"ポリマー及び溶剤を含み、前記ポリマーはジフェニルスルホンまたはその誘導体がエーテル結合を介して該ポリマーの主鎖に導入されている、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。前記ポリマーは主鎖として下記式1a及び下記式1b:式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数1乃至13のアルキル基、ヒドロキシル基、メトキシ基、チオール基、アセチル基、ニトロ基、アリル基、フェニル基またはナフチル基を表し、A1、A2、A3、A4、A5及びA6は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、Qは2つの炭素原子間の二価の有機基を表す。で表される繰り返しの構造単位を有する請求項1に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。前記式1bにおいて、Qは下記式2:式中Q1は炭素原子数1乃至10のアルキレン基、炭素原子数3乃至10の脂環式炭化水素環を有する二価の有機基、フェニレン基、ナフチレン基またはアントリレン基を表し、前記フェニレン基、ナフチレン基及びアントリレン基は、それぞれ、炭素原子数1乃至6のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数1乃至6のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数1乃至6のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよい。で表される請求項2に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。前記式1bにおいて、Qは下記式3:式中、X1は下記式4または下記式5:式中、R5及びR6はそれぞれ独立に、水素原子、炭素原子数1乃至6のアルキル基、炭素原子数3乃至6のアルケニル基、ベンジル基またはフェニル基を表し、前記フェニル基は、炭素原子数1乃至6のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数1乃至6のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数1乃至6のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよく、前記R5とR6は互いに結合して炭素原子数3乃至6の環を形成していてもよい。を表す。で表される請求項2に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。前記式1bにおいて、Qは下記式6:式中、R7は炭素原子数1乃至6のアルキル基、炭素原子数3乃至6のアルケニル基、ベンジル基またはフェニル基を表し、前記フェニル基は、炭素原子数1乃至6のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数1乃至6のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数1乃至6のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよい。で表される請求項2に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。前記ポリマーは下記式7:で表される繰り返しの構造単位をさらに有する請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。前記ポリマーは、下記式8a:式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数1乃至13のアルキル基、ヒドロキシル基、メトキシ基、チオール基、アセチル基、ニトロ基、アリル基、フェニル基、ナフチル基を表す。で表される少なくとも一種の化合物と、下記式8b:式中、A1、A2、A3、A4、A5及びA6は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、Qは2つの炭素原子間の二価の有機基を表す。で表される少なくとも一種の化合物との重付加反応生成物である、請求項2に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。前記式8bにおいて、Qは下記式9:式中Q1は炭素原子数1乃至10のアルキレン基、炭素原子数3乃至10の脂環式炭化水素環を有する二価の有機基、フェニレン基、ナフチレン基またはアントリレン基を表し、前記フェニレン基、ナフチレン基及びアントリレン基は、それぞれ、炭素原子数1乃至6のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数1乃至6のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数1乃至6のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよい。で表される請求項7に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。