"炭素数5~80の1-アルケンと無水マレイン酸とを共重合して共重合物を得る工程と、前記共重合物と、炭素数5~25のアルコールとを、トリフルオロメタンスルホン酸の存在下でエステル化反応させて、式c~fから選択される少なくとも1つの繰り返し単位を含むエステル化物を含有する反応混合物を得る工程を含む、エステル化物の製造方法。式c~f中、Rは炭素数3~78の脂肪族炭化水素基を示し、R2は炭素数5~25の炭化水素基を示し、mは、前記1-アルケンXと前記無水マレイン酸Yの共重合モル比X/Yを示し、1/2~10/1であり、nは1以上の整数である。エステル化物を含有する反応混合物を得る前記工程の後に、遊離トリフルオロメタンスルホン酸を減圧処理により除去する工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。前記反応混合物が、前記炭素数5~80の1-アルケンを含有する、請求項1に記載の方法。GPCにより測定される、前記反応混合物中の前記炭素数5~80の1-アルケンの含有割合が、8質量以上、20質量以下である、請求項3に記載の方法。前記1-アルケンが、炭素数28~60の1-アルケンである、請求項1に記載の方法。前記アルコールが、ステアリルアルコールである、請求項1に記載の方法。前記トリフルオロメタンスルホン酸が、前記共重合物と前記炭素数5~25のアルコールとの全質量に対し、100ppm以上、1000ppm以下の量である、請求項1に記載の方法。以下、本発明のエステル化物の製造方法について説明する。本発明のエステル化物の製造方法は、以下の工程を含む。a炭素数5~80の1-アルケンと無水マレイン酸とを共重合して共重合物を得る工程;およびb工程aで得られた共重合物と、炭素数5~25のアルコールとを、トリフルオロメタンスルホン酸の存在下でエステル化反応させて、式c~fから選択される少なくとも1つの繰り返し単位を含むエステル化物を含有する反応混合物を得る工程。式c~f中、Rは炭素数3~78の脂肪族炭化水素基を示し、R2は炭素数5~25の炭化水素基を示し、mは、上記1-アルケンXと上記無水マレイン酸Yの共重合モル比X/Yを示し、1/2~10/1であり、nは1以上の整数である。上記工程aで用いられる炭素数5~80の1-アルケンとしては、例えば、1-ペンテン、1-ヘキセン、1-オクテン、1-デセン、1-ドデセン、1-オクタデセン、1-エイコセン、1-ドコセン、1-テトラコンテン、1-ヘキサコンテン、1-オクタコセン、1-トリアコンテン、1-ヘントリアコンテン、1-ドトリアコンテン、1-トリトリアコンテン、1-テトラトリアコンテン、1-ペンタトリアコンテン、1-ヘキサトリアコンテン、1-テトラコンテン、1-ヘンテトラコンテン、1-ドテトラコンテン、1-トリテトラコンテン、1-テトラテトラコンテン、1-ペンタコンテン、1-ヘンペンタコンテン、1-ドペンタコンテン、1-トリペンタコンテン、1-ペンタペンタコンテン、1-ヘキサコンテン、1-ヘプタコンテン、1-オクタコンテン等の直鎖型1-アルケン、3-メチル-1-トリアコンテン、3,4-ジメチル-トリアコンテン、3-メチル-1-テトラコンテン、3,4-ジメチル-テトラコンテン等の分岐型1-アルケンなどが挙げられ、これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。1-アルケンの炭素数は、得られるエステル化合物を半導体素子の封止材として用いた場合、半導体素子が備えるリードフレームに対する接着性の観点から、炭素数10~70がより好ましく、離型性の観点から、炭素数28~60がさらに好ましい。上記工程aで得られる炭素数5~80の1-アルケンと無水マレイン酸との共重合物としては、例えば、式9および式10で示される構造を有する化合物が挙げられ、市販品としては、1-オクタコセン、1-トリアコンテン、1-テトラコンテン、1-ペンタコンテン、1-ヘキサコンテン等を原料として用いたダイヤカルナ登録商標30三菱化学株式会社製商品名が挙げられる。上記一般式9及び10中のRは、炭素数3~78の脂肪族炭化水素基を示し、nは1以上の整数である。mは、1-アルケンと無水マレイン酸の共重合比を示し、特に制限はないが、1-アルケンをXモル、無水マレイン酸をYモルとした場合、X/Y、すなわち、mは、1/2~10/1であり、好ましくは1/2~5/1であり、より好ましくは1/2~2/1であり、さらに好ましくはほぼ等モル程度の1/1前後である。