基板の周辺部を露光する周辺露光処理と、基板を検査する基板検査処理との少なくとも一方を含む所定の基板処理を行う基板処理装置であって、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部を前記基板保持部の中心を回転軸として回転駆動する回転駆動部と、前記基板保持部を水平に移動駆動する移動駆動部とを含む搬送部と、光を照射する照射部を含み、前記基板保持部に保持された前記基板を前記回転駆動部により回転させながら、前記基板の周辺部に前記照射部により光を照射して前記周辺露光処理を行う周辺露光部と、画像を撮像する撮像部を含み、前記基板保持部に保持された前記基板を前記移動駆動部により移動させながら、前記基板の画像を前記撮像部により撮像し、撮像した画像に基づいて前記基板検査処理を行う基板検査部と、前記搬送部と前記周辺露光部と前記基板検査部とを制御する制御部とを有し、前記制御部は、前記周辺露光部に異常が発生したとき、前記所定の基板処理に前記周辺露光処理が含まれていれば、前記所定の基板処理を停止するように制御し、前記基板検査部に異常が発生したとき、前記周辺露光部及び前記搬送部のいずれにも異常が発生しておらず、かつ、前記所定の基板処理に前記基板検査処理が含まれていれば、前記基板検査処理をスキップするように制御するものである、基板処理装置。前記周辺露光部は、前記照射部が照射するための光を発光する発光部を含み、前記制御部は、前記発光部に異常が発生したとき、前記所定の基板処理に前記周辺露光処理が含まれていれば、前記所定の基板処理を停止するように制御するものである、請求項1に記載の基板処理装置。前記制御部は、前記周辺露光部が過昇温状態になったとき、前記所定の基板処理に前記周辺露光処理が含まれていれば、前記所定の基板処理を停止するように制御するものである、請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置。前記周辺露光部は、前記照射部が照射するための光を透過又は遮断するシャッタ部を含み、前記制御部は、前記シャッタ部に異常が発生したとき、前記所定の基板処理に前記周辺露光処理が含まれていれば、前記所定の基板処理を停止するように制御するものである、請求項1から請求項3のいずれかに記載の基板処理装置。前記基板検査部は、前記撮像部が撮像した画像を画像処理する画像処理部を含み、前記制御部は、前記撮像部と前記画像処理部との間に通信異常が発生したとき、前記周辺露光部及び前記搬送部のいずれにも異常が発生しておらず、かつ、前記所定の基板処理に前記基板検査処理が含まれていれば、前記基板検査処理をスキップするように制御するものである、請求項1から請求項4のいずれかに記載の基板処理装置。前記搬送部は、前記基板保持部に保持された前記基板の回転角度位置を合わせるアライメント部を含むものである、請求項1から請求項5のいずれかに記載の基板処理装置。基板保持部に保持された基板を前記基板保持部の中心を回転軸として回転させながら、周辺露光部の照射部により光を照射して前記基板の周辺部を露光する周辺露光工程と、前記基板保持部に保持された前記基板を、水平に移動させながら、基板検査部の撮像部により前記基板の画像を撮像し、撮像した画像に基づいて基板の検査を行う基板検査工程との少なくとも一方の工程を含む所定の基板処理を行う基板処理方法であって、前記周辺露光部に異常が発生したとき、前記所定の基板処理に前記周辺露光工程が含まれていれば、前記所定の基板処理を停止し、前記基板検査部に異常が発生したとき、前記周辺露光部、及び、前記基板保持部により基板を保持すると共に回転及び水平移動させる搬送部のいずれにも異常が発生しておらず、かつ、前記所定の基板処理に前記基板検査工程が含まれていれば、前記基板検査工程をスキップする、基板処理方法。前記周辺露光部は、前記照射部が照射するための光を発光する発光部を含み、前記発光部に異常が発生したとき、前記所定の基板処理に前記周辺露光工程が含まれていれば、前記所定の基板処理を停止する、請求項7に記載の基板処理方法。前記周辺露光部が過昇温状態になったとき、前記所定の基板処理に前記周辺露光工程が含まれていれば、前記所定の基板処理を停止する、請求項7又は請求項8に記載の基板処理方法。前記周辺露光部は、前記照射部が照射するための光を透過又は遮断するシャッタ部を含み、前記シャッタ部に異常が発生したとき、前記所定の基板処理に前記周辺露光工程が含まれていれば、前記所定の基板処理を停止する、請求項7から請求項9のいずれかに記載の基板処理方法。前記基板検査部は、前記撮像部が撮像した画像を画像処理する画像処理部を含み、前記撮像部と前記画像処理部との間に通信異常が発生したとき、前記周辺露光部及び前記搬送部のいずれにも異常が発生しておらず、かつ、前記所定の基板処理に前記基板検査工程が含まれていれば、前記基板検査工程をスキップする、請求項7から請求項10のいずれかに記載の基板処理方法。前記所定の基板処理を行う前に、前記基板保持部に保持された前記基板の回転角度位置を合わせるアライメント工程を行う、請求項7から請求項11のいずれかに記載の基板処理方法。コンピュータに請求項7から請求項12のいずれかに記載の基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。ところが、このような周辺露光装置と基板検査装置を用いた塗布現像処理においては、次のような問題がある。