基板上に膜を堆積するための成膜装置であって、成膜室内に配され、前記基板が載置される上下動可能なステージと、前記基板より大きな平面幅を有し、前記ステージに対向する面に複数の穴を有し、前記複数の穴を介して前記基板の表面に成膜ガスを供給するシャワーヘッドと、前記基板の外側で前記ステージの上下動によって前記成膜ガスのガスコンダクタンスを調整するように、前記シャワーヘッドの外縁から前記ステージの側へ延びたコンダクタンス調整壁と、を備え、前記シャワーヘッドと前記コンダクタンス調整壁とは、互いに一体化されていることを特徴とする成膜装置。前記コンダクタンス調整壁は、前記基板上に膜を堆積する際に、前記ステージから離間していることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。前記コンダクタンス調整壁は、前記シャワーヘッドの外縁から前記ステージの載置面に垂直な方向に沿って延びていることを特徴とする請求項1又は2に記載の成膜装置。前記シャワーヘッドは、前記ステージより大きな平面幅を有し、前記コンダクタンス調整壁は、前記基板上に膜を堆積する際に、前記ステージの側方まで延びていることを特徴とする請求項3に記載の成膜装置。前記コンダクタンス調整壁は、前記シャワーヘッドの外縁から外側に傾斜しながら前記ステージの側へ延びていることを特徴とする請求項1又は2に記載の成膜装置。前記コンダクタンス調整壁は、前記基板上に膜を堆積する際に、前記ステージの側方まで延びていることを特徴とする請求項5に記載の成膜装置。1つの実施形態は、例えば、堆積される膜の膜厚の面内均一性を向上できる成膜装置を提供することを目的とする。1つの実施形態によれば、基板上に膜を堆積するための成膜装置であって、ステージとシャワーヘッドとコンダクタンス調整壁とを有する成膜装置が提供される。ステージは、成膜室内に配されている。ステージには、基板が載置される。ステージは、上下動可能である。シャワーヘッドは、基板より大きな平面幅を有する。シャワーヘッドは、ステージに対向する面に複数の穴を有する。シャワーヘッドは、複数の穴を介して基板の表面に成膜ガスを供給する。コンダクタンス調整壁は、基板の外側でステージの上下動によって成膜ガスのガスコンダクタンスを調整するように、シャワーヘッドの外縁からステージの側へ延びている。シャワーヘッドとコンダクタンス調整壁とは、互いに一体化されている。以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる成膜装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。第1の実施形態第1の実施形態にかかる成膜装置1について図1を用いて説明する。図1は、成膜装置1の構成を示す断面図である。成膜装置1は、基板WFの上に所定の膜例えば、金属膜を堆積するための装置であり、例えば、CVDChemicalVaporDeposition装置である。成膜装置1は、ステージ10、駆動部60、シャワーヘッド20、コンダクタンス調整壁30、ガス供給部40、及び圧力制御部50を備える。ステージ10は、成膜室CH1内に配されている。ステージ10の載置面10a上には、基板WFが載置されている。そして、ステージ10は、基板WFを裏面側から覆うように保持している。ステージ10は、例えば、真空チャックを有しており、真空チャックを用いて基板WFを裏面側から真空吸着するように保持しても良い。あるいは、ステージ10は、例えば、静電チャックを有しており、静電チャックを用いて基板WFを裏面側から静電気的に吸着するように保持しても良い。ステージ10の平面方向における幅W10は、図2bに示すように、基板WFの平面方向における幅Wwfよりも大きい。また、ステージ10は、載置面10aに垂直な方向から見た場合に、基板WFに対応した形状を有している。例えば、基板WFが略円形状である場合、ステージ10も、略円形状を有している。なお、図2bは、ステージ10及びコンダクタンス調整壁30をステージ10の載置面10aの側から見た図である。また、ステージ10は、加熱部11を有する。加熱部11は、成膜処理時に、基板WFの温度が所定の膜の堆積に必要な所定の温度になるように、ステージ10を介して基板WFを加熱する。具体的には、加熱部11は、ヒータ12を有する。ヒータ12は、ステージ10を介して基板WFを加熱するように、ステージ10の内部に配されている。ヒータ12は、その抵抗により発熱する材料で形成されており、例えばニッケルクロム合金で形成されている。駆動部60は、ステージ10の載置面10a上に基板WFが載置される際に、ステージ10をシャワーヘッド20から離れる方向へ駆動する。また、駆動部60は、ステージ10の載置面10a上に基板WFが載置された後、成膜処理を開始する前に、図1に示す位置までステージ10をシャワーヘッド20に近づく方向へ駆動する。すなわち、駆動部60は、コンダクタンス調整壁30とステージ10との位置関係が予め実験的に決定された目標位置関係になるように、ステージ10をシャワーヘッド20に近づく方向へ駆動する。例えば、駆動部60は、載置面10aに沿った方向から透視した場合におけるコンダクタンス調整壁30とステージ10との載置面10aに垂直な方向の重なりの長さLOV13が予め実験的に決定された目標値になるように、ステージ10をシャワーヘッド20に近づく方向へ駆動する。シャワーヘッド20は、基板WFの表面に成膜ガスを供給する。具体的には、シャワーヘッド20は、ガス導入室CH2、拡散プレート21、拡散室CH3、及びシャワープレート22を有する。ガス導入室CH2は、外壁101の上部101aと拡散プレート21とにより囲まれて形成されている。ガス導入室CH2には、ガス供給部40を介して成膜ガスが導入される。成膜ガスは、基板WFの上に堆積すべき膜の原料を含むガスであり、例えば、基板WFの上に金属の膜を堆積すべき場合、その金属となるべき元素を含むガスである。あるいは、例えば、成膜ガスは、基板WFの上に半導体の膜を堆積すべき場合、その半導体となるべき元素を含むガスである。あるいは、例えば、成膜ガスは、基板WFの上に絶縁体の膜を堆積すべき場合、その絶縁体となるべき元素を含むガスである。拡散プレート21は、ガス導入室CH2と拡散室CH3とを仕切るとともに、ガス導入室CH2と成膜室CH1とを隔てている。拡散プレート21は、拡散室CH3を介してガス導入室CH2と成膜室CH1とを連通する複数の貫通孔21aを有している。拡散プレート21は、例えば、アルミニウムやニッケルなどの金属を主成分とする材料で形成されている。拡散室CH3は、拡散プレート21とシャワープレート22とにより囲まれて形成されている。拡散室CH3は、拡散プレート21及びシャワープレート22を介してガス導入室CH2と成膜室CH1との間に配されている。拡散室CH3には、図1に矢印で示すように、拡散プレート21の複数の貫通孔21aを介して成膜ガスがガス導入室CH2から供給される。シャワープレート22は、拡散室CH3と成膜室CH1とを仕切るとともに、ガス導入室CH2と成膜室CH1とを隔てている。