少なくとも2つのマレイミド骨格を有するマレイミド化合物と、少なくとも2つのアミノ基を有するとともに芳香族環構造を有する芳香族ジアミン化合物と、前記マレイミド化合物と前記芳香族ジアミン化合物との反応を促す、塩基性基およびフェノール性水酸基を有する触媒と、シリカと、を有することを特徴とする樹脂組成物。前記触媒は、前記塩基性基として、トリアジン骨格およびアニリン骨格のうちの1つを有している請求項1に記載の樹脂組成物。前記触媒の含有量は、前記樹脂組成物の固形分100質量中1~5質量の範囲内である請求項1または2に記載の樹脂組成物。前記マレイミド化合物の含有量は、前記樹脂組成物の固形分100質量中70~85質量の範囲内である請求項1ないし3のいずれかに記載の樹脂組成物。前記芳香族ジアミンの含有量は、前記マレイミド化合物との当量比において0.8~1.2の範囲内となる量である請求項1ないし4のいずれかに記載の樹脂組成物。請求項1ないし5のいずれかに記載の樹脂組成物を基材に含浸させてなることを特徴とするプリプレグ。請求項6に記載のプリプレグの少なくとも片面上に金属箔を配置してなることを特徴とする積層板。請求項6に記載のプリプレグの少なくとも2枚が積層されたプリプレグ積層体からなることを特徴とする積層板。請求項1ないし5のいずれかに記載の樹脂組成物を支持フィルム又は金属箔上に配置してなることを特徴とする樹脂シート。請求項6に記載のプリプレグ、請求項7もしくは請求項8に記載の積層板、又は請求項9に記載の樹脂シートから形成されてなることを特徴とするプリント配線板。請求項10に記載のプリント配線板に半導体素子を搭載してなることを特徴とする半導体装置。本発明の目的は、低い線膨張率および高い耐熱性を有するとともに、金属層との密着性に優れる樹脂組成物およびこれを用いたプリプレグ、積層板、樹脂シート、プリント配線板、半導体装置を提供することにある。このような目的は、下記1~11の本発明により達成される。1少なくとも2つのマレイミド骨格を有するマレイミド化合物と、少なくとも2つのアミノ基を有するとともに芳香族環構造を有する芳香族ジアミン化合物と、前記マレイミド化合物と前記芳香族ジアミン化合物との反応を促す、塩基性基およびフェノール性水酸基を有する触媒と、シリカと、を有することを特徴とする樹脂組成物。2前記触媒は、前記塩基性基として、トリアジン骨格およびアニリン骨格のうちの1つを有している上記1に記載の樹脂組成物。3前記触媒の含有量は、前記樹脂組成物の固形分100質量中1~5質量の範囲内である上記1または2に記載の樹脂組成物。4前記マレイミド化合物の含有量は、前記樹脂組成物の固形分100質量中70~85質量の範囲内である上記1ないし3のいずれかに記載の樹脂組成物。5前記芳香族ジアミンの含有量は、前記マレイミド化合物との当量比において0.8~1.2の範囲内となる量である上記1ないし4のいずれかに記載の樹脂組成物。6上記1ないし5のいずれかに記載の樹脂組成物を基材に含浸させてなることを特徴とするプリプレグ。7上記6に記載のプリプレグの少なくとも片面上に金属箔を配置してなることを特徴とする積層板。8上記6に記載のプリプレグの少なくとも2枚が積層されたプリプレグ積層体からなることを特徴とする積層板。9上記1ないし5のいずれかに記載の樹脂組成物を支持フィルム又は金属箔上に配置してなることを特徴とする樹脂シート。10上記6に記載のプリプレグ、上記7もしくは上記8に記載の積層板、又は上記9に記載の樹脂シートから形成されてなることを特徴とするプリント配線板。11上記10に記載のプリント配線板に半導体素子を搭載してなることを特徴とする半導体装置。本発明の樹脂組成物によれば、低い線膨張率および高い耐熱性を発揮することができるとともに、金属層との優れた密着性を発揮することができる。さらに、本発明の樹脂組成物によれば、低い誘電率および誘電正接を発揮することもできる。