"第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光部と、を有する積層構造体と、前記積層構造体の前記第2半導体層の側の第1主面において、前記第2半導体層及び前記発光部が選択的に除去されて露出した前記第1半導体層に接する第1コンタクト電極部を含む第1電極と、透光性を有し前記第2半導体層に接する第2コンタクト電極部を含む第2電極と、を備え、前記第2コンタクト電極部のシート抵抗は、前記第1半導体層のシート抵抗よりも小さいことを特徴とする半導体発光素子。前記第1導電形はn形であり、前記第2導電形はp形であって、前記第2電極は、前記第2コンタクト電極部に設けられたp側パッド電極部を含み、前記積層構造体の前記第2半導体層の側から見た平面視において、前記p側パッド電極部は、前記第1コンタクト電極部の外接矩形よりも内側に設けられ、前記第1コンタクト電極部は、前記p側パッド電極部の外接矩形よりも外側に設けられたことを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。前記p側パッド電極部の前記第1コンタクト電極部と向かい合う対向部の前記第1主面に沿った長さは、前記第1コンタクト電極部の前記p側パッド電極部と向かい合う対向部の前記第1主面に沿った長さよりも短いことを特徴とする請求項2記載の半導体発光素子。前記第1コンタクト電極部は、前記p側パッド電極部の前記第1主面に沿った外周の全体を囲むことを特徴とする請求項2または3に記載の半導体発光素子。前記第1コンタクト電極部は、前記p側パッド電極部の前記第1主面に沿った外周の180度以上を囲むことを特徴とする請求項2または3に記載の半導体発光素子。前記p側パッド電極部の外周縁の全周において、前記p側パッド電極部の外周縁と、前記第1コンタクト電極部の内周縁と、の最短距離が等しいことを特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載の半導体発光素子。前記p側パッド電極部を中心に放射状に延出する延出電極をさらに備えたことを特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載の半導体発光素子。複数の前記第1コンタクト電極部が設けられたことを特徴とする請求項1~7のいずれか1つに記載の半導体発光素子。前記第1半導体層の不純物濃度は、1×1018cm-3以上、1×1019cm-3以下であることを特徴とする請求項1~8のいずれか1つに記載の半導体発光素子。前記第2コンタクト電極部のシート抵抗は、5Ω/□以上、12Ω/□以下であることを特徴とする請求項1~9のいずれか1つに記載の半導体発光素子。本発明の実施形態は、電流密度分布の均質化及び光取り出し効率を向上した半導体発光素子を提供する。本実施形態に係る半導体発光素子は、積層構造体と、第1電極と、第2電極と、を備える。積層構造体は、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光部と、を有する。第1電極は、前記積層構造体の前記第2半導体層の側の第1主面において、前記第2半導体層及び前記発光部が選択的に除去されて露出した前記第1半導体層に接する第1コンタクト電極部を含む。第2電極は、透光性を有し前記第2半導体層に接する第2コンタクト電極部を含む。前記第2コンタクト電極部のシート抵抗は、前記第1半導体層のシート抵抗よりも小さい。以下、本発明の実施形態を図に基づき説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る半導体発光素子を例示する模式的平面図である。図2は、図1に示すA-A’線矢視の模式的断面図である。図2に表したように、第1の実施形態に係る半導体発光素子110は、積層構造体70と、第1電極40と、第2電極50と、を備える。積層構造体70は、第1導電形の第1半導体層10と、第2導電形の第2半導体層20と、第1半導体層10と第2半導体層20との間に設けられた発光部30と、を有する。