測定対象に設けられた各々の反射波長が異なる複数のFBG17-1~17-Nに、該複数のFBGの反射波長を含む測定波長範囲の光を測定光として入射させ、該複数のFBGによって反射された前記測定光の反射光から各FBGの反射波長を測定するFBGセンサシステムにおいて、前記反射光を受けて電気信号に変換する受光器14と、前記受光器から出力される前記電気信号に基づいて前記FBGの反射波長を測定する制御処理手段15と、半導体レーザを有し、前記測定波長範囲を含んで所定の掃引周期で波長掃引された光を前記半導体レーザで発振させる波長可変光源10と、前記波長可変光源から出力される前記波長掃引された光の波長の情報を含む信号に基づいて、前記波長可変光源で発振された前記測定波長範囲の光をオン/オフするためのパルスを発生させるパルス発生器13と、前記パルスによりオン/オフされる光スイッチ11と、を備え、前記パルスで前記光スイッチをオン/オフさせることにより、前記複数のFBGのうちの1以上のFBGの反射波長を含み、他のFBGの反射波長を含まない波長範囲の光からなる光パルスを発生させ、該光パルスを前記測定光として前記複数のFBGに入射させることを特徴とするFBGセンサシステム。測定対象に設けられた各々の反射波長が異なる複数のFBG17-1~17-Nに、該複数のFBGの反射波長を含む測定波長範囲の光を測定光として入射させ、該複数のFBGによって反射された前記測定光の反射光から各FBGの反射波長を測定するFBGセンサシステムにおいて、前記反射光を受けて電気信号に変換する受光器14と、前記受光器から出力される前記電気信号に基づいて前記FBGの反射波長を測定する制御処理手段15と、半導体レーザを有し、前記測定波長範囲を含んで所定の掃引周期で波長掃引された光を前記半導体レーザで発振させる波長可変光源10と、前記波長可変光源から出力される前記波長掃引された光の波長の情報を含む信号に基づいて、前記波長可変光源で発振された前記測定波長範囲の光をオン/オフするためのパルスを発生させるパルス発生器13と、を備え、前記パルスで前記半導体レーザの駆動電流をオン/オフさせることにより、前記複数のFBGのうちの1以上のFBGの反射波長を含み、他のFBGの反射波長を含まない波長範囲の光からなる光パルスを発生させ、該光パルスを前記測定光として前記複数のFBGに入射させることを特徴とするFBGセンサシステム。前記波長可変光源は、一方のレーザ光出射端面20aがARコートされている前記半導体レーザ20と、前記半導体レーザのARコートされている端面から出射された光をコリメートするコリメートレンズ21と、前記コリメートレンズから出射されたコリメート光を受けて波長に応じた角度で回折させる回折格子22と、反射体24と反射体駆動手段25とを含んで構成され、前記回折格子から入射される前記コリメート光に対する回折光が、前記反射体の反射面で前記回折格子へ反射されて、再び該回折格子で回折され、それによって得られた回折光が前記コリメートレンズを介して前記半導体レーザに入射されるとき、該半導体レーザに入射される回折光が所望の波長の光となるようにするとともに、該所望の波長が前記測定波長範囲を含んで往復掃引されるように前記反射体の反射面の角度を前記反射体駆動手段により前記所定の掃引周期で繰り返し変化させるMEMSスキャナ23と、を備えたことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のFBGセンサシステム。前記MEMSスキャナの反射体は、固定基板36、37と、該固定基板の縁部から所定幅で所定長さ延設され、その長さ方向に沿って捩じれ変形可能な軸部38、39と、該軸部の先端に自身の縁部で連結されて形成され、一面側に前記回折格子からの回折光を反射させるための前記反射面が設けられた反射板40と、を有しており、前記MEMSスキャナの反射体駆動手段は、前記反射体の軸部と反射板とからなる部分の固有振動数に対応した周波数の駆動信号によって前記反射板に力を与えて、該反射板を前記固有振動数又はそれに近い振動数の前記所定の掃引周期で往復回転させるように構成されていることを特徴とする請求項3に記載のFBGセンサシステム。