多層構造130を製造するための方法であって、第1のウエハ110を第2のウエハ120上にボンディングするステップであって、少なくとも前記第1のウエハは面取りした端部117a、117bを有し、ボンディング界面は1J/m2以下の接着エネルギーを有する、ボンディングするステップと、転写した層115を形成するために前記第1のウエハ110をシンニングするステップとを含み、前記第1のウエハ110の前記シンニングの前に、グラインディングホイール150を使用して実行する前記第1のウエハ110の前記端部をトリミングするステップを含み、前記グラインディングホイールの作業面151は800メッシュ以上または18ミクロン以下の平均径を有する砥粒を含み、前記トリミングするステップは毎秒5ミクロン以上の下降速度で前記グラインディングホイールを下げることによって実行され、前記第1のウエハ中への前記グラインディングホイールの前記下降は30μm以下の前記ボンディング界面からの高さh110のところでさらに停止することを特徴とする方法。前記トリミングするステップは、前記面取りした端部117a、117bが延在する幅に少なくとも等しい幅Id110にわたり実行されることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記トリミングするステップは、2mmと8mmとの間の幅Id110にわたり実行されることを特徴とする請求項2に記載の方法。前記第1のウエハ110は、少なくとも600μmのシンニングの前の厚さを有することを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。前記シンニングするステップは、グラインディングするステップを含むことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。前記第1のウエハ110は、シリコンウエハまたはSOI構造であることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。前記シンニングするステップは、前記グラインディングするステップの後に実行する化学エッチングステップをさらに含むことを特徴とする請求項6に記載の方法。前記ボンディングするステップの前に、酸化膜層114が前記第1のウエハ110の露出した表面上に形成されることを特徴とする請求項6または7に記載の方法。前記第1のウエハ110は、コンポーネントを含むことを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。前記第2のウエハ120は、サファイアウエハであることを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。前記第2のウエハ120は、シリコンウエハであることを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。前記ボンディングするステップの前に、酸化膜層が前記第2のウエハ120の露出した表面上に形成されることを特徴とする請求項11に記載の方法。前記ボンディングするステップの前に、前記第1のウエハ200の一面上にコンポーネント204の層を製造する少なくとも1つのステップを含み、前記第1のウエハ200の前記面は前記第2のウエハ300上にボンディングされるコンポーネント204の前記層を含むことを特徴とする請求項9から12のいずれか一項に記載の方法。コンポーネント204の前記第1の層を含む前記面と反対の前記第1のウエハ200の面上にマイクロコンポーネント214の第2の層を製造するステップをさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の方法。コンポーネント214の少なくとも前記第1の層は、イメージセンサを含むことを特徴とする請求項13または14に記載の方法。しかしながら、深い機械的なトリミングは、転写した層と支持材との間のボンディング界面において、および転写した層それ自体の中の両方の剥がれ問題を引き起こす。より詳しくは、ボンディング界面において、剥がれ問題は、層の周辺部近くのある領域内での転写した層の層間剥離に対応し、これをマクロ剥がれと名付けることがある。結合エネルギーは、面取りの存在のために層の周辺部の近くではより弱くなる。