基板の表面が疎水性高分子材料から形成されており、かつ、a少なくとも基板の前記表面を、少なくとも50容量の水、及び任意に30より高い誘電率を有する1又はそれより多い極性溶媒を含み、00001moll未満の溶解ガス及びイオン源を含む溶液中に浸漬する工程を含むことを特徴とする、基板の表面にパターンを形成する方法。前記イオン源が、酸又は塩基であることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記イオン源が、酸又は塩基の塩であることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記イオン源が、NaCl、KCl、第4級アンモニウム塩、リチウム塩及びこれらの塩の少なくとも2つの混合物から、好ましくは第4級アンモニウム塩、リチウム塩及びこれらの塩の少なくとも2つの混合物から選択されることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記イオン源が、界面活性剤又は界面活性剤の混合物、好ましくはジデシルメチルアンモニウムブロミドであることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記溶媒が水であることを特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載の方法。前記工程aが、15以上12以下のpH、20°C以上150°C以下の温度及び100000Pa以上500000Pa以下の圧力で行われることを特徴とする請求項6に記載の方法。前記基板が、疎水性高分子材料又は疎水性高分子材料のナノ粒子からなる層で覆われた担体から形成されていることを特徴とする請求項1~7のいずれか1つに記載の方法。前記基板が、疎水性高分子材料から完全に形成されていることを特徴とする請求項1~7のいずれか1つに記載の方法。前記疎水性高分子材料が、ポリスチレン及びポリジメチルシロキサンから選択されることを特徴とする請求項1~9のいずれか1つに記載の方法。前記工程aが行われる前に、前記基板の表面が、前記表面に形成されることが望まれるパターンのポジ型又はネガ型を含むマスクで覆われていることを特徴とする請求項1~10のいずれか1つに記載の方法。実施例11~2nm未満の深さのRMS荒さを有する約200nmの厚さの薄いポリスチレンフィルムも防ぐために事前にシラン処理されたを、天然オキシド層を有するシリコンウェハ上に形成させた。薄いポリスチレンフィルムは、トルエン中の250kgmolのモル重量を有する5重量のポリスチレンを含む溶液を用いて、1500~5000rpmの回転速度での回転塗布により製造した。次いで、フィルムを、回転塗布中に生じた任意の残留応力を緩和するように、及び残留するトルエンを除去するように、160°C、すなわちポリスチレンのガラス転移温度よりも高温で一晩ベークした。参照層の均一性は、原子力顕微鏡を用いて点検した。次いで、これらの表面を、非脱気水を用いて産生され、且つpH15~pH12の範囲のpHを有する様々な水溶液に浸漬した。ポリスチレンフィルムの表面は、5分~24時間、溶液と接触させ続けた。AFMにより得られたイメージとしては、空気中の乾燥した表面を撮影した。予測通り、非脱気水溶液での処理により、ポリスチレン表面のテクスチャ/荒さは、未処理の参照サンプルと比較して変化しなかった。同じタイプの実験を、予め脱気したの圧力の通常の真空中に2時間置いた溶液を用いて行った。次いで、低及び高pHの両方において、レリーフに現れるナノ構造を観察した。このようにして、pH15では、高さ26nm及び幅23nmのレリーフが得られた。pH25では、高さ13nm及び幅15nmのレリーフが生じた。pH70では、高さ06nm及び幅10nmのレリーフが生じた。pH92では、高さ14nm及び幅15nmのレリーフが生じた。pH113では、高さ22nm及び幅40nmのレリーフが生じた。作成されたナノ構造は、数週間以上空気中で耐久可能であった。実施例2実施例1と同様にして形成された薄いポリスチレンフィルムを65°Cに熱し、予め脱気し、65°Cに熱したpH15の溶液中に5分間浸漬した。得られたAFM顕微鏡写真は、室温であることを除いては脱気した溶液を用いる同様の条件で得られたものよりもレリーフが高く、幅広いことを示した。実施例3次に、それらの製作後直ちに、実施例1に記載される方法を用いて得られたサンプルをUVで硬化させた。1か月後、レリーフ中の構造は、消失も崩壊もしていなかった。実施例4実施例1と同様にして形成された薄いポリスチレンフィルムで覆われた基板を製作した。これらの基板は、中性pHの、すなわち003MlのNaCl以外のpH調整剤を含まない水溶液中に浸漬した。レリーフも生じ、レリーフの高さ及び幅は、浸漬時間に伴って増大した。