シャワープレート22は、拡散室CH3を介してガス導入室CH2と成膜室CH1とを連通する複数の貫通孔22aを有している。成膜室CH1には、図1に矢印で示すように、シャワープレート22の複数の貫通孔22aを介して成膜ガスが拡散室CH3から供給される。シャワープレート22は、例えば、アルミニウムやニッケルなどの金属を主成分とする材料で形成されている。シャワーヘッド20は、複数の貫通孔21a、拡散室CH3、複数の貫通孔22aを介して成膜ガスをガス導入室CH2から成膜室CH1内の基板WFの表面に供給する。すなわち、シャワーヘッド20は、ステージ10に対向する面における基板WFに対応した領域に複数の貫通孔22aを有し図2a参照、複数の貫通孔22aを介して基板WFの表面に成膜ガスを供給する。複数の貫通孔22aは、例えば、ステージ10に対向する面における基板WFに対応した領域内で、略一様な間隔で配されている。シャワーヘッド20の平面方向における幅W20は、図2aに示すように、基板WFの平面方向における幅Wwfよりも大きく、かつ、ステージ10の平面方向における幅W10より大きい。なお、図2aは、シャワーヘッド20及びコンダクタンス調整壁30をシャワーヘッド20のステージ10に対向する面の側から見た図である。コンダクタンス調整壁30は、シャワーヘッド20と一体で形成されているとともに、シャワーヘッド20の外縁20eからステージ10の側へ延びている。すなわち、シャワーヘッド20とコンダクタンス調整壁30とは、互いに一体化されている。シャワーヘッド20とコンダクタンス調整壁30とは、同じ材料で形成されていてもよく、例えば、アルミニウムやニッケルなどの金属を主成分とする材料で形成されていても良い。また、例えば、コンダクタンス調整壁30は、シャワーヘッド20の外縁20eからステージ10の載置面10aに垂直な方向に沿ってステージ10の側へ延びていてもよい。このとき、コンダクタンス調整壁30は、シャワーヘッド20の外縁20eの全体からステージ10の側へ延びていてもよい。すなわち、コンダクタンス調整壁30は、ガス流路の上流側と下流側とで略均等な幅を有する略円筒形状であっても良い。コンダクタンス調整壁30は、図2bに示すように、ステージ10の載置面10aに垂直な方向から見た場合に、基板WFの外側に配されており、基板WFに対応した形状を有している。例えば、基板WFが略円形である場合、コンダクタンス調整壁30は、略円環形状を有している。これにより、コンダクタンス調整壁30と基板WFの外周WFeとの間のギャップGw3を、外周WFeの全体に渡って略一定にすることができる。コンダクタンス調整壁30は、ステージ10の載置面10aに垂直な方向から見た場合に、ステージ10の外側に配されており、ステージ10に対応した形状を有している。例えば、ステージ10が略円形状である場合、コンダクタンス調整壁30は、略円環形状を有している。これにより、コンダクタンス調整壁30とステージ10の外周10eとの間のギャップG13を、外周WFeの全体に渡って略一定にすることができる。コンダクタンス調整壁30の外径OD30及び内径ID30は、いずれも、ステージ10の平面方向における幅W10より大きくなっている。これにより、載置面10aに垂直な方向に沿ってステージ10が駆動部60により駆動されても、コンダクタンス調整壁30は、ギャップG13を介してステージ10から離間した状態に維持される。上述のように、駆動部60は、例えば成膜処理を開始する直前に、載置面10aに沿った方向から透視した場合におけるコンダクタンス調整壁30とステージ10との載置面10aに垂直な方向の重なりの長さLOV13が予め実験的に決定された目標値になるように、ステージ10をシャワーヘッド20に近づく方向へ駆動する。コンダクタンス調整壁30は、成膜処理時にステージ10の側方となる位置まで延びている。すなわち、成膜処理時に、コンダクタンス調整壁30の下端30bからシャワーヘッド20までの距離は、ステージ10の載置面10aからシャワーヘッド20までの距離よりも大きくなっている。これにより、成膜処理時に、成膜室CH1におけるシャワーヘッド20とステージ10との間の空間CH11に導入された成膜ガスが圧力制御部50へ至る空間CH12へ向かって流れる際に、コンダクタンス調整壁30の内壁面30aとステージ10の側面10bとに挟まれた領域70をガス流れの抵抗として作用させることができる。これにより、コンダクタンス調整壁30は、基板WFの平面方向における外側領域70で成膜ガスのガスコンダクタンス流量コンダクタンスを調整する。このため、コンダクタンス調整壁30は、基板WFの表面に供給された成膜ガスの圧力が基板WFの周辺近傍と中心近傍とで均等になるように調整することができる。また、コンダクタンス調整壁30は、冷却構造32を有する。冷却構造32は、例えば、成膜処理時に、コンダクタンス調整壁30を冷却する。冷却構造32は、例えば、複数の冷却路31-1~31-3をコンダクタンス調整壁30の内部に有するような構造である。各冷却路31-1~31-3には、冷媒例えば、冷却水が流される。これにより、コンダクタンス調整壁30を冷却することができる。ガス供給部40は、ガス供給管41を有し、ガス供給管41、所定の配管及び所定の開閉弁を介してガス供給源図示せずに接続されている。ガス供給源からガス供給管41へ成膜ガスが供給される。ガス供給管41は、ガス導入室CH2に連通されている。これにより、ガス供給部40は、図1に矢印で示すように、ガス供給管41を介して成膜ガスをガス導入室CH2へ供給する。圧力制御部50は、成膜室CH1の圧力および成膜ガスの排気量を制御する。具体的には、圧力制御部50は、排気管51、53、54、圧力センサ図示せず、圧力コントローラ52、及び真空ポンプ図示せずを有する。圧力センサは、成膜室CH1内の圧力を検知し、その圧力の値の情報を圧力コントローラ52へ供給する。圧力コントローラ52は、排気管51、53を介して基板処理室CH1に接続されているとともに、排気管54を介して真空ポンプに接続されている。圧力コントローラ52は、開度を調整可能な調整弁を有し、圧力センサから供給された圧力の値に応じて、成膜室CH1内の圧力が目標値になるように、調整弁の開度を制御する。これにより、成膜室CH1の圧力および成膜ガスの排気量が制御される。ここで、仮に、成膜装置1がコンダクタンス調整壁30を有しない場合について考える。この場合、シャワーヘッド20のステージ10に対向する面における基板WFに対応した領域には、成膜ガスを通過させるための複数の貫通孔22aが例えば略一様な間隔で配されているので、成膜処理時に、基板WFの表面に供給された成膜ガスの圧力が基板WFの周辺近傍例えば、30Torrに比べて中心近傍例えば、35Torrで高くなる傾向にある。これにより、堆積される膜の膜厚が基板WFの面内で不均一になる可能性がある。それに対して、第1の実施形態では、成膜装置1がコンダクタンス調整壁30を有する。