"意図したトポグラフィと、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分から生じる実際のトポグラフィと、の間の差を低減するためのインプリントリソグラフィ方法であって、流動可能なインプリント可能な媒体の層にインプリントリソグラフィテンプレートをインプリントして、前記インプリント可能な媒体中にパターン形成された層を形成するステップと、インプリント可能な媒体を固定して、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層を形成するステップと、前記意図したトポグラフィと、前記インプリント可能な媒体の前記固定されパターン形成された層の前記部分から生じる前記実際のトポグラフィと、の間の前記差を低減するために、前記パターン形成された層の前記部分の化学反応を調整するように前記パターン形成された層の前記部分に局所励起を適用するステップと、を含む、方法。前記インプリント可能な媒体は、第1の化学線を用いて硬化することによって固定される、請求項1に記載のインプリントリソグラフィ方法。第1の化学線を用いて硬化することによって前記固定するステップは、前記インプリント可能な媒体の第1の単量体の重合反応を含む、請求項2に記載のインプリントリソグラフィ方法。前記化学反応は、前記インプリント可能な媒体の第2の単量体の重合反応を含む、請求項1~3のいずれか一項に記載のインプリントリソグラフィ方法。前記局所励起は、選択されたドーズ量の第1の化学線を前記パターン形成された層の前記部分に局所適用することを含む、請求項1~4のいずれか一項に記載のインプリントリソグラフィ方法。前記局所励起は、選択されたドーズ量の第2の化学線を前記パターン形成された層の前記部分に局所適用することを含む、請求項1~5のいずれか一項に記載のインプリントリソグラフィ方法。前記局所励起は、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層を形成するように、前記インプリント可能な媒体を固定した後に適用される、請求項1~6のいずれか一項に記載のインプリントリソグラフィ方法。前記局所励起は、固定されたインプリント可能な媒体の前記パターン形成された層から前記インプリントリソグラフィテンプレートを除去した後に適用される、請求項7に記載のインプリントリソグラフィ方法。マスクを用いて前記局所励起の局所適用を制御する、請求項1~8のいずれか一項に記載のインプリントリソグラフィ方法。前記局所励起は、前記パターン形成された層の前記部分の局所加熱を含むか、又は局所加熱から成る、請求項1~9のいずれか一項に記載のインプリントリソグラフィ方法。前記局所加熱は、放射ビームによって提供される、請求項10に記載のインプリントリソグラフィ方法。前記加熱は、インプリント可能な媒体の前記パターン形成された層に向かって放射ビームを誘導することによって提供され、前記放射ビームは、前記所望の局所加熱を提供する放射強度プロファイルを有する、請求項11に記載のインプリントリソグラフィ方法。前記局所加熱は、前記パターン形成された層に対して放射ビームをスキャンすることによって提供され、前記放射ビームは、局所加熱が前記パターン形成された層の前記部分に確実に適用されるようにスキャン中に調節される、請求項11に記載のインプリントリソグラフィ方法。前記局所加熱は、前記パターン形成された層の前記部分に隣接するポイントで2つ以上の放射ビームを交差させることによって提供される、請求項11に記載のインプリントリソグラフィ方法。前記化学反応は、前記パターン形成された層の前記部分に前記反応化合物の空乏化を引き起こし、そのため、前記パターン形成された層の前記部分への前記反応化合物の拡散を誘導する反応化合物の化学反応を含む、請求項1~14のいずれか一項に記載のインプリントリソグラフィ方法。前記反応化合物は、耐エッチング性化合物を含む、請求項15に記載のインプリントリソグラフィ方法。前記重合反応後に重合されないまま残る第2の単量体を、溶媒浸出を用いて前記固定されたインプリント可能な媒体から浸出することによって除去する、請求項4~14のいずれか一項に記載のインプリントリソグラフィ方法。固定されたインプリント可能な媒体の前記パターン形成された層の前記部分から生じる前記実際のトポグラフィは、固定されたインプリント可能な媒体の前記パターン形成された層の前記部分のトポグラフィを測定することによって決定される、請求項1~17のいずれか一項に記載のインプリントリソグラフィ方法。固定されたインプリント可能な媒体の前記パターン形成された層の前記部分から生じる前記実際のトポグラフィは、固定されたインプリント可能な媒体の前記パターン形成された層の前記部分を形成するために用いられる前記インプリントリソグラフィテンプレートの部分のトポグラフィを測定することによって決定される、請求項1~17のいずれか一項に記載のインプリントリソグラフィ方法。