キャビティが形成されている金属回路基板と、前記金属回路基板の前記キャビティの内に付着される窒化物絶縁基板、前記窒化物絶縁基板の上に形成されている少なくとも1つのパッド部、及び前記パッド部の上に付着されている少なくとも1つの発光素子を含む発光素子パッケージと、を含むことを特徴とする、発光モジュール。前記金属回路基板の上に前記キャビティを囲むガイド突起を更に含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光モジュール。前記金属回路基板は、金属プレートと、前記金属プレートの上の絶縁層と、前記絶縁層の上に前記発光素子パッケージのパッド部と電気的に連結される基板パッドと、前記絶縁層の上に前記基板パッドを露出するカバー層と、を含むことを特徴とする、請求項2に記載の発光モジュール。前記基板パッドは、前記キャビティと前記ガイド突起との間の前記金属回路基板の上に露出していることを特徴とする、請求項3に記載の発光モジュール。前記ガイド突起は不透過性の無機物で形成されていることを特徴とする、請求項2に記載の発光モジュール。前記基板パッドが露出している辺の前記ガイド突起と前記キャビティとの間の距離は、前記基板パッドがない辺の前記ガイド突起と前記キャビティとの間の距離と相異することを特徴とする、請求項3に記載の発光モジュール。前記基板パッドが露出している辺の前記ガイド突起と前記キャビティとの間の距離は、前記基板パッドがない辺の前記ガイド突起と前記キャビティとの間の距離より大きいことを特徴とする、請求項6に記載の発光モジュール。前記カバー層は、不透過性及び非反射性を有することを特徴とする、請求項3に記載の発光モジュール。前記窒化物絶縁基板の熱伝導率は170Kcal/mh°C以上であることを特徴とする、請求項1乃至請求項8のうち、いずれか1項に記載の発光モジュール。前記キャビティの深さは、前記発光素子パッケージの窒化物絶縁基板の高さより小さいことを特徴とする、請求項1乃至請求項9のうち、いずれか1項に記載の発光モジュール。前記発光素子パッケージのパッド部は、少なくとも2つの金属層を有する薄膜パターンであることを特徴とする、請求項1乃至請求項9のうち、いずれか1項に記載の発光モジュール。前記パッド部の最上層は金または金を含む合金層が形成されていることを特徴とする、請求項11に記載の発光モジュール。前記パッド部の複数の金属層はスパッタリングを通じて形成されていることを特徴とする、請求項11に記載の発光モジュール。前記パッド部の複数の金属層の総厚さは0.45~0.75μmの範囲内であることを特徴とする、請求項11に記載の発光モジュール。前記発光素子パッケージの発光素子は、隣り合う発光素子とジグザグに配置されていることを特徴とする、請求項1乃至請求項14のうち、いずれか1項に記載の発光モジュール。前記複数の発光素子は直列連結されていることを特徴とする、請求項1乃至請求項15のうち、いずれか1項に記載の発光モジュール。前記回路基板の上に前記複数の発光素子と並列連結されているツェナーダイオードを更に含むことを特徴とする、請求項1乃至請求項15のうち、いずれか1項に記載の発光モジュール。前記発光素子と電気的に分離されており、前記発光素子からの発熱により抵抗が可変する温度センサーを更に含むことを特徴とする、請求項1乃至請求項17のうち、いずれか1項に記載の発光モジュール。前記温度センサーは、前記キャビティから5mm以内に形成されることを特徴とする、請求項18に記載の発光モジュール。前記温度センサーは、前記ガイド突起の外方に形成されていることを特徴とする、請求項18に記載の発光モジュール。前記温度センサーは、前記発光素子パッケージの上に実装されていることを特徴とする、請求項18に記載の発光モジュール。前記温度センサーは、前記回路基板の絶縁層の内に埋め立てられていることを特徴とする、請求項21に記載の発光モジュール。前記絶縁層の内に埋め立てられている前記温度センサーは、前記ガイド突起の内方に形成されていることを特徴とする、請求項22に記載の発光モジュール。前記発光素子パッケージのパッド部は、前記発光素子が付着される電極領域と、前記電極領域から突出しており、ワイヤーボンディングされる連結領域と、を含むことを特徴とする、請求項18に記載の発光モジュール。前記温度センサーはNTCnegativetemperaturecoefficientを含むことを特徴とする、請求項18に記載の発光モジュール。前記発光素子パッケージと前記キャビティの内側面との間の離隔空間に形成されている側面放熱部材を更に含むことを特徴とする、請求項1乃至請求項25のうち、いずれか1項に記載の発光モジュール。前記側面放熱部材は、銀、金、銅、またはアルミニウムを含む合金で形成されていることを特徴とする、請求項26に記載の発光モジュール。前記側面放熱部材は、前記窒化物絶縁基板より熱伝導率の高い合金を含むことを特徴とする、請求項26に記載の発光モジュール。前記発光素子パッケージの下面と前記キャビティの底面とは接着ペーストにより付着されており、前記側面放熱部材は、前記接着ペーストから延びて形成されることを特徴とする、請求項26に記載の発光モジュール。前記キャビティの内の前記発光素子パッケージを覆うモールディング部材と、前記金属回路基板の上面の上に前記キャビティを囲みながら前記モールディング部材をガイドするガイド部材と、を更に含むことを特徴とする、請求項1乃至請求項29のうち、いずれか1項に記載の発光モジュール。本発明の目的は、新たな構造の自動車ヘッドランプ用の発光モジュールを提供することにある。本発明の他の目的は、発光素子パッケージをキャビティが形成された回路基板のキャビティの内に実装する発光モジュールを提供することにある。本発明の更に他の目的は、放熱性及び光集進性集中性が向上した発光モジュールを提供することにある。本発明は、キャビティが形成されている金属回路基板と、上記金属回路基板の上記キャビティの内に付着される窒化物絶縁基板と、上記絶縁基板の上に形成されている少なくとも1つのパッド部と、上記パッド部の上に付着されている少なくとも1つの発光素子を含む発光素子パッケージと、を含む。