"量子ドットと、前記量子ドットを挟み、前記量子ドットよりもワイドエネルギーギャップの中間層と、前記中間層よりもナローエネルギーギャップの下地井戸層と、前記中間層よりもワイドエネルギーギャップの第1埋め込み障壁層と、前記第1埋め込み障壁層上に設けられ、前記第1埋め込み障壁層よりもワイドエネルギーギャップの第2埋め込み障壁層とを備えることを特徴とする量子ドット型赤外線検知器。前記第1埋め込み障壁層と前記第2埋め込み障壁層との間に前記第1埋め込み障壁層よりもナローエネルギーギャップの第1埋め込み井戸層を備えることを特徴とする、請求項1に記載の量子ドット型赤外線検知器。前記第2埋め込み障壁層上に設けられ、前記第2埋め込み障壁層よりもナローエネルギーギャップの第2埋め込み井戸層と、前記第2埋め込み井戸層上に設けられ、前記第2埋め込み障壁層と同一のエネルギーギャップを有する第3埋め込み障壁層とを備えることを特徴とする、請求項1又は2に記載の量子ドット型赤外線検知器。前記中間層よりもワイドエネルギーギャップの下地障壁層を備え、前記下地障壁層上に前記下地井戸層を備えることを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の量子ドット型赤外線検知器。前記下地井戸層の厚さが、1ML以上10ML以下であることを特徴とする、請求項1~4のいずれか1項に記載の量子ドット型赤外線検知器。ところで、赤外線検知器の特性としては、特定の応答波長で、信号Sが大きく、信号と雑音の比S/Nが大きいことが重要である。しかしながら、上述の第1の構造では、十分な光電流を生成することができず、感度信号に相当が低い。つまり、特定の応答波長で信号が小さく、S/Nが小さい。また、上述の第2の構造では、量子ドットの周囲のエネルギー障壁の高さが増加するため、量子ドットにおける量子閉じ込め効果が強くなり、光で励起された電子が遷移しやすくなり、その結果、量子ドット型赤外線検知器の感度が改善される。しかしながら、上述の第2の構造のように、量子ドットの周囲のエネルギー障壁の高さを増加させると、遷移元準位から遷移先準位までのエネルギー差も大きくなり、応答波長が短波長化してしまう。さらに、上述の第3の構造では、応答波長を長波長化しうるが、量子ドットを挟んで上下対称構造になっており、量子ドットの周囲に井戸層が設けられるため、量子ドットの周囲のエネルギー障壁の高さが低くなり、量子閉じ込め効果が弱くなる。このため、光で励起された電子が遷移しにくくなり、その結果、感度が低下してしまう。また、量子ドット型赤外線検知器では、一般に、応答波長が長くなると、遷移元準位と遷移先準位とのエネルギー差が小さくなり、相対的に雑音が増加し、感度やS/Nなどの特性が低下してしまう。このように、量子ドット型赤外線検知器では、特性を向上させようとすると、応答波長が短波長化してしまい、応答波長を長波長化しようとすると、特性が低下してしまう。つまり、特性を向上させることと、応答波長を長波長化することとを両立させることが難しい。また、上述の第4の構造では、InAs量子ドットの下方のInGaAs層とInAs量子ドットの上方を覆うAlGaAs層のエネルギーギャップの差が大きいことを利用して、暗電流光電流以外の電流:ノイズ相当を低減し、特性を向上させることができる。しかしながら、上述の第4の構造では、InAs量子ドットの周囲に設けられるInGaAs層とAlGaAs層のエネルギーギャップ、即ち、伝導帯の底のエネルギーレベルによって、エネルギー障壁の高さと応答波長が決まる。この場合、エネルギー障壁の高さを高くして特性を向上させようとすると、遷移元準位から遷移先準位までのエネルギー差も大きくなり、応答波長が短波長化してしまう。