"少なくとも一方の面にループ状回路を備える第一の基板に、開口部周囲の少なくとも一方の面にループ状回路を備える第二の基板を積層し、前記開口部に露出する第一の基板上にICチップをフェースダウン方式で実装したことを特徴とする非接触型ICモジュール。前記開口部に露出する第一の基板上にコンデンサを実装したことを特徴とする請求項1に記載の非接触型ICモジュール。前記開口部を、開口部側壁をダム枠として絶縁性樹脂で埋設したことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の非接触型ICモジュール。ところが、より通信性能を向上させ、また多機能化しようとすると、大きさに制限のある一枚の基板にループ状回路他の配線回路を敷設するだけでは足りず、配線回路を多層化する必要がある。そうなると、上記の構成を踏襲する限り、図6に示すように、配線基板を複数枚積層することが必要で単層基板より厚さが厚くなり且つICチップ8の部分で凸状形態となる結果、ICモジュールを平坦で薄く且つ小型化できないという問題がある。また、使用時に外力に対する電子回路部分の耐久性を向上させるためICチップ8部分を封止樹脂12で保護すると厚みがますます厚くなり、上下基板の端子部7の接続安定性をより強化することが必要となる。そこで、本発明は、上下基板の表裏に敷設されたループ状回路等配線回路の端子部の接続数をできるだけ低減し、且つ配線基板を多層化しても薄く平坦な非接触型ICモジュールの提供を課題とした。前記課題を達成するための請求項1に記載の発明は、少なくとも一方の面にループ状回路を備える第一の基板に、開口部周囲の少なくとも一方の面にループ状回路を備える第二の基板を積層し、前記開口部に露出する第一の基板上にICチップをフェースダウン方式で実装したことを特徴とする非接触型ICモジュールとしたものである。請求項2に記載の発明は、前記開口部に露出する第一の基板上にコンデンサを実装したことを特徴とする請求項1に記載の非接触型ICモジュールとしたものである。請求項3に記載の発明は、前記開口部を、開口部側壁をダム枠として絶縁性樹脂で埋設したことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の非接触型ICモジュールとしたものである。請求項1の発明によれば、第二の基板に設けた開口部にICチップが収容された状態で第一の基板上に実装されるので、第二の基板の厚み程度以下の厚さのICチップを使用することで、平坦で薄い非接触型ICモジュールを得ることができる。従来では、ICチップの形状が凸型であれば、被搭載側のICカード基材やフィギュアの取り付け部の形状を凹型とする必要があったが、本発明によれば凹型に限定されず、取り付け部の形状の自由度が広がる。また、第一の基板の表裏と第二の基板の表裏の最大で4面にアンテナ回路の形成が可能であり、目的に応じてアンテナを敷設する面を選択できる。特に大きなインダクタンスを有するICモジュールを得ることができる。請求項2の発明によれば、コンデンサを搭載することにより、ICモジュールの共振周波数の調整が可能であり、通信特性の一層の向上が可能となる。また、必要であれば複数個のコンデンサやインダクター、抵抗なども実装することができる。請求項3の発明によれば、第二の基板の開口部側壁をダム枠として、開口部に厚み分だけ絶縁樹脂を埋め込んだ態様である。このことで実装したICチップ、コンデンサ等種々の実装部品を保護すると同時に埋設部分を第2の基板面と面一にすることで、平坦な非接触型ICモジュールを得ることができる。以下、図1から図4を使用して本発明を説明する。ICモジュール1には、外部読み書き装置の送受信コイルと直接的に電磁的結合をして電力の受信と情報の授受に関与するループ状アンテナ回路4が必要である。図示しない外部読み取り装置もICモジュールと電磁的に結合して電力供給と情報授受を行うための送受信コイルを備えている。この送受信コイルにICモジュール側のループ状回路4を近接させることで電力供給あるいは情報伝達が行われる。外部読み書き装置の送受信回路で発生した高周波信号により、送受信コイルに高周波磁界が誘起される。この高周波信号は、磁気エネルギーとして周囲の空間に放射される。ICモジュール1がこの高周波磁界中に位置し、高周波磁界がICモジュールのループ状アンテナ回路4を貫通すると、ICモジュール内のコンデンサを含む並列共振回路に高周波電流が誘導される。誘導された高周波電流は、適切な結合回路を経てICチップ8に流れ込むことになる。ループ状アンテナ回路4とICチップ8間の電力の最大伝達効率は、ループ状アンテナ回路4のインダクタンス巻き数など、結合インダクタンス、配線抵抗など回路定数及びICチップ8側の回路定数の選択によって決定される。特に、ループ状アンテナ回路4についてはループの巻数を多くすることによって外部読み書き装置側の送受信回路との結合係数が大きくなり、読み書き装置側から伝達されるエネルギーが増大する。しかしながら、単層基板では十分な巻き数のループ回路を配置するのが難しいが、複数の基板にループ回路を小分けして配置することでインダクタンスを増大したり共振周波数の調整ができる。図1にループ状アンテナ回路の敷設パターンの一例を示した。図2は図1の断面視の図である。アンテナ回路4を周回状に配線した第二の基板3の開口部5にICチップ8を収容しつつ第一基板2にフェースダウン方式で実装した態様である。