"下記一般式1で表されることを特徴とする非イオン系光酸発生剤A。[式1中、xは1~8の整数、yは3~17の整数、Rは置換基Tを有しても良いフェニル基、ビフェニル基又はナフチル基を表す。]一般式1において、R中の置換基Tが、炭素数1~6のアルキル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールチオカルボニル基、アシロキシ基、アリールチオ基、アルキルチオ基、アリール基、複素環式炭化水素基、アリールオキシ基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基又はハロゲン原子である請求項1に記載の非イオン系光酸発生剤A。一般式1において、Rが置換基Tを有さない請求項1に記載の非イオン系光酸発生剤A。一般式1において、CxFyがC6F5である請求項1~3のいずれかに記載の非イオン系光酸発生剤A。一般式1において、CxFyがCF3、C2F5、C3F7、またはC4F9である請求項1~3のいずれかに記載の非イオン系光酸発生剤A。請求項1~5のいずれかに記載の非イオン系光酸発生剤Aを含むフォトリソグラフィー用樹脂組成物Q。そこでi線に高い光感度を有し、耐熱安定性に優れ、疎水性材料への溶解性に優れる非イオン系光酸発生剤を提供することを目的とする。本発明者らは、上記の目的を達成するべく検討を行った結果、本発明に到達した。すなわち、本発明は、下記一般式1で表されることを特徴とする非イオン系光酸発生剤Aである。;及びこれを用いたフォトリソグラフィー用樹脂組成物Qである。[式1中、xは1~8の整数、yは3~17の整数、Rは置換基Tを有しても良いフェニル基、ビフェニル基又はナフチル基を表す。]本発明の非イオン系光酸発生剤Aは、非イオン系であるため、イオン系酸発生剤に比べ疎水性材料との相溶性に優れる。またRが芳香族基であるため共役結合が長くなり、i線に対するモル吸光度が高く、また電子吸引性が大きいCxFy基を持つためにスルホン酸エステル部分が切断されやすくなる。これによりi線を照射することで非イオン系光酸発生剤Aは容易に分解し、強酸であるスルホン酸を発生することができる。さらに非イオン系光酸発生剤Aは、フタルイミド骨格、及びアリールチオエーテル構造を含有するために、耐熱安定性に優れる。このため本発明の非イオン系光酸発生剤Aを含有するフォトリソグラフィー用樹脂組成物Qは、i線に対して高感度であり、また露光後加熱PEBでのアローアンスが広いため作業性に優れる。したがって、本発明の非イオン系光酸発生剤Aは、ポジ型レジスト、レジストフィルム、液状レジスト、ネガ型レジスト、MEMS用レジスト、感光性材料、ナノインプリント材料、マイクロ光造形用材料等に用いられる光酸発生剤として好適である。また、本発明のフォトリソグラフィー用樹脂組成物Qは、上記の用途に好適である。本発明の非イオン系酸発生剤Aは下記一般式1で表される。[式1中、xは1~8の整数、yは3~17の整数、Rは置換基Tを有しても良いフェニル基、ビフェニル基又はナフチル基を表す。]本発明の非イオン系酸発生剤Aは紫外線照射、特に365nmの露光光であるi線により光分解し、強酸であるスルホン酸を発生することを特徴とする。紫外線照射によりスルホン酸エステル部分を分解させるための必須官能基である電子吸引性の大きいCxFyは、炭素原子数1~8x=1~8、及びフッ素原子数3~17y=3~17からなる官能基である。炭素原子数が1以上であれば強酸の合成が容易であり、8以下であれば耐熱安定性に優れる。フッ素原子数が3以上であれば強酸として作用することができ、17以下であれば強酸の合成が容易である。非イオン系酸発生剤A中のCxFyは1種で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。非イオン系酸発生剤A中のCxFyとしては、水素原子がフッ素原子で置換された直鎖アルキル基RF1、分岐鎖アルキル基RF2、シクロアルキル基RF3、及びアリール基RF4が挙げられる。水素原子がフッ素原子で置換された直鎖アルキル基RF1としては、例えば、トリフルオロメチル基x=1,y=3、ペンタフルオロエチル基x=2,y=5、ノナフルオロブチル基x=4,y=9、パーフルオロヘキシル基x=6,y=13、及びパーフルオロオクチル基x=8,y=17等が挙げられる。水素原子がフッ素原子で置換された分岐鎖アルキル基RF2としては、例えば、パーフルオロイソプロピル基x=3,y=7、パーフルオロ-tert-ブチル基x=4,y=9、及びパーフルオロ-2-エチルヘキシル基x=8,y=17等が挙げられる。水素原子がフッ素原子で置換されたシクロアルキル基RF3としては、例えば、パーフルオロシクロブチル基x=4,y=7、パーフルオロシクロペンチル基x=5,y=9、パーフルオロシクロヘキシル基x=6,y=11、及びパーフルオロ1-シクロヘキシルメチル基x=7,y=13等が挙げられる。水素原子がフッ素原子で置換されたアリール基RF4としては、例えば、ペンタフルオロフェニル基x=6,y=5、及び3-トリフルオロメチルテトラフルオロフェニル基x=7,y=7等が挙げられる。非イオン系酸発生剤A中のCxFyのうち、入手のしやすさ、及びおスルホン酸エステル部分の分解性の観点から、好ましくは、直鎖アルキル基RF1、分岐鎖アルキル基RF2、及びアリール基RF4、さらに好ましくは直鎖アルキル基RF1、及びアリール基RF4、特に好ましくはトリフルオロメチル基x=1,y=3、ペンタフルオロエチル基x=2,y=5、セプタフルオロプロピル基x=3,y=7、ノナフルオロブチル基x=4,y=9、及びペンタフルオロフェニル基x=6,y=5である。365nmの露光光であるi線に対して吸収波長を持たせ、かつ耐熱安定性を向上させるための必須官能基であるRは、置換基Tを有しても良いフェニル基、ビフェニル基、あるいはナフチル基である。置換基Tは含まなくても良いが、置換基Tを導入することでレジスト樹脂への溶解性、及び吸収波長領域を調整することができる。置換基Tとしては、例えば、アルキル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールチオカルボニル基、アシロキシ基、アリールチオ基、アルキルチオ基、アリール基、複素環式炭化水素基、アリールオキシ基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基及びハロゲン原子が挙げられる。