チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハを、酸化性ガス雰囲気中、1325°C以上1400°C以下の範囲内の第1の最高到達温度まで昇温して前記第1の最高到達温度を保持した後、50°C/秒以上250°C/秒以下の降温速度で降温する第1の熱処理を行う工程と、前記第1の熱処理を行ったシリコンウェーハを、非酸化性ガス雰囲気中、700°C以上900°C以下の範囲内の第2の最高到達温度まで昇温して保持した後、更に、非酸化性ガス雰囲気中、前記第2の最高到達温度から1100°C以上1250°C以下の範囲内の第3の最高到達温度まで昇温して前記第3の最高到達温度を保持した後、降温する第2の熱処理を行う工程と、を備えることを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。前記第2の熱処理における前記第3の最高到達温度までの昇温速度は、1°C/分以上5°C/分以下であることを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェーハの熱処理方法。しかしながら、特許文献3に記載の方法は、BMD低密度領域のBMD密度を高めることができるため、OSFリングが存在することによるBMD密度の面内不均一性はある程度改善されるものの、未だに、単結晶育成時の影響を残しているものであった。また、ホットゾーンなどの結晶熱履歴、成長速度を詳細に制御しつつ結晶成長速度を高めて、前記OSFリングを外側に排除し、ウェーハ面内全体をCOPが多く取り込まれたV-リッチ領域とした場合でも、単結晶育成時における融液の対流制御石英ルツボの回転数や炉内圧力、ヒータ温度等には限界があり、これのみでは、ウェーハの直径方向のBMD密度を面内均一に制御するには限界がある。本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、CZ法により育成したウェーハのバルク部の直径方向におけるBMD密度の面内均一性を高めることができ、更には、BMDサイズの面内均一性も高めることができ、加えて、ウェーハの表層部のCOPを低減することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供することを目的とする。本発明に係るシリコンウェーハの熱処理方法は、チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハを、酸化性ガス雰囲気中、1325°C以上1400°C以下の範囲内の第1の最高到達温度まで昇温して前記第1の最高到達温度を保持した後、50°C/秒以上250°C/秒以下の降温速度で降温する第1の熱処理を行う工程と、前記第1の熱処理を行ったシリコンウェーハを、非酸化性ガス雰囲気中、700°C以上900°C以下の範囲内の第2の最高到達温度まで昇温して保持した後、更に、非酸化性ガス雰囲気中、前記第2の最高到達温度から1100°C以上1250°C以下の範囲内の第3の最高到達温度まで昇温して前記第3の最高到達温度を保持した後、降温する第2の熱処理を行う工程と、を備えることを特徴とする。前記第2の熱処理における前記第3の最高到達温度までの昇温速度は、1°C/分以上5°C/分以下であることが好ましい。本発明によれば、CZ法により育成したウェーハのバルク部の直径方向におけるBMD密度の面内均一性を高めることができ、更には、BMDサイズの面内均一性も高めることができ、加えて、ウェーハの表層部のCOPを低減することができるシリコンウェーハの熱処理方法が提供される。以下、本発明の実施形態について図面等を参照して詳細に説明する。本発明に係るシリコンウェーハの熱処理方法は、CZ法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハを、酸化性ガス雰囲気中、1325°C以上1400°C以下の範囲内の第1の最高到達温度まで昇温して前記第1の最高到達温度を保持した後、50°C/秒以上250°C/秒以下の降温速度で降温する第1の熱処理を行う工程と、前記第1の熱処理を行ったシリコンウェーハを、非酸化性ガス雰囲気中、700°C以上900°C以下の範囲内の第2の最高到達温度まで昇温して保持した後、更に、非酸化性ガス雰囲気中、前記第2の最高到達温度から1100°C以上1250°C以下の範囲内の第3の最高到達温度まで昇温して前記第3の最高到達温度を保持した後、降温する第2の熱処理を行う工程と、を備えることを特徴とする。