第1基板及び第2基板と、前記第1基板の一面に設けられた第1配向膜と、前記第2基板の一面に設けられた第2配向膜と、誘電率異方性が負の液晶材料からなり、前記第1基板の一面と前記第2基板の一面の間に配置された液晶層と、前記第1基板及び前記第2基板を挟んで配置され、各々の吸収軸が略直交するように配置された第1偏光板及び第2偏光板と、前記第1基板と前記第1偏光板の間又は前記第2基板と前記第2偏光板の間の少なくとも一方に配置された視角補償板、を含み、前記第1配向膜と前記第2配向膜は、それぞれ一軸配向処理が施され、かつ当該一軸配向処理の方向が互いに逆方向となるように相対的に配置されており、それぞれが前記液晶層に対して89.8°以上90°未満のプレティルト角を発現させるものであり、前記液晶層は、その層厚dと屈折率異方性Δnの積であるリターデーションΔndの値が800nm~900nmの範囲内に設定されている、液晶表示装置。前記液晶層は、前記第1基板と前記第2基板の間に配置された後に前記液晶材料の相転移温度よりも15°C以上高い温度で熱処理されたものである、請求項1に記載の液晶表示装置。前記一軸配向処理がラビング処理であり、かつラビングローラーの回転数を700rpm以上、前記第1配向膜及び前記第2配向膜のそれぞれと前記ラビングローラーとの相対的な移動速度を100mm/秒に設定して行われたものである、請求項1又は2に記載の液晶表示装置。前記第1配向膜と前記第2配向膜のそれぞれは、ポリアミック酸を焼成して得られるものであり、それぞれのイミド化率が50以上である、請求項1~3の何れか1項に記載の液晶表示装置。第1基板と第2基板の各一面に配向膜を形成する工程と、前記第1基板と前記第2基板の各々の前記配向膜に一軸配向処理を行う工程と、前記第1基板と前記第2基板を、各一面を対向させて貼り合わせる工程と、前記第1基板と前記第2基板の間に誘電率異方性が負の液晶材料を注入することによって液晶層を形成する工程と、前記液晶層に対して前記液晶材料の相転移温度よりも15°C以上高い温度で熱処理を行う工程と、前記第1基板と前記第2基板の外側に偏光板及び視角補償板を配置する工程と、を含み、前記配向膜の各々は、前記一軸配向処理の方向が互いに逆方向となるように相対的に配置され、それぞれが前記液晶層に対して89.8°以上90°未満のプレティルト角を発現させ、前記液晶層は、その層厚dと屈折率異方性Δnの積であるリターデーションΔndの値が800nm~900nmの範囲内に設定される、液晶表示装置の製造方法。前記一軸配向処理がラビング処理であり、かつラビングローラーの回転数を700rpm以上、前記第1配向膜及び前記第2配向膜のそれぞれと前記ラビングローラーとの相対的な移動速度を100mm/秒に設定して行われたものである、請求項5に記載の液晶表示装置。前記配向膜の各々は、ポリアミック酸を焼成して得られるものであり、それぞれのイミド化率が50以上である、請求項5又は6に記載の液晶表示装置。本発明に係る具体的態様は、高デューティで駆動した場合にも高コントラストかつ良好な視野角特性を有する垂直配向型の液晶表示装置を提供することを目的の1つとする。本発明に係る具体的態様は、高デューティで駆動した場合にも高コントラストかつ良好な視野角特性を有する垂直配向型の液晶表示装置の製造技術を提供することを他の目的の1つとする。本発明に係る一態様の液晶表示装置は、a第1基板及び第2基板と、b第1基板の一面に設けられた第1配向膜と、c第2基板の一面に設けられた第2配向膜と、d誘電率異方性が負の液晶材料からなり、第1基板の一面と第2基板の一面の間に配置された液晶層と、e第1基板及び第2基板を挟んで配置され、各々の吸収軸が略直交するように配置された第1偏光板及び第2偏光板と、f第1基板と第1偏光板の間又は第2基板と第2偏光板の間の少なくとも一方に配置された視角補償板を含み、g第1配向膜と第2配向膜は、それぞれ一軸配向処理が施され、かつ当該一軸配向処理の方向が互いに逆方向となるように相対的に配置されており、それぞれが液晶層に対して89.8°以上90°未満のプレティルト角を発現させるものであり、h液晶層は、その層厚dと屈折率異方性Δnの積であるリターデーションΔndの値が800nm~900nmの範囲内に設定されている、ことを特徴とする液晶表示装置である。