"スルホン酸基を含有する構成単位A1、およびスルホン酸基を含有しない構成単位A2からなるスルホン酸基含有ポリマーであって、スルホン酸基を含有する構成単位A1の少なくとも1つとして、下記一般式S1で表される構成単位を、スルホン酸基を含有する構成単位A1の総和を基準として25モル以上含有することを特徴とするスルホン酸基含有ポリマー。一般式S1において、X1は、、ケトン基、スルホン基、直接結合、-POR1-R1は、任意の有機基、-CF2f-fは1~5の整数、-CCF32-から選ばれた少なくとも1種を表し、Z1は、OまたはSを表す。M1は、それぞれ独立して、水素、金属カチオン、アンモニウムカチオンまたは炭素数1~20の炭化水素基を表す。Z1、および、M1は、異なる2種類以上の基を表しても良い。は、一般式S1または他の構成単位との結合部位を表す。下記一般式S2で表される繰り返し構造を有する請求項1に記載のスルホン酸基含有ポリマー。一般式S2において、X1は、、ケトン基、スルホン基、直接結合、-POR1-R1は、任意の有機基、-CF2f-fは1~5の整数、-CCF32-から選ばれた少なくとも1種を表し、Z1は、OまたはSを表す。M1は、それぞれ独立して、水素、金属カチオン、アンモニウムカチオンまたは炭素数1~20の炭化水素基を表す。Ar1は、下記一般式q1またはq2で表される2価の基を表す。Z1、Ar1、および、M1は、異なる2種類以上の基を表しても良い。は、一般式S2または他の繰り返し構造との結合部位を表す。一般式q1において、X2は、ケトン基、スルホン基、直接結合、-POR1-R1は、任意の有機基、-CF2f-fは1~5の整数、-CCF32-から選ばれた少なくとも1種を表す。一般式q1およびq2で表される基は、スルホン酸基を含む、任意の基で置換されていてもよい。前記一般式S1のX1がケトン基、Z1がOであり、全スルホン酸基がX1基のメタ位である請求項1に記載のスルホン酸基含有ポリマー。前記一般式S2で表される繰り返し構造が、下記式S3で表される繰り返し構造である請求項2に記載のスルホン酸基含有ポリマー。式S3中、M1は、それぞれ独立して、水素、金属カチオン、アンモニウムカチオンまたは炭素数1~20の炭化水素基を表す。M1は、異なる2種類以上の基を表しても良い。は一般式S3または他の繰り返し構造との結合部位を表す。少なくともスルホン酸基を含有するセグメントB1、および、スルホン酸基を含有しないセグメントB2をそれぞれ1個以上含有するブロック共重合体である請求項1~4のいずれかに記載のスルホン酸基含有ポリマー。スルホン酸基を含有しないセグメントB2が、下記一般式P1で表される繰り返し構造を有する請求項5に記載のスルホン酸基含有ポリマー。一般式P1で表される部位は、任意に置換されていても良いが、スルホン酸基を含有しない。また、X3は電子吸引性基、Z3は電子吸引性基、OまたはSを表す。は一般式P1または他の繰り返し構造との結合部位を表す。前記一般式P1で表される繰り返し構造が、下記式P2で表される繰り返し構造である請求項5または6に記載のスルホン酸基含有ポリマー。は一般式P2または他の繰り返し構造との結合部位を表す。前記セグメント間を連結するリンカー部位を1個以上含有する請求項5~7のいずれかに記載のスルホン酸基含有ポリマー。下記一般式M1で表されることを特徴とするスルホン酸基含有芳香族化合物。一般式M2において、X1は、、ケトン基、スルホン基、直接結合、-POR1-R1は、任意の有機基、-CF2f-fは1~5の整数、-CCF32-から選ばれた少なくとも1種を表し、Y1は、F、Cl、Br、Iから選ばれた少なくとも1種を表す。M1は、それぞれ独立して、水素、金属カチオン、アンモニウムカチオンまたは炭素数1~20の炭化水素基を表す。Y1、および、M1は、異なる2種類以上の基を表しても良い。前記一般式M1のX1がケトン基、Y1がFであり、全スルホン酸基がX1基のメタ位である請求項9に記載のスルホン酸基含有芳香族化合物。請求項1~8のいずれかに記載のスルホン酸基含有ポリマーからなることを特徴とする高分子電解質材料。請求項11に記載の高分子電解質材料からなることを特徴とする高分子電解質成型体。請求項11に記載の高分子電解質材料を用いて構成されたことを特徴とする固体高分子型燃料電池。本発明は、かかる従来技術の背景に鑑み、低加湿条件下においても優れたプロトン伝導性を有し、なおかつ機械強度および化学的安定性に優れる上に、固体高分子型燃料電池としたときに高出力、優れた物理的耐久性を達成することができるスルホン酸基含有ポリマー、スルホン酸基含有芳香族化合物、ならびにそれを用いた高分子電解質材料、高分子電解質成型体および固体高分子型燃料電池を提供せんとするものである。本発明は、かかる課題を解決するために、次のような手段を採用するものである。すなわち、本発明のスルホン酸基含有ポリマーは、スルホン酸基を含有する構成単位A1、およびスルホン酸基を含有しない構成単位A2からなるスルホン酸基含有ポリマーであって、スルホン酸基を含有する構成単位A1の1つとして、下記一般式S1で表される構成単位を、スルホン酸基を含有する構成単位A1の総和を基準として25モル以上含有することを特徴とするものである。一般式S1において、X1は、、ケトン基、スルホン基、直接結合、-POR1-R1は、任意の有機基、-CF2f-fは1~5の整数、-CCF32-から選ばれた少なくとも1種を表し、Z1は、OまたはSを表す。M1は、それぞれ独立して、水素、金属カチオン、アンモニウムカチオンまたは炭素数1~20の炭化水素基を表す。Z1、および、M1は、異なる2種類以上の基を表しても良い。は、一般式S1または他の構成単位との結合部位を表す。また、本発明のスルホン酸基含有芳香族化合物は、下記一般式M1で表されることを特徴とするものである。さらに、本発明の高分子電解質材料、高分子電解質成型体、および固体高分子型燃料電池は、かかるブロック重合体を用いて構成されていることを特徴とするものである。一般式M1において、X1は、、ケトン基、スルホン基、直接結合、-POR1-R1は、任意の有機基、-CF2f-fは1~5の整数、-CCF32-から選ばれた少なくとも1種を表し、Y1は、F、Cl、Br、Iから選ばれた少なくとも1種を表す。M1は、それぞれ独立して、水素、金属カチオン、アンモニウムカチオンまたは炭素数1~20の炭化水素基を表す。Y1、および、M1は、異なる2種類以上の基を表しても良い。本発明によれば、低加湿条件下においても優れたプロトン伝導性を有し、なおかつ機械強度と化学的安定性に優れる上に、固体高分子型燃料電池としたときに高出力、優れた物理的耐久性を達成することができるスルホン酸基含有ポリマー、スルホン酸基含有芳香族化合物、ならびにそれを用いた高分子電解質材料、高分子電解質成型体および固体高分子型燃料電池を提供することができる。以下、本発明について詳細に説明する。本発明者らは、前記課題を克服すべく、鋭意検討を重ねた結果、2個のベンゼン環に対してスルホン酸基を4個導入した特定の構成単位を用いることにより、局所的にスルホン酸基密度を高めて、プロトン伝導チャンネルを形成できるスルホン酸基含有ポリマー、スルホン酸基含有芳香族化合物が、高分子電解質材料、特に燃料電池用電解質膜として、低加湿条件下を含むプロトン伝導性と発電特性、製膜性などの加工性、耐酸化性、耐ラジカル性、耐加水分解性などの化学的安定性、膜の機械強度、耐熱水性などの物理的耐久性において優れた性能を発現でき、かかる課題を一挙に解決できることを究明するとともに、さらに種々の検討を加え、本発明を完成した。すなわち、本発明のスルホン酸基含有ポリマーは、スルホン酸基を含有する構成単位A1、およびスルホン酸基を含有しない構成単位A2からなるスルホン酸基含有ポリマーであって、スルホン酸基を含有する構成単位A1の少なくとも1つとして、下記一般式S1で表される構成単位を、スルホン酸基を含有する構成単位A1の総和を基準として25モル以上含有することを特徴とするものである。一般式S1において、X1は、、ケトン基、スルホン基、直接結合、-POR1-R1は、任意の有機基、-CF2f-fは1~5の整数、-CCF32-から選ばれた少なくとも1種を表し、Z1は、OまたはSを表す。M1は、それぞれ独立して、水素、金属カチオン、アンモニウムカチオンまたは炭素数1~20の炭化水素基を表す。Z1、および、M1は、異なる2種類以上の基を表しても良い。は、一般式S1または他の構成単位との結合部位を表す。本発明において、構成単位とは、一般式S1で表される構成単位のように、主鎖がZ1OまたはSで区切られたものと定義する。本発明のスルホン酸基含有ポリマーは、スルホン酸基を含有する構成単位A1、およびスルホン酸基を含有しない構成単位A2からなる。本発明のスルホン酸基含有ポリマーは、複数の異なるスルホン酸基を含有する構成単位A1を有していても構わない。また、複数の異なるスルホン酸基を含有する構成単位A2を有していても構わない。本発明のスルホン酸基含有ポリマーは、スルホン酸基を含有する構成単位A1の少なくとも1つとして、前記一般式S1で表される構成単位を、スルホン酸基を含有する構成単位A1の総和を基準として25モル以上含有すること、すわなち、従来のスルホン酸基を2個含有する構成単位よりも、スルホン酸基密度を高めることにより、プロトン伝導チャンネルを形成でき、低加湿プロトン伝導性を高めることができたものである。スルホン酸基を含有する構成単位A1の総和を基準とする前記一般式S1で表される構成単位のモル比率としては、低加湿プロトン伝導性の点から、より大きいことが好ましく、25モル以上が必要であるが、50モル以上がより好ましく、さらに好ましくは75モル、最も好ましくは95モル以上である。前記一般式S1で表される構成単位の含有モル比率が、25モル未満である場合は、低加湿プロトン伝導性が不足する場合があり、好ましくない。複数の前記一般式S1で表される構成単位が含まれていてもよく、その和が25モル以上であることが必要である本発明において、M1は、任意の金属カチオン、アンモニウムカチオンNR4Rは任意の有機基等を例として挙げることができる。金属カチオンの場合、その価数等特に限定されるものではなく、使用することができる。好ましい金属イオンの具体例を挙げるとすれば、Li、Na、K、Cs、Rh、Mg、Ca、Sr、Ti、Al、Fe、Pt、Rh、Ru、Ir、Pd等が挙げられる。中でも、本発明に用いるスルホン酸基含有ポリマーとしては、安価で、容易にプロトン置換可能なNa、K、Cs、Liがより好ましく使用される。Rとしては、炭素数1~10のアルキル基が好適な具体例である。本発明において、X1は、化学的安定性とコストの点から、ケトン基-CO-、スルホン基-SO2-、直接結合がより好ましく、さらに好ましくは、ケトン基、スルホン基、最も好ましくは、物理的耐久性の点からケトン基である。また、Z1は、コストと物理的耐久性の点で、OまたはSであり、Oが最も好ましい。すなわち、X1がケトン基、Z1がOであるものが最も好ましい。一般式S1で表される構成単位は、電子吸引性のX1基とスルホン酸基の効果で、化学的安定性に優れ、かつプロトンの解離性が高い上、スルホン酸基含有ポリマー、特にブロック共重合体としたときに、局所的にスルホン酸基密度を高めることができるので、プロトン伝導チャンネルが形成され、低加湿条件下においても優れたプロトン伝導性を実現することができる。前記一般式S1で表される構成単位の好適な具体例としては、下記式S1-1~S1-114で表される構成単位を挙げることが出来る。なお、本発明は、これらに限定されるものではない。なかでも、なかでも、製造コストと物理的耐久性の点で、下記式S1-1、S1-2、S1-5、S1-9~S1-11で表される構成単位がより好ましく、さらに好ましくは、下記式S1-1、S1-2、S1-5で表される構成単位、最も好ましくは、下記式S1-1で表される構成単位である。本発明においては、これらの複数の構成単位を用いることも好ましい。また、スルホン化剤の種類、原料化合物の置換基により、スルホン酸基の位置はさらに変わる場合があるが、スルホン酸基の導入位置の異なる構成単位も好ましく使用できる。式S1-1~S1-14において、M1は、それぞれ独立して、水素、金属カチオン、アンモニウムカチオンまたは炭素数1~20の炭化水素基を表す。次に、本発明のスルホン酸基含有ポリマーについて説明する。本発明のスルホン酸基含有ポリマーの種類は、特に限定されるものではない。その具体例としては、スルホン酸基含有芳香族ポリエーテルケトン類、スルホン酸基含有芳香族ポリエーテルスルホン類、スルホン酸基含有芳香族ポリエーテルホスフィンオキシド類などのスルホン酸基含有芳香族ポリエーテル類、スルホン酸基含有芳香族ポリスルフィドケトン類、スルホン酸基含有芳香族ポリスルフィドスルホン類、スルホン酸基含有芳香族ポリスルフィドホスフィンオキシド類などのスルホン酸基含有芳香族ポリスルフィド類などを挙げることが出来る。これらスルホン酸基含有芳香族ポリエーテル類およびスルホン酸基含有芳香族ポリスルフィド類であって、下記一般式S2で表される繰り返し構造を有するスルホン酸基含有ポリマーが、本発明において好適な具体例となる。一般式S2において、X1は、、ケトン基、スルホン基、直接結合、-POR1-R1は、任意の有機基、-CF2f-fは1~5の整数、-CCF32-から選ばれた少なくとも1種を表し、Z1は、OまたはSを表す。