"直流主回路の正極端側及び負極端側の間に、当該直流主回路が出力する変換対象の直流電圧を4等分に分担するように直列に接続される4つの主回路コンデンサと、前記4つの主回路コンデンサの直列回路の正極端側及び負極端側に接続される正極母線及び負極母線の間に直列に接続した4つのスイッチング素子と、前記4つのスイッチング素子と前記4つの主回路コンデンサとの間において、前記正極母線側及び負極母線側における2つの主回路コンデンサの直列回路同士の接続端と前記正極母線側において直列に接続された2つのスイッチング素子同士の接続端との間に配置される上アームクランプ用ダイオード、及び、前記正極母線側及び負極母線側における2つの主回路コンデンサの直列回路同士の接続端と前記負極母線側において直列に接続された2つのスイッチング素子同士の接続端との間に配置される下アームクランプ用ダイオードとで構成され、当該正極母線側及び当該負極母線側における2つのスイッチング素子による直列回路同士の接続端がインバータ出力端となる構成を単位構成とし、この単位構成を少なくとも1つ備える3レベルインバータスイッチング回路と、前記3レベルインバータスイッチング回路における複数のスイッチング素子を駆動する複数の半導体駆動回路であって、前記単位構成における4つのスイッチング素子のうち、前記負極母線に一方の信号端子が接続されるスイッチング素子についての半導体駆動回路は、前記単位構成が複数になっても共通に1つ設けられ、前記負極母線から前記正極母線に向かって2つ目から4つ目までの各スイッチング素子についての半導体駆動回路は、前記単位構成が複数になっても1対1の関係で個別に設けられる複数の半導体駆動回路と、前記複数の半導体駆動回路のそれぞれと1対1の関係で設けられる複数のパルストランスであって、それぞれの2次巻線に、整流回路を介して前記複数の半導体駆動回路の対応する半導体駆動回路が接続される複数の絶縁トランスと、1次巻線に前記2つのコンデンサの直列回路が形成する前記直流主回路の出力電圧をスイッチングしたパルス電圧が印加されるフライバックトランスと、1次巻線と4つの2次巻線とを有し、前記1次巻線に前記フライバックトランスの複数の2次巻線のそれぞれに接続される整流回路のうちの1つの整流回路の出力電圧をスイッチングしたパルス電圧が印加され、前記4つの2次巻線のそれぞれに少なくとも1つの前記絶縁トランスの1次巻線が接続されるインバータトランスと、を備え、前記複数の半導体駆動回路の基準電位として、前記単位構成における4つのスイッチング素子のうち、前記負極母線に一方の信号端子が接続されるスイッチング素子についての半導体駆動回路の基準電位は、前記負極母線の電位であり、前記負極母線から前記正極母線に向かって2つ目のスイッチング素子についての半導体駆動回路の基準電位は、前記4つの主回路コンデンサのうち前記負極母線側において直列接続された2つの主回路コンデンサ同士の接続端の電位であり、前記負極母線から前記正極母線に向かって3つ目のスイッチング素子についての半導体駆動回路の基準電位は、前記4つの主回路コンデンサのうち前記正極母線側において直列接続された2つの主回路コンデンサの直列回路及び前記負極母線側において直列接続された2つの主回路コンデンサの直列回路同士の接続端の電位であり、前記負極母線から前記正極母線に向かって4つ目のスイッチング素子についての半導体駆動回路の基準電位は、前記4つの主回路コンデンサのうち前記正極母線側において直列接続された2つの主回路コンデンサ同士の接続端の電位であり、前記4つの主回路コンデンサの直列回路の負極端側と前記負極母線との接続端が、前記単位構成における4つのスイッチング素子のうち前記負極母線に一方の信号端子が接続されるスイッチング素子についての半導体駆動回路に対応する前記絶縁トランスの1次巻線の片端に接続され、前記4つの主回路コンデンサのうち前記負極母線側において直列接続された2つの主回路コンデンサ同士の接続端が、前記単位構成における4つのスイッチング素子のうち前記負極母線から前記正極母線に向かって2つ目のスイッチング素子についての半導体駆動回路に対応する前記絶縁トランスの1次巻線の片端に接続され、前記4つの主回路コンデンサのうち前記正極母線側及び前記負極母線側において直列接続された2つの主回路コンデンサの直列回路同士の接続端が、前記単位構成における4つのスイッチング素子のうち前記負極母線から前記正極母線に向かって3つ目のスイッチング素子についての半導体駆動回路に対応する前記絶縁トランスの1次巻線の片端に接続され、前記4つの主回路コンデンサのうち前記正極母線側において直列接続された2つの主回路コンデンサ同士の接続端が、前記単位構成における4つのスイッチング素子のうち前記負極母線から前記正極母線に向かって4つ目のスイッチング素子についての半導体駆動回路に対応する前記絶縁トランスの1次巻線の片端に接続されていることを特徴とする電力変換装置。