"並行に積み重ねられた有機感光性光電子装置であって、近位面および遠位面を有している基板と、複数の有機感光性光電子サブセルであって、各サブセルは、透明カソードと透明アノードを有し、前記サブセルは互いに及び前記基板の近位面と重畳された関係にあり、ここで、前記複数の有機感光性光電子サブセルは、互いに並列に電気的に接続されていることを特徴とする装置。前記の有機感光性光電子サブセルのそれぞれの厚さが、前記装置の外部量子効率を最大化するように選択されていることを特徴とする請求項1に記載の装置。前記の有機感光性光電子サブセルのそれぞれの厚さが、前記装置の合計電流出力を最大化するように選択されていることを特徴とする請求項1に記載の装置。前記の有機感光性光電子サブセルのそれぞれの厚さが、前記装置の外部量子効率を最大化するように選択されていることを特徴とする請求項1に記載の装置。前記有機感光性光電子サブセルのそれぞれが、電磁スペクトルの異なる領域においてスペクトル感度を有するように選択されていることを特徴とする請求項1に記載の装置。前記スペクトル感度が、前記有機感光性光電子サブセルのそれぞれを含んでいる光感光性有機材料の種類を選択することによって選択されていることを特徴とする請求項5に記載の装置。前記有機感光性光電子サブセルのそれぞれが、単層の有機感光性光電子サブセルであることを特徴とする請求項1に記載の装置。前記有機感光性光電子サブセルのそれぞれが、二層の有機感光性光電子サブセルであることを特徴とする請求項1に記載の装置。前記有機感光性光電子サブセルのそれぞれが、多層の有機感光性光電子サブセルであることを特徴とする請求項1に記載の装置。前記単層の有機感光性光電子サブセルのそれぞれが、透明の絶縁層により、任意の隣接した単層の有機感光性光サブセルから隔離されていることを特徴とする請求項7に記載の装置。前記二層有機感光性光電子サブセルのそれぞれが、隣接する二層有機感光性光電子サブセルと共通の電極層を共有していることを特徴とする請求項8に記載の装置。前記二層有機感光性光電子サブセルのそれぞれが、透明の絶縁層により、隣接する二層の有機感光性光電子サブセルから隔離されていることを特徴とする請求項8に記載の装置。前記複数の二層有機感光性光電子サブセルは、同じ電子的極性を有するように配向されていることを特徴とする請求項12に記載の装置。前記複数の二層有機感光性光電子サブセルが、前記基板が前記の二層の有機感光性光電子サブセルのそれぞれのアノードよりカソードに近くなっているように配向されていることを特徴とする請求項13に記載の装置。前記複数の二層有機感光性光電子サブセルが、前記基板が前記の二層の有機感光性光電子サブセルのそれぞれのカソードよりアノードに近くなっているように配向されていることを特徴とする請求項13に記載の装置。前記多層有機感光性光電子サブセルのそれぞれが、隣接する多層有機感光性光電子サブセルと共通の電極層を共有していることを特徴とする請求項9に記載の装置。前記多層有機感光性光電子サブセルのそれぞれが、透明の絶縁層により、隣接する多層の有機感光性光電子サブセルから隔離されていることを特徴とする請求項9に記載の装置。前記複数の多層有機感光性光電子サブセルは、同じ電子的極性を有するように配向されていることを特徴とする請求項17に記載の装置。前記複数の多層有機感光性光電子サブセルが、前記基板が前記の多層有機感光性光電子サブセルのそれぞれのアノードよりカソードに近くなるように配向されていることを特徴とする請求項18に記載の装置。前記複数の多層有機感光性光電子サブセルが、前記基板が前記の多層有機感光性光電子サブセルのそれぞれカソードよりアノードに近くなるように配向されていることを特徴とする請求項18に記載の装置。前記基板から最も遠い有機感光性光電子サブセル上に配置されている反射層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。前記基板と前記基板に最も近い有機感光性光電子サブセルとの間に配置されている反射層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。前記基板が反射性であることを特徴とする請求項1に記載の装置。前記の有機感光性光サブセルのそれぞれが、エクシトンを分離するための複数のインターフェースを形成するように選択された複数の光導電性有機層から構成されていることを特徴とする請求項1に記載の装置。前記複数の光導電性有機層の厚さがエクシトンの前記分子エネルギーレベルを変え、前記複数の光導電性有機層の中に複数の量子井戸を形成するように選択されていることを特徴とする請求項24に記載の装置。ラジオ、テレビジョン、コンピュータ、計算器、電話機、無線通信装置、時計、緊急ロケーション装置、電気自動車、緊急電源、発電装置、監視装置、検査装置、放射線検出器、画像装置、および光結合装置から構成されているグループから選択されていることを特徴とする、請求項1に記載の装置を組み込んでいる電子装置。前記カソードの少なくとも1つは非金属性透明カソードであり、前記非金属性透明カソードは有機層及び無機層を備え、ここで、無機層は有機層上に堆積されていることを特徴とする請求項1に記載の装置。発明の概要と目的本発明は、透明な電極を使用する有機感光性光電子装置、特に、少なくとも一組の二つの透明な電極、すなわち、透明なカソードおよび透明なアノードからなる有機感光性光電子セルを含む装置、または電極と基板との間に蒸着された少なくとも一つの光伝導有機層を含む基板の頂面上に重畳している一つの透明な電極を持つ装置に関する。より詳細に説明すると、本発明の有機感光性光電子装置は、非常に透明なおよび/または非常に効率的な透明なカソードから構成することができる。上記の透明なカソードのような代表的な実施形態としては、以後パササラシイ出願863と呼ぶ同時係属出願08/964,863、および以後パササラシイ出願707と呼ぶ出願09/054,707、またはフォレスト436が開示しているような、非常に透明で、非常効率的で、および/または抵抗が低い非金属または金属/非金属合成カソードを使用することができる。本発明の有機感光性光電子装置は、太陽電池、光検出装置またはフォトセルとして機能することができる。本発明の有機感光性光電子装置が、太陽電池として機能する場合は何時でも、一つまたは複数の光伝導有機層で使用する材料およびその厚さは、例えば、装置の外部量子効率を最適化するように選択することができる。本発明の有機感光性光電子装置が、光検出装置またはフォトセルとして機能する場合には何時でも、一つまたは複数の光伝導有機層で使用する材料およびその厚さは、例えば、必要なスペクトル領域に対する装置の感度を最大にするように選択することができる。それぞれの場合、透明な電極を使用した場合、または頂部の電極だけでも透明な電極を使用した場合には、一つまたはそれ以上の電極が、吸収および/または反射損失により、実質的な伝達損失を起こす恐れがある場合と比較すると、選択したスペクトル領域内の外部量子効率および/または感光性をかなり高くすることができる。二つの透明な電極、または透明な頂部電極から構成することができる、上記の有機感光性光電子装置の他に、本発明は、さらに、透明な電極を持つ積層セルを使用して、製造することができる、ユニークな幾何学的および電気的構成を持つ有機感光性光電子装置に関する。より詳細に説明すると、上記有機感光性光電子装置は、基板の表面上に相互に重畳している複数のサブセルからなる、積層装置であってもよい。個々のサブセルの材料および厚さは、例えば、感光性光電子装置の外部量子効率を最適化するために、積層感光性光電子装置に含まれるサブセルの総数を選択する際に、一緒に選択することができる。より詳細に説明すると、電気的に並列に接続するように構成された積層感光性光電子装置の場合には、個々のサブセルの厚さを積層装置のサブセルの総数の選択と組合せて、装置の外部量子効率を、一つのセルの場合に可能な効率よりも、もっと高い外部量子効率を達成するために、最適化することができるように調整することができる。本明細書で使用する外部量子効率という用語は、感光性光電子装置が、吸収した放射を電力に変換することができる効率を指すために使用する内部量子効率という用語から明らかなように、感光性光電子装置が、全入射放射を電力に変換する効率を指すために使用される。これら用語を使用して、所与の一組の周囲放射条件下で、個々のサブセルが達成することができる最大内部量子効率に近づけるように、上記条件の下で、外部量子効率を達成するように、電気的に並列構成を持つ積層感光性光電子装置が設計される。上記結果は、層の厚さを選択する際に使用することができる、いくつかのガイドラインを考慮することにより達成することができる。エクシトン拡散の長さ、LDが、層の厚さ、Lより大きくなるように、またはほぼ同じ長さになるようにすることが望ましい。何故なら、大部分のエクシトンの分離は、インターフェースのところで起こると考えられているからである。LDがLより短い場合には、多くのエクシトンは、分離する前に再結合してしまう。さらに望ましいのは、光導電層全体の厚さを、電磁放射光吸収の長さ、1/α程度にすることである。この場合、αは吸収係数である。その場合、太陽電池に入射するほとんどすべての放射が吸収され、エクシトンが発生する。しかし、層の厚さは、多くのエクシトンが電界自由領域内で発生する変ヘテロ接合電界の範囲内と比較した場合、あまり厚くならないようにしなければならない。その一つの理由は、電界がエクシトンの分離を助けるからである。そのもう一つの理由は、電界自由領域内でエクシトンの分離が起こった場合、二重の再結合が発生する可能性がより高くなり、光電流に全然貢献しなくなるからである。さらに、光導電層の厚さは、有機半導体の対比抵抗が高いために、直列抵抗が過度に高くなるのを防止するために、できるだけ薄くしなければならない。従って、感光性光電子セルの光伝導有機層の厚さを選択する際に、これらの競合するガイドラインの間で、本来、折り合いをつけなければならない。