主面内の熱膨張係数が、GaN結晶のa軸方向の熱膨脹係数に比べて、0.8倍より大きく1.0倍より小さい支持基板と、前記支持基板の主面側に配置されている単結晶膜と、を含み、前記単結晶膜が前記単結晶膜の主面に垂直な軸に対して3回対称性を有するSiC膜である複合基板を準備する工程と、前記複合基板における前記単結晶膜の主面上にGaN系膜を成膜する工程と、を含むGaN系膜の製造方法。前記複合基板における前記単結晶膜の主面の面積が45cm2以上である請求項1に記載のGaN系膜の製造方法。前記複合基板における前記支持基板は、酸化物を含む焼結体である請求項1または請求項2に記載のGaN系膜の製造方法。前記GaN系膜を成膜する工程は、前記単結晶膜の主面上にGaN系バッファ層を形成するサブ工程と、前記GaN系バッファ層の主面上にGaN系単結晶層を形成するサブ工程と、を含む請求項1から請求項3のいずれかに記載のGaN系膜の製造方法。上記の特開平04-297023号公報特許文献1においては、GaN結晶成長中に転位などの結晶欠陥が会合消滅するためか、結晶成長方向に凹に反りながらGaN結晶が成長する。しかし、上記のようにサファイア基板の熱膨張係数はGaN結晶の熱膨張係数に比べて非常に大きいため、成長したGaN結晶は結晶成長後の冷却時に結晶成長方向に凸に大きく反り、結晶成長方向に凸に大きく反ったGaN膜が得られる。ここで、サファイア基板の主面の直径を大きくするほど、そのGaN結晶の上記冷却時における反りが大きくなる具体的には、得られるGaN膜の反りは、サファイア基板における主面の直径の2乗にほぼ比例する。このため、主面の直径が大きくなるほど、反りの小さいGaN膜を得ることは困難である。また、GaN結晶の熱膨張係数より非常に大きなサファイア基板を用いて成長させたGaN結晶が冷却される際に、サファイア基板には、大きな引張応力がかかるため、割れが発生しやすいという問題があった。また、上記の特表2007-523472号公報特許文献2に開示された複合支持基板は、その熱膨張係数がGaN結晶の熱膨張係数とほぼ同一であるため、その上に成長させるGaN層の反りを小さくすることができる。しかしながら、かかる複合支持基板は、その構造が複雑であるため、その構造の設計が難しく、またその構造の形成が難しいことから、設計および製造のためのコストが非常に高くなり、GaN膜を製造するコストが非常に高くなる。本発明は、上記問題点を解決して、基板に割れを発生させることなく、主面の面積が大きく反りの小さいGaN系膜を製造することが可能なGaN系膜の製造方法を提供することを目的とする。本発明は、主面内の熱膨張係数が、GaN結晶のa軸方向の熱膨脹係数に比べて、0.8倍より大きく1.0倍より小さい支持基板と、支持基板の主面側に配置されている単結晶膜と、を含み、単結晶膜が単結晶膜の主面に垂直な軸に対して3回対称性を有するSiC膜である複合基板を準備する工程と、複合基板における単結晶膜の主面上にGaN系膜を成膜する工程と、を含むGaN系膜の製造方法である。本発明にかかるGaN系膜の製造方法において、複合基板における単結晶膜の主面の面積を45cm2以上とすることができる。また、複合基板における支持基板を酸化物を含む焼結体とすることができる。また、GaN系膜を成膜する工程は、単結晶膜の主面上にGaN系バッファ層を形成するサブ工程と、GaN系バッファ層の主面上にGaN系単結晶層を形成するサブ工程と、を含むことができる。本発明によれば、基板に割れを発生させることなく、主面の面積が大きく反りの小さいGaN系膜を製造することが可能なGaN系膜の製造方法を提供することができる。