本発明は、このような工程を備えているため、CZ法により育成したウェーハのバルク部の直径方向におけるBMD密度の面内均一性を高めることができ、更には、BMDサイズの面内均一性も高めることができ、加えて、ウェーハの表層部のCOPを低減することができる。図1及び図2は本発明の効果を説明するためのウェーハ断面における概念フロー図であり、図1は第1の熱処理を、図2は第2の熱処理をそれぞれ示すものである。第1の熱処理では、酸化性ガス雰囲気中図1では酸素O2、最高到達温度を1325°C以上1400°C以下の範囲内第1の最高到達温度まで昇温して保持するため、COPにおいては、内壁酸化膜SiO2が溶解しボイドとなる図1b。更に、このボイドが空孔として拡散又は/及び酸化性ガス雰囲気によってウェーハ内に注入される大量の格子間シリコン不図示が当該ボイドに埋まることによって消滅する図1c。また、単結晶育成時に導入されたBMD核は、前記最高到達温度の範囲内で熱処理されるため、ウェーハ内に溶解して消滅する図1b~c。第2の熱処理では、非酸化性ガス雰囲気中図2ではアルゴンAr、最高到達温度を700°C以上900°C以下の範囲内第2の最高到達温度まで昇温して保持するため、ウェーハの表層部及びバルク部にBMD核が析出される図2b。次に、前記第2の最高到達温度から1100°C以上1250°C以下の範囲内の第3の最高到達温度まで昇温して保持するため、ウェーハの表層部の酸素がウェーハ表面から外方拡散され、かつバルク部にも外方拡散される図2c。従って、ウェーハの表層部では第2の最高到達温度の保持時に析出されたBMD核は消滅し、バルク部では表層部からの酸素の外方拡散及びバルク部の溶存酸素を吸収することにより前記BMD核が成長し、かつ、新たに、BMD核が析出される図2d。以上より、単結晶育成時に導入されたBMD核は第1の熱処理によってウェーハ内に溶解して消滅し、第2の熱処理では、バルク部に新たにBMD核が析出される。従って、第2の熱処理では、単結晶育成時に導入されるBMD核のバラツキを排除した一度キャンセルした状態で、新たにBMD核を析出、更には成長させることができる。従って、ウェーハの直径方向におけるBMD密度の面内均一性に加え、BMDサイズの面内均一性も高めることができる。また、前記第2の熱処理において、昇温時に、前記第2の最高到達温度で保持するため、BMD密度の面内均一性を更に高めることができ、加えて、BMD核を高密度に析出させることができる。第1の熱処理における最高到達温度第1の最高到達温度は、1325°C以上1400°C以下の範囲内であることが好ましい。前記第1の最高到達温度が1325°C未満である場合には、温度が低いため、単結晶育成時に導入されたBMD核を溶解して消滅させることが難しい。従って、単結晶育成時に導入されるBMD核のバラツキを排除することが難しく、ウェーハの直径方向におけるBMD密度の面内均一性に加え、BMDサイズの面内均一性を高めることが難しい。前記第1の最高到達温度が1400°Cを超える場合には、高温となるため、スリップ転位等が発生しやすくなり好ましくない。前記第1の最高到達温度の上限値は、使用する熱処理装置としての寿命の観点等から1380°C以下であることがより好ましい。前記第1の熱処理における前記第1の最高到達温度からの降温速度は50°C/秒以上250°C/秒以下であることが好ましい。前記第1の熱処理は、前述したように、酸化性ガス雰囲気で行われるため、大量の格子間シリコンが発生するが、同時に熱平衡濃度の空孔も発生する。この空孔は格子間酸素と共にO2-Vcomplexを形成し、これが後の第2の熱処理でのBMD核発生のための起点となる。なお、前記降温速度が50°C/秒未満である場合には、前記空孔は降温中に外方拡散して消滅してしまうため、O2-Vcomplexが形成されなくなる場合がある。従って、第1の熱処理における降温速度を50°C/秒以上とすることで、前記発生した空孔をバルク部に多く残存させることができるため、前記第2の熱処理において十分にBMD核の発生、成長BMD密度の高密度化を図ることができる。なお、前記降温速度が早すぎる場合には、急激な降温のため、ウェーハにスリップ転位が発生する場合があるため、その上限値は、250°C/秒以下であることが好ましい。前記第1の最高到達温度からの前記降温速度における降温は、前記格子間シリコンの拡散の抑制や生産性等の観点から400°C以上600°C以下まで行うことが好ましい。また、本発明に係るシリコンウェーハの熱処理方法は、OSFリングがウェーハの直径方向に存在する場合、すなわちウェーハ面内でBMD低密度領域を有する場合であっても、BMD密度及びそのサイズの面内均一性を高めることができる。