そのため、本発明の樹脂組成物本発明の樹脂組成物を用いたプリプレグをプリント配線板等に用いた場合には、実装信頼性を維持しつつ、高密度集積化、高密度実装化を実現することができ、また、金属層導体回路との密着性に優れる高いピール強度を有するプリント配線板等が得られる。以下、本発明の樹脂組成物、プリプレグ、積層板、樹脂シート、プリント配線板および半導体装置の好適な実施形態について説明する。1.樹脂組成物本発明の樹脂組成物は、少なくとも2つのマレイミド骨格マレイミド基を有するマレイミド化合物Aと、少なくとも2つのアミノ基を有するとともに、芳香族環構造を有する芳香族ジアミン化合物Bと、マレイミド化合物と芳香族ジアミン化合物との反応を促す、塩基性基およびフェノール性水酸基を有する触媒Cと、シリカDとを有している。以下、これら各成分について説明する。[マレイミド化合物A]マレイミド化合物Aは、樹脂組成物の主材となる樹脂である。このようなマレイミド化合物Aは、少なくとも2つのマレイミド骨格を有する。樹脂組成物にこのようなマレイミド化合物Aを使用することにより、樹脂組成物を硬化させてなる硬化体の線膨張率を低くすることができる。さらには、硬化体のガラス転移温度を高くすることができ、優れた耐熱性特に半田耐熱性を発揮することのできる硬化体が得られる。これは、マレイミド化合物Aに由来する剛直な骨格が、硬化体中の分子鎖のミクロブラウン運動を抑制するためであると考えられる。なお、本明細書中の樹脂組成物の硬化体とは、樹脂組成物中の硬化性樹脂が有する官能基の反応が実質的に完結した状態を意味し、例えば、示差走査熱量測定DSC装置により発熱量を測定することにより評価することができる。具体的には、樹脂組成物の硬化体とは、この発熱量がほとんど検出されない状態を言い、後述するプリント配線板の内層回路基板や絶縁層がこれに当たる。マレイミド化合物Aとしては、2つのマレイミド骨格を有していれば特に限定されず、例えば、N、N’-4、4-ジフェニルメタンビスマレイミド、N、N’-1、3-フェニレンジマレイミド、N、N’-1、4-フェニレンジマレイミド、1、2-ビスマレイミドエタン、1、6-ビスマレイミドヘキサン、ビス3-エチル-5-メチル-4-マレイミドフェニルメタン、2、2’-[4-4-マレイミドフェノキシフェニル]プロパン、ポリフェニルメタンマレイミド、ビスフェノールAジフェニルエーテルビスマレイミド、4-メチル-1、3-フェニレンビスマレイミド、1、6-ビスマレイミド-2、2、4-トリメチルヘキサンおよびこれらのオリゴマー、並びにマレイミド骨格含有ジアミン縮合物等が挙げられる。これらの中でも、マレイミド化合物Aとしては、吸水率が低いという観点から、特に、2、2’-[4-4-マレイミドフェノキシフェニル]プロパン、ビス-3-エチル-5-メチル-4-マレイミドフェニルメタンが好ましい。なお、マレイミド化合物Aとしては、これらのうちの1種類を単独で使用してもよいし、2種類以上を組み合わせて使用してもよい。マレイミド化合物Aの含有量としては、特に限定されないが、樹脂組成物の固形分樹脂組成物全体のうちシリカを除いたもの100質量中、70~85質量であることが好ましい。これにより、硬化体の線膨張率がより低くなるとともに、ガラス転移温度がより高くなる。マレイミド化合物Aの含有量が前記下限値未満であると、硬化体の線膨張率が十分に低くならない場合があり、実装信頼性が低下したり、プリプレグ、プリント配線板の反りが大きくなったりする場合がある。一方、前記上限値を超えると、ピール強度が低下し、硬化体と金属層導体回路との密着性が低下する場合がある。[芳香族ジアミン化合物B]芳香族ジアミン化合物Bは、少なくとも2つのアミノ基を有するとともに、芳香族環構造を有している。このような芳香族ジアミン化合物Bをマレイミド化合物Aと反応させることにより、硬化体の線膨張率をさらに下げることができ、また硬化体のガラス転移温度をさらに高めることができる。