陰極基板と、グリッドと、第一絶縁層と、陰極電極と、電子放出層と、を含む電界放出陰極素子において、前記グリッドは前記陰極基板の一つの表面に設置され、且つ前記第一絶縁層は、前記グリッドの、前記陰極基板に隣接する表面とは反対の表面に設置され、前記第一絶縁層に第一透過孔が設置されており、前記陰極電極には第二透過孔が設置されており、且つ前記陰極電極は、前記第一絶縁層の、前記陰極基板に隣接する表面とは反対の表面に設置され、前記グリッドと間隔を有して設置されており、前記電子放出層は、前記第二透過孔に隣接するように、前記陰極電極の、前記陰極基板に対向する表面とは反対の表面に設置され、且つ前記陰極電極に電気的に接続され、前記第一透過孔と前記第二透過孔とは対応して設置され、且つ相互に貫通し、前記グリッドの、前記陰極基板に隣接する表面とは反対の表面の一部を露出させることを特徴とする電界放出陰極素子。前記電子放出層は環形であり、該電子放出層に第三透過孔が設置され、且つ該第三透過孔が前記第一透過孔及び前記第二透過孔に対応して設置され、相互に貫通していることを特徴とする、請求項1に記載の電界放出陰極素子。陰極基板と、複数のグリッドと、複数の陰極電極と、第一絶縁層と、第二絶縁層と、複数の環形の電子放出層と、集束電極と、陽極基板と、陽極電極と、複数の蛍光層と、を含む電界放出表示装置において、前記複数のグリッドは、相互に平行に間隔を有して前記陰極基板の一つの表面に設置され、前記複数の陰極電極は、相互に平行に間隔を有して設置され、且つ前記複数のグリッドとは、相互に垂直に交叉して、複数の格子を形成し、一つの前記格子は、一つの画素と定義され、各々の前記画素に対応して、前記陰極電極に、複数の第二透過孔が設置され、前記第一絶縁層は、前記複数のグリッドと前記複数の陰極電極との間に設置され、各々の前記画素に対応して、前記第一絶縁層に、複数の第一透過孔を設置し、且つ前記第一透過孔と前記第二透過孔とが貫通し、前記グリッドの、前記陰極基板に隣接する表面とは反対の表面の一部を露出させ、前記第二絶縁層には複数の第五透過孔が設置されており、且つ該第二絶縁層は前記陰極電極の、前記第一絶縁層に隣接する表面とは反対の表面に設置され、前記複数の第五透過孔がそれぞれ前記複数の画素に対応して、且つ前記第五透過孔の内径が前記第二透過孔の内径より大きく、前記第二透過孔に隣接するように、前記陰極電極の、前記第一絶縁層に隣接する表面とは反対の表面の一部を露出させ、前記電子放出層は、前記複数の第二透過孔に対応して設置され、且つ前記第二透過孔に隣接するように、前記陰極電極の、前記第一絶縁層に隣接する表面とは反対の表面に設置され、前記集束電極は、前記第二絶縁層の、前記陰極電極に隣接する表面とは反対の表面に設置され、前記各々の画素に対応して、前記集束電極が第四透過孔を有し、且つ前記第四透過孔と前記第五透過孔とが貫通し、前記陽極基板は、前記陰極基板に対向して、相互に間隔を置いて設置され、前記陽極基板及び前記陰極基板の間には、真空空間が形成され、前記陽極電極は、前記陽極基板の、前記陰極基板に対向する表面に設置され、前記複数の蛍光層は、前記陽極電極の、前記陰極基板に対向する表面に設置され、且つ前記複数の環形の電子放出層に対応していることを特徴とする電界放出表示装置。しかしながら、前記電界放出表示装置30が作動する場合、前記グリッド層308の生じた電界は前記陰極層312の周辺から前記電子放出層316の、前記蛍光層322に対する表面に与えられる。従って、前記電子放出層316は、主に辺縁部から電子を放出する。これにより、画素点の発光は不均一であり、円環形の表示効果を生成する図10を参照。したがって、前記の課題を解決するために、画素点の発光が均一であるグリッドを備えた電界放出陰極素子及びそれを利用した電界放出表示装置を提供することが必要となる。本発明の電界放出陰極素子は、陰極基板と、グリッドと、第一絶縁層と、陰極電極と、電子放出層と、を含む。前記グリッドは前記陰極基板の一つの表面に設置され、前記第一絶縁層に第一透過孔が設置され、且つ前記第一絶縁層が、前記グリッドの、前記陰極基板に隣接する表面とは反対の表面に設置される。