基材と、前記基材上に形成された第1の導電層と、前記第1の導電層上に形成されたパターン化された第2の導電層と、を含み、前記第2の導電層の上部面及び側面に酸化膜が形成されたことを特徴とする導電性フィルム。前記基材は、ポリエステル系樹脂、アセテート系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリレート系樹脂、ポリ塩化ビニール系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリビニールアルコール系樹脂、ポリアクリレート及びポリフェニレン硫化物系樹脂のいずれか1種以上の物質を含むことを特徴とする請求項1に記載の導電性フィルム。前記第1の導電層は、ITOまたは元素Mがドーピングされた酸化亜鉛系薄膜からなり、前記元素Mは、13族元素または3の酸化数を有する転移金属であることを特徴とする請求項1または2に記載の導電性フィルム。前記第2の導電層は、銅、アルミニウム、モリブデン、クロム、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタン、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、銀、錫、鉛またはこれらの中で2種以上の合金を含むことを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の導電性フィルム。前記酸化膜が形成された前記第2の導電層上に形成された保護層をさらに含むことを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の導電性フィルム。前記保護層は、ITO、IZO及び金属の中で1種以上を含むことを特徴とする請求項5に記載の導電性フィルム。前記第2の導電層の厚さは、1nm~1mmであることを特徴とする請求項1から6の何れか1項に記載の導電性フィルム。前記第2の導電層は、パターン化された構造であり、パターンの幅は、50nm~2μm、そしてパターン間の間隔は、50μm~5mmであることを特徴とする請求項1から7の何れか1項に記載の導電性フィルム。前記第2の導電層に形成された酸化膜は、Cu2Oを含むことを特徴とする請求項1から8の何れか1項に記載の導電性フィルム。前記第2の導電層に形成された酸化膜の厚さは、1nm~100nmであることを特徴とする請求項1から9の何れか1項に記載の導電性フィルム。基材上に第1の導電層と第2の導電層を形成するステップと、上部面及び側面に酸化膜が形成されたパターン化された第2の導電層を形成するステップと、を含むことを特徴とする導電性フィルムの製造方法。前記上部面及び側面に酸化膜が形成されたパターン化された第2の導電層を形成するステップは、前記第2の導電層の表面に酸化膜を形成するステップと、前記酸化膜が形成された前記第2の導電層をパターン化するステップと、パターン化された前記第2の導電層の側面に酸化膜を形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項11に記載の導電性フィルムの製造方法。前記上部面及び側面に酸化膜が形成されたパターン化された第2の導電層を形成するステップは、前記第2の導電層をパターン化するステップと、パターン化された前記第2の導電層の上部面及び側面に酸化膜を形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項11に記載の導電性フィルムの製造方法。前記基材上に第1の導電層と第2の導電層を形成するステップは、熱蒸着、真空蒸着、スパッタリング、電子ビール蒸着またはイオンビーム蒸着を利用して実行することを特徴とする請求項11から13の何れか1項に記載の導電性フィルムの製造方法。前記酸化膜は、熱処理またはプラズマ処理を通じて形成することを特徴とする請求項11から14の何れか1項に記載の導電性フィルムの製造方法。前記熱処理の温度は、130°C~200°Cの範囲であることを特徴とする請求項15に記載の導電性フィルムの製造方法。請求項1から10の何れか1項に記載の導電性フィルムを含むことを特徴とするディスプレイ装置。請求項1から10の何れか1項に記載の導電性フィルムを含むことを特徴とする照明装置。