光利得媒体と、光を透過させる光学部材と、を光共振器内に備えた光源装置であって、前記光利得媒体の一方の端面と他方の端面で規定される第1のファブリペロー共振器は、前記光利得媒体の増幅周波数帯域内における周波数に対応して第1の透過率振幅を有し、前記他方の端面と該他方の端面に対向する前記光学部材の一方の端面とで規定される第2のファブリペロー共振器は、前記増幅周波数帯域内における周波数に対応して第2の透過率振幅を有し、前記第2のファブリペロー共振器の共振器長を、前記第1の透過率振幅と前記第2の透過率振幅との合成値が前記第1の透過率振幅よりも小さな値となる、長さとしたことを特徴とする光源装置。前記光利得媒体と、前記光学部材と、が隣接して配置されていることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。前記光利得媒体の前記増幅周波数帯域内の増幅率が最大となる周波数領域において、前記第1の透過率振幅が極大値又は極小値の一方を取る周波数と、前記第2の透過率振幅が前記極大値又は極小値の他方を取る周波数と、が略一致することを特徴とする請求項1または2に記載の光源装置。前記光利得媒体が有する前記増幅周波数帯域内の少なくとも一つの周波数をν0、前記第1のファブリペロー共振器の長さをL1、整数をn、光速をcとして、前記第2のファブリペロー共振器の長さL’は、以下の式を満足し、前記式中のnは、前記増幅周波数帯域の幅をνGとして、以下の式、を満足することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の光源装置。前記光学部材は、第2の光利得媒体で構成されたことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の光源装置。前記第1のファブリペロー共振器の長さをL1、前記第2のファブリペロー共振器の長さをL’、前記第2の光利得媒体の一方の端面と他方の端面で規定される第3のファブリペロー共振器の長さをL2として、前記第1の光利得媒体および前記第2の光利得媒体が有する増幅周波数帯域は少なくともその一部の周波数が重複し、該第1の光利得媒体と該第2の光利得媒体とで構成される総合増幅周波数帯域の、低周波端をνGS、高周波端をνGEとして、L1、L’、及びL2が以下の2式を満たすことを特徴とする請求項5に記載の光源装置。前記光利得媒体は、半導体光増幅器であることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の光源装置。請求項1から7のいずれかにに記載の光源装置を用いた光源部と、前記光源部からの光を検体に照射し、検体からの反射光を伝達させる検体測定部と、前記光源部からの光を参照ミラーに照射し、該参照ミラーからの反射光を伝達させる参照部と、前記検体測定部からの反射光と前記参照部からの反射光とを干渉させる干渉部と、前記干渉部からの干渉光を検出する光検出部と、前記光検出部で検出された光に基づいて、前記検体の断層像を得る画像処理部と、を有することを特徴とする光干渉断層撮像装置。特許文献1では、同じ周波数領域に複数のゲイン媒体を用い、それぞれのゲインの増幅率リップルの周波数を異ならしめることで増幅率リップルを平均化する技術が開示されている。しかしこの方法では同じ周波数帯に複数のゲイン媒体を必要とするため、一つの周波数領域に単一のゲイン媒体を用いる光源形式においては増幅率リップルを解消できない。今、SS-OCT装置に適用可能な光源装置を考えると、SS-OCT装置では、被検体である物体からの反射率スペクトルの干渉を、光源の波長を掃引させながら取得する。このため、光源の掃引中の強度変動が少ないこと、そしてスペクトル形状変化が少ないことが得られる画像におけるノイズの原因となる偽信号の発生を抑制する観点から好ましい。ここで、光利得媒体として、半導体光増幅器SemiconductorOpticalAmplifier:SOAを考える。発明者の検討によると、SOAを用いて波長掃引型レーザ装置を構成すると、出射される光を増幅させるための光共振器とは別に、SOAを構成する2つの端面の間でファブリペロー共振器光共振器が構成され、この共振器により不都合を生ずることが明らかとなった。