例えばレジスト塗布処理後の基板に周辺露光処理と基板検査処理とを行うときは、基板搬送装置がレジスト塗布処理後の基板を周辺露光装置内に搬送して周辺露光処理を行い、次いで、搬送装置が周辺露光処理後の基板を基板検査装置内に搬送して基板検査処理を行う。従って、基板搬送装置が、周辺露光装置及び基板検査装置のそれぞれに基板を搬送しなければならず、基板搬送装置の負荷が増大する。また、周辺露光装置及び基板検査装置のいずれをも設けるときは、塗布現像処理システムの設置面積フットプリントが増大する。一方、基板搬送装置の負荷を低減し、塗布現像処理システムの設置面積を低減するためには、周辺露光装置と、基板検査装置とを同一の基板処理装置として統合すればよいとも考えられる。しかし、統合された同一の基板処理装置により周辺露光処理と基板検査処理とを行うときは、周辺露光と基板検査のいずれか一方の処理に用いられる部分に異常が発生したときにも、基板処理装置が停止してしまうという問題がある。本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、基板搬送装置の負荷を低減し、処理システム全体の設置面積を低減するとともに、周辺露光と基板検査のいずれか一方の処理に用いられる部分に異常が発生したときに、基板処理が停止することを防止できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。本発明の一実施例によれば、基板の周辺部を露光する周辺露光処理と、基板を検査する基板検査処理との少なくとも一方を含む所定の基板処理を行う基板処理装置であって、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部を前記基板保持部の中心を回転軸として回転駆動する回転駆動部と、前記基板保持部を水平に移動駆動する移動駆動部とを含む搬送部と、光を照射する照射部を含み、前記基板保持部に保持された前記基板を前記回転駆動部により回転させながら、前記基板の周辺部に前記照射部により光を照射して前記周辺露光処理を行う周辺露光部と、画像を撮像する撮像部を含み、前記基板保持部に保持された前記基板を前記移動駆動部により移動させながら、前記基板の画像を前記撮像部により撮像し、撮像した画像に基づいて前記基板検査処理を行う基板検査部と、前記搬送部と前記周辺露光部と前記基板検査部とを制御する制御部とを有し、前記制御部は、前記周辺露光部に異常が発生したとき、前記所定の基板処理に前記周辺露光処理が含まれていれば、前記所定の基板処理を停止するように制御し、前記基板検査部に異常が発生したとき、前記周辺露光部及び前記搬送部のいずれにも異常が発生しておらず、かつ、前記所定の基板処理に前記基板検査処理が含まれていれば、前記基板検査処理をスキップするように制御するものである、基板処理装置が提供される。また、本発明の他の一実施例によれば、基板保持部に保持された基板を前記基板保持部の中心を回転軸として回転させながら、周辺露光部の照射部により光を照射して前記基板の周辺部を露光する周辺露光工程と、前記基板保持部に保持された前記基板を、水平に移動させながら、基板検査部の撮像部により前記基板の画像を撮像し、撮像した画像に基づいて基板の検査を行う基板検査工程との少なくとも一方の工程を含む所定の基板処理を行う基板処理方法であって、前記周辺露光部に異常が発生したとき、前記所定の基板処理に前記周辺露光工程が含まれていれば、前記所定の基板処理を停止し、前記基板検査部に異常が発生したとき、前記周辺露光部、及び、前記基板保持部により基板を保持すると共に回転及び水平移動させる搬送部のいずれにも異常が発生しておらず、かつ、前記所定の基板処理に前記基板検査工程が含まれていれば、前記基板検査工程をスキップする、基板処理方法が提供される。本発明によれば、基板搬送装置の負荷を低減し、処理システム全体の設置面積を低減するとともに、周辺露光と基板検査のいずれか一方の処理に用いられる部分に異常が発生したときに、基板処理が停止することを防止できる。以下では、本発明の実施の形態に係る基板処理装置及び基板処理方法について説明する。また、以下では、本実施の形態に係る基板処理装置を、塗布現像装置に適用した場合を例示して説明する。先ず、図1から図4を参照し、塗布現像装置に露光装置を接続したレジストパターン形成装置について、図面を参照しながら簡単に説明する。図1は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す平面図である。図2は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す概略斜視図である。図3は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す側面図である。図4は、第3のブロックCOT層B3の構成を示す斜視図である。レジストパターン形成装置は、図1及び図2に示すように、キャリアブロックS1、処理ブロックS2、インターフェイスブロックS3を有する。また、レジストパターン形成装置のインターフェイスブロックS3側に、露光装置S4が設けられている。処理ブロックS2は、キャリアブロックS1に隣接するように設けられている。インターフェイスブロックS3は、処理ブロックS2のキャリアブロックS1側と反対側に、処理ブロックS2に隣接するように設けられている。