"1層目のパターンと共に複数のマークが形成された基板を載置するステージと、前記ステージに前記基板が載置された状態で前記複数のマークの位置を荷電粒子ビームで走査して得られる結果から測定するマーク位置測定部と、前記複数のマークの位置の所望位置からのずれ量をN次多項式によりフィッティングして近似式を取得する取得部と、前記近似式を用いて前記複数のマークの位置のN次成分の位置ずれ量を補正する補正部と、補正後の前記複数のマークの位置のうち異常マークを検出する異常マーク検出部と、検出された異常マークのうち、所定の個数以内の異常マークの位置を除去するマーク除去部と、前記所定の個数以内の異常マークが除去された残りの複数のマークの位置を用いて、アライメント計算を行うアライメント計算部と、アライメントされた位置に2層目のパターンを描画する描画部と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。検出された異常マークのずれ量を大きい順にソート処理するソート処理部をさらに備え、前記マーク除去部は、検出された異常マークのうち、ずれ量の大きい方から順に最大で前記所定の個数まで異常マークを除去することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。異常マークが除去された残りの複数のマークの位置ずれ量の正規分布に対して所定の割合の確率で前記残りの複数のマークが含まれるためのばらつき量を計算するばらつき量計算部をさらに備え、前記ばらつき量が閾値を超える場合に、描画処理を中止することを特徴とする請求項1又は2記載の荷電粒子ビーム描画装置。測定された前記複数のマークの位置を記憶する記憶部と、前記ばらつき量が閾値を超えない場合に、前記記憶部に記憶された前記複数のマークの位置を、異常マークが除去された残りの複数のマークの位置に更新する更新部と、をさらに備え、前記アライメント計算部は、更新後の記憶部に記憶された複数のマークの位置を用いて、アライメント計算を行うことを特徴とする請求項1~3いずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置。1層目のパターンと共に複数のマークが形成された基板を載置するステージ上に前記基板が載置された状態で前記複数のマークの位置を荷電粒子ビームで走査して得られる結果から測定する工程と、前記複数のマークの位置の所望位置からのずれ量をN次多項式によりフィッティングして近似式を取得する工程と、前記近似式を用いて前記複数のマークの位置のN次成分の位置ずれ量を補正する工程と、補正後の前記複数のマークの位置のうち異常マークを検出する工程と、検出された異常マークのうち、所定の個数以内の異常マークの位置を除去する工程と、前記所定の個数以内の異常マークが除去された残りの複数のマークの位置を用いて、アライメント計算を行う工程と、アライメントされた位置に2層目のパターンを描画する工程と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。ここで、上述したように、位置精度不良な十字マークパターンを用いてアライメントを行った場合、1層目と2層目のパターンの重ね合わせ精度が劣化してしまうといった問題があった。そこで、単純に、位置精度不良のマークを排除してしまうことも検討されるが、単純に、位置精度不良のマークを排除してしまうだけでは、必要なアライメント精度が得られない恐れがある。そこで、本発明は、上述した問題点を克服し、複数層のパターンを重ねて描画する際に、より高精度なアライメントを実現するための描画装置および方法を提供することを目的とする。本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、1層目のパターンと共に複数のマークが形成された基板を載置するステージと、ステージに基板が載置された状態で複数のマークの位置を荷電粒子ビームで走査して得られる結果から測定するマーク位置測定部と、複数のマークの位置の所望位置からのずれ量をN次多項式によりフィッティングして近似式を取得する取得部と、かかる近似式を用いて複数のマークの位置のN次成分の位置ずれ量を補正する補正部と、補正後の複数のマークの位置のうち異常マークを検出する異常マーク検出部と、検出された異常マークのうち、所定の個数以内の異常マークの位置を除去するマーク除去部と、所定の個数以内の異常マークが除去された残りの複数のマークの位置を用いて、アライメント計算を行うアライメント計算部と、アライメントされた位置に2層目のパターンを描画する描画部と、を備えたことを特徴とする。