"平板状の胴体部とこれに直交する脚部を有するL字型の導電板と、前記胴体部を対向して配置した2個の前記導電板の前記胴体部間それぞれが積層して固着する半導体チップおよびスペーサと、前記半導体チップの制御電極と一端が接続する制御端子と、前記導電板の胴体部、前記スペーサ、前記半導体チップおよび制御端子の前記制御電極との接続側を封止する樹脂とを具備し、前記導電板の前記脚部と前記制御端子の他端が前記樹脂から突出することを特徴とする半導体ユニット。前記請求項1の半導体ユニットと、該半導体ユニットの前記脚部の下面と絶縁層を挟んで固着する放熱板と、前記半導体ユニットの前記脚部に接続する外部導出端子と、少なくとも前記半導体ユニットの前記脚部の下面を絶縁層を挟んで固着する放熱板と、前記放熱板に固着し、前記半導体ユニット、および前記外部導出端子とを収納し前記外部導出端子の先端および前記制御端子の先端が突出する筐体と、該筐体内に充填される絶縁材と、を具備することを特徴とする半導体装置。前記外部導出端子は、内部接続導体を介して前記半導体ユニットの脚部に接続されることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。複数の前記請求項1の半導体ユニットと、該複数の半導体ユニットの前記脚部間を接続する配線導体と、前記複数の半導体ユニット前記脚部に接続する外部導出端子と、前記脚部の下面,前記配線導体の下面,前記外部導出端子の下面の少なくとも1つを、絶縁層を挟んで固着する放熱板と、該放熱板に固着し、前記半導体ユニット、前記配線導体、前記外部導出端子と、を収納し前記外部導出端子の先端および前記制御端子の先端が突出する筐体と、該筐体内に充填される絶縁材と、を具備することを特徴とする半導体装置。前記外部導出端子は、内部接続導体を介して前記半導体ユニットの脚部または前記配線導体に接続されることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。前記配線導体の一部を延長して、前記筐体より突出させて外部に導出することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。前記筐体上に配置され前記半導体ユニットの制御端子と接続するドライブ基板を有することを特徴とする請求項2または4に記載の半導体装置。前記筐体上部を覆う蓋と、前記筐体内に配置され前記絶縁材に浸漬し前記半導体ユニットの制御端子と接続するドライブ基板と、該ドライブ基板に固着し前記蓋から突出する制御導体とを有することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。前記絶縁材がゲルであることを特徴とする請求項2~8のいずれか一項に記載の半導体装置。前記半導体チップがIGBTチップと該IGBTチップと逆並列に接続するFWDチップであることを特徴とする請求項1に記載の半導体ユニット。前記外部導出端子が、インバータを構成するP端子、N端子もしくはM端子であることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。前記外部導出端子は、前記筐体内において、互いに離して上下に配置されることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。前記半導体ユニットの脚部と前記外部導出端子をレーザー溶接によって固着することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記半導体ユニットの脚部と、前記外部導出端子並びに前記配線導体をレーザー溶接で固着することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。第1の従来例においては、IGBTチップ56の上面のエミッタ電極57と放熱板54上に設けた絶縁性中継基板63aとを平板状の金属で構成された放熱部材67で接合している。そして、IGBTチップ56が発する熱を、放熱部材67を経由し、絶縁性中継基板63aを介して放熱板54へ伝達している。