露光装置S4は、インターフェイスブロックS3の処理ブロックS2側と反対側に、インターフェイスブロックS3に隣接するように設けられている。キャリアブロックS1は、キャリア20、載置台21及び受け渡し手段Cを有する。キャリア20は、載置台21上に載置されている。受け渡し手段Cは、キャリア20からウェハWを取り出し、処理ブロックS2に受け渡すとともに、処理ブロックS2において処理された処理済みのウェハWを受け取り、キャリア20に戻すためのものである。処理ブロックS2は、図2に示すように、棚ユニットU1、棚ユニットU2、第1のブロックDEV層B1、第2のブロックBCT層B2、第3のブロックCOT層B3、第4のブロックTCT層B4を有する。第1のブロックDEV層B1は、現像処理を行うためのものである。第2のブロックBCT層B2は、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うためのものである。第3のブロックCOT層B3は、レジスト液の塗布処理を行うためのものである。第4のブロックTCT層B4は、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うためのものである。棚ユニットU1は、各種のモジュールが積層されて構成されている。棚ユニットU1は、図3に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールTRS1、TRS1、CPL11、CPL2、BF2、CPL3、BF3、CPL4、TRS4を有する。また、図1に示すように、棚ユニットU1の近傍には、昇降自在な受け渡しアームDが設けられている。棚ユニットU1の各処理モジュール同士の間では、受け渡しアームDによりウェハWが搬送される。棚ユニットU2は、各種の処理モジュールが積層されて構成されている。棚ユニットU2は、図3に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールTRS6、TRS6、CPL12を有する。なお、図3において、CPLが付されている受け渡しモジュールは、温調用の冷却モジュールを兼ねており、BFが付されている受け渡しモジュールは、複数枚のウェハWを載置可能なバッファモジュールを兼ねている。第1のブロックDEV層B1は、図1及び図3に示すように、現像モジュール22、搬送アームA1及びシャトルアームEを有する。現像モジュール22は、1つの第1のブロックDEV層B1内に、上下2段に積層されている。搬送アームA1は、2段の現像モジュール22にウェハWを搬送するためのものである。すなわち、搬送アームA1は、2段の現像モジュール22にウェハWを搬送する搬送アームが共通化されているものである。シャトルアームEは、棚ユニットU1の受け渡しモジュールCPL11から棚ユニットU2の受け渡しモジュールCPL12にウェハWを直接搬送するためのものである。第2のブロックBCT層B2、第3のブロックCOT層B3、及び第4のブロックTCT層B4は、各々塗布モジュール、加熱冷却系の処理モジュール群、及び搬送アームA2、A3、A4を有する。処理モジュール群は、塗布モジュールにおいて行われる処理の前処理及び後処理を行うためのものである。搬送アームA2、A3、A4は、塗布モジュールと処理モジュール群との間に設けられており、塗布モジュール及び処理モジュール群の各処理モジュールの間でウェハWの受け渡しを行う。第2のブロックBCT層B2から第4のブロックTCT層B4の各ブロックは、第2のブロックBCT層B2及び第4のブロックTCT層B4における薬液が反射防止膜用の薬液であり、第3のブロックCOT層B3における薬液がレジスト液であることを除き、同様の構成を有する。ここで、図4を参照し、第2のブロックBCT層B2、第3のブロックCOT層B3、及び第4のブロックTCT層B4を代表し、第3のブロックCOT層B3の構成を説明する。第3のブロックCOT層B3は、塗布モジュール23、棚ユニットU3及び搬送アームA3を有する。棚ユニットU3は、加熱モジュール、冷却モジュール等の熱処理モジュール群を構成するように積層された、複数の処理モジュールを有する。棚ユニットU3は、塗布モジュール23と対向するように配列されている。また、棚ユニットU3には、複数の処理モジュールのいずれかと隣接するように、後述する基板処理装置30が設けられている。搬送アームA3は、塗布モジュール23と棚ユニットU3との間に設けられている。図4中24は、各処理モジュールと搬送アームA3との間でウェハWの受け渡しを行うための搬送口である。搬送アームA3は、2枚のフォーク33A、3B、基台25、回転機構26、及び昇降台27を有する。2枚のフォーク3A、3Bは、上下に重なるように設けられている。基台25は、回転機構26により、鉛直軸周りに回転自在に設けられている。また、フォーク3A、3Bは、図示しない進退機構により、基台25から、例えば、後述する基板処理装置30の載置台33に進退自在に設けられている。昇降台27は、図4に示すように、回転機構26の下方側に設けられている。昇降台27は、上下方向図4中Z軸方向に直線状に延びる図示しないZ軸ガイドレールに沿って、昇降機構により昇降自在に設けられている。昇降機構としては、ボールネジ機構やタイミングベルトを用いた機構等、周知の構成を用いることができる。