"接合基板を移動自在に支持して基礎基板の粘着性の樹脂が塗布されている表面に接合させる基板接合装置であって、前記接合基板を裏面で支持するスペーサと、前記接合基板および前記基礎基板の外周部に立設されていて前記接合基板および前記基礎基板の外周面と対向して位置を規制する位置規制部材と、を有する基板接合装置。前記スペーサを変位自在に支持して前記接合基板を保持する環状の移動自在なフィクスチャを、さらに有し、前記位置規制部材は、前記フィクスチャに立設されている請求項1に記載の基板接合装置。略円形の前記基礎基板の外周部に略均等な配置で三本の前記位置規制部材が立設されている請求項1または2に記載の基板接合装置。前記位置規制部材は、軸心方向が前記接合基板と前記基礎基板との接合方向と略平行な円筒状のガイドピンからなる請求項1ないし3の何れか一項に記載の基板接合装置。請求項1ないし4の何れか一項に記載の基板接合装置を使用した基板接合方法であって、表面に粘着性の前記樹脂が塗布されている前記基礎基板を前記位置規制部材の内側に配置し、前記接合基板を前記スペーサにより裏面で支持して前記位置規制部材の内側に配置し、前記スペーサを前記接合基板の裏面から退避させ、前記接合基板を前記樹脂が塗布されている前記基礎基板の表面に落下させて接合する基板接合方法。前記樹脂がフォトリソグラフィ法によりパターニングされている前記基礎基板を前記接合基板に接合する請求項5に記載の基板接合方法。下方に配置した前記接合基板に前記基礎基板を上方から接合する請求項5または6に記載の基板接合方法。しかし、特許文献1の基板接合装置は、二枚の半導体ウェハを接着した接着剤から気泡を排除するものでしかなく、上位の半導体ウェハを移動自在に支持して下位の半導体ウェハに適切に接合させるものではない。また、特許文献2の装置は陽極接合装置であり、基礎基板の表面に接合基板を粘着性の樹脂で接続する基板接合装置には利用できない。そこで、上述のような課題を解決した基板接合装置としては、詳細には後述するが、図3ないし図6に例示するような装置が想定できる。接合基板を裏面外周で支持する細長形状のスペーサと、表面外周で接離自在に保持するクランプとが、円環状のフィクスチャに搭載されている。このような基板接合装置では、接合基板がフィクスチャのスペーサとクランプとで、例えば、三点保持される。このような状態で、フィクスチャに基礎基板とスペーサとを介して接合基板が上方に配置される。そして、スペーサがフィクスチャの内部に変位すると、接合基板は樹脂が塗布されている基礎基板の表面に落下し、それぞれの基板が加温された上下のプレートで加圧されることで接合される。しかし、上述のような基板接合装置では、接合基板をスペーサとクランプとで上下方向に挟持するため、このクランプの位置で接合基板にクラックが発生することがあった。これは、接合基板の表面がクランプで上方から下方に押圧されていることに起因する。本発明は上述のような課題に鑑みてなされたものであり、基礎基板の粘着性の樹脂が塗布されている表面に接合させる接合基板にクラックを発生させることを防止できる基板接合装置を提供するものである。本発明の基板接合装置は、接合基板を移動自在に支持して基礎基板の粘着性の樹脂が塗布されている表面に接合させる基板接合装置であって、接合基板を裏面で支持するスペーサと、接合基板および基礎基板の外周部に立設されていて接合基板および基礎基板の外周面と対向して位置を規制する位置規制部材と、を有する。従って、本発明の基板接合装置では、接合基板をクランプで上方から押圧しないので、この押圧に起因したクラックが接合基板に発生することを防止できる。しかし、基礎基板の外周部に位置規制部材が立設されているので、基礎基板に接合される接合基板の位置が適切に規制される。なお、上述のような基板接合装置において、スペーサを変位自在に支持して接合基板を保持する環状の移動自在なフィクスチャを、さらに有し、位置規制部材は、フィクスチャに立設されていてもよい。また、上述のような基板接合装置において、略円形の基礎基板の外周部に略均等な配置で三本の位置規制部材が立設されていてもよい。また、上述のような基板接合装置において、位置規制部材は、軸心方向が接合基板と基礎基板との接合方向と略平行な円筒状のガイドピンからなってもよい。