"チップ状のサーミスタ用金属酸化物焼結体と、該サーミスタ用金属酸化物焼結体の両端に形成された一対の端子電極と、一対の前記端子電極に接合された一対のリード線とを備え、前記サーミスタ用金属酸化物焼結体に絶縁体部が接合されていると共に、前記一対の端子電極が前記絶縁体部上まで延在して形成され、前記リード線が、前記端子電極のうち前記絶縁体部の直上部分でレーザ溶接されていることを特徴とするサーミスタ素子。請求項1に記載のサーミスタ素子において、前記絶縁体部が、前記サーミスタ用金属酸化物焼結体に含有された絶縁性酸化物で形成されていることを特徴とするサーミスタ素子。請求項2に記載のサーミスタ素子において、前記サーミスタ用金属酸化物焼結体が、一般式:1-zY1-yLayCr1-xMnxO3zY2O3ただし、0.0≦x≦1.0、0.0≦y≦1.0、0<z≦0.8で示されるものであり、前記絶縁体部が、Y2O3で形成されていることを特徴とするサーミスタ素子。請求項1から3のいずれか一項に記載のサーミスタ素子の製造方法であって、前記サーミスタ用金属酸化物焼結体となるサーミスタ原料粉末を含むスラリーで第1グリーンシートを成形する工程と、前記絶縁体部となる絶縁性原料粉末を含むスラリーで第2グリーンシートを成形する工程と、前記第1グリーンシートと前記第2グリーンシートとを積層して密着させ積層グリーンシートを作製する工程と、前記積層グリーンシートを焼成してサーミスタ層と絶縁体層とからなる積層焼結板とする工程と、前記積層焼結板を短冊状に切断して短冊状積層体とする工程と、前記短冊状積層体の切断面に端子電極となる電極層を形成する工程と、前記短冊状積層体を切断して両端に前記端子電極が形成されたチップ状積層体とする工程と、前記チップ状積層体の端子電極のうち前記絶縁体層の直上部分にリード線を配置した状態で該リード線上にレーザ光を照射して前記リード線と前記端子電極とをレーザ溶接で接合する工程とを有していることを特徴とするサーミスタ素子の製造方法。上記従来の技術には、以下の課題が残されている。すなわち、薄膜サーミスタ技術を用いる場合、サーミスタ薄膜や電極のパターン形成などが必要であり、製造工程が煩雑になってしまう不都合がある。また、単純に熱影響を回避するために電極層を厚くするなどの対策は有効であるが、熱影響を回避するために電極を一様に厚くした場合には、フレーク素子などに加工する際に切断工程で電極がはがれるおそれもあり、歩留まりが低下する可能性がある。本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、簡易な製造工程で作製可能であると共に薄い電極であってもレーザ溶接の直接の熱影響を回避でき、所望のサーミスタ特性が得られるサーミスタ素子およびその製造方法を提供することを目的とする。本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、第1の発明のサーミスタ素子は、チップ状のサーミスタ用金属酸化物焼結体と、該サーミスタ用金属酸化物焼結体の両端に形成された一対の端子電極と、一対の前記端子電極に接合された一対のリード線とを備え、前記サーミスタ用金属酸化物焼結体に絶縁体部が接合されていると共に、前記一対の端子電極が前記絶縁体部上まで延在して形成され、前記リード線が、前記端子電極のうち前記絶縁体部の直上部分でレーザ溶接されていることを特徴とする。このサーミスタ素子では、サーミスタ用金属酸化物焼結体に絶縁体部が接合されていると共に、一対の端子電極が絶縁体部上まで延在して形成され、リード線が、端子電極のうち絶縁体部の直上部分でレーザ溶接されているので、レーザ溶接箇所がサーミスタ用金属酸化物焼結体の直上からずらしたダミー部である絶縁体部の直上になることで、電極が薄い場合であってもサーミスタ用金属酸化物焼結体への直接の熱影響を回避できる。また、互いに接合されたチップ状のサーミスタ用金属酸化物焼結体と絶縁体部とに端子電極を形成するので、薄膜サーミスタ技術のような複数のパターン形成工程が不要である。また、第2の発明のサーミスタ素子は、第1の発明において、前記絶縁体部が、前記サーミスタ用金属酸化物焼結体に含有された絶縁性酸化物で形成されていることを特徴とする。