置換基Tは1種で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。アルキル基としては、炭素数1~18の直鎖アルキル基メチル、エチル、n-プロピル、n-ブチル、n-ペンチル、n-オクチル、n-デシル、n-ドデシル、n-テトラデシル、n-ヘキサデシル及びn-オクタデシル等、炭素数1~18の分枝鎖アルキル基イソプロピル、イソブチル、sec-ブチル、tert-ブチル、イソペンチル、ネオペンチル、tert-ペンチル、イソヘキシル及びイソオクタデシル、及び炭素数3~18のシクロアルキル基シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル及び4-デシルシクロヘキシル等等が挙げられる。これらのうち、特に好ましいのは、メチル基、tert-ブチル基である。アルコキシ基としては、炭素数1~18の直鎖又は分枝鎖アルコキシ基メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、sec-ブトキシ、tert-ブトキシ、ヘキシルオキシ、デシルオキシ、ドデシルオキシ及びオクタデシルオキシ等等が挙げられる。アルキルカルボニル基としては、炭素数カルボニル炭素を含む2~18の直鎖又は分枝鎖アルキルカルボニル基アセチル、プロピオニル、ブタノイル、2-メチルプロピオニル、ヘプタノイル、2-メチルブタノイル、3-メチルブタノイル、オクタノイル、デカノイル、ドデカノイル及びオクタデカノイル等等が挙げられる。アリールカルボニル基としては、炭素数カルボニル炭素を含む7~11のアリールカルボニル基ベンゾイル及びナフトイル等等が挙げられる。アルコキシカルボニル基としては、炭素数カルボニル炭素を含む2~19の直鎖又は分枝鎖アルコキシカルボニル基メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、イソブトキシカルボニル、sec-ブトキシカルボニル、tert-ブトキシカルボニル、オクチロキシカルボニル、テトラデシルオキシカルボニル及びオクタデシロキシカルボニル等等が挙げられる。アリールオキシカルボニル基としては、炭素数カルボニル炭素を含む7~11のアリールオキシカルボニル基フェノキシカルボニル及びナフトキシカルボニル等等が挙げられる。アリールチオカルボニル基としては、炭素数カルボニル炭素を含む7~11のアリールチオカルボニル基フェニルチオカルボニル及びナフトキシチオカルボニル等等が挙げられる。アシロキシ基としては、炭素数2~19の直鎖又は分枝鎖アシロキシ基アセトキシ、エチルカルボニルオキシ、プロピルカルボニルオキシ、イソプロピルカルボニルオキシ、ブチルカルボニルオキシ、イソブチルカルボニルオキシ、sec-ブチルカルボニルオキシ、tert-ブチルカルボニルオキシ、オクチルカルボニルオキシ、テトラデシルカルボニルオキシ及びオクタデシルカルボニルオキシ等等が挙げられる。アリールチオ基としては、炭素数6~20のアリールチオ基フェニルチオ、2-メチルフェニルチオ、3-メチルフェニルチオ、4-メチルフェニルチオ、2-クロロフェニルチオ、3-クロロフェニルチオ、4-クロロフェニルチオ、2-ブロモフェニルチオ、3-ブロモフェニルチオ、4-ブロモフェニルチオ、2-フルオロフェニルチオ、3-フルオロフェニルチオ、4-フルオロフェニルチオ、2-ヒドロキシフェニルチオ、4-ヒドロキシフェニルチオ、2-メトキシフェニルチオ、4-メトキシフェニルチオ、1-ナフチルチオ、2-ナフチルチオ、4-[4-フェニルチオベンゾイル]フェニルチオ、4-[4-フェニルチオフェノキシ]フェニルチオ、4-[4-フェニルチオフェニル]フェニルチオ、4-フェニルチオフェニルチオ、4-ベンゾイルフェニルチオ、4-ベンゾイル-2-クロロフェニルチオ、4-ベンゾイル-3-クロロフェニルチオ、4-ベンゾイル-3-メチルチオフェニルチオ、4-ベンゾイル-2-メチルチオフェニルチオ、4-4-メチルチオベンゾイルフェニルチオ、4-2-メチルチオベンゾイルフェニルチオ、4-p-メチルベンゾイルフェニルチオ、4-p-エチルベンゾイルフェニルチオ4-p-イソプロピルベンゾイルフェニルチオ及び4-p-tert-ブチルベンゾイルフェニルチオ等等が挙げられる。アルキルチオ基としては、炭素数1~18の直鎖又は分枝鎖アルキルチオ基メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ、イソブチルチオ、sec-ブチルチオ、tert-ブチルチオ、ペンチルチオ、イソペンチルチオ、ネオペンチルチオ、tert-ペンチルチオ、オクチルチオ、デシルチオ、ドデシルチオ及びイソオクタデシルチオ等等が挙げられる。アリール基としては、炭素数6~10のアリール基フェニル、トリル、ジメチルフェニル及びナフチル等等が挙げられる。複素環式炭化水素基としては、炭素数4~20の複素環式炭化水素基チエニル、フラニル、ピラニル、ピロリル、オキサゾリル、チアゾリル、ピリジル、ピリミジル、ピラジニル、インドリル、ベンゾフラニル、ベンゾチエニル、キノリル、イソキノリル、キノキサリニル、キナゾリニル、カルバゾリル、アクリジニル、フェノチアジニル、フェナジニル、キサンテニル、チアントレニル、フェノキサジニル、フェノキサチイニル、クロマニル、イソクロマニル、ジベンゾチエニル、キサントニル、チオキサントニル及びジベンゾフラニル等等が挙げられる。アリールオキシ基としては、炭素数6~10のアリールオキシ基フェノキシ及びナフチルオキシ等等が挙げられる。アルキルスルフィニル基としては、炭素数1~18の直鎖又は分枝鎖スルフィニル基メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、プロピルスルフィニル、イソプロピルスルフィニル、ブチルスルフィニル、イソブチルスルフィニル、sec-ブチルスルフィニル、tert-ブチルスルフィニル、ペンチルスルフィニル、イソペンチルスルフィニル、ネオペンチルスルフィニル、tert-ペンチルスルフィニル、オクチルスルフィニル及びイソオクタデシルスルフィニル等等が挙げられる。