発光ダイオードであって、以下を具備する:n型窒化物半導体層、多重量子井戸層、p型窒化物半導体層、窓電極層、p側電極、およびn側電極、ここで、前記n型窒化物半導体層、前記多重量子井戸層、前記p型窒化物半導体層、前記窓電極層、および前記p側電極は、この順に積層され、前記n側電極は前記n型窒化物半導体層に電気的に接続され、前記窓電極層は、単結晶n型ITO透明電極膜および単結晶n型ZnO透明電極膜を具備し、前記p側窒化物半導体層は、前記単結晶n型ITO透明電極膜に接しており、単結晶n型ITO透明電極膜は、単結晶n型ZnO透明電極膜に接しており、前記p側電極は、前記単結晶n型ZnO透明電極膜に電気的に接続されており、前記単結晶n型ITO透明電極膜はInだけでなくGaをも含有し、単結晶n型ITO透明電極膜は、0.08以上0.5以下のGa/InGaのモル比を有し、単結晶n型ITO透明電極膜は、1.1nm以上55nm以下の厚みを有する。発光ダイオードから光を放出させる方法であって、以下の工程a~工程bを具備する:請求項1に記載の発光ダイオードを用意する工程a、および前記n側電極および前記p側電極の間に電位差を印加し、前記発光ダイオードから光を放出させる工程b。GaN上に通常の方法によって形成されたITOは多結晶である。多結晶における結晶粒界のために光は散乱されやすい。これは光抽出効率を低下させることをもたらす非特許文献2を参照。非特許文献3および非特許文献4は、酸化亜鉛ZnOから構成される窓電極層が、ITOと比較して、高い光抽出効率を有することを開示している。この理由は、p型GaN層上に単結晶のZnOが成長され得るからである。言うまでもないが、単結晶は、結晶粒界を有さないので、光を散乱させない。しかし、ZnOの仕事関数の深さは、p型GaNの価電子帯端のエネルギー準位と比べて相対的に浅い。この理由のため、p型GaNに接するZnOは、高い接触抵抗を有する。すなわち、窓電極層からの光抽出効率の向上およびp型GaNに接する窓電極層の接触抵抗の低減の間には、矛盾が存在する。本発明の目的は、窓電極層からの光抽出効率の向上およびp型GaNに接する窓電極層の接触抵抗の低減を同時に達成する発光ダイオードを提供することである。本発明に係る発光ダイオードは、以下を具備する:n型窒化物半導体層、多重量子井戸層、p型窒化物半導体層、窓電極層、p側電極、およびn側電極、ここで、前記n型窒化物半導体層、前記多重量子井戸層、前記p型窒化物半導体層、前記窓電極層、および前記p側電極は、この順に積層され、前記n側電極は前記n型窒化物半導体層に電気的に接続され、前記窓電極層は、単結晶n型ITO透明電極膜および単結晶n型ZnO透明電極膜を具備し、前記p側窒化物半導体層は、前記単結晶n型ITO透明電極膜に接しており、単結晶n型ITO透明電極膜は、単結晶n型ZnO透明電極膜に接しており、前記p側電極は、前記単結晶n型ZnO透明電極膜に電気的に接続されており、前記単結晶n型ITO透明電極膜はInだけでなくGaをも含有し、単結晶n型ITO透明電極膜は、0.08以上0.5以下のGa/InGaのモル比を有し、単結晶n型ITO透明電極膜は、1.1nm以上55nm以下の厚みを有する。また、本発明に係る発光ダイオードから光を放出させる方法は、以下の工程a~工程bを具備する:上記構成の発光ダイオードを用意する工程a、および前記n側電極および前記p側電極の間に電位差を印加し、前記発光ダイオードから光を放出させる工程b。本発明の発光ダイオードは、窓電極層からの光抽出効率の向上およびp型GaNに接する窓電極層が有する接触抵抗の低減を同時に達成する。図面を参照しながら、以下、本発明の実施の形態を説明する。実施の形態1図1は、実施の形態1による発光ダイオードの断面図を示す。図1に示される各要素が図9に示される各要素と同一である場合には、同一の参照符号が用いられ、その説明を省略する。実施の形態1による窓電極層は、Gaをドープした単結晶ITO透明電極膜11および単結晶n型ZnO透明電極膜12から構成される。単結晶n型ZnO透明電極膜12の上には、p側電極97が形成されている。p側電極97の例は、チタンTi及びアルミニウムAlから構成される積層膜である。n側電極98の例は、チタンTi及びアルミニウムAlから構成される積層膜である。