上記の構成によれば、高デューティで駆動した場合にも高コントラストかつ良好な視野角特性を有する垂直配向型の液晶表示装置を実現することができる。上記の液晶表示装置において、液晶層は、第1基板と第2基板の間に配置された後に液晶材料の相転移温度よりも15°C以上高い温度で熱処理されたものであることが望ましい。また、上記の液晶表示装置においては、一軸配向処理がラビング処理であり、かつラビングローラーの回転数を700rpm以上、第1配向膜及び第2配向膜のそれぞれとラビングローラーとの相対的な移動速度を100mm/秒に設定して行われたものであることが望ましい。さらに、第1配向膜と第2配向膜のそれぞれは、ポリアミック酸を焼成して得られるものであり、それぞれのイミド化率が50以上であることが望ましい。これらによれば、ラビング傷による外観不良を抑制しつつ、89.8°以上90°未満の高プレティルト角を実現し得る。本発明に係る一態様の液晶表示装置の製造方法は、a第1基板と第2基板の各一面に配向膜を形成する工程と、b第1基板と第2基板の各々の配向膜に一軸配向処理を行う工程と、c第1基板と第2基板を、各一面を対向させて貼り合わせる工程と、d第1基板と第2基板の間に誘電率異方性が負の液晶材料を注入することによって液晶層を形成する工程と、e液晶層に対して液晶材料の相転移温度よりも15°C以上高い温度で熱処理を行う工程と、f第1基板と第2基板の外側に偏光板及び視角補償板を配置する工程を含み、g配向膜の各々は、一軸配向処理の方向が互いに逆方向となるように相対的に配置され、それぞれが液晶層に対して89.8°以上90°未満のプレティルト角を発現させ、h液晶層は、その層厚dと屈折率異方性Δnの積であるリターデーションΔndの値が800nm~900nmの範囲内に設定される、ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法である。上記の製造方法によれば、高デューティで駆動した場合にも高コントラストかつ良好な視野角特性を有する垂直配向型の液晶表示装置を製造することができる。上記の製造方法においては、一軸配向処理がラビング処理であり、かつラビングローラーの回転数を700rpm以上、第1配向膜及び第2配向膜のそれぞれとラビングローラーとの相対的な移動速度を100mm/秒に設定して行われたものであることが望ましい。また、配向膜の各々は、ポリアミック酸を焼成して得られるものであり、それぞれのイミド化率が50以上であることが望ましい。これらによれば、ラビング傷による外観不良を抑制しつつ、89.8°以上90°未満の高プレティルト角を実現し得る。以下に、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。図1は、一実施形態の液晶表示装置を模式的に示す断面図である。図1に示す本実施形態の液晶表示装置は、対向配置された上側基板第1基板11および下側基板第2基板12と、両基板の間に配置された液晶層17を基本構成として備える。この液晶表示装置は、液晶層17の液晶分子が電圧無印加時において各基板に対してほぼ垂直に配向する垂直配向型の液晶表示装置であり、上側偏光板21および下側偏光板22をクロスニコル配置としたノーマリーブラックモードに構成されている。上側基板11と下側基板12は、それぞれ、例えばガラス基板、プラスチック基板等の透明基板である。上側基板11と下側基板12は、所定の間隙例えば数μm程度を設けて貼り合わされている。上側基板11と下側基板12の間隙は、例えば両基板間に配置された球状スペーサー図示省略によって保持される。上側電極13は、上側基板11の一面側に設けられている。同様に、下側電極14は、下側基板12の一面側に設けられている。上側電極13および下側電極14は、それぞれ例えばインジウム錫酸化物ITOなどの透明導電膜を適宜パターニングすることによって構成されている。