前記陰極電極に第二透過孔が設置され、且つ前記陰極電極は、前記第一絶縁層の、前記陰極基板に隣接する表面とは反対の表面に設置され、前記グリッドと間隔を有して設置される。前記電子放出層は、前記第二透過孔に隣接するように、前記陰極電極の、前記陰極基板に対向する表面とは反対の表面に設置され、且つ前記陰極電極に電気的に接続される。前記第一透過孔と前記第二透過孔とは対応して設置され、且つ相互に貫通し、前記グリッドの表面の一部を露出させる。前記電界放出陰極素子において、前記電子放出層は環形であり、該電子放出層に第三透過孔が設置され、且つ該第三透過孔が前記第一透過孔及び前記第二透過孔に対応して設置され、相互に貫通する。本発明の電界放出陰極素子を利用した電界放出表示装置は、陰極基板と、複数のグリッドと、複数の陰極電極と、第一絶縁層と、第二絶縁層と、複数の環形の電子放出層と、集束電極と、陽極基板と、陽極電極と、複数の蛍光層と、を含む。前記複数のグリッドは、相互に平行に間隔を有して前記陰極基板の一つの表面に設置される。前記複数の陰極電極は、相互に平行に間隔を有して設置され、且つ前記複数のグリッドとは、相互に垂直に交叉して、複数の格子を形成し、一つの前記格子は、一つの画素と定義され、各々の前記画素に対応して、前記陰極電極に、複数の第二透過孔が設置される。前記第一絶縁層は、前記複数のグリッドと前記複数の陰極電極との間に設置され、各々の前記画素に対応して、前記第一絶縁層に、複数の第一透過孔を設置し、且つ前記第一透過孔と前記第二透過孔とが貫通し、前記グリッドの一部を露出させる。前記第二絶縁層には複数の第五透過孔が設置されており、該第二絶縁層は前記陰極電極の、前記第一絶縁層に隣接する表面とは反対の表面に設置される。前記複数の第五透過孔がそれぞれ前記複数の画素に対応して、且つ前記第五透過孔の内径が前記第二透過孔の内径より大きく、前記第二透過孔に隣接するように、前記陰極電極の、前記第一絶縁層に隣接する表面とは反対の表面の一部を露出させる。前記電子放出層は、前記複数の第二透過孔に対応して設置され、且つ前記第二透過孔に隣接するように、前記陰極電極の、前記第一絶縁層に隣接する表面とは反対の表面に設置される。前記集束電極は、前記第二絶縁層の、前記陰極電極に隣接する表面とは反対の表面に設置され、前記各々の画素に対応して、前記集束電極が第四透過孔を有し、且つ前記第四透過孔と前記第五透過孔とが貫通する。前記陽極基板は、前記陰極基板に対向して、相互に間隔を置いて設置され、前記陽極基板及び前記陰極基板の間には、真空空間が形成される。前記陽極電極は、前記陽極基板の、前記陰極基板に対向する表面に設置される。前記複数の蛍光層は、前記陽極電極の、前記陰極基板に対向する表面に設置され、且つ前記複数の環形の電子放出層に対応している。従来の技術と比べると、本発明の電界放出陰極素子及びそれを利用した電界放出表示装置において、第一絶縁層は第一透過孔を有し、陰極電極は第二透過孔を有する。前記第一透過孔が前記第二透過孔に応して設置され、且つ相互に貫通するので、前記グリッドの、前記第一透過孔及び前記第二透過孔に対応する表面を露出させる。前記電子放出層は、前記第二透過孔に隣接するように、前記陰極電極の、前記第一絶縁層に隣接する表面とは反対の表面に設置され、従って、前記グリッド及び前記陰極電極の間で生じた電場が、前記第二透過孔によって、前記電子放出層の、前記陰極電極に隣接する表面とは反対の表面に与えられる。これにより、前記環形の電子放出層から電子を放出させて、均一に発光する画素点が得られる。図面を参照しつつ、本発明の実施例について説明する。本実施例1図1を参照すると、本実施例の電界放出表示装置10は、電界放出陰極素子100と、陽極基板102と、陽極電極120と、蛍光層122と、を含む。前記電界放出陰極素子100は、陰極基板104と、グリッド108と、第一絶縁層110と、陰極電極112と、電子放出層116と、集束電極118と、を含む。前記陽極基板102は、前記陰極基板104に対向して、相互に間隔を置いて設置される。前記陽極基板102及び前記陰極基板104の間には、真空空間106が形成されている。