レーザシステムおよび前記レーザシステムから出力されるレーザ光を集光する集光光学系と共に用いられるチャンバ装置であって、前記レーザ光を内部へ導入するための入射口を有するチャンバと、前記チャンバに取り付けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給システムと、前記チャンバ内に配置され、前記チャンバ内で前記ターゲット物質に前記レーザ光が照射されて発生した帯電粒子を回収するための回収部と、を備えるチャンバ装置。前記回収部はポーラス材料を含む、請求項1記載のチャンバ装置。前記回収部の少なくとも一部を所定の温度範囲内に維持するための温度調節部をさらに備える、請求項2記載のチャンバ装置。前記温度調節部は、前記回収部を加熱する加熱部と、前記加熱部に電力を供給する電源と、前記回収部の温度を検出する温度センサと、前記温度センサで検出された温度に基づいて前記電源を制御して、前記回収部の少なくとも一部の温度を前記所定の温度範囲内に維持する温度制御部と、を含む、請求項3記載のチャンバ装置。前記所定の温度範囲は、前記ターゲット物質の融点以上の温度であり、かつ前記ターゲット物質と前記ポーラス材料とが反応する温度未満の範囲である、請求項4記載のチャンバ装置。前記回収部の重力方向下部に配置され、前記回収部で回収されたターゲット物質を貯蔵するための回収容器をさらに備える、請求項3記載のチャンバ装置。前記回収部の重力方向下方に離間して配置され、前記回収部で回収されたターゲット物質を貯蔵するための回収容器と、前記回収部と前記回収容器との間に配置され、前記回収部から流出するターゲット物質を前記回収容器まで導くためのドレイン管と、前記ドレイン管を前記ターゲット物質の融点以上の温度に維持するためのドレイン管加熱部と、をさらに備える、請求項3記載のチャンバ装置。前記回収部の前記帯電粒子の入射側に配置されるスパッタ防止部をさらに備える、請求項2記載のチャンバ装置。前記スパッタ防止部は、前記回収部よりも、溶融状態の前記ターゲット物質に対する濡れ性が低い物質で形成される、請求項8記載のチャンバ装置。前記回収部の前記帯電粒子の入射側に凹部が形成され、前記凹部の底部に前記スパッタ防止部が配置され、前記スパッタ防止部は、前記回収部よりも、溶融状態の前記ターゲット物質に対する濡れ性が低い物質で形成される、請求項8記載のチャンバ装置。前記回収部には、該回収部に入射した前記帯電粒子によって発生したスパッタ物がチャンバ内に飛散するのを防止するための飛散防止部が形成される、請求項2記載のチャンバ装置。前記回収部における前記帯電粒子の入射面は、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、グラファイト、ダイヤモンド、酸化珪素、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化タンタルおよび炭素のうち少なくともいずれか1つを含む材料で形成される、請求項1記載のチャンバ装置。前記回収部の少なくとも一部を所定の温度範囲内に維持するための温度調節部をさらに備える、請求項1記載のチャンバ装置。前記温度調節部は、前記回収部を冷却する冷却器と、前記回収部の温度を検出する温度センサと、を備える、請求項13記載のチャンバ装置。前記温度調節部は、前記温度センサで検出された温度に基づいて前記冷却器を制御する、請求項14記載のチャンバ装置。前記回収部における前記帯電粒子の入射面は、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、グラファイト、ダイヤモンド、酸化珪素、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化タンタルおよび炭素のうち少なくともいずれか1つを含む材料で形成される、請求項13記載のチャンバ装置。実施の形態1まず、本開示の実施の形態1によるEUV光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。図1は、本実施の形態1によるEUV光生成装置の概略構成を示す模式断面図である。図1では、EUV集光ミラー12で反射されるEUV光L2の中心軸AXを含む面でEUV光生成装置1を切断した際の断面構成を示す。図1に示すように、EUV光生成装置1は、内部にEUV光の生成空間を画定するチャンバ10を備える。このチャンバ10には、EUV光L2の発生源となるターゲット物質である錫Snを溶融した状態で蓄えるドロップレットジェネレータ13が設けられる。ドロップレットジェネレータ13は、先端の開口がチャンバ10内の所定の位置プラズマ生成サイトP1に向けられたノズル13aを備え、このノズル13aの先端からプラズマ生成サイトP1へ向けてSnのドロップレットDを出力する。このドロップレットジェネレータ13は、たとえば内部圧力を利用して溶融Snを液滴状のドロップレットDとしてノズル13a先端から出力する。ただし、これに限定されず、たとえばノズル13a先端に対向するように溶融Snを引き出すための引出し電極が配置された、いわゆる静電引出し型のドロップレットジェネレータや、引出し電極に加えて引き出したドロップレットDを加速させる加速電極が配置された、いわゆる静電引出し加速型のドロップレットジェネレータなど、種々変形可能である。