"第1電極、記憶層および第2電極をこの順に有し、前記記憶層は、前記第2電極側に設けられ、少なくとも1種の金属元素およびテルルTe、硫黄SおよびセレンSeのうちの少なくとも1種のカルコゲン元素を含むイオン源層と、前記イオン源層と前記第1電極との間に設けられ、かつ、テルルおよび窒素Nを含むと共に前記イオン源層に接する層を有する抵抗変化層とを備えた記憶素子。前記抵抗変化層のうち、前記イオン源層に接する層はアルミニウムAlを含む請求項1に記載の記憶素子。前記抵抗変化層のうち、前記イオン源層に接する層は、0.1以上50以下の窒素を含有する請求項1に記載の記憶素子。前記金属元素は、銀Ag,銅Cuおよび亜鉛Znのうち少なくとも1種を含む請求項1に記載の記憶素子。前記金属元素は、銅Cu,アルミニウムAlおよびジルコニウムZrを含む請求項1に記載の記憶素子。前記第1電極の、前記抵抗変化層側の面は酸化されている請求項1に記載の記憶素子。前記抵抗変化層は、前記第1電極側の第1抵抗変化層と前記イオン源層側の第2抵抗変化層により構成され、前記第1抵抗変化層は酸化層である請求項1に記載の記憶素子。前記第1電極および前記第2電極への電圧印加によって前記イオン源層に含まれる金属元素が移動し、前記抵抗変化層の抵抗状態が変化して情報を記憶する請求項1に記載の記憶素子。第1電極、記憶層および第2電極をこの順に有する複数の記憶素子と、前記複数の記憶素子に対して選択的に電圧または電流のパルスを印加するパルス印加部とを備え、前記記憶層は、前記第2電極側に設けられ、少なくとも1種の金属元素およびテルルTe、硫黄SおよびセレンSeのうちの少なくとも1種のカルコゲン元素を含むイオン源層と、前記イオン源層と前記第1電極との間に設けられ、かつ、テルルおよび窒素Nを含むと共に前記イオン源層に接する層を有する抵抗変化層とを備えた記憶装置。前記抵抗変化層のうち、前記イオン源層に接する層はアルミニウムAlを含む請求項9に記載の記憶装置。前記抵抗変化層のうち、前記イオン源層に接する層は、0.1以上50以下の窒素を含有する請求項9に記載の記憶装置。前記金属元素は、銀Ag,銅Cuおよび亜鉛Znのうち少なくとも1種を含む請求項9に記載の記憶装置。前記金属元素は、銅Cu,アルミニウムAlおよびジルコニウムZrを含む請求項9に記載の記憶装置。前記第1電極の、前記抵抗変化層側の面は酸化されている請求項9に記載の記憶装置。前記抵抗変化層は、前記第1電極側の第1抵抗変化層と前記イオン源層側の第2抵抗変化層により構成され、前記第1抵抗変化層は酸化層である請求項9に記載の記憶装置。前記第1電極および前記第2電極への電圧印加によって前記イオン源層に含まれる金属元素が移動し、前記抵抗変化層の抵抗状態が変化して情報を記憶する請求項9に記載の記憶装置。これに対して例えば特許文献3では、上記問題を改善する記憶素子として抵抗変化を起こす層にカルコゲン元素を含む層を備えた記憶素子が提案され、動作電圧の低電圧化が行われている。しかしながら、この記憶素子でも十分な保持特性や繰り返し動作特性が得られず、これらの特性の更なる向上が望まれていた。本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、良好な保持特性を有すると共に繰り返し動作特性が向上した記憶素子および記憶装置を提供することにある。本技術の記憶素子は、第1電極、記憶層および第2電極をこの順に有し、記憶層は、第2電極側に設けられ、少なくとも1種の金属元素およびテルルTe、硫黄SおよびセレンSeのうちの少なくとも1種のカルコゲン元素を含むイオン源層と、イオン源層と第1電極との間に設けられ、かつテルルおよび窒素Nを含むと共にイオン源層に接する層を有する抵抗変化層とを備えたものである。本技術の記憶装置は、第1電極、記憶層および第2電極をこの順に有する複数の記憶素子と、複数の記憶素子に対して選択的に電圧または電流のパルスを印加するパルス印加部とを備え、記憶素子として本技術の記憶素子を用いたものである。本技術の記憶素子記憶装置では、初期状態高抵抗状態の素子に対して正方向例えば第1電極側を負電位、第2電極側を正電位の電圧または電流パルスが印加されると、イオン源層に含まれる金属元素がイオン化して抵抗変化層中に拡散し、第1電極で電子と結合して析出し、あるいは抵抗変化層中に留まり不純物準位を形成する。これにより記憶層内に金属元素を含む低抵抗部伝導パスが形成され、抵抗変化層の抵抗が低くなる記録状態。この低抵抗な状態の素子に対して負方向例えば第1電極側を正電位、第2電極側を負電位へ電圧パルスが印加されると、第1電極に析出していた金属元素がイオン化してイオン源層中へ溶解する。これにより金属元素を含む伝導パスが消滅し、抵抗変化層の抵抗が高い状態となる初期状態または消去状態。ここでは、抵抗変化層がカルコゲン元素であるテルルに加えて、窒素を含むことにより、保持特性が良好な状態に保たれ、かつ繰り返しの電圧印加よる劣化が抑えられる。本技術の記憶素子および記憶装置によれば、抵抗変化層がカルコゲン元素であるテルルに加えて、窒素を含むようにしたので、保持特性を良好な状態にすると共に繰り返し動作特性を向上させることができる。以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。実施の形態1記憶素子:抵抗変化層が単層からなる記憶素子2記憶装置変形例抵抗変化層が複数層からなる記憶素子実施例実施の形態記憶素子図1は、本技術の一実施の形態に係る記憶素子1の断面構成図である。この記憶素子1は、下部電極10第1電極、記憶層20および上部電極30第2電極をこの順に有するものである。下部電極10は、例えば、後述図2のようにCMOSComplementaryMetalOxideSemiconductor回路が形成された基板41上に設けられ、CMOS回路部分との接続部となっている。