このため、図18に矢印Aで示すように、放熱部材67を絶縁性中継基板63aに接合するための面積が必要になる。このように、伝熱面積を確保する必要があるため、モジュールが大型化してしまうという問題がある。また、コレクタ電極と外部導出端子を接続するために、アルミワイヤを使用している。アルミワイヤによって接続される2箇所の間は、アルミワイヤ及びアルミワイヤの接合部にストレスが生じないように、図18に矢印Bで示す距離が必要になる。この距離を確保するためモジュールが大型化してしまうという問題がある。また、主電流をアルミワイヤに流すことになるため、主電流の電流密度を増大させることが困難になる。電流容量を確保するためには、アルミワイヤの本数を増加させる必要があるが、アルミワイヤの配線箇所が多くなって製造工数がかかってしまう。また、多くのアルミワイヤを接続するための領域を確保する必要があるため、モジュールが大型化してしまうという問題がある。さらに、IGBTチップ56を制御するためには制御信号の入力が必要である。このため、図示しない制御ピンブロックが筐体の側壁に設けているため、ブロックを配置するための面積が必要になり、モジュールの小型化が困難になる。また、特許文献2では、半導体モジュールの内部構成については記載されていない。また、この半導体素子はこれ自体では使用することが出来ず、使用する場合には冷却体を半導体素子の両面に設置する必要があり電力変換装置例えば、3相のインバータなどとしては大型化する。前記の特許文献1および特許文献2では、半導体素子を両面から導電板で挟み、樹脂成型して、L字型に曲げた導電板の脚部を冷却体に取り付けて半導体素子を冷却する構成については記載されていない。この発明の目的は、前記の課題を解決して、良好な放熱性能を有する小型の半導体ユニットおよびこの半導体ユニットを用いた半導体装置を提供することにある。前記の目的を達成するために、特許請求の範囲の請求項1に記載の発明によれば、平板状の胴体部とこれに直交する脚部を有するL字型の導電板と、前記胴体部を対向して配置した2個の前記導電板の前記胴体部間にそれぞれが積層して固着する半導体チップおよびスペーサと、前記半導体チップの制御電極と一端が接続する制御端子と、前記導電板の胴体部、前記スペーサ、前記半導体チップおよび制御端子の前記制御電極との接続側を封止する樹脂とを具備し、前記導電板の前記脚部と前記制御端子の他端が前記樹脂から突出する構成の半導体ユニットとする。また、特許請求の範囲の請求項2記載の発明によれば、前記請求項1の半導体ユニットと、前記半導体ユニットの前記脚部に接続する外部導出端子と、該半導体ユニットの前記脚部の下面または前記外部導出端子の下面を絶縁層を挟んで固着する放熱板と、前記放熱板に固着し、前記半導体ユニット、および前記外部導出端子とを収納し前記外部導出端子の先端および前記制御端子の先端が突出する筐体と、該筐体内に充填される絶縁材と、を具備する構成の半導体装置とする。また、特許請求の範囲の請求項3記載の発明によれば、請求項2に記載の発明において、前記外部導出端子は、内部接続導体を介して前記半導体ユニットの脚部に接続される構成とすると良い。また、特許請求の範囲の請求項4記載の発明によれば、複数の前記請求項1の半導体ユニットと、該複数の半導体ユニットの前記脚部間を接続する配線導体と、前記複数の半導体ユニット前記脚部に接続する外部導出端子と、前記脚部の下面,前記配線導体の下面,前記外部導出端子の下面の少なくとも1つを、絶縁層を挟んで固着する放熱板と、該放熱板に固着し、前記半導体ユニット、前記配線導体、前記外部導出端子と、を収納し前記外部導出端子の先端および前記制御端子の先端が突出する筐体と、該筐体内に充填される絶縁材と、を具備する構成の半導体装置とする。また、特許請求の範囲の請求項5記載の発明によれば、請求項4に記載の発明において、前記外部導出端子は、内部接続導体を介して前記半導体ユニットの脚部または前記配線導体に接続される構成とするとよい。