"プラズマ源であって、リングプラズマチャンバと、前記リングプラズマチャンバの外側に巻かれた一次巻線と、複数のフェライトであって、前記リングプラズマチャンバが前記複数のフェライトの各々を貫通している、複数のフェライトと、前記プラズマチャンバを処理チャンバに結合し、それぞれのプラズマ制限部を有する複数のプラズマチャンバ流出口と、を備える、プラズマ源。請求項1に記載のプラズマ源であって、前記プラズマ制限部は、約0.1mmから約2.0mmの間の直径を有する、プラズマ源。請求項1に記載のプラズマ源であって、前記プラズマ制限部は、プラズマシース厚さの2倍以下の直径を有する、プラズマ源。請求項1に記載のプラズマ源であって、前記プラズマ制限部は、前記プラズマチャンバと前記処理チャンバとの間に約1.5対1よりも大きい圧力差を提供するのに十分な直径を有する、プラズマ源。請求項1に記載のプラズマ源であって、前記プラズマ制限部は、バイアス電源に接続されている、プラズマ源。請求項1に記載のプラズマ源であって、さらに、処理ガス源を前記プラズマチャンバに結合する少なくとも1つの処理ガス流入口を備える、プラズマ源。請求項6に記載のプラズマ源であって、さらに、前記少なくとも1つの処理ガス流入口に結合された処理ガス流量制御装置を備える、プラズマ源。請求項1に記載のプラズマ源であって、前記フェライトは、前記リングプラズマチャンバの周囲に実質的に均等に分散されている、プラズマ源。請求項1に記載のプラズマ源であって、前記フェライトは、前記リングプラズマチャンバの周囲に複数のグループに分けて配置される、プラズマ源。請求項1に記載のプラズマ源であって、前記リングプラズマチャンバは、略円形、略三角形、略長方形、または、略多角形からなる一群の形状の内の1つである、プラズマ源。プラズマを生成する方法であって、処理ガスをリングプラズマチャンバ内に供給する工程と、前記リングプラズマチャンバの外側に巻かれた一次巻線に一次電流を印加する工程と、前記一次巻線内に磁界を生成する工程と、複数のフェライトによって前記磁界を集中させる工程であって、前記リングプラズマチャンバが前記複数のフェライトの各々を貫通している、工程と、前記リングプラズマチャンバ内の前記処理ガスに二次電流を誘導する工程と、前記二次電流で前記リングプラズマチャンバ内の前記処理ガスにプラズマを生成する工程と、前記プラズマチャンバを処理チャンバに結合する複数のプラズマチャンバ流出口の各々にあるプラズマ制限部によって、前記リングプラズマチャンバ内に前記プラズマを制限する工程と、を備える、方法。請求項11に記載の方法であって、さらに、前記複数の流出口を通して前記処理チャンバに中性種およびラジカル種の少なくとも一方を供給する工程を備える、方法。請求項11に記載の方法であって、前記プラズマ制限部は、約0.1mmから約2.0mmの間の直径を有する、方法。請求項11に記載の方法であって、前記プラズマ制限部は、プラズマシース厚さの2倍以下の直径を有する、方法。請求項11に記載の方法であって、前記プラズマ制限部は、前記プラズマチャンバと前記処理チャンバとの間に約1.5対1よりも大きい圧力差を提供するのに十分な直径を有する、方法。請求項11に記載の方法であって、さらに、前記プラズマ制限部をバイアスする工程を備える、方法。請求項11に記載の方法であって、さらに、前記リングプラズマチャンバ内の流量、圧力、および/または、バイアスの少なくとも1つを調節する工程を備える、方法。請求項11に記載の方法であって、さらに、少なくとも1つの処理監視センサから処理フィードバック信号を受信する工程と、流量、圧力、および/または、バイアスの内の少なくとも1つに関する少なくとも1つの設定値を調整する工程と、を備える、方法。プラズマ処理システムであって、リングプラズマチャンバと、前記リングプラズマチャンバの外側に巻かれた一次巻線と、複数のフェライトであって、前記リングプラズマチャンバが前記複数のフェライトの各々を貫通している、複数のフェライトと、前記プラズマチャンバを処理チャンバに結合し、それぞれのプラズマ制限部を有する複数のプラズマチャンバ流出口と、少なくとも1つの処理監視センサと、コントローラと、を備え、前記コントローラは、処理ガスを前記リングプラズマチャンバ内に供給するためのロジックと、前記リングプラズマチャンバの外側に巻かれた一次巻線に一次電流を印加するためのロジックと、前記一次巻線内に磁界を生成するためのロジックと、前記複数のフェライトによって前記磁界を集中させるためのロジックと、前記リングプラズマチャンバ内の前記処理ガスに二次電流を誘導するためのロジックと、前記二次電流で前記リングプラズマチャンバの前記処理ガス内にプラズマを生成するためのロジックと、前記少なくとも1つの処理監視センサから処理フィードバック信号を受信するためのロジックと、少なくとも1つの設定値を調整するためのロジックと、を含む、プラズマ処理システム。