"絶縁基板または表面に絶縁層が形成された基板と、前記絶縁層または前記絶縁基板の上面にパターン形成されたサーミスタ薄膜と、前記絶縁層または前記絶縁基板の上面から前記サーミスタ薄膜の上面に亘ってパターン形成された一対の電極と、一対の前記電極に接続された一対のリードと、を備え、前記リードが、前記電極に形成された溝部内に嵌め込まれた状態で側面と前記溝部との接触部分でレーザ溶接されていることを特徴とする薄膜サーミスタセンサ。請求項1に記載の薄膜サーミスタセンサにおいて、前記溝部が、断面矩形状に形成され、前記リードが、前記溝部内に嵌め込み可能な略同じ断面形状とされた角棒状リードフレームであることを特徴とする薄膜サーミスタセンサ。請求項1または2に記載の薄膜サーミスタセンサにおいて、前記電極の少なくとも前記溝部の内壁が、Niで形成されていることを特徴とする薄膜サーミスタセンサ。請求項1から3のいずれか一項に記載の薄膜サーミスタセンサを作製する方法であって、絶縁基板の上面または表面に絶縁層が形成された基板の前記絶縁層の上面にサーミスタ薄膜をパターン形成する工程と、前記絶縁層または前記絶縁基板の上面から前記サーミスタ薄膜の上面に亘って一対の電極をパターン形成する工程と、一対の前記電極に一対のリードを接続するリード接続工程とを有し、前記リード接続工程において、一対の前記電極に溝部を形成する工程と、前記リードを前記溝部内に嵌め込んだ状態で側面と前記溝部との接触部分でレーザ溶接する工程とを有していることを特徴とする薄膜サーミスタセンサの製造方法。上記従来の技術には、以下の課題が残されている。すなわち、上記従来の技術では、バンプを電極上に形成し、その上にリードを載せてレーザ溶接しているが、耐熱、耐熱応力および耐引っ張り応力等の強化のためにリードを覆うようにサーミスタチップ表面にセラミックスモールド材等でモールドすると、バンプリードの高さ分を覆う必要があり、サーミスタチップの容量が増加して熱容量が増加し、熱応答速度の遅延につながってしまう不都合があった。特に、サーミスタチップのチップサイズが小さくなるほど、この傾向が顕著に現れてしまう。また、レーザ溶接を行う場合、リードの上からレーザ光を照射するが、リードが厚い太い場合やレーザ光を吸収し難い材質または反射するめっき膜Cu,Au,Ag等の膜が表面に施されている場合、レーザ光の出力調整が難しく、バンプで熱エネルギーが吸収しきれずにチップの基板まで達してしまい、基板と電極との剥離が発生してしまう問題があった。本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、バンプを用いずにリードをレーザ溶接で良好に接合可能な薄膜サーミスタセンサおよびその製造方法を提供することを目的とする。本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明の薄膜サーミスタセンサは、絶縁基板または表面に絶縁層が形成された基板と、前記絶縁層または前記絶縁基板の上面にパターン形成されたサーミスタ薄膜と、前記絶縁層または前記絶縁基板の上面から前記サーミスタ薄膜の上面に亘ってパターン形成された一対の電極と、一対の前記電極に接続された一対のリードと、を備え、前記リードが、前記電極に形成された溝部内に嵌め込まれた状態で側面と前記溝部との接触部分でレーザ溶接されていることを特徴とする。また、本発明の薄膜サーミスタセンサの製造方法は、上記発明の薄膜サーミスタセンサを作製する方法であって、絶縁基板の上面または表面に絶縁層が形成された基板の前記絶縁層の上面にサーミスタ薄膜をパターン形成する工程と、前記絶縁層または前記絶縁基板の上面から前記サーミスタ薄膜の上面に亘って一対の電極をパターン形成する工程と、一対の前記電極に一対のリードを接続するリード接続工程とを有し、前記リード接続工程において、一対の前記電極に溝部を形成する工程と、前記リードを前記溝部内に嵌め込んだ状態で側面と前記溝部との接触部分でレーザ溶接する工程とを有していることを特徴とする。