"急速コンデンサ放電を用いてアモルファス材料を急速に加熱及び鍛造する方法であって、少なくとも2つの鍛造プレートの間に実質的に均一な断面を有するアモルファス材料のサンプルを提供する段階と、前記サンプル全体に均一に電気エネルギー量子を放電して、前記アモルファス材料のガラス転移温度と平衡融点との間の加工温度まで前記サンプルの全体を均一に加熱する段階と、前記少なくとも2つの鍛造プレートを介して放電を中断して変形力を加え、前記加熱されたサンプルが依然として前記アモルファス材料のガラス転移温度と前記平衡融点との間の温度にある間に、前記加熱されたサンプルをアモルファス製品に成形する段階と、前記アモルファス材料のガラス転移温度を下回る温度まで前記製品を冷却する段階と、を含む、方法。前記アモルファス材料が、温度と共に増加しない抵抗率を有する、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記サンプルの温度が、少なくとも500K/秒の速度で上昇する、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記アモルファス材料が、約1×104°C1よりも大きくない温度変化Sの単位当たりの抵抗率の相対変化、及び約80から300μΩcmの室温における抵抗率ρ0を有する、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記電気エネルギー量子が、少なくとも約100ジュール及び約10μ秒から10msの間の放電時定数である、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記加工温度が、前記アモルファス材料のガラス転移温度と前記合金の平衡融点との間の略中間である、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記加工温度が、前記加熱されたアモルファス材料の粘度が約1から104Pas-secであるようなものである、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記サンプルには実質的に欠陥がない、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記アモルファス材料が、Zr、Pd、Pt、Au、Fe、Co、Ti、Al、Mg、Ni及びCuから成るグループから選択された元素金属に基づく合金である、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記電気エネルギー量子を放電するステップが、前記サンプルにおいて電場を発生させ、発生した前記動的電場の電磁スキン深さが、チャージの半径、幅、厚み及び長さと比較して大きい、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記鍛造プレートが非伝導性である、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記鍛造プレートが伝導性である、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記電気エネルギー量子を放電する前記ステップが、前記サンプルの両端に接続された少なくとも2つの電極を介して行われ、前記電極が前記鍛造プレートと接触しない、ことを特徴とする請求項12に記載の方法。成形力の印加が、tFi>τRC及びtF0<τCであるような時間tFiで始まって時間tF0で終わり、式中τRCは前記放電のRC時定数であり、τCは前記金属ガラスが前記加工温度で結晶化する時間である、ことを特徴とする請求項12に記載の方法。前記変形力が、前記加熱されたサンプルを十分に遅い速度で変形して高ウェーバ数の流れを回避するように印加される、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記サンプルの加熱及び成形が、約100μ秒から1秒の時間で終了する、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。アモルファス材料を急速に加熱及び鍛造するための急速コンデンサ放電装置であって、実質的に均一な断面を有するアモルファス材料のサンプルと、電気エネルギー源と、前記電気エネルギー源をアモルファス材料の前記サンプルに相互接続し、実質的に均一な接続が前記サンプルとの間に形成されるように前記サンプルに取り付けられる少なくとも2つの電極と、前記サンプルとの形成可能な関係で配置された少なくとも2つの鍛造プレートを含む鍛造ツールと、前記電気エネルギー源及び前記鍛造ツールと信号通信状態にあるタイミング回路と、を備え、前記電気エネルギー源が、前記サンプル全体を均一に加熱するのに十分な電気エネルギー量子を前記アモルファス材料のガラス転移温度と前記合金の平衡融点との間の加工温度まで放電することが可能であり、前記鍛造ツールが、前記加熱されたサンプルをネットシェイプ製品に形成するのに十分な変形力を加えることが可能であり、前記タイミング回路が、前記電気エネルギーの放電を検知して前記鍛造ツールを起動し、前記少なくとも2つの鍛造プレートを介して前記加熱されたサンプルに変形力を加える、ことを特徴とする装置。前記タイミング回路が、前記電気エネルギーの放電と同時に前記力を加えるように構成される、ことを特徴とする請求項17に記載の装置。前記タイミング回路が、前記電気エネルギーの放電後に前記力を加えるように構成される、ことを特徴とする請求項17に記載の装置。前記タイミング回路が、前記成形力を加えるように構成され、該成形力の印加は、tFi>τRC及びtF0<τCであるように、時間tFiで始まって時間tF0で終わり、式中、τRCは前記放電のRC時定数であり、τCは前記金属ガラスが前記加工温度で結晶化する時間である、ことを特徴とする請求項17に記載の装置。前記タイミング回路が、ロゴスキーコイル、マイクロコントローラチップ、ダーリントントランジスタ、及びソレノイドバルブを含む、ことを特徴とする請求項17に記載の装置。前記成形ツールが、好ましくは前記アモルファス材料のガラス転移温度あたりの温度まで前記ツールを加熱するための温度制御加熱素子を更に含む、ことを特徴とする請求項17に記載の装置。前記変形力を前記サンプルに加えるために、前記成形ツールとの作動可能な関係で空気式又は磁気式駆動システムの何れか1つを更に含む、ことを特徴とする請求項17に記載の装置。前記アモルファス材料が、温度と共に増加しない抵抗率を有する、ことを特徴とする請求項17に記載の装置。前記サンプルの温度が、少なくとも500K/秒の速度で上昇する、ことを特徴とする請求項17に記載の装置。前記アモルファス材料が、約1×104°C1よりも大きくない温度変化Sの単位当たりの抵抗率の相対変化、及び約80から300μΩcmの間の室温での抵抗率ρ0を有する、ことを特徴とする請求項17に記載の方法。前記電気エネルギー量子が、少なくとも約100ジュール及び約10μ秒から10msの時定数である、ことを特徴とする請求項17に記載の方法。前記加工温度が、前記アモルファス材料のガラス転移温度と前記合金の平衡融点との間の略中間である、ことを特徴とする請求項17に記載の方法。前記加工温度が、前記加熱されたアモルファス材料の前記粘度が約1から104Pas-secであるようなものである、ことを特徴とする請求項17に記載の装置。前記サンプルには実質的に欠陥がない、ことを特徴とする請求項17に記載の方法。