即ち、SOA自体により構成されるファブリペロー共振器により、透過率が光周波数に対して周期的に増減、つまりゲインが波長に依存して変動することが明らかとなった。そして、この現象が原因となって波長掃引動作中の発振強度変化やスペクトル形状変化をもたらし、得られる画像にノイズを生ずることが判明した。本発明により提供される光源装置は、光利得媒体と、光を透過させる光学部材と、を光共振器内に備えた光源装置であって、前記光利得媒体の一方の端面と他方の端面で規定される第1のファブリペロー共振器は、前記光利得媒体の増幅周波数帯域内における周波数に対応して第1の透過率振幅を有し、前記他方の端面と該他方の端面に対向する前記光学部材の一方の端面とで規定される第2のファブリペロー共振器は、前記増幅周波数帯域内における周波数に対応して第2の透過率振幅を有し、前記第2のファブリペロー共振器の共振器長を、前記第1の透過率振幅と前記第2の透過率振幅との合成値が前記第1の透過率振幅よりも小さな値となる、長さとしたことを特徴とする。本発明の光源装置では、第2のファブリペロー共振器の共振器長を、第2のファブリペロー共振器の有する第2の透過率振幅と第1の透過率振幅との合成値が、第1の透過率振幅よりも小さな値となる、長さとすることで、第1のファブリペロー共振器の第1の透過率振幅を相殺して抑制することができる。これにより波長掃引動作中の発振強度変化やスペクトル形状変化が抑制される。本発明は、光利得媒体の一対の端面で規定されるファブリペロー共振器光共振器の光利得媒体の増幅周波数帯域内における周波数に対応した透過率振幅を、光利得媒体の一つの端面と別の光学部材の端面とで構成されるファブリペロー共振器の透過率振幅により、相殺させることが可能であるという発明者が見出した知見に基づいている。本発明の実施の形態を、本発明者が着目した従来の光源装置における課題を踏まえて説明する。図8Aは、従来の一般的な外部共振器型の光源装置を示している。図8Aにおいて、830は一方の反射部材ミラーであり、850は回転軸853を中心に回転し、表面にミラー851が選択的に設けられた他方の反射部材である。ここで2つの反射部材により光共振器が構成されており、光共振器内に光利得媒体として一対の端面802及び803を備えた半導体光増幅器SOA801と、回折格子840とが配されている。半導体光増幅器801内で発生し、端面803より放出された光は回折格子840により波長に応じて角度分散が与えられる。波長に応じて角度分散が与えられた光は、反射部材850の表面に選択的に配されたミラー851により反射され、反射光が半導体光増幅器801に帰還すると共に、光共振器830、851により増幅された後、出射光880として出射される。ここで、反射部材850を回転させてミラー851の位置を移動させることで、出射光880の発振波長を変化掃引させることが可能となる。図8Bは、図8Aの光源装置より出射される光880のゲインと、半導体光増幅器801自体が有するゲインとの関係を示したグラフである。発明者の検討によると、半導体光増幅器SOA801を構成する一対の端面802及び803によるファブリペロー共振器により生ずるゲイン884は、波長λ1~λnに応じて変動している。図8Aの光源装置より本来出射させたい光は単峰性を備えたスペクトル波形885を有するものである。しかしながら半導体光増幅器801自体が有するゲイン884が波長に応じて変動するため、この変動の影響を受けて本来の望ましいスペクトル波形885は、トップピーク881の他にリップル882及び883のピークを備えたスペクトル波形となる。本願発明では、ゲインスペクトル又は透過率スペクトル上に光周波数に対して周期的な増減が重畳されたものをリップルと呼ぶ。このゲイン変動884の為に、発振スペクトルの形状は波長の掃引と共に変化する。そして、この光源装置をOCT装置に適用した場合には、波長掃引と共にスペクトル形状が変動することが原因となって、OCT像上に偽の像偽信号を発生し、OCT装置により得られる断層画像にノイズとなって現れることが判明した。本発明は、発明者が見出したこうした課題に鑑みてなされたものである。以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図1は、本発明の光源装置を説明するための模式図である。