したがって、前記のような従来の諸問題点を解消するために提案されたものであって、本発明の目的は、酸化膜が形成された導電性パターンを含む導電性フィルム及びその製造方法を提供することにある。本発明は、基材と、基材上に形成された第1の導電層と第2の導電層と、を含み、第2の導電層の上部面及び側面に酸化膜が形成された導電性フィルムを提供する。また、本発明は、基材上に第1の導電層と第2の導電層を形成するステップと、上部面及び側面に酸化膜が形成されたパターン化された第2の導電層を形成するステップと、を含む導電性フィルムの製造方法を提供する。本発明による導電性フィルムは、パターン化された導電層の上部面及び側面に人為的な酸化膜を形成することで、導電層の急激な酸化による不良及び基材の破損を防止し、且つ発光均一度を高めることができる。本発明は、基材と、基材上に形成された第1の導電層と第2の導電層と、を含み、第2の導電層の表面には酸化膜が形成された導電性フィルムを提供する。前記第2の導電層は、パターン化された構造である。パターン化された第2の導電層は、第1の導電層の面抵抗の減少のための導電パターンとしての役目を実行することができる。また、前記第2の導電層は、パターンの上部表面だけではなく側面にも酸化膜が形成された構造を含む。前記導電性フィルムは、光透過が可能な透明導電性フィルムである。したがって、光透過性が要求される多様なディスプレイ装置及び照明装置などに活用が可能である。金属導電層が大気中に露出されると、表面に自然酸化膜が形成される。しかし、このような自然酸化膜は、厚さが薄くて密度が稠密ではないから、導電層を十分に保護することができない。例えば、金属導電層を含む基材を加工する過程で、高温工程を経るか環境変化に露出されることができ、このような要因により導電層表面に急激な酸化が進行される。急激な酸化により膜質が不均一になるかスウェリング現象が誘発され、激しい場合には基材の破損が誘発される。本発明では、第2の導電層の表面に別途の酸化膜を形成することで、このような問題点を解消した。具体的には、熱またはプラズマ処理を通じて前記第2の導電層の表面に酸化膜を形成することができる。前記第2の導電層の表面に形成された酸化膜は、一種の人工酸化膜で分類することができる。前記人工酸化膜は、自然酸化膜に比べて膜の厚さが厚くて膜質の密度が高いという特徴がある。前記基材は、特別に限定されるものではなく、ガラス基板または光透過性プラスチックフィルムを使用することができる。前記基材を光透過性フィルムで形成する場合には、例えば、ポリエステル系樹脂、アセテート系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリレート系樹脂、ポリ塩化ビニール系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリビニールアルコール系樹脂、ポリアクリレート及びポリフェニレン硫化物系樹脂のいずれか1種以上の物質を含むことができる。前記第1の導電層では、ITOまたは元素Mがドーピングされた酸化亜鉛系薄膜などを使用することができ、前記元素Mは、13族元素または3の酸化数を有する転移金属である。前記元素Mの非制限的な例では、B、Al、Ga、In、Ti、Sc、V、Cr、Mn、Fe、CoまたはNiなどがあり、より具体的には、AlまたはGaなどを使用することができる。前記第2の導電層は、導電性物質であれば、特別に限定されるものではなく、例えば、銅、アルミニウム、モリブデン、クロム、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタン、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、銀、錫、鉛またはこれらの合金を含むことができる。例えば、前記第2の導電層は、銅である。前記導電性フィルムは、酸化膜が形成された第2の導電層上に形成された別途の保護層を含むことができる。前記保護層は、ITO、IZO及び金属のいずれか1種以上を含むことができる。また、保護層が金属材質からなった場合には、前記金属は、特別に限定限されないが、アルカリ、アルカリ土金属またはこれらの混合物または合金である。保護層を形成することで、第2の導電層に対する急激な酸化による基材の破損を防止することができる。