"データの書き込みおよび読み出しを行う記憶装置であって、所定の信号の入力または出力用の端子である信号端子と、駆動用の電力を供給する電源に接続するための電源端子と、基準電位を規定するグラウンドに接続するための接地端子と、前記電源端子および前記接地端子に接続され、データの読み出しおよび書き込みを制御する制御回路とを備え、前記信号端子と前記電源端子との間において、前記信号端子から前記電源端子に電流が流れる方向に寄生ダイオードが形成されている記憶装置と、前記記憶装置の外部において、前記信号端子と前記電源の間に接続されるプルアップ抵抗とを備え、前記電源の電圧の最大値をVcc、前記寄生ダイオードの順電圧の最小値をVf、前記記憶装置の書き込み禁止電圧の最小値をVi、前記記憶装置のデータ書き込み時の消費電流の最小値をIとした場合に、前記プルアップ抵抗の抵抗値Rが、R≧-Vf-Vi/Iを満たすことを特徴とする電気回路。データの書き込みおよび読み出しを行う記憶装置であって、所定の信号の入力または出力用の端子である信号端子と、駆動用の電力を供給する電源に接続するための電源端子と、基準電位を規定するグラウンドに接続するための接地端子と、前記電源端子および前記接地端子に接続され、データの読み出しおよび書き込みを制御する制御回路とを備え、前記接地端子と前記信号端子との間において、前記接地端子から前記信号端子に電流が流れる方向に寄生ダイオードが形成されている記憶装置と、前記記憶装置の外部において、前記信号端子と前記グラウンドの間に接続されるプルダウン抵抗とを備え、前記電源の電圧の最大値をVcc、前記寄生ダイオードの順電圧の最小値をVf、前記記憶装置の書き込み禁止電圧の最小値をVi、前記記憶装置のデータ書き込み時の消費電流の最小値をIとした場合に、前記プルダウン抵抗の抵抗値Rが、R≧-Vf-Vi/Iを満たすことを特徴とする電気回路。本発明が解決しようとする課題は、記憶装置の電源端子が電源に接続されていない場合、あるいは、記憶装置の接地端子がグラウンドに接続されていない場合に、記憶装置の動作を安定させることである。本発明の第1の側面の電気回路は、データの書き込みおよび読み出しを行う記憶装置であって、所定の信号の入力または出力用の端子である信号端子と、駆動用の電力を供給する電源に接続するための電源端子と、基準電位を規定するグラウンドに接続するための接地端子と、前記電源端子および前記接地端子に接続され、データの読み出しおよび書き込みを制御する制御回路とを備え、前記信号端子と前記電源端子との間において、前記信号端子から前記電源端子に電流が流れる方向に寄生ダイオードが形成されている記憶装置と、前記記憶装置の外部において、前記信号端子と前記電源の間に接続されるプルアップ抵抗とを備え、前記電源の電圧の最大値をVcc、前記寄生ダイオードの順電圧の最小値をVf、前記記憶装置の書き込み禁止電圧の最小値をVi、前記記憶装置のデータ書き込み時の消費電流の最小値をIとした場合に、前記プルアップ抵抗の抵抗値Rが、R≧-Vf-Vi/Iを満たす。本発明の第1の側面の電気回路においては、電源と電源端子が未接続の場合に、記憶装置にデータが書き込まれなくなる。従って、記憶装置の電源端子が電源に接続されていない場合に、記憶装置の動作を安定させることができる。この記憶装置は、例えば、EEPROMにより構成される。本発明の第2の側面の電気回路は、データの書き込みおよび読み出しを行う記憶装置であって、所定の信号の入力または出力用の端子である信号端子と、駆動用の電力を供給する電源に接続するための電源端子と、基準電位を規定するグラウンドに接続するための接地端子と、前記電源端子および前記接地端子に接続され、データの読み出しおよび書き込みを制御する制御回路とを備え、前記接地端子と前記信号端子との間において、前記接地端子から前記信号端子に電流が流れる方向に寄生ダイオードが形成されている記憶装置と、前記記憶装置の外部において、前記信号端子と前記グラウンドの間に接続されるプルダウン抵抗とを備え、前記電源の電圧の最大値をVcc、前記寄生ダイオードの順電圧の最小値をVf、前記記憶装置の書き込み禁止電圧の最小値をVi、前記記憶装置のデータ書き込み時の消費電流の最小値をIとした場合に、前記プルダウン抵抗の抵抗値Rが、R≧-Vf-Vi/Iを満たす。本発明の第2の側面の電気回路においては、接地端子とグラウンドが未接続の場合に、記憶装置にデータが書き込まれなくなる。従って、記憶装置の接地端子がグラウンドに接続されていない場合に、記憶装置の動作を安定させることができる。この記憶装置は、例えば、EEPROMにより構成される。本発明の第1側面の側面によれば、記憶装置の電源端子が電源に接続されていない場合に、記憶装置の動作を安定させることができる。