コネクタソケットが実装された第1の回路基板と、前記コネクタソケットにより前記第1の回路基板に電気的に接続される少なくとも1つの光送受信モジュールと、ヒートシンクと、放熱シートと、を有し、前記光送受信モジュールは、電気/光変換素子、前記電気/光変換素子を駆動する駆動回路、光/電気変換素子、前記光/電気変換素子の出力電流を電圧信号に変換する電流/電圧変換回路がフェイスダウン実装された第2の回路基板と、前記電気/光変換素子により生成される光信号を前記光送受信モジュールの出力端に導き、前記光送受信モジュールへ入力される光信号を前記光/電気変換素子へ導く光導波路と、を有し、前記ヒートシンクは、前記電気/光変換素子、前記駆動回路、前記光/電気変換素子、前記電流/電圧変換回路のうちの少なくとも1つと熱的に結合しながら、前記放熱シートを挟みつけるように配置され、前記光送受信モジュールを前記第1の回路基板に押し付けることを特徴とする光モジュール。前記第2の回路基板の1つの端部が前記第1の回路基板に実装されているコネクタソケットにより保持され、前記第2の回路基板の一部の領域が前記光導波路および接着剤により前記第1の回路基板に保持されることを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。前記第2の回路基板の1つの端部が前記第1の回路基板に実装されているコネクタソケットにより保持され、前記第2の回路基板の一部の領域が前記光導波路、前記光導波路と前記電気/光変換素子および前記光/電気変換素子とを光学的に結合するレンズ、および接着剤により前記第1の回路基板に保持されることを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。前記第1の回路基板の両面に、それぞれ、前記光送受信モジュールが電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。前記ヒートシンクは、第1および第2のヒートシンクを含み、前記第1の回路基板の両面にそれぞれ前記光送受信モジュールが押し付けられるように、前記第1の回路基板が前記第1および第2のヒートシンクにより挟みつけられていることを特徴とする請求項4に記載の光モジュール。前記第1の回路基板には、前記駆動回路および前記電流/電圧変換回路を制御する制御回路が実装されていることを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。前記電気/光変換素子、前記駆動回路、前記光/電気変換素子、前記電流/電圧変換回路は、前記第2の回路基板の一方の面にフェイスダウン接続され、前記第2の回路基板の他方の面に前記光導波路が貼り付けられていることを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。前記第1の回路基板は、垂直接続型エッジコネクタソケットに対応するエッジコネクタを有することを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。前記第2の回路基板は、フレキシブル回路基板であることを特徴とする請求項1~8のいずれか1つに記載の光モジュール。複数のブレードを有するブレードサーバであって、各ブレードは、1または複数の、請求項1~9のいずれか1つに記載の光モジュールを有し、前記光モジュール間で光信号を伝送することを特徴とするブレードサーバ。しかしながら、非特許文献1等に記載されている光モジュールをボード例えば、ブレードに搭載する場合、1つの形態としては、光モジュールの基板がブレードと平行に配置されるように、光モジュールがブレードに取り付けられる。この場合、ブレードに対して光モジュールの占有面積が大きくなってしまう。光モジュールの搭載スペースを小さくするためには、例えば、ブレードに対して垂直に取り付けられた基板に、複数の光モジュールを搭載する構成が考えられる。しかし、このような構成において、複数の光モジュールを空間的に効率よく基板に搭載し、かつ、光モジュールで発生する熱を効率的に放熱することは容易ではなかった。本発明の目的は、光信号を送信および受信する複数の光モジュールを、ブレード等に垂直に接続する基板に、空間的および熱的に効率よく搭載する構造を提供することである。本発明の1つの態様の光モジュールは、コネクタソケットが実装された第1の回路基板と、前記コネクタソケットにより前記第1の回路基板に電気的に接続される少なくとも1つの光送受信モジュールと、ヒートシンクと、放熱シートと、を有する。