その結果、このトリミングは、この場所において、支持している基板とのそれ自体のボンディング界面のところの層の部分的なデボンディングdebondingをもたらすことがある。その結果、上記の欠点なしに多層構造中の第1のウエハまたは転写した層をトリミングすることを可能にする方法を見つけるという問題が生じる。本発明の目的は、下記を含む多層構造を製造するための方法を提供することによって上記の欠点を軽減することであり、この方法は、-第1のウエハを第2のウエハ上にボンディングするステップであって、少なくとも前記第1のウエハは面取りした端部を有し、ボンディング界面は1J/m2以下の結合表面エネルギー、または結合エネルギーを有する、ボンディングするステップと、-転写した層を形成するために第1のウエハをシンニングするステップとを含み、この方法では、第1のウエハのシンニングの前に、第1のウエハの端部をトリミングするステップを、グラインディングホイールを使用して実行し、グラインディングホイールの作業面は18ミクロン以下または800メッシュ以上の平均径を有する砥粒を含み、前記トリミングするステップを、毎秒5ミクロン以上の下降速度でグラインディングホイールを下げることによって実行し、第1のウエハ中へのグラインディングホイールの下降を、30μm以下のボンディング界面からの高さのところでさらに停止する。第1のウエハをシンニングする前に第1のウエハをトリミングすることによって、および上記に定めた動作条件の下で、トリミングすべき第1のウエハの部分の全高さよりも小さな深さまでに第1のウエハ中へのグラインディングホイールの侵入深さを制限しグラインディングホイールの下降をボンディング界面上方の第1のウエハ中で停止させつつ、第1のウエハの完全なトリムを得ることが可能である。上記の剥がれ問題を、そのようにして回避する。本発明の一態様によれば、トリミングするステップを、面取りした端部が延在する幅に少なくとも等しい幅にわたり実行する。本発明の特定の一実施形態によれば、方法は、ボンディングするステップの前に、第1のウエハの一面上にコンポーネントの層を製造する少なくとも1つのステップを含み、第1のウエハのその面は第2のウエハ上にボンディングされるコンポーネントの層を含む。コンポーネントの第1の層を含む面と反対の第1のウエハの面上にマイクロコンポーネントの第2の層を製造するステップを、さらに実行することができる。本発明のトリミング方法の使用は、ウエハ間のボンディング界面およびコンポーネントの層内の両方における層間剥離のリスクを最小にしつつ、2つ以上のウエハを積層することによって製造される3次元構造を可能にする。コンポーネントの層のうちの1つは、とりわけイメージセンサを含むことができる。本発明は、一般に、ボンディングによって互いに接合させた少なくとも2つのウエハを含む多層構造のトリミングに適用可能であり、それに関して、結合の表面エネルギーを1J/m2以下に制限し、2つのウエハのうちの少なくとも1つがその周辺部上に面取りまたは丸めた端部を有する。かかる多層構造は、とりわけ、異なる熱膨張係数を有するまたはマイクロコンポーネントを含む少なくとも2つのウエハから製造される構造に対応し、それに対して、結合を安定化させ結合エネルギーを増加させることを可能にする結合を強化させるアニールの温度を制限しなければならない。結合エネルギーが1J/m2未満に保たれることを条件に、陽極ボンディング、メタリックボンディング、または接着ボンディングなどの別のタイプのボンディングによって、ウエハを互いに接合する多層構造に、本発明を同じく適用することができる。ウエハは、一般に円形であり、様々な直径、とりわけ100mm、150mm、200mm、または300mmの直径を有することができる。コンポーネントがウエハのうちの1つにすでに形成済みであってもよく、次いでそのウエハが、支持材として機能する別のウエハ上にボンディングされる。用語コンポーネントを、ウエハの材料とは異なる材料で製造され、ボンディング界面を強化させるために慣習的に使用する高い温度に敏感である任意の素子を意味するようにここでは解釈する。これらのコンポーネントは、とりわけ、回路またはコンタクト、さらには能動層などの、ある電子コンポーネントまたは複数の電子マイクロコンポーネントのすべてまたは一部を形成する素子に対応する。