"セラミックス基板の一方の面に回路層が形成され、セラミックス基板の他方の面に金属層が形成されてなり、前記回路層の表面に電子部品が搭載されるパワーモジュール用基板であって、前記回路層は、0.2耐力が40MPa以上70MPa以下のアルミニウム又はアルミニウム合金で構成され、前記金属層は、0.2耐力が10MPa以上20MPa以下のアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されており、前記回路層と前記セラミックス基板との間の接合強度が、前記金属層と前記セラミックス基板との間の接合強度よりも低く設定されていることを特徴とするパワーモジュール用基板。前記回路層と前記セラミックス基板との間のピーリング強度が、100N/cm以上150N/cm以下とされており、前記金属層と前記セラミックス基板との間のピーリング強度が、150N/cm以上とされていることを特徴とする請求項1に記載のパワーモジュール用基板。前記回路層の厚さが、0.1mm以上0.25mm以下とされていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のパワーモジュール用基板。請求項1から請求項3のいずれか一項に記載されたパワーモジュール用基板を製造するパワーモジュール用基板の製造方法であって、前記回路層となる金属板と前記セラミックス基板とを接合する回路層接合工程と、前記金属層となる金属板と前記セラミックス基板とを接合する金属層接合工程と、を有し、前記回路層接合工程では、温度590°C以上630°C以下、荷重1kgf/cm2以上15kgf/cm2以下の条件で接合を行い、前記金属層接合工程では、温度600°C以上655°C以下、荷重3kgf/cm2以上30kgf/cm2以下の条件で接合を行うことを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。前記回路層接合工程では、Al-Si系又はAl-Ge系のろう材を用いて接合する構成とされ、前記金属層接合工程では、Al-Cu系又はAl-Ag系のろう材を用いて接合することを特徴とする請求項4に記載のパワーモジュール用基板の製造方法。請求項1から請求項3のいずれか一項に記載されたパワーモジュール用基板を製造するパワーモジュール用基板の製造方法であって、前記回路層となる金属板と前記セラミックス基板とを接合する回路層接合工程と、前記金属層となる金属板と前記セラミックス基板とを接合する金属層接合工程と、を有し、前記回路層接合工程では、Al-Si系又はAl-Ge系のろう材を用いて接合する構成とされ、前記金属層接合工程は、前記金属層となる金属板及び前記セラミックス基板の接合面の少なくとも一方にCuを固着してCu固着層を形成するCu固着工程と、前記Cu固着層を介して、前記セラミックス基板と前記金属板とを積層する積層工程と、積層された前記セラミックス基板と前記金属板を積層方向に加圧するとともに加熱し、前記セラミックス基板と前記金属板との界面に溶融金属領域を形成する加熱工程と、この溶融金属領域を凝固させることによって、前記セラミックス基板と前記金属板とを接合する凝固工程と、を有することを特徴とする請求項4に記載のパワーモジュール用基板の製造方法。前記Cu固着工程では、Cuに加えて、Si,Zn,Ge,Ag,Mg,Ca及びLiから選択される1種又は2種以上の添加元素を固着することを特徴とする請求項6に記載のパワーモジュール用基板の製造方法。請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板と、このパワーモジュール用基板を冷却するヒートシンクと、を備えたことを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール基板。請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板と、このパワーモジュール用基板上に搭載される電子部品と、を備えたことを特徴とするパワーモジュール。ところで、回路層を純度が99.99以上4Nアルミニウム等の比較的変形抵抗の小さなアルミニウムで構成した場合、熱サイクルを負荷した際に、回路層の表面にうねりやシワが発生してしまうといった問題があった。このように回路層の表面にうねりやシワが発生すると、はんだ層にクラックが発生してしまうため、パワーモジュールの信頼性が低下することになる。特に、最近では、環境負荷の観点から、はんだ層として、Sn-Ag系、Sn-Cu系の鉛フリーはんだ材が使用されることが多くなっている。これらの鉛フリーはんだ材は、従来のSn-Pb系はんだ材に比べて変形抵抗が大きいため、回路層のうねりやシワによって、はんだ層にクラックが生じやすい傾向にある。また、最近は、パワーモジュールの小型化薄肉化が進められるとともに、その使用環境も厳しくなってきており、半導体素子等の電子部品からの発熱量が大きくなっているため、熱サイクルの温度差が大きく、回路層の表面にうねりやシワが発生しやすい傾向にある。この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、回路層の表面にうねりやシワが発生することを抑制でき、はんだ層におけるクラックの発生を防止できるパワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板の製造方法、このパワーモジュール用基板を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュールを提供することを目的とする。