"導電性のリボン状基材の上に化合物半導体層を形成して帯状の太陽電池セルを製造する方法であって、a上記リボン状基材を供給する基材供給工程と、b上記リボン状基材の上に裏面電極を形成する裏面電極形成工程と、c上記裏面電極の上に化合物半導体層を形成する化合物半導体層形成工程と、d上記化合物半導体層の上に酸化物半導体からなるバッファ層を形成するバッファ層形成工程と、e上記バッファ層の上に導電性酸化物からなる透明導電層を形成する透明導電層形成工程と、f上記各層形成後のリボン状基材を回収する基材回収工程と、を備え、上記リボン状基材が、上記各工程に対応した複数の減圧室を有するチャンバ内を走行する間に、少なくとも上記b~eの工程が、それぞれ1Pa以下の条件下において、この順に連続して行われることを特徴とする太陽電池セルの製法。上記b裏面電極形成工程がスパッタリングにより行われ、上記c化合物半導体層形成工程が真空蒸着により行われ、上記dバッファ層形成工程がスパッタリングにより行われ、上記e透明導電層形成工程がスパッタリングにより行われる、請求項1記載の太陽電池セルの製法。上記チャンバ内の各減圧室の間には、これら各減圧室をそれぞれ個別の所要圧力に保つための差動排気手段が配設され、上記c化合物半導体層形成工程で使用する減圧室の圧力が、他のb,d,eの工程で使用する減圧室の圧力の1/100以下になっている請求項2記載の太陽電池セルの製法。上記b裏面電極形成工程で使用する減圧室の圧力が、上記d,eの工程で使用する減圧室の圧力より高くなっている請求項3記載の太陽電池セルの製法。上記c化合物半導体層形成工程で使用する減圧室内に、上記化合物半導体層を構成する複数の材料にそれぞれ対応する複数の蒸着源のノズルが、上記リボン状基材の走行位置に沿って一列状に配置され、上記c化合物半導体層形成工程が、上記リボン状基材として幅5~30mmの金属製基材を用いて、上記各蒸発源内の化合物半導体材料を加熱蒸発させながら、上記リボン状基材を、この基材と上記各蒸着源のノズルとの距離Lが50mm以下になる位置を通過させることにより行われる請求項2~4のいずれか一項に記載の太陽電池セルの製法。上記各蒸着源のノズルにおける蒸気放出口の基材幅方向の開口幅Wが、上記リボン状基材の幅Hに対して、1~1.5倍広くなっている請求項5記載の太陽電池セルの製法。上記化合物半導体層が、元素周期表におけるI族の元素群から選ばれた少なくとも1種の化合物半導体材料と、III族の元素群から選ばれた少なくとも1種の化合物半導体材料と、VI族の元素群から選ばれた少なくとも1種の化合物半導体材料とからなるカルコパイライト型半導体である請求項1~6のいずれか一項に記載の太陽電池セルの製法。導電性のリボン状基材の上に化合物半導体層を形成して帯状の太陽電池セルを製造する装置であって、上記リボン状基材を送り出す基材供給手段Aと、加工後のリボン状基材を巻き取る基材回収手段Fとの間に、少なくとも、上記リボン状基材の所定面に裏面電極を形成する裏面電極形成用の減圧室Bと、上記裏面電極の所定面に化合物半導体層を形成する化合物半導体層形成用の減圧室Cと、上記化合物半導体層の所定面に酸化物半導体からなるバッファ層を形成するバッファ層形成用の減圧室Dと、上記バッファ層の所定面に導電性酸化物からなる透明導電層を形成する透明導電層形成用の減圧室Eとを有するチャンバが設けられ、これら減圧室B~Eが、上記リボン状基材が連続して走行可能なように配置され、上記減圧室B~Eの各間に、これら各減圧室をそれぞれ個別の所要圧力に保つための差動排気手段Zが配設されていることを特徴とする太陽電池セルの製造装置。上記裏面電極形成用の減圧室B内に第一のスパッタリング装置が配置され、上記化合物半導体層形成用の減圧室C内に真空蒸着装置が配置され、上記バッファ層形成用の減圧室D内に第二のスパッタリング装置が配置され、上記透明導電層形成用の減圧室E内に第三のスパッタリング装置が配置されている、請求項8記載の太陽電池セルの製造装置。上記化合物半導体層形成用の減圧室C内に、上記真空蒸着装置として、化合物半導体層を構成する複数の材料にそれぞれ対応する複数の蒸着源のノズルが、上記リボン状基材の走行位置に沿って一列状に配置され、この減圧室C内に、上記リボン状基材を各蒸着源のノズルとの距離Lを所定距離に保った状態で走行させるための基材位置安定手段が設けられている請求項9記載の太陽電池セルの製造装置。上記チャンバにおける基材流れ方向の上流側入口に、上記基材供給手段Aを内蔵する減圧室Xが配置され、このチャンバにおける基材流れ方向の下流側出口に、上記基材回収手段Fを内蔵する減圧室Yが配置され、これら減圧室Xと減圧室Yとが、それぞれ上記チャンバに連結されている請求項8~10のいずれか一項に記載の太陽電池セルの製造装置。上記請求項1~7のいずれかに記載の太陽電池セルの製法によって得られた長尺の帯状太陽電池セルを、基材長手方向に所定長さに切断し、ストリップ状の太陽電池セルを作製するとともに、このストリップ状太陽電池セルを幅方向に複数個並べ、互いに隣接する長辺側部どうしを重ね合わせて、これら各セル表面の透明導電層側電極と、セル裏面の導電性基材または裏面電極とを、電気的に接続することにより、大面積の太陽電池モジュールを形成することを特徴とする太陽電池モジュールの製法。ところで、上記のような、化合物半導体層の形成にバッチ式の蒸着法を用いて得られる太陽電池セルは、基板蒸着基板サイズの大形化が進むにつれ、蒸着源の中心蒸着源のノズル真上に相当する位置とその周囲とで、上記化合物半導体層の膜厚およびその電気的特性がばらつき、物性の均一性を保つのが困難であることが知られている。そのため、従来の太陽電池モジュールでは、品質を保ちながらモジュールを大面積化することが難しいという問題があった。また、太陽電池セルは、そのうちに1個所でも欠陥があると、セル全体が欠陥品となってしまうため、従来の長方形,正方形等の電極基板のサイズを拡大していく方法では、製造歩留りが低下する可能性が高い。