"基材表面に分子量が10000~150000の非架橋の温度応答性高分子が0.02~0.3分子鎖/nm2の割合で固定化され、その一部の高分子からさらに細胞非付着性高分子が延長して固定化された、表面の一部が細胞非付着性領域を有する温度応答性細胞培養基材。基材表面の細胞非付着性領域がパターン状である、請求項1記載の温度応答性細胞培養基材。パターンがラインとスペースからなるものである、請求項2記載の温度応答性細胞培養基材。基材表面に0~80°Cの温度範囲内で水和力が変化する温度応答性高分子が固定化された、請求項1~3のいずれか1項記載の温度応答性細胞培養基材。温度応答性高分子が、ポリ‐N‐置換アクリルアミド誘導体、ポリ‐N‐置換メタアクリルアミド誘導体、ポリアクリレート誘導体、ポリメタクリレート誘導体の単独、もしくはこれらの2つ以上の共重合体からなる、請求項1~4のいずれか1項記載の温度応答性細胞培養基材。固定化した温度応答性高分子鎖の末端に官能基を有する、請求項1~5のいずれか1項記載の温度応答性細胞培養基材。官能基がジチオエステル基、水酸基、カルボキシル基、アミノ基のいずれか1種もしくは2種以上が混合されたものである、請求項6記載の温度応答性細胞培養基材。細胞非付着性高分子が親水性高分子である、請求項1~7のいずれか1項記載の温度応答性細胞培養基材。温度応答性高分子の基材表面への固定化がリビングラジカル重合法によるものである、請求項1~8のいずれか1項記載の温度応答性細胞培養基材の製造方法。親水性高分子の固定化がリビングラジカル重合法によるものである、請求項9記載の温度応答性細胞培養基材の製造方法。重合法が可逆的付加-開裂連鎖移動型ラジカル重合法である、請求項9、10のいずれか1項記載の温度応答性細胞培養基材の製造方法。基材表面に固定化されたアゾ系重合開始剤を利用することを特徴とする、請求項9~11のいずれか1項記載の温度応答性細胞培養基材の製造方法。固定化した温度応答性高分子鎖の末端のジチオエステル基をチオール基に変換し、さらにそのチオール基を水酸基、カルボキシル基、アミノ基へ変換する、請求項9~12のいずれか1項記載の温度応答性細胞培養基材の製造方法。本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決することを意図してなされたものである。すなわち、本発明は従来技術と全く異なった発想から、医学、生物学、生化学等の分野において有用な細胞を効率良く、かつ配向性が維持された状態で接着、増殖させ、さらに温度変化だけでその培養細胞を効率良く剥離できる温度応答性細胞培養基材、およびその製造方法を提供することを目的とする。本発明者らは上記課題を解決するために、種々の角度から検討を加えて、研究開発を行った。その結果、基材表面に固定された開始剤よりリビングラジカル重合を行うことで、基材表面に分子量が10000~150000の非架橋の温度応答性高分子が0.02~0.3分子鎖/nm2の割合で固定化されている温度応答性細胞培養基材が得られることを見出した。さらに、固定化された温度応答性高分子の末端から細胞非接着性の親水性高分子を固定化できることを見出した。この共重合体高分子と温度応答性高分子をパターン化することで、従来の温度応答性培養基材にでは実現できない細胞の配向制御を可能にすることが分かった。さらに温度変化だけでその配向した培養細胞をシート状に剥離できることが分かった。本発明で示される技術は、従来技術からは全く予想し得なかったもので、従来技術には全くなかった新規な細胞培養基材の発展が期待される。本発明はかかる知見に基づいて完成されたものである。すなわち、本発明は、基材表面に分子量が10000~150000の非架橋の温度応答性高分子が0.02~0.3分子鎖/nm2の割合で固定化されている温度応答性細胞培養基材を基盤に、細胞非接着性高分子がパターン状に固定化されている培養基材を提供する。また、本発明は、その温度応答性高分子および細胞非接着性高分子の基材表面へ固定化する方法としてリビングラジカル重合法を利用する温度応答性細胞培養基材の製造方法を提供する。本発明により得られる温度応答性細胞培養基材により、各組織から採取した細胞を効率良く任意の方向に配向した状態で培養できるようになる。