"化学気相成長により合成ダイヤモンド材料を製造するマイクロ波プラズマ反応器であって、前記マイクロ波プラズマ反応器は、プラズマチャンバと、前記プラズマチャンバ内に設けられると共に使用中に前記合成ダイヤモンド材料を析出させるべき基板を支持する支持面を備えた基板ホルダと、マイクロ波発生器からのマイクロ波を前記プラズマチャンバ中に送り込むマイクロ波結合構造体と、プロセスガスを前記プラズマチャンバ中に送り込んで前記プロセスガスを前記プラズマチャンバから除去するガス流システムとを含み、前記マイクロ波プラズマ反応器は、前記プラズマチャンバ内で前記基板ホルダの周りに設けられた導電性プラズマ安定化アニュラス部を更に含む、マイクロ波プラズマ反応器。前記基板ホルダは、前記プラズマチャンバの端上に配置され、前記導電性プラズマ安定化アニュラス部は、前記プラズマチャンバの前記端上又は前記基板ホルダの周りで前記プラズマチャンバの側壁上に配置されている、請求項1記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記導電性プラズマ安定化アニュラス部は、前記基板ホルダの周りに完全な連続リングを形成している、請求項1又は2記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記導電性プラズマ安定化アニュラス部は、複数の弧状セグメント及び前記セグメント相互間の隙間を有し、前記複数の弧状セグメントは、前記基板ホルダの周りに不完全な不連続リングを形成している、請求項1又は2記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記複数の弧状セグメントは、前記導電性プラズマ安定化アニュラス部の周囲に沿ってその少なくとも30、40、50、60、70、80又は90にわたって延びている、請求項4記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記導電性プラズマ安定化アニュラス部は、前記プラズマチャンバの中心軸線に関して対称である、請求項1~5のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記導電性プラズマ安定化アニュラス部は、前記プラズマチャンバの直径に対する半径方向幅が1~30、3~20、5~15又は8~12である、請求項1~6のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記導電性プラズマ安定化アニュラス部は、400MHz~500MHzのマイクロ波周波数fに関し、10mm~165mm、20mm~100mm又は40mm~80mmの半径方向幅、800MHz~1000MHzのマイクロ波周波数fに関し、5mm~100mm、10mm~50mm又は20mm~40mmの半径方向幅、又は2300MHz~2600MHzのマイクロ波周波数fに関し、2mm~30mm、4mm~20mm又は6mm~15mmの半径方向幅を有する、請求項1~7のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記導電性プラズマ安定化アニュラス部は、前記プラズマチャンバの直径に対する内径が50以上、60以上、70以上、75以上又は80以上である、請求項1~8のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記導電性プラズマ安定化アニュラス部は、前記プラズマチャンバの直径に対する内径が95以下、90以下、85以下又は80以下である、請求項1~9のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記導電性プラズマ安定化アニュラス部は、400MHz~500MHzのマイクロ波周波数fに関し、300mm以上、400mm以上、450mm以上又は500mm以上の内径、800MHz~1000MHzのマイクロ波周波数fに関し、150mm以上、200mm以上、240mm以上又は280mm以上の内径、又は2300MHz~2600MHzのマイクロ波周波数fに関し、50mm以上、70mm以上、85mm以上又は95mm以上の内径を有する、請求項1~10のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記導電性プラズマ安定化アニュラス部は、400MHz~500MHzのマイクロ波周波数fに関し、950mm以下、850mm以下、800mm以下、720mm以下又は680mm以下の内径、800MHz~1000MHzのマイクロ波周波数fに関し、450mm以下、400mm以下、350mm以下又は330mm以下の内径、又は2300MHz~2600MHzのマイクロ波周波数fに関し、170mm以下、150mm以下、130mm以下又は120mm以下の内径を有する、請求項1~11のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記導電性プラズマ安定化アニュラス部は、内径とプラズマチャンバ高さの比が0.9~2、0.95~1.8、1.0~1.5又は1.1~1.3であるような内径を有する、請求項1~12のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記導電性プラズマ安定化アニュラス部は、前記プラズマチャンバの高さに対する軸方向深さが1~30、2~20又は5~15である、請求項1~13のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記導電性プラズマ安定化アニュラス部は、前記プラズマチャンバの2つの電場波腹相互間の垂直距離に対する軸方向深さが1~30、2~20又は5~15である、請求項1~14のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記導電性プラズマ安定化アニュラス部は、400MHz~500MHzのマイクロ波周波数fに関し、10mm~200mm、10mm~150mm、20mm~100mm、40mm~80mm又は40mm~60mmの軸方向深さ、800MHz~1000MHzのマイクロ波周波数fに関し、5mm~100mm、5mm~75mm、10mm~50mm、20mm~40mm又は20mm~30mmの軸方向深さ、又は2300MHz~2600MHzのマイクロ波周波数fに関し、2mm~35mm、2mm~30mm、4mm~20mm、7mm~15mm又は7mm~10mmの軸方向深さを有する、請求項1~15のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記導電性プラズマ安定化アニュラス部は、前記基板ホルダが載せられている前記プラズマチャンバの端から前記プラズマチャンバの高さの50以下、40以下、30以下、20以下又は10以下の高さのところに下面を有するよう位置決めされている、請求項1~16のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記導電性プラズマ安定化アニュラス部は、前記基板ホルダの前記支持面の高さの±100mm、±70mm、±50mm、±30mm、±20