そこで、本出願人は既に、真空蒸着装置内でロールトゥロールプロセスを用いて、長尺の帯状電極基板上に化合物半導体層を形成して所定長さのストリップ状短冊状太陽電池セルを多数作製し、これらストリップ状太陽電池セルを幅方向に重ねて電気的に接続することにより、品質が良好な大面積の太陽電池モジュールを低コストで製造する方法を提案している平成22年2月24日出願特願2010-39439を参照。しかしながら、本発明者らが実験および試作を重ねたところ、上記本出願人の出願による太陽電池セルの製造方法においても、蒸着,スパッタリング等の各製造成膜工程における所要圧力真空度と加工チャンバ装置が異なることから、これらチャンバから製作途中の基板を取り出し、別のチャンバに移動する作業が必要となるため、工程間の時間的ロスが発生していることが判明した。ここに改良の余地がある。なお、前記従来法のような、バッチ式の蒸着法を用いて太陽電池セルを得る方法においては、この工程間の時間的ロスが、上記化合物半導体層の作製にロールトゥロールプロセスを用いた方法より、さらに大きいことは言うまでもない。本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、均質な太陽電池セルを効率良く作製できる太陽電池セルの製法および製造装置と、品質が良好な大面積のモジュールを低コストで作製できる太陽電池モジュールの製法の提供をその目的とする。上記の目的を達成するため、本発明は、導電性のリボン状基材の上に化合物半導体層を形成して帯状の太陽電池セルを製造する方法であって、a上記リボン状基材を供給する基材供給工程と、b上記リボン状基材の上に裏面電極を形成する裏面電極形成工程と、c上記裏面電極の上に化合物半導体層を形成する化合物半導体層形成工程と、d上記化合物半導体層の上に酸化物半導体からなるバッファ層を形成するバッファ層形成工程と、e上記バッファ層の上に導電性酸化物からなる透明導電層を形成する透明導電層形成工程と、f上記各層形成後のリボン状基材を回収する基材回収工程と、を備え、上記リボン状基材が、上記各工程に対応した複数の減圧室を有するチャンバ内を走行する間に、少なくとも上記b~eの工程が、それぞれ1Pa以下の条件下において、この順に連続して行われる太陽電池セルの製法を第1の要旨とする。また、本発明は、導電性のリボン状基材の上に化合物半導体層を形成して帯状の太陽電池セルを製造する装置であって、上記リボン状基材を送り出す基材供給手段Aと、加工後のリボン状基材を巻き取る基材回収手段Fとの間に、少なくとも、上記リボン状基材の所定面に裏面電極を形成する裏面電極形成用の減圧室Bと、上記裏面電極の所定面に化合物半導体層を形成する化合物半導体層形成用の減圧室Cと、上記化合物半導体層の所定面に酸化物半導体からなるバッファ層を形成するバッファ層形成用の減圧室Dと、上記バッファ層の所定面に導電性酸化物からなる透明導電層を形成する透明導電層形成用の減圧室Eとを有するチャンバが設けられ、これら減圧室B~Eが、上記リボン状基材が連続して走行可能なように配置され、上記減圧室B~Eの各間に、これら各減圧室をそれぞれ個別の所要圧力に保つための差動排気手段Zが配設されている太陽電池セルの製造装置を第2の要旨とする。さらに、本発明は、上記第1の要旨に記載の太陽電池セルの製法によって得られた長尺の帯状太陽電池セルを、基材長手方向に所定長さに切断し、ストリップ状の太陽電池セルを作製するとともに、このストリップ状太陽電池セルを幅方向に複数個並べ、互いに隣接する長辺側部どうしを重ね合わせて、これら各セル表面の透明導電層側電極と、セル裏面の導電性基材または裏面電極とを、電気的に接続することにより、大面積の太陽電池モジュールを形成する太陽電池モジュールの製法を第3の要旨とする。本発明は、所定幅の帯状長尺物リボン状基材を走行させながら、その上の所定面に、太陽電池セルを構成する各層,膜を連続的に形成する、ロールトゥロールプロセスを行うものであり、それによって、品質の安定した太陽電池セルを、高速かつ高収率で得るようにするものである。なお、本発明におけるリボン状,帯状とは、テープ状またはフィルム状等を含む、長尺の薄板状物品すべてを包含する概念であり、その物品の厚みを問わない。また、ストリップ状とは、そのような長尺の薄板状物品を長手方向に所定長さに切断した、細長い長片状または短冊状等の形状を意味する。また、本発明において、太陽電池セルとは、太陽光を電気エネルギーに変換する光起電力素子をいい、太陽電池モジュールとは、複数の太陽電池セルを電気的に接続実装したものをいう。本発明の太陽電池セルの製法によれば、太陽電池セルの作製に必要な成膜過程のすべてが、複数の減圧室が続けて配置された一つのチャンバ内で、ロールトゥロールプロセスにより連続して行われるようになっている。そのため、上記b裏面電極形成工程,c化合物半導体層形成工程,dバッファ層形成工程,e透明導電層形成工程の各形成工程間で、形成材料およびプロセスが変わっても、基材や成膜された基材を装置チャンバから取り出す必要がなく、これらチャンバの減圧-加圧大気圧下への開放を繰り返す作業や、工程間の待ち時間ロスタイムもない。さらに、各形成工程間で基材をチャンバから取り出す必要がないことから、製造途中の各薄膜が大気外気に触れて酸化したり、その膜等の表面に不純物が付着したりするおそれも少ない。これにより、本発明の太陽電池セルの製法は、均質な太陽電池セルを効率良く作製することができる。さらに、本発明の太陽電池セルの製法において、上記b裏面電極形成工程がスパッタリングにより行われ、上記c化合物半導体層形成工程が真空蒸着により行われ、上記dバッファ層形成工程がスパッタリングにより行われ、上記e透明導電層形成工程がスパッタリングにより行われる場合は、上記各工程を途切れなく連続して行うことができ、上記太陽電池セルをより効率良く作製することが可能になる。また、上記太陽電池セルの製法において、上記チャンバ内の各減圧室の間に、これら各減圧室をそれぞれ個別の所要圧力に保つための差動排気手段が配設され、上記c化合物半導体層形成工程で使用する減圧室の圧力が、他のb,d,eの工程で使用する減圧室の圧力の1/100以下になっている場合は、各工程に用いられる減圧室の圧力真空度が、真空蒸着により行われ、高真空を必要とするc化合物半導体層形成工程と、それより高い圧力低い真空度下のスパッタリングにより行われるb,d,eの各工程とに、それぞれ適したものとなっている。