図3は、OSFリングがウェーハの直径方向に存在する場合の第1の熱処理における本発明の効果を説明するためのウェーハ断面における概念フロー図である。OSFリングが存在するウェーハにおいては、前述したように、OSFリング近傍にBMD密度が大きく低下するBMD低密度領域が存在する図3a。本発明に係るシリコンウェーハの熱処理方法は、このようなウェーハであっても、前記第1の熱処理を行うことで、図1で説明したのと同様なメカニズムにより、COP及びBMD核が消滅する図3b~c。従って、BMD低密度領域のBMD核のバラツキを排除することができるため、OSFリングがウェーハの直径方向に存在したとしても、BMD密度及びそのサイズの面内均一性を高めることができる。また、本発明に係るシリコンウェーハの熱処理方法は、熱処理するウェーハの酸素濃度が高い場合、すなわち、単結晶育成時に酸素濃度を高く制御した場合は、第1の熱処理後、ウェーハの表層部にCOPが残存する場合がある。図4及び図5は、熱処理するウェーハの酸素濃度が高い場合の本発明の効果を説明するためのウェーハ断面における概念フロー図であり、図4は第1の熱処理を、図5は第2の熱処理をそれぞれ示すものである。第1の熱処理では酸化性ガス雰囲気中に含まれる酸素がウェーハ表面から表層部に内方拡散されるため、熱処理するウェーハの酸素濃度が高い場合は、当該表層部の酸素濃度が固溶限界近くなる図4a~b。従って、表層部においてはCOPの内壁酸化膜が溶解されにくくなるため、格子間シリコンが大量に導入されてもCOP内に埋まることができないため、当該表層部にCOPが残存する。なお、単結晶育成時に導入されたBMD核においては、酸素濃度が高い場合であっても、BMD核が小さいため、ウェーハ内で溶解し消滅する図4a~c。しかしながら、図4cに示すように、第1の熱処理において、表層部にCOPが残存したとしても、第2の熱処理では、非酸化性ガス雰囲気中図5ではアルゴン、1100°C以上1250°C以下で熱処理を行うため、表層部から酸素が外方拡散され、更にバルク部にも外方拡散されるため、前記表層部の酸素濃度は固溶限界近くから低下する図5b。従って、前記第2の熱処理を行うことによって、表層部は酸素濃度が低下するため、表層部に存在するCOPの内壁酸化膜は溶解しボイドとなり、その後、シリコン原子の再配列によって、当該ボイドが消滅する図5b~c。また、図2と同様に、ウェーハの表層部ではBMD核は析出されず、バルク部で析出される図5c。なお、図5では、図2に示す第2の最高到達温度を保持した際の表層部でのBMD核の析出及びその後の消滅については同様であるため説明を省略する。以上より、本発明に係るシリコンウェーハの熱処理方法は、熱処理するウェーハの酸素濃度が高い場合であっても、バルク部のBMD密度及びそのサイズの面内均一性を高めることができ、加えて、ウェーハの表層部のCOPを低減することができる。なお、本発明にいう酸素濃度が高い場合とは、ウェーハの酸素濃度が1.2×1018atoms/cm3old-ASTM以上であることをいう。前記第1の熱処理を、酸化性ガス雰囲気ではなく、非酸化性ガス雰囲気還元性ガス雰囲気水素ガス、窒素ガス等や不活性ガス雰囲気アルゴンガス等で行う場合には、前記表層部からバルク部への酸素の外方拡散を大きく促進させてしまうため、前記第1の熱処理において、単結晶育成時に導入されたバルク部のBMD核を消滅することができず、逆に成長させてしまうため好ましくない。前記酸化性ガス雰囲気における酸素ガスの分圧は、20以上100以下好ましくは酸素100ガスであることが好ましい。前記酸素ガスの分圧を20以上とすることで、ウェーハ内に大量の格子間シリコンを注入することができ、確実に、COPを低減することができるため好ましい。なお、前記酸化性ガス雰囲気における酸素ガス以外のガス酸素ガスの分圧が100の場合を除くはアルゴンガスであることが好ましい。アルゴンガスを用いることにより、窒化膜等の他の膜の形成や化学的反応等が生じることがなく、熱処理を行うことができる。前記第2の最高到達温度は、700°C以上900°C以下であることが好ましい。前記第2の最高到達温度が、700°C未満又は900°Cを超える場合には、BMD核の析出が少なくなるため、高密度にBMD核を析出することができない場合がある。前記第3の最高到達温度は、1100°C以上1250°C以下の範囲内であることが好ましい。