鋳造された多結晶シリコンインゴットから切り出されたシリコン廃材であるボトム材又は鋳肌材の最表面部位に存在する高濃度不純物領域を研削により除去した後、前記シリコン廃材をリサイクル原料として使用することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。前記高濃度不純物領域は、最表面から1~5mmの範囲内であることを特徴とする請求項1に記載の多結晶シリコンの製造方法。前記高濃度不純物領域に含まれる不純物のうちFeの濃度が、Fe>1E15atomscc、であることを特徴とする請求項1又は2に記載の多結晶シリコンの製造方法。前記高濃度不純物領域に含まれる不純物のうちNiの濃度が、Ni>1E14atomsccであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の多結晶シリコンの製造方法。前記高濃度不純物領域に含まれる不純物のうちCrの濃度が、Cr>1E14atomsccであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の多結晶シリコンの製造方法。前記高濃度不純物領域に含まれる不純物のうちCuの濃度が、Cu>1E15atomsccであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の多結晶シリコンの製造方法。前記リサイクル原料と天然原料からなるバージン原料とを含み且つ前記バージン原料のほうが前記リサイクル原料よりも高い比率で配合された混合原料を用いて、多結晶シリコンインゴットを鋳造することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の多結晶シリコンの製造方法。上記のように、半導体デバイス用のシリコンウェーハの製造時に発生する廃材をリサイクルする方法は知られているが、太陽電池用シリコン基板の製造時に発生する廃材についても同様にリサイクルが求められている。太陽電池用多結晶シリコン基板は、多結晶シリコンインゴットに、切断、研削、研磨、エッチング等の加工が施されて製品とされる。このとき発生する廃材としては、トップ材、ボトム材、鋳肌材、不良ウェーハ材等があるが、これらは半導体デバイス用原料の品質スペックを満たさないため、半導体デバイス用原料として再利用することはできない。これらのうち、不良ウェーハ材は製品レベルの高純度材料であるため、太陽電池用原料にそのままリサイクルされるが、その他の廃材はその純度が低いため、精製によって純度を高めた後、太陽電池用原料としてリサイクルされていた。しかしながら、リサイクルのためにシリコン廃材を精製処理したのでは高コストとなり生産性が悪いという問題がある。本発明は上記課題を解決するものであり、本発明の目的は、多結晶シリコン基板の製造過程で発生するシリコン廃材を精製することなくリサイクル原料として使用して一定の品質のものを得ることが可能な多結晶シリコンの製造方法を提供することにある。本願発明者らは、生産性の高いリサイクル方法について鋭意研究を重ねた結果、多結晶シリコンインゴットのボトム材と鋳肌材については、最表面部位のみを研削によって除去すれば、同じ太陽電池用多結晶シリコンの原料としてリサイクル可能であることを見出した。太陽電池用シリコンの場合であっても、不純物が極端に多い原料は製品特性に悪影響を与えるため好ましくないが、半導体デバイス用とは異なり、多少の不純物は許容されるので、不純物濃度がある程度低い原料であれば精製工程を経ることなくバージン原料に混ぜて使用することが可能である。本発明はこのような技術的知見に基づくものであり、本発明による多結晶シリコンの製造方法は、鋳造された多結晶シリコンインゴットから切り出されたシリコン廃材であるボトム材又は鋳肌材の最表面部位に存在する高濃度不純物領域を研削により除去した後、前記シリコン廃材をリサイクル原料として使用することを特徴とする。また、本発明による多結晶シリコンの製造方法は、シリコン廃材からなるリサイクル原料及び天然原料からなるバージン原料を含み前記リサイクル原料よりも前記バージン原料のほうが高い比率で配合された混合原料を用いて多結晶シリコンインゴットを鋳造することを特徴としている。