"1枚以上の基板上に金属層を堆積させる方法であって、a少なくとも1枚の基板を中に配置したリアクタ内に金属含有前駆体のパルスを導入する工程と、前記リアクタは、前記金属含有前駆体の分解温度よりも低い温度にある、b前記少なくとも1枚の基板の表面を前記金属含有前駆体の少なくとも一部で飽和させる工程と、c前記リアクタの温度を前記金属含有前駆体の前記分解温度よりも高い温度まで上昇させることのみにより、前記少なくとも1枚の基板上に金属層を形成する工程とを含む方法。前記金属含有前駆体の金属は酸化状態が0である請求項1に記載の方法。前記金属含有前駆体は、タングステントリカルボニルベンゼン[WBzCO3]、モリブデントリカルボニルベンゼン[MoBzCO3]、ルテニウムトルエンシクロヘキサジエン、ルテニウムシクロヘキサジエントリカルボニル[RuChdCO3]、Ru3CO12、ルテニウムメチル-シクロヘキサジエントリカルボニル[RuMe-CHDCO3]、及びタンタルビスメシチレン、及びニオブビスメシチレンからなる群より選択される請求項1又は2に記載の方法。工程a~工程cを繰り返すことを更に含む請求項1又は2に記載の方法。d前記金属含有前駆体の前記分解温度よりも低い温度まで前記リアクタの温度を低下させることを更に含む請求項1又は2に記載の方法。背面ガス冷却によって又は高流量ガス冷却によって前記温度を低下させる請求項5に記載の方法。金属層ALD法であって、a少なくとも1枚の基板を収容したリアクタの温度を設定することと、b金属含有前駆体のパルスを前記リアクタ内に導入することと、c前記少なくとも1枚の基板の表面を前記金属含有前駆体の少なくともの一部で飽和させることと、d前記リアクタの温度を前記金属含有前駆体の分解温度よりも高い温度まで上昇させることのみにより、前記金属含有前駆体の前記少なくとも一部のうちの一部分を除去して、前記基板上に金属層を形成することとを含み、前記金属層における金属の濃度は、約70原子より高く、好ましくは約90原子より高い方法。前記金属含有前駆体の金属は酸化状態が0である請求項7に記載の方法。前記金属含有前駆体は、タングステントリカルボニルベンゼン[WBzCO3]、モリブデントリカルボニルベンゼン[MoBzCO3]、ルテニウムトルエンシクロヘキサジエン、ルテニウムシクロヘキサジエントリカルボニル[RuChdCO3]、Ru3CO12、ルテニウムメチル-シクロヘキサジエントリカルボニル[RuMe-CHDCO3]、及びタンタルビスメシチレン、及びニオブビスメシチレンからなる群より選択される請求項7又は8に記載の方法。工程a~工程dを繰り返すことを更に含む請求項7又は8に記載の方法。背面ガス冷却によって又は高流量ガス冷却によって、工程dから工程aまで前記温度を低下させる請求項11に記載の方法。[実施例]本発明の態様を更に例示するために、以下の非限定的な例が提供される。しかしながら、例はすべてを包括する意図はなく、また、ここに記載された本発明の範囲を制限する意図はない。予想例1式Ruchdbzを有する分子のALD堆積には、膜を生成するためにO2との反応が必要である。しかしながら、O2は配線形成工程BEOLの適用には望ましくない。本出願人らは、開示する方法において式Ruchdbzを有する分子を使用すると、O2を使用することなく膜を生成するであろうと考えている。予想例2式RuchdCO3を有する分子のALD堆積には、膜を生成するためにO2との反応が必要である。しかしながら、O2は配線形成工程BEOLの適用には望ましくない。本出願人らは、開示する方法において式RuchdCO3を有する分子を使用すると、O2を使用することなく膜を生成するであろうと考えている。予想例3Al分子のCVD堆積は周知である。開示する方法を使用して、Al含有化合物、例えばAlH3NMe2Et、AlH3メチルピロリジン、及びAlH2BH4:NMe3を用いるAl膜の堆積は、反応剤を使用することなく起こり得る。より詳細には、Al含有前駆体を、約50°Cの温度でリアクタ内に導入してもよい。過剰な前駆体を、N2をパージすることによりリアクタから除去してもよい。次に、リアクタの温度を150°Cに上げてもよい。本出願人らは、このプロセスが基板上にAl膜を生成することになると考えている。例4RuMe-chdCO3をバブラーに入れた。バブラーは圧力を50torr6,666Pa及び室温に維持して、50sccmの流量のN2キャリアによって、前駆体の送気を確実にした。60cm長の温壁チャンバであるリアクタを、~0.7Torr93Paの一定圧力に維持し、安定な圧力を維持してガス流量及びパージの促進を助けるよう一定流量のN2をもたせた。堆積に使用したリアクタの概要を図1に示す。TaN及びRuの基板をチャンバ/炉に配置した。RuMe-chdCO3導入の間、リアクタ温度を200°Cに固定した。表面飽和を確実とするために十分長い時間最大1分の前駆体導入を使用した、RuMe-chdCO3を導入した後、チャンバにN2を流してパージした。パージ時間中、リアクタ温度を500°Cまで上げた。500°Cで1分後、リアクタ温度を200°Cに下げた。このサイクルを繰り返して、決められた厚さの膜を成長させた。Rume-chdCO3の導入時間を変える同一実験を、様々な基板TaN及びRu上で実施した。サイクル数も変えた。膜厚は偏光解析法によって測定した。60sの前駆体導入によって、~0.3A/サイクルもの高い成長速度をTaN上で達成した。~0.6A/サイクルをRu上で達成した。前駆体導入がたったの30sでは、わずかに低い成長速度が見られ、表面飽和が不完全であることを示している。前駆体の流量を増加させ、かつより迅速な表面飽和を達成するようにリアクタ設計を良くすることによって、導入時間を短縮することができることを理解されたい。本発明の態様を図示し且つ説明してきたが、本発明の精神及び教示から外れることなしに、当業者はその変更を行うことができる。ここで説明した態様は単に説明的なものであって、限定的ではない。組成物及び方法の多くの変形及び変更が可能であり、それらは本発明の範囲内にある。従って、保護範囲は、ここで説明した態様に限られるものではなく、以下の請求項によってのみ限定され、該請求項の範囲は、請求項の主題の全ての等価物を含むものとする。"