それ故、一方、最大量の入射放射を吸収するためには、吸収長さにほぼ等しいか、もっと長い厚さとすることが望ましい。また、光導電層の厚さが増大すると、二つの望ましくない影響が増大する。その中の一つの影響は、有機半導体の直列抵抗が高いために、有機層の厚さが増大すると、装置の抵抗が増大し、効率が低下することである。もう一つの望ましくない影響は、光導電層の厚さが増大すると、エクシトンが、電荷分離インターフェースのところの有効な電界から離れたところで発生する可能性が増大して、その結果、二重結合の確率が増大し、再び効率が低下することである。それ故、装置全体の量子効率が高くなるような方法で、これらの競合する影響の間の釣合をとる装置構成が望ましい。より詳細に説明すると、上記の競合する影響、すなわち、装置の光伝導材料の吸収の長さ、これらの材料のエクシトンの拡散の長さ、これらエクシトンの光電流発生効率、およびこれら材料の比抵抗を考慮に入れて、個々のセルの層の厚さを、所与の一組の周囲放射条件に対する、これら特定の材料の最大内部量子効率を達成するために、調整することができる。エクシトンの拡散の長さは、比較的小さな数値をとる傾向があり、通常の光伝導材料の比抵抗は、比較的高い傾向があるので、最大内部量子効率の達成に対する最適なサブセルは、通常、比較的薄い装置である。しかし、上記光伝導有機材料の吸収の長さは、エクシトンの拡散の長さと比較すると、比較的長い傾向があるので、最大内部量子効率を持つかもしれない、上記の薄い最適な感光性光電子サブセルは、比較的低い外部量子効率を持つ傾向がある。何故なら、入射放射の少ない一部だけしか、上記の最適なサブセルにより吸収されないからである。個々のサブセルの外部量子効率を改善するために、より多くの入射放射を著しく吸収するために、光伝導有機層の厚さを増大することができる。厚さがその最適なサブセルの厚さを越えて増大するにつれて、追加吸収した放射を電力に変換するための、内部量子効率は次第に低下するが、さらに吸収を増大しても、外部量子効率が増大しないある厚さになるまで、サブセルの外部量子効率は依然として増大を続ける。光導電層の厚さが、光により発生したエクシトンの拡散の長さを越えて遥かに増大すると、サブセルの内部量子効率は、どちらかというと急激に低下するので、より厚いサブセルの厚さが、ほぼすべての入射放射を吸収するのに十分な厚さになる前に、サブセルの最大内部量子効率を十分達成することができる。それ故、この一つのもっと厚いセルアプローチを使用して、達成することができる最大内部量子効率は、サブセルの厚さが、最大内部量子効率を達成するために必要なものより、かなり厚いという事実ばかりでなく、さらに、そのようなもっと厚いサブセルが、依然としてすべての入射照射を吸収できないという事実によっても制限される。それ故、これらの両方の影響により、もっと厚いサブセルの最大内部量子効率は、最適な厚さを持つ最適なサブセルが、達成することができる最大内部量子効率より、かなり低くなることが予想される。電気的に並列の構成を持つ、積層有機感光性光電子装置を備える本発明の優れた特徴は、一つのサブセルの厚さを増大することにより、内部量子効率を犠牲にして、最大内部量子効率を増大しようとする代わりに、積層構造体を製造するために、最大内部量子効率を達成するのに最適な、またはほぼ最適な厚さを持つサブセルを使用することができることである。積層構造体内に含まれる上記の最適なサブセルの総数は、入射放射の吸収を増大するために増大することができるが、この場合、上記総数は、外部量子効率をさらに増大することができないという事実により制限を受ける。外部量子効率を改善するためのこのアプローチの正味の結果は、積層有機感光性光電子装置を、個々の最適なサブセルが、達成することができる内部量子効率の最大値に近づける、外部量子効率を持つようにすることができることである。積層装置の改良した外部量子効率の大部分は、積層装置のサブセルは、複数の組の透明な電極から作ることができ、場合によっては、透明な頂部電極からの作ることができるという事実によるものである。積層装置の追加のサブセルが、透明な電極の残留反射性による損失のような、追加の損失を引き起こす傾向があることを考慮して、完全に最適化した積層装置により達成することができる最大内部量子効率は、通常、最適なサブセルの内部量子効率より少し低い。しかし、有機感光性光電子装置の、外部量子効率を最適化するための、本発明の方法を使用することにより、内部量子効率を犠牲にして、外部量子効率を最適化する、一つのセルを持つ装置にとって可能なものよりも、かなり高い外部量子効率を積層装置により達成することができる。本発明の有機感光性光電子装置は、例えば、入射照射の強度および/または入射照射のスペクトル分布についての、種々様々な周囲放射条件に対して望ましいものであるので、光伝導有機材料およびその層の厚さを、所与の一組の周囲条件に対して最適化するように選択することができる。例えば、光伝導有機材料を、選択したスペクトル領域内に、最大吸収を持つように選択することができる。感光性光電子セルで使用することができる光伝導有機材料は、通常、制限されたスペクトル領域内にだけ最大の吸収を持っているので、本発明のもう一つの特徴は、積層感光性光電子装置を、入射放射の全スペクトル範囲をもっと効率的に使用するために、異なる吸収特性を持つ、光伝導有機材料を含む、異なるタイプのセルから作ることができるということである。以後の説明においては、サブセルという用語は、単一の層、二つの層または多重層タイプの有機感光性光電子構造を指す。サブセルが、感光性光電子装置として、個々に使用される場合には、サブセルは、通常、完全な一組の電極、すなわち、正および負の電極を含む。本明細書に開示するように、ある積層構成の場合には、隣接するサブセルを共通の、すなわち、共有の電子または電荷移送層を使用することができる。ある場合には、隣接するサブセルは、共通の電極または電荷移送層を共有しない。本明細書で使用するサブセルという用語は、各サブユニットがそれ自身の個々の電極または、または異なるサブユニットを持つ電荷移送層を持っていようがいまいが、サブユニット構造体を含む。本明細書においては、セル、サブセル、ユニットサブユニット、セクションおよびサブセクションという用語は、一つまたは一組の光導電層、および隣接する電極または電荷移送層を指すが、交互に交換して使用することができる。本明細書で使用する場合、積層、積層状の、多重セクションおよび多重セルという用語は、一つまたはそれ以上の電極または電荷移送層により分離されている、光伝導材料の多重層を持つ任意の光電子装置を指す。太陽電池の積層サブセルは、サブセルを分離している電極に、電気的な外部接続を行うことができる、真空蒸着技術を使用して製造することができるので、装置の各サブセルを、太陽電池が発生する電力および/または電圧を最大にするかどうかにより、電気的に並列または直列に接続することができる。本発明の積層太陽電池が達成することができる、改善した外部量子効率も、積層太陽電池のサブセルを電気的に並列に接続することができるという事実のおかげである。何故なら、並列の電気的構成を使用すると、サブセルを直列に接続した場合よりも、かなり高い充填係数を実現することができるからである。積層サブセルのこの並列の電気的構成は、本発明のもう一つの独自の特徴であると考える。光伝導有機材料の高い直列抵抗により、大電力を得るために、直列構成でサブセルを使用することはできないが、例えば、高電圧は必要であるが、電流は少なくてもよい、すなわち、低電力ですむ、液晶ディスプレイLCDを動作させるというようないくつかの用途がある。このようなタイプの用途の場合には、積層直列接続太陽電池が、LCDに必要な電圧を供給するのに適している。太陽電池が、より高い電圧装置を製造するように、電気的に直列に接続しているサブセルからなる場合には、非効率を軽減するために、各サブセルに、ほぼ同じ電流を発生させる積層太陽電池を製造することができる。例えば、入射放射が一つの方向だけに通過する場合には、積層サブセルは、最も厚い、入射放射に最も直接的に照射される、一番外側のサブセルにより厚さが増大する。別の方法としては、サブセルが、反射面の上に重畳している場合には、個々のサブセルの厚さは、元の方向および反射方向から、各サブセルに入射する、全部の放射に見合うように調整することができる。さらに、多数の異なる電圧を発生することができる、直流電源が必要になる場合がある。この用途の場合には、中間電極へ外部接続は、非常に役に立つものであり、本発明者が知る限りでは、今まで開示されていない。従って、すべての組のサブセルの両端に発生する最大電圧を供給することができる他に、本発明の積層太陽電池は、また、サブセルの選択したサブセットから、選択した電圧をタップにより取り出すことにより、一つの電源から、複数の電圧を供給するためにも使用することができる。本発明の感光性光電子装置の製造方法について、さらに詳細に説明するが、上記方法は、所与の外部量子効率を供給することができる、感光性光電子セルを形成するために、基板上に第一の感光性光電子サブセルを形成するステップと、感光性光電子セルの外部量子効率能動を向上させる目的で、積層感光性光電子装置を形成するために、第一の感光性光電子サブセルの頂面上に、重畳して第二の感光性光電子サブセルを形成するステップとを含む。この場合、積層感光性光電子セルの中の少なくとも一つは、一組の透明な電極からなる。本発明の、一連の積層有機感光性光電子装置の製造方法について、さらに詳細に説明する。上記製造方法は、所与の電圧を発生することができる、有機感光性光電子装置を形成するために、基板上に第一の有機感光性光電子サブセルを形成するステップと、積層有機感光性光電子装置を形成し、また有機感光性光電子装置の電圧能力を増大するために、上記第一の有機感光性光電子サブセルの頂面上に、重畳させて第二の有機感光性光電子サブセルを形成するステップとを含む。この場合、積層有機感光性光電子セルのサブセルは、一組の透明な電極層からなり、第一のサブセルおよび第二のサブセルは、電気的に直列に接続している。