本発明は、金属回路基板のキャビティの内に発光素子パッケージを直接実装して発光素子パッケージの放熱効率を改善して素子信頼性を確保することができる。本発明は、回路基板にガイド突起及び上記ソルダーレジストを光透過率の低い色で形成することによって、光を放出方向に集進する集中させることができる。また、本発明は、発光素子パッケージのパッド部をスパッタリング等により薄膜で形成して微細回路を具現することができる。また、本発明は、上記発光素子パッケージと上記ガイド突起との間にモールディング部を形成して色温度補正が可能であり、上記モールディング部をレンズ型に形成して光の集進性を高めることができる。以下、添付の図面を参考にして本発明の実施形態に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかしながら、本発明は多様な形態に具現されることができ、ここで説明する実施形態に限定されない。そして、図面で本発明を明確に説明するために説明と関係のない部分は省略し、明細書の全体を通じて類似の部分に対しては類似の図面符号を与えた。明細書の全体で、どの部分がどの構成要素を含むという時、これは特別に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除外するものでなく、他の構成要素を更に含むことができることを意味する。そして、図面で本発明を明確に説明するために、説明と関係のない部分は省略し、多数の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して表し、明細書の全体を通じて類似の部分に対しては類似の図面符号を与えた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分上にあるという時、これは他の部分真上にある場合だけでなく、その中間に更に他の部分がある場合も含む。反対に、どの部分が他の部分の真上にあるという時には、中間に他の部分がないことを意味する。以下、図1乃至図7を参考しつつ本発明の第1実施形態に係る発光モジュールを説明する。図1は第1実施形態に係る発光モジュールの分解斜視図であり、図2は第1実施形態に係る発光モジュールの結合上面図であり、図3は図2の発光モジュールをIIに切断した断面図であり、図4は図2の発光モジュールをIIIIに切断した断面図であり、図5a乃至図5dは図4のガイド突起の側断面の多様な適用例を示すものである。図1乃至図4を参照すると、発光モジュール300は回路基板100及び上記回路基板100のキャビティ150に発光素子パッケージ200を含む。上記発光モジュール300は回路基板100のキャビティ150の内に発光素子パッケージ200が搭載された構造であって、上記発光素子パッケージ200は、基板210の上に複数の発光素子250が1行または複数の行に配列されることができ、複数の発光素子250が互いに直列または並列に連結される。このような技術的特徴は実施形態の技術的範囲内で変更可能である。上記回路基板100は、金属プレート110、絶縁層140、及び複数の回路パターンと連結されているガイドパターン130とパッド135とを含む。上記金属プレート110は熱伝導性の高い放熱プレートであって、銅、アルミニウム、銀、または金などを含む合金で形成されることができ、好ましくは、銅を含む合金で形成される。上記金属プレート110は長手方向に長い棒形の直六面体形状を有し、上面から所定の深さを有するキャビティ150が形成されている。上記金属プレート110は、直六面体形状の以外にも例えば円柱形に形成されることもでき、これに限定されるものではない。上記キャビティ150は発光素子パッケージ200を実装するための実装部であって、上記発光素子パッケージ200より広い面積を有するように形成される。この際、上記金属プレート110の厚さは約1000μm以上、上記キャビティ150の深さは約300μm以上でありうる。上記金属プレート110の上面には上記キャビティ150を露出しながら絶縁層140が形成されている。上記絶縁層140は複数の絶縁層を含むことができ、上記複数の絶縁層のうちの一部は上記金属プレート110と上部のガイドパターン130及びパッド135の母体となる銅箔層などの金属層を接着する接着層として機能することができる。上記絶縁層140はエポキシ系またはポリイミド系樹脂を含み、内部に固形成分、例えば、フィラーまたはガラス繊維などが分散されていることがあり、これと異なり、酸化物または窒化物などの無機物でありうる。上記絶縁層140の上に複数のガイドパターン130及びパッド135が形成されている。上記ガイドパターン130及びパッド135は銅箔層をエッチングして形成される銅を含む合金で形成されることができ、回路パターン図示せずと連結されているパッド135の表面は、ニッケル、銀、金、またはパラジウムなどを含む合金を用いて表面処理される。上記絶縁層140の上に上記回路パターン130、135を埋め立てて、上記ガイドパターン130及び上記パッド135を露出するソルダーレジスト120が形成されている。上記ソルダーレジスト120は上記回路基板100の全面に塗布され、散乱する光を吸収することによって、光の集進性集中性を向上させるために、光透過性が低く、反射度の低い暗い色で着色されている。例えば、上記ソルダーレジスト120は黒い色でありうる。一方、上記パッド135及び上記ガイドパターン130は、図4のように、ソルダーレジスト120により電気的に分離されている。具体的に、上記ガイドパターン130は上記キャビティ150を囲み、上記キャビティ150から所定距離d1、d2だけ離隔して形成されている。上記パッド135は上記キャビティ150の内に実装される上記発光素子パッケージ200とワイヤー262ボンディングするためのパッド135であって、上記キャビティ150と上記ガイドパターン130との間の離隔した距離d1、d2の内に露出して形成される。したがって、上記ガイドパターン130は上記パッド135が形成される領域から分離されている。この際、上記ガイドパターン130と上記キャビティ150との間の離隔した距離d1、d2は上記パッド135が形成されている辺の距離d1と上記パッド135が形成されていない辺の距離d2とが互いに異なることがある。