"基板と、前記基板上に形成された透明電極層と、前記透明電極層上に形成された光電変換ユニットと、前記光電変換ユニット上に形成された裏面電極と、を備える光電変換装置であって、前記透明電極層は、前記光電変換ユニット側の表面にテクスチャ構造を有し、前記基板側に形成された第1透明電極層と、前記第1透明電極層より前記基板から遠い位置に、前記第1透明電極層より密度が小さい第2透明電極層と、を備えることを特徴とする光電変換装置。請求項1に記載の光電変換装置であって、前記第1透明電極層は、波長550nm以上600nm以下の領域において前記第2透明電極層より屈折率が小さいことを特徴とする光電変換装置。請求項1又は2に記載の光電変換装置であって前記第1透明電極層には、前記第2透明電極層よりも高濃度のガリウムGaが含まれることを特徴とする光電変換装置。請求項1~3のいずれか1つに記載の光電変換装置であって、前記テクスチャ構造は、段差が前記第2透明電極層の膜厚よりも小さいことを特徴とする光電変換装置。請求項1~4のいずれか1つに記載の光電変換装置であって、前記第2透明電極層は、前記第1透明電極層よりキャリアを発生させるためのドーパント濃度が低いことを特徴とする光電変換装置。従来の透明電極12の形成方法は、高密度となる成膜条件下では高電気伝導率低光吸収率の透明電極12が形成され、低密度となる成膜条件下では低電気伝導率高光吸収率の透明電極12が形成される。さらに光の利用率を高めるためには透明電極12の表面にテクスチャ構造を形成することが望ましいが、高電気伝導率低光吸収率となる透明電極12は高密度であり、テクスチャ構造の加工が困難であるという問題がある。この発明は、良好な特性高電気伝導率、低光吸収率、高光散乱効果を有する透明電極を提案し、これを備えた光電変換装置の性能の向上を図ることを目的とする。本発明の1つの態様は、基板と、基板上に形成された透明電極層と、透明電極層上に形成された光電変換ユニットと、光電変換ユニット上に形成された裏面電極と、を備える光電変換装置であって、透明電極層は、光電変換ユニット側の表面にテクスチャ構造を有し、基板側に形成された第1透明電極層と、第1透明電極層より基板から遠い位置に、第1透明電極層より密度が小さい第2透明電極層と、を備える光電変換装置である。本発明は、高電気伝導率、低光吸収率、高光散乱効果を有する透明電極を提案し、これを備えた光電変換装置の性能の向上を可能とする。本実施の形態における光電変換装置200は、図1に示すように、基板20を光入射側として、光入射側から、透明電極層22、トップセルとして広いバンドギャップを有するアモルファスシリコン光電変換ユニットa-Siユニット202、中間層24、ボトムセルとしてa-Siユニット202よりバンドギャップの狭い微結晶シリコン光電変換ユニットμc-Siユニット204、第1裏面電極層26、第2裏面電極層28、充填材30及びバックシート32を積層した構造を有している。本実施の形態では、発電層である光電変換ユニットとして、a-Siユニット202及びμc-Siユニット204を積層したタンデム型光電変換装置を例に説明を行うが、本発明の適用範囲はこれに限定されるものではなく、シングル型光電変換装置やさらに多層の光電変換装置であってもよい。基板20は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板等の少なくとも可視光波長領域において透過性を有する材料を適用することができる。基板20上に透明電極層22が形成される。透明電極層22は、酸化錫SnO2、酸化亜鉛ZnO、インジウム錫酸化物ITO等に錫Sn、アンチモンSb、フッ素F、アルミニウムAl等をドープした透明導電性酸化物TCOのうち少なくとも一種類又は複数種を組み合わせて用いることが好適である。特に、酸化亜鉛ZnOは、透光性が高く、抵抗率が低く、耐プラズマ特性にも優れているので好適である。本実施の形態では透明電極層22は、図2~図4の拡大断面図に示すように、基板20上に第1透明電極層22a及び第2透明電極層22bを順に積層して構成される。第1透明電極層22aは、第2透明電極層22bよりも密度が高く、高い電気伝導率と低い光吸収率を有する電気伝導層である。