しかしながら、特許文献1に開示されたような従来のFBGセンサシステムには、上記の仮の反射波長を各FBGの反射波長と見なした各FBGの反射スペクトルが互いに重なり合わないように、FBGを反射波長の順に配置するとともに、FBG間の距離を適切に設定しなければならないという制約があった。ところが、実際のFBGセンサシステムは、必ずしも上記の制約を満たすものではない。例えば、特許文献1に開示されたようなFBGセンサシステムにおいて、FBGが破損し、破損したFBGが以前と異なる反射波長のFBGに交換される場合には、交換後のFBGが反射波長の順に配置されていないことがあり得る。本発明は、このような従来の課題を解決するためになされたものであって、波長可変光源からFBGまでの光路長が不明であるとともに、FBGが反射波長の順に配置されていない場合であっても、測定対象の歪測定や温度測定を精度良く行うことが可能なFBGセンサシステムを提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の請求項1のFBGセンサシステムは、測定対象に設けられた各々の反射波長が異なる複数のFBGに、該複数のFBGの反射波長を含む測定波長範囲の光を測定光として入射させ、該複数のFBGによって反射された前記測定光の反射光から各FBGの反射波長を測定するFBGセンサシステムにおいて、前記反射光を受けて電気信号に変換する受光器と、前記受光器から出力される前記電気信号に基づいて前記FBGの反射波長を測定する制御処理手段と、半導体レーザを有し、前記測定波長範囲を含んで所定の掃引周期で波長掃引された光を前記半導体レーザで発振させる波長可変光源と、前記波長可変光源から出力される前記波長掃引された光の波長の情報を含む信号に基づいて、前記波長可変光源で発振された前記測定波長範囲の光をオン/オフするためのパルスを発生させるパルス発生器と、前記パルスによりオン/オフされる光スイッチと、を備え、前記パルスで前記光スイッチをオン/オフさせることにより、前記複数のFBGのうちの1以上のFBGの反射波長を含み、他のFBGの反射波長を含まない波長範囲の光からなる光パルスを発生させ、該光パルスを前記測定光として前記複数のFBGに入射させることを特徴とする構成を有している。この構成により、仮の反射波長を各FBGの反射波長と見なした各FBGの反射スペクトルが互いに重なり合う場合であっても、複数のFBGのうちの1以上のFBGの反射波長を含み、他のFBGの反射波長を含まない波長範囲の光からなる光パルスを発生させるため、測定対象の歪測定や温度測定を精度良く行うことができる。また、本発明の請求項2のFBGセンサシステムは、測定対象に設けられた各々の反射波長が異なる複数のFBGに、該複数のFBGの反射波長を含む測定波長範囲の光を測定光として入射させ、該複数のFBGによって反射された前記測定光の反射光から各FBGの反射波長を測定するFBGセンサシステムにおいて、前記反射光を受けて電気信号に変換する受光器と、前記受光器から出力される前記電気信号に基づいて前記FBGの反射波長を測定する制御処理手段と、半導体レーザを有し、前記測定波長範囲を含んで所定の掃引周期で波長掃引された光を前記半導体レーザで発振させる波長可変光源と、前記波長可変光源から出力される前記波長掃引された光の波長の情報を含む信号に基づいて、前記波長可変光源で発振された前記測定波長範囲の光をオン/オフするためのパルスを発生させるパルス発生器と、を備え、前記パルスで前記半導体レーザの駆動電流をオン/オフさせることにより、前記複数のFBGのうちの1以上のFBGの反射波長を含み、他のFBGの反射波長を含まない波長範囲の光からなる光パルスを発生させ、該光パルスを前記測定光として前記複数のFBGに入射させることを特徴とする構成を有していてもよい。