"アルミ箔上で200°C、2時間加熱して硬化させたとき、エーテル結合を形成し、得られる硬化体が下記i~iiiを満たす、エポキシ樹脂組成物。i1GHzにおける誘電率εが2.0以上3.5以下ii1GHzにおける誘電正接tanδが0.002以上0.02以下iii25°Cで赤外吸収法により分析したとき、炭素-炭素二重結合の伸縮振動を示すピークを基準ピークとし、前記基準ピークに対する前記エーテル結合の伸縮運動を示すピーク強度の比率をI1とし、前記基準ピークに対するエポキシ基の伸縮運動を示すピーク強度の比率をI2としたとき、I1/I2が2以上一分子内に二個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂と、三級アミンとを含む、請求項1に記載のエポキシ樹脂組成物。前記iについて、前記硬化体の1GHzにおける誘電率εが2.0以上3.0以下である、請求項1又は2に記載のエポキシ樹脂組成物。前記iiについて、前記硬化体の1GHzにおける誘電正接tanδが0.002以上0.01以下である、請求項1乃至3いずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物。前記iiiについて、I1/I2が5以上である、請求項1乃至4いずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物。請求項1乃至5いずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物からなる樹脂層と、繊維基材とを有する、プリプレグ。請求項6記載のプリプレグの片面又は両面に金属層を形成してなる、積層板。請求項1乃至5いずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化体。請求項7記載の積層板の片面又は両面に回路形成面を有してなる、プリント配線板。請求項9記載のプリント配線板に実装された半導体素子を備える半導体装置。しかしながら、情報処理機器の信号伝搬速度の更なる高速化の要求に応えるため、特許文献1よりもいっそう誘電特性を向上させたエポキシ樹脂組成物が求められる。また、特許文献2の技術では、誘電特性を向上させる一方で、他の特性については、従来のエポキシ樹脂組成物よりも低下してしまう。例えば、特許文献2の実施例では、硬化条件として、170°C、3MPaの条件で1時間加圧プレス、次いで、190°C、133Paの条件で真空乾燥器中10時間熱硬化させることが記載されており、硬化剤を用いた従来のエポキシ樹脂組成物と比較して、硬化に時間がかかるという点で問題がある。また、特許文献2の樹脂組成物により形成された配線板は、プロセス条件下例えば、エッチングで、硬化剤に含まれるエステル結合が加水分解するため、機械強度が低下したり、表面が平滑にならないといった問題もある。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、誘電特性を向上させつつ、他の特性を維持できる、エポキシ樹脂組成物を提供することにある。本発明によれば、アルミ箔上で200°C、2時間加熱して硬化させたとき、エーテル結合を形成し、得られる硬化体が下記i~iiiを満たす、エポキシ樹脂組成物が提供される。i1GHzにおける誘電率εが2.0以上3.5以下ii1GHzにおける誘電正接tanδが0.002以上0.02以下iii25°Cで赤外吸収法により分析したとき、炭素-炭素二重結合の伸縮振動を示すピークを基準ピークとし、前記基準ピークに対する前記エーテル結合の伸縮運動を示すピーク強度の比率をI1とし、前記基準ピークに対するエポキシ基の伸縮運動を示すピーク強度の比率をI2としたとき、I1/I2が2以上また、本発明によれば、上記のエポキシ樹脂組成物からなる樹脂層と、繊維基材とを有する、プリプレグが提供される。また、本発明によれば、上記のプリプレグの片面又は両面に金属層を形成してなる、積層板が提供される。また、本発明によれば、上記のエポキシ樹脂組成物の硬化体が提供される。また、本発明によれば、上記の積層板の片面又は両面に回路形成面を有してなる、プリント配線板が提供される。さらに、本発明によれば、上記のプリント配線板に実装された半導体素子を備える半導体装置が提供される。本発明によれば、アルミ箔上で200°C、2時間加熱して硬化させたとき、エポキシ基が自己重合してエーテル結合を形成し、得られる硬化体が上記i~iiiを満たす。したがって、硬化させたとき水酸基の発生が抑えられ、誘電率を上昇させることなく誘電正接を向上させることができる。また、本発明では、エポキシ基を自己重合させたものであるため、硬化剤を必要とせず、エッチング等の過酷なプロセス条件下で特性を低下させる懸念がない。したがって、誘電特性を向上させつつ、他の特性を維持できるエポキシ樹脂組成物が実現可能になる。本発明によれば、誘電特性を向上させつつ、他の特性を維持できるエポキシ樹脂組成物が提供される。以下、本発明の実施の形態について、説明する。