また、検出された異常マークのずれ量を大きい順にソート処理するソート処理部をさらに備え、マーク除去部は、検出された異常マークのうち、ずれ量の大きい方から順に最大で上述した所定の個数まで異常マークを除去するように構成すると好適である。また、異常マークが除去された残りの複数のマークの位置ずれ量の正規分布に対して所定の割合の確率で上述した残りの複数のマークが含まれるためのばらつき量を計算するばらつき量計算部をさらに備え、ばらつき量が閾値を超える場合に、描画処理を中止するように構成すると好適である。また、測定された複数のマークの位置を記憶する記憶部と、ばらつき量が閾値を超えない場合に、記憶部に記憶された複数のマークの位置を、異常マークが除去された残りの複数のマークの位置に更新する更新部と、をさらに備え、アライメント計算部は、更新後の記憶部に記憶された複数のマークの位置を用いて、アライメント計算を行うと好適である。本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、1層目のパターンと共に複数のマークが形成された基板を載置するステージ上に基板が載置された状態で複数のマークの位置を荷電粒子ビームで走査して得られる結果から測定する工程と、複数のマークの位置の所望位置からのずれ量をN次多項式によりフィッティングして近似式を取得する工程と、かかる近似式を用いて複数のマークの位置のN次成分の位置ずれ量を補正する工程と、補正後の複数のマークの位置のうち異常マークを検出する工程と、検出された異常マークのうち、所定の個数以内の異常マークの位置を除去する工程と、所定の個数以内の異常マークが除去された残りの複数のマークの位置を用いて、アライメント計算を行う工程と、アライメントされた位置に2層目のパターンを描画する工程と、を備えたことを特徴とする。本発明の一態様によれば、複数層のパターンを重ねて描画する際に、より高精度なアライメントを実現できる。その結果、高精度な重ね合わせ位置で複数層のパターンを描画できる。以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム装置の一例として、可変成形型の描画装置について説明する。実施の形態1.図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、主偏向器208、副偏向器209、及び検出器212が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象基板となるマスク等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスクが含まれる。また、試料101には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。或いは、既に形成された1層目のパターン上にレジストが塗布されたマスクが含まれる。制御部160は、制御計算機110、メモリ112、インターフェース回路114、偏向制御回路120、アンプ214、及び磁気ディスク装置等の記憶装置140,142,144を有している。制御計算機110、メモリ112、インターフェース回路114、偏向制御回路120、アンプ214、及び記憶装置140,142,144は、図示しないバスを介して互いに接続されている。制御計算機110内には、測定部10、記録部12、読込部14、補正部16,18、フィッティング処理部20、補正部22、検出部24、ソート処理部26、除去部28、3σ計算部30、判定部32、出力部34、更新部36、アライメント計算部38、描画データ処理部40、及び描画制御部42が配置される。測定部10、記録部12、読込部14、補正部16,18、フィッティング処理部20、補正部22、検出部24、ソート処理部26、除去部28、3σ計算部30、判定部32、出力部34、更新部36、アライメント計算部38、描画データ処理部40、及び描画制御部42といった各機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。測定部10、記録部12、読込部14、補正部16,18、フィッティング処理部20、補正部22、検出部24、ソート処理部26、除去部28、3σ計算部30、判定部32、出力部34、更新部36、アライメント計算部38、描画データ処理部40、及び描画制御部42に入出力される情報および演算中の情報はメモリ112にその都度格納される。偏向制御回路120内には、偏向位置補正部44、及び偏向量演算部46が配置される。偏向位置補正部44、及び偏向量演算部46といった各機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。偏向位置補正部44、及び偏向量演算部46に入出力される情報および演算中の情報は図示しないメモリにその都度格納される。