M1は、それぞれ独立して、水素、金属カチオン、アンモニウムカチオンまたは炭素数1~20の炭化水素基を表す。Ar1は、芳香環を含む任意の2価の基を表す。Z1、Ar1、および、M1は、異なる2種類以上の基を表しても良い。は、一般式S2または他の繰り返し構造との結合部位を表す。本発明において、繰り返し構造とは、1つまたは複数の構成単位からなり、ポリマー中に繰り返して存在するが、必ずしも隣接して繰り返して存在しなくてもよく、繰り返し構造の間に別の構成単位が存在しても構わない。また複数の繰り返し構造と存在し、繰り返し構造の間に別の繰り返し構造が存在しても構わない。X1は、化学的安定性とコストの点から、ケトン基-CO-、スルホン基-SO2-、直接結合がより好ましく、さらに好ましくは、ケトン基、スルホン基、最も好ましくは、物理的耐久性の点からケトン基である。また、Z1は、コストと物理的耐久性の点で、OまたはSであり、Oが最も好ましい。すなわち、X1がケトン基、Z1がOであるものが最も好ましい。また、コスト、化学的安定性の点から、スルホン酸基含有芳香族ポリエーテルケトン類、スルホン酸基含有芳香族ポリエーテルスルホン類がより好ましく、最も好ましくは、スルホン酸基含有芳香族ポリエーテルケトン類である。これらスルホン酸基含有芳香族ポリエーテルは、一般式M1で表されるスルホン酸基含有芳香族化合物ジハライド化合物と任意の2価フェノール化合物との芳香族求核置換反応により合成することが可能である。2価のフェノール化合物は、特に限定されるものではなく、化学的安定性、物理的耐久性、コスト等を考慮して適宜選択することができる。また、本発明の効果に悪影響を及ぼさない範囲で、これらの2価フェノール化合物にスルホン酸基が導入されたものをモノマーとして用いることもできるが、反応性の点でスルホン酸基は持たない方がより好ましい。一般式M1において、X1は、、ケトン基、スルホン基、直接結合、-POR1-R1は、任意の有機基、-CF2f-fは1~5の整数、-CCF32-から選ばれた少なくとも1種を表し、Y1は、F、Cl、Br、Iから選ばれた少なくとも1種を表す。M1は、それぞれ独立して、水素、金属カチオン、アンモニウムカチオンまたは炭素数1~20の炭化水素基を表す。Y1、および、M1は、異なる2種類以上の基を表しても良い。スルホン酸基含有芳香族化合物の最も好ましい具体例は、化学的安定性と製造コストの点から、下記式M2で表されるものである。通常、これらスルホン酸基含有芳香族化合物は、芳香族化合物のスルホン化により合成するため、ハロゲン原子に対してオルト位、電子吸引性X1基に対してメタ位にスルホン酸基が導入される。ただし、前記S1-9~S1-14で表される構成単位のように、ハロゲン原子に対してオルト位に限定されるものではなく、スルホン化剤や官能基を適宜選択することにより、スルホン化位置を選択することができる。一般式M2において、X1は、、ケトン基、スルホン基、直接結合、-POR1-R1は、任意の有機基、-CF2f-fは1~5の整数、-CCF32-から選ばれた少なくとも1種を表し、Y1は、F、Cl、Br、Iから選ばれた少なくとも1種を表す。M1は、それぞれ独立して、水素、金属カチオン、アンモニウムカチオンまたは炭素数1~20の炭化水素基を表す。Y1、および、M1は、異なる2種類以上の基を表しても良い。ここで、Y1の具体例としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられるが、反応性の点で、なかでもフッ素、塩素がより好ましく、フッ素が最も好ましい。また、電子吸引性基X1の具体例としては、ケトン基、スルホン基、直接結合、-POR1-R1は、任意の有機基、-CF2f-fは1~5の整数、-CCF32-などが挙げられる。中でも、化学的安定性とコストの点から、ケトン基-CO-、スルホン基-SO2-、直接結合がより好ましく、さらに好ましくは、ケトン基、スルホン基、最も好ましくは、物理的耐久性の点からケトン基である。すなわち、X1がケトン基、Y1がFであるものが最も好ましい。本発明の芳香族スルホン酸誘導体は、電子吸引性基X1の効果で、化学的安定性に優れる上、スルホン酸基含有ポリマーとしたときに、局所的にスルホン酸基密度を高めることができるので、低加湿条件下においても優れたプロトン伝導性を実現することができる。本発明の芳香族スルホン酸誘導体の化学構造、含有モル比率などを適宜選択することにより、スルホン酸基含有ポリマーの加工性、ドメインサイズ、結晶性/非晶性、機械強度、プロトン伝導性、寸法安定性等の諸特性を制御することが可能である。本発明のスルホン酸基含有芳香族化合物M1およびM2の合成方法について説明する。本発明のスルホン酸基含有芳香族化合物は、ベンゼン環1個に対してスルホン酸基が2個導入することにより、局所的にスルホン酸基密度を上げることを特徴とする。スルホン化反応は、ベンゼン環に対する求電子置換反応であるため、スルホン酸基の導入されたベンゼン環の反応性は極めて低くなることが知られている。従って、従来技術においては、ほとんど検討されてこなかった。本発明者らは、ベンゼン環に対するジスルホン化を達成すべく、鋭意検討を重ねた結果、三酸化硫黄の蒸発を抑制しながら、高温反応せしめることにより、ベンゼン環に対するジスルホン化反応が良好に進行すること、副反応が少ないこと、さらに副成する無機塩を再結晶により除去できることを究明するとともに、さらに種々の検討を加え、本発明のスルホン酸基含有芳香族化合物を得ることに成功した。ただし、本発明のスルホン酸基含有芳香族化合物M1およびM2の合成方法は、これらに限定されるものではない。本発明において、一般式S2中のAr1は、芳香環を含む2価を表しており、特に限定されるものではない。中でも、化学的安定性と物理的耐久性の点から、Ar1としては、下記一般式q1またはq2で表される2価の基がより好ましい。さらに好ましくは、下記一般式q1で表される2価の基である。また、X2は、化学的安定性とコストの点から、ケトン基-CO-、スルホン基-SO2-、直接結合がより好ましく、さらに好ましくは、ケトン基、スルホン基、最も好ましくは、物理的耐久性の点からケトン基である。前記一般式S2としては、なかでも、化学的安定性と製造コストの点で、下記一般式S2-1で表される繰り返し構造がさらに好ましい。一般式S2-1において、X1は、、ケトン基、スルホン基、直接結合、-POR1-R1は、任意の有機基、-CF2f-fは1~5の整数、-CCF32-から選ばれた少なくとも1種を表し、Z1は、OまたはSを表す。M1は、それぞれ独立して、水素、金属カチオン、アンモニウムカチオンまたは炭素数1~20の炭化水素基を表す。Ar1は、下記一般式q1またはq2で表される2価の基を表す。Z1、Ar1、および、M1は、異なる2種類以上の基を表しても良い。は、一般式S2または他の繰り返し構造との結合部位を表す。一般式q1において、X2は、ケトン基、スルホン基、直接結合、-POR1-R1は、任意の有機基、-CF2f-fは1~5の整数、-CCF32-から選ばれた少なくとも1種を表す。一般式q1およびq2で表される基は、スルホン酸基を含む、任意の基で置換されていてもよい。X1は、化学的安定性とコストの点から、ケトン基-CO-、スルホン基-SO2-、直接結合がより好ましく、さらに好ましくは、ケトン基、スルホン基、最も好ましくは、物理的耐久性の点からケトン基である。また、Z1は、コストと物理的耐久性の点で、OまたはSであり、Oが最も好ましい。すなわち、X1がケトン基、Z1がOであるものが最も好ましい。すなわち、前記一般式S2で表される繰り返し構造が、下記式S3で表される繰り返し構造であることをものが最も好ましい具体例である。式S3中、M1は、それぞれ独立して、水素、金属カチオン、アンモニウムカチオンまたは炭素数1~20の炭化水素基を表す。M1は、異なる2種類以上の基を表しても良い。は一般式S3または他の構成繰り返し構造との結合部位を表す。下記一般式S2で表される繰り返し構造の中でも特に好ましい具体例、すなわち、前記一般式q1中のX2が、ケトン基-CO-、スルホン基-SO2-、直接結合であるもの、および、前記一般式q2で表される基を有するものは、前記式M2で表されるスルホン酸基含有芳香族化合物ジハライド化合物と下記一般式Y-1~Y-4で表される2価フェノール化合物との芳香族求核置換反応により合成することが可能である。なお、これら2価フェノール化合物のヘテロ原子誘導体である2価チオール化合物も好適な例である。なかでも、ベンゼン環の電子が低く、ヒドロキシラジカルとの求電子反応抑制という観点から、一般式Y-1~Y-2で表される2価フェノール化合物がより好ましく、耐水性と結晶性の点から、最も好ましくはY-1で表される2価フェノール化合物である。本発明のスルホン酸基含有ポリマーに使用する2価のフェノール化合物としては、特にこれらに限定されるものではなく、化学的安定性、物理的耐久性、コスト等を考慮して適宜共重合することができる。また、本発明の効果に悪影響を及ぼさない、すなわち、ヒドロキシル基の反応性を低下させない範囲や位置で、これらの2価フェノール化合物にスルホン酸基が導入されたものをモノマーとして用いることもできるが、反応性の点でスルホン酸基は持たない方がより好ましい。その他の2価フェノールの具体例は、下記一般式Y-5~Y-30で表される2価フェノール化合物である。一般式Y-5~Y-7で表される2価フェノール化合物は、任意に置換されていてもよい。一般式Y-8~Y-11で表される2価フェノール化合物は、任意に置換されていてもよいが、nは1以上の整数を表す。一般式Y-12~Y-19で表される2価フェノール化合物は、任意に置換されていてもよいが、nおよびmは1以上の整数、Rpは任意の有機基を表す。一般式Y-20~Y-30で表される2価フェノール化合物は、任意に置換されていてもよい。本発明においては、一般式S3で表される繰り返し構造を得るために、2価フェノール化合物に保護基を導入し、重合後または成型後に脱保護せしめて、一般式S3で表される繰り返し構造に変換することも好ましい。保護基を有する2価フェノール化合物の好適な具体例としては、反応性と化学的安定性の点から、下記一般式r1~r10で表される化合物、並びにこれらの2価フェノール化合物由来の誘導体が挙げることができる。これら2価フェノール化合物のなかでも、安定性の点から一般式r4~r10で表される化合物がより好ましく、さらに好ましくは一般式r4、r5およびr9で表される化合物、最も好ましくは一般式r4で表される化合物である。本発明において、スルホン酸基を含有する構成単位としては、本発明の効果を損なわない範囲で、すなわち、低加湿プロトン伝導性を維持できる範囲で、前記式M1およびM2以外のスルホン酸基含有芳香族活性ジハライド化合物を共重合することができる。スルホン酸基を有するモノマーの好適な具体例としては、3,3’-ジスルホネート-4,4’-ジクロロジフェニルスルホン、3,3’-ジスルホネート-4,4’-ジフルオロジフェニルスルホン、3,3’-ジスルホネート-4,4’-ジクロロジフェニルケトン、3,3’-ジスルホネート-4,4’-ジフルオロジフェニルケトン、3,3’-ジスルホネート-4,4’-ジクロロジフェニルフェニルホスフィンオキシド、3,3’-ジスルホネート-4,4’-ジフルオロジフェニルフェニルホスフィンオキシド、等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。また、芳香族活性ジハライド化合物としては、スルホン酸基を有するものと持たないものを共重合したり、スルホン酸基の導入量が異なるものを共重合することで、スルホン酸基密度を制御することも可能である。しかしながら、本発明のスルホン酸基含有ポリマーがブロック共重合体である場合には、プロトン伝導パスの連続性確保、低加湿プロトン伝導性向上の観点から、スルホン酸基基を持たない芳香族活性ジハライド化合物やスルホン酸基の導入量が少ないものを共重合しないことがより好ましい。スルホン酸基を持たない芳香族活性ジハライド化合物のより好適な具体例としては、4,4’-ジクロロジフェニルスルホン、4,4’-ジフルオロジフェニルスルホン、4,4’-ジクロロジフェニルケトン、4,4’-ジフルオロジフェニルケトン、4,4’-ジクロロジフェニルフェニルホスフィンオキシド、4,4’-ジフルオロジフェニルフェニルホスフィンオキシド、2,6-ジクロロベンゾニトリル、2,6-ジフルオロベンゾニトリル、等を挙げることができる。中でも4,4’-ジクロロジフェニルケトン、4,4’-ジフルオロジフェニルケトンが結晶性付与、機械強度や物理的耐久性、耐熱水性の点からより好ましく、重合活性の点から4,4’-ジフルオロジフェニルケトンが最も好ましい。これら芳香族活性ジハライド化合物は、単独で使用することができるが、複数の芳香族活性ジハライド化合物を併用することも可能である。また、ハロゲン化芳香族ヒドロキシ化合物としても特に制限されることはないが、4-ヒドロキシ-4’-クロロベンゾフェノン、4-ヒドロキシ-4’-フルオロベンゾフェノン、4-ヒドロキシ-4’-クロロジフェニルスルホン、4-ヒドロキシ-4’-フルオロジフェニルスルホン、4-4’-ヒドロキシビフェニル4-クロロフェニルスルホン、4-4’-ヒドロキシビフェニル4-フルオロフェニルスルホン、4-4’-ヒドロキシビフェニル4-クロロフェニルケトン、4-4’-ヒドロキシビフェニル4-フルオロフェニルケトン、等を例として挙げることができる。