"有機電子装置における電極を改質する方法であって、a第1金属を含む電極または2個以上の電極を提供する工程と、b前記電極1個または複数個上に、前記第1金属よりも高い標準電極電位を有する第2金属の層を堆積する工程と、c任意工程として、前記第2金属の表面と相互作用する官能基を含有する有機化合物を含む組成物に、前記第2金属の層を曝露する工程と、およびd前記電極1個または複数個上に、および/または、前記電極間の領域に、有機半導体層を堆積する工程とを含む方法。第2金属は、第1金属よりも高い仕事関数を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。第1金属は、Cu、Al、SnおよびZnから成る群より選択されることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。第2金属は、Ag、Au、Co、Cu、Ir、Ni、Pd、Pt、RhおよびReから成る群より選択されることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の方法。第2金属の層は、無電解メッキによって堆積されることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の方法。第2金属の層は、イオン交換プロセスによって堆積されることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の方法。第2金属の層は、前記電極を第2金属のイオンを含有する浴に浸漬して堆積されることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の方法。浴は、第2金属のイオンに対する還元剤を一切含有していないことを特徴とする請求項7に記載の方法。浴は、前記第2金属の表面と相互作用する官能基を含有する有機化合物を含有することを特徴とする請求項7または8に記載の方法。浴は、錯化剤、緩衝剤、安定剤、塩、酸および塩基から成る群より選択される1種類以上の添加剤を含有することを特徴とする請求項7~9のいずれか1項に記載の方法。第2金属は第1金属と同等かより低い仕事関数を有し、第2金属の層上には、前記第2金属の表面と相互作用する官能基を含有する有機化合物の自己組織化単分子層が付与されていることを特徴とする請求項1~10のいずれか1項に記載の方法。前記第2金属の表面と相互作用する官能基を含有する有機化合物は、脂肪族または芳香族チオール、脂肪族または芳香族ジチオール、オリゴチオフェン、オリゴフェニレン、脂肪族または芳香族ジスルフィド、シアノキノアルカンジスルフィド、シラン、クロロシラン、シラザン、ヘキサメチルジシリザンHMDS:hexamethyldisilizane、トリアゾール、テトラゾール、イミダゾールおよびピラゾール、例えば、エイコサン酸などのカルボン酸、ホスホン酸、ホスホネート、9-アントラセンホスホネートこれらは全て置換されていてもよい。、金属酸化物、酸化銀、酸化モリブデンから成る群より選択されることを特徴とする請求項1~11のいずれか1項に記載の方法。追加して、OSC層上にゲート絶縁体層を堆積する工程と、ゲート絶縁体層上にゲート電極を堆積する工程と、任意工程として、ゲート電極上にパッシベーション層を堆積する工程とを含む請求項1~12のいずれか1項に記載の方法。有機電子装置を調製する方法であって、請求項1~13のいずれか1項に記載の方法を含む方法。請求項14に記載の方法によって入手可能か入手される有機電子装置。有機電界効果トランジスタOFET:organicfieldeffecttransistor、有機薄膜トランジスタOTFT:organicthinfilmtransistor、集積回路IC:integratedcircuitryの部品、無線識別RFID:radiofrequencyidentificationタグ、有機発光ダイオードOLED:organiclightemittingdiode、エレクトロルミネセントディスプレイ、フラットパネルディスプレイ、バックライト、光検出器、センサー、論理回路、記憶素子、キャパシタ、有機光起電OPV:organicphotovoltaicセル、電荷注入層、ショットキーダイオード、平坦化層、帯電防止フィルム、導電性基板またはパターン、光導電体、光受容体、電子写真記録装置またはゼログラフィック装置であることを特徴とする請求項15に記載の有機電子装置。トップゲートまたはボトムゲートOFETであることを特徴とする請求項15または16に記載の電子装置。従って、金属電極または金属電荷注入層と、その上に提供されるOSC層とを含有するOE装置を調製する改良された方法これにより、電極または電荷注入層の仕事関数および層がOSC層中に電荷キャリアを注入する効率を増加でき、よって、装置全体の性能を向上できる。を提供することを本発明の目的とする。該方法は、低い仕事関数および低い酸化安定性などの先行技術より既知な金属電極の欠点を克服しなければならない。もう一つの目的は、OE装置、特に、OFETおよびOLEDにおいて使用するためで金属を基礎とする改良された電極および電荷注入層と、それらを調製する方法とを提供することである。もう一つの目的は、より高い仕事関数を有し改良された電極を含有するOE装置、特に、OFETおよびOLEDを提供することである。該方法および装置は、先行技術の方法の欠点を有していてはならず、時間、コストおよび材料面で効率よく大規模な製造ができなければならない。本発明の他の目的は、以下の記載より専門家には直ちに明らかである。これらの目的は、本発明において記載される通りの方法を提供することによって達成できることが見出された。特に、本発明は、金属電極の仕事関数およびそれらの上にコートされたOSC層中への金属電極の電荷キャリア注入特性を向上する、金属電極に対する化学系処理方法に関する。これは、第1金属、例えば、Cuを含む電極上に、該第1金属より高い標準電位または酸化還元電位を有する第2金属即ち、該第1金属より貴な金属、例えば、Agなどの層を堆積することで達成される。第2金属は、好ましくは、イオン交換プロセスを使用する無電解メッキ、例えば、第2金属のイオンを含有する浴中に電極を浸漬することによって堆積する。電極の仕事関数を向上するために、第1金属よりも高い仕事関数を有するように第2金属を選択するか、および/または、例えば、電極仕事関数を増加させる有機官能性分子、例えば、第1金属とよりも第2金属と良好な相互作用を示す有機分子のSAM層を形成することによって、第2金属の層に表面処理プロセスを施す。第2金属の薄層のみが必要なため、装置の製造コストを著しく増やすことなく、第1金属よりも高い仕事関数を有するか、または、貴で、より高価な金属を使用できる。また、この方法によって、例えば、Cuの表面上において、チオールなどの典型的なSAM処理材料は、例えば、AuまたはAgの表面上においてよりも弱い化学結合を形成することがある不具合を克服することも可能となる。先行技術においては、例えば、Cu金属上にAgをメッキする方法、および、CuまたはAg金属層上にSAMを形成する方法は、金属表面の仕上げおよび不活性を向上するか、または、例えば、印刷回路基板PCB:printedcircuitboard印刷配線基板PWB:printedwireboardとしても既知である。