基板と、該基板上に磁気抵抗効果素子を有するメモリセルが二次元状に配されたメモリセルアレイと、を有する不揮発磁気薄膜メモリ装置の記録方法において、情報の記録を行なう前に、メモリセルに情報の試し書きを行ない、試し書きの記録を確認した後、正規のデータを記録することを特徴とする不揮発磁気薄膜メモリ装置の記録方法。情報の試し書きは、試し書きに専ら用いられる試し書きメモリセルに対して行うことを特徴とする請求項1記載の不揮発磁気薄膜メモリ装置の記録方法。試し書きの記録を確認する際に、試し書きしたメモリセルに隣接するメモリセルの情報も同様に記録を確認することを特徴とする請求項1又は2のいずれかに記載の不揮発磁気薄膜メモリ装置の記録方法。一般に磁性体の保磁力は温度上昇に伴って変化する。上記の不揮発磁気薄膜メモリ装置を構成するトンネル磁気抵抗効果素子の温度が上昇すると、素子の一構成要素である磁性層の保磁力が変化する。保磁力が低下したときには、隣接セルのクロストークが問題となり、保磁力が上昇すると、書き込み不良などの問題が生じる。特に、電流によって生じる磁界を印加して情報の記録を行なうようなMRAMにおいては、情報を書き込むべきメモリセルの周辺のメモリセルに磁界が印加されるのを防止するのは難しい。特に携帯機器などに応用する場合には使用温度も様々であり、温度の影響によって、周辺のメモリセルに誤書き込みなどが頻繁に起こる可能性がある。加えて、垂直磁化膜を用いたトンネル磁気抵抗効果素子の保磁力は一般に大きい。従って、素子に書き込みを行うための書き込み線による電流値は非常に大きいものとなるため、デバイス全体の発熱が顕著である。本発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、デバイスの温度が上昇しても、安定的に動作する不揮発磁気薄膜メモリ装置の記録方法を提供することを目的とする。本発明は上記課題に鑑み、基板上に磁気抵抗効果素子を有するメモリセルが二次元状に配された不揮発磁気薄膜メモリ装置のメモリセルに正規のデータの書き込みを行う前に試し書きを行って安定的に動作することを確認することを特徴とするものである。以上説明したように本発明の不揮発磁気薄膜メモリ装置の記録方法によれば、環境温度が変化した場合にも、情報の書き込み電流を最適条件にすることにより、正確に情報を記録することができるという効果がある。以下、本発明の不揮発磁気メモリ装置の実施例を詳細に説明する。第1の実施例図1は第1の実施例のトンネル磁気抵抗効果素子の構成要素である磁性膜の飽和磁化の温度変化を示す図である。また、図2は第1の実施例の磁性膜における保磁力の温度変化を示す図である。図1、図2に示された磁性膜は室温で印加磁界がない状態で垂直磁化膜となっている。希土類金属としてTb、遷移金属としてFe及びCoの合金薄膜を用いている。図3に示すように本実施例の磁性層は、Tbの副格子磁化の向きと、Fe及びCoの副格子磁化の向きとは、室温で反平行状態で磁気的に結合している。磁性層を昇温していくと、図1に示すようにTbの磁化の大きさと、Fe及びCoの磁化の大きさとが等しくなって打ち消しあう補償温度が存在し、さらに昇温していくと磁化が消失するキュリー温度が存在する。本実施例では、補償温度が室温より高く、キュリー温度よりも低いような磁性膜を用いている。更に、補償温度が100[°C]以上であると好適である。このような条件を満たすように、TbFeCo合金薄膜の組成を調整することにより、図2に示すように動作温度-20[°C]~100[°C]の範囲内で保磁力の変化量を10[Oe]以内に制御することができた。ここでは、TbFeCoのみを例としてあげたが、例えば保磁力の大きさを小さく制御したいような場合には、Gdを含むような磁性膜を用いればよく、その際にも組成や成膜条件によって、飽和磁化や保磁力の温度依存性を適宜制御すればよい。また、遷移金属はNiを含んでもよく、希土類金属はDyを含んでもよい。これによっても、飽和磁化や保磁力の温度依存性を制御可能である。第2の実施例本実施例では、MRAMのメモリセルアレイの端に、MOS-FETを設けて温度センサとする。図4は、第2の実施例におけるMRAMの構成を示す簡略図である。図5は第2の実施例におけるMRAMの環境温度の検出と最適記録条件で情報を記録する記録処理の流れを示すフローチャートである。図6は環境温度の検出に用いる温度センサの構成を示す図である。図7は温度センサで利用するゲート電極閾値電圧の温度依存性を示す図である。図7においては、例としてp-MOSを用いた場合の閾値電圧の温度依存性を示している。図4に示すように本実施例におけるMRAMは、温度センサ46と、トンネル磁気抵抗効果素子41と、書き込み線42と、書き込み線用デコーダ44と、ビット線43と、ビット線用デコーダ45とを備えている。書き込み線42は、トンネル磁気抵抗効果素子に情報を書き込むためのものである。書き込み線用デコーダ44は、書き込み線42を制御する。ビット線43は、トンネル磁気抵抗効果素子の情報を読み出すためのものである。ビット線用デコーダ45はビット線43を制御する。本実施例における温度センサ46は、トンネル磁気抵抗効果素子41下部に設けられたMOS-FETを利用する。図6に示すようにメモリセルアレイ64から領域を隔てたところに、余分にMOS-FETを設ける。