"複数のサイクルを含むシーケンシャル気相成長法による、基板上へのAl2O3薄膜の成長方法において、それぞれのサイクルは、ガス状のトリメチルアルミニウムTMAにパーツを接触させること、前記ガス状のTMAの供給を停止すること、チャンバから前記ガス状のTMAを除去すること、及び原子状酸素に前記パーツを接触させることを含むことを特徴とするAl2O3薄膜の成長方法。それぞれのサイクルは、前記チャンバから、前記原子状酸素を除去することをさらに含み、それぞれのサイクルで、1原子層以上のAl2O3層を形成することを特徴とする請求項1に記載のAl2O3薄膜の成長方法。それぞれのサイクルにおいて、厚さ3ÅのAl2O3層を形成することを特徴とする請求項2に記載のAl2O3薄膜の成長方法。ラジカル発生装置内で、遠隔的に酸素ラジカルを発生させることを特徴とする請求項2に記載のAl2O3薄膜の成長方法。室温で処理を行うことを特徴とする請求項2に記載のAl2O3薄膜の成長方法。ラジカル発生装置内で、遠隔的にラジカルを発生させることを特徴とする請求項1に記載のAl2O3薄膜の成長方法。室温で処理を行うことを特徴とする請求項1に記載のAl2O3薄膜の成長方法。複数のサイクルを含むシーケンシャル化学気相成長法による薄膜成長方法において、少なくともひとつのサイクルが、パーツをチャンバ内にセットし、前記パーツを、形成される薄膜を構成する元素を含むガス状の第一の反応体に接触させ、少なくとも前記第一の反応体の一部を、1層の単分子層を形成する前記パーツに吸着させ、前記チャンバから前記ガス状の第一の反応体をパージし、前記パーツに吸着された前記第一の反応体の一部を、プラズマ放電により生成されたラジカルを含むガス状の第二の反応体に、前記パーツを接触させることにより、元素と化合物のうちのどちらかに転換して、それにより薄膜を形成することを含み、前記転換することが、前記パーツに吸着された前記第一の反応体の一部を酸素ラジカルに接触させることにより、最初の金属酸化物に転換する第一の転換と、前記最初の金属酸化物を金属に還元する第二の還元とを含むことを特徴とする薄膜成長方法。前記還元することが、前記金属酸化物を水素ラジカルに接触させることを含むことを特徴とする請求項8に記載の薄膜成長方法。前記金属が銅を含むことを特徴とする請求項8に記載の薄膜成長方法。吸着された前記第一の反応体の一部が、金属酸化物の介在なしに直接金属に還元される別のサイクルを、さらに含むことを特徴とする請求項8に記載の薄膜成長方法。前記パーツが金属表面と非金属表面とを含んでおり、そのことにより、前記最初の金属酸化物が前記パーツ上へ選択的に形成されることがないことを特徴とする請求項11に記載の薄膜成長方法。請求項1に記載のサイクルと同等の別のサイクルを、さらに含み、前記別のサイクルは、パーツをチャンバ内にセットし、前記パーツを、形成される薄膜を構成する元素を含むガス状の第一の反応体に接触させ、少なくとも前記第一の反応体の一部を、1層の単分子層を形成する前記パーツに吸着させ、前記チャンバから前記ガス状の第一の反応体をパージし、前記パーツに吸着された前記第一の反応体の一部を、原料ガス流中のプラズマ放電により生成されたラジカルを含むガス状の第二の反応体に、前記パーツを接触させることにより、元素と化合物のうちのどちらかに転換して、それにより薄膜を形成し、原料ガスを流し続けている間に前記プラズマ放電を遮断することにより、前記チャンバから前記ガス状の第二の反応体をパージすることを特徴とする請求項8に記載の薄膜成長方法。