前記第3の最高到達温度が1100°C未満である場合には、低温であるため、前述したような酸素の外方拡散が起こりにくくなるため、ウェーハの表層部に残存するCOPの内壁酸化膜が溶解しにくくなり、当該表層部のCOPを消滅させることが難しい。前記第3の最高到達温度が1250°Cを超える場合には、ウェーハの表層部からの酸素の外方拡散が大きくなるため、当該表層部の酸素濃度が大きく低下し、酸素によるスリップ転位のピンニング力が低下するため、ウェーハにスリップ転位が発生する場合がある。前記第2の熱処理を、非酸化性ガス雰囲気ではなく、前述した酸化性ガス雰囲気で行う場合には、ウェーハの表層部に酸素が内方拡散される。従って、酸素濃度が高いシリコンウェーハの場合は、表層部の酸素濃度が高い状態で維持される。従って、第2の熱処理でウェーハの表層部に残存するCOPの内壁酸化膜が溶解されにくくなるため、当該表層部のCOPを消滅させることが難しい場合がある。前記非酸化性ガス雰囲気は、アルゴンガスを含む非酸化性ガス好ましくは、アルゴン100ガスであることが好ましい。アルゴンガスを用いることにより、窒化膜等の他の膜の形成や化学的反応等が生じることがなく、熱処理を行うことができる。前記第1の熱処理は、周知の急速昇降温熱処理RTP:RapidThermalProcess、以下、単にRTPともいう装置を用いて、RTPにて行うことが好ましい。なお、ここでいうRTPとは、昇温及び降温速度が、1°C/秒以上の高速昇降温熱処理のことを差す。図6は、本発明に係るシリコンウェーハの熱処理方法に用いられるRTP装置の一例を示す断面概念図である。図6に示すRTP装置10は、ウェーハWを収容して熱処理を施すための反応室20と、反応室20内に設けられ、ウェーハWを保持するウェーハ保持部30と、ウェーハWを加熱する加熱部40と、を備える。ウェーハWがウェーハ保持部30に保持された状態では、反応室20の内壁とウェーハWの表面デバイス形成面W1側とで囲まれた空間である第1空間20aと、反応室20の内壁と表面W1側に対向するウェーハWの裏面W2側とで囲まれた空間である第2空間20bとが形成される。反応室20は、第1空間20a及び第2空間20b内に雰囲気ガスFA実線矢印を供給する供給口22と、前記供給した雰囲気ガスFAを第1空間20a及び第2空間20bから排出する排出口26と、を備える。反応室20は、例えば、石英で構成されている。ウェーハ保持部30は、ウェーハWの裏面W2の外周部をリング状に保持するサセプタ32と、サセプタ32を保持すると共に、ウェーハWの中心を軸としてサセプタ32を回転させる回転体34とを備える。サセプタ32及び回転体34は、例えば、SiCで構成されている。加熱部40は、ウェーハ保持部30に保持されたウェーハWの表面W1の上方及び裏面W2の下方の反応室20外に配置された複数のハロゲンランプ50の光照射によるランプ加熱により、ウェーハWを両面から加熱する。図6に示すRTP装置10を用いて、熱処理を行う場合は、反応室20に設けられた図示しないウェーハ導入口より、ウェーハWを反応室20内に導入して、ウェーハWの裏面W2の外周部をウェーハ保持部30のサセプタ32上にリング状に保持し、雰囲気ガスFAを供給すると共に、ウェーハWを回転させながら、加熱部40によってウェーハWを加熱することで行う。図7は、RTPによる第1の熱処理の温度シーケンスの一例を示す概念図である。図7に示すように、温度T0好ましくは400°C以上600°C以下で保持された周知のRTP装置の反応空間内に設置された回転可能なサセプタ上にシリコンウェーハを保持し、前記反応空間内に酸化性ガスを供給する。次に、温度T0から第1の最高到達温度である1325°C以上1400°C以下温度T1まで、昇温速度ΔTu1°C/秒で急速昇温し、温度T1にて所定時間t1秒一定に保持した後、温度T1から降温速度ΔTd1°C/秒で急速降温を行い、例えば温度T0まで降温する。前記温度T0、T1は、図6に示すようなRTP装置10の反応室20内にウェーハWを設置した場合において、ウェーハ保持部30の下方に設置された図示しない放射温度計によって測定されたウェーハWの表面温度放射温度計がウェーハWの径方向に複数配置されている場合はその平均温度である。前記第1の最高到達温度を保持する保持時間t1は、1秒以上60秒以下であることが好ましい。前記保持時間t1が1秒未満である場合には、単結晶育成時に導入されたBMD核やCOPを十分に消滅させることが難しい場合がある。前記保持時間t1が60秒を超える場合には、生産性が低下する場合があり、また、その他の熱処理起因の不具合不純物拡散やスリップ等が発生する場合がある。