また、本発明の請求項3のFBGセンサシステムは、前記波長可変光源が、一方のレーザ光出射端面がARコートされている前記半導体レーザと、前記半導体レーザのARコートされている端面から出射された光をコリメートするコリメートレンズと、前記コリメートレンズから出射されたコリメート光を受けて波長に応じた角度で回折させる回折格子と、反射体と反射体駆動手段とを含んで構成され、前記回折格子から入射される前記コリメート光に対する回折光が、前記反射体の反射面で前記回折格子へ反射されて、再び該回折格子で回折され、それによって得られた回折光が前記コリメートレンズを介して前記半導体レーザに入射されるとき、該半導体レーザに入射される回折光が所望の波長の光となるようにするとともに、該所望の波長が前記測定波長範囲を含んで往復掃引されるように前記反射体の反射面の角度を前記反射体駆動手段により前記所定の掃引周期で繰り返し変化させるMEMSスキャナと、を備えたことを特徴とする構成を有していてもよい。また、本発明の請求項4のFBGセンサシステムは、前記MEMSスキャナの反射体が、固定基板と、該固定基板の縁部から所定幅で所定長さ延設され、その長さ方向に沿って捩じれ変形可能な軸部と、該軸部の先端に自身の縁部で連結されて形成され、一面側に前記回折格子からの回折光を反射させるための前記反射面が設けられた反射板と、を有しており、前記MEMSスキャナの反射体駆動手段は、前記反射体の軸部と反射板とからなる部分の固有振動数に対応した周波数の駆動信号によって前記反射板に力を与えて、該反射板を前記固有振動数又はそれに近い振動数の前記所定の掃引周期で往復回転させるように構成されていることを特徴とする構成を有していてもよい。本発明は、波長可変光源からFBGまでの光路長が不明であるとともに、FBGが反射波長の順に配置されていない場合であっても、測定対象の歪測定や温度測定を精度良く行うことが可能なFBGセンサシステムを提供するものである。以下、本発明に係るFBGセンサシステムの実施形態について図面を用いて説明する。第1の実施形態本発明に係るFBGセンサシステムの第1の実施形態を図1を用いて説明する。図1は本実施形態のFBGセンサシステム1の構成の一例を示すブロック図である。本実施形態のFBGセンサシステム1は、測定対象に設けられた各々の反射波長が異なるN個のFBG17-1~17-Nに、N個のFBG17-1~17-Nの反射波長を含む所定の波長範囲以下、測定波長範囲と記すの光を測定光Mとして入射させ、N個のFBG17-1~17-Nによって反射された測定光Mの反射光MRから各FBG17-1~17-Nの反射波長を測定するものである。ここで、FBG17-1~17-Nの反射波長は、例えば測定波長範囲内で5nmずつ異なるものである。また、FBG17-1~17-Nの配置順は、反射波長の順番であってもよいし、そうでなくてもよい。図1に示すように、FBGセンサシステム1は、ファイバ16に形成されたFBG17-1~17-Nからの反射光MRを受けて電気信号cに変換する受光器PD14と、PD14から出力される電気信号cに基づいてFBG17-1~17-Nの反射波長を測定する制御処理手段15と、上記測定波長範囲を含んで所定の掃引周期で波長掃引された光を発振する波長可変光源10と、波長可変光源10から出力される波長掃引された光の波長の情報を含む信号a、bに基づいて、波長可変光源10で発振された測定波長範囲の光をオン/オフするためのパルスdを発生させるパルス発生器13と、パルス発生器13から出力されたパルスdでオン/オフされることにより測定光Mとしての光パルスを発生させる光スイッチ11と、光スイッチ11から出力された測定光Mをファイバ16に出射するとともに、FBG17-1~17-Nからの反射光MRをPD14に出射する光サーキュレータ12と、を備える。図2は、本実施形態のFBGセンサシステム1が備える波長可変光源10の構成を示すブロック図である。波長可変光源10は、図2に示すように、一方のレーザ光出射端面20aがARコートされている半導体レーザLD20と、LD20のARコートされている端面20aから出射された光をコリメートするコリメートレンズ21と、コリメートレンズ21から出射されたコリメート光を受けて波長に応じた角度で回折させる回折格子22と、回折格子22からのコリメート光の回折光が入射されるMEMSMicroElectroMechanicalSystemsスキャナ23と、を備える。