"一般式1で表される各構成単位によって構成され、一般式1において、Rは、それぞれ独立に一般式2で表されるビフェニル環又はベンゼン環を含む2価の基を表し、R1は、それぞれ独立に炭素数が1~6個のアルキル基を表し、pは、それぞれ独立に1~3の整数を表し、qは、それぞれ独立に1~3の整数を表し、m、n、j及びkは各構成単位の個数であって、m及びnは1~10の整数を表し、j及びkは0~10の整数を表す。樹脂として、割合[mj/nk]が2/98~80/20の範囲であって、j及びkが0の場合は重量平均分子量が1000以上~4500未満であり、j及びkの少なくとも一方が0でない場合は重量平均分子量が1000以上~5500未満であることを特徴とするノボラック型フェノール樹脂。少なくとも請求項1のノボラック型フェノール樹脂と感光剤とを含み、基材に対して高密着性のレジスト膜を得ることができることを特徴とするフォトレジスト組成物。線幅が2.0μm以下の回路パターンを製造するためのフォトレジストとして用いられることを特徴とする請求項2に記載のフォトレジスト組成物。一般式3及び/又は一般式4で表されるフェノール類Iと、一般式5で表されるビフェニル環又はベンゼン環を含む化合物及び/又はホルムアルデヒドからなる架橋体IIとを縮合反応させるノボラック型フェノール樹脂の製造方法であって、一般式3及び/又は一般式4で表されるフェノール類Iと、一般式5で表されるビフェニル環又はベンゼン環を含む化合物又はホルムアルデヒドのいずれかの架橋体IIaとを縮合反応させて樹脂を得る工程、次いで、前記工程で得られた樹脂の存在下に、一般式3及び/又は一般式4で表されるフェノール類Iと、一般式5で表されるビフェニル環又はベンゼン環を含む化合物又はホルムアルデヒドのいずれかであって前記工程で用いなかった架橋体IIbを含む架橋体とを縮合反応させる工程とを含んで構成されることを特徴とするノボラック型フェノール樹脂の製造方法。一般式3において、R1は炭素数が1~6個のアルキル基を表し、pは1~3の整数を表し、qは1~3の整数を表す。一般式4において、qは1~3の整数を表す。一般式5において、Xは炭素数が1~6のアルコキシド基、ヒドロキシル基、又はハロゲン原子を表す。架橋体IIaが一般式5で表されるビフェニル環又はベンゼン環を含む化合物であり、架橋体IIbがホルムアルデヒドであることを特徴とする請求項4に記載のノボラック型フェノール樹脂の製造方法。架橋体IIaがホルムアルデヒドであり、架橋体IIbが一般式5で表されるビフェニル環又はベンゼン環を含む化合物であることを特徴とする請求項4に記載のノボラック型フェノール樹脂の製造方法。架橋の割合[一般式5で表されるビフェニル環又はベンゼン環を含む化合物に由来する架橋/ホルマリンに由来する架橋]が、2/98~80/20であるノボラック型フェノール樹脂を得ることを特徴とする請求項4のいずれかに記載のノボラック型フェノール樹脂の製造方法。重量平均分子量が5500未満のノボラック型フェノール樹脂を得ることを特徴とする請求項4~7のいずれかに記載のノボラック型フェノール樹脂の製造方法。基材表面に請求項2または3に記載のフォトレジスト組成物からなる塗膜を形成する工程、露光によって所定のパターンを塗膜に転写する工程、次いで現像によって塗膜の露光された部分を除去する工程を含む、基材上に端部からの剥がれが0.3μm未満のレジストからなるパターン化された構造を形成する方法。近年、集積回路半導体の回路パターンの線幅は集積度の高密度化とともに微細化の一途を辿っている。また液晶表示素子等でも同様に線幅が細くなり微細化する傾向となっている。そして、従来問題なく使用できたフォトレジスト組成物を、より微細な回路パターンの形成に使用すると、エッチング処理工程において、サイドエッチレジストによるマスクの下もエッチングされる現象が生じるために、微細な回路パターンを精度よく形成することが難しいという問題が生じた。本発明の発明者らは、種々検討の結果、基材上に形成されたレジスト保護膜、マスクの端部において、基材とレジストの間に剥離現象が見られ、この端部の剥離が大きいとサイドエッチの量が大きくなり易いこと、したがって、微細な回路パターンを精度よく形成するためには、基材上に形成されたレジストの端部において、基材とレジストの間の剥離現象を抑制することが有効であることに着目して本発明を行った。すなわち、本発明は、高感度、高残膜率、高解像度を有し、得られるレジスト保護膜、マスクは、高耐熱性であると共に、レジスト端部における剥離現象が抑制されて基材との間に安定した密着性を有することができるフォトレジスト組成物に好適に用いることができるノボラック型フェノール樹脂、及び該フォトレジスト組成物を提供することを目的とする。本発明は以下の各項に関する。1一般式1で表される各構成単位によって構成され、一般式1において、Rは、それぞれ独立に一般式2で表されるビフェニル環又はベンゼン環を含む2価の基を表し、R1は、それぞれ独立に炭素数が1~6個のアルキル基を表し、pは、それぞれ独立に1~3の整数を表し、qは、それぞれ独立に1~3の整数を表し、m、n、j及びkは各構成単位の個数であって、m及びnは1~10の整数を表し、j及びkは0~10の整数を表す。樹脂として、割合[mj/nk]が2/98~80/20の範囲、好ましくは2/98-60/40の範囲30超/70未満~60/40の範囲でもよいであり、より好ましくは10/90-50/50の範囲であって、j及びkが0の場合は重量平均分子量が1000以上~4500未満、好ましくは1000以上~4000未満、より好ましくは1000以上~3700未満、特に好ましくは1000以上~3600未満であり、j及びkの少なくとも一方が0でない場合は重量平均分子量が1000以上~5500未満、好ましくは1000以上~4500未満、より好ましくは1000以上~4000未満であることを特徴とするノボラック型フェノール樹脂。