これらは、単独で使用することができるほか、2種以上の混合物として使用することもできる。さらに、活性化ジハロゲン化芳香族化合物と芳香族ジヒドロキシ化合物の反応においてこれらのハロゲン化芳香族ヒドロキシ化合物を共に反応させて芳香族ポリエーテル系化合物を合成しても良い。また、本発明のスルホン酸基含有ポリマーは、プロトン伝導チャンネルの形成、低加湿のプロトン伝導性の点から、前記一般式S1で表される構成単位を含有する、スルホン酸基を含有するセグメントB1とスルホン酸基を含有しないセグメントB2をそれぞれ1個以上含有するブロック共重合体であることが好ましい。ここにおいても、一般式S1で表される構成単位が25モル未満である場合は、本発明の効果である低加湿条件下でのプロトン伝導性が不足する場合があり、好ましくない。本発明において、セグメントとは、ブロック共重合体中の部分構造であって、1種類の繰り返し構造または複数種類の繰り返し構造の組合せからなるものであり、分子量が2000以上のものを表す。本発明において、スルホン酸基を含有するセグメントB1とは、スルホン酸基を有する繰り返し構造からなるセグメントであって、1つまたは複数のスルホン酸基を含有する繰り返し構造からなる。このスルホン酸基を含有する繰り返し構造は、セグメント中に繰り返して存在してもよいが、必ずしも隣接して繰り返して存在しなくてもよく、繰り返し構造の間に別の構成単位が存在しても構わない。また、複数の繰り返し構造と存在し、繰り返し構造の間に別の繰り返し構造が存在しても構わない。また、本発明において、スルホン酸基を含有しないセグメントB2とは、スルホン酸基を含有しない繰り返し構造からなるセグメントであって、1つまたは複数のスルホン酸基を含有しない繰り返し構造からなる。このスルホン酸基を含有しない繰り返し構造は、セグメント中に繰り返して存在してもよいが、必ずしも隣接して繰り返して存在しなくてもよく、繰り返し構造の間に別の構成単位が存在しても構わない。また、複数の繰り返し構造と存在し、繰り返し構造の間に別の繰り返し構造が存在しても構わない。本発明においては、スルホン酸基を含有しないセグメントと記載するが、当該セグメントB2は、本発明の効果に悪影響を及ぼさない範囲でスルホン酸基を少量含んでいても構わない。以下、スルホン酸基を含有しないは同様の意味で用いる場合がある。本発明から得られたブロック共重合体は、2種類以上の互いに不相溶なセグメント鎖、すなわち、スルホン酸基を含有する親水性セグメントと、スルホン酸基を含有しない疎水性セグメントが連結され、1つのポリマー鎖を形成したものである。ブロック共重合体においては、化学的に異なるセグメント鎖間の反発から生じる短距離相互作用により、それぞれのセグメント鎖からなるナノまたはミクロドメインに相分離し、セグメント鎖がお互いに共有結合していることから生じる長距離相互作用の効果により、各ドメインが特定の秩序を持って配置せしめられる。各セグメント鎖からなるドメインが集合して作り出す高次構造は、ナノまたはミクロ相分離構造と呼ばれ、高分子電解質膜のイオン伝導については、膜中におけるイオン伝導セグメントの空間配置、すなわち、ナノまたはミクロ相分離構造が重要になる。ここで、ドメインとは、1本または複数のポリマー鎖において、類似するセグメントが凝集してできた塊のことを意味する。本発明から得られたブロック共重合体は、化学構造として、スルホン酸基を含有するセグメントB1中に、前記一般式S1で表される構成単位を含有させ、なおかつ、ポリマー高次構造として、ナノまたはミクロ相分離構造を制御することによって、化学的耐久性や物理的耐久性と優れたプロトン伝導性、特に、スルホン酸基密度を局所的に高めたプロトン伝導チャンネルを形成させることにより、低加湿条件下においても高いプロトン伝導性を実現することができる。本発明から得られたブロック共重合体の化学構造、セグメント鎖長、分子量、イオン交換容量などを適宜選択することにより、高分子電解質材料の加工性、ドメインサイズ、結晶性/非晶性、機械強度、プロトン伝導性、寸法安定性等の諸特性を制御することが可能である。本発明から得られたブロック共重合体は、スルホン酸基を含有するセグメントB1がドメインを形成することで、高分子電解質材料や高分子電解質膜として、低加湿条件下でも優れたプロトン伝導度を実現することができる。次に、スルホン酸基を含有するセグメントB1について説明する。スルホン酸基を含有するセグメントB1は、前記一般式S1で表される構成単位を含有することを特徴とするが、化学的に安定で、電子吸引効果により酸性度が高められ、スルホン酸基が高密度に導入されたセグメントがより好ましく、低加湿条件下のプロトン伝導性に優れたブロック共重合体を得ることができる。本発明のスルホン酸基含有ポリマーの好適な具体例として挙げたもの、および、特に好ましい例として挙げたものは、同様に低加湿プロトン伝導性の点から、スルホン酸基を含有するセグメントB1としても好適である。前述の通りであるが、例えば、前記一般式S2-1で表される繰り返し構造を挙げることができ、より好ましくは前記一般式S2で表される繰り返し構造、さらに好ましくは、前記式S3で表される繰り返し構造である。次に、スルホン酸基を含有しないセグメントB2について具体的に説明する。スルホン酸基を含有しないセグメントB2としては、化学的に安定な上、強い分子間凝集力から結晶性を示す構成単位がより好ましく、機械強度、寸法安定性、物理的耐久性に優れたブロック共重合体を得ることができる。本発明から得られたブロック共重合体としては、スルホン酸基を含有しないセグメントB2が、下記一般式P1で表される繰り返し構造を含有することがより好ましい。一般式P1で表される部位は、任意に置換されていても良いが、スルホン酸基を含有しない。また、Y3は電子吸引性基、Z3は電子吸引性基、OまたはSを表す。は一般式P1または他の構成単位との結合部位を表す。ここで、電子吸引性基Y3の具体例としては、-CO-、-CF2n-nは1~5の整数、-CCF32-、-SO2-、-POR1-R1は任意の有機基などが挙げられる。中でも、化学的安定性とコストの点から、-CO-、-SO2-がより好ましく、物理的耐久性の点から-CO-が最も好ましい。Z3の具体例としては、-CO-、-CF2n-nは1~5の整数、-CCF32-、-SO2-、-POR1-R1は任意の有機基などの電子吸引性基、-O-、-S-が挙げられるが、コストと物理的耐久性の点で、-O-、-S-がより好ましく、-O-が最も好ましい。一般式P1で表される構成単位は、電子吸引性基Y1の効果で、化学的安定性に優れる上、ブロック共重合体としたときに、機械強度や耐水性を高めることができるので、補強の3次元ネットワークが形成され、優れた物理的耐久性を実現することができる。スルホン酸基を含有しないセグメントに対する一般式P1で表される構成単位の割合としては、物理的耐久性および化学的安定性の点から、高い方が好ましく、25モルであることがより好ましく、さらに好ましくは50モル以上、特に好ましくは75モル以上、最も好ましくは90モル以上である。スルホン酸基を含有しないセグメントB2が含有する一般式P1で表される構成単位のより好ましい具体例としては、原料入手性の点で、下記一般式P2-1、P2、P4-1~P4-8で表される構成単位が挙げられる。中でも、結晶性による機械強度、寸法安定性、物理的耐久性の点から、下記式P2、P4-1またはP4-2で表される構成単位がさらに好ましく、最も好ましくは下記式P2で表される構成単位である。スルホン酸基を含有しないセグメントB2中に含まれる一般式P2で表される構成単位の含有量としては、より多い方が好ましく、25モル以上がより好ましく、50モル以上がさらに好ましく、75モル以上が最も好ましい。含有量が25モル未満である場合には、結晶性による機械強度、寸法安定性、物理的耐久性に対する本発明の効果が不足する場合があり好ましくない。スルホン酸基を含有しないセグメントB2として、一般式P1で表される構成単位以外に共重合せしめる構成単位の好ましい例は、ケトン基を含む芳香族ポリエーテル系重合体、すなわち、下記一般式Q1で示される構成単位を有するもので、スルホン酸基を含有しないものが挙げられる。一般式Q1中のZ1、Z2は芳香環を含む2価の有機基を表し、それぞれが2種類以上の基を表しても良いが、スルホン酸基は含まない。aおよびbはそれぞれ独立に正の整数を表す。一般式Q1中のZ1およびZ2として好ましい有機基としては、Z1がフェニレン基、かつ、Z2が下記一般式X-1、X-2、X-4、X-5から選ばれた少なくとも1種であることがより好ましい。また、スルホン酸基以外の基で置換されていてもよいが、無置換である方が結晶性付与の点でより好ましい。Z1およびZ2としては、さらに好ましくはフェニレン基、最も好ましくはp-フェニレン基である一般式X-1、X-2、X-4、X-5で表される基は、スルホン酸基以外の基で任意に置換されていてもよい。。前記一般式Q1で示される構成単位の好適な具体例としては、下記一般式Q2~Q7で示される構成単位などを挙げることができるが、これらに限定されることなく、結晶性や機械強度を考慮して適宜選択することが可能である。なかでも、結晶性と製造コストの点から、前記一般式Q1で示される構成単位としては、下記一般式Q2、Q3、Q6、Q7がより好ましく、前記一般式Q2、が最も好ましい。一般式Q2~Q7は、全てパラ位で表しているが、結晶性を有するものであれば、オルト位やメタ位等他の結合位置を含んでも構わない。ただし、結晶性の観点からパラ位がより好ましい。また、本発明から得られたブロック共重合体においては、スルホン酸基を含有するセグメントB1と、スルホン酸基を含有しないセグメントB2の間を連結するリンカー部位を1個以上さらに含有することがさらに好ましい。ここで、本発明において、リンカーとは、スルホン酸基を含有するセグメントB1と、スルホン酸基を含有しないセグメントB2との間を連結する部位であって、スルホン酸基を含有するセグメントB1やスルホン酸基を含有しないセグメントB2とは異なる化学構造を有する部位と定義する。このリンカーは、エーテル交換反応によるランダム化、セグメント切断、副反応を抑制しながら、異なるセグメントを連結することができるので、本発明から得られたブロック共重合体を得るために特に好ましい。リンカーがない場合には、ランダム化等のセグメント切断が起こる場合があり、本発明の効果が十分に得られない場合がある。本発明に用いるリンカーとしては、エーテル交換反応によるランダム化、セグメント切断を抑制しながら、異なるセグメントを連結できるような反応性の高い化合物である必要があり、本発明に好適な具体例としては、デカフルオロビフェニル、ヘキサフルオロベンゼン、4,4‘-ジフルオロジフェニルスルホン、2,6-ジフルオロベンゾニトリル等を挙げることができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。デカフルオロビフェニル、ヘキサフルオロベンゼンなどの多官能性のリンカーを用いた場合、反応条件を制御することで分岐構造を有するブロック共重合体を製造することができる。この時、式P1の未スルホン化セグメントを有するポリマーと式S2のスルホン化セグメントを有するポリマーの仕込み組成を変えることによって、直鎖構造のブロック共重合体と分岐構造を有するブロック共重合体とを作り分けることもできる。本発明から得られたブロック共重合体がスルホン酸基を有する場合、そのイオン交換容量は、プロトン伝導性と耐水性のバランスの点から、0.1~5meq/gが好ましく、より好ましくは1.5meq/g以上、最も好ましくは2meq/g以上である。また、3.5meq/g以下がより好ましく、最も好ましくは3meq/g以下である。イオン交換容量が0.1meq/gより小さい場合には、プロトン伝導性が不足する場合があり、5meq/gより大きい場合には、耐水性が不足する場合がある。本発明から得られたブロック共重合体としては、スルホン酸基を含有するセグメントB1と、スルホン酸基を含有しないセグメントB2のモル組成比B1/B2が、0.2以上であることがより好ましく、0.33以上がさらに好ましく、0.5以上が最も好ましい。また、5以下がより好ましく、3以下がさらに好ましく、2以下が最も好ましい。モル組成比B1/B2が、0.2未満あるいは5を越える場合には、本発明の効果が不十分となる場合があり、低加湿条件下でのプロトン伝導性が不足したり、耐熱水性や物理的耐久性が不足する場合があるので好ましくない。ここで、モル組成比B1/B2とは、セグメントB1中に存在する繰り返し構造のモル数とセグメントB2中に存在する繰り返し構造のモル数の比を表す。例えば、前記セグメントB1がスルホン酸基を含有する構成単位S2からなり、前記セグメントB2がスルホン酸基を含有しない構成単位P1からなる場合に、各セグメントの数平均分子量をそれぞれに対応する構成単位S2の分子量で除した値の比のことを意味する。なお、各セグメントが、ホモポリマーではなく、ランダム共重合体、交互共重合体、ブロック共重合体である場合には、各セグメントの数平均分子量を、それぞれ含有モル比を考慮して計算した平均分子量で除した値の比のことを意味する。