コンダクタンス調整壁30は、基板WFの外側領域70で成膜ガスのガスコンダクタンスを調整するように、シャワーヘッド20の外縁20eからステージ10の側へ延びている。これにより、成膜処理時に、成膜室CH1におけるシャワーヘッド20とステージ10との間の空間CH11に導入された成膜ガスが圧力制御部50へ至る空間CH12へ向かって流れる際に、コンダクタンス調整壁30の内壁面30aとステージ10の側面10bとに挟まれた領域70をガス流れの抵抗として作用させることができる。すなわち、コンダクタンス調整壁30は、基板WFの表面に供給された成膜ガスの圧力が基板WFの周辺近傍と中心近傍とで均等例えば、35Torrになるように調整することができる。この結果、堆積される膜の膜厚の面内均一性を向上できる。また、第1の実施形態では、コンダクタンス調整壁30の内壁面30aとステージ10の側面10bとに挟まれた領域70をガス流れの抵抗として作用させることができるので、基板WFの表面に供給された成膜ガスの圧力を通常のプロセスより高める例えば、100Torrにすることが容易である。これにより、Metal-CVD高圧プロセス例えば、W-CVDプロセスなどの高圧プロセスによる成膜処理の実現が容易である。さらに、第1の実施形態では、コンダクタンス調整壁30の内壁面30aとステージ10の側面10bとに挟まれた領域70をガス流れの抵抗として作用させることができるので、基板WFの表面に供給された成膜ガスが基板WFの表面近傍に滞留する時間を長くすることができる。これにより、基板WFの上に所定の膜を効率的に堆積することができるので、成膜ガスの使用量を低減でき、省ガスを実現できる。あるいは、仮に、成膜装置1がコンダクタンス調整壁30を有せず、かつ、高圧プロセスによる成膜処理を行った場合について考える。この場合、成膜ガスの粘性流としての性質が顕著になるので、成膜処理時に、基板WFの表面に供給された成膜ガスの圧力が基板WFの周辺近傍に比べて中心近傍で高くなる傾向が顕著になる。これにより、堆積される膜の膜厚が基板WFの面内で不均一になる可能性が高い。それに対して、第1の実施形態では、コンダクタンス調整壁30の内壁面30aとステージ10の側面10bとに挟まれた領域70をガス流れの抵抗として作用させることができるので、高圧プロセスによる成膜処理を行った場合でも、堆積される膜の膜厚の面内均一性を向上できる。あるいは、仮に、成膜装置1がコンダクタンス調整壁30を有せず、かつ、ステージ10の外周に沿って角度可変型の複数の整流板を配設した場合を考える。この場合、基板WFの近傍に複数の可動部品が配されることになるため、各可動部品がダスト発生源となりやすく、成膜室CH1内に発生するダストが増大する傾向にある。成膜室CH1内に発生するダストが増大すると、基板WFにダストが堆積し不良の原因となる可能性がある。それに対して、第1の実施形態では、成膜装置1がコンダクタンス調整壁30を有しており、シャワーヘッド20とコンダクタンス調整壁30とが互いに一体化されている。これにより、基板WFの近傍に可動部品が配されないので、成膜室CH1内に発生するダストの増大を抑制できる。この結果、基板WFにダストが堆積することを抑制でき不良の発生を低減できる。また、第1の実施形態では、コンダクタンス調整壁30が、例えば、シャワーヘッド20の外縁20eの全体からステージ10の載置面10aに垂直な方向に沿ってステージ10の側へ延びている。すなわち、コンダクタンス調整壁30が例えば略円筒形状を有している。これにより、コンダクタンス調整壁30の加工が容易であり、コンダクタンス調整壁30を容易に形成することができる。また、第1の実施形態では、コンダクタンス調整壁30が、ステージ10の載置面10aに垂直な方向から見た場合に、基板WFの外側に配されており、基板WFに対応した形状を有している。これにより、コンダクタンス調整壁30によるコンダクタンスの調整が行われる領域70の基板WFの外周WFeからの距離を、外周WFeの全体に渡って略一定にすることができる。この結果、基板WFの表面に供給された成膜ガスの圧力が基板WFの中心からの各放射方向について均等になるように調整することができる。また、第1の実施形態では、コンダクタンス調整壁30が冷却構造32を有する。冷却構造32は、成膜処理時に、コンダクタンス調整壁30を冷却する。これにより、成膜処理時に、コンダクタンス調整壁30の温度を膜の堆積が起こる所定の反応温度より低くでき、所定の膜のコンダクタンス調整壁30の内壁面30aへの堆積を低減できるので、堆積される膜の膜厚の面内均一性をさらに向上できる。具体的には、冷却構造32は、例えば、複数の冷却路31-1~31-3をコンダクタンス調整壁30の内部に有するような構造である。各冷却路31-1~31-3には、冷媒例えば、冷却水が流される。これにより、簡易な構成で、コンダクタンス調整壁30を冷却することができる。なお、駆動部60は、プロセス条件に応じて、成膜処理のためのステージ10の目標移動位置を変えてもよい。駆動部60は、領域70におけるステージ10の載置面10aに沿った方向のコンダクタンス調整壁30とステージ10との重なりの長さLOV13をプロセス条件に応じて変えることで、コンダクタンス調整壁30により調整されるガスコンダクタンスをプロセス条件に応じた値に逐次変更しても良い。例えば、成膜ガスの目標圧力を第1の圧力とする第1のプロセスで成膜処理を行う場合、駆動部60は、ステージ10を第1の位置へ移動する。また、例えば、成膜ガスの目標圧力を第1の圧力より高い第2の圧力とする第2のプロセスで成膜処理を行う場合、駆動部60は、ステージ10を第1の位置よりシャワーヘッド20に近い第2の位置へ移動する。これにより、領域70におけるステージ10の載置面10aに沿った方向のコンダクタンス調整壁30とステージ10との重なりの長さLOV13が第1のプロセスの成膜処理時よりも第2のプロセスの成膜処理時において大きくすることができる。この結果、コンダクタンス調整壁30により調整されるガスコンダクタンスが第1のプロセスの成膜処理時よりも第2のプロセスの成膜処理時において大きくなるように変更することができる。あるいは、駆動部60は、成膜中に、コンダクタンス調整壁30がステージ10から離間した状態を保ちながら、ステージ10を、シャワーヘッド20から離れる方向へ駆動したり、シャワーヘッド20に近づく方向へ駆動したりしてもよい。すなわち、駆動部60は、領域70におけるステージ10の載置面10aに沿った方向のコンダクタンス調整壁30とステージ10との重なりの長さLOV13を変えることで、コンダクタンス調整壁30により調整されるガスコンダクタンスを成膜中に動的に変更しても良い。例えば、成膜処理の開始時から経過時間と、基板WFの表面に供給された成膜ガスの圧力における基板WFの周辺近傍と中心近傍との不均一性例えば、圧力差、圧力の割合などとの関係を示す径時変化情報を予め実験的に取得しておく。また、不均一性の値例えば、圧力差、圧力の割合などとガスコンダクタンス調整のための制御値例えば、ステージ10の目標移動位置との関係を示す制御情報も予め実験的に取得しておく。