キャリアガスにより導入された塩化水素ガスを800~1000°Cの温度でガリウム粉末と反応させ、得られた塩化ガリウムをキャリアガスで搬送しながら800~1200°Cの温度でアンモニアガスと反応させて窒化ガリウムを生成させた後、得られた窒化ガリウムを含むガス雰囲気の温度を185°C以上3375°C未満に制御することにより、窒化ガリウム粉末を分離回収することを特徴とする窒化ガリウム粉末の製造方法。前記ガス雰囲気の温度を200~250°Cに制御して窒化ガリウム粉末を分離回収することを特徴とする、請求項1に記載の窒化ガリウム粉末の製造方法。本発明は、上記した従来の事情に鑑み、アモノサーマル法の原料などとして好適な窒化ガリウム粉末を、気相法により安価に且つ生産性良く製造する方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明が提供する窒化ガリウム粉末の製造方法は、キャリアガスにより導入された塩化水素ガスを800~1000°Cの温度でガリウム粉末と反応させ、得られた塩化ガリウムをキャリアガスで搬送しながら800~1200°Cの温度でアンモニアガスと反応させて窒化ガリウムを生成させた後、得られた窒化ガリウムを含むガス雰囲気の温度を185°C以上3375°C未満に制御することにより、窒化ガリウム粉末を分離回収することを特徴とする。本発明によれば、気相法により窒化ガリウム粉末を安価に且つ生産性良く製造することができ、特に窒化ガリウム粉末をガス雰囲気から分離回収する際の温度を従来よりも大幅に低くすることで、反応副生成物が含まれない窒化ガリウム粉末の回収を容易にすると共にエネルギー使用量の低減を図ることができる。従って、本発明は、窒化ガリウム基板用のバルク結晶を合成するアモノサーマル法の原料として好適な窒化ガリウム粉末を大量且つ安価に製造できるため、安価で高効率なLEDの提供に極めて有用である。本発明による窒化ガリウム粉末の製造方法を、図1を参照しながら具体的に説明する。まず、塩化水素HClガスを水素などのキャリアガスにより第1反応室1に導き、ヒーター1aにより800~1000°Cの温度に制御された第1反応室1でガリウム粉末と反応させて塩化ガリウムGaClを生成させる。尚、ガリウム粉末は上部が開口した容器に入れて第1反応室1内に配置し、第1反応室1の容積が大きい場合には、図1に示すように塩化水素ガスとキャリアガスの流路を除き容器の周囲を囲うことで、反応域を制御することが望ましい。第1反応室1で生成した塩化ガリウムは、キャリアガスと共に第2反応室2に導入される。同時に第2反応室2には、別の流路から水素などのキャリアガスによりアンモニアガスが導入される。第2反応室2はヒーター2aにより800~1200°Cの温度に制御されており、この第2反応室2において塩化ガリウムとアンモニアが反応して窒化ガリウムGaNが合成される。第2反応室2に導入するアンモニアガスの量は、ガリウムGaに対するモル比、即ちGa:NH3のモル比で、少なくとも1:50程度が必要である。また、第1反応室1でガリウム粉末から塩化ガリウムを生成する際にも、塩化水素ガスが多量に供給される。そのため、下記反応式1で表されるように、ガリウム粉末から窒化ガリウムを得る反応では、反応副生成物として塩化アンモニウムNH4Clが大量に発生する。尚、ガリウム粉末を直接アンモニアと反応させることもできるが、反応効率が悪いため好ましくない。[反応式1]2Ga3NH3HCl→2GaNNH4Cl3H2上記のごとく第2反応室2で合成された窒化ガリウムは、キャリアガスや塩化アンモニウムなどからなるガス雰囲気と共に、粉末回収室3に導入される。本発明では粉末回収室3の温度、即ち窒化ガリウムを含むガス雰囲気の温度を、ヒーター3aにより185°C以上3375°C未満の範囲の温度に制御する。この温度範囲内に制御されたガス雰囲気中において反応副生成物の塩化アンモニウムは気体状態を維持できることができ、従って粉末回収室3において窒化ガリウム粉末のみを効率よく分離回収できることが判明した。即ち、合成されたGaN粉末は、反応装置底部の粉末回収室3に堆積させ、反応が終了して操業を停止してから回収される。その場合、従来は反応副生成物である塩化アンモニウムNH4ClがGaN粉末の不純物とならないように、粉末回収室3の温度をNH4Clの昇華温度である3378°C以上に保つことでNH4Clをキャリアガスなどと共に排ガスとして系外へ排出していた。そのため、反応終了後にGaN粉末を回収する際には、粉末回収室3の温度を3378°C以上の高温から室温まで下げるために長い時間が必要となり、この温度低下に要する時間が生産性に悪影響を及ぼしていた。ところが、本発明者らの研究によれば、NH4Clの昇華温度は上記のごとく3378°Cであるにもかかわらず、実際には3378°Cよりも更に低い温度でNH4Clが昇華していることを見出した。即ち、粉末回収室3の温度を変えて、粉末回収室3でGaN粉末と共に回収されたNH4Clの重量と温度との関係を調べたところ、図2に示す結果が得られた。