即ち、上記パッド135が形成されている第1辺の離隔距離d1が、上記パッド135が形成されていない第2辺の離隔距離d2より大きいことがある。上記ガイドパターン130の上に上記キャビティ150を囲みながらガイド突起160が形成されている。上記ガイド突起160は分離されている2つの上記ガイドパッド130を連結して閉ループを形成する。上記ガイド突起160は絶縁性の無機物で形成され、不透過性の物質で形成される。好ましくは、バルクbulk酸化アルミニウムのように不透過性の物質であることがあり、約800μmの高さを有することができる。上記ガイド突起160は、上記発光素子パッケージ200から発光される光を集光するための構造であって、散乱する光を吸収する吸収層として機能することができる。上記ガイド突起160は、図5のaのように側断面160aが曲線型を有することができ、図5のbのように側断面160bが台形でありうる。側断面160bが台形である場合、上面の面積が下面の面積より小さいことがある。そして、上記ガイド突起160は図5のc及び図3のように側断面160cが矩形であることもある。一方、上記ガイド突起160は図5のdのように側断面160dが矩形であり、表面に複数の凸パターン161を含むことができる。上記凸パターン161は、パターンサイズ及び配列が不規則的であることがあり、上記凸パターン161は上記ガイド突起160の全面に形成されることができるが、これとは異なり、上記キャビティ150に向かう内側面のみに形成されることもできる。上記の凸パターン161は図5a乃至図5bのように、側断面160a、160bが凸型または台形を有するガイド突起160に形成されることができる。上記ガイド突起160は、上記ソルダーレジスト120と接着層165により付着され、上記接着層165は上記ガイド突起160の側面を支持し、上記ソルダーレジスト120と接着する。上記接着層165はシリコン酸化物を含む接着ペーストを塗布し、焼結して形成することができる。一方、上記金属プレート110の上面のソルダーレジスト120の上にツェナーダイオード170及び温度センサー180を含む。上記ツェナーダイオード170は上記発光素子パッケージ200の発光素子250と並列に連結されて上記発光素子パッケージ200に印加できる逆電圧を防止する。上記温度センサー180は温度によって抵抗値が変わる可変抵抗であるサーミスタthermistorであって、好ましくは温度の上昇に従って比抵抗が小さくなるNTCnegativetemperaturecoefficientでありうる。上記温度センサー180は、上記ツェナーダイオード170と別途の端子から電流の伝達を受けて上記発光素子250から放出される熱によって抵抗値を可変とすることで、変化された出力電流を流す。上記金属プレート110の上面の縁領域には上記ツェナーダイオード170及び上記温度センサー180に電流を流すコネクター190が形成されている。上記コネクター190は一端が外部から信号の伝送を受ける複数の電線195と連結され、他端が上記回路基板100の回路パターンと連結されて上記ツェナーダイオード170、上記温度センサー180、及び上記発光素子パッケージ200に電流を流す。この際、上記温度センサー180は上記発光素子パッケージ200が形成されているキャビティ150と近接して形成されることができ、上記キャビティ150から上記温度センサー180までの距離は約5mm以内でありうる。一方、上記回路基板100のキャビティ150の内に発光素子パッケージ200が付着されている。以下、図6及び図7を参考にして発光素子パッケージ200について詳細に説明する。図6は図3の発光モジュールの拡大図であり、図7は図3の発光モジュールに形成されている発光素子の詳細断面図である。上記発光素子パッケージ200は、絶縁基板210、上記絶縁基板210の上に形成された複数のパッド部220、及び上記パッド部220の上に付着されている複数の発光素子250を含む。上記絶縁基板210は、上記キャビティ150の内に実装できるように上記キャビティ150の底面と等しいか小さな断面積を有する直六面体形状を有する。上記絶縁基板210は熱伝導率の高い窒化物基板であって、好ましくは窒化アルミニウム基板でありうる。上記絶縁基板210は、熱伝導率が170Kcal/mh°C以上を有することができる。上記窒化物絶縁基板210は、300μm以上の厚さ、好ましくは350μm以上の厚さを有することができ、キャビティ150の深さより大きい厚さを有することによって、キャビティ150の外部に突出している。上記絶縁基板210は、図6のように上記キャビティ150の底面に塗布されている熱伝導性の高い接着ペースト271により上記キャビティ150と付着されている。上記接着ペースト271はAuSnを含む導電性ペーストでありうる。上記接着ペースト271は、熱と圧力により上記絶縁基板210の底面の下部に薄く分散され、上記絶縁基板210の側面の一部を覆いかぶせるようにフィレット270が形成され、上記絶縁基板210を支持する。このように、熱伝導性の高い絶縁基板210を上記回路基板100の金属プレート110に直接付着することによって、放熱性を確保することができる。一方、上記絶縁基板210の上面に複数のパッド部220が形成されている。上記複数のパッド部220は、上記発光素子250の配列に従って行を形成し、配置されている。上記パッド部220は上記発光素子250の数と同一の数を有し、図1乃至図4のように、上記発光素子パッケージ200に1行をなす5個の発光素子250が形成される場合、上記パッド部220は行をなす5個から構成される。上記パッド部220は、上記発光素子250が付着される電極領域及び隣り合う発光素子250または回路基板100のパッド135とワイヤーボンディングするための連結領域221を含む。上記電極領域は上記発光素子250の面積の形状に従って四角形状を有することができ、連結領域221は上記電極領域から延びて隣り合うパッド部220に向かって突出している。