本発明の、並列積層有機感光性光電子装置の製造方法について、さらに詳細に説明する。上記製造方法は、所与の外部量子効率を達成することができる、有機感光性光電子装置を形成するために、基板上に第一の有機感光性光電子サブセルを形成するステップと、有機感光性光電子装置の外部量子効率が増大するように、積層有機感光性光電子装置を形成するために、上記第一の有機感光性光電子サブセルの頂面上に、重畳させて第二の有機感光性光電子サブセルを形成するステップとを含む。この場合、第一のサブセルおよび第二のサブセルは、電気的に並列に接続している。本発明の、積層有機感光性光電子装置の混合電気的構成について、さらに詳細に説明する。上記構成は、近い方の面と遠い方の面とを持つ基板と、複数の有機感光性光電子サブセルのサブ組立体とを備える。上記各サブセルは、カソードとアノードとを持ち、各カソードおよびアノードは、電極層または電荷移送層であり、サブセルは相互にまた基板の遠い方の面と重畳していて、サブセルの各サブ組立体は、電気的に並列に接続している複数のサブセル、または電気的に直列に接続している複数のサブセルを備える。この場合、サブ組立体は、装置が電気的に直列または並列に接続しているサブセルを含み、また同じ電圧を発生するタイプのための完全な直列配列よりも、また同じ材料でより高い外部量子効率を持つ、完全な並列配列の場合に可能な電圧よりも、高い電圧を発生することができるように、装置が、電気的に直列および並列に配置されているサブセルを含むように、電気的に相互に直列または並列に接続している。本発明の、積層有機感光性光電子装置の混合電気的構成を製造する方法について、さらに詳細に説明する。上記製造方法は、有機感光性光電子装置を形成するために、基板上に第一の有機感光性光電子サブセルを形成するステップと、電気的に直列に接続している第一のサブセルおよび第二のサブセルからなる、第一の積層有機感光性光電子サブ組立体を形成するために、第一の有機感光性光電子サブセルの頂面上に、重畳して、第二の有機感光性光電子サブセルを形成するステップと、第二の有機感光性光電子サブセルの頂面上に重畳して、第三の有機感光性光電サブセルを形成するステップと、電気的に直列に接続している第三サブセルと第四のサブセルからなる、第二の積層有機感光性光電子サブ組立体を形成するために、第三の有機感光性光電子サブセルの頂面上に重畳して、第四の有機感光性光電子サブセルを形成するステップとを含む。この場合、第一の積層有機感光性光電子サブ組立体、および第二の有機感光性光電子サブ組立体は、電気的に並列に接続している。代表的な実施形態は、また透明な電荷移送層を備えることもできる。本明細書に記載するように、電荷移送層は、この層が、いつでもそうではないが、多くの場合、無機質であり、通常、光伝導的に活性でないように選択されるという事実により、ETLおよびHTLから区別される。すなわち、電極および電荷移送層は、好適には、電気的または熱的エネルギーに変換するために、電磁放射光を吸収しないことが好ましい。それ故、本発明の場合には、通常、透明な低い比抵抗の電極および電荷移送層の方が好ましい。さらに、電極および電荷移送層の電子的特性も重要である。ある装置構成の場合には、一つまたはそれ以上の電極または電荷移送層は、電子的に活性であってもよい。例えば、すでに説明したように、電極または電荷移送層は、エクシトンを分離または再結合するための界面領域を供給することもできるし、または整流インターフェースを供給することもできる。他の装置構成の場合には、電極または電荷移送層は、最小の電子的活性を持ち、その代わりに、主として、外部回路または多重セクション装置の隣接するサブセクションに、光により発生した電流を供給するための低抵抗の手段としての働きをする。さらに、PV装置の場合には、接点および電荷移送層の高い抵抗は、多くの用途の場合障害になる。何故なら、その結果直列抵抗が増大するために、電力出力が制限されるからである。本発明の好適な実施形態は、光電子装置の一つまたはそれ以上の透明な電極として、パルササラシイ出願707が開示しているような、非常に透明で、金属でない、低抵抗のカソード、またはフォレスト436が開示しているような、非常に効率的で、低抵抗の金属/非金属合成カソードを含む。各タイプのカソードは、好適には、非常に透明で、金属でない低抵抗のカソードを形成するために、銅フタロシアニンCuPc、PTCDAおよびPTCB1のような有機材料の上に、または非常に効率的で、低抵抗の金属/非金属合成カソードを形成するために、薄いMg:Ag層の上にITO層をスパッタ蒸着するステップを含む、製造プロセスにより製造することが好ましい。パルササラシイ出願707は、その上にITO層が蒸着された有機層の代わりに、その上に有機層が蒸着されたITO層が、効率的なカソードとして機能しないことを開示している。要するに、本発明の一つの目的は、二つの透明な電極を持つ有機感光性光電子装置を提供することである。より詳細に説明すると、本発明の一つの目的は、二つの透明な電極からなる一つまたはそれ以上のサブセルを備える積層太陽電池を提供することである。本発明のもう一つの目的は、高い外部量子効率で動作することができる、積層太陽電池を提供することである。本発明のさらに特異な目的は、最適なPVサブセルの最大内部量子効率に近い、外部量子効率で動作することができる、積層太陽電池を提供することである。本発明のさらにもう一つの目的は、一つのサブセルにより供給することができる電圧よりも、もっと高い電圧で動作することができる、積層太陽電池を提供することである。本発明のもう一つの目的は、複数の量子井戸構造体を含む、有機感光性光電子装置を提供することである。本発明のさらにもう一つの目的は、外部電気的接続を持つ複数の有機感光性光電子サブセルを含む、積層有機感光性光電子装置を提供することである。本発明のもう一つの目的は、電荷キャリヤをもっと効率的に光により発生させるために、入射放射の吸収が改善された、有機感光性光電子装置を提供することである。本発明のさらにもう一つの目的は、改良したVocおよび改良したIscを持つ有機感光性光電子装置を提供することである。本発明のもう一つの目的は、サブセルが電気的に並列に接続している、積層有機感光性光電子装置を提供することである。本発明のさらにもう一つの目的は、透明な電極を含み、底部層により反射された電磁放射光を捕捉することにより、電磁放射光の全体の吸収を増大するための実質的な反射性底部層を持つ、複数の有機光起電サブセルからなる、積層有機感光性光電子装置を提供することである。本発明のさらにもう一つの目的は、導電性基板または絶縁基板を含む、有機感光性光電子装置を提供することである。本発明のさらにもう一つの目的は、硬質または柔軟な基板を含む、有機感光性光電子装置を提供することである。本発明のさらにもう一つの目的は、使用有機材料が、ポリマ性、または非ポリマ性の薄膜である、有機感光性光電子装置を提供することである。添付の図面を参照しながら、上記の詳細な説明を読めば、本発明の上記および他の特徴をより容易に理解することができるだろう。便宜上、装置のすべての図は、幅に比べて高さを誇張してあることに留意されたい。詳細な説明図3に示すように、本発明の例示としての実施形態の場合には、装置構造体300は、絶縁基板301上に蒸着されている。第一の電極302は、透明で、例えば、約1000~4000オングストローム、好適には2000オングストローム以下、最も好適には約1000オングストロームの厚さの、透明な、従来技術により蒸着されたITO、または市販の基板上に予め蒸着された使用可能なITOを含む。層303は、300~1000オングストローム、好適には500オングストロームの厚さの層に有機分子ビーム蒸着OMBDにより蒸着された、例えば、CuPcまたはPTCDAまたはPTCBIのような一つの有機光伝導体である。第二の電極は、透明で、約1000~4000オングストローム、好適には2000オングストローム以下、最も好適には約1000オングストロームの厚さの、スパッタにより蒸着されたITOのような材料からできている。従来技術から、このような対称的な単一層の装置構成は、正味の光電流を発生しないということが分かっている。しかし、必要な非対称は、有機光導電層303と、ITOの第二の電極304の蒸着中に、形成される、有機光導電層303の電子表面状態からの、第二の電極304との間のインターフェースのところに、形成されると考えられている。損傷領域は、領域303aとして略図で示す。インターフェースのところの変質領域が、非対称電荷分離領域を形成する正確な機構は、完全には分かっていない。本発明は特定の理論に制限されるものではなく、スパッタリングのようなエネルギー的電極蒸着の効果は、インターフェースのところのエネルギー状態を、対向する鏡像のショットキーバリヤの従来の映像を著しく変更させるのに十分である。パルササラシイ出願707は、欠陥である場合がある表面状態が、例えば、そうでない場合、ショットキーバリヤとなるものを、電子がより容易に横断することができる、小さなエネルギーステップを効果的に提供することができる。単一層装置の動作を説明するための一つの理論は、有機層303上への電極304の蒸着は、この場合にはカソードである、抵抗の少ない接点を形成するというものである。この場合には、結果として得られる非対称が、正味の光電流を発生すると考えられている。図4Aおよび図4Bは、二つの有機層を持つ有機感光性光電子装置、すなわち、2層装置400の例示としての実施形態である。基板401は、約1000~4000オングストローム、好適には2000オングストローム以下、最も好適には約1000オングストロームの厚さのITOを含む、第一の電極412に対する支持体である。第一の有機層403は、第一の電極402に隣接していて、例えば、PTCDAまたはPTCBIを含む。例えば、CuPcを含む第二の有機層404は、光起電ヘテロ接合部分を形成するために、第一の有機層403に隣接している。