"自由流動SiO2造粒体をガラス化することによって合成石英ガラス顆粒を製造する方法であって、多孔質造粒体粒子からなるSiO2造粒体9を形成するために、焼成的に製造された珪酸を造粒すること;b該SiO2造粒体を乾燥すること;c清浄化炉においてハロゲン含有雰囲気下で加熱することによってSiO2造粒体を清浄化すること;d該清浄化されたSiO2造粒体をガラス化炉において焼結することによって該SiO2造粒体をガラス化し、石英ガラス顆粒が形成されるようにすること;を含み、前記SiO2造粒体の乾燥、清浄化、及びガラス化はそれぞれが回転炉の回転管6において実施され、該回転管は中心軸7の周りを回転し、ガラス化のために使用される回転炉は回転管6を有し、該回転管の内壁はアンドープの石英ガラスよりも高い軟化点を有するセラミック材料からなりかつ該回転管の長さは該内壁の長さを少なくとも超え、そして該回転管6には低窒素処理ガスが大量に供給され又は該処理ガスが一度に供給され、該ガスは少なくとも30容量のヘリウム及び/又は水素を含有する方法。前記工程bによる該造粒体の乾燥処理が200°Cと600°Cの間の範囲の温度で空気中において加熱によって行われることを特徴とする請求項1記載の方法。前記工程cによる該回転管における清浄化処理が900°Cと1250°Cの間の温度で塩素含有雰囲気中において行われることを特徴とする請求項1又は2記載の方法。前記工程dによるガラス化処理の処理ガスが少なくとも50、好ましくは少なくとも95のヘリウム及び/又は水素を含むことを特徴とする請求項1~3のいずれか1項記載の方法。前記工程dによるガラス化処理中に前記造粒体粒子9が1300°C~1600°Cの範囲の温度に加熱されることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項記載の方法。前記造粒体粒子9が振動させられることを特徴とする請求項5記載の方法。前記造粒体粒子9の加熱が前記回転管6を包囲する抵抗ヒータ8によって行われることを特徴とする請求項5又は6記載の方法。前記回転管の内壁が同時に石英ガラスの粘度を増大させる物質、好ましくはAl2O3、ZrO2又はSi3N4からなることを特徴とする請求項5~7のいずれか1項記載の方法。前記回転管の内壁の物質が0.5未満のアルカリ含量を有することを特徴とする請求項8記載の方法。前記回転管の内壁が合成的に製造されたAl2O3からなることを特徴とする請求項8又は9記載の方法。1~20重量ppmの範囲の前記石英ガラス顆粒のAl2O3ドーピングがAl2O3含有回転管を使用することによって行われることを特徴とする請求項8~10のいずれか1項記載の方法。前記回転管6が全てセラミックスからなることを特徴とする請求項5~11のいずれか1項記載の方法。前記造粒体粒子9が20μmと2000μmの間、好ましくは100μmと400μmの間の平均粒子サイズ常時D50値を有することを特徴とする請求項1~12のいずれか1項記載の方法。前記造粒体粒子9が狭い粒子サイズ分布を有し、D90値に与えられた粒子直径がD10値に与えられた粒子直径の大きさの2倍未満であることを特徴とする請求項1~13のいずれか1項記載の方法。石英ガラスルツボを作製するための、請求項1~14のいずれか1項記載の方法によって製造された石英ガラス顆粒の使用。本発明の目的は、多孔質SiO2造粒体を用いて緻密な合成石英ガラス顆粒を連続的かつ安価に製造する方法を提案することである。上記した型の方法を用いて、上記目的は、以下の方法工程を含む方法による本発明によって達成される:多孔質造粒体粒子からなるSiO2造粒体を形成するために、焼成的に製造された珪酸を造粒すること;b該SiO2造粒体を乾燥すること;c清浄化炉においてハロゲン含有雰囲気下で加熱することによって該SiO2造粒体を清浄化すること;d該清浄化されたSiO2造粒体をガラス化炉において焼結することによって該SiO2造粒体をガラス化し、その結果、石英ガラス顆粒が形成されるようにすること。