アリールスルフィニル基としては、炭素数6~10のアリールスルフィニル基フェニルスルフィニル、トリルスルフィニル及びナフチルスルフィニル等等が挙げられる。アルキルスルホニル基としては、炭素数1~18の直鎖又は分枝鎖アルキルスルホニル基メチルスルホニル、エチルスルホニル、プロピルスルホニル、イソプロピルスルホニル、ブチルスルホニル、イソブチルスルホニル、sec-ブチルスルホニル、tert-ブチルスルホニル、ペンチルスルホニル、イソペンチルスルホニル、ネオペンチルスルホニル、tert-ペンチルスルホニル、オクチルスルホニル及びオクタデシルスルホニル等等が挙げられる。アリールスルホニル基としては、炭素数6~10のアリールスルホニル基{フェニルスルホニル、トリルスルホニルトシル基及びナフチルスルホニル等}等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。これらの置換基Tうち、合成の容易さ、吸収波長領域、及び耐熱安定性の観点から、アルキル基、アルコキシ基、アリールカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールスルフィニル基及びアリールスルホニル基が好ましい。本発明の非イオン系酸発生剤Aの合成方法は目的物を合成できれば特に限定はされないが、例えば、ニトロフタルイミド、又はハロゲン置換フタルイミドと、置換基Tを有しても良いチオフェノール、ビフェニルチオール、あるいはナフタレンチオール、又はそれらのチオールの塩との反応によって得られるフタルイミド化合物P1を、例えば、W.Ficher,Helv.Chem.Acta.,74,11191991等に記載の方法で無水物化合物P2にした後に、塩化ヒドロキシルアンモニウムと反応させることで、N-ヒドロキシイミド化合物P3とし、このN-ヒドロキシイミド化合物P3とCxFySO22Oで示されるスルホン酸無水物との反応、又はN-ヒドロキシイミド化合物P3の塩とCxFySO2Cl示されるスルホン酸クロライドとの反応によって合成できる。ハロゲン置換フタルイミドとしては、フルオロフタルイミド、クロロフタルイミド、ブロモフタルイミド、及びヨードフタルイミドが挙げられる。フタルイミド化合物P1の合成で使用するチオールの置換基T、及びN-ヒドロキシイミド化合物P3の合成で使用するスルホン酸無水物、及びスルホン酸クロライド中のCxFyは、式1における定義に同じである。本発明の非イオン系酸発生剤Aは、レジスト材料への溶解を容易にするため、あらかじめ反応を阻害しない溶剤に溶かしておいてもよい。溶剤としては、カーボネートプロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、1,2-ブチレンカーボネート、ジメチルカーボネート及びジエチルカーボネート等;エステル;エーテルエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールジブチルエーテル等;及びエーテルエステルエチレングリコールモノメチルエーテル酢酸エステル、プロピレングリコールモノエチルエーテル酢酸エステル及びジエチレングリコールモノブチルエーテル酢酸エステル等等が挙げられる。溶剤を使用する場合、溶剤の使用割合は、本発明の光酸発生剤100重量部に対して、15~1000重量部が好ましく、さらに好ましくは30~500重量部である。本発明のフォトリソグラフィー用樹脂組成物Qは、非イオン系光酸発生剤Aを必須成分として含むため、紫外線照射及び露光後加熱PEBを行うことで、露光部と未露光部の現像液に対する溶解性に差がつく。非イオン系光酸発生剤Aは1種単独、又は2種以上を組み合わせて使用することができる。フォトリソグラフィー用樹脂組成物Qとしては、ネガ型化学増幅樹脂QNと非イオン系光酸発生剤Aとの混合物及びポジ型化学増幅樹脂QPと非イオン系光酸発生剤Aとの混合物が挙げられる。ネガ型化学増幅樹脂QNとしては、フェノール性水酸基含有樹脂QN1と架橋剤QN2から構成される。フェノール性水酸基含有樹脂QN1としてはフェノール性水酸基を含有している樹脂であれば特に制限はなく、例えば、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン、ヒドロキシスチレンの共重合体、ヒドロキシスチレンとスチレンの共重合体、ヒドロキシスチレン、スチレン及びメタアクリル酸誘導体の共重合体、フェノール-キシリレングリコール縮合樹脂、クレゾール-キシリレングリコール縮合樹脂、フェノール性水酸基を含有するポリイミド、フェノール性水酸基を含有するポリアミック酸、フェノール-ジシクロペンタジエン縮合樹脂等が用いられる。これらのなかでも、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン、ポリヒドロキシスチレンの共重合体、ヒドロキシスチレンとスチレンの共重合体、ヒドロキシスチレン、スチレン及びメタアクリル酸誘導体の共重合体、フェノール-キシリレングリコール縮合樹脂が好ましい。尚、これらのフェノール性水酸基含有樹脂QN1は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を混合して用いてもよい。上記ノボラック樹脂は、例えば、フェノール類とアルデヒド類とを触媒の存在下で縮合させることにより得ることができる。上記フェノール類としては、例えば、フェノール、o-クレゾール、m-クレゾール、p-クレゾール、o-エチルフェノール、m-エチルフェノール、p-エチルフェノール、o-ブチルフェノール、m-ブチルフェノール、p-ブチルフェノール、2,3-キシレノール、2,4-キシレノール、2,5-キシレノール、2,6-キシレノール、3,4-キシレノール、3,5-キシレノール、2,3,5-トリメチルフェノール、3,4,5-トリメチルフェノール、カテコール、レゾルシノール、ピロガロール、α-ナフトール、β-ナフトール等が挙げられる。また、上記アルデヒド類としてはホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド等が挙げられる。