図1及び図2では、上記連結領域221を四角形の形態を有するように図示したが、これとは異なり、多様な形状にパターンを形成することができる。上記パッド部220の電極領域の上にそれぞれの発光素子250が付着されている。上記発光素子250は垂直型発光ダイオードであって、一端が上記パッド部220と付着されており、他端が隣り合うパッド部220の連結領域221とワイヤー260を介してボンディングされて直列連結を有することができる。このように、複数の発光素子250が直列に連結されている場合、最初の熱のパッド部220の連結領域221はワイヤー262を介して近接した回路基板100のパッド135と連結されている。この際、上記発光素子パッケージ200の上面には最後の発光素子250が付着されているパッド部220と隣り合って連結領域221のみを含む島状のパッドpadisland225を含む。上記島状のパッド225は、上記隣り合うパッド部220の発光素子250とワイヤー260を介して連結され、上記隣り合う回路基板100のパッド135とワイヤー262を介して連結される。上記パッド部220及び島状のパッド225は、上記連結領域221が上記回路基板100のパッド135と近接するように上記ツェナーダイオード170及び温度センサー180に向かって配置される。この際、上記パッド部220及び島状のパッド225は、図6のように複数の金属層222、223、224で形成されている。上記パッド部220及び島状のパッド225は、第1金属層222、第2金属層223、及び第3金属層224の積層構造を有し、各金属層222、223、224はチタニウム、ニッケル、金、または白金を含む合金で形成される。好ましくは、第1金属層222はチタニウムを含む合金で形成され、第2金属層223はニッケルを含む合金で形成され、第3金属層224は金層または金を含む合金で形成され、第1金属層乃至第3金属層222、223、224の総厚さの和が0.45~0.75μmを満たすことができる。上記第1~第3金属層222、223、224は、スパッタリング、イオンビーム蒸着、電子ビーム蒸着などの薄膜蒸着法により形成することができる。上記第1~第3金属層222、223、224を数μm程度の厚さの薄膜で形成することで、発光素子パッケージ200の内で微細パターンを具現することができる。上記パッド部220の電極領域の上に発光素子250が付着されている。上記発光素子250は、下部に導電性接着層252を含み、上記導電性接着層252はAuSnを含む導電性ペーストでありうる。上記導電性接着層252は30μm以下の厚さを有し、好ましくは25μm以下の厚さを有することができる。発光素子250はIII族とV族元素の化合物半導体、例えばAlInGaN、InGaN、GaN、GaAs、InGaP、AlInGaP、InP、InGaAsなどの系列の半導体を用いて製造された半導体発光素子を選択的に含むことができる。また、各発光素子250は、青色LEDチップ、黄色LEDチップ、緑色LEDチップ、赤色LEDチップ、UVLEDチップ、琥珀色LEDチップ、青-緑色LEDチップ等からなるが、自動車のヘッドランプ用の場合、青色LEDチップでありうる。このような発光素子250は、図7のように導電性接着層252、ボンディング層253、第2導電型半導体層255、活性層257、及び第1導電型半導体層259を含む。導電性接着層252は、金属または電気伝導性半導体基板で形成できる。導電性接着層252の上にはIII族-V族窒化物半導体層が形成されるが、半導体の成長装備は電子ビーム蒸着器、PVDphysicalvapordeposition、CVDchemicalvapordeposition、PLDplasmalaserdeposition、二重型の熱蒸着器dualtypethermalevaporatorスパッタリングsputtering、MOCVDmetalorganicchemicalvapordepositionなどにより形成することができ、このような装備に限定するものではない。導電性接着層252の上にはボンディング層253が形成される。ボンディング層253は、導電性接着層252と窒化物半導体層が接着されるようにする。また、導電性接着層252はボンディング方式でないメッキ方式により形成されることもでき、この場合、ボンディング層253は形成されないこともある。ボンディング層253の上には第2導電型半導体層255が形成され、第2導電型半導体層255はパッド部220の電極領域と接触して電気的に連結される。第2導電型半導体層255はIII族-V族化合物半導体、例えば、GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInNのうちの少なくとも1つで形成される。第2導電型半導体層255には第2導電型ドーパントがドーピングされ、第2導電型ドーパントはp型ドーパントであって、Mg、Zn、Ca、Sr、Baを含む。第2導電型半導体層255は、例えば、NH3、TMGaまたは、TEGa、及びMgのようなp型ドーパントを含んだガスを供給して所定厚さのp型GaN層で形成される。第2導電型半導体層255は、所定領域に電流拡散currentspreading構造を含む。電流拡散構造は垂直方向への電流拡散速度より水平方向への電流拡散速度が高い半導体層を含む。電流拡散構造は、例えば、ドーパントの濃度または伝導性の差を有する半導体層を含むことができる。第2導電型半導体層255は、その上の他の層、例えば、活性層257に均一な分布で拡散されたキャリアが供給できる。第2導電型半導体層255の上には活性層257が形成される。活性層257は単一量子井戸または多重量子井戸MQW構造で形成される。活性層257の1周期はInGaN/GaNの周期、AlGaN/InGaNの周期、InGaN/InGaNの周期、またはAlGaN/GaNの周期を選択的に含むことができる。第2導電型半導体層255と活性層257との間には第2導電型クラッド層図示せずが形成される。第2導電型クラッド層は、p型GaN系半導体で形成される。第2導電型クラッド層は井戸層のエネルギーバンドギャップより高いバンドギャップを有する物質で形成される。活性層257の上には第1導電型半導体層259が形成される。