これらの薄膜サーミスタセンサおよびその製造方法では、リードが、電極に形成された溝部内に嵌め込まれた状態で側面と溝部との接触部分でレーザ溶接されるので、モールドしても従来よりも低背となり、熱容量を低減することができると共に、リード側面と溝部との接触部分でレーザ溶接により電極が溶解されて接合されることで直下の基板まで溶けずに電極および基板のダメージを抑制することができる。また、レーザ光の吸収率の低いリード材であっても該リード材よりもレーザ光の吸収率の良い電極を溶融させるので、溶接が可能になり、リード材の選択自由度が高くなる。さらに、リードと電極との接触面積も増大して高い接合強度が得られると共に、正確にリードを位置決めして溶接することができる。また、本発明の薄膜サーミスタセンサでは、前記溝部が、断面矩形状に形成され、前記リードが、前記溝部内に嵌め込み可能な略同じ断面形状とされた角棒状リードフレームであることを特徴とする。すなわち、この薄膜サーミスタセンサでは、リードが、断面矩形状の溝部内に嵌め込み可能な略同じ断面形状とされた角棒状リードフレームであるので、より正確にリードを溝部内に位置決め可能であると共にリードを嵌め込んだ状態でも上面が平坦になって、より低背化することができる。また、本発明の薄膜サーミスタセンサは、前記電極の少なくとも前記溝部の内壁が、Niで形成されていることを特徴とする。すなわち、この薄膜サーミスタセンサでは、電極の少なくとも溝部の内壁が、Niで形成されているので、レーザ光の吸収率の高いNiによって溝部が良好に溶解することで、レーザ光の吸収率の低いリード材や表面がAg,Au,Cu等のレーザ光の吸収率の低いめっき膜で覆われていても、リードを良好に接合させることができる。本発明によれば、以下の効果を奏する。すなわち、本発明に係る薄膜サーミスタセンサおよびその製造方法によれば、リードが、電極に形成された溝部内に嵌め込まれた状態で側面と溝部との接触部分でレーザ溶接されるので、低背化および低熱容量化ができ、熱応答性の向上を図ることができる。また、電極および基板のダメージを抑制すると共に、レーザ光の吸収率の低いリード材でも良好に接合可能である。したがって、本発明は、接合強度、高速応答性および高耐熱性等が必要とされる複写機等に用いられる薄膜サーミスタセンサとして好適である。以下、本発明に係る薄膜サーミスタセンサおよびその製造方法の一実施形態を、図1から図4を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材又は構成を認識可能な大きさとするために、各部材の縮尺を適宜変更している。本実施形態の薄膜サーミスタセンサ1は、図1に示すように、アルミナ基板の絶縁基板2と、絶縁基板2の上面にパターン形成されたサーミスタ薄膜3と、絶縁基板2の上面からサーミスタ薄膜3の上面に亘ってパターン形成された一対の電極4と、一対の電極4に接続された一対のリード5と、を備えている。上記サーミスタ薄膜3は、例えばMn-Co系複合金属酸化物例えば、Mn3O4-Co3O4系複合金属酸化物又は、Mn-Co系複合金属酸化物に、Ni、Fe、Cuのうち少なくとも一種類の元素を含む複合金属酸化物例えば、Mn3O4-Co3O4-Fe2O3系複合金属酸化物からなる複合金属酸化物膜である。本実施形態のサーミスタ薄膜3は、絶縁基板2の上面に、スパッタリング法により平面視略正方形状に成膜されたものである。このサーミスタ薄膜3は、半導体の性状を呈し、温度が上昇すると抵抗が低くなる負特性、いわゆるNTCサーミスタNegativeTemperatureCoefficientThermistorの性質を有している。