さらに、上記b裏面電極形成工程で使用する減圧室の圧力が、上記d,eの工程で使用する減圧室の圧力より高くなっている場合は、比較的厚い膜厚を必要とする裏面電極を、高成膜レートで効率よく作製することができ、好ましい。そして、上記c化合物半導体層形成工程で使用する減圧室内に、上記化合物半導体層を構成する複数の材料にそれぞれ対応する複数の蒸着源のノズルが、上記リボン状基材の走行位置に沿って一列状に配置され、上記c化合物半導体層形成工程が、上記リボン状基材として幅5~30mmの金属製基材を用いて、上記各蒸発源内の化合物半導体材料を加熱蒸発させながら、上記リボン状基材を、この基材と上記各蒸着源のノズルとの距離Lが50mm以下になる位置を通過させることにより行われる場合は、基材幅方向に膜厚の揃った、安定した物性の各材料層化合物半導体層を構成する材料層を、高速で成膜することが可能になる。したがって、本発明の太陽電池セルの製法は、基材の幅方向にも流れ方向にも電気的特性の揃った一定品質の帯状太陽電池セルを、安定して高収率で作製することができる。また、上記構成のc化合物半導体層形成工程を備える本発明の太陽電池セルの製法において、上記各蒸着源のノズルにおける蒸気放出口の基材幅方向の開口幅Wが、上記リボン状基材の幅Hに対して、1~1.5倍広くなっているW/H=1~1.5場合は、上記基材幅方向に膜厚の揃った各材料層を、より高速でかつ歩留りよく作製することが可能になる。そして、本発明の太陽電池セルの製法のなかでも、上記化合物半導体層が、元素周期表におけるI族の元素群から選ばれた少なくとも1種の化合物半導体材料と、III族の元素群から選ばれた少なくとも1種の化合物半導体材料と、VI族の元素群から選ばれた少なくとも1種の化合物半導体材料とからなるカルコパイライト型半導体である場合は、高品質のカルコパイライト系薄膜太陽電池セルを、ロールトゥロールプロセスで一貫して製造することができる。また、上記製法に用いられる太陽電池セルの製造装置は、上記リボン状基材を送り出す基材供給手段Aと、加工後のリボン状基材を巻き取る基材回収手段Fとの間に、少なくとも、上記リボン状基材の所定面に裏面電極を形成する裏面電極形成用の減圧室Bと、上記裏面電極の所定面に化合物半導体層を形成する化合物半導体層形成用の減圧室Cと、上記化合物半導体層の所定面に酸化物半導体からなるバッファ層を形成するバッファ層形成用の減圧室Dと、上記バッファ層の所定面に導電性酸化物からなる透明導電層を形成する透明導電層形成用の減圧室Eとを有するチャンバが設けられ、これら減圧室B~Eが、上記リボン状基材が連続して走行可能なように配置され、上記減圧室B~Eの各間に、これら各減圧室をそれぞれ個別の所要圧力に保つための差動排気手段Zが配設されているという構成をとる。この構成により、本発明の太陽電池セルの製造装置は、チャンバ内の各減圧室B~Eの圧力を、その形成過程ごとに適した圧力真空度に、個別に維持制御することが可能になる。したがって、本発明の太陽電池セルの製造装置は、一度チャンバ内に送り込まれた長尺リボン状の基材を、そのチャンバから取り出すことなく、裏面電極形成用の減圧室Bから透明導電層形成用の減圧室Eにかけて連続で通過させ、上記の形成の過程を減圧下で一貫して行うことができる。さらに、この太陽電池セルの製造装置は、上記リボン状基材を、その形成過程の途中で、減圧されたチャンバから取り出さないため、太陽電池セルを構成する各層,膜が、製造中に大気外気に触れたり、その膜等の表面に塵芥や不純物等が付着したりするおそれが少ないという点で、有利である。そして、本発明の太陽電池セルの製造装置において、上記裏面電極形成用の減圧室B内に第一のスパッタリング装置が配置され、上記化合物半導体層形成用の減圧室C内に真空蒸着装置が配置され、上記バッファ層形成用の減圧室D内に第二のスパッタリング装置が配置され、上記透明導電層形成用の減圧室E内に第三のスパッタリング装置が配置されているものは、上記一貫した形成過程を有するチャンバを容易に構成できる。また、本発明の太陽電池セルの製造装置のなかでも、上記化合物半導体層形成用の減圧室C内に、上記真空蒸着装置として、化合物半導体層を構成する複数の材料にそれぞれ対応する複数の蒸着源のノズルが、上記リボン状基材の走行位置に沿って一列状に配置され、この減圧室C内に、上記リボン状基材を各蒸着源のノズルとの距離Lを所定距離例えば50mm以下に保った状態で走行させるための基材位置安定手段が設けられているものは、基材幅方向に均一な膜厚の各材料層化合物半導体層を構成する材料層を、高速で安定して作製することができる。さらに、上記チャンバにおける基材流れ方向の上流側入口に、上記基材供給手段Aを内蔵する減圧室Xが配置され、このチャンバにおける基材流れ方向の下流側出口に、上記基材回収手段Fを内蔵する減圧室Yが配置され、これら減圧室Xと減圧室Yとが、それぞれ上記チャンバに連結されているものは、上記リボン状基材の送り出し工程から巻き取り工程までを含めて、太陽電池セルの製造工程すべてを、その工程に適した圧力真空度に個別に調整された減圧室を備えるチャンバ内で、一貫して行うことができる。また、太陽電池セルを構成する各層,膜が、製造中に外気に触れたり、その膜等の表面に塵芥等が付着したりして欠点が生じるおそれを、より低減することができる。そして、前記太陽電池セルの製法によって得られた長尺の帯状太陽電池セルを、基材長手方向に所定長さに切断し、ストリップ状の太陽電池セルを作製するとともに、このストリップ状太陽電池セルを幅方向に複数個並べ、互いに隣接する長辺側部どうしを重ね合わせて、これら各セル表面の透明導電層側電極と、セル裏面の導電性基材または裏面電極とを、電気的に接続する方法により作製した太陽電池モジュールは、全体が均質で、大面積化が容易という利点を有する。