下地上に、シリコン酸炭窒化膜を形成するシリコン酸炭窒化膜の形成方法であって、下地上に、シリコン炭窒化膜とシリコン酸窒化膜とを積層してシリコン酸炭窒化膜を形成することを特徴とするシリコン酸炭窒化膜の形成方法。前記シリコン炭窒化膜の形成と、前記シリコン酸窒化膜の形成とを繰り返すことを特徴とする請求項1に記載のシリコン酸炭窒化膜の形成方法。前記シリコン炭窒化膜の形成が、シリコン膜の炭化工程および窒化工程を含み、前記シリコン酸窒化膜の形成が、シリコン膜の酸化工程および窒化工程を含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のシリコン酸炭窒化膜の形成方法。前記シリコン炭窒化膜の形成において、前記シリコン膜の炭化工程および窒化工程を繰り返すことを特徴とする請求項3に記載のシリコン酸炭窒化膜の形成方法。前記シリコン酸窒化膜の形成において、前記シリコン膜の酸化工程および窒化工程を繰り返すことを特徴とする請求項3又は請求項4に記載のシリコン酸炭窒化膜の形成方法。前記シリコン膜の酸化工程と窒化工程との順序を制御し、形成されるシリコン酸炭窒化膜の酸素濃度を制御することを特徴とする請求項3から請求項5のいずれか一項に記載のシリコン酸炭窒化膜の形成方法。前記形成されるシリコン酸炭窒化膜の酸素濃度を20at以上35at以下の範囲に制御することを特徴とする請求項6に記載のシリコン酸炭窒化膜の形成方法。前記形成されるシリコン酸炭窒化膜の屈折率光の波長633nmが、1.72以上1.90以下の範囲であることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載のシリコン酸炭窒化膜の形成方法。前記形成されるシリコン酸炭窒化膜の酸素濃度を20at以上30at以下の範囲に制御することを特徴とする請求項6に記載のシリコン酸炭窒化膜の形成方法。前記形成されるシリコン酸炭窒化膜の屈折率光の波長633nmが、1.77以上1.90以下の範囲であることを特徴とする請求項1から請求項6、及び請求項9のいずれか一項に記載のシリコン酸炭窒化膜の形成方法。側壁絶縁膜は、絶縁膜をRIE法のような異方性ドライエッチングを利用して加工することで、ゲート電極周囲に形成される。このような側壁絶縁膜は、半導体集積回路装置の製造工程中、様々なエッチング工程にさらされる。例えば、ゲート電極、ソース拡散層及びドレイン拡散層に対してサリサイド技術を適用する場合には、ドライエッチングを行った後、金属膜を形成する前にウェットエッチングにさらされる。その後、金属膜の未反応部分を除去する際に、ドライエッチング又はウェットエッチングにさらされる。さらに、セルフアラインコンタクト技術を適用する場合には、側壁絶縁膜は、層間絶縁膜へのコンタクト孔形成の際に、RIE法のような異方性ドライエッチングにさらされる。このように側壁絶縁膜に使用される絶縁膜は、側壁上に加工されなければならないため、優れた加工性が要求されながらも、ドライエッチング耐性やウェットエッチング耐性にも優れていなければならない、という事情がある。この発明は、加工性が良く、ドライエッチング耐性およびウェットエッチング耐性の制御も可能となるシリコン酸炭窒化膜の形成方法を提供する。この発明の一態様に係るシリコン酸炭窒化膜の形成方法は、下地上に、シリコン酸炭窒化膜を形成するシリコン酸炭窒化膜の形成方法であって、下地上に、シリコン炭窒化膜とシリコン酸窒化膜とを積層してシリコン酸炭窒化膜を形成する。この発明によれば、加工性が良く、ドライエッチング耐性およびウェットエッチング耐性の制御も可能となるシリコン酸炭窒化膜の形成方法を提供できる。以下、この発明の実施形態を、図面を参照して説明する。なお、全図にわたり、共通の部分には共通の参照符号を付す。第1の実施形態図1はこの発明の第1の実施形態に係るシリコン酸炭窒化膜の形成方法の一例を示す流れ図、図2A~図2Eは第1の実施形態に係るシリコン酸炭窒化膜の形成方法の一例における主要な工程を示す断面図である。まず、図2Aに示すように、半導体基板を用意する。本例では、半導体基板としてシリコンウエハ1を用いた。次いで、シリコンウエハ1を成膜装置の処理室に収容する。次に、図1のステップ1及び図2Bに示すように、下地上、本例ではシリコンウエハ1の被処理面上に、シリコン炭窒化膜SiCN膜2-1を形成する。