すなわち、このサーミスタ素子では、絶縁体部が、サーミスタ用金属酸化物焼結体に含有された絶縁性酸化物で形成されているので、サーミスタ用金属酸化物焼結体と絶縁体部とが互いに共通する絶縁性酸化物を含有することで良好な接合性を得ることができる。さらに、第3の発明のサーミスタ素子は、第2の発明において、前記サーミスタ用金属酸化物焼結体が、一般式:1-zY1-yLayCr1-xMnxO3zY2O3ただし、0.0≦x≦1.0、0.0≦y≦1.0、0<z≦0.8で示されるものであり、前記絶縁体部が、Y2O3で形成されていることを特徴とする。このサーミスタ素子では、サーミスタ用金属酸化物焼結体が、一般式:1-zY1-yLayCr1-xMnxO3zY2O3ただし、0.0≦x≦1.0、0.0≦y≦1.0、0<z≦0.8で示されるものであるので、Cr,Mn系ペロブスカイト型酸化物としてAサイトにLaが配され、抵抗値変化に影響を及ぼす原因であるペロブスカイト型酸化物への酸素の出入りが少なくなると共に、絶縁体材料として添加されたY2O3により、抵抗値変化率を抑制することができる。第4の発明のサーミスタ素子の製造方法は、第1から第3の発明のいずれかのサーミスタ素子を製造する方法であって、前記サーミスタ用金属酸化物焼結体となるサーミスタ原料粉末を含むスラリーで第1グリーンシートを成形する工程と、前記絶縁体部となる絶縁性原料粉末を含むスラリーで第2グリーンシートを成形する工程と、前記第1グリーンシートと前記第2グリーンシートとを積層して密着させ積層グリーンシートを作製する工程と、前記積層グリーンシートを焼成してサーミスタ層と絶縁体層とからなる積層焼結板とする工程と、前記積層焼結板を短冊状に切断して短冊状積層体とする工程と、前記短冊状積層体の切断面に端子電極となる電極層を形成する工程と、前記短冊状積層体を切断して両端に前記端子電極が形成されたチップ状積層体とする工程と、前記チップ状積層体の端子電極のうち前記絶縁体層の直上部分にリード線を配置した状態で該リード線上にレーザ光を照射して前記リード線と前記端子電極とをレーザ溶接で接合する工程とを有していることを特徴とする。すなわち、このサーミスタ素子の製造方法では、チップ状積層体の端子電極のうち絶縁体層の直上部分にリード線を配置した状態で該リード線上にレーザ光を照射してリード線と端子電極とをレーザ溶接で接合するので、端子電極が薄い場合であってもレーザ溶接の直接の熱影響は溶接箇所直下の絶縁体部のみに及んでサーミスタ用金属酸化物焼結体への熱影響を回避することができる。また、サーミスタ用金属酸化物焼結体となる第1グリーンシートと絶縁体部となる第2グリーンシートとを積層して密着させ積層グリーンシートとし、これを焼成するので、サーミスタ用金属酸化物焼結体と絶縁体部とを容易に積層および接合することができると共にそれぞれの厚さを高精度に制御することができ、高い生産性を得ることができる。本発明によれば、以下の効果を奏する。すなわち、本発明に係るサーミスタ素子およびその製造方法によれば、サーミスタ用金属酸化物焼結体に絶縁体部が接合されると共に、一対の端子電極が絶縁体部上まで延在して形成され、リード線が、端子電極のうち絶縁体部の直上部分でレーザ溶接されるので、電極が薄い場合であってもサーミスタ用金属酸化物焼結体への直接の熱影響を回避でき、所望のサーミスタ特性を得ることができる。以下、本発明に係るサーミスタ素子およびその製造方法の一実施形態を、図1および図2を参照しながら説明する。なお、以下の説明に用いる図面では、各部材を認識可能又は認識容易な大きさとするために縮尺を適宜変更している。本実施形態のサーミスタ素子1は、図1に示すように、チップ状のサーミスタ用金属酸化物焼結体2と、該サーミスタ用金属酸化物焼結体2の両端に形成された一対の端子電極3と、一対の端子電極3に接合された一対のリード線4とを備え、サーミスタ用金属酸化物焼結体2に絶縁体部5が接合されていると共に、一対の端子電極3が絶縁体部5上まで延在して形成されている。また、このサーミスタ素子1は、リード線4が、端子電極3のうち絶縁体部5の直上部分でレーザ溶接されている。