において、はんだ可能性および耐腐食性を向上する可能性のある方法として示唆されてきた。しかしながら、これまでのところ、電極仕事関数を向上するために、OFET、OPV装置またはOLEDなどのOE装置を製造する方法においても、これらの方法を使用することは示唆されていない。米国特許出願公開第2009/0121192号公報特許文献3には、はんだ可能なCu基板上に堆積されたAgコーティングを含む物品の耐腐食性を増大する方法が開示されている。これは、Cu基板該基板は、その上に浸漬メッキAgコーティングを有する。を、抗腐食組成物該組成物は、Cu表面と相互作用し保護する少なくとも1個の有機官能性基と、Ag表面と相互作用し保護する少なくとも1個の有機官能性基とを有する多官能性分子を含有する。に曝露することで達成される。しかしながら、当該文献は、OSC層中への電荷キャリア注入を増大するために、電極上にOSC層が堆積されているOE装置において、いかにして電極仕事関数を向上するかについては、教示も示唆も含有していない。国際特許出願公開第02/29132号パンフレット特許文献4には、電荷交換反応の様式によりAgを無電解メッキするための浴ただし、該浴は少なくとも1種類の銀ハロゲン化物錯体を含有し、Agイオンに対する還元剤を一切含有していない。にCu表面を曝露することによって、印刷回路基板上のCu表面のはんだ可能性を向上する方法が開示されている。再度、OSC層中への電荷キャリア注入を増大するために、電極上にOSC層が堆積されているOE装置において、電極仕事関数を向上する問題を克服するための教示も示唆もない。本発明は、有機電子OE:organicelectronic装置における電極を改質する方法であって、a標準電極電位を有する第1金属を含む電極または2個以上の電極を提供する工程と、b前記電極1個または複数個上に、第1金属の標準電極電位よりも高い標準電極電位を有する第2金属の層を堆積する工程と、c任意工程として、前記第2金属の表面と相互作用する官能基を含有する有機化合物を含む組成物に、前記第2金属の前記層を曝露する工程と、およびd該電極1個または複数個上に、および/または、前記電極間の領域に、有機半導体層を堆積する工程とを含む方法に関する。本発明は、更に、OE装置を調製する方法であって、上の工程a、b、dおよび、任意工程としてcを含む方法に関する。本発明は、更に、上および下に記載される通りの方法によって入手可能か入手されるOE装置に関する。好ましくは、前記電極は、ソースまたはドレイン電極または電荷注入層である。好ましくは、OE装置は、有機電界効果トランジスタOFET:organicfieldeffecttransistor、有機薄膜トランジスタOTFT:organicthinfilmtransistor、有機相補型薄膜トランジスタCTFT:organiccomplementarythinfilmtransistor、集積回路IC:integratedcircuitryの部品、無線識別RFID:radiofrequencyidentificationタグ、有機発光ダイオードOLED:organiclightemittingdiode、エレクトロルミネセントディスプレイ、フラットパネルディスプレイ、バックライト、光検出器、センサー、論理回路、記憶素子、キャパシタ、有機光起電OPV:organicphotovoltaicセル、電荷注入層、ショットキーダイオード、平坦化層、帯電防止フィルム、導電性基板またはパターン、光導電体、光受容体、電子写真記録装置およびゼログラフィック装置から成る群より選択され、非常に好ましくは、トップゲートまたはボトムゲートOFETである。以降において、用語電極層および電荷注入層は相互交換可能に使用される。よって、電極層についての言及は電荷注入層についての言及も含み、逆もまた同様である。用語標準電極電位normalelectrodepotential標準電極電位standardelectrodepotentialまたは酸化還元電位としても既知である。は、左側の電極が標準水素電極SHE:standardhydrogenelectrode標準水素電極NHE:normalhydrogenelectrodeとしても既知である。であり、右側の電極が検討されている電極であるセルの起電力を意味するIUPACGreenBook、第2版、61頁;PAC、1996年、68巻、957頁参照。水素の標準standardまたはnormal電極電位E0が、全ての温度でゼロとなるように定義される。同一の温度において、任意の他の電極の電位は、標準水素電極の電位と比較される。また、高い標準電極電位を有する金属を、貴金属とも呼ぶ。仕事関数の以下の定義を適用するものとする。仕事関数は、固体から固体表面外の点に電子を除去するために必要な最小エネルギーまたは、フェルミ準位から真空準位に電子を除去するために必要なエネルギーである通常は、電子ボルト、即ち、eVで測定される。真空準位は常に0eVのエネルギー準位とされるので、図1に示す通り、フェルミ準位は、常に負の値として定義される。フェルミ準位が負の値であっても、仕事関数Φは、通常、正の値になるように、それぞれの材料について、Φ=EVAC-EFermiとして定義される。例えば、金Auの仕事関数は5.1eVであり、Auのフェルミ準位は-5.1eVである。従って、Auは高仕事関数の金属であり、一方、2.9eVのΦCaを有するカルシウムCaは、低仕事関数の金属である。周期律表において、高仕事関数の金属としては、白金ΦPt=5.65eV、パラジウムΦPd=5.12eV、ニッケルΦNi=5.15eV、イリジウムΦIr=5.27eVが挙げられる。低仕事関数の金属は、基本的には、リチウムΦLi=2.9eV、ナトリウムΦNa=2.75eV、カリウムΦK=2.30eV、セシウムΦCs=2.14eVなどのアルカリ金属、および、カルシウムΦCa=2.9eVおよびバリウムΦBa=2.7eVなどのアルカリ土類金属である。本明細書において述べられる金属の全ての仕事関数の値は、文献:HerbertB.MichaelsonTheworkfunctionoftheelementsanditsperiodicity、JournalofAppliedPhysics、48巻11号、1977年11月に基づく。OSCの分子の場合、仕事関数は、半導体の記述には適していない。OSCの最高被占分子軌道HOMO:highestoccupiedmolecularorbital準位これは、無機材料の価電子帯に対応している。およびOSCの最低空分子軌道LUMO:lowestunoccupiedmolecularorbital準位これは、無機材料の伝導帯に対応している。が、電荷輸送に関与するOSC分子における軌道のエネルギー準位である。p型OSCについては、ホール輸送がHOMOエネルギー準位で起きる一方で、n型OSCについては、輸送はLUMO準位で起こる。OFETおよびOLEDにおける更に良好な装置性能のために更に良好な電荷注入を得るには、電極の仕事関数が、OSCのHOMOp型またはLUMOn型のエネルギー準位に一致していなければならない。OSCのHOMO準位は、およそ-5.3eV図2参照であるため、例えば、PdΦPd=5.15eVおよびPtΦPt=5.65eVはp型の装置に適切な電極である。