本発明は、より具体的に、しかし排他的ではなく、第1のサファイアウエハまたは第1の基板およびSOI構造などのシリコンを含む第2のウエハまたは第2の基板を組み立てることによって形成されるSOSヘテロ構造に適用可能である。サファイア基板上にシリコン層を含むヘテロ構造は、特別な利点を有する。SOS構造は、高周波数、低消費電力デバイスを製造することを可能にする。サファイア基板の使用は、例えば、石英基板を使用して得られるものよりも優れた、非常に良い熱放散をさらに可能にする。本発明は、第1のウエハをそのウエハの全厚さよりも小さい深さまでトリミングするが、トリミングすべき第1のウエハの残っている部分が、言い換えると、グラインディングホイールがそこまで侵入しなかったボンディング界面の上方に位置する第1のウエハの部分が、リフトオフされるように熱-機械的効果を生み出す特定の条件下で、トリミングを実行することを提案する。工作機械が第1のウエハと第2のウエハとの間のボンディング界面に到達する前に工作機械の下降をこのように停止させることによって、上に説明した剥がれ問題およびデボンディング問題を回避する。より詳しくは、本発明では、グラインディングホイールの作業面または作用部が18ミクロン以下、または800メッシュ以上の平均径を有する砥粒を含むグラインディングホイールを用いて、トリミングを実行する。砥粒を、とりわけダイアモンド粒子とすることができる。さらに、前進速度とも呼ばれる、グラインディングホイールの下降速度は、5μm/s以上である。これら2つのパラメータの調整は、特にトリミングの終わりにおいて、第1のウエハについてのトリミングの熱的効果および機械的効果を最大にし、リング、すなわちホイールの下方に残っている第1のウエハの部分を、とりわけその中にクラックを作ることによって弱くし、その結果、そのリフトオフを容易にする。これらの効果は、本発明では、第1のウエハをシンニングする前にトリミングを実行する点で、したがって材料のかなりの量をトリミング中に除去し、トリミングの終わりにおいて実質的な熱-機械的効果を得ることを可能にするという点でなおさら本質的である。グラインディングホイールを、第1のウエハのトリミング中に少なくともボンディング界面まで下げるという従来技術とは対照的に、本発明では、グラインディングホイールを、ボンディング界面の上方の所定の高さのところで停止する。より詳しくは、目標とする深さとも呼ばれる、第1のウエハ中へのグラインディングホイールの侵入深さを、ボンディング界面から30μm未満の距離のところで、好ましくは20μm未満の距離のところで第1のウエハ中へのグラインディングホイールの下降を停止するように調整する。一般に、グラインディングホイールの下降を、ボンディング界面から30μmと10μmとの間の高さのところで停止する。上に説明したようなトリミング中の熱-機械的効果の最大化、および2つの層間のボンディング界面の弱さは、第1のウエハがその全厚さにわたりグラインディングホイールによってグラインディングされないとはいえ、トリミングされるべき残っている部分のリフトオフによって第1のウエハの完全なトリミングが得られることを可能にする。トリミング方法の1つの実行の形態を、図1Aから図1Eおよび図2に関連してここで説明する。図1Aから図1Eおよび図2を参照して説明するものは、第1のウエハまたは初期基板110上部および第2のウエハまたは支持基板120下部からSOSヘテロ構造を製造するための方法である。第1のウエハ110は、その周辺部に、上部面取り117aおよび下部面取り117bを含む。同様に、第2のウエハ120は、その周辺部に上部面取り127aおよび下部面取り127bを含む。第1のウエハ110は、約600μmと900μmとの間の厚さを有する。図1Aに示したように、第1のウエハ110は、やはりシリコンからなる支持材113上のシリコン層111、および層111と支持材113との間に置かれ、例えばSiO2からなる埋め込み酸化膜層112を含むSOI構造から構成される。第1のウエハ110の外側表面は、さらに、引き続く化学エッチングステップ中にウエハの表面を保護するために、例えば、ウエハの表面の酸化によって形成される、10nmと50nmとの間の厚さを有する熱酸化膜層114により前もって覆われている。第1のウエハ110を、やはり、コンポーネントを含んでも含まなくともよいモノリシックシリコンウエハから構成することができる。