前記光送受信モジュールは、電気/光変換素子、前記電気/光変換素子を駆動する駆動回路、光/電気変換素子、前記光/電気変換素子の出力電流を電圧信号に変換する電流/電圧変換回路がフェイスダウン実装された第2の回路基板と、前記電気/光変換素子により生成される光信号を前記光送受信モジュールの出力端に導き、前記光送受信モジュールへ入力される光信号を前記光/電気変換素子へ導く光導波路と、を有する。前記ヒートシンクは、前記電気/光変換素子、前記駆動回路、前記光/電気変換素子、前記電流/電圧変換回路のうちの少なくとも1つと熱的に結合しながら、前記放熱シートを挟みつけるように配置され、前記光送受信モジュールを前記第1の回路基板に押し付ける。上述の態様によれば、光信号を送信および受信する複数の光モジュールを、ブレード等に垂直に接続する基板に、空間的および熱的に効率よく搭載することができる。以下、実施形態の光モジュールについて、図面を参照しながら説明する。実施形態の光モジュールは、特に限定されるものではないが、以下では、ブレードサーバにおいて使用される。すなわち、実施形態の光モジュールは、以下の例では、ブレードサーバのブレードに搭載される。図1は、実施形態の光モジュールを使用するブレードサーバ100について説明する図である。ブレードサーバ100は、図1aに示すように、筐体101および複数のブレード102102-1~102-nを有する。各ブレード102は、たとえば、図1bに示すように、薄い略直方体形状である。なお、図1bに示すブレード102は、図1aに示すブレードサーバ100の筐体101に挿入されている複数のブレードの中の1つに相当する。ブレードサーバ100は、ブレード102間で光信号を伝送するための光リンクを有する。光リンクは、例えば、光導波路および光ファイバにより実現される。なお、光リンク上には、光スイッチまたは光クロスコネクトを設けてもよい。そして、各ブレード102は、上記光リンクを利用して、1または複数の他のブレード102との間でデータを送信および受信することができる。各ブレード102は、図1cに示すブレードメインボード110を有する。ブレードメインボード110には、1または複数のCPU111が実装されている。また、ブレードメインボード110には、特に図示しないが、メモリICも実装されている。なお、メモリは、CPU111に内蔵されていてもよい。そして、各ブレード102は、1台のコンピュータとして動作することができる。各ブレード102は、光モジュールを有する。光モジュール1は、図1cに示すように、ブレードメインボード110に取り付けられる。この実施例では、ブレードメインボード110には、不図示の垂直接続型エッジコネクタソケットが実装されている。そして、光モジュール1は、その垂直接続型エッジコネクタソケットを利用して、ブレードメインボード110に取り付けられる。したがって、光モジュール1は、ブレードメインボード110の1つの面に対して垂直方向に突出するように、ブレードメインボード110に取り付けられる。光モジュール1は、光送信機および光受信機を有する。光送信機および光受信機の電気回路は、ブレードメインボード110に形成されている回路に電気的に接続されている。そして、光モジュール1は、ブレードメインボード110において生成される電気信号を光信号に変換して他のブレードへ送信することができる。また、光モジュール1は、他のブレードから受信する光信号を電気信号に変換してブレードメインボード110に導くことができる。なお、図1に示す例では、ブレードサーバ100は、1つの筐体101に収容されている複数のブレード102によって実現されている。この場合、あるブレード内に設けられている光モジュール1は、筐体101に収容されている他のブレードとの間で光信号を送信および受信する。ただし、ブレードサーバ100は、複数の筐体に収容されている複数のブレードで実現してもよい。この場合、あるブレード内に設けられている光モジュール1は、同じ筐体に収容されている他のブレードとの間で光信号を送信および受信すると共に、他の筐体に収容されているブレードとの間で光信号を送信および受信してもよい。また、あるブレード内に設けられている光モジュール1は、同じブレード内の他の光モジュールとの間で光信号を送信および受信してもよい。図2は、光モジュール1に含まれる光送受信モジュールを上から見た図である。光送受信モジュール2は、フレキシブル基板3および光導波路4を有する。フレキシブル基板FPC:FlexiblePrintedCircuit2は、可撓性を有する薄いプリント基板である。