画像表示領域内に設けられた画素電極、基板縁と前記画像表示領域とを結ぶ方向に複数本の信号線が延在するとともに、前記基板縁の延在方向に存在する複数の信号線形成領域、および前記複数の信号線形成領域の間に設けられた素子基板側基板間導通用電極を一方面側に備えた素子基板と、共通電極、および前記素子基板側基板間導通用電極と重なる位置で前記共通電極に導通する対向基板側基板間導通用電極を一方面側に備えた対向基板と、前記対向基板の基板縁に沿って設けられて前記素子基板と前記対向基板とを貼り合わせているとともに、前記素子基板側基板間導通用電極が設けられた領域では前記画像表示領域に向けて凹むように屈曲した屈曲部分を備えたシール材と、前記素子基板と前記対向基板との間で前記シール材により囲まれた領域に設けられた電気光学物質層と、前記素子基板と前記対向基板との間において前記屈曲部分と該屈曲部分に対向する前記対向基板の基板縁とに挟まれた領域内で当該基板縁に沿って延在するように設けられて前記素子基板側基板間導通用電極と前記対向基板側基板間導通用電極とを導通させる基板間導通材と、を有することを特徴とする電気光学装置。前記基板間導通材の前記画像表示領域と反対側の端部は、前記シール材において前記屈曲部分を挟む両側部分の外縁を直線的に結んだ仮想線より前記画像表示領域の側に位置することを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。前記複数の信号線形成領域において前記素子基板側基板間導通用電極の両側に位置する前記信号線の一対の端部は、互いに近接するように斜めに傾きながら前記画像表示領域に向かって延在しており、前記屈曲部分は、互いに近接するように斜めに傾きながら前記画像表示領域に向かって延在する斜辺を備えていることを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置。前記屈曲部分は、該屈曲部分と対向する前記対向基板の基板縁に並行して延在する辺を有し、前記基板間導通材は、当該辺に接するように延在していることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の電気光学装置。前記素子基板側基板間導通用電極の一部は、前記シール材と平面視で重なっていることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の電気光学装置。前記シール材は、前記素子基板と前記対向基板との間隙を制御するギャップ材を含んでおり、前記素子基板側基板間導通用電極には、前記シール材と重なる領域に部分的に前記素子基板の表面からの高さが低い部分が設けられていることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項に記載の電気光学装置。前記信号線形成領域は、前記基板縁の延在方向に3以上設けられ、前記素子基板側基板間導通用電極は、2以上設けられていることを特徴とする請求項1乃至6の何れか一項に記載の電気光学装置。請求項1乃至7の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。しかしながら、特許文献1、2に記載の構成のように、基板間導通材を点状に設けた場合、素子基板側と基板間導通材との接触面積、および対向基板側と基板間導通材との接触面積が狭いため、基板間導通材を利用した基板間導通部での抵抗が大きいという問題がある。一方、特許文献2の図2には、シール材の形成領域内に基板間導通材を線状に設けた構成が記載されているが、かかる構成では、シール材の幅寸法の一部を利用して基板間導通材を設けてあるため、基板間導通材の形成幅が極めて狭い。このため、上記の問題を解消することは困難である。かといって、基板間導通材の形成領域を広げることを目的に、シール材の外縁に沿って延在するように基板間導通材を設けると、対向基板を切断した際、対向基板の切断面から基板間導通材が張り出してしまう等の問題が発生する。また、データ線等の信号線が形成されている領域であれば基板間導通材を広い領域に設けることができるが、共通電位が印加される基板間導通用電極を信号線と重ねると、信号線と基板間導通用電極との間に寄生容量が発生する等の問題が発生し、信号の波形が歪む等の問題点がある。以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、基板縁からの基板間導通材の張り出しや基板間導通用電極と信号線との重なり等を発生させることなく、基板間導通を広い面積で行うことのできる電気光学装置、および該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、画像表示領域内に設けられた画素電極、基板縁と前記画像表示領域とを結ぶ方向に複数本の信号線が延在するとともに、前記基板縁の延在方向に存在する複数の信号線形成領域、および前記複数の信号線形成領域の間に設けられた素子基板側基板間導通用電極を一方面側に備えた素子基板と、共通電極、および前記素子基板側基板間導通用電極と重なる位置で前記共通電極に導通する対向基板側基板間導通用電極を一方面側に備えた対向基板と、前記対向基板の基板縁に沿って設けられて前記素子基板と前記対向基板とを貼り合わせているとともに、前記素子基板側基板間導通用電極が設けられた領域では前記画像表示領域に向けて凹むように屈曲した屈曲部分を備えたシール材と、前記素子基板と前記対向基板との間で前記シール材により囲まれた領域に設けられた電気光学物質層と、前記素子基板と前記対向基板との間において前記屈曲部分と該屈曲部分に対向する前記対向基板の基板縁とに挟まれた領域内で当該基板縁に沿って延在するように設けられて前記素子基板側基板間導通用電極と前記対向基板側基板間導通用電極とを導通させる基板間導通材と、を有することを特徴とする。本発明では、素子基板に素子基板側基板間導通用電極を設けるにあたって、基板縁から画像表示領域内に向けて複数本の信号線が延在する複数の信号線形成領域の間を利用している。また、シール材については、素子基板側基板間導通用電極が設けられた領域では画像表示領域に向けて凹むように屈曲した屈曲部分を設け、かかる屈曲部分の内側に基板間導通材を屈曲部分に対向する対向基板の基板縁に沿って延在するように設ける。