対向離間して配設される第1及び第2の基板と、前記第1及び第2の基板の内側面に各々配設される第1及び第2の電極と、前記第1の電極及び前記第2の電極の間に介在し前記第1及び第2の電極に電気的に接合される熱電素子と、前記第1の基板及び前記第2の基板の間に介在し、前記第1の基板及び前記第2の基板のうち、熱を吸収する高温端側の基板に隣接する高温部充填材及び熱を放出する低温端側の基板に隣接する低温部充填材を含むハイブリッド充填材と、を含む熱電モジュール。前記ハイブリッド充填材は、前記第1の基板及び前記第2の基板の間に介在し、前記第1の基板及び前記第2の基板の間に完全に充填されず空間が存在するように、前記第1の基板の内側面、前記第1の電極の表面、前記熱電素子の表面、前記第2の電極の表面及び前記第2の基板の内側面上に一定の厚さで塗布される請求項1に記載の熱電モジュール。前記高温部充填材は、前記高温端側の基板の熱膨張に対応する材料から成り、前記低温部充填材は、前記低温端側の基板の熱膨張に対応する材料から成る請求項1に記載の熱電モジュール。前記第1の基板及び前記第2の基板はセラミック基板であり、前記高温部充填材の材料は、パリレンまたはテフロンに酸化ジルコニウム、炭化ケイ素、チタン酸カリウムガラス繊維及び繊維強化プラスチックのうちの、少なくともいずれか一つが混合された材料である請求項3に記載の熱電モジュール。前記第1の基板及び前記第2の基板はセラミック基板であり、前記低温部充填材は、パラフィンまたはワックスにガラス繊維が混合された材料である請求項3に記載の熱電モジュール。前記第1の基板と前記第1の電極との間、前記第2の基板と前記第2の電極との間、前記熱電素子と前記第1の電極との間及び前記熱電素子と前記第2の電極との間のうちの、少なくともいずれか一つの間に、サーマルグリスがさらに介在する請求項1に記載の熱電モジュール。前記熱電素子は、前記第1及び第2の電極とソルダにより互いに接合される請求項1に記載の熱電モジュール。第1の電極、第1のソルダ層及び熱電素子が積層配設される第1の基板を形成するステップと、前記熱電素子に対応する第2の電極及び第2のソルダ層が積層配設される第2の基板を形成するステップと、前記第1の基板上に前記第2の基板を配設し、リフロー工程によって前記第1及び第2のソルダ層により前記第1及び第2の電極と熱電素子とを互いに接合して前記第1の基板と前記第2の基板とを接合するステップと、前記第1の基板及び前記第2の基板の間に、前記第1の基板及び前記第2の基板のうち、熱を吸収する高温端側の基板と隣接する高温部充填材及び熱を放出する低温端側の基板に隣接する低温部充填材を含むハイブリッド充填材を形成するステップと、を含む熱電モジュールの製造方法。前記第1の基板及び前記第2の基板は、セラミック基板である請求項8に記載の熱電モジュールの製造方法。前記ハイブリッド充填材を形成するステップは、パリレンまたはテブロンに酸化ジルコニウム、炭化ケイ素、チタン酸カリウムガラス繊維及び繊維強化プラスチックのうちのいずれか一つが混合された高温部充填材原料を準備するステップと、パラフィンまたはワックスにガラス繊維が混合された低温部充填材原料を準備するステップと、ディッピング法を用いて、前記高温部充填材原料及び前記低温部充填材原料を、前記接合された第1の基板及び第2の基板の間に充填して前記ハイブリッド充填材を形成するステップと、を含む請求項8に記載の熱電モジュールの製造方法。前記ハイブリッド充填材を形成するステップは、パリレンまたはテフロンに酸化ジルコニウム、炭化ケイ素、チタン酸カリウムガラス繊維及び繊維強化プラスチックのうちの、いずれか一つが混合された高温部充填材原料を準備するステップと、パラフィンまたはワックスにガラス繊維が混合された低温部充填材原料を準備するステップと、含浸法を用いて、前記高温部充填材原料を前記第1の基板の内側面、前記第1の電極の表面及び前記熱電素子の一部の表面上に塗布し、前記低温部充填材原料を前記第2の基板の内側面、前記第2の電極の表面及び前記熱電素子の余り一部の表面上に塗布して前記ハイブリッド充填材を形成するステップと、を含む請求項8に記載の熱電モジュールの製造方法。前記第1の基板と前記第1の電極との間、前記第2の基板と前記第2の電極との間、前記熱電素子と前記第1の電極との間及び前記熱電素子と前記第2の電極との間のうちの、少なくともいずれか一つの間に、サーマルグリスをさらに形成する請求項8に記載の熱電モジュールの製造方法。