少なくとも1つのウェハを備える構造体をアニールする方法であって、前記構造体の露出した表面の少なくとも一部上に酸化物層を形成するように酸化性雰囲気中で前記構造体をアニールする第1のステップであり、前記構造体は第1の位置にてホルダと接触する、ステップを含む方法において、前記第1の位置における前記構造体と前記ホルダの間の1つまたは複数の接触領域が露出される第2の位置に、前記ホルダ上の前記構造体の位置を変えるステップと、前記酸化された構造体を、前記第2の位置にて酸化性雰囲気中でアニールする第2のアニーリングステップとをさらに含むことを特徴とするアニール方法。前記位置を変えるステップは、前記ホルダに対して所定の角度だけ前記構造体を回転するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載のアニール方法。前記位置を変えるステップ時に前記構造体が回転される前記角度は、40°と90°の間であることを特徴とする請求項2に記載のアニール方法。第1のウェハを第2のウェハに接合するステップを含むヘテロ構造を製作する方法であって、請求項1から3のいずれか一項に記載のアニール方法により前記ヘテロ構造をアニールするステップをさらに含むことを特徴とするヘテロ構造を製作する方法。前記アニールの後に、前記第1のウェハを薄くするための薄くするステップ、および前記第1のウェハをトリミングするための化学トリミングステップのうちの少なくとも1つが実行されることを特徴とする請求項4に記載のヘテロ構造を製作する方法。第1のウェハを第2のウェハに接合するステップを含むヘテロ構造を製作する方法であって、前記接合するステップの前に、請求項1から3のいずれか一項に記載のアニール方法により前記第2のウェハをアニールするステップをさらに含むことを特徴とするヘテロ構造を製作する方法。前記接合するステップの前に、前記第1のウェハ内に少なくとも1つのマイクロ構成要素を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項6に記載のヘテロ構造を製作する方法。前記ヘテロ構造を安定化するためのアニーリングステップをさらに含むことを特徴とする請求項6または7に記載のヘテロ構造を製作する方法。前記安定化アニールの後に、前記第1のウェハを薄くするための薄くするステップ、および前記第1のウェハをトリミングするための化学トリミングステップのうちの少なくとも1つが実行されることを特徴とする請求項8に記載のヘテロ構造を製作する方法。本発明は一般に、少なくとも1つのウェハを備える構造体に対していくつかのステップにて実行されるアニールに適用可能である。構造体を構成する1つまたは複数のウェハは、一般に円形の外形を有し様々な直径、特に100mm、200mm、および300mmの直径を有し得る。しかしウェハは任意の形状、たとえば矩形でもよい。複合構造またはヘテロ構造は、第1のウェハを、第1のウェハに対する支持基板として働く第2のウェハに接合することによって製作される。上記のように本出願人は、先に構造体が酸化性雰囲気中の標準の安定化アニールを受けた場合に、化学相を実施するトリミングまたは薄くする操作時の化学エッチングなどの化学エッチングを受けた複合構造の縁部上に欠けの出現を認めた。これらの欠けは、特に複合構造の第2のウェハの縁部上に観察された。これらの欠けについての詳細な検討により、これらの欠陥を形成する機構を実証し、それらの形成を防止する方法を開発することが可能となった。次に、これらの欠陥を生じる機構について、図2Aから2Cを参照して説明する。図2Aは、図1Bで述べたものと同様な例示の複合構造、すなわち第1のウェハ201と第2のウェハ202を組み立てることによって形成される複合構造200を示す。2つのウェハ201と202の少なくとも1つは、接合する前に酸化されていることが好ましい。この酸化は特に、接合が完了した後に、2つのウェハの中間に酸化物層が存在することを可能にする。ここで述べる実施例では、第1のウェハ201は接合する前に、第1のウェハの表面全体の上に酸化物層諸図には示さずを形成するように酸化される。ここで述べる実施例では2つのウェハはシリコンからなり、ウェハは当業者には良く知られている直接接合の技法を用いて組み立てられる。しかし、たとえば陽極接合、金属接合、または接着接合などの他の接合技法を用いることもできる。留意点として直接接合の原理は、2つの表面間の直接接触に基づいており、すなわち特定の材料接着剤、ワックス、蝋材などは用いられないことである。