また、本発明の第2の側面によれば、記憶装置の接地端子がグラウンドに接続されていない場合に、記憶装置の動作を安定させることができる。以下、本発明を実施するための形態以下、実施の形態というについて説明する。なお、説明は以下の順序で行う。1.第1の実施の形態プルアップ抵抗を設ける例2.第2の実施の形態プルダウン抵抗を設ける例3.変形例<1.第1の実施の形態>図4は、本発明を適用した電気回路の第1の実施の形態を示す回路図である。図4の電気回路は、上述した図2の電気回路と同様の電気回路であり、対応する部分には同じ符号、あるいは、下1桁が同じ符号を付してある。図4の電気回路は、EEPROM101、CPU102、プルアップ抵抗R101、電源Vcc、および、グラウンドGを含むように構成される。EEPROM101は、CPU102からの指令に基づいて、CPU102から入力されるデータを内部の記憶素子に書き込んだり、内部の記憶素子に記憶されているデータを読み出して、CPU102に出力したりする。なお、この図では、EEPROM101の複数の端子のうち、信号出力用の端子である信号端子SO、電源接続用の端子である電源端子Vin、および、接地用の端子である接地端子GNDが示されている。信号端子SOからは、CPU102により読み出されるデータを示す信号が出力される。また、信号端子SOは、CPU102との間において、プルアップ抵抗R101を介して、電源Vccに接続されている。電源端子Vinは、所定の電圧の電力を供給する電源Vccに接続され、EEPROM101の駆動用の電力が入力される。接地端子GNDは、所定の基準電位点を規定するグラウンドGに接続されている。また、この図には、信号端子SOの等価回路111、および、データの書き込みおよび読み出しを制御する制御手段である制御部112が示されている。等価回路111の入力部には、寄生ダイオードD101,D102が形成されている。より詳細には、寄生ダイオードD101は、信号端子SOと電源端子Vinとの間において、信号端子SOから電源端子Vinに電流を流す方向に形成されている。また、寄生ダイオードD102は、接地端子GNDと信号端子SOとの間において、接地端子GNDから信号端子SOに電流を流す方向に形成されている。制御部112は、電源端子Vinおよび接地端子GNDに接続され、電源端子Vinを介して電源Vccから供給される電力により動作する。ここで、図5に示されるように、配線ミスや回路不良等により、電源Vccと電源端子Vinの間が未接続の場合、矢印A101で示されるように、電源Vccから、抵抗R101、信号端子SO、寄生ダイオードD101を介して制御部112に電流が流れ込む。このとき制御部112に印加される電圧Vcceは、以下の式1により求められる。Vcce=Vcc-Vgnd=Vcc-Ru×I1-Vf11なお、Vccは、電源Vccの電圧を示している。Vgndは、接地端子GNDの電圧を示し、いまの場合0Vとしている。Ruはプルアップ抵抗R101の抵抗値を示している。I1は矢印A101の方向に流れる電流を示している。Vf1は寄生ダイオードD101の順電圧を示している。ところで、EEPROM101には、データの書き込みを行うときの推奨電圧Vrが定められている。すなわち、制御部112に印加する電圧を推奨電圧Vrの範囲内に設定することにより、EEPROM101へのデータの書き込みが保証され、確実に書き込みが行うことができる。従って、電源Vccと電源端子Vinとの間が接続されていない場合に、確実にEEPROM101にデータを書き込めるようにするためには、データの書き込み時に制御部112に印加される電圧Vcceの最小値Vcceが、推奨電圧Vrの最小値Vr以上になるように、プルアップ抵抗R101の抵抗値Ruを設定すればよい。なお、データの書き込み時に電圧Vcceが最小になるのは、電源Vccの電圧Vccが最小になり、EEPROM101の書き込み時の消費電流、すなわち、書き込み時に矢印A101の方向に流れる電流I1が最大になり、寄生ダイオードD101の順電圧Vf1が最大になる場合である。従って、次式2を満たすようにプルアップ抵抗R101の抵抗値Ruを設定すれば、電源Vccと電源端子Vinとの間が接続されていない場合に、確実にEEPROM101にデータを書き込むことが可能になる。Vcce=Vcc-Ru×I1-Vf1≧Vr2なお、Vccは電源Vccの最小電圧を示し、I1はEEPROM101の書き込み時の消費電流の最大値を示し、Vf1は寄生ダイオードD101の順電圧Vf1の最大値を示している。そして、式2を変形することにより、次式3が求められる。Ru≦-Vf1-Vr/I13この式3は、電源Vccと電源端子Vinとの間が接続されていない場合に、確実にEEPROM101にデータを書き込めるようにするためのプルアップ抵抗R101の抵抗値Ruの条件を示している。