複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有するウエーハの加工方法であって、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザビームを分割予定ラインに沿って照射して分割の起点となる分割溝を形成する分割溝形成工程と、複数の分割溝が形成されたウエーハに外力を付与してウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、を具備し、該分割溝形成工程においては、該デバイス領域の分割予定ラインに沿って該分割溝を形成し、分割予定ラインの延長線上の該外周余剰領域には未加工領域を残存させることを特徴とするウエーハの加工方法。複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有するウエーハの加工方法であって、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザビームを分割予定ラインに沿って照射して分割の起点となる分割溝を形成する分割溝形成工程と、複数の分割溝が形成されたウエーハに外力を付与してウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、を具備し、該分割溝形成工程は、該デバイス領域の分割予定ラインには比較的強い第1のパワーのレーザビームを照射して第1の分割溝を形成する第1分割溝形成工程と、該デバイス領域の分割予定ラインの延長線上の該外周余剰領域には該第1のパワーより弱い第2のパワーのレーザビームを照射して第2の分割溝を形成する第2分割溝形成工程と、を含むことを特徴とするウエーハの加工方法。しかし、サファイア基板等の結晶成長用基板上にエピタキシャル層を積層した光デバイスウエーハ等のウエーハの直径が150mm程度と大きくなると、分割予定ラインに分割の起点となる分割溝レーザ加工溝を形成すると、ウエーハの自重と大型ウエーハによるモーメントの大きさ等に起因して、レーザ加工装置から分割溝が形成されたウエーハを搬出する際、または分割装置までウエーハを搬送する際にウエーハが分割溝に沿わないで結晶方位に誘導されて割れるという問題がある。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、直径の大きなウエーハにレーザ加工溝を形成した後、レーザ加工装置からウエーハを搬出する際又は分割装置までウエーハを搬送する際にウエーハの割れを防止可能なウエーハの加工方法を提供することである。請求項1記載の発明によると、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有するウエーハの加工方法であって、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザビームを分割予定ラインに沿って照射して分割の起点となる分割溝を形成する分割溝形成工程と、複数の分割溝が形成されたウエーハに外力を付与してウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、を具備し、該分割溝形成工程においては、該デバイス領域の分割予定ラインに沿って該分割溝を形成し、分割予定ラインの延長線上の該外周余剰領域には未加工領域を残存させることを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。請求項2記載の発明によると、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有するウエーハの加工方法であって、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザビームを分割予定ラインに沿って照射して分割の起点となる分割溝を形成する分割溝形成工程と、複数の分割溝が形成されたウエーハに外力を付与してウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、を具備し、該分割溝形成工程は、該デバイス領域の分割予定ラインには比較的強い第1のパワーのレーザビームを照射して第1の分割溝を形成する第1分割溝形成工程と、該デバイス領域の分割予定ラインの延長線上の該外周余剰領域には該第1のパワーより弱い第2のパワーのレーザビームを照射して第2の分割溝を形成する第2分割溝形成工程と、を含むことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。本発明のウエーハの加工方法における分割溝形成工程は、デバイス領域の分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して分割の起点となる分割溝を形成し、分割予定ラインの延長線上にある外周余剰領域にはレーザビームを照射しないか、又は比較的パワーの弱いレーザビームを照射するので、外周余剰領域を適度の強度に保つことができる。従って、直径150mm程度の大径ウエーハの分割予定ラインに分割の起点となる分割溝レーザ加工溝が形成されても、レーザ加工装置からウエーハを搬出する際、又は分割装置までウエーハを搬送する際にウエーハが割れることを防止することができる。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明のウエーハの加工方法を実施するのに適したレーザ加工装置2の概略構成図を示している。レーザ加工装置2は、静止基台4上にX軸方向に移動可能に搭載された第1スライドブロック6を含んでいる。第1スライドブロック6は、ボールねじ8及びパルスモータ10から構成される加工送り手段12により一対のガイドレール14に沿って加工送り方向、すなわちX軸方向に移動される。