1A導電性仮支持体の片面に配線を形成する工程、1B配線が形成された導電性仮支持体に半導体素子を搭載し、半導体素子端子と配線を導通する工程、1C半導体素子を樹脂封止する工程、1D導電性仮支持体を除去し配線を露出する工程、1E露出された配線の外部接続端子が形成される箇所以外に絶縁層を形成する工程、1F配線の絶縁層が形成されていない箇所に外部接続端子を形成する工程を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造法。2A導電性仮支持体の片面に配線を形成する工程、2B配線が形成された導電性仮支持体の配線が形成された面に絶縁性支持体を形成する工程、2C導電性仮支持体を除去し配線を絶縁性支持体に転写する工程、2D配線の外部接続端子が形成される箇所の絶縁性支持体を除去し外部接続端子用透孔を設ける工程、2E配線が転写された絶縁性支持体に半導体素子を搭載し、半導体素子端子と配線を導通する工程、2F半導体素子を樹脂封止する工程、2G外部接続端子用透孔に配線と導通する外部接続端子を形成する工程を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造法。3A導電性仮支持体の片面に配線を形成する工程、3B配線が形成された導電性仮支持体に半導体素子を搭載し、半導体素子端子と配線を導通する工程、3C半導体素子を樹脂封止する工程、3D配線の外部接続端子が形成される箇所以外の導電性仮支持体を除去し導電性仮支持体よりなる外部接続端子を形成する工程、3E外部接続端子の箇所以外に絶縁層を形成する工程、を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造法。4A導電性仮支持体の片面に配線を形成する工程、4B配線が形成された導電性仮支持体に半導体素子を搭載し、半導体素子端子と配線を導通する工程、4C半導体素子を樹脂封止する工程、4D導電性仮支持体の半導体素子搭載面と反対側の配線の外部接続端子が形成される箇所に、導電性仮支持体と除去条件が異なる金属パタ-ンを形成する工程、4E金属パタ-ンが形成された箇所以外の導電性仮支持体を除去する工程を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造法。5A絶縁性支持体の片面に複数組の配線を形成する工程、5B配線の外部接続端子となる箇所の絶縁性支持体を除去し外部接続端子用透孔を設ける工程5C複数組の配線が形成された絶縁性支持体に半導体素子を搭載し、半導体素子端子と配線を導通する工程、5D半導体素子を樹脂封止する工程、5E外部接続端子用透孔に配線と導通する外部接続端子を形成する工程、5F個々の半導体パッケージに分離する工程を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造法。6A導電性仮支持体の片面に複数組の配線を形成する工程、6B導電性仮支持体に形成された複数組の配線を所定の単位個数になるように導電性仮支持体を切断分離し、配線が形成された分離導電性仮支持体をフレ-ムに固着する工程、6C配線が形成された導電性仮支持体に半導体素子を搭載し、半導体素子端子と配線を導通する工程、6D半導体素子を樹脂封止する工程、6E導電性仮支持体を除去し配線を露出する工程、6F露出された配線の外部接続端子が形成される箇所以外に絶縁層を形成する工程、6G配線の絶縁層が形成されていない箇所に外部接続端子を形成する工程6H個々の半導体パッケージに分離する工程を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造法。7A絶縁性支持体の片面に複数組の配線を形成する工程、7B配線の外部接続端子となる箇所の絶縁性支持体を除去し外部接続端子用透孔を設ける工程7C絶縁性支持体に形成された複数組の配線を所定の単位個数になるように絶縁性支持体を切断分離し、配線が形成された分離絶縁性支持体をフレ-ムに固着する工程、7D配線が形成された絶縁性支持体に半導体素子を搭載し、半導体素子端子と配線を導通する工程、7E半導体素子を樹脂封止する工程、7F外部接続端子用透孔に配線と導通する外部接続端子を形成する工程、7G個々の半導体パッケージに分離する工程を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造法。1層の配線においてその配線の片面が半導体素子と接続する第1の接続機能を持ち、その配線の反対側が外部の配線と接続する第2の接続機能をもつように構成された配線を備えた半導体パッケージの製造法であって、下記8A、8B、8C、8Dの工程を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造法。8A耐熱性を有する金属箔付き絶縁基材の金属箔を複数組の配線パターンに加工する工程。8B後工程で第2の接続機能部となる位置に、絶縁基材側から配線パターンに達する凹部を設ける工程。8C配線パターン面及び配線パターンと隣接する絶縁基材面上の所望する位置に、所定の部分を開孔させたフレーム基材を貼り合わせる工程。8D半導体素子を搭載し半導体素子端子と配線を導通し半導体素子を樹脂封止する工程。1層の配線においてその配線の片面が半導体素子と接続する第1の接続機能を持ち、その配線の反対側が外部の配線と接続する第2の接続機能をもつように構成された配線を備えた半導体パッケージの製造法であって、下記9A、9B、9C、9Dの工程を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造法。9A耐熱性を有する金属箔付き絶縁基材の金属箔を複数組の配線パターンに加工する工程。9B後工程で第2の接続機能部となる位置に、絶縁基材側から配線パターンに達する凹部を設ける工程。9C配線パターン面及び配線パターンと隣接する絶縁基材面上の所望する位置に、所定の部分を開孔させた第2絶縁基材を貼り合わせ絶縁支持体を構成する工程。9D絶縁支持体に形成された複数組の配線を所定の単位個数になるように絶縁支持体を切断分離し、配線が形成された分離絶縁支持体をフレームに固着する工程。9E半導体素子を搭載し半導体素子端子と配線を導通し半導体素子樹脂封止する工程。10A支持体の片面に複数組の配線を形成する工程、10B配線が形成された支持体に複数個の半導体素子を搭載し、半導体素子端子と配線とを導通させる工程、10C導通された複数組の半導体素子と配線とを一括して樹脂封止する工程、10D支持体の所望する部分を除去して配線の所定部分を露出させ、露出した配線と電気的に接続した外部接続端子を形成する工程、10E個々の半導体パッケージに分離する工程を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造法。半導体素子を樹脂封止した後、封止樹脂硬化物を加熱処理する請求項1~10各項記載の半導体パッケージの製造法。請求項1~11各項記載の方法で製造された半導体パッケージ。複数個の半導体素子実装基板部を備え、複数個の半導体素子実装基板部を連結するための連結部を備え、位置合わせマーク部を備えている半導体素子実装用フレームの製造法であって、a導電性仮基板上に半導体素子実装部の配線を作製する工程、b樹脂基材上に配線を転写する工程、c導電性仮基板をエッチング除去する工程、を含み、cの導電性仮基板の除去に際して、導電性仮基板に一部を残し連結部の一部を構成するようにすることを特徴とする半導体素子実装用フレームの製造法。以上のように小型化高集積度化に対応できる半導体パッケージとして、種々の提案がされているが、性能、特性、生産性等全てにわたって満足するよう一層の改善が望まれている。本発明は、小型化、高集積度化に対応できる半導体パッケージを、生産性良くかつ安定的に製造することを可能とする半導体パッケージの製造法及び半導体パッケージを提供するものである。本願の第一の発明は、1A.導電性仮支持体の片面に配線を形成する工程、1B.配線が形成された導電性仮支持体に半導体素子を搭載し、半導体素子端子と配線を導通する工程、1C.半導体素子を樹脂封止する工程、1D.導電性仮支持体を除去し配線を露出する工程、1E.露出された配線の外部接続端子が形成される箇所以外に絶縁層を形成する工程、1F.配線の絶縁層が形成されていない箇所に外部接続端子を形成する工程を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造法である。本願の第二の発明は、2A.導電性仮支持体の片面に配線を形成する工程、2B.