"基板上に、陽極、及び陰極と、両電極に挟まれた複数の有機機能層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該複数の有機機能層は、少なくとも正孔注入層と、正孔輸送層および発光層を有し、かつ、該複数の有機機能層の任意の2つの有機機能層の間に少なくとも1層のフッ化ポリマーを含有する中間層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。前記中間層の膜厚が1nm~10nmであることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記中間層が下記一般式aで示される高分子材料を含有することを特徴とする請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、R1およびR2は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、チオール基、シリル基、ホスホノ基から選ばれる少なくとも1種であって、少なくとも一方は、酸素、窒素、硫黄のいずれかを1つ以上含む置換基を表す。n1は10~10000の整数を表す。前記中間層が下記一般式bで示される高分子材料を含有することを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、Xは少なくとも1つの酸素、窒素、硫黄のいずれかを1つ以上含む、環状エーテル、環状チオエーテル、環状アザエーテル、クラウンエーテル、チアクラウンエーテル、アザクラウンエーテルから選ばれる少なくとも1種の環状部分構造を表す。n2は10~10000の整数を表す。前記中間層が、前記正孔注入層と前記発光層との間にあることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記中間層が、前記正孔注入層と前記正孔輸送層の間にあることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。本発明の目的は、半減輝度寿命および駆動経時での電圧上昇を改善した有機エレクトロルミネッセンス素子、詳しくは臨界表面張力が10mN/m~30mN/mの中間層を用いることで、半減輝度寿命および駆動経時の電圧上昇を改善した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。本発明の上記目的は、以下の構成により達成することができる。1.基板上に、陽極、及び陰極と、両電極に挟まれた複数の有機機能層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該複数の有機機能層は、少なくとも正孔注入層と、正孔輸送層および発光層を有し、かつ、該複数の有機機能層の任意の2つの有機機能層の間に少なくとも1層のフッ化ポリマーを含有する中間層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。2.前記中間層の膜厚が1nm~10nmであることを特徴とする前記1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。3.前記中間層が下記一般式aで示される高分子材料を含有することを特徴とする前記1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、R1およびR2は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、チオール基、シリル基、ホスホノ基から選ばれる少なくとも1種であって、少なくとも一方は、酸素、窒素、硫基のいずれかを1つ以上含む置換基を表す。n1は10~10000の整数を表す。4.前記中間層が下記一般式bで示される高分子材料を含有することを特徴とする前記1~3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、Xは少なくとも1つの酸素、窒素、硫黄のいずれかを1つ以上含む、環状エーテル、環状チオエーテル、環状アザエーテル、クラウンエーテル、チアクラウンエーテル、アザクラウンエーテルから選ばれる少なくとも1種の環状部分構造を表す。n2は10~10000の整数を表す。5.前記中間層が、前記正孔注入層と前記発光層との間にあることを特徴とする前記1~4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。6.前記中間層が、前記正孔注入層と前記正孔輸送層の間にあることを特徴とする前記1~5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。本発明により、発光寿命が改善した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができた。以下、本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。本発明に係る有機EL素子においては、有機機能層間に少なくとも一層のフッ化ポリマーを含有する中間層を設けることにより、半減輝度寿命が改善された素子を提供することができた。以下本発明の有機EL素子の各構成要素について、順次説明する。《中間層》本発明に係る中間層について説明する。本発明に係る中間層とは、本発明に係るフッ化ポリマーフッ素置換された高分子ともいうを含有することが特徴である。本発明に記載の効果半減輝度寿命と電圧上昇を改善されるを得る観点からは、本発明に係る中間層の90質量以上がフッ化ポリマーであることが好ましい。また、本発明に係る中間層には、その他、従来公知の有機EL素子材料として公知の素材が更に含有されていても良い。本発明に係る中間層は臨界表面張力が、10mN/m~30mN/mの範囲であることが好ましいが、前記のような臨界表面張力を示す中間層を得るための素材としても、本発明に係るフッ化ポリマーは好ましく用いることができる。また、本発明に係るフッ化ポリマーはフッ素置換された有機溶媒を選択すればウエットプロセスで製膜ができるものも多く、蒸着法のようなドライプロセスで製膜するよりも生産的性が高くより好ましい。更に、前記一般式aまたはbで示すようなフッ化ポリマーを用いることで、結晶性を抑え、透明なアモルファス膜ができやすいため最も好ましい。尚、臨界表面張力の算出と、算出の際に用いる接触角の測定は、例えばプラスチック事典1059朝倉書店1992年3月刊行に記載の方法で算出することができる。上記条件を満たす層が半減輝度寿命と経時での電圧上昇を改善する理由は定かではないが、界面の有機材料がアニオンラジカル、カチオンラジカルあるいは励起状態になった時に材料間での反応が起こり得るが、該中間層を設けることで、有機材料間の反応や劣化を緩和する効果があるのではないかと推測しているが、詳細は明らかになっていない。また、臨界表面張力が非常に低い膜を設けるため、塗布で一般的に用いられるポリエチレンジオキシチオフェン-ポリスルホン酸以下、PEDOT-PSSともいうのような水分散系の正孔注入材料を用いた際、膜内に残留する水分の拡散にも効果があるのではないかと推測をしており、上記のような水分散系の正孔注入材料を用いた場合でも好適に用いることができる。中間層の膜厚は特に制限はないが、形成する膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧の印加防止の観点から、1nm~20nmの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは、1nm~10nmの範囲に調整することである。《一般式aおよび一般式bで表される化合物》本発明に係る一般式aおよび一般式bにおける、フッ化ポリマーにはそれぞれ、置換基R1、R2および環状置換基Xを有していることを特徴とし、R1、R2のいずれかに酸素、窒素、硫黄を少なくとも1つ以上含むか、環状置換基X内に酸素、窒素、硫黄を少なくとも1つ以上含むことが好ましい。置換基R1、R2は上記の特徴を満たしていればいずれの置換基が導入されていても良い。