"光電変換素子が配設される光電変換層と、少なくとも1層の金属膜と、前記金属膜の周囲を埋める層間絶縁膜とからなる配線層と、を有し、前記配線層が前記光電変換層に対して光入射側と反対側の前記光電変換層より深い位置に配設された固体撮像素子において、前記配線層の金属膜のうち、少なくとも前記光電変換層に最も近い位置に配設された第1の金属膜を、前記光電変換層を通過した所定範囲の波長の光が照射されない領域に配置したことを特徴とする固体撮像素子。前記固体撮像素子に照射された光を、前記光電変換層へ向けて集光する集光部を更に有することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。前記領域において、前記所定範囲の波長の光のうち、最も短い波長の光が焦点を結ぶように、前記集光部が配設されることを特徴とする請求項2に記載の固体撮像素子。前記所定範囲の波長の光は、可視光よりも波長の長い光であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の固体撮像素子。前記可視光よりも波長の長い光は、波長が780nmよりも長い光であることを特徴とする請求項4に記載の固体撮像素子。前記所定範囲の波長の光は赤外光であり、且つ、その波長が前記光電変換層において吸収される最も長い波長以下の光であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の固体撮像素子。請求項1乃至6のいずれか1項に記載の固体撮像素子と、前記固体撮像素子の前段に配設されて、所定範囲の波長の赤外光が当該固体撮像素子に照射されないように遮断するための光学フィルタと、を備えることを特徴とする撮像装置。前記赤外光のうち前記光学フィルタを通過する波長の光が前記第1の金属膜に照射されないように、前記第1の金属膜に開口部を設けたことを特徴とする請求項7に記載の撮像装置。複数の画素を有する、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の固体撮像素子と、前記固体撮像素子に被写体からの光を照射するための光学系と、を有する撮像装置であって、前記複数の画素のそれぞれは、前記光電変換層と、少なくとも1層の前記配線層と、を備え、少なくとも前記第1の金属膜に、前記光電変換層を通過する所定範囲の波長の光が照射されないように、前記光学系の光学中心と、前記複数の画素のそれぞれとの位置関係に応じて、前記光電変換層と前記金属膜との位置関係が決定されることを特徴とする撮像装置。上記特許文献1に開示された裏面照射型固体撮像素子では、光を配線層側とは反対側から入射することで、入射光がフォトダイオードに到達する前に金属配線によって遮られたり反射したりする不都合は解決される。しかしながら、光の入射側から見て、配線層が光電変換層より深い位置に配設されることによって、新たな問題が生じる。具体的には、光電変換層を一旦通過した光が、光電変換層より深い位置に配設された配線層で反射し、再度光電変換層のフォトダイオードに入射してしまい、色再現性を低下させてしまう。以下に、フォトダイオードへの反射光の入射により発生する色再現性の低下について説明する。固体撮像素子に使用されるSi基板は、光吸収係数に波長依存性があり、Si基板に形成されたフォトダイオードで光電変換される際の深さが、入射する光の波長に応じて異なっている。具体的には、青色に近い短波長側の光はSi基板の比較的浅い位置で光電変換され、赤色に近い長波長側の光はSi基板の比較的深い位置で光電変換される。赤外光については、赤色光よりも更にSi基板の深い位置にまで侵入して光電変換される。つまり、青色に近い光に比べ、赤外寄りの光は、Si基板のより深部まで侵入しやすい。このため、光電変換層に入射したものの、光電変換層のフォトダイオードによって光電変換されなかった波長の光は、フォトダイオードのある光電変換層を通過して配線層にまで到達し、配線層の金属配線で反射する。反射した光は、再びフォトダイオードのある光電変換層に入射し、フォトダイオードが感度を持つ波長であれば、入射したフォトダイオードにより光電変換される。Siは波長約1100nm付近までの光を吸収する。