光変調を行う光デバイスにおいて、入射光を2分岐する入射導波路と、直線形状または曲率半径が一定値以上の曲線形状を持つ導波路である第1の導波路と前記第1の導波路よりも曲率半径が小さな曲線形状を持つ導波路である第2の導波路とから構成され2分岐された内側の導波路である内側導波路と、前記第1の導波路と前記第2の導波路とから構成され2分岐された外側の導波路である外側導波路と、前記内側導波路を伝搬する光と前記外側導波路を伝搬する光とを合波して出射する出射導波路と、を含み、基板に形成されて信号光を伝搬するマッハツェンダ干渉計型折り返し導波路と、前記外側導波路の上に形成された信号電極と、前記信号電極の両側に形成された接地電極と、前記内側導波路の内側に沿って前記基板に形成した溝である第1の溝と、前記内側導波路の外側および前記外側導波路の内側に沿って前記基板に形成した溝である第2の溝と、前記外側導波路の外側に沿って前記基板に形成した溝である第3の溝と、前記第3の溝の外側に沿って前記基板に形成した溝である第4の溝と、を備え、前記第1の溝と前記第2の溝とで形成され前記内側導波路が存在するリッジを第1のリッジ、前記第2の溝と前記第3の溝とで形成され前記外側導波路が存在するリッジを第2のリッジ、前記第3の溝と前記第4の溝とで形成されるリッジを第3のリッジとし、前記第1の導波路と前記第2の導波路との結合部に対して、前記結合部へ光が到達するまでの平行導波路区域である光入力側導波路区域と、前記結合部から光が伝搬される平行導波路区域である光出力側導波路区域とに存在する、前記第1のリッジ、前記第2のリッジおよび前記第3のリッジのそれぞれのリッジ幅をWaとし、前記結合部の近傍に存在する前記第1のリッジ、前記第2のリッジおよび前記第3のリッジのそれぞれのリッジ幅をWbとし、前記第2の導波路が位置する導波路区域である曲がり導波路区域に存在する前記第1のリッジ、前記第2のリッジおよび前記第3のリッジのそれぞれのリッジ幅をWcとした場合、Wa=Wc>Wbとなるようにリッジ幅を形成することを特徴とする光デバイス。前記第1の導波路と前記第2の導波路との結合部近傍のみ、前記信号電極の幅を狭くすることを特徴とする請求項1記載の光デバイス。前記基板上に平行に形成される前記第1の導波路は、リッジ幅よりも前記第1の導波路の導波路幅を小さく形成し、前記第1の導波路と前記第2の導波路との結合部近傍に位置する、前記第1の導波路の導波路幅と前記第2の導波路の導波路幅は、リッジ幅より大きく形成し、曲率半径の小さな導波路部分の前記第2の導波路は、リッジ上面の前記基板の外側方向へ片寄らせて形成する、ことを特徴とする請求項1記載の光デバイス。前記第1の導波路と前記第2の導波路との結合部近傍のみ、前記信号電極および前記接地電極の高さを厚くすることを特徴とする請求項1記載の光デバイス。前記第1の導波路と前記第2の導波路との結合部近傍のみ、前記信号電極と前記接地電極との間隔を狭くすることを特徴とする請求項1記載の光デバイス。光導波路は、例えば、基板の表面にTiを1000°C以上の高温下で拡散させると、その金属部分の屈折率が周囲と比べて高くなるために、光を閉じ込めて伝搬することを可能にするものである。光導波路の製造方法としては、伝搬損失を小さくできるTi拡散またはプロトン交換が一般に用いられるが、これらの方法で製造した光導波路であっても、光の閉じ込めが決して十分であるとはいえないので、光導波路の曲がり部分において放射損失が生じるといった欠点があった。例えば、上述のRZ変調器50では、折り返し導波路53、特に曲がりの大きな曲率半径が小さい曲がり導波路53bを光が伝搬すると、曲がり導波路53bの外側へ光の放射が顕著に現れてしまう。このため、上述の従来技術特開2004-287093号公報では、折り返し導波路53の外周側の基板に溝を掘って、放射損失の抑制を図っている。図31は折り返し導波路53の外周に溝が設けられた構成を示す図であり、図32は折り返し導波路53と溝との断面図である。折り返し導波路53の外周側の基板をエッチングなどで掘り下げて溝57を生成する。また、溝側面の荒れによる散乱損失を防ぐため、溝57の側面にはバッファ層58を設ける。このような構造にすることにより、光の閉じ込めを強化して放射損失を防いでいる。しかし、上記のような従来技術では、デバイス製造時、折り返し導波路53のパターンと溝57のパターンとの位置関係が、製造誤差によって設計値から外れた場合、放射損失が増加してしまい、所望の品質を保てないといった問題があった。図33は折り返し導波路53と溝57との位置関係のずれに対して生じる放射損失の増加を示す図である。縦軸は損失dB、横軸は溝57のずれμmである。折り返し導波路53に対して上下方向に、溝57のずれが生じた場合の放射損失の増加傾向を示している。溝57のずれが0μmの場合は、損失は1.4dBであり、所望の設計値となる。また、溝57が0μmからプラス方向折り返し導波路53の光出力側の導波路と溝57とが近づき、折り返し導波路53の光入力側の導波路と溝57とが離れる方向、またはマイナス方向折り返し導波路53の光入力側の導波路と溝57とが近づき、折り返し導波路53の光出力側の導波路と溝57とが離れる方向にずれてくると、放物線状に放射損失が増加していくことがわかる。図34は折り返し導波路53と溝57との位置関係がずれた場合に放射損失が生じる原因を示す図である。