チャンバ10内に供給されたドロップレットDには、プラズマ生成サイトP1に到着するタイミングに合わせて、外部のドライバレーザから出力されたプラズマ化用のレーザ光L1がチャンバ10に設けられたウィンドウ11を介して集光される。これにより、ドロップレットDがプラズマ生成サイトP1付近でプラズマ化する。プラズマ化したドロップレットDからは、プラズマが脱励起する際に所定の波長の光を含む光が放射される。また、チャンバ10内には、プラズマ生成サイトP1付近で放射された光のうち所定の波長の光であるEUV光L2を選択的に反射するEUV集光ミラー12が配置される。EUV集光ミラー12で反射されたEUV光L2は、EUV光生成装置1と露光機不図示との接続部分である露光機接続部19内の所定の点中間集光点IFに集光され、その後、露光機へ導波される。なお、プラズマ生成サイトP1のドロップレットDには、EUV集光ミラー12の中央に設けられた貫通孔12aを介してレーザ光L1が集光される。また、チャンバ10には、プラズマ生成サイトP1を通過したドロップレットDや、ドロップレットDに対するレーザ光L1の照射によってもプラズマ化しなかったドロップレットDの一部を回収するターゲット回収部14が設けられる。このターゲット回収部14は、たとえばドロップレットジェネレータ13のノズル13a先端とプラズマ生成サイトP1とを結ぶ直線の延長線上、または、ドロップレットDの軌跡がカーブしているのであればその軌跡上に配置される。つづいて、図1に示すEUV光生成装置1の他の断面による概略構成を図2に示す。図2は、図1に示すEUV光生成装置をEUV光の中心軸を含む他の面で切断した際の概略構成を示す模式断面図である。図2に示すように、EUV光生成装置1は、チャンバ10外に配置された磁場生成部15と、チャンバ10内に配置されたデブリ回収部16と、を備える。磁場生成部15は、チャンバ10を挟み込むように配置された一対の電磁石コイル15aよりなる。各電磁石コイル15aのボア中心を結ぶ線は、チャンバ10内のプラズマ生成サイトP1を通る。したがって、磁場生成部15は、中心の磁力線がプラズマ生成サイトP1を通る磁場Bを生成する。この磁場Bは、EUV光生成の際にプラズマ生成サイトP1付近で発生したターゲット物質Snのデブリのうち帯電しているデブリをトラップする。磁場Bにトラップされたデブリは、磁力線に巻きつくように移動することで、イオン流FLを形成する。イオン流FLの流れる先には、デブリ回収部16がそれぞれ配置される。したがって、イオン流FLが磁場Bに沿って流れることで、プラズマ生成サイトP1付近で発生したデブリがデブリ回収部16に回収される。ここで、本実施の形態1によるデブリ回収部16を、図面を参照して詳細に説明する。図3Aは、本実施の形態1によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。図3Aは、磁場Bの磁力線の中心を含む面でデブリ回収部を切断した際の断面構成を示す。図3Bは、図3Aに示すデブリ回収部をイオン流の入射面側から見た概略構成を示す模式図である。図3Aおよび図3Bに示すように、デブリ回収部16は、イオン流FLとして入射したSnのデブリを捕捉する部材として、たとえば円柱状の多孔質部材102を備える。多孔質部材102は、表面に内部の空隙まで連通する無数の開口を備える。したがって、多孔質部材102にイオン流FLとして入射したデブリは、表面の開口から内部の空隙まで毛細管現象により染み込む。これにより、デブリD1が多孔質部材102の内部に捕捉され、貯蔵される。また、デブリ回収部16は、多孔質部材102を温めるヒータ101を備える。ヒータ101は、たとえばチャンバ10の外部に配置された電源108から電流が供給されることで、多孔質部材102をデブリD1であるSnが溶融する温度たとえば232°C以上に温める。これにより、多孔質部材102が常に入射したデブリを捕捉できる状態に保たれる。ただし、多孔質部材102は、多孔質部材102自身の材料とターゲット物質Snとが反応する温度未満に保たれる。たとえばターゲット物質をSnとし、多孔質部材102の材料にCuを用いた場合、SnとCuとは280°C以上で反応するため、多孔質部材102は、280°C未満に保たれる。多孔質部材102の温度制御は、電源108がヒータ101に流す電流を電源108に接続された温度コントローラ109が制御することで行われる。また、多孔質部材102は、デブリである溶融したSnに対してぬれ性が高い材料で形成されていることが好ましい。この材料には、たとえば以下の表1に示すように、アルミニウムAl、銅Cu、シリコンSi、ニッケルNiおよびチタンTiなどがある。このようにぬれ性の高い材料を用いることで、入射したデブリを効率よく多孔質部材102内部へ染み込ませることができる。この結果、多孔質部材102の入射面付近に存在するSnデブリD1を少なくすることが可能となるため、捕捉されたSnデブリD1のイオン流FLによる再スパッタが低減される。以上のような構成を備えることで、本実施の形態1によれば、EUV光L2の生成によって発生したデブリをデブリ回収部16で回収することが可能となるため、デブリがチャンバ10内に配置された要素に付着することでその特性や性能が劣化することを抑制することができる。なお、以上の説明では、デブリ回収部16について説明したが、たとえば同様の構成をターゲット回収部14に対しても適用することが可能である。