しかしながら、PdおよびPtは、電極として使用するには高価な金属である。n型のOSC装置については、仕事関数が、およそ2.9eVであり、これは、OSCのLUMO準位典型的なOSCのLUMOは、-2.8~-3.3eVの間にある。と一致しているため、Caが良好な電極材料である。しかしながら、Caは酸素および水分に非常に敏感である。AuおよびAgは、しばしば電極材料として使用されているが、しかしながら、製造コストを低減するためには、これらの材料をCuで置き換えることが望まれている。しかしながら、大多数のOSC材料について、典型的なHOMO準位が、およそ-5.3~-5.8eVであるのに対し、Cuは、4.6eVの典型的な仕事関数を有する低仕事関数材料である。従って、OSC材料のHOMO準位に近づけ、OSC層中への電極からの電荷キャリアの注入を向上するために、電極の電極仕事関数を増加することが望まれる。多くの電極材料は、仕事関数、安定性および高い原材料コストの制限によって、OE装置において使用できない。例えば、Agは、p型のOE装置における電極として使用するには低過ぎる4.3eVの仕事関数を有している。Ag電極の仕事関数を向上および増加するために、、自己組織化単分子膜SAM:self-assembledmonolayer材料、例えば、ペンタフルオロベンゼンチオールなどのチオールを電極上に付与できる。CuΦCu=4.65eVなどの低コストの材料については、仕事関数が比較的低く、従って、仕事関数を向上するために、これらの金属にも、好ましくは、SAM処理を施す。これらの金属をSAMで改質しなければ、OE装置は、典型的には、高い注入障壁を示し、このため、装置性能が低下する。一方、PtおよびPdは、電極材料として使用できる高い仕事関数で安定した金属の1つである。しかしながら、PtおよびPdの原料コストは、大規模な工業的用途には高過ぎる。本発明は、仕事関数がOSC材料のHOMO準位に近づくように、安価であるが低仕事関数を有しているに過ぎない電極材料の仕事関数を増加できる低コストな方法を提供することによって、上述の問題に対する解決策を提供する。該方法は、電極表面上の金属交換プロセス、続いて、任意工程として、SAM処理プロセスを含む。結果として、非常に低いレベルに加工コストを維持しながら、高い仕事関数および高コストの材料のみから成る電極と同様に高い仕事関数を有する高仕事関数の電極を得ることができる。本発明による方法は、a例えば、OFETまたはOTFTにおけるソースおよびドレイン電極などの電極または2個以上の電極前記電極1個または複数個は、標準電極電位を有する第1金属を含む。を、好ましくは、基板上に提供する工程と、b前記電極1個または複数個上に、第1金属の標準電極電位よりも高い標準電極電位を有する第2金属の層即ち、第2金属は、第1金属よりも貴である。を堆積する工程と、c任意工程として、前記第2金属の表面と相互作用する官能基を含有する有機化合物を含む組成物に、有機化合物が第2金属上に層、好ましくは、自己組織化単分子膜SAM:self-assembledmonolayerを形成するように、前記第2金属の層を曝露する工程と、およびd電極1個または複数個上に、および/または、前記電極間の領域に、有機半導体層を堆積する工程とを含む。2個の電極、例えば、OFETまたはOTFTにおいてソースおよびドレイン電極が提供される場合、OSC層は、好ましくは、ソースおよびドレイン電極の間の領域チャネル領域としても既知である。内に、また、任意に電極の最表面上にも堆積される。本発明の好ましい実施形態としては、限定することなく、下に列記するものが挙げられ、これらの実施形態の2個以上の任意の組み合わせが挙げられる。第2金属は、第1金属よりも高い仕事関数を有する。第1金属は、Cu、Al、ZnおよびSnから成る群より選択される。第2金属は、Ag、Au、Co、Cu、Ir、Ni、Pd、Pt、Rh、ReおよびSeから成る群より選択される。第2金属の層は、無電解メッキによって堆積される。第2金属の層は、イオン交換プロセスによって堆積される。第2金属の層は、第2金属のイオンを含有する浴に電極を浸漬して堆積される。浴は、第2金属のイオンに対する還元剤を一切含有していない。浴は、錯化剤、緩衝剤、安定剤、塩、酸および塩基から成る群より選択される1種類以上の添加剤を含有する。浴は、前記第2金属の表面と相互作用する官能基を含有する有機化合物を含有する。第2金属は第1金属と同等かより低い仕事関数を有し、第2金属の層上には、前記第2金属の表面と相互作用する官能基を含有する有機化合物の自己組織化単分子膜SAM:self-assembledmonolayerが形成されている。有機化合物は、第1金属とよりも第2金属と更に良好な相互作用を示す官能基を含有する。有機化合物は、有機半導体と相互作用する官能基を含有する。前記第2金属の表面と相互作用する官能基を含有する有機化合物は、脂肪族または芳香族チオール、脂肪族または芳香族ジチオール、オリゴチオフェン、オリゴフェニレン、例えば、シアノキノアルカンジスルフィドなどの脂肪族または芳香族ジスルフィド、シラン、クロロシラン、例えば、ヘキサメチルジシリザンHMDS:hexamethyldisilizaneなどのシラザン、トリアゾール、テトラゾール、イミダゾールおよびピラゾール、例えば、エイコサン酸などのカルボン酸、ホスホン酸、例えば、9-アントラセンホスホネートなどのホスホネートこれらは全て置換されていてもよい。および、例えば、酸化銀、酸化モリブデンなどの金属酸化物から成る群より選択される。方法は、追加して、上および下に記載される通りの工程a~dの後に、次の工程を含む:OSC層上にゲート絶縁体層を堆積する工程、ゲート絶縁体層上にゲート電極を堆積する工程、および、任意工程として、ゲート電極上にパッシベーション層を堆積する工程。方法は、追加して、上および下に記載される通りの工程a~dの前に、次の工程を含む:基板上にゲート電極を堆積する工程、ゲート電極上にゲート絶縁体層を堆積する工程ただし、工程aにおける電極1個または複数個はゲート絶縁体層上に提供されている。、および、任意工程として、方法は、追加して、上および下に記載される通りの工程dの後に、OSC層上にパッシベーション層を堆積する工程を含む。更に、また、本発明による方法において使用でき、より貴でない金属上に貴な金属をメッキする適切で好ましい方法は、国際特許出願公開第02/29132号パンフレットにも開示されており、その開示の全体が引用によって本出願に組み込まれる。好ましくは、第1金属、例えば、Cuの電極を、例えば、適切で既知の薬剤で洗浄して浄化し、次いで、例えば、Agイオンまたは他の貴な金属イオンを含有する浸漬メッキ浴に浸漬する。この結果、イオン交換反応を経て表面上で、第1金属Cuが第2金属Agに置き換わる。浸漬浴は、好ましくは、例えば、AgNO3などの第2金属の適切な塩を含有し、好ましくは、第2金属のイオンAgイオンに対する還元剤を一切含有しない。一定時間、例えば、1~5分浸漬後、電極を浴より取り外し、任意工程として、例えば、脱イオン水でリンスして浄化する。