熱電モジュールは、熱を吸収して相対的に温度が高い高温端と、熱を放出して相対的に温度が低い低温端とを備え、このような高温端と低温端との温度差によりそれらの間で熱膨張の差が生じてしまう。そのため、熱電モジュールの劣化差が発生するようになるという問題を生じる。また高温端と低温端との熱膨張の差は、熱電モジュールの収縮と膨張との差を齎して浮きを起こして、水分侵入が発生して熱電モジュールのクラックや腐食を発生させるなどの間題がある。本発明は上記の間題点に鑑みて成されたものであって、第1の基板と第2の基板との間に高温部充填材及び低温部充填材から成るハイブリッド充填材を充填して、熱電モジュールの熱膨張の差に伴う劣化差及び水分侵入などによるクラックや腐食の間題を解決できる熱電モジュール及びその製造方法を提供することにその目的がある。上記目的を解決するために、本発明による熱電モジュールは、対向離間して配設される第1の基板及び第2の基板と、前記第1の基板及び第2の基板の内側面に各々配設される第1の電極及び第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に介在し前記第1の電極及び第2の電極に電気的に接合される熱電素子と、前記第1の基板及び前記第2の基板の間に介在し前記第1及び第2の基板のうち、熱を吸収する高温端側の基板に隣接する高温部充填材及び熱を放出する低温端側の基板に隣接する低温部充填材を含むハイブリッド充填材と、を含むことができる。ここで、前記ハイブリッド充填材は、前記第1の基板と前記第2の基板との間に介在し、前記第1の基板と前記第2の基板との間を完全に充填せずに空間が存在するように、前記第1の基板の内側面、前記第1の電極の表面、前記熱電素子の表面、前記第2の電極の表面及び前記第2の基板の内側面上に一定の厚さで塗布されることができる。ここで、前記高温部充填材は、前記高温端側の基板の熱膨張に対応する材料から成り、前記低温部充填材は、前記低温端側の基板の熱膨張に対応する材料から成ることができる。ここで、前記第1の基板及び前記第2の基板はセラミック基板であり、前記高温部充填材の材料は、パリレンまたはテフロンに酸化ジルコニウム、炭化ケイ素、チタン酸カリウムガラス繊維及び繊維強化プラスチックのうちの少なくともいずれか一つが混合された材料であってもよい。また、前記低温部充填材は、パラフィンまたはワックスにガラス繊維が混合された材料であってもよい。ここで、前記第1の基板と前記第1の電極との間、前記第2の基板と前記第2の電極との間、前記熱電素子と前記第1の電極との間及び前記熱電素子と前記第2の電極との間のうちの、少なくともいずれか一つの間に、サーマルグリスがさらに介在することができる。また、前記熱電素子は、前記第1及び第2の電極とソルダにより互いに接合されることができる。また、上記目的を解決するために、本発明による熱電モジュール製造方法は、第1の電極、第1のソルダ層及び熱電素子が積層配設される第1の基板を形成するステップと、前記熱電素子に対応する第2の電極及び第2のソルダ層が積層配設される第2の基板を形成するステップと、前記第1の基板上に前記第2の基板を配設し、リフロー工程によって、前記第1及び第2のソルダ層により前記第1の電極及び第2の電極と熱電素子とを互いに接合して前記第1の基板及び前記第2の基板を接合するステップと、前記第1の基板及び前記第2の基板の間に、前記第1の基板及び第2の基板のうち、熱を吸収する高温端側の基板に隣接する高温部充填材及び熱を放出する低温端側の基板に隣接する低温部充填材を含むハイブリッド充填材を形成するステップと、を含むことができる。ここで、前記第1の基板及び前記第2の基板は、セラミック基板であってもよい。ここで、前記ハイブリッド充填材を形成するステップは、パリレンまたはテフロンに酸化ジルコニウム、炭化ケイ素、チタン酸カリウムガラス繊維及び繊維強化プラスチックのうちの、いずれか一つが混合された高温部充填材原料を準備するステップと、パラフィンまたはワックスにガラス繊維が混合された低温部充填材原料を準備するステップと、ディッピング法を用いて前記高温部充填材原料及び前記低温部充填材の原料を、前記接合された第1の基板及び第2の基板の間に充填して前記ハイブリッド充填材を形成するステップと、を含むことができる。