"半導体封止のための成形材料として用いられる半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、4級ホスホニウム化合物、および無機充填剤を含有し、前記フェノール樹脂硬化剤として結晶性フェノール化合物を含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。前記結晶性フェノール化合物は、前記4級ホスホニウム化合物との溶融混合物であることを特徴とする請求項1に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。前記結晶性フェノール化合物は、融点120~300°C、分子量250~350であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。前記結晶性フェノール化合物は、次式IまたはII:式中、R4はそれぞれ独立に水素原子またはメチル基を示し、mは0~2の整数、nは0~2の整数を示し、水酸基OHの合計数は前記結晶性フェノール化合物の全体として2~3である。式中、R4およびR5はそれぞれ独立に水素原子またはメチル基を示し、mは0~2の整数、nは0~2の整数を示し、水酸基OHの合計数は前記結晶性フェノール化合物の全体として2~3である。で表されることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。前記4級ホスホニウム化合物は、次式IIIまたはIV:式中、4個のR1およびR2はそれぞれ独立に炭素数1~18の置換または非置換の炭化水素基を示す。式中、4個のR3はそれぞれ独立に炭素数1~18の置換または非置換の炭化水素基を示し、Zは1価の陰イオンを示す。で表されることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。請求項1から5のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法であって、前記4級ホスホニウム化合物を融点以上の温度に加熱し、そこに前記結晶性フェノール化合物を添加した後、冷却して溶融混合物を調製する工程と、この溶融混合物を前記半導体封止用エポキシ樹脂組成物の他の成分と混練する工程とを含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法。請求項1から5のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子が封止されていることを特徴とする半導体装置。しかしながら、パッケージの反りの低減や、半田リフロー工程などにおける信頼性の向上などの点から、ガラス転移温度Tgの高い成形品が求められる場合もある。一方、近年では半導体素子の薄型化やワイヤの細線化が進んでいることから、成形時の流動性は欠くことのできない特性である。ところが、フェノール樹脂硬化剤としてフェノールノボラック樹脂などを用いた場合、成形時の流動性を確保し、かつガラス転移温度の高いものを得ることが難しい。さらに、半導体封止用エポキシ樹脂組成物には保存安定性が求められる。本発明は、以上の通りの事情に鑑みてなされたものであり、ガラス転移温度の高い成形品を得ることができ、成形時の流動性に優れ、保存安定性も良好な半導体封止用エポキシ樹脂組成物とその製造方法および半導体装置を提供することを課題としている。上記の課題を解決するために、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、半導体封止のための成形材料として用いられる半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、4級ホスホニウム化合物、および無機充填剤を含有し、フェノール樹脂硬化剤として結晶性フェノール化合物を含有することを特徴としている。この半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、結晶性フェノール化合物は、前記4級ホスホニウム化合物との溶融混合物であることが好ましい。この半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、結晶性フェノール化合物は、融点120~300°C、分子量250~350であることが好ましい。この半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、結晶性フェノール化合物は、次式IまたはII:式中、R4はそれぞれ独立に水素原子またはメチル基を示し、mは0~2の整数、nは0~2の整数を示し、水酸基OHの合計数は前記結晶性フェノール化合物の全体として2~3である。式中、R4およびR5はそれぞれ独立に水素原子またはメチル基を示し、mは0~2の整数、nは0~2の整数を示し、水酸基OHの合計数は前記結晶性フェノール化合物の全体として2~3である。で表されることが好ましい。この半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、4級ホスホニウム化合物は、次式IIIまたはIV:式中、4個のR1およびR2はそれぞれ独立に炭素数1~18の置換または非置換の炭化水素基を示す。式中、4個のR3はそれぞれ独立に炭素数1~18の置換または非置換の炭化水素基を示し、Zは1価の陰イオンを示す。で表されることが好ましい。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法は、前記の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法であって、4級ホスホニウム化合物を融点以上の温度に加熱し、そこに結晶性フェノール化合物を添加した後、冷却して溶融混合物を調製する工程と、この溶融混合物を半導体封止用エポキシ樹脂組成物の他の成分と混練する工程とを含むことを特徴とする。