"印加される磁界に応じて第一の電圧及び第二の電圧からなる電位差を出力する磁気抵抗素子部と、前記第一の電圧を入力する入力端子と、前記第二の電圧を入力する-入力端子と、前記電位差がしきい値電圧を超えると検出信号を出力する出力端子とを有するコンパレータと、を備えた磁気センサにおいて、前記コンパレータは、前記しきい値電圧を調整する感度調整端子を更に有する、ことを特徴とする磁気センサ。請求項1記載の磁気センサであって、前記磁気抵抗素子部は、互いに直列接続された第一及び第四の磁気抵抗素子と互いに直列接続された第二及び第三の磁気抵抗素子とを有し、前記第一及び第三の磁気抵抗素子は、印加される磁界方向と当該磁気抵抗素子に流れる電流とのなす角度を90°とした折り返し構造であり、前記第二及び第四の磁気抵抗素子は、印加される磁界方向と当該磁気抵抗素子に流れる電流とのなす角度を0°とした折り返し構造であり、前記第一及び第二の磁気抵抗素子は、電圧側に接続され、前記第三及び第四の磁気抵抗素子は、-電圧側に接続され前記第一の電圧は、前記第一の磁気抵抗素子と前記第四の磁気抵抗素子とを接続する接続点の電圧であり、前記第二の電圧は、前記第二の磁気抵抗素子と前記第三の磁気抵抗素子とを接続する接続点の電圧である、ことを特徴とする磁気センサ。請求項1又は2記載の磁気センサであって、前記コンパレータは、前記しきい値電圧のヒステリシスを設定するためのヒステリシス設定端子を予め有しており、前記感度調整端子は、前記ヒステリシス設定端子を利用したものである、ことを特徴とする磁気センサ。請求項3記載の磁気センサであって、前記ヒステリシス設定端子は、前記電位差が低レベルから高レベルへ移行する際の前記しきい値電圧である立ち上り電圧を調整する立ち上り電圧調整端子と、前記電位差が高レベルから低レベルへ移行する際の前記しきい値電圧である立ち下り電圧を調整する立ち下り電圧調整端子とを含む、ことを特徴とする磁気センサ。請求項4記載の磁気センサであって、前記立ち上り電圧調整端子は、印加される電圧に応じて前記立ち上り電圧を調整できるものである、ことを特徴とする磁気センサ。請求項5記載の磁気センサであって、互いに直列接続された第一及び第二の抵抗器を更に備え、前記第一の抵抗器と前記第二の抵抗器とを接続する接続点の電圧が前記立ち上り電圧調整端子に印加された、ことを特徴とする磁気センサ。請求項5記載の磁気センサであって、所定の電圧が前記立ち上り電圧調整端子に印加された、ことを特徴とする磁気センサ。第1の問題点は、関連技術の磁気センサの感度が磁気センサごとにばらつくことである。これは、上述したとおり、次の理由による。磁気センサの感度は、磁気抵抗素子で構成された中点の電位差の磁界印加による変動を利用している。そのため、必ずある程度の製造ばらつきにより磁気抵抗素子の抵抗値にばらつきが生じ、その結果、中点の電位差にばらつきが発生する。したがって、検出する磁界の大きさが一定の範囲でばらつくことになる。第2の問題点は、必要とされる磁気センサの感度は、使用方法によって違うことである。磁気センサの主な用途として、マグネットと組み合わせた位置検出や開閉検出が挙げられる。例えば、位置検出では、検出する距離が多種多様であったり、マグネットと磁気センサとの位置関係により検出する磁界の大きさが違ってきたりすることから、感度の異なる多品種の磁気センサを用途に応じて用意する必要がある。また、特許文献1、2に開示された技術では、機械的な手段によって磁気センサの感度を調整するため、複雑化及び大型化を招くという問題があった。特許文献3に開示された技術では、感度を調整することは考慮されていない。そこで、本発明の目的は、検出感度のばらつきを簡単に抑えることができ、一品種でも多様な感度を選択できる、磁気センサを提供することになる。