転がり軸受を構成する軌道輪を、A1変態点を超える温度に加熱して浸炭窒化処理を行った後に、A1変態点未満に冷却する浸炭窒化工程と、前記浸炭窒化工程後の軌道輪を、A1変態点以上であって浸炭窒化工程の加熱温度以上の温度に誘導加熱した後に冷却し、冷却途中のMS点に到達する前に、外径拘束型に入れてMS点以下になるまで冷却することで、焼入れと矯正を行う高周波焼入れ矯正工程と、前記高周波焼入れ矯正工程後の軌道輪を誘導加熱することで焼戻しを行う高周波焼戻し工程と、前記高周波焼戻し工程後の軌道輪の表面に形成された酸化膜を除去する酸化膜除去工程とをこの順に行うことを特徴とする転がり軸受軌道輪の製造方法。請求項1記載の方法で製造され、軌道面の表層部の残留オーステナイト量が20体積以上45体積以下で、芯部の残留オーステナイト量が15体積以下になっていることを特徴とする転がり軸受の軌道輪。この発明の課題は、転がり軸受の軌道輪を製造する方法として、熱処理時の変形を小さくでき、異物混入潤滑下での寿命を長くでき、寸法安定性にも優れた軌道輪が得られる方法を提供することである。上記課題を解決するために、この発明の転がり軸受軌道輪の製造方法は、転がり軸受を構成する軌道輪内輪または外輪を、A1変態点オーステナイト変態温度を超える温度T1に加熱して浸炭窒化処理を行った後に、A1変態点未満に冷却する浸炭窒化工程と、前記浸炭窒化工程後の軌道輪を、A1変態点以上であって浸炭窒化工程の加熱温度以上の温度T2≧T1に誘導加熱した後に冷却し、冷却途中のMS点マルテンサイト変態開始温度に到達する前に、外径拘束型に入れてMS点以下になるまで冷却することで、焼入れと矯正を行う高周波焼入れ矯正工程と、前記高周波焼入れ矯正工程後の軌道輪を誘導加熱することで焼戻しを行う高周波焼戻し工程と、前記高周波焼戻し工程後の軌道輪の表面に形成された酸化膜を除去する酸化膜除去工程とをこの順に行うことを特徴とする。この発明の方法では、前記高周波焼入れ矯正工程で、焼入れ時の冷却途中で軌道輪を外径拘束型に入れて矯正を行うにより、軌道輪の熱処理時の変形を小さくできる。この発明の方法では、一次加熱浸炭窒化処理後の冷却後に行う二次加熱焼入れ時の保持温度を、一次加熱時の温度T1以上の温度T2で、誘導加熱法で行うことにより、表層部の残留オーステナイト量を多くしながら、芯部の残留オーステナイト量を少なくすることができる。具体例として、この発明の方法によれば、軌道面の表層部表面から50μmまでの深さの範囲の残留オーステナイト量を20体積以上45体積以下とし、芯部の残留オーステナイト量を15体積以下にすることができる。軌道面の表層部の残留オーステナイト量が20体積以上45体積以下で、芯部の残留オーステナイト量が15体積以下になっている軌道輪を有する転がり軸受は、異物混入潤滑下での寿命が長く、寸法安定性にも優れたものとなる。軌道面の表層部の残留オーステナイト量が20体積未満であると、異物混入潤滑下で転がり疲労特性が不十分である。軌道面の表層部の残留オーステナイト量が45体積を超えると、軌道面の十分な硬さが得られず、転がり疲労特性が不十分である。芯部の残留オーステナイト量が15体積を超えると、時効変形による膨張量が大きく、寸法安定性が不十分である。この発明の方法は、転がり軸受の軌道輪を製造する方法であって、熱処理時の変形を小さくでき、異物混入潤滑下での寿命を長くでき、寸法安定性にも優れた軌道輪が得られる方法である。以下、この発明の実施形態について説明する。この実施形態の方法では、図1に示す処理ラインを使用して、転がり軸受の内輪軌道輪に対する処理を行う。この処理ラインは、浸炭窒化処理室1と、誘導加熱部2と、冷却矯正部3と、焼戻し部4と、酸化膜除去室5と、コンベヤ6とを有する。内輪7は、各室および部間をコンベヤ6で搬送される。浸炭窒化処理室1は、加熱炉と冷却室を有する。