本発明によれば、多結晶シリコンの加工工程で発生するシリコン廃材を精製することなくリサイクル原料として使用して一定の品質のものを得ることが可能な多結晶シリコンの製造方法を提供することができる。以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。図1は、本発明の好ましい実施の形態による太陽電池用多結晶シリコンの製造工程を示すフローチャートである。図1に示すように、太陽電池用多結晶シリコン基板の製造では、まずシリコン原料を用意するステップS101。本実施形態においては、バージン原料とリサイクル原料とを所定の比率で配合したものを用いることが好ましいが、バージン原料のみを用いてもかまわない。ここで、バージン原料とは、リサイクル原料を含まない天然シリコンのみからなる原料であり、リサイクル原料とは、シリコン製品の加工工程で発生したシリコン廃材のみからなる原料である。ここにいうシリコン製品とは、好ましくは多結晶シリコンであるが、単結晶シリコンであってもよい。さらにリサイクル原料は、多結晶シリコンの加工工程で発生したシリコン廃材と単結晶シリコンの加工工程で発生した廃材とを混合したものであってもよい。多結晶シリコンの一定の品質を確保するためには、リサイクル原料よりもバージン原料のほうが多く配合されていることが好ましい。具体的には、バージン原料を重量比で70以上、リサイクル原料を30以下とすることが好ましく、バージン原料を80以上、リサイクル原料を20以下とすることが特に好ましい。通常、一本の多結晶シリコンインゴットの加工工程から得られるリサイクル可能なシリコン廃材の量は30を超えることはない。よって、そのまま次の多結晶シリコンインゴットの鋳造に用いたとしても、リサイクル原料の比率が全原料の30を超えることはなく、一定の製品品質を確保しつつ効率的なリサイクルが可能である。次に、上記シリコン原料を用いて多結晶シリコンインゴットを鋳造するステップS102。多結晶シリコンインゴットの鋳造方法としては電磁鋳造法EMC法が好ましい。電磁鋳造法は、無底ルツボ内に投入されたシリコン原料を電磁誘導加熱によって溶融すると共に、溶融シリコンを無底ルツボの下方から引き出して冷却し、結晶を成長させることにより、一方向性凝固のシリコンインゴットを得るものである。以下、電磁鋳造法による多結晶シリコンインゴットの製造方法について説明する。図2は、本発明の好ましい実施の形態による多結晶シリコン鋳造装置の構成を示す略側面断面図である。図2に示すように、本実施形態による多結晶シリコン鋳造装置10は、チャンバ11と、チャンバ11内の上部中央に設けられた無底ルツボ12と、無底ルツボ12内のシリコン原料を電磁誘導加熱するための誘導コイル13と、誘導コイル13と共に無底ルツボ12内のシリコン原料を加熱する補助ヒータ14と、無底ルツボ12から引き出されたシリコンインゴット20を支持する支持軸15と、無底ルツボ12内のシリコン融液21を冷却することによって得られるシリコンインゴット20を保温する保温ヒータ16とを備えている。チャンバ11の上部には不活性ガス導入口11aが設けられており、チャンバ11の下部には真空吸引口11cが設けられている。また、チャンバ11の上部には遮断手段によって仕切られた原料投入口11bが設けられており、底部にはインゴット引出口11dが設けられている。図3は、無底ルツボ12の構成を示す略断面図である。図3に示すように、無底ルツボ12は銅製の角筒体であり、部分的な縦方向のスリット12aによって周方向に分割されている。また無底ルツボ12の周囲には誘導コイル13が設けられている。無底ルツボ12は水冷式であり、内部を流通する冷却水によって強制冷却される。特に限定されるものではないが、無底ルツボ12の開口サイズは350×530mmとすることができる。図2に示すように、チャンバ11内にはダクト18が設けられており、チャンバ11の外側に設けられた原料ホッパ不図示から原料投入口11bを経由して供給された粒状又は塊状のシリコン原料22は、このダクト18を介して無底ルツボ12内に投入される。誘導コイル13は、無底ルツボ12の周囲に配設されており、同軸ケーブルを介して電源に接続されている。また、誘導コイル13と共にシリコン原料を加熱溶融するために、無底ルツボ12の上方にはプラズマアークトーチによる補助ヒータ14が昇降可能に設けられており、降下時には無底ルツボ12内に装入されるようになっている。