本体と、該本体内に収容され、被調理物を収納する上面が開口した調理容器と、該調理容器の上面開口を閉塞可能に、前記本体に回動自在に支持された外蓋体と、前記本体内に配設され、前記調理容器を加熱する誘導加熱手段と、該誘導加熱手段へ電力を供給する電源基板と、を備え、前記電源基板は、商用電源を整流する整流回路と、前記整流回路の出力端にスイッチング素子を介して接続されたリアクタンス素子と、前記リアクタンス素子と共振回路を形成するキャパシタンス素子から成り、前記スイッチング素子のオン、オフにより前記商用電源の出力を所定周波数の交流電力に変換し前記リアクタンス素子に供給するインバーター基板は、前記スイッチング素子と前記整流回路とを同一樹脂内に一体的に封入した半導体モジュールとして構成したことを特徴とする加熱調理器。本体と、該本体内に収容され、被調理物を収納する前面が開口した調理庫と、該調理庫の前面開口を閉塞可能に、前記本体に回動自在に支持された扉体と、前記本体内に配設され、前記調理庫に収納された前記被調理物を加熱するマグネトロンと、前記マグネトロンへ電力を供給する電源基板と、を備え、前記電源基板は、商用電源を整流する整流回路と、前記整流回路の出力端にスイッチング素子を介して接続されたリアクタンス素子と、前記リアクタンス素子と共振回路を形成するキャパシタンス素子から成り、前記スイッチング素子のオン、オフにより前記商用電源の出力を所定周波数の交流電力に変換し前記リアクタンス素子に供給するインバーター基板は、前記スイッチング素子と前記整流回路とを同一樹脂内に一体的に封入した半導体モジュールとして構成したことを特徴とする加熱調理器。前記半導体モジュールは、略方形に形成され、前記スイッチング素子の接続端子と前記整流回路の出力側接続端子を一辺に配置し、前記整流回路の入力側接続端子を、その対辺に配置したことを特徴とする請求項1または請求項2いずれかに記載の加熱調理器。前記半導体モジュールは、前記スイッチング素子の接続端子と前記整流回路の接続端子とを、同一辺に配置したことを特徴とする請求項1または請求項2いずれかに記載の加熱調理器。前記半導体モジュールは、前記スイッチング素子のオンオフ信号を入力する入力側接続端子を最端部、もしくは前記整流回路の入力側接続端子から最も離れた位置に配置するようにしたことを特徴とする請求項1から請求項4いずれかに記載の加熱調理器。前記半導体モジュールに一体的に封入された前記スイッチング素子と前記整流回路で、前記整流回路が、ワイドバンドギャップ半導体によって形成されたことを特徴とする請求項1から請求項5いずれかに記載の加熱調理器。前記半導体モジュールに一体的に封入された前記スイッチング素子と前記整流回路で、前記スイッチング素子が、ワイドバンドギャップ半導体によって形成されたことを特徴とする請求項1から請求項6いずれかに記載の加熱調理器。前記半導体モジュールは、冷却用の放熱体を備えたことを特徴とする請求項1から請求項7いずれかに記載の加熱調理器。前記本体内に冷却ファンを備え、前記半導体モジュールは、前記冷却ファンが発生する冷却風を受ける位置に配置され、前記半導体モジュールに一体的に封入された前記スイッチング素子と前記整流回路の位置関係が、冷却ファンに対し略同等または前記スイッチング素子側が風上となるように配置されたことを特徴とする請求項1から請求項8いずれかに記載の加熱調理器。前記本体内に冷却ファンを備え、前記半導体モジュールに一体的に封入された前記スイッチング素子と前記整流回路のいずれか一方がワイドバンドギャップ半導体によって形成され、前記半導体モジュールは、前記冷却ファンが発生する冷却風を受ける位置に配置され、前記スイッチング素子と前記整流回路の位置関係が、冷却ファンに対し略同等またはワイドバンドギャップ半導体側が風下となるように配置されたことを特徴とする請求項1から請求項4いずれかに記載の加熱調理器。前記半導体モジュールは冷却用の放熱体が取り付けられ、前記半導体モジュールと前記放熱体は、前記冷却ファンが発生する冷却風を受ける位置に配置されたことを特徴とする請求項9または請求項10いずれかに記載の加熱調理器。前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料又はダイヤモンドからなることを特徴とする請求項6または請求項7または請求項10いずれかに記載の加熱調理器。しかしながら、特許文献1に記載の加熱調理器の構成では、スイッチング素子と整流回路ダイオードブリッジが実装されるインバーター基板の実装部品の中で、高温となるスイッチング素子周辺は冷却を考慮し、空間に余裕を取って部品配置をしなければならず、基板面積が大きくなる、という課題がある。また、インバーター基板上でスイッチング素子と整流回路ダイオードブリッジを接続しなければならず、インバーター基板上に大電流を流すためのパターンを設ける必要があり、絶縁距離の確保等、インバーター基板上に実装する部品の配置の制約が大きく、基板面積が大きくなる、という課題がある。さらに、上記のようにインバーター基板面積を大きくしなければならず、インバーター基板の小型化が困難であることから、炊飯器や電子レンジのような加熱調理器では、インバーター基板を収容するスペースを大きく確保する必要があるため、加熱調理器本体の小型化も困難となる、という課題がある。本発明はかかる課題を解決するために、スイッチング素子と整流回路ダイオードブリッジを同一樹脂内に一体的に封入してモジュール化することで、基板上の部品実装面積抑制、大電流パターン排除等によるインバーター基板の小型化が実現でき、さらに本体外形寸法の小型化が実現できる加熱調理器を提供する。本発明の第1の発明の加熱調理器は、本体と、本体内に収容され、被調理物を収納する上面が開口した調理容器と、調理容器の上面開口を閉塞可能に、本体に回動自在に支持された外蓋体と、本体内に配設され、調理容器を加熱する誘導加熱手段と、誘導加熱手段へ電力を供給する電源基板とを備え、電源基板は、商用電源を整流する整流回路と、整流回路の出力端にスイッチング素子を介して接続されたリアクタンス素子と、リアクタンス素子と共振回路を形成するキャパシタンス素子から成り、スイッチング素子のオン、オフにより、商用電源の出力を所定周波数の交流電力に変換しリアクタンス素子に供給するインバーター基板は、スイッチング素子と整流回路とを同一樹脂内に一体的に封入した半導体モジュールとして構成したものである。また、本発明の第2の発明の加熱調理器は、本体と、本体内に収容され、被調理物を収納する前面が開口した調理庫と、調理庫の前面開口を閉塞可能に、本体に回動自在に支持された扉体と、本体内に配設され、調理庫に収納された被調理物を加熱するマグネトロンと、マグネトロンへ電力を供給する電源基板とを備え、電源基板は、商用電源を整流する整流回路と、整流回路の出力端にスイッチング素子を介して接続されたリアクタンス素子と、リアクタンス素子と共振回路を形成するキャパシタンス素子から成り、スイッチング素子のオン、オフにより、商用電源の出力を所定周波数の交流電力に変換しリアクタンス素子に供給するインバーター基板は、スイッチング素子と整流回路とを同一樹脂内に一体的に封入した半導体モジュールとして構成したものである。