なお、本実施形態では、第1導電形をn形、第2導電形をp形とする。第1電極40は、積層構造体70の第2半導体層20の側の第1主面70aにおいて、第2半導体層20及び発光部30が選択的に除去され、第1半導体層10が露出した面10aに接する第1コンタクト電極部41を含む。第2電極50は、透光性を有し第2半導体層20に接する第2コンタクト電極部51を含む。そして、第2コンタクト電極部51のシート抵抗Rtは、第1半導体層10のシート抵抗本実施形態では、後述するn形コンタクト層12のシート抵抗Rnよりも小さくなっている。ここで、シート抵抗Rtは、第2半導体層20及び発光部30の選択的な除去部分T以外の一様な厚さになっている第2コンタクト電極部51の部分のシート抵抗である。また、シート抵抗Rnは、上記除去部分T以外の一様な厚さになっている第1半導体層10の部分n形コンタクト層12のシート抵抗である。シート抵抗は、例えば、日本工業規格JISC2525に定められた方法によって測定される。なお、本実施形態に係る半導体発光素子110では、第2コンタクト電極部51の抵抗と、第1半導体層10の抵抗と、の関係を、シート抵抗によって規定しているが、シート抵抗のほかに体積抵抗率によっても規定できる。すなわち、本実施形態に係る半導体発光素子110において、第2コンタクト電極部51の体積抵抗率を厚さで除した値は、第1半導体層10の体積抵抗率を厚さで除した値よりも小さい。このような半導体発光素子110では、光取り出し効率の損失を抑制しつつ、電流密度分布の均質化を達成する電極構造の採用が可能になる。本実施形態に係る半導体発光素子110は、例えば窒化物半導体系の発光ダイオードLED:LightEmittingDiodeである。半導体発光素子110においては、例えばC面サファイアによる基板1の上に、例えばバッファ層2が設けられ、その上に、例えばアンドープの窒化物半導体層11と、n形コンタクト層12と、が設けられる。n形コンタクト層12には、例えばGaNが用いられる。アンドープの窒化物半導体層11には、例えばGaNが用いられる。n形コンタクト層12は、第1半導体層10に含まれる。なお、本実施形態では、便宜上、アンドープの窒化物半導体層11も第1半導体層10に含まれるものとする。n形コンタクト層12の上には、多数積層体35が設けられている。多数積層体35においては、例えば、複数の第1層と、複数の第2層と、が交互に積層されている。多数積層体35は、例えば超格子構造を有する。多数積層体35の上には、発光部30活性層が設けられている。発光部30は、例えば多重量子井戸MQW:MultipleQuantumWell構造を有する。すなわち、発光部30は、複数の障壁層及び複数の井戸層が、交互に繰り返し積層された構造を含んでいる。なお、発光部30は、井戸層を挟む障壁層の組みが1組み設けられたSQWSingleQuantumWell構成を有していてもよい。発光部30の上には、例えばp形AlGaN層21、p形の例えばMgドープGaN層22及びp形コンタクト層23が、この順に設けられている。なお、p形AlGaN層21は、例えば電子オーバーフロー防止抑制層の機能を有する。p形コンタクト層23には、例えばGaNが用いられる。p形AlGaN層21、MgドープGaN層22及びp形コンタクト層23は、第2半導体層20に含まれる。また、p形コンタクト層23の上には、透明電極である第2コンタクト電極部51が設けられている。そして、第1半導体層10であるn形コンタクト層12の一部、ならびに、その一部に対応する多数積層体35、発光部30及び第2半導体層20が除去されている。第1コンタクト電極部41は、n形コンタクト層12が露出した面10a上に設けられている。第1コンタクト電極部41には、例えばTi/Al/Ta/Ti/Ptの積層構造が用いられる。また、第1コンタクト電極部41上には、n側パッド電極42nが設けられる。n側パッド電極42nには、例えばNi/Auの積層構造が用いられる。n側パッド電極42nは、第1コンタクト電極部41上の一部に設けられていても、第1コンタクト電極部41上の全面に設けられていてもよい。