基板を処理するためのプラズマシステムであって、処理チャンバであって、底部と、複数の側壁と、前記底部に近接する基板支持体と、前記処理チャンバを囲むように前記側壁と結合されたチャンバ上部と、を有する、処理チャンバと、前記基板支持体の複数の領域に分散されるように前記チャンバ上部の上に配置された複数のフェライトであって、前記領域は、前記基板支持体の外部と前記基板支持体の中心部との間に少なくとも伸びる、複数のフェライトと、プラズマチャンバを前記処理チャンバに結合し、それぞれのプラズマ制限部を有する複数のプラズマチャンバ流出口と、を備える、プラズマシステム。請求項20に記載のプラズマシステムであって、さらに前記複数のフェライトに電流を供給する電源を備え、前記複数のフェライトは、前記基板支持体の前記領域に前記電流を集中させる、プラズマシステム。ここで、分散型マルチゾーンプラズマ源システム、方法、および、装置のためのいくつかの代表的な実施形態を記載する。当業者にとって明らかなように、本発明は、本明細書に記載する具体的な詳細事項の一部または全てがなくとも実施可能である。図2Aは、本発明の一実施形態に従って、プラズマ源200を示す斜視図である。プラズマ源200は、処理ガス流入口206、複数のフェライト204、プラズマ源上部208、および、チャンバ上部202を備える。プラズマ源200の要素202~208の具体的な配置は、図示したものから変更されてもよいことを理解されたい。例えば、チャンバ上部202およびプラズマ源上部208は、処理チャンバ230の単一のカバーに一体化されてもよい。図2Bは、本発明の一実施形態に従って、プラズマ源200を示す上面図である。図2Cは、本発明の一実施形態に従って、プラズマ源200の2C-2Cの部分を示す断面図である。図2Dは、本発明の一実施形態に従って、プラズマ源200を示す斜視断面図である。図2Eは、本発明の一実施形態に従って、処理チャンバ230に取り付けられたプラズマ源200を示す斜視図である。処理ガスプレナム212が、処理ガス流入口206から供給される処理ガス用の分配プレナムとして図示されている。処理ガス110が、処理ガスプレナム212への流入口206に流入する。処理ガスプレナム212は、流入口212Aに処理ガス110を分配する。流入口212Aは、処理ガス110をプラズマチャンバ210内に方向付ける。処理ガス流入口212Aは、プラズマチャンバ流出口220と整列されてもよいし、オフセットされてもよい。処理ガス流入口212Aおよび/またはプラズマチャンバ流出口220は、フェライト204の間に配置されてもよいし、フェライトと整列されてもよいし、それらを組み合わせた配置であってもよい。フェライト204は、選択された間隔でプラズマチャンバ210の周りを囲む。フェライト204は、各フェライトの中心に近接する電界を、プラズマチャンバ210内の対応する点にプラズマを支持するのに十分な強さにするために、十分な磁界を集中させる。フェライト204は、略正方形として示されているが、以下に示すように、その他の形状であってもよい。フェライト204は、複数の部品224A、224B、224C、224Dで形成されているよう図示されているが、1または複数の部品で形成されうる。複数のフェライト部品224A、224B、224C、224Dは、各フェライト204の中心に近接する電界を集中させるように実質的に隣接している。図に示すように、フェライト204は、チャンバ上部202に分散されている。処理チャンバ230は、側壁230’および底部230’’を有する。基板支持体106は、底部230’’の上に配置されるか、近接または隣接して配置される。図に示すように、プラズマチャンバ流出口220は、プラズマチャンバ210をチャンバ上部202の下の処理チャンバ230に結合する。プラズマチャンバ流出口220は、プラズマおよび/またはラジカルおよび/または中性種をプラズマチャンバ210から処理チャンバ230に送る。任意選択的なプラズマ制限部214も図示されている。