また、第2透明電極層22bは、第1透明電極層22aよりも密度が低く、テクスチャ構造が形成される光散乱層である。透明電極層22をこうした積層構造とすることで、電気伝導率が高く、光の吸収率が低く、かつ、高い光散乱効果を有する透明電極とすることができる。第1透明電極層22a及び第2透明電極層22bは、スパッタリング法で形成することができる。スパッタリング法では、真空槽内に設置した基板20に対向させて第1透明電極層22a及び第2透明電極層22bの材料となる元素を含むターゲットを配置し、プラズマ化したアルゴン等のスパッタ用ガスによりターゲットをスパッタリングすることによって基板20上に材料を堆積させて第1透明電極層22a及び第2透明電極層22bを形成する。第1透明電極層22aは、第2透明電極層22bよりも高密度の磁場下におけるスパッタリング法で形成する。これにより、電気伝導層となる第1透明電極層22aは光散乱層となる第2透明電極層22bよりも緻密な層となり、第2透明電極層22bよりも高い電気伝導率及び低い光吸収率を示すことができる。一方、光散乱層となる第2透明電極層22bは電気伝導層となる第1透明電極層22aよりも疎な層となり、第1透明電極層22aよりも容易にテクスチャ構造に加工することができる。例えば、第1透明電極層22a及び第2透明電極層22bは、表1に示すようにマグネトロンスパッタリング法により形成することが好適である。第1透明電極層22aは、真空槽内に基板20とターゲットを50mmの面間隔で対向配置し、基板温度150°Cにおいてアルゴンガスを流量100sccm及び圧力0.7Paで真空槽に導入して500Wの電力によりプラズマ化して成膜する。このとき、磁場は1000Gとする。一方、第2透明電極層22bは、真空槽内に基板20とターゲットを50mmの面間隔で対向配置し、基板温度150°Cにおいてアルゴンガスを流量100sccm及び圧力0.7Paで真空槽に導入して500Wの電力によりプラズマ化して成膜する。このとき、磁場は第1透明電極層22aを形成するときに比べて低い300Gとする。透明電極層22の膜厚は、第1透明電極層22a及び第2透明電極層22bの膜厚を合わせて500nm以上5000nm以下の範囲とすることが好適である。例えば、第1透明電極層22aを400nmとし、第2透明電極層22bを100nmとする。表2に、表1に示す成膜条件で形成した第1透明電極層22a及び第2透明電極層22bの密度をX線反射分析によって測定した結果を示す。ここでは、基板20上に第1透明電極層22a及び第2透明電極層22bをそれぞれ単層として形成した場合の密度を示す。より高密度の磁場下で形成された第1透明電極層22aは、第2透明電極層22bより膜の密度が高いことが分かる。なお、第1透明電極層22a及び第2透明電極層22bを積層した場合であっても、エッチングやイオンミリング等によって第1透明電極層22a、第2透明電極層22bの表面を露出させた状態にすることでX線反射分析によるそれぞれの密度の測定が可能である。また、断面に対して電子エネルギー損失分光法EELS:ElectronEnergy-LossSpectroscopyを適用しても第1透明電極層22a及び第2透明電極層22bの密度をそれぞれ測定することができる。表3に、表1に示す成膜条件で形成した第1透明電極層22a及び第2透明電極層22bのシート抵抗を示す。ここでは、基板20上に第1透明電極層22a及び第2透明電極層22bをそれぞれ膜厚400nm及び500nmの単層として形成した場合、並びに第1透明電極層22a及び第2透明電極層22bをそれぞれ400nm及び100nmで積層した場合についてのシート抵抗を示す。第1透明電極層22aは、第2透明電極層22bよりもシート抵抗が低いことが分かる。また、第1透明電極層22aと第2透明電極層22bとの積層膜もシート抵抗が低くなることが分かる。電気伝導率が高いほどシート抵抗は低くなる。シート抵抗が低いほど電流が流れる際の損失が小さくなる。また、図5に、表1に示す成膜条件で形成した第1透明電極層22a及び第2透明電極層22bの光の波長に対する吸収係数を示す。