"金属壁で覆われている箱であるキャビティ内に設けられている基板と、上記基板の表面に実装されている導体パッチと、上端が上記導体パッチの下面と接している状態で、上記基板内に埋め込まれている導電棒とを備え、上記導体パッチの開放端と上記導電棒を含む面における上記キャビティの断面の長手方向に電磁波が伝播しないように、上記キャビティの断面の短手方向の寸法が、上記導電棒の中心から上記導体パッチの開放端までの距離と上記基板の誘電率に基づいて決定されていることを特徴とする高周波フィルタ。複数の導電棒が基板内に埋め込まれていることを特徴とする請求項1記載の高周波フィルタ。導電棒の中心から導体パッチの開放端までの距離が、キャビティの断面の長手方向に伝播する電磁波の周波数における波長の略4分の1であって、基板の誘電率が15以下である場合、上記キャビティの断面の短手方向の寸法が、上記距離×2√15以下の長さに決定されていることを特徴とする請求項1または請求項2記載の高周波フィルタ。導電棒の中心から導体パッチにおける一方の開放端までの距離と、他方の開放端までの距離とが異なっていることを特徴とする請求項1から請求項3のうちのいずれか1項記載の高周波フィルタ。導体パッチの一部が抵抗体で構成されていることを特徴とする請求項1から請求項4のうちのいずれか1項記載の高周波フィルタ。請求項1から請求項5のうちのいずれか1項記載の高周波フィルタが複数個配置されていることを特徴とする高周波フィルタ。金属壁で覆われている箱であるキャビティ内に設けられている高周波回路素子と、上記キャビティ内に設けられ、上記高周波回路素子から出力された信号を伝播する伝送線路が施されている基板と、上記基板の表面に実装されている導体パッチと、上端が上記導体パッチの下面と接している状態で、上記基板内に埋め込まれている導電棒とを備え、上記導体パッチの開放端と上記導電棒を含む面における上記キャビティの断面の長手方向に電磁波が伝播しないように、上記キャビティの断面の短手方向の寸法が、上記導電棒の中心から上記導体パッチの開放端までの距離と上記基板の誘電率に基づいて決定されていることを特徴とする高周波モジュール。導体パッチと伝送線路の間隔が、基板の厚さ以上であることを特徴とする請求項7記載の高周波モジュール。従来の高周波フィルタは以上のように構成されているので、インダクタンス成分を形成するための導体パターンをコイルパターンとする場合、構造が複雑なスパイラル状を呈する導体パターンを形成する必要がある。このため、製造が面倒でコスト高を招くなどの課題があった。なお、筺体の蓋に周期構造体を設ければ、筺体内での不要な電磁波の伝播を阻止することができるが、筺体の蓋に周期構造体を形成する製造は面倒であるため、コスト高を招くなどの課題があった。この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、製造が容易な簡易の構造で、不要な電磁波の伝播を阻止することができる高周波フィルタを得ることを目的とする。また、この発明は、製造が容易な簡易の構造の高周波フィルタを実装している高周波モジュールを得ることを目的とする。この発明に係る高周波フィルタは、金属壁で覆われている箱であるキャビティ内に設けられている基板と、その基板の表面に実装されている導体パッチと、上端が導体パッチの下面と接している状態で、その基板内に埋め込まれている導電棒とを備え、その導体パッチの開放端と導電棒を含む面におけるキャビティの断面の長手方向に電磁波が伝播しないように、そのキャビティの断面の短手方向の寸法が、その導電棒の中心から導体パッチの開放端までの距離と基板の誘電率に基づいて決定されているものである。この発明によれば、金属壁で覆われている箱であるキャビティ内に設けられている基板と、その基板の表面に実装されている導体パッチと、上端が導体パッチの下面と接している状態で、その基板内に埋め込まれている導電棒とを備え、その導体パッチの開放端と導電棒を含む面におけるキャビティの断面の長手方向に電磁波が伝播しないように、そのキャビティの断面の短手方向の寸法が、その導電棒の中心から導体パッチの開放端までの距離と基板の誘電率に基づいて決定されているように構成したので、製造が容易な簡易の構造で、不要な電磁波の伝播を阻止することができる高周波フィルタが得られる効果がある。