"半導体基板に設けられ、入射光に応じて信号電荷を生成する光電変換部と、該光電変換部の上方に開口が設けられた遮光膜とを備える固体撮像素子の製造方法であって、前記遮光膜を形成する工程と、前記開口と前記遮光膜とを覆うように上方に、単層又は複数層からなる第1の絶縁膜を成膜し、前記第1の絶縁膜のリフローを行う工程と、前記第1の絶縁膜をエッチングすることで、前記第一の絶縁膜を前記遮光膜の側部にのみ残す工程と、エッチングの後で、前記光電変換部の上方に前記第1の絶縁膜と同種の第2の絶縁膜を成膜する工程と、前記第2の絶縁膜の上に屈折率が異なる他の絶縁膜を成膜する工程と、を有し、このとき、前記第2の絶縁膜の上の前記他の絶縁膜に前記光電変換部側に突出するレンズ部を形成し、該レンズ部を前記第2の絶縁膜の表面形状に応じた形状とする固体撮像素子の製造方法。請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法であって、前記第1の絶縁膜は、BPSG膜もしくはSOG膜の単層、又は、酸化膜とBPSG膜との複数層もしくは酸化膜とSOG膜との複数層である固体撮像素子の製造方法。請求項1又は2に記載の固体撮像素子の製造方法であって、前記第2の絶縁膜は、TEOSを用いたCVD、又は、モノシランを用いたプラズマCVDによって成膜された酸化膜である固体撮像素子の製造方法。請求項1から3のいずれか1項に記載の固体撮像素子の製造方法であって、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜は、酸化膜である固体撮像素子の製造方法。請求項1から4のいずれか1項に記載の固体撮像素子の製造方法であって、前記第2の絶縁膜の上の前記他の絶縁膜が窒化膜であり、前記半導体基板上に予め下地となる窒化膜を形成し、前記第1の絶縁膜をエッチングする際に、前記窒化膜でエッチングを停止する固体撮像素子の製造方法。半導体基板に設けられ、入射光に応じて信号電荷を生成する光電変換部と、転送電極を覆い、かつ、前記光電変換部の上方に開口が設けられた遮光膜とを備える固体撮像素子であって、前記遮光膜の側部に単層又は複数層からなる第1の絶縁膜からなるサイドウォールと、前記サイドウォールと前記遮光膜とを覆う第2の絶縁膜と、前記開口と前記遮光膜とを覆うように設けられた、前記第2の絶縁膜とは屈折率が異なる他の絶縁膜と、を備え、前記第2の絶縁膜上の前記他の絶縁膜が、前記光電変換部側に突出するレンズ部を有し、該レンズ部が前記第2の絶縁膜の表面形状に応じた形状である固体撮像素子。しかし、従来技術の製造手順では、スミアの発生の低減に一定の効果は得られるものの、レンズ部126aの形状の制御性が十分ではなく、画素部ごとにレンズ部126aの形状にばらつきが生じる点で改善の余地があった。また、かかる形状のばらつきに起因してレンズ部126aを高精度にて位置決めすることが困難であった。レンズ形状やレンズ位置のばらつきが大きくなると、入射光が乱れることから、スミアが発生しやすくなってしまう。或いは、従来技術の他の製造手順では、スミア発生の低減を目的に、層間絶縁膜122のリフロー後に、該層間絶縁膜122をエッチングして、一部除去し、更にリフローすることによりレンズ部126aを深く形成することも提案されているが、この方法だと、レンズ部126aの形状の制御性は更に低下する。そのことから、本発明は、スミア発生の更なる低減を目的に、層内レンズの形状のばらつきを少なくしつつも、レンズ部を更に深く形成することができる固体撮像素子の製造方法及び固体撮像素子を提供することにある。