"電子部品であって,基板Sと,チップCHと,前記基板Sに結合されると共に,前記チップCHがその上に配置されているフレームMFと,前記基板S,前記チップCH及び前記フレームMFが包囲する容積部分を気密封止すべく,前記フレームMF及び前記チップCH上の一部に形成されている封止層SLと,を備える電子部品。請求項1に記載の電子部品であって,前記封止層SLは,インクジェット印刷で形成した構造を有し,ポリマP又は金属粒子NP又はポリマ及び金属粒子の混合物P,NPで構成されている電子部品。請求項1又は2に記載の電子部品であって,前記封止層SLは,その形成後に粒径10nm未満の金属ナノ粒子で構成されている電子部品。請求項1~3の何れか一項に記載の電子部品であって,前記封止層SLは,前記フレームMF及びチップCHを完全に包囲している電子部品。e請求項1~4の何れか一項に記載の電子部品であって,前記フレームMFは平坦な表面PSを有し,これにより該フレームMF上に前記チップCHが均一に配置されている電子部品。請求項1~5の何れか一項に記載の電子部品であって,前記チップCHは,バンプ接続部Bにより前記基板Sに接続されている電子部品。請求項6に記載の電子部品であって,前記バンプ接続部Bの熱膨張係数CTEBumpは,前記フレームMFの熱膨張係数CTEMFよりも大きい電子部品。請求項1~7の何れか一項に記載の電子部品であって,前記基板S及び/又はチップCHは,機能化した表面FSを有する電子部品。請求項8に記載の電子部品であって,前記機能化した表面FSは,機能性シラン基で構成されている電子部品。請求項1~9の何れか一項に記載の電子部品であって,前記封止層SLは,断片的に前記ポリマP又は前記金属粒子NPのみで構成され,或いは前記ポリマP又は前記金属粒子NPのみで構成されている電子部品。請求項1~10の何れか一項に記載の電子部品であって,前記チップCHは,微小電気機械システムMEMS,微小電気光学システムMEOPS又は微小電気光学機械システムMEOMSである電子部品。基板S,チップCH及びフレームMFを備える電子部品の製造方法であって,前記金属フレームMFを前記基板S上に取り付けるステップと,前記チップCHを前記フレームMFに結合することにより前記チップCHを前記フレームMF上に配置し,かつ,前記チップCH及び前記フレームMF間を気密封止するステップと,を含む方法。請求項12に記載の方法であって,ポリマP,又は金属粒子NP,又は該ポリマP及び金属粒子NPの混合物よりなる封止層SLを,インクジェット印刷で形成する方法。請求項12又は13に記載の方法であって,前記基板S,前記チップCH又は該チップCHを取り付けたパネルを機能化するステップを更に含む方法。請求項14に記載の方法であって,前記機能化をシラン化により行う方法。請求項12~15の何れか一項に記載の方法であって,前記封止層SLをインクジェット印刷で形成するに当たり,一部が前記ポリマPのみで構成され,一部が前記金属粒子NPのみで構成される前記封止層SLを断片的に形成するか,或いは前記ポリマPのみ又は前記金属粒子NPのみで構成される前記封止層SLを形成する方法。請求項12~16の何れか一項に記載の方法であって,前記チップCH及び前記フレームMF間における気密封止は,前記チップCH及び前記基板S間におけるバンプ接続部Bで前記チップCHを加圧下で前記フレームMFに結合することにより行う方法。本発明の課題は,少ない工数で製造可能な電子部品と,その製造方法を提供することにある。この課題は,独立請求項により解決される。好適な実施形態は従属請求項に記載したとおりである。一実施形態において,電子部品は,基板と,チップと,基板に結合され,かつその上にチップが配置されるフレームとを備える。好適には,基板は気密性を有すると共に,セラミック,例えばHTCC高温共焼成セラミック又はLTCC低温共焼成セラミックで構成されている。更に,チップは,クォーツ,タンタル酸リチウム,ニオブ酸リチウム等の物質を含有すると共に,機能素子,例えば表面弾性波又はバルク弾性波用の変換器を有する構成とするのが好適である。即ち,チップは,例えば圧電材料,電気音響変換器及び適切な導線を有する。基板上のフレームは,好適には銅,ニッケル,銀又はこれらと同系列の金属で構成し,基板に対して気密に結合される。フレームには他の材料,例えばセラミックも使用可能である。チップは,フレーム上に配置される。更に,フレームは,例えばダイヤモンドフライス加工により平坦化するのが好適である。これにより,例えばバンプ接続部を設けたチップは,フリップチップ取り付け及びバンプ接続部のコラプス後のリフロー工程において,フレーム上に均一に配置される。