上記方法において、前記SiO2造粒体の乾燥、清浄化、及びガラス化はそれぞれが回転炉の回転管において実施され、該回転管は中心軸の周りを回転し、上記方法において、ガラス化のために使用される回転炉は回転管を有し、該回転管はアンドープの石英ガラスよりも高い軟化点を有するセラミック材料の内壁の長さを少なくとも超え、そして上記方法において、該回転管には低窒素処理ガスが大量に供給され又は該処理ガスが一度に供給され、該ガスは少なくとも30容量のヘリウム及び/又は水素を含有する。前記SiO2造粒体は、焼成的に製造された珪酸以降はSiO2スートダストとも呼ぶことがあるを通常の造粒方法によって事前に緻密化することによって得られる。該造粒方法は、従来技術から知られているように、回転管を使用することによって実施することができる。しかしながら、造粒体製造工程に続く熱処理工程、即ち、乾燥、清浄化及びガラス化工程は、それぞれ回転炉内で行われる。これは実質的に連続製造工程を行うものであり、そして炉システムの変更は行われていない。このことは、連続処理工程におけるタイミング並びに空間的な適合を容易にし、かつ該造粒化のサイクル時間を短縮する助けとなる。前記回転炉はそれぞれの処理工程の特定の要請に従って製造される。回転炉は、互いに分離された複数の処理チャンバに分割されている。さらに具体的にいえば、既に実質的に乾燥している造粒体の場合には、仕上げ乾燥並びに清浄化は清浄化炉における方法工程において行われる。しかしながら、理想的には分離した回転炉が乾燥、清浄化及びガラス化の処理工程の各々に対して設置される。処理期間、温度及び雰囲気は互いに独立したそれぞれの工程に最適な状態で設定され、それによって、品質的により良好な最終製品が得られる。結果として、例えば、乾燥処理から清浄化処理への及び清浄化処理からガラス化処理への移行時間において、例えば、先行工程の残存熱量を利用することが可能となる。これの処理は、中心軸の周りを回転する加熱された回転管を備えた回転炉においてそれぞれ行われる。この管は、その入口側から出口側へ造粒体の移送を行うために、該炉の長手方向に僅かに傾斜している。高温及びそれに伴う物質荷重のために、該回転炉におけるガラス化処理において特別の必要性が生じる;これについては以下でより詳細に説明する。前記回転管の長さ方向に亘って、石英ガラスの軟化温度、例えば1150°Cを超える温度、よりも高い最高温度におけるガラス化処理の間に温度プロファイルが形成される。該回転管の変形なしにこれを行うためには、該回転管の内壁又はその少なくとも高度に荷重のかかった箇所は、アンドープ石英ガラスよりも高い軟化温度を有する耐熱性セラミック材料で構成されている。前記回転管は一つの部材又は複数個の部材から構成されており、少なくとも該回転管の内壁は最高温度負荷に曝される長さ部分に亘って耐熱性セラミック材料から構成されている。該内壁は該回転管の全体の部材であるか、又は例えば該回転管の内張りとして形成される。造粒体粒子はガラス化に十分な温度まで該回転管内で加熱される。ガラス化後に該回転管から取り出された石英ガラス粒子は1cm2/gDINISO9277-2003年5月BET法によるガス吸着を介して固形物の特定の表面の測定によって決定されたより少ない比表面積を有している。その表面は緻密であり;これらの粒子は透明か又は部分的に不透明である。前記回転管内の多孔性SiO2造粒体からなる塊状物質のガラス化を行うため、もう一つの前提条件はヘリウム及び/又は水素を含有する雰囲気である。気泡なし又は特にほとんど気泡なしの多孔性造粒体粒子の溶融はヘリウム及び/又は水素含有雰囲気においてのみ達成される。多分、包含されたガスは主としてヘリウム例えば、少なくとも90容量から構成されている。ガラス化された石英ガラス顆粒のさらなる処理の間に容易に拡散する水素量は無害でありかつまた少量の他のガスも同様である。従って、本発明によれば、該回転管がガラス化中に処理ガスで溢れるか又は処理ガスが連続的に又は時々流れるようにすることが本発明では意図されており、該処理ガスは少なくとも30容量のヘリウム及び/又は水素から構成され、かつ同時に窒素をほとんど含有しないか、又は理想的には含まない。