第2のウエハ120は、サファイアウエハから構成される図1A。第1のウエハ110の面111aここでは酸化膜層114により覆われているおよび第2のウエハ120の表面120aを、じかに接触させて置き、接触している表面間にボンディングウェーブbondingwaveの伝播を始めさせるために、2つのウエハのうちの1つに圧力を加えるステップS1、図1B。それ自体が周知であるように、ダイレクトウエハボンディング、または単にダイレクトボンディング、の原理は、2つの表面間の直接接触に基づく-言い換えると、特別な材料接着剤、ワックス、ろう付け剤、等を使用しない。かかる操作を実行するために、十分に平滑であり、微粒子がなく、汚染がないことがボンディング表面にとって必要であり、接触が始まるように互いに十分に近づけて-典型的には、数ナノメートルよりも小さな距離が要求される-置くことがボンディング表面にとって必要である。この場合には、2つの表面間の引力は、ダイレクトボンディングを生じさせるために十分に強い、すなわち、ボンディングがボンディングすべき2つの表面の原子間または分子間のファンデルワールス力によって誘起される。そのように実行したボンディングは、結合を強化させるアニールを実行するまで安定ではない。2つのウエハの組み立て品にアニールを行うことは可能であるが、2つのウエハ間の熱膨張係数の違いのために、このアニールの温度を必然的に制限しなければならない。ここで説明する例では、アニールは、約10時間よりも短い時間に対して180°Cを超えることができない。かかるアニールだけが、結合の表面エネルギーが700mJ/m2を超えない程度の結合の安定化を可能にする。本発明によれば、第1のウエハ110のシンニングの前に、第1のウエハをトリミングするステップS2、図1C。図1Cに図示したように、第1のウエハ110の端部から幅Id110をトリミングし、この幅は、第1のウエハの下部面取り117bが延在する幅に少なくとも対応する。100mmや、200mmや、300mmの直径を有するウエハに関して、トリミングする幅Id110は、一般に2mmと10mmとの間であり、好ましくは、2mmと6mmとの間である。トリミングを、第1のウエハ110の上面から機械的な作用または機械加工エッジグラインディングによって実行する。グラインディングホイール摩耗または層の材料を機械的にすり減らすことが可能な任意の別の工作機械によって、機械的な作用を与えることができる。ここで説明する例では、作業面または作用部151を有するグラインディングホイール150によって、トリミングを実行する、言い換えると、ウエハの平面に平行な第1の部分151aおよびグラインディングホイール150の側面に対応する第2の部分151bにより形成される砥粒を含む表面は、ウエハの材料をすり減らすことが可能である。本発明によれば、グラインディングホイール150の作業面151は、18μm以下または、800メッシュ以上の平均径を有する、ダイアモンド粒子などの砥粒を含む。トリミング中には、ボンディング界面ここでは、熱酸化膜層114と第2のウエハ120のボンディング面120aとの間の接触平面に対応する基準平面に関連して定められる高さh110に対して定められるグラインディングホイール150の目標とする下降深さPd110まで、第1のウエハ110をトリミングする。グラインディングホイールが第1のウエハの厚さの一部にだけ侵入するように、深さPd110を選択する。ここで説明する例では、グラインディングホイール150の下方に残っている環状部分またはリング1110が熱-機械的効果の下でその高さからリフトオフする高さである、30μmと10μmとの間のボンディング界面からの高さh110のところでグラインディングホイール150の下降を停止するように、トリミング深さPd110を選択する。第1のウエハ110の完全なトリミングが、そのようにして得られる。ヘテロ構造の製造は、前記トリミングした第1の層の部分に対応する転写した層を形成するために、第1のウエハ110のシンニングにより続けられる。シンニングを、最初に第1のウエハ110の支持材113の大部分をグラインディングすることによって実行するステップS3、図1D。グラインディングを、第1のウエハ110の露出した面に押し付けてグラインディングホイールの作業面を保持することによって実行する図1Dには図示せず。