本発明の基板接合方法は、本発明の基板接合装置を使用した基板接合方法であって、表面に粘着性の樹脂が塗布されている基礎基板を位置規制部材の内側に配置し、接合基板をスペーサにより裏面で支持して位置規制部材の内側に配置し、スペーサを接合基板の裏面から退避させ、接合基板を樹脂が塗布されている基礎基板の表面に落下させて接合する。また、上述のような基板接合方法において、樹脂がフォトリソグラフィ法によりパターニングされている基礎基板を接合基板に接合してもよい。また、上述のような基板接合方法において、下方に配置した接合基板に基礎基板を上方から接合してもよい。なお、本発明の各種の構成要素は、必ずしも個々に独立した存在である必要はなく、複数の構成要素が一個の部材として形成されていること、一つの構成要素が複数の部材で形成されていること、ある構成要素が他の構成要素の一部であること、ある構成要素の一部と他の構成要素の一部とが重複していること、等でもよい。本発明の基板接合装置では、接合基板をクランプで上方から押圧しないので、この押圧に起因したクラックが接合基板に発生することを防止できる。しかし、基礎基板および接合基板の外周部に位置規制部材が立設されているので、基礎基板に接合される接合基板の位置を適切に規制することができ、基礎基板と接合基板とを適切に接合させることができる。本発明の実施の一形態を図面を参照して以下に説明する。図1に示すように、本実施の形態の基板接合装置300は、粘着性の樹脂211が表面に塗布されているシリコン基板などの基礎基板である下位基板210を基板保持部の表面で支持する円環状のフィクスチャ120を有する。また、ガラス基板などの接合基板である上位基板220を裏面外周で支持する細長形状のスペーサ121が、円環状のフィクスチャ120の内周面に出没自在に支持されている。フィクスチャ120により下位基板210の上方に空間を形成して上位基板220を配置する。基板接合装置300には、内部の大気を排気するチャンバがある。また、上位基板220を下位基板210に押圧する上部プレート130が上下方向に変位自在に配置されており、下位基板210を上位基板220に押圧する下部プレート110が支持されている。そして、本実施の形態の基板接合装置300は、図1および図2に示すように、下位基板210の外周部に位置規制部材であるガイドピン310がフィクスチャ120の外周部に立設されていて下位基板210と上位基板220との位置を規制する。そのガイドピン310は、軸心方向が上位基板220と下位基板210との接合方向である上下方向と略平行な、円筒状に形成されている。さらに、ガイドピン310は、図3に示すように、略円形の下位基板210の外周部に略均等な配置で三本が立設されている。上述のような構成において、本実施の形態の基板接合方法は、本実施の形態の基板接合装置300を使用した基板接合方法であって、表面に粘着性の樹脂211が塗布されている下位基板210と、その上方にスペーサ121を介して上位基板220とを、三本のガイドピン310の内側に配置し、フィクスチャ120ごとチャンバ内の下部プレート110上に移動する。つぎに、上部プレート130と下部プレート110とを所望の温度に加温し、チャンバ内を所望の圧力まで排気した後、スペーサ121を上位基板220の裏面から退避させ、上位基板220を樹脂211が塗布されている下位基板210の表面に落下させて加温および加圧することにより接合する。より詳細には、本実施の形態の基板接合装置300を利用した基板接合方法では、下位基板210をフィクスチャ120の基板保持部で保持する。つぎに、スペーサ121を下位基板210の上方に移動させ、下位基板210に接触しない高さに保持する。つぎに、スペーサ121の表面に上位基板220をセットする。このとき、上位基板220はフィクスチャ120に接合されているガイドピン310で位置合わせされる。このフィクスチャ120を基板接合装置300のチャンバ内に移動させて下部プレート110上に搭載する。このとき、フィクスチャ120の基板保持部が接触しないように下部プレート110には切り欠きが形成されている。さらに、上位基板220は下方のスペーサ121と外周面上のガイドピン310とで保持されているので、フィクスチャ120から変位することが防止される。