この下部電極10は、半導体プロセスに用いられる配線材料、例えば、Wタングステン,WN窒化タングステン,TiN窒化チタン,Cu銅,Alアルミニウム,Moモリブデン,Taタンタルおよびシリサイド等により構成されている。下部電極10が銅等の電界でイオン伝導が生じる可能性のある材料により構成されている場合には銅等よりなる下部電極10の表面を、タングステン,窒化タングステン,窒化チタン,窒化タンタルTaN等のイオン伝導や熱拡散しにくい材料で被覆するようにしてもよい。また、後述のイオン源層21にアルミニウムが含まれている場合には、アルミニウムよりもイオン化しにくい材料、例えばクロムCr,タングステン,コバルトCo,シリコンSi,金Au,パラジウムPd,モリブデンMo,イリジウムIr,チタンTi等のうちの少なくとも1種を含んだ金属膜や、これらの酸化膜または窒化膜を用いることが好ましい。記憶層20は上部電極30側のイオン源層21および下部電極10側の抵抗変化層22により構成されている。ここでは、イオン源層21は上部電極30に接して設けられている。イオン源層21は、抵抗変化層22に拡散する可動イオン陽イオンおよび陰イオンとなる元素を含む。陽イオン化可能な元素としては、例えば銀Ag,銅Cuおよび亜鉛Znなどの金属元素を1種あるいは2種以上を含む。また、陰イオン化するイオン導電材料としては、テルルTe,硫黄SおよびセレンSe等のカルコゲン元素を少なくとも1種以上含む。金属元素とカルコゲン元素とは結合し、金属カルコゲナイド層を形成している。この金属カルコゲナイド層は、主に非晶質構造を有し、イオン供給源としての役割を果たすものである。陽イオン化可能な金属元素は、書き込み動作時にカソード電極例えば、下部電極10上で還元されて金属状態の伝導パスフィラメントを形成するため、上記カルコゲン元素が含まれるイオン源層21中において金属状態で存在することが可能な化学的に安定な元素が好ましい。このような金属元素としては、上記金属元素のほかに、例えば周期律表上の4A,5A,6A族の遷移金属、すなわちTi,ジルコニウムZr,ハフニウムHf,バナジウムV,ニオブNb,Ta,Cr,MoおよびWが挙げられる。これら元素のうちの1種あるいは2種以上を用いることができる。この他に、アルミニウムAl,ゲルマニウムGeおよびSiなどをイオン源層21の添加元素として用いるようにしてもよい。このようなイオン源層21の具体的な組成としては、例えば、ZrTeAl,TiTeAl,CrTeAl,WTeAlおよびTaTeAlが挙げられる。また、例えば、ZrTeAlに対して、Cuを添加したCuZrTeAlが挙げられるが、更にGeを添加したTeAlZrCuGeを用いることが好ましい。また、上記添加元素Siを加えたTeAlZrCuSiGeとしてもよい。イオン源層21に含まれる金属元素としては上記で例示した金属元素に限定されるものではなく、例えばAlの他にMgを用いたZrTeMgとしてもよい。イオン化する金属元素としては、Zrの代わりに、TiやTaなどの他の遷移金属元素を選択した場合でも同様な添加元素を用いることは可能であり、例えばTaTeAlGeなどとすることも可能である。更に、イオン導電材料としては、Te以外に硫黄SやセレンSe、あるいはヨウ素Iを用いてもよく、具体的にはZrSAl,ZrSeAl,ZeIAl,CuGeTeAl等を用いてもよい。また、必ずしもAlを含んでいる必要はなく、CuGeTeZr等を用いてもよい。また、イオン源層21には、記憶層20における高温熱処理時の膜剥がれを抑止するなどの目的で、その他の元素が添加されていてもよい。例えば、シリコンSiは、保持特性の向上も同時に期待できる添加元素であり、イオン源層21にZrと共に添加することが好ましい。但し、Si添加量が少な過ぎると膜剥がれ防止効果を期待できなくなり、多過ぎると良好なメモリ動作特性が得られない。このため、膜剥がれの防止効果および良好なメモリ動作特性を得るためには、イオン源層21中のSiの含有量は10~45原子程度の範囲内であることが好ましい。更に、イオン源層21に後述する抵抗変化層22に含まれるTeと反応しやすい金属元素Mを用いてTe/イオン源層金属元素Mを含むという積層構造にしておくと、成膜後の加熱処理により、MTe/イオン源層21という構造に安定化する。Teと反応しやすい元素としては、例えばAlやマグネシウムMgが挙げられる。抵抗変化層22は下部電極10側、即ち下部電極10とイオン源層21との間に設けられている。ここでは、抵抗変化層22は単層により構成され、下部電極10,イオン源層21それぞれに接している。この抵抗変化層22は電気伝導上のバリアとしての機能を有しており、また、下部電極10と上部電極30との間に所定の電圧を印加した場合にその抵抗値が変化する。本実施の形態では、この抵抗変化層22が、カルコゲン元素であるTeに加え、窒素を含んでいる。これにより、記憶素子1の保持特性を良好な状態に維持すると繰り返し動作特性を向上させることができる。抵抗変化層22は、例えばAlTe,MgTeまたはZnTeに窒素を50以下の濃度で含有させたものである。具体的には、この抵抗変化層22には、Al,Mg,Zn単体、あるいは、AlN,Mg2N3,Zn2N3等の化合物が存在する。このとき、例えばAlNは、Al:N=50:50であり、これにTeが含まれることにより抵抗変化層22全体での窒素の含有量は50より小さくなる。即ち、窒素含有量50は、抵抗変化層22に含まれる窒素の最大値に相当するものとなる。後述するように、窒素の含有量は極微量、測定限界付近推定値0.1程度であっても十分な効果を得ることが可能である。抵抗変化層22はAlを含むことにより、保持特性および繰り返し動作特性が更に向上する。抵抗変化層22の初期抵抗値は1MΩ以上であることが好ましく、低抵抗状態における抵抗値は数100kΩ以下であることが好ましい。微細化した抵抗変化型メモリの抵抗状態を高速に読み出すためには、できる限り低抵抗状態の抵抗値を低くすることが好ましい。