すなわち、波長約1100nm付近までの光に対して感度を持つことが知られている。一方、ヒトの目が感度を持つのは、波長780nm程度の光までと言われている。つまり、固体撮像素子によって得られる信号には、ヒトの目が感じることのできる波長領域外の光が含まれてしまう、ということになる。一般的な写真ビデオ撮影用途の撮像装置においては、目に見える被写体の再現性が重要となるため、ヒトの可視光にのみ感度を持つことが望ましい。このような撮像装置に実装される固体撮像素子が赤外光に感度を持ってしまうと、色再現性が低下してしまい、好ましい撮影画像を得ることができなくなる。このような課題の対策として、一般的なデジタルカメラでは、光学フィルタの一種である赤外カットフィルタを固体撮像素子と光学レンズとの間に配設することで、赤外光が固体撮像素子に照射されないように構成している。例えば、赤外光を全波長にわたって完全に遮断できる、理想的な赤外カットフィルタを用いれば、赤外光が固体撮像素子に届かないようにすることが可能である。しかし、そのような理想的な赤外カットフィルタを用いると、撮像装置の部品コストが高くなってしまうため、できるだけ低価格で一般に提供したい撮像装置に採用することは現実的ではない。したがって、一般ユーザ向けのデジタルカメラは、実際には、遮断できる波長の範囲を限定した赤外カットフィルタを用いることで、コストを低く抑えている。具体的には、例えば、波長約700nm~1000nm程度の赤外光を遮断し、固体撮像素子へ照射されないようにしている。しかし、これでは、赤外カットフィルタの特性上、波長約1000nm以上の光は遮断できないため、一部の光が赤外カットフィルタを通過し固体撮像素子に入射してしまう。固体撮像素子に到達した波長約1000nm以上の光のうち、Siが感度を持つ波長約1100nm以下の光は、フォトダイオードで光電変換される。すなわち、固体撮像素子によって得られる信号には、ヒトの目が感じることのできる波長領域外の光が含まれてしまうことになる。本発明は、上記課題に鑑みてなされ、その目的は、光電変換層より深い位置に配線層が配設された固体撮像素子において、光電変換層を通過する光に対する感度を抑え、色再現性を向上させる配線レイアウトを実現することである。上記課題を解決し、目的を達成するために、本発明の固体撮像素子は、光電変換素子が配設される光電変換層と、少なくとも1層の金属膜と、前記金属膜の周囲を埋める層間絶縁膜とからなる配線層と、を有し、前記配線層が前記光電変換層に対して光入射側と反対側の前記光電変換層より深い位置に配設された固体撮像素子において、前記配線層の金属膜のうち、少なくとも前記光電変換層に最も近い位置に配設された第1の金属膜を、前記光電変換層を通過した所定範囲の波長の光が照射されない領域に配置した。本発明によれば、光電変換層より深い位置に配線層が配設された固体撮像素子において、光電変換層を通過する光に対する感度を抑え、色再現性を向上させることができる。以下に、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。尚、以下に説明する実施の形態は、本発明を実現するための一例であり、本発明が適用される装置の構成や各種条件によって適宜修正又は変更されるべきものであり、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。また、後述する各実施形態の一部を適宜組み合わせて構成しても良い。<撮像装置の構成>まず図6を参照して、本発明の固体撮像素子が実装可能なデジタルカメラやデジタルビデオカメラなどに代表される撮像装置の構成について説明する。図6に示すように、本実施形態の撮像装置は、レンズ1a及び絞り1bからなる光学系1、メカニカルシャッタ2、赤外光を遮断する赤外IRカットフィルタ3a、固体撮像素子3b、アナログ画像信号をデジタル信号に変換するA/D変換器4を備える。また、撮像装置は、固体撮像素子3bを駆動する信号を発生するタイミング信号発生回路5、光学系1、シャッタ2及び固体撮像素子3bの駆動回路6、固体撮像素子3bから出力される画像データに必要な信号処理を行う信号処理回路7を備える。