"導電部材と、前記導電部材の一面に形成された固定化層と、前記固定化層の一面に配置された複数の光散乱粒子と、を有し、各光散乱粒子からの近接場光により面内発光可能な近接場光2次元アレイであって、前記光散乱粒子は、粒径が1~100nm以下であり、各光散乱粒子は格子状にかつ等間隔で配列され、隣接する光散乱粒子同士の間隔が前記粒径以下とされており、各光散乱粒子の局在表面プラズモンが外部光により共鳴可能とされていることを特徴とする近接場光2次元アレイ。前記固定化層の層厚が10nm以下とされていることを特徴とする請求項1に記載の近接場光2次元アレイ。前記光散乱粒子同士の間隔が1~10nmとされていることを特徴とする請求項1又は2に記載の近接場光2次元アレイ。前記光散乱粒子が、その表面に備えられた修飾部により互いに接合されてなることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の近接場光2次元アレイ。前記光散乱粒子が金属ナノ粒子であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の近接場光2次元アレイ。前記金属ナノ粒子が金からなることを特徴とする請求項5に記載の近接場光2次元アレイ。前記修飾部がチオール基を有する有機分子であり、前記チオール基が前記金属ナノ粒子に接合されていることを特徴とする請求項4~6のいずれか1項に記載の近接場光2次元アレイ。前記修飾部の有機分子が6以上20以下の炭素を備えたアルキル鎖を有していることを特徴とする請求項7に記載の近接場光2次元アレイ。前記固定化層が少なくとも2つのチオール基を有する有機分子からなり、前記固定化層の一面側と他面側にそれぞれ少なくとも1つのチオール基が配置されており、前記他面側のチオール基が前記導電部材に接合されていることを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載の近接場光2次元アレイ。前記固定化層の有機分子が6以上20以下の炭素を備えたアルキル鎖を有していることを特徴とする請求項9に記載の近接場光2次元アレイ。前記導電部材が金からなることを特徴とする請求項1~10のいずれか1項に記載の近接場光2次元アレイ。各光散乱粒子に外部光が集光するように外部光源が配置されていることを特徴とする請求項1~11のいずれか1項に記載の近接場光2次元アレイ。光散乱粒子を溶媒に分散して反応液を調整した後、前記反応液を液槽に満たし、2つの電極部を前記反応液に浸漬させるように前記液槽の内部に対向配置させる第1工程と、前記2つの電極部に配線を介して接続した電源部から、前記2つの電極部に電圧を印加することにより前記光散乱粒子を電界移動させるとともに、前記電極部に対する前記反応液の液面の位置を移動させて、前記電極部に前記光散乱粒子が2次元状に配列されてなる光散乱粒子配列を形成する第2工程と、を含むことを特徴とする近接場光2次元アレイの製造方法。前記電極部に対する前記反応液の液面の位置の移動速度が0.02mm/s以下であることを特徴とする請求項13に記載の近接場光2次元アレイの製造方法。第1工程で、前記溶媒として揮発性溶媒を用いるとともに、第2工程で、電圧の印加の際に前記揮発性溶媒を揮発させることを特徴とする請求項13又は請求項14に記載の近接場光2次元アレイの製造方法。前記揮発性溶媒が水、アルコール類、ケトン類、エステル類、ハロゲン系溶媒、脂肪族炭化水素類、または芳香族炭化水素類、あるいはそれらの混合物のいずれかであることを特徴とする請求項15に記載の近接場光2次元アレイの製造方法。前記揮発性溶媒が、無機塩、有機塩、あるいはその両方を含むことを特徴とする請求項15又は16に記載の近接場光2次元アレイの製造方法。請求項1~12のいずれか1項に記載の近接場光2次元アレイを備えることを特徴とする2次元アレイ型表面プラズモン共振器。請求項18に記載の2次元アレイ型表面プラズモン共振器を備えることを特徴とする太陽電池。請求項18に記載の2次元アレイ型表面プラズモン共振器を備えることを特徴とする光センサー。請求項18に記載の2次元アレイ型表面プラズモン共振器を備えることを特徴とするバイオセンサー。本発明は、上記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、堅固に基板に固定され、大面積面積300μm×300μm以上の面積の近接場光2次元アレイ及びその安価な製造方法を提供することを課題とする。本発明の近接場光2次元アレイは、導電部材と、前記導電部材の一面に形成された固定化層と、前記固定化層の一面に配置された複数の光散乱粒子と、を有し、各光散乱粒子からの近接場光により面内発光可能な近接場光2次元アレイであって、前記光散乱粒子は、粒径が1~100nm以下であり、各光散乱粒子は格子状にかつ等間隔で配列され、隣接する光散乱粒子同士の間隔が前記粒径以下とされており、各光散乱粒子の局在表面プラズモンが外部光により共鳴可能とされていることを特徴とする。本発明の近接場光2次元アレイは、前記固定化層の層厚が10nm以下とされていることを特徴とする。本発明の近接場光2次元アレイは、前記光散乱粒子同士の間隔が1~10nmとされていることを特徴とする。本発明の近接場光2次元アレイは、前記光散乱粒子が、その表面に備えられた修飾部により互いに接合されてなることを特徴とする。本発明の近接場光2次元アレイは、前記光散乱粒子が金属ナノ粒子であることを特徴とする。本発明の近接場光2次元アレイは、前記金属ナノ粒子が金からなることを特徴とする。本発明の近接場光2次元アレイは、前記修飾部がチオール基を有する有機分子であり、前記チオール基が前記金属ナノ粒子に接合されていることを特徴とする。