"第2の部分78;112に対する第1の部分76;114の空間位置を決定するためのセンサ組立体であって、前記第1の部分76;114上へ配置され、かつ前記第2の部分78;112まで広がる磁場75;124;126を発生する少なくとも1つの磁石74を備え、かつ前記第2の部分76;114上にお互いに空間距離84を隔てて配置され、かつ各々が前記磁場75;124;126に依存する出力信号86,88を生成する第1の磁場センサ及び第2の磁場センサ80,82を備え、前記少なくとも1つの磁石74は、前記第1及び第2の磁場センサ80,82間の前記空間距離84により定義される間隔で位置決めされ、前記第1及び第2の磁場センサ80,82の前記出力信号86,88は、定義された測定軸96に沿った前記第2の部分78;112に対する前記第1の部分76;114の前記空間位置に依存する共通センサ信号94,100を形成するために結合され、前記定義される測定軸96は、前記空間距離84を横断して延び、かつ前記第1及び第2の磁場センサ80,82の前記出力信号86,88は、前記個々の磁場センサ80,82のロケーションにおける磁場方向を実質的に表現することを特徴とするセンサ組立体。前記共通センサ信号94を提供するために、前記第1および第2の磁場センサ80,82の前記出力信号86,88を加算する加算器92を特徴とする、請求項1に記載のセンサ組立体。前記共通センサ信号100を提供するために、前記第1および第2の磁場センサ80,82の前記出力信号86,88間の差を形成する減算器98を特徴とする、請求項1または2に記載のセンサ組立体。前記磁場センサ80,82は、各々、前記磁場方向に依存して変化する電気抵抗を含むことを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のセンサ組立体。前記第1および第2の磁場センサ80,82は、各々、各々が前記個々の磁場センサ80,82のロケーションにおける前記磁場方向に正弦波的または余弦波的に依存する瞬時値を有する、2つの異なるアナログ出力信号86a,86b,88a,88bを生成することを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか1項に記載のセンサ組立体。第1のペアと第2のペアとを形成する少なくとも4つの磁場センサ80a,80b,82a,82bを特徴とし、各ペアは、第1および第2の磁場センサを有し、各ペアは、少なくとも2つの相互に直交する測定軸96a,96bのうちの一方に関連する共通センサ信号94,100を生成することを特徴とする、請求項1乃至5のいずれか1項に記載のセンサ組立体。前記第2の部分は、前記ペアの前記磁場センサ80,82がその上に共通して配置されるコンポーネントサポート112を備えることを特徴とする、請求項6に記載のセンサ組立体。前記コンポーネントサポート112は、中央に、前記少なくとも1つの磁石74が配置される収納部124を備えることを特徴とする、請求項7に記載のセンサ組立体。前記収納部124内に配置され、かつ共通磁場124;126を発生する複数の磁石74a,74b,74c,74dを特徴とする、請求項8に記載のセンサ組立体。前記コンポーネントサポート112は、上側面116と下側面118とを備え、これらの各々の上に第1および第2の磁場センサ80,82が配置されることを特徴とする、請求項7乃至9のいずれか1項に記載のセンサ組立体。前記出力信号86,88から前記第2の部分78;112に対する前記第1の部分76;114の熱誘導位置変化を決定するように設計される温度補正ステージ34を特徴とする、請求項1乃至10のいずれか1項に記載のセンサ組立体。プローブヘッドベース52と前記プローブヘッドベース52へ可動式に取り付けられるセンシング素子22とを備える座標測定機のためのプローブヘッドであって、前記プローブヘッドベース52に対する前記センシング素子22の実際の位置を決定するための請求項1乃至10のいずれか1項に記載のセンサ組立体110を備えるプローブヘッド。