これらの上側電極13および下側電極14を介して外部の駆動回路図示省略から液晶層17に駆動信号が供給される。配向膜15は、上側電極13を覆って上側基板11の一面側に設けられている。同様に、配向膜16は、下側電極14を覆って下側基板12の一面側に設けられている。これらの配向膜15、16は、液晶層17の液晶分子の配向を制御するものである。例えば、本実施形態では配向膜15、16として垂直配向膜を用いる。各配向膜15、16にはラビング処理等の一軸配向処理が施されており、かつその配向処理の方向が互い違いアンチパラレルとなるように配置されている。液晶層17は、上側基板11と下側基板12の間に設けられている。本実施形態においては、誘電率異方性Δεが負の液晶材料を用いて液晶層17が構成される。液晶層17に図示された太線は、液晶層17における液晶分子の配向方向を模式的に示したものである。本実施形態の液晶層17は、電圧無印加時における液晶分子の配向方向が上側基板11および下側基板12の各基板面に対してわずかなプレティルト角を有して略垂直となる垂直配向モードに設定されている。本実施形態では、各配向膜15、16によって液晶層17に付与されるプレティルト角は、89.8°以上90°未満に設定されている。また、本実施形態では、液晶層17の層厚セル厚dと液晶材料の屈折率異方性Δnとの積で規定されるリターデーションΔndの値は、800nm~900nmの範囲で設定されている。上側偏光板21は、上側基板11の外側に配置されている。同様に、下側偏光板22は、下側基板12の外側に配置されている。上側偏光板21と下側偏光板22は、各々の吸収軸が互いに略直交するように配置されている。また、上側偏光板21と下側偏光板22の各吸収軸は、配向処理の方向に対応して定義される液晶層17の層厚方向の略中央における液晶分子の配向方向に対して略45°の角度をなす位置に設定される。視角補償板23は、上側基板11と上側偏光板21の間に配置されている。同様に、視角補償板24は、下側基板12と下側偏光板22の間に配置されている。これらの視角補償板23、24としては、例えば、負の一軸光学異方性または負の二軸光学異方性を有する位相差板が用いられる。次に、本実施形態の液晶表示装置の好適な一例の製造方法を説明する。図2は、図1に示した液晶表示装置の製造方法の一例を説明するための流れ図である。また、図3は、配向膜へラビング処理を行う工程で用いられるラビング装置の模式図である。まず、上側基板11の一面上に上側電極13を形成し、下側基板12の一面上に下側電極14を形成する図2:ステップS11。具体的には、片面が研磨処理され、その表面にSiO2アンダーコートが施された後、ITOインジウム錫酸化物からなる透明導電膜が成膜された一対のガラス基板を用意する。これらのガラス基板の透明導電膜に対してフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行うことにより所望の形状にパターニングする。なお、必要に応じて、透明導電膜をパターニングして得られた上側電極13や下側電極14の各々の一部表面上にSiO2などによる絶縁層を形成してもよい。その後、上側基板11および下側基板12をそれぞれ弱アルカリ溶液および純水にてブラシ洗浄後、基板乾燥し、低圧水銀ランプまたは酸素キャリアを用いた大気圧プラズマ等によるドライ洗浄を行う。次に、各基板にフレキソ印刷法にて所望パターンの配向膜材料を塗布し図2:ステップS12、これをクリーンオーブン内にて90°Cで約5分間の条件で仮焼成し、さらに180°C~280°Cで30~60分間の条件で本焼成する図2:ステップS13。このときの焼成温度により、配向膜によって液晶層へ付与し得るプレティルト角の大きさが変化する。本実施形態では配向膜としてポリイミド膜を用いる。このポリイミド膜は、ポリアミック酸を焼成してイミド化することにより得られる。垂直配向膜用の配向膜材料にはアルキル基や疎水構造が導入されているため、焼成温度が高いほうがイミド化率が上がり、側鎖のアルキル基の剛直性が向上し、プレティルト角が付きにくい状態となる。