具体的なノボラック樹脂としては、例えば、フェノール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、クレゾール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、フェノール-ナフトール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂等が挙げられる。また、上記フェノール性水酸基含有樹脂QN1には、成分の一部としてフェノール性低分子化合物が含有されていてもよい。上記フェノール性低分子化合物としては、例えば、4,4’-ジヒドロキシジフェニルメタン、4,4’-ジヒドロキシジフェニルエーテル、トリス4-ヒドロキシフェニルメタン、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニル-1-フェニルエタン、トリス4-ヒドロキシフェニルエタン、1,3-ビス[1-4-ヒドロキシフェニル-1-メチルエチル]ベンゼン、1,4-ビス[1-4-ヒドロキシフェニル-1-メチルエチル]ベンゼン、4,6-ビス[1-4-ヒドロキシフェニル-1-メチルエチル]-1,3-ジヒドロキシベンゼン、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニル-1-[4-1-4-ヒドロキシフェニル-1-メチルエチルフェニル]エタン、1,1,2,2-テトラ4-ヒドロキシフェニルエタン、4,4’-{1-[4-1-4-ヒドロキシフェニル-1-メチルエチルフェニル]エチリデン}ビスフェノール等が挙げられる。これらのフェノール性低分子化合物は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を混合して用いてもよい。このフェノール性低分子化合物のフェノール性水酸基含有樹脂QN1中における含有割合は、フェノール性水酸基含有樹脂QN1を100重量とした場合、40重量以下であることが好ましく、より好ましくは1~30重量である。フェノール性水酸基含有樹脂QN1の重量平均分子量は、得られる絶縁膜の解像性、熱衝撃性、耐熱性、残膜率等の観点から、2000以上であることが好ましく、より好ましくは2000~20000程度である。また、ネガ型化学増幅樹脂QN中におけるフェノール性水酸基含有樹脂QN1の含有割合は、溶剤を除いた組成物の全体を100重量とした場合に、30~90重量であることが好ましく、より好ましくは40~80重量である。このフェノール性水酸基含有樹脂QN1の含有割合が30~90重量である場合には、感光性絶縁樹脂組成物を用いて形成された膜がアルカリ水溶液による十分な現像性を有しているため好ましい。架橋剤QN2としては、非イオン系光酸発生剤Aから発生した強酸によりフェノール性水酸基含有樹脂QN1を架橋し得る化合物であれば特に限定されない。架橋剤QN2としては、例えば、ビスフェノールA系エポキシ化合物、ビスフェノールF系エポキシ化合物、ビスフェノールS系エポキシ化合物、ノボラック樹脂系エポキシ化合物、レゾール樹脂系エポキシ化合物、ポリヒドロキシスチレン系エポキシ化合物、オキセタン化合物、メチロール基含有メラミン化合物、メチロール基含有ベンゾグアナミン化合物、メチロール基含有尿素化合物、メチロール基含有フェノール化合物、アルコキシアルキル基含有メラミン化合物、アルコキシアルキル基含有ベンゾグアナミン化合物、アルコキシアルキル基含有尿素化合物、アルコキシアルキル基含有フェノール化合物、カルボキシメチル基含有メラミン樹脂、カルボキシメチル基含有ベンゾグアナミン樹脂、カルボキシメチル基含有尿素樹脂、カルボキシメチル基含有フェノール樹脂、カルボキシメチル基含有メラミン化合物、カルボキシメチル基含有ベンゾグアナミン化合物、カルボキシメチル基含有尿素化合物及びカルボキシメチル基含有フェノール化合物等を挙げることができる。これら架橋剤QN2のうち、メチロール基含有フェノール化合物、メトキシメチル基含有メラミン化合物、メトキシメチル基含有フェノール化合物、メトキシメチル基含有グリコールウリル化合物、メトキシメチル基含有ウレア化合物及びアセトキシメチル基含有フェノール化合物が好ましく、さらに好ましくはメトキシメチル基含有メラミン化合物例えばヘキサメトキシメチルメラミン等、メトキシメチル基含有グリコールウリル化合物及びメトキシメチル基含有ウレア化合物等である。メトキシメチル基含有メラミン化合物は、CYMEL300、CYMEL301、CYMEL303、CYMEL305三井サイアナミッド株製等の商品名で、メトキシメチル基含有グリコールウリル化合物はCYMEL1174三井サイアナミッド株製等の商品名で、またメトキシメチル基含有ウレア化合物は、MX290三和ケミカル株製等の商品名で市販されている。架橋剤QN2の含有量は、残膜率の低下、パターンの蛇行や膨潤及び現像性の観点から、フェノール性水酸基含有樹脂QN1中の全酸性官能基に対して、通常、5~60モル、好ましくは10~50モル、さらに好ましくは15~40モルである。ポジ型化学増幅樹脂QPとしては、フェノール性水酸基、カルボキシル基、又はスルホニル基等の1種以上の酸性官能基を含有するアルカリ可溶性樹脂QP1中の酸性官能基の水素原子の一部あるいは全部を、酸解離性基で置換した保護基導入樹脂QP2が挙げられる。なお、酸解離性基は非イオン系光酸発生剤Aから発生した強酸の存在下で解離することができる基である。保護基導入樹脂QP2は、それ自体としてはアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性である。アルカリ可溶性樹脂QP1としては、例えば、フェノール性水酸基含有樹脂QP11、カルボキシル基含有樹脂QP12、及びスルホン酸基含有樹脂QP13等が挙げられる。フェノール性水酸基含有樹脂QP11としては、上記フェノール性水酸基含有樹脂QN1と同じものが使用できる。カルボキシル基含有樹脂QP12としては、カルボキシル基を有するポリマーでああれば特に制限はなく、例えば、カルボキシル基含有ビニルモノマーBaと、必要により疎水基含有ビニルモノマーBbとをビニル重合することで得られる。