また、本発明の第3の発明の加熱調理器は、半導体モジュールは、略方形に形成され、スイッチング素子の接続端子と前記整流回路の出力側接続端子を一辺に配置し、整流回路の接続端子を、その対辺に配置したものである。また、本発明の第4の発明の加熱調理器は、半導体モジュールは、スイッチング素子の接続端子と整流回路の入力側接続端子とを、同一辺に配置したものである。また、本発明の第5の発明の加熱調理器は、半導体モジュールは、スイッチング素子のオンオフ信号を入力する入力側接続端子を最端部、もしくは整流回路の入力側接続端子から最も離れた位置に配置するようにしたものである。また、本発明の第6の発明の加熱調理器は、半導体モジュールに一体的に封入されたスイッチング素子と整流回路で、整流回路が、ワイドバンドギャップ半導体によって形成されたものである。また、本発明の第7の発明の加熱調理器は、半導体モジュールに一体的に封入されたスイッチング素子と整流回路で、スイッチング素子が、ワイドバンドギャップ半導体によって形成されたものである。また、本発明の第8の発明の加熱調理器は、半導体モジュールは、冷却用の放熱体を備えたものである。また、本発明の第9の発明の加熱調理器は、本体内に冷却ファンを備え、半導体モジュールは、冷却ファンが発生する冷却風を受ける位置に配置され、半導体モジュールに一体的に封入されたスイッチング素子と整流回路の位置関係が、冷却ファンに対し略同等またはスイッチング素子側が風上となるように配置されたものである。また、本発明の第10の発明の加熱調理器は、本体内に冷却ファンを備え、半導体モジュールに一体的に封入されたスイッチング素子と整流回路のいずれか一方がワイドバンドギャップ半導体によって形成され、半導体モジュールは、冷却ファンが発生する冷却風を受ける位置に配置され、スイッチング素子と整流回路の位置関係が、冷却ファンに対し略同等またはワイドバンドギャップ半導体側が風下となるように配置されたものである。また、本発明の第11の発明の加熱調理器は、半導体モジュールは、冷却用の放熱体が取り付けられ、半導体モジュールと放熱体は、冷却ファンが発生する冷却風を受ける位置に配置されたものである。また、本発明の第12の発明の加熱調理器は、ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料又はダイヤモンドからなるものである。この発明によれば、インバーター基板に実装するスイッチング素子と整流回路を同一樹脂内に一体的に封入した半導体モジュールとして構成したので、スイッチング素子と整流回路を、基板上に絶縁距離を考慮した大電流パターンを配して接続する必要が無くなり、基板を小型化できる。実施の形態1.図1は本発明の実施の形態1における加熱調理器の外蓋体を開いた状態の斜視図、図2は本発明の実施の形態1における加熱調理器の外蓋体を閉じた状態の側方断面図、図3は本発明の実施の形態1における加熱調理器の回路図、図4は本発明の実施の形態1における加熱調理器の部品実装面からみた電源基板の一部抜粋の配置図、図5は本発明の実施の形態1における加熱調理器の半導体モジュールの外形図である。なお、それぞれの図において、同じ部分または相当する部分には同じ符号を付し、一部の説明を省略する。また、複数の部材であって、符号にa、b等を付記するものについて、共通する内容を説明する際には、符号に付したa、b等を削除して、その一方の部材について説明する場合がある。以下、図1から図5により本実施の形態1の加熱調理器の構成、動作について説明する。図1及び図2において1は本体、2は外蓋体、3は調理容器であり、本発明の実施の形態1における加熱調理器100を構成している。本体1は樹脂成形加工や板金加工により形成した外周ケース6と下面ケース7を備え、その内部に後述する各種構成部品を内包している。本体1は上部が開口しており、被調理物を収容した調理容器3をその上部開口に着脱自在に収容する。調理容器3は熱伝導性の良い材質、例えば炭素素材を切削加工したり多層金属板を深絞り加工等したりすることにより形成し、上方が開口した形状であり開口上端部全周に外側へ延設したフランジ部4が設けられている。外蓋体2は樹脂成形加工により形成した外周ケース8と内ケース9を備え、外周ケース8には加熱調理器100の調理の入力を行う入力手段38が設けられている。外蓋体2を構成する外周ケース8と内ケース9との内部空間には表示手段39を実装した制御基板16が設けられており、マイコン図示せずや入力手段38からの入力を制御する制御手段40等の回路が構成されている。表示手段39は外蓋体2の内部に配置されているが、その表示は外周ケース8に設けられた樹脂成形加工の一部透明部材図示せずや一部透明のシート状部材図示せずにより視認できるようになっている。また、外蓋体2は本体1に回動自在に支持されており、開放方向にバネ10で付勢されている。図1、図2に示すように、外蓋体2には係止部11が設けられており、本体1に設けられたロック部12と係合して本体1の上部開口を閉塞するようになっている。外蓋体2を開放する時は、外蓋体開放ボタン13を押し込むとロック部12が係止部11との係合を解除する方向に移動し、係止部11との係合が解除されバネ10の付勢力で開放方向へ回動するようになる。外蓋体2の内ケース9で本体1の上部開口と対向する面には蓋体ヒーター21が設けられており、その外側に内蓋体5が着脱自在に取付けられている。内蓋体5は、例えばステンレス材のような金属材を板金加工により形成した平板上の金属板5aと、外周に設けられた例えば対スチームグレードのシリコーン系ゴム材料のような弾性力のある素材で形成したパッキン5b等を備え、外蓋体2の閉塞時にはパッキン5bと調理容器3の上部全周が圧接し密着する関係となっている。蓋体ヒーター21は、例えばアルミ材のような金属材を板金加工により形成した平板上の金属板で、内蓋体5と対向する面の裏側に絶縁被服が施されたヒーター線を接着するようにして構成されており、内蓋体5が結露しないよう加熱するためのものである。調理容器3が収容されている本体1内部の下方には、調理容器3を誘導加熱するための誘導加熱コイル15a、15b、15c以降、単に誘導加熱コイル15と記述するが設けられている。17は誘導加熱コイル15に高周波電力を供給するために本体1内部に設けられた電源基板インバーター基板ともいうで、図3に示す回路図の構成を備えており、商用電源36を整流する整流回路ダイオードブリッジ31と、整流回路ダイオードブリッジ31の出力端にスイッチング素子32を介して接続されたリアクタンス素子である誘導加熱コイル15と、誘導加熱コイル15と共振回路を形成するキャパシタンス素子である共振コンデンサ33と、平滑回路を形成するチョークコイル34と平滑コンデンサ35、マイコンに電源を供給する電源回路37から成り、スイッチング素子32のオン、オフにより商用電源36の出力を所定周波数の交流電力に変換し、誘導加熱コイル15に供給するインバーター回路が構成されている。