金属基板上に、中間層、酸化物超電導層、銀層が形成され、周囲に保護層が形成されている酸化物超電薄膜線材の製造方法であって、幅広の金属基板上に、中間層、酸化物超電導層、銀層を形成して複合線材を作製する複合線材作製工程と、前記複合線材を所定の幅に切断して細線加工する細線加工工程と、パルス電流を用いた電気めっきにより、細線加工された前記複合線材の周囲に保護層を形成する保護層形成工程とを備えていることを特徴とする酸化物超電導薄膜線材の製造方法。前記電気めっきが、銀めっきであることを特徴とする請求項1に記載の酸化物超電導薄膜線材の製造方法。さらに、前記保護層の周囲に銅層を形成することを特徴とする請求項2に記載の酸化物超電導薄膜線材の製造方法。前記細線加工が、機械スリッタを用いた細線加工であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の酸化物超電導薄膜線材の製造方法。しかしながら、上記の方法をもってしても、めっき層を全面に亘って充分に形成して不良品の発生を抑制するには充分ではない。そこで、本発明は、良質のめっき層を全面に亘って充分に形成することにより不良品の発生を低減し、歩留まりを向上させることができる酸化物超電導薄膜線材の製造方法を提供することを課題とする。本発明者は、鋭意検討の結果、以下に示す発明により上記課題が解決できることを見出し、本発明を完成させるに至った。以下各請求項毎に説明する。請求項1に記載の発明は、金属基板上に、中間層、酸化物超電導層、銀層が形成され、周囲に保護層が形成されている酸化物超電薄膜線材の製造方法であって、幅広の金属基板上に、中間層、酸化物超電導層、銀層を形成して複合線材を作製する複合線材作製工程と、前記複合線材を所定の幅に切断して細線加工する細線加工工程と、パルス電流を用いた電気めっきにより、細線加工された前記複合線材の周囲に保護層を形成する保護層形成工程とを備えていることを特徴とする酸化物超電導薄膜線材の製造方法である。電界が発生しにくいエッジ部にできた隙間に電界を形成させるためには、電流密度の高い電流を印加する必要がある。しかし、前記したように、電流密度の高い電流を印加すると、デンドライトや気泡が発生して良質のめっき層を形成することができない。そこで、本発明者は、電気めっきに際して印加電流としてパルス電流を用いることを思い付き、本発明を完成するに至った。即ち、パルス状に変化する電流を用いて電気めっきを行うことにより、電流密度の高い電流が流れてめっき層の形成が行われる時間帯と、電流が流れずめっき層の形成がストップされる時間帯とが短い間隔で繰り返される。電流密度の高い電流によりエッジ部にできた隙間にも電界を形成させて素早くめっき層を形成させることができる。また、素早くめっき層を形成できるため、めっき液と酸化物超電導材料との反応が抑制され、隙間の成長を抑制することができる。その一方、高い電界密度の電流は短時間しか流れないため、デンドライトの生成やイオン供給が不足した水の電気分解による気泡の発生が抑制される。この結果、全面に効率良く良質のめっき層を形成させることができ、不良品の発生を低減して、歩留まりを向上させることができる。なお、保護層の形成は、全周に形成することには限られず、側面だけに形成してもよい。請求項2に記載の発明は、前記電気めっきが、銀めっきであることを特徴とする請求項1に記載の酸化物超電導薄膜線材の製造方法である。銀めっきは銅めっきに比べて高い析出速度でめっきができるため、より素早くめっき層を形成することができ、めっき液と酸化物超電導材料との反応をより抑制することができる。請求項3に記載の発明は、さらに、前記保護層の周囲に銅層を形成することを特徴とする請求項2に記載の酸化物超電導薄膜線材の製造方法である。第1の保護層として銀保護層を形成した後、さらに銅保護層を形成することにより、より安定した超電導特性の酸化物超電導薄膜線材を提供することができる。銅保護層を形成する方法としては特に限定されず、例えば、第1の保護層の形成の場合と同様にパルス電流を用いた電気めっきを採用することができるが、既に全面に良質の銀めっき層が形成されているため、通常の電気めっきを採用してもよい。