このような課題を解決して、前記目的を達成するために、本発明のパワーモジュール用基板は、セラミックス基板の一方の面に回路層が形成され、セラミックス基板の他方の面に金属層が形成されてなり、前記回路層の表面に電子部品が搭載されるパワーモジュール用基板であって、前記回路層は、0.2耐力が40MPa以上70MPa以下のアルミニウム又はアルミニウム合金で構成され、前記金属層は、0.2耐力が10MPa以上20MPa以下のアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されており、前記回路層と前記セラミックス基板との間の接合強度が、前記金属層と前記セラミックス基板との間の接合強度よりも低く設定されていることを特徴としている。この構成のパワーモジュール用基板によれば、回路層が、0.2耐力が40MPa以上70MPa以下のアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されているので、回路層の変形抵抗が大きく、熱サイクル負荷時におけるうねりやシワの発生を抑制することが可能となる。また、金属層が、0.2耐力が10MPa以上20MPa以下のアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されているので、金属層とセラミックス基板との熱膨張係数の差に起因する熱歪みを、金属層によって十分に吸収することができ、金属層とセラミックス基板との間の接合信頼性を向上させることができる。なお、上述のように回路層の変形抵抗が大きいことから、熱サイクル負荷時において回路層が変形しにくく、セラミックス基板と回路層との熱膨張係数の差に起因する熱歪みを十分に吸収することができない。そこで、本発明においては、回路層とセラミックス基板との間の接合強度を、金属層とセラミックス基板との間の接合強度よりも低く設定している。これにより、回路層がセラミックス基板に強固に拘束されなくなり、セラミックス基板と回路層との熱膨張係数の差に起因する熱歪みの発生を抑制することができる。また、上述のように金属層が熱歪みを十分に吸収することが可能であることから、金属層がセラミックス基板に拘束されても、接合界面に亀裂等が発生することが抑制される。ここで、回路層の0.2耐力が40MPa以上とされているので、回路層におけるうねりやシワの発生を確実に抑制することができる。また、回路層の0.2耐力が70MPa以下とされているので、回路層の変形抵抗が必要以上に大きくならず、接合界面に大きなせん断力が作用することを防止できる。さらに、金属層の0.2耐力が10MPa以上とされているので、金属層自体の剛性が確保され、大きく変形することを防止できる。また、金属層の0.2耐力が20MPa以下とされているので、熱歪みを確実に吸収することができる。本発明のパワーモジュール用基板において、前記回路層と前記セラミックス基板との間のピーリング強度が、100N/cm以上150N/cm以下とされており、前記金属層と前記セラミックス基板との間のピーリング強度が、150N/cm以上とされていてもよい。この場合、ピーリング強度を用いて、前記回路層と前記セラミックス基板との間の接合強度及び前記金属層と前記セラミックス基板との間の接合強度を規定している。なお、本発明におけるピーリング強度は、長さ100mm、幅5mmのサイズのアルミニウム板回路層及び金属層を用いて、JISC6471に規定される方法に従って、短辺の端から回路層及び金属層を剥離し、その応力を測定したものである。なお、引き剥がし角度を90°、引き剥がし速度を50mm/minとしている。そして、前記回路層と前記セラミックス基板との間のピーリング強度が、100N/cm以上とされているので、回路層とセラミックス基板とを確実に接合することが可能となる。また、前記回路層と前記セラミックス基板との間のピーリング強度が、150N/cm以下とされているので、回路層がセラミックス基板に強固に拘束されず、熱歪みの発生を抑制することができる。さらに、前記金属層と前記セラミックス基板との間のピーリング強度が、150N/cm以上とされているので、金属層とセラミックス基板とを確実に接合することが可能となる。なお、前記金属層と前記セラミックス基板との間のピーリング強度が強くても、金属層自体が変形し易いので、接合界面近傍において亀裂等が発生することを防止できる。前記回路層の厚さが、0.1mm以上0.25mm以下とされた構成としてもよい。この場合、回路層の厚さが0.1mm以上とされているので、導電性を確保することができ、半導体素子と電気的に接続することができる。また、回路層の厚さが0.25mm以下とされているので、回路層全体の剛性が必要以上に高くならず、セラミックス基板の割れ等を防止することができる。本発明のパワーモジュール用基板の製造方法は、前述のパワーモジュール用基板を製造するパワーモジュール用基板の製造方法であって、前記回路層となる金属板と前記セラミックス基板とを接合する回路層接合工程と、前記金属層となる金属板と前記セラミックス基板とを接合する金属層接合工程と、を有し、前記回路層接合工程では、温度590°C以上630°C以下、荷重1kgf/cm2以上15kgf/cm2以下の条件で接合を行い、前記金属層接合工程では、温度600°C以上655°C以下、荷重3kgf/cm2以上30kgf/cm2以下の条件で接合を行うことを特徴としている。この構成のパワーモジュール用基板の製造方法によれば、回路層接合工程における接合条件が温度590°C以上630°C以下、荷重1kgf/cm2以上15kgf/cm2以下とされ、金属層接合工程における接合条件が、温度600°C以上655°C以下、荷重3kgf/cm2以上30kgf/cm2以下とされているので、前記回路層と前記セラミックス基板との間の接合強度を、前記金属層と前記セラミックス基板との間の接合強度よりも低く設定することができる。なお、このような接合条件を実現するために、回路層を、液相線温度が635°C以上658°C以下のアルミニウム又はアルミニウム合金で構成し、金属層を、液相線温度が643°C以上661°C以下のアルミニウム又はアルミニウム合金で構成することが好ましい。また、回路層接合工程における温度及び荷重と、金属層接合工程における温度及び荷重が重なる場合には、回路層接合工程と金属層接合工程と同時に実施することも可能となる。