第2の部分78;112に対する第1の部分76;114の空間位置を決定するための方法であって、-前記第1の部分76;114上へ、少なくとも1つの磁石74を、前記磁石74が前記第2の部分78;112まで広がる磁場75;124;126を発生するように、配置するステップと、-前記第2の部分78;112上へ、第1及び第2の磁場センサ80,82をお互いに空間距離84を隔てて配置するステップであって、前記少なくとも1つの磁石74は、前記第1及び第2の磁場センサ80,82間の前記空間距離84により定義される間隔で位置決めされるステップと、-前記第1の磁場センサ80から第1の出力信号86を受信し、かつ前記第2の磁場センサ82から第2の出力信号88を受信するステップであって、前記第1及び第2の出力信号86,88は、前記磁場75;124;126における前記個々の磁場センサ80,82のセンサ位置に依存するステップと、-前記第1及び第2の磁場センサ80,82の前記出力信号86,88を結合して共通センサ信号94を形成することにより、定義された測定軸96に沿った前記第2の部分78;112に対する前記第1の部分76;114の前記空間位置に依存する共通センサ信号94を決定するステップと、を含み、前記定義される測定軸96は、前記空間距離84を横断するように選択され、かつ前記第1および第2の磁場センサ80,82の前記出力信号86,88は、前記個々の磁場センサ80,82のロケーションにおける磁場方向を実質的に表現することを特徴とする方法。こうした背景と対照して、本発明の1つの目的は、上述のタイプのセンサ組立体を、地球磁場の変動等の外乱が存在する場合でも極めて正確な位置決定を可能にし、かつかなりコンパクトに、具体的には3Dセンサ組立体として、すなわち直交する3つの測定軸に沿って空間位置を決定できる形式で実装可能なものとして提供することにある。本発明の第1の態様によれば、この目的は、定義される測定軸が空間距離を横断して延び、かつ第1及び第2の磁場センサの出力信号が個々の磁場センサのロケーションにおける磁場方向を実質的に表現する、上述のタイプのセンサ組立体によって達成される。別の態様によれば、この目的は、定義される測定軸が空間距離を横断するように選択され、かつ第1及び第2の磁場センサの出力信号が個々の磁場センサのロケーションにおける磁場方向を実質的に表現する、上述のタイプの方法によって達成される。好ましくは、これらのセンサ組立体および方法は、座標測定機用プローブヘッドにおいて、プローブヘッドのベースに対するセンシング素子スタイラスの偏位を決定するために使用される。この新規なセンサ組立体は少なくとも2つの磁場センサを使用して、定義される磁場を発生するための磁石がこれらの間に配置される。しかしながら、上述の特許文献1に記載されているセンサ組立体とは対照的に、測定軸は2つの磁場センサ間の接続線に沿って延びず、これを横断して延びる。好適な実施形態では、測定軸は2つの磁場センサ間の距離ベクトルに直交して延びる。したがって、磁石は、2つの磁場センサ間の接続線を横断して、好ましくはこれに直交して移動する。2つの磁場センサは各々、実際の磁場方向、すなわちセンサのロケーションにおける磁力線のベクトル方向を検出する。これらの好適な実施形態では、磁場センサの出力信号は磁場強度の大きさとは略独立し、すなわち、磁場センサは、実際にはセンサに対する磁場の方向を評価するだけである。磁場強度がこれらのセンサで出力信号を生成するのに十分な高さである限り、磁場強度の大きさ、すなわちセンサのロケーションにおける磁場の強度は重要ではない。好適な実施形態例では、磁場センサは、AMR効果に基づいた磁気抵抗センサである。他の実施形態例では、磁場センサがGMRセンサである可能性もある。さらに原則的には、磁場センサは、出力信号が主として磁場方向に依存し、磁場強度には依存しない、または磁場強度に依存するとしても僅かでしかない他のセンサである可能性もある。本新規なセンサ組立体は、少なくとも磁場方向を検出するセンサを共通磁場において使用し、デュアル組立体の2つのセンサは、磁石の反対側に存在する。これにより、2つの部分の相対移動による共通磁場の方向性変化は、反対に行動する結果となる。したがって、地球磁場の結果等の外乱は、容易に排除されることが可能である。さらに、センサの出力信号は温度変化にほとんど感応しないが、これは、磁場方向の周囲温度への依存性が例えば磁石の磁場強度に対する依存性に比べて遙かに低いことに起因する。加えて、磁力線の進路は、どちらかと言えば少なくとも1つの磁石の幾何次元および幾何学的配置によって正確に決定され、かつ最適化される。磁力線がセンサに近い部位で比較的強い湾曲を有していれば、センサは磁場の変位に極めて高感度で応答することから効果的である。その結果、本新規なセンサ組立体を高い測定精度へと極めて単純に最適化することができ、よってこの高い測定精度を、幾何次元の再現による大量生産で確実に保証することができる。したがって、本新規なセンサ組立体は、極めて安価で実装されることが可能である。