mm又は±10mmの範囲内の高さのところに位置決めされている、請求項1~17のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記プラズマチャンバは、実質的に円筒形であり、前記プラズマチャンバの側壁の少なくとも80は、平均円の10又は40mmの範囲内の周長を有する、請求項1~18のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記導電性プラズマ安定化アニュラス部は、平均円の10又は40mmの範囲内の周長を有する実質的に円形の形をしている、請求項1~19のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記導電性プラズマ安定化アニュラス部は、融点が少なくとも100°C、導電率が少なくとも1×106Sm1且つ/或いは熱伝導率が少なくとも10WK1m1である材料で作られている、請求項1~20のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記材料は、金属製である、請求項21記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記材料は、ステンレス鋼、銅、アルミニウム、モリブデン及びタンタルのうちの1つ又は2つ以上を少なくとも80、少なくとも90、少なくとも95又は少なくとも98を含む、請求項21又は22記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記導電性プラズマ安定化アニュラス部は、前記導電性プラズマ安定化アニュラス部が設けられている前記プラズマチャンバの壁と同種の材料で作られている、請求項1~23のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。2つ以上の導電性プラズマ安定化アニュラス部が前記プラズマチャンバ内に設けられている、請求項1~24のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記導電性プラズマ安定化アニュラス部は、前記プラズマチャンバの壁から前記プラズマチャンバ内へ突き出た突出リングの形態をしている、請求項1~25のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記導電性プラズマ安定化アニュラス部は、前記プラズマチャンバの壁に形成されたリング形凹部の形態をしている、請求項1~25のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記導電性プラズマ安定化アニュラス部は、鋭利な縁のない滑らかな断面形状を有するよう形成されている、請求項1~27のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記導電性プラズマ安定化アニュラス部は、少なくとも、曲率半径が1mm~40mm、2mm~30mm、3mm~20mm又は5mm~15mmの湾曲した断面形状を有する部分を有する、請求項1~28のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記部分は、一定曲率半径又は漸変曲率半径を有する、請求項29記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記部分は、上方部分よりも大きな曲率半径を有する下方部分を含む漸変曲率半径を有する、請求項30記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記下方部分は、10mm~40mm、10mm~30mm又は12mm~20mmの曲率半径を有し、前記上方部分は、1mm~10mm、2mm~8mm又は3mm~7mmの曲率半径を有する、請求項31記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記マイクロ波結合構造体は、前記基板ホルダ及び前記導電性プラズマ安定化アニュラス部が設けられている端と反対側の前記プラズマチャンバの端のところでマイクロ波を前記プラズマチャンバ中に誘導結合するよう配置されている、請求項1~32のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記ガス流システムは、前記基板及び前記導電性プラズマ安定化アニュラス部が設けられている端と反対側の前記プラズマチャンバの端のところでプロセスガスを前記プラズマチャンバ中に送り込むよう構成されている、請求項1~33のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。前記ガス流システムは、プロセスガスを前記基板の成長面に向かって噴射するよう構成されている、請求項34記載のマイクロ波プラズマ反応器。化学気相成長法を利用して合成ダイヤモンド材料を製造する方法であって、前記方法は、請求項1~35のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器を用意するステップを含み、前記基板ホルダの前記支持面上に基板を配置するステップを含み、前記基板は、成長面を有し、マイクロ波発生器からのマイクロ波を前記プラズマチャンバ中に送り込むステップを含み、プロセスガスを前記プラズマチャンバ内に送り込むステップを含み、合成ダイヤモンド材料を前記基板の前記成長面上に形成するステップを含む、方法。前記導電性プラズマ安定化アニュラス部は、前記プラズマチャンバの底部に対し、前記基板の前記成長面の高さの±100mm、±70mm、±50mm、±30mm、±20mm又は±10mmの高さのところに位置決めされている、請求項36記載の方法。前記導電性プラズマ安定化アニュラス部は、使用中における前記プラズマチャンバ内に形成されたプラズマと整列する高さのところに位置決めされている、請求項36又は37記載の方法。前記導電性プラズマ安定化アニュラス部は、前記基板の直径に対する半径方向幅が10~50、15~40、20~35又は25~30である、請求項36~38のうちいずれか一に記載の方法。前記導電性プラズマ安定化アニュラス部は、前記プラズマチャンバ内の可視プラズマの直径に対する内径が110~250、120~200、120~160又は130~150である、請求項36~39のうちいずれか一に記載の方法。前記導電性プラズマ安定化アニュラス部は、前記基板の直径に対する内径が150~400、150~350又は200~320である、請求項36~40のうちいずれか一に記載の方法。前記導電性プラズマ安定化アニュラス部は、使用中における前記プラズマチャンバ内の可視プラズマの軸方向深さの1~100、10~75、20~50又は30~50の軸方向深さを有する、請求項36~41のうちいずれか一に記載の方法。前記プラズマチャンバ内の作業圧力は、2300~2600MHzのマイクロ波周波数では、200トル以上、220トル以上、240トル以上、260トル以上、280トル以上、300トル以上又は320トル以上であり、800~1000MHzのマイクロ波周波数では、120トル以上、140トル以上、160トル以上、180トル以上、200トル以上又は220トル以上であり、400~500MHzのマイクロ波周波数では、60トル以上、70トル以上、80トル以上、100トル以上又は120トル以上である、請求項36~42のうちいずれか一に記載の方法。