"炉本体と、炉本体内面に設けられた加熱部と、炉本体内に配置され、下端が開口した処理容器と、上下方向に移動自在に設けられ、処理容器の下端開口を密封する蓋体と、蓋体上に設けられ内部に複数の被処理体を収納するとともに、被処理体を処理容器内に挿入する保持具と、被処理体とともに処理容器内に挿入され、処理容器内の温度を検出する処理容器内温度センサと、処理容器内温度センサからの検出信号に基づき、この処理容器内温度センサからの検出信号に一次遅れフィルタをかけて被処理体の温度を推定する温度推定部と、温度推定部で推定された被処理体の温度に基づいて加熱部を制御する制御装置とを備えたことを特徴とする熱処理制御システム。処理容器内温度センサは蓋体上に設けられていることを特徴とする請求項1記載の熱処理制御システム。処理容器内温度センサは、保持具に取付けられていることを特徴とする請求項1記載の熱処理制御システム。温度推定部は被処理体を処理容器内に挿入するロード時に被処理体の温度を推定することを特徴とする請求項1記載の熱処理制御システム。請求項1記載の熱処理制御システムを用いた熱処理制御方法において、被処理体を収納して保持する保持具により、被処理体を処理容器内へ挿入するロード工程と、温度推定部において、処理容器内温度センサからの検出信号に基づき、この処理容器内温度センサからの信号に一次フィルタをかけて被処理体の温度を推定する工程と、温度推定部により推定された温度に基づいて、制御装置により加熱部を制御する工程と、を備えたことを特徴とする熱処理制御方法。本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、被処理体のロード時において、被処理体を迅速かつ精度良く熱処理することができる熱処理装置および熱処理方法を提供することを目的とする。本実施の形態は、炉本体と、炉本体内面に設けられた加熱部と、炉本体内に配置され、下端が開口した処理容器と、上下方向に移動自在に設けられ、処理容器の下端開口を密封する蓋体と、蓋体上に設けられ内部に複数の被処理体を収納するとともに、被処理体を処理容器内に挿入する保持具と、被処理体とともに処理容器内に挿入され、処理容器内の温度を検出する処理容器内温度センサと、処理容器内温度センサからの信号に基づき、この処理容器内温度センサからの検出信号に一次遅れフィルタをかけて被処理体の温度を推定する温度推定部と、温度推定部で推定された被処理体の温度に基づいて加熱部を制御する制御装置とを備えたことを特徴とする。上記熱処理制御システムにおいて、処理容器内温度センサは蓋体上に設けられていることを特徴とする。上記熱処理制御システムにおいて、処理容器内温度センサは、保持具に取付けられていることを特徴とする。上記熱処理制御システムにおいて、温度推定部は被処理体を処理容器内に挿入するロード時に被処理体の温度を推定することを特徴とする。本実施の形態は、熱処理制御システムを用いた熱処理制御方法において、被処理体を収納して保持する保持具により、被処理体を処理容器内へ挿入するロード工程と、温度推定部において、処理容器内温度センサからの検出信号に基づき、この処理容器内温度センサからの信号に一次遅れフィルタをかけて被処理体の温度を推定する工程と、温度推定部により推定された温度に基づいて、制御装置により加熱部を制御する工程と、を備えたことを特徴とする熱処理制御方法である。以上のように本発明によれば、熱処理体のロード時において、処理容器内温度センサからの検出温度に基づいて、温度推定部により被処理体の温度Tを確実に推定することができる。温度推定部により推定された被処理体の温度を用いて、制御装置により加熱部を制御することにより、迅速かつ精度良く被処理体に対して熱処理を施すことができる。以下に、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。ここで図1は本発明による熱処理制御システムを概略的に示す縦断面図、図2は図1と同様の図であって、被処理体のロード時における熱処理制御システムを示す図、図3は熱処理制御システムの温度推定部における作用を示す図、図4abは熱処理制御システムの温度推定部における作用を比較例として比較して示す図である。図1において、縦型の熱処理制御システム1は、被処理体、例えば半導体ウエハWを一度に多数枚収容して酸化、拡散、減圧CVD等の熱処理を施すことができる縦型の熱処理炉2を備えている。この熱処理炉2は、内周面に発熱抵抗体ヒータ18Aが設けられた炉本体5と、炉本体5内に配置され、炉本体5との間に空間33を形成するとともに、ウエハWを収容して熱処理するための処理容器3とを備えている。