図1を参照して、本発明にかかるGaN系膜の製造方法の一実施形態は、主面11m内の熱膨張係数が、GaN結晶のa軸方向の熱膨脹係数に比べて、0.8倍より大きく1.0倍より小さい支持基板11と、支持基板11の主面11m側に配置されている単結晶膜13と、を含み、単結晶膜13は単結晶膜13の主面13mに垂直な軸に対して3回対称性を有する複合基板10を準備する工程図1Aと、複合基板10における単結晶膜13の主面13m上にGaN系膜20を成膜する工程図1Bと、を含む。ここで、GaN系膜とは、III族元素としてGaを含むIII族窒化物で形成されている膜をいい、たとえばGaxInyAl1xyN膜x>0、y≧0、xy≦1が挙げられる。本実施形態のGaN系膜の製造方法によれば、主面内の熱膨張係数が、GaN結晶のa軸方向の熱膨脹係数に比べて、0.8倍より大きく1.0倍より小さい支持基板と、支持基板の主面側に配置されている単結晶膜と、を含み、単結晶膜が結晶膜の主面に垂直な軸に対して3回対称性を有する複合基板を用いることにより、主面の面積が大きくすなわち大口径で反りの小さいGaN系膜が得られる。複合基板の準備工程図1Aを参照して、本実施形態のGaN系膜の製造方法は、主面11m内の熱膨張係数が、GaN結晶のa軸方向の熱膨脹係数に比べて、0.8倍より大きく1.0倍より小さい支持基板11と、支持基板11の主面11m側に配置されている単結晶膜13と、を含み、単結晶膜13が単結晶膜13の主面13mに垂直な軸に対して3回対称性を有する複合基板10を準備する工程を含む。上記の複合基板10は、主面11m内の熱膨張係数がGaN結晶のa軸方向の熱膨張係数に比べて少し小さい具体的には、0.8倍より大きく1.0倍より小さい支持基板11と、支持基板11の主面11m側に配置されている単結晶膜13と、を含み、単結晶膜13が単結晶膜13の主面13mに垂直な軸に対して3回対称性を有しているため、複合基板10の単結晶膜13の主面13m上に反りが小さく転位密度が低い大口径のGaN系膜を成長させることができる。複合基板10特に支持基板11に割れを発生させることなく、また、成長させるGaN系膜にクラックを発生させることなく、反りが小さく転位密度が低い大口径のGaN系膜を複合基板10の単結晶膜13上に、成長させる観点から、上記の複合基板10に含まれる支持基板11は、主面11m内の熱膨張係数が、GaN結晶のa軸方向の熱膨脹係数に比べて、0.8倍より大きく1.0倍より小さいことが必要である。支持基板11の主面11m内の熱膨張係数が、GaN結晶のa軸方向の熱膨脹係数に比べて、0.8倍以下であると、GaN系膜を成長させる際にはGaN系膜に大きな引張応力がかかり、成長させたGaN系膜を冷却する際にはGaN系膜に大きな圧縮応力がかかるため、GaN系膜にクラックが発生しやすくなり、1.0倍以上であると成長させたGaN系膜を冷却する際に支持基板は引張応力がかかって割れが発生しやすくなる。かかる観点から、支持基板11は、主面11m内の熱膨張係数が、GaN結晶のa軸方向の熱膨脹係数に比べて、0.88倍より大きく1.0倍より小さいことが好ましく、0.95倍より大きく1.0倍より小さいことがより好ましい。ここで、支持基板11は、主面11m内の熱膨張係数が、GaN結晶のa軸方向の熱膨脹係数に比べて、0.8より大きく1.0倍より小さい基板であれば特に制限はなく、単結晶であっても、多結晶であっても、非結晶であってもよい。支持基板11は、その原料の種類と比率とを変動することによりその熱膨張係数の調整が容易で上記の範囲内にある熱膨張係数が容易に得られること、GaN系薄膜成長雰囲気に対して耐性を持つこと、およびGaN系薄膜成長後にフッ酸などの溶剤で選択的にエッチングすることが可能である観点から、酸化物を含む焼結体であることが好ましい。たとえば、Al2O3-SiO2系焼結体、MgO-SiO2焼結体、ZrO2-SiO2焼結体などが好ましく挙げられる。