任意選択的なプラズマ制限部214は、プラズマチャンバ210および処理チャンバ230の間の所望の圧力差を提供するために利用できる。また、任意選択的なプラズマ制限部214は、十分に小さくてもよい、および/または、プラズマがプラズマチャンバ210から処理チャンバ230に通過するのを実質的に防ぐようにバイアスされてもよい。さらに、プラズマ制限部は、プラズマチャンバ210からイオンを引き出して、処理チャンバ内へ、次いでウエハ上へとイオンを引き込むために、バイアスされうる。例として、任意選択的なプラズマ制限部214は、プラズマシース厚さの2倍以下の直径を有しうるため、プラズマシースは、プラズマが任意選択的なプラズマ制限部を通過するのを防ぐことができる。任意選択的なプラズマ制限部214は、約0.1mmから約2.0mmの間で選択された直径例えば、0.1mm、0.2mm、0.5mm、1.0mm、2.0mmを有しうる。任意選択的なプラズマ制限部214のアスペクト比を利用して、プラズマ制限部の効果を調節できることに注意されたい。例として、より高いアスペクト比すなわち、長さ/幅のプラズマ制限部214は、プラズマを実質的に制限しつつ、中性種またはラジカル種の移動への影響が最小限でありうる。また、より大きい直径の流出オリフィスを用いてもよいことを理解されたい。例えば、任意選択的なプラズマ制限部214は省かれてもよく、効果的な制限部は、プラズマチャンバ流出口220の幅である。プラズマチャンバ流出口220の幅は、プラズマチャンバ210および処理チャンバ230の両方の圧力を実質的に等しくするのに十分なほど実質的に広くてよい。図2Iは、本発明の実施形態に従って、複数のプラズマチャンバ流出口220を示す断面図である。図2Jは、本発明の実施形態に従って、複数のプラズマチャンバ流出口220を処理チャンバ側から示した図である。プラズマチャンバ流出口220は、所望の幅を有する略長方形の断面形状を持つ真っ直ぐな略円筒形であってよい。プラズマチャンバ流出口220は、任意選択的な円錐台形状220Aを含んでもよい。任意選択的な円錐台形状220Aは、プラズマチャンバ流出口220からの流れの円滑化および/または流れの分散を実現しうる。プラズマチャンバ流出口220は、その他の任意選択的な形状を備えてもよい。例として、プラズマチャンバ流出口220は、より長い幅の同じ形状220Bを備えてもよいし、より狭い幅の同じ形状220Fを備えてもよい。プラズマチャンバ流出口220は、任意選択的な湾曲流出口すなわちボウル形流出口220C、220Eを含んでもよい。任意選択的な湾曲すなわちボウル形流出口220C、220Eは、流出口220Cのように幅の最も広い箇所に開口部を有してもよいし、流出口220Eのように幅の最も広い箇所よりも狭い箇所に開口部を有してもよい。任意選択的な円錐台形状は、円錐台形状220Dであってもよい。任意選択的なプラズマ制限部は、任意選択的なプラズマ制限部214のように、流出口220の長さ方向に沿って実質的に中心に配置されてよい。あるいは、任意選択的なプラズマ制限部は、任意選択的なプラズマ制限部214’のように、実質的に流出口220のプラズマチャンバ210側の端部に配置されてもよい。あるいは、任意選択的なプラズマ制限部は、任意選択的なプラズマ制限部214’’のように、実質的に流出口220の処理チャンバ230側の端部に配置されてもよい。任意選択的なプラズマ制限部214は、流出口220のプラズマチャンバ210側の端部および処理チャンバ230側の端部の間で流出口220の長さ方向に沿って任意の位置に配置できることを理解されたい。図2Jに示すように、プラズマチャンバ流出口220は、任意の適切な形状であってよい。例として、略円形220、略楕円形220H、略長方形220I、220J、または、その他の幾何学的形状例えば、三角形220K、任意の数の辺を持つ多角形220Lが挙げられる。プラズマチャンバ流出口220は、実質的に尖った頂点を有してもよいし220I、220K、220L、実質的に曲線状の頂点および/または辺を有してもよい220J、220M、220N。複数の形状の組み合わせが、プラズマチャンバ流出口220に備えられてもよい。例として、任意選択的な円錐台形状220Aは、略円形220Aではなく、より楕円形の形状220A’を有してもよい。チャンバ上部202は、さらに、1または複数の流出口234を備えうる。流出口234は、低圧源例えば、真空ポンプに結合される。流出口234は、低圧源が、処理チャンバ230の中心付近からプラズマ副生成物118および再結合生成物120を引き出すことを可能にする。