そして,フレーム高さ,バンプ高さ及びコラプス量を適切に選択すれば,チップ及び金属フレーム間のギャップをほぼゼロとすることが可能である。チップを溶融状態のバンプ接続部に対して加圧し,その加圧状態を維持しながらバンプ接続部の融点以下まで冷却することにより,チップ及びフレーム間のギャップを減少させ,ダイヤモンドフライスで加工したフレームにおいてはギャップを10nm未満とすることが可能である。基板,チップ及びフレームで包囲される容積部分を気密封止するため,フレーム及びチップ間に封止層を形成する。これにより,チップ及びフレーム間における残留ギャップを封止するものである。有利には,周囲を包囲した容積部分又はキャビティを有する電子部品は,封止層の使用により,環境による影響に対して気密封止される構成とする。更に,チップをフレーム上に配置することにより,キャビティの気密封止が少ない工程で達成可能である。封止層は,電子部品の特定用途に対して広範囲に亘って適合させることができる。このため,電子部品を基板,例えば印刷回路基板PCB又は低温共焼成セラミックLTCCに取り付けた後に,熱サイクルに対する挙動を最適化することが可能である。また,取り付けた電子部品を更なる材料,例えば金属フィルムにより封入した後,熱サイクルに対する挙動を改善することも可能である。更に,フィルタ機能を維持しながらチップの小型化が実現可能である。所要の工程が少ないため,同一機能を有する電子部品をパネル毎により多く得ることができ,パネルに設ける電子部品の個数が同一である場合には,より大型のチップを実現することができる。他の実施形態において,封止層は,インクジェット印刷又はジェット法により形成される。この場合,ジェット噴射後の封止層は,ポリマ又は金属粒子で構成される。封止層をポリマ及び無機粒子の混合物で構成することも可能である。封止層,或いはポリマ又は金属粒子は,インクジェット印刷又はジェット法により,金属フレーム及びチップ間のギャップに配置される。ジェット法により,封止層は正確な位置に形成される。その形成に当たり,封止層における特定部分はポリマのみ,又は金属粒子のみで構成するのが好適である。金属フレーム及びチップ間におけるギャップの封止時又は封止後に,更なる工程としてポリマ又は金属粒子を硬化させることができる。この硬化は,好適には,封止層を紫外線レーザで照射して材料を熱硬化させ,,金属粒子の場合には熱焼結させて行うものである。好適には,紫外線硬化性ポリマを使用する。有利には,ポリマ又は金属粒子の使用により,気密性を有する封止層を実現することができる。この場合,適切な材料は所与の用途や,その用途に関連するシールド要件に応じて選択する。例えば,封止層をモバイルフォン用として使用する場合,高周波放射に対するシールドが求められる。例えば,金属粒子を使用する場合には,金属粒子が気密封止だけでなく他の特性,例えば電気特性も有するので,チップに通常生ずる過剰電荷を消散させることが可能である。他の実施形態において,封止層は,粒径10nm未満の金属ナノ粒子を噴射し,その後に焼結させることにより形成する。金属ナノ粒子,好適には銀ナノ粒子又は金ナノ粒子を使用することにより,高度にハンダ付けされた封止層を正確な位置に形成することができる。更に,例えばレーザを使用した熱焼結により,ナノ粒子を結合させて電導性及び気密性を有する層を形成することが可能である。これに関連して,粒径10nm未満のナノ粒子を約200°Cの温度下で焼結すれば,対応するバルク材料の約五分の一に相当する導電性が得られることが判明した。他の実施形態において,封止層は,チップ周りのフレーム及びチップの側面を完全に包囲する構成とする。この場合に封止層は,例えば,チップ外周に沿うフレーム状にインクジェット印刷して形成する。代案として,金属粒子,好適には金属ナノ粒子により,チップ外表面及びフレームを完全に被覆することが可能である。この場合に封止層は,例えば,幅広の噴射により形成される。他の実施形態において,フレームは平坦な表面を有する。この表面は,例えばダイヤモンドフライス加工又は他の適切な予備加工により一様に形成するものであり,これによりチップがフレーム上に均一に配置される。この場合にフレーム表面は,金属フレーム及びチップ間のギャップが最小化され,又は実質的にゼロとなる程度まで平坦化するのが好適である。有利には,フレーム及びチップ間の間隔はほぼゼロとする。これは,例えばフレームを平坦に形成し,バンプ接続部をリフロー工程において十分にコラプスさせることにより,又はバンプ接続部の溶融状態でチップを均一に加圧し,加圧下で冷却することにより達成可能である。