前記式8bで表される化合物は、下記式10:式中、Yは炭素原子数1乃至6のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数1乃至6のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基または炭素原子数1乃至6のアルキルチオ基を表し、mは0乃至4の整数を表し、前記mが2乃至4の場合前記Yは同一であっても異なっていてもよい。で表される請求項7または請求項8に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。前記式8bにおいて、Qは下記式11:式中、R7は炭素原子数1乃至6のアルキル基、炭素原子数3乃至6のアルケニル基、ベンジル基またはフェニル基を表し、前記フェニル基は、炭素原子数1乃至6のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数1乃至6のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数1乃至6のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよい。で表される請求項7に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。架橋性化合物をさらに含む請求項1乃至請求項10のいずれか一項に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。架橋反応を促進させる化合物をさらに含む請求項11に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。前記架橋性化合物はメチロール基またはアルコキシメチル基で置換された窒素原子を2つ乃至4つ有する含窒素化合物である請求項11に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。前記架橋反応を促進させる化合物はスルホン酸化合物及び熱酸発生剤から選ばれる少なくとも一種である請求項12に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。請求項1乃至請求項14のいずれか一項に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布しベークしてレジスト下層膜を形成する工程、前記レジスト下層膜上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト下層膜と前記レジスト膜で被覆された半導体基板を露光する工程、露光後に前記レジスト膜を現像する工程、を含む半導体装置の製造に用いるレジストパターンの形成方法。前記露光は極端紫外線を用いて行われる請求項15に記載のレジストパターンの形成方法。レジスト下層膜上に形成されるレジストパターンの、基板に垂直な方向の断面は、矩形形状であることが望ましい。矩形形状を得るための手法の一つとして、レジスト下層膜中の芳香族環密度を高くすることが、本発明の発明者らの経験から分かっている。レジスト下層膜には、レジスト膜よりドライエッチング速度が大きいドライエッチング速度の選択比が大きいことが求められる。しかしながら、アクリル樹脂またはメタクリル樹脂であるポリマーを含む組成物から形成されるレジスト下層膜は、ドライエッチング速度に関して必ずしも満足できるものではない。アクリル樹脂またはメタクリル樹脂の主鎖を構成する炭素原子同士の結合C-C結合は、ドライエッチングによりその結合が容易に分断されないためと考えられる。加えて、EUVリソグラフィーの場合、形成されるパターン線幅は32nm以下となり、パターン側壁のラインエッジラフネス本明細書では以下、LERと略称する。への要求は厳しくなる。形成されたレジストパターン形状が裾引き形状または隣り合うパターンが分離されず繋がった形状の場合、パターン上方から観察したときのLERの値は大きくなり、寸法制御に悪影響を与える。そのため、レジストパターン形状をLERの値の小さい矩形形状にすることが強く要求される。本発明は、ベンゼン環のような芳香族環を含むにもかかわらず、レジスト膜に対してドライエッチング速度の選択比が大きく、しかも、EUV波長13.5nmリソグラフィーで大きな問題となるLERの低減に有用なレジスト下層膜を形成するための組成物を得ることを目的とする。また、レジスト下層膜上のレジストパターンが所望の形状となる、レジスト下層膜を形成するための組成物を得ることを目的とする。本発明の組成物は、形成されるレジスト下層膜がその上に塗布されるレジストの溶剤に不溶であること、及び形成されるレジスト下層膜とレジスト膜との間にインターミキシングが起こらないことが条件である。本発明の第1の態様は、ポリマー及び溶剤を含み、前記ポリマーはジフェニルスルホンまたはその誘導体がエーテル結合を介して該ポリマーの主鎖に導入されていることを特徴とするリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物である。ここで、エーテル結合とは、-O-で表される。当該エーテル結合の酸素原子は通常、炭素原子と結合し、C-O結合を形成する。前記ポリマーは主鎖として下記式1a及び下記式1b:式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数1乃至13のアルキル基、ヒドロキシル基、メトキシ基、チオール基、アセチル基、ニトロ基、アリル基、フェニル基、ナフチル基を表し、A1、A2、A3、A4、A5及びA6は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、Qは2つの炭素原子間の二価の有機基を表す。