"約1.0W/m.Kを超える熱伝導度を備える基材と、前記基材によって支持されるLEDダイであり、前記基材に熱的に結合されているLEDダイと、前記LEDダイ上の絶縁材料であり、少なくとも部分的に透明である絶縁材料と、前記絶縁材料とは隔置されているコンバータ材料であり、蛍りん光体を含むコンバータ材料と、前記コンバータ材料と前記基材との双方に直接接触している伝導材料であり、約1.0W/m.Kを超える熱伝導度を有する伝導材料と、を含む発光ダイオードLEDデバイス。前記基材が、ケイ素Si、窒化ガリウムGaN、窒化アルミニウムAlN、銅Cu、アルミニウムAl、タングステンW、ステンレス鋼Fe、ダイヤモンドC、ガラスSiO2、炭化ケイ素SiC、酸化アルミニウムAl2O3のうちの少なくとも1つを含み、前記LEDダイが、一連の互いの上に堆積された、N型窒化ガリウムGaN材料、窒化インジウムガリウムInGaN材料、及びP型GaN材料を含み、前記絶縁材料が、ポリイミド、溶媒溶解性熱可塑性ポリイミド、セラミック材料、及びガラスのうちの少なくとも1つを含み、前記絶縁材料が、約0.15W/m.K未満の熱伝導度を有し、前記伝導材料が、セリウムIIIドープイットリウムアルミニウムガーネットYAGネオジミウムドープYAG、ネオジミウム-クロム二重ドープYAG、エルビウムドープYAG、イッテルビウムドープYAG、ネオジミウム-セリウム二重ドープYAG、ホルミウム-クロム-ツリウム三重ドープYAG、ツリウムドープYAG、クロムIVドープYAG、ジスプロジウムドープYAG、サマリウムドープYAG、及びテルビウムドープYAG、CaSEu、CaAlSiN3:Eu、Sr2Si5N8Eu、SrS:Eu、Ba2Si5N8:Eu、Sr2SiO4:Eu、SrSi2N2O2:Eu、SrGa2S4:Eu、SrAl2O4:Eu、Ba2SiO4:Eu、Sr4Al14O25:Eu、SrSiAl2O3N:Eu、BaMgAl10O17:Eu、Sr2P2O7:Eu、BaSO4:Eu、及びSrB4O7:Euのうちの少なくとも1つを含み、前記伝導材料が、酸化インジウムスズITO、フッ素ドープ酸化スズFTO、及び酸化亜鉛ZnOのうちの少なくとも1つを含み、並びに、前記伝導材料が、前記LEDダイに概ね相当する水平部分と、前記水平部分から前記基材に向かって延び、かつ前記基材と直接接触する少なくとも1つの垂直部分とを含む、請求項1に記載のLEDデバイス。前記伝導材料が、前記コンバータ材料と前記絶縁材料との間にある、請求項1に記載のLEDデバイス。前記コンバータ材料が、前記伝導材料と前記絶縁材料との間にある、請求項1に記載のLEDデバイス。前記伝導材料が、前記LEDダイに概ね相当する水平部分と、前記水平部分から前記基材に向かって延び、かつ前記基材と直接接触する2つの向かい合う垂直部分とを含む、請求項1に記載のLEDデバイス。前記伝導材料が、前記LEDダイに概ね相当する水平部分と、前記水平部分から前記基材に向かって延び、かつ前記基材と直接接触する2つの向かい合う垂直部分を含み、前記コンバータ材料が、前記伝導材料を概ね封入する、請求項1に記載のLEDデバイス。前記伝導材料が、前記LEDダイに概ね相当する水平部分と、前記水平部分から前記基材に向かって延び、かつ前記基材と直接接触する2つの向かい合う垂直部分を含み、前記伝導材料の前記水平部分が、前記LEDダイから逸れている表面を含み、並びに、前記コンバータ材料が、前記伝導材料の前記表面上にあり、前記LEDダイの放射領域に概ね相当する幅を備える、請求項1に記載のLEDデバイス。前記伝導材料が、前記コンバータ材料と前記絶縁材料との間にある第一伝導材料であり、前記LEDデバイスが、前記第一伝導材料から隔置され、かつ前記コンバータ材料と直接接触する第二伝導材料を更に含む、請求項1に記載のLEDデバイス。前記伝導材料が、前記コンバータ材料と前記絶縁材料との間にある第一伝導材料であり、前記LEDデバイスが、前記第一伝導材料から隔置され、かつ前記コンバータ材料と直接接触する第二伝導材料を更に含み、前記コンバータ材料が、前記第一伝導材料から前記第二伝導材料に向かって延長している複数のバイアスを含み、前記複数のバイアスが、個別に第三伝導材料を含有する、請求項1に記載のLEDデバイス。