また、芳香族ジアミン化合物Aは、その分子内に窒素原子を有しているため、硬化体と金属層導体回路との密着性をより高くすることができる。このような芳香族ジアミン化合物Bとしては、少なくとも2つのアミノ基を有するとともに、芳香族環構造を有していれば特に限定されず、例えば、m-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、o-キシレンジアミン等の芳香族環を1個有する芳香族ジアミン化合物、ビフェニル系ジアミン化合物、ジフェニルエーテル系ジアミン化合物、ベンゾフェノン系ジアミン化合物、ジフェニルスルホン系ジアミン化合物、ジフェニルメタン系ジアミン化合物、ジフェニルプロパン系ジアミン化合物、ジフェニルチオエーテル系ジアミン化合物等の芳香族環を2個有する芳香族ジアミン化合物、ビスフェノキシベンゼン系ジアミン化合物、ビスフェノキシフェニルスルホン系ジアミン化合物等の芳香族環を3個有する芳香族ジアミン化合物、ビスフェノキシジフェニルスルホン系ジアミン化合物、ビスフェノキシフェニルヘキサフルオロプロパン系ジアミン化合物、ビスフェノキシフェニルプロパン系ジアミン化合物等の芳香族環を4個有する芳香族ジアミン化合物を挙げることができる。なお、芳香族ジアミン化合物Bとしては、これらのうちの1種類を単独で使用してもよいし、2種類以上を組み合わせて使用してもよい。これらの中でも、芳香族ジアミン化合物Bとしては、芳香族環が2個以上、4個以下の芳香族ジアミン類化合物が好ましい。このような化合物としては、例えば、4、4’-ジアミノジフェニルメタン、4、4’-ジアミノジフェニルプロパン、4、4’-ジアミノジフェニルエーテル、4、4’-ジアミノジフェニルスルホン、3、3’-ジアミノジフェニルスルホン、1、5-ジアミノナフタレン、4、4’-ジアミノ-3、3’-ジエチル-5、5’-ジメチルジフェニルメタン、3、3’-ジエチル-4、4’-ジアミノジフェニルメタン等の芳香族環を2個有するもの、4、4’-p-フェニレンジイソプロピリデンジアニリン、1、4-ビス4-アミノフェノキシベンゼン等の芳香族環を3個有するもの、2、2-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]プロパン等の芳香族環を4つ有するものなどが挙げられる。芳香族ジアミン化合物Bの含有量としては、特に限定されないが、芳香族ジアミン化合物Bのマレイミド化合物Aの活性二重結合当量との当量比が、0.8~1.2となる量であるのが好ましい。これにより、芳香族ジアミン化合物Bとマレイミド化合物Aとをバランス良く反応させることができ、未反応の芳香族ジアミン化合物Bやマレイミド化合物Aの残存を効果的に抑制することができる。そのため、硬化体の線膨張率がより低くなるとともに、ガラス転移温度がより高くなる。なお、芳香族ジアミン化合物Bの含有量が上記下限値未満または上記上限値を超えると、未反応の芳香族ジアミン化合物Bやマレイミド化合物Aが多く残存し、これにより、硬化体の耐熱性が低下する場合がある。[触媒C]触媒Cは、マレイミド化合物Aと芳香族ジアミン化合物Bとの反応を促進する機能を有している。このような触媒Cは、塩基性基およびフェノール性水酸基を有する化合物である。触媒C中のフェノール性水酸基では、水素イオンが容易に離脱することができ、この離脱した水素イオンの作用によって、マレイミド化合物Aと芳香族ジアミン化合物Bとの反応が促進される。具体的には、触媒Cから離脱した水素イオンは、マレイミド化合物A中のマレイミド基が有するC=C炭素-炭素二重結合に付加し、C=Cの一方の炭素がカチオンとなる。これにより、芳香族ジアミン化合物Bの窒素原子がマレイミド化合物Aのカチオンとなった炭素原子を求核攻撃し易くなり、その結果、マレイミド化合物Aと芳香族ジアミン化合物Bとの硬化反応を促進することができる。