置換基R1、R2の具体例としては、アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等、シクロアルキル基例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等、アルケニル基例えば、ビニル基、アリル基、1-プロペニル基、2-ブテニル基、1,3-ブタジエニル基、2-ペンテニル基、イソプロペニル基等、アルキニル基例えば、エチニル基、プロパルギル基等、芳香族炭化水素基芳香族炭化水素環基、芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、p-クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等、芳香族複素環基例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す、フタラジニル基等、複素環基例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等、アルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等、シクロアルコキシ基例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等、アリールオキシ基例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等、アルキルチオ基例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等、シクロアルキルチオ基例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等、アリールチオ基例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等、アルコキシカルボニル基例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等、アリールオキシカルボニル基例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等、スルファモイル基例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2-ピリジルアミノスルホニル基等、アシル基例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2-エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等、アシルオキシ基例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等、アミド基例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2-エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等、カルバモイル基例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2-エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2-ピリジルアミノカルボニル基等、ウレイド基例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2-ピリジルアミノウレイド基等、スルフィニル基例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2-エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2-ピリジルスルフィニル基等、アルキルスルホニル基例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2-エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2-ピリジルスルホニル基等、アミノ基例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2-エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2-ピリジルアミノ基等、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等、フッ化炭化水素基例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、チオール基、シリル基例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等、ホスホノ基等が挙げられる。これらの置換基は、上記の置換基によって更に置換されていてもよい。本発明に係る一般式bにおける、フッ化ポリマーは環状置換基Xを有しており、環状置換基X内に酸素、窒素、硫黄を少なくとも1つ以上含む。環状置換基Xは上記の条件を満たしていればいずれの置換基でも良い。環状置換基Xの具体例としては、環状エーテル、環状チオエーテル、環状アザエーテル、あるいはクラウンエーテル、チアクラウンエーテル、アザクラウンエーテル等が挙げられる。また、上記置換基の水素をフッ素に任意の数置換したものでも良い。以下に、一般式aおよび一般式bで表される化合物の具体例を記載するが、本発明はこれらに限定されない。上記具体例のnは10~10000の範囲を表すが、製膜時の溶媒への溶解性の観点からは、10~1000の範囲であることが好ましい。本発明に係る一般式aまたはbで表される高分子材料としては、例えば、米国特許第3,418,302号明細書、米国特許第3,978,030号明細書、特開昭63-238111号公報、特開昭63-238115号公報、特開平1-131214号公報、特開平1-131215号公報等に記載されているポリマーが好適に用いられる。《有機EL素子の層構成》次に、本発明の有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。i陽極/正孔注入層/正孔輸送層/中間層/発光層/電子輸送層/陰極ii陽極/正孔注入層/中間層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極iii陽極/正孔注入層/中間層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極iv陽極/正孔注入層/中間層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極v陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/中間層/電子注入層/陰極この内、陽極、陰極、及び中間層を除いた各層を総称して有機機能層と言う。以下に各層について説明する。《発光層》発光層とは、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよいが、層間での励起子の失活等が考えられることから発光層の層内であることが好ましい。発光層の膜厚は特に制限はないが、形成する膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、且つ駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、2nm~200nmの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは5nm~100nmの範囲に調整される。以下に発光層に含まれるホスト化合物発光ホストとも言うと発光ドーパントについて説明する。《ホスト化合物》本発明に用いられるホスト化合物について説明する。ここで、本発明においてホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の内でその層中での質量比が20以上であり、且つ室温25°Cにおいてリン光発光のリン光量子収率が0.1未満の化合物であり、更に、リン光量子効率は0.01未満であることが好ましい。ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子を高効率化することができる。また、後述する発光ドーパントを複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。以下に、本発明に用いられるホスト化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。