フレキシブル基板3の厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、20~50μmである。また、フレキシブル基板3の材質は、特に限定されるものではないが、例えば、ポリイミド樹脂である。フレキシブル基板3には、電気/光変換素子5、ドライバIC6、光/電気変換素子7、トランスインピーダンスアンプTIA8が、例えばフリップチップ等により、フェイスダウン実装されている。なお、フェイスダウン実装においては、デバイスのフェイスたとえば、E/O素子の発光面、O/E素子の受光面、回路素子のICパッドが形成されている面が下側すなわち、基板側を向いて搭載される。電気/光変換素子E/O:ElectricalOpticalConverter4は、ドライバIC6により駆動され、データ信号に対応する光信号を生成する。すなわち、E/O素子5は、入力電気信号を光信号に変換する。E/O素子5は、例えば、レーザダイオードにより実現される。レーザダイオードは、特に限定されるものではないが、例えば、面発光レーザVCSEL:VerticalCavitySurfaceEmittingLaserである。E/O素子5は、複数の電気信号をそれぞれ対応する光信号に変換するように構成してもよい。この場合、E/O素子5は、複数のレーザダイオードを有する。ドライバIC6は、データ信号に応じてE/O素子5を駆動する駆動回路である。すなわち、ドライバIC6は、データ信号に対応する電流でE/O素子5を駆動する。これにより、E/O素子5は、データ信号に対応する光信号を生成する。なお、データ信号は、図1cに示すブレードメインボード110において生成され、エッジコネクタ9の対応する端子およびフレキシブル基板3に形成されている回路を介してドライバIC6に導かれる。電気/光変換素子O/E:OpticalElectricalConverter7は、光導波路4を介して受信する光信号を電気信号に変換する。この電気信号は、光信号を表す電流信号である。O/E素子7により生成される電気信号は、TIA8に導かれる。O/E素子7は、例えば、フォトダイオードにより実現される。なお、O/E素子7は、複数の光信号をそれぞれ対応する電気信号に変換するように構成してもよい。この場合、O/E素子7は、複数のフォトダイオードを有する。TIA8は、O/E素子7によって生成される電流信号を電圧信号に変換する。すなわち、TIA8は、電流/電圧変換回路として動作する。このとき、TIA8は、差動電圧信号を出力してもよい。そして、TIA8の出力信号は、フレキシブル基板3に形成されている回路およびエッジコネクタ9の対応する端子を介して、図1cに示すブレードメインボード110導かれる。なお、光送受信モジュール2は、TIA8の代わりに、他の電流/電圧変換回路を使用してもよい。エッジコネクタ9は、フレキシブル基板3の1つの辺のエッジ領域に形成されている。このエッジコネクタ9の各端子は、後述する光モジュール回路基板に実装されているコネクタソケットの対応する端子に電気的に接続される。ドライバIC6およびエッジコネクタ9の対応する端子は、フレキシブル基板3に形成されている回路により電気的に接続されている。また、TIA8およびエッジコネクタ9の対応する端子も、フレキシブル基板3に形成されている回路により電気的に接続されている。光導波路4は、この実施例では、光を伝搬するコアおよびコアを取り囲むクラッドが形成されたフィルムにより実現される。コアの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、40~60μmである。また、このフィルムは、特に限定されるものではないが、たとえば、ポリマ材料により実現される。なお、光導波路4は、1または複数の送信光導波路チャネル、および1または複数の受信光導波路チャネルを含む。送信光導波路チャネルは、E/O素子5により生成される光信号を光送受信モジュール2の出力端に導く。また、受信光導波路チャネルは、光送受信モジュール2へ入力される光信号をO/E素子7へ導く。光導波路4の端部には、光コネクタ10が光学的に結合されている。光コネクタ10は、例えば、PMTコネクタである。PMTコネクタは、高分子光導波路のための多芯光コネクタである。すなわち、光コネクタ10には、複数の光ファイバを接続することができる。図3は、図2に示す光送受信モジュール2を側方から見た図である。ここで、図3は、図2において矢印Aで表される視線により得られる光送受信モジュール2を示している。ただし、図3は、光送受信モジュール2の一部を示している。また、図3は、光送受信モジュール2の構造を説明するために、フレキシブル基板3および光導波路4を模式的に表している。