真空槽と、前記真空槽内に配置され、中心軸線を中心に回転できる円筒部材と、前記円筒部材の外側に、前記円筒部材の外周に沿って配置された複数の成膜部と、を有し、各前記成膜部は、前記真空槽内に、前記円筒部材の外周に沿って互いに離間して配置された第一、第二の仕切板と、前記第一、第二の仕切板の間の成膜空間を真空排気する真空排気部と、前記成膜空間に原料ガスを放出する原料ガス放出部と、前記成膜空間内の原料ガスをプラズマ化するプラズマ生成部と、前記第一、第二の仕切板に架設され、表面が前記円筒部材の外周側面と対向され、前記表面には開口が設けられたマスク板と、をそれぞれ有し、前記円筒部材の外周側面に裏面が密着し、前記円筒部材の回転に伴って、各前記マスク板の前記開口と対面しながら走行するフィルムの表面に薄膜を形成する成膜装置であって、各前記成膜空間の外側に副ガスを放出する副ガス放出部を有し、各前記マスク板の前記円筒部材と対面する部分には排気口が形成され、前記マスク板と前記円筒部材との間の気体を前記排気口から排気する成膜装置。前記排気口は、前記マスク板の前記開口の外側を取り囲んで環状に離間して複数個配置された請求項1記載の成膜装置。前記排気口は、前記マスク板の前記開口の外側を取り囲む環形状に形成された請求項1記載の成膜装置。前記排気口は、前記マスク板の前記表面のうち、前記マスク板の外周より前記開口の内周に近い位置に形成された請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の成膜装置。本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、マスク板をフィルム表面と接触させずに成膜できる成膜装置を提供することにある。上記課題を解決するために本発明は、真空槽と、前記真空槽内に配置され、中心軸線を中心に回転できる円筒部材と、前記円筒部材の外側に、前記円筒部材の外周に沿って配置された複数の成膜部と、を有し、各前記成膜部は、前記真空槽内に、前記円筒部材の外周に沿って互いに離間して配置された第一、第二の仕切板と、前記第一、第二の仕切板の間の成膜空間を真空排気する真空排気部と、前記成膜空間に原料ガスを放出する原料ガス放出部と、前記成膜空間内の原料ガスをプラズマ化するプラズマ生成部と、前記第一、第二の仕切板に架設され、表面が前記円筒部材の外周側面と対向され、前記表面には開口が設けられたマスク板と、をそれぞれ有し、前記円筒部材の外周側面に裏面が密着し、前記円筒部材の回転に伴って、各前記マスク板の前記開口と対面しながら走行するフィルムの表面に薄膜を形成する成膜装置であって、各前記成膜空間の外側に副ガスを放出する副ガス放出部を有し、各前記マスク板の前記円筒部材と対面する部分には排気口が形成され、前記マスク板と前記円筒部材との間の気体を前記排気口から排気する成膜装置である。本発明は成膜装置であって、前記排気口は、前記マスク板の前記開口の外側を取り囲んで環状に離間して複数個配置された成膜装置である。本発明は成膜装置であって、前記排気口は、前記マスク板の前記開口の外側を取り囲む環形状に形成された成膜装置である。本発明は成膜装置であって、前記排気口は、前記マスク板の前記表面のうち、前記マスク板の外周より前記開口の内周に近い位置に形成された成膜装置である。マスク板の表面とフィルム表面との間の隙間には副ガスが入るため、プラズマ中のラジカルは副ガスに押しやられて隙間に侵入できず、薄膜端部の膜質が改善される。<成膜装置の構造>本発明の成膜装置の構造を説明する。図1は、成膜装置10の内部構成図である。成膜装置10は、真空槽11と、真空槽11内に配置され、中心軸線を中心に回転できる円筒部材12と、円筒部材12の外側に、円筒部材12の外周に沿って配置された複数の成膜部201~204とを有している。各成膜部201~204の構造は互いに同様であり、図1の図面上では、符号201の成膜部の構造の各部分にそれぞれ個別に符号を付し、符号202~204の成膜部の構造の各部分には符号を省略する。各成膜部201~204の構造を、符号201の成膜部で代表して説明する。図2は成膜部201の内部構成図である。