前記インバータトランスの2次巻線の巻き終わり端と、前記各パルストランスの1次巻線の巻き終わり端との接続ラインは、コンデンサを介して接地されていることを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。しかし、上記特許文献1に記載の技術では、半導体駆動回路の基準電位を、直列接続した2つのコンデンサの接続端の電位直流中間電位に固定しているので、半導体駆動回路毎に設ける絶縁トランスの1次巻線と2次巻線との間の耐電圧は、その直流中間電位以下にはならない。太陽電池パネルの発生直流電圧が最大DC1000Vにもなるシステムでの適用を考慮すると、直列接続した2つのコンデンサの接続端の電位は、DC500Vになる。パッシェンの法則によれば、絶縁トランスの1次巻線と2次巻線との間の電位がDC330V以上であると、コロナ放電は発生するので、このDC500Vの電位はコロナ放電が発生する電位である。よって、上記特許文献1に記載の技術では、課題を解決できず、絶縁トランスは、従前の通りにコロナ放電を考慮した耐電圧の設計が必要である。本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、変換対象の電源電圧が高電圧になる状況下において、半導体駆動回路用の絶縁トランスの耐電圧を低下させ、長期信頼性を確保できる電力変換装置を得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、変換対象の直流電圧を出力する直流主回路の正極側及び負極側の間に、当該直流電圧を4等分に分担するように直列に接続される4つの主回路コンデンサと、前記4つの主回路コンデンサの直列回路の正極端側及び負極端側に接続される正極母線及び負極母線の間に直列に接続した4つのスイッチング素子であって、当該正極母線側及び当該負極母線側における2つのスイッチング素子による直列回路同士の接続端にインバータ出力端が形成される4つのスイッチング素子と、前記4つのスイッチング素子と前記4つの主回路コンデンサとの間において、前記正極母線側及び負極母線側における2つの主回路コンデンサの直列回路同士の接続端と前記正極母線側において直列に接続された2つのスイッチング素子同士の接続端との間に配置される上アームクランプ用ダイオード、及び前記正極母線側及び負極母線側における2つの主回路コンデンサの直列回路同士の接続端と前記負極母線側において直列に接続された2つのスイッチング素子同士の接続端との間に配置される下アームクランプ用ダイオードとによる構成を単位構成とし、この単位構成を少なくとも1つ備える3レベルインバータスイッチング回路と、前記3レベルインバータスイッチング回路における複数のスイッチング素子を駆動する複数の半導体駆動回路であって、前記単位構成における4つのスイッチング素子のうち、前記負極母線に一方の信号端子が接続されるスイッチング素子についての半導体駆動回路は、前記単位構成が複数になっても共通に1つ設けられ、前記負極母線から前記正極母線に向かって2つ目から4つ目までの各スイッチング素子についての半導体駆動回路は、前記単位構成が複数になっても1対1の関係で個別に設けられる複数の半導体駆動回路と、前記複数の半導体駆動回路のそれぞれと1対1の関係で設けられる複数の絶縁トランスであって、それぞれの2次巻線に、整流回路を介して前記複数の半導体駆動回路の対応する半導体駆動回路が接続される複数の絶縁トランスと、1次巻線に前記4つの主回路コンデンサの直列回路が形成する前記直流主回路の出力電圧をスイッチングしたパルス電圧が印加されるフライバックトランスと、1次巻線と4つの2次巻線とを有し、前記1次巻線に前記フライバックトランスの複数の2次巻線のそれぞれに接続される整流回路のうちの1つの整流回路の出力電圧をスイッチングしたパルス電圧が印加され、前記4つの2次巻線のそれぞれに少なくとも1つの前記絶縁トランスの1次巻線が接続されるインバータトランスとを備える電力変換装置であって、前記複数の半導体駆動回路の基準電位として、前記単位構成における4つのスイッチング素子のうち、前記負極母線に一方の信号端子が接続されるスイッチング素子についての半導体駆動回路の基準電位は、前記負極母線の電位であり、前記負極母線から前記正極母線に向かって2つ目のスイッチング素子についての半導体駆動回路の基準電位は、前記4つの主回路コンデンサのうち前記負極母線側において直列接続された2つの主回路コンデンサ同士の接続端の電位であり、前記負極母線から前記正極母線に向かって3つ目のスイッチング素子についての半導体駆動回路の基準電位は、前記4つの主回路コンデンサのうち前記正極母線側において直列接続された2つの主回路コンデンサの直列回路及び前記負極母線側において直列接続された2つの主回路コンデンサの直列回路同士の接続端の電位であり、前記負極母線から前記正極母線に向かって4つ目のスイッチング素子についての半導体駆動回路の基準電位は、前記4つの主回路コンデンサのうち前記正極母線側において直列接続された2つの主回路コンデンサ同士の接続端の電位であり、前記4つの主回路コンデンサの直列回路の負極端側と前記負極母線との接続端が、前記単位構成における4つのスイッチング素子のうち前記負極母線に一方の信号端子が接続されるスイッチング素子についての半導体駆動回路に対応する前記絶縁トランスの1次巻線の片端に接続され、前記4つの主回路コンデンサのうち前記負極母線側において直列接続された2つの主回路コンデンサ同士の接続端が、前記単位構成における4つのスイッチング素子のうち前記負極母線から前記正極母線に向かって2つ目のスイッチング素子についての半導体駆動回路に対応する前記絶縁トランスの1次巻線の片端に接続され、前記4つの主回路コンデンサのうち前記正極母線側及び前記負極母線側において直列接続された2つの主回路コンデンサの直列回路同士の接続端が、前記単位構成における4つのスイッチング素子のうち前記負極母線から前記正極母線に向かって3つ目のスイッチング素子についての半導体駆動回路に対応する前記絶縁トランスの1次巻線の片端に接続され、前記4つの主回路コンデンサのうち前記正極母線側において直列接続された2つの主回路コンデンサ同士の接続端が、前記単位構成における4つのスイッチング素子のうち前記負極母線から前記正極母線に向かって4つ目のスイッチング素子についての半導体駆動回路に対応する前記絶縁トランスの1次巻線の片端に接続されていることを特徴とする。本発明によれば、各半導体駆動回路の基準電位と、対応する半導体駆動回路に絶縁された直流電力を供給するための各絶縁トランスの1次側及びインバータトランスの2次側間の基準電位とは、共に、4つの主回路コンデンサの各接続端の中の同じ接続端から供給される。したがって、複数の絶縁トランスの各1次側-2次側間の基準電位の電位差は、変換対象の電源電圧が、例えばDC1000Vのように高電圧になっても、0Vである。よって、変換対象の電源電圧が、例えばDC1000Vのように高電圧になる状況下においても、絶縁トランスの1次側-2次側間にコロナ放電は起こらないので、絶縁劣化は起こらず、絶縁トランスの長期信頼性が向上する。そして、絶縁トランスの耐電圧を考慮した設計を大幅に緩和できるので、原価の低減と小型化が図れるという効果を奏する。以下に図面を参照して本発明にかかる電力変換装置の実施例を詳細に説明する。なお、この実施例によりこの発明が限定されるものではない。図1は、本発明の一実施例による電力変換装置の構成を示すブロック図である。なお、図1では、三相4線式の商用電力系統100に連系する太陽光発電システムにおいて用いられる3レベルインバータ方式の電力変換装置パワーコンディショナに本発明を適用した場合の構成例が示されている。図1において、直流主回路1は、正極ラインP及び負極ラインNの間に、変換対象である直流電圧例えば、DC1000Vを生成する。直流主回路1は、太陽電池パネル2と、主回路コンデンサ3と、バイパスダイオード4と、昇圧チョッパ5とで構成される。直流主回路1の負極ラインNは、太陽電池パネル2の負極端に接続されている。