第1導電型半導体層259は第1導電型ドーパントがドーピングされたn型半導体層で具現できる。n型半導体層は、GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInNなどの化合物半導体のうち、いずれか1つからなることができる。第1導電型ドーパントはn型ドーパントであって、Si、Ge、Sn、Se、Teなどのうち、少なくとも1つが添加される。第1導電型半導体層259は、例えば、NH3、TMGaまたは、TEGa、及びSiのようなn型ドーパントを含んだガスを供給して所定厚さのn型GaN層を形成することができる。また、第2導電型半導体層255はp型半導体層、第1導電型半導体層259はn型半導体層で具現できる。発光構造物は、n-p接合構造、p-n接合構造、n-p-n接合構造、p-n-p接合構造のうち、いずれか1構造で具現できる。以下、実施形態の説明のために半導体層の最上層は第1導電型半導体層をその例として説明する。第1導電型半導体層259の上には第1電極または/及び電極層図示せずが形成される。電極層は酸化物または窒化物系列の投光層、例えば、ITOindiumtinoxide、ITONindiumtinoxidenitride、IZOindiumzincoxide、IZONindiumzincoxidenitride、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、IrOx、RuOx、NiOの物質のうちから選択されて形成される。電極層は電流を拡散させてくれることができる電流拡散層として機能することができる。図1乃至図7の発光素子パッケージ200は、複数の垂直型発光素子250が直列に連結されていることと説明したが、これとは異なり、垂直型発光素子250が並列に連結されることもでき、水平型発光素子250が直列または並列に連結されている構造も可能である。このように、図1乃至図7の発光モジュール300は発光素子パッケージ200の絶縁基板210を窒化物に使用し、上記絶縁基板210と回路基板100の金属プレート110を熱伝導性の高い接着ペースト271を通じて直接接着することによって放熱性を確保して、上記発光素子パッケージ200の上のパッド部220を厚い銅金属をパターニングして形成する必要無しで、スパッタリング等を通じて金属薄膜で形成することによって微細パターンを形成することができる。以下、図8を参考にして本発明の第2実施形態に係る発光モジュールを説明する。図8は、第2実施形態に係る発光モジュールを示す上面図である。第2実施形態を説明するに当たって、第1実施形態と同一の部分に対しては第1実施形態を参照し、重複説明は省略する。図8を参照すれば、発光モジュール300の回路基板100は第1実施形態の回路基板100の構成及び機能が全て同一である。上記発光モジュール300の発光素子パッケージ200は、上記絶縁基板210の上に複数のパッド部226を含む。上記複数のパッド部226は上記発光素子の配列によって行を形成し、配置されている。上記パッド部226は上記発光素子250の数と同一の数を有し、図1乃至図4のように、上記発光素子パッケージ200に形成される発光素子250が1行をなす5個の発光素子250である場合、上記パッド部226は行をなす5個から構成される。上記パッド部226は、上記発光素子250が付着される電極領域及び隣り合う発光素子250、または回路基板100のパッド135とワイヤーボンディングするための連結領域を含む。隣り合うパッド部226は、上記電極領域と連結領域が反対になるように形成されている。即ち、図8のように、上記パッド部226の電極領域と連結領域が交互に反対に配列されることによって、上記電極領域の上に付着される上記発光素子250がジグザグに配列される。したがって、上記発光素子250と隣り合う発光素子250との間の距離が遠くなることによって、上記パッド部226の間の距離d3を第1実施形態より狭く形成して微細回路パターンを具現することができる。この際、上記パッド部226の最後の部分は、図2のように連結領域が上記電極領域から突出するように形成され、上記電極領域と分離されて島状のパッド227を含むことができる。このような発光モジュール300は車両用ヘッドランプの光源として機能することができ、ソルダーレジスト120及びガイド突起160の散乱光の吸収により光集進性が向上し、金属プレート110と熱伝導性の高い支持基板210を直接付着することで、放熱性が確保されて信頼性が高まる。一方、図1及び図2を参考すると、上記回路基板100の上記金属プレート110の上面のソルダーレジスト120の上にツェナーダイオード170及び温度センサー180が形成されている。上記ツェナーダイオード170及び上記温度センサー180は、図1のように上記ガイド突起160の外方に形成されている。図9は、本発明の発光素子、ツェナーダイオード、及び温度センサーの回路図である。図9を参考すると、上記ツェナーダイオード170は、上記発光素子パッケージ200の複数の発光素子250と並列に連結されて上記発光素子パッケージ200に印加できる逆電圧を防止する。即ち、ツェナーダイオード170と複数の発光素子250である発光ダイオードは、第1の正の電圧V1及び第1の負の電圧V1-の間に並列連結されている。上記温度センサー180は温度によって抵抗値が変わる可変抵抗のサーミスタthermistorであって、好ましくは、温度が上昇するにつれて比抵抗が小さくなるNTCnegativetemperaturecoefficientでありうる。上記温度センサー180は両端子に上記ツェナーダイオード170と別途の電圧である第2の正の電圧V2及び第2の負の電圧V2-の印加を受けて、上記発光素子250から放出される熱によって抵抗値を可変することで、変化された出力電流を流す。上記金属プレート110の上面の縁領域には上記ツェナーダイオード170及び上記温度センサー180に、第1及び第2の正の電圧V1、V2、及び第1及び第2の負の電圧V1-、V2-を提供するコネクター190が形成されている。