なお、本発明の実施の形態及び以降の発明の実施の形態における整流回路とは、ダイオードを4個組み合わせて構成されるダイオードブリッジ式の全波整流回路のことである。但し、ダイオードブリッジ式の全波整流回路に限定されるものではなく仕様に応じて整流回路の構成は適宜選択可能である。電源基板インバーター基板17には図4に示すように、半導体モジュール18aが実装されている。モジュールとは、いくつかの機能を集めてひとまとめにした部品のことを言い、半導体モジュール18aは図3に示す整流回路ダイオードブリッジ31とスイッチング素子32を同一樹脂内に一体的に封入した形態となっている。整流回路ダイオードブリッジ31とスイッチング素子32は、主に珪素Siからなる半導体シリコン半導体ともいうである。インバーター回路のような高周波で駆動する回路で使用される整流回路ダイオードブリッジ31やスイッチング素子32は自己発熱により高温となり、所定の許容温度以下で使用しないと熱による劣化、破壊に至ることがあるので、効率よく駆動させるためには冷却を考慮する必要がある。半導体モジュールには図5に示すような平面置きタイプの半導体モジュール18aの他に縦置きタイプ実施の形態2.で説明するのものあり、基板の部品実装面の上方空間に制約があるような場合には、平面置きタイプの半導体モジュール18aを、基板の部品実装面の上方空間が確保できるような場合には縦置きタイプのものを使用する等、本体構成により適宜選択すればよい。本発明の実施の形態1の加熱調理器100では、図2に示すように電源基板インバーター基板17が誘導加熱コイル15の下方に配置されており、電源基板インバーター基板17の部品実装面の上方空間が狭いので平面置きタイプの半導体モジュール18aを選択している。図5に示すように、半導体モジュール18aは四辺の方形をしており、その内の隣り合わない2辺に接続端子を備えている。1辺にシリコン半導体整流回路ダイオードブリッジの入力側接続端子43a、その対辺にシリコン半導体整流回路ダイオードブリッジの出力側接続端子のプラス端子とシリコン半導体スイッチング素子接続端子44aという構成となっていて、シリコン半導体整流回路ダイオードブリッジ接続端子43a近傍のシリコン半導体整流回路ダイオードブリッジ部43にシリコン半導体整流回路ダイオードブリッジ31が、スイッチング素子接続端子44a近傍のシリコン半導体スイッチング素子部44にシリコン半導体スイッチング素子32がそれぞれ内包されている。また、シリコン半導体整流回路ダイオードブリッジの出力側接続端子の-マイナス端子図示せずはシリコン半導体スイッチング素子接続端子44aのE端子とモジュール化されたパッケージ内で接続されており、共通端子となっていて、シリコン半導体スイッチング素子接続端子44aの内、シリコン半導体スイッチング素子32のオンオフ制御信号を入力するG端子は外来ノイズが印加されたり、雷サージ雷の影響により発生する過渡的な高電圧印加時等に高圧となるシリコン半導体整流回路ダイオードブリッジの入力側接続端子43aから最も離れた位置に配置されるようになっている。半導体モジュール18aには、半導体モジュール18aの放熱を促進し冷却するための放熱体19が取り付けられている。放熱体とは放熱フィンやヒートシンク等、高温になるものの放熱を補助するための部品のことで、アルミや銅など熱伝導性が良く放熱性に優れた金属によって形成されている。図2において20は冷却ファンであり、誘導加熱コイル15や電源基板インバーター基板17に実装された半導体モジュール18aのような高温となる構成部品を冷却するための冷却風を発生させるものである。冷却ファン20の配置は、誘導加熱コイル15や半導体モジュール18aのような高温となる部品の近傍で、特に半導体モジュール18aのような高温となる部品や、半導体モジュール18aの放熱を促進し冷却するための放熱体19に冷却風が直接到達するように配置することが冷却効率を上げることに効果的であり、さらには半導体モジュール18aまでの冷却ファン20からの距離が、少なくともシリコン半導体整流回路ダイオードブリッジ31を内包するシリコン半導体整流回路ダイオードブリッジ部43とシリコン半導体スイッチング素子32を内包するシリコン半導体スイッチング素子部44がほぼ同等の距離となるように設置するか、シリコン半導体整流回路ダイオードブリッジ31を内包するシリコン半導体整流回路ダイオードブリッジ部43よりも高温となるシリコン半導体スイッチング素子32を内包するシリコン半導体スイッチング素子部44が冷却ファン20に近い位置、風上となる位置に配置することが冷却効率を上げることにより効果的である。以上のような加熱調理器100では、調理容器3に被加熱物、例えば米と水を入れて本体1内に収容し外蓋体2により閉塞する。その後、入力手段38により調理の入力を行うと、その入力により制御手段40が駆動手段41を制御し、インバーター回路が駆動して調理が開始される。調理が開始されると、誘導加熱コイル15や電源基板インバーター基板17に実装された半導体モジュール18aが発熱し高温となるため、制御手段40が冷却ファン駆動手段42を制御し冷却ファン20が動作し冷却風を発生させる。このような冷却ファン20の動作については、調理開始と同時に動作を開始してもよいし、誘導加熱コイル15や電源基板インバーター基板17に実装された半導体モジュール18aの温度を検知する温度センサを設けて、所定の温度に上昇した後に動作を開始するようにしてもよく、仕様は適宜設定可能である。以上のように本発明の実施の形態1の加熱調理器は、シリコン半導体整流回路ダイオードブリッジとシリコン半導体スイッチング素子を同一樹脂内に一体的に封入しモジュール化して構成したので、シリコン半導体整流回路ダイオードブリッジとシリコン半導体スイッチング素子を電源基板上で接続する必要がなく、大電流箇所での接続不良の懸念が解消され電源基板の信頼性が向上するという効果を奏することができる。また、シリコン半導体整流回路ダイオードブリッジとシリコン半導体スイッチング素子を電源基板上で接続する必要がないので、電源基板上に絶縁距離を考慮した大電流パターンの範囲が少なくて済むことと、モジュール化することにより半導体部品が小型化できることから、電源基板の部品実装面積を減らすことができ電源基板の小型化が図れるため、電源基板を内包する本体自体も小型化できるという効果を奏することができる。さらに、シリコン半導体スイッチング素子のオンオフ制御信号を入力するG端子は高圧となるシリコン半導体整流回路ダイオードブリッジの入力側接続端子から最も離れた位置に配置し外来ノイズの影響を受け難い配置にしたので、ノイズ耐量が向上できる基板のパターン設計が容易になるという効果を奏することができる。それから、モジュール化することにより高温になる半導体部品が小型化できることから、冷却風を当てやすくなり高温になる半導体を冷却しやすくなるという効果を奏することができる。実施の形態2.