本実施例では、このMOS-FETを温度センサ65として利用する。図7に示すように、MOS-FETのゲート電極の閾値は温度による依存性を示す。図6に示す温度センサ65の温度検知は、電界効果型トランジスタの構造をそのままにして、温度検知を行う。トランジスタの特性は温度に対して敏感に変化するために、この温度依存性を温度検知に利用でき、かつ、駆動用に設けたトランジスタと同一のプロセスで基板上に形成できるため、好適である。実際には、ゲート63のゲート電圧を上げなから、ソース61-ドレイン62間に電流を流す。ゲート電圧がしきい値電圧より高くなったときに、ソース61-ドレイン62間に電流が流れるので、そのときの電圧を読み取って動作温度を検知する。こうして、正規の情報書き込みを行う前に温度センサ65により環境温度を検出し、最適の書き込み電流で書き込みを行えば、動作温度の変化によるクロストークや書き込み不良などの問題を解決することができる。また、図5に示すように、正規のデータ書き込みを行う前に、温度センサにより周囲温度を測定するステップS51。さらにMOS-FETのゲート電極閾値の温度依存データが格納されている比較器内のデータと比較して最適書き込み電流値を検出するステップS52。最適書き込み電流値は、トンネル磁気抵抗効果素子の保磁力の温度変化のデータと周囲温度とから得られる。トンネル磁気抵抗効果素子の保磁力の温度変化は、別に備えたデバイスに予め記録しておけばよい。その後、書き込み電流値の制御を行って正規データの書き込みを行えばステップS53、正常に書き込みができる。なお、本実施例では、MRAMにおける下部MOS-FET部のゲート電極の閾値電圧を温度センサとして利用しているが、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極の抵抗値の温度変化を利用して、温度センサとすることも可能である。更に、各ビット線、書き込み線ごとに温度センサを設けて温度を検知し、各カラムもしくはローごとに電流値を制御することも可能である。もちろん任意のエリアを設定して、各エリアごとに流す電流値を制御してもよい。本実施例によれば、メモリセルアレイ内の温度変化を検知して、情報の記録を行なうので、温度変化による誤書き込みや書き込み不良を低減させることが可能となる。第3の実施例第3の実施例では、MRAMのメモリセルアレイのマージン領域のメモリセルを試し書きメモリセルとして試し書きを行うことにより、情報の書き込みを環境温度に合わせて段階的に制御するものである。すなわち、任意のメモリセルに、ある電流値で書き込みを行ない、記録の確認を行なった後に、情報の記録動作を開始する。試し書きの際に正常な記録動作が行なわれているかどうかを確認することによって、メモリセルの状況を判断することができる。図8は、第3の実施例におけるMRAMの構成を示す簡略図である。図9は第3の実施例におけるMRAMの環境温度毎の最適記録条件で情報を記録する記録処理の流れを示すフローチャート、図10は試し書きトンネル磁気抵抗効果素子の構成を示す図である。図8に示すように本実施例におけるMRAMは、試し書きメモリセル86と、トンネル磁気抵抗効果素子81と、書き込み線82と、書き込み線用デコーダ84と、ビット線83と、ビット線用デコーダ85とを備えている。トンネル磁気抵抗効果素子81には正規のデータが書き込まれる。書き込み線82は、トンネル磁気抵抗効果素子81に情報を書き込むためのものである。書き込み線用デコーダ84は書き込み線82を制御する。ビット線83は、トンネル磁気抵抗効果素子81の情報を読み出すためのものである。ビット線用デコーダ85はビット線83を制御する。本実施例では、正規データの書き込みの前に試し書き用メモリセル86にデータ書き込みを行い、正常に書き込みが行なわれているかを確認した後に正規のデータ書き込みを行う。図10に示すように、試し書き用トンネル磁気抵抗効果素子102を有する試し書きメモリセル86は正規データ用メモリセル101のマージン領域に設けられる。図9に示すように、先ず、マージン領域すなわち試し書きを行う領域の書き込み線デコーダをONにするステップS91。次に、試し書き用メモリセル86に記録を行うステップS92。次に、ステップS92で記録を行った試し書き用メモリセル86と、その試し書き用メモリセル86に隣接する試し書き用メモリセル86の再生を行いステップS93、書き込み不良があったか否か確認するステップS94。MRAMのように、マトリックス状にメモリセルが配置され、電流による磁界によって特定のメモリセルを選択して情報の記録を行なう場合には、書き込みを行なうべきメモリセルに隣接するメモリセルにまで磁界が印加されるのは免れない。そのため、温度変化などによって、磁性膜の保磁力が小さくなっていると、誤書き込みされる可能性が高くなる。したがって、記録の確認を行なう場合には、記録を行なう試し書き用メモリセルとそれに隣接するメモリセルの双方に誤書き込みされていないことを確認する必要がある。書き込み不良があった場合には、書き込み電流値を変化させて、ステップS91に戻り、正常書き込みが確認できるまで同じ作業を繰り返す。書き込み不良が無かった場合には、書き込み電流値を確定しステップS95、正規データの書き込みを行うステップS96。以上のような情報の書き込みを行うことにより、正規データを正常に書き込むことができた。