第2コンタクト電極部51の上の一部には、p側パッド電極部52pが設けられる。p側パッド電極部52pには、例えばNi/Auの積層構造が用いられる。なお、第1コンタクト電極部41、n側パッド電極部42n、第2コンタクト電極部51及びp側パッド電極部52pとして用いられる上記材料は一例であり、本実施の形態はこれに限定されない。このような半導体発光素子110の電極配置は、第1電極40と第2電極50とが同じ側にあるフェイスアップ型になる。フェイスアップ型の半導体発光素子110においては、パッケージへの収納が容易である。一方、チップ内の電流密度分布が不均一になりやすい。そこで、本実施形態では、以下のような電極構造を採用する。図1に表したように、本実施形態に係る半導体発光素子110では、積層構造体70の第2半導体層20の側から見た平面視において、p側パッド電極部52pが、第1コンタクト電極部41の外接矩形BR1よりも内側に設けられている。さらに、第1コンタクト電極部41は、p側パッド電極部52pの外接矩形BR2よりも外側に設けられている。なお、本実施形態において外接矩形とは、各電極部41及び52pのそれぞれの外形に接し、半導体発光素子110の平面視外形の直交する2辺方向図中、X方向及びY方向に沿った矩形のことをいう。これにより、p側パッド電極部52pから第1コンタクト電極部41に向けて放射方向に電流が流れ、電流密度分布の分散化によって、発光分布の均質化が達成される。図3は、向かい合う電極の対向部の長さについて説明する模式的平面図である。同図では、p側パッド電極部52pの周辺を囲む矩形状の第1コンタクト電極部41が設けられている。同図で示す第1の長さL1は、p側パッド電極部52pにおいて、第1コンタクト電極部41のX方向に沿った延在部411と向かい合う対向部の長さである。また、同図で示す第2の長さL2は、第1コンタクト電極部41の延在部411において、p側パッド電極部52pと向かい合う対向部の長さである。本実施形態に係る半導体発光素子110においては、第1の長さL1は、第2の長さL2よりも短くなっている。第1の長さL1と第2の長さL2との関係は、第1コンタクト電極部41の他の延在部412~414についても同様である。このような関係によって、p側パッド電極部52pから第1コンタクト電極部41に向けて放射方向に電流が流れ、電流密度分布の分散化が達成される。これにより、半導体発光素子110では、発光分布が均質化する。ここで、半導体発光素子の具体例について説明する。図4は、第1の具体例を示す模式的平面図である。図4に表したように、第1の具体例に係る半導体発光素子111では、p側パッド電極部52pの第1主面70aに沿った外周の全体を囲むように、矩形の第1コンタクト電極部41が設けられている。半導体発光素子111は、n形コンタクト層12の一部、ならびに、その一部に対応する多数積層体35、発光部30及び第2半導体層20が矩形に除去された除去部Tを有する。第1コンタクト電極部41は、この除去部Tに沿って設けられ、除去部Tの底面図2に示す面10aでn形コンタクト層12と接している。第1コンタクト電極部41には、矩形の少なくとも一つの隅部に例えば丸みを帯びた膨らみ部分410が設けられる。この膨らみ部分にn側パッド電極部42nが設けられている。n側パッド電極部42nの形状は、例えば円形や矩形である。n側パッド電極部42nが円形ならば、例えば直径50マイクロメートルμm以上、100μm以下程度とすることができる。n側パッド電極部42nが矩形ならば、例えば一辺50μm以上、100μm以下程度とすることができる。なお、第1コンタクト電極部41の厚さは、100ナノメートルnm以上、500nm以下程度とすることができ、望ましくは300nm程度である。n側パッド電極部42nの大きさは、ボンディングワイヤを接続可能な大きさであり、第1コンタクト電極部41の膨らみ部分410の大きさ以下である。なお、n側パッド電極42nは、第1コンタクト電極部41上の一部に設けられていても、第1コンタクト電極部41上の全面に設けられていてもよい。