また、前記ハイブリッド充填材を形成するステップは、パリレンまたはテフロンに酸化ジルコニウム、炭化ケイ素、チタン酸カリウムガラス繊維及び繊維強化プラスチックのうちの、いずれか一つが混合された高温部充填材原料を準備するステップと、パラフィンまたはワックスにガラス繊維が混合された低温部充填材原料を準備するステップと、含浸法を用いて前記高温部充填材原料を前記第1の基板の内側面、前記第1の電極の表面及び前記熱電素子の一部の表面上に塗布し、前記低温部充填材原料を前記第2の基板の内側面、前記第2の電極の表面及び前記熱電素子の余り一部の表面上に塗布して前記ハイブリッド充填材を形成するステップと、を含むことができる。ここで、前記第1の基板と前記第1の電極との間、前記第2の基板と前記第2の電極との間、前記熱電素子と前記第1の電極との間及び前記熱電素子と前記第2の電極との間のうちの、少なくともいずれか一つの間に、サーマルグリスthermalgreaseをさらに形成することができる。本発明によれば、熱膨張の差による劣化差、熱膨張の差による浮きへの水分侵入などにより発生されるクラックや腐食を防止できるという効果が奏する。以下、本発明の好適な実施の形態は図面を参考にして詳細に説明する。次に示される各実施の形態は当業者にとって本発明の思想が十分に伝達されることができるようにするために例として挙げられるものである。従って、本発明は以下に示している各実施の形態に限定されることなく、他の形態で具体化されることができる。そして、図面において、装置の大きさ及び厚さなどは便宜上誇張して表現されることがある。明細書全体に渡って同一の参照符号は同一の構成要素を示している。図1は、本発明の一実施形態による熱電モジュールの断面図である。図1を参照して、本発明の一実施形態による熱電モジュール100は、対向離間して配設される第1及び第2の基板110a、110bと、該第1及び第2の基板110a、110bの内側面に各々介在する第1及び第2の電極120a、120bと、該第1の基板110aと該第2の基板110bとの間に介在する熱電素子130とを含むことができる。また、熱電モジュール100は、第1の基板110aと第2の基板110bとの間に充填されるハイブリッド充填材140を含むことができる。第1及び第2の基板110a、110bは、熱電素子130と第1及び第2の電極120a、120bとを支持する役割をすることができる。さらに、熱電素子130が複数設けられる場合、第1及び第2の基板110a、110bは複数の熱電素子130を連結する役割を果たすことができる。また、第1の基板110a及び第2の基板110bは外部装置と接合され、熱電素子130の熱交換を通じて、外部から熱を吸熱または外部へ熱を放熱させる役割をすることができる。すなわち、第1の基板110a及び第2の基板110bは、外部装置と熱電素子130との間の熱伝達を行う役割をすることができる。これにより、熱電モジュール100の効率は、第1及び第2の基板110a、110bの熱伝導率による影響を受けることができる。このため、第1及び第2の基板110a、110bは、熱伝導率の高いセラミックとすることができる。また、第1及び第2の基板110a、110bは、優れた熱伝導率を有する金属とすることができる。例えば、第1及び第2の基板110a、110bはアルミニウム及び銅等とすることができる。これにより、第1及び第2の基板110a、110bは、優れた熱伝導率を有して、熱電効率を向上させることができる。ここで、第1の基板110a及び第2の基板110bの内側面、詳しくは、第1の基板110aと第1の電極120aとの間、及び第2の基板110bと第2の電極120bとの間には、金属から成る第1及び第2の基板110a、110bと第1及び第2の電極120a、120bとの間を絶縁するための絶縁層図示せずを配設し、第1及び第2の基板110a、110bの電気絶縁性を提供することができる。該絶縁層は、熱電モジュール100を形成する工程に耐えられる耐久性を有する材料とすることができる。例えば、該絶縁層は、SiO2、A12O3、TiO2、ZnO、NiO及びY2O3のうちのいずれか一つによって形成することができる。ここで、該絶縁層の厚さは、0.2μm~10μmの範囲内で形成できる。これは、該絶縁層の厚さが0.2μm未満の場合、絶縁性を確保するのが難しいためである。一方、該絶縁層の厚さが10μmを超過する場合、第1の基板110aまたは第2の基板110bと熱電素子130との間の熱伝導率を低下させることになるためである。また、絶縁層は、第1の基板110aと第2の基板110bとの間の絶縁性を確保する役割だけでなく、第1の基板110aと第2の基板110bとの間に設けられた空隙を埋める役割をさらに果たすことができる。