グラインディング中には、例えば、吸引によってまたは静電システムによって第2のウエハ120を保持することが可能なプラテンを含む、チャックとも呼ばれるホルダ図1Dには図示せずによって、2つのウエハの組み立て品を第2のウエハ120の裏側に保持する。グラインディング中には、グラインディングホイールを回転させるが、チャックを静止させることができる。あるいは、チャックを軸の周りにやはり回転させることができ、グラインディングホイールを回転させても回転させなくてもよい。グラインディングを、サファイア支持基板の表面120aから約65μmで停止する。シンニングのこの段階において、言い換えると、化学シンニングステップの前に、第1のウエハ110の支持材113の残っている部分113aは、加工硬化した表面図1Cを有する。第1のウエハ110のシンニングは、例えば、TMAH水酸化テトラメチルアンモニウムもしくはKOHエッチング溶液による残っている部分113aの、ウェットエッチングとも呼ばれる化学エッチングステップS4、図1Eによって、またはRIE反応性イオンエッチングなどのドライエッチングによって続けられる。残っている部分113aを除去することに加えて、化学エッチングは、環状部分のリフトオフの後で取り残されているはずの環状部分1110のすべての破片を除去する効果を有する。エッチングの後で、第2のウエハ120によって形成されるサファイア支持材および第1のウエハ110の少なくともシリコン層111に対応する転写した層115を含むSOS多層構造130がこのようにして得られる-必要に応じて、酸化膜層112を保存するまたは、例えばHF還元によって除去することができる。本発明の一実施形態による第2のウエハまたは支持下部基板300上への第1のウエハまたは初期基板200中に形成したマイクロコンポーネントの層の転写によって3次元構造を製造するための方法を、ここで図3Aから図3Gおよび図4に関連して説明する。3次元構造の製造は、周辺端部が上部面取り206aおよび下部面取り206bを有する第1のウエハ200の表面上に第1の一連のマイクロコンポーネント204の形成で開始する図3A、ステップS1。ここで説明する例では、第1のウエハ200はSOI多層構造であり、言い換えると、やはりシリコンからなる基板203上に配置されたシリコン層201や、層201と基板203との間に存在する埋め込み酸化膜層202例えば、SiO2の層を含む。第1のウエハ200は、約600μmと900μmとの間の厚さを有する。マイクロコンポーネント204を、製造しようとするマイクロコンポーネントに対応するパターンを形成する領域を定めるためのマスクを使用するフォトリソグラフィによって形成する。図3Aに示したように、第1のウエハ200の外側表面を、次に、引き続く化学エッチングステップステップS2中にウエハの表面を保護するために、例えば0.1μmと3μmとの間の厚さを有し、例えば、ウエハの表面の酸化によって形成した熱酸化膜層205で覆う。第1のウエハ200を、やはりモノリシックシリコンウエハから作ることができる。第2のウエハまたは支持基板300は、シリコンウエハであり、その周辺端部は、上部面取り306aおよび下部面取り306bを有する。ウエハ300の外側表面を、例えば0.1μmと3μmとの間の厚さを有する熱酸化膜層305で覆う図3B、ステップS3。マイクロコンポーネント204を含む第1のウエハ200の面を、次に、熱酸化膜層205および305を介して第2のウエハ300の面にじかに接触するように置き、接触している表面間でボンディングウェーブの伝播を開始するように、2つのウエハのうちの一方に圧力を加えるステップS4、図3C。2つのウエハ間の接着を、コンポーネントおよび/または第1のウエハを損傷しないように、高過ぎない温度で実行する。より詳しくは、室温でウエハを接触させた後で、結合を強化させるアニールを、450°Cよりも低い温度で実行することができ、その温度より高いと、アルミニウムまたは銅などのある種の金属が解け始める。かかるアニールだけが、ボンディングエネルギーが1J/m2を超えない範囲での結合の安定化を可能にする。本発明によれば、ボンディングの後で且つ第1のウエハ200のシンニングの前に、第1のウエハをトリミングするステップS5、図3D。