すなわち、パネルの大きさが規定規格化された太陽電池モジュールや家庭用太陽光発電ユニット、あるいは、さらに大規模な太陽電池アレイやメガソーラー等の太陽光発電施設等、顧客の要望するモジュールサイズに、柔軟に対応できるという点で優れる。つぎに、本発明の実施の形態を、図面にもとづいて詳しく説明する。本実施形態における太陽電池セルの製法に用いる製造装置は、図1に示すように、一列状に連なる複数の加工用減圧室B,C,D,Fを有するチャンバ10と、このチャンバ10に加工用の基材リボン状基材1を供給する巻出し機基材供給手段Aを備える基材供給側減圧室Xと、加工後のリボン状基材1を回収して巻き取る巻取り機基材回収手段Fを備える基材回収側減圧室Yとからなる。そして、上記チャンバ10の加工用減圧室は、巻出し機A側基材流れ方向白抜き矢印の上流側から、裏面電極形成用の減圧室B,化合物半導体層形成用の減圧室C,バッファ層形成用の減圧室D,透明導電層形成用の減圧室Eの順に配置され、各加工用減圧室B~Eの間には、これら各減圧室B~Eを所要圧力に保つための差動排気装置差動排気手段Z1,Z2,Z3がそれぞれ配設されており、異なる環境圧力雰囲気が要求されるプロセス工程間でリボン状基材1を途切れずに移動させ、その加工成膜を連続して行うことができるようになっている。これが、本発明の太陽電池セルの製造装置の特徴である。また、上記製造装置を用いた太陽電池セルの製法は、a巻出し機Aから長尺のリボン状基材1を準備して繰り出す基材供給工程と、b減圧室B内で、上記巻出し機Aから供給されたリボン状基材1の一面に、スパッタリングにより裏面電極2を形成する裏面電極形成工程と、c減圧室C内で、上記裏面電極2上に、真空蒸着により化合物半導体層3を形成する化合物半導体層形成工程と、d減圧室D内で、上記化合物半導体層3の上にスパッタリングによりバッファ層4を形成するバッファ層形成工程と、e上記バッファ層4の一面にスパッタリングにより透明導電層5を形成する透明導電層形成工程と、f加工後のリボン状基材1を巻取り機Fに巻き取って回収する基材回収工程とを備え、これら各減圧室B~E内の環境が、各減圧室B~Eの間に配置された差動排気手段Zにより、それぞれの加工に適した1Pa以下の圧力に個別に保たれている。これが、本発明の太陽電池セルの製法の大きな特徴である。上記太陽電池セルの製法について、その各工程を、上記製造装置の詳細とともに、図面にもとづいて基材の流れ加工順に説明する。なお、工程全体を説明する図1において、白抜き矢印は長尺のリボン状基材1の流れ方向加工方向を示し、黒実線矢印は減圧室内の空気の排気方向を示す。また、図中の符号31~36は、各減圧室の排気のために設けられた排気口である。a基材供給工程基材供給工程は、図1に示すように、上記基材供給側減圧室Xの中に収容された巻出し機Aを用いて、リールあるいはロール等に巻回された長尺のリボン状基材1を、ガイドローラー等の案内に従ってチャンバ10の所定位置に繰り出す工程である。上記減圧室Xは、その内部に、上記巻出し機Aと、リボン状基材1の走行位置を案内するガイドローラー等とが配置され、連絡管21を介して、後記する裏面電極形成用の減圧室Bと連通している。また、この減圧室Xには、別途設置された真空ポンプ等の真空源図示省略に繋がる排気口31が設けられており、他の減圧室と同様、減圧室X内が所定の圧力に保たれるようになっている。なお、この減圧室Xは、上記裏面電極形成用の減圧室Bと連通しているため、その内部の圧力は減圧室Bと同じ例えば0.6~1.0Paになっている。上記基材供給工程から供給されるリボン状基材1としては、ステンレススチールSUS,チタンTi,アルミニウムAl等、良導電性金属基材が用いられる。このリボン状基材1は、幅5~30mm,長さ1~100m厚さ約10~100μmの長尺状で、上記巻出し機Aにセットできるリールやロール等に巻回されて、準備される。なお、上記リボン状基材1は、後記のc化合物半導体層形成工程における高温環境での引っ張りに耐え得る、この製法ロールトゥロールプロセスに適した物性、例えば、可とう性,ヤング率,靭性,引張強度等が求められる。また、工程中におけるリボン状基材1の走行速度や張力は、基本的に、後記する巻取り機Fの巻取り速度により決定されるため、巻出し機Aのリール等は、上記巻取り機Fのリール等の連れ廻りフリー状態か、あるいは、若干のブレーキバックテンションをかけた状態に維持される。b裏面電極形成工程裏面電極形成工程は、チャンバ10の減圧室B内で、上記巻出し機Aから供給されたリボン状基材1の一面図1では下面に、スパッタリングにより裏面電極層2を形成する工程である。上記減圧室Bの中には、裏面電極形成用の材料ターゲットを保持する第一スパッタリング装置11と、リボン状基材1のターゲットに対する距離を一定に維持するためのガイドローラー等の基材位置安定手段図示省略とが配置されており、上記リボン状基材1が第一スパッタリング装置のターゲットホルダ図中点線で表示に対して所定の距離L11を保った状態で走行できるようになっている。上記裏面電極形成用のターゲット材料としては、Moモリブデン,Wタングステン,Crクロム,Tiチタン等の金属材料が用いられ、上記減圧室B内を0.6~1.0Paに減圧した状態で、巻出し機Aから繰り出されたリボン状基材1を第一スパッタリング装置11上を走行させ、DCスパッタリング法により、このリボン状基材1の表面に、上記裏面電極形成用のターゲット材料からなる層膜厚約100~1000nm程度を連続的に形成する。なお、上記減圧室Bの上流側基材供給側でかつ巻出し機A側には、先に述べたように、上記減圧室Xと連通する連絡管21が接続されているとともに、その下流側基材巻取側でかつ巻取り機F側には、図1に示すように、この減圧室Bと後記の化合物半導体層形成用の減圧室Cとをそれぞれ別の所要の圧力に維持するための差動排気装置Z1が配設されている。そして、上記裏面電極2が形成されたリボン状基材1は、その状態で上記差動排気装置Z1を通過し、次工程である減圧室Cに搬送される。c化合物半導体層形成工程化合物半導体層形成工程は、チャンバ10の減圧室C内で、上記裏面電極2の上に、真空蒸着により複数の材料材料層を順次積層し、化合物半導体層3を形成する工程である。