ここで、図1では、実施の形態1を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。例えば、位置偏向用には、主偏向器208と副偏向器209の主副2段の多段偏向器を用いているが、1段の偏向器或いは3段以上の多段偏向器によって位置偏向を行なう場合であってもよい。記憶装置140記憶部には、位相シフトマスク形成用の1層目の実パターンとアライメント用の十字マークパターンの各描画データが外部から入力され、格納されている。また、記憶装置140には、位相シフトマスク形成用の2層目の実パターンの描画データが外部から入力され、格納されている。図2は、実施の形態1におけるマスク形成方法の要部工程を示すフローチャート図である。図2において、実施の形態1におけるマスク形成方法は、1層目描画工程S102と、現像工程S104と、エッチング工程S106と、マーク位置測定工程S108と、マーク位置記録工程S110と、マーク情報読込工程S112と、偏向歪補正工程S114と、ランダム歪補正工程S116と、N次成分フィッティング工程S118と、N次成分補正工程S120と、異常マーク検出工程S122と、ソート処理工程S124と、異常マーク除去工程S126と、残マーク3σ算出工程S128と、判定工程S130と、更新工程S132と、アライメント計算工程S134と、偏向位置補正工程S136と、2層目描画工程S136と、リンス及び現像工程S140と、エッチング工程S142という一連の工程を実施する。かかる工程のうち、現像工程S104と、エッチング工程S106と、リンス及び現像工程S140と、エッチング工程S142以外は、例えば、描画装置100内で実行される。図3は、実施の形態1におけるマスク形成方法の工程断面図である。図3では、1層目描画工程S102からマーク位置測定工程S108の準備段階までを示している。まず、試料101は、ガラス基板60、ハーフトーン膜62、遮光膜64、レジスト膜66を備えている。具体的には、ガラス基板60上にハーフトーン膜62が形成される。ハーフトーン膜62として、例えば、MoSi膜を用いると好適である。ハーフトーン膜62上には、遮光膜64が形成される。遮光膜64として、例えば、クロムCr膜を用いると好適である。遮光膜64上には、電子ビーム用のレジスト膜66が形成される。この段階では、まだ、パターンが何も描画されていないマスクブランクスの状態となる。図3aにおいて、1層目描画工程S102として、試料101の中央部実パターン領域に実パターンとなる1層目のメインパターンを描画する。そして、1層目のメインパターンの周囲のマーク領域に複数の十字マークパターンを描画する。これらのパターンの描画は、描画装置100において行われる。まず、ガラス基板60上にハーフトーン膜62、遮光膜64、レジスト膜66の順でそれぞれの膜が形成された試料101をXYステージ105上に搬送し、載置する。そして、描画データ処理部40は、記憶装置140から1層目の描画データを読み出し、複数段のデータ変換処理を行って、1層目のパターンのショットデータを生成する。描画装置100で図形パターンを描画するためには、1回のビームのショットで照射できるサイズに描画データに定義された各図形パターンを分割する必要がある。そこで、描画データ処理部40は、実際に描画するために、各図形パターンを1回のビームのショットで照射できるサイズに分割してショット図形を生成する。そして、ショット図形毎にショットデータを生成する。ショットデータには、例えば、図形種、図形サイズ、及び照射位置といった図形データが定義される。また、照射量のデータも合わせて生成される。生成されたショットデータおよび照射量のデータは、記憶装置142に記憶される。そして、偏向量演算部46は、ショットデータを記憶装置142から読み出し、各偏向器に印加する偏向量を演算する。図1では、主偏向器208以外への接続を示す構成を省略しているが、各偏向器用にそれぞれ偏向量が演算され、対応する偏向器にかかる偏向量に応じた偏向電圧が印加されることになることは言うまでもない。そして、描画部150は、ショットデータ及び照射量のデータに従って、試料101上に1層目のメインパターンとアライメント用の複数の十字マークパターンを描画する。具体的には、以下のように動作する。電子銃201放出部から放出された電子ビーム200は、照明レンズ202により矩形例えば長方形の穴を持つ第1のアパーチャ203全体を照明する。ここで、電子ビーム200をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第1のアパーチャ203を通過した第1のアパーチャ像の電子ビーム200は、投影レンズ204により第2のアパーチャ206上に投影される。