配線が形成された導電性仮支持体の配線が形成された面に絶縁性支持体を形成する工程、2C.導電性仮支持体を除去し配線を絶縁性支持体に転写する工程、2D.配線の外部接続端子が形成される箇所の絶縁性支持体を除去し外部接続端子用透孔を設ける工程、2E.配線が転写された絶縁性支持体に半導体素子を搭載し、半導体素子端子と配線を導通する工程、2G.半導体素子を樹脂封止する工程、2H.外部接続端子用透孔に配線と導通する外部接続端子を形成する工程を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造法である。第二の発明に於いて、2A~2Hの順に進めるのが好ましいが、2Dの工程を2Bの前に行うようにしても良い。例えば2Bの工程を外部接続端子用透孔を予め設けた絶縁フィルム絶縁性支持体を配線が形成された導電性仮支持体の配線が形成された面に貼り合わすことにより行っても良い。本願の第三の発明は、3A.導電性仮支持体の片面に配線を形成する工程、3B.配線が形成された導電性仮支持体に半導体素子を搭載し、半導体素子端子と配線を導通する工程、3C.半導体素子を樹脂封止する工程、3D.配線の外部接続端子が形成される箇所以外の導電性仮支持体を除去し導電性仮支持体よりなる外部接続端子を形成する工程、3E.外部接続端子の箇所以外に絶縁層を形成する工程、を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造法である。本願の第四の発明は、4A.導電性仮支持体の片面に配線を形成する工程、4B.配線が形成された導電性仮支持体に半導体素子を搭載し、半導体素子端子と配線を導通する工程、4C.半導体素子を樹脂封止する工程、4D.導電性仮支持体の半導体素子搭載面と反対側の配線の外部接続端子が形成される箇所に、導電性仮支持体と除去条件が異なる金属パターンを形成する工程、4E.金属パターンが形成された箇所以外の導電性仮支持体を除去する工程を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造法である。金属パターンとしてははんだが好ましく、又ニッケル続いて金の層を重ねたものでも良い。本願の第五の発明は、5A.絶縁性支持体の片面に複数組の配線を形成する工程、5B.配線の外部接続端子となる箇所の絶縁性支持体を除去し外部接続端子用透孔を設ける工程5C.複数組の配線が形成された絶縁性支持体に半導体素子を搭載し、半導体素子端子と配線を導通する工程、5D.半導体素子を樹脂封止する工程、5E.外部接続端子用透孔に配線と導通する外部接続端子を形成する工程、5F.個々の半導体パッケージに分離する工程を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造法である。第五の発明に於いて、製造工程は、5A~5Fの順に進めるのが好ましいが、5A、5Bを逆にしても良い。すなわち外部接続端子用透孔を設けた絶縁性支持体に、複数組の配線を形成するようにしても良い。本願の第六の発明は、6A.導電性仮支持体の片面に複数組の配線を形成する工程、6B.導電性仮支持体に形成された複数組の配線を所定の単位個数になるように導電性仮支持体を切断分離し、配線が形成された分離導電性仮支持体をフレ-ムに固着する工程、6C.配線が形成された導電性仮支持体に半導体素子を搭載し、半導体素子端子と配線を導通する工程、6D.半導体素子を樹脂封止する工程、6E.導電性仮支持体を除去し配線を露出する工程、6F.露出された配線の外部接続端子が形成される箇所以外に絶縁層を形成する工程、6G.配線の絶縁層が形成されていない箇所に外部接続端子を形成する工程6H.個々の半導体パッケージに分離する工程を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造法である。6Bの所定の単位個数は1個が好ましいが、生産性を上げるため複数個であっても良い。本願の第七の発明は、7A.絶縁性支持体の片面に複数組の配線を形成する工程、7B.配線の外部接続端子となる箇所の絶縁性支持体を除去し外部接続端子用透孔を設ける工程7C.絶縁性支持体に形成された複数組の配線を所定の単位個数になるように絶縁性支持体を切断分離し、配線が形成された分離絶縁性支持体をフレ-ムに固着する工程、7D.配線が形成された絶縁性支持体に半導体素子を搭載し、半導体素子端子と配線を導通する工程、7E.半導体素子を樹脂封止する工程、7F.外部接続端子用透孔に配線と導通する外部接続端子を形成する工程、7G.個々の半導体パッケージに分離する工程を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造法である。製造工程は、7A~7Gの順に進めるのが好ましいが、第五の発明と同様7A、7Bを逆にしても良い。本願の第八の発明は、1層の配線においてその配線の片面が半導体素子と接続する第1の接続機能を持ち、その配線の反対側が外部の配線と接続する第2の接続機能をもつように構成された配線を備えた半導体パッケージの製造法であって、下記8A、8B、8C、8Dの工程を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造法。8A.耐熱性を有する金属箔付き絶縁基材の金属箔を複数組の配線パターンに加工する工程。8B.後工程で第2の接続機能部となる位置に、絶縁基材側から配線パターンに達する凹部を設ける工程。8C.配線パターン面及び配線パターンと隣接する絶縁基材面上の所望する位置に、所定の部分を開孔させたフレーム基材を貼り合わせる工程。8D.半導体素子を搭載し半導体素子端子と配線を導通し半導体素子を樹脂封止する工程。第八の発明に於いて、工程は8A~8Dの順に進めるのが好ましいが、8Aと8Bを逆にしても良い。すなわち、絶縁基板に金属箔に達する凹を設けた後金属箔を配線パターンに加工するようにしても良い。本願の第九の発明は、1層の配線においてその配線の片面が半導体素子と接続する第1の接続機能を持ち、その配線の反対側が外部の配線と接続する第2の接続機能をもつように構成された配線を備えた半導体パッケージの製造法であって、下記9A、9B、9C、9Dの工程を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造法。9A.耐熱性を有する金属箔付き絶縁基材の金属箔を複数組の配線パターンに加工する工程。9B.後工程で第2の接続機能部となる位置に、絶縁基材側から配線パターンに達する凹部を設ける工程。9C.配線パターン面及び配線パターンと隣接する絶縁基材面上の所望する位置に、所定の部分を開孔させた第2絶縁基材を貼り合わせ絶縁支持体を構成する工程。9D.絶縁支持体に形成された複数組の配線を所定の単位個数になるように絶縁支持体を切断分離し、配線が形成された分離絶縁支持体をフレームに固着する工程。9E.半導体素子を搭載し半導体素子端子と配線を導通し半導体素子樹脂封止する工程。第九の発明に於いて、工程は9A~9Eの順に進めるのが好ましいが、第八の発明と同様9Aと9Bを逆にしても良い。本願の第十の発明は、10A.支持体の片面に複数組の配線を形成する工程、10B.配線が形成された支持体に複数個の半導体素子を搭載し、半導体素子端子と配線とを導通させる工程、10C.導通された複数組の半導体素子と配線とを一括して樹脂封止する工程、10D.支持体の所望する部分を除去して配線の所定部分を露出させ、露出した配線と電気的に接続した外部接続端子を形成する工程、10E.個々の半導体パッケージに分離する工程を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造法である。支持体として金属箔を使用し樹脂封止後に支持体を除去することにより配線パターンを露出させるようにしても良い。又、支持体が絶縁基材で、樹脂封止後に絶縁基材の所定部分を除去して配線パターンに達する非貫通凹部を形成するようにすることもできる。本願の第十一の発明は、複数個の半導体素子実装基板部を備え、複数個の半導体素子実装基板部を連結するための連結部を備え、位置合わせマーク部を備えている半導体素子実装用フレームの製造法であって、a導電性仮基板上に半導体素子実装部の配線を作製する工程、b樹脂基材上に配線を転写する工程、c導電性仮基板をエッチング除去する工程、を含み、cの導電性仮基板の除去に際して、導電性仮基板に一部を残し連結部の一部を構成するようにすることを特徴とする半導体素子実装用フレームの製造法である。本発明では、半導体素子はLSIチップ、ICチップ等通常の素子が使用できる。