ここで、ヒータ18AはウエハWを加熱する加熱部として機能する。また炉本体5と処理容器3との間の空間33は、縦方向に沿って複数の単位領域、例えば10の単位領域A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、A8、A9、A10に区画されている。そしてヒータ18Aは、この10の単位領域A1、...A10に対応して各々の単位領域A1、...A10に設けられており、さらに各単位領域A1、...A10毎に、当該単位領域A1、...A10の温度を測定する後述のようにアウタ温度センサ50が設けられている。なお、図1において、すべての単位領域A1、...A10毎にヒータ18Aとアウタ温度センサ50が設けられている。また各ヒータ18Aは、後述のように複数のヒータエレメント18からなっている。また炉本体5はベースプレート6により支持され、このベースプレート6には処理容器3を下方から上方に挿入するための開口部7が形成されている。またベースプレート6の開口部7にはベースプレート6と処理容器3との間の隙間を覆うように図示しない断熱材が設けられている。処理容器3は、上端が開口した石英製の内筒3Aと、内筒3Aを覆うとともに上端が閉じた外筒3Bとからなる。また処理容器3には、下側部に処理ガスや不活性ガス等を処理容器3内に導入する導入ポート導入口8A及び処理容器3内のガスを排気するための排気ポート8Aが設けられている。導入ポート8Aにはガス供給源図示せずが接続され、排気ポート8Aには例えば133×600Pa~133×10-2Pa程度に減圧制御が可能な真空ポンプを備えた排気系図示せずが接続されている。また導入ポート8には、処理容器3内に延びるとともに噴出口8aを有する導入管8Bが接続されている。処理容器3の下方には、処理容器3の炉口3aを閉塞する蓋体10が昇降機構13Aにより昇降移動可能に設けられている。この蓋体10の上部には、炉口の保温手段である保温筒11が載置され、該保温筒11の上部には、直径が300mmのウエハWを多数枚、例えば100~150枚程度上下方向に所定の間隔で搭載する保持具である石英製のボート12が載置されている。蓋体10には、ボート12をその軸心回りに回転する回転機構13が設けられている。ボート12は、蓋体10の下降移動により処理容器3内から下方のローディングエリア15内に搬出アンロードされ、ウエハWの移替え後、蓋体10の上昇移動により処理容器3内に搬入ロードされる。上記炉本体5は、円筒状の断熱材16と、該断熱材16の内周面に軸方向図示例では上下方向に多段に形成された溝状の棚部17とを有し、各棚部17に沿って各単位領域A1、...A10毎に設けられたヒータ18Aを構成するヒータエレメントヒータ線、発熱抵抗体18が配置されている。断熱材16は、例えばシリカ、アルミナあるいは珪酸アルミナを含む無機質繊維からなっている。断熱材16は、縦に二分割されており、このためヒータエレメントの組付及びヒータの組立を容易に行うことができる。上記断熱材16には上記ヒータエレメント18を適宜間隔で径方向に移動可能に保持するピン部材図示せずが配設されている。上記円筒状の断熱材16の内周面にはこれと同心の環状の溝部21が軸方向に所定ピッチで多段に形成され、隣り合う上部の溝部21と下部の溝部21との間に周方向に連続した環状の上記棚部17が形成されている。またこれらは強制冷却時の冷却媒体がヒータエレメント18の背面に回り込み、ヒータエレメント18を効果的に冷却できるようになっている。なお、このような冷却媒体としては、空気、窒素ガスが考えられる。各単位領域A1、...A10毎に設けられたヒータ18Aにおいて、端部側に位置するヒータエレメント18は断熱材16を径方向に貫通するように設けられた端子板22a,22bを介して外部のヒータ出力部18Bに接続されている。炉本体5の断熱材16の形状を保持すると共に断熱材16を補強するために、図1に示すように、断熱材16の外周面は金属製例えばステンレス製の外皮アウターシェル28で覆われている。また、炉本体5の外部への熱影響を抑制するために、外皮28の外周面は水冷ジャケット30で覆われていてもよい。断熱材16の頂部にはこれを覆う上部断熱材31が設けられ、この上部断熱材31の上部には外皮28の頂部上端部を覆うステンレス製の天板32が設けられている。また図1および図2に示すように、熱処理後にウエハを急速降温させて処理の迅速化ないしスループットの向上を図るために、空間33内の雰囲気を外部に排出する排熱系35と、上記空間33内に常温20~30°Cの冷却媒体を導入して強制的に冷却する強制冷却媒体手段36とが設けられている。