"供給された電力の総和である積算電力の異なる複数種類のターゲットを用いてバイアススパッタリングすることにより薄膜を形成する、バイアススパッタリング方法。使用時間が異なる複数種類のターゲットを用いる、請求項1に記載のバイアススパッタリング方法。前記積算電力の異なる複数種類のターゲットのうち、最も積算電力が大きいターゲットの積算電力が、予め定められた電力に達した際に、前記複数種類のターゲットのうち、当該最も積算電力が大きいターゲットを、他のターゲットよりも積算電力が小さなターゲットに交換しながらバイアススパッタリングを継続する、請求項1または2に記載のバイアススパッタリング方法。5種類以下のターゲットを用いる、請求項1~3のいずれか一項に記載のバイアススパッタリング方法。圧電基板と、前記圧電基板の上に形成されたIDT電極と、IDT電極を覆うように形成された誘電体膜とを備える弾性波装置の製造方法であって、前記誘電体膜を、請求項1~4のいずれか一項に記載のバイアススパッタリング方法により形成する、弾性波装置の製造方法。しかしながら、特許文献1に記載のバイアススパッタリング装置を用いたバイアススパッタリングにより薄膜を成膜した場合、形成される薄膜の膜質にばらつきが生じやすいという問題がある。本発明は、斯かる点に鑑みて成されたものであり、安定した膜質で薄膜を形成し得るバイアススパッタリング方法及びそれを利用した弾性波装置の製造方法を提供することにある。本発明に係るバイアススパッタリング方法では、供給された電力の総和である積算電力の異なる複数種類のターゲットを用いてバイアススパッタリングすることにより薄膜を形成する。本発明に係るバイアススパッタリング方法のある特定の局面では、使用時間が異なる複数種類のターゲットを用いる。本発明に係るバイアススパッタリング方法の他の特定の局面では、積算電力の異なる複数種類のターゲットのうち、最も積算電力が大きいターゲットの積算電力が、予め定められた電力に達した際に、複数種類のターゲットのうち、当該最も積算電力が大きいターゲットを、他のターゲットよりも積算電力が小さなターゲットに交換しながらバイアススパッタリングを継続する。本発明に係るバイアススパッタリング方法の別の特定の局面では、5種類以下のターゲットを用いる。本発明に係る弾性波装置の製造方法は、圧電基板と、圧電基板の上に形成されたIDT電極と、IDT電極を覆うように形成された誘電体膜とを備える弾性波装置の製造方法である。本発明に係る弾性波装置の製造方法では、誘電体膜を、上記本発明に係るバイアススパッタリング方法により形成する。本発明によれば、安定した膜質で薄膜を形成し得るバイアススパッタリング方法及びそれを利用した弾性波装置の製造方法を提供することができる。以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、以下の実施形態は、単なる例示である。本発明は、以下の実施形態に何ら限定されない。図1は、本実施形態におけるバイアススパッタリング装置の模式図である。図1に示すように、本実施形態において使用するバイアススパッタリング装置1は、真空チャンバ10を備えている。真空チャンバ10には、真空ポンプが接続されている。この真空ポンプにより、真空チャンバ10内が減圧可能となっている。また、真空チャンバ10には、アルゴンガスなどの、プラズマを発生させるためのプロセスガスや、酸素ガスや窒素ガスなどの反応性ガス等が適宜供給可能となっている。真空チャンバ10内には、複数のターゲット12が固定された円板状のターゲットフォルダ11が設けられている。ターゲットフォルダ11は、その中心回りに回転可能となっている。このターゲットフォルダ11により、複数のターゲット12のそれぞれが自転しながら公転可能となっている。ターゲットフォルダ11に固定されるターゲット12の個数は、5以下であることが好ましい。本実施形態では、具体的には、図2に示すように、ターゲットフォルダ11に3つのターゲット12a~12cが固定される例について説明する。なお、ターゲット12は、成膜しようとする薄膜の種類や反応ガスの種類等に応じて適宜選択することができる。ターゲット12としては、例えば、Si,Nb,Al,Ta,Cu等の金属からなるターゲットや、SiO2、Nb2O5、Al2O3等の金属酸化物からなるターゲット等を用いることができる。また、真空チャンバ10内には、基板電極図示せずが設けられている。この基板電極により、薄膜を形成する基板13と、ターゲット12との間にRF電力が供給される。次に、バイアススパッタリング装置1を用いて基板13の上に薄膜を形成するバイアススパッタリング方法について説明する。まず、ターゲットフォルダ11に複数のターゲット12a~12cを固定すると共に、真空チャンバ10内に基板13を配置する。