"物体を加工する方法であって、粒子ビームを前記物体の表面にわたって走査して、該走査により前記物体から出射する電子を検出するステップと、前記物体の前記表面と、前記物体の前記表面における複数の場所それぞれの予め決定した表面との間の高低差を、前記検出した電子に基づき求めるステップと、前記物体の前記表面における前記複数の場所それぞれの加工強度を、前記求めた高低差に基づき決定するステップと、及び前記物体の前記複数の場所から材料を除去する又は前記物体の前記複数の場所に材料を堆積するよう、前記決定した加工強度に基づき、粒子ビームを前記複数の場所に指向させるステップと、を有する、物体を加工する方法。請求項1に記載の方法において、前記物体の前記表面における前記複数の場所の前記加工強度は、少なくとも1対の場所に関して以下の関係のうち一つを満たすように決定する、すなわちi前記1対の場所のうち、第1の場所に指向させた前記粒子ビームのビーム電流と、前記1対の場所のうち、第2の場所に指向させた前記粒子ビームのビーム電流との差が、10を超える、ii前記粒子ビームを前記1対の場所のうち、第1の場所に指向させ続ける滞留時間と、前記粒子ビームを前記1対の場所のうち、第2の場所に指向させ続ける滞留時間との差が、10を超える、iii前記1対の場所のうち、第1の場所に指向させた前記粒子ビームのビームエネルギーと、前記1対の場所のうち、第2の場所に指向させた前記粒子ビームのビームエネルギーとの差が、10を超える、ように決定する方法。請求項1又は2に記載の方法において、前記走査に用いる前記粒子ビームは、電子ビームコラムにより発生させる電子ビームとし、材料の前記除去及び前記堆積それぞれに用いる前記粒子ビームは、イオンビームコラムにより発生させるイオンビームとする、又は前記走査に用いる前記粒子ビームは、イオンビームコラムにより発生させるイオンビームとし、材料の前記除去及び前記堆積それぞれに用いる前記粒子ビームは、イオンビームコラムにより発生させるイオンビームとする、又は前記走査に用いる前記粒子ビームは、電子ビームコラムにより発生させる電子ビームとし、材料の前記除去及び前記堆積それぞれに用いる前記粒子ビームは、電子ビームコラムにより発生させる電子ビームとする、方法。請求項3に記載の方法において、前記走査に用いる前記粒子ビームの主軸線と材料の前記除去及び前記堆積それぞれに用いる前記粒子ビームの主軸線との間の角度は、40°よりも大きく、特に60°よりも大きくする、方法。請求項3又は4に記載の方法において、前記物体は、前記走査に用いる前記粒子ビームコラムの作業域内及び前記除去及び前記堆積それぞれに用いる粒子コラムの作業域内に同時に位置付け、前記除去及び前記堆積それぞれに用いる前記粒子ビームコラムに対する前記物体の向きは、前記粒子ビームの前記走査と前記除去及び前記堆積それぞれとの間で、前記走査に用いる前記粒子ビームコラムの主軸線と前記除去及び前記堆積それぞれに用いる前記粒子ビームコラムの主軸線との間の角度の0.5倍よりも小さく変更する、方法。請求項3~5のいずれか一項に記載の方法において、前記物体は、前記除去及び前記堆積それぞれに用いる前記粒子ビームコラムの作業域内に同時に位置付け、前記除去及び前記堆積それぞれに用いる前記粒子ビームコラムに対する前記物体の向きは、前記粒子ビームの前記走査と前記除去及び前記堆積それぞれとの間でほぼ変更しない、方法。請求項1~6のいずれか一項に記載の方法において、前記走査により前記物体から出射する前記電子を検出するステップは、第1の角度構成での第1の検出と、同時に前記第1の角度構成とは異なる第2の角度構成での第2の検出とを含む、方法。請求項7に記載の方法において、前記第1の検出は、第1の検出器を用いて行い、前記第2の検出は、前記第1の検出器とは異なる第2の検出器を用いて行う、方法。請求項1~8のいずれか1項に記載の方法において、粒子ビームを前記物体の表面にわたって走査して、該走査により前記物体から出射する電子を検出することは、第1の角度構成での第1の走査及び検出と、前記第1の角度構成とは異なる第2の角度構成での第2の走査及び検出とを含む、方法。請求項9に記載の方法において、前記第1の走査及び検出は、前記粒子ビームを第1の方向に沿って前記物体に指向させることを含み、前記第2の走査及び検出は、前記粒子ビームを第2の方向に沿って前記物体に指向させることを含み、前記第1の方向と前記第2の方向との間の角度は、30mradよりも大きい、方法。請求項9又は10に記載の方法において、前記第1の角度構成での前記走査により前記物体から出射する前記電子を検出することは、第1の立体角範囲に放出した電子の検出を含み、前記第2の角度構成での前記走査により前記物体から出射する前記電子を検出することは、第2の立体角範囲に放出した電子の検出を含み、前記第1の立体角範囲の主軸線と前記第2の立体角範囲の主軸線との間の角度は、10°よりも大きい、方法。請求項1~11のいずれか一項に記載の方法において、前記物体の前記表面にわたる前記粒子ビームの走査中、1.0μm2よりも大きな表面積にわたり平均した前記物体の平均表面の表面法線は、前記走査に用いる前記粒子ビームを発生させるために用いる粒子ビームコラムの主軸線に対して20°未満の、特に10°未満の角度の、特にほぼ平行な向きにある、方法。