物理気相堆積法により、a炭素とb金属又はゲルマニウムとを含む薄膜Aを基板上に形成し、熱処理により前記炭素を前記基板上に析出させ、前記b成分を除去し、前記基板上にグラファイト薄膜を形成することを特徴とするグラファイト薄膜の形成方法。炭素を含むガス中で、前記b成分をスパッタすることで、前記薄膜Aを形成することを特徴とする請求項1記載のグラファイト薄膜の形成方法。前記炭素を含むガスは、炭化水素を含むガスであることを特徴とする請求項2記載のグラファイト薄膜の形成方法。前記熱処理における熱処理温度は、前記b成分の融点より低いことを特徴とする請求項1~3のいずれか1項記載のグラファイト薄膜の形成方法。前記熱処理後、前記b成分を可溶な液体と接触させることで、前記b成分を除去することを特徴とする請求項1~4のいずれか1項記載のグラファイト薄膜の形成方法。前記b成分がゲルマニウムであり、1Pa以上の圧力下で前記熱処理を行うことで、ゲルマニウムを昇華により除去することを特徴とする請求項1~5のいずれか1項記載のグラファイト薄膜の形成方法。しかしながら、グラファイト薄膜を転写する過程において、グラファイト薄膜にしわが生じたり、未転写部分が発生する等、グラファイト薄膜に欠陥を誘起してしまう。本発明は以上の点に鑑みなされたものであり、転写を必ずしも必要としない、グラファイト薄膜の形成方法を提供することを目的とする。本発明のグラファイト薄膜の形成方法は、物理気相堆積法により、a炭素とb金属又はゲルマニウムとを含む薄膜Aを基板上に形成し、熱処理により炭素を基板上に析出させ、b成分を除去し、基板上にグラファイト薄膜を形成する。本発明によれば、転写を行わなくても、グラファイトグラフェンシートの積層体薄膜を形成することができる。本発明のグラファイト薄膜の形成方法における各段階を図示すると、図1に示すとおりとなる。図1の1は、使用する基板1を示す。図1の2は、基板1の上に、物理気相堆積法により、炭素原子3、b成分の原子5が堆積し、薄膜A符号7を形成している状態を示す。このとき、b成分が金属であると、薄膜Aは金属炭素混合膜となる。図1の3は熱処理後、グラファイト薄膜9が基板上に析出している状態を示す。このとき、グラファイト薄膜9の上には、b成分の層11が残存している。図1の4は、b成分の層11を除去し、基板1上にグラファイト薄膜9が形成されている状態を示す。前記金属としては、例えば、Fe、Co、Ni、Cu、Pt、Ag等が挙げられる。グラフェンを形成する上で触媒として機能する金属が好ましい。前記物理気相堆積法PhysicalVaporDepositionとしては、例えば、スパッタ、蒸着等が挙げられる。物理気相堆積法により形成された薄膜Aは熱的に非平衡な状態にある。薄膜Aを形成する方法としては、例えば、炭素を含むガス中で、b成分をスパッタする方法が挙げられる。この炭素を含むガスとしては、例えば、炭化水素を含むガスが挙げられる。この方法によれば、スパッタガスに由来する炭素と、スパッタターゲットに由来するb成分とを含む薄膜Aを形成することができる。また、薄膜Aを形成する別の方法としては、スパッタ装置に、b成分のターゲットとともに、炭素例えばグラファイトのターゲットも取り付け、同時スパッタにより、b成分と炭素とを含む薄膜Aを形成する方法がある。また、炭素をb成分に加えたものをターゲットとして、b成分と炭素とを含む薄膜Aを形成する方法もある。前記熱処理における熱処理温度は、b成分の融点より低いことが好ましい。このことは、例えば基板とb成分との不要な反応を抑制する点で有利である。熱処理は、高真空下で行ってもよいし、不活性ガス雰囲気常圧又は減圧下で行ってもよい。前記b成分を除去する方法としては、例えば、熱処理後、b成分を可溶な液体と接触させることで、前記b成分を除去する方法が挙げられる。b成分を可溶な液体は特に限定されず、例えば、無機酸硫酸、硝酸、塩酸等を用いることができる。また、前記b成分がゲルマニウムである場合は、b成分を除去する方法として、例えば、1Pa以上の圧力下で熱処理を行う方法が挙げられる。この場合、ゲルマニウムが雰囲気中の酸素と反応し酸化ゲルマニウムとなり昇華することで除去される。ゲルマニウムを昇華させる熱処理は、炭素を基板上に析出させる熱処理時であってもよいし、それとは別の炭素の析出後の熱処理であってもよい。