次に、図1のステップ2及び図2Cに示すように、シリコン炭窒化膜2-1上に、シリコン酸窒化膜3-1を形成し、シリコン炭窒化膜2-1とシリコン酸窒化膜3-1とを積層する。次に、図1のステップ3に示すように、積層数が設定回数か否かを判断する。設定回数に達したならばYes、シリコン酸炭窒化膜の形成を終了する。積層数が1ならば、形成されるシリコン酸炭窒化膜SiOCN膜は、シリコン炭窒化膜2-1とシリコン酸窒化膜3-1とを積層することで形成されたものとなる。もしも、積層数を1に固定する場合には、ステップ3は省略することができる。設定回数に達していないならばNo、ステップ1に戻り、図2Dに示すように、シリコン酸窒化膜3-1上に、第2層目シリコン炭窒化膜2-2を形成する。次に、図1のステップ2及び図2Eに示すように、第2層目シリコン炭窒化膜3-2を形成する。次に、図1のステップ3に示すように、積層数が設定回数か否かを再度判断する。設定回数に達したならばYes、シリコン酸炭窒化膜の形成を終了し、設定回数に達していないならばNo、設定回数に達するまで図1に示すステップ1及びステップ2を繰り返す。このようにして、シリコン酸炭窒化膜4が形成される。第1の実施形態に係るシリコン酸炭窒化膜の形成方法は、下地上に、シリコン炭窒化膜2とシリコン酸窒化膜3とを積層してシリコン酸炭窒化膜4を形成する。このように、シリコン炭窒化膜2とシリコン酸窒化膜3とを積層してシリコン酸炭窒化膜4を形成することで、形成されるシリコン酸炭窒化膜4中の酸素O濃度、炭素C濃度、及び窒素N濃度を、被処理面に対して垂直な膜厚方向A図2E参照の全体にわたってそれぞれ精度良く制御できる、という利点を得ることができる。本件出願の発明者らは、特に、シリコン酸炭窒化膜4中の酸素濃度が、シリコン酸炭窒化膜4のウェットエッチング耐性およびドライエッチング耐性に密接に関係することを見出した。図3は酸素濃度とウェットエッチング量との関係を示す図、図4は酸素濃度とドライエッチング量との関係を示す図である。図3及び図4には、第1の実施形態に係るシリコン酸炭窒化膜の理解を助けるために、シリコン炭窒化膜意図的な酸素の導入無し。ただし、シリコンウエハ上の自然酸化膜分約8.8の酸素を含むを比較例として例示する。ウェットエッチングの条件は次の通りである。エッチャント:希フッ酸H2O:HF=100:1処理時間:60secまた、ドライエッチングの条件は次の通りである。エッチャント:CHF3、CF4、O2の混合ガス処理時間:5sec図3に示すように、シリコン炭窒化膜SiCN膜は、上記希フッ酸では、ほとんどエッチングされない。第1の実施形態のように意図的に酸素を導入してシリコン酸炭窒化膜4とし、その酸素濃度を上げていくと、上記希フッ酸によってエッチングされやすくなっていく。つまり、シリコン酸炭窒化膜4は、その酸素濃度が低いと、ウェットエッチング耐性が増す傾向が理解できる。次に、図4に示すように、シリコン炭窒化膜SiCN膜は、上記CHF3、CF4、O2の混合ガスでは、大きくエッチングされる。しかし、シリコン酸炭窒化膜4とし、その酸素濃度を挙げていくと、エッチングされ難くなっていく。つまり、シリコン酸炭窒化膜4は、その酸素濃度が高いと、ドライエッチング耐性が増す。なお、図5に、図3及び図4に示した酸素濃度を持つシリコン酸炭窒化膜4の膜組成、及び比較例としてのシリコン炭窒化膜の膜組成を示しておく。膜組成は、X線光電子分光分析法XrayPhotoelectronSpectroscopy:XPSを用いて解析した。図5に示すSiCN、シリコン酸炭窒化膜4A~4Dはそれぞれ、図3及び図4中の参照符号SiCN及び4A~4Dに対応している。図5において、シリコン炭窒化膜の膜組成中に酸素原子がみられるが、これは上述したようにシリコンウエハの表面に形成されていた自然酸化膜中の酸素原子が観測されたためである。また、合計しても100atにはならず97.7at~98.5atになっている理由は、成膜中に膜の中に取り込まれたシリコン原子、酸素原子、窒素原子、及び炭素原子以外の原子が観測されたためである。このように、シリコン酸炭窒化膜4中の酸素濃度は、シリコン酸炭窒化膜4のウェットエッチング耐性及びドライエッチング耐性のそれぞれに影響を与える。第1の実施形態に係るシリコン酸炭窒化膜の形成方法は、上述の通り、シリコン炭窒化膜2とシリコン酸窒化膜3とを積層してシリコン酸炭窒化膜4を形成するので、シリコン酸炭窒化膜4中の酸素濃度、炭素濃度、及び窒素濃度を、膜厚方向Aの全体にわたって精度良く制御できる。