したがって、触媒Cの存在下では、低温であっても、マレイミド化合物Aと芳香族ジアミン化合物Bとを反応させることができる。そのため、硬化体の線膨張率をさらに下げることができるとともに、硬化体のガラス転移温度をさらに高めることができる。また、触媒Cは、マレイミド化合物Aの自己重合、具体的には、マレイミド基が有するC=C炭素-炭素二重結合同士の重合を抑制することができ、硬化体の架橋構造に歪を生じさせないため、残留応力が小さく金属配線層導体回路との密着性に優れる硬化体が得られる。また、例えば、触媒Cとして、例えばフェノールのようにフェノール性水酸基を有するが塩基性基を有しない化合物を使用した場合、樹脂組成物中に遊離するフェノールによって硬化体の耐熱性半田耐熱性が悪化するが、本発明のように、触媒Cとして、塩基性基およびフェノール性水酸基を有する化合物を使用することにより、上述したような触媒効果を発揮しつつ、塩基性基の存在により硬化体の耐熱性半田耐熱性をより高めることができる。このような触媒Cとしては、塩基性基およびフェノール性水酸基を有する化合物であれば特に限定されず、例えば、トリアジン変性ノボラック化合物、アニリン変性ノボラック化合物、メラミン変性ノボラック化合物等が挙げられる。なお、触媒Cとしては、1種類を単独で使用してもよいし、2種類以上を組み合わせて使用してもよい。これらの中でも、触媒Cとしては、トリアジン変性ノボラック化合物であるのが好ましい。このように、触媒としてトリアジン骨格を有する化合物を使用することで、上述した触媒効果を十分に発揮することができるとともに、硬化体の誘電率および誘電正接をより低くすることができる。トリアジン骨格を有する化合物としては、例えば、下記一般式1で示される化合物を用いることができる。これらの構造を有する化合物を使用すると、フェノール性水酸基が、容易に分子内の窒素により、フェノラートアニオンになるため、触媒効果が高くなり、また、容易にエポキシ等と反応するため、樹脂組成物内に組み込まれ、遊離しないため、特に好ましい。触媒Cの含有量としては、特に限定されないが、樹脂組成物の固形分100質量中、1~5質量であることが好ましい。これにより、触媒としての機能を十分に発揮することができるとともに、硬化体の耐熱性をより高め、誘電正接をより低くすることができる。[シリカD]樹脂組成物が無機充填剤としてシリカDを有することにより、硬化体の線膨張率をより低くすることができる。このようなシリカDとしては、特に限定されず、溶融シリカ、粉砕シリカ、ゾルゲルシリカ等を用いることができるが、溶融シリカであるのが好ましい。これにより、上記効果をより効果的に発揮することができる。また、シリカDは、球状であるのが好ましい。これにより、樹脂組成物中におけるシリカDの含有量を多くしても流動性に優れる樹脂組成物が得られる。そのため、硬化体の形成が容易で、かつ硬化体の線膨張率をより低くすることができる。また、シリカDの平均粒径としては、特に限定されないが、0.05μm~2.0μm程度であるのが好ましい。これにより、樹脂組成物の粘度を適度なものに保つことができるとともに、樹脂組成物中でのシリカDの沈降を防止することができる。なお、シリカDの平均粒径は、島津製作所SALD-7000等の一般的な機器を用いて測定することができる。また、シリカDの含有量としては、特に限定されないが、樹脂組成物含有成分の溶解および/または分散を目的として含有させる溶剤を除いた成分の合計100質量中、20~85質量程度であるのが好ましく、25~75質量程度であるのがより好ましい。このような範囲とすることにより、硬化体の線膨張率をより低くすることができる。なお、シリカDの含有量が前記下限値未満であると、硬化体の線膨張率が高くなったり、吸水率が高くなったりする場合がある。