絶縁性基板と、前記縁性基板の第1の主面上に形成される配線層と、前記配線層上に搭載される半導体素子と、を備え、前記配線層が、銅と、銅より熱膨張係数が小さい金属とを含む第1の銅含有材料から構成されており、前記第1の銅含有材料の熱膨張係数が銅の熱膨張係数より小さい、半導体装置。前記第1の銅含有材料は、銅で構成される第1の層と前記金属で構成される第2の層とが積層された積層構造を有する複合材料、又は、銅と前記金属とを含む合金である、請求項1記載の半導体装置。前記複合材料は、前記第1の層、前記第2の層及び前記第1の層がこの順に積層されて構成される、請求項2記載の半導体装置。前記金属は、モリブデン又はタングステンである、請求項1~3の何れか一項記載の半導体装置。前記絶縁性基板の前記第1の主面と反対側の第2の主面上に形成される放熱層と、前記放熱層を介して前記絶縁性基板と接合されるヒートシンクと、を備え、前記放熱層は、銅を含む第2の銅含有材料から構成され、前記第2の銅含有材料の熱膨張係数は、前記絶縁性基板の熱膨張係数より大きく前記ヒートシンクの熱膨張係数以下である、請求項1~4の何れか一項記載の半導体装置。前記第2の銅含有材料の組成は、前記第1の銅含有材料の組成と同じである、請求項5記載の半導体装置。前記半導体素子を構成する半導体が、ワイドバンドギャップ半導体である、請求項1~6の何れか一項記載の半導体装置。半導体素子が搭載される配線基板であって、絶縁性基板と、前記絶縁性基板の主面上に形成され、前記半導体素子が搭載される配線層と、を備え、前記配線層が、銅と、銅より熱膨張係数の小さい金属とを含む銅含有材料から構成されており、前記銅含有材料の熱膨張係数が銅の熱膨張係数より小さい、配線基板。しかしながら、半導体装置が駆動されると、駆動により半導体装置が熱を帯びる。この場合、半導体素子を構成する半導体と、銅との熱膨張係数の差により、半導体素子と配線との接合部に熱歪み又は応力が生じる。その結果、上記接合部にクラックなどが生じて半導体装置が破損するおそれがある。そのため、半導体装置の信頼性の向上が求められていた。そこで、本発明は、高い信頼性を実現し得る半導体装置及び配線基板を提供することを目的とする。本発明の一側面に係る半導体装置は、絶縁性基板と、縁性基板の第1の主面上に形成される配線層と、配線層上に搭載される半導体素子と、を備える。上記配線層は、銅と、銅より熱膨張係数が小さい金属とを含む第1の銅含有材料から構成されており、第1の銅含有材料の熱膨張係数が銅の熱膨張係数より小さい。この構成では、配線層が、銅の熱膨張係数より小さい熱膨張係数を有する第1の銅含有材料から構成されている。よって、半導体素子と配線層との熱膨張係数差は、例えば、配線層が銅で構成されている場合より小さい。この場合、半導体装置の駆動により熱が生じても、半導体素子と配線層との接合部分に生じる熱歪み又は熱応力が低減する。その結果、半導体装置が安定して駆動され得るので、半導体装置の信頼性が向上する。一実施形態において、上記第1の銅含有材料は、銅で構成される第1の層と上記金属で構成される第2の層とが積層された積層構造を有する複合材料であり得る。また、上記第1の銅含有材料は、銅と上記金属とを含む合金であり得る。第1の銅含有材料が上記複合材料である場合、第1の銅含有材料の作製が容易である。また、第1の銅含有材料が上記合金である場合、第1の銅含有材料の熱膨張係数をより調整しやすい。第1の銅含有材料が複合材料である場合、その複合材料は、第1の層、第2の層及び第3の層がこの順に積層されて構成され得る。この場合、銅からなる第1の層で第2の層が挟まれるので、配線層の表面は銅から構成される。その結果、配線層を銅から構成した場合と同様にして、絶縁性基板に配線層を接合し得る。一実施形態において、上記金属は、モリブデン又はタングステンであり得る。一実施形態において、半導体装置は、絶縁性基板の第1の主面と反対側の第2の主面上に形成される放熱層と、放熱層を介して絶縁性基板と接合されるヒートシンクと、を備え得る。この形態では、放熱層は、銅を含む第2の銅含有材料から構成され得る。そして、第2の銅含有材料の熱膨張係数は、絶縁性基板の熱膨張係数より大きくヒートシンクの熱膨張係数以下であり得る。上記第2の銅含有材料から構成される放熱層を介して、絶縁性基板とヒートシンクとが接合されるので、絶縁性基板とヒートシンクとの間の熱膨張性係数差が緩和され得る。その結果、絶縁性基板とヒートシンクとの間の熱応力等が低減する。そのため、半導体装置の信頼性がより向上する。一実施形態において、第2の銅含有材料の組成は、第1の銅含有材料の組成と同じであり得る。この場合、絶縁性基板の第1の主面と第2の主面に同じ材料が設けられるので、絶縁性基板が反りにくい。一実施形態において、半導体素子を構成する半導体が、ワイドバンドギャップ半導体であり得る。ワイドバンドギャップ半導体を用いた半導体素子を備えた半導体装置は、より高温で駆動される。