成膜部201は、真空槽11内に配置され、円筒部材12の外周に沿って互いに離間して配置された第一、第二の仕切板21、22と、第一、第二の仕切板21、22の間の成膜空間23を真空排気する真空排気部24と、成膜空間23に原料ガスを放出する原料ガス放出部25と、成膜空間23内の原料ガスをプラズマ化するプラズマ生成部26と、第一、第二の仕切板21、22に架設され、表面が円筒部材12の外周側面と対向され、前記表面には開口28が設けられたマスク板27とを有している。本実施例では、原料ガス放出部25は、表面に複数の放出孔44が設けられた放出容器41と、放出容器41の内部空間に原料ガスを導入する原料ガス源42とを有している。以下では、放出容器41の放出孔44が設けられた表面を放出面と呼び、符号60を付して示す。放出容器41の放出面60は真空槽11内に露出され、円筒部材12の外周側面と対向されている。放出容器41は絶縁部材49を介して真空槽11の壁面に固定され、放出容器41と真空槽11とは電気的に絶縁されている。ここでは放出容器41の放出面60は円筒部材12の外周側面に沿って湾曲して形成され、円筒部材12の外周側面と平行にされている。原料ガス源42は放出容器41に接続され、原料ガス源42から放出容器41内に原料ガスを導入すると、導入された原料ガスは放出容器41の各放出孔44から均一に成膜空間23に放出されるようになっている。プラズマ生成部26は、ここでは上述の放出容器41と、放出容器41に電気的に接続された電源装置43とを有している。ここでは円筒部材12は接地電位に置かれている。電源装置43から放出容器41に高周波電圧交流電圧を印加すると、放出容器41と円筒部材12との間で放電が生じて、成膜空間23内の原料ガスは電離され、プラズマが生成されるようになっている。プラズマ生成部26は、放出容器41の放出面60と平行な向きに磁場を形成する磁石装置不図示を有していてもよい。磁石装置を有している構成では、プラズマ中の電子が磁石装置が形成する磁力線に拘束されることにより、より効率的にプラズマが生成される。プラズマ生成部26は、成膜空間23内の原料ガスをプラズマ化できるならば、上記構成に限定されず、真空槽11の壁面に設けられた透過窓と、真空槽11の外側に透過窓と対向して配置されたコイルと、コイルに電気的に接続された電源装置とを有し、電源装置からコイルに高周波電圧を印加すると、成膜空間23に交番磁界が形成され、成膜空間の原料ガスは交番磁界により電離されてプラズマが生成されるようになっていてもよい。図2を参照し、真空排気部24は、成膜空間23に露出された主排気口45と、主排気口45に接続された環状の溝部材47と、溝部材47に接続された真空排気装置46とを有している。主排気口45は、ここでは真空槽11の壁面のうち放出容器41の放出面60の外側に、放出面60の外周を取り囲んで環状に複数設けられている。溝部材47は、放出容器41の外周を取り囲んで、真空槽11の外壁面に環状に接触して固定され、溝部材47の内部空間は各主排気口45と連通されている。真空排気装置46は主排気管61を介して溝部材47に接続されている。真空排気装置46を動作させて、溝部材47の内部空間を真空排気させると、成膜空間23は溝部材47を介して各主排気口45から均一に真空排気されるようになっている。マスク板27はセラミックスの板であり、ここではアルミナAl2O3が用いられる。マスク板27の表面は円筒部材12の外周側面に沿って湾曲して形成されている。本実施例では、マスク板27の外周部が第一、第二の仕切板21、22の先端に固定されており、マスク板27の表面は円筒部材12の外周側面と平行にされ、マスク板27と円筒部材12との間には隙間52が設けられている。隙間52の厚みは後述するフィルム51の厚みより厚くされ、円筒部材12の外周側面にフィルム51の裏面が密着して配置されても、マスク板27はフィルム51の表面に接触しないようになっている。図5はマスク板27の平面図である。マスク板27は、開口28と、開口28の外側の遮蔽部29とを有している。円筒部材12の外周側面は開口28から部分的に成膜空間23に露出されている。