"金属を主成分とする芯材と、前記芯材の外表面の少なくとも一部を覆うように配置される酸化物からなる外層と、を有する複数の粒子からなる、金属粉末であって、前記芯材と前記外層との界面に沿って、前記外層を構成する前記酸化物とは異なる酸化物であって、前記芯材の主成分となる前記金属の水酸化物以外の酸化物を含む中間層が0.2nm以上の厚みをもって形成されている、金属粉末。前記芯材の主成分となる金属は、Ni、Cu、AgおよびPdから選ばれる少なくとも1種である、請求項1に記載の金属粉末。前記芯材の主成分となる金属は、Niであり、前記中間層は、前記芯材の主成分となる金属の酸化物としてのNiOに加えて、Ti、Zr、V、Ta、Cr、W、Mn、Fe、CoおよびCuから選ばれる少なくとも1種の金属の酸化物を含む、請求項2に記載の金属粉末。前記中間層および前記外層の少なくとも一方は、前記芯材の表面の30~100の面積を覆っている、請求項1ないし3のいずれかに記載の金属粉末。前記外層の厚みは0.2~50nmである、請求項1ないし4のいずれかに記載の金属粉末。前記中間層の厚みは50nm以下である、請求項1ないし5のいずれかに記載の金属粉末。前記芯材は、その粒径が5~1000nmである、請求項1ないし6のいずれかに記載の金属粉末。金属を主成分とする芯材と、前記芯材の外表面の少なくとも一部を覆うように配置される酸化物からなる外層と、を有し、かつ前記芯材と前記外層との界面に沿って、前記外層を構成する前記酸化物とは異なる酸化物であって、前記芯材の主成分となる前記金属の酸化物を含む中間層が形成されている、金属粉末を製造する方法であって、前記芯材を用意する工程と、前記芯材を酸素含有雰囲気中で熱処理することによって、前記芯材の表面を酸化してなる酸化物を含む前記中間層を0.2nm以上の厚みをもって形成する、中間層形成工程と、前記中間層が形成された前記芯材に、前記外層を構成する酸化物を付与することによって、前記外層を形成する、外層形成工程とを備える、金属粉末の製造方法。請求項1ないし7のいずれかに記載の金属粉末を有機ビヒクル中に分散させてなる、導電性ペースト。積層された複数のセラミックグリーンシートと、請求項11に記載の導電性ペーストを用いて前記セラミックグリーンシート間に形成された内部電極とを備える、生の積層体を準備する工程と、前記生の積層体を焼成する工程とを備える、積層セラミック電子部品の製造方法。前記焼成する工程において、焼成雰囲気の酸素分圧PO2と前記芯材の平衡酸素分圧PO20との対数の差:logPO2/PO20が0~7.5の範囲に選ばれる、請求項10に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。そこで、この発明の目的は、上述したような課題を解決し得る金属粉末を提供しようとすることである。この発明の他の目的は、上述した金属粉末を製造するための好ましい方法を提供しようとすることである。この発明のさらに他の目的は、上述した金属粉末を含む導電性ペーストを提供しようとすることである。この発明のさらに他の目的は、上述した導電性ペーストを用いて実施される積層セラミック電子部品の製造方法を提供しようとすることである。この発明は、金属を主成分とする芯材と、芯材の外表面の少なくとも一部を覆うように配置される酸化物からなる外層と、を有する複数の粒子からなる、金属粉末にまず向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、芯材と外層との界面に沿って、外層を構成する酸化物とは異なる酸化物であって、芯材の主成分となる金属の水酸化物以外の酸化物を含む中間層が0.2nm以上の厚みをもって形成されていることを特徴としている。芯材の主成分となる金属の酸化物を含む厚み0.2nm以上の中間層は、この金属が還元されない条件下で焼成するようにすれば、焼成工程での高温領域においても芯材からの外層の剥がれを抑制するように作用する。なお、中間層の厚みを0.2nm以上と限定したのは、大気に触れることにより形成される自然酸化膜を除外するためである。