透明電極である第2コンタクト電極部51は、例えばITOIndiumTinOxideである。第2コンタクト電極部51の膜厚は、例えば100nm以上、300nm以下程度とすることができる。本実施形態では、第2コンタクト電極部51のシート抵抗Rtは、n形コンタクト層12のシート抵抗Rnよりも小さい。ここで、n形コンタクト層12では、層中のシリコンSiドープ量を1.0×1018/cm3以上、1.0×1019/cm3以下程度とすることが望ましい。一方、第2コンタクト電極部51にITOを用いた場合、ITOのシート抵抗Rtは、成膜条件と膜厚とで可変である。シート抵抗Rtは、例えば、5Ω/□以上、12Ω/□以下であり、10Ω/□以下とすることが望ましく、8Ω/□以下がより好ましい。上記の条件の範囲内において、シート抵抗Rt<シート抵抗Rnを満たすようにする。第2コンタクト電極部51の一部には、p側パッド電極部52pが設けられている。p側パッド電極部52pの形状は、例えば円形や矩形である。本実施形態では、円形のp側パッド電極部52pを例とする。p側パッド電極部52pの大きさは、ボンディングワイヤを接続可能な大きさである。また、p側パッド電極部52pには、必要に応じて延出電極521が設けられている。図4に例示した半導体発光素子111では、p側パッド電極部52pから、矩形の第1コンタクト電極部41の各隅部に向けて4つの延出電極521が設けられている。すなわち、第1コンタクト電極部41の隅部では、円形のp側パッド電極部52pの外周から法線方向に沿った延長上の第1コンタクト電極部41までの距離が、他の部分に比べて遠くなる。したがって、p側パッド電極部52pから第1コンタクト電極部41の各隅部に向けて延出電極521を設け、上記距離が遠くなることを防止する。なお、膨らみ部分410を有する隅部に向けて設けられた延出電極521は、他の延出電極521よりも短くなっている。これにより、電流密度分布のバランスをとる。半導体発光素子111において、p側パッド電極部52pは、矩形形状の第1コンタクト電極部41の内側に設けられている。すなわち、p側パッド電極部52pは、第1コンタクト電極部41の平面視の外接矩形の内側に設けられる。また、第1コンタクト電極部41は、p側パッド電極部52pの平面視の外接矩形の外側に設けられる。これにより、p側パッド電極部52pから第1コンタクト電極部41に向けて放射方向に電流が流れ、電流密度分布の分散化が達成される。その結果、半導体発光素子111の発光分布が均質化する。図5は、第2の具体例を示す模式的平面図である。図5に表したように、第2の具体例に係る半導体発光素子112では、p側パッド電極部52pの第1主面70aに沿った外周の全体を囲むように、円形の第1コンタクト電極部41が設けられている。半導体発光素子112は、n形コンタクト層12の一部、ならびに、その一部に対応する多数積層体35、発光部30及び第2半導体層20が円形に除去された除去部Tを有する。第1コンタクト電極部41は、この除去部Tに沿って設けられ、除去部Tの底面図2に示す面10aでn形コンタクト層12と接している。第1コンタクト電極部41には、少なくとも一箇所に例えば丸みを帯びた膨らみ部分410が設けられる。この膨らみ部分410にn側パッド電極部42nが設けられている。n側パッド電極部42nの形状は、例えば円形や矩形である。なお、n側パッド電極42nは、第1コンタクト電極部41上の一部に設けられていても、第1コンタクト電極部41上の全面に設けられていてもよい。透明電極である第2コンタクト電極部51は、例えばITOIndiumTinOxideである。第2コンタクト電極部51のシート抵抗Rtは、n形コンタクト層12のシート抵抗Rnよりも小さい。膨らみ部分410を除き、円形になる第1コンタクト電極部41の中心には、第2コンタクト電極部51と接するp側パッド電極部52pが設けられている。p側パッド電極部52pの形状は円形である。すなわち、p側パッド電極部52pは、第1コンタクト電極部41の平面視の外接矩形の内側に設けられる。また、第1コンタクト電極部41は、p側パッド電極部52pの平面視の外接矩形の外側に設けられる。