図2A~図3Bは、実施の形態1による発光ダイオードを製造する方法を示す。III族窒化物半導体の結晶成長法として、MOCVD法が用いられる。ガリウムGa源の例は、トリメチルガリウムTMGである。アルミニウム源の例は、トリメチルアルミニウムTMAである。インジウム源の例は、トリメチルインジウムTMIである。窒素源の例は、アンモニアNH3である。n型ドーパントの原料の例は、シランSiH4である。p型ドーパントの原料の例は、シクロペンタジエニルマグネシウムCP2Mgである。図2Aに示されるように、0001面の主面を有するサファイヤ基板91上に、およそ500°Cの低温MOCVD法によってGaN低温バッファ層92が成長される。その後、およそ900°CのMOCVD法によって、n型GaNから構成されるn型クラッド層93、多重量子井戸層94、およびp型GaNから構成されるp型クラッド層95が、この順で成長される。当該多重量子井戸層94の例は、InxGa1xNとGaNとが交互に積層することにより形成された積層膜である。次に、図2Bに示されるように、窓電極層が形成される。単結晶ITO透明電極膜11は、InだけでなくGaをも含有する。単結晶ITO透明電極膜11におけるGa/GaInのモル比は、0.08以上0.5以下である。0.08未満のGa/GaInのモル比は、ITO透明電極膜11を多結晶にすることをもたらしてしまう。0.5を超えるGa/GaInのモル比は、単結晶ITO透明電極膜11の結晶性を低下させることをもたらしてしまう。単結晶ITO透明電極膜11は、1.1nm以上55nm以下の厚みを有する。1.1nm未満の厚みは、接触抵抗を増加させることをもたらしてしまう。55nmを超える厚みは、n型ITO透明電極膜11を多結晶にすることをもたらしてしまう。単結晶ITO透明電極膜11は、パルスレーザー堆積法PLD法により成長され得る。より具体的には、ガリウムGaをドープしたITOターゲットと、p型クラッド層95を具備するサファイヤ基板91とを平行に配置する。当該ITOターゲットに、248nmの波長を有するエキシマレーザを斜めに照射する。このようにして、ITOターゲットのアブレーションを介して単結晶ITO透明電極膜11がp型クラッド層95上に形成される。PLD法における気圧の例は1×103Pa以下である。サファイヤ基板91の温度の例は、およそ250°Cである。単結晶ITO透明電極膜11の上に、単結晶n型ZnO透明電極膜12が成長される。単結晶n型ZnO透明電極膜12は、単結晶ITO透明電極膜11の場合と同様、ZnO膜を用いたPLD法により成長される。PLD法における酸素ガス分圧の例は2×101Paである。PLD法におけるサファイヤ基板91の温度の例は、400°Cである。単結晶n型ZnO透明電極膜12は、AlまたはGaを含有し得る。AlまたはGaを含有する単結晶n型ZnO透明電極膜12は、AlまたはGaを含有するZnO膜を用いたPLD法により形成される。図3Aに示されるように、n型GaNクラッド層93の表面が露出するまで、多重量子井戸層94~単結晶n型ZnO透明電極膜12の一部がドライエッチングにより除去される。次いで、図3Bに示されるように、単結晶ZnO透明電極膜12およびn型GaNクラッド層93の上に、それぞれ、p側電極97およびn側電極98が、リフトオフ法により形成される。実施の形態1によれば、p型GaNクラッド層95の上に単結晶n型ITO透明電極膜11が成長する。さらに、単結晶n型ITO透明電極膜11の上に、GaNの方位と同一の方位を有する単結晶n型ZnO透明電極膜12が成長する。単結晶の窓電極層では、多結晶の窓電極層とは異なり、結晶粒界による出力光の散乱が生じないので、光抽出効率が向上される。さらに、単結晶n型ITO透明電極膜11は、多結晶のITOと比較して、p型GaNクラッド層95に対して極めて低い接触抵抗を有する。実施例1以下の実験例は、本発明をさらにより詳細に説明する。まず、MOCVD法を用いて、2μmの厚みを有するGaNからなるバッファ層92をサファイヤ基板91の上に成長した。Siがドーピングされたn型GaNクラッド層93をバッファ層92上に成長した。InxGa1xNおよびGaNの積層成長を5回、繰り返し、多重量子井戸層94をn型GaNクラッド層93の上に成長した。