上記排熱系35は、例えば炉本体5の上部に設けられた排気口37からなり、該排気口37には、空間33内の冷却媒体を排気する冷却媒体排気ライン62が接続されている。さらに強制冷却媒体手段36は、上記炉本体5の断熱材16と外皮28の間に高さ方向に複数形成された環状流路38と、各環状流路38から断熱材16内を貫通して冷却媒体を吹き出す冷却媒体吹出し孔40とを有している。上記環状流路38は、断熱材16の外周面に帯状又は環状の断熱材41を貼り付けるか、或いは断熱材16の外周面を環状に削ることにより形成されている。上記外皮28の外周面には、各環状流路38に冷却媒体を分配供給するための共通の1本の供給ダクト49が高さ方向に沿って設けられ、外皮28には供給ダクト49内と各環状流路38とを連通する連通口が形成されている。供給ダクト49には冷却媒体を供給する冷却媒体供給ライン52が接続されている。また、上述のように炉本体5と処理容器3との間に形成された空間33には、単位領域A1、...A10毎の温度を検知するアウタ温度センサ50が各々設置され、この温度センサ50からの検知信号は信号ライン50aを介して制御装置51へ送られる。この制御装置51は後述のようにヒータ出力部18Bを制御して、各単位領域A1、...A10毎に設置されたヒータ18Aを駆動する。さらに排気口37内にも温度センサ排気温度センサ80が設置され、この温度センサ80からの検知信号は信号ライン80aを介して制御装置51に送られる。また図1および図2に示すように、内筒3A内面に、複数のインサイド温度センサinsideT/C81が縦方向に沿って設けられており、各インサイド温度センサ81は内筒3A内において縦方向に延びるインサイド温度センサ保持具81Aにより保持されている。また外筒3B内面に、複数のインナ温度センサinnerT/C82が縦方向に沿って設けられており、各インナ温度センサ82は外筒3B内において縦方向に延びるインナ温度センサ保持具82Aにより保持されている。さらに蓋体10に縦方向に延びるプロファイル温度センサ保持具83Aが設けられ、このプロファイル温度センサ保持具83Aに沿って複数のプロファイル温度センサprofileT/C83が取付けられている。またインサイド温度センサ81とインナ温度センサ82は、処理容器3内の温度を検出するものであり、単位領域A2、...A10毎に設置されている。なお、処理容器3が一重管からなる場合、インナ温度センサ82のみを設けてもよい。さらに、プロファイル温度センサ83は蓋体10に設置されたプロファイル温度センサ保持具83Aに取付けられて、蓋体10およびボート12とともに処理容器3内に挿入され、処理容器3内の温度を検出する処理容器内温度センサとして機能する。各プロファイル温度センサ83は、ボート12を処理容器3内に挿入した際、単位領域A3、...A10に対応して設置される。これら温度センサ50、80、81、82、83のうち、排気温度センサ80、アウタ温度センサ50、インサイド温度センサ81およびインナ温度センサ82は制御装置51に接続されている。またプロファイル温度センサ83は、温度推定部51Aに接続され、この温度推定部51AにおいてウエハWのロード時の温度が推定される。温度推定部51Aによって推定されたロード時のウエハWの温度は制御装置51に送られる。そしてこの制御装置51によって温度推定部51Aによって推定されたロード時のウエハWの温度および温度センサ50、80、81、82に検出された検出温度に基づいて、ヒータ出力部18Bが制御され、ヒータ出力部18Bにより各ヒータ18Aが駆動される。次にこのような構成からなる熱処理装置の作用について説明する。まず、ボート12内にウエハWが搭載され、ウエハWが搭載されたボート12が蓋体10の保温筒11上に載置される。その後蓋体10が昇降機構13Aにより上昇して、ボート12が処理容器3内へ搬入され、ウエハWが処理容器3内へ挿入されてロードされる。この間、ロード時において温度推定部51AにおいてウエハWの温度が求められる。制御装置51は温度推定部51Aによって求めたウエハの温度に基づいてヒータ出力部18Bを制御して各単位領域A1、...A10内のヒータ18Aを駆動制御し、炉本体5と処理容器3との間の空間33を加熱し、処理容器3内のボート12に搭載されたウエハWに対して必要な熱処理を施す。またロード終了し温度安定後、制御装置51は、温度推定部51Aによって求めたウエハの温度、および必要に応じて温度センサ50、80、81、82からの検出温度に基づいてヒータ出力部18Bを制御して各単位領域A1、...A10内のヒータ18Aを駆動制御する。次にウエハWのロード時における温度推定部51Aの作用について図3および図4により説明する。