本発明のエポキシ樹脂組成物に含まれるエポキシ樹脂としては、一分子内に二個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であれば特に限定されないが、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、アルキル置換型ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ハロゲン置換型ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、アルキル置換型ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ハロゲン置換型ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、シクロペンタジエン型エポキシ樹脂が挙げられる。これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、2種類以上を併用することもできる。エポキシ樹脂はエポキシ樹脂組成物中30重量以上を含むことが好ましい。こうしたエポキシ樹脂組成物を用いて得られるプリプレグは、金属箔に積層させたとき、高いピール強度を発現することができる。また、エポキシ樹脂組成物中のエポキシ樹脂は、誘電正接を十分に低下させるという観点から、90重量以下とすることが好ましい。本発明において、エポキシ樹脂を自己重合してエーテル結合を形成させる反応を効率的に実行させるためには、触媒を含むことが好ましい。触媒としては、三級アミン化合物、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルトII、トリスアセチルアセトナートコバルトIII等の有機金属塩、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸等、トリフェニルホスフィン等のリン系触媒が挙げられるが、三級アミン化合物が特に好ましい。三級アミン化合物としては、3つの炭素原子と結合した窒素原子を分子内に少なくとも1つ有するアミン化合物であれば特に限定されないが、エポキシ樹脂組成物の硬化条件で揮発しないものが好ましい。三級アミン化合物としては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリベンジルアミンなどの脂肪族三級アミン、トリフェニルアミン、トリp-トルイルアミンなどの芳香族三級アミン、イミダゾール、ピリジン、p-ジメチルアミノピリジン、N-メチルモルホリン、キノリン、イソキノリン、ピリミジン、ピペラジンなどの含窒素複素環式化合物、及び、これらの誘導体などが挙げられる。中でも含窒素複素環状式化合物が好ましく、イミダゾール又はその誘導体が特に好ましい。イミダゾールの誘導体としては、イミダゾール骨格を有するものであればよく、例えば、2-メチルイミダゾール、1,2-ジメチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-ウンデシルイミダゾール、2-ヘプタデシルイミダゾール、1-イソブチル-2-メチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール1B2PZ、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾール、2,4-ジアミノ-62′-メチルイミダゾール1′エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-62′-ウンデシルイミダゾール1′エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-62′-エチル-4-メチルイミダゾール1′エチル-s-トリアジン、2-フェニル-3,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-ヒドロキシメチル-5-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニル-3,5-ジシアノエトキシメチルイミダゾール、2,3-ジヒドロ-1H-ピロロ[1,2-a]ベンズイミダゾールTBZ、2,4-ジアミノ-6-2-ウンデシルイミダゾリル-1-エチル-s-トリアジンC11Z-Aなどのトリアジンダクトイミダゾ-ルが挙げられる。エポキシ樹脂のエポキシ基のモル数Aに対する三級アミン化合物のモル数Bの比B/Aは、0.05~0.65であるが、耐熱性ガラス転移点を向上させるという観点からは、0.1~0.25であることが好ましい。また、三級アミン化合物の含有量は、エポキシ樹脂100重量部に対し、5~50重量部であることが好ましいが、耐熱性ガラス転移点の観点からは、5~20重量部とすることがより好ましい。三級アミン化合物の含量を下限値以上にすることで、良好な誘電特性を得ることができる。また、三級アミン化合物の含量を上限値以下にすることで、高いガラス転移温度を得ることができる。