請求項1~12のいずれか一項に記載の方法において、前記粒子ビームの前記表面における前記複数の場所への指向中、1.0μm2よりも大きな表面積にわたり平均した前記物体の平均表面の表面法線は、前記粒子ビームを前記表面における前記複数の場所に指向させるための前記粒子ビームを発生させるために用いる粒子ビームコラムの主軸線に対して70°未満の、特に60°未満の角度の向きにある、方法。請求項1~13のいずれか一項に記載の方法において、さらに、前記粒子ビームを前記物体の前記表面における前記複数の場所に指向させながら、プロセスガスを前記物体に供給するステップを有する、方法。請求項1~14のいずれか一項に記載の方法において、前記物体の走査領域は、第1の表面部分及び第2の表面部分を含み、前記第1の表面部分は、第1の材料により提供し、前記第2の表面部分は、第2の材料により提供し、前記第1の材料は、前記第2の材料のイオンビーム除去率よりも少なくとも1.5倍高いイオンビーム除去率を有する、方法。請求項1~15のいずれか一項に記載の方法において、前記粒子ビームを前記物体の前記表面における前記複数の場所に指向させることは、σRMS<1μmの関係を満たす表面粗度の達成を可能にし、σRMSは、0.2μm~100μmの範囲内の長さスケールで決まる前記表面粗度の二乗平均平方根値を表し、特に、σRMS<100nm又はσRMS<10nmを満たす、方法。請求項16に記載の方法において、前記表面粗度を得る前記表面の面積は0.1μm2よりも大きい、請求項16に記載の方法。請求項16又は17に記載の方法において、前記表面粗度を得る前記表面は平面である、方法。請求項1~18のいずれか1項に記載の方法において、前記粒子ビームを前記物体の前記表面にわたって走査して、該走査により前記物体から出射する前記電子を検出するステップと、前記高低差を求めるステップと、前記加工強度を決定するステップと、及び前記粒子ビームを前記複数の場所に指向させるステップとを繰り返し行う、方法。請求項19に記載の方法において、前記粒子ビームを前記物体の前記表面にわたって走査して、該走査により前記物体から出射する前記電子を検出するステップと、前記高低差を求めるステップと、前記加工強度を決定するステップと、及び前記粒子ビームを前記複数の場所に指向させるステップとを、前記求めた高低差の最大値が10nm未満になるまで繰り返す、方法。請求項19又は20に記載の方法において、前記粒子ビームを前記物体の前記表面にわたって走査して、該走査により前記物体から出射する前記電子を検出するステップと、前記高低差を求めるステップと、前記加工強度を決定するステップと、及び前記粒子ビームを前記複数の場所に指向させるステップとを、σRMS<1μmの関係を満たす前記表面の表面粗度を得るまで繰り返し、σRMSは、0.2μm~100μmの範囲内の長さスケールで決まる前記表面粗度の二乗平均平方根値を表し、特に、σRMS<100nm又はσRMS<10nmを満たす、方法。特に請求項1~21のいずれか一項に記載の方法と組み合わせた、物体を加工する方法であって、前記物体を粒子ビームコラムの作業域内及びイオンビームコラムの作業域内に同時に位置決めするステップと、前記電子ビームコラムにより発生させた電子ビームを前記物体の表面にわたって走査して、該走査により放出した電子を少なくとも2つの角度構成で検出するステップと、前記物体の目標形状からの、前記物体の前記表面における形状の偏差を、前記少なくとも2つの角度構成で発生させた検出信号に基づき求めるステップと、及び前記求めた偏差に基づき、イオンビームを前記物体の前記表面における複数の場所に指向させるステップと、を有する、物体を加工する方法。本発明は、上記課題を考慮して実現した。本発明の目的は、所望の形状を有する物体の表面を粒子ビームの使用により製造することができる、物体加工方法を提供することである。特定の実施形態によれば、物体を加工する方法は、粒子ビームを物体の表面にわたって走査して、走査により物体から出射する電子を検出するステップと、物体の表面と、物体の表面における複数の場所それぞれの予め決定した表面との間の高低差を、検出した電子に基づき求めるステップと、物体の表面における複数の場所それぞれの加工強度を、求めた高低差に基づき決定するステップと、及び物体の複数の場所から材料を除去するか又は物体の複数の場所に材料を堆積するよう、決定した加工強度に基づき、粒子ビームを複数の場所に指向させるステップと、を有する。走査により物体から出射する電子は、粒子ビームの粒子が物体に入射する結果として物体から放出される電子である。粒子ビームが物体に入射する実施形態では、走査により物体から出射する電子は、例えば、二次電子及び後方散乱電子を含む。物体の表面における複数の場所に関する加工強度は、複数の異なる方法に従って調整することができる。例えば、決定に従って必要に応じて加工強度を調整するために、粒子ビームのビーム電流を場所ごとに変えることができる。別の例によれば、決定に従って必要に応じて加工強度を調整するために、粒子ビームの滞留時間を場所ごとに変えることができる。この場合、滞留時間は、粒子ビームが物体の表面における同じ場所を加工するためにこの場所で静止している継続時間を示す。滞留時間の終わりに、粒子ビームを次の場所に指向させる。さらに別の例によれば、決定に従って必要に応じて加工強度を調整するために、粒子ビームの粒子の運動エネルギーを場所ごとに変えることができる。加工強度を決定する特性、例えばビーム電流、滞留時間、及びビームエネルギーの変化を大きくして、物体の表面における少なくとも1対の場所間で、各特性を例えば10よりも大きく異ならせるようにすることができる。