タイマ図示せずは、成膜処理が開始すると、成膜処理の開始時から経過時間のカウントを開始する。そして、駆動部60は、例えば一定周期ごとにタイマを参照して、径時変化情報と制御情報とに基づいて、現在の経過時間に応じたステージ10の目標移動位置を決定し、その決定した目標移動位置へステージ10を駆動する。これにより、経過時間ごとに、基板WFの表面に供給された成膜ガスの圧力が基板WFの周辺近傍と中心近傍とで均等になるように調整することができる。第2の実施形態次に、第2の実施形態にかかる成膜装置100について図3を用いて説明する。図3は、成膜装置100の構成を示す断面図である。以下では、第1の実施形態と異なる部分を中心に説明する。第2の実施形態では、コンダクタンス調整壁30の内壁面30aとステージ10の側面10bとに挟まれた領域70図1参照をガス流れの抵抗として作用させる代わりに、コンダクタンス調整壁130の下端130bとステージ10の載置面10aとに挟まれた領域170をガス流れの抵抗として作用させるようにする。具体的には、成膜装置100において、シャワーヘッド120の平面方向における幅W120は、図4aに示すように、基板WFの平面方向における幅Wwfよりも大きく、かつ、ステージ10の平面方向における幅W10より小さい。なお、図4aは、シャワーヘッド120及びコンダクタンス調整壁130をシャワーヘッド120のステージ10に対向する面の側から見た図である。シャワープレート122が、ステージ10に対向する面における基板WFに対応した領域に例えば略一様な間隔で複数の貫通孔122aを有している点は第1の実施形態と同様である。コンダクタンス調整壁130の内径ID130は、図4bに示すように、基板WFの平面方向における幅Wwfよりも大きく、かつ、ステージ10の平面方向における幅W10より小さくなっている。図4bは、コンダクタンス調整壁130及びステージ10を載置面10aの側から透視した図である。これにより、載置面10aに垂直な方向に沿って透視した場合に、コンダクタンス調整壁130が基板WFに重ならずに、コンダクタンス調整壁130がステージ10の縁部近傍と重なるように構成されている。なお、コンダクタンス調整壁130の外径OD130は、図4bに示すように、ステージ10の平面方向における幅W10より小さくても良いし、幅W10と同じでもよいし、幅W10より大きくてもよい。図4bには、コンダクタンス調整壁130の外径OD130がステージ10の平面方向における幅W10より大きい場合が例示されている。駆動部60は、例えば成膜処理を開始する直前に、載置面10aに垂直な方向におけるコンダクタンス調整壁130の下端130bとステージ10との載置面10aとのギャップG113が予め実験的に決定された目標値になるように、ステージ10をシャワーヘッド120に近づく方向へ駆動する。コンダクタンス調整壁130は、成膜処理時にステージ10の縁部の上方で離間した位置まで延びている。すなわち、成膜処理時に、コンダクタンス調整壁130の下端130bは、ステージ10の載置面10aに対向しながらステージ10の載置面10aから離れて位置することになる。これにより、成膜処理時に、成膜室CH101におけるシャワーヘッド120とステージ10との間の空間CH111に導入された成膜ガスが圧力制御部50へ至る空間CH112へ向かって流れる際に、コンダクタンス調整壁130の下端130bとステージ10の載置面10aとに挟まれた領域170をガス流れの抵抗として作用させることができる。これにより、コンダクタンス調整壁130は、基板WFの平面方向における外側領域170で成膜ガスのガスコンダクタンスを調整する。このため、コンダクタンス調整壁130は、基板WFの表面に供給された成膜ガスの圧力が基板WFの周辺近傍と中心近傍とで均等になるように調整することができる。このように、第2の実施形態では、コンダクタンス調整壁130の下端130bとステージ10の載置面10aとに挟まれた領域170をガス流れの抵抗として作用させることができるので、基板WFにより近い位置で成膜ガスのガスコンダクタンスを調整することができる。これにより、基板WFの上に所定の膜を効率的に堆積することができるので、成膜ガスの使用量をさらに低減できる。また、第2の実施形態では、駆動部60によりステージ10をコンダクタンス調整壁130の下端130bへ近づけるように駆動することで領域170のガス流路に垂直な方向のギャップG113をかなり小さくすることができる。すなわち、コンダクタンス調整壁130により調整可能なガスコンダクタンスのレンジを大きく確保することができる。また、第2の実施形態では、載置面10aに垂直な方向におけるコンダクタンス調整壁130の長さを低減できるので、冷却構造32における冷却路31-1の数を低減できる。第3の実施形態次に、第3の実施形態にかかる成膜装置200について図5を用いて説明する。図5は、成膜装置200の構成を示す断面図である。以下では、第1の実施形態と異なる部分を中心に説明する。第3の実施形態では、コンダクタンス調整壁30を載置面10aに垂直な方向に沿って延びた形状図1参照にする代わりに、コンダクタンス調整壁230を載置面10aに垂直な方向よりも外側へ傾斜して延びた形状にする。具体的には、成膜装置200において、コンダクタンス調整壁230は、シャワーヘッド220の外縁から外側に傾斜しながらステージ210の側へ延びている。このとき、コンダクタンス調整壁230は、シャワーヘッド220の外縁の全体からステージ210の側へ延びていてもよい。すなわち、コンダクタンス調整壁230は、シャワーヘッド220の側に比べてステージ210の側で幅の広い略円錐台筒形状であっても良い。ステージ210は、コンダクタンス調整壁230に対応して傾斜する側面210bを有する。すなわち、側面210bは、ガス流路の上流側に比べて下流側でステージ210の中心から遠くなるように傾斜している。これにより、載置面10aに垂直な方向に沿ってステージ210が駆動部60により駆動されても、コンダクタンス調整壁230の内壁面230aとステージ210の側面210bとの隙間のギャップG213をガス流路に沿って略一様なものに維持することができる。駆動部60は、例えば成膜処理を開始する直前に、コンダクタンス調整壁230の内壁面230aとステージ210の側面210bとの隙間のギャップG213が予め実験的に決定された目標値になるように、ステージ210をシャワーヘッド220に近づく方向へ駆動する。コンダクタンス調整壁230は、成膜処理時にステージ210の側方となる位置まで延びている。成膜処理時に、コンダクタンス調整壁230の下端230bからシャワーヘッド220までの距離は、ステージ210の載置面10aからシャワーヘッド220までの距離よりも大きくなっている。これにより、成膜処理時に、成膜室CH1におけるシャワーヘッド220とステージ210との間の空間CH11に導入された成膜ガスが圧力制御部50へ至る空間CH12へ向かって流れる際に、コンダクタンス調整壁230の内壁面230aとステージ210の側面210bとに挟まれた領域270をガス流れの抵抗として作用させることができる。