好適な実施形態例を参照して後に詳しく説明するように、本新規なセンサ組立体は、3Dセンサ組立体として効果的に実装されることが可能であり、このとき、単一の集積型センサ組立体がお互いに相対移動する2つの部分の全自由度を決定することができる、したがって、上述の目的は完全に達成される。本発明の好適な一改良において、センサ組立体は、共通センサ信号を提供するために第1および第2の磁場センサの出力信号を加算する加算器を備える。好ましくは、加算器はさらに、第1および第2の磁場センサの2つの出力信号の平均値を求めることができる。したがって、本発明のこの好適な実施形態では、共通センサ信号は、反対の磁場方向を考慮して2つの出力信号の平均値を表現する。好適な実施形態例によっては、センサは、各々、第2の部分に対する第1の部分の位置が変われば正弦波的または余弦波的に変化する少なくとも1つの出力信号を提供する。共通磁場の磁力線は、遠隔の2つのセンサにおいて反対であることから、加算器は、2つのセンサにおける歪のない理想的な対称性磁場に対してゼロであるセンサ信号を形成する。ゼロからの偏差は、第2の部分に対する第1の部分の偏位の結果であるか、2つのセンサ間の磁場の対称性の外乱による結果である。第1の部分の配置位置が、恐らくは較正による測定より前に決定される場合、外乱は、加算信号を用いて極めて容易に検出され、かつ位置決定の間に排除されることが可能である。いくつかの例示的な実施形態によっては、加算器は、出力信号の直列並列接続によってハードウェア形式で実装される。他の例示的な実施形態では、センサ組立体は、出力信号の加算および好ましい平均値の形成を実行する、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、ASIC、またはFPGA等のプログラマブル回路を備える。本発明の好適な一改良において、センサ組立体は、共通センサ信号を提供するために、第1および第2の磁場センサの出力信号間の差を求める減算器を備える。センサ組立体は、磁場センサの2つの出力信号から和信号および差信号を提供するために、加算器および減算器の双方を備えていれば特に好ましい。磁場の2つ磁場センサに対する回転、ひいては第2の部分に対する第1の部分の回転は、2つの出力信号間の差から決定することができる。したがって、この実施形態は、さらなる自由度を表現する共通センサ信号の提供を可能にする。好適な実施形態例では、相対移動の2つの異なる自由度を表現する加算器および減算器の2つの出力信号が並行して送出され、これにより、2つの共通センサ信号の超高速決定が可能にされる。ある好適な改良例では、センサ組立体は、各々が2つの磁場センサを有する3つのセンサペアを備え、各センサペアは、異なる測定軸に対する和信号および差信号を提供する。このようなセンサ組立体によって、全6つの自由度、ひいては所謂第2の部分に対する第1の部分の姿勢を単純かつ迅速に決定することができる。さらなる改良では、磁場センサは各々、磁場方向に依存して変化する電気抵抗を有する。前記改良では、磁場センサは、磁気抵抗センサであり、具体的にはAMRセンサである。さらに、センサが、評価に関連する磁力線が存在する共通の測定平面をスパンするものであれば好ましい。前記改良は、本新規なセンサ組立体の極めて平坦な、よってコンパクトな実装を可能にする。あるさらなる改良では、第1および第2の磁場センサは、各々2つの異なるアナログ出力信号を発生し、これらのアナログ出力信号は各々、個々の磁場センサのロケーションにおける磁場方向に正弦波状または余弦波状に依存する瞬時値を有する。前記実施形態の適切な磁場センサは、具体的には磁気抵抗センサであって、その各々は内部に、お互いに対して45 ゚で回転される2つの抵抗測定ブリッジを備える。前記抵抗測定ブリッジのうちの第1の抵抗測定ブリッジは、センサのロケーションにおける磁場の方向に正弦波的に依存する第1のアナログ信号を提供する。前記抵抗測定ブリッジの第2の抵抗測定ブリッジは、45 ゚の回転に起因してセンサのロケーションにおける磁場の方向に余弦波的に依存する第2のアナログ信号を提供する。これらの2つのアナログ信号は、共同して、センサのロケーションにおける磁場方向の極めて正確な決定を可能にする。このような磁場センサの使用は、180 ゚回転された第1のセンサの正弦波状または余弦波状アナログ信号を第2のセンサの正弦波状または余弦波状アナログ信号と電気接続し、つまりこれらのアナログ信号を並列回路で結合することによって超高速信号処理を可能にする。磁場方向を表現する2つの共通の出力信号は、2つのセンサの正弦信号または余弦信号の電気接続によって極めて単純かつ高速で取得される。これにより、信号処理による磁場の外乱は、極めて効果的に補償される。