これにより,チップ及びフレーム間のギャップを10nm未満とすることができる。このギャップは,バンプ接続部の材料における熱膨張係数がフレーム材料における熱膨張係数よりも大きい場合,冷却後にも維持されるものである。そのために金属粒子,好適には金属ナノ粒子を噴射し,その後の焼戻しによって均一な金属層に焼結させる。他の実施形態において,チップは,バンプ接続部を介して基板に接続される。バンプ接続部により基板との間に電気接続が生じ,これによりチップ及び基板間で電気的な導通状態が得られる。他の実施形態において,バンプ接続部は,フレームよりも大きな熱膨張係数を有する。チップ及びフレーム間の間隔をほぼゼロとすることは,チップをバンプ接続部のハンダ付け温度下で加圧し,加圧状態でバンプ接続部の溶融温度以下まで冷却することによっても達成可能である。フレーム材料がバンプ材料よりも小さな熱膨張係数を有する場合,更なる冷却においてチップがフレームに押圧される。これは,例えばフレームを銅で構成し,ハンダをスズ合金で構成する場合に該当する。他の実施形態において,基板及び/又はチップは機能化された表面を有する。基板及び/又はチップの機能化は,異なる時点で行うことができる。表面機能化を行うことにより,噴射した材料,例えばナノインクの濡れ挙動にピンポイントで影響を及ぼすことが可能である。これにより,インクジェット印刷する材料の分散特性を最適化することが可能である。その際,噴射に使用する液滴の大きさは,所要に応じて広範に変化させることが可能であり,例えば液滴径10μm~100μmの範囲とすることができる。他の実施形態において,機能化した表面は機能性シラン基を有する。シラン化に際しては,表面におけるシラン化合物の化学結合が可能となる。好適には,コーティングを施した表面又は使用するシラン基の特性は,使用する金属粒子に対して付着作用を示すように選択する。他の実施形態において,封止層は断片的にポリマのみ,ドーピングポリマのみ,又は焼結した金属粒子のみで構成する。代案として,封止層はポリマのみ,又は焼結した金属粒子のみで構成してもよい。使用分野又はコスト要件に応じて,電子部品の製造における様々な工程を省略することができる。ポリマ又は金属粒子を断片的に設けることにより,電子部品を広範囲に亘って顧客の要求に適合する構成とすることが可能である。例えば,チップ又は結合部における機械的応力をピンポイントで低下させることが可能である。他の実施形態において,チップは,微小電気機械システム,微小電気光学システム又は微小電気光学機械システムとして構成する。基板,チップ及びフレームを備える電子部品の製造方法は,フレームを基板上に取り付けるステップと,チップをフレームに結合するステップとを含む。この結合は,チップをフレーム上に配置し,かつチップ及びフレーム間を気密封止するように行う。有利には,周囲を包囲した容積部分又はキャビティを有する電子部品は,封止層の使用により,環境による影響に対して気密封止される構成とする。更に,チップをフレーム上に配置することにより,キャビティの気密封止が少ない工程で達成可能である。封止層は,電子部品の特定用途に対して広範囲に亘って適合させることができる。このため,電子部品を基板,例えば印刷回路基板PCB又は低温共焼成セラミックLTCCに取り付けた後に,熱サイクルに対する挙動を最適化することが可能である。また,取り付けた電子部品を更なる材料,例えば電磁シールド用の付加的な金属フィルムにより封入した場合に,熱サイクルに対する挙動を有利に改善することができる。更に,フィルタ機能を維持しながらチップを小型化することが可能である。所要の工数が少ないため,同一機能を有する電子部品をパネル毎により多く得ることができ,パネルに設ける電子部品の個数が同一の場合には,より大型のチップを実現することができる他の実施形態において,封止層は,インクジェット印刷で形成する。この場合,封止層は,ポリマ又は金属粒子で,或いはポリマ及び金属粒子の混合物で構成される。有利には,ポリマ又は金属粒子の使用により,気密性を有する封止層を実現することができる。この場合,適切な材料は封止層の用途に応じて選択する。例えば金属粒子を使用する場合には,金属粒子が気密性だけでなく他の特性,例えば電気特性も有するので,チップに通常生ずる過剰電荷を消散させ,又は出力部において電子部品からの高周波放射を防止することが可能である。封止層は熱的に,例えばレーザ光線により硬化させるのが好適である。他の実施形態において,本発明に係る方法は,基板及びチップを機能化するステップを更に含む。