前記第2の熱処理は、縦型熱処理装置を用いた熱処理で行う事が好ましい。前記縦型熱処理装置は、周知のもの例えば、特開2001-85349号に記載された縦型熱処理装置等が用いられる。なお、ここでいう縦型熱処理装置を用いた熱処理とは、昇温及び降温速度が、15°C/分以下の低速熱処理のことを差す。図8は、縦型熱処理装置を用いた第2の熱処理の温度シーケンスの一例を示す概念図である。図8に示すように、温度T0好ましくは400°C以上600°C以下で保持された周知の縦型熱処理装置の反応空間内に設置された周知の縦型ボートにウェーハを保持し、前記反応空間内に非酸化性ガス例えば、アルゴンガスを供給する。次に、温度T0から第2の最高到達温度である700°C以上900°C以下温度T2まで、昇温速度ΔTu2a°C/分で昇温して温度T2で所定時間t2分一定に保持した後、更に、温度T2から第3の最高到達温度である1100°C以上1250°C以下温度T3まで、昇温速度ΔTu2b°C/分で昇温し、温度T3°Cにて所定時間t3分一定に保持した後、温度T3から降温速度ΔTd2°C/分で、好ましくは温度T0まで降温する。前記第2の最高到達温度を保持する保持時間t2は30分以上240分以下であることが好ましい。前記保持時間t2が30分未満である場合には、保持時間が少ないため、十分にBMD核を析出させることが難しい場合がある。前記保持時間t2が240分を超える場合には、生産性が低下する場合があり、また、その他の熱処理起因の不具合金属汚染やスリップ等が発生する場合がある。前記第3の最高到達温度を保持する保持時間t3は、1分以上120分以下であることが好ましい。前記保持時間t3が1分未満である場合には、ウェーハのバルク部において十分にBMD核を析出、成長させることが難しい場合がある。また、シリコンウェーハの酸素濃度が高い場合には、この第2の熱処理において表層部におけるCOPの消滅が十分になされない場合がある。前記保持時間t3が120分を超える場合には、生産性が低下する場合があり、また、その他の熱処理起因の不具合不純物拡散やスリップ等が発生する場合がある。前記第2の熱処理における前記第3の最高到達温度までの昇温速度図8でいうとΔTu2a、ΔTu2b及び前記第3の最高到達温度からの降温速度図8でいうとΔTd2は、1°C/分以上5°C/分以下であることが好ましい。このような昇温速度及び降温速度とすることで、前記第2の熱処理の昇温時におけるスリップ転位の発生を抑制することができ、更に、BMD密度の向上も図ることができる。前記第1の熱処理における昇温時の昇温速度図7でいうとΔTu1は、生産性やスリップ発生等の観点から10°C/秒以上250°C/秒以下であることが好ましい。CZ法によるシリコン単結晶インゴットの育成は、V/G値V:引き上げ速度、G:シリコン融点から1300°Cまでの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値を制御して原子空孔COPが多く取り込まれたV-リッチ領域からなるシリコン単結晶インゴットを育成することが好ましい。具体的には、周知の単結晶引上装置を用いて、シリコン融液の液面に種結晶を接触させて、種結晶と石英ルツボを回転させながら種結晶を引き上げてネック部及び所望の直径まで拡径する拡径部を形成後、所望の直径を維持しながら、V-リッチ領域となるようにV/G値を所定値例えば、0.25~0.35mm2/°Cminに制御して直胴部を形成し、その後、所望の直径から縮径する縮径部を形成してシリコン融液から切り離すことで行う。このような方法により行うことで、単結晶育成時において、生産性の低下を抑制することができる。なお、ここでいうV-リッチ領域からなるとは、前述したOSF領域を排除するものではない。次に、上述したシリコンウェーハの熱処理方法を備えたシリコンウェーハの製造方法について説明する。図9は、本発明に係るシリコンウェーハの熱処理方法を備えたシリコンウェーハの製造方法の第1の態様を示す工程フロー図である。前記第1の態様は、CZ法によりシリコン単結晶インゴットを育成する工程S101と、前記シリコン単結晶インゴットをスライスして円板状のウェーハを作製する工程S102と、前記作製したスライスウェーハの表裏面を平坦化処理する工程S103と、前記平坦化処理されたウェーハの少なくとも半導体デバイス形成面となる表面を鏡面研磨する工程S104と、前記鏡面研磨されたウェーハに対して、前記第1の熱処理S105及び第2の熱処理S106を行う工程と、を備える。すなわち、前記第1の態様は、前述したシリコンウェーハの熱処理方法を、少なくとも半導体デバイス形成面となる表面が鏡面研磨されたウェーハに対して行う。