上記減圧室Cの中には、上記化合物半導体層形成用の複数の蒸着源のノズル本実施形態においては12~15の4つ。なお、蒸着装置本体は、減圧室外に設置される場合もある。と、リボン状基材1の走行位置を案内するガイドローラー等の基材位置安定手段図示省略とが配置されており、図2Aの減圧室C部拡大図に示すように、上記減圧室Bから差動排気装置Z1を介して減圧室C内に導入されたリボン状基材1が、その蒸着対象面を上記蒸着源のノズル12~15と対面させた状態下向きで、各蒸着源のノズル12,13,14,15と所定の距離L各蒸着源のノズルからの距離はそれぞれL12,L13,L14,L15離れた位置を走行できるように構成されている。以下、蒸着源のノズルを、単に蒸着源と呼ぶ場合もある。なお、減圧室C内の蒸着源の個数は、化合物半導体層3の組成によって増減する。また、上記蒸着源のノズル12~15は、リボン状基材1との距離L12,L13,L14,L15をそれぞれ個別に制御できる高さ調節手段を備えている。例えば、蒸着源のノズル12~15が、図2Aのような二重の筒状のケーシングである場合、その内筒が上下移動昇降可能なように構成されている。そして、蒸着源の内部には、後述する蒸着材料と、この蒸着材料を加熱蒸発させるための加熱器等図示省略が配設されており、そのノズルの上部開口にはそれぞれ、シャッター12a,13a,14a,15a等の蒸発量制御手段が取り付けられている。本実施形態で作製する化合物半導体層3は、I-III-VI族元素からなるカルコパイライト黄銅鉱型化合物半導体層である。具体的には、銅Cu,インジウムIn,ガリウムGa,セレンSe,硫黄S,アルミニウムAl等を組み合わせて得られるものであり、例えば、CuInGaSe,CuInGaS,CuInAlSe,CuInAlS等を形成することができる。上記減圧室C内における化合物半導体層3の蒸着方法を、CuIn,GaSe2CIGS系化合物からなる薄膜を形成する場合を例に、具体的に説明する。まず、前準備として、各蒸着源12,13,14,15内に、その蒸着順序に合わせてCu,In,Ga,Seの蒸着材料を順次セットする他の減圧室のセッティングも行う。蒸着材料のセットが完了したら、リボン状基材1を巻出し機Aから巻取り機Fまで、各減圧室B~Eを経由してチャンバ10全体に挿通させ、このチャンバ10の作業用開口を全て閉じ、別途設置された真空ポンプ等の真空源図示省略を作動させて、各加工用の減圧室B~Eおよび基材操作用の減圧室X,Yを減圧する。なお、各減圧室B,C,D,E間には、先に述べた差動排気装置Z1,Z2,Z3が介在配置されているため、それぞれの加工に適した1Pa以下の圧力に個別に制御されている。この減圧室Cは、真空蒸着に適した103Pa以下の真空に減圧される。ちなみに、この時、減圧室X,Bは0.6~1.0Pa、減圧室D,E,Yは0.2~0.5Paに制御されており、上記減圧室C内の圧力0.001Pa以下は、これら減圧室B,D,Eの圧力の1/100以下になっている。チャンバ10の各減圧室の減圧完了後、減圧室C内を300~600°Cこの例では550°C以上まで加温し、上記巻取り機Fを作動させると、上記減圧室B裏面電極形成工程および差動排気装置Z1を経由して、その下面に裏面電極2が形成された状態成膜後のリボン状基材1が、この減圧室Cに供給され、ガイドローラー等の基材位置安定手段に案内されて、各蒸着源のノズル12,13,14,15から所定距離L12,L13,L14,L15離れた上側の位置を走行する図2A参照。また、この減圧室C内では、上記蒸着源12,13,14,15内にセットされた各蒸着材料が、蒸着源に備わる加熱手段図示省略等により、材料の蒸散に適した温度例えば、一番目の蒸着源Cu1150°C,二番目の蒸着源In950°C,三番目の蒸着源Ga1000°C,四番目の蒸着源Se200°Cに予め昇温されており、各蒸着源ノズル12,13,14,15の内部にその蒸気が充満した状態になっている。そして、上記裏面電極層付きリボン状基材1を、ガイドローラー等に沿って蒸着源のノズル列の上を走行させた状態で、上記各蒸着源のノズル12,13,14,15の開口部に備えたシャッター12a,13a,14a,15aを開放することにより、走行するリボン状基材1の表面に、各蒸着源のノズル12,13,14,15から加熱蒸散した蒸発材料の蒸気粒子原子,分子が順次付着堆積し、このリボン状基材1の下面に、カルコパイライト系化合物からなる薄膜化合物半導体層3が連続して形成される。得られた化合物半導体層3の膜厚は、太陽電池セルの素子特性の観点から、1.5~3.0μmの範囲にあることが望ましい。そして、上記裏面電極2の上に化合物半導体層3が形成された後のリボン状基材1は、減圧室Cと減圧室Dの間に配置された差動排気装置Z2を経由して、この減圧室Cとは異なる雰囲気圧力に制御されている減圧室D後記のバッファ層形成工程に搬送される。なお、上記の例では、図2Bに示すように、その内筒の上端開口部の幅Wが、長尺のリボン状基材1の幅H=5~30mmの1~1.5倍になっている蒸着源のノズル12,13,14,15を用いて、これら各蒸着源のノズル12,13,14,15の上記内筒高さ調節手段を昇降させ、リボン状基材1と各蒸着源のノズル12,13,14,15との距離LL12,L13,L14,L15を50mm以下この例では30mmに保って蒸着を行った。このように、蒸着源の蒸気放出口ノズルの上端開口の幅Wをリボン状基材1の幅Hの1~1.5倍W/H=1~1.5に設定することにより、従来のバッチ式真空蒸着における蒸着距離約220mm程度よりも大幅に蒸着源のノズルに近接した距離50mm以下でも、基材幅方向に均一な膜厚で高品質な化合物半導体層を、高速かつ高効率で蒸着することが可能になった。なお、蒸気放出口の幅W/基材の幅Hが1未満である場合は、基材上に形成された化合物半導体層の幅方向中央部の膜厚と幅方向端部両側縁部の膜厚との差が、厚さ比で10を超え、均一な膜厚の化合物半導体層を得ることができない傾向がみられる。