最後に、図4Aの4A00の場合には、第二の電極4A05は、約1000~4000オングストローム、好適には2000オングストローム以下、最も好適には約1000オングストロームの厚さのITOを含み、第二の有機層404上に蒸着されている。図4Bの他の実施形態4B00の場合には、第二の電極は、ITO層4B06により覆われている半透明な金属層4B05からなる、金属/非金属合成電極である。半透明な金属層4B05は、好適には、90のMg内の10の銀、または他の加工し難い金属、または合金からなることが好ましい。層4B05は薄い層で、好適には、その厚さが100オングストロームであることが好ましい。ITO層4B06の厚さは、約1000~4000オングストロームであるが、好適には2000オングストローム以下、最も好適には約1000オングストロームであることが好ましい。両方の有機層の厚さは、約300~1000オングストロームであるが、好適には、約500オングストロームであることが好ましい。第一の有機層403/第二の有機層404の、インターフェースのところに形成される接合部分は、電磁放射光を受けると、インターフェース付近に形成されたエクシトンが、分離して自由電子-ホールのペアを形成する。光により発生したホールは、第一の電極402のところで収集され、光により発生した電子は、第二の電極405のところで収集される。実施形態4A00は、パルササラシイ出願707が開示している低抵抗の金属基板カソードを含む。パルササラシイ出願707の、電子が、カソードから隣接する有機半導体に移動するOLEDとは対照的に、有機感光性光電子2層装置400は、感光性光電子装置の一実施形態を示す。従って、光伝導有機材料の厚さは、感光性光電子装置の要件に合うように調整され、動作中、電子は第二の有機層404から、第二の電極4A05に流れる。この特定の理論に制限されることなく、通常、当業者は、例えば、ITOのような金属基板電極は、上記材料がカソードとして使用された場合、両方の方向、すなわち、装置に向かって、または装置から外へ向かって流れる電子に対して、バリヤを形成すると考えられている。本発明の場合、ITOの低抵抗での動作は、パルササラシイ出願707が提案している表面状態が、パルササラシイ出願707の本発明に従って作られたITOカソードのところで、両方の方向に流れる電子に対するバリヤの効果を低減するのに効果があることを証明している。場合によっては、第一の有機層403および第二の有機層404を交換することができるが、その場合でも、極性が反対になるだけで、装置を動作させることができるけれども、これら実施形態は、金属基板電極が、底部カソードとして使用される場合には何時でも、装置の効率が低下するので、好ましいものではない。ITOカソードのところのバリヤ効果を効果的に少なくすると信じられている表面状態は、有機薄膜が、ITO層の上に蒸着される時に、形成されるとは考えられていない。それ故、本明細書においては、低抵抗金属基板カソードという用語は、特に、例えば、ITOのような金属基板上に有機層を蒸着することにより、形成された電極から区別できるように、有機層上に、例えば、ITOのような金属基板をスパッタ蒸着することにより形成された、例えば、ITOのような金属基板を指すために使用される。本発明の場合には、表面状態のバリヤ効果を低減する作用は、またそうでない場合には、有機半導体層と、電極または電荷移送層との間のインターフェースのところで、阻止接合となるものを、ホールが横断できるようにする機能を持つと信じられてる。実施形態4B00は、層4B05および4B06からなる、透明な金属/非金属合成カソードを使用する。ここでもまた、太陽電池としての使用に特に適している一実施形態の場合、動作中、403/404の間のインターフェースのところで発生した電子は、層4B05の方向に移動し、抽出のための層4B06を通過する。所与の厚さのMg:AGの上にITOが、スパッタ蒸着されている場合には何時でも、Mg:Ag/ITOの金属/非金属合成カソードは、合成電極の金属部分と同じ所与の厚さを持つ、非合成金属層と比較すると、かなり高い透明度を持っていることに特に留意されたい。さらに、透明な合成層は、低抵抗の非常に透明な非金属カソードと比較すると、より優れた電子特性を持つことができる。それ故、金属/非金属合成カソードの伝達は、通常、非常に伝達性の高い、低抵抗の金属基板カソードほど高くはないが、伝達は、優れた電子特性との組合せにより、なお十分である。何故なら、上記金属/非金属合成カソードは、本発明の感光性光電子装置で有用な働きをするからである。2層セルの場合には、電荷分離は、その内電位が、この場合には、第一の有機層403および第二の有機層404である、接触している材料の間の、HOMO-LUMOギャップエネルギー差の大きさで決まる、有機ヘテロ接合部分の近くで起こる。図5は、例えば、CuPc/PTCDAのようなアイソタイプのヘテロ接合部分用の、例示としての材料の相対的HOMO-LUMOギャップである。フェルミエネルギー準位、Efが、HOMOバンドの近くにあるということは、これらすべての材料の場合、主なキャリヤはホールであることを示している。HOMOのズレは、二つの接触している材料のイオン化電位IPの差に等しく、LUMOのズレは、HOMOのズレに、二つの材料のHOMO-LUMOギャップエネルギーEH-Lを加えたものに等しい。装置の極性は、通常、HOMO-LUMOエネルギーの差により決まる。例えば、図5において、PTCDAの第一の有機層403のLUMOのエネルギーは、CuPcの第二の有機層404のエネルギーより大きいので、エクシトンより解放される電子は、PTCDA403から、CuPc404へ移動し、光電流に貢献する。吸収は、二つの有機フィルムの中のどちらかで起こり、それにより、光学的吸収により、内部電界により十分な電荷分離を起こすことができる、光学的に活性な領域の幅が広くなる。p-n状の接合または簡単なアイソタイプすなわち、p-Pまたはn-Nヘテロ接合部分が使用されるかどうかは重要ではない。何故なら、キャリヤの移動に有効なのは、HOMO-LUMOギャップのズレにより、ヘテロ接合部分に形成される拡散電位だけだからである。2層セルの場合には、有機材料/電極接合のすべての整流作用は、2層ヘテロ接合部分での整流作用と比較すると、遥かに小さい。さらに、例えば、ITOが、有機材料の上に蒸着された場合に起こる損傷層は、エクシトンをかなりイオン化するので、この損傷は、パルササラシイ出願863に記載されている、低電力スパッタ技術により制御することができる。この損傷領域を制御すれば、有機/有機2層ヘテロ接合部分のところで主として起こる、エクシトンのイオン化およびキャリヤ分離を確実に起こすことができると信じられている。図6は、複数の有機層を持つ有機感光性光電子セル、すなわち、多重層装置600の例示としての実施形態である。絶縁性または導電性基板601は、装置を支持する。第一の電極602は、例えば、約1000~4000オングストローム、好適には2000オングストローム以下、最も好適には約1000オングストロームの厚さのITOを含み、例えば、約20~50オングストロームの厚さの、PTCDA、PTCBIまたはCuPcからなる第一の有機層603に隣接している。第二の有機層604は、例えば、約200~500オングストロームの厚さの4、4’-ビス[N-1-ナフィル-N-フェニル-アミノ]ビフェニルα-NPDを含み、第一の有機層603に隣接している。例えば、約200~500オングストロームの厚さの、アルミニウムトリス8-ハイドロキシキノリンAlq3を含む第三の有機層605は、第二の有機層604/第三の有機層605の間のインターフェースのところに、整流ヘテロ接合部分を形成するために、第二の有機層604に隣接している。例えば、約20~50オングストロームの厚さの、CuPc、PTCBIまたはPTCDAを含む第四の有機層605は、第三の有機層605に隣接している。最後に、第二の有機層607は、第三の有機層に隣接していて、例えば、約1000~4000オングストローム、好適には2000オングストローム以下、最も好適には約1000オングストロームの厚さのITOを含む。この実施形態の場合には、この場合には、第二の有機層604および第三の有機層605である、エクスィトイオン化および電荷分離のために、適当な相対的移動性を持つように選択された、余分の一組の有機材料が、この場合には、第一の有機層602および第四の有機層606の、サンドイッチに設置される。この実施形態の場合には、有機材料604および605の内側のペアが、エクシトンのイオン化および電荷分離を行い、外側のペア603および606が、電荷輸送層、すなわち、実質的なオーム性抽出のための電極に、分離したキャリヤを運ぶ層と、保護キャップ層、すなわち、有機層の内側のペアを、蒸着および使用中に損傷から保護する層の両方の働きをする。有機層の外側のペアは、CuPc、PTCDAおよびPTCBIからなるグループから選択したものであってもよいし、またはこの3種類の中の二つであってもよい。すなわち、同じ材料またはその任意の組合せを両方の接触に対して使用することができる。しかし、実施形態600の場合には、有機層の内側のペアである604および605は、好適には、低抵抗のカソードを内蔵するように、カソード側が頂部の上に乗るように、蒸着することが好ましい。しかし、図4Aの例示としての実施形態の場合のように、内側のペアが感光性光電子装置の極性を決定するのではあっても、有機層の内側のペアの蒸着の順序は重要ではない。有機層の外側のペアは比較的薄いので、この場合、その電子的特性は、CuPc、PTCDAまたはPTCBIが、分離されたキャリヤを運ぶ他に、光変換およびエクシトンのイオン化を行う、上記の例示としての実施形態の場合と比較すると、遥かに重要性は低い。従って、多重層装置の他の実施形態図示せずは、底部上にカソードを含む。有機層の内側のペアは、それぞれ、スペクトルの必要な領域内の感光性を持つように選択された有機染料であってもよい。