一方、応答波長を長波長化しようとすると、エネルギー障壁の高さが低くなってしまい、特性が低下してしまう。このように、特性を向上させることと、応答波長を長波長化することとを両立させることが難しい。そこで、感度やS/Nなどの特性を低下させることなく、応答波長を長波長化できるようにしたい。このため、本量子ドット型赤外線検知器は、量子ドットと、量子ドットを挟み、量子ドットよりもワイドエネルギーギャップの中間層と、中間層よりもナローエネルギーギャップの下地井戸層と、中間層よりもワイドエネルギーギャップの第1埋め込み障壁層と、第1埋め込み障壁層上に設けられ、第1埋め込み障壁層よりもワイドエネルギーギャップの第2埋め込み障壁層とを備えることを要件とする。したがって、本量子ドット型赤外線検知器によれば、感度やS/Nなどの特性を低下させることなく、応答波長を長波長化できるという利点がある。以下、図面により、本発明の実施の形態にかかる量子ドット型赤外線検知器について説明する。[第1実施形態]まず、第1実施形態にかかる量子ドット型赤外線検知器について、図1を参照しながら説明する。本実施形態にかかる量子ドット型赤外線検知器は、量子ドット構造を赤外線吸収部とする赤外線検知器である。本実施形態では、量子ドット型赤外線検知器は、図1に示すように、量子ドット1と、量子ドット1を挟み、量子ドット1よりもワイドエネルギーギャップの中間層2とを含む光電変換層活性層3と、光電変換層3を挟む電極層コンタクト層4とを備える。ここでは、量子ドット1は、InAs量子ドットであり、自己組織化量子ドットである。また、中間層2は、i-AlGaAs中間層である。例えば、i-Al0.15Ga0.85As中間層2であり、厚さは約50nmである。さらに、電極層4は、n-GaAs電極層である。特に、本実施形態では、中間層2よりもナローエネルギーギャップの下地井戸層5と、中間層2よりもワイドエネルギーギャップの第1埋め込み障壁層6と、第1埋め込み障壁層6よりもワイドエネルギーギャップの第2埋め込み障壁層7とを備える。ここで、下地井戸層5は、量子ドット1の下地層である。この下地井戸層5の厚さは、約1ML以上約10ML以下であることが好ましい。このように、下地井戸層5の厚さを約10ML以下とすることで、確実に特性改善効果が得られる。つまり、下地井戸層5の厚さを薄くすることで、中間層2による量子閉じ込め効果が得られ、感度を向上させることができ、確実に特性改善効果が得られる。ここでは、下地井戸層5は、GaAs下地井戸層であり、例えば厚さは約3MLである。なお、ここでは、下地井戸層5をGaAs層としているが、これに限られるものではなく、中間層2よりもナローエネルギーギャップの下地井戸層5であれば良い。例えば、中間層2よりもナローエネルギーギャップのAlGaAs層を下地井戸層5としても良い。第1埋め込み障壁層6は、量子ドット1を埋め込む埋込層であり、かつ、量子ドット1に束縛されている電子に対するエネルギー障壁を形成する障壁層である。この第1埋め込み障壁層6の厚さは第2埋め込み障壁層7の厚さよりも薄く、約1ML以上約3ML以下であることが好ましい。ここでは、第1埋め込み障壁層6は、AlGaAs第1埋め込み障壁層である。例えば、Al0.17Ga0.83As第1埋め込み障壁層6であり、厚さは約3MLである。第2埋め込み障壁層7は、第1埋め込み障壁層6上に設けられている。また、第2埋め込み障壁層7は、量子ドット1を埋め込む埋込層であり、かつ、量子ドット1に束縛されている電子に対するエネルギー障壁を形成する障壁層である。さらに、上述のように、第2埋め込み障壁層7は第1埋め込み障壁層6よりもワイドエネルギーギャップを持つため、第2埋め込み障壁層7のエネルギー障壁の高さは、第1埋め込み障壁層6のエネルギー障壁の高さよりも高い。