"InPからなる半導体基板上に、活性層と該活性層を挟むn型クラッド層とp型クラッド層とを設けた半導体レーザにおいて、前記n型クラッド層は、少なくとも一部が、InPからなる層と、バンドギャップ波長が0.97μmから前記活性層を構成するアクティブ部の波長よりも0.10μm短い波長までのInGaAsPからなる層とが層厚方向に交互に積層されて構成され、当該n型クラッド層全体としての等価的な屈折率が、前記p型クラッド層の屈折率よりも高く構成されることを特徴とする半導体レーザ。前記n型クラッド層を構成するInGaAsPのバンドギャップ波長が、1.1~1.35μmであることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ。InPからなる半導体基板上に、活性層と該活性層を挟むn型クラッド層とp型クラッド層とを設けた半導体レーザにおいて、前記n型クラッド層は、少なくとも一部が、InPからなる層と、バンドギャップ波長が0.97μmから前記活性層を構成するアクティブ部の波長よりも0.10μm短い波長までのInAlAsもしくはInGaAlAsからなる層とが層厚方向に交互に積層されて構成され、当該n型クラッド層全体としての等価的な屈折率が、前記p型クラッド層の屈折率よりも高く構成されることを特徴とする半導体レーザ。前記n型クラッド層を構成するInAlAsもしくはInGaAlAsのバンドギャップ波長が、1.1~1.35μmであることを特徴とする請求項3に記載の半導体レーザ。前記n型クラッド層を構成するInP層の厚みが、前記n型クラッド層を構成するInGaAsP層の厚みよりも厚いことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体レーザ。前記活性層を挟んだ上下にSCH層が形成され、前記n型クラッド層全体としての等価的な屈折率が、前記n型クラッド層に接する前記SCH層の屈折率よりも小さいことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の半導体レーザ。以上のように、従来技術においては高出力の光を得ることができない、あるいは高出力の光を発することができても結晶成長が非常に難しいという問題を有していた。本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、結晶成長が容易となる構成でかつ高出力の光を発することができる半導体レーザを提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の請求項1に記載の半導体レーザは、InPからなる半導体基板上に、活性層と該活性層を挟むn型クラッド層とp型クラッド層とを設けた半導体レーザにおいて、前記n型クラッド層は、少なくとも一部が、InPからなる層と、バンドギャップ波長が0.97μmから前記活性層を構成するアクティブ部の波長よりも0.10μm短い波長までのInGaAsPからなる層とが層厚方向に交互に積層されて構成され、当該n型クラッド層全体としての等価的な屈折率が、前記p型クラッド層の屈折率よりも高く構成されることを特徴としている。本発明の請求項2に記載の半導体レーザは、請求項1に記載の半導体レーザにおいて、前記n型クラッド層を構成するInGaAsPのバンドギャップ波長が、1.1~1.35μmであることを特徴としている。本発明の請求項3に記載の半導体レーザは、InPからなる半導体基板上に、活性層と該活性層を挟むn型クラッド層とp型クラッド層とを設けた半導体レーザにおいて、前記n型クラッド層は、少なくとも一部が、InPからなる層と、バンドギャップ波長が0.97μmから前記活性層を構成するアクティブ部の波長よりも0.10μm短い波長までのInAlAsもしくはInGaAlAsからなる層とが層厚方向に交互に積層されて構成され、当該n型クラッド層全体としての等価的な屈折率が、前記p型クラッド層の屈折率よりも高く構成されることを特徴としている。本発明の請求項4に記載の半導体レーザは、請求項3に記載の半導体レーザにおいて、前記n型クラッド層を構成するInAlAsもしくはInGaAlAsのバンドギャップ波長が、1.1~1.35μmであることを特徴としている。