本発明の近接場光2次元アレイは、前記修飾部の有機分子が6以上20以下の炭素を備えたアルキル鎖を有していることを特徴とする。本発明の近接場光2次元アレイは、前記固定化層が少なくとも2つのチオール基を有する有機分子からなり、前記固定化層の一面側と他面側にそれぞれ少なくとも1つのチオール基が配置されており、前記他面側のチオール基が前記導電部材に接合されていることを特徴とする。本発明の近接場光2次元アレイは、前記固定化層の有機分子が6以上20以下の炭素を備えたアルキル鎖を有していることを特徴とする。本発明の近接場光2次元アレイは、前記導電部材が金からなることを特徴とする。本発明の近接場光2次元アレイは、各光散乱粒子に外部光が集光するように外部光源が配置されていることを特徴とする。本発明の近接場光2次元アレイの製造方法は、光散乱粒子を溶媒に分散して反応液を調整した後、前記反応液を液槽に満たし、2つの電極部を前記反応液に浸漬させるように前記液槽の内部に対向配置させる第1工程と、前記2つの電極部に配線を介して接続した電源部から、前記2つの電極部に電圧を印加することにより前記光散乱粒子を電界移動させるとともに、前記電極部に対する前記反応液の液面の位置を移動させて、前記電極部に前記光散乱粒子が2次元状に配列されてなる光散乱粒子配列を形成する第2工程と、を有することを特徴とする。本発明の近接場光2次元アレイの製造方法は、前記電極部に対する前記反応液の液面の位置の移動速度が0.02mm/s以下であることを特徴とする。本発明の近接場光2次元アレイの製造方法は、第1工程で、前記溶媒として揮発性溶媒を用いるとともに、第2工程で、電圧の印加の際に前記揮発性溶媒を揮発させることを特徴とする。本発明の近接場光2次元アレイの製造方法は、前記揮発性溶媒が水、アルコール類、ケトン類、エステル類、ハロゲン系溶媒、脂肪族炭化水素類、または芳香族炭化水素類、あるいはそれらの混合物のいずれかであることを特徴とする。本発明の近接場光2次元アレイの製造方法は、前記揮発性溶媒が、無機塩、有機塩、あるいはその両方を含むことを特徴とする。本発明の2次元アレイ型表面プラズモン共振器は、前記近接場光2次元アレイを備えることを特徴とする。本発明の太陽電池は、前記2次元アレイ型表面プラズモン共振器を備えることを特徴とする。本発明の光センサーは、前記2次元アレイ型表面プラズモン共振器を備えることを特徴とする。本発明のバイオセンサーは、前記2次元アレイ型表面プラズモン共振器を備えることを特徴とする。本発明の近接場光2次元アレイは、導電部材と、前記導電部材の一面に形成された固定化層と、前記固定化層の一面に配置された複数の光散乱粒子と、を有し、各光散乱粒子からの近接場光により面内発光可能な近接場光2次元アレイであって、前記光散乱粒子は、粒径が1~100nm以下であり、各光散乱粒子は格子状にかつ等間隔で配列され、隣接する光散乱粒子同士の間隔が前記粒径以下とされており、各光散乱粒子の局在表面プラズモンが外部光により共鳴可能とされている構成なので、導電部材と光散乱粒子が固定化層を介して強固に接合され、各光散乱粒子の局在表面プラズモンが外部光により共鳴可能とされることにより、近接場光の強度が増強された近接場光2次元アレイを提供することができる。本発明の近接場光2次元アレイの製造方法は、光散乱粒子を溶媒に分散して反応液を調整した後、前記反応液を液槽に満たし、2つの電極部を前記反応液に浸漬させるように前記液槽の内部に対向配置させる第1工程と、前記2つの電極部に配線を介して接続した電源部から、前記2つの電極部に電圧を印加することにより前記光散乱粒子を電界移動させるとともに、前記電極部に対する前記反応液の液面の位置を移動させて、前記電極部に前記光散乱粒子が2次元状に配列されてなる光散乱粒子配列を形成する第2工程と、を有する構成なので、大面積面積300μm×300μm以上の面積の近接場光2次元アレイを容易にかつ安価に製造することができる。本発明の第1の実施形態以下、添付図面を参照しながら、本発明の第1の実施形態である近接場光2次元アレイを説明する。図1は、本発明の第1の実施形態である近接場光2次元アレイの一例を示す図であって、図1aは斜視図であり、図1bは縦断面図である。図1に示すように、本発明の実施形態である近接場光2次元アレイ50は、導電部材6と、導電部材6の一面6aに化学結合により固定化された固定化層2と、固定化層2の一面2aに化学結合により固定化された光散乱粒子配列3と、を有して構成されている。光散乱粒子配列3は、粒径が1~100nm以下の光散乱粒子4が、前記粒径以下の間隙距離で、かつ、等間隔となるように配列されてなる。導電部材6は基板51の一面51a上に形成されている。導電部材6は、金などの金属材料などからなる導電性基板を用いることができる。また、金などの薄膜を形成して、導電部材6としてもよい。この場合、基板51として、サファイア基板や石英基板、ガラス基板などの絶縁性基板を用いることが好ましい。これらの基板は、平坦性が高いので、導電部材6を平坦に、かつ、被覆率高く形成できるためである。図2は、光散乱粒子配列3の一例を示す拡大平面図である。光散乱粒子4からの近接場光NFも概念的に示している。図2に示すように、光散乱粒子配列3は、光散乱粒子4が2次元状に規則的に配列されてなる。光散乱粒子4は、固定化層2全面で同一の規則性を有して配列されている。近接場光NFは、各光散乱粒子4の周りに規則的に形成されるので、近接場光は、固定化層2全面で均一に発生される。より具体的には、適切な波長分布を持つ光を1~100nmの大きさの光散乱粒子4に照射することにより、光散乱粒子4の表面に近接場光NFが発生する。これにより、光散乱粒子配列3から固定化層2全面で均一に近接場光NFが発生する。近接場光NFの大きさは光散乱粒子の直径程度であることが知られている。