前記第2の導電層の規格は、特別に限定されるものではなく、例えば、第2の導電層の厚さは、1nm~1mmの範囲である。前記第2の導電層は、相対的に大きい面抵抗を有した第1の導電層を補助して面抵抗を低めて伝導度を高める役目をする。第2の導電層は上記厚さ範囲で十分な電気伝導度を得ることができる。また、第2の導電層は、パターン化された構造であり、パターンの幅は、50nm~2μmの範囲であり、そして、パターン間の間隔は、50μm~5mmの範囲である。第2の導電層のパターン間の幅及び間隔は、前記範囲において、透明電極である第1の導電層の透過度を大きく低めないとともに一層優れた発光均一度を得ることができる。第2の導電層に形成された酸化膜は、Cu2Oを含むことができる。Cu2Oを含む酸化膜は、導電性フィルムの物性を低下させないと共に導電層の急激な酸化による不良及び基材の破損を防止することができる。また、前記第2の導電層に形成された酸化膜の厚さは、1nm~100nmの範囲である。本発明において、第2の導電層の表面に形成された酸化膜は、自然酸化膜に比べて膜の厚さが厚くて膜質の密度が高いという特徴がある。また、本発明は、基材と、基材上に形成された第1の導電層と、第2の導電層と、を含み、第2の導電層の表面に酸化膜が形成された導電性フィルムを製造する方法を提供する。一実施例において、前記製造方法は、基材上に第1の導電層と第2の導電層を形成するステップと、上部面及び側面に酸化膜が形成されたパターン化された第2の導電層を形成するステップと、を含むことができる。前記製造方法は、第2の導電層をパターン化する手順によって製造工程が一部変わることができる。すなわち、第2の導電層をパターン化する工程は、第2の導電層に酸化膜を形成する工程の以前または以後に実行することができる。前記製造方法は、基材上に第1の導電層と第2の導電層を形成するステップと、第2の導電層の表面に酸化膜を形成するステップと、酸化膜が形成された第2の導電層をパターン化するステップと、パターン化された第2の導電層の側面に酸化膜を形成するステップと、を含むことができる。この場合には、第2の導電層の前面に酸化膜を形成した後、パターン化過程を実行する。その後、パターン化以後に、第2の導電層の側面に酸化膜を形成する過程を実行する。また、前記製造方法は、基材上に第1の導電層と第2の導電層を形成するステップと、第2の導電層をパターン化するステップと、パターン化された第2の導電層の上部面及び側面に酸化膜を形成するステップと、を含むことができる。この場合には、第2の導電層をパターン化した後、パターン化された第2の導電層の上部表面及び側面に酸化膜を形成する。前記基材上に第1の導電層と第2の導電層を形成するステップは、熱蒸着、真空蒸着、スパッタリング、電子ビーム蒸着、イオンビーム蒸着などの方法を利用して順次に積層することができるが、これに限定されるものではなく、当業界に知られた通常的な方法を利用することができる。第2の導電層に酸化膜を形成する過程は、熱またはプラズマ処理を通じて実行することができる。前記熱処理温度は、第2の導電層の表面に酸化層を形成することができる温度であれば、特別に限定されるものではなく、例えば、130°C~200°C、より具体的には、140°C~160°C範囲である。前記熱処理範囲で第2の導電層の変形を防止すると共に一層安定的に酸化膜を形成することができる。前記プラズマ処理は、第2の導電層の表面に酸化層を形成するために酸素雰囲気下で実行することができる。場合によっては、酸化膜を形成した後、不活性気体雰囲気でプラズマまたは熱を加える後処理工程をさらに実行することができる。本発明による導電性フィルムは、多様な分野で適用可能であり、ディスプレイ装置または照明装置などに活用可能である。例えば、前記導電性フィルムは、PDA、ノートブック、モニター、OAFA器機、ATM、携帯電話、電子ペーパー、ナビゲーションなどに使用可能であり、LCD、LED、OLEDなどのディスプレイまたは照明などにも使用可能である。発明の実施のための形態以下、添付図面を参照して本発明をより詳しく説明するが、本発明の範囲は、それに限定されるものではない。図1は、本発明の一実施例による導電性フィルムを示す模式図である。図1を参照すれば、導電性フィルム100は、基材10上に第1の導電層20及び第2の導電層30が形成されており、第2の導電層30の表面には酸化膜40が形成されている。