半導体材料からなる基板を有する太陽電池の製造方法であって、一方向に沿って配した複数の前記基板を洗浄液に浸漬することにより洗浄する工程と、前記洗浄した複数の基板を前記洗浄液から引き上げる工程と、を備え、前記洗浄した複数の基板を引き上げる期間の少なくとも一部の期間において、前記複数の基板の下方から洗浄液中に気泡を供給する、太陽電池の製造方法。前記複数の基板の全体が前記洗浄液中に位置する状態から、前記複数の基板の少なくとも一部が前記洗浄液から露出するまで、前記複数の基板の下方から前記洗浄液中に気泡を供給する、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記複数の基板の全体が前記洗浄液から露出するまで、前記複数の基板の下方から前記洗浄液中に気泡を供給する、請求項2に記載の太陽電池の製造方法。前記複数の基板の少なくとも一部が前記洗浄液から露出する状態で前記引き上げ工程を一旦停止し、前記複数の基板の下方から前記洗浄液中に気泡を供給する、請求項2または3に記載の太陽電池の製造方法。前記隣り合う基板間の間隔が、前記基板の平面形状を矩形に近似したときの一辺の長さの1/4000以下となるように前記複数の基板を配する、請求項1~4のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。前記基板の厚さが300μm以下である、請求項1~5のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。基板をエッチングする工程などを行った後には、基板を洗浄する工程が必要となる。基板を洗浄する方法としては、従来種々の方法が提案されているが、太陽電池に用いられる半導体材料からなる薄い基板の洗浄方法については十分に検討されていないのが現状である。現状においては、基板の洗浄工程において基板が損傷することにより、太陽電池の良品率が低下しているという問題がある。本発明は、改善された良品率で太陽電池を製造し得る方法を提供することを主な目的とする。本発明に係る太陽電池の製造方法は、半導体材料からなる基板を有する太陽電池の製造方法に関する。本発明に係る太陽電池の製造方法では、一方向に沿って配した複数の基板を洗浄液に浸漬することにより洗浄する。洗浄した複数の基板を洗浄液から引き上げる。洗浄した複数の基板を引き上げる期間の少なくとも一部の期間において、複数の基板の下方から洗浄液中に気泡を供給する。本発明によれば、改善された良品率で太陽電池を製造し得る方法を提供することができる。以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。本実施形態では、半導体材料からなる基板を有する太陽電池の製造方法について説明する。半導体材料からなる基板は、結晶シリコン基板であってもよい。即ち、本発明に係る太陽電池の製造方法は、結晶シリコン太陽電池の製造方法であってもよい。太陽電池は、例えば、半導体材料からなる基板と、基板の一主面の上に配された一の導電型を有する第1の半導体層と、基板の他主面の上に配された他の導電型を有する第2の半導体層と、第1の半導体層の上に配された第1の電極と、第2の半導体層の上に配された第2の電極とを備えていてもよい。また、太陽電池は、例えば、半導体材料からなる基板と、基板の一主面の上に配された第1及び第2の半導体層と、第1の半導体層の上に配された第1の電極と、第2の半導体層の上に配された第2の電極とを備える裏面接合型の太陽電池であってもよい。半導体材料からなる基板の少なくとも一方の主面には、基板への光の入射効率を高めるためのテクスチャ構造と呼ばれる凹凸構造が設けられていてもよい。テクスチャ構造は、例えば、結晶シリコン基板の表面を異方性エッチングすることにより形成することができる。本実施形態の太陽電池の製造方法は、基板を洗浄する工程を含む。ここで、基板を洗浄する工程には、半導体層などが表面上に形成された基板を洗浄する工程が含まれるものとする。具体的には、基板を洗浄する工程は、例えば、1テクスチャ構造が表面に設けられた基板を洗浄する工程、2第1及び第2の半導体層の少なくとも一方が表面上に配された基板を洗浄する工程、3第1及び第2の半導体層並びに第1及び第2の電極が表面上に配された基板を洗浄する工程、などであってもよい。