フレキシブル基板3の上面および下面には、選択的に導体11が形成されている。ここで、上面は、フレキシブル基板3の2つの面のうち、E/O素子5およびO/E素子7などが実装されている面を意味する。下面は、フレキシブル基板3の2つの面のうちの他方の面を意味する。導体11は、回路を形成する。この回路は、E/O素子5とドライバIC6との間の回路、O/E素子7とTIA8との間の回路、ドライバIC6とエッジコネクタ9との間の回路、TIA8とエッジコネクタ9との間の回路、接地領域を含む。また、この回路は、データ信号を伝搬するデータ信号線、制御信号を伝搬する制御信号線、E/O素子5、ドライバIC6、O/E素子7、TIA8に電力を供給するための電源線を含む。フレキシブル基板3の上面には、E/O素子5、ドライバIC6、O/E素子7、TIA8が実装されている。この例では、E/O素子5、ドライバIC6、O/E素子7、TIA8は、フレキシブル基板3の上面に形成されている導体11に、フェイスダウン接続または、フェイスダウン実装されている。一例としては、E/O素子5、ドライバIC6、O/E素子7、TIA8は、フレキシブル基板3の上面にフリップチップ実装されている。この場合、E/O素子5、ドライバIC6、O/E素子7、TIA8は、それぞれ、バンプ12を利用して導体11に電気的に接続される。E/O素子5の発光面およびO/E素子7の受光面は、フレキシブル基板3に対向している。そして、フレキシブル基板3は、E/O素子5およびO/E素子7が実装される領域において、貫通孔13を有している。なお、フレキシブル基板3が光信号の光波長に対して透明であるときは、フレキシブル基板3に貫通孔13を形成する必要はない。光導波路4は、光を伝搬するコア4a、およびコア4aを取り囲むクラッド4bを有する。コア4aおよびクラッド4bの屈折率は、互いに異なっている。そして、光導波路4は、フレキシブル基板3の下面に接合される。この実施例では、光導波路4は、フレキシブル基板3の下面に接着剤で貼り付けられる。なお、光導波路4と光素子E/O素子5およびO/E素子7との間の光結合効率を向上させるために、フレキシブル基板3と光導波路4との間にレンズを設けてもよい。この場合、100μm程度の厚さのシート状のレンズを使用することができる。光導波路4は、光信号を反射するミラー14を有する。ミラー14は、光導波路4が光を伝搬する方向に対して45度の角度を有するように形成される。また、ミラー14は、E/O素子5およびO/E素子7の直下に位置するように配置される。すなわち、ミラー14がE/O素子5およびO/E素子7の直下に位置するように、光導波路4がフレキシブル基板3の下面に接合される。図3に示す矢印15は、光信号を表している。すなわち、E/O素子5により生成される光信号は、ミラー14により反射されて、コア4aを介して光コネクタ10へ伝搬される。また、入力光信号は、コア4aを介して伝搬され、ミラー14によりO/E素子7に導かれる。図4は、光送受信モジュール2が取り付けられた光モジュール回路基板の構成を示す。光モジュール回路基板21の表面には、コネクタソケット22およびCPU23が実装されている。また、光モジュール回路基板21の1つの辺のエッジ領域には、エッジコネクタ24が形成されている。光モジュール回路基板21は、表面に回路を有する。また、光モジュール回路基板21は、多層基板であってもよい。この場合、光モジュール回路基板21は、その内部にも回路を有する。そして、光モジュール回路基板21に形成される回路は、プリントされた導体により実現される。例えば、この回路は、CPU23とエッジコネクタ24との間の制御信号線25、CPU23とコネクタソケット22との間の制御信号線26、コネクタソケット22とエッジコネクタ24との間のデータ信号線27を含む。また、この回路は、信号線を実現するプリントされた導体以外の回路素子を含んでもよい。なお、光モジュール回路基板21の材質は、特に限定されるものではなく、例えば、樹脂、セラミック、金属である。コネクタソケット22の各端子は、光モジュール回路基板21に形成されている回路に電気的に接続されている。そして、コネクタソケット22は、図2~図3を参照しながら説明した光送受信モジュール2のフレキシブル基板3を収容する。このとき、フレキシブル基板3に形成されているエッジコネクタ9の各端子は、それぞれコネクタソケット22の対応する端子に電気的に接続される。したがって、光送受信モジュール2は、コネクタソケット22によって、光モジュール回路基板21に形成されている回路に電気的に接続される。