固定されたインプリント可能な媒体の前記パターン形成された層の前記部分から生じる前記実際のトポグラフィは、固定されたインプリント可能な媒体の、以前にパターン形成された層の前記部分を用いて形成されたエッチングされた基板のトポグラフィを測定することによって決定され、前記インプリントリソグラフィテンプレートをレジスト層として用いてインプリントされる、請求項1~17のいずれか一項に記載のインプリントリソグラフィ方法。前記固定されたインプリント可能な媒体は、前記化学反応が発生する間は、そのガラス転移温度の20°C以内の温度に維持される、請求項1~20のいずれか一項に記載のインプリントリソグラフィ方法。第1及び第2の単量体を含むインプリントリソグラフィのためのインプリント媒体であって、第1の励起によって誘導された前記第1の単量体の重合反応によって硬化可能であり、前記第2の単量体を実質的に重合されないまま残し、前記第2の単量体は第2の励起によって重合可能である、インプリント媒体。前記第1の単量体は、第1のドーズ量の第1の化学線で照射することを含む前記第1の励起によって実質的に重合可能であり、前記第2の単量体は、第2のドーズ量の第1の化学線で照射することを含む前記第2の励起によって実質的に重合可能である、請求項22に記載のインプリント媒体。前記第1の単量体は、第1のドーズ量の第1の化学線で照射することを含む前記第1の励起によって実質的に重合可能であり、前記第2の単量体は、第2のドーズ量の第2の化学線で照射することを含む前記第2の励起によって実質的に重合可能である、請求項22に記載のインプリント媒体。前記第1の単量体は、アクリレート単量体を含む、請求項22~24のいずれか一項に記載のインプリント媒体。前記第2の単量体は、エポキシ単量体を含む、請求項22~25のいずれか一項に記載のインプリント媒体。0009例えば、本明細書中で、又は他で特定された、この分野の少なくとも1つの問題を防止又は低減するか、又は既存のインプリントリソグラフィ方法の代替案を提供するインプリントリソグラフィ方法及びンプリント可能な媒体を提供することが望ましい。特に、例えば、インプリントリソグラフィから生じるトポグラフィの系統的不均一性を補正するための手段を提供するインプリントリソグラフィ方法及び媒体を提供することが望ましい。0010一態様によれば、意図したトポグラフィと、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分から生じる実際のトポグラフィと、の間の差を低減するためのインプリントリソグラフィ方法が提供される。この方法は、流動可能なインプリント可能な媒体の層にインプリントリソグラフィテンプレートをインプリントしてインプリント可能な媒体中にパターン形成された層を形成するステップと、インプリント可能な媒体を固定して固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層を形成するステップと、意図したトポグラフィと、インプリント可能な媒体の固定されパターン形成された層の部分から生じる実際のトポグラフィと、の間の差を低減するために、パターン形成された層の部分の化学反応を調整するようにパターン形成された層の部分に局所励起を適用するステップと、を含む。0011以下でさらに詳細に説明するように、トポグラフィ実際のトポグラフィは、通常、後で基板に構造をエッチングするためのレジスト層として用いられるパターン形成された層から生じる。基板上に特定の寸法例えば、幅を有する1つ以上のパターンフィーチャを提供する意図があるにもかかわらず、その結果生じる1つ以上のパターンフィーチャすなわち、実際のトポグラフィの寸法は、所望した通りすなわち、所望の又は意図したトポグラフィではない可能性がある。これは、1つ以上のパターンフィーチャを提供するために使用されるインプリントリソグラフィテンプレートの1つ以上の凹部の寸法における不均一性すなわち、実寸法は意図した寸法に一致しないによるものであってもよい。0012不均一性という用語の使用は、基板上に提供されるパターンフィーチャの実寸法が、パターンフィーチャの意図した寸法に一致しない、すなわち、例えば、インプリントリソグラフィテンプレートの製造時における不均一性により、実寸法が意図した寸法に一致しない状況を包含することを意図することを理解されたい。このように、不均一性という用語は不一致性を包含する。0013一態様によれば、意図したトポグラフィと、インプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分の実際のトポグラフィと、の間の差を低減するためのすなわち、インプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分における不均一性を低減するためのインプリントリソグラフィ方法が提供される。インプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分は、1つ以上のパターンフィーチャ例えば、1つ以上の凹部又は1つ以上の突起であってもよく又はそれらを含んでもよい。