MEMSスキャナ23は、反射体24と反射体駆動手段25とを含んで構成され、反射体24の反射面の角度を反射体駆動手段25により所定の掃引周期で繰り返し変化往復回転させるようになっている。このような構成により、具体的には、回折格子22から入射されるコリメート光に対する回折光が、反射体24の反射面で回折格子22へ反射されて、再び回折格子22で回折され、それによって得られた回折光がコリメートレンズ21を介してLD20に入射されるとき、LD20に入射される回折光が所望の波長の光となるようにするとともに、この所望の波長が測定波長範囲を含んで往復掃引されるようになっている。なお、MEMSスキャナ23を構成する反射体24及び反射体駆動手段25については後で詳述する。このような構成によって、LD20に駆動電流が印加されているときには、波長掃引された光が発振されて、LD20のARコートされていない端面20bから出射されて測定光Mとなる。なお、反射体駆動手段25は、反射体24の反射面の角度を往復回転させるために自身で発生している駆動信号波長範囲、掃引周期を決めているを、掃引信号aとしてパルス発生器13及び制御処理手段15図1参照へ出力する。さらに、波長可変光源10は、回折格子22の0次光が入射され、所定の波長の0次光のみを透過させるエタロン等の光共振器26と、光共振器26から出力された所定の波長の0次光を受けて電気信号bに変換する受光器PD27と、を備えていてもよい。なお、PD27は、電気信号bをパルス発生器13及び制御処理手段15図1参照に出力するようになっている。即ち、光共振器26において、測定光Mの波長掃引に対応して所定の波長間隔、例えば周波数で15GHz間隔の透過光が発生し、PD27で電気信号bに変換される。この透過光の波長周波数は既知である。従って、その透過光を光電変換して得られた電気信号bと上述の掃引信号aとを用いて、波長可変光源10の発振波長波長掃引された測定光の波長を求めることができる。なお、図2において、波長可変光源10は、LD20のARコートされている端面20aから出射された光をコリメートレンズ21によってコリメート光に変換して回折格子22へ入射させる構成を有しているが、LD20とコリメートレンズ21との間に集光レンズ不図示とファイバ不図示を設け、LD20のARコートされている端面20aから出射された光を集光レンズで集光してファイバに入射し、ファイバを通った光をコリメートレンズ21によってコリメート光に変換して回折格子22へ入射させるようにしてもよい。なお、波長可変光源10は、図2に示したような、LD20のARコートされていない端面20bから出射された光を測定光Mとするものに限定されるわけではなく、回折格子22の0次光を測定光Mとするものであってもよい。その場合には、図3に示すように、波長可変光源10は、回折格子22と光共振器26の間に、回折格子22からの0次光を分岐する光カプラ等の光分岐手段28を備えていてもよい。ここで、光分岐手段28は、分岐した0次光の一方を測定光Mとし、他方を光共振器26へ入射させるようになっている。このように0次光を出力光測定光Mとすると、LD20の内部共振モードの影響によって生じる出力光の強度変動約1dBを、LD20のARコートされていない端面20bから出射された光を出力光とする場合に比べて1/10程度に小さくできる。また、LD20のARコートされていない端面20bにHRHR:HighReflectionコートを施すことによって、0次光を出力光とする場合の出力光の光強度を増加させることができる。また、往復掃引可能な波長可変光源としては、上記図2及び図3に示したMEMSスキャナ23を用いて往復掃引させるものに限定されるわけではない。例えば、下記の文献に開示されているように、MEMSスキャナの代わりにガルバノメーターとこのガルバノメーターに固定されたミラーとを用いて往復掃引させるようなものであってもよい。あるいは、リトマン型、リトロー型、ファブリーペロー型、リングレーザ型、DBRDistributedBraggReflector型などの波長可変光源であってもよい。