また、撮像装置は、信号処理された画像データを記憶する画像メモリ8、撮像装置に対して着脱可能なメモリカードなどの記録媒体9、信号処理された画像データを記録媒体9に記録する記録回路10を備える。更に、撮像装置は、信号処理された画像データを表示する画像表示装置11、画像表示装置11に画像を表示する表示回路12、撮像装置全体を制御するシステム制御部13、不揮発性メモリROM14、揮発性メモリRAM15を備える。不揮発性メモリ14には、システム制御部13で実行される制御プログラム、プログラムを実行する際に使用されるパラメータやテーブル等の制御データ、及び、画像信号の補正に用いるデータが記憶されている。揮発性メモリ15には、不揮発性メモリ14に記憶されたプログラム、制御データ及び補正データが転送記憶され、システム制御部13が撮像装置を制御する際にワークエリアとして使用する。なお、16は撮像装置の電源をオンオフするための電源スイッチ、17はAFやAE等の撮影スタンバイ動作を行うためのスイッチSW1、18はSW1の操作後、撮影動作を行う撮影スイッチSW2である。<撮影動作>次に、本実施形態の撮像装置による撮影動作について説明する。撮影動作に先立ち、撮像装置の電源投入時等の、システム制御部13の起動時において、不揮発性メモリ14から必要なプログラム、制御データ及び補正データを揮発性メモリ15が転送されて記憶される。これらのプログラムやデータは、システム制御部13が撮像装置を制御する際に使用する。また、必要に応じて、追加のプログラムやデータを不揮発性メモリ14から揮発性メモリ15に転送し、あるいは、システム制御部13が直接不揮発性メモリ14に格納されたデータを読み出して使用する。まず、光学系1は、システム制御部13からの制御信号に応じて、レンズ1aと絞り1bを駆動して、適切な明るさに設定された被写体像を固体撮像素子3bの受光面に結像させる。次に、メカニカルシャッタ2は、システム制御部13からの制御信号に応じて、適正な露光時間となるように固体撮像素子3bの駆動に合わせて固体撮像素子3bを遮光するように作動する。ここで、固体撮像素子3bが電子シャッタ機能を有する場合は、メカニカルシャッタ2と併用して、適正な露光時間を確保してもよい。固体撮像素子3bは、システム制御部13の制御下でタイミング信号発生回路5が発生する動作パルスに応じた駆動パルスにより駆動され、被写体像を光電変換により電気信号に変換してアナログ画像信号として出力する。固体撮像素子3から出力されるアナログ画像信号は、システム制御部13の制御下でタイミング信号発生回路5が発生する動作パルスによりA/D変換器4でデジタル信号に変換される。次に、システム制御部13の制御下で信号処理回路7は、デジタル信号に変換された画像データに対して各種補正、色変換、ホワイトバランス、ガンマ補正等の画像処理、解像度変換処理、画像圧縮処理等を行う。画像メモリ8は、信号処理中のデジタル画像信号を一時的に記憶したり、信号処理された画像データを記憶する。信号処理回路7で信号処理された画像データや画像メモリ8に記憶されている画像データは、記録回路10によって記録媒体9に適合するフォーマットデータ例えば、階層構造を持つファイルシステムデータに変換されて記録媒体9に記録される。また、A/D変換器4でデジタル信号に変換された画像データは、信号処理回路7で解像度変換処理が施された後、表示回路12により画像表示装置11に適合する信号例えば、NTSC方式のアナログ信号等に変換されて、画像表示装置11に表示される。ここで、信号処理回路7は、システム制御部13からの制御信号に応じて信号処理を行わずに、デジタル信号に変換された画像データRAW画像データをそのまま、画像メモリ8や記録回路10に出力し、記録してもよい。また、信号処理回路7は、システム制御部13からの要求に応じて、信号処理の過程で生じたデジタル信号や画像データの情報、あるいは、それらから抽出された情報をシステム制御部13に出力する。デジタル信号や画像データの情報としては、例えば、画像の空間周波数、指定領域の平均値、圧縮画像のデータ量等の情報がある。記録回路10は、システム制御部13からの要求に応じて、記録媒体9の種類や空き容量等の情報をシステム制御部13に出力する。