本発明の請求項5に記載の半導体レーザは、請求項1または2に記載の半導体レーザにおいて、前記n型クラッド層を構成するInP層の厚みが、前記n型クラッド層を構成するInGaAsP層の厚みよりも厚いことを特徴としている。本発明の請求項6に記載の半導体レーザは、請求項1乃至5に記載のいずれか一項の半導体レーザにおいて、前記活性層を挟んだ上下にSCH層が形成され、前記n型クラッド層全体としての等価的な屈折率が、前記n型クラッド層に接する前記SCH層の屈折率よりも小さいことを特徴としている。本発明によれば、半導体基板に近い側に位置するクラッド層として、製作性がよく且つ屈折率が活性層の上方にある他のクラッド層の屈折率より高い材料と、半導体基板と同じ材料のように製作性のよい半導体材料とを組み合わせて構成することにより、半導体基板に近い側のクラッド層全体としての等価的な屈折率を、活性層の上方にある他のクラッド層の屈折率よりもやや高くする構成としているので、半導体基板側に数ミクロンの厚みのクラッド層を容易に結晶成長することができる。さらに、活性層に結晶成長に起因する不要な結晶歪が入ることがなく、高出力の光を発する半導体レーザを実現することができる。以下、本発明の実施形態について説明するが、図7~図14に示した従来の実施形態と同一番号は同一機能部に対応しているため、ここでは同一番号を持つ機能部の説明を省略する。[実施形態]図1に本発明の実施形態の要部について、その断面図を示す。n型クラッド層40以外の構造については、図11~12に示した第3の従来技術と同様としている。MQW構造で構成され、井戸層14aを含む実際に半導体レーザとしてのゲインを出す部分が活性層のアクティブ部をなしている。本発明で重要な点は、n型クラッド40の構造であり、以下において考察する。n型クラッド40は、所定厚さのInGaAsP層35と所定厚さのInP層36とが層厚方向に交互に積層されて構成されている。InGaAsP層35は、InP上への結晶成長が容易な、バンドギャップ波長が0.97μm以上の例えば1.1μmあるいは1.15μmのn型InGaAsPを使用している。また、InP層36は、不図示のn型半導体基板11と同じ材料のInPを使用している。なお、n型InGaAsP層35のバンドギャップ波長を1.1~1.3μmの範囲とすると本発明の効果を実現できるのに特に好適であることを確認している。また、図2には本構成における屈折率分布を示している。ここで、n型クラッド層40の部分について、その屈折率分布の拡大図を図3に示す。ここで、ncはn型InGaAsP層35の屈折率である。また、Wcii=1,2,,,,,nはn型InGaAsP層35の厚み、Hcii=1,2,,,,,n-1はn型InP層36の厚みである。n型InGaAsP層35の厚みWcii=1,2,,,,,nは互いに同じであっても良いし、異なっていても良い。同様にn型InP層36の厚みHcii=1,2,,,,,n-1は互いに同じであっても良いし、異なっていても良い。ここで本発明の原理を説明するために、図4に、Wcii=1,2,,,,,nを全て同じと仮定し、Hcii=1,2,,,,,n-1も全て同じと仮定した場合に、Wc1/Hc1を変数とした場合におけるn型クラッド層40全体としての等価的な屈折率を示す。図中には、図12においてバンドギャップ波長を0.96μmとした場合のn型InGaAsPクラッド層32の屈折率を点線で示している。なお、本発明ではn型InGaAsP層35のバンドギャップ波長として1.15μmと設定した値は一例である。図4からわかるように、Wc1/Hc1の比を適切に設定することにより、バンドギャップ波長0.96μmあるいは0.95μmのように短く、かつその屈折率がInPより僅かに高いn型InGaAsPクラッド層と等価的な屈折率を有するn型クラッド層40を形成することができることがわかる。換言すると、屈折率が高いn型InGaAsP層35と屈折率が低いn型InP層36とを層厚方向に交互に組み合わせて構成することにより、第3の従来技術において用いられているn型InGaAsPクラッド層と等価的な屈折率を容易に実現することができたと言うことができる。バンドギャップ波長が1.15μmのn型InGaAsP層35は、第3の従来技術で使用されているバンドギャップ波長が0.96μmのn型InGaAsP層32よりもInP上に結晶成長し易いが、本構成ではさらにこの層厚が10nm~500nmと薄いため、その結晶成長に関し全く問題がない。