Alq3/α-NPDペアは、スペクトルの紫外線UVの領域内に感光性を持っているので、この有機ペアの組合せを含む多重装置600は、UV光検出装置の特定の例示としての実施形態である。さらに、染料のペアは、好適には、上記のように、LUMO-HOMOギャップのズレを持つように、選択することが好ましい。さらに他の実施形態図示せずの場合には、有機層の外側のペアの一方または両方が、電荷移送、抽出および保護ギャップ層としての働きをする、厚さ約50~150オングストロームのMg:Ag合金の薄い層で置き換えられる。図7は、本発明の他の実施形態である。この図は、その内部において、個々の単一層のサブセルが、電気的に並列に接続している、積層単一有機層1層感光性光電子装置700である。絶縁基板または導電性基板701は、積層感光性光電子装置を支持する。図の積層は、透明な絶縁層により分離されている、三つの完全な単一層の感光性光電子サブセルからなる。より詳細に説明すると、各サブセルは、例えば、ITO、702a、702bおよび702cのような第一の透明な電極を持つ。第一の各ITO電極の頂部上には、有機層703a、703bおよび703cが設置される。各有機層の頂部上には、第二のITO電極、704a、704b、704cが位置する。必要な非対称を形成する損傷層は、何時でもインターフェースのところに形成されるが、このインターフェースのところでは、ITOが、有機材料の上に蒸着される。すべての装置は、材料蒸着の方向に対して、同じ電気的極性を持つ。すなわち、サブセルは、元来、電気的に直列に蒸着される。このような直列構成は、上記の低電力用に有利に使用することができる。また、本発明によれば、積層の1層サブセルを備える一つの装置から、複数の電圧を取り出すことができるように、中間電極に外部から接続することができる。この実施形態は図示していない。しかし、上記の直列抵抗および空間電荷効果の点から考えて、高電力用には、並列の電気的装置の方が好ましい。このことは、サブセルは、下記の2層積層構造体で可能であったように、共通のITO電極を共有しなくてもよいことを意味する。それ故、図7の実施形態の場合には、透明な絶縁層705aおよび705bは、隣接するサブセルを分離するために設置される。そうすることにより、第一のITO電極、702a、702bおよび702cを共通の電気的経路に接続することができる。同様に、すべての第二のITO電極、704a、704bおよび704cを共通の電気的経路に接続することができる。積層構造体が、さらに、多数のサブセルを含むことができることを理解することができるだろう。積層状の1層装置は、例えば、全電圧、量子効率または電力を最大にするために、本明細書に開示する基準に従って、最適化することができる。ほぼすべての入射光が吸収される厚さ以上に積層しても、変換効率をさらに増大することはできない。図8Aおよび図8Bは、二つの例示としての実施形態8A00および8B00を示す。実施形態8A00は、その極性が積層構造体内の位置の関数として、交互に変化するいくつかの2層感光性光電子装置を備える。絶縁基板または導電性基板801は、支持をするためのものである。層802a、802bおよび802cは、例えば、ITOを含む、感光性光電子サブセルの、第一の透明な電極である。また、これらの層は、なんらかの他の透明な酸化物または金属であってもよい。層803a、803b、803cおよび803dは、例えば、CuPcを含む感光性光電子サブセルの、第一の有機層である。層804a、804b、804cおよび804dは、例えば、PTCDAまたはPTCBIを含む、感光性光電子サブセルの、第二の有機層である。層805aおよび805bは、例えば、ITOを含む感光性光電子サブセルの、第二の透明な電極である。層の厚さの範囲は、図4Aのところで説明した、個々の2層サブセルの実施形態の厚さと同じである。サブセルは、背中合わせに蒸着されているので、積層構造体内のすべての電極、すなわち、802aおよび805aおよび805bは、二つの異なるサブセルに対する接点であり、全積層装置は電気的に並列に接続している。本明細書においては、背中合わせという用語は、隣接するサブセルが、逆平行の極性を持つことを示すために使用される。積層構造体が、光電流を増大するために、今以上に任意の数のサブセルを含むことができることを理解することができるだろう。しかし、ほぼすべての入射光が吸収される厚さ以上に積層構造体を高くしても、変換効率はそれ以上増大しない。また、所与の積層装置の以後の積層順序はそれにより決まるのであるが、最初に蒸着する有機層の選択は重要ではない。いくつかの背中合わせのサブセルの、積層装置のもう一つの例示としての実施形態8B00の場合には、電極層802a、802bおよび802cは、今説明するように増大する。ITO層と結合している薄い金属層の有利な効果をできれば利用するために、本明細書においては、金属/非金属合成電極と呼ぶ電極を使用して、例えば、Mg:Agのような薄い半透明な金属層が、いくつかの場所に追加される。金属層8B06は、ITO層802層に隣接している。金属層8B07および8B08は、ITO層802bに隣接している。金属層8B09は、ITO層802cに隣接している。積層2層装置8A00の電子的に背中合わせの構成の場合には、サブセルカソードは、積層構造体が下から順番に積み上げられるように、必ず個々のサブセルの頂面上に交互に積み重ねられる。このことは、すべてのサブセルが、本明細書内で低抵抗の非金属カソードを持つわけではないことを意味する。さらに他の実施形態図示せずの場合には、サブセルを有機層と一緒に、今説明したように交互にではなく、1層装置のところですでに説明した方法と類似の方法で、個々のサブセルの間の、追加の透明な電極および絶縁層と一緒に蒸着することができる。この実施形態の場合には、サブセルは、外部で並列に接続することができ、低抵抗の非金属カソードの利点を利用するために、カソードを何時でも頂面の上に置くことができる。他の実施形態の場合には、2層積層装置を、二つの有機層の順序を交互にではなく、サブセルが直列になるように、組み立てることができる。本発明によれば、このような装置は、サブユニットの間に、電極への外部接続を持つことができ、電荷移送層により相互に接続していて、また外部回路から絶縁しているサブユニットを持つことができる。図8Cは、中間電極を持つ直列接続の装置8C00である。層803a、803b、803c、803dは、その各サブセル内に、層804a、804b、804cおよび804dの頂面上に配置されている。このことは、各サブセルは、各サブセルが頂面上にカソードを持つように、例えば、PTCDAまたはPTCBIのようなHTLの頂面上に、例えば、CuPcのようなETLを持つように、配置されることを意味する。このことは、この実施形態は、低抵抗の非金属カソードの利点を利用するように、配置されていることを意味する。装置8C00は、複数の負の電圧、VL1...Nを供給する。この場合、Nは、サブセルの数である。図8Cは、N=4の場合を示す。また、利用することができる各電圧VLiは、数字の小さなすべてのセルの電圧の合計である。装置8C00を修正した他の実施形態図示せずの場合には、例えば、90のマグネシウムに対して10の銀、または他の加工し難い金属または合金の薄い半透明な金属層を挿入することにより、金属/非金属合成カソードを使用している。約100オングストロームまたはそれ以下の厚さの、これら金属層は、各サブユニット用の金属/非金属合成カソードを形成するために、例えば、ITO層805a、802b、805bおよび802cのような金属基板の下に隣接して設置される。他の実施形態図示せずの場合には、層804a、804b、804cおよび804dは、サブユニットが頂面上にアノードを持ち、対応する電圧VLiが反対の極性を持つように、層803a、803b、803c、803dの頂面上に配列される。図8Dは、装置8C00に類似しているが、約1000~4000オングストローム、好適には2000オングストローム以下、最も好適には約1000オングストロームの厚さの、例えば、ITOの電荷移送層8D10、8D11および8D12により、相互に接続しているサブユニットを持つ、直列接続の装置8D00である。さらに他の実施形態図示せずの場合には、装置が全体的に反対の極性を持つように、有機半導体層の上下が反対になっている。もう一つの実施形態は、装置8D00を修正したもの図示せずであり、この場合、例えば、約100オングストロームまたはそれ以下の厚さの、90のマグネシウムに対して10の銀、または他の加工し難い金属または合金の薄い半透明な金属層が、金属/非金属合成カソードを形成するために、層802cの下に隣接して、金属/非金属合成電荷移送層を形成するために、層8D10、8D11および8D12の下に隣接して設置される。図9の場合には、積層有機感光性光電子装置の例示としての実施形態900は、多数の多重層有機光起電サブセルを含む。絶縁性または導電性基板901は支持体としての働きをする。光起電サブセルの、第一の透明な電極902a、902bおよび902cは、例えば、ITOを含む。感光性光電子サブセルの第一の有機層903a、903b、903cおよび903dは、例えば、CuPc、PTCDAまたはPTCBIを含む。感光性光電子サブセルの第二の有機層904a、904b、904cおよび904dは、例えば、α-NPDを含む。感光性光電子サブセルの第三の有機層905a、905b、905cおよび905dは、例えば、Alq3を含む。感光性光電子サブセルの第四の有機層906a、906b、906cおよび906dは、例えば、CuPc、PTCDAまたはPTCBIを含む。感光性光電子サブセルの第二の透明な電極907aおよび907bは、例えば、ITOを含む。この例示としての実施形態の各サブセルの大きさは、図6の実施形態の大きさと同じ範囲内にあるが、本明細書の他のところで説明した基準に従って最適化するために修正されている。すべての第一の透明な電極902a、902bおよび902cは、電気的に並列に接続していて、すべての第二の透明な電極は、光電流を増大させるために、電気的に並列に接続している。