このようなp側パッド電極部52p及び第1コンタクト電極部41の配置では、p側パッド電極部52pの外周縁の全周において、p側パッド電極部52pの外周縁と、第1コンタクト電極部41の内周縁と、の最短距離LSが等しくなる。これにより、p側パッド電極部52pから第1コンタクト電極部41に向けて放射方向に電流が流れ、電流密度分布の分散化が達成される。半導体発光素子112では、パッド電極部52pの外周縁の全周にわたり最短距離LSが等しいため、p側パッド電極部52pから第1コンタクト電極部41に向けて均一な電流密度分布を実現できる。その結果、半導体発光素子112の発光分布が均質化する。図6は、第3の具体例を示す模式的平面図である。図6に表したように、第3の具体例に係る半導体発光素子113では、p側パッド電極部52pの第1主面70aに沿った外周の180度以上を囲むように、第1コンタクト電極部41が設けられている。すなわち、第1コンタクト電極部41は、p側パッド電極部52pの第1主面70aに沿った外周の半分以上に対向する。図6に例示した第1コンタクト電極部41では、半導体発光素子113の隅部に設けられた膨らみ部分410から、X方向に延在部413が延び、Y方向に延在部414が延びている。また、延在部413の膨らみ部分410とは反対側の端部からY方向に延在部412が延びている。延在部412は、半導体発光素子113のY方向に沿った一辺の途中まで延びている。また、延在部414の膨らみ部分410とは反対側の端部からX方向に延在部411が延びている。延在部411は、半導体発光素子113のX方向に沿った一辺の途中まで延びている。つまり、第1コンタクト電極部41は、p側パッド電極部52pの第1主面70aに沿った外周の180度以上、360度未満を囲むように設けられている。また、p側パッド電極部52pには、必要に応じて延出電極521が設けられている。図6に例示した半導体発光素子113では、p側パッド電極部52pから、矩形の第1コンタクト電極部41の各隅部に向けて4つの延出電極521が設けられている。半導体発光素子113において、p側パッド電極部52pは、第1コンタクト電極部41の平面視の外接矩形の内側に設けられる。また、第1コンタクト電極部41は、p側パッド電極部52pの平面視の外接矩形の外側に設けられる。これにより、p側パッド電極部52pから第1コンタクト電極部41に向けて放射方向に電流が流れ、電流密度分布の分散化が達成される。その結果、半導体発光素子113の発光分布が均質化する。図7は、半導体発光素子の電流と発光効率との関係を例示する図である。図8は、半導体発光素子の電流と電圧との関係を例示する図である。図9は、半導体発光素子の電流とウォールプラグ効率との関係を例示する図である。図7~図9においては、半導体発光素子112及び比較例に係る半導体発光素子190についてのそれぞれの関係について示している。なお、比較例に係る半導体発光素子190は、n形コンタクト層12と接する第1コンタクト電極部41を中心として、外周に円形のp側パッド電極部を設けた構造である。図7に表したように、本実施形態に係る半導体発光素子112では、比較例に係る半導体発光素子190に比べて、電流に対する発光効率が高い。特に、高電流になるほど発光効率の差が顕著に表れる。図8に表したように、本実施形態に係る半導体発光素子112では、比較例に係る半導体発光素子190に比べて、同じ電流に対する電圧が低い。すなわち、半導体発光素子112は、半導体発光素子190に比べて低抵抗化される。図9に表したように、本実施形態に係る半導体発光素子112では、比較例に係る半導体発光素子190に比べて、電流に対するウォールプラグ効率が高い。ここで、ウォールプラグ効率WPEは、入力電圧V、電流I、出力Poとした場合、WPE=Po/IVである。図10及び図11は、p側及びn側の電極間の位置に対する発光強度について示す図である。図10は、本実施形態に係る半導体発光素子112についての発光強度の例、図11は、比較例に係る半導体発光素子190についての発光強度の例をそれぞれ示している。