このノボラック型フェノール樹脂は、フォトレジスト組成物に使用したときに基材に対して基材上に形成されたレジストの端部において基材とレジストの間の剥離現象を抑制できる高密着性のレジストからなるパターンを得ることができる。2少なくとも前記項1のノボラック型フェノール樹脂と感光剤とを含み、基材に対して高密着性のレジスト膜を得ることができることを特徴とするフォトレジスト組成物。3線幅が2.0μm以下、好ましくは線幅が2.0μm~1.0μmの回路パターンを製造するためのフォトレジストとして用いられることを特徴とする前記項2に記載のフォトレジスト組成物。このフォトレジスト組成物を用いると端部の剥離を0.3μm未満、好ましくは0.1μm未満に抑制できるために、線幅が2.0μm以下の回路パターンを好適に得ることができる。その結果、エッチング処理工程において、サイドエッチを好適に抑制することができる。4一般式3及び/又は一般式4で表されるフェノール類Iと、一般式5で表されるビフェニル環又はベンゼン環を含む化合物及び/又はホルムアルデヒドからなる架橋体IIとを縮合反応させるノボラック型フェノール樹脂の製造方法であって、一般式3及び/又は一般式4で表されるフェノール類Iと、一般式5で表されるビフェニル環又はベンゼン環を含む化合物又はホルムアルデヒドのいずれかの架橋体IIaとを縮合反応させて樹脂を得る工程、次いで、前記工程で得られた樹脂の存在下に、一般式3及び/又は一般式4で表されるフェノール類Iと、一般式5で表されるビフェニル環又はベンゼン環を含む化合物又はホルムアルデヒドのいずれかであって前記工程で用いなかった架橋体IIbを含む架橋体とを縮合反応させる工程とを含んで構成されることを特徴とするノボラック型フェノール樹脂の製造方法。一般式3において、R1は炭素数が1~6個のアルキル基を表し、pは1~3の整数を表し、qは1~3の整数を表す。一般式4において、qは1~3の整数を表す。一般式5において、Xは炭素数が1~6のアルコキシド基、ヒドロキシル基、又はハロゲン原子を表す。5架橋体IIaが一般式5で表されるビフェニル環又はベンゼン環を含む化合物であり、架橋体IIbがホルムアルデヒドであることを特徴とする前記項4に記載のノボラック型フェノール樹脂の製造方法。6架橋体IIaがホルムアルデヒドであり、架橋体IIbが一般式5で表されるビフェニル環又はベンゼン環を含む化合物であることを特徴とする前記項4に記載のノボラック型フェノール樹脂の製造方法。7架橋の割合[一般式5で表されるビフェニル環又はベンゼン環を含む化合物に由来する架橋/ホルマリンに由来する架橋]が、2/98~80/20であるノボラック型フェノール樹脂を得ることを特徴とする前記項4のいずれかに記載のノボラック型フェノール樹脂の製造方法。8重量平均分子量が5500未満のノボラック型フェノール樹脂を得ることを特徴とする前記項4~7のいずれかに記載のノボラック型フェノール樹脂の製造方法。ここにおいて、好ましくは、フェノール類Iが一般式3のフェノール類の場合に、重量平均分子量が4500未満であり、フェノール類Iが一般式3及び一般式4を含むフェノール類の場合に、重量平均分子量が5500未満である。9基材表面に前記項2または3に記載のフォトレジスト組成物からなる塗膜を形成する工程、露光によって所定のパターンを塗膜に転写する工程、次いで現像によって塗膜の露光された部分を除去する工程を含む、基材上に端部からの剥がれが0.3μm未満、好ましくは0.1μm未満のレジストからなるパターン化された構造を形成する方法。本発明によって、高感度、高残膜率、高解像度を有し、得られるレジスト保護膜、マスクが、高耐熱性であると共に、レジスト端部における剥離現象が抑制されて基材との間に安定した密着性を有することができるフォトレジスト組成物に好適に用いられるノボラック型フェノール樹脂、及び該フォトレジスト組成物を提供することができる。本発明のフォトレジスト組成物は、高集積半導体や液晶用の薄膜フィルムトランジスターTFTを製造する際に使用され、高集積半導体や液晶用の薄膜フィルムトランジスターTFTの高集積化や製造工程の歩留まり向上に貢献することができる。本発明のノボラック型フェノール樹脂は、フェノール類を特定の架橋体で架橋したものであって、高感度、高残膜率、高解像度を有し、得られるレジスト保護膜、マスクが、高耐熱性であると共に、レジスト端部における剥離現象が抑制されて基材との間に安定した密着性を有することができるフォトレジスト組成物に好適に用いることができる。すなわち、本発明のノボラック型フェノール樹脂は、一般式1で表される各構成単位によって構成される。フェノール類は、R1で表されるアルキル基を置換基として有するものを必須成分とし、R1で表されるアルキル基を置換基として有するものだけでもよく、R1で表されるアルキル基を置換基として有するものと置換基を有さないものとの両者によって構成されていてもよい。また、架橋は、一般式5で表されるビフェニル環又はベンゼン環を含む化合物架橋体から誘導される一般式2で表されるビフェニル環又はベンゼン環を含む2価の基一般式1中の-R-、及びホルムアルデヒド架橋体から誘導されるメチレン基一般式1中の-CH2-によって構成される。なお、一般式1中のフェノール類から誘導される1価の基は分子末端の構成単位を示す。そして、本発明のノボラック型フェノール樹脂は、樹脂として、一般式2で表されるビフェニル環又はベンゼン環を含む2価の基一般式1中の-R-とメチレン基一般式1中の-CH2-の割合、すなわち一般式1の割合[mj/nk]が2/98~80/20の範囲であり、さらに、フェノール類がR1で表されるアルキル基を置換基として有するものだけで構成されている場合、すなわち一般式1においてj及びkが0の場合は重量平均分子量が1000以上~4500未満であり、フェノール類がR1で表されるアルキル基を置換基として有するものと置換基を有さないものとの両者によって構成されている場合、すなわち一般式1においてj及びkの少なくとも一方が0でない場合は重量平均分子量が1000以上~5500未満である。