シーケンシャル化学気相成長法による薄膜成長方法において、パーツをチャンバ内にセットし、a前記パーツを、形成される第一の薄膜を構成する元素を含むガス状の第一の反応体に接触させ、少なくとも前記第一の反応体の一部を、1層の単分子層を形成する前記パーツに吸着させ、前記チャンバから前記ガス状の第一の反応体をパージし、前記パーツに吸着された前記第一の反応体の一部を、プラズマ放電により生成したラジカルを含むガス状の第二の反応体に前記パーツを接触させることにより、元素と化合物のうちのどちらかに転換し、前記チャンバから前記ガス状の第二の反応体をパージし、前記パーツを、前記ガス状の第一の反応体に接触させることと、前記パーツを前記ガス状の第二の反応体に接触させることとを交互に2回以上繰り返し、第一の物質のいくつかの単分子層からなる第一の薄膜を成長させることにより、前記第一の薄膜を形成し、b前記パーツを、形成される第二の薄膜を構成する元素を含むガス状の第三の反応体に接触させ、少なくとも前記第三の反応体の一部を、多くても1層の単分子層を形成する自己限定的なプロセスにより前記パーツに吸着させ、前記チャンバから前記ガス状の第三の反応体をパージし、前記パーツに吸着された前記第三の反応体の一部を、プラズマ放電により生成したラジカルを含むガス状の第四の反応体に前記パーツを接触させることにより、元素と化合物のうちのいずれかに転換し、前記チャンバから前記ガス状の第四の反応体をパージし、前記パーツを、前記ガス状の第三の反応体に接触させることと、前記パーツを前記ガス状の第四の反応体に接触させることとを交互に2回以上繰り返し、第二の物質のいくつかの単分子層からなる前記第二の薄膜を形成し、c前記第一の薄膜の形成と前記第二の薄膜の形成を交互に繰り返して直接相互の上に形成し、各物質が2層以上の単分子層の厚さである2つの異なる物質の薄層が、交互に重なった構造の複合膜を形成することを順番に含むことを特徴とする薄膜成長方法。前記第一の薄膜がAl2O3を含み、前記第二の薄膜がSi3N4を含むことを特徴とする請求項14に記載の薄膜成長方法。前記第一の薄膜と前記第二の薄膜の各々が、厚さ約10Å1nmであることを特徴とする請求項14に記載の薄膜成長方法。本発明は、高い反応性をもつガスラジカルを利用できるようにラジカル発生装置を用いて、いかなる元素の薄膜の成長をも容易に行うことができる方法を提供することを目的としている。本発明に係る一形態により、複数のサイクルを含むシーケンシャル化学気相成長法によって薄膜を成長させるための方法が提供されている。少なくともひとつのサイクルは、チャンバ内にパーツをセットし、前記パーツを、形成される薄膜を構成する元素を含むガス状の第一の反応体に接触させるプロセスを含んでいる。それにより吸着された少なくとも一部の前記第一の反応体は、前記パーツの上に層を形成する。前記チャンバから、前記ガス状の第一の反応体がパージされる。前記パーツ上に吸着された前記第一の反応体の一部は、次に前記パーツをガス状の第二の反応体に接触させることにより、元素と化合物のうちのいずれかに転換される。この第二の反応体は、プラズマ放電により生成されたラジカルを含んでいる。薄膜はこの転換により形成される。その後、前記チャンバから、前記ガス状の第二の反応体がパージされる。前記膜は一度に1層の単分子層として堆積させられるので、前記パーツ上にできる前記膜は、下地の形状と同形で均一の厚さを持つ傾向がある。本発明では、多くのパーツを同時に被覆できる安価な反応器を使用することができる。3元素の膜を形成するためには、プロセスサイクルの中に、さらに第三の反応体を導入するプロセスを加える。化合物膜がいくつの元素を含んでいても、それらの元素を含むガス状前駆体を使って該元素の単分子層を成長させることにより、安定した化合物膜が形成できる。このような前駆体は、例えばハロゲン化物や有機金属化合物であってもよい。図1は、電気的に非導電性の膜を電気的に非導電性のパーツ上に堆積させるのに適した、非導電性の絶縁性セラミックで作られた反応容器2例えば、石英シリンダーの断面図である。前記反応容器2は、一端がフランジ8によって閉塞され、それを介してガスが導入される一方、他端が空気作用により操作されるソレノイドゲートバルブ36を介して真空ポンプ38に接続されているフランジ4によって閉塞されているチャンバを形作っている。各フランジには、真空操作ができるようにOリングシール6がついている。パーツ12は、前記反応容器2内の電気的に非導電性のパーツ保持台10の上に載置される。