本発明の半導体装置は、前記の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子が封止されていることを特徴としている。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物とその製造方法および半導体装置によれば、ガラス転移温度の高い成形品を得ることができ、成形時の流動性に優れ、保存安定性も良好である。以下に、本発明について詳細に説明する。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂としては、1分子内にエポキシ基を2個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造は特に限定されず各種のものを用いることができる。具体的には、例えば、グリシジルエーテル型、グリシジルアミン型、グリシジルエステル型、オレフィン酸化型脂環式などの各種のエポキシ樹脂を用いることができる。さらに具体的には、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのアルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェニレン骨格、ビフェニレン骨格などを有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格、ビフェニレン骨格などを有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂などの多官能型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラキスフェノールエタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ビスフェノールA型ブロム含有エポキシ樹脂などのブロム含有エポキシ樹脂、ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸などのポリアミンとエピクロルヒドリンとの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、フタル酸、ダイマー酸などの多塩基酸とエピクロルヒドリンとの反応により得られるグリシジルエステル型エポキシ樹脂、硫黄原子含有エポキシ樹脂などを用いることができる。これらは1種単独で用いてもよく2種以上を併用してもよい。半導体封止用エポキシ樹脂組成物としての耐湿信頼性を考慮すると、エポキシ樹脂中に含まれるイオン性不純物であるNaイオンやClイオンが極力少ない方が好ましく、硬化性などを考慮すると、エポキシ樹脂のエポキシ当量は100~500g/eqが好ましい。これらの中でも、特に融点または軟化点が室温を超えているエポキシ樹脂を含むことが好ましい。例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量180~210、融点80~120°Cのものが好適に用いられ、流動性および耐リフロー性を高めることができる。クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量180~210、軟化点60~110°Cのものが好適に用いられ、硬化性を高めることができる。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物におけるエポキシ樹脂の含有量は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の全量に対して好ましくは5~20質量である。このような範囲で用いると、封止樹脂の流動性や成形品の物性などを高めることができる。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、フェノール樹脂硬化剤として結晶性フェノール化合物が配合される。結晶性フェノール化合物は、融点120~300°C、分子量250~350であることが好ましい。融点と分子量がこの範囲内のものを用いると、硬化物のガラス転移温度を高めることができる。なお、融点は、例えば、市販の示差走査熱量計を用いて吸熱ピーク温度から求めることができる。結晶性フェノール化合物は、前記の式IまたはIIで表されるものが好ましい。具体的には、次の化合物A~Dを用いることができる。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、硬化促進剤として4級ホスホニウム化合物が配合される。4級ホスホニウム化合物は、前記の式IIIまたはIVで表されるものが好ましい。式IIIのR1およびR2、および式IVのR3において、置換または非置換の炭化水素基としては、置換または非置換の脂肪族炭化水素基および置換または非置換の芳香族炭化水素基を挙げることができる。置換または非置換の脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、nブチル基、secブチル基、tertブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、アリル基、ビニル基などの脂肪族炭化水素基、およびそれらをアルキル基、アルコキシ基、アリール基、水酸基、アミノ基、およびハロゲン原子などで置換したものなどが挙げられる。置換または非置換の脂肪族炭化水素基には、置換または非置換の脂環式炭化水素基も含まれる。置換または非置換の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロペンテニル基、およびシクロヘキセニル基などの脂環式炭化水素基、およびそれらをアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、水酸基、アミノ基、およびハロゲン原子などで置換したものなどが挙げられる。