"第1のフレーム部と、前記第1のフレーム部上に配置された電力用半導体チップと、前記第1のフレーム部の前記電力用半導体チップが配置された面と反対側の面に配置された絶縁シートと、前記第1のフレーム部よりも上方の高さ位置に位置する第2のフレーム部と、前記第2のフレーム部に搭載された前記電力用半導体チップを制御するための制御用半導体チップと、前記第2のフレーム部の周辺に配置され、かつ前記制御用半導体チップと電気的に接続された第3のフレーム部と、前記第2および第3のフレーム部をつなぐように前記第2および第3のフレーム部の下側に配置されたサポート部材と、前記第1のフレーム部、前記第2のフレーム部、前記第3のフレーム部、前記電力用半導体チップ、前記制御用半導体チップおよび前記サポート部材を封止し、かつ前記絶縁シートを露出するためのモールド樹脂とを備え、前記サポート部材は、前記第1のフレーム部と前記絶縁シートとの接合部の上方領域の周囲に配置されている、半導体装置。前記第1のフレーム部と前記電力用半導体チップとが積層される方向から見て前記絶縁シートと前記サポート部材とが重なるように配置されている、請求項1に記載の半導体装置。前記サポート部材は、前記第1のフレーム部と前記電力用半導体チップとが積層される方向から見て前記接合部から離れるに従って、厚みが大きくなるテーパ形状を有している、請求項1または2に記載の半導体装置。前記サポート部材は、前記モールド樹脂の外縁部から離れて配置されている、請求項1~3のいずれかに記載の半導体装置。前記電力用半導体チップと前記制御用半導体チップとに電気的に接続された中継リードをさらに含み、前記サポート部材は、前記第2および第3のフレーム部と前記中継リードとをつなぐように前記中継リードの下側に配置されている、請求項1~4のいずれかに記載の半導体装置。前記サポート部材は、サポートテープを含む、請求項1~5のいずれかに記載の半導体装置。前記サポート部材は、基板を含む、請求項1~5のいずれかに記載の半導体装置。上記の特開2000-138343号公報および特開2005-123495号公報に記載された半導体装置では、パワーモジュールの厚みが大きくなるため、パワーモジュールの大きさが大きくなる。一方、パワーモジュールの小型化および高機能化が求められている。パワーモジュールの小型化および高機能化のために制御用半導体チップ側のフレームの微細化および薄厚化が進んでいる。これにより、制御用半導体チップ側のフレームの強度が弱くなるため、モールド樹脂注入時に制御用半導体チップ側のフレームにばたつきが生じる。このため、制御用半導体チップに使用されている金線にフレームが接触することで金線にダメージが生じるおそれがある。また、電力用半導体チップを制御用半導体チップに接続するワイヤとフレームとがショートするおそれがある。ところで、上記の特開平9-213871号公報および特開2001-339041号公報に記載されているように制御用半導体チップ側のフレームを樹脂シートなどで支持することでフレームのばたつきが抑制され得る。しかしながら、特開平9-213871号公報に記載された半導体装置では、制御用半導体チップが搭載されたフレームダイパッドの周囲のフレームは樹脂シートで固定されているが、ダイパッドは樹脂シートで固定されていない。そのためフレームのばたつきの抑制が不十分である。また、特開2001-339041号公報に記載された半導体装置でも、ダイパッドの周囲の内部リードフレームは絶縁フィルムで支持されているが、ダイパッドは絶縁フィルムで支持されていない。そのためフレームのばたつきの抑制が不十分である。さらに、放熱性の向上のため、電力用半導体チップが搭載されたフレームに接触するように絶縁シートが設けられる。なお、この絶縁シートはフィンと接触するようにパッケージの裏面から露出している。この絶縁シートと電力用半導体チップが搭載されたフレームとの密着性が低下すると放熱性が低下する。本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、小型で、制御用半導体チップ側のフレームのばたつきを抑制することができ、かつ電力用半導体チップが搭載されたフレームと絶縁シートとの密着性を向上することができる半導体装置を提供することである。