単結晶を加工することによって多数の半導体ウェハを製造する方法であって、前記単結晶の長手方向中心軸は、前記半導体ウェハの結晶格子の要求方位からずれた方位を有し、前記方法は、前記半導体ウェハの前記結晶格子の前記要求方位を示す結晶軸に垂直な切断面に沿って、成長した状態のままで存在する単結晶から少なくとも1つのブロックをスライスするステップと、前記結晶軸を中心にして前記ブロックの側面を研削するステップと、前記結晶軸に垂直な切断面に沿って、研削されたブロックから多数の半導体ウェハをスライスするステップとを備える、方法。既知の方位を基準面として有する、前記単結晶上で目に見える面を用いて、前記結晶軸の位置を決定するステップを備える、請求項1に記載の方法。前記ブロックは、帯鋸によって前記単結晶からスライスされる、請求項1または請求項2に記載の方法。前記半導体ウェハの平面における基準方向を表わす指標を利用して前記ブロックに印を付けるステップを備える、請求項1から3のいずれかに記載の方法。前記半導体ウェハは、ワイヤソーによって、縦に並べられた2つ以上の研削されたブロックからスライスされる、請求項1から4のいずれかに記載の方法。前記半導体ウェハをスライスするための前記2つ以上の研削されたブロックは、縦に並べられて、接着接合される、請求項5に記載の方法。本発明の目的は、上述の不利な点を持たない方法を提供することである。この目的は、単結晶を加工することによって多数の半導体ウェハを製造する方法であって、上記単結晶の長手方向中心軸は、上記半導体ウェハの結晶格子の要求方位からずれた方位を有し、上記方法は、上記半導体ウェハの上記結晶格子の上記要求方位を示す結晶軸に垂直な切断面に沿って、成長した状態のままで存在する単結晶から少なくとも1つのブロックをスライスするステップと、上記結晶軸を中心にして上記ブロックの側面を研削するステップと、上記結晶軸に垂直な切断面に沿って、研削されたブロックから多数の半導体ウェハをスライスするステップとを備える、方法によって達成される。この方法を適用すると、楔形の断面を有する生成物により生じる歩留のロスなしに、研削されたブロックを切断して結晶格子の要求方位を有する半導体ウェハにすることができる。さらに、利用可能なワイヤウェブをほぼ完全に利用して、短い間隔でまたは互いに接触する態様で縦に並べられた2つ以上のブロックを同時に切り離して半導体ウェハにすることができる。それに伴う経済的利点は、直径が比較的大きな比較的短いブロックを切断して半導体ウェハにしなければならない場合に特に高い。したがって、公称直径が300mmまたは450mmである、シリコンからなる半導体ウェハを製造するためにこの方法を適用することが好ましく、この場合、好ましくは、半導体ウェハが同時にブロックからスライスされるように2つ以上の研削されたブロックが縦に並べられる。この方法の出発物は、成長した状態のままで成長したままの状態で存在しかつ導入部で定義した意味で誤方位を有する単結晶であり、好ましくは、シリコンからなる対応する単結晶である。長手方向中心軸と半導体ウェハの結晶格子の要求方位を示す結晶軸との間の角度θによって表わされる誤方位は、好ましくは0°以上2°以下であり、特に好ましくは1°以下である。この方法の最終生成物は、結晶格子の要求方位を有する半導体ウェハである。結晶格子の要求方位は所望のとおりの方位である。結晶格子の要求方位は、たとえば<100>または<110>または<111>方位の軸によって示すことができ、または、方位が角度αだけこのような軸からずれており、半導体ウェハの面上への投影がその面の平面における基準方向と角度βをなす軸によって示すことができる。最後に記載したタイプの半導体ウェハの代表例は、110方位から僅かにずれた面を有する、シリコンからなる半導体ウェハである。DE102008026784A1は、このような半導体ウェハの製造を備える方法について記載している。この方法の開始時に、少なくとも1つのブロックが単結晶からスライスされる。この過程で、第1および第2の円錐形セクションも単結晶の始まり部分および終わり部分からそれぞれ除去される。好ましい切り離しツールは帯鋸である。切断面は、半導体ウェハの結晶格子の要求方位を示す結晶軸に垂直であるように選択される。結果として生じるブロックは、単結晶の誤方位により、およそ斜円柱形状を有する。平行な切断面に沿ってこのようなブロックのうちの2つ以上のブロックを単結晶からスライスすることが好ましい。単結晶の長手方向中心軸に対する半導体ウェハの結晶格子の要求方位を示す結晶軸の位置は、たとえばX線回折によって決定できる。しかしながら、X線照射を用いることなく管理する方法が好ましい。このような方法は、たとえばDE19526711A1に記載されている。この方法は、既知の方位を基準面として有する、単結晶上で目に見える面を用いる。このような面はたとえば111面であり、この111面は、<100>方位または単結晶の第1の円錐形セクションの肩部領域においてそこから僅かにずれた方位を有する、シリコンからなる単結晶の場合には、目に見える。半導体ウェハの結晶格子の要求方位を示す結晶軸の位置は、既知の方位を基準面として有する面の助けを借りて光学的に決定される。便宜上、レーザビームがこれらの面上に向けられ、好適に配置されたミラーによって反射されたビームは、結晶軸の位置を決定するために評価される。次いで、このようにして得られた情報は、少なくとも1つのブロックをスライスするプロセス中に、帯鋸によって形成された切れ目が、決定された結晶軸に垂直な切断面に生じるように単結晶を方位付けるために用いられる。