金属基板上に、有機金属化合物溶液を用いて、塗布熱分解法により、酸化物超電導膜を製造する酸化物超電導膜の製造方法であって、前記有機金属化合物溶液を、前記金属基板上に塗布して塗膜を作製する塗膜作製工程と、前記塗膜を加熱して、前記有機金属化合物を熱分解し、有機成分を除去することにより、酸化物超電導膜の前駆体膜を形成する仮焼熱処理工程と、前記前駆体膜を加熱して、結晶化させることにより、酸化物超電導膜を形成する本焼熱処理工程とを備えており、前記仮焼熱処理工程における前記塗膜の加熱が、酸素の含有比率が80~100volの雰囲気下で行われることを特徴とする酸化物超電導膜の製造方法。前記仮焼熱処理工程における熱処理が、450~600°Cで1~180分間の熱処理であることを特徴とする請求項1に記載の酸化物超電導膜の製造方法。前記仮焼熱処理工程における昇温速度が、5~25°C/分であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の酸化物超電導膜の製造方法。請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の酸化物超電導膜の製造方法を用いて製造され、残留炭素量が2.0×1019atoms/cm3以下であることを特徴とする酸化物超電導膜。近年、超電導性が発揮される超電導転移温度Tcのさらなる上昇が強く求められており、従来のMOD法のさらなる改良が求められている。本発明者は、上記課題を解決するために、従来のMOD法においてTcの上昇に悪影響を与える要因につき、鋭意検討を行った。その結果、従来のMOD法で作製された酸化物超電導膜中には、多くの炭素が残留しており、この残留炭素に着目した。次に、本発明者は、この残留炭素が、MOD法のどの工程で発生しているか詳しく検討し、その結果、有機金属化合物を熱分解させ、熱分解した有機成分を除去する仮焼熱処理工程に着目した。具体的には、従来のMOD法においては、高い酸素濃度雰囲気で仮焼熱処理した場合、金属基板の酸化が進み、その後の本焼熱処理において結晶化に悪影響を及ぼすと考えられていたため、窒素やアルゴン等の不活性ガス中に20~50volの酸素を含むガス雰囲気で仮焼熱処理が行われていた。しかし、このような低酸素雰囲気下で仮焼熱処理を行った場合、熱分解した炭素が充分に除去されず、その後の本焼熱処理工程において、多くの残留炭素を含有する酸化物超電導膜本焼膜が形成され、その結果Tcの上昇を阻害していると考えられる。本焼膜における残留炭素の量を低減する方法の1つとして、仮焼熱処理温度をより高くすることが考えられたが、この場合には、本焼熱処理持、仮焼熱処理後の膜内部の結晶粒子が粗大化して、臨界電流密度Jcや臨界電流Icなどの超電導特性を悪化させるという問題が発生することが分かった。そこで、本発明者は、仮焼熱処理温度は変更せずに、前記した理由から従来は試みられることがなかった高酸素濃度雰囲気下での仮焼熱処理を行ってみた。その結果、酸素の含有比率が80~100volの雰囲気下で仮焼熱処理を行うことにより、酸素が充分に供給されて、熱分解した炭素が充分に除去された酸化物超電導膜の前駆体膜仮焼膜を形成することができ、その後の本焼熱処理において、残留炭素量が2.0×1019atoms/cm3以下に低減された酸化物超電導膜本焼膜を得ることができた。そして、得られた酸化物超電導膜では、Tcが改善されていることが確認された。さらに、金属基板の酸化も結晶化に大きな影響を与えるほどではなく、JcやIcなどの超電導特性が維持されていることが分かった。請求項1に記載の発明は、上記の知見に基づく発明であり、金属基板上に、有機金属化合物溶液を用いて、塗布熱分解法により、酸化物超電導膜を製造する酸化物超電導膜の製造方法であって、前記有機金属化合物溶液を、前記金属基板上に塗布して塗膜を作製する塗膜作製工程と、前記塗膜を加熱して、前記有機金属化合物を熱分解し、有機成分を除去することにより、酸化物超電導膜の前駆体膜を形成する仮焼熱処理工程と、前記前駆体膜を加熱して、結晶化させることにより、酸化物超電導膜を形成する本焼熱処理工程とを備えており、前記仮焼熱処理工程における前記塗膜の加熱が、酸素の含有比率が80~100volの雰囲気下で行われることを特徴とする酸化物超電導膜の製造方法である。請求項2に記載の発明は、前記仮焼熱処理工程における熱処理が、450~600°Cで1~180分間の熱処理であることを特徴とする請求項1に記載の酸化物超電導膜の製造方法である。熱処理温度が低すぎる場合には、有機成分が充分に分解されない恐れがある。一方、高すぎる場合には、前記の通り、結晶粒子が粗大化してJcやIcを悪化させる恐れがある。450~600°Cであると好ましく、480~580°Cであるとより好ましい。また、適切な仮焼熱処理の温度保持時間は1~180分である。