真空計26が操作中のチャンバの圧力をモニターする。第一の反応体28が、ボトル30に詰められた液体又は固体を温度調節装置32により蒸発させられて、チャンバへの輸送に適した蒸気圧とされることによって、ガスとしてチャンバに導入される。多くの場合、前記温度調節装置32は、前記ボトル30内の前記第一の反応体に熱を供給する。しかしながら、前記調節装置が、前記ボトル30内の前記第一の反応体28を冷却する場合もある。前記第一の反応体28は、以下に示す実施例1ないし7に挙げられている第一の反応体のような、前記パーツ12上に形成される単分子層を構成する元素を含む化合物である。前記第一の反応体28は、ソレノイド空気バルブ20を介して、多岐管18により前記反応容器2に導入される。図1は、それぞれ第一の反応体28と29がそれぞれ入った2つのボトル30と31を備えた装置を示している。ただし、反応体とボトルの数は、形成される膜のタイプによって決定される。例えば、もし3元系の膜が望ましい場合には、装置は3つのボトルと3つのバルブを含むことになる。従来のデジタルマイクロコントローラー40は、バルブ20と22の開閉を順次に行い、図2に示されているように、前記第一の反応体を適当な時にチャンバに送り込む。図1に示した装置において、代表的な操作の間、前記第一の反応体の単分子層が、ボトル30から送られてきた気相の前記第一の反応体28が被覆される前記パーツに接触することにより、前記パーツ12上に堆積する。この単分子層は、RF電源16により励起されたソレノイドコイル14の作用により生成するラジカルの流束と接触することにより、ガスボトル34から導入された分子と反応する。前記RF電源16は、前記マイクロコントローラー回路40によって制御できる。図2は、図1に示された反応容器を使って薄膜を形成するプロセスサイクルを示している。最初に、前記真空ポンプ38が、前記反応容器2のチャンバを排気する。その後、排気ゲートバルブ36が閉じられ、バルブ20が短時間開いて、被覆する前記パーツ12上に分子の単層を形成するのに十分な量の前記第一の反応体28を、前記反応容器2に送る。単分子層が形成された後、前記反応容器2は前記真空ポンプ38により再び排気され、余分な第一の反応体が取り除かれる。次に、ソレノイドコイル14が、前記RF電源16によって励起されてラジカルを生成する間、ボトル34から第二の反応体が短時間、前記反応容器2に送られる。このプロセスは、前記ラジカルと前記第一の反応体の単分子層とが完全に反応するのに十分な時間行われる。最後に、前記反応容器2は前記真空ポンプ38によって再び排気され、最初のサイクルは終了する。このプロセスサイクルをその後繰り返し行い、所望の膜厚を形成することが可能である。堆積する膜が電気的に導電性の場合には、反応容器2は導電膜で覆われ、その結果として、導電膜は、前記ソレノイドコイル14によって供給された励起電界を遮蔽してしまう。不必要な反応容器洗浄を避けるため、別の実施の形態において、本発明は図3に示したような反応容器3を提供している。前記排気フランジ4は、前記反応容器3の内部に面している。第二の反応体42の流れが、前記反応容器3の壁に取り付けられたラジカル発生装置44の中で発生する。前記のとおり、前記第一の反応体28が前記ボトル30から供給され、前記バルブ20と前記多岐管18を介して前記反応容器3に導入される。この実施の形態において、前記パーツ保持台10は金属とセラミックのどちらでもよい。また、前記マイクロコントローラー40が、全てのバルブと前記ラジカル発生装置44を制御する。図3に示す前記反応容器3と共に使用するのに適する前記ラジカル発生装置44は、多くの周知のアレンジが可能である。ひとつのアレンジは、図1で示した石英管2とRFコイル14の縮小版を使用することである。このアレンジでは、小さい孔のあいた端板を付けて、そのようなノズルを介して、ラジカルが前記反応容器3に高速で流れ込むことができるようにすることが唯一の変更箇所である。