支持基板11として、Al2O3-SiO2系焼結体などの酸化物を含む焼結体は、その内部に存在する多数の空孔が起点となってクラックを発生しやすいため、破壊強度が低く、特に引張応力がかかったときに基板に割れが発生しやすい。このため、支持基板11に引張応力が入ることを防止するために、支持基板11が酸化物を含む焼結体である場合、支持基板11の主面11m内の熱膨張係数を、GaN結晶のa軸方向の熱膨脹係数に比べて1.0倍より小さくすることが特に重要になる。このとき、支持基板11およびGaN結晶の熱膨張係数は、一般に、それらの温度により大きく変動することから、如何なる温度または温度領域における熱膨張係数によって決めるかが重要である。本発明においては、複合基板上に反りの小さいGaN系膜を製造することを目的とするものであり、室温から昇温させてGaN系膜の成膜温度で複合基板上にGaN系膜を成膜した後室温まで降温させて複合基板上に成膜されたGaN系膜を取り出すことから、室温からGaN系膜の成膜温度までにおける支持基板およびGaN結晶の平均熱膨張係数を、それぞれ支持基板およびGaN結晶の熱膨張係数として取り扱うことが適正と考えられる。しかしながら、GaN結晶は、不活性ガス雰囲気中においても、800°Cを超えると分解が起こる。このため、本発明においては、支持基板およびGaN結晶の熱膨張係数は、室温具体的に25°Cから800°Cまでにおける平均熱膨張係数により決定することにする。また、複合基板10の単結晶膜13上に、反りが小さく転位密度が低い大口径のGaN系膜を成長させる観点から、上記の複合基板10に含まれる支持基板11の主面11m側に配置される単結晶膜13は、単結晶膜13の主面13mに垂直な軸に対して3回対称性を有することが必要であり、主面13mが0001面であるサファイア膜、主面13mが0001面であるSiC膜、主面13mが111面であるSi膜、主面13mが111面であるGaAs膜などが好ましく挙げられる。ここで、単結晶膜が単結晶膜の主面に垂直な軸に対して3回対称性を有するとは、結晶幾何学的に厳密な3回対称性を有していることを意味するのではなく、実際のその単結晶膜において実質的な3回対称性を有していることを意味し、具体的には、その単結晶膜の結晶幾何学的に厳密な3回対称軸とその単結晶膜の主面に垂直な軸とのなす角度の絶対値が10°以下であれば足りるという意味である。なお、複合基板10において、反りを小さく転位密度を低くする観点から、支持基板11の主面11mと単結晶膜13の主面13mとは実質的に平行であることが好ましい。ここで、2つの面が実質的に平行とは、それらの2つの面がなす角度の絶対値が10°以下であることをいう。また、複合基板10の支持基板11の主面11m側に単結晶膜13を配置する方法には、特に制限はなく、支持基板11の主面11mに直接単結晶膜13を成長させる方法第1の方法、支持基板11の主面11mに、下地基板の主面上に成膜させた単結晶膜13を貼り合わせた後下地基板を除去する方法第2の方法、支持基板11の主面11mに単結晶図示せずを貼り合わせた後その単結晶を貼り合わせ面から所定の深さの面で分離することにより支持基板11の主面11m上に単結晶膜13を形成する方法第3の方法などが挙げられる。支持基板が多結晶の焼結体である場合には、上記の第1の方法が困難であるため、上記の第2および第3のいずれかの方法が好ましく用いられる。上記の第2の方法において、支持基板11に単結晶膜13を貼り合わせる方法には、特に制限はなく、支持基板11の主面11mに直接単結晶膜13を貼り合わせる方法、支持基板11の主面11mに接着層12を介在させて単結晶膜13を貼り合わせる方法などが挙げられる。