以上の化学構造を有する本発明のノボラック型フェノール樹脂は、高感度、高残膜率、高解像度を有し、フォトレジスト組成物に使用したときに、高耐熱性であると共に、基材に対して高密着性、換言すれば、得られるレジスト保護膜、マスクが端部における剥離現象が抑制されて基材との間に安定した密着性を有することができる。本発明のノボラック型フェノール樹脂は、一般式3及び/又は一般式4で表されるフェノール類Iと、一般式5で表されるビフェニル環又はベンゼン環を含む化合物及び/又はホルムアルデヒドからなる架橋体IIとを、好ましくは酸触媒の存在下に、縮合反応させることによって好適に得ることができる。本発明においては、縮合反応を、一般式3及び/又は一般式4で表されるフェノール類Iと、一般式5で表されるビフェニル環又はベンゼン環を含む化合物又はホルムアルデヒドのいずれかの架橋体IIaとを縮合反応させて樹脂を得る工程、次いで、前記工程で得られた樹脂の存在下に、一般式3及び/又は一般式4で表されるフェノール類Iと、一般式5で表されるビフェニル環又はベンゼン環を含む化合物又はホルムアルデヒドのいずれかであって前記工程で用いなかった架橋体IIbを含む架橋体とを縮合反応させる工程、とを含む2段の縮合反応によって行うことが特に好適である。本発明で用いるフェノール類Iは、一般式3で表される置換基R1を有するものを必須成分とし、一般式3で表される置換基R1を有するものだけでもよく、一般式3で表される置換基R1を有するものと一般式4で表される置換基を有さないものとの混合物を用いてもよい。一般式3で表される置換基R1を有するフェノール類としては、m-クレゾール、p-クレゾ-ル、o-クレゾ-ル、2,3-キシレノ-ル、2,4-キシレノ-ル、2,5-キシレノ-ル、2,6-キシレノ-ル、3,4-キシレノ-ル、3,5-キシレノ-ル、2,3,5-トリメチルフェノ-ル、2,3,6-トリメチルフェノ-ル、4-t-ブチルカテコールなどを好適に挙げることができる。また、3-メチルカテコール、4-メチルカテコール、3,4-ジメチルカテコール、3,5-ジメチルカテコール、2-メチルレゾルシン、5-メチルレゾルシン、2-メチルヒドロキノン、2,3,5-トリメチルヒドロキノン等の2価フェノール類も使用できる。中でも、m-クレゾール、p-クレゾールが好ましい。一般式4で表される置換基を有さないフェノール類としては、フェノール、カテコール、レゾルシン、ヒドロキノン、トリヒドロキシベンゼンなどを好適に挙げることができる。中でも、フェノールが好適である。本発明のノボラック型フェノール樹脂の架橋構造を誘導する架橋体IIは、一般式5で表されるビフェニル環又はベンゼン環を含む化合物、及びホルムアルデヒドからなる。一般式5で表されるビフェニル環又はベンゼン環を含む化合物としては、4,4’-ジハロゲノメチルビフェニル、2,4’-ジハロゲノメチルビフェニル、2,2’-ジハロゲノメチルビフェニル、4,4’-ジアルコキシメチルビフェニル、2,4’-ジアルコキシメチルビフェニル、2,2’-ジアルコキシメチルビフェニル、1,4-ジハロゲノメチルベンゼン、1,4-ジアルコキシメチルベンゼン、1,2-ジハロゲノメチルベンゼン、1,2-ジアルコキシメチルベンゼン、1,3-ジハロゲノメチルベンゼンおよび1,3-ジアルコキシメチルベンゼンなどを好適に挙げることができる。さらに、一般式5で表されるビフェニル環又はベンゼン環を含む化合物としては、4,4’-ジヒドロキシメチルビフェニル、2,4’-ジヒドロキシメチルビフェニル、2,2’-ジヒドロキシメチルビフェニル、1,4-ジヒドロキシメチルベンゼン、1,3-ジヒドロキシメチルベンゼンおよび1,2-ジヒドロキシメチルベンゼンなど、4,4’-ジアルコキシメチルビフェニル、2,4’-ジアルコキシメチルビフェニル、2,2’-ジアルコキシメチルビフェニル、1,4-ジアルコキシメチルベンゼン、1,3-ジアルコキシメチルベンゼンおよび1,2-ジアルコキシメチルベンゼンなど、を好適に挙げることができる。ここで、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられるが、塩素原子が好ましい。また、アルコキシル基としては、特に制限はないが、炭素数1~6個の脂肪族アルコキシが好ましい。具体的には、メトキシおよびエトキシが挙げられる。好ましい具体的な化合物としては、4,4’-ジクロロメチルビフェニル、4,4’-ジメトキシメチルビフェニル、4,4’-ジエトキシメチルビフェニル、1,4-ジクロロメチルベンゼン、1,4-ジメトキシメチルベンゼン及び1,4-ジエトキシメチルベンゼンが挙げられる。これらの一般式5で表されるビフェニル環又はベンゼン環を含む化合物は、一種類を単独で用いても複数種の混合物を用いても構わない。また、ホルムアルデヒドとしては、特に制限はないが、ホルムアルデヒド水溶液を用いてもよく、またパラホルムアルデヒド、トリオキサンなど酸存在下で分解してホルムアルデヒドとなる重合物を用いてもよい。好ましくは、取り扱いの容易なホルムアルデヒド水溶液であり、市販の42ホルムアルデヒド水溶液をそのまま好適に使用することができる。本発明のノボラック型フェノール樹脂を製造する際の縮合反応においては、2段の場合は2段の縮合反応を通して、フェノール類I1モルに対して、一般式5で表されるビフェニル環又はベンゼン環を含む化合物及びホルムアルデヒドからなる架橋体IIを合計で、0.5~1.0倍モル、好ましくは0.6~0.9倍モルの割合で使用するのが好ましい。なお、2段の縮合反応において、第1工程の架橋体は完全に消費され、樹脂中に取り込まれる。この値F値が0.5倍モル未満では感度が高くなり過ぎて残膜率が低下することがあり、1.0倍モルを越えると感度が低すぎてフォトレジストとしての実使用に向かなくなる場合がある。2段の縮合反応によって縮合反応を行うと、ビフェニル環又はベンゼン環を含む2価の基一般式1中の-R-からなる架橋構造の樹脂セグメント、及びメチレン基一般式1中の-CH2-からなる架橋構造の樹脂セグメントを、それぞれ好適に制御することができる。