xは0.01以上0.20以下であることが好ましいため、実施例1ではxは0.12に設定された。多重量子井戸層94を成長するためのInxGa1xNおよびGaNの積層成長の回数は1回以上10回以下であり得る。Mgがドーピングされたp型GaNクラッド層95を多重量子井戸層94の上に成長した。その後、窒素雰囲気中おいて800°Cで30分間アニールすることにより、ドーパントを活性化した。VanderPauw法を用いて測定したp型GaNのキャリア濃度は1.9×1017cm3であった。キャリア極性はp型であることを、本発明者らは確認した。2×104Paの真空度を有するチャンバーに、当該サファイヤ基板91を装填した。サファイヤ基板91の温度を250°Cに上昇させた。PLD法を用いて、Gaを含有するITO膜を成長した。Gaを含有するITO膜を、以下、GITO膜という。チャンバーに酸素ガスを導入した。当該酸素ガスの分圧は2×101Paに設定された。サファイヤ基板91の温度を400°Cに上昇させた。PLD法を用いて、Gaを2atomドーピングしたn型のZnO膜以下、ZnO膜を成長した。Gaを2atomドーピングしたZnOとは、0.02のGa/GaZnモル比を有するZnOを意味する。成膜中のITO膜およびZnO膜の結晶成長状態は、チャンバーに取り付けられている反射電子線回折ReflectiveHighEnergyElectronDiffraction、以下RHEED装置でその場観察により確かめられた。単結晶ITO透明電極膜11におけるGa/GaInのモル比の考察まず、本発明者らは、GITO膜の結晶成長状態と、その上に成長したZnO膜の結晶成長状態を観察した。当該観察においては、当該GITO膜に含まれるGaの添加量を変化させた。表1は、0、0.08、0.3、および0.5のGa/InGaモル比を有する各GITO膜厚み1.1nmの結晶成長状態、およびその上に成長した100nmの膜厚を有する各ZnO膜の結晶成長状態を示す。当該結晶成長状態は、RHEED装置を用いてその場観察により得られた。Gaを含有しないITO膜すなわち、Ga/GaIn=0の上にZnO膜を成長した場合、図4Aに示されるように、RHEEDは暗いスポットおよびリングが混在したパターンを示した。これは、多結晶のITO膜および多結晶のZnO膜が成長したことを意味する。これに対して、0.08のGa/GaInのモル比を有するGITO膜およびその上のZnO膜を成長した場合、図4Bに示されるように、RHEEDは明瞭なストリークパターンを示した。これは、いずれもエピタキシャルな方位関係を持った単結晶のGITO膜および単結晶のZnO膜が成長したことを意味する。推定であるが、GITO膜は、Gaを含有しないITO膜とは異なる結晶系を有しているため、ZnOがGITO膜上に容易にエピタキシャル成長すると考えられる。0.3または0.5のGa/GaInのモル比を有するGITO膜およびその上のZnO膜を成長した場合、図4Cおよび図4Dに示されるように、RHEEDはストリークパターンを示した。これは、エピタキシャルな方位関係を有する単結晶のGITO膜および単結晶のZnO膜が成長したことを意味する。しかし、Gaの添加量の増加はRHEEDのパターン強度の低下をもたらし、結晶性を幾分低下させた。0.08のGa/GaInのモル比を有するGITO膜は、最も優れた結晶性を有する単結晶ZnO膜の成長をもたらした。表1および図4から理解されるように、単結晶n型ITO透明電極膜11におけるGa/GaInのモル比は、0.08以上0.5以下であることが必要とされる。単結晶ITO透明電極膜11の厚みの考察次に、本発明者らは、異なる厚みを有する複数のGITO膜の結晶成長状態と、その上に形成したZnO膜の結晶成長状態を観察した。表2は、0nm、1.1nm、11nm、55nm、および111nmの厚みを有するGITO膜の結晶成長状態、およびその上に形成した100nmの厚みを有するZnO膜の結晶成長状態を示す。当該GITO膜は、0.08のGa/GaInのモル比を有していた。当該結晶成長状態は、RHEED装置を用いてその場観察方法により監視された。GITO膜なしでGaN上に成長したZnO膜のRHEEDは、図5Aに示されるように、明瞭なストリークパターンを示した。これは、単結晶のZnO膜が成長したことを意味する。