太陽電池パネル2は、太陽光を受けて直流電圧を発生する直流発電設備である。主回路コンデンサ3は、太陽電池パネル2の正極端及び負極端直流主回路1の負極ラインNの間に配置され、太陽電池パネル2の出力電圧を平滑保持する作用を営む。太陽電池パネル2の出力電圧は、日照や湿度などの環境条件によって変動する。そのため、太陽電池パネル2の正極端及び負極端と直流主回路1の正極ラインP及び負極ラインNとの間に、バイパスダイオード4と昇圧チョッパ5とが並列に配置されている。バイパスダイオード4は、アノード端子が太陽電池パネル2の正極端に接続され、カソード端子が直流主回路1の正極ラインPに接続されている。昇圧チョッパ5は、リアクトル5aと、スイッチング素子D2と、逆流阻止ダイオード5bとで構成される。リアクトル5aは、一端が太陽電池パネル2の正極端に接続され、他端がスイッチング素子D2の一方の信号端子と逆流阻止ダイオード5bのアノード端子との接続端に接続されている。スイッチング素子D2の他方の信号端子は負極ラインNに接続され、逆流阻止ダイオード5bのカソード端子は正極ラインPに接続されている。なお、スイッチング素子D2は、例えばIGBTであり環流ダイオードが逆並列に接続されている。次に、直流主回路1の正極ラインP及び負極ラインNは、それぞれ3レベルインバータスイッチング回路6の正極母線及び負極母線を形成し、その正極ラインP及び負極ラインNの間に、従前の2個直列接続の主回路コンデンサに代えて、4個の主回路コンデンサ7a,7b,7c,7dが直列に配置されている。4個の主回路コンデンサ7a~7dの容量値は、それぞれ同じ値である。つまり、3レベルインバータスイッチング回路7の正極母線及び負極母線の間の母線電圧は、直流主回路1が正極ラインP及び負極ラインNの間に出力する直流電圧を4個の主回路コンデンサ7a~7dの直列回路が平滑保持することにより形成される。このとき、主回路コンデンサ7a~7dのそれぞれは、直流主回路1が正極ラインP及び負極ラインN間に出力する直流電圧を4等分割するように作用する。図1に示す3レベルインバータスイッチング回路6は、三相出力の構成であり、正極母線及び負極母線を形成する直流主回路1の正極ラインP及び負極ラインNの間に、直列に接続した4つのスイッチング素子の3組A1,B1,C1,D1A2,B2,C2,D1A3,B3,C3,D1が並列に接続されている。なお、スイッチング素子A1,B1,C1,D1,A2,B2,C2,D1,A3,B3,C3,D1は、いずれも、例えばIGBTであり、環流ダイオードが逆並列に接続されている。そして、正極ラインP側において直列に接続された主回路コンデンサ7a,7bの直列回路と負極ラインN側において直列に接続された主回路コンデンサ7c,7dの直列回路との接続端8と、正極ラインP側において直列に接続された2つのスイッチング素子の3組A1,B1A2,B2A3,B3それぞれの接続端との間にクランプ用ダイオード11,12,13がそれぞれ配置されている。また、接続端8と、負極ラインN側において直列に接続された2つのスイッチング素子の3組C1,D1C2,D1C3,D1それぞれの接続端との間にクランプ用ダイオード14,15,16がそれぞれ配置されている。直列に接続した4つのスイッチング素子の3組A1,B1,C1,D1A2,B2,C2,D1A3,B3,C3,D1では、スイッチング素子B1,C1の接続端、スイッチング素子B2,C2の接続端及びスイッチング素子B3,C3の接続端は、それぞれ出力端を構成し、リアクトルACフィルタ17を介して三相4線式の商用電力系統100に接続されている。なお、ACフィルタ17は、3レベルインバータスイッチング回路6の出力端と商用電力系統100との間に配置されるリアクトル18と、リアクトル18と接続端8との間に配置されるコンデンサ19とで構成される。つまり、ACフィルタ17の基準電位は、接続端8の電位直流主回路1が生成する直流電圧の中間電位である。また、商用電力系統100は、中性点が直接大地に接地されている。そして、当該3レベルインバータ方式電力変換装置の制御系に直流電力を供給する制御電源は、フライバックトランス20、インバータトランス21及び絶縁トランスであるパルストランス22~31を介して形成される。