なぜなら、窒素の存在下でガラス化された造粒体粒子は高い気泡含量をもつ傾向があることが見出されているからである。前記回転管内を移送する際に、前記造粒体粒子は、それ自身の重量及び塊状物質の循環によって作り出される機械的力に曝される。ガラス化された顆粒の集塊化が起こると再び破砕される。前記回転炉におけるガラス化は一工程又は複数工程を有している。複数工程の場合は、温度が工程から工程へと上昇する。複数工程の場合には低い気泡含量が石英ガラス顆粒において達成されることが見出されている。方法工程bによる造粒体の乾燥処理は200°C~600°Cの温度範囲において空気中で加熱することによって好ましくは行われる。この手順において、回転炉として設定されている分離された乾燥炉は前記造粒体を乾燥するために設けられている。温度は一定であるか、又は乾燥工程の進行と共に上昇させられる。200°C未満の温度では乾燥時間が長くなる。600°Cを超える温度では、造粒体の破壊を導くことになる包含したガスの迅速な放出が起こる。方法工程cによる前記回転管の清浄化処理は900°C~1250°Cの範囲の温度において塩素含有雰囲気で行われる。前記塩素含有雰囲気は前記SiO2造粒体からのアルカリ及び鉄不純物の減少を特別に行う。900°C未満の温度は処理時間の長時間化を導き、かつ1250°Cを越える温度は塩素又はガス状塩素化合物を含む多孔性造粒体の緻密焼成の危険を惹き起こす。特に断らない限り、以下の説明は回転炉における造粒体のガラス化処理中の有利な配置に関する。特に高い密度及び低い気泡含量に関して、少なくとも50容量、好ましくは少なくとも95容量のヘリウム及び/又は水素を含有する処理ガスはガラス化処理中に有効であることが判明した。上記ガス以外のガスはアルゴンのような不活性ガス又は窒素及び/又は酸素によって構成され、上記最後に挙げた二つのガスの量は好ましくは30未満である。前記造粒体粒子は回転炉内でガラス化処理を行う温度まで加熱される。1300°C~1600°Cの範囲の温度が有効であることが判明した。1300°C未満の温度では、完全なガラス化のためには長時間の処理が必要である。好ましくは、該温度は少なくとも1450°Cである。1600°Cを超える温度では回転管及び回転炉に熱的に過度の負荷がかかる。前記回転管の回転に起因する前記造粒体にかかる機械的負荷は集塊の形成の危険を減少させる。しかしながら、約1400°Cを超える温度で該石英ガラスは部分的に軟化し、その結果該回転管壁への付着がほとんど移動しない領域において観察される。そのような状況を避けるために、前記造粒体粒子が振動させられる好ましい方法が意図されている。振動は、揺動させること又は叩くこと又は超音波によって発生させられる。この振動は規則的に又は時々脈動的に行われる。高いガラス化温度は造粒体粒子に作用するバーナによって作られる。しかしながら、加熱が前記回転炉を包囲する抵抗ヒータによって行われる方法が好ましい。前記回転管を介しての熱の導入は、上記で説明したように、耐熱性セラミック材料からなる構造を必要とする。この構造により、該造粒体粒子が機械的に吹き飛ばすことにより又は化学的に不純物によって燃焼ガスに曝される状況が防がれる。同時に石英ガラスの粘度を増大する物質、好ましくはAl2O3,ZrO2,Si3N4は、前記回転管の内壁の材料として有益的に適している。この場合、前記回転管の内壁の材料は追加的な特徴を示し、この特徴は該内壁材料が石英ガラスの粘度の増大に寄与し、かつそれによって石英ガラス成分の熱的安定性の向上に寄与するドーパントを含有するということである。該ドーパントを含有せず又は不十分な濃度で該ドーパントを含有している前記多孔性造粒体粒子は、前記回転管の中で連続的に加熱されかつそれによって循環させられる。ドーパント含有内壁との接触は、造粒体粒子の所望のドーピングに導き又はそれに寄与する微細に分離された摩擦を作り出す。一般的に、該ドーパントは酸化物として石英ガラス中に存在する。従って、本発明に係る方法の実施の形態の中心的思想は高温で該回転炉中の多孔性SiO2造粒体粒子の完全なガラス化を行うことに存する。