折り返し導波路53と溝57との相対位置が設計値からずれると、直線導波路53aと曲がり導波路53bとの結合部において、光のモードが合わなくなり例えば、直線導波路53aを伝搬するときの光の光軸と、曲がり導波路53bを伝搬するときの光の光軸との間にミスマッチが起きるなど、散乱が生じて放射損失が増加することになる。このように、従来技術に示される、折り返し導波路53の外周に溝57を設けた構成にすることで、理想的には放射損失を抑制することは可能ではあるが、デバイス製造時に必ずしも設計値どおりに製造できるわけではないので、製造誤差によって設計値から外れた場合は、放射損失が増加して品質劣化が生じるといった問題があった。したがって、製造誤差に対するトレランスを高めて、製造誤差があった場合でも、効果的に放射損失を抑制する改善策が必要となる。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、折り返し導波路と、折り返し導波路の外周に設けた溝との相対位置に誤差が生じて、設計値からずれて製造された場合でも、放射損失の増加を抑制する光デバイスを提供することを目的とする。上記課題を解決するために、光デバイスが提供される。この光デバイスは、入射光を2分岐する入射導波路と、直線形状または曲率半径が一定値以上の曲線形状を持つ導波路である第1の導波路と前記第1の導波路よりも曲率半径が小さな曲線形状を持つ導波路である第2の導波路とから構成され2分岐された内側の導波路である内側導波路と、前記第1の導波路と前記第2の導波路とから構成され2分岐された外側の導波路である外側導波路と、前記内側導波路を伝搬する光と前記外側導波路を伝搬する光とを合波して出射する出射導波路と、を含み、基板に形成されて信号光を伝搬するマッハツェンダ干渉計型折り返し導波路と、前記外側導波路の上に形成された信号電極と、前記信号電極の両側に形成された接地電極と、前記内側導波路の内側に沿って前記基板に形成した溝である第1の溝と、前記内側導波路の外側および前記外側導波路の内側に沿って前記基板に形成した溝である第2の溝と、前記外側導波路の外側に沿って前記基板に形成した溝である第3の溝と、前記第3の溝の外側に沿って前記基板に形成した溝である第4の溝と、を備え、前記第1の溝と前記第2の溝とで形成され前記内側導波路が存在するリッジを第1のリッジ、前記第2の溝と前記第3の溝とで形成され前記外側導波路が存在するリッジを第2のリッジ、前記第3の溝と前記第4の溝とで形成されるリッジを第3のリッジとし、前記第1の導波路と前記第2の導波路との結合部に対して、前記結合部へ光が到達するまでの平行導波路区域である光入力側導波路区域と、前記結合部から光が伝搬される平行導波路区域である光出力側導波路区域とに存在する、前記第1のリッジ、前記第2のリッジおよび前記第3のリッジのそれぞれのリッジ幅をWaとし、前記結合部の近傍に存在する前記第1のリッジ、前記第2のリッジおよび前記第3のリッジのそれぞれのリッジ幅をWbとし、前記第2の導波路が位置する導波路区域である曲がり導波路区域に存在する前記第1のリッジ、前記第2のリッジおよび前記第3のリッジのそれぞれのリッジ幅をWcとした場合、Wa=Wc>Wbとなるようにリッジ幅を形成する。曲率半径が小さな曲線形状の導波路と、該当導波路の外周に設けた溝との相対位置に誤差が生じて、所望の設計値からずれて製造された場合でも、光放射損失の増加を抑制することが可能になる。また、電極の特性インピーダンスを一定値に保つことができるので、マイクロ波の損失を低減することが可能になる。以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図1は光デバイスの構成を示す図である。光デバイス1は、LNLiNbO3結晶基板のような誘電体の基板300に光導波路が設けられて光変調などの光通信制御を行うデバイスである。なお、図では光導波路としては折り返し導波路10のみ示しており、入射/出射導波路など他の導波路部分の図示は省略している光変調器を例にして、光デバイス1の光導波路全体を示した構造は図21で後述する。折り返し導波路10は、第1の導波路11と第2の導波路12から構成される。第1の導波路11は、直線形状または曲率半径が一定値以上例えば、4mm以上の曲線形状を持つ導波路である。以下、第1の導波路11を直線導波路11と呼ぶ。第2の導波路12は、直線導波路11よりも曲率半径が小さな、すなわち曲がりの大きな円弧状の曲線形状を持つ導波路である。以下、第2の導波路12を曲がり導波路12と呼ぶ。外溝21は、折り返し導波路10の外周に沿って基板300を掘り下げて形成した溝である。光入力側内溝22aは、直線導波路11の内側に設けられ、直線導波路11と曲がり導波路12との光入力側の結合部近傍の基板300を掘り下げて形成した溝である。光出力側内溝22bは、直線導波路11の内側に設けられ、直線導波路11と曲がり導波路12との光出力側の結合部近傍の基板300を掘り下げて形成した溝である。図2は直線導波路11と曲がり導波路12との光入力側の結合部周辺を示す図であり、図3は光入力側の結合部の断面を示す図である。折り返し導波路10の外周に外溝21が形成され、直線導波路11と曲がり導波路12との光入力側の結合部近傍に光入力側内溝22aが形成されることにより、直線導波路11と曲がり導波路12との光入力側の結合部近傍は、図3のようなリッジ構造となる。すなわち、直線導波路11と曲がり導波路12との結合部A1-A2で折り返し導波路10の両側に溝外溝21と光入力側内溝22aを設けてリッジを形成している。