また、外層と中間層とは、芯材の主成分となる金属が中間層には含まれているが、外層には含まれていないといった点で差別化されるものであるが、芯材の主成分となる金属が、金属粉末を構成する粒子の最表面から芯材の表面まで勾配を持った濃度分布を有しており、芯材の表面において最も高い濃度を示すような状態となっていてもよい。上記芯材の主成分となる金属は、Ni、Cu、AgおよびPdから選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。これらの金属は、積層セラミックコンデンサ等の積層セラミック電子部品の内部電極を構成する金属として有利に用いることができる。芯材の主成分となる金属がNiである場合、中間層は、芯材の主成分となる金属の酸化物としてのNiOに加えて、Ti、Zr、V、Ta、Cr、W、Mn、Fe、CoおよびCuから選ばれる少なくとも1種の金属の酸化物を含むことが好ましい。これらの金属酸化物とNiOとによって、複合酸化物が形成され、芯材および外層の双方に対する中間層の濡れ性を向上させることができる。中間層および外層の少なくとも一方は、芯材の表面の30~100の面積を覆っていることが好ましい。外層による焼成時の熱収縮抑制効果をより確実に発揮させることができるためである。外層の厚みは0.2~50nmであることが好ましい。外層の厚みを0.2nm以上とすることにより、外層による焼成時の熱収縮抑制効果をより確実に発揮させることができ、他方、50nm以下とすることにより、当該金属粉末を用いて形成された電極の焼成後の被覆率を高めることができる。中間層の厚みは50nm以下であることが好ましい。当該金属粉末を用いて形成された電極の焼成後の被覆率を高めることができるためである。芯材は、その粒径が5~1000nmであることが好ましい。5~1000nmの範囲の粒径において、当該金属粉末を用いて形成された内部電極を備える積層セラミック電子部品の構造欠陥を抑制する効果が高められる。この発明は、また、金属を主成分とする芯材と、芯材の外表面の少なくとも一部を覆うように配置される酸化物からなる外層と、を有し、かつ芯材と外層との界面に沿って、外層を構成する酸化物とは異なる酸化物であって、芯材の主成分となる金属の酸化物を含む中間層が形成されている、金属粉末を製造する方法にも向けられる。この発明に係る金属粉末の製造方法は、芯材を用意する工程と、芯材を酸素含有雰囲気中で熱処理することによって、芯材の表面を酸化してなる酸化物を含む中間層を0.2nm以上の厚みをもって形成する、中間層形成工程と、中間層が形成された芯材に、外層を構成する酸化物を付与することによって、外層を形成する、外層形成工程とを備えることを特徴としている。上述の中間層形成工程において、酸素含有雰囲気中での熱処理が適用されるので、Niを主成分とする芯材を例にとれば、芯材の表面にNiOの酸化被膜が確実に形成される。この発明は、さらに、上述した金属粉末を有機ビヒクル中に分散させてなる、導電性ペーストにも向けられる。この発明は、さらに、積層セラミック電子部品の製造方法にも向けられる。この発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、積層された複数のセラミックグリーンシートと、上述した導電性ペーストを用いてセラミックグリーンシート間に形成された内部電極とを備える、生の積層体を準備する工程と、生の積層体を焼成する工程とを備えることを特徴としている。上述した焼成工程において、焼成雰囲気の酸素分圧PO2と芯材の平衡酸素分圧PO20との対数の差:logPO2/PO20が0~7.5の範囲に選ばれることが好ましい。これによって、中間層を構成する酸化物が還元されずに焼成されることができるため、芯材と外層との接合性が低下することがない。この発明に係る金属粉末によれば、焼成工程における高温領域に至るまで、金属粉末を構成する粒子の外層の剥がれが抑制されるので、外層を構成する酸化物による熱収縮抑制効果が維持される。したがって、当該金属粉末を含む導電性ペーストを用いて、積層セラミック電子部品の内部電極を形成したとき、焼成時のデラミネーションが抑制される。