"内部が負圧の状態で密閉された、紫外線透過窓を有する容器内に、半導体多層膜素子およびこの半導体多層膜素子に電子線を照射する電子線放射源を備えてなることを特徴とする紫外線照射装置。前記半導体多層膜素子は、InxAlyGa1xyN0≦x<1,0<y≦1,xy≦1よりなる単一量子井戸構造または多重量子井戸構造を有する活性層を備えてなり、前記電子線放射源からの電子線が前記半導体多層膜素子における活性層に照射されることにより、紫外線が当該半導体多層膜素子から前記紫外線透過窓を介して外部に放射されることを特徴とする請求項1に記載の紫外線照射装置。前記電子線の加速電圧をVkVとし、前記活性層の厚みをtnmとしたとき、下記式1を満足することを特徴とする請求項2に記載の紫外線照射装置。式1:4.18×V150≦t≦10.6×V154前記電子線の加速電圧が20kV以下であることを特徴とする請求項3に記載の紫外線照射装置。本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、小型で、しかも、高い効率で紫外線を放射することができる紫外線照射装置を提供することにある。本発明の紫外線照射装置は、内部が負圧の状態で密閉された、紫外線透過窓を有する容器内に、半導体多層膜素子およびこの半導体多層膜素子に電子線を照射する電子線放射源を備えてなることを特徴とする。本発明の紫外線照射装置においては、前記半導体多層膜素子は、InxAlyGa1xyN0≦x<1,0<y≦1,xy≦1よりなる単一量子井戸構造または多重量子井戸構造を有する活性層を備えてなり、前記電子線放射源からの電子線が前記半導体多層膜素子における活性層に照射されることにより、紫外線が当該半導体多層膜素子から前記紫外線透過窓を介して外部に放射されるものであることが好ましい。また、前記電子線の加速電圧をVkVとし、前記活性層の厚みをtnmとしたとき、下記式1を満足することが好ましい。式1:4.18×V150≦t≦10.6×V154また、前記電子線の加速電圧が20kV以下であることが好ましい。本発明の紫外線照射装置によれば、半導体多層膜素子における活性層の厚みが、電子線の加速電圧との関係で特定の範囲にあるため、紫外線を高い効率で放射することができ、しかも、電子線の加速電圧が低くても、高い効率が得られるため、装置の小型化を図ることができる。以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。図1は、本発明の紫外線照射装置の一例における構成の概略を示す説明用断面図、図2は、図1に示す紫外線照射装置における半導体多層膜素子の構成を示す説明用断面図である。この紫外線照射装置10は、内部が負圧の状態で密閉された外形が直方体状の容器以下、真空容器という。11を有し、この真空容器11は、一面図1において下面に開口を有する容器基体12と、この容器基体12の開口に配置されて当該容器基体12に気密に封着された、紫外線を内部から外部に透過する紫外線透過窓13とによって構成されている。真空容器11内には、紫外線透過窓13の内面上に半導体多層膜素子20が配設されると共に、半導体多層膜素子20に対向した位置には、当該半導体多層膜素子20に電子線を照射する電子線放射源15が配設されており、電子線放射源15および半導体多層膜素子20は、真空容器11の内部から外部に引き出された導電線図示省略を介して、真空容器11の外部に設けられた、加速電圧を印加するための電子加速手段図示省略に電気的に接続されている。真空容器11における容器基体12を構成する材料としては、石英ガラス等のガラスなどを用いることができる。また、真空容器11における紫外線透過窓13を構成する材料としては、石英ガラスなどを用いることができる。真空容器11の内部の圧力は、例えば104~106Paである。電子線放射源15としては、例えば円錐状のモリブデンチップの周囲に電子引き出し用のゲート電極が近接して配置された構造のスピント型エミッターなどを用いることができる。半導体多層膜素子20は、例えばサファイアよりなる基板21と、この基板21の一面上に形成された例えばAlNよりなるバッファ層22と、このバッファ層22の一面上に形成された、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造を有する活性層25とにより構成されている。この例における半導体多層膜素子20は、活性層25が電子線放射源15に対向した状態で、基板21が紫外線透過窓13の内面に例えばUV硬化性樹脂により接着されて固定されて配置されており、従って、電子線放射源15からの電子線が、活性層25側から照射される構成とされている。基板21の厚みは、例えば10~1000μmであり、バッファ層22の厚みは、例えば100~1000nmである。