<再生動作>次に、本実施形態の撮像装置による画像再生動作について説明する。システム制御部13からの制御信号に応じて記録回路10は、記録媒体9から画像データを読み出す。システム制御部13からの制御信号に応じて信号処理回路7は、画像データが圧縮画像であった場合には伸長処理を行い、画像メモリ8に記憶する。画像メモリ8に記憶されている画像データは、信号処理回路7で解像度変換処理が施された後、表示回路12によって画像表示装置11に適合する信号に変換されて画像表示装置11に表示される。なお、上述した撮像装置の構成や動作は一例であり、本発明の固体撮像素子が実装される撮像装置は、上述した構成に限定されるものではない。<画素部の回路構成>次に、図7を参照して、本実施形態の固体撮像素子の画素部の回路構成について説明する。図7は、本実施形態の固体撮像素子の画素部の回路構成の一例として、CMOSイメージセンサにおける画素部の等価回路図である。図7において、画素部は、光信号を電荷に変換するフォトダイオードPDを備える。また画素部は、フォトダイオードPDに蓄積された光信号電荷を転送する画素転送スイッチM1、フォトダイオードPDおよびフローティングディフュージョンFDM3のゲートの電荷をリセットするための画素リセットスイッチM2を備える。更に画素部は、画素の電荷を電圧に変換し、増幅する増幅MOSM3、信号の転送を行う画素を選択し、信号を垂直出力線に出力する行選択スイッチM4を備える。画素転送スイッチM1のゲート図2の131は不図示の垂直走査回路に接続され、垂直走査回路から入力される画素転送信号PTXによって制御される。リセットスイッチM2のゲートは垂直走査回路に接続され、垂直走査回路から入力される画素リセット信号PRESによって制御される。行選択スイッチM4のゲートは垂直走査回路に接続され、垂直走査回路から入力される行選択信号PSELによって制御される。なお、上述した固体撮像素子の画素部の構成は一例であり、本発明の固体撮像素子の画素部の構成は、上述した構成に限定されるものではない。<画素部の層構成>次に、図1乃至図3を参照して、本実施形態の固体撮像素子の画素部の層構成について説明する。本実施形態の固体撮像素子は、複数の画素部を備える。画素部のそれぞれは、光電変換素子としてのフォトダイオードPDが配設される光電変換層120と、少なくとも1層の金属膜101~103と、これら金属膜の周囲を埋める層間絶縁膜とからなる、少なくとも1層の配線層121と、を有する。そして、上記配線層121のうち少なくとも1層が、光電変換層120より深い位置に配設されている。[実施形態1]本発明の特徴の1つは、固体撮像素子の配線層における金属膜のレイアウト及びその決定方法にある。特に、配線層のうち、少なくとも光電変換層に最も近い金属膜以下、第1の金属膜でフォトダイオードを通過した光が反射し、フォトダイオードへ再入射しないように、第1の金属膜のレイアウトを決定することが特徴である。本発明の目的を実現する実施形態として、図1及び図2に示す第1の金属膜101が配設される深さ位置では、光電変換層120において吸収光電変換されずに通過した光が照射される領域100に、第1の金属膜101をレイアウトしないようにする。こうすることで、光電変換層を通過した光が配線層の第1の金属膜101で反射することによる、フォトダイオードPDへの再入射を低減できる。図1乃至図3を参照して、実施形態1による固体撮像素子の配線レイアウトについて説明する。図3は実施形態1における固体撮像素子の一部を拡大し、光入射面側から見た、画素レイアウトを簡素化して例示している。また図1は図3に示す固体撮像素子の一部を、破線Iに沿って切断した模式的断面図であって、光入射面側から入射する、ある2種類の波長の光が通過する進路矢印110,111と、第1の金属膜101をレイアウトしない領域100との位置関係を示す。図2は図3に示す固体撮像素子の一部を、破線IIに沿って切断した模式的断面図であって、光入射面側から入射する、ある2種類の波長の光が通過する進路矢印110,111と、第1の金属膜101をレイアウトしない領域100との位置関係を示す。