図6は本発明の実施の形態2における加熱調理器の扉体の外観斜視図、図7は本発明の実施の形態2における加熱調理器の側方断面図、図8は本発明の実施の形態2における加熱調理器の回路図、図9は本発明の実施の形態2における加熱調理器の半導体モジュールの外形図である。なお、それぞれの図において、同じ部分または相当する部分には同じ符号を付し、一部の説明を省略する。また、複数の部材であって、符号にa、b等を付記するものについて、共通する内容を説明する際には、符号に付したa、b等を削除して、その一方の部材について説明する場合がある。以下、図6から図9により本実施の形態2の加熱調理器の構成、動作について説明する。図6及び図7において50は本体、51は扉体であり、本発明の実施の形態2における加熱調理器200を構成している。本体50は、鋼板を板金加工により両側面と上面の3面を覆うコ字状に形成した本体ケース52と、鋼板を板金加工により形成した背面ケース53と底面ケース54を備え、その内部に後述する各種構成部品を内包している。本体50の内部には被調理物を収容し加熱調理するための加熱室55が設けられており、加熱室55は上面55a、前面使用者に対する面55b、背面55c、右側面55d図示せず、左側面55e、底面55fの6面からなる箱状で前面側の一面が開口していて、板金加工により形成した例えば自己浄化機能を有するセルフクリーニング層を有する鋼板や、表面に防汚性に優れるフッ素コーティングを施した鋼板等により構成される。前述の鋼板以外に加熱室55の一部、例えば右側面55d、左側面55e、底面55f等をムライト、コーディエライト系セラミックス、酸化ケイ素SiO2、酸化アルミニウムAl2O3、酸化マグネシウムMgO、酸化ジルコニウムZrO2等を主成分とするセラミックス、陶器、天然石、結晶化ガラス等により形成した部材で構成することもある。加熱室55の上面55aの室外面には、被加熱物に輻射式の加熱をするための上面ヒーター71が、背面55cの室外面には背面ヒーター73が、底面55fの室外面には底面ヒーター72が、それぞれ設けられている。前述の輻射式の加熱とは、上面ヒーター71等の輻射式加熱源が発生する赤外線が直接被加熱物の表面に吸収されることで分子運動が起り発熱することによる加熱のことである。上面ヒーター71は、発熱体であるニクロム線をマイカで挟んで構成されていてマイカヒーターとも呼ばれる平面状ヒーターである。背面ヒーター73と底面ヒーター72は、ステンレス等の金属管の中にコイル状の発熱線を、酸化マグネシウムのような耐熱絶縁材を充てんして封入し金属管を高圧で加圧して構成されているシーズヒーターとも呼ばれる管状ヒーターである。扉体51は鋼板を板金加工により形成した、外周に電波漏洩防止のためのチョーク構造を備える扉体後板58と、樹脂成形加工により形成した扉体前カバー57と、樹脂成形加工により形成したハンドル56と、熱膨張率の小さい耐熱性に優れた板状の扉体前ガラス59と扉体後ガラス60を備えている。扉体後板58には加熱室55の開口面よりも少し小さい範囲でパンチング加工にて複数の小径の穴が開けられており、その小径の穴が開けられている範囲を覆うように、扉体後ガラス60が耐熱性に優れたシリコーンRTV等の接着剤により接着されている。扉体前カバー57は扉体後板58を覆うように設けられていて、扉体前カバー57には大きく開口した窓部があり、その窓部に扉体前ガラス59が接着されている。ハンドル56は扉体51の上方に扉体前カバー57を挟むように扉体後板58に複数のネジ図示せずで固定されていて、本体50の前面側に加熱室55の開口面を閉塞するように設けられた扉体51の開閉に使用される。扉体51の扉体前カバー57の下方には、加熱調理器200の調理の入力を行うためのスイッチ61やダイヤル62を備えた入力手段63が設けられている。入力手段63の裏側扉体51の内部には操作基板64が設けられており、入力手段63からの入力情報が本体50内に設けられた制御基板65へ送られる。66は加熱室55に収容された被加熱物を誘電加熱マイクロ波加熱ともいうにより加熱するために2450MHzのマイクロ波を発振する真空管の一種であるマグネトロンである。ここで誘電加熱マイクロ波加熱とは、波長の非常に短い電波であるマイクロ波を被加熱物に向かって照射すると、その被加熱物に含まれる水分子がマイクロ波のエネルギーを吸収し、水分子が振動することで発熱することにより内部から加熱することである。67はマグネトロン66に電力を供給するために本体50内部に設けられた電源基板インバーター基板ともいうで、図8に示す回路図の構成を備えており、商用電源74を整流する整流回路ダイオードブリッジ75と、整流回路ダイオードブリッジ75の出力端にスイッチング素子76を介して接続されたリアクタンス素子である高周波トランスの1次巻線77と、高周波トランスの1次巻線77と共振回路を形成するキャパシタンス素子である共振コンデンサ78と、平滑回路を形成するチョークコイル79と平滑コンデンサ80から成り、スイッチング素子76のオン、オフにより商用電源74の出力を所定周波数の交流電力に変換し、高周波トランスの1次巻線77に供給し昇圧、整流してマグネトロンに印加しマグネトロンを発振させるインバーター回路が構成されている。電源基板インバーター基板67には、図9に示す半導体モジュール18bが実装されていて、図8に示す整流回路ダイオードブリッジ75とスイッチング素子76を同一樹脂内に一体的に封入した形態となっていて、半導体モジュール18bには、半導体モジュール18bの放熱を促進し冷却するための放熱体81が取り付けられている。整流回路ダイオードブリッジ75とスイッチング素子76は、主に珪素Siからなるシリコン半導体である。インバーター回路のような高周波で駆動する回路で使用されるシリコン半導体整流回路ダイオードブリッジ75やシリコン半導体スイッチング素子76は自己発熱により高温となり、所定の許容温度以下で使用しないと熱による劣化、破壊に至ることがある。よって、効率よく駆動させるためには冷却を考慮する必要がある。半導体モジュールには前述の通り、図5に示すように平面置きタイプの半導体モジュール18aや図9に示すように縦置きタイプの半導体モジュール18bのような形状等があり、基板の部品実装面の上方空間に制約があるような場合には、平面置きタイプの半導体モジュール18aを、基板の部品実装面の上方空間が確保できるような場合には縦置きタイプの半導体モジュール18bを使用する等、本体構成により適宜選択すればよい。本発明の実施の形態2の加熱調理器200では、図7に示すように電源基板インバーター基板67が部品実装面の上方空間が比較的広い位置に配置されているので、縦置きタイプの半導体モジュール18bを選択している。図9に示すように、半導体モジュール18bは1辺にシリコン半導体整流回路ダイオードブリッジ接続端子45a、シリコン半導体スイッチング素子接続端子46aという全ての接続端子を備えている構成となっていて、シリコン半導体整流回路ダイオードブリッジ接続端子45a近傍のシリコン半導体整流回路ダイオードブリッジ部45にシリコン半導体整流回路ダイオードブリッジ75が、シリコン半導体スイッチング素子接続端子46a近傍のシリコン半導体スイッチング素子部46にシリコン半導体スイッチング素子76がそれぞれ内包されている。