置換または非置換の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、トリル基などのアリール基、ジメチルフェニル基、エチルフェニル基、ブチルフェニル基、tert-ブチルフェニル基などのアルキル基置換アリール基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ブトキシフェニル基、tert-ブトキシフェニル基などのアルコキシ基置換アリール基などが挙げられ、これらはさらにアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アミノ基、ハロゲン原子などで置換したものであってもよい。式IVのZは、1価の陰イオンであれば特に限定されないが、例えば、チオシアネートイオン、ベンゾトリアゾレートイオン、ヒドロキシドイオン、アセテートイオンなどが挙げられる。式IIIで表わされる4級ホスホニウム化合物としては、例えば、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、メチルトリブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、メチルトリシアノエチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、メチルトリブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、メチルトリシアノエチルホスホニウムテトラフェニルボレートなどが挙げられる。式IVで表わされる4級ホスホニウム化合物としては、例えば、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、4-メチルフェニルトリフェニルチオシアネート、2,5-ヒドロキシトリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラブチルホスホニウムベンゾトリアゾレート、テトラブチルホスホニウムヒドロキシド、テトラブチルホスホニウムアセテート、テトラブチルホスホニウムハイドロジェンジフルオライド、テトラブチルホスホニウムジハイドロジェントリフルオライドなどが挙げられる。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物における4級ホスホニウム化合物の配合量は、硬化を促進し、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の流動性や保存安定性を損なわないようにすることなどを考慮すると、エポキシ樹脂100質量部に対して、10質量部以下が好ましく、0.01~10質量部がより好ましく、0.5~5質量部の範囲が特に好ましい。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を製造する際には、4級ホスホニウム化合物を融点以上の温度に加熱し、そこに結晶性フェノール化合物を添加した後、冷却して溶融混合物を予め調製する。そしてこの溶融混合物を半導体封止用エポキシ樹脂組成物の他の成分と混練する。すなわち、本発明者らの検討によれば、結晶性フェノール化合物は融点が高く、そのため半導体封止用エポキシ樹脂組成物中に均一に溶融することは困難であった。そこで、4級ホスホニウム化合物を融点以上に加熱し、徐々に結晶性フェノール化合物を加えていくと、溶融した4級ホスホニウム化合物が溶媒として働き、これにより均一な溶融混合物を得ることができることを見出した。そして、得られた溶融混合物を、エポキシ樹脂などの他の成分と混練して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を調製することで、結晶性フェノール化合物を均一に分散することができ、これによりガラス転移温度が高くかつ成形時の流動性に優れ、保存安定性も良好な半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得ることができた。溶融混合物における4級ホスホニウム化合物と結晶性フェノール化合物との混合比率は、質量比で1:10~10:5が好ましい。この範囲内にすることで、結晶性フェノール化合物を半導体封止用エポキシ樹脂組成物中に均一に溶融することができ、結晶性フェノール化合物によってガラス転移温度を高めることができる。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、フェノール樹脂硬化剤として、結晶性フェノール化合物以外のものを配合することができる。このようなフェノール樹脂硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂などのノボラック型樹脂、フェニレン骨格またはビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン骨格またはビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂などのアラルキル型樹脂、トリフェノールメタン型樹脂などの多官能型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン型ナフトールノボラック樹脂などのジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ビスフェノールA、ビスフェノールFなどのビスフェノール型樹脂、ビスフェノールSなどの硫黄原子含有型フェノール樹脂、トリアジン変性ノボラック樹脂などを用いることができる。これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。中でも、結晶性フェノール化合物とともにノボラック型樹脂を配合することで、硬化物の物性のバランスを保つことができる。このようなノボラック型樹脂としては、水酸基当量70~250g/eq、軟化点50~110°Cのものが好ましい。