ここでは、基板20上に第1透明電極層22a及び第2透明電極層22bをそれぞれ膜厚400nm及び500nmの単層として形成した場合、並びに第1透明電極層22a及び第2透明電極層22bをそれぞれ400nm及び100nmで積層した場合についての吸収係数を示す。第1透明電極層22aは、第2透明電極層22bよりも測定した全波長において吸収係数が小さい。また、第1透明電極層22aと第2透明電極層22bとの積層膜も測定した全波長において単層の第2透明電極層22bよりも吸収係数が小さく、特に550nm以上の波長領域では単層の第1透明電極層22aよりも吸収係数が小さい。光吸収率が小さいほど吸収係数は小さくなる。吸収係数が小さいほど、透明電極層22を通過する光の吸収損失が小さくなり、発電効率が向上する。また、図6に、表1に示す成膜条件で形成した第1透明電極層22a及び第2透明電極層22bの光の波長に対する屈折率を示す。ここでは、基板20上に第1透明電極層22a及び第2透明電極層22bをそれぞれ膜厚400nm及び500nmの単層として形成した場合についての屈折率を示す。従来の形成方法では、透明電極の密度を高くしようとすると屈折率が大きくなってしまうが、成膜を高密度な磁場下で行ったことで、高密度な状態で第1透明電極層22aの屈折率が小さくなる。特に、第1透明電極層22aは、440nm以上の波長領域、少なくとも550nm以上600nm以下の波長領域において第2透明電極層22bよりも屈折率が小さくなる。第1透明電極層22aの屈折率を小さくしたことで、ガラス基板等の基板20との屈折率差が小さくなり、基板20側からの光が入射する際の反射損失を低減することができる。また、第1透明電極層22aの屈折率が第2透明電極層22bの屈折率よりも小さいことで、光入射側から基板20、第1透明電極層22a、第2透明電極層22b、a-Siユニット202の順に徐々に屈折率が大きくなる構造となる。これにより、a-Siユニット202への光入射前の反射損失を低減でき、a-Siユニット202に効果的に光を入射させることができる。また、図8~図10に、表1に示す成膜条件で積層した第1透明電極層22a及び第2透明電極層22bに含まれる亜鉛Zn、ガリウムGa、シリコンSi及び銅Cuを二次イオン質量分析法SIMS:SecondaryIonMassSpectroscopyで測定した結果を示す。ガリウムGa、シリコンSi及び銅Cuのいずれにおいても、表面から深さ100nmにおいて含有濃度の不連続点が現れており、これが第2透明電極層22bと第1透明電極層22aとの界面であることを示している。このように、透明電極層22の膜厚方向における不純物濃度の不連続点の存在から、透明電極層22が第1透明電極層22a及び第2透明電極層22bの積層構造であることを知ることができる。なお、ここでは図示しないが、アルミニウムAl等の他の不純物の濃度分布も第2透明電極層22bと第1透明電極層22aとの界面において不連続点を示す。ガリウムGaの場合、第1透明電極層22aや第2透明電極層22bにGaを添加することで、各透明電極層の屈折率が小さくなる。このため、ガラス基板等の基板20との屈折率差がより小さくなり、基板20側からの光が入射する際の反射損失を低減することができる。さらに、第1透明電極層22aのGa濃度を第2透明電極層22bよりも多くすることで、第2透明電極層22bよりも第1透明電極層22aの屈折率がさらに小さくなる。これにより、第1透明電極層22aと基板20との間の屈折率差をさらに小さくすることが可能になり、上述の反射損失をより効果的に低減することができる。また、光入射側から基板20、第1透明電極層22a、第2透明電極層22b、a-Siユニット202の順に徐々に屈折率が大きくなる構造となり、a-Siユニット202への光入射前の反射損失を低減でき、a-Siユニット202に効果的に光を入射させることができる。シリコンSiの場合、第2透明電極層22bにSiを添加することで、Siを添加しない場合に比べて、後述する薬液によるエッチングがし易くなり、第2透明電極層22bのテクスチャ構造の加工性が向上する。また、少なくとも第2透明電極層22bにはテクスチャ構造を形成する。スパッタリング法により第1透明電極層22a及び第2透明電極層22bを形成した場合、化学的エッチングを施すことにより透明電極層22にテクスチャ構造を形成することができる。