真空チャンバと、この真空チャンバの底部に配置され、上面に基板を吸着する静電チャックを有するステージと、この真空チャンバの上部に、静電チャックで吸着された基板に対してスパッタ粒子を斜入射させるように配置された少なくとも2個のスパッタリングカソードと、各スパッタリングカソードと基板との間を選択的に遮蔽する遮蔽手段と、を備え、前記静電チャックの上面が露出している場合に、当該静電チャックの上面を選択的に覆う保護板を更に備えたことを特徴とする多元スパッタリング装置。前記保護板を、基板への成膜に先立ってスパッタリングカソードのターゲットをプレスパッタリングする際に、基板上面を覆うシャッター板と兼用することを特徴とする請求項1記載の多元スパッタリング装置。本発明は、上記点に鑑み、静電チャックの基板吸着面にパーティクルが付着することを抑制できるようにした多元スパッタリング装置を提供することをその課題とするものである。上記課題を解決するために、本発明の多元スパッタリング装置は、真空チャンバと、この真空チャンバの底部に配置され、上面に基板を吸着する静電チャックを有するステージと、この真空チャンバの上部に、静電チャックで吸着された基板に対してスパッタ粒子を斜入射させるように配置された少なくとも2個のスパッタリングカソードと、各スパッタリングカソードと基板との間を選択的に遮蔽する遮蔽手段と、を備え、前記静電チャックの上面が露出している場合に、当該静電チャックの上面を選択的に覆う保護板を更に備えたことを特徴とする。本発明によれば、保護板を設け、処理すべき基板が存在せず、静電チャックの上面が露出している場合には、この保護板で静電チャック上面を覆うため、遮蔽板やこの遮蔽板の駆動手段等の各部品に付着、堆積したパーティクルが剥離して落下しても、保護板上に落下するだけである。従って、静電チャックの基板吸着面にパーティクルが付着することが抑制される。本発明においては、前記保護板を、基板への成膜に先立ってカソードユニットのターゲットをプレスパッタリングする際に、基板上面を覆うシャッター板と兼用するようにすれば、少ない部品点数で、静電チャックの基板吸着面にパーティクルが付着することを抑制する構成をも実現できる。以下、図面を参照して、処理すべき基板Wをウエハとし、単一の処理室内でこのウエハWの表面に多層構造の薄膜を成膜する複数のターゲットを備えた本発明の実施形態の多元スパッタリング装置を説明する。多元スパッタリング装置SMは、図1及び図2に示すように、図外の真空排気手段が接続される真空チャンバ1を備え、処理室11を構成する。真空チャンバ1の底部には、円筒形状のステージ2が設けられている。ステージ2には、抵抗加熱式のヒータ21が内蔵されている。なお、特に図示して説明しないが、冷媒循環路を設けて当該ステージ2を所定の温度に冷却できるようにしてもよい。ステージ2の上面には静電チャック3が配置されている。静電チャック3は、PBNパイロリティックボロンナイトライド製の誘電体で構成され、その内部には、相互に絶縁された正負の電極31、32が埋設されている。そして、両電極31、32に図外のチャック電源から直流電圧を印加すると、発生する静電気力で基板Wが静電チャック3の上面で吸着される。また、ステージ2には、真空チャンバ1内に図示省略の真空シールを介して突設する回転軸22が連結され、成膜時にステージ2、ひいては、基板Wを一定の回転速度で回転するようにしている。真空チャンバ1の上部には、水平方向に対して所定角度で傾斜させて配置されるターゲットT1、T2を備えるスパッタリングカソードCが設けられている。なお、図1では、2個のカソードユニットのみを図示しているが、カソードユニットの個数はこれに限定されるものではない。各ターゲットT1、T2は、基板W表面に形成しようとする薄膜に応じた材料製例えば、Te、Ni、Ti、Cu、Al、Mo製またはこれらの合金や化合物であり、各ターゲットT1、T2には、そのターゲット種に応じて、図外のDC電源や交流電源等のスパッタ電源が電気的に接続されている。そして、ターゲットT1、T2のスパッタリングによる成膜中、ターゲットT1、T2に負の電位を持った直流電力や交流電力が投入されるようになっている。カソードユニットCは、マグネトロン方式等、公知の構造のものが利用できるため、ここでは詳細な説明を省略する。また、真空チャンバ1の天板には、真空チャンバ1内に図示省略の真空シールを介して突設する回転軸41が設けられ、回転軸41の下端にはドーム状の遮蔽板4が設けられている。遮蔽板4には、ターゲットT1、T2のいずれか1つのみが静電チャック3に吸着された基板Wを臨む開口42が形成されている。なお、特に図示して説明しないが、真空チャンバ1内には、希ガス等のスパッタガス及び反応性ガスを導入するガス導入手段が設けられている。