実施の形態1.図1aはこの発明の実施の形態1による高周波フィルタを示す上面図であり、bはこの発明の実施の形態1による高周波フィルタを示す断面図である。図1において、キャビティ1は金属壁で覆われている箱であり、内部には基板2が設けられている。基板2の表面2aには導体パッチ3が実装されている。導電棒4は上端が導体パッチ3の下面と接している状態で、基板2内に埋め込まれている。図1の例では、5個の導電棒4が直線上に配置されている。なお、導体パッチ3及び導電棒4から共振器5が構成されており、この共振器5は、1/4波長の共振器が2個組み合わされた構造である。図1の高周波フィルタでは、導体パッチの開放端3a,3bと導電棒4を含む面におけるキャビティ1の断面の長手方向に電磁波が伝播しないように、キャビティ1の断面の短手方向の寸法D1が、導電棒4の中心から導体パッチ3の開放端3aまでの距離W1と基板2の誘電率εに基づいて決定されている。即ち、導電棒4の中心から導体パッチ3の開放端3a,3bまでの距離W1,W2W1=W2、または、W1>W2が、キャビティ1の断面の長手方向に伝播する電磁波の周波数における波長λの4分の1程度であって、基板2の誘電率εが15以下である場合、キャビティ1の断面の短手方向の寸法D1は、距離W1×2√15以下の長さに決定されている。以下、図1の高周波フィルタの作用等を説明する。一般的に、高周波モジュールを構成する筐体図示せずの内部のキャビティ1が、両端が短絡されている導波管とみなすと、キャビティ1の寸法は、この導波管の基本モードであるTE10モードの遮断周波数が、高周波モジュールで使用する最高周波数より高くなるように決定されることが多い。また、高次モードであるTE01モードが発生しないように決定されることが多い。しかし、高周波モジュールを構成する筐体の内部に設けられている高周波回路の不連続部から、高周波モジュールで使用する周波数の高調波2倍波、3倍波などが発生する場合がある。この高調波は、TE10モードの遮断周波数よりも高い周波数となるので、キャビティ1内を不要な電磁波として伝播することがある。この不要な電磁波を抑圧するには、キャビティ1の寸法を小さくして、遮断周波数を高める方法があるが、キャビティ1の内部には高周波回路素子などが実装されるため、キャビティ1の寸法には制約があり、小さくできない場合がある。そこで、この実施の形態1では、不要な電磁波を抑圧する目的で、共振器5をキャビティ1の内部に設けている。共振器5における不要波抑圧構造としての動作原理は、共振器5とキャビティ1内の不要な電磁波の伝播路とが結合することにより、帯域阻止フィルタが構成される原理である。ただし、キャビティ1の断面の短手方向の寸法D1が大きいと、共振器5と不要な電磁波の伝播路とが十分に結合されないため、十分な抑圧効果が得られない。そこで、この実施の形態1では、十分な抑圧効果が得られるようにするために、キャビティ1内に設けている基板2の誘電率εが15以下である条件の下で、高次モードであるTE01モードキャビティ1の断面の長手方向に伝播する電磁波が発生しない範囲で、キャビティ1の断面の短手方向の寸法D1を決定している。即ち、キャビティ1の断面の短手方向の寸法D1を、距離W1×2√15以下の長さに決定することで、十分な抑圧効果が得られるようにしている。ここで、図2は距離W1と距離W2が異なる場合の共振器5の抑圧特性と反射特性を示す説明図である。図2において、F1,F2は距離W1,W2が共に約1/4波長である場合の共振周波数である。共振周波数F1,F2の近辺では、図2に示すように、非伝播周波数帯域が生じている。ただし、図2の例は、W1=1.11mm、W2=1.06mm、D1=2.8mm、D2=8.51mm、導体パッチ3における距離W1,W2と垂直な辺の長さL=3.43mm、導体棒4の本数=5本、導体棒4の直径Φ=0.3mm、基板2の厚さ=0.635mm、基板2の誘電率ε=9.8である場合の通過特性と反射特性である。また、F1=16.9GHz、F2=18.7GHzである。図2の例では、導体パッチ3における距離W1,W2と垂直な辺の長さLが、8.51mmであるものを示しているが、長さLは任意であり、キャビティ1内で許容できる配置スペースの寸法に応じて変えることができる。