本発明の好ましい実施形態において、電極の仕事関数および/または安定性を更に増加し、OSC層との相互作用を向上するために、第2金属層を形成後に、第2金属と相互作用する官能基を含有する有機分子の自己組織化単分子膜SAM:self-assembledmonolayerを形成する。SAM分子は、例えば、チオールより選択する。好ましくは、所与の時間、例えば、1分間、SAM分子を含有する溶液中に電極を浸漬することによって、SAM層を形成する。次いで、過剰のSAM溶液を、好ましくは、スピンで取り除くか、または、例えば、イソプロパノールなどの高揮発性の有機溶媒で洗浄して取り除く。適切で好ましいSAM分子は、例えば、米国特許出願公開第2009/0121192号公報に開示されており、その開示の全体が引用によって本出願に組み込まれる。引き続き、OSC層を電極上に堆積し、続いて、例えば、蒸着プロセスによって、ゲート電極を堆積する。本発明による方法はCu上にAgを付与することに限定されず、また、実際に使用されている装置のコストを低減するために、他の金属系電極にも付与できる。CuまたはCu以外の金属上に、例えば、Pt、Pd、SeまたはAuを付与できる。第2高仕事関数金属は、第2金属のイオンまたはイオン錯体を含有する浴中に電極を浸漬して付与でき、そこで、イオン交換の結果として、第2金属は、第1金属の薄層を形成する。金属イオン交換プロセスのための浴は、好ましくは、溶液、例えば、有機または水溶液、好ましくは、水溶液である。金属イオンの濃度は、好ましくは、水溶液中1mM未満である。浸漬時間は、数秒から数時間まで変化できる。浴は金属交換のための化合物に限定されず、また、追加して、芳香族または脂肪族チオールR-SH、ジチオールHS-R-SH、チオアセチルR-S-Ac、ジスルフィドR-S-S-R、オリゴチオフェン、オリゴフェニレンまたはクロロシラン式中、Rは脂肪族または芳香族構造部分であり、Acはアセチルである。などのSAM分子も含有できる。金属交換後の電極表面は純粋な第2金属Agなどから成っていてもよく、酸化を経て第2金属の1種類以上の酸化物AgOまたはAg2Oなどから成っていても、含有していてもよい。浸漬浴は、好ましくは、金属塩を含有する。適切で好ましい塩としては、限定することなく、AuCNまたは[KAuCN2]などのAu塩、PdCl2などのPd塩、K2PtCl4などのPt塩、AgNO3またはAgCNなどのAg塩、または、IrΦIr=5.27eV、ReΦRe=4.96eV、RhΦRh=4.98eV、CoΦCo=5.0eVまたはNiΦNi=5.15eVなどの他の高仕事関数金属の適切な塩が挙げられる。また、浸漬浴に、緩衝溶液および安定剤などの他の成分または添加剤を添加してもよい。例えば、Auイオンを含有する浸漬浴に、KOHまたはKBH4を添加でき、Pt塩を含有する浸漬浴に、ヒドラジン水和物を添加できる。また、浸漬浴は、SAM分子から成る群より選択される1種類以上の化合物、酢酸アンモニウムまたはNH4Clなどの緩衝剤、EDTA二ナトリウム、KCNまたはチオ尿素などの安定剤、酢酸、硫酸、クエン酸またはHClなどの有機または無機酸、または、NH4OHまたはNaOHなどの塩基も含有できる。金属交換の程度は、金属イオンの濃度を変化させることで調節できる。肉眼では色の変化が見えない低濃度0.001mM~0.1Mにおいてすら、既に、金属交換が生じることもある。例えば、Cu電極に色の変化が観察されない濃度である0.1mMのAgNO3浴中に浸漬することで、AgによるCuの金属交換を達成できる。特に好ましくは、第2金属として、AgまたはPdを使用する場合、浸漬浴または浸漬溶液中における第2金属のイオンまたは塩の濃度は、好ましくは0.0001~10mM、最も好ましくは0.01~1mMである。イオン交換およびSAMプロセスを最適化し、および/または、プロセス時間を短縮するために、異なる温度を適用できる。浸漬浴の温度は、最適な条件に依存して、広い範囲内、例えば、-30°Cから100°Cまでで選択できる。電極上における第2金属の層厚は、好ましくは、0.3分子層から10nmまでである。第2金属の層上に提供されるSAM層の厚みは、溶媒を除去後で、好ましくは、1から10分子層までである。電極の第1金属としては、好ましくは、Cuを使用する。また、例えば、Al、ZnまたはSnなどのCu以外の金属を使用することも可能である。本発明の方法においては、固体フィルムの形状の金属電極に代えて、また、電極の他の物理的状態または形状も使用できる。例えば、第1金属のナノ粒子、ナノワイヤーまたはナノ棒を含有する層から成るか含む電極を使用することが可能である。次いで、金属交換プロセスにおいて、これらのナノ粒子、ナノワイヤーまたはナノ棒に第2金属の層を形成し、その後に、電極層上または2個以上の前記電極間の領域内にOSC層を形成する。また、本発明による方法は、有機発光ダイオードOLED:organiclightemittingdiode、有機光起電OPV:organicphotovoltaic装置または有機光検出器の製造においても使用できる。仕事関数の増加に加え、また、本発明による方法は、耐腐食性の向上、電気化学的移動の低下、接触抵抗の低下、環境的便益例えば、浴において非揮発性溶媒を使用する場合、装置製造コストの低減および装置製造プロセスの信頼性の向上などの更に有益な効果も提供できる。第1金属を含有する電極は、好ましくは、基板上に提供され、スプレー、浸漬、ウエブまたはスピンコーティングなどの溶媒系または液体コーティング法、または、物理的蒸着PVS:physicalvapourdepositionまたは化学的蒸着CVD:chemicalvapourdepositionまたは昇華などの真空または蒸着堆積法により、基板に対して電極を形成できる。適切な基板および蒸着方法は、文献より当業者には既知である。好ましくは、第2金属による金属メッキの前に、電極に予備洗浄工程を施す。洗浄工程は、好ましくは、例えば、酢酸、クエン酸またはHClなどの有機または無機酸による1回以上の酸洗浄工程と、例えば、アルゴンプラズマ、酸素プラズマまたはCFxプラズマなどのプラズマへの曝露工程と、UVおよび/またはオゾン処理工程と、または、例えば、過酸化水素による塩基または酸化剤洗浄工程とを含む。トップゲートTG:topgateトランジスタを調製する場合、通常、最初に、基板上にソースおよびドレイン電極を形成し、金属交換と、任意工程として、SAM処理が実施され、続いて、OSC堆積が実施される。次いで、OSC層上にゲート絶縁体層を形成し、ゲート絶縁体層上にゲート電極を形成する。ボトムゲートBG:bottomgateトランジスタを調製する場合、通常、最初に、基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁体層を形成する。次いで、ゲート絶縁体上にソースおよびドレイン電極を形成し、金属交換と、任意工程として、SAM処理プロセスが実施され、続いて、OSC堆積が実施される。正確なプロセスの条件は、対応する絶縁体と、使用されるOSC材料とに対して容易に採用および最適化できる。図3は本発明による典型的なTGOFETを模式的に表したものであり、基板1と、第1金属を含有するソースSおよびドレインD電極2と、S/D電極2上に提供される第2金属の層3および任意構成要素のSAM層示していないと、OSC材料の層4と、ゲート絶縁体層としての誘電体材料の層5と、ゲート電極6と、後に提供されることのある更なる層または装置からゲート電極6を守るか、環境の影響からゲート電極を保護するための、任意構成要素のパッシベーションまたは保護層7とを含む。