ここでは、第2埋め込み障壁層7は、AlGaAs第2埋め込み障壁層である。例えば、Al0.3Ga0.7As第2埋め込み障壁層7であり、厚さは約6MLである。なお、ここでは、第2埋め込み障壁層7をAlGaAs層としているが、これに限られるものではなく、第1埋め込み障壁層6よりもワイドエネルギーギャップの第2埋め込み障壁層7であれば良い。例えば、第1埋め込み障壁層6よりもワイドエネルギーギャップのAlAs層を第2埋め込み障壁層7としても良い。本実施形態では、中間層2、第1埋め込み障壁層6、第2埋め込み障壁層7、下地井戸層5の材料として、AlxGa1-xAs0≦x≦1という同一の構成材料を含む半導体材料を用い、その組成を変えて、中間層2、第1埋め込み障壁層6、第2埋め込み障壁層7、下地井戸層5の上記エネルギーギャップの関係を実現している。このように、本実施形態では、量子ドット1は、下地井戸層5上に設けられており、第1埋め込み障壁層6及び第2埋め込み障壁層7の2つの埋め込み障壁層によって埋め込まれている。つまり、下地井戸層5は、量子ドット1の下面下部に接しており、第1埋め込み障壁層6及び第2埋め込み障壁層7は、量子ドット1の上面上部に接している。そして、第1埋め込み障壁層6は、第2埋め込み障壁層7よりもエネルギー障壁の高さが低くなっている。この場合、下地井戸層5と第1埋め込み障壁層6のエネルギーギャップ、即ち、伝導帯の底のエネルギーレベルによって、応答波長が決まる。一方、第2埋め込み障壁層7のエネルギーギャップ、即ち、伝導帯の底のエネルギーレベルによって、量子ドット1に束縛されている電子に対するエネルギー障壁の高さが決まる。このため、応答波長とエネルギー障壁の高さを別個独立に設定することができる。つまり、下地井戸層5と第1埋め込み障壁層6のエネルギーギャップの設定によって応答波長を長波長化することができる。一方、第2埋め込み障壁層7のエネルギーギャップの設定によってエネルギー障壁の高さを高くして、量子閉じ込め効果を強くし、光で励起された電子が遷移しやすくすることで、感度を向上させることができる。つまり、応答波長を長波長化することと、感度やS/Nなどの特性を向上させることとを両立させることができる。また、本実施形態では、下地井戸層5上に設けられ、第1埋め込み障壁層6及び第2埋め込み障壁層7によって覆われた量子ドット1、即ち、下地井戸層5、量子ドット1、第1埋め込み障壁層6及び第2埋め込み障壁層7を含む量子ドット層8を挟むように中間層2が設けられている。本実施形態では、中間層2を介して、複数の量子ドット層8が繰り返し積層されている。つまり、光電変換層3は、複数の量子ドット層8を中間層2を介して積層した構造になっている。なお、ここでは、光電変換層3は、複数の量子ドット層8を備えるものとしているが、1層の量子ドット層を備えるものであっても良い。このように構成される量子ドット型赤外線検知器では、光電変換層3に光が入射すると、量子ドット1の遷移元準位に束縛されていた電子が光で励起され、遷移先準位にサブバンド間遷移し、熱的な励起やトンネル効果によって量子ドット1の束縛から脱する。そして、量子ドット1の束縛から脱した電子は、両側のn-GaAs電極層4を介して印加された電圧によって一方のn-GaAs電極層4に集められ、光電流が生じる。この検知器を流れる光電流の変化によって、光信号を検出するようになっている。次に、本実施形態にかかる量子ドット型赤外線検知器の製造方法について説明する。まず、例えば分子線エピタキシーMolecularbeamepitaxy;MBE法によって、半絶縁性GaAs基板図示せず上に、例えば基板温度約600°Cで、下部電極層となるn型GaAs電極層4を形成する。