結果として、プラズマ副生成物118および再結合生成物120は、処理チャンバ内でプラズマ410とプラズマによって生成される中性種412とを妨げない。処理チャンバ230は、ロードポート232と、処理される基板を支持するための支持構造とを備える。当業者に周知のように、その他の特徴が、処理チャンバ230に備えられてもよい。図2Fおよび図2Gは、本発明の一実施形態に従って、処理チャンバ230に取り付けられたプラズマ源200を示すさらなる斜視図である。さらに詳細に説明するために、図面では、プラズマ源上部208が持ち上げられ図2F、取り除かれている図2G。プラズマチャンバ210は、プラズマ源上部208または処理チャンバ230とは異なる材料で構成されうる。例として、プラズマチャンバ210は、セラミックであってよく、プラズマ源上部208または処理チャンバ230は、セラミック、金属例えば、アルミニウム、鋼鉄、ステンレス鋼などであってよい。スロット226Aおよび226Bが、フェライト204の支持および設置のために設けられている。図2Gに示すように、フェライト204は、プラズマチャンバ210の外側の周りを囲んでいる。プラズマチャンバ210は、セラミックまたはその他の誘電材料例えば、石英、シリカSiO2、アルミナAl2O3、サファイアAl2O3、窒化アルミニウムAlN、酸化イットリウムY2O3、および/または、同様の材料、ならびに、これらの組み合わせなどの誘電体で形成されてよい。図2Hは、本発明の一実施形態に従って、処理チャンバ230に取り付けられたプラズマ源200を示す別の斜視図である。図2Hに示すように、一次導体240が、プラズマチャンバ210の周囲に巻かれている。一次導体240は、後に図7でより詳細に説明するように、誘電素子の一次巻線である。一次導体240は、プラズマチャンバ210の周りに1または複数回巻かれている。ここに示すように、一次導体240は、プラズマチャンバ210の周りに2回巻かれているが、3以上であってもよい。図3Aは、本発明の一実施形態に従って、別のプラズマ源300を示す斜視図である。プラズマ源300は、選択された間隔でプラズマチャンバを囲む複数のフェライト要素204を有するプラズマチャンバ210を備える。この例において、フェライト要素204は、実質的に等間隔でプラズマチャンバを囲んでいるが、異なる間隔であってもよい。プラズマチャンバ210は、略円形、または、この例におけるように、5つの辺を有する幾何学的形状であってよい。同様に、プラズマチャンバ210は、円形または3以上の辺を持つ幾何学的形状であってよい。また、プラズマチャンバ210は、略長方形または略円形または丸みを帯びた断面形状を有してよいことに注意されたい。プラズマチャンバ210の内面は、滑らかであり、任意の尖った例えば、略直角またはより鋭角の縁部または角部を持たなくてよい。例として、内側の角部は、比較的大きい半径例えば、プラズマチャンバの断面の半径の約1/2から約2倍の間を有する丸みを帯びた輪郭を有しうる。図では、単一の処理ガス流入口206がプラズマチャンバ210に結合されているが、プラズマチャンバに処理ガスを供給するために2以上の処理ガス流入口を利用できることにも注意されたい。図3Bは、本発明の一実施形態に従って、マルチゾーンプラズマ源320を示す上面斜視図である。マルチゾーンプラズマ源320は、例えば入れ子になったリング内に、複数の個別の同心プラズマチャンバ310A~310Dを備える。同心プラズマチャンバ310A~310Dの各々は、対応するフェライトのセット204A~204Dを有する。図3Cは、本発明の一実施形態に従って、マルチゾーンプラズマ源320を示す底面斜視図である。チャンバ上部202は、複数の処理流出口304A~304Eおよび複数のプラズマ流出口220A~220Dを有する。複数のプラズマ流出口220A~220Dは、対応するプラズマチャンバ310A~310Dに結合されている。図3Dは、本発明の一実施形態に従って、別のマルチゾーンプラズマ源330を示す上面斜視図である。図3Eは、本発明の一実施形態に従って、マルチゾーンプラズマ源330を示す底面斜視図である。マルチゾーンプラズマ源330は、複数の同心プラズマチャンバ310A~310Eを備える。同心プラズマチャンバ310A~310Eの各々は、対応するフェライトのセット204A~204Eを有する。図によると、隣接するプラズマチャンバ310A~310Eのフェライト204A~204Eは、領域332A~332Dに示すように若干重なっていてよい。