ここで、近接場光NFの大きさとは、光散乱粒子4の表面から近接場光が届くまでの範囲である。なお、光散乱粒子配列3は、このように理想的な配列に限られるものではない。図3は、光散乱粒子配列3の別の一例を示す拡大図である。このように、同一の規則性を有して配列してなる光散乱粒子配列3からなる領域であるドメイン部8が、複数存在する形態としてもよい。このような形態としても、光散乱粒子4は固定化層2に強固に接合されているとともに、各ドメイン部8の間の光散乱粒子4により被覆されていない領域を小さくして、被覆率は高くすることができる。ドメイン部8の大きさは、最近接の光散乱粒子4のみからなる第1近接領域であってもよく、2番目に近接する光散乱粒子4までを含む第2近接領域であってもよく、3番目に近接する光散乱粒子4までを含む第3近接領域であってもよい。図4は、光散乱粒子配列3をより拡大した図であって、図4aは図2のE部の拡大図であって、図4bは図2のF-F’線における断面図である。図4に示すように、粒径Fmの光散乱粒子4は、修飾部5を介して、分子間相互作用により、互いに接続されている。これにより、光散乱粒子4の間の距離間隙距離Gm及び隣接する光散乱粒子4の中心Oの距離粒子間距離Lmがほぼ一定とされるとともに、光散乱粒子4同士を強固に接合することができる。なお、固定化層の厚さ固定化層厚Gs及び光散乱粒子4の中心Oから導電部材6の一面6aまでの距離粒子基板間距離Lsもほぼ一定とされている。金属ナノ粒子等が好ましく、金ナノ粒子がより好ましい。金は、均一な形状及び均一な粒径の粒子を入手しやすく、また、金にはチオール基等を有する有機分子などの修飾部5を化学結合により接合させやすいためである。しかし、これに限られるものではなく、光散乱粒子4としては、金属的な性質を持つ材料、あるいは少なくとも表面が金属などの光散乱材料で覆われている粒子であればよい。粒子の内部が空洞または絶縁体等であってもよい。光散乱粒子4の粒径Fmは1~100nmとすることが好ましく、1~50nmとすることがより好ましい。これにより、光散乱粒子配列3における光散乱粒子4の規則性を高めることができ、被覆率を向上させることができる。また、光散乱粒子4の間隙距離Gmは、粒径Fm以下とすることが好ましく、1~10nmとすることが好ましく、1~5nmとすることがより好ましい。これにより、光散乱粒子4同士を強固に結合することができる。また、近接場光の強度を増強することができる。各光散乱粒子4は、外部光により、その表面に局在表面プラズモンを発生させる。この局在表面プラズモンは、外部光の光電場と共鳴して、局在表面プラズモン共鳴状態にある近接場光を発する。これにより、図4に示すように、各光散乱粒子4は、周りに等方的に近接場光NFを形成する。近接場光NFの広がりは、粒径Fm程度とされている。近接場光NFは、光散乱粒子4側の光強度は強く、光散乱粒子4から離れるに従い、徐々に弱くなる。光散乱粒子4は格子状にかつ等間隔で配列されているので、隣接する光散乱粒子4の間には、2つの光散乱粒子4からの近接場光が2重に重なった領域NFO2が形成される。また、3つの隣接する光散乱粒子4で囲まれる領域には、3つの光散乱粒子4からの近接場光が3重に重なった領域NFO3が形成される。また、隣接する光散乱粒子4間では強い電場増強場が発生しており、領域NFO2及び領域NFO3では近接場光の強度が増強されているだけで無く、電場も増強されている。なお、光散乱粒子4間の電磁的な相互作用により、局在表面プラズモン共鳴周波数はレッドシフトする。つまり、この局在表面プラズモン共鳴周波数は、光散乱粒子4の大きさと光散乱粒子4間の間隙距離Gmの大きさを変えることにより制御することができる。光散乱粒子4の粒径Fmと光散乱粒子4間の間隙距離Gmの大きさを適切に設定して局在表面プラズモン共鳴周波数をレッドシフトさせると、局在表面プラズモン共鳴周波数を制御できる。修飾部5としては、アルカンチオール等のチオール基を有する有機分子を用いることができる。光散乱粒子4として金ナノ粒子等を用いた場合、その表面に強固に接合できるとともに、光散乱粒子4同士の間隙距離Gmをほぼ一定に保つことができるためである。更に、固定化層2としては、アルカンジオール等の2以上のチオール基を有する有機分子を用いることができる。導電部材6として金材料を用いた場合、その表面に化学結合により強固に接合できるとともに、前記有機分子の分子軸方向を固定化層2の一面に垂直となるように前記有機分子を配列することにより、前記有機分子の長さを固定化層厚Gsとして、固定化層厚Gsをほぼ一定に保つことができるためである。固定化層厚Gsは1~10nmとすることが好ましく、1~5nmとすることがより好ましい。導電部材6内で光散乱粒子4と導電部材6の間にも局在表面プラズモン共鳴を生じて、各光散乱粒子4からの近接場光の強度をより増強させることができる。固定化層厚Gsは10nm以下とすることにより、この効果を高めることができる。図5は、光散乱粒子配列3の一例を示す図であって、図4に示した光散乱粒子配列3をより具体的に示した拡大図である。光散乱粒子4としてAuを用い、修飾部5としてアルカンチオールを用い、固定化層2としてアルカンジオール図示略を用いている。また、導電部材6の他面側には絶縁性基板からなる基板51が配置されている。アルカンチオール及びアルカンジオールのアルキル鎖の長さを制御することにより、金属ナノ粒子4の間の間隙距離Gm及び粒子基板間距離Lsなどを制御できる。本発明の第2の実施形態以下、本発明の第2の実施形態である近接場光2次元アレイの製造方法を説明する。図6は、本発明の第2の実施形態である近接場光2次元アレイの製造方法の一例を示す工程図である。