本発明の半導体装置は、第1のフレーム部と、第1のフレーム部上に配置された電力用半導体チップと、第1のフレーム部の電力用半導体チップが配置された面と反対側の面に配置された絶縁シートと、第1のフレーム部よりも上方の高さ位置に位置する第2のフレームと、第2のフレームに搭載された電力用半導体チップを制御するための制御用半導体チップと、第2のフレーム部の周辺に配置され、かつ制御用半導体チップと電気的に接続された第3のフレーム部と、第2および第3のフレーム部をつなぐように第2および第3のフレーム部の下側に配置されたサポート部材と、第1のフレーム部、第2のフレーム、第3のフレーム部、電力用半導体チップ、制御用半導体チップおよびサポート部材を封止し、かつ絶縁シートを露出するためのモールド樹脂とを備えている。サポート部材は、第1のフレーム部と絶縁シートとの接合部の上方領域の周囲に配置されている。本発明の半導体装置によれば、第2および第3のフレーム部をつなぐようにサポート部材が配置されているため、制御用半導体チップが搭載された第2のフレームがサポート部材でつながれている。これにより、第3のフレーム部のみがサポート部材でつながれている場合より第2のフレームのばたつきを抑制することができる。そして、サポート部材によって第2のフレームのばたつきが抑制されるため、第2のフレームを微細化および薄厚化することができる。これにより、半導体装置を小型化することができる。また、サポート部材は第2および第3のフレーム部の下側に配置されているため、サポート部材と第1のフレーム部との高さ方向の間隔を小さくすることができる。このため、第2および第3のフレーム部の下側のモールド樹脂が上側のモールド樹脂より先に流れる。そして、サポート部材は、第1のフレーム部と絶縁シートとの接合部の上方領域の周囲に配置されているため、上方領域でモールド樹脂が留まることができる。したがって、モールド樹脂による第1のフレーム部側から絶縁シート側への押し付けが安定する。これにより、第1のフレーム部と絶縁シートとの密着性を向上することができる。以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。実施の形態1最初に本発明の実施の形態1の半導体装置の構成について説明する。本実施の形態では、半導体装置についてパワーモジュールを一例として説明する。図1および図2を参照して、半導体装置は、フレーム2上に電力用半導体チップ4および制御用半導体チップ5が搭載され、モールド樹脂9によって封止されている。図2では、モールド樹脂9によって封止された半導体装置1の内部構造が示されている。図2および図3を参照して、半導体装置1の構成についてさらに詳しく説明する。半導体装置1は、フレーム2と、電力用半導体チップ4と、制御用半導体チップ5と、サポート部材7と、絶縁シート8と、モールド樹脂9と、ワイヤ10,11とを主に有している。フレーム2は、電力用半導体チップ用リードフレーム第1のフレーム部2aと、電力用半導体チップ用リード端子2bと、制御用半導体チップ用リードフレーム第2のフレーム部2cと、制御用半導体チップ用リード端子第3のフレーム部2dと、リード段差部2eと、中継リード2fとを有している。電力用半導体チップ4は、たとえばIGBTInsulatedGateBipolarTransistorである。制御用半導体チップ5は、たとえばLVICLowVoltageIntegratedCircuitまたはHVICHighVoltageIntegratedCircuitである。電力用半導体チップ4は電力用半導体チップ用リードフレーム2a上に配置されている。電力用半導体チップ4は電力用半導体チップ用リード端子2bとたとえばアルミニウム線からなるワイヤ10によって電気的に接続されている。制御用半導体チップ5は制御用半導体チップ用リードフレーム2c上に配置されている。制御用半導体チップ5は制御用半導体チップ用リード端子2dとたとえば金線からなるワイヤ11によって電気的に接続されている。制御用半導体チップ用リード端子2dは、制御用半導体チップ用リードフレーム2cの周辺に配置されている。電力用半導体チップ用リードフレーム2aは、電力用半導体チップ用リード端子2bとリード段差部2eを介して、制御用半導体チップ用リードフレーム2cと略平行に配置さている。制御用半導体チップ用リードフレーム2cは、電力用半導体チップ用リードフレーム2aよりも上方の高さ位置に位置している。電力用半導体チップ4と所定の中継リード2fとをワイヤ10によって電気的に接続するとともに、その中継リード2fと制御用半導体チップ5とをワイヤ11によって電気的に接続することによって電力用半導体チップ4と制御用半導体チップ5とが電気的に接続されている。