そのため、上記第1の銅含有材料を用いることで、より半導体装置の信頼性を挙げることが可能である。本発明の他の側面は、半導体素子が搭載される配線基板に係る。この配線基板は、絶縁性基板と、絶縁性基板の主面上に形成され、半導体素子が搭載される配線層と、を備える。上記配線層は、銅と、銅より熱膨張係数の小さい金属とを含む銅含有材料から構成されており、銅含有材料の熱膨張係数が銅の熱膨張係数より小さい。この構成では、配線層が、銅より熱膨張係数は銅より小さい銅含有材料から構成されるので、半導体素子と配線層との熱膨張係数差は、例えば、配線層が銅で構成されている場合より小さい。そのため、半導体素子の駆動により熱が生じても、半導体素子と配線層との間に生じる熱歪み又は熱応力が低減する。その結果、配線基板に搭載された半導体素子が安定して駆動され得るので、配線基板と半導体素子とを含む装置の信頼性が向上する。本発明によれば、高い信頼性を実現し得る半導体装置、及び、半導体素子が搭載される配線基板を提供し得る。以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。説明中、上、下等の方向を示す語は、図面に示された状態に基づいた便宜的な語である。図1は、一実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。図2は、図1に示した半導体装置が備える配線基板の斜視図である。半導体装置10は、配線基板12と、配線基板12に搭載される半導体素子14と、配線基板12に対して半導体素子14と反対側に配置されるヒートシンク16とを備えた半導体モジュールである。半導体装置10は、例えば電源などに利用される電力用半導体装置であり得る。半導体素子14の例は、絶縁型電界効果トランジスタMOSFET、接合型電界効果トランジスタ及びバイポーラトランジスタを含む。MOSFETの例は、縦型MOSFET及び横型MOSFETを含み得る。半導体素子14を構成する半導体の例はSiC及びGaNとしたワイドバンドギャップ半導体及びSiを含む。配線基板12は、図1及び図2に示すように、絶縁性基板121と、絶縁性基板121の表面第1の主面121a上に設けられる配線層122とを有する。配線層122は、ロウ材などを介して又は直接的に絶縁性基板121に接合され得る。絶縁性基板121の平面視形状の例は長方形及び正方形を含み得る。一実施形態において、絶縁性基板121の材料の一例は、アルミナ熱膨張係数:約7.0×10-6/Kである。配線層122は、互いに絶縁された複数の導電性の配線領域基板の場合と同様に、直接絶縁性基板121に配線層122を接合し得る。複合材料の層構造は、2層構造でもよいし、4層以上の層構造でもよい。複合材料が3層以上である場合、各層を構成する材料は異なっていてもよい。配線層122を構成する銅含有材料としての複合材料の一例は、図3に示した中間層22aがモリブデンMoで構成されるCu-Mo-Cu複合材料である。また、銅と他の金属との合金としての銅含有材料の例は他の金属がタングステンWであるCu-W合金である。配線基板12は、絶縁性基板121の表面12aと反対側の裏面第2の主面121b上に、放熱層123を備えてもよい。放熱層123は、裏面121b全体を覆うように形成され得る。放熱層123は、配線層122の場合と同様に、ロウ材などを介して又は直接的に裏面121bに接合され得る。このように放熱層123を有する場合、放熱層123は、銅を含む銅含有材料第2の含有材料から構成され得る。放熱層123を構成する銅含有材料の熱膨張係数は、絶縁性基板121の熱膨張係数より大きく且つヒートシンク16の熱膨張係数以下である。後述するように、一例としてヒートシンク16が銅から構成される場合には、放熱層123を構成する銅含有材料は銅であり得る。しかしながら、放熱層123を構成する銅含有材料の組成は、配線層122を構成する銅含有材料の組成と同じであってもよい。すなわち、放熱層123を構成する銅含有材料は、配線層122を構成する銅含有材料として例示した複合材料又は合金であってもよい。放熱層123を構成する銅含有材料と、配線層122を構成する銅含有材料とが同じである場合、絶縁性基板121の表面121a側と裏面121b側との間に熱膨張係数差が生じにくいので、配線基板12に反りが生じにくい。ヒートシンク16は金属板である。ヒートシンク16は、熱伝導率の高い金属から構成されていればよい。ヒートシンク16を構成する金属の一例は銅である。ヒートシンク16の平面視形状は長方形及び正方形を含む。一実施形態において、ヒートシンク16は、配線基板12の表面と反対側に半田18Cを介して接合され得る。半田18Cの一例は、Sn-Ag-Cu系半田である。配線基板12の裏面に放熱層123が形成されている場合、図1に示すように、絶縁性基板121とヒートシンク16との間には、絶縁性基板121側から順に放熱層123及び層状の半田18Cが挟まれ得る。