このため、基板間導通材を広い領域に設けて基板間導通部での抵抗を低減した場合でも、対向基板の基板縁からの基板間導通材が張り出すことがないとともに、信号線と素子基板側基板間導通用電極とが重なることを防止することができる。本発明において、前記基板間導通材の前記画像表示領域と反対側の端部は、前記シール材において前記屈曲部分を挟む両側部分の外縁を直線的に結んだ仮想線より前記画像表示領域の側に位置することが好ましい。かかる構成によれば、シール材と対向基板の基板縁とが近接している場合でも、対向基板の基板縁からの基板間導通材が張り出すことがない。本発明では、前記複数の信号線形成領域において前記素子基板側基板間導通用電極の両側に位置する前記信号線の一対の端部は、互いに近接するように斜めに傾きながら前記画像表示領域に向かって延在しており、前記屈曲部分は、互いに近接するように斜めに傾きながら前記画像表示領域に向かって延在する斜辺を備えていることが好ましい。かかる構成によれば、屈曲部分で囲まれた領域を最大限広くすることができるので、基板間導通材を広い領域に設けることができる。本発明において、前記屈曲部分は、該屈曲部分と対向する前記対向基板の基板縁に並行して延在する辺を有し、前記基板間導通材は、当該辺に接するように延在していることが好ましい。かかる構成によれば、屈曲部分が画像表示領域に向けて凹む寸法を小さくしつつ、基板間導通材を広い領域に設けることができる。本発明において、前記素子基板側基板間導通用電極の一部は、前記シール材と平面視で重なっている構成を採用することができる。本発明において、前記シール材は、前記素子基板と前記対向基板との間隙を制御するギャップ材を含んでおり、前記素子基板側基板間導通用電極には、前記シール材と重なる領域に部分的に前記素子基板の表面からの高さが低い部分が設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、シール材と信号線形成領域とが重なる領域と、シール材が素子基板側基板間導通用電極に重なる領域とにおいて、素子基板側基板間導通用電極や信号線を構成する導電パターンの形成密度差を小さくすることができる。それ故、シール材が含むギャップ材によって素子基板と対向基板との間隙を制御した際、シール材と信号線形成領域とが重なる領域と、シール材が素子基板側基板間導通用電極に重なる領域とにおいて、ギャップ材が導電パターンと接する度合いの差を小さくすることができる。それ故、素子基板と対向基板との間隙のばらつきを小さく抑えることができる。本発明において、前記信号線形成領域は、前記基板縁の延在方向に3以上設けられ、前記素子基板側基板間導通用電極は、2以上設けられていることが好ましい。本発明を適用した電気光学装置は、例えば、液晶テレビ等の電子機器に用いられる。図面を参照して、液晶テレビ用の電気光学装置に本発明を適用した形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、配線や端子の数等も、少なく図示してある。また、以下の説明では、導光板や液晶パネルの面内方向で互いに交差する方向をX軸方向およびY軸方向とし、X軸方向およびY軸方向に交差する方向をZ軸方向とする。また、以下に参照する図面では、X軸方向の一方側をX1側とし、他方側をX2側とし、Y軸方向の一方側をY1側とし、他方側をY2側とし、Z軸方向の一方側をZ1側下側とし、他方側照明光や表示光が出射される側をZ2側上側として表してある。[電子機器の構成]図1は、本発明を適用した電気光学装置表示装置の説明図であり、図1a、bは、電気光学装置が液晶テレビ電子機器に用いられた状態の説明図、および電気光学装置の斜視図である。図2は、本発明を適用した電気光学装置の分解斜視図である。図1aに示す電子機器2000は液晶テレビであり、図1bに示す電気光学装置100やテレビ用のフレーム2010等を有している。図2に示すように、電気光学装置100は、表示パネル電気光学パネルとしての透過型の液晶パネル100pと、液晶パネル100pに照明光を供給する照明装置180とを有している。照明装置180は、液晶パネル100pに重ねて配置された導光板185や、導光板185の側端面のうち、光入射部とされた側端面に沿って配置された複数の発光素子等図示せずを有している。電気光学装置100において、照明装置180は、樹脂フレームや下金枠等の下フレーム図示せずに保持されており、かかる照明装置180の上側に液晶パネル100pおよび上フレーム150が重ねて配置されている。上フレーム150は、SUS板等の薄い金属板に対するプレス加工等により形成されてなり、矩形の上板部155と、上板部155の外周縁から下方に折れ曲がった4つの側板部151~154とを備えている。上板部155には、液晶パネル100pから出射された光を出射する矩形の窓156が形成されており、上板部155は、液晶パネル100pの表示光出射側のうち、外周端部を全周にわたって覆っている。液晶パネル100pは、四角形の平面形状を有しており、詳しくは後述するように、画素電極図示せず等が形成された素子基板10と、素子基板10に対して所定の隙間を介して対向配置された対向基板20と、この対向基板20と素子基板10とを貼り合わせるシール材とを備えている。素子基板10および対向基板20はガラス基板等の透光性基板からなる。本形態では、対向基板20が表示光の出射側に配置され、素子基板10は照明装置180の側に配置されている。液晶パネル100pは、TNTwistedNematic方式、ECBElectricallyControlledBirefringence方式、あるいはVANVerticalAlignedNematic方式の液晶パネルとして構成されており、素子基板10に画素電極が形成され、対向基板20に共通電極図示せずが形成されている。液晶パネル100pの上面には上偏光板118が重ねて配置され、液晶パネル100pの下面と照明装置180との間には下偏光板117が配置されている。なお、素子基板10が対向基板20に対して表示光の出射側に配置されることもある。また、液晶パネル100pがIPSInPlaneSwitching方式や、FFSFringeFieldSwitching方式の液晶パネルである場合、共通電極は、素子基板10の側に設けられる。なお、液晶パネル100pがIPS方式やFFS方式の液晶パネルであっても、対向基板20の側にシールド等を目的に共通電極を形成することもある。ここで、素子基板10は対向基板20より大きい。