このような工程を備えることで、上述した効果を備えたシリコンウェーハを得ることができる。なお、前記平坦化処理には、周知のラッピング処理、片面研削処理、両面研削処理、エッチング処理エッチング処理については、主に、弗酸HF、硝酸HNO3、酢酸CH3COOH及び水H2Oを一定の比率で混合した酸エッチング溶液中に、前記平坦化処理されたウェーハの全面を浸漬する酸エッチング処理が含まれる。前記鏡面研磨には、周知の片面研磨、両面研磨が含まれる。すなわち、前記平坦化処理S103から前記鏡面研磨S104は、例えば、前記作製したスライスウェーハの表裏面をラッピング処理後、両面研削処理し、その後、両面研磨する工程や、ラッピング処理後、エッチング処理し、その後、両面研磨する工程等が含まれる。図10は、本発明に係るシリコンウェーハの熱処理方法を備えたシリコンウェーハの製造方法の第2の態様を示す工程フロー図である。前記第2の態様は、CZ法によりシリコン単結晶インゴットを育成する工程S201と、前記シリコン単結晶インゴットをスライスして円板状のウェーハを作製する工程S202と、前記作製したスライスウェーハの表裏面を平坦化処理する工程S203と、前記平坦化処理されたウェーハに対して、前記第1の熱処理S204及び第2の熱処理S205を行う工程と、前記第2の熱処理されたウェーハの少なくとも半導体デバイス形成面となる表面を鏡面研磨する工程S206と、を備える。すなわち、前記第2の態様は、前述したシリコンウェーハの熱処理方法を、平坦化処理後のウェーハに対して行う。このような工程を備えることで、上述した効果に加え、第2の熱処理時において表層部からの酸素の外方拡散等が少なく、表層部にCOPが残存したとしても、後の研磨工程で、当該表層部を除去することができるため好ましい。前記第2の態様において熱処理する平坦化処理されたウェーハは、ラッピング処理されたウェーハやエッチング処理されたウェーハが含まれる。図11は、本発明に係るシリコンウェーハの熱処理方法を備えたシリコンウェーハの製造方法の第3の態様を示す工程フロー図である。前記第3の態様は、CZ法によりシリコン単結晶インゴットを育成する工程S301と、前記シリコン単結晶インゴットをスライスして円板状のウェーハを作製する工程S302と、前記作製したスライスウェーハに対して、前記第1の熱処理S303及び第2の熱処理S304を行う工程と、前記第2の熱処理を行ったスライスウェーハの表裏面を平坦化処理する工程S305と、前記平坦化処理されたウェーハの少なくとも半導体デバイス形成面となる表面を鏡面研磨する工程S306と、を備える。すなわち、前記第3の態様は、前述したシリコンウェーハの熱処理方法を、スライスウェーハに対して行う。このような工程を備えることで、上述した第2の態様と同様の効果を得ることができる。図12は、本発明に係るシリコンウェーハの熱処理方法を備えたシリコンウェーハの製造方法の第4の態様を示す工程フロー図である。前記第4の態様は、CZ法によりシリコン単結晶インゴットを育成する工程S401と、前記シリコン単結晶インゴットをスライスして円板状のウェーハを作製する工程S402と、前記作製したスライスウェーハの表裏面を平坦化処理する工程S403と、前記平坦化処理されたウェーハに対して、前記第1の熱処理を行う工程S404と、前記第1の熱処理されたウェーハの少なくとも半導体デバイス形成面となる表面を鏡面研磨する工程S405と、前記鏡面研磨されたウェーハに対して、前記第2の熱処理を行う工程S406と、を備える。すなわち、前記第4の態様は、前述したシリコンウェーハの熱処理方法において第1の熱処理を平坦化処理後に行い、第2の熱処理を鏡面研磨後に行う。このような工程を備えることで、上述した効果に加え、第1の熱処理後、表層部にCOPが残存したとしても、後の研磨工程で除去することができるため、第2の熱処理の負担軽減熱処理温度や熱処理時間の短縮化等を図ることができる。図13は、本発明に係るシリコンウェーハの熱処理方法を備えたシリコンウェーハの製造方法の第5の態様を示す工程フロー図である。前記第5の態様は、CZ法によりシリコン単結晶インゴットを育成する工程S501と、前記シリコン単結晶インゴットをスライスして円板状のウェーハを作製する工程S502と、前記作製したスライスウェーハに対して、前記第1の熱処理を行う工程S503と、前記第1の熱処理されたウェーハの表裏面を平坦化処理する工程S504と、前記平坦化処理されたウェーハの少なくとも半導体デバイス形成面となる表面を鏡面研磨する工程S505と、前記鏡面研磨されたウェーハに対して、前記第2の熱処理を行う工程S506と、を備える。