半導体素子端子と配線とを同通する方法には、ワイヤボンディングだけでなく、バンプ、異方導電性フィルム等通常の手段を用いることができる。本発明においては、半導体素子を樹脂封止した後、封止樹脂硬化物を加熱処理することにより、そり、変形のない半導体パッケージを製造することができる。加熱処理は、封止樹脂硬化物のガラス転移温度±20°Cの温度が好ましい。この理由は、ガラス転移温度±20°Cの範囲で樹脂硬化物は最も塑性的な性質が強く、残留歪みを解消し易いためである。加熱処理の温度が、ガラス転移温度-20°C未満では樹脂硬化物はガラス状態の弾性体となり緩和の効果が少なくなる傾向があり、ガラス転移温度20°Cを超えれば樹脂硬化物はゴム弾性体となり同様に歪みを解消する効果がすくなくなる傾向にある。封止樹脂硬化物のガラス転移温度±20°Cの温度で加熱処理をした後、5°C/分以下の降温速度で室温まで冷却することにより、半導体パッケージのそり、変形をより確実に防止することができる。加熱処理及び/又は冷却の工程は、封止樹脂硬化物の上下面を剛性平板で、封止樹脂硬化物のそり、変形を押さえる力で押圧した状態で行うのが好ましい。本発明の半導体パッケージにおいては、配線は1層の配線においてその配線の片面が半導体チップと接続する第1の接続機能を持ち、その配線の反対面が外部の配線と接続する第2の接続機能をもつように構成されている。外部の配線と接続する外部接続端子は、例えばはんだバンプ、金バンプ等が好的に使用できる。外部接続端子は、半導体素子端子が配線とワイヤボンディング等で導通される位置より内側に設けるようにするのが高密度化の上で好ましいファンインタイプ。このように外部接続端子の位置は、半導体素子が搭載された下面に格子状に配置するのが高密度化の上で好ましい。本発明により、半導体チップの高集積度化に対応することができる半導体パッケージを生産性良く、かつ安定的に製造することができる。図1により、本発明の第一の実施例について説明する。厚さ0.035mmの電解銅箔1の片面に厚さ0.001mmのニッケル層図1では省略をめっきする。次に、感光性ドライフィルムレジスト日立化成工業株製、商品名:フォテックHN340をラミネートし、配線パターンを露光、現像し、めっきレジストを形成する。続いて、硫酸銅浴にて電解銅めっきを行う。さらに、ニッケルめっきを0.003mm、純度99.9以上の金めっきを0.0003mm以上の厚さでめっきする。次に、めっきレジストを剥離し、配線2を形成する図1a。このようにして、配線2を形成した銅箔1にLSIチップ3を搭載する図1b。LSIチップの接着には、半導体用銀ペースト4を用いた。次にLSI端子部と配線2とをワイヤボンド100により接続する図1c。このようにして形成したものをトランスファモールド金型に装填し、半導体封止用エポキシ樹脂日立化成工業株製、商品名:CL-7700を用いて封止5した図1d。その後、銅箔1のみをアルカリエッチャントで溶解除去し、ニッケルを露出させた。ニッケル層を銅の溶解性の少ないニッケル剥離液にて除去して、配線部を露出させた図1e。続いて、ソルダレジスト6を塗布し、接続用端子部を露出するようにパターンを形成した。この配線露出部に、はんだボール7を配置し溶融させた図1f。このはんだボール7を介して外部の配線と接続する。図2により、本発明の第二の実施例について説明する。図1の場合と同様の方法で、配線2を有する銅箔1を作成した図2a。LSIチップ3を搭載する。LSIチップには、端子部に金バンプ8を形成し、この金バンプ8と配線2の端子部とを加熱加圧して接続する図2b。次に、LSIチップ下部に液状エポキシ樹脂を充填し硬化9させる図2c。このようにして形成したものをトランスファモールド金型に装填し、半導体封止用エポキシ樹脂日立化成工業株製、商品名:CL-7700を用いて封止10した図2d。その後、銅箔1のみをアルカリエッチャントで溶解除去し、ニッケルを露出させた。ニッケル層を銅の溶解性の少ないニッケル剥離液にて除去して、配線部を露出させた図2e。続いて、ソルダレジスト6を塗布し、接続用端子部を露出するようにパターンを形成した。この配線露出部に、はんだボール7を配置し溶融させた図2f。このはんだボール7を介して外部の配線と接続する。図3により、本発明の第三の実施例について説明する。厚さ0.035mmの電解銅箔1の片面に厚さ0.001mmのニッケル層図3では省略をめっきする。次に、感光性ドライフィルムレジスト日立化成工業株製、商品名:フォテックHN340をラミネートし、配線パターンを露光、現像しめっきレジストを形成する。続いて、硫酸銅浴にて電解銅めっきを行い、第一の配線13を形成する。次にめっきレジストを剥離し、第一の配線13の表面を酸化処理、還元処理を行う。新たな銅箔と接着樹脂としてポリイミド系接着フィルム日立化成工業株製、商品名:AS221012を用いて配線13が内側となるように積層接着する。銅箔11に直径0.1mmの穴を通常のフォトエッチング法により形成する。パネルめっき法により、穴内と銅箔表面全体を銅めっきする。銅箔をフォトエッチング法で第二の配線11を形成する。LSI搭載部の樹脂ポリイミド系接着フィルム12をエキシマレーザにより除去し端子部を露出させる。該端子部に、ニッケルめっきを0.003mm、純度99.9以上の金めっきを0.0003mm以上の厚さでめっきする図3a。このようにして、2層配線を形成した銅箔1にLSIチップを搭載する。LSIチップの接着には、半導体用銀ペーストを用いた図3b。次にLSI端子部と配線13とをワイヤボンド100により接続する図3c。このようにして形成したものをトランスファモールド金型に装填し、半導体封止用エポキシ樹脂日立化成工業株製、商品名:CL-7700を用いて封止5した。その後、銅箔1のみをアルカリエッチャントで溶解除去し、ニッケルを露出させた。ニッケル層を銅の溶解性の少ないニッケル剥離液にて除去して、配線部を露出させた図3e。続いて、ソルダレジスト6を塗布し、接続用端子部を露出するようにパターンを形成した。該露出部に、はんだボール7を配置し溶融させた図3f。このはんだボール7を介して外部の配線と接続する。図4により、本発明の第四の実施例について説明する。厚さ0.1mmのSUSステンレス鋼板14に、感光性ドライフィルムレジスト日立化成工業株製、商品名:フォテックHN340をラミネートし、配線パターンを露光、現像し、めっきレジストを形成する。続いて、硫酸銅浴にて電解銅めっきを行う。さらに、ニッケルめっきを0.003mm、純度99.9以上の金めっきを0.0003mm以上の厚さでめっきする。次に、めっきレジストを剥離し、配線2を形成する図4a。このようにして配線2を形成したSUS板14に半導体チップ103を搭載する図4b。半導体チップの接着には半導体用銀ベースト4を用いた。次に半導体端子部と配線2とをワイヤボンド100により接続する図4c。このようにして形成したものをトランスファモールド金型に装填し、半導体封止用エポキシ樹脂日立化成工業株製、商品名:CL-7700を用いて封止5した図4d。その後、SUS板14を機械的に剥離除去し、配線部を露出させた図4e。続いてソルダレジスト6を塗布し、接続用端子部を露出するようにパターンを形成した。この配線露出部にはんだボール7を配置し溶融させた図4f。このはんだボール7を介して外部の配線と接続する。図5により、本発明の第五の実施例について説明する。厚さ0.035mmの電解銅箔1に、感光性ドライフィルムレジスト日立化成工業株製、商品名:フォテックHN340をラミネートし、配線パターンを露光、現像し、めっきレジストを形成する。続いてニッケルのパターンめっき15を行った後、硫酸銅浴にて電解銅めっきを行う。さらに、ニッケルめっきを0.003mm、純度99.9以上の金めっきを0.0003mm以上の厚さでめっきする。次に、めっきレジストを剥離し、配線2を形成する図5a。このようにして配線2を形成した銅箔1に半導体チップ103を搭載する図5b。半導体チップの接着には、半導体用銀ベースト4を用いた。次に半導体端子部と配線2とをワイヤボンド100により接続する図5c。このようにして形成したものをトランスファモールド金型に装填し、半導体封止用エポキシ樹脂日立化成工業株製、商品名:CL-7700を用いて封止5した図5d。その後、銅箔1をアルカリエッチャンで溶解除去し、ニッケルの配線部を露出させた図5e。続いてソルダレジスト6を塗布し、接続用端子部を露出するようにパターンを形成した。この配線露出部にはんだボール7を配置し溶融させた図5f。