第一基板2、第二基板の基材3としては耐熱性と耐溶剤性を兼ね備えたものであれば良く、ガラスエポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン等が使用できる。基板2,3の厚さは、例えば、80μm~150μmの範囲から適宜選択される。ループ状アンテナ回路など配線パターンは、基板上にラミネートした銅箔またはアルミ箔を、定法のフォトリソ法によりエッチングして形成するか、導電性ペーストを使用した印刷法で形成しアニールする方法が採用できる。微細な配線パターンの形成には前者が好ましい。第一基板2と第二基板3の表裏にアンテナ回路を形成した場合の基板表裏の配線間の導通は、レーザ照射あるいは機械的なドリリングでスルーホールを形成し、該スルーホールの側壁をメッキするか、スクリーン印刷を用いて導電性ペーストで埋設する方法を採用できる。ICチップの実装は、異方性導電フィルムACFや異方性導電ペーストACPを用いた接続あるいはハンダバンプを介したハンダ接続から選択できる。いずれにおいてもICチップのフェースダウン方式での実装が可能である。図3は、第二基板3に設けた開口部5の側壁をダム枠にして,ICチップ8を絶縁樹脂12で封止する態様である。封止方法としては、ディスペンサにより絶縁性樹脂を滴下する方法、あるいはスクリーン印刷により絶縁性樹脂膜12を形成する方法を採用することができる。図3に示すように、樹脂封止面と第二基板3の上面が面一になるように高さを揃えると、完全にフラットな形態の非接触ICモジュールを得ることができる。絶縁性樹脂としては、主として熱硬化型のエポキシ樹脂を用いることができるが、用途によってはシリコン樹脂等を用いることも可能である。図4は、第二基板3の開口部内に露出した第一基板2上にコンデンサ9を搭載する態様である。搭載するコンデンサ9の容量を変えることで、非接触ICモジュールの共振周波数の調整が可能である。コンデンサとしてはチップコンデンサが好適である。コンデンサ9の第一基板2への接続方法としては、導電インキによる接続、ハンダによる接続を使用することができる。コンデンサ9の搭載位置は、厚み方向としては、よりフラットな形状を求める場合や、絶縁樹脂封止を実施する場合は、図4に示すように第二基板3の上面高さより低い方が好ましい。横方向の位置は、開口部内でICチップ8の横であれば位置は問わない。第一基板2の表裏及び第二基板3の表裏の最大4面にアンテナ回路4の形成が可能であり、目的とする特性によって配置面を選択できる。従来は、図5に示すように第一基板2の表裏を利用してアンテナ回路4を形成してきたが、同じように第二の基板3の表裏にもアンテナ回路の形成が可能である。これにより最大で4面にアンテナ回路4が敷設可能となり、直列に接続することで大きなインダクタンスを得ることができる。尚、第二基板3の裏面と第一基板2の表面にアンテナ回路を敷設する場合には絶縁をとるための絶縁用レジスト層図示せずが必要である。本発明になるICモジュールは、カード基材に実装して使用される。カード基材としては、ポリエステル系、塩化ビニル系など公知の材料を使用できる。その際、カード基材側にブースターアンテナを形成しておき、本発明になる非接触ICモジュールと電磁的に結合させて通信しても構わない。以下,ICモジュールの製造方法について説明するが概ね定法に沿うものである。ICモジュールにおける、上面視と断面視の配線パターンの一例を図1及び図2に示したが、配線パターンは,ICチップ8を取り囲むように第一の基板2上にアンテナ回路を形成し、第二の基板3の裏面側にもアンテナ回路を形成したが、相互に接触しないように配設してある。その他、ICチップ8とコンデンサ9は、図4で示すように第一の基板2の開口部5に搭載したが、端子、スルーホール等の位置については省略した。先ず、ガラスエポキシ樹脂の表裏に、厚さが18μm銅箔を貼り付け、その上にドライフィルムレジストAQ1558:旭化成エレクトロニクス株式会社製を熱ラミネートして15μm厚のフォトレジスト層を形成した。次に、所定の回路パターンを有するフォトマスクを用いて基板表裏に露光処理を行った。次に、長尺状の上記ガラスエポキシ基材を、水平搬送式のスプレーエッチング装置に投入し、エッチング処理を行い回路パターンを形成した。エッチング液は塩化第二鉄水溶液を使用したが、塩化第二銅水溶液でもよく、特に限定されるものではない。エッチング処理後、不用になったフォトレジストを剥離し、純水で洗浄した。剥離液は3重量水酸化ナトリウム、液温60°C、スプレー液圧15N/cm2で2間処理した。次に、ドリリング装置を用いて所定箇所にスルーホールを形成してから、スクリーン印刷法でスルーホールを導電性ペーストで埋設し、所定温度で乾燥した。次に、所定の金型を使用して、第二の基板3のICチップ8とコンデンサ9を収容する部位を正方形形状に打ち抜く打ち抜き加工を施した。第一の基板2に対しては、ICチップ8とコンデンサ9の端子に対応する部位、及び第二の基板との導通箇所にハンダペーストを所定の厚みに印刷した。2枚の基板間に接着性を有する絶縁性樹脂を挟んで一体化してから、所定の位置に、厚みが80μm程度のICチップ8をフェースダウンで搭載し、またコンデンサ9も所定位置に搭載してから、200°Cのオーブンを通過させて端子部をハンダ接続し固定した。最後にディスペンサを使用して開口部5をエポキシ樹脂で充填し静置することで表面を平坦にしてから所定の温度で乾燥させ、樹脂封止層12とした。個片に断裁して所望の非接触型ICモジュール1を得ることができた。"