[非特許文献1]SHYunCBoudouxMCPierceJFdeBoerGJTearneyandBEBoumaExtendedCavitySemiconductorWavelengthSweptLaserforBiomedicalImagingIEEEPhotonicTechnologyLetters2004年1月、第16巻、第1号、pp.293-295ここで、MEMSスキャナ23による波長掃引について説明する。図4に示す駆動信号Da、Db詳細は後述するを印加してMEMSスキャナ23を所定の掃引周期で往復掃引する上述の反射体24を往復回転させると、図5aに示すように、MEMSスキャナ23の往復回転角度はほぼ正弦波的に変化し、その結果、掃引される波長も正弦波状に変化する。従って、測定光Mの測定波長範囲が、図5bに示すように、その正弦波状に変化する波形の直線に近い部分に来るように、MEMSスキャナ23の往復掃引の波長範囲往復回転角度の範囲が設定される。この設定は、駆動信号Da、Dbの振幅の調整により行うことができる。具体例としては、例えば、測定波長範囲を1520~1570nmとした場合、MEMSスキャナ23の往復掃引の波長範囲掃引波長範囲は、この測定波長範囲に対して十分に広い1470~1620nmに設定される。なお、上述の駆動信号Da、Dbのいずれか一方は、掃引信号aとしてパルス発生器13及び制御処理手段15図1参照に出力される。なお、図5b中には、短波から長波へ掃引している以下、アップ掃引と記すときの測定波長範囲と波長ずれ、及び、長波から短波へ掃引している以下、ダウン掃引と記すときの測定波長範囲と波長ずれを示している。これらの波長ずれは、波長可変光源10とFBG17-1~17-N図1参照との間の光路長に起因して発生するものである。本実施形態のFBGセンサシステム1は、アップ掃引又はダウン掃引のどちらか一方のみを用いるものであってもよいし、両方を用いるものであってもよい。図6は、波長掃引とパルスd及び光パルスSの関係を説明するためのグラフである。図6a、bに示すように、パルス発生器13図1参照は、波長可変光源10で発振される測定波長範囲の光の波長の情報を含む信号掃引信号a及び電気信号b、及び、後述する制御処理手段からの指示信号eに基づいて、波長可変光源10で発振される測定波長範囲の光を測定光Mとしてファイバ16に入射させるためのパルスdを発生させるようになっている。ここで、測定光Mの反射光MRの波長は、従来技術と同様にPD14図1参照が反射光MRを受光した時の波長可変光源10の発振波長に等しいと見なされて、制御処理手段のメモリ不図示に記憶されるものとする。例えば、アップ掃引時の反射光MRのスペクトルにおいて全てのFBGの反射波長が区別できる場合には、パルスdは、測定波長範囲の下限波長に対応する掃引時刻t1から、測定波長範囲の上限波長に対応する掃引時刻t2に亘る1つの電圧パルスであればよい。同様に、ダウン掃引時の反射光MRのスペクトルにおいて全てのFBGの反射波長が区別できる場合には、パルスdは、測定波長範囲の上限波長に対応する掃引時刻t3から、測定波長範囲の下限波長に対応する掃引時刻t4に亘る1つの電圧パルスであればよい。そして、このパルスdのオン/オフに応じて光スイッチ11図1参照がオン/オフされることにより、図6cに示す光パルスSが測定光Mとしてファイバ16に出射される。しかしながら、反射光MRのスペクトルにおいて、いくつかのFBGの反射スペクトルが重なり合って反射波長が区別できない場合もあり得る。この場合には、上記の光パルスSから該当するFBGの反射波長に対応する波長範囲をカットさせればよい。ここで、ユーザは、不図示の操作部により、測定を行うFBG、あるいは、測定から除外するFBGを制御処理手段15図1参照に対して指示できるものとする。例えば、ファイバ16の入射部から各FBG17-1~17-Nまでの光路長が既知であり、反射光MRのスペクトルにおいて反射スペクトルが重なり合っているFBGをユーザが特定できる場合には、制御処理手段15は、該当するFBGの反射波長を含まない波長範囲の光からなる光パルスSを生成するための指示信号eをパルス発生器13に出力する。