この例ではZ軸ガイドレール及び昇降機構は夫々カバー体28により覆われており、例えば上部側において接続されて一体となっている。またカバー体28は、Y軸方向に直線状に伸びるY軸ガイドレール29に沿って摺動移動するように構成されている。インターフェイスブロックS3は、図1に示すように、インターフェイスアームFを有する。インターフェイスアームFは、処理ブロックS2の棚ユニットU2の近傍に設けられている。棚ユニットU2の各処理モジュール同士の間及び露光装置S4との間では、インターフェイスアームFによりウェハWが搬送される。キャリアブロックS1からのウェハWは、棚ユニットU1の一つの受け渡しモジュール、例えば第2のブロックBCT層B2に対応する受け渡しモジュールCPL2に、受け渡し手段Cにより、順次搬送される。受け渡しモジュールCPL2に搬送されたウェハWは、第2のブロックBCT層B2の搬送アームA2に受け渡され、搬送アームA2を介して各処理モジュール塗布モジュール及び加熱冷却系の処理モジュール群の各処理モジュールに搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハWに反射防止膜が形成される。反射防止膜が形成されたウェハWは、搬送アームA2、棚ユニットU1の受け渡しモジュールBF2、受け渡しアームD、棚ユニットU1の受け渡しモジュールCPL3を介し、第3のブロックCOT層B3の搬送アームA3に受け渡される。そして、ウェハWは、搬送アームA3を介して各処理モジュール塗布モジュール及び加熱冷却系の処理モジュール群の各処理モジュールに搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハWにレジスト膜が形成される。レジスト膜が形成されたウェハWは、搬送アームA3を介し、棚ユニットU1の受け渡しモジュールBF3に受け渡される。なお、レジスト膜が形成されたウェハWは、後述するように、基板処理装置30に搬送され、周辺露光部50によりウェハWの周辺部を露光し、周辺露光が行われてもよく、また、基板検査部70によりウェハWの表面の画像を撮像し、基板検査が行われてもよい。また、レジスト膜が形成されたウェハWは、第4のブロックTCT層B4において更に反射防止膜が形成される場合もある。この場合は、ウェハWは受け渡しモジュールCPL4を介し、第4のブロックTCT層B4の搬送アームA4に受け渡され、搬送アームA4を介して各処理モジュール塗布モジュール及び加熱冷却系の処理モジュール群の各処理モジュールに搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハWに反射防止膜が形成される。そして、反射防止膜が形成されたウェハWは、搬送アームA4を介し、棚ユニットU1の受け渡しモジュールTRS4に受け渡される。レジスト膜が形成されたウェハW又はレジスト膜の上に更に反射防止膜が形成されたウェハWは、受け渡しアームD、受け渡しモジュールBF3、TRS4を介して受け渡しモジュールCPL11に受け渡される。受け渡しモジュールCPL11に受け渡されたウェハWは、シャトルアームEにより棚ユニットU2の受け渡しモジュールCPL12に直接搬送された後、インターフェイスブロックS3のインターフェイスアームFに受け渡される。インターフェイスアームFに受け渡されたウェハWは、露光装置S4に搬送され、所定の露光処理が行われる。所定の露光処理が行われたウェハWは、インターフェイスアームFを介し、棚ユニットU2の受け渡しモジュールTRS6に載置され、処理ブロックS2に戻される。処理ブロックS2に戻されたウェハWは、第1のブロックDEV層B1において現像処理が行われる。現像処理が行われたウェハWは、搬送アームA1、棚ユニットU1のいずれかの受け渡しモジュール、受け渡し手段Cを介し、キャリア20に戻される。次に、図5から図9を参照し、レジストパターン形成装置に組み込まれた、周辺露光処理と基板検査処理とを行う基板処理装置30について説明する。図5は、基板処理装置30の一部断面を含む側面図である。図6は、基板処理装置30の一部断面を含む平面図である。図7は、発光ユニット51の構成を示す縦断面図である。図8は、照射ユニット53の構成を示す縦断面図及び底面図である。図8aは、縦断面図を示し、図8bは、底面図を示す。図9aは、ウェハWが周辺露光部50により周辺露光される様子を示す斜視図である。図9bは、図9aのC-C線に沿う断面図である。基板処理装置30は、前述したように、例えば第3のブロックCOT層B3の各モジュールで処理が行われ、レジスト膜が形成されたウェハWについて、周辺部を露光し、周辺露光を行うとともに、表面の画像を撮像し、基板検査を行うためのものである。基板処理装置30は、レジストパターン形成装置のいずれかの場所に設けられていればよく、前述したように、例えば第3のブロックCOT層B3に、各処理モジュールと隣接して設けることができる。基板処理装置30は、ケーシング31、搬送部32、周辺露光部50、基板検査部70を有する。搬送部32は、載置台33、回転駆動部34、移動駆動部35、アライメント部40を有する。載置台33は、載置されたウェハWを保持するものであり、外側を覆うケーシング31内の下方空間に設けられている。載置台33は、例えば真空チャックよりなる。載置台33は、回転可能に設けられており、モータなどの回転駆動部34によって、回転駆動される。