例えば、第1透明電極層22a及び第2透明電極層22bが酸化亜鉛ZnOである場合、0.05希塩酸を用いたエッチングによりテクスチャ構造を形成することができる。エッチング処理時間を調整することによって、図2~図4に示すように、透明電極層22に形成されるテクスチャ構造にバリエーションを設けることができる。図2に示す透明電極22では、第2透明電極層22bのみエッチングし、第1透明電極層22aまで到達しないように第2透明電極層22bにテクスチャ構造を形成する。すなわち、透明電極22に設けられたテクスチャの山と谷との段差は第2透明電極層22bの膜厚よりも小さい。この構造によって、高い電気伝導度、低い光吸収率及び高い光散乱効果を得ることができ、光電変換装置200の性能を向上することができる。図3に示す透明電極22では、第2透明電極層22bのみエッチングし、第1透明電極層22aまで到達するように第2透明電極層22bにテクスチャ構造を形成する。すなわち、透明電極22に設けられたテクスチャの山と谷との段差は第2透明電極層22bの膜厚と等しい。この構造では、光吸収率の高い第2透明電極層22bがより薄くなるので、より高い光透過率を得ることができる。図4に示す透明電極22では、第1透明電極層22aまでオーバーエッチングし、第1透明電極層22aの表面層及び第2透明電極層22bの両方にテクスチャ構造を形成する。すなわち、透明電極22に設けられたテクスチャの山と谷との段差は第2透明電極層22bの膜厚よりも大きい。この構造では、第2透明電極層22bよりも高密度な第1透明電極層22aが表面に露出する。また、第1透明電極層22a及び第2透明電極層22bのエッチング速度の相違から、第1透明電極層22aの表面に形成されるテクスチャの角度θ1は第2透明電極層22bに形成されるテクスチャの角度θ2よりも浅くなるので、第1透明電極層22aと第2透明電極層22bとに形成されるそれぞれのテクスチャによって光の散乱角を異ならせることができ、光の利用率を向上させることができる。また、角度が浅くなる第1透明電極層22aを露出させることで、この上に形成される発電層a-Siユニット202の成膜面が平滑になり、その上に形成される微結晶シリコン層μc-Siユニット204の結晶成長を促進させることができる。なお、第2透明電極層22bを有機金属気相成長法MOCVD法で形成することもできる。例えば、表4に示すように、第1透明電極層22aは、真空槽内に基板20とターゲットを50mmの面間隔で対向配置し、基板温度150°Cにおいてアルゴンガスを流量100sccm及び圧力0.7Paで真空槽に導入して500Wの電力によりプラズマ化して成膜する。このとき、磁場は1000Gとする。一方、第2透明電極層22bは、基板温度180°Cにおいて真空槽内に原料ガスであるC2H52Zn,H2O及びB2H6をそれぞれ13.5sccm,16.5sccm及び2.7sccmで圧力50Paとなるように導入して成膜する。このようにMOCVD法にて第2透明電極層22bを形成した場合も上記と同様の透明電極22の特性を得ることができる。また、形成時に第2透明電極層22bにテクスチャ構造が自然形成されるのでエッチング処理を行わなくてもよい。また、第2透明電極層22bをMOCVD法にて形成する場合にボロンをドーピングしない条件としてもよい。例えば、表5に示すように、第2透明電極層22bを形成する際にジボランB2H6を導入せず、基板温度180°Cにおいて真空槽内に原料ガスであるC2H52Zn及びH2Oをそれぞれ13.5sccm及び16.5sccmで圧力50Paとなるように導入して成膜する。従来のように透明電極12を単層で構成する場合、例えば表6に示すように、ジボランB2H6を用いてボロンをドーピングすることによって導電性を確保する必要がある。一方、本実施の形態では、第1透明電極層22aが高い導電性を有するので、第2透明電極層22bではボロン等のキャリアを発生させるためのドーパント濃度を第1透明電極層22aより低くしてもよい。さらに、第2透明電極層22bにはドーピングを行わなくてもよい。