また、この温度応答性細胞培養基材を用いた培養方法を利用すれば、配向した培養細胞の剥離を効率良く行うことができるようになる。本発明は、非架橋の温度応答性高分子が精密に固定化された温度応答性表面を持つ細胞培養基材に関するものである。具体的には、本発明は、基材表面に分子量が10000~150000の非架橋の温度応答性高分子が0.02~0.3分子鎖/nm2の割合で固定化されている温度応答性細胞培養基材に関するものである。本発明では、その細胞培養基材表面へは直鎖状の高分子鎖が固定化される。その際、その高分子鎖の分子量は10000~150000が良く、好ましくは80000~130000、さらに好ましくは100000~120000が良い。分子量が10000以下であると温度を変えても細胞を剥離させるだけに十分な親水性の表面とならず本発明の基材表面として好ましいものではなく、逆に分子量が150000以上の高分子鎖が基材表面に固定化されているとどの温度域においても細胞は付着することができず、本発明の温度応答性培養基材として好ましくない。さらに、本発明は、このような高分子鎖が0.02~0.3分子鎖/nm2の割合で固定化されているものであり、好ましくは0.03~0.2分子鎖/nm2、さらに好ましくは0.04~0.1分子鎖/nm2が良い。その際、固定化の割合が0.02分子鎖/nm2以下であると温度を変えても細胞を剥離させるだけに十分な親水性の表面とならず本発明の基材表面として好ましくなく、逆に高分子鎖が0.3分子鎖/nm2以上の過度な密度で基材表面に固定化させた場合、重合過程で高分子鎖に立体障害が生じ重合反応が妨げられるため、温度変化時に親水性表面を示すだけの十分な高分子鎖が固定化できず、結果的に温度を変えても培養細胞を剥離させられず、本発明の温度応答性培養基材として好ましくない。こうして基材表面に固定化された温度応答性高分子は分子量分布が狭く、すなわち、基材表面に分子量の揃った温度応答性高分子が固定化される。その分子量分布は、分散比Mw/Mnとして1.1~1.5の範囲のものであり、通常は1.2~1.3となる。以上のように、細胞培養基材表面に固定化された温度応答性高分子の分子量とその高分子鎖の固定化密度は、その表面で培養される細胞の接着性、増殖性、剥離性に大きく影響する。一方で、基材表面に固定化された温度応答性高分子の分子量とその高分子鎖の固定化密度から決定される、基材表面への温度応答性高分子の被覆量について言えば、0.03~2.4μg/cm2の範囲が良く、好ましくは0.05~1.8μg/cm2であり、さらに好ましくは0.1~1.5μg/cm2である。0.03μg/cm2より少ない被覆量のとき、温度を変えても当該高分子上の培養細胞は剥離し難く、作業効率が著しく悪くなり好ましくない。逆に2.4μg/cm2以上であると、その領域に細胞が付着し難く、細胞を十分に付着させることが困難となり、本発明の細胞培養基材として好ましくない。被覆量の測定は常法に従えば良く、例えばFT‐IR‐ATR法、元素分析法、ESCA等を利用すれば良く、いずれの方法を用いても良い。以上を具体的にまとめると、本発明の温度応答性培養基材表面上で血管内皮細胞を培養する場合、例えば、固定される温度応答性高分子の分子量が110000、固定化密度が0.036分子鎖/nm2、さらに被覆景として0.65μg/cm2で温度応答性高分子が固定化された基材表面が挙げられる。同様に、線維芽細胞を培養する場合は、固定される温度応答性高分子の分子量が90000、固定化密度が0.05分子鎖/nm2、さらに被覆量として0.74μg/cm2で温度応答性高分子が固定化された基材表面が挙げられる。さらに、上皮細胞を培養する場合は、固定される温度応答性高分子の分子量が125000.固定化密度が0.07分子鎖/nm2、さらに被覆量として1.45μg/cm2で温度応答性高分子が固定化された基材表面が挙げられる。本発明では、基材表面に0~80°Cの温度範囲内で水和力が変化する温度応答性高分子が固定化される。その固定化方法は、基材表面に固定化された開始剤よりリビングラジカル重合法で温度応答性高分子を固定化するものであれば特に限定されるものでない。