ソースおよびドレイン電極2の間の領域は、両矢印で示される通り、チャネル領域である。図4は本発明による典型的なBGボトムコンタクトOFETを模式的に表したものであり、基板1と、ゲート電極6と、ゲート絶縁体層としての電体材料の層5と、第1金属を含有するソースSおよびドレインD電極2と、S/D電極2上に提供される第2金属の層3および任意構成要素のSAM層と、OSC材料の層4と、後に提供されることのある更なる層または装置からOSC層4を守るか、環境の影響からOSC層を保護するための、任意構成要素の保護またはパッシベーション層7とを含む。OSC材料およびOSC層を形成する方法は、当業者に既知の標準的な材料および方法より選択でき、文献に記載されている。OSC材料はn型またはp型OSCのいずれでもよく、OSCは真空または蒸着堆積で堆積でき、または、好ましくは、溶液より堆積できる。好ましくは、1×10-5cm2V-1s-1より大きいFET移動度を有するOSC材料を使用する。OSCは、例えば、OFETにおけるアクティブチャネル材料または有機整流ダイドードの層要素として使用される。周辺の環境で加工できる液体コーティングによって堆積されるOSCが好ましい。OSCは、好ましくは、スプレー、浸漬、ウェブまたはスピンコートされるか、任意の液体コーティング技術によって堆積される。また、インクジェット堆積も適切である。OSCを真空または蒸着堆積してもよい。また、半導体チャネルは、同じ型即ち、p型またはn型のOSCの2種類以上の複合体でもよい。更に、層をドープする効果のために、p型OSCをn型OSCと混合してもよい。また、多層のOSCも使用できる。例えば、絶縁体界面の近傍においてOSCは真性でよく、真性層に隣接して高度にドープされた領域を追加的にコートすることもできる。OSCは、モノマー化合物ポリマーまたは巨大分子と比較して、小型分子とも言う。またはポリマー化合物、または、モノマーおよびポリマー化合物のいずれかまたは両者より選択される1種類以上の化合物を含有する混合物、分散物またはブレンドでよい。モノマー材料の場合、OSCは、好ましくは、共役芳香族分子であり、好ましくは、少なくとも3個の芳香族環を含有する。好ましいモノマーOSCは、5員、6員または7員の芳香族環を含有し、より好ましくは、5員または6員の芳香族環を含有する共役芳香族分子から成る群より選択される。これらの共役芳香族分子において、それぞれの芳香族環は、Se、Te、P、Si、B、As、N、OまたはSより、好ましくは、N、OまたはSより選択される1個以上のヘテロ原子を含有してもよい。追加または代替して、これらの共役芳香族分子において、それぞれの芳香族環は、アルキル、アルコキシ、ポリアルコキシ、チオアルキル、アシル、アリールまたは置換アリール基、ハロゲン、特に、フッ素、シアノ、ニトロ、または、-NR3R4で表される置換されていてもよい2級または3級アルキルアミンまたはアリールアミンで置換されていてもよく、式中、R3およびR4は、それぞれ独立に、H、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアリール、アルコキシまたはポリアルコキシ基である。R3およびR4がアルキルまたはアリール基の場合、これらはフッ素化されていてもよい。これらの共役芳香族分子において、芳香族環は縮合されていてもよく、または、-CT1=CT2-、-C≡C-、-NR’-、-N=N-、R’=N-、-N=CR’-などの共役連結基で、それぞれ互いに連結されていてもよく、式中、T1およびT2は、それぞれ独立に、H、Cl、F、-C≡NまたはC1~C10アルキル基、好ましくは、C1~4アルキル基を表し;R’は、H、置換されていてもよいC1~C20アルキル基または置換されていてもよいC4~C30アリール基を表す。R’がアルキルまたはアリール基の場合、これらはフッ素化されていてもよい。本発明において使用できる更に好ましいOSC材料としては、ポリアセン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリフルオレンなどの共役炭化水素ポリマーこれらの共役炭化水素ポリマーのオリゴマーを含む;テトラセン、クリセン、ペンタセン、ピレン、ペリレン、コロネン、またはこれらの可溶性置換誘導体などの縮合芳香族炭化水素;p-クアテルフェニルp-4P、p-キンクフェニルp-5P、p-セキシフェニルp-6P、またはこれらの可溶性置換誘導体などのオリゴパラ置換フェニレン;ポリ3-置換チオフェン、ポリ3,4-二置換チオフェン、置換されていてもよいポリチエノ[2,3-b]チオフェン、置換されていてもよいポリチエノ[3,2-b]チオフェン、ポリ3-置換セレノフェン、ポリベンゾチオフェン、ポリイソチアナフテン、ポリN-置換ピロール、ポリ3-置換ピロール、ポリ3,4-二置換ピロール、ポリフラン、ポリピリジン、ポリ-1,3,4-オキサジアゾール、ポリイソチアナフテン、ポリN-置換アニリン、ポリ2-置換アニリン、ポリ3-置換アニリン、ポリ2,3-二置換アニリン、ポリアズレン、ポリピレンなどの共役へテロ環状ポリマー;ピラゾリン化合物;ポリセレノフェン;ポリベンゾフラン;ポリインドール;ポリピリダジン;ベンジジン化合物;スチルベン化合物;トリアジン;置換されたメタロまたは金属を含まないポルフィン、フタロシアニン、フルオロフタロシアニン、ナフタロシアニンまたはフルオロナフタロシアニン;C60およびC70フラーレン;N,N’-ジアルキル、置換ジアルキル、ジアリールまたは置換ジアリール-1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸ジイミドおよびフッ素化誘導体;N,N’-ジアルキル、置換ジアルキル、ジアリールまたは置換ジアリール3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸ジイミド;バソフェナントロリン;ジフェノキノン;1,3,4-オキサジアゾール;11,11,12,12-テトラシアノナフト-2,6-キノジメタン;α,α’-ビスジチエノ[3,2-b2’,3’-d]チオフェン;2,8-ジアルキル、置換ジアルキル、ジアリールまたはジアルキニルアントラジチオフェン;2,2’-ビベンゾ[1,2-b:4,5-b’]ジチオフェンから成る群より選択される化合物、オリゴマーおよび化合物の誘導体が挙げられる。好ましい化合物は、上のリストからのもの、およびそれらの有機溶媒に可溶な誘導体である。特に好ましいOSC材料は、チオフェン-2,5-ジイル、3-置換チオフェン-2,5-ジイル、セレノフェン-2,5-ジイル、3-置換セレノフェン-2,5-ジイル、置換されていてもよいチエノ[2,3-b]チオフェン-2,5-ジイル、置換されていてもよいチエノ[3,2-b]チオフェン-2,5-ジイル、置換されていてもよい2,2’-ビチオフェン-5,5’-ジイル、置換されていてもよい2,2’-ビセレノフェン-5,5’-ジイルから選択される1種類以上の繰返単位を含むポリマーおよびコポリマーから成る群より選択される。