このため、素子基板10は、対向基板20の端部からY軸方向の一方側Y1に張り出した張り出し領域110と、対向基板20の端部からX軸方向の他方側X2に張り出した張り出し領域120を有している。かかる張り出し領域110、120の上面にはフレキシブル配線基板200が接続されている。フレキシブル配線基板200は、複数枚が張り出し領域110、120に接続した構造を有しており、かかるフレキシブル配線基板200あるいはフレキシブル配線基板200に接続された回路基板図示せずには、液晶パネル100pにデータ信号や走査信号を供給する駆動用IC図示せずや、照明装置180の光源駆動用IC図示せずが実装されている。[電気光学装置100の構成]全体構成図3は、本発明を適用した電気光学装置100液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。図3において、電気光学装置100は、TNTwistedNematicモードやVAVerticalAlignmentモードの液晶パネル100pを有しており、液晶パネル100pは、その中央領域に複数の画素100cがマトリクス状に配列された画像表示領域100a有効画素領域を備えている。液晶パネル100pにおいて、後述する素子基板10図4等を参照では、画像表示領域100aの内側で複数本のデータ線6a画像信号線および複数本の走査線3aが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素100cが構成されている。複数の画素100cの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター100t、および後述する画素電極9aが形成されている。画素トランジスター100tのソースにはデータ線6aが電気的に接続され、画素トランジスター100tのゲートには走査線3aが電気的に接続され、画素トランジスター100tのドレインには、画素電極9aが電気的に接続されている。また、電気光学装置100は、フレキシブル配線基板200に実装された駆動用IC内に走査線駆動回路104やデータ線駆動回路101を備えており、データ線駆動回路101は各データ線6aにデータ信号画像信号を順次供給する。また、走査線駆動回路104は、各走査線3aに走査信号を順次供給する。各画素100cにおいて、画素電極9aは、後述する対向基板20図4等を参照に形成された共通電極と電気光学物質層としての液晶層を介して対向し、液晶容量50aを構成している。また、各画素100cには、液晶容量50aで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量50aと並列に保持容量55が付加されている。本形態では、保持容量55を構成するために、複数の画素100cに跨って走査線3aと並行して延びた容量線5bが形成されている。本形態において、容量線5bには共通電位Vcomが印加されている。液晶パネル100pの具体的構成例図4は、本発明を適用した電気光学装置100の液晶パネル100pの説明図であり、図4a、bは各々、液晶パネル100pを各構成要素と共に対向基板20の側から見た平面図、およびそのH-H′断面図である。なお、図4において、画素電極9a、信号線、端子等の数については少なく示してある。図4に示すように、液晶パネル100pにおいて、素子基板10および対向基板20はいずれも四角形の透光性基板である。従って、素子基板10は、4つの基板縁10a~10dを備え、対向基板20は、素子基板10の4つの基板縁10a~10dに沿って延在する4つの基板縁20a~20dを備えている。素子基板10と対向基板20とは、対向基板20の4つの基板縁20a~20dに沿うように四角枠状に設けられたシール材80によって貼り合わされており、シール材80は4つの辺80a~80dを有している。シール材80は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材81が配合されている。本形態において、シール材80は、略同一の幅寸法をもって対向基板20の基板縁20a~20dに沿うように延在している。なお、シール材80には、辺80bの一部が液晶注入口80rとして途切れており、かかる液晶注入口80rは液晶材料を注入した後、封止材88で塞がれている。かかる液晶パネル100pの略中央には、図1を参照して説明した画像表示領域100aが四角形の領域として設けられている。また、液晶パネル100pにおいて、対向基板20の基板縁20aから張り出した素子基板10の張り出し領域110、120では、基板縁10aに沿って複数の端子102aが配列されており、対向基板20の基板縁20dから張り出した素子基板10の張り出し領域120では、基板縁10dに沿って複数の端子102bが配列されている。かかる端子102a、102bは、フレキシブル配線基板200を接続するための端子である。本形態では、端子102aには、フレキシブル配線基板200として3枚のフレキシブル配線基板201、202、203が接続され、端子102bには、フレキシブル配線基板200として2枚のフレキシブル配線基板206、207が接されている。素子基板10において、端子102a基板縁10aの側から画像表示領域100aに向けては複数のデータ線6aの引き回し部分が延在しており、データ線6aの引き回し部分は、基板縁10aと画像表示領域100aとを結ぶ方向に延在している。ここで、データ線6aの引き回し部分の形成領域は、3枚のフレキシブル配線基板201、202、203に対応して3つの信号線形成領域60信号線形成領域61、62、63に分割されている。このため、3つの信号線形成領域60の間66は、データ線6aが形成されていない空き領域になっている。また、データ線6aの引き回し部分は、画像表示領域100aの外側では斜めに延在しているが、画像表示領域100aの内側では、Y軸方向に直線的に延在し、かつ、X軸方向では等間隔である。また、素子基板10において、端子102b基板縁10dの側から画像表示領域100aに向けては複数の走査線3aの引き回し部分が延在しており、走査線3aの引き回し部分は、基板縁10dと画像表示領域100aとを結ぶ方向に延在している。ここで、走査線3aの引き回し部分の形成領域は、2枚のフレキシブル配線基板206、207に対応して2つの信号線形成領域30信号線形成領域31、32に分割されている。