CPU23は、光送受信モジュール2のドライバIC6およびTIA8を制御する。例えば、CPU23は、E/O素子5が好適な特性で動作するように、ドライバIC6を制御する。なお、E/O素子5の特性は、例えば、温度によって変化し得る。また、CPU23は、ブレードメインボード110からデータ信号が入力されないときは、電力消費を抑制するために、ドライバIC6を停止する。同様に、CPU23は、光導波路4を介して光信号が入力されないときには、TIA8を停止する。さらに、CPU23は、光送受信モジュール2のエラーを検出したときは、そのエラーをブレードメインボード110に通知してもよい。エッジコネクタ24は、ブレードメインボード110に実装されているコネクタソケットの対応する端子に電気的に接続するように形成されている。なお、光モジュール回路基板21およびエッジコネクタ24の形状は、特に限定されるものではない。さらに、光モジュール回路基板21には、貫通孔28が形成されている。図4に示す例では、2つの貫通孔28が形成されている。貫通孔28は、後で説明するが、光モジュール回路基板21にヒートシンクを固定するために使用される。ただし、ヒートシンクを光モジュール回路基板21に固定する方法は、特に限定されるものではない。すなわち、ヒートシンクは、貫通孔28を利用せずに光モジュール回路基板21に固定してもよい。この場合、光モジュール回路基板21に貫通孔28を形成す必要はない。図5は、光モジュール1の構成を示す。図5においては、光モジュール1を側方から見たときの構成が模式的に描かれている。なお、図5では、図面を見やすくするために、一部の部材については符号を省略している。具体的には、光送受信モジュール2a、2bの各要素については、符号は省略されている。図6は、図5に示す光モジュール1の一部を拡大して示している。図6においては、光送受信モジュールを光モジュール回路基板に固定する構造が描かれている。図5~図6に示す実施例では、光モジュール回路基板21の両面に、それぞれ、光送受信モジュール2が電気的に接続されている。すなわち、光モジュール回路基板21の一方の面には光送受信モジュール2aが設けられ、光モジュール回路基板21の他方の面には光送受信モジュール2bが設けられている。なお、以下の説明では、光送受信モジュール2aが設けられている光モジュール回路基板21の一方の面を上面と呼び、光送受信モジュール2bが設けられている光モジュール回路基板21の他方の面を下面と呼ぶことがある。光送受信モジュール2a、2bは、図4を参照しながら説明した光送受信モジュール2に相当する。したがって、光送受信モジュール2aは、フレキシブル基板3a、光導波路4a、E/O素子5a、ドライバIC6a、O/E素子7a、TIA8aを有している。同様に、光送受信モジュール2bは、フレキシブル基板3b、光導波路4b、E/O素子5b、ドライバIC6b、O/E素子7b、TIA8bを有している。光モジュール回路基板21の上面および下面には、それぞれコネクタソケット22a、22bが実装されている。コネクタソケット22a、22bは、図4を参照しながら説明したコネクタソケット22に相当する。CPU23は、この実施例では、光モジュール回路基板21の下面に実装されている。この構成では、CPU23は、光送受信モジュール2a、2bの双方を制御する。すなわち、CPU23は、ドライバIC6a、6b、TIA8a、8bを制御する。光モジュール回路基板21の上面において、光送受信モジュール2aは、コネクタソケット22aによって光モジュール回路基板21に電気的に接続される。このとき、光送受信モジュール2aのフレキシブル基板3aおよび光導波路4aが光モジュール回路基板21にほぼ平行に或いは実質的に平行に配置される。また、フレキシブル基板3aに形成されているエッジコネクタ9の各端子がコネクタソケット22aの対応する端子に電気的に接続するように、フレキシブル基板3aの端部がコネクタソケット22aに挿入される。コネクタソケット22aの高さは、低いことが好ましい。また、フレキシブル基板3aが挿入されるコネクタソケット22aの挿入口は、光モジュール回路基板21の上面から0.5mm以下の位置に配置されることが好ましい。すなわち、コネクタソケット22aとして、そのような形状のコネクタソケットを使用することが好ましい。図6に示す例では、高さhが0.5mm以下である。ここで、フレキシブル基板3aおよび光導波路4aを合わせた厚さは、約100μmである。また、フレキシブル基板3aと光導波路4aとの間に設けられるレンズの厚さも、約100μmである。