本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂を含んでいてもよい。エポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂としては、ユリア尿素樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂等が挙げられる。また、本発明のエポキシ樹脂組成物は、導体層との密着性を向上させるための樹脂成分を添加しても良い。例えば、フェノキシ樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂等が挙げられる。本発明のエポキシ樹脂組成物は、タルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムなどの無機充填材を含んでいてもよいが、中でも低熱膨張性に優れる溶融シリカが好ましい。その形状は破砕状、球状があるが、樹脂組成物の溶融粘度を下げるためには球状シリカを使う、などその目的に合わせた使用方法が採用される。無機充填材は、エポキシ樹脂組成物に含まれる下限値を50重量以上にすると、熱膨張、吸水率が小さくなるので好ましい。また、エポキシ樹脂組成物に含まれる上限値を90重量以下にすると、含浸等の操作性を低下させる懸念がない。本発明のエポキシ樹脂組成物は、樹脂と充填材との界面のぬれ性を向上させるため、シランカップリング剤を用いることもできる。シランカップリング剤としては、エポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、シリコーンオイル型カップリング剤等が挙げられ、これらを1種又は複数種用いてもよい。シランカップリング剤の顔料は、エポキシ樹脂組成物全体に対して、0.1~5重量が好ましい。0.1重量以上とすることで、充填材の表面全体にカップリング剤を分散させることができる。また5重量以下とすることで、ガラス転移温度の低下を防ぐことができる。本発明のエポキシ樹脂組成物は、その特性を損なわない範囲で、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤等の上記成分以外の添加剤を添加することができる。本発明のエポキシ樹脂組成物は、アルミ箔上で200°C、2時間、大気圧下で加熱して硬化させたとき、得られる硬化体の1GHzにおける誘電率εが2.0以上3.5以下であるが、上限が3.0以下であるとより好ましい。また、該硬化体の1GHzにおける誘電正接tanδが0.002以上0.02以下であるが、上限が0.01以下であると好ましい。なお、本発明において、誘電率ε、及び、誘電正接tanδは、25°Cで空洞共振器法により測定したものをいい、例えば、空洞共振器ADMS101c、AET社製を用いて測定することができる。また、本発明のエポキシ樹脂組成物は、アルミ箔上で200°C、2時間、大気圧下で加熱して硬化させたとき、エーテル結合を形成し、得られる硬化体を25°Cで赤外吸収法により分析したとき、炭素-炭素二重結合の伸縮振動を示すピーク1500cm-1付近を基準ピークとし、基準ピークに対するエーテル結合の伸縮運動を示すピーク1130cm-1付近のピーク強度の比率をI1とし、基準ピークに対するエポキシ基の伸縮運動を示すピーク916cm-1付近のピーク強度の比率をI2としたとき、I1/I2が2以上であるが、5以上であるとより好ましい。なお、赤外吸収法による分析は、例えば、赤外分光計AVATAE320FT-IR、ThermoNicolet社製を用いて、25°Cで行うことができる。サンプルは、溶媒を用いずニートのまま測定する。また、本発明のエポキシ樹脂組成物は、アルミ箔上で200°C、2時間、大気圧下で加熱して硬化させたとき、得られる硬化体の弾性率が150GPa以上30GPa以下とすることができる。本明細書でいう弾性率とは、50°C、1Hzで測定した貯蔵弾性率をいい、動的粘弾性測定装置DMAを用いて測定することができる。つづいて、プリプレグについて説明する。このプリプレグは、前述のエポキシ樹脂組成物からなる樹脂層と、繊維基材とを有するものである。これにより、誘電特性及び耐熱性に優れたプリント配線板を製造するのに好適なプリプレグを得ることができる。繊維基材としては、特に限定されないが、ガラス織布、ガラス不織布等のガラス繊維基材、ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維等のポリアミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維等のポリエステル系樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維等を主成分とする織布または不織布で構成される合成繊維基材、クラフト紙、コットンリンター紙、リンターとクラフトパルプとの混抄紙等を主成分とする紙基材等の有機繊維基材等が挙げられる。