例えば、米国特許第6,690,029号明細書、国際特許出願公開第2005/055248号パンフレットまたは米国特許第7,385,221号明細書に開示される通り、更に好ましいOSC材料は、ペンタセン、テトラセンまたはアントラセン、または、6,13-ビストリアルキルシリルエチニルペンタセンまたは5,11-ビストリアルキルシリルエチニルアントラジチオフェンなどのそれらのヘテロ環状誘導体などの置換オリゴマーから成る群より選択される。もう一つの本発明の好ましい実施形態において、例えば、国際特許出願公開第2005/055248号パンフレットに記載される通り、レオロジー特性を調整するために、1種類以上の有機バインダー、特に、1,000Hzにおいて3.3以下の低い誘電率εを有する有機バインダーをOSC層は含む。バインダーは、例えば、ポリアルファ-メチルスチレン、ポリケイ皮酸ビニル、ポリ4-ビニルビフェニルまたはポリ4-メチルスチレン、または、それらのブレンドから選択される。また、バインダーは、例えば、ポリアリールアミン、ポリフルオレン、ポリチオフェン、ポリスピロビフルオレン、置換ポリビニレンフェニレン、ポリカルバゾールまたはポリスチルベン、または、それらのコポリマーから選択される半導体バインダーでもよい。本発明において使用するための好ましい誘電体材料は、好ましくは、例えば、旭硝子社より商業的に入手可能なCytop商標809Mなどの1000Hzにおいて1.5および3.3の間の低い誘電率を有する材料を含む。また、本発明によるトランジスタ装置は、p型半導体チャネルおよびn型半導体チャネルの両者を含む相補型有機TFTCTFT:complementaryorganicTFTでもよい。本発明による方法はOFETまたはOTFTに限らず、また、例えば、OLEDSまたはOPV装置などの電荷注入層を含む任意のOE装置の製造においても使用できる。他のタイプのOE装置を製造するために本発明による方法を使用するため、上および下に記載される通りの方法を当業者は容易に改変または変更できる。例えば、また、本発明による方法は、例えば、バルクヘテロ接合BHJ:bulkheterojunctionソーラーセルなどのOPV装置における電極にも適用できる。OPV装置は、文献より既知の任意のタイプでよい[例えば、Waldaufら、Appl.Phys.Lett.89巻、233517頁2006年参照]。本発明による好ましいOPV装置は、低仕事関数電極例えば、アルミニウムなどの金属および高仕事関数電極例えば、ITOで、これらの一方は透明である、好ましくは、OSC材料より選択され、低仕事関数電極および高仕事関数電極の間に配置され、ホール輸送材料および電子輸送材料を含む層活性層とも呼ばれるで;活性層は、例えば、バルクヘテロ接合BHJ:bulkheterjunction例えば、Coakley、K.M.およびMcGehee、M.D.Chem.Mater.2004年、16巻、4533頁を参照を形成しているp型およびn型半導体の二重層または2つの別個の層またはブレンドまたは混合物として存在できる、任意の構成要素として、高仕事関数電極の仕事関数を改質し、ホールに対するオーミックコンタクトを与えるためで、活性層および高仕事関数電極の間に配置され、例えば、PEDOT:PSSpoly3,4-ethylenedioxythiophene、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン:polystyrenesulfonate、ポリスチレンスルホネートのブレンドを含む導電性ポリマー層、任意の構成要素として、電子に対するオーミックコンタクトを与えるためで、低仕事関数電極の活性層に面する側上の例えば、LiFのコーティングを含み、ただし、少なくとも一方の電極、好ましくは、高仕事関数電極は、上および下に記載される通りで本発明による方法が施される。もう一つの本発明による好ましいOPV装置は反転OPV装置で、これは、低仕事関数電極例えば、金などの金属および高仕事関数電極例えば、ITOで、これらの一方は透明である、好ましくは、OSC材料より選択され、低仕事関数電極および高仕事関数電極の間に配置され、ホール輸送材料および電子輸送材料を含む層活性層とも呼ばれるで;活性層は、例えば、BHJを形成しているp型およびn型半導体の二重層または2つの別個の層またはブレンドまたは混合物として存在できる、任意の構成要素として、電子に対するオーミックコンタクトを与えるためで、活性層および低仕事関数電極の間に配置され、例えば、PEDOT:PSSのブレンドを含む導電性ポリマー層、任意の構成要素として、ホールに対するオーミックコンタクトを与えるためで、高仕事関数電極の活性層に面する側上の例えば、TiOxのコーティングを含み、ただし、少なくとも一方の電極、好ましくは、高仕事関数電極は、上および下に記載される通りで本発明による金属交換および任意工程のSAM処理プロセスが施される。よって、本発明のOPV装置においては、好ましくは、少なくとも一方の電極、好ましくは、高仕事関数電極は、それの活性層に面する表面上において、第2金属を含む層および任意構成要素のSAM層によって覆われており、これらは、上および下に記載される通りで本発明による方法によって形成される。本発明のOPV装置は、典型的には、p型電子ドナー半導体およびn型電子アクセプター半導体を含む。p型半導体は、例えば、ポリ3-アルキル-チオフェンP3AT、好ましくは、ポリ3-ヘキシルチオフェンP3HTなどのポリマー、あるいは、上に列記される通りの好ましいポリマーおよびモノマーOSC材料の群より選択される他のものである。n型半導体は、酸化亜鉛またはセレン化カドミウムなどの無機材料、または、フラーレン誘導体、例えば、G.Yu、J.Gao、J.C.Hummelen、F.Wudl、A.J.Heeger、Science1995年、270巻、1789ff頁において例えば開示される通りで、下に示す構造を有し、PCBMまたはC60PCBMとしても既知の6,6-フェニル-酪酸メチルエステル誘導メタノC60フラーレン、または、例えば、C70フラーレン基C70PCBMを有する構造類似化合物またはポリマー例えば、Coakley、K.M.およびMcGehee、M.D.Chem.Mater.2004年、16巻、4533頁参照などの有機材料でよい。このタイプの好ましい材料は、P3HTなどのポリマー、または、上に列記される群より選択される他のポリマーと、C60またはC70フラーレンまたはPCBMなどの修飾フラーレンとのブレンドまたは混合物である。好ましくは、ポリマー:フラーレンの比は、重量で2:1~1:2、より好ましくは、重量で1.2:1~1:1.2、最も好ましくは、重量で1:1である。ブレンドされた混合物については、ブレンドのモルフォロジー、および結果として、OPV装置の性能を最適化するために、任意工程のアニール工程が必要なこともある。好ましくは、上および下に記載される通りの方法において、OSC層および絶縁体層などの個々の機能層の堆積は、溶液プロセス技術を使用して行う。これは、例えば、それぞれ、OSCまたは誘電体材料を含み、1種類以上の有機溶媒を更に含む配合物、好ましくは、溶液を先に堆積した層上に塗工し、続いて、溶媒1種類または多種類を蒸発することで行うことができる。