また、本発明に用いられる発光ホストとしては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位を持つ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物重合性発光ホストでも良い。ホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、なお且つ、高Tgガラス転移温度である化合物が好ましい。ホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物も挙げられる。特開2001-257076号公報、同2002-308855号公報、同2001-313179号公報、同2002-319491号公報、同2001-357977号公報、同2002-334786号公報、同2002-8860号公報、同2002-334787号公報、同2002-15871号公報、同2002-334788号公報、同2002-43056号公報、同2002-334789号公報、同2002-75645号公報、同2002-338579号公報、同2002-105445号公報、同2002-343568号公報、同2002-141173号公報、同2002-352957号公報、同2002-203683号公報、同2002-363227号公報、同2002-231453号公報、同2003-3165号公報、同2002-234888号公報、同2003-27048号公報、同2002-255934号公報、同2002-260861号公報、同2002-280183号公報、同2002-299060号公報、同2002-302516号公報、同2002-305083号公報、同2002-305084号公報、同2002-308837号公報等。《発光ドーパント》本発明に係る発光ドーパントについて説明する。本発明に係る発光ドーパントとしては、蛍光ドーパント、リン光ドーパントを用いることができるが、より発光効率の高い有機EL素子を得る観点からは、有機EL素子の発光層や発光ユニットに使用される発光ドーパントとして、上記のホスト化合物を含有すると同時にリン光ドーパントを含有することが好ましい。リン光ドーパントは、有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。本発明に係るリン光ドーパントとしては、好ましくは元素の周期表で8族~10族の遷移金属元素単に、遷移金属ともいうを含有する錯体系化合物が好ましく、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物白金錯体系化合物、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。以下に、リン光ドーパントとして用いられる化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。これらの化合物は、例えば、Inorg.Chem.40巻、1704~1711に記載の方法等を参照することにより合成できる。《注入層:電子注入層、正孔注入層》注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、有機EL素子とその工業化最前線1998年11月30日エヌティーエス社発行の第2編第2章電極材料123~166頁に詳細に記載されており、正孔注入層陽極バッファー層と電子注入層陰極バッファー層とがある。陽極バッファー層正孔注入層は、特開平9-45479号公報、同9-260062号公報、同8-288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリンエメラルディンやポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。また、高分子バッファー層には導電性向上のためにポリスチレンスルホン酸PSSのような酸をドープすることが一般的に良く用いられる。正孔注入層の膜厚は特に制限はないが、形成する膜の均質性の観点から、2nm~200nmの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは5nm~100nmの範囲に調整される。陰極バッファー層電子注入層は、特開平6-325871号公報、同9-17574号公報、同10-74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層注入層はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は0.1nm~5μmの範囲が好ましい。《阻止層:正孔阻止層、電子阻止層》阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平11-204258号公報、同11-204359号公報、及び有機EL素子とその工業化最前線1998年11月30日エヌティーエス社発行の237頁等に記載されている正孔阻止ホールブロック層がある。正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。本発明の有機EL素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。正孔阻止層には、前述のホスト化合物として挙げた化合物を好ましく用いることができる。また、本発明においては、複数の発光色の異なる複数の発光層を有する場合、その発光極大波長が最も短波にある発光層が、全発光層中、最も陽極に近いことが好ましいが、このような場合、該最短波層と該層の次に陽極に近い発光層との間に正孔阻止層を追加して設けることが好ましい。更には、該位置に設けられる正孔阻止層に含有される化合物の50質量以上が、前記最短波発光層のホスト化合物に対しそのイオン化ポテンシャルが0.3eV以上大きいことが好ましい。一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては、3nm~100nmの範囲であることが好ましく、更に好ましくは、5nm~30nmの範囲である。《正孔輸送層》正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′-テトラフェニル-4,4′-ジアミノフェニル;N,N′-ジフェニル-N,N′-ビス3-メチルフェニル-1,1′-ビフェニル-4,4′-ジアミンTPD;2,2-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルプロパン;1,1-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルシクロヘキサン;N,N,N′,N′-テトラ-p-トリル-4,4′-ジアミノビフェニル;1,1-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニル-4-フェニルシクロヘキサン;ビス4-ジメチルアミノ-2-メチルフェニルフェニルメタン;ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルフェニルメタン;N,N′-ジフェニル-N,N′-ジ4-メトキシフェニル-4,4′-ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′-テトラフェニル-4,4′-ジアミノジフェニルエーテル;4,4′-ビスジフェニルアミノクオードリフェニル;N,N,N-トリp-トリルアミン;4-ジ-p-トリルアミノ-4′-4-ジ-p-トリルアミノスチリルスチルベン;4-N,N-ジフェニルアミノ-2-ジフェニルビニルベンゼン;3-メトキシ-4′-N,N-ジフェニルアミノスチルベンゼン;N-フェニルカルバゾール、更には米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4′-ビスN-1-ナフチル-N-フェニルアミノビフェニルNPD、特開平4-308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4′′-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノトリフェニルアミンMTDATA等が挙げられる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、p型-Si、p型-SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。