また、シリコン半導体整流回路ダイオードブリッジの出力側接続端子の-マイナス端子図示せずはシリコン半導体スイッチング素子接続端子46aのE端子とモジュール化されたパッケージ内で接続されており、共通端子となっていて、シリコン半導体スイッチング素子接続端子46aの内、シリコン半導体スイッチング素子76のオンオフ制御信号を入力するG端子は外来ノイズが印加されたり、雷サージ雷の影響により発生する過渡的な高電圧印加時等に高圧となるシリコン半導体整流回路ダイオードブリッジの入力側接続端子45aから最も離れた位置に配置されるようになっている。なお、本発明の実施の形態2の加熱調理器200では縦置きタイプの半導体モジュールを選択しているが、必ずしも縦置きタイプに限定されるものではなく、部品実装面の上方空間が確保できる場合でも、諸条件を鑑みて平面置きタイプの半導体モジュール18aを選択、実装することは容易に可能である。図7において70は、ファンモーター68とファン69で構成された冷却ファンであり、マグネトロン66や電源基板インバーター基板67に実装された半導体モジュール18bのような高温となる構成部品を冷却するための冷却風を発生させるものである。冷却ファン70の配置は、マグネトロン66や半導体モジュール18bのような高温となる部品の近傍で、特に半導体モジュール18bのような高温となる部品や、半導体モジュール18bの放熱を促進し冷却するための放熱体81に冷却風が直接到達するように配置することが冷却効率を上げることに効果的であり、さらには半導体モジュール18bまでの冷却ファン70からの距離が、少なくともシリコン半導体整流回路ダイオードブリッジ75を内包するシリコン半導体整流回路ダイオードブリッジ部45とシリコン半導体スイッチング素子76を内包するシリコン半導体スイッチング素子部46がほぼ同等の距離となるように設置するか、シリコン半導体整流回路ダイオードブリッジ75を内包するシリコン半導体整流回路ダイオードブリッジ部46よりも高温となるシリコン半導体スイッチング素子76を内包するシリコン半導体スイッチング素子部46が冷却ファン70に近い位置、風上となる位置に配置することが冷却効率を上げることにより効果的である。以上のような加熱調理器200では、加熱室55に被加熱物、例えば茶碗に入れたご飯を収容し扉体51を閉じることにより加熱室55の開口面を閉塞する。その後、入力手段63により加熱の入力を行うと、その入力により操作基板64を介し制御基板65が電源基板インバーター基板67を駆動して誘電加熱による調理が開始される。調理が開始されると、マグネトロン66や電源基板インバーター基板67に実装された半導体モジュール18bが発熱し高温となるため、制御基板64が冷却手段70を制御し、冷却ファン70が動作し冷却風を発生させる。以上のように本発明の実施の形態2の加熱調理器は、シリコン半導体整流回路ダイオードブリッジとシリコン半導体スイッチング素子を同一樹脂内に一体的に封入しモジュール化して構成したので、シリコン半導体整流回路ダイオードブリッジとシリコン半導体スイッチング素子を電源基板上で接続する必要がなく、大電流箇所での接続不良の懸念が解消され電源基板の信頼性が向上するという効果を奏することができる。また、シリコン半導体整流回路ダイオードブリッジとシリコン半導体スイッチング素子を電源基板上で接続する必要がないので、電源基板上に絶縁距離を考慮した大電流パターンの範囲が少なくて済むことと、モジュール化することにより部品が小型化できることから、電源基板の部品実装面積を減らすことができ電源基板の小型化が図れるため、電源基板を内包する本体自体も小型化できるという効果を奏することができる。さらに、シリコン半導体スイッチング素子のオンオフ制御信号を入力するG端子は高圧となるシリコン半導体整流回路ダイオードブリッジの入力側接続端子から最も離れた位置に配置し外来ノイズの影響を受け難い配置にしたので、ノイズ耐量が向上できる基板のパターン設計が容易になるという効果を奏することができる。それから、モジュール化することにより高温になる半導体部品が小型化できることから、冷却風を当てやすくなり高温になる半導体を冷却しやすくなるという効果を奏することができる。実施の形態3.図10は本発明の実施の形態3における加熱調理器の半導体モジュールの外形図である。なお、本発明の実施の形態3の加熱調理器本体の基本構成は、本発明の実施の形態1の加熱調理器と同構成であり、ここでは加熱調理器本体の構成の全体の説明は省略するが、部分的な説明については実施の形態1の加熱調理器の構成を一部引用して説明する場合がある。図10に示すように82は平置きタイプの半導体モジュールであり、四辺の方形をしており、その内の隣り合わない2辺に接続端子を備えている。1辺に整流回路ダイオードブリッジの入力側接続端子83a、その対辺に整流回路ダイオードブリッジの出力側接続端子のプラス端子とスイッチング素子接続端子44aという構成となっていて、整流回路ダイオードブリッジ接続端子83a近傍の整流回路ダイオードブリッジ部83に整流回路ダイオードブリッジ図示せずが、スイッチング素子接続端子44a近傍のスイッチング素子部44にスイッチング素子図示せずがそれぞれ内包されている。また、整流回路ダイオードブリッジの出力側接続端子の-マイナス端子図示せずはスイッチング素子接続端子44aのE端子とモジュール化されたパッケージ内で接続されており、共通端子となっていて、スイッチング素子接続端子44aの内、スイッチング素子図示せずのオンオフ制御信号を入力するG端子は高圧となる整流回路ダイオードブリッジの入力側接続端子83aから最も離れた位置に配置されるようになっている。スイッチング素子部44に内包されているスイッチング素子図示せずは、実施の形態1で説明したように主に珪素Siからなるシリコン半導体である。整流回路ダイオードブリッジ部83に内包されている整流回路ダイオードブリッジ図示せずは、例えば炭化珪素、窒化ガリウム系材料又はダイヤモンドからなる半導体である。炭化珪素、窒化ガリウム系材料又はダイヤモンドからなる半導体は、珪素Siからなる半導体のバンドギャップ禁制帯が1.1eV程度であるのに比べて3~5倍程度バンドギャップ禁制帯が大きいことからワイドバンドギャップ半導体と呼ばれる。ワイドバンドギャップ半導体によって形成された整流回路ダイオードブリッジ図示せずは耐電圧性、許容電流密度が高く、更に耐熱性に優れており、シリコン半導体よりも高温での動作が可能であり電力損失も低いという特性がある。