内燃機関から排出された排気ガスを排気マニホルド下流で浄化する第1排気浄化触媒と第2排気浄化触媒とを備えた排気ガス浄化装置において、前記排気マニホルド下流に排気ガス流路が2方向に分岐する第1分岐通路を設け、この第1分岐通路内には排気ガスの流れを前記第1排気浄化触媒と前記第2排気浄化触媒とのいずれかに切り替える第1排気ガス通路切替手段を設け、前記第1排気浄化触媒下流に排気ガス流路が2方向に分岐する第2分岐通路を設け、この第2分岐通路内には排気ガスの流れを前記第2排気浄化触媒上流とマフラとのいずれかに切り替える第2排気ガス通路切替手段を設け、前記第2排気浄化触媒下流に排気ガス流路が2方向に分岐する第3分岐通路を設け、この第3分岐通路内には排気ガスの流れを前記第1排気浄化触媒上流と前記マフラとのいずれかに切り替える第3排気ガス通路切替手段を設け、前記第1排気ガス通路切替手段と前記第2排気ガス通路切替手段と前記第3排気ガス通路切替手段とを制御する制御手段を設けたことを特徴とする排気ガス浄化装置。前記第1排気浄化触媒は三元触媒であり、かつ、前記第2排気浄化触媒はHCトラップ触媒であることを特徴とする請求項lに記載の排気ガス浄化装置。前記制御手段は、前記第1排気浄化触媒の温度が所定の温度未満、かつ、前記第2排気浄化触媒の温度が所定の温度未満であるときは、前記第1排気浄化触媒から前記第2排気浄化触媒の順に排気ガスが流れるように前記第1排気ガス通路切替手段と前記第2排気ガス通路切替手段と前記第3排気ガス通路切替手段とを制御することを特徴とする請求項2に記載の排気ガス浄化装置。前記制御手段は、前記第1排気浄化触媒の温度が所定の温度以上、かつ、前記第2排気浄化触媒の温度が所定の温度以下であるときには、前記第2排気浄化触媒から前記第1排気浄化触媒の順に排気ガスが流れるように前記第1排気ガス通路切替手段と前記第2排気ガス通路切替手段と前記第3排気ガス通路切替手段とを制御することを特徴とする請求項2に記載の排気ガス浄化装置。前記制御手段は、前記第2排気浄化触媒の温度が所定の温度を超えるときには、前記第1排気浄化触媒のみに排気ガスが流れるように前記第1排気ガス通路切替手段と前記第2排気ガス通路切替手段と前記第3排気ガス通路切替手段とを制御することを特徴とする請求項2に記載の排気ガス浄化装置。ところで、内燃機関の始動直後の炭化水素HCを一時的に吸着し、そして、触媒が活性後に吸着した炭化水素HCを反応させる炭化水素吸着触媒としてのHCトラップ触媒を備えた排気ガス浄化装置においては、HCトラップ触媒が高温になるにつれて、炭化水素HCの吸着能力が低下し、触媒が完全に活性する前に、炭化水素HCの大部分が脱離してしまうために、その性能を十分に発揮できないという不都合があった。また、HCトラップ触媒には吸着剤としてゼオライトを主に使用しているが、このゼオライトは、熱に弱く、高温の排気ガスに長時間晒されることにより、炭化水素HCの吸着能力が著しく低下するという不都合があった。そこで、この発明の目的は、排気通路、触媒個数、触媒種類を最適化し、排気ガスの浄化率を向上させる排気ガス浄化装置を提供することにある。この発明は、内燃機関から排出された排気ガスを排気マニホルド下流で浄化する第1排気浄化触媒と第2排気浄化触媒とを備えた排気ガス浄化装置において、前記排気マニホルド下流に排気ガス流路が2方向に分岐する第1分岐通路を設け、この第1分岐通路内には排気ガスの流れを前記第1排気浄化触媒と前記第2排気浄化触媒とのいずれかに切り替える第1排気ガス通路切替手段を設け、前記第1排気浄化触媒下流に排気ガス流路が2方向に分岐する第2分岐通路を設け、この第2分岐通路内には排気ガスの流れを前記第2排気浄化触媒上流とマフラとのいずれかに切り替える第2排気ガス通路切替手段を設け、前記第2排気浄化触媒下流に排気ガス流路が2方向に分岐する第3分岐通路を設け、この第3分岐通路内には排気ガスの流れを前記第1排気浄化触媒上流と前記マフラとのいずれかに切り替える第3排気ガス通路切替手段を設け、前記第1排気ガス通路切替手段と前記第2排気ガス通路切替手段と前記第3排気ガス通路切替手段とを制御する制御手段を設けたことを特徴とする。