ここで図3は温度推定部51Aにおける作用を示す図であって、横軸にウエハWのロード時における時間が示され、縦軸に温度が示されている。図3に示すように、ロード開始から一定時間経過後にウエハWの温度が安定する。ウエハWのロード開始から温度安定までのロード時において、温度推定部51Aに、プロフィル温度センサ83からの検出温度が入力される。温度推定部51Aでは、プロファイル温度センサ83からの検出温度に基づいてウエハWの温度が推定される。具体的には、温度推定部51Aはプロファイル温度センサ83からの検出温度検出信号に対して一次遅れフィルタをかける。この場合、一次遅れフィルタとして、予めウエハ温度の時定数に基づいて設計された適切なフィルタを設定しておく。そしてこのように設計された適切な一次遅れフィルタを用いることにより、プロファイル温度センサ83からの検出信号に一次遅れフィルタをかけた信号を実際のウエハ温度に略一致させることができる。次に図4abにより本発明の作用効果について述べる。ここで図4aは本発明による熱処理制御システムにおける温度推定部の作用を示す図であり、図4bは比較例の作用を示す図である。図4aに示すように、本発明によれば、温度推定部51Aにおいて、ロード時において、蓋体10に取付けられウエハWとともに処理容器3内に挿入されるプロファイル温度センサ83からの検出信号に対して一次遅れフィルタをかけてウエハWの温度を推定する。このことにより、一次遅れフィルタをかけた温度を実際のウエハはWの温度に近づけて、ウエハの温度を正確に求めることができる。そしてロード時において、温度推定部51Aにおいて求めたウエハWの温度に基づいて制御装置51によりヒータ出力部18Bを制御して、各ヒータ18Aを駆動する。このことにより、ロード時においてウエハWの温度を短時間で安定化させることができる。図4aにおいて、インナ温度センサ82の検出温度は、ロード時において実際のウエハの温度よりかなり高くなっている。他方、図4bに示す比較例において、ロード時において制御装置はインナ温度センサの検出信号に基づいてヒータを駆動制御している。図4bに示すように、制御装置がインナ温度センサの検出信号に基づいてヒータを制御した場合、インナ温度センサの検出温度は実際のウエハ温度を乖離しているため、ウエハWの温度を安定化させるためには長時間を要している。このように比較例において、ウエハWの温度を安定化させるために長時間を要する理由として、以下の理由が考えられる。すなわちロード開始時においてウエハWの温度は室温であり、これに対してインナ温度センサの検出温度はプロセス温度に近く、両者の差が大きくなり、このため制御装置はインナ温度センサの検出温度に基づいてヒータを制御した場合、ヒータパワーを大きく出せずにウエハWを加熱する力が弱いという問題がある。またSiからなるウエハは400°C以下の低温域では赤外線を透過するため放射率が低く加熱しにくい、という問題がある。例えば200°Cのプロセスにおいて、ヒータの1.5~5.0μm波長領域において、Siの放射率は0.1前後であるため、ウエハの温度は上昇しにくい。これに対して本願発明によれば、ロード時において温度推定部51AによりウエハWの温度を精度良く求めることができる。そして制御装置51は温度推定部51Aにより求めたウエハWの温度に基づいてヒータ出力部18Bを制御してヒータ18Aを駆動するので、ウエハWの温度を短時間で安定化することができる。以上のように本実施の形態によれば、温度推定部51Aにおいて、プロファイル温度センサ83の検出信号に一次遅れフィルタをかけることにより、ロード時におけるウエハWの温度を精度良く推定することができる。そして温度推定部51Aにおいて推定されたウエハの温度に基づいて制御装置51によりヒータ出力部18Bを制御してヒータ18Aを駆動する。この場合、温度推定部51Aによりロード時におけるウエハWの温度を精度良く推定することができるので、例えばインナ温度センサ82からの検出温度をウエハWの温度と推定して制御装置51によりヒータ18Aを制御する場合に比べて、ウエハWの温度を正して推定してロード時において、ウエハWを迅速かつ精度良く熱処理することができる。なお、上記実施の形態において、ウエハWとともに処理容器3内に挿入される処理容器内温度センサとしてプロファイル温度センサ83を用いるとともに、このプロファイル温度センサ83を蓋体10上に設置されたプロファイル温度センサ保持具83Aに取付けた例を示したが、これに限らずプロファイル温度センサ83を蓋体10上に設ける代わりに、プロファイル温度センサ83をボート12に設けてもよい。"