下記酸化物基準のモル表示で、SiO2を62.5~69、Al2O3を9~15.5、Li2Oを8~16、Na2Oを0~8、K2Oを0~7、ZrO2を0~3.5含有し、SiO2-Al2O3が53.3以上、Li2ONa2OK2Oが17~24、上記6成分の含有量の合計が97以上である基板用ガラス。SiO2が64~68、Al2O3が9~13、Li2Oが10~15、Na2Oが3~7、K2Oが1~5、Li2ONa2OK2Oが19~23である請求項1の基板用ガラス。SiO2-Al2O3が56.0以下である請求項1または2の基板用ガラス。前記6成分の含有量の合計が98以上である請求項1、2または3の基板用ガラス。MgOを0~2含有する請求項1~4のいずれかの基板用ガラス。CaO、SrOおよびBaOのいずれも含有しない、または、CaO、SrOおよびBaOのいずれか1成分以上を含有しそれら含有量の合計が1以下である請求項1~5のいずれかの基板用ガラス。基板が情報記録媒体基板である請求項1~6のいずれかの基板用ガラス。情報記録媒体が磁気ディスクである請求項7の基板用ガラス。請求項1~8のいずれかの基板用ガラスからなるガラス基板。請求項9のガラス基板を化学強化した化学強化ガラス基板。請求項1~6のいずれかの基板用ガラスからなる磁気ディスク用ガラス基板または同基板用ガラスからなるガラス基板を化学強化した化学強化ガラス基板の上に磁気記録層が形成されている磁気ディスク。これらの洗浄液はpHが2以下と低いため、耐酸性が低いガラスではガラス基板表面に欠点が発生する場合がある。前記ガラスAは耐酸性が高いものであり低pHにおける研磨工程や洗浄工程で面荒れが発生しないとされているが、本発明者が80°Cの硫酸-過酸化水素混合液でガラスAに属するガラスを洗浄したところむら状の欠点の発生が認められた後掲図4。本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、pHが2以下の洗浄液を用いてもガラス基板表面に欠点が発生しにくい、特に耐酸性に優れた情報記録媒体用ガラス基板の提供を目的とする。本発明は、下記酸化物基準のモル表示で、SiO2を62.5~69、Al2O3を9~15.5、Li2Oを8~16、Na2Oを0~8、K2Oを0~7、ZrO2を0~3.5含有し、SiO2-Al2O3が53.3以上、Li2ONa2OK2Oが17~24、上記6成分の含有量の合計が97以上である基板用ガラスを提供する。なお、たとえばNa2Oを0~8含有するとは、Na2Oは必須ではないが8までの範囲で含有してもよい、の意であり、SiO2-Al2O3はSiO2含有量からAl2O3含有量を減じた差である。また、SiO2が64~68、Al2O3が9~13、Li2Oが10~15、Na2Oが3~7、K2Oが1~5、Li2ONa2OK2Oが19~23である前記基板用ガラスを提供する。また、SiO2-Al2O3が56.0以下である前記基板用ガラスを提供する。また、前記6成分の含有量の合計が98以上である前記基板用ガラスを提供する。また、MgOを0~2含有する前記基板用ガラスを提供する。また、CaO、SrOおよびBaOのいずれも含有しない、または、CaO、SrOおよびBaOのいずれか1成分以上を含有しそれら含有量の合計が1以下である前記基板用ガラスを提供する。また、前記基板が情報記録媒体基板である前記基板用ガラスを提供する。また、前記情報記録媒体が磁気ディスクである前記基板用ガラスを提供する。また、前記基板用ガラスからなるガラス基板を提供する。また、前記ガラス基板を化学強化した化学強化ガラス基板を提供する。また、前記基板用ガラスからなる磁気ディスク用ガラス基板または同基板用ガラスからなるガラス基板を化学強化した化学強化ガラス基板の上に磁気記録層が形成されている磁気ディスクを提供する。本発明によれば、耐酸性に特に優れたガラス基板が得られるので、pHが2以下の洗浄液を用いても表面に欠点が生じにくくなる。また、pHが2以下の洗浄液を使用できるのでガラス基板から酸化セリウム砥粒を効率的に除去できるようになり、高品質の情報記録媒体用ガラス基板などを製造できるようになる。化学強化処理なしでも耐候性試験後のアルカリ析出総量が小さい情報記録媒体基板などに用いられるガラスを得ることができる。これにより、磁気ディスク基板などに適用する場合前記基板上に形成される下地膜、磁性膜、保護膜等の膜が剥がれにくくなる。また、磁性膜へのNa拡散を抑制でき、信頼性の高い磁気ディスクなどを得ることができると考えられる。