例として、フェライト204Bの内側の縁部は、領域332Aにおいてフェライト204Aの外側の縁部と重なっている。同様に、フェライト204Bの外側の縁部は、領域332Bにおいてフェライト204Cの内側の縁部と重なっている。フェライト204A~204Eの重なりによって、マルチゾーンプラズマ源330内に同心プラズマチャンバ310A~310Eをより密集させて収容することができる。したがって、同心リング310A~310Dを4つだけ有する図3Bおよび図3Cの重なりのないフェライト実施形態と同じ直径に、より多くの同心リング310A~310E例えば、5つの同心リングを備えることが可能になる。後述するように、各リング310A~310Eは、バイアス、ガス流量、濃度、RF電力などが個別に制御されうる。したがって、より多くの同心リング310A~310Eを設ければ、処理チャンバ230内の基板102の直径にわたって処理をより微細に調整制御することができる。フェライト204A~204Eは、任意選択的に、マルチゾーンプラズマ源330の複数の放射状部分すなわち、パイの一切れの形状334A~334L内に配置されてよい。後述するように、各放射状部分334A~334Lは、バイアス、ガス流量、濃度などが個別に制御されうる。したがって、放射状部分334A~334Lは、さらに、処理チャンバ230内の基板102にわたって放射状に、処理を微細に調整制御することを可能にする。図4Aおよび図4Bは、本発明の一実施形態に従って、マルチゾーンプラズマ源300、320を示す概略図である。チャンバ上部202は、マルチゾーンプラズマ源300、320を備える。処理チャンバ230は、側壁230’および底部230’’を有する。基板支持体106は、底部230’’の上に配置されるか、近接または隣接して配置される。処理流出口304A~304Eは、基板102の幅Wにわたって実質的に均等にプラズマ副生成物118および再結合生成物120を引き出す。結果として、プラズマ副生成物118および再結合生成物120は、プラズマ410とプラズマによって生成される中性種412とを妨げない。したがって、中性種412は、基板102の幅にわたって実質的に均一に分散される。中性種412は、基板102の表面と反応する。中性種412が基板102の幅にわたって実質的に均一に分散されるので、処理チャンバ230内で提供されるプラズマ処理例えば、エッチング、ストリッピング、または、その他のプラズマ処理の中央からエッジへの不均一性も実質的に排除される。コントローラ420は、各リング310A~310Eのための対応する制御部422A~422E例えば、ソフトウェア、ロジック、設定値、レシピなどを備える。処理監視センサ424、426が、処理フィードバックを提供するためにコントローラ420に接続されてもよい。制御部422A~422Eは、バイアス信号、電力、周波数、処理ガス110の圧力、流量、および、濃度などについて、各リング310A~310Eを別個に制御できる。したがって、処理チャンバ230内の基板102の直径にわたって解離ガスの放射状のプロファイル制御を提供する。複数のプラズマチャンバ310A~310Eの各々を独立的に制御することによって、処理チャンバ230の対応する領域内の処理を操作することができる。同様に、複数の放射状部分334A~334Lの各々は、複数のプラズマチャンバ310A~310Eの各放射状部分を独立的に制御して、処理チャンバ230の対応する領域内の処理を操作することを可能にする。例えば、プラズマチャンバ310B内の処理ガス110の流量および圧力のプロセス変数設定値が、対応する制御部422Bに入力される。処理監視センサ424、426の内の少なくとも一方は、対応する制御部422Bに入力されるプロセス測定値を提供する。処理監視センサ424、426から入力されたプロセス測定値、ならびに、ロジックおよびソフトウェアに基づいて、対応する制御部422Bは、フェライト310BへのRF電力、ならびに、プラズマチャンバ310B内の処理ガス110の流量および圧力について、修正された設定値を出力する。同様に、処理は、同心リングプラズマチャンバ310A~Eおよび/またはフェライト204A~Eおよび/またはマルチゾーンプラズマ源200、300、310、320、330の放射状部分334A~334Lの内の1または複数もしくはそれらの組み合わせによって規定されたそれぞれの領域の各々において監視および/または制御されうる。