前記基板に送り出される電力密度は、前記成長面の1mm2当たり0.05W以上、0.1W以上、0.5W以上、1W以上、1.5W以上、2.0W以上、2.5W以上、2.75W以上、3.0W以上、3.2W以上又は3.5W以上であるのが良い、請求項36~43のうちいずれか一に記載の方法。前記マイクロ波は、前記基板及び前記導電性プラズマ安定化アニュラス部が設けられている端と反対側の前記プラズマチャンバの端のところで前記プラズマチャンバ内に結合される、請求項36~44のうちいずれか一に記載の方法。前記プロセスガスは、前記基板及び前記導電性プラズマ安定化アニュラス部が設けられている端と反対側の前記プラズマチャンバの端のところで前記プラズマチャンバ内に送り込まれ、前記プロセスガスは、前記基板の前記成長面に向かって噴射される、請求項36~45のうちいずれか一に記載の方法。前記マイクロ波プラズマ反応器は、逆さまにされ、それにより、前記基板の支持している前記プラズマチャンバの底部は、地面に対して前記プラズマチャンバの上方壁を形成する、請求項36~46のうちいずれか一に記載の方法。上述の説明及び本明細書において言及した先行技術に照らして、CVDダイヤモンド合成分野において、広い領域にわたって一様なCVDダイヤモンド成長を達成するために大面積基板/ホルダの表面を横切って一様且つ安定性のある大面積プラズマを生じさせることがCVDダイヤモンド合成分野において周知の目的であり、この目的を達成しようとする多種多様なプラズマチャンバ設計例及び電力結合構造体が当該技術分野において提案されていることは明らかであろう。しかしながら、大きなCVD成長面積、良好な一様性、高い成長速度、良好な再現性、良好な電力効率及び/又は低製造費を提供するために先行技術の構成を改良することが目下の要望である。本発明の或る特定の実施形態の目的は、この目下の要望に応えることにある。本発明の第1の実施形態によれば、化学気相成長により合成ダイヤモンド材料を製造するマイクロ波プラズマ反応器であって、このマイクロ波プラズマ反応器は、プラズマチャンバと、プラズマチャンバ内に収納されると共に合成ダイヤモンド材料が使用中に析出させるべき基板を支持する支持面を備えた基板ホルダと、マイクロ波発生器からのマイクロ波をプラズマチャンバ中に送り込むマイクロ波結合構造体と、プロセスガスをプラズマチャンバ中に送り込んでプロセスガスをプラズマチャンバから除去するガス流システムとを含み、マイクロ波プラズマ反応器は、プラズマチャンバ内で基板ホルダの周りに設けられた導電性プラズマ安定化アニュラス部を更に含むことを特徴とするマイクロ波プラズマ反応器が提供される。本発明の第2の実施形態によれば、化学気相成長法を利用して合成ダイヤモンド材料を製造する方法であって、この方法は、上述のマイクロ波プラズマ反応器を用意するステップを含み、基板ホルダの支持面上に基板を配置するステップを含み、基板は、成長面を有し、マイクロ波発生器からのマイクロ波をプラズマチャンバ中に送り込むステップを含み、プロセスガスをプラズマチャンバ内に送り込むステップを含み、合成ダイヤモンド材料を基板の成長面上に形成するステップを含むことを特徴とする方法が提供される。本発明の良好な理解を得るため且つ本発明をどのように具体化するかを示すために、今、添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明するが、かかる実施形態は例示に過ぎない。化学気相成長により合成ダイヤモンド材料を製造するマイクロ波プラズマ反応器は、次の基本コンポーネント、即ち、プラズマチャンバ、プラズマチャンバ内に収納されると共に合成ダイヤモンド材料が使用中に析出させるべき基板を支持する支持面を備えた基板ホルダ、マイクロ波発生器からのマイクロ波をプラズマチャンバ中に送り込むマイクロ波結合構造体、及びプロセスガスをプラズマチャンバ中に送り込んでプロセスガスをプラズマチャンバから除去するガス流システムを含む。プラズマチャンバは、使用中における定常マイクロ波を支える空胴共振器を形成するよう構成されている。炭素源及び水素分子を含む原料ガスをプラズマ反応器容器内に送り込み、そしてこれを定常マイクロ波によって活性化させると、高電場領域内にプラズマを生じさせることができる。適当な基板をプラズマに近接して設けると、ラジカルを含む反応性炭素は、プラズマから拡散して基板に至ることができ、そして基板上に析出可能である。水素原子も又、プラズマから拡散して基板に至ることができ、そして基板から非ダイヤモンド炭素をエッチングにより選択的に除去してダイヤモンド成長が生じることができるようにする。本発明の実施形態は、マイクロ波プラズマ反応器のプラズマチャンバ内で基板ホルダ周りに設けられた導電性プラズマ安定化アニュラス部を用いると、基板ホルダ上に配置された基板に隣接して生じるプラズマを安定化することができ、それにより広い領域にわたって一様な且つ高品質のCVDダイヤモンド成長を達成するために一様な且つ安定性のあるプラズマを広い領域にわたって生じさせることができるという知見に基づいている。導電性という用語は、プラズマ安定化アニュラス部の表面の少なくとも大部分、オプションとして全てが導電性材料で作られているということを意味している。基板ホルダ周りに設けられたという表現は、プラズマチャンバの中心軸線に沿って下に見た場合であることを意味し、即ち、導電性プラズマ安定化アニュラス部が基板ホルダの上方又は下方の高さのところに位置決めするのが良いということを意味している。本発明の実施形態は、大きなCVD成長面積、良好な一様性、高い成長速度、良好な再現性、良好な電力効率及び/又は低製造費を提供することができる。理論に束縛されるものではないが、モデル化により、本発明の或る特定の実施形態としての導電性プラズマ安定化アニュラス部は、基板の近くに形成される電場を変更し、プラズマ生成が望まれないプラズマチャンバの反対側の端のところの電場に対して基板の上方の電場を増強させる垂直非対称をもたらすことが分かる。加うるに、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、モードフィルタとしての役目を果たすことができ、それによりプラズマを駆動する電場の安定性及び/又は純度の実現を助ける。しかしながら、良好に設計されたクランプリングは、基板よりも上方の電場に対して僅かな変更を加えるに過ぎないもしこれが設けられていない場合と比較して設けられている場合に基板よりも上方の電場に対して約10。上述のことに加えて、或る特定の実施形態としての導電性プラズマ安定化アニュラス部は又、プラズマの熱的性質を著しく改変することができ、それによりCVDダイヤモンド成長の一様性の向上を助長することができる。さらに又、或る特定の実施形態としての導電性プラズマ安定化アニュラス部は、プラズマチャンバの側壁に沿って上昇するガス流を遮ることができ、それにより、もしそのように構成されていなければ入口ガス流及び/又はプラズマを非安定化させるチャンバ内のガス同伴及び望ましくない対流を減少させる。