また、化学強化処理を行うことなく情報記録媒体用ガラス基板を製造できるので、工程を減らすことができ、また化学強化処理後の基板表面へのよごれ付着の問題を解決できる。また、情報記録媒体などに用いられるヤング率、比弾性率が高い基板用ガラスを得ることができる。これにより、ドライブ回転中に反りやたわみが発生しにくくなり、高記録密度の情報記録媒体を得ることができる。また、情報記録媒体などに用いられる密度が小さい基板用ガラスを得ることができる。これにより、ドライブ回転時にモーター負荷が低減できるため、低消費電力を達成できる。また、情報記録媒体などに用いられる平均線膨張係数が大きい基板用ガラスを得ることができる。これにより、金属製のドライブ他部材との熱膨張マッチングが高くなり、温度変動時の発生応力が小さく、基板割れ等が発生しにくくなる。また、情報記録媒体などに用いられるガラス転移点が高い基板用ガラスを得ることができる。これにより、基板上に磁性膜を形成した後に行う熱処理温度を高くでき、記録密度の高い情報記録媒体を得ることができる。本発明の基板用ガラス以下、本発明のガラスという。は、次のようにして測定した硫酸エッチング速度wが1.0nm/h以下であることが好ましい。1.0nm/h超では情報記録媒体、特に磁気ディスク用ガラス基板を製造する際の表面研磨や最終洗浄工程においてpHが2以下の強酸性液を使用する場合に、先に述べたガラス表面の欠点が発生しやすくなる。より好ましくは0.9nm/h以下、より好ましくは0.85nm/h以下、より好ましくは0.8nm/h以下、より好ましくは0.75nm/h以下、さらに好ましくは0.7nm/h以下、特に好ましくは0.6nm/h以下である。<硫酸エッチング速度wの測定方法>厚さが1~2mm、大きさが4cm角のガラス板の両面をコロイダルシリカで鏡面研磨し、端面を酸化セリウム砥粒で鏡面研磨したものを測定サンプルとし、これを60°C、16.6重量3.6Nの硫酸に5時間浸漬し、硫酸に溶出したSi量をICP質量分析法で分析して測定した。得られたSi量、ガラス中のSiO2含有量、およびガラスの密度からガラスがエッチングされた量を算出した。すなわち、ガラス中のSiO2の質量百分率表示含有量をP、ガラスの密度をd、硫酸への浸漬時に溶出するSiのガラス板単位面積当たりの溶出量をLとして、1000×L/d×P×Siの原子量/SiO2の分子量を算出し、これをガラス基板の片面当たりのエッチング量とする。このエッチング量を5時間=300分で除してこれを硫酸エッチング速度とする。以下、本発明のガラスを磁気ディスク基板に用いる場合を例にして説明するが本発明はこれに限定されない。本発明のガラスの密度dは2.60g/cm3以下であることが好ましい。2.60g/cm3超ではドライブ回転時にモーター負荷がかかって消費電力が大きくなる、またはドライブ回転が不安定になるおそれがある。好ましくは2.54g/cm3以下である。本発明のガラスはヤング率Eが76GPa以上かつ比弾性率E/dが28MNm/kg以上であることが好ましい。Eが76GPa未満であるかE/dが28MNm/kg未満であるとドライブ回転中に反りやたわみが発生しやすく、高記録密度の情報記録媒体を得ることが困難になるおそれがある。Eが77GPa以上かつE/dが30MNm/kg以上であることがより好ましい。本発明のガラスのガラス転移点Tgは500°C以上であることが好ましい。500°C未満では磁性層形成熱処理温度を充分高くすることができず、磁性層の保磁力増加が困難になるおそれがある。より好ましくは510°C以上である。本発明のガラスの-50~70°Cにおける平均線膨張係数αは56×10-7/°C以上であることが好ましい。56×10-7/°C未満では、金属製のドライブなど他の部材の熱膨張係数との差が大きくなり、温度変動時の応力発生による基板の割れなどが起こりやすくなるおそれがある。より好ましくは58×10-7/°C以上である。αは典型的には100×10-7/°C以下である。本発明のガラス基板は、120°C、0.2MPaの水蒸気雰囲気下に20時間保持した時そのガラス表面に析出しているLi量、Na量、K量をそれぞれCLi、CNa、CKとしてCR=CLiCNaCKが12nmol/cm2以下であることが好ましい。CRが12nmol/cm2超では、基板上に形成される下地膜、磁性膜、保護膜等の膜が剥がれやすくなる。より好ましくは11nmol/cm2以下、さらに好ましくは5nmol/cm2以下、特に好ましくは3.5nmol/cm2以下である。次に、本発明のガラスの組成についてモル表示を用いて説明する。