0014インプリント可能な媒体は、インプリントテンプレートのパターン形成された表面を除去した後にその形状を実質的に保持するように固定されるすなわち、固定した後はインプリント可能な媒体は流動可能でなくなるが、インプリント可能な媒体が自立し、インプリントされた形を保持することができる限り、完全に硬化又は固化する必要はない。例えば、インプリント可能な媒体は、固定されたインプリント可能な媒体が高分子媒体になるようにインプリント可能な媒体内の単量体の重合によって固定又は硬化されてもよい。0015インプリント可能な媒体は、第1の化学線で硬化することによって適切に固定される。インプリント可能な媒体の固定は、インプリント可能な媒体の第1の単量体の重合反応を含む第1の化学線で硬化することによるものであってもよい。0016化学線は、本明細書では、化学反応を誘導又は開始することができる放射を意味する。通常、紫外線UV放射を化学線として用いてもよい。第1又は第2の化学線と言及する場合は、第1及び第2の化学線が異なる波長を有してもよく、あるいはいくつかの波長に関して、2つの異なる分布が重なっているとしてもそれらが異なる波長の分布を有してもよいことを意味する。0017いかなる理論又は仮説によっても本発明の範囲を限定することを望むものではないが、意図したトポグラフィと、インプリント可能な媒体の固定されパターン形成された層の部分から生じる実際のトポグラフィと、の間の差を低減するためのパターン形成された層の部分の化学反応が以下のように有効であることが想定される。0018反応化合物の反応から生じる化学反応は、例えば、化学反応が急速に起こる箇所で反応化合物の濃度の空乏化を引き起こすことがあり、この濃度の空乏化を、意図したトポグラフィと実際のトポグラフィとの間の差を低減するために用いてもよい。例えば、濃度差が、化学反応がより緩慢に起こる箇所から反応化合物の拡散を駆動してもよい。この実施形態では、反応化合物の拡散が高速で起こるように、インプリント可能な媒体の温度はそのガラス温度Tgに適切に近く、例えばTgの20°C以内である。0019反応化合物のこの大きな拡散は、化学反応が促進された部分の反応性化合物の濃度を上昇させ得る。固定されたインプリント可能な媒体の耐エッチング性に効果があるように反応化合物が選択され、そのため、反応化合物の濃度が高い領域はエッチングに対してより高い耐性を有してもよい。これを用いてパターン形成されたインプリント可能な媒体の異なる部分について1つ以上のフィーチャの寸法の意図しない差を補償することもできる。これに加えて又はこの代わりに、反応化合物の局所的に増大した流入の結果として、固定されたインプリント可能な媒体の局所的な物理的膨張を生じさせることもできる。0020ある実施形態では、反応化合物の化学反応後、反応した化合物が所定の位置で例えば、重合によって固定され、反応しなかった化合物はすべて、例えば、固定されたインプリント可能な媒体から溶媒浸出を用いて浸出することによって除去してもよい。このような実施形態では、反応化合物の拡散を制限するために、インプリント可能な媒体の温度がTg未満に適切に保持される。したがって、化学反応が誘導された部分では、反応化合物の量が、反応化合物が反応しなかった他の部分よりも多くなる。これは、浸出の結果として、固定されたインプリント可能な媒体の局所的な物理的縮小を引き起こし得る。0021ある実施形態では、化学反応は、化学反応が局所的に誘導された固定されたインプリント可能な媒体の部分に後続のエッチングが行われるときに、溶解速度を上昇させる化学反応であってもよい。0022意図したトポグラフィと、インプリント可能な媒体の固定されパターン形成された層の部分から生じる実際のトポグラフィと、の間の差を低減するための、パターン形成された層の部分における化学反応は、インプリント可能な媒体の第2の単量体の重合反応を含んでもよい。0023局所励起は、選択されたドーズ量の第1の化学線を、部分に対して局所適用することを含んでもよい。これは、その部分に適用する選択されたドーズ量が、インプリント可能な媒体の残りの部分に適用するドーズ量より高い又は低いことによって達成される。0024局所励起は、部分に対して選択されたドーズ量の第2の化学線を局所適用することを適切に含んでもよい。0025固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層を形成するために、インプリント可能な媒体を固定した後に局所励起が適用されてもよい。しかし、固定の前、又は固定中に適用されてもよい。例えば、固定後に適用するときは、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層からンプリントリソグラフィテンプレートを除去した後に局所励起が適用されてもよい。0026マスクを使用して局所励起の局所適用を制御してもよい。例えば、局所励起が化学線で照明することである場合は、いわゆるグレースケールマスクを用いて固定されたインプリント可能な媒体の異なる部分に達する放射強度を制御してもよい。その際、グレースケールマスクは実質的に均一な照射を受ける。0027局所励起は、部分の局所加熱を備えるか又は部分の局所加熱からなってもよい。