この方法の1つの好ましい実施例によれば、このようにして得られた情報はさらに、記載の態様で単結晶を方位付けるため、および、半導体ウェハの次の面の平面において基準方向に印を付けるために用いることができる。それは、たとえば基準方向に印を付ける切欠を単結晶の周方向面に研削することによって、または、このような切欠を後の時点で研削できるように印を適合させることによって、なされることができる。その後、単結晶からスライスされたブロックの側面は、上記ブロックが円柱形状を得るように、決定された結晶軸を中心にして研削される。半導体ウェハの結晶格子の要求方位を示す結晶軸は、円柱の長手方向中心軸に平行である。円柱の直径は好ましくは、製造すべき半導体ウェハの公称直径よりも多少大きい。これは、公称直径に届かないということなくその端縁を引き続き研削および研磨できるようにするためである。ブロックの側面を研削するプロセスの後、半導体ウェハは、正確には半導体ウェハの結晶格子の要求方位を示す結晶軸に垂直な切断面に沿って、研削されたブロックからスライスされる。研削されたブロックの端面は、設けられた切断面に平行な基準面を形成する。したがって、半導体ウェハをスライスするために研削されたブロックを正しい方位に向けることが比較的簡単である。切り離しツール、たとえばワイヤソーのワイヤウェブのワイヤおよび研削されたブロックの端面が確実に平行な態様で方位付けられるように、または、ワイヤが確実に円柱の側面に垂直になるように注意が必要であるに過ぎない。処理量を最適化するために、ワイヤソーの助けを借りて半導体ウェハをスライスし、そのプロセスにおいてワイヤウェブのワイヤをできる限りすべて用いることが好ましい。したがって、利用可能なワイヤウェブができる限り完全に利用されるように、適宜、2つ以上のブロックが短い間隔で縦に並べられるか、または好ましくは、この配置で接着接合される。さらにまたは代替例として、2つ以上のブロックを横付けに並べることもでき、これらのブロックから同時に半導体ウェハをスライスすることができる。図面を参照して、一例に基づいて、この発明についてより詳細に以下で説明する。図1および図2に示される単結晶は、<100>方向に向けられた長手方向中心軸Mを有する、シリコンからなる単結晶を利用した例では、成長した状態のままで、単結晶の始まり部分に円錐形セクション1を備え、単結晶の終わり部分に円錐形セクション2を備え、これらの円錐形セクションの間に実質的に均一な直径を有するセクション3を備える。肩部の領域に、すなわちセクション3に隣接した第1の円錐形セクション1のその部分の領域に、平面4が存在し、それに対する面法線は<111>方向に向いている。長手方向中心軸Mは、半導体ウェハの結晶格子の要求方位を示す結晶軸Aからずれた方位を有する。2つの軸は角度θをなす。面4は好ましくは、それに対して結晶軸Aの位置が光学的手段によって決定される基準面として用いられる。面4に対する面法線と<100>方向との間の角度は、たとえば54.73°である。少なくとも1つのブロックが単結晶からスライスされる。従来の態様で実施すると、ブロックは、長手方向中心軸Mに垂直な切断面SM図1に沿ってスライスされる。このプロセスにおいて、図3に示されるブロック5が形成される。上記ブロックの長手方向中心軸Mは、半導体ウェハの結晶格子の要求方位を示す結晶軸Aの方位からずれた方位を有する。この発明に係る方法を適用すると、ブロックは、結晶軸Aに垂直な切断面SAに沿ってスライスされる図2。このプロセスにおいて、図6に示されるブロック6が形成される。ブロックの側面は円柱状に研削される。従来の態様で実施すると、図3のブロック5の側面は、中心軸Mを中心にしてまたは結晶軸Aを中心にして研削される。第1のケースでは、これは、円柱形状を有する図4に係る研削されたブロック7、または、斜円柱形状を有する図5に係る研削されたブロック8を生じさせる。この発明に係る方法を適用すると、図6に示されるブロック6の側面は、結晶軸Aを中心にして研削され、その結果、研削されたブロック9は図7に示される円柱形状を得る。研削されたブロックの結晶軸Aは、その長手方向中心軸に平行である。半導体ウェハが、記載の従来の態様で得られた研削されたブロック7から、長手方向中心軸Mに垂直な切断面SMに沿ってスライスされる場合図4、誤った方位を向いた半導体ウェハが形成され、そのうちの1つ12が図8に示されている。<100>方向に向いた面法線と半導体ウェハの結晶格子の要求方位を示す結晶軸Aとは角度θ′をなす。切欠10によって印が付けられた[0-11]方向は、半導体ウェハの面の平面にある基準方向を表わす。方位角φは、基準方向と半導体ウェハの面上への結晶軸Aの投影線との間の角度を表わす。半導体ウェハは研削されたブロックからスライスされる。半導体ウェハが、記載の従来の態様で得られた研削されたブロック8図5からスライスされ、図9に示されるように結晶軸Aに垂直な切断面SAにおいて切り離し切断が行なわれる場合、楔形の断面を有する生成物11がブロックの端部側に形成され、この生成物は半導体ウェハとして用いることができない。この発明に係る方法を適用すると、図7に示される研削されたブロック9が半導体ウェハに分割される。半導体ウェハは、図10における図示に従って、結晶軸Aに垂直な切断面SAに沿って、研削されたブロック9からスライスされる。この場合、楔形の断面を有する生成物の形態の無駄は生じない。結果として生じる半導体ウェハの面の法線は結晶軸Aの方向に向き、したがって、半導体ウェハは結晶格子の要求方位を有することになる。