支持軸15はインゴット引出口11dを貫通して昇降可能に設けられている。支持軸15の先端部は無底ルツボ12の下端まで到達することができ、これにより無底ルツボ12に対する移動可能な底面を構成することができ、無底ルツボ12から下方に引き出されるシリコンインゴットを支持することができる。保温ヒータ16は例えば抵抗加熱ヒータであり、無底ルツボ12の下方に設けられており、無底ルツボ12から引き下げられるインゴットを加熱して例えば1100°Cの一定温度で保温する。本実施形態による保温ヒータ16は、軸方向上下方向に温度勾配を与えることなくインゴットを均一に加熱する。保温ヒータ16による保温効率を高めるため、保温ヒータ16の外周には断熱材17が設けられている。次に、多結晶シリコンの鋳造方法について説明する。電磁鋳造法による多結晶シリコンの製造では、まず真空吸引口11cからチャンバ11内を真空引きした後、不活性ガス導入口11aからチャンバ11内にアルゴン等の不活性ガスを導入し、チャンバ11内を不活性ガス雰囲気とする。次に、先端に初期シリコン原料が取り付けられた支持軸15を上昇させて、無底ルツボ12の下方から挿入し、無底ルツボ12の底部の開口を初期シリコン原料で閉塞する。次に、誘導コイル13により初期シリコン原料に電磁力を付与し、誘導コイル13と補助ヒータ14を用いて無底ルツボ12内の初期シリコン原料を溶融し、シリコン融液21を生成する。このとき、無底ルツボ12内のシリコン融液21は、無底ルツボ12の内面に対して非接触の状態に保持される。その後、支持軸15と共にシリコン融液21を徐々に降下させて凝固させる。これと同時に、シリコン融液21にシリコン原料22を追加投入し、その追加原料を誘導コイル13による電磁誘導加熱と補助ヒータ14によるプラズマ加熱との併用により溶解する。この操作を続けることにより、シリコンインゴット20は、誘導コイル13による電磁誘導加熱によって無底ルツボ12内で連続的に製造され、無底ルツボ12から連続的に引き出される。このシリコンインゴット20は保温ヒータ16による保温を受けつつチャンバ11の下方に引き出される。シリコンインゴット20は、所定の長さ例えば7000mmになるまで連続的に鋳造され、その間は保温ヒータ16からの加熱によって一定の温度例えば1100°Cとなるように保温されている。所定の長さに達したシリコンインゴット20は徐々に冷却された後、チャンバ11から取り出される。その後、上記電磁鋳造法によって鋳造された角柱状の多結晶シリコンインゴットは、加工しやすい所定のサイズのシリコンブロックに分割され、各シリコンブロックをスライスすることにより、例えば約15×15cmの略正方形の太陽電池用多結晶シリコン基板が得られる。詳細には図1に示すように、まずインゴットを分割して中インゴットを作製しステップS103、中インゴットを分割して小インゴットを作製しステップS104、小インゴットから複数のシリコンブロックを切り出すステップS105。さらに、シリコンブロックの外周面を研削することにより製品サイズのシリコンブロックが完成するステップS106。その後、このシリコンブロックを所定の厚さにスライスしてシリコン基板を作製しステップS107、さらにシリコン基板の表裏面を研磨してその厚さと平坦度を調整することによりステップS108、多結晶シリコン基板が完成する。図4は、多結晶シリコンインゴットからシリコンブロックを切り出す切断工程を説明するための模式図である。図4aに示すように、まず角柱状の多結晶シリコンインゴットオリジナルインゴット1から長手方向の両端部のトップ材1a及びボトム材1bを切除し、さらに製品として有効な部分である直胴部を分割して複数個の中インゴット2を得る。ラインC11は等分割の切断位置を示している。インゴットの分割数は特に限定されず、最終目標とするシリコンブロックの長さに応じて適宜決定すればよい。トップ材1aとボトム材1bは製品対象外として切除されシリコン廃材とされるが、図4fに示すように、ボトム材1bはリサイクル対象とされる。ボトム材1bには、カーボンダミーとシリコンとの融着を防止するため、窒化珪素粉末が塗布されており、窒化珪素粉末の除去が必要である。