上記コネクター190は一端が外部から信号の伝送を受ける複数の電線195と連結され、他端が上記回路基板100の回路パターンと連結されて上記ツェナーダイオード170、上記温度センサー180、及び上記発光素子パッケージ200に電圧V1、V2、V1-、V2-を印加し、上記温度センサー180から出力される電流を外部に流す。外部の制御部図示せずは、上記温度センサー180から出力される電流値によって上記発光素子250の発熱を感知して、上記発光素子250に印加される第1の正の電圧V1及び第1の負の電圧V1-を制御することができる。一方、図9とは異なり、上記温度センサー180が上記第1の正の電圧V1と上記ツェナーダイオード170との間に直列連結されており、上記発光素子250の発熱によって温度センサー180の抵抗が変わることによって、電圧分配が変わる。したがって、上記温度センサー180の抵抗値によって上記発光素子250に伝達される電圧が可変して上記発光素子250の発光量を制御することもできる。この際、上記温度センサー180は上記発光素子パッケージ200が形成されているキャビティ150と近接して形成され、上記キャビティ150から上記温度センサー180までの距離は約5mm以内でありうる。以下、上記温度センサー180と発光素子パッケージ200とを近接配置する多様な実施形態を説明する。図10は、本発明の第3実施形態に係る発光モジュールの断面図である。第3実施形態を説明するに当たって、第1実施形態と同一の部分に対しては第1実施形態を参照し、重複説明は省略する。図10を参照すれば、発光モジュール300Aの回路基板100は第1実施形態の回路基板100と同一であり、発光素子パッケージ200は第1実施形態の発光素子パッケージ200と同一である。即ち、上記回路基板100は、金属プレート110、絶縁層140、ガイドパターン130、パッド135、及び上記絶縁層140を覆うソルダーレジスト120を含む。上記金属プレート110には上面から所定深さを有するキャビティ150が形成されている。上記キャビティ150は発光素子パッケージ200を実装するための実装部であって、上記発光素子パッケージ200より広い面積を有するように形成されて、上記キャビティ150の内側面と上記発光素子パッケージ200との間に離隔空間が形成される。上記ソルダーレジスト120は上記回路基板100全面に塗布され、散乱される光を吸収することによって、光の集進性を向上させるために、光透過性が低く、反射度の低い暗い色で着色されている。上記ガイドパターン130の上に上記キャビティ150を囲みながらガイド突起160が形成されている。上記ガイド突起160は分離されている2つの上記ガイドパターン130を連結して閉ループを形成する。上記発光素子パッケージ200は、絶縁基板210、上記絶縁基板210の上に形成された複数のパッド部220、及び上記パッド部220の上に付着されている複数の発光素子250を含む。この際、上記発光素子パッケージ200の絶縁基板210の上に温度センサー180Aが付着されている。上記温度センサー180Aは、上記パッド部220と電気的に分離されているセンサーパッド228の上に付着されている。上記温度センサー180Aは温度によって抵抗値が変わる可変抵抗のサーミスタであって、好ましくは、温度が上昇するにつれて比抵抗が小さくなるNTCnegativetemperaturecoefficientでありうる。上記温度センサー180A及び上記発光素子250の電気的連結は図8と同一である。この際、上記温度センサー180Aが上記発光素子250からの発熱に従う温度変化を正確に感知するために、上記温度センサー180Aを上記発光素子250と同一の絶縁基板210の上に実装することで、上記発光素子250と近接して配置される。上記温度センサー180Aは上記センサーパッド228と一端が電気的に連結され、他端がワイヤーを介して回路基板100のパッドと連結され、これとは異なり、上記センサーパッド228と絶縁されており、両端がそれぞれのワイヤーを介して上記回路基板100のパッドと連結される。上記センサーパッド228は、上記パッド部220と同一に複数の薄膜金属層で形成される。絶縁基板210の上に上記温度センサー180Aは上記ツェナーダイオード170と異なる第2の正の電圧V2及び第2の負の電圧V2-の印加を受けて、上記発光素子250から放出される熱によって抵抗値を可変することで、変化された出力電流を流す。図11は、本発明の第4実施形態に係る発光モジュールの断面図である。第4実施形態を説明するに当たって、第1実施形態と同一の部分に対しては第1実施形態を参照し、重複説明は省略する。図11を参照すると、発光モジュール300Bの回路基板100は、金属プレート110、絶縁層140、ガイドパターン130、及び上記絶縁層140を覆うソルダーレジスト120を含む。上記金属プレート110には、上面から所定深さを有するキャビティ150が形成されている。上記キャビティ150は発光素子パッケージ200を実装するための実装部であって、上記発光素子パッケージ200より広い面積を有するように形成されて、上記キャビティ150の内側面と上記発光素子パッケージ200との間に離隔空間が形成される。上記絶縁層140の内に温度センサー180Bが埋め立てられている。上記絶縁層140は複数の絶縁層141、142、143を含み、上記絶縁層141、142、143の間に上記温度センサー180Bを埋め立てる。より詳しくは、上記金属プレート110の上に第1絶縁層141が形成されており、上記第1絶縁層141の上に温度センサー180Bが形成される。上記第1絶縁層141の上に上記温度センサー180Bを埋め立てる第2絶縁層142が形成されており、上記第2絶縁層142の上に上記温度センサー180Bと連結されている回路パターン138が形成されている。上記回路パターン138は、上記第2絶縁層142の内に形成されているビアを通じて上記温度センサー180Bと電気的に連結されて、第2の正の電圧V2または第2の負の電圧V2-を印加する。第2絶縁層142の上に上記回路パターン138を覆って第3絶縁層143が形成されており、上記第3絶縁層143の上にソルダーレジスト120が形成されている。