偏向器205によって、かかる第2のアパーチャ206上での第1のアパーチャ像は偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させる可変成形させることができる。そして、第2のアパーチャ206を通過した第2のアパーチャ像の電子ビーム200は、対物レンズ207により焦点を合わせ、主偏向器208及び副偏向器209によって偏向され、連続的に移動するXYステージ105に配置された試料101の所望する位置に照射される。図1では、位置偏向に、主副2段の多段偏向を用いた場合を示している。かかる場合には、主偏向器208で描画領域を仮想分割したサブフィールドSFの基準位置にステージ移動に追従しながら該当ショットの電子ビーム200を偏向し、副偏向器209でSF内の各照射位置にかかる該当ショットのビームを偏向すればよい。図3bにおいて、まず、現像工程S104として、描画装置100から搬送された試料101を現像処理する。これにより、例えば、電子ビーム200が照射された領域のレジストとが除去され、レジストパターンが形成される。次に、エッチング工程S106として、レジストパターンをマスクとして、露出した遮光膜64とハーフトーン膜62をエッチングにより除去する。そして、アッシング等によりレジスト膜を除去することで1層目のメインパターン152とその周囲の複数の十字マークパターン151を形成できる。図3cにおいて、1層目のメインパターン152とその周囲の複数の十字マークパターン151が形成された試料101上にレジスト膜67と帯電防止膜69を形成して、2層目のパターンを描画するための試料101を準備する。図4は、実施の形態1における1層目のメインパターンとその周囲の複数の十字マークパターンが形成された試料の一例を示す上面図である。図4において、実パターン領域50には、1層目の実パターンメインパターンが形成されている。また、メインパターンを取り囲むように、メインパターンの周囲に複数の十字マークパターン52が形成されている。ここで、図4に示すように、複数の十字マークパターン52のうち、閾値を超える位置ずれを示す異常マーク54が形成される場合がある。異常マーク54の数は、1つの場合もあれば、複数の場合もあり得る。図4では、一例として、3つの異常マーク54が示されている。実際には、もっと多くの異常マークが存在するものと想定される。ここで、実施の形態1では、2層目のパターンを重ねるためのアライメントを行う際に、複数の十字マークパターンから異常マークパターンを最大で設定除去数まで排除して計算することで、アライメント精度を向上させる。さらに、実施の形態1では、異常マークパターンを排除した後の残りの十字マークパターンの位置情報を用いることでアライメント精度が許容精度を維持できるかどうかも合わせて評価する。以下、順を追って説明する。マーク位置測定工程S108として、まず、図3に示した2層目のパターンを描画するための試料101を描画装置100のXYステージ105上に搬送する。そして、測定部10は、XYステージ105に試料101基板が載置された状態で異常マーク54も含むすべての複数の十字マークパターン52の位置を電子ビーム200で走査して得られる結果から測定する。測定部10は、マーク位置測定部の一例である。図5は、実施の形態1における測定手法を説明するための概念図である。描画装置100内で主偏向器208或いは副偏向器209或いはその両方を使って電子ビーム200を偏向することで、マーク位置上を走査ビームスキャンする。十字マークパターンの位置では、帯電防止膜69とレジスト膜67の他は、ガラス基板60となっている。一方、周囲は遮光膜64が形成されている。よって、十字マークパターン以外では、電子ビーム200が帯電防止膜69とレジスト膜67を通過して、遮光膜64で反射して、反射電子が生じる。一方、十字マークパターンでは、遮光膜64やハーフトーン膜62が存在しないので、そのままガラス基板60を電子ビームが通過してしまう。よって、反射電子を検出することで十字マークパターンの位置を測定できる。或いは、遮光膜64で反射される反射電子とガラス基板60で反射される反射電子とのコントラストにより十字マークパターンの位置を測定できる。反射電子は、検出器212で検出され、そのアナログ出力がアンプ214で増幅され、デジタル信号として測定部10に出力される。また、各マークの位置を測定する際、測定対象のマークを電子ビーム200で走査可能な位置に、マーク毎にXYステージ105を移動させればよい。マーク位置記録工程S110として、記録部12は、測定された各マークの位置情報マーク情報を記憶装置144に記録する。