開口28のうち円筒部材12の長手方向に平行な方向の長さは、後述するフィルム51の幅方向の長さより短く形成されており、円筒部材12の外周側面にフィルム51の裏面が密着して配置されると、フィルム51の幅方向の両端はマスク板27の遮蔽部29で遮蔽されるようになっている。そのため、円筒部材12の外周側面のうちフィルム51の幅方向の端部からはみ出す部分もマスク板27の遮蔽部29で遮蔽され、円筒部材12のはみ出す部分に薄膜が付着することが防止される。図2を参照し、成膜空間23のうち放出面60の中心よりも外周に近い部分では放電が不安定であり、プラズマが不安定になりやすいが、マスク板27の遮蔽部29は放出面60の中心よりも外周に近い部分と対向されており、放出面60の中心よりも外周に近い部分ではプラズマが生成されないようになっている。従って、不安定なプラズマにより端部には中央部より膜質の劣る薄膜が形成されることが防止される。成膜装置10は、真空槽11の内部空間のうち、成膜空間23の外側に副ガスを放出する副ガス放出部31を有している。副ガスには後述するフィルム51の表面と反応しないガスが用いられ、ここではH2ガス、N2ガス、Arガスのいずれか一種類のガス又は二種類以上の混合ガスが用いられるが、副ガスに原料ガスを用いることもできる。本実施例では副ガス放出部31の放出口33は、真空槽11の壁面のうち第一、第二の仕切板21、22の外側にそれぞれ設けられている。副ガス放出部31の放出口33から副ガスを放出させると、副ガスは第一、第二の仕切板21、22の外側の空間を通って、マスク板27の遮蔽部29と円筒部材12との間の隙間52に入るようになっている。図5を参照し、マスク板27の遮蔽部29のうち円筒部材12と対面する部分には排気口32が形成されている。ここでは排気口32はマスク板27の開口28の外側を取り囲んで環状に離間して複数個形成されているが、図6に示すように、開口28の外側を取り囲む環形状に形成されていてもよい。マスク板27と円筒部材12との間の隙間52に入る副ガスを、開口28の外周に亘って排気することができ、副ガスにより成膜空間23のガス雰囲気が希釈されることを防止できる。図2を参照し、真空排気装置46には副排気管62が接続されており、排気口32は副排気管62に接続されている。本実施例では排気口32は、マスク板27と第一、第二の仕切板21、22の内部にそれぞれ設けられた通路34a、34bを介して副排気管62に接続されているが、排気口32が副排気管62に接続されているならば、上記構成に限定されず、マスク板27や第一、第二の仕切板21、22とは別の位置に配管を設置して副排気管62と排気口32との間を接続してもよい。排気口32は副ガス放出部31の放出口33よりもマスク板27の開口28に近い位置に配置されている。従って、マスク板27の遮蔽部29と円筒部材12との間の隙間52に入る副ガスは排気口32から排気され、開口28を通って成膜空間23に入らないようになっている。ここでは排気口32は、マスク板27の遮蔽部29表面のうち、マスク板27の外周より開口28の内周に近い位置に形成されている。そのため、第一、第二の仕切板21、22の外側の空間から隙間52に入る副ガスは、マスク板27の外周より開口28の内周に近い位置まで入り込むことができるようになっており、成膜空間23からのラジカルの侵入をより短距離で遮断することができる。副ガス放出部31の放出口33は、成膜空間23の外側に副ガスを放出できるならば、真空槽11の壁面のうち第一、第二の仕切板21、22の外側に設けられた構成に限定されず、例えば第一、第二の仕切板21、22の表面のうち成膜空間の外側に露出する面に設けられていてもよい。また隣り合う二つの成膜部201~204の成膜空間23の間に配置された隣り合う一方の成膜部の第一の仕切板21と他方の成膜部の第二の仕切板22は同一の板であってもよい。すなわち、隣り合う二つの成膜部201~204の成膜空間23の間は一枚の仕切板で仕切られていてもよい。この場合には、副ガス放出部31の放出口33は、当該一枚の仕切板の先端に設ければよい。上述の説明では、マスク板27の円筒部材12と対面する部分に排気口32が設けられていたが、図8を参照し、マスク板27に排気口32が設けられていない構成も本発明に含まれる。この構成では、隙間52に入り込む副ガスは、マスク板27の開口28を通って主排気口45から排気される。