ここで部品の配置について、実施の形態1では冷却ファン20の配置は、半導体モジュール18aや、半導体モジュールにとりつけられた放熱体19に冷却風が直接到達するように配置し、シリコン半導体整流回路ダイオードブリッジを内包するシリコン半導体整流回路ダイオードブリッジ部よりも高温となるシリコン半導体スイッチング素子を内包するシリコン半導体スイッチング素子部が近い位置、風上となる位置に配置することが冷却効率を上げることに効果的であるとしたが、本発明の実施の形態3における加熱調理器の半導体モジュール82に封入されているワイドバンドギャップ半導体の整流回路ダイオードブリッジ図示せずは耐熱性に優れ、シリコン半導体よりも高温での動作が可能であることから、実施の形態1と同様にシリコン半導体のスイッチング素子図示せずを内包するシリコン半導体スイッチング素子部44を冷却ファン20に近い位置、風上に配置し、ワイドバンドギャップ半導体の整流回路ダイオードブリッジ図示せずを内包するワイドバンドギャップ半導体整流回路ダイオードブリッジ部83を冷却ファン20から遠い位置、風下に配置することが冷却効率を上げることに効果的である。以上のように本発明の実施の形態3の加熱調理器は、実施の形態1と同構成の加熱調理器本体に、ワイドバンドギャップ半導体からなる整流回路ダイオードブリッジとシリコン半導体スイッチング素子を同一樹脂内に一体的に封入しモジュール化して構成したので、ワイドバンドギャップ半導体整流回路ダイオードブリッジとシリコン半導体スイッチング素子を電源基板上で接続する必要がなく、大電流箇所での接続不良の懸念が解消され電源基板の信頼性が向上するという効果を奏することができる。また、ワイドバンドギャップ半導体からなる整流回路ダイオードブリッジとシリコン半導体スイッチング素子を電源基板上で接続する必要がないので、電源基板上に絶縁距離を考慮した大電流パターンの範囲が少なくて済むことと、モジュール化することにより部品が小型化できることから、電源基板の部品実装面積を減らすことができ電源基板の小型化が図れるため、電源基板を内包する本体自体も小型化できるという効果を奏することができる。さらに、シリコン半導体スイッチング素子のオンオフ制御信号を入力するG端子は高圧となるワイドバンドギャップ半導体整流回路ダイオードブリッジの入力側接続端子から最も離れた位置に配置し外来ノイズの影響を受け難い配置にしたので、ノイズ耐量が向上できる基板のパターン設計が容易になるという効果を奏することができる。それから、モジュール化することにより高温になる半導体部品が小型化できることから、冷却風を当てやすくなり高温になる半導体を冷却しやすくなるという効果を奏することができる。上記効果に加え、ワイドバンドギャップ半導体は耐電圧性、許容電流密度が高いことから半導体モジュールがより小型化でき、さらなる電源基板の小型化が図れることから電源基板を内包する本体自体も一層の小型化ができるという効果を奏することができる。また、ワイドバンドギャップ半導体は耐熱性に優れていることから、冷却能力を低減できるので放熱体の小型化や冷却ファンの小型化が可能になり電源基板インバーター基板がより小型化でき設置性が改善でき、放熱体の小型化や冷却ファンの小型化によりコストの低減という効果も奏することができる。実施の形態4.図11は本発明の実施の形態4における加熱調理器の半導体モジュールの外形図である。なお、本発明の実施の形態4の加熱調理器本体の基本構成は、本発明の実施の形態2の加熱調理器と同構成であり、ここでは加熱調理器本体の構成の全体の説明は省略するが、部分的な説明については実施の形態2の加熱調理器の構成を一部引用して説明する場合がある。図11に示すように84は縦置きタイプの半導体モジュールであり、1辺に整流回路ダイオードブリッジ接続端子85a、スイッチング素子接続端子46aという全ての接続端子を備えている構成となっていて、整流回路ダイオードブリッジ接続端子85a近傍の整流回路ダイオードブリッジ部85に整流回路ダイオードブリッジ図示せずが、スイッチング素子接続端子46a近傍のスイッチング素子部46にスイッチング素子図示せずがそれぞれ内包されている。また、整流回路ダイオードブリッジの出力側接続端子の-マイナス端子図示せずはスイッチング素子接続端子46aのE端子とモジュール化されたパッケージ内で接続されており、共通端子となっていて、スイッチング素子接続端子46aの内、スイッチング素子図示せずのオンオフ制御信号を入力するG端子は外来ノイズが印加されたり、雷サージ雷の影響により発生する過渡的な高電圧印加時等に高圧となる整流回路ダイオードブリッジの入力側接続端子85aから最も離れた位置に配置されるようになっている。スイッチング素子部46に内包されているスイッチング素子図示せずは、実施の形態2で説明したように主に珪素Siからなるシリコン半導体である。整流回路ダイオードブリッジ部85に内包されている整流回路ダイオードブリッジ図示せずは、例えば炭化珪素、窒化ガリウム系材料又はダイヤモンドからなる半導体である。炭化珪素、窒化ガリウム系材料又はダイヤモンドからなる半導体は、珪素Siからなる半導体のバンドギャップ禁制帯が1.1eV程度であるのに比べて3~5倍程度バンドギャップ禁制帯が大きいことからワイドバンドギャップ半導体と呼ばれる。ワイドバンドギャップ半導体によって形成された整流回路ダイオードブリッジ図示せずは耐電圧性、許容電流密度が高く、更に耐熱性に優れており、シリコン半導体よりも高温での動作が可能であり電力損失も低いという特性がある。ここで部品の配置について、実施の形態2では冷却ファン70の配置は、半導体モジュール18bや、半導体モジュールにとりつけられた放熱体81に冷却風が直接到達するように配置し、シリコン半導体整流回路ダイオードブリッジを内包するシリコン半導体整流回路ダイオードブリッジ部よりも高温となるシリコン半導体スイッチング素子を内包するシリコン半導体スイッチング素子部が近い位置、風上となる位置に配置することが冷却効率を上げることに効果的であるとしたが、本発明の実施の形態4における加熱調理器の半導体モジュール84に封入されているワイドバンドギャップ半導体の整流回路ダイオードブリッジ図示せずは耐熱性に優れ、シリコン半導体よりも高温での動作が可能であることから、実施の形態2と同様にシリコン半導体のスイッチング素子図示せずを内包するシリコン半導体スイッチング素子部46を冷却ファン70に近い位置、風上に配置し、ワイドバンドギャップ半導体の整流回路ダイオードブリッジ図示せずを内包するワイドバンドギャップ半導体整流回路ダイオードブリッジ部85を冷却ファン70から遠い位置、風下に配置することが冷却効率を上げることに効果的である。以上のように本発明の実施の形態4の加熱調理器は、実施の形態2と同構成の加熱調理器本体に、ワイドバンドギャップ半導体からなる整流回路ダイオードブリッジとシリコン半導体スイッチング素子を同一樹脂内に一体的に封入しモジュール化して構成したので、ワイドバンドギャップ半導体整流回路ダイオードブリッジとシリコン半導体スイッチング素子を電源基板上で接続する必要がなく、大電流箇所での接続不良の懸念が解消され電源基板の信頼性が向上するという効果を奏することができる。