このため、2つ信号線形成領域30の間は、走査線3aが形成されていない空き領域になっている。また、走査線3aの引き回し部分は、画像表示領域100aの外側では斜めに延在しているが、画像表示領域100aの内側では、X軸方向に直線的に延在し、かつ、Y軸方向では等間隔である。図4bに示すように、素子基板10の一方面10sおよび他方面10tのうち、対向基板20と対向する一方面10sにおいて、画像表示領域100aには、図3を参照して説明した画素トランジスター図示せず、および画素トランジスターに電気的に接続する透光性の画素電極9aがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極9aの上層側には配向膜16が形成されている。なお、素子基板10の一方面10sにおいて、外周領域100rのうち、画像表示領域100aとシール材80とに挟まれた四角枠状の周辺領域100sには、画素電極9aと同時形成されたダミー画素電極9bが形成されている。ダミー画素電極9bは、隣り合うダミー画素電極9b同士が細幅の連結部で繋がっている。また、ダミー画素電極9bは、共通電位Vcomが印加されており、画像表示領域100aの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。対向基板20において素子基板10と対向する一方面20s側には透光性の共通電極21液晶駆動用電極が形成されている。共通電極21は、対向基板20の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素100cに跨って形成されている。また、対向基板20の一方面20sおよび他方面20tのうち、素子基板10と対向する一方面20s側には、共通電極21の下層側に遮光層29が形成され、共通電極21の表面には配向膜26が積層されている。本形態において、遮光層29は、画像表示領域100aの外周縁に沿って延在する額縁部分29aと、隣り合う画素電極9aにより挟まれた画素間領域10fに重なるブラックマトリクス部29bとからなる。ここで、額縁部分29aはダミー画素電極9bと重なる位置に形成されており、額縁部分29aの外周縁は、シール材80の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分29aとシール材80とは重なっていない。なお、図5を参照して説明するように、対向基板20の一方面20s側にはカラーフィルター層等も形成されている。このように構成した液晶パネル100pにおいては、詳しくは後述するように、素子基板10の基板縁10aと画像表示領域100aとの間対向基板20の基板縁20aと画像表示領域100aとの間には、素子基板10と対向基板20とを導通させる基板間導通部190が構成されている。より具体的には、素子基板10の一方面10sには、シール材80の外側において対向基板20と重なる位置に素子基板側基板間導通用電極6eが形成されており、かかる素子基板側基板間導通用電極6eには共通電位Vcomが印加されている。また、対向基板20の一方面20sには、素子基板側基板間導通用電極6eと重なる領域に対向基板側基板間導通用電極21eが形成されており、かかる対向基板側基板間導通用電極21eは共通電極21に導通している。本形態において、対向基板側基板間導通用電極21eは共通電極21の一部からなる。また、素子基板10と対向基板20との間において、素子基板側基板間導通用電極6eおよび対向基板側基板間導通用電極21eとの間には、導電粒子91を含む基板間導通材90が配置されている。このため、共通電極21は、素子基板10の側から共通電位Vcomが印加されている。導電粒子91は、金属粒子や、ガラスやプラスチックの粒子に銀層や金層の金属層が形成された構成を有している。画素の具体的構成図5は、本発明を適用した電気光学装置100の画素100cの説明図であり、図5a、bは、素子基板10において隣り合う複数の画素の平面図、およびF-F′線に相当する位置で電気光学装置100を切断したときの断面図である。なお、図5aでは、半導体層1aは細くて短い点線で示し、走査線3aは太い実線で示し、データ線6aおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、容量線5bは二点鎖線で示し、画素電極9aは長い破線で示し、下電極層4aは細い実線で示してある。なお、素子基板10では、誘電体層42aが形成されているが、誘電体層42aは容量線5bと重なる領域に形成されているため、図5aには図示を省略してある。また、下電極層4aの外周縁に沿ってエッチングストッパー層40aの開口縁が存在するが、図5aでは、かかる開口縁の図示は省略してある。図5aに示すように、素子基板10において対向基板20と対向する一方面10sには、複数の画素100cの各々に矩形状の画素電極9aが形成されており、隣り合う画素電極9aにより挟まれた画素間領域10fと重なる領域に沿ってデータ線6aおよび走査線3aが形成されている。本形態において、画素間領域10fは縦横に延在しており、走査線3aおよびデータ線6aは画素間領域10fと重なるように直線的に形成されている。より具体的には、画素間領域10fのうち、第1方向Y軸方向に延在する第1画素間領域10gと重なる領域に沿ってデータ線6aが直線的に延在し、第2方向X軸方向に延在する第2画素間領域10hと重なる領域に沿って走査線3aが直線的に延在している。また、データ線6aと走査線3aとの交差に対応して画素トランジスター100tが形成されており、本形態において、画素トランジスター100tは、データ線6aと走査線3aとが交差する領域に形成されている。素子基板10には、走査線3aと重なるように容量線5bが形成されており、かかる容量線5bには共通電位Vcomが印加されている。本形態において、容量線5bは、走査線3aと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線6aと走査線3aとの交差部分でデータ線6aに重なるように延びた副線部分とを備えている。図5bに示すように、素子基板10は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体10wの液晶層50側の基板面対向基板20と対向する一方面10sに形成された画素電極9a、画素スイッチング用の画素トランジスター100t、および配向膜16を主体として構成されている。