ノズルとして機能する孔のある端板の好適な例が、ここに参考のためそのまま取り入れているA.Shermanによる論文、InsituRemovalofNativeOxidefromSiliconWafersシリコンウェーハからの自然酸化物の現場除去,J.Vac.Sci.Technol.Vol.B84,656Jul/Aug1990にあるように、ステンレス鋼陽極として図1に示されている。この論文はまた、中空陰極直流放電チャンバを使用することによる水素ラジカルの生成についても述べている。最近のV.M.Bermudezによる論文、Simple,EfficientTechniqueforExposingSurfacestoHydrogenAtoms表面を水素原子に接触させるための簡単で効率的な技法,J.Vac.Sci.Technol.Vol.A14,26711996の中で、水素ラジカル生成に関して他に替わるものが検討されている。同様の技法を、ここに述べられている元素膜を形成するのに必要とされる、どのようなラジカルを生成するのにも使うことができる。ラジカルの分布の均一性に関する考慮によって、使用されるラジカル発生装置44のタイプが制限されるべきではない。第一の反応体を反応させるのに十分なラジカルが生成されさえすれば、いくら過剰なラジカルを生成しても、過剰なラジカルは膜形成において何の役割も果たさない。より重要な考慮すべき点は、汚染物質の導入を避けること、ラジカル発生装置の価格及びその操作の簡易さに関することである。また、どんなものでもパーツ表面に吸着された第一の反応体と、該パーツに対するラジカルの流束との間の反応は、急速で、かつ表面温度と無関係であるべきである。それゆえに、これらの薄膜堆積を、典型的には300‐600度で行われる従来のシーケンシャル化学気相成長法における温度より低温で行えることが可能である必要がある。従来のシーケンシャル化学気相成長法の商業的な利用が困難な点のひとつは、膜がゆっくりと堆積することである。極薄膜例えば、100Å10nmに関しては、これはたいして重要ではない。しかしながら、より厚い膜が必要とされる場合例えば、1μmまたは10,000Å、いくつかの応用について、商業的な利用が可能かどうか疑問である。本方法では、離れた場所で生成され、非常に反応性に富むラジカル例えば、酸素原子、水素原子、窒素原子等を使用するので、室温でこの方法を行うことができる。このことが、使用される反応器からのより大きなスループットを可能にするこの方法における2つの特徴をもたらしている。第一の反応体が室温で基板に接触した場合、反応器が真空ポンプで排気された後に、1層以上の単分子層があとに残るようにすることが可能である。実際、基板温度が十分低い場合、明らかに本方法に従う方法ではない場合には、前駆体が基板表面上に凝縮して液状膜になるのがわかるはずである。次に、その表面上に複数の単分子層が残っている前記基板が、第二の反応体ラジカルに接触すると、生成膜のひとつ以上の単分子層が各サイクルで成長する。我々の実験的データによると、室温でTMAと酸素原子から、各サイクルにつき3Å0.3nmのAl2O3が成長することが立証されている。熱例えば、高温シーケンシャルCVD法により形成されるAl2O3については、他の研究全てが各サイクルにつき1Å0.1nmより少ない堆積率を示している。第二に、もし我々の方法において、各前駆体の接触後に反応器チャンバを完全に排気する必要がなければ、各サイクルに要する時間を短縮することができる。米国特許No.4,389,973にSuntolaによって開示されているフロータイプの反応器において、彼は、基板と各反応体との接触が終わる毎に、不活性ガスを用いてパージした。代表的には窒素ガスがパージガスとして使用された。我々の場合、第二の反応体は、それ以外の不活性ガス中でグロー放電を当てることにより作られる例えば、O2→O。したがって、第一の反応体をパージするのに別の不活性ガスを使う必要がない。放電を止めて第二のガスを簡単に使用することができる。また、第二の反応体をパージする必要はない。なぜなら、それはグロー放電を消した時に、消失するからである。