1-アルケンと無水マレイン酸との共重合物の製造方法としては、特に制限はなく、原材料を反応させる等の一般的な共重合方法を用いることができる。反応には、1-アルケンと無水マレイン酸が溶解可能な有機溶剤等を用いてもよい。有機溶剤としては特に制限はないが、トルエンが好ましく、芳香族系溶剤、エーテル系溶剤、ハロゲン系溶剤等も使用できる。反応温度は、使用する有機溶剤の種類によっても異なるが、反応性、生産性の観点から、50~200°Cとすることが好ましく、100~150°Cとすることがより好ましい。反応時間は、共重合物が得られれば特に制限はないが、生産性の観点から1~30時間とするのが好ましく、より好ましくは2~15時間、さらに好ましくは4~10時間である。反応終了後、必要に応じて、加熱減圧下等で未反応成分、溶剤等を除去することができる。その条件は、温度を100~220°C、より好ましくは120~180°C、圧力を13.3×103Pa以下、より好ましくは8×103Pa以下、時間を0.5~10時間とすることが好ましい。また、反応には、必要に応じてアゾビスイソブチロニトリルAIBNや過酸化ベンゾイルBPO等のラジカル重合系開始剤を加えてもよい。工程aで得られた共重合物は、工程bにおいて、トリフルオロメタンスルホン酸の存在下、炭素数5~25のアルコールを用いてエステル化される。上記工程bで用いられる炭素数5~25のアルコールとしては、例えば、ペンチルアルコール、ヘキシルアルコール、オクチルアルコール、デシルアルコール、ラウリルアルコール、ミリスチルアルコール、セチルアルコール、ステアリルアルコール、エイコシルアルコール、ベヘニルアルコール、2-メチル-デカン-1-オール、2-エチル-デカン-1-オール、2-ヘキシル-オクタン-1-オール、等の直鎖型又は分岐型の脂肪族飽和アルコール、ヘキセノール、2-ヘキセン-1-オール、1-ヘキセン-3-オール、ペンテノール、2-メチル-1-ペンテーノール等の直鎖型又は分岐型の脂肪族不飽和アルコールなどが挙げられ、これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのなかでも、得られるエステル化物を半導体素子の封止材として用いた場合の離型性の観点から、炭素数10~25の直鎖型アルコールが好ましく、連続成形性の観点から、炭素数15~20の直鎖型脂肪族飽和アルコールがより好ましい。アルコールの炭素数が上記下限値未満では、連続成形性離型性が劣り、上記上限値を超えると半導体素子の銅製リードフレームに対する接着性が低下する傾向がある。トリフルオロメタンスルホン酸の量は、その性能を発揮するために、共重合物とアルコールの全質量に対して、100ppm以上、1000ppm以下の量とすることが好ましい。上記下限値を下回ると、エステル化触媒として十分機能せず、上記上限値を超えると、得られるエステル化物が酸化される場合がある。エステル化物の酸化物は、半導体素子の封止材として用いられた場合、連続成形性が低下する傾向がある。工程aで得られる共重合物と炭素数5~25のアルコールとのモル比は、特に制限はなく、任意に設定可能であるが、この反応モル比を調整することによって、エステル化物の親水性の程度をコントロールすることが可能であるので、適用する半導体封止材に合わせて適宜設定することが好ましい。反応には、1-アルケンと無水マレイン酸が溶解可能な有機溶剤等を用いてもよい。有機溶剤としては特に制限はないが、トルエンが好ましく、芳香族系溶剤、エーテル系溶剤、ハロゲン系溶剤等も使用できる。反応温度は、使用する有機溶剤の種類によっても異なるが、反応性、生産性の観点から、50~200°Cとすることが好ましく、120~170°Cがより好ましい。反応時間は、共重合物が得られれば特に制限はないが、生産性の観点から1~30時間とするのが好ましく、より好ましくは2~30時間、さらに好ましくは4~28時間である。反応終了後、必要に応じて、加熱減圧下等で未反応成分、溶剤等を除去することができる。その条件は、温度を100~220°C、より好ましくは120~180°C、圧力を13.3×103Pa以下、より好ましくは8×103Pa以下、時間を0.5~10時間とすることが好ましい。