上述のパワーモジュール用基板の製造方法において、前記回路層接合工程では、Al-Si系又はAl-Ge系のろう材を用いて接合する構成とされ、前記金属層接合工程では、Al-Cu系又はAl-Ag系のろう材を用いて接合する構成としてもよい。この場合、Al―Si系又はAl-Ge系のろう材は、Al-Cu系又はAl-Ag系のろう材に比べて接合強度が低くなる傾向にある。よって、前記回路層と前記セラミックス基板との間の接合強度を、前記金属層と前記セラミックス基板との間の接合強度よりも低く設定することができる。本発明のパワーモジュール用基板の製造方法は、前述のパワーモジュール用基板を製造するパワーモジュール用基板の製造方法であって、前記回路層となる金属板と前記セラミックス基板とを接合する回路層接合工程と、前記金属層となる金属板と前記セラミックス基板とを接合する金属層接合工程と、を有し、前記回路層接合工程では、Al-Si系又はAl-Ge系のろう材を用いて接合する構成とされ、前記金属層接合工程は、前記金属層となる金属板及び前記セラミックス基板の接合面の少なくとも一方にCuを固着してCu固着層を形成するCu固着工程と、前記Cu固着層を介して、前記セラミックス基板と前記金属板とを積層する積層工程と、積層された前記セラミックス基板と前記金属板を積層方向に加圧するとともに加熱し、前記セラミックス基板と前記金属板との界面に溶融金属領域を形成する加熱工程と、この溶融金属領域を凝固させることによって、前記セラミックス基板と前記金属板とを接合する凝固工程と、を有することを特徴としている。この構成のパワーモジュール用基板の製造方法によれば、回路層とセラミックス基板との接合がAl―Si系又はAl-Ge系のろう材によって接合され、金属層とセラミックス基板との接合は、Cuを用いた液相拡散接合によって接合されることになる。ここで、Cuはアルミニウムの強度を大幅に向上させる効果を有することから、金属層の接合界面近傍の強度が向上し、金属層とセラミックス基板との接合強度が高くなる。よって、前記回路層と前記セラミックス基板との間の接合強度を、前記金属層と前記セラミックス基板との間の接合強度よりも低く設定することができる。上述のパワーモジュール用基板の製造方法において、前記Cu固着工程では、Cuに加えて、Si,Zn,Ge,Ag,Mg,Ca及びLiから選択される1種又は2種以上の添加元素を固着する構成としてもよい。前述の添加元素は、アルミニウムの融点を低下させるものであることから、比較的低温の条件下で、金属層とセラミックス基板とを確実に接合することができる。本発明のヒートシンク付パワーモジュール用基板は、前述のパワーモジュール用基板と、このパワーモジュール用基板を冷却するヒートシンクと、を備えたことを特徴としている。この構成のヒートシンク付パワーモジュール用基板によれば、パワーモジュール用基板を冷却するヒートシンクを備えているので、パワーモジュール用基板をヒートシンクによって効率的に冷却することができる。本発明のパワーモジュールは、前述のパワーモジュール用基板と、このパワーモジュール用基板上に搭載される電子部品と、を備えたことを特徴としている。この構成のパワーモジュールによれば、セラミックス基板と回路層との接合強度が高く、かつ、回路層と半導体素子との間に形成されたはんだ層におけるクラックの発生を抑制できるので、使用環境が厳しい場合であっても、その信頼性を飛躍的に向上させることが可能となる。本発明によれば、回路層の表面にうねりやシワが発生することを抑制でき、はんだ層におけるクラックの発生を防止できるパワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板の製造方法、このパワーモジュール用基板を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュールを提供することができる。以下に、本発明の実施形態について添付した図面を参照して説明する。図1に、本発明の第1の実施形態であるパワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを示す。このパワーモジュール1は、回路層12が配設されたパワーモジュール用基板10と、回路層12の表面にはんだ層2を介して接合された半導体素子3と、ヒートシンク40とを備えている。ここで、はんだ層2は、例えばSn-Ag系、Sn-In系、若しくはSn-Ag-Cu系のはんだ材いわゆる無鉛はんだ材とされている。なお、本実施形態では、回路層12とはんだ層2との間にNi膜図示なしが設けられている。ヒートシンク40は、半導体素子3が搭載されるパワーモジュール用基板10を冷却するためのものであり、図1に示すように、天板部41と、冷却媒体例えば冷却水を流通するための流路42とを備えている。ヒートシンク40天板部41は、熱伝導性が良好な材質で構成されることが望ましく、本実施形態においては、A6063アルミニウム合金で構成されている。パワーモジュール用基板10は、図1に示すように、セラミックス基板11と、このセラミックス基板11の一方の面図1において上面に配設された回路層12と、セラミックス基板11の他方の面図1において下面に配設された金属層13と、を備えている。セラミックス基板11は、回路層12と金属層13との間の電気的接続を防止するものであって、絶縁性の高いAlN窒化アルミで構成されている。また、セラミックス基板11の厚さt0は、0.2mm≦t0≦1.5mmの範囲内に設定されており、本実施形態では、t0=0.635mmに設定されている。また、このセラミックス基板11の曲げ強度は400MPa以上とされている。回路層12は、図3に示すように、セラミックス基板11の一方の面図3において上面に、導電性を有する金属板22が接合されることにより形成されている。