別のパージガスの使用を排除することで、堆積サイクルを短縮簡素化できる。これによりサイクル時間の短縮が可能となる。しかしながら、シーケンシャルCVD反応器において、パージガスを用いて2つの反応体を分離することが、その装置を操作する最も望ましいやり方ではない例もあることを認識する必要がある。高アスペクト比の孔や溝のある形状の基板が被覆されつつある場合、一般に、前記の真空ポンプで吸い出す方法を使う方がより効果的である。この場合がそうである。その理由は、孔が不活性ガスで満たされている時に、所定の反応体が不活性ガスを通り孔の底まで拡散するのはより難しいからである。高アスペクト比の孔が被覆される必要のない場合の応用に関しては例えば、広い面積のフラットパネルディスプレイ、不活性ガスによるパージが適している。その場合、パージ用不活性ガスグロー放電をオフにしてとして、その中でグロー放電が行われるガスを使用するとスループットが向上する。最後に、絶縁材料例えば、Al2O3,TiO2,Si3N4の極薄膜がシーケンシャルCVD法で堆積される場合、その表面は、一層ずつ堆積する方法であっても、かなりの程度の凹凸が生じる可能性がある。明らかに、この現象は、あまり解明されていない、膜が成長している時の凝集過程に起因する。この表面の凹凸を避けるために使うことのできるひとつの手法は、2つの類似した物質が交互に現れる多くの薄層を成長させる方法である。例えば、100Å10nmの膜を必要とする場合、Al2O3の10Å1nmの層とSi3N4の10Å1nmの層とを交互に成長させ、それを5回繰り返せばよい。これにより約7-8の誘電率を持つ絶縁層が生成し、それは良好な拡散バリヤであり、良好な絶縁破壊強度を持ち、かつ非常に平らでもある。前記の新しい方法を使うことにより、以前に可能であった温度より低い温度で、そのように平らな多層膜を堆積させることができる。実施例1二酸化ケイ素の薄膜の堆積は、水素原子の流束により、元素のケイ素に還元されるジクロロシランのようなケイ素前駆体を用いて行うことができる。S.M.Bedair,AtomicLayerEpitaxyDepositionProcess原子層成長プロセス,J.Vac.Sci.Technol.B121,1791994。他の前駆体例えば、シラン、テトラメチルシランと原子水素から、元素ケイ素を堆積させることも可能である。その結果生じるケイ素は、その後、酸素に接触させることにより二酸化ケイ素に転換することができる。このように、二酸化ケイ素の膜は、単分子層ずつ成長させることができる。この膜を成長させる別の方法として、予め酸素を含んでいるケイ素前駆体を使う方法がある。例えば、テトラエトキシシランを使い、酸素原子を用いてそれを還元することができる。実施例2ひとつの実施の形態において、本発明はパーツを元素金属膜で被覆する方法を提供している。簡潔にするため、チタン金属膜に議論を限定する。この実施例において、第一の反応体として、単分子層が前記パーツの表面に吸着されるように、低圧で反応器に導入できる四塩化チタンを使用できる。次に、反応器チャンバ内の過剰な四塩化チタンをすべてポンプで吸い出す。純粋なチタン膜を形成するために、その後表面を、原子状の低圧の水素に接触させる。前記水素原子は、四塩化チタン単分子層中の塩化物と反応してHClを形成する。前記HCl蒸気はその後真空ポンプによって排気され、チタンの単分子層があとに残る。チタン金属膜の厚みは、実施されるプロセスサイクルの回数によって簡単に決まる。この方法によると、室温で固体であるどのような元素の膜でも成長させることが可能である。チタンプラス窒化チタンの化合物薄膜の堆積は、四塩化チタンと水素原子から純粋なチタンを生成させ、引き続き窒素原子に接触させて窒化物を形成する方法によって行われる。それとは別に、四塩化チタンをNHラジカルに接触させて、窒化チタン膜を直接作ることもできる。また、もしチタンと窒素原子の両方を含む前駆体、例えばテトラキスジエチルアミノチタンかテトラキスジメチルアミノチタンを使用すると、これらの種のいずれかの単分子層を水素原子又はHNラジカルを使って還元し、窒化チタンを形成できる。