上記リード5は、電極4に形成された溝部4c内に嵌め込まれた状態で少なくとも側面と溝部4cとの接触部分でレーザ溶接されている。上記電極4の少なくとも溝部4cの内壁は、Niで形成されている。すなわち、一対の上記電極4は、絶縁基板2の上面からサーミスタ薄膜3の上面に亘ってPtでパターン形成された一対のPt接合層と、これらPt接合層上にNiで形成された一対のNiめっき層と、で形成され、該Niめっき層に溝部4cが形成されている。一対のPt接合層は、サーミスタ薄膜3の上面から絶縁基板2の上面に亘って形成されている。この一対のPt接合層は、一対のNiめっき層の下地層となるものであり、成膜される面の材料本実施形態では絶縁基板2及びサーミスタ薄膜3との接合強度がNiめっき層よりも高い。なお、Pt接合層の厚さは、100~1000nmに設定されている。また、このNiめっき層の厚さは、100μm程度である。また、本実施形態の電極4は、サーミスタ薄膜3の上面に形成され互いに対向した一対の櫛歯部4aと、各櫛歯部4aに接続された一対の引き出し電極である電極パッド部4bと、を有している。上記溝部4cは、一対の電極パッド部4bにリード5に対応したライン状または帯状に形成されている。また、溝部4cは、図2に示すように、断面矩形状に形成されている。上記リード5は、例えばステンレスSUSで形成され、溝部4c内に嵌め込み可能な略同じ断面形状とされた角棒状リードフレームである。なお、リード5の表面には、Ag,Au,Cu等のめっき膜が成膜されている。また、この薄膜サーミスタセンサ1では、サーミスタ薄膜3及び櫛歯部4a上に保護膜としてSiO2膜6が形成されている。このSiO2膜6の厚さは、例えば100~1000nmに設定される。さらに、センサ上面全体、すなわちSiO2膜6上と、リード5が溶接された電極4上とが、絶縁被覆層図示略で封止されている。この絶縁被覆層は、サーミスタ薄膜3及び櫛歯部4aを内部に封止する保護膜であり、例えば、表面に滴下したセラミックスモールド材又はガラスペーストを焼成してモールドしたものである。この絶縁被覆層は、例えば厚さ10μmnmに設定されている。次に、このように構成された薄膜サーミスタセンサ1の製造方法について、図3および図4を参照して説明する。まず、図3のaに示すように、絶縁基板2のウエハW表面にサーミスタ薄膜3をパターン形成する薄膜形成工程を行う。すなわち、絶縁基板2の全面に所定のスパッタ条件で上述した複合金属酸化物膜をスパッタリング法で成膜する。続いて、フォトリソグラフィ技術により、複合金属酸化物膜の上面であってサーミスタ薄膜3を形成する領域にフォトレジスト膜をパターニングする。そして、フォトレジスト膜をマスクとして、所定の溶液を利用したウェットエッチング加工によりマスクされていない複合金属酸化物膜を選択的に除去する。そして、マスクとしていたフォトレジスト膜を除去する。これにより、絶縁基板2の上面に平面視略正方形状のサーミスタ薄膜3をパターン形成することができる。この後、耐熱性向上のため必要に応じて所定温度及び所定時間でアニール処理を行う。次いで、サーミスタ薄膜3の上面から絶縁基板2の上面に亘って、所定のスパッタ条件でPt接合層となるPtをスパッタリング法で成膜する。続いて、フォトリソグラフィ技術により、Ptの上面であって一対の電極を形成する領域にフォトレジスト膜をパターニングする。そして、フォトレジスト膜をマスクとして、ドライエッチング加工によりマスクされていないPtを選択的に除去する。そして、マスクとしていたフォトレジスト膜を除去する。これにより、サーミスタ薄膜3の上面に櫛型状の電極をパターン形成することができる。続いて、Niめっき時に櫛歯部4a上および溝部4cとなる部分への析出を防ぐために、めっき用レジストを施し、Pt接合層の電極パッド部4b上に、スルファミン酸Niめっき浴によりNiめっきを100μm程度成膜し、Niめっき層を形成する。