つまり、ある程度ラビング強度を高くしたラビング条件でも高いプレティルト角が安定して発現する傾向となる。具体的には、イミド化率は50以上にすることが望ましい。本実施形態で用いた配向膜を同一のラビング条件でのプレティルト角とイミド化率の一例を示すと、180°Cで焼成した場合のイミド化率は38、このときのプレティルト角は89.8°であり、200°Cで焼成した場合のイミド化率は50、このときのプレティルト角は89.9°であり、230°Cで焼成した場合のイミド化率は90、このときのプレティルト角は89.95°である。次に、配向膜に対して配向処理の1つであるラビング処理を行う図2:ステップS14。本実施形態では、ラビング処理は上側基板11と下側基板12の双方に対して行われる。ここで図3を用いてラビング処理のパラメータを説明する。図3Aに示すように、一般的なラビング装置は、配向膜101が形成された基板100を載せて一方向へ移動可能なステージ102と、このステージ102に載せられた基板100の表面に接触し得るように配置されたラビングローラー103を備える。ラビングローラー103の表面にはラビング布104が貼り付けられている。このとき、ステージ102の移動速度搬送速度v、ラビングローラー103の回転数n、ラビングローラー103による配向膜101へのラビング回数N、ラビングローラー102の押し込み量Mなどがラビング処理の主なパラメータとなる。ここでいう押し込み量Mとは、図3Bに示すように配向膜101の表面を基準として、ラビングローラー103のラビング布104の表面が押し込まれる距離をいう。また、ステージ102の移動速度vが配向膜101とラビングローラー102との相対的な移動速度に相当する。本実施形態では、ラビング処理に用いるラビング布104として、毛の柔らかいコットン布を使用する。また、ラビングローラー102の回転数nは、従来よりも高い値、具体的には700rpm以上に設定する。また、ステージ102の移動速度vは、従来よりも低い値、具体的には100mm/秒に設定する。さらに、押し込み量Mについては従来よりも小さめの値に設定する。このように、回転数nを高く、移動速度vを低く設定してラビング密度を上げることにで、配向膜101にラビング処理により発生する傷が微小な細かいものとなり、ほとんど外観上観察することができない良好な状態とすることができる。また、押し込み量Mについては、配向膜101とラビング布104とのあたり量接触長を小さくする必要があるため、押し込み量での管理で常にあたり量が一定になるようにすることが望ましい。次に、一方の基板上例えば、下側基板12の一面上に、例えば4μm程度の粒径の球状スペーサーを乾式散布法等の方法によって散布する図2:ステップS15。また、他方の基板例えば上側基板11に、例えばスクリーン印刷法によってシール材を形成する図2:ステップS16。シール材は、上側基板11と下側基板12が重なる領域の外形よりわずかに小さい枠状に形成される。スペーサー散布およりシール材形成の後、上側基板11と下側基板12を貼り合わせて熱圧着することによりシール材を固着させる図2:ステップS17。熱圧着の条件は、例えば120°Cで1時間以上とする。次に、真空注入法等の方法によって、上側基板11と下側基板12の間隙に液晶材料を注入し、その注入口を紫外線硬化樹脂等によって封止する図2:ステップS18。これにより液晶層17が形成される。次に、液晶層17を再配向させるための熱処理を行う図2:ステップS19。詳細には、上側基板11および下側基板12を貼り合わせて得られたセルに対して、液晶材料のネマティック相と等方相の間の相転移温度よりも15°C以上高い温度で60分間以上の熱処理が行われる。このような条件で熱処理を行うことで液晶層のプレティルト角をより高い角度へシフトさせる効果が得られる。一例として、本実施形態で用いた液晶材料においては、相転移温度よりも10°C高い温度での熱処理によれば0.03°程度のプレティルト角を増加させる効果に留まるところ、相転移温度よりも15°C以上高い温度での熱処理によれば0.08°程度プレティルト角を増加させる効果が得られる。