前記アモルファス材料が、Zr、Pd、Pt、Au、Fe、Co、Al、Mg、Ti、Ni及びCuから成るグループから選択された元素金属に基づく合金である、ことを特徴とする請求項17に記載の方法。前記加熱されたサンプルが十分に遅い速度で変形して高ウェーバ数の流れを回避するように、放電中に表面電荷の歪み速度又は変位速度を制御するコントローラを更に備える、ことを特徴とする請求項17に記載の方法。前記装置が、約100μ秒から約1秒の時間で前記室温の前記サンプルから前記製品を形成することが可能である、ことを特徴とする請求項17に記載の方法。前記電気エネルギー源が、前記サンプルにおいて電場を発生させ、発生した前記動的電場の電磁スキン深さが、チャージの半径、幅、厚み、及び長さと比較して大きい、ことを特徴とする請求項17に記載の方法。前記少なくとも2つの鍛造プレートが伝導性である、ことを特徴とする請求項17に記載の方法。前記電極が前記鍛造プレートと接触しない、ことを特徴とする請求項35に記載の方法。従って、BMG試料体積全体を瞬時に均一に加熱し、アモルファス金属の広範囲の成形を可能にする新規の手法を見出す必要性が存在する。加えて、科学的観点から、金属過冷却液体のこれらの熱力学的特性及び輸送特性を利用してこれらを測定する新しい手法を見出す必要性も存在する。以上のことから、本発明に従って、急速コンデンサ放電加熱RCDFを用いてアモルファス材料を成形するための方法及び装置が提供される。一実施形態において、本発明は、急速コンデンサ放電を用いてアモルファス材料を急速に加熱及び成形する方法に関し、電気エネルギー量子は、実質的に均一な断面を有する実質的に欠陥のないサンプル全体に均一に放電されて、アモルファス相のガラス転移温度と合金の平衡溶融温度との間の加工温度までサンプルの全体を急速且つ均一に加熱し、少なくとも2つの鍛造プレートを介して放電を中断して変形力を加え、加熱されたサンプルが依然としてアモルファス材料のガラス転移温度と平衡融点との間の温度にある間に、加熱されたサンプルをアモルファス製品に成形する。1つのこのような実施形態において、サンプルは、好ましくは少なくとも500K/秒の速度で加工温度まで加熱される。別のこのような実施形態において、成形ステップは、例えば、射出成形、動的鍛造、スタンプ鍛造及びブロー成形などの従来の形成技術を用いる。別の実施形態において、約1×104°C1の温度変化Sの単位当たりの抵抗率の相対変化を有するアモルファス材料が選択される。1つのこのような実施形態において、アモルファス材料は、Zr、Pd、Pt、Au、Fe、Co、Ti、Al、Mg、Ni及びCuから成るグループから選択された元素金属に基づく合金である。更に別の実施形態において、電気エネルギー量子は、電気エネルギーがサンプルに均一に導入されるように、このサンプルの両端に接続された少なくとも2つの電極を通ってサンプルに放電される。1つのこのような実施形態において、本方法は、少なくとも100ジュールの電気エネルギー量子を使用する。更に別の実施形態において、加工温度は、アモルファス材料のガラス転移温度と合金の平衡融点との間の略中間である。1つのこのような実施形態において、加工温度は、アモルファス材料のガラス転移温度よりも少なくとも200K上回る。1つのこのような実施形態において、加工温度は、加熱されたアモルファス材料の粘度が約1から104Pas-secであるようなものである。更にまた別の実施形態において、サンプルを成形するのに用いる形成圧力は、サンプルを十分に遅い速度で変形して高ウェーバ数の流れを回避するように制御される。更にまた別の実施形態において、サンプルを成形するのに用いる変形速度は、サンプルを十分に遅い速度で変形して高ウェーバ数の流れを回避するように制御される。更にまた別の実施形態において、初期アモルファス金属サンプル原料は、例えば、円筒体、シート、正方形及び矩形の固体などの均一な断面を有するあらゆる形状とすることができる。更にまた別の実施形態において、アモルファス金属サンプルの接触面は、電極接触面と良好な接触を保証するために平行に切断され、平坦に研磨される。更にまた別の実施形態において、鍛造プレートは、非伝導性又は伝導性の何れか一方である。更にまた別の実施形態において、成形力の印加は、tFi>τRC及びtF0<τCであるように時間tFiで始まって時間tF0で終わり、式中、τRCは放電のRC時定数であり、τCは金属ガラスが加工温度で結晶化する時間である。更にまた別の実施形態において、本発明は、アモルファス材料を成形するための急速コンデンサ放電装置に関する。1つのこのような実施形態において、アモルファス材料のサンプルは、実質的に均一な断面を有する。別のこのような実施形態において、少なくとも2つの電極は、電気エネルギー源をアモルファス材料のサンプルに接続する。このような実施形態において、電極は、実質的に均一な接続が電極とサンプルとの間に形成されるように、サンプルに取り付けられる。更に別のこのような実施形態において、動的電場の電磁スキン深さは、チャージの半径、幅、厚み及び長さと比較して大きい。更にまた別のこのような実施形態において、鍛造ツールが提供され、該鍛造ツールは、上述のサンプルと形成可能な関係で配置された少なくとも2つの鍛造プレートと、電気エネルギー源及び鍛造ツールと信号通信状態にあるタイミング回路とを含み、上述の電気エネルギー源は、アモルファス材料のガラス転移温度と合金の平衡融点との間の加工温度まで上述のサンプル全体を均一に加熱するのに十分な電気エネルギー量子を放電することが可能であり、上述の鍛造ツールは、上述の加熱されたサンプルをネットシェイプ製品に形成するのに十分な変形力を印加することが可能であり、タイミング回路は、電気エネルギーの放電を検知して、鍛造ツールを起動し、少なくとも2つの鍛造プレートを介して上述の加熱されたサンプルに変形力を加える。更にまた別の実施形態において、電極材料は、例えば、銅、銀又はニッケル、或いは銅、銀又はニッケルを少なくとも95含むように形成された合金のような、低降伏強度並びに高電気伝導及び熱伝導性を有する金属であるように選択される。更にまた別の実施形態において、タイミング回路は、電気エネルギーの放電と同時に又はその後に力を加えるように構成される。別のこのような実施形態において、成形力の印加は、tFi>τRC及びtF0<τCであるように時間tFiで始まって時間tF0で終わり、式中、τRCは放電のRC時定数であり、τCは金属ガラスが加工温度で結晶化する温度である。更にまた別の実施形態において、着座圧力は、電極/サンプル界面において電極の接触面を塑性的に変形して、該接触面をサンプルの接触面の微視的特徴に共形になるように電極と初期アモルファスサンプルとの間に印加される。更にまた別の実施形態において、低電流着座電気パルスは、電極の接触面においてアモルファスサンプルのあらゆる非接触領域を局所的に軟化させ、このようにして接触面を電極の接触面の微視的特徴に共形なるよう、電極と初期アモルファスサンプルとの間に印加される。装置の更にまた別の実施形態において、電気エネルギー源は、少なくとも500K/秒の速度でアモルファス相のガラス転移温度と合金の平衡溶融温度との間の加工温度まで、サンプルの全体を均一に加熱するのに十分な電気エネルギー量子を生成することが可能である。装置のこのような実施形態において、電気エネルギー源は、熱輸送及び熱勾配の発生を回避し、従って、サンプルの均一な加熱を促進するために、サンプルが断熱的に加熱されるような速度で、又は換言すると、アモルファス金属サンプルの熱的緩和速度よりも遙かに高い速度で放電される。装置の更にまた別の実施形態において、鍛造プレートは、伝導性又は非伝導性の何れか一方である。