制御用半導体チップ用リードフレーム2cと制御用半導体チップ用リード端子2dをつなぐように制御用半導体チップ用リードフレーム2cと制御用半導体チップ用リード端子2dの下側にサポート部材7が配置されている。サポート部材7によって、制御用半導体チップ用リードフレーム2cと制御用半導体チップ用リード端子2dとが一体的に支持されている。サポート部材7は、電力用半導体チップ用リードフレーム2aと絶縁シート8との接合部3の上方領域6の周囲に配置されている。サポート部材7は、サポートテープ7aであってもよい。サポートテープ7aは、たとえばTABTapeAutomatedBondingテープなどが用いられる。サポートテープ7aの材質としては、制御用半導体チップ用リードフレーム2cおよび制御用半導体チップ用リード端子2dと電気的に絶縁するため、ポリイミドなどが用いられる。電力用半導体チップ用リードフレーム2aの電力用半導体チップ4が配置された面表面と反対側の面裏面に絶縁シート8が配置されている。絶縁シート8の熱伝導率は、モールド樹脂9の熱伝導度より大きな値を有している。絶縁シート8は、電力用半導体チップ4が配置された側と反対側の面一方面で図示しないフィンに接触可能に構成されている。モールド樹脂9は、電力用半導体チップ用リードフレーム2aと、制御用半導体チップ用リードフレーム2cと、制御用半導体チップ用リード端子2dと、電力用半導体チップ4、制御用半導体チップ5と、サポート部材7とを封止している。また、絶縁シート8は、一方面がモールド樹脂9から露出するようにモールド樹脂9によって封止されている。なお、制御用半導体チップ用リード端子2dの先端部はモールド樹脂9から突出している。また、電力用半導体チップ用リード端子2bの先端部もモールド樹脂9から突出している。さらに、モールド樹脂9は、リード段差部2e、中継リード2f、ワイヤ10,11を封止している。次に、本実施の形態の半導体装置の製造方法について説明する。制御用半導体チップ用リードフレーム2cと制御用半導体チップ用リード端子2dとなるフレーム2の下側にサポート部材7が配置される。電力用半導体チップ用リードフレーム2a上に電力用半導体チップ4がダイボンドにより搭載される。また、制御用半導体チップ用リードフレーム2c上に制御用半導体チップ5がダイボンドにより搭載される。続いて、ワイヤ10のワイヤボンディングによって、電力用半導体チップ4と所定の内部リードとが電気的に接続される。同様に、ワイヤ11のワイヤボンディングによって、制御用半導体チップ5と所定の内部リードとが電気的に接続される。絶縁シート8が電力用半導体チップ用リードフレーム2aの裏面に配置される。なお、電力用半導体チップ用リードフレーム2aは、リード段差部2eを介して電力用半導体チップ用リード端子2bとなるフレーム2につながれて、制御用半導体チップ用リードフレーム2cと略平行に配置されている。図4を参照して、図示しない金型にフレーム2が装着された状態で、電力用半導体チップ用リードフレーム2a側から金型内にモールド樹脂9が図中矢印で示されるように注入される。サポート部材7によって、制御用半導体チップ用リードフレーム2cと制御用半導体チップ用リード端子2dとが一体的に支持されているため、モールド樹脂9の注入による制御用半導体チップ用リードフレーム2cのばたつきが抑制される。図5を参照して、さらに電力用半導体チップ用リードフレーム2a側から金型内にモールド樹脂9が図中矢印で示されるように注入される。この場合、制御用半導体チップ用リードフレーム2cと制御用半導体チップ用リード端子2dの下側にサポート部材7が配置されているため、電力用半導体チップ用リードフレーム2aとの高さ方向での間隔が小さくなる。これにより、制御用半導体チップ用リードフレーム2cと制御用半導体チップ用リード端子2dの上側に流れるモールド樹脂9が、下側に流れるモールド樹脂より先行する。つまり、制御用半導体チップ用リードフレーム2cと制御用半導体チップ用リード端子2dの上側のモールド樹脂9の流れより下側のモールド樹脂9の流れが遅くなる。モールド樹脂9によって、フレーム2、電力用半導体チップ4、制御用半導体チップ5、サポート部材7、絶縁シート8、モールド樹脂9およびワイヤ10,11が封止された後、電力用半導体チップ用リード端子2bおよび制御用半導体チップ用リード端子2dとなるフレーム2が曲げられて、半導体装置1が製造される。