これにより、プラズマ生成サイトP1を通過したターゲット物質をターゲット回収部14で回収することが可能となるため、ターゲット物質がチャンバ10内に配置された要素に付着することでその特性や性能が劣化することを抑制することができる。実施の形態2つぎに、本開示の実施の形態2によるEUV光生成装置およびデブリ回収部について、図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態2によるEUV光生成装置は、図1および図2に示すEUV光生成装置1と同様の構成において、デブリ回収部16がデブリ回収部216に置き換えられる。その他の構成は、図1および図2に示す構成と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。図4は、本実施の形態2によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。図4では、磁場Bの磁力線の中心を含む面でデブリ回収部を切断した際の断面構成を示す。図4に示すように、デブリ回収部216は、図3に示すデブリ回収部16と同様の構成に加え、多孔質部材102の温度を検出する温度センサ211をさらに備える。温度センサ211で検出された温度は、温度コントローラ109に入力される。温度コントローラ109は、入力された温度に基づいて電源108がヒータ101に流す電流をフィードバック制御する。これにより、多孔質部材102の温度が的確に目的の温度範囲たとえば232°C以上280°C未満内に制御される。その他の構成および動作は、上述した実施の形態1と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。変形例また、図5は、本実施の形態2の変形例によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。上述の実施の形態2で例示した多孔質部材102は、図5のデブリ回収部216Aに示すような、たとえばワイヤやリボン等が3次元的に交差する3次元メッシュ構造を備えたメッシュ部材202に置き換えることも可能である。このメッシュ部材はスパッタ防止部であり、メッシュ部材202は、多孔質部材102と同様に、表面に内部の空隙まで連通する無数の開口を備える。したがって、メッシュ部材202にイオン流FLとして入射したデブリは、表面の開口から内部の空隙まで染み込む。これにより、デブリD1がメッシュ部材202の内部に捕捉され、貯蔵される。なお、多孔質部材102は、3次元メッシュ構造のメッシュ部材202の他に、たとえば数μmの微粒子を焼結させた部材や繊維状の部材を固めた部材など、液状のターゲット物質を毛細管現象等により内部に染み込ませることができる構造の部材であれば、如何なるものに置き換えてもよい。また、多孔質部材をメッシュ部材等に置き換えることは、他の実施の形態およびその変形例についても同様に適用することが可能である。実施の形態3つぎに、本開示の実施の形態3によるEUV光生成装置およびデブリ回収部について、図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態3によるEUV光生成装置は、図1および図2に示すEUV光生成装置1と同様の構成において、デブリ回収部16がデブリ回収部316に置き換えられる。その他の構成は、図1および図2に示す構成と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。図6は、本実施の形態3によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。図6は、磁場Bの磁力線の中心を含む面でデブリ回収部を切断した際の断面構成を示す。図6に示すように、デブリ回収部316は、図4に示すデブリ回収部216と同様の構成において、多孔質部材102のイオン流FLの入射面にメッシュ部材303が設けられている。このメッシュ部材303には、たとえば図5に示すメッシュ部材202と同様の構造の部材を用いることができる。メッシュ部材303にイオン流FLとして入射したデブリは、メッシュ部材303の表面の開口から内部に染み込んだ後、入射面に対して反対側に接触配置された多孔質部材102に染み込む。これにより、デブリD1が多孔質部材102の内部に捕捉され、貯蔵される。なお、メッシュ部材303は、多孔質部材102よりもぬれ性が低いことが好ましい。メッシュ部材303は、たとえば上述の表1に示した、イオン流FLの入射によってスパッタリングされ難い材料を用いて形成されることが好ましい。この材料には、たとえば炭素C、タングステンW、シリコンSi、タングステンカーバイトWC、チタニウムTi、炭化ケイ素SiCおよびアルミニウムAlなどがある。その他の構成および動作は、上述した実施の形態およびその変形例と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。変形例また、図7は、本実施の形態3の変形例によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。上述の実施の形態3で例示したメッシュ部材303は、図7のデブリ回収部316Aに示すような多孔質部材304に置き換えることも可能である。多孔質部材304は、多孔質部材102と同様に、表面に内部の空隙まで連通する無数の開口を備える。