その後、上側基板11および下側基板12を貼り合わせて得られたセルを中性洗剤等で洗浄し、さらに純水でリンスし、乾燥させる。そして、上側基板11の外側に上側偏光板21および光学補償板23を貼り合わせ、かつ下側基板12の外側に下側偏光板22および光学補償板24を貼り合わせる図2:ステップS20。最後に、フレキシブル基板またはリードフレームを適宜に取り付けることにより液晶表示装置が完成する。実施例実施例として、以下のような条件でドットマトリクス表示部とセグメント表示部の両方を備える液晶表示装置を作製した。ソーダライムガラスからなる一対の基板を用意し、各々の一面上に、ドットマトリクス表示部およびセグメント表示部に対応した形状の電極を形成した。具体的には、インジウム錫酸化物膜ITO膜を基板上に成膜し、これをフォトリソグラフィ技術によってパターニングした。さらに、各基板の一面に絶縁膜SiO2膜を成膜した。さらに、各基板の一面に垂直配向膜用のポリイミド配向膜材料をフレキソ印刷によって成膜して200°Cで焼成することにより、各基板の一面に配向膜を形成した。各基板の配向膜にはラビング処理を行った。ラビング条件は、ラビング布としてコットン布布厚3.512mmを使用し、ラビングローラーの回転数を800rpm、ステージの移動速度を50mm/秒、押し込み量を210μmと設定した。一対の基板を相互間距離セル厚が4μmとなるようにして貼り合わせ、各基板の間に液晶材料を注入した。液晶材料としては、誘電率異方性Δεが負の値、屈折率異方性Δnが0.21、相転移温度が100°Cのものを使用した。液晶層のリターデーションは、セル厚と屈折率異方性の積で与えられ、840nmである。液晶材料の注入後の熱処理は、その温度設定を相転移温度よりも20°C高い120°Cとし、60分間行った。熱処理後の液晶層のプレティルト角は89.9°であった。視角補償板としては、COP環状ポリオレフィンフィルムの2軸補償板を使用した。このときの視角補償板は負の2軸補償板と1軸補償板の2枚構成となり、それぞれ、面内位相差45nmで厚み方向の補償量は440nm、面内位相差0nmで厚み方向の補償量は220nmである。偏光板は、上側、下側ともに一般的なものを用い、各基板へのラビング処理の方向に対して45°方向に吸収軸を設定し、かつ互いの吸収軸を略直交させるようにして各基板に貼り合わせた。このようにして作製された実施例の液晶表示装置を1/64デューティ、1/7バイアスでマルチプレックス駆動すると、セグメント表示部におけるオフセグ見えはほとんどなく、広い視野角と高いコントラストが実現されていることを確認できた。また、外観観察によれば、ラビング傷に起因する光抜けはほとんどなく、良好な外観であることを確認できた。比較例1比較例として、以下のような条件でドットマトリクス表示部とセグメント表示部の両方を備える液晶表示装置を作製した。ソーダライムガラスからなる一対の基板を用意し、各々の一面上に、ドットマトリクス表示部およびセグメント表示部に対応した形状の電極を形成した。具体的には、インジウム錫酸化物膜ITO膜を基板上に成膜し、これをフォトリソグラフィ技術によってパターニングした。さらに、各基板の一面に絶縁膜SiO2膜を成膜した。さらに、各基板の一面に垂直配向膜用のポリイミド配向膜材料をフレキソ印刷によって成膜して200°Cで焼成することにより、各基板の一面に配向膜を形成した。各基板の配向膜にはラビング処理を行った。ラビング条件は、ラビング布としてコットン布布厚3.512mmを使用し、ラビングローラーの回転数を500rpm、ステージの移動速度を150mm/秒、押し込み量を600μmと設定した。一対の基板を相互間距離セル厚が4μmとなるようにして貼り合わせ、各基板の間に液晶材料を注入した。液晶材料としては、誘電率異方性Δεが負の値、屈折率異方性Δnが0.21、相転移温度が100°Cのものを使用した。液晶層のリターデーションは、セル厚と屈折率異方性の積で与えられ、840nmである。液晶層のプレティルト角は89.9°であった。