スルホン酸基を含有するセグメントB1のイオン交換容量は、低加湿条件下でのプロトン伝導性の点から、高いことが好ましく、より好ましくは2.5meq/g以上、さらに好ましくは、3meq/g以上、最も好ましくは3.5meq/g以上である。また、6.5meq/g以下がより好ましく、5meq/g以下がさらに好ましく、最も好ましいのは4.5meq/g以下である。スルホン酸基を含有するセグメントB1のイオン交換容量が2.5meq/g未満の場合には、低加湿条件下でのプロトン伝導性が不足する場合があり、6.5meq/gを越える場合には、耐熱水性や物理的耐久性が不足する場合があるので好ましくない。スルホン酸基を含有しないセグメントB2のイオン交換容量は、耐熱水性、機械強度、寸法安定性、物理的耐久性の点から、低いことが好ましく、より好ましくは1meq/g以下、さらに好ましくは0.5meq/g、最も好ましくは0.1meq/g以下である。スルホン酸基を含有しないセグメントB2のイオン交換容量が1meq/gを越える場合には、耐熱水性、機械強度、寸法安定性、物理的耐久性が不足する場合があるので好ましくない。ここで、イオン交換容量とは、ブロック共重合体、高分子電解質材料、および高分子電解質膜の単位乾燥重量当たりに導入されたスルホン酸基のモル量であり、この値が大きいほどスルホン化の度合いが高いことを示す。イオン交換容量は、元素分析、中和滴定法等により測定が可能である。元素分析法を用い、S/C比から算出することもできるが、スルホン酸基以外の硫黄源を含む場合などは測定することが難しい。従って、本発明においては、イオン交換容量は、中和滴定法により求めた値と定義する。本発明の高分子電解質材料、および高分子電解質膜は、後述するように本発明から得られたブロック共重合体とそれ以外の成分からなる複合体である態様を含むが、その場合もイオン交換容量は複合体の全体量を基準として求めるものとする。中和滴定の測定例は、以下のとおりである。測定は3回以上行ってその平均値を取るものとする。1プロトン置換し、純粋で十分に洗浄した電解質膜の膜表面の水分を拭き取った後、100°Cにて12h以上真空乾燥し、乾燥重量を求める。2電解質に5wt硫酸ナトリウム水溶液を50mL加え、12h静置してイオン交換する。3001molL水酸化ナトリウム水溶液を用いて、生じた硫酸を滴定する。指示薬として市販の滴定用フェノールフタレイン溶液01wvを加え、薄い赤紫色になった点を終点とする。4イオン交換容量は下記の式により求める。イオン交換容量=水酸化ナトリウム水溶液の濃度×滴下量/試料の乾燥重量このようにして得られる本発明から得られたブロック共重合体の分子量は、ポリスチレン換算重量平均分子量で、5万~100万、好ましくは10万~50万である。5万未満では、成型した膜にクラックが発生するなど機械強度、物理的耐久性、耐溶剤性のいずれかが不十分な場合がある。一方、100万を超えると、溶解性が不充分となり、また溶液粘度が高く、加工性が不良になるなどの問題がある。スルホン酸基を含有するセグメントB1、スルホン酸基を含有しないセグメントB2の数平均分子量は、相分離構造のドメインサイズに関係し、低加湿でのプロトン伝導性と物理的耐久性のバランスから、0.5万以上がより好ましく、さらに好ましくは1万以上、最も好ましくは1.5万以上である。また、5万以下がより好ましく、さらに好ましくは、4万以下、最も好ましくは3万以下である。本発明から得られたブロック共重合体を得るためにスルホン酸基を導入する方法は、スルホン酸基を有するモノマーを用いて重合する方法と、高分子反応でスルホン酸基を導入する方法が挙げられる。スルホン酸基を有するモノマーを用いて重合する方法としては、繰り返し単位中にスルホン酸基を有したモノマーを用いればよい。かかる方法は例えば、ジャーナルオブメンブレンサイエンスJournalofMembraneScience1972002p231242に記載がある。この方法はポリマーのイオン交換容量の制御、工業的にも適用が容易であり、特に好ましい。高分子反応でスルホン酸基を導入する方法について例を挙げて説明する。芳香族系高分子をスルホン化する方法、すなわちスルホン酸基を導入する方法としては、たとえば特開平2-16126号公報あるいは特開平2-208322号公報等に記載の方法を用いることができる。具体的には、例えば、芳香族系高分子をクロロホルム等の溶媒中でクロロスルホン酸のようなスルホン化剤と反応させたり、濃硫酸や発煙硫酸中で反応することによりスルホン化することができる。スルホン化剤には芳香族系高分子をスルホン化するものであれば特に制限はなく、上記以外にも三酸化硫黄等を使用することができる。この方法により芳香族系高分子をスルホン化する場合には、スルホン化の度合いはスルホン化剤の使用量、反応温度および反応時間により、制御することができる。本発明のスルホン酸基含有ポリマーは、高分子電解質材料として好適であり、特に、高分子電解質成型体として好適に用いられる。本発明において高分子電解質成型体とは、本発明の高分子電解質材料を含有する成型体を意味する。本発明の高分子電解質成型体としては、膜類フィルムおよびフィルム状のものを含むの他、板状、繊維状、中空糸状、粒子状、塊状、微多孔状、コーティング類、発泡体類など、使用用途によって様々な形態をとりうる。ポリマーの設計自由度の向上および機械特性や耐溶剤性等の各種特性の向上が図れることから、幅広い用途に適応可能である。特に高分子電解質成型体が膜類であるときに好適である。本発明の高分子電解質材料を固体高分子型燃料電池用として使用する際には、高分子電解質膜および電極触媒層などが好適である。中でも高分子電解質膜に好適に用いられる。固体高分子型燃料電池用として使用する場合、通常、膜の状態で高分子電解質膜や電極触媒層バインダーとして使用されるからである。本発明の高分子電解質成型体は、種々の用途に適用可能である。例えば、体外循環カラム、人工皮膚などの医療用途、ろ過用用途、耐塩素性逆浸透膜などのイオン交換樹脂用途、各種構造材用途、電気化学用途、加湿膜、防曇膜、帯電防止膜、太陽電池用膜、ガスバリアー材料に適用可能である。また、人工筋肉、アクチュエーター材料としても好適である。中でも種々の電気化学用途により好ましく利用できる。電気化学用途としては、例えば、燃料電池、レドックスフロー電池、水電解装置、クロロアルカリ電解装置等が挙げられるが、中でも燃料電池が最も好ましい。次に、本発明の高分子電解質成型体得るための製造方法について具体的に説明する。例えば、本発明の高分子電解質成型体は、一般式P2で表される構成単位を含有し、スルホン酸基を含有しないセグメントB2を有するブロック共重合体から構成される。当該スルホン酸基を含有しないセグメントB2は、結晶性を示すセグメントであるため、少なくともスルホン酸基を含有しないセグメントB2に保護基を導入したブロック共重合体前駆体を成型した後、成型体に含有される該保護基の少なくとも一部を脱保護せしめることにより製造することが出来る。ブロック共重合体では、ランダム共重合体よりも、ドメインを形成したポリマーの結晶化により、加工性が不良となる傾向があるので、少なくともスルホン酸基を含有しないセグメントB2に保護基を導入し、加工性を向上させることが好ましく、スルホン酸基を含有するセグメントB1についても、加工性が不良となる場合には保護基を導入することが好ましい。本発明に使用する保護基の具体例としては、有機合成で一般的に用いられる保護基があげられ、該保護基とは、後の段階で除去することを前提に、一時的に導入される置換基であり、反応性の高い官能基を保護し、その後の反応に対して不活性とするものであり、反応後に脱保護して元の官能基に戻すことのできるものである。すなわち、保護される官能基と対となるものであり、例えばt-ブチル基を水酸基の保護基として用いる場合があるが、同じt-ブチル基がアルキレン鎖に導入されている場合は、これを保護基とは呼ばない。保護基を導入する反応を保護反応、除去する反応を脱保護反応と呼称される。このような保護反応としては、例えば、セオドアダブリューグリーンTheodoraWGreene、プロテクティブグループスインオーガニックシンセシスProtectiveGroupsinOrganicSynthesis、米国、ジョンウイリーアンドサンズJohnWileySonsInc、1981、に詳しく記載されており、これらが好ましく使用できる。保護反応および脱保護反応の反応性や収率、保護基含有状態の安定性、製造コスト等を考慮して適宜選択することが可能である。また、重合反応において保護基を導入する段階としては、モノマー段階からでも、オリゴマー段階からでも、ポリマー段階でもよく、適宜選択することが可能である。保護反応の具体例を挙げるとすれば、ケトン部位をケタール部位で保護/脱保護する方法、ケトン部位をケタール部位のヘテロ原子類似体、例えばチオケタール、で保護/脱保護する方法が挙げられる。これらの方法については、前記プロテクティブグループスインオーガニックシンセシスProtectiveGroupsinOrganicSynthesisのチャプター4に記載されている。また、スルホン酸と可溶性エステル誘導体との間で保護/脱保護する方法、芳香環に可溶性基としてt-ブチル基を導入および酸で脱t-ブチル化して保護/脱保護する方法等が挙げられる。しかしながら、これらに限定されることなく、保護基であれば好ましく使用できる。一般的な溶剤に対する溶解性を向上させる点では、立体障害が大きいという点で脂肪族基、特に環状部分を含む脂肪族基が保護基として好ましく用いられる。保護反応としては、反応性や安定性の点で、さらに好ましくは、ケトン部位をケタール部位で保護/脱保護する方法、ケトン部位をケタール部位のヘテロ原子類似体、例えばチオケタール、で保護/脱保護する方法である。本発明の高分子電解質材料および高分子電解質膜において、保護基を含む構成単位として、より好ましくは下記一般式U1およびU2から選ばれる少なくとも1種を含有するものである。式U1およびU2において、Ar9~Ar12は任意の2価のアリーレン基、R1およびR2はHおよびアルキル基から選ばれた少なくとも1種の基、R3は任意のアルキレン基、EはOまたはSを表し、それぞれが2種類以上の基を表しても良い。式U1およびU2で表される基は任意に置換されていてもよい。なかでも、化合物の臭いや反応性、安定性等の点で、前記一般式U1およびU2において、EがOである、すなわち、ケトン部位をケタール部位で保護/脱保護する方法が最も好ましい。一般式U1中のR1およびR2としては、安定性の点でアルキル基であることがより好ましく、さらに好ましくは炭素数1~6のアルキル基、最も好ましく炭素数1~3のアルキル基である。また、一般式P4中のR3としては、安定性の点で炭素数1~7のアルキレン基であることがより好ましく、最も好ましくは炭素数1~4のアルキレン基である。R3の具体例としては、-CH2CH2-、-CHCH3CH2-、-CHCH3CHCH3-、-CCH32CH2-、-CCH32CHCH3-、-CCH32OCH32-、-CH2CH2CH2-、-CH2CCH32CH2-等があげられるが、これらに限定されるものではない。前記一般式U1およびU2で表される構成単位のなかでも、耐加水分解性などの安定性の点から少なくとも前記一般式U2を有するものがより好ましく用いられる。さらに、前記一般式U2のR3としては炭素数1~7のアルキレン基、すなわち、Cn1H2n1n1は1~7の整数で表される基であることが好ましく、安定性、合成の容易さの点から-CH2CH2-、-CHCH3CH2-、または-CH2CH2CH2-から選ばれた少なくとも1種であることが最も好ましい。前記一般式U1およびU2中のAr9~Ar12として好ましい有機基は、フェニレン基、ナフチレン基、またはビフェニレン基である。これらは任意に置換されていてもよい。本発明から得られたブロック共重合体としては、溶解性および原料入手の容易さから、前記一般式U2中のAr11およびAr12が共にフェニレン基であることがより好ましく、最も好ましくはAr11およびAr12が共にp-フェニレン基である。本発明において、ケトン部位をケタールで保護する方法としては、ケトン基を有する前駆体化合物を、酸触媒存在下で1官能および/または2官能アルコールと反応させる方法が挙げられる。例えば、ケトン前駆体の4,4’-ジヒドロキシベンゾフェノンと1官能および/または2官能アルコール、脂肪族又は芳香族炭化水素などの溶媒中で臭化水素などの酸触媒の存在下で反応させることによって製造できる。アルコールは炭素数1~20の脂肪族アルコールである。本発明に使用するケタールモノマーを製造するための改良法は、ケトン前駆体の4,4’-ジヒドロキシベンゾフェノンと2官能アルコールをアルキルオルトエステル及び固体触媒の存在下に反応させることからなる。本発明において、ケタールで保護したケトン部位の少なくとも一部を脱保護せしめ、ケトン部位とする方法は特に限定されるものではない。前記脱保護反応は、不均一又は均一条件下に水及び酸の存在下において行うことが可能であるが、機械強度、物理的耐久性、耐溶剤性の観点からは、膜等に成型した後で酸処理する方法がより好ましい。具体的には、成型された膜を塩酸水溶液や硫酸水溶液中に浸漬することにより脱保護することが可能であり、酸の濃度や水溶液の温度については適宜選択することができる。ポリマーに対して必要な酸性水溶液の重量比は、好ましくは1~100倍であるけれども更に大量の水を使用することもできる。