この発明の排気ガス浄化装置は、排気ガスの浄化率を向上させることができる。この発明は、排気ガスの浄化率を向上させる目的を、排気通路、触媒個数、触媒種類を最適化し、内燃機関の冷機始動後の触媒状態に合わせて排気ガスの流れを制御して実現するものである。図1~図7は、この発明の実施例を示すものである。図1において、1は車両に搭載される内燃機関、2はこの内燃機関1の排気口側に付設された排気マニホルドである。内燃機関1には、排気系で、排気ガス浄化装置3が設けられる。この排気ガス浄化装置3において、排気マニホルド2の下流には、第1分岐通路4が設けられる。この第1分岐通路4は、排気ガス流路を2方向に分岐するものであって、第1排気通路5と第2排気通路6とに接続する。第1排気通路5は、第1排気浄化触媒7の上流に接続する。第2排気通路6は、第2排気浄化触媒8の上流に接続する。第1分岐通路4内には、排気マニホルド2からの排気ガスの流れを第1排気浄化触媒7と第2排気浄化触媒8とのいずれかに切り替える第1排気ガス通路切替手段9が設けられる。第1排気浄化触媒7の下流には、第2分岐通路10が設けられる。この第2分岐通路10は、排気ガス流路を2方向に分岐するものであって、第3排気通路11と第4排気通路12とに接続する。第3排気通路11は、第2排気浄化触媒8の上流に接続する。第4排気通路12は、マフラ13に接続する。このマフラ13は、排気ガスを消音して大気に放出する。第2分岐通路10内には、排気ガスの流れを第2排気浄化触媒8の上流とマフラ13とのいずれかに切り替える第2排気ガス通路切替手段14が設けられる。第2排気浄化触媒8の下流には、第3分岐通路15が設けられる。この第3分岐通路15は、排気ガス流路を2方向に分岐するものであって、第5排気通路16と第6排気通路17とに接続する。第5排気通路16は、第1排気浄化触媒7の上流に接続する。第6排気通路17は、第4排気通路12に合流した後にマフラ13に接続する。第3分岐通路15内には、排気ガスの流れを第1排気浄化触媒7の上流とマフラ13とのいずれかに切り替える第3排気ガス通路切替手段18が設けられる。第1排気ガス通路切替手段9と第2排気ガス通路切替手段14と第3排気ガス通路切替手段18とは、制御手段19に連絡する。また、この制御手段19には、内燃機関1の冷却水通路の冷却水の温度を検出してその値を出力する機関温度センサ20と、第1排気浄化触媒7の温度Cを検出してその値を出力する第1排気浄化触媒温度センサ21と、第2排気浄化触媒8の温度Tを検出してその値を出力する第2排気浄化触媒温度センサ22とが連絡している。制御手段19は、機関温度センサ20と第1排気浄化触媒温度センサ21と第2排気浄化触媒温度センサ22とからの各温度データを入力し、その時の運転状態に合った排気通路構成を決定し、その適正な排気通路構成となるように、第1排気ガス通路切替手段9と第2排気ガス通路切替手段14と第3排気ガス通路切替手段18とを切り替え制御する。このように、複数の排気通路及び複数の切替手段を設ける構成とすることにより、排気マニホルド2からの排気ガスの流動を第1排気浄化触媒7から第2排気浄化触媒8へ、又は、第2排気浄化触媒8から第1排気浄化触媒7へ、又は、第1排気浄化触媒7のみ、又は、第2排気浄化触媒8のみ、と切り替えることができ、内燃機関1の運転状態に適した排気ガスの流れの経路を選択し、最適な排気ガス浄化ができる。第1排気浄化触媒7は、三元触媒であり、排気ガス中の有害成分を酸化還元作用により浄化する。この第1排気浄化触媒7は、一酸化炭素COを酸化反応により二酸化炭素CO2とし、炭化水素HCを酸化反応により水H2Oと二酸化炭素CO2とに分離し、窒素酸化物NOXを還元反応により窒素N2とし、所定の温度例えば250°C以下では未活性で浄化率が悪いが、所定の温度例えば500°C以上では浄化率が高くなる性質を有している。