このような操作を実行するためには接合面が十分に平滑であり粒子および汚染がなく、かつ接触が開始されるように面は十分近接して置かれる必要があり、通常は数ナノメートル未満の距離が必要である。この場合には2つの面間の引力は、直接接合すなわち接合されるべき2つの面の原子または分子間のファンデルワールス力によって誘起される接合が発生するのに十分強くなる。さらに第1のウェハ201は面取りされた縁部、すなわち上部面取り部204と下部面取り部205とを備える縁部を有する。図2Aではウェハは、丸い面取り部を有する。しかしウェハは、斜面など、様々な形の面取り部または縁部丸み付けを有することができる。図2Bは、第1のウェハ201の側から見た複合構造200を概略的に示す。第1のウェハ201の縁部に示される基準位置Aは、たとえば平坦部または刻み目に対応する。複合構造200は、酸化性雰囲気中の標準のアニールを続けるために、ホルダ212ボートと呼ばれることもある上に置かれる。アニールはここでは、第1のウェハ201と第2のウェハ202の間の接合を強化し、保護酸化物層を形成することを目的とする安定化アニールである。この実施例では、ホルダ212は、複合構造200を所定の位置に保持するように構成された4つの保持要素212A、212B、212C、および212Dを備える。保持要素は、複合構造200の縁部または縁面と接触し、より具体的には第2のウェハ202の縁部または縁面と接触する。保持要素と接触する第2のウェハ202の縁部部分は、それぞれ接触領域213A、213B、213C、および213Dによって参照されるかつまとめて接触領域213として示される。複合構造200およびそのホルダ212は、アニールを実行するように設計された炉または他の任意の機器諸図には示さず内に置かれる。安定化アニールは複合構造200に対して、たとえば900°Cと1200°Cの間、典型的には1100°Cの温度T1にて2時間実行される。このアニールは、第1のウェハ201および第2のウェハ202の露出した表面上に酸化物層を形成する。次に、図1Dおよび1Eを参照して述べたように、第1のウェハ201に対して複合トリミングステップが実行される。ここで述べる例では複合トリミングは、第1の部分的な、砥石車または研削刃を用いた機械トリミングステップと、それに続く第1のウェハをエッチングするためのTMAHエッチング溶液を用いた選択的化学エッチングステップとを含む。このトリミング操作は、第2のウェハ202を損傷せずに、第1のウェハ201の縁部での余分な部分を除去することを可能にする。2つのウェハの中間の酸化物層図示せずが化学エッチングに対するストップ層として働くので、第2のウェハ202を保存することが可能である。したがって化学エッチングは、2つのウェハの間の接合界面にある酸化物層上の第1のウェハ201の周辺部で停止される。トリミングが完了した後に第1のウェハ201は、所定の厚さe、たとえば約10μmを有する転写層206を形成するように薄くすることができる。薄くするステップは、砥石車または第1のウェハの材料を機械的に摩滅させるまたは研削することができる任意の他の工具を用いて実行される。図2Cは、安定化アニール、複合トリミング、および薄くするステップが実行された後の構造体200を概略的に示す。本出願人は、TMAH化学エッチングの後に、第2のウェハ202の縁部上に欠け214A、214B、214C、および214Dまとめて214として参照の出現を認めた。第2のウェハ202の縁部に沿ったこれらの欠陥の分布は、上述の接触領域213の位置に対応する。実際、複合構造200の安定化アニール時に酸化物層本例ではSiO2は、接触領域213以外の複合構造200のすべての露出した表面上に形成される。これは安定化アニール時に、保持要素212Aから212Dが第2のウェハ202の縁部を局所的にマスクし、それにより接触領域が酸化物層に覆われなくなるためである。このマスク効果に加えて別の影響、すなわち場合によっては接触点での構造体上に酸化物の劣化ウェハの取り出しまたは他の移動時の剥離、引っかき傷などが生じ得る。実際、保持要素212は、接合前の第1のウェハ201上または任意選択で第2のウェハ202上に形成された予備の酸化物層、および/または安定化アニール時に接触点213の近くに形成される酸化物層を局所的に損傷し得る。第2のウェハ201の接触領域213は保護酸化物層がないので、これらの領域は薄くするステップおよび/または化学トリミングステップ時のTMAH溶液の化学エッチング作用を直接受ける。そのときに接触領域213の化学エッチングは、欠け214を発生する。