上記サーミスタ用金属酸化物焼結体2は、LaCr,MnO3Y2O3であり、一般式:1-zY1-yLayCr1-xMnxO3zY2O3ただし、0.0≦x≦1.0、0.0≦y≦1.0、0<z≦0.8で示されるものが採用される。例えば、サーミスタ用金属酸化物焼結体2は、LaCr0.5Mn0.5O3を50molとY2O3を50molとを混合焼結したものである。上記絶縁体部5は、Y2O3で形成されている。すなわち、上記絶縁体部5は、サーミスタ用金属酸化物焼結体2に含有された絶縁性酸化物で形成されている。この絶縁体部5は、サーミスタ用金属酸化物焼結体2に比べて十分に抵抗値が大きい絶縁性材料で形成されている。これらサーミスタ用金属酸化物焼結体2と絶縁体部5とは、フレーク型サーミスタチップとしてチップ状積層体6を構成している。このチップ状積層体6は、6面を有するチップ状チップ状にはブロック状も含むとされている。なお、サーミスタ用金属酸化物焼結体2が、一般式:1-zY1-yLayCr1-xMnxO3zY2O3ただし、0.0≦x≦1.0、0.0≦y≦1.0、0<z≦0.8で示されるものであるので、Cr,Mn系ペロブスカイト型酸化物としてAサイトにLaが配され、抵抗値変化に影響を及ぼす原因であるペロブスカイト型酸化物への酸素の出入りが少なくなると共に、絶縁体材料として添加されたY2O3により、抵抗値変化率を抑制することができる。また、サーミスタ素子1の電気特性を示すパラメータであるB定数は、一般式:1-zY1-yLayCr1-xMnxO3zY2O3のx,y,z量を変えることによって調整する。ただし、例えば、B定数が小さくなると、抵抗値も小さくなるので、形状を変えて抵抗調節できない場合は、絶縁体材料を混合焼結し、抵抗値を上げる必要がある。本実施形態では、絶縁体材料をY2O3とするが、これを他の絶縁体材料、例えば、ZrO2,MgO,Al2O3,CeO2に変更しても構わない。その場合、絶縁体部5を構成する絶縁体材料も同様の材料に変更することが好ましい。上記リード線4は、電極線であって、ジュメット線銅被覆ニッケル鋼線、Pt線又はPtにRhが含有されている線、PtにIrが含有されている線等が採用される。上記端子電極3としては、例えばAg電極などが採用される。なお、サーミスタ用金属酸化物焼結体2と絶縁体部5との端子電極3が形成されていない表面は、保護ガラス膜7で覆うことが好ましい。また、チップ状積層体6の周囲は、ガラス等の絶縁被覆材8で被覆されている。次に、本実施形態のサーミスタ素子1の製造方法について、図2を参照して説明する。本実施形態のサーミスタ素子1の製造方法は、図2に示すように、サーミスタ用金属酸化物焼結体2となるサーミスタ原料粉末を含むスラリーで第1グリーンシート11を成形する工程と、絶縁体部5となる絶縁性原料粉末を含むスラリーで第2グリーンシート12を成形する工程と、第1グリーンシート11と第2グリーンシート12とを積層して密着させ積層グリーンシート13を作製する工程と、積層グリーンシート13を焼成してサーミスタ層14と絶縁体層15とからなる積層焼結板16とする工程と、積層焼結板16を短冊状に切断して短冊状積層体17とする工程と、短冊状積層体17の切断面に端子電極3となる電極層18を形成する工程と、短冊状積層体17を切断して両端に端子電極3が形成されたチップ状積層体6とする工程と、チップ状積層体6の端子電極3のうち絶縁体層15の直上部分にリード線4を配置した状態で該リード線4上にレーザ光Lを照射してリード線4と端子電極3とをレーザ溶接で接合する工程とを有している。本製造方法をより具体的に以下に説明する。まず、サーミスタ原料粉末として、例えばLa2O3、Y2O3、Cr2O3、MnO2粉末をmol比で25:25:12.5:12.5の比率で秤量後、ボールミルに入れ、Zrボールと純水とを適量入れて約24時間混合を行う。取り出して乾燥させた後、1300°Cで5hrにて焼成し、LaCr0.5Mn0.5O3Y2O3仮焼粉を得る。その後、Zrボールと純水とを用いてLaCr0.5Mn0.5O3Y2O3仮焼粉を粉砕した後、乾燥させる。このようにして得られた混合原料粉に、PVB,溶剤,分散剤および可塑剤を加えてボールミルで混合してスラリーを作製する。