図2及び図3に示すように、図7に示した画素を構成する各要素のうち、フォトダイオードPD、フローティングディフュージョンFDは、光電変換層120に配置される。図2に示すように、光電変換層120と配線層121との間に、画素転送スイッチM1のゲート131をはじめとする、画素部の各スイッチ及びMOSのゲート電極が配設されている。図1乃至図3に示すように、配線層121のうち光電変換層120に最も近い深さに配置される第1の金属膜101として、主に画素部の配線AlやCuなどの金属で構成された金属薄膜がレイアウトされる。ここでは、画素リセットスイッチM2のゲート電極と画素リセット信号線PRESとを結ぶ金属配線、FDと増幅MOSM3のゲート電極とを結ぶ金属配線、画素と垂直出力線とを結ぶ金属配線などがレイアウトされている。図1及び図3に示すように、光電変換層120に対して光入射側とは反対側の、第1の金属膜101より深い位置に、第2の金属膜102が配設される。第2の金属膜102には、画素部の信号の出力に用いられる垂直出力線が配設されている。また、図1乃至図3には示していないが、垂直出力線と同方向に延びる配線がある場合は、主にこの層に配設される。更に、図2及び図3に示すように、光電変換層120に対して、第1の金属膜101及び第2の金属膜102より深い位置に、第3の金属膜103が配設される。第3の金属膜103には、第2の金属膜102における配線の向きとは直交するように延びる配線が配設される。ここでは、画素部の各ゲート電極に制御用のパルス信号を送るための金属配線が配設されている。各々の金属膜の間は層間絶縁膜によって埋められている。本実施形態の固体撮像素子は、配線層121のうち、特に第1の金属膜101と同一の深さ位置における、所定範囲の波長の光矢印110,111が通過する領域100に、第1の金属膜101をレイアウトしないようにしている。換言すると、第1の金属膜101に光電変換層120を通過した所定範囲の波長の光が照射しないように、第1の金属膜101における光電変換層120を通過した光が到達する領域100に、第1の金属膜101が配置されないようにレイアウトを決定している。所定範囲の波長の光とは可視光よりも波長が長く、光電変換層120において吸収される最も長い波長以下の光であり、具体的には波長が780nmよりも長い赤外光である。この赤外光は、固体撮像素子3bに入射した光のうち、光電変換層120で光電変換吸収されずに通過し、更に基板の特性上光電変換される可能性のある光である。本実施形態では、例えば、赤外光の一部である波長1000nm矢印110から1100nm矢印111の光が、第1の金属膜101と同一の深さ位置を通過する領域100に、第1の金属膜101をレイアウトしないようにしている。この場合、固体撮像素子3bへの光の入射側に、図1及び図2に示すように、画素ごとに入射光をフォトダイオードPDへ向けて集光させるための集光部としてのマイクロレンズMLを配設するとよい。あるいは、不図示であるが、固体撮像素子3bへの光の入射側と、フォトダイオードPDの光の入射面との間に、マイクロレンズMLと同様の機能を持つレンズであるインナーレンズや、光を所定の位置に導く導波路などの光学部材を設けてもよい。これらの画素部の光学部材によって入射光を集光させることで、本実施形態では第1の金属膜101をレイアウトしない領域100の位置及び面積を限定することが可能となる。特にマイクロレンズMLとインナーレンズの少なくともいずれかにより、固体撮像素子3bに感度を持たせたくない波長範囲の光のうち、最短の波長の光矢印110を、第1の金属膜101の深さ位置入射面における、画素ごとの光学部材の光学中心に集光させることが望ましい。例えば、可視光にのみ感度を持つことが望ましい静止画や動画撮影用の撮像装置に搭載される固体撮像素子の前段には、所定の赤外光を遮光可能な光学フィルタが設けられている。この光学フィルタによって波長700nm~1000nmの光が遮断される場合について説明すると、光学フィルタによって遮断されずに固体撮像素子に到達する波長約1000nm以上の赤外光の中で、フォトダイオードPDが比較的高い感度を持つ短波長側の、波長1000nmの光が、固体撮像素子の入射側から見たときに第1の金属膜101における光電変換層側の表面が位置する深さで、画素ごとの光学中心に焦点を結ぶようにする矢印110。