近接場光2次元アレイの製造方法は、光散乱粒子を溶媒に分散して反応液を調整した後、前記反応液を液槽に満たしてから、2つの電極部を前記反応液に完全に浸漬させるように前記液槽の内部に対向配置させる第1工程と、前記2つの電極部に配線を介して接続した電源部から、前記2つの電極部に電圧を印加することにより前記光散乱粒子を電界移動させるとともに、前記反応液の液面を移動させて、前記電極部の一面に前記光散乱粒子が2次元状に配列されてなる光散乱粒子配列を形成する第2工程と、を有する。図6aは、第1工程の終了時点の工程断面図であって、金属ナノ粒子などの光散乱粒子4を溶媒21に分散して反応液22を調整した後、反応液22を液槽23に満たしてから、2つの電極部25、26を反応液22に完全に浸漬させるように液槽23の内部に対向配置させた時点を示す図である。溶媒21としては揮発性溶媒を用いる。また、光散乱粒子4は予め有機分子からなる修飾部5により覆った状態としている。一の電極部25には、固定化層2を形成した導電部材6を用いている。導電部材6としては導電性基板を用い、固定化層2を他方の電極部26に向けて配置している。2つの電極部25、26を反応液22に完全に浸漬させるような位置に、反応液22の液面22aが設定されている。揮発性溶媒21は、水、アルコール類、ケトン類、エステル類、ハロゲン系溶媒、脂肪族炭化水素類、または芳香族炭化水素類、あるいはそれらの混合物のいずれかであることが好ましい。これにより、光散乱粒子4の組織構造形成における速度論的および熱力学的パラメータを制御することができる。揮発性溶媒21は、無機塩、有機塩、あるいはその両方を含むことが好ましい。これにより、光散乱粒子4の電気泳動における電界から受ける力を制御することができる。第2工程は、電源28から配線27を介して2つの電極部25、26に電圧を印加して反応液22に直流を流しながら、反応液22の溶媒21を揮発させる工程である。反応液22に直流を流すと、反応液22中の光散乱粒子4は帯電しているので、電界移動を始め、いずれか一方の電極部に集まり始める。例えば、マイナスに帯電した光散乱粒子4を用いた場合には、その逆のプラスの電位であるアノード電極に集まる。そのため、アノード電極として一の電極部25を用いれば、一の電極部25上に光散乱粒子4が集まる。このように、光散乱粒子配列を形成させる導電部材6をアノード電極とするか、カソード電極にするかは、光散乱粒子4の帯電電位により決定する。光散乱粒子4は、電界×移動距離×帯電価数からなるイオンエネルギーを持つ。このイオンエネルギーにより、光散乱粒子4は、エネルギー障壁を超えて導電部材6に化学吸着する。このイオンエネルギーが無ければ、エネルギー障壁を超えて化学吸着をすることができず、物理吸着に留まる。図6bは、第2工程の途中時点の工程断面図である。図6bに示すように、電圧を印加している途中、揮発性溶媒21は、蓋部24の孔部24cから揮発し、反応液22の液面22aを低下させる。これにより、導電部材6の蓋部24側の部分が液面22aから露出される。固定化層2の一面上の部分であって、液面22a近傍の液面22aから露出された部分以下、気液界面部29では、光散乱粒子4の濃度が飽和に達し、過飽和状態での光散乱粒子4の2次元配列の核形成が生じる。液面22aの低下とともに、気液界面部29の位置も低下する。これにより、蓋部24側から、光散乱粒子4の2次元配列の核形成が徐々に進行する。そのため、光散乱粒子4の2次元配列の核形成速度が、反応液22の揮発性溶媒21の蒸発速度より早いと、光散乱粒子配列3の被覆率を100に近い状態にすることができる。これにより、露出された導電部材6上の固定化層2上に、光散乱粒子配列3を被覆率高く形成することができる。揮発性溶媒の揮発速度は、孔部24cの開口径と長さ及び揮発性溶媒の蒸気の粘性で決まる流体力学的な抵抗粘性×長さ/開口径を調整することにより制御することができる。これにより、液面22aの移動速度を制御できる。固定化層2への光散乱粒子4の化学吸着は、光散乱粒子4の2次元配列の核形成と同時に生じることになる。前記イオンエネルギーが大き過ぎなければ、化学吸着を起こす前に、核形成に必要なエネルギー的に安定な物理位置に出会うだけの時間が十分にあることになり、化学吸着と2次元配列化は両立することができる。図6cは、第2工程の終了時点の工程断面図である。導電部材6は完全に液面22aの上に出て、導電部材6上の固定化層2上に光散乱粒子配列3が形成されている。被覆率が高く、光散乱粒子4が固定化層2に強固に接合した光散乱粒子配列3が形成される。更に、第2工程が終了した後に、導電部材6上の固定化層2上のナノ粒子配列3を40-70°Cでアニールしてもよい。これにより、光散乱粒子4と固定化層2との化学結合をより強固にすることができる。その後、導電部材6の表面を流水洗浄や適当な溶媒中で超音波洗浄することにより、導電部材6と化学結合していない光散乱粒子4を除去することができる。この方法を用いることにより、大面積300μm×300μmより以上の面積の近接場光2次元アレイを容易にかつ安価に製造することができる。本発明の実施形態である近接場光2次元アレイ50は、導電部材6と、導電部材6の一面6aに形成された固定化層2と、固定化層2の一面2aに配置された複数の光散乱粒子4と、を有し、各光散乱粒子4からの近接場光により面内発光可能な近接場光2次元アレイであって、光散乱粒子4は、粒径が1~100nm以下であり、光散乱粒子4は格子状にかつ等間隔で配列され、隣接する光散乱粒子4同士の間隔が前記粒径以下とされており、各光散乱粒子4の局在表面プラズモンが外部光により共鳴可能とされている構成なので、導電部材6と光散乱粒子4が固定化層2を介して強固に接合され、各光散乱粒子4の局在表面プラズモンが外部光により共鳴可能とされることにより、領域NFO2及び領域NFO3で近接場光の強度が増強された近接場光2次元アレイを提供することができる。