実施例3本発明は、シーケンシャルに酸化物を成長させてから窒化物を成長させることにより、酸窒化物のような3つ以上の元素を持つ膜を成長させる方法を提供する。実際、高度な集積回路用の良好な拡散バリヤ膜であるタンタル/ケイ素/窒素のような3元系の化合物を成長させるのに困難なことはない。さまざまな2元系、3元系のケイ化物は、ひとつまたはそれ以上の、金属または半導体元素を堆積させ、窒素原子でその層を窒化することにより形成できる。例えば、純粋なケイ素の単分子層を堆積させ、それから純粋なチタンの単分子層を堆積させることができる。もしその結果として、得られたケイ化チタンの単分子層がその後窒素原子の流束で窒化されると、チタン/ケイ素/窒素の3元系の化合物が得られる。また、前記化合物膜のストイキオメトリーは、いずれの元素に関しても、サイクルの回数を変えることで簡単に変えることができる。例えば、二ケイ化チタンTiSi2は、各チタンサイクルに対して2回のケイ素サイクルを行うことにより形成することができる。実施例4銅とケイ素でドープされたアルミニウム膜は、トリイソブチルアルミニウム、アセチルアセトンII銅[Cuacac2]及びテトラメチルシランの各々が、順に水素原子により還元されることにより形成できる。銅及び/又はケイ素のドーパントの割合は、各元素の膜が何層堆積されるかを制御することにより調節できる。例えば、銅2のドーピングレベルは、アルミニウム50層ごとに1層の銅を堆積することにより達成される。実施例5非常に多孔であるパーツを下地の形状と同形に被覆するために、シーケンシャルCVD法が持っている性能を十分に活用すると、いくつかの重要な複合材料を製造することができる。例えば、メタンと水素原子から炭素層を成長させることができる。この層は、その後、実施例1に示されているように、ケイ素層を成長させることにより炭化ケイ素に転換できる。この炭化ケイ素コーティングは、固体状の炭化ケイ素体が炭素繊維で強化されるまで、炭素繊維プレフォームを被覆するのに使用できる。前記炭素繊維はパーツに優れた強度を与え、前記炭化ケイ素が、それを空気中、高温で使用できるようにする。アルミナホイスカーを使ったセラミック複合物は、このような繊維から作られたプレフォーム上に、酸化アルミニウムを成長させることにより形成できる。金属複合物もまた、金属繊維プレフォームとシーケンシャルCVD法を用いて、該プレフォーム上に金属を成長させることにより作製できる。実施例6現在、H.Kumagai,K.Toyoda,M.MatsumotoandM.ObaraによるComparativeStudyofAl2O3OpticalCrystallineThinFilmsGrownbyVaporCombinationsofAlCH33/N2OandAlCH33/H2O2AlCH33/N2OとAlCH33/H2O2の蒸気の組み合わせにより成長されたAl2O3光学結晶薄膜の比較研究,Jpn.J.Appl.Phys.3261371993によって、良質の酸化アルミニウム薄膜が適度な温度でシーケンシャルCVDにより成長させられることが分かっている。したがって、陽極処理されたアルミニウムのパーツを、この非常に成膜性に優れた層で被覆することが可能である。以前のCVD法は、アルミニウムの融点より高い温度で操作されなければならなかったので、使用することができなかった。ひとつのアプローチとしては、周知のシーケンシャルCVD法を使って、アルミニウムを被覆することである。別のアプローチとしては、純粋なアルミニウムの単分子層を形成でき、その後それらの層を酸素原子で酸化させる、本発明に述べられている方法を利用することである。例えば、トリメチルアルミニウムを水素原子で還元し、アルミニウム層を形成することができる。この層は、酸素に接触すると容易に酸化される。前記アルミニウムが予め陽極処理されていた場合には、シーケンシャル化学気相成膜によれば、どのような欠陥やピンホールでも埋めることができる。