本発明の光源装置では、光共振器の中に光利得媒体と光を透過させる光学部材とが配され、光学部材と光利得媒体との端面により構成されるファブリペロー共振器により光利得媒体自体によるファブリペロー共振器のゲイン変動をキャンセルして抑制している。図1Aは、本発明の光源装置の一例を示す模式図である。図1Aにおいて、130は一方の反射部材ミラーであり、150は回転軸153を中心回転し、表面にミラー151が選択的に設けられた他方の反射部材である。ここで2つの反射部材130及び151により光共振器が構成され、この光共振器内で光が増幅される。光共振器内には、本発明の特徴点である光利得媒体101の端面103と対向する端面121を備えた光学部材120が配されている。光学部材120は、光共振器内の特定の位置に光利得媒体101と隣接または近接して直列に配置される。また、光共振器内には、光利得媒体として一対の端面102及び103を備えた半導体光増幅器SOA101と、回折格子140とが配されている。半導体光増幅器101内で発生し、端面103より放出された光は光を透過させる光学部材120を経て、回折格子140により波長に応じて角度分散が与えられる。波長に応じて角度分散が与えられた光は、反射部材150の表面に選択的に配されたミラー151により反射され、反射光が半導体光増幅器101に帰還すると共に、光共振器130、151により増幅された後、出射光180として出射される。ここで、反射部材150を回転させてミラー151の位置を移動させることで、出射光180の発振波長を変化掃引させることが可能となる。光を透過させる光学部材120は、次の特定の条件を満足するように配置される。即ち、光利得媒体101の一方の端面102と他方の端面103で規定される第1のファブリペロー共振器FR1は、光利得媒体の増幅周波数帯域内における周波数に対応して第1の透過率振幅を有している。また、前記他方の端面と該他方の端面に対向する光学部材120の一方の端面121とで規定される第2のファブリペロー共振器FR2は、前記増幅周波数帯域内における周波数に対応して第2の透過率振幅を有している。そして、前記第2のファブリペロー共振器の共振器長を、前記第1の透過率振幅と前記第2の透過率振幅との合成値が前記第1の透過率振幅よりも小さな値となる、長さとしている。つまり、第2のファブリペロー共振器FR2の共振器長を適切な値とすることで、光利得媒体101の波長周波数に対するゲインの変動透過率の変動、透過率リップルを第2のファブリペロー共振器FR2の透過率の変動透過率リップルで相殺する。図1Bは、図1Aの光源装置における半導体光増幅器101自体により構成される第1のファブリペロー共振器が有するゲイン又は透過率184と、第2のファブリペロー共振器が有する透過率127との関係を示したグラフである。本発明の光源装置では、図1Bに示されるように第1の透過率振幅184と第2の透過率振幅127とを用いてこれらの合成値が前記第1の透過率振幅よりも小さな値となるように第2のファブリペロー共振器の共振器長が設定される。本発明の光源装置は、光利得媒体の増幅周波数帯域内の増幅率が最大となる周波数領域において、第1の透過率振幅が極大値又は極小値の一方を取る周波数と、第2の透過率振幅が前記極大値又は極小値の他方を取る周波数と、が略一致するものを包含する。ここで略一致は、第1の透過率振幅が極大値又は極小値の一方を取る周波数の位相と、第2の透過率振幅が前記極大値又は極小値の他方を取る周波数の位相と、が1π/2~3π/2の範囲内にあることを含む。さらに好ましくは、3π/4~5π/4の範囲内にあることを含む。以下、別の図面を参照して詳細に説明する。尚、本願明細書では、図面が異なっても同一の部位については、原則同一の番号を付すことし、なるべく重複した説明は避けることとする。図2Aは本発明の光源装置の一例を示す模式図であり、光源装置を横から見た図である。図2Aの光源装置においては、ミラー130、半導体光増幅器101、コリメータレンズ135、分散素子としての回折格子140、集光レンズ145、スリット状のミラーを配した回転可能な円盤150を用いて光共振器が構成されている。制御装置154に接続された回転可能な円盤150は、反射型の波長選択素子として機能するが、円盤は反射型に限るものではなく、透過型の波長選択素子であってもよい。その場合には、反射ミラーを回転スリット円盤後段に配置する。