また、光入力側の結合部近傍において、直線導波路11の外周と外溝21の内周との間隔B1と、直線導波路11の内周と光入力側内溝22aの外周との間隔B2とは、光進行方向に向かって連続的に狭くなるように、外溝21と光入力側内溝22aとの形状をテーパ状に形成する。なお、外溝21および光入力側内溝22aの側面に細かい荒れが存在する場合は、荒れによって光の散乱損失が発生する。この散乱損失を減らすために、外溝21および光入力側内溝22aの側面にはバッファ層40を設ける。バッファ層40には、基板300よりも屈折率が小さく導波路中を伝搬する光に対して透明な材料を使用し、例えば、SiO2等を使用する。図4は直線導波路11と曲がり導波路12との光出力側の結合部周辺を示す図であり、図5は光出力側の結合部の断面を示す図である。折り返し導波路10の外周に外溝21が形成され、直線導波路11と曲がり導波路12との光出力側の結合部近傍に光出力側内溝22bが形成されることにより、直線導波路11と曲がり導波路12との光出力側の結合部近傍は、図5のようなリッジ構造となる。すなわち、直線導波路11と曲がり導波路12との結合部A1-A2で折り返し導波路10の両側に溝外溝21と光出力側内溝22bを設けてリッジを形成している。また、光出力側の結合部近傍において、直線導波路11の外周と外溝21の内周との間隔B3と、直線導波路11の内周と光出力側内溝22bの外周との間隔B4とは、光進行方向に向かって連続的に広くなるように、外溝21と光出力側内溝22bとの形状をテーパ状に形成する。なお、図3と同様に、光出力側内溝22bの側面にもバッファ層40が設けられる。次に内溝が設けられていない構成例えば、従来技術特開2004-287093号公報のような構成と、光デバイス1のように内溝を設けた構成との相違について詳しく説明する。なお、光入力側の結合部と光出力側の結合部は同じ構成なので、以降の説明では、光入力側の結合部のみ示して説明する。また、光入力側内溝22aと光出力側内溝22bを区別せずに説明する場合は、単に内溝22と呼ぶ。1折り返し導波路10と外溝21とにずれがない状態製造誤差がない場合図6は内溝22がなく、折り返し導波路10と外溝21とにずれがない状態を示す図である。直線導波路11を伝搬する光のモードと、曲がり導波路12を伝搬する光のモードとが、結合部においてほぼ一致するように設計され、折り返し導波路10と外溝21との位置関係が設計値どおりに製造されれば、放射損失は低減できるなお、光のモードは0次光モードを対象とする。図7は内溝22があって、折り返し導波路10と外溝21とにずれがない状態を示す図である。折り返し導波路10と外溝21とにずれがない状態を製造できれば、放射損失は低減する。2折り返し導波路10が外溝21から離れた状態製造誤差がある場合図8は内溝22がなく、折り返し導波路10と外溝21とにずれが生じている状態を示す図である。折り返し導波路10と外溝21との間隔が設計値よりも離れてしまった状態を示している。曲がり導波路12では、曲がり導波路自体の光の閉じ込めよりも外溝21での光の閉じ込めが強く影響するため、光のモードは外溝21の側面に沿って分布することになる。光が曲がり導波路12を流れる際のイメージとしては、光のモードの端部が外溝21の側面に接するように、光進行方向の左側に寄った形で伝搬するイメージとなる。したがって、外溝21を設計する際には、曲がり導波路12を伝搬する光のモード端部が外溝21の側面に接したときに、直線導波路11を伝搬する光と、曲がり導波路12を伝搬する光とが、結合部において光軸がミスマッチしないように、外溝21の位置を求めて形成するものである例えば、上述の図6は設計どおりに外溝21が位置している場合である。一方、図8のように、折り返し導波路10と外溝21との間隔が設計値よりも離れてしまうと、直線導波路11を伝搬する光の変化はないが直線導波路11では、直線導波路11の中心が光の中心となり、この状態に変化はない、曲がり導波路12における光のモード端部は、外溝21の側面に接して伝搬するので、曲がり導波路12と外溝21との間隔が所定値よりも大きくなると、曲がり導波路12を流れる光は、図6の場合と比べて、より光進行方向の左側に寄って伝搬することになる。このため、直線導波路11を伝搬するときの光の光軸と、曲がり導波路12を伝搬するときの光の光軸との間にミスマッチが起き、放射損失が増加してしまう。図9は内溝22があって、折り返し導波路10と外溝21とにずれが生じている状態を示す図である。折り返し導波路10と外溝21との間隔が設計値よりも離れてしまった状態を示している。直線導波路11上を結合部へ向かって進む光は、内溝22にガイドされて、外溝21の側面に沿って分布することになる。イメージとしては、直線導波路11上を結合部へ向かって進む光は、内溝22が存在することで、光進行方向の左側図9の上方向に押し上げられるイメージとなる。曲がり導波路12を伝搬する光は、外溝21側に沿って伝搬するが、図9に示す位置に内溝22が設けられることにより、直線導波路11を伝搬する光も外溝21側に寄せられることになる。このため、結合部における光の軸ずれを補正することができ、放射損失を低減することが可能になる。3折り返し導波路10に外溝21が近づいた状態製造誤差がある場合図10は内溝22がなく、折り返し導波路10と外溝21とにずれが生じている状態を示す図である。