さらなる改良では、センサ組立体は、各々が第1および第2の磁場センサを有する第1のペアおよび第2のペアを形成する少なくとも4つの磁場センサを備え、各ペアは、少なくとも2つの相互に直交する測定軸のうちの一方に対する共通センサ信号を生成する。好ましくは、センサ組立体は、少なくとも3つのペアを形成する少なくとも6つの磁場センサを備え、各ペアは、3つの直交する測定軸のうちの1つに関して共通センサ信号を提供する。この改良を用いれば、複数の空間方向の位置情報を提供するコンパクトな2Dまたは3Dセンサ組立体すらも提供される。したがってこれは、プローブヘッドのベースに対するスタイラスの偏位を決定することに特に適する。さらなる改良では、第2の部分は、ペアの磁場センサが共に配置されるコンポーネントサポートを備える。好適な実施形態例では、コンポーネントサポートは、略円板形である。具体的には、コンポーネントサポートは、磁場センサが例えばはんだ付けによって永久的に付着される回路基板である。効果的には、回路基板上には、他の回路素子、具体的には加算器および/または減算器、または回路基板の動作温度を表す温度信号を提供する温度センサが配置される。さらに、コンポーネントサポートは熱的に安定した材料、例えばセラミック材料より成り、および/または既知の熱膨張係数を有していれば好ましい。前記改良では、センサ組立体は、複数の測定軸についてセンサペアを有する集積型センサ組立体である。この実施形態は、プローブヘッドにおける極めてコンパクトな実装および安価な嵌め込みを可能にする。コンポーネントサポート上への複数のセンサペアの集積化は、さらに、同じ構造である複数のセンサ組立体に対して一様に高い測定精度を保証する。コンポーネントサポート上への温度センサの集積化は、さらに、効果的な温度補償および結果としてのさらに高い測定精度を可能にする。さらなる改良では、コンポーネントサポートは中央に、少なくとも1つの磁石が配置される収納部を有する。前記改良において、センサ組立体は、集積化される磁場センサペアに共通する磁場を用いる。これは、1つの磁場が少なくとも2つの直交する測定軸に関する位置情報を提供することを意味する。好適な実施形態例では、センサ組立体は、全ての測定軸に関して、ひいては全てのセンサペアに関して1つの共通磁場を用いる。この改良は、特にコンパクトな構造に寄与する。さらに、この改良は、全ての測定軸に共通する基準が評価されることに起因して、全ての測定軸に対する一様に高い測定精度を可能にする。さらなる改良では、センサ組立体は、収納部内に配置されて共通磁場を発生する複数の磁石を備える。好ましくは、共通磁場は、少なくとも2つの測定軸に対して回転対称性であり、すなわち、共通磁場は、少なくとも2つの直交する測定軸で同一に出現する。ある特に好適な実施形態例では、センサ組立体は、十字形に配置される4つの磁石を備える。前記実施形態は、全ての測定軸に関して高い測定精度を提供する、共通磁場を有する極めてコンパクトな設計を可能にする。磁場の回転対称性は、2つの直交する測定軸において略同一の測定精度を提供することから、座標測定機のプローブヘッドにおける使用に特に効果的である。前記2つの軸は、効果的には地球の重力を横断して配置され、すなわちこれらは、ポータルまたはブリッジ型構造の座標測定機において、通常x-y測定平面と称される測定平面を形成する。さらなる改良では、コンポーネントサポートは、その各々に第1および第2の磁場センサが配置される上側面と下側面とを有する。好ましくは、上側面と下側面とはお互いに略平行である。好適な実施形態例では、コンポーネントサポートは両側にコンポーネントが嵌められる回路基板である。前記改良は、直交する3つの空間方向でお互いに分離される磁場センサを備える、コンパクトなセンサ組立体を可能にする。ある実施形態例では、コンポーネントサポートの上側面および下側面には、磁場センサが、一方はコンポーネントサポートの上側面に配置され、かつもう一方は下側面に配置される少なくとも2つのセンサペアが形成されるように、お互いに対して鏡像を形成して嵌め込まれる。必然的に、センサペアは2つの異なる測定平面に存在し、効果的には、これは、好適な実施形態例において、測定平面に平行な軸に対するコンポーネントサポートの傾斜を検出するために使用される。他の例示的な実施形態では、上側面上の磁場センサと下側面上の磁場センサとがセンサペアを形成することができる。この実施形態はさらに、選択された磁場センサが2つ以上のセンサペアに使用されることを可能にする。