ただし、距離W1,W2と垂直な辺の長さLが長い程、共振器5の抑圧特性における抑圧量を大きくすることができる。したがって、長さLを適宜設定することにより、抑圧量を調整することができる。以上で明らかなように、この実施の形態1によれば、キャビティ1内に設けられている基板2と、その基板2の表面2aに実装されている導体パッチ3と、上端が導体パッチ3の下面と接している状態で、その基板2内に埋め込まれている導電棒4とを備え、その導体パッチ3の開放端3a,3bと導電棒4を含む面におけるキャビティ1の断面の長手方向に電磁波が伝播しないように、そのキャビティ1の断面の短手方向の寸法D1が、その導電棒4の中心から導体パッチ3の開放端3aまでの距離W1と基板2の誘電率εに基づいて決定されているように構成したので、製造が容易な簡易の構造で、不要な電磁波の伝播を阻止することができる高周波フィルタが得られる効果を奏する。なお、この実施の形態1では、W1=W2、または、W1>W2であるものを示したが、W1=W2の場合、1帯域しか抑圧帯域が発生しないのに対して、W1>W2または、W1<W2の場合、図2に示すように、抑圧帯域が2帯域発生するため、W1=W2の場合よりも、抑圧帯域の広帯域化を図ることができる。この実施の形態1では、キャビティ1の形状が矩形である例を示したが、キャビティ1の形状は矩形に限るものではなく、他の形状であってもよい。また、この実施の形態1では、共振器5が、1/4波長の共振器が2個組み合わされた構造であるものを示したが、図3に示すように、マッシュルーム構造の共振器11であってもよい。マッシュルーム構造の共振器11は、一辺の寸法が約1/2波長W1W2の導体パッチ3と、1本の導電棒4から構成されている。通常、マッシュルーム構造の共振器は、高インピーダンス面を形成して、電磁波の抑圧効果を得るために、キャビティ1内に周期構造として複数個設けられる例えば、特許文献3を参照。しかし、図3の例では、マッシュルーム構造の共振器11を単体配置するだけで、電磁波を抑圧する効果が得られる。因みに、図1の共振器51/4波長の共振器が2個組み合わされた構造では、複数の導体棒4を備える構造であるため、導体パッチ3と導電棒4を流れる電流が、1本の導電棒4を備えるマッシュルーム構造の共振器11より大きくすることができる。このため、マッシュルーム構造の共振器11よりも、伝播路との磁界結合を大きくすることができ、電磁波の抑圧量を大きくすることができる。また、図1の共振器5では、距離W1,W2と垂直な辺の長さLを任意に変えることができるため、マッシュルーム構造の共振器11よりも、制約があるキャビティ1内の配置の自由度が大きくなる。実施の形態2.図4aはこの発明の実施の形態2による高周波フィルタを示す上面図であり、bはこの発明の実施の形態2による高周波フィルタを示す断面図である。図4において、図1と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。図4の高周波フィルタでは、導体パッチ3の一部が抵抗体6で構成されている。即ち、基板2の表面2aに実装されている導体パッチ3のうち、大きな電流が流れる導電棒4の近辺が抵抗体6で構成されている。一部が抵抗体6で構成されている導体パッチ3と導電棒4から共振器12を構成することで、導体パッチ3での損失が増加するためQ値が大きくなり、抑圧特性の広帯域化を図ることができる効果を奏する。実施の形態3.図5aはこの発明の実施の形態3による高周波フィルタを示す上面図であり、bはこの発明の実施の形態3による高周波フィルタを示す断面図である。図5の高周波モジュールでは、導体パッチ3及び導電棒4からなる複数の共振器5共振器5a、共振器5b、共振器5c、共振器5d、共振器5eが、管内波長の約1/4の間隔で配列されることで、高周波フィルタ13が構成されている。図6は管内波長の約1/4の間隔で配列される共振器5a、共振器5b、共振器5c、共振器5d及び共振器5eにおける導体パッチ3に係る距離W1,W2の一例を示す説明図である。また、図7は5個の共振器5共振器5a、共振器5b、共振器5c、共振器5d及び共振器5eが配置されている場合の抑圧特性と反射特性を示す説明図である。