請求項4に記載の発明は、前記細線加工が、機械スリッタを用いた細線加工であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の酸化物超電導薄膜線材の製造方法である。機械スリッタを用いた細線加工は、高速な加工が可能であるため好ましいが、エッジ部で酸化物超電導層と銀層との間に剥がれが生じた細線が作製されやすい。しかし、本発明を適用することにより、このような細線であっても、不良品の発生を低減することができるため、本発明の効果が一層顕著に発揮される。本発明によれば、良質のめっき層を全面に亘って充分に形成することにより不良品の発生を低減し、歩留まりを向上させることができる。以下、実施の形態に基づき、本発明を具体的に説明する。第1の実施の形態1.酸化物超電導薄膜線材の構造図1は第1の実施の形態における酸化物超電導薄膜線材の構造を模式的に示す断面図である。図1において、1は酸化物超電導薄膜線材であり、11は金属基板であり、12はセラミックス層であり、12aは中間層であり、12bは酸化物超電導層であり、13は銀層であり、14は保護層である。2.酸化物超電導薄膜線材の製造方法本実施の形態における酸化物超電導薄膜線材の具体的な製造方法は、以下の通りである。1複合線材の作製a金属基板の準備最初に、酸化物超電導体をc軸配向してエピタキシャル成長させるため、金属基板11として金属基板を準備する。具体的な金属基板としては、SUS、ハステロイ基板などがある。また、それ以外にも基板として配向させた、Cu、Ag、Niとそれらからなる合金基板、SUS、ハステロイ等をベース金属としたクラッドタイプの金属基板など配向金属基板が用いられることもある。b中間層の形成次に、金属基板11上に、例えば、配向金属基板であれば、CeO2酸化セリウム層、YSZイットリア安定化ジルコニア層、CeO2層の3層構造などの中間層12aをRFスパッタリング法等により形成する。また、中間層としてはIBAD法を用いて配向した中間層を作製する場合もある。c酸化物超電導層の形成次に、中間層12a上に、REBa2Cu3OxREは希土類元素で示されるRE123系超電導体からなる酸化物超電導層12bを、PLD法パルスレーザデポジッション法やMOD法塗布熱分解法等により形成する。d銀層の形成次に、酸化物超電導層12bの上および金属基板11の裏面に、DCスパッタリング法などの蒸着法を用いて銀層13を形成する。e酸素アニール最後に、熱処理して酸化物超電導層12b中の酸素量を調整することにより、複合線材の作製を完了する。2細線加工得られた複合線材を機械スリッタなどにより所定の幅に切断して細線化する。このとき、エッジ部の酸化物超電導層が変形、破壊されると、酸化物超電導層と銀層との界面に剥がれが生じる。3保護層の形成次に、得られた細線の周囲に保護層14を形成する。a保護層の材質保護層14の材質としては、銀や銅などが好ましいが、保護層の形成の素早さや、酸化物超電導層12bと銀層13との隙間に形成することを考慮すると、銀がより好ましい。b保護層の形成方法保護層14の形成には、パルス電流による電気めっきを用いる。パルス電流のON、OFFを適宜設定することにより、通常の直流による電気めっきにおける電流密度20A/dm2程度に比べ、40~100A/dm2程度の大きな電流密度で電気めっきを行うことができる。パルス電流を用いて、高い電界密度の電流を短時間流すことにより、前記したように、酸化物超電導層12bと銀層13との間の隙間に電界を形成させて素早くめっき層を形成させることができる。そして、めっき液と酸化物超電導材料との反応を抑制することにより隙間の成長を抑制することができる。一方、高い電界密度の電流は短時間しか流さないため、デンドライトの生成や気泡の発生を抑制することができる。この結果、全面に効率良く良質のめっき層を形成させることができ、図1に示すような、酸化物超電導層と銀層との間に隙間が生じた細線からでも、保護層が全面に亘って形成された酸化物超電導薄膜線材を得ることができ、従来は不良品となっていた製品でも良品として採用することが可能となり、歩留まりを向上させることができる。また、見掛け上の電流量を上げることもできるため、めっき速度の向上も可能となる。更に、複雑な形状でも覆うことができるため、アンカー効果により剥離しにくい強固なめっき層を形成することができる。