また、電子線放射源15と半導体多層膜素子20における活性層25との離間距離は、例えば5~120mmである。図3は、活性層の一例における構成を示す説明用断面図である。この活性層25は、それぞれInxAlyGa1xyN0≦x<1,0<y≦1,xy≦1からなる単一量子井戸構造または多重量子井戸構造であり、単一または複数の量子井戸層26と単一または複数の障壁層27とが、バッファ層22上にこの順で交互に積層されて構成されている。量子井戸層26の各々の厚みは、例えば0.5~50nmである。また、障壁層27はその禁制帯幅が量子井戸層26のそれよりも大きくなるように組成を選択され、一例としては、AlNを用いればよく、各々の厚みは量子井戸層26の井戸幅より大きく設定され、具体的には、例えば1~100nmである。活性層25を構成する量子井戸層26の周期は、量子井戸層26、障壁層27および活性層25全体の厚みや、用いられる電子線の加速電圧などを考慮して適宜設定されるが、通常、1~100である。上記の半導体多層膜素子20は、例えばMOCVD法有機金属気相成長法によって形成することができる。具体的には、水素および窒素からなるキャリアガスと、トリメチルアルミニウムおよびアンモニアからなる原料ガスとを用い、サファイアよりなる基板21の0001面上に気相成長させることにより、所要の厚みを有するAlNからなるバッファ層22を形成した後、水素ガスおよび窒素ガスからなるキャリアガスと、トリメチルアルミニウム、トリメチルガリウム、トリメチルインジウムおよびアンモニアからなる原料ガスとを用い、バッファ層22上に気相成長させることにより、所要の厚みを有するInxAlyGa1xyN0≦x<1,0<y≦1,xy≦1からなる単一量子井戸構造または多重量子井戸構造を有する活性層25を形成し、以て、半導体多層膜素子20を形成することができる。上記のバッファ層22、量子井戸層26および障壁層27の各形成工程において、処理温度、処理圧力および各層の成長速度などの条件は、形成すべきバッファ層22、量子井戸層26および障壁層27の組成や厚み等に応じて適宜に設定することができる。また、半導体多層膜の形成方法は、MOCVD法に限定されるものではなく、例えばMBE法分子線エピタキシー法なども用いることができる。このような紫外線照射装置10においては、電子線放射源15から放出された電子は、電子線放射源15と半導体多層膜素子20との間に印加された加速電圧によって加速されながら、電子線として半導体多層膜素子20における活性層25に照射され、これにより、紫外線が半導体多層膜素子20から紫外線透過窓13を介して外部に放射される。そして、本発明の紫外線照射装置10においては、電子線放射源15から放射される電子線の加速電圧をVkVとし、活性層25の厚みをtnmとしたとき、下記式1を満足するものである。式1:4.18×V150≦t≦10.6×V154電子線の加速電圧と活性層25の厚みとの関係において、活性層25の厚みが過小加速電圧が過大である場合には、電子線の一部が活性層25を通過してしまうため、活性層25において電子正孔対の生成に寄与しない電子が増大する結果、高い効率で紫外線を照射することが困難となる。一方、活性層25の厚みが過大加速電圧が過小である場合には、活性層25における電子線が照射される表面側の層部分において、電子線のエネルギーが失われるため、活性層25における裏面側の層部分において電子正孔対が生成されず、その結果、高い効率で紫外線を照射することが困難となる。また、電子線の加速電圧は、20kV以下であることが好ましく、より好ましくは5~13kVである。電子線の加速電圧が20kVを超える場合には、半導体多層膜素子20からX線が発生しやすいため、X線を遮蔽する構造が必要となり、従って、装置の小型化を図ることが困難となり、また、電子線のエネルギーにより、半導体多層膜素子20の熱ダメージが生じるため、好ましくない。上記式1は、実験によって導かれたものである。以下、上記式1を導くために行った実験例について説明する。実験例1[バッファ層の形成]CVD装置の処理炉内に、サファイアよりなる基板21を配置し、炉内圧力を10kPa、炉内温度を1080°Cに設定し、処理炉内にキャリアガスとして窒素ガスおよび水素ガスを流しながら、原料ガスとしてトリメチルアルミニウムおよびアンモニアを処理炉内に供給し、基板21の0001面に気相成長させることにより、厚みが600nmのAlN単結晶よりなるバッファ層22を形成した。[活性層の形成]次いで、炉内圧力を10kPa、炉内温度を1080°Cに設定し、キャリアガスとして窒素ガスおよび水素ガスを流しながら、原料ガスとしてトリメチルアルミニウム、トリメチルガリウムおよびアンモニアを処理炉内に供給し、厚みが1nmのAl069Ga021Nよりなる量子井戸層26を形成し、その後、原料ガスとしてトリメチルアルミニウムおよびアンモニアを処理炉内に供給し、厚みが15nmのAlNよりなる障壁層27を形成した。