最後に、或る特定の実施形態としての導電性プラズマ安定化アニュラス部は又、使用中におけるプラズマを封じ込める物理的バウンダリとしての役目を果たし、プラズマが基板よりも上方の軸方向中央の場所から逸れるのを阻止することができる。オプションとして、基板ホルダは、プラズマチャンバの端上に配置され、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、基板ホルダの周りでプラズマチャンバのこの端上又は側壁上に配置される。これらの形態の両方を単独で又は組み合わせて利用すると、基板よりも上方の電場を変更して上述の有利な機能的効果を達成することができる。最も好ましい形態は、或る程度は、プラズマチャンバのサイズ及び幾何学的形状で決まる場合がある。例えば、直径が大きな例えば、400mmを超えるプラズマチャンバの場合、端取り付け型アニュラス部は、或る特定の状況では優れた性能を与えることができる。オプションとして、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、基板ホルダの周りに完全な連続リングを形成する。しかしながら、完全な連続リングを提供しないでも上述の有利な機能的効果を達成することが可能である。例えば、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、複数の弧状セグメント及びこれらセグメント相互間の隙間から成っていても良く、複数の弧状セグメントは、基板ホルダの周りに不完全な不連続リングを形成する。かかる不連続リング構造が提供される場合、複数の弧状セグメントは、プラズマ安定化アニュラス部に沿ってその少なくとも30、40、50、60、70、80又は90にわたって延びることが好ましい。例えば、各々が約20°を張る2つの対向した隙間によって隔てられた2つの弧状セグメントを有する不連続リング構成が基板の上方の電場について最小電場方向と最大電場方向との間で1未満の差を与え、かかる隙間によりCVDダイヤモンド成長に関して識別できるほどの非一様性が存在しないということが観察された。確かに、かかる隙間を設けることは、CVDダイヤモンド成長プロセスを観察させる窓を提供する上で有用であると言える。オプションとして、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、プラズマチャンバの中心軸線に関して対称である。僅かな非対称が存在する場合があるが、大きな非対称により、基板の上方の電場に非対称が生じる場合があり、その結果、基板を横切ってCVDダイヤモンド成長の非一様性が生じる。さらに、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、上述したように連続又は不連続形態を取ることができる。したがって、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、円対称であっても良く、或いはn倍回転対称性を有しても良い。導電性プラズマ安定化アニュラス部は、2つの基本的な形態、即ち、プラズマチャンバの壁からこのチャンバ内に突き出た突出リングの形態又はプラズマチャンバの壁に形成されたリング形凹部、堀又はチャネルの形態を取ることができる。アニュラス部のこれら2つの基本的形態のいずれも、プラズマチャンバの端壁、側壁又はこれら両方に設けることができる。オプションとして、2つ以上の導電性プラズマ安定化アニュラス部を設けることができる。オプションとして、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、プラズマチャンバの直径に対する半径方向幅が1~30、3~20、5~15又は8~12である。プラズマ安定化アニュラス部の半径方向幅は、プラズマのアニュラス部の作用効果を変更することが判明した。種々の半径方向幅をモデル化して試験した。アニュラス部の半径方向幅を増大させると、プラズマの上方の電場の相対強度が増大し、これが有利であることが判明した。しかしながら、アニュラス部の半径方向幅が大き過ぎるようになった場合、これは、基板の上方の電場を弱めてプラズマチャンバの他の領域の電場を増強させる傾向があり、これは、有害であると言える。例えば、直径が300mm~500mmのプラズマチャンバの場合、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、5mm~100mm、5mm~80mm、10mm~50mm又は20mm~40mmの半径方向幅を有するのが良いことが判明した。これらの値は、800MHz~1000MHzのマイクロ波周波数fに関して好ましい。400MHz~500MHzのマイクロ波周波数fに関し、プラズマチャンバは、600mm~1000mmの直径を有するのが良く、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、10mm~165mm、20mm~100mm又は40mm~80mmの半径方向幅を有するのが良い。2300MHz~2600MHzのマイクロ波周波数fに関し、プラズマチャンバは、100mm~200mmの直径を有するのが良く、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、10mm~165mm、20mm~100mm又は40mm~80mmの半径方向幅を有するのが良い。400MHz~500MHzのマイクロ波周波数fに関し、プラズマチャンバは、600mm~1000mmの直径を有し、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、2mm~30mm、4mm~20mm又は6mm~15mmの直径を有するのが良い。上述したのと同一の理由で、オプションとして、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、プラズマチャンバの直径に対する内径が50以上、60以上、70以上、75以上又は80以上且つ/或いは95以下、90以下、85以下又は80以下であるのが良い。例えば、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、プラズマチャンバの直径に対する内径が50~95、60~90、70~85又は75~80であるのが良い。使用にあたり、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、プラズマチャンバ内の可視プラズマの直径に対する内径が110~250、120~200、120~160又は130~150であるのが良い。絶対値で言えば、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、400MHz~500MHzのマイクロ波周波数fに関し、300mm以上、400mm以上、450mm以上又は500mm以上の内径、800MHz~1000MHzのマイクロ波周波数fに関し、150mm以上、200mm以上、240mm以上又は280mm以上の内径、又は2300MHz~2600MHzのマイクロ波周波数fに関し、50mm以上、70mm以上、80mm以上又は95mm以上の内径を有するのが良い。