また、特許請求の範囲の請求項6記載の発明によれば、請求項4に記載の発明において、前記配線導体の一部を延長して、前記筐体より突出させて外部に導出する構成とするとよい。また、特許請求の範囲の請求項7に記載の発明によれば、請求項2または4に記載の発明において、前記筐体上に配置され前記半導体ユニットの制御端子と接続するドライブ基板を有する構成とするとよい。また、特許請求の範囲の請求項8に記載の発明によれば、請求項4に記載の発明において、前記筐体上部を覆う蓋と、前記筐体内に配置され前記絶縁材に浸漬し前記半導体ユニットの制御端子と接続するドライブ基板と、該ドライブ基板に固着し前記蓋から突出する制御導体とを有するとよい。また、特許請求の範囲の請求項9に記載の発明によれば、請求項2~8のいずれか一項に記載の発明において、前記絶縁材がゲルであるとよい。また、特許請求の範囲の請求項10に記載の発明によれば、請求項1に記載の発明において、前記半導体チップがIGBTチップと該IGBTチップと逆並列に接続するFWDチップであるとよい。また、特許請求の範囲の請求項11に記載の発明によれば、請求項4に記載の発明において、前記外部導出端子がインバータを構成するP端子、N端子もしくはM端子となる。また、特許請求の範囲の請求項12に記載の発明によれば、請求項4に記載の発明において、前記外部導出端子は、前記筐体内において、互いに離して上下に配置されるが互いに離して上下に配置されるとよい。また、特許請求の範囲の請求項13に記載の発明によれば、請求項2に記載の発明において、前記半導体ユニットの脚部と前記外部導出端子をレーザー溶接によって固着するとよい。また、特許請求の範囲の請求項14に記載の発明によれば、請求項4に記載の発明において、前記半導体ユニットの脚部と、前記外部導出端子並びに前記配線導体をレーザー溶接で固着するとよい。この発明によれば、半導体ユニットにおいて、2枚の導電板で半導体チップを挟み込む構造とすることで、半導体チップから発生する熱をチップの両面から放熱できてこの半導体ユニットを用いた半導体装置の放熱性能を向上することができる。また、導電板を平板状の胴体部とこれに直交する脚部を有するL字型に構成し、この胴体部にて半導体チップを挟み込み、導電板の脚部から放熱板に熱を逃がすため、半導体ユニットの放熱板に占める面積が小さくなり、半導体装置の小型化を図ることができる。放熱板を冷却体に代えることで、さらに放熱効率を高めることができる。半導体チップに流れる主電流を導電板で流すために、大電流を通電できる半導体装置にすることができる。また、本発明の半導体ユニットを複数個用いて電力変換装置に相当する半導体装置パワー半導体モジュールを製造することで、電力変換装置を容易に小型化できる。実施の形態を以下の実施例で説明する。<実施例1>図1は、この発明の第1実施例の半導体ユニット100の外形図であり同図aは正面図、同図bは左側面図、同図cは右側面図、同図dは上面図、同図eは下面図である。図2は、図1の半導体ユニット100の断面図である。図2aは図1bのX-X線で切断した断面を矢印の方向に見た矢視断面図である。同じく図2bは、図1aのY-Y線で切断した断面を矢印の方向にみた矢視断面図である。この半導体ユニット100には、一対のL字型の導体板を用いている。この導体板は、平板状の胴体部と胴体部に連続してかつ直交する脚部を有したL字形状をしている。L字型の導体板であるコレクタ導電板1には、IGBTチップ6の図示しないコレクタ電極が半田8によって半田付けされる。また、同じくL字型の導体板であるエミッタ導体板2には、IGBTチップ6の図示しないエミッタ電極に一方の面が半田8によって接合されたスペーサ7の他面が半田8によって半田付けされるさらにコレクタ導電板1には、IGBTチップ6に隣接して、FWDチップ9の図示しないカソード電極も半田8によってはんだ付け付けされる。また、同じく導体板2には、FWDチップ9の図示しないアノード電極に一方の面が半田8によって接合されたスペーサ10の他面が半田8によってはんだ付けされる。