具体的には、センサ信号が少数の磁場センサによって複数の測定方向に使用可能であるように、ある磁場センサの出力信号は、一度、同じ側面上にある別の磁場センサの出力信号と結合され、二度目には、反対側面上の磁場センサの出力信号と結合されることが可能である。いくつかの効果的な実施形態例によっては、センサ組立体は、センサのデジタルまたはデジタル化された出力信号を定義された様々な組み合わせで纏めて関連づけるように設計されるプログラマブル回路を備える。したがって、ある好適な事例では、プログラマブル回路は、選択されたセンサペアおよび/またはそれらの適正な動作の測定不確定性を交差比較によって監視することを可能にする監視および診断機能を実装する。また、磁場センサの出力信号が複数の異なるセンサペアとして結合される場合も極めて効果的であるが、これは、極めて効率的な蓋然性比較をこの方法で実行できることに起因する。さらなる改良では、センサ組立体は、出力信号を用いて第2の部分に対する第1の部分の熱誘導式位置変化を決定するように設計される温度補正ステージを含む。前記改良において、温度補償は、効果的には磁場センサの出力信号のみを用いて実行される。ある例示的な実施形態では、基準温度における磁場センサの出力信号がセンサ組立体のメモリ、または座標測定機のメモリに格納されている。測定に先立って、磁場センサの出力信号はまず、第1および第2の部分間の偏位/位置変化なしに決定される。基準温度における出力信号に対する出力信号の偏差は、特別な温度センサなしの、またはこれに追加した好ましい温度補償を可能にする。上述の特徴および後述する特徴は、記述された個々の組み合わせで使用可能であるだけでなく、本発明の範囲を逸脱することなく他の組み合わせで、またはそれ自体でも使用可能であることは理解されるべきである。図1では、本新規なセンサ組立体が使用される座標測定機全体が参照数字10で参照されている。座標測定技術における本新規なセンサ組立体の使用は今日的な視点から好ましいが、本発明はこれに限定されない。センサ組立体は、どちらかと言えば、第2の部分に対する第1の部分の位置が高精度で決定される他の事例でも効果的に使用されることが可能である。座標測定機10は、ポータル14がその上に配置されるベース12を備える。ポータル14は、ベース12に対して第1の空間方向へ移動されることが可能である。典型的には、前記空間方向は、y軸として明示される。ポータル14の上側の横桁には、キャリッジ16が配置され、これは、ポータル14に対して第2の空間方向へ移動されることが可能である。キャリッジ16の運動軸は、通常、x軸と称される。キャリッジ16上にはクイル18が配置され、これは、キャリッジに対して第3の空間方向へ移動されることが可能である。前記第3の空間方向は、通常、z軸と称される。スタイラス22を有するプローブヘッド20は、クイル18の下側の自由端に配置される。スタイラスは、測定対象26がベース12上へ配置される間に測定対象26上の測定点24に接触するために使用される。よって、検出される測定点24の空間位置は、座標軸x、y、zに対するプローブヘッド20の位置から決定されることが可能である。測定対象26上の複数の測定点24における空間座標が決定されれば、測定対象26の幾何次元および/または形状を決定することができる。本図において、座標測定機10は、可動ポータルを有する門形の構造物として示されている。座標測定機としては、例えば水平アーム測定機またはベース12が測定対象26と共に移動される測定機といった他の設計が存在する。本新規なセンサ組立体がこのような座標測定機によっても効果的に使用可能であることは理解されるべきである。座標測定機の運動軸の位置トランスデューサは参照数字28、30、32を用いて参照され、かつ例えば、インクリメンタルエンコーダまたは均等目盛を備えることができる。評価および制御ユニット34は、これらの位置トランスデューサ28、30、32を用いて、測定容積内のプローブヘッド20の実際の個々の空間位置を決定する。さらに、この場合、評価および制御ユニット34は、ポータル14、キャリッジ16、およびクイル18の動作も制御する。したがって、評価および制御ユニット34は、ライン36、38を介して位置トランスデューサ28、30、32および座標測定機10の駆動装置不図示へ接続される。座標測定機10のオペレータがプローブヘッド20の位置を変えるために使用できる制御部は、参照数字40を用いて参照される。この好適な実施形態例では、評価および制御ユニット34は、キーボード42およびディスプレイ44、並びにプロセッサ46およびメモリ48も備える。