局所加熱は、UV放射などの化学線で照射することにより、局所励起に加えて用いられる。0028局所加熱は、例えば、1つ以上の放射ビームによって提供してもよい。0029ある実施形態では、局所加熱は、インプリント可能な媒体のパターン形成された層に向かって、所望の局所加熱を提供するように構成された放射強度プロファイルを有する放射ビームを誘導することによって提供してもよい。0030ある実施形態では、局所加熱は、インプリント可能な媒体のパターン形成された層に対して、放射ビームをスキャンすることによって提供してもよい。インプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分に局所加熱が確実に適用されるように放射ビームはスキャン中に調節される。0031ある実施形態では、局所加熱は、インプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分に隣接するポイントで2つ以上の放射ビームを交差させることによって提供してもよい。0032意図したトポグラフィと、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分から生じる実際のトポグラフィと、の間の差をパターン形成された層の部分における化学反応が低減する方法に関して、本明細書中に記載される様々な手段によってこれを達成し得る。例えば、溶媒浸出を用いて浸出することにより、重合反応後に重合されずに残った第2の単量体を固定されたインプリント可能な媒体から除去してもよい。0033化学反応は、インプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分における反応化合物の空乏化を引き起こし、そのため、反応化合物の部分への拡散が誘導されるような反応化合物の化学反応であってもよい。0034反応化合物は、耐エッチング性の化合物であってもよい。0035本発明の実施形態は、本発明の実施形態の方法が使用されない場合の、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層から生じ得る実際のトポグラフィの情報、及びこれを所望のトポグラフィと比較することを含む。固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分から生じる実際のトポグラフィすなわち、本発明の実施形態による方法によって補正される部分は、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分のトポグラフィを測定することによって決定してもよい。すなわち、調整される固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層を、例えば、インプリントテンプレートが除去された直後で、且つ、局所励起が適用される前に、直接測定してもよい。ある実施形態では、同一のインプリントテンプレートを用いて以前に形成された固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層を、直接測定し、その方法を後でインプリントするパターン形成された層に適用するときにその情報を使用してもよい同じインプリントテンプレートから形成されているので、所望と実際のトポグラフィとの差が実質的に同じ差を示すものとする。0036ある実施形態では、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分から生じる実際のトポグラフィは、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分を形成するために用いられるインプリントリソグラフィテンプレートの部分のトポグラフィを測定することによって決定してもよい。0037ある実施形態では、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分から生じる実際のトポグラフィは、インプリントリソグラフィテンプレートをレジスト層として用いてインプリントされた、固定されたインプリント可能な媒体の以前にパターン形成された層の部分を用いて形成されたエッチングされた基板のトポグラフィを測定することによって決定してもよい。0038ある実施形態では、局所励起は、例えばTgの20°C以内、例えばTgの10°C以内又は5°C以内のようにそのガラス転移温度未満であるがそれに近い温度又はそれを超える温度で、固定されたインプリント可能な媒体に適用される。これは、この方法を適用する結果生じる拡散が確実に自由に起こるようにするために役立つと考えられる。0039一態様によれば、第1及び第2の単量体を含むインプリントリソグラフィのためのインプリント媒体が提供される。このインプリント媒体は、第1の励起によって誘導される第1の単量体の重合反応によって硬化可能であり、第2の単量体は実質的に重合されないまま残され、第2の単量体は第2の励起によって重合可能である。