換言すれば、各樹脂セグメントの重合度の調節が容易になり、更に分子量分布を狭くすることができるので、樹脂全体としての分子量の制御が容易になる。このため、2段の縮合反応によって縮合反応を行うことが、本発明のノボラック型フェノール樹脂を得るうえで好適である。一方、フェノール類Iと一般式5で表されるビフェニル環又はベンゼン環を含む化合物及びホルムアルデヒドからなる架橋体IIとを、1段の縮合反応によって反応させると、種々の反応性のものが同時に反応するために分子量の制御が難しくなり、しばしばゲル化を起こすなどの問題が生じることがある。さらに、1段の縮合反応に比べて2段の縮合反応によれば、前記の各樹脂セグメントによって、よりブロック化されたノボラック型フェノール樹脂が得られる。本発明のノボラック型フェノール樹脂は、このブロック化ノボラック型フェノール樹脂に限定するものではないが、基材に対するより向上した密着性を達成できるので、このようにして得られるブロック化ノボラック型フェノール樹脂がより好ましい。2段の縮合反応において、第1工程の縮合反応が終了後、その反応混合物に第2工程の原材料を添加し、第2工程の縮合反応を行っても構わない。また、限定するものではないが、本発明においては、第1工程の縮合反応が終了後、例えば20~50torrの減圧下で反応混合物中に残存する未反応原料や副生物を除去して第1工程の縮合反応で得られた中間段階のノボラック型フェノール樹脂を一旦単離し、次いで、単離した中間段階のノボラック型フェノール樹脂と残りの反応原料とを再び混合して第2工程の縮合反応を行うことが、各工程の反応をより精密に制御することができ、ゲル化などの問題を生じさせないで容易に分子量などを調節することができるので特に好適である。本発明のノボラック型フェノール樹脂を製造する縮合反応においては、得られる樹脂が一般式1で規定された[mj/nk]の割合や重量平均分子量を満たすように、反応原料の使用割合や反応条件が調節される。2段の縮合反応においては、第1工程の縮合反応で得られた中間段階のノボラック型フェノール樹脂を分析して、その結果に基づいて、第2工程の反応原料の割合や反応条件が更に微調節される。当然ノボラック型フェノール樹脂へ導入する割合を高くしたいユニットの原料の使用割合を高くし、また目的とする重量平均分子量によってフェノール類Iと架橋体IIとの使用する割合F値は適宜調節されるが、それらの割合は、それぞれの原材料の反応性の大きさや採用する反応条件を加味して適宜調節される。当業者にとっては、その調節方法は自明であるが、必要なら予備的実験を行うことによって簡単に見出すことができる。本発明のノボラック型フェノール樹脂の製造における縮合反応に用いられる酸触媒としては、特に限定はなく、ベンゼンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸、メタンスルホン酸などの有機スルホン酸、塩酸、硫酸などの無機酸など公知のものを単独であるいは2種以上併用して使用することができるが、硫酸、蓚酸またはパラトルエンスルホン酸が特に好ましい。使用量は、概ねフェノール類に対して0.01~1重量程度である。1段の縮合反応でも2段の縮合反応でも、特に違いはない。例えば、蓚酸の場合は0.3~1.0重量程度、硫酸の場合は0.05~0.1重量程度、またパラトルエンスルホン酸の場合は0.1~0.3重量程度使用するのがよい。なお、フォトレジスト用組成物に用いる場合には、酸触媒は極力少ないほうが好ましく、樹脂中に酸触媒が残存するとフォトレジストの特性に弊害が及ぶ可能性があるために、アミン類または無機アルカリを使用して酸触媒を中和することが好ましい。縮合反応の反応温度は、通常50~200°C、好ましくは70~180°C、より好ましくは80~170°Cである。50°Cより低いと重合が進まず、200°Cより高いと反応の制御が難しくなり、目的のノボラック型フェノール樹脂を得ることが困難となる場合がある。縮合反応では、原料のホルムアルデヒドなどに含まれる水が、溶媒の役割を担うことができるが、必要によって反応に影響を及ぼさない有機溶媒を使用することもできる。これらの有機溶媒としては、ジエチレングリコールジメチルエーテル、12-ジメトキシエタン、12-ジエトキシエタン等のエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル類;テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類等が挙げられる。これらの有機溶媒の使用量は、通常、反応原料100質量部当り、20~1000質量部である。また、縮合反応の反応時間は、反応温度にもよるが、通常は0.1時間以上20時間以内である。反応圧力は、通常は常圧下で行われるが、若干の加圧ないし減圧下でも行うことができる。縮合反応が終了時の後処理としては、好ましくは反応を停止するために塩基を添加して酸触媒を中和し、続いて酸触媒を除去するために水を加えて水洗を行うことが好ましい。酸触媒の中和のための塩基としては、特に限定されることはなく、酸触媒を中和し、水に可溶となる塩を形成するものであれば使用可能である。金属水酸化物や金属炭酸塩などの無機塩基ならびにアミンや有機アミンなどの有機塩基が挙げられる。無機塩基としては、具体的には水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウムや炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カルシウムが挙げられる。有機塩基のアミンあるいは有機アミンの具体例としては、アンモニア、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ジエチルアミン、トリブチルアミンなどが挙げられる。好ましくは有機アミンが使用される。使用量は酸触媒の量にもよるが、酸触媒を中和し、反応系内のpHが4~8の範囲に入るような量で使用することが好ましい。