対向基板20は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体20w、その液晶層50側の表面素子基板10と対向する一方面20sに形成された遮光層29、共通電極21、および配向膜26を主体として構成されている。素子基板10において、複数の画素100cの各々には、半導体層1aを備えた画素トランジスター100tが形成されている。半導体層1aは、走査線3aの一部からなるゲート電極3cに対して透光性のゲート絶縁層2を介して対向するチャネル領域1gと、ソース領域1bと、ドレイン領域1cとを備えており、ソース領域1bおよびドレイン領域1cは各々、低濃度領域および高濃度領域を備えている。半導体層1aは、例えば、基板本体10w上に、シリコン酸化膜等からなる透光性の下地絶縁膜12上に形成された多結晶シリコン膜等によって構成され、ゲート絶縁層2は、CVD法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる。走査線3aには、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜が用いられる。なお、基板本体10wと下地絶縁膜12の層間、あるいは2層にした下地絶縁膜12の層間に、走査線3aと重なる遮光層を形成する場合や、かかる遮光層を走査線3aとし、遮光層とゲート電極3cとを導通させた構造を採用することもある。走査線3aの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の第1層間絶縁膜41が形成されており、第1層間絶縁膜41の上層には下電極層4aが形成されている。下電極層4aは、走査線3aとデータ線6aとの交差する位置を基点として走査線3aおよびデータ線6aに沿って延出する略L字型に形成されている。下電極層4aは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなり、コンタクトホール7cを介してドレイン領域1cに電気的に接続されている。下電極層4aの上層側には、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率絶縁膜からなる誘電体層42aが形成されている。誘電体層42aの上層側には、誘電体層42aを介して下電極層4aと対向するように容量線5bが形成され、かかる容量線5b、誘電体層42aおよび下電極層4aによって、保持容量55が形成されている。容量線5bは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。ここで、下電極層4a、誘電体層42aおよび容量線5bは、画素トランジスター100tの上層側に形成され、保持容量55は、画素トランジスター100tの上層側のうち、少なくとも画素トランジスター100tに対して平面視で重なる領域に形成されている。本形態において、誘電体層42aは、容量線5bと略同一形状をもって同一の領域に形成されている。また、誘電体層42aの端縁42gおよび容量線5bの端縁5gは、下電極層4aと重なる位置にある。下電極層4aと誘電体層42aとの層間にはシリコン酸化膜等からなるエッチングストッパー層40aが形成されており、かかるエッチングストッパー層40aには、下電極層4aに対して部分的に重なる領域に開口部40bが形成されている。このため、下電極層4aと容量線5bとは、開口部40bにおいて誘電体層42aを介して対向し、保持容量55を構成している。また、エッチングストッパー層40aは、少なくとも誘電体層42aの端縁42gおよび容量線5bの端縁5gと重なる領域に形成されている。なお、エッチングストッパー層40aは、誘電体層42aの端縁42gおよび容量線5bの端縁5gと重なる領域のみに形成される場合もある。容量線5bの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の第2層間絶縁膜43が形成され、第2層間絶縁膜43の上層にはデータ線6aおよびドレイン電極6bが形成されている。データ線6aはコンタクトホール7aを介してソース領域1bに電気的に接続している。ドレイン電極6bはコンタクトホール7bを介して下電極層4aに電気的に接続し、下電極層4aを介してドレイン領域1cに電気的に接続している。データ線6aおよびドレイン電極6bは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。データ線6aおよびドレイン電極6bの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の第3層間絶縁膜44が形成されている。第3層間絶縁膜44には、ドレイン電極6bへ通じるコンタクトホール7dが形成されている。第3層間絶縁膜44の上層には、ITOIndiumTinOxide膜等の透光性導電膜からなる四角形の画素電極9aが形成されており、画素電極9aは、コンタクトホール7dを介してドレイン電極6bに電気的に接続されている。第3層間絶縁膜44の表面には、図4b等を参照して説明したダミー画素電極9b図5aには図示せずが形成されており、かかるダミー画素電極9bは、画素電極9aと同時形成された透光性導電膜からなる。画素電極9aの表面には配向膜16が形成されている。本形態において、配向膜16は、SiOXx<2、SiO2、TiO2、MgO、Al2O3、In2O3、Sb2O3、Ta2O5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜垂直配向膜であり、本形態において、配向膜16は、シリコン酸化膜の斜方蒸着膜からなる。対向基板20では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体20wの液晶層50側の表面素子基板10に対向する側の面に、アルミニウム、チタン、モリブデン、タングステン、クロムやそれらの化合物や合金等からなる導電性の遮光層29が形成されており、かかる遮光層29のうち、画像表示領域100aに形成されているブラックマトリクス部29bは、画素間領域10f図5a等を参照と重なる位置で縦横に延在している。本形態において、遮光層29にアルミニウム合金層アルミニウム系金属層が用いられている。