またn型半導体基板11と同じ組成であり、結晶成長が極めて容易であるとともに、結晶成長時に発生した結晶歪を除去する効果のあるn型InP層36を、n型InGaAsP層35とともに用いることにより、バンドギャップ波長0.96μmのn型InGaAsP層と等価的な屈折率を有するn型クラッド層40を数ミクロンの厚みに容易にかつ歩留まり良く成長することが可能となる。一般に、n型InGaAsP層35とn型InP層36とを組み合わせたn型クラッド層40全体の等価的な屈折率としては、第3の従来技術で使用していたバンドギャップ波長が0.97μm以下のn型InGaAsPと同等の値とすることが好ましいので、Hcii=1,2,,,,,n-1>Wcii=1,2,,,,,nと構成するのが好適である。但し、Hcii=1,2,,,,,n-1<Wcii=1,2,,,,,nあるいはHcii=1,2,,,,,n-1=Wcii=1,2,,,,,nと構成しても本発明に属することは言うまでもない。図5に、本実施形態における光の分布特性Gを示す。第3の従来技術で示した図14と同様に、光の分布が、両クラッド層を同一屈折率にした第1の従来技術の場合における対称な特性A′に対して、特性Gのようにn型クラッド層40側に偏って分布する。このため、活性層14およびSCH層13、15における光閉じ込め係数を低くしたことによるp型クラッド層18における価電子帯間光吸収による光損失の増加を抑制することができ、高出力なレーザ光を得ることができる。図6に、変数を注入電流とした場合における光の出力を示す。図からわかるように、第3の従来技術の光出力Fは第1の従来技術の光出力F ́より改善されているが、本発明ではさらに改善された光出力Gを得ている。これはn型クラッド層を数ミクロン形成する際に発生する結晶歪について、本発明で使用するバンドギャップ波長が1.15μmのn型InGaAsP層と半導体基板11と同じ組成のn型InP層との組み合わせの方が、第3の従来技術で使用するバンドギャップ波長が0.96μmあるいは0.95μmのn型InGaAsP層よりも小さく抑えられているため、その後に形成する活性層14の結晶品質の品質が優れていることを意味している。なお、本構成を採用することにより結晶成長時に結晶の白濁などは生じず、極めて優れた歩留まりを実現できた。特にn型InGaAsP層35のバンドギャップ波長が0.97μmより長いほど適しており、結晶成長の制御性と歩留まりの観点から特に1.1~1.35μmのバンドギャップ波長のInGaAsPが好適であった。また、例えば活性層14のバンドギャップ波長アクティブ部のバンドギャップ波長が1.55μmの場合、n型InGaAsP層35のバンドギャップ波長は1.45μmより短くしないと光の吸収損失が増大し、閾値が高くなってしまうことを実験的に確認した。この活性層のバンドギャップ波長とn型クラッドのバンドギャップ波長に0.10μm以上の差がないと光の吸収損失が大きくなってしまうことは、活性層のバンドギャップ波長が1.55μm以外の例えば1.48μmや1.3μm、あるいは1.6μmなどその他の各種の波長においても成り立つことを実験的に確認している。なお、以上の説明においては活性層14の上下にSCH層13、15を挟んだ構成で説明してきたが、SCH層13、15は本発明において必須の構成ではない。n型クラッド層40の屈折率nc>p型クラッド層18の屈折率nbの関係を満たしていればよい。また、n型InGaAsP層35とn型InP層36とをn型クラッド層40の全厚さに渡って交互に積層しなくてもよい。図5の特性Gに示したようなn型クラッド層側に偏った分布となる所定厚さ分だけ交互に積層すればよい。[各種実施形態]以上においては、本発明におけるn型クラッド層40をn型InGaAsP層とn型InP層との組み合わせで構成したが、n型InAlAs層またはInGaAlAs層とn型InP層との組み合わせで構成してもよい。また、半導体基板がn型である場合について述べたが、p型の半導体基板でも適用可能である。そしてこの場合には、上の説明においてn型とp型が入れ替わることになる。さらにInP基板のみならずGaAs基板の場合にも適用可能である。"