"高周波信号を増幅する高周波トランジスタと、前記高周波トランジスタの出力側に接続され、基本波周波数のnnは2以上の任意の自然数倍の高調波周波数に対するインピーダンスを最適位置に制御する高調波処理回路と、前記高調波処理回路の出力側に接続され、基本波周波数に対するインピーダンスを最適位置に制御する基本波整合回路と、前記基本波整合回路の出力側に接続され、前記高周波トランジスタに電源を供給するバイアス回路とを備え、前記バイアス回路は、基本波周波数成分を全通過させ、高調波周波数成分を前記高周波トランジスタ側に反射させずに吸収することを特徴とする能動回路。前記バイアス回路は、前記基本波整合回路の出力側に接続され、基本波周波数成分を全通過させ、高調波周波数成分を反射するフィルタ回路と、前記基本波整合回路の出力側と前記フィルタ回路との間に接続され、基本波周波数で並列共振し、高調波周波数に対してほぼ純抵抗となる高調波吸収回路と、前記高調波吸収回路に接続され、バイアス電圧を供給するバイアス電圧供給回路とを備えたことを特徴とする請求項1記載の能動回路。高周波信号を入力すると共に電源を供給するバイアス回路と、前記バイアス回路の出力側に接続され、基本波周波数に対するインピーダンスを最適位置に制御する基本波整合回路と、前記基本波整合回路の出力側に接続され、基本波周波数のnnは2以上の任意の自然数倍の高調波周波数に対するインピーダンスを最適位置に制御する高調波処理回路と、前記高調波処理回路の出力側に接続され、前記バイアス回路から前記基本波整合回路および前記高調波処理回路を介して供給される電源により高周波信号を増幅する高周波トランジスタとを備え、前記バイアス回路は、基本波周波数成分を全通過させ、高調波周波数成分を前記高周波トランジスタ側に反射させずに吸収することを特徴とする能動回路。前記バイアス回路は、高周波信号を入力し、基本波周波数成分を全通過させ、高調波周波数成分を反射するフィルタ回路と、前記フィルタ回路と前記基本波整合回路の入力側との間に接続され、基本波周波数で並列共振し、高調波周波数に対してほぼ純抵抗となる高調波吸収回路と、前記高調波吸収回路に接続され、バイアス電圧を供給するバイアス電圧供給回路とを備えたことを特徴とする請求項3記載の能動回路。前記フィルタ回路は、高調波波長の1/4倍の長さを持つ第1の分布定数線路と、前記第1の分布定数線路に一端が接続された高調波波長の1/4倍の長さを持つ第2の分布定数線路と、前記第1の分布定数線路と前記第2の分布定数線路との間に一端が接続され、他端が開放された高調波波長の1/4倍の長さを持つ第3の分布定数線路と、前記第2の分布定数線路の他端に一端が接続され、他端が開放された高調波波長の1/4倍の長さを持つ第4の分布定数線路とを備えたことを特徴とする請求項2または請求項4記載の能動回路。前記フィルタ回路は、第1のインダクタに一端が接続された第2のインダクタと、前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとの間に一端が接続され、他端がグランドに接続された第1のコンデンサとを備えたことを特徴とする請求項2または請求項4記載の能動回路。前記高調波吸収回路は、前記基本波整合回路と前記フィルタ回路との間に一端が接続された基本波波長の1/4倍の長さを持つ第5の分布定数線路と、前記第5の分布定数線路の他端に一端が接続され、他端が開放された基本波波長の1/4倍の長さを持つ第1のラジアルスタブと、前記第5の分布定数線路の他端に一端が接続され、他端が開放された高調波周波数に対して容量性を示す第2のラジアルスタブと、前記第5の分布定数線路の他端に一端が接続され、前記バイアス電圧供給回路に他端が接続された高調波波長の1/4倍の長さを持つ第6の分布定数線路と、前記第5の分布定数線路の他端に一端が接続された抵抗素子と、前記抵抗素子の他端に一端が接続され、他端が開放された高調波波長の1/4倍の長さを持つ第7の分布定数線路とを備えたことを特徴とする請求項2または請求項4記載の能動回路。前記高調波吸収回路は、前記基本波整合回路と前記フィルタ回路との間に一端が接続された第3のインダクタと、前記基本波整合回路と前記フィルタ回路との間に一端が接続され、前記第3のインダクタと共に基本波周波数に対して並列共振する並列共振回路を構成する第2のコンデンサと、前記第3のインダクタおよび前記第2のコンデンサの他端に一端が接続され、前記第2のコンデンサと共に高調波周波数に対して直列共振する直列共振回路を構成する第4のインダクタと、前記第4のインダクタの他端に一端が接続され、前記バイアス電圧供給回路に他端が接続された抵抗素子とを備えたことを特徴とする請求項2または請求項4記載の能動回路。