上記の第3の方法において、支持基板11に単結晶を貼り合わせる方法には、特に制限はなく、支持基板11の主面11mに直接単結晶を貼り合わせる方法、支持基板11の主面11mに接着層12を介在させて単結晶を貼り合わせる方法などが挙げられる。上記の複合基板10を準備する工程は、特に制限はないが、効率的に品質の高い複合基板10を準備する観点から、たとえば、図2を参照して、上記の第2の方法においては、支持基板11を準備するサブ工程図2Aと、下地基板30の主面30n上に単結晶膜13を成膜するサブ工程図2Bと、支持基板11と単結晶膜13とを貼り合わせるサブ工程図2Cと、下地基板30を除去するサブ工程図2Dと、含むことができる。図2Cでは、支持基板11と単結晶膜13とを貼り合わせるサブ工程において、支持基板11の主面11m上に接着層12aに形成し図2C1、下地基板30の主面30n上に成長させられた単結晶膜13の主面13n上に接着層12bを形成した図2C2後、支持基板11上に形成された接着層12aの主面12amと下地基板30上に成膜された単結晶膜13上に形成された接着層12bの主面12bnとを貼り合わせることにより、接着層12aと接着層12bとが接合して形成された接着層12を介在させて支持基板11と単結晶膜13とが貼り合わされる図2C3。しかし、支持基板11と単結晶膜13とが互いに接合可能なものであれば、支持基板11と単結晶膜13とを、接着層12を介在させることなく直接貼り合わせることができる。支持基板11と単結晶膜13とを貼り合わせる具体的な手法としては、特に制限はないが、貼り合わせ後高温でも接合強度を保持できる観点から、貼り合わせ面を洗浄しそのまま貼り合わせた後600°C~1200°C程度に昇温して接合する直接接合法、貼り合わせ面を洗浄しプラズマやイオンなどで活性化させた後に室温たとえば25°C~400°C程度の低温で接合する表面活性化法などが好ましく用いられる。GaN系膜の成膜工程図1Bを参照して、本実施形態のGaN系膜の製造方法は、複合基板10における単結晶膜13の主面13m上にGaN系膜20を成膜する工程を含む。上記の複合基板の準備工程において準備された複合基板10は、主面11m内の熱膨張係数がGaN結晶のa軸方向の熱膨張係数に比べて少し小さい具体的には、0.8倍より大きく1.0倍より小さい支持基板11と、支持基板11の主面11m側に配置されている単結晶膜13と、を含み、単結晶膜13が単結晶膜13の主面13mに垂直な軸に対して3回対称性を有しているため、複合基板10の単結晶膜13の主面13m上に反りが小さく転位密度が低い大口径のGaN系膜20を成膜することができる。GaN系膜を成膜する方法には、特に制限はないが、転位密度が低いGaN系膜を成膜する観点から、MOCVD有機金属化学気相堆積法、HVPEハイドライド気相成長法、MBE分子線エピタキシ法、昇華法などの気相法、フラックス法、高窒素圧溶液法などの液相法などが好ましく挙げられる。GaN系膜を成膜する工程は、特に制限はないが、転位密度が低いGaN系膜を成膜する観点から、複合基板10の単結晶膜13の主面13m上にGaN系バッファ層21を形成するサブ工程と、GaN系バッファ層21の主面21m上にGaN系単結晶層23を形成するサブ工程と、を含むことが好ましい。ここで、GaN系バッファ層21とは、GaN系膜20の一部分であり、GaN系膜20の別の一部分であるGaN系単結晶層23の成長温度に比べて低い温度で成長させられる結晶性が低いまたは非結晶の層をいう。GaN系バッファ層21を形成することにより、GaN系バッファ層21上に形成されるGaN系単結晶層23と単結晶膜13との間の格子定数の不整合が緩和されるため、GaN系単結晶層23の結晶性が向上しその転位密度が低くなる。この結果、GaN系膜の結晶性が向上しその転位密度が低くなる。