0040インプリント可能な媒体は、本明細書に記載する方法と一緒に用いるのに適しており、また、適宜、この方法に関連して本明細書に記載の特徴のいずれもインプリント媒体に適用可能であり、またその逆も同様である。0041例えば、第1の単量体は、第1のドーズ量の第1の化学線で照射することを含む第1の励起によって実質的に重合可能であり、第2の単量体は、第2のドーズ量の第1の化学線で照射することを含む第2の励起によって実質的に重合可能であってもよい。すなわち、この実施形態では、第1のドーズ量の第1の化学線は、第1の単量体の実質的な重合を誘導するのに十分であるが、第2の単量体の実質的な重合を誘導するには十分ではない。第2の単量体の重合を誘導するために、第2のドーズ量の第1の放射が用いられる。0042ある実施形態では、第1の単量体は、第1のドーズ量の第1の化学線で照射することを含む第1の励起によって実質的に重合可能であり、第2の単量体は、第2のドーズ量の第2の化学線で照射することを含む第2の励起によって実質的に重合可能であってもよい。言い換えれば、この実施形態では、第1の化学線は第1の単量体の実質的な重合を誘導するのに有効であるが、第2の単量体の重合を誘導するのには有効ではない。第2の単量体の実質的な重合を提供するために第2の化学線が適用される。0043例えば、第1の単量体はアクリレート単量体であってもよい。またインプリント可能な媒体は、アクリレート単量体と共に作用するのに適した重合開始剤を含んでもよい。重合開始剤は、UV放射などの適切な化学線を有する照明で遊離基を生成するように構成された化合物などであってもよい。0044第2の単量体はエポキシ単量体であってもよい。また、インプリント可能な媒体はエポキシ単量体と共に作用するのに適した重合開始剤を含んでもよい。重合開始剤は、UV放射などの適切な化学線を有する照明で酸を生成するように構成された化合物などである。0045本発明の態様及び、実際の実施形態は、例えば、インプリント可能な媒体のパターン形成された層の異なる区域上で、又はインプリント可能な媒体のパターン形成された層の異なる部分に対して、個別に又は組み合わせて使用することができる。0050インプリントリソグラフィの2つの既知の方法の例を図1a及び図1bに概略的に示す。0051図1aは、いわゆるホットインプリントリソグラフィ又はホットエンボスの一例を示す。典型的なホットインプリントプロセスでは、テンプレート2が、基板6の表面に提供された熱硬化性又は熱可塑性のインプリント可能な媒体4内にインプリントされる。インプリント可能な媒体4は、例えば樹脂であってもよい。樹脂は、例えばスピンコーティングし、基板表面に、又は図示の例のように、基板6の平坦化及び転写層8に焼成してもよい。熱硬化性ポリマー樹脂を使用する場合、樹脂はテンプレートに接触すると、テンプレート上に形成されたパターンフィーチャ内に流入する程度に十分に流動可能な状態になるような温度に加熱される。次に、樹脂の温度は、上昇して樹脂を熱硬化架橋結合させ、樹脂は固体化し所望のパターンを不可逆的に採用する。次に、テンプレート2を除去してパターン形成された樹脂を冷却することができる。熱可塑性ポリマー樹脂の層を使用するホットインプリントリソグラフィでは、熱可塑性樹脂が加熱されてテンプレート2によるインプリントの直前に自由に流動可能な状態になる。場合によって、熱可塑性樹脂を樹脂のガラス転移温度より大幅に高い温度まで加熱する必要がある。テンプレートは流動性樹脂に押し付けられ、次に流動性樹脂はガラス転移温度より下の温度まで冷却され、テンプレート2が所定位置でパターンを硬化させる。その後、テンプレート2は除去される。パターンは、インプリント可能な媒体の残りの層から浮き彫りになったフィーチャからなり、次に、残りの層は、適切なエッチングプロセスによって除去され、パターンフィーチャだけが後に残される。ホットインプリントリソグラフィプロセスで使用される熱可塑性ポリマー樹脂の例は、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリベンジルメタクリレート、又はポリシクロヘキシルメタクリレートである。ホットインプリントの詳細情報については、例えば、米国特許第4731155号及び米国特許第5772905号を参照されたい。0052図1bは、紫外線UVを透過する透明な又は半透明のテンプレートとインプリント可能な媒体3としてのUV硬化性液体本明細書ではUVという用語が便宜上使用されているが、インプリント可能な媒体を硬化させる任意の適切な化学線放射を含むものと解釈すべきであるの使用を含むUVインプリントリソグラフィの一例を示す。UV硬化性液体は、多くの場合、ホットインプリントリソグラフィで使用される熱硬化性及び熱可塑性樹脂よりも粘性が低く、したがって、はるかに速く移動してテンプレートのパターンフィーチャを充填することができる。図1aのプロセスと同様の方法で石英インプリントテンプレート1が、UV硬化性インプリント可能な媒体3に当てられる。