メモリ48aは、例えば測定値の揮発性記憶装置のワーキングメモリであってもよいのに対して、メモリ48bは測定対象26に関する制御および測定プログラムを含む。図2は、ある好適な実施形態例によるプローブヘッド20の機械的構造を示す。プローブヘッド20は、円筒形のプローブヘッドベース52を備え、プローブヘッドベース52は、スタイラス22が相対移動することができる固定部を形成する。プローブヘッドベース52自体は、座標測定機10の駆動装置を用いて測定容積内で移動可能であることは理解されるべきである。プローブヘッド20は、プローブヘッドベース52内部へ略同心的に配置される2つの円筒シェル54、56を備える。円筒シェル54、56は、それらの個々の円筒シェルの内側でお互いに対面する。円筒シェル56は、円筒シェル54を外側から囲むエクステンションアームextensionarm57を備える。第1の円筒シェル54は、2つのリーフスプリング58によってプローブヘッドベース52の内側へ固定される。これらのリーフスプリング58に起因して、プローブヘッドベース52および円筒シェル54は、ばね平行四辺形を形成し、これが、プローブヘッドベース52に対する円筒シェル54の図2において矢印61が示す方向への動作を可能にする。いくつかの例示的な実施形態によっては、前記動作方向61は、座標測定機10のz軸に対して平行である。しかしながら、プローブヘッド20が図1に示されている方向性から旋回されることが可能な事例も存在し、この場合、動作方向61は、座標測定機10のz軸に対して平行ではない。第2の円筒シェル56は、さらなる2つのリーフスプリング60によって第1の円筒シェル54へ固定され、円筒シェル54と共に第2のばね平行四辺形を形成する。2つの円筒シェル54、56は、リーフスプリング58、60と共に二重のばね平行四辺形を形成し、これが矢印61方向への線形動作を可能にする。この好適な実施形態例において、リーフスプリング58、60は、各々両円筒シェルおよびプローブヘッドベースへの3点接続を備える。これは、これらのリーフスプリングが略単一の接続ポイント62によって1つの円筒シェルへ接続され、かつどちらかと言えば線形の接続部64または複数の接続ポイントを含む接続部64によってもう一方の円筒シェルへ接続されることを意味する。この3点支持は、内部応力を減らす。2つの円筒シェル54、56は、プローブヘッドベース52内に略同心的に配置される膜ばね66を保持する。ロッド68は、膜ばね66に付着され、かつリーフスプリング58、60内の収納部70を介して延びる。ロッド68は、スタイラス22の延長部および/またはマウント部である。円筒シェル54、56、リーフスプリング58、60および膜ばね66は、全体で、直交する3つの空間方向x、y、zに自由度を有するスタイラス22のためのサポート72を形成する。この場合の本新規なセンサ組立体の目的は、プローブヘッドベース52に対するスタイラス22の個々の位置を検出することにある。図3は、新規なセンサ組立体の例示的な実施形態を示す単純化された略図である。図3において、参照数字74は、磁場75を発生する磁石を指す。磁石74は、第1の部分76上へ配置され、第1の部分76は、支持プレートの形式であって、ここでは、具体的には略円形である。第2の部分は、参照数字78によって参照される。第2の部分78は、フレームであって、第1の部分76を中心として略同心的に配置される。参照数字80、82は、2つの磁場センサを指し、ある好適な実施形態例では、これらは磁気抵抗AMRセンサである。センサ80、82は、お互いに距離84を隔てて配置される。磁石74は、センサ80、82間の距離により定義される間隔内に配置される。各センサ80、82は、個々のセンサのロケーションにおける個々の磁力線方向に依存する出力信号86または88を提供する。ある例示的な実施形態においてセンサ80、82は、角度センサであり、個々のセンサのロケーションにおける磁石74の磁場方向を表す出力信号、具体的にはデジタル出力信号を提供する。出力信号86、88は、この場合は加算器92を備える回路90へ供給される。加算器92は2つの出力信号86、88の和信号を、個々の符号を考慮して形成する。ある事例では、和信号は絶対値の和であってもよい。この場合、和信号は、効果的には、2つの出力信号86、88の平均値を表す共通センサ信号94を取得するために2で割られる。他の事例では、和信号は正しい算術符号を用いて形成されてもよく、この結果として実際には、センサ信号の逆変動に起因して差が形成される。センサ信号94は、磁石74の位置を表現し、かつ必然的に、測定軸96に沿った第2の部分に対する第1の部分の位置を表現する。