逆に、蒸気放出口の幅W/基材の幅Hが1.5を超える場合は、基材幅方向の膜厚の均一性は向上するが、基材に付着せず無駄になる蒸着材料が増える傾向がみられる。ちなみに、上記構成を用いた場合、蒸着源のノズルとリボン状基材1との距離Lを30mm基材の幅H=20mm,蒸気放出口の幅W=30mm,W/H=1.5にすると、上記バッチ式の真空蒸着法に比べ、成膜速度形成効率が50倍以上になることを実験で確認した。また、上記例においては、リボン状基材1を減圧室C内の所定位置一定高さの位置を水平に走行させ、各蒸着源のノズル12,13,14,15の内筒を昇降させて、このリボン状基材1と蒸着源の蒸気放出口との距離LL12,L13,L14,L15を50mm以下としたが、この蒸着距離Lは、成膜速度向上の観点から、具体的には0.1~50mmとするのがよく、さらに好ましくは1~10mmとするのがよい。リボン状基材1と蒸着源のノズル12,13,14,15との距離Lが0.1mm未満の場合は、蒸着の堆積速度が速すぎて、均一な膜厚の化合物半導体層3を形成できない傾向がみられる。逆に、その距離Lが50mmを超える場合は、蒸着の堆積速度が低いため製品加工速度が向上せず、化合物半導体層3の膜厚がばらつくうえ、蒸着材料のロスが増大する傾向がみられる。なお、上記蒸着源の蒸気放出口に、基材幅方向の蒸着材料の飛散量=基材に対する蒸着材料の付着量を補正する補正板等を取り付けてもよい。なお、各蒸着源のノズル12,13,14,15とリボン状基材1との距離Lを調節する方法は他の方法でもよく、例えば、各蒸着源のノズル12,13,14,15の上端面開口を同じ高さに揃え、リボン状基材1の走行を案内するガイドローラーを多数増設して、これらガイドローラーの位置高さをそれぞれ変更することにより、上記リボン状基材1の走行位置を各蒸着源のノズル12,13,14,15上で個々に変更する方法でもよい。また、上記のように、VI族元素上記例においてはSeの蒸着に使用する蒸着源15は、その加熱温度200°Cが蒸着対象の基材550°C以上に比べて低いことから、この基材の近接に起因する輻射熱等により熱干渉が起こる場合がある。その場合は、上記蒸着源の蒸気放出口近傍に、それを抑制するための熱干渉抑制手段を取り付けてもよい。そして、その他の蒸着源の熱により基材の温度が上がり過ぎる場合には、基材を冷やす基材冷却手段等を設けてもよい。さらに、上記例では、一つの蒸着物質に対して一つの蒸着源を設ける例をあげたが、一つの蒸着物質に対して複数の蒸着源を組み合わせた蒸着ユニットを対応させれば、三段階法やバイレイヤー法といった、より高品質な化合物半導体層を形成できる方法を採用してもよい。dバッファ層形成工程続くバッファ層形成工程は、チャンバ10の減圧室D内で、上記減圧室C化合物半導体層形成工程を経由したリボン状基材1の一面下面に、前記b裏面電極形成工程と同様のスパッタリングによりバッファ層4を形成する工程である。上記減圧室Dの中には、バッファ層形成用の材料ターゲットを保持する第二スパッタリング装置16と、リボン状基材1のターゲットに対する距離を一定に維持するためのガイドローラー等の基材位置安定手段図示省略とが配置されており、化合物半導体層付きのリボン状基材1が第二スパッタリング装置16のターゲットホルダ図中点線で表示に対して所定の距離L16を保った状態で走行できるようになっている。上記バッファ層形成用のターゲット材料としては、n型半導体特性を有する化合物が用いられ、その具体例としては、ZnO、Zn,MgO、ZnO,S等の酸化亜鉛系の化合物があげられる。バッファ層の形成は、減圧室D内を0.2~0.5Paに減圧した状態で、差動排気装置Z2を通過した化合物半導体層付きリボン状基材1を、第二スパッタリング装置16上を走行させ、DCスパッタリング法により、このリボン状基材1の表面に、上記バッファ層形成用のターゲット材料からなる層膜厚約50~200nm程度を連続的に形成する。なお、上記減圧室Dの上流側基材供給側でかつ巻出し機A側には、先に述べたように、この減圧室Dと化合物半導体層形成工程の減圧室Cとをそれぞれ別の所要の圧力に維持するための差動排気装置Z2が配設されている。また、その下流側基材巻取側でかつ巻取り機F側には、図1に示すように、この減圧室Dと後記の透明導電層透明電極形成用の減圧室Eとをそれぞれ別の所要の圧力に維持するための差動排気装置Z3が配設されており、上記バッファ層4が形成されたリボン状基材1は、その状態で上記差動排気装置Z3を通過し、次工程である減圧室Eに搬送される。このバッファ層形成工程は、上記各差動排気装置Z2,Z3により各減圧室が一体に連結されたチャンバ10内で、真空一貫により行われるため、従来の化学析出法バッチ式で行われるバッファ層形成に比べ、工程間の待ち時間や作業時間がなく、その加工時間を大幅に短縮することができる。また、加工途中のリボン状基材1をチャンバ10から取り出す必要がなく、製造途中の薄膜が大気外気に触れて品質が低下したり、その膜の表面に不純物が付着したりするおそれが少ないという利点を有する。e透明導電層形成工程つぎの透明導電層形成工程は、チャンバ10の減圧室E内で、上記減圧室Dバッファ層形成工程を経由したリボン状基材1の一面下面に、上記dバッファ層形成工程と同様のスパッタリングにより、導電性酸化物からなる透明導電層透明電極5を形成する工程である。上記減圧室Eの中には、透明導電層形成用の材料ターゲットを保持する第三スパッタリング装置17と、リボン状基材1のターゲットに対する距離を一定に維持するためのガイドローラー等の基材位置安定手段図示省略とが配置されており、化合物半導体層付きのリボン状基材1が第三スパッタリング装置17のターゲットホルダ図中点線で表示に対して所定の距離L17を保った状態で走行できるようになっている。上記透明導電層形成用のターゲット材料としては、酸化インジウム錫ITO,酸化インジウム亜鉛IZO,酸化亜鉛アルミニウムAl:ZnO等の光透過率が80を超える金属酸化物が用いられ、減圧室E内を0.2~0.5Paに減圧した状態で、差動排気装置Z3を通過したバッファ層付きリボン状基材1を、第三スパッタリング装置17上を走行させ、DCスパッタリング法により、このリボン状基材1の表面に、上記透明導電層形成用のターゲット材料からなる透明電極層膜厚約50~200nm程度を連続的に形成する。