情報を記憶するための記憶領域を有する半導体メモリと、前記半導体メモリの記憶領域のうちリードエラーの発生する回数が2以上の所定回数となった記憶領域を前記情報の記憶の利用から除外するように管理する管理手段と、を具備する情報記憶装置。前記管理手段は、前記半導体メモリの前記記憶領域に記憶された情報のリードの結果、エラー訂正数が所定数以上となる回数が2以上の第2の所定回数となった記憶領域を前記情報の記憶の利用から除外するように管理する請求項1記載の情報記憶装置。前記管理手段は、前記半導体メモリの記憶領域のうちライトエラーの発生する回数が2以上の第3の所定回数となった記憶領域を前記情報の記憶の利用から除外するように管理する請求項2記載の情報記憶装置。前記管理手段は、前記リードエラーの発生する回数が前記所定回数より少ない記憶領域、前記エラー訂正数が所定数以上となる回数が前記第2の所定回数より少ない記憶領域、または、前記ライトエラーの回数が前記第3の所定回数より少ない記憶領域を、前記情報の記憶の利用から一時的に除外する仮除外領域として管理し、前記リードエラーの発生する回数が前記所定回数となった記憶領域、前記エラー訂正数が所定数以上となる回数が前記第2の所定回数となった記憶領域、または、前記ライトエラーの回数が前記第3の所定回数となった記憶領域を、前記情報の記憶の利用から恒久的に除外する除外領域として管理する請求項3記載の情報記憶装置。記録可能な領域としての記録領域を確保する場合、前記仮除外領域、前記リードエラーの発生していない記憶領域、前記前記エラー訂正数が所定数より少ない記憶領域、または、前記ライトエラーの発生していない記憶領域の何れかの記憶領域のデータを消去する消去手段を具備する請求項4記載の情報記憶装置。情報を記憶するための記憶領域を有する半導体メモリを具備する情報記憶装置での情報記憶方法であって、前記半導体メモリの記憶領域のうちリードエラーまたはライトエラーの発生する回数が2以上の所定回数となった記憶領域を前記情報の記憶の利用から除外する情報記憶方法。ところが従来は、不良ブロックとして管理される記憶領域は単に増加するのみであった。すなわち、情報記憶装置において、情報の記憶に利用できない記憶領域の発生を抑制することが困難であった。そこで、本発明が解決しようとする課題は、情報の記憶に利用できない記憶領域の発生を抑制することができる情報記憶装置および情報記憶方法を提供することである。本実施形態にかかる情報記憶装置は、半導体メモリと、管理手段とを具備する。半導体メモリは、情報を記憶するための記憶領域を有する。管理手段は、半導体メモリの記憶領域のうちリードエラーの発生する回数が2以上となった記憶領域を情報の記憶の利用から除外するように管理する。以下、本実施形態について図面を用いて説明する。図1は、本実施形態にかかる情報記録装置としてのSSDSolidStateDrive10を備える電子機器100の構成を示すブロック図である。電子機器100は、ホスト装置90を備えている。SSD10は、通信手段80を介してホスト装置90と接続され、ホスト装置90の記憶モジュールとして機能する。通信手段80は、ホスト装置90とSSD10とを接続し、ホスト装置90とSSD10との間のデータ及びコマンドの送受に係る通信に利用される。例えば、電子機器100は、パーソナルコンピュータであり、ホスト装置90は、パーソナルコンピュータに備えられるチップセットICである。本実施形態にかかるSSD10は、ホストI/F1、データ制御部2、ECC制御部3、メモリI/F4、CPU5、RAM6、主メモリ7を備える。これら複数のブロックのいくつかは、バス8により接続されて情報を送受する。RAM6は、利用可能領域情報11、利用不可能領域情報12、利用判定中領域情報13を記憶する。主メモリ7は、システムデータ領域21、ユーザデータ領域22、データ保持状態判定領域23といった記憶領域を含む。このSSD10では、ホスト装置90から送信されたデータに対応するデータを主メモリ7に記憶するライト処理が実行される。また、ホスト装置90から要求されたデータに対応するデータを主メモリ7から読み出すリード処理も実行される。