このことはガラス化処理における適切な雰囲気によって、並びに前記回転炉に対する耐熱性材料によって可能となり、この材料は同時に摩擦に起因して前記石英ガラス粒子に対するドーパント源として作用する。この方法は前記SiO2造粒体粒子の連続的なガラス化処理を可能としかつ同時に粘度向上ドーパントの均質な導入を可能とする。特にAl2O3及び窒素Si3N4の形態では上記した意味で適切なドーパントとして適している。当該ドーパントの適切な導入のために、該回転管の内壁が、少なくとも90重量、好ましくは99重量の当該物質の高度に導入された領域に存在する場合、それは有利である。特に、Al2O3は耐高温性、耐高熱ショック性及び耐腐食性によって区別される。最も単純な場合、前記回転管の全体の内壁はAl2O3で構成されている。または、最高の温度負荷に曝される前記回転管の部分がAl2O3で構成されている。高温において、該造粒体粒子及びガラス化された石英ガラス粒子は該回転管の内壁の材料の摩擦によって汚染される。既に少量のアルカリ含量が石英ガラスの脱ガラス化の傾向をかなり向上させている。従って、該回転管の内壁の物質は好ましくはアルカリ含量を0.5未満とする。前記石英ガラス粒子をAl2O3でドープするために、該回転管の内壁が合成的に製造されたAl2O3で構成されている場合には、この汚染は不純物によって減殺される。99重量を超える純度を有する合成的に製造されたAl2O3は商品名Alsintによって知られている。材料のコストを最小にするために、該合成材料を該回転管の薄い内張りの領域に限定することができる。Al2O3含有回転管が使用される場合、該石英ガラス顆粒はそれによって1~20重量ppmの範囲で簡単な方法によってAl2O3ドープされる。代替として、前記回転管の内壁はZrO2又はTiO2によって構成される。これらの物質は前記SiO2造粒体のガラス化に対する十分に高い溶融温度ZrO2:約2700°C;TiO2約1855°Cによって区別され、かつそれらは多くの適用分野、例えば半導体製造に対して低濃度の汚染で無害である。可能性のある金属の環境から離れて、前記回転管は最も単純な場合には全体をセラミック材料で構成する。本発明の方法は、前記造粒体粒子が100μmと2000μmの間、好ましくは200μmと400μmの間の平均粒子サイズを有する場合には、特に良好な結果が得られる。1000μmを超える粒子サイズを有する造粒体粒子は緩慢なペースでのみガラス化される。20μm未満の平均粒子サイズを有する粒子は集塊する傾向がある。できる限り均一な造粒体粒子のガラス化のため及びできる限り均質なドーパントを導入するため、ほぼ同一の粒径が有利である。この点に関して、前記造粒体粒子が、D90値に割り当てられた粒子直径がD10値に割り当てられた粒子直径の多くて2倍であるような狭い粒子サイズ分布を有する場合に有効であることが判明した。狭い粒子サイズ分布が比較的低い嵩密度を示し、これがガラス化処理における集塊を低減する。さらに、前記造粒体粒子の理想的な単一形態サイズ分布の場合に、粒子間の重量差は塊状物質における可能性のある分離に対するパラメータとしてはもはや適用されず、このことは該塊状物質のより均一なガラス化に貢献する。前記ガラス化された石英ガラス粒子は、例えば遠心法で製造される不透明石英ガラスの管のような不透明又は透明の石英ガラスの部品を製造するために使用される。それらはまた所謂ベルヌイ法において石英ガラスシリンダを製造するための造粒体出発物質として使用される。しかしながら、好ましくは、石英ガラス粒子は石英ガラスルツボの製造、特に当該ルツボの外層を製造するために用いられる。前記石英ガラス粒子のドーパントの粘度増大効果は石英ガラスルツボの使用期間の延長の助けとなる。以下、実施形態例および図面に基づいて本発明を詳しく説明する。各図面は模式的に表現されている。図1は回転炉1を示している。該回転炉1は複数のローラ2上に支持されかつ閉鎖チャンバ3内に配置されている。該閉鎖チャンバ3はガス接続部4を介して排気されかつそこには処理ガスが大量に供給され又は一度に供給される。