そして、配線層121のレイアウトの際には波長約1000nm矢印110から、フォトダイオードPDが感度を持つ波長1100nm矢印111の光が照射される領域100に第1の金属膜101が配線されないようにレイアウトする。こうすることで、第1の金属膜101をレイアウトしない領域100の位置及び面積を限定し、配線レイアウトの自由度の低下を極力抑えた上で、目的とする効果を得ることができる。第1の金属膜101をレイアウトしない領域100は、画素ごとに、第1の金属膜101の深さ位置において、所定範囲の波長の光が通過する領域を含むよう、各画素の光学部材の形状や用いる材料、各光学部材の構成に応じて決定される。領域100の位置及び面積は、例えば各画素の光学部材の形状や用いる材料、各光学部材の構成などを考慮したシミュレーションや実験などによって得られた結果から決定すればよい。上述したように固体撮像素子の配線層をレイアウトすることで、図1及び図2に示すように、第1の金属膜101を通過した所定範囲の波長の光の一部が、第2の金属膜102を更に通過することで光電変換層120から更に遠ざけることができる。また、第2の金属膜102で反射した光は、一部の光を除き、第1の金属膜101における光電変換層120とは反対側の面で反射されるため、第1の金属膜101の開口部を通過した光が再度光電変換層120に到達する割合は大幅に減少する。ここで、不図示であるが、第2の金属膜102を通過したごく一部の光は第1の金属膜101によって再反射されずに光電変換層120まで到達する可能性が考えられる。しかし、入射光図8の矢印810,811が第1の金属膜図8の801によって反射されてそのままフォトダイオードPDに入射していた従来の構成と比較して、本実施形態の固体撮像素子は、入射光がフォトダイオードPDに到達する経路が長くなる。光の経路が長い分、光は層間のSiによって減衰され、フォトダイオードPDへ到達したとしても、その光の強度は従来に比べて小さくなる。なお、図8では、図1及び図2と対応する構成には下二桁の数字は同一とし、三桁目の数字を8とした符号を付して示している。以上のように、本発明の目的である、赤外光に対する固体撮像素子の感度の低減を達成できる。本実施形態では第1の金属膜101のレイアウトについてのみ言及し、第2の金属膜102以下のレイアウトについては特に規定していない。しかしながら、それぞれの金属膜が配設される深さ位置において、光電変換層を通過した光が到達する領域に金属膜をレイアウトしない開口部を形成することで、光電変換層120から、光が反射されうる金属膜表面までの距離を更に遠ざける構成としてもよい。なお、本実施形態では、第1の金属膜101が配設される深さ位置において、光電変換層120にて吸収光電変換されずに通過した光が照射される領域100に、第1の金属膜101をレイアウトしない開口部を形成した。しかしながら、実際上は、図9に示すように、光が光電変換層920側に反射しないように、配線層921の第1の金属膜901がレイアウトされていれば、赤外光に対する固体撮像素子の感度の低減を達成することが可能である。例えば、領域900の側面第1の金属膜901の端面で反射した光が光電変換層920へ向かわないようにレイアウトしてもよいつまり、領域900を金属膜901で覆わないようにすればよい。なお、図9では、図1及び図2と対応する構成には下二桁の数字は同一とし、三桁目の数字を9とした符号を付して示している。また、より深い位置に配設された金属膜で反射した光が、この金属膜より浅い位置に配設された金属膜の隙間を通過してフォトダイオードPDに入射しないよう、浅い位置に配設された金属膜の裏面で光を反射するように、各金属膜のレイアウトを決定する。例えば、図9において、第2の金属膜902で反射した光911が、第1の金属膜901との隙間を通過してフォトダイオードPDに入射しないよう、第1の金属膜901が領域900を除き第2の金属膜902を覆うようにレイアウトを決定する。このようなレイアウトでも、赤外光に対する固体撮像素子の感度を低減することが可能となる。