SiO2はガラスの骨格を形成する成分であり、必須である。62.5未満では、耐酸性もしくは耐候性が低下する、dが大きくなる、ガラスにキズが付きやすくなる、または液相温度が上昇しガラスが不安定になる。好ましくは63以上、より好ましくは64以上、特に好ましくは65以上である。69超では、粘度が102dPasとなる温度T2および粘度が104dPasとなる温度T4が上昇しガラスの溶解、成形が困難となる、EもしくはE/dが低下する、またはαが小さくなる。好ましくは68以下、より好ましくは67以下である。Al2O3は耐候性を高める効果を有し、必須である。9未満では前記効果が小さい、またはEもしくはE/dもしくはTgが低下する。好ましくは10以上、より好ましくは10.5、さらに好ましくは11以上、特に好ましくは11.5である。15.5超では前記T2およびT4が上昇しガラスの溶解、成形が困難となる、耐酸性が低下する、αが小さくなる、または液相温度が高くなりすぎる。好ましくは15以下、より好ましくは14.5以下、さらに好ましくは13.5以下、特に好ましくは13以下である。本発明者は、硫酸エッチング速度wが前記強酸性洗浄における表面欠点発生に対する指標として適したものであること、およびこのwがSiO2-Al2O3に強く依存し、しかもSiO2-Al2O3が53.3を境にその依存性が顕著に変化することを見出し、本発明に至った。この点については図1を用いて後ほど説明する。SiO2-Al2O3が53.3未満では耐酸性が低下し、加えてその低下の程度が顕著になる。このような効果をより顕著にさせるためには53.5以上とすることが好ましい。より好ましくは53.7以上、特に好ましくは54.0以上である。SiO2-Al2O3は59以下であることが好ましい。59超ではT2およびT4が上昇しガラスの溶解、成形が困難となるおそれがある。より好ましくは58以下、さらに好ましくは57以下、特に好ましくは56以下、最も好ましくは55.5以下である。耐候性を高めたい場合はSiO2-Al2O3は56.0以下であることが好ましい。Li2OはE、E/dもしくはαを大きくする、またはガラスの溶解性を向上させる効果を有し、必須である。8未満では前記効果が小さい。好ましくは9以上、より好ましくは10以上、特に好ましくは11以上である。16超では、耐酸性もしくは耐候性が低下する、またはTgが低くなる。好ましくは15以下、より好ましくは14以下、特に好ましくは13.5以下である。Na2Oは必須ではないが、αを大きくする、またはガラスの溶解性を向上させる効果があるため8まで含有してもよい。8超では耐酸性もしくは耐候性が低下する、またはTgが低くなる。好ましくは7.5以下、より好ましくは7以下、より好ましくは6.5以下、特に好ましくは6以下である。また、Na2Oを含有する場合、その含有量は1以上であることが好ましい。より好ましくは2以上、さらに好ましくは3以上、特に好ましくは4以上である。K2Oは必須ではないが、αを大きくする、またはガラスの溶解性を向上させる効果があるため7まで含有してもよい。7超では耐酸性もしくは耐候性が低下する、またはTgが低くなる。好ましくは6以下、より好ましくは5.5以下、さらに好ましくは5以下、特に好ましくは4.5以下である。また、K2Oを含有する場合、その含有量は0.5以上であることが好ましい。より好ましく1以上、さらに好ましくは1.5以上である。Li2O、Na2OおよびK2Oの含有量の合計R2Oが17未満では、αが小さくなる、またはガラスの溶解性が低下する。好ましくは18以上、より好ましくは18.5以上、さらに好ましくは19以上、特に好ましくは19.5以上である。R2Oが24超では耐酸性または耐候性が低下する。好ましくは23.5以下、より好ましくは23以下、さらに好ましくは22.5以下、特に好ましくは22以下である。ZrO2は必須ではないが、耐候性を維持したままEもしくはE/dを大きくする、Tgを高くする、またはガラスの溶解性を向上させる効果があるため3.5まで含有してもよい。3.5超ではdが大きくなる、ガラスにキズが付きやすくなる、または液相温度が高くなりすぎるおそれがある。好ましくは3以下、より好ましくは2.5以下、典型的には2以下である。本発明のガラスは本質的に上記成分からなるが、本発明の目的を損なわない範囲でその他の成分を合計で3未満の範囲で含有してもよい。好ましくは2未満、典型的には1未満である。たとえばMgOは液相温度を高くする場合があるが、耐候性を維持したままE、E/dもしくはαを大きくする、ガラスを傷つきにくくする、またはガラスの溶解性を向上させる効果がある場合がある。