また、大面積300μm×300μmより以上の面積の近接場光2次元アレイを提供することができる。本発明の実施形態である近接場光2次元アレイ50は、固定化層2の層厚が10nm以下とされている構成なので、導電部材6内で光散乱粒子4と導電部材6の間にも局在表面プラズモン共鳴を生じさせ、各光散乱粒子4からの近接場光の強度をより増強させ近接場光2次元アレイを提供することができる。本発明の実施形態である近接場光2次元アレイ50は、光散乱粒子4同士の間隔が1~10nmとされている構成なので、外部光により共鳴可能とされた各光散乱粒子4の局在表面プラズモンにより、領域NFO2及び領域NFO3で近接場光の強度が増強された近接場光2次元アレイを提供することができる。本発明の実施形態である近接場光2次元アレイ50は、光散乱粒子4が、その表面に備えられた修飾部により互いに接合されてなる構成なので、光散乱粒子4同士が強固に接合され、領域NFO2及び領域NFO3で近接場光の強度が増強された近接場光2次元アレイを提供することができる。本発明の実施形態である近接場光2次元アレイ50は、光散乱粒子4が金属ナノ粒子である構成なので、光散乱粒子4を互いに分子間力により2次元面内の規則性を高く配列して、光散乱粒子4の間隙距離Gmを等しくし、被覆率の高い光散乱粒子配列を形成でき、また、導電部材6と光散乱粒子4が固定化層2を介して強固に接合され、各光散乱粒子4の局在表面プラズモンが外部光により共鳴可能とされることにより、近接場光の強度が増強された近接場光2次元アレイを提供することができる。本発明の実施形態である近接場光2次元アレイ50は、金属ナノ粒子が金からなる構成なので、導電部材6と光散乱粒子4が固定化層2を介して例えば金チオール結合を化学結合により強固に接合され、各光散乱粒子4の局在表面プラズモンが外部光により共鳴可能とされることにより、近接場光の強度が増強された近接場光2次元アレイを提供することができる。本発明の実施形態である近接場光2次元アレイ50は、修飾部5がチオール基を有する有機分子であり、前記チオール基が前記金属ナノ粒子に接合されている構成なので、2次元面内の規則性を高く配列し、近接場光の強度高めた近接場光2次元アレイを提供することができる。また、金属ナノ粒子として金ナノ粒子を用いた場合に、強固な化学結合である金チオール結合を化学結合として用いて、堅固に導電部材6に固定された近接場光2次元アレイを提供することができる。本発明の実施形態である近接場光2次元アレイ50は、修飾部5の有機分子が6以上20以下の炭素を備えたアルキル鎖を有している構成なので、間隙距離Gmの制御性を高めるとともに、光散乱粒子相互間の結合を高めた近接場光2次元アレイを提供することができる。本発明の実施形態である近接場光2次元アレイ50は、固定化層2が少なくとも2つのチオール基を有する有機分子からなり、固定化層2の一面側と他面側にそれぞれ少なくとも1つのチオール基が配置されており、前記他面側のチオール基が導電部材6に接合されている構成なので、固定化層2を堅固に導電部材6に固定した近接場光2次元アレイを提供することができる。本発明の実施形態である近接場光2次元アレイ50は、固定化層2の有機分子が6以上20以下の炭素を備えたアルキル鎖を有している構成なので、液晶のような動的挙動はなく、固体表面上と同様に安定に固定化されている近接場光2次元アレイを提供することができる。また、固定化層厚Gs及び粒子基板間距離Lsを均一とするとともに、固定化層2を堅固に導電部材6に固定した近接場光2次元アレイを提供することができる。本発明の実施形態である近接場光2次元アレイ50は、導電部材6が金からなる構成なので、2次元面内の規則性を高めた近接場光2次元アレイを提供することができる。また、修飾部5としてチオール基を有する有機分子を用いた場合、強固な化学結合である金チオール結合を化学結合として用いることができる。本発明の実施形態である近接場光2次元アレイ50は、各光散乱粒子4に外部光が集光するように外部光源が配置されている構成なので、各光散乱粒子4の局在表面プラズモンをより効率的に共鳴させた近接場光2次元アレイを提供することができる。本発明の実施形態である近接場光2次元アレイの製造方法は、光散乱粒子4を溶媒21に分散して反応液22を調整した後、反応液22を液槽23に満たし、2つの電極部25、26を反応液22に浸漬させるように液槽23の内部に対向配置させる第1工程と、前記2つの電極部25、26に配線27を介して接続した電源部28から、2つの電極部25、26に電圧を印加することにより光散乱粒子4を電界移動させるとともに、電極部25に対する反応液22の液面22aの位置を移動させて、電極部25に光散乱粒子4が2次元状に配列されてなる光散乱粒子配列3を形成する第2工程と、を有する構成なので、堅固に基板に固定され、大面積の近接場光2次元アレイを容易にかつ安価に製造することができる。本発明の実施形態である近接場光2次元アレイの製造方法は、電極部25に対する反応液22の液面22aの位置の移動速度が0.02mm/s以下である構成なので、堅固に基板に固定され、大面積の近接場光2次元アレイを容易にかつ安価に製造することができる。本発明の実施形態である近接場光2次元アレイの製造方法は、第1工程で、溶媒21として揮発性溶媒を用いるとともに、第2工程で、電圧の印加の際に前記揮発性溶媒を揮発させる構成なので、堅固に基板に固定され、大面積の近接場光2次元アレイを容易にかつ安価に製造することができる。本発明の実施形態である近接場光2次元アレイの製造方法は、揮発性溶媒が水、アルコール類、ケトン類、エステル類、ハロゲン系溶媒、脂肪族炭化水素類、または芳香族炭化水素類、あるいはそれらの混合物のいずれかである構成なので、堅固に基板に固定され、大面積の近接場光2次元アレイを容易にかつ安価に製造することができる。