また、熱収縮抑制効果を高め、かつより確実に維持し得るようにするため、外層をそれほど厚く形成する必要がないので、内部電極の厚みがたとえば0.5μm以下と薄くされても、被覆率の低減が抑制される。また、この発明に係る金属粉末およびその製造方法によれば、中間層形成工程において、芯材に対して酸素含有雰囲気中での熱処理が適用されることによって、中間層に含まれる芯材の主成分となる金属の酸化物が形成されるので、水酸化物が形成されず、高温で外層の剥離につながるH2Oガスが発生することがない。図1を参照して、この発明の一実施形態による金属粉末を構成する粒子1について説明する。粒子1は、金属を主成分とする芯材2と、芯材2の外表面の少なくとも一部を覆うように配置される酸化物からなる外層3とを有している。この発明の特徴とするところは、芯材2と外層3との界面に沿って、中間層4が形成されている点にある。中間層4は、外層3を構成する酸化物とは異なる酸化物であって、芯材2を酸素含有雰囲気中で熱処理することによって生成された芯材2の主成分となる金属の酸化物を含むもので、その厚みT1は0.2nm以上とされる。芯材1の主成分となる金属は、好ましくは、Ni、Cu、AgおよびPdから選ばれる少なくとも1種である。芯材1の主成分となる金属がNiであるとき、中間層4は、芯材1の主成分となるNiの酸化物であるNiOを含むことになる。この場合、中間層4は、芯材1の主成分となる金属の酸化物としてのNiOに加えて、Ti、Zr、V、Ta、Cr、W、Mn、Fe、CoおよびCuから選ばれる少なくとも1種の金属の酸化物をさらに含んでいてもよい。これによって、上記の金属の酸化物とNiOとによって、複合酸化物が形成され、芯材2および外層3の双方に対する中間層4の濡れ性を向上させることができ、その結果、外層3の芯材2に対する接合性を向上させることができる。中間層4および外層3の少なくとも一方は、芯材2の表面の30~100の面積を覆っていることが好ましい。後述する実験例からわかるように、外層3による焼成時の熱収縮抑制効果をより確実に発揮させることができるためである。外層3の厚みT2は0.2~50nmであることが好ましい。後述する実験例からわかるように、外層3の厚みT2を0.2nm以上とすることにより、外層3による焼成時の熱収縮抑制効果をより確実に発揮させることができ、他方、外層3の厚みT2を50nm以下とすることにより、当該金属粉末を用いて形成された電極の焼成後の被覆率を高めることができる。中間層4の厚みT1は50nm以下であることが好ましい。後述する実験例からわかるように、当該金属粉末を用いて形成された電極の焼成後の被覆率を高めることができるためである。芯材2は、その粒径Dが5~1000nmであることが好ましい。後述する実験例からわかるように、5~1000nmの範囲の粒径Dにおいて、当該金属粉末を用いて形成された内部電極を備える積層セラミック電子部品の構造欠陥を抑制する効果が高められる。上述したような複数の粒子1から構成される金属粉末は、たとえば、次のようにして製造される。まず、粒子1のための芯材2が用意される。たとえば市販のNi粉末が用意される。次に、芯材2を酸素含有雰囲気中で熱処理することによって、芯材2の表面が酸化される。これによって、芯材2の主成分となる金属の酸化物を含む中間層4が0.2nm以上の厚みT1をもって形成される。芯材1がNiを主成分としている場合、芯材2の表面にNiOの酸化被膜が形成され、このNiO膜をもって中間層4が形成される。次に、中間層4が形成された芯材2に、外層3を構成する酸化物が付与され、それによって、外層3が形成される。たとえば、当該金属粉末を用いて形成された内部電極を備える積層セラミック電子部品のセラミック層がBaTiO3を主成分とする場合、外層3を構成する酸化物についても、BaTiO3を主成分とするものが用いられることが好ましい。外層3の形成には、以下に示すように、たとえば、ゾルゲル法が適用される。