第1スライドブロック6上には第2スライドブロック16がY軸方向に移動可能に搭載されている。すなわち、第2スライドブロック16はボールねじ18及びパルスモータ20から構成される割り出し送り手段22により一対のガイドレール24に沿って割り出し方向、すなわちY軸方向に移動される。第2スライドブロック16上には円筒支持部材26を介してチャックテーブル28が搭載されており、チャックテーブル28は加工送り手段12及び割り出し送り手段22によりX軸方向及びY軸方向に移動可能である。チャックテーブル28には、チャックテーブル28に吸引保持されたウエーハをクランプするクランプ30が設けられている。静止基台4にはコラム32が立設されており、このコラム32にはレーザビーム照射ユニット34を収容するケーシング35が取り付けられている。レーザビーム照射ユニット34は、図2に示すように、YAGレーザ又はYVO4レーザを発振するレーザ発振器62と、繰り返し周波数設定手段64と、パルス幅調整手段66と、エネルギー調整手段68とを含んでいる。レーザビーム照射ユニット34のエネルギー調整手段68により所定エネルギーに調整されたパルスレーザビームは、ケーシング35の先端に取り付けられた集光器36のミラー70で反射され、更に集光用対物レンズ72によって集光されてチャックテーブル28に保持されているウエーハ11に照射される。ケーシング35の先端部には、集光器36とX軸方向に整列してレーザ加工すべき加工領域を検出する撮像手段38が配設されている。撮像手段38は、可視光によって半導体ウエーハの加工領域を撮像する通常のCCD等の撮像素子を含んでいる。撮像手段38は更に、半導体ウエーハに赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、この光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線CCD等の赤外線撮像素子から構成される赤外線撮像手段を含んでおり、撮像した画像信号はコントローラ制御手段40に送信される。コントローラ40はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置CPU42と、制御プログラム等を格納するリードオンリーメモリROM44と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリRAM46と、カウンタ48と、入力インターフェイス50と、出力インターフェイス52とを備えている。56は案内レール14に沿って配設されたリニアスケール54と、第1スライドブロック6に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される加工送り量検出手段であり、加工送り量検出手段56の検出信号はコントローラ40の入力エンターフェイス50に入力される。60はガイドレール24に沿って配設されたリニアスケール58と第2スライドブロック16に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される割り出し送り量検出手段であり、割り出し送り量検出手段60の検出信号はコントローラ40の入力インターフェイス50に入力される。撮像手段38で撮像した画像信号もコントローラ40の入力インターフェイス50に入力される。一方、コントローラ40の出力インターフェイス52からはパルスモータ10、パルスモータ20、レーザビーム照射ユニット34等に制御信号が出力される。図3を参照すると、本発明の加工方法の加工対象となる光デバイスウエーハ11の表面側斜視図が示されている。光デバイスウエーハ11は、サファイア基板17上に窒化ガリウムGaN等のエピタキシャル層半導体層15が積層されて構成されている。光デバイスウエーハ11は、エピタキシャル層15が積層された表面11aと、サファイア基板17が露出した裏面11bとを有している。サファイア基板17は例えば100μmの厚みを有しており、エピタキシャル層15は例えば5μmの厚みを有している。エピタキシャル層15にLED等の複数の光デバイス19が格子状に形成された分割予定ラインストリート17によって区画されて形成されている。光デバイスウエーハ11は、複数の光デバイス19が形成されたデバイス領域21と、デバイス領域21を囲繞する外周余剰領域23とをその表面に有している。光デバイスウエーハ11にレーザ加工を施すのにあたり、図4に示すように、光デバイスウエーハ11の裏面11bが粘着テープであるダイシングテープTに貼着され、ダイシングテープTの外周部は環状フレームFに貼着される。これにより、光デバイスウエーハ11はダイシングテープTを介して環状フレームFに支持された状態となり、レーザ加工時には、光デバイスウエーハ11がダイシングテープTを介してチャックテーブル28に吸引保持され、クランプ30により環状フレームFがクランプされて固定される。本発明のウエーハの加工方法では、まず、撮像手段38で光デバイスウエーハ11の加工領域を撮像して、レーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット34の集光器36と第1の方向に伸長するストリート17との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザビーム照射位置のアライメントを実施する。次いで、チャックテーブル28を90度回転して、第1の方向に直交する第2の方向に伸長するストリート17と集光器28とのアライメントを実施する。