これにより、コンダクタンス調整壁230は、基板WFの平面方向における外側領域270で成膜ガスのガスコンダクタンス流量コンダクタンスを調整する。このため、コンダクタンス調整壁230は、基板WFの表面に供給された成膜ガスの圧力が基板WFの周辺近傍と中心近傍とで均等になるように調整することができる。このように、第3の実施形態では、コンダクタンス調整壁230が、シャワーヘッド220の外縁から外側に傾斜しながらステージ210の側へ延びているとともに、ステージ210が、コンダクタンス調整壁230に対応して傾斜する側面210bを有する。これにより、コンダクタンス調整壁230によりガスコンダクタンスの調整が行われる領域270を通過する成膜ガスの流れをスムーズなものとすることができるので、シャワーヘッド220とステージ210との間の空間CH11に導入された成膜ガスの圧力を安定させることができる。また、第3の実施形態では、コンダクタンス調整壁230が、シャワーヘッド220の外縁から外側に傾斜しながらステージ210の側へ延びているとともに、ステージ210が、コンダクタンス調整壁230に対応して傾斜する側面210bを有するので、駆動部60によりステージ210を載置面10aに垂直な方向に移動させる際に、領域270のガス流路に垂直な方向のギャップG213をガス流路に沿って略一様なものに維持することができる。さらに、第3の実施形態では、駆動部60によりステージ210の側面210bをコンダクタンス調整壁230の内壁面230aへ近づけるように駆動することで領域270のガス流路に垂直な方向のギャップG213をかなり小さくすることができる。すなわち、コンダクタンス調整壁230により調整可能なガスコンダクタンスのレンジを大きく確保することができる。第4の実施形態次に、第4の実施形態にかかる成膜装置300について図6を用いて説明する。図6は、成膜装置300の構成を示す断面図である。以下では、第1の実施形態と異なる部分を中心に説明する。第4の実施形態では、コンダクタンス調整壁30の内壁面30aとステージ10の側面10bとに挟まれた領域70図1参照をガス流れの抵抗として作用させる代わりに、コンダクタンス調整壁330の下端330bとステージ310の載置面10aとに挟まれた領域370をガス流れの抵抗として作用させるようにする。具体的には、成膜装置300において、ステージ310の平面方向における幅W310は、シャワーヘッド20の平面方向における幅W20より大きい。コンダクタンス調整壁330は、シャワーヘッド20の外縁20e図2a参照から外側に傾斜しながらステージ310の側へ延びている。このとき、コンダクタンス調整壁330は、シャワーヘッド20の外縁20eの全体からステージ310の側へ延びていてもよい。すなわち、コンダクタンス調整壁330は、シャワーヘッド20の側に比べてステージ310の側で幅の広い略円錐台筒形状であっても良い。コンダクタンス調整壁330の下端330bにおける内径ID330は、基板WFの平面方向における幅Wwfよりも大きく、かつ、ステージ310の平面方向における幅W310より小さくなっている。これにより、載置面10aに垂直な方向に沿って透視した場合に、コンダクタンス調整壁330が基板WFに重ならずに、コンダクタンス調整壁330がステージ310の縁部近傍と重なるように構成されている。なお、コンダクタンス調整壁330の下端330bにおける外径OD330は、ステージ310の平面方向における幅W310より小さくてもよいし、幅W310と略同じでもよいし、幅W310より大きくてもよい。図6には、コンダクタンス調整壁330の下端330bにおける外径OD330がステージ310の平面方向における幅W310と略同じである場合が例示されている。駆動部60は、例えば成膜処理を開始する直前に、載置面10aに垂直な方向におけるコンダクタンス調整壁330の下端330bとステージ310との載置面10aとのギャップG313が予め実験的に決定された目標値になるように、ステージ310をシャワーヘッド20に近づく方向へ駆動する。コンダクタンス調整壁330は、成膜処理時にステージ310の縁部の上方で離間した位置まで延びている。すなわち、成膜処理時に、コンダクタンス調整壁330の下端330bは、ステージ310の載置面10aに対向しながらステージ310の載置面10aから離れて位置することになる。これにより、成膜処理時に、成膜室CH101におけるシャワーヘッド20とステージ310との間の空間CH111に導入された成膜ガスが圧力制御部50へ至る空間CH112へ向かって流れる際に、コンダクタンス調整壁330の下端330bとステージ310の載置面10aとに挟まれた領域370をガス流れの抵抗として作用させることができる。これにより、コンダクタンス調整壁330は、基板WFの平面方向における外側領域370で成膜ガスのガスコンダクタンスを調整する。このため、コンダクタンス調整壁330は、基板WFの表面に供給された成膜ガスの圧力が基板WFの周辺近傍と中心近傍とで均等になるように調整することができる。このように、第4の実施形態では、ステージ310の平面方向における幅W310が、シャワーヘッド20の平面方向における幅W20より大きく、コンダクタンス調整壁330が、シャワーヘッド20の外縁20eから外側に傾斜しながらステージ310の側へ延びている。これにより、コンダクタンス調整壁330によりガスコンダクタンスの調整が行われる領域370を通過する成膜ガスの流れをスムーズなものとすることができるので、シャワーヘッド20とステージ310との間の空間CH111に導入された成膜ガスの圧力を安定させることができる。また、第4の実施形態では、駆動部60によりステージ310をコンダクタンス調整壁330の下端330bへ近づけるように駆動することで領域370のガス流路に垂直な方向のギャップG313をかなり小さくすることができる。すなわち、コンダクタンス調整壁330により調整可能なガスコンダクタンスのレンジを大きく確保することができる。また、第4の実施形態では、載置面10aに垂直な方向におけるコンダクタンス調整壁330の長さを低減できるので、冷却構造32における冷却路31-1の数を低減できる。第5の実施形態次に、第5の実施形態にかかる成膜装置400について図7を用いて説明する。図7は、成膜装置400の構成を示す断面図である。以下では、第1の実施形態と異なる部分を中心に説明する。第5の実施形態では、コンダクタンス調整壁30がシャワーヘッド20と一体化されている図1参照代わりに、コンダクタンス調整壁430がステージ410と一体化されている。具体的には、成膜装置400におけるステージ410の平面方向における幅W410は、基板WFの平面方向における幅Wwfよりも大きく、かつ、シャワーヘッド420の平面方向における幅W420より大きい。コンダクタンス調整壁430は、熱伝達遮蔽材480を介してステージ410と一体で形成されているとともに、ステージ410の外縁からシャワーヘッド420の側へ延びている。