その場合の含有量は好ましくは2以下、より好ましくは1以下であるが、典型的には含有しない。TiO2は液相温度を高くするまたは分相現象を起りやすくする場合があるが、E、E/dもしくはTgを高くする、または耐候性を高くする効果がある場合がある。その場合の含有量は好ましくは2以下、より好ましくは1以下であるが、典型的には含有しない。CaO、SrOまたはBaOはdを大きくする、またはガラスにキズが付きやすくする場合があるが、耐候性を維持したままαを大きくする、またはガラスの溶解性を向上させる効果がある場合がある。その場合の含有量は合計でも1以下であることが好ましい。より好ましくは合計で0.75以下、典型的には0.5以下である。ガラスにキズが付きにくくしたい場合にはBaOは1以下であることが好ましく、より好ましくは0.5以下である。EもしくはE/dを高くしたい、または、ガラスにキズが付きにくくしたい場合にはCaOは1以下であることが好ましく、より好ましくは0.5以下である。また、SO3、Cl、As2O3、Sb2O3、SnO2等の清澄剤を合計で2まで含有してもよい。また、Fe2O3、Co3O4、NiOなどの着色剤を合計で2まで含有してもよい。なお、B2O3はアルカリ金属酸化物成分と共存すると非常に揮散しやすくなるため、含有しないことが好ましく、含有する場合であってもその含有量は1未満、好ましくは0.5未満である。本発明のガラスからなる情報記録媒体用ガラス基板は通常は円形のガラス板である。磁気ディスク用ガラス基板はノートブックパソコン等に用いられる2.5インチ基板ガラス基板外径:65mmやポータブルMP3プレーヤなどに用いられる1.8インチ基板ガラス基板外径:48mmなどに広く使用され、その市場は年々拡大しており、一方で低価格での供給が求められている。このようなガラス基板に使用されるガラスは、大量生産に適したものであることが好ましい。板ガラスの大量生産はフロート法、フュージョン法、ダウンドロー法などの連続成形法により広く行われており、本発明のガラスは先に述べたようにたとえばフロート成形が可能なガラスであるので大量生産に好適である。本発明のガラスおよびガラス基板の製造方法は特に限定されず、各種方法を適用できる。たとえば、通常使用される各成分の原料を目標組成となるように調合し、これをガラス溶融窯で加熱溶融する。バブリング、撹拌、清澄剤の添加等によりガラスを均質化し、周知のフロート法、プレス法、フュージョン法またダウンドロー法などの方法により所定の厚さの板ガラスに成形し、徐冷後必要に応じて研削、研磨などの加工を行った後、所定の寸法形状のガラス基板とされる。成形法としては、特に、大量生産に適したフロート法が好適である。また、フロート法以外の連続成形法、すなわち、フュージョン法、ダウンドロー法にも好適である。表1~4の例1~35のガラスについては、各成分の原料を表のSiO2からK2Oまでの欄にモル表示で示した組成となるように調合し、白金るつぼを用いて1550~1600°Cの温度で3~5時間溶解した。溶解にあたっては、白金スターラを溶融ガラス中に挿入し、2時間撹拌してガラスを均質化した。次いで溶融ガラスを流し出してほぼ板状に成形し、毎分1°Cの冷却速度で室温まで徐冷し、その後所望の厚みのガラス板に加工した。表で、R2OはLi2O、Na2OおよびK2Oの各含有量単位:モルの合計、Si-AlはSiO2とAl2O3の含有量の差単位:モルを示している。表4のSiO2からK2Oまでの欄にモル表示で示した組成を有する例36のガラスについては、厚みが約0.6mmのガラス板を別に用意した。例1~29のガラスは実施例、例30~36のガラスは前記ガラスAであり、SiO2-Al2O3が53.3モル未満である比較例である。こうして得られたガラス板について、密度d単位:g/cm3、前記平均線膨張係数α単位:×10-7/°C、ヤング率E単位:GPa、比弾性率E/d単位:MNm/kg、ガラス転移点Tg単位:°C、前記CR単位:nmol/cm2、前記硫酸エッチング速度w単位:nm/hを以下に示す方法によって測定した。結果を表に示す。d:泡のないガラス20~50gを用い、アルキメデス法にて測定した。α:示差熱膨張計を用いて、石英ガラスを参照試料として室温から5°C/分の割合で昇温した際のガラスの伸び率をガラスが軟化してもはや伸びが観測されなくなる温度すなわち屈伏点まで測定し、得られた熱膨張曲線から-50~70°Cにおける平均線膨張係数を算出した。