一例として、基材表面に重合開始剤を固定化し、その開始剤から触媒の存在下で原子移動ラジカル法ATRP重合法により温度応答性高分子を成長反応させる方法が挙げられる。その際に使用する開始剤は特に限定されるものではないが、本発明のように基材がシリカやガラスの場合、例えば、1-トリクロロシリル-2-m,p-クロロメチルフェニルエタン弊所注:このm,pはメタ-体とp-体が混在しているという意味でしょうか。それともメタ-体またはp-体という意味でしょうか。、2-4-クロロスルホニルフェニルエチルトリメトキシシラン、3-2-ブロモイソブチリルプロピルジメチルエトキシシランなどがあげられる。本発明では、この開始剤より高分子鎖を成長させる。その際の触媒としては特に限定されるものでないが、水和力が変わる高分子としてN-アルキル置換メタアクリルアミド誘導体を選んだ場合、ハロゲン化銅CuIXとしてCuICl、CuIBr等があげられる。また、そのハロゲン化銅に対するリガンド錯体も特に限定されるものではないが、トリス2-ジメチルアミノエチルアミンMe6TREN、N,N,N’’,N’’-ペンタメチルジエチレントリアミンPMDETA、1,1,4,7,10,10-ヘキサメチルトリエチレンテトラアミンHMTETA、1,4,8,11-テトラメチル1,4,8,11-アザシクロテトラデカンMe4Cyclam、ビピリジン等があげられる。さらに、別の方法として、上述した基材表面に固定化された開始剤から、可逆的付加-開裂連鎖移動型ラジカル重合法RAFT重合法でRAFT剤共存下で表面開始型ラジカル重合法により温度応答性高分子を成長反応させる方法が挙げられる。その際に使用する開始剤は特に限定されるものではないが、本発明のように基材がシリカやガラスの場合、シランカップリング剤を介して、例えば、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル、2,2’-アゾビス4-メトキシ‐2,4-ジメチルバレロニトリルV-70、2,2’-アゾビス[2-カルボキシエチル-2-メチルプロピオンアミジンV-057などがあげられる。本発明では、この開始剤より高分子鎖を成長させる。その際に使用されるRAFT剤としては特に限定されるものでないが、ベンジルジチオベンゾエート、ジチオ安息香酸クミル、2-シアノプロピルジチオベンゾエート、1-フェニルエチルフェニルジチオアセテート、クミルフェニルジチオアセテート、ベンジル1-ピロールカルボジチオエート、クミル1-ピロールカルボジチオエート等があげられる。本発明で重合時に使用する溶媒については特に限定されないが、ATRP重合法の場合、イソプロピルアルコールIPAが好適である。発明者らは種々の検討を行ったところ、まず、温度応答性高分子の原料としてN-イソプロピルアクリルアミドを選択し、原子移動ラジカル重合反応を室温で溶液中で行った場合では、反応溶媒としてジメチルホルムアルデヒドDMF、水、IPAのいずれを選択しても同程度に反応速度が大きいことが分かった。しかしながら、本発明のような固体の基材表面に対しN-イソプロピルアクリルアミドを固定化重合しようとする固相反応の場合では、反応溶媒をIPAとすると、他の2者を選んだときに比べ顕著に反応速度が遅くなることを見出した。また、上述のMacromolecules38,5937-59432005に示されるt-ブチルアルコールでは、室温で固化する場合があり、従って反応温度を室温以上にしなければならず、その結果、反応速度が上昇してしまうことが分かり、本発明には不適当であることが分かった。ここでの知見は、従来技術では全く知られていなかったことであり、本発明によれば、担体への固定化重合は、反応溶媒としてIPAを選択すると高分子鎖の分子量は徐々に増加し、担体表面への高分子鎖の固定化量も徐々に増加することとなる。従って、本発明の方法に従えば、担体表面への高分子鎖を均一に固定化させることができるようになる。さらに、所定の時間で反応を中止することで、反応を中止した時点の固定化状態を有する担体を再現性良く製造できるようになる。また、RAFT重合時に使用する溶媒としては、1,4-ジオキサン、ジメチルホルムアルデヒドDMF等が好適である。