装置の更にまた別の実施形態において、変形力をサンプルに印加するために空圧又は磁気駆動システムが提供される。このようなシステムでは、変形力又は変形速度は、加熱されたアモルファス材料が、高ウェーバ数の流れを回避するのに十分に遅い速度で変形されるように制御することができる。装置の更にまた別の実施形態において、成形ツールは、好ましくはアモルファス材料のガラス転移温度あたりの温度までツールを加熱するための加熱素子を更に含む。このような実施形態において、形成された液体の表面は、より緩慢に冷却され、従って形成される製品の表面仕上げが改善される。本明細書は、以下の図及びデータグラフを参照することでより完全に理解され、これらは、本発明の例示的な実施形態として提示され、本発明の範囲の完全な引用として解釈すべきではない。本発明は、ジュール加熱による押し出し又は金型ツール用いて金属ガラスを急速に典型的には、1秒未満の加工時間で均一に加熱し、流動学的に軟化させて、熱可塑的にネットシェイプ製品に形成する方法に関する。より具体的には、本方法は、コンデンサに蓄えられた電気エネルギー典型的には、100ジュールから100Kジュールの放電を利用して、数ミリ秒以下の時間尺度でアモルファス材料のガラス転移温度と合金の平衡融点との間の略中間の所定の加工温度まで金属ガラス合金のサンプル又はチャージ必要量を均一且つ急速に加熱し、このことは、以下では急速コンデンサ放電形成RCDFと呼ばれる。本発明のRCDFプロセスは、金属ガラスが、冷凍液体であるため、比較的低い電気抵抗率を有し、その結果、サンプルが電気放電を適切に印加することによって断熱加熱されるような速度で材料の高い放散及び効率的で均一の加熱をもたらすことができるという観測から進む。BMGを急速且つ均一に加熱することによって、RCDF法は、ガラス転移温度よりも実質的に高い温度まで結晶化に対する過冷却液体の安定性を拡大し、これにより、サンプル体積全体を、形成に最適な加工粘度に関連付けられた状態にする。RCDFプロセスはまた、準安定過冷却液体によって与えられた粘度範囲全体を利用することができ、この範囲は、もはや安定結晶相の形成によって制限されない。要約すると、このプロセスは、形成された部品の品質の向上、使用可能部品の収率の増大、材料及び加工コストの削減、使用可能BMG材料の範囲の拡大、エネルギー効率の改善、及び製造機械の資本コストの削減を可能にする。加えて、RCDF法で達成することができる瞬時の均一な加熱の結果として、液体の準安定性の範囲全体にわたる熱力学的特性及び輸送特性が測定に利用可能になる。従って、温度及び歪み測定機器のような追加の標準機器を急速コンデンサ放電装置に組み込むことによって、粘度、熱容量及びエンタルピーのような特性をガラス転移と融点との間の温度範囲全体で測定することができる。本発明のRCDF技術の簡単なフローチャートが図1に示される。図示のように、本プロセスは、コンデンサに蓄えられた電気エネルギー典型的には、100ジュールから100Kジュールの金属ガラス合金のサンプルブロック又はチャージへの放電から始まる。本発明によれば、電気エネルギーの印加を用いて、合金のガラス転移温度を上回る所定の加工温度まで、より具体的には、アモルファス材料のガラス転移温度と合金の平衡融点Tgを上回って200~300Kまでとの間の略中間の加工温度まで、数マイクロ秒から数ミリ秒以下の時間尺度でサンプルを急速且つ均一に加熱することができ、その結果、アモルファス材料が、成形を容易にするのに可能な十分な加工粘度~1から104Pas-s以下を有するようになる。サンプルが均一に加熱されてサンプルブロック全体が十分に低い加工粘度を有するようになると、サンプルは、例えば、射出成形、動的鍛造、スタンプ鍛造、ブロー成形、その他を含むあらゆる数の技術によって高品質のアモルファスバルク製品に成形することができる。しかしながら、金属ガラスのチャージを成形する能力は、このチャージの加熱がサンプルブロック全体にわたって急速且つ均一であることを保証することに完全に依存している。均一な加熱が達成されない場合、サンプルは、その代わりに局所的な加熱を受けることになり、このような局所的加熱は、例えば、要素を共に接合又はスポット溶接すること、或いはサンプルの特定領域を成形するなどの一部の技術に有用とすることができるが、このような局所的加熱は、サンプルのバルク成形を行うのに用いられず、用いることもできない。同様に、サンプル加熱が十分に急速でない場合典型的には、およそ500~105K/s、形成される材料はそのアモルファス特性を失うか、又はその成形技術が、優れた加工可能性の特性すなわち、結晶化に対する過冷却液体の高安定性を有するこれらのアモルファス材料に限定されることになり、この場合も同様にプロセスの有用性が低下する。本発明のRCDF法は、サンプルの急速で均一な加熱を保証する。しかしながら、RCDFを用いて金属ガラスサンプルの急速で均一な加熱を得るのに必要な基準を理解するためには、最初に、金属材料のジュール加熱がどのようにして起こるかを理解することが必要である。金属の電気抵抗率の温度依存性は、温度変化係数Sの単位当たりの抵抗率の相対変化に関して定量化することができ、ここでSは以下のように定義される。S=1/ρ0dρT/dTT0式1式中Sは1/°Cの単位であり、ρ0は室温T0における金属の抵抗率オームcmであり、dρ/dTT0は、直線になるように取った室温での抵抗率の温度導関数オームcm/Cである。典型的なアモルファス材料は、大きなρ080μΩcm<ρ0<300μΩcmを有するが、S-1×104<S<1×104の極めて小さな及び負であることが多い値を有する。アモルファス合金において見られるこの小さなS値に対して、均一な電流密度を受ける均一な断面のサンプルは、空間的に均一に抵抗加熱され、サンプルは、周囲温度T0から最終温度TFまで急速に加熱され、これは、式:E=1/2CV2式2及びサンプルチャージの総熱容量CSジュール/Cでによって示されるコンデンサの総エネルギーに依存する。TFは、次式によって示されることになる。TF=T0E/CS式3次に、加熱時間は、容量放電の時定数τRC=RCによって決定されることになる。ここでRは、サンプルの総抵抗プラス容量放電回路の出力抵抗である。従って、理論的には、金属ガラスの典型的な加熱速度は、次式で示すことができる。dT/dt=TF-T0/式4対照的に、一般的な結晶金属は、遙かに低いρ01~30μΩ-cm及び遙かに大きいS~0.01~0.1の値を有する。これは、挙動において大きな差違につながる。例えば、銅合金、アルミニウム、又は鋼合金のような一般的な結晶金属では、ρ0は遙かに小さい1~20μΩcmが、Sは遙かに大きく、典型的にはSは0.01~0.1である。結晶金属におけるより小さなρ0値は、サンプルにおけるより小さな放散電極と比較してにつながり、サンプルへのコンデンサのエネルギー結合の効率を悪化させる。更に、結晶金属が溶融すると、ρTは、一般に2倍以上増大し、固体金属から溶融金属に移行する。一般的な結晶金属の溶融時の抵抗率の増加に伴う大きなS値は、均一な電流密度において極めて不均一な抵抗加熱につながる。結晶サンプルは、典型的には高電圧電極又はサンプル内の他の界面近傍において必ず局所的に溶融することになる。次に、結晶ロッドを介したエネルギーのコンデンサ放電は、初期抵抗が最大であった場所であればどこでも典型的には界面において加熱の空間的局所性及び局所的溶融につながる。実際には、これは、結晶金属の容量放電溶接スポット溶接、突起溶接、スタッド溶接、その他に基づいており、ここでは局所的溶融プールが、電極/サンプル界面又は溶接されることになる部品内の他の内部界面付近に生成される。