前記グリッド108、前記第一絶縁層110、前記陰極電極112、前記電子放出層116、前記集束電極118、及び前記蛍光層122は前記真空空間106の内に設置される。前記グリッド108は、前記陰極基板104の、前記陽極基板102に対向する表面に設置される。前記第一絶縁層110は、前記グリッド108の、前記陰極基板104に隣接する表面とは反対の表面に設置される。前記陽極基板102と対向する前記第一絶縁層110に、第一透過孔1102を設置して、前記グリッド108の、該第一透過孔1102に対する表面を露出させる。前記陰極電極112は、前記第一絶縁層110の、前記陰極基板104に対向する表面とは反対の表面に設置される。該陰極電極112には、第二透過孔1122が設置されている。前記陰極電極112は、前記第一絶縁層110によって、前記グリッド108と間隔を有して設置される。前記第二透過孔1122と前記第一透過孔1102とは対応して貫通している。前記電子放出層116は、前記陰極電極112の、前記陰極基板104に対向する表面とは反対の表面に設置され、且つ前記陰極電極112に電気的に接続されている。前記電子放出層116は、前記陰極電極112の、前記第一絶縁層110に隣接する表面とは反対の表面に設置されることが好ましい。前記電子放出層116には、第三透過孔1162が形成されている。該第三透過孔1162と前記第二透過孔1122とは、対応して貫通している。前記陽極電極120は、前記陽極基板102の、前記陰極基板104と対向する表面に設置される。前記蛍光層122は、前記陽極電極120の前記陰極基板104と対向する表面に設置される。前記集束電極118は、前記陰極電極112と前記陽極電極120との間に設置される。前記集束電極118に第四透過孔1182を形成することにより、前記陰極電極112及び電子放出層116の表面の一部を露出させる。前記陰極基板104の材料は、シリコン、ガラス、プラスチック及びポリマーのいずれか一種である。前記陰極基板104の形状及び厚さは制限されない。その形状は正方形または長法形であることが好ましい。本実施例において、前記陰極基板104は、正方形のガラス板である。前記グリッド108は導電材料からなり、その厚さ及び寸法が制限されない。前記グリッド108は、前記陰極基板104の一つ表面に設置され、前記第一透過孔1102によって、露出される。開始電圧を下げるために、前記グリッド108の、前記第一透過孔1102に対応する領域に、突起構造を形成することもできる。前記グリッド108の材料は純金属、合金、ITOまたは導電ペーストであることができる。前記陰極基板104がシリコン片である場合、前記グリッド108は、ドープシリコン層である。本実施例において、前記グリッド108はアルミニウム膜であり、その厚さが20μmである。該アルミニウム膜は、マグネトロンスパッタリング法により前記陰極基板104の表面に堆積される。前記陰極電極112と前記グリッド108との間の電気絶縁を保持させるために、前記陰極電極112と前記グリッド108との間に前記第一絶縁層110を設置する。前記第一絶縁層110は、ポリマー、フォトレジスト、ガラス、セラミックス、絶縁性酸化物及びそれらの混合物のいずれか一種からなる。前記絶縁性酸化物は、二酸化シリコン、酸化アルミニウムまたは酸化ビスマスである。前記第一絶縁層110の形状及び厚さは制限されない。更に、該第一絶縁層110は、直接前記陰極基板104の一つの表面に設置されるか、または、直接前記グリッド108の、前記陰極基板104に隣接する表面とは反対の表面に設置される。前記第一絶縁層110は前記第一透過孔1102を有する層状構造体である。本実施例において、前記第一絶縁層110は、ガラス板の表面に設置されるフォトレジストであり、その厚さが100μmである。前記第一絶縁層110は円形の第一透過孔1102を有する。前記グリッド108は、前記第一絶縁層110と前記陰極基板104との間に設置され、且つ前記第一透過孔1102を被覆する。前記陰極電極112は導電層であり、前記第一絶縁層110の、前記陰極基板104に対向する表面とは反対の表面に設置される。該陰極電極112の材料は純金属、合金、ITOまたは導電ペーストであることができる。