また、ワイドバンドギャップ半導体からなる整流回路ダイオードブリッジとシリコン半導体スイッチング素子を電源基板上で接続する必要がないので、電源基板上に絶縁距離を考慮した大電流パターンの範囲が少なくて済むことと、モジュール化することにより部品が小型化できることから、電源基板の部品実装面積を減らすことができ電源基板の小型化が図れるため、電源基板を内包する本体自体も小型化できるという効果を奏することができる。さらに、シリコン半導体スイッチング素子のオンオフ制御信号を入力するG端子は高圧となるワイドバンドギャップ半導体整流回路ダイオードブリッジの入力側接続端子から最も離れた位置に配置し外来ノイズの影響を受け難い配置にしたので、ノイズ耐量が向上できる基板のパターン設計が容易になるという効果を奏することができる。それから、モジュール化することにより高温になる半導体部品が小型化できることから、冷却風を当てやすくなり高温になる半導体を冷却しやすくなるという効果を奏することができる。上記効果に加え、ワイドバンドギャップ半導体は耐電圧性、許容電流密度が高いことから半導体モジュールがより小型化でき、さらなる電源基板の小型化が図れることから電源基板を内包する本体自体も一層の小型化ができるという効果を奏することができる。また、ワイドバンドギャップ半導体は耐熱性に優れていることから、冷却能力を低減できるので放熱体の小型化や冷却ファンの小型化が可能になり電源基板インバーター基板がより小型化でき設置性が改善でき、放熱体の小型化や冷却ファンの小型化によりコストの低減という効果も奏することができる。実施の形態5.図12は本発明の実施の形態5における加熱調理器の半導体モジュールの外形図である。なお、本発明の実施の形態5の加熱調理器本体の基本構成は、本発明の実施の形態1の加熱調理器と同構成であり、ここでは加熱調理器本体の構成の説明は省略する。図12に示すように86は平置きタイプの半導体モジュールであり、四辺の方形をしており、その内の隣り合わない2辺に接続端子を備えている。1辺に整流回路ダイオードブリッジの入力側接続端子43a、その対辺に整流回路ダイオードブリッジの出力側接続端子のプラス端子とスイッチング素子接続端子87aという構成となっていて、整流回路ダイオードブリッジ接続端子43a近傍の整流回路ダイオードブリッジ部43に整流回路ダイオードブリッジ図示せずが、スイッチング素子接続端子87a近傍のスイッチング素子部87にスイッチング素子図示せずがそれぞれ内包されている。また、整流回路ダイオードブリッジの出力側接続端子の-マイナス端子図示せずはスイッチング素子接続端子44aのE端子とモジュール化されたパッケージ内で接続されており、共通端子となっていて、スイッチング素子接続端子44aの内、スイッチング素子図示せずのオンオフ制御信号を入力するG端子は外来ノイズが印加されたり、雷サージ雷の影響により発生する過渡的な高電圧印加時等に高圧となる整流回路ダイオードブリッジの入力側接続端子83aから最も離れた位置に配置されるようになっている。整流回路ダイオードブリッジ部43に内包されている整流回路ダイオードブリッジ図示せずは、実施の形態1、実施の形態3で説明したように主に珪素Siからなるシリコン半導体である。スイッチング素子部87に内包されているスイッチング素子図示せずは、例えば炭化珪素、窒化ガリウム系材料又はダイヤモンドからなる半導体である。炭化珪素、窒化ガリウム系材料又はダイヤモンドからなる半導体は、珪素Siからなる半導体のバンドギャップ禁制帯が1.1eV程度であるのに比べて3~5倍程度バンドギャップ禁制帯が大きいことからワイドバンドギャップ半導体と呼ばれる。ワイドバンドギャップ半導体によって形成されたスイッチング素子図示せずは耐電圧性、許容電流密度が高く、更に耐熱性に優れており、シリコン半導体よりも高温での動作が可能であり電力損失も低いという特性がある。そのため、実施の形態1、実施の形態3ではシリコン半導体からなるスイッチング素子を冷却ファン20に近い位置、風上に配置することが冷却効率を上げることに効果的であるとしたが、本実施の形態5では、前述のようにワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチング素子図示せずは耐熱性に優れており、シリコン半導体よりも高温での動作が可能であることから、ワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチング素子図示せずをシリコン半導体整流回路ダイオードブリッジよりも冷却ファン20から遠い位置、風下に配置するようにしても冷却効率が下がることがない。以上のように本発明の実施の形態5の加熱調理器は、実施の形態1と同構成の加熱調理器本体に、シリコン半導体整流回路ダイオードブリッジとワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチング素子を同一樹脂内に一体的に封入しモジュール化して構成したので、シリコン半導体整流回路ダイオードブリッジとワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチング素子を電源基板上で接続する必要がなく、大電流箇所での接続不良の懸念が解消され電源基板の信頼性が向上するという効果を奏することができる。また、シリコン半導体整流回路ダイオードブリッジとワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチング素子を電源基板上で接続する必要がないので、電源基板上に絶縁距離を考慮した大電流パターンの範囲が少なくて済むことと、モジュール化することにより部品が小型化できることから、電源基板の部品実装面積を減らすことができ電源基板の小型化が図れるため、電源基板を内包する本体自体も小型化できるという効果を奏することができる。さらに、ワイドバンドギャップ半導体スイッチング素子のオンオフ制御信号を入力するG端子は高圧となるシリコン半導体整流回路ダイオードブリッジの入力側接続端子から最も離れた位置に配置し外来ノイズの影響を受け難い配置にしたので、ノイズ耐量が向上できる基板のパターン設計が容易になるという効果を奏することができる。それから、モジュール化することにより高温になる半導体部品が小型化できることから、冷却風を当てやすくなり高温になる半導体を冷却しやすくなるという効果を奏することができる。上記効果に加え、ワイドバンドギャップ半導体は耐電圧性、許容電流密度が高いことから半導体モジュールがより小型化でき、さらなる電源基板の小型化が図れることから電源基板を内包する本体自体も一層の小型化ができるという効果を奏することができる。また、ワイドバンドギャップ半導体は耐熱性に優れていることから、冷却能力を低減できるので放熱体の小型化や冷却ファンの小型化が可能になり電源基板インバーター基板がより小型化でき設置性が改善でき、放熱体の小型化や冷却ファンの小型化によりコストの低減という効果も奏することができる。