背景技術において議論したように、従来技術のシステムはまた、アモルファス材料の固有の伝導性を認識しているが、サンプル全体の均一な加熱を保証することは現在まで認識されておらず、また加熱サンプル内のエネルギー散逸において空間的不均一性の動的発生を回避することが必要である。本発明のRCDF法は、2つの基準を記載し、これらは、このような不均一性の発生を阻止し、チャージの均一な加熱を保証するために適合する必要がある。サンプル内の電流の均一性動的加熱中の電力損の不均一性の発生に対するサンプルの安定性。これらの基準は、比較的単純であるように見えるが、これらは、加熱中に用いる電荷、サンプルに用いる材料、サンプルの形状、電荷を導入するのに用いる電極とサンプル自体との間の界面に対して幾つかの物理的及び技術的制約を課している。例えば、長さL及び面積A=πR2R=サンプル半径の円筒形チャージに対して、以下の要件が存在する。容量放電中の円筒体内の電流の均一性は、動的電場の電磁スキン深さΛが、サンプルの関連する寸法特性半径、長さ、幅又は厚みと比較して大きいことが必要である。円筒体の実施例では、関連する特徴的寸法は、明らかにチャージの半径R及び深さLである。この条件は、Λ=ρ0τ/μ012>R、Lである場合に満たされる。ここで、τは、コンデンサ及びサンプルシステムのRC時定数であり、μ0=4π×107ヘンリー/mは、自由空間の誘電率である。R及びLが~1cmの場合、これはτ>10~100μ秒を示す。対象の典型的な寸法及びアモルファス合金の抵抗率の値を用いると、これは、好適な大きさにされたコンデンサ、典型的には~10,000μF以上のキャパシタンスを必要とする。動的加熱中の電力損における不均一性の発生に対するサンプルの安定性は、フーリエの方程式によって制御される電流及び熱流量によるオームジュール加熱を含む安定性解析を実施することによって理解することができる。温度と共に増加するすなわち、正のS抵抗率を有するサンプルにおいて、サンプル円筒体の軸線に沿った局所的温度変化は、局所的加熱を増加させ、局所的抵抗及び熱放散を更に増加させることになる。十分な高電力入力において、これは、円筒体に沿った加熱の局所化につながる。結晶材料において、これは局所的溶融をもたらす。この挙動は、構成要素間の界面に沿って局所的溶融を生成したい場合に溶接において有用であるが、アモルファス材料を均一に加熱したい場合には極めて望ましくないものである。本発明は、均一な加熱を保証するために重要な基準を提供する。上記で定義されたようなSを用いて、発明者らは、下記の場合に加熱が均一であることを明らかにする。S<2π2DCS/L2I2R0=Scrit式5式中Dはアモルファス材料の熱拡散率m2/sであり、CSはサンプルの総熱容量であり、R0はサンプルの総抵抗である。金属ガラスに特有のD及びCSの値を用い、長さL~1cm、及び本発明に通常必要とされる入力電力I2RO~~106ワットを仮定すると、Scrit~104~105を得ることができる。均一な加熱に対するこの基準は、多くの金属ガラス上述のS値を参照に対して満たす必要がある。特に多くの金属ガラスはS<0を有する。このような材料すなわち、S<0を有するは、常に加熱の均一性に対してこの要件を満たすことになる。この基準に適合する例示的な材料は、米国特許第5,288,344号、米国特許第5,368,659号、米国特許第5,618,359号、及び米国特許第5,735,975号に記載され、これらの特許の開示事項は、引用により本明細書に組み入れられる。適用されるチャージ及び使用されるアモルファス材料の基本的な物理的基準以外では、チャージがサンプルにできるだけ均等に適用されることを保証する技術的要件も存在する。例えば、サンプルが、実質的に欠陥がなく且つ均一な断面で形成されることが重要である。これらの条件が満たされない場合、熱は、サンプルにわたって均等に放散せず、局所的加熱が生じることになる。具体的には、サンプルブロックにおいて不連続性又は欠陥が存在する場合、上で議論した物理定数すなわち、D及びCSは、これらの点において異なり、異なる加熱速度をもたらすことになる。加えて、サンプルの熱特性はまた、物品の寸法すなわち、Lに依存しているので、物品の断面が変化した場合、サンプルブロックに沿って局所的ホットスポットが存在することになる。更に、サンプル接触面が十分に平坦で平行ではない場合、界面接触抵抗は、電極/サンプル界面に存在することになる。従って、一実施形態において、サンプルブロックは、実質的に欠陥がなく、実質的に均一な断面を有するように形成される。サンプルブロックの断面は均一であるべきであるが、この要件を満たす限り、ブロックの形状に課せられる固有の制約がない点を理解されたい。例えば、ブロックは、シート、ブロック、円筒体、その他のようなあらゆる好適な幾何学的に均一な形状を取ることができる。別の実施形態において、サンプル接触面は、電極との良好な接触を保証するために、平行に切断され平坦に研磨される。加えて、電極とサンプルとの間で界面接触抵抗が生じないことが重要である。これを達成するために、電極/サンプル界面は、ホットスポットが界面で発生しないように、電荷が均等に、すなわち均一な密度で印加されることを保証するように設計する必要がある。例えば、電極の異なる部分が、サンプルに異なる伝導性接触を提供する場合、加熱の空間局所性及び局所的溶融は、初期抵抗が最大である場所のどこにでも生じることになる。これは、局所的溶融プールが電極/サンプル界面又はサンプル内の他の内部界面の近くに生成される放電溶接をもたらすことになる。均一な電流密度のこの要件に照らして、本発明の一実施形態において、電極は、平坦且つ平行に研磨されて、サンプルとの良好な接触を保証する。本発明の別の実施形態において、電極は軟質金属で作られ、界面において電極材料降伏強度を超える均一な着座圧力が印加されるが、電極座屈強度ではなく、その結果、電極は、界面全体に対して正に加圧されて座屈せず、界面におけるあらゆる非接触領域が塑性変形されるようになる。本発明の更に別の実施形態において、電極の接触面におけるアモルファスサンプルのあらゆる非接触領域の温度をアモルファス材料のガラス転移温度を僅かに上回るまで上昇させるのにかろうじて十分である均一な低エネルギー着座パルスが印加され、従って、アモルファスサンプルが電極の接触面の微視的特徴に適合することが可能になる。加えて、更に別の実施形態において、電極は、正極及び負極がサンプルにわたって対称的な電流路を提供するように位置決めされる。電極材料のための一部の好適な金属は、Cu、Ag、及びNi、並びに実質的にCu、Ag、及びNiから作られた合金すなわち、これらの材料を少なくとも95含有するである。最後に、電気エネルギーが首尾良く均一にサンプルに放電されるとすると、低温の周囲及び電極に向かう熱輸送が効果的に回避される場合、すなわち、断熱昇温が達成される場合には、サンプルは均一に加熱されることになる。断熱昇温状態を生じるために、dT/dtは、熱輸送による熱勾配がサンプルにおいて確実に発生しないよう十分に高く、又はτRCが十分に小さい必要がある。この基準を定量化するために、τRCの大きさは、アモルファス金属サンプルの熱的緩和時間τthよりもかなり小さくあるべきであり、このτthは、以下の式で与えられる。τth=cSR2/kS式5式中、kS及びcSはアモルファス金属の熱伝導率及び比熱容量であり、Rはアモルファス金属サンプルの特徴的な長さ尺度例えば、円筒形サンプルの半径である。