そして、IGBTチップ6の制御電極にはワイヤ4で制御端子3が接続され、これらを樹脂5にて封止して、半導体ユニット100を構成する。L字型のコレクタ導電板1およびL字型のエミッタ導電板2は、IGBTチップ6,FWDチップ9を挟みこむ平板状の胴体部以下、胴体部という1a,2aと、外部に導出される脚部1b,2bから構成される。脚部1b,2bは胴体部1a,2aの端部に連続してこれに直交している。脚部1b,2bは、樹脂5から露出突出している。ここで、脚部1b,2bは平板状の導電板の一端を直角に折り曲げて形成してもよい。導体ユニット100の脚部1b,2bを図示しない回路基板へ実装する。したがって、脚部1b,2bによって、図示しない回路基板へ電気的に接続されるとともに、脚部1b,2bを介して、IGBTチップ6,FWDチップ9で発生した熱を図示しない放熱板や冷却フィンに伝導させる。また、制御端子3はゲート端子、補助エミッタ端子、温度センサー端子および電流検知端子などで構成され、IGBTチップ6の制御電極図示せずとワイヤ4で接続し、樹脂5により固定される。また、この制御端子3は樹脂5の上面からそれぞれ突出している。前記のL字型のコレクタ導電板1およびL字型のエミッタ導電板2の厚さTはそれぞれ1mm~5mm程度であり、また脚部の長さDはそれぞれ1cm~2cm程度である。前記の半田8付けはAgペーストなどの導電接着剤を用いてもよい。また、L字型のコレクタ導電板1、L字型のエミッタ導電板2および制御端子3はリードフレームを用いて形成されることが多い。IGBTチップ6,FWDチップ9は扁平な形状をしており、半導体ユニット100の回路基板等への実装面に対して、扁平な面が垂直となる方向に配置される。また、制御端子3を樹脂5の上部から引き出している。このため、半導体ユニット100の脚部1b,2bの両端部の幅Wを小さくできる。パワー半導体素子を、絶縁基板上に並べて配置していた図17の構成に比べると、実装面積を大幅に縮小することができる。また、半導体ユニット100は、脚部1b,2bを図示しない回路基板へ実装することにより、回路基板に対し電気的熱的に接続されている。したがって、IGBTチップ6,FWDチップ9が発する熱を、脚部1b,2bから図示しない放熱板や冷却フィンに伝導させる。このため、第2の従来例のごとく、冷却体を半導体ユニット100の両面に介挿する必要がなく、高い信頼性を確保しながら各種電力変換装置に使用可能である。また、この半導体ユニット100では、IGBTチップ6とFWDチップ9の2個のチップで構成される例を示したが、例えば、IGBTチップ6とFWDチップ9をそれぞれ別体の半導体ユニットとして構成してもよい。なお、半導体ユニット100にIGBTチップ6とFWDチップ9を配置する際、図1に示すように、半導体ユニット100の実装面に対して水平な方向に並べて配置されている。このように配置することにより、IGBTチップ6,FWDチップ9から、放熱面脚部1b,2bの実装面までの距離がほぼ等しくなり、均等な放熱を図ることができる。また、図示は省略するが、IGBTチップ6とFWDチップ9を半導体ユニット100の実装面に対して垂直な方向に並べて扁平な面も実装面に垂直に配置してもよい。この場合は、半導体ユニットを実装する際の面積をより縮小することができる。図3は、図1の半導体ユニット100の製造方法であり、同図a~同図cは工程順に示した要部製造工程断面図である。同図aにおいて、L字型のコレクタ導電板1の胴体部1aが水平になるように治具11に設置し、この胴体部1a上に板半田を載置し、その上にIGBTチップ6のコレクタ電極とFWDチップ9のカソード電極が接するように、IGBTチップ6とFWDチップ9を載置する。続いて、リフロー炉を通して板半田を溶融し、冷却してそれぞれを半田8で固着する。同図bにおいて、L字型のコレクタ導電板1を治具12に載置したまま、制御端子3も治具12に載置する。IGBTチップ6の図示しない制御電極と制御端子3とをワイヤ4で接続する。続いて、IGBTチップ6のエミッタ電極上とFWDチップ9のアノード電極上に板半田を載置し、その上にヒートスプレッダであるスペーサ7,10をそれぞれ載置する。