加熱炉は、浸炭窒化処理の雰囲気ガスが導入でき、内部をA1変態点以上に加熱できる炉である。冷却室には、空冷、油冷、水冷を行うことができる装置が設置されている。誘導加熱部2には、回転テーブル21と、環状の誘導加熱コイル22と、ピストン23が配置されている。回転テーブル21は、下方に延びる回転軸21aを有し、この回転軸21aに沿って昇降自在に構成されている。回転テーブル21はコンベヤ6とほぼ同じ高さの位置に待機している。誘導加熱コイル22は、回転テーブル21の回転軸21aと中心を合わせて、コンベヤ6より高い位置に配置されている。誘導加熱コイル22としては、処理対象の内輪7の外側に一定の間隔が生じる内径のものを使用する。ピストン23は、円板状の押え板23aと上方に延びる軸23bを有し、軸23bに沿って昇降自在に構成されている。ピストン23は、回転テーブル21の回転軸21aと中心を合わせて、誘導加熱コイル22よりも高い位置に配置されている。誘導加熱部2で内輪7を加熱する際には、内輪7を載せた回転テーブル21を上昇させて、図2に示すように、誘導加熱コイル22内に内輪7を配置し、ピストン23を下降させて押え板23aで内輪7を上から押える。この状態で、回転テーブル21を回転させ、誘導加熱コイル22に通電する。冷却矯正部3には、回転テーブル31と、環状の冷却ジャケット32と、内部冷却装置33と、円筒形の外径矯正型34と、ピストン35が配置されている。回転テーブル31は、下方に延びる回転軸31aを有し、この回転軸31aに沿って昇降自在に構成されている。回転テーブル31はコンベヤ6とほぼ同じ高さの位置に待機している。冷却ジャケット32は、外径矯正型34より内径および軸方向寸法が大きい環状体からなる。冷却ジャケット32の内側には多数のノズルが配置されている。冷却ジャケット32に冷却液を供給する冷却液供給装置が、冷却ジャケット32に接続されている。この冷却液供給装置により、所定のタイミングで設定量の冷却液が、冷却ジャケット32のノズルから噴射される。冷却ジャケット32は、回転テーブル31の回転軸31aと中心を合わせて、コンベヤ6より高い位置に配置されている。内部冷却装置33はピストン35の下部に固定されている。内部冷却装置33の外側には多数のノズルが配置されている。内部冷却装置33に冷却液を供給する冷却液供給装置が、ピストン35を介して内部冷却装置33に接続されている。この冷却液供給装置により、所定のタイミングで設定量の冷却液が、内部冷却装置33のノズルから内輪7に向けて噴射される。外径矯正型34は、冷却ジャケット32の内部の上側に、回転テーブル31の回転軸31aと中心を合わせて配置されている。ピストン35は、円板状の押え板35aと上方に延びる軸35bを有し、軸35bに沿って昇降自在に構成されている。押え板35aの下面の中央部に内部冷却装置33が固定されている。ピストン35は、回転テーブル31の回転軸31aと中心を合わせて、外径矯正型34の内部の上側に配置されている。冷却矯正部3で内輪7を冷却する際には、内輪7を載せた回転テーブル31を上昇させて、図3aに示すように、冷却ジャケット32内の内径矯正型34より下側に内輪7を配置する。また、ピストン35を下降させて押え板34aで内輪7を上から押える。これにより、内部冷却装置33が内輪7の内部に入る。この状態で、冷却ジャケット32および内部冷却装置33を作動させて、回転テーブル31を回転させる。冷却矯正部3で内輪7を矯正する際には、内輪7を載せた回転テーブル31を、図3aの状態からさらに上昇させて、図3bに示すように、内輪7を外径矯正型34に圧入する。この状態で、冷却ジャケット32および内部冷却装置33を作動させて、回転テーブル31を回転させる。焼戻し部4には、回転テーブル41と、環状の誘導加熱コイル42とが配置されている。