例示的な実施形態によれば、走査に用いる粒子ビームはイオンビームとし、材料の除去及び/又は堆積に用いる粒子ビームもイオンビームとする。この場合、走査に用いるイオンビームと材料の除去及び/又は位置に用いるイオンビームとは、同じイオンビームコラム又は別個のイオンビームコラムにより発生させることができる。他の例示的な実施形態によれば、走査に用いる粒子ビームは電子ビームとし、材料の除去及び/又は堆積に用いる粒子ビームも電子ビームとする。この場合、走査に用いる電子ビームと材料の除去及び/又は位置に用いる電子ビームとは、同じ電子ビームコラム又は別個の電子ビームコラムにより発生させることができる。さらに別の例示的な実施形態によれば、走査に用いる粒子ビームは、電子ビームコラムにより発生させる電子ビームとし、材料の除去及び/又は堆積に用いる粒子ビームは、イオンビームコラムにより発生させるイオンビームとする。本明細書におけるいくつかの実施形態によれば、イオンビームコラムに対する物体の向きは、物体の表面にわたって電子ビームを走査するときと物体の複数の場所にイオンビームを指向させるときとの間で変更させない、又は物体の表面にわたって電子ビームを走査するときと物体の複数の場所にイオンビームを指向させるときとの間でわずかにしか変更させない。本明細書における例示的な実施形態によれば、わずかな向きの変更は、電子ビームコラムの主軸線とイオンビームコラムの主軸線との間の角度の半分よりも小さな角度の向きの変更を含む。さらなる例によれば、物体の向きの変更角度は、電子ビームコラムの主軸線とイオンビームコラムの主軸線との間の角度の1/3、1/5、又は1/10よりも小さいものとする。例示的な一実施形態によれば、物体を加工する方法は、物体を電子ビームコラムの作業域内及びイオンビームコラムの作業域内に同時に位置決めすることを含む。物体の表面を、電子ビームコラムにより発生させる電子ビームを用いて走査し、走査により生じる電子を検出する。このような走査及び検出は、少なくとも2つの角度構成で行う。その後、物体の表面における複数の場所から材料を除去するために、走査及び検出時に発生した検出信号に基づき、イオンビームをそれらの場所に指向させる。上述した従来の方法では、イオンビームは、イオンビームにより加工する表面に対してほぼ平行に指向させる。電子ビームコラムを用いてこの表面を検査する場合、表面の高分解能電子顕微鏡画像を得るために、表面は、電子ビームコラムの主軸線とほぼ直交する向きにしなければならない。しかしながら、イオンビームは、このような構成では通常は表面に対して平行な向きにならない。したがって、粒子ビームコラムに対する物体の向きの変更が、イオンビームコラムを用いて行う加工ステップと電子ビームコラムを用いた加工ステップとの間で必要である。本発明者らは、イオンビームを用いて、イオンビームと平行な向きにない表面、特に平坦な平面を製造することが可能であることを見出した。しかしこのことは、物体の残りの表面から突出している表面の場所を検出すること、及び残りの表面から突出しているこのような場所から材料を除去するよう、イオンビームをこのような突出場所に特に指向させることを必要とする。本発明者らは、少なくとも2つの角度構成で物体の表面を検査する、特定の粒子光学検査方法を提供することにより、この問題を解決した。少なくとも2つの異なる角度構成での物体の表面にわたる粒子ビームの走査中に得られる検出信号は、物体の表面に関する三次元形状の再現を可能にする。物体の三次元形状が既知である場合、物体の表面のうち、物体の残りの表面又は物体の平均表面から突出している場所を判定することも可能である。続いて、物体の表面を平坦化するために、イオンビームをこのような突出場所に指向させることが可能である。従来の方法によれば、平坦平面の製造は、表面に対するイオンビームのすれすれ斜入射によってのみ可能であり、これはイオンビームを表面とほぼ平行に指向させるものであった。上述の本発明による実施形態によれば、物体のうち周囲の表面から突出している場所を識別し、イオンビームをそれらの場所に特定的に指向させることで材料を突出場所から除去するよう、表面に対してイオンビームをすれすれ斜入射させることは、周囲の表面から突出している場所から材料を除去する上で必要でなくなる。さらに、粒子ビームコラムに対する物体の向きを、走査するときと表面に対して粒子ビームを指向させるときとの間で変更する必要がない。実施形態によれば、本発明により加工する表面のサイズは、0.1μm2よりも大きく、10μm2よりも大きく、500μm2よりも大きく、且つ/又は10,000μm2よりも大きいものとすることができる。さらなる例示的な実施形態によれば、このようなサイズの表面は平坦な平面とする。この場合、粒子ビームを用いて行い本明細書に示す加工方法の全てで、加工した物体の表面から材料を除去する又は加工した物体の表面に材料を堆積することができる。さらなる例示的な実施形態によれば、加工後の表面は、必ずしも平坦平面である必要はなく、任意の目標形状を有することができる。表面からの材料の除去又は表面への材料の堆積のために表面においてイオンビームを指向させる場所を決定するために、所望の表面の目標形状に対する実際の表面における形状の偏差を求め、実際の表面の形状は、表面にわたる粒子ビームの走査及び走査により表面から出射する電子の検出により判定する。このような偏差を知得することに基づき、物体の表面のうち、物体の所望形状よりも突出している場所を判定し、物体の表面におけるそれらの場所から材料を除去するよう、粒子ビームをそれらの場所に指向させることが可能である。