移動駆動部35は、ボールねじ機構36及びガイドレール37を有する。ボールねじ機構36及びガイドレール37は、ケーシング31の底面側に、ケーシング31の一端側図5の左側から他端側図5の右側まで延びるように設けられている。ボールねじ機構36は、載置台33をX方向に移動可能に係合螺合するねじ軸38と、ねじ軸38を正逆回転する移動用モータ39とを有する。ガイドレール37は、ねじ軸38と平行に設けられるとともに、載置台33を摺動可能に支持するように一対で設けられている。すなわち、載置台33は、ボールねじ機構36及びガイドレール37に沿ってX方向に移動可能に設けられている。載置台33及び回転駆動部34は、移動用モータ39を正逆に回転駆動することによって、ガイドレール37に沿って±X方向に移動駆動される。また、ここでは、移動駆動部35がボールねじ機構36を有する場合について説明したが、必ずしも移動駆動部35がボールねじ機構36を有する必要はなく、例えばシリンダ機構又はベルト機構等を有してもよい。アライメント部40は、センサ部41と、前述した回転駆動部34を有する。センサ41部は、載置台33上のウェハWのノッチ部切欠部の位置を検出するためのものである。センサ部41は、例えば一対の発光素子42と受光素子43とを備えたものである。センサ部41は、載置台33に載置され、保持されているウェハWがケーシング31の一端側であるアライメント位置P2に配置されているときに、ウェハWの周辺部を上下から発光素子42と受光素子43とにより挟むように設けられている。センサ部41によるノッチ部の位置の検出結果に基づいて、回転駆動部34により載置台33を回転させ、ウェハWの角度をアライメントすることができる。ケーシング31内の端部には、搬送アームA3が載置台33に対してフォーク3A、3Bを進退駆動させ、ウェハWを搬入、搬出するための搬送口44図4における24と同じが設けられている。周辺露光部50は、発光ユニット51、導光部材52、照射ユニット53を有する。図7に示すように、発光ユニット51は、光源54、集光ミラー55、光源ボックス56を有する。光源54は、載置台33に載置され保持されているウェハWを露光するための光を発光する。光源54として、例えば超高圧水銀ランプを用いることができる。集光ミラー55は、光源54からの光を集光する。光源ボックス56は、光源54と集光ミラー55とを収納する。図5に示すように、発光ユニット51は、ケーシング31の下方に設けることができる。なお、照射ユニット53は、本発明における照射部に相当し、光源54は、本発明における発光部に相当する。また、発光ユニット51は、光源ボックス56内又は光源ボックス56の周辺に設けられた温度ヒューズ56aを有していてもよい。これにより、発光ユニット51に異常が発生し、過昇温状態になったときに、過昇温状態を検出することができる。導光部材52は、発光ユニット51と照射ユニット53とを接続するように設けられている。導光部材52は、例えば石英等の、光に対して透明な芯材を有する、例えば光ファイバよりなるものであり、光源54からの光を、発光ユニット51から照射ユニット53に導く。図8a及び図8bに示すように、照射ユニット53は、入射側スリット57、入射側レンズ58、ミラー59、出射側レンズ60、出射側スリット61、シャッタ62、及び筒状カバー体63を有する。筒状カバー体63は、入射側スリット57、入射側レンズ58、ミラー59、出射側レンズ60、出射側スリット61を収納する。入射側スリット57は、例えば矩形形状を有しており、導光部材52を通って導かれた光が照射ユニット53に入射される際に、光束の断面形状を整える。入射側スリット57を通って照射ユニット53に入射された光は、入射側レンズ58、ミラー59、出射側レンズ60を介して、方向及び光束の形状が変更され、出射側スリット61へと導かれる。出射側スリット61は、例えば矩形形状を有しており、出射側レンズ60を通過した光を照射ユニット53から出射する際に、光束の断面形状を整える。なお、シャッタ62は、本発明におけるシャッタ部に相当する。矩形形状を有するときは、入射側スリット57の寸法は、例えば4mm×10mmとすることができる。矩形形状を有するときは、出射側スリット61の寸法は、例えば4mm×10mmとすることができる。シャッタ62は、シャッタ62が開閉することによって、照射ユニット53内の光の透過又は遮断を制御するためのものである。また、周辺露光部50は、例えばフォトダイオード等よりなる光量センサ64を有していてもよい。光量センサ64は、照射ユニット53の出射側に設けられており、照射ユニット53から出射される光の光量を計測する。これにより、シャッタ62の開閉による照射ユニット53から出射される光量が所定範囲内にあるか否かを判定することができる。このような周辺露光部50によれば、図9aに示すように、光源54からの光Bが、照射ユニット53に設けられた出射側スリット61から出射され、レジスト膜Rが形成されたウェハW表面の周辺部の所定の領域Aに均一に照射される。この状態で、回転駆動部34によりウェハWが回転することによって、図9bに示すように、ウェハW表面の周辺部の余剰レジスト膜RAに光Bを照射すなわち露光周辺露光することができる。基板検査部70は、撮像ユニット71及び画像処理部83aを有する。画像処理部83aは、後述する第3の制御装置83に設けられている。