水洗水の量と回数は特に限定されないが、経済的観点も含めて、酸触媒を実使用に影響ない程度の量まで除去する水洗回数としては、1~5回程度が好ましい。また、水洗温度は、特に限定されないが、触媒種除去の効率と作業性の観点から40~95°Cで行うのが好ましい。水洗中、樹脂と水洗水の分離が悪い場合は、レジンの粘度を低下させる溶媒の添加や水洗温度を上昇させることが効果的である。溶媒種は特に限定されないが、フェノ-ル樹脂を溶解し、粘度を低下させるものであれば使用することができる。酸性触媒を除去した後は、通常は、反応系の温度を130°C~230°Cに上げて、例えば20~50torrの減圧下、反応混合物中に残存している未反応原料、有機溶媒等の揮発分を留去することによって、目的のノボラック型フェノール樹脂を好適に分離回収することができる。本発明のフォトレジスト組成物は、少なくとも本発明のノボラック型フェノール樹脂と感光剤とを含み、基材に対して高密着性のレジスト膜を得ることができることを特徴とする。感光剤としては、限定するものではないが、キノンジアジド基を含む化合物を含有する感光剤が好ましく、1、2-キノンジアジド化合物を含有する感光剤が特に好ましい。キノンジアジド基を含む化合物の感光剤としては、従来キノンジアジド-ノボラック系のフォトレジストで用いられている公知の感光剤をいずれも好適に用いることができる。このような感光剤としては、ナフトキノンジアジドスルホン酸クロライドやベンゾキノンジアジドスルホン酸クロライド等と、これら酸クロライドと縮合反応可能な官能基を有する低分子化合物または高分子化合物とを反応させることによって得られた化合物が好ましいものである。ここで酸クロライドと縮合可能な官能基としては水酸基、アミノ基等があげられるが、特に水酸基が好適である。水酸基を含む酸クロライドと縮合可能な化合物としては、例えばハイドロキノン、レゾルシン、2、4-ジヒドロキシベンゾフェノン、2、3、4-トリヒドロキシベンゾフェノン、2、4、6-トリヒドロキシベンゾフェノン、2、4、4’-トリヒドロキシベンゾフェノン、2、3、4、4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、2、2’、4、4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、2、2’、3、4、6’-ペンタヒドロキシベンゾフェノン等のヒドロキシベンゾフェノン類、ビス2、4-ジヒドロキシフェニルメタン、ビス2、3、4-トリヒドロキシフェニルメタン、ビス2、4-ジヒドロキシフェニルプロパン等のヒドロキシフェニルアルカン類、4、4’、3、4-テトラヒドロキシ-3、5、3’、5’-テトラメチルトリフェニルメタン、4、4’、2、3、4-ペンタヒドロキシ-3、5、3’、5’-テトラメチルトリフェニルメタン等のヒドロキシトリフェニルメタン類などを挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、2種以上を組合せて用いてもよい。また、ナフトキノンジアジドスルホン酸クロライドやベンゾキノンジアジドスルホン酸クロライドなどの酸クロライドとしては、例えば、1、2-ナフトキノンジアジド-5-スルフォニルクロライド、1、2-ナフトキノンジアジド-4-スルフォニルクロライドなどが好ましいものとして挙げられる。本発明のフォトレジスト用組成物においては、本発明のノボラック型フェノール樹脂100質量部に対して、感光剤を通常5~50質量部、好ましくは10~40質量部配合する。これよりも少なくと、感光性樹組成物として十分な感度が得られないことがあり、またこれよりも多いと成分が析出するなどの問題を生じることがある。また、本発明のフォトレジスト用組成物は、溶媒に均一に溶解することが好ましい。フォトレジスト用組成物に用いられる溶媒種や量は、特に限定しないが、塗膜を形成する際に適当な乾燥速度で蒸発して均一で平滑な塗膜を与えるように、その種類や量が選択される。溶媒としては、例えば、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類、ピルビン酸エチル、酢酸n-アミル若しくは乳酸エチル等のエステル類、2-ヘプタノン、γ-ブチルラクトン等のケトン類を好適に挙げることができる。これらの溶媒は単独で、或いは2種以上を混合して使用される。本発明のレジスト組成物は、前記のノボラック型フェノール樹脂及び感光剤の他に、レジスト組成物の慣用成分である、酸化防止剤等の安定剤、可塑剤、界面活性剤、密着性向上剤、溶解促進剤、溶解阻害剤などを適宜添加することができる。本発明のフォトレジスト用組成物は、ポジ型フォトレジスト組成物として好適に用いることができる。使用方法は従来公知の方法を好適に採用することができるが、一例を示せば、次のとおりである。すなわち、表面に酸化膜を形成したシリコンウエハーを基材とし、その表面にスピンコーターなどを用いて本発明のフォトレジスト用組成物の塗膜を形成し、必要に応じてプリベークを行った後で、縮小投影露光装置などを用いて、塗膜に光を照射してマスクの所定のパターンを転写する。次いで、例えば2.38テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液のような現像液を用いて現像して、塗膜の露光された部分を除去し、必要に応じて純水などによるリンスを行った後でポストベークを行って、基材上にレジストからなるパターン化された構造を形成する。その後、例えば、レジストで覆われていない酸化膜をエッチングによって除去し、更に酸化膜を覆っているレジストを除去して、酸化膜からなる所定のパターン化された構造を有するシリコンウエハーを得、次いで酸化膜で覆われていない領域にイオン注入によって例えばドナーとなる元素を拡散させれば、n型半導体を形成できる。本発明のフォトレジスト用組成物は、高感度、高残膜率、高解像度を有し、得られるレジスト保護膜、マスクは、高耐熱性であると共に、レジスト端部における剥離現象が抑制されて基材との間に安定した密着性を有することができる。