また、特開平11-251067号公報、J.Huanget.al.著文献AppliedPhysicsLetters802002,p.139に記載されているような、所謂、p型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、高発光効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、5nm~5μmの範囲であることが好ましく、更に好ましくは、5nm~200nmの範囲である。また、正孔輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。また、不純物をドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4-297076号公報、特開2000-196140号公報、同2001-102175号公報の各公報、J.Appl.Phys.,95,57732004等に記載の正孔輸送層が挙げられる。本発明においては、このようなp性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。《電子輸送層》電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料正孔阻止材料を兼ねるとしては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、8-キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス8-キノリノールアルミニウムAlq、トリス5,7-ジクロロ-8-キノリノールアルミニウム、トリス5,7-ジブロモ-8-キノリノールアルミニウム、トリス2-メチル-8-キノリノールアルミニウム、トリス5-メチル-8-キノリノールアルミニウム、ビス8-キノリノール亜鉛Znq等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にn型-Si、n型-SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm~5μm程度、好ましくは5nm~200nmである。電子輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。また、不純物をゲスト材料としてドープしたn性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4-297076号公報、同10-270172号公報、特開2000-196140号公報、同2001-102175号公報、J.Appl.Phys.,95,57732004等に記載されたものが挙げられる。本発明においては、このようなn性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。《陽極》有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい4eV以上金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Au等の金属、CuI、インジウムチンオキシドITO、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXOIn2O3-ZnO等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は100μm以上程度、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に、膜厚は材料にもよるが、10nm~1000nmの範囲が好ましく、更に好ましくは10nm~200nmの範囲である。《陰極》陰極としては仕事関数の小さい4eV以下金属電子注入性金属と称する、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm~5μm、好ましくは50nm~200nmの範囲で選ばれる。尚、発光した光を透過させて、発光輝度を向上させる観点から、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であることが好ましい。また、陰極に上記金属を1nm~20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。《基板》本発明の有機EL素子に用いることのできる基板以下、支持基板とも言うとしては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。基板側から光を取り出す場合には、基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい基板は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネートCAP、セルロースアセテートフタレートTAC、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホンPES、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートンJSR製あるいはアペル三井化学製といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、水蒸気透過度が0.01g/m224h以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には酸素透過度10-3cm3/m224hatm以下1atmは、1.01325×105Paである、水蒸気透過度10-5cm3/m224hatm以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ-イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができるが、特開2004-68143号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。不透明な基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。本発明の有機EL素子の発光の室温における外部取り出し量子効率は、1以上であることが好ましく、より好ましくは5以上である。ここに、外部取り出し量子効率=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、また、有機EL素子からの発光色を、蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機EL素子の発光のλmaxは480nm以下が好ましい。《封止》本発明の有機EL素子の封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。封止部材としては、有機EL素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に問わない。具体的には、ガラス板、ポリマー板フィルム、金属板フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウムストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。本発明においては、有機EL素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。更には、ポリマーフィルムは、JISK7126-1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10-3cm3/m224hatm以下、JISK7129-1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度25±0.5°C、相対湿度90±2RHが、1×10-3g/m2/24h以下のものであることが好ましい。封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、2-シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型二液混合を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。