表7に、表5に示す成膜条件で基板20上に第1透明電極層22a及び第2透明電極層22bをそれぞれ膜厚400nm及び1500nmで積層した場合、並びに表6の成膜条件で従来構造の単層の透明電極を膜厚1500nmで形成した場合についてのシート抵抗及びヘイズ率を示す。本実施の形態における第1透明電極層22aと第2透明電極層22bとの積層構造は従来の単層構造よりもシート抵抗が低かった。また、本実施の形態における第1透明電極層22aと第2透明電極層22bとの積層構造は従来の単層構造よりもヘイズ率が高く、すなわち光閉じ込め等の光学的な効果も優れている。なお、ヘイズ率は散乱透過率/全透過率で表される物理量である。図7は、表5に示す成膜条件で基板20上に第1透明電極層22a及び第2透明電極層22bをそれぞれ膜厚400nm及び1500nmで積層した場合、並びに表6の成膜条件で従来構造の単層の透明電極を膜厚1500nmで形成した場合についての全透過率の波長依存性を示す。図7に示されるように、波長400nm付近の短波長領域以外では広範囲に亘って本実施の形態における第1透明電極層22aと第2透明電極層22bとの積層構造は従来の単層構造よりも全透過率が高かった。タンデム型太陽電池100を複数のセルを直列に接続した構成とする場合、透明電極層22を短冊状にパターニングする。例えば、波長1064nm、エネルギー密度13J/cm2、パルス周波数3kHzのYAGレーザを用いて透明電極層22を短冊状にパターニングすることができる。透明電極層22上に、p型層、i型層、n型層のシリコン系薄膜を順に積層してa-Siユニット202を形成する。a-Siユニット202は、シランSiH4、ジシランSi2H6、ジクロルシランSiH2Cl2等のシリコン含有ガス、メタンCH4等の炭素含有ガス、ジボランB2H6等のp型ドーパント含有ガス、フォスフィンPH3等のn型ドーパント含有ガス及び水素H2等の希釈ガスを混合した混合ガスをプラズマ化して成膜を行うプラズマ化学気相成長法CVD法により形成することができる。プラズマCVD法は、例えば、13.56MHzのRFプラズマCVD法を適用することが好適である。RFプラズマCVD法は平行平板型とすることができる。平行平板型の電極のうち基板20を配しない側には原料の混合ガスを供給するためのガスシャワー孔を設けた構成としてもよい。プラズマの投入電力密度は、5mW/cm2以上300mW/cm2以下とすることが好ましい。p型層は、p型ドーパントボロン等を添加した膜厚5nm以上50nm以下のアモルファスシリコン層、微結晶シリコン薄膜、微結晶炭化シリコン薄膜等の単層又は積層構造とする。p型層の膜質は、シリコン含有ガス、p型ドーパント含有ガス及び希釈ガスの混合比、圧力及びプラズマ発生用高周波パワーを調整することによって変化させることができる。i型層は、p型層上に形成されたドーパントが添加されていない膜厚50nm以上500nm以下のアモルファスシリコン膜とする。i型層の膜質は、シリコン含有ガス及び希釈ガスの混合比、圧力及びプラズマ発生用高周波パワーを調整することによって変化させることができる。i型層は、a-Siユニット202の発電層となる。n型層は、i型層上に形成されたn型ドーパントリン等を添加した膜厚10nm以上100nm以下のn型微結晶シリコン層n型μc-Si:Hとする。n型層の膜質は、シリコン含有ガス、炭素含有ガス、n型ドーパント含有ガス及び希釈ガスの混合比、圧力及びプラズマ発生用高周波パワーを調整することによって変化させることができる。例えば、a-Siユニット202は、表8に示す成膜条件で成膜する。a-Siユニット202上に、中間層24を形成する。中間層24は、酸化亜鉛ZnO、酸化シリコンSiOx等の透明導電性酸化物TCOを用いることが好適である。特に、マグネシウムMgがドープされた酸化亜鉛ZnOや酸化シリコンSiOxを用いることが好適である。中間層24は、例えば、スパッタリング等により形成することができる。中間層24の膜厚は10nm以上200nm以下の範囲とすることが好適である。なお、中間層24は、設けなくてもよい。中間層24上に、p型層、i型層、n型層を順に積層したμc-Siユニット204を形成する。