また、各ゾーンは、マルチゾーンプラズマ源200、300、310、320、330が効果的には単一ゾーンプラズマ源になるように、同じ方法および設定値で作動されうることを理解されたい。さらに、マルチゾーンプラズマ源200、300、310、320、330のゾーンのいくつかは、マルチゾーンプラズマ源のゾーンが少なくなるように、同じ方法および設定値で動作されうる。図5は、本発明の一実施形態に従って、任意選択的なプラズマ制限部214の様々なサイズに対する流量および圧力を示すグラフである。グラフ510は、0.2mmの直径を有する任意選択的なプラズマ制限部214に対して標準立方センチメートル毎分SCCMで表した流量である。グラフ520は、0.5mmの直径を有する任意選択的なプラズマ制限部214に対する流量である。グラフ530は、1.0mmの直径を有する任意選択的なプラズマ制限部214に対する流量である。図に示すように、様々なサイズの任意選択的なプラズマ制限部214により、プラズマチャンバ210および処理チャンバ230の間の圧力降下を決定できる。チョーク流れがプラズマ制限部214にわたって生じるような圧力降下があれば、処理チャンバ210への質量流量は、プラズマチャンバ210内の圧力が一定である場合、プラズマチャンバ内での減少に伴って増加することがない。プラズマチャンバ210の圧力を増大させれば、プラズマチャンバ内のプラズマを支持するのに十分な処理ガス110の密度が提供される。一定のRF電圧では、処理ガス110へ誘導される必要のある電流が、処理ガス圧に反比例する。したがって、プラズマチャンバ210内の処理ガス110の圧力を増大させれば、プラズマを生成するために必要な電流が低減される。さらに、プラズマは、プラズマを支持するための処理ガス圧を必要とするため、プラズマチャンバ210内に閉じ込められ、プラズマチャンバから処理チャンバ230に流入しない。結果として、プラズマ制限部214は、プラズマチャンバ210にプラズマを制限することができる。変圧器は、一次巻線および二次巻線を有する。一次巻線を流れる一次電流が、磁界を生成する。磁界が二次巻線を通過すると、対応する二次電流が二次巻線に誘導される。フェライトコアを備えた変圧器は、磁界をより小さく密度の高い磁界に集結すなわち、集中させるため、二次巻線に二次電流をより効率的に誘導する。これは、非常に効率のよい低周波動作を可能にする例えば、約13MHz未満、より具体的には10kHzから約5MHz未満の間、より具体的には約10kHzから約1MHz未満の間。また、低周波動作によれば、典型的な高周波RFプラズマシステム例えば、約13.56MHz以上の周波数に比べて大幅にコストを下げることができる。低周波フェライト結合プラズマシステムのさらなる利点は、イオン衝撃エネルギが低いことであり、その結果、高周波RFシステムに比べて、プラズマ腐食が減り、ウエハ上の粒子が少なくなる。プラズマ腐食が少ない結果、プラズマチャンバ210の表面および構成要素の摩耗および損傷が少なくなる。図6Aは、本発明の一実施形態に従って、変圧器600の一例を示す概略図である。一次電流Ipが、電源から一次巻線620に印加される。一次巻線620を通る一次電流Ipの流れが、フェライト204内に磁界622を生成する。磁界622は、二次巻線630の中心のフェライトから生じ、二次巻線内に二次電流Isを誘導する。図6Bは、本発明の一実施形態に従って、プラズマ源200、300、310、320、330内のフェライト204およびプラズマチャンバ210の1つのリングを示す概略図である。図7は、本発明の一実施形態に従って、プラズマ源200、300、310、320、330内のフェライト204およびプラズマチャンバ210の1つのリングを示す電気接続図700である。本明細書に記載のプラズマ源200、300、310、320、330において、一次巻線240は、各プラズマチャンバ210の周囲、かつ、フェライト204のそれぞれのセット204A~Eの内側に巻かれる。二次巻線は、プラズマチャンバ210内の処理ガス110である。一次電流Ipが、電源702から一次巻線240に印加される。電力はRFであってよい例えば、約10kHzから約1MHz以上の間、または、約10kHzから約5MHzの間、または、約10kHzから約13MHz未満の間。一次巻線240を通る一次電流Ipの流れが、フェライト204内に磁界622を生成する。磁界622は、プラズマチャンバ210内の処理ガス110に二次電流Isを誘導する。