カセット10への基板11のセットまず、例えば、図1及び図2に示すようなカセット10に複数の基板11をセットする。ここで、基板11は、半導体材料からなる基板、半導体層などが表面上に配された半導体材料からなる基板を総称するものとする。カセット10の形状は、特に限定されない。本実施形態では、カセット10の両側面には、複数の凹部対10aが形成されている。カセット10の側面延在方向であるx方向に隣接するこの凹部対10aの間に、y軸方向に延在する基板11を挿入することにより、カセット10に基板11をセットする。基板11の形状は、特に限定されない。基板11は、例えば、矩形状、正方形状、多角形状、円形状等であってもよい。また、基板11は、例えば、角部が面取り状またはR面取り状である矩形状、正方形状等であってもよい。以下、基板11が、略矩形状である例について説明する。基板11の一辺の長さは、例えば、100mm~200mm程度とすることができる。基板11の厚さは、300μm程度以下であり、50μm~250μm程度であることが好ましい。基板11の厚みに対する基板11の一辺の長さの比基板11の一辺の長さ/基板11の厚みは、400~40000であることが好ましい。カセット10にセットされた複数の基板11は、基板11の主面の法線方向であるx軸方向に沿って相互に間隔をおいて略並行に配されている。ひとつのカセット10にセットする基板11の数は、特に限定されず、例えば、25枚~100枚程度とすることができる。ひとつのカセット10にセット可能な基板11の枚数を多くする観点からは、x軸方向に隣接する基板11間の距離Lは、3.5mm以下であることが好ましく、2.5mm以下であることが好ましい。x軸方向に隣接する基板11間の距離Lは、基板11の一辺の長さの1/57以下であることが好ましく、基板11の一辺の長さの1/80以下であることがより好ましい。但し、x軸方向に隣接する基板11間の距離Lが小さすぎると、基板11のセットが困難になる等の弊害が生じる場合がある。従って、x軸方向に隣接する基板11間の距離Lは、1.5mm以上であることが好ましく、2mm以上であることがより好ましい。x軸方向に隣接する基板11間の距離Lは、基板11の一辺の長さの1/133以上であることが好ましく、基板11の一辺の長さの1/100以上であることがより好ましい。基板11の洗浄次に、図3に示されるように、カセット10にセットした複数の基板11を、カセット10ごと、洗浄槽12に溜められた洗浄液13に浸漬することにより複数の基板11を洗浄する。この洗浄工程において、基板11の下方から、洗浄液13中に気泡を供給したり、洗浄液13を攪拌してもよい。そのようにすることにより、洗浄液13を対流させることができる。従って、基板11の洗浄効率を高めることができる。なお、洗浄液13は、洗浄しようとする基板11の種類、洗浄により除去しようとする基板11の付着物の種類等に応じて適宜選択することができる。洗浄液13は、例えば、水であってもよいし、フッ酸HF等の酸性水溶液、水酸化ナトリウムNaOH、水酸化カリウムKOH等のアルカリ性水溶液、イソプロピルアルコールIPA等の有機溶媒等であってもよい。基板11の引き上げ工程次に、図4に示されるように、洗浄した複数の基板11をカセット10ごと、洗浄液13から引き上げる。この基板11の引き上げ工程において、洗浄した複数の基板11を引き上げる期間の少なくとも一部の期間において、複数の基板11の下方から洗浄液13中に気泡14を供給する。即ち、バブリングを行う。具体的には、基板11の下方に、気体が供給され、気泡を発生させる開口15aが複数設けられた配管15を配する。その配管15から気泡14を供給する。例えば、洗浄工程においても気泡14を供給している場合は、洗浄工程と引き上げ工程とに跨がって連続して気泡14を供給してもよい。なお、気泡14を構成する気体の種類は、特に限定されない。気泡14を構成する気体は、例えば、窒素ガス、アルゴンガスなどの不活性ガス、空気、酸素ガス等であってもよい。