ここで説明する例では、作業面または作用部401を有するグラインディングホイール400によって、トリミングを実行する、言い換えると、ウエハの平面に平行な第1の部分401aおよびグラインディングホイール400の側面に対応する第2の部分401bにより形成される砥粒を含む表面は、ウエハの材料をすり減らすことが可能である。図3Eに示したように、第1のウエハの平面に実質的に垂直であり、第1のウエハ中にトリミングされる側面200cを形成するために、部分401bは、ここでは部分401aに垂直である。本発明によれば、グラインディングホイール400の作業面401は、18μm以下または、800メッシュ以上の平均径を有する、ダイアモンド粒子などの砥粒を含む。図3Dに図示したように、トリミングを、第1のウエハの下部面取り206bが延在する幅に少なくとも対応する第1のウエハ110の端部から最小幅Id200にわたって実行する。100mm直径や、200mm直径や、300mm直径のウエハに関して、トリミングの幅Id200は、一般に2mmと10mmとの間であり、好ましくは、2mmと6mmとの間である。トリミング中には、第1のウエハ110を、ボンディング界面ここでは、熱酸化膜層205および305間の接触平面に対応する基準平面に関連して定められる高さh200に対して定められるグラインディングホイール400の目標とする下降深さPd200までトリミングする。深さPd200を、グラインディングホイールが第1のウエハの厚さの一部にだけ侵入するように選択する。ここで説明する例では、グラインディングホイール400の下方に残っている環状部分またはリング210が熱-機械的効果の下でその高さからリフトオフする高さである、30μmと10μmとの間のボンディング界面からの高さh200のところでグラインディングホイール40の下降を停止するように、トリミング深さPd200を選択する。第1のウエハ200の完全なトリミングが、このようにして得られる。3次元構造の製造は、第1のウエハ200の第1のシンニングステップ、すなわち、マイクロコンポーネント204の層の上方に存在するこのウエハのある部分、ここでは基板203aの大部分のグラインディングステップS6、図3E、を実行することによって続けられる。グラインディングを、上に説明したものと同じ条件下で実行する。グラインディングを、第2のウエハ300の表面300aから約65μmで停止する。シンニングのこの段階において、言い換えると、化学的な第2のシンニングステップの前に、第1のウエハ200の支持材203の残っている部分203aは、加工硬化した表面を有する図3E。第1のウエハ200のシンニングは、例えば、TMAH水酸化テトラメチルアンモニウムもしくはKOHエッチング溶液によって残っている部分203aの化学エッチングによりステップS7、図3F、またはRIEなどのドライエッチングによってさえも続けられる。一旦、酸化膜層202を除去すると、マイクロコンポーネント214の第2の層を、層201の露出した表面上に形成する図3G、ステップS8。ここで説明する例では、マイクロコンポーネント204を形成するために使用したものと同様のフォトリソグラフィマスクを使用するので、マイクロコンポーネント214を、埋め込まれたマイクロコンポーネント204に位置を合わせて形成する。第2のウエハ300ならびにマイクロコンポーネント204および214を含む第1のウエハ200の残っている部分に対応する転写した層215から形成される複合構造500を、その結果得る。変形例として、3次元構造を、多層積層材によって形成する、言い換えると、各追加のウエハが直接隣り合う層または複数の層と位置を合わせられている1つまたは複数の追加のウエハまたは基板を層201の上にボンディングすることによって形成する。本明細書中で上に説明したような本発明によれば、2つのシンニングステップ間に実行する部分トリミングを、転写した層を形成するために各ウエハに対して実行する。さらに、追加のウエハの各転写の前に、組み立てを容易にさせ、引き続く化学エッチングからトリミングした領域その領域では、下にあるウエハの材料が露出しているを保護するために、露出させた層上に、酸化膜層、例えば、TEOSの層を堆積することが可能である。特定の一実施形態によれば、マイクロコンポーネントの層のうちの1つは、とりわけイメージセンサを含むことができる。別の一実施形態によれば、転写した層を構成する第1のウエハとの第2のウエハの組み立ての前に、コンポーネントを、支持する第2のウエハ中に前もって形成している。