結果として、処理ガスは、プラズマ410を形成するのに十分に励起される。図8は、本発明の一実施形態に従って、電源702を示す電気接続図である。電源702は、電力源802からのAC電力をDC電力に変換するための整流器804を備える。フィルタ808が、整流器804の出力をフィルタリングする。フィルタリングされたDCは、フィルタ808からインバータ810に供給される。インバータ810は、フィルタリングされたDCを、所望の周波数、電圧、および、電流のAC信号に変換する。共振回路812は、共振状態の負荷に所望のAC信号を効率的に供給するために、プラズマチャンバ負荷814と共振を一致させる。コントローラ820は、電源702を制御する。コントローラ820は、システムコントローラまたはより大きいコントロールシステム図示せずへのリンク例えば、ネットワークを備えうるユーザインターフェース822を備える。コントローラ820は、構成要素の動作を監視および制御するために、構成要素804、808、810、812と直接的に、または、センサ806A、806B、806Cを介して結合される。例えば、コントローラ820は、電源702内の電力信号の電圧、電流、電力、周波数、および、位相の内の1または複数を監視する。図9A~図9Cは、本発明の一実施形態に従って、プラズマ源300、310、320、330からの流れを示す図である。図に示すように、ラジカルおよび中性種の流れ902が、略扇状にプラズマチャンバ304A~Fから基板102に向かって流れる。扇状は、流出口220から始まり、ウエハ102に近づくにつれて広がる。プラズマチャンバ304A~Fを流れるガスは、流量Qおよび圧力Psを有する。圧力Pcは、処理チャンバ230内の圧力である。PsおよびPcの間の差により、ラジカルおよび中性種の流れ902がウエハ102に向かって広がることが可能になる。図9Bによると、ラジカルおよび中性種の流れ902の濃度920は、流出口220の間の距離Lおよび処理チャンバ230の高さHの関数である。流出口220の間の距離Lが大きすぎると、ラジカルおよび中性種の流れ902の濃度920がウエハ102の表面と反応するのに不十分である領域904が生じる。同様に、処理チャンバ230の高さHが小さすぎると、ラジカルおよび中性種の流れ902の濃度920がウエハ102の表面と反応するのに不十分である領域904が生じる。図9Cは、以下のような高さHおよび距離Lの理想的な関係を示す:距離Lが高さHの1/2にほぼ等しい場合、ウエハ表面にわたるラジカルおよび中性種の濃度の変動は最小化されうる。あるいは、距離Lおよび高さHの関係を増減させると、ウエハの表面にわたるラジカルおよび中性種の濃度の変動を実現できる。図10は、本発明の一実施形態に従って、プラズマ源200、300、310、320、330の作動時に実行される方法動作を示すフローチャートである。本明細書に示した動作は、例示を目的としたものであり、いくつかの動作はサブ動作を有してもよく、他の例において、本明細書で述べた特定の動作が図の動作に含まれなくてもよいことを理解されたい。このことを念頭に置いて、方法および動作1000について説明する。動作1005において、処理ガス110がプラズマチャンバ210に供給される。動作1010において、処理ガス110はプラズマチャンバ210内で第1の圧力に維持される。第1の圧力は、プラズマチャンバの1組の流出口220に結合された処理チャンバ230の圧力と同じであるか、その2倍以上までであってよい。動作1015において、一次電流Ipが、プラズマチャンバ210の外周に巻かれた一次巻線240に印加される。動作1020において、一次電流Ipが磁界を生成する。動作1025において、1または複数のフェライト204が、プラズマチャンバ210のほぼ中心部に磁界を集中させる。フェライト204は、プラズマチャンバ230の周りに形成される。動作1030において、磁界は、プラズマチャンバ210内の処理ガス110に二次電流Isを誘導する。動作1035において、二次電流Isは、プラズマチャンバ210の処理ガス110内でプラズマを生成する。動作1040において、プラズマならびにプラズマによって生成されたラジカルおよび中性種の一部が、プラズマチャンバ210からプラズマ流出口220を通って処理チャンバ230へ移動する。動作1045において、ラジカルおよび中性種は、基板102および処理チャンバ230と相互作用して、プラズマ副生成物118および再結合生成物120を生成する。