で表される繰り返しの構造単位を有するリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物である。前記式1bにおいて、Qは下記式2:式中Q1は炭素原子数1乃至10のアルキレン基、炭素原子数3乃至10の脂環式炭化水素環を有する2価の有機基、フェニレン基、ナフチレン基またはアントリレン基を表し、前記フェニレン基、ナフチレン基及びアントリレン基は、それぞれ、炭素原子数1乃至6のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数1乃至6のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数1乃至6のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよい。で表される。前記式1bにおいて、Qはまた下記式3:式中、X1は下記式4または下記式5:式中、R5及びR6はそれぞれ独立に、水素原子、炭素原子数1乃至6のアルキル基、炭素原子数3乃至6のアルケニル基、ベンジル基またはフェニル基を表し、前記フェニル基は、炭素原子数1乃至6のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数1乃至6のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数1乃至6のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよく、前記R5とR6は互いに結合して炭素原子数3乃至6の環を形成していてもよい。を表す。でも表される。上記X1が式5を表す場合、当該式5のカルボニル基は上記式3の窒素原子と結合する。前記式1bで表される繰り返しの構造単位としては、Qが前記式3で表される構造単位に加えてQが前記式2で表される構造単位をさらに有していてもよい。前記式1bにおいて、Qはまた下記式6:式中、R7は炭素原子数1乃至6のアルキル基、炭素原子数3乃至6のアルケニル基、ベンジル基またはフェニル基を表し、前記フェニル基は、炭素原子数1乃至6のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数1乃至6のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数1乃至6のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよい。でも表される。前記式1bで表される繰り返しの構造単位としては、Qが前記式6で表される構造単位に加えてQが前記式2で表される構造単位をさらに有していてもよい。前記ポリマーは、前記式1a及び前記式1bに加えて、下記式7:で表される繰り返しの構造単位をさらに有していてもよい。本発明において、アルキル基は、例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、n-ブチル基、シクロヘキシル基である。炭素原子数1乃至10のアルキレン基は、例えばメチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、n-ペンチレン基、n-オクチレン基、2-メチルプロピレン基、1,4-ジメチルブチレン基、シクロペンチレン基、シクロブチレン基、シクロヘキシレン基、2-メチルシクロヘキシレン基である。炭素原子数3乃至10の脂環式炭化水素環は、例えばシクロヘキサン環、アダマンタン環である。炭素原子数1乃至6のアルコキシ基は、例えばメトキシ基、エトキシ基、n-ペンチルオキシ基、イソプロポキシ基、シクロヘキシルオキシ基である。炭素原子数1乃至6のアルキルチオ基は、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、n-ペンチルチオ基、イソプロピルチオ基及びシクロヘキシルチオ基である。炭素原子数3乃至6のアルケニル基は、例えば2-プロペニル基、3-ブテニル基である。上記アルキル基、アルキレン基、アルコキシ基及びアルキルチオ基は、直鎖状に限定されず、分岐構造または環状構造でもよい。ハロゲン原子は、例えばフッ素、塩素、臭素、ヨウ素である。前記式1a及び前記式1bで表される繰り返しの構造単位の繰り返し数は、例えば10以上10,000以下の範囲である。本発明のレジスト下層膜形成組成物に含まれる溶剤は、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、メチルエチルケトン、乳酸エチル、シクロヘキサノン、γ-ブチロラクトン、N-メチルピロリドン、これらの溶剤から選択された二種以上の混合物である。そして、本発明のレジスト下層膜形成組成物に対する前記溶剤の割合は、例えば50質量以上99.5質量以下である。本発明のレジスト下層膜形成組成物に含まれるポリマーは、当該レジスト下層膜形成組成物に対し例えば0.5質量以上30質量以下の割合とすることができる。本発明のレジスト下層膜形成組成物は、前記ポリマー及び溶剤の他に、架橋性化合物架橋剤を含んでもよく、さらに架橋反応を促進させる化合物を含んでもよい。溶剤を除いた成分を固形分と定義すると、その固形分は前記ポリマー及び、必要に応じて添加される前記架橋性化合物、前記架橋反応を促進させる化合物などの添加物を含む。固形分中の前記ポリマーの割合は、例えば70質量以上98質量以下である。添加物を含まない場合、固形分中の前記ポリマーの割合は100質量とすることができる。