さらに、接着剤層の厚さはそれぞれ約30μmである。すなわち、図6に示すように光送受信モジュール2aが光モジュール回路基板21の上面に搭載されると、フレキシブル基板3aは、光モジュール回路基板21の上面から200~300μmの高さ位置に配置されることになる。したがって、高さhが0.5mm以下であれれば、フレキシブル基板3aの1つの端部がコネクタソケット22aに挿入され、フレキシブル基板3aの一部の領域が光導波路4a、レンズ、接着剤場合によっては、光導波路4aおよび接着剤のみによって光モジュール回路基板21に保持されたときに、フレキシブル基板3aに加わる応力は小さい。同様に、光モジュール回路基板21の下面において、光送受信モジュール2bは、コネクタソケット22bによって光モジュール回路基板21に電気的に接続される。このとき、光送受信モジュール2bのフレキシブル基板3bおよび光導波路4bが光モジュール回路基板21にほぼ平行に或いは実質的に平行に配置される。また、フレキシブル基板3bに形成されているエッジコネクタ9の各端子がコネクタソケット22bの対応する端子に電気的に接続するように、フレキシブル基板3bの端部がコネクタソケット22bに挿入される。なお、光送受信モジュール2bおよびコネクタソケット22bの形状は、光送受信モジュール2aおよびbコネクタソケット22aと実質的に同じである。よって、光モジュール回路基板21に下面においても、フレキシブル基板3bに加わる応力は小さい。ヒートシンク31a、31bは、光送受信モジュール2a、2bが実装されている光モジュール回路基板21を挟むように配置される。ヒートシンク31a、31bの材質は、特に限定されるものではないが、例えば、アルミニウムまたはアルミニウム合金である。ヒートシンク31aと、E/O素子5a、ドライバIC6a、O/E素子7a、TIA8aとの間には、それぞれ放熱シート32が設けられる。この構成により、E/O素子5a、ドライバIC6a、O/E素子7a、TIA8aにおいて発生する熱は、放熱シート32を介してヒートシンク31aへ伝導する。なお、放熱シート32は、熱伝導が良好な材料により実現される。また、放熱シート32は、弾力性のある材料、或いはゲル状で変形し得る材料で実現される。以下では、放熱シート32は、熱伝導が良好であり、且つ、弾力性のある材料で実現されるものとする。同様に、ヒートシンク31bと、E/O素子5b、ドライバIC6b、O/E素子7b、TIA8bとの間にも、それぞれ放熱シート32が設けられる。この構成により、E/O素子5b、ドライバIC6b、O/E素子7b、TIA8bにおいて発生する熱は、放熱シート32を介してヒートシンク31bへ伝導する。さらに、ヒートシンク31bとCPU23との間にも、放熱シート32が設けられていてもよい。この構成により、CPU23において発生する熱は、放熱シート32を介してヒートシンク31bへ伝導する。プッシュピン33は、ヒートシンク31a、31bを光モジュール回路基板21に固定する。この実施例では、図5に示すように、ヒートシンク31a、31bと光モジュール回路基板21との間の空間は、スペーサ34によって確保される。なお、図5に示す例では、光モジュール回路基板21の上面側および下面側に設けられるスペーサ34は、互いに同じ形状であるものとする。ただし、ヒートシンク31a、31bを光モジュール回路基板21に固定する方法は、プッシュピンに限定されるものではなく、例えば、ネジ等で固定してもよい。上述のように、ヒートシンク31a、31bは、光送受信モジュール2a、2bが搭載された光モジュール回路基板21を挟むように配置される。このとき、光モジュール回路基板21の上面側では、ヒートシンク31aと、E/O素子5a、ドライバIC6a、O/E素子7a、TIA8aとの間に設けられている放熱シート32は、E/O素子5a、ドライバIC6a、O/E素子7a、TIA8aに押し付けられる。すなわち、これらの放熱シート32は、押しつぶされる。ただし、ヒートシンク31aと光モジュール回路基板21との間の距離は、スペーサ34によって確保される。よって、スペーサ34の高さは、E/O素子5a、ドライバIC6a、O/E素子7a、TIA8aに上に設けられている放熱シート32が押しつぶされるように決定される。なお、スペーサ34の高さは、コネクタソケット23aの高さよりも高く、この実施例では、ヒートシンク31aはコネクタソケット23aに接触しない。したがって、E/O素子5a、ドライバIC6a、O/E素子7a、TIA8aは、ヒートシンク31aと熱的に結合する。