なお、単結晶膜13上にGaN系膜20として、GaN系バッファ層21を成長させることなく、GaN系単結晶層23を成長させることもできる。かかる方法は、単結晶膜13とその上に成膜するGaN系膜20との間の格子定数の不整合が小さい場合に好適である。実施例11.GaN結晶の熱膨張係数の測定HVPE法により成長させた、転位密度が1×106cm2、Si濃度が1×1018cm2、酸素濃度が1×1017cm2、炭素濃度が1×1016cm2のGaN単結晶から、サイズが2×2×20mm長手方向がa軸、長手方向に平行な面がC面およびM面のいずれかで構成され、面方位の精度は±0.1°以内の評価用サンプルを切り出した。上記の評価用サンプルについて、室温25°Cから800°Cまで昇温したときの平均熱膨張係数をTMA熱機械分析により測定した。具体的には、株リガク製TMA8310を用いて示唆膨張方式により窒素ガス流通雰囲気下で評価サンプルの熱膨張係数を測定した。かかる測定により得られたGaN結晶のa軸方向の25°Cから800°Cまでにおける平均熱膨張係数αGaNaは、5.84×106/°Cであった。2.複合基板の準備工程1支持基板を準備するサブ工程図2Aを参照して、支持基板11の材料として、市販の8つのAl2O3-SiO2系焼結体A~Hについて、それぞれからサイズが2×2×20mm長手方向は焼結体から切り出される支持基板の主面に実質的に平行な方向の測定用サンプルを切り出した。ここで、Al2O3-SiO2系焼結体は方向特異性がないため、切り出し方向は任意とした。それらの測定用サンプルについて、上記と同様にして、室温25°Cから800°Cまで昇温下時の平均熱膨張係数αSを測定した。Al2O3-SiO2系焼結体Aについて、25°Cから800°Cまでにおける平均熱膨張係数αSは4.2×106/°Cであり、GaN結晶のa軸方向の平均熱膨張係数αGaNaに対する焼結体の熱膨張係数αSの比以下、αS/αGaNa比というは0.719であった。Al2O3-SiO2系焼結体Bについて、25°Cから800°Cまでにおける平均熱膨張係数αSは4.7×106/°Cであり、αS/αGaNa比は0.805であった。Al2O3-SiO2系焼結体Cについて、25°Cから800°Cまでにおける平均熱膨張係数αSは5.2×106/°Cであり、αS/αGaNa比は0.890であった。Al2O3-SiO2系焼結体Dについて、25°Cから800°Cまでにおける平均熱膨張係数αSは5.4×106/°Cであり、αS/αGaNa比は0.925であった。Al2O3-SiO2系焼結体Eについて、25°Cから800°Cまでにおける平均熱膨張係数αSは5.5×106/°Cであり、αS/αGaNa比は0.942であった。Al2O3-SiO2系焼結体Fについて、25°Cから800°Cまでにおける平均熱膨張係数αSは5.6×106/°Cであり、αS/αGaNa比は0.959であった。Al2O3-SiO2系焼結体Gについて、25°Cから800°Cまでにおける平均熱膨張係数αSは5.7×106/°Cであり、αS/αGaNa比は0.976であった。Al2O3-SiO2系焼結体Hについて、25°Cから800°Cまでにおける平均熱膨張係数αSは6.2×106/°Cであり、αS/αGaNa比は1.062であった。上記のAl2O3-SiO2系焼結体A~Hから、直径4インチ101.6mmで厚さ1mmの支持基板をそれぞれ切り出して、それぞれの支持基板の両主面を鏡面に研磨して、支持基板A~Hとした。すなわち、支持基板A~Hの25°Cから800°Cまでにおける平均熱膨張係数は、それぞれAl2O3-SiO2系焼結体A~Hの25°Cから800°Cまでにおける平均熱膨張係数に等しい。結果を表1にまとめた。