しかし、例えば20~50μA,2Vの条件で書き込んだ場合の抵抗値は40~100kΩであるので、メモリの初期抵抗値はこの値より高いことが前提となる。更に1桁の抵抗分離幅を考慮すると、上記抵抗値が適当と考えられる。上部電極30は、下部電極10と同様に公知の半導体配線材料を用いることができるが、ポストアニールを経てもイオン源層21と反応しない安定な材料が好ましい。本実施の形態の記憶素子1では、図示しない電源回路パルス印加手段から下部電極10および上部電極30を介して電圧パルスあるいは電流パルスを印加すると、記憶層20の電気的特性抵抗値が変化するものであり、これにより情報の書き込み,消去,更に読み出しが行われる。以下、その動作を具体的に説明する。まず、上部電極30が例えば正電位、下部電極10側が負電位となるようにして記憶素子1に対して正電圧を印加する。これによりイオン源層21に含まれる金属元素がイオン化して抵抗変化層22に拡散し、下部電極10側で電子と結合して析出する。その結果,下部電極10と記憶層20の界面に金属状態に還元された低抵抗の金属元素のフィラメントが形成される。若しくは、イオン化した金属元素は、抵抗変化層22中に留まり不純物準位を形成する。これにより抵抗変化層22中にフィラメントが形成されて記憶層20の抵抗値が低くなり、初期状態の抵抗値高抵抗状態よりも低い抵抗値低抵抗状態へ変化する。その後、正電圧を除去して記憶素子1にかかる電圧をなくしても、低抵抗状態が保持される。これにより情報が書き込まれたことになる。一度だけ書き込みが可能な記憶装置、いわゆる、PROMProgrammableReadOnlyMemoryに用いる場合には、前記の記録過程のみで記録は完結する。一方、消去が可能な記憶装置、すなわち、RAMRandomAccessMemoryあるいはEEPROMElectronicallyErasableandProgrammableReadOnlyMemory等への応用には消去過程が必要であるが、消去過程においては、上部電極30が例えば負電位、下部電極10側が正電位になるように記憶素子1に対して負電圧を印加する。これにより、記憶層20内に形成されていたフィラメントの金属元素がイオン化し、イオン源層21に溶解、若しくはTe等と結合してCu2Te、CuTe等の化合物を形成する。これにより、金属元素によるフィラメントが消滅、または減少して抵抗値が高くなる。その後、負電圧を除去して記憶素子1にかかる電圧をなくしても、抵抗値が高くなった状態で保持される。これにより書き込まれた情報を消去することが可能になる。このような過程を繰り返すことにより、記憶素子1に情報の書き込みと書き込まれた情報の消去を繰り返し行うことができる。例えば、抵抗値の高い状態を0の情報に、抵抗値の低い状態を1の情報に、それぞれ対応させると、正電圧の印加による情報の記録過程で0から1に変え、負電圧の印加による情報の消去過程で1から0に変えることができる。なお、ここでは記憶素子を低抵抗化する動作および高抵抗化する動作をそれぞれ書き込み動作および消去動作に対応させたが、その対応関係は逆に定義してもよい。本実施の形態では、抵抗変化層22がカルコゲン元素であるTeに加えて、窒素を含んでいるため、保持特性を良好な状態に維持すると共に繰り返し動作特性を向上させることができる。窒素を含有していなくても、抵抗変化層22がカルコゲン元素を含むようにすることで、記憶素子の保持特性は向上する。しかしながらこの場合、イオン源層と抵抗変化層との互いの構成成分が類似しているため、電圧印加によりこれらが容易に拡散し、複数回の書き込み,消去動作により同じ状態低抵抗状態または高抵抗状態でも抵抗変化層の抵抗値が変化していく。即ち、記憶素子の耐圧性は低下し易く、繰り返し動作特性も低下する。これに対し、抵抗変化層を、カルコゲン元素を含む層と、例えば酸化ガドリニウムGdOxや酸化アルミニウムAlOx等の酸化層との積層構造にすることで繰り返し動作特性を向上させることも提案されているが、この場合には保持特性が低下するため、保持特性と繰り返し動作特性との両方を向上させることが困難であった。そこで、本実施の形態では、抵抗変化層22にカルコゲン元素であるTeと共に窒素を含有させることで、抵抗変化層22とイオン源層21との間の構成成分同士の拡散を抑え、耐圧性を向上させている。酸化物層は不要であるため、保持特性が低下することもない。また、抵抗変化層22は書き込み時等に、十分バイアスがかかるようにするために、ある程度抵抗値を高くしておくことが必要である。例えば、抵抗変化層に酸素を含有させると、抵抗値と共に耐圧性が高くなり過ぎ、動作時に要する電圧が大きくなってしまうが、窒素を含有する抵抗変化層22では、低電圧化,抵抗値および耐圧性が全て良好な状態に保たれ、これらの均衡が適度に維持される。更に、本実施の形態では上述のように、イオン源層21がZr,Al,Geなどを含有することが好ましい。以下、その理由について説明する。イオン源層21中にZrが含まれている場合には、上述したCu等の金属元素と共に、Zrがイオン化元素として働き、ZrとCu等の上述した金属元素とが混在したフィラメントを形成する。Zrは、書き込み動作時にカソード電極上で還元されると共に、書き込み後の低抵抗状態では金属状態のフィラメントを形成すると考えられる。Zrの還元によって形成されたフィラメントは、S,SeおよびTeのカルコゲン元素を含むイオン源層21中に比較的溶解しづらいため、一度書き込み状態、すなわち低抵抗状態になった場合には、Cuなどの上述した金属元素単独のフィラメントよりも低抵抗状態を保持しやすい。例えばCuは書き込み動作によってフィラメントとして形成される。しかしながら、金属状態のCuはカルコゲン元素を含むイオン源層21中において溶解しやすいため、書き込み電圧パルスが印加されていない状態データ保持状態では、再びイオン化し高抵抗状態へと遷移してしまう。そのため十分なデータ保持性能が得られない。