1-アルケンと無水マレイン酸の共重合物を、上記の炭素数5~25のアルコールを用いてエステル化して得られるエステル化物は、式c~fから選択される少なくとも1つの繰り返し単位を含む。式c~f中、Rは炭素数3~78の脂肪族炭化水素基を示し、R2は炭素数5~25の炭化水素基を示し、mは、上記1-アルケンXと上記無水マレイン酸Yの共重合モル比X/Yを示し、1/2~10/1であり、nは1以上の整数である。本発明のエステル化物は、1主鎖骨格中に式c~fのいずれか1種単独を含むもの、2主鎖骨格中に式c~fのいずれか2種以上をランダムに含むか、規則的に含むか、もしくはブロック状に含むもの、等が挙げられ、これらを単独であっても、2種以上の混合物であってもよい。共重合物とアルコールとのエステル化反応の反応収率は、好ましくは70モル以上であり、より好ましくは80モル以上であり、さらに好ましくは90以上である。工程bで得られるエステル化物を含む反応混合物は、工程aにおいて未反応で存在する1-アルケンを含んでいてもよい。反応混合物中の1-アルケンの含有割合は、GPCにより測定した場合、8質量以上、20質量以下であることが好ましい。含有割合が上記下限値以上であると、離型性を向上する効果が得られる。含有割合が上記上限値以下であると、接着性の低下等を引き起こす恐れが少ない。本発明の方法で得られるエステル化物の数平均分子量は、2000~10000であることが好ましい。上記範囲であれば、エステル化物を半導体の封止材として用いた場合、半導体素子の銅製リードフレームに対する接着性と離型性との両立が実現できる。1-アルケンと無水マレイン酸の共重合物を、トリフルオロメタンスルホン酸の存在下で、アルコールでエステル化した化合物の配合量は、特に制限はないが、エポキシ樹脂100質量部に対して0.5質量部以上、10質量部以下が好ましく、1質量部以上、5質量部以下がより好ましい。配合量が上記下限値未満では離型性が低下する傾向があり、上記上限値を超えると、酸化が進行した銅製リードフレームに対する接着性が不十分となる傾向がある。本発明において、工程bの後、必要に応じて、工程bで得られた反応混合物中の遊離トリフルオロメタンスルホン酸を、減圧処理により除去してもよい。上記方法により、トリフルオロメタンスルホン酸の含有量を低減できるため、工程bで得られるエステル化物を含む反応性生物は、半導体封止材として用いた場合、半導体素子の銅製リードフレームに対する接着性と離型性が良好である。以下、本発明について実施例を挙げて詳細に説明するが、本発明は何らこれらに限定されない。合成例1炭素数28~60の1-アルケンと無水マレイン酸との共重合物ダイヤカルナR30、三菱化学株式会社製100.0g、およびステアリルアルコール47.0gを、300mlの4つ口セパラブルフラスコに仕込み、70°Cで溶解させた後に、10wtトリフルオロメタンスルホン酸水溶液0.5gを添加した。得られた反応混合物を150°Cで5時間攪拌した。その後、液温を120°Cまで冷却して、30Torrの減圧下で、2時間減圧蒸留することにより、遊離のトリフルオロメタンスルホン酸と水を除去して、エステル化物Aを144g得た。GPC測定結果から、エステル化物A中の1-アルケン含有量は15質量であった。またエステル化物Aの硫黄含有量は74ppmであった。合成例2炭素数28~60の1-アルケンと無水マレイン酸との共重合物ダイヤカルナR30、三菱化学株式会社製100.0g、およびステアリルアルコール47.0gを、300mlの4つ口セパラブルフラスコに仕込み、70°Cで溶解させた後に、p-トルエンスルホン酸一水和物1.5gを添加した。得られた反応混合物を150°Cで4時間攪拌した。その後、液温を80°Cまで冷却して、アセトン131.7gを還流下で60分間かけて滴下した。滴下後は攪拌を止め、液温70°Cで60分間静置させると、反応母液が2層に分離した。未反応のステアリルアルコールおよびスルホン酸成分を含む上層のアセトン層は除去した。残る下層を30Torrの減圧下で、90°Cで6時間減圧留去を行うことにより、残存するアセトンを除去して、エステル化物Bを144g得た。GPC測定結果から、エステル化物B中の1-アルケン含有量は10質量であった。またエステル化物Bの硫黄含有量は800ppmであった。