これによって、第1の基板110aと第1の電極120aとの間、第2の基板110bと第2の電極120aとの間で、空隙により熱伝達が低下するのを防止することができる。一方、熱電素子130はP型半導体130a及びN型半導体130bを含むことができる。P型半導体130aとN型半導体130bとは、同じ平面上に交代で配列されることができる。ここで、第1及び第2の電極120a、120bは、熱電素子130を挟んで対向して配設することができる。ここで、一対のP型半導体130a及びN型半導体130bは、その下面に配設される第1の電極120aにより電気的に接続され、隣の他の一対のP型半導体130a及びN型半導体130bは、その上面に配設される第2の電極120bにより電気的に接続することができる。第1の電極120a及び第2の電極120bと熱電素子130とは、ソルダ150により互いに接合されることができる。該ソルダ150は、PbSnまたはCuAgSnなどのようにSnを含むことができる。また、第1及び第2の電極120a、120bはワイヤ160により外部電源部に接続され、該外部電源部に対して電源を供給または供給されることができる。すなわち、熱電モジュール100が発電装置の役割をする場合、電源を該外部電源部に供給でき、冷却装置の役割をする場合、電源を該外部電源部から供給されることができる。また、図示されていないが、各構成間の境界面間にサーマルグリスを介在させることができる。例えば、該サーマルグリスは、第1の基板110aと第1の電極120aとの間、第2の基板110bと第2の電極120bとの間、熱電素子130と第1の電極120aとの間、及び熱電素子130と第2の電極120aとの間のうちの、少なくともいずれか一つの間に介在させることができる。ここで、サーマルグリスは、各境界面で設けられた空隙を埋める役割をし、該空隙による熱伝導率の低下を防止する役割を果たすことができる。ハイブリッド充填材140は、第1の基板110aと第2の基板110bとの間に介在されている。ここで、第1の基板110aが熱を吸収する高温端側で、第2の基板110bが熱を放出する低温端側であると仮定すれば、ハイブリッド充填材140は熱を吸収する高温端側の基板である第1の基板110aに隣接する高温部充填材140aと、熱を放出する低温端側の基板である第2の基板110bに隣接する低温部充填材140bとを含む。ここで、第1の基板110aが低温端側で、第2の基板110bが高温端側であれば、高温部充填材140aと低温部充填材140bとの位置を互いに変えることができる。高温部充填材140a及び低温部充填材140bは、第1の基板110aと第2の基板110bとの熱膨張差により発生する問題を解決するためのものである。すなわち、前述のように、高温端側である第1の基板110aと低温端側である第2の基板110bは互いに温度が異なる。そのため、熱膨張の差が発生して、熱電モジュールにおいて劣化差またはクラックや腐食を引き起こすという問題を解決するためである。これは、高温部充填材140aが、高温端側である第1の基板110aの熱膨張に対応する材料から成り、低温部充填材140bが、低温端側である第2の基板110bの熱膨張に対応する材料から成ることによって解決することができる。すなわち、第1の基板110aと第2の基板110bとの間にハイブリッド充填材140を充填し、高温端側である第1の基板110aの熱膨張と同一または類似の材料から成る高温部充填材140aが第1の基板110aに隣接するように充填され、低温端側である第2の基板110bの熱膨張と同一または類似の材料から成る低温部充填材140bが第2の基板110bに隣接するように充填されることによって解決することができる。ここで、第1の基板110a及び第2の基板110bがセラミック基板である場合、高温部充填材140aは、パリレンまたはテフロンに酸化ジルコニウム、炭化ケイ素、チタン酸カリウムガラス繊維及び繊維強化プラスチックのうちの、少なくともいずれか一つが混合された材料から成ることができる。低温部充填材140bは、パラフィンまたはワックスにガラス繊維が混合された材料から成ることができる。望ましくは、高温部充填材140aは、繊維強化プラスチックとパリレンとが混合された材料から成ることができ、低温部充填材140bは、ガラス繊維とパラフィンとが混合された材料から成ることができる。