しかし、ホットインプリントの場合のような熱又は温度サイクリングを用いるのではなく、石英インプリントテンプレート1を通してインプリント可能な媒体3上に印加されるUV放射5でインプリント可能な媒体3を硬化させることでパターンは固化する。テンプレート1を除去した後で、インプリント可能な媒体3はエッチングされ及び/又は他の処理を施され、例えば、基板6内に又はその上にパターンフィーチャを提供する。UVインプリントリソグラフィによって基板をパターン形成する特定の方法は、いわゆるステップアンドフラッシュインプリントリソグラフィSFILである。SFILは、従来、IC製造で使用されている光ステッパと類似の方法で基板を細かいステップでパターン形成するために使用することができる。UVインプリントの詳細情報については、例えば、米国特許出願公開第2004-0124566号、米国特許第6334960号、PCT特許出願公開WO02/067055号、及びMoldassistednanolithographyAprocessforreliablepatternreplication、JVacSciTechnolB14NovDec1996と題されたJHaisma氏の論文を参照されたい。0053上記インプリント技術の組合せも可能である。例えば、インプリント可能な媒体の加熱及びUV硬化の組合せを記述する米国特許出願公開第2005-0274693号を参照されたい。0054図2a~図2dは、各々異なるトポグラフィを有する領域P及びQを示すインプリントテンプレートを有するUVインプリントリソグラフィのプロセスステップを概略的に示す。この略例では、インプリントリソグラフィテンプレート10はパターンフィーチャを形成する凹部11、12を備える。パターンフィーチャは、上述したようにインプリント可能な媒体13中にインプリントすることができ、インプリント可能な媒体13中にパターンフィーチャを形成するために用いられる。凹部11、12は、インプリントリソグラフィテンプレートの設計時に所望したような意図した幅wを有し、次に構築される。0055インプリントリソグラフィテンプレートの構築中に、1つ以上の凹部又は1つ以上の突起のような1つ以上のパターンフィーチャは、インプリントリソグラフィテンプレートの設計において意図したものではない寸法を有することが可能である。例えば、インプリントリソグラフィテンプレートのパターンフィーチャは、インプリントリソグラフィテンプレート全体にわたって変化する均一性プロファイルを有してもよい。パターンフィーチャの寸法の均一性のそのような変動は、例えば、インプリントリソグラフィテンプレートの製造に用いる処理条件における変動によって起こり得る。例えば、処理条件におけるそのような変動は、プラズマ濃度又は密度、又はeビーム書き込みエラーなどにおける局所的な変動などによるものであってもよい。0056したがって、図2aでは、領域Pにおける凹部11の幅はwではなくw1であり意図したものより小さい、領域Qの凹部12の幅は、wではなくw2である意図したものより大きい。0057図2aでは、インプリント可能な媒体13の液滴が、例えばインクジェット印刷によって基板14の上に提供されて示されている。図2bに示すように、インプリント可能な媒体がインプリントリソグラフィテンプレート10の凹部11、12に流入し充填することによって、パターンフィーチャ15、16を突起として形成する。UV放射L1を用いてインプリント可能な媒体13を照射して固定し、したがってパターンフィーチャ15、16を固定する。0058図2cでは、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層13から、インプリントリソグラフィテンプレート10が取り外され、パターンフィーチャ15、16を、それらパターンフィーチャ15、16の延伸元のインプリント可能な媒体の残留層17上の領域P及びQにそれぞれ残す。0059図2dでは、固定されたインプリント可能な媒体の残留層17を除去し、基板14上に突起パターンフィーチャ18、19のみを残すように、ブレークスルーエッチングが行われている。残留層17が除去されるにつれて、エッチング中に突起15、16の幅が、例えば数パーセント以下程度縮小され、最終のパターンフィーチャ18、19の形状を基板上に誘導する。0060図には示されていないが別のステップで、パターンフィーチャ18、19によって覆われていない基板14の部分を除去するように転写エッチングが実行される。パターンフィーチャ18、19の幅は、パターンフィーチャ18、19が最終的に現像される元となる突起15、16を提供するために用いられるインプリントリソグラフィテンプレート10の凹部11、12の幅に関連する。それ故、最終的に基板14に形成されるパターンフィーチャの幅は、領域P及び/又はQで意図されていたものとは異なるものになり得る。0061図3a~図3fは、本発明の実施形態によるインプリントリソグラフィのプロセスステップを概略的に示す。このプロセスステップでは、図2a~図2dに示すプロセスに関して上述したように、各々異なるトポグラフィを有する領域P及びQを示すインプリントテンプレートを同様に用いる。