図7aに、N=10個のFBG17-1~17-10のうち、反射光MRのスペクトルにおいて、アップ掃引時掃引時刻t1~t2にFBG17-3とFBG17-4の反射スペクトルが重なった場合のスペクトル例を示す。ここで、横軸の波長とは、PD14図1参照が反射光MRを受光した時の波長可変光源10の発振波長である。この場合には、制御処理手段15は、FBG17-3の反射波長を含まない波長範囲の光からなる光パルスS図7bを生成するための指示信号eをパルス発生器13に出力する。さらに、制御処理手段15は、図7bに示した光パルスSによるFBG17-3以外のFBGの反射波長の測定の終了後に、FBG17-3の反射波長を含む波長範囲の光からなる光パルスSを生成するための指示信号eをパルス発生器13に出力する構成であるとよい。このときの光パルスSは、図7cに示すように、FBG17-4の反射波長を含まない波長範囲の光からなる。なお、各FBGの反射波長を含む波長範囲とは、各FBGの反射スペクトルの線幅よりも広いが、他のFBGの反射スペクトルに跨らない範囲であるとする。具体的には、FBGの反射波長が5nmずつ異なり、各FBGの反射スペクトルの線幅が0.3nm程度である場合には、上記の波長範囲は1~2nm程度であればよい。一方、ファイバ16の入射部から各FBG17-1~17-Nまでの光路長が不明であり、反射光MRのスペクトルにおいて反射スペクトルが重なり合っているFBGをユーザが特定できない場合には、制御処理手段15は、1つのFBGの反射波長を含まず、他のFBGの反射波長を含む波長範囲の光からなる光パルスSを順次発生させるための指示信号eをパルス発生器13に出力すればよい。なお、本実施形態においては、図7b、cに示したような1つのFBGの反射波長を含む波長範囲をカットした光パルスSの代わりに、1つのFBGの反射波長を含む波長範囲の光のみからなる光パルスSを用いてもよい。これは、本実施形態においては、光スイッチ11図1参照による光パルスSのオン/オフに関わらず、エタロン等からなる光共振器26図2、3参照から所定の波長の光が出力されるためである。一方、後述する第2の実施形態においては、光パルスSがオフとなる期間に光共振器26からの光出力もオフとなってしまうため、光共振器26による波長可変光源10の波長校正に極力影響を与えないためには、オフとなる期間がオンとなる期間よりも十分に短い、図7b、cのような光パルスSを用いることが望ましい。次に、図2及び図3に示した波長可変光源10の一部を構成するMEMSスキャナ23の反射体24及び反射体駆動手段25について詳述する。反射体24は、図8に示すように、横長矩形で互いに平行に配置された一対の固定基板36、37と、この一対の固定基板36、37の長辺側縁部の中央からこの固定基板36、37と直交する方向に所定幅、所定長さで延設され、その長さ方向に沿って捩じれ変形可能な一対の軸部38、39と、横長矩形で一方の長辺側縁部の中央部で軸部38の先端に連結され、他方の長辺側縁部の中央部で軸部39の先端に連結された反射板40とを有している。この反射板40は、捩じれ変形可能な軸部38、39に中心部が支持されているので、この軸部38、39を結ぶ線を中心軸として固定基板36、37に対して回転することができる。また、軸部38、39と反射板40とからなる部分の固有振動数f0は、反射板40自体の形状や質量及び軸部38、39のバネ定数によって決まる。また、反射板40の一面側には、光を反射するための反射面41が形成されている。この反射面41は、反射板40自体を鏡面仕上げして形成したり、反射率の高い膜図示しないを蒸着あるいは接着して形成したりしたものであってもよい。なお、この反射体24は、薄い半導体基板からエッチング処理等により一体的に切り出されたもので、金属膜の蒸着加工により高導電性を有している。支持基板45は絶縁性を有する材料からなり、その一面側の上部と下部には、前方へ突出する支持台45a、45bが形成されており、反射体24の固定基板36、37は、この上下の支持台45a、45bに接した状態で固定されている。