Zr基ガラスの近似値を表すkS~10W/mK及びcS~5×106J/m3K並びにR~1×103とすると、発明者らはτth~0.5sを得る。従って、0.5sよりもかなり小さなτRCを有するコンデンサを用いて、均一な加熱を確保すべきである。成形方法自体に移ると、本発明のRCDF法に従った例示的な成形ツールの概略図が図2に示されている。図示のように、基本手的RCDF成形ツールは、電気エネルギー源10及び2つの電極12を含む。電極は、均一な加熱を保証するために、十分に低いScrit値及び十分に高い大きなρ0値を有するアモルファス材料で作られた均一な断面のサンプルブロック14に均一な電気エネルギーを印加するのに使用される。均一な電気エネルギーを用いて、数ミリ秒以下の時間尺度で合金のガラス転移温度を上回る所定の加工温度までサンプルを均一に加熱する。このようにして形成された粘性液体は、例えば、射出成形、動的鍛造、スタンプ鍛造、ブロー成形、その他を含む好ましい成形方法に従って同時に成形されて、1秒未満の時間尺度で製品を形成する。例えば、10μ秒から10ミリ秒の放電時定数を有するコンデンサのような、所定の加工温度までサンプルブロックを急速且つ均一に加熱するのに十分な均一な密度のエネルギーを供給するのに好適なあらゆる電気エネルギー源を用いることができる点を理解されたい。加えて、サンプルブロックにわたって均一な接触を提供するのに好適なあらゆる電極を用いて、電気エネルギーを伝送することができる。議論したように、1つの好ましい実施形態において、電極は、例えば、Ni、Ag、Cu、又はNi、Ag及びCuを少なくとも95用いて作られた合金などの軟質金属で形成され、電極/サンプル界面で電極の接触面を塑性的に変形させてサンプルブロックの接触面の微視的特徴に共形にするのに十分な圧力下でサンプルブロックに対して保持される。上記の議論は、一般的にRCDF法に重点が置かれているが、本発明はまた、アモルファス材料のサンプルブロックを成形するための装置に関する。図2に概略的に示す1つの好ましい実施形態において、射出成形装置は、RCDF法と共に組み込むことができる。このような実施形態において、加熱されたアモルファス材料の粘性液体は、金属ガラスのネットシェイプ構成要素を形成するため機械的荷重が加わったプランジャを用いて、周囲温度で保持された成形キャビティ18に射出される。図2に示す本方法の実施例において、チャージは、電気的に絶縁されたバレル又はショットスリーブ内に配置され、高い電気的伝導性及び熱伝導性の両方を有する伝導性材料銅又は銀のようなで作られた円筒形プランジャによって射出圧力典型的には1~100MPaまで予め荷重が加えられる。プランジャは、システムの1つの電極として機能する。サンプルチャージは、電気的に接地されたベース電極の上に載っている。コンデンサの蓄えられたエネルギーは、上述の一定の基準が満たされる場合、円筒形の金属ガラスサンプルチャージに均一に放電される。次いで、荷重が加わったプランジャは、加熱した粘性溶融物をネットシェイプ成形キャビティに移動させる。上記では射出成形技術を考察したが、あらゆる好適な成形技術を用いてもよい。RCDF技術に従って用いることができる他の成形方法の一部の代替の例示的な実施形態が、図3から図5に示され、以下で考察する。例えば、図3に示すように、一実施形態において、動的鍛造成形法を用いることもできる。このような実施形態において、電極22のサンプル接触部分20は、それら自体がダイツールを形成することになる。この実施形態において、低温サンプルブロック24は、電極間の圧縮応力下で保持され、電気エネルギーが放電されるときに、サンプルブロックは十分に粘性になり、電極が所定応力下で共に押圧でき、これによりサンプルブロックのアモルファス材料がダイ20の形状に共形になる。図4に概略的に示す別の実施形態において、スタンプ形成形法が提案されている。この実施形態において、電極30は、何れかの端部においてこれらの間でサンプルブロック32をクランプ又は他の方法で保持する。図示した概略図において、アモルファス材料の薄いシートが用いられるが、あらゆる好適なサンプル形状で作動するようこの技術を修正することができる点を理解されたい。サンプルブロックを介して電気エネルギーを放電すると、図示のように対向する鋳型又はスタンプ面36を含む成形ツール又はスタンプ34は、これらの間に保持されたサンプルの一部に対して所定の圧縮力により共に集められ、これによりサンプルブロックを最終的な所望の形状にスタンプする。図5に概略的に示す更に別の例示的な実施形態において、ブロー成形技術を用いることができる。この場合も同様に、この実施形態において、電極40は、何れかの端部においてこれらの間でサンプルブロック42をクランプ又は他の方法で保持する。好ましい実施形態において、サンプルブロックは、薄いシート材料を含むが、あらゆる好適な形状を用いることができる。初期形状に関係なく、例示的な技術において、サンプルブロックは、鋳型45上にフレーム44内に位置決めされて、実質的に気密シールを形成し、その結果、ブロックの対向する側面46及び48すなわち、鋳型に面する側面と鋳型から外方に面する側面を異なる圧力、すなわちガスの正圧又は負の真空に曝すことができるようになる。サンプルブロックを介して電気エネルギーを放電すると、サンプルは、粘性になり、異なる圧力の応力下で変形して鋳型の輪郭に共形となり、これによりサンプルブロックを所望の最終形状に形成する。図6に概略的に示す更に別の例示的な実施形態において、繊維引き抜き技術を用いることができる。この場合も同様に、この実施形態において、電極49は、サンプルの何れかの端部付近でサンプルブロック50と良好な接触状態にあり、引張力がサンプルの何れかの端部に印加されることになる。低温ヘリウム51の流れは、引き抜かれたワイヤ又は繊維上に吹き付けられ、ガラス転移を下回る冷却を可能にする。好ましい実施形態において、サンプルブロックは、円筒形ロッドを備えるが、あらゆる好適な形状を用いることができる。サンプルブロックを介して電気エネルギーを放電すると、サンプルは、粘性になり、引張力の応力下で均一に延伸されて、これによりサンプルブロックを均一な断面のワイヤ又は繊維中に引き込む。図7に概略的に示す更にまた別の実施形態において、本発明は、過冷却液体の熱力学的特性及び輸送特性を測定するための急速コンデンサ放電装置に関する。1つのこのような実施形態において、サンプル52は、2つのパドル形電極53の間に圧縮応力下で保持され、熱探知カメラ54は、サンプルに焦点を合わせている。電気エネルギーが放電されると、カメラが起動し、同時にサンプルブロックが充電されることになる。サンプルが十分に粘性になった後、電極は、所定の圧力下で共に押圧してサンプルを変形させることになる。カメラが所要の解像度及び速度を有する場合、一連の熱探知によって加熱及び変形の同時プロセスをキャプチャすることができる。このデータを用いると、時間、熱、及び変形データが、時間、温度、及び歪みデータに変換することができ、入力電力及び加えられた圧力は、内部エネルギー及び負荷応力に変換することができ、これによりサンプルの温度、温度依存の粘度、熱容量及びエンタルピーの情報が得られる。上記の議論は、幾つかの例示的な成形技術の基本的特徴に焦点が当てられたが、他の成形技術を押し出し又はダイカストなどの本発明のRCDF法と共に用いることができる点を理解されたい。更に、追加の要素をこれらの技術に加えて、最終製品の品質を改善することができる。例えば、上記の成形方法の何れかに従って形成された製品の表面仕上げを改善するために、鋳型又はスタンプをアモルファス材料のガラス転移温度前後又はその直ぐ下まで加熱し、これにより表面欠陥を平滑にすることができる。