この溶媒についても何ら限定されるものではないが、重合反応に使用するモノマー、RAFT剤および重合開始剤の種類によって、適宜、選択できる。本発明は、担体表面に固定化した開始剤より温度応答性高分子をリビングラジカル重合法で被覆固定化するものである。原子移動ラジカル重合法ATRP法の場合、ATRP重合開始剤を固定化し、上述の通り、例えばイソプロピルアルコールを溶媒として、その開始剤から重合触媒下で原子移動ラジカル法により、荷電を有し、0~80°Cの温度範囲内で水和力が変化する高分子を成長反応させる方法であるが、その他の重合時の開始剤濃度、ハロゲン化銅濃度、リガンド錯体濃度、反応温度、反応時間等は特に限定されるものではなく、目的に応じて変更して良い。さらに反応液の状態は静置させても攪拌しても良いが、担体表面に均一に固定化することを考えると後者の方が好ましい。また、可逆的付加-開裂連鎖移動型ラジカル重合法の場合は、RAFT重合開始剤を固定化し、1,4-ジオキサンなどの溶媒を使用して、その開始剤からRAFT剤共存下で表面開始型ラジカル重合法により、0~80°Cの温度範囲内で水和力が変化する高分子を成長反応させる方法であるが、その他の重合時の開始剤濃度、RAFT剤濃度、反応温度、反応時間等は特に限定されるものではなく、目的に応じて変更して良い。さらに反応液の状態は静置させても攪拌しても良いが、担体表面に均一に固定化することを考えると後者の方が好ましい。また、RAFT法により温度応答性高分子を固定化した場合、ATRP法のように金属イオンを使用する必要がなく、温度応答性高分子を固定化した後の基材洗浄の手間がなく好都合である。また、重合条件そのものについてもRAFT法の方が簡便であり好都合である。被覆を施される細胞培養基材の材質は、通常細胞培養に用いられるガラス、改質ガラス、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート等の物質のみならず、一般に形態付与が可能である物質、例えば、上記以外の高分子化合物、セラミックス、金属類など全て用いることができる。その形状は、ペトリ皿等の細胞培養皿に限定されることはなく、プレート、ファイバー、多孔質粒子であってもよい。また、一般に細胞培養等に用いられる容器の形状フラスコ等を有したものであっても差し支えない。本発明で使われる温度応答性高分子は、水溶液中で上限臨界溶解温度または下限臨界溶解温度0°C~80°C、より好ましくは20°C~50°Cを有する。上限臨界溶解温度または下限臨界溶解温度が80°Cを越えると細胞が死滅する可能性があるので好ましくない。また、上限臨界溶解温度または下限臨界溶解温度が0°Cより低いと一般に細胞増殖速度が極度に低下するか、または細胞が死滅してしまうため、やはり好ましくない。本発明に用いる温度応答性高分子は単独重合体、あるいは共重合体のいずれであってもよい。このような高分子としては、例えば、特開平2-211865号公報に記載されている高分子が挙げられる。具体的には、例えば、以下のモノマーの単独重合または共重合によって得られる。使用し得るモノマーとしては、例えば、メタアクリルアミド化合物、N-若しくはN,N-ジアルキル置換メタアクリルアミド誘導体、またはビニルエーテル誘導体が挙げられ、コ高分子の場合は、これらの中で任意の2種以上を使用することができる。更には、上記モノマー以外のモノマー類との共重合、高分子同士のグラフトまたは共重合、あるいは単独重合体と共重合体の混合物を用いてもよい。また、高分子本来の性質を損なわない範囲で架橋することも可能である。その際、培養、剥離されるものが細胞であることから、分離が5°C~50°Cの範囲で行われるため、温度応答性高分子としては、ポリ-N-n-プロピルアクリルアミド単独重合体の下限臨界溶解温度21°C、ポリ-N-n-プロピルメタクリルアミド同27°C、ポリ-N-イソプロピルアクリルアミド同32°C、ポリ-N-イソプロピルメタクリルアミド同43°C、ポリ-N-シクロプロピルアクリルアミド同45°C、ポリ-N-エトキシエチルアクリルアミド同約35°C、ポリ-N-エトキシエチルメタクリルアミド同約45°C、ポリ-N-テトラヒドロフルフリルアクリルアミド同約28°C、ポリ-N-テトラヒドロフルフリルメタクリルアミド同約35°C、ポリ-N,N-エチルメチルアクリルアミド同56°C、ポリ-N,N-ジエチルアクリルアミド同32°Cなどが挙げられる。