折り返し導波路10と外溝21との間隔が設計値よりも近づいてしまった状態を示している。図10に示すように、折り返し導波路10の一部が外溝21により削られてしまうと、導波路の幅が狭くなる、すると、狭くなった部分では、光の閉じ込めが弱くなる。このことは特に直線部の導波路で顕著であり、直線導波路11での光のモードフィールド径が大きく広がってしまう。これに対し、曲がり導波路12では、外溝21の閉じ込めによる影響が大きいので、光のモードフィールド径の変化は小さい。このため、直線導波路11を伝搬するときの光のモードフィールド径と、曲がり導波路12を伝搬するときの光のモードフィールド径とが異なり、光軸のミスマッチが生じることにより放射損失が増加することになるなお、モードフィールド径については図15で後述する。図11は内溝22があって、折り返し導波路10と外溝21とにずれが生じている状態を示す図である。折り返し導波路10と外溝21との間隔が設計値よりも近づいてしまった状態を示している。図11に示す位置に内溝22があると、直線導波路11を流れる光のモードフィールド径の広がりを抑えることができる。このため、直線導波路11を伝搬するときの光の光軸と、曲がり導波路12を伝搬するときの光の光軸が一致することになり、放射損失を低減することができる。図12は折り返し導波路10と外溝21との位置関係のずれに対して生じる放射損失の増加を示す図である。縦軸は損失dB、横軸は外溝21のずれμmである。内溝22が設けられた場合は、折り返し導波路10と外溝21とにずれが生じた場合であっても放射損失は低減しており、放射損失の増加が抑制されることがわかる。以上説明したように、光デバイス1によれば、折り返し導波路10の外周には外溝21を設け、直線導波路11と曲がり導波路12との結合部近傍の折り返し導波路10の内周側には内溝22を設けて、折り返し導波路10の光入力側と光出力側とをリッジ構造にした。このような構成により、外溝21と折り返し導波路10との相対位置関係がずれて製造された場合でも放射損失の増加を防ぐことができ、プロセス誤差に対するトレランスを高めて、高品質の光通信を実現することが可能になる。次に光デバイス1に関して、その他の特徴製造する上での特徴または構成上の特徴を以下のa1~g1において説明する。a1基板300ZカットのLN基板に、外溝21および内溝22を形成する場合は、基板300の表面に光導波路折り返し導波路10を含むを形成した後、ドライエッチング等で基板300に外溝21、内溝22を形成し、さらにバッファ層40を設ける。また、放射損失を減らすためには、光導波路の伝搬損失が小さく、かつ閉じ込めが強い製造法が望まれる。そこで、Ti拡散またはプロトン交換で光導波路を形成する。b1リッジによる水平方向の光の閉じ込めを強くするためには、リッジの両脇の屈折率が小さくなければならない。また、モードフィールド径を小さくするためにはリッジの幅をある程度狭くする必要があるが、リッジ幅が狭くなりすぎるとリッジ側面に加わる応力の影響を受ける可能性がある。そこで、直線導波路11と曲がり導波路12との結合部近傍において、リッジの両側が気体となるようにする。気体としては、空気やN2ガスを用いる。具体的には、光デバイス1を内蔵する光モジュールを製造する場合に、空気またはN2ガスをモジュール内部に充填して製造すればよい。空気やN2ガスなどの気体は屈折率が小さいので、リッジによる水平方向の光の閉じ込めの強化に寄与することができ、また、リッジ幅が狭くても気体の充填圧力により、応力による影響を軽減することが可能になる。c1バッファ層40は、厚みが大きく、または屈折率がLNに近いほうが、散乱損失を抑えられるが、同時に光の閉じ込めが弱くなるので、曲がり導波路12での放射損失は大きくなる。また、散乱損失は、曲がり導波路12と外溝21が接近した部分で大きくなるので、直線導波路11と曲がり導波路12との結合部近傍では散乱損失が大きくなる。そこで、直線導波路11と曲がり導波路12との結合部近傍のみ、リッジ側面のバッファ層40を厚くする。また、直線導波路11と曲がり導波路12との結合部近傍のみ、リッジ側面のバッファ層40の屈折率を大きくする。このようにすることで、結合部近傍での散乱損失を抑える。図13にリッジ側面のバッファ層40の厚みを大きくした状態を示す。d1図14は曲率半径と放射損失との関係を示す図である。縦軸は放射損失dB、横軸は曲率半径mmである。外溝21がない場合の曲がり導波路12の曲率半径が変化したときの放射損失と、外溝21がある場合の曲がり導波路12の曲率半径が変化したときの放射損失とを示している。図14から、曲率半径が4mm以下では、外溝21がある場合の放射損失は、外溝21がない場合の放射損失よりも小さくなっており、外溝21による放射損失低減の効果は、曲率半径が4mm以下で現れることがわかる。なお、曲率半径4mm以上になると、溝の側面の荒れ等によって散乱損失が発生し、損失がかえって増加することもある。すなわち、曲がり導波路12の曲率半径をRとすると、R≦4mmの場合は、外溝21が必要となり、R>4mmの場合は外溝21が不要となる。したがって、光デバイス1の折り返し導波路10では、曲がり導波路12の曲率半径を4mm以下とし、直線導波路11の曲率半径は4mmを超えるように製造する。e1直線導波路11と曲がり導波路12との結合部では、光のモードフィールド径MFD:ModeFieldDiameterは10μm程度以下である。図15はモードフィールド径を示す図である。