従来の能動回路は以上のように構成されているので、2次高調波整合回路は、2次高調波で直列共振するように設定されている。また、バイアス回路が2次高調波でリアクタンス成分を持つ場合がある。この場合、2次高調波近傍において、2次高調波整合回路の直列共振回路とバイアス回路のリアクタンス成分とで並列共振を起こし、高周波トランジスタから見たインピーダンスが開放となる。その結果、2次高調波整合回路の動作を阻害し、能動回路の動作効率に劣化が生じる可能性があるという課題があった。本発明は、上記のような課題を解消するためになされたものであり、高調波処理回路の動作の阻害を防ぎ、動作効率の劣化を防ぐ能動回路を得ることを目的とする。本発明の能動回路は、バイアス回路において、基本波周波数成分を全通過させ、高調波周波数成分を高周波トランジスタ側に反射させずに吸収するように構成したものである。本発明によれば、バイアス回路において、基本波周波数成分を全通過させることによって、能動回路として基本的に要求される機能を有することができる。また、バイアス回路において、高調波周波数成分を高周波トランジスタ側に反射させずに吸収することによって、高調波処理回路とバイアス回路とで並列共振を起こすことがなく、その結果、高調波処理回路の動作の阻害を防ぎ、動作効率の劣化を防ぐ能動回路を得ることができる効果がある。実施の形態1.図1はこの発明の実施の形態1による能動回路を示す回路図である。図1において、高周波トランジスタ2は、電界効果トランジスタにより構成され、入力端子1からの高周波信号を増幅する。2倍波処理回路3は、高周波トランジスタ2のドレイン端子に接続され、基本波周波数の2倍波周波数基本波周波数に対して2倍の周波数に対するインピーダンスを最適位置に制御する。基本波整合回路4は、基本波周波数に対するインピーダンスを最適位置に制御する。バイアス回路5は、高周波トランジスタ2に電源を供給すると共に、基本波周波数成分を全通過させ、2倍波周波数成分を高周波トランジスタ2側に反射させずに吸収する。コンデンサ6は、直流成分を阻止し、高周波トランジスタ2により増幅された基本波周波数成分が出力端子7から出力される。2倍波処理回路3において、分布定数線路31は、2倍波波長の1/4倍の長さを持ち、基本波整合回路4の分布定数線路41に沿って、一定間隔を保って配置され、高周波トランジスタ2側の一端がグランドに接続される。基本波整合回路4において、分布定数線路41は、高周波トランジスタ2のドレイン端子に接続され、分布定数線路42は、一端が分布定数線路41の出力側に接続され、他端が開放されている。分布定数線路41,42は、伴に所望のインピーダンスを実現する線路長に設定される。バイアス回路5において、フィルタ回路51は、基本波周波数成分を全通過させ、2倍波周波数成分を反射する。2倍波吸収回路52は、基本波周波数で並列共振し、2倍波周波数に対してほぼ純抵抗となる。バイアス電圧供給回路53は、バイアス電圧を供給する。フィルタ回路51において、分布定数線路51a~51dは、各々2倍波波長の1/4倍の長さを持つ。分布定数線路51a,51bは、基本波整合回路4の出力側に直列に接続される。分布定数線路51cは、分布定数線路51a,51b間に一端が接続され、他端が開放されている。分布定数線路51dは、分布定数線路51bの出力側に一端が接続され、他端が開放されている。2倍波吸収回路52において、分布定数線路52aは、ノードAに接続され、基本波波長の1/4倍の長さを持つ。ラジアルスタブ52bは、ノードBに接続され、他端が開放され、半径の長さが基本波波長の1/4倍の長さを持つ。ラジアルスタブ52cは、ノードBに接続され、他端が開放され、半径の長さが2倍波波長の1/4倍よりも短い長さを持つ。分布定数線路52dは、ノードBに接続され、2倍波波長の1/4倍の長さを持つ。抵抗素子52eは、ノードBに一端が接続される。分布定数線路52fは、抵抗素子52eの他端に接続され、他端が開放され、2倍波波長の1/4倍の長さを持つ。バイアス電圧供給回路53において、コンデンサ53aは、分布定数線路52dとグランドとの間に接続され、バイアス電圧端子53bは、分布定数線路52dとコンデンサ53aとの間に接続され、バイアス電圧を供給する。次に動作について説明する。高周波トランジスタ2は、バイアス回路5のバイアス電圧端子53bから供給されるバイアス電圧に基づいて、入力端子1から入力される高周波信号を増幅する。このとき、2倍波処理回路3は、分布定数線路41に平行に配置された分布定数線路31により、2倍波周波数成分を短絡させ、2倍波周波数に対するインピーダンスを最適位置に制御する。また、基本波整合回路4は、分布定数線路41,42により、基本波周波数に対するインピーダンスを最適位置に制御する。