さらに、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、400MHz~500MHzのマイクロ波周波数fに関し、950mm以下、850mm以下、800mm以下、720mm以下又は680mm以下の内径、800MHz~1000MHzのマイクロ波周波数fに関し、450mm以下、400mm以下、350mm以下又は330mm以下の内径、又は2300MHz~2600MHzのマイクロ波周波数fに関し、170mm以下、150mm以下、130mm以下又は120mm以下の内径を有するのが良い。例えば、直径が300mm~500mmのプラズマチャンバの場合、導電性プラズマ安定化アニュラス部の内径が150mm~400mm、200mm~350mm又は240mm~330mmであるのが良いことが判明した。これらの値は、800MHz~1000MHzのマイクロ波周波数fに関して好ましい。400MHz~500MHzのマイクロ波周波数fの場合、プラズマチャンバの直径は、600mm~1000mmであるのが良く、導電性プラズマ安定化アニュラス部の内径は、300mm~800mm、400mm~720mm又は500mm~680mmであるのが良い。2300MHz~2600MHzのマイクロ波周波数fの場合、プラズマチャンバの直径は、100mm~200mmであるのが良く、導電性プラズマ安定化アニュラス部の内径は、50mm~150mm、70mm~130mm又は85mm~120mmであるのが良い。オプションとして、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、プラズマチャンバの高さに対する軸方向深さが1~30、2~20又は5~15であるのが良い。追加的に又は代替的に、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、プラズマチャンバの2つの電場最大振幅相互間の垂直距離に対する軸方向深さが1~30、2~20又は5~15であるのが良い。導電性プラズマ安定化アニュラス部の軸方向深さは又、プラズマに対するアニュラス部の作用効果を変化させることが判明した。種々の軸方向深さをモデル化して試験した。アニュラス部の軸方向深さを増大させると、プラズマの上方の電場の相対強度が増大し、これが有利であることが判明した。しかしながら、アニュラス部の軸方向深さが大きすぎるようになってくると、これは、プラズマチャンバの他の領域の電場に悪影響を及ぼす場合がある。したがって、導電性プラズマ安定化アニュラス部の軸方向深さは、5mm~100mm、5mm~75mm、10mm~50mm、20mm~40mm又は20mm~30mmであるのが良い。かかる構成は、800MHz~1000MHzのマイクロ波周波数fで動作する直径が300mm~500mmのプラズマチャンバについて特に有用であることが判明した。400MHz~500MHzのマイクロ波周波数fに関し、プラズマチャンバの直径は、600mm~1000mmであるのが良く、導電性プラズマ安定化アニュラス部の軸方向深さは、10mm~200mm、10mm~150mm、20mm~100mm、40mm~80mm又は40mm~60mmであるのが良い。2300MHz~2600MHzのマイクロ波周波数fに関し、プラズマチャンバの直径は、100mm~200mmであるのが良く、導電性プラズマ安定化アニュラス部の軸方向深さは、2mm~35mm、2mm~30mm、4mm~20mm、7mm~15mm又は7mm~10mmであるのが良い。オプションとして、導電性プラズマ安定化アニュラス部の下面は、基板ホルダが載せられているプラズマチャンバの端からプラズマチャンバの高さの50以下、40以下、30以下、20以下又は10以下の高さのところに位置する。導電性プラズマ安定化アニュラス部の位置的場所高さは又、プラズマに対するアニュラス部の作用効果を変更することが判明した。種々の位置をモデル化して試験した。アニュラス部の高さが高すぎる場合、プラズマの安定性を増大させるという利益は観察されないことが判明した。さらに、或る特定の形態では、アニュラス部が基板ホルダの支持面に対して低すぎるところに位置決めされた場合、有害には、アーク発生が生じる場合がある。例えば、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、アニュラス部の下面の高さが基板ホルダの支持面の高さの100mm、70mm、50mm、30mm、20mm又は10mmの範囲内の高さであるように位置決めされるのが良いことが判明した。上述のことに関連して、反応器を使用にあたり逆さまにすることが可能であることは注目されるべきである。例えば、標準的な使用法の場合、基板は、地面に対するチャンバの下方壁を形成するチャンバの底部によって支持される。しかしながら、反応器を逆さまにして基板を支持するチャンバの底部が地面に対してチャンバの上方壁を形成するようにすることが可能である。この構成では、基板ホルダが載せられている端からのプラズマチャンバの高さは、下向きの方向に測定される。逆さまの向きでは、基板に向かうガス流は、熱的に駆動される主要な対流に平行であるのが良いかかる対流は、逆さまの構成では基板の下方に位置するプラズマ中に生じる熱の量が多いので上向きの方向である。この逆さま構成は、或る特定の用途に関して幾つかの利点を有する場合がある。上述の高さに関する要件に加えて、導電性プラズマ安定化アニュラス部により定められる包囲容積が性能に影響を及ぼす場合のあることも又判明した。包囲容積は、凹みアニュラス部の容積である。突出アニュラス部の場合、包囲容積は、突出アニュラス部の真下に位置するプラズマチャンバの容積である。壁取り付け型アニュラス部の場合、これは、アニュラス部の下面、プラズマチャンバの側壁及び底部との間のアニュラス部の下の容積である。包囲容積をプラズマ安定化アニュラス部が回転対称であると仮定して、断面積により定めることができる。このパラメータは、包囲断面積と呼ばれている。400MHz~500MHzのマイクロ波周波数fの場合、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、200mm2~10000mm2、500mm2~5000mm2又は2000mm2~2500mm2の包囲断面積を定めるのが良い。800MHz~1000MHzのマイクロ波周波数fの場合、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、50mm2~5000mm2、200mm2~2000mm2又は300mm2~1000mm2の包囲断面積を定めるのが良い。2300MHz~2600MHzのマイクロ波周波数fの場合、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、10mm2~150mm2、30mm2~125mm2又は50mm2~100mm2の包囲断面積を定めるのが良い。導電性プラズマ安定化アニュラス部と基板又は基板ホルダの相対サイズも又、機能的性能に影響を及ぼす場合がある。したがって、オプションとして、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、基板の直径に対する半径方向幅が10~50、15~40、20~35又は25~30であるのが良い。