代替的に、物体の表面のうち、物体の所望形状よりも凹んでいる場所を判定し、それらの凹んだ場所に材料を堆積するために、粒子ビームをそれら凹んだ場所に指向させることができる。このような方法を用いて、物体の所望形状に対する、物体の実際形状の偏差を減らすことができる。物体の目標形状に対する実際形状の差は、σRMSで表すことができ、σRMSは、これらの場所の二乗平均平方根を示し、二乗平均平方根値は、所与の長さスケールで決まる。例示的な実施形態によれば、σRMSを決定する長さスケールは、例えば0.2μm~100μmの値を有し得る。このような長さスケールでは、上述の方法を用いて5nm~1μmの範囲内からσRMS値を得ることができる。実施形態によれば、加工後の表面は、第1の材料によりもたらされる第1の表面部分と、第2の材料によりもたらされる第2の表面部分とを含み、第1の表面部分及び第2の表面部分は互いに異なり、第1の材料及び第2の材料は、粒子ビームをこれらの材料に指向させることにより得ることができる材料除去率に関して異なる。例えば、第1の材料及び第2の材料の材料除去率を1.5倍よりも大きく異ならせて、大きい方の材料除去率を小さい方の材料除去率の1.5倍よりも大きくすることができる。本発明における特定の実施形態によれば、第1の表面部分及び第2の表面部分は、物体のより大きな平坦平面内の一部である。さらに、物体の複数の異なる材料は、予め決定した目標形状を有する物体の物体表面を提供することができる。したがって、未知の構造及び材料分布を有する物体がその表面において材料除去率変動をもたらす状況でも、所望の目標形状を有する物体を製造することが可能である。本明細書の文脈において、材料除去率は、加工に用いる所与の量の積分ビーム電流電荷の粒子ビームをその場所に指向させることにより、物体から除去することができる材料の体積を示す。例えば、材料の材料除去率は、加工に用いる所与の量の積分ビーム電流電荷の粒子ビームをその場所に指向させることにより、物体から除去することができる材料の体積を示す。例えば、30keVのビームエネルギーを有するガリウムイオンの粒子ビームを用いる場合、銅材料の材料除去率は0.13μm3/nCとすることができる。本発明の上記及び他の有利な特徴は、添付図面を参照する本発明の以下の例示的な実施形態の説明から明らかとなるであろう。なお、本発明のあり得る実施形態の全てが本明細書で特定するあらゆる利点それぞれ又はいずれかの利点を必ずしも示すとは限らない。後述する例示的な実施形態では、機能及び構造が同様であるコンポーネントは、できる限り同様の参照符号で示す。したがって、特別な実施形態における個々のコンポーネントの特徴を理解するために、本発明による他の実施形態の説明及び概要を参照すべきである。図1は、電子ビームコラム1及びイオンビームコラム3を備える加工システムの概略図である。電子ビームコラム1及びイオンビームコラム3の相対位置決めは、電子ビームコラム1の主軸線5がイオンビームコラム3の主軸線7と交わるように行い、また電子ビームコラム1の作業域がイオンビームコラム3の作業域とオーバーラップするように行う。加工すべき物体13は、オーバーラップする作業域に位置決めすることができる。オーバーラップする作業域を有する粒子ビームコラムを備えるシステムに関する背景情報は、例えば、米国特許出願公開第2005/0184251号、米国特許第6,855,938号、及び米国特許出願公開第2009/0309025号から得ることができ、これら文献の全開示を参照により本明細書に援用する。図1の説明図では、物体13の表面11を、電子ビームコラム1及びイオンビームコラム3の共通の作業域9内に位置決めし、この位置決めは、表面11の表面法線が、電子ビームコラム1の主軸線5と実質的に平行に指向するように行う。表面11が電子ビームコラム1の主軸線5に対してほぼ直交する向きにあることには、作業域9に電子ビームを集束させるために電子ビームコラム1が発生する電磁界の対称性が、物体13の存在によりほとんど影響されないという利点がある。合焦電磁界の高い対称性は、物体上で電子ビームの狭いビーム焦点、したがって記録される電子顕微鏡画像の高い分解能を得るのに必要である。物体の表面を電子ビームコラムの主軸線に対して角度をなす向きにした場合、最良のビーム合焦及び表面の電子顕微鏡画像に関する最高の分解能が達成できないおそれがある。電子ビームコラム1は、物体13の表面11の電子顕微鏡画像を記録するために、表面11にわたって電子ビーム15を走査し、物体の走査により生じる電子を検出するよう構成する。電子ビームコラム1はさらに、少なくとも2つの異なる角度構成で走査及び検出を行うよう構成する。少なくとも2つの異なる角度構成で走査及び検出を行うための選択肢は複数ある。それらの選択肢の2つを図1に示す。第1の選択肢によれば、2つの角度構成は走査により生じる電子を、2つの異なる角度構成で検出することにより達成する。例えば、2つの異なる電子検出器16及び17を設け、物体から異なる立体角範囲に出射する電子は、異なる検出器に入射する。物体から第1の立体角範囲に出射する電子は、第1の電子検出器16に入射し、物体から第2の立体角範囲に出射する電子は、第2の検出器17に入射する。第1の立体角範囲及び第2の立体角範囲は、同一ではないため、2つの立体角範囲の主軸線は、互いに対して角度をなす向きにある。第1の立体角範囲及び第2の立体角範囲はオーバーラップすることがある。