上記ではサポート部材7としてサポートテープ7aが適用された場合について説明したが、サポート部材7はこれに限定されない。図6を参照して、本実施の形態の変形例の半導体装置では、サポート部材7として基板7bが適用され得る。制御用半導体チップ用リードフレーム2c上に基板7bが搭載されている。基板7bは制御用半導体チップ用リードフレーム2cにたとえば接着剤で接着される。基板7bは、たとえばガラスエポキシ基板である。ガラスエポキシ基板上には抵抗、コンデンサなどの電子部品が搭載されることで高機能化が可能である。また、基板7b上に制御用半導体チップ5が搭載されている。次に、本実施の形態の半導体装置の作用効果について説明する。本実施の形態の半導体装置1によれば、制御用半導体チップ用リードフレーム2cと制御用半導体チップ用リード端子2dをつなぐようにサポート部材7が配置されているため、制御用半導体チップ5が搭載された制御用半導体チップ用リードフレーム2cがサポート部材でつながれている。これにより、制御用半導体チップ用リード端子2dのみがサポート部材7でつながれている場合より制御用半導体チップ用リードフレーム2cのばたつきを抑制することができる。このため、制御用半導体チップ5に使用されているワイヤ11にフレーム2が接触することでワイヤ11にダメージが生じることを抑制できる。また、電力用半導体チップ4を制御用半導体チップ5に接続するワイヤ10とフレーム2とがショートすることを抑制できる。そして、サポート部材7によって制御用半導体チップ用リードフレーム2cのばたつきが抑制されるため、制御用半導体チップ用リードフレーム2cを微細化および薄厚化することができる。これにより、半導体装置1を小型化することができる。また、サポート部材7は制御用半導体チップ用リードフレーム2cと制御用半導体チップ用リード端子2dの下側に配置されているため、サポート部材7と電力用半導体チップ用リードフレーム2aとの高さ方向の間隔を小さくすることができる。このため、制御用半導体チップ用リードフレーム2cと制御用半導体チップ用リード端子2dの下側のモールド樹脂9が上側のモールド樹脂9より先に流れる。そして、サポート部材7は、電力用半導体チップ用リードフレーム2aと絶縁シート8との接合部3の上方領域6の周囲に配置されているため、上方領域6でモールド樹脂9が留まることができる。したがって、モールド樹脂9による電力用半導体チップ用リードフレーム2a側から絶縁シート8側への押し付けが安定する。これにより、電力用半導体チップ用リードフレーム2aと絶縁シート8との密着性を向上することができる。また、本実施の形態の半導体装置1によれば、サポート部材7はサポートテープ7aを含むため、サポートテープ7aによって制御用半導体チップ用リードフレーム2cと制御用半導体チップ用リード端子2dとを支持することができる。また、本実施の形態の半導体装置1によれば、サポート部材7は、基板7bを含むため、基板7bによって制御用半導体チップ用リードフレーム2cと制御用半導体チップ用リード端子2dとを支持することができる。実施の形態2本発明の実施の形態2の半導体装置は実施の形態1の半導体装置と比較して、サポート部材と絶縁シートとの配置が主に異なっている。図7を参照して、本実施の形態の半導体装置1では、絶縁シート8の上方にサポート部材7が位置している。つまり、電力用半導体チップ用リードフレーム2aと電力用半導体チップ4とが積層される方向積層方向から見て、絶縁シート8の端部とサポート部材7の端部とが重なるように配置されている。なお、本実施の形態のこれ以外の構成および製造方法は上述した実施の形態1と同様であるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。本実施の形態の半導体装置1によれば、積層方向から見て絶縁シート8とサポート部材7とが重なるように配置されているため、サポート部材7と絶縁シート8との間隔を小さくすることができる。これにより、サポート部材7と絶縁シート8との間にモールド樹脂が注入され難くすることができる。このため、上方領域6でモールド樹脂9がさらに留まることができる。したがって、モールド樹脂9による電力用半導体チップ用リードフレーム2a側から絶縁シート8側への押し付けがさらに安定する。これにより、電力用半導体チップ用リードフレーム2aと絶縁シート8との密着性をさらに向上することができる。