好ましい堆積技術としては、限定することなく、浸漬コーティング、スピンコーティング、インクジェット印刷、レタープレス印刷、スクリーン印刷、ドクターブレードコーティング、ローラー印刷、リバースローラー印刷、オフセットリソグラフィー印刷、フレキソ印刷、ウェブ印刷、スプレーコーティング、はけ塗りコーティングまたはパッド印刷が挙げられる。非常に好ましい溶液堆積技術は、スピンコーティング、フレキソ印刷およびインクジェット印刷である。本発明によるOFET装置においては、ゲート絶縁体層のための誘電体材料は、好ましくは、有機材料である。誘電体層は溶液コートされることが好ましく、溶液コートによれば周囲環境で加工できるが、また、種々の真空堆積技術によって堆積することもできる。誘電体をパターン化する場合、誘電体は中間層絶縁体の機能を果たしてもよく、OFETのためのゲート絶縁体として働いてもよい。好ましい堆積技術としては、限定することなく、浸漬コーティング、スピンコーティング、インクジェット印刷、レタープレス印刷、スクリーン印刷、ドクターブレードコーティング、ローラー印刷、リバースローラー印刷、オフセットリソグラフィー印刷、フレキソ印刷、ウェブ印刷、スプレーコーティング、はけ塗りコーティングまたはパッド印刷が挙げられる。高解像度の層および装置を調製できるため、インクジェット印刷が特に好ましい。任意工程として、より良好な溶媒に対する耐性および/または構造的完結性を達成するために、および/または、パターン化フォトリソグラフィーを可能とするために、誘電体材料を架橋または硬化できる。好ましいゲート絶縁体は、有機半導体に対して低誘電率の界面を提供するものである。適切な溶媒は、限定することなく、炭化水素溶媒、芳香族溶媒、脂環式環状エーテル、環状エーテル、酢酸化物、エステル、ラクトン、ケトン、アミド、環状カーボネートまたは以上の多成分混合物が挙げられる溶媒より選択される。好ましい溶媒の例としては、シクロヘキサノン、メシチレン、キシレン、2-ヘプタノン、トルエン、テトラヒドロフラン、MEK、MAK2-ヘプタノン、シクロヘキサノン、4-メチルアニソール、ブチルフェニルエーテルおよびシクロヘキシルベンゼン、非常に好ましくは、MAK、ブチルフェニルエーテルまたはシクロヘキシルベンゼンが挙げられる。それぞれの機能性材料OSCまたはゲート誘電体の配合物中における総濃度は、好ましくは、0.1~30重量、好ましくは、0.1~5重量である。特に、インクジェットおよびフレキソ印刷のための溶液において使用するためには、高い沸点を有する有機ケトン溶媒が有利である。堆積方法としてスピンコーティングを使用する場合、例えば、1000および2000rpmの間で、例えば、30秒の時間で、OSCまたは誘電体材料をスピンし、典型的には、0.5および1.5μmの間の層厚を有する層を与える。スピンコーティング後、昇温してフィルムを加熱し、全ての残存する揮発性溶媒を除去できる。架橋するためには、堆積後の架橋性誘電体材料を、好ましくは、例えば、X線、UVまたは可視光の放射などの電子ビームまたは電磁気化学線放射に曝露する。例えば、50nm~700nm、好ましくは、200~450nm、最も好ましくは、300~400nmの波長を有する化学線放射を使用できる。適切な放射線量は、典型的には、25~3,000mJ/cm2の範囲内である。適切な放射線源としては、水銀、水銀/キセノン、水銀/ハロゲンおよびキセノンランプ、アルゴンまたはキセノンレーザ光源、X線、または、電子ビームが挙げられる。化学線に曝露することで、曝露された領域内の誘電体材料の架橋性基における架橋反応が誘発されることとなる。また、例えば、架橋性基の吸収バンド外の波長を有する光源を使用することや、放射線感受性の光増感剤を架橋性材料に加えることも可能である。任意工程として、放射線に曝露後、例えば、70°C~130°Cの温度において、例えば、1~30分、好ましくは、1~10分の時間において、誘電体材料層をアニールする。誘電体材料の架橋性基を光放射に曝露することで誘発された架橋反応を完結するために、昇温してアニール工程を使用できる。上および下に記載される全てのプロセス工程は、先行技術において記載され当業者に良く知られている既知の技術および標準的な設備を使用して行うことができる。例えば、光照射工程においては、商業的に入手可能UVランプおよび光マスクを使用でき、オーブン内またはホットプレート上においてアニール工程を行うことができる。本発明による電子装置における機能層OSC層または誘電体層の厚みは、好ましくは、1nm単層の場合~10μm、非常に好ましくは、1nm~1μm、最も好ましくは、5nm~500nmである。種々の基板を有機電子装置の製造のために使用でき、例えば、シリコンウエハー、ガラスまたはプラスチックであり、プラスチック材料が好ましく、例として、アルキド樹脂、アリルエステル、ベンゾシクロブテン、ブタジエン-スチレン、セルロース、セルロースアセテート、エポキシド、エポキシポリマー、エチレン-クロロトリフルオロエチレン、エチレン-テトラ-フルオロエチレン、ガラス繊維強化プラスチック、フルオロカーボンポリマー、ヘキサフルオロプロピレンビニリデン-フルオリドコポリマー、高密度ポリエチレン、パリレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアラミド、ポリジメチルシロキサン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリケトン、ポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリスルホン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、シリコーンゴムおよびシリコーンが挙げられる。好ましい基板材料は、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミドおよびポリエチレンナフタレートである。基板は、上の材料でコートされた任意のプラスチック材料、金属またはガラスでもよい。基板は、好ましくは、良好なパターン鮮明度を保証するために均質でなければならない。また、キャリアの移動度を高めるために、有機半導体の配向を誘発するための押出、延伸、ラビングまたは光化学的技術によって基板を均一に事前配向してもよい。文脈が明らかに他を示さない限り、本明細書で用いられる場合、本明細書における用語の複数形は単数形を含むよう構成されており、逆もまた同様である。本発明の前述の実施形態は、本発明の範囲内に依然として在りながら変更できると理解されるであろう。他に明言しない限り、本明細書において開示されるそれぞれの態様を、同一、同等または同様の目的に働く代替の態様で置き換えてもよい。よって、他に明言しない限り、開示されるそれぞれの態様は、包括的で一連の同等または同様な態様の一例に過ぎない。本明細書において開示される態様の全ては、その様な態様および/または工程の少なくとも幾つかが互いに排他的である組み合せを除いて、任意の組み合わせで組み合わせてよい。特に、本発明の好ましい態様は本発明の全ての態様に適用可能であり、任意の組み合わせにおいて使用できる。同様に、本質的でない組み合わせで記載される態様は、個別に組み合わせずに使用できる。