ベアリングによる回転機構を介して複数の基板ホルダーを回転自在に保持するサセプタを内蔵する気相成長装置の構成部品の洗浄装置であって、サセプタ及び基板ホルダーの収納部、サセプタを回転させる手段及び/または基板ホルダーを回転させる手段、ヒータ、洗浄ガス導入部、及び洗浄ガス排出部を備えてなることを特徴とする気相成長装置の構成部品の洗浄装置。サセプタを回転させる手段が、サセプタ回転板、サセプタ回転軸、及び回転駆動手段からなる請求項1に記載の洗浄装置。基板ホルダーを回転させる手段が、中央部に設置された基板ホルダー回転板、基板ホルダー回転軸、回転駆動手段からなる請求項1に記載の洗浄装置。さらに、サセプタの収納位置とヒータの間に光透過性セラミックス板を備えてなる請求項1に記載の洗浄装置。洗浄対象の気相成長装置が、サセプタを回転させるとこれに連動して基板ホルダーが回転する回転機構を有する気相成長装置である請求項1に記載の洗浄装置。洗浄対象の気相成長装置が、気相成長面を下向きにした気相成長装置である請求項1に記載の洗浄装置。請求項1に記載の洗浄装置に、気相成長に使用した後の、基板ホルダーを保持したサセプタを収納し、サセプタ及び/または基板ホルダーを回転させるとともに、洗浄ガスを導入して、気相成長の際に付着した反応物を除去することを特徴とする気相成長装置の構成部品の洗浄方法。しかしながら、特許文献1のように、ベアリングを介して複数の基板ホルダーを回転自在に保持するサセプタ、あるいはベアリングを介してサセプタを回転自在に保持するベースプレートを内蔵する構成の気相成長装置の場合は、このような従来の洗浄方法では、多数のベアリングがあるため、サセプタからの基板ホルダーの取外し、サセプタへの基板ホルダーの取付け等に手間がかかるという不都合があった。従って、本発明が解決しようとする課題は、前記のような気相成長装置において、気相成長後の基板ホルダー、サセプタ等の気相成長装置構成部品に付着する付着物あるいは堆積物以下、反応物というを効率よく除去する洗浄装置及び洗浄方法を提供することである。本発明者らは、これらの課題を解決すべく鋭意検討した結果、前述のような気相成長装置の構成部品の洗浄装置において、サセプタを回転させる手段、基板ホルダーを回転させる手段を設け、これらを回転させるとともに、洗浄ガスを導入することにより、ベースプレートからサセプタを取外すことなく、またサセプタから基板ホルダーを取外すことなく、サセプタ、基板ホルダー、さらにベアリング等に付着した反応物を効率よく容易に除去できることを見出し、本発明の気相成長装置の構成部品の洗浄装置及び洗浄方法に到達した。すなわち本発明は、ベアリングによる回転機構を介して複数の基板ホルダーを回転自在に保持するサセプタを内蔵する気相成長装置の構成部品の洗浄装置であって、サセプタ及び基板ホルダーの収納部、サセプタを回転させる手段及び/または基板ホルダーを回転させる手段、ヒータ、洗浄ガス導入部、及び洗浄ガス排出部を備えてなることを特徴とする気相成長装置の構成部品の洗浄装置である。また、本発明は、前記の洗浄装置に、気相成長に使用した後の、基板ホルダーを保持したサセプタを収納し、サセプタ及び/または基板ホルダーを回転させるとともに、洗浄ガスを導入して、気相成長の際に付着した反応物を除去することを特徴とする気相成長装置の構成部品の洗浄方法でもある。本発明においては、サセプタ、基板ホルダー、及びベアリング等の構成部品の分解、取外し、及びこれらの構成部品の洗浄後の組立てが不要なので、洗浄の際に手間及び時間がかからない。また、これらの作業は、通常は人の手によって行なわれるが、本発明においては、このような分解作業、取外し作業、及び組立て作業を省略できるので、洗浄工程を自動制御により行なうことが可能であり、さらに構成部品を空気と接触させることなく洗浄できるので、効率よく反応物の除去ができる。