なお、有機EL素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から80°Cまでに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。また、有機層を挟み基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。封止部材と有機EL素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等、硫酸塩例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等、金属ハロゲン化物例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等、過塩素酸類例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等等が挙げられ、また、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。《有機EL素子の作製方法》本発明の有機EL素子の作製方法は、陽極と陰極に挟まれた有機機能層をドライプロセスやウエットプロセスいずれを用いて製膜しても良いが、生産性の観点からウエットプロセスで成膜することが好ましい。有機積層体全てをウエットプロセスで形成することもまた好ましい。本発明でいうウエットプロセスとは、層を形成する際に層形成材料を溶液の形態で供給し、層形成を行うものである。本発明の有機EL素子の作製方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極からなる有機EL素子の作製法を説明する。まず、適当な基板上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは10nm~200nmの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ陽極を作製する。次に、この上に有機EL素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層等の有機化合物薄膜有機層を形成させる。これら各層の形成方法としては、前記の如く蒸着法、ウエットプロセススピンコート法、ダイコート法、キャスト法、インクジェット法、スプレー法、印刷法等が挙げられる。更にまた、均質な膜が容易に得られ、且つ、ピンホールが生成しにくい等の観点から、本発明においてはスピンコート法、ダイコート法、インクジェット法、スプレー法、印刷法等の塗布法による成膜が好ましい。本発明の有機EL素子をウエットプロセスで作製する際に、材料を溶解または分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、2-ペンタノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン、アニソール等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、DMF、DMSO等の有機溶媒や、または、水を用いることができる。これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは50nm~200nmの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより所望の有機EL素子が得られる。また、作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には陽極を、陰極を-の極性として電圧2V~40V程度を印加すると発光が観測できる。また、交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。《保護膜、保護板》有機層を挟み基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板フィルム、金属板フィルム等を用いることができるが、軽量且つ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。《光取り出し》有機EL素子は空気よりも屈折率の高い屈折率が1.7~2.1程度層の内部で発光し、発光層で発生した光の内15から20程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面透明基板と空気との界面に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法米国特許第4,774,435号明細書、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法特開昭63-314795号公報、有機EL素子の側面等に反射面を形成する方法特開平1-220394号公報、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法特開昭62-172691号公報、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法特開2001-202827号公報、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間含む、基板と外界間に回折格子を形成する方法特開平11-283751号公報等がある。本発明においては、これらの方法を本発明の有機EL素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間含む、基板と外界間に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた有機EL素子を得ることができる。透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は、一般に1.5~1.7程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ1.5以下であることが好ましく、更に好ましくは1.35以下である。また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波長の2倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は回折格子が1次の回折や2次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光の内、層間での全反射等により外に出ることができない光をいずれかの層間、もしくは媒質中透明基板内や透明電極内に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。導入する回折格子は、二次元的な周期的屈折率を持っていることが望ましい。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な1次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がそれほど上がらない。しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。回折格子を導入する位置としては、前述の通りいずれかの層間もしくは媒質中透明基板内や透明電極内でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約1/2~3倍程度が好ましい。回折格子の配列は、正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、二次元的に配列が繰り返されることが好ましい。《集光シート》本発明の有機EL素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせたりすることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に、例えば一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を二次元に配列する。