基板又は基板ホルダの直径は、400~500MHzのマイクロ波周波数fの場合、165mm~415mm、185mm~375mm、205mm~375mm、205mm~330mm若しくは240mm~330mmであるのが良く、800~1000MHzのマイクロ波周波数fの場合、80mm~200mm、90mm~180mm、100mm~180mm、100mm~160mm若しくは115mm~160mmであるのが良く、2300~2600MHzのマイクロ波周波数fの場合、30mm~75mm、33mm~65mm、37mm~65mm、37mm~58mm若しくは42mm~58mmであるのが良い。同じ理由で、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、基板又は基板ホルダの直径に対する内径が150~400、150~350又は200~320であるのが良い。当然のことながら、基板とは異なるサイズの基板ホルダを提供することが可能である。この場合、基板ホルダは、一般に、基板よりも大きく、上述の寸法関係は、基板ホルダに関して変更されることになる。例えば、基板ホルダを基板よりも大きく作った場合、基板ホルダのサイズに対するプラズマ安定化アニュラス部の内径は、上述の値よりも小さく、例えば、基板ホルダ直径の100~200、105~200又は105~150である。また、基板ホルダは、プラズマチャンバの底部によって形成できることが注目されるべきである。基板ホルダという用語の使用は、かかる変形例を含むことを意図している。さらに、基板ホルダは、基板と同一直径図示のように又はこれよりも大きい直径の平坦な支持面を有するのが良い。例えば、基板ホルダは、チャンバ底部又はチャンバ底部上に設けられた別個のコンポーネントにより形成される広い平坦な表面を形成するのが良く、基板は、平坦支持面の中央領域上に注意深く位置決めされるのが良い。一構成例では、基板ホルダの支持面は、基板を位置合わせし、オプションとしてこれを保持する別の要素、例えば突出部又は溝を有するのが良い。変形例として、かかる追加の要素が設けられなくても良く、その結果、支持ホルダは、基板が載せられる平坦な支持面を提供するに過ぎない。今までのところ、本発明の或る特定の実施形態としての導電性プラズマ安定化アニュラス部の基本的寸法及び配置場所、例えばプラズマチャンバ内の他のコンポーネントに対する絶対値と相対値の両方を含む位置的高さ、深さ、半径方向幅及び内径について説明した。また、導電性プラズマ安定化アニュラス部の断面形状が、アニュラス部がプラズマチャンバ内の電磁場と相互作用する仕方及びかくしてアニュラス部が使用中における基板の成長面の上方に生成されるプラズマに影響を与える仕方に影響を及ぼす場合のあることが判明した。有利には、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、電磁場に対する望ましくない摂動又は変動を回避するために鋭利な縁を備えていない比較的滑らかな断面形状を有するよう形成されるのが良いことが判明した。例えば、アニュラス部の少なくとも一部分は、曲率半径が1mm~40mm、2mm~30mm、3mm~20mm又は5mm~15mmの湾曲した断面形状を有する部分を有するのが良い。突出したリング形アニュラス部の場合、プラズマチャンバ内に突き出たアニュラス部の半径方向内側端部分は、湾曲部分から成るのが良い。湾曲端部分は、一定曲率半径を有しても良く、或いは、漸変曲率半径を有しても良い。例えば、湾曲端部分は、互いに異なる曲率半径を有する少なくとも2つの部分を有しても良い。この場合、第1の部分は、例えば、10mm~40mm、10mm~30mm又は12mm~20mmの曲率半径を有するのが良く、第2の部分は、例えば、1mm~10mm、2mm~8mm又は3mm~7mmの曲率半径を有するのが良い。有利には、大きな曲率半径を有する部分は、基板の近くに配置される。というのは、基板の近くに配置された湾曲度の高い又は尖った縁は、CVDダイヤモンド成長中、プラズマに悪影響を及ぼすことが判明している。但し、この悪影響は、アニュラス部が基板から相当な距離を置いたところに配置された場合には軽減される。プラズマチャンバの側壁から延びるリング形突出アニュラス部の場合、このアニュラス部は、実質的に平坦な上面水平であっても良く、或いは角度をなして配置されても良い及び湾曲した半径方向内側端部分を有するのが良く、この湾曲半径方向内側端部分は、曲率半径の小さな上方部分及び曲率半径の大きな下方部分を有する。下方湾曲部分は、チャンバの側壁まで延びるのが良く又は下方平坦部分が設けられても良いこれは、水平であっても良く、或いは角度をなして設けられても良い。かかる断面形状を有するアニュラス部は、非一様なCVDダイヤモンド成長をもたらすプラズマ内の不利な摂動を生じさせないで、安定した一定の大面積プラズマを達成する上で有利であることが判明した。導電性プラズマ安定化アニュラス部は、使用中におけるプラズマチャンバ内の過酷な熱的環境に耐えることができる材料で作られるのが良い。さらに、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、電場と相互作用してこれを変更するのに十分な導電率及び/又は使用中におけるプラズマの熱的性質を変更するのに十分な熱伝導率を有するのが良い。これら特性は、CVDダイヤモンド合成方法で用いられるプロセスパラメータに或る程度依存する。しかしながら、代表的なプロセス温度及び電場強度に関し、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、融点が少なくとも100°C、導電率が1×106Sm1且つ/或いは熱伝導率が少なくとも10WK1m1である材料で作られるのが良い。適当な材料は、金属材料を含む。例示としては、ステンレス鋼、銅、アルミニウム、モリブデン及びタンタルが挙げられる。したがって、構成材料は、これら材料のうちの1つ又は2つ以上を少なくとも80、90、95又は98含むのが良い。或る特定の構成例によれば、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、このアニュラス部が設けられるプラズマチャンバの壁と同種の材料で作られる。導電性プラズマ安定化アニュラス部は、プラズマチャンバの壁の一部分によって一体に形成されても良く、或いは、例えば導電性接合部によってこれに取り付けられても良い。また、導電性プラズマ安定化アニュラス部に過熱を回避するために冷却剤を供給するのが良い。導電性プラズマ安定化アニュラス部の最も好ましい位置、輪郭形状及び寸法は、或る程度、プラズマチャンバ及び基板の全体的形状及び寸法で決まる。一構成例では、プラズマチャンバは、実質的に円筒形であり、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、上述したように連続であっても良く、或いは不連続であっても良い円形断面形状を呈する。実質的に円筒形という用語は、プラズマチャンバの側壁の少なくとも80が平均円の10又は40mmの範囲内の周長を有することを意味する。