本発明に係る磁気センサは、印加される磁界に応じて第一の電圧及び第二の電圧からなる電位差を出力する磁気抵抗素子部と、前記第一の電圧を入力する入力端子と、前記第二の電圧を入力する-入力端子と、前記電位差がしきい値電圧を超えると検出信号を出力する出力端子とを有するコンパレータと、を備えた磁気センサにおいて、前記コンパレータは、前記しきい値電圧を調整する感度調整端子を更に有する、ことを特徴とする。本発明によれば、しきい値電圧を調整する感度調整端子をコンパレータに設けたことにより、検出感度のばらつきを簡単に抑えることができとともに、一品種でも多様な感度を選択できる。以下、添付図面を参照しながら、本発明を実施するための形態以下実施形態という。について説明する。なお、図面に描かれた形状は、当業者が理解しやすいように描かれているため、実際の寸法及び比率とは必ずしも一致していない。図1は、本発明に係る磁気センサの実施形態1を示す回路図である。図2は、図1における磁気抵抗素子部の形状を示す平面図である。以下、これらの図面に基づき説明する。本実施形態1の磁気センサは、磁気抵抗素子部60と、コンパレータ71と、互いに直列接続された第一の抵抗器85及び第二の抵抗器86とを備えている。磁気抵抗素子部60は、印加される磁界に応じて第一の電圧中点66の電圧及び第二の電圧中点67の電圧からなる電位差を出力する。コンパレータ71は、第一の電圧中点66の電圧を入力する入力端子と、第二の電圧中点67の電圧を入力する-入力端子と、第一の電圧と第二の電圧との電位差がしきい値電圧を超えると検出信号を出力する出力端子82と、しきい値電圧を調整する感度調整端子83とを有する。感度調整端子83には、第一の抵抗器85と第二の抵抗器86とを接続する接続点の電圧が印加されている。第一及び第二の抵抗器85,86は、抵抗値を自在に変えられる可変型としてもよい。磁気抵抗素子部60は、互いに直列接続された第一の磁気抵抗素子61及び第四の磁気抵抗素子64と、互いに直列接続された第二の磁気抵抗素子62及び第三の磁気抵抗素子63とを有する。第一及び第三の磁気抵抗素子61,63は、印加される磁界方向と磁気抵抗素子61,63に流れる電流とのなす角度を90°とした折り返し構造である。第二及び第四の磁気抵抗素子62,64は、印加される磁界方向と磁気抵抗素子62,64に流れる電流とのなす角度を0°とした折り返し構造である。第一及び第二の磁気抵抗素子61,62は接点65を介して電圧側である電源端子81に接続され、第三及び第四の磁気抵抗素子63,64は接点68を介して-電圧側であるグランド端子84に接続されている。第一の電圧は、第一の磁気抵抗素子61と第四の磁気抵抗素子64とを接続する接続点である中点66の電圧である。第二の電圧は、第二の磁気抵抗素子62と第三の磁気抵抗素子63とを接続する接続点である中点67の電圧である。コンパレータ71は、しきい値電圧のヒステリシスを設定するためのヒステリシス設定端子を予め有している。そのようなコンパレータ71は、市販されており、一例を述べれば、NationalSemiconductorCorporation製の商品名LMP7300を挙げることができる非特許文献1参照。このヒステリシス設定端子は、電位差が低レベルから高レベルへ移行する際のしきい値電圧である立ち上り電圧を調整する立ち上り電圧調整端子と、電位差が高レベルから低レベルへ移行する際のしきい値電圧である立ち下り電圧を調整する立ち下り電圧調整端子とを含む。本実施形態1では、感度調整端子83として、ヒステリシス設定端子のうち、立ち上り電圧調整端子を利用している。この立ち上り電圧調整端子は、印加される電圧に応じて立ち上り電圧を調整できるものである。もちろん、市販されているコンパレータの代わりに、同様の機能を有するコンパレータを設計して使用してもよい。また、正帰還用の抵抗器72は、コンパレータ71とともに波形処理部70を構成し、コンパレータ71の出力端子82と入力端子との間に接続されている。抵抗器72の作用について説明する。磁気抵抗素子61,64及び抵抗器72の抵抗値をそれぞれR61,R64,R72とし、電源端子81から供給される電源電圧をVHとし、並列抵抗をで示す。