そして、スペーサ121により設けられた上位/下位基板220,210の間隙の空気を排気して所望の圧力にした後、スペーサ121がフィクスチャ120の内部に変位すると、上位基板220は樹脂211が塗布されている下位基板210の表面に落下する。さらに、温度が設定された上部プレート130が上位基板220を上方から、温度が設定された下部プレート110が下位基板210を下方から押圧することで、下位基板210と上位基板220とが樹脂211で接合される。本実施の形態の基板接合装置300では、上位基板220をクランプで上方から押圧しないので、この押圧に起因したクラックが上位基板220に発生することを防止できる。しかし、フィクスチャ120にガイドピン310が立設されているので、下位基板210に接合される上位基板220の位置を適切に規制することができ、下位基板210と上位基板220とを適切に接合させることができる。また、三本のガイドピン310が上位/下位基板220,210の外周部に均等に配置されているので、上位基板220の位置を必要最小限のガイドピン310で正確に規制することができる。なお、樹脂211が形成されている基板を上位基板220の位置、基礎基板を下位基板210の位置、に配置することもできる。実施例まず、本発明者は、実際に上述のような基板接合装置300を試作して実験した。その実験結果を実施例として以下に説明する。まず、本発明の基板接合装置300では、フィクスチャ120は5~15mmの板厚に形成されており、スペーサ121は100~500μmの板厚に形成されている。ガイドピン310の全高は3~6mmであり、直径は2~6mmである。ガイドピン310と上位基板220および下位基板210とのクリアランスは0.2~1.0mmである。ガラス基板からなる上位基板220は、例えば、100~1000μmの板厚に形成されている。シリコンウェハからなる下位基板210は、例えば、400~1000μmの板厚に形成されており、その表面に樹脂211は5~100μmの厚さに形成されており、例えば、50μmの厚さに形成され、フォトリソグラフィ法によりパターニングされている。このような基板接合装置300で下位基板210に上位基板220を接合させたところ、上位基板220にクラックが発生することがなく、上位基板220を下位基板210に適切に接合できることが確認された。また、ガラス基板を下位基板210、樹脂パターン付きシリコンウェハを上位基板220としてセットしても、同様に接合できることが確認された。比較例つぎに、本発明者が比較例として実施した基板接合装置100を図4ないし図6を参照して以下に説明する。この基板接合装置100は、粘着性の樹脂211が表面に塗布されているシリコン基板などの下位基板210と、ガラス基板などの上位基板220を裏面外周で支持する細長形状のスペーサ121が、円環状のフィクスチャ120の内周面に出没自在に支持されている。このフィクスチャ120の上部には、上位基板220を表面で接離自在に保持するクランプ122が変位自在に装着されている。上述のような構成において、まず、粘着性の樹脂211が表面に塗布されている下位基板210がフィクスチャ120のスペーサ121を介して上位基板220に配置され、上位基板220の上部をクランプ122で、例えば、三点保持される。このような状態で、フィクスチャ120が移動して基板接合装置100にあるチャンバ内の下部プレート110上に配置される。このとき、上位基板220は下方のスペーサ121と上方のクランプ122とで保持されているので、フィクスチャ120から変位することが防止される。そして、上位/下位基板220,210の間隙の空気を排気した後、クランプ122を外し、スペーサ121がフィクスチャ120の内部に変位すると、上位基板220は樹脂211が塗布されている下位基板210の表面に落下する。さらに、上部プレート130が上位基板220を上方から、下部プレート110が下位基板210を下方から、押圧することで、下位基板210と上位基板220とが樹脂211で接合される。しかし、上述のような基板接合装置100では、上位基板220をスペーサ121とクランプ122で上下方向に挟持するため、このクランプ122の位置で上位基板220にクラックが発生することがあった。なお、本発明は本実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許容する。"