上記目的を解決する方途として、本発明は、半導体基板に設けられ、入射光に応じて信号電荷を生成する光電変換部と、前記光電変換部の上方に開口が設けられた遮光膜とを備える固体撮像素子の製造方法であって、前記遮光膜を形成する工程と、前記開口と前記遮光膜とを覆うように上方に、単層又は複数層からなる第1の絶縁膜を成膜し、前記第1の絶縁膜のリフローを行う工程と、前記第1の絶縁膜をエッチングすることで、前記第1の絶縁膜を前記遮光膜の側部にのみ残す工程と、エッチングの後で、前記光電変換部の上方に前記第1の絶縁膜と同種の第2の絶縁膜を成膜する工程と、前記第2の絶縁膜の上に屈折率が異なる他の絶縁膜を成膜する工程とを有し、このとき、前記第2の絶縁膜の上の前記他の絶縁膜に前記光電変換部側に突出するレンズ部を形成し、該レンズ部を前記第2の絶縁膜の表面形状に応じた形状とする固体撮像素子の製造方法である。なお、ここでいう上方とは、光電変換部からレンズに向かって離間する側をいうものであり、側部とは、遮光部の開口部内壁の光電変換部に近位の部分をいうものである。また、ここでいう同種の絶縁膜とは、構成材料は問わないが、第1の絶縁膜の屈折率との差が10以下の絶縁膜をいうものであり、屈折率が異なる他の絶縁膜とは、構成材料は問わないが、第2の絶縁膜とは屈折率が10を超えて異なる絶縁膜をいうものである。また、固体撮像素子の製造方法であって、前記第1の絶縁膜は、BPSG膜若しくはSOG膜の単層、又は、酸化膜とBPSG膜との複数層若しくは酸化膜とSOG膜との複数層である固体撮像素子の製造方法である。更に固体撮像素子の製造方法であって、前記第2の絶縁膜は、TEOSを用いたCVD、又は、モノシランを用いたプラズマCVDによって成膜された酸化膜である固体撮像素子の製造方法である。更にまた、固体撮像素子の製造方法であって、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜は酸化膜である固体撮像素子の製造方法である。加えて、固体撮像素子の製造方法であって、前記第2の絶縁膜の上の前記他の絶縁膜が窒化膜であり、前記半導体基板上に予め下地となる窒化膜を形成し、前記第1の絶縁膜をエッチングする際に、前記窒化膜でエッチングを停止する固体撮像素子の製造方法。また、半導体基板に設けられ、入射光に応じて信号電荷を生成する光電変換部と、転送電極を覆い、かつ、前記光電変換部の上方に開口が設けられた遮光膜とを備える固体撮像素子であって、前記遮光膜の側部に単層又は複数層からなる第1の絶縁膜からなるサイドウォールと、前記サイドウォールと前記遮光膜とを覆う第2の絶縁膜と、前記開口と前記遮光膜とを覆うように設けられた、前記第2の絶縁膜とは屈折率が異なる他の絶縁膜と、を備え、前記第2の絶縁膜上の前記他の絶縁膜が、前記光電変換部側に突出するレンズ部を有し、該レンズ部が前記第2の絶縁膜の表面形状に応じた形状である固体撮像素子である。画素部の両側の画素周辺部の側部にのみ残された第1の絶縁膜は、SOG膜、BPSG膜、あるいは、BSPG膜又はSOG膜と酸化膜とを組み合わせた膜等からなることが好ましい。本発明によれば、第1の絶縁膜をエッチングすることにより遮光膜の側部遮光膜の開口部内壁の画素部に近い部分にのみ第1の絶縁膜を残すことで、第1の絶縁膜からなるサイドウォールを形成する。このサイドウォールは層内レンズのレンズ形状の一部を規制する。その後、第1の絶縁膜が除去された部位に第2の絶縁膜が成膜される。第2の絶縁膜は、第1の絶縁膜からなるサイドウォールとともにレンズ形状をトレースする形状となっている。本発明によれば、層内レンズを備える固体撮像素子において、レンズ部の形状のばらつきを少なくし、レンズ部を深く形成することができる。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳しく説明する。図1は固体撮像素子の概略的な構成図である。