前記回転炉1は実質的に枠5を有し、該枠には合成的に製造されたAl2O3商品名Alsintから成りかつ内径150mm及び長さ1.8mの回転管6が取り付けられている。該回転管6は中心軸7の周りを回転可能とされかつ外部ジャケットに設けられた抵抗ヒータ8によって加熱可能とされている。該回転炉1の入口側から出口側10へ多孔性SiO2造粒体9からなる遊離物質の移送を行うために、前記回転炉1は水平方向に関して長手方向7に僅かに傾斜している。ガラス化された石英ガラス顆粒のための排出ハウジング11は出口側10に配設されている。本発明方法の実施の形態をさらに詳細に説明する。SiO2造粒体の製造、乾燥及び清浄化実施例A強力ミキサにおいて焼成珪酸ナノスケールSiO2粉、SiO2スートダスト及び脱塩水から残留湿度60重量のスラリを造粒することによって上記した造粒体を製造した。造粒後の残留湿度は20未満であった。該造粒体は3mm未満の粒子サイズにフルイ分けされた。回転炉処理量:20kg/hにおいて空気中400°Cで乾燥することによって残留湿度は1未満まで低下した。フラクション150―750μmD10値約200μm、D90値約400μmへのフルイ分けを行った。続いて、HCl含有雰囲気下で清浄化処理及びさらなる乾燥処理を1040°Cの最高温度で該回転炉において行った処理量:10kg/h。ここで比表面積BETは約50減少した。これにより、高純度の合成アンドープ石英ガラスからなるSiO2造粒体が製造された。その造粒体は200μmのD10値、400μmのD90値及び300μmの平均粒子直径D50値の粒子サイズ分布を有する多孔性球状粒子から本質的に構成されている。実施例B強力ミキサにおいて焼成珪酸ナノスケールSiO2粉、SiO2スートダスト及び脱塩水から高速造粒によって上記した造粒体を製造した。この目的のために、脱塩水は該強力ミキサに供給されかつ焼成珪酸は残留湿度が約23重量になるまで混合されつつ供給される。該造粒体は2mm以下の粒径にフルイ分けされる。回転炉処理量:15kg/hにおいて空気中350°Cで乾燥することによって残留湿度は1未満まで低下する。さらなるフルイ分け処理は行わない。続いて、HCl含有雰囲気下で清浄化処理及びさらなる乾燥処理を1050~1150°Cの温度で該回転炉において行った処理量:10kg/h。化学汚染物の総量は熱塩素化処理の間に出発材料の10分の1未満即ち、10ppm未満まで減少する。その造粒体は300μmのD10値、450μmのD90値及び350μmの平均粒子直径D50値の粒子サイズ分布を有する多孔性球状粒子から本質的に構成されている。造粒体のガラス化8rpmの回転速度で回転軸7の周りを回転する前記回転管6には15kg/hの供給速度でアンドープ多孔性SiO2造粒体9が供給される。前記回転管6は、該造粒体粒子9を載置する特定の角度で長手方向7に傾斜しており、その結果、遊離の造粒体の均一な厚さがその全長に亘って設定される。前記チャンバ3は時々排気されそして続いてヘリウムが大量に供給される。該遊離の造粒体9は連続的に循環されかつこの工程において該回転炉6内で抵抗ヒータ8によって加熱され、そしてこの工程において徐々にガラス化される。該最高温度は排出端部10の直前で達成される。Al2O3の回転管6は該温度に容易に耐える。前記回転管6の全長に亘る典型的な軸方向温度プロファイルは図2のグラフに概念的に示される。該遊離の造粒体9の表面温度T高温計で測定されたは該回転管6の軸位置に対してy-軸上にプロットされる。供給された直後に、該造粒体は約500°Cの温度で30分間乾燥され、そして続いて約100°C~1300°Cにおいて徐々に上昇する温度で熱的に事前緻密化される。該多孔性造粒体に含有されたガスはここで同時にヘリウムによって置換される。該緻密化処理及びガス交換工程は約60分間持続される。続いて、該遊離の造粒体9は完全なガラス化のために加熱され、それによって約1460°Cの最高温度に到達する。該回転炉6内の平均滞在時間は約3時間である。引き続いて行われる冷却処理の後に、該ガラス化された造粒体は該回転炉9から排除される。