縦軸は光強度、横軸は導波路の直径導波路径である。信号光は、広がりを持った放射光となって伝搬する。MFDとは、導波路径に対する光分布の広がり具合を表す指標である。光強度分布は、ガウス分布形状の曲線となり、導波路の中心部が最も光強度が高く、導波路の外側に向かう程光強度は落ちてくる。このような曲線に対して、光強度の最大値を1としたときに、導波路の中心の最大値1の1/e2eは自然対数の底=2.718となるところ約13.5の導波路径がモードフィールド径として一般的に定義される。一方、直線導波路11と曲がり導波路12との結合部の垂直方向基板深さ方向での光パワーのピーク位置は基板表面リッジ上面から3μm程度下がった位置にある。そこで、直線導波路11と曲がり導波路12との結合部においては、リッジの幅を10μm以下とし、リッジの深さを3μm以下とする。図16にリッジ幅およびリッジ深さを示す。f1曲がり導波路12は、曲率半径が小さいため、光の閉じ込めが弱い。このとき、光のモードフィールド径が広がるため、直線導波路11とのモードミスマッチが発生する。これを防ぐために、直線導波路11と曲がり導波路12との結合部近傍において、曲がり導波路12の幅が直線導波路11の幅よりも大きくなるように形成する。g1直線導波路11と曲がり導波路12との結合部近傍では両脇が溝のため、光の閉じ込めが強くなるので、マルチモード導波路になる。0次モードの光が高次モードに結合すると、シングルモード導波路に再結合した際に損失となってしまう。そこで、直線導波路11から外溝21までの距離と、直線導波路11から内溝22までの距離とが等しくなるように形成する直線導波路11を挟んで外溝21と内溝22とが対称的になるように形成する。すなわち、図2で上述したように、光入力側の結合部近傍において、直線導波路11と外溝21との間隔B1と、直線導波路11と光入力側内溝22aとの間隔B2とは、光進行方向に向かって連続的に狭くなるように、外溝21と光入力側内溝22aとの形状をテーパ状に形成するが、このとき、間隔B1、B2が対称的に等しくなるように形成する。同様に、図4で上述したように、光出力側の結合部近傍において、直線導波路11と外溝21との間隔B3と、直線導波路11と光出力側内溝22bとの間隔B4とは、光進行方向に向かって連続的に広くなるように、外溝21と光出力側内溝22bとの形状をテーパ状に形成するが、このとき、間隔B3、B4が対称的に等しくなるように形成する。このような構成にすることで、直線導波路11を伝搬する光の対称性が良好となり、高次モードの励起の発生を防ぐことができる。次に光デバイス1の変形例として、変形例a2~d2について以下説明する。a2図17はリッジ上部全体を光導波路とした結合部断面を示す図である。直線導波路11と曲がり導波路12との結合部近傍の断面において、リッジ上部全体を光導波路折り返し導波路10とする。このような形状にすることで、外溝21と折り返し導波路10との位置ずれに対してよりトレランスを高めることが可能になる。直線導波路11と曲がり導波路12との結合部で光導波路の幅がリッジの幅より大きくなるようにすると、外溝21が多少ずれても、リッジ内部全体が導波路領域となるため、リッジ内の屈折率分布が変化しなくなるからである。b2曲がり導波路12が外溝21と接するように形成する。これにより、外溝21と曲がり導波路12とのずれに対してよりトレランスを高くすることができる。c2図18は延伸内溝を示す図である。上述してきた内溝22では、内溝22の角によって散乱損失が発生する可能性がある。これを防ぐため、内溝22が曲がり導波路12の内周側に延伸して、延伸した部分である延伸内溝22-1を構成し、曲がり導波路12の内周から延伸内溝22-1の外周までの距離幅が連続的に変化するように形成する。すなわち、光入力側であれば、曲がり導波路12の内周から延伸内溝の外周までの幅が、光進行方向に対して連続的に広くなるように、光出力側であれば、曲がり導波路12の内周から延伸内溝の外周までの幅が、光進行方向に対して連続的に狭くなるように形成する。ここで、延伸内溝22-1の外周が曲がり導波路12の内周に比べて小さすぎると延伸内溝22-1の効果が得られず、また、大きすぎると延伸内溝22-1の側面の荒れによる散乱損失が放射損失を増大させることになる。図19は延伸内溝22-1の外周と曲がり導波路12の内周との比が損失に及ぼす影響を示す図である。折り返し導波路10に対する外溝21の相対位置が設計通りの場合位置ずれ0と、設計値から1.5μmずれた場合位置ずれ1.5μmの2通りについての曲がり導波路12の損失を示している。縦軸は曲がり導波路12の損失dB、横軸は延伸内溝22-1の外周と曲がり導波路12の内周との比延伸内溝22-1の外周/曲がり導波路12の内周である。位置ずれ0の場合は、比率延伸内溝22-1の外周/曲がり導波路12の内周が0.3よりも小さいと損失が増加し、位置ずれ1.5μmの場合は0.6以上で損失が増加することがわかる。この関係から、曲がり導波路12の内周側に延伸した延伸内溝22-1の外周の半径が、曲がり導波路12の内周の半径の30~60となるように設計するのが望ましい。d2図20は結合部近傍において直線導波路11の形状をテーパ状にした構成を示す図である。直線導波路11と曲がり導波路12との結合部近傍では光のモードを合わせる設計となるため、結合部付近と結合部から離れたところで直線導波路11の幅を変える必要が生じることがある。