1.1nm、11nm、および55nmの厚みを有するGITO膜の上に成長したZnO膜のRHEEDは、それぞれ図5B、図5C、および図5Dに示されるように、明瞭なストリークパターンを示した。これらはいずれも、GITO膜とエピタキシャルな方位関係を有する単結晶のZnO膜が成長したことを意味する。GITO膜の厚みの増加は、RHEEDパターン強度の低下をもたらし、結晶性を低下させた。111nmの厚みを有するGITO膜のRHEEDは、図8Eに示されるように、暗いスポットを有するパターンであった。これは、多結晶のGITO膜が成長したことを意味する。表1、表2、図4、および図5から理解されるように、0.08以上0.50以下のGa/GaInのモル比を有し、かつ1.1nm以上55nmの厚みを有するGITO膜は単結晶であり、かつその上に単結晶ZnO膜が成長する。図6AはSEM像である。図6Aにおける符号51は、0.08のGa/GaInのモル比および1.1nmの厚みを有するGITO膜上に成長された100nmの厚みを有するZnO膜の領域を指し示す。符号52は、当該GITO膜およびZnO膜の一部をフッ酸を用いたウェットエッチング法によって除去することによって露出したGaN膜の領域を指し示す。接触抵抗の測定本発明者らは、c-TLM法を用いて、p型GaNクラッド層95と単結晶ITO透明電極膜11との間の接触抵抗を測定した。表3から理解されるように、p型GaNクラッド層93に接触するZnO膜の接触抵抗は3.2×104Ω/cm2であり、非常に高かった。一方、0.08のGa/GaInのモル比を有し、111nmの厚みを有するGITO膜を間に挟むp型GaNクラッド層93および単結晶ZnO透明電極膜12の間の接触抵抗は6.4×102Ω/cm2であり、低かった。一方、0.08のGa/GaInのモル比を有し、1.1nmの厚みを有するGITO膜を間に挟むp型GaNクラッド層93および単結晶ZnO透明電極膜12の間の接触抵抗は7.9×103Ω/cm2であり、非常に低かった。図7は、7.9×103Ω/cm2の接触抵抗を有する発光ダイオードのI-V曲線を示す。図7から理解されるように、極めて優れたオーミック特性を有するI-V特性が得られた。窓電極層の光透過率の測定本発明者らは、窓電極層の光透過率を測定した。図8は、波長300~500nmの光に対する透過スペクトルの測定結果を示す。符号81は、0.08のGa/GaInのモル比および111nmの厚みを有する多結晶のGITO膜の透過スペクトルを指し示す。符号82は、0.08のGa/GaInのモル比および1.1nmの厚みを有する単結晶のGITO膜の上に成長された100nmの厚みを有する単結晶のZnO膜の透過スペクトルを指し示す。符号83は、100nmの厚みを有する単結晶のZnO膜の透過スペクトルを指し示す。スペクトル81と比較して、スペクトル82は高い透過率を示す。当該高い透過率は、ZnO単層構造のスペクトル83と同様である。従って、発光ダイオードの内部からの高い光抽出効率が期待できる。表4は、以下a~dの窓電極層の光透過率を示す。a:0.08のGa/GaInのモル比を有し、かつ1.1nmの厚みを有するGITO膜と、当該GITO膜上に成長された500nmの厚みを有するZnO膜とから構成される単結晶ZnO/GITO積層体、b:4nmの厚みを有するNi膜と、当該Ni膜上に形成された8nmの厚みを有するAu膜とから構成されるNi/Au積層体、c:230nmの厚みを有するITO膜、およびd:500nmの厚みを有する単結晶ZnO膜光透過率は、一定の動作電圧~3.5Vで発光ダイオードを点灯させながら、積分球を用いて測定した。表4から理解されるように、Ni/Au積層体と比較して、ITO膜は1.36倍の光出力を有する。しかし、単結晶ZnO膜は、Ni/Au積層体と比較して、0.43倍の光出力しか有しない。単結晶のZnO/GITO積層体は、Ni/Au積層体と比較して、1.54倍の光出力を有する。上記の実験例から理解されるように、0.08以上0.5以下のGa/GaInのモル比を有し、かつ1.1nm以上55nm以下の厚みを有する単結晶GITO透明電極膜と、当該単結晶GITO透明電極膜上に成長した単結晶ZnO膜とから構成される窓電極層は、低い接触抵抗および高い光出力を同時に達成した。