該回転炉1内の該造粒体9の滞留時間と該ヘリウム雰囲気との組み合わせにおける上記した工程パラメータは開放する孔が殆ど解消するという効果を有している。該表面は緻密である。もしも集塊が形成される場合には、これらの集塊は遊離の造粒体物質の移動における機械的歪みに起因して又は該回転炉の振動によって再び溶解する。同時に該回転管6の壁と接触する該造粒体粒子9はAl2O3の均一な摩擦を発生し、これは該造粒体粒子9の表面を通過してその孔に達する。これによって作られたガラス化された石英ガラス顆粒には約15重量ppmの濃度でAl2O3が均質にドープされる。該回転管6の内壁への付着は石英ガラスとAl2O3の弱い湿濡性の故に殆どが避けられる。完全にガラス化されかつAl2O3によって均質にドープされた石英ガラス顆粒は2.0g/cm3を超える密度を有しかつ1m2/g未満のBET表面積を有している。それらは排出装置11によって連続的に除去される。該石英ガラス顆粒は石英ガラスルツボの外側層を製造するために使用され、Al2O3ド-プの粘度増大効果は該石英ガラスルツボの耐用期間の長期化に寄与する。本発明によるHe雰囲気における回転炉の多孔性SiO2造粒体のガラス化を示すさらなる実施の形態を以下に説明する。実施例1-実施例Aの造粒体の使用前記テストにおいて、前記造粒体は1350°Cの最高温度において周囲雰囲気空気で焼結された。1350°C未満の温度で該物質は該回転管に付着する。該造粒体は焼結現象を示すが、多くの粒子は完全には焼結されない。この方法の第1の変形では、該造粒体は、He雰囲気中で1.1m3/hの流速及び1350°Cの最高温度における流し込み作業において焼結された。この方法で製造された石英ガラス顆粒は部分的に均質に焼結され:ほんの僅かな粒子が焼結されない。それらは透明の状態でガラス化されかつ石英ガラスルツボの製造中でアーク溶融中に殆ど気泡は存在しない。この方法の第2の変形では、該造粒体は、He雰囲気中で2.1m3/hの流速及び1400°Cの最高温度における流し込み作業において焼結された。ここで、該物質は該回転管に付着しやすい。付着は該回転管の機械的振動叩くこと及び振ることによって防ぐことができる。しかし、このことは焼結度合を低下させる高い処理量2kg/h~4kg/hを招来する。該処理量は前記傾斜を変更することによって再び低下せしめられる。該造粒体は部分的に均質に焼結され;数個の粒子のみが焼結されない。この方法で製造された石英ガラス顆粒は均質に焼結される。それらは透明の状態でガラス化されかつ石英ガラスルツボの製造中でアーク溶融中に殆ど気泡は存在しない。実施例2-実施例Bの造粒体の使用前記造粒体は、He雰囲気中で3.5m3/hの流速及び1400°Cの最高温度における流し込み作業において焼結された。該造粒体は焼結現象を示すが、大きい粒子は完全には焼結されない。与えられた粒子サイズ及び温度において、4kg/hの処理量は明らかに高すぎる。該物質はアーク溶融中の気泡なしにガラス化は不可能であり;微小な気泡を含む不透明部分が検知される。本方法の変形において、処理量は該速度及び傾斜を減らすことによって2.4kg/hまで減少し、そして該造粒体はHe雰囲気中で3.5m3/hの流速及び1400°Cにおける流し込み作業において焼結された。それによって製造された該石英ガラス顆粒はいまだ均質には焼結されていない。最高温度が1430°Cに上昇する場合のみに殆ど透明の石英ガラス顆粒が得られる。より高い温度においてさえも、該造粒体は該回転管により一層付着しやすくなる。これによって製造された石英ガラス顆粒は石英ガラスルツボの製造中にアーク溶融において気泡の殆んどない透明層へガラス化される。本方法のさらなる変形において、該造粒体はHe雰囲気中3.5m3/hの流速で連続的な順番で2度焼結された。最初の処理は1400°Cで行われそして2番目の処理は1450°Cで行われた。いかなる付着も観察されなかった。これによって得られた石英ガラス顆粒は透明状態で十分にガラス化されていた。大きな粒子についてのみ、気泡型のガスの含有が検知された。それらは石英ガラスルツボの製造中に気泡の殆んどない透明層へガラス化される。"