2下地基板上に単結晶膜を成膜するサブ工程図2Bを参照して、下地基板30として、鏡面に研磨された111面の主面30nを有する直径5インチ127mmで厚さ0.5mmのSi基板を準備した。上記のSi基板下地基板30の主面30n上に、単結晶膜13として厚さ0.4μmのSiC膜をCVD化学気相堆積法により成膜した。成膜条件は、原料ガスとしてSiH4ガスおよびC3H8ガスを使用し、キャリアガスとしてH2ガスを使用し、成膜温度1300°C、成膜圧力は大気圧とした。なお、こうして得られたSiC膜単結晶膜13の主面13mには、Si原子面0001面とC原子面000-1面がモザイク状に混在していた。3支持基板と単結晶膜とを貼り合わせるサブ工程図2C中のC1を参照して、図2Aの支持基板A~H支持基板11のそれぞれの主面11m上に厚さ2μmのSiO2膜をCVD法により成膜した。次いで、支持基板A~H支持基板11のそれぞれの主面11m上の厚さ2μmのSiO2膜を、CeO2スラリーを用いて研磨することにより、厚さ0.2μmのSiO2膜だけ残存させて、接着層12aとした。これにより、支持基板A~H支持基板11のそれぞれの主面11mの空隙が埋められ、平坦な主面12amを有する厚さ0.2μmのSiO2膜接着層12aが得られた。また、図2C中のC2を参照して、図2BのSi基板下地基板30上に成膜されたSiC膜単結晶膜13の主面13nを酸素雰囲気下1000°Cで酸化させてSiC膜単結晶膜13の主面13n上に厚さ0.2μmのSiO2層接着層12bを形成した。次いで、図2C中のC3を参照して、支持基板A~H支持基板11のそれぞれに形成されたSiO2膜接着層12aの主面12amおよびSi基板下地基板30上に成膜されたSiC膜単結晶膜13上に形成されたSiO2層接着層12bの主面12bnをアルゴンプラズマにより清浄化および活性化させた後、SiO2膜接着層12aの主面12amとSiO2層接着層12bの主面12bnとを貼り合わせて、窒素雰囲気下300°Cで2時間熱処理した。4下地基板を除去するサブ工程図2Dを参照して、支持基板A~H支持基板11の裏側単結晶膜13が貼り合わされていない側の主面および側面をワックス40で覆って保護した後、フッ酸および硝酸の混酸水溶液を用いて、エッチングによりSi基板下地基板30を除去した。こうして、支持基板A~H支持基板11のそれぞれの主面11m側にSiC膜単結晶膜13が配置された複合基板A~Hが得られた。3.GaN系膜の成膜工程図1Bを参照して、複合基板A~H複合基板10のSiC膜単結晶膜13の主面13mかかる主面は0001面、000-1面またはそれらの面が混在したものである。上および直径4インチ101.6mmで厚さ1mmのサファイア基板の主面かかる主面は0001面である上に、それぞれMOCVD法によりGaN膜GaN系膜20を成膜した。GaN膜GaN系膜20の成膜においては、原料ガスとしてTMGトリメチルガリウムガスおよびNH3ガスを使用し、キャリアガスとしてH2ガスを使用し、500°Cで厚さ0.1μmのGaNバッファ層GaN系バッファ層21を成長させ、次いで1050°Cで厚さ5μmのGaN単結晶層GaN系単結晶層23を成長させた。ここで、GaN単結晶層の成長速度は1μm/hrであった。その後、複合基板A~Hおよびサファイア基板のそれぞれにGaN膜が成膜されたウエハA~HおよびRを10°C/minの速度で室温25°Cまで冷却した。室温まで冷却後に成膜装置から取り出されたウエハA~HおよびRについて、ウエハの反り、GaN膜の外観および転位密度を測定した。ここで、ウエハの反りの形状および反り量は、GaN膜の主面をCorningTropel社のFM200EWaferにより測定し、GaN膜の外観はノマルスキー顕微鏡により観察し、GaN膜の転位密度はCLカソードルミネッセンスによる暗点を測定した。