ここで、コンパレータ71の出力端子82がLレベルであるとき、コンパレータ71の入力端子の電圧は、VH×R64R72/R61R64R72である。そして、コンパレータ71の出力端子82がHレベルとなると、コンパレータ71の入力端子の電圧は、VH×R64/R64R61R72となって上昇する。これにより、抵抗器72は、コンパレータ71のしきい値電圧のヒステリシスを設定している。すなわち、本実施形態1では、抵抗器72によって設定されたしきい値電圧のヒステリシスにおける立ち上り電圧を、更に感度調整端子83によって調整していることになる。次に、本実施形態1の磁気センサについて、更に詳細に説明する。図1に示すように、本実施形態1の磁気センサは、磁気抵抗素子部60とICIntegratedCircuitからなる波形処理部70とを備えている。磁気抵抗素子部60は、抵抗ブリッジ構造を持ち、抵抗接続の中点66,67を波形処理部70のコンパレータ71の入力端子に接続している。波形処理部70は、コンパレータ71と正帰還用の抵抗器22とから構成され、電源端子81、出力端子82、感度調整端子83、及びグランド端子84が設けられている。図2に示すように、磁気抵抗素子部60は磁気抵抗素子61~64を有する。磁気抵抗素子61及び磁気抵抗素子63は、反応する磁界の向きが同じであり、連続的に繰り返し構造を持つ。同様に、磁気抵抗素子62及び磁気抵抗素子64は、反応する磁界の向きが同じであり、連続的に繰り返し構造を持つ。ただし、磁気抵抗素子61及び磁気抵抗素子63の反応する磁界の向きと、磁気抵抗素子62及び磁気抵抗素子64の反応する磁界の向きとは、90°異なる。本実施形態1は、異方性の磁気抵抗素子61~64をIC上に成膜形成した磁気センサにおいて、コンパレータ71のしきい値電圧を調整可能とする感度調整端子83を設けることにより、使用する用途や使用する条件に合わせて使用する側が任意の感度に容易に設定することが可能な感度調整機能付き磁気センサを提供する。図3は、図1の磁気センサにおける、感度調整端子83に接続される抵抗器85,86の抵抗値と、コンパレータ71から検出信号が出力される際の磁界以下検出磁界という。と、の関係を示すグラフである。以下、図1及び図3に基づき説明する。図3に示すように、感度調整端子83に抵抗器85,86を接続していない場合の検出磁界92は、当然のことながら、抵抗器85,86の抵抗値に関係なく一定となる。一方、感度調整端子83と電源端子との間に抵抗器85を接続した場合の検出磁界91は、検出磁界92よりも大きくなり、抵抗器85の抵抗値が小さいほど更に大きくなる。また、感度調整端子83とグランド端子との間に抵抗器86を接続した場合の検出磁界93は、検出磁界92よりも小さくなり、抵抗器86の抵抗値が小さいほど更に小さくなる。図4は、図1の磁気センサにおける、感度調整端子83に接続される抵抗器85,86の抵抗値と、コンパレータ71のしきい値電圧スレッショルド電圧と、の関係を示すグラフである。以下、図1及び図4に基づき説明する。図4に示すように、感度調整端子83に抵抗器85,86を接続していない場合のしきい値電圧202は、当然のことながら、抵抗器85,86の抵抗値に関係なく一定となる。一方、感度調整端子83と電源端子との間に抵抗器85を接続した場合のしきい値電圧201は、しきい値電圧202よりも大きくなり、抵抗器85の抵抗値が小さいほど更に大きくなる。また、感度調整端子83とグランド端子との間に抵抗器86を接続した場合のしきい値電圧203は、しきい値電圧202よりも小さくなり、抵抗器86の抵抗値が小さいほど更に小さくなる。図5は、図1の磁気センサにおける、印加される磁界と、磁気抵抗素子部60から出力される電位差204と、の関係を示すグラフである。以下、図1及び図5に基づき説明する。磁気抵抗素子61,63と90°に交わる磁界を印加すると、磁気抵抗素子61,63は異方性磁気抵抗効果により抵抗値が減少する。