請求項3に記載の発明は、前記仮焼熱処理工程における昇温速度が、5~25°C/分であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の酸化物超電導膜の製造方法である。昇温速度が速すぎる場合には、支燃性の酸素ガスが多いことにより、低い酸素濃度で処理する場合よりも燃焼反応が激しくなり、急激な収縮により膜表面にクラックが生じたり、膜内部に有機成分の分解物由来の気泡が閉じ込められ、場合によっては気泡が破れ、膜の剥離や膜面の平坦性が損なわれたりする恐れがある。一方、遅すぎる場合には、含有する有機金属化合物の分解温度の違いから、膜内部での元素分布が大きく偏り、結晶化処理が上手くできなくなる恐れがある。5~25°C/分であると好ましく、5~15°C/分であるとより好ましい。請求項4に記載の発明は、請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の酸化物超電導膜の製造方法を用いて製造され、残留炭素量が2.0×1019atoms/cm3以下であることを特徴とする酸化物超電導膜である。残留炭素量が2.0×1019atoms/cm3以下の酸化物超電導膜は、高いJcやIcなどと共に、高いTcを有する。本発明によれば、従来よりも超電導転移温度Tcが上昇した酸化物超電導膜を提供することができる。以下に、YBCO超電導膜を形成した実施例を挙げて、本発明をより具体的に説明する。1.酸化物超電導膜の形成1実施例1、2以下の工程を経て、実施例1、2のYBCO超電導膜を形成した。aMOD溶液の作製まず、Y、Ba、Cuの各アセチルアセトナート塩から出発してY:Ba:Cu=1:2:3の比率モル比で合成し、アルコールを溶媒としたMOD溶液を作製した。なおMOD溶液のY3、Ba2、Cu2を合わせた総カチオン濃度を1mol/Lとした。b塗膜作製工程次に、金属基板として、SUS上に順にCu層、Ni層を形成させたクラッド基板の上に、CeO2、YSZ、CeO2の3層からなる中間層を設けた金属基板を準備し、金属基板上に、前記MOD溶液を塗布し、塗膜の作製を行った。c仮焼熱処理工程塗膜が形成された金属基板を、表1に示す窒素/酸素雰囲気、温度、時間、昇温速度で仮焼熱処理を施し、金属基板上に前駆体膜仮焼膜を形成させた。この工程を8回繰り返し行って、膜厚約1.4μmの前駆体膜を作製した。d本焼熱処理工程作製された前駆体膜を、酸素濃度100ppmのアルゴン/酸素混合ガス雰囲気下に1.5時間保持して、金属基板上に膜厚約1.0μmのYBCO超電導膜を形成させた。比較例1、2仮焼熱処理を表1に示す雰囲気下で施したこと以外は、実施例と同じ方法でYBCO酸化物超電導膜を作製した。2.残留炭素量、Tc、Jc、Icの測定1測定法イ.残留炭素量得られたYBCO酸化物超電導膜の残留炭素量を、SIMS二次イオン質量分析により測定した。ロ.Tc得られたYBCO酸化物超電導膜のTcを、誘導測定法で測定した。ハ.Jc、Ic得られたYBCO酸化物超電導膜のJc、Icを、温度77K、自己磁場下で測定した。2測定結果測定結果を表1にまとめて示す。また、実施例2と比較例1従来の残留炭素量の測定結果を図1に示す。表1および図1より、実施例においては残留炭素量が低減されていることが分かる。また、Tcが上昇しており、一方Jc、Icについては比較例に比べて低下していないことが分かる。このような結果が得られたのは、仮焼熱処理をO2含有比率が80vol、100volという高酸素雰囲気下で行ったためである。Tcの上昇は1Kであるが、その意義は大きい。実施例3~実施例7仮焼熱処理の温度、時間を表2に記載した条件で行ったこと以外は実施例1と同じ方法でYBCO酸化物超電導膜を作製し、残留炭素量、Tc、Jc、Icを測定した。仮焼熱処理の温度、時間および測定結果をまとめて表2に示す。表2より、仮焼熱処理を480~520°Cの温度範囲で70分間行うことにより、有機成分が充分に分解されて残留炭素量が低下しながらも、結晶粒子が粗大化せず、JcやIcが悪化していないことが分かる。実施例8~実施例12仮焼熱処理の昇温速度を表3に記載した昇温速度としたこと以外は、実施例1と同じ方法でYBCO酸化物超電導膜を作製し、残留炭素量、Tc、Jc、Icを測定した。仮焼熱処理の昇温速度および測定結果をまとめて表3に示す。表3より、仮焼熱処理の昇温速度を5~25°C/分とすることにより元素分布の偏りの増大による超電導特性の劣化や、気泡やクラックの生成による膜の破壊がなく、一層確実に残量炭素量を低下させることができ、Tcを向上させた酸化物超電導膜を確実に製造できることが分かる。以上、本発明を実施の形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。本発明と同一および均等の範囲内において、上記の実施の形態に対して種々の変更を加えることができる。