したがって、多孔質部材304にイオン流FLとして入射したデブリは、多孔質部材304の表面の開口から内部に染み込んだ後、入射面に対して反対側に接触配置された多孔質部材102に染み込む。これにより、デブリD1が多孔質部材102の内部に捕捉される。また、多孔質部材304は、イオン流FLの入射によってスパッタリングされ難い材料を用いて形成される。なお、多孔質部材304は、多孔質部材102よりもぬれ性が低いことが好ましい。なお、メッシュ部材303および多孔質部材304は、たとえば数μmの微粒子を焼結させた部材や繊維状の部材を固めた部材など、液状のターゲット物質を毛細管現象等により内部に染み込ませることができる構造の部材であれば、如何なるものに置き換えてもよい。また、メッシュ部材303および多孔質部材304のイオン流FLの入射方向の厚さは数十μmでもよい。イオン流FLの入射面にメッシュ部材303または多孔質部材304を設けることは、他の実施の形態およびその変形例についても同様に適用することが可能である。実施の形態4つぎに、本開示の実施の形態4によるEUV光生成装置およびデブリ回収部について、図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態4によるEUV光生成装置は、図1および図2に示すEUV光生成装置1と同様の構成において、デブリ回収部16がデブリ回収部416に置き換えられる。その他の構成は、図1および図2に示す構成と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。図8は、本実施の形態4によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。図8では、磁場Bの磁力線の中心を含む面でデブリ回収部を切断した際の断面構成を示す。図8に示すように、デブリ回収部416は、図4に示すデブリ回収部216と同様の構成において、多孔質部材102が多孔質部材402に置き換えられている。多孔質部材402は、たとえば図4に示す多孔質部材102と同様の部材を用いることができる。ただし、多孔質部材402は、イオン流FLの入射面に、たとえばイオン流FLの入射断面よりも広く開口されたカップ状のポケット411を備える。このように、イオン流FLの入射面にイオン流FLを受けるカップ状のポケット411が設けられることで、イオン流FLの入射によって発生したスパッタ物が、ポケット411の側面で捕捉される。これにより、スパッタ物がチャンバ10内へ飛散することを防止できる。その他の構成および動作は、上述した実施の形態およびその変形例と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。変形例1また、図9は、本実施の形態4の変形例1によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。上述の実施の形態4で例示した多孔質部材402は、図9に示すデブリ回収部416Aのように、多孔質部材402aに置き換えることも可能である。多孔質部材402aでは、多孔質部材402におけるカップ状のポケット411が、円錐台形状のポケット412に置き換えられている。このように、側面がイオン流FLの入射に対して斜めに傾斜していることで、個々のデブリによって側面が受ける単位面積当たりのSnの衝突密度を低減することが可能となる。この結果、イオン流FLの入射による再スパッタを低減することが可能となる。変形例2また、図10は、本実施の形態4の変形例2によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。上述の多孔質部材402または402aは、図10に示すデブリ回収部416Bのように、多孔質部材402bに置き換えることも可能である。多孔質部材402bでは、たとえば多孔質部材402におけるカップ状のポケット411が、イオン流FLの入射面に位置し、たとえばイオン流FLの入射断面よりも幅広の開口部413と、イオン流FLの入射面よりも多孔質部材402bの内部に位置し、開口部413と連続し且つ開口部413よりも幅広の空洞部414と、に置き換えられている。このように、多孔質部材402bの内部に開口部413よりも幅広い空間空洞部414を設けることで、イオン流FLの入射により発生したスパッタ物がチャンバ10内に飛散することをより確実に防止することが可能となる。実施の形態5つぎに、本開示の実施の形態5によるEUV光生成装置およびデブリ回収部について、図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態5によるEUV光生成装置は、図1および図2に示すEUV光生成装置1と同様の構成において、デブリ回収部16がデブリ回収部516に置き換えられる。その他の構成は、図1および図2に示す構成と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。図11は、本実施の形態5によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。図11では、磁場Bの磁力線の中心を含む面でデブリ回収部を切断した際の断面構成を示す。