基板W表面に成膜する場合、静電チャック3で基板Wを吸着した状態の真空チャンバ1が所定圧力に達すると、回転軸41により遮蔽板4を回転させ、基板W表面に成膜しようとする薄膜に対応して選択されるターゲットT1またはT2に開口42を対応させる。この場合、ステージ2に内蔵したヒータ21を作動させて基板Wが所定温度に加熱される。そして、真空チャンバ1内にスパッタガスを導入し、ターゲットT1またはT2に負の電位を持った直流電力や高周波電力を投入し、当該ターゲットT1またはT2をスパッタリングすると、開口42を通過したスパッタ粒子が一定の速度で回転する基板Wに対して斜入射し、付着、堆積して所定の薄膜が成膜される。ところで、上記多元スパッタリング装置SMは、基板Wに対して平行にターゲットが配置されるものとは異なり、静電チャック3の直上に、遮蔽板4が存在し、スパッタリングによる成膜中、遮蔽板4の下面にもスパッタ粒子が付着、堆積する。そして、非成膜時ターゲットT1、T2をスパッタリングして基板W表面に成膜するとき以外の時間をいい、特に、処理前の基板Wが静電チャック3上に設置されるまでの間や処理済みの基板Wを搬出し、次の基板が搬入されて静電チャック上に設置されるまでの間で静電チャック3の上面が露出しているとき等、静電チャック3上に基板が存在しないときをいう、遮蔽板4に付着、堆積したもの以下、パーティクルというが剥離し、静電チャック3上に落下することがある。このことは、ターゲットT1、T2の一つが、例えばTeのように揮発性が高くかつ密着性が弱いものを使用していると、頻発する。そこで、本発明の実施形態では、真空チャンバ1に処理室11に連通する待機室12を設け、待機室12に静電チャック3の上面を選択的に覆う保護板5を配置している。保護板5は、静電チャック3により吸着可能な材質から構成され、静電チャック3の上面の面積より大きな面積を有する板状部材で構成される。そして、この保護板5を待機室12と処理室11内の静電チャック3直上の位置との間で移動するために、真空チャンバ1の底部には真空ロボットRが設けられている。真空ロボットRは、真空チャンバ1内に図示省略の真空シールを介して突設する回転軸R1と、この回転軸R1の上端に設けられたロボットハンドR2とから構成され、待機室12においては、ロボットハンドR2で保護板5が支持されるようになっている。なお、真空ロボットRについては、特に制限がなく、待機室12と処理室11内で静電チャック3直上の位置との間で保護板5を移動するものであれば他のものを使用することができる。また、ロボットハンドR2で支持されている保護板5の静電チャック3への受渡しについては、例えば、ステージ2に、当該ステージ2内に位置する退避位置と、当該ステージ2の上方に突出する受渡位置との間で上下動自在な複数本の支持ピン図示せずを内蔵しておき、この支持ピンを用いて行えばよい。そして、非成膜時、真空ロボットRにより保護板5を待機室12から処理室11の静電チャック3直上の位置に移動し、静電チャック3へと受渡した後、両電極31、32に図外のチャック電源から直流電圧を印加し発生する静電気力で保護板5を静電チャック3の上面で吸着させる。なお、基板Wの静電チャック3への受渡しについても、上記と同様に行うことができる。上記実施形態によれば、保護板5を設け、処理すべき基板Wが静電チャック3上面に存在せず、静電チャック3の上面が露出している場合には、この保護板5で静電チャック3の基板吸着面に吸着させてこの基板吸着面を覆うため、遮蔽板4の下面に付着、堆積したパーティクルが剥離して落下しても、保護板5上に落下するだけである。従って、静電チャック3の基板吸着面たる上面にパーティクルが付着することを抑制することができる。ところで、上記多元スパッタリング装置SMにおいて、ターゲット種によっては、基板Wへの成膜に先立ってターゲット表面を一旦スパッタリングしてクリーニングする所謂プレスパッタリングを行う場合がある。このときには、基板表面にスパッタ粒子が付着しないように保護する必要がある。このような場合には、真空ロボットRにより保護板5を待機室12から処理室11の静電チャック3直上の位置に移動させておけば、この保護板5が、基板Wの上面を覆うシャッター板の役割を果たすようになる。これによれば、少ない部品点数で、静電チャックの基板吸着面にパーティクルが付着することを抑制する構成をも実現できる。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記のものに限定されるものではない。上記実施形態では、一枚のドーム状の遮蔽板を備えたものを例に説明したが、各ターゲットを個々に遮蔽するように構成することもできる。また、本発明は、成膜により処理室内に存する部品に付着したものが静電チャック上面に付着する虞があるものであれば、多元スパッタリング装置以外の真空処理装置であっても適用できる場合がある。