基板を含む材料Mであり、前記基板の1つの表面が:-疎水性ポリマーからなるブロックA、及び-多糖からなるブロックBを含むブロックコポリマー系の組織化ネットワークの層で被覆されている、材料M.請求項1に記載の材料Mであり、前記ブロックコポリマーが、重量平均分子量が、40000g/mol以下である、材料M。請求項1又は2のいずれか一項に記載の材料Mであり、前記ブロックBの多糖がマルトヘプタオースである、材料M。請求項1乃至3のいずれか一項に記載の材料Mであり、前記ブロックAのポリマーが、ポリスチレン、ポリアルキルメタアクレレート又はポリ3ーヘキシルチオフェンからなる、材料M。請求項1乃至4のいずれか一項に記載の材料Mであり、前記ブロックBが、アミン、アミド、ヒドロキシル官能基及び/又はカルボン酸官能基、特に4、4’-ビピリジン、2、2’-ビピリジン、2-2、4-ジフルオロフェニルピリジン又は9-アントラセンカルボン酸からなる少なくとも1つを含む分子と水素結合を介して結合する、材料M。請求項5に記載の材料Mであり、前記分子が、4、4’-ビピリジン、2、2’-ビピリジン、2-2、4-ジフルオロフェニルピリジン又は9-アントラセンカルボン酸である、材料M。請求項1乃至6のいずれか一項に記載の材料Mであり、前記基板がシリコンを含む、材料M。請求項1乃至6のいずれか一項に記載の材料Mであり、前記基板が、ポリマー、ガラス、金属又は金属酸化物である、材料M。請求項1乃至8のいずれか一項に記載の材料Mであり、シリコン基板を含み、その1つの表面が:-重合度18のポリスチレンからなるブロックA、及び-重合度7のマルトヘプタオースからなり、かつ前記マルトヘプタオースが水素結合により4、4’-ビピリジンと結合しているマルトヘプタオースからなるブロックBを含むブロックコポリマー系の組織化ネットワークで被覆されている、材料M。請求項1乃至9のいずれか一項に記載の材料Mの製造方法であり、前記方法は:α前記ブロックコポリマーを含む溶液を基板上に堆積して材料mを得るステップ、βステップαで得られた前記材料mを温度140から220°Cに加熱するステップを含む、方法。請求項1乃至9のいずれか一項に記載の材料Mの、電子装置でのリソグラフィマスクのための前駆体としての使用。材料MHOLEであって、a請求項1乃至9のいずれか一項に記載の材料Mの前記コポリマー層を処理して、前記ブロックA又はBのいずれかを除去して、前記ポリマーの残留物によりお互いから分離されたキャビティを形成することを含む方法で得られる、材料MHOLE。請求項12に記載の材料MHOLEの、電子装置、特にフラッシュメモリ、垂直トランジスタ、又は非試験シャルアクセスメモリでのリソグラフィマスクとしての使用。請求項12に記載の材料MHOLEの、ナナオバイオセンサ及びバイオチップを製造するための使用。請求項5又は6のいずれか一項に記載の材料Mを含む有機発光ダイオード又は有機光電池であり、前記ブロックBが、アミン、アミド、ヒソロキシル官能基及び/又はカルボン酸官能基を持つ分子へ水素結合により結合され、前記分子が発光性である、有機発光ダイオード又は有機光電池。有機発光ダイオード又は有機光電池又は検出装置の設計のために、ミクロ電子装置で使用される装置をより最小化可能にするために、より小さい周期を持つナノ領域ネットワークを含む材料の開発が特に重要である。本発明の課題は、既存の材料よりもより小さい周期を持つナノ領域ネットワークを含む材料Mを提供することである。この課題は、第1の側面によると、本発明は材料Mを提供し、前記材料は、基板、その1つの表面がブロックコポリマー又はブロックコポリマーの混合物であり得る系の組織化ネットワークの層で被覆されており:-疎水性ポリマーからなるブロックA、及び-多糖からなるブロックBを含む。