それにより欠け214A、214B、214C、および214Dは、第2のウェハ202上でそれぞれ接触領域213A、213B、213C、および213Dの位置に観察されている。酸化物によって保護されない領域が大きいほど、TMAH溶液のエッチングの影響は大きくなる。第2のウェハ202の縁面上に発生されたこれらの表面欠陥は、すでに上述した理由により有害である。この目的のために本発明は、いくつかのステップにてアニールを実行し、2つの連続するアニーリングステップの間で支持体上の構造体の位置を変えて、これらの欠けが特に第2のウェハの縁面または縁部上に出現するのを防止することを提案する。次に、本発明によるアニール方法およびヘテロ構造を製作する第1の方法の特定の一実施例について、図3Aから3Dおよび図4を参照して説明する。図3Aに示されるように、上部面取り部304と下部面取り部305とを有する第1のウェハ301は最初に、やはり面取りされた縁部を有する第2のウェハ302に接合されて、複合構造300を形成するステップE1。ここで述べる例では、第1および第2のウェハ301および302はシリコンからなる。しかしウェハは他の材料からなるものでもよい。第1のウェハ301および/または第2のウェハ302はさらに、かつ好ましくは、たとえばBSOI多層構造の製作との関連において、接合の前に酸化物層諸図には示さずで覆うことができる。ここで述べる例では、ウェハは直接接合を用いて組み立てられる。しかし上記のように他のタイプの接合を想定することもできる。図3Bは、第1のウェハ301の一方の側から見た複合構造300を概略的に示す。第1のウェハ301の縁部に示される基準位置Bは、たとえば平坦部または刻み目に対応する。複合構造300は、ホルダ312上に置かれる。したがってこの第1の位置ではホルダ312の4つの保持要素312A、312B、312C、および312Dは、それぞれ第2のウェハ302の接触領域313A、313B、313C、および313Dまとめて接触領域313として示されると接触する。この実施例では接触領域313は、第2のウェハ302の縁部に沿って分布する。しかし接触領域は、たとえば第2のウェハ302の裏面上にあると想定することもできる。次いで複合構造300およびそのホルダ312は、酸化乾燥または湿式雰囲気中で複合構造300に対して第1のアニールが実行されるのを可能にする炉または他の任意の機器諸図には示さず内に置かれるステップE2。この実施例では第1のアニールは、1000°Cと1200°Cの間の温度T2にて実行される。この第1のアニールは、それにより第1のウェハ301と第2のウェハ302の間の接合を強化することが可能となるので、複合構造300に対する安定化アニールとして役立つ。この第1のアニールはさらに、酸化物層310が複合構造300の外面上、特に第2のウェハ302の外面上に成長することを可能にする。ここで第2のウェハの外面という表現は、接合界面以外の第2のウェハの表面全体を意味すると理解される。この酸化物層の主な目的は、第2のウェハ302の外面を後続の化学エッチングから、特に第1のウェハ301に対する薄くする操作および/または化学トリミング操作時に、保護することである。BSOI多層構造を製作する方法の場合には、このようにして形成される酸化物層310の厚さは、たとえば約1μmに達し得る。第1のアニーリングステップE2が完了した後に、複合構造300は炉から取り出される。そのときには酸化物層310は、第2のウェハ302の縁部に沿って分布する接触領域314以外は、複合構造300の外面全体の上に存在する。第1のウェハの縁部領域も、アニール時にホルダと接触し得ることに留意されたい。この場合は、これらの領域も第1のアニーリングステップE2の後に保護酸化物層をもたない。図3Cに示されるように、次いでホルダ上の複合構造300は、ホルダ312に対して所定の角度θ1だけ回転させることによって位置が変えられるステップE3。この回転は手動により、または適当な位置決め装置たとえばアライナを用いて実行される。それにより複合構造300は、第1の位置図3Bに対して角度θ1だけ角度的にオフセットされた第2の位置にてホルダ312上に位置決めされる。回転が実行された後には、第2のウェハ302の接触領域314は、もはや保持要素312と接触しない。したがって回転角θ1は、用いられるホルダ312の幾何形状に応じて、より具体的には第2のウェハ302の縁部に沿った保持要素312Aから312Dの配置に応じて選択される。本発明の特定の一実施例では、回転角θ1は40°と90°の間である。