ここでもまた、任意の数のサブセルを形成するために、積層プロセスを継続することができる。しかし、ほぼすべての入射光が吸収される厚さ以上に積層を高くしても、変換効率は増大しない。図6の例示としての実施形態の場合に、サブセルの内側のペアの順序が重要でなかったように、内側の透明な電極が、隣接するセルに対して共通の接点として動作することができるように、サブセルの間でペアの順序を交互に配列しなければならないとことを除けば、ペアの順序は重要ではない。それ故、有機層の第一の内側のペアの順序は、この並列に相互接続している実施形態の内部における、積層の残りの層の順序を決定する。本発明のもう一つの実施形態図示せずは、実施形態900を修正したものであり、約500~4000オングストローム、好適には3000オングストローム以下、最も好適には約2000オングストロームの厚さの二酸化シリコンのような透明な絶縁層により分離されているサブセルを持ち、さらに、必要な場合には、上記の1層および2層の積層装置に類似の追加の透明な電極層を含む。Alq3層およびα-NPD層が、Alq3層を上にして配置されている場合には、サブセルは、パルササラシイ出願707が開示しているような低抵抗のカソードを使用するために、すべてカソードを上にして配置される。このように、サブセルが積層構造体内において、電気的に絶縁されているので、これらサブセルは、本発明に従って、2層サブセルのところで説明したように、並列または直列に外部接続することができる。実施形態900の他の修正例の場合には、本発明は積層構成になっていて、その内部においては、サブユニットは、直列に、すなわち、極性は整合しているが、絶縁層により分離されていない状態に積み重ねられている。ある実施形態図示せずの場合には、多重層セルが、実施形態8C00類似の一つの装置から、複数の電圧を使用することができるように、電極層により相互に接続している。他の実施形態図示せずの場合には、隣接する多重層サブセルは、実施形態8D00に類似の方法で、電荷移送層により相互に接続している。本明細書に記載する、実施形態900のすべての修正例図示せずの場合には、パルササラシイ出願436が開示しているような金属/非金属合成カソードを非常に透明な低抵抗の非金属カソードの代わりに使用することができる。この場合、各サブセルの第四の有機層906a、906b、906cおよび/または906dは、そうしたい場合には、省略することができる。さらに他の実施形態図示せずの場合には、サブセル内の有機層の外側のペアの一方または両方の代わりに、電荷移送、抽出および保護キャップ層の働きをする、マグネシウム:銀合金の約50~150オングストロームの厚さの薄い層を使用することができる。例えば、1層、2層および多重層のような、今まで説明してきたすべての積層装置の場合には、任意の所与の装置内のすべてのサブユニットの厚さは、均一であること、すなわち、どのサブセルまたはサブユニットの厚さはほぼ同じであることに留意されたい。より詳細に説明すると、光変換を行う光伝導有機層の厚さは、各サブユニット間でほぼ同じである。しかし、感光層が電磁放射光を吸収するので、例えば、積層装置の頂面のような、一方の側面から入射する放射の強さは、放射が装置内に深く入りこむにつれて弱くなる。各セルまたは各サブセルが発生する電圧は、通常、例えば、ヘテロ接合部分を形成する各材料内の、特に、すでに説明したように、HOMO-LUMOギャップ内の、エネルギー準位の分布のようなある固有の特性の関数である。しかし、各セルまたは各サブセル内で発生する電流は、特定のセルまたはサブセル内に入射する電磁放射光の量により異なる。均一の厚さを持ち、一つの方向からだけ周囲の電磁放射光で照射される、複数のサブセルからなる積層装置の場合には、積層装置の入射面または入射表面から離れているサブセルが発生する電流は、上記面から遠ざかるにつれて、セル内で次第に少なくなる。例えば、実施形態8A00および900のように、電気的に並列に接続するように構成されている積層装置の場合には、このことは必ずしも欠点とはならない。何故なら、サブセルの固有の均一の電圧により固定されている電圧により、すべてのサブセルからの電流の合計に等しい電流を供給するために、電流が外部で結合されるからである。このような並列装置の場合には、各サブセルの全電力出力は、特定のサブセルによる制限により、効率よく抽出することができる。同じ電流容量を持つ複数の出力を必要とする場合には、装置を下記のように組み立てることができる。一方、各サブセル内の異なる電流制限は、直列接続の積層装置の動作の際に、重要な要因になる場合がある。実施形態8D00のような、直列に接続している積層装置の場合には、基本的に電流が継続していなければならないので、装置の電流出力は制限され、そのため、各ポンプ電流出力は、積層構造体内のサブセルの相対的位置とは無関係に、最も少ない電流を発生するサブセルを通る電流に制限される。この問題を解決するために、本発明の他の実施形態は、サブセル間で対称的に変化する厚さを持つ、光伝導性有機層を持つ、サブセルを使用する。例えば、実施形態8D00の修正例の場合には、装置の頂部から測定を始めた場合には、各サブセルの光伝導性有機層の厚さが指数的に厚くなってゆくように、光伝導性有機層の厚さが変化する。実施形態8D00のこの最後の修正例は、電磁放射光のソースが、この場合には頂部、すなわち、基板から最も遠い面である、装置の一側面に制限されている場合に最も適している。もう一つの修正例の場合には、光伝導性有機層は、底部のサブセルから、指数的に厚くなっていくように作ることができる。この実施形態は、電磁放射光のソースが、基板が透明な場合に、装置MP基板側にある場合に適している。ほぼ等しい強度の電磁放射光が装置の二つの面に入射するような照射が均一に行われる場合には、実施形態8D00のさらにもう一つの実施形態が、効率よく動作する。電磁放射光が十分な強度を持ち、各面上に入射した電磁放射光の十分な量が装置を通過することができる場合には、サブセルの中央部内の光伝導性有機層が、二つの面により近い対応する層厚さより厚い8D00の修正例は、各セルから均一な電流を供給する。例えば、8C00のような複数の個々のアクセス可能な電圧を発生する、直列積層装置の場合には、幾分複雑になる。このような装置の場合には、装置内の個々のサブセル内を流れる電流は異なる。何故なら、種々の内部電極への複数の外部接続により、電流は複数の経路を通って流れることができ、そのため、特定のサブセルの少ない電流発生量の影響は、負荷のダイナミックスにより異なる。本発明の他の実施形態の場合には、有機感光性材料の複数の層は、装置の感度を改善するために使用される。ある実施形態の場合には、本発明の有機感光性光電子装置は、エクシトンの分離を促進するために、複数の光伝導性の層を内蔵する。より詳細に説明すると、材料間に多数のはっきりと形成されたインターフェースが位置していると、エクシトンの分離領域が広くなると信じられている。合成層は、上記の装置ガイドラインに見合う厚さを持つことができ、または以下に説明するような薄い層を持つことができる。さらに他の実施形態の場合には、本発明の有機感光性光電子装置は、複数の量子井戸MQWを内蔵する。MQWは、とりわけ、同じ材料および量子サイズ効果を持たない、もっと厚い感光性の層を持つ装置と比較した場合、MQWを含む装置のスペクトル感度の変化を引き起こす恐れのある、エクシトンエネルギー準位の分布を変化させると信じられている。また、エクシトンエネルギー準位の変化は、エクシトンの分離を促進する働きをする場合があると信じられている。MQW構造体を含む、複数の感光性の層を持つこれら実施形態は、感光性を向上するが、連続的な使用には適していないと信じられている。何故なら、上記実施形態は、上記層内に捕捉される電荷により、急速に飽和する場合があるからである。それ故、例示としての使用の場合には、本発明の有機感光性光電子装置、および内蔵MQWは、例えば、捕捉電荷を消滅することができるように、検出装置からの光を短い時間の間だけ、周期的に阻止する液晶シャッタ機構と一緒に、間欠的光検出装置として使用される。このような構造体は、図10Aおよび図10Bに示すように、純粋な受動的負荷と一緒に動作することができる。しかし、これらの多重構造体は、バイアスを掛けた状態で動作した場合、非常に効率的になる。このような条件の下で、光の照射を受けた場合、このような装置は大きな過渡電流を発生することができる。アーバ他は、一方の接点として、半透明な金または二酸化錫の薄いフィルムを使用する、バナジルフタロシアニンVOPcおよびPTCDAの、2層および多層組立体を記載している。アーバは、両方の電気的接点に対して、実際の装置に適している固体の電極材料を使用していないことを理解されたい。また、アーバの多層装置は、本発明の中間電極、または電荷移送層を持っていないことを理解されたい。フォレスト化学レビューは、さらに、有機感光性材料の複数の層の効果を記載しているが、二つの透明な電極を持つ装置内での、このような層の使用については開示していない。多数のはっきりと形成されたインターフェース、および/またはMQWを持つ実施形態については、図10Aおよび図10Bを参照しながら以下に説明する。図10Aは、例えば、約1000~4000オングストローム、好適には2000オングストローム以下、最も好適には約1000オングストロームの厚さのITOである、二つの電極10A02および10A05を持つ電極10A00の略図である。この実施形態の場合には、底部ITO電極は、好適には、アノードとして機能し、頂部電極はカソードとして機能することが好ましい。例えば、頂部ITO電極は、低抵抗の非金属カソードを形成するために、下に位置する有機層の上にスパッタ蒸着することができ、または、別の方法としては、頂部電極10A05を、金属/非金属合成カソードを形成するために、その上にITO層がスパッタ蒸着される、マグネシウム:銀層から作ることもできる。