ここで、波長選択素子は、円盤ではなくポリゴンミラーのような多面体で構成することも可能である。光増幅器101には制御装置175に接続されたLDドライバ170が接続されている。そして、回折格子140からの透過光は、ミラー108で反射され、集光レンズ109を通して光ファイバ110に結合されることで、光源装置の出力を共振器外へ取り出す構成になっている。本例では、光を透過させる光学部材120としてファブリペローエタロン以下、単にエタロンともいう。を用い、エタロンを不図示の微動ステージ上に固定して、半導体光増幅器101と隣接させて配置している。半導体光増幅器101の端面と、エタロン120の端面とでファブリペロー共振器119が構成されている。半導体光増幅器101は自身の内面反射によるファブリペローモードによる透過率リップルを有する。また、半導体光増幅器101の端面とエタロン120の端面との間で構成されるファブリペロー共振器119も透過率リップルを有する。そして、ファブリペロー共振器119の共振器長を適切に設定することで、半導体光増幅器101自身の透過率リップルと、ファブリペロー共振器119の透過率リップルをある周波数帯域で相殺する。図2Bは、光源装置のスリット円盤150の上面図であり、スリット円盤150の上面には円盤の円周に沿って複数配置したスリット状の反射部151と、遮光部152がある。集光スポット115はスリット円盤150の周方向に波長に対応して分散して集光している。同図において116は、回転原点検出スリットであり、これにより回転スリットの原点を検出する。図3は、図2における光利得媒体101とエタロン120とを拡大して示した図である。図3において、光利得媒体101とエタロン120が配置されることで、光利得媒体の端面103とエタロン121の端面121とによりファブリペロー共振器119が形成されている。ここで、光利得媒体101は半導体光増幅器SOAとして説明する。ここで、光利得媒体101の素子長に屈折率を乗じた光路長をL1とする。そして上記ファブリぺロー共振器119が有する共振器長をL’と記述する。本発明においては、下記の条件式、式1式1を満たしている場合に、光利得媒体101の透過率リップルとファブリペロー共振器119の透過率リップルが周波数ν0において相殺できる。ここで、式1において光速をc、整数をnとしている。よって、光利得媒体101の光路長L1に対してファブリペロー共振器119の共振器長L’を、上式を満たすように設定することで、周波数ν0において光利得媒体101が有する透過率リップルを抑制することが可能である。以下、整数nについての条件を述べる。共振器長L1とL’が異なることから、両者のFSR自由スペクトル間隔:FreeSpectralRange=c/2Lは僅かに異なる値であるため、ν0以外の全ての周波数帯で完全に両者の透過率リップルが逆相で重畳されるものではない。たとえばL1とL’の透過率リップルのピーク周波数が、光利得媒体101が有する増幅周波数帯域内のある周波数ν0付近においてL1のFSRの丁度半分だけシフトしている場合、周波数2×ν0では透過率リップルは互いに同相で重畳される。また周波数0においても同相で重畳される。逆に上述の考察より、L1とL’の透過率リップルが弱めあう周波数帯はおおよそ1/2ν0から3/2ν0の間の、周波数幅ν0の範囲内の周波数帯域である。したがって波長掃引光源として使用するのはこの周波数帯域内が好適である。また、一般にL1とL’のFSRが周波数ν0においてL1のFSRのn1/2分だけ周波数がずれている場合、両者が逆相で重畳される周波数帯域幅Δは下記の式2で表現できる。光利得媒体101が持っている増幅周波数帯域内の全域でL1とL’の透過率リップルが少なくとも強め合わない、あるいは逆相で重畳される条件は、上記Δの幅が増幅周波数帯域以内に収まることが必要である。この条件は以下の式2となる。式2また、この式2から、上記nが満たすべき条件は、以下の式3となる。式3ここで、光利得媒体の増幅周波数帯の幅をνGとする。一般的に増幅周波数帯は増幅率の最大値から3dB小さい増幅率を有する周波数帯域を以て設定する。つまり、エタロン120の端面121と光利得媒体101の端面との間隔L’を上記関係式にしたがって設定することにより、光利得媒体101が有する透過率リップルを抑制することが出来る。