図3に示されているように、測定軸96は、2つのセンサ80、82間の距離ベクトル84を横断して延び、磁石74は、測定軸96に沿って配置される。磁場75の磁力線から分かるように、磁石74が測定軸96に沿って変位した場合、センサ80、82は異なる磁場方向を検出し、これにより、センサ信号94が相応に変更される。図4は、新規なセンサ組立体の好適な一実施形態例を示す。この事例において、各磁場センサ80、82は、抵抗測定ブリッジ83a、83bまたは85a、85bを備える。各抵抗測定ブリッジ83a、83b、85a、85bは、磁場方向に依存する出力信号86a、86b、88a、88bを発生する別々の磁場センサを形成する。出力信号86a、88aは、抵抗測定ブリッジ83a、85aのロケーションにおける磁場方向に正弦波的に依存するアナログ出力信号であり、各々が瞬時値89aを有する。出力信号86b、88bは、抵抗測定ブリッジ83b、85bのロケーションにおける磁場方向に余弦波的に依存するアナログ出力信号であり、各々が瞬時値89bを有する。2つの正弦波状出力信号86a、88aは、電気的に並列接続される。2つの余弦波状出力信号88a、88bも同様に、電気的に並列接続される。図5は、回路90が加算器92に加えて減算器98を備えるさらなる実施形態例を示す。減算器98は、2つの出力信号86、88の差を形成し、かつ差の形成に起因して第2の部分に対する第1の部分の回転角102を介する回転を表すさらなる共通センサ信号100を提供する。図5から分かるように、回転角102は、距離ベクトル84と測定軸96によってスパンされる平面に存在する。言い替えれば、センサ信号100は、センサ80、82によってスパンされる測定平面に対して垂直である回転軸104を中心とする第2の部分に対する第1の部分の回転を表す。磁場75の磁力線も、まさにこの測定平面に存在する。したがって、この好適な実施形態例において、センサ信号94、100は、2つの自由度、すなわち測定軸96に沿った平行移動の自由度および回転軸104を中心とする回転の自由度に関連する第2の部分に対する第1の部分の個々の実際の位置を表す。図6は、2つのセンサペア80a、82aおよび80b、82bを備える、図5からのセンサ組立体の展開を示す。センサペア80a、82aは、図3から図5までのセンサペア80、82に相当する。もう一方のセンサペア80b、82bは、センサ80a、82aの測定平面内に配置され、かつセンサペア80a、82aに対して90 ゚回転されている。したがって、もう一方のセンサペア80b、82bは、この場合は第1の測定軸96aに直交するさらなる測定軸96bに沿って共通センサ信号を提供する。図7は、この場合はその全体が参照数字110によって参照されるセンサ組立体の好適な一実施形態例を示す。センサ組立体110は、さらなるサポート114上へ配置される略円板形のコンポーネントサポート112を備える。コンポーネントサポート112は、上側面116と、下側面118とを有する。4つの磁場センサ80a、82a、80b、82bは、上側面116上へ配置され、かつ上側面116上の共通の測定平面をスパンする。磁場センサ80a、82aおよび80b、82bは、各々、コンポーネントサポート112の外縁にお互いに距離84図5参照を隔てて存在し、かつ磁場センサペアを形成する。この場合、センサ組立体110は、さらに第3のセンサペアを備えるが、図7にはそのうちの一方の磁場センサ80cしか見えていない。さらなるセンサ82cは、図7において、センサ組立体110の遠い裏側に配置される。磁場センサ80cを見て分かるように、センサ80c、82cは、ホルダ120上でセンサ80a、82a、80b、82bの測定平面に対して垂直に配置され、ホルダ120は、コンポーネントサポート112に固定されている。センサ80c、82cの磁気活性表面は、上側面116に対して略垂直である。したがって、センサ80c、82cは、コンポーネントサポート112のもう一方のサポート114に対する上側面116に対して垂直方向への移動を検出するように最適に配向される。センサ組立体110が図2に示されているタイプのプローブヘッドに使用されるこの好適な実施形態例では、センサ80c、82cは、z方向でのスタイラス22の偏位を表す共通センサ信号を形成するのに対して、2つのセンサペア80a、82aおよび80b、82bは、各々、xまたはy方向の偏位を表すセンサ信号を提供する。センサ組立体110のセンサペア80a、82a、80b、82b、80c、82cに共通する磁場は、各々が長方形である4つの磁石74a、74b、74c、74dを用いて発生される。