層10A03a、b、c、d、e、f、g、h、iおよびjおよび10A04a、b、c、d、e、f、g、h、iおよびjは、各10A03ペアおよび10A04ペアの間に、複数のインターフェースを形成する有機感光性材料のペアである。上記層は、本明細書の他のところで説明したように、有機分子結晶半導体材料、または同様に本明細書に記載したポリマ半導体であってもよい.例えば、ある実施形態の場合には、上記ペアは、例えば、PTCDA/CuPc、PTCBI/CuPcまたはPTCDA/VOPcであってもよい。また、上記層のペアは、必ずしも異なる主要キャリヤタイプである必要はなく、アイソタイプであってもよい。上記層のペアの重要な特徴は、これら層のペアが、エクシトンの分離ダイナミックスを促進し、場合によっては、変化させる多数のインターフェースを形成することである。この例示としての材料は、約20~1000オングストロームの範囲の厚さを持つことができるが、この範囲の上限は500オングストロームであることが好ましい。MQW効果を使用するために、特に設計された装置は、主要なエクシトン的モードの大体の空間的寸法により決まる厚さを持つ、遥かに薄い層を持つ。引用によって本明細書の記載に援用した、フォレスト化学レビュー1997年が、これらについて記載している。上記材料、すなわち、PTCDA/CuPc、PTCBI/CuPcまたはPTCDA/VOPcの場合には、MQW層の厚さは、20~50オングストロームの範囲内の数値でなければならない。図10Bの実施形態10B00は、10A00を修正したもので、対応する電荷移送、抽出および保護キャップ層として機能し、金属基板ITO層10A05と一緒に、金属/非金属合成カソードを形成する、例えば、マグネシウム:銀合金の、50~150オングストロームの厚さの追加の薄い金属層10B06を持つ。これら装置の場合には、装置全体を通して層が交互に重ねられている場合には、感光性層の材料を、頂部上に、ペアの中のいずれかと一緒に、蒸着することができることを理解されたい。さらに、図に示すペアの数は、単に例示としてのものであって、光伝導性の層の厚さによって、多くすることもできるし、少なくすることもできることを理解されたい。ここでもまた、一般的な制限は、すべての層の全体の厚さは、通常、装置が使用される電磁放射光が、浸透する深さより厚いものであってはならない。さらに他の実施形態の場合には、例えば、金属のような反射性基板、または例えば、アルミニウムまたは金のような金属の反射層でコーティングされた非反射性基板を、本発明に従って、有機感光性光電子装置を支持するために使用することができる。図11Aは、一つの2層セルをベースとする反射面を持つある実施形態である。11A01は、例えば、ガラスのような透明なものであってもよいし、金属のような透明でないものであってもよい基板である。層11A03は、例えば、ITOのような任意の金属基板電極層である。層11A03を使用しない場合には、層11A02は、電極として機能する、本明細書の他のところで説明した適当な材料である。第一の有機層11A04は、例えば、CuPcのような有機半導体である。第二の有機層11A05は、例えば、PTCDA、またはPTCBIのような第二の有機半導体である。頂部に設置される透明な電極11A06は、好適には、低抵抗の非金属カソードまたは金属/非金属合成カソードであることが好ましい。図11Bは、並列に接続しているサブセルを含む、反射性底部層を持つ積層2層装置の実施形態である。11B01は、例えば、ガラスのような透明なものであってもよいし、金属のような透明でないものであってもよい基板である。ガラス基板を使用する場合には、薄い金属層11B02を基板上に蒸着することができる。金属基板または金属層は、反射面を形成するためのものであるから、金属基板または金属層も、好適には、装置の底部電極として機能することが好ましい。しかし、そうしたい場合には、ITOからなる、任意の透明な電極層11B03を使用することもできる。層11B03bおよびcは、サブセルの第一の電極層であり、ITOのような金属の代替物であっても、透明な金属であってよく、またはマグネシウム-銀のような薄い金属層の上のITOを含むこともできる。層11B06aおよびbは、サブセルの第二の電極層であり、ITOのような金属の代替物であっても、透明な金属であってよく、またはマグネシウム-銀のような薄い金属層の上のITOを含むこともできる。有機層11B04a、b、cおよびdは、例えば、CuPcのような第一の有機半導体である。有機層11B05a、b、cおよびdは、例えば、PTCDAまたはPTCBIのような第二の有機半導体である。他の実施形態図示せずの場合には、本発明の任意の感光性光電子装置を支持するために、透明な基板が使用される。この実施形態の場合には、積層構造体の一番上のサブセルは、頂部反射層を持ち、代表的な、およびすべての中間サブセルは、透明な電極を持ち、光は基板を通して取り入れられる。頂部反射層は、透明な非金属電極上に蒸着された電極または金属層であってもよい。頂部または底部反射面を持つ、これらすべての実施形態の場合には、上記反射面は、任意の吸収されなかった光をさらに光変換を行うことができるように、また量子効率を向上することができるように、吸収層をとおして再度方向を変える。反射層を設置することによって、最適な光変換効率を達成するために必要な、積層構造体内のサブセルの数が少なくてすむ。実際の有機感光性光電子装置を製造する際に、上記のように、積層感光性光電子装置内に設置する、層の最適な数および厚さを決定する他に、個々のセルの大きさおよび配置を効率およびコストを最適化するように選択することができる。これら装置内で使用する透明な電極は、幾分残留吸収を持っているので、好適には、そのような吸収を最も少なくするために、そのような電極を薄くすることが好ましい。さらに、電極層をできるだけ薄くすれば、製造に要する時間が可能な限り短くなる。一方、すべての電極材料は、できるだけ薄く作られるので、その面積抵抗は増大する。それ故、好適には、回収後に電荷キャリヤが電極内を移動する距離をできるだけ短くすることが好ましい。各感光性光電子面積を最大にし、そのような目的を達成する構成は、より長い辺に沿って、装置の電極に電気的接続を行う基板上に、装置が長いストリップ状に配置されている構成である。フォレスト他の米国特許出願08/976666以後、フォレスト出願666と呼ぶは、実用的な有機薄膜装置の製造技術を記載している。この特許出願は、引用によって本明細書の記載に援用する。パルササラシイ出願707は、CuPcおよびPTCDAのような比較的大きな平面分子と、高度の共役構造を持つ小さな分子有機材料は、衝撃エネルギーを一つ以上の結合上に拡散する、その結合の局部化された性質のために、高いエネルギーの電極蒸着に耐えることができると考えられる事実を開示している。高いエネルギーを持つ金属原子または酸素原子が、スパッタ蒸着中に、表面上のこれら分子の中の一つに入射すると、衝撃エネルギーは、分子状π電子システム内の多数の結合上に、効率的に分配されるものと考えられる。反対に、例えば、Alq3またはα-NPD内には、比較的大きなπ電子は存在しない。このような分子の場合、衝撃エネルギーは、数個の原子の存在する位置だけに限定され、それにより、分子結合が切断する確率が増大する。CuPcおよびPTCDAのような結晶性分子システムの平面状またはほぼ平面状の積層配置は、また、格子内の数個の隣接する分子の間で、エネルギーの消滅を促進することができる。従って、パルササラシイ出願707が開示しているような低抵抗の非金属カソードを、他の類似のタイプの小さな分子結晶内で、実施することができると考えられる。例えば、CuPcの代わりに、他の金属フタロシアニン、ナフタロシアニンおよびポルフィリンを使用することができる。表1は、本発明に従って使用するのに、適当であると考えられる、ある種の他の代表的な感光性光電子小型分子有機ヘテロ構造の組合せを示す。[表1]Ag/PTCBI/CuPc/ITOIn/PTCDA/CuPc/ITOAu/H2Pc/DM-PTCDI/ITOAu/H2Pc/DM-PTCDI/PTCBI/ITOAu/H2Pc/PTCBI/ITOAl/ZnPc/AuAu/ZnPc/DM-PTCDI/ITOIn/PPEI/PVPTPDITOAu/CuPc/DM-PTCDI/ITOAu/ZnPc/DM-PTCDI/ITOAu/H2Pc/PTCBI/ITOAu/TPP/DM-PTCDI/ITOAu/TBP/DM-PTCDI/ITOAu/H2Hc/DM-PTCDI/ITOAu/H2Pc/DM-PTCDI/ITOAu/H2Pc/DM-PTCDI2/ITOAu/H2Pc/DM-PTCDI2/ITOAI/C60/TiOPc/ITOAI/C60/VOPc/ITOAl/C60/PPV/ITOAl/メロシアニン/AgPREO:3、4、9、10-フェニレンテトラカルボキシル-N、N’-ビスフェニルエシリミドPVPTPD:PPEI蒸着の前に、ITO面上にスピンコーティングされた、ポリビニルピリディン内の、55重量のN、N’-ジフェニル-N、N’-ジトリルベンジディンTPP:5、10、15、20-21H、31HテトラフェニルポルフィリンTBP:テトラベンゾポルフィリン29H、31Hテトラベンゾ[2、3-b:2’3’-g:2、3-1:2’、3’-q]ポルフィラディンH2Nc:ナフタロシアニン29H、31H-テトラナフソ[2、3-b:2’3’-g:2、3-1:2、3’-q]ポルフィラディンH2Pc:フタロシアニンPPV:ポリファニレンビニレンZnPc:亜鉛フタロシアニンDM-PTCDI:TiOPc:酸化チタンフタロシアニンC60:バックミンステルフレレンVOPc:バナジルフタロシアニンさらに、有機ポリマも、本発明に従って使用することができる。その全文を引用によって本明細書の記載に援用した、1997年3月の、米国物理学会の、ゲオJ.、ヤングC、およびヒーガA.