ここで述べる実施例では図3Cで、複合構造300は約40°の回転角θ1だけ回転される。次いで複合構造300およびホルダ312は、酸化乾燥または湿式雰囲気中で第2のアニーリングステップを続けるために、炉または任意の他の適当な機器内に戻されるステップE4。この第2のアニールは、たとえば900°Cと1200°Cの間の温度T3にて実行される。この第2のアニーリングステップE4は、第2のウェハ302のもとの酸化されていない接触領域314上に酸化物層が成長することを可能にする。このような酸化は、ホルダ312の保持要素はもはや接触領域314を酸化性雰囲気から保護しないので可能となる。必要に応じてこの第2のアニーリングステップは、第1のアニーリングステップE2の間に支持体312と接触した第1のウェハ301の領域の表面が酸化されることも可能にする。第1の安定化アニーリングステップ時に成長されたものほど厚く酸化物層を成長させる必要はないことに留意されたい。第2のアニーリングステップE4は、もとの接触領域314上に数百ナノメートルの厚さの層を形成するように構成することができる。たとえばBSOI多層構造を製作する方法との関連においては、第2のアニーリングステップE4は、温度T3=950°Cにて、もとの接触領域314上に厚さが約500nmの酸化物層を形成するように実行することができる。第2のアニーリングステップE4の後では、そのときには複合構造300の外面全体上、および特に第2のウェハ302の外面全体上第2のウェハ302の縁部を含むに酸化物層が存在する。ここで述べる実施例では、方法は次いで複合トリミングステップE5を続け、次いで第1のウェハの薄くするステップステップE6を続ける図3D。複合トリミング操作ステップE5は、図1Dおよび1Eを参照して説明したように、機械的な第1のトリミングステップと、それに続く化学トリミングステップとを含む。より具体的には機械トリミングステップは、第1のウェハ301から上側の面取りされた縁部304が除去されることを可能にする。機械トリミングが完了した後には、第1のウェハ201の周辺部に残る環状部分は、もはや酸化物によって保護されなくなる。次いで化学エッチング溶液を用いてこの残る環状部分の化学トリミングを続けることが可能となり、このステップは第1のウェハ301から下側の面取りされた縁部305が除去されることを可能にする。ここで述べる実施例では、第1のウェハのシリコンをエッチングするためにTMAH溶液が用いられる。しかし他の化学エッチング溶液を想定することもでき、これらは特にトリミングされるべき第1のウェハの組成に応じて選択される。いくつかの場合には、当業者には良く知られているKOH溶液が用いられる。酸化物層310は、化学トリミングステップ時に実施される化学エッチングから、および複合構造の製作時に特に第1の薄くされたウェハの露出した表面上のマイクロ構成要素の製作時に他の技術ステップで実施される化学エッチングから、第2のウェハ302全体を有効に保護する。トリミング操作が実行された後に第1のウェハ301は、複合構造200と同様にして薄くされるステップE6。それにより所定の厚さを有する転写層306が、第2のウェハ302上に形成され、この厚さは場合によってはたとえば約10μmに達する図3D。この厚さは、面取りされた縁部から離れた、第1のウェハの上側と下側の間で測定される。次に図5Aから5Eおよび図6を参照して、本発明によるアニール方法およびヘテロ構造を製作する第2の方法の別の実施例について説明する。図5Aは、第1のウェハ501および第2のウェハ502を示す。第1のウェハ501は、第1のウェハ501の一方の側にマイクロ構成要素503をさらに備える点で、図3Aで述べた第1のウェハ301と異なる。加えて第1のウェハ501は、好ましくは、たとえば酸化シリコンまたは窒化シリコンの埋め込み層、あるいはこれらの材料の多層積層体に対応する、埋め込み絶縁層諸図には示さずを備えるSOIウェハである。第2のウェハは、第2のウェハの一方の側の縁部上に基準位置Cを備える。マイクロ構成要素という表現は、ここでは第1のウェハのものとは異なる材料を用いて作られる任意の要素を意味すると理解される。これらのマイクロ構成要素は特に、電子構成要素または複数の電子マイクロ構成要素の全体または一部を形成する要素に対応する。これらはたとえば、能動または受動構成要素、簡単なコンタクトまたは相互接続部、さらには簡単な空洞とすることができる。第1のウェハは特に、マイクロ構成要素の1つまたは複数の層を最終支持基板上に転写する必要がある3次元集積化の場合、さらにはたとえば裏面照射型撮像素子の製作での回路の転写の場合にマイクロ構成要素を備えることができる。