酸素濃度の制御はシリコン酸窒化膜3の成膜量を調整すること、炭素濃度の制御はシリコン炭窒化膜2の成膜量を調整すること、窒素濃度の制御はシリコン酸窒化膜3の成膜量及びシリコン炭窒化膜2の成膜量の双方を調整することでできる。したがって、第1の実施形態によれば、例えば、酸素濃度を制御することで、1特に、ウェットエッチング耐性に優れたシリコン酸炭窒化膜2特に、ドライエッチング耐性に優れたシリコン酸炭窒化膜3加工の容易性を有しつつ、ウェットエッチング耐性およびドライエッチング耐性の双方ともが実用に供し得る範囲となるシリコン酸炭窒化膜を、それぞれ精度良く作り分けることができる、という利点を得ることができる。加工の容易性とは、エッチングがある程度進むために加工性が良い、ということである。シリコン炭窒化膜は、希フッ酸によるウェットエッチングがほとんど進まない。これは、シリコン炭窒化膜は、優れたウェットエッチング耐性を持つ、ということであるが、その反面、希フッ酸によるウェットエッチングがほとんど進まない。これは、ウェットエッチングによる加工が容易ではない、ということでもある。例えば、図3及び図4に示す結果より、ウェットエッチング耐性を、希フッ酸H2O:HF=100:1を用いて60secのウェットエッチングを実施したとき、エッチング量を0.1nm以上0.7nm以下に抑え、かつ、ドライエッチング耐性を、上記CHF3、CF4、O2の混合ガスを用いて5secのドライエッチングを実施したとき、7nm以上20nm以下に抑えたい場合には、シリコン酸炭窒化膜4の酸素濃度を20at以上35at以下の範囲に制御するとよい範囲I。これにより、加工の容易性を有しつつ、ウェットエッチング耐性およびドライエッチング耐性の双方ともが実用に供し得る範囲となるシリコン酸炭窒化膜4を得ることができる。また、より厳しく、ウェットエッチング耐性を、希フッ酸H2O:HF=100:1を用いて60secのウェットエッチングを実施したとき、エッチング量を0.1nm以上0.5nm以下に抑え、かつ、ドライエッチング耐性を、上記CHF3、CF4、O2の混合ガスを用いて5secのドライエッチングを実施したとき、10nm以上20nm以下に抑えたい場合には、シリコン酸炭窒化膜4の酸素濃度を20at以上30at以下の範囲に制御するとよい範囲II。これにより、加工の容易性を有しつつ、ウェットエッチング耐性およびドライエッチング耐性の双方ともが、より厳しい条件の中での実用に供し得る範囲となるシリコン酸炭窒化膜4を得ることができる。また、シリコン酸炭窒化膜4の酸素濃度と屈折率との間に相関があることも判明した。図6は酸素濃度と屈折率との関係を示す図である。図6に示すシリコン酸炭窒化膜4の屈折率は、エリプソメーターRUDOLPHTECHNOLOGIES製、S3000、HeNeレーザー:波長633nmを用いて測定したものである。図6に示すように、シリコン酸炭窒化膜4は、酸素濃度が上がるにつれて、シリコン酸炭窒化膜4の屈折率が1に近づいていく。例えば、シリコン炭窒化膜の屈折率は約2.04であるが、意図的に酸素を導入してシリコン酸炭窒化膜4とし、その酸素濃度を上げていくと屈折率は約1.86酸素濃度約22at、約1.79酸素濃度約27at、約1.76酸素濃度約33at、約1.72酸素濃度約37atのように、一次関数的に1に近づいていく。このことから、シリコン酸炭窒化膜4の酸素濃度は、X線光電子分光分析法を用いなくても、シリコン酸炭窒化膜4の屈折率を、エリプソメーターを用いて測定することでも特定することができる。例えば、光の波長が633nmのときの屈折率が約1.72以上1.90以下の範囲であれば、図3及び図4に示した範囲Iの酸素濃度が20at以上35at以下のシリコン酸炭窒化膜4である、と言える。同様に、光の波長が633nmのときの屈折率が約1.77以上1.90以下の範囲であれば、図3及び図4に示した範囲IIの酸素濃度が20at以上30at以下のシリコン酸炭窒化膜4である、と言える。また、図6には、酸素濃度と窒素濃度との対応関係についても同時に示す。図6に示すように、屈折率が約1.86のシリコン酸炭窒化膜4Aは、酸素濃度が約22at、窒素濃度が約33atの低酸素濃度、高窒素濃度窒素リッチの膜組成である。同じく屈折率が約1.79のシリコン酸炭窒化膜4Bも、酸素濃度が約27at、窒素濃度が約31atの低酸素濃度、高窒素濃度窒素リッチの膜組成である。