の、未来の世代の光起電技術に関する第一回NREL会議議事録、有機複合材製の光起電セルは、純粋なポリ2-メソキシ-5-2’-エチル-ヘクシロキシ-1、4-フェニレンビニレンMEH-PPVおよびバックミンステルフレレンC60と混合したMEH-PPVを使用する、ポリマをベースとする太陽電池を開示している。これらの材料は、本発明の光伝導材料として適していると考えられる。また、1986年のスコセイムT.、エド.マルセルデッカーの導電性ポリマハンドブック、特に、その17章である、カニキ.Jのポリマ性半導体接点および光起電用途は、当業者であれば周知ものであり、本発明の装置内で使用するのに、適していると考えられる多数の光伝導性ポリマを開示している。このポリマとしては、ポリ-2-ビニールピリディンPVP、ポリフェニルアセチレンPPA、ポリフェニレンPPP、硫化ポリフェニレンPPS、ポリピロールPPY、ポリアクリロニトリルPAN、ポリヘプタヂインPHD、ポリメチルアセチレンPMA、ポリフェニレンビニレンPPPV、酸化ポリフェニレンPPPO等がある。これらの材料は、上記の積層光電セルのいくつかの実施形態のどれにでも内蔵させることができる。また、高度に接続している構造を持つポリマは、そのような電極/半導体インターフェースが、そうでない場合に、キャリヤの流れに対して実質的なバリヤを形成する場合に、スパッタしたITOのような、エネルギーに富んだ状態で蒸着された、金属基板を受け入れることにより、低抵抗の非金属カソードを形成することができると信じられている。また、高い直列抵抗および関連空間電荷効果に関連する非能率を克服するために、電気的に並列に接続している感光性光電子装置の新しい概念を、他のサブセル組成を含む、他の有機感光性光電子装置にも、同様に適用することができることを理解することができるだろう。同様に、複数電力供給するために、中間電極に対する外部接続と、積層有機感光性光電子装置を直列に接続するという新しい概念も、他の有機感光性光電子装置に適用することができる。また、従来技術の有機感光性光電子材料構成が開示しているような、従来の半透明の金属カソードの代わりに、同時係属出願のパルササラシイ出願707が開示している、低抵抗の非金属カソードの使用も、本発明の範囲内に含まれる。本発明の装置の一般的な製造技術は、当業者にとって周知のものである。有機層を蒸着するための好適な方法は、熱蒸着法である。金属層の好適な蒸着方法は、熱蒸着または電子ビーム蒸着法である。誘電体の好適な蒸着方法は、プラズマ強化化学蒸着法、RFまたはRF/DCスパッタリング、または電子ビーム蒸着法である。有機感光性光電子装置は、例えば、シャドーマスク技術または基板を予備形成するための、乾式エッチングプロセスと一緒に使用する、シャドーマスク技術により製造することができる。シャドーマスクおよび乾式エッチングは、当業者にとって周知のものである。本発明の種々の実施形態を製造するための高度の写真製版蒸着技術については、フォレスト出願666の有機薄膜の製造のところですでに説明した。例えば、通常の当業者であれば、フォレスト出願666が開示していて、本明細書に添付してある、本発明のさらなる利点を持つ技術により、図12の装置の実施形態を作ることができる。図12は、電子的に並列に接続している三つのサブセルを持つ、積層感光性光電子装置の一実施形態である。シャドーボックス内の実施形態1200は、フォレスト出願666が開示しているように、カプセル封入のステップの後でのものである。1201は、積層構造体の底部電極および中央部の一つの電極を形成している、例えば、ITOのような透明な導電性材料の連続領域である。層1202は、複数の光伝導性有機層である。この図においては、便宜上その中の一つしか図示していない。1203は、積層構造体の頂部電極および中央部の一つの電極を形成している、例えば、ITOのような透明な導電性材料の連続領域である。層1204および1205は、同様に、複数の光伝導性有機層である。この実施形態の場合には、交互に変化する極性、すなわち、頂部サブセルと底部サブセルが同じ極性を持ち、中央部のサブセルが、反対の極性を持つように蒸着されている、三つのサブセルを使用していることを理解されたい。実施形態1200の場合には、光伝導性有機層1202、1204および1205は、連続して接続するためのものである。この特定の実施形態内で使用するための有機材料の導電性は十分に低いので、これら材料は、透明な導電性領域1201および1203を相互に効果的に絶縁することができるが、本明細書の他のところで説明した光伝導機能を果たすこともできる。保護層1206は、非導電性の材料で作らなければならない。例えば、保護層は、TEFLON登録商標のようなスピンコーティングしたものであってもよいし、またはスパッタ蒸着したSiO2またはSi3N4であってもよい。保護層1206は、電磁放射光が装置の頂部を通して入射した場合に、透明になるものでなければならない。他の任意の実施形態図示せずの場合には、保護層1206は省略することができるが、頂部電極層は、装置を構成している有機材料を、性能を劣化させる化学的反応から保護するために、周囲の空気が浸透しないように厚く作らなければならない。シャドーボックス技術を使用すれば、下記のステップにより、図12類似の積層2層有機感光性光電子装置を作ることができる。1予めパターン形成した接点により、基板上に5~10ミクロンの厚さの透明な誘電層を蒸着するステップ。上記誘電層は、例えば、SiO2であってもよい。2ホトレジスト層を蒸着するステップ。3装置の底部層用のパターン内のホトレジストを露光するステップ。4誘電層上にホトレジストのパターンを残すために、露光していないホトレジストを除去するステップ。5ホトレジストで覆われている誘電体のストリップを残すために、例えば、塩化物反応性のイオンエッチングにより、またアンダーカットを形成するために、湿式エッチングにより誘電体を除去するステップ。6第一のITO層をアングル蒸着するステップ。7CuPc層をアングル蒸着するステップ。8PTCDA層をアングル蒸着するステップ。9ITO層をアングル蒸着するステップ。10PTCDA層をアングル蒸着するステップ。11CuPcをアングル蒸着するステップ。12第二のITO層をアングル蒸着するステップ。13積層構造体を形成するために、ステップ7~12を反復するステップ。積層構造体の形成を中止するには、ステップ9または12を反復して行う。従来のシャドーマスク技術を使用すれば、下記のステップにより、図12類似の積層2層有機感光性光電子装置を製造することができる。1予めパターン形成した接点により、シャドーマスクを使用して、基板上に第一のITO層を蒸着するステップ。2シャドーマスクにより、CuPc層を蒸着するステップ。3シャドーマスクにより、PTCDA層を蒸着するステップ。4シャドーマスクにより、第二のITO層を蒸着するステップ。5シャドーマスクにより、PTCDA層を蒸着するステップ。6シャドーマスクにより、CuPc層を蒸着するステップ。7シャドーマスクにより、第二のITO層を蒸着するステップ。8積層構造体を形成するために、ステップ2~7を反復するステップ。積層構造体の形成を中止するには、ステップ4または7を反復して行う。フォレスト出願666は、また、本発明に適用することができる、光電子装置のアレーを製造するための技術も開示している。フォレスト出願666が開示しているこれらの技術、および本発明を使用することにより、通常の当業者であれば、多重ピクセル光検出装置として、特に、適している有機感光性光電子装置の、アレー図示せずを製造することができる。このようなアレーは、空間および輝度解像度を持つ、電磁放射光を検出することができる。基板を、ガラス、石英、サファイヤまたはプラスチックのような透明な材料、またはシリコンまたは金属のような半透明な材料、および、例えば、ポリスチレンのような、プラスチックフィルムのような、またはアルミニウムフォイルのような、金属フォイルのような、柔軟な材料を含む半透明な材料のような、任意の平滑な材料で作ることができることを理解することができるだろう。基板の表面上のすべての凹凸は、基板の頂面上にポリマの任意の薄い層を蒸着するか、または類似の平滑化技術を使用することにより、平滑にすることができる。例示としての実施形態は、通常、絶縁基板上に蒸着された、有機感光性光電子装置を開示しているが、導電性材料を基板として使用した場合には、この基板を、蒸着した第一の電極の代わりに、第一の電極として使用することができることを理解することができるだろう。別の方法としては、例えば、絶縁性酸化物の絶縁層を、上記の例示としての製造方法のところで説明したように、装置に蒸着を行う前に、金属上に設置することができる。本発明の有機感光性装置は、とりわけ、光により電力の供給を受けるラジオ、テレビ、コンピュータ、計算装置、電話、およびその他の無線通信装置、時計、緊急位置選定装置、電動車両、電力発生システムおよび装置、および緊急用電源;電力用監視/検出装置および/または感知検査装置、電磁放射光検出装置、映像形成装置;および電気的絶縁用、または光ファイバ通信に使用する光学的結合装置に内蔵させることができる。当業者であれば、上記装置を太陽電池または光検出装置として使用することができることを理解することができるだろう。すなわち、上記装置が、バイアス電圧を掛けた状態で、電磁放射光で照射されると、この装置は、光検出装置モードになり、入射電磁放射光の強度に対応する電流を発生する。太陽電池として動作する場合には、バイアス電圧は掛けられず、電力は外部負荷に供給される。従って、本発明およびその特許請求の範囲は、装置を作動するとき、これらモードのどちらが使用されているかいないかにかかわらず、これら装置を含む。今まで有機感光性光電子装置およびその製造方法について説明してきたが、当業者であれば、本発明の概念から実質的に逸脱しないで、すでに詳細に説明してきた装置および技術に、多くの修正および変更を行うことができることを理解することができるだろう。従って、本明細書に記載した本発明の形は、単に例示としてのものであって、本発明の範囲を制限するものでないことをはっきりと理解されたい。"