撮像ユニット71は、外側を覆うケーシング31内の上方空間に設けられている。撮像ユニット71は、撮像装置72、ハーフミラー73及び照明装置74を有している。撮像装置72は、撮像ユニット71内の一端側図5の右側に固定されている。本実施の形態では、撮像装置72として、広角型のCCDカメラを使用している。また、ハーフミラー73と照明装置74は、ケーシング71のX方向の中央付近に固定されている。照明装置74は、ハーフミラー73の背後に設けられている。照明装置74からの照明は、ハーフミラー73を通過して、ハーフミラー73の下方に向けて照射される。そしてこの照射領域にある物体の反射光は、ハーフミラー73で反射して、撮像装置72に取り込まれる。すなわち、撮像装置72は、照射領域にある物体を撮像することができる。このような撮像ユニット71によれば、載置台33がケーシング31内の下方空間をガイドレール37に沿ってX方向又は-X方向に移動する間に、ケーシング31内の上方空間に固定された撮像ユニット71が、載置台33上のウェハWの上面を走査する。これにより、ウェハW上面の全面を撮像することができる。なお、図5及び図6に示すように、照明装置74は、周辺露光部50の導光部材52から導光部材52aを分岐させることによって、周辺露光部50の光源54からの光を利用するようにしてもよい。これにより、周辺露光部50と基板検査部70との間で、光源を共用することができ、基板処理装置30内に設けられる光源の数を減らすことができる。本実施の形態によれば、周辺露光装置と、基板検査装置とを同一の基板処理装置として統合することができる。従って、周辺露光処理及び基板検査処理の際にウェハを搬送する基板搬送装置の負荷を低減し、処理システム全体の設置面積フットプリントを低減することができる。次に、図5及び図10を参照し、基板処理装置30の制御部80について説明する。図10は、基板処理装置30の制御部80の構成を示す図である。制御部80は、第1の制御装置81、第2の制御装置82、第3の制御装置83及び本体制御装置84を有する。第1の制御装置81は、搬送部32によるウェハWの回転駆動及び移動駆動並びにアライメント部40によるアライメントを制御する。第2の制御装置82は、周辺露光部50によるウェハWの周辺露光を制御する。第3の制御装置83は、画像処理部83aを含み、基板検査部70の撮像装置72によるウェハWの撮像と、撮像した画像の画像処理部83aによる画像処理を制御する。本体制御装置84は、第1の制御装置81から第3の制御装置83を制御する。第1の制御装置81は、搬送部32に含まれる回転駆動部34の駆動、例えばON、OFF、回転速度等を制御する。すなわち第1の制御装置81から回転駆動部34に対して出力される駆動信号によって、回転駆動部34の駆動、停止、さらには駆動の速度等が制御される。そして駆動信号によって駆動された回転駆動部34からは、そのときのエンコーダ信号が第1の制御装置81に出力される。また、第1の制御装置81は、搬送部32に含まれる移動駆動部35の駆動、例えば移動用モータ39のON、OFF、回転速度等を制御する。すなわち第1の制御装置81から移動駆動部35の移動用モータ39に対して出力される駆動信号によって、移動用モータ39の駆動、停止、さらには駆動の速度等が制御される。そして駆動信号によって駆動された移動用モータ39からは、そのときのエンコーダ信号が第1の制御装置81に出力される。また、第1の制御装置81は、アライメント部40に含まれるセンサ部41の駆動、例えば発光素子42のON、OFF及び受光素子43のON、OFF等を制御する。すなわち第1の制御装置81から発光素子42に対して出力される信号によって、発光素子42の通電、停止、さらには通電電流等が制御される。また、第1の制御装置81から受光素子43に対して出力される信号によって、受光素子43の通電、停止、さらには通電電流等が制御される。そして受光素子43からは、受光素子43が受光した光量に対応した信号が第1の制御装置81に出力される。第2の制御装置82は、周辺露光部50に含まれる光源54の駆動、例えば光源54のON、OFF等を制御する。すなわち第2の制御装置82から光源54に対して出力される駆動信号によって、光源54の通電、停止、さらには通電電流等が制御される。光源54の電気回路54aからは、光源54の発光状態に対応した信号が第2の制御装置82に出力される。また、光源54の内部又は近傍に設けられた温度ヒューズ56aからは、光源54の周囲の過昇温の有無に対応した信号が第2の制御装置52に出力される。第2の制御装置82は、周辺露光部50に含まれるシャッタ62による露光のための光の出射又は遮断等を制御する。すなわち第2の制御装置82からシャッタ62に対して出力される駆動信号によって、シャッタ62の開閉動作等が制御される。照射ユニット53の近傍に設けられた光量センサ64からは、照射ユニット53からの光の照射の有無によってシャッタ62の開閉状態を示す信号が、第2の制御装置82に出力される。第3の制御装置83は、基板検査部70に含まれる撮像装置72による撮像及び照明装置74による光の照射又は停止あるいは図示しないシャッタ機構による照明装置からの光の透過又は遮断を制御する。すなわち第3の制御装置83から撮像装置72に対して出力される外部同期信号によって、撮像装置72による撮像、撮像タイミング、画像取り込み時間等が制御される。