このはんだボール7を介して外部の配線と接続する。図6により、本発明の第六の実施例について説明する。厚さ0.035mmの電解銅箔1に、感光性ドライフィルムレジスト日立化成工業株製、商品名:フォテックHN340をラミネートし、配線パターンを露光、現像し、めっきレジストを形成する。続いて純度99.9以上の金めっきを0.0003mm、ニッケルめっきを0.003mm以上の厚さでめっきする。さらに、硫酸銅浴にて電解銅めっきを行い、めっきレジストを剥離し、配線2を形成する図6a。このようにして配線2を形成した銅箔1の配線面にポリイミドフィルム16を接着し、レーザを用いて配線2の接続用端子部を露出させ図6b、銅箔1をエッチングで除去する図6c。また、ポリイミドの代わりに、感光性フィルムを用いることで、レーザを使用しないで接続用端子部を露出させることができる。続いて、ポリイミドフィルム16の配線パターン面にLSIチップ3を搭載する。LSIチップの接着には半導体用銀ペースト4を用いた。次に半導体端子部と配線2とをワイヤボンド100により接続する図6d。このようにして形成したものをトランスファモールド金型に装填し、半導体封止用エポキシ樹脂日立化成工業株製、商品名:CL-7700を用いて封止5する図6e。その後、接続用端子部にはんだボール7を配置し溶融させる図6f。このはんだボール7を介して外部の配線と接続する。図7により、本発明の第七の実施例について説明する。厚さ0.035mmの電解銅箔1の片面に厚さ0.001mmのニッケル層図7では省略をめっきする。次に、感光性ドライフィルムレジスト日立化成工業株製、商品名:フォテックHN340をラミネートし、配線パターンを露光、現像し、めっきレジストを形成する。続いて硫酸銅浴にて電解銅めっきを行う。さらに、ニッケルめっきを0.003mm、純度99.9以上の金めっきを0.0003mm以上の厚さでめっきする。次にめっきレジストを剥離し、配線2を形成する図7a。このようにして配線2を形成した銅箔1にLSIチップ3を搭載する。LSIチップの接着には半導体用銀ペースト4を用いた。次に、半導体端子部と配線2とをワイヤボンド100により接続する図7b。このようにして形成したものをトランスファモールド金型に装填し半導体封止用エポキシ樹脂日立化成工業株製、商品名:CL-7700を用いて封止5する図7c。その後、銅箔1のみをアルカリエッチャントで溶解除去し、ニッケルを露出させる。ニッケル層を銅の溶解性の少ないニッケル剥離液にて除去して配線部を露出させる図7d。続いて、接続用端子部を開口させたポリイミドフィルム16を接着し図7e、この配線露出部にはんだボール7を配置し溶融させる図7f。このはんだボール7を介して外部の配線と接続する。図8により、本発明の第八の実施例について説明する。厚さ0.035mmの電解銅箔1に、感光性ドライフィルムレジスト日立化成工業株製、商品名:フォテックHN340をラミネートし、配線パターンを露光、現像し、めっきレジストを形成する。続いて純度99.9以上の金めっきを0.0003mm、ニッケルめっきを0.003mm以上の厚さでめっきする。さらに、硫酸銅浴にて電解銅めっきを行い、めっきレジストを剥離し配線2を形成する図8a。このようにして配線2を形成した銅箔1の配線面に液状封止樹脂17をスクリーン印刷により塗布し、配線2の接続用端子部を露出させるようにして絶縁層を形成する図8b。液状封止樹脂を硬化させた後、銅箔1をエッチングで除去する図8c。続いて、硬化させた液状封止樹脂3の配線パターン面にLSIチップ3を搭載する。LSIチップの接着には半導体用銀ペースト4を用いた。次に半導体端子部と配線2とをワイヤボンド100により接続する図8d。このようにして形成したものをトランスファモールド金型に装填し、半導体封止用エポキシ樹脂日立化成工業株製、商品名:CL-7700を用いて封止5する図8e。その後、配線2の接続用端子部にはんだボール7を配置し溶融させる図8f。このはんだボール7を介して外部の配線と接続する。図9により、本発明の第九の実施例について説明する。厚さ0.035mmの電解銅箔1の片面に厚さ0.001mmのニッケル層図9では省略をめっきする。次に、感光性ドライフィルムレジスト日立化成工業株製、商品名:フォテックHN340をラミネートし、配線パターンを露光、現像し、めっきレジストを形成する。続いて硫酸銅浴にて電解銅めっきを行う。さらに、ニッケルめっきを0.003mm、純度99.9以上の金めっきを0.0003mm以上の厚さでめっきする。次にめっきレジストを剥離し、配線2を形成する図9a。このようにして配線2を形成した銅箔1にLSIチップ3を搭載する。LSIチップ3の接着には半導体用銀ペースト4を用いた。次に、半導体端子部と配線2とをワイヤボンド100により接続する図9b。このようにして形成したものをトランスファモールド金型に装填し半導体封止用エポキシ樹脂日立化成工業株製、商品名:CL-7700を用いて封止5する図9c。その後、銅箔1のみをアルカリエッチャントで溶解除去し、ニッケルを露出させる。ニッケル層を銅の溶解性の少ないニッケル剥離液にて除去して配線部を露出させる図9d。続いて、液状封止樹脂17をスクリーン印刷により塗布し、配線2の接続用端子部を露出させるようにして、液状封止樹脂17の絶縁層を形成する図9e。この配線2の接続用端子部にはんだボール7を配置し溶融させる図9f。このはんだボール7を介して外部の配線と接続する。図10により、本発明の第十の実施例について説明する。厚さ0.035mmの電解銅箔1の片面に厚さ0.001mmのニッケル層図10では省略をめっきする。次に、感光性ドライフィルムレジスト日立化成工業株製、商品名:フォテックHN340をラミネートし、配線パターン及び位置合わせマークのめっきレジストを露光、現像により形成する。続いて、硫酸銅浴にて電解銅めっきを行う。さらに、ニッケルめっきを0.003mm、純度99.9以上の金めっきを0.0003mm以上の厚さでめっきする。次に、めっきレジストを剥離し、配線2及び位置合わせマーク18を形成した後図10a、位置合わせマーク18の部分だけをSUS板で挟みプレスすることで銅箔1の裏面に位置合わせマークを浮かび上がらせる図10b。このようにして配線2及び位置合わせマーク18を形成した銅箔1にLSIチップ3を搭載する図10c。LSIチップ3の接着には半導体用銀ペースト4を用いた。次に、半導体端子部と配線2とをワイヤボンド100により接続する図10d。このようにして形成したものをトランスファモールド金型に装填し、半導体封止用エポキシ樹脂日立化成工業株製、商品名:CL-7700を用いて封止5した図10e。銅箔裏側に再び感光性ドライフィルムをラミネートし、位置合わせマーク18を利用してエッチングパターン形成する。その後、銅箔1及びニッケル層をエッチングして、銅箔1によるバンプ7の形成及び配線部の露出を行う図10f。続いて、ソルダレジスト8を塗布し、バンプ7が露出するように絶縁層を形成した図10g。このバンプ7を介して外部の配線と接続する。図11により、本発明の第十一の実施例について説明する。厚さ0.035mmの電解銅箔1に、感光性ドライフィルムレジスト日立化成工業株製、商品名:フォテックHN340をラミネートし、複数組の配線パターンを露光、現像し、めっきレジストを形成する。続いて、純度99.9以上の金めっきを0.0003mm、ニッケルめっきを0.003mm以上の厚さでめっきする。さらに、硫酸銅浴にて電解銅めっきを行い、レジストを剥離し、複数組の配線2を形成する図11a。このようにして、複数組の配線2を形成した銅箔1の配線面にポリイミドフィルム19を接着し、レーザを用いて配線2の接続端子部を露出させ図11b、銅箔1をエッチングで除去する図11c。以上のように、1枚のポリイミドフィルム上に複数組の配線2を形成した後、LSIチップ3を搭載する。LSIチップの接着には、半導体用ダイボンディングテープ4’を用いた。次に半導体端子部と配線2とをワイヤボンド100により接続する図11d。このようにして形成したものをトランスファモールド金型に装填し、半導体封止用エポキシ樹脂日立化成工業株製、商品名:CL-7700を用いて各々封止5する図11e。その後、配線2の接続端子部にはんだボール7を配置し溶融させる図11f。このはんだボール7を介して外部の配線と接続する。最後にポリイミドフィルムで連結されたパッケージを、金型で打ち抜く図11g。図12により、本発明の第十二の実施例について説明する。厚さ0.07mmの接着剤付きポリイミドフィルム20を、金型で打ち抜き接続端子部となる部分を開口させる図12a。