これらの中でもガラス繊維基材が好ましい。これにより、プリプレグの強度が向上し、吸水率を下げることができ、また、熱膨張係数を小さくすることができる。ガラス繊維基材を構成するガラスは、特に限定されないが、例えばEガラス、Cガラス、Aガラス、Sガラス、Dガラス、NEガラス、Tガラス、Hガラス等が挙げられる。これらの中でもEガラス、Tガラス、または、Sガラスが好ましい。これにより、ガラス繊維基材の高弾性化を達成することができ、熱膨張係数も小さくすることができる。プリプレグを製造する方法は、特に限定されないが、例えば、前述したエポキシ樹脂組成物を用いて樹脂ワニスを調製し、繊維基材を樹脂ワニスに浸漬する方法、各種コーターにより塗布する方法、スプレーにより吹き付ける方法等が挙げられる。これらの中でも、繊維基材を樹脂ワニスに浸漬する方法が好ましい。これにより、繊維基材に対する樹脂組成物の含浸性を向上することができる。なお、繊維基材を樹脂ワニスに浸漬する場合、通常の含浸塗布設備を使用することができる。樹脂ワニスに用いられる溶媒は、エポキシ樹脂組成物中の樹脂成分に対して良好な溶解性を示すことが望ましいが、悪影響を及ぼさない範囲で貧溶媒を使用しても構わない。良好な溶解性を示す溶媒は、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンMIBK、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系等が挙げられる。樹脂ワニスの固形分は、特に限定されないが、エポキシ樹脂組成物の固形分50~80重量が好ましく、特に60~78重量が好ましい。これにより、樹脂ワニスの基材への含浸性を更に向上できる。繊維基材にエポキシ樹脂組成物を含浸させた後、所定温度に加熱して乾燥させてプリプレグを得ることができる。乾燥温度は、特に限定されないが、例えば90~220°Cとすることができる。前述のプリプレグの片面又は両面に金属層を形成して積層板を作製してもよい。この積層板は、具体的には、前述したプリプレグを少なくとも1枚又は複数枚積層したものの上下両面に金属箔を重ね、加熱及び加圧することで、作製することができる。加熱する温度は、特に限定されないが、120~230°Cが好ましく、特に150~210°Cが好ましい。また、加圧する圧力は、特に限定されないが、1~5MPaが好ましく、特に2~4MPaが好ましい。これにより、誘電特性、高温多湿化での機械的、電気的接続信頼性に優れた積層板を得ることができる。金属箔は、特に限定されないが、例えば銅及び銅系合金、アルミ及びアルミ系合金、銀及び銀系合金、金及び金系合金、亜鉛及び亜鉛系合金、ニッケル及びニッケル系合金、錫及び錫系合金、鉄および鉄系合金等の金属箔が挙げられる。金属箔の厚さは、特に限定されないが、0.1μm以上70μm以下であることが好ましい。金属箔の厚さを0.1μm以上とすることで、金属箔の傷つき、ピンホールの発生が抑制される。また、金属箔をエッチングし導体回路として用いた場合には、回路パターン成形時のメッキバラツキ、回路断線、エッチング液やデスミア液等の薬液の染み込みなどが発生する懸念がなくなる。また、上限を70μm以下とすることで、金属箔の厚みや金属箔粗化面の表面粗さのバラツキを最小限にすることができる。また、本発明のエポキシ樹脂組成物からなる樹脂層をキャリアフィルム又は金属箔上に形成して、接着シートを作製してもよい。この場合、まず、本発明のエポキシ樹脂組成物を、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサンシクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール等の有機溶剤中で、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転式分散方式などの各種混合機を用いて溶解、混合、撹拌して樹脂ワニスを作製する。樹脂ワニス中のエポキシ樹脂組成物の含有量は、特に限定されないが、45~85重量が好ましく、特に55~75重量が好ましい。次に樹脂ワニスを、各種塗工装置を用いて、キャリアフィルム又は金属箔上に塗工した後、これを乾燥する。または、樹脂ワニスをスプレー装置によりキャリアフィルムまたは金属箔に噴霧塗工した後、これを乾燥する。これらの方法により、接着シートを作製することができる。塗工装置は、特に限定されないが、例えば、ロールコーター、バーコーター、ナイフコーター、グラビアコーター、ダイコーター、コンマコーターおよびカーテンコーターなどを用いることができる。これらの中でも、ダイコーター、ナイフコーター、およびコンマコーターを用いる方法が好ましい。これにより、ボイドがなく、均一な樹脂層の厚みを有する接着シートを効率よく製造することができる。キャリアフィルムは、キャリアフィルムに樹脂層を形成するため、取扱いが容易であるものを選択することが好ましい。また、キャリアフィルムは、回路形成面を有する積層板の回路形成面に接着シートの樹脂層を積層後に剥離することから、積層板に積層後、剥離が容易であるものであることが好ましい。