なお、本発明の実施の形態5の加熱調理器では整流回路ダイオードブリッジ部43に内包されている整流回路ダイオードブリッジをシリコン半導体、スイッチング素子部87に内包されているスイッチング素子を炭化珪素、窒化ガリウム系材料又はダイヤモンドからなるワイドバンドギャップ半導体という構成としたが、図13に示すように半導体モジュール88を、ワイドバンドギャップ半導体を内包したワイドバンドギャップ半導体整流回路ダイオードブリッジ部83とワイドバンドギャップ半導体整流回路ダイオードブリッジ接続端子83aと、ワイドバンドギャップ半導体を内包したワイドバンドギャップ半導体スイッチング素子部87とワイドバンドギャップ半導体スイッチング素子接続端子87aで構成し、整流回路ダイオードブリッジとスイッチング素子の両方をワイドバンドギャップ半導体としてもよく、同様の効果を奏することができる。実施の形態6.図14は本発明の実施の形態6における加熱調理器の半導体モジュールの外形図である。なお、本発明の実施の形態5の加熱調理器本体の基本構成は、本発明の実施の形態2の加熱調理器と同構成であり、ここでは加熱調理器本体の構成の説明は省略する。図14に示すように89は縦置きタイプの半導体モジュールであり、1辺に整流回路ダイオードブリッジ接続端子45a、スイッチング素子接続端子90aという全ての接続端子を備えている構成となっていて、整流回路ダイオードブリッジ接続端子45a近傍の整流回路ダイオードブリッジ部45に整流回路ダイオードブリッジ図示せずが、スイッチング素子接続端子90a近傍のスイッチング素子部90にスイッチング素子図示せずがそれぞれ内包されている。また、整流回路ダイオードブリッジの出力側接続端子の-マイナス端子図示せずはスイッチング素子接続端子90aのE端子とモジュール化されたパッケージ内で接続されており、共通端子となっていて、スイッチング素子接続端子90aの内、スイッチング素子図示せずのオンオフ制御信号を入力するG端子は外来ノイズが印加されたり、雷サージ雷の影響により発生する過渡的な高電圧印加時等に高圧となる整流回路ダイオードブリッジの入力側接続端子45aから最も離れた位置に配置されるようになっている。整流回路ダイオードブリッジ部45に内包されている整流回路ダイオードブリッジ図示せずは、実施の形態2、実施の形態4で説明したように主に珪素Siからなるシリコン半導体である。スイッチング素子部90に内包されているスイッチング素子図示せずは、例えば炭化珪素、窒化ガリウム系材料又はダイヤモンドからなる半導体である。炭化珪素、窒化ガリウム系材料又はダイヤモンドからなる半導体は、珪素Siからなる半導体のバンドギャップ禁制帯が1.1eV程度であるのに比べて3~5倍程度バンドギャップ禁制帯が大きいことからワイドバンドギャップ半導体と呼ばれる。ワイドバンドギャップ半導体によって形成されたスイッチング素子図示せずは耐電圧性、許容電流密度が高く、更に耐熱性に優れており、シリコン半導体よりも高温での動作が可能であり電力損失も低いという特性がある。そのため、実施の形態2、実施の形態4ではシリコン半導体からなるスイッチング素子を冷却ファン70に近い位置、風上に配置することが冷却効率を上げることに効果的であるとしたが、本実施の形態6では、前述のようにワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチング素子図示せずは耐熱性に優れており、シリコン半導体よりも高温での動作が可能であることから、ワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチング素子図示せずをシリコン半導体整流回路ダイオードブリッジよりも冷却ファン70から遠い位置、風下に配置するようにしても冷却効率が下がることがない。以上のように本発明の実施の形態6の加熱調理器は、実施の形態2と同構成の加熱調理器本体に、シリコン半導体整流回路ダイオードブリッジとワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチング素子を同一樹脂内に一体的に封入しモジュール化して構成したので、シリコン半導体整流回路ダイオードブリッジとワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチング素子を電源基板上で接続する必要がなく、大電流箇所での接続不良の懸念が解消され電源基板の信頼性が向上するという効果を奏することができる。また、シリコン半導体整流回路ダイオードブリッジとワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチング素子を電源基板上で接続する必要がないので、電源基板上に絶縁距離を考慮した大電流パターンの範囲が少なくて済むことと、モジュール化することにより部品が小型化できることから、電源基板の部品実装面積を減らすことができ電源基板の小型化が図れるため、電源基板を内包する本体自体も小型化できるという効果を奏することができる。さらに、ワイドバンドギャップ半導体スイッチング素子のオンオフ制御信号を入力するG端子は高圧となるシリコン半導体整流回路ダイオードブリッジの入力側接続端子から最も離れた位置に配置し外来ノイズの影響を受け難い配置にしたので、ノイズ耐量が向上できる基板のパターン設計が容易になるという効果を奏することができる。それから、モジュール化することにより高温になる半導体部品が小型化できることから、冷却風を当てやすくなり高温になる半導体を冷却しやすくなるという効果を奏することができる。上記効果に加え、ワイドバンドギャップ半導体は耐電圧性、許容電流密度が高いことから半導体モジュールがより小型化でき、さらなる電源基板の小型化が図れることから電源基板を内包する本体自体も一層の小型化ができるという効果を奏することができる。また、ワイドバンドギャップ半導体は耐熱性に優れていることから、冷却能力を低減できるので放熱体の小型化や冷却ファンの小型化が可能になり電源基板インバーター基板がより小型化でき設置性が改善でき、放熱体の小型化や冷却ファンの小型化によりコストの低減という効果も奏することができる。なお、本発明の実施の形態6の加熱調理器では整流回路ダイオードブリッジ部45に内包されている整流回路ダイオードブリッジをシリコン半導体、スイッチング素子部90に内包されているスイッチング素子を炭化珪素、窒化ガリウム系材料又はダイヤモンドからなるワイドバンドギャップ半導体という構成としたが、図15に示すように半導体モジュール91を、ワイドバンドギャップ半導体を内包したワイドバンドギャップ半導体整流回路ダイオードブリッジ部85とワイドバンドギャップ半導体整流回路ダイオードブリッジ接続端子85aと、ワイドバンドギャップ半導体を内包したワイドバンドギャップ半導体スイッチング素子部90とワイドバンドギャップ半導体スイッチング素子接続端子90aで構成し、整流回路ダイオードブリッジとスイッチング素子の両方をワイドバンドギャップ半導体としてもよく、同様の効果を奏することができる。以上により、本発明の加熱調理器はインバーター基板を搭載する加熱調理器に広く利用することができる。