動作1050において、プラズマ副生成物118および再結合生成物120は、1または複数の処理流出口304A~304Eを通して処理チャンバから引き出される。1または複数の処理流出口304A~304Eは、処理チャンバ上部202の表面にわたって、または、基板支持体106の縁部に沿って、または、基板支持体の下処理チャンバの底部内などに、もしくは、それらを組み合わせた方法で配置されており、これで、方法動作は終了しうる。図11は、本発明の一実施形態に従って、プラズマ源200、300、320を含む統合システム1100を示すブロック図である。統合システム1100は、プラズマ源200、300、320と、プラズマ源に接続された統合システムコントローラ1110とを備える。統合システムコントローラ1110は、ユーザインターフェース1114を備えるか、もしくは、ユーザインターフェースに例えば、有線または無線ネットワーク1112を介して接続される。ユーザインターフェース1114は、ユーザ読み取り可能な出力および指示を提供し、ユーザ入力を受信して、統合システムコントローラ1110へのユーザアクセスを提供する。統合システムコントローラ1110は、専用コンピュータまたは汎用コンピュータを備えうる。統合システムコントローラ1110は、プラズマ源200、300、320について、データ1118例えば、実行履歴、性能または欠陥の分析、オペレータログ、履歴などを監視、制御、収集、および、格納するために、コンピュータプログラム1116を実行できる。例として、統合システムコントローラ1110は、収集したデータが、プラズマ源200、300,320、および/または、それらの構成要素例えば、同心リングプラズマチャンバ310A~Eの1つまたはフェライト204、204A~Eなどの動作への調整を決定づけた場合に、それらの動作を調整できる。上述の実施形態を念頭に置いて、本発明は、コンピュータシステムに格納されたデータを含め、コンピュータによって実行される様々な動作を用いてよいことを理解されたい。これらの動作は、物理量の物理操作を必要とするものである。通常、必ずしも当てはまるわけではないが、これらの物理量は、格納、転送、合成、比較、および、その他の操作を施すことが可能な電気または磁気の信号の形態を取る。さらに、実行される操作は、生成、特定、決定、または、比較などの用語で呼ばれることが多い。本発明の一部を形成する本明細書で説明した動作はいずれも、有用な機械動作である。本発明は、さらに、これらの動作を実行するためのデバイスまたは装置に関する。装置は、必要な目的に対して特別に構成されてもよいし、コンピュータ内に格納されたコンピュータプログラムによって選択的に起動または構成される汎用コンピュータであってもよい。特に、本明細書の教示に従って記述されたコンピュータプログラムと共に、様々な汎用マシンを用いてもよいし、必要な動作を実行することに特化された装置を構成して利便性を向上させてもよい。本発明は、コンピュータ読み取り可能な媒体上のコンピュータ読み取り可能なコードおよび/またはロジックとして実施されてもよい。コンピュータ読み取り可能な媒体は、コンピュータシステムによって読み出し可能なデータを格納できる任意のデータ格納装置である。コンピュータ読み取り可能な媒体の例としては、ハードドライブ、ネットワーク接続ストレージNAS、読み出し専用メモリ、論理回路、ランダムアクセスメモリ、CD-ROM、CD-R、CD-RW、磁気テープ、および、その他の光学および非光学式のデータ格納装置が挙げられる。コンピュータ読み取り可能な媒体は、コンピュータ読み取り可能なコードが、分散的に格納および実行されるように、ネットワーク接続された複数のコンピュータシステムに分散されてもよい。上述の図面における動作によって表される命令は、図示した順序で実行される必要はなく、それらの動作によって表される処理すべてが、必ずしも本発明の実施に必要なわけではない。さらに、上述の図面のいずれかに記載された処理は、RAM、ROM、または、ハードディスクドライブのいずれか、もしくは、それらを組み合わせたものに格納されたソフトウェアとして実施されてもよい。理解を深めるために、上述の発明について、ある程度詳しく説明したが、添付の特許請求の範囲内で、ある程度の変更や変形を行ってもよいことは明らかである。したがって、本実施形態は、例示的なものであって、限定的なものではないとみなされ、本発明は、本明細書に示した詳細に限定されず、添付の特許請求の範囲および等価物の範囲内で変形されてよい。"