本発明に用いられる共重合のための高分子としては、ポリアクリルアミド、ポリ-N、N-ジエチルアクリルアミド、ポリ-N、N-ジメチルアクリルアミド、ポリエチレンオキシド、ポリアクリル酸及びその塩、ポリヒドロキシエチルメタクリレート、ポリヒドロキシエチルアクリレート、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、セルロース、カルボキシメチルセルロースなどの含水高分子などが挙げられるが、特に制約されるものではない。本発明においてRAFT剤を使用した表面開始型ラジカル重合法を利用した場合、RAFT剤の構造の一部であるジチオエステル系官能基が生成した高分子の末端に残存することになる。これはRAFT重合法に特徴的な現象であり、重合反応が終了した後、さらにその末端から重合反応を開始させることが可能となる。この特徴を利用することにより、既存の共重合体とは異なりブロック共重合体の表面を作製することも可能となる。その際、温度応答性高分子の末端に存在するジチオエステル系官能基は2-エタノールアミンなどを添加することにより、容易にチオール基に置換される。この反応は特別な条件下で行われる必要はなく、簡便でありまた短時間で進行する。その結果、反応性の高いチオール基を有する高分子鎖を得ることができるため、マレイミド基、チオール基などの官能基を有する機能性分子を選択的、効率的に高分子鎖末端に修飾できる。従って、温度応答性培養基材表面に新たな機能性を付与することが可能となる。その際、官能基の種類については特に限定されるものではないが、例えば、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、カルボニル基、アルデヒド基、スルホン酸基等が挙げられる。また、その高分子鎖末端には細胞接着を促進させるようなペプチドや蛋白質が固定化されていても良い。そして、ポリ-N-イソプロピルアクリルアミドの下限臨界溶解温度LCSTが末端官能基の親水性疎水性に依存して変化することから、本発明のような高分子鎖末端への官能基導入は、基材表面の温度応答性を別の観点から制御する新たな手法としても期待される。本発明の基材とはこうして得られた温度応答性表面の一部のRAFT剤由来の官能基を介して、温度応答性高分子末端から細胞非付着性高分子をさらに固定化したものである。その製造法としては、最終的に上記の構造を有するものであれば何ら制約されるものではないが、例えば、▲1▼基材表面上全体にまず温度応答性領域を作成し、その後、最終的に細胞非付着性領域となる部分をマスクして温度応答性領域を上乗せする方法、或いはその温度応答性領域,細胞非付着性領域を逆にした方法、▲2▼あらかじめ温度応答性領域,細胞非付着性領域の2層を被覆しておき、超音波或は走査型機器によりどちらかの層を削り取る方法、▲3▼細胞非付着性領域をオフセット印刷する方法、等を単独または併用する方法が挙げられる。その中で効率良い方法として、RAFT剤由来の官能基をフォトリソグラフィーの技術によってパターンニングすることにより、ホモポリマーとブロックコポリマーからなるパターン化培養基材を得る方法が挙げられる。ストライプ状にパターン化した高分子ブラシ表面を設計することにより、培養細胞の配向性を制御することが可能となる。温度応答性領域,細胞非付着性領域の2層の形態は、上部から観察して、例えば、▲1▼ラインとスペースからなるパターン、▲2▼水玉模様のパターン、▲3▼格子状のパターン、その他特殊な形のパターン、或いはこれらが混ざっている状態のパターンが挙げられ何ら限定されるものではないが、心筋組織、神経等の細胞が配向した各組織の状態を考え、▲1▼ラインとスペースからなるものが好ましい。温度応答性領域,細胞非付着性領域の2層のそれぞれの大きさは何ら限定されるものではないが、得られた細胞シートを剥離した際、収縮することを考え、ライン状のパターンの基材を使用する場合、細胞が付着する温度応答性領域は500nm以下、好ましくは300nm以下、さらに200nm以下、最も好ましくは100nm以下が良い。