そして、回路層12は、純度が98質量以下で、0.2耐力が40MPa以上70MPa以下のアルミニウム又はアルミニウム合金の圧延板からなる金属板22が、セラミックス基板11に接合されることにより形成されている。本実施形態では、金属板22は、A3003合金の圧延板とされている。そして、回路層12の厚さt1は、0.1mm≦t1≦0.25mmの範囲内に設定されており、本実施形態では、t1=0.2mmに設定されている。金属層13は、図3に示すように、セラミックス基板11の他方の面図3において下面に、金属板23が接合されることにより形成されている。この金属層13は、純度が99質量以上で、0.2耐力が10MPa以上20MPa以下のアルミニウム又はアルミニウム合金の圧延板からなる金属板23が、セラミックス基板11に接合されることにより形成されている。本実施形態では、金属板23は、純度が99.99質量以上のアルミニウムいわゆる4Nアルミニウムの圧延板とされている。そして、金属層13の厚さt2は、0.25mm≦t2≦3.6mmの範囲内に設定されており、本実施形態では、t2=2.0mmに設定されている。そして、回路層12とセラミックス基板11との接合強度が、金属層13とセラミックス基板11との接合強度よりも低く設定されている。具体的には、回路層12とセラミックス基板11との間のピーリング強度PF1が、100N/cm≦PF1≦150N/cmとされ、金属層13とセラミックス基板11との間のピーリング強度PF2が、PF2≧150N/cmとされており、さらに、PF1<PF2とされている。なお、本実施形態におけるピーリング強度は、長さ100mm、幅5mm、厚さ0.6mmのA3003合金からなるアルミニウム板回路層12、及び、長さ100mm、幅5mm、厚さ1.3mmの4Nアルミニウムからなるアルミニウム板金属層13を用いて、JISC6471に規定される方法に従って、短辺の端から回路層12及び金属層13をセラミックス基板11から剥離し、その応力を測定したものである。なお、引き剥がし角度を90°、引き剥がし速度を50mm/minとした。以下に、前述の構成のパワーモジュール用基板10の製造方法について、図2及び図3を参照して説明する。金属層接合工程S01まず、図3に示すように、セラミックス基板11と金属層13となる金属板23とを、ろう材25を介して接合する。本実施形態では、ろう材25として、Al-10質量Cuからなる厚さ80~100μmのろう材箔を用いている。積層されたセラミックス基板11と金属板23とを積層方向に荷重3~5kgf/cm2をかけた状態で真空加熱炉内に装入して加熱し、セラミックス基板11と金属板23との界面に溶融金属領域を形成する。ここで、本実施形態では、真空加熱炉内の圧力は10-6Pa以上10-3Pa以下の範囲内に、加熱温度は640°C以上650°C以下の範囲内に設定している。そして、これを冷却することによって、セラミックス基板11と金属板23との界面に形成された溶融金属領域を凝固し、セラミックス基板11と金属板23とを接合する。回路層接合工程S02次に、図3に示すように、回路層12となる金属板22とセラミックス基板11とを、ろう材24を介して接合する。本実施形態では、ろう材24として、Al-7.5質量Siからなる厚さ5~15μmのろう材箔を用いている。積層された金属板22とセラミックス基板11とを積層方向に荷重1.5~2.5kgf/cm2をかけた状態で真空加熱炉内に装入して加熱し、金属板22とセラミックス基板11との界面に溶融金属領域を形成する。ここで、本実施形態では、真空加熱炉内の圧力は10-6Pa以上10-3Pa以下の範囲内に、加熱温度は620°C以上630°C以下の範囲内に設定している。そして、これを冷却することによって、金属板22とセラミックス基板11との界面に形成された溶融金属領域を凝固し、金属板22とセラミックス基板11とを接合する。このようにして、本実施形態であるパワーモジュール用基板10が製出される。ヒートシンク接合工程S03次に、パワーモジュール用基板11とヒートシンク40とを接合する。このヒートシンク接合工程S03においては、ヒートシンク40の接合面に、Agペーストを塗布して、150~200°Cで乾燥した後に300~500°Cで焼成を行うことによりAg層を形成する。なお、Agペーストの厚さは、乾燥後で約0.02~200μmとした。また、Ag層におけるAg量は、0.01mg/cm2以上10mg/cm2以下に設定されている。ここで使用されるAgペーストは、Ag粉末と、樹脂と、溶剤と、分散剤と、を含有し、Ag粉末の含有量が、Agペースト全体の60質量以上90質量以下とされており、残部が樹脂、溶剤、分散剤とされている。なお、本実施形態では、Ag粉末の含有量は、Agペースト全体の85質量とされている。また、本実施形態では、Agペーストの粘度が10Pas以上500Pas以下、より好ましくは50Pas以上300Pas以下に調整されている。Ag粉末は、その粒径が0.05μm以上1.0μm以下とされており、本実施形態では、平均粒径0.8μmのものを使用した。溶剤は、沸点が200°C以上のものが適しており、例えば、α-テルピネオール、ブチルカルビトールアセテート、ジエチレンクリコールジブチルエーテル等を適用することができる。なお、本実施形態では、ジエチレンクリコールジブチルエーテルを用いている。樹脂は、Agペーストの粘度を調整するものであり、500°C以上で分解されるものが適しており、例えば、アクリル樹脂、アルキッド樹脂等を適用することができる。なお、本実施形態では、エチルセルロースを用いている。また、本実施形態では、ジカルボン酸系の分散剤を添加している。なお、分散剤を添加することなくAgペーストを構成してもよい。次に、パワーモジュール用基板10とヒートシンク40とを積層し、積層方向に加圧圧力1~35kgf/cm2した状態で真空加熱炉内に装入して加熱し、パワーモジュール用基板10の金属層13とヒートシンク40との間に溶融金属領域を形成する。