図11に示すように、デブリ回収部516は、図8に示すデブリ回収部416と同様の構成において、カップ状のポケット411の底部、すなわちイオン流FLの入射面に、メッシュ部材511が設けられている。このメッシュ部材511には、たとえば図6に示すメッシュ部材303と同様の構造の部材を用いることができる。したがって、メッシュ部材511にイオン流FLとして入射したデブリは、メッシュ部材511の表面の開口から内部に染み込んだ後、入射面に対して反対側に接触配置された多孔質部材402に染み込む。これにより、デブリD1が多孔質部材402の内部に捕捉され、貯蔵される。なお、メッシュ部材511は、多孔質部材402よりもぬれ性が低いことが好ましい。その他の構成および動作は、上述した実施の形態およびその変形例と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。変形例1また、図12は、本実施の形態5の変形例1によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。本変形例1によるデブリ回収部516Aは、図9に示すデブリ回収部416Aと同様の構成に加え、図11に示すデブリ回収部516と同様に、円錐台形状のポケット412の底部、すなわちイオン流FLの入射面に、メッシュ部材511が設けられている。したがって、メッシュ部材511にイオン流FLとして入射したデブリは、メッシュ部材511の表面の開口から内部に染み込んだ後、入射面に対して反対側に接触配置された多孔質部材402aに染み込む。これにより、デブリD1が多孔質部材402aの内部に捕捉される。なお、メッシュ部材511は、多孔質部材402aよりもぬれ性が低いことが好ましい。変形例2また、図13は、本実施の形態5の変形例2によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。本変形例2によるデブリ回収部516Bは、図10に示すデブリ回収部416Bと同様の構成に加え、図11に示すデブリ回収部516および図12に示すデブリ回収部516Aと同様に、多孔質部材402b内の空洞部414におけるイオン流FLの入射面に、メッシュ部材511が設けられている。したがって、メッシュ部材511にイオン流FLとして入射したデブリは、メッシュ部材511の表面の開口から内部に染み込んだ後、入射面に対して反対側に接触配置された多孔質部材402bに染み込む。これにより、デブリD1が多孔質部材402bの内部に捕捉される。なお、メッシュ部材511は、多孔質部材402bよりもぬれ性が低いことが好ましい。実施の形態6つぎに、本開示の実施の形態6によるEUV光生成装置およびデブリ回収部について、図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態6によるEUV光生成装置は、図1および図2に示すEUV光生成装置1と同様の構成において、デブリ回収部16がデブリ回収部616に置き換えられる。その他の構成は、図1および図2に示す構成と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。図14Aは、本実施の形態6によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。図14Aでは、磁場Bの磁力線の中心を含む面でデブリ回収部を切断した際の断面構成を示す。図14Bは、図14Aに示すデブリ回収部をイオン流の入射面側から見た概略構成を示す模式図である。図14Aおよび図14Bに示すように、デブリ回収部616は、円板状の多孔質部材602と、多孔質部材602に対してイオン流FLが入射する面に設けられた円板状のメッシュ部材603と、を備える。多孔質部材602には、たとえば図4に示す多孔質部材102と同様の部材を用いることができる。また、メッシュ部材603には、たとえば図6に示すメッシュ部材303と同様の構造の部材を用いることができる。したがって、メッシュ部材603にイオン流FLとして入射したデブリは、メッシュ部材603の表面の開口から内部に染み込んだ後、入射面に対して反対側に接触配置された多孔質部材602に染み込む。これにより、デブリD1が多孔質部材602の内部に捕捉される。なお、メッシュ部材603は、多孔質部材602よりもぬれ性が低いことが好ましい。また、多孔質部材602の代わりに、板材を用いてもよい。この板材は、溶融したデブリに対してぬれ性が低いことが好ましい。また、デブリ回収部616は、多孔質部材602およびメッシュ部材603を、デブリであるSnが溶融する温度以上に温めるヒータ601を備える。したがって、多孔質部材602およびメッシュ部材603は、温度コントローラ109が、温度センサ211で検出された温度に基づいて電源108からヒータ601に流れる電流を制御することで、的確に目的の温度範囲たとえばSnの融点232°C以上内に制御される。多孔質部材602およびメッシュ部材603がSnの融点以上に温度調節されると、主に多孔質部材602内部に捕捉されたSnデブリD1は、溶融の状態を保つため、重力方向図面中下方向に向かって流れる。多孔質部材602およびメッシュ部材603の下方には、少なくともメッシュ部材603との接続部分が開口した回収容器610が設けられる。多孔質部材602およびメッシュ部材603から下方へ流れる溶融Snは、回収容器610に流れ込む。これにより、多孔質部材602およびメッシュ部材603に捕捉されたデブリD1が、デブリD2として回収容器610内に貯蔵される。