このスラリーをドクターブレード法により、図2のaに示すように、300μm厚の第1グリーンシート11に成形する。また、ダミー層である絶縁体層15の原料としてY2O3粉末を前述の工程と同様にして第2グリーンシート12を成形する。次に、図2のbに示すように、第1グリーンシート11と第2グリーンシート12とを熱圧着プレスにて積層し、密着させた後、ISP熱間静水圧プレスで処理して積層グリーンシート13を得る。さらに、この積層グリーンシート13を50×50mm角に切断し、脱バインダー処理を行った後、1600°Cで5時間焼成を行ってサーミスタ層14と絶縁体層15とからなる積層焼結板16を形成する。その後、積層焼結板16の両面を100μm程度研磨し、平坦に加工する。その後、図2のcに示すように、積層焼結板16の両面に保護ガラスを印刷して乾燥後、850°Cで焼付けを行い保護ガラス膜7を形成する。さらに、ダイシングマシーンで幅0.3mmの積層焼結板16を短冊状に切り出し、短冊状積層体17を作製する。次に、図2のdに示すように、短冊状積層体17の切断面であるサーミスタ用金属酸化物焼結体2と絶縁体部5とが露出している2面にAgペーストを塗布して乾燥させ、850°Cで焼成を行って端子電極3となる電極層18を形成する。次に、先ほど切断した方向とは垂直にダイシングマシーンで短冊状積層体17を切断し、図2のeに示すように、フレーク型サーミスタチップであるチップ状積層体6を作製する。このチップ状積層体6にリード線4を接続するため、まず、ジュメット線であるリード線4を絶縁体部5の直上に配置し、Auペーストを用いて仮固定し乾燥を行う。この状態で絶縁体部5の中央部とリード線4と照射するレーザ光Lとが直線上に並ぶように配置し、図2のfに示すように、レーザ溶接を行う。このようにしてチップ状積層体6にリード線4が溶接される。なお、さらに耐環境性を向上させるために、周囲をガラス等の絶縁被覆材8で被覆することで、サーミスタ素子1が作製される。作製されたサーミスタ素子1は、端子電極3とリード線4との接合が強固なままであると共に、図1中の二点鎖線で示すように、レーザ照射による熱影響はサーミスタ特性に影響のない絶縁体部5にのみ生じて、サーミスタ用金属酸化物焼結体2が直接的に影響を受けていないので、サーミスタ特性が変化することなく安定かつ高歩留な素子を得ることができる。このように本実施形態のサーミスタ素子1では、サーミスタ用金属酸化物焼結体2に絶縁体部5が接合されていると共に、一対の端子電極3が絶縁体部5上まで延在して形成され、リード線4が、端子電極3のうち絶縁体部5の直上部分でレーザ溶接されているので、レーザ溶接箇所がサーミスタ用金属酸化物焼結体2の直上からずらしたダミー部である絶縁体部5の直上になることで、端子電極3が薄い場合であってもサーミスタ用金属酸化物焼結体2への直接の熱影響を回避できる。すなわち、製造時に、チップ状積層体6の端子電極3のうち絶縁体層15の直上部分にリード線4を配置した状態で該リード線4上にレーザ光Lを照射してリード線4と端子電極3とをレーザ溶接で接合するので、レーザ溶接の直接の熱影響は溶接箇所直下の絶縁体部5のみに及んでサーミスタ用金属酸化物焼結体2への熱影響を回避することができる。また、互いに接合されたチップ状のサーミスタ用金属酸化物焼結体2と絶縁体部5とに端子電極3を形成するので、薄膜サーミスタ技術のような複数のパターン形成工程が不要である。また、絶縁体部5が、サーミスタ用金属酸化物焼結体2に含有された絶縁性酸化物で形成されているので、サーミスタ用金属酸化物焼結体2と絶縁体部5とが互いに共通する絶縁性酸化物を含有することで良好な接合性を得ることができる。さらに、製造時には、サーミスタ用金属酸化物焼結体2となる第1グリーンシート11と絶縁体部5となる第2グリーンシート12とを積層して密着させ積層グリーンシート13とし、これを焼成するので、サーミスタ用金属酸化物焼結体2と絶縁体部5とを容易に積層および接合することができると共にそれぞれの厚さを高精度に制御することができ、高い生産性を得ることができる。なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。"