本発明の実施形態である近接場光2次元アレイの製造方法は、揮発性溶媒が、無機塩、有機塩、あるいはその両方を含む構成なので、堅固に基板に固定され、大面積の近接場光2次元アレイを容易にかつ安価に製造することができる。本発明の実施形態である近接場光源2次元アレイ及びその製造方法は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で、種々変更して実施することができる。本実施形態の具体例を以下の実施例で示す。しかし、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例1<近接場光2次元アレイ製造プロセス>まず、粒径Fmが約9nmの金ナノ粒子を予めヘキサンチオール分子HEXによって修飾した。次に、HEXによって修飾した金ナノ粒子を、濃度5.7×1013/mlでn-ヘキサンからなる揮発性溶媒中に分散して、反応液を調整した。また、金薄膜を設けたガラス基板基板の大きさ15mm×15mmの一面を1,6-ヘキサンジチオールによって修飾して、これを固定化層とした。次に、近接場光2次元アレイ製造装置の液槽に前記反応液を満たした。次に、反応液中に炭素電極からなるアノード電極と、固定化層及び金薄膜導電部材を形成したガラス基板からなるカソード電極を浸漬した。アノード電極とカソード電極は互いに電極面が対向するように配置し、電極面の間の距離は1.2mmとした。ガラス基板は、固定化層が対向電極側となるようにした。次に、液槽の上部の開口部を蓋部により封じた。次に、電源を制御して、アノード電極とカソード電極の間に1Vの電圧を印加した。このとき、蓋部の孔部の開口径を調整して、反応液の液面を低下させる移動速度を、常温常圧1気圧、25°Cで4mm/時間とした。電極が反応液から完全に露出された段階で、カソード電極を取り出した。カソード電極の固定化層上に金ナノ粒子配列が形成されているのを目視確認した。次に、金ナノ粒子配列が形成されたカソード電極を40-60°Cでアニールした。次に、金ナノ粒子配列が形成されたカソード電極の表面を流水洗浄し、更に、ヘキサン溶媒中で超音波洗浄した。このようにして、実施例1の近接場光2次元アレイを形成した。実施例2HEXの代わりに、ドデカンチオールDODを用いた他は実施例1と同様にして、近接場光2次元アレイを形成した。実施例3HEXの代わりに、ヘキサデカンチオールHEXDを用いた他は実施例1と同様にして、近接場光2次元アレイを形成した。実施例4粒径Fmが29~30nmの金属ナノ粒子を用いた他は実施例2と同様にして、近接場光2次元アレイを形成した。実施例5ガラス基板基板の大きさ15mm×15mm上に金からなる導電性薄膜以下、金薄膜を設ける代わりに透明導電性金属酸化物のITO基板InTiO用いた他は実施例1と同様にして、近接場光2次元アレイを形成した。用いたITO基板はジオマテック社製のEL仕様のもので、導電性は10Ω/□である。実施例1同様に、液槽の開口部を覆うように蓋部を取り付け、蓋部に設けられた孔部の径を調整した。実施例1に比べて溶媒の蒸発速度を小さくするために調整穴は小さくなった。実施例6ヘキサンチオール分子の代わりに、ドデカンチオールDODを用いた他は実施例5と同様にして、近接場光2次元アレイを形成した。実施例7ヘキサンチオール分子の代わりに、ヘキサデカンチオールHEXDを用いた他は実施例5と同様にして、近接場光2次元アレイを形成した。比較例1ガラス基板基板の大きさ15mm×15mm上に金からなる導電性薄膜以下、金薄膜を形成した後、金薄膜の表面を1,6-ヘキサンジチオールによって修飾して、固定化層を形成した。次に、HEXで修飾した金ナノ粒子を用い、固定化層及び金薄膜を形成したガラス基板の固定化層上に、公知のラングミュラー手法により、近接場光2次元アレイを形成した。実施例8粒径Fmが29~30nmの金属ナノ粒子を用いた他は実施例5と同様にして、近接場光2次元アレイを形成した。実施例9粒径Fmが49~50nmの金属ナノ粒子を用いた他は実施例5と同様にして、近接場光2次元アレイを形成した。<SEM観察>実施例1~3、実施例7の近接場光2次元アレイについてSEM観察を行った。図7は、実施例1の近接場光2次元アレイの光散乱粒子配列のSEM像である。金ナノ粒子の粒径Fmは9nm、粒子間距離Lmは10.6nm、粒子間の間隙距離Gmは1.6nmであった。図8は、実施例2の近接場光2次元アレイの光散乱粒子配列のSEM像である。金ナノ粒子の粒径Fmは9nm、粒子間距離Lmは11.4nm、粒子間の間隙距離Gmは2.4nmであった。また、金ナノ粒子を用いた金属ナノ粒子配列の被覆率は、90以上になった。基板の大きさ15mm×15mmのほぼ全域に亘ってこの被覆率が達成された。図9は、実施例3の近接場光2次元アレイの光散乱粒子配列のSEM像である。金ナノ粒子の粒径Fmは9nm、粒子間距離Lmは11.9nm、粒子間の間隙距離Gmは2.9nmであった。何れも最近接では六方最密充填構造をとっていた。図13は、実施例7の近接場光2次元アレイの光散乱粒子配列のSEM像である。金ナノ粒子の粒径Fmは9.0nm、粒子間距離Lmは11.9nm、粒子間の間隙距離Gmは2.9nmであった。被覆率は92であった。<小角散乱スペクトルの測定>次に、小角散乱スペクトルの測定を行った。粒子間距離LmはSEM観察より小角散乱による測定の方の精度が良い。図10は、実施例1~3の近接場光2次元アレイの光散乱粒子配列の小角散乱スペクトルの測定結果である。図10に示した測定結果より、HEX、DOD、HEXDを用いた場合、粒子間距離Lmはそれぞれ10.8nm、11.0nm、11.8nmとなった。