機能化は,所要に応じてウェハの区分け前に行ってもよい。表面機能化によりチップ,基板又はウェハの表面を,封止層の使用のために事前処理することができる。例えば金属粒子を使用する場合,好適な濡れ特性を得ることができ,液体に懸濁した粒子を正確な位置に噴射することができる。これにより,封止層を広い領域に亘って最適に形成し,かつ適合させることが可能である。他の実施形態において,機能化はシラン化により行う。シラン化により,機能性シラン基が表面に化学的に設けられる。このような官能基は,特に懸濁したナノ金属粒子に対して有利な濡れ特性を与えることができる。他の実施形態において,封止層は,インクジェット印刷で形成する。この場合の封止層は,一部分がポリマのみで構成され,一部分が金属粒子のみで構成されるように断片的に形成する。代案として,封止層は,ポリマのみで,又は金属粒子のみで構成することもできる。チップ又は基板に沿う機械的応力を緩和するため,封止層の部分は異なる材料組成を有するのが好適である。他の実施形態において,チップ及び金属フレーム間における気密封止は,チップを加圧しながらチップ及び基板間におけるバンプ接続部で金属フレームに結合し,かつ接続することにより行う。以下,本発明を図示の実施形態について更に詳述する。なお,同一機能を有する部材又は構成要素に関しては,各図における記載を繰り返さない場合がある。図1は,本発明に係る電子部品の例示的な実施形態を示している。電子部品がどのような態様で基板S上に,又は複数個の同等な電子部品と共にパネル上に取り付けることができるかを示すものである。電子部品は基板Sを備え,基板S上には周囲を包囲する金属フレームMFが設けられている。金属フレームMF上にチップCHが配置され,チップCHはバンプ接続部Bにより基板Sに電気接続されている。好適には,金属フレームMFは銅などの金属で構成され,第1加工ステップにおいて平面フライス加工されている。このフライス加工は,例えばダイヤモンドフライス工具で行うことができる。なお,フレームは他の材料,例えばセラミックで構成してもよい。チップCHは,加圧することにより金属フレームMFに結合する。そのために,チップCHはバンプ接続部Bを使用して基板Sにハンダ付けすることができ,この場合の温度ははんだの融点以上とする。金属フレームMFの表面は,チップCH及び金属フレームMF間の間隔がほぼゼロとなるよう形成されている。更に,チップを加圧した状態で電子部品を冷却する。この冷却において,バンプ接続部Bの熱膨張係数が金属フレームMFの熱膨張係数よりも大きければ,チップは金属フレームMF上に付加的に押圧される。独立したステップにおいて,チップCHには事前に導線を設けておく。これらの導線は,チップCHを微小電気機械又はMEMSシステムなどとして使用可能とするものである。所要のチップ面積を縮小するため,チップにおける導線は互いに交差させてもよい。その場合,互いに交差する導線間の絶縁層として,ベンゾシクロブテンBCB又は他の適切な樹脂を設ける必要がある。チップは,互いに交差する導線と同一材料で構成することもでき,この場合にチップは,リフローハンダ付け後にフレームMF上に配置されることになる。金属フレームMF上に配置されるチップCHは,基板Sと共にキャビティ,即ち周囲が包囲された容積部分を形成する。この容積部分は,表面弾性波又はバルク弾性波で作動するチップCの使用に不可欠である。更に,この用途に使用するチップCHの適正な作動には,周囲を包囲するキャビティを気密封止し,環境による影響から保護する必要がある。この目的のため,金属フレームMF及びチップCH間における僅かなギャップを更に塞ぐための封止層SLを形成してギャップを気密封止する。これにより,キャビティ内のチップ表面を汚染から保護することが可能である。好適には,封止層SLはインクジェット印刷で形成する。適切な材料には,ポリマP又は金属粒子NPが含まれる。後者として,例えば,粒径10nm未満の銀ナノ粒子を含有するナノインクがある。このような銀ナノ粒子は,気密用の封止層SLとして適しているだけでなく,その電気特性によりチップCHにおける過剰電荷を消散させ,又はシールドとして機能するものである。図2は,本発明に係る封止層SLの詳細を示すものである。封止層SLは,代案として,ポリマP又は金属粒子NPの一方だけで構成することもできるが,両者の混合物としてもよい。封止層SLは,インクジェット印刷又はジェット法により,チップ外周に沿って形成する。封止層SLは,後続の工程及び電子部品の作動時に,キャビティ内におけるチップCH表面の汚染を防止する。