開口28の端部のラジカルが副ガスに押しやられるので、開口28端部の膜質が改善する。この構成では、副ガスに原料ガス以外のガスを用いると、成膜空間のガス雰囲気が希釈されるため、副ガスには原料ガスを用いるのが好ましい。<成膜装置の使用方法>本発明の成膜装置10を用いた薄膜の成膜方法を、TFTの製造方法を一例に説明する。準備工程図1を参照し、本実施例では、真空槽11には、中間室73が接続され、中間室73には第一、第二の巻き取り室71、72がそれぞれ接続されている。第一、第二の巻き取り室71、72内には第一、第二の巻き取り軸74、75がそれぞれ配置され、中間室73内には複数の補助ローラ76が配置されている。第一、第二の巻き取り軸74、75と各補助ローラ76はそれぞれ中心軸線が円筒部材12の中心軸線と平行に向けられており、それぞれ中心軸線を中心に回転できるようにされている。ここでは第一、第二の巻き取り軸74、75と円筒部材12にはそれぞれ回転装置77が接続されている。回転装置77はモーターであり、動力を円筒部材12と第一、第二の巻き取り軸74、75とに伝達して、円筒部材12と第一、第二の巻き取り軸74、75を同一の回転速度で、同一方向に回転させるように構成されている。図3aは成膜対象物であるフィルム51の断面図である。フィルム51は、フィルム基板81と、フィルム基板81の表面に配置されたバリア膜82と、バリア膜82の表面にそれぞれ配置された第一、第二の電極膜83a、83bとを有している。フィルム51表面のうち、成膜すべき成膜領域の長手方向の長さを予め定めておく。フィルム51は第一、第二の電極膜83a、83bが露出する表面を外側に向けて、長手方向の一端を中心にロール状に巻かれている。図1を参照し、ロールを第一の巻き取り室71内に搬入し、第一の巻き取り軸74をロールの中心に挿入する。ロールの外周からフィルム51の端部を引き出すと、引っ張る力に応じて第一の巻き取り軸74が回転して、ロールからフィルム51が繰り出される。引き出したフィルム51の端部を、中間室73内の補助ローラ76に掛け渡しながら、真空槽11内に入れ、円筒部材12に掛けて、フィルム51の裏面を円筒部材12の外周側面に密着させる。フィルム51の裏面が円筒部材12の外周側面に密着した状態を維持しながら、引き出したフィルム51の端部を中間室73内に戻して他の補助ローラ76に掛け渡す。次いで第二の巻き取り室72内に入れ、フィルム51の表面が外側を向く向きで、第二の巻き取り軸75に巻き回して取り付ける。円筒部材12には不図示の冷却装置が接続され、円筒部材12の外周側面を冷却できるようになっている。フィルム51の裏面は円筒部材12の外周側面と面で接触されており、円筒部材12の外周側面からの熱伝導によりフィルム51は冷却される。また、フィルム51の裏面は円筒部材12の外周側面に密着することにより、フィルム51表面はマスク板27の表面と平行に配置される。フィルム51の幅の長さは円筒部材12の長手方向の長さより短くされており、円筒部材12の長手方向の両端部はフィルム51の幅方向より外側にはみ出される。真空排気装置46により各室71~73内と真空槽11内を真空排気し、真空雰囲気を形成する。以後、真空排気装置による真空排気を継続して、各室71~73内と真空槽11内の真空雰囲気を維持する。図2を参照し、排気口32からマスク板27とフィルム51との間の気体を真空排気させる。以後、排気口32からの真空排気を継続する。副ガス放出部31の放出口33から成膜空間23の外側に副ガスを放出させる。以後、副ガス放出部31から成膜空間の外側への副ガスの放出を継続する。マスク板27の遮蔽部29とフィルム51との間の隙間52のうち、開口28から見て排気口32より外側の部分には副ガスが存在し、当該部分の圧力は成膜空間23内の圧力より大きくなる。ゲート絶縁膜形成工程原料ガス源42から放出容器41内にゲート絶縁膜の原料ガスを導入させ、各放出孔44から均一に原料ガスを成膜空間23に放出させる。ここでは原料ガスにSiH4ガスとH2ガスとN2ガスとの混合ガスを使用する。電源装置43から放出容器41に高周波電圧を印加して、成膜空間23内の原料ガスを電離させ、原料ガスのプラズマを生成させる。