前記陰極電極112の厚さ及び寸法は制限されない。具体的に、前記陰極電極112は、第二透過孔1122を有する層状構造体である。前記第二透過孔1122は、前記第一透過孔1102に対応して設置され、相互に貫通する。好ましくは、前記第二透過孔1122と前記第一透過孔1102とは同軸に設置され、且つ同じ孔径を有する。前記陰極電極112は前記第二透過孔1122を有するので、前記グリッド108及び前記陰極電極112の間で生じた電場が、前記第一透過孔1102及び前記第二透過孔1122を透過して、前記電子放出層116の、前記陰極電極112に隣接する表面とは反対の表面に与えられ、前記電子放出層116から電子が放出される。本実施例において、前記陰極電極112はアルミニウムの導電層であり、且つ円状の第二透過孔1122を有する。更に、図2を参照すると、前記電子放出層116は、前記第二透過孔1122に隣接するように、前記陰極電極112の、前記第一絶縁層110に隣接する表面とは反対の表面に設置される。該電子放出層116は、前記陽極電極120に対向して、第三透過孔1162を有して、環形の構造体である。前記第四透過孔1182によって、電子放出層116の前記陰極電極112に隣接する表面とは反対の表面の一部又は全部が露出される。前記電子放出層116は円環形であることが好ましい。前記第三透過孔1162は、前記第二透過孔1122及び前記第二透過孔1102に対応して設置され、且つ相互に貫通する。即ち、前記第三透過孔1162、前記第二透過孔1122及び前記第二透過孔1102は、同じ孔径を有する。これにより、前記グリッド108及び前記陰極電極112の間で生じた電場が、前記第二透過孔1122を透過して、前記電子放出層116の、前記陰極電極112に隣接する表面とは反対の表面に加えられ、前記電子放出層116から電子が放出される。前記電子放出層116は、複数のエミッタを含む。前記エミッタは、例えば、カーボンナノチューブ、ナノカーボンファイバー又はシリコンナノワイヤであることができる。更に、イオン衝撃を防止するために、前記電子放出層116の、前記陰極電極112に隣接する表面とは反対の表面に保護層を設置することができる。前記保護層は、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム及び硼化ランタンのいずれか一種または多種からなる。本実施例において、前記電子放出層116は、環形のカーボンナノチューブペースト層である。該カーボンナノチューブペースト層は、カーボンナノチューブ、低融点ガラスフリット及び有機キャリヤーを含む。カーボンナノチューブペースト層を加熱させた後、前記有機キャリヤーは蒸発し、且つ前記ガラスフリットは溶化する。前記溶化したガラスフリットによって、前記カーボンナノチューブを前記陰極電極112の、前記第一絶縁層110に隣接する表面とは反対の表面に固定させることができる。前記集束電極118は、金属メッシュまたは導電層であり、前記陰極電極112と前記陽極電極120との間に設置される。前記集束電極118は、前記第四透過孔1182を有するので、該第四透過孔1182によって、前記陰極電極112の、前記第一絶縁層110に隣接する表面とは反対の表面の一部を露出させる。前記集束電極118と前記陰極電極112との間の電気絶縁を保持させるために、第二絶縁層114が、それらの間に設置される。前記第二絶縁層114の材料は前記第一絶縁層110の材料と同じであり、その厚さ及び形状は、実際の応用に応じて選択することができる。前記第二絶縁層114は第五透過孔1142を有し、前記陰極電極112の、前記第一絶縁層110に隣接する表面とは反対の表面に設置される。前記第五透過孔1142と前記第四透過孔1182とが貫通して、前記陰極電極112の、前記第二透過孔1122に隣接する表面の一部を露出させる。これにより、前記電子放出層116の露出した領域を、直接前記陽極基板102に対向させることができる。本実施例において、前記第四透過孔1182と前記第五透過孔1142とが同軸に設置され、且つ同じ孔径を有する。