上記のように増幅帯域内で光利得媒体101の透過率リップルを少なくとも強め合わないように重畳することにより、波長掃引動作中の強度変化や瞬時スペクトル形状の変化を抑制でき、光源の安定動作も可能となるため好適である。さらに、上記L1とL’によって透過率リップルが完全に逆相で重畳される周波数ν0が増幅帯域内に存在する状態はさらに好適である。前記周波数ν0において透過率リップルはもっとも強く抑制されているため、ν0近傍での波長掃引動作は好ましい。L’の調整方法は、例えば、光利得媒体101あるいは光学部材120の少なくとも一方をピエゾステージ等の微動ステージ上に設置し、これらの間隔を調整することで可能となる。別の手法としては、例えば、光利得媒体101がSOAの場合にはその温度や電流量を調整することで半導体素子内の屈折率を微調整しL1を変化させることも可能である。また、上記構成はエタロンを用いた系に限るものではない。光を透過させる光学素子としては、内部反射によるファブリペローモードを持たない素子も採用し得る。例えば、ウェッジが付いているARAntiReflectionコート付きガラス板などがその例である。またSS-OCTに適用することを鑑みれば、内部反射によるファブリペローモードが存在していても、透過率スペクトル上に重畳されるリップルの周波数が充分高周波であり、SS-OCT撮像に必要とする周波数帯域から外れていれば好適である。尚、本願発明においては、光利得媒体101の2つの端面により構成されるファブリペロー共振器に起因する透過率振幅を、光利得媒体101の端面と隣接して配置された光を透過させる光学部材120との端面で構成される透過率振幅を用いて抑制している。光源装置においては、光源装置を構成する種々の光学部材の端面でファブリペロー共振器が構成される。例えば、図2Aにおけるミラー130と光利得媒体101の端面との間、光利得媒体101の端面と回転円盤150との間、光学部材120と回転円盤150との間等である。しかしながら、これらの共振器長は、通常少なくとも0.5mm以上とすることができるため、透過率スペクトル上に重畳されるリップルの周波数を、SS-OCT撮像に必要とされる周波数帯域から外れた充分に高い高周波とすることで無視することができる。一方で、光利得媒体101自身によるファブリペロー共振器のリップルは無視することができない。そこで、本願発明では、光を透過させる光学部材120を光利得媒体101の端面と、近接または隣接して配置することにより、無視できないリップルを抑制しているのである。また、光を透過させる光学素子120は、光利得媒体で構成することも可能であり、その場合には、第二の光利得媒体となる。ここで、SS-OCT装置において、波長掃引幅Δλ、発振波長λ0、とすると、深さ分解能は以下の式4で表される。式4従って、奥行き分解能を高めるためには波長掃引幅の拡大が必要であり、広帯域な波長掃引光源が求められることとなる。ところが、広帯域な増幅帯域を単一の光利得媒体で実現することが困難な場合もある。このような状況では、増幅周波数が異なる複数の光利得媒体を用いて総合的な光増幅周波数帯域を発現させ、単一増幅媒体の場合よりも広帯域化することが好適である。複数の光利得媒体は、第1の光利得媒体、第2の光利得媒体、と本願明細書では呼ぶ。複数の光利得媒体を用いる場合、上述の議論と同様に各光利得媒体が有する透過率リップルとファブリペロー共振器119の透過率リップルが前記総合的光増幅周波数帯域内では強め合わないようにL’を設定することが好ましい。上述の様に、複数の光利得媒体が有する透過率リップルを、複数の素子間隔L’によるファブリペローモードによって相殺することを考えると、上述のL1とL’との関係式がそのまま、第二の光利得媒体の長さL2とL’の関係にも当てはまる。尚、第二の光利得媒体の長さL2は、第3のファブリペロー共振器の長さでもある。つまり、複数の光利得媒体でつくる総合的な増幅帯域内のある周波数ν1において第一の光利得媒体の透過率リップルとファブリペロー共振器119の透過率リップルが逆相で重畳する状態を実現する。なお且つ、周波数ν2において第二の光利得媒体の透過率リップルとファブリペロー共振器119の透過率リップルが逆相で重畳するようにする。n1、n2を整数として上述と同様に以下の式5~式8が成り立つ。