[実施形態2]撮像装置において固体撮像素子に入射する光の角度は様々である。特に撮像装置の光学系の光学中心固体撮像素子の撮像領域の中心が撮像装置の光学中心に位置するように設計されることが多いに相当する位置に配設された画素と、撮像装置の光学中心から離れた位置固体撮像素子の撮像領域の中心が撮像装置の光学中心に位置するよう設計されたとき、固体撮像素子の撮像領域の端部に相当に配設された画素とでは、入射光の角度は大きく異なる。例えば、撮像装置の光学中心に配設された画素に入射する主光線は、固体撮像素子の受光面に対して鉛直に入射するのに対し、撮像装置の光学中心から離れた位置に配設された画素に入射する主光線は、光学中心から離れるほど斜めに傾く。よって、金属配線による光の反射を好適に低減するためには、固体撮像素子の全ての画素について、配線層121のレイアウトを同一にするのではなく、画素ごとに配線層121における第1の金属膜101をレイアウトしない領域を異ならせることが好ましい。具体的には、撮像装置の光学系の光学中心との位置関係に応じて、画素ごとに最適に第1の金属膜101をレイアウトしない領域を決定することが好ましい。以下に、実施形態2として、画素と撮像装置の光学系の光学中心との位置関係に応じて、第1の金属膜101をレイアウトしない領域を異ならせる方法について、図4及び図5を参照して説明する。なお、本実施形態において、配線層の各金属膜のレイアウトを決定する方法は、実施形態1と同様であり、金属膜のレイアウトが画素ごとに最適化され、画素ごとに第1の金属膜101をレイアウトしない領域を異なるようにしている点が特徴である。図4は、本実施形態の固体撮像素子の全体を概略的に示している。また、図5は、図4の固体撮像素子の画素A、B、Cについて、金属膜をレイアウトしない領域100a、100b、100cと、マイクロレンズMLやフォトダイオードPDとの位置関係を簡易的に示している。図5Aは、図4において撮像装置の光学系の光学中心に対応する位置に配設された画素Aを示している。また、図5B、Cは、図4において撮像装置の光学系の光学中心に配設された画素と同じ行の画素のうち、光学中心から離れた位置に配設された画素B、Cを示している。図4において、画素Aは、図5Aに示すように、該当画素の光学系の光学中心とほぼ同じ位置を中心とする領域100aに、第1の金属膜101をレイアウトしないようにする。また、画素Bは、撮像装置の光学系と画素Bの光学系を介して入射した光の進路に対応するように、ここでは画素Aに比べて左方向にオフセットした領域100bに、第1の金属膜101をレイアウトしないようにする。同様に、画素Cは、撮像装置の光学系と画素Cの光学系を介して入射した光の進路に対応するように、ここでは、画素Aに比べて右方向画素Bの100bとは反対の方向にオフセットした領域100cに、第1の金属膜101をレイアウトしないようにする。同様に、他の不図示の画素についても、例えば、撮像装置の光学系の光学中心に配設された画素と同じ列の画素のうち、光学中心から離れた位置に配設された画素は、縦方向にオフセットした領域に第1の金属膜101をレイアウトしないようにする。このように、撮像装置の光学系と各々の画素の光学系を介して入射した光の進路に対応して、適宜、画素Aに比べてオフセットした位置に第1の金属膜101をレイアウトしないように、配線層121の金属膜の配置が決定される。上記実施形態2によれば、配線層による光の反射を、画素の位置によらず、好適に低減することが可能である。第1の金属膜101をレイアウトしない領域は、全ての画素で最適な位置になるよう画素ごとにそれぞれ異ならせることが望ましいが、簡易化のため、所定のまとまった領域ごとに異ならせてもよい。また不図示であるが、固体撮像素子の基準信号を得るために、撮像領域とは別に画素を遮光した領域を設けた固体撮像素子では、遮光領域に、撮像領域を通過した光が入射しないよう遮光領域に入射する光を遮断できるよう、金属膜をレイアウトしてもよい。あるいは、配線のレイアウトに起因して発生してしまう、配線間の隙間への光の入射を遮断するように、光電変換層といずれかの金属膜との間に、光を遮断する遮光層や光を反射する反射層を設けてもよい。"