ここで、n型GaAs電極層4の厚さは例えば約1000nmとし、n型ドーパントとして例えばSiを用い、その濃度は例えば約2×1018cm-3とする。次いで、n型GaAs電極層4上に、i-AlGaAs中間層2を形成する。ここでは、厚さ約50nmのi-Al0.15Ga0.85As中間層2を成長させる。次に、例えば基板温度を約600°Cから約500°Cに低下させた後、i-AlGaAs中間層2上に、GaAsを約3ML分成長させて、厚さ約3MLのGaAs下地井戸層5を形成する。次いで、GaAs下地井戸層5上に、InAs量子ドット1を形成する。例えば、InAs供給速度を約0.1ML/sとし、InAsを約2.3ML分供給する。これにより、臨界膜厚を超えたInAsは自己組織化量子ドット1となる。次に、InAs量子ドット1がAlGaAs第1埋め込み障壁層6で埋め込まれるように、GaAs下地井戸層5上にAlGaAs第1埋め込み障壁層6を形成する。例えば、Al0.17Ga0.83Asを約3ML分成長させて、厚さ約3MLのAl0.17Ga0.83As第1埋め込み障壁層6を形成する。次いで、InAs量子ドット1がAlGaAs第2埋め込み障壁層7で埋め込まれるように、AlGaAs第1埋め込み障壁層6上にAlGaAs第2埋め込み障壁層7を形成する。例えば、Al0.3Ga0.7Asを約6ML分成長させて、厚さ約6MLのAl0.3Ga0.7As第2埋め込み障壁層7を形成する。そして、例えば基板温度を約500°Cから約600°Cまで上昇させた後、AlGaAs第2埋め込み障壁層7上に、i-AlGaAs中間層2を形成する。ここでは、厚さ約50nmのi-Al0.15Ga0.85As中間層2を成長させる。これにより、i-AlGaAs中間層2に挟まれ、GaAs下地井戸層5、InAs量子ドット1、AlGaAs第1埋め込み障壁層6及びAlGaAs第2埋め込み障壁層7を含む量子ドット層8が形成される。その後、上述の各工程、即ち、GaAs下地井戸層5を形成する工程からi-AlGaAs中間層2を形成する工程までの各工程を、例えば29回繰り返す。これにより、例えば30層の量子ドット層8を含む光電変換層3、即ち、例えば30層の量子ドット層8を中間層2を介して積層した構造を有する光電変換層3が形成される。つまり、InAs量子ドット1と、InAs量子ドット1を挟み、InAs量子ドット1よりもワイドエネルギーギャップのi-AlGaAs中間層2とを含む光電変換層3が形成される。なお、図1では、説明の便宜上、2つの量子ドット層8のみを示している。次に、光電変換層3上、即ち、最上層のi-AlGaAs中間層2上に、例えば基板温度600°Cで、上部電極層となるn型GaAs電極層4を形成する。ここで、n型GaAs電極層4の厚さは例えば約1000nmとし、n型ドーパントとして例えばSiを用い、その濃度は例えば約2×1018cm-3とする。これにより、光電変換層3を挟むようにn型GaAs電極層4が形成される。このようにして各半導体層を成長させたウェハを、例えばリソグラフィー法によってパターニングし、下部電極層となるn型GaAs電極層4までエッチングして、例えば30μmピッチで画素分離を行なう。ここでは、画素サイズは25μm角である。次いで、反射膜のコーティングを行なう。例えば、反射膜として、金、銀、アルミニウムなどの金属膜、あるいは、AuGeAuなどの複合膜などの高い反射率を持つ材料からなる膜を、スパッタ或いは真空蒸着等によって形成する。ここでは、反射膜は、導電材からなり、電極の一部として使用される。このため、上下のn型GaAs電極層上に、同時に、上部電極及び下部電極が形成されることになる。次に、素子表面電極以外の領域を、例えばSiN又はSiONからなる保護膜で覆う。