例えば、電源Vccの電圧Vccの変動範囲を49V~51Vとし、寄生ダイオードD101の順電圧Vf1の変動範囲を03~08Vとし、データ書き込み時の消費電流I1の変動範囲を01mA~25mAとし、EEPROM101の推奨電圧Vrの最小値Vrを30Vとした場合、式3を満たす抵抗値Ruの範囲は、次式4のとおりになる。Ru≦/00025=440Ω4また、EEPROM101には、制御部112に印加される電圧が低下した場合に、データの書き込みを禁止する書き込み禁止電圧Viが定められている。すなわち、制御部112に印加される電圧が書き込み禁止電圧Vi以下になると、EEPROM101にデータが書き込めなくなる。従って、電源Vccと電源端子Vinとの間が接続されていない場合に、確実にEEPROM101にデータを書き込めないようにするためには、データの書き込み時に制御部112に印加される電圧Vcceの最大値Vcceが、書き込み禁止電圧Viの最小値Vi以下になるように、プルアップ抵抗R101の抵抗値Ruを設定すればよい。なお、データの書き込み時に電圧Vcceが最大になるのは、電源Vccの電圧Vccが最大になり、EEPROM101の書き込み時の消費電流、すなわち、書き込み時に矢印A101の方向に流れる電流I1が最小になり、寄生ダイオードD101の順電圧Vf1が最小になる場合である。従って、次式5を満たすようにプルアップ抵抗R101の抵抗値Ruを設定すれば、電源Vccと電源端子Vinとの間が接続されていない場合に、確実にEEPROM101にデータを書き込めないようにすることが可能になる。Vcce=Vcc-Ru×I1-Vf1≦Vi5なお、Vccは電源Vccの最大電圧を示し、I1はEEPROM101の書き込み時の消費電流の最小値を示し、Vf1は寄生ダイオードD101の順電圧Vf1の最小値を示している。そして、式5を変形することにより、次式6が求められる。Ru≧-Vf1-Vi/I16この式6は、電源Vccと電源端子Vinとの間が接続されていない場合に、確実にEEPROM101にデータを書き込めないようにするためのプルアップ抵抗R101の抵抗値Ruの条件を示している。例えば、電源Vccの電圧Vccの変動範囲を49V~51Vとし、寄生ダイオードD101の順電圧Vf1の変動範囲を03~08Vとし、データ書き込み時の消費電流I1の変動範囲を01mA~25mAとし、EEPROM101の書き込み禁止電圧Viの最小値Viを088Vとした場合、式6を満たす抵抗値Ruの範囲は、次式7のとおりになる。Ru≧/00001=392kΩ7このように、プルアップ抵抗R101の抵抗値Ruを式3または式6を満たすように設定することにより、電源Vccと電源端子Vinの未接続時の動作を安定させることができる。<2.第2の実施の形態>図6は、本発明を適用した電気回路の第2の実施の形態を示す回路図である。図6の電気回路は、上述した図3の電気回路と同様の電気回路であり、図4の電気回路のプルアップ抵抗R101の代わりに、プルダウン抵抗R102を設けたものである。すなわち、EEPROM101の信号端子SOは、CPU102との間において、プルダウン抵抗R102を介して、グラウンドGに接続されている。なお、図中、図4と対応する部分には同じ符号を付してあり、その説明は、繰り返しになるので省略する。ここで、図7に示されるように、配線ミスや回路不良等により、グラウンドGと接地端子GNDの間が未接続の場合、矢印A102に示されるように、制御部112から、寄生ダイオードD102、信号端子SO、プルダウン抵抗R102を介して、グラウンドGに電流が流れ込む。このとき制御部112に印加される電圧Vcceは、以下の式8により求められる。Vcce=Vcc-Vgrd=Vcc-8なお、Vf2は寄生ダイオードD102の順電圧を示し、Rdは抵抗R102の抵抗値を示し、I2は矢印A102の方向に流れる電流を示している。そして、接地端子GNDとグラウンドGとの間が接続されていない場合に、確実にEEPROM101にデータを書き込めるようにするためには、データの書き込み時に制御部112に印加される電圧Vcceの最小値Vcceが、推奨電圧Vrの最小値Vr以上になるように、プルダウン抵抗R102の抵抗値Rdを設定すればよい。なお、データの書き込み時に電圧Vcceが最小になるのは、電源Vccの電圧Vccが最小になり、寄生ダイオードD102の順電圧Vf2が最大になり、EEPROM101の書き込み時の消費電流、すなわち、書き込み時に矢印A102の方向に流れる電流I2が最大になる場合である。従って、次式9を満たすようにプルダウン抵抗R102の抵抗値Rdを設定すれば、接地端子GNDとグラウンドGとの間が接続されていない場合に、確実にEEPROM101にデータを書き込むことが可能になる。