図1に示すように、半導体装置10は、ヒートシンク16を囲む枠状の樹脂ケース24を有し得る。樹脂ケース24の材料の例は、ポリブチレンテレフタレートPBTやポリフェニレンサルファイド樹脂PPSといったエンジニヤリングプラスチックである。この樹脂ケース24は、ヒートシンク16の外縁部に固定される。樹脂ケース24の内側には、応力緩和のため、例えばシリコ-ンゲル26が注入され得る。更に、図1に示すように、シリコンゲル26内に埋設された配線基板12及び半導体素子14などは、エポキシ樹脂といった熱可塑性樹脂28によって、更に気密に封止され得る。なお、シリコンゲル26を介さずに、直接、熱可塑性樹脂28によって、配線基板12及び半導体素子14などが埋設されてもよい。上記構成の半導体装置10では、半導体素子14の熱膨張係数と、配線層122との熱膨張係数との差が小さくなるので、半導体装置10の信頼性を向上できる。この点について、配線基板の配線が銅から構成された銅配線である場合と比較しながら説明する。半導体装置に用いられる半導体素子の構成材料の例はSiC、GaN又はSiである。SiCの熱膨張係数は約4.2×10-6/Kであり、GaNの熱膨張係数は約5.6×10-6/K、Siの熱膨張係数は、約30×10-6/Kである。一方、銅の熱膨張係数は、約16.8×10-6/Kである。従って、仮に、配線が銅配線である場合、半導体素子と配線との間に大きな熱膨張係数差が生じる。この場合、半導体装置を駆動して熱が発生すると、上記熱膨張係数差によって、半導体素子と配線との間の接合部分例えば、半田部分に大きな応力がかかり、その接合部分にクラックなどが生じ、半導体装置が破損するおそれがある。これに対して、半導体装置10では、配線層122が、銅と、熱膨張係数が銅より小さい他の金属とを含む銅含有材料から構成されていることから、配線層122の熱膨張係数は銅より小さくなる。そのため、半導体素子14と配線層122との間の熱膨張係数差が低減される。このように熱膨張係数差が低減されると、半導体装置10を駆動して熱が発生したとしても、半導体素子14と配線層122との接合部分に作用する応力がより小さくなるので、上記接合部分にクラックなどが発生しにくい。そのため、半導体装置10の信頼性が向上する。換言すれば、配線層122を備えた配線基板12を用いることによって、半導体装置10の高い信頼性を実現し得る。また、銅含有材料に含まれる銅の熱伝導率は、例えばタングステンやモリブデンの熱伝導率より高い。従って、配線層122が銅含有材料で構成されていることにより、例えばタングステンやモリブデンだけで配線層を構成する場合よりも放熱性もよい。そのため、上記熱膨張係数差による応力が更に低減されやすい。配線層122が、図3に示したように、積層構造を有する複合材料によって構成される場合、銅含有材料の作製が容易である。図3に示したように、3層構造のうち表層122bを銅で構成した場合、DBC基板と同様にして、配線層122を絶縁性基板121に固定し得る。前述したように、配線層122を構成する銅含有材料は、銅と、銅より熱膨張係数の小さい他の金属との合金例えば、Cu―W合金であり得る。このような合金の場合には、他の金属の含有率を調整することで熱膨張係数を調整し得る。そのため、銅含有材料の熱膨張係数の調整が容易である。更に、配線基板12が放熱層123を備え、その放熱層123が、絶縁性基板121の熱膨張係数より大きくヒートシンク16の熱膨張係数以下である熱膨張係数を有する銅含有材料から構成されている形態では、放熱層123とヒートシンク16との間の熱膨張係数差も小さくなる。その結果、半導体装置10が駆動により熱を帯びても、放熱層123とヒートシンク16との間の接合部分図1では、層状の半田18C部分にクラックなどの破損が生じにくい。よって、半導体装置10の信頼性がより向上する。更に、配線層122の場合と同様に、銅含有材料のように銅を含有した材料で、放熱層123を構成することによって、例えばタングステンやモリブデンだけで放熱層を構成する場合よりも放熱性もよい。そのため、上記熱膨張係数差による応力が更に低減されやすい。半導体素子14を構成する半導体としてSiC又はGaN等といったワイドバンドギャップ半導体を採用した場合、半導体素子14は、半導体素子がSiから構成される場合より、高い温度で駆動され得る。この構成では、半導体装置10を駆動した際に、高温になりやすい。そのため、上記のように配線層12の材料を銅含有材料とすることによって、熱膨張係数差を低減することは、半導体装置10の信頼性を向上させる観点から、特に有効である。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。例えば、半導体モジュールとしての半導体装置は、配線基板12と半導体素子14とから構成されるユニットが半導体装置であってもよい。