しかし、図3a~図3fに示す例については、領域P及びQに対して実質的に均一なフィーチャ幅を提供するために、本発明のある実施形態を用いて、インプリントテンプレートの部分P及びQから生じるトポグラフィ間の差が補正された結果としての基板トポグラフィが提供される。0062図3aでは、図2aと同様に、インプリント可能な媒体13の液滴が、例えば、インクジェット印刷によって基板14上に提供される。図3bに示すように、インプリント可能な媒体は、インプリントリソグラフィテンプレート10の凹部11,12に流入し充填することによって突起としてパターンフィーチャ15、16を形成する。図2a~図2dの例と同様に、UV放射L1すなわち、波長L1を用いてインプリント可能な媒体13を照射及び固定し、したがってパターンフィーチャ15、16を固定する。0063図3cでは、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層13からインプリントリソグラフィテンプレート10が取り外され、パターンフィーチャ15、16が延伸する元のインプリント可能な媒体の残留層17の上の領域P及びQそれぞれにパターンフィーチャ15、16を残す。0064このように、図3a~図3fの実施形態は、図2a~図2dに示す方法とは異なる。図3dに示すように、パターン形成されインプリントされた層13の上にグレースケールUVマスク20が配置され、第2のドーズ量のUV放射L2すなわち、波長L2がマスク20の幅全体にわたって均一に適用される。マスクは、セクション21と22の2つのセクションを有し、領域P上のセクション21は、UV放射L2に対して実質的に透過性であり、一方、領域Q上のセクション22はUV放射L2に対して実質的に不透過性である。0065図3eでは、UV放射L2による選択的局所照射の後、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層は、適切な時間の間、ガラス転移温度未満であるがそれに近い温度、又はガラス転移温度より高い温度で保持される。この実施形態では、インプリント可能な媒体13は、アクリレート単量体及びエポキシ単量体の2つの単量体タイプを含み、また、UV放射L1によって活性化されたラジカル開始剤、及びUV放射L2によって活性化されたUV光酸発生剤をさらに含む。0066したがって、UV放射L1による照射の後、ラジカル発生剤と組み合わされたUV放射L1によってアクリレート単量体が重合するように誘導されると、インプリント可能な媒体のパターン形成された層が固定される。しかし、エポキシ単量体はUV放射L1によって実質的には重合されず、図3cに示す固定されたインプリント可能な媒体層13内に実質的に未反応の単量体として残る。0067図3dに示すようにUV放射L2がグレースケールフィルタ20を通して印加されると、マスク20の透過性セクション21の下の領域P内の未反応のエポキシ単量体がUV放射L2によって重合を開始するように誘導され、一方、マスク20の不透過性セクション22の下の領域Q内のエポキシ単量体は実質的に未反応のまま残る。0068照明後、図3eに示すように、固定されたインプリント可能な媒体13の2回照射された層を、ガラス転移温度Tg未満であるがそれに近い温度又はそれより高い温度で現像してもよい。領域P内のエポキシ単量体の重合が進行していくと、その領域内の単量体濃度の空乏化を引き起こし、領域Q内に高レベルのエポキシ単量体を残す。単量体濃度におけるこの差は、QからPに向かってエポキシ単量体の拡散を駆動し、最終的に、領域P内のエポキシ単量体の最終平衡濃度が、領域Q内よりも高くなる。0069これによって、領域Q内の突起24の幅のサイズを犠牲にして、領域P内の突起23の幅の物理的増大が誘導されるか、又は突起24よりも突起23のインプリント可能な媒体がブレークスルーエッチングに対してより高い耐性を示すようにするのに有効である官能基をエポキシ単量体に備えてもよい。例えば、エポキシ単量体はシリコン官能基で官能化されることで、領域P内のインプリント可能な媒体は領域Q内のインプリント可能な媒体よりも高い最終Si含有量を有してブレークスルーエッチングに対する耐性がより高くなる。0070図3fでは、固定されたインプリント可能な媒体の残留層17を除去し、基板14上にパターンフィーチャ25、26のみを残すように、ブレークスルーエッチングが実行されている。また、残留層17が除去されるにつれて、パターンフィーチャ23、24の幅はエッチング中に、例えば、数パーセント以下程度縮小されるが、パターンフィーチャ23は、パターンフィーチャ24よりも増大されるか、又はブレークスルーエッチングに対して耐性が高くなり得るため、インプリントテンプレートの領域P及びQの凹部11、12の異なる幅から生じる幅の差は、すべて最終的なパターンフィーチャ25、26内では低減される。0071図には示されていないが別のステップで、パターンフィーチャ25、26によって覆われていない基板14の部分を除去して所望のトポグラフィを基板に転写するように転写エッチングが実行される。