芯材2として、Niを主成分とするものが用いられる場合、上述の中間層形成工程は、上記NiO被膜の形成のための熱処理の後、Ti、Zr、V、Ta、Cr、W、Mn、Fe、CoおよびCuから選ばれる少なくとも1種の金属を含む金属アルコキシド溶液中に、芯材2を分散させた状態とし、金属アルコキシドを加水分解することによって、Ti、Zr、V、Ta、Cr、W、Mn、Fe、CoおよびCuから選ばれる少なくとも1種の金属の酸化物を芯材2の表面に付与する工程をさらに実施してもよい。上述の場合、外層3を形成するにあたっては、上記金属アルコキシド溶液に、外層3を構成する酸化物を生成するのに必要な金属を添加し、ゾルゲル法によって外層3を形成するようにすることが好ましい。このようにして得られた金属粉末は、有機ビヒクル中に分散させた形態の導電性ペーストとして、積層セラミック電子部品の製造のために用いられる。図2を参照して、上記積層セラミック電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサ11の構造について説明する。積層セラミックコンデンサ11は、部品本体となる積層体12を備えている。積層体12は、略直方体形状をなしており、積層された複数のセラミック層13と、セラミック層13間の複数の界面に沿って形成された各々複数の第1および第2の内部電極14および15とを備えている。第1の内部電極14と第2の内部電極15とは、積層方向に見て交互に配置される。第1の内部電極14は、積層体12の第1の端面16へと引き出され、他方、第2の内部電極15は、積層体12の第1の端面16に対向する第2の端面17へと引き出されている。第1の端面16上には、第1の外部電極18が形成され、第1の外部電極18は、第1の内部電極14と電気的に接続される。第2の端面17上には、第2の外部電極19が形成され、第2の外部電極19は、第2の内部電極15と電気的に接続される。以上のような積層セラミックコンデンサ11を製造するため、まず、セラミック層13となるべき複数のセラミックグリーンシートが用意される。次に、セラミックグリーンシート上に、内部電極14および15を形成するため、この発明に係る前述した金属粉末を有機ビヒクル中に分散させてなる導電性ペーストが用いられる。すなわち、導電性ペーストを印刷することによって、内部電極14および15となるべき導電性ペースト膜がセラミックグリーンシート上に形成される。次に、複数のセラミックグリーンシートが積層される。これによって、積層体12の生の状態のものが得られる。次に、生の積層体が焼成される。この焼成工程では、前述した金属粉末を構成する粒子1における芯材2と外層3との接合性が確実に維持されるようにするため、中間層4を構成する酸化物が還元されないようにされる。そのため、後述する実験例から明らかになるように、焼成雰囲気の酸素分圧PO2と芯材の平衡酸素分圧PO20との対数の差:logPO2/PO20が0~7.5の範囲に選ばれることが好ましい。上述の焼成によって、図2に示した積層体12が得られる。次いで、積層体12の端面16および17上に外部電極18および19をたとえば導電性ペーストの焼付けによって形成し、必要に応じてめっきを施すことにより、積層セラミックコンデンサ11が完成される。以上のような積層セラミックコンデンサ11の製造方法において、内部電極14および15となるべき導電性ペーストに含まれる金属粉末は、焼成工程における高温領域に至るまで、粒子1の外層3の剥がれが抑制されるので、外層3を構成する酸化物による熱収縮抑制効果が維持される。したがって、積層セラミックコンデンサ11において、焼成時のデラミネーションが抑制される。また、熱収縮抑制効果を高め、かつより確実に維持し得るようにするため、外層3をそれほど厚く形成する必要がないので、内部電極の厚みがたとえば0.5μm以下と薄くされても、被覆率の低減が抑制される。なお、この発明に係る金属粉末を用いて有利に製造される積層セラミック電子部品は、上述した積層セラミックコンデンサ1以外のものであってもよい。[実験例]以下に、この発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。この実験例では、金属粉末を用いて、導電性ペーストを作製し、この導電性ペーストを用いて、積層セラミックコンデンサを作製した。