また、屈折率がさらに1に近づき、約1.76のシリコン酸炭窒化膜4Cは、酸素濃度が約33at、窒素濃度が約25atの高酸素濃度、低窒素濃度酸素リッチの膜組成となり、屈折率が約1.72のシリコン酸炭窒化膜4Dもまた、酸素濃度が約37at、窒素濃度が約23at酸素リッチの膜組成となる。このように、第1の実施形態に係るシリコン酸炭窒化膜の形成方法にしたがって形成されたシリコン酸炭窒化膜4は、酸素濃度を上げると窒素濃度が下がる、という性質を持つ。以上、第1の実施形態によれば、シリコン炭窒化膜2とシリコン酸窒化膜3とを積層してシリコン酸炭窒化膜4を形成するので、膜中の酸素濃度を、膜厚方向Aに沿って精度よく制御することができ、加工性が良く、ドライエッチング耐性およびウェットエッチング耐性の制御も可能となるシリコン酸炭窒化膜の形成方法が得られる、という利点を得ることができる。さらに、第1の実施形態によれば、シリコン炭窒化膜2とシリコン酸窒化膜3とを積層してシリコン酸炭窒化膜4を形成するので、酸化剤と炭化剤とを同時に処理室に導入せずに済む、という利点についても得ることができる。炭化剤としては炭化水素系の炭化剤を挙げることができるが、最も安価で入手しやすいエチレンC2H4は酸化剤と反応しやすい。このため、エチレンを酸化剤と同時に処理室に導入すると、成膜される膜中の酸素濃度の精度の良い制御が難しくなる、という事情がある。このような事情は、第1の実施形態のように、シリコン炭窒化膜2とシリコン酸窒化膜3とを別々に作り、これらを積層してシリコン酸炭窒化膜4を形成することで解消することができる。また、酸化剤と炭化剤とを同時に処理室に導入しないことは、安全性の面でも有利であり、酸化剤及び炭化剤の選定に関する自由度が向上する、という利点についても得ることができる。即ち、酸化剤及び炭化剤を同時に処理室に導入する場合には、安全上、組み合わせることができない酸化剤及び炭化剤の組み合わせが存在する。この点、シリコン炭窒化膜2とシリコン酸窒化膜3とを別々に形成する第1の実施形態では、そのような酸化剤及び炭化剤の組み合わせであっても、シリコン炭窒化膜2とシリコン酸窒化膜3とを別々に作り、これらを積層していくので、利用することが可能になる。次に、シリコン炭窒化膜2及びシリコン酸窒化膜3のより具体的な形成方法の例を説明する。シリコン炭窒化膜2の形成方法図7は第1の実施形態のステップ1に用いられるシリコン炭窒化膜の形成方法の一例を示す流れ図、図8はガスの吐出タイミングの一例を示すタイミングチャート、図9A~図9Cはシリコン炭窒化膜の形成方法の一例における主要な工程を示す断面図である。まず、図7のステップ11、図8及び図9Aに示すように、シリコンウエハ1を収容している成膜装置の処理室図示せずの内部にシリコン原料ガスを流し、シリコンウエハ1の被処理面上にシリコンSi吸着層5を成膜する。シリコン吸着層5を成膜する際の処理条件の一例は以下のとおりである。シリコン原料ガス:ジクロロシランSiH2Cl2:DCSシリコン原料ガス流量:500~3000sccm処理時間:0.05~1.0min処理温度:450~630°C処理圧力:13.3~1064Pa0.1~8.0Torr上記処理条件では、シリコンウエハ1の被処理面上に、膜厚約0.3~1.0nmのシリコン吸着層5が形成される。ステップ11が終了したら、不活性ガスを用いて処理室内をパージし、処理室の内部の雰囲気を不活性ガス雰囲気に置換する。不活性ガスの一例は窒素N2ガスである。次に、図7のステップ12、図8及び図9Bに示すように、処理室の内部に炭化剤ガスを流し、シリコンウエハ1の被処理面上に形成されたシリコン吸着層5を炭化し、シリコン炭化膜SiC6とする。シリコン吸着層5を炭化する際の処理条件の一例は以下のとおりである。炭化剤ガス:エチレンC2H4炭化剤ガス流量:3000sccm処理時間:0.5~1.5min炭化剤ガス供給時間:005~02minホールド時間:02~13min処理温度:450~630°C処理圧力:133~665Pa1.0~5.0Torrステップ12が終了したら、不活性ガスを用いて処理室内をパージし、処理室の内部の雰囲気を不活性ガス雰囲気、本例では窒素ガス雰囲気に置換する。次に、図7のステップ13、図8及び図9Cに示すように、処理室の内部に窒化剤ガスを流し、シリコンウエハ1の被処理面上に形成されたシリコン炭化膜6を窒化し、シリコン炭窒化膜SiCN2とする。