一方、Zrと適量のCuを組み合わせることは、非晶質化を促進すると共に、イオン源層21の微細構造を均一に保つため、抵抗値の保持性能の向上に寄与する。また、消去時の高抵抗状態の保持に関しても、Zrを含むことによって以下の効果が得られる。例えばZrのフィラメントが形成され、再びイオン源層21中にイオンとして溶解する場合には、Zrは少なくともCuよりもイオンの移動度が低いので、温度が上昇してもあるいは長期間の放置でも動きづらい。そのためカソード極例えば、イオン源層21と抵抗変化層22との界面上で金属状態での析出が起こりにくく、室温よりも高温状態で保持した場合や長時間にわたり保持した場合でも高抵抗状態が維持される。更に、イオン源層21にAlが含まれている場合には、消去動作により上部電極30が負の電位にバイアスされると、固体電解質的に振舞うイオン源層21とアノード極との界面において安定な酸化膜を形成する。これにより高抵抗状態消去状態が安定化する。加えて、抵抗変化層22の自己再生の観点から繰り返し回数の増加にも寄与する。なお、Alの他に同様の働きを示すGeなどを含んでもよい。このように、イオン源層21にZr,Al,Geなどが含まれている場合には、従来の記憶素子と比較して広範囲の抵抗値保持性能、書き込み消去の高速動作性能および低電流動作が向上すると共に繰り返し回数が増加する。更に、例えば低抵抗から高抵抗へと変化させる際の消去電圧を調整して高抵抗状態と低抵抗状態との間の中間的な状態を作り出せば、その状態を安定して保持することができる。よって、2値だけでなく多値のメモリを実現することが可能となる。なお、高抵抗から低抵抗へと変化させる際の書き込み電流を変更して析出する原子の量を調整することによっても中間的な状態を作り出すことが可能である。ところで、このような電圧を印加する書き込み消去動作特性と、抵抗値の保持特性と、繰り返し動作回数といったメモリ動作上の重要な諸特性は、イオン源層21中のAl,ZrおよびCu、更にはGeの添加量によっても異なる。例えば、Alの含有量が多過ぎると、Alイオンの移動が生じやすくなり、Alイオンの還元によって書き込み状態が作られてしまう。Alはカルコゲナイドの固体電解質中で金属状態の安定性が低いので、低抵抗な書き込み状態の保持性能が低下する。一方、Al量が少な過ぎると、消去動作そのものや高抵抗領域の保持特性を向上させる効果が低くなり、繰り返し回数が減少する。また、Zrはその含有量が多過ぎると、イオン源層21の抵抗値が下がり過ぎてイオン源層21に有効な電圧が印加できない、若しくはカルコゲナイド層中にZrを溶解することが困難となる。そのため、特に消去がしづらくなり、Zr添加量に応じて消去の閾値電圧が上昇していき、更に多過ぎる場合には書き込み、つまり低抵抗化も困難となる。一方、Zr添加量が少な過ぎると、前述のような広範囲の抵抗値の保持特性を向上させる効果が少なくなる。更に、Cuは適量をイオン源層21に添加することによって、非晶質化を促進するものの、多過ぎると金属状態のCuはカルコゲン元素を含むイオン源層21中での安定性が十分でないことから書き込み保持特性が悪化したり、書き込み動作の高速性に悪影響が見られる。その一方で、CuはZrと組み合わせることにより、非晶質を形成しやすく、イオン源層21の微細構造を均一に保つという効果を有する。これにより、繰り返し動作によるイオン源層21中の材料成分の不均一化が防止され、繰り返し回数が増加すると共に保持特性も向上する。また、適当なZr量を含有している場合には、Cuのフィラメントがイオン源層21中に再溶解したとしても、抵抗変化層22内には金属ジルコニウムZrによるフィラメントが残存していると考えられるため低抵抗状態は維持される。従って、書き込み保持特性への影響はみられない。更に、Geを添加するようにしてもよい。また、記憶素子1の特性は実質的にはイオン源層21中のZrとTeの組成比にも依存している。これは、必ずしも明らかではないが、Zrに比べてCuの乖離度が低いこと、イオン源層21の抵抗値がZrとTeの組成比によって決まることに起因すると考えられる。以下、本実施の形態の記憶素子1の製造方法について説明する。まず、選択トランジスタ等のCMOS回路が形成された基板上に、例えばTiNよりなる下部電極10を形成する。その後、必要であれば逆スパッタ等で、下部電極10の表面上の酸化物等を除去する。続いて、抵抗変化層22、イオン源層21および上部電極30までを各層の材料に適応した組成からなるターゲットを用いてスパッタリング装置内で、各ターゲットを交換することにより、各層を連続して成膜する。抵抗変化層22への窒素の導入は例えば反応性スパッタリングにより行う。反応性スパッタリングは、スパッタリング中に窒素ガスを導入する方法である。電極径は50-300nmφである。合金膜は構成元素のターゲットを用いて同時成膜する。上部電極30まで成膜したのち、上部電極30に接続する配線層図示せずを形成し、全ての記憶素子1と共通電位を得るためのコンタクト部を接続する。そののち、積層膜にポストアニール処理を施す。以上により図1に示した記憶素子1が完成する。以上のように本実施の形態の記憶素子1では、抵抗変化層22がカルコゲン元素であるTeに加えて窒素を含むようにしたので、保持特性を良好な状態に維持すると共に繰り返し動作特性を向上させることが可能となる。また、抵抗変化層22がAlを含むことにより、更に保持特性および繰り返し動作特性は向上する。更に、イオン源層21にCu,ZrおよびGeを用いるようにしたので、データの保持特性をより向上させることが可能となる。[記憶装置]上記記憶素子1を多数、例えば列状やマトリクス状に配列することにより、記憶装置メモリを構成することができる。このとき、各記憶素子1に、必要に応じて、素子選択用のMOSトランジスタ、或いはダイオードを接続してメモリセルを構成し、更に、配線を介して、センスアンプ、アドレスデコーダ、書き込み消去読み出し回路等に接続すればよい。