前記架橋性化合物は、例えばメチロール基またはアルコキシメチル基で置換された窒素原子を2つ乃至4つ有する含窒素化合物であり、本発明のレジスト下層膜形成組成物に含まれる前記ポリマーに対し例えば1質量以上30質量以下の割合で添加することができる。前記架橋性化合物の具体例として、ヘキサメトキシメチルメラミン、テトラメトキシメチルベンゾグアナミン、1,3,4,6-テトラキスメトキシメチルグリコールウリル、1,3,4,6-テトラキスブトキシメチルグリコールウリル、1,3,4,6-テトラキスヒドロキシメチルグリコールウリル、1,3-ビスヒドロキシメチル尿素、1,1,3,3-テトラキスブトキシメチル尿素及び1,1,3,3-テトラキスメトキシメチル尿素が挙げられる。架橋反応を促進させる化合物は、例えばスルホン酸化合物及び熱酸発生剤から選ばれる少なくとも一種である。本発明のレジスト下層膜形成組成物に含まれるポリマーに対し、例えば0.1質量以上10質量以下の割合で、前記架橋反応を促進させる化合物を添加することができる。前記スルホン酸化合物の具体例として、p-トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ピリジニウム-p-トルエンスルホネート、カンファースルホン酸、5-スルホサリチル酸、4-クロロベンゼンスルホン酸、4-ヒドロキシベンゼンスルホン酸、ベンゼンジスルホン酸、及び1-ナフタレンスルホン酸が挙げられる。前記熱酸発生剤の具体例として、4-アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ベンジル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-アセトキシフェニルベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、3-ベンジルベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアンチモネート、2,4,4,6-テトラブロモシクロヘキサジエノン、ベンゾイントシラート、2-ニトロベンジルトシラートが挙げられる。本発明のレジスト下層膜形成組成物は、界面活性剤及び/または接着補助剤を含んでもよい。前記界面活性剤は、基板に対する塗布性を向上させるための添加物である。ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤のような公知の界面活性剤を用いることができ、本発明のレジスト下層膜形成組成物に対し例えば0.2質量以下の割合で添加することができる。前記接着補助剤は、基板またはレジスト膜とレジスト下層膜との密着性を向上させることを目的とし、露光後に現像を行う際にレジスト膜の剥離を抑制する添加物である。接着補助剤として、例えばクロロシラン類、アルコキシシラン類、シラザン類、シラン類、複素環状化合物を用いることができ、本発明のレジスト下層膜形成組成物に対し例えば2質量以下の割合で添加することができる。本発明の第2の態様は、本発明のレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布しベークしてレジスト下層膜を形成する工程、前記レジスト下層膜上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト下層膜と前記レジスト膜で被覆された半導体基板を露光する工程、露光後に前記レジスト膜を現像する工程、を含む半導体装置の製造に用いるレジストパターンの形成方法である。本発明の第2の態様において行われる前記露光は、EUV波長13.5nmまたは電子線を用いて行うことができる。EUVは極端紫外線の略称である。レジスト膜を形成するためのレジストは、ポジ型、ネガ型いずれでもよい。EUVまたは電子線に感光する化学増幅型レジストを用いることができる。本発明の第2の態様で用いられる半導体基板は、代表的にはシリコンウエハーであるが、SOISilicononInsulator基板、または砒化ガリウムGaAs、リン化インジウムInP、リン化ガリウムGaPなどの化合物半導体ウエハーを用いてもよい。本発明のレジスト下層膜形成組成物は、ジフェニルスルホンまたはその誘導体がエーテル結合を介して主鎖に導入されているポリマーを含む。例えば前記式1a及び前記式1bで表される繰り返しの構造単位を有する二次元ポリマーを含む。そのため、芳香族環密度を低下させることなく、レジスト膜に対するドライエッチング速度の選択比が大きいレジスト下層膜が得られる。本発明のレジスト下層膜形成組成物に含まれるポリマーの主鎖は、C-C結合よりもドライエッチングで分断されやすいC-O結合エーテル結合を有するため、含まれるポリマーが例えばアクリル樹脂またはメタクリル樹脂である従来のレジスト下層膜形成組成物を用いるよりも、ドライエッチング速度の高いレジスト下層膜を形成することができる。前記ポリマーの主鎖に、芳香族環であるベンゼン環を有するジフェニルスルホンまたはその誘導体が導入されていることから、形成されるレジスト下層膜の密度を高くすることができ、所望の形状基板に垂直な方向の断面が矩形形状のレジストパターンを形成できる。本発明のレジスト下層膜形成組成物に含まれるポリマーは、下記式8a:式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数1乃至13のアルキル基、ヒドロキシル基、メトキシ基、チオール基、アセチル基、ニトロ基、アリル基、フェニル基、ナフチル基を表す。