アライメント工程実施後、図4に示すように、光デバイスウエーハ11のデバイス領域21の分割予定ライン17に、光デバイスウエーハ11に対して吸収性を有する波長のパルスレーザビームを照射し、チャックテーブル28を矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動させ、第1の方向に伸長するデバイス領域21の分割予定ライン17に沿って分割溝レーザ加工溝25を形成する。集光器36を割り出し送りしながら、第1の方向に伸長するデバイス領域21の全ての分割予定ライン17に沿って同様な分割溝25を形成する。次いで、チャックテーブル28を90度回転してから、第2の方向に伸長するデバイス領域21の全ての分割予定ライン17に沿って同様なパルスレーザビームを照射して、分割溝25を形成する。図5を参照すると、デバイス領域21の全ての分割予定ライン17に沿って分割溝25が形成された状態の光デバイスウエーハ11の斜視図が示されている。本発明第2実施形態の分割溝形成工程では、図6に示すように、デバイス領域21の分割予定ライン17には比較的強い第1のパワーのレーザビームを照射して第1の分割溝25を形成する。そして、分割予定ライン17の延長線上の外周余剰領域23には第1のパワーより弱い第2のパワーのレーザビームを照射して第2の分割溝27を形成する。図6は、デバイス領域21の全ての分割予定ライン17には第1の分割溝25が形成され、外周余剰領域23には第1の分割溝25に連続する第2の分割溝27が形成された状態の斜視図を示している。第2実施形態の分割溝形成工程の具体例は、例えば以下の通りである。直径150mm、厚さ100μmの光デバイスウエーハに以下のレーザ加工条件でレーザ加工を施した。a第1の分割溝形成条件光源:YAGパルスレーザ波長:355nmYAGレーザの第3高調波平均出力:1.5W加工深さ:30μm繰り返し周波数:100kHzスポット径:5μm送り速度:150mm/sb第2の分割溝形成条件光源:YAGパルスレーザ波長:355nmYAGレーザの第3高調波平均出力:0.5W加工深さ:10μm繰り返し周波数:100kHzスポット径:5μm送り速度:150mm/s実施例1と同一条件の光デバイスウエーハに対して以下のレーザ加工条件でレーザ加工を施した。a第1の分割溝形成条件光源:YAGパルスレーザ波長:355nmYAGレーザの第3高調波平均出力:1.5W加工深さ:30μm繰り返し周波数:100kHzスポット径:5μm送り速度:150mm/sb第2の分割溝形成条件光源:YAGパルスレーザ波長:355nmYAGレーザの第3高調波平均出力:1.5W加工深さ:10μm繰り返し周波数:100kHzスポット径:5μm送り速度:350mm/s第1実施形態の分割溝形成工程実施後、図7に示すように、円筒80の載置面上に粘着テープTを介して光デバイスウエーハ11を支持した環状フレームFを載置して、クランプ82で環状フレームFをクランプする。そして、バー形状の分割治具84を円筒80内に配設する。分割治具84は上段保持面86aと下段保持面86bとを有しており、下段保持面86bに開口する真空吸引路88が形成されている。分割治具84の詳細構造は、特許第4361506号公報に開示されている。分割治具84による分割工程を実施するには、分割治具84の真空吸引路88を矢印90で示すように真空吸引しながら、分割治具84の上段保持面86a及び下段保持面86bを下側から粘着テープTに接触させて、分割治具84を矢印A方向に移動する。即ち、分割治具84を分割しようとする分割予定ライン17と直交する方向に移動する。これにより、分割溝25が分割治具84の上段保持面86aの内側エッジの真上に移動すると、分割溝25を有する分割予定ライン17の部分に曲げ応力が集中して発生し、この曲げ応力で光デバイスウエーハ11が分割予定ライン17に沿って割断される。デバイス領域21の分割予定ライン17の延長線上の外周余剰領域23は分割溝を有しない未加工領域となっているが、デバイス領域21の両端部に形成された外周余剰領域23の幅は比較的小さいので、デバイス領域21の分割予定ライン17が割断されるのと同時に外周余剰領域23も分割予定ライン17の概略延長線に沿って割断される。尚、外周余剰領域23にはデバイス19が形成されていないので、外周余剰領域23の割断はその方向性は重要ではない。分割治具84を矢印A方向に移動しながら、第1の方向に伸長する全ての分割予定ライン17に沿って光デバイスウエーハ11を分割する。次いで、分割治具84を90度回転して、或いは円筒80を90度回転して、第1の方向に伸長する分割予定ライン17に直交する第2の方向に伸長する分割予定ライン17を同様に分割する。第2実施形態の分割溝形成工程では、デバイス領域21には加工深さ30μmの第1の分割溝25が形成され、外周余剰領域23には加工深さ10μmの第2の分割溝27が形成されている。第2の分割溝27はその加工深さが10μmで第1の分割溝25の加工深さ30μmに比べて浅いが、第1の分割溝25及び第2の分割溝27が分割治具84の上段保持面86aの内側エッジの真上に移動すると、第1の分割溝25を有する分割予定ライン17の部分及び分割予定ライン17の延長線上の外周余剰領域23の部分に曲げ応力が集中して発生し、この曲げ応力で分割予定ライン17及びその延長線に沿って光デバイスウエーハ11を割断することができる。上述した実施形態においては、本発明の加工方法を光デバイスウエーハ11に適用した例について説明したが、本発明の加工方法は光デバイスウエーハ11に限定されるものではなく、シリコンから形成された通常の半導体ウエーハ、及び化合物半導体ウエーハ等に対しても同様に適用することができる。上述した各実施形態では、分割溝形成工程を光デバイスウエーハ11の表面11a側からレーザビームを照射することにより実施しているが、光デバイスウエーハ11の裏面11b側からレーザビームを照射して分割溝形成工程を実施するようにしてもよい。