また、支持基板45の一面側中央部の両端には、反射体24の反射板40の両端にそれぞれ対向する電極板46、47がパターン形成されている。この電極板46、47は、後述する駆動信号発生器55とともに反射体駆動手段25図2、3参照を構成するものであり、反射板40の両端部に静電力を交互にかつ周期的に印加して、反射板40を、軸部38、39を結ぶ線を中心に往復回転運動させる。なお、反射板40の回転軸は回折格子22図2、3参照の回折溝と平行となるように設定されている。このように構成された反射体24は、回折格子22からの回折光を反射板40の反射面41で受けて、その反射光を回折格子22へ入射させて、再度回折させる。一方、反射体駆動手段25図2、3参照の一部を構成する駆動信号発生器55は、例えば図4a、bに示すように、反射体24の電位を基準として電極板46、47に対して、固有振動数f0に対応した周波数あるいは固有振動数f0の近傍の振動数に対応した周波数を有し、位相が180°ずれた駆動信号Da、Dbを印加して、電極板46と反射板40の一端側との間及び電極板47と反射板40の他端側との間に、交互にかつ周期的に静電力引力を与え、反射板40を固有振動数f0あるいはその近傍の振動数で所定角度範囲を往復回転させる。また、この駆動信号発生器55は、2つの駆動信号Da、Dbのいずれか一方を掃引信号aとして制御処理手段15図1参照に出力する。なお、図4では、2つの駆動信号Da、Dbがデューティ比50の矩形波の場合を示しているが、両信号のデューティ比は50以下であってもよく、また、波形も矩形波に限らず、正弦波、三角波等であってもよい。このような反射体24及び反射体駆動手段25によって構成されたMEMSスキャナ23図2、3参照では、反射体24を、一対の固定基板36、37と、その縁部から所定幅で所定長さ延設され、その長さ方向に沿って捩じれ変形可能な軸部38、39と、軸部38、39の先端に自身の縁部で連結され、軸部38、39に対して対称な形状に形成され、一面側に反射面41が形成された反射板40とによって構成するとともに、反射体24の軸部38、39と反射板40とからなる部分の固有振動数f0に対応した周波数の駆動信号によって反射板40に力を与えて、反射板40を固有振動数f0又はその近傍の振動数で往復回転させている。このため、僅かな電気エネルギーで反射板40を高速に往復回転させることができ、しかも、その回転中心が反射板40の内部この場合、中央部にあるので、反射板40の反射面41への入射光の反射角の変化量を大きくすることができる。なお、軸部38、39のバネ定数は、軸部38、39の長さ、幅、厚み、材質によって決まり、このバネ定数と、反射板40の形状、厚み、材質等で固有振動数f0が決定され、これらのパラメータを選ぶことにより、固有振動数f0を数100Hz~数10kHzの範囲内で設定することができる。従って、本発明のFBGセンサシステムの波長可変光源10図1参照は、上記のような反射体24及び反射体駆動手段25を用いてMEMSスキャナ23を構成するようにしたので、掃引速度の高速化最大数10kHzができる。なお、上述の図8の説明では、反射体24を導電性の高い材料で構成していたが、反射体24を導電性の低い材料で構成する場合には、反射板40の反射面41と反対面の両側全面でもよいに電極板46、47と対向する電極板をそれぞれ設け、さらに固定基板36、37の背面側にも電極板を設け、それらの電極板の間をパターン等によって接続する。そして、支持基板45の支持台45a、45bの表面に、固定基板36、37の背面側の電極板と接触する電極板をパターン形成して、その少なくとも一方を基準電位ラインとして上述した駆動信号発生器55に接続すればよい。また、固定基板36、37の一端側同士の間あるいは両端の間を連結して、固定基板をコの字枠あるいは矩形枠状に形成してもよい。また、反射板40の形状も任意であり、上述の横長矩形の他に、円形、楕円形、長円形、菱形、正方形、多角形等であってもよい。また、高速往復回転時の空気抵抗を減らすために、反射板40の内側に大きな穴あるいは多数の小さな穴を設けてもよい。