第2排気浄化触媒8は、HCトラップ触媒であり、炭化水素HCを吸着する特性を有する。この第2排気浄化触媒8は、該第2排気浄化触媒8の温度Tがある温度域までは炭化水素HCを吸着反応をし、それ以上の温度域例えば、離脱開始温度が150°Cでは吸着していた炭化水素HCを離脱反応する。なお、この第2排気浄化触媒8では、HC吸着材ゼオライトが高温で劣化しやすいので、高温例えば300°C以上から保護する必要がある。これにより、三元触媒からなる第1排気浄化触媒7とHCトラップ触媒からなる第2排気浄化触媒8との両方の特性を活かし、排気ガスの浄化率を向上できる。制御手段19は、図5、図6に示すように、第1排気浄化触媒7の温度Cが所定の温度C1:触媒活性判定温度、例えば350°C未満、かつ、第2排気浄化触媒8の温度Tが所定の温度T1:触媒保護判定温度、例えば300°C未満であるときは、図2に示すように、第1排気浄化触媒7から第2排気浄化触媒8の順に排気ガスが流れるように、第1排気ガス通路切替手段9と第2排気ガス通路切替手段14と第3排気ガス通路切替手段18とを制御する。このような排気通路構成は、内燃機関1の始動直後の状態であって、ここでは、構成Aと称する。この構成Aにおいて、図2に示すように、第1排気通踏切替手段9は、排気マニホルド2と第1排気通路5とを連通させる。第2排気通踏切替手段14は、第1排気浄化触媒7と第3排気通路11とを連通させる。第3排気通踏切替手段18は、第2排気浄化触媒8と第6排気通路17とを連通させる。よって、この構成Aにおいては、第1排気浄化触媒7から第2排気浄化触媒8へと連通する。そして、この構成Aでは、第1排気浄化触媒7が低温減で未活性のときに、第1排気浄化触媒7から第2排気浄化触媒8への順となり、これにより、上流の第1排気浄化触媒7に高温の排気ガスが当たり、第1排気浄化触媒7が早期に活性化できる。また、第1排気浄化触媒7が未活性の間は炭化水素HCを浄化できないため、下流の第2排気浄化触媒8で炭化水素HCを吸着できる。更に、下流の第2排気浄化触媒8の温度上昇が抑えられ、炭化水素HCの吸着効率を高めることができる。また、下流の第2排気浄化触媒8の温度上昇が抑えられ、この第2排気浄化触媒8の劣化を抑制できる。また、制御手段19は、図5、図6に示すように、第1排気浄化触媒7の温度Cが所定の温度C1以上、かつ、第2排気浄化触媒8の温度Tが所定の温度T1以下であるときには、図3に示すように、第2排気浄化触媒8から第1排気浄化触媒7の順に排気ガスが流れるように、第1排気ガス通路切替手段9と第2排気ガス通路切替手段14と第3排気ガス通路切替手段18とを制御する。このような排気通路構成は、第1排気浄化触媒7の活性後の状態であって、ここでは、構成Bと称する。この構成Bにおいては、図3に示すように、第1排気通踏切替手段9は、排気マニホルド2と第2排気通路6とを連通させる。第2排気通踏切替手段14は、第1排気浄化触媒7と第4排気通路12とを連通させる。第3排気通踏切替手段18は、第2排気浄化触媒8と第5排気通路16とを連通させる。よって、この構成Bでは、第2排気浄化触媒8から第1排気浄化触媒7へ連通する。そして、この構成Bでは、第1排気浄化触媒7の活性後、かつ第2排気浄化触媒8が劣化しない温度域ならば、第2排気浄化触媒8から第1排気浄化触媒7への順とする。そして、上流の第2排気浄化触媒8に高温の排気ガスが当たり、この第2排気浄化触媒8に吸着された炭化水素HCの脱離を促進し、この脱離した炭化水素HCが、既に活性化している下流の第1排気浄化触媒7で浄化される。更に、制御手段19は、図5、図6に示すように、第2排気浄化触媒8の温度Tが所定の温度T1を超えるときには、図4に示すように、第1排気浄化触媒7のみに排気ガスが流れるように、第1排気ガス通路切替手段9と第2排気ガス通路切替手段14と第3排気ガス通路切替手段18とを制御する。