で表される少なくとも一種の化合物と下記式8b:式中、A1、A2、A3、A4、A5及びA6は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、Qは2つの炭素原子間の2価の有機基を表す。で表される少なくとも一種の化合物との重付加反応生成物である。すなわち、式8aで表される少なくとも一種の化合物と式8bで表される少なくとも一種の化合物を、適切なモル比になるよう有機溶剤へ溶解させ、エポキシ基を活性化させる触媒の存在のもと、重合させることによって、前記式1a及び前記式1bで表される繰り返しの構造単位を有するポリマーが得られる。ビスフェノールSは前記式8aで表される化合物の一例である。エポキシ基を活性化させる触媒とは、例えば、エチルトリフェニルホスホニウムブロミドのような第4級ホスホニウム塩、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリドのような第4級アンモニウム塩であり、使用する式8aで表される化合物及び式8bで表される化合物の全質量に対して0.1~10質量の範囲から適量を選択して用いることができる。重合反応させる温度及び時間は、80~160°C、2~50時間の範囲から、最適な条件を選択することができる。前記式8bにおいて、Qは例えば下記式9:式中Q1は炭素原子数1乃至10のアルキレン基、炭素原子数3乃至10の脂環式炭化水素環を有する二価の有機基、フェニレン基、ナフチレン基またはアントリレン基を表し、前記フェニレン基、ナフチレン基及びアントリレン基は、それぞれ、炭素原子数1乃至6のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数1乃至6のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数1乃至6のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよい。で表される。前記式8bで表される化合物は、例えば下記式10:式中、Yは炭素原子数1乃至6のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数1乃至6のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基または炭素原子数1乃至6のアルキルチオ基を表し、mは0乃至4の整数を表し、前記mが2乃至4の場合前記Yは同一であっても異なっていてもよい。で表される。前記mが0を表す場合は、Yで表される置換基が存在しないことを意味する。前記式8bにおいて、Qはまた下記式11:式中、R7は炭素原子数1乃至6のアルキル基、炭素原子数3乃至6のアルケニル基、ベンジル基またはフェニル基を表し、前記フェニル基は、炭素原子数1乃至6のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数1乃至6のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数1乃至6のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよい。でも表される。前記式8bで表される化合物の具体例を下記式12乃至式20に示す。本発明のレジスト下層膜形成組成物に含まれるポリマーの繰り返しの構造単位を、下記式21乃至式25に例示する。例えば、前記式21で表される繰り返しの構造単位を有するポリマーは、前記式8aで表される化合物と前記式8bで表される化合物前記式10で表される化合物を重合させて得られる。前記式22で表される繰り返しの構造単位を有するポリマーは、式8aで表される化合物と式8bで表される化合物前記式10で表される化合物と2,4-ジヒドロキシ安息香酸を重合させて得られる。前記式21のaで表される構造単位とbで表される構造単位のモル比は1:1である。前記式22のaで表される構造単位とbで表される構造単位とcで表される構造単位のモル比は、a:bc=1:1の関係を満たす。前記式23のaで表される構造単位とbで表される構造単位のモル比は1:1である。前記式24のaで表される構造単位とbで表される構造単位のモル比は1:1である。前記式25のaで表される構造単位とbで表される構造単位のモル比は1:1である。以下、本発明について合成例及び実施例によって具体的に説明する。ただし、本発明は下記合成例及び実施例の記載に限定されるものではない。下記合成例1乃至合成例3に示す重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー以下、本明細書ではGPCと略称する。による測定結果に基づく。測定には東ソー株製GPC装置を用い、測定条件は下記のとおりである。GPCカラム:Shodex登録商標Asahipak登録商標昭和電工株カラム温度:40°C溶媒:N,N-ジメチルホルムアミドDMF流量:0.6ml/分標準試料:ポリスチレン東ソー株ディテクター:RI<合成例1>テレフタル酸ジグリシジルエステルナガセケムテックス株製、商品名:デナコール登録商標EX71110.00g、ビスフェノールS4.38g、2,4-ジヒドロキシ安息香酸2.68g、及びエチルトリフェニルホスホニウムブロミド0.65gをプロピレングリコールモノメチルエーテル70.90gに溶解させた後、130°Cで4時間反応させポリマーの溶液を得た。得られたポリマーは、前記式22に相当しa:b:c=10:5:5モル比、GPC分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量5,300であった。