また、遮光層29の上層素子基板10に対向する側の面には、カラーフィルター層27、保護膜28、共通電極21が形成されており、共通電極21はITO膜からなる。遮光層29の上層素子基板10に対向する側の面には配向膜26が形成されており、配向膜26は、配向膜16と同様、SiOXx<2、SiO2、TiO2、MgO、Al2O3、In2O3、Sb2O3、Ta2O5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜垂直配向膜である。本形態において、配向膜26は、シリコン酸化膜の斜方蒸着膜からなる。このように構成した電気光学装置100において、液晶材料として誘電異方性が負のネマチック液晶化合物が用いられており、配向膜16、26は、液晶材料を垂直配向させ、液晶パネル100pは、ノーマリブラックのVAモードとして動作させる。基板間導通部190の平面的構成図6は、本発明を適用した電気光学装置100の基板間導通部190の説明図であり、図6a、bは、素子基板10と対向基板20とを貼り合わせた状態における基板間導通部190等の平面構成を示す説明図、および対向基板20を貼り合わせる前の状態における素子基板10の基板間導通部190等の平面構成を示す説明図である。なお、図6において、素子基板側基板間導通用電極6eに形成した開口部6fの数について少なく表してある。図4に示すように、本形態の電気光学装置100では、素子基板10の側から共通電極21に共通電位Vcomを供給するにあたって、シール材80の外側のうち、素子基板10と対向基板20とが重なっている領域に基板間導通部190が構成されている。本形態では、素子基板10の基板縁10aと画像表示領域100aとの間対向基板20の基板縁20aと画像表示領域100aとの間において、シール材80に近接する位置に基板間導通部190が2個所、構成されている。ここで、2個所の基板間導通部190の構成は同一であるため、フレキシブル配線基板202、203が接続されている付近に設けた基板間導通部190を例に説明し、フレキシブル配線基板201、202が接続されている付近に設けた基板間導通部190の説明は省略する。本形態では、基板間導通部190を構成するにあたって、まず、図6に示すように、素子基板10において、基板縁10aから画像表示領域100a内に向けて複数本のデータ線6aの引き回し部分信号線が延在する信号線形成領域60の間66信号線形成領域62、63の間66には素子基板側基板間導通用電極6eが形成されている。かかる素子基板側基板間導通用電極6eの形成位置は、対向基板20と重なる領域である。また、対向基板20では、一方面20sの略全面に共通電極21が形成されているため、共通電極21のうち、素子基板側基板間導通用電極6eと重なる領域は、図4bに示す対向基板側基板間導通用電極21eとして利用される。次に、シール材80は、対向基板20の基板縁20a~20bに沿って設けられており、素子基板10と対向基板20とを貼り合わせている。ここで、シール材80は、素子基板側基板間導通用電極6eが設けられた領域では画像表示領域100aに向けて凹むように屈曲しており、かかる屈曲部分85は、信号線形成領域60の間66に位置し、データ線6aとは重なっていない。本形態では、素子基板側基板間導通用電極6eを両側で挟む信号線形成領域60の端部に位置するデータ線6aの引き回し部分信号線は、互いに近接するように斜めに傾きながら画像表示領域100aに向かって延在している。かかる形状に対応して、屈曲部分85は、信号線形成領域60の間66において、信号線形成領域60の端部に沿って斜めに延在する辺851、852斜辺を備えている。また、屈曲部分85は、屈曲部分85に対して対向する対向基板20の基板縁20aに並行して延在する辺853を有している。また、素子基板側基板間導通用電極6eは、基板縁20aに並行して延在する辺6e1と、辺6e1に対して画像表示領域100a側で辺6e1に並行に延在する辺6e2と、辺6e1の両端から画像表示領域100aに向けて延在する2つの辺6e3、6e5と、辺6e3と辺6e2の端部を繋ぐ辺6e4と、辺6e5と辺6e2の端部を繋ぐ辺6e6とを有している。ここで、素子基板側基板間導通用電極6eは、シール材80の屈曲部分85と重なる領域に形成されており、かつ、素子基板側基板間導通用電極6eのサイズは屈曲部分85より大である。このため、シール材80は、素子基板側基板間導通用電極6eのうち、画像表示領域100aの側に位置する部分と重なっている。また、素子基板側基板間導通用電極6eには、X軸方向に延在するスリット状の開口部6fがY軸方向に複数、並列している。それ故、素子基板側基板間導通用電極6eは、開口部6fで挟まれた部分が細幅部分になっており、本形態において、シール材80は、素子基板側基板間導通用電極6eのうち、開口部6fによって細幅部分となっている領域に重なっている。かかる開口部6fは、図8を参照して後述するように、シール材80と重なる領域に、部分的に素子基板10の表面からの高さが低くなっている部分を形成しており、それより、シール材80と重なる領域における導電膜の密度を調整する。なお、スリット状の開口部6fに代えて、開口部6fを格子状に形成してもよい。次に、基板間導通材90は、シール材80の屈曲部分85と屈曲部分85に対向する対向基板20の基板縁20aとに挟まれた領域内で基板縁20aに沿って延在するように帯状に設けられている。本形態において、基板間導通材90は、屈曲部分85において基板縁20aに並行して延在する辺853に接するように延在している。このため、基板間導通材90の画像表示領域100aと反対側の端部は、シール材80において屈曲部分85を挟む両側部分の外縁80gを直線的に結んだ仮想線より画像表示領域100aの側に位置しており、基板間導通材90は、外縁80gを直線的に結んだ仮想線より基板縁20aの側に張り出していない。かかる構成によれば、例えば、素子基板10にシール材80および基板間導通材90を塗布した後、素子基板10との間にシール材80および基板間導通材90を挟むように対向基板20を重ねれば、素子基板10と対向基板20は、ギャップ材81を含有するシール材80で所定の間隙を介して貼り合わされるとともに、素子基板側基板間導通用電極6eと対向基板側基板間導通用電極21eとは、導電粒子91を含む基板間導通材90によって導通する。