このような量子井戸層26および障壁層27を形成する操作を合計で8回繰り返すことにより、厚みが128nm8周期の量子井戸構造の活性層25を形成し、以て、半導体多層膜素子20を形成した。[紫外線照射装置の製造]モリブデンチップを有するスピント型エミッターよりなる電子線放射源15を、外形の寸法が40mm×25mm×25mmで、一面に7mm×5mmの開口を有する、肉厚が4mmのガラスよりなる容器基体12の底面に配置した。一方、半導体多層膜素子20を、寸法が7mm×5mm×4mmの板状の石英ガラスよりなる紫外線透過窓13の一面に、当該半導体多層膜素子20の基板21が当該紫外線透過窓13に接するよう配置し、UV硬化樹脂によって接着して固定した。そして、紫外線透過窓13を、半導体多層膜素子20が電子線放射源15に対向するよう、容器基体12の開口に配置し、内部の圧力が1×106Paとなるよう排気すると共に、容器基体12に紫外線透過窓13を気密に封着することにより、真空容器11を構成し、以て、紫外線照射装置を製造した。ここで、電子線放射源15と半導体多層膜素子20における活性層25との離間距離は30mmである。また、活性層の形成工程において、量子井戸層26および障壁層27を形成する操作を、それぞれ1回、6回、10回および15回行ったこと以外は、上記と同様にして、それぞれ厚みが16nm量子井戸層の周期が1、96nm量子井戸層の周期が6、160nm量子井戸層の周期が10、および240nm量子井戸層の周期が15の活性層25を有する半導体多層膜素子20を備えた紫外線照射装置を製造した。以下、活性層25の厚みが16nmの紫外線照射装置を紫外線照射装置A、活性層25の厚みが96nmの紫外線照射装置を紫外線照射装置B、活性層25の厚みが128nmの紫外線照射装置を紫外線照射装置C、活性層25の厚みが160nmの紫外線照射装置を紫外線照射装置D、活性層25の厚みが240nmの紫外線照射装置を紫外線照射装置Eとする。そして、紫外線照射装置A~紫外線照射装置Eを作動させたところ、いずれも240nmのピーク波長を有する紫外線を照射するものであることが確認された。[試験]紫外線照射装置A~紫外線照射装置Eについて、電子線の加速電圧を0~20kVの範囲で段階的に変更して作動させ、放射される紫外線の出力を、紫外線領域の光に感度を有するフォトダイオードによって測定し、発光効率を求めた。ここで、本発明における発光効率は、半導体多層膜素子に入射された電子線パワーに対する、フォトダイオードで測定した出射光パワーの比によって求められるものである。図4は、紫外線照射装置Cに係る電子線の加速電圧と発光効率との関係を示す発光効率曲線図である。この図4において、横軸は電子線の加速電圧kV、縦軸は発光効率を示す。この図4の結果から、以下のことが理解される。紫外線照射装置Cにおいては、電子線の加速電圧が0kVから約5kVとなるまでの間では、電子線の加速電圧が上昇するに従って発光効率が緩やかに増加し、電子線の加速電圧が約5kVから約8kVとなるまでの間では、電子線の加速電圧が上昇するに従って発光効率が急激に増加する、すなわち発光効率の増加率が高くなる。そして、電子線の加速電圧が約8kVにおいて発光効率がピークに達し、電子線の加速電圧が約8kVから約10kVとなるまでの間では、電子線の加速電圧が上昇するに従って発光効率が減少し、電子線の加速電圧が約10kV以上では、電子線の加速電圧が上昇するに従って発光効率が緩やかに減少する、すなわち発光効率の低下率が、約8kVから約10kVに比べると低くなる。このように、紫外線照射装置Cに係る発光効率曲線には、電子線の加速電圧を上昇させたときに、発光効率の上昇率が高くなる点P1および発光効率の低下率が低くなる点P2が存在する。図5は、紫外線照射装置A~紫外線照射装置Eに係る電子線の加速電圧と発光効率との関係を示す発光効率曲線図である。この図5において、横軸は電子線の加速電圧kV、縦軸は発光効率のピーク値を1とする発光効率の相対値を示し、曲線aは紫外線照射装置Aに係る発光効率曲線、曲線bは紫外線照射装置Bに係る発光効率曲線、曲線cは紫外線照射装置Cに係る発光効率曲線、曲線dは紫外線照射装置Dに係る発光効率曲線、曲線eは紫外線照射装置Eに係る発光効率曲線である。図5の結果から、紫外線照射装置A~紫外線照射装置Eのいずれにおいても、それぞれの発光効率曲線を示す曲線a~曲線eには、電子線の加速電圧を上昇させたときに、発光効率の上昇率が高くなる点P1および発光効率の低下率が低くなる点P2が存在することが理解される。すなわち、電子線の加速電圧が上昇するに従って発光効率が緩やかに増加し、点P1を超えると、加速電圧が上昇するに従って発光効率が急激に増加してピークに達し、ピークを超えると、電子線の加速電圧が上昇するに従って発光効率が減少し、点P2を超えると、電子線の加速電圧が上昇するに従って発光効率が緩やかに減少する。