なお、上記減圧室Eの上流側基材供給側でかつ巻出し機A側には、先に述べたように、この減圧室Eとバッファ層形成工程の減圧室Dとをそれぞれ別の所要の圧力に維持するための差動排気装置Z3が配設されている。また、その下流側基材巻取側でかつ巻取り機F側には、図1に示すように、後記の巻取り機Fを備える減圧室Yと連通する連絡管22が接続されており、上記加工の終わったリボン状基材1は、最終の基材回収工程へ搬送される。f基材回収工程基材回収工程は、上記透明導電層形成後のリボン状基材1リボン状太陽電池セルを、基材回収側減圧室Yの中に収容された巻取り機Fを用いて、リールあるいはロール等に巻回して回収する工程である。上記減圧室Yの内部には、上記リボン状基材1を所定の速度ラインスピードで巻き取ることのできる巻取り機Fと、リボン状基材1の走行位置を案内するガイドローラー等とが配置されている。なお、この減圧室Yは、連絡管22を介して透明導電層形成用の減圧室Eと連通しているため、その内部の圧力は減圧室Eと同じ0.2~0.5Paになっている。以上の各工程を経ることにより、幅5~30mm基材幅、長さ1~100mの長尺状の太陽電池セルが得られる。なお、この長尺の帯状太陽電池セルを、基材長手方向に所定長さ1cm~10mに切断することにより、後記のストリップ状の太陽電池セルが作製される。上記の太陽電池セルの製法によれば、形成材料や成膜条件の異なる各形成工程間で、基材や成膜後の基材を装置チャンバ10から取り出す必要がなく、各減圧室A~Fの減圧-加圧大気圧下への開放を繰り返す作業や、工程間の待ち時間ロスタイムもない。さらに、製造途中の各薄膜が大気外気に触れて酸化したり、その膜等の表面に不純物が付着したりするおそれもない。これにより、本実施形態における太陽電池セルの製法は、高品質な太陽電池セルを効率良く作製することができる。また、上記太陽電池セルの製法においては、上記c化合物半導体層形成工程で使用する減圧室C内に、CIGS系太陽電池を構成するI族元素Cu、III族元素In,Ga、VI族元素Seにそれぞれ対応する蒸着源12,13,14,15が、リボン状基材1の走行方向白抜き矢印に沿って一列状に配置され、上記リボン状基材1として幅5~30mmの長尺状SUS製基材を用いて、上記各蒸発源12,13,14,15内の蒸着材料を加熱蒸発させながら、裏面電極2層が形成済みのリボン状基材1を、この基材1と各蒸着源のノズル12,13,14,15との距離LL12,L13,L14,L15が50mm以下となる位置を走行させることにより、カルコパイライト型の化合物半導体層3を形成している。そのため、この太陽電池セルの製法は、基材幅方向に膜厚の揃った、安定した物性の化合物半導体層3を、高速で形成することができる。その結果、本実施形態における太陽電池セルの製法は、基材の幅方向にも流れ方向にも電気的特性の揃った、一定品質の帯状太陽電池セルを、安定して高収率で作製することが可能になる。つぎに、上記実施形態の太陽電池セルの製法で得られた帯状太陽電池セルを用いて、大面積の太陽電池モジュールを製造する方法について説明する。まず、上記太陽電池セルの製造工程で得られた長尺の帯状太陽電池セルを、所定長さ基材長手方向に切断して、ストリップ状の太陽電池セルを作製する。g帯状太陽電池セルの切断工程この工程は、リールあるいはロール等に巻き取られている、前記長尺の帯状太陽電池セル幅5~30mmを送り出しながら、例えばレーザー等の熱的手段やカッター等の物理的手段を用いて、上記帯状太陽電池セルを基材長手長尺方向に所定の寸法で切断し、得られるストリップ状太陽電池セル6のサイズを、次工程で加工し易いサイズに揃える工程である。なお、その切断長さは、通常1cm~10m、好ましくは2cm~2m基材長手方向である。この切断長さは、次工程で使用される太陽電池モジュールMのハウジングサイズにより適宜変更される。また、上記帯状太陽電池セルの切断工程は、帯状太陽電池セルの切断前に、上記長尺状の帯状太陽電池セルを送り出しながら検査する検査工程や、この検査工程により見つかったセルの欠陥部位のみを切断して取り除く欠陥切除工程等を備えていてもよい。これらの工程により、検査工程で発見された欠陥部位の基材長手方向両側を、基板幅方向に切断除去することにより、欠陥部位を容易に切除することができる。また、この欠陥切除方法は、太陽電池セルの欠陥によるロスを最小限に抑えることができる点で優れている。これら検査工程と欠陥切除工程とは、上記帯状太陽電池セルの切断前に行う方が好都合であるが、切断後に、ストリップ状太陽電池セル6を個別に検査して、欠陥部位を切除してもよい。つぎに、作製されたストリップ状太陽電池セル6を複数個用いて、大面積の太陽電池モジュールMを作製する。図3Aは本実施形態における太陽電池モジュールMの平面図であり、Bはこの太陽電池モジュールMの断面図である。h太陽電池モジュールの組立工程この工程では、モジュール製品として必要とされる電流値および電圧値に応じて、上記長さの揃えられたストリップ状太陽電池セル6を複数本実施形態においては3個直列に接続し、図3Aのような太陽電池モジュールMを作製する。なお、図3A,Bにおいて、7は接合金属、41はフレーム、42は裏面支持材、43は表面保護材、44は封止樹脂を示す。また、上記フレーム41,裏面支持材42,表面保護材43により、ストリップ状太陽電池セル6を収容するハウジングケースが形成されている。太陽電池モジュールMを組立作製する工程では、各ストリップ状太陽電池セル6は、基材長手方向を揃え、図3Bのように、その基材幅方向をハウジングの底部に対して所定の角度傾けた状態で、それぞれの一部長辺側部が重なり合うように収容される。そして、隣接するストリップ状太陽電池セル6の表面の電極透明電極または透明導電層5と、セル裏面の電極導電性金属のリボン状基材1または裏面電極2とが、接合金属7等の導電性部材,導電性を有するテープや接着剤、あるいは、はんだ材料等を用いて、上記重ね合わせ部位で電気的にこの場合は直列に接続される。