加えて、より良好な表面仕上げ又はネットシェイプ部品を有する製品を得るために、上記の成形技術の何れかの圧縮力及び射出成形技術の場合には圧縮速度を制御して、高いウェーバ数の流れから生じる溶融前方部の不安定性を回避し、すなわち、霧化、スプレー、流線、その他を阻止することができる。上で議論したRCDF成形技術及び代替の実施形態は、電子機器、ブラケット、ハウジング、ファスナ、ヒンジ、ハードウェア、腕時計部品、医療用部品、カメラ及び光学部品、宝石類、その他のためのケーシングのような、小さく、複雑なネットシェイプの高性能金属部品の製造に適用することができる。RCDF法はまた、RCDF加熱及び射出システムと併せて用いる種々のタイプの押し出しダイを介して動的に押し出すことができる、小さなシート、管体、パネル、その他を製造するのに用いることができる。要約すると、本発明のRCDF技術は、広範囲のアモルファス材料の急速で均一な加熱を可能にし、比較的安価でエネルギー効率の良いアモルファス合金の成形方法を提供する。RCDFシステムの利点を以下でより詳細に説明する。急速で均一な加熱による熱可塑性物質の加工可能性の強化BMGの熱可塑性成形及び形成は、これらのガラス転移温度Tgを上回って加熱された場合に結晶化するBMGの傾向によって大幅に制限される。Tgを上回る過冷却液体の結晶形成及び成長の速度は、温度と共に急速に増大するが、液体の粘度は低下する。~20C/分の従来の加熱速度では、BMGがTgをΔT=30~150°Cだけ超える温度まで加熱された場合に結晶化が起こる。このΔTは、液体を熱可塑的に加工することができる最高温度及び最低粘度を決定付ける。実際には、粘度は、~104Pa-sよりも大きく、より典型的には105~107Pa-sに制限され、これはネットシェイプ形成を大幅に制限する。RCDFを用いると、アモルファス材料サンプルは、104~107C/sの範囲の加熱速度で均一に加熱され且つ同時に形成することができる全体で数ミリ秒の加工時間が必要。次に、サンプルは、遙かに大きなΔTで、結果として1~104Pa-sの範囲これは、プラスチックの加工において用いる粘度の範囲の遙かに低い加工粘度で熱可塑的にネットシェイプに形成することができる。これは、遙かに低い負荷荷重、より短いサイクル時間を必要とし、遙かに良好なツール寿命をもたらすことになる。RCDFにより遙かに広範囲のBMG材料の加工を可能にすることΔTの著しい拡大及び加工時間の数ミリ秒までの著しい短縮により、極めて多種多様のガラス形成合金を加工できるようになる。具体的には、RCDFを用いて、小さなΔTを有する合金、又は極めて急速な結晶化動力学、及びその結果として極めて少ないガラス形成能力を有する合金を加工することができる。例えば、Zr、Pd、Pt、Au、Fe、Co、Ti、Mg、Ni及びCu並びに他の安価な金属に基づくより安価で又はその他のより望ましい合金は、小さなΔT及び結晶化の傾向が強いかなり不良のガラス形生体である。これらのマージナルガラス形成合金は、現在実施されている方法の何れを用いても熱可塑的に加工することはできないが、本発明のRCDF法により容易に使用することができる。RCDFは極めて材料効率が良いダイカストのようなバルクアモルファス製品を形成するのに現在用いられている従来のプロセスは、鋳造される部品の体積を遙かに超える原材料体積の使用を必要とする。これは、鋳造物に加えてダイの放出内容物全体がゲート、ランナー、スプルー又はビスケット、及びフラッシュを含むこれら全てはダイキャビティに向かう溶融金属の通過に必要であることに起因する。対照的に、ほとんどの場合におけるRCDFの放出内容物は部品のみを含み、射出成形装置の場合には、ダイカストと比較してより短いランナー及び遙かに薄いビスケットのみを含むことになる。従って、RCDF法は、アモルファス金属宝石類の加工のような高価なアモルファス材料の加工を伴う用途において特に魅力的である。RCDFは極めてエネルギー効率が良い:ダイカスト、永久鋳造、インベストメント鋳造及び金属粉末射出成形PIMなどの競合する製造技術は、本質的にエネルギー効率が極めて悪い。RCDFにおいては、消費されるエネルギーは、所望の加工温度までサンプルを加熱するのに必要なエネルギーよりも僅かに大きいだけである。高温るつぼ、RF誘導溶融システム、その他は必要ではない。更に、一方の容器から別の容器に溶融合金を注ぐ必要がなく、これにより必要な加工ステップ並びに材料の汚染及び材料損失の可能性が低減される。RCDFは比較的小さく小型で容易に自動化される技術を提供する:他の製造技術と比較して、RCDF製造機器は、小さく、小型で、清浄であり、最小限の可動部品を用いて自動化が容易であり、本質的に全ての電子プロセスに好適となる。環境雰囲気制御を必要としない:RCDFによってサンプルを加工するのに必要な数ミリ秒の時間尺度は、周囲空気への加熱サンプルの露出を最小限にする。従って、本プロセスは、長い大気暴露が溶融金属及び最終部品の過酷な酸化を生じる現在の加工方法とは対照的に、周囲環境において実施することができる。例示的な実施形態本発明による追加の実施形態は上述の包括的な開示の範囲内にあることが企図され、上述の非限定的な実施例によってどのような意味においても権利の放棄を意図するものではない点を、当業者であれば認識するであろう。実施例1:抵抗加熱の研究BMGにおいて、円筒形サンプルでのオーム熱放散による容量放電が均一で急速なサンプル加熱をもたらすという基本的原理を立証するために、簡単な実験用スポット溶接機械を立証成形ツールとして用いた。機械Unitek1048Bスポット溶接機は、~10μFのコンデンサにおいて最大100ジュールのエネルギーを蓄える。蓄えたエネルギーは、正確に制御することができる。RC時定数は、およそ100μ秒である。サンプル円筒体を閉じ込めるために、2つのパドル形電極に平坦で平行な表面を設けた。スポット溶接機械は、上側電極に最大~80ニュートンまでの力の軸方向荷重荷の印加を許容するバネ荷重の上側電極を有する。その結果、これは、~20MPaまでの範囲の一定の圧縮応力をサンプル円筒体に印加することができる。1~2mmの直径及び2~3mmの高さを有する幾つかのBMG材料の小さな直円柱を製作した。サンプル質量は~40mgから約~170mgの範囲であり、特定のBMGのガラス転移温度を遙かに上回るTFを得るように選択された。BMG材料は、それぞれ340C、300C、及び~430Cでガラス転移Tgを有する、Zr-Ti基BMGVitreloy1、Zr-Ti-Ni-Cu-BeのBMG、Pd基BMGPd-Ni-Cu-P合金、及びFe基BMGFe-Cr-Mo-P-Cであった。これらの金属ガラスの全ては、S~1×104<<Scritを有する。図8aから図8dは、半径2mm及び高さ2mmのPd合金円筒体に関する一連の試験結果を示す図8a。合金の抵抗率は、ρ0=190μΩ-cmであり、Sが~-1×104C1である。エネルギーE=50図8b、75図8c、及び100図8dジュールがコンデンサバンクに蓄えられ、~20MPaの圧縮応力下で保持されるサンプルに放電した。BMGにおける塑性流動の程度は、加工されたサンプルの初期及び最終の高さを測定することによって定量化した。サンプルは、加工中に銅電極に結合されないことが観察される点に留意することが特に重要である。これは、BMGと比較して銅の高い電気伝導性及び熱伝導性に起因する可能性がある。要するに、銅は、加工の時間尺度~数ミリ秒の間に溶融BMGによって湿潤できるだけ十分に高い温度に到達することがない。