本発明は、ベアリングを介して複数の基板ホルダーを回転自在に保持するサセプタを有する気相成長装置の構成部品の洗浄装置及び洗浄方法に適用される。本発明における気相成長装置としては、例えば、ガリウム、インジウム、アルミニウムから選ばれる1種または2種以上の金属と、窒素との化合物からなる窒化物半導体の結晶成長を行なうための気相成長装置を挙げることができる。本発明は特に、サセプタを回転させるとこれに連動して基板ホルダーが回転する回転機構を有する気相成長装置、反応物がサセプタの対面表面に堆積しにくくサセプタの表面に堆積しやすい気相成長面を下向きにした気相成長装置の構成部品の洗浄に好適に適用される。以下、本発明の洗浄装置及び洗浄方法について、図1~図6に基づいて詳細に説明するが、本発明がこれらにより限定されるものではない。尚、図1は本発明の洗浄装置サセプタ収納前の一例を示す垂直面の構成図、図2は本発明の洗浄装置サセプタ収納後の一例を示す垂直面の構成図、図3、図4は本発明の図1以外の洗浄装置サセプタ収納前の一例を示す垂直面の構成図、図5は本発明におけるサセプタとサセプタ回転板の形態の一例を示す水平面の構成図、図6は本発明における基板ホルダーと基板ホルダー回転板の形態の一例を示す水平面の構成図である。本発明の気相成長装置の構成部品の洗浄装置は、洗浄対象のサセプタを収納する前は図1、洗浄対象のサセプタを収納した後は図2に示すような構成の装置である。すなわち、ベアリングによる回転機構を介して複数の基板ホルダーを回転自在に保持する図5に示すようなサセプタを内蔵する気相成長装置の構成部品の洗浄装置であって、図1に示すように、サセプタ及び基板ホルダーの収納部1、サセプタを回転させる手段サセプタ回転板5、サセプタ回転軸6、回転モータ等の回転駆動手段及び/または基板ホルダーを回転させる手段基板ホルダー回転板7、基板ホルダー回転軸8、回転モータ等の回転駆動手段、ヒータ2、洗浄ガス導入部3、及び洗浄ガス排出部4を備えてなる洗浄装置である。次に、本発明の洗浄装置におけるサセプタを回転させる手段について説明する。通常の気相成長装置において、ベアリングによる回転機構を介して複数の基板ホルダーを回転自在に保持するサセプタは、例えば特許文献1に記載されているように、サセプタの下に装置に固定されてベースプレートが設置され、ベアリングを介してサセプタを回転自在に保持する構成となっている。さらに、外部からの回転駆動手段によりサセプタより外周側の駆動ギアが回転し、互いの歯車を介してサセプタが回転する構成となっている。また、その他の気相成長装置の例としては、例えば特許文献4に記載されているように、中央部にサセプタを回転させるための回転駆動軸を備えた気相成長装置もある。本発明においては、特許文献1に記載されているような気相成長装置のサセプタ等を洗浄する場合、図1、図3に示すように、ベースプレートを保持するベースプレート保持板9通常はリング状が備えられた洗浄装置を用いることができる。その際、図2に示すように、ベースプレート10からサセプタ11を取外すことなく、またベアリングを含む構成部品を分解することなく、これらがベースプレート保持板9の上に設置される。また、外周に歯車を有するサセプタ11は、図5に示すように、外周に前記の歯車と噛み合う歯車を有するサセプタ回転板5と噛み合わされる。サセプタ11は、洗浄の際に、回転モータ等の回転駆動手段図示しないからの回転力が、サセプタ回転軸6、サセプタ回転板5を介して伝達されることにより回転する。尚、基板ホルダーのみが回転し、サセプタの下部にベアリング機構がない構成の場合は、サセプタを直接ベースプレート保持板9に設置してもよい。次に、本発明の洗浄装置における基板ホルダーを回転させる手段について説明する。