しかし、図1は、検出器16及び17それぞれが検出する電子が出射する2つの立体角範囲がオーバーラップしない状況を示し、2つの立体角範囲の主軸線をそれぞれ参照符号18及び19で示す。作業域9に対して異なる立体角範囲に位置決めした2つ以上の検出器16,17は、走査及び検出のための2つ以上の異なる角度構成を提供する。物体13の表面11の三次元形状は、2つ以上の検出器16,17が発生する検出信号を解析することにより判定することができる。物体の三次元形状の判定に関する背景情報は、ウロジミルツドルザズガWlodzimierzDrzazga氏ら著の論文SEMにおける微細構造の三次元キャラクタリゼーションThreeDimensionalCharacterizationofMicrostructuresinaSEM、MeasSciTechnol17、第2831頁から得ることができ、この論文の開示の全体を参照により本出願に援用する。図1に示す2つの異なる角度構成を提供する第2の選択肢は、2つの異なる角度構成で粒子ビームを物体に入射させることを含む。この目的で、電子ビームコラム1は、電子ビームを試料に対するその入射場所に関して傾斜させるよう構成した偏向系を備える。図示の例では、偏向系は、電子ビームコラム1の主軸線5に沿って互いに離れて配置した2つのディフレクタ21及び22を備える。表面11に対する電子ビーム15の入射方向の向きを、ディフレクタ21及び22の操作により変更することが可能である。図1の参照符号25は、ディフレクタ21及び22の第1の付勢設定settingofenergizationsにおいて第1の入射角で表面11に入射する電子ビームを示し、図1の参照符号26は、ディフレクタ21及び22の第2の付勢設定において第2の入射角で表面11に入射する電子ビームを示す。少なくとも2つの異なる角度構成を達成するこの第2の選択肢では、作業域9に対して位置決めした電子検出器を設けて、走査により表面11から生じるか又は放出される電子を検出器に入射させることができるようにすれば十分である。例えば、検出器は、図示の検出器16,17で示す場所に位置決めしてもよく、又は異なる場所に位置決めしてもよく、異なる場所とは、例えば電子ビームコラム内に位置決めした検出器28である。第1の検出信号セットの記録を、一次電子ビーム15を表面11に第1の角度構成25で入射させて表面にわたって走査したときに行い、第2の検出信号セットの記録を、一次電子ビーム15を表面11に第2の角度構成26で入射させて表面にわたって走査したときに行う。物体の表面の三次元形状は、記録した2つの検出信号セットを解析及び比較することにより再現することができる。電子ビームの走査のための異なる角度構成を提供することに関する背景情報は、米国特許第7,223,983号から得ることができ、この文献の開示の全体を参照により本明細書に援用する。図1に示す走査及び検出用の2つの異なる角度構成を提供する2つの選択肢は、互いに独立して用いることができる。例えば、入射電子の立体角範囲に関して異なる2つ以上の検出器を設ける一方で、表面に対する電子ビームの入射方向を変えるという選択肢を提供せずに、電子ビームを例えば電子ビームコラムの主軸線5と常に平行に指向させるようにすることが可能である。他方、少なくとも2つの異なる角度構成を、少なくとも2つの異なる入射方向の走査ビームを用いることにより提供する一方で、表面から出射する電子を放出する立体角範囲は解析しないことが可能である。さらに、1つのシステムで異なる角度構成を達成する複数の選択肢を提供することが当然可能であるが、これは例えば、図1に示すシステムにおいて、2つのディフレクタ21及び22が走査ビームの角度構成を変えることを可能にし、2つの検出器16及び17が検出した電子の角度構成を変えることを可能にする場合である。したがって、物体13の表面11の三次元形状を、少なくとも2つの異なる角度構成に関する検出信号を記録することにより判定することが可能である。結果として、記録した検出信号に含まれる情報は、電子ビームコラム1の主軸線5を横切る横方向での物体の表面における場所の位置に関するだけでなく、高さ方向すなわち主軸線5と平行な方向での場所の位置にも関する。したがって、電子ビームコラム1を用いて測定した物体の表面の三次元形状が物体の目標形状と一致する程度を判定することが可能である。物体の目標形状は、例えば、物体の加工を要求する顧客が規定することができる。したがって、物体の表面をその目標形状とより正確に一致させるために、物体の表面のうち、材料を物体から除去する必要がある場所、又は材料を物体の表面に堆積する必要がある場所を決定することが可能である。このような情報に基づき、物体13を加工するためにイオンビームコラム3を操作して、物体の表面の三次元形状が目標形状に近付き、最終的には目標形状にほぼ対応するようにすることが可能である。この目的で、表面から材料を除去するか又は表面に材料を堆積するために、イオンビーム31を表面における予め決定した場所に指向させる。予め決定した場所からの材料の除去は、イオンビームをそれらの場所に指向させることにより達成することができ、イオンビームは、その運動エネルギーにより物体の表面から粒子を放出する。さらに、プロセスガスを物体の表面に供給することができ、プロセスガスは、イオンビームによりその入射場所において活性化し、活性化したプロセスガスは、材料を物体の表面からエッチング等のプロセスにより除去する。