本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。<実施例1>1.グラファイト薄膜の形成方法基板として、シリコンウェハの表面に、熱酸化により酸化膜を形成した物を用いた。この基板を、一般的なマグネトロンスパッタ装置以下、単にスパッタ装置とするに取り付けた。スパッタ装置には、Feカーボンの固溶度が高い金属、金属触媒のターゲットを取り付け、スパッタガスとしてメタン炭化水素を10含むアルゴンガスを導入し、真空度を0.01mbarとした。この条件において、上述した基板上に、スパッタ物理気相堆積法により、膜厚20nmの薄膜Aを形成した。この薄膜Aは、メタン由来の炭素とFeとを含む薄膜であり、おおよそ20原子の炭素を含んでいた。次に、薄膜Aを形成した基板を、真空度0.7Pa、800°Cの下で、30分間熱処理した。熱処理後の薄膜をラマン分光測定したところ、図2に示すように、グラファイトの特徴を示すGピークや2Dピークが見られた。また、熱処理後の薄膜を電子顕微鏡観察したところ、図3に示すように、薄片状の膜が観察された。また、表面上に凝集したFe粒子も観察された。ラマン分光結果および電子顕微鏡観察結果より、基板上の薄膜は、2-9層程度のグラファイト薄膜であることが分かった。このグラファイト薄膜は、熱処理により、薄膜Aから炭素が基板上に析出して形成されたものである。次に、熱処理後の基板を、エッチング液濃硫酸を純水で1/10に希釈した液を用い、室温で20分間エッチング処理した。エッチング処理後の基板表面をラマン分光測定したところ、図4に示すように、グラファイト薄膜が基板表面に維持されていることが確認できた。また、エッチング処理後の基板表面を電子顕微鏡観察したところ、図5に示すように、Fe粒子が除去されていることが確認できた。なお、Fe粒子が取れ難い場合は、上述したエッチング処理において、超音波を印加しながらエッチングすればよい。2.グラファイト薄膜の形成方法が奏する効果上記のグラファイト薄膜の形成方法を用いれば、転写を行わなくても、非金属の基板上にグラファイト薄膜を形成することができる。<実施例2>1.グラファイト薄膜の形成方法前記実施例1と同様の基板をスパッタ装置に取り付けた。スパッタ装置には、Cuカーボンをわずかに固溶する金属、金属触媒のターゲットを取り付け、スパッタガスとしてメタン炭化水素を10含むアルゴンガスを導入し、真空度を0.01mbarとした。この条件において、上述した基板上に、スパッタ物理気相堆積法により、膜厚20nmの薄膜Aを形成した。この薄膜Aは、メタン由来の炭素とCuとを含む薄膜であり、おおよそ4原子の炭素を含んでいた。次に、薄膜Aを形成した基板を、真空度0.7Pa、500°Cの下で、30分間熱処理した。熱処理後の薄膜をラマン分光測定したところ、図6に示すように、グラファイトの特徴を示すGピークが見られた。また、熱処理後の薄膜を電子顕微鏡観察したところ、図7に示すように、薄片状の膜が観察された。また、表面上に凝集したCu粒子も観察された。ラマン分光結果および電子顕微鏡観察結果より、基板上の薄膜は、グラファイト薄膜であることが分かった。このグラファイト薄膜は、熱処理により、薄膜Aから炭素が基板上に析出して形成されたものである。次に、熱処理後の基板を、エッチング液濃硫酸を純水で1/10に希釈した液を用い、室温で40分間エッチング処理した。エッチング処理後の基板表面をラマン分光測定したところ、図8に示すように、グラファイト薄膜が基板表面に維持されていることが確認できた。また、エッチング処理後の基板表面を電子顕微鏡観察したところ、図9に示すように、Cu粒子が除去されていることが確認できた。なお、Cu粒子が取れ難い場合は、上述したエッチング処理において、超音波を印加しながらエッチングすればよい。2.グラファイト薄膜の形成方法が奏する効果上記のグラファイト薄膜の形成方法を用いれば、転写を行わなくても、非金属の基板上にグラファイト薄膜を形成することができる。<実施例3>1.グラファイト薄膜の形成方法前記実施例1と同様の基板をスパッタ装置に取り付けた。