ベアリングによる回転機構を介して複数の基板ホルダーを回転自在に保持するサセプタとしては、例えば特許文献5に記載されているように、複数の基板ホルダーの下にサセプタが配置され、ベアリングを介して基板ホルダーを回転自在に保持する構成となっているものがある。本発明においては、このような気相成長装置の基板ホルダー等を洗浄する場合、図2に示すように、サセプタ11から基板ホルダー12を取外すことなく、またベアリングを含む構成部品を分解することなく、基板ホルダーを回転自在に保持するサセプタがベースプレート保持板9の上に設置される。その際、外周に歯車を有する基板ホルダー12は、図5に示すように、外周に前記の歯車と噛み合う歯車を有する基板ホルダー回転板7と噛み合わされる。基板ホルダー12は、洗浄の際に、回転モータ等の回転駆動手段図示しないからの回転力が、基板ホルダー回転軸8、基板ホルダー回転板7を介して伝達されることにより回転する。尚、特許文献1に記載されているような気相成長装置は、サセプタを回転させるとこれに連動して基板ホルダーが回転する回転機構を有する気相成長装置である。従って、このような気相成長装置のサセプタを洗浄する際は、基板ホルダー回転板7及び基板ホルダー回転軸8、及びこれらを回転させるための回転駆動手段は不要である。但し、基板ホルダー基板トレイの自転を発生させるための固定ギアまたはこのような効果を発揮できる部材が必要である。また、特許文献4に記載されているような気相成長装置は、中央部にサセプタ回転板及びサセプタ回転軸を有する気相成長装置である。このような気相成長装置のサセプタを洗浄する際は、図1の本発明の洗浄装置の基板ホルダー回転板7及び基板ホルダー回転軸8を、図3に示すように、サセプタ回転板5及びサセプタ回転軸6として用いることができる。この場合は、図1におけるサセプタ回転板5、サセプタ回転軸6、及びこれらを回転させるための回転駆動手段は不要である。本発明の洗浄装置は、図4に示すように、さらにサセプタ基板ホルダーの収納位置とヒータの間に光透過性セラミックス板13を備えることができる。光透過性セラミックス板13の材質としては、石英、サファイア等を挙げることができる。光透過性セラミックス板を設置する目的は、高温の洗浄ガスからヒータを保護するためである。また、ヒータと光透過性セラミックス板の間の空間に、窒素等の不活性ガスを導入して、ヒータの保護を強化することもできる。尚、図1、図3においては、洗浄ガス導入部3は洗浄装置の中央部、及び洗浄ガス排出部4は洗浄装置の周辺部に設けられているが、これらの位置に限定されることはない。本発明の気相成長装置の構成部品の洗浄方法は、以上のような洗浄装置に、気相成長に使用した後の、基板ホルダーを保持したサセプタを収納し、サセプタ及び/または基板ホルダーを回転させるとともに、洗浄ガスを導入して、気相成長の際に付着した反応物を除去する洗浄方法である。本発明の洗浄方法に用いられる洗浄ガスの種類としては、特に制限されることはないが、例えば、塩素、塩化水素を0.1~5vol含む水素ガス、塩素、塩化水素を0.1~5vol含む不活性ガス等を挙げることができる。洗浄の際のサセプタ、基板ホルダーの温度は、窒化物半導体の結晶成長を行なった場合は、通常は900~1200°Cである。次に、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明がこれらにより限定されるものではない。[実施例1]気相成長ベアリングによる回転機構を介して5個の基板ホルダーを回転自在に保持する円板状のサセプタSiCコートカーボン製、直径600mm、厚さ20mmを内蔵する特許文献5に記載の型の気相成長装置を用い、3インチサイズのサファイアよりなる基板5枚の表面に窒化ガリウムGaNの成長を行なった。最初に水素を流しながら基板の温度を1050°Cまで上昇させ、基板のクリーニングを行なった後、基板の温度を510°Cまで下げて、原料ガスとしてトリメチルガリウムTMGとアンモニア、キャリヤガスとして水素を用いて、サファイア基板上にGaNから成るバッファー層を約20nmの膜厚で成長させた。