この溶融金属領域は、Ag層のAgが金属層13側及びヒートシンク40側に拡散することによって、金属層13及びヒートシンク40のAg層近傍のAg濃度が上昇して融点が低くなることにより形成されるものである。ここで、本実施形態では、真空加熱炉内の圧力は10-6Pa以上10-3Pa以下の範囲内に、加熱温度は600°C以上630°C以下の範囲内に設定している。次に、溶融金属領域が形成された状態で温度を一定に保持しておく。すると、溶融金属領域中のAgが、さらに金属層13側及びヒートシンク40側へと拡散していくことになる。これにより、溶融金属領域であった部分のAg濃度が徐々に低下していき融点が上昇することになり、温度を一定に保持した状態で凝固が進行していくことになる。つまり、ヒートシンク40と金属層13とは、いわゆる液相拡散接合TransientLiquidPhaseDiffusionBondingによって接合されているのである。半導体素子接合工程S04この半導体素子接合工程S04においては、回路層12の一面側にNi膜を形成し、このNi膜の上に、はんだ材を介して半導体素子3を載置し、還元炉内においてはんだ接合する。これにより、はんだ層2を介して半導体素子3がパワーモジュール用基板10上に接合され、本実施形態であるパワーモジュール1が製出されることになる。以上のような構成とされた本実施形態のパワーモジュール用基板10及びパワーモジュール1によれば、回路層12が、0.2耐力が40MPa以上70MPa以下のアルミニウム又はアルミニウム合金で構成され、具体的にはA3003合金で構成されているので、回路層12の変形抵抗が大きくなり、熱サイクル負荷時におけるうねりやシワの発生を抑制することが可能となる。よって、鉛フリーはんだ材からなるはんだ層2にクラックが発生することが防止され、熱抵抗の上昇を抑えることができる。なお、回路層12の0.2耐力が40MPa以上とされているので、回路層12におけるうねり及びシワの発生を確実に抑制することができる。また、回路層12の0.2耐力が70MPa以下とされているので、回路層12の変形抵抗が必要以上に大きくならず、セラミックス基板11に大きな曲げ応力が作用することを防止できる。一方、金属層13が、0.2耐力が10MPa以上20MPa以下のアルミニウム又はアルミニウム合金で構成され、具体的には4Nアルミニウムで構成されているので、セラミックス基板11と金属層13との熱膨張係数の差に起因する熱歪みを、金属層13によって十分に吸収することができ、金属層13とセラミックス基板11との間の接合信頼性を向上させることができる。また、セラミックス基板11に大きな曲げ応力が作用することを防止できる。なお、金属層13の0.2耐力が10MPa以上とされているので、金属層13自体の強度が確保され、大きく変形することを防止できる。また、金属層13の0.2耐力が20MPa以下とされているので、熱歪みを確実に吸収することができる。そして、本実施形態においては、回路層12とセラミックス基板11との接合強度が、セラミックス基板11と金属層13との接合強度よりも低く設定されており、具体的には、回路層12とセラミックス基板11との間のピーリング強度PF1が100N/cm≦PF1≦150N/cmとされ、金属層13とセラミックス基板11との間のピーリング強度PF2が、PF2≧150N/cmとされており、さらに、PF1<PF2とされている。これにより、回路層12がセラミックス基板11に強固に拘束されなくなり、セラミックス基板11と回路層12との熱膨張係数の差に起因する熱歪みの発生を抑制することができる。また、金属層13が熱歪みを十分に吸収することが可能であることから、金属層13がセラミックス基板11に強固に拘束されても、接合界面に亀裂等が発生することが抑制される。さらに、セラミックス基板11に作用する曲げ応力を小さくすることができ、セラミックス基板11の割れを防止できる。また、本実施形態では、回路層12の厚さt1が、0.1mm≦t1≦0.25mmの範囲内に設定されており、具体的にはt1=0.2mmに設定されているので、導電性を確保することができるとともに、回路層12全体の剛性が必要以上に高くならず、セラミックス基板11に大きな曲げ応力が作用することがなく、セラミックス基板11の割れ等を防止することができる。さらに、本実施形態では、セラミックス基板11がAlNで構成され、その厚さt0がt0=0.635mmに設定され、かつ、セラミックス基板11の曲げ強度は400MPa以上とされているので、A3003合金からなる金属板22を接合して回路層12を形成した場合であっても、セラミックス基板11に割れが発生することを防止できる。本実施形態であるパワーモジュール用基板においては、はんだ層2におけるクラックの発生が抑制され、かつ、回路層12とセラミックス基板11、セラミックス基板11と金属層13とが確実に接合され、セラミックス基板11の割れが防止されていることから、信頼性に優れたパワーモジュール1を構成することができる。また、本実施形態であるパワーモジュール用基板10の製造方法によれば、金属層接合工程S01において、ろう材としてAl-10質量Cuを用いており、接合条件が、温度600°C以上655°C以下、荷重3kgf/cm2以上30kgf/cm2以下とされており、回路層接合工程S02において、ろう材としてAl-7.5質量Siを用いており、接合条件が温度590°C以上630°C以下、荷重1kgf/cm2以上15kgf/cm2以下されているので、回路層12とセラミックス基板11との間の接合強度を、金属層13とセラミックス基板11との間の接合強度よりも低く設定することができる。次に、本発明の第2の実施形態について説明する。図4に、本発明の第2の実施形態であるパワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを示す。このパワーモジュール101は、回路層112が配設されたパワーモジュール用基板110と、回路層112の表面にはんだ層102を介して接合された半導体素子103と、ヒートシンク140とを備えている。