なお、本形態では、素子基板側基板間導通用電極6eを両側で挟む信号線形成領域60の端部に形成されている配線6jは、隣り合う信号線形成領域60同士を電気的に接続している。かかる配線6jは、例えば、シールド線あるいは同期信号線である。素子基板側基板間導通用電極6eおよびデータ線6aの具体的構成図7は、本発明を適用した電気光学装置100に用いた素子基板10の素子基板側基板間導通用電極6eやデータ線6aの引き回し部分の構成を示す説明図であり、図7a1、a2は、素子基板側基板間導通用電極6eの平面構成を模式的に示す説明図、および断面構成を模式的に示すE-E′断面図であり、図7b1、b2は、データ線6aの平面構成を模式的に示す説明図、および断面構成を模式的に示すF-F′断面図である。図8は、本発明を適用した電気光学装置100においてシール材80のギャップ材81で素子基板10と対向基板20との間隙を制御する様子を示す説明図であり、図8a、bは、図6のA-A′断面図、およびB-B′断面図である。図9は、本発明を適用した電気光学装置100に設けた素子基板側基板間導通用電極6eを拡大して示す説明図である。なお、図7において、素子基板側基板間導通用電極6eに形成した開口部6fの数について少なく表してある。また、図8では、図7a2、b2等に示す下地絶縁膜12や第2層間絶縁膜43等の図示を省略してある。また、図9では、開口部6fが最低限必要な部分シール材80と重なる部分を右下がりの斜線を付した領域で示し、素子基板側基板間導通用電極6eのうち、導電性保護膜が必要な部分を右上がりの斜線を付した領域で示してある。図7に示すように、本形態の電気光学装置100において、素子基板側基板間導通用電極6eは、データ線6aの引き回し部分と同様、第2層間絶縁膜43上に形成された同一の導電膜から構成されている。ここで、素子基板側基板間導通用電極6eの高さ位置や、データ線6aの引き回し部分の高さ位置を調整することを目的に、素子基板側基板間導通用電極6eの下層側、およびデータ線6aの引き回し部分の下層側には、図4に示す走査線3a、下電極層4a、容量線5b等の同一の導電膜3e、3t、4e、4t、5e、5t等が形成されている。また、素子基板側基板間導通用電極6eの下層側、およびデータ線6aの引き回し部分の下層側には、下地絶縁膜12、ゲート絶縁層2、第1層間絶縁膜41、誘電体層42a、第2層間絶縁膜43等も形成されている。素子基板側基板間導通用電極6eの上層側には第3層間絶縁膜44が形成されているが、かかる第3層間絶縁膜44には開口部44eが形成されているので、素子基板側基板間導通用電極6eの表面は露出している。かかる開口部44eは、第3層間絶縁膜44に対するエッチングにより形成され、その際、素子基板側基板間導通用電極6eはエッチングストッパーとして機能する。このため、エッチングストッパー層40aや第1層間絶縁膜41がエッチングされることはない。なお、本形態では、素子基板側基板間導通用電極6eの表面側のうち、基板間導通材90が設けられている領域には、図5bに示す画素電極9aと同時形成されたITO膜からなる導電性保護膜9gが形成されており、かかる導電性保護膜9gは、第3層間絶縁膜44の開口部44eを介して素子基板側基板間導通用電極6eに導通している。導電性保護膜9gは、素子基板側基板間導通用電極6eを構成する金属膜の表面が酸化して接触抵抗が高くなることを防止する機能を発揮する。また、本形態では、開口部44eを形成する際、素子基板側基板間導通用電極6eをエッチングストッパーとして機能させることにより、開口部44eを導電膜5eまで到達させ、素子基板側基板間導通用電極6eと導電膜5eとを導電性保護膜9gによって導通させる構造が採用されている。一方、データ線6aの引き回し部の上層側には、第3層間絶縁膜44が形成されており、かかる第3層間絶縁膜44の表面には、データ線6aの引き回し部等に起因する凸部44tが形成されている。ここで、素子基板側基板間導通用電極6eはスリット状の開口部6fが形成されているため、素子基板側基板間導通用電極6eの表面側のうち、シール材80が設けられている領域にも第3層間絶縁膜44の表面に凸部44tが形成されている。このため、図8を参照して以下に説明するように、素子基板10と対向基板20との間隙をシール材80のギャップ材81で精度よく制御することができる。まず、図8aに示すように、素子基板10の素子基板側基板間導通用電極6eと対向基板20の共通電極21対向基板側基板間導通用電極21eとの間には、シール材80のギャップ材81、および基板間導通材90の導電粒子91が介在するが、ギャップ材81としては、導電粒子91より硬い材料が用いられている。このため、素子基板側基板間導通用電極6eと共通電極21対向基板側基板間導通用電極21eとの間にギャップ材81および導電粒子91が介在している場合でも、素子基板10と対向基板20との間隙をギャップ材81で制御することができる。次に、図8a、bに示すように、シール材80のギャップ材81は、素子基板10の素子基板側基板間導通用電極6eと対向基板20の共通電極21対向基板側基板間導通用電極21eとの間に介在するとともに、素子基板10のデータ線6aの引き回し部分と対向基板20との間にも介在している。なお、本形態では、対向基板20において、データ線6aの引き回し部分が形成された信号線形成領域60と対向する領域には共通電極21は形成されていない。但し、共通電極21の厚さは100nmであり、素子基板側基板間導通用電極6eやデータ線6aの引き回し部分を構成する導電膜の厚さ例えば、300nm~500nmからみれば薄いので、共通電極21の有無は、素子基板10と対向基板20との間隙に大きな影響を及ぼさない。ここで、データ線6aの引き回し部分が形成された信号線形成領域60では、データ線6aの引き回し部分が間にスペースをもって形成されているため、素子基板10のデータ線6aの引き回し部分によって第3層間絶縁膜44の表面に形成された凸部44tと対向基板20とに接触するギャップ材81の密度が低い。そこで、本形態では、素子基板側基板間導通用電極6eにスリット状の開口部6fを設け、素子基板側基板間導通用電極6eの表面側のうち、シール材80が設けられている領域にも第3層間絶縁膜44の表面に凸部44tが形成されている。