図10及び図11のそれぞれについて、aはp側及びn側の電極間での発光分布を濃淡で表示し、bはp側及びn側の電極間での発光分布をグラフで表示している。なお、各図aでは、濃度の濃いほど発光強度が低く、濃度が薄いほど発光強度が高いことを示している。図10及び図11に表したように、本実施形態に係る半導体発光素子112では、比較例に係る半導体発光素子190に比べて、発光強度の均一化が達成されている。第2の実施形態次に、第2の実施形態に係る半導体発光素子を説明する。第2の実施形態に係る半導体発光素子は、複数の第1コンタクト電極部41が設けられている例である。以下、第2の実施形態に係る半導体発光素子の具体例について説明する。なお、以下の具体例では、各半導体発光素子の平面視における電極の配置を中心に説明する。図12は、第1の具体例を示す模式的平面図である。図12に表したように、第1の具体例を示す半導体発光素子121では、2つの第1コンタクト電極部41A及び41Bの間にp側パッド電極部52pが設けられている。2つの第1コンタクト電極部41A及び41Bは、矩形の半導体発光素子121の対角に配置されている。p側パッド電極部52pは、2つの第1コンタクト電極部41A及び41Bの間で、例えば半導体発光素子121の平面視の中心に配置されている。半導体発光素子121において、p側パッド電極部52pは、2つの第1コンタクト電極部41A及び41Bの平面視の外接矩形BR1の内側に設けられる。また、2つの第1コンタクト電極部41A及び41Bは、p側パッド電極部52pの平面視の外接矩形BR2の外側にそれぞれ設けられる。これにより、p側パッド電極部52pから2つの第1コンタクト電極部41A及び41Bのそれぞれに向けて電流が流れ、電流密度分布の分散化が達成される。その結果、半導体発光素子121の発光分布が均質化する。図13は、第2の具体例を示す模式的平面図である。図13に表したように、第2の具体例を示す半導体発光素子122では、2つの第1コンタクト電極部41A及び41Bの間にp側パッド電極部52pが設けられている。2つの第1コンタクト電極部41A及び41Bは、矩形の半導体発光素子122の対角に配置されている。p側パッド電極部52pは、2つの第1コンタクト電極部41A及び41Bの間で、例えば半導体発光素子122の平面視の中心に配置されている。半導体発光素子122において、第1コンタクト電極部41Aには、2つの延在部411A及び414Aが含まれる。また、第1コンタクト電極部41Bには、2つの延在部412B及び413Bが含まれる。延在部411Aは、膨らみ部分410AからX方向に延びる。延在部414Aは、膨らみ部分410AからY方向に延びる。また、延在部412Bは、膨らみ部分410BからY方向に延びる。延在部413Bは、膨らみ部分410BからX方向に延びる。半導体発光素子122において、p側パッド電極部52pは、2つの第1コンタクト電極部41A及び41Bの平面視の外接矩形BR1の内側に設けられる。また、2つの第1コンタクト電極部41A及び41Bは、p側パッド電極部52pの平面視の外接矩形BR2の外側にそれぞれ設けられる。これにより、p側パッド電極部52pから2つの第1コンタクト電極部41A及び41Bのそれぞれに向けて電流が流れ、電流密度分布の分散化が達成される。その結果、半導体発光素子122の発光分布が均質化する。図14は、第3の具体例を示す模式的平面図である。図14に表したように、第3の具体例を示す半導体発光素子123では、4つの第1コンタクト電極部41A、41B、41C及び41Dの間にp側パッド電極部52pが設けられている。4つの第1コンタクト電極部41A、41B、41C及び41Dは、矩形の半導体発光素子123の4つの隅部にそれぞれ配置されている。p側パッド電極部52pは、4つの第1コンタクト電極部41A、41B、41C及び41Dの間で、例えば半導体発光素子123の平面視の中心に配置されている。半導体発光素子123において、p側パッド電極部52pは、4つの第1コンタクト電極部41A、41B、41C及び41Dの平面視の外接矩形BR1の内側に設けられる。