このとき、電極パッド部4b上に線状または帯状にめっき用レジストを形成しておくことで、電極パッド部4bに線状または帯状にNiが析出しない部分が形成される。そして、めっき用レジストを除去すると、図3のbに示すように、線状または帯状の溝部4cを有する一対の電極4が形成される。なお、溝部4cの断面形状は矩形状であり、断面サイズは、例えば0.1mm×0.1mmに設定される。さらに、サーミスタ薄膜3及び櫛歯部4a上に保護膜としてSiO2膜6をパターン形成する。この後、図3のcに示すように、ダイシングを行ってチップ状に切り出す。次に、図4のaに示すように、断面矩形状の角棒状リードフレームである一対のリード5を、一対の電極4の溝部4c内に先端部分を嵌め込む。なお、リード5の断面サイズは、溝部4cに対応させて例えば0.1mm×0.1mmに設定される。また、このリード5は、表面にAgめっき膜が形成されている。次に、図4のbに示すように、リード5を溝部4c内に嵌め込んだ状態で側面と溝部4cとの接触部分でレーザ溶接する。このとき、レーザ光Lは、例えば波長1064nm又は532nmのレーザ光を用い、図2に示すように、リード5および溝部4cの幅を考慮して広いスポット径で集光させて照射する。例えば、上記リード5および溝部4cの幅が、0.1mmに設定されている場合、レーザ光は、0.2mm×0.2mmの矩形状のスポットに集光されて照射される。これにより、リード5の両側面に接触する溝部4cの両内壁がレーザ光Lを吸収して融解し、この融解熱により、リード5表面のレーザ吸収率の低いAg,Au,Cu等のめっき膜を融解させ、リード5の両側面が電極4に接合される。この後、セラミックスモールド材又はガラスペーストを、リード5の先端接合部を含む表面全体を覆うようにディスペンサーで表面に滴下、焼成し、絶縁被覆層としてモールドすることで、薄膜サーミスタセンサ1が作製される。このように本実施形態の薄膜サーミスタセンサ1およびその製造方法では、リード5が、電極4に形成された溝部4c内に嵌め込まれた状態で側面と溝部4cとの接触部分でレーザ溶接されるので、モールドしても従来よりも低背となり、熱容量を低減することができると共に、リード5側面と溝部4cとの接触部分でレーザ溶接により電極4が溶解されて接合されることで直下の絶縁基板2まで溶けずに電極4および絶縁基板2のダメージを抑制することができる。また、レーザ光Lの吸収率の低いリード材であっても該リード材よりもレーザ光Lの吸収率の良い電極4を溶融させるので、溶接が可能になり、リード材の選択自由度が高くなる。さらに、リード5と電極4との接触面積も増大して高い接合強度が得られると共に、正確にリード5を位置決めして溶接することができる。また、リード5が、断面矩形状の溝部4c内に嵌め込み可能な略同じ断面形状とされた角棒状リードフレームであるので、より正確にリード5を溝部4c内に位置決め可能であると共にリード5を嵌め込んだ状態でも上面が平坦になって、より低背化することができる。さらに、電極4の少なくとも溝部4cが、Niで形成されているので、レーザ光Lの吸収率の高いNiによって溝部4cが良好に溶解することで、レーザ光Lの吸収率の低いリード材や表面がAg,Au,Cu等のレーザ光Lの吸収率の低いめっき膜で覆われていても、リード5を良好に接合させることができる。なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、上記実施形態では、アルミナ基板の絶縁基板を用いた場合を例にしたが、これに限られず、石英基板等の絶縁基板や、表面に熱酸化によるSiO2層の絶縁層が形成されたシリコン基板又はその他の半導体基板でも構わない。また、リードは、ステンレス材料のリードフレームを用いた場合を例にしたが、これに限らず、コバールやインバー材料でも構わない。"