また、第3の制御装置83から照明装置74に対して出力される信号によって、照明装置74のON、OFFそして通電電流等が制御される。そして撮像した画像は、第3の制御装置83に出力され、第3の制御装置83に含まれている画像処理部83aにおいて、画像処理及び基板検査が施される。本体制御装置84は、第1の制御装置81、第2の制御装置82及び第3の制御装置83の上位の制御装置であり、第1の制御装置81、第2の制御装置82及び第3の制御装置83を含め、レジストパターン形成装置全体を制御する。例えば本体制御装置84から第1の制御装置81に対して出力される駆動信号に基づいて、第1の制御装置81は回転駆動部34に対して所定の駆動信号を出力する。一方本体制御装置84は、第1の制御装置81に対して出力する駆動信号と同じタイミングで、駆動信号を第2の制御装置82に対しても出力し、第2の制御装置82は、当該駆動信号に基づいてシャッタ62を開くための所定の駆動信号をシャッタ62に対して出力する。これにより、ウェハWの周辺を露光することができる。また、例えば本体制御装置84から第1の制御装置81に対して出力される駆動信号に基づいて、第1の制御装置81は移動用モータ39に対して所定の駆動信号を出力する。一方本体制御装置84は、第1の制御装置81に対して出力する駆動信号と同じタイミングで、駆動信号を第3の制御装置83に対しても出力し、第3の制御装置83は、当該駆動信号に基づいて外部同期信号を撮像装置72に対して出力する。これにより、ウェハWの画像を撮像することができる。以上のような制御は、例えば本体制御装置84に記録されたコンピュータプログラム、又は、本体制御装置84において読み取り可能な各種の記憶媒体に記録されたコンピュータプログラムにしたがってなされる。次に、図11を参照し、本実施の形態に係る基板処理方法について説明する。図11は、本実施の形態に係る基板処理方法における各工程の手順を示すフローチャートである。予め、本体制御装置84に、基板処理方法を含めたレジスト形成方法を実行させるためのプログラムをプロセスレシピとして記録しておく。そして、本体制御装置84に記録されたプロセスレシピに基づいて、以下のような処理を行う。また、プロセスレシピとして、周辺露光及び基板検査のいずれも行う場合レシピ1、基板検査を行わず周辺露光のみを行う場合レシピ2、周辺露光を行わず基板検査のみを行う場合レシピ3の3つのパターンを有する基板処理について説明する。レシピ1からレシピ3のいずれかの処理、すなわちウェハWの周辺露光及び基板検査の少なくともいずれか一方を含む処理を行う際は、まず、ウェハWが、搬送アームA3により搬送口44から搬入され、載置台33上に載置されるステップS11。このとき、載置台33は、予めケーシング31内の他端側のウェハ搬入出位置P1図5中点線で示す位置に待機している。次いで、移動駆動部35により載置台33がケーシング31の一端側のアライメント位置P2図5中実線で示す位置へ移動するステップS12。次いで、センサ部41によりウェハWのノッチ部が検出され、そのノッチ部の位置に基づいてウェハWが回転され、ウェハWのノッチ部の位置が所定角度位置になるように、アライメントを行うステップS13。この所定角度位置は、例えば前述した各レシピ及び更に詳細な処理条件に応じて予め定められた角度位置に選択される。次いで、周辺露光を行うかを判定するステップS14。レシピ番号が前述のレシピ1又はレシピ2であるときは、周辺露光を行うステップS15。一方、レシピ番号が前述のレシピ3であるときは、周辺露光ステップS15をスキップし、ステップS16へ進む。周辺露光ステップS15では、光源54からの光Bが、照射ユニット53に設けられた出射側スリット61から出射され、レジスト膜Rが形成されたウェハW表面の周辺部の所定の領域Aに均一に照射される。この状態で、回転駆動部34によりウェハWを回転させることによって、ウェハW表面の周辺部の余剰レジスト膜RAに光Bが照射されて周辺露光が行われる。次いで、基板検査を行うかを判定するステップS16。レシピ番号が前述のレシピ1又はレシピ3であるときは、基板検査を行うステップS17~ステップS20。一方、レシピ番号が前述のレシピ2であるときは、基板検査ステップS17~ステップS20をスキップし、ステップS21へ進む。基板検査ステップS17~ステップS20では、移動用モータ39により、載置台33をウェハWの画像を撮像するためのスキャン開始位置に移動させるステップS17。なお、前述したアライメント位置P2とスキャン開始位置とが同一であるときは、移動させなくてもよい。次いで、照明装置74を点灯するステップS18。なお、図5に示したように、照明装置74の光源が周辺露光部50の光源54と同一であり、発光ユニット51からの光を導光部材52から導光部材52aにより分岐して照明装置74に導光しているときは、図示しないシャッタを開くようにしてもよい。次いで、移動用モータ39により載置台33をスキャン終了位置であるウェハ搬入出位置P1まで所定速度で移動させながら、ウェハWがハーフミラー73の下を通過する際に、撮像装置72によりウェハWの表面を撮像するステップS19。そして、載置台33は、ウェハ搬入出位置P1で停止する。次いで、照明装置74を消灯するステップS20。なお、図5に示したように、照明装置74の光源が周辺露光部50の光源54と同一であり、発光ユニット51からの光を導光部材52から導光部材52aにより分岐して照明装置74に導光しているときは、図示しないシャッタを閉じるようにしてもよい。