また、4つの第1コンタクト電極部41A、41B、41C及び41Dは、p側パッド電極部52pの平面視の外接矩形BR2の外側にそれぞれ設けられる。これにより、p側パッド電極部52pから2つの第1コンタクト電極部41A及び41Bのそれぞれに向けて電流が流れ、電流密度分布の分散化が達成される。その結果、半導体発光素子123の発光分布が均質化する。図15は、第4の具体例を示す模式的平面図である。図15に表したように、第4の具体例を示す半導体発光素子124では、4つの第1コンタクト電極部41A、41B、41C及び41Dの間にp側パッド電極部52pが設けられている。4つの第1コンタクト電極部41A、41B、41C及び41Dは、矩形の半導体発光素子124の4つの隅部にそれぞれ配置されている。p側パッド電極部52pは、4つの第1コンタクト電極部41A、41B、41C及び41Dの間で、例えば半導体発光素子124の平面視の中心に配置されている。半導体発光素子124において、第1コンタクト電極部41Aには、2つの延在部411A及び414Aが含まれる。また、第1コンタクト電極部41Bには、2つの延在部412B及び413Bが含まれる。また、第1コンタクト電極部41Cには、2つの延在部411C及び412Cが含まれる。また、第1コンタクト電極部41Dには、2つの延在部413D及び414Dが含まれる。延在部411Aは、膨らみ部分410AからX方向に延びる。延在部414Aは、膨らみ部分410AからY方向に延びる。また、延在部412Bは、膨らみ部分410BからY方向に延びる。延在部413Bは、膨らみ部分410BからX方向に延びる。延在部411Cは、膨らみ部分410CからX方向に延びる。延在部412Cは、膨らみ部分410CからY方向に延びる。また、延在部413Dは、膨らみ部分410DからX方向に延びる。延在部413Dは、膨らみ部分410DからX方向に延びる。半導体発光素子124において、p側パッド電極部52pは、4つの第1コンタクト電極部41A、41B、41C及び41Dの平面視の外接矩形BR1の内側に設けられる。また、4つの第1コンタクト電極部41A、41B、41C及び41Dは、p側パッド電極部52pの平面視の外接矩形BR2の外側にそれぞれ設けられる。これにより、p側パッド電極部52pから4つの第1コンタクト電極部41A、41B、41C及び41Dのそれぞれに向けて電流が流れ、電流密度分布の分散化が達成される。その結果、半導体発光素子124の発光分布が均質化する。なお、上記説明した具体例では、第1コンタクト電極部41が2つの例及び4つの例を示したが、第1コンタクト電極部41が3つ、または5つ以上設けられていてもよい。また、p側パッド電極部52pや第1コンタクト電極部41の平面視形状は、上記の例に限定されない。第3の実施形態次に、第3の実施形態に係る半導体発光素子を説明する。第3の実施形態に係る半導体発光素子は、第1導電形がP形、第2導電形がN形になっている例である。図16は、第3の実施形態に係る半導体発光素子を例示する模式的平面図である。図17は、図16に示すB-B’線矢視の模式的断面図である。図17に表したように、第3の実施形態に係る半導体発光素子130は、積層構造体70と、第1電極40と、第2電極50と、を備える。積層構造体70は、第1導電形であるP形の第1半導体層10と、第2導電形であるN形の第2半導体層20と、第1半導体層10と第2半導体層20との間に設けられた発光部30と、を有する。第1電極40は、積層構造体70の第2半導体層20の側の第1主面70aにおいて、第2半導体層20及び発光部30が選択的に除去され、第1半導体層10が露出した面10aに接する第1コンタクト電極部41を含む。第2電極50は、透光性を有し第2半導体層20に接する第2コンタクト電極部51を含む。そして、第2コンタクト電極部51のシート抵抗は、第1半導体層10のシート抵抗よりも小さくなっている。第1コンタクト電極部41の上には、p側パッド電極部42pが設けられている。また、第2コンタクト電極部51の上には、n側パッド電極部52nが設けられている。