このように、デブリD1を捕捉するユニットとは別にデブリD2を蓄えるユニットを設けることで、たとえば多孔質部材またはメッシュ部材の内部にSnデブリD1を貯蔵する場合と比較して、より多くのSnを貯蔵しておくことが可能となる。この結果、メンテナンスの回数を低減することができる。また、メッシュ部材603のぬれ性をたとえば多孔質部材602のぬれ性よりも低くすることで、回収容器610への溶融Snの流込みをスムーズにすることができる。なお、回収容器610には、内部のSnが溶融する温度に保つヒータ611が設けられてもよい。回収容器610をSnの溶融温度に保つことで、回収容器610内でのSnを液体に保ち容積効率を向上できる。その他の構成および動作は、上述した実施の形態およびその変形例と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。変形例1また、図15は、本実施の形態6の変形例1によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。本変形例1によるデブリ回収部616Aは、図14Aおよび図14Bに示すデブリ回収部616と同様の構成に加え、メッシュ部材603の入射面に、たとえばイオン流FLの入射断面よりも幅広の開口613が開口された円筒状の多孔質部材612を備える。このように、イオン流FLの入射面にイオン流FLを受ける円筒状の多孔質部材612を設けることで、イオン流FLの入射によって発生したスパッタ物が、多孔質部材612の開口内部の側面で捕捉される。これにより、スパッタ物がチャンバ10内へ飛散することを防止できる。図14Aおよび図14Bのデブリ回収部616におけるヒータ601は、多孔質部材602およびメッシュ部材603に加えて多孔質部材612を温めることが可能なヒータ601aに置き換えられてもよい。変形例2また、図16は、本実施の形態6の変形例2によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。本変形例2によるデブリ回収部616Bは、図14Aおよび図14Bに示すデブリ回収部616と同様の構成において、回収容器610がチャンバ10外に配置される。多孔質部材602およびメッシュ部材603と回収容器610との間には、多孔質部材602およびメッシュ部材603の下方から流れ出した溶融Snを回収容器610に導くためのドレイン管620が設けられる。このドレイン管620は、たとえばヒータ621によってSnの融点232°C以上に温められる。このような構成によれば、他の構成要素による占積制約の多いチャンバ10内に回収容器610を配置する必要がなくなる。したがって、大容量の回収容器610をチャンバ10外に設けることが可能となる。結果として、メンテナンスの回数を低減できる。変形例3また、図17は、本実施の形態6の変形例3によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。本変形例3によるデブリ回収部616Cは、図14Aおよび図14Bに示すデブリ回収部616と同様の構成において、回収容器610が、多孔質部材602およびメッシュ部材603から分離した回収容器630に置き換えられている。回収容器630は、チャンバ10の内壁面において多孔質部材602およびメッシュ部材603の下方に取り付けられる。多孔質部材602およびメッシュ部材603で捕捉されたデブリD1溶融Snは、主にメッシュ部材603から流れ出し、下方にある回収容器630にデブリD2として回収される。このような構成によれば、チャンバ10内から回収容器630のみを取り出せばよいため、メンテナンスの手間を低減することが可能となる。実施の形態7つぎに、本開示の実施の形態7によるEUV光生成装置およびデブリ回収部について、図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態7によるEUV光生成装置は、図1および図2に示すEUV光生成装置1と同様の構成において、デブリ回収部16がデブリ回収部716に置き換えられる。その他の構成は、図1および図2に示す構成と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。図18Aは、本実施の形態7によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。図18Aでは、磁場Bの磁力線の中心を含む面でデブリ回収部を切断した際の断面構成を示す。図18Bは、図18Aに示すデブリ回収部をイオン流FLの入射面側から見た概略構成を示す模式図である。図18Aおよび図18Bに示すように、デブリ回収部716は、縦長な板状の多孔質部材702を備える。多孔質部材702には、たとえば図4に示す多孔質部材102と同様の部材を用いることができる。多孔質部材702の長手方向における一方の端は、半円形状をしており、重力方向における上方に配置される。多孔質部材702における半円形状の部分を含む一部は、温度コントローラ109に接続された温度センサ211および電源108に接続されたヒータ701が設けられ、温度センサ211で検出された温度に基づいて目的の温度範囲たとえば232°C以上280°C未満内の温度となるようにフィードバック制御される。