回転テーブル41は、下方に延びる回転軸41aを有し、この回転軸41aに沿って昇降自在に構成されている。回転テーブル41はコンベヤ6とほぼ同じ高さの位置に待機している。誘導加熱コイル42は、回転テーブル41の回転軸41aと中心を合わせて、コンベヤ6より高い位置に配置されている。誘導加熱コイル42としては、処理対象の内輪7の外側に一定の間隔が生じる内径のものを使用する。焼戻し部4で内輪7を加熱する際には、内輪7を載せた回転テーブル41を上昇させて、図4に示すように、誘導加熱コイル42内に内輪7を配置する。この状態で、回転テーブル21を回転させ、誘導加熱コイル42に通電する。酸化膜除去室5内には、ショットブラスト装置が配置されている。図1の処理ラインを使用し、以下の方法で、内輪7に対する処理を行う。先ず、浸炭窒化処理室1の加熱炉に内輪7を入れて、加熱炉の内部を浸炭窒化雰囲気に保持し、加熱炉の内部の温度をA1変態点726°Cを超える温度T1800~900°Cに所定時間保持する。これにより、内輪7に対する浸炭窒化処理を行う。次に、内輪7を冷却室に移動して、MS点以下の温度になるまで冷却することにより、内輪7に対して一次焼入れを行う。次に、内輪7をコンベヤ6に載せて誘導加熱部2まで搬送して、回転テーブル21の上に載せる。次に、内輪7を載せた回転テーブル21を上昇させて図2に示す状態とし、回転テーブル21を回転させて、誘導加熱コイル22に高周波5~15kHzを短時間2~3秒通電する。これにより、内輪7の軌道面71を、A1変態点以上であって浸炭窒化工程の加熱温度T1以上の温度T2800~900°Cに加熱する。通電終了後、軌道面71からの熱が内輪7の軌道面71以外の表面と芯部に伝達されて、軌道面71の深さ方向に温度勾配が形成される。次に、回転テーブル21をコンベヤ6の高さまで降下して、内輪7をコンベヤ6に載せて冷却矯正部3まで搬送する。次に、コンベヤ6上の内輪7を回転テーブル31の上に載せて、回転テーブル31を上昇させるとともに、ピストン35を降下して図3aに示す状態とする。この状態で、冷却ジャケット32および内部冷却装置33を作動させて、回転テーブル31を回転させることにより、内輪7を冷却する。この冷却により、内輪7がMS点より少し高い温度になった時点で、回転テーブル31をさらに上昇させて、図3bに示すように、内輪7を外径矯正型34に圧入する。この状態でMS点以下の温度になるまで冷却を行う。これにより、内輪7の外径の矯正が焼入れ時に行われる。また、図3aおよびbの工程により、内輪7に対する二次焼入れが行われる。次に、回転テーブル31をコンベヤ6の高さまで降下して、内輪7をコンベヤ6に載せて焼戻し部4まで搬送する。次に、コンベヤ6上の内輪7を回転テーブル41の上に載せて、回転テーブル41を上昇させることで、図4に示す状態とする。この状態で、回転テーブル31を回転させて、誘導加熱コイル42に高周波3~10kHzを短時間1~2秒通電する。これにより、内輪7の軌道面71を、焼戻し加熱温度180~300°Cに加熱する。次に、回転テーブル41をコンベヤ6の高さまで降下して、内輪7をコンベヤ6に載せて酸化膜除去室5まで搬送する。酸化膜除去室5で、内輪7をショットブラスト装置にかけて、表面の酸化膜を除去する。この実施形態の方法によれば、焼入れ時に内輪7の外径の矯正を行うことにより、内輪7の熱処理時の変形を小さくできる。この実施形態の方法では、浸炭窒化処理後の冷却後に行う二次加熱を、誘導加熱部2で浸炭窒化処理の加熱温度以上の温度で行うことにより、表層部の残留オーステナイト量を多くしながら、芯部の残留オーステナイト量を少なくすることができる。なお、この実施形態の方法では、浸炭窒化工程の冷却温度をMS点以下の温度としているが、A1変態点未満の温度であればMS点より高い温度であってもよい。