しかし、2倍波処理回路3において、全ての2倍波が吸収されるものではなく、基本波に重畳されて2倍波がバイアス回路5に伝送される。バイアス回路5について、まず、基本波に対する動作を説明する。2倍波吸収回路52において、ラジアルスタブ52bは、半径が基本波波長の1/4倍に設定されているので、ノードBは電気的短絡点となる。そのため、分布定数線路52aのもう一端であるノードAは、電気的開放点となる。また、フィルタ回路51は、基本波に対しては全通過となるため、高周波信号のうちの基本波は、損失無く出力端子7から出力される。バイアス回路5について、次に、2倍波に対する動作を説明する。フィルタ回路51は、2倍波に対しては反射する。2倍波吸収回路52において、ラジアルスタブ52bは、半径が基本波波長の1/4倍に設定されているので、2倍波では僅かに誘導性リアクタンスを呈する。一方、ラジアルスタブ52bに隣接するラジアルスタブ52cは、半径の長さが2倍波波長の1/4倍よりも短い長さに設定されているので、2倍波では容量性リアクタンスを呈する。よって、両者合わせて、2倍波周波数で並列共振する。一方、コンデンサ53aで終端された分布定数線路52dの一端であるノードCは、電気的開放点となる。また、抵抗素子52eは、分布定数線路52fと併せて、2倍波周波数でほぼ純抵抗として機能する。したがって、フィルタ回路51により反射された2倍波は、この抵抗素子52eにより吸収される。このように、ノードAから見た2倍波吸収回路52の基本波に対するインピーダンスは、並列共振により開放となる。そのため、基本波は、フィルタ回路51を損失無しで全通過し、出力端子7から出力される。一方、ノードAから見た2倍波吸収回路52の2倍波に対するインピーダンスは、抵抗素子52eであるため、2倍波は、この抵抗素子52eにより吸収される。次に、バイアス回路5により2倍波成分を吸収できることによる効果について説明する。図2は2倍波処理回路とバイアス回路とで並列共振を起こした場合を示す回路図である。2倍波処理回路3は、2倍波において短絡となるため、2倍波周波数で共振するインダクタLとコンデンサCの直列共振回路として表すことができる。ここで、バイアス回路5が2倍波周波数でリアクタンス成分を持つ場合に、2倍波周波数近傍において、2倍波処理回路3の直列共振回路とバイアス回路5のリアクタンス成分とで並列共振を起こすことが考えられる。これに対して、図1に示した能動回路では、バイアス回路5において、2倍波を吸収することができ、2倍波処理回路3との不要共振を抑えることができる。この実施の形態1によれば、バイアス回路5において、2倍波周波数成分を高周波トランジスタ2側に反射させずに吸収することによって、2倍波処理回路3とバイアス回路5とで並列共振を起こすことがなく、その結果、2倍波処理回路3の動作の阻害を防ぎ、動作効率の劣化を防ぐ能動回路を得ることができる。また、フィルタ回路51および2倍波吸収回路52を分布定数回路を用いて構成することができる。なお、前記実施の形態1によれば、2倍波処理回路3を備え、バイアス回路5において、2倍波を反射するフィルタ回路51および2倍波を吸収する2倍波吸収回路52を備えた。しかし、2倍波だけではなく、基本波周波数のnnは2以上の任意の自然数倍の高調波周波数に対応したものであっても同様な効果を奏する。また、前記実施の形態1によれば、フィルタ回路51としてローパスフィルタを示したが、バンドリジェクションフィルタであっても同様な効果を奏する。実施の形態2.前記実施の形態1では、高周波トランジスタ2の出力側の不要共振を抑えるようにしたが、この実施の形態2は、高周波トランジスタ2の入力側の不要共振を抑えるようにしたものである。図3はこの発明の実施の形態2による能動回路を示す回路図である。図3において、入力端子1、直流成分を阻止するコンデンサ8、バイアス回路9、基本波整合回路10、2倍波処理回路11、高周波トランジスタ2、および出力端子7の順で接続されている。バイアス回路9において、フィルタ回路91は、基本波周波数成分を全通過させ、2倍波周波数成分を反射する。2倍波吸収回路92は、基本波周波数で並列共振し、2倍波周波数に対してほぼ純抵抗となる。バイアス電圧供給回路93は、バイアス電圧を供給する。なお、フィルタ回路91、2倍波吸収回路92、およびバイアス電圧供給回路93の内部構成は、図1と同様である。基本波整合回路10において、分布定数線路101は、バイアス回路9および高周波トランジスタ2のゲート端子に接続され、分布定数線路102は、一端がバイアス回路9と分布定数線路41との間に接続され、他端が開放されている。分布定数線路101,102は、伴に所望のインピーダンスを実現する線路長に設定される。