前記材料Mは、基板、その表面の1つが全部又は部分的にブロックコポリマー系層で被覆され、前記ブロックコポリマーは、ブロックB系のナノ領域及び/又はブロックA系ナノ領域を含む組織化ネットワークの形である。本発明において、ネットワークとは、三次元での一組の点のセットであり、次の性質を有する:あるベクトルに沿って移動が実行される場合には、同じ環境が正確に再び現れる、ということである。空間周期性が存在する。本発明による組織化ネットワークは、ネットワーク周期により特徴付けられ、これは自己組織化ブロックコポリマーの同じ性質のブロックの2つのナノ領域の間の距離に対応する。ナノ領域での組織化は、拮抗性を持つブロックの事故組織化による。ブロックの自己組織化とは、前記ブロックコポリマーの同じ性質のブロックが自発的に支持体上に配列し、組織化されたネットワークを形成することを意味し、これは異なる性質を持つブロックの拮抗作用による例えば親水性/疎水性;荷電/中性;極性/非極性;フレキシブル/剛性ブロックなど。本発明者は、従来技術の自己組織化可能なブロックコポリマーのブロックの1つを、多糖又はオリゴ糖ブロックで置換すること、及び前記ブロックコポリマーの全分子量を保持することで、得られる組織化ネットワークのネットワーク周期がより小さくなる、ということを見出した。組織化膜を含む本発明による材料Mの層は有利には、小さいネットワーク周期、一般的には22nm未満、通常は20nm以下、特には15nm未満であり、これは11nmになる場合もある。このネットワーク周期は、従来技術的の他のブロックコポリマーから形成される膜での周期よりも小さく、これにより前記材料Mをナノ技術及び特に特定のミクロ電子装置の要求のために高度に小型化された物を製造するために応用可能となる。一般に、前記ブロックコポリマーは、重量平均分子量が、40000g/mol以下である。40000g/mol未満の重量平均分子量により、実際に小さいネットワーク周期を得ることができる。ブロックコポリマーのブロックA及びBは共有結合により結合している。ブロックコポリマーとは、コポリマーが直鎖状配列するブロックからなる、ことを意味する。特に、分岐鎖を持つ櫛形コポリマーはブロックコポリマーではない。ブロックコポリマー中にブロックがあるほど、組織化ネットワーク層の構造は複雑になる。従って、ブロックコポリマーは、通常はジブロック又はトリブロックであり、好ましくはジブロックコポリマーである。ブロックAは、疎水性ポリマーであり、特に、ポリスチレン、ポリアルキルスチレン、ポリアルキルメタアクリレート、ポリアルキレン、ポリアセチレン、ポリポリフェニレンオキシド又はスルフィド、ポリアルキルシロキサン、ポリビニルピリジン、ポリアルキレンオキシド、ポリ3ヘキシルチオフェンなどのポリアルキルチオフェン、ポリピロール、ポリ-N-イソプロピルアクリルアミド、ポリカプロラクトン、ポリイミド又はポリエステル、好ましくは生分解性の例えばポリヒドロキシアルカノエート又はポリアクチドが挙げられる。メタアクリレートとは、メタクリレート又はアクリレートを意味する。アルキルとは、直鎖又は分岐であり、一般には1から6の炭素原子からなる。アルキレンは、一般には、1から6の炭素原子からなる。ポリエチレン、ポリイソプレン、ポリブタジエン及びポリイソブチレンは好ましいポリアルキレンである。ポリブチルスチレンは好ましいポリアルキルスチレンである。ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリブチルアクリレート及びポリヘキシルアクリレートは、好ましいポリアルキルメタアクリレートである。ポリジメチルシロキサンは、好ましいポリジアルキルシロキサンである。ポリエチレンオキシドは好ましいポリアルキレンオキシドである。好ましくは、ブロックAは、ポリスチレン、ポリアルキルメタアクリレート又はポリ3-ヘキシルチオフェン、及び特にポリスチレン又はポリアルキルメタアクリレートからなる。