その場合、焼入れは高周波焼入れ矯正工程のみで行われる。また、酸化膜除去工程はショットブラスト処理でなくてもよい。ショットブラスト処理以外の酸化膜除去工程としては、例えば、光輝バレル処理、ホーニング加工などが挙げられる。以下、この発明の実施例について説明する。SUJ2MS点:275°Cからなる素材を旋削することで、所定寸法外径101.3mm、内径94.6mm、幅13mm、溝底厚さ2mmの内輪に加工した。この内輪に対して、サンプルNo1~5では、図1の処理ラインを用いて、上述の実施形態の方法に基づき、浸炭窒化工程、高周波焼入れ矯正工程、高周波焼戻し工程、酸化膜除去工程を行った。サンプルNo6~10では、高周波焼入れ矯正工程および高周波焼戻し工程に変えて、炉加熱後に油冷却する油焼入れと、炉加熱による焼戻しを行った。浸炭窒化工程の加熱条件は、全サンプルについて同じ条件で行った。すなわち、同じ浸炭窒化ガス雰囲気とし、加熱炉内の温度も同じ850°Cとして、この温度に各内輪を3時間保持した。冷却方法は、表1に示すように、各サンプル毎に、空冷、油冷、水冷のいずれかの方法で行った。空冷、油冷、水冷はそれぞれ同じ方法で行った。No1~3では、誘導加熱部2における加熱条件を、高周波周波数10kHzで2秒間行うことで、軌道面の温度を850°Cとした。No4では、高周波焼入れ矯正工程の誘導加熱を、高周波周波数10kHzで3秒間行うことで、軌道面の温度を880°Cとした。No5では、高周波焼入れ矯正工程の誘導加熱を、高周波周波数10kHzで1秒間行うことで、軌道面の温度を820°Cとした。次に、No1~5では、誘導加熱コイル22に対する通電を終えた後に図2に示す状態を3秒間保持することにより、軌道面以外の部分に軌道面からの熱を伝導して温度勾配を形成した。次に、No1~5では、冷却矯正部3での冷却を、図3aの状態で2秒間行うことで内輪の表面温度を300°Cとした後に、図3bの状態として、さらに10間冷却することで内輪の表面温度を30°Cとした。また、No6では、加熱炉内の温度を820°Cに保持して1時間加熱した後、油冷却した。No7~9では、加熱炉内の温度を850°Cに保持して1時間加熱した後、油冷却した。No10では、加熱炉内の温度を880°Cに保持して1時間加熱した後、油冷却した。最後に、全てのサンプルについて同じ条件で酸化膜除去工程を行った。すなわち、SiC粒子を49~196kPaの圧縮空気で投射するショットブラスト処理を行うことで、内輪の表面に形成された酸化膜を除去した。各サンプルについて、軌道面の表層部と芯部における残留オーステナイト量を測定した。表層部の残留オーステナイト量は、表面から50μmの深さまでの範囲での平均値を算出した。芯部の残留オーステナイト量は、表面から深さ1mmの範囲での平均値を算出した。その結果と各サンプルの熱処理方法の違いを表1に示す。この結果から、この発明の方法に含まれる方法を実施したNo1~4では、軌道面の表層部の残留オーステナイト量が26~36体積で、芯部の残留オーステナイト量が8~12体積となっている。すなわち、表層部の残留オーステナイト量が20体積以上45体積以下で、芯部の残留オーステナイト量が15体積以下を満たしている。これに対して、この発明の方法の範囲外である方法を実施したNo5~10では、軌道面の表層部の残留オーステナイト量が26~36体積で、芯部の残留オーステナイト量が8~12体積となっている。すなわち、表層部の残留オーステナイト量が20体積以上45体積以下で、芯部の残留オーステナイト量が15体積以下を満たしていない。したがって、No1~4の内輪を有する転がり軸受は、No5~10の内輪を有する転がり軸受と比較して、異物混入潤滑下での寿命が長く、No1~4の内輪はNo5~10の内輪よりも寸法安定性にも優れたものとなる。