実施例7低温で2片のセラミックを純粋なセラミック材料を使って接合することは、いくつかの特徴的な利点を持つプロセスである。例えば、接合されたパーツの温度の許容範囲は、元のセラミックのパーツと同じ高さである。また、その構造に新しい材料が加えられないので、結果として得られる接合パーツは高純度のものであり、元のセラミックスとちょうど同程度に、化学的に不活性である。現在、このような方法は存在しない。例えば、2片の酸化アルミニウムは、実施例6に示されているように、酸化アルミニウムを2つの隣接するパーツ上に成長させることにより接合されている。実施例8コンデンサの容量は、コンデンサの電極間の誘電材料の誘電率に正比例する。また、誘電体の厚みに逆比例する。集積回路において容量を増加させることが望ましい場合、好ましい誘電性熱SiO2の厚さを減らすのが従来のやり方である。現在の高度な回路において、SiO2の厚さは実用的な限界に達している-30Å-3nm。均一でピンホールのない、これより薄いSiO2膜を成長させる試みは、困難であることが分かっている。別の方法としては、より高い誘電率を持つ誘電体を堆積させることであり、より実用的な誘電体の厚さを可能にする。例えば、もし誘電率が256×二酸化ケイ素の誘電率であるTa2O5の薄膜を堆積させと、30Å3nmの膜は180Å18nmの厚さに相当する。これは確実に堆積させられる膜厚であるだけでなく、さらにTa2O5の厚さを減らすことにより容量のさらなる改善が達成できる。しかしながら、Ta2O5の極薄層が従来の高温CVD法によってケイ素上に堆積されると、25よりはるかに小さい誘電率を持つ誘電体となる。これは前記のプロセスが始まると、まず起こるのはケイ素が酸化されることであり、Ta2O5とSiO2の複合層ができて終了する。このはるかに低い誘電率のSiO2が、複合膜全体の誘電率を低下させる。現在の方法では、もし望むなら、低温でTa2O5を堆積でき、それにより下地のケイ素のどのような酸化も最小にできる。もし、適用される温度が低温であるにもかかわらず、まだケイ素の酸化が起こる場合には、酸素原子ラジカルを使ったTa2O5の堆積に進む前に、酸素バリヤ物質例えば、TiN、TaN等又は犠牲物質例えば、Taのひとつまたはいくつかの単分子層をケイ素の上に堆積させるのがよい。実施例9最近、集積回路において、アルミニウム導体を銅導体に置き換える傾向がある。アルミニウムがエッチングされるのと同じように、銅をプラズマでエッチングするのは非常に難しいので、ほとんどの製造者がダマスカスのまたは象嵌細工のアプローチに行き着いている。従来の手法は、銅の層を堆積させ、この銅の層をエッチングして孔を形成し、その後それらの孔を適当な誘電体で満たすものである。その方法に代えて、我々は誘電体材料の層を堆積させ、それをエッチングして孔を形成し、その後銅の層で表面全体を被覆する。この銅は、前記のエッチングにより形成された全ての孔を埋める。それからウェーハ表面上の余分な銅が化学的機械的研磨工程で除去される。銅を堆積できるいくつかの方法のうち、好ましい方法は無電解めっきである。しかしながら、絶縁体表面上に銅を電解めっきすることはできないので、銅のシード層がCVDによって堆積される。もしこのシード層が下地の形状通りに被覆できると、全体に銅の層を正確に被覆することができる。CVDにより純粋な銅の薄膜を堆積させるための最近の取り組みでは、複雑で高価な銅有機金属化合物の使用を必要としている。利用できる銅ハロゲン化合物全てが、安価ではあるが高融点の固体である上、CVD反応器チャンバへ導入するために制御されたやり方で蒸発させるのは困難なので、このアプローチは好ましいことがわかっている。前記した本方法の柔軟性により、安価な銅―酸素有機金属化合物例えば、安定的で、100度で10mtorr1.33Paの蒸気圧を持ち、安価である銅II2,4-ペンタンジオネートC10H14O4Cuを使用し、それを酸素原子に接触させてCuO2に還元することができる。