カルボキシル基含有ビニルモノマーBaとしては、例えば、不飽和モノカルボン酸[メタアクリル酸、クロトン酸および桂皮酸など]、不飽和多価2~4価カルボン酸[無水マレイン酸、イタコン酸、フマル酸およびシトラコン酸など]、不飽和多価カルボン酸アルキル炭素数1~10のアルキル基エステル[マレイン酸モノアルキルエステル、フマル酸モノアルキルエステルおよびシトラコン酸モノアルキルエステルなど]、並びにこれらの塩[アルカリ金属塩ナトリウム塩およびカリウム塩等、アルカリ土類金属塩カルシウム塩およびマグネシウム塩等、アミン塩およびアンモニウム塩等]が挙げられる。これらのうち好ましいのは重合性、及び入手のしやすさの観点から不飽和モノカルボン酸、さらに好ましいのはメタアクリル酸である。疎水基含有ビニルモノマーBbとしては、メタアクリル酸エステルBb1、及び芳香族炭化水素モノマーBb2等が挙げられる。メタアクリル酸エステルBb1としては、例えば、アルキル基の炭素数1~20のアルキルメタアクリレート[例えばメチルメタアクリレート、エチルメタアクリレート、n-プロピルメタアクリレート、イソプロピルメタアクリレート、n-ブチルメタアクリレート、n-ヘキシルメタアクリレートおよび2-エチルヘキシルメタアクリレートなど]および脂環基含有メタアクリレート[ジシクロペンタニルメタアクリレート、シジクロペンテニルメタアクリレートおよびイソボルニルメタアクリレートなど]などが挙げられる。芳香族炭化水素モノマーBb2としては、例えば、スチレン骨格を有する炭化水素モノマー[例えばスチレン、α-メチルスチレン、ビニルトルエン、2,4-ジメチルスチレン、エチルスチレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、フェニルスチレン、シクロヘキシルスチレンおよびベンジルスチレン]およびビニルナフタレンなどが挙げられる。カルボキシル基含有樹脂QP12における、Ba/Bbの仕込みモノマーモル比は、通常10~100/0~90、現像性の観点から、好ましくは10~80/20~90、さらに好ましくは25~85/15~75である。スルホン酸基含有樹脂QP13としては、スルホン酸基を有するポリマーであれば特に制限はなく、例えば、スルホン酸基含有ビニルモノマーBcと、必要により疎水基含有ビニルモノマーBbとをビニル重合することで得られる。疎水基含有ビニルモノマーBbとしては、上記と同じものが使用できる。スルホン酸基含有ビニルモノマーBcとしては、例えば、ビニルスルホン酸、メタアリルスルホン酸、スチレンスルホン酸、α-メチルスチレンスルホン酸、2-メタアクリロイルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸およびこれらの塩が挙げられる。塩としてはアルカリ金属ナトリウムおよびカリウム等塩、アルカリ土類金属カルシウムおよびマグネシウム等塩、第1~3級アミン塩、アンモニウム塩および第4級アンモニウム塩などが挙げられる。スルホン酸基含有樹脂QP13における、Bc/Bbの仕込みモノマーモル比は、通常10~100/0~90、現像性の観点から、好ましくは10~80/20~90、さらに好ましくは25~85/15~75である。アルカリ可溶性樹脂QP1のHLB値は、アルカリ可溶性樹脂QP1の樹脂骨格によって好ましい範囲が異なるが、好ましくは4~19、さらに好ましくは5~18、特に好ましくは6~17である。4以上であれば現像を行う際に、現像性がさらに良好であり、19以下であれば硬化物の耐水性がさらに良好である。なお、本発明におけるHLBは、小田法によるHLB値であり、親水性-疎水性バランス値のことであり、有機化合物の有機性の値と無機性の値との比率から計算することができる。HLB≒10×無機性/有機性また、無機性の値及び有機性の値は、文献界面活性剤の合成とその応用槇書店発行、小田、寺村著の501頁;または、新界面活性剤入門藤本武彦著、三洋化成工業株式会社発行の198頁に詳しく記載されている。保護基導入樹脂QP2中の酸解離性基としては、例えば、置換メチル基、1-置換エチル基、1-分岐アルキル基、シリル基、ゲルミル基、アルコキシカルボニル基、アシル基及び環式酸解離性基等を挙げることができる。これらは1種単独で用いても良いし、2種以上を組み合わせて使用しても良い。1-置換メチル基としては、例えば、メトキシメチル基、メチルチオメチル基、エトキシメチル基、エチルチオメチル基、メトキシエトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ベンジルチオメチル基、フェナシル基、ブロモフェナシル基、メトキシフェナシル基、メチルチオフェナシル基、α-メチルフェナシル基、シクロプロピルメチル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメチル基、ブロモベンジル基、ニトロベンジル基、メトキシベンジル基、メチルチオベンジル基、エトキシベンジル基、エチルチオベンジル基、ピペロニル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、n-プロポキシカルボニルメチル基、i-プロポキシカルボニルメチル基、n-ブトキシカルボニルメチル基、tert-ブトキシカルボニルメチル基等を挙げることができる。1-置換エチル基としては、例えば、1-メトキシエチル基、1-メチルチオエチル基、1,1-ジメトキシエチル基、1-エトキシエチル基、1-エチルチオエチル基、1,1-ジエトキシエチル基、1-エトキシプロピル基、1-プロポキシエチル基、1-シクロヘキシルオキシエチル基、1-フェノキシエチル基、1-フェニルチオエチル基、1,1-ジフェノキシエチル基、1-ベンジルオキシエチル基、1-ベンジルチオエチル基、1-シクロプロピルエチル基、1-フェニルエチル基、1,1-ジフェニルエチル基、1-メトキシカルボニルエチル基、1-エトキシカルボニルエチル基、1-n-プロポキシカルボニルエチル基、1-イソプロポキシカルボニルエチル基、1-n-ブトキシカルボニルエチル基、1-tert-ブトキシカルボニルエチル基等を挙げることができる。1-分岐アルキル基としては、例えば、i-プロピル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、1,1-ジメチルプロピル基、1-メチルブチル基、1,1-ジメチルブチル基等を挙げることができる。シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、メチルジエチルシリル基、トリエチルシリル基、i-プロピルジメチルシリル基、メチルジ-i-プロピルシリル基、トリ-i-プロピルシリル基、tert-ブチルジメチルシリル基、メチルジ-tert-ブチルシリル基、トリ-tert-ブチルシリル基、フェニルジメチルシリル基、メチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリル基等のトリカルビルシリル基を挙げることができる。ゲルミル基としては、例えば、トリメチルゲルミル基、エチルジメチルゲルミル基、メチルジエチルゲルミル基、トリエチルゲルミル基、イソプロピルジメチルゲルミル基、メチルジ-i-プロピルゲルミル基、トリ-i-プロピルゲルミル基、tert-ブチルジメチルゲルミル基、メチルジ-tert-ブチルゲルミル基、トリ-tert-ブチルゲルミル基、フェニルジメチルゲルミル基、メチルジフェニルゲルミル基、トリフェニルゲルミル基等のトリカルビルゲルミル基を挙げることができる。アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニル基等を挙げることができる。アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピバロイル基、イソバレリル基、ラウロイル基、ミリストイル基、パルミトイル基、ステアロイル基、オキサリル基、マロニル基、スクシニル基、グルタリル基、アジポイル基、ピペロイル基、スベロイル基、アゼラオイル基、セバコイル基、アクリロイル基、プロピオロイル基、メタクリロイル基、クロトノイル基、オレオイル基、マレオイル基、フマロイル基、メサコノイル基、カンホロイル基、ベンゾイル基、フタロイル基、イソフタロイル基、テレフタロイル基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒドロアトロポイル基、アトロポイル基、シンナモイル基、フロイル基、テノイル基、ニコチノイル基、イソニコチノイル基、p-トルエンスルホニル基、メシル基等を挙げることができる。環式酸解離性基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、4-メトキシシクロヘキシル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、3-ブロモテトラヒドロピラニル基、4-メトキシテトラヒドロピラニル基、4-メトキシテトラヒドロチオピラニル基、3-テトラヒドロチオフェン-1,1-ジオキシド基等を挙げることができる。これらの酸解離性基のうち、tert-ブチル基、ベンジル基、1-メトキシエチル基、1-エトキシエチル基、トリメチルシリル基、tert-ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニルメチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基及びテトラヒドロチオフラニル基等が好ましい。保護基導入樹脂QP2における酸解離性基の導入率{保護基導入樹脂QP2中の保護されていない酸性官能基と酸解離性基との合計数に対する酸解離性基の数の割合}は、酸解離性基や該基が導入されるアルカリ可溶性樹脂の種類により一概には規定できないが、好ましくは10~100、さらに好ましくは15~100である。保護基導入樹脂QP2のゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCで測定したポリスチレン換算重量平均分子量以下、Mwという。は、好ましくは1,000~150,000、さらに好ましくは3,000~100,000である。また、保護基導入樹脂QP2のMwとゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCで測定したポリスチレン換算数平均分子量以下、Mnという。との比Mw/Mnは、通常、1~10、好ましくは1~5である。フォトリソグラフィー用樹脂組成物Qの固形分の重量に基づく非イオン系光酸発生剤Aの含有量は、0.001~20重量が好ましく、さらに好ましくは0.01~15重量、特に好ましくは0.05~7重量である。0.001重量以上であれば紫外線に対する感度がさらに良好に発揮でき、20重量以下であればアルカリ現像液に対し不溶部分の物性がさらに良好に発揮できる。本発明のフォトリソグラフィー用樹脂組成物Qを用いたレジストは、例えば、所定の有機溶剤に溶解無機微粒子を含んだ場合は溶解と分散した樹脂溶液を、スピンコート、カーテンコート、ロールコート、スプレーコート、スクリーン印刷等公知の方法を用いて基板に塗布後、加熱又は熱風吹き付けにより溶剤を乾燥させることで形成することができる。フォトリソグラフィー用樹脂組成物Qを溶解させる有機溶剤としては、樹脂組成物を溶解させることができ、樹脂溶液をスピンコート等に適用できる物性粘度等に調整できるものであれば特に限定されない。例えば、N-メチルピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、トルエン、エタノール、シクロヘキサノン、メタノール、メチルエチルケトン、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、アセトン及びキシレン等の公知の溶媒が使用できる。これらの溶媒のうち、乾燥温度等の観点から、沸点が200°C以下のものトルエン、エタノール、シクロヘキサノン、メタノール、メチルエチルケトン、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、アセトン及びキシレンが好ましく、単独又は2種類以上組み合わせで使用することもできる。有機溶剤を使用する場合、溶剤の配合量は、特に限定されないが、フォトリソグラフィー用樹脂組成物Qの固形分の重量に基づいて、通常30~1,000重量が好ましく、さらに好ましくは40~900重量、特に好ましくは50~800重量である。