次に、真空チャンバ10内に、プロセスガスと、必要に応じて反応性ガス等を充填する。その後、真空チャンバ10内を減圧し、減圧雰囲気とする。その状態で、ターゲット12a~12cを自公転させつつ、ターゲット12a~12cと基板電極との間にRF電力を供給することにより、バイアススパッタリングを行い、基板13の上に薄膜を形成する。ここで、本実施形態では、使用時間が異なり、供給された電力の総和である積算電力の異なる複数種類のターゲット12を用いて上記バイアススパッタリングを行う。具体的には、まず、バイアススパッタリングを行う前に、積算電力の異なる複数種類のターゲット12をターゲットフォルダ11にセットし、バイアススパッタリングを開始する。そして、それら複数種類のターゲット12のうち、最も積算電力が大きなターゲットの積算電力が、予め定められた電力に達した際に、複数のターゲットのうち、最も積算電力が大きなターゲットのみを、他のターゲットよりも積算電力が小さなターゲット典型的には、使用時間がゼロであり、積算電力がゼロである未使用のターゲット12に交換する。そして、バイアススパッタリングを再開する。その後、使用中の複数種類のターゲット12のうち、最も積算電力が大きなターゲット12の積算電力が、予め定められた電力に達した際に、当該最も積算電力が大きなターゲット12を、他のターゲットよりも積算電力が小さいターゲットに交換する。このような交換作業を繰り返し行いつつ、バイアススパッタリングを継続していく。以下、図3を参照しながら、本実施形態におけるバイアススパッタリング方法についてさらに詳細に説明する。なお、以下の説明において、予め定められたターゲット12の使用限度電力をTとして説明する。図3に示すように、バイアススパッタリングを開始するに先立ち、使用時間がゼロであり、積算電力がゼロである未使用のターゲットをターゲット12aとし、積算電力が1/3Tであるターゲットをターゲット12bとし、積算電力が2/3Tであるターゲットをターゲット12cとしてバイアススパッタリングを開始する。バイアススパッタリングを開始してから各ターゲット12a~12cに供給された積算電力が1/3Tに達すると、ターゲット12cの積算電力が使用限度電力Tに達する。このため、バイアススパッタリングを一旦中止して、ターゲット12cを、積算電力がゼロである未使用のターゲットに交換する。この際、他のターゲット12a、12bは交換しない。そして、バイアススパッタリングを再開する。バイアススパッタリングを開始してから各ターゲット12a~12cに供給された積算電力が2/3Tに達すると、ターゲット12bの積算電力が使用限度電力Tに達する。このため、バイアススパッタリングを一旦中止して、ターゲット12bを、積算電力がゼロである未使用のターゲットに交換する。この際、他のターゲット12a、12cは交換しない。そして、バイアススパッタリングを再開する。バイアススパッタリングを開始してから各ターゲット12a~12cに供給された積算電力がTに達すると、ターゲット12aの積算電力が使用限度電力Tに達する。このため、バイアススパッタリングを一旦中止して、ターゲット12aを、積算電力がゼロである未使用のターゲットに交換する。この際、他のターゲット12b、12cは交換しない。そして、バイアススパッタリングを再開する。このように、本実施形態では、積算電力が1/3T供給されるごとに、3つのターゲット12a~12cを一つずつ交換しながらバイアススパッタリングを継続していく。このため、本実施形態においては、常に、積算電力が小さなターゲットと、積算電力が大きなターゲットとが混在していることとなる。ところで、通常は、複数のターゲットを用いてバイアススパッタリングを行う場合、同じ積算電力のターゲット典型的には、積算電力がゼロで未使用のターゲットを用いる。このようにすることにより、ターゲットの交換回数を少なくすることができるためである。しかしながら、積算電力が同じ複数のターゲットを用いてバイアススパッタリングを行った場合、ターゲットを交換してから、ターゲットを再度交換する間においても、得られる薄膜の膜質にばらつきが生じやすい。この理由は定かではないが、ターゲットに供給された積算電力の増加と共に、ターゲットの厚みが薄くなり、ターゲットの表層とマグネットとの距離が短くなっていくためであると考えられる。それに対して本実施形態では、積算電力の異なる複数種類のターゲットをターゲット12a~12cとして用いて、順々に交換していく。このようにすることによって、成膜される薄膜の膜質むらの発生を効果的に抑制することができ、安定した膜質で成膜を継続していくことができる。なお、積算電力が同じ複数のターゲットを利用する場合でも、使用限度電力を小さくすれば膜質の安定化を図り得る。