図2および図3は多数の記憶素子1をマトリクス状に配置した記憶装置メモリセルアレイの一例を表したものであり、図2は断面構成、図3は平面構成をそれぞれ表している。このメモリセルアレイでは、各記憶素子1に対して、その下部電極10側に接続される配線と、その上部電極30側に接続される配線とを交差するよう設け、例えばこれら配線の交差点付近に各記憶素子1が配置されている。各記憶素子1は、抵抗変化層22、イオン源層21および上部電極30の各層を共有している。すなわち、抵抗変化層22、イオン源層21および上部電極30それぞれは各記憶素子1に共通の層同一層により構成されている。上部電極30は、隣接セルに対して共通のプレート電極PLとなっている。一方、下部電極10は、メモリセル毎に個別に設けられることにより、隣接セル間で電気的に分離されており、各下部電極10に対応した位置に各メモリセルの記憶素子1が規定される。下部電極10は各々対応するセル選択用のMOSトランジスタTrに接続されており、各記憶素子1はこのMOSトランジスタTrの上方に設けられている。MOSトランジスタTrは、基板41内の素子分離層42により分離された領域に形成されたソース/ドレイン領域43とゲート電極44とにより構成されている。ゲート電極44の壁面にはサイドウォール絶縁層が形成されている。ゲート電極44は、記憶素子1の一方のアドレス配線であるワード線WLを兼ねている。MOSトランジスタTrのソース/ドレイン領域43の一方と、記憶素子1の下部電極10とが、プラグ層45、金属配線層46およびプラグ層47を介して電気的に接続されている。MOSトランジスタTrのソース/ドレイン領域43の他方は、プラグ層45を介して金属配線層46に接続されている。金属配線層46は、記憶素子1の他方のアドレス配線であるビット線BL図3参照に接続されている。なお、図3においては、MOSトランジスタTrのアクティブ領域48を一点鎖線で示しており、コンタクト部51は記憶素子1の下部電極10、コンタクト部52はビット線BLにそれぞれ接続されている。このメモリセルアレイでは、ワード線WLによりMOSトランジスタTrのゲートをオン状態として、ビット線BLに電圧を印加すると、MOSトランジスタTrのソース/ドレインを介して、選択されたメモリセルの下部電極10に電圧が印加される。ここで、下部電極10に印加された電圧の極性が、上部電極30プレート電極PLの電位に比して負電位である場合には、上述のように記憶素子1の抵抗値が低抵抗状態へと遷移する。これにより選択されたメモリセルに情報が書き込まれる。次に、下部電極10に、上部電極30プレート電極PLの電位に比して正電位の電圧を印加すると、記憶素子1の抵抗値が再び高抵抗状態へと遷移する。これにより選択されたメモリセルに書き込まれた情報が消去される。書き込まれた情報の読み出しを行うには、例えば、MOSトランジスタTrによりメモリセルを選択し、そのセルに対して所定の電圧または電流を印加する。このときの記憶素子1の抵抗状態により異なる電流または電圧を、ビット線BLあるいはプレート電極PLの先に接続されたセンスアンプ等を介して検出する。なお、選択したメモリセルに対して印加する電圧または電流は、記憶素子1の抵抗値の状態が遷移する電圧等の閾値よりも小さくする。本実施の形態の記憶装置では、上述のように各種のメモリ装置に適用することができる。例えば、一度だけ書き込みが可能なPROM、電気的に消去が可能なEEPROM、或いは、高速に書き込み消去再生が可能な、いわゆるRAM等、いずれのメモリ形態でも適用することが可能である。[変形例]次に、上記実施の形態の変形例に係る記憶素子2について説明する。図4は記憶素子2の断面構成を表すものである。なお、記憶素子2について説明するが、上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は省略する。この記憶素子2は、下部電極10第1電極、記憶層60および上部電極30第2電極をこの順に有するものである。記憶層60は、上記イオン源層21と同様の組成のイオン源層61と、下部電極10側から順に第1抵抗変化層62Aおよび第2抵抗変化層62Bが積層された構造を有する抵抗変化層62とから構成されている。即ち、記憶層60は複数層の抵抗変化層により構成されたものである。ここでは、第1抵抗変化層62Aおよび第2抵抗変化層62Bはそれぞれ、下部電極11、イオン源層61に接している。第1抵抗変化層62Aおよび第2抵抗変化層62Bは、上記実施の形態の抵抗変化層22と同様に、電気伝導上のバリアとしての機能を有するものであり、互いに組成が異なっている。これにより、この記憶素子1では、複数の記憶素子1の初期状態もしくは消去状態の抵抗値のばらつきを低減すると共に、複数回の書き込み消去動作に対して書き込み消去時の抵抗値を保持することが可能となっている。このような第1抵抗変化層62Aは、イットリウムY,ランタンLa,ネオジムNd,サマリウムSm,ガドリニウムGd,テルビウムTbおよびジスプロシウムDyからなる希土類元素の群のうち少なくとも1種の元素を含む酸化物あるいは窒化物、または、シリコンSi,アルミニウムAl,チタンTi,ジルコニウムZrおよびハフニウムHfからなる群のうち少なくとも1種の元素を含む酸化物または窒化物により構成されていることが好ましい。nmレベルで比較的平坦な膜が得られるからである。第2抵抗変化層62Bとしては、上記実施の形態の抵抗変化層22と同様にカルコゲン元素であるTeに加えて窒素を含む化合物から構成されている。また、第1抵抗変化層62Aおよび第2抵抗変化層62Bは、原子量、原子半径などの物理的な性質の異なる元素を含む酸化物または窒化物、あるいはイオン源層21との濡れ性が異なるなど性質の異なる酸化物または窒化物を用いてもよい。これにより、大きな補完効果が得られる。