次に、厚さ0.035mmの銅箔21を接着後図12b、感光性ドライフィルムレジスト日立化成工業株製、商品名:フォテックHN340をラミネートし、複数組の配線パターンを露光、現像し、エッチングレジストを形成する。続いて銅箔をエッチングし、レジストを剥離し、複数組の配線2を形成する図12c。以上のように、1枚のポリイミドフィルム上に複数組の配線パターンを形成した後、LSIチップ3を搭載する。LSIチップ3の接着には、半導体用ダイボンディングテープ4’を用いた。次に半導体端子部と配線2とをワイヤボンド100により接続する図12d。このようにして形成したものをトランスファモールド金型に装填し、半導体封止用エポキシ樹脂日立化成工業株製、商品名:CL-7700を用いて各々封止5する図12e。その後、配線の接続端子部にはんだボール7を配置し溶融させる図12f。このはんだボール7を介して外部の配線と接続する。最後にポリイミドフィルムで連結されたパッケージを、金型で打ち抜く図12g。図13~15により、本発明の第十三の実施例について説明する。厚さ0.035mmの電解銅箔1の片面に厚さ0.001mmのニッケル層図13では省略をめっきする。感光性ドライフィルムレジスト日立化成工業株製、商品名:フォテックHN340をラミネートし、複数組の配線パターンのめっきレジストを露光、現像により形成する。続いて、硫酸銅浴にて電解銅めっきを行う。さらに、ニッケルめっきを0.003mm、純度99.9以上の金めっきを0.0003mm以上の厚さでめっきし、めっきレジストを剥離し、配線2を形成した図13a。次に、配線2を形成した銅箔1を単位個数に分けた後、ポリイミド接着フィルムを介して別に用意したステンレス製フレーム22厚さ;0.135mmにはりつけた図13b。フレームとしては、りん青銅等の銅合金、銅箔、ニッケル箔、ニッケル合金箔等が使用できる。接着の方法としては他に金属間の共晶を利用した接合、超音波を利用した接合等を用いることも可能である。また、図14に示したように銅箔1上の配線をあらかじめ検査し、配線良品23だけを撰択し、フレーム22にはりつけると良い。図14において、1は電解銅箔、22はフレ-ム、24は配線不良品、25は位置合わせ用穴である。また、この実施例では、切り分けた銅箔上には配線1個となるようにしたが、切り分けた銅箔上に複数組の配線があるようにしても良い。フレーム22と配線付き銅箔との張り合わせの位置関係として、例えば図15a、bに示したものなど種々可能である。図15はフレ-ム22の平面図であり、26はフレ-ム開口部、27は配線付き銅箔の搭載位置、28は箔固定用接着剤である。次に、LSIチップ3を搭載し、半導体端子部と配線2とをワイヤボンド100により接続する図13c。LSIチップの搭載には半導体用ダイボンディングテープ4’を用いた。ここで、ボンディングテープ4’の代わりにダイボンド用銀ペースト等を用いてもよい。また、半導体チップの実装には、通常のワイヤーボンディング接続を用いたが、フィリップチップ等、他の方法を用いてもよい。このようにして形成したものをトランスファモールド金型に装填し、半導体封止用エポキシ樹脂日立化成工業株製、商品名:CL-7700を用いて封止5した図13d。その後、銅箔1のみをアルカリエッチャントで溶解除去し、ニッケルを露出させた。ニッケル層を銅の溶解性の少ないニッケル剥離液にて除去して、配線部を露出させた。続いて、ソルダレジスト6を塗布し、接続用端子部を露出するようにパターンを形成した。この配線露出部に、はんだボール7を配置し溶融させた図13e。この後で、切断機を用いて切断し、フレーム22の不要な切片101を除いて、個々の半導体パッケージに分割した図13f。このはんだボール7を介して外部の配線と接続する。この例では、板取りを上げて効率よく半導体パッケージを製造することができる。図16により、本発明の第十四の実施例について説明する。厚さ0.07mmの接着剤付きポリイミドフィルム29を、金型で打ち抜き接続端子部となる部分を開口させる。次に、厚さ0.035mmの銅箔を接着後、感光性ドライフィルムレジスト日立化成工業株製、商品名:フォテックHN340をラミネートし、複数組の配線パターンを露光、現像し、エッチングレジストを形成た。続いて銅箔をエッチングし、レジストを剥離し、複数組の配線2を形成する図16a。ここで、銅箔上にポリイミドを直接コ-ティングした材料例えば、日立化成工業株製、商品名50001を用いて、接続端子部および配線2を形成するようにしても良い。開口部の形成もドリル加工、エキシマレ-ザ等のレ-ザ加工、印刷等の方法を用いたり、ポリイミドに感光性を持たせた材料を使用し、露光現像により形成しても良い。ポリイミドの代わりに封止樹脂等他の材料を使用しても良い。以上のように、1枚のポリイミドフィルム上に複数組の配線パターンを形成した後、配線付きフィルムを単位個数に分けた、ポリイミド接着接着剤28を介して別に用意したステンレス製フレーム22厚さ;0.135mmにはりつけた図16b。次に、LSIチップ3を搭載し、半導体端子部と配線2とをワイヤボンド100により接続する図16c。LSIチップの搭載には半導体用ダイボンディングテープ4 ́を用いた。このようにして形成したものをトランスファモールド金型に装填し、半導体封止用エポキシ樹脂日立化成工業株製、商品名:CL-7700を用いて封止5した図16d。続いて最初に設けた接続端子部となるべき開口部にはんだボール7を配置し溶融させる図16e。このはんだボール7を介して外部の配線と接続する。最後にフレームで連結されたパッケージを金型で打ち抜き、個々のパッケージに分割した図16f。図17により本発明の第十五の実施例について説明する。金属箔31上に絶縁基材32を直接形成した2層フレキシブル基材図17aの金属箔上に所定のレジスト像を形成し、公知のエッチング法により所望する複数組の配線パターン33を形成し、レジスト像を剥離する図17b。金属箔としては、電解銅箔や圧延銅箔あるいは銅合金箔などの単一箔の他、後工程で除去可能なキャリヤ箔上に銅薄層を有する複合金属箔なども適用可能である。具体的には、厚さ18μmの電解銅箔の片面に厚さ0.2μm程度のニッケル-リンめっき層を形成後、続けて厚さ5μm程度の銅薄層をめっきしたものなどが適用できる。この場合、銅薄層上にポリイミド層を形成した後、銅箔及びニッケル-リン層をエッチング除去することにより、銅薄層が露出する。すなわち、本願の発明においては銅薄層全てを露出させた後銅薄層を配線加工しても良いし、キャリヤ箔銅箔/ニッケル薄層をリードフレーム構造体の一部として利用しても良い。一方、絶縁基材としては、プロセス耐熱性などの観点からポリイミド材が一般的である。この場合、ポリイミドと銅箔の熱膨張係数が異なるとはんだリフロー工程において基材の反りが顕著になるため、ポリイミドとしては化1の繰り返し単位を有するポリイミドを70モル以上含んだポリイミドを適用することが好ましい。次に、後工程で外部基板との接続部となる位置に銅箔に達する凹部34を設ける図17c。凹部の加工方法は特に限定するものではなく、エキシマレーザや炭酸ガスレーザ及びYAGレーザなどレーザ加工の他、ウエットエッチング法などが適用可能である。次に、所定の部分開孔部35をパンチング加工等で打ち抜いた接着材36付きフレーム基材37を配線パターン面に接着させる図17d。この場合、フレーム基材は特に限定するものではなく、ポリイミドフィルムや銅箔などの金属箔の適用が可能である。ここで、仮に2層フレキシブル基材のポリイミド層厚さが25μmで、かつ、接着するフレーム基材がポリイミドフィルムの場合、フレーム全体としての剛直性を確保するためにはフィルム厚さとして50~70μm程度が必要になる。なお、フレーム基材層を形成する領域についても特に限定するものではなく、半導体チップを搭載する部分にフレーム基材層を設けることも可能である。具体的には、チップ実装がワイヤボンディング方式の場合には、最小限ワイヤボンド用端子部38が露出していれば他の領域全てにフレーム基材層を設けても良い。次に、半導体チップ39を搭載し、金ワイヤ40で半導体チップと配線パターン間を電気的に接続させる図17e。一方、半導体チップ実装方式としてフェースダウン方式を採用する場合には、配線パターンの所定位置半導体チップの外部接続用電極位置に対応に金属パンプ等を設け、金属バンプを介して半導体チップと波線パターンとを電気的に接続させても良い。次に、トランスファーモールド用の金型にセットし、樹脂封止材41で封止する図17f。