液晶材料の注入後の熱処理は、その温度設定を相転移温度よりも20°C高い120°Cとし、60分間行った。熱処理後の液晶層のプレティルト角は89.9°であった。視角補償板としては、COP環状ポリオレフィンフィルムの2軸補償板を使用し、面内位相差24nmで厚み方向の補償量は700nmに設定する。偏光板は、上側、下側ともに一般的なものを用い、各基板へのラビング処理の方向に対して45°方向に吸収軸を設定し、かつ互いの吸収軸を略直交させるようにして各基板に貼り合わせた。このようにして作製された実施例の液晶表示装置を1/64デューティ、1/7バイアスでマルチプレックス駆動すると、セグメント表示部におけるオフセグ見えはほとんどなく、広い視野角と高いコントラストが実現されていることを確認できた。しかしながら、外観観察によれば、ラビング傷に起因する細長い形状の光抜けが多く発生していた。これは、実施例と比較例の間でのラビング条件の違いに起因するものであると考えられる。比較例2比較例として、以下のような条件でドットマトリクス表示部とセグメント表示部の両方を備える液晶表示装置を作製した。ソーダライムガラスからなる一対の基板を用意し、各々の一面上に、ドットマトリクス表示部およびセグメント表示部に対応した形状の電極を形成した。具体的には、インジウム錫酸化物膜ITO膜を基板上に成膜し、これをフォトリソグラフィ技術によってパターニングした。さらに、各基板の一面に絶縁膜SiO2膜を成膜した。さらに、各基板の一面に垂直配向膜用のポリイミド配向膜材料をフレキソ印刷によって成膜して200°Cで焼成することにより、各基板の一面に配向膜を形成した。各基板の配向膜にはラビング処理を行った。ラビング条件は、ラビング布としてコットン布布厚3.512mmを使用し、ラビングローラーの回転数を800rpm、ステージの移動速度を50mm/秒、押し込み量を210μmと設定した。一対の基板を相互間距離セル厚が4μmとなるようにして貼り合わせ、各基板の間に液晶材料を注入した。液晶材料としては、誘電率異方性Δεが負の値、屈折率異方性Δnが0.24、相転移温度が100°Cのものを使用した。液晶層のリターデーションは、セル厚と屈折率異方性の積で与えられ、960nmである。液晶層のプレティルト角は89.9°であった。液晶材料の注入後の熱処理は、その温度設定を相転移温度よりも20°C高い120°Cとし、60分間行った。熱処理後の液晶層のプレティルト角は89.9°であった。視角補償板としては、COP環状ポリオレフィンフィルムの2軸補償板1枚と1軸補償板2枚を使用した。このときの視角補償板は、それぞれ、1つの視角補償板は面内位相差45nmで厚み方向の補償量は440nm、残り2つの視角補償板はそれぞれ面内位相差0nmで厚み方向の補償量は220nmである。偏光板は、上側、下側ともに一般的なものを用い、各基板へのラビング処理の方向に対して45°方向に吸収軸を設定し、かつ互いの吸収軸を略直交させるようにして各基板に貼り合わせた。このようにして作製された実施例の液晶表示装置を1/64デューティ、1/7バイアスでマルチプレックス駆動すると、正面観察時のオフセグ見えはほとんどなく、広い視野角と高いコントラストが実現されていたが、視角を左右方向に振って観察するとセグメント表示部でのオフセグ見えが顕著に発生し、視野角が狭くなることが確認された。これは、実施例と比較例2の間でのリターデーションの値の違いに起因するものであると考えられる。図4は、アイポイント測定時の電圧-透過率特性例の閾値近傍における特性を拡大して示した図である。図4に示す測定点Aは上記した実施例に対応しΔnd=840nm、測定点Bは比較例2に対応しているΔnd=960nm。図4に示すように、Δndがより大きい比較例2の液晶表示装置では、閾値応答開始電圧の近傍の立ち上がりがゆるやかであるため、オフ電圧時にも透過率がより高くなる。このため、外観上はオフセグ見えとして視認される。これに対して、実施例の液晶表示装置では、閾値の近傍における立ち上がりが急峻であり、オフ電圧時の透過率が低くなるため、オフセグ見えが発生しない。