そして、全画素の上部電極及び下部電極としての反射膜上に、例えばインジウムInからなるバンプを形成し、そのバンプを介して、シリコン基板上に形成された半導体集積回路読み出し回路:例えばCMOS回路に接続する。これにより、量子ドット型赤外線検知器が完成する。このような量子ドット型赤外線検知器は、n型GaAs電極層4間に例えば1Vの電位差例えば下部電極が陰極、上部電極が陽極を与え、その間に流れる電流を計測することで、赤外線入射に対する量子ドット1の応答として流れる光電流を観測することができるため、赤外線検知器として機能する。したがって、本実施形態にかかる量子ドット型赤外線検知器によれば、感度やS/Nなどの特性を低下させることなく、応答波長を長波長化できるという利点がある。[第2実施形態]次に、第2実施形態にかかる量子ドット型赤外線検知器について、図2を参照しながら説明する。本実施形態にかかる量子ドット型赤外線検知器は、上述の第1実施形態のものに対し、図2に示すように、第1埋め込み障壁層6と第2埋め込み障壁層7との間に、第1埋め込み障壁層6よりもナローエネルギーギャップの埋め込み井戸層第1埋め込み井戸層9が設けられている点が異なる。なお、図2では、上述の第1実施形態のもの図1参照と同一のものには同一の符号を付している。ここでは、埋め込み井戸層9は、第1埋め込み障壁層6上に設けられている。また、埋め込み井戸層9上に、第2埋め込み障壁層7が設けられている。つまり、埋め込み井戸層9は、第1埋め込み障壁層6の上面に接し、かつ、第2埋め込み障壁層7の下面に接している。また、埋め込み井戸層9は、例えば、GaAs埋め込み井戸層であり、厚さは約6MLである。なお、ここでは、埋め込み井戸層9をGaAs層としているが、これに限られるものではなく、第1埋め込み障壁層6よりもナローエネルギーギャップの埋め込み井戸層9であれば良い。例えば、第1埋め込み障壁層6よりもナローエネルギーギャップのAlGaAs層を埋め込み井戸層9としても良い。本実施形態では、中間層2、第1埋め込み障壁層6、第2埋め込み障壁層7、下地井戸層5、埋め込み井戸層9の材料として、AlxGa1-xAs0≦x≦1という同一の構成材料を含む半導体材料を用い、その組成を変えて、中間層2、第1埋め込み障壁層6、第2埋め込み障壁層7、下地井戸層5、埋め込み井戸層9の上記エネルギーギャップの関係を実現している。次に、本実施形態にかかる量子ドット型赤外線検知器の製造方法について説明する。本実施形態にかかる量子ドット型赤外線検知器の製造方法は、上述の第1実施形態の量子ドット型赤外線検知器の製造方法において、第1埋め込み障壁層6を形成する工程と第2埋め込み障壁層7を形成する工程との間に、埋め込み井戸層9を形成する工程を追加すれば良い。具体的には、まず、上述の第1実施形態の場合と同様に、下部電極層となるn型GaAs電極層4を形成する工程、i-AlGaAs中間層2を形成する工程、GaAs下地井戸層5を形成する工程、InAs量子ドット1を形成する工程、AlGaAs第1埋め込み障壁層6を形成する工程を行なう。次いで、InAs量子ドット1がGaAs埋め込み井戸層9で埋め込まれるように、AlGaAs第1埋め込み障壁層6上にGaAs埋め込み井戸層9を形成する。例えば、GaAsを約6ML分成長させて、厚さ約6MLのGaAs埋め込み井戸層9を形成する。次に、InAs量子ドット1がAlGaAs第2埋め込み障壁層7で埋め込まれるように、GaAs埋め込み井戸層9上にAlGaAs第2埋め込み障壁層7を形成する。例えば、Al0.3Ga0.7Asを約4ML分成長させて、厚さ約4MLのAl0.3Ga0.7As第2埋め込み障壁層7を形成する。その後、上述の第1実施形態の場合と同様の工程を経て、量子ドット型赤外線検知器が完成する。なお、その他の詳細は、上述の第1実施形態のものと同様であるため、ここでは、その説明を省略する。