シリコン炭化膜6を窒化する際の処理条件の一例は以下のとおりである。窒化剤ガス:アンモニアNH3窒化剤ガス流量:5000~10000sccm処理時間:0.2~1.0min処理温度:450~630°C処理圧力:13.3~66.5Pa0.1~0.5Torrステップ13が終了したら、不活性ガスを用いて処理室内をパージし、処理室の内部の雰囲気を不活性ガス雰囲気、本例では窒素ガス雰囲気に置換する。ここまでで、シリコン炭窒化膜2の成膜シーケンスの1サイクルが終了する。次に、図7のステップ14に示すように、サイクル数が設定回数か否かを判断する。設定回数に達したならばYes、シリコン炭窒化膜2の形成を終了する。設定回数に達していないならばNo、ステップ11に戻り、ステップ11~ステップ13を繰り返す。本例において、サイクル数は、特に、形成されるシリコン酸炭窒化膜4の炭素濃度に応じて設定される。なお、サイクル数を1に固定する場合には、ステップ14は省略することができる。例えば、このようにして、シリコン炭窒化膜2は形成される。シリコン酸窒化膜3の形成方法の第1例図10は第1の実施形態のステップ2に用いられるシリコン酸窒化膜の形成方法の第1例を示す流れ図、図11はガスの吐出タイミングの一例を示すタイミングチャート、図12A~図12Cはシリコン炭窒化膜の形成方法の一例における主要な工程を示す断面図である。まず、図10のステップ21、図11及び図12Aに示すように、シリコンウエハ1を収容している成膜装置の処理室図示せずの内部にシリコン原料ガスを流し、シリコン炭窒化膜2上にシリコンSi吸着層7を成膜する。シリコン吸着層7を成膜する際の処理条件の一例は以下のとおりである。シリコン原料ガス:ジクロロシランSiH2Cl2:DCSシリコン原料ガス流量:500~3000sccm処理時間:0.05~1.0min処理温度:450~630°C処理圧力:13.3~1064Pa0.1~8.0Torr上記処理条件では、シリコン炭窒化膜2上に、膜厚約0.3~1.0nmのシリコン吸着層7が形成される。ステップ21が終了したら、不活性ガスを用いて処理室内をパージし、処理室の内部の雰囲気を不活性ガス雰囲気、本例では窒素ガス雰囲気に置換する。次に、図10のステップ22、図11及び図12Bに示すように、処理室の内部に窒化剤ガスを流し、シリコン吸着層7を窒化し、シリコン窒化膜SiN8とする。この場合、シリコン吸着層7の窒化量は、1層の原子層未満の窒素吸着層が形成される程度が好ましい。その理由は、シリコンと炭素Si-C、シリコンと窒素Si-N、シリコンと酸素Si-O及び炭素と酸素C-Oは結合するが、窒素と酸素N-O及び炭素と窒素C-Nは結合しないことにある。つまり、シリコン吸着層7の表面に窒素が十分に吸着され、窒素で終端されてしまうと、次の酸化工程で用いられる酸素をシリコンに結合させることが難くなる。この事情を解消するには、例えば、1層の原子層未満の窒素吸着層がシリコン吸着層7上に形成されるように窒化し、窒素吸着層にシリコン吸着層7が底に露呈するような隙間を設けると良い。隙間を設けることで、次の酸化工程で用いられる酸素は、隙間に露呈したシリコン吸着層7に結合させることができる。よって、シリコンに結合していた窒素を酸素に置換させるような反応を伴うことなく、シリコン酸窒化膜3を容易に形成できる、という利点を得ることができる。シリコン吸着層7を窒化する際の処理条件の一例は以下のとおりである。窒化剤ガス:アンモニアNH3窒化剤ガス流量:5000~10000sccm処理時間:0.2~1.0min処理温度:450~630°C処理圧力:133~665Pa0.1~0.5Torrステップ22が終了したら、不活性ガスを用いて処理室内をパージし、処理室の内部の雰囲気を不活性ガス雰囲気、本例では窒素ガス雰囲気に置換する。次に、図10のステップ23、図11及び図12Cに示すように、処理室の内部に酸化剤ガスを流し、シリコン窒化膜8を酸化し、シリコン酸窒化膜SiON3とする。シリコン窒化膜8を酸化する際の処理条件の一例は以下のとおりである。酸化剤ガス:酸素O2酸化剤ガス流量:1000~10000sccm処理時間:0.1~1.0min処理温度:450~630°C処理圧力:13.3~133Pa0.1~1.0Torrステップ23が終了したら、不活性ガスを用いて処理室内をパージし、処理室の内部の雰囲気を不活性ガス雰囲気、本例では窒素ガス雰囲気に置換する。