一方、図1では、第1の基板110aの内側面と第2の基板110bの内側面のとの間に高温部充填材140a及び低温部充填材140bを含むハイブリッド充填材140が充填されていることを示したが、必要により、第1の基板110aの外側面及び4つの側面上、すなわち、第1の基板110aの表面全体に渡って高温部充填材を設けることができる。また、第2の基板110bは、その外側面及び4つの側面、すなわち、第2の基板110bの表面全体に渡って低温部充填材を設けることができる。ここで、第1の基板110a及び第2の基板110b各々の外側面、及び4つの側面に設けられた高温部充填材及び低温部充填材は、4つの側面間に設けられた高温部充填材140a及び低温部充填材140bに比べて薄い厚さで設けることができる。図2は、本発明の他の実施形態による熱電モジュールの断面図である。図2を参照して、本発明の他の実施形態による熱電モジュール200は、対向離間して配設される第1及び第2の基板210a、210bと、第1及び第2の基板210a、210bの内側面に各々介在する第1及び第2の電極220a、220bと、第1及び第2の基板210a、210b間に介在する熱電素子230とを含むことができる。また、熱電モジュール200は、第1及び第2の基板210a、210b間に介在するハイブリッド充填材240を含むことができる。また、熱電モジュール200は、第1の電極220a及び第2の電極220bと熱電素子230とを連結するソルダ250を含むことができ、第1及び第2の電極220a、220bを、外部電源部に接続するワイヤ260を含むことができる。本実施形態による熱電モジュール200は、ハイブリッド充填材240を除いては、図1を参照して説明した熱電モジュール100の構成と同一なので、重複する説明は省略し、ハイブリッド充填材240についてのみ説明することにする。本実施形態のハイブリッド充填材240は、図2に示すように、第1の基板210aと第2の基板210bとの間に介在し、第1の基板210aの内側面、第1の電極220a、熱電素子230、第2の電極220b及び第2の基板210bの内側面などの表面上に、一定の厚さで塗布された形態で設けられる。詳しくは、第1の基板210aの内側面、第1の電極220a、熱電素子230、第2の電極220b及び第2の基板210bの内側面などの露出した表面上に、一定の厚さで塗布された形態で設けられ、各々のまたは複数の熱電素子230の間は、完全に充填されるのではなく、空間が存在するように設けられる。ここで、ハイブリッド充填材240は、図1を参照して説明した高温部充填材140a及び低温部充填材140bと同様に、高温部充填材240a及び低温部充填材240bを備え、各々、高温端側である第1の電極210a及び低温端側である第2の電極210bと隣接するように設けられる。ハイブリッド充填材240の高温部充填材240a及び低温部充填材240bをなす材料及び機能は、図1を参照して説明した高温部充填材140a及び低温部充填材140bの材料及び機能と同一なので、重複する説明は省略する。図3~図6は、本発明の一実施形態による熱電モジュールの製造方法を示す断面図である。図3~図6を参照して、本発明の一実施形態による熱電モジュールの製造方法を具体的に説明することにする。図3を参照して、熱電モジュールを製造するために、まず第1の基板110aを提供する。第1の基板110aは、セラミックから成るセラミック基板であってもよい。また、第1の基板110aは、優秀な熱伝導率を有する金属材料から成ることができる。第1の基板110aが金属材料から成る場合、第1の基板110aの内側面上に絶縁層図示せずを形成することができる。該絶縁層は、SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、NiO及びY2O3のうちの、いずれか一つによって形成することができる。ここで、該絶縁層を形成する方法の例としては、印刷法、ALD法、スパッタリング法、Ebeam法及びCVD法などが挙げられ、その厚さは、絶縁性の確保及び熱伝導率への影響を考慮して、0.2μm~10μmの厚さで形成することができる。第1の基板110aの内側面上に第1の電極120aを形成する。該第1の電極120aは、導電材料を蒸着して導電膜を形成した後、該導電膜をパターニングして形成することができる。しかし、本発明の実施形態では、これに限定されず、例えば第1の電極120aは、メッキ工程及び印刷工程等を通じて形成してもよい。続いて、第1の電極120a上に第1のソルダ層150aを形成する。該第1のソルダ層150aは、PbSnまたはCuAgSnのように、Snを含む導電性ペーストを印刷して形成することができる。