前記集束電極118は自立構造を有する金属メッシュである場合、該束電極118を前記陰極電極112と前記陽極電極120との間に懸架して設置されることができる。前記集束電極118の材料は、純金属、合金、ITOまたは導電ペーストであることができる。その厚さ及び寸法は、実際の応用に応じて選択することができる。前記集束電極118を設置することにより、前記電子放出層116から放出する電子を集束させることができる。前記陽極基板102は透明な基板であり、その形状及び厚さは制限されない。前記陽極基板102は正方形または長方形であることが好ましい。前記陽極基板102及び前記陰極基板104の間の周辺に絶縁テープ図示せずを設置して、真空処理により、前記真空空間106が形成される。本実施例において、前記陽極基板102は正方形のガラス板である。前記陽極電極120は、透明な導電層であり、その材料がカーボンナノチューブ、ITO膜又はアルミニウム膜であることができる。その形状及び厚さが制限されなく、実際の応用に応じて選択することができる。本実施例において、前記陽極電極120は、厚さが100μmのITO膜である。前記蛍光層122は、前記陽極電極120の、前記陽極基板102に隣接する表面とは反対の表面、又は、前記陽極電極120と前記陽極基板102との間に設置される。その形状及び厚さが制限されなく、実際の応用に応じて選択することができる。前記蛍光層122の形状は円形で、その直径R122図示せずと、前記電子放出層116の内径r116図示せず及び外径R116図示せずとの関係が次の式ように示されている。r116≦R122≦R116式1本実施例において、前記蛍光層122は、円形で、前記蛍光層122の直径R122が前記電子放出層116の外径R116と同じである。前記電界放出表示装置10が作動する場合、前記陰極電極112を接地し、前記グリッド108に正電圧V110V≦V1≦100Vを印加し、前記陽極電極120に正電圧V2500V≦V2≦5000Vを印加し、前記集束電極118に負電圧V35V≦V3≦50Vを印加すると、前記グリッド108及び前記陰極電極112の間で生じた電場が前記電子放出層116の、前記陰極電極112に隣接する表面とは反対の表面に与えられ、前記電子放出層116から電子が放出される。前記陽極電極120及び前記陰極電極112で生じた電場により、電子は前記陽極電極120に向けて飛び、電子ビーム124が形成される。前記集束電極118に負電圧を印加するので、該負電圧が電子を排斥して、前記集束電極118で前記電子ビーム124を集束させることができる。さらに、前記電界放出表示装置10は、二次電子放出層126を含むこともできる。前記二次電子放出層126により、前記電界放出陰極素子100の電子放出率を高めることができる。前記二次電子放出層126は、前記第一透過孔1102によって露出された、前記グリッド108の、前記陰極基板104に隣接する表面とは反対の表面に設置される。前記二次電子放出層126の材料は、酸化マグネシウム、酸化ベリリウム、フッ化マグネシウム、フッ化ベリリウム、酸化セシウム及び酸化バリウムのいずれか一種又は多種であり、その厚さ及び寸法は、実際の応用に応じて選択することができる。前記二次電子放出層126は、コーティング法、電子ビーム蒸着法、熱蒸着法、又はマグネトロンスパッタ法などの方法により、前記グリッド108の、前記陰極基板104に隣接する表面とは反対の表面に設置される。二次電子放出率を高めるために、前記二次電子放出層126の、前記グリッド108の、前記陰極基板104に対向する表面とは反対の表面には、凹凸構造を形成することができる。本実施例において、前記陽極電極120は、厚さが100μmのITO膜でり、前記二次電子放出層126は、厚さが5μmの酸化バリウム膜である。図3を参照すると、本実施例において、前記電界放出表示装置10は複数の画素単位図示せずを有する。具体的には、該電界放出表示装置10は、陰極基板104と、複数の帯状のグリッド108と、第一絶縁層110と、複数の帯状の陰極電極112と、複数の円環形の電子放出層116と、集束電極118と、陽極基板102と、陽極電極120と、複数の円形の蛍光層122と、を含む。