ここで、はんだ層102は、例えばSn-Ag系、Sn-In系、若しくはSn-Ag-Cu系のはんだ材いわゆる無鉛はんだ材とされている。なお、本実施形態では、回路層112とはんだ層102との間にNi膜図示なしが設けられている。ヒートシンク140は、半導体素子103が搭載されるパワーモジュール用基板110を冷却するためのものである。本実施形態では、図4に示すように、熱伝導性が良好なA6063アルミニウム合金で構成された放熱板とされている。なお、ヒートシンク140の厚さt3は、3mm≦t3≦10mmの範囲内に設定されており、具体的にはt3=5mmに設定されているパワーモジュール用基板110は、図4に示すように、セラミックス基板111と、このセラミックス基板111の一方の面図4において上面に配設された回路層112と、セラミックス基板111の他方の面図4において下面に配設された金属層113と、を備えている。セラミックス基板111は、回路層112と金属層113との間の電気的接続を防止するものであって、絶縁性の高いSi3N4窒化珪素で構成されている。また、セラミックス基板111の厚さt0は、0.2mm≦t0≦1.0mmの範囲内に設定されており、本実施形態では、t0=0.32mmに設定されている。また、このセラミックス基板111の曲げ強度は600MPa以上とされている。回路層112は、図7に示すように、セラミックス基板111の一方の面図7において上面に、導電性を有する金属板122が接合されることにより形成されている。そして、回路層112は、純度が98質量以下で、0.2耐力が40MPa以上70MPa以下のアルミニウム又はアルミニウム合金の圧延板からなる金属板122が、セラミックス基板111に接合されることにより形成されている。本実施形態では、金属板122は、A6063合金の圧延板とされている。そして、回路層112の厚さt1は、0.1mm≦t1≦0.25mmの範囲内に設定されており、本実施形態では、t1=0.2mmに設定されている。金属層113は、図7に示すように、セラミックス基板111の他方の面図7において下面に、金属板123が接合されることにより形成されている。この金属層113は、純度が99質量以上で、0.2耐力が10MPa以上20MPa以下のアルミニウム又はアルミニウム合金の圧延板からなる金属板123が、セラミックス基板111に接合されることにより形成されている。本実施形態では、金属板123は、純度が99質量以上のアルミニウムいわゆる2Nアルミニウムの圧延板とされている。そして、金属層113の厚さt2は、0.2mm≦t2≦2.0mmの範囲内に設定されており、本実施形態では、t2=1.5mmに設定されている。また、本実施形態においては、図5に示すように、セラミックス基板111と金属層113金属板123との接合界面において、金属層113金属板123にCuが固溶している。金属層113の接合界面近傍には、接合界面から積層方向に離間するにしたがい漸次Cu濃度が低下する濃度傾斜層132が形成されている。ここで、金属層113の接合界面近傍のCu濃度が0.05質量以上5質量以下の範囲内に設定されている。なお、金属層113の接合界面近傍のCu濃度は、EPMA分析スポット径30μmによって、接合界面から50μmの位置で5点測定した平均値である。また、図5のグラフは、金属層113金属板123の中央部分において積層方向にライン分析を行い、前述の50μm位置での濃度を基準として求めたものである。そして、回路層112とセラミックス基板111との接合強度が、金属層113とセラミックス基板111との接合強度よりも低く設定されている。具体的には、回路層112とセラミックス基板111との間のピーリング強度PF1が、100N/cm≦PF1≦150N/cmとされ、金属層113とセラミックス基板111との間のピーリング強度PF2が、PF2≧150N/cmとされており、さらに、PF1<PF2とされている。なお、本実施形態におけるピーリング強度は、長さ100mm、幅5mm、厚さ0.6mmのA6063合金からなるアルミニウム板回路層112、及び、長さ100mm、幅5mm、厚さ1.3mmの2Nアルミニウムからなるアルミニウム板金属層113を用いて、JISC6471に規定される方法に従って、短辺の端から回路層112及び金属層113をセラミックス基板111から剥離し、その応力を測定したものである。なお、引き剥がし角度を90°、引き剥がし速度を50mm/minとした。以下に、前述の構成のパワーモジュール用基板110の製造方法について、図6から図8を参照して説明する。回路層接合工程S101まず、図7に示すように、回路層112となる金属板122とセラミックス基板111とを、ろう材124を介して接合する。本実施形態では、ろう材124として、Al-7.5質量Siからなる厚さ5~15μmのろう材箔を用いている。積層された金属板122とセラミックス基板111とを積層方向に荷重圧力1.5~2.5kgf/cm2をかけた状態で真空加熱炉内に装入して加熱し、金属板122とセラミックス基板111との界面に溶融金属領域を形成する。ここで、本実施形態では、真空加熱炉内の圧力は10-6Pa以上10-3Pa以下の範囲内に、加熱温度は630°C以上640°C以下の範囲内に設定している。そして、これを冷却することによって、金属板122とセラミックス基板111との界面に形成された溶融金属領域を凝固し、金属板122とセラミックス基板111とを接合する。金属層接合工程S102次に、金属層113となる金属板123の一面に、スパッタリングによってCuを固着してCu層125を形成するCu固着工程。Cu層125におけるCu量は、0.08mg/cm2以上2.7mg/cm2以下に設定されている。金属板123をセラミックス基板111の他方の面側に積層する積層工程。このとき、図7に示すように、金属板123のCu層125が形成された面がセラミックス基板111を向くように、金属板123を積層する。