すなわち、ステージ410と熱伝達遮蔽材480とコンダクタンス調整壁430とは、合金接合などにより互いに一体化されている。ステージ410とコンダクタンス調整壁430とは、同じ材料で形成されていてもよく、例えば、アルミニウムやニッケルなどの金属を主成分とする材料で形成されていても良い。熱伝達遮蔽材480は、ステージ410及びコンダクタンス調整壁430より熱伝導率の低い材料で形成されており、例えば、SUS304などのステンレスで形成されていても良い。また、例えば、コンダクタンス調整壁430は、ステージ410の外縁から載置面10aに垂直な方向に沿ってシャワーヘッド420の側へ延びていてもよい。このとき、コンダクタンス調整壁430は、ステージ410の外縁の全体からシャワーヘッド420の側へ延びていてもよい。すなわち、コンダクタンス調整壁430は、ガス流路の上流側と下流側とで略均等な幅を有する略円筒形状であっても良い。コンダクタンス調整壁430は、ステージ410の載置面10aに垂直な方向から見た場合に、基板WFの外側に配されており、基板WFに対応した形状を有している。例えば、基板WFが略円形である場合、コンダクタンス調整壁430は、略円環形状を有している。これにより、コンダクタンス調整壁430と基板WFの外周WFeとの間のギャップG4w3を、外周WFe図2b参照の全体に渡って略一定にすることができる。コンダクタンス調整壁430は、ステージ410の載置面10aに垂直な方向から見た場合に、シャワーヘッド420の外側に配されており、シャワーヘッド420に対応した形状を有している。例えば、シャワーヘッド420が略円形状である場合、コンダクタンス調整壁430は、略円環形状を有している。これにより、コンダクタンス調整壁430とシャワーヘッド420のシャワープレート422の側面422aとの間のギャップG413を、側面422aの全体に渡って略一定にすることができる。コンダクタンス調整壁430の外径OD430及び内径ID430は、いずれも、シャワーヘッド420の平面方向における幅W420より大きくなっている。これにより、載置面10aに垂直な方向に沿ってステージ410が駆動部60により駆動されても、コンダクタンス調整壁430は、ギャップG413の隙間を介してシャワーヘッド420から離間した状態に維持される。駆動部60は、例えば成膜処理を開始する直前に、載置面10aに沿った方向から透視した場合におけるコンダクタンス調整壁430とシャワーヘッド420との載置面10aに垂直な方向の重なりの長さLOV413が予め実験的に決定された目標値になるように、ステージ410をシャワーヘッド420に近づく方向へ駆動する。コンダクタンス調整壁430は、成膜処理時にシャワーヘッド420の側方となる位置まで延びている。すなわち、成膜処理時に、コンダクタンス調整壁430の上端430bからステージ410の載置面10aまでの距離は、シャワーヘッド420の下面422bからステージ410の載置面10aまでの距離よりも大きくなっている。これにより、成膜処理時に、成膜室CH401におけるシャワーヘッド420とステージ410との間の空間CH411に導入された成膜ガスが圧力制御部50へ至る空間CH412へ向かって流れる際に、コンダクタンス調整壁430の内壁面430aとシャワーヘッド420の側面422aとに挟まれた領域470をガス流れの抵抗として作用させることができる。これにより、コンダクタンス調整壁430は、基板WFの平面方向における外側領域470で成膜ガスのガスコンダクタンス流量コンダクタンスを調整する。このため、コンダクタンス調整壁430は、基板WFの表面に供給された成膜ガスの圧力が基板WFの周辺近傍と中心近傍とで均等になるように調整することができる。また、コンダクタンス調整壁430は、冷却構造32を有する。冷却構造32は、例えば、成膜処理時に、コンダクタンス調整壁430を冷却する。冷却構造32は、例えば、複数の冷却路31-1~31-3をコンダクタンス調整壁430の内部に有するような構造である。各冷却路31-1~31-3には、冷媒例えば、冷却水が流される。これにより、コンダクタンス調整壁430を冷却することができる。このように、第5の実施形態では、コンダクタンス調整壁430は、基板WFの外側領域470で成膜ガスのガスコンダクタンスを調整するように、ステージ410の外縁からシャワーヘッド420の側へ延びている。これにより、成膜処理時に、成膜室CH401におけるシャワーヘッド420とステージ410との間の空間CH411に導入された成膜ガスが圧力制御部50へ至る空間CH412へ向かって流れる際に、コンダクタンス調整壁430の内壁面430aとシャワーヘッド420の側面422aとに挟まれた領域470をガス流れの抵抗として作用させることができる。すなわち、コンダクタンス調整壁430は、基板WFの表面に供給された成膜ガスの圧力が基板WFの周辺近傍と中心近傍とで均等例えば、35Torrになるように調整することができる。この結果、堆積される膜の膜厚の面内均一性を向上できる。また、第5の実施形態では、ステージ410とコンダクタンス調整壁430とが互いに一体化されている。これにより、基板WFの近傍に可動部品が配されないので、成膜室CH401内に発生するダストの増大を抑制できる。この結果、基板WFにダストが堆積することを抑制でき不良の発生を低減できる。また、第5の実施形態では、コンダクタンス調整壁430が、例えば、ステージ410の外縁の全体からステージ410の載置面10aに垂直な方向に沿ってシャワーヘッド420の側へ延びている。すなわち、コンダクタンス調整壁430が例えば略円筒形状を有している。これにより、コンダクタンス調整壁430の加工が容易であり、コンダクタンス調整壁430を容易に形成することができる。また、第5の実施形態では、コンダクタンス調整壁430が、ステージ410の載置面10aに垂直な方向から見た場合に、基板WFの外側に配されており、基板WFに対応した形状を有している。これにより、コンダクタンス調整壁430によるコンダクタンスの調整が行われる領域470の基板WFの外周WFeからの距離を、外周WFeの全体に渡って略一定にすることができる。この結果、基板WFの表面に供給された成膜ガスの圧力が基板WFの中心からの各放射方向について均等になるように調整することができる。また、第5の実施形態では、コンダクタンス調整壁430が冷却構造32を有する。冷却構造32は、成膜処理時に、コンダクタンス調整壁430を冷却する。これにより、成膜処理時に、コンダクタンス調整壁430の温度を膜の堆積が起こる所定の反応温度より低くでき、所定の膜のコンダクタンス調整壁430の内壁面430aへの堆積を低減できので、堆積される膜の膜厚の面内均一性をさらに向上できる。また、第5の実施形態では、ステージ410とコンダクタンス調整壁430とが、熱伝達遮蔽材480を介して一体化されている。これにより、コンダクタンス調整壁430の冷却構造32による冷却状態とステージ410内の加熱部11による加熱状態とを互いに熱的に遮断することができるので、冷却構造32による冷却と加熱部11による加熱とをそれぞれ効率的に行うことができる。