式5式6式7式8これらの式を満足する状況を実現することで、増幅帯域内において各利得媒体が有する透過率リップルが強め合うように重畳することはない状態を実現出来る。これは複数の光利得媒体を使った利得の広帯域化の際に、掃引中の発振強度の変動が抑制され、瞬時のスペクトル形状の変化も抑制出来るため好適である。更に、この光源を用いると波長掃引帯域を広帯域化したSS-OCT装置を構成でき、OCT信号を取得する際にも、ノイズが少なくかつ偽信号が抑制されたOCT撮像を得ることが可能となる。ここでさらに好適な例として、光増幅周波数帯域内に各光利得媒体とファブリペロー共振器の透過率リップルが完全に逆相になる周波数ν1、ν2が存在している場合の条件を以下に述べる。ここで、式中において、光利得媒体の増幅周波数帯の幅をνG、その低周波端をνGS、高周波端をνGEとする。そして、n1n2は共に0であるとし、さらにν1、ν2がνGS以上νGE以下である条件から以下の式9及び式10が得られる。即ち、式9式10であることが導かれる。即ち、第1の光利得媒体および第2の光利得媒体が有する増幅周波数帯域は少なくともその一部の周波数が重複し、第1の光利得媒体と第2の光利得媒体とで構成される総合増幅周波数帯域の、低周波端をνGS、高周波端をνGEとして、L1、L’、及びL2に関する上記の2式が得られる。上式を満たす状況では、透過率リップルが完全に逆相になる周波数ν1およびν2近傍では発振強度の変動や瞬時スペクトル形状の変動が最も小さくなるため、光源の安定動作のためには更に好適である。これまで光利得媒体として半導体光増幅器SOAを例に説明したが、半導体光増幅器は、小型で且つ高速制御が可能なことから好ましい。半導体光増幅器を構成する材料は、一般的な半導体レーザを構成する化合物半導体等を用いることができ、具体的にはInGaAs系、InAsP系、GaAlSb系、GaAsP系、AlGaAs系、GaN系等の化合物半導体を挙げることができる。半導体光増幅器は、利得の中心波長が、例えば、840nm、1060nm、1300nm、1550nmのものの中から光源の用途等に応じて適宜、選択して採用することができる。本例では、図2に示す光源装置を構成した。図2Aは、本例の光源装置を横から見た図である。図2Aの光源装置では、ミラー130、半導体光増幅器101、エタロン120、コリメータレンズ135、回折格子140、集光レンズ145、スリット状のミラーを配した回転可能な円盤150を含んで光共振器が構成されている。半導体光増幅器101のゲイン帯域増幅周波数帯域は820nmから860nmである。回転可能なスリット円盤150が反射型の波長選択素子として機能する。半導体光増幅器101には制御装置175に接続されたLDドライバ307が接続されている。そして、回折格子140からの透過光は、ミラー108で反射され、集光レンズ109を通して光ファイバ110に結合されることで、本発明の光源の出力を共振器外へ取り出す構成になっている。エタロン120は不図示の微動ステージ上に固定され、半導体光増幅器101と隣り合って配列されている。ここで、半導体光増幅器101の端面と、エタロン120の端面とでファブリペロー共振器119が構成されている。半導体光増幅器101の素子長に屈折率を乗じた光学的光路長は2.000mmである。また、ファブリペロー共振器119の共振器長が1.998mmになるように微動ステージを駆動してエタロン120を配置する。エタロン120には、その両端面のなす角度に30分のウェッジがつけられている。この構成とすることで図4に示されるように、半導体光増幅器101自身の透過率リップル401と、半導体光増幅器101の端面とエタロン120の端面との間で構成されるファブリペロー共振器119の透過率リップル402は、波長840nm近傍で逆相となり重なり合う。半導体光増幅器101の透過率リップル401がファブリペロー共振器119の透過率リップル402と、波長840nmにおいてそのピーク波長がFSR403の半分だけ相違するようにファブリペロー共振器119の長さを設定している。ゲイン帯域内で透過率リップル401と透過率リップル402が完全に逆相でなくとも強めあわなければ良いという条件のもとでは、必要とされるファブリペロー共振器119の長さの精度は約400nmである。この精度は、ピエゾ素子を用いた微動ステージ等で駆動すれば調整可能な精度である。