<合成例2>テレフタル酸ジグリシジルエステルナガセケムテックス株製、商品名:デナコール登録商標EX71110.00g、ビスフェノールS2.63g、2,4-ジヒドロキシ安息香酸3.78g、及びエチルトリフェニルホスホニウムブロミド0.65gをプロピレングリコールモノメチルエーテル68.21gに溶解させた後、130°Cで4時間反応させポリマーの溶液を得た。得られたポリマーは、前記式22に相当しa:b:c=10:3:7モル比、GPC分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量4,800であった。<合成例3>テレフタル酸ジグリシジルエステルナガセケムテックス株製、商品名:デナコール登録商標EX71110.00g、ビスフェノールS6.13g、2,4-ジヒドロキシ安息香酸1.62g、及びエチルトリフェニルホスホニウムブロミド0.65gをプロピレングリコールモノメチルエーテル73.60gに溶解させた後、130°Cで4時間反応させポリマーの溶液を得た。得られたポリマーは、前記式22に相当しa:b:c=10:7:3モル比、GPC分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量4,800であった。<合成例4>モノアリルジグリシジルイソシアヌル酸四国化成工業株製15.00g、ビスフェノールS7.46g、2,4-ジヒドロキシ安息香酸4.59g、及びエチルトリフェニルホスホニウムブロミド1.01gをプロピレングリコールモノメチルエーテル112.21gに溶解させた後、130°Cで4時間反応させポリマーの溶液を得た。得られたポリマーのGPC分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量4,500であった。<合成例5>モノアリルジグリシジルイソシアヌル酸四国化成工業株製15.00g、ビスフェノールS4.47g、2,4-ジヒドロキシ安息香酸6.43g、及びエチルトリフェニルホスホニウムブロミド1.00gをプロピレングリコールモノメチルエーテル107.62gに溶解させた後、130°Cで4時間反応させポリマーの溶液を得た。得られたポリマーのGPC分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量5,000であった。<実施例1>上記合成例1で得られたポリマー2gを含む溶液10gにテトラメトキシメチルグリコールウリル日本サイテックインダストリーズ株製、商品名:パウダーリンク登録商標11740.5gとピリジニウム-p-トルエンスルホネート0.05gを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル35.4g、及び乳酸エチル18.6gに溶解させ溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径0.05μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物を調製した。<実施例2>上記合成例2で得られたポリマー2gを含む溶液10gにテトラメトキシメチルグリコールウリル日本サイテックインダストリーズ株製、商品名:パウダーリンク登録商標11740.5gとピリジニウム-p-トルエンスルホネート0.05gを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル35.4g、及び乳酸エチル18.6gに溶解させ溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径0.05μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物を調製した。<実施例3>上記合成例3で得られたポリマー2gを含む溶液10gにテトラメトキシメチルグリコールウリル日本サイテックインダストリーズ株製、商品名:パウダーリンク登録商標11740.5gとピリジニウム-p-トルエンスルホネート0.05gを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル35.4g、及び乳酸エチル18.6gに溶解させ溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径0.05μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物を調製した。<実施例4>上記合成例4で得られたポリマー2gを含む溶液10gにテトラメトキシメチルグリコールウリル日本サイテックインダストリーズ株製、商品名:パウダーリンク登録商標11740.5gとピリジニウム-p-トルエンスルホネート0.03gを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル34.5g、及び乳酸エチル18.2gに溶解させ溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径0.05μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物を調製した。