塗布後の樹脂溶液の乾燥条件は、使用する溶剤により異なるが好ましくは50~200°Cで2~30分の範囲で実施され、乾燥後のフォトリソグラフィー用樹脂組成物Qの残留溶剤量重量等で適宜決定する。基板にレジストを形成した後、配線パターン形状の光照射を行う。その後、露光後加熱PEBを行った後に、アルカリ現像を行い、配線パターンを形成する。光照射する方法としては、配線パターンを有するフォトマスクを介して活性光線により、レジストの露光を行う方法が挙げられる。光照射に用いる活性光線としては、本発明のフォトリソグラフィー用樹脂組成物Q中の非イオン系光酸発生剤Aを分解させることができれば特に制限はない。活性光線としては、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプ、メタルハロゲンランプ、電子線照射装置、X線照射装置、レーザーアルゴンレーザー、色素レーザー、窒素レーザー、LED、ヘリウムカドミウムレーザー等等がある。これらのうち、好ましくは高圧水銀灯及び超高圧水銀灯である。露光後加熱PEBの温度としては、通常40~200°Cであって、好ましくは500~190°C、さらに好ましくは60~180°Cである。40°C未満では脱保護反応、又は架橋反応が十分にできないため、紫外線照射部と紫外線未照射部の溶解性に差が不足しパターンが形成できず、200°Cより高いと生産性が低下する問題がある。加熱時間としては、通常0.5~120分であって、好ましくは1~90分、さらに好ましくは2~90分である。0.5分未満では時間と温度の制御が困難で、120分より大きいと生産性が低下する問題がある。アルカリ現像する方法としては、アルカリ現像液を用いて配線パターン形状に溶解除去する方法が挙げられる。アルカリ現像液としては、フォトリソグラフィー用樹脂組成物Qの紫外線照射部と紫外線未照射部の溶解性に差ができる条件であれば特に制限はない。アルカリ現像液としては水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、炭酸水素ナトリウム及びテトラメチルアンモニウム塩水溶液等がある。これらアルカリ現像液は水溶性の有機溶剤を加えても良い。水溶性の有機溶剤としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、テトラヒドロフラン、N-メチルピロリドン等がある。現像方法としては、アルカリ現像液を用いたディップ方式、シャワー方式、及びスプレー方式があるが、スプレー方式の方が好ましい。現像液の温度は、好ましくは25~40°Cで使用される。現像時間は、レジストの厚さに応じて適宜決定される。以下、実施例及び比較例により本発明をさらに説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。以下、特に定めない限り、は重量、部は重量部を示す。製造例1<N-ヒドロキシ-4-フェニルチオフタルイミドP3-1の合成>チオフェノール8.6g、78mmol、DMF40mlを入れた3つ口フラスコに、水酸化ナトリウム3.2g、80mmolを投入し、60°Cで1時間撹拌した。次いで、4-ニトロフタルイミド10.0g、52mmolを投入し5時間撹拌後、反応液を0.1mol/Lの塩酸水溶液1Lに投入し不溶部を回収した。この不溶部を0.2mol/Lの水酸化ナトリウム水溶液1Lに投入し、90°Cで3時間撹拌、溶解した。次いで35塩酸で酸性にした後に、90°Cで6時間撹拌した後、室温冷却後に析出物を回収し白色固体P1-123g、46mmolを得た。還流管を取り付けた3つ口フラスコに白色結晶P1-17.5g、27mmol、無水酢酸35g、343mmol、キシレン250mlを投入し、撹拌しながら140°Cで5時間反応した。次いで、酸無水物とキシレンを減圧除去し、白色固体P2-16.6g、26mmolを得た。次いで還流管を取り付けた3つ口フラスコに白色結晶P2-15.0g、19mmol、H2NOHHCL6.7g、97mmol、ピリジン45mlを投入し、撹拌しながら100°Cで10時間反応した。次いで1mol/L塩酸水溶液に反応液を投入し、析出物を回収した。さらにエタノールで再結晶を行い黄色固体P3-14.6g、17mmolを得た。製造例2<N-ヒドロキシ-4-ナフチルチオフタルイミドP3-2の合成>チオフェノール8.6g、78mmolを2-ナフタレンチオール8.8g、55mmolに変更した以外は、製造例1と同様にして黄色固体P3-24.8g、15mmolを得た。製造例3<N-ヒドロキシ-4-4-メチルフェニルチオフタルイミドP3-3の合成>チオフェノール8.6g、78mmolを3-メチルチオフェノール9.7g、78mmolに変更した以外は、製造例1と同様にして黄色固体P3-34.8g、17mmolを得た。比較製造例1<N-ヒドロキシ-4-ブチルチオフタルイミドP3’-1の合成>チオフェノール8.6g、78mmolをブチルチオール7.2g、80mmolに変更した以外は、製造例1と同様にして黄色固体P3’-15.4g、18mmolを得た。実施例1<非イオン系光酸発生剤A-1の合成>製造例1で合成した黄色固体P3-14.0g、15mmol、イソプロピルアルコール80mlを入れ溶解させる。次いで撹拌しながら10tert-ブトキシナトリウム水溶液14.0g、15mmolを滴下投入し、40°Cで2時間撹拌した。室温冷却後に析出物を回収し赤色固体3.8g、13mmolを得た。この赤色固体0.5g、1.7mmol、THF35mlを入れた3つ口フラスコに、0°Cで撹拌しながらトリフルオロメタンスルホン酸クロライド0.4g、2.4mmolを滴下投入した後、25°Cで2時間撹拌した。この反応液をトルエン-水で抽出した後、トルエン層を減圧除去し溶剤を除去することで黄色固体を得た。さらにアセトン/イソプロピルアルコールで再結晶を行い非イオン系光酸発生剤A-10.4g、0.9mmolを得た。実施例2<非イオン系光酸発生剤A-2の合成>トリフルオロメタンスルホン酸クロライド0.4g、2.4mmolをペンタフルオロベンゼンスルホン酸クロライド0.6g、2.4mmolに変更した以外は、実施例1と同様にして非イオン系光酸発生剤A-20.4g、0.9mmolを得た。