前記LEDダイが第一LEDダイであり、前記LEDデバイスが、前記第一LEDダイと並列配置で、前記基材によって支持された第二LEDダイを更に含み、前記絶縁材料、前記コンバータ材料、及び前記伝導材料のうちの少なくとも1つが、前記第一及び第二LEDダイを封入する、請求項1に記載のLEDデバイス。サーマルシンクと、前記サーマルシンクと熱的に結合されたLEDダイと、前記LEDダイから隔置された蛍光体と、前記蛍光体と前記サーマルシンクとの双方に直接接触した熱伝導経路であり、前記蛍光体から前記サーマルシンクに向かって熱を伝えるように構成されている熱伝導経路と、を含む発光ダイオードLEDデバイス。前記熱伝導経路の少なくとも一部が、前記蛍光体と前記LEDダイとの間に直接にある、請求項11に記載のLEDデバイス。前記熱伝導経路の少なくとも一部が、前記蛍光体と前記LEDダイとの間に直接にあり、前記LEDダイが、前記熱伝導経路に隣接する電気絶縁体を含む、請求項11に記載のLEDデバイス。前記熱伝導経路が、第一熱伝導経路であり、並びに、前記LEDデバイスが、前記蛍光体と直接接触している第二伝導経路を更に含み、前記第二熱伝導経路が、前記蛍光体から前記サーマルシンクに向かって熱を伝えるように構成されている、請求項11に記載のLEDデバイス。前記熱伝導経路が、第一熱伝導経路であり、前記LEDデバイスが、前記蛍光体と直接接触している第二伝導経路を更に含み、前記第二熱伝導経路が、前記蛍光体から前記サーマルシンクに向かって熱を伝えるように構成され、前記第一及び第二熱伝導経路が、互いに対して概ね平行である、請求項11に記載のLEDデバイス。前記熱伝導経路が、第一熱伝導経路であり、前記LEDデバイスが、双方ともに前記蛍光体と直接接触している第二伝導経路と第三熱伝導経路を更に含み、前記第二熱伝導経路が、前記蛍光体から前記サーマルシンクに向かって熱を伝えるように構成され、前記第三熱伝導経路が、前記蛍光体から前記第一及び/又は第二熱伝導経路に向かって熱を伝えるように構成されている、請求項11に記載のLEDデバイス。前記熱伝導経路が、第一熱伝導経路であり、前記LEDデバイスが、双方ともに前記蛍光体と直接接触している第二伝導経路と第三熱伝導経路を更に含み、前記第二熱伝導経路が、前記蛍光体から前記サーマルシンクに向かって熱を伝えるように構成されていて、並びに前記第三熱伝導経路が、前記蛍りん光体から前記第一及び/又は第二熱伝導経路に向かって熱を伝えるように構成され、前記第一及び第二熱伝導経路が、互いに対して概ね平行であり、前記第三熱伝導経路が、前記第一及び/又は第二熱伝導経路に概ね垂直である、請求項11に記載のLEDデバイス。前記LEDデバイスが、前記熱伝導経路と前記LEDダイとの間の絶縁材料を更に含み、前記絶縁材料が、前記LEDダイから前記蛍光体に至る熱流に抵抗するよう構成される、請求項11に記載のLEDデバイス。前記LEDデバイスが、前記熱伝導経路と前記LEDダイとの間の絶縁材料を更に含み、前記絶縁材料が、絶縁材料を介して前記LEDダイから前記蛍光体に至る熱流に抵抗するよう構成され、前記熱伝導経路がまた、前記熱流の少なくとも一部を前記サーマルシンクに伝えるように構成されている、請求項11に記載のLEDデバイス。LEDダイがサーマルシンクに熱的に結合されるように、前記LEDダイを前記サーマルシンクに取り付けることと、少なくとも部分的に透明である絶縁材料で、前記LEDダイを封入することと、約1.0W/m.Kを超える熱伝導度を有する、伝導材料を前記絶縁材料及び前記サーマルシンク上に蒸着させることと、前記LEDダイの放射領域に概ね相当する、蛍光体を前記伝導材料上に蒸着させること、と、を含む発光ダイオードLEDデバイスの製造方法。前記伝導材料を蒸着させることが、物理気相蒸着法PVDを介して、酸化インジウムスズITO、フッ素ドープ酸化スズFTO、及び酸化亜鉛ZnOのうちの少なくとも1つを前記絶縁材料上に蒸着させることを含む、請求項20に記載の方法。前記LEDダイを封入することが、スピンコーティング法又は化学気相蒸着法CVDを介して、ポリアミド、溶媒溶解性熱可塑性ポリアミド、セラミック材料、及びガラスのうちの少なくとも1つで、前記LEDダイを封入することを含み、前記伝導材料を蒸着させることが、酸化インジウムスズITO、フッ素ドープ酸化スズFTO、及び酸化亜鉛ZnOのうちの少なくとも1つを、物理気相蒸着法PVDを介して、前記絶縁材料上に蒸着させることを含む、請求項20に記載の方法。