<実施例5>上記合成例5で得られたポリマー2gを含む溶液10gにテトラメトキシメチルグリコールウリル日本サイテックインダストリーズ株製、商品名:パウダーリンク登録商標11740.5gとピリジニウム-p-トルエンスルホネート0.03gを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル34.5g、及び乳酸エチル18.2gに溶解させ溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径0.05μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物を調製した。<比較例1>下記式26で表される共重合体をポリマーとして含み、さらに添加物として下記式27で表される架橋剤、及びピリジニウム-p-トルエンスルホネートを含むレジスト下層膜形成組成物を用意した。レジスト溶剤への溶出試験本発明の実施例1乃至実施例5で調製したレジスト下層膜形成組成物を、スピナーを用いてシリコンウエハー上に塗布スピンコートした。ホットプレート上で、205°Cで1分間加熱し、レジスト下層膜膜厚0.10μmを形成した。このレジスト下層膜を、レジスト溶液の溶剤である乳酸エチル及びプロピレングリコールモノメチルエーテルに浸漬し、前記レジスト下層膜はそれらの溶剤に不溶であることを確認した。レジストとのインターミキシング試験本発明の実施例1乃至実施例5で調製したレジスト下層膜形成組成物を、スピナーを用いてシリコンウエハー上に塗布した。ホットプレート上で、205°Cで1分間加熱し、レジスト下層膜膜厚0.10μmを形成した。このレジスト下層膜の上層に、市販のレジスト溶液ダウケミカル社製、商品名:UV113を、スピナーを用いて塗布した。ホットプレート上で、120°Cで1分間加熱することによりレジスト膜を形成し、露光装置を用いて露光した後、露光後加熱PEB:PostExposureBakeを115°Cで1.5分間行った。そのレジスト膜を現像及びリンス処理した後、前記レジスト下層膜の膜厚を測定し、実施例1乃至実施例3で調製したレジスト下層膜形成組成物から得られたレジスト下層膜と前記レジスト膜とのインターミキシングが起こらないことを確認した。ドライエッチング速度の測定本発明の実施例1乃至実施例5で調製したレジスト下層膜形成組成物、及び比較例1で示したレジスト下層膜形成組成物を、それぞれスピナーを用いてシリコンウエハー上に塗布した。ホットプレート上で、205°Cで1分間加熱し、レジスト下層膜を形成した。そして、日本サイエンティフィック社製、RIEシステムES401を用い、ドライエッチングガスとしてCF4を使用した条件下でドライエッチング速度を測定した。レジスト溶液住友化学株製、商品名:PAR710を、スピナーを用いてシリコンウエハー上に塗布し、前述と同様の方法によりレジスト膜を形成した。そして日本サイエンティフィック社製、RIEシステムES401を用い、ドライエッチングガスとしてCF4を使用した条件下でドライエッチング速度を測定した。実施例1乃至実施例5及び比較例1の各レジスト下層膜形成組成物から得られた六種類のレジスト下層膜と、前記住友化学株製レジスト溶液から得られたレジスト膜のドライエッチング速度との比較を行った。前記レジスト膜のドライエッチング速度に対する前記レジスト下層膜のドライエッチング速度の比ドライエッチング速度の選択比を表1に示す。本発明のレジスト下層膜形成組成物より得られたレジスト下層膜は、レジスト膜に対して大きなドライエッチング速度の選択比を有し、しかも比較例1よりもドライエッチング速度の選択比が大きい。そのため、比較例のレジスト下層膜と比べて、本発明のレジスト下層膜はドライエッチングによる除去に要する時間を短縮することができる。そして、前記レジスト下層膜のドライエッチングによる除去に伴い、そのレジスト下層膜上のレジスト膜の膜厚が減少する好ましくない現象を抑制することができる。レジストパターンの形成シリコンウエハー上に、本発明の実施例1で調製したレジスト下層膜形成組成物をそれぞれスピンコートし、205°Cで1分間加熱し、レジスト下層膜を形成した。そのレジスト下層膜上に、EUV用レジスト溶液メタクリレート樹脂系レジストをスピンコートし、加熱し、レジスト膜を形成した。EUV露光装置ASML社製EUV-ADTを用いて、NA=0.25、σ=0.5の条件で露光した。露光後、PEBを行い、クーリングプレート上で室温まで冷却し、現像及びリンス処理をし、レジストパターンを形成した。評価は、30nmのラインアンドスペースの形成可否、パターン上面からの観察によるパターンのラインエッジラフネスLERの大小により行った。比較例2として、レジスト下層膜を形成する代わりに、シリコン基板にHMDSヘキサメチルジシラザン処理を施した基板を用いた場合も同様に試験を行った。本明細書では、ラインアンドスペースのラインパターンにおいて、基板に垂直方向の断面が矩形形状である場合を良好、前記断面がテーパー台形状または裾引き形状である場合を可と評価し、一方パターンの倒壊または解像不良によりラインアンドスペースが形成されたとはいえない場合を不可と評価する。LERの測定は、CriticalDimensionScanningElectronMicroscopyCD-SEMを用い、パターンエッジ位置を上部から二次元的に検出し、その位置のばらつきをLERとして定量化する。具体的には、CD-SEMで検出されるホワイトバンド幅を用いて、パターン底部から上面までの高さの70の部位の線幅を400ポイント測長し、その値の3σをとってLER値とした。表2に示すとおり、本発明の実施例1で調製したレジスト下層膜形成組成物を用いた場合、比較例1の場合と比較してLERの値が小さく、製造工程におけるパターン寸法精度が高いことが確認された。LER値は通常、4.0nm以下であることが求められる。表2中、>4.5とは、LER値が4.5より大きいという意味である。"