LDドライバ170は光増幅器101にエネルギーを投入しそのゲインを制御するための機器である。LDドライバ170は制御装置175に接続されており、制御装置175はLDドライバ170や回転可能なスリット円盤150に接続された制御装置154の制御を行う。回転スリット円盤制御装置154はスリット円盤150の回転速度の制御や電源供給等を行う。図2Bに示すように、回転可能なスリット円盤150にはスリット状の反射部151と、遮光部152とが設けてある。遮光部152は厚さ100nmの酸化クロムで構成する。反射部151は石英基板上にアルミニウムを厚さ100nmで形成したものである。回折格子140、集光レンズ145を経て得られる集光スポット115は、図2Bに示した通り、回転スリット円盤150の周方向に波長分散して集光する。そして、回転原点検出スリット116により回転スリットの原点が検出される。本例の光源装置では、半導体光増幅器101から回転スリット円盤150表面までの光路の長さ共振器長を50mmとしてある。半導体光増幅器101より放出された光は、回折格子140により分光され、回転スリット円盤150の表面上に集光する。具体的には、波長820nmから860nmの光が2.5mm幅の範囲内に分光され波長ごとに異なる位置に集光される。この集光位置は回転スリット円盤150の表面上であり、集光スポットに対して回転スリット円盤150上の反射部151が移動することで、反射される光の波長が変化し、波長掃引光源として動作する。ここで、集光レンズ145は焦点距離100mm、直径5mmのレンズとしてある。本例では、簡便な構成でゲイン帯域内での透過率リップルが抑制され、波長掃引動作中の発振強度変化やスペクトル形状変化が小さな波長掃引光源を構成できる。本例の光源装置は、実施例1で述べた光源装置に類似する光源装置であるが、実施例1におけるエタロン120に代えて半導体光増幅器720を半導体光増幅器101と直列に配置した点が主たる差異である。図7に本例の光源装置を示す。図7においては、実施例1の光源装置を構成する部位と同一の部位については同じ符号を付しているので詳しい説明は省略し、差異のあるところを中心に説明する。本例の半導体光増幅器のゲイン帯域は、半導体光増幅器101と半導体光増幅器720との総合的な増幅帯域として800nmから880nmを発現する。半導体光増幅器720は、不図示の微動ステージ上に固定され、半導体光増幅器101と隣り合って配列されている。ここで、半導体光増幅器101の端面と、半導体光増幅器720の端面とでファブリペロー共振器719が構成されている。半導体光増幅器101および半導体光増幅器717の素子長に屈折率を乗じた光学的光路長は2.000mmである。また、ファブリペロー共振器719の共振器長が1.998mmになるように微動ステージを駆動して半導体光増幅器717を配置する。ゲイン帯域増幅周波数帯域内で各半導体光増幅器とファブリペロー共振器719が有する透過率リップルが互いに強め合わない条件は、各半導体光増幅器の共振器長の精度として、ゲイン帯域周波数が発振周波数の1/10程度である場合に約200nmである。また、ゲイン帯域周波数内に、各半導体光増幅器とファブリペロー共振器719が有する透過率リップルが互いに完全に打ち消し合う周波数を設けるための、各素子の共振器長の許容し得る差精度は約20nmである。これは加工精度で達成するのは困難であり、半導体光増幅器の温度や電流量を変化させることで僅かに屈折率を変化させて素子の実効的な素子長をコントロールし、素子が持つFSRを微調整することも好適である。本例の装置においては、LDドライバ170に加えてLDドライバ770が設けられており、この2つのドライバにより半導体光増幅器101と720とが個別に制御される。本例の光源装置では、複数の光増幅器を用いて広帯域ゲインを実現しつつ、ゲイン帯域内での透過率リップルが抑制される。これにより波長掃引動作中の発振強度変化やスペクトル形状変化が小さく、SS-OCT信号に対してノイズ付与が小さい光源を構成できる。本例では、本発明の光源を用いた光干渉断層撮像装置の例を示す。図5は本例のOCT装置の模式図である。