このような排気通路構成は、第2排気浄化触媒8の温度Tが十分に上昇した状態であって、ここでは、構成Cと称する。この構成Cにおいては、図4に示すように、第1排気通踏切替手段9は、排気マニホルド2と第1排気通路5とを連通させる。第2排気通踏切替手段14は、第1排気浄化触媒7と第4排気通路12とを連通させる。第3排気通踏切替手段18は、第4排気通路12から第2排気浄化触媒9への排気ガスの逆流を防止するために、第2排気浄化触媒8と第6排気通路17とを遮断させる。よって、この構成Cでは、排気ガスの流れが第1排気浄化触媒8のみとなる。そして、この構成Cでは、第1排気浄化触媒7が高温域ならば、炭化水素HCを第1排気浄化触媒7で浄化可能なため、第2排気浄化触媒8の必要が無いため、排気ガスが流れる通路を第1排気浄化触媒7のみとする。よって、第2排気浄化触媒8を高温から保護し、第2排気浄化触媒8の劣化を抑制し、さらに、排気ガスが流れる通路の通路抵抗を低減できる。次に、この実施例に係る排気ガス浄化制御について、図7のフローチャートに基づいて説明する。図7に示すように、制御手段19のプログラムがスタートするとステップA01、先ず、温度データとして、第1排気浄化触媒7の温度Cと第2排気浄化触媒8の温度Tとを読み込むステップA02。そして、第2排気浄化触媒8の温度Tを触媒保護判定温度T1と比較し、第2排気浄化触媒8の保護の要否を判断するステップA03。このステップA03において、T>T1が成立し、第2排気浄化触媒8の保護が要すると判断し、YESの場合には、図4の構成Cで示すように、第1排気浄化触媒7のみに排気ガスが流れるように、第1排気ガス通路切替手段9と第2排気ガス通路切替手段14と第3排気ガス通路切替手段18とを制御するステップA04。前記ステップA03において、T>T1が不成立で、NOの場合には、第1排気浄化触媒7の温度Cと触媒活性判定温度C1を比較し、第1排気浄化触媒7の活性、非活性を判断するステップA05。このステップA05において、C>C1が成立し、第1排気浄化触媒7の活性と判断し、YESの場合には、上記の構成Cが一定時間継続したか否かを判断するステップA06。このステップA06で、上記の構成Cが一定時間継続し、YESの場合には、前記ステップA04に移行し、制御上、構成Cと図3の構成Bとを交互に繰り返すことハンチング現象を防止し、構成Cに維持している。例として挙げれば、一定の負荷での内燃機関1の運転中に、構成Cが成立すると、第2排気浄化触媒8へ排気ガスが流れないため、第2排気浄化触媒8の温度Tが低下する。そして、前記ステップA03において、T>T1が不成立で、前記ステップA05において一定の負荷で内燃機関1の運転中のため、第1排気浄化触媒7の温度Cが高温を維持しているので、C>C1が成立し、図3の構成Bとなる。さらに、排気ガスが第2排気浄化触媒8へ流れ、再度、第2排気浄化触媒8の温度Tが上昇すると、前記ステップA03において、T>T1が成立し、構成Cが成立する。このため、前記ステップA05を有さしめ、構成Cと構成Bとのハンチングの発生を防止している。一方、前記ステップA06で、構成Cが一定時間継続せず、NOの場合には、構成Cとのハンチングが無いと判断し、構成Bが成立するステップA07。また、前記ステップA05において、C>C1が不成立で、NOの場合には、第1排気浄化触媒7の活性と判断し、図2の構成AとするステップA08。前記ステップA04の処理後、前記ステップA07の処理後、又は、前記ステップA08の処理後は、プログラムをリターンさせてステップA09、この制御を繰り返す。なお、この発明は、特性の異なる二種類の触媒をレイアウトする上で有用であって、例えば、ディーゼル機関や、リーンバーンガソリン機関等で、窒素酸化物NOXの低減が難しい車両に搭載された内燃機関において、NOX吸蔵還元触媒を、HCトラップ触媒第2排気浄化触媒に置き換え、排気ガスの流れを適切に切り替えることで、NOX浄化性能の向上を図ることができる。