したがって、本実施形態にかかる量子ドット型赤外線検知器によれば、上述の第1実施形態の場合と同様に、感度やS/Nなどの特性を低下させることなく、応答波長を長波長化できるという利点がある。特に、上述の本実施形態の構造によれば、埋め込み井戸層9に、第1埋め込み障壁層6を乗り越えた電子を留まらせることができ、第2埋め込み障壁層7を乗り越える確率を上げることができるため、光電流が増加し、より感度を良くすることができる。[第3実施形態]次に、第3実施形態にかかる量子ドット型赤外線検知器について、図3を参照しながら説明する。本実施形態にかかる量子ドット型赤外線検知器は、上述の第1実施形態のものに対し、図3に示すように、第2埋め込み障壁層7上に埋め込み井戸層第2埋め込み井戸層10を備え、埋め込み井戸層10上に第3埋め込み障壁層11を備える点が異なる。なお、図3では、上述の第1実施形態のもの図1参照と同一のものには同一の符号を付している。つまり、本量子ドット型赤外線検知器は、第2埋め込み障壁層7上に第2埋め込み障壁層7よりもナローエネルギーギャップの埋め込み井戸層10を備え、さらに、埋め込み井戸層10上に第2埋め込み障壁層7と同一のエネルギーギャップを有する第3埋め込み障壁層11を備える。つまり、埋め込み井戸層10は、第2埋め込み障壁層7と第3埋め込み障壁層11との間に設けられており、第2埋め込み障壁層7の上面に接し、かつ、第3埋め込み障壁層11の下面に接している。ここでは、埋め込み井戸層10は、例えば、GaAs埋め込み井戸層であり、厚さは約6MLである。なお、ここでは、埋め込み井戸層10をGaAs層としているが、これに限られるものではなく、第2埋め込み障壁層7よりもナローエネルギーギャップの埋め込み井戸層10であれば良い。例えば、第2埋め込み障壁層7よりもナローエネルギーギャップのAlGaAs層を埋め込み井戸層10としても良い。また、第3埋め込み障壁層11は、第2埋め込み障壁層7と同一の埋め込み障壁層である。つまり、第3埋め込み障壁層11は、量子ドット1を埋め込む埋込層であり、かつ、量子ドット1に束縛されている電子に対するエネルギー障壁を形成する障壁層である。また、第3埋め込み障壁層11は第1埋め込み障壁層6よりもワイドエネルギーギャップを持つため、第3埋め込み障壁層11のエネルギー障壁の高さは、第1埋め込み障壁層6のエネルギー障壁の高さよりも高い。ここでは、第3埋め込み障壁層11は、AlGaAs第3埋め込み障壁層である。例えば、Al0.3Ga0.7As第3埋め込み障壁層11であり、厚さは4MLである。なお、ここでは、第3埋め込み障壁層11をAlGaAs層としているが、これに限られるものではなく、第1埋め込み障壁層6よりもワイドエネルギーギャップの第3埋め込み障壁層11であれば良い。例えば、第1埋め込み障壁層6よりもワイドエネルギーギャップのAlAs層を第3埋め込み障壁層11としても良い。また、第2埋め込み障壁層7と第3埋め込み障壁層11とは同一の埋め込み障壁層であるため、埋め込み障壁層の中に埋め込み井戸層10を設けていると見ることもできる。本実施形態では、中間層2、第1埋め込み障壁層6、第2埋め込み障壁層7、第3埋め込み障壁層11、下地井戸層5、埋め込み井戸層10の材料として、AlxGa1-xAs0≦x≦1という同一の構成材料を含む半導体材料を用い、その組成を変えて、中間層2、第1埋め込み障壁層6、第2埋め込み障壁層7、第3埋め込み障壁層11、下地井戸層5、埋め込み井戸層10の上記エネルギーギャップの関係を実現している。次に、本実施形態にかかる量子ドット型赤外線検知器の製造方法について説明する。