本実施形態では、主メモリ7の記憶領域のうち、データのライト処理またはリード処理に利用できない記憶領域以下、不良記憶領域とも称するを除外したライト処理及びリード処理が実行される。後述するが、本実施形態では、主メモリ7にNANDメモリが適用される。NANDメモリを利用する記憶媒体に対するリード処理では、次のようなリードエラーが発生することがある。1経年劣化的なメモリ素子の疲弊による真正エラーメモリセルの不良。2比較的に長時間の間に、メモリ素子に対して読み出しまたは書き込みをしないことによるデータリテンションエラー。3同一のメモリ素子を繰り返し読み出すことによるリードディスターブエラー。本実施形態にかかるSSD10では、これらのリードエラーの原因となる不良記憶領域の発生を抑制する。ホストI/F1は、ホスト装置90との間でデータを送受信する通信処理を実行する。例えばホストI/F1は、ホスト装置90との間で、SATASerialAdvancedTechnologyAttachment規格またはSAS規格に準拠した通信処理を実行する。ホストI/F1は、データを記憶するためのライトコマンドをホスト装置90から受信すると、受信したライトコマンドに付随するライトデータをデータ制御部2へ出力する。また、ホストI/F1は、データを読み出すためのリードコマンドをホスト装置90から受信すると、対応するリードデータをデータ制御部2から入力される。データ制御部2は、ホストI/F1とECC制御部3との間のデータの送受信における、データのキャッシュ処理やリオーダリング処理を制御する。また、データ制御部2は、メモリI/F4と主メモリ7との間のデータの送受信における、データのキャッシュ処理やリオーダリング処理を制御する。ECC制御部3は、ライト処理およびリード処理における、データの誤りを訂正する訂正処理を制御する。ECC制御部3は、リード処理では、メモリI/F4から入力されたユーザデータと訂正符号データとに基づいて、入力されたユーザデータを訂正してデータ制御部2へ送信する。また、ECC制御部3は、ライト処理では、データ制御部2から入力されたユーザデータに対する訂正符号データを生成し、入力されたユーザデータと生成された訂正符号データとをメモリI/F4へ出力する。ECC制御部3は、データの訂正処理において、対象のデータの訂正が可能か不可能かを判定する訂正可否判定を実行する。またECC制御部3は、対象のデータが訂正可能である場合、所定単位例えば、主メモリ7に対するデータの記録単位または読出し単位に対する訂正エラーの発生数を計数するエラー数カウント処理を実行する。ECC制御部3は、訂正可否判定およびエラー数カウント処理の結果をCPU5へ送信する。メモリI/F4は、主メモリ7との間でのデータの送受信処理を実行する。メモリI/F4は、主メモリ7に対するデータの記録単位またはデータの読出し単位で、データの送受信処理を実行する。またメモリI/F4は、主メモリ7に対するデータの消去単位で、主メモリ7に記憶されたデータの一部を消去する。CPU5は、図示せぬ不揮発性記憶部に記憶されたプログラムを実行することでSSD10に備えられた各ブロックを制御するプロセッサである。CPU5は、データのライト処理またはリード処理の動作を制御し、これらの処理の対象となる、主メモリ7の記憶領域に関する情報を管理する記憶領域管理処理を実行する。またCPU5は、ECC制御部3から、訂正可否判定およびエラー数カウント処理の結果を受信する。CPU5は、ECC制御部3から受信した結果に基づいて、ライト処理またはリード処理の対象となる記憶領域に関する情報をRAM6に記憶させる。CPU5が、訂正可否判定およびエラー数カウント処理の結果に基づいて、ライト処理またはリード処理の対象となる記憶領域に関する情報を管理することで、不良記憶領域の発生を抑制することが可能となる。RAM6は、SSD10に備えられた各ブロックのワークメモリである。RAM6には、揮発性メモリであるDRAMが適用される。本実施形態では、RAM6は、利用可能領域情報11、利用不可能領域情報12、利用判定中領域情報13を記憶する。これらの情報は、主メモリ7の記憶領域に関する情報であり、CPU5によって管理される。