続いて、それぞれのスペーサ7,10の上に板半田を載置し、L字型のエミッタ導電板2の胴体部2aを載置する。このとき、L字型のコレクタ導電板1の脚部1bの下面とL字型のエミッタ導電板2の脚部2bの下面が面一になるようにする。これらをリフロー炉に入れて、板半田を溶融させ、リフロー炉から取り出して、溶融したい板半田を冷却して、L字型のコレクタ導電板1、IGBTチップ6、FWDチップ9、それぞれのスペーサ7,10およびL字型のエミッタ導電板2をそれぞれ半田8で固着する。同図cにおいて、半田8付けした後、全体を型13に入れ、トランスファモールドにより、両導電板1,2の脚部1b,2bと制御端子3を突出させて樹脂5で封止する。このとき、両導電板1,2に挟まれた樹脂5の下面が両導電板1,2の下面と面一になるようにする。続いて、前記の制御端子3とL字型のコレクタ導電板1を切り離して半導体ユニット100は完成する。尚、図3bの工程で、L字型のコレクタ導電板1の脚部1bの下面とL字型のエミッタ導電板2の脚部2bの下面を概ね揃えた場合には、図3cの工程で、樹脂封止終了後、L字型のコレクタ導電板1の脚部1bの下面とL字型のエミッタ導電板2の脚部2bの下面および両導電板1,2に挟まれた箇所の樹脂5面を面一になるように研削するとよい。また、IGBTチップ6には、ゲート電極、補助エミッタ電極、温度センサー電極、電流検知電極などの制御電極が設けられており、各電極と制御端子3をワイヤボンディングで接続する。制御端子3には、樹脂5から露出する側アウターリードがタイバーで連接されたリードフレームを用いる。複数の制御端子3がタイバーで連接されているので、IGBTチップ6の制御電極と制御端子3とのワイヤボンディングの際に、複数の制御端子の位置あわせが容易となる。樹脂5による封止後、アウターリードを連接するタイバーを切断することで、独立した制御端子3とすることができる。<実施例2>図4は、この発明の第2実施例の半導体装置の要部断面図である。これは図1の半導体ユニットを1個収容した例である。この半導体装置200は、前記の半導体ユニット100と、この半導体ユニット100の脚部1b、2bL字型のコレクタ導電板1の脚部1b,L字型のエミッタ導電板2の脚部2bのことの下面に絶縁層14を介して固着する放熱板15と、脚部1b、2bに接続するコレクタ外部導出端子17およびエミッタ外部導出端子18と、半導体ユニット100と外部導出端子17,18を収容し放熱板15に接続する筐体20と、この筐体20内に充填される絶縁材としてのゲル21例えば、シリコンゲルなどとで構成される。前記の制御端子3と外部導出端子17,18は筐体から突出している。なお、この例では、脚部1bとコレクタ外部導出端子17とは、双方にレーザー溶接19によって接合される内部接続導体16によって接続される。脚部2bとエミッタ外部導出端子18についても同様である。前記の絶縁層14は、高熱伝導の樹脂絶縁シートであるが、DCBDirectCopperBonding基板のような導電パターン付絶縁基板を用いてもよい。この半導体装置200では、チップ6,9図4ではIGBTチップ6のみ示されているで発生した熱はIGBTチップ6,FWDチップ9の両面からL字型のコレクタ導電板1およびL字型のエミッタ導電板2に放熱され、さらにそれぞれの脚部1b、2bを通して放熱板15に放熱される。このようにIGBTチップ6,FWDチップ9で発生した熱がチップの両面から放熱されるので放熱性能は向上する。また、IGBTチップ6,FWDチップ9を垂直方向に配置することで、半導体ユニット100の冷却のために放熱板15が占める面積を小さくできるので、半導体装置200を小型化できる。また、IGBTチップ6,FWDチップ9に流れる主電流はワイヤを介さずにL字型のコレクタ導電板1、L字型のエミッタ導電板2および内部接続導体16を通して流れるので大電流を流すことができる。