本実施形態にかかる量子ドット型赤外線検知器の製造方法は、上述の第1実施形態の量子ドット型赤外線検知器の製造方法において、第2埋め込み障壁層7を形成する工程と中間層2を形成する工程との間に、埋め込み井戸層10を形成する工程及び第3埋め込み障壁層11を形成する工程を追加すれば良い。具体的には、まず、上述の第1実施形態の場合と同様に、下部電極層となるn型GaAs電極層4を形成する工程、i-AlGaAs中間層2を形成する工程、GaAs下地井戸層5を形成する工程、InAs量子ドット1を形成する工程、AlGaAs第1埋め込み障壁層6を形成する工程を行なう。次いで、InAs量子ドット1がAlGaAs第2埋め込み障壁層7で埋め込まれるように、AlGaAs第1埋め込み障壁層6上にAlGaAs第2埋め込み障壁層7を形成する。例えば、Al0.3Ga0.7Asを約4ML分成長させて、厚さ約4MLのAl0.3Ga0.7As第2埋め込み障壁層7を形成する。次に、InAs量子ドット1がGaAs埋め込み井戸層10で埋め込まれるように、AlGaAs第2埋め込み障壁層7上にGaAs埋め込み井戸層10を形成する。例えば、GaAsを約6ML分成長させて、厚さ約6MLのGaAs埋め込み井戸層10を形成する。次いで、InAs量子ドット1がAlGaAs第3埋め込み障壁層11で埋め込まれるように、GaAs埋め込み井戸層10上にAlGaAs第3埋め込み障壁層11を形成する。例えば、Al0.3Ga0.7Asを約4ML分成長させて、厚さ約4MLのAl0.3Ga0.7As第3埋め込み障壁層11を形成する。その後、上述の第1実施形態の場合と同様の工程を経て、量子ドット型赤外線検知器が完成する。なお、その他の詳細は、上述の第1実施形態のものと同様であるため、ここでは、その説明を省略する。したがって、本実施形態にかかる量子ドット型赤外線検知器によれば、上述の第1実施形態の場合と同様に、感度やS/Nなどの特性を低下させることなく、応答波長を長波長化できるという利点がある。特に、上述の本実施形態の構造によれば、埋め込み井戸層10に、第2埋め込み障壁層7を乗り越えた電子を留まらせることができ、第3埋め込み障壁層11を乗り越える確率を上げることができるため、光電流が増加し、より感度を良くすることができる。なお、本実施形態は、上述の第1実施形態の変形例として説明しているが、これに限られるものではなく、本実施形態の構造と、上述の第2実施形態の構造とを組み合わせても良い。[第4実施形態]次に、第4実施形態にかかる量子ドット型赤外線検知器について、図4を参照しながら説明する。本実施形態にかかる量子ドット型赤外線検知器は、上述の第1実施形態のものに対し、図4に示すように、中間層2よりもワイドエネルギーギャップの下地障壁層12を備え、下地障壁層12上に下地井戸層5を備える点が異なる。なお、図4では、上述の第1実施形態のもの図1参照と同一のものには同一の符号を付している。ここでは、下地障壁層12は、量子ドット1の下地層である。また、下地障壁層12は、中間層2と下地井戸層5との間に設けられている。つまり、下地障壁層12は、中間層2の上面に接し、かつ、下地井戸層5の下面に接する。また、下地障壁層12は、例えば、AlAs下地障壁層であり、厚さは約1MLである。なお、ここでは、下地障壁層12をAlAs層としているが、これに限られるものではなく、中間層2よりもワイドエネルギーギャップの下地障壁層12であれば良い。例えば、中間層2よりもワイドエネルギーギャップのAlGaAs層を下地障壁層12としても良い。本実施形態では、中間層2、第1埋め込み障壁層6、第2埋め込み障壁層7、下地井戸層5、下地障壁層12の材料として、AlxGa1-xAs0≦x≦1という同一の構成材料を含む半導体材料を用い、その組成を変えて、中間層2、第1埋め込み障壁層6、第2埋め込み障壁層7、下地井戸層5、下地障壁層12の上記エネルギーギャップの関係を実現している。