酸触媒は好ましくは存在する水の0.1~50重量の濃度において使用する。好適な酸触媒としては塩酸、硝酸、フルオロスルホン酸、硫酸などのような強鉱酸、及びp-トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸などのような強有機酸が挙げられる。ポリマーの膜厚等に応じて、酸触媒及び過剰水の量、反応圧力などは適宜選択できる。例えば、膜厚25μmの膜であれば、6N塩酸水溶液、5重量硫酸水溶液に例示されるような酸性水溶液中に浸漬し、室温~95°Cで1~48時間加熱することにより、容易にほぼ全量を脱保護することが可能である。また、25°Cの1N塩酸水溶液に24時間浸漬しても、実質的に全ての保護基を脱保護することは可能である。ただし、脱保護の条件としてはこれらに限定される物ではなく、酸性ガス、有機酸、熱処理によって脱保護しても構わない。具体的には、例えば前記一般式U1およびU2で表される構成単位を含有するブロック共重合体の前駆体は、2価フェノール化合物としてそれぞれ下記一般式U1-1およびU2-1で表される化合物を使用し、芳香族活性ジハライド化合物との芳香族求核置換反応により合成することが可能である。前記一般式U1およびU2で表される構成単位が2価フェノール化合物、芳香族活性ジハライド化合物のどちら側由来でも構わないが、モノマーの反応性の反応性を考慮して2価フェノール化合物由来と使用する方がより好ましい。一般式U1-1およびU2-1において、Ar9~Ar12は任意の2価のアリーレン基、R1およびR2はHおよびアルキル基から選ばれた少なくとも1種の基、R3は任意のアルキレン基、EはOまたはSを表す。一般式U1-1および一般式U2-1で表される化合物は任意に置換されていてもよい。本発明に使用する、特に好ましい2価フェノール化合物の具体例としては、前記一般式r1~r10で表される化合物、並びにこれらの2価フェノール化合物由来の誘導体が挙げることができる。これら2価フェノール化合物のなかでも、安定性の点から一般式r4~r10で表される化合物がより好ましく、さらに好ましくは一般式r4、r5およびr9で表される化合物、最も好ましくは一般式r4で表される化合物である。本発明に使用されるセグメントを得るために行う芳香族求核置換反応によるオリゴマー合成は、上記モノマー混合物を塩基性化合物の存在下で反応させることで重合体を得ることができる。重合は、0~350°Cの温度範囲で行うことができるが、50~250°Cの温度であることが好ましい。0°Cより低い場合には、十分に反応が進まない傾向にあり、350°Cより高い場合には、ポリマーの分解も起こり始める傾向がある。反応は、無溶媒下で行うこともできるが、溶媒中で行うことが好ましい。使用できる溶媒としては、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N-メチル-2-ピロリドン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、ヘキサメチルホスホントリアミド等の非プロトン性極性溶媒などを挙げることができるが、これらに限定されることはなく、芳香族求核置換反応において安定な溶媒として使用できるものであればよい。これらの有機溶媒は、単独でも2種以上の混合物として使用されても良い。塩基性化合物としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等があげられるが、芳香族ジオール類を活性なフェノキシド構造にしうるものであれば、これらに限定されず使用することができる。また、フェノキシドの求核性を高めるために、18-クラウンー6などのクラウンエーテルを添加することも好適である。これらクラウンエーテル類は、スルホン酸基のナトリウムイオンやカリウムイオンに配位して有機溶媒に対する溶解性が向上する場合があり、好ましく使用できる。芳香族求核置換反応においては、副生物として水が生成する場合がある。この際は、重合溶媒とは関係なく、トルエンなどを反応系に共存させて共沸物として水を系外に除去することもできる。水を系外に除去する方法としては、モレキュラーシーブなどの吸水剤を使用することもできる。反応水又は反応中に導入された水を除去するのに用いられる共沸剤は、一般に、重合を実質上妨害せず、水と共蒸留し且つ約25°C~約250°Cの間で沸騰する任意の不活性化合物である。普通の共沸剤には、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロルベンゼン、塩化メチレン、ジクロルベンゼン、トリクロルベンゼン、シクロヘキサンなどが含まれる。もちろん、その沸点が用いた双極性溶媒の沸点よりも低いような共沸剤を選定することが有益である。共沸剤が普通用いられるが、高い反応温度、例えば200°C以上の温度が用いられるとき、特に反応混合物に不活性ガスを連続的に散布させるときにはそれは常に必要ではない。一般には、反応は不活性雰囲気下に酸素が存在しない状態で実施するのが望ましい。芳香族求核置換反応を溶媒中で行う場合、得られるポリマー濃度として5~50重量となるようにモノマーを仕込むことが好ましい。5重量よりも少ない場合は、重合度が上がりにくい傾向がある。一方、50重量よりも多い場合には、反応系の粘性が高くなりすぎ、反応物の後処理が困難になる傾向がある。重合反応終了後は、反応溶液より蒸発によって溶媒を除去し、必要に応じて残留物を洗浄することによって、所望のポリマーが得られる。また、反応溶液を、ポリマーの溶解度が低く、副生する無機塩の溶解度が高い溶媒中に加えることによって、無機塩を除去、ポリマーを固体として沈殿させ、沈殿物の濾取によりポリマーを得ることもできる。回収されたポリマーは場合により水やアルコール又は他の溶媒で洗浄され、乾燥される。所望の分子量が得られたならば、ハライドあるいはフェノキシド末端基は場合によっては安定な末端基を形成させるフェノキシドまたはハライド末端封止剤を導入することにより反応させることができる。なお、本発明のスルホン酸基含有ポリマーの化学構造は、赤外線吸収スペクトルによって、1,030~1,045cm1、1,160~1,190cm1のS=O吸収、1,130~1,250cm1のC-O-C吸収、1,640~1,660cm1のC=O吸収などにより確認でき、これらの組成比は、スルホン酸基の中和滴定や、元素分析により知ることができる。また、核磁気共鳴スペクトル1H-NMRにより、例えば6.8~8.0ppmの芳香族プロトンのピークから、その構造を確認することができる。また、溶液13C-NMRや固体13C-NMRによって、スルホン酸基の付く位置や並び方を確認することができる。次に、スルホン酸基を含有するセグメントB1、スルホン酸基を含有しないセグメントB2、および前記セグメント間を連結するリンカー部位をそれぞれ1個以上含有するブロック共重合体の具体的な合成方法を例示する。ただし、本発明は、これらに限定されるものではない。また、本発明から得られたブロック共重合体は、ブロック共重合体前駆体を合成した後、前駆体に含有される該保護基の少なくとも一部を脱保護せしめることにより製造することが出来る。本発明から得られたブロック共重合体およびブロック共重合体前駆体の製造方法の具体例としては、a.両末端ヒドロキシル基の式S2で表されるセグメントおよび/またはセグメント前駆体と両末端ヒドロキシル基の式P1で表されるセグメントおよび/またはセグメント前駆体のいずれかにジハライドリンカーとを反応させた後、もう一方のセグメントと交互的に重合させてブロック共重合体を製造する方法、b.両末端ヒドロキシル基の式S2で表されるセグメントおよび/またはセグメント前駆体と両末端ヒドロキシル基の式P1で表されるセグメントおよび/またはセグメント前駆体とジハライドリンカーとをランダム的に重合させてブロック共重合体を製造する方法、c.式S2で表されるセグメントおよび/またはセグメント前駆体の未スルホン化物を用いてaまたはbに記載の方法でブロック共重合体を製造した後、式S2で表されるセグメントおよび/またはセグメント前駆体の未スルホン化部分に選択的にスルホン酸基を導入する方法、d.a~cの組み合わせる方法などが挙げられる。なかでも、交互共重合により相分離ドメインサイズを制御でき、化学的に安定なブロック共重合体を製造できる点から、方法aが最も好ましい。すなわち、本発明から得られたブロック共重合体の製造方法としては、少なくとも下記工程1~4を備えることがより好ましい。これら工程を備えることにより、高分子量化による機械強度と耐久性の向上を達成でき、かつ、両セグメントの交互導入によって、相分離構造やドメインサイズが厳密に制御された低加湿プロトン伝導性に優れたブロック共重合体を得ることが出来る。1前記一般式S2で表される構成単位、および/または、前記一般式S2で表される構成単位の前駆体となる構成単位を含有し、両末端ヒドロキシル基を有する、スルホン酸基を含有するセグメントB1を合成する工程、2前記一般式P1で表される構成単位、および/または、前記一般式P1で表される構成単位の前駆体となる構成単位を含有し、両末端ヒドロキシル基を有する、スルホン酸基を含有しないセグメントB2を合成する工程、3スルホン酸基を含有するセグメントB1またはスルホン酸基を含有しないセグメントB2の両末端ヒドロキシル基にリンカー部位を導入せしめる工程、43で合成したセグメントの両末端リンカー部位と、もう一方のセグメントの両末端ヒドロキシル基を重合せしめることによりブロック共重合体およびブロック共重合体前駆体を製造する工程方法aにおいて、両末端ヒドロキシル基の式S2で表されるセグメントの具体例としては、それぞれ下記式H3-1とH3-2が挙げられ、ジハライドリンカーと反応させたセグメントの具体例としては、それぞれ下記式H3-3とH3-4が挙げられる。ただし、本発明はこれらに限定されるものではない。前記式H3-1~H3-4において、ハロゲン原子はF、アルカリ金属はNaおよびKで示しているが、これらに限定されることなく使用することが可能である。前記式は読み手の理解を助ける目的で挿入するものであり、ポリマーの重合成分の化学構造、正確な組成、並び方、スルホン酸基の位置、数、分子量などを必ずしも正確に表すわけではなく、これらに限定されるものでない。さらに、前記式H3-1~H3-4ではいずれのセグメントに対しても、保護基としてケタール基を導入したが、本発明においては、結晶性が高く溶解性が低い成分に保護基を導入すればよく、前記式H3-1やH3-3で表されるスルホン酸基を含有するセグメントB1には必ずしも保護基が必要ではなく、耐久性や寸法安定性の観点から、保護基がないものも好ましく使用できる。また、前記式H3-1で例示されるブロックは、ビスフェノール成分と芳香族ジハライド成分をN11:N1で反応させることにより、分子量が制御されたオリゴマーの合成が可能である。前記式H3-2も同様である。リンカーを用いたブロック共重合の反応温度としては、140°C以下の加温条件下が好ましい。より好ましくは、80°C以上、120°C以下である。反応温度を120°C以下とすることにより、反応時のエーテル交換反応による高分子構造のランダム化を十分に抑制することができる。一方、180°C以上とすれば、ランダムな高分子構造をもつポリマーが得られる。本発明から得られたブロック共重合体は、透過型電子顕微鏡観察によって共連続な相分離構造を観察することができる。ブロック共重合体の相分離構造、つまりスルホン酸基を含有するセグメントB1とスルホン酸基を含有しないセグメントの凝集状態およびその形状を制御することによって、低加湿条件下においても優れたプロトン伝導性を実現できる。相分離構造は透過型電子顕微鏡TEM、原子間力顕微鏡AFM等によって分析することが可能である。本発明から得られたブロック共重合体からなる高分子電解質膜は、相分離構造が共連続様またはラメラ様であることが好ましい。相分離構造は、非相溶なセグメント2種類以上からなる高分子、例えば、前記スルホン酸基を含有するセグメントB1とスルホン酸基を含有しないセグメントB2とを有するブロック共重合体より構成される高分子において発現し得、その構造様態は大きく共連続構造m1、ラメラ構造m2、シリンダー構造m3、海島構造m4の4つに分類される図1。かかる相分離構造は、例えばアニュアルレビューオブフィジカルケミストリ-AnnualReviewofPhysicalChemistry411990p525等に記載がある。これらスルホン酸基を含有するセグメントB1とスルホン酸基を含有しないセグメントB2の高次構造や形状を制御することで、低加湿および低温条件下においても優れたプロトン伝導性が実現可能となるが、特にその構造が図1の、すなわち共連続、ラメラ構造の際、連続したプロトン伝導チャネルが形成されると同時にスルホン酸基を含有しないセグメントB2からなるドメインの結晶性より、プロトン伝導性に優れるだけでなく、極めて優れた燃料遮断性、耐溶剤性や機械強度、物理的耐久性を有した高分子電解質膜が実現可能となり得るため、好ましい。一方、図1のm3、m4すなわちシリンダー構造、海島構造の場合でも、連続したプロトン伝導チャネルを形成可能と考えられる。