このような場合には図20のように、直線導波路11aは、結合部に近づくにつれて徐々に導波路幅が広くなるように、結合部付近に向けて導波路の幅をテーパ状に変化させる形状とする。このような構成にすることで、損失を増加させずに導波路幅を変化させることができる。次に光デバイス1を適用した光変調器について説明する。図21は光変調器を示す図である。図29で上述したRZ変調器に対して、光デバイス1の構成を適用したものである。光変調器3は、基板30上に2つのマッハツェンダ干渉計型の光導波路を、折り返し導波路10で連結した構成を有する。光導波路は、光入力側マッハツェンダ干渉計型導波路3a、折り返し導波路10、光出力側マッハツェンダ干渉計型導波路3bから構成される。光入力側マッハツェンダ干渉計型導波路3aは、入射導波路31と光入力側平行導波路32a-1、32b-1からなり、折り返し導波路10は、直線導波路11と曲がり導波路12からなり、光出力側マッハツェンダ干渉計型導波路3bは、光出力側平行導波路32a-2、32b-2と出射導波路34からなる。光入力側平行導波路32a-1上には信号電極35-1が設けられ、光入力側平行導波路32b-1上には接地電極36が設けられる。光出力側平行導波路32a-2上には信号電極35-2が設けられ、光出力側平行導波路32b-2上には接地電極36が設けられる。外溝21は、折り返し導波路10の外周に沿って基板30を掘り下げて形成される。光入力側内溝22aは、直線導波路11の内側に設けられ、直線導波路11と曲がり導波路12との光入力側の結合部近傍の基板30を掘り下げて形成される。光出力側内溝22bは、直線導波路11の内側に設けられ、直線導波路11と曲がり導波路12との光出力側の結合部近傍の基板30を掘り下げて形成される。このように、光変調器3では、折り返し導波路10に対して、外溝21、光入力側内溝22a、光出力側内溝22bを設ける構成により、曲がり導波路12と外溝21との相対位置に誤差が生じて、所望の設計値からずれて製造された場合でも、放射損失の増加を抑制することができ、高品質の光変調を行うことが可能になる。図22は光変調器を示す図である。光変調器4は、1つのマッハツェンダ変調器の光導波路を折り返した構成を有するデバイスである。光変調器4は、基板4a上に、マッハツェンダ干渉計型折り返し導波路4-1、信号電極45、接地電極46、溝m1~m4第1の溝~第4の溝が形成される。マッハツェンダ干渉計型光導波路4-1は、入射導波路41、内側導波路42、外側導波路43、出射導波路44から構成される。入射導波路41は、入射光を2分岐する導波路である。内側導波路42は、直線形状または曲率半径が一定値以上の曲線形状を持つ導波路である直線導波路42aと、直線導波路42aよりも曲率半径が小さな曲線形状を持つ導波路である曲がり導波路42bとから構成され、2分岐された一方の内側に位置する導波路である。外側導波路43は、直線導波路43aと曲がり導波路43bとから構成され、2分岐された他方の外側に位置する導波路である。出射導波路44は、内側導波路42を伝搬する光と、外側導波路43を伝搬する光とを合波して出射する導波路である。信号電極45は、外側導波路43上に設けられ、接地電極46は、信号電極45の両側に設けられる。溝m1は、内側導波路42の内周に沿って基板4aを掘り下げて形成した溝である。溝m2は、内側導波路42の外周および外側導波路43の内周に沿って基板4aを掘り下げて形成した溝である。溝m3は、外側導波路43の外周に沿って基板4aを掘り下げて形成した溝である。溝m4は、溝m3の外周に沿って基板4aを掘り下げて形成した溝である。図23は直線導波路と曲がり導波路の結合部近傍を示す図である。内側導波路42の直線導波路42aと曲がり導波路42bとの結合部近傍および外側導波路43の直線導波路43aと曲がり導波路43bとの結合部近傍を示している。図24~図26は結合部近傍の断面を示す図である。図24は図23のA1-A2の断面を示し、図25は図23のB1-B2の断面を示し、図26は図23のC1-C2の断面を示す。光変調器4は、直線導波路42a、43aの全域または一部、および曲がり導波路42b、43bの全域にわたり、これら導波路の両側に溝を設けてリッジ構造を形成する。なお、基板4aの表面にはバッファ層47が設けられる。溝を形成する場合は、断面図に示すように、信号電極45の両側に溝を2本ずつ設けて、すなわち、信号電極45の内側に溝m1、m2を設け、外側に溝m3、m4を設けて、リッジ形状を、信号電極45を中心にして対称となるような構造とする。一方、溝m1と溝m2とで形成され内側導波路42が存在するリッジをリッジR1、溝m2と溝m3とで形成され外側導波路43が存在するリッジをリッジR2、溝m3と溝m4とで形成されるリッジをリッジR3とし、直線導波路42a、43aと曲がり導波路42b、43bとの結合部に対して、結合部へ光が到達するまでの平行導波路区域を光入力側導波路区域とし、結合部から光が伝搬される平行導波路区域を光出力側導波路区域とする。このとき、光入力側導波路区域および光出力側導波路区域に存在するリッジR1、リッジR2およびリッジR3のそれぞれのリッジ幅をWaとし、結合部の近傍に存在するリッジR1、リッジR2およびリッジR3のそれぞれのリッジ幅をWbとし、曲がり導波路42b、43bが位置する曲がり導波路区域に存在するリッジR1、リッジR2およびリッジR3のそれぞれのリッジ幅をWcとした場合、Wa=Wc>Wbとなるように、各導波路区域においてリッジ幅を形成する図23。