前記伝導材料を蒸着させることが、第一伝導材料を前記絶縁材料上に蒸着させることと、前記蛍光体を蒸着後に、第二伝導材料を前記蛍光体上に蒸着させることを含む、請求項20に記載の方法。前記伝導材料を蒸着させることが、第一伝導材料を前記絶縁材料上に蒸着させることと、前記蛍光体を蒸着後に、第二伝導材料を前記蛍光体上に蒸着させることを含み、前記第二伝導材料が、前記第一伝導材料と概ね同一である、請求項20に記載の方法。前記伝導材料を蒸着させることが、第一伝導材料を前記絶縁材料上に蒸着させることと、前記蛍光体を蒸着後に、第二伝導材料を前記蛍光体上に蒸着させることと、前記蛍光体内に、前記第一及び第二伝導材料の間で個別に直接に延びる、複数のバイアスを形成させることと、前記複数のバイアスを、第三伝導材料で埋めること、を含む、請求項20に記載の方法。サーマルシンクと、前記サーマルシンクに熱的に結合され、放射領域を有するLEDダイと、前記LEDダイから隔置されていて、前記LEDダイの前記放射領域に少なくとも部分的に相当する蛍光体と、前記蛍光体から離れて前記サーマルシンクに向かって熱を伝導させる手段と、を含む発光ダイオードLEDデバイス。前記LEDダイから前記蛍光体に向かう熱流に抵抗するための手段を更に含む、請求項26に記載のLEDデバイス。前記蛍光体が、第一表面と、第一表面に向かい合う第二表面とを含み、前記蛍光体から離れて熱を伝導させるための手段が、前記蛍光体の前記第一及び第二表面の双方ともに離れて熱を伝導させるための手段を含む、請求項26に記載のLEDデバイス。前記蛍光体が、第一表面と、第一表面に向かい合う第二表面とを含み、前記蛍光体から離れて熱を伝導させるための手段が、前記第一及び第二表面に対して概ね平行な第一方向に沿って、並びに前記第一方向に対して概ね垂直な第二方向に沿って、前記蛍光体から離れて熱を伝導させるための手段を含む、請求項26に記載のLEDデバイス。SSLデバイス及びサーマルシンキングの関連方法の種々の実施形態が、以下に説明されている。用語LEDとは、電気エネルギーを、例えば、可視、紫外、及び/又は赤外スペクトル中の電磁放射へと変換する半導体ダイオードを一般的に指す。用語蛍光体とは一般的に、エネルギー付加された粒子例えば、電子及び/又は光子にさらされた後に、光を放射し続けることができる材料を指す。この分野の技術の当業者であれば、本発明の技術が追加的実施形態を有し得ること、並びに技術が図2A~4Cを参照して以下に説明されたいくつかの実施形態の詳説なしに実施され得ることをまた理解するであろう。図2Aは、本技術の実施形態によるLEDデバイス100の概略断面図である。図2Aに示さるように、LEDデバイス100は、一連の互いに隣接する、基材102と、LEDダイ104と、絶縁材料106と、伝導材料108と、コンバータ材料110とを含む。前述したLEDデバイスの構成部品のみが図2Aに示されているが、他の実施形態では、LEDデバイス100はまた、封入材、レンズ、カラーフィルター、及び/又は他の適切な周辺構成部品を含むことができる。基材102は、LEDダイ104及び/又はコンバータ材料110から熱を移動させるために、約1.0Wm.Kを超える熱伝導度を有するサーマルシンクを含み得る。例えば、ある実施形態では、基材102は、ケイ素Si、窒化ガリウムGaN、窒化アルミニウムAlN、及び/又は他の好適な半導体材料を含むことができる。他の実施形態において、基材102は、銅Cu、アルミニウムAl、タングステンW、ステンレス鋼、並びに/又は他の好適な金属及び/又は金属合金を含み得る。更に他の実施形態では、基材102は、ダイヤモンド、ガラス、水晶、炭化ケイ素SiC、酸化アルミニウムAl2O3、及び/又は他の好適な結晶あるいはセラミック材料を含み得る。LEDダイ104は、単一のLED又は、アレイに配列された複数個のLEDを含むことができる。LEDダイ104は、放射領域105を介して、可視スペクトル例えば、約565nm~約660nm、赤外スペクトル例えば、約680nm~約970nm、近赤外スペクトル例えば、約1050nm~約1550nm、及び又は他の好適なスペクトルにおいて放射するよう構成され得る。