合成例3炭素数28~60の1-アルケンと無水マレイン酸との共重合物ダイヤカルナR30、三菱化学株式会社製100.0g、およびステアリルアルコール47.0gを、コンデンサーを装着した300mlの4つ口セパラブスフラスコに仕込み、70°Cで溶解させた後に、p-トルエンスルホン酸一水和物1.5gを添加した。得られた反応混合物を150°Cで4時間攪拌した。その後、液温を80°Cまで冷却して、アセトン131.7gを還流下で60分間かけて滴下した。滴下後は攪拌を止め、液温70°Cで60分間静置させると、反応母液が2層に分離した。未反応のステアリルアルコールおよびスルホン酸成分を含む上層のアセトン層は除去した。この洗浄操作を3回行った後、残る下層を30Torrの減圧下で、90°Cで6時間減圧留去を行うことにより、残存するアセトンを除去して、エステル化物Cを135g得た。GPC測定結果から、エステル化物C中の1-アルケン含有量は7質量であった。またエステル化物Cの硫黄含有量は400ppmであった。実施例1上記合成例1で得られたエステル化物A、および以下の表に示す成分を、表に示す質量部で配合し、混練温度100°C、混練時間30分の条件で二軸混練して冷却後粉砕し、樹脂組成物を作製した。得られた樹脂組成物を、半導体封止材としての性能連続成形性について評価した。結果を表1に示す。比較例1~2上記合成例2および3で得られたエステル化物BおよびC、および以下の表に示す成分を、表に示す質量部で配合し、混練温度100°C、混練時間30分の条件で二軸混練して冷却後粉砕し、樹脂組成物を作製した。得られた樹脂組成物を、半導体封止材としての性能連続成形性について評価した。結果を表1に示す。上記実施例および比較例で使用した各成分について、以下に示す。エポキシ樹脂1:エポキシ当量185g/eq、融点108°Cのビフェニル型エポキシ樹脂ジャパンエポキシ株式会社製商品名エピコートYX-4000Kエポキシ樹脂2:エポキシ当量237g/eq、軟化点52°Cのフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂日本化薬製商品名NC2000フェノール樹脂系硬化剤1:水酸基当量199g/eq、軟化点64°Cのビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型フェノール樹脂明和化成株式会社製商品名MEH-7851SS無機充填材1:平均粒径10.8μm、比表面積5.1m2/gの球状溶融シリカ硬化促進剤1:トリフェニルホスフィンとp-ベンゾキノンとの付加物カップリング剤1:γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシランチッソ製商品名S510=GPS-M着色剤1:カーボンブラック三菱化学株式会社製商品名カーボン5連続成形性エアベントブロック及び型汚れの測定方法は以下の通りである。低圧トランスファー自動成形機第一精工株製、GP-ELFを用いて、金型温度175°C、注入圧力9.8MPa、硬化時間70秒の条件で、エポキシ樹脂組成物によりチップなどを封止して80ピンクワッドフラットパッケージ80pQFP;銅製リードフレーム、パッケージ外寸:14mm×20mm×2mm厚、パッドサイズ:6.5mm×6.5mm、チップサイズ6.0mm×6.0mm×0.35mm厚を得る成形を、連続で400ショットまで行った。エアベントブロックの評価については、50ショット毎に金型を目視により観察することで、エアベントブロックエアベント幅0.5mm、厚さ50μm部に樹脂硬化物が固着してエアベントを塞いだ状態の有無を確認し、次の4段階で評価した。好ましい順は、A、B、Cの順であるが、Cランク以上であれば実用可能範囲である。評価結果を下記に示した。A:400ショットまで問題なしB:300ショットまでにエアベントブロック発生C:200ショットまでにエアベントブロック発生D:100ショットまでにエアベントブロック発生型汚れについては、400ショット成形後の金型を観察し、ゲート口からの汚れの広がり具合の程度から、次の5段階で評価した。好ましい順は、A、B、Cの順であるが、Cランク以上であれば実用可能範囲である。A:汚れなしB:汚れの広がりがキャビティ表面の20面積以下C:汚れの広がりがキャビティ表面の20面積超~40面積以下D:汚れの広がりがキャビティ表面の40面積超~60面積以下E:汚れの広がりがキャビティ表面の60面積超"