これらの情報は、SSD10の電源投入詳細には、RAM6への電源投入に応じて、図示せぬ不揮発性記憶部に対して記憶または読み出される。利用可能領域情報11は、ライト処理またはリード処理に利用できる記憶領域を特定するための情報である。利用不可能領域情報12は、ライト処理またはリード処理に利用できない記憶領域を特定するための情報である。利用判定中領域情報13は、一時的にライト処理またはリード処理に利用できない記憶領域とされた記憶領域を特定するための情報である。利用判定中領域情報13として記憶される記憶領域の情報には、カウンタ値が対応付けられている。主メモリ7は、NANDメモリを適用する半導体メモリである。本実施形態では、主メモリ7が1つである構成を説明するが、主メモリ7が複数備えられる構成であってもよい。主メモリ7は、メモリI/F4により、データを送受信またはデータを消去される。本実施形態では、主メモリ7は、システムデータ領域21、ユーザデータ領域22、データ保持状態判定領域23といった記憶領域を含んで構成される。システムデータ領域21は、SSD10の動作に必要なシステム情報を記憶するための記憶領域である。ユーザデータ領域22は、ホスト装置90から送信されたデータユーザデータおよびこのデータに対応する訂正符号データを記憶するための記憶領域である。データ保持状態判定領域23は、データの記憶状態保持状態を判定データリテンション判定とも称されるするための領域である。この判定は、SSD10の電源遮断時に更新されるデータを、SSD10の電源投入時に読み出すことで行われる。具体的には、読み出したデータに対する訂正処理の結果に基づいて、データの記憶状態保持状態が判定される。このような構成により、本実施形態にかかるSSD10に備えられた複数のブロックによって、データのライト処理またはリード処理が実行される。また、これらの処理の対象となる主メモリ7の記憶領域に関する情報が管理される。この記憶領域に関する情報が管理されてデータのライト処理またはリード処理が実行されることで、不良記憶領域が容易に発生しなくなる。次に、図2を用いて、本実施形態において、CPU5で実行される複数の処理を実行するソフトウェアモジュールを説明する。図2は、本実施形態において、CPU5で実行される複数の処理を実行するソフトウェアモジュールの構成を説明するためのブロック図である。本実施形態にかかるCPU5で実行されるソフトウェアモジュールは、リードモジュール201、ライトモジュール202、エラー訂正モジュール203、情報管理モジュール204を含む。これらのモジュールは、図示せぬ不揮発性記憶部に記憶されたプログラムである。これらのモジュールがCPU5で実行され、SSD10に備えられる複数のブロックと協働することで、所定の動作が実行される。リードモジュール201は、ホスト装置90から要求されるリードコマンドに基づいて、要求されたデータを主メモリ7から読み出し、読み出したデータに所定の処理を施したデータをホスト装置90へ転送するリード処理を実行する。ライトモジュール202は、ホスト装置90から送信されたデータに所定の処理を施したデータを主メモリ7に記憶するライト処理を実行する。また、ライトモジュール202は、記録可能な領域として割り当てる記憶領域に記録されたデータを消去するイレーズ処理を実行する。エラー訂正モジュール203は、リード処理において、主メモリ7から読み出されたデータと、このデータに対応する訂正符号データに基づいて、データの誤りを訂正する誤り訂正処理を実行する。また、エラー訂正モジュール203は、ライト処理において、ホスト装置90から送信されたデータに対して、このデータに対応する訂正符号データを生成する訂正処理を実行する。エラー訂正モジュール203は、データの訂正処理において、対象のデータの訂正の可否を判定し、対象のデータが訂正可能である場合、所定単位例えば、主メモリ7に対するデータの記録単位または読出し単位に対する訂正エラーの発生数を計数する。情報管理モジュール204は、データのライト処理またはリード処理の対象となる、主メモリ7の記憶領域に関する情報を管理する。