一実施形態では、LEDダイ104は、図1B中に示されたLEDダイ4のものと概ね同様な構造及び機能を有することができる。他の実施形態では、LEDダイ104は、他の好適な構造及び/又は機能を有することができる。絶縁材料106は、コンバータ材料110をLEDダイ104から熱的に絶縁するために、LEDダイ104を少なくとも部分的に封入することができる。したがって、絶縁材料106は、概ね透明であり、低い熱伝導度を有する。例えば、ある実施形態において、絶縁材料106は、約0.5W/m.K未満の熱伝導度を有し得る。他の実施形態では、この絶縁材料106は、約0.15W/m.K未満の熱伝導度を有し得る。更に他の実施形態では、この絶縁材料106は、他の好適な熱伝導度を有することができる。この絶縁材料106としては、ポリイミド、溶媒溶解性熱可塑性ポリイミド、他のポリマー、セラミックス、ガラス、及び/又は他の好適な熱的絶縁性材料が挙げられる。図2Aに示されるように、伝導材料108は、1つの水平部分108lと、この水平部分108lから基材102に向かって延長し、かつそれに直接接触する2つの垂直部分108vとを含む。伝導材料108は、少なくともLEDダイ104の放射スペクトルにおいて、概ね透明であり得る。伝導材料108はまた、熱的に伝導性であり得る。例えば、伝導材料108は、約1.0W/m.K、約10.0W/m.K、約100.0W/m.Kを超える熱伝導度、又は他の好適な熱伝導度値を有することができる。一実施形態では、伝導材料108は、酸化インジウムスズITO,フッ素ドープ酸化スズFTO、酸化亜鉛ZnO、及び/又は他の好適な無機透明伝導性酸化物TCOsの層を含むことができる。他の実施形態において、伝導材料108はまた、透明伝導性ポリマーの有機膜を含み得る。このような透明伝導性ポリマーの例としては、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン、ポリ4,4-ジオクチルシクロペンタジチオフェン、及び/又は他のドープされた、或いは無ドープのそれら誘導体が挙げられる。更に他の実施形態では、伝導材料108は、他の好適な透明かつ熱伝導性の材料も含むことができる。伝導材料110は、LEDダイ104及びコンバータ材料110からの放射の組み合わせが、白色光を模倣し得るように、刺激下において所望の波長にて放射する組成物を有することができる。例えば、一実施形態では、コンバータ材料110は、光ルミネッセンス下、緑色から黄色まで並びに赤色に至るまでの色の範囲の放射のために、特定の濃度でセリウムIIIドープイットリウムアルミニウムガーネットYAGを含有する蛍りん光体を含み得る。他の実施形態においては、コンバータ材料110は、ネオジミウムドープYAG、ネオジミウム-クロム二重ドープYAG、エルビウムドープYAG、イッテルビウムドープYAG、ネオジミウム-セリウム二重ドープYAG、ホルミウム-クロム-ツリウム三重ドープのYAG、ツリウムドープYAG、クロムIVドープYAG、ジスプロジウムドープYAG、サマリウムドープYAG、テルビウムドープYAG、及び/又は他の好適な蛍りん光体組成物を含むことができる。更に他の実施形態では、コンバータ材料110は、ユーロピウム蛍光体例えば、CaSEu、CaAlSiN3:Eu、Sr2Si5N8Eu、SrS:Eu、Ba2Si5N8:Eu、Sr2SiO4:Eu、SrSi2N2O2:Eu、SrGa2S4:Eu、SrAl2O4:Eu、Ba2SiO4:Eu、Sr4Al14O25:Eu、SrSiAl2O3N:Eu、BaMgAl10O17:Eu、Sr2P2O7:Eu、BaSO4:Eu、及び/又はSrB4O7:Euを含むことができる。組立プロセスの初期段階中に、LEDダイ104は、伝導性エポキシ接着剤例えば、St.Paul,MNの3M社によって提供されるモデルNo.TC-2707、金属製はんだ材料例えば、金/スズはんだ、及び/又は他の好適な接着材料図示せずで、基材102に物理的かつ熱的に結合され得る。絶縁材料106は、スピンコーティング法、化学気相蒸着法CVD、及び/又は他の好適な技法を介して、LEDダイ104及び基材102上に形成されることができる。