前記酸化膜40は、熱またはプラズマを加えて第2の導電層30の表面を酸化させて形成することができる。例えば、前記基材10は、ガラス基板であり、第1の導電層20は、ITO層である。また、第2の導電層30は、銅を含むことができ、熱またはプラズマを加えて第2の導電層30の表面に人工酸化膜40が形成されている。前記酸化膜40を形成することで、第2の導電層30の急激な酸化を防止し、素子の性能を維持することができる。図2は、第2の導電層をエッチングしてパターン化した場合を示した模式図である。図2を参照すれば、導電性フィルム200は、基材10上に第1の導電層20が形成されており、第1の導電層20上には、パターン化された第2の導電層31が形成された構造である。前記第2の導電層31は、上部表面だけではなくエッチングで露出された側面部分にも酸化膜41が形成されている。図3は、パターン化された第2の導電層が急激な酸化によりスウェリング現象が発生した結果を示した写真である。パターン化された導電層が加工のための高温工程に露出されると、急激な酸化によりスウェリング現象が発生できる。すなわち、第2の導電層の上部表面に別途の保護層を形成しても、パターン化過程で側面が露出され、露出された側面で急激な酸化が進行されて膜質の不均一及びスウェリング現象が誘発される。また、図4は、本発明の一実施例による酸化膜が形成された第2の導電層を含む導電性フィルムを示した写真である。図4を参照すれば、前記導電性フィルムは、パターン化された第2の導電層を含み、前記第2の導電層の上部表面と側面にも酸化膜が形成された場合である。図4に開示された導電性フィルムは、図3の場合と同一な高温工程を経たが導電層の膜質が均一であり、スウェリング現象などは発生しなかったことが分かる。以下、本発明を下記の実施例を通じてより具体的に説明する。しかし、これら実施例は例示的なもの過ぎないで、本発明の技術的範囲を限定するものではない。[実施例1]ガラス基板上にITO層及びCu層を順次に形成し、多層構造のフィルムを製造した。その後、Cu層をパターン化した。パターンの幅は、1μm、パターン間の間隔は、100μmで形成した。パターン化されたCu層に対して120°Cで10分間熱処理することで、表面に酸化膜を形成した。製造されたフィルムの各層別厚さは、下記表1の通りである。[実施例2]ガラス基板上にITO層及びCu層を順次に形成し、多層構造のフィルムを製造した。その後、Cu層をパターン化した。パターンの幅は、1μm、パターン間の間隔は、100μmで形成した。パターン化されたCu層に対して150°Cで10分間熱処理することで、表面に酸化膜を形成した。[実施例3]ガラス基板上にITO層及びCu層を順次に形成して、多層構造のフィルムを製造し、150°Cで10分間熱処理した。その後、Cu層をパターン化した。パターンの幅は、1μm、パターン間の間隔は、100μmで形成した。パターン化されたCu層に対して150°Cで追加熱処理を実施した。[比較例]ガラス基板上にITO層及びCu層を順次に形成し、多層構造のフィルムを製造した。その後、Cu層をパターン化した。パターンの幅は、1μm、パターン間の間隔は、100μmで形成した。製造されたフィルムに対して別途の熱処理はしなかった。[実験例1:GID分析]酸化膜層に対する情報を分析するため、大気中に露出させて自然酸化膜が形成されたCuITO基板と本発明による処理工程を経て酸化膜が形成されたCu2OCuITO基板に対して、GIDパターンを測定した。測定結果は、図5の通りである。図5を参照すれば、熱処理した基板は、パターン化された銅導電層の表面にCu2O膜が形成された。一方、熱処理をしなかった場合には、ほとんど測定されないほどに非常に薄い酸化膜が形成されたことが分かる。[実験例2:XRR分析]熱処理を経た酸化膜の厚さを算出するために、XRRパターンを分析した。大気中に露出させて自然酸化膜が形成されたCuITO基板と本発明による処理工程を経てCu酸化膜が形成されたCu2OCuITO基板に対して、XRRパターンを測定した。測定結果は、図6の通りである。図6を参照すれば、熱処理を経た場合には、表面に約10nmのCu2O膜が形成されたことを確認した。実施例2と比較例によるフィルムの層別厚さは、下記表1及び表2に各々整理した。