例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂などの耐熱性を有した熱可塑性樹脂フィルムなどを用いることが好ましい。中でも、剥離が容易であるという観点から、ポリエステルで構成されるフィルムが特に好ましい。キャリアフィルムの厚さは、特に限定されないが、1~100μmが好ましく、特に3~50μmが好ましい。こうすることで、取扱いが容易で、かつ、樹脂層の表面の平坦性に優れる接着シートとすることができる。積層板の回路形成面に接着シートを積層した後、金属箔は、剥離しても良いし、エッチングして導体回路を形成しても良い。金属箔は、前述した積層板で使用可能なものと同じものを用いることができるが、金属箔の厚みは、さらには、1μm以上35μm以下が好ましく、1.5μm以上18μm以下がより好ましい。また、金属箔は、キャリア箔付き極薄金属箔を用いることもできる。キャリア箔付き極薄金属箔とは、剥離可能なキャリア箔と極薄金属箔とを張り合わせた金属箔である。キャリア箔付き極薄金属箔を用いることで樹脂層の両面に極薄金属箔層を形成できる。したがって、例えば、セミアディティブ法などで回路を形成する場合、無電解メッキを行うことなく、極薄金属箔を直接給電層として電解メッキすることで、回路を形成後、極薄銅箔をフラッシュエッチングすることができる。キャリア箔付き極薄金属箔を用いることによって、厚さ10μm以下の極薄金属箔でも、例えばプレス工程での極薄金属箔のハンドリング性の低下や、極薄銅箔の割れや切れを防ぐことができる。極薄金属箔の厚さは、0.1μm以上10μm以下が好ましい。薄金属箔の厚みの下限値を0.1μm以上とすることで、キャリア箔を剥離後の極薄金属箔の傷つき、極薄金属箔のピンホールの発生が抑制される。また、ピンホールの発生による回路パターン成形時において、メッキバラツキ、回路配線の断線、エッチング液やデスミア液等の薬液の染み込みなどが発生する懸念がなくなる。また、上限値を10μm以下とすることで、極薄金属箔の厚みや粗化面の表面粗さのバラツキを小さくすることができる。さらには、0.5μm以上5μm以下が好ましく、1μm以上3μm以下がより好ましい。通常、キャリア箔付き極薄金属箔は、プレス成形後の積層板に回路パターン形成する前にキャリア箔を剥離する。次に、プリント配線板について説明する。このプリント配線板は、前述した積層板の片面又は両面に回路形成面を有してなるものである。具体的には、両面に銅箔を有する積層板を用意し、ドリル等によりスルーホールを形成し、メッキにより前記スルーホールを充填した後、積層板の両面に、エッチング等により所定の導体回路内層回路を形成し、導体回路を黒化処理等の粗化処理して回路形成面を作製する。次に積層板の回路形成面に、前述した接着シート又は前述したプリプレグを形成し、真空加圧式ラミネーターなどを用いて加熱加圧成形する。加熱加圧成形する条件としては特に限定されないが、一例を挙げると、温度60~160°C、圧力0.2~3MPaで実施することができる。その後、平板プレス装置などを用いて加熱加圧成形してもよい。加熱加圧成形する条件としては、特に限定されないが、一例を挙げると、温度140~240°C、圧力1~4MPaで実施することができる。次に、本発明のエポキシ樹脂組成物を硬化して、積層板の回路形成面に積層するビルドアップ層を形成する。硬化条件としては特に限定されないが、一例を挙げると、温度100°C~250°C、30~180分間で実施することができる。加圧してもよいが、大気圧下で硬化させることが好ましい。その後、ビルドアップ層の表面を過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤などにより粗化処理し、金属メッキにより新たな導電配線回路を形成することができる。また、これをコア材として、さらに、ビルドアップ層を形成させてもよい。次に、ビルドアップ層に、炭酸レーザー装置を用いて開口部を設け、電解銅めっきによりビルドアップ層表面に外層回路形成を行い、外層回路と内層回路との導通を図る。なお、外層回路には、半導体素子を実装するための接続用電極部を設ける。その後、最外層にソルダーレジストを形成し、露光現像により半導体素子が実装できるよう接続用電極部を露出させ、ニッケル金メッキ処理を施し、所定の大きさに切断して、プリント配線板を得る。つづいて、半導体装置について説明する。半導体装置は、上述した方法にて製造されたプリント配線板に半導体素子を実装し、製造することができる。半導体素子の実装方法、封止方法は特に限定されない。例えば、半導体素子とプリント配線板とを用い、フリップチップボンダーなどを用いてプリント配線板上の接続用電極部と半導体素子の半田バンプの位置合わせを行う。その後、IRリフロー装置、熱板、その他加熱装置を用いて半田バンプを融点以上に加熱し、プリント配線板と半田バンプとを溶融接合することにより接続する。そして、プリント配線板と半導体素子との間に液状封止樹脂を充填し、硬化させることで半導体装置を得ることができる。