細胞が付着する温度応答性領域の幅が500nmより大きいとそのライン上で培養した細胞が配向せず好ましくない。本発明における細胞と親和性の低い細胞非付着性高分子とは、細胞が付着しないものならば何ら制約されるものではないが、例えば、ポリ-N-アクリロイルモルホリン、ポリアクリルアミド、ポリジメチルアクリルアミド、ポリエチレングリコール、セルロース等の親水性高分子、或いはシリコーン高分子、フッ素高分子等の強疎水性高分子等が挙げられる。本発明で得られる温度応答性細胞培養基材表面に対して、使用される細胞は動物細胞であれば良く、その入手先、作製方法は特に限定されるものではない。本発明において使用される細胞は、例えば、動物、昆虫、植物等の細胞、あるいは細菌類の細胞が挙げられる。特に、動物細胞の由来として、ヒト、サル、イヌ、ネコ、ウサギ、ラット、ヌードマウス、マウス、モルモット、ブタ、ヒツジ、チャイニーズハムスター、ウシ、マーモセット、アフリカミドリザル等が挙げられるが特に限定されるものではない。また、本発明で用いる培地は、動物細胞を培養する培地であれば特に限定されないが、例えば、無血清培地、血清含有培地等が挙げられる。そのような培地は、さらにレチノイン酸、アスコルビン酸等の分化誘導物質を添加しても良い。基材表面への播種密度は常法に従えば良く特に限定されるものではない。また、本発明の温度応答性細胞培養基材であれば、培養基材の温度を培養基材上の被覆高分子の上限臨界溶解温度以上若しくは下限臨界溶解温度以下にすることによって培養細胞を酵素処理なく剥離させることができる。その際、培養液中において行うことも、その他の等張液中において行うことも可能であり、目的に合わせて選択することができる。細胞をより早く、より高効率に剥離、回収する目的で、基材を軽くたたいたり、ゆらしたりする方法、更にはピペットを用いて培地を撹拌する方法等を単独で、あるいは併用して用いても良い。本発明に記載される温度応答性細胞培養基材を利用することで、各組織から得られた細胞を効率良く培養できるようになる。この培養方法を利用すれば、温度を変えるだけで損傷なく、効率良く剥離することができるようになる。また、本発明に記載されるパターン化温度応答性細胞培養基材を利用することで、細胞を効率良く任意の方向に配向させることができるようになるため、配向性を有する細胞を剥離することが可能となる。従来、こうした作業には手間と作業者の技術を必要としていたが、本発明であればその必要がなくなり、細胞の大量処理ができるようになる。本発明では、このような培養基材表面をリビングラジカル重合法を利用することで作製されることを示す。特に可逆的付加-開裂連鎖移動型ラジカル重合法に従えば、培養基材表面を簡便に精密に設計でき、続けて分子鎖末端に対して反応を続けることが簡便に行えるため、本発明に記載されるパターン化温度応答性培養基材の作製に極めて有利である。以下に、本発明を実施例に基づいて更に詳しく説明するが、これらは本発明を何ら限定するものではない。ガラス基板を設置したセパラブルフラスコ内にAPTES2.5μLを含む500μLトルエン溶液を添加し、窒素雰囲気下で150°C、20時間反応させ、アミノ基を導入したガラス基板APTES基板を得た。作製したAPTES基板上に重合開始剤V-501を固定化させ、開始剤固定化基板V-501基板を作製した。重合開始剤V-5015.25gと縮合剤EEDQ9.25gの混合溶液中にAPTES基板を浸漬させ、縮合反応25°C、20時間によりV-501を基板に固定化した。RAFT剤0.5mM、NIPAAm1Mを含む1,4-ジオキサン中にV-501基板を浸漬させ、重合反応操作70度、20時間を行った。ジエチルエーテル中に沈殿させ精製したフリーのPIPAAmの分子量MwはGPCにより59000であった。また、FT-IR測定から算出されたPIPAAmのグラフト量は0.41μg/cm2であった。グラフト密度に関しては、上述の方法により得られたフリーPIPAAmの分子量およびPIPAAmのグラフト量から算出した。下記の式から算出された結果、グラフト密度は0.04分子鎖/nm2であった。