また、IGBTチップ6,FWDチップ9は樹脂5で被覆され、さらにこの樹脂5はゲル21で被覆されているので、半田8接合面の信頼性は半導体ユニット100の場合に比べて一層高くなる。また、絶縁体としてゲル21を充填することにより、外部導出端子17,18と放熱板15の間隔が狭いA部図4で放電するのが防止される。そのため、ゲル21の充填はA部が隠れる程度でよいが、それ以上でも構わない。勿論、筐体20全域に充填してもよい。また、半導体ユニット100で各種試験サージ試験や短絡試験などが可能であるので、各種試験をパスした良品の半導体ユニット100のみを組み込んで半導体装置200を構成すれば、半導体装置200の組立良品率を向上させることができる。図5は、絶縁層14を介して半導体ユニット100の脚部1b、2bと放熱板15を固着する方法を説明する図である。絶縁層14は高熱伝導の絶縁樹脂シートである。半導体ユニット100の脚部1b、2bの下面と放熱板15の間に絶縁層14である高熱伝導の絶縁樹脂シートを挿入し、脚部1b、2bの上面を加熱しながら、図中の矢印Pで示すように、規定の力で加圧することで、半導体ユニット100と放熱板15を高熱伝導の絶縁樹脂シート絶縁層14を介して熱圧着する。この高熱伝導の絶縁樹脂シートは1個の半導体ユニット100に対して1枚使用した例を示したが、複数個の半導体ユニット100に対して1枚使用することもある。<実施例3>図6は、この発明の第3実施例の半導体装置の要部断面図である。この半導体装置300と図4の半導体装置200との違いは、筐体20上にドライブ基板22を配置した点である。このドライブ基板22には、IGBTチップ6を制御保護する各種回路部品が搭載されている。そして、半導体ユニット100から導出されている制御端子3が、ドライブ基板22の回路パターン図示せずに接合される。<実施例4>図7は、この発明の第4実施例の半導体装置の要部断面図である。この半導体装置400と図4の半導体装置200との違いは、脚部1b、2bに外部導出端子17,18をレーザー溶接19した点である。こうすることで、半導体装置300をさらに小型化できる。この場合も図6のようにドライブ基板を配置する場合もある。<実施例5>図8は、この発明の第5実施例の半導体装置の要部断面図である。この半導体装置500と図4の半導体装置200との違いは、放熱板15の代わりに冷却体23を用いた点である。冷却体23は水冷フィンもしくは風冷フィンなどを備えている。放熱板15を冷却体23に代えることで、半導体装置500の放熱効率を高めることができる。<実施例6>図9は、この発明の第6実施例の半導体装置の要部断面図である。この半導体装置600は2個の半導体ユニット100が直列接続された例である。この半導体装置600は、2個の半導体ユニット100と、半導体ユニット100の脚部に接続される外部導出端子25,26と、半導体ユニット100の脚部1b、2bの下面に絶縁層14を介して固着する放熱板15と、この放熱板15と接続する筐体20と、筐体20内を充填する絶縁体としてのゲル21と、筐体20上で制御端子3と接続するドライブ基板22で構成される。この例では、外部導出端子25,26は、筐体20の側壁を貫通するように配置されている。また、半導体ユニット100の脚部と外部導出端子25との間は、双方にレーザー溶接19によって接合される内部接続導体16によって接続される。半導体ユニット100の脚部と外部導出端子26との間も同様である。さらに、直列接続される半導体ユニットの脚部間は、配線導体28によって接続される。配線導体28についても、半導体ユニット100の脚部にレーザー溶接19によって接合される。なお、図9に示す例においては、半導体ユニット100の脚部と外部導出端子との間を内部接続導体16で接続している。この接続導体16を省略し、半導体ユニット100の脚部に外部導出端子25,26を直接レーザー溶接して接合してもよい。直接レーザー溶接することで、内部接続導体を省略することができる。また、内部接続導体16と外部導出端子と25,26を接続するためのレーザー溶接工程を省略することができる。さらに、配線導体の一部を延長して筐体20より外部に導出させてもよい。