ウエハAは、GaN膜側が凹状に反り、反り量が700μmであり、GaN膜に多数のクラックが発生していた。ウエハBは、GaN膜側が凹状に反り、反り量が650μmであり、GaN膜にクラックの発生はなく、GaN膜の転位密度が4×108cm2であった。ウエハCは、GaN膜側が凹状に反り、反り量が400μmであり、GaN膜にクラックの発生はなく、GaN膜の転位密度が3×108cm2であった。ウエハDは、GaN膜側が凹状に反り、反り量が350μmであり、GaN膜にクラックの発生はなく、GaN膜の転位密度が2.5×108cm2であった。ウエハEは、GaN膜側が凹状に反り、反り量が320μmであり、GaN膜にクラックの発生はなく、GaN膜の転位密度が2×108cm2であった。ウエハFは、GaN膜側が凹状に反り、反り量が230μmであり、GaN膜にクラックの発生はなく、GaN膜の転位密度が1×108cm2であった。ウエハGは、GaN膜側が凹状に反り、反り量が200μmであり、GaN膜にクラックの発生はなく、GaN膜の転位密度が1×108cm2であった。ウエハHは、支持基板Hに割れが発生し、十分なGaN膜が得られなかった。ウエハRは、GaN膜側が凸状に反り、反り量が1500μmであり、GaN膜にクラックの発生はなく、GaN膜の転位密度は4×108cm2であった。これらの結果を表1にまとめた。表1において、-は、その物性値が未測定であることを示す。表1を参照して、主面内の熱膨張係数αSがGaN結晶のa軸方向の熱膨張係数αGaNaの0.8倍より大きく1.0倍より小さいすなわち、0.8<αS/αGaNa比<1.0支持基板を有する複合基板を用いることによりウエハB~G、サファイア基板を用いる場合ウエハRに比べて、反りが極めて小さなGaN膜を成膜することができた。また、ウエハにおけるGaN膜の反りおよび転位密度をさらに低減する観点から、複合基板の支持基板の主面内の熱膨張係数αSは、GaN結晶のa軸方向の熱膨張係数αGaNaの0.88倍より大きく1.0倍より小さいことすなわち、0.88<αS/αGaNa比<1.0ウエハC~Gが好ましく、GaN結晶のa軸方向の熱膨張係数αGaNaの0.95倍より大きく1.0倍より小さいことすなわち、0.95<αS/αGaNa比<1.0ウエハFおよびGがより好ましい。なお、上記実施例においては、複合基板上に非ドーピングのGaN膜を成膜した例を示したが、ドーピングによりn型またはp型の導電性が付与されたGaN膜を成膜した場合、ドーピングにより比抵抗が高められたGaN膜を成膜した場合にも、上記実施例とほぼ同一の結果が得られた。また、GaN膜に替えてGaxInyAl1xyN膜x>0、y≧0、xy≦1などのGaN系膜を成膜した場合にも上記実施例と同様の結果が得られた。特に、GaN膜に替えてGaxInyAl1xyN膜x>0.5、y≧0、xy≦1を成膜する場合には、上記実施例とほぼ同一の結果が得られた。また、GaN系膜具体的にはGaxInyAl1xyN膜x>0、y≧0、xy≦1などは、Ga、In、AlなどのIII族元素の組成比を変えて複数成膜することもできる。また、Gaに替えてGaxInyAl1xyN膜x>0、y≧0、xy≦1などのGaN系膜を複数成膜することができる。本発明の実施においては、GaN系膜の成膜の際にELOEpitaxiallyLateralOvergrowth;ラテラル成長技術などの公知の転位低減技術を適用できる。また、複合基板にGaN系膜を成膜した後に、複合基板の支持基板のみまたは複合基板全体支持基板および単結晶膜をエッチングにより除去してもよい。このとき、GaN系膜を別の支持基板に転写してもよい。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。