導電性プラズマ安定化アニュラス部は、かくして、平均円の10又は40mmの範囲内の周長を有する実質的に円形の形を呈するのが良い。変形例として、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、周期的に変化する内径を有しても良く、その結果、アニュラス部は、非円形であるが、n倍回転対称性を有し、例えば、多角形アニュラス部又は周期的に変化する曲率を備えたアニュラス部である。この場合、電磁場に対する不利な摂動を減少させるために、nは、好ましくは、奇数であり、最も好ましくは、素数、例えば3、5又は7である。一形態によれば、プラズマチャンバは、使用中におけるTM01n、例えば円筒形TM011モードを支えるよう構成される。プラズマチャンバは、チャンバ高さとチャンバ直径の比が0.3~1.0であるように構成されるのが良い。さらに、プラズマチャンバは、チャンバ直径と基板又は基板ホルダ直径の比が1.5~5、2.0~4.5又は2.5~4.0であるよう構成されるのが良い。オプションとして、導電性プラズマ安定化アニュラス部の内径は、アニュラス部内径とプラズマチャンバ高さの比が0.9~2、0.95~1.8、1.0~1.5又は1.1~1.3であるようにプラズマチャンバの高さに従って選択されるのが良い。TM011モードは、チャンバの各端に2つの高電場最大振幅を含む。導電性プラズマ安定化アニュラス部は、基板ホルダが設けられたチャンバの一端のところ又はその近くに位置決めされるのが良く、それにより、プラズマチャンバの他端のところの高電場最大振幅に優先して基板ホルダに取り付けられた基板に隣接して位置する高電場最大振幅を安定化することができる。マイクロ波は、プラズマチャンバ内に容量結合又は誘導結合可能である。誘導結合は、導電性プラズマ安定化アニュラス部の提供と組み合わせると特に有用であることが判明している。というのは、これら特徴部の両方は、誘電体窓のところの絶縁破壊の恐れを減少させることが判明しているからである。オプションとして、マイクロ波結合構造体は、基板ホルダ及び導電性プラズマ安定化アニュラス部が設けられている端と反対側のプラズマチャンバの端のところでマイクロ波をプラズマチャンバ中に誘導結合するよう配置されているのが良い。マイクロ波結合構造体は、代表的には、発生器からのマイクロ波を誘電体窓からプラズマチャンバ中に結合する導波管を有する。一構成例では、誘電体窓は、基板及び導電性プラズマ安定化アニュラス部が設けられているプラズマチャンバの端と反対側のプラズマチャンバの端のところ又はその近くに位置決めされる。したがって、導電性プラズマ安定化アニュラス部を用いるとプラズマチャンバの基板側端のところの電場を誘電体窓が設けられているプラズマチャンバの反対側の端のところの高電場領域に優先して増強させることができる。これは、誘電体窓の損傷を減少させると共にマイクロ波がプラズマチャンバ中に結合される場所のところの絶縁破壊を回避するという有利な技術的効果を有する。したがって、プラズマを封じ込めるためのベルジャーの使用を或る特定の実施形態によれば回避することができる。一手段は、基板と反対側のプラズマチャンバの端のところに誘電体プレートを用いることである。別の手段は、マイクロ波をリング形誘電体窓によりプラズマチャンバ中に結合することである。これは、例えば米国特許第6,645,343号明細書に記載されている側壁上に配置されるのが良い。しかしながら、リング形誘電体窓を基板ホルダ及び基板と反対側の端壁上に配置することが有利であることが判明した。ガス流システムは、プロセスガスをプラズマチャンバ中に送り込むよう構成されている。一手段は、プロセスガスを基板及び導電性プラズマ安定化アニュラス部が設けられている端と反対側のプラズマチャンバの端のところでプラズマチャンバ中に送り込むようガス流システムを構成することである。例えば、ガス流システムは、軸方向ガス流型構成例ではプロセスガスを基板の成長面に向かって噴射するよう構成されるのが良い。この場合、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、プロセスガスがプラズマチャンバの側壁に沿って上方に逆流することに起因するガス同伴を阻止すると共にガス入口からのガス流中に乱流を生じさせるのを助けることができる。もしそのように構成されていなければ、これにより、CVDダイヤモンド成長プロセスに非一様性が生じる恐れがある。上述のマイクロ波プラズマ反応器は、CVDダイヤモンド材料を合成する上で有利であることが判明した。CVDダイヤモンド材料を合成する方法は、上述のマイクロ波プラズマ反応器を用意するステップを含み、基板ホルダの支持面上に基板を配置するステップを含み、基板は、成長面を有し、マイクロ波発生器からのマイクロ波をプラズマチャンバ中に送り込むステップを含み、プロセスガスをプラズマチャンバ内に送り込むステップを含み、合成ダイヤモンド材料を基板の成長面上に形成するステップを含む。オプションとして、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、プラズマチャンバの底部に対し、基板の成長面の高さの±100mm、±70mm、±50mm、±30mm、±20mm又は±10mmの高さのところに位置決めされる。判明したこととして、使用中、成長面に対する導電性プラズマ安定化アニュラス部の位置は、プラズマを成長面のところ又はその近くで安定化するようにする上で重要であると言える。例えば、アニュラス部は、成長面とほぼ同一高さ位置にある又はこれよりも僅かに上方に位置する下縁を有するよう位置決めされるのが良い。さらに、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、使用中に生成されるプラズマに隣接して上方に延びるのが良く、その結果、例えば、導電性プラズマ安定化アニュラス部は、プラズマチャンバ内の可視プラズマの軸方向深さの1~100、10~75、20~50又は30~50の軸方向深さを有するようにする。実際、導電性プラズマ安定化アニュラス部が使用中においてプラズマチャンバ内に生成されるプラズマと整列する高さのところに位置決めされると、最善の結果を達成することができる。これは、一般に、基板の成長面の高さのすぐ上の高さに等しいであろう。驚くべきこととして、本明細書において説明する導電性プラズマ安定化アニュラス部は、高い電力及び高い圧力条件で一様な析出を可能にする上で特に有益であることが判明した。代表的には、パラメータ圧力及び電力の面における一様なダイヤモンド合成に関する上限は、単極アークの開始によって決定される。当業者であれば知っているように、この単極アーク限度は、実験的要因、例えば動作周波数、圧力/電力比及び更に基板の幾何学的形状直径/厚さの影響を受ける。本発明者は、驚くべきこととして、本明細書において説明している導電性プラズマ安定化アニュラス部が圧力及び電力の点で作動パラメータ空間を増大させると同時に、ダイヤモンド析出の面積又は析出の一様性を減少させないということを見出した。