なお、駆動部60は、プロセス条件に応じて、成膜処理のためのステージ410の目標移動位置を変えてもよい。駆動部60は、領域470におけるステージ410の載置面10aに沿った方向のコンダクタンス調整壁430とシャワーヘッド420との重なりの長さLOV413をプロセス条件に応じて変えることで、コンダクタンス調整壁430により調整されるガスコンダクタンスをプロセス条件に応じた値に逐次変更しても良い。あるいは、駆動部60は、成膜中に、コンダクタンス調整壁430がシャワーヘッド420から離間した状態を保ちながら、ステージ410を、シャワーヘッド420から離れる方向へ駆動したり、シャワーヘッド420に近づく方向へ駆動したりしてもよい。すなわち、駆動部60は、領域470におけるステージ410の載置面10aに沿った方向のコンダクタンス調整壁430とステージ410との重なりの長さLOV413を変えることで、コンダクタンス調整壁430により調整されるガスコンダクタンスを成膜中に動的に変更しても良い。第6の実施形態次に、第6の実施形態にかかる成膜装置500について図8を用いて説明する。図8は、成膜装置500の構成を示す断面図である。以下では、第5の実施形態と異なる部分を中心に説明する。第6の実施形態では、コンダクタンス調整壁430の内壁面430aとシャワーヘッド420の側面422aとに挟まれた領域470図7参照をガス流れの抵抗として作用させる代わりに、コンダクタンス調整壁530の上端530bとシャワーヘッド520の下面522bとに挟まれた領域570をガス流れの抵抗として作用させるようにする。具体的には、成膜装置500において、ステージ510の平面方向における幅W510は、基板WFの平面方向における幅Wwfよりも大きく、かつ、シャワーヘッド520の平面方向における幅W520より小さい。シャワープレート522が、ステージ510に対向する面における基板WFに対応した領域に例えば略一様な間隔で複数の貫通孔を有している点は第5の実施形態と同様である。コンダクタンス調整壁530の内径ID530は、基板WFの平面方向における幅Wwfよりも大きく、かつ、ステージ510の平面方向における幅W510より小さくなっている。これにより、載置面10aに垂直な方向に沿って透視した場合に、コンダクタンス調整壁530が基板WFに重ならずに、コンダクタンス調整壁530がステージ510の縁部近傍と重なるように構成されている。なお、コンダクタンス調整壁530の外径OD530は、シャワーヘッド520の平面方向における幅W520より大きくても良いし、幅W520と同じでもよいし、幅W520より大きくてもよい。図8には、コンダクタンス調整壁530の外径OD530がシャワーヘッド520の平面方向における幅W520より小さい場合が例示されている。駆動部60は、例えば成膜処理を開始する直前に、載置面10aに垂直な方向におけるコンダクタンス調整壁530の上端530bとシャワーヘッド520の下面522bとのギャップG513が予め実験的に決定された目標値になるように、ステージ510をシャワーヘッド520に近づく方向へ駆動する。コンダクタンス調整壁530は、成膜処理時にシャワーヘッド520の縁部の下方で離間した位置まで延びている。すなわち、成膜処理時に、コンダクタンス調整壁530の上端530bは、シャワーヘッド520の下面522bに対向しながらシャワーヘッド520の下面522bから離れて位置することになる。これにより、成膜処理時に、成膜室CH501におけるシャワーヘッド520とステージ510との間の空間CH511に導入された成膜ガスが圧力制御部50へ至る空間CH512へ向かって流れる際に、コンダクタンス調整壁530の上端530bとシャワーヘッド520の下面522bとに挟まれた領域570をガス流れの抵抗として作用させることができる。これにより、コンダクタンス調整壁530は、基板WFの平面方向における外側領域570で成膜ガスのガスコンダクタンスを調整する。このため、コンダクタンス調整壁530は、基板WFの表面に供給された成膜ガスの圧力が基板WFの周辺近傍と中心近傍とで均等になるように調整することができる。このように、第6の実施形態では、コンダクタンス調整壁530の下端530bとシャワーヘッド520の下面522bとに挟まれた領域570をガス流れの抵抗として作用させることができるので、基板WFにより近い位置で成膜ガスのガスコンダクタンスを調整することができる。これにより、基板WFの上に所定の膜を効率的に堆積することができるので、成膜ガスの使用量をさらに低減できる。また、第6の実施形態では、駆動部60によりコンダクタンス調整壁530の上端530bをシャワーヘッド520の下面522bへ近づけるようにステージ510を駆動することで領域570のガス流路に垂直な方向のギャップG513をかなり小さくすることができる。すなわち、コンダクタンス調整壁530により調整可能なガスコンダクタンスのレンジを大きく確保することができる。また、第6の実施形態では、載置面10aに垂直な方向におけるコンダクタンス調整壁530の長さを低減できるので、冷却構造32における冷却路31-1の数を低減できる。第7の実施形態次に、第7の実施形態にかかる成膜装置600について図9を用いて説明する。図9は、成膜装置600の構成を示す断面図である。以下では、第5の実施形態と異なる部分を中心に説明する。第7の実施形態では、コンダクタンス調整壁430を載置面10aに垂直な方向に沿って延びた形状図7参照にする代わりに、コンダクタンス調整壁630を載置面10aに垂直な方向よりも外側へ傾斜して延びた形状にする。具体的には、成膜装置600において、コンダクタンス調整壁630は、ステージ610の外縁から外側に傾斜しながらシャワーヘッド620の側へ延びている。このとき、コンダクタンス調整壁630は、ステージ610の外縁の全体からシャワーヘッド620の側へ延びていてもよい。すなわち、コンダクタンス調整壁630は、ステージ610の側に比べてシャワーヘッド620の側で幅の広い略円錐台筒形状であっても良い。シャワーヘッド620のシャワープレート622は、コンダクタンス調整壁630に対応して傾斜する側面622aを有する。すなわち、側面622aは、ガス流路の上流側に比べて下流側でシャワーヘッド620の中心から遠くなるように傾斜している。これにより、載置面10aに垂直な方向に沿ってステージ610が駆動部60により駆動されても、コンダクタンス調整壁630の内壁面630aとシャワーヘッド620の側面622aとのギャップG613をガス流路に沿って略一様なものに維持することができる。駆動部60は、例えば成膜処理を開始する直前に、コンダクタンス調整壁630の内壁面630aとシャワーヘッド620の側面622aとのギャップG613が予め実験的に決定された目標値になるように、ステージ610をシャワーヘッド620に近づく方向へ駆動する。コンダクタンス調整壁630は、成膜処理時にシャワーヘッド620の側方となる位置まで延びている。