伝導材料108は、物理気相蒸着法PVD、例えばスパッタリング、パルスレーザー蒸着法PLD、及び/又は他の好適な技法を介して、絶縁材料106上に形成され得る。その後、コンバータ材料110は、スピンコーティング法、スクリーンプリンティング法、及び/又は他の好適な技法を介して、伝導材料108上に形成され得る。動作において、電力が外部電力源図示せずからLEDダイ104に供給される。LEDダイ104は、放射領域105から第一波長にて第一放射を生成する。LEDダイ104からの第一放射は、透明な絶縁材料106と伝導材料108を通過し、コンバータ材料110に到達する。次いで、コンバータ材料110は、第一放射の刺激下で、第二波長にて第二放射を産生する。次いで、この第二放射が第一放射と組み合わさり、白色光に少なくとも近似する光を生み出す。LEDダイ104はまた、第一放射を生成すると同時に、熱を発生する。LEDダイ104から発生された熱は、基材102を介して少なくとも部分的に伝わり、一方絶縁材料106は、LEDダイ104からコンバータ材料110へと流れる熱流束を少なくとも減少させる。基材102と絶縁材料106の組み合わせが、LEDダイ104によって産生された熱からコンバータ材料110を部分的に遮蔽シールドする可能性があるが、コンバータ材料110それ自体がまた、第二放射を生成すると同時に熱を発生させることを、発明者は理解している。例えば、コンバータ材料110例えば、セリウムIIIドープYAGは、典型的には、熱に変換された残存する投入エネルギーで約75~80の変換速度すなわち、単位投入エネルギー当たりの生成された放射のパーセンテージを有する。コンバータ材料110から発生した熱が十分に散逸されない場合、まだサーマルクエンチングが生じている可能性がある。発明者はまた、コンバータ材料110は、典型的に低い熱伝導度を有すると理解している。結果として、たとえコンバータ材料110が、基材102と直接接触していても、コンバータ材料110それ自体は、十分な量の熱を基材102へと伝えることができないと考えられる。したがって、絶縁材料106とコンバータ材料110との間に伝導材料108を挿置することによって、伝導材料108は、少なくとも1LEDダイ104によって発生した熱の一部及び2コンバータ材料110によって発生した熱を、基材102に効率的に伝え得る。したがって、コンバータ材料110内のサーマルクエンチングのリスクは、低減又は排除もされ得る。図2Aに示されるLEDデバイス100が、絶縁材料106とコンバータ材料110との間に挿置された伝導材料108を有してはいるが、図2Bに示されるようなある実施形態では、伝導材料108は、絶縁材料106から隔置されていることが可能である。この結果、コンバータ材料110は、伝導材料108と絶縁材料106との間に挿置される。図2Cに示されるような他の実施形態では、絶縁材料106は、省略されてもよい。この結果、伝導材料108が、コンバータ材料110とLEDダイ104との間に直接的に挿置される。これら実施形態では、LEDダイ104は、オプションとして、伝導材料108と直接接触している電気絶縁体107を含んでよい。この電気絶縁体107としては、二酸化ケイ素SiO2、窒化ケイ素SiN、及び/又は他の好適な電気絶縁材料が挙げられる。動作において、伝導材料108は、1LEDダイ104によって発生した熱の一部及び2コンバータ材料110によって発生した熱の双方を、基材102に伝える。図2A~2C中のコンバータ材料110は、下に重なる材料例えば、図2A中の伝導材料108を概ね封入するように示されている。しかしながら、図2Dに示されるような他の実施形態では、コンバータ材料110は、伝導材料108の表面109上にだけで形成されてもよい。伝導材料108の表面109は、LEDダイ104から向きが逸れている。コンバータ材料110は、LEDダイ104の放射領域105及び/又は他の好適な幅に概ね相当する幅Wを有する。他の実施形態では、コンバータ材料110は、図3A~4Cを参照して以下により詳細に説明されるような他の構成を有してよい。図3A及び3Bは、本発明の技術の実施形態による、伝導材料の複数の層を有するLEDデバイス200の概略断面図である。