しかしながら、この場合は、使用限度電力が小さくなる分、成膜に多くのターゲットが必要となるため、成膜コストが高くなってしまうこととなる。それに対して本実施形態では、すべてのターゲットを大きな使用限度電力まで使用できるため、成膜コストを抑制することができる。第2の実施形態図4は、第2の実施形態において製造する弾性表面波装置の略図的断面図である。図4に示すように、弾性表面波装置20は、圧電基板21と、圧電基板21の上に形成されたIDT電極22と、圧電基板21の上に形成された誘電体膜23とを有する。圧電基板21は、例えば、LiNbO3基板やLiTaO3基板により構成することができる。IDT電極22は、Al,Pt,Au,Ag,Cu,Ni,Ti,Cr及びPdからなる群から選ばれた金属、もしくは、Al,Pt,Au,Ag,Cu,Ni,Ti,Cr及びPdからなる群から選ばれた一種以上の金属を含む合金により形成することができる。また、IDT電極22は、例えば、上記金属や合金からなる複数の導電膜の積層体により構成することもできる。誘電体膜23は、例えば、酸化ケイ素や窒化ケイ素等により形成することができる。本実施形態では、誘電体膜23を上記第1の実施形態において説明したバイアススパッタリング方法により形成する。このため、誘電体膜23の膜質むらを抑制することができる。従って、安定した特性で弾性表面波装置20を製造することができる。第3の実施形態図5は、第3の実施形態において製造する弾性境界波装置の略図的断面図である。なお、本実施形態の説明において、上記第2の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。図5に示すように、弾性境界波装置24は、圧電基板21と、IDT電極22と、誘電体膜23と、誘電体膜23を覆うように形成されており、誘電体膜23よりも速い音速を有する誘電体膜25とを有する。誘電体膜23を酸化ケイ素により形成した場合は、誘電体膜25は、例えば、窒化ケイ素や酸窒化ケイ素により形成することができる。本実施形態では、誘電体膜23,25を上記第1の実施形態において説明したバイアススパッタリング方法により形成する。このため、誘電体膜23,25の膜質むらを抑制することができる。従って、安定した特性で弾性境界波装置24を製造することができる。実施例上記第1の実施形態において説明したバイアススパッタリング方法により、上記第2の実施形態において説明した弾性表面波装置20を作製した。具体的作製条件を以下に示す。ターゲット12a:積算電力0kWHターゲット12b:積算電力200kWHターゲット12c:積算電力300kWHターゲットの交換:積算電力が420kWHに達したときターゲット:SiO2ターゲット誘電体膜23:厚み1000nmの酸化ケイ素膜その結果、得られた酸化ケイ素膜のアルゴンAr吸蔵量と弾性表面波装置のTCFとを測定した。結果を、図6及び図7に四角で示す。なお、図6及び図7に示すデータの積算電力は、ターゲット12aの積算電力を表している。このため、例えば、図6及び図7に示すデータの積算電力がxである場合、x≦120kWH以下とすると、ターゲット12aの積算電力がxkWH、ターゲット12bの積算電力がx200kWH、ターゲット12cの積算電力がx300kWHとなり、ターゲット12a~12cの積算電力の平均値は、x500/3kWHとなる。120kWH<x≦220kWH以下とすると、ターゲット12aの積算電力がxkWH、ターゲット12bの積算電力がx200kWH、ターゲット12cの積算電力がx-120kWHとなり、ターゲット12a~12cの積算電力の平均値は、x80/3kWHとなる。220kWH<x≦420kWH以下とすると、ターゲット12aの積算電力がxkWH、ターゲット12bの積算電力がx-220kWH、ターゲット12cの積算電力がx-120kWHとなり、ターゲット12a~12cの積算電力の平均値は、x-340/3kWHとなる。比較例積算電力が0kWHである3つのターゲットをセットしたこと以外は、上記実施例と同様の実験を積算電力が420kWHとなるまで行った。その結果得られた酸化ケイ素膜のアルゴンAr吸蔵量と弾性表面波装置のTCFとを測定した。結果を、図6及び図7に菱形で示す。図6及び図7に示す結果から分かるように、3つのターゲットの積算電力を同じにした比較例では、ターゲット使用時間が長くなり、ターゲットの積算電力が大きくなるにつれて、アルゴン吸蔵量及びTCFが大きく変化した。それに対して、3つのターゲットの積算電力を異ならせた実施例では、バイアススパッタリングを継続しても、アルゴン吸蔵量及びTCFがそれほど大きくは変化しなかった。この結果から、積算電力の異なる複数種類のターゲットを用いることにより、安定した膜質で薄膜を形成でき、その結果、弾性波装置を安定した特性で製造できることが分かる。"