しかしながら、両構造ともに、スルホン酸基を含有するセグメント比率がスルホン酸基を含有しないセグメントに対して相対的に少ない場合、もしくはスルホン酸基を含有しないセグメント比率が、スルホン酸基を含有するセグメントに対して相対的に少ない場合に構築され得る構造であり、前者の場合、プロトン伝導を担うスルホン酸基量が絶対的に減少、特に海島構造では、連続したプロトン伝導チャネルそのものが形成されないため、プロトン伝導性に劣り、後者の場合、プロトン伝導性には優れるものの、結晶性の非イオン性ドメインが少ないため、燃料遮断性、耐溶剤性や機械強度、物理的耐久性に劣り、本発明の効果が十分に得られない。本発明から得られたブロック共重合体からなる高分子電解質膜としては、TEMによる観察を5万倍で行った場合に、相分離構造が観察され、画像処理により計測した平均層間距離または平均粒子間距離が8nm以上、100nm以下であるものが好ましい。中でも、平均層間距離または平均粒子間距離が10nm以上、50nm以下がより好ましく、最も好ましくは15nm以上、30nm以下である。透過型電子顕微鏡によって相分離構造が観察されない、または、平均層間距離または平均粒子間距離が8nm未満である場合には、イオンチャンネルの連続性が不足し、伝導度が不足する場合があるので好ましくない。また、層間距離が5000nmを越える場合には、機械強度や寸法安定性が不良となる場合があり、好ましくない。本発明から得られたブロック共重合体は、相分離構造を有しながら、結晶性を有することを特徴とし、示差走査熱量分析法DSCあるいは広角X線回折によって結晶性が認められる。すなわち、示差走査熱量分析法によって測定される結晶化熱量が0.1J/g以上、または、広角X線回折によって測定される結晶化度が0.5以上であるブロック共重合体である。本発明において、結晶性を有するとはポリマーが昇温すると結晶化されうる、結晶化可能な性質を有する、あるいは既に結晶化していることを意味する。また、非晶性ポリマーとは、結晶性ポリマーではない、実質的に結晶化が進行しないポリマーを意味する。従って、結晶性ポリマーであっても、結晶化が十分に進行していない場合には、ポリマーの状態としては非晶状態である場合がある。本発明の高分子電解質材料を高分子電解質膜に成型する方法に特に制限はないが、ケタール等の保護基を有する段階で、溶液状態より製膜する方法あるいは溶融状態より製膜する方法等が可能である。前者では、たとえば、該高分子電解質材料をN-メチル-2-ピロリドン等の溶媒に溶解し、その溶液をガラス板等の上に流延塗布し、溶媒を除去することにより製膜する方法が例示できる。製膜に用いる溶媒としては、高分子電解質材料を溶解し、その後に除去し得るものであればよく、例えば、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N-メチル-2-ピロリドン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、ヘキサメチルホスホントリアミド等の非プロトン性極性溶媒、γ-ブチロラクトン、酢酸ブチルなどのエステル系溶媒、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなどのカーボネート系溶媒、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル等のアルキレングリコールモノアルキルエーテル、あるいはイソプロパノールなどのアルコール系溶媒、水およびこれらの混合物が好適に用いられるが、非プロトン性極性溶媒が最も溶解性が高く好ましい。また、スルホン酸基を含有するセグメントB1の溶解性を高めるために、18-クラウンー6などのクラウンエーテルを添加することも好適である。また、本発明において、ブロック共重合を使用する場合には、溶媒の選択は相分離構造に対して重要であり、非プロトン性極性溶媒と極性の低い溶媒を混合して使用することも好適な方法である。必要な固形分濃度に調製したポリマー溶液を常圧の濾過もしくは加圧濾過などに供し、高分子電解質溶液中に存在する異物を除去することは強靱な膜を得るために好ましい方法である。ここで用いる濾材は特に限定されるものではないが、ガラスフィルターや金属性フィルターが好適である。該濾過で、ポリマー溶液が通過する最小のフィルターの孔径は、1μm以下が好ましい。濾過を行わないと異物の混入を許すこととなり、膜破れが発生したり、耐久性が不十分となるので好ましくない。次いで、得られた高分子電解質膜はスルホン酸基の少なくとも一部を金属塩の状態で熱処理することが好ましい。用いる高分子電解質材料が重合時に金属塩の状態で重合するものであれば、そのまま製膜、熱処理することが好ましい。金属塩の金属はスルホン酸と塩を形成しうるものであればよいが、価格および環境負荷の点からはLi、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Ti、V、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Zr、Mo、Wなどが好ましく、これらの中でもLi、Na、K、Ca、Sr、Baがより好ましく、Li、Na、Kがさらに好ましい。この熱処理の温度は好ましくは80~350°C、さらに好ましくは100~200°C、特に好ましくは120~150°Cである。熱処理時間は、好ましくは10秒~12時間、さらに好ましくは30秒~6時間、特に好ましくは1分~1時間である。熱処理温度が低すぎると、機械強度や物理的耐久性が不足する場合がある。一方、高すぎると膜材料の化学的分解が進行する場合がある。熱処理時間が10秒未満であると熱処理の効果が不足する。一方、12時間を超えると膜材料の劣化を生じやすくなる。熱処理により得られた高分子電解質膜は必要に応じて酸性水溶液に浸漬することによりプロトン置換することができる。この方法で成形することによって本発明の高分子電解質膜はプロトン伝導度と物理的耐久性をより良好なバランスで両立することが可能となる。本発明で使用される高分子電解質材料を膜へ転化する方法としては、該高分子電解質材料から構成される膜を前記手法により作製後、ケタールで保護したケトン部位の少なくとも一部を脱保護せしめ、ケトン部位とするものである。この方法によれば、溶解性に乏しいスルホン酸基を含有しないブロックを含むブロック共重合体の溶液製膜が可能となり、プロトン伝導性と機械強度、物理的耐久性を両立することができる。本発明の高分子電解質膜の膜厚としては、好ましくは1~2000μmのものが好適に使用される。実用に耐える膜の機械強度、物理的耐久性を得るには1μmより厚い方がより好ましく、膜抵抗の低減つまり発電性能の向上のためには2000μmより薄い方が好ましい。かかる膜厚のさらに好ましい範囲は3~50μm、特に好ましい範囲は10~30μmである。かかる膜厚は、溶液濃度あるいは基板上への塗布厚により制御することができる。また、本発明によって得られる高分子電解質膜には、通常の高分子化合物に使用される結晶化核剤、可塑剤、安定剤、酸化防止剤あるいは離型剤等の添加剤を、本発明の目的に反しない範囲内で添加することができる。また、本発明によって得られる高分子電解質膜には、前述の諸特性に悪影響をおよぼさない範囲内で機械的強度、熱安定性、加工性などの向上を目的に、各種ポリマー、エラストマー、フィラー、微粒子、各種添加剤などを含有させてもよい。また、微多孔膜、不織布、メッシュ等で補強しても良い。かかる高分子電解質膜を燃料電池として用いる際の高分子電解質膜と電極の接合法については特に制限はなく、公知の方法例えば、電気化学,198553p269記載の化学メッキ法、電気化学協会編JElectrochemSoc、エレクトロケミカルサイエンスアンドテクノロジーElectrochemicalScienceandTechnology19881359p2209記載のガス拡散電極の熱プレス接合法などを適用することが可能である。加熱プレスにより一体化する場合は、その温度や圧力は、電解質膜の厚さ、水分率、触媒層や電極基材により適宜選択すればよい。また、本発明では電解質膜が乾燥した状態または吸水した状態でもプレスによる複合化が可能である。具体的なプレス方法としては圧力やクリアランスを規定したロールプレスや、圧力を規定した平板プレスなどが挙げられ、工業的生産性やスルホン酸基を有する高分子材料の熱分解抑制などの観点から0°C~250°Cの範囲で行うことが好ましい。加圧は電解質膜や電極保護の観点からできる限り弱い方が好ましく、平板プレスの場合、10MPa以下の圧力が好ましく、加熱プレス工程による複合化を実施せずに電極と電解質膜を重ね合わせ燃料電池セル化することもアノード、カソード電極の短絡防止の観点から好ましい選択肢の一つである。この方法の場合、燃料電池として発電を繰り返した場合、短絡箇所が原因と推測される電解質膜の劣化が抑制される傾向があり、燃料電池として耐久性が良好となる。さらに、本発明の高分子電解質材料および高分子電解質膜を使用した固体高分子型燃料電池の用途としては、特に限定されないが、移動体の電力供給源が好ましいものである。特に、携帯電話、パソコン、PDA、テレビ、ラジオ、ミュージックプレーヤー、ゲーム機、ヘッドセット、DVDプレーヤーなどの携帯機器、産業用などの人型、動物型の各種ロボット、コードレス掃除機等の家電、玩具類、電動自転車、自動二輪、自動車、バス、トラックなどの車両や船舶、鉄道などの移動体の電力供給源、据え置き型の発電機など従来の一次電池、二次電池の代替、もしくはこれらとのハイブリット電源として好ましく用いられる。以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、各物性の測定条件は次の通りである。1イオン交換容量中和滴定により、単位グラムあたりのイオン交換容量meq/gを算出した。2プロトン伝導度膜状の試料を25°Cの純水に24時間浸漬した後、80°C、相対湿度25~95の恒温恒湿槽中にそれぞれのステップで30分保持し、定電位交流インピーダンス法でプロトン伝導度を測定した。測定装置としては、Solartron製電気化学測定システムSolartron1287ElectrochemicalInterfaceおよびSolartron1255BFrequencyResponseAnalyzerを使用し、2端子法で定電位インピーダンス測定を行い、プロトン伝導度を求めた。交流振幅は、50mVとした。サンプルは幅10mm、長さ50mmの膜を用いた。測定治具はフェノール樹脂で作製し、測定部分は開放させた。電極として、白金板厚さ100μm、2枚を使用した。電極は電極間距離10mm、サンプル膜の表側と裏側に、互いに平行にかつサンプル膜の長手方向に対して直交するように配置した。3数平均分子量、重量平均分子量ポリマーの数平均分子量、重量平均分子量をGPCにより測定した。紫外検出器と示差屈折計の一体型装置として東ソー製HLC-8022GPCを、またGPCカラムとして東ソー製TSKgelSuperHM-H内径6.0mm、長さ15cm2本を用い、N-メチル-2-ピロリドン溶媒臭化リチウムを10mmol/L含有するN-メチル-2-ピロリドン溶媒にて、サンプル濃度0.1wt、流量0.2mL/min、温度40°Cで測定し、標準ポリスチレン換算により数平均分子量、重量平均分子量を求めた。4膜厚ミツトヨ製グラナイトコンパレータスタンドBSG-20にセットしたミツトヨ製ID-C112型を用いて測定した。5透過電子顕微鏡TEMによる相分離構造の観察染色剤として2wt酢酸鉛水溶液中に試料片を浸漬させ、25°C下で24時間放置した。染色処理された試料を取りだし、可視硬化樹脂で包埋し、可視光を30秒照射し固定した。ウルトラミクロトームを用いて室温下で薄片100nmを切削し、得られた薄片をCuグリッド上に回収しTEM観察に供した。観察は加速電圧100kVで実施し、撮影は、写真倍率として×8000、×20000、×100000になるように撮影を実施した。機器としては、TEMH7100FA日立製作所社製を使用した。6ビスフェノール化合物の純度分析下記条件のガスクロマトグラフィーGCにより定量分析した。カラム:DB-5JW社製L=30mΦ=053mmD=150μmキャリヤー:ヘリウム線速度=350cmsec分析条件Inj.temp.300°CDetct.temp.320°COven50°C×1minRate10°C/minFinal300°C×15minSPratio50:17耐熱水性電解質膜の耐熱水性は95°C、熱水中での寸法変化率を測定することにより評価した。電解質膜を長さ約5cm、幅約1cmの短冊に切り取り、25°Cの水中に24時間浸漬後、ノギスで長さL1を測長した。該電解質膜を95°Cの熱水中に8時間浸漬後、再度ノギスで長さL2を測長し、その寸法変化の大きさを目視で観察した。8核磁気共鳴スペクトルNMR下記の測定条件で、1H-NMRの測定を行い、構造確認、およびスルホン酸基を含有する構成単位の確認を行った。装置:日本電子社製EX-270共鳴周波数:270MHz1H-NMR測定温度:室温溶解溶媒:DMSO-d6内部基準物質:TMS0ppm積算回数:16回また、下記の測定条件で、固体13C-CP/MASスペクトルの測定を行い、ケタール基の残存有無確認を行った。