次に、本実施形態にかかる量子ドット型赤外線検知器の製造方法について説明する。本実施形態にかかる量子ドット型赤外線検知器の製造方法は、上述の第1実施形態の量子ドット型赤外線検知器の製造方法において、中間層2を形成する工程と下地井戸層5を形成する工程との間に、下地障壁層12を形成する工程を追加すれば良い。具体的には、まず、上述の第1実施形態の場合と同様に、下部電極層となるn型GaAs電極層4を形成する工程、i-AlGaAs中間層2を形成する工程を行なう。次いで、例えば基板温度を約600°Cから約500°Cに低下させた後、i-AlGaAs中間層2上に、AlAsを約1ML分成長させて、厚さ約1MLのAlAs下地障壁層12を形成する。次に、AlAs下地障壁層12上に、GaAsを約3ML分成長させて、厚さ約3MLのGaAs下地井戸層5を形成する。その後、上述の第1実施形態の場合と同様の工程を経て、量子ドット型赤外線検知器が完成する。なお、その他の詳細は、上述の第1実施形態のものと同様であるため、ここでは、その説明を省略する。したがって、本実施形態にかかる量子ドット型赤外線検知器によれば、上述の第1実施形態の場合と同様に、感度やS/Nなどの特性を低下させることなく、応答波長を長波長化できるという利点がある。特に、上述の本実施形態の構造によれば、下地井戸層5の下側に下地障壁層12を備えるため、下地井戸層5の厚さを増加した場合に、量子閉じ込め効果が低下するのを防止することができ、感度を上げることができる。なお、本実施形態は、上述の第1実施形態の変形例として説明しているが、これに限られるものではなく、本実施形態の構造と上述の第2実施形態の構造とを組み合わせたり、本実施形態の構造と上述の第3実施形態の構造とを組み合わせたり、本実施形態の構造と上述の第2及び第3実施形態の構造とを組み合わせたりしても良い。[その他]なお、本発明は、上述した各実施形態に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。例えば、上述の各実施形態では、量子ドット1の材料にInAsを用い、第1埋め込み障壁層6、第2埋め込み障壁層7、第3埋め込み障壁層11、下地障壁層12の材料にAlGaAs又はAlAsを用い、下地井戸層5、第1埋め込み井戸層9、第2埋め込み井戸層10の材料にAlGaAs又はGaAsを用い、中間層2の材料にAlGaAsを用い、電極層4の材料にGaAsを用い、ドーパントの材料にSiを用いた場合を例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、他の材料を用いても量子ドット型赤外線検知器を形成することができる。例えば、量子ドット1、各障壁層6,7,11,12、各井戸層5,9,10、中間層2、電極層4を構成する材料としては、InAs,GaAs,AlAs,InP,GaP,AlP,InSb,GaSb,AlSb,InN,GaN,AlN及びこれらの混晶を用いるのが有効である。また、上述の各実施形態では、上下の電極層4の導電型をn型としているが、これに限られるものではなく、導電型p/n型の極性を反転させて、p型としても良い。つまり、上下の電極層4に、ドープしているn型不純物に代えて、p型不純物例えばBeなどをドープするようにしても良い。また、量子ドット1、中間層2、各障壁層6,7,11,12、各井戸層5,9,10にn型不純物又はp型不純物をドーピングするようにしても良い。また、上述の各実施形態では、成長法として、MBE法を用いているが、これに限られるものではなく、例えばMOCVDMetalorganicchemicalvapordeposition法を用いても良い。つまり、自己組織化量子ドットを形成できる成長方法を用いれば良い。"