一辺は10μm~100μmが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のLEDバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム製輝度上昇フィルムBEF等を用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基板に頂角90度、ピッチ50μmの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。また、発光素子からの光放射角を制御するために、光拡散板フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、株きもと製拡散フィルムライトアップ等を用いることができる。《用途》本発明の有機EL素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、照明装置家庭用照明、車内照明、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。本発明の有機EL素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。本発明の有機EL素子や本発明に係る化合物の発光する色は、新編色彩科学ハンドブック日本色彩学会編、東京大学出版会、1985の108頁の図4.16において、分光放射輝度計CS-1000コニカミノルタセンシング製で測定した結果をCIE色度座標に当てはめたときの色で決定される。また、本発明の有機EL素子が白色素子の場合、白色とは、2度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、1000cd/m2でのCIE1931表色系における色度がX=0.33±0.07、Y=0.33±0.1の領域内にあることを言う。本発明の有機EL素子の発光層には、発光ホスト化合物とゲスト材料としての発光ドーパントの少なくとも一種を含有することが好ましい。以下、実施例により本発明を説明するが本発明はこれらに限定されない。また、以下に実施例で使用する化合物の構造を示す。実施例1《有機EL素子101の作製》陽極として、100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITOインジウムチンオキシドを100nm製膜した基板にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をノルマルプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。この透明支持基板を真空蒸着装置に取付け、真空層を4×10-4Paまで減圧し、化合物HI-1を蒸着にて製膜を行い、厚さ20nmの正孔注入層HILとした。次に、化合物HT-1を蒸着にて製膜を行い、厚さ20nmの正孔輸送層HTLとした。更に、化合物D-1が膜厚比で16になるように化合物H-27と化合物D-1を共蒸着し、厚さ40nmの発光層EMLを形成した。また、化合物ET-1を蒸着で成膜を行い、厚さ20nmの電子輸送層ETLとした。その後に電子注入層としてLiFを1nmで成膜し、アルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成した。次いで、上記素子の非発光面をガラスケースで覆い、図1、図2に示す構成からなる有機EL素子101を作製した。図1は有機EL素子の概略図を示し、有機EL素子101は、ガラスカバー102で覆われている。尚、ガラスカバーでの封止作業は、有機EL素子101を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス純度99.999以上の高純度窒素ガスの雰囲気下で行った。図2は有機EL素子の断面図を示し、図2において、105は陰極、106は有機EL層、107は透明電極付きガラス基板を示す。尚、ガラスカバー102内には窒素ガス108が充填され、捕水剤109が設けられている。《有機EL素子102の作製》有機EL素子101の作製において、正孔注入層を製膜した後に、基板を窒素雰囲気下のグローブボックスへと移動し、グローブボックス中でポリエチレンPE60mgをクロロベンゼン10mlに溶解させた溶液を用いて、5000rpm、60秒の条件下でスピンコートし、150°C、30分間窒素下で加熱し膜厚30nmの中間層を形成した以外は同様にして、有機EL素子102を作製した。《有機EL素子103および104の作製》有機EL素子102の作製において、PEをそれぞれ40mg、20mgをクロロベンゼン10mlに溶解させた溶液を用いて、5000rpm、60秒の条件下でスピンコートし、150°C、30分間窒素下で加熱し膜厚20nm、10nmの中間層を形成した以外は同様にして、有機EL素子103および104を作製した。《有機EL素子105の作製》有機EL素子101の作製において、正孔注入層を製膜する前に、基板を窒素雰囲気下のグローブボックスへと移動し、グローブボックス中でI-120mgを2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル-1,1,2,2-テトラフルオロエチルエーテル10mlに溶解させた溶液を用いて、5000rpm、60秒の条件下でスピンコートし、150°C、30分間窒素下で加熱し膜厚10nmの中間層を形成した以外は同様にして、有機EL素子105を作製した。《有機EL素子106の作製》有機EL素子101の作製において、正孔注入層を製膜した後に、基板を窒素雰囲気下のグローブボックスへと移動し、グローブボックス中でポリフッ化ビニリデンPVDF60mgを2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル-1,1,2,2-テトラフルオロエチルエーテル10mlに溶解させた溶液を用いて、5000rpm、60秒の条件下でスピンコートし、150°C、30分間窒素下で加熱し膜厚30nmの中間層を形成した以外は同様にして、有機EL素子106を作製した。《有機EL素子107および108の作製》有機EL素子106の作製において、PVDFをそれぞれ40mg、20mgを2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル-1,1,2,2-テトラフルオロエチルエーテル10mlに溶解させた溶液を用いて、5000rpm、60秒の条件下でスピンコートし、150°C、30分間窒素下で加熱し膜厚20nm、10nmの中間層を形成した以外は同様にして、有機EL素子107および108を作製した。《有機EL素子109の作製》有機EL素子101の作製において、正孔注入層を製膜した後に、基板を窒素雰囲気下のグローブボックスへと移動し、グローブボックス中でI-260mgを2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル-1,1,2,2-テトラフルオロエチルエーテル10mlに溶解させた溶液を用いて、5000rpm、60秒の条件下でスピンコートし、150°C、30分間窒素下で加熱し膜厚30nmの中間層を形成した以外は同様にして、有機EL素子109を作製した。《有機EL素子110および111の作製》有機EL素子109の作製において、I-2をそれぞれ40mg、20mgを2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル-1,1,2,2-テトラフルオロエチルエーテル10mlに溶解させた溶液を用いて、5000rpm、60秒の条件下でスピンコートし、150°C、30分間窒素下で加熱し膜厚20nm、10nmの中間層を形成した以外は同様にして、有機EL素子110および111を作製した。《有機EL素子112の作製》有機EL素子101の作製において、正孔注入層を製膜した後に、基板を窒素雰囲気下のグローブボックスへと移動し、グローブボックス中でI-160mgを2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル-1,1,2,2-テトラフルオロエチルエーテル10mlに溶解させた溶液を用いて、5000rpm、60秒の条件下でスピンコートし、150°C、30分間窒素下で加熱し膜厚30nmの中間層を形成した以外は同様にして、有機EL素子112を作製した。《有機EL素子113および114の作製》有機EL素子112の作製において、I-1をそれぞれ40mg、20mgを2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル-1,1,2,2-テトラフルオロエチルエーテル10mlに溶解させた溶液を用いて、5000rpm、60秒の条件下でスピンコートし、150°C、30分間窒素下で加熱し膜厚20nm、10nmの中間層を形成した以外は同様にして、有機EL素子113および114を作製した。