管内波長の約1/4の間隔で5個の共振器5共振器5a、共振器5b、共振器5c、共振器5d、共振器5eが配置され、5個の共振器5における導体パッチ3に係る距離W1,W2が図6の通りである場合、5個の共振器5の抑圧特性は、図7に示すように、10dB以下の帯域では、16.8-19.6GHzとなり、16である。この実施の形態3では、図1の高周波フィルタと同様の動作原理によって、キャビティ1の断面の長手方向に伝播する電磁波を抑圧することができるが、1個の共振器5を配置する場合よりも、広帯域な抑圧特性が得られる。なお、この実施の形態3では、5個の共振器5を管内波長の約1/4の間隔で配列している例を示しているが、配列する共振器5の個数は5個に限るものではなく、また、配列する共振器5の間隔は管内波長の約1/4の間隔に限るものではない。実施の形態4.図8aはこの発明の実施の形態4による高周波フィルタを示す上面図であり、bはこの発明の実施の形態4による高周波フィルタを示す断面図である。図8の高周波モジュールでは、一部が抵抗体6で構成されている導体パッチ3及び導電棒4からなる複数の共振器12共振器12a、共振器12b、共振器12c、共振器12d、共振器12eが、管内波長の約1/4の間隔で配列されることで、高周波フィルタ14が構成されている。図9は5個の共振器12共振器12a、共振器12b、共振器12c、共振器12d及び共振器12eが配置されている場合の抑圧特性と反射特性を示す説明図である。管内波長の約1/4の間隔で5個の共振器12共振器12a、共振器12b、共振器12c、共振器12d及び共振器12eが配置され、5個の共振器12における導体パッチ3に係る距離W1,W2が図6の通りである場合、5個の共振器12の抑圧特性は、図9に示すように、10dB以下の帯域では、16.2-19.6GHzとなり、19である。ただし、図9では、導体パッチ3の一部の抵抗体6として、20Ω/□の抵抗膜が0.1mm幅で装荷されているものとしている。この実施の形態4では、図4の高周波フィルタと同様の動作原理によって、キャビティ1の断面の長手方向に伝播する電磁波を抑圧することができるが、1個の共振器12を配置する場合よりも、広帯域な抑圧特性が得られる。なお、この実施の形態4では、5個の共振器12を管内波長の約1/4の間隔で配列している例を示しているが、配列する共振器12の個数は5個に限るものではなく、また、配列する共振器12の間隔は管内波長の約1/4の間隔に限るものではない。また、この実施の形態4では、抵抗体6が抵抗膜である例を示しているが、抵抗体6は抵抗膜に限るものではなく、例えば、チップ抵抗などでもよい。実施の形態5.図10はこの発明の実施の形態5による高周波モジュールを示す構成図である。図11aはこの発明の実施の形態5による高周波モジュールを示す上面図であり、bはこの発明の実施の形態5による高周波モジュールを示す断面図である。図10及び図11において、高周波モジュール20は上記実施の形態1~4のうちのいずれかの高周波フィルタを実装している。図10及び図11では、図5の高周波フィルタ13を実装している例を示している。キャビティ1内には、例えば、高周波通信装置における増幅器などの高周波回路素子21,23や、その他の回路が設けられている。基板2には高周波回路素子21,23から出力された信号を高周波回路素子23,21に伝播する伝送線路22が施されている。なお、伝送線路22には、いわゆる線路だけでなく、何らかの回路が含まれていることがある。導体パッチ3と伝送線路22の間隔は、基板2の厚さ以上である。高周波モジュール20の内部には、不連続な箇所があり例えば、高周波回路素子21,23と伝送線路22の間、その不連続な箇所から不要な電磁波が発生する。しかし、高周波モジュール20の内部には、高周波フィルタ13が実装されているので、その不連続な箇所から発生する不要な電磁波の伝播を抑圧することができる。なお、高周波フィルタ13は、回路を含む伝送線路22から基板2の厚さ以上離して配置されているので、高周波フィルタ13の影響が当該回路に及ぶ可能性は低い。この実施の形態5によれば、高周波フィルタ13を高周波モジュール20内の既存の回路と共平面に配置することが可能であるため、製造が容易であり、低コスト化を図ることができる。なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。"