第2の実施の形態図3は、第2の実施の形態における酸化物超電導薄膜線材の構造を模式的に示す断面図である。図3において、3は酸化物超電導薄膜線材であり、31は金属基板であり、32はセラミック層であり、32aは中間層であり、32bは酸化物超電導層であり、33は銀層であり、34は銀層第1の保護層であり、35は銅層第2の保護層である。図3に示すように、本実施の形態においては、上記の方法を用いて銀層第1の保護層34が形成された酸化物超電導薄膜線材の周囲に、さらに第2の保護層として銅層35を形成しているため、より安定した超電導特性の酸化物超電導薄膜線材を得ることができる。次に、実施例に基づき、より具体的に説明する。1.酸化物超電導薄膜線材の製造1複合線材の作製まず、幅30mm×長さ100m×厚さ0.1mmのテープ状のクラッド配向金属基板を用意した。クラッド配向金属基板はベース材料と配向金属材料からなっており、配向金属材料としてはNi、Ag、Cuとそれらの合金が挙げられるが、本実施例においては、SUS厚さ100μmをベース材料として、順にCu層厚さ18μm、Ni層厚さ2.4μmを形成させたクラッド基板を用いた。次に、この金属基板上にRFスパッタリング法によって厚さ0.1μmのCeO2層を形成した。続いて、このCeO2層上にRFスパッタリング法によって厚さ0.3μmのYSZ層を形成した。さらに、YSZ層上にRFスパッタリング法によって厚さ0.1μmのCeO2層を形成した。これにより、3層の積層体からなる中間層を基板上に形成した。次に、上記の中間層上に、PLD法によってGd123超電導体からなる厚さ1μmの酸化物超電導層を形成した。次に、超電導層形成後の線材の周囲に、DCスパッタリング法により厚さ3μmの銀層を形成した。一般的には超電導層の保護層としてその表面のみに形成することが多いが、本実施例では効率よくめっきを析出させるため裏面の基板側にも電流路として形成している。そして、最後に、酸素量調整の熱処理を行って複合線材を作製した。2細線加工その後、上記の複合線材を機械スリッタを用いて幅4mmに細線加工した。3保護層の形成まず、パルス電流による電気めっきを用いて、表3に示すめっき条件で、細線化した複合線材の周囲に厚さ20μmの銀保護層を形成した。パルス電流の通電パターンを図2に示す。めっき液としては、表1に示す組成の水溶液を用いた。なお、表1においては、水1Lに対する含有量g/Lが示されている。次に、直流による電気めっきを用いて、表3に示すめっき条件で、銀保護層の上に、細線化した複合線材の周囲に厚さ20μmの銅保護層を形成して、実施例の酸化物超電導薄膜線材を得た。めっき液としては、表2に示す組成の水溶液を用いた。比較例として、銀保護層の形成を行わず、酸化物超電導層の上に直接、直流による電気めっきを用いて銅保護層を形成したこと以外は実施例と同様にして、比較例1の酸化物超電導薄膜線材を得た。また、直流による電気めっきを用いて、表3に示すめっき条件で銀保護層の形成を行ったこと以外は実施例と同様にして、比較例2および比較例3の酸化物超電導薄膜線材を得た。2.評価得られた各酸化物超電導薄膜線材について、デンドライト生成の有無、および50m長さにおける剥がれめっきの不良箇所の個数を測定した。結果を表3に示す。表3より、実施例においては、デンドライトの生成が認められず、また剥がれの発生もなく、全面に亘って良質な保護層が形成されていることが分かる。これに対して、比較例1および比較例2においては、デンドライトの生成は認められないが、剥がれが発生しており、良質な保護層が形成されていないことが分かる。また、比較例3においては、デンドライトが生成しており、剥がれの発生を測定するまでもなく、良質な保護層が形成されていないことが分かる。この結果より、酸化物超電導層と銀層との間に隙間が生じている細線であっても、パルス電流を用いた電気めっきにより、全面に亘って良好な保護層を形成することができ、安定した超電導特性の酸化物超電導薄膜線材を提供できることが分かる。以上、本発明を実施の形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。本発明と同一および均等の範囲内において、上記の実施の形態に対して種々の変更を加えることができる。