1.金属粉末の作製芯材として、後掲の表1および表2の芯材粒径の欄に示した粒径を有し、かつ芯材元素の欄に示した金属からなる金属粉末を用意した。ここで、芯材粒径は、FE-SEM写真20k倍から円形粒子を抽出する解析ソフトを用いて抽出し、その粒径の平均値を示したものである。また、芯材元素は、IPC-AESによる測定で求めたものである。次に、上記芯材を空気中において200°Cで熱処理し、金属粉末を構成する各粒子表面に酸化被膜を形成した。ここで、表1および表2の中間層含有元素の欄において、芯材元素の欄に表示された元素と同じ元素が表示されている試料1~15および26~42については、上述の酸化被膜そのものが中間層を構成する酸化物を与え、上記熱処理時間を制御することにより、表1および表2の中間層の厚みの欄に示した厚みを得た。なお、参考まで、中間層の厚みが10nmのものは、熱処理時間を2時間とした。他方、表1および表2の中間層含有元素の欄に、たとえばNi,Tiというように、芯材元素の欄に表示された元素に加えて当該元素以外の元素も記入された試料16~25については、以下のように処理をした。代表して、中間層含有元素がNi,Crとされた試料20について説明すると、上記のように酸化被膜NiOを形成した金属ニッケル粉末をイソプロピルアルコール中に分散させたものに、クロムアルコキシドを添加、攪拌した後で、純水を添加することによって、芯材表面に芯材成分のニッケルを主成分とし、クロムを含有した中間層が付着した状態を得た。他の試料16~19および21~25についても、相応の金属アルコキシドを用いて同様の処理を施した。表1および表2の中間層の厚みは、FE-TEMのマッピングにより、芯材表面から後述する外層の内側まで測定した長さとして求めた。中間層含有元素は、FE-TEMのマッピングにより測定した。次に、外層を形成した。表1および表2の外層含有元素の欄にBTとあるのは、BaTiO3を構成するBaとTiとを含有することを示している。外層含有元素がBTである試料1~25および30~43については、外層を形成するため、上記のように中間層を形成した金属粉末をイソプロピルアルコール中に分散させ、このスラリーにチタンアルコキシドを添加し、60°Cに加熱後、そこに水酸化バリウムを添加し、酸化チタンと反応させることで、中間層の表面に外層を構成する酸化物としてのBaTiO3を付着させ、次いで、スラリーを乾燥させた。このようにして、ゾルゲル法によって形成されたBaTiO3からなる外層を中間層上に形成した粒子からなる金属粉末を得た。なお、上記試料1~25および30~43のうち、表1および表2の芯材元素の欄に表示された元素に加えて当該元素以外の元素も中間層含有元素の欄に記入された試料16~25については、中間層の形成を終えた後、中間層への添加元素を含有していた金属アルコキシド溶液に、前述したチタンアルコキシドを添加し、以後同様に、60°Cに加熱後、そこに水酸化バリウムを添加し、酸化チタンと反応させることで、BaTiO3からなる外層を中間層上に形成した粒子からなる金属粉末を得た。他方、外層含有元素がBTのみではない試料26~29についても、前述した試料1~25および30~43の場合と同様、相応の金属アルコキシドを用いて、表1および表2の外層含有元素の欄に示す金属元素を含む酸化物からなる外層を中間層上にルゲル法により形成した粒子からなる金属粉末を得た。表1および表2の中間層/外層の被覆率は、FE-TEMを用い、粒子断面から、そのまわりを覆っている酸化物層中間層および/または外層の被覆されている円周を求め、その芯材の円周との割合を計算して求めたものである。なお、試料43は、中間層/外層の被覆率が0となっているが、これは中間層が形成されなかったことを示している。外層含有元素は、FE-TEMのマッピングにより測定した。外層の厚みは、FE-TEMのマッピングにより、外層の内外の長さを測定し、求めたものである。外層の構造は、外層を構成している酸化物より同定したものである。2.