実施例3<非イオン系光酸発生剤A-3の合成>黄色固体P3-14.0g、15mmolを製造例2で合成した黄色固体P3-24.8g、15mmolに変更した以外は、実施例1と同様にして非イオン系光酸発生剤A-30.6g、1.0mmolを得た。実施例4<非イオン系光酸発生剤A-4の合成>黄色固体P3-14.0g、15mmolを製造例3で合成した黄色固体P3-34.0g、15mmolに変更した以外は、実施例2と同様にして非イオン系光酸発生剤A-40.4g、0.8mmolを得た。比較例1<非イオン系光酸発生剤A’-1の合成>トリフルオロメタンスルホン酸クロライド0.4g、2.4mmolをp-トルエンスルホン酸クロライド0.5g、2.4mmolに変更した以外は、実施例1と同様にして非イオン系光酸発生剤A’-10.5g、1.0mmolを得た。比較例2<非イオン系光酸発生剤A’-2の合成>黄色固体P3-14.0g、15mmolを比較製造例1で合成した黄色固体P3’-13.7g、15mmolに変更した以外は、実施例1と同様にして非イオン系光酸発生剤A-30.3g、0.8mmolを得た。比較例3<非イオン系光酸発生剤A’-3の合成>黄色固体P3-14.0g、15mmolをN-ヒドロキシナフタルイミド3.2g、15mmolに変更した以外は、実施例1と同様にして非イオン系光酸発生剤A’-30.4g、1.1mmolを得た。比較例4<イオン系光酸発生剤A’-4の合成>ジフェニルスルホキシド12.1部、ジフェニルスルフィド9.3部及びメタンスルホン酸43.0部を撹拌しながら、これに無水酢酸7.9部を滴下し、40~50°Cで5時間反応させた後、25°Cまで冷却し、この反応溶液をフルオメタンスルホン酸カリウム水溶液121部中に投入し、50°Cで8時間撹拌して、黄色のやや粘調な油状物が析出した。この油状物を酢酸エチルにて抽出し、有機層を水で数回洗浄した後、有機層から溶剤を留去し、得られた残渣にトルエンを加えて溶解した後、ヘキサンを加え、10°Cで1時間よく撹拌した後静置した。1時間後、溶液は2層に分離したため、上層を分液によって除いた。残った下層にヘキサンを加え、25°Cでよく混合すると淡黄色の結晶が析出した。これをろ別し、減圧乾燥して、イオン系光酸発生剤A’-4を収率60で得た。<性能評価>光酸発生剤の性能評価として、得られた非イオン系光酸発生剤A-1~A-4、及び非イオン系光酸発生剤A’-1~A’-3、及びイオン系酸発生剤A’-4のモル吸光係数、レジスト硬化性、熱分解温度、及び溶剤溶解性について以下の方法で評価した。<モル吸光係数>合成した光酸発生剤をアセトニトリルにより0.25mmol/Lに希釈し、紫外可視分光光度計島津製作所社製、UV-2550を用いて、200nmから500nmの範囲で1cmのセル長の吸光度を測定した。下記式2から、i線365nmのモル吸光係数ε365を算出した。ε365Lmol-1cm-1=A365/0.00025mol/L×1cm2[式2中、A365は365nmの吸光度を表す。]<レジスト硬化性>フェノール樹脂DIC社製、フェノライトTD43175部、メラミン硬化剤三井サイアナミッド株社製、サイメル30025部、合成した光酸発生剤1部、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート以下、PGMEAと略記する。200部の樹脂溶液を、10cm各のガラス基板上にスピンコーターを用いて1000rpmで10秒の条件で塗布した。次いで25°Cで5分間真空乾燥した後、80°Cのホットプレート上で3分間乾燥させることで、膜厚約3μmのレジストを形成した。このレジストに紫外線照射装置株式会社オーク製作所社製、HMW-661F-01を用いて、L-34株式会社ケンコー光学製、340nm未満の光をカットするフィルターフィルターによって波長を限定した紫外光を所定量全面に露光した。なお積算露光量は365nmの波長を測定した。次いで、120°Cの順風乾燥機で10分間露光後加熱PEBを行った後、0.5水酸化カリウム溶液を用いて30秒間浸漬することで現像し、直ちに水洗、乾燥を行った。このレジストの膜厚を形状測定顕微鏡超深度形状測定顕微鏡VK-8550、株式会社キーエンス製を用いて測定した。ここで現像前後のレジストの膜厚変化が10以内となる最低露光量から、レジスト硬化性を以下の基準により評価した。○:最低露光量が250mJ/cm2以下△:最低露光量が500mJ/cm2以下×:最低露光量が500mJ/cm2より大きい<熱分解温度>合成した光酸発生剤を示差熱熱重量同時測定装置SII社製、TG/DTA6200を用いて、窒素雰囲気下、30度から500°Cまで10°C/分の昇温条件で重量変化を測定し、2重量が減少した点を熱分解温度とした。<溶剤溶解性>合成した光酸発生剤を0.1g試験管にとり、25°C温調下で有機溶剤酢酸ブチル、トルエン、及びPGMEA0.2gずつ加え、光酸発生剤が完全に溶解するまで加えた。なお20g加えても完全に溶解しない場合には、溶解しないものと評価した。実施例1~4で作成した本発明の非イオン系光酸発生剤A-1~A-4、及び比較例1~3で作成した比較のための非イオン系光酸発生剤A’-1~A’-3と比較例4で作成した比較のためのイオン系酸発生剤A’-4の、モル吸光係数、熱分解温度、及び溶剤溶解性を前述した方法で測定した。その結果を表1に示す。表1から明らかなように、本発明の実施例1~4の非イオン系光酸発生剤Aは、i線365nmのモル吸光係数が3,000mol-1cm-1以上と大きく、レジスト硬化性も良好であることがわかる。特にナフタレン基を有する実施例2では、i線に対する感度が特に優れていることがわかる。また熱分解温度が260°C以上であり、溶剤溶解性に優れていることがわかる。一方、CxFyに電子吸引性の小さいp-トルエン基を有する比較例1では、スルホン酸エステル部分の分解性に劣るため、モル吸光係数は高いもののレジスト硬化性が劣っていおり、Rに芳香族を持たない比較例2ではモル吸光係数が低くレジスト硬化性が劣っていることがわかる。またフタルイミド骨格を持たない比較例3では熱分解温度が劣っておりことがわかる。一方、イオン系酸発生剤である比較例4では疎水性溶剤である酢酸ブチルとトルエンに対する溶剤溶解性が不足していることがわかる。"