この結果から、温度が185°C未満ではNH4Clが完全に昇華せずGaN粉末中に残留するが、185°C以上の温度においては実質的にNH4Clの昇華が起きていることが分かった。文献等で通常報告されている昇華温度は平衡時の値であり、上記反応式1で表される反応系のようにキャリアガスなどを大量に流す場合には、平衡時の値とは異なり、非平衡時の値となるものと考えられる。このことは、ガスの流速を速くした方がNH4Clの回収量が少なくなるという実験結果とも合致している。上記の結果から、本発明における粉末回収室の温度、即ち、窒化ガリウムを含むガス雰囲気の温度は、185°C以上で且つNH4Clの昇華温度である3378°Cよりも低く設定し、好ましくは200~250°Cの範囲、更に好ましくは200~230°Cの範囲とする。尚、上記のごとく反応装置底部の粉末回収室3においてGaN粉末が分離して堆積した後、図1に示すように、ガス雰囲気は排ガス流路を通って反応装置から排出され、液回収部4においてNH4Clが液体となって回収される。本発明による窒化ガリウム粉末の製造方法に用いる製造装置は、例えば図1に示すように、ガリウム粉末を塩化水素ガスと反応させる第1反応室1と、第1反応室1で得られた塩化ガリウムをアンモニアガスと反応させる第2反応室2と、第2反応室2で得られた窒化ガリウムを回収する粉末回収室3とを備えている。また、第1反応室1、第2反応室2及び粉末回収室3の外周には、それぞれヒーター1a、2a、3aを備え、ヒーター1aにより第1反応室1の温度を800~1000°Cに、ヒーター2aにより第2反応室2の温度を800~1200°Cに、及びヒーター3aにより粉末回収室3の温度を185°C以上3375°C未満に制御する。尚、上記反応装置としては、ホットウォール型の反応炉などを用いることができるが、1000°Cを超える高温になり且つ腐食性が強い塩化水素ガスが導入されることから、一般的に高温においても安定で耐腐食性に優れた石英等のセラミックスを構成材料として使用することが望ましい。反応装置での窒化ガリウムの合成反応は、通常は常圧で行なわれる。また、本発明の反応装置では、第1反応室と第2反応室で構成される反応容器部から、粉末回収室を切り離せる構造にしておくことが好ましい。このような構造を有することにより、粉末回収室の温度がある程度まで低下したとき、直ちに粉末回収室を反応装置の反応容器部から分離して、GaN粉を回収することが可能となる。この場合でも、反応装置の運転時における粉末回収室の温度が低いほど、冷却に要する時間が短くなるためGaN粉の回収が容易になる。[実施例1]内径300mmのSUS306製のホットウォール型炉を準備し、上部と中部と下部の各外周にそれぞれヒーターを配置した。各ヒーターにより、炉内上部Ga粉末の容器がある第1反応室の温度を900°Cに、中部第2反応室の温度を1100°Cに、及び下部粉末回収室の温度を300°Cに調節した。また、粉末回収室から50cmほど上部の炉側面に、内径20mmの管を結合して排ガス流路とした。HClガスを水素のキャリアガスにより第1反応室に導き、容器内のGa粉末と反応させてGaClを生成させた。生成したGaClはキャリアガスと共に第2反応室に導入され、同時に水素のキャリアガスによりアンモニアガスを第2反応室に導入することにより、GaClとアンモニアガスを反応させてGaNを合成した。キャリアガスと未反応ガス及び反応副生成物であるNH4Clを排ガス流路から排気し、GaN粉末を粉末回収室に堆積させた。反応終了後、炉内のガス雰囲気を窒素ガスに置換しながら、粉末回収室の温度を室温まで低下させ、粉末回収室に堆積したGaN粉末を回収した。粉末回収室の温度が300°Cから室温に低下するまで約1時間かかり、回収したGaN粉末を分析したところNH4Clは含まれていなかった。[実施例2]粉末回収室の温度を185°Cとした以外は上記実施例1と同様にしてGaN粉末を製造した。反応終了後、上記実施例1と同様にして粉末回収室の温度を室温まで低下させ、粉末回収室に堆積したからGaN粉末を回収した。粉末回収室の温度が185°Cから室温に低下するまで約05時間であり、回収したGaN粉末を分析したところNH4Clは含まれていなかった。[比較例1]粉末回収室の温度を180°Cとした以外は上記実施例1と同様にしてGaN粉末を製造した。反応終了後、上記実施例1と同様にして粉末回収室の温度を室温まで低下させ、粉末回収室に堆積したからGaN粉末を回収した。粉末回収室の温度が180°Cから室温に低下するまで約20分と短かったが、得られたGaN粉末中にはNH4Clが含まれていた。[比較例2]粉末回収室の温度を350°Cとした以外は上記実施例1と同様にしてGaN粉末を製造した。反応終了後、上記実施例1と同様にして粉末回収室の温度を室温まで低下させ、粉末回収室に堆積したからGaN粉末を回収した。回収したGaN粉末を分析したところNH4Clは含まれていなかったが、粉末回収室の温度が350°Cから室温に低下するまで約15時間が必要であった。