導電性ペーストの作製次に、上述のようにして得られた金属粉末を用いて、以下のようにして導電性ペーストを作製した。エチルセルロース系バインダ:10重量をテルピネオール:90重量に溶解してなる有機ビヒクル:40重量と、テルピネオール:10重量と、上記金属粉末:50重量とを、3本ロールミルにより入念に分散混合処理を行なうことによって、良好な分散状態の導電性ペーストを得た。3.積層セラミックコンデンサの作製チタン酸バリウム系のセラミック組成物の粉末を用意し、これに、ポリビニルブチラール系バインダおよびエタノール等の有機溶剤を加えて、ボールミルにより湿式混合し、セラミックスラリーを得た。次いで、このセラミックスラリーにドクターブレード法を適用することによって、厚み5μmのセラミックグリーンシートを成形した。次に、セラミックグリーンシート上に、上記導電性ペーストをスクリーン印刷し、内部電極となる導電性ペースト膜を形成した。導電性ペーストの厚みは、焼成後において、0.8μmとなるようにした。次に、内部電極となる導電性ペースト膜が形成されたセラミックグリーンシートを積層し、圧着することによって、300枚の内部電極を有する生の積層体ブロックを得た。次に、このブロックを所定のサイズにカットし、積層体チップを得た。次に、積層体チップに対して、脱有機成分処理および脱カーボン処理した後、10°C/分以上の昇温速度で昇温させながら焼成工程を実施した。この焼成工程において、焼成雰囲気の酸素分圧PO2と前述の金属粉末の各粒子の芯材の平衡酸素分圧PO20との対数の差:logPO2/PO20を、表1および表2のlogPO2/PO20の欄に示すように制御した。このようにして得られた焼成後の積層体チップに対して、外部電極を形成し、試料となる積層セラミックコンデンサを得た。得られた積層セラミックコンデンサについて、表1および表2に示すように、ショート率、構造欠陥発生率および電極被覆率を求めた。表1および表2に示したショート率、構造欠陥発生率および電極被覆率は、表3に示した基準に基づいて表示している。ショート率については、静電容量が設計値から2桁以下を下回ったものを、ショートと判定し、各試料100個中でショートと判定された試料数の比率を求め、この比率を、表3のショート率の欄に示すような基準に従って、表1および表2に表示した。構造欠陥発生率については、各試料100個中で、内部電極層内または内部電極近傍で構造欠陥が発生した試料数の比率を求め、この比率を、表3の構造欠陥発生率の欄に示すような基準に従って、表1および表2に表示した。電極被覆率については、各試料100個について、内部電極層を剥離した試料を金属顕微鏡で撮影して得られた写真を2値化して電極部の占有率を算出し、この占有率を、表3の電極被覆率の欄に示すような基準に従って、表1および表2に表示した。表1において、試料12は、中間層の厚みが0.2nm未満の0.1nmである点で、この発明の範囲外のものである。表2において、試料43は、中間層の厚みが0であり、中間層を備えない点で、この発明の範囲外のものである。以下、表1ないし表3を参照ながら、各試料について考察する。試料1~5試料1~5では、芯材粒径を1~1200nmの範囲で変えている。試料1~5のいずれについても、この発明の範囲外の試料12および43に比べて、良好な結果が得られている。特に、芯材粒径が5~1000nmの範囲にある試料2~4では、5~1000nmの範囲を外れた試料1および5に比べて、ショート率、構造欠陥発生率および電極被覆率のすべての点において、優れた結果を示している。試料6~8試料6~8では、芯材元素が他の試料でのNiとは異ならされている。これら試料6~8から、Ni以外のCu、AgおよびPdであっても、同様の効果が得られることがわかる。試料9~11試料9~11では、中間層/外層の被覆率を変えている。試料9~11によれば、この発明の範囲外の試料12および43に比べて、良好な結果が得られている。特に、中間層/外層の被覆率が30以上の試料10および11によれば、20の試料9に比べて、ショート率、構造欠陥発生率および電極被覆率のすべての点において、優れた結果を示しており、このことから、中間層および外層による焼結抑制効果がより顕著に発揮されていることがわかる。