また、前記上限値を超えると、樹脂組成物の流動性の低下により絶縁樹脂層の成形性が低下する場合がある。また、シリカDの比表面積としては、特に限定されないが、1~200m2/g程度であることが好ましい。比表面積が前記上限値を超えるとシリカD同士が凝集しやすくなり、樹脂組成物の構造が不安定になる場合がある。また前記下限値未満であると樹脂組成物中にシリカDを充填し難くなる場合がある。なお、比表面積は、BET法により求めることができる。シリカDは、官能基含有シラン類、アルキルシラザン類などのカップリング剤によって表面処理されていてもよい。このような表面処理を予め施すことにより、シリカDの凝集を抑制することができ、樹脂組成物中にシリカDを良好に分散させることができる。さらには、シリカDと、マレイミド化合物Aや芳香族ジアミン化合物Bとの密着性が向上するため、硬化体の機械強度が向上する。カップリング剤としては、特に限定されず、公知のものを使用することができ、例えば、エポキシシラン、スチリルシラン、メタクリロキシシラン、アクリロキシシラン、メルカプトシラン、N-ブチルアミノプロピルトリメトキシシラン、N-エチルアミノイソブチルトリメトキシシラン、N-メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、N-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-N-アリルアミノプロピルトリメトキシシラン、シクロヘキシルアミノメチルトリエトキシシラン、N-シクロヘキシルアミノプロピルトリメトキシシラン、N-エチルアミノイソブチルメトキシルジエトキシシラン、フェニルアミノメチルメチルジメトキシシラン、N-フェニルアミノメチルトリエトキシシラン、N-メチルアミノプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルシラン、イソシアネートシラン、スルフィドシラン、クロロプロピルシラン、ウレイドシラン化合物等が挙げられる。カップリング剤の含有量としては、特に限定されないが、シリカD100質量に対して、0.01~5質量程度であるのが好ましく、0.1~3質量程度であるのがより好ましい。カップリング剤の含有量が前記上限値を超えると、硬化体製造時において硬化体にクラックが入る場合があり、前記下限値未満であると、櫛組成物中の樹脂成分とシリカDとの結合力が低下する場合がある。[他の成分]本発明の樹脂組成物は、前述したように、マレイミド化合物Aと、芳香族ジアミン化合物Bと、触媒Cと、シリカDとを必須成分としているが、本発明の目的に反しない範囲において、その他の樹脂、硬化剤、硬化促進剤、難燃剤、カップリング剤、無機充填材、その他の成分を添加してもよい。2.プリプレグ本発明のプリプレグは、上述した本発明の樹脂組成物を基材に含浸させてなるものである。これにより、線膨張率が低く、優れた密着性金属配線層との密着性および耐熱性を有し、誘電率および誘電正接が低いプリプレグが得られる。プリプレグで用いる基材としては、特に限定されず、例えば、ガラス繊布、ガラス不繊布等のガラス繊維基材、ガラス以外の無機化合物を成分とする繊布または不繊布等の無機繊維基材、芳香族ポリアミド樹脂、ポリアミド樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂等の有機繊維で構成される有機繊維基材等が挙げられる。これら基材の中でも強度、吸水率の点でガラス織布に代表されるガラス繊維基材が好ましい。樹脂組成物を基材に含浸させる方法としては、特に限定されず、例えば、溶剤を用いて樹脂組成物を樹脂ワニスとして調整し、この樹脂ワニスに基材を浸漬する方法、樹脂ワニスを各種コーターにより塗布する方法、樹脂ワニスをスプレーにより吹き付ける方法等が挙げられる。