図2は、図1に示した固体撮像素子の構成例を示す平面図である。図1に示すように、固体撮像素子100は、撮像素子形成領域31に、受光領域33、水平電荷転送部HCCD35、アンプ37、信号出力端子39が設けられている。受光領域33には、光電変換部41と、電荷読み出し部43と、垂直電荷転送部45が設けられている。固体撮像素子100は、図2に示すように、多数の光電変換部41が平面上に行方向矢印Xの方向及び列方向矢印Yの方向に沿って二次元配置された受光領域33を有している。各々の光電変換部41は、半導体で構成されるフォトダイオードPDを備えている。二次元配置された多数の光電変換部41のそれぞれが出力する信号電荷を固体撮像素子の出力端子から時系列のフレーム毎の信号として取り出すために、複数の垂直電荷転送部45と、ラインメモリ47と、水平電荷転送部35とが備わっている。ラインメモリ47に蓄積された1行分の信号電荷は、ラインメモリ47上から水平電荷転送部35に向かって転送され、その結果、水平電荷転送部35上に1行分の信号電荷が取り込まれる。水平電荷転送部35は、それ自身が保持している1行分の信号電荷を1画素単位で水平方向矢印X方向に順次に転送する。水平電荷転送部35を転送される信号電荷は、電圧に変換されて出力端子OUTから出力される。このような読み出し動作を実現するために必要な制御信号、すなわち、垂直転送制御信号φV通常は複数相の信号と、転送制御信号φLMと、水平転送制御信号φH通常は複数相の信号とがそれぞれ図示しないタイミング信号発生回路によって生成され、固体撮像素子の各垂直電荷転送部45と、ラインメモリ47と、水平電荷転送部35とにそれぞれ印加される。なお、ラインメモリ47は省略されて構成される場合もある。固体撮像素子100は、図2に示すように、多数の光電変換部41がハニカム状のパターン光電変換部の配置位置を各行毎で水平方向に半ピッチずらしたパターンを形成するように配置されている。また、図2中にG1、G2、B、Rで示すように、それぞれの光電変換部41は検出する色成分が予め定められている。すなわち、G1、G2の各光電変換部41は緑色成分、Bの各光電変換部41は青色成分、Rの各光電変換部41は赤色成分の光を検出する。これらの検出色は、各光電変換部41の受光面の前面に配置された光学フィルタの分光特性によって設定される。図2に示す例では、光電変換部41の列毎に区分して、4種類のフィルタ列FC1、FC2、FC3、FC4が配置してある。それぞれの光学フィルタは、所謂ベイヤー配列を45 ゚傾けた配列となっている。光学フィルタの配列は特に限定されない。垂直電荷転送部45は、光電変換部41の列毎に、各列と隣接する位置に蛇行する形状で形成されている。各々の垂直電荷転送部45は、半導体基板49に形成された垂直電荷転送チャネル51と、半導体基板49上に電気的絶縁膜図示せずを介して配置された電荷転送用の多数本の第1垂直転送電極53、第2垂直転送電極55、第1補助転送電極57、第2補助転送電極59、第3補助転送電極61とを備えている。水平電荷転送部35は、矢印X方向に向かって帯状に延在する1本の水平電荷転送チャネル63を有する。すなわち、各電極53,55,57,59,61に所定の電圧を印加して各垂直電荷転送チャネル51上に所定の電位分布を形成し、各電極に印加する電圧を順次に切り替えることにより、垂直電荷転送部VCCD45において各画素の信号電荷を目的の方向に向けて順次に転送することができる。第1垂直転送電極53及び第2垂直転送電極55は、光電変換部41の行毎にそれぞれ1つずつ形成されている。なお、各第1垂直転送電極53は、光電変換部41から垂直電荷転送部45の垂直電荷転送チャネル51への信号電荷の転送を制御するための読出しゲートとしても機能する。