更に、電極表面にほとんど又は全く損傷がない点に留意されたい。最終加工サンプルは、加工後に銅電極から自由に除去され、図9に長さ尺度基準と共に示されている。初期及び最終の円筒体の高さは、荷重下で変形されたときにサンプルにおいて発生した総圧縮歪みを決定するのに用いた。工学的な歪みはH0/Hによって与えられ、H0及びHはそれぞれ、サンプル円筒体の初期最終の高さである。真の歪みはlnH0/Hによって与えられる。この結果は、図10における放電エネルギーに対してプロットされている。これらの結果は、真の歪みが、コンデンサによって放電されたエネルギーのほぼ直線増加関数であるように見えることを示した。これらの試験結果は、BMGサンプルブランクの塑性変形が、コンデンサによって放電されたエネルギーの明確に定義された関数であることを示す。このタイプの多数の試験の後、サンプルの塑性流動所与のサンプル幾何学形状に対しては、図10に明らかに示されているように、エネルギー入力の極めて明確に定義された関数であると判断することができる。要するに、RCDF技術を用いると、プラスチック加工を入力エネルギーによって正確に制御することができる。更に、流れの特徴は、エネルギーの増加と共に定性的及び定量的に変化する。~80ニュートンが印加された圧縮荷重下で、Eの増加と共に流動挙動における明らかな展開を観察することができる。具体的には、Pd合金において、E=50ジュールの流れは、lnH0/HF~1の歪みに限定される。流れは、比較的安定しているが、何らかの剪断薄化例えば、非ニュートン流動挙動の証拠も存在する。E=75ジュールに対して、より拡大した流れが、lnH0/HF~2で得られる。この領域では、流れは鋳型全体を移動する平滑で安定した溶融物前部を有するニュートン系及び均一である。E=100ジュールに対しては、極めて大きな変形が、0.12cmの最終サンプル厚み及び~3の真の歪みで得られる。高いウェーバ数流量の流れ崩壊、流線、及び液体飛散特性の明らかな証拠が存在する。要するに、鋳型において移動する安定から不安定への溶融物前部により明らかな遷移を観察することができる。従って、RCDFを用いて、塑性流動の定性的性質及び範囲は、加えられた荷重及びサンプルへ放電されたエネルギーの簡単な調節によって系統的且つ制御可能に変えることができる。実施例2:射出成形装置別の実施例では、実用試作機のRCDF射出成形装置を構成した。デバイスの概略図が図11aから図11eに示される。成形装置で行った実験では、数グラムの鋳型チャージを1秒未満でネットシェイプ製品に射出するのに用いることができることが証明された。図示のシステムは、~6Kジュールの電気エネルギーを蓄えることができ、及び最大~100MPaの制御加工圧力を加えて、小さなネットシェイプBMG部品を生成するのに用いることができる。機械全体は、電気エネルギー電荷生成システム、制御加工圧力システム、及び鋳型組立体を含む幾つかの独立システムから構成される。電気エネルギー電荷生成システムは、コンデンサバンク、電圧制御パネル及び電圧コントローラを備え、これら全ては、放電を電極を介してサンプルブランクに印加できるように電気リード線62及び電極64のセットを介して鋳型組立体60に相互接続されている。制御加工圧力システム66は、空気供給装置、ピストン調整器、及び空気ピストンを備え、これら全ては、最大~100MPaの制御加工圧力を成形中にサンプルに印加できるように、全てが制御回路を介して相互接続されている。最後に、成形装置はまた、鋳型組立体60を含み、鋳型組立体60は、以下で更に詳細に説明されるが、この図では電極プランジャー68が完全に後退した位置で示されている。鋳型組立体全体は、図11bにおいてより大きな装置から取り外されて示されている。図示のように、鋳型組立体全体は、上部及び下部鋳型ブロック70a及び70b、分割鋳型の上部及び下部部分72a及び72b、電流を鋳型カートリッジ加熱器76に搬送するためのリード線74、絶縁スペーサ78、及び本図では完全に陥凹の位置で示す電極プランジャ組立体68を含む。図11c及び図11dに示すように、作動中、アモルファス材料80のサンプルブロックは、ゲートから分割鋳型82の上の絶縁スリーブ78内部に位置決めされる。この組立体は、それ自体が鋳型組立体60の上部ブロック72a内に位置決めされる。電極プランジャ図示せずは、次いで、サンプルブロック80と接触状態で位置決めされ、制御圧力が空気ピストン組立体を介して印加される。サンプルブロックが所定位置にあり、電極と正の接触状態になると、サンプルブロックは、RCDF法により加熱される。加熱されたサンプルは粘性になり、プランジャの圧力下でゲート84を介して鋳型72に制御可能に押し込まれる。図10eに示すように、この例示的な実施形態において、分割鋳型60は、リング86の形態を取る。本発明の例示的なRCDF装置を用いて形成されたPd43Ni10Cu27P20のアモルファス材料で作られたサンプルリングが、図12a及び図12bに示されている。この実験は、複合ネットシェイプ部品を本発明のRCDF技術を用いて形成できることの証拠を提供する。鋳型は本実施形態ではリングの形状に形成されるが、この技術は、電子機器、ブラケット、ハウジング、ファスナ、ヒンジ、ハードウェア、腕時計部品、医療用部品、カメラ及び光学部品、宝石類、その他のためのケーシングなどの小さく、複雑な、ネットシェイプ高性能金属部品を含む、広範な製品に等しく適用できることを当業者であれば認識するであろう。実施例3:鍛造法及び装置図3に関して概略的に説明したように、本発明のRCDF法を用いて、動的鍛造を実施することができる。鍛造は、金属部品を所望の形状に加熱して押圧する一般的な方法である。金属ガラスの鍛造は、最初にガラス転移を上回って金属ガラスチャージを加熱し、チャージが軟化した後に、軟化金属ガラスを2次元又は3次元物体に押し込むように鍛造プレートによって力を加えることによって達成することができる。図3に示すように、従って、鍛造プレートは、プランジャ及び鋳型の両方としての機能を果たし、従って、高度な熱伝導性、があり、及び必然的に高い電気伝導性がある。しかしながら、鍛造プレートの面に彫り込みキャビティが存在ことにより、金属ガラスチャージへの電気エネルギーの効率的印加が阻止され、従って、ほとんどの場合において、鍛造プレートが電極としても機能するのが阻止される。従って、一実施形態において、電極が鍛造プレートから物理的に分離された鍛造法が記載される。詳細には、この実施形態において、本方法及び装置により、電気エネルギーは、より電気伝導性の高いプレートを流れるのではなく、電気伝導性が小さい金属ガラスチャージを通って効率的に放散するのが確保される。非伝導性鍛造Vitreloy-1のような堅牢なガラス形成体である合金で作られたプレートのような単純な幾何学形状部品において、鍛造ダイは、MACORのような高温セラミックスから作ることができる。セラミックスは絶縁しているので、電流は放電される間、これらはサンプルと接触状態とすることができる。従って、容量放電加熱が行われる間に鍛造ダイによって圧力を加えることができ、制御回路を追加する必要性が排除される。加えて、セラミックスの低い熱拡散率により、金属ガラスがより長い時間期間の間高温に維持することが可能となる。これは、金属ガラスが十分堅牢で、より長い時間結晶化しない場合、材料をより低い圧力でかなり薄い部品に鍛造することを可能にする。従って、本発明の一実施形態において、非伝導ダイは、金属ガラス部品を鍛造するのに使用される。1つの例示的な実施形態において、非伝導性鍛造具は、0.792Fコンデンサバンクと併せて3-1/4インチボアを有する空気式ピストンドライブを用いて形成された。