すなわち、前記第5の態様は、前述したシリコンウェーハの熱処理方法において第1の熱処理をスライスウェーハに対して行い、第2の熱処理を鏡面研磨後に行う。このような工程を備えることで、上述した第4の態様と同様の効果を得ることができる。以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明は、下記実施例により限定解釈されるものではない。[試験1]実施例1CZ法によりV/G値V:引き上げ速度、G:シリコン融点から1300°Cまでの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値を制御して原子空孔COPが多く取り込まれた面内の一部にOSF領域を含むV-リッチ領域からなるシリコン単結晶インゴットを育成し、該領域からスライスされた両面が鏡面研磨されたシリコンウェーハ直径300mm、厚さ775μm、酸素濃度1.2~1.3×1018atoms/cm3を、600°Cで保持された周知のRTP装置の反応空間内に投入し、図7に示すような温度シーケンスにて、酸素100ガス流量20slm雰囲気中、昇温速度を10°C/秒、第1の温度を1350°C、その保持時間15秒、降温速度を120°C/秒として600°Cまで降温する第1の熱処理を行った。その後、前記第1の熱処理を行ったウェーハを、600°Cで保持された周知の縦型熱処理装置の反応空間内に投入し、図8に示すような温度シーケンスにて、アルゴン100ガス流量30slm雰囲気中、600°Cから900°Cまでの昇温速度を5°C/分として、900°Cにて180分間一定に保持し、その後、900°Cから1200°Cまで2~3°C/分で昇温して、1200°Cで1時間保持し、1200°Cからの降温速度を1200°Cから900°Cまでは2~3°C/分、900°Cから600°Cまでは5°C/分として第2の熱処理を行った。比較例1前記第2の熱処理のうち、900°Cにて180分間一定に保持せず、昇温速度を600°Cから900°Cまでは5°C/分、900°Cから1200°Cまでは2~3°C/分で昇温して、その他は実施例1と同様な方法で熱処理を行った。比較例2前記第1の熱処理を行わないで、その他は実施例1と同様な方法で熱処理を行った。比較例3前記第1の熱処理を行わないで、その他は比較例1と同様な方法で熱処理を行った。次に、前記第2の熱処理を行ったウェーハに対して、IRトモグラフィーレイテックス社製MO-441にて、ウェーハの中心から外周までの直径方向のウェーハ表面から深さ7μm以降のバルク部深さ7μm~300μmにおけるBMD密度及び散乱光強度を評価した。また、前記評価した散乱光強度から式1を用いて、ウェーハ中心0mm、ウェーハの中心から直径方向に110mmの位置BMD低密度領域内及び145mmの位置ウェーハ外周の3点におけるBMDサイズを算出した。BMDサイズ=散乱光強度1/6×20式1また、レイテックス社製LSTDスキャナMO601を用いて、前記第2の熱処理を行ったウェーハの表面から深さ5μm領域までのウェーハの半導体デバイス形成面となる表面全体の表層部の欠陥数を評価し、その欠陥密度を算出した。更に、前記第2の熱処理を行ったウェーハの裏面に発生するスリップ長をX線トポグラフィ株式会社リガク製XRT300にて評価した。表1に本試験における試験条件を、表2に本試験の各条件におけるウェーハ中心0mm、ウェーハの中心から直径方向に110mmの位置BMD低密度領域内及び145mmの位置ウェーハ外周の3点におけるBMDサイズの平均値をそれぞれ示す。また、図14に、本試験の各条件におけるウェーハの中心から外周までのウェーハ直径方向におけるBMD密度の面内分布を、図15から図18に、本試験の各条件におけるウェーハ中心0mm、ウェーハの中心から直径方向に110mmの位置BMD低密度領域内及び145mmの位置ウェーハ外周の3点における各々の算出されたBMDサイズの頻度分布を、図19に本試験におけるウェーハ中心0mm、ウェーハの中心から直径方向に110mmの位置BMD低密度領域内及び145mmの位置ウェーハ外周の3点における表面から深さ315μmまでのウェーハ断面のBMD画像をそれぞれ示す。図14を見てもわかるように、前記第1の熱処理を行った場合実施例1、比較例1には、第1の熱処理を行わない場合比較例2、比較例3よりもウェーハの直径方向におけるBMD密度の面内均一性が向上していることが認められる。