E:厚さが5~10mm、大きさが3cm角のガラス板について、超音波パルス法により測定した。Tg:示差熱膨張計を用いて、石英ガラスを参照試料として室温から5°C/分の割合で昇温した際のガラスの伸び率を屈伏点まで測定し、得られた熱膨張曲線における屈曲点に相当する温度をガラス転移点とした。CR:厚さが1~2mm、大きさが4cm×4cmのガラス板の両面を酸化セリウムで鏡面研磨し、炭酸カルシウムおよび中性洗剤を用いて洗浄した後、高度加速寿命試験装置エスペック社製不飽和型プレッシャークッカーEHS-411Mに入れて120°C、0.2MPaの水蒸気雰囲気に20時間静置した。洗浄済みチャック付ポリ袋に試験後試料と超純水20mlを入れ超音波洗浄機で10分間表面析出物を溶解し、ICP-MSを使用して各アルカリ成分の溶出物を定量した。溶出量はモル換算し、試料表面積で規格化した。なお、例36は4枚のガラス板について測定し表4にはその平均値を示すが、測定値のばらつきは±12であった。w:測定方法は先に述べたので省略する。なお、例36は4枚のガラス板について測定し表4にはその平均値を示すが、測定値のばらつきは±12であった。図1はx=SiO2-Al2O3と、このようにして得られた硫酸エッチング速度wとの関係を示す。この図から、xが53.3未満ではwが顕著に大きくなって1.0nm/h超になるようになり、この領域の包絡線を形成している例31と例30からこの増加率を計算すると1.6nmh-1-1である。一方、xが53.3以上ではx減少とともにwが大きくなる傾向に変わりはないが大きくても1.0nm/h以下であり、しかもその傾向は弱くなる。すなわち、この領域の包絡線を形成している例22と例28からこの増加率を計算すると0.275nmh-1-1である。さらに、xが53.5以上の領域の包絡線を形成している例22と例3からこの増加率を計算すると0.17nmh-1-1であり、さらに増加率が小さくなる。すなわち、xが53.3未満ではwが大きいだけではなくxの変動によりwが大きく変化するのに対し、xが53.3以上ではwが小さいだけではなくxの変動によるwの変化も小さくガラスの品質が安定するという顕著な効果を有し、この効果はxが53.5以上においてより顕著になることが図からわかる。また、例1~4、例30、例31、例36のガラスについては硫酸-過酸化水素混合液に対する耐久性を次のようにして測定した。すなわち、イオン交換水で濡らしたドーナツ状ガラス板厚みが0.6~0.7mmであり中央に直径20mmの孔を有する外径65mmの円形ガラス板を、80°Cに保持された44重量硫酸12Nと7重量過酸化水素水の混合液に投入し、20分間浸漬した。浸漬後のガラス板を純水で洗浄し、KLATencor社製光学式欠点検査装置OSA:OpticalSurfaceanalyzerを用いてガラス表面の観察を行った。なお、OSA設定条件はLaserをCircumferential、PolarizationをQ-PolarizationのPhazeとした。各ガラスについて5~10枚ずつ観察し、表面に欠点が見られたガラス板の枚数を観察したガラス板の枚数で除した欠点発生率p単位:を表に示す。wが0.59~0.81nm/hである例1~4についてはpは0~20でありほとんど欠点は認められなかったが、wが1.13~1.93nm/hである例30、例31、例36についてはpは100でありすべてのガラス板に欠点が認められた。図2は硫酸と過酸化水素の混合液に浸漬する前の例36のガラス板の表面を、図3は前記混合液に浸漬した後の例3のガラス板の表面をそれぞれOSAを用いて観察した結果を示す。両者を比較すると前記混合液への浸漬によって例3のガラス板の表面にむらなどの欠点は発生していないことがわかる。これは例3のガラスのwが0.81nm/hという小さい値であることによると考えられる。なお、混合液浸漬前の例3についてのOSA観察結果は図示しないが、図2と同様にむらなどの欠点が発生していないものであった。図4は前記混合液に浸漬した後の例36のガラス板の表面のOSA観察結果である。図の左側に白く見えるむらや右上に黒く見えるむらが広く存在し、また、左やや上方から右やや下方に向かってやや薄い白色に見える筋状のむらが存在する。これらのむらは、前記混合液に浸漬する直前のガラス板表面に水が不均一に付着していたことに起因して、ガラス板表面が水によって希釈された硫酸すなわち希硫酸によって侵食されたものであると考えられる。また、表5、6にも実施例として例37~43を、比較例として例44~55を示す。