続いて、第1のソルダ層150a上に熱電素子130を配設する。該熱電素子130は、P型半導体130a及びN型半導体130bを含むことができる。P型半導体130aとN型半導体130bとを交互に配設することができる。図4を参照して、第1の基板110a上に、第1の電極120a、第1のソルダ層150a及び熱電素子130を形成する工程と別個に、第2の基板110bを準備し、該第2の基板110bの内側面上に、第2の電極120b及び第2のソルダ層150bを形成する工程を行う。ここで、第2の基板110bは、第1の基板110aと同様に、セラミックから成るセラミック基板であって、優れた熱伝導率を有する金属材料から成ることができる。第2の基板110bが金属材料から成る場合、第2の基板110bの内側面上に絶縁層図示せずを形成することができる。第2の基板110bの内側面上に、第2の電極120b及び第2のソルダ層150bを順に形成する。ここで、絶縁層、第2の電極120b及び第2のソルダ層150bは、図3を参照して説明した絶縁層、第1の電極120a及び第1のソルダ層150aの材料と同一で、同じ形成方法などを通じて形成することができる。図5を参照して、熱電素子130と第2の電極120bとが互いに接触するように、第1の基板110a上に第2の基板110bを配設した後、該第2の基板110bまたは第1の基板110aに一定圧力を加えながら、リフロー工程を通じて、第1及び第2の電極120a、120bと熱電素子130とを互いに接合することによって、第1の基板110aと第2の基板110bとを接合する。図6を参照して、接合された第1の基板110aと第2の基板110bとの間に、ハイブリッド充填材140を充填する工程を進行させて熱電モジュール100を完成する。ハイブリッド充填材140を充填する工程では、まず高温部充填材原料及び低温部充填材原料を準備する工程を行う。高温部充填材原料は、パリレンまたはテフロンに酸化ジルコニウム、炭化ケイ素、チタン酸カリウムガラス繊維及び繊維強化プラスチックのうちの、いずれか一つを混合して準備する。低温部充填材原料は、パラフィンまたはワックスにガラス繊維を混合して準備する。望ましくは、高温部充填材原料は、繊維強化プラスチックとパリレンとを混合して準備し、低温部充填材原料は、ガラス繊維とパラフィンとが混合して準備する。続いて、低温部充填材原料及び高温部充填材原料を用いて、第1の基板110aと第2の基板110bとの間に、高温部充填材140a及び低温部充填材140bを含むハイブリッド充填材140を充填し、本発明の一実施形態による熱電モジュール100を形成する。ここで、第1の基板110aと第2の基板110bとの間に高温部充填材140a及び低温部充填材140bを充填する方法は、いろいろな方法が挙げられるが、代表的なものとしてディッピング法がある。これは、低温部充填材原料及び高温部充填材原料を溶液またはスラリ形態で形成、すなわち、低温部充填材原料溶液または高温部充填材原料溶液を形成したり、低温部充填材原料スラリまたは高温部充填材原料スラリに形成する。続いて、低温部充填材原料溶液または低温部充填材原料スラリに、第2の基板110bが浸り、第1の基板110aは浸らないように、すなわち、接合された第1の基板110aと第2の基板110bとが半分程度浸るようにして、低温端側である第2の基板110b側に低温部充填材140bを形成する。また、高温部充填材原料溶液または高温部充填材原料スラリに第1の基板110aが浸り、接合された第1の基板110a及び第2の基板110bの残り部分が浸るようにして、高温端側である第1の基板110a側に高温部充填材140aが充填されるようにすることにより、充填することができる。ここで、前記の説明では、まず低温部充填材140bを形成し、次いで高温部充填材140aを形成するように説明しているが、まず高温部充填材140aを形成した後、低温部充填材140bを形成してもよい。一方、図示されていないが、第1の基板110aの外側面及び4つの側面上にも第1の基板110a側に高温部充填材140aを形成するとき、高温部充填材140aを一定の厚さで同時に形成でき、第2の基板110bの外側面及び4つの側面上でも同様に、低温部充填材140bを形成するとき、低温部充填材140bを一定の厚さで形成することができる。