図6は、実施の形態1における十字マークパターン位置の測定結果から得られる位置ずれ量の一例と位置ずれ成分の一例とを示す図である。測定された十字マークパターンは、位置がずれて測定される。図6aでは、十字マークパターンの位置ずれ量と1層目のメインパターンの位置ずれ量とを含めた座標系の位置ずれの一例を示している。かかる座標系、言い換えれば十字マークパターンに位置ずれを生じさせる要因として、まず、描画装置100の光学系に起因する電子ビームの偏向歪みが挙げられる。そのため、描画装置100では、描画前に予めかかる偏向歪みの量を実験により求めておく。例えば、XYステージ105上の図示しないマークを主偏向器208で電子ビームを偏向しながら走査する。主偏向領域内の複数の位置で測定し、偏向位置に依存した偏向歪みの量を求めておけばよい。そして、得られた複数の偏向歪みの量を多項式でフィッティングして、図6bに示すように、偏向位置の座標x,yを変数とする偏向歪みの量fx,yを求めておく。ここで、かかるfx,yでは定義しきれない一部の箇所での偏向歪みの量も存在する。かかるfx,yでは定義しきれないランダムな偏向歪みの量については、図6cに示すように、偏向位置の座標x,yに相関させたマップによる偏向歪み量gx,yを求めておく。このように描画前に予め求めておいたfx,y、及びgx,yの情報は、パラメータの一部として、描画装置100内に外部から入力しておく。また、図6dに示すように、十字マークパターンの位置ずれ量を多項式でフィッティングした際の、座標x,yにおけるN次成分誤差Lx,yが存在する。例えば、試料101をXYステージ105に搬送し、載置する際の配置位置のずれx,y方向へのずれ、及び回転ずれや、十字マークパターンの位置を測定した際の縮尺誤差等もある。このようなx,y方向へのずれといった0次成分や回転ずれ及び縮尺等の1次成分の誤差等がある。その他に、図6eに示す、ビームスキャン自身のばらつきによる誤差px,yや、図6fに示す、その他の補正残差成分qx,yが存在する。そこで、まず、マーク情報読込工程S112として、読込部14は、記憶装置144から測定された複数の十字マークパターンの各位置情報を読み込む。偏向歪補正工程S114として、補正部16は、十字マークパターン毎に、偏向歪みの量fx,yを補正する。続いて、ランダム歪補正工程S116として、補正部18は、十字マークパターン毎に、偏向歪みの量gx,yを補正する。N次成分フィッティング工程S118として、フィッティング処理部20は、複数のマークの位置の所望位置例えば、設計位置からのずれ量をN次多項式によりフィッティングして近似式を取得する。フィッティング処理部20は、取得部の一例である。具体的には、フィッティング処理部20は、上述した偏向歪みの量fx,y、及びランダムな偏向歪み量gx,yが補正された各マーク位置に対して、N次成分誤差Lx,yを補正するため、N次の多項式でフィッティングする。例えば、以下に示す1次の多項式1でフィッティングする。ここでは、x方向のN次成分誤差をΔxと示し、y方向のN次成分誤差をΔyと示す。1Δx=a0a1xa2y,Δy=b0b1xb2yN次成分補正工程S120として、補正部22は、得られた近似式を用いて複数のマークの位置のN次成分誤差Lx,yN次成分の位置ずれ量を補正する。図7は、実施の形態1におけるN成分誤差までが補正されたマーク位置の一例を示す図である。図7bに示す各十字マークパターンが測定された結果となる補正前の状態での位置ずれ量から、図7cに示す偏向歪みの量fx,yと図7dに示す偏向歪みの量gx,yと図7eに示すN次成分誤差Lx,yとを差し引くことで、図7aに示すような誤差px,yと補正残差成分qx,yとが残った状態にまで補正できる。実施の形態1では、それぞれ測定されたマーク位置の結果に対して、上述した偏向歪みの量fx,y、ランダムな偏向歪み量gx,y、及びN次成分誤差Lx,yを補正した上で、複数の十字マークパターンの中から不良位置に形成された異常マークパターンを検出する。偏向歪みの量fx,y、ランダムな偏向歪み量gx,y、及びN次成分誤差Lx,yを補正後のマーク位置を用いることで、位置不良の異常マークパターンを正しく検出できる。異常マーク検出工程S122として、検出部24は、上述した補正後の複数のマークの位置のうち異常マークを検出する。検出部24は、異常マーク検出部の一例である。具体的には、閾値を設定し、検査対象となる十字マークパターンが周辺の他の十字マークパターンに対して相対的に閾値以上ずれているかどうかで判定する。例えば、30nm以上ずれているかどうかで判定する。例えば、同じ方向に向かって順に複数の十字マークパターンが配列している場合に、その方向線上から閾値以上ずれているかどうかで判定できる。