上記の態様、特に好ましい実施形態の多くは、それ自体で発明性があり、本発明の実施形態の単なる一部分ではないことが分かるであろう。本願において特許請求される任意の発明に追加するか代わりに、これらの態様に対して独立した特許保護を求める場合がある。ここで、以下の例を参照して、本発明を更に詳細に記載するが、それは単なる例示であって、本発明の範囲を限定するものではない。以下のパラメータを使用する:μLNは、線形電荷キャリア移動度であり、μSATは、飽和電荷キャリア移動度であり、Wは、ドレインおよびソース電極の長さチャネル幅としても既知であり、Lは、ドレインおよびソース電極の間の距離チャネル長としても既知であり、IDは、ソース-ドレイン電流であり、COXは、ゲート誘電体の単位面積あたりの静電容量であり、VGは、ゲート電圧Vであり、VDSは、ソース-ドレイン電圧であり、SqrtIDは、線形電荷キャリア移動度である。他に明言しない限り、上および下で与えられる場合、誘電率ε、電荷キャリア移動度μ、溶解性パラメータδおよび粘度ηなどの物理的パラメータの全ての特定の値は、20°C±1°Cの温度で参照され、パーセンテージは、重量として与えられる。<例1>以下の通り、トップゲートOFET装置を調製する。基板の最表面上の金属シャドーマスクで熱蒸着プロセスを経て、ガラス基板上に銅電極を堆積する。その後、1酢酸に5分浸漬し、続いて、脱イオン水で数回リンスして、基板を浄化する。次いで、この事前浄化された銅基板を0.0001MのAgNO3浴中に異なる時間この場合、t=2、3および4分浸漬し、続いて、脱イオン水で少なくとも5分リンスする。その後、基板をスピンで乾燥し、続いて、Ag改質されたCu基板をLisicon登録商標M001ドイツ国ダルムシュタット市メルク社より商業的に入手可中に1分浸漬する。次いで、基板をIPAでリンスし、基板を100°Cのホットプレートの最表面上に1分置く前に、スピンで乾燥した。Lisicon登録商標M001処理後、トップゲートOFET用のOSC配合物であるLisicon登録商標S1200ドイツ国ダルムシュタット市メルク社より商業的に入手可を、改質電極上に2000rpmのスピン速度でスピンコートし、続いて、100°Cのホットプレートで1分アニールする。次いで、基板を移動して、誘電体を1600rpmで30秒スピンコートし、100°Cで1分アニールして、OSC層の最表面上にLisicon登録商標D139ドイツ国ダルムシュタット市メルク社より商業的に入手可の誘電体層を堆積する。最後に、シャドーマスクを使用して熱蒸着プロセスにより、Cuゲート電極を誘電体層の最表面上に堆積する。次いで、OFET装置性能の解析を行う。得られた結果を下に示す。<トランジスタ特性解析>KarlSussPH100プローブヘッドを備えるプローブステーションに接続されたAgilent4155C半導体解析装置を使用して、トランジスタを特性解析する。トランジスタの特性を、以下の通り計測する:VD=-5Vで、VGを20Vから-60Vまでスキャンし、1Vステップで戻す線形モード、VD=-60Vで、VGを20Vから-60Vまでスキャンし、1Vステップで戻す飽和モード。以下の式を使用して、移動度の値を計算した。<ケルビンプローブを使用する仕事関数の計測><OFET装置性能>個々の基板より、それぞれ6個のOFET装置の平均性能を計測し、まとめる。対応するOFETの変換特性を図5a~dに示す。a0.1mMのAgNO3、2分浸漬μlinear:2.18cm2/V秒μsat:2.08cm2/V秒Ioff:3.8×10-9AIon/off:1.9×104b0.1mMのAgNO3、3分浸漬μlinear:2.68cm2/V秒μsat:2.27cm2/V秒Ioff:4.48×10-9AIon/off:1.8×104c0.1mMのAgNO3、4分浸漬μlinear:2.32cm2/V秒μsat:2.19cm2/V秒Ioff:8×10-9AIon/off:9×104dLisicon登録商標M001でCu金属交換プロセス一切なしμlinear:0.5cm/V秒μsat:0.16cm/V秒Ioff:10-10AIon/off:2×104これらの結果は、表面処理は施されているが金属交換プロセスは施されていないCu製S/D電極を有するOFET装置dμ<0.5cm2/V秒と比較して、金属交換プロセスおよび表面処理プロセスが施されているCu製S/D電極を有するOFET装置a~cμ<0.5cm2/V秒は、3~4倍高い移動度μ>2cm2/V秒を有していることを示している。また、全体の性能を変化させることなく、金属交換処理時間を2~4分または更に長くに変化できることも見て取れる。これは、より大規模な管理限界においても、プロセスを使用できることを意味する。3分処理したOFET装置の1つについてバイアスストレス計測を、-60Vゲート電圧ストレスにおいて24時間行った。結果を、図6および7に示す。図6において、バイアスストレス下24時間内の時間にわたって、VGate=-60VにおいてIDは、およそ、8×10-4Aで変化していない一方で、バイアスストレスプロセスにわたってIoffは低下していることが見て取れる。これは、バイアスストレスプロセスを通して、OFET装置の性能が非常に一貫しており、24時間のストレス時間内では劣化が観察されないことを示唆する。図7は、バイアスストレスプロセスの初期における飽和移動度の変化と、12時間毎のバイアスストレスにおける、その後の移動度とを図示する。初期値と比較して、12時間後、サンプルの移動度は僅かに低下している。12時間および24時間の間の計測においては、移動度について、更なる低下は観察されない。これは、最初のストレス後は、更なる劣化は観察されないことを示唆する。<例2>Cu-Ag金属交換処理され、Lisicon登録商標M1000のSAM層で表面処理されたCu製S/D電極を使用して、例1に記載される通り、ボトムゲートBG:bottomgateOFETを作製する。基本的な装置構造機能層の順序は、以下の通りである。基板/Cuゲート/Lisicon登録商標D206ゲート誘電体/Ag金属交換およびLisicon登録商標M001処理されたCuS/D/OSCスピンコーティング。図8に、3分の金属交換プロセス後の、この装置の変換特性を示す。装置は、およそ、0.3cm2/V秒の平均移動度で、Vgateが、およそ、0Vにおいて、鋭い立ち上がりを示す。飽和および線形領域におけるオン-オフ比は、2×104より高い。<例3>例1に記載される通り、トップゲートTG:topgateOFET装置を作製するが、PdNH34NO32を含有する浸漬浴を使用してCu-Pd金属交換プロセスを施し、続いて、Lisicon登録商標M001表面処理をCu製S/D電極に施す。装置性能を、図9に示す。装置は、2.5cm2/V秒の最大μlinおよび1.8cm2/V秒のμsatで、およそ、-3VにおいてVturn-onを示す。線形および飽和領域におけるオン-オフ比は、104より高い。Lisicon登録商標M001処理のみが施されたCu製S/D電極を有する装置と比較して、Lisicon登録商標M001処理に加え、Pd金属交換が施されたCu製S/D電極を有する装置は、移動度について、3~4倍良好な性能を示す。"