この結果はアルカン分子の長さが長くなると、粒子間距離Lmが長くなることを示した。図14は、実施例5~7の近接場光2次元アレイの光散乱粒子配列の小角散乱スペクトルの測定結果である。図15は、実施例6、実施例8、実施例9の近接場光2次元アレイの光散乱粒子配列の小角散乱スペクトルの測定結果である。図14の結果より、HEX、DOD、HEXDを用いた場合、粒子間距離Lmはそれぞれ、9.8nm、10.7nm、11.0nmであることが分かった。これらの結果は、アルカン分子の長さが長くなるに従い、粒子間距離が長くなることを示している。これは、金ナノ粒子の粒子間距離Gmが、修飾分子の選択によって制御できることを意味し、特にアルカンチオール分子の炭素数と粒子間距離Gmが比例することを実証している。図15は、実施例6、実施例8、実施例9の近接場光2次元アレイの光散乱粒子配列の小角散乱スペクトルの測定結果である。図15の結果より、10nm、30nm、50nmの粒径Fmに対して粒子間距離がそれぞれ、10.7nm、31.4nm、50.6nmであることが分かった。これは、金ナノ粒子の粒子間の間隙距離Gmが、粒径Fmによって制御できることを意味し、走査型顕微鏡の結果を別個に検証した事になる。<消光スペクトルの測定>次に、実施例1~4、実施例5~9の近接場光2次元アレイについて消光スペクトルの測定を行った。図11は、実施例1~3の近接場光2次元アレイの光散乱粒子配列の消光スペクトルであり、図12は、実施例2と実施例4の近接場光2次元アレイの光散乱粒子配列の消光スペクトルである。図14は、実施例5~7の近接場光2次元アレイの消光スペクトルである。図15は、実施例6、実施例8、実施例9の近接場光2次元アレイの光散乱粒子配列の消光スペクトルである。ここで、消光スペクトルピークは、光散乱粒子配列を構成する光散乱粒子金ナノ粒子の局所プラズモン共鳴の周波数を示す。図11に示すように、金ナノ粒子の粒径Fmを10nmに固定した場合、修飾分子をHEX、DOD、HEXDと変化させると、消光スペクトルピーク局所プラズモン共鳴の周波数は630nmから599nmへと変化ブルーシフトした。これは、修飾分子の大きさを変えて、局所プラズモン共鳴の周波数を制御することができることを示した。また、図12に示すように、修飾分子をDODに固定し、金ナノ粒子の粒径Fmを10nmから30nmと変化させると、消光スペクトルピーク局所プラズモン共鳴の周波数は599nmから880nmへと変化レッドシフトした。図16に示すように、金ナノ粒子の粒径Fmを10nmに固定した場合、修飾分子をHEX、DOD、HEXDと変化させると、消光スペクトルピーク局所プラズモン共鳴の周波数は615nmから582nmへと変化ブルーシフトした。これは、ITO基板上でも、修飾分子の大きさを変えて、局所プラズモン共鳴の周波数を制御することができることを示した。また、図17に示すように、修飾分子をDODに固定し、金ナノ粒子の粒径Fmを10nmから50nmと変化させると、ITO基板上でも、消光スペクトルピーク局所プラズモン共鳴の周波数は592nmから850nmへと変化レッドシフトした。以上の結果から、金ナノ粒子の粒子間の間隙距離Gmと、金ナノ粒子の粒径Fmを適切に設定することにより、所望の局所プラズモン共鳴の周波数を決定できることが分かった。これらの依存性は、非特許文献20でも示唆されており、本実施例によって簡単に実施できるようになった。<機械的強度化学結合強度の測定>また、導電性基板への化学結合による、金ナノ粒子と導電部材ガラス基板上の金薄膜との間の機械的強度を、ヘキサン溶媒中の超音波洗浄24.8kHz、5分により確かめた。比較例1の近接場光2次元アレイは、18しか残留しなかった。一方、実施例1の近接場光2次元アレイは、71残留した。同じく本実施例5の近接場光2次元アレイは、90残留した。機械的強度の測定結果は、光散乱粒子配列が固定化層を介して導電部材に化学的に結合していることを示し、溶媒中の超音波洗浄でも機械的強度を維持する耐性の効果を持つことを実証した。この機械的強度は、マイクロリアクター流路中に光化学反応をさせるために近接場光2次元アレイを設けた場合、マイクロリアクター流路の反応溶液の流れに曝される光散乱粒子配列にとって技術的に重要な点である。以上の結果から、絶縁性基板上に導電性膜を形成したものであっても、透明性電極の様なITO基板であっても導電性基板表面であれば、近接場光2次元アレイ形成が実施できたこと分かった。<近接場光2次元アレイを用いた光化学反応の効果>実施例10近接場光2次元アレイを用いて、光化学反応の確認を行った。まず、ドデカンチオールで修飾した30nmの金ナノ粒子を使った近接場光2次元アレイ流路中に設置したマイクロリアクターに作製した。まず、PDMSポリジメチルシロキサンからなる透明基板を用意した。次に、インプリント法により、透明基板の一面に幅1mm×高さ50μm×長さ5mmの大きさのマイクロチャネル用凹部を形成するとともに、透明基板の他面と前記マイクロチャネルとを連通させる2つの孔部を作製した。次に、近接場光2次元アレイがマイクロリアクター凹部内に配置されるように、近接場光2次元アレイの基板と前記透明基板と接合した後、これらを機械的に固定した。光化学反応材料としては、ヘキサフルオロジアリールエテンを用いた。図18は、ヘキサフルオロジアリールエテンの光化学反応を示す図である。図18に示すように、閉状態のヘキサフルオロジアリールエテン以下、close-HFDEは通常400-700nmの可視光が照射されると光化学反応して、開状態のヘキサフルオロジアリールエテン以下、open-HFDEへ変化する。また、open-HFDEは、通常400nm以下の紫外光が照射されると光化学反応して、close-HFDEへ変化する。