更に、実施例1と比較例1、比較例2と比較例3をそれぞれ比較するとわかるように、昇温時に900°Cで3時間保持する場合は、BMD密度の面内均一性が良化していることが認められる。また、図15から図19を見てもわかるように、前記第1の熱処理を行った場合実施例1、比較例1には、ウェーハの面内3点におけるBMDサイズの頻度分布がほぼ一直線上となり、また、ウェーハ断面のBMD画像においてもウェーハ面内3点でほぼ同等であることが認められる。これに対し、前記第1の熱処理を行わない場合比較例2、3は、ウェーハの面内3点におけるBMDサイズの頻度分布が一直線上とならず大きくばらついており、また、断面のBMD画像においてもウェーハ面内3点でBMD密度が異なっている明暗が大きいことが認められる。また、表2に示すように、第1の熱処理を行うことで実施例1、比較例1、行わない場合比較例2、3よりも各々BMD平均サイズを小さくすることができる。このように、BMD平均サイズが小さくなることで、BMD起因のスリップ転位の発生を抑制することができる。更に、第2の熱処理において、昇温時に900°Cで180分間保持すること実施例1で、これをしない場合比較例1よりも、ウェーハの直径方向のBMD密度をウェーハの面内全体で高めることができる。なお、表層部の欠陥密度は、いずれの条件下であっても低密度であることが認められる。また、全条件ともウェーハ裏面のスリップ転位はほとんど確認されなかった。試験2CZ法によりV/G値V:引き上げ速度、G:シリコン融点から1300°Cまでの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値を制御して原子空孔COPが多く取り込まれた面内の一部にOSF領域を含むV-リッチ領域からなるシリコン単結晶インゴットを育成し、該領域からスライスされた両面が鏡面研磨されたシリコンウェーハ直径300mm、厚さ775μm、酸素濃度1.2~1.3×1018atoms/cm3を、600°Cで保持された周知のRTP装置の反応空間内に投入し、図7に示すような温度シーケンスにて、酸素100ガス流量20slm雰囲気中、昇温速度を10°C/秒、第1の最高到達温度の保持時間15秒ただし、比較例1に関しては30秒にて、前記第1の最高到達温度及び降温速度を変化させて第1の熱処理を行って、熱処理条件の異なる複数のウェーハを作製した。その後、前記第1の熱処理を行ったウェーハを、600°Cで保持された周知の縦型熱処理装置の反応空間内に投入し、図8に示すような温度シーケンスにて、アルゴン100ガス流量30slm雰囲気中、600°Cから900°Cまでの昇温速度を5°C/分として、900°Cにて180分間一定に保持し、その後、900°Cから1200°Cまで2~3°C/分で昇温して、1200°Cで1時間保持し、1200°Cからの降温速度を1200°Cから900°Cまでは2~3°C/分、900°Cから600°Cまでは5°C/分として第2の熱処理を行った。前記第2の熱処理を行ったウェーハに対して、試験1と同様な方法にて、ウェーハの中心から外周までの直径方向のウェーハ表面から深さ5μm以降のバルク部におけるBMD密度、欠陥密度及びスリップ長を評価した。なお、この際のBMD密度の測定にあっては、酸素100ガス雰囲気中、BMD析出熱処理800°Cで4時間および1000°Cで16時間を行っている。表3に本試験における試験条件を、図20に、本試験の各条件におけるウェーハの中心から外周までのウェーハ直径方向のBMD密度の面内分布をそれぞれ示す。図20から見てもわかるように、比較例4においては、従来例1の面内分布の傾向を依然有しており、従来例1で確認されるBMD低密度領域は確認されないものの、ウェーハ外周部においてBMD密度が高くなっており、BMD密度の面内均一性が低いことが認められる。これに対して、実施例2では、比較例4よりもBMD密度の面内均一性が向上していることが認められる。更に、実施例3では、ウェーハ中心から外周に向けて、BMD密度が緩やかに低下する傾向はあるものの、従来例1、比較例4及び実施例2で見られるようなBMD密度の増減傾向が確認されず、BMD密度の面内均一性が更に向上していることが認められる。加えて、実施例4から6では、BMD密度がウェーハの面内方向においてより一定に近くなり、実施例3よりも更にBMD密度の面内均一性が向上していることが認められる。なお、表層部の欠陥密度は、いずれの条件下であっても、0.11~0.13/cm2であり低密度であることが認められた。また、全条件ともウェーハ裏面のスリップ転位はほとんど確認されなかった。