次に、セラミックス基板111、金属板123を積層方向に荷重圧力9~13kgf/cm2をかけた状態で真空加熱炉内に装入して加熱し、セラミックス基板111と金属板123との界面にそれぞれ溶融金属領域128を形成する加熱工程。ここで、溶融金属領域128は、図8に示すように、Cu層125のCuが金属板123に向けて拡散することによって、金属板123のCu層125近傍のCu濃度が上昇して融点が低くなることにより形成されるものである。ここで、本実施形態では、真空加熱炉内の圧力は10-6Pa以上10-3Pa以下の範囲内に、加熱温度は620°C以上630°C以下の範囲内に設定している。次に、溶融金属領域128が形成された状態で温度を一定に保持しておく。すると、溶融金属領域128中のCuが、さらに金属板123側へと拡散していくことになる。これにより、溶融金属領域128であった部分のCu濃度が徐々に低下していき融点が上昇することになり、温度を一定に保持した状態で凝固が進行していくことになる凝固工程。つまり、セラミックス基板111と金属板123とは、いわゆる液相拡散接合TransientLiquidPhaseDiffusionBondingによって接合されているのである。ヒートシンク接合工程S103次に、パワーモジュール用基板111とヒートシンク140とを接合する。このヒートシンク接合工程S103においては、ヒートシンク140の接合面に、Agをスパッタリングによって固着することによりAg層を形成する。なお、Ag層におけるAg量は、00.08mg/cm2以上5.4mg/cm2以下に設定されている。パワーモジュール用基板111とヒートシンク140とを積層し、積層方向に加圧圧力1~35kgf/cm2した状態で、雰囲気加熱炉内に装入して加熱し、金属層113とヒートシンク140との間に溶融金属領域を形成する。このとき、Ag層のAgが金属層113及びヒートシンク140に向けて拡散し、Ag層近傍のAg濃度が上昇して融点が低くなることにより、溶融金属領域が形成される。ここで、本実施形態では、雰囲気加熱炉内は、窒素ガス雰囲気とされており、加熱温度は550°C以上620°C以下の範囲内に設定している。そして、溶融金属領域が形成された状態で温度を一定に保持しておく。すると、溶融金属領域中のAgが、さらに金属層113側及びヒートシンク140側へと拡散していくことになる。これにより、溶融金属領域であった部分のAg濃度が徐々に低下していき融点が上昇することになり、温度を一定に保持した状態で凝固が進行していくことになる。つまり、金属層113とヒートシンク140とは、いわゆる液相拡散接合TransientLiquidPhaseDiffusionBondingによって接合されているのである。半導体素子接合工程S104この半導体素子接合工程S104においては、回路層112の一面側にNi膜を形成し、このNi膜の上に、はんだ材を介して半導体素子103を載置し、還元炉内においてはんだ接合する。これにより、はんだ層102を介して半導体素子103がパワーモジュール用基板110上に接合され、本実施形態であるパワーモジュール101が製出されることになる。以上のような構成とされた本実施形態のパワーモジュール用基板110及びパワーモジュール101によれば、回路層112がA6063合金で構成され、金属層113が2Nアルミニウムで構成されているので、第1の実施形態と同様に、回路層112のうねり及びシワの発生が抑制され、はんだ層102におけるクラックの発生を抑制することができる。また、本実施形態では、セラミックス基板111と金属層113との接合界面において、金属層113にCuが固溶しているので、金属層113のうちセラミックス基板111との接合界面近傍部分の強度を向上させることができる。また、金属層113のうちセラミックス基板111との接合界面近傍におけるCu濃度が0.05質量以上とされているので、金属層113の接合界面側部分を確実に強化することができ、金属層113における亀裂の発生を防止できる。また、金属層113のうちセラミックス基板111との接合界面近傍におけるCu濃度が5質量以下とされているので、金属層113の接合界面の強度が必要以上に高くなることを防止できる。よって、このパワーモジュール用基板110に冷熱サイクルが負荷された際の熱応力を金属層113で吸収することができ、セラミックス基板111の割れ等を防止できる。また、本実施形態においては、回路層112とセラミックス基板111との接合がAl―7.5質量Siのろう材によって接合され、セラミックス基板111と金属層113との接合は、Cuを用いた液相拡散接合によって接合されている。ここで、Cuはアルミニウムの強度を大幅に向上させる効果を有することから、金属層113の接合界面近傍の強度が向上し、金属層113とセラミックス基板111との接合強度が高くなる。よって、回路層112とセラミックス基板111との間の接合強度を、金属層113とセラミックス基板111との間の接合強度よりも低く設定することができる。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、セラミックス基板として、AlN、Si3N4を例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、高強度Al2O3等の他のセラミックス基板を用いてもよい。なお、セラミックス基板の厚さが0.2mmから0.4mmまでの場合には、曲げ強度が600MPa以上、セラミックス基板の厚さが0.4mmを超えて1.5mmまでの場合には、曲げ強度が400MPa以上であることが好ましい。また、回路層を構成するアルミニウム材料として、A3003合金、A6063合金を例に挙げて説明したが、これに限定されることはない。0.2耐力が40MPa以上70MPa以下であれば、他のアルミニウム及びアルミニウム合金であってもよい。同様に、金属層を構成するアルミニウム材料として、4Nアルミ、2Nアルミを例に挙げて説明したが、これに限定されることはない。