前記複数の帯状のグリッド108は、相互に平行して等間隔で、前記陰極基板104の一つの表面に設置される。前記複数の帯状の陰極電極112は、相互に平行して等間隔で設置される。前記複数の帯状の陰極電極112と前記複数の帯状のグリッド108とは、相互に垂直に交叉して、複数の格子が形成されている。一つの前記格子は、一つの画素と定義される。各々の前記画素に対応して、前記陰極電極112に、複数の第二透過孔1122を設置している。前記第一絶縁層110は、前記複数の帯状の陰極電極112と前記複数の帯状のグリッド108との間に設置されている。各々の前記画素に対応して、前記第一絶縁層110に、複数の第一透過孔1102を設置している。更に、前記第一絶縁層110は、間隔を置いて設置される複数の絶縁テープであることもできる。前記絶縁テープの形状は、前記帯状のグリッド108の、または前記帯状の陰極電極112の形状と同じであることが好ましい。前記複数の第一透過孔1102と前記複数の第二透過孔1122とは相互に貫通して設置され、前記グリッド108を露出させる。前記第二絶縁層114は、前記複数の帯状の陰極電極112の、前記第一絶縁層110に隣接する表面とは反対の表面に設置される。前記第二絶縁層114には、複数の第五透過孔1142が設置され、該複数の第五透過孔1142がそれぞれ前記複数の画素に対応している。前記複数の第五透過孔1142により、前記電子放出層116の、前記陰極電極112に隣接する表面とは反対の表面の一部を露出させる。更に、前記第二絶縁層114は、間隔を置いて設置される複数の絶縁テープであることもできる。その形状は、前記帯状の陰極電極112の形状と同じであることが好ましい。前記複数の円環形の電子放出層116と前記複数の画素とは、別々に対応して設置される。該電子放出層116は、前記複数の帯状の陰極電極112の、前記第一絶縁層110に隣接する表面とは反対の表面に設置され、前記複数の第五透過孔1142によって露出される。前記電子放出層116の前記複数の第三透過孔1162と、前記複数の第二透過孔1122とは、相互に対応し、貫通して設置される。前記集束電極118は、前記第二絶縁層114の、前記陰極電極112に隣接する表面とは反対の表面に設置され、且つ前記複数の第五透過孔1142に対応する、複数の第四透過孔1182を有する。前記集束電極118は、前記複数の第四透過孔1182を有する導電層であり、又は間隔を置いて設置された複数の導電テープであることもできる。前記陽極電極120は、前記陽極基板102の、前記陰極基板104に対向する表面に設置される透明な導電層である。前記複数の円形の蛍光層122は、前記陽極電極120の、前記陽極基板102に隣接する表面とは反対の表面に設置され、それぞれ前記複数の画素または前記複数の円環形の電子放出層116に対応している。更に、隣接する前記蛍光層122の間にブラックマトリックスを設置して、前記電界放出表示装置10の対比度を高めることができる。図4は、前記電界放出表示装置10の表示効果を示す図である。前記電界放出表示装置10は、前記複数の円環形の電子放出層116を利用するので、均一に発光する画素点が得られる。実施例2図5を参照すると、本実施例の電界放出表示装置20は、電界放出陰極素子200と、陽極基板202と、陽極電極220と、蛍光層222と、を含む。前記電界放出陰極素子200は、陰極基板204と、グリッド208と、第一絶縁層210と、陰極電極212と、電子放出層216と、集束電極218と、を含む。本実施例は前記実施例1と比べて、次の異なる点がある。一つまたは複数の第六透過孔2124が前記陰極電極212に設置される。該第六透過孔2124は、前記第二透過孔2122を囲む。図6から図8を参照すると、前記第六透過孔2124は前記第二透過孔2122を基本的に囲んでいる。該第六透過孔2124によって、前記陰極電極212は間隔をおいて設置される第一部分2128と第二部分2126に分けられる。前記第一部分2128は前記第二絶縁層214と前記第一絶縁層210との間に設置される。前記第二部分2126は、前記電子放出層216と前記第一絶縁層210との間に設置される。