ブロックAは、重合度が10から30、特には15から20、さらには10のポリスチレンからなる。ブロックBの多糖は好ましくは、重合度DPが2から40、特には2から30、好ましくは5から9であり、特に好ましくは7である。ブロックコポリマーの自己組織化は、実際には、多糖ブロックBが2から40単位、特には2から20単位の場合に促進される。従って、ブロックコポリマーのブロックBの多糖は、オリゴ糖通常、オリゴ糖は、重合度が10以下を持つであり得る。ブロックBの単位は、同じ糖又は異なる糖からなり得る。これらの糖は、特に、マルトース、セルロース及びカルボキシメチルセルロース、セルロースアセテート、ヒドロキシエチルセルロースなどのその誘導体、澱粉、キチン、キトサン、キシログルカン、ペクチン、カラギーナン、デキストラン、グルカン、特にベータ1、3-及びベータ1、6-及びO-グリカン、N-グリカン又はC-グリカンから選択される。好ましくは、ブロックBはマルトヘプタオース又はマルトオクタデカオース、特にマルトヘプタオースである。多糖は有利には、植物由来であり、バイオマスの価値を与えるものである。多糖は化学的合成又は遺伝子組み換えで得られる遺伝子組み換えグリコシルトランスフェラーゼ又はグリコシルヒドロラーゼ。これらは有利には、種々の由来:植物、藻類、細菌、真菌、産業副産物、農業廃棄物などのバイオマスから誘導され得る。従って、バイオマスの成分をナノサイズで用いることで、特にナノ技術的で高付加価値であって有用な材料を製造するためにバイオマスに価値を付加することが可能となる。ブロックAがポリスチレンであり、ブロックBがマルトヘプタオースであるジブロックコポリマーは、本発明においてより好ましい。これらの性質にかかわらず、本発明により使用されるジブロックコポリマーは、自体知られた方法で合成されることができ、例えば、Blockcopolymers.I.Advancesinpolymerscience、Vol.189;Ed.VolkerAbetzInstitutfuerPolymerforschung、Geesthacht、GermanySpringer:Berlin、Heidelberg、NewYork.2005.に記載されている。特に、ブロックA及びBは、別々に合成され、次にそれぞれのブロックに反応性末端官能基が化学的に導入されるただしこれらの官能基がブロックの合成の際に末端に存在しない場合。反応性末端官能基は、それらが直交性となるように選択される即ち、あるブロックの官能基が同じ性質を持つブロックの官能基とではなく、他の異なる官能基とのみ反応する。次のこれらのブロックをお互いに反応させる。前記合成経路クリック経路はしばしば、他の技術よりも好ましく、この方法は多糖に含まれるOH基を保護するステップを省略することができるからである。好ましくは、ブロックコポリマー中のブロックAの容積率は、特には多糖ブロックBの重合度が1から20の間である場合に0.1から0.4の間で含まれる。実施態様では、ブロックBは、アミン、アミド、ヒドロキシ官能基及び/又はカルボン酸官能基を含む少なくとも1つの分子へ水素結合を介して結合される。これらの官能基は実際には、前記多糖のヒドロキシル官能基へ結合される水素結合を通じて結合されることが好ましい。前記分子は一般に、低分子量、特に500g/mol未満である。前記分子は、他のブロックコポリマーの多糖ブロックではない。前記分子は、例えば、4’、4-ビピリジン、2’、2-ビピリジン、2-2、4-ジフルオロフェニルピリジン又は9-アンスラセン-カルボン酸、好ましくは、4’、4-ビピリジンである。