラー217の反射面217Aに垂直に入射する。反射ミラー217で反射されたレーザは、入射時と同一の光路を辿り、集光レンズ15から出射した後に反射素子16で共鳴反射された点と同一点で再び共鳴反射される。反射素子16で再び共鳴反射されたレーザは、集光レンズ15から出射されたときの光路と同一の光路を辿り、集光レンズ15を経て光偏向素子14に入射する。再び光偏向素子14の他端14Bに入射したレーザは、光偏向素子14の一端14Aから出射され、集光レンズ13及びコリメートレンズ12を経て、レーザ光源211に入射する。レーザ光源211に入射したレーザは、レーザ光源211の端面211Bで反射され、再びレーザ光源211から出射される。レーザは、レーザ光源211の端面211Bと、反射ミラー217との間で繰り返し反射され、共振が生じる。このようにして、レーザ光源211の端面211Bと、反射ミラー217との間に、外部共振器が構築される。この外部共振器での共振によってレーザの出力が増幅され、出力が増幅されたレーザは反射ミラー217の反射面217Aから出射され、集光レンズ220を経て光出力部221に入射する。従って、信号発生部18から印加される電圧信号に応じて波長が選択されたレーザを光出力部221から外部装置に出力することができる。以上のように、実施の形態2によれば、実施の形態1と同様に、光偏向素子14を用いるとともに、反射素子16として共鳴フィルタを用いることにより、非常に波長分解能の高い波長可変レーザ光源装置200を提供することができる。また、薄膜光導波路を有する光偏向素子14と、共鳴フィルタとしての反射素子16とを用いることにより、従来のように波長可変手段可動部を有する光源装置に比べて、小型化を図った波長可変レーザ光源装置200を提供することができる。以上、本発明の例示的な実施の形態の波長可変レーザ光源装置について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。