ここまでで、シリコン酸窒化膜3の成膜シーケンスの1サイクルが終了する。次に、図10のステップ24に示すように、サイクル数が設定回数か否かを判断する。設定回数に達したならばYes、シリコン酸窒化膜3の形成を終了する。設定回数に達していないならばNo、ステップ21に戻り、ステップ21~ステップ23を繰り返す。本例において、サイクル数は、特に、形成されるシリコン酸炭窒化膜4の酸素濃度に応じて設定される。なお、サイクル数を1に固定する場合には、ステップ24は省略することができる。例えば、このようにして、シリコン酸窒化膜3は形成される。そして、シリコン炭窒化膜2上にシリコン酸窒化膜3を積層することで、シリコン酸炭窒化膜4が形成される。シリコン酸窒化膜3の形成方法の第2例図13は第1の実施形態のステップ2に用いられるシリコン酸窒化膜の形成方法の第2例を示す流れ図である。図10、図11及び図12A~図12Cに示したように、第1例においては、シリコン吸着層7を窒化してシリコン窒化膜8を形成し窒化工程22、シリコン窒化膜8を酸化してシリコン酸窒化膜3を形成するようにした酸化工程23。このようなシリコン酸窒化膜3の形成シーケンスにおいて、図13に示すように、酸化工程23と、窒化工程22とを入れ替えることも可能である。つまり、第2例においては、シリコン吸着層7を酸化してシリコン酸化膜を形成し酸化工程23、シリコン酸化膜を窒化してシリコン酸窒化膜3を形成する窒化工程22。図14及び図15は、シリコン酸窒化膜3の形成方法第1例及び第2例の使い分けによる利点を示す図である。図14及び図15において、先に窒化工程22を行う第1例についてはSiCNOと表記し、先に酸化工程23を行う第2例についてはSiCONと表記する。なお、図14及び図15は、酸素濃度とウェットエッチング量との関係、又は酸素濃度とドライエッチング量との関係を示した図3、図4の再掲である。図14及び図15に示すように、第1例を用いてシリコン吸着層7を先に窒化してシリコン酸窒化膜3を形成したシリコン酸炭窒化膜4は、その酸素濃度が低く抑えられるのに対して、第2例を用いてシリコン吸着層7を先に酸化してシリコン酸窒化膜3を形成したシリコン酸炭窒化膜4は、その酸素濃度が高まる。このように、シリコン吸着層7の酸化工程23と窒化工程22との順序を制御することで、形成されるシリコン酸炭窒化膜4の酸素濃度を制御することができる。本実施形態においては、例えば、シリコン酸炭窒化膜4の酸素濃度を30at以下に抑制したい場合には、シリコン吸着層7を先に窒化してシリコン酸炭窒化膜4を形成する第1例に係るシリコン酸窒化膜3の形成方法を選択すると良い。第1例に係るシリコン酸窒化膜3の形成方法を選択してシリコン酸炭窒化膜4を形成すると、例えば、酸素濃度が20at以上30at以下の範囲となるシリコン酸炭窒化膜4を簡易に得られる、という利点を得ることができる。また、シリコン酸炭窒化膜4の酸素濃度を30atを超えるように含有させたい場合には、シリコン吸着層7を先に酸化してシリコン酸炭窒化膜4を形成する第2例に係るシリコン酸窒化膜3の形成方法を選択すると良い。第2例に係るシリコン酸窒化膜の形成方法を選択してシリコン酸炭窒化膜4を形成することで、例えば、酸素濃度が30atを超え40at以下の範囲となるシリコン酸炭窒化膜4を簡易に得られる、という利点を得ることができる。なお、第2例においても、シリコン吸着層7の酸化量は、1層の原子層未満の酸素吸着層が形成される程度が好ましい。上述したように、窒素と酸素N-Oは結合しないので、シリコン吸着層7の表面が酸素で終端されてしまうと、次の窒化工程で用いられる窒素をシリコンに結合させることが難くなる。このため、上述した窒化と同様に、例えば、1層の原子層未満の酸素吸着層をシリコン吸着層7上に形成し、酸素吸着層にシリコン吸着層7が底に露呈するような隙間を設ける。これにより、次の窒化工程で用いられる窒素は、隙間に露呈したシリコン吸着層7に結合させることができ、シリコン酸窒化膜3を容易に形成できる、という利点を得ることができる。第1例に係るシリコン酸窒化膜3の形成方法の変形例図16は第1の実施形態のステップ2に用いられる第1例に係るシリコン酸窒化膜の形成方法の変形例を示す流れ図である。図16に示すように、本変形例が、図10等を参照して説明した第1例に係るシリコン酸窒化膜の形成方法と異なるところは、酸化工程ステップ23の後に、第2の窒化工程ステップ25を備えていることである。