しかし、窒化珪素粉末はボトム材1bの表面にのみ形成されていることから、その除去は表面を研削すれば十分である。よって、ボトム材1bは、その最表面部位に存在する高濃度不純物領域を研削により除去した後、リサイクル原料として使用される。ボトム材1bの研削深さは、最表面から1~5mmであることが好ましい。トップ材1aは、不純物の偏析による濃縮や異物の析出が起こっており、インゴットの中でも純度が非常に悪くなる部位である。したがって、トップ材1aについては、ボトム材1bと同様の処理によるリサイクルは行わず廃棄するか、或いは一度溶解を行って精製してもよい。なお、精製方法としては、キャスト法、EB溶解、CZ法等を採用することができる。特に、CZ法による結晶引き上げの場合は、単結晶として引き上がらなくても非常に高い精製効果を得ることができる。次に、図4bに示すように、中インゴット2を所定数に分割して小インゴット2aを得る。すなわち、中インゴット2をラインC21、C22の位置で切断して鋳肌面を除去し、さらにラインC23の位置で切断してX軸方向に2分割して、図4cに示す小インゴット2aを得る。さらに、図4cに示すように、小インゴット2aの各々をラインC31、C32の位置で切断して鋳肌面を除去し、さらにラインC33、C34の位置で切断してY軸方向に3分割する。以上により、図4dに示すように、中インゴット2が最終的に6分割された断面が略正方形のシリコンブロック3を得ることができる。多結晶シリコンインゴット1の断面サイズが例えば505×345mmの矩形である場合、中インゴット2を6分割して約158×158mmのシリコンブロック3を得ることができる。その後、図4eに示すように、シリコンブロック3をスライスして多結晶シリコン基板4の基材を得る。図4gに示すように、中インゴット2及び小インゴット2aから切除された鋳肌材2bはシリコン廃材であるが、リサイクル対象とされる。ここで、鋳肌材2bの最表面部位に存在する高濃度不純物領域は研削により除去され、このシリコン廃材はリサイクル原料として使用される。インゴットの特に最表面部位は不純物の巻き込みや酸化がひどく、酸洗浄でも簡単に処理できない。そこで、機械的に研削を行い、最表面部位を除去することで、鋳肌材2bのリサイクルが可能となる。上記のように、鋳肌材2bの溶解精製も可能であるが、研削に比べて処理コストが非常に高いため、研削のほうが好ましい。ボトム材1bや鋳肌材2bの高濃度不純物領域に含まれる不純物の濃度は、Fe>1E15atomscc、Ni>1E14atomscc、Cr>1E14atomscc、Cu>1E15atomsccである。最表面部位に存在する各金属不純物の濃度はこのように非常に高いが、当該部位を除去することにより、高品質なリサイクル原料を生成することができる。図4eに示した多結晶シリコン基板4は、所定の検査工程を経て、割れ、欠け、汚れ、異物の有無が検査され、所定の品質を満たさないものは不良ウェーハ材と認定され、リサイクル原料に回される。このとき、割れや欠けなどの形状不良のウェーハ材は初期原料として、簡単な破砕を行うだけでそのままリサイクルが可能である。また、汚れや異物があるものは、溶解精製や洗浄を経ることでリサイクル原料とすることが可能である。以上説明したように、本実施形態によれば、多結晶シリコンインゴットから切除されるボトム材1bと鋳肌材2bについて、その最表面部位のみを研削によって除去した後、リサイクル原料として使用するので、精製等の高コストな工程を必要とせず、また最終製品の品質を低下させることなく、シリコン原料の一部として使用することが可能である。また、本実施形態によれば、バージン原料とリサイクル原料とを所定の比率で配合したものであって、特に、リサイクル原料よりもバージン原料の比率を多くしているので、製品特性に影響を与えることなく、所望の品質の多結晶シリコン基板を製造することができる。以上、本発明の好ましい実施の形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能であり、それらも本発明に包含されるものであることは言うまでもない。例えば、上記実施形態においては、多結晶シリコンを電磁鋳造法によって製造する場合を例に挙げたが、本発明は電磁鋳造法に限定されるものではなく、通常のキャスト法によって製造されたものであってもよい。