フェノール樹脂硬化剤の配合量は、好ましくは、フェノール性水酸基とエポキシ基との当量比OH基当量/エポキシ基当量が0.5~1.5となる量であり、より好ましくは当量比が0.8~1.2となる量である。当量比がこのような範囲内であると、硬化性を高め、ガラス転移温度の低下を抑制し、耐湿信頼性を高めることができる。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、無機充填剤が配合される。無機充填剤としては、例えば、シリカ、アルミナ、窒化珪素、タルク、炭酸カルシウム、クレーなどを用いることができる。無機充填剤のシリカとしては、例えば、溶融シリカ、結晶シリカなどを用いることができる。シリカは、得られる硬化物の線膨張係数を低減することができる。シリカの中でも、溶融シリカを用いることが、高充填性および高流動性という点から好ましい。溶融シリカとしては、球状溶融シリカ、破砕溶融シリカなどを用いることができる。中でも、流動性を考慮すると、球状溶融シリカを用いることが好ましい。溶融シリカは、平均粒径が5~70μmの範囲のものを用いることが好ましい。さらに、平均粒径が0.5~2μmの範囲のものを併用すると、流動性の向上という観点からさらに好ましい。なお、平均粒径は、例えば、レーザ回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することができる。そして、平均粒径は、母集団から任意に抽出される試料を用い、上記測定装置を利用して測定し導出される値である。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物における無機充填剤の含有量は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の全量に対して75~93質量が好ましい。無機充填剤の含有量をこのような範囲内とすることで、成形時の流動特性を損なうことなく熱膨張などを抑制し耐半田性を高めることができる。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、本発明の効果を損なわない範囲内において、さらに他の成分を配合することができる。このような成分としては、例えば、シランカップリング剤、離型剤、着色剤などを用いることができる。シランカップリング剤としては、例えば、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシランなどのグリシドキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシランなどのメルカプトシラン、N-βアミノエチル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-フェニル-γ-アミノプロピルトリメトキシシランなどのアミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシランなどを用いることができる。これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。離型剤としては、例えば、カルナバワックスなどの天然ワックス、ポリエチレンワックスなどの合成ワックス、ステアリン酸、モンタン酸、ステアリン酸亜鉛などの高級脂肪酸およびその金属塩、パラフィンなどを用いることができる。これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。着色剤としては、例えば、カーボンブラック、ベンガラ、酸化チタン、フタロシアニン、ペリレンブラックなどを用いることができる。これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、例えば、次のようにして製造することができる。前記のエポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、4級ホスホニウム化合物、無機充填剤、および必要に応じて他の成分を配合し、ミキサー、ブレンダーなどを用いて十分均一になるまで混合する。このとき、4級ホスホニウム化合物と結晶性フェノール化合物は、予め調製した溶融混合物として配合する。その後、熱ロールやニーダー等の混練機により加熱状態、例えば100°C程度で混練し、これを室温に冷却した後、公知の手段により粉砕することにより半導体封止用エポキシ樹脂組成物を製造することができる。このように、4級ホスホニウム化合物と結晶性フェノール化合物は、予め調製した溶融混合物として配合することにより、半導体封止用エポキシ樹脂組成物中に結晶性フェノール化合物が均一に分散し、保存安定性を高めることができる。なお、半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、粉末状であってもよいが、取り扱いを容易にするために、成形条件に合うような寸法と質量に打錠したタブレットとしてもよい。本発明の半導体装置は、上記のようにして得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止することにより製造することができる。半導体素子としては、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード、固体撮像素子などを用いることができる。本発明の半導体装置のパッケージ形態としては、例えば、プラスチックリード付きチップキャリヤPLCC、クワッドフラットパッケージQFP、スモールアウトラインパッケージSOP、スモールアウトラインJリードパッケージSOJ、薄型スモールアウトラインパッケージTSOP、薄型クワッドフラットパッケージTQFP、テープキャリアパッケージTCPなどの表面実装型のパッケージを挙げることができる。このような表面実装型のパッケージは、例えば、リードフレームのダイパッド上に、ダイボンド材料の硬化物を介して半導体素子が固定される。半導体素子の電極パッドとリードフレームとの間は金線などのワイヤにより電気的に接続される。