まず、フライバックトランス20は、1次巻線に対し2次巻線が例えば3つ設けられている。フライバックトランス20の1次巻線の巻き始め端は、スイッチング素子32を介して負極ラインNに接続され、1次巻線の巻き終わり端は、正極ラインPに接続されている。フライバックトランス20の3つの2次巻線のうち、1つ目の二次側巻線には、整流回路33を介してアナログ回路用電源34が接続され、2つ目の二次側巻線には、整流回路35を介してディジタル回路用電源36が接続され、3つ目の二次側巻線には、整流回路37を介してインバータトランス21の一次側が接続されている。なお、スイッチング素子32は、例えばIGBTであり、環流ダイオードが逆並列に接続されている。次に、インバータトランス21は、1次巻線が中間タップ付きであり、この1次巻線に対し2次巻線が例えば4つ設けられている。インバータトランス21の1次巻線の中間タップが整流回路37の正極端に接続されている。そして、1次巻線の一方の巻き始め端がスイッチング素子38を介して、また1次巻線の他方の巻き始め端がスイッチング素子39を介して、それぞれ整流回路37の負極端と一緒に負極ラインNに接続されている。なお、スイッチング素子38,39は、いずれも、例えばIGBTであり、環流ダイオードが逆並列に接続されている。このインバータトランス21の4つの2次巻線では、1つ目の二次側巻線に、パルストランス22,26,29の1次巻線が並列に接続され、2つ目の二次側巻線に、パルストランス23,27,30の1次巻線が並列に接続され、3つ目の二次側巻線に、パルストランス24,28,31の1次巻線が並列に接続され、4つ目の二次側巻線に、1つのパルストランス25の1次巻線が接続されている。そして、絶縁トランスであるパルストランス22~31は、それぞれ1つの1次巻線に対し1つの2次巻線を有している。パルストランス22,26,29の各2次巻線には、整流回路40,44,47を介して、スイッチング素子A1,A2,A3を駆動するA1半導体駆動回路50,A2半導体駆動回路54,A3半導体駆動回路57がそれぞれ接続されている。パルストランス23,27,30の各2次巻線には、整流回路41,45,48を介して、スイッチング素子B1,B2,B3を駆動するB1半導体駆動回路51,B2半導体駆動回路55,B3半導体駆動回路58がそれぞれ接続されている。パルストランス24,28,31の各2次巻線には、整流回路42,46,49を介して、スイッチング素子C1,C2,C3を駆動するC1半導体駆動回路52,C2半導体駆動回路56,C3半導体駆動回路59がそれぞれ接続されている。パルストランス25の2次巻線には、整流回路43を介して、スイッチング素子D1,D2を駆動するD1D2半導体駆動回路53が接続されている。以上の構成において、正極ラインP及び負極ラインNの間に直列接続した4つの主回路コンデンサ7a~7dのうち、主回路コンデンサ7a,7bの接続端60はインバータトランス21の1つ目の2次巻線の巻き終わり端とパルストランス22の1次巻線の巻き終わり端との接続ラインに接続されている。主回路コンデンサ7b,7cの接続端8はインバータトランス21の2つ目の2次巻線の巻き終わり端とパルストランス23の1次巻線の巻き終わり端との接続ラインに接続されている。主回路コンデンサ7c,7dの接続端61はインバータトランス21の3つ目の2次巻線の巻き終わり端とパルストランス24の1次巻線の巻き終わり端との接続ラインに接続されている。主回路コンデンサ7dと負極ラインNとの接続端62はインバータトランス21の4つ目の2次巻線の巻き終わり端とパルストランス25の1次巻線の巻き終わり端との接続ラインに接続されている。そして、接続関係は図示してないが、A1半導体駆動回路50,A2半導体駆動回路54及びA3半導体駆動回路57の各基準電位は、主回路コンデンサ7a,7bの接続端60の電位である。B1半導体駆動回路51,B2半導体駆動回路55及びB3半導体駆動回路58の各基準電位は、主回路コンデンサ7b,7cの接続端8の電位である。C1半導体駆動回路52,C2半導体駆動回路56及びC3半導体駆動回路59の基準電位は、主回路コンデンサ7c,7dの接続端61の電位である。D1,D2半導体駆動回路53の基準電位は、主回路コンデンサ7dと負極ラインNとの接続端62の電位である。次に、動作について説明する。