水素結合は、非プロトン性溶媒中、例えばテトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、クロロホルム、アセトン、エーテル又はジメチルホルムアミドなどの中に前記分子とブロックコポリマーを溶解させることで前記分子とコポリマーの多糖ブロックBとの間で形成され得る。水又はアルコールなどのプロトン性溶媒は使用されるべきではなく、というのは前記分子とオリゴ-多糖との間の水素結合形成が、一方で前記分子とプロトン性溶媒との間の水素結合と、他方で多糖とプロトン性溶媒との間の水素結合との競争となるからである。ブロックコポリマーの自己組織化は、この分子の存在で促進されるが、この分子は必須ではない。例えば、X線回折分析SAXSスペクトルによって、アミロース-block-ポリスチレンシステム、及び特にポリスチレン-マルトオクタデカオースシステムは、4’、4-ビピリジンの補助なしでも自己組織化することを示された。水素結合を介して多糖ブロックBへ結合されるこれらの分子の存在は、相図を決定するパラメータ、即ち:剛性ブロックBの容積率又はその他の比率G=ω/χを変更する効果を持つここで、ωは、知られたMaier-Saupe相互作用であり、異方性剛性ブロック間の相互作用を決定し、χはFlory-Hugginsパラメータとして知られており、異なるブロック間の反発を表す。言い換えると、これらの分子の付加による超分子形成は、前記βステップの際に与えられたアニール温度について異なる相を得る可能性を与えることで相分離を制御する効果を持つ、ということである。前記分子は、蛍光性であってよく、即ち光子を吸収しその後吸収したエネルギーをより長波長の光として発光する。一般に、前記分子とブロックBとの間の分子比率は、0.1から1.0の間で変動し得る。材料Mの基板は通常は、低粗度の固体支持体であり、種々の寸法及び/又は形状を持つ。第1の実施態様では、前記基板はシリコンを含む。この実施態様の材料Mは、以後MSiとする。前記基板はシリコンを含み、例えばシリコン板又はSiO2ミクロビーズなどの絶縁物又は誘電体材料で被覆されたシリコンであってよい。前記シリコンを被覆する絶縁又は誘電体材料の層は、厚さ2から5nmである。この第1の実施態様は特に、電子装置への応用に適している。より好ましい材料は、シリコン基板を含み、その表面の1つに:-重合度18のポリスチレンポリマーからなるブロックA、及び-重合度7のマルトヘプタオースからなるブロックBであって、前記マルトヘプタオースが4’、4-ビピリジンへ水素結合を介して結合されている、を含むブロックコポリマー系の組織化ネットワークの層で被覆されている。第2の実施態様では、前記基板は、ポリマー例えば、ポリ3、4-エチレンジオキシチオフェンPEDT、ガラス、金属例えば金、チタン、白金又は金属酸化物例えば二酸化チタンである。この実施態様による材料Mは、以後MPVMとする。この第2の実施態様が、特にOLED、OPV応用及びナノバイオセンサ応用に好適である。第2の側面によれば、本発明は前記の材料Mの製造方法に関し、相分離ステップ、特に加熱処理アニールステップによる相分離を含む。前記方法は:α前記ブロックコポリマーを含む溶液を基板上に堆積して材料mを得るステップ、β前記ステップαで得られた材料mを140から220°Cに加熱するステップを含む。材料Mの製造は、ナノサイズでバイオマスに価値を付加することで石油から誘導される合成ポリマーを多糖と置換かつ特にグリーンケミストリー方法を用いることで再生可能な産業に含まれる。ステップαで適用される前記溶液の溶媒は通常は非プロトン性溶媒、例えばテトラヒドロフランである。ステップαは、通常は、前記溶液をスピンコーティング、スクリーン印刷又はインクジェット印刷することで堆積して実施される。インクジェットによる堆積は特に、使用溶液、従って前記方法のコストを低減するため好適であり、又前記基板の表面の局所領域上に溶液を堆積することができる。