μc-Siユニット204は、シランSiH4、ジシランSi2H6、ジクロルシランSiH2Cl2等のシリコン含有ガス、メタンCH4等の炭素含有ガス、ジボランB2H6等のp型ドーパント含有ガス、フォスフィンPH3等のn型ドーパント含有ガス及び水素H2等の希釈ガスを混合した混合ガスをプラズマ化して成膜を行うプラズマCVD法により形成することができる。プラズマCVD法は、a-Siユニット202と同様に、例えば、13.56MHzのRFプラズマCVD法を適用することが好適である。RFプラズマCVD法は平行平板型とすることができる。平行平板型の電極のうち基板20を配しない側には原料の混合ガスを供給するためのガスシャワー孔を設けた構成としてもよい。プラズマの投入電力密度は、5mW/cm2以上300mW/cm2以下とすることが好ましい。p型層は、膜厚5nm以上50nm以下のp型ドーパントボロン等が添加された微結晶シリコン層μc-Si:Hとする。p型層の膜質は、シリコン含有ガス、p型ドーパント含有ガス及び希釈ガスの混合比、圧力及びプラズマ発生用高周波パワーを調整することによって変化させることができる。i型層は、p型層上に形成された膜厚0.5μm以上5μm以下のドーパントが添加されていない微結晶シリコン層μc-Si:Hである。i型層の膜質は、シリコン含有ガス及び希釈ガスの混合比、圧力及びプラズマ発生用高周波パワーを調整することによって変化させることができる。n型層は、膜厚5nm以上50nm以下のn型ドーパントリン等が添加された微結晶シリコン層n型μc-Si:Hを積層して構成される。n型層の膜質は、シリコン含有ガス、n型ドーパント含有ガス及び希釈ガスの混合比、圧力及びプラズマ発生用高周波パワーを調整することによって変化させることができる。例えば、μc-Siユニット204は、表9に示す成膜条件で成膜する。複数のセルを直列接続する場合、a-Siユニット202及びμc-Siユニット204を短冊状にパターニングする。透明電極層22のパターンニング位置から50μm横の位置にYAGレーザを照射してスリットを形成し、a-Siユニット202及びμc-Siユニット204を短冊状にパターニングする。YAGレーザは、例えば、エネルギー密度0.7J/cm2、パルス周波数3kHzのものを用いることが好適である。μc-Siユニット204上に、第1裏面電極層26、第2裏面電極層28として透明導電性酸化物TCOと反射性金属との積層構造を形成する。第1裏面電極層26としては、酸化錫SnO2、酸化亜鉛ZnO、インジウム錫酸化物ITO等の透明導電性酸化物TCOが用いられる。また、第2裏面電極層28としては、銀Ag、アルミニウムAl等の金属が使用できる。透明導電性酸化物TCOは、例えば、スパッタリング等により形成することができる。第1裏面電極層26及び第2裏面電極層28は、合わせて1μm程度の膜厚とすることが好適である。第1裏面電極層26及び第2裏面電極層28の少なくとも一方には、光閉じ込め効果を高めるための凹凸が設けることが好適である。複数のセルを直列接続する場合、第1裏面電極層26及び第2裏面電極層28を短冊状にパターニングする。a-Siユニット202及びμc-Siユニット204のパターンニング位置から50μm横の位置にYAGレーザを照射してスリットを形成し、第1裏面電極層26、第2裏面電極層28を短冊状にパターニングする。YAGレーザは、エネルギー密度0.7J/cm2、パルス周波数4kHzのものを用いることが好適である。さらに、充填材30によって第2裏面電極層28の表面をバックシート32で被う。充填材30及びバックシート32は、EVA、ポリイミド等の樹脂材料とすることができる。これによって、光電変換装置200の発電層への水分の侵入等を防ぐことができる。以上のように、本発明の実施の形態における光電変換装置200を構成することができる。電気伝導率が高く、光の吸収率が低く、かつ高い光散乱効果を有する良好な透明電極22とすることができ、光電変換装置200の光電変換効率を向上させることができる。また、密度の高い第1透明電極層22aと密度の低い第2透明電極層22bとを積層した構造とすることによって、少なくとも密度の低い第2透明電極層22bに対してエッチングを行うことによって透明電極22にテクスチャを容易に形成することができるので、光電変換装置200の製造コストを低減することができる。"