矢印Y方向に交互に並んでいる第2垂直転送電極55及び第1垂直転送電極53のそれぞれには、図2に示すように、4相の垂直転送制御信号駆動パルスとも称するφV1、φV2、φV3、φV4のいずれかが各第2垂直転送電極55及び第1垂直転送電極53の配置された位置関係に応じて印加される。同様に、第1補助転送電極57には垂直転送制御信号φV2が印加され、第2補助転送電極59には垂直転送制御信号φV3が印加され、第3補助転送電極61には垂直転送制御信号φV4が印加される。また、転送制御電極LM1及びLM2には、ラインメモリ47における信号電荷の転送を制御するために転送制御信号φLMが印加される。図3は、図2の矢印方向に視た断面図である。固体撮像素子100の1つの光電変換部41の断面は、半導体基板11に、埋め込み型のフォトダイオード12が形成されている。また、フォトダイオード12の表面側には薄いP型領域が形成されていてもよい。また、半導体基板11内には、図示しないが、電荷転送チャネルなどが不純物拡散領域によって形成されている。半導体基板11の表面にはゲート絶縁膜14が形成されている。ゲート絶縁膜14は、例えば、高耐圧である窒化シリコンSiN膜を酸化シリコンSiO膜で挟んでなる積層構造、所謂、ONO膜構造とすることができる。半導体基板11のゲート絶縁膜14上には、転送電極16が形成されている。転送電極16は、ポリシリコン又はシリサイドで形成されている。転送電極16の上方には該転送電極16の上部を覆う遮光膜18が形成される。遮光膜18は、フォトダイオード12の上方に開口が設けられている。転送電極16と遮光膜18は画素周辺部に含まれる。画素周辺部は、半導体基板11の表面に形成されたフォトダイオード12の領域以外の領域の上方に設けられている。画素周辺部を構成する膜や層は特に限定されない。フォトダイオード12の上方のゲート絶縁膜は、一旦、他の部位と同様にONO膜構造で形成した後、上方の酸化膜と窒化膜を除去し、その後、別の窒化膜を成膜している。この窒化膜は、画素周辺部では、転送電極16を覆うように形成された反射防止膜を構成する。また、この窒化膜は後述するように、エッチングのストッパとしても機能する。遮光膜18の側部にのみサイドウォール23が設けられている。サイドウォール23は絶縁膜第1の絶縁膜とする。で構成されている。この絶縁膜は、BPSG膜若しくはSOG膜の単層、又は、酸化膜とBPSG膜との複数層若しくは酸化膜とSOG膜との複数層によって構成されている。サイドウォール23は、遮光膜18と該遮光膜18の下地の膜すなわち反射防止膜との隅部を埋めつつ、遮光膜18の上側近傍からフォトダイオード12の上方に一部覆い被さるように形成された部位である。SOG膜及びBPSG膜や、これらからなるサイドウォール23を形成する手順については後述する。遮光膜18とサイドウォール23とを覆うように酸化膜24が設けられている。酸化膜24を第2の絶縁膜とする。この例では、酸化膜24は、予め成膜した下方の第1の絶縁膜が酸化膜であるため、それと同種の膜としている。しかし、下地と同種の絶縁膜を用いればよく、酸化膜に限定されない。ここで、同種の膜とは、化学式が同じで、かつ、膜の屈折率、透過率がほぼ同じ例えば±5以内の膜の意味である。酸化膜24上に窒化膜26が設けられている。窒化膜26は、遮光膜18の開口に位置し、フォトダイオード12の上方へ突出するレンズ部26aが形成されている。レンズ部26aは層内レンズとして機能する。レンズ部26aは、その表面形状つまり、レンズ形状が、遮光膜18の側部に形成されたサイドウォール23の表面形状に応じた形状である。なお、酸化膜24上に設ける窒化膜26は他の絶縁膜としてもよい。他の絶縁膜としては、この絶縁膜は、酸化膜24とは屈折率が異なるものを用いる。