選択した場所における材料の堆積は、イオンビームをそれらの場所に指向させ、適当なプロセスガスを表面に供給することにより達成することができ、プロセスガスは、イオンビームの入射場所においてビームにより活性化して材料の堆積をもたらす。表面からの材料の除去及び表面への材料の堆積に関する背景情報は、FAスティービーFAStevie氏ら著の論文堆積及び強化エッチのための集束イオンビームガスFocusedIonBeamGassesforDepositionandEnhancedEtch、集束イオンビーム入門-計装、理論、技法、及び実践IntroductiontoFocusedIonBeamsInstrumentationTheoryTechniquesandPractice、Springer2005、chapter3、p5372から得ることができる。図2a~cは、物体を加工する方法の概略図である。図2は、物体13の表面11がその所望の目標形状に至る物体の断面を示し、目標形状は、図示の例では平坦平面形状である。図2aは、加工の初期段階における物体13の断面を示す。最初は、表面11は粗い凹凸形状を有する。参照符号35は、表面11のうち目標形状よりも電子ビームコラム1の主軸線5の方向に突出している2つの例示的な場所を示す。これらの場所35は、電子ビームコラム1を用いて行う検査ステップで特定する。検査は、少なくとも2つの異なる角度構成で走査及び検出するステップと、記録した検出信号を解析するステップと、及び表面11の三次元形状を判定するステップとを含む。場所35を判定すると即座に、イオンビーム31をこれらの場所35に指向させる。図2aに示す例では、2つの例示的な場所35の一方に最初に指向させるイオンビームは、参照符号31′で示し、他方の例示的な場所35にその後指向させるイオンビームは、参照符号31′′で示す。目標表面から突出している場所35に入射したイオンビームは、物体の表面におけるそれらの場所から材料を除去し、この除去は、イオン自体及び/又は活性化プロセスガスにより行う。イオンビームを複数の決定した場所に指向させることを伴うこのような加工後に、表面11の形状は、図2bに示すように目標形状図2cに示すに近付く。図2bもまた物体13の断面を示し、表面11の粗さは図2aに示す構成と比較して低減していること明らかである。少なくとも2つの異なる角度構成でのこの表面の走査及び検出を図2bに示す表面11に施すことにより、表面11の三次元形状を決定し、また表面が目標形状から電子ビームコラム1の主軸線5の方向に突出している場所35を再度判定することができる。イオンビーム31を、それらの場所35にその後指向させて、表面11の形状が目標形状にほぼ対応するまでそれらの場所から材料を除去することができ、目標形状は、図示の例では平坦平面である。得られる表面の三次元形状は、電子ビームコラム1を用いて再度判定して、その形状が目標形状と十分に一致していることを確認し、またイオンビームでのさらなる加工が不要であること及び目標形状を有する物体の製造が完了したことを判断することができる。検査した表面の形状が目標形状と十分に一致しているか否かを判断するために、測定した形状と目標形状との間の高低差を複数の場所で求め、それらの差間の最大差を求めることができる。最大差が所定閾値よりも大きい場合、イオンビームを用いた加工を続行し、一方最大差が所定閾値よりも小さい場合、表面の製造を完了する。図1~図2につき上述したように、イオンビームコラム3及び目標形状に対する電子ビームコラム1の構成において、電子ビームコラムを用いた加工ステップとイオンビームコラムを用いた加工ステップとを交互に繰り返す加工ステップを行うことが可能であり、この場合、ビームコラム1及び3の主軸線5及び7それぞれに対する物体13の向きの変更は不要である。このような構成では、とくに、入射イオンビームの方向が製造した表面とほぼ平行であるというすれすれ斜入射条件を満たさない加工イオンビームを用いて、物体のほぼ平坦な平面を製造することができる。このことが、物体の向きの変更が全く不要であり、粒子ビームコラムに対して物体の向きを変更して再位置決めするという時間のかかるステップを省くことができ、加工をより短期間で完了することができるかの理由である。さらに、従来の方法によっては作製できなかった幾何学的形状及び目標形状を有する物体を作製することができる。例えば、図2cに示す物体は、すれすれ斜入射条件を満たすイオンビームを用いては製造できず、これは、表面11から突出している肩部37が表面11へのイオンビームのすれすれ斜入射を妨げるからである。図2につき上述した方法で製造した表面の目標形状は、平坦な平面である。しかしながら、平坦な平面とは異なる目標形状を規定し、対応する表面を製造することもできる。例えば、目標形状は、角錐形、球状キャップ形、又は任意な他の所望形状とすることができる。物体に、目標形状の底面を有するトレンチを製造することが特に可能である。特に、トレンチの底面は平坦な平面とすることができる。さらに、物体の表面は、図3及び図4につき以下で説明するように材料除去率に関して異なる種々の材料によって得ることができる。図3a~dは、イオンビームコラムを用いて目標形状を有する物体を製造する従来の方法を示し、図4a~hは、上述の本発明原理を用いて同じ目標形状を有する物体を製造する方法を示す。目標形状を有する物体を、図4hに示す。物体は、例えば銅の材料とし、上面51を有し、この上面51に深さd及び幅wを有するトレンチを形成し、トレンチは、上面51と平行な向きの底面53及び4つの垂直側壁55を備える。