より具体的には、レジスト端部における剥離現象を、レジストの端部から0.3μm未満、好ましくは0.1μm未満にすることができる。この結果、引き続くエッチング処理工程において、サイドエッチを好適に抑制することができるので、特に線幅が2.0μm以下、好ましくは1.5μm以下の回路パターンを製造するためのフォトレジストとして好適に用いることができる。以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。[1]ノボラック型フェノール樹脂まず、ノボラック型フェノール樹脂の実施例を示す。参考例で得られるノボラック型フェノール樹脂は、本発明の第1工程の縮合反応によって得られる中間段階のノボラック型フェノール樹脂である。なお、樹脂の分析方法や評価方法は次の通りである。1重量平均分子量以下の条件でGPC測定を行い、ポリスチレン換算による重量平均分子量を求めた。GPC測定条件型式:HLC-8220東ソー株製カラム:TSK-GELHタイプG2000H×L4本G3000H×L1本G4000H×L1本測定条件:カラム圧力13.5MPa溶離液:テトラヒドロフランTHFフローレート1mL/min温度:40°C検出器:スペクトロフォトメーターUV-8020RANGE2.56WAVELENGTH:254nmインジェクション量:100μmL試料濃度:5mg/mL2アリーレン基の導入割合[mj/nk]製造時に使用した原料が全て消費されて樹脂中に導入されているので、使用した原料の割合から求めることができる。すなわち、アリーレン基の導入割合[mj/nk]は、m,j,n,kに次の数値を代入することによって算出した。m:クレゾール類と反応させたビフェニル環又はベンゼン環を含む化合物のモル数n:クレゾール類と反応させたホルムアルデヒドのモル数j:フェノールと反応させたビフェニル環又はベンゼン環を含む化合物のモル数k:フェノールと反応させたホルムアルデヒドのモル数なお、第2工程では、第1工程の樹脂の一部のみを用いているので、そこで使用した樹脂の割合で換算した。3アルカリ溶解速度ノボラック型フェノ-ル樹脂3gをPGMEAプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート9gに溶解し、樹脂溶液を調合した。これらを0.2ミクロンメンブレンフィルタ-で濾過した。これを4インチシリコンウェハー上に約1.5μmの厚みになるようにスピンコーターで塗布し、110°Cで60秒間ホットプレ-ト上で乾燥させた。次いで現像液2.38テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液を用い、完全に膜が消失するまでの時間を計測した。初期膜厚を溶解するまでの時間で割った値を溶解速度とした。参考例1温度計、仕込留出口および攪拌機を備えた容量1000mLのガラス製フラスコにフェノール100g1.06モル、p-キシレングリコールジメチルエーテル以下、1,4-PXDMと略記することがある。66.96g0.40モル、及び50硫酸0.05gを入れ、140°Cで3時間反応させた。その後、反応温度を160°Cに昇温し、更に3時間反応を行った。その間、生成するメタノールを留去した。反応終了後、90°Cまで冷却して、イオン交換水170gを添加して攪拌し、静置した。静置することにより分離した分離水のpHを5.5~7.0となるように調整し、分離水を除去した。この操作を2回行った。その後、185°Cまで昇温して脱水した後、30torrで2時間減圧蒸留を行って未反応原料などを除去し、ノボラック型フェノール樹脂130g得た。得られたノボラック型フェノール樹脂の重量平均分子量は1200であった。なお、このノボラック型フェノール樹脂には、0.40モルの1,4-PXDMと0.67モルのフェノールが導入されていた。参考例2温度計、仕込留出口および攪拌機を備えた容量1000mLのガラス製フラスコにm-クレゾール100g0.93モル、p-キシレングリコールジメチルエーテル以下、1,4-PXDMと略記することもある。28g0.17モル、及びパラトルエンスルホン酸0.2gを入れ、140°Cで3時間反応させた。その後、反応温度を160°Cに昇温し、更に3時間反応を行った。その間、生成するメタノールを留去した。反応終了後、90°Cまで冷却してトリエチルアミン0.3g添加し、イオン交換水100gを添加して攪拌し、静置した。静置することにより分離した分離水のpHを5.5~7.0となるように調整し、分離水を除去した。この操作を2回行った。その後、185°Cまで昇温して脱水した後、30torrで2時間減圧蒸留を行って未反応原料などを除去し、ノボラック型クレゾール樹脂50gを得た。得られたノボラック型フェノール樹脂の重量平均分子量は780であった。なお、このノボラック型フェノール樹脂には、0.17モルの1,4-PXDMと0.20モルのm-クレゾールが導入されていた。参考例3温度計、仕込留出口および攪拌機を備えた容量1000mLのガラス製フラスコにm-クレゾール100g0.93モル、4,4’-ビスメトキシメチルビフェニル以下、4,4’-BMMBと略記することもある。40g0.17モル、及びパラトルエンスルホン酸0.2gを入れ、140°Cで3時間反応させた。その後、反応温度を160°Cに昇温し、更に3時間反応を行った。その間、生成するメタノールを留去した。反応終了後、90°Cまで冷却してトリエチルアミン0.3g添加し、イオン交換水100gを添加して攪拌し、静置した。静置することにより分離した分離水のpHを5.5~7.0となるように調整し、分離水を除去した。この操作を2回行った。その後、185°Cまで昇温して脱水した後、30torrで2時間減圧蒸留を行って未反応原料などを除去し、ノボラック型クレゾール樹脂60gを得た。得られたノボラック型フェノール樹脂の重量平均分子量は1002であった。なお、このノボラック型フェノール樹脂には、0.17モルの4,4’-BMMBと0.19モルのm-クレゾールが導入されていた。