プラズマ中のイオンは、フィルム51表面のうちマスク板27の開口28から露出する部分に到達して、化学反応し、図3bを参照し、バリア膜82の露出する表面と第一、第二の電極膜83a、83bの表面に亘ってゲート絶縁膜84が形成される。ここではゲート絶縁膜84はSiNの薄膜である。図1を参照し、回転装置77により円筒部材12と第一、第二の巻き取り軸74、75とを同一方向に同一速度で回転させて、フィルム51を第二の巻き取り軸75に巻き取らせる。円筒部材12の回転に伴って、フィルム51は各成膜部201~204のマスク板27の開口28と順に対面しながら走行し、フィルム51の表面にはフィルム51の長手方向に亘って連続して薄膜が形成される。フィルム51を走行させながら連続して成膜するので、従来よりも成膜時間を短縮できる。またフィルム51表面はマスク板27と接触しないので、フィルム51表面は損傷せず、フィルム51表面の配線膜第一、第二の電極膜83a、83bに断線は起こらない。マスク板27の遮蔽部29とフィルム51表面との間には隙間52があり、フィルム51を走行させても、フィルム51表面はマスク板27と接触せず、損傷しない。円筒部材12の外周側面のうちフィルム51の幅方向より外側にはみ出した部分はマスク板27の遮蔽部29で遮蔽されており、円筒部材12の外周側面に薄膜は付着しない。また、放出面60の中心よりも外周に近い部分はマスク板27の遮蔽部29と対向され、プラズマが立たないようにされており、フィルム51表面のうち開口28から露出する部分には安定なプラズマが接触して、良質な薄膜が形成される。マスク板27の遮蔽部29で遮蔽されている部分ではプラズマが立たないが、開口28で形成されたプラズマ中のラジカルは、マスク板27の遮蔽部29とフィルム51表面との間の隙間52に侵入しようとする。しかしながら、本発明では、マスク板27の遮蔽部29と円筒部材12との間の隙間52のうち、排気口32より外側では副ガスが入れられて圧力が成膜空間の圧力より大きくされており、また、マスク板27の外周から排気口32に向かう方向の副ガスの流れがあり、ラジカルは副ガスに押しやられて排気口32より外側には侵入しない。そのため、フィルム51表面のうち隙間52の部分がラジカルと反応して膜質が劣化することが防止され、薄膜端部の膜質が改善する。フィルム51表面の所定の成膜領域全体にゲート絶縁膜84を形成し終えた後、図1を参照し、回転装置77により第一、第二の巻き取り軸74、75と円筒部材12の回転を停止させ、フィルム51の走行を停止させる。図2を参照し、電源装置43から放出容器41への電力供給を停止し、原料ガス源42からの原料ガスの放出を停止する。a-Si膜形成工程次いで、原料ガス源42から放出容器41内にa-Si層の原料ガスを導入させ、各放出孔44から均一に原料ガスを成膜空間23に放出させる。ここでは原料ガスにSiH4ガスとH2ガスの混合ガスを使用する。電源装置43から放出容器41に高周波電圧を印加して、成膜空間23内の原料ガスを電離させ、原料ガスのプラズマを生成させる。プラズマ中のイオンは、フィルム51表面のうちマスク板27の開口28から露出する部分に到達して、化学反応し、図3cを参照し、ゲート絶縁膜84の表面にa-Si膜85が形成される。a-Si膜85は非結晶Siの薄膜である。図1を参照し、回転装置77により、第一、第二の巻き取り軸74、75と円筒部材12とを、上述のゲート絶縁膜形成工程での回転方向とは逆向きの同一方向に、同一速度で回転させ、フィルム51を第一の巻き取り軸74に巻き取らせる。円筒部材12の回転に伴って、フィルム51は各成膜部201~204のマスク板27の開口28と上述のゲート絶縁膜形成工程とは逆の順序で対面しながら走行し、フィルム51の表面にはフィルム51の長手方向に亘って連続して薄膜が形成される。フィルム51表面の所定の成膜領域全体にa-Si膜85を形成し終えた後、回転装置77による第一、第二の巻き取り軸74、75と円筒部材12の回転を停止させ、フィルム51の走行を停止させる。図2を参照し、電源装置43から放出容器41への電力供給を停止し、原料ガス源42からの原料ガスの放出を停止する。