これらの中でも、基材を樹脂ワニスに浸漬する方法が好ましい。これにより、基材に対する樹脂組成物の含浸性が向上する。樹脂ワニスを調整する際に用いる溶媒としては、樹脂組成物に対して良好な溶解性を示すことが望ましい。このような溶媒としては、例えば、N-メチルピロリドン等が挙げられる。プリプレグは、樹脂組成物樹脂ワニスを含浸させた基材を加熱乾燥させることにより得られる。3.積層板本発明の積層板は、上述したプリプレグを少なくとも1枚成形してなるものである。これにより、線膨張率が低く、優れた密着性金属配線層との密着性および耐熱性を有し、誘電率および誘電正接が低い積層板が得られる。このような積層板は、例えば、次のようにして形成することができる。すなわち、まず、プリプレグを1枚または複数枚用意する。複数枚用意した場合には、これらを積層する。次いで、プリプレグの両面複数枚を積層している場合には、その積層体の両面に金属箔金属配線層またはキャリアフィルムを重ねる。次に、これを加熱、加圧し、プリプレグ中の樹脂組成物を硬化完全硬化させることにより積層板が得られる。加熱温度は、特に限定されないが、150~240°C程度であるのが好ましく、180~220°C程度であるのがより好ましい。また、加圧する際の圧力は、特に限定されないが、2~5MPa程度であるのが好ましく、2.5~4MPa程度であるのがより好ましい。4.プリント配線板本発明のプリント配線板は、上述した積層板を用いて製造される。以下、プリント配線板の製造方法の一例について説明するが、プリント配線板の製造方法は、下記の製造方法に限定されない。まず、両面に金属層銅箔が重ねられた積層板を用意し、この積層板にドリル等によりスルーホールを形成する。次に、スルーホールにメッキ等を充填し導体ポストを形成する。次に、積層板の両面に形成された金属層をエッチング等により所定パターンにパターニングし導体回路内層回路を形成する。次に、導体回路を黒化処理等の粗化処理する。これにより、内層回路基板が得られる。次に、内層回路基板の両面に前述したプリプレグを重ね、これを真空加圧式ラミネーター装置を用いて加熱加圧成形する。その後、熱風乾燥装置等で加熱硬化させることにより内層回路基板の両面上に、プリプレグ中の樹脂組成物が完全硬化してなる絶縁層が形成される。加熱加圧成形する条件としては、特に限定されないが、例えば、温度60~160°C、圧力0.2~3MPaで実施することができる。また、加熱硬化させる条件としては、特に限定されないが、例えば、温度140~240°C、時間30~120分間で実施することができる。次に、各絶縁層にレーザー照射によってスルーホールを形成し、このスルーホールにメッキ等を充填し導体ポストを形成する。次に、各絶縁層の表面に金属層を形成し、この金属層を所望のパターンにパターニングすることにより、各絶縁層の表面に導体回路外層回路を形成する。なお、外層回路には、半導体素子を実装するための接続用電極部等を設ける。次に、最外層にソルダーレジストを形成し、露光現像により半導体素子が実装できるよう接続用電極部を露出させる。次に、所定の大きさに切断する。これにより、多層プリント配線板が得られる。このようなプリント配線板は、線膨張率が低く、優れた密着性金属配線層との密着性および耐熱性を有し、誘電率および誘電正接が低いものとなる。また、プリント配線板はその反りが抑制されたものとなる。5.半導体装置本発明の半導体装置は、上述したプリント配線板に半導体素子を実装、封止したものである。半導体素子の実装方法、封止方法は特に限定されない。例えば、フリップチップボンダーなどを用いて多層プリント配線板上の接続用電極部と半導体素子の半田バンプの位置合わせを行う。その後、半田バンプを融点以上に加熱し、プリント配線板と半田バンプとを溶融接合することにより接続する。次に、プリント配線板と半導体素子との間に液状封止樹脂を充填し、硬化させる。