これに伴い、中点66の電位が大きくなりかつ中点67の電位が小さくなる結果、印加する磁界が大きくなるほど中点66の電位と中点67の電位との電位差204は大きくなる。感度調整端子83に抵抗器85,86を接続していない場合、電位差204がコンパレータ71のしきい値電圧202を超えるところが検出磁界206となる。一方、感度調整端子83と電源端子との間に抵抗器85を接続した場合、抵抗器85の抵抗値を十分に小さくすると、しきい値電圧201がしきい値電圧202よりも側に変化する。そのため、電位差204がしきい値電圧201を超えるところが検出磁界207となることにより、検出磁界206と比較して大きな検出磁界207となる。また、感度調整端子83とグランド端子との間に抵抗器86を接続した場合、抵抗器86の抵抗値を十分に小さくすると、しきい値電圧203がしきい値電圧202よりも-側に変化する。そのため、電位差204がしきい値電圧203を超えるところが検出磁界205となることにより、検出磁界206と比較して小さな検出磁界205となる。このように、任意の検出磁界に調整することが可能となる。本実施形態1の磁気センサによれば、図1及び図2に示す回路構成及び磁気抵抗素子形状を採り、図4に示す、コンパレータに接続する抵抗値によってしきい値電圧を調整する機能を付与し、図5に示す、中点の電位差とコンパレータのしきい値電圧との関係から、図3に示すような検出磁界を調整する機能を実現している。換言すると、本実施形態1では、コンパレータに接続する抵抗器の抵抗値によってしきい値電圧を任意に調整できる機能を有する端子を追加し、その端子と電源との間又はその端子とグランドと間に接続する抵抗器の抵抗値によって任意の感度調整を可能とする。次に、本実施形態1の効果について説明する。第1の効果は、磁気センサを使用する側が磁気センサの感度を任意に調整できるので、例えばマグネットと磁気センサとの配置の条件出しが容易になる。その理由は、次のとおりである。磁気センサとマグネットとの組み合わせで位置検出や開閉検出をする場合、構造により必要とされる磁気センサの感度が違ってくる。このとき、磁気センサの感度を任意に調整できることにより、構造を選ばず、必要とする磁気センサの感度に設定できるからである。第2の効果は、位置検出や開閉検出の用途において所定の条件での検出設定が容易になる。その理由は、実際に使用する位置にマグネットと磁気センサとを配置し、所定の位置で検出するよう合わせ込みながら感度調整が可能になるからである。すなわち、本実施形態1によれば、しきい値電圧を調整する感度調整端子をコンパレータに設けたことにより、検出感度のばらつきを簡単に抑えることができとともに、一品種でも多様な感度を選択できる。図6は、本発明に係る磁気センサの実施形態2を示す回路図である。以下、図1及び図6に基づき説明する。本実施形態2の磁気センサにおける磁気抵抗素子部110、磁気抵抗素子111,112,113,114、接点115,118、中点116,117、波形処理部120、コンパレータ121、正帰還用の抵抗器122、電源端子131、出力端子132、感度調整端子133、グランド端子134は、それぞれ実施形態1の磁気センサにおける磁気抵抗素子部60、磁気抵抗素子61,62,63,64、接点65,68、中点66,67、波形処理部70、コンパレータ71、正帰還用の抵抗器72、電源端子81、出力端子82、感度調整端子83、グランド端子84と同じである。ただし、実施形態1では、抵抗器85,86によってそれらの中点の電圧が感度調整端子83に印加されている。これに対し、本実施形態2では、直流電圧電源135によって所定の電圧が感度調整端子133に印加されている。本実施形態2は、この点において実施形態1と異なるが、実施形態1と同様の作用及び効果を奏する。すなわち、本実施形態2によれば、直流電圧電源135によって任意の電圧を感度調整端子133に印加することにより、コンパレータ121のしきい値電圧を調整できるので、検出磁界を調整可能としている。なお、直流電圧電源135は、出力電圧を自在に変えられる可変型としてもよい。