太陽光発電システムの立ち上げ時などでは、昇圧チョッパ5は、スイッチング素子D2がオフしていて昇圧動作を停止しているので、太陽電池パネル2が発生した直流電圧が、バイパスダイオード4を介して直流主回路1の正極ラインP及び負極ラインNの間に出力され、主回路コンデンサ7a~7dの直列回路に印加される。主回路コンデンサ7a~7dの直列回路が充電され、その充電電圧が、太陽電池パネル2が発生した直流電圧に向かって上昇する。主回路コンデンサ7a~7dの直列回路の電圧が、所定電圧まで上昇すると、スイッチング素子32がオンオフ動作を開始し、フライバックトランス21の3つの二次巻線のそれぞれに交流電圧が発生する。1つ目の2次巻線に発生した交流電圧は、整流回路33にて整流平滑され、アナログ回路用電源34に供給される。2つ目の2次巻線に発生した交流電圧は、整流回路35にて整流平滑され、ディジタル回路用電源36に供給される。3つ目の2次側巻線に発生した交流電圧は、整流回路37にて整流平滑され、インバータトランス21の1次側に供給される。インバータトランス21の1次側では、2つのスイッチング素子38,39が交互にオンオフ動作することで、インバータトランス21の4つの2次巻線から交流電圧がパルストランス22~31へ並列に供給される。パルストランス22に供給された交流電圧は、整流回路40にて絶縁された直流電圧となり、A1半導体駆動回路50に供給される。パルストランス23に供給された交流電圧は、整流回路41にて絶縁された直流電圧となり、B1半導体駆動回路51に供給される。パルストランス24に供給された交流電圧は、整流回路42にて絶縁された直流電圧となり、C1半導体駆動回路52に供給される。パルストランス25に供給された交流電圧は、整流回路43にて絶縁された直流電圧となり、D1D2半導体駆動回路53に絶縁された直流電圧を供給される。パルストランス26に供給された交流電圧は、整流回路44にて絶縁された直流電圧となり、A2半導体駆動回路54に供給される。パルストランス26に供給された交流電圧は、整流回路45にて絶縁された直流電圧となり、B2半導体駆動回路55に供給される。パルストランス28に供給された交流電圧は、整流回路46にて絶縁された直流電圧となり、C2半導体駆動回路56に供給される。パルストランス29に供給された交流電圧は、整流回路47にて絶縁された直流電圧となり、A3半導体駆動回路57に供給される。パルストランス30に供給された交流電圧は、整流回路48にて絶縁された直流電圧となり、B3半導体駆動回路58に供給される。パルストランス31に供給された交流電圧は、整流回路49にて絶縁された直流電圧となり、C3の半導体駆動回路59に供給される。半導体駆動回路50~59に電力が供給されると、太陽電池パネル2が発生する直流電圧は、昇圧チョッパ5によって設定電圧まで昇圧され、主回路コンデンサ7a~7bの直列回路が充電される。そして、太陽電池パネル2が発生する直流電圧が上昇し、設定電位よりも高くなると、昇圧チョッパ5が動作を停止し、バイパスダイオード4を介して主回路コンデンサ7a~7bの直列回路が充電される。3レベルインバータスイッチング回路6は、直流主回路1が正極ラインP及び負極ラインNの間に出力する電源電圧である主回路コンデンサ7a~7bの直列回路が形成する直流電圧母線電圧と、負極ラインNの電位=0Vと、主回路コンデンサ7a~7bの直列回路における接続点8に出力される中間電位電源電圧の半分の電圧とをスイッチングして交流電圧を発生し、ACフィルタ17を経て商用電力系統100へ同期した交流電力を供給する。ここで、太陽電池パネル2が発生する直流電圧が、例えば最大DC1000Vである場合、主回路コンデンサ7a~7bの直列回路では、主回路コンデンサ7a~7bのそれぞれが最大1000Vを等分に分担するので、主回路コンデンサ7a~7bのそれぞれにDC250Vが印加される。したがって、接続端8に出力される中間電位は、電源電圧DC1000Vの半分の電圧500Vである。この点は、直流主回路1の正極ラインP及び負極ラインNの間に配置される主回路コンデンサが、2個直列接続したものである従来の3レベルインバータ方式電力変換装置においても同様である。