[グラフト密度分子鎖/nm2=PIPAAmグラフト量g/nm2/PIPAAm分子量×アボガドロ数]PIPAAmグラフト基板にフォトレジストをスピンコートし、ストライプ状50μmに光を露光して、フォトレジストの一部を除去した。マレイミド30mM、亜ジチオン酸ナトリウム1mMおよびエタノールアミン10mMを含むリン酸バッファー中にこの基板を浸漬し窒素雰囲気下、露出したRAFT剤由来のジチオベンゾエート基をマレイミド基で置換した。基板をアセトン中に浸漬し、超音波洗浄することによってすべてのフォトレジストを基板から除去した。重合開始剤1mM、N-アクリロイルモルホリンAcMo1Mを含む1,4-ジオキサン中に末端を一部置換したPIPAAmグラフト基板を浸漬させ、重合反応操作70度、20時間を行った。作製したパターン化PIPAAmグラフト基板上に正常ヒト皮膚線維芽細胞NHDFを播種2x104cells/cm2した結果、細胞の接着が顕微鏡観察により確認された図1。接着細胞は同一の方向に配向性を示しており、通常の培養条件下37°C、5CO2で5日後に配向性を維持した状態でコンフルエントになった図2。この細胞に対して低温処理20°C、5CO2を行い、細胞シートの回収を試みた。その結果、低温処理30分後に細胞シートを回収することに成功した図3。細胞シートは細胞の配向性に依存して異なる収縮率を示したことから、細胞が配向した状態で細胞シートが回収されたことが分かった。ガラス基板を設置したセパラブルフラスコ内にAPTES2.5μLを含む500μLトルエン溶液を添加し、窒素雰囲気下で150°C、20時間反応させ、アミノ基を導入したガラス基板APTES基板を得た。作製したAPTES基板上に重合開始剤V-501を固定化させ、開始剤固定化基板V-501基板を作製した。重合開始剤V-5015.25gと縮合剤EEDQ9.25gの混合溶液中にAPTES基板を浸漬させ、縮合反応25°C、20時間によりV-501を基板に固定化した。RAFT剤0.5mM、NIPAAm1Mを含む1,4-ジオキサン中にV-501基板を浸漬させ、重合反応操作70度、20時間を行った。ジエチルエーテル中に沈殿させ精製したフリーのPIPAAmの分子量MwはGPCにより59000であった。また、FT-IR測定から算出されたPIPAAmのグラフト量は0.41μg/cm2であった。グラフト密度に関しては、上述の方法により得られたフリーPIPAAmの分子量およびPIPAAmのグラフト量から算出した。下記の式から算出された結果、グラフト密度は0.04分子鎖/nm2であった。[グラフト密度分子鎖/nm2=PIPAAmグラフト量g/nm2/PIPAAm分子量×アボガドロ数]PIPAAmグラフト基板にフォトレジストをスピンコートし、ストライプ状100μmに光を露光して、フォトレジストの一部を除去した。マレイミド30mM、亜ジチオン酸ナトリウム1mMおよびエタノールアミン10mMを含むリン酸バッファー中にこの基板を浸漬し窒素雰囲気化、露出したRAFT剤由来のジチオベンゾエート基をマレイミド基で置換した。基板をアセトン中に浸漬し、超音波洗浄することによってすべてのフォトレジストを基板から除去した。重合開始剤1mM、N-アクリロイルモルホリンAcMo1Mを含む1,4-ジオキサン中に末端を一部置換したPIPAAmグラフト基板を浸漬させ、重合反応操作70度、20時間を行った。作製したパターン化PIPAAmグラフト基板上に正常ヒト皮膚線維芽細胞NHDFを播種2x104cells/cm2した結果、接着細胞はPIPAAmブラシ領域のみに接着し、ストライプ状のパターンを形成した図4。細胞の多くはパターン内で配向性を示した。さらに、通常の培養条件下37°C、5CO2で2~3日後にはPIPAAm-b-PAcMoブラシ領域への遊走が確認された。培養5日後にコンフルエント状態まで増殖した細胞は配向性を維持している図5。この細胞に対して低温処理20°C、5CO2を行い、細胞シートの回収を試みた。その結果、低温処理数時間後に細胞シートはある程度剥離し図6、ピペッティングにより細胞シートを回収することに成功した。細胞シートは細胞の配向性に依存して異なる収縮率を示したことから、細胞シートは配向性を維持した状態で剥離したことが分かった。"