スパッタ装置には、Geカーボンをわずかに固溶する非金属のターゲットを取り付け、スパッタガスとしてメタン炭化水素を10含むアルゴンガスを導入し、真空度を0.01mbarとした。この条件において、上述した基板上に、スパッタ物理気相堆積法により、膜厚20nmの薄膜Aを形成した。この薄膜Aは、メタン由来の炭素とGeとを含む薄膜であり、おおよそ1原子の炭素を含んでいた。次に、薄膜Aを形成した基板を、真空度0.7Pa、600°Cの下で、30分間熱処理した。熱処理後の薄膜をラマン分光測定したところ、図10に示すように、グラファイトの特徴を示すGピークが見られた。また、熱処理後の薄膜を電子顕微鏡観察したところ、図11に示すように、薄片状の膜が観察された。また、表面上に凝集したGe粒子も観察された。ラマン分光結果および電子顕微鏡観察結果より、基板上の薄膜は、グラファイト薄膜であることが分かった。このグラファイト薄膜は、熱処理により、薄膜Aから炭素が基板上に析出して形成されたものである。次に、熱処理後の基板を、エッチング液濃硫酸を純水で1/10に希釈した液を用い、室温で40分間エッチング処理した。エッチング処理後の基板表面をラマン分光測定したところ、グラファイト薄膜が基板表面に維持されていることが確認できた。また、エッチング処理後の基板表面を電子顕微鏡観察したところ、Ge粒子が除去されていることが確認できた。2.グラファイト薄膜の形成方法が奏する効果上記のグラファイト薄膜の形成方法を用いれば、転写を行わなくても、非金属の基板上にグラファイト薄膜を形成することができる。<実施例4>1.グラファイト薄膜の形成方法前記実施例3と同様に、基板上に薄膜Aを形成した。次に、薄膜Aを形成した基板を、真空度2Pa、600°Cの下で、30分間熱処理した。熱処理後の薄膜をラマン分光測定したところ、図12に示すように、グラファイトの特徴を示すGピークが見られた。また、熱処理後の薄膜を電子顕微鏡観察したところ、図13に示すように、薄片状の膜が観察された。一方、Ge粒子は見られなかった。熱処理の工程において、雰囲気中の酸素とGeとが反応して酸化ゲルマニウムとなり昇華したためであると考えられる。ラマン分光結果および電子顕微鏡観察結果より、基板上の薄膜は、グラファイト薄膜であることが分かった。このグラファイト薄膜は、熱処理により、薄膜Aから炭素が基板上に析出して形成されたものである。2.グラファイト薄膜の形成方法が奏する効果上記のグラファイト薄膜の形成方法を用いれば、転写を行わなくても、非金属の基板上にグラファイト薄膜を形成することができる。また、上記のグラファイト薄膜の形成方法によれば、エッチング処理を行わなくても、Geを除去することができる。尚、本発明は前記実施の形態になんら限定されるものではなく、本発明を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。例えば、前記実施例1において、スパッタ装置に、Feのターゲットの代わりに、Co、Ni、又はそれらの合金炭素を固溶する金属のターゲットを取り付け、CoやNiと炭素とを含む薄膜Aを形成してもよい。この場合でも、前記実施例1と同様に、グラファイト薄膜を形成することができる。また、前記実施例2において、スパッタ装置に、Cuのターゲットの代わりに、Pt、Ag、又はそれらの合金炭素をわずかに固溶する金属のターゲットを取り付け、PtやAgと炭素とを含む薄膜Aを形成してもよい。この場合でも、前記実施例2と同様に、グラファイト薄膜を形成することができる。また、前記実施例1~4において、スパッタ装置に、金属のターゲットとともに、炭素例えばグラファイトのターゲットも取り付け、同時スパッタにより、金属と炭素とを含む薄膜Aを形成してもよい。この場合でも、前記実施例1~4と同様に、グラファイト薄膜を形成することができる。なお、上記の場合におけるスパッタガスは、アルゴンのみであってもよいし、アルゴンと炭化水素との混合ガスであってもよい。また、前記実施例1~4において、スパッタガスに含まれる炭化水素は、エタン、エチレン等であってもよい。また、前記実施例1~3において、熱処理は、大気圧不活性ガス中で行ってもよいし、600°C以下の大気中で行ってもよい。この場合でも、前記実施例1~3と同様に、グラファイト薄膜を基板上に形成することができる。