次いで、スキャン終了位置ウェハ搬入出位置P1において、回転駆動部34により、ウェハWのノッチ部の位置を所定角度位置に合わせるステップS21。次いで、ウェハWは、搬送アームA3により搬送口44から搬出されるステップS22。このようにして、前述したレシピ1からレシピ3に係る基板処理が終了する。次に、上記した基板処理において、基板処理装置30のいずれかの部分に異常が発生したときの対処について説明する。表1は、レシピ1からレシピ3に係る各基板処理を行う際に、基板処理装置30のいずれかの部分に異常が発生したときの対処方法を示している。表2は、周辺露光部50に異常が発生した場合について、それぞれの異常が発生した部分における異常の種類及び異常の検出方法を示している。表1に示すように、まず、周辺露光部50に異常が発生したとき、基板処理がレシピ1又はレシピ2に係るものであれば、基板処理自体を停止するとともに、異常の発生及び停止を知らせるアラームを出力する。また、周辺露光部50に異常が発生したとき、基板処理がレシピ3に係るものであれば、基板処理自体を停止せず基板検査部70による基板検査処理を継続するとともに、異常の発生を警告する警告アラームを出力する。すなわち、本実施の形態では、周辺露光部50に異常が発生したとき、所定の基板処理に周辺露光処理が含まれていなければ、その基板処理を継続し、所定の基板処理に周辺露光処理が含まれていれば、その基板処理を停止する。これは、周辺露光部50がウェハに実際のプロセスを行うプロセスモジュールであり、周辺露光部50に異常が発生した状態で周辺露光処理を行うと、処理されたウェハに異常が発生するおそれがあるからである。従って、所定の基板処理に周辺露光処理が含まれていなければ、その基板処理を継続可能であるが、所定の基板処理に周辺露光処理が含まれていれば、その基板処理を継続することはできない。周辺露光部50に異常が発生したときの一例として、表2に示すように、光源54に異常が発生し、点灯不能になったとき、発光ユニット51が過昇温状態になったとき、シャッタ62に異常が発生し、開閉動作不能になったとき等が挙げられる。光源54が点灯不能になったことは、例えば光源54の電気回路54aにより検出することができる。発光ユニット51が過昇温状態になったことは、発光ユニット51の近傍に設けられた温度ヒューズ56aにより検出することができる。シャッタ62が開閉動作不能になったことは、ケーシング31内に設けられた光量センサ64により検出することができる。また、表1に示すように、基板検査部70に異常が発生したとき、基板処理がレシピ1に係るものであれば、基板検査処理のみをスキップし、基板処理のうち周辺露光処理を継続するとともに、異常の発生を警告する警告アラームを出力する。また、基板検査部70に異常が発生したとき、基板処理がレシピ2に係るものであれば、基板処理自体を停止せず継続するとともに、異常の発生を警告する警告アラームを出力する。また、基板検査部70に異常が発生したとき、基板処理がレシピ3に係るものであれば、基板処理、すなわち基板検査処理を行わずに、基板を次のモジュールに搬送し、異常の発生及び停止を知らせるアラームを出力する。すなわち、本実施の形態では、基板検査部70に異常が発生したとき、所定の基板処理に基板検査処理が含まれている場合には、基板検査処理をスキップし、後の処理を行う処理モジュールに搬送する。これは、基板検査部70がウェハに実際のプロセスを行うプロセスモジュールではなく、基板検査部70に異常が発生した状態で周辺露光処理を行っても、処理されたウェハに異常が発生するおそれがないからである。従って、所定の基板処理に周辺露光処理が含まれていれば、基板検査処理をスキップした上で周辺露光処理を継続可能である。基板検査部70に異常が発生したときの一例として、撮像装置72と第3の制御装置83の画像処理部83aとの間に通信異常が発生したとき等が挙げられる。また、表1に示すように、搬送部32又はアライメント部40に異常が発生したときは、基板処理がレシピ1からレシピ3のいずれに係るものであっても、基板処理自体を停止するとともに、異常の発生及び停止を知らせるアラームを出力する。これは、搬送部32又はアライメント部40に異常が発生したときは、ウェハを適正な位置に搬送できないため、そもそも周辺露光処理及び基板検査処理のいずれも行うことができないからである。本実施の形態によれば、周辺露光処理と基板検査処理との少なくとも一方を含む所定の基板処理を行う基板処理装置において、周辺露光部に異常が発生したとき、所定の基板処理に周辺露光処理が含まれていなければ、所定の基板処理を継続する。また、基板検査部に異常が発生したとき、所定の基板処理に基板検査処理が含まれていれば、基板検査処理をスキップする。従って、基板搬送装置の負荷を低減し、処理システム全体の設置面積を低減するとともに、周辺露光と基板検査のいずれか一方の処理にのみ用いられる部分に異常が発生したときに、基板処理が停止することを防止できる。以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。以上の実施の形態では、被処理基板として半導体ウェハが用いられたが、これに限らず他の基板、例えばフラットパネルディスプレイ用のガラス基板について本発明を適用することもできる。