前記電子放出層216は前記第二部分2126の、前記第一絶縁層210に隣接する表面とは反対の表面に設置される。前記第二透過孔2122は前記第二部分2126によって定義される。前記第一部分2128と前記第二部分2126との間に回路を形成させるために、少なくとも一つの接続部2127が、それらの間に設置される。前記第六透過孔2124の形状は制限されなく、前記第二透過孔2122の形状によって選択される。前記第二透過孔2122は円形である場合、前記第六透過孔2124は、一つの円環形の透過孔図6を参照、二つの半環形の透過孔図7を参照または複数の弧形の透過孔図8を参照であることができる。前記第二透過孔2122は方形である場合、前記第六透過孔2124は、該第二透過孔2122の四辺に平行する方形である。本実施例において、前記第二透過孔2122は円形であり、前記第六透過孔2124は、前記第二透過孔2122を囲む四つの弧形の透過孔である。隣接する前記第六透過孔2124には、接続部2127が設置される。前記第六透過孔2124の内径r2124図示せずと前記電子放出層216の外径R216図示せずとの関係が、次の式ように示されている。r2124≧R216式2前記第六透過孔2124の外径R2124図示せずと、前記第四透過孔2182の孔径R2182図示せずとの関係が、次の式ように示されている。R2124≦R2182式3前記第六透過孔2124の内径r2124が前記電子放出層216の外径R216と同じであり、前記第六透過孔2124の外径R2124が前記第四透過孔2182の孔径R2182と同じであることが好ましい。前記第六透過孔2124を透過して、前記グリッド208及び前記陰極電極212の間で生じた電場が、前記電子放出層216の、前記陰極電極212に隣接する表面とは反対の表面に加えられるので、前記電子放出層216の電子放出率を高めることができる。更に、前記第一絶縁層210は、一つまたは複数の第七透過孔2104を有し、且つ該第七透過孔2104が前記第六透過孔2124に対応して設置されることもできる。前記グリッド208の、前記第七透過孔2104及び前記第六透過孔2124に対応する表面の一部が露出される。これにより、前記電子放出層216から前記グリッド208に向けて飛んでいる電子は、前記グリッド208に達することができ、該グリッド208によって伝導される。前記電界放出表示装置20は、次の優れた点がある。第一に、前記第一透過孔2102は、前記第一絶縁層210に設置され、前記第二透過孔2122は、前記陰極電極212に設置され、前記第一透過孔2102が前記第二透過孔2122に対応して設置され、且つ相互に貫通するので、前記グリッド208の、前記第一透過孔2102及び前記第二透過孔2122に対応する表面の一部を露出させる。前記電子放出層216は、前記第二透過孔2122に隣接するように、前記陰極電極212の、前記第一絶縁層210に隣接する表面とは反対の表面に設置される。前記グリッド208及び前記陰極電極212の間で生じた電場は、前記第二透過孔2122を透過して、前記電子放出層216の、前記陰極電極212に隣接する表面とは反対の表面に加えられる。これにより、前記環形の電子放出層216から電子を放出させて、均一に発光する画素点が得られる。更に、前記電子放出層216から前記グリッド208に向けて飛んでいる電子は、前記グリッド208達することができ、該グリッド208によって伝導され、電荷が前記第一絶縁層210に堆積されない。第二に、前記二次電子放出層216が、前記第一透過孔2102によって露出された前記グリッド208の、前記陰極基板204に隣接する表面とは反対の表面に設置されるので、前記電界放出陰極素子200の電子放出率を高めることができる。第三に、一つまたは複数の第六透過孔2124は前記陰極電極212に設置され、前記第六透過孔2124は前記第二透過孔2122を囲む。これにより、前記グリッド208及び前記陰極電極212の間で生じた電場が、前記第六透過孔2124を透過して、前記電子放出層216の、前記陰極電極212に隣接する表面とは反対の表面に加えられ、前記電子放出層216の電子放出率高めることができる。