封止層SLの形成時にチップCH内表面の汚染を確実に防止するため,封止層SLに接触する表面の機能化により,好適にはアルコールなどの有機溶剤に懸濁したナノ金属粒子NPが許容不能な程度に分散し,かつ付着することが阻止可能である。一実施形態において,表面機能化は適切なシラン基を使用して行う。このような表面機能化は,チップCHをパネルにハンダ付けする前に行う場合,約260°Cのリフロー温度において安定であるように選択する。表面機能化は,例えばインクジェット印刷前に行い,パネル平面,チップ平面及び基板平面に対して代替的に行うことができる。表面機能化は,チップCHを事前に取り付けた基板に対して行うこともできる。表面機能化を行う目的に応じて,表面機能化に関する適切な組み合わせを選択することにより,インクジェット印刷される材料又は材料部分の濡れ挙動を最適化することが可能である。インクジェット印刷で使用する液滴の大きさは所要に応じて広範に変化させることができ,例えば液滴径10μm~100μmの範囲とすることができる。封止層SLを形成した後,金属フレームMF及びチップCH間におけるギャップの封止時又は封止後にポリマPを硬化させ,又は金属粒子MPを焼結する。この硬化又は焼結は,例えば封止層SLを紫外線レーザ紫外線硬化性ポリマを使用する場合又は従来型のレーザで照射することにより可能である。このようなレーザは,封止層SLを熱硬化させ,金属粒子の場合には熱焼結させるものである。図3は,本発明に係る電子部品における複数の代替的な実施形態を示している。図示の実施例1~4は,封止層SLの構成を異ならせたものである。実施例1において,バンプ接続部Bによりハンダ付けするチップCH及び基板Sでは,チップCH及び基板Sが互いに分離した状態で表面機能化を行う。チップCHをハンダ付けした後,銀ナノ粒子を金属フレームMF及びチップCH間におけるギャップに約45°の角度で噴射し,その後に焼戻しを行う。加えて,シード層を銀ナノ粒子の噴射前にスパッタリングで形成するのが好適である。代案として,バンプ接続部Bが設けられ,ソーイングが施されたウェハ表面を機能化することができる。ソーイング後に行うことのできる研削により,バンプ接続部Bを設けたチップCHを露出させる研削前ダイシングプロセス又はDBG。この場合にチップCHは,関連する表面,即ち側面又はバンプ接続部Bを設けた表面に対してのみ機能化を行う。第2の代案として,チップCHを設けた基板Sにおける機能化をリフローハンダ付け後に炉内で行うことができる。これにより,ウェハW及び基板Sに関する個別工程が不要となり,ハンダ付けした相手側における関連表面だけが機能化される。実施例2において,チップの長手方向側面には金属粒子を,また幅方向側面にはポリマPをそれぞれ噴射する。このような措置は,剥離応力などの機械的応力を低減する上で有効である。なお,機械的応力は,チップ形状に応じて熱サイクル下で特にエッジ部に発生し,剥離につながる潜在的リスクとなり得るものである。更に,実施例2は,使用する基板Sにおける熱膨張係数CTEに依存する他の代案を示している。この代案においては,金属粒子NP及び/又はポリマPを断片的に噴射することにより,例えば金属フレームMFのエッジ部のみにおける機械的応力の低減を図るものである。実施例3における基板Sは,噴射したポリマフレームにより完全に包囲されている。この場合に使用されるポリマPは,紫外線硬化性のみならず,熱硬化性又は熱溶融性とすることが可能である。実施例3において,例えば噴射時における紫外線照射により,又は低温状態の基板表面に加熱状態で設けることによりポリマPが適切な分散特性を有する場合には,表面機能化を省略することができる。実施例4においては,チップCHを取り付けた基板Sに対して噴射する金属粒子NPが含まれる。この場合に金属粒子NPは,金属フレームMF及びチップCH間の封止部として機能するものである。更に,金属粒子NPは,後続のステップにおいて施し得る電気めっき用のシード層として機能する。このような変形例は,他の実施形態における多くの工程が不要になるため,特に安価である。実施例1~4に従って上記のごとく製造した電子部品は,最終ステップにおいて,電子部品の集合体であるパネルからソーイングし,個別の電子部品として使用することができる。更に,このように製造した電子部品は,オーバーモールドし,及び/又は他の保護層又はフィルムを設けることも可能である。好適には,金属層は電気めっきにより形成する。Bバンプ接続部CHチップCF積層フィルムNP金属粒子MF金属フレームPポリマSL封止層WウェハS基板"