2つの磁石74a、74cまたは74b、74dは、各々、その狭い方の側面で対面される。磁石74a、74b、74c、74dは、平面図において、上側面116上に十字を形成する。好適な実施形態例では、各磁石74のN-S軸122は、コンポーネントサポート112の上側面116上のセンサ80a、82a、80b、82bによってスパンされる測定平面に平行して存在する。何れの場合も、結果的に生じる共通磁場は、面116に沿った回転の間に等しい磁極同士が対面されるか、異なる磁極同士が対面されるかに依存して異なる。図8は、上側面116上の平面図における、磁石74のN極とS極とが周方向に交互する場合の、すなわち何れにしても表面116に沿ってN極とS極とがお互いに対面する場合のセンサ組立体110の共通磁場124を示す。これに対して図9は、上側面116に沿って等しい磁極同士がお互いに対面する場合のセンサ組立体110の共通磁場126を示す。双方の場合で、共通磁場は、上側面116に対して垂直な仮想回転軸を中心として回転対称性であるという結果となる。したがって、共通磁場124、126は、各々、どちらも効果的には地球の重力に対して垂直であるしたがって、典型的にはスタイラスの移動のx軸およびy軸を表す直交する2つの空間方向におけるスタイラスの偏位を決定することに最適である。双方の磁場変動は、磁場センサ80a、80b、82a、82bのエリア内に極端に曲がったラインコースを有し、これにより、高精度の位置決定が可能にされる。図7から分かるように、コンポーネントサポート112は、中心に略十字形の収納部128を備え、この中に、十字形に配置される磁石74a、74b、74c、74dが配置される。磁石は、もう一方のサポート114上へ固定され、かつサポート114と共に全体としてコンポーネントサポート112に対して移動されることが可能である。例示的な実施形態では、さらなるサポート114が、磁石74によってロッド68上へ固定されることが可能であるのに対して図2参照、コンポーネントサポート116は、プローブヘッドベース52へ結合される。プローブヘッドのベースに対してスタイラス22が偏位すると、センサペアに対する共通磁場124または126の位置が変化する。磁場の個々の実際の位置、よってスタイラス22の実際の位置は、センサペアによって3つの空間方向において決定されることが可能である。図7に示されている例示的な実施形態の位置変形例では、コンポーネントサポート112は、上側面116および下側面118の双方に、センサペア80a、82aおよび80b、82bが嵌め込まれる本明細書には図示されていない。この変形例において、コンポーネントサポート112の厚さdは、上側面116上のセンサペアおよび下側面118上のセンサペアが2つの相互に平行するがお互いに距離dで分離された測定平面を形成する類の大きさであるように選択され、距離dは、x軸およびy軸を中心とするコンポーネントサポート112の傾斜をこれらの平行する測定平面からのセンサ信号を用いて決定できるのに十分な大きさである。この場合、x軸およびy軸は、2つの測定平面に平行して延びる。z軸を中心とするコンポーネントサポート112の回転は、効果的には、図5による減算器98によって決定される。全ての好適な実施形態例において、コンポーネントサポート112は、熱的に安定した材料、すなわち熱膨張係数が低い材料より成る。例示的な実施形態によっては、コンポーネントサポート112上へ温度センサ130が配置される。温度センサ130を使用すれば、座標測定機10の評価および制御ユニット34またはセンサ組立体110における信号処理ユニットは、既知の温度係数を使用して磁場124、126に対するコンポーネントサポート112の熱誘導の位置変化を補正することにより、温度補償を実行することができる。他の例示的な実施形態では、センサペアの共通センサ信号94が、基準温度で決定され、かつ評価ユニットのメモリに基準値として提供されることから、センサ組立体110は、温度センサ126なしに実装されることが可能である。実際の測定を実行する前に、評価ユニットは、コンポーネントサポート112がその静止位置にある間に、まずセンサペアの共通センサ信号を決定する。温度補償用の補正値は、実際に決定されるセンサ信号と、基準温度におけるセンサ信号との差から決定される。例示的な実施形態によっては、前記温度補償は、座標測定機10の評価および制御ユニット34において行われる。評価ユニット34は、必然的に温度補正ステージを備える。他の例示的な実施形態では、温度補正ステージをコンポーネントサポート112上へ集積化することができる。"