実施例1温度計、仕込留出口および攪拌機を備えた容量500mLのガラス製フラスコにm-クレゾール76g0.70モル、p-クレゾール51g0.47モル、参考例1で合成したノボラック型フェノール樹脂以下、樹脂Aと略記することもある。40g、42ホルマリン50g0.70モル、及びシュウ酸0.6gを入れ、100°Cで20時間反応を行った。その後、185°Cまで昇温して脱水した後、30torrで2時間減圧蒸留を行って未反応原料などを除去し、ノボラック型フェノール樹脂120gを得た。得られたノボラック型フェノール樹脂の重量平均分子量は4900であり、アルカリ溶解速度は2530オングストローム/秒であった。なお、このノボラック型フェノール樹脂において、使用した樹脂Aに含まれる1,4-PXDMは、40/130×0.4=0.12モルに相当し、第2工程ではホルマリン0.70モルが導入されているから、mj/nk=00.12/0.700=15/85である。実施例2温度計、仕込留出口および攪拌機を備えた容量500mLのガラス製フラスコにm-クレゾール32g0.29モル、p-クレゾール21g0.20モル、参考例1で合成した樹脂A50g、42ホルマリン22.4g0.32モル、及びシュウ酸0.4gを入れ、100°Cで20時間反応を行った。その後、185°Cまで昇温して脱水した後、30torrで2時間減圧蒸留を行って未反応原料などを除去し、ノボラック型フェノール樹脂120gを得た。得られたノボラック型フェノール樹脂の重量平均分子量は3600であり、アルカリ溶解速度は618オングストローム/秒であった。なお、このノボラック型フェノール樹脂において、使用した樹脂Aに含まれる1,4-PXDMは、50/130×0.4=0.15モルに相当し、第2工程ではホルマリン0.32モルが導入されているから、mj/nk=00.15/0.320=32/68である。実施例3温度計、仕込留出口および攪拌機を備えた容量500mLのガラス製フラスコにm-クレゾール100g0.93モル、参考例2で合成したノボラック型フェノール樹脂以下、樹脂Bと略記することもある。40g、42ホルマリン55.6g0.79モル、及びシュウ酸0.5gを入れ、100°Cで20時間反応を行った。その後、185°Cまで昇温して脱水した後、30torrで2時間減圧蒸留を行って未反応原料などを除去し、ノボラック型クレゾール樹脂100gを得た。得られたノボラック型クレゾール樹脂の重量平均分子量は3700であり、アルカリ溶解速度は1173オングストローム/秒であった。なお、このノボラック型フェノール樹脂において、使用した樹脂Bに含まれる1,4-PXDMは、40/50×0.17=0.14モルに相当し、第2工程ではホルマリン0.79モルが導入されているから、mj/nk=0.140/0.790=15/85である。実施例4温度計、仕込留出口および攪拌機を備えた容量500mLのガラス製フラスコにm-クレゾール105g0.97モル、参考例3で合成したノボラック型フェノール樹脂以下、樹脂Cと略記することもある。45g、42ホルマリン58.29g0.83モル、及びシュウ酸0.53gを入れ、100°Cで20時間反応を行った。その後、185°Cまで昇温して脱水した後、30torrで2時間減圧蒸留を行って未反応原料などを除去し、ノボラック型フェノール樹脂95gを得た。得られたノボラック型フェノール樹脂の重量平均分子量は3500であり、アルカリ溶解速度は227オングストローム/秒であった。なお、このノボラック型フェノール樹脂において、使用した樹脂Cに含まれる4,4’-BMMBは、45/60×0.17=0.13モルに相当し、第2工程ではホルマリン0.83モルが導入されているから、mj/nk=0.130/0.830=14/86である。実施例5温度計、仕込留出口および攪拌機を備えた容量500mLのガラス製フラスコにm-クレゾール135g1.25モル、樹脂C15g、42ホルマリン74.82g1.06モル、及びシュウ酸0.53gを入れ、100°Cで20時間反応を行った。その後、185°Cまで昇温して脱水した後、30torrで2時間減圧蒸留を行って未反応原料などを除去し、ノボラック型フェノール樹脂98gを得た。得られたノボラック型フェノール樹脂の重量平均分子量は4400であり、アルカリ溶解速度は1270オングストローム/秒であった。なお、このノボラック型フェノール樹脂において、使用した樹脂Cに含まれる4,4’-BMMBは、15/60×0.17=0.04モルに相当し、第2工程ではホルマリン1.06モルが導入されているから、mj/nk=0.040/1.060=4/96である。比較例1温度計、仕込留出口および攪拌機を備えた容量500mLのガラス製フラスコにm-クレゾール38g0.35モル、p-クレゾール25g0.23モル、参考例1で合成した樹脂A60g、42ホルマリン29g0.41モル、及びシュウ酸0.4gを入れ、100°Cで20時間反応を行った。その後、185°Cまで昇温して脱水した後、30torrで2時間減圧蒸留を行って未反応原料などを除去し、ノボラック型フェノール樹脂60gを得た。得られたノボラック型フェノール樹脂の重量平均分子量は7700であり、アルカリ溶解速度は268オングストローム/秒であった。なお、このノボラック型フェノール樹脂において、使用した樹脂Aに含まれる1,4-PXDMは、60/130×0.40=0.18モルに相当し、第2工程ではホルマリン0.41モルが導入されているから、mj/nk=00.18/0.410=31/69である。比較例2温度計、仕込留出口および攪拌機を備えた容量500mLのガラス製フラスコにm-クレゾール100g0.93モル、樹脂B40g、42ホルマリン58.9g0.83モル、及びシュウ酸0.5gをに入れ、100°Cで18時間反応を行った。その後、185°Cまで昇温して脱水した後、30torrで2時間減圧蒸留を行って未反応原料などを除去し、ノボラック型クレゾール樹脂96gを得た。得られたノボラック型クレゾール樹脂の重量平均分子量は4900であり、アルカリ溶解速度は464オングストローム/秒であった。