情報管理モジュール204は、ライト処理におけるライトエラーの発生、またはリード処理におけるリードエラーの発生に基づいて、対象となる記憶領域に関する情報を管理する。対象となる記憶領域に関する情報として、この記憶領域がライト処理またはリード処理の対象となるか否か換言すれば、不良記憶領域となるか否かに対応する情報が管理される。情報管理モジュール204は、エラー訂正モジュール203が計数した訂正エラーの発生数または訂正の可否の結果に基づいて、主メモリ7の記憶領域に関して不良記憶領域としての情報を登録する。このような構成により、本実施形態にかかるCPU5で実行される複数のモジュールによって、データのライト処理またはリード処理が実行される。また、これらのモジュールによって、主メモリ7の記憶領域に関する情報が管理される。この記憶領域に関する情報が管理されてデータのライト処理またはリード処理が実行されることで、不良記憶領域が容易に発生しなくなる。次に、図3を用いて、本実施形態にかかるSSD10で実行されるリード処理の動作を説明する。図3は、本実施形態にかかるSSD10で実行されるリード処理の動作を説明するためのフローチャートである。リード処理は、CPU5が主にリードモジュール201を実行することで制御される。本実施形態では、リード処理に伴って、主メモリ7の記憶領域に関する情報を管理する記憶領域管理処理も実行される。記憶領域管理処理は、CPU5が情報管理モジュール202を実行することで制御される。記憶領域90から受領したリードコマンドに応じて、主メモリ7のユーザデータ領域22からリードコマンドに対応するデータおよび訂正符号データが読み出されるS301。読み出されたデータおよび訂正符号データは、対象となるデータの訂正を行うためにECC制御部3で評価されるS302。そして、対象となるデータの訂正は必要か否かが判定されS303、訂正が必要の場合S303のYes、訂正が実行されて訂正不能か否かが判定されるS304。対象データが訂正不能でない場合S304のNo、ECC制御部3はこのデータを訂正するS305。データの訂正の結果、所定単位に対するエラー訂正数が閾値以下であるか否かが判定されるS306。エラー訂正数が閾値以下でない場合S306のNo、主メモリ7のユーザデータ領域22から読み出されたデータおよび訂正符号データは、ライトモジュール202により、読み出した記憶領域でない他の記憶領域にライトされるS307。その後、情報管理モジュール204により、リードコマンドに対応する記憶領域に関して、不良記憶領域エラー領域としての情報の登録処理が実行されるS308。すなわち、エラー訂正数が閾値より多く訂正され、リードエラーとなる可能性を有する場合、対象となる記憶領域に関して、不良記憶領域エラー領域としての情報の登録処理が実行される。また、リードコマンドに対応する記憶領域から読み出されたデータに対応し、エラー訂正数が閾値以下でなくエラー訂正数が閾値より多く訂正されたデータが、記憶領域90に転送されてS309、リード処理は終了する。一方、訂正の対象となるデータの訂正の結果、訂正不能リードエラーである場合S304のYes、情報管理モジュール204により、リードコマンドに対応する記憶領域に関して、不良記憶領域エラー領域としての情報の登録処理が実行されるS310。すなわち、リードエラーとなった場合、対象となる記憶領域に関して、不良記憶領域エラー領域としての情報の登録処理が実行される。また、訂正不能であることリードエラーに対応するエラー状態が、記憶領域90へ通知されS311、訂正不能であるデータが、記憶領域90に転送されてS309、リード処理は終了する。また、訂正の対象となるデータが、訂正が必要でない訂正の必要がない程度に正常である場合S303のNo、このデータが、記憶領域90に転送されてS309、リード処理は終了する。さらに、訂正の対象となるデータの訂正の結果、エラー訂正数が閾値以下である場合S306のYesも、エラー訂正数が閾値以下で訂正されたデータが、記憶領域90に転送されてS309、リード処理は終了する。このようにして、CPU5で実行される複数のモジュールによって本実施形態にかかるリード処理が実行される。