窒化膜26上には、平坦化層28が形成され、平坦化層28上に光学フィルタが形成されている。光学フィルタ上には、上凸状のマイクロレンズ29が、画素部ごとに形成されている。図4Aから4Eは、固体撮像素子の製造の際に層内レンズを形成する手順を説明する図である。図4Aから4Eの各図は、それぞれ1つの光電変換部41と、該光電変換部41の両側に隣り合う画素周辺部を示している。図4Aに示すように、半導体基板11にフォトダイオード12やその他の不純物拡散領域を形成し、その後、半導体基板11の表面にゲート絶縁膜14を形成する。フォトダイオード12上のゲート絶縁膜14は、他の領域のゲート絶縁膜14と同時にONO膜構造で形成した後、このONO膜構造のうち図示しない上側の酸化膜と窒化膜とを除去し、その後、別の窒化膜を形成する。この窒化膜を形成するとき、画素周辺部には、該窒化膜からなる反射防止膜を形成する。一方、画素周辺部では、ゲート絶縁膜を形成した後、該ゲート絶縁膜14上に転送電極16と、上記反射防止膜と、遮光膜18とを形成する。なお、ゲート絶縁膜14や転送電極16や遮光膜18を形成する手順は、公知の製造方法と同様の手順を適宜用いることができ、本発明においては特に限定されない。図4Bに示すように、遮光膜18の上方と、遮光膜18同士の間でゲート絶縁膜が露呈している領域の上方とを覆うように、酸化膜例えば、モノシラン系プラズマ酸化膜と、BPSG膜22とをこの順でCVDで成膜する。酸化膜とBPSG膜22とを成膜した後、リフローを行う。BPSG膜22は、リフローの熱によって溶融し、画素部の上方、つまり、画素周辺部同士の間の窪み部分に一部流れ込む。このためBPSG膜22は、遮光膜18の上方の膜厚よりも、フォトダイオード12の上方の膜厚が厚くなる。リフローの後、受光領域のBPSG膜22のエッチングを行う。図4Cに示すように、エッチングを行うことで、画素周辺部の側部にのみサイドウォール23を形成する。エッチングは、等方性エッチング、異方性エッチングのいずれを用いてもよいが、等方性エッチングを行うことで、酸化膜にリフローを行ったときの形状に、後工程で形成するレンズ部の形状をトレースすることができる。異方性エッチングを行うことで、レンズ部の深さ方向へ向かって除去させることができる。画素部及び画素周辺部からなる画素領域以外の領域はレジストで覆っている。ここで、サイドウォール23は、エッチングにより残った酸化膜、又は、該酸化膜とBPSG膜22によって構成されている。エッチングによって、遮光膜18の側部サイドウォール23が形成された部分以外の面が露呈する。エッチングを行う際には、フォトダイオード12の上方に予め下地として形成した窒化膜と酸化膜との選択比によって、該窒化膜をエッチングストッパとして用いることができる。なお、窒化膜をエッチングストッパにする以外の方法として、所定の量だけエッチングする時間を予め実験的に求め、この時間だけエッチング行い、時間経過後にエッチングを停止してもよい。エッチングの後、図4Dに示すように、遮光膜18と、該遮光膜18の側部と画素部の上方を全て覆うように、原料ガスとしてテトラエトキシシランを用いたプラズマCVDで酸化膜24を成膜する。酸化膜24は、先にBPSG膜22の前に成膜した酸化膜と同種のものを用いる。酸化膜24は、BPSG膜に比べて薄い膜厚で形成しやすい点で有利である。酸化膜24は、モノシラン系化合物を用いたプラズマCVDで成膜してもよい。酸化膜24を成膜した後、図4Eに示すように、酸化膜24上に、埋め込み材料である窒化膜26を成膜し、レジストエッチバックによって、窒化膜26を平坦化する。窒化膜26上には、図3示すように、光学フィルタとマイクロレンズ29を順に形成する。