このようにして、素子基板側基板間導通用電極6eにおいてギャップ材81と接する密度を低下させることにより、素子基板10の素子基板側基板間導通用電極6eと対向基板20の共通電極21対向基板側基板間導通用電極21eとに接触するギャップ材81の密度を低下させてある。従って、素子基板10の素子基板側基板間導通用電極6eと対向基板20の共通電極21対向基板側基板間導通用電極21eとに接触するギャップ材81の密度と、第3層間絶縁膜44の凸部44tと対向基板20とに接触するギャップ材81の密度とが同等である。また、データ線6aの引き回し部分と重なる部分の第3層間絶縁膜44の表面の高さと、素子基板側基板間導通用電極6eのうち、シール材80が設けられている領域の第3層間絶縁膜44の表面の高さとが同等である。それ故、本形態によれば、ギャップ材81が素子基板10の素子基板側基板間導通用電極6eと対向基板20の共通電極21対向基板側基板間導通用電極21eとの間に介在するとともに、素子基板10のデータ線6aの引き回し部分と対向基板20との間にも介在している場合でも、素子基板10と対向基板20との間隙をギャップ材81で制御することができる。なお、図9には、開口部6fが最低限必要な部分シール材80と重なる部分を右下がりの斜線を付した領域で示してあり、素子基板側基板間導通用電極6eのうち、導電性保護膜9gが必要な部分を右上がりの斜線を付した領域で示してある。なお、導電性保護膜9gは、シール材80と重なるように形成してもよい。本形態の主な効果以上説明したように、本形態の電気光学装置100では、素子基板10に素子基板側基板間導通用電極6eを設けるにあたって、基板縁10aから画像表示領域100a内に向けて複数本のデータ線6aの引き回し部分が延在する複数の信号線形成領域60の間66を利用している。また、シール材80については、素子基板側基板間導通用電極6eが設けられた領域では画像表示領域100aに向けて凹むように屈曲した屈曲部分85を設け、かかる屈曲部分85の内側に基板間導通材90を屈曲部分85に対向する対向基板20の基板縁20aに沿って延在するように設ける。このため、基板間導通材90を広い領域に設けて基板間導通部190での抵抗を低減した場合でも、対向基板20の基板縁20aから基板間導通材90が張り出すことがないとともに、データ線6aの引き回し部分と素子基板側基板間導通用電極6eとが重なって容量が寄生してしまうことを防止することができる。また、基板間導通材90の画像表示領域100aと反対側の端部は、シール材80において屈曲部分85を挟む両側部分の外縁80gを直線的に結んだ仮想線より画像表示領域100aの側に位置している。このため、シール材80と対向基板20の基板縁20aとが近接している場合でも、対向基板20の基板縁20aからの基板間導通材90が張り出すことがない。また、複数の信号線形成領域60において素子基板側基板間導通用電極6eの両側に位置する一対の端部は、互いに近接するように斜めに傾きながら画像表示領域100aに向かって延在している形状に合わせて、屈曲部分85は、斜めに延在する辺851、852斜辺を備えている。このため、屈曲部分85で囲まれた領域を最大限広くすることができるので、基板間導通材90を広い領域に設けることができる。また、屈曲部分85は、屈曲部分85と対向する対向基板20の基板縁20aに並行して延在する辺853を有し、基板間導通材90は、辺853に接するように延在している。このため、屈曲部分85が画像表示領域100aに向けて凹む寸法を小さくしつつ、基板間導通材90を広い領域に設けても、基板間導通材90が屈曲部分85から基板縁20aの側に張り出すことを防止することができる。また、本形態では、基板間導通部190を2個所に設けたため、基板間導通材90を広い領域に設けることができるので、基板間導通部190での抵抗を低減することができる。[別の実施の形態]図10は、本発明を適用した別の電気光学装置100に設けた素子基板側基板間導通用電極6e等の説明図であり、図8に対応する部分を示してある。より具体的には、図10a、bは、素子基板側基板間導通用電極6eが形成されている領域の断面図、およびデータ線6aの引き回し部分が形成されている領域の断面図である。図1~図9には、画素トランジスター100tとして、半導体層1aにポリシリコン膜を用いたトップゲート構造の電界効果型トランジスターを構成したが、半導体層1aにアモルファスシリコン膜を用いたボトムゲート構造の電界効果型トランジスター等を画素トランジスター100tとして用いた電気光学装置100に本発明を適用してもよい。この場合、図10に示すように、データ線6aや素子基板側基板間導通用電極6eはゲート絶縁層2の表面に形成されることになる。[他の実施の形態]上記実施の形態では、基板間導通部190を2個所に設けたが、基板間導通部190を1個所、あるいは3個所以上に設ける場合に本発明を適用してもよい。また、例えば、上記実施の形態では、データ線6aが延在している側に基板間導通部190を設けたが、走査線3aが延在している側に基板間導通部190を設けてもよく、データ線6aが延在している側および走査線3aが延在している側の双方に基板間導通部190を設けてもよい。上記実施の形態では、素子基板10に接続した複数枚のフレキシブル配線基板200から信号を画像表示領域100aに供給することにより、複数本のデータ線6aの引き回し部分が延在する複数の信号線形成領域60を設け、かかる信号線形成領域60の間66を利用して素子基板側基板間導通用電極6eを設けたが、例えば、複数の駆動用ICを素子基板10に実装することにより、複数の信号線形成領域60を設けてもよい。また、素子基板10自身に駆動回路を内蔵させる場合でも、複数の駆動回路を素子基板10に内蔵させることにより、複数の信号線形成領域60を設けてもよい。上記実施の形態では、電気光学装置100として透過型の電気光学装置100を例示したが、反射型の液晶装置や、プラズマディスプレイ、電界放出型ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、電気泳動型ディスプレイ等において基板間導通を行う場合に本発明を適用してもよい。[電子機器への搭載例]上述実施形態では、電気光学装置100を搭載した電子機器2000として、液晶テレビを例示したが、液晶テレビ以外にも、パーソナルコンピューターのディスプレイ、デジタルサイネージ、カーナビゲーション装置、携帯用情報端末等の電子機器の表示部に本発明を適用した電気光学装置100を用いてもよい。