《有機EL素子101~114の評価》作製した有機EL素子101~114について、下記のようにして、半減寿命及び半減輝度到達時電圧上昇の評価を行った。半減寿命作製した有機EL素子に対し、正面輝度1000cd/m2となるような電流を与え、連続駆動した。正面輝度が初期の半減値500cd/m2になるまでに掛かる時間を半減寿命として求め、有機EL素子102~110の半減寿命は、有機EL素子101比較例の測定値を100とした相対値で表した。半減輝度到達時電圧上昇Vt作製した有機EL素子に対し、正面輝度2000cd/m2となるような電流を与え、正面輝度が初期の半減値1000cd/m2になるまで連続駆動し、駆動終了時から駆動直後の電圧の差を半減輝度到達時電圧上昇として求め、結果をA~Dに分類した。A:半減輝度到達時電圧上昇が0.5V未満B:半減輝度到達時電圧上昇が0.5V以上1.0V未満C:半減輝度到達時電圧上昇が1.0V以上2.0V未満D:半減輝度到達時電圧上昇が2.0V以上なお、輝度の測定には分光放射輝度計CS-1000コニカミノルタセンシング製を用いた。また、本発明においては、ランクA、Bが実用可能レベルである。表1の記載から、比較の有機EL素子に比べて、本発明の有機EL素子は、正孔注入層と正孔輸送層間にフッ化ポリマーを含有する中間層を形成することで、半減寿命が長くなり、且つ、半減輝度到達時の電圧上昇が抑制されていることが明らである。また、製膜を10nmにすることで更に高い効果を示していること、一般式bで表される化合物である材料I-1または一般式aで表される材料I-2を用いることで、更に本発明の効果が顕著に表れていることが併せて明らかである。実施例2《有機EL素子115の作製》実施例1の有機EL素子114の作製において、正孔注入層HILと正孔輸送層HTLとの間に中間層を設けるのではなく、正孔輸送層HTLを製膜した後に、基板を窒素雰囲気下のグローブボックスへと移動し、グローブボックス中でI-120mgをクロロベンゼン10mlに溶解させた溶液を用いて、5000rpm、60秒の条件下でスピンコートし、150°C、30分間窒素下で加熱し膜厚10nmの中間層を設け、次いで、発光層EMLを形成した以外は同様にして、有機EL素子115を作製した。《有機EL素子116の作製》実施例1の有機EL素子114の作製において、正孔注入層HILと正孔輸送層HTLとの間に中間層を設けるのではなく、発光層EMLを製膜した後に、基板を窒素雰囲気下のグローブボックスへと移動し、グローブボックス中でI-120mgをクロロベンゼン10mlに溶解させた溶液を用いて、5000rpm、60秒の条件下でスピンコートし、150°C、30分間窒素下で加熱し膜厚10nmの中間層を設け、次いで、電子輸送層ETLを形成した以外は同様にして、有機EL素子116を作製した。《有機EL素子117の作製》実施例1の有機EL素子114の作製において、正孔注入層HIL、中間層、次いで、正孔輸送層HTLを製膜した後、基板を窒素雰囲気下のグローブボックスへと移動し、グローブボックス中で、該正孔輸送層HTL上に、I-120mgをクロロベンゼン10mlに溶解させた溶液を用いて、5000rpm、60秒の条件下でスピンコートし、150°C、30分間窒素下で加熱し膜厚10nmの中間層を設け、次いで、発光層を形成した以外は同様にして、有機EL素子117を作製した。《有機EL素子118の作製》有機EL素子117の作製において、正孔輸送層HTLと発光層EMLとの間に中間層を設けずに、発光層を製膜した後に基板を窒素雰囲気下のグローブボックスへと移動し、グローブボックス中で、該発光層EML上に、I-120mgをクロロベンゼン10mlに溶解させた溶液を用いて、5000rpm、60秒の条件下でスピンコートし、150°C、30分間窒素下で加熱し膜厚10nmの中間層を設け、次いで、電子輸送層ETLを形成した以外は同様にして、有機EL素子118を作製した。《有機EL素子119の作製》有機EL素子115の作製において、正孔輸送層HTL、中間層、次いで、発光層EMLを製膜した後、基板を窒素雰囲気下のグローブボックスへと移動し、グローブボックス中で、該発光層EML上に、I-120mgをクロロベンゼン10mlに溶解させた溶液を用いて、5000rpm、60秒の条件下でスピンコートし、150°C、30分間窒素下で加熱し膜厚10nmの中間層を設け、次いで、電子輸送層ETLを形成した以外は同様にして、有機EL素子119を作製した。《有機EL素子120の作製》有機EL素子117の作製において、発光層EMLを製膜した後、に基板を窒素雰囲気下のグローブボックスへと移動し、グローブボックス中で、該発光層EML上に、I-120mgをクロロベンゼン10mlに溶解させた溶液を用いて、5000rpm、60秒の条件下でスピンコートし、150°C、30分間窒素下で加熱し膜厚10nmの中間層を設け、次いで、電子輸送層ETLを形成した以外は同様にして、有機EL素子120を作製した。《有機EL素子の評価》作製した有機EL素子について、実施例1と同様にして、半減寿命及び半減輝度到達時電圧上昇の評価を行った。尚、半減寿命の値は、実施例1の有機EL素子101の測定値を100とした場合の相対値で示した。表2から、正孔輸送層と発光層との間に中間層を設けた有機EL素子、発光層と電子輸送層との間に中間層を設けた有機EL素子でも、実施例1と同様に、半減寿命が長くなり、且つ、半減輝度到達時の電圧上昇が抑制されていることが判る。更に、本発明の有機EL素子117~120のように、中間層が複数層ある構成においては、更に、半減寿命が長寿命化することが判る。実施例3《有機EL素子201の作製》陽極として、100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITOインジウムチンオキシドを100nm製膜した基板NHテクノグラス社製NA-45にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。この透明支持基板上に、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン-ポリスチレンスルホネートPEDOT/PSS、Bayer社製、BaytronPAl4083を純水で70に希釈した溶液を3000rpm、30秒でスピンコート法により製膜した後、200°Cにて1時間乾燥し、膜厚30nmの正孔注入層HILを設けた。次いで、基板を窒素雰囲気下のグローブボックスへと移動し、化合物HT-250mgをモノクロロベンゼン10mlに溶解させた溶液を用いて1500rpm、30秒の条件下でスピンコート膜厚約20nmし、160°C、30分間窒素下で乾燥し、正孔輸送層HTLとした。さらに、化合物H-2773mgと化合物D-114mgを酢酸イソプロピル10mlに溶解させた溶液を用いて1500rpm、30秒の条件化でスピンコート膜厚約40nmし、120°C、30分間窒素下で乾燥し、発光層EMLとした。次いで、化合物ET-150mgを2,2,3,3-テトラフルオロプロパノール10mlに溶解させた溶液を用いて1500rpm、30秒の条件化でスピンコート膜厚約20nmし、120°C、30分間窒素下で乾燥し、電子輸送層ETLとした。基板を真空蒸着装置に取付け、真空槽を4×10-4Paまで減圧し、電子注入層としてLiFを2nmで成膜し、その後アルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子201を作製した。《有機EL素子202の作製》有機EL素子201の作製において、正孔注入層HILを製膜した後、該正孔注入層上に、ポリエチレンPE60mgをクロロベンゼン10mlに溶解させた溶液を用いて、5000rpm、60秒の条件下でスピンコートし、150°C、30分間窒素下で加熱し膜厚30nmの中間層を設け、次いで、正孔輸送層HTLを形成した以外は同様にして、有機EL素子202を作製した。《有機EL素子203および204の作製》有機EL素子202の作製において、PEをそれぞれ40mg、20mgをクロロベンゼン10mlに溶解させた溶液を用いて、5000rpm、60秒の条件下でスピンコートし、150°C、30分間窒素下で加熱し膜厚20nm、10nmの中間層を形成した以外は同様にして、有機EL素子203および204を作製した。