ここで、周辺の他の十字マークパターンも位置がずれていることも想定されるが、判定に用いる周辺の他の十字マークパターンの母数を多くすることで平均化できる。よって、その平均位置からのずれ量で判定すると好適である。ここで、かかる検出により、複数の異常マークが検出されることがあり得る。しかし、そのまま、検出されたすべての異常マークの位置情報を以降の計算から除去してしまうと、残りの十字マークパターンの母数が少なくなってしまう。そこで、実施の形態1では、除去する異常マークの数を限定する。ソート処理工程S124として、ソート処理部26は、検出された異常マークのずれ量を大きい順にソート処理する。図8は、実施の形態1におけるソート処理されたマーク位置の一例を示す図である。図8に示すように、ずれ量の大きい方から小さい方に向かって、検出された異常マークを並べる。異常マーク除去工程S126として、除去部28は、検出された異常マークのうち、設定された除去数所定の個数以内の異常マークの位置を除去する。除去部28は、マーク除去部の一例である。具体的には、除去部28は、検出された異常マークのうち、ずれ量の大きい方から順に最大で設定された除去数まで異常マークを除去する。除去数は、パラメータの一部として、予め、描画装置100に設定しておけばよい。図9は、実施の形態1における異常マークの除去を説明するための概念図である。図9aでは、試料101に実パターン領域50に1層目のメインパターンが形成され、実パターン領域50の周囲に1層目に形成された異常マーク54を含む複数の十字マークパターン52が示されている。これに対して、図9bでは、異常マーク除去工程S126で異常マーク54が除去された後に採用される十字マークパターン52が示されている。なお、試料101上から異常マーク54が物理的に除去されるのではなく、以降の各工程を実施する際の計算上から異常マーク54の位置情報を排除するという意味であることは言うまでもない。残マーク3σ算出工程S128として、ばらつき量計算部は、異常マークが除去された残りの複数のマークの位置ずれ量の正規分布に対して所定の割合の確率で残りの複数のマークが含まれるためのばらつき量を計算する。ここでは、一例として、3σ計算部30が、残りの複数のマークの位置ずれ量の3σを計算する。3σは、残りの複数のマークが97の確率で含まれるためのばらつき量平均値からの位置ずれ量となる。或いは、残りの複数のマークの最大位置ずれ量を求めてもよい。判定工程S130として、判定部32は、ばらつき量3σが閾値αを超えるかどうかを判定する。そして、閾値αを超える3σ>α場合に、描画制御部42は、描画処理を中止する。そして、出力部34は、その結果を、インターフェース回路114を介して出力する。例えば、図示しないモニタに出力する。或いは図示しない表示ランプ等に出力するとよい。また、判定部32は、ばらつき量3σが閾値α以下であっても他の閾値βを超えるかどうかを判定する。閾値α以下であっても他の閾値βを超えるβ<3σ≦α場合に、出力部34は、その結果を、インターフェース回路114を介して警告情報として出力する。例えば、図示しないモニタに出力する。或いは図示しない表示ランプ等に出力するとよい。例えば、α=30nm、β=20nm以上のように、実施の形態1では、異常マークが排除された残りの十字マークパターンの精度が、2層目のパターンのためのアライメントに使用可能かどうかを評価する。そして、許容精度を満たさない場合には、描画処理を中止することで無駄なマシンタイムを削減できる。また、無駄な2層目の描画にかかるコストも削減できる。また、一定以上の位置ずれが生じた場合には、警告を出力することで、ユーザに対して、描画処理を継続するかどうかを選択させることができる。ここで、メインパターンの周囲の一部の十字マークパターン群が仮に同方向にそれぞれ位置ずれを起こしていた場合、上述した異常マーク除去工程S126では、相対位置を検出しているのでかかる十字マークパターン群の中から異常マークを検出することが困難である。一方、残りの複数のマークの母数が多ければ多いほど、全体での位置ずれ量は平均値される。よって、異常マーク除去工程S126で異常マークの除去数を制限することで、母数を一定以上に保つことができる。そして、母数を一定以上に保った状態で3σを計算することで、同方向にそれぞれ位置ずれを起こしていた十字マークパターン群の評価も可能にできる。そのため、異常マークの除去数を制限することで残りの十字マークパターンの評価精度を向上できる。更新工程S132として、更新部36は、ばらつき量が閾値αを超えない場合に、記憶装置144に記憶された複数のマークの位置を、異常マークが除去された残りの複数のマークの位置に更新する。