これにより、半導体装置が得られる。以上、本発明の樹脂組成物、プリプレグ、積層板、樹脂シート、プリント配線板および半導体装置について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、プリプレグを構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物添加物が付加されていてもよい。以下、本発明を実施例及び比較例により説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。1.樹脂ワニス、プリプレグ、積層板、プリント配線板および半導体装置の作製実施例1[1]樹脂ワニスの調製2、2’-ビス[4-4-マレイミドフェノキシフェニル]プロパンケイアイ化成製BMI-80を82.3質量部、4、4’-ジアミノジフェニルメタン東京化成製を14.3質量部、トリアジン変性ノボラック樹脂DIC製、KA-7052、窒素含有率8、水酸基当量120を3.4質量部、溶融シリカアドマテックス製、SO-25R、平均粒径0.5μmを150質量部、に溶媒としてのN-メチルピロリドンを加え、高速撹拌装置を用い撹拌して、樹脂組成物が固形分基準で70質量の樹脂ワニスを得た。[2]プリプレグの製造前記[1]で得られた樹脂ワニスを用いて、ガラス繊布厚さ0.18mm、日東紡績社製100質量部に対して、樹脂ワニスを固形分で80質量部含浸させて、190°Cの乾燥炉で7分間乾燥させ、樹脂組成物含有量44.4質量のプリプレグを作製した。[3]積層板の製造前記[2]で得られたプリプレグを2枚重ね、上下に厚さ18μmの電解銅箔日本電解製YGP-18を重ねて、圧力4MPa、温度220°Cで180分間加熱加圧成形を行い、厚さ0.4mmの両面銅張積層板を得た。[4]プリント配線板の製造前記[3]で得られた両面銅張積層板に、0.1mmのドリルビットを用いてスルーホール加工を行った後、スルーホールにメッキを充填した。さらに、両面をエッチングによりパターニングし内層回路基板を得た。次に、内層回路基板の表裏に、前記[2]で得られたプリプレグを重ね合わせ、これを真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度100°C、圧力1MPaにて真空加熱加圧成形させた。これを、熱風乾燥装置にて170°Cで60分間加熱し硬化させて積層体を得た。次に、表面の電解銅箔層に黒化処理を施した後、炭酸ガスレーザーで、層間接続用のφ60μmのビアホールを形成した。次いで、70°Cの膨潤液アトテックジャパン社製、スウェリングディップセキュリガントPに5分間浸漬し、さらに80°Cの過マンガン酸カリウム水溶液アトテックジャパン社製、コンセントレートコンパクトCPに15分浸漬後、中和してビアホール内のデスミア処理を行った。次に、フラッシュエッチングにより電解銅箔層表面を1μm程度エッチングした後、無電解銅メッキを厚さ0.5μmで行い、電解銅メッキ用レジスト層を厚さ18μm形成しパターン銅メッキし、温度200°C時間60分加熱してポストキュアした。次いで、メッキレジストを剥離し全面をフラッシュエッチングして、L/S=20/20μmのパターンを形成した。最後に回路表面にソルダーレジスト太陽インキ社製PSR4000/AUS308を厚さ20μm形成し多層プリント配線板を得た。[5]半導体装置の製造まず、前記[4]で得られた多層プリント配線板であって、半導体素子の半田バンプ配列に相当するニッケル金メッキ処理が施された接続用電極部を配したものを50mm×50mmの大きさに切断し使用した。半導体素子TEGチップ、サイズ15mm×15mm、厚み0.8mmは、Sn/Pb組成の共晶で形成された半田バンプを有し、半導体素子の回路保護膜はポジ型感光性樹脂住友ベークライト社製、CRC-8300で形成されたものを使用した。