このとき、光送受信モジュール2aすなわち、フレキシブル基板3aおよび光導波路4aは、光モジュール回路基板21に押し付けられる。換言すれば、ヒートシンク31aは、E/O素子5a、ドライバIC6a、O/E素子7a、TIA8aと熱的に結合しながら、光送受信モジュール2aを光モジュール回路基板21に固定する。このとき、上述したように、コネクタソケット23aの挿入口は、光モジュール回路基板21の上面に対して十分に低い位置に設けられているので、光送受信モジュール2aが光モジュール回路基板21に押し付けられても、フレキシブル基板3aに加わる応力は小さい。同様に、ヒートシンク31bと、E/O素子5b、ドライバIC6b、O/E素子7b、TIA8bとの間に設けられている放熱シート32は、E/O素子5b、ドライバIC6b、O/E素子7b、TIA8bに押し付けられる。すなわち、これらの放熱シート32も、押しつぶされる。ここで、ヒートシンク31bと光モジュール回路基板21との間の距離も、スペーサ34によって確保される。また、スペーサ34の高さは、コネクタソケット23bの高さよりも高く、この実施例では、ヒートシンク31bはコネクタソケット23bに接触しない。したがって、E/O素子5b、ドライバIC6b、O/E素子7b、TIA8bは、ヒートシンク31bと熱的に結合する。このとき、光送受信モジュール2bすなわち、フレキシブル基板3bおよび光導波路4bは、光モジュール回路基板21に押し付けられる。換言すれば、ヒートシンク31bは、E/O素子5b、ドライバIC6b、O/E素子7b、TIA8bと熱的に結合しながら、光送受信モジュール2bを光モジュール回路基板21に固定する。また、フレキシブル基板3aと同様に、光送受信モジュール2bが光モジュール回路基板21に押し付けられても、フレキシブル基板3bに加わる応力は小さい。このように、実施形態の光モジュール1においては、ヒートシンクは、光送受信モジュールを光モジュール回路基板に固定する役割、およびE/O素子、ドライバIC、O/E素子、TIAを放熱する役割を担う。よって、実施形態の構成によれば、光モジュールの小型化を実現しながら、E/O素子、ドライバIC、O/E素子、TIAにおいて発生する熱を、効率的に放熱することができる。また、実施形態の光モジュール1において、光送受信モジュール22a、2bは、光モジュール回路基板21に対して着脱可能である。したがって、光送受信モジュール2を光モジュール回路基板21に取り付ける前に、各光送受信モジュール2について個々に光軸の検査などを実施できる。したがって、製造ばらつきに対して歩留まりの低下を抑えることができる。なお、上述した特許文献1または2に記載の構成では、光モジュールの基板、光導波路、光素子は一体化されている。このため、例えば、製造ばらつき等に起因して光モジュールの光軸がずれていたときは、そのずれを修正することは困難である。したがって、複数のE/OおよびO/Eを有する光モジュールにおいては、光軸ズレなどの製造エラーに対して歩留まりが低下するおそれがある。特に、1つの基板に対して複数の光送受信モジュール2を搭載する場合、上述した特許文献1または2に記載の構成と比較して、実施形態の構成は有利である。すなわち、特許文献1または2に記載の構成では、仮に、基板に搭載されている複数の光送受信モジュールのうちの1つ不良であった場合、その基板全体を交換する必要がある。これに対して、実施形態の光送受信モジュール2は、光モジュール回路基板21に対して着脱可能であるので、基板に搭載されている複数の光送受信モジュール2のうちの1つ不良であったときは、不良である光送受信モジュール2のみを交換すればよい。したがって、実施形態の構成によれば、全体として歩留まりが改善する。図7は、実施形態の光モジュール1をボードに搭載する実施例を示す。図7に示す例では、ブレードメインボード110に実施形態の光モジュール1が搭載される。ブレードメインボード110には、垂直接続型エッジコネクタソケット112が実装されている。光モジュール1は、図5~図6を参照しながら説明したように、光モジュール回路基板21、光送受信モジュール2a、2b、ヒートシンク31a、31bを有する。光モジュール回路基板21は、ヒートシンク31a、31bにより挟まれる。光モジュール回路基板21の両面には、それぞれ光送受信モジュール2a、2bが実装されている。ここで、光送受信モジュール2a、2bは、ヒートシンク31a、31bによって光モジュール回路基板21に押し付けられている。また、光送受信モジュール2a、2bにおいて発生する熱は、ヒートシンク31a、31bに伝導されて放熱される。