図16に表したように、本実施形態に係る半導体発光素子130では、積層構造体70の第2半導体層20の側から見た平面視において、n側パッド電極部52nが、第1コンタクト電極部41の外接矩形BR1よりも外側に設けられている。さらに、第1コンタクト電極部41は、n側パッド電極部52nの外接矩形BR2よりも内側に設けられている。これにより、p側パッド電極部42pが設けられた第1コンタクト電極部41からn側パッド電極部52nに向けて放射方向に電流が流れ、電流密度分布の分散化によって、発光分布の均質化が達成される。図18~図20は、p側の電極であるp側パッド電極部と、n側の電極である第1コンタクト電極部とが対称に配置された場合の位置に対する出力を説明する図である。図中横軸は、p側及びn側の電極間の位置を示し、図中縦軸は発光強度Poについて示している。図18は、第2コンタクト電極部51のシート抵抗Rtが、n形コンタクト層12のシート抵抗Rnよりも小さい場合について例示している。この場合、n側の電極に電流が集中しやすいため、p側及びn側の電極間の途中からn側の電極にかけて発光強度Poが強くなっている。図19は、シート抵抗Rtがシート抵抗Rnよりも大きい場合について例示している。この場合、p側の電極に電流が集中しやすいため、p側の電極近傍が最も発光強度Poが強く、n側の電極にかけて発光強度Poが弱くなっている。図20は、シート抵抗Rtとシート抵抗Rnとが等しい場合について例示している。この場合、p側及びn側の電極の近傍が最も発光強度Poが強く、p側及びn側の電極の中間付近で発光強度Poが弱くなっている。図21~図23は、p側の電極であるp側パッド電極部の周囲に、n側の電極である第1コンタクト電極部が円形に配置された場合の位置に対する出力を説明する図である。図中横軸は、p側及びn側の電極間の位置を示し、図中縦軸は発光強度Poについて示している。図21は、第2コンタクト電極部51のシート抵抗Rtが、n形コンタクト層12のシート抵抗Rnよりも小さい場合について例示している。この場合、n側の電極に電流が集中しやすい。しかし、p側の電極を囲むようにn側の電極が設けられているため、p側の電極からn側の電極に向けて電流は放射状に流れる。すなわち、P側の電極からn側の電極に向けて電流は分散化する。したがって、シート抵抗Rt<シート抵抗Rnの関係によるn側の電極への電流の集中と、p側の電極からn側の電極への電流の分散と、の重畳によって、p側の電極からn側の電極にかけて、均一な発光強度Poが得られる。図22は、シート抵抗Rtがシート抵抗Rnよりも大きい場合について例示している。この場合、p側の電極に電流が集中しやすい。しかも、p側の電極からn側の電極への電流も分差化される。したがって、p側の電極近傍が最も発光強度Poが強く、p側の電極から離れると極度に発光強度Poが低下する。図23は、シート抵抗Rtとシート抵抗Rnとが等しい場合について例示している。この場合、p側の電極からn側の電極にかけて徐々に発光強度Poが低下する。本実施形態に係る半導体発光素子は、図21に例示した特性を示す。すなわち、シート抵抗Rtがシート抵抗Rnよりも小さいこと、及びp側の電極からn側の電極へ電流が分散して流れること、の両者の発光特性の重畳によって均一な発光強度Poが得られる。以上説明したように、本実施形態に係る半導体発光素子によれば、光取り出し効率の向上を図ることが可能となる。なお、本明細書において窒化物半導体とは、BxInyAlzGa1-x-y-zN0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1,xyz≦1なる化学式において組成比x、y及びzをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、N窒素以外のV族元素もさらに含むもの、導電型などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、窒化物半導体に含まれるものとする。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"