上記では、絶縁層140が第1乃至第3絶縁層141、142、143である3個の層状構造を有する場合について説明したが、回路設計によって複数の層で形成できることは自明である。この際、上記温度センサー180Bは上記発光素子250と近接配置するために、複数の絶縁層141、142、143のうち、上側の絶縁層の内に埋め立てられ、上記ガイド突起160の下部、またはガイド突起160の内方に形成されてキャビティ150と近接配置される。図12は、本発明の第5実施形態に係る発光モジュールの断面図である。図12を参考すると、第5実施形態を説明するに当たって、第1実施形態と同一の部分に対しては第1実施形態を参照し、重複説明は省略する。図12を参照すると、発光モジュール300Cの回路基板100は、第1実施形態の回路基板100と同一である。即ち、上記回路基板100は、金属プレート110、絶縁層140、ガイドパターン130、パッド135、及び上記絶縁層140を覆うソルダーレジスト120を含む。上記金属プレート110の上面から所定深さを有するキャビティ150が形成されており、キャビティ150の内に発光素子パッケージ200が付着されている。上記金属プレート110の上に上記キャビティ150を囲むガイド突起160が形成されており、上記ガイド突起160の外方にツェナーダイオード170及び温度センサー180が形成されている。上記発光素子パッケージ200は、絶縁基板210、上記絶縁基板210の上に形成された複数のパッド部220C、及び上記パッド部220Cの上に付着されている複数の発光素子250を含む。上記絶縁基板210の上面に複数のパッド部220Cが形成されている。上記複数のパッド部220Cは、上記発光素子250の配列に従って行を形成し、配置されている。上記パッド部220Cは、上記発光素子250が付着される電極領域及び隣り合う発光素子250、または回路基板100のパッド135とワイヤーボンディングするための連結領域221Cを含む。上記電極領域は、上記発光素子250の面積の形状に沿って四角形状を有することができ、連結領域221Cは上記電極領域から延びて隣り合うパッド部220Cに向かって突出している。上記パッド部220Cの電極領域の上にそれぞれの発光素子250が付着されている。上記発光素子250は垂直型発光ダイオードであって、一端が上記パッド部220Cと付着されており、他端が隣り合うパッド部220Cの連結領域221Cとワイヤー260を介してボンディングされて直列連結を有することができる。このように、複数の発光素子250が直列に連結されている場合、上記発光素子パッケージ200の上面には最初の発光素子250が付着されているパッド部220Cと隣り合って連結領域221Cのみを含む島状のパッド225Cを含む。最後の列のパッド部220Cの連結領域221Cは、ワイヤー262を介して近接した回路基板100のパッド135と連結されている。この際、上記パッド部220C及び島状のパッド225Cは、上記発光素子250が上記温度センサー180と近接するように上記パッド部220Cの電極領域が温度センサー180に向かって、連結領域221Cが上記温度センサー180と反対になる方向に形成される。したがって、図1及び図2とは異なり、上記発光素子250が上記温度センサー180に向かって配置されて、回路基板100の温度センサー180と上記発光素子250の距離が近接することによって、上記温度センサー180の感知能が向上する。以下、図13及び図14を参考にして本発明の第6実施形態に係る発光モジュールを説明する。図13は第6実施形態に係る発光モジュールを示す上面図であり、図14は図13の発光モジュールをIIIIIIに切断した断面図である。第6実施形態を説明するに当たって、第1実施形態と同一の部分に対しては第1実施形態を参照し、重複説明は省略する。図13及び図14を参照すると、発光モジュール300Dの回路基板100は第1実施形態の回路基板100と同一であり、発光素子パッケージ200は第1実施形態の発光素子パッケージ200と同一である。即ち、上記回路基板100は、金属プレート110、絶縁層140、ガイドパターン130、パッド135、及び上記絶縁層140を覆うソルダーレジスト120を含む。上記金属プレート110の上面から所定深さを有するキャビティ150が形成されている。上記キャビティ150は発光素子パッケージ200を実装するための実装部であって、上記発光素子パッケージ200より広い面積を有するように形成されて、上記キャビティ150の内側面と上記発光素子パッケージ200との間に離隔空間が形成される。上記ソルダーレジスト120は、上記回路基板100の全面に塗布され、散乱される光を吸収することによって、光の集進性を向上させるために光透過性が低く、反射度の低い暗い色で着色されている。上記ガイドパターン130の上に上記キャビティ150を囲みながらガイド突起160が形成されている。上記ガイド突起160は、分離されている2つの上記ガイドパターン130を連結して閉ループを形成しながら形成されている。上記ガイド突起160は絶縁性の無機物で形成され、不透過性の物質で形成される。上記発光素子パッケージ200は、絶縁基板210、上記絶縁基板210の上に形成された複数のパッド部220、及び上記パッド部220の上に付着されている複数の発光素子250を含む。上記絶縁基板210は、上記キャビティ150の内に実装できるように上記キャビティ150の底面より小さな断面積を有する直六面体形状を有する。上記絶縁基板210は熱伝導率の高い窒化物基板であって、好ましくは、窒化アルミニウム基板でありうる。上記絶縁基板は、熱伝導率が170Kcal/mh°C以上を有することができる。上記窒化物絶縁基板210は、300μm以上の厚さ、好ましくは350μm以上の厚さを有し、キャビティ150の深さより大きい厚さを有することで、キャビティ150の外部に突出している。上記絶縁基板210は、図6のように上記キャビティ150の底面に塗布されている熱伝導性の高い接着ペースト271により上記キャビティ150と付着されている。上記接着ペースト271は、AuSnを含む導電性ペーストでありうる。