この場合、樹脂封止材は特に限定するものではなく、例えば、直径10~20μm程度のシリカを5~80wtの範囲で含有したエポキシ系樹脂などが適用できる。次に、外部基板との接続部42を形成する。接続部42の形成方法としては、図17cの工程後にあらかじめ電解めっき法によりポリイミドフィルム厚さ以上のバンプを形成しておく方法や樹脂封止後にはんだ印刷法によりはんだバンプを形成する方法などが適用可能である。最後に、フレームからパッケージ部を切断して所望するパッケージが得られる図17g。図17の第十五の実施例を更に具体的に説明する。具体例1厚さ12μmの電解銅箔を片面に有する2層フレキシブル基材日立化成工業株製、商品名:MCF5000Iの銅箔面上にドライフィルムレジスト日立化成工業株製、商品名:フォテックHK815をラミネートし、露光、現像により所望するレジストパターンを得た。次に、塩化第二鉄溶液で銅箔をエッチング加工後、レジストパターンを水酸化カリウム溶液で剥離することにより所定の配線パターンを得た。次に、エキシマレーザ加工機住友重機械工業株製、装置名:INDEX200を用いて絶縁基材側から配線パターン裏面に達する凹部直径300μmを所定の位置に所定の数だけ形成した。エキシマレーザ加工条件は、エネルギー密度250mJ/cm2、縮小率3.0、発振周波数200Hz、照射パルス数300パルスである。次に50μm厚さのポリイミドフィルム宇部興産製、商品名:UPILEXSの片面に厚さ10μmのポリイミド系接着材日立化成工業株製、商品名:AS2250を有する接着シートを作製し、後工程でのワイヤボンド端子部に相当する領域を含む所定領域をパンチ加工により除去し、接着材を介してポリイミドフィルムと配線パターン付き2層フレキ基材とを加熱圧着させた。圧着条件は、圧力20kgf/cm2、温度180°C、加熱加圧時間60分である。次に、無電解ニッケル、金めっき法によりワイヤボンド用端子部にニッケル/金めっきを施した。めっき厚さは、それぞれ、3μm、0.3μmである。次に、半導体チップ搭載用ダイボンド材日立化成工業株製、商品名:HM-1を用いて半導体チップを搭載した。搭載条件は、プレス圧力5kgf/cm2、接着温度380°C及び圧着時間5秒である。次に、ワイヤボンディングにより半導体チップの外部電極部と配線パターンを電気的に接続した。その後、リードフレーム状に金型加工し、トランスファーモールド用金型にセットし、半導体封止用エポキシ樹脂日立化成工業株製、CL-7700を用いて185°C、90秒で封止した。続いて、前述の凹部に所定量のはんだを印刷塗布し、赤外線リフロー炉によりはんだを溶融させて外部接続用バンプを形成した。最後に、パッケージ部を金型で打ち抜き、所望するパッケージを得た。図18により本発明の第十六の実施例について説明する。金属箔31上に絶縁基材32を直接形成した2層フレキシブル基材図18aの金属箔上に所定のレジスト像を形成し、公知のエッチング法により所望する複数組の配線パターン3を形成し、レジスト像を剥離する図18b。金属箔としては、電解銅箔や圧延銅箔あるいは銅合金箔などの単一箔の他、後工程で除去可能なキャリヤ箔上に銅薄層を有する複合金属箔なども適用可能である。具体的には、厚さ18μmの電解銅箔の片面に厚さ0.2μm程度のニッケル-リンめっき層を形成後、続けて厚さ5μm程度の銅薄層をめっきしたものなどが適用できる。この場合、銅薄層上にポリイミド層を形成した後、銅箔及びニッケル-リン層をエッチング除去することにより、銅薄層が露出する。すなわち、本願の発明においては銅薄層全てを露出させた後銅薄層を配線加工しても良いし、キャリヤ箔銅箔/ニッケル薄層をリードフレーム構造体の一部として利用しても良い。一方、絶縁基材としては、プロセス耐熱性などの観点からポリイミド材が一般的である。この場合、ポリイミドと銅箔の熱膨張係数が異なるとはんだリフロー工程において基材の反りが顕著になるため、ポリイミドとしては化1の繰り返し単位を有するポリイミドを70モル以上含んだポリイミドを適用することが好ましい。次に、後工程で外部基板との接続部となる位置に銅箔に達する凹部34を設ける図18c。凹部の加工方法は特に限定するものではなく、エキシマレーザや炭酸ガスレーザ及びYAGレーザなどレーザ加工の他、ウエットエッチング法などが適用可能である。次に、第2絶縁基体として所定の部分開孔部5をパンチング加工等で打ち抜いた接着材36付きフレーム基材37を配線パターン面に接着させる図18d。ここで、仮に2層フレキシブル基材のポリイミド層厚さが25μmであれば、後工程でフレームに固着することを考慮すれば接着するポリイミドフィルムの厚さとして50~70μm程度が必要になる。なお、ポリイミドを接着する領域についても特に限定するものではなく、半導体チップを搭載する部分に設けることにより、CSPのように半導体チップ下部に外部接続端子を形成することも可能である。具体的には、チップ実装がワイヤボンディング方式の場合には、最小限ワイヤボンド用端子部38が露出していれば他の領域全てにポリイミドフィルムを接着しても良い。このようにして得られた絶縁基板を、個々の配線パターンに分離し図18e別に用意した例えばSUSなどのフレーム43に固着する図18f。次に、半導体チップ39を搭載し、金ワイヤ40で半導体チップと配線パターン間を電気的に接続させる図18g。一方、半導体チップ実装方式としてフェースダウン方式を採用する場合には、配線パターンの所定位置半導体チップの外部接続用電極位置に対応に金属パンプ等を設け、金属バンプを介して半導体チップと波線パターンとを電気的に接続させても良い。次に、トランスファーモールド用の金型にセットし、樹脂封止材41で封止する図18h。この場合、樹脂封止材は特に限定するものではなく、例えば、直径10~20μm程度のシリカを5~80wtの範囲で含有したエポキシ系樹脂などが適用できる。次に、外部基板との接続部12を形成する。接続部12の形成方法としては、図18cの工程後にあらかじめ電解めっき法によりポリイミドフィルム厚さ以上のバンプを形成しておく方法や樹脂封止後にはんだ印刷法によりはんだバンプを形成する方法などが適用可能である。最後に、フレームからパッケージ部を切断して所望するパッケージが得られる図18i。図18の第十六の実施例を更に具体的に説明する。具体例2厚さ12μmの電解銅箔を片面に有する2層フレキシブル基材日立化成工業株製、商品名:MCF5000Iの銅箔面上にドライフィルムレジスト日立化成工業株製、商品名:フォテックHK815をラミネートし、露光、現像により所望するレジストパターンを得た。次に、塩化第二鉄溶液で銅箔をエッチング加工後、レジストパターンを水酸化カリウム溶液で剥離することにより所定の配線パターンを得た。次に、エキシマレーザ加工機住友重機械工業株製、装置名:INDEX200を用いて絶縁基材側から配線パターン裏面に達する凹部直径300μmを所定の位置に所定の数だけ形成した。エキシマレーザ加工条件は、エネルギー密度250mJ/cm2、縮小率3.0、発振周波数200Hz、照射パルス数300パルスである。次に50μm厚さのポリイミドフィルム宇部興産製、商品名:UPILEXSの片面に厚さ10μmのポリイミド系接着材日立化成工業株製、商品名:AS2250を有する接着シートを作製し、後工程でのワイヤボンド端子部に相当する領域を含む所定領域をパンチ加工により除去し、接着材を介してポリイミドフィルムと配線パターン付き2層フレキ基材とを加熱圧着させた。圧着条件は、圧力20kgf/cm2、温度180°C、加熱加圧時間60分である。次に、無電解ニッケル、金めっき法によりワイヤボンド用端子部にニッケル/金めっきを施した。めっき厚さは、それぞれ、3μm、0.3μmである。このようにして得られた基板を、個々の配線パターンに分離し、別に用意したSUSフレ-ムに固着した。次に、半導体チップ搭載用ダイボンド材日立化成工業株製、商品名:HM-1を用いて半導体チップを搭載した。搭載条件は、プレス圧力5kgf/cm2、接着温度380°C及び圧着時間5秒である。次に、ワイヤボンディングにより半導体チップの外部電極部と配線パターンを電気的に接続した。その後、リードフレーム状に金型加工し、トランスファーモールド用金型にセットし、半導体封止用エポキシ樹脂日立化成工業株製、CL-7700を用いて185°C、90秒で封止した。続いて、前述の凹部に所定量のはんだを印刷塗布し、赤外線リフロー炉によりはんだを溶融させて外部接続用バンプを形成した。最後に、パッケージ部を金型で打ち抜き、所望するパッケージを得た。図19、20、21により本発明の第十七の実施例について説明する。