このような構成にすることにより、電極信号電極45、接地電極46の対称性が良好となり、電極の特性インピーダンスを一定値に保つことができるので、マイクロ波の損失を低減することが可能になる。一方、光導波路を形成する場合は、直線導波路42a、43aは、リッジ幅よりも導波路幅を小さく形成し図24、直線導波路42a、43aと曲がり導波路42b、43bとの結合部近傍は、リッジ幅よりも導波路幅を大きく形成し図25、曲がり導波路42b、43bは、リッジ上面の基板4aの外側方向へ片寄らせて形成する。このように形成することでさらに放射損失を低減させる。また、結合部のB1-B2付近では、リッジ幅が狭くなり、プロセスエラーなどでリッジ上の信号電極45がリッジから外れやすくなるおそれがあるので、これを防ぐために、直線導波路42a、43aと曲がり導波路42b、43bとの結合部近傍B1-B2のみ、信号電極45の幅を狭くする構造にしてもよい。さらにまた、電極の特性インピーダンスは、信号電極45の幅、電極の厚み、信号電極45と接地電極46の間隔などのほか、リッジの幅や高さにも依存する。リッジの幅が狭く、または信号電極45の幅が狭い部分では、インピーダンスが他の部分よりも高くなる。そのため、インピーダンスの不連続によってマイクロ波が反射し、変調特性を悪化させるおそれがある。したがって、これを防ぐために、直線導波路42a、43aと曲がり導波路42b、43bとの結合部近傍のみに対して、電極を厚くする、信号電極45と接地電極46の間隔を狭くする、溝m1~m4を浅く形成する、基板4aと電極との間のバッファ層47を薄くするなどの、少なくとも1つの対策を行うことが有効である。付記1光導波路を有する光デバイスにおいて、直線形状または曲率半径が一定値以上の曲線形状を持つ導波路である第1の導波路と、前記第1の導波路よりも曲率半径が小さな曲線形状を持つ導波路である第2の導波路と、から構成されて基板に形成される折り返し導波路と、前記折り返し導波路の外側に沿って前記基板に形成した溝である外溝と、前記第1の導波路の内側に設けられ、前記第1の導波路と前記第2の導波路との光入力側の結合部近傍の前記基板に形成した溝である光入力側内溝と、前記第1の導波路の内側に設けられ、前記第1の導波路と前記第2の導波路との光出力側の結合部近傍の前記基板に形成した溝である光出力側内溝と、を備え、前記外溝および前記光入力側内溝を形成することで、前記第1の導波路と前記第2の導波路との光入力側の結合部近傍をリッジ構造とし、前記外溝および前記光出力側内溝を形成することで、前記第1の導波路と前記第2の導波路との光出力側の結合部近傍をリッジ構造とする、ことを特徴とする光デバイス。付記2前記光入力側の結合部近傍で、前記第1の導波路の外周と前記外溝の内周との間隔と、前記第1の導波路の内周と前記光入力側内溝の外周との間隔とは、光進行方向に向かって連続的に狭くなるように、前記外溝と前記光入力側内溝とを形成し、前記光出力側の結合部近傍で、前記第1の導波路の外周と前記外溝の内周との間隔と、前記第1の導波路の内周と光出力側内溝の外周との間隔とは、光進行方向に向かって連続的に広くなるように、前記外溝と前記光出力側内溝とを形成する、ことを特徴とする付記1記載の光デバイス。付記3前記光入力側の結合部近傍で、前記第1の導波路の外周と前記外溝の内周との間隔と、前記第1の導波路の内周と前記光入力側内溝の外周との間隔とは、対称的に等しくなるように形成し、前記光出力側の結合部近傍で、前記第1の導波路の外周と前記外溝の内周との間隔と、前記第1の導波路の内周と光出力側内溝の外周との間隔とは、対称的に等しくなるように形成する、ことを特徴とする付記2記載の光デバイス。付記4前記基板の表面にバッファ層を形成する際、前記第1の導波路と前記第2の導波路との光入力側の結合部近傍および光出力側の結合部近傍のリッジのみ、リッジ側面の前記バッファ層を厚くし、かつ屈折率を大きくすることを特徴とする付記1記載の光デバイス。付記5前記第1の導波路と前記第2の導波路との光入力側の結合部近傍および光出力側の結合部近傍のリッジの両側を気体で充填することを特徴とする付記1記載の光デバイス。付記6前記第2の導波路の曲率半径を4mm以下とし、前記第1の導波路の曲率半径は4mmを超えるように形成することを特徴とする付記1記載の光デバイス。付記7前記第1の導波路と前記第2の導波路との光入力側の結合部近傍および光出力側の結合部近傍のリッジの幅を10μm以下とし、リッジの深さを3μm以下となるように形成することを特徴とする付記1記載の光デバイス。付記8前記第1の導波路と前記第2の導波路との光入力側の結合部近傍および光出力側の結合部近傍では、前記第2の導波路の幅が前記第1の導波路の幅よりも大きくなるように形成することを特徴とする付記1記載の光デバイス。付記9前記第1の導波路と前記第2の導波路との結合部近傍のリッジ上部全体を導波路とすることを特徴とする付記1記載の光デバイス。付記10前記第2の導波路に前記外溝が接することを特徴とする付記1記載の光デバイス。付記11前記光入力側内溝を前記第2の導波路の内周側へ延伸させ、延伸させた内溝部分である光入力側延伸内溝に対しては、前記第2の導波路の内周から前記光入力側延伸内溝の外周までの幅が、光進行方向に対して連続的に広くなるように形成し、前記光出力側内溝を前記第2の導波路の内周側へ延伸させ、延伸させた内溝部分である光出力側延伸内溝に対しては、前記第2の導波路の内周から前記光出力側延伸内溝の外周までの幅が、光進行方向に対して連続的に狭くなるように形成する、ことを特徴とする付記1記載の光デバイス。