そして、上記ハウジング内の隙間には、各ストリップ状太陽電池セル6を湿気や汚れ,紫外線,物理的な応力等から保護するために、透明な封止樹脂44等が充填され、その硬化後に、発電性能の検査等を経て、製品としての太陽電池モジュールMが完成する。なお、上記太陽電池モジュールMのハウジング内には、各ストリップ状太陽電池セル6で発生する電力電流を外部に取り出すための端子盤等図示省略が配設され、ハウジングの外部には、他の太陽電池モジュールM等と電気的および物理的に連結するための外部端子図示省略等が取り付けられる。また、太陽電池モジュールMの大きさは、用途に応じて適宜設定されるが、例えば、その幅は10cm~1m、長さは50cm~2m程度であり、上記フレーム41は、太陽電池の用途によっては省略されることがある。用途や使用される環境等に応じて変更されるが、例えば、フレーム41を構成する材料としては、金属や樹脂等を用いることができる。上記裏面支持材42としては、金属板,樹脂板や、フッ素樹脂フィルム,ポリエチレンテレフタレートPETフィルム等を好適に採用することができる。また、表面保護材43および封止樹脂44は、透明あるいは半透明であることが必須であり、上記表面保護材43の好適な例としては、強化白板ガラス等があげられ、上記封止樹脂44の好適な例としては、エチレン酢酸ビニル共重合樹脂EVA等があげられる。以上の工程により、本実施形態の太陽電池モジュールの製法は、大面積の太陽電池モジュールを、効率よく製造することができる。また、その太陽電池セルとして、前記ストリップ状の太陽電池セルを用いていることから、パネルの大きさが規定規格化された太陽電池モジュールや家庭用太陽光発電ユニット、あるいは、さらに大規模な太陽電池アレイやメガソーラー等の太陽光発電施設等、顧客の要望するモジュールサイズに、柔軟に対応できるという点で有利である。つぎに、実施例について比較例および従来法による参考例と併せて説明する。ただし、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。[実施例1]上記実施の形態に記載の太陽電池セル製造装置を図1参照用いて、ロールトゥロールプロセスにより、真空一貫で、実施例1の帯状太陽電池セルを作製した。なお、実施例1の太陽電池セルは、その作製形成過程中に一度もチャンバから出さず、上記実施の形態に記載の手順のとおり、下記の工程を連続して行った。加工条件は以下のとおりである。リボン状基材SUS430:幅15mm,厚さ50μmJFEスチール社製上記基材を用いて、加工速度ラインスピード1m/分で加工を行った。なお、ロールトゥロールプロセスであるため、下記の各工程におけるラインスピードは同一である。裏面電極形成工程減圧室B:室内圧力0.8Pa裏面電極形成材料:Moスパッタリング法により膜厚500nmの裏面電極層を連続形成した。化合物半導体層形成工程減圧室C:室内圧力1×103Pa,室内温度550°C化合物半導体層形成材料:Cu,In,Ga,SeCIGS系化合物半導体層ただし、その構成比が、Cu/GaIn=0.85,Ga/GaIn=0.3になるように上記各形成材料を供給した。各蒸着源の加熱温度は、前記実施の形態を参照。各蒸着源の蒸気放出口の基材幅方向の幅開口幅W:20mm各蒸着源の蒸気放出口と基材走行位置との間の距離蒸着距離L:30mm上記条件の真空蒸着により総膜厚2.2μmの化合物半導体層を連続形成した。バッファ層形成工程減圧室D:室内圧力0.2Pa裏面電極形成材料:ZnO,SZnO80wt,ZnS20wtスパッタリング法により膜厚100nmのバッファ層を連続形成した。透明導電層形成工程減圧室E:室内圧力0.4Pa裏面電極形成材料:ITOスパッタリング法により膜厚200nmの透明導電層透明電極を連続形成した。[比較例1]上記実施例1に使用した太陽電池セル製造装置実施の形態の装置:図1参照において、化合物半導体層形成工程減圧室Cの基材流れ方向前後に、別途開口を設け、スパッタリングによる裏面電極形成減圧室B後のリボン状基材を、減圧室Cの上流側開口新設から一旦チャンバ外大気圧下に搬出して巻き取った。つぎに、装置外に巻き取った基材を、上記減圧室Cの上流側開口からチャンバ減圧室C内に導入し、実施例1と同様の条件で真空蒸着により化合物半導体層を形成した後、リボン状基材を、この減圧室Cの下流側開口新設から再度チャンバ外大気圧下2回目に搬出して巻き取った。さらに、装置外に巻き取った基材を、上記減圧室Cの下流側開口からチャンバ内に導入し、実施例1と同様の条件で、スパッタリングによるバッファ層形成工程減圧室Dおよびスパッタリングによる透明導電層形成工程減圧室Eを行った後、完成後の太陽電池セルを装置の巻取り機Fで巻き取り、比較例1の太陽電池セルを得た。なお、上記のように加工中に装置外大気圧下に二度取り出す以外、その他の加工条件は上記実施例1と同様である。[参考例1]参考例1の太陽電池セルは、基材として100mm角の青板ガラスSLG製基板を用い、バッチ式のスパッタリング装置および真空蒸着装置を順次使用して、実施例1と同様の加工条件にて太陽電池セルを作製した。なお、上記各装置のチャンバ加工室の間は繋がって連通しておらず、各工程の間には、上記基板を大気圧下に取り出す作業が必ず含まれる。また、各工程ごとに、上記各チャンバ加工室を減圧-加圧開放するための待ち時間等が発生する。上記実施例1,比較例1,参考例1の太陽電池セルを用いて、その変換効率を測定した。<変換効率>ソーラシミュレータセルテスター山下電装社製YSS-150を用いて、疑似太陽光AM1.5を、100mm角以上の照射面積になるように調整して照射し、各実施例1,比較例1,参考例1の太陽電池セルの変換効率ηを測定した。上記変換効率の測定において、実施例1の太陽電池セルは変換効率η=14.5、比較例1の太陽電池セルは変換効率η=12.0、参考例1の太陽電池セルは変換効率η=10.0と、本発明の太陽電池セルの製法は、太陽電池セルの性能変換効率を低下させることなく、従来例である参考例1に比べ、その生産効率を向上させることができた。"