光モジュール回路基板21に形成されているエッジコネクタが垂直接続型エッジコネクタソケット112の対応する端子に電気的に接続するように、光モジュール回路基板21の端部が垂直接続型エッジコネクタソケット112に挿入される。これにより、ブレードメインボード110に対して垂直方向に突出するように、光モジュール1がブレードメインボード110に搭載される。図8は、実施形態の光モジュール1をボードに搭載する他の実施例を示す。図8に示す例では、ブレードメインボード110に複数の光モジュール1が搭載される。図8に示す例では、CPU111-1、111-2および垂直接続型エッジコネクタソケット112-1~112-4が、ブレードメインボード110に実装されている。そして、光モジュール1-1~1-4は、対応する垂直接続型エッジコネクタソケット112-1~112-4により、ブレードメインボード110に形成されている回路に電気的に接続されている。光モジュール1-1~1-4は、それぞれ図5~図6に示す実施形態の光モジュール1に相当する。なお、図8では、図面を見やすくするために、光モジュール1-1~1-4が有するヒートシンクの図示は省略されている。上記構成において、CPU111-1、111-2は、光モジュール1-1~1-4を介して他のブレードへデータを送信できる。また、CPU111-1、111-2は、光モジュール1-1~1-4を介して他のブレードからデータを受信できる。このように、図8に示す例では、ブレードメインボード110に対して垂直方向に突出するように、複数の光モジュール1-1~1-4がブレードメインボード110に搭載される。したがって、ブレードメインボード110上で光モジュールが占有する面積が小さくなる。換言すれば、光送信機および光受信機の高密度化が実現される。なお、上述した実施例では、E/O素子5、ドライバIC6、O/E素子7、TIA8は、フレキシブル基板3に実装されているが、本発明はこの構成に限定されるものではない。すなわち、E/O素子5、ドライバIC6、O/E素子7、TIA8は、可撓性のない回路基板に実装してもよい。ただし、E/O素子5と光導波路4のコア4aとの間、および光導波路4のコア4aとO/E素子7との間の光損失を小さくするためには、この回路基板は薄く形成されることが好ましい。したがって、E/O素子5、ドライバIC6、O/E素子7、TIA8を実装するための回路基板として、フレキシブル基板3は好適な実施例である。また、上述の実施例では、ヒートシンクは、E/O素子5、ドライバIC6、O/E素子7、TIA8と熱的に結合しているが、本発明はこの構成に限定されるものではない。すなわち、ヒートシンクは、E/O素子5、ドライバIC6、O/E素子7、TIA8のうちの一部の素子またはチップと熱的に結合するように構成してもよい。換言すれば、ヒートシンクは、E/O素子5、ドライバIC6、O/E素子7、TIA8のうちの少なくとも1つと熱的に結合する。さらに、上述の実施例では、光モジュール回路基板21の1つの面に1つの光送受信エンジンが設けられているが、本発明はこの構成に限定されるものではない。ここで、光エンジンは、E/O素子5、ドライバIC6、O/E素子7、TIA8を含む光/電気複合回路を意味する。例えば、図9に示す例では、光モジュール回路基板21の1つの面に2つの光送受信エンジンが設けられている。この場合、光送受信モジュールは、フレキシブル基板3-1、3-2、および光導波路4を有する。各フレキシブル基板3-1、3-2には、それぞれ光エンジンすなわち、E/O素子5、ドライバIC6、O/E素子7、TIA8が実装されている。また、光導波路4は、フレキシブル基板3-1に光学的に結合する光導波路4-1およびフレキシブル基板3-2に光学的に結合する光導波路4-2を含む。そして、フレキシブル基板3-1、3-2は、それぞれ、光モジュール回路基板21に実装されているコネクタソケット22-1、22-2に結合する。このように、実施形態の光モジュールにおいては、光エンジンを含む光送受信モジュールは、光モジュール回路基板21に実装されているコネクタソケットを利用して、光モジュール回路基板21に電気的に接続される。したがって、1つの光モジュール回路基板21に容易に複数の光送受信モジュールを搭載することができる。さらに、光モジュール1は、一例として、ブレードサーバ100のブレード間でデータを送信および受信するために使用されるが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、実施形態の光モジュール1は、任意の装置間で光信号を送信および受信するために使用可能である。