このようにすると、直列接続された半導体ユニット100の接続点の電位を外部に導出することができる。このように、半導体ユニット100を直列に接続した回路の一例を図14aに示す。図14aは、半導体ユニット100を直列に接続した回路図である。図9に示す例においては、半導体ユニット100を直列に接続したが、図14bに示すように、半導体ユニット100を並列に接続することもできる。なお、図14aのごとく、半導体ユニット100を直列接続して用いる例については、後述する。前記したように、絶縁層14は高熱伝導の絶縁樹脂シートで脚部1b,2bと放熱板15を熱圧着で固着する働きがある。この絶縁層14の代わりにDCBDirectCopperBonding基板を用い、表側の導電パターンに脚部1b,2bを半田付けし、裏面の銅箔に放熱板15を固着しても構わない。また、ゲル21の働きは、脚部1b,2bと放熱板15および外部導出端子25,26と放熱板15の距離が短いB部で放電が起こらないようにすることである。また、前記したように、外部導出端子25,26と半導体ユニット100の脚部1b,2bの上面をそれぞれ内部接続導体16で接続する。半導体ユニット間は配線導体28で接続する。これらの接続はレーザー溶接19で行われる。勿論、超音波接合で行っても構わない。また、これらの接続を半田で行う場合は半導体ユニット100で使われる半田8より融点の低いものを用いる。また、前記のドライブ基板22を取り付けない場合もある。その場合は図示しない外部制御回路と制御端子3を電気配線で接続する。また、この半導体装置600は放熱板15の下に冷却体を取り付けて使用する場合が多い。<実施例7>図10は、この発明の第7実施例の半導体装置の要部断面図である。この半導体装置700と図9の半導体装置600との違いは、筐体20上に蓋24を被せて、筐体20内をゲル21で充満させた点である。制御端子3は蓋24から突出している。このように蓋24を設けることでドライブ基板22がしっかり固定される。<実施例8>図11は、この発明の第8実施例の半導体装置の要部断面図である。この半導体装置800と図10の半導体装置700との違いは、筐体20内にドライブ基板22を収納した点である。ドライブ基板22には外部接続ピン27が設けられている。半導体ユニット100の制御端子3は、筐体20の内部でドライブ基板22に接続される。そしてドライブ基板22に設けられた外部接続ピン27を蓋24から突出させ、図示しない外部配線と接続する。ドライブ基板22はゲル21で被覆されているので、異物がドライブ基板22に付着することが防止され、信頼性が高まる。また、筐体20の内部でドライブ基板22を筐体20に固定図示せずすることにより、外部配線と接続された外部接続ピン27に応力が印加されても、半導体ユニット100の制御端子3へ伝達されるのを防ぐことができる。<実施例9>図12は、この発明の第9実施例の半導体装置の要部断面図である。この半導体装置900と図11の半導体装置800との違いは、前記の放熱板15の代わりに冷却体23を用いた点である。この冷却体23はここでは水冷フィンを示したが、風冷フィンなどの場合もある。こうすることで放熱効率を高めることができる。<実施例10>図13は、この発明の第10実施例の半導体装置の要部平面図である。この半導体装置1000は、6個の半導体ユニット100IGBTチップ6とFWDチップ9が組み込まれた3相のインバータ電力変換装置を構成した半導体モジュールである。また、図14aは図13の3相インバータの1相分1アーム分の回路図である。この半導体装置1000は、6個の半導体ユニット100と、半導体ユニット100の脚部1bに接続する外部導出端子としての配線バー31,33,35と、半導体ユニット100の脚部1bと他の半導体ユニット100の脚部2bとを直列接続する配線導体としての配線バー37,38,39と、半導体ユニット100の脚部2bに接続する外部導出端子としての配線バー32,34,36と、各半導体ユニット100の脚部1b、2bを絶縁層14を介して熱圧着する放熱板15と、絶縁層14と半導体ユニット100を収納し放熱板15に固着される図示しない筐体例えば、図11の筐体20を参照のことと、筐体20内を充填する図示されないゲル例えば、図11のゲル21を参照のこととで構成される。