支持体51上に複数組の所定の配線パターン52を形成する図19a。支持体としては、電解銅箔などの金属箔の他にポリイミドフィルムなどの絶縁基材を適用できる。絶縁基材を適用する場合には2通りの方法がある。第1の方法は、絶縁基材の所定部分に配線パターンに達する非貫通凹部を形成し、配線パターンの露出部に外部接続端子を形成する方法である。非貫通凹部はエキシマレーザや炭酸ガスレーザなどを適用して形成できる。第2の方法は、接着材付き絶縁基材にドリル加工したものを予め形成しておき、電解銅箔などと積層させた後、銅箔をエッチング加工する方法である。一方、金属箔を適用する場合には、まずフォトレジストなどによりレジストパターンを形成後、金属箔をカソードとして電気めっき法で配線パターンを形成する。この場合、通常の電解銅箔や電解銅箔上に銅箔と化学エッチング条件の異なる金属ニッケル、金、はんだ等の薄層を設けたものなどが適用できる。また、配線パターンとしては銅が好ましいが、前述のように電解銅箔を支持体として適用する場合には、銅箔とエッチング条件の異なる金属自体を配線パターンとして適用したり、あるいは、銅箔エッチング時のバリヤ層となるパターン薄層をパターン銅めっき前に形成したりする必要がある。次に、ダイボンド材53で半導体素子54を搭載後、半導体素子端子と配線パターンとを電気的に接続し図19b、トランスファーモールド法により複数組の半導体素子と配線パターンとを一括して樹脂封止材56で封止する図19c。樹脂封止材は特に限定するものではなく、例えば、直径10~20μm程度のシリカを5~80wtの範囲で含有したエポキシ樹脂のが適用できる。なお、本発明は半導体素子の実装方式がフェースアップ方式の場合に限定されるものではなく、例えば、フェースダウン方式の場合にも適用可能である。具体的には、配線パターン52上の所定位置にフェースダウンボンド用のバンプをめっき法などにより形成した後、半導体素子の外部接続部とバンプとを電気的に接続させれば良い。更に、図20や図21に示したように後工程でパッケージを分割しやすいようにしておくことは有効である。このうち、図20は複数個ある各パッケージ部分の境界部分に溝59を形成するものである。溝の幅や深さ等は、トランスファーモールド用金型の加工寸法により制御可能である。また、図21は、あらかじめ各パッケージ部に対応した部分をくり抜いた格子状中間板60を使用してトランスファーモールドを行なうものである。次に、支持体が金属箔の場合、化学エッチング法などにより支持体を除去し、所定の位置に外部接続用端子57を形成する図19d。支持体として絶縁基材を適用する場合には、前述したようにレーザ等により所定部分の絶縁基材のみを選択的に除去すれば良い。最後に、一括封止した基板を単位部分58に切断分離する。なお、配線パターン露出面に配線パターンを保護する目的でソルダーレジスト層を形成しても良い。第十七の実施例を具体的に説明する。具体例3厚さ35μm、外形250mm角の電解銅箔のシャイニー面に、感光性ドライフィルムレジスト日立化成工業株製、商品名:フォテックHN640をラミネートし、露光、現像により所望するレジストパターン最少ライン/スペース=50μm/50μmを形成した。次に、電気めっき法により、厚さ0.2μmのニッケル、30μmの銅、5μmのニッケル及び1μmのソフト金で構成される同一の配線パターンを300個4ブロック/250mm角、75個/ブロック形成した。次に、液温35°C、濃度3wtの水酸化カリウム溶液を用いてレジストパターンを剥離し、85°Cで15分間乾燥後、各ブロックに切断後、半導体素子実装用ダイボンド材日立化成工業株製、商品名:HM-1を用いて半導体素子を接着した。接着条件は、プレス圧力5kg/cm2、温度380°C及び圧着時間5秒である。次に、半導体素子の外部端子と金めっき端子部第2の接続部をワイヤボンドにより電気的に接続した後、トランスファーモールド金型にセットし、半導体封止用エポキシ樹脂日立化成工業株製、商品名:CL-7700を用いて185°C、90秒で75個1ブロックに相当の配線パターンを一括封止することにより、各配線パターンを封止材中に転写した。次に、アルカリエッチャントメルテックス株製、商品名:Aプロセスを用いて電解銅箔の所望する部分をエッチング除去した。エッチング液の温度は40°C、スプレー圧力は1.2kgf/cm2である。次に、印刷法により外部接続端子部にはんだパターンを形成し、赤外線リフロー炉によりはんだを溶融させて外部接続用バンプを形成した。最後に、ダイヤモンドカッターにより、各パッケージ部に分離して所望するパッケージを得た。具体例4厚さ35μm、外形250mm角の電解銅箔のシャイニー面に、感光性ドライフィルムレジスト日立化成工業株製、商品名:フォテックHN640をラミネートし、露光、現像により所望するレジストパターン最少ライン/スペース=50μm/50μmを形成した。次に、電気めっき法により、厚さ0.2μmのニッケル、30μmの銅、5μmのニッケル及び1μmのソフト金で構成される同一の配線パターンを300個4ブロック/250mm角、75個/ブロック形成した。次に、液温35°C、濃度3wtの水酸化カリウム溶液を用いてレジストパターンを剥離し、85°Cで15分間乾燥後、各ブロックに切断後、半導体素子実装用ダイボンド材日立化成工業株製、商品名:HM-1を用いて半導体素子を接着した。接着条件は、プレス圧力5kg/cm2、温度380°C及び圧着時間5秒である。次に、半導体素子の外部端子と金めっき端子部第2の接続部をワイヤボンドにより電気的に接続した。次に、パッケージ領域に相当する部分15mm角をくり抜いた格子状ステンレス板を中間板としてトランスファーモールド金型にセットし、半導体封止用エポキシ樹脂日立化成工業株製、商品名:CL-7700を用いて185°C、90秒で75個1ブロックに相当の配線パターンを一括封止することにより、各配線パターンを封止材中に転写した。中間板の格子部分は、各パッケージが中間板から分離しやすいように12°のテーパがついている。次に、アルカリエッチャントメルテックス株製、商品名:Aプロセスを用いて電解銅箔の所望する部分をエッチング除去した。各パッケージ部は、格子状中間板で保持されている。エッチング液の温度は40°C、スプレー圧力は1.2kgf/cm2である。最後に、印刷法により外部接続端子部にはんだパターンを形成し、赤外線リフロー炉によりはんだを溶融させて外部接続用バンプを形成し、中間板から各パッケージ部に分離して所望するパッケージを得た。図22により本発明の第十八の実施例について説明する。導電性の仮支持体61図22a上に複数組の所定のレジストパターン62図22bを形成する。次に、電気めっき法により仮支持体の露出部に配線パターン63を形成する。この場合、仮支持体は特に限定されるものではなく、例えば、通常の電解銅箔や電解銅箔上に銅箔と化学エッチング条件の異なる金属ニッケル、金、はんだ等の薄層を設けたものなどが適用できる。また、配線パターンとしては銅が好ましいが、前述のように電解銅箔を仮支持体として適用する場合には、銅箔とエッチング条件の異なる金属自体を配線パターンとして適用したり、あるいは、銅箔エッチング時のバリヤ層となるパターン薄層をパターン銅めっき前に形成したりする必要がある。仮支持体の厚さは、後工程でのハンドリング性や半導体素子実装時の寸法安定性などの点で支障がなければ特に限定されることはない。次に、仮支持体をカソードとして金ワイヤボンド用のめっき通常は、ニッケル/金64を施した後、レジストパターンを除去する図22c。なお、本発明は半導体素子の実装方式がフェースアップ方式の場合に限定されるものではなく、例えば、フェースダウン方式の場合にも適用可能である。具体的には、配線パターン63上の所定位置にフェースダウンボンド用のバンプをめっき法などにより形成した後、半導体素子の外部接続部とバンプとを電気的に接続させれば良い。次に、半導体素子65をダイボンド材66などで接着し、半導体素子の外部接続端子と配線パターンとを電気的に接続する図22d。次に、トランスファーモールド用金型にセットし、樹脂封止材68で封止する図22e。この場合、樹脂封止材は特に限定するものではなく、例えば、直径10~20μm程度のシリカを5~80wtの範囲で含有したエポキシ樹脂が適用できる。次に、外部接続端子に相当する箇所に所定の金属パターン69を形成する図22f。この場合、適用する金属としては、導電性仮支持体をエッチング除去する条件下でエッチングされないものであれば良く、例えば、はんだ、金、ニッケル/金などが適用可能である。