図3aは、連続した上面51を有する未加工状態の物体を示し、目標形状を破線57で示す。図3aにおける矩形部59は、異物、周囲マトリックスの結晶方位とは異なる結晶方位を有する結晶粒が介在することを示す。目標形状57を有する物体を製造する従来の方法によれば、イオンビームは、表面51のうちトレンチを製造すべき部分にわたって系統的に走査する。この場合、単位面積当たりに入射させるイオンの総ドーズ量又は総電荷量は、物体の材料が予測材料除去率を有する場合に所望の深さdを有するトレンチを作製するように予め決定する。図3b~dは、このような方法における複数のステップを示す。図3bは、材料除去を所望に応じて進め、それまでに製造したトレンチの底面の表面部分61をなす異物69に達した状態を示す。異物59は、図示の例では、表面部分61を囲む表面部分63における材料の材料除去率よりも小さな材料除去率を有する。異物の存在は、製造方法を計画及び設計した時点では分かっていなかったため、製造方法は変更せずに続行し、トレンチの底面における全ての場所で同じ材料除去率を達成するために、底面を連続的に走査して底面の全ての場所が同じイオンドーズを受けるようにする。しかしながら、異物の存在により、これは可能とならない。異物が物体の表面をなす表面部分61では、材料除去率は、残りの周囲の表面部分よりも小さいため、図3cに示すようにトレンチの底部に段差を形成する。図3dは、製造方法が完了した状態を示し、この状態では、単位面積当たりの所要イオンドーズ量を適宜決定したことから、異物59が表面をなさない表面部分63が所望の深さdに達している。しかし、材料除去プロセスは、表面部分61では完了していないため、この表面部分61では所望の深さdに達していない。したがって、製造後の物体は、所望の目標形状と一致しない。図4a~hは、図1及び図2につき上述した本発明原理に従って図4hに示す目標形状を有する物体を製造する方法を示す。この方法によれば、電子ビームコラムを用いた加工ステップ及びイオンビームコラムを用いた加工ステップを自動的に行い、表面の三次元形状は、電子ビームコラムを用いた加工ステップにおいて判定して進行中の製造ステップの目標形状と比較する。イオンビームコラムを用いた次の加工ステップはそれぞれ、判定した進行中の三次元表面形状に基づき計画する。図4aは、トレンチの製造を特定の深さまで行った状態を示す。後続の物体における三次元形状の判定において、トレンチの底部が平面により提供されていることが判明し、トレンチの底部の表面部分は、全体がイオンビームコラムを用いた後続の加工ステップにおいて同じ加工強度を受けるため、底面の全ての場所で同じ材料除去率が達成される。このような加工の後に、図4bに示す加工状態に達する。再び三次元形状の判定により、底面が平面であることが明らかになり、トレンチの底部にわたる加工強度の一定の分布を、イオンビームコラムを用いた次の加工ステップで用いる。しかしながら、このとき異物53が表面に現れるため、材料除去は、底面のうち異物53が表面をなす表面部分61において進行速度が遅くなる。このような状況を図4cに示す。表面の三次元形状を図4cに示すような状態で判定した場合、表面のうち表面部分61における場所は、残りの表面から電子ビームコラムの主軸線5の方向に突出していることが分かる。これに応じて、イオンビームコラム3を用いた後続の加工ステップにおいて、イオンを表面部分61のみに指向させる、又はイオンを表面部分61に周囲の表面部分63よりも高い加工強度で指向させることができる。結果として、図4dの加工状態で示すように、除去する材料の量は、周囲の表面部分63よりも表面部分61の方が多く、トレンチの底部全体は、ほぼ平面を有し、これは電子ビームコラムを用いた次の加工ステップにおいて確認される。その後、イオンビームを、トレンチの底部の表面部分全体に同じドーズ量又は加工強度を用いて指向させることで、表面部分61が再び周囲の表面部分63よりも突出している図4eに示す加工状態を達成する。物体の三次元形状を判定する電子ビームコラムを用い、且つ電子ビームコラムを用いた前のステップにおいて判定した三次元形状に基づき、イオンビームを表面における選択した場所に指向させるイオンビームコラム3を用いて、加工ステップを繰り返し行うことにより、最終的に図4hに示す物体の最終形状を得ることが可能であり、図4f及びgは、中間加工ステップを示す。図示の方法では、粒子ビームの加工強度は、加工した場所に関して局所的に調整する。これは、粒子ビームをより強力な加工を必要とする場所にのみ指向させる一方で、表面の形状が所与の加工状態での所望の形状と一致するまで、比較的少ない加工しか必要としない残りの場所の加工を一切行わないことにより達成することができる。しかしながら、これは、高い加工強度をより強力な加工を必要とする場所に適用する一方で、比較的少ない加工しか必要としない他の場所を低い加工強度で加工することにより達成することもできる。これにより、表面の所与の加工状態における所望の形状と実際の形状との差が大きくなることを回避することができる。所与の加工状態における所望の形状は、加工の続行に伴い変化する。加工強度を局所的に変更する選択肢は複数ある。例えば、粒子ビームのビーム電流を局所的に変更することができ、各加工場所における粒子ビームの滞留時間を局所的に変更することができ、粒子ビームのビームエネルギーを局所的に変更することができる。