したがって、多孔質部材702に捕捉されたSnのデブリD1は、溶融した状態を維持しつつ、重力方向の下方へ流れる。多孔質部材702における重力方向下方に配置される他方の端は、ヒータ701から下方へ突出する。この突出した部分は、多孔質部材702の上方で捕捉されたSnを貯蔵する貯蔵部702aとして機能する。この貯蔵部702aは、ヒータ701によって直接温められないため、Snの融点より低い温度となる。したがって、多孔質部材702の上方から流れ落ちてきた溶融Snは、貯蔵部702aに流れ込んだ後に冷やされて固化する。これにより、Snが貯蔵部702aにデブリD3として貯蔵される。その他の構成および動作は、上述した実施の形態およびその変形例と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。実施の形態8また、上述の実施の形態では、デブリ回収部におけるイオン流FLの入射部分を、多孔質部材やメッシュ部材などのデブリを液体として浸透させる部材で構成した。しかし、本開示は、これに限定されるものではない。たとえば、イオン流FLの入射部分にデブリを浸透させない部材を配置してもよい。この部材は、溶融したデブリに対して濡れ性の低い材料で形成されていることが好ましい。以下、この場合を実施の形態8として、図面を参照して詳細に説明する。ただし、以下の説明では、上述した実施の形態6の変形例2によるデブリ回収部をベースとする。また、上述した実施の形態およびその変形例のいずれに対しても本実施の形態8を適用することは可能である。図19Aは、磁場Bの磁力線の中心と重力方向とを含む面でデブリ回収部を切断した際の断面構成を示す。図19Bは、図19Aに示すデブリ回収部をイオン流の入射面側から見た概略構成を示す。図19Aおよび図19Bに示すように、本実施の形態8によるデブリ回収部816は、図16に示すデブリ回収部616Bと同様の構成を備える。ただし、デブリ回収部816は、多孔質部材602およびメッシュ部材603図16参照の代わりに、板材802を備える。板材802は、たとえばホルダ801に保持されている。また、板材802の表面には、被膜803が形成されている。板材802には、熱伝導率が高い、たとえば銅などの金属材料、または、SiC等のセラミック材料を用いるのが好ましい。被膜803には、たとえば溶融したデブリに対するぬれ性が低く、かつ、対スパッタリング性に優れた材料が用いられるのが好ましい。また、被膜803の材料はデブリ本実施の形態ではSnとの反応性が低いことが好ましい。さらに、デブリをクリーニングするために水素等の反応性ガスをチャンバ10内に導入する場合は、被膜803の材料と反応性ガスとの反応性が低いことが好ましい。このような材料には、SiCやカーボンCなどが挙げられる。材料にSiCを用いた場合には、CVDChemicalVaporDepositionを用いて被膜803を形成することができる。また、被膜803の表面は、成膜したのみで研磨されていないか、ある程度荒いことが好ましい。また、デブリ回収部816の温度は、イオン流FLの衝突によって上昇する。被膜803の表面は、デブリであるSnが溶融する温度以上であることが好ましい。しかしながら、必要以上に温度が高すぎると、表面に付着したSnがスパッタリングされ易くなる場合がある。このため、被膜803の表面温度は、所定の範囲内に収まるように調節されることが好ましい。そこで本実施の形態8では、図19Aおよび図19Bに示すように、デブリ回収部816に冷却器808を設ける。冷却器808には、冷却されたシリコン油や有機化合物液体などの冷却媒体が流れる管809が連結されている。管809の一部は、板材802の内部または裏面を通るように配管されている。この管809に冷却器808で冷却された冷却媒体を流すことで、被膜803表面の温度が高くなりすぎないように、板材802を冷却することができる。なお、この冷却器808および管809は、上述したいずれの実施の形態に対しても適用することができる。温度コントローラ109は、温度センサ211で検出された温度がたとえば予め設定しておいた第1の閾値温度を超えると、冷却器808を駆動することで、管809内に冷却された冷却媒体を送り出す。これにより、板材802が冷却される。結果として、板材802表面に形成された被膜803が冷却される。管809内への冷却媒体の送出は、たとえば温度センサ211で検出された温度が予め設定しておいた第2の閾値温度を下回るまで継続される。なお、第2の閾値温度<第1の閾値温度は、たとえばターゲット物質Snの溶融温度とすることができる。なお、冷却器808に代えて、加熱冷却が可能な恒温サーキュレータ等を用いてもよい。以上のような構成および動作を備えることで、本実施の形態8では、イオン流FLが衝突する被膜803の表面温度がデブリSnの溶融温度以上に保たれる。また、被膜803の表面は、溶融したデブリに対するぬれ性が低い。このため、被膜803表面に付着したデブリは、溶融した状態で自重により重力方向下方へ流れる。デブリの流れた先には、図16に示す構成と同様に、ドレイン管620が設けられている。ドレイン管620の先には、回収容器610が設けられている。したがって、重力方向下方へ流れるデブリは、ドレイン管620を通って回収容器610に回収される。その他の構成および動作は、上述した実施の形態およびその変形例と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。