《有機EL素子205の作製》有機EL素子201の作製において、正孔注入層を製膜する前に、基板を窒素雰囲気下のグローブボックスへと移動し、グローブボックス中でI-120mgを2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル-1,1,2,2-テトラフルオロエチルエーテル10mlに溶解させた溶液を用いて、5000rpm、60秒の条件下でスピンコートし、150°C、30分間窒素下で加熱し膜厚10nmの中間層を形成した以外は同様にして、有機EL素子205を作製した。《有機EL素子206の作製》有機EL素子202の作製において、PEの代わりに、ポリフッ化ビニリデンPVDF60mgを2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル-1,1,2,2-テトラフルオロエチルエーテル10mlに溶解させた溶液を用いて、5000rpm、60秒の条件下でスピンコートし、150°C、30分間窒素下で加熱し膜厚30nmの中間層を形成した以外は同様にして、有機EL素子206を作製した。《有機EL素子207および208の作製》有機EL素子206の作製において、ポリフッ化ビニリデンPVDFをそれぞれ40mg、20mgを2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル-1,1,2,2-テトラフルオロエチルエーテル10mlに溶解させた溶液を用いて、5000rpm、60秒の条件下でスピンコートし、150°C、30分間窒素下で加熱し膜厚20nm、10nmの中間層を形成した以外は同様にして、有機EL素子207および208を作製した。《有機EL素子209の作製》有機EL素子206の作製において、ポリフッ化ビニリデンPVDFの代わりに、I-260mgを2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル-1,1,2,2-テトラフルオロエチルエーテル10mlに溶解させた溶液を用いて、5000rpm、60秒の条件下でスピンコートし、150°C、30分間窒素下で加熱し膜厚30nmの中間層を形成した以外は同様にして、有機EL素子209を作製した。《有機EL素子210および211の作製》有機EL素子209の作製において、I-2をそれぞれ40mg、20mgを2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル-1,1,2,2-テトラフルオロエチルエーテル10mlに溶解させた溶液を用いて、5000rpm、60秒の条件下でスピンコートし、150°C、30分間窒素下で加熱し膜厚20nm、10nmの中間層を形成した以外は同様にして、有機EL素子210および211を作製した。《有機EL素子212の作製》有機EL素子206の作製において、ポリフッ化ビニリデンPVDFの代わりに、I-160mgを2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル-1,1,2,2-テトラフルオロエチルエーテル10mlに溶解させた溶液を用いて、5000rpm、60秒の条件下でスピンコートし、150°C、30分間窒素下で加熱し膜厚30nmの中間層を形成した以外は同様にして、有機EL素子212を作製した。《有機EL素子213および214の作製》有機EL素子212の作製において、I-1をそれぞれ40mg、20mgを2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル-1,1,2,2-テトラフルオロエチルエーテル10mlに溶解させた溶液を用いて、5000rpm、60秒の条件下でスピンコートし、150°C、30分間窒素下で加熱し膜厚20nm、10nmの中間層を形成した以外は同様にして、有機EL素子213および214を作製した。《有機EL素子201~214の評価》得られた有機EL素子201~214の各々について、実施例1と同様にして、半減寿命及び半減輝度到達時電圧上昇の評価を行った。なお、半減寿命の値は有機EL素子201の測定値を100とした場合の相対値で示した。表3から、複数の有機機能層例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等がウエットプロセスで作製された有機EL素子においても、フッ化ポリマーを含有する中間層を設けた本発明の有機EL素子は、そうではない比較の有機EL素子に比べて、半減寿命が長く、且つ、半減輝度到達時の電圧上昇が抑制されていることが明らかである。実施例4《有機EL素子215の作製》有機EL素子214の作製において、正孔注入層HILと正孔輸送層HTLとの間に中間層を設けずに、正孔輸送層を製膜した後に、基板を窒素雰囲気下のグローブボックスへと移動し、グローブボックス中で、該正孔輸送層HTL上に、I-120mgをクロロベンゼン10mlに溶解させた溶液を用いて、5000rpm、60秒の条件下でスピンコートし、150°C、30分間窒素下で加熱し膜厚10nmの中間層を設け、次いで、発光層EMLを形成した以外は同様にして、有機EL素子215を作製した。《有機EL素子216の作製》有機EL素子215の作製において、正孔輸送層HTLと発光層EMLとの間に中間層を設けずに、発光層を製膜した後に、基板を窒素雰囲気下のグローブボックスへと移動し、グローブボックス中で、該発光層EML上に、I-120mgをクロロベンゼン10mlに溶解させた溶液を用いて、5000rpm、60秒の条件下でスピンコートし、150°C、30分間窒素下で加熱し膜厚10nmの中間層を設け、次いで、電子輸送層ETLを形成した以外は同様にして、有機EL素子216を作製した。《有機EL素子217の作製》有機EL素子214の作製において、正孔輸送層を製膜した後に、基板を窒素雰囲気下のグローブボックスへと移動し、グローブボックス中で、該正孔輸送層HTL上に、I-120mgをクロロベンゼン10mlに溶解させた溶液を用いて、5000rpm、60秒の条件下でスピンコートし、150°C、30分間窒素下で加熱し膜厚10nmの中間層を設け、次いで、発光層EMLを形成した以外は同様にして、有機EL素子217を作製した。《有機EL素子218の作製》有機EL素子217の作製において、正孔輸送層HTLと発光層EMLとの間に中間層を設けずに、発光層を製膜した後に、基板を窒素雰囲気下のグローブボックスへと移動し、グローブボックス中で、該発光層EML上に、I-120mgをクロロベンゼン10mlに溶解させた溶液を用いて、5000rpm、60秒の条件下でスピンコートし、150°C、30分間窒素下で加熱し膜厚10nmの中間層を設け、次いで、電子輸送層ETLを形成した以外は同様にして、有機EL素子218を作製した。《有機EL素子219の作製》有機EL素子215の作製において、発光層EMLを製膜した後に基板を窒素雰囲気下のグローブボックスへと移動し、グローブボックス中で、該発光層EML上に、I-120mgをクロロベンゼン10mlに溶解させた溶液を用いて、5000rpm、60秒の条件下でスピンコートし、150°C、30分間窒素下で加熱し膜厚10nmの中間層を設け、次いで、電子輸送層ETLを形成した以外は同様にして、有機EL素子219を作製した。《有機EL素子220の作製》有機EL素子217の作製において、発光層EMLを製膜した後に基板を窒素雰囲気下のグローブボックスへと移動し、グローブボックス中で、該発光層EML上に、I-120mgをクロロベンゼン10mlに溶解させた溶液を用いて、5000rpm、60秒の条件下でスピンコートし、150°C、30分間窒素下で加熱し膜厚10nmの中間層を設け、次いで、電子輸送層ETLを形成した以外は同様にして、有機EL素子220を作製した。《有機EL素子215~220の評価》作製した有機EL素子215~220について、実施例1と同様にして、半減寿命及び半減輝度到達時電圧上昇の評価を行った。尚、半減寿命の値は有機EL素子201の測定値を100とした場合の相対値で示した。表4から、複数の有機機能層例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等がウエットプロセスで作製された素子においても、正孔輸送層HTLと正孔注入層HILとの間以外に、中間層が挿入した場合でも本発明の効果が出ていることがわかる。更に、より顕著に効果が出ている例が正孔注入層から発光層の間に中間層を設けたものであることもわかる。また、中間層が複数層ある構成においても効果が得られることが併せて明らかとなっている。"