ステップβ、これはアニールステップに対応するが、の際には、前記コポリマーのブロックが自己組織化し、これにより基板を含む材料Mが得られ、前記基板はその1つの表面がブロックコポリマー系の層で被覆されており、これはブロックBからなるナノ領域と一般に、ブロックA及びブロックBからなるナノ領域からなる組織化された膜の形である。当業者は、ブロックAとBの拮抗性化学的性質[親水性/疎水性;荷電/中性;極性/非極性;フレキシブル/剛性など;多糖ブロックBが親水性、極性かつブロックAが疎水性]、さらにより具体的には多糖ブロックBの剛性、同様にその有機溶媒中での低溶解性を考慮してこのステップの条件を決定する方法を知る。ステップβの温度は、140から220°Cであり、好ましくは150から200°Cである。前記アニールは、制御雰囲気下、例えば超臨界CO2媒体中で実施され得る。前記ブロックの自己組織化、それにより得られるネットワークの幾何形体は、いくつかのファクタに依存し、例えば前記ポリマーの長さ、前記層の厚さ、温度及びアニール時間などである。前記層の特徴付けは、異なる技術、例えば原子間力顕微鏡AFM、遷移電子分光法TEM、エリプソメトリ、小角散乱技術SAXS、斜入射X線小角散乱技術又は高分解能走査電子顕微鏡SEMなどで実施され得る。ステップβで形成される層は、一般に、形成されるナノ領域の周期の程度の厚さを持つ。多糖ブロックBを含むナノ領域は、特に:前記基板の面に平行で、前記材料MはM||図4と呼ばれ;このようなブロックコポリマーの組織化は仏国特許第2927467号に記載されており、又は前記基板の面に垂直で、前記材料MはM⊥図2と呼ばれている、いずれかの方向である。周期的構造の平行又は垂直の形態は、熱処理、溶媒の性質で制御され、及び前記ブロックの組成に関連する、特にブロックB/ブロックA容積率により制御可能である。例えば、前記コポリマーが、水素結合を介して多糖ブロックBへ結合する分子の量及び多糖ブロックB内の多糖単位の量を当量含む場合には、前記ナノ領域は一般に、前記基板の面に平行な線を形成する。一方、前記コポリマーが、水素結合を介して多糖ブロックBへ結合する分子の量及び多糖ブロックB内のヒドロキシル基の量を当量含む場合には、前記ナノ領域は一般に、前記基板の面に垂直な線を形成する。前記コポリマーが、水素結合を介して多糖ブロックBへ結合する分子の量が多糖ブロックB内の多糖単位の量よりも少ない場合には、前記ナノ領域は一般に、円筒状を形成し、その軸は前記基板の面に平行となる。従って、ブロックコポリマーのブロックAとBの性質、それらのそれぞれの容積率、ブロックBへ水素結合を介して結合する分子の存在及びステップα及びβの条件が、意図される応用のために最適な結晶システムが得られるように選択される。例えば、スタッド、穴及びピラーの製造が必要である垂直トランジスタ、メモリ及びナノバイオセンサへの応用のためには、前記基板へ垂直な組織化M、特に高密度円筒六方晶であって、その軸が基板の面に垂直なものが好ましく、一方でナノ領域を前記基板に平行に組織化する必要があるOLED又はOPV応用のためには、ラメラ相タイプの基板へ平行な組織化Mが望まれる。材料Mの応用は、以下説明されるが、まずナノバイオセンサの製造のためのナノ電子装置応用、及び次に有機発光ダイオード又は有機光電池の部品などの応用について説明される。第3の側面によれば、本発明は、前記の材料を、電子装置でのリソグラフィマスクのための前駆体としての使用に関する。本発明の課題は特に:-材料MHOLEを製造するための方法であり、前記方法は、a前記材料Mの前記コポリマー層を処理して選択的にA又はBのいずれか1つを除去し、及び前記コポリマーの残部によりお互いから分離されたキャビティを形成し、及び-前記材料MHOLEがこの方法で得られ得る。