実施の形態9つづいて、実施の形態8で例示した被膜803の材料について、以下により具体的に説明する。なお、実施の形態8における板材802を、以下に例示するような濡れ性の低い材料で形成してもよい。この場合、板材802の表面には、被膜803を形成しなくともよい。すなわち、デブリの入射面に、以下に例示するような濡れ性の低い材料が配置されていればよい。上述の実施の形態8において触れたように、被膜803には、たとえば溶融したデブリに対するぬれ性が低く、かつ、耐スパッタリング性に優れた材料が用いられるのが好ましい。一般に、接触角度θが0°<θ≦90°の材料は、浸漬濡れの特性を備える。そのため、そのような材料で被膜803を形成した場合、被膜803の表面に付着したデブリは、被膜803内に浸漬して沈み込む。一方、接触角度θがθ>90°の材料は、付着濡れの特性を備える。そのため、そのような材料で被膜803を形成した場合、被膜803の表面に付着したデブリは、濡れが進行しないまま、被膜803の表面に留まる。濡れが進行しないので、付着したデブリはやがて自重により重力方向下方へ移動する。以下の表2に、上述の実施の形態において例示したデブリである溶融Snに対する接触角度と材料との関係を示す。表2を参照すると明らかなように、炭化珪素SiC、窒化珪素SiN、酸化アルミニウムAl2O3、酸化ジルコニウムZrO3、グラファイト、ダイヤモンド、酸化珪素SiOxおよび酸化モリブデンMoOxは、接触角度がθ>90°であり、溶融Snに対する濡れ性が低い。そのため、これらの材料は、被膜803および板材802の材料として好適であろう。また、上記表2に例示する材料以外にも、モリブデンMo、タングステンWおよびタンタルTaは、酸化処理することによって溶融Snに対する濡れ性が低くなる。そのため、これらの材料も、被膜803および板材802の材料として好適であろう。次に、溶融Snと各種材料との反応性について、以下に述べる。一般に、高融点材料であるタングステンW、タンタルTa、モリブデンMoなどは、Snに対して安定した特性を備える。すなわち、これらの材料は、Snとの反応性が低い。また、炭化珪素SiC、窒化珪素SiN、酸化アルミニウムAl2O3、酸化ジルコニウムZrOタングステン、グラファイト、ダイヤモンド、酸化珪素SiOxおよび酸化モリブデンMoOxは、溶融Snに対して安定した特性を備える。すなわち、これらの材料は、溶融Snとの反応性が低い。さらに、酸化タングステンWO3および酸化タンタルTa2O5に関しても、溶融Snに対して安定した特性を備える。すなわち、これらの材料は、溶融Snとの反応性が低い。以上のことから、炭化珪素SiC、窒化珪素SiN、酸化アルミニウムAl2O3、酸化ジルコニウムZrO3、グラファイト、ダイヤモンド、酸化珪素SiOx、酸化モリブデンMoOx、酸化タングステンWO3または酸化タンタルTa2O5を、被膜803および板材802の材料とするとよい。あるいは、これらの材料のうち1つ以上を含む材料を、被膜803および板材802の材料とするとよい。また、デブリに対するスパッタ率が低いという観点からは、炭素Cを被膜803および板材802の材料とすることも考え得る。なお、上述において例示したような濡れ性の低い材料は、上述の実施の形態1~7で例示した各デブリ回収部16、216、216A、316、316A、416、416A、416B、516、516A、516B、616、616A、616B、616C、716、816におけるデブリが入射する部分に対しても適用することが可能である。なお、デブリが入射する部分とは、たとえば、デブリの回収部である、多孔質部材102、メッシュ部材202、多孔質部材402、多孔質部材402a、多孔質部材402b、多孔質部材602および多孔質部材702、または、これらの回収部のスパッタを防止するためのスパッタ防止部である、メッシュ部材303、多孔質部材304、メッシュ部材511、メッシュ部材603および多孔質部材612である。上記実施の形態およびその変形例は本開示を実施するための例にすぎず、本開示はこれらに限定されるものではなく、仕様等に応じて種々変形することは本開示の範囲内であり、更に本開示の範囲内において、他の様々な実施の形態が可能であることは上記記載から自明である。例えば各実施の形態に対して適宜例示した変形例は、他の実施の形態に対して適用することも可能であることは言うまでもない。1EUV光生成装置10チャンバ11ウィンドウ12EUV集光ミラー12a貫通孔13ドロップレットジェネレータ13aノズル14ターゲット回収部15磁場生成部15a電磁石コイル16、216、216A、316、416、416A、416B、516、516A、516B、616、616A、616B、616C、716、816デブリ回収部19露光機接続部101、601、601a、611、621、701ヒータ102、304、402、402a、402b、602、612、702多孔質部材108電源109温度コントローラ202、303、511、603メッシュ部材211温度センサ411、412ポケット413開口部414空洞部610、630回収容器613開口620ドレイン管702a貯蔵部801ホルダ802板材803被膜808冷却器809管AX中心軸B磁場DドロップレットD1、D2、D3デブリFLイオン流IF中間集光点L1レーザ光L2EUV光P1プラズマ生成サイト