図5のOCT装置は、基本的には光源部501等、光源部からの光を検体に照射し、検体部からの反射光を伝達させる検体測定部507等、光を参照ミラーに照射し、参照ミラーからの反射光を伝達させる参照部502等、2つの反射光を干渉させる干渉部503、干渉部により得られた干渉光を検出する光検出部509等、光検出部で検出された光に基づいて画像処理を行う断層像を得る画像処理部511で構成されている。以下、各構成要素を説明する。光源部は、波長可変光源501と該波長可変光源を制御する光源制御部512を有して構成され、波長可変光源501は光照射用の光ファイバ510を介して干渉部を構成するファイバカップラ503に接続されている。干渉部のファイバカップラ503は、光源の波長帯域でシングルモードのもので構成し、各種ファイバカップラは3dBカップラで構成した。反射ミラー504は、参照光光路用ファイバ502に接続されて参照部を構成し、ファイバ502は、ファイバカップラ503に接続されている。検査光光路用505ファイバ、照射集光光学系506、照射位置走査用ミラー507により測定部が構成され、検査光光路用505ファイバは、ファイバカップラ503に接続されている。ファイバカップラ503では、検査物体514の内部及び表面から発生した後方散乱光と、参照部からの戻り光とが干渉して干渉光となる。光検出部は、受光用ファイバ508とフォトディテクタ509で構成され、ファイバカップラ503で生ずる干渉光をフォトディテクタ509に導く。フォトディテクタ509で受光された光は信号処理装置511にてスペクトル信号に変換され、さらにフーリエ変換を施すことで被験物体の奥行き情報を取得する。取得された奥行き情報は画像出力モニター513に断層画像として表示される。ここで、信号処理装置511は、パーソナルコンピュータ等で構成することができ、画像出力モニター513は、パーソナルコンピュータの表示画面等で構成できる。本実施例で特徴的なのは光源部であり、波長可変光源501に本発明の光源装置を用いる。波長可変光源501は、光源制御装置512によりその発振波長や強度及びその時間変化が制御される。光源制御装置512は、照射位置走査用ミラー507の駆動信号等をも制御する信号処理装置511に接続され、走査用ミラー507の駆動と同期して波長可変光源501が制御される。例えば、実施例1または実施例2で説明した光源装置を本例の波長可変光源501として用いると、これら光源ではゲイン媒体の透過率リップルを抑制出来、波長掃引中の発振強度の変動や瞬時スペクトル形状の変化などが抑制される。これによりOCT画像に対するノイズ付与が少ないことから、SN比が高いOCT干渉像を取得することが可能となる。このため反射率が低い構造や、生体組織の奥深くからの弱い散乱光のデータも取得可能となる。図5では比較的簡易なOCT装置の構成を示したが、例えば図6に示すような、干渉信号を差動検出するための光学系を用いて構成することもできる。図6に示した装置では、図5に示した装置と同一の部位には同一の符号を付している。図6の装置は、図5のフォトディテクタ509に代えて光検出器と差動増幅器とを兼ね備えたバランスフォトディテクタ610とファイバカップラ603及び604を組み込んで構成したことが図5の装置との主たる違いである。バランスフォトディテクタ610は、一端には、信号処理部511が接続され、他端には、2端子がある。そのうち一つの端子はファイバ616を介して光カップラ603に接続され、残りの一端子は、ファイバ617、光カップラ604を介して結合部を構成する光カップラ503に接続されている。こうした接続により本例の光干渉断層撮像装置では、測定物514と参照ミラー504からの反射光による干渉信号を二つに分け、その一方と、他方との差動を検出する。バランスフォトディテクタ610に到達する前に光を2つに分割することで干渉信号の位相が逆位相になるため、両者を引き算すると、分割前の信号に含まれるDC成分だけが除去され、干渉信号だけが取り出せるので好適である。尚、図中、602はアイソレータ、618、619はそれぞれ偏波コントローラである。また、光源501からの出射光の強度を逐次モニタリングし、そのデータを干渉信号の振幅補正に用いることも可能である。本例OCT装置は、眼科、歯科、皮膚科等における断層画像撮影に有用である。本発明は上記実施の形態に制限されるものではなく、本発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、本発明の範囲を公にするために以下の請求項を添付する。