na-Si膜形成工程次いで、原料ガス源42から放出容器41内にna-Si膜の原料ガスを導入させ、各放出孔44から均一に原料ガスを成膜空間23に放出させる。ここでは原料ガスにSiH4ガスとH2ガスとPH3ガスの混合ガスを使用する。電源装置43から放出容器41に高周波電圧を印加して、成膜空間23内の原料ガスを電離させ、原料ガスのプラズマを生成させる。プラズマ中のイオンは、フィルム51表面のうちマスク板27の開口28から露出する部分に到達して、化学反応し、図3dを参照し、a-Si膜85の表面にna-Si膜86が形成される。na-Si膜86はリンPを含有する非結晶Siの薄膜である。図1を参照し、回転装置77により、第一、第二の巻き取り軸74、75と円筒部材12とを、上述のゲート絶縁膜形成工程での回転方向と同じ同一方向に、同一速度で回転させ、フィルム51を第二の巻き取り軸75に巻き取らせる。円筒部材12の回転に伴って、フィルム51は各成膜部201~204のマスク板27の開口28と上述のゲート絶縁膜形成工程と同じ順序で対面しながら走行し、フィルム51の表面にはフィルム51の長手方向に亘って連続して薄膜が形成される。フィルム51表面の所定の成膜領域全体にna-Si膜86を形成し終えた後、回転装置77による第一、第二の巻き取り軸74、75と円筒部材12の回転を停止させ、フィルム51の走行を停止させる。図2を参照し、電源装置43から放出容器41への電力供給を停止し、原料ガス源42からの原料ガスの放出を停止する。図1を参照し、第二の巻き取り軸75に巻き取られたフィルム51からなるロールを、第二の巻き取り軸75から取り外し、第二の巻き取り室72から搬出して後工程に回す。図3a~cを参照し、ゲート絶縁膜84と、a-Si膜85と、na-Si膜86とを、途中で大気に曝さずに真空雰囲気中で一貫して形成できるため、各薄膜84~85に不純物が混入せず、歩留まりが向上する。また、ゲート絶縁膜84と、a-Si膜85と、na-Si膜86とを同一の成膜装置10で形成できるため、成膜装置10に要するコストを低減できる。na-Si膜形成工程の後、後工程では、図3eを参照し、フィルム表面に、ソース電極87aとドレイン電極87bと、保護膜88と、透明電極89とを順に形成して、TFT80を製造する。<第二例の成膜部の構造>図4は第二例の成膜部201’の拡大内部構成図である。第二例の成膜部201’のうち、上述の成膜部201以下、第一例の成膜部と呼ぶと同じ構造の部分には、同じ符号を付して説明を省略する。第二例の成膜部201’では、第一例の成膜部201のマスク板27の排気口32の代わりに、マスク板27の遮蔽部29のうち円筒部材12と対面する部分に設けられた噴出口37を有している。副ガス放出部31は噴出口37に接続され、マスク板27の遮蔽部29と円筒部材12との間に噴出口37から気体を噴出できるようになっている。噴出口37からマスク板27の遮蔽部29と円筒部材12との間の隙間52に副ガスを噴出させ、マスク板27の遮蔽部29と円筒部材12との間の圧力を成膜空間23の圧力より高くすると、副ガスにより成膜空間23のラジカルが押しやられ、隙間52に侵入することを防止できる。また、第二例の成膜部201’では、第一例の成膜部201とは異なり、真空排気装置46に接続された副排気管62が成膜空間23の外側に接続されている。本実施例では真空槽11の壁面のうち第一、第二の仕切板21、22の外側部分に設けられた副排気口38に接続されている。マスク板27の遮蔽部29と円筒部材12との間の隙間52に噴出口37から噴出された副ガスは、成膜空間23の外側から副排気管62を通って真空排気装置46により真空排気され、副ガスは開口28から成膜空間23に混入しないようになっている。なお、副排気管62が成膜空間23の外側に接続されていない構成も本発明に含まれる。この構成では、噴出口37から隙間52に吹き出された副ガスは、マスク板27の開口28を通って主排気口45から排気される。開口28の端部のラジカルが副ガスに押しやられるので、開口28端部の膜質が改善する。この構成では、副ガスに原料ガス以外のガスを用いると、成膜空間のガス雰囲気が希釈されるため、副ガスには原料ガスを用いるのが好ましい。