ここで、残りの複数のマークの位置情報は、上述した偏向歪みの量fx,y、及びランダムな偏向歪み量gx,yを補正後の位置情報マーク情報を用いると好適である。以上のように構成することで、異常マークパターンの位置情報を所定数以内で排除でき、かつ、残りの十字マークパターンの位置精度も一定以上であるかどうかも評価できる。よって、かかる評価に合格した残りの十字マークパターンの位置情報を用いることで、より、高精度なアライメント計算を可能にできる。アライメント計算工程S134として、アライメント計算部38は、設定された除去数以内の異常マークが除去された残りの複数のマークの位置を用いて、アライメント計算を行う。具体的には、アライメント計算部38は、更新後の記憶装置144に記憶された複数のマークの位置を用いて、アライメント計算を行う。アライメント計算部38は、例えば、更新後の各マーク位置に対して、N次成分誤差Nx,yを補正するため、N次の多項式でフィッティングする。例えば、上述した式1でフィッティングする。これにより、x方向のN次成分誤差をΔxと、y方向のN次成分誤差をΔyとを求めるための式1の各係数を得ることができる。得られた係数は偏向位置補正部44に出力される。図10は、実施の形態1におけるアライメント計算を説明するための図である。図10aに示すマーク測定結果から、図10bに示す偏向歪みの量fx,yと図10cに示す偏向歪みの量gx,yとが差し引かれた後のマーク情報からアライメント計算を行なうと良い。言い換えれば、図10dに示すN次成分誤差Lx,yと誤差px,yと補正残差成分qx,yとが残った状態のマーク情報から図10eに示すアライメント用のN次成分誤差Nx,yを補正するため多項式の係数を求める。一方、上述した十字マークパターンの評価等を行なう処理と並行して、2層目のパターンの描画データの変換処理を行う。具体的には、描画データ処理部40は、記憶装置140から2層目の描画データを読み出し、複数段のデータ変換処理を行って、2層目のパターンのショットデータを生成する。また、照射量のデータも合わせて生成される。生成されたショットデータおよび照射量のデータは、記憶装置142に記憶される。偏向位置補正工程S136として、偏向位置補正部44は、ショットデータを記憶装置142から読み出し、式1の各係数を入力し、ショットデータの各位置を式1で得られるアライメント補正量Δx,Δyで補正する。また、図示しない別の構成によって、ショットデータの各位置を上述した偏向歪みの量fx,y、及びランダムな偏向歪み量gx,yで補正してもよい。或いは、偏向位置補正部44は、ショットデータの各位置から、上述した偏向歪みの量fx,y、及びランダムな偏向歪み量gx,yの分も合わせて補正しても良い。図11は、実施の形態1におけるマスク形成方法の工程断面図である。図11では、2層目描画工程S136からエッチング工程S142までを示している。図11aにおいて、2層目描画工程S136として、偏向量演算部46は、アライメントされたショットデータの位置に電子ビームが照射されるように、各偏向器に印加する偏向量を演算する。図1では、主偏向器208以外への接続を示す構成を省略しているが、各偏向器用にそれぞれ偏向量が演算され、対応する偏向器にかかる偏向量に応じた偏向電圧が印加されることになることは言うまでもない。そして、描画部150は、ショットデータ及び照射量のデータに従って、試料101上のアライメントされた位置に2層目の実パターンメインパターンを描画する。図11bにおいて、まず、リンス及び現像工程S140として、描画装置100から搬送された試料101をまずリンス処理にて帯電防止膜69を水で洗い流し、その後に現像処理を行う。これにより、帯電防止膜69と、例えば、電子ビーム200が照射された領域のレジストとが除去され、レジストパターンが形成される。次に、エッチング工程S142として、レジストパターンをマスクとして、露出した遮光膜64をエッチングにより除去する。そして、アッシング等によりレジスト膜を除去することで2層目のメインパターンを形成できる。以上のようにして、位相シフトマスクを形成できる。以上のように、実施の形態1によれば、複数層のパターンを重ねて描画する際に、より高精度なアライメントを実現できる。その結果、合わせずれによる描画精度の劣化を低減できる。よって、高精度な重ね合わせ位置で複数層のパターンを描画できる。そのため、合わせずれによるマスク損失も低減できる。また、残りのマークの精度も評価するため、無駄な描画時間を削減できる。以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置100を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置及び方法は、本発明の範囲に包含される。"