比較例ポリスチレンは、約90°の水接触角を有する疎水性材料である。本発明による方法が疎水性材料にのみ使用可能であることを証明するために、実施例1と同様にして調製されたポリスチレンフィルムを15分間UVで照射した。このようにして、このフィルムの表面は、親水性となるように作製された。次いで、表面を酸性溶液中に浸漬した。レリーフに構造は形成されていないことが認められた。実施例5この実施例は、ナノ構造が例えば硬化により固定されていない場合に、ナノ構造形成された表面を再生可能であることを示す。この場合、熱処理又は溶媒を用いて表面を再び滑らかにすることが可能である。したがって、この実施例においては、実施例1に従って得られたサンプルの表面を100°Cで2時間焼いた。形成されたナノ構造は、時間をかけて崩壊するか又は消失さえした。次に、この方法で再生された表面を、脱気した酸性水溶液中に再び浸漬し、新たなナノ構造を形成した。今回、ナノ構造形成された表面を15分間飽和トルエン蒸気中に晒したこと以外は同様の実験を再び行った。またも、ナノ構造は、時間に応じて崩壊及び消失した。次いで、再生した表面を同様の酸処理を用いて、更にもう一度ナノ構造形成させることができた。実施例6:ポリジメチルシロキサン基板のナノ構造形成PDMSは、ソフトリソグラフィにおけるモールド材料として広く用いられており、このことは、それを高流量系、例えばマイクロ流体チップにおいて最も広く用いられる材料の1つとしている。PDMS基板は、Sylgard184及び硬化剤をペトリ皿に注ぐことにより調製した。混合物を勢いよく混合し、全ての気泡が除去されるように20分間真空中に置いた。この等級のPDMSは、65°Cで4時間以内に完全に硬化することが公知である。続いて、ペトリ皿を60°Cで1時間オーブン中に置き、硬い層を得た。次いで、ペトリ皿を脱気した酸性化されたpH15の水溶液中に浸漬し、3時間オーブン中に保持し、PDMSを完全に硬化した。次いで、脱気した水溶液で処理されていない参照用PDMS基板及び処理した表面のイメージを、AFMを用いて撮影した。参照サンプルの表面は滑らかで、04nmの荒さを有しており、処理したサンプルの表面は、15nmの荒れを与える表面のレリーフを含んでいた。実施例7:コロイドのナノ構造形成本発明の方法は、粒子にも使用し得る。したがって、単分散されたポリスチレンのボールを、濃縮水溶液中での浸漬塗工により、滑らかなマイカ基板の表面に堆積させた。AFMにより撮影されたイメージは、これらポリスチレン球の露出した表面上にレリーフがないことを示した。次いで、基板を、5分間25°Cで、硝酸を用いて酸性化されたpH15の脱気した水溶液中に浸漬した。この基板のAFMイメージは、処理後、ポリスチレン球が、05nmの高さ及び13nmの幅を有する表面のレリーフを含んでいることを示した。65°Cに熱したこと以外は同様の実験を、上記と同じ溶液を用いて行った。形成されたレリーフは、予測通り、室温で処理したサンプルについてよりも高く、幅広かった。実施例8:マルチスケールナノ構造形成この実施例は、水ベースのナノ構造形成を用いて、様々な技術、例えばトライボロジ、アドヒージョン又は流動化技術等に用い得る表面のマルチスケール荒さを作成することが可能であることを証明する。第1の工程において、シリコン基板上に回転塗布された薄いポリスチレンフィルムに、JYChungAJNolteらによりDiffusionControlledSelfOrganizedGrowthofSymmetricWrinklingPatternsAdvancedMaterials21:13581362において記載される浸透圧技術を用いて、表面のナノ構造を形成した。ポリスチレンの同心のリングが得られた。第2の荒さは、第2の工程において、第1の工程において形成されたリングに同一の技術を適用することにより生じた。最後に、第3の荒さは、事前に得られた二重構造の表面を脱気した酸性溶液中に浸漬することにより生じた。このサンプルについて得られたAFMイメージは、第3の荒さが得られたことを示した。実施例9:マスクとの接触によるパターンの作成PDMS溶液を、慣用のフォトレジストベースのリソグラフィプロセスを用いて、グルーブ、スクエア及びレクタングルで予め構造形成されているシリコンウェハの表面に注いだ。熱硬化の後、硬化したPDMS層をシリコンウェハから除去した。その表面は、明らかに、シリコンウェハ上のパターンのネガ型を含んでいた。次いで、このPDMSマスクを薄いポリスチレンフィルムの表面に対してプレスし、アセンブリを脱気した酸性水溶液中に浸漬した。水溶液は、マスクと接触しないポリスチレン表面の領域を濡らした。5分後、元のパターンに対応するストリップ、スクエア及びレクタングルが、ポリスチレンフィルムの表面のレリーフに容易に形成された。