もちろんこのようなマイクロ構成要素が存在するときは、これらは本発明による酸化熱処理に耐えることができなければならない。たとえば空洞がそのような場合である。この第2の実施形態では本発明の方法によるアニールは、第2のウェハ502に対してのみ実行される。したがってステップE11、E12、およびE13は、第2のウェハ502のみが第1のアニールと、それに続く回転および第2のアニールを受けるという点で、それぞれステップE2、E3、およびE4と異なる。より正確には、第2のウェハ502はホルダ上に置かれ図5B、上述のステップE2と同様にして第2のウェハ502に対して酸化性雰囲気中で第1のアニーリングステップE11が実行される。この第1のアニールは、温度T4にて実行される。図5Cに示すように、次いで第2のウェハ502は、上述のステップE3と同様にして、そのホルダに対して角度θ2だけ回転されるステップE12。回転が実行された後に、上述のステップE4と同様にして、酸化性雰囲気中で第2のウェハ502に対して第2のアニーリングステップE13が実行される。この第2のアニールは、温度T5にて実行される。ステップE11からE13の後には、第2のウェハ502の表面全体の上に保護酸化物層510が存在する。この酸化物層は特に、第1のアニーリングステップE11の間にホルダと接触した第2のウェハ502の領域を覆う図5D。次に第1のウェハ501は、第2のウェハ502に接合されステップE14、それによりマイクロ構成要素503は、2つのウェハの間の接合界面に位置するようになる図5E。ウェハ501には、より適した接触面をもたらすように平滑化層たとえば平坦化されたSiO2を設けることができる。ここで述べる実施例では、組立ては直接接合を用いて実行される。しかし上記で説明したように、他の組立て技法を想定することもできる。第2の実施形態は、第1のウェハ501のマイクロ構成要素503が、本発明の方法の第1および第2のアニールを受けないことを確実にする。これは、これらのアニール時に伴う高温はマイクロ構成要素503を不可逆的に損傷し易いからである。この第2の実施形態では、したがって第1のウェハ501の外面上には保護酸化物層は存在しない。第1の実施形態はまた、第1のウェハ501と第2のウェハ502の間の接合界面に酸化物層が存在するという点で第2の実施形態と異なる。接合が完了した後に、このようにして形成された複合構造500は、第1のウェハ501と第2のウェハ502の間の接合を強化する目的を有する強化アニールを受けるステップE15。このアニールは、第1および第2のアニーリングステップE11およびE13での温度T4およびT5より低い温度T6にて実行される。温度T6は特に、第1のウェハ501のマイクロ構成要素503を損傷しないように選択される。これは400°Cと500°Cの間で30分から4時間までのアニールとすることができる。ここで述べる実施例では、次いで薄くするステップステップE16が実行され、このステップは始めに機械的研削ステップと、それに続くウェハ501の埋め込み絶縁層に対して選択的な化学処理とを含む。次いで第1のウェハ501をトリミングするための任意選択のトリミングステップE17を実行することができる。酸化物層510は、第2のウェハ502の表面全体が、特に薄くするステップおよび任意選択でトリミングステップ時に実施される化学エッチングから有効に保護されることを可能にする。さらにいくつかの場合には、第1のアニール時にホルダと接触した第2のウェハおよび/または構造体のすべての領域が酸化されることを可能にするように、複合構造の位置を変える回転する2つ以上のステップを実行することが必要となり得る。このような場合となり得るのは、たとえば接触領域が第2のウェハおよび/または構造体の縁部のかなりの部分に相当するときである。本発明のアニール方法の別の実施例によれば、ステップE2またはE11に適合する第1のアニーリングステップが直ちに実行される。次にN回Nは2以上の整数の回転ステップが実行され、各回転ステップには第2のアニーリングステップE4またはE13と同様なアニーリングステップが続く。それぞれの第2のアニーリングステップは、まだ酸化されていない接触領域の少なくとも一部上に酸化物層を成長させるように構成される。また本発明のアニール方法の位置を変えるステップは、たとえば並進運動など、ホルダに対して他の方向に構造体の位置を変えることを含むことも考えられ、これは場合によっては回転運動と組み合わされる。