半導体装置の組み立ては、まず、半田バンプにフラックス材を転写法により均一に塗布し、次にフリップチップボンダー装置を用い、多層プリント配線板上に加熱圧着により搭載した。次に、IRリフロー炉で半田バンプを溶融接合した後、液状封止樹脂住友ベークライト社製、CRP-4152Sを充填し、液状封止樹脂を硬化させることで半導体装置を得た。尚、液状封止樹脂の硬化条件は、温度150°C、120分の条件であった。実施例2~14および比較例1~4表1および表2に記載の配合表に従い樹脂ワニスを調製した以外は、実施例1と同様に樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、積層板、プリント配線板、半導体装置を作製した。また、各実施例および比較例により得られた樹脂ワニスおよび積層板について、次の各評価を行った。評価結果を表1に示す。2.評価方法1ゲルタイムJISC6521に準拠して、固形質量が0.15gとなる量の樹脂ワニスを170°Cに加熱したキュアプレート上に載せ、ストップウォッチで計時を開始する。棒の先端にて試料を均一に攪拌し、糸状に試料が切れてプレートに残るようになった時、ストップウォッチを止める。この試料が切れてプレートに残るようになるまでの時間をゲルタイムとした。2ガラス転移温度各実施例1~14および各比較例1~4で得られた厚さ0.4mmの両面銅張積層板を全面エッチングし、6mm×25mmの試験片を作製し、DMA装置TAインスツルメント社製動的粘弾性測定装置DMA983を用いて5°C/分で昇温し、tanδのピーク位置をガラス転移温度とした。3線膨張係数各実施例1~14および各比較例1~4で得られた厚さ0.4mmの両面銅張積層板を全面エッチングし、得られた積層板から5mm×20mmの試験片を作製し、TMA装置TAインスツルメント社製を用いて5°C/分の条件で、面方向X方向の線膨張係数を測定した。4半田耐熱性各実施例1~14および各比較例1~4で得られた積層板を50mm×50mmにグラインダーソーでカットした後、エッチングにより銅箔を1/4だけ残した試料を作製し、JISC6481に準拠して評価した。評価は、121°C、100、2時間、PCT吸湿処理を行った後に、288°Cの半田槽に30秒間浸漬した後で外観の異常の有無を調べた。評価基準:異常なし:フクレあり全体的にフクレの箇所がある5ピール強度各実施例1~14および各比較例1~4で得られた厚さ0.4mmの両面銅張積層板から100mm×20mmの試験片を作製し、23°Cにおけるピール強度を測定した。なお、ピール強度測定は、JISC6481に準拠して行った。6誘電特性各実施例1~14および各比較例1~4で得られた両面銅張積層板を全面エッチングし、97×25mm、53×25mm、38×25mmに切断し、0.018mmの圧延銅箔を貼り付け、トリプレート線路共振器を作成し、マイクロ波ネットワークアナライザHP8510C、HP83651A、HP8517Bアジレントテクノロジー製を用いて、トリプレート線路共振器法で誘電率および誘電正接を測定した。以上、各評価1~6の評価結果を表1および表2に示す。3.評価結果表1から明らかなように、実施例1~14は、ガラス転移温度も高く、熱膨張係数も低い値であり、半田耐熱性も高く、密着性にも優れていた。また、優れた誘電特性を有していた。さらに、ゲルタイムが短いことから、生産性にも優れるものであった。これに対して、比較例1、3の積層板は、実施例1~14の積層板と比較して、ゲルタイムが長く、生産性に劣るものとなり、密着性が十分な値とならなかった。また、比較例2では、窒素原子の効果が十分でなく、半田耐熱性が悪化した。また、ビスマレイミドの代わりにエポキシ樹脂を用いた比較例4の積層板は、ゲルタイム、密着性は良好であるが、線膨張率が高く高温での半田耐熱性が劣る結果となった。