従って:-ブロックBを残してお互いから分離されたキャビティを形成するためにブロックAを選択的に除去して材料をMHOLEAとするか、又は-ブロックAを残してお互いから分離されたキャビティを形成するためにブロックBを選択的に除去するかのいずれかを行い、前記材料をMHOLEBとする。ブロックの1つを選択的に除去することは、プラズマ反応性エッチング特に、酸素プラズマを用いて、化学的又は酵素的処理又は深紫外線に暴露することで達成され得る。材料MHOLEBを得るために多糖ブロックBを選択的に除去するために、ステップaは、前記材料MをH5IO6、HCl又はTFAトロフルオロ酢酸から選択される酸と接触させることで実施され得る。この処理は、米国特許出願公開第2004/0256662号及び仏国特許第2927467号にはじめに記載された処置とは異なる。さらに、この処理は、特定の装置を用いて多くのパラメータガスの選択、圧力、電力、温度、バイアスなどを制御する必要があるプラズマにより生じる反応性イオンエッチング方法とは異なり容易に適用される。本発明はまた、材料MHOLEを電子装置、特にフラッショメモリ、垂直トランジスタ又は非シーケンシャルアクセスメモリ製造のためのリソグラフィマスクとしての使用に関する。従って、材料MHOLEは、フラッシュメモリ、垂直トランジスタ又は非シーケンシャルアクセスメモリを製造するための方法で適用され得るものであり、前記方法は:bステップaで前記材料MHOLE上に形成されたキャビティ内に金属又は半導体材料、を堆積するステップ、cステップbで得られた材料を、プラズマ反応性エッチング、化学的又は酵素的又はUV処理することで、残留するコポリマーブロックを選択的に除去して、前記金属又は半導体材料からお互いに分離されたキャビティを形成するステップ、dステップcで形成されたキャビティ内に例えば二酸化ケイ素などの絶縁材料を堆積するステップからなる。前記材料MHOLEAがステップbで適用されると、前記残留ブロック、ステップcのコポリマーの残留物は、ブロックBに含まれる。前記残留MHOLEBステップbで適用されると、ステップcのコポリマーの残留ブロックは、ブロックA内に含まれる。使用される方法及び前記金属、半導体材料及び絶縁材料は、特に米国特許出願公開第2004/0256、652号及び仏国特許第2927467号に記載されている。前記基板上の前記組織化膜層のナノ領域の組織化のタイプは、潜在的な応用可能性に影響を与える。従って、材料Mは、好ましくは、垂直トランジスタのゲート図7又はRAMメモリ図8の製造に好適であり、一方材料Mは、フラッシュメモリのフロートゲート図6を製造するために特に好適である。一般に、前記電子装置応用のために、前記材料Mの基板及びそれから誘導される材料MHOLEの基板は、シリコン、例えばシリコン板を含み、又は絶縁又は誘電体材料例えばSiO2ミクロビーズで被覆されたシリコン板を含み、前記板を被覆する前記絶縁又は誘電体材料の層は、例えば2から5nmの厚さを持つ。前記材料MHOLEは、次に、前記定めた材料MSiから得られた。シリコンは実際には、電子装置で最も使用される半導体材料である。材料MHOLE及び従って材料Mからから得られるフラッシュメモリ、垂直トランジスタ及びRAMは、従って簡単な及び安価な方法で得られる。得られるフラッシュメモリ、垂直トランジスタ及びRAMは、それらの製造方法で適用された前記材料Mのナノ領域の小さいネットワーク周期によりナノサイズの高密度の組織化パターンを持ち、従って高度に小型化されている。さらに、本発明は、前記材料MHOLEをナノバイオセンサ及びナノバイオチップの製造のための使用に関する。実際に前記材料MHOLEは、ナノバイオセンサ又はナノバイオチップの製造方法において適用され、ステップb’前記材料MHOLE上のステップaで形成されたキャビティ内に生体分子例えば、ペプチド又はタンパク質、抗体、デオキシリボ核酸、オリゴ又は多糖などをグラフとさせるステップを含む。