そして半導体素子は、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物により封止される。この他、本発明の半導体装置のパッケージ形態としては、例えば、ボールグリッドアレイBGAなどのエリア実装型のパッケージを挙げることができる。このようなエリア実装型のパッケージは、例えば、回路基板上にダイボンド材料の硬化物を介して半導体素子が固定される。半導体素子の電極パッドと回路基板上の電極パッドとの間は金線等のワイヤにより電気的に接続される。そして本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物により、回路基板の半導体素子が搭載された片面側のみが封止される。回路基板上の電極パッドは回路基板上の非封止面側の半田ボールと内部で接合される。本発明の半導体装置は、例えば次のようにして製造される。例えば、半導体素子を搭載したリードフレーム、回路基板などを金型キャビティ内に設置した後、半導体封止用エポキシ樹脂組成物を低圧トランスファ成形法、コンプレッション成形法、インジェクション成形法などの方法で成形硬化することができる。低圧トランスファ成形法においては、半導体素子が搭載されたリードフレーム、回路基板等を金型のキャビティ内に配置した後、このキャビティ内に溶融状態のエポキシ樹脂組成物を所定の圧力で注入し、溶融したエポキシ樹脂組成物は、基板上の半導体素子を包み込みながらキャビティ内を流動し、キャビティ内に充満する。このときの注入圧力は、エポキシ樹脂組成物や半導体装置の種類に応じて適宜に設定することができるが、例えば4~7MPa、金型温度は、例えば160~190°C、成形時間は、例えば30~300秒に設定することができる。次に、金型を閉じたまま後硬化ポストキュアを行った後、型開きして成形物すなわち半導体装置パッケージを取り出す。このときの後硬化条件は、例えば160~190°Cで2~8時間に設定することができる。以下に、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。なお、表1に示す配合量は質量部を表す。表1に示す配合成分として、以下のものを用いた。エポキシ樹脂ビフェニル型エポキシ樹脂、三菱化学株製YX4000H、エポキシ当量187~197g/eq、融点105°Cフェノール樹脂硬化剤フェノールノボラック樹脂A、明和化成工業株製H-4、水酸基当量103~107g/eq、軟化点67~75°Cフェノールノボラック樹脂B、明和化成工業株製DL-92、水酸基当量105~109g/eq、軟化点88~92°C結晶性フェノール化合物A、本州化学工業株製BisP-AP、ビス4-ヒドロキシフェニルフェニルエタン前記の化合物B結晶性フェノール化合物B、北興化学工業株製PPQ、ジフェニルホスフィニルハイドロキノン前記の化合物A4級ホスホニウム化合物硬化促進剤A、日本化学工業株製PX-4BT、テトラブチルホスホニウムベンゾトリアゾレート硬化促進剤B、北興化学工業株製TPPM-SCN、トリフェニルメチルホスホニウムチオシアネート無機充填剤球状溶融シリカシランカップリング剤γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、信越化学工業株製KBM403離型剤カルナバワックス4級ホスホニウム化合物をオイルバスで融点以上に加熱し、徐々に結晶性フェノール化合物またはフェノールノボラック樹脂を50質量となるまで加え、溶融混合物を調製した。実施例1は硬化促進剤Aと結晶性フェノール化合物Aとの溶融混合物、実施例2、3は硬化促進剤Aと結晶性フェノール化合物Bとの溶融混合物、実施例4は硬化促進剤Bと結晶性フェノール化合物Bとの溶融混合物、比較例1は硬化促進剤Aとフェノールノボラック樹脂Aとの混合物、比較例2は硬化促進剤Aとフェノールノボラック樹脂Bとの溶融混合物を調製した。次に、表1に示す各配合成分を、表1に示す割合で配合し、ミキサーで混合し均一化した後、100°Cに加熱したニーダーで混練して押し出し、冷却後、粉砕機で所定粒度に粉砕して粒状の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。実施例1~4および比較例1、2では、4級ホスホニウム化合物と結晶性フェノール化合物またはフェノールノボラック樹脂は、溶融混合物として配合した。比較例3では結晶性フェノール化合物を4級ホスホニウム化合物との溶融混合物としてではなく単独で配合した。冷却、粉砕後、圧縮によりタブレットを作製して評価に用いた。この半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて次の評価を行った。半導体封止用エポキシ樹脂組成物の外観半導体封止用エポキシ樹脂組成物を調製したときの外観を目視で次の基準により評価した。○:外観が均一。×:外観が不均一。溶融粘度株島津製作所製高化式フローテスターCFT-500Dを用い、175°Cで測定した。溶融粘度増加率保存安定性の指標として、25°C×72hr放置した後の溶融粘度増加率を測定した。溶融粘度は株島津製作所製高化式フローテスターCFT-500Dを用い、175°Cで測定した。ガラス転移温度Tg半導体封止用エポキシ樹脂組成物を175°Cの金型で所定の形状に成形後、175°Cで6時間のポストキュアを行った。得られた成形品のTgをTMA法Thermomechanicalanalysisにより測定した。評価結果を表1に示す。表1より、フェノール樹脂硬化剤として結晶性フェノール化合物を配合し、4級ホスホニウム化合物との溶融混合物として配合した実施例1~4は、ガラス転移温度の高い成形品を得ることができた。また溶融粘度も低く成形時の流動性に優れ、保存安定性も良好であった。一方、結晶性フェノール化合物を配合しなかった比較例1、2はガラス転移温度が低下した。また結晶性フェノール化合物を4級ホスホニウム化合物との溶融混合物としてではなく単独で配合した比較例3は、保存安定性が大きく低下し、結晶性フェノール樹脂が融け残り均一なエポキシ樹脂組成物は得られなかった。"