本実施形態にかかるリード処理によれば、リード処理の対象となる記憶領域から読み出されたデータに対するエラー訂正数または訂正の可否の結果に基づいて、この記憶領域に関して不良記憶領域としての情報が登録される。この情報の登録処理は、不良記憶領域が容易に発生しないように行われる。次に、図4を用いて、本実施形態にかかるSSD10で実行されるライト処理の動作を説明する。図4は、本実施形態にかかるSSD10で実行されるライト処理の動作を説明するためのフローチャートである。ライト処理は、CPU5が主にライトモジュール202を実行することで制御される。本実施形態では、ライト処理に伴って、主メモリ7の記憶領域に関する情報を管理する記憶領域管理処理も実行される。記憶領域管理処理は、CPU5が情報管理モジュール202を実行することで制御される。記憶領域90から受領したライトコマンドに応じて、記憶領域90から送信されたライトするデータが受信されるS401。エラー訂正モジュール203は、受信したデータに対応するデータに対し、このデータの訂正で用いられる訂正符号データを生成するS402。受信したデータに対応するデータおよび生成された訂正符号データは、主メモリ7のユーザデータ領域22に対してライトされるS403。このライト動作の結果は評価されS404、ライト動作の結果が正常である場合S404のYes、ライト処理は終了する。一方、ライト動作の結果の評価が正常でないライトエラーである場合S404のNo、情報管理モジュール204により、ライトコマンドに対応する記憶領域に関して、不良記憶領域エラー領域としての情報の登録処理が実行されるS406。すなわち、ライトエラーとなった場合、対象となる記憶領域に関して、不良記憶領域エラー領域としての情報の登録処理が実行される。また、ライト動作の結果が異常であることライトエラーに対応するエラー状態が、記憶領域90へ通知されS407、ライト処理は終了する。このようにして、CPU5で実行される複数のモジュールによって本実施形態にかかるライト処理が実行される。本実施形態にかかるライト処理によれば、ライト処理の対象となる記憶領域へのライト動作の結果に基づいて、この記憶領域に関して不良記憶領域としての情報が登録される。この情報の登録処理は、不良記憶領域が容易に発生しないように行われる。次に、図5を用いて、本実施形態にかかるSSD10で実行される記憶領域管理処理の動作を説明する。図5は、本実施形態にかかるSSD10で実行される記憶領域管理処理の動作を説明するためのフローチャートである。記憶領域管理処理は、CPU5が情報管理モジュール202を実行することで制御される。記憶領域管理処理は、リード処理またはライト処理の動作の一部である、不良記憶領域エラー領域としての情報の登録処理として実行される。また、記憶領域管理処理は、主メモリ7の記憶領域の一部をライト処理に利用できるように新規に割り当てるためにも利用される。すなわち、記憶領域管理処理では、少なくとも2つの処理が実行される。まずは、実行する処理が判別されるS501。実行する処理が、不良記憶領域エラー領域としての情報の登録処理エラー領域の登録処理である場合は、以下の動作が実行される。登録の対象となる記憶領域に関する情報が、RAM6内で利用判定中領域情報13として既に登録されているか否かが判定されるS502。登録の対象となる記憶領域について、利用判定中領域情報13として登録されていない場合S502のNo、この記憶領域に関する情報が、利用判定中領域情報13として登録されるS503。登録の対象となる記憶領域について、利用判定中領域情報13として登録されている場合S502のYes、この記憶領域に関する情報に対応付けられたカウンタがインクリメントされるS504。その後、インクリメントされたカウンタ値が閾値以下であるかが判定されS505、カウンタ値が閾値以下である場合S505のYes、記憶領域管理処理は終了する。閾値は2以上であることが好ましい。インクリメントされたカウンタ値が閾値以下でない場合S505のNo、登録の対象となる記憶領域に関する情報が、利用不可能領域情報12として登録されS506、記憶領域管理処理は終了する。本実施形態にかかる記憶領域管理処理では、エラー領域としての登録対象の記憶領域について、登録処理を実行する回数がカウンタ値として対応付けて管理されている。