なお、本実施の形態のこれ以外の構成および製造方法は上述した実施の形態1と同様であるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。実施の形態3本発明の実施の形態3の半導体装置は実施の形態1の半導体装置と比較して、サポート部材の形状が主に異なっている。図8を参照して、本実施の形態の半導体装置1では、サポート部材7はテーパ形状を有している。テーパ形状は、電力用半導体チップ用リードフレーム2aと電力用半導体チップ4とが積層される方向積層方向から見て接合部3から離れるに従って、厚みが大きくなるように構成されている。なお、本実施の形態のこれ以外の構成および製造方法は上述した実施の形態1と同様であるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。本実施の形態の半導体装置1によれば、サポート部材7は、積層方向から見て接合部3から離れるに従って、厚みが大きくなるテーパ形状を有しているため、接合部3から離れるに従って、サポート部材7の下方にモールド樹脂が注入され難くすることができる。このため、接合部3の上方領域6でモールド樹脂9がさらに留まることができる。したがって、モールド樹脂9による電力用半導体チップ用リードフレーム2a側から絶縁シート8側への押し付けがさらに安定する。これにより、電力用半導体チップ用リードフレーム2aと絶縁シート8との密着性をさらに向上することができる。実施の形態4本発明の実施の形態4の半導体装置は実施の形態1の半導体装置と比較して、サポート部材の形状が主に異なっている。図9を参照して、本実施の形態の半導体装置1では、サポート部材7は、モールド樹脂9の外縁部9aから離れて配置されている。つまり、サポート部材7がモールド樹脂9の外縁部9aに達するように設けられていない。なお、本実施の形態のこれ以外の構成および製造方法は上述した実施の形態1と同様であるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。次に、本実施の形態の半導体装置の作用効果について比較例と対比して説明する。図10を参照して、本実施の形態の比較例では、サポート部材7がモールド樹脂9の外縁部9aに達するように設けられている。この場合、フレーム2の下方のモールド樹脂9の外縁部9a付近がモールド樹脂9の最終充填箇所となる。この最終充填箇所では空気溜まり12が発生しやすいため、パーティング面PL付近にボイドおよびウェルドが発生しやすい。これに対して、本実施の形態の半導体装置1によれば、サポート部材7は、モールド樹脂9の外縁部9aから離れて配置されているため、サポート部材7とモールド樹脂9の外縁部9aとの間でフレーム2の上方および下方から充填されたモールド樹脂9が混合される。これにより、モールド樹脂9の外縁部9a付近でのボイドおよびウェルドの発生を抑制することができる。実施の形態5図11を参照して、本発明の実施の形態5半導体装置では、中継リード2fがサポート部材7によって支持されている。中継リード2fは、電力用半導体チップ4と制御用半導体チップ5とに電気的に接続されている。サポート部材7は、制御用半導体チップ用リードフレーム2cおよび制御用半導体チップ用リード端子2dと中継リード2fとをつなぐように中継リード2fの下側に配置されている。なお、本実施の形態のこれ以外の構成および製造方法は上述した実施の形態1と同様であるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。本実施の形態の半導体装置1によれば、サポート部材7は、制御用半導体チップ用リードフレーム2cおよび制御用半導体チップ用リード端子2dと中継リード2fとをつなぐように中継リード2fの下側に配置されているため、サポート部材7によって中継リード2fが固定されている。サポート部材7によって中継リード2fが固定されているため、中継リード2fをモールド樹脂9の外部に突出させずに中継リード2fを保持することができる。そのため、中継リード2fをモールド樹脂9の外部に突出させる場合と比べて中継リード2fが突出しない分だけ半導体装置1を小型化することができる。上記の各実施の形態は適宜組み合わせられ得る。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"