具体的には、例えば第1抵抗変化層62Aには酸化ガドリニウムGdOxを、第2抵抗変化層62BにはアルミニウムAlまたはシリコンSiの窒化物または酸化物酸化アルミニウムAlOxまたは酸化シリコンSiOxを用いてもよい。この場合、酸化ガドリニウムGdOxを含む第1抵抗変化層62Aは、フィラメントの形成に寄与するものであるので、下部電極10に接して設けられていることが好ましい。アルミニウムAlまたはシリコンSiの窒化物または酸化物を含む第2抵抗変化層62Bは、第1抵抗変化層62Aとイオン源層21との間に設けられている。これにより、ガドリニウムGdよりも原子半径の小さいアルミニウムAlまたはシリコンSiが酸化ガドリニウムGdOx膜の欠陥を埋めることが可能となる。あるいは、第1抵抗変化層62Aは、酸化ガドリニウムGdOxに限らず、電圧バイアスでイオン源層21から供給される金属元素のイオンにより不純物準位を形成し低抵抗状態を形成できる材料、例えばアルミニウムAlまたはシリコンSiの酸化物または窒化物により構成することも可能である。その場合も、第1抵抗変化層62Aとは原子量、原子半径など物理的な性質が異なる、あるいはイオン源層21との濡れ性が異なるなど性質の異なる第2抵抗変化層62Bを設けることにより、上記と同様の効果が得られる。本変形例の記憶素子2では、抵抗変化層62を互いに組成が異なる第1抵抗変化層62Aおよび第2抵抗変化層62Bを有する積層構造としたので、上記実施の形態の効果に加えて以下の効果を奏する。下部電極10上に酸化物からなる第1抵抗変化層62Aを設けることにより、書き込みおよび消去の繰り返し動作による素子特性の劣化が更に抑制される。また、消去時に酸化膜や窒化膜を容易に形成することが可能となるため、消去時の過剰な電圧印加による絶縁劣化を抑えることが可能となり、これによる繰り返し動作特性の向上も期待される。更に、使用できるテルル化合物膜の抵抗範囲を広げることができるため、材料選択の幅が広がる。以下、本技術の具体的な実施例について説明する。[実施例]上述した実施の形態の記憶素子1,2およびメモリセルアレイの以下のような各種サンプルを作製し、その特性を調べた。実験1サンプル1-1~1-3まず、図2および図3に示したように、半導体の基板41にMOSトランジスタTrを形成した。次いで、基板41の表面を覆うように絶縁層を形成し、この絶縁層にビアホールを形成した。続いて、CVDChemicalVaporDeposition法によりビアホールの内部を、Wタングステンから成る電極材で充填し、その表面をCMPChemicalMechanicalPolishing法により平坦化した。そして、これらの工程を繰り返すことにより、プラグ45、金属配線層46、プラグ層47および下部電極10を形成して、更に下部電極10をメモリセル毎にパターニングした。次に、下部電極10上にスパッタリング装置を用いて記録層20,60および上部電極30を形成した。電極径は50~300nmφとした。また、合金からなる層は、構成元素のターゲットを用いて同時に成膜した。続いて、上部電極30の表面に対してエッチングを行い、中間電位Vdd/2を与えるための外部回路接続用のコンタクト部分に接続されるように厚さ200nmの配線層Al層を形成した。そののち、ポストアニール処理として真空熱処理炉において、2時間、200°Cの加熱処理を施した。このようにして、図2および図3に示したメモリセルアレイを作製し、サンプル1-1~1-3とした。サンプル1-1~1-3における下部電極/抵抗変化層/イオン源層/上部電極の組成および各膜厚はTiN/Al4Te65nm/TeAlZrCuGe50nm/W50nmである。イオン源層21および上部電極30の組成および膜厚は固定し、下部電極10および抵抗変化層の状態を変化させた。表1はサンプル1-1~1-3の下部電極10の酸化状態および抵抗変化層の組成の一覧を表したものである。サンプル1-2は、下部電極10をプラズマ酸化させているため、下部電極10の表面および抵抗変化層の一部が酸化され、TiN/TiOx/AlOx/Al4Te65nm/TeAlZrCuGe50nm/W50nmとなっている。サンプル1-3は上記実施の形態の一実施例であり、抵抗変化層22に窒素を4.4含有させたTiN/Al4Te6-N4.45nm/TeAlZrCuGe50nm/W50nmである。なお、表1に示した抵抗変化層の組成は作製時に用いた組成である。実際の抵抗変化層22の組成は、製造工程内で行われる加熱処理によってイオン源層21からCu,ZrあるいはAl等の可動イオンが抵抗変化層22,62内に拡散するため、変化している可能性がある。まず、サンプル1-1~1-3の耐圧性により繰り返し動作特性を評価した。耐圧性の高いサンプルほど、繰り返し動作特性も高くなる。耐圧性は、耐圧指標を用いて求めた。耐圧指標は、サンプル1-1~1-3に対し、消去バイアス方向に2~3Vの電圧を1sec秒印加し、電圧印加前の抵抗値に対する電圧印加後の抵抗値の値を示したものである。電圧印加の前後で抵抗値が変化しない場合、耐圧指標は1となり、電圧印加後に抵抗変化層22が例えば破壊等の損傷を受けた場合には、抵抗値が小さくなるため、耐圧指標は1よりも小さな値となる。図5は、サンプル1-1~1-3に対し0.2V毎2.0,2.2,2.4,2.6,2.8,3.0Vの耐圧指標を測定し、これらの平均値を算出した結果である。下部電極10が酸化されたサンプル1-2は、サンプル1-1よりも耐圧性が高く、また、抵抗変化層22に窒素を含むサンプル1-3は、サンプル1-2と同等の耐圧性を有している。次に、サンプル1-1~1-3の保持特性を以下の方法により評価した。まず、記録時電流を1~30μA、記録電圧を3.5Vとして書き込み動作を行い、次いで、消去時電流を60μA、消去電圧を2Vとして消去動作を行って書き込み状態および消去状態のサンプル1-1~1-3の抵抗値を測定した。この後、130°C、1時間の環境下で高温加速保持試験を行い、同様にして、サンプル1-1~1-3の抵抗値を測定した。