MACORプレートは、MACORプレートを平行に保持するために案内ロッドを用いた空気式ドライブに取り付けた。一実施例では、このような非伝導成形装置を用いて、Vitreloy-1変形形態Zr35Ti30Cu825Be2675で作られた5mm直径のアモルファスロッドから薄いプレートを鍛造し、2つのMACORプレートは、鍛造セットアップに取り付けられた。ロッドは、その2つの端部で2つの銅電極間にクランプされた。容量放電の前に、20psiの圧力を電極間のロッドセクションに対してMACORプレートによって印加した。コンデンサバンクは、93ボルト放電して、2100J/ccのエネルギー密度を送給し、TgとTmの間までサンプルを急速加熱する。ロッドは、印加圧力によってMACORプレート間で瞬時に軟化して形成され、その後、プレートへの伝導によって冷却された。図13に示す結果として得られたプレートは、完全にアモルファスであり、0.45mmの厚みを有する。伝導性鍛造マージナルガラス形成合金のため又は複雑な幾何学形状を有する部品を作るために、金属ダイは、これらの高い熱伝導性、及びこれらを複雑な幾何学形状に機械加工できる相対的容易性に起因して使用する必要がある。しかしながら、これらの低い電気抵抗率に起因して、これらが容量放電中に金属ガラスと接触しないのが好ましく、電流が主としてダイを流れることになるので、金属ガラスの成形を阻止することになり、部分溶接及びダイへの損傷を促進することになるダイ界面での金属ガラスの不均一な加熱を引き起こす。従って、RDHFを用いて金属ダイにより首尾良く鍛造するために、加熱相を成形相と効果的に結合解除する必要がある。これは、本実施形態において、放電プロセス中に容量放電回路から伝導性鍛造プレートを電気的に絶縁し、単に放電が終了した後に伝導性プレートが急速に力を印加して軟化金属ガラスを略ネットシェイプに変形させることを可能にすることによって達成される。具体的には、本発明の一実施形態によれば、力の印加は、tFi>τRC及びtFO<τCであるように時間tFiで始まって時間tFOで終了すべきであり、式中τRCは放電回路のRC時定数であり、τCは金属ガラスが作動温度で結晶化する時間である。典型的なτRC値は、放電回路のコンデンサ及び抵抗に応じて、0.1msから10msの範囲であり、典型的なτC値は、結晶化に対する金属ガラス形成液体の安定性に応じて、10msから1000msの範囲である。本発明の例示的なセットアップは、図14に提示されている。このセットアップでは、鍛造プレート100は、放電プロセスの期間の間金属ガラスチャージ102と接触することができず、高伝導性電極103から金属ガラスチャージまでの電流経路が、所定位置104に保持されて、絶縁体105などを介して絶縁されるようにする。放電プロセスが終了した後、鍛造プレートは、次いで、電気/空気圧機構又は他の好適な高速駆動機構図示せずによって起動されて、急速に力を印加して軟化した金属ガラスを成形する。電気/空気圧作動に基づく高速駆動機構の例示的なセットアップは、図15に示されている。この例示的なデバイスでは、センサ/タイマ回路106は、放電回路108の一部における電圧及び電流を測定することによって容量放電の開始及び減衰を検知する。センサ/タイマ回路のセンサによる放電の検出により、タイマが起動される。上記の不等式に記載したようなτRCの遅延時間の後、空気弁110が、空気ピストン114を介して鍛造プレート113を通って軟化金属ガラス112に圧力を加えるために作動する。この場合も同様に、鍛造不等式に関して上で議論したように、プロセス全体は、τC未満の期間で終了すべきである。この制御回路を用いて、放電及び圧力印加の両方を制御するか、或いは放電を検知した後圧力を加えることができる点を理解されたい。前者は、ダイの移動のあらゆる機械的時間遅れを考慮するため、放電の前又は放電と同時に力を印加できるようにするよう回路のタイミングの選択ができるので、より優れた制御をもたらすことができる。後者は、放電後の圧力印加に限定されるので、あらゆる機械的時間遅れが総加工時間に加わることになる。本発明のRCDF鍛造装置の構成要素にあらゆる好適な材料を用いることができるが、1つの例示的な実施形態において、鍛造プレートは、以下に限定されるものではないが、銅、真鍮、及び鋼鉄を含むことができ、高伝導性電極は、以下に限定されるものではないが、銅及び銅/ベリリウムを含むことができる。同様に、あらゆる検出及び急速作動機構を用いることができるが、起動して力を加える一部の例示的な方法は、以下に限定されるものではないが、空気、油圧又は電動で検知する電圧/電流、及び空気、油圧又は電動で検知する温度を含む。本発明の一実施形態において、ステンレス鋼鍛造ダイは、金属ガラスネジを鍛造するのに使用される。3-1/4の直径のボアを有しソレノイドバルブを備え付けた空気ピストンによって力が印加される。制御回路は、電流センサとしてロゴスキーコイルのようなコイルと、回路のプログラミングを可能にするマイクロコントローラチップと、ソレノイドを駆動するダーリントントランジスタのようなトランジスタとから成る。放電前に、ダイは金属ガラスから分離されたままである。放電が始まると、電圧がコイルの両端に発生する。この電圧は、演算増幅器を介して増幅され、マイクロコントローラに送給される。マイクロコントローラは、一定の時間の間数ミリ秒保持した後に電圧をトランジスタに送るようプログラムされる。これによりソレノイドバルブが開き、ピストンを促して加熱された金属ガラスに対して鍛造ダイを移動させる。金属ガラスZr35Ti30Cu825Be2675の5mm直径ロッドから10~32ネジを鍛造するために、2つのステンレス鋼のダイが上述のように鍛造具において構成されて整列された。長さ3.8cmのBMGロッドは、2つの銅電極間でクランプされ、0.792Fコンデンサを有するコンデンサバンクを用いて生成される電流パルスを用いて加熱した。コンデンサバンクは、94ボルトまで充電され、2100J/ccのエネルギー密度を送達した。ソレノイドバルブに接続されたタンクは、80psiまで加圧された。制御回路は、何らかの電流を検知するとすぐに始動するようプログラムされていた。結果として得られたネジが、図16aから図16cに示されている。ネジは極めて高精度に成形される。走査電子顕微鏡におけるトレッドの検査は、材料が好ましくはネジ山の周りの鋳型を複製したこと明らかにする。鍛造金属ガラスのネジ切りは、少なくともステンレス鋼製10~32のネジと同程度に正確であると思われ、これは、図17aから図17cに示すように鍛造ではなく機械加工された。小さなフラッシングは、何らかの材料が必然的に閉鎖プレート間のキャビティから流出するときに、鍛造中に形成することができる。フラッシングは、研磨によって取り除き、又は鋸を用いて切断することができる。微量のネジ切りと共にフラッシングの除去により、ネジの作動が変わることはない。均等論本発明の種々の好ましい実施形態に関する前述の実施例及び説明は、全体として単に本発明の例証であって、本発明のステップ及び種々の構成要素の変形形態は、本発明の技術的思想及び範囲内で行うことができる点は、当業者には理解されるであろう。例えば、追加の加工ステップ又は代替の構成は、本発明の急速コンデンサ放電形成方法/装置の特性の改良に影響を与えることなく、その意図する目的に好適でない方法/装置をもたらすことがない点は、当業者には明らかであろう。従って、本発明は、本明細書に記載された具体的な実施形態に限定されることなく、むしろ添付の請求項の範囲によって定義される。"