上記接着ペースト271は、熱と圧力により上記絶縁基板210の底面の下部に薄く分散され、上記絶縁基板210の側面の一部を囲むようにフィレット270が形成され、上記絶縁基板210を支持する。上記絶縁基板210と上記キャビティ150の側面との間の離隔空間に図8及び図9のように側面放熱部材155が形成されている。上記側面放熱部材155は、上記キャビティ150の側面と上記絶縁基板210の側面との間を連結しながら形成される。上記側面放熱部材155は熱伝導率の高い物質で形成され、好ましくは上記絶縁基板210より熱伝導率の高い金属でありうる。例えば、上記側面放熱部材155は、銅、銀、金、またはアルミニウムを含む合金で形成され、合金パウダーを含むペーストを塗布して形成し、あるいは合金コインを上記離隔空間に埋め立てることによって形成することができる。このように、上記絶縁基板210と上記金属プレート110が付着された状態で、上記絶縁基板210を付着している接着ペースト271の上に側面放熱部材155が形成されて、上記接着ペースト271のフィレット270を加圧することで、上記絶縁基板210を上記金属プレート110と堅く付着させることができる。熱伝導性に優れる金属で上記側面放熱部材155を形成することによって、上記発光素子パッケージ200から発生する熱を上記絶縁基板210の下部だけでなく、上記絶縁基板210の側面を通じて放熱できるので、放熱性が向上する。以下、図15を参考にして本発明の第7実施形態に係る発光モジュールを説明する。図15の第7実施形態に係る発光モジュール300Eは、図14の発光モジュール300Aと同一の構成を有するので、詳細な構成に対する説明は省略する。図15の発光モジュール300Eは、上記回路基板100のキャビティ150側面と上記絶縁基板210の側面との間の離隔空間に側面放熱部材273を含む。上記側面放熱部材273は、上記絶縁基板210と上記回路基板100とを接着する接着ペースト272から延びて形成される。即ち、上記接着ペースト272は、銀、金、アルミニウム、または銅などの金属を含む合金粒子、またはシリコンのように熱伝導率の高い無機物粒子を含む。上記発光モジュール300Bは、上記接着ペースト272を上記キャビティ150の底面に過度に塗布し、上記発光素子パッケージ200を加圧して付着しながら、上記加圧によりキャビティ150の底面の接着ペースト272が上記キャビティ150の側面と上記絶縁基板210の側面との間の離隔空間を詰める。したがって、上記接着ペースト272から延びる側面放熱部材273が離隔空間に形成され、別途の金属部材の埋め立て、または塗布工程無しで、上記回路基板100と上記発光素子パッケージ200の接着工程により上記側面放熱部材273を形成することができる。したがって、上記発光素子パッケージ200から発生する熱を上記絶縁基板210の下面だけでなく側面を通じて回路基板100の金属プレート110に伝達することで、放熱性を向上させることができる。一方、上記発光モジュール300は、上記回路基板100のキャビティ150を覆うモールディング部を形成することができる。以下、図16乃至図20を参考にして、本発明のモールディング部の多様な適用例を説明する。図16の発光モジュール300Fは、図1乃至図8の発光モジュール300に上記キャビティ150を埋め立てるモールディング部275を含む。上記モールディング部275は、上記キャビティ150の内の発光素子パッケージ200を保護し、上記発光素子250からの光を放出する透明樹脂物質で形成され、屈折率が相異する複数の樹脂層で形成される。上記モールディング部275は、上部表面が凸レンズ形状を有するように外方に屈曲して形成される。上記モールディング部275は、上記回路基板100のガイド突起160の内方に形成され、上記ガイド突起160が上記モールディング部275の位置をガイドすることができる。上記モールディング部275はシリコンまたはエポキシのような透明な樹脂材料を利用することができ、上記モールディング部275の樹脂物質の内に少なくとも1種類の蛍光体が添加されることもできる。蛍光体は、黄色蛍光体、または黄色蛍光体と赤色蛍光体を含むことができる。図17の発光モジュール300Gは図16のように凸型のモールディング部272を含み、上記発光素子250の上に蛍光層276が形成される。即ち、上記発光素子250の最上層の上に上記蛍光体を含む樹脂物をコーティングして蛍光層276を形成することで、上記発光色を調節することができる。この際、上記モールディング部272も上記ガイド突起160の内方に形成されて上記ガイド突起160によりガイドされる。一方、図18の発光モジュール300Hは、上記ガイド突起160を支持層にして上記キャビティ150を覆うフィルム型のモールディング部280を含む。上記モールディング部280は、図16及び図17とは異なり、上記キャビティ150の内を埋め立てず、上記キャビティ150の内にエアーギャップを有するように上記キャビティ150の上部を覆うことで、キャビティ150の内部を密閉させる。上記モールディング部280は透明樹脂材料で形成されているフィルムであって、上記モールディング部280の内に図16のように蛍光層が含まれる。一方、図19の発光モジュール300Iのように、上記モールディング部282が透明樹脂材料のフィルム型に形成されており、上記発光素子250の最上層に蛍光層281がコーティングされている構造を有することができる。一方、図20の発光モジュール300Jの場合、上記モールディング部290が上記ガイド突起160の上面から延びて上記キャビティ150を埋め立てるように形成されることもできる。上記モールディング部290の上面は、内部の上記発光素子250に向かって凹に屈曲を有するように形成され、蛍光体が上記モールディング部290の内に、または上記発光素子250の最上層にコーティングされて形成される。上記図16乃至図20のように、上記モールディング部275、272、280、282、290の構成は多様に変形できる。以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、特許請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。