書き込みパルス幅は2ns~100ms、消去のパルス幅は1msとした。図6,図7および図8は、それぞれサンプル1-1,サンプル1-2およびサンプル1-3の保持特性を表したものである。図6~図8では、横軸が高温加速保持試験前の抵抗値データ記録時抵抗値、縦軸が高温加速保持試験後の抵抗値加熱後抵抗値であり、図6A,図7A,図8Aが、書き込み状態、図6B,図7B,図8Bが消去状態のものである。書き込み状態では、サンプル1-1~1-3のいずれも保持特性が良好であるのに対し、消去状態では、サンプル1-1およびサンプル1-3と比べてサンプル1-2の保持特性が低くなっている。図9は、上記のサンプル1-1~1-3の保持特性を、保持性能指標を用いて表したものである。保持性能指標は、高温加速保持試験前後で抵抗値が変化しないものを基準として、基準からのばらつきを示したものであり、その値が小さいものほど、保持特性は良好となる。具体的には、保持性能指標IRは、以下の式1および式2により求めた。なお、Rbは、高温加速保持試験前の抵抗値、Raは高温加速保持試験後の抵抗値、mは測定点数である。図9では、サンプル1-2の保持性能指標を1として相対表示している。以下、保持性能指標は同様に表す。下部電極10が酸化されたサンプル1-2は、繰り返し動作特性は高いものの保持特性が低くなるのに対し、抵抗変化層22に窒素を含むサンプル1-3は、保持特性も良好であり、サンプル1-1と同程度である。実験2サンプル2-1~2-10サンプル2-1~2-10を用いて、抵抗変化層22中の窒素の含有量が、繰り返し動作特性および保持特性に与える影響について調べた。サンプル2-1~2-10について、実験1と同様にして耐圧指標を求めた結果を図10A,図11A、保持性能指標を求めた結果を図10B,図11Bにそれぞれ表す。図10A,図10Bは、主に窒素含有量が1より大きなサンプルの結果を表し、図11A,図11Bは、主に窒素含有量が1以下のサンプルの結果を表している。サンプル2-1~2-10における下部電極/抵抗変化層/イオン源層/上部電極の組成および各膜厚はTiN/Al2Te8-N/TeAlZrCuGe50nm/W50nmであり、抵抗変化層22の組成および膜厚は表2に示す。抵抗変化層22が窒素を含まないサンプル2-1と比較して、窒素を含有したサンプル2-2~2-10はいずれも耐圧性が高いが、窒素の含有量が多いほど、より高くなる傾向にある。サンプル2-2~2-10の保持性能は、サンプル2-1と同程度であり、サンプル1-2よりも十分高い保持性能指標が1よりも十分小さいことが確認できた。なお、窒素の含有量は、X線光電子分光法XPSを用いて測定している。サンプル2-8~2-10窒素含有量0.12~1はこの方法での測定限界付近に相当するが、これらのサンプルにおいてもサンプル2-2~2-7と同様の効果が得られることを確認している図11。実験3サンプル3-1~3-18抵抗変化層22のAl/TeをAl/Te=4/6とし、実験2と同様にして窒素の含有量が繰り返し動作特性および保持特性に与える影響について調べた結果を図12および図13に表す。図12A,図13Aは耐圧指標、図12B,図13Bは保持性能指標をそれぞれ表し、図12は、主に窒素含有量が1より大きなサンプル、図13は窒素含有量が1以下のサンプルの結果をそれぞれ表している。サンプル3-1~3-18における下部電極/抵抗変化層/イオン源層/上部電極の組成および各膜厚はTiN/Al4Te6-N/TeAlZrCuGe50nm/W50nmであり、抵抗変化層22の組成および膜厚は表3に示す。図10および図11と同様に、窒素を含有したサンプル3-2~3-18は窒素を含まないサンプル3-1よりも耐圧性が高く、窒素の含有量が多いほど耐圧性は高くなる傾向がみられた。サンプル3-2~3-18の保持性能も、サンプル3-1と同程度であり、サンプル1-2よりも十分に高い保持性能指標1よりも十分小さいものであった。なお、上記実験2と同様に、サンプル3-16~3-18窒素含有量0.16~1は、XPSによる測定限界付近に相当するが、これらのサンプルにおいてもサンプル3-2~3-15と同様の効果が得られることを確認している図13。実験4サンプル4-1~4-3サンプル4-1~4-3を用い、抵抗変化層22の膜厚を2~4nmの間で変化させて、繰り返し動作特性および保持特性を評価した。この結果を表したものが、図14であり、図14Aは耐圧指標、図14Bは保持性能指標をそれぞれ表している。サンプル4-1~4-3における下部電極/抵抗変化層/イオン源層/上部電極の組成および各膜厚はTiN/AlTe-N/TeAlZrCuGe50nm/W50nmであり、抵抗変化層22の組成および膜厚は表4に示す。図14より、耐圧指標および保持性能指標共に膜厚依存性があることがわかった。繰り返し動作特性および保持特性は、膜厚が大きくなるにつれて向上するが、測定範囲のうち、最小膜厚の2nmでも十分な繰り返し動作特性および保持特性が得られている。実験5サンプル5-1~5-10サンプル5-1~5-10を用い、抵抗変化層22中のAlの含有量、即ちAl/Te比を変化させて繰り返し動作特性および保持特性を評価した。この結果を表したものが、図15であり、図15Aは耐圧指標、図15Bは保持性能指標をそれぞれ表している。サンプル5-1~5-10における下部電極/抵抗変化層/イオン源層/上部電極の組成および各膜厚はTiN/AlTe-N/TeAlZrCuGe50nm/W50nmであり、抵抗変化層22の組成および膜厚は表5に示す。Alを含まないサンプル5-1でも、十分な繰り返し動作特性および保持特性が得られたが、Al含有量が増えるにつれて、繰り返し動作特性および保持特性共に向上していく傾向が確認された。一方、Al含有量60Al/Te比=6/4以上では、耐圧指標および保持性能指標共に大きく変化しないことがわかった。実験6サンプル6-1,6-2下部電極10の酸化による繰り返し動作特性および保持特性の変化について調べた結果を図16に示す。