なお、ここに示したのは一例であり、他のΔnd値についても市販のLCDシミュレーターを用いた計算機シミュレーションによってさらに詳細に検討したところ、以下に説明するように800~900nmが好適であることが確認されている。図5は、液晶表示装置の急峻性のリターデーション依存性についてのシミュレーションによる数値例を示す図である。また、図6は、図5に示したリターデーションと急峻性の関係を曲線近似により表したグラフである。ここでは、屈折率異方性Δnを0.08で固定し、セル厚dを可変することによりリターデーションΔndを変化させており、その他のセル条件については実施例1に示したものと同条件である。ここで、急峻性γとは液晶表示装置の透過率90時の印加電圧V90と透過率10時の印加電圧V10の比であり、γ=V90/V10と表される。ところで、一般に、マルチプレックス駆動される液晶表示装置では、表示部分の印加電圧VONと非表示部分の印加電圧VOFFの最適値が時分割数Nによって定まり、コントラストが最大となる最適バイアス駆動時における実効電圧比VOFF/VONの値は時分割数Nが高くなるほど小さくなる。例えば1/40デューティすなわちN=40の場合、かつ最適バイアスで駆動する場合には、実効電圧比VOFF/VONの値は1.17となる。このため、マルチプレックス駆動において液晶表示装置を良好な表示品位にするためには、上記した急峻性γの値を実効電圧比VOFF/VONの値より小さくすることが必要である。具体的には、1/40デューティかつ最適バイアスでマルチプレックス駆動する場合には、急峻性γは1.17以下であることが必要である。これについてシミュレーション結果を見ると、図6に点線で示すようにリターデーションが約725nmのときに急峻性γが1.17となる。したがって、リターデーションの値は少なくとも725nm以上であることが好ましい。さらに、液晶表示装置の製造時のセル厚マージン等を考慮すると、リターデーションの値は800nm以上であることが好ましいといえる。図7は、液晶表示装置のオフセグ見えのリターデーション依存性についてのシミュレーションによる数値例を示す図である。また、図8は、図7に示したリターデーションとコントラストの関係を曲線近似により表したグラフである。ここでは、液晶表示装置の最良視認方向が12時方向である場合に表示面の法線から3時方向に30°傾けた方向から観察したときにおいて、オン透過率が同じになるような電圧で駆動した場合の非表示部分オフセグの透過率OFF透過率を求め、これに基づいて表示部分の透過率との比であるコントラストCRを求めた。また、リターデーションが800nmのときのOFF透過率の値を1として、他のリターデーションにおけるOFF透過率の値を規格化した値であるオフセグ見え比率についても求めた。図7および図8から分かるように、横方向から観察したときのオフセグ見え比率はリターデーションが大きくなるにつれて増加することが分かる。そして、コントラストはリターデーションが大きくなるにつれて減少することが分かる。ここで、図8に示すように、リターデーションが約930nmのときにコントラストの値が5を下回り、コントラストの低下が著しくなる。したがって、リターデーションの値は少なくとも930nm以下であることが好ましい。さらに、液晶表示装置の製造時のセル厚マージン等を考慮すると、リターデーションの値は900nm以下であることが好ましいといえる。以上のように本実施形態並びに実施例によれば、高デューティで駆動した場合にも高コントラストかつ良好な視野角特性を有する垂直配向型の液晶表示装置とその製造技術が提供される。なお、本発明は上述した実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において種々に変形して実施をすることが可能である。例えば、上記した実施形態においては、熱処理温度を液晶材料の相転移温度よりも15°C以上高い温度とすることでプレティルト角をより大きくしていたが、この方法は上記の実施形態に限らず液晶表示装置の製造技術として広く一般化し得るものである。