窒化膜26の一部が、画素部の上方における画素周辺部同士の間の窪みに入り込み、かつ、画素周辺部の側部の表面形状に応じたレンズ部26aを構成する。レンズ部26aは、酸化膜24と窒化膜26の屈折率差でレンズ効果を得ている。この手順によれば、エッチングによって画素部上の下地となる膜をエッチングすることで、レンズ部26aを下側画素部側に向かって深く形成することができる。エッチングの際には、画素周辺部における遮光膜18の側部にサイドウォール23を残すことで、後工程で形成するレンズ部26aのレンズ形状を確保しつつ、レンズ部26aの深さを画素部間でばらつくことないように一定に形成することができる。また、画素部上に形成された酸化膜24は、凸状のレンズ部26aの下側に突出した部分の下に位置し、その膜厚はエッチングによって制御される。層内レンズの下方の酸化膜に成膜、リフロー、エッチングを行う場合には、酸化膜を所定の膜厚に制御することが困難である。上記の手順によれば、レンズ部26の表面に接する酸化膜が成膜する工程によってのみ設けられており、酸化膜24を所望の厚みで成膜することができる。また、単一の成膜工程によってレンズ部26aの膜厚下側に突出した部分の厚みを決めることができる。このような手順で製造された固体撮像素子は、画素周辺部の側部にのみ、第1の絶縁膜、又は、該第1の絶縁膜とBPSG膜22とからなるサイドウォール23が形成されている。つまり、従来のように画素周辺部の上側にはBPSG膜22が形成されていない。このため、固体撮像素子の全体の厚さを薄くすることができる。なお、上記の例では、CCD型の固体撮像素子の構成を例に説明したが、本願は、CMOS型の固体撮像素子に適用することもできる。なお、CCD型の固体撮像素子の場合には、開口の位置に層内レンズを設けることでスミアの低減を図ることができる。次に、従来技術に従う製造方法により製造された撮像素子比較例及びこの発明に従う製造方法により製造された撮像素子実施例を、夫々試作し、評価に供したので、以下に説明する。比較例の撮像素子の製造工程では、まず、半導体基板の表面に埋め込み型のフォトダイオードを形成し、半導体基板上に絶縁膜と、転送電極と、転送電極を覆う遮光膜を形成した図5A参照。次いで、半導体基板の表面全面にBPSG膜を成膜し、リフローを行う図5B参照。その後、BPSG膜の上にプラズマCVDで窒化膜を成膜した。そして、BPSG膜の表面形状に応じたレンズ部を形成し、比較例の撮像素子を得た図5C参照。また、実施例の撮像素子の製造工程では、まず、半導体基板の表面に埋め込み型のフォトダイオードを形成し、半導体基板上に絶縁膜と、転送電極と、転送電極を覆う遮光膜を形成した図4A参照。次いで、半導体基板の表面全面にBPSG膜を成膜し、リフローを行った図4B参照。そして、受光領域のBPSG膜22のエッチングを行った図4C参照。その後、遮光膜と、該遮光膜の側部と画素部の上方を全て覆うように、TEOSを用いたプラズマCVDで酸化膜を成膜した図4D参照。そして、酸化膜上に、埋め込み材料である窒化膜を成膜し、レジストエッチバックによって、窒化膜を平坦化し、更に、窒化膜上にレンズ部を形成し、実施例の撮像素子を得た図4E参照。撮像素子の品質は、比較例及び実施例の撮像素子10個ずつを対象に、層内レンズとフォトダイオードとの間の距離を測定し、所期した距離からどの程度ずれたかを算出することで評価した。その結果、比較例の撮像素子は、所期した距離からのずれが±40以内であったのに対し、実施例の撮像素子は、所期した距離からのずれが±5以内であった。このことから、比較例の撮像素子に比して、実施例の撮像素子は、形状のばらつきが少なく、品質が向上していた。また、比較例の撮像素子に比して、実施例の撮像素子は、スミアの発生頻度も低減していた。"