例えば、図5に示すように、バブリングを行うことなく複数の基板111を洗浄液113から引き上げると、隣り合う基板111同士が張り付く場合がある。隣り合う基板111同士が張り付くと、基板111が損傷する場合がある。従って、太陽電池の良品率が低下する場合がある。例えば、基板が厚い場合は、基板が屈曲変形しにくいため、隣り合う基板同士の張り付きは生じ難い。しかしながら、太陽電池の製造に用いられる基板は、薄いため、基板が屈曲変形しやすい。従って、基板111同士の張り付きが生じる。それに対して、本実施形態では、上述のように、基板11の引き上げ工程において、洗浄した複数の基板11を引き上げる期間の少なくとも一部の期間において、複数の基板11の下方から洗浄液13中に気泡14を供給する。この気泡14が浮力により上昇し、隣り合う基板11間に介在するため、隣り合う基板11同士が張り付くことが抑制される。よって、基板11の損傷を抑制することができる。実際に実験を行ったところ、バブリングを行っていないときの基板の張り付きに起因する不良率が9.1であったのに対して、バブリングを行ったところ、不良率は0.45にまで低減された。なお、基板11同士の張り付きは、基板11の一部が洗浄液13から露出した後に生じやすい。従って、基板11同士の張り付きをさらに効果的に抑制する観点からは、複数の基板11の全体が洗浄液13中に位置する状態から、複数の基板11の少なくとも一部が洗浄液13から露出するまで、複数の基板11の下方から洗浄液13中に気泡14を供給することが好ましい。複数の基板11の全体が洗浄液13中に位置する状態から、少なくとも、複数の基板11のz軸方向における2/3の部分が露出するまでバブリングを行うことが好ましく、複数の基板11の全体が露出するまでバブリングを行うことがより好ましい。なお、z軸方向とは、洗浄液13の液面に垂直な方向である。基板11同士の張り付きをさらに効果的に抑制する観点からは、基板11の配列方向であるx軸方向における、複数の基板11が配された領域の全体にわたって開口15aを設け、気泡14を供給することが好ましい。隣り合う基板11同士の隙間のすべてに気泡14を供給できるように、開口15aを設けることが好ましい。このため、開口15aは、基板11のx軸方向に沿った間隔Lの6倍以下の間隔で設けられていることが好ましく、3倍以下の間隔で設けられていることがより好ましい。開口15aの直径は、例えば7.5mm~15mm程度であることが好ましい。ひとつの開口15aからの気体の流量は、例えば、5l/分~40l/分程度であることが好ましい。また、基板11の引き上げ速度を、20mm/秒以下と遅くすることが好ましく、10mm/秒以下とすることがより好ましい。基板11の一部が洗浄液13から露出するまでの引き上げ速度は、例えば、2mm/秒~20mm/秒であることが好ましく、2mm/秒~10mm/秒であることがより好ましい。また、基板11の一部が洗浄液13から露出した状態で基板11の引き上げを一旦停止した後に、基板11の全体が露出するまで引き上げるようにしてもよい。引き上げ工程において一旦停止することにより、張り付いた基板11同士をバブリングで引き剥がすための時間が得られより張り付きを抑制できる。この場合、引き上げ工程において一旦停止した後、洗浄液13から露出するまでの引き上げ速度を、例えば、2mm/秒~20mm/秒として引き上げることが好ましく、2mm/秒~10mm/秒として引き上げることがより好ましい。なお、基板11の表面が疎水性である場合は、隣り合う基板11同士が比較的張り付きにくい。一方、基板11の表面の少なくとも一部が酸化膜などにより構成されており、基板11の表面の少なくとも一部が親水性である場合は、隣り合う基板11同士が比較的張り付きやすい。従って、基板11同士の張り付きを抑制できる本実施形態の技術は、基板11の表面の少なくとも一部が親水性である場合に特に有効である。また、本実施形態の技術は、広く基板を洗浄する工程において用いることができる。しかし、太陽電池の製造方法にあっては、エッチング工程により基板11がさらに薄くなるため、本実施形態の技術をエッチング工程以後の基板を洗浄する工程において用いることが特に有効である。