成膜処理時に、コンダクタンス調整壁630の上端630bからステージ610の載置面10aまでの距離は、シャワーヘッド620の下面622bからステージ610の載置面10aまでの距離よりも大きくなっている。これにより、成膜処理時に、成膜室CH411におけるシャワーヘッド620とステージ610との間の空間CH401に導入された成膜ガスが圧力制御部50へ至る空間CH412へ向かって流れる際に、コンダクタンス調整壁630の内壁面630aとシャワーヘッド620の側面622aとに挟まれた領域670をガス流れの抵抗として作用させることができる。これにより、コンダクタンス調整壁630は、基板WFの平面方向における外側領域670で成膜ガスのガスコンダクタンス流量コンダクタンスを調整する。このため、コンダクタンス調整壁630は、基板WFの表面に供給された成膜ガスの圧力が基板WFの周辺近傍と中心近傍とで均等になるように調整することができる。このように、第7の実施形態では、コンダクタンス調整壁630が、ステージ610の外縁から外側に傾斜しながらシャワーヘッド620の側へ延びているとともに、シャワーヘッド620が、コンダクタンス調整壁630に対応して傾斜する側面622aを有する。これにより、コンダクタンス調整壁630によりガスコンダクタンスの調整が行われる領域670を通過する成膜ガスの流れをスムーズなものとすることができるので、シャワーヘッド620とステージ610との間の空間CH411に導入された成膜ガスの圧力を安定させることができる。また、第7の実施形態では、コンダクタンス調整壁630が、ステージ610の外縁から外側に傾斜しながらシャワーヘッド620の側へ延びているとともに、シャワーヘッド620が、コンダクタンス調整壁630に対応して傾斜する側面622aを有するので、駆動部60によりステージ610を載置面10aに垂直な方向に移動させる際に、領域670のガス流路に垂直な方向のギャップG613をガス流路に沿って略一様なものに維持することができる。さらに、第7の実施形態では、駆動部60によりコンダクタンス調整壁630の内壁面630aをシャワーヘッド620の側面622aへ近づけるように駆動することで領域670のガス流路に垂直な方向のギャップG613をかなり小さくすることができる。すなわち、コンダクタンス調整壁630により調整可能なガスコンダクタンスのレンジを大きく確保することができる。第8の実施形態次に、第8の実施形態にかかる成膜装置700について図10を用いて説明する。図10は、成膜装置700の構成を示す断面図である。以下では、第5の実施形態と異なる部分を中心に説明する。第8の実施形態では、コンダクタンス調整壁430の内壁面430aとシャワーヘッド420の側面422aとに挟まれた領域470図7参照をガス流れの抵抗として作用させる代わりに、コンダクタンス調整壁730の上端730bとシャワーヘッド720の下面722bとに挟まれた領域770をガス流れの抵抗として作用させるようにする。具体的には、成膜装置700において、シャワーヘッド720のシャワープレート722の平面方向における幅W720は、ステージ710の平面方向における幅W710より大きい。コンダクタンス調整壁730は、ステージ710の外縁から外側に傾斜しながらシャワーヘッド720の側へ延びている。このとき、コンダクタンス調整壁730は、ステージ710の外縁の全体からシャワーヘッド720の側へ延びていてもよい。すなわち、コンダクタンス調整壁730は、ステージ710の側に比べてシャワーヘッド720の側で幅の広い略円錐台筒形状であっても良い。コンダクタンス調整壁730の上端730bにおける内径ID730は、基板WFの平面方向における幅Wwfよりも大きく、かつ、シャワーヘッド720の平面方向における幅W720より小さくなっている。これにより、載置面10aに垂直な方向に沿って透視した場合に、コンダクタンス調整壁730が基板WFに重ならずに、コンダクタンス調整壁730がシャワーヘッド720の縁部近傍と重なるように構成されている。なお、コンダクタンス調整壁730の上端730bにおける外径OD730は、シャワーヘッド720の平面方向における幅W720より小さくてもよいし、幅W720と略同じでもよいし、幅W720より大きくてもよい。図10には、コンダクタンス調整壁730の上端730bにおける外径OD730がシャワーヘッド720の平面方向における幅W720より小さい場合が例示されている。駆動部60は、例えば成膜処理を開始する直前に、載置面10aに垂直な方向におけるコンダクタンス調整壁730の上端730bとシャワーヘッド720の下面722bとのギャップG713が予め実験的に決定された目標値になるように、ステージ710をシャワーヘッド720に近づく方向へ駆動する。コンダクタンス調整壁730は、成膜処理時にシャワーヘッド720の縁部の下方で離間した位置まで延びている。すなわち、成膜処理時に、コンダクタンス調整壁730の上端730bは、シャワーヘッド720の下面722bに対向しながらシャワーヘッド720の下面722bから離れて位置することになる。これにより、成膜処理時に、成膜室CH501におけるシャワーヘッド720とステージ710との間の空間CH511に導入された成膜ガスが圧力制御部50へ至る空間CH512へ向かって流れる際に、コンダクタンス調整壁730の上端730bとステージ710の載置面10aとに挟まれた領域770をガス流れの抵抗として作用させることができる。これにより、コンダクタンス調整壁730は、基板WFの平面方向における外側領域770で成膜ガスのガスコンダクタンスを調整する。このため、コンダクタンス調整壁730は、基板WFの表面に供給された成膜ガスの圧力が基板WFの周辺近傍と中心近傍とで均等になるように調整することができる。このように、第8の実施形態では、シャワーヘッド720の平面方向における幅W720が、ステージ710の平面方向における幅W710より大きく、コンダクタンス調整壁730が、ステージ710の外縁から外側に傾斜しながらシャワーヘッド720の側へ延びている。これにより、コンダクタンス調整壁730によりガスコンダクタンスの調整が行われる領域770を通過する成膜ガスの流れをスムーズなものとすることができるので、シャワーヘッド720とステージ710との間の空間CH511に導入された成膜ガスの圧力を安定させることができる。また、第8の実施形態では、駆動部60によりステージ710をコンダクタンス調整壁730の上端730bへ近づけるように駆動することで領域770のガス流路に垂直な方向のギャップG713をかなり小さくすることができる。すなわち、コンダクタンス調整壁730により調整可能なガスコンダクタンスのレンジを大きく確保することができる。また、第8の実施形態では、載置面10aに垂直な方向におけるコンダクタンス調整壁730の長さを低減できるので、冷却構造32における冷却路31-1の数を低減できる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。