本変形例においては、ステップ21に示すようにシリコン吸着層7図12A参照を形成し、ステップ22に示すようにシリコン吸着層7を窒化してシリコン窒化膜8図12B参照を形成し、ステップ23に示すようにシリコン窒化膜8を酸化してシリコン酸窒化膜3図12C参照を形成する。この後、シリコン酸窒化膜3をステップ25に示すように、さらに窒化する。このような変形例においては、第1例にしたがって形成したシリコン酸窒化膜3を、さらに窒化するので、例えば、シリコン酸窒化膜3を上記第1例にしたがって形成したシリコン酸炭窒化膜4に比較して、酸素濃度を低くすることができる、という利点を得ることができる。このため、本変形例は、シリコン酸炭窒化膜4の酸素濃度をより低い範囲に抑えたい場合に有利である、という利点を得ることができる。第2の実施形態第2の実施形態は、第1の実施形態に係るシリコン酸炭窒化膜の形成方法を実施することが可能な成膜装置の一例に関する。図17は第1の実施形態に係るシリコン酸炭窒化膜の形成方法を実施することが可能な成膜装置の一例を概略的に示す断面図である。図17に示すように、成膜装置100は、下端が開口された有天井の円筒体状の処理室101を有している。処理室101の全体は、例えば、石英により形成されている。処理室101内の天井には、石英製の天井板102が設けられている。処理室101の下端開口部には、例えば、ステンレススチールにより円筒体状に成形されたマニホールド103がOリング等のシール部材104を介して連結されている。マニホールド103は処理室101の下端を支持している。マニホールド103の下方からは、被処理体として複数枚、例えば、50~100枚の半導体基板、本例では、シリコンウエハ1を多段に載置可能な石英製のウエハボート105が処理室101内に挿入可能となっている。これにより、処理室101内にシリコンウエハ1が収容される。ウエハボート105は複数本の支柱106を有し、支柱106に形成された溝により複数枚のシリコンウエハ1が支持されるようになっている。ウエハボート105は、石英製の保温筒107を介してテーブル108上に載置されている。テーブル108は、マニホールド103の下端開口部を開閉する、例えば、ステンレススチール製の蓋部109を貫通する回転軸110上に支持される。回転軸110の貫通部には、例えば、磁性流体シール111が設けられ、回転軸110を気密にシールしつつ回転可能に支持している。蓋部109の周辺部とマニホールド103の下端部との間には、例えば、Oリングよりなるシール部材112が介設されている。これにより処理室101内のシール性が保持されている。回転軸110は、例えば、ボートエレベータ等の昇降機構図示せずに支持されたアーム113の先端に取り付けられている。これにより、ウエハボート105および蓋部109等は、一体的に昇降されて処理室101内に対して挿脱される。成膜装置100は、処理室101内に、処理に使用するガスを供給する処理ガス供給機構114、及び処理室101内に、不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構115を有している。本例の処理ガス供給機構114は、シリコン原料ガス供給源117a、炭化剤ガス供給源117b、窒化剤ガス供給源117c、及び酸化剤ガス供給源117dを含んでいる。不活性ガス供給機構115は、不活性ガス供給源120を含んでいる。シリコン原料ガスの一例はジクロロシラン、炭化剤ガスの一例はエチレン、窒化剤ガスの一例はアンモニア、酸化剤ガスの一例は酸素、不活性ガスの一例は窒素ガスである。不活性ガスは、パージガス等に利用される。シリコン原料ガス供給源117aは、流量制御器121a及び開閉弁122aを介して、分散ノズル123aに接続されている。同様に、炭化剤ガス供給源117b、窒化剤ガス供給源117c及び酸化剤ガス供給源117dは、流量制御器121b~121d及び開閉弁122b~133dを介して、分散ノズル123b~123dにそれぞれ接続されている。分散ノズル123a~123dは石英管よりなり、マニホールド103の側壁を内側へ貫通して上方向へ屈曲されて垂直に延びる。分散ノズル123a~123dの垂直部分には、複数のガス吐出孔124が所定の間隔を隔てて形成されている。これにより、各ガスは、ガス吐出孔124から水平方向に処理室101内に向けて略均一に吐出される。