前記形成されたナノバイオセンサ及びナノバイオチップは、医学分野、農業産業又は化学分野で使用される装置に組み込まれる。第4の側面によれば、本発明は、前記材料Mを含む有機発光ダイオードOLED又は有機光電池OPVに関し、前記ブロックBが、アミン、アミド、ヒドロキシル官能基及び/又はカルボン酸官能基を含む蛍光分子へ水素結合を介して結合される。従って、優れた効率で、低コストで、剛性又はフレキシブルな基板上にOLEDを製造することが可能となる。現在、優れた効率を持つOLEDは、材料のいくつかの層から製造され:-電子伝達層ETL、-活性層、及び-正孔伝達層HTLを含み、これらは順にアノード上に蒸発させて堆積させる。この堆積方法は、本発明で開示される方法よりもOLEDのより大きな製造コストを含む。本発明によるOLEDの製造コスト削減は、組織化膜は、安価な技術である、ターンテーブルを用いて、又はスクリーン診察やインクジェット印刷により堆積させ得るという事実に基づく。さらに、OLED製造のための基本材料としてブロックコポリマーの薄膜の使用は、異なる伝達層ETL及びHTLを真空で蒸着させることを必要としない、というのは、前記ブロックコポリマーの前記多糖ブロックと他のブロックとの間の分離層が、エキシトンの開裂のための多くの境界として前記ナノ領域間の境界を生成するからである。前記膜で形成されたナノ領域は、エキシトンの拡散、通常は10nmよりも小さいサイズを持つ。これは、非常に効率的なエキシトンの開裂に現れる、というのはエキシトンが材料内のどこに置かれていても、その拡散長さ内により近くに開裂境界を見出すからである。さらに、蛍光分子は、水素結合を介して、材料MのブロックB系のナノ領域に結合されており、従って前記材料M上で高度に組織化された空間組織を持つ。かかる材料Mを含むOLEDによる発光シグナルは、従って興味が持たれる。本発明はさらに、以下図面を参照しつつ説明される。実施例1:ポリスチレン-マルトヘプタオースジブロックコポリマーの製造aω-アジド-ポリスチレンブロックAω-アジド-ポリスチレンは、FallaisらのJ.PolymSciPartA.Polym.Chem.2000、38、1618に記載された手順で、ω-ヒドロキシエチルポリスチレンPolymerSourceInc.Mn=3、700g/mol;多分散度指数PI=1.08の鎖から合成した。bN-マルトヘプタオシル-3-アセタミド-1-プロピンの合成マルトヘプタオース10.0g、8.67mmolの、プロパルギルアミン11.9mL、174mmol中の懸濁物を激しく室温で72時間撹拌した。前記反応は、薄膜クロマトグラフで追跡した溶出液:n-ブタノール/エタノール/水:1/3/1、容積/容積/容積。出発原料が完全に消失した後、反応媒体をメタノール100mLで希釈して、ジクロロメタン中300mLで沈殿させた。前記固体を濾過し、メタノール及びジクロロメタン混合物メタノール/ジクロロメタン:1/3;容積/容積;300mLで洗浄した。メタノール中の無水酢酸SigmaAldrich無水酢酸/メタノール:1/20、容積/容積;1Lを前記固体に添加し、反応混合物を室温で一晩撹拌した。薄膜クロマトグラフ溶出液:アセトニトリル/水:13/7、容積/容積で追跡し出発物が完全に消失した後、反応混合物の溶媒を蒸発させて除去し、微量の無水酢酸をトルエン/メタノール溶液1/1、容積/容積を用いて共沸させて除去した。得られた固体を見ずに溶解し凍結乾燥させて、固体のN-マルトヘプタオシル-3-アセタミド-1-プロピン8.75g、78を得た。