付記12前記光入力側延伸内溝と前記光出力側延伸内溝との外周の曲率半径が、前記第2の導波路の内周の曲率半径の30~60であることを特徴とする付記11記載の光デバイス。付記13光入力側の前記第1の導波路は、光進行方向に対し、前記第1の導波路と前記第2の導波路との光入力側の結合部に近づくにつれて連続的に導波路幅が広くなるように前記第1の導波路の幅をテーパ状に変化させ、光出力側の前記第1の導波路は、光進行方向に対し、前記第1の導波路と前記第2の導波路との光出力側の結合部から離れるにつれて連続的に導波路幅が狭くなるように前記第1の導波路の幅をテーパ状に変化させる、ことを特徴とする付記1記載の光デバイス。付記14光変調を行う光デバイスにおいて、マッハツェンダ干渉計型の光導波路であって、光入力側に位置する光入力側マッハツェンダ干渉計型光導波路と、マッハツェンダ干渉計型の光導波路であって、光出力側に位置する光出力側マッハツェンダ干渉計型光導波路と、直線形状または曲率半径が一定値以上の曲線形状を持つ導波路である第1の導波路と、前記第1の導波路よりも曲率半径が小さな曲線形状を持つ導波路である第2の導波路と、から構成され、前記光入力側マッハツェンダ干渉計型光導波路を伝搬する光を、前記光出力側マッハツェンダ干渉計型光導波路へ折り返す折り返し導波路と、前記折り返し導波路の外側に沿って基板に形成した溝である外溝と、前記第1の導波路の内側に設けられ、前記第1の導波路と前記第2の導波路との光入力側の結合部近傍の前記基板に形成した溝である光入力側内溝と、前記第1の導波路の内側に設けられ、前記第1の導波路と前記第2の導波路との光出力側の結合部近傍の前記基板に形成した溝である光出力側内溝と、を有することを特徴とする光デバイス。付記15光変調を行う光デバイスにおいて、入射光を2分岐する入射導波路と、直線形状または曲率半径が一定値以上の曲線形状を持つ導波路である第1の導波路と前記第1の導波路よりも曲率半径が小さな曲線形状を持つ導波路である第2の導波路とから構成され2分岐された内側の導波路である内側導波路と、前記第1の導波路と前記第2の導波路とから構成され2分岐された外側の導波路である外側導波路と、前記内側導波路を伝搬する光と前記外側導波路を伝搬する光とを合波して出射する出射導波路と、を含み、基板に形成されて信号光を伝搬するマッハツェンダ干渉計型折り返し導波路と、前記外側導波路の上に形成された信号電極と、前記信号電極の両側に形成された接地電極と、前記内側導波路の内側に沿って前記基板に形成した溝である第1の溝と、前記内側導波路の外側および前記外側導波路の内側に沿って前記基板に形成した溝である第2の溝と、前記外側導波路の外側に沿って前記基板に形成した溝である第3の溝と、前記第3の溝の外側に沿って前記基板に形成した溝である第4の溝と、を有することを特徴とする光デバイス。付記16前記第1の溝と前記第2の溝とで形成され前記内側導波路が存在するリッジを第1のリッジ、前記第2の溝と前記第3の溝とで形成され前記外側導波路が存在するリッジを第2のリッジ、前記第3の溝と前記第4の溝とで形成されるリッジを第3のリッジとし、前記第1の導波路と前記第2の導波路との結合部に対して、前記結合部へ光が到達するまでの平行導波路区域である光入力側導波路区域と、前記結合部から光が伝搬される平行導波路区域である光出力側導波路区域とに存在する、前記第1のリッジ、前記第2のリッジおよび前記第3のリッジのそれぞれのリッジ幅をWaとし、前記結合部の近傍に存在する前記第1のリッジ、前記第2のリッジおよび前記第3のリッジのそれぞれのリッジ幅をWbとし、前記第2の導波路が位置する導波路区域である曲がり導波路区域に存在する前記第1のリッジ、前記第2のリッジおよび前記第3のリッジのそれぞれのリッジ幅をWcとした場合、Wa=Wc>Wbとなるようにリッジ幅を形成することを特徴とする付記15記載の光デバイス。付記17前記第1の導波路と前記第2の導波路との結合部近傍のみ、前記信号電極の幅を狭くすることを特徴とする請求項15記載の光デバイス。付記18前記基板上に平行に形成される前記第1の導波路は、リッジ幅よりも前記第1の導波路の導波路幅を小さく形成し、前記第1の導波路と前記第2の導波路との結合部近傍に位置する、前記第1の導波路の導波路幅と前記第2の導波路の導波路幅は、リッジ幅より大きく形成し、曲率半径の小さな導波路部分の前記第2の導波路は、リッジ上面の前記基板の外側方向へ片寄らせて形成する、ことを特徴とする付記15記載の光デバイス。付記19前記第1の導波路と前記第2の導波路との結合部近傍のみ、前記信号電極および前記接地電極の高さを厚くすることを特徴とする付記15記載の光デバイス。付記20前記第1の導波路と前記第2の導波路との結合部近傍のみ、前記信号電極と前記接地電極との間隔を狭くすることを特徴とする付記15記載の光デバイス。付記21前記第1の導波路と前記第2の導波路との結合部近傍のみ、前記第1溝、前記第2の溝、前記第3の溝、前記第4の溝を浅く形成することを特徴とする付記15記載の光デバイス。付記22前記基板の表面にバッファ層を形成する際、前記基板と前記信号電極との間の前記バッファ層を薄く形成し、かつ前記基板と前記接地電極との間の前記バッファ層を薄く形成することを特徴とする付記15記載の光デバイス。