前記の配線バー31,33,35は3相インバータのP端子端子に相当するとして外部に導出される外部導出端子である。同様に、配線バー32,34,36は3相インバータのN端子-端子に相当するとして外部に導出される外部導出端子である。また、配線バー37,38,39は、半導体ユニット間を接続する配線導体であるがその一部が延長されて外部に導出されて、3相インバータのM端子U相、V相、W相に相当するとなる。通常、この半導体装置1000は、放熱板15の下に図示しない冷却体を取り付けて使用する場合が多い。なお、図13に示す例においては、配線バー31~38を、図示しない筐体から直接外部に導出するように構成している。すなわち、配線バー31~38を半導体ユニットの脚部に直接レーザー溶接している。このため、図9に示す例のような、内部接続導体を省略することができる。また、放熱板15の代わりに冷却体例えば、図12の冷却体23を参照のことを用いてもよい。その場合は放熱板15がないため、放熱能力が高まる。また、図示しないドライブ基板例えば、図11のドライブ基板22を参照のことを半導体ユニット100上に配置する場合もある。その場合は制御端子3と外部制御回路を電気配線で接続する。また、この半導体装置1000は、冷却体を半導体ユニット100の両面に設けずに、下方に1個設けるために、特許文献2に相当する電力変換装置を小型化することができる。<実施例11>図15は、この発明の第11実施例の半導体装置の構成図であり、同図aは要部平面図、同図bは同図aのY-Y線で切断した要部断面図である。この半導体装置1100と図13の半導体装置1000との違いは、半導体ユニットに接続する配線バーが上下に離して立体配線されている点である。こうすることで配線バーが占める平面面積を小さくできて半導体装置を小型化できる。この場合は配線バーの高さが異なるので、表面高さが低い配線バーをレーザー溶接した後、高い方の配線バーをレーザー溶接するのでレーザー溶接が2回になる。<実施例12>図16は、この発明の第12実施例の半導体装置の構成図であり、同図aは要部平面図、同図bは同図aをX-X線で切断した要部断面図である。この半導体装置1200と図15の半導体装置1100との違いは、半導体ユニット100と接続する配線バー31~36を垂直方向に折り曲げて配置した点である。この場合も配線バー31~36が占める平面面積を小さくできて半導体装置1200を小型化できる。この場合は、配線バー31~36の溶接面は同一高さになるのでレーザー溶接19は一回で済むことになる。ここで、図19は、半導体ユニット100における、脚部の外部への導出例を示す図であり、導電板以外の構成の図示を省略している。上記の各実施においては、図19aに示すようにL字型のコレクタ導電板1の脚部1bとL字型のエミッタ導電板2の脚部2bが、互いに反対方向へ導出されている。図19aのような形状の導電板は、形状がシンプルであるため安価に製造でき、半導体ユニットを形成した後の実装も安定して行なうことができる。図19bは、本発明の応用例であり、導電板の脚部を同一側へ導出した例である。この例においても、導電板はその断面形状がL字形状である。導電板1の胴体部1aには、導電板2の脚部2bを導出するための切りかきが設けられていて、導電板2の脚部2bは、導電板1の脚部1bと同じ側へ導出されている。このように、脚部1b,2bを同一側から導出することで、半導体ユニットを実装する際の面積を大幅に減らすことができる。ただし、図19aに示すものに比べ、脚部1b,2bの下面の面積が小さくなるため、図19bに示す構成は、図示しない絶縁層を介して放熱板に接触する面積が小さくなる。このため、導電板1,2間に接合する半導体チップの発熱量が小さい場合や、半導体ユニットの実装面積を抑制したい場合に向いている。"