また、金属パターンの形成法としては、公知の電気めっき法やはんだ印刷法などが適用できる。更に、金属パターン69をはんだパターンを印刷法で形成する場合、リフローすることによりハンダバンプ70を形成することができる。この場合、パターン69の厚さを調節することにより、リフロー後のはんだバンプ70の高さを制御することができる。次に、金属パターンをエッチングレジストとして仮支持体の所定部分を除去し、配線パターンを露出させる。最後に、金型加工、あるいは、ダイシング加工など適用して各パッケージ71を分割する図22g。なお、露出した配線パターンがニッケルなどの耐腐食性金属で保護されていない場合には、外部接続端子部以外の領域を公知のソルダーレジストなどで被覆しても良い。また、はんだを金属パターンとして適用する場合、リフロー工程は特に限定するものではなく、各パッケージに分割する前でも後でも良いし、あるいは、外部配線基板上に各パッケージを実装する際に行なっても良い。第十八の実施例を具体的に説明する。具体例5厚さ70μmの電解銅箔のシャイニー面に、感光性ドライフィルムレジスト日立化成工業株製、商品名:フォテックHN640をラミネートし、露光、現像により所望するレジストパターン最少ライン/スペース=50μm/50μmを形成した。次に、電気めっき法により、厚さ0.2μmのニッケル、30μmの銅、5μmのニッケル及び1μmのソフト金で構成される配線パターンを形成した。次に、液温35°C、濃度3wtの水酸化カリウム溶液を用いてレジストパターンを剥離し、85°Cで15分間乾燥後、半導体素子実装用ダイボンド材日立化成工業株製、商品名:HM-1を用いて半導体素子を接着した。接着条件は、プレス圧力5kg/cm2、温度380°C及び圧着時間5秒である。次に、半導体素子の外部端子と金めっき端子部第2の接続部をワイヤボンドにより電気的に接続した後、トランスファーモールド金型にセットし、半導体封止用エポキシ樹脂日立化成工業株製、商品名:CL-7700を用いて185°C、90秒で封止することにより、配線パターンを封止材中に転写した。次に、電解銅箔上に感光性ドライフィルムレジスト日立化成工業株製、商品名:フォテックHN340をラミネートし、露光、現像により所望するレジストパターンを形成後、電気めっき法により厚さ40μmのはんだパッド直径0.3mmφ、配置ピッチ1.0mmを形成した。次に、ドライフィルムレジストを剥離した後、アルカリエッチャントメルテックス株製、商品名:Aプロセスを用いて電解銅箔の所望する部分をエッチング除去した。エッチング液の温度は40°C、スプレー圧力は1.2kgf/cm2である。最後に、赤外線リフロー炉によりはんだを溶融させて外部接続用バンプを形成した。図23、24、25により本発明の第十九の実施例を説明する。半導体実装用フレームの構成について図23を用いて説明する。89は半導体実装用基板であり絶縁基材と配線によって構成される。基板部と連結部90を介して、複数個連結されている。連結部90には、基準位置用ピン穴91が形成される。ピン穴91の代わりに画像認識で用いられる認識マーク等でも構わない。後工程では、これらの基準位置をもとに位置が決められる。特に半導体を樹脂でモールドする際はキャビティ内のピンをピン穴91にさして位置合わせを行うことなどが行われる。更に図24及び25を用いて説明する。導電性仮基板である厚さ約0.070mmの電解銅箔81の片面に厚さ0.001mmのニッケル層図24、25では省略を電解めっきで形成した。次に感光性ドライフィルムレジスト日立化成工業株製、商品名:フォテックHN340をラミネートし、露光、現像により複数組の配線パターンのめっきレジストを形成する。この時の露光量は70mJ/cm2である。さらに、公知の硫酸銅浴にて電解銅めっきを行い、レジストを剥離し、複数組の配線82を形成する図24a、図25a。ここで、図25aに示したように連結部にめっき銅82’を形成することも考えられ、これにより出来上がりのフレームの剛性をさらに高めることも可能である。図24a、図25aに示した構成は、銅/ニッケル薄層/銅の3層からなる基材をあらかじめ用意し、片方の銅箔を通常のエッチング工程で配線形成しても得られる。また、ここで得られた銅箔81/ニッケル薄層図示せず/銅配線82及び82’の構成を銅箔/ニッケル配線、ニッケル箔/銅配線等、ニッケル薄層のない2層構造にしてもよい。すなわち、金属種の撰択は本実施例の種類に限られることはないが、後の工程で仮基板の一部をエッチング除去図24c、図25cしたときに、配線が撰択的に残るようにできることが好適な撰択基準となる。また、導電性仮基板はフレームの連結部の構成材となるため厚いほうが好ましいが、後でその一部をエッチング除去する工程があるため、適当な厚さを撰択する必要がある。導電性仮基板の厚みとしては、材質にもよるが、例えば銅箔を用いる場合、約0.03~0.3mm程度が好ましい。次に、複数組の配線82を形成した銅箔81の配線面にポリイミド接着剤83を接着した。ここで、ポリイミド接着剤83は、この材料に限られることなく、例えば、エポキシ系接着フィルム、ポリイミドフィルムに接着剤を塗布したフィルム等も利用可能である。次に、エキシマレーザを用いて外部接続端子用穴84を形成した図24b、図25b。後工程における工程簡略化のためには半導体を実装する前に接続端子を設けておくことが好適である。また、この穴84の形成法として他に、あらかじめドリルやパンチ加工でフィルムに外部接続端子用穴84を形成しておき、このフィルムを接着する方法を用いてもかまわない。さらにここで、この穴84に接続端子として用いる半田等の金属図24f、図25fの88に相当を充填させておいてもかまわないが、後の半導体実装工程、樹脂封止工程では、金属突起が障害となることもあり、後の工程で形成する方が好ましい。半導体素子実装基板部の外部接続端子用穴または端子は半導体素子搭載反対面にアレイ状に配置されるようにするのが好ましい。次に、配線パターンが形成されている部分の仮基板である電解銅箔の一部をエッチング除去した。このエッチング液として、この実施例の構成の場合、ニッケルに比べて銅の溶解速度が著しく高いエッチング液、エッチング条件を撰択するのがよい。この実施例では、エッチング液としてアルカリエッチャントメルテックス株製、商品名:Aプロセスが、エッチング条件としては例えば液温度を40°C、スプレー圧力を1.2kgf/cm2とした。ここで示した液の種類、条件は一例にすぎない。この工程によって基板部分のニッケル薄層が露出される。このニッケル薄層だけをエッチングする際には、銅よりニッケルの溶解速度が著しく高いエッチング液、エッチング条件を撰択するのがよい。この実施例では、ニッケルエッチャントメルテックス株製、商品名:メルストリップN950で選択的にエッチング除去した。エッチング液の温度を40°C、スプレー圧力を1.2kgf/cm2とした。ここで示した液の種類、条件も一例にすぎない。このような工程を経て、連結部の仮基板が残され、剛性のある半導体実装用フレームが得られる図24c、図25c。この実施例ではこのフレームの銅配線端子部分には無電解ニッケル-金めっきが施される図では省略。これは、後工程でチップをワイヤーボンディングするために必要であり、このような表面処理は必要に応じて施せばよい。さらに半導体チップ85を搭載する。半導体チップの接着には、半導体用ダイボンディングテープ86例えば、日立化成工業株製、商品名:HM-1を用いた。ここで、チップの下に配線がない場合には、ダイボンド用銀ペーストを用いて接着してもよい。次に半導体端子部と配線とをワイヤボンド100により接続する図24d、図25d。半導体端子との接続は、他の方法、例えば、フェイスダウンによるフィリップチップ接続や異方導電性背着剤による接着でもよい。このようにして形成したものをトランスファモールド金型に装填し、半導体封止用エポキシ樹脂日立化成工業株製、商品名:CL-7700を用いて各々封止87する図24e、図25e。その後、配線82の接続端子部に設けた接続用穴にはんだボール88を配置し溶融させて形成する図24f、図25f。このはんだボール88はいわゆる外部接続端子となる。連結部102によってつながっている複数個の半導体装置を金型で打ち抜いて個々の半導体装置が得られる図24g、図25g。この実施例では、半導体実装用フレーム及び半導体装置製造法により、ポリイミドテープ等フィルム基板を用いたBGA、CSP等の半導体装置製造において、十分な剛性を備えたフレームを得ることができ、これを利用することによって半導体装置を精度良く効率良く作製可能になる。