装置:Chemagnetics社製CMX-300Infinity測定温度:室温内部基準物質:Siゴム1.56ppm測定核:75.188829MHzパルス幅:90°パルス、4.5μsecパルス繰り返し時間:ACQTM=003413sec、PD9secスペクトル幅:30.003kHz試料回転:7kHzコンタクトタイム:4msec合成例1下記一般式G1で表される2,2-ビス4-ヒドロキシフェニル-1,3-ジオキソランK-DHBPの合成攪拌器、温度計及び留出管を備えた500mlフラスコに、4,4′-ジヒドロキシベンゾフェノン495g、エチレングリコール134g、オルトギ酸トリメチル969g及びp-トルエンスルホン酸1水和物050gを仕込み溶解する。その後78~82°Cで2時間保温攪拌した。更に、内温を120°Cまで徐々に昇温、ギ酸メチル、メタノール、オルトギ酸トリメチルの留出が完全に止まるまで加熱した。この反応液を室温まで冷却後、反応液を酢酸エチルで希釈し、有機層を5炭酸カリウム水溶液100mlで洗浄し分液後、溶媒を留去した。残留物にジクロロメタン80mlを加え結晶を析出させ、濾過し、乾燥して2,2-ビス4-ヒドロキシフェニル-1,3-ジオキソラン520gを得た。この結晶をGC分析したところ998の2,2-ビス4-ヒドロキシフェニル-1,3-ジオキソランと02の4,4′-ジヒドロキシベンゾフェノンであった。合成例2下記一般式G2で表されるジソジウム3,3’-ジスルホネート-4,4’-ジフルオロベンゾフェノンの合成4,4’-ジフルオロベンゾフェノン109.1gアルドリッチ試薬を発煙硫酸50SO3150mL和光純薬試薬中、100°Cで10h反応させた。その後、多量の水中に少しずつ投入し、NaOHで中和した後、食塩200gを加え合成物を沈殿させた。得られた沈殿を濾別し、エタノール水溶液で再結晶し、上記一般式H1で示されるジソジウム3,3’-ジスルホネート-4,4’-ジフルオロベンゾフェノンを得た。純度は99.3であった。構造は1H-NMRで確認した。不純物はキャピラリー電気泳動有機物およびイオンクロマトグラフィー無機物で定量分析を行った。実施例1下記一般式G2で表されるテトラソジウム3,53’5’-テトラスルホネート-4,4’-ジフルオロベンゾフェノンの合成かき混ぜ機、濃縮管を備えた1000mL三口フラスコに、4,4’-ジフルオロベンゾフェノン109.1gアルドリッチ試薬、発煙硫酸60SO3210mLアルドリッチ試薬を加え、濃縮管上部に接続した窒素導入管、および、系外に向けたバブラーに向けて、激しく窒素を流しながら、180°Cで24h反応させた。この際、窒素を激しく流すことにより、三酸化硫黄の蒸発は抑制されていた。多量の水中に少しずつ投入し、NaOHで中和した後、エタノールで硫酸ナトリウムを3回析出させて除去し、下記式G2で示されるスルホン酸基含有芳香族化合物を得た。構造は1H-NMRで確認した。原料、ジスルホン化物、トリスルホン化物は全く認められず、高純度のテトラスルホン化物を得ることができた。比較例1特開2007-84739号公報記載の方法で、前記式G2の合成を試みた。すなわち、4,4’-ジフルオロベンゾフェノン109.1g、発煙硫酸50SO3150mLおよび三酸化硫黄50gを、180°Cで24h反応させた。その後、多量の水中に少しずつ投入し、NaOHで中和した後、食塩200gを加え合成物を沈殿させた。得られた沈殿を濾別することにより、精製を行った。4,4’-ジフルオロベンゾフェノンのジスルホン化物が主生成物であり、トリスルホン化物とテトラスルホン化物が少量確認された。特開2007-84739号公報記載のとおり、ジスルホン化物、トリスルホン化物、テトラスルホン化物の混合物しか得ることができず、ビスフェノールとのモル量を厳密に合わせることができず、このモノマー混合物を用いて高分子量体を得ることは困難であった。実施例2下記一般式G3で表されるテトラソジウム3,53’5’-テトラスルホネート-4,4’-ジクロロジフェニルスルホンの合成かき混ぜ機、濃縮管を備えた1000mL三口フラスコに、4,4’-ジクロロジフェニルスルホン143.6gアルドリッチ試薬、発煙硫酸60SO3210mLアルドリッチ試薬を加え、濃縮管上部に接続した窒素導入管、および、系外に向けたバブラーに向けて、激しく窒素を流しながら、200°Cで24h反応させた。この際、窒素を激しく流すことにより、三酸化硫黄の蒸発は抑制されていた。多量の水中に少しずつ投入し、NaOHで中和した後、エタノールで硫酸ナトリウムを3回析出させて除去し、下記式G3で示されるスルホン酸基含有芳香族化合物を得た。構造は1H-NMRで確認した。原料、ジスルホン化物、トリスルホン化物は全く認められず、高純度のテトラスルホン化物を得ることができた。実施例3下記一般式G4で表されるテトラソジウム3,53’5’-テトラスルホネート-4,4’-ジフルオロビフェニルの合成かき混ぜ機、濃縮管を備えた1000mL三口フラスコに、4,4’-ジフルオロビフェニル95.0gアルドリッチ試薬、発煙硫酸60SO3210mLアルドリッチ試薬を加え、濃縮管上部に接続した窒素導入管、および、系外に向けたバブラーに向けて、激しく窒素を流しながら、160°Cで24h反応させた。この際、窒素を激しく流すことにより、三酸化硫黄の蒸発は抑制されていた。多量の水中に少しずつ投入し、NaOHで中和した後、エタノールで硫酸ナトリウムを3回析出させて除去し、下記式G4で示されるスルホン酸基含有芳香族化合物を得た。構造は1H-NMRで確認した。原料、ジスルホン化物、トリスルホン化物は全く認められず、高純度のテトラスルホン化物を得ることができた。実施例4下記式G5で表されるスルホン酸基含有ポリマー一般式中、はその位置で上一般式の右端と下一般式の左端とが結合していることを表す。かき混ぜ機、窒素導入管、Dean-Starkトラップを備えた500mL三口フラスコに、炭酸カリウム5.5g、前記合成例1で得た2,2-ビス4-ヒドロキシフェニル-1,3-ジオキサン混合物5.2g、4,4’-ジフルオロベンゾフェノン2.2g、および前記実施例1で得た、上記式G2で示されるスルホン酸基含有芳香族化合物6.3g、18-クラウン-6-エーテル2.6gを用いて、N-メチルピロリドンNMP50mL/トルエン40mL中、180°Cで脱水後、昇温してトルエン除去、240°Cで3時間重合を行った。多量の水で再沈することで精製を行い、ケタール基を有する前駆体ポリマーを得た。重量平均分子量は22万であった。得られた前駆体ポリマーを溶解させた25重量N-メチルピロリドンNMP溶液をガラス基板上に流延塗布し、100°Cにて4h乾燥後、窒素下150°Cで30分間熱処理し、膜を得た。成型前のスルホン酸基含有ポリマーの溶解性は極めて良好であった。25°Cで10重量硫酸水溶液に24時間浸漬してプロトン置換、脱保護反応した後に、大過剰量の純水に24時間浸漬して充分洗浄することにより、上記式G5で表されるスルホン酸基含有ポリマーからなる高分子電解質膜を得た。前記式G5で表されるスルホン酸基含有ポリマーは、スルホン酸基を含有する構成単位のなかで、前記一般式S1で表される構成単位を100モル含有していた。得られた膜は膜厚25μm、中和滴定から求めたイオン交換容量は3.4meq/g、ケタール基の残存は認められなかった。自立膜であり、目視では透明で均一な膜であった。プロトン伝導度は、80°C、相対湿度85で410mS/cm、80°C、相対湿度25で1mS/cmであり、低加湿プロトン伝導性に優れていた。実施例5下記一般式G6で表されるスルホン酸基を含有しないオリゴマーa1’の合成かき混ぜ機、窒素導入管、Dean-Starkトラップを備えた1000mL三口フラスコに、炭酸カリウム16.59gアルドリッチ試薬、120mmol、前記合成例1で得たK-DHBP25.8g100mmolおよび4,4’-ジフルオロベンゾフェノン20.3gアルドリッチ試薬、93mmolを入れ、窒素置換後、N-メチルピロリドンNMP300mL、トルエン100mL中で160°Cで脱水後、昇温してトルエン除去、180°Cで1時間重合を行った。多量のメタノールで再沈殿することで精製を行い、スルホン酸基を含有しないオリゴマーa1末端ヒドロキシル基を得た。数平均分子量は10000であった。かき混ぜ機、窒素導入管、Dean-Starkトラップを備えた500mL三口フラスコに、炭酸カリウム1.1gアルドリッチ試薬、8mmol、スルホン酸基を含有しない前記オリゴマーa1末端ヒドロキシル基を20.0g2mmolを入れ、窒素置換後、N-メチルピロリドンNMP100mL、シクロヘキサン30mL中で100°Cで脱水後、昇温してシクロヘキサン除去し、デカフルオロビフェニル4.0gアルドリッチ試薬、12mmolを入れ、105°Cで1時間反応を行った。多量のイソプロピルアルコールで再沈殿することで精製を行い、下記式G6で示されるスルホン酸基を含有しないオリゴマーa1’末端フルオロ基を得た。数平均分子量は11000であり、スルホン酸基を含有しないオリゴマーa1の数平均分子量は、リンカー部位分子量630を差し引いた値10400と求められた。下記一般式G7で表されるスルホン酸基を含有するオリゴマーa2の合成かき混ぜ機、窒素導入管、Dean-Starkトラップを備えた1000mL三口フラスコに、炭酸カリウム41.5gアルドリッチ試薬、300mmol、前記合成例1で得たK-DHBP12.9g50mmolおよび4,4’-ビフェノール9.3gアルドリッチ試薬、50mmol、前記実施例1で得たスルホン酸基含有芳香族化合物58.3g93mmol、および18-クラウン-6、49.1g和光純薬186mmolを入れ、窒素置換後、N-メチルピロリドンNMP400mL、トルエン150mL中で170°Cで脱水後、昇温してトルエン除去、220°Cで1時間重合を行った。多量のイソプロピルアルコールで再沈殿することで精製を行い、下記式G7で示されるスルホン酸基を含有するオリゴマーa2末端ヒドロキシル基を得た。数平均分子量は16000であった。式G7において、Mは、NaまたはKを表す。スルホン酸基を含有するセグメントB1としてオリゴマーa2、スルホン酸基を含有しないセグメントB2としてオリゴマーa1、リンカー部位としてオクタフルオロビフェニレンを含有するブロック共重合体b1の合成かき混ぜ機、窒素導入管、Dean-Starkトラップを備えた500mL三口フラスコに、炭酸カリウム0.56gアルドリッチ試薬、4mmol、スルホン酸基を含有するオリゴマーa2末端ヒドロキシル基16g1mmolを入れ、窒素置換後、N-メチルピロリドンNMP100mL、シクロヘキサン30mL中で100°Cで脱水後、昇温してシクロヘキサン除去し、スルホン酸基を含有しないオリゴマーa1’末端フルオロ基11g1mmolを入れ、105°Cで24時間反応を行った。多量のイソプロピルアルコールで再沈殿することで精製を行い、ブロック共重合体b1を得た。重量平均分子量は23万であった。得られたブロックポリマーb1を溶解させた25重量N-メチルピロリドンNMP溶液をガラス繊維フィルターを用いて加圧ろ過後、ガラス基板上に流延塗布し、100°Cにて4h乾燥後、窒素下150°Cで10分間熱処理し、ポリケタールケトン膜膜厚25μmを得た。ポリマーの溶解性は極めて良好であった。95°Cで10重量硫酸水溶液に24時間浸漬してプロトン置換、脱保護反応した後に、大過剰量の純水に24時間浸漬して充分洗浄し、高分子電解質膜を得た。スルホン酸基を含有する構成単位のなかで、前記一般式S1で表される構成単位を100モル含有していた。中和滴定から求めたイオン交換容量は2.5meq/g、ケタール基の残存は認められなかった。極めて強靱な電解質膜であり、目視では透明で均一な膜であった。プロトン伝導度は、80°C、相対湿度85で900mS/cm、80°C、相対湿度25で50mS/cmであり、低加湿プロトン伝導性に優れていた。また、寸法変化率は15と小さく、耐熱水性にも優れていた。さらに、TEM観察において、ドメインサイズ25nmの共連続様の相分離構造が確認できた。スルホン酸基を含有するドメイン、スルホン酸基を含有しないドメインともに連続相を形成していた。実施例6前記一般式G6で表されるスルホン酸基を含有しないオリゴマーa3’の合成4,4’-ジフルオロベンゾフェノンの仕込量を20.7gアルドリッチ試薬、95mmolに変えた以外は実施例1に記載の方法で、スルホン酸基を含有しないオリゴマーa3末端ヒドロキシル基の合成を行った。数平均分子量は15000であった。また、スルホン酸基を含有しない前記オリゴマーa1末端ヒドロキシル基に変えて、スルホン酸基を含有しない前記オリゴマーa3末端ヒドロキシル基30.0g2mmolを仕込む以外は、実施例1に記載の方法で、前記式G6で示されるスルホン酸基を含有しないオリゴマーa3’末端フルオロ基の合成を行った。数平均分子量は16000であり、スルホン酸基を含有しないオリゴマーa3の数平均分子量は、リンカー部位分子量630を差し引いた値15400と求められた。前記一般式G7で表されるスルホン酸基を含有するオリゴマーa4の合成前記実施例1で得たスルホン酸基含有芳香族化合物の仕込量を59.5g95mmol、ビスフェノール類の仕込量をK-DHBP25.8g100mmolに変えた以外は、実施例1に記載の方法で、前記式G7で示されるスルホン酸基を含有するオリゴマーa4末端ヒドロキシル基を得た。数平均分子量は21000であった。