LEDデバイス200、及び本明細書に記載される他のLEDデバイスは、図2A~2Dを参照して上述されたものと概ね同様な機能を備えた構造を含むことができる。このように、共通の振る舞い及び構造は、同じ参照番号によって特定される。動作及び構造における著しい違いのみが、以下に説明されている。図3Aに示されるように、LEDデバイス200が、互いにコンバータ材料110によって互いに分離されている第一伝導材料108aと第二伝導材料108bとを含むことを除いては、LEDデバイス200は、図2AのLEDデバイス100と概ね同様の構成部品を含み得る。その結果として、第一伝導材料108aは、コンバータ材料110の第一表面110aと直接接触している。第二伝導材料108bは、コンバータ材料110の第二表面110bと直接接触している。ある実施形態において、第一及び第二伝導材料108a及び108bは、概ね同様な厚さを備えた同一材料例えば、ITOを一般的に含むことができる。他の実施形態では、第一及び第二伝導材料108a及び108bは、異なる材料を含むことも可能である。例えば、第一伝導材料108aがITOを含み、並びに第二伝導材料108bがFTOを含む。更に他の実施形態では、第一及び第二伝導材料108a及び108bは、異なる厚さ及び/又は物理的特性を備えた同一材料を含むこともできる。第一及び第二伝導材料108a及び108bは、Y軸として表されたようなコンバータ材料110の第一及び第二表面110a及び110bに概ね垂直な方向の、コンバータ材料110内の温度均一性を改善することができると考えられる。コンバータ材料110は、その低熱伝導度のために、操作中にY軸に沿った内部温度勾配を有し得ると考えられる。例えば、発生した熱が、コンバータ材料110のわずか1つの面例えば、第一表面110aのみから離れて伝導される場合、コンバータ材料110の向かい合う面例えば、第二表面110bは、熱伝導表面よりも高い温度の状態であり得る。結果的に、第二表面110bに近いコンバータ材料110の部分は、なおもサーマルクエンチングを被る可能性がある。したがって、第一及び第二伝導材料108a及び108bによって形成される2つの熱伝導経路に沿って、第一及び第二表面110a及び110bの双方から離れて熱を伝導させることによって、Y軸に沿ったコンバータ材料110の温度プロファイルが、コンバータ材料110のただ1つの表面からの伝導熱よりも一層均一であり得る。図3Bは、コンバータ材料110内の更に改善された温度均一性を備えたLEDデバイス200の概略断面図である。図3Bに示されるように、LEDデバイス200は、コンバータ材料110内の複数のバイアス112と、個別に保持される第三伝導材料108cとを含む。図示された実施形態において、バイアス112は、第一及び第二伝導材料108aと108bとの間に直接に延びる概ね直線状の経路を個々に含む。他の実施形態では、バイアス112はまた、蛇状経路、段階的経路、及び/又は他の好適な構成を含むことができる。第一、第二、および第三伝導材料108a、108b、および108cは、同一材料例えばITOを含んでもよく、或いは異なる材料及び/又は異なる物理的特性を含んでもよい。第三伝導材料108cは、X軸によって表されたような第一及び第二表面110a及び110bに概ね平行である別の方向の温度勾配を平均化させることによって、コンバータ材料110内の温度均一性を更に改善させることができると考えられる。コンバータ材料110は、その低熱伝導度のために、動作中に、上述したようなY軸に沿う内部温度勾配だけではなく、X軸に沿う内部温度勾配をまた有し得ると考えられる。結果として、コンバータ材料110の一部分は、水平方向に隔置されたその別の部分が正常に操作されている場合に、サーマルクエンチングをなおも経験していることになる。したがって、X軸に沿って複数のバイアス112を採用することによって、第三伝導材料108cは、第一及び第二伝導材料108a及び108bによって形成されたものに概ね垂直な別の熱伝導経路を形成し得る。このように、X軸に沿ったコンバータ材料110の温度プロファイルは、このような伝導経路が不在の場合よりもなお一層均一であり得る。図3A及び3Bには、1つだけのコンバータ材料110が示されているが、ある実施形態では、LEDデバイス200はまた、一連の互いの上に形成された、第一伝導材料108a、コンバータ材料110、および第二伝導材料108bの複数の繰り返しパターンを含むことができる。