バッファー層成長後に、TMGのみ供給を停止し、温度を1050°Cまで上昇させた。その後、原料ガスとしてトリメチルガリウムTMGとアンモニア、キャリヤガスとして水素等窒素を含むを反応炉に流して、窒化ガリウムを3時間成長させた。尚、バッファー層を含めた全ての成長は、基板を10rpm、サセプタを1rpmの回転速度で行なった。以上のように窒化物半導体を成長させた後、温度を下げ、基板ホルダーを保持したサセプタを反応容器から取出し、5枚の基板を取外した。洗浄装置の製作円板状のサセプタSiCコートカーボン製、直径600mm、厚さ20mm及び3インチサイズの基板を載置できる5個の基板ホルダーが収納可能な図1に示すような洗浄装置を製作した。尚、サセプタ回転板5の直径は80mm、基板ホルダー回転板7の直径は200mmであった。また、ベースプレート保持板9は内径が500mm、外径が700mmのリング状であった。これらの部材はいずれもカーボン製である。サセプタ回転板5は、回転モータのからの回転力がサセプタ回転軸6を介して伝達されることにより回転し、基板ホルダー回転板7は、前記とは別の回転モータのからの回転力が基板ホルダー回転軸8を介して伝達されることにより回転する構成となっている。サセプタ及び基板ホルダーの洗浄次に、前述の気相成長後の基板ホルダーを保持したサセプタを、洗浄装置の所定の場所に収納し、サセプタの表面を1050°Cの温度に加熱するとともに、洗浄ガス導入部から塩化水素を1vol含む水素ガスを、100L/minの流量で供給して、サセプタ及び基板ホルダーの洗浄を7時間行なった。この間、基板を10rpm、サセプタを1rpmの回転速度で回転させた。以上のようにサセプタ及び基板ホルダーの洗浄を行なった後、温度を下げ、これらを洗浄装置から取出した。サセプタの表面には反応物が確認できなかった。また、サセプタ及び基板ホルダーを分解して調査した結果、これらの内部及びベアリングにも反応物が確認できなかった。[実施例2]実施例1と同様にして気相成長を行なった。次に、実施例1のサセプタ及び基板ホルダーの洗浄において、基板ホルダーの回転速度を5rpm、サセプタの回転速度を0.5rpmとしたほかは、実施例1と同様にしてサセプタ及び基板ホルダーの洗浄を行なった。その後、温度を下げ、これらを洗浄装置から取出した。サセプタの表面には反応物が確認できなかった。また、サセプタ及び基板ホルダーを分解して調査した結果、これらの内部及びベアリングにも反応物が確認できなかった。[実施例3]実施例1と同様にして気相成長を行なった。次に、実施例1のサセプタ及び基板ホルダーの洗浄において、サセプタ及び基板ホルダーの洗浄を4時間としたほかは、実施例1と同様にしてサセプタ及び基板ホルダーの洗浄を行なった。その後、温度を下げ、これらを洗浄装置から取出した。サセプタの表面には反応物が確認できなかった。また、サセプタ及び基板ホルダーを分解して調査した結果、これらの内部及びベアリングに若干の反応物が確認された。[比較例1]実施例1と同様にして気相成長を行なった。次に、サセプタを回転させる手段及び基板ホルダーを回転させる手段を有しない洗浄装置を用いたことを想定して、実施例1のサセプタ及び基板ホルダーの洗浄において、基板ホルダー及びサセプタを回転させなかったほかは、実施例1と同様にしてサセプタ及び基板ホルダーの洗浄を行なった。サセプタの表面には反応物が確認できなかった。また、サセプタ及び基板ホルダーを分解して調査した結果、これらの内部及びベアリングに多量の反応物が確認された。以上の通り、本発明の洗浄装置及び洗浄方法においては、サセプタ、基板ホルダー、及びベアリング等の構成部品の分解、取外しをすることなく、これらを効率よく洗浄できることが確認された。