Vcce=Vcc-Rd×I2≧Vr9なお、Vf2は寄生ダイオードD102の順電圧Vf2の最大値を示し、I2はEEPROM101の書き込み時の消費電流の最大値を示している。そして、式9を変形することにより、次式10が求められる。Rd≦-Vf2-Vr/I210この式10は、接地端子GNDとグラウンドGとの間が接続されていない場合に、確実にEEPROM101にデータを書き込めるようにするためのプルダウン抵抗R102の抵抗値Rdの条件を示している。例えば、電源Vccの電圧Vccの変動範囲を49V~51Vとし、寄生ダイオードD102の順電圧Vf2の変動範囲を03~08Vとし、データ書き込み時の消費電流I2の変動範囲を01mA~25mAとし、EEPROM101の推奨電圧Vrの最小値Vrを30Vとした場合、式10を満たす抵抗値Rdの範囲は、次式11のとおりになる。Rd≦/00025=440Ω11一方、接地端子GNDとグラウンドGとの間が接続されていない場合に、確実にEEPROM101にデータを書き込めないようにするためには、データの書き込み時に制御部112に印加される電圧Vcceの最大値Vcceが、書き込み禁止電圧Viの最小値Vi以下になるように、プルダウン抵抗R102の抵抗値Rdを設定すればよい。なお、データの書き込み時に電圧Vcceが最大になるのは、電源Vccの電圧Vccが最大になり、寄生ダイオードD102の順電圧Vf2が最小になり、EEPROM101の書き込み時の消費電流、すなわち、書き込み時に矢印A102の方向に流れる電流I2が最小になる場合である。従って、次式12を満たすようにプルダウン抵抗R102の抵抗値Rdを設定すれば、接地端子GNDとグラウンドGとの間が接続されていない場合に、確実にEEPROM101にデータを書き込めないようにすることが可能になる。Vcce=Vcc-Rd×I2≦Vi12なお、Vf2は寄生ダイオードD102の順電圧Vf2の最小値を示し、I2はEEPROM101の書き込み時の消費電流の最小値を示している。そして、式12を変形することにより、次式13が求められる。Rd≧-Vf2-Vi/I213この式13は、接地端子GNDとグラウンドGとの間が接続されていない場合に、確実にEEPROM101にデータを書き込めないようにするためのプルダウン抵抗R102の抵抗値Rdの条件を示している。例えば、電源Vccの電圧Vccの変動範囲を49V~51Vとし、寄生ダイオードD102の順電圧Vf2の変動範囲を03~08Vとし、データ書き込み時の消費電流I2の変動範囲を01mA~25mAとし、EEPROM101の書き込み禁止電圧Viの最小値Viを088Vとした場合、式13を満たす抵抗値Ruは、次式14のとおり求められる。Rd≧/00001=392kΩ14このように、プルダウン抵抗R102の抵抗値Rdを式10または式13を満たすように設定することにより、接地端子GNDとグラウンドGの未接続時の動作を安定させることができる。<3.変形例>以下、本発明の実施の形態の変形例について説明する。[変形例1]本発明は、信号端子SOのように、寄生ダイオードを介して電源端子Vinと接地端子GNDの両方に接続されている端子だけでなく、いずれか一方にのみ接続されている信号端子に、プルアップ抵抗またはプルダウン抵抗を接続する場合にも適用することができる。例えば、図8は、EEPROM101の信号端子SIの等価回路121を示している。信号端子SIには、CPU102により書き込まれるデータを示す信号が入力される。また、信号端子SIは、CPU102との間において、プルダウン抵抗R121を介して、グラウンドGに接続されている。また、等価回路121の入力部には、寄生ダイオードD121が形成されている。より詳細には、寄生ダイオードD121は、接地端子GNDと信号端子SIとの間において、接地端子GNDから信号端子SIに電流を流す方向に形成されている。この場合も、上述したように、式10を満たすように、プルダウン抵抗R121の抵抗値を設定することにより、接地端子GNDとグラウンドGの間が接続されていない場合に、確実にEEPROM101にデータを書き込めるようにすることができる。また、上述したように、式13を満たすように、プルダウン抵抗R121の抵抗値を設定することにより、接地端子GNDとグラウンドGの間が接続されていない場合に、確実にEEPROM101にデータを書き込めないようにすることができる。[変形例2]本発明は、上述したEEPROM以外にも、信号端子と電源端子との間、または、信号端子と接地端子の間に寄生ダイオードが形成されている記憶装置に適用することが可能である。なお、本発明の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。"