cジブロックコポリマーポリスチレンブロックA-マルトヘプタオースブロックBの合成ペンタメチルジエチレントリアミンPMDETA2.24mL、1.07x10-4mol、2当量をジメチルホルムアミド20mL中に溶解し、これを、アルゴン下に、前記ω-アジド-ポリスチレン200mg、5.36x10-5mol、1当量、N-マルトヘプタオシル-3-アセタミド-1-プロピン198mg、1.61x10-4mol、3当量及びCuBr触媒15mg、1.07x10-4mol、2当量内に添加した。反応物を40°Cで72時間、赤外線スペクトルで前記アジド基のバンド2100cm-1が完全に消失するまで撹拌した。前記ポリスチレン-マルトヘプタオースコポリマーは、最終的にメタノール中で沈殿させ、過剰な試薬を除去し、60°Cで真空中で乾燥させた。実施例2:4、4’-ビピリジンへ水素結合を介して結合したポリスチレン-マルトヘプタオースジブロックコポリマーの製造実施例1の0.1重量のポリスチレン-マルトヘプタオースジブロックコポリマーを含むテトラヒドロフラン溶液に、前記マルトヘプタオースブロックに存在するヒドロキシル基と当量の4、4’-ビピリジンSigmaAldrichを添加した。この溶液を次に激しく1日室温で撹拌して、前記ヒドロシキシル基とビピリジン分子の間に水素結合を生成させた。フーリエ変換赤外線吸収スペクトルFTIRを、このポリスチレン-マルトヘプタオースコポリマーについて曲線aと4、4’-ビピリジン曲線cと、同様に4、4’-ビピリジンと水素結合を介して結合されたポリスチレン-マルトヘプタオースコポリマーについて曲線bについて得た。実施例3:ナノ領域の垂直組織化を持つ組織化膜の合成M前記膜は4、4’-ビピリジンを含む実施例2のジブロックコポリマーから製造された。THF中のこのコポリマーの溶液容積比率40を、シリコン基板上でスピンコーティングした堆積パラメータ:v=3000rpm、a=1000rpm/秒、及びt=30秒。新たに堆積された膜を、170°Cで真空中一日アニールして、相分離させて、4、4’-ビピリジンと水素結合により結合したオリゴ糖からなるナノ領域であって心立法ネットワークに組織化させたナノ領域を形成させた。図2の原子間力顕微鏡画像での連続線に対応する断面からの相が図3に示される。それぞれのピークは、4、4’-ビピリジンに結合したオリゴ糖ブロックからなるナノ領域に対応する。得られたネットワークの周期は11nmである。実施例4:ナノ領域の平行組織化を持つ膜M//の製造THF/DMS溶媒1/1、容積/容積中で前記コポリマーの溶液容積比率30をシリコン基板上にスピンコーティングして堆積させることで実施例2のコポリマーから製造された膜は、実施例2の手順170°Cで24時間アニールにより組織化された。前記得られた材料は、基板の面に平行に組織化されたナノ領域を含んでいた図4。実施例5:OLEDを製造するための実施例3の材料の使用示されたように、2つの膜が、4、4’-ビピリジンを含む実施例2のコポリマーから170°Cで15分又は45時間アニールすることで製造され、4、4’-ビピリジンに水素結合で結合したマルトヘプタオースのナノ領域が心立方系で組織化された。これらの膜の発光スペクトル励起365nmが図5に示されており、この材料がOLEDの製造のための材料の応用に適していることを示す。これらのスペクトルはまた、発光強度が、より長いアニールをした膜についてより優れており、ナノ領域の組織化がより優れていることを示す。実施例6:前記膜から多糖ナノ領域を選択的に除去して、ミクロ又はナノ電子装置応用に使用され得る材料MHOLEの製造実施例3の材料の処理が、トリフルオロ酢酸溶液を用いて実施され、マルトヘプタオースナノ領域を選択的に除去し、残留したポリスチレンによりお互いが分離されたキャビティを形成させた、これらはフラッシュメモリ図6、垂直トランジスタ図7、非シーケンシャルアクセスメモリRAM図8又はナノバイオセンサを製造するために使用され得る。又は、戦記処理は、トリフルオロ酢酸の代わりに塩酸を用いて実施することができる。