それから、第二工程で、CuO2の単分子層は、水素原子に接触させられることにより、元素の銅に還元される。何サイクルもこのプロセスを繰り返すと、どのような所望の厚さの純粋な銅薄膜でも作ることができる。同時に、もし前記銅と下地のSiとSiO2の間に、例えばTiNのような拡散バリヤ層が必要な場合には、両方の層を同じ装置内で続けて堆積すればよい。これにより、製造工程をかなり簡略化できる。実施例10非常に高いアスペクト比例えば、10:1のブラインドホール底付き孔に、ある元素か化合物の単分子層を堆積させるとき、まず全てのガス種を前記孔から排気する。次に、前記孔を、孔の容積を満たすとともに孔の表面上に吸着される前駆体分子に接触させる。その後、前記孔の内部容積を占める前記前駆体分子を、真空ポンプを使った吸引により除去する。この方法における次の工程は、吸着された単分子層をラジカルの流束に接触させ、それを所望の固体分子種の単分子層に転換させることである。極めて高いアスペクト比のブラインドホールの場合、別の現象が認められるはずである。ラジカルの流束が、排気された前記孔の容積部に拡散する時、表面の反応が反応生成物を放出する。例えば、吸着されたTMA分子が酸素原子にアタックされる場合、Al2O3の単分子層が形成され、かつH2O、CO2及びCOなどの反応生成物が形成される。もし前記孔が非常に深く細い場合には、ラジカルへの接触が実用的ではないほど長時間続けられるのではない限り、これらの反応生成物分子が、前記ブラインドホールの底へのラジカルの拡散を妨げてしまう。この実用上の困難さに対する解決方法は、図4に示されているように、非常に深いブラインドホールを、ラジカルの流束に周期的に接触させることである。言い換えると、前駆体単分子層を短時間ラジカルに接触させた後、チャンバを真空ポンプで排気する。これは、ラジカルの孔への拡散を妨げる傾向のある、あらゆるガス状の反応生成物を除去する効果がある。次に、第二のラジカルの流束への接触が行われる。必要に応じて、この過程は非常に深く細いブラインドホールの突き当りで、好ましい反応を起こさせるために何回も繰り返すのがよい。実施例11シーケンシャルCVD法により、最初は部分的に非金属部も存在する表面上に金属膜を堆積させる場合、前記堆積を選択的にすることが可能である。例えば、ステンレス鋼製保持台に載置されたサファイア試料を、TaCl5蒸気と水素原子によりタンタルで被覆しようとする時、タンタルはステンレス鋼上にのみ形成され、サファイア上には形成されないことが分かっている。Hラジカルは、TaCl5の吸着された単分子層より、むしろAl2O3表面とより反応しやすいので、このようなことが起こるように思われる。同様の現象が、熱シーケンシャルCVDによる、ガラスにではなくプラチナへの銅薄膜の堆積を説明する最近の論文P.MartenssonandJ‐O.Carlsson,J.Electrochem.Soc.145,29261998に見られる。望ましくない時に、この選択性を防ぐ方法は、金属酸化物をウェーハ表面全体に堆積させることである。この酸化物の最初の単分子層は、水素原子により純粋な金属に還元できる上記実施例9参照。その後の層は、適当な前駆体を直接還元することにより例えば、TaCl5とHからタンタル堆積できる。本発明の手法により堆積された膜の商業的な応用は、これらの膜を作るためのこの方法に制限されない。いくつかの例では、ラジカルに頼らずに周知のシーケンシャルCVD法により成長させられた膜が、応用によっては適当かもしれない。本発明は、特にそれを実行する特別な方法に関して説明されているが、明らかにバリエーションや変更が可能である。本発明は、薄膜のシーケンシャル化学気相成長法における技術を大幅に発展させるものである。また、本発明の方法により堆積される膜について、いくつかの商業的に重要な応用について述べられていることが、上記のことから明らかであろう。本発明のプロセスは、低温でどのような組成のものでも、完全に下地の形状と同形で非常に純粋な膜の堆積を、初めて可能にした独自のものである。"