そして、カウンタ値が閾値よりも大きくなると、対象の記憶領域が利用不可能な記憶領域として管理される。換言すると、カウンタ値が閾値以下であれば、対象の記憶領域は、情報の記憶の利用から一時的に除外する仮除外領域として管理され、カウンタ値が閾値よりも大きくなると、対象の記憶領域は、情報の記憶の利用から恒久的に除外する除外領域として管理される。すなわち、不良記憶領域が容易に発生しない。一方、実行する処理が、主メモリ7の記憶領域の一部をライト処理に利用できるように新規に割り当てるために実行される場合は、以下の動作が実行される。新規に割り当てる対象となる記憶領域に関する情報として、RAM6内で、利用可能領域情報11または利用判定中領域情報13として登録されている記憶領域が抽出されるS507。記憶領域の抽出については、利用可能領域情報11に登録されている記憶領域、利用可能領域情報11および利用判定中領域情報13のうち登録されている記憶領域の量数が多いほうに登録されている記憶領域、利用判定中領域情報13に登録されている記憶領域、の何れを優先してもよい。抽出された記憶領域に記録されたデータに対して、ライトモジュール202によってイレーズ処理が実行されるS508。このイレーズ処理の結果が正常であるか否かが判定されS509、イレーズ処理の結果が正常である場合S509のYes、記憶領域管理処理は終了する。イレーズ処理の結果が正常でない場合S509のNo、イレーズ動作の結果が異常であることイレーズエラーに対応するエラー状態が、記憶領域90へ通知されS510、記憶領域管理処理は終了する。本実施形態にかかる記憶領域管理処理では、ライト処理に利用できるように新規に割り当てる記憶領域として、利用可能領域情報11または利用判定中領域情報13の記憶領域が抽出される。すなわち、エラー領域として登録される回数をカウントされた記憶領域が、ライト処理に利用できる記憶領域として復活することが可能となる。このようにして、本実施形態にかかる記憶領域管理処理は、登録対象の記憶領域について、リードエラーとなる可能性を有する場合、リードエラーまたはライトエラーとなった場合に実行される。また、このような場合でも、登録対象となる記憶領域に関する情報に対応付けられたカウンタ値によって、不良記憶領域が容易に発生しない。従って、本実施形態に係るSSD10は、情報の記憶に利用できない記憶領域の発生を抑制することができる。以上説明したように本実施形態によれば、リードエラーとなる可能性を有する場合、または、リードエラーまたはライトエラーが発生した場合でも、対象となる記憶領域が即時に不良記憶領域となることが避けられる。また、エラー領域として登録対象とされた記憶領域が、ライト処理に利用できる記憶領域として復活することができる。従って、本実施形態に係るSSD10によれば、情報の記憶に利用できない記憶領域の発生を抑制することができる。本実施形態の動作は、通常動作でのリード処理またはライト処理において実施されればよいが、これに限定されるものではない。例えば、SSD10の電源投入時に実施されるデータリテンション判定でのリード処理またはライト処理において実施されてもよい。また、通常動作の空き時間にデータ保持状態判定領域23を利用したセルフテストとしての動作でのリード処理またはライト処理において実施されてもよい。なお、少なくとも一つの実施形態を説明したが、説明した実施形態は一例として提示したものであり、発明の範囲はこの実施形態に限定されない。また、説明した実施形態は、本発明の要旨を変えない範囲において、種々の変更、改変等が可能である。さらに、前述した実施形態に開示されている複数の構成要素を適宜に組み合わせることにより、種々の発明を形成することができる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよく、さらに、異なる実施形態に係る構成要素を適宜組み合わせても良い。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれ、特許請求の範囲に記載された発明と、その均等の範囲に含まれるものである。