2倍波処理回路11において、分布定数線路111は、2倍波波長の1/4倍の長さを持ち、基本波整合回路10の分布定数線路101に沿って、一定間隔を保って配置され、高周波トランジスタ2側の一端がグランドに接続される。この実施の形態2によれば、高周波トランジスタ2の入力側に、バイアス回路9、基本波整合回路10、および2倍波処理回路11を設けたので、バイアス回路9において、2倍波周波数成分を高周波トランジスタ2側に反射させずに吸収することによって、2倍波処理回路11とバイアス回路9とで並列共振を起こすことがなく、その結果、高周波トランジスタ2の入力側において、2倍波処理回路11の動作の阻害を防ぎ、動作効率の劣化を防ぐ能動回路を得ることができる。また、フィルタ回路91および2倍波吸収回路92を分布定数回路を用いて構成することができる。なお、前記実施の形態2によれば、2倍波処理回路11を備え、バイアス回路9において、2倍波を反射するフィルタ回路91および2倍波を吸収する2倍波吸収回路92を備えた。しかし、2倍波だけではなく、基本波周波数のnnは2以上の任意の自然数倍の高調波周波数に対応したものであっても同様な効果を奏する。また、前記実施の形態2によれば、フィルタ回路91としてローパスフィルタを示したが、バンドリジェクションフィルタであっても同様な効果を奏する。実施の形態3.前記実施の形態1では、高周波トランジスタ2の出力側のみ、前記実施の形態2では、高周波トランジスタ2の入力側のみの不要共振を抑えるようにしたが、この実施の形態3は、高周波トランジスタ2の入力側および出力側の不要共振を抑えるようにしたものである。図4はこの発明の実施の形態3による能動回路を示す回路図である。図4において、高周波トランジスタ2の入力側は、図3と同様に、入力端子1、コンデンサ8、バイアス回路9、基本波整合回路10、2倍波処理回路11、および高周波トランジスタ2の順で接続され、高周波トランジスタ2の出力側は、図1と同様に、2倍波処理回路3、基本波整合回路4、バイアス回路5、コンデンサ6、および出力端子7の順で接続されている。この実施の形態3によれば、高周波トランジスタ2の入力側に、バイアス回路9、基本波整合回路10、および2倍波処理回路11を設け、高周波トランジスタ2の出力側に、2倍波処理回路3、基本波整合回路4、およびバイアス回路5を設けたので、高周波トランジスタ2の入力側および出力側で並列共振を起こすことがなく、動作効率の劣化を防ぐ能動回路を得ることができる。なお、前記実施の形態3によれば、単段増幅器について説明したが、多段増幅器に適用しても同様な効果を奏する。実施の形態4.前記実施の形態1から前記実施の形態3では、バイアス回路5,9を分布定数回路と抵抗素子で構成したものについて示したが、この実施の形態4は、バイアス回路5,9を集中定数回路で構成したものである。図5はこの発明の実施の形態4による能動回路を示す回路図である。バイアス回路5のフィルタ回路51において、インダクタ51e,51fは、基本波整合回路4の出力側に直列に接続される。コンデンサ51gは、インダクタ51e,51f間に一端が接続され、他端がグランドに接続される。2倍波吸収回路52において、インダクタ52gおよびコンデンサ52hは、ノードAに接続され、基本波周波数に対して並列共振する並列共振回路を構成する。インダクタ52iは、並列共振回路に接続され、コンデンサ52hと共に2倍波周波数に対して直列共振する直列共振回路を構成する。抵抗素子52jは、インダクタ52iに一端が接続され、コンデンサ53aに他端が接続される。バイアス電圧供給回路53は、図1と同様である。次に動作について説明する。2倍波吸収回路52において、ノードAから見た2倍波吸収回路52の基本波に対するインピーダンスは、インダクタ52gおよびコンデンサ52hの並列共振により開放となる。また、フィルタ回路51は、ローパスフィルタを構成し、基本波に対しては全通過となるため、高周波信号のうちの基本波は、損失無く出力端子7から出力される。一方、ノードAから見た2倍波吸収回路52の2倍波に対するインピーダンスは、コンデンサ52hおよびインダクタ52iの直列共振により、ほぼ抵抗素子52jと等価になる。また、フィルタ回路51は、2倍波に対しては反射するため、2倍波は、この抵抗素子52jにより吸収される。この実施の形態4によれば、バイアス回路5において、2倍波周波数成分を高周波トランジスタ2側に反射させずに吸収することによって、2倍波処理回路3とバイアス回路5とで並列共振を起こすことがなく、その結果、2倍波処理回路3の動作の阻害を防ぎ、動作効率の劣化を防ぐ能動回路を得ることができる。また、フィルタ回路51および2倍波吸収回路52を集中定数回路を用いて構成することができる。なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。"