図16Aは耐圧指標、図16Bは保持性能指標をそれぞれ表している。サンプル6-1の下部電極/抵抗変化層/イオン源層/上部電極の組成および各膜厚はTiN/Al2Te8-N4.44nm/TeAlZrCuGe50nm/W50nmであり、表6に示したように、サンプル6-2は、サンプル6-1の下部電極10をプラズマ酸化させたものである。サンプル6-2では、下部電極10の表面抵抗変化層22側の面および抵抗変化層22の一部が酸化されてTiN/TiOx/AlOx/Al2Te8-N4.44nm/TeAlZrCuGe50nm/W50nmとなっている。図16より下部電極10を酸化させても繰り返し動作特性および保持特性共に、低下しないことが確認された。実験7サンプル7-1,7-2抵抗変化層22を積層構造とした場合の繰り返し動作特性および保持特性の変化について調べた結果を図17に示す。図17Aは耐圧指標、図17Bは保持性能指標をそれぞれ表している。サンプル7-1の下部電極/抵抗変化層/イオン源層/上部電極の組成および各膜厚はTiN/Al4Te6-N5.44nm/TeAlZrCuGe50nm/W50nmであり、表7に示したように、サンプル7-2は、抵抗変化層22第1抵抗変化層62Aとしてアルミニウムの酸化層AlOxを下部電極10側に成膜したものである。サンプル7-2の組成および各膜厚はTiN/AlOx0.3nm/Al4Te6-N5.44nm/TeAlZrCuGe50nm/W50nmである。図17より、抵抗変化層22を酸化層との積層構造としても繰り返し動作特性および保持特性共に、低下しないことが確認された。以上、実施の形態,変形例および実施例を挙げて本技術を説明したが、本技術は、上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形することが可能である。例えば、上記実施の形態等では、記憶素子1,2およびメモリセルアレイの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。更に、例えば、上記実施の形態等において説明した各層の材料、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料としてもよく、または他の成膜方法としてもよい。例えば、イオン源層21,61には、上記組成比率を崩さない範囲で、他の遷移金属元素、例えばTi,Hf,V,Nb,Ta,Cr,Mo,Wを添加してもよい。また、Cu,Agまたは亜鉛Zn以外にも、ニッケルNiなどを添加してもよい。加えて、上記変形例では2層からなる抵抗変化層を例示したが、抵抗変化層を3層以上により構成した積層構造としてもよい。なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。1第1電極、記憶層および第2電極をこの順に有し、前記記憶層は、前記第2電極側に設けられ、少なくとも1種の金属元素およびテルルTe、硫黄SおよびセレンSeのうちの少なくとも1種のカルコゲン元素を含むイオン源層と、前記イオン源層と前記第1電極との間に設けられ、かつ、テルルおよび窒素Nを含むと共に前記イオン源層に接する層を有する抵抗変化層とを備えた記憶素子。2前記抵抗変化層のうち、前記イオン源層に接する層はアルミニウムAlを含む前記1に記載の記憶素子。3前記抵抗変化層のうち、前記イオン源層に接する層は、0.1以上50以下の窒素を含有する前記1または2に記載の記憶素子。4前記金属元素は、銀Ag,銅Cuおよび亜鉛Znのうち少なくとも1種を含む前記1乃至3のうちいずれか1つに記載の記憶素子。5前記金属元素は、銅Cu,アルミニウムAlおよびジルコニウムZrを含む前記1乃至4のうちいずれか1つに記載の記憶素子。6前記第1電極の、前記抵抗変化層側の面は酸化されている前記1乃至5のうちいずれか1つに記載の記憶素子。7前記抵抗変化層は、前記第1電極側の第1抵抗変化層と前記イオン源層側の第2抵抗変化層により構成され、前記第1抵抗変化層は酸化層である前記1乃至6のうちいずれか1つに記載の記憶素子。8前記第1電極および前記第2電極への電圧印加によって前記イオン源層に含まれる金属元素が移動し、前記抵抗変化層の抵抗状態が変化して情報を記憶する前記1乃至7のうちいずれか1つに記載の記憶素子。9第1電極、記憶層および第2電極をこの順に有する複数の記憶素子と、前記複数の記憶素子に対して選択的に電圧または電流のパルスを印加するパルス印加部とを備え、前記記憶層は、前記第2電極側に設けられ、少なくとも1種の金属元素およびテルルTe、硫黄SおよびセレンSeのうちの少なくとも1種のカルコゲン元素を含むイオン源層と、前記イオン源層と前記第1電極との間に設けられ、かつ、テルルおよび窒素Nを含むと共に前記イオン源層に接する層を有する抵抗変化層とを備えた記憶装置。10前記抵抗変化層のうち、前記イオン源層に接する層はアルミニウムAlを含む前記9に記載の記憶装置。11前記抵抗変化層のうち、前記イオン源層に接する層は、0.1以上50以下の窒素を含有する前記9または10に記載の記憶装置。12前記金属元素は、銀Ag,銅Cuおよび亜鉛Znのうち少なくとも1種を含む前記9乃至11のうちいずれか1つに記載の記憶装置。13前記金属元素は、銅Cu,アルミニウムAlおよびジルコニウムZrを含む前記9乃至12のうちいずれか1つに記載の記憶装置。14前記第1電極の、前記抵抗変化層側の面は酸化されている前記9乃至13のうちいずれか1つに記載の記憶装置。15前記抵抗変化層は、前記第1電極側の第1抵抗変化層と前記イオン源層側の第2抵抗変化層により構成され、前記第1抵抗変化層は酸化層である前記9乃至14のうちいずれか1つに記載の記憶装置。16前記第1電極および前記第2電極への電圧印加によって前記イオン源層に含まれる金属元素が移動し、前記抵抗変化層の抵抗状態が変化して情報を記憶する前記9乃至14のうちいずれか1つに記載の記憶装置。"