0.2耐力が10MPa以上20MPa以下であれば、他のアルミニウム及びアルミニウム合金であってもよいまた、ヒートシンクをアルミニウム合金で構成したものとして説明したが、他の材料で構成されたものであってもよい。さらに、ヒートシンクの構造に特に限定はなく、種々の構成のヒートシンクを用いることができる。さらに、パワーモジュール用基板を構成した後にヒートシンクと接合するものとして説明したが、これに限定されることはなく、回路層とセラミックス基板との接合、セラミックス基板と金属層との接合と、同時にヒートシンクを接合してもよい。また、ヒートシンクを液相拡散接合によって接合するものとして説明下が、これに限定されることはなく、ろう付け、はんだ付け等で接合してもよい。本発明の有効性を確認するために行った比較実験について説明する。まず、回路層とセラミックス基板、セラミックス基板と金属層のピーリング強度を測定した。長さ100mm、幅5mm、厚さ0.6mmの回路層形成用金属板と、長さ100mm、幅5mm、厚さ1.3mmの金属層形成用金属板と、30mm×30mmのセラミックス基板と、を準備した。なお、セラミックス基板の材質、厚さについては、表1に示すものとした。また、表1に示すように、回路層形成用金属板は、A3003合金又はA6063合金又は4Nアルミニウムとし、金属層形成用金属板は、純度99.99質量以上の純アルミニウム4NAlとした。回路層形成用金属板とセラミックス基板との接合については、Al-10質量Siからなる厚さ20μmのろう材箔を用いて、荷重3kgf/cm2で実施したものをSiろう材と表記した。また、Al-10質量Cuからなる厚さ90μmのろう材箔を用いて、荷重3kgf/cm2で接合したものをCuろう材と表記した。なお、接合温度は、表1に示すとおりである。セラミックス基板と金属層形成用金属板との接合については、Al-10質量Cuからなる厚さ90μmのろう材箔を用いて、荷重3kgf/cm2実施したものをCuろう材と表記した。また、金属層形成用金属板にCuをスパッタリングによって1mg/cm2固着し、荷重3kgf/cm2で液相拡散接合したものをTLPと表記した。なお、セラミックス基板と金属層形成用金属板との接合は、セラミックス基板と回路層形成用金属板との接合と同時に実施しており、接合温度も同一である。上述のようにして、回路層形成用金属板とセラミックス基板、セラミックス基板と金属層形成用金属板とを接合し、ピーリング強度測定用試験片を作製した。このピーリング強度測定用試験片を用いて、JISC6471に規定される方法に従って、短辺の端から回路層及び金属層を、引き剥がし角度を90°、引き剥がし速度を50mm/minの条件で剥離し、その応力を測定した。測定結果を表1に示す。実施例1-4では、回路層とセラミックス基板との接合にSiろう材を使用し、金属層とセラミックス基板との接合にCuろう材を使用することによって、回路層側の接合強度を金属層側の接合強度よりも低くできることが確認された。実施例5、6及び比較例1では、回路層とセラミックス基板との接合にSiろう材を使用し、金属層とセラミックス基板との接合にTLPを用いることによって、回路層側の接合強度を金属層側の接合強度よりも低くできることが確認された。比較例2、3では、回路層とセラミックス基板との接合にCuろう材を使用し、金属層とセラミックス基板との接合にTLPを用いることによって、回路層側の接合強度が金属層側の接合強度と同等となることが確認された。次に、熱サイクル試験を実施した。28mm×28mmの回路層形成用金属板と、29mm×29mmの金属層形成用金属板と、30mm×30mmのセラミックス基板と、を準備した。なお、回路層形成用金属板、金属層形成用金属板、セラミックス基板の材質、厚さについては、表2に示すものとした。また、表2に示すように、回路層形成用金属板は、A3003合金又はA6063合金又は4Nアルミニウムとし、金属層形成用金属板は、純度99.99質量以上の純アルミニウム4NAlとした。回路層形成用金属板とセラミックス基板との接合については、Al-10質量Siからなる厚さ20μmのろう材箔を用いて、荷重3kgf/cm2で実施したものをSiろう材と表記した。また、Al-10質量Cuからなる厚さ90μmのろう材箔を用いて、荷重3kgf/cm2で接合したものをCuろう材と表記した。なお、接合温度は、表2に示すとおりである。セラミックス基板と金属層形成用金属板との接合については、Al-10質量Cuからなる厚さ90μmのろう材箔を用いて、荷重3kgf/cm2実施したものをCuろう材と表記した。また、金属層形成用金属板にCuをスパッタリングによって1mg/cm2固着し、荷重3kgf/cm2で液相拡散接合したものをTLPと表記した。なお、セラミックス基板と金属層形成用金属板との接合は、回路層形成用金属板の接合と同時に実施しており、接合温度も同一である。次に、得られたパワーモジュール用基板を用いて、熱サイクル試験を実施した。具体的には、冷熱サイクル-45°C←→125°Cを3000回繰り返した後に、試験片を観察し、回路層表面のうねり状態、セラミックス基板の割れの有無、回路層とセラミックス基板との剥離状態、について評価した。結果を表2に示す。なお、うねりについては、半径が2μmの球状先端を有し、テーパ角が90°の円錐を触針として用い、2.5mm/基準長さ×5区間の距離を、荷重4mN,速度1mm/sで表面を走査して区間平均の粗さ曲線を測定し、その算術平均粗さRaJISB0601-1994を算出した。回路層を、0.2耐力が40MPa以上70MPa以下のアルミニウム又はアルミニウム合金で構成した場合には、うねりが抑制されることが確認された。また、回路層とセラミックス基板との接合強度が金属層とセラミックス基板との接合強度よりも低く設定されたものでは、セラミックス基板の割れ、回路層とセラミックス基板との剥離が防止されることが確認された。"