例えば、本発明の実施形態を用いると、2300~2600MHzのマイクロ波周波数では、200トル以上、220トル以上、240トル以上、260トル以上、280トル以上、300トル以上又は320トル以上であり、800~1000MHzのマイクロ波周波数では、120トル以上、140トル以上、160トル以上、180トル以上、200トル以上又は220トル以上であり、400~500MHzのマイクロ波周波数では、60トル以上、70トル以上、80トル以上、100トル以上又は120トル以上の作業圧力においてプラズマチャンバ内のアーク発生の問題を回避することができる。作業圧力は、特定の反応器設計に応じて、550トル以下、450トル以下、400トル以下、350トル以下又は300トル以下であるのが良い。例えば、本発明の或る特定の実施形態としての導電性プラズマ安定化アニュラス部を用いた代表的な作業圧力は、2300~2600MHzのマイクロ波周波数に関し、200~330トル、800~1000MHzのマイクロ波周波数に関し、160~220トル又は400~500MHzのマイクロ波周波数に関し80~140トルであるのが良い。本発明の実施形態を用いると、これら圧力状態で一様な安定性のあるプラズマ及び一様なCVDダイヤモンド成長を達成することが可能であることが判明した。基板に送り出されることができる電力密度は、成長面の1mm2当たり0.05W以上、0.1W以上、0.5W以上、1W以上、1.5W以上、2.0W以上、2.5W以上、2.75W以上、3.0W以上、3.2W以上又は3.5W以上であるのが良い。電力密度は、特定の反応器設計に応じて、基板成長面の6.0W/mm2以下、5.0W/mm2以下又は4.0W/mm2以下であるのが良い。例えば、本発明の或る特定の実施形態としての導電性プラズマ安定化アニュラス部を用いた代表的な作業電力密度は、基板成長面の3.0~4.0W/mm2であるのが良い。実施例図1は、マイクロ波プラズマ反応器の一例を示している。マイクロ波プラズマ反応器は、次の基本的コンポーネント、即ち、プラズマチャンバ2、プラズマチャンバ内に設けられていて、基板5を支持する基板ホルダ4、プラズマチャンバ2内にプラズマ8を生成するマイクロ波発生器6、マイクロ波発生器6からのマイクロ波を誘電体窓11を通ってプラズマチャンバ2内に送り込むマイクロ波結合構造体10及びプロセスガスをプラズマチャンバ2内に送り込んだりプロセスガスをプラズマチャンバ2から取り出したりするガス入口12及びガス出口14を備えたガス流システムを含む。プラズマチャンバ2は、無垢の金属、好ましくはアルミニウムの壁を備えた気密のマイクロ波空胴を形成している。プラズマチャンバの壁は、高い電力作動を可能にするよう液体又はガス冷却式水冷式であるのが良い。これは、ベルジャーが反応性種を封じ込める要件をなくすのを助け、この場合も又、高い電力の使用を可能にすると共に材料の純度を向上させることができる。プラズマチャンバは、基板ホルダ4の周りでプラズマチャンバの端壁に設けられたリング形凹部、堀又はチャネルの形態をした導電性プラズマ安定化アニュラス部16を有するよう改造されている。図示の実施形態では、リング形凹部、堀又はチャネルは、実質的に正方形又は長方形の断面形状を有する状態で示されている。しかしながら、他の構成例では、断面形状は、例えば、半球形又は実質的にU字形断面形状を有するよう湾曲していても良い。別の変形例では、断面形状は、非対称であっても良く、そして例えば変化する曲率半径を有していても良い。図2は、図1のリング形凹部16が、基板ホルダの周りでプラズマチャンバの端壁に設けられたリング形突出部18で置き換えられた別の実施例を示している。図示の実施形態では、リング形突出部18は、垂直方向に差し向けられている。しかしながら、別の変形例では、プラズマチャンバの中央部分に向かって内方に延びる水平部分を有するよう垂直に差し向けられたリング形突出部18を改造している。かかる構成例では、水平部分は、アニュラス部に関してあらかじめ定められた範囲内の半径方向幅及び内径を有するのが良い。図3は、図2に示されているプラズマチャンバの端壁に設けられたリング形突出部18が、基板ホルダの周りでプラズマチャンバの側壁に設けられたリング形突出部20で置き換えられている更に別の変形例を示している。図2及び図3には、リング形突出部18は、実質的に正方形又は長方形の断面形状を備えた状態で示されている。しかしながら、他の構成例では、断面形状は、湾曲していても良い。例えば、リング形突出部18は、湾曲した端部分を有しても良い。かかる構成例では、端部分は、一定の曲率半径を有しても良く、或いは、非対称であっても良く、例えば、変化する曲率半径を有しても良い。図4は、導電性プラズマ安定化アニュラス部22の別の実施例を含むマイクロ波プラズマ反応器を示している。この構成例は、図3に示されている側壁取り付け型構造体と同様な側壁取り付け型構造体を有する。しかしながら、図4に示されている構成例では、導電性プラズマ安定化アニュラス部22は、実質的に平坦な上面24及び下面28まで延びる湾曲端部分26を有する。湾曲端部分26は、導電性プラズマ安定化アニュラス部の上方部分に小さな曲率半径を有すると共に下方部分に大きな曲率半径を有している。かかる輪郭形状は、電場に問題のある摂動を生じさせないで基板5上のプラズマ8を安定化するのに特に良好であることが判明した。図4は又、誤解を避けるために本明細書において上述した寸法を示している。プラズマチャンバは、高さhc及び直径dcを有する。図示の構成例では、基板ホルダ4及び基板5は、同一の直径dsを有する。しかしながら、これらコンポーネントは、異なる直径を有しても良いことが想定される。基板は、プラズマチャンバの底部よりも上方の高さhsのところに設けられた成長面を有する。導電性プラズマ安定化アニュラス部は、半径方向幅Wr、軸方向深さda及びプラズマチャンバの底部よりも上方の軸方向高さhaを有する。導電性プラズマ安定化アニュラス部が基板の成長面にほぼ隣接して位置する高さ位置でプラズマチャンバ中に突き出た側壁に取り付けられた構成例は、或る程度のモードフィルタリング機能を与えるに過ぎない堀型構成例とは異なり、側部突出リングがプラズマチャンバ内のプラズマ及びガス流特性の熱的管理具合を向上させるのも助けるので、特に有用である。本発明の実施形態は、CVDダイヤモンド成長プロセスの一様性を向上させる。一様性の向上を次のパラメータ、即ち、CVDダイヤモンド膜の厚さの一様性析出領域を横切る、ダイヤモンド材料の1つ又は2つ以上の品質パラメータの一様性例えば、色、光学的性質、電子的性質、窒素取り込み、ホウ素取り込み及び/又はホウ素活性化レベル、多結晶ダイヤモンド材料におけるテキスチャの一様性、表面形態学的特徴、結晶粒度等又は成長が基板キャリヤ上の単結晶ダイヤモンド基板のアレイ上で起こる単結晶ダイヤモンド材料中における各単結晶相互間の厚さの一様性、形態学的特徴、エッジ双晶形成、側方成長等のうちの1つ又は2つ以上によって測定可能である。一様性を評価するために選択される主要なパラメータは、合成プロセス、合成生成物から最終生成物を作製する場合の経済的側面及び最終生成物それ自体の要件で決まる。本発明を好ましい実施形態に関して具体的に図示すると共に説明したが、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲から逸脱することなく形態及び細部における種々の変更を実施できることは当業者には理解されよう。"