また、曲線a~曲線eの各々において、点P1は、接線の傾きが0.15kV1となる点であり、点P2は、接線の傾きが-0.1kV1となる点である。そして、曲線a~曲線eにおいて各点P1に係る加速電圧の値から各点P2に係る加速電圧の値までが、当該紫外線照射装置において高い効率で紫外線を放射し得る加速電圧の範囲であると考えられる。図6は、図5に示す曲線a~曲線eにおける点P1および点P2に係る電子線の加速電圧と、活性層の厚みとの関係を示す曲線図である。図6において、横軸は電子線の加速電圧kV、縦軸は活性層の厚みnmを示し、曲線p1は、点P1に係るプロット点を通過する近似曲線、曲線p2は、点P2に係るプロット点を通過する近似曲線である。そして、電子線の加速電圧をVとし、活性層の厚みをtとして、曲線p1に係る関数t=F1Vを解析したところ、t=10.6×V154であり、一方、曲線p2に係る関数t=F2Vを解析したところ、t=4.18×V150であり、従って、t活性層の厚みが、4.18×V150以上で、かつ、10.6×V154以下、すなわち4.18×V150≦t≦10.6×V154を満足すれば、高い効率で紫外線を放射し得ることが理解される。このようにして実験的に上記式1が導き出される。実験例2実験例1の活性層の形成工程において、炉内温度、トリメチルアルミニウムの流量およびトリメチルガリウムの流量を変更することにより、厚みが1nmのAl010Ga090Nよりなる量子井戸層26を形成し、厚みが128nm量子井戸層の周期が8の活性層25を形成したこと以外は、紫外線照射装置Cと同様の構成の紫外線照射装置を製造した。以下、この紫外線照射装置を紫外線照射装置Fとする。また、実験例1の活性層の形成工程において、炉内温度、トリメチルアルミニウムの流量およびトリメチルガリウムの流量を変更することにより、厚みが1nmのAl090Ga010Nよりなる量子井戸層26を形成し、厚みが128nm量子井戸層の周期が8の活性層25を形成したこと以外は、紫外線照射装置Cと同様の構成の紫外線照射装置を製造した。以下、この紫外線照射装置を紫外線照射装置Gとする。紫外線照射装置Fを作動させたところ、370nmのピーク波長を有する紫外線を照射するものであることが確認され、紫外線照射装置Gを作動させたところ、215nmのピーク波長を有する紫外線を照射するものであることが確認された。紫外線照射装置Fおよび紫外線照射装置Gについて、電子線の加速電圧を0~20kVの範囲で段階的に変更して作動させ、放射される紫外線の出力を、紫外線領域の光に感度を有するフォトダイオードによって測定し、発光効率を求めた。図7は、紫外線照射装置C、紫外線照射装置Fおよび紫外線照射装置Gに係る電子線の加速電圧と発光効率との関係を示す発光効率曲線図である。この図7において、横軸は電子線の加速電圧kV、縦軸は、電子線の加速電圧が8kVのときの発光効率の値を1とする発光効率の相対値を示し、曲線cは紫外線照射装置Cに係る発光効率曲線、曲線fは紫外線照射装置Fに係る発光効率曲線、曲線gは紫外線照射装置Gに係る発光効率曲線である。図7の結果から、紫外線照射装置Cとは量子井戸層26の組成が異なる紫外線照射装置Fおよび紫外線照射装置Gのいずれにおいても、紫外線照射装置Cと同様の発光効率曲線が得られることが理解され、従って、量子井戸層26の組成に関わらず、上記式1を満足することにより、高い発光効率が得られることが理解される。以上のように、本発明の紫外線照射装置によれば、半導体多層膜素子20における活性層25の厚みが、電子線の加速電圧との関係で特定の範囲にあるため、紫外線を高い効率で放射することができ、しかも、電子線の加速電圧が低くても、高い効率が得られるため、装置の小型化を図ることができる。本発明の紫外線照射装置においては、真空容器内に、複数の半導体多層膜素子が配設されていてもよく、このような構成においては、複数の半導体多層膜素子が互いに発光波長の異なるものであってもよい。例えば、図1に示す構成の紫外線照射装置において、発光波長が250nmである半導体多層膜素子および発光波長が310nmである半導体多層膜素子の2つの半導体多層膜素子を並ぶよう配置し、各半導体多層膜素子の活性層に共通の電子線放射源から電子線が照射されることにより、波長が250nmおよび波長が310nmの2つのピーク波長を有する紫外線を照射する紫外線照射装置が得られる。また、図8AおよびBに示すように、発光波長が互いに異なる例えば24個の半導体多層膜素子20を縦横に並ぶよう配置し、全ての半導体多層膜素子20に共通の電子線放射源15から電子線が照射されることにより、複数のピーク波長λ1、λ2、λ3、を有する紫外線を照射する紫外線照射装置10が得られる。"