なお、このノボラック型フェノール樹脂において、使用した樹脂Bに含まれる1,4-PXDMは、40/50×0.17=0.14モルに相当し、第2工程ではホルマリン0.83モルが導入されているから、mj/nk=0.140/0.830=14/86である。比較例3温度計、仕込留出口および攪拌機を備えた容量500mLのガラス製フラスコにm-クレゾール120g1.11モル、樹脂C30g、42ホルマリン70.4g1.00モル、及びシュウ酸0.53gを入れ、100°Cで20時間反応を行った。その後、185°Cまで昇温して脱水した後、30torrで2時間減圧蒸留を行って未反応原料などを除去し、ノボラック型フェノール樹脂100gを得た。得られたノボラック型フェノール樹脂の重量平均分子量は、7800であり、アルカリ溶解速度は148オングストローム/秒であった。なお、このノボラック型フェノール樹脂において、使用した樹脂Cに含まれる4,4’-BMMBは、30/60×0.17=0.09モルに相当し、第2工程ではホルマリン1.00モルが導入されているから、mj/nk=0.090/1.000=8/92である。比較例4温度計、仕込留出口および攪拌機を備えた容量1000mLのガラス製フラスコにm-クレゾール190g1.76モル、p-クレゾール268g2.48モル、42ホルマリン168.2g2.38モル、及び蓚酸1.6gを入れ、100°Cで5時間反応させた後180°Cまで昇温して脱水した後、30torrで2時間減圧蒸留を行って未反応原料などを除去し、ノボラック型フェノール樹脂370gを得た。得られたノボラック型クレゾール樹脂の重量平均分子量は3400であり、アルカリ溶解速度は1150オングストローム/秒であった。なお、このノボラック型フェノール樹脂において、mj/nk=00/2.380=0/100である。[2]フォトレジスト組成物次に、本発明のノボラック型フェノール樹脂を用いたフォトレジスト組成物の実施例を示す。なお、フォトレジスト組成物の評価方法は次の通りである。1感度、残膜率、解像度フォトレジスト組成物を4インチシリコンウェハー上にスピンコーターで塗布し、110°C、60秒間ホットプレート上で乾燥させて、厚みが15000Åの塗膜を形成した。その後、縮小投影露光装置を用い、露光時間を段階的に変えて最適な露光量を確認したうえで、最適な露光量になるように露光した。次いで現像液2.38テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液を用い、60秒間現像し、リンス、乾燥を行なった。感度感度は、走査型電子顕微鏡により、得たれたパターンのパターン形状を観察することにより、以下の基準で評価を行なった。AA:3mJ/cm2未満で画像が形成出来る。A:5mJ/cm2未満で画像が形成出来る。B:5~60mJ/cm2で画像が形成出来る。残膜率未露光部の残膜厚から残膜率を求めた。残膜率とは、現像後の感光性樹脂の膜厚と現像前の感光性樹脂の膜厚の比であり、下記式により表される値である。残膜率=現像後の感光性樹脂の膜厚/現像前の感光性樹脂の膜厚×100解像度また、解像度は、テストチャートマスクを用い、下記基準で評価した。◎:1.5μラインスペースが解像できる。○:2.0μラインスペースが解像できる。×:2.0μラインスペースが解像できない。2密着性フォトレジスト組成物を4インチシリコンウェハー上にスピンコーターで塗布し、110°C、90秒間ホットプレート上で乾燥させて、厚みが15000Åの塗膜を形成した。その後、縮小投影露光装置を用い、露光時間を段階的に変えて露光した。次いで現像液2.38テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液を用い、60秒間現像して、2.0ラインパターンを形成した。得られた2.0ラインパターンをシリコンウエハーと共に130°Cのホットプレート上で90秒間加熱し、シリコウエハー上のレジストパターンの状態を走査型電子顕微鏡で観察し、密着性を下記基準により評価した。◎:2.0μmラインパターンの端部において、基板からレジストが剥がれている距離が端部から0.1μm未満○:2.0μmラインパターンの端部において、基板からレジストが剥がれている距離が端部から0.1μm以上で0.3μm未満×:2.0μmラインパターンの端部において、基板からレジストが剥がれている距離が端部から0.3μm以上実施例6実施例1で得たノボラック型フェノール樹脂を用い、以下の方法でフォトレジスト組成物を調製した。すなわち、ノボラック型フェノール樹脂20gと、1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルフォニルクロライド5gとを、PGMEAプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート75gに溶解し、これを0.2ミクロンメンブレンフィルターで濾過して、フォトレジスト組成物を得た。このフォトレジスト組成物について特性の評価を行った結果を表1に示す。実施例7~10、比較例5~8実施例6のノボラック型フェノール樹脂として、実施例1で得たノボラック型フェノール樹脂の代わりに、実施例2~5及び比較例1~4を用いたこと以外は同様にして、フォトレジスト組成物を得た。これらのフォトレジスト組成物について特性の評価を行った結果を表1に示す。表1から以下のことが分かる。すなわち、比較例で示した例では、特にレジスト端部における剥離現象が生じるために基材との間に安定した密着性を有することができない。このため、回路パターンの線幅が微細化した場合には、信頼性が高いパターンを形成することが難しい。一方、実施例で示した例では、高感度、高残膜率、高解像度を有し、更に得られるレジスト保護膜、マスクは、レジスト端部における剥離現象が抑制されて基材との間に安定した密着性を有するので、回路パターンの線幅が微細化した場合でも、信頼性が高いパターンを形成することができる。"