また、図示されていないが、各構成間の境界面、例えば、第1の基板110aと第1の電極120aとの間、第2の基板110bと第2の電極120bとの間、熱電素子130と第1の電極120aとの間、及び熱電素子130と第2の電極120bとの間のうちの少なくともいずれか一つに、サーマルグリスをさらに形成することができる。また、図示されていないが、図1に示す熱電モジュール100と同様に、第1の電極120a及び第2の電極120bに、各々ワイヤ160を連結する工程を行うことができる。図7及び図8は、本発明の他の実施形態による熱電モジュールの製造方法を示す断面図である。図7及び図8を参照して、本発明の他の実施形態による熱電モジュールの製造方法を詳しく説明することにする。図7を参照して、図3~図5を参照して説明した本発明の一実施形態による熱電モジュールの製造方法と同様に、まず第1の基板210aを準備し、該第1の基板210aの内側面上に第1の電極220a、第1のソルダ層250a及び熱電素子230を順に形成する。続いて、第2の基板210bを準備し、該第2の基板210bの内側面上に、第2の電極220b及び第2のソルダ層250bを順に形成する。そして、熱電素子230と第2の電極220bとが互いに接触するように、第1の基板210a上に第2の基板210bを配設した後、リフロー工程を通じて第1及び第2の電極220a、220bと熱電素子230とを互いに接合して、第1の基板210aと第2の基板220bとを合着させる。その他の細部的な工程、材料などは、図3~図5を参照して説明した本発明の一実施形態による熱電モジュールの製造方法と同じで、重複する説明は省略する。図8を参照して、接合された第1の基板210aと第2の基板210bとの間に、ハイブリッド充填材240を塗布する工程を進行させて熱電モジュール200を完成させる。ここで、ハイブリッド充填材240を塗布する工程では、まず高温部充填材原料及び低温部充填材原料を準備する。ここで、高温部充填材原料及び低温部充填材原料は、図6を参照して説明した高温部充填材原料及び低温部充填材原料と同じ材料及び同じ方法で準備してもよいので、重複する説明は省略する。本実施形態では、ハイブリッド充填材240を、含浸法を用いて形成することができる。これは、低温部充填材原料及び高温部充填材原料を溶液またはスラリ形態で形成、すなわち、低温部充填材原料溶液または高温部充填材原料溶液を形成したり、低温部充填材原料スラリまたは高温部充填材原料スラリに形成する。続いて、低温部充填材原料溶液または低温部充填材原料スラリに、第2の基板210bを浸り、第1の基板210aは浸らないようにする。すなわち、接合された第1の基板210aと第2の基板210bとが半分程度浸るようにした後含浸させ、第2の基板210bの内側面、第2の電極220b及び熱電素子230の一部の表面上に、一定の厚さの低温部充填材240bを形成し、高温部充填材原料溶液または高温部充填材原料スラリに、第1の基板210aを浸り、接合された第1の基板210a及び第2の基板210bの残り部分が浸るようにして、高温端側である第1の基板210aの内側面、第1の電極210b及び熱電素子230の余り一部の表面上に、高温部充填材240aが一定の厚さで塗布されるように形成することができる。ここで、前記の説明では、まず低温部充填材240bを塗布し、次いで高温部充填材240aを塗布するように説明しているが、まず高温部充填材240aを塗布した後、低温部充填材240bを塗布してもよい。一方、図示されていないが、第1の基板210aの外側面及び4つの側面上にも、第1の基板210a側に高温部充填材240aを塗布するとき、高温部充填材240aを一定の厚さで同時に形成でき、第2の基板210bの外側面及び4つの側面上でも同様に、低温部充填材240bを塗布する時、低温部充填材240bを一定の厚さで形成することができる。また、図示されていないが、各構成間の境界面、例えば第1の基板210aと第1の電極220aとの間、第2の基板210bと第2の電極220bとの間、熱電素子230と第1の電極220aとの間、及び熱電素子230と第2の電極220bとの間のうちの少なくともいずれか一つの間に、サーマルグリスをさらに形成することができる。また、図示されていないが、図2に示す熱電モジュール200と同様に、第1の電極220a及び第2の電極220bに、各々ワイヤ260を連結する工程を行うことができる。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、前記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。