まず、マイクロリアクター中にclose-HFDEを溶媒に分散させた溶液を入れた。次に、近接場光2次元アレイに、光源より、ドデカンチオールで修飾した30nmの金ナノ粒子を使った近接場光2次元アレイの共鳴周波数である700-1100nmの波長分布の光を照射した。同時に、シリンジポンプで吸い込みを行った。流速は約0.06mL/minとした。次に、シリンジポンプの溶液の分析を行い、溶液に含まれる化学物質を特定した。図19はNMRスペクトルを示す図であり、図19aはopen-HFDEのNMRスペクトルであり、図19bは光照射前の溶液中の反応物close-HFDEのNMRスペクトルであり、図19cは光照射後の溶液中の生成物のNMRスペクトルである。close-HFDEの90.2がopen-HFDEへ転換していた。図20は、ヘキサフルオロジアリールエテンHFDEの吸収スペクトルであって、図20aは、close-HFDEの吸収スペクトルであり、図20bはopen―HFDEの吸収スペクトルであり、図20cは粒径30nmの金ナノ粒子を自己組織化したアレイ以下、30Dod-SAMの吸収スペクトル消光スペクトルであり、図20dは2光子励起が起きた際の近接場光のスペクトル以下、TPAwith30Dod-SAMである。ここで、30Dod-SAMに照射した光の波長域740~1050nmを1Lで示している。また、1Lの波長域の光照射によって2光子励起が起きた際の近接場光の波長域380~530nm2Lで示している。図20に示すように、2光子励起波長に基づく近接場光の照射領域とclose-HFDEの吸収波長が450nm~560nmの波長領域で重なることから、2光子反応は金ナノ粒子2次元配列で発生した強い近接場光により起きたと考えられる。これにより、近接場光2次元アレイによる光化学反応が効率的に行われたことを実証した。<太陽電池>実施例11本発明を太陽電池に応用した実施例について述べる。図21に示す様に、p型シリコン基板比抵抗00150017Ωcm上にn型シリコンp型と同程度のドーピング量が積層した太陽電池構造上に、6の導電層としてITO膜を10nmスパッター蒸着により積層、更に2のヘキサンジチオール層を積層し、上述の手法によりドデカンチオールにより化学修飾した4の10nmの金ナノ粒子を使って、50の近接場光2次元アレイを形成した。50の近接場光2次元アレイと太陽電池層との間10nm以上離れているため、近接場光の光発生領域10nmを越えているため、50の近接場光2次元アレイは2次元アレイ型表面プラズモン共振器と機能している。つまり、近接場光2次元アレイで発生した近接場光は、もう一度伝搬光に戻り、太陽電池層へ吸収されている。ドデカンチオールにより化学修飾した4の10nmの金ナノ粒子を用いた2次元アレイ型表面プラズモン共振器は600nm近傍に共振周波数を持ち、太陽電池の吸収効率向上に寄与する。図22に図21に示す太陽電池の特性を、リファレンスとして2次元アレイ型表面プラズモン共振器無しの場合を合わせて示す。光は太陽光の代わりに疑似的な光として商用白色LEDを用いた。光電流と記したものは光照射時、暗電流と記したものは非光照射時の電流電圧特性を示す。特に電圧を印加していない時の電流値は太陽電池の性能を評価する際に良く使われる短絡電流と呼ばれるもので、暗電流を差し引いた値では、2次元アレイ型表面プラズモン共振器を持つ太陽電池では完全な被覆率では無く約60であるが、5mm角で90μAの開放電流を得ることができている。2次元アレイ型表面プラズモン共振器を持たない場合には56μAであり、2次元アレイ型表面プラズモン共振器の付加で開放電流が約倍になっている。太陽電池の特性が向上している事が分かる。<光センサー>実施例12図21と同じ構造のデバイス構造で光センサーに対する効果を調べた。50の近接場光2次元アレイと光センサー層であるpn接合との間10nm以上離れているため、近接場光の光発生領域10nmを越えている事になり、50の近接場光2次元アレイは2次元アレイ型表面プラズモン共振器と機能している。近接場光2次元アレイで発生した近接場光は、もう一度伝搬光に戻り、光センサー層へ吸収されている。ドデカンチオールにより化学修飾した4の10nmの金ナノ粒子を用いた2次元アレイ型表面プラズモン共振器は600nm近傍に共振周波数を持ち、光センサーの吸収効率向上に寄与する。図23に示すように、2次元アレイ型表面プラズモン共振器を持たない場合に比べて0.4V以下の逆バイアスでは光電流値が大きい結果となっている。2次元アレイ型表面プラズモン共振器の有無の比増幅率を示したものが図24である。0.4V以下の逆バイアスでは1-2倍の比光電流増幅率、0.4V以上の逆バイアスではほぼ1の比光電流増幅率となっており、光センサーが高感度化している事が分かる。<バイオセンサー>実施例13図25にプラズモン共鳴器を利用するバイオセンサーの構造を示す。抗原AMが、光散乱粒子であるに付加されていること以外には、図5に示した以外は、近接場光2次元アレイと違いは無い。特許文献4に示されている様に、光散乱粒子となる金ナノ粒子には抗原を付加するのは容易であり、同じ文献に抗体との反応が、プラズモン共鳴のピーク強度あるいは、波長のずれにより高感度に検出できる事が示されている。光散乱粒子4上の修飾分子5は、光散乱粒子4の間では密であるが、それ以外ではやや疎である。従って、抗原AMが結合できる空間が残っている。また、特許文献4に比べて、近接場光2次元アレイ中の光散乱粒子密度は密なために、特許文献4よりも高感度なバイオセンサーが構成できる。なおAMは蛋白質などで構成される抗原以外にも、DNA配列を含む分子などが選択でき、特定の配列を持つDNAを検出するためのバイオセンサーとしても利用できる。"