また、上述の図8の説明では、反射体24の反射板40の両端にそれぞれ対向する2つの電極板46、47を設けていたが、一方側の電極板例えば電極板46だけによって静電力を印加してもよい。また、駆動方式についても、上述の静電力の他に、電磁力によって反射板40を往復回転させてもよい。この場合、例えば、上述の電極板46、47の代わりにコイルを用い、反射板40の両端部に磁性体あるいはコイルを設け、コイル間あるいはコイルと磁性体との間に発生する磁界による吸引力及び反発力によって、反射板40を往復回転させる。また、上述の静電力や電磁力を反射板40に直接与える方法の他に、超音波振動子等によって上述の固有振動数f0又はその近傍の振動を反射体24全体に加えて、その振動を反射板40に伝達させて往復回転させることも可能である。この場合、振動子を支持基板45の背面側や支持台45a、45bの部分に設けることで、その振動を反射板40に効率的に伝達することができる。以上説明したように、本実施形態のFBGセンサシステムは、複数のFBGのうちの1以上のFBGの反射波長を含み、他のFBGの反射波長を含まない波長範囲の光からなる光パルスを発生させるものである。この構成により、FBGからの反射スペクトルのピーク値を受光器が検出した時の波長可変光源の発振波長を、各FBGの反射波長と見なした場合に、各FBGの反射スペクトルが互いに重なり合ったとしても、測定対象の歪測定や温度測定を精度良く行うことができる。即ち、本実施形態のFBGセンサシステムは、波長可変光源からFBGまでの光路長が不明であるとともに、FBGが反射波長の順に配置されていない場合であっても、測定対象の歪測定や温度測定を精度良く行うことができる。なお、本実施形態では1つのファイバ内にFBGが直列に配置される例を挙げたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、図9aに示すように、光サーキュレータ12の後段に光カプラ60を設け、光カプラ60でFBGが形成されたファイバを分岐する構成であってもよい。あるいは、図9bに示すように、ループ状のファイバ内にFBGが形成される構成であってもよい。第2の実施形態本発明に係るFBGセンサシステムの第2の実施形態を図面を参照しながら説明する。なお、第1の実施形態と同様の構成及び動作については適宜説明を省略する。図10は本実施形態のFBGセンサシステム2の構成の一例を示すブロック図である。第1の実施形態では、光スイッチのオン/オフにより光パルスSを生成する構成を例に挙げたが、本実施形態では光スイッチをオン/オフさせる代わりに、波長可変光源10が有するLD20の駆動電流をオン/オフさせる構成について述べる。即ち、本実施形態のFBGセンサシステム2は、光スイッチの代わりに、パルス発生器13から出力されたパルスd電圧信号をパルスd電流信号に変換する電圧電流変換器18を備え、電圧電流変換器18から出力されたパルスdをLD20の駆動電流として利用する構成を有している。上記の構成により、パルスdがオンとなることによりLD20の駆動電流がオンになっているときには、波長掃引された光が発振されて、LD20のいずれかの端面から出射されて測定光Mとなる。ここで、MEMSスキャナ23図2、3参照の往復掃引は、パルスdのオン/オフ即ち、LD20の駆動電流のオン/オフに関わらず、第1の実施形態と同様に連続して行われている。従って、本実施形態のFBGセンサシステムは、駆動電流としてのパルスdをオン/オフさせることにより、第1の実施形態と同様に、複数のFBGのうちの1以上のFBGの反射波長を含み、他のFBGの反射波長を含まない波長範囲の光からなる光パルスSを発生させ、光パルスSを測定光Mとして複数のFBGに入射させることができる。なお、本実施形態においては、光パルスSがオフとなる期間にLD20の発光そのものがオフとなることにより、光共振器26からの光出力もオフとなってしまう。従って、光共振器26による波長可変光源10の波長校正に極力影響を与えないためには、1つのFBGの反射波長を含む波長範囲のみをカットした光パルスS図7b、c参照を用いることが望ましい。