スルホン酸基を含有するセグメントB1としてオリゴマーa4、スルホン酸基を含有しないセグメントB2としてオリゴマーa3、リンカー部位としてオクタフルオロビフェニレンを含有するブロック共重合体b2の合成スルホン酸基を含有するオリゴマーa2末端ヒドロキシル基に変えて、スルホン酸基を含有するオリゴマーa4末端ヒドロキシル基を21g1mmolを入れ、スルホン酸基を含有しないオリゴマーa1’末端フルオロ基に変えて、スルホン酸基を含有しないオリゴマーa3’末端フルオロ基16g1mmolを入れた以外は実施例5に記載の方法で、ブロック共重合体b2を得た。重量平均分子量は25万であった。得られたブロックポリマーb2を溶解させた25重量N-メチルピロリドンNMP溶液を用いて、実施例5に記載の方法で、高分子電解質膜の製膜を行った。スルホン酸基を含有する構成単位のなかで、前記一般式S1で表される構成単位を100モル含有していた。中和滴定から求めたイオン交換容量は2.2meq/g、ケタール基の残存は認められなかった。極めて強靱な電解質膜であり、目視では透明で均一な膜であった。プロトン伝導度は、80°C、相対湿度85で600mS/cm、80°C、相対湿度25で20mS/cmであり、低加湿プロトン伝導性に優れていた。また、寸法変化率は10と小さく、耐熱水性にも優れていた。さらに、TEM観察において、ドメインサイズ35nmの共連続様の相分離構造が確認できた。スルホン酸基を含有するドメイン、スルホン酸基を含有しないドメインともに連続相を形成していた。実施例6前記一般式G6で表されるスルホン酸基を含有しないオリゴマーa5’の合成4,4’-ジフルオロベンゾフェノンの仕込量を20.7gアルドリッチ試薬、95mmolに変えた以外は実施例1に記載の方法で、スルホン酸基を含有しないオリゴマーa5末端ヒドロキシル基の合成を行った。数平均分子量は15000であった。また、スルホン酸基を含有しない前記オリゴマーa1末端ヒドロキシル基に変えて、スルホン酸基を含有しない前記オリゴマーa5末端ヒドロキシル基30.0g2mmolを仕込む以外は、実施例1に記載の方法で、前記式G6で示されるスルホン酸基を含有しないオリゴマーa5’末端フルオロ基の合成を行った。数平均分子量は16000であり、スルホン酸基を含有しないオリゴマーa5の数平均分子量は、リンカー部位分子量630を差し引いた値15400と求められた。スルホン酸基を含有するオリゴマーa6の合成前記実施例1で得たスルホン酸基含有芳香族化合物の仕込量を30.0g47.5mmolに変え、合成例2で得た、前記式H1で示されるジソジウム3,3’-ジスルホネート-4,4’-ジフルオロベンゾフェノン20.1g47.5mmolを追加し、ビスフェノール類の仕込量をK-DHBP25.8g100mmolに変えた以外は、実施例5に記載の方法で、スルホン酸基を含有するオリゴマーa6末端ヒドロキシル基を得た。数平均分子量は20000であった。スルホン酸基を含有するセグメントB1としてオリゴマーa6、スルホン酸基を含有しないセグメントB2としてオリゴマーa5、リンカー部位としてオクタフルオロビフェニレンを含有するブロック共重合体b3の合成スルホン酸基を含有するオリゴマーa2末端ヒドロキシル基に変えて、スルホン酸基を含有するオリゴマーa6末端ヒドロキシル基を20g1mmolを入れ、スルホン酸基を含有しないオリゴマーa1’末端フルオロ基に変えて、スルホン酸基を含有しないオリゴマーa5’末端フルオロ基16g1mmolを入れた以外は実施例5に記載の方法で、ブロック共重合体b3を得た。重量平均分子量は32万であった。得られたブロックポリマーb3を溶解させた25重量N-メチルピロリドンNMP溶液を用いて、実施例5に記載の方法で、高分子電解質膜の製膜を行った。スルホン酸基を含有する構成単位のなかで、前記一般式S1で表される構成単位を50モル含有していた。中和滴定から求めたイオン交換容量は1.8meq/g、ケタール基の残存は認められなかった。極めて強靱な電解質膜であり、目視では透明で均一な膜であった。プロトン伝導度は、80°C、相対湿度85で450mS/cm、80°C、相対湿度25で9mS/cmであり、低加湿プロトン伝導性に優れていた。また、寸法変化率は7と小さく、耐熱水性にも優れていた。さらに、TEM観察において、ドメインサイズ30nmの共連続様の相分離構造が確認できた。スルホン酸基を含有するドメイン、スルホン酸基を含有しないドメインともに連続相を形成していた。実施例7前記一般式G6で表されるスルホン酸基を含有しないオリゴマーa7’の合成4,4’-ジフルオロベンゾフェノンの仕込量を20.7gアルドリッチ試薬、95mmolに変えた以外は実施例1に記載の方法で、スルホン酸基を含有しないオリゴマーa5末端ヒドロキシル基の合成を行った。数平均分子量は15000であった。また、スルホン酸基を含有しない前記オリゴマーa1末端ヒドロキシル基に変えて、スルホン酸基を含有しない前記オリゴマーa5末端ヒドロキシル基30.0g2mmolを仕込む以外は、実施例1に記載の方法で、前記式G6で示されるスルホン酸基を含有しないオリゴマーa5’末端フルオロ基の合成を行った。数平均分子量は16000であり、スルホン酸基を含有しないオリゴマーa5の数平均分子量は、リンカー部位分子量630を差し引いた値15400と求められた。スルホン酸基を含有するオリゴマーa8の合成前記実施例1で得たスルホン酸基含有芳香族化合物の仕込量を17.9g28.5mmolに変え、合成例2で得た、前記式H1で示されるジソジウム3,3’-ジスルホネート-4,4’-ジフルオロベンゾフェノン28.1g66.5mmolを追加し、ビスフェノール類の仕込量をK-DHBP25.8g100mmolに変えた以外は、実施例5に記載の方法で、スルホン酸基を含有するオリゴマーa6末端ヒドロキシル基を得た。数平均分子量は19000であった。スルホン酸基を含有するセグメントB1としてオリゴマーa6、スルホン酸基を含有しないセグメントB2としてオリゴマーa5、リンカー部位としてオクタフルオロビフェニレンを含有するブロック共重合体b4の合成スルホン酸基を含有するオリゴマーa2末端ヒドロキシル基に変えて、スルホン酸基を含有するオリゴマーa8末端ヒドロキシル基を19g1mmolを入れ、スルホン酸基を含有しないオリゴマーa1’末端フルオロ基に変えて、スルホン酸基を含有しないオリゴマーa7’末端フルオロ基16g1mmolを入れた以外は実施例5に記載の方法で、ブロック共重合体b4を得た。重量平均分子量は36万であった。得られたブロックポリマーb4を溶解させた25重量N-メチルピロリドンNMP溶液を用いて、実施例5に記載の方法で、高分子電解質膜の製膜を行った。スルホン酸基を含有する構成単位のなかで、前記一般式S1で表される構成単位を30モル含有していた。中和滴定から求めたイオン交換容量は1.7meq/g、ケタール基の残存は認められなかった。極めて強靱な電解質膜であり、目視では透明で均一な膜であった。プロトン伝導度は、80°C、相対湿度85で250mS/cm、80°C、相対湿度25で2mS/cmであり、低加湿プロトン伝導性に比較的優れていた。また、寸法変化率は6と小さく、耐熱水性にも優れていた。さらに、TEM観察において、ドメインサイズ25nmの共連続様の相分離構造が確認できた。スルホン酸基を含有するドメイン、スルホン酸基を含有しないドメインともに連続相を形成していた。比較例2市販のナフィオン登録商標NRE211CS膜デュポン社製を用い、各種特性を評価した。中和滴定から求めたイオン交換容量は0.9meq/gであった。目視では透明で均一な膜であり、TEM観察において明確な相分離構造は確認されなかった。プロトン伝導度は、80°C、相対湿度85で100mS/cm、80°C、相対湿度25で3mS/cmであった。また、熱水中に浸漬すると激しく膨潤し、取り扱いが困難で掴むと破れてしまうこともあった。比較例3スルホン酸基およびケタール基を含有しないポリエーテルケトンオリゴマーc1の合成K-DHBP25.8g100mmolに変えて、DHBP21.4g100mmolを入れた以外は実施例5に記載の方法でスルホン酸基を含有しないポリエーテルケトンオリゴマーの合成を試みた。重合初期段階から、オリゴマーが析出し、重合が困難であった。また、オリゴマーは溶剤不溶性のためブロックポリマーの重合は困難であり、電解質膜として評価できなかった。比較例4ジャーナルオブポリマーサイエンスAポリマーケミストリーJournalofPolymerScienceAPolymerChemistry4827572010に記載の方法で、ポリエーテルスルホン系のブロック共重合体の合成を行った。すなわち、まず、4,4-ジクロロジフェニルスルホンを発煙硫酸中で反応させ、反応終了後、塩化ナトリウムを用いて塩析を行うことにより、3,3-ジスルホン酸ナトリウム塩-4,4-ジクロロジフェニルスルホン以下、SDCDPSと称するを得た。次いで、窒素雰囲気下、ディーンスターク管を付けた一口なすフラスコに前記SDCDPS3.16g6.0mmol、4,4-ビフェノール1.34g7.2mmol、炭酸カリウム1.49g10.8mmol、NMP23ml、トルエン20mlを仕込み、150°Cにて2時間保温することにより系中の水分を共沸除去した。その後180°Cまで昇温し、16時間反応させた。放冷後、反応液を水に注ぎ、塩化カリウムを加えた。ろ過で析出物を回収し、60°Cにて減圧乾燥することで両末端がOH基の親水性オリゴマーを得た。次に、窒素雰囲気下、ディーンスターク管を付けた一口なすフラスコに4,4-ジクロロジフェニルスルホン4.31g15.0mmol、4,4-ビフェノール3.05g16.4mmol、炭酸カリウム3.39g24.5mmol、NMP35ml、トルエン20mlを仕込み、150°Cにて2時間保温することにより系中の水分を共沸除去した。その後180°Cまで昇温し、12時間反応させた。放冷後、反応液を水に注ぎ、得られた沈殿物をろ過し、さらにメタノール洗浄を行った。そして、100°Cにて減圧乾燥することで両末端にOH基を有する疎水性オリゴマーを得た。窒素雰囲気下、三方コックを付けた一口なすフラスコに上記親水性オリゴマーを0.45g、疎水性オリゴマーを0.20g、NMP5.5mlを仕込み、80°Cで親水性オリゴマーと、疎水性オリゴマーを溶解させた。空冷後、デカフルオロビフェニル0.02g0.06mmolと炭酸カリウム0.01g0.07mmolを加え、120°Cで18時間反応させた。放冷後、反応液をNMPで希釈し、イソプロパノールに注ぎ、得られた沈殿をろ過、水で洗浄した。次に、得られたポリマーの酸処理を行った。得られたポリマーを、室温で2日間、1.0M硫酸水溶液中で攪拌した後、ろ過によりポリマーを回収した。そして、ポリマーを純水でよく洗浄し、60°Cで10時間乾燥することにより薄茶色のポリマーを得た。重量平均分子量は15万であり、高分子量化は困難であった。さらに、得られたポリマーを濃硫酸中、45°Cで6時間反応させることにより、ビフェニルユニットをスルホン化し、純水で十分に洗浄した。中和滴定から求めたイオン交換容量は2.7meq/gであった。硬くて脆い電解質膜であり、目視では不透明で不均一な膜であった。プロトン伝導度は、80°C、相対湿度85で200mS/cm、80°C、相対湿度25で0.1mS/cmであり、実施例1~4に比べて、低加湿プロトン伝導性に劣っていた。また、寸法変化率L2/L1は150と大きく、耐熱水性に劣っていた。比較例5下記式G8で表されるスルホン酸基を含有しないオリゴマーc2’の合成K-DHBP25.8g100mmolに変えて、22ビスヘキサフルオロプロパン33.6100mmolを加えた以外は実施例1に記載の方法で、スルホン酸基を含有しないオリゴマーc2末端ヒドロキシル基の合成を行った。数平均分子量は13000であった。また、スルホン酸基を含有しない前記オリゴマーa1末端ヒドロキシル基に変えて、スルホン酸基を含有しない前記オリゴマーc2末端ヒドロキシル基2mmolを仕込む以外は、実施例2に記載の方法で、前記式G8で示されるスルホン酸基を含有しないオリゴマーc2’末端フルオロ基の合成を行った。数平均分子量は14000であり、スルホン酸基を含有しないオリゴマーc2’の数平均分子量は、リンカー部位分子量630を差し引いた値13400と求められた。下記一般式G9で表されるスルホン酸基を含有するオリゴマーc3の合成K-DHBP12.9g50mmolおよび4,4’-ビフェノール9.3gアルドリッチ試薬、50mmolに変えて、22ビスヘキサフルオロプロパン33.6100mmolを加えた以外は、実施例1に記載の方法で、前記式G9で示されるスルホン酸基を含有するオリゴマーc3末端ヒドロキシル基を得た。数平均分子量は19000であった。ブロック共重合体d1の合成スルホン酸基を含有するオリゴマーa2末端ヒドロキシル基に変えて、スルホン酸基を含有するオリゴマーc3末端ヒドロキシル基を19g1mmolを入れ、スルホン酸基を含有しないオリゴマーa1’末端フルオロ基に変えて、スルホン酸基を含有しないオリゴマーc2’末端フルオロ基14g1mmolを入れた以外は実施例4に記載の方法で、ブロック共重合体d1を得た。重量平均分子量は16万であった。得られたブロックポリマーd1を溶解させた25重量N-メチルピロリドンNMP溶液を用いて、実施例1に記載の方法で、高分子電解質膜の製膜を行った。スルホン酸基を含有する構成単位のなかで、前記一般式S1で表される構成単位を0モル含有していた。中和滴定から求めたイオン交換容量は2.3meq/gであった。また、熱水中に浸漬すると激しく膨潤し、取り扱いが困難で掴むと破れてしまうこともあった。"