他の実施形態では、この繰り返しパターンは、図3Bに示されたように第三伝導材料108cを更に含むことができる。更に他の実施形態においては、LEDデバイス200は、図4A~4Cを参照して以下により詳細に説明されているような、1個以上のLEDダイ104を含んでもよい。図4A~4Cは、本技術の実施形態による、複数個のLEDダイを備えたLEDデバイス300の概略断面図である。説明の便宜上、2個のLEDダイが図4A~4Cに示されてはいるが、LEDデバイス300は、特定の用途のために、3個、4個、又は任意の他の所望の数のLEDダイを含んでよい。図4Aに示されるように、LEDデバイス300は、並列配置で、基材102によって支持された第一LEDダイ104aと、第二LEDダイ104bとを含む。第一絶縁材料106aと第一伝導材料108aとが、第一LEDダイ104a上に形成されている。第二絶縁材料106bと第二伝導材料108bとが、第二LEDダイ104b上に形成されている。図示された実施形態では、第一及び第二LEDダイ104a及び104bは、構造及び機能において概ね同様であり得る。他の実施形態では、第一及び第二LEDダイ104a及び104bは、異なる構造及び/又は機能を有してもよい。LEDデバイス300はまた、第一及び第二伝導材料108a及び108bを封入しているコンバータ材料110を含んでもよい。したがって、コンバータ材料110は、第一LEDダイ104aに概ね相当する第一部分110aと、第二LEDダイ104bに概ね相当する第二部分110bと、第一及び第二LEDダイ104a及び104bの間の第三部分110cとを含むことができる。組立中には、ダム114明確にするために仮想線で表示されているが、基材102に対して配置され得、ダム114と基材102との間の空間を埋めるために、コンバータ材料110が、スピンコーティングされるか、注入されるか、及び/又は別の方法が適用され得る。他の実施形態では、コンバータ材料110は、ダム114の存在下又は不在下で、他の好適な技法を介して形成されてもよい。オプションとして、LEDデバイス300はまた、コンバータ材料110の第三部分110c内に開口115を含んでよい。開口115は、基材102と直接接触している伝導材料117を保持し得る。組立中に、光蝕刻法を介して伝導材料110をパターン付けし、乾式エッチング、湿式エッチング、及び/又は他の好適な材料除去技術を介して、第三部分110cから伝導材料110の一部を除去することによって、オプションの開口115が形成され得る。更に他の実施形態では、開口115が省略されてもよい。図4Bは、伝導材料108が第一及び第二絶縁材料106a及び106bの双方を封入するようなLEDデバイス300の別の実施形態を図示している。結果的に、伝導材料108は、第一LEDダイ104aに概ね相当する第一部分108aと、第二LEDダイ104bに概ね相当する第二部分108bと、第一及び第二LEDダイ104a及び104bの間に第三部分108cとを含む。図4Cは、絶縁材料106が第一及び第二LEDダイ104a及び104bを封入しているようなLEDデバイス300の追加的実施形態を図示している。この結果、絶縁材料106は、第一LEDダイ104aに概ね相当する第一部分106aと、第二LEDダイ104bに概ね相当する第二部分106bと、第一及び第二LEDダイ104a及び104bの間に第三部分106cを含むことになる。以上より、本発明の技術の特定な実施形態が、例示のために本明細書で記載されてきたが、本開示から逸脱することなく、種々の変形がなされ得ることを理解されたい。例えば、LEDデバイス300が、1個の伝導材料108を有するものとして図4A~4Cには示されてはいるが、ある実施形態において、例えば図3A及び3Bを参照して上述されたように、LEDデバイス300はまた、2個又はそれ以上の伝導材料を含んでもよい。更には、一実施形態の多くの構成要素が、他の実施形態の構成要素に加えて、或いはそれらの代わりに、他の実施形態と組み合わされ得る。したがって、本開示は、添付された特許請求の範囲によって限定されるものを除いては、限定されるものとみなされない。"