以上、上記各実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細については、当業者が理解し得るさまざまな変更を加えることができる。また、本発明には、上記各実施形態の構成の一部又は全部を相互に適宜組み合わせたものも含まれる。上記の実施形態の一部又は全部は以下の付記のようにも記載され得るが、本発明は以下の構成に限定されるものではない。[付記1]印加される磁界に応じて第一の電圧及び第二の電圧からなる電位差を出力する磁気抵抗素子部と、前記第一の電圧を入力する入力端子と、前記第二の電圧を入力する-入力端子と、前記電位差がしきい値電圧を超えると検出信号を出力する出力端子とを有するコンパレータと、を備えた磁気センサにおいて、前記コンパレータは、前記しきい値電圧を調整する感度調整端子を更に有する、ことを特徴とする磁気センサ。[付記2]付記1記載の磁気センサであって、前記磁気抵抗素子部は、互いに直列接続された第一及び第四の磁気抵抗素子と互いに直列接続された第二及び第三の磁気抵抗素子とを有し、前記第一及び第三の磁気抵抗素子は、印加される磁界方向と当該磁気抵抗素子に流れる電流とのなす角度を90°とした折り返し構造であり、前記第二及び第四の磁気抵抗素子は、印加される磁界方向と当該磁気抵抗素子に流れる電流とのなす角度を0°とした折り返し構造であり、前記第一及び第二の磁気抵抗素子は、電圧側に接続され、前記第三及び第四の磁気抵抗素子は、-電圧側に接続され前記第一の電圧は、前記第一の磁気抵抗素子と前記第四の磁気抵抗素子とを接続する接続点の電圧であり、前記第二の電圧は、前記第二の磁気抵抗素子と前記第三の磁気抵抗素子とを接続する接続点の電圧である、ことを特徴とする磁気センサ。[付記3]付記1又は2記載の磁気センサであって、前記コンパレータは、前記しきい値電圧のヒステリシスを設定するためのヒステリシス設定端子を予め有しており、前記感度調整端子は、前記ヒステリシス設定端子を利用したものである、ことを特徴とする磁気センサ。[付記4]付記3記載の磁気センサであって、前記ヒステリシス設定端子は、前記電位差が低レベルから高レベルへ移行する際の前記しきい値電圧である立ち上り電圧を調整する立ち上り電圧調整端子と、前記電位差が高レベルから低レベルへ移行する際の前記しきい値電圧である立ち下り電圧を調整する立ち下り電圧調整端子とを含む、ことを特徴とする磁気センサ。[付記5]付記4記載の磁気センサであって、前記立ち上り電圧調整端子は、印加される電圧に応じて前記立ち上り電圧を調整できるものである、ことを特徴とする磁気センサ。[付記6]付記5記載の磁気センサであって、互いに直列接続された第一及び第二の抵抗器を更に備え、前記第一の抵抗器と前記第二の抵抗器とを接続する接続点の電圧が前記立ち上り電圧調整端子に印加された、ことを特徴とする磁気センサ。[付記7]付記5記載の磁気センサであって、所定の電圧が前記立ち上り電圧調整端子に印加された、ことを特徴とする磁気センサ。[付記11]磁界を与えると抵抗値の変化する磁気抵抗素子を用いた磁気センサであって、少なくとも一つの抵抗値が残りの抵抗値と異なる四つの磁気抵抗素子を、四つの接続点を介してブリッジ状に接続し、対向する二つの接続点に電源電圧を付加すると、他の対向する二つの接続点から中点電位差を出力する磁気抵抗素子部と、前記磁気抵抗素子部からの中点電位差電圧に基づくレベルよりも高く設定されている検出レベルを持つコンパレータと帰還抵抗とからなる比較増幅機能を有する回路とを備え、外部接続される外部抵抗の抵抗値により前記検出レベルを任意に調整できる端子を有することにより、検出する磁界強度の調整が可能なことを特徴とした磁気センサ。[付記12]付記11記載の磁気センサであって、前記磁気センサに接続する前記外部抵抗は電源又はグランド間に接続し、当該外部抵抗を接続していない時と比較して、検出する磁界の大きさを大小に調整することが可能なことを特徴とした磁気センサ。"