試料12~15試料12~15では、中間層の厚みを0.1~70nmの範囲で変えている。中間層は、外層と芯材との接合性向上に寄与している。接合性は、中間層と外層および芯材の各々との濡れ性によるものであるため、界面では原子のやり取りにより接合性が発現している。試料12~15では、いずれも、この発明の範囲外の中間層の厚みが0である試料43に比べて、良好な結果が得られている。特に、中間層の厚みが0.2nm~70nmである試料13~15では、0.2nm未満の0.1nmである試料12に比べて、ショート率および電極被覆率の点において、優れた結果を示している。また、上記試料13~15のうち、中間層の厚みを50μm以下とした試料13および14では、70nmの試料15に比べて、ショート率、構造欠陥発生率および電極被覆率のすべての点において、優れた結果を示している。試料13~15のように、中間層の厚みを0.2nm以上とすることで、界面での原子のやり取りのバランスが保ちやすくなるため、接合性をより高める効果が得られやすくなるものと推測される。また、試料13および14のように、中間層の厚みを50μm以下とすることで、内部電極全体で芯材の金属の割合を十分に保つことができ、焼成後における電極被覆率を向上させることができるものと推測される。試料16~25試料16~25では、中間層含有元素として、Niに加えて、Ni以外の金属元素をも含有している。試料16~25から、中間層含有元素として、Ni以外に、Ti、Zr、V、Ta、Cr、W、Mn、Fe、CoまたはCuが含有されても、ショート率、構造欠陥発生率および電極被覆率のすべての点において、優れた結果を示すことがわかる。なお、表1に示した結果からは必ずしも認められないが、上記のTi、Zr、V、Ta、Cr、W、Mn、Fe、CoまたはCuといった金属が添加されると、芯材の金属であるNiとの間で複合酸化物が生成され、芯材との濡れ性がより向上することが確認されている。試料26~29試料26~29では、外層含有元素として、BTに加えて、Zr、Si、DyまたはYをも含有している。これらの元素は、積層セラミックコンデンサに備えるセラミック層を構成する誘電体セラミックの組成との関係で、焼結タイミングを合わせるように作用する。Zr、Si、DyまたはYをも含有する試料26~29でも、ショート率、構造欠陥発生率および電極被覆率のすべての点において、優れた結果を示している。試料30~33試料30~33では、外層の厚みを0.1~70nmの範囲で変えている。試料30~33のうち、特に、外層の厚みが0.2~50nmの範囲にある試料31および32において、ショート率、構造欠陥発生率および電極被覆率のすべてが優れた結果を示している。これは、外層の厚みを0.2nm以上とすることにより、外層による焼結抑制効果をより高めることができ、他方、外層の厚みを50nm以下にすることにより、内部電極全体での金属の割合をより高くすることができるためである。試料34~39試料34~39では、外層の構造をペロブスカイト以外のものとした場合の効果を確認している。試料34~39の外層の構造で採用された酸化物は、いずれも、耐熱性の高いものとして知られている。試料34~39のいずれにおいても、ショート率、構造欠陥発生率および電極被覆率のすべてについて、優れた結果を示している。試料40~42試料40~42では、焼成雰囲気の酸素分圧PO2と芯材の平衡酸素分圧PO20との対数の差であるlogPO2/PO20を変えている。logPO2/PO20が0~7.5の範囲にある試料40および41では、ショート率、構造欠陥発生率および電極被覆率のすべてについて、優れた結果を示している。他方、logPO2/PO20が7.5を超える8である試料42では、試料40および41に比べて、ショート率、構造欠陥発生率および電極被覆率が劣る傾向にある。電極被覆率が劣る傾向にあるのは、logPO2/PO20が7.5を超えると、酸化がより進行するため、焼成工程のトップ温度での拡散により内部電極内の芯材の金属元素量が減少するためであると推測される。"