不活性ガス供給源120は、流量制御器121e及び開閉弁122eを介して、ノズル128に接続されている。ノズル128は、マニホールド103の側壁を貫通し、その先端から不活性ガスを、水平方向に処理室101内に向けて吐出させる。処理室101内の、分散ノズル123及び125と反対側の部分には、処理室101内を排気するための排気口129が設けられている。排気口129は処理室101の側壁を上下方向へ削りとることによって細長く形成されている。処理室101の排気口129に対応する部分には、排気口129を覆うように断面がコの字状に成形された排気口カバー部材130が溶接により取り付けられている。排気口カバー部材130は、処理室101の側壁に沿って上方に延びており、処理室101の上方にガス出口131を規定している。ガス出口131には、真空ポンプ等を含む排気機構132が接続される。排気機構132は、処理室101内を排気することで処理に使用した処理ガスの排気、及び処理室101内の圧力を処理に応じた処理圧力とする。処理室101の外周には筒体状の加熱装置133が設けられている。加熱装置133は、処理室101内に供給されたガスを活性化するとともに、処理室101内に収容された被処理体、本例ではシリコンウエハ1を加熱する。成膜装置100の各部の制御は、例えばマイクロプロセッサコンピュータからなるコントローラ150により行われる。コントローラ150には、オペレータが成膜装置100を管理するためにコマンドの入力操作等を行うタッチパネルや、成膜装置100の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース151が接続されている。コントローラ150には記憶部152が接続されている。記憶部152は、成膜装置100で実行される各種処理をコントローラ150の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて成膜装置100の各構成部に処理を実行させるためのプログラムすなわちレシピが格納される。レシピは、例えば、記憶部152の中の記憶媒体に記憶される。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリであってもよいし、CDROM、DVD、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。レシピは、必要に応じて、ユーザーインターフェース151からの指示等にて記憶部152から読み出され、読み出されたレシピに従った処理をコントローラ150が実行することで、成膜装置100は、コントローラ150の制御のもと、所望の処理が実施される。本例では、コントローラ150の制御のもと、上記第1の実施形態の一例に係るシリコン酸炭窒化膜の形成方法にしたがった処理が順次実施される。上記第1の実施形態の一例に係るシリコン酸炭窒化膜の形成方法は、図16に示すような成膜装置100を用いることによって、1台の成膜装置で形成することができる。また、成膜装置としては図16に示すようなバッチ式に限らず、枚葉式の成膜装置であっても良い。以上、この発明をいくつかの実施形態に従って説明したが、この発明は、上記実施形態に限定されることは無く、その趣旨を逸脱しない範囲で種々変形可能である。例えば、上記実施形態においては、処理条件を具体的に例示したが、処理条件は、上記具体的な例示に限られるものではない。また、図1においては、シリコン酸窒化膜を形成する工程ステップ2が最終の処理となっているが、ステップ3の後にシリコン炭窒化膜を形成する工程を入れて、シリコン炭窒化膜を形成する工程を最終の処理としても良い。また、図7においては、窒化工程ステップ13が最終の処理となっているが、ステップ14の後に炭化工程を入れて、炭化工程を最終の処理としても良い。同様に、図10においては酸化工程ステップ23が、図13においては窒化工程ステップ22がそれぞれ最終の処理となっているが、ステップ24の後に窒化工程、又は酸化工程を入れて、それぞれ窒化工程、又は酸化工程を最終の処理としても良い。また、酸化工程における酸化は、酸素ガスによる酸化の他、オゾンガスによるオゾン酸化、酸素ラジカルを用いたラジカル酸化のいずれでも用いることができる。同様に、窒化工程における窒化は、アンモニアガスによる窒化の他、アンモニアラジカルを用いたラジカル窒化を用いることができる。その他、この発明はその要旨を逸脱しない範囲で様々に変形することができる。