つづいて、本発明のエポキシ樹脂組成物の効果について具体的に説明する。本発明によれば、一分子内に二個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂をエーテル結合を介してエポキシ樹脂同士を重合させる。本発明の重合メカニズムの予測をしたものを式1に示す。従来、エポキシ樹脂と、一級アミンや二級アミンといった硬化剤とを反応させる方法では、下記式2で示すような反応が起こっていた。そのため、水酸基が発生し、誘電特性を低下させていた。一方、本発明の場合は、式1で示すように、触媒として用いる三級アミンの作用により、エポキシ基が開環して生じるアニオンがエポキシ基と反応して、エーテル結合を形成し、エポキシ樹脂同士の自己重合が発生する。そのため、アルコール性水酸基の生成が抑えられ、誘電率を上昇させることなく誘電正接が向上するとともに架橋密度も向上させることができる。なお、式1中では、触媒として三級アミンを用いる例を示すが、本発明はこれに限定されず、エポキシ基を開環できる触媒作用を有するいかなる化合物も用いることができる。また、本発明のエポキシ樹脂組成物は、硬化剤を用いた従来のエポキシ樹脂組成物の特性を良好に維持している。例えば、本発明のエポキシ樹脂組成物から形成される、積層板やプリント配線板の絶縁層は、140°C下のゲルタイムが10分以内であり、低温においても十分な硬化速度を有している。また、ガラス転移温度は100~200°C、吸水率は、0.1~0.2、熱膨張係数は、厚み方向で10~30K-1とすることができる。また、本発明のエポキシ樹脂組成物から形成される積層板やプリント配線板のピール強度は、硬化剤を用いた従来のエポキシ樹脂組成物と比べて良好であり、0.5~1.5kN/mとすることができる。したがって、本発明では、硬化剤を用いた従来のエポキシ樹脂組成物の特性を維持しつつ、さらに誘電特性を向上させた、エポキシ樹脂組成物が実現可能になる。なお、本発明のエポキシ樹脂組成物の評価は、JIS-C-6481プリント配線板用銅張積層板試験方法に準拠して行うことができる。以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。実施例1~10、比較例1~7表1に示す配合で、厚さ25μmのアルミ箔上で200°C、2時間加熱して硬化させた後アルミ箔を剥離してレジン板を得た。[評価1]1.誘電特性誘電率、誘電正接レジン板の1GHzでの誘電特性を空洞共振器法で測定した。結果を表1に示す。2.ガラス転移温度TMA熱機械分析、TAインスツルメント社製、TMAQ400にて熱膨張係数を測定し、熱膨張係数の変移点をガラス転移温度とした。結果を表1に示す。[評価2]表1で示す実施例1~3及び比較例1~3の配合で、厚さ25μmのアルミ箔上でエポキシ樹脂と三級アミン化合物とを混合し、200°Cのオーブンで2時間置いたものを赤外分光装置製品名:AVATAE320FT-IR、製造元:ThermoNicolet社製で測定した。1500cm-1付近の吸収帯における炭素-炭素二重結合C=Cの伸縮振動を示すピークを基準ピークI0とし、基準ピークのピーク強度I0に対する1130cm-1付近の吸収帯におけるエーテル結合-O-の伸縮振動を示すピークのピーク強度Ietherの比率I1、及び、基準ピークのピーク強度I0に対する916cm-1付近の吸収帯におけるエポキシ基の伸縮振動を示すピークのピーク強度Iepoxyの比率I2を調べた。結果を表2に示す。表2で示す結果から、エポキシ基の含有量に対する三級アミン化合物の存在量が増加することにより、エーテル結合の生成量が増加することが示された。したがって、本発明のエポキシ樹脂化合物では、式1で示すような自己重合が生じるため、アルコール性水酸基の生成が少なくなり、誘電特性が向上するものと推察された。実施例11~14、比較例9、10表3に示すように配合した樹脂ワニスを調製し、ガラスクロス1035E、日東紡績社製、厚み0.03mm100重量部に対して、樹脂ワニスで固形分80重量部含浸させた後、190°Cの乾燥炉で5分間乾燥させて、樹脂含有量55重量のプリプレグを作製した。このプリプレグを4枚重ね、両面を厚み35μmの銅箔で挟んで、220°C、4MPaで180分間加熱加圧成型を行い、厚さ0.5mmの銅張積層板を作製した。[評価3]1.誘電特性評価1と同じ方法で測定した。2.ゲルタイム140°Cに保った熱板上に1gの試料をのせ、スパチュラで、常時、かき混ぜながら、スパチュラを持ち上げても、樹脂組成物が糸を引かなくなるまでの時間を測定した。この時間が短いほど、硬化速度が速いことを示す。3.ピール強度JISC6481に準拠して測定した。4.吸水率銅箔を全面エッチングし、50mm×50mmのテストピースを切り出し、JISC6481に従い測定した。5.ガラス転移温度評価1と同じ方法で測定した。6.熱膨張係数厚み方向熱膨張係数をTMA熱機械分析、TAインスツルメント社製、TMAQ400で測定し、50°Cから150°Cの平均値を示した。"