例えば、座標x,yを有する各加工場所における粒子ビームの滞留時間は、以下のように決定することができる。tDCx,y=ax,ytDNx,y、ここで、ΔHx,y≧-HStepならば、ax,y=ΔHx,yHStep/HStep、それ以外ならば、ax,y=0であり、式中、tDNx,yは、所与の加工ステップにおける滞留時間の公称値であり、tDCx,yは、場所依存滞留時間であり、ax,yは、場所依存補正係数であり、ΔHx,yは、測定場所依存高低差であり、HStepは、加工ステップに関する計画した除去深さである。図2a~cにつき上述した方法では、電子ビームコラム及びイオンビームコラムでの交互加工を、物体の向きを変更せずに行うことが可能であるが、加工ステップ間で粒子ビームコラムに対する物体の向きを変更する必要があり得る。この場合、電子ビームコラムに対する物体の向きを、トレンチの底面及び/又は物体の上面51が電子ビームコラムを用いる加工ステップにおいて電子ビームコラムの主軸線とほぼ直交する一方で、これらの表面がイオンビームコラムを用いて実施する加工ステップ中にイオンビームコラムの主軸線とほぼ直交するようにすることが有利であり得る。物体を加工するさらなる方法を、図5のフローチャートにつき以下に説明する。ステップ101において、被加工物体を、物体のうち加工すべき表面部分を電子ビームコラムの作業域内に位置決めすると同時にイオンビームコラムの作業域内に位置決めするように加工システムに取り付ける。ステップ103において、物体の表面の画像を、2つの異なる角度構成で電子ビームコラムを用いて記録する。ステップ105において、物体の表面の三次元形状を、異なる角度構成で記録した画像に基づき判定する。ステップ107において、物体の目標形状又は中間目標形状からの物体の判定した三次元形状の偏差を求める。物体の目標形状は、製造完了時における物体表面の所望の形状である。中間目標形状は、進行中の加工ステップにおける物体の表面の形状である。ステップ109において、偏差が閾値よりも大きいか閾値よりも小さいかを判定する。偏差が閾値よりも小さい場合、ステップ111において、加工を終了して物体をシステムから取り外す。目標形状からの偏差が閾値よりも大きい場合、ステップ113において、イオンビームを用いた物体の表面の加工を行い、イオンビームを、ステップ107において求めたように物体のうち高い加工強度を必要とする場所に指向させる。ステップ113におけるイオンビームコラムを用いた加工を完了したら、ステップ103で加工を続行することにより、物体の新たな画像を複数の角度構成で記録し、物体の三次元形状を判定しステップ105、物体の形状と目標形状との偏差を求めステップ107、加工を終了できるかステップ111続行できるかステップ113を再度判定するステップ109。上述の実施形態では、イオンビームを用いて物体を加工し、すなわち物体から材料を除去するか又は物体に材料を堆積し、電子ビームを用いて物体を走査して、検出可能な電子を発生させる。しかしながら、単一のイオンビームコラムを用い、このイオンビームコラムが発生させるイオンビームを、検出可能な電子を発生させるための物体の走査と、物体の加工、すなわち物体からの材料の除去及び物体への材料の堆積との両方に用いることも可能である。この場合、走査に用いるイオンビームのビームエネルギーは、加工に用いるイオンビームのビームエネルギーとは異ならせることができる。イオンビームコラムを用いて、検出可能な電子を発生させるための物体の走査用に粒子ビームを発生させる場合、複数の角度構成を提供することも可能である。これは、例えば、物体の表面に対する粒子ビームの入射方向を変えるよう構成したビームディフレクタにより、物体の表面から出射する電子に関して異なる立体角範囲をカバーする複数の検出器を用いることにより、又は粒子ビームコラムに対して物体の表面を傾斜させることにより、達成することができる。図1に示すように2つの粒子ビームコラムの構成を用いて、両方の粒子ビームコラムをイオンビームコラムとすることがさらに可能である。その場合、物体の走査を一方のイオンビームコラムで行い、物体の加工を他方のイオンビームコラムで行うことができる。イオンビームコラムは、粒子ビームを形成するイオンのタイプに関して異なさせることができる。例えば、20原子質量単位未満の重量を有するイオン、例えばヘリウムイオン又は他の希ガスイオン等を用いて、検出可能な電子を発生させるための物体走査用イオンビームを形成することができる。このようなイオンビーム装置の一例は、米国特許出願公開第2007/0194226号明細書で説明されている。物体の加工に用いるイオンビームコラムは、20原子質量単位未満の原子質量を有するイオン、例えばガリウムイオン等のビームを発生させるイオンビーム源を含み得る。イオンの質量に関して異なる種々のイオンビームを発生させる2つのイオンビームコラムは、放出したイオンビームを共通の作業域に指向させるよう構成することができる。この目的で、2つのイオンビームコラムの主軸線は、互いに対して10°よりも大きい、例えば20°~60°等の角度に向けることができる。本発明を、その特定の例示的な実施形態に関して説明してきたが、多くの代替的な実施形態、変更形態、及び改変形態があり得ることは当業者には明らかであろう。したがって、本明細書に記載した本発明の例示的な実施形態は、説明を意図したものであり、決して限定を意図したものではない。添付の特許請求の範囲に規定されているような本発明の趣旨及び範囲から逸脱せずに、様々な変更を行うことができる。"