そのような従来の3レベルインバータ方式電力変換装置では、特許文献1に示されるように、制御回路や制御電源、半導体駆動用回路の基準電位を直流主回路の出力電圧の中間電位に接続していたので、半導体駆動回路に絶縁された直流電力の供給に必要なパルストランスの1次側-2次側間電圧の電位差は、中間電位であるDC500V以下にはならない。パッシェンの法則によれば、パルストランスの1次側-2次側間にコロナ放電が起こる電位は、DC330V以上である。したがって、変換対象の電源電圧が、例えばDC1000Vのような高電圧になると、従来ではパルストランスの絶縁劣化を回避するため、耐電圧を考慮した設計を行う必要があり、コストアップの要因となり、また、小型化が困難であった。また、従来の3レベルインバータ方式電力変換装置では、インバータトランス21の2次巻線の巻き終わり端と各パルストランスの1次巻線の巻き終わり端との接続ラインは、フローティングの状態であったので、インバータトランスの寄生容量やパルストランスの寄生容量に起因するノイズの影響を受け易く、3レベルインバータスイッチング回路6が誤動作する虞があった。本実施例によれば、この2つの課題が同時に解決される。まず、第1の課題に対しては、各半導体駆動回路の基準電位と、対応する半導体駆動回路に絶縁された直流電力を供給するための各パルストランスの1次側及びインバータトランスの2次側間の基準電位とは、共に、主回路コンデンサ7a~7bの接続端60,8,61,62の中の同じ接続端から供給される。具体的には、スイッチング素子A1,A2.A3を駆動するA1半導体駆動回路50、A2半導体駆動回路54及びA3半導体駆動回路57の各半導体駆動回路の基準電位は、主回路コンデンサ7a~7bの直列回路における接続端60の電位である。また、それらの各半導体駆動回路に絶縁された直流電力を供給するパルストランス22,26,29の各1次巻線の巻き終わり端と対応するインバータトランス21の1番目の2次巻線の巻き終わり端との接続ラインは、接続端60に接続されている。次のスイッチング素子B1,B2.B3を駆動するB1半導体駆動回路51、B2半導体駆動回路55及びB3半導体駆動回路58の各半導体駆動回路の基準電位は、主回路コンデンサ7a~7bの直列回路における接続端8の電位である。それらの各半導体駆動回路に絶縁された直流電力を供給するパルストランス23,27,30の各1次巻線の巻き終わり端と対応するインバータトランス21の2番目の2次巻線の巻き終わり端と接続ラインは、接続端8に接続されている。次のスイッチング素子C1,C2.C3を駆動するC1半導体駆動回路52、C2半導体駆動回路56及びC3半導体駆動回路59の各半導体駆動回路の基準電位は、主回路コンデンサ7a~7bの直列回路における接続端61の電位である。それらの各半導体駆動回路に絶縁された直流電力を供給するパルストランス24,28,31の各1次巻線の巻き終わり端と対応するインバータトランス21の3番目の2次巻線の巻き終わり端と接続ラインは、接続端61に接続されている。次のスイッチング素子D1,D2を駆動するD1D2半導体駆動回路53の基準電位は、主回路コンデンサ7a~7bの直列回路における接続端62の電位負極ラインNの電位=0Vである。D1D2半導体駆動回路53に絶縁された直流電力を供給するパルストランス25の1次巻線の巻き終わり端と対応するインバータトランス21の4番目の2次巻線の巻き終わり端と接続ラインは、接続端62に接続されている。したがって、パルストランス22~31の各1次側-2次側間の基準電位の電位差は、変換対象の電源電圧が、例えばDC1000Vのように高電圧になっても、0Vである。よって、変換対象の電源電圧が、例えばDC1000Vのように高電圧になる状況下においても、パルストランス22~31の1次側-2次側間にコロナ放電は起こらないので、絶縁劣化は起こらず、パルストランス22~31の長期信頼性が向上する。そして、パルストランス22~31の耐電圧を考慮した設計を大幅に緩和できるので、原価の低減と小型化が図れる。また、第2の課題に対しては、インバータトランス21の2次巻線の巻き終わり端と各パルストランスの1次巻線の巻き終わり端との接続ラインは、コンデンサを介して接地される構成とすることで、インバータトランスの寄生容量やパルストランスの寄生容量に起因するノイズを低減させ得る。したがって、3レベルインバータスイッチング回路6の誤動作を防止できるという効果も得られる。"