0072インプリント可能な媒体の典型的な組成物は、アクリレート系単量体、UVで励起されると遊離基を生成するUV光開始剤、及び、フッ素系界面活性剤などの界面活性剤を含む。UV感度が低い遅重合性単量体例えば、エポキシ系単量体を組成物に組み込むことによって、第2のUV重合ステップが可能になる。これによって2つの単量体タイプに関する重合反応の時間的分離が可能になる。0073インプリント中の第1のフラッシュUV露光UV放射L1は、アクリレートを均質に重合し、固定された高分子膜を形成する。第2の局所UV露光UV放射L2は、遅反応性エポキシ単量体を重合して、トポグラフィの修正を達成させる。実施形態のグレースケールマスクを用いて達成されるUV放射L2のための局所強度の変動は、遅反応性エポキシ単量体の重合を局所的に誘導し、照明された区域の単量体空乏化を引き起こす。局所単量体濃度の差は、照明された区域へ向かって単量体の拡散を引き起こす。通常、単量体の移動度を増大するために加熱ステップが用いられ得る。単量体の拡散距離は1秒以下のタイムスケールでほぼ数ミクロン程度であってもよい。したがって、達成されたトポグラフィは、記載した方法を用いて、第2の照明ステップ中にこのタイムスケールで修正可能であってもよい。0074反応していない遅反応性単量体を固定されたインプリント可能な媒体の層から除去するために、第2の局所UV露光ステップの後、一定時間延長して現像ステップが用いられる。現像ステップを用いると、サイズとスケールにおける制約が重要でなくなり、トポグラフィが基板全体にわたって補正することができる。0075図に示されるように、インプリント可能な媒体は基板に直接適用されるよりむしろ、例えば、図1bで詳細に説明したように、基板上の任意選択的反射防止コーティング層及び/又は平坦化層に適用することができる。0076通常、パターン形成されたインプリント可能な媒体の限られた数の場所又は部分のみに第2のUV照射による照明を行う必要がある場合がある。補正が必要である選択された部分のみを照明し得るのは、グレースケールマスクではなく第2のUV放射のレーザスポットである。ある実施形態では、近視野光学系を用いて局所的に第2のUV放射による照明が達成され、ほぼ50nm以上程度の照明スポットサイズが生成される。第2のUV放射L2は、例えば、193nmの波長を有してもよい。L1のための通常の波長は365nmである。0077上記の図示した実施形態はその性質が限定的ではなく、例示的であると考えるべきである。好適な実施形態のみを図示し説明しており、特許請求の範囲に記載する本発明の範囲に入るすべての変更および修正は望ましくは保護されることを理解されたい。0078ある実施形態では、第2の露光ステップの後に未反応の単量体を拡散させるのではなく、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層を、そのガラス転移温度Tgより十分低い温度、例えばTgより少なくとも20°C低い温度に保持することによって、この拡散を防止又は阻止することができる。この実施形態では、未反応の単量体は適切な溶媒を用いて単量体を層から浸出する現像ステップによって、パターン形成された層から除去してもよい。固定され重合された単量体の濃度の局所的な差は、パターン形成されたインプリント可能な媒体の層の局所的なSi濃度差を同様に引き起こし、さらには、トポグラフィの差を補償するのに用いられるブレークスルーエッチング挙動の局所的な変動を同様に引き起こす。0079ある実施形態では、インプリント可能な媒体の第1の高速反応性単量体を重合する第1のUV放射L1を用いる第1のUV露光ステップの後に、インプリント可能な媒体の第2の遅反応性単量体すなわち、別のUV照明の必要性がないものを重合するのに局所加熱ステップを用いてもよい。温度を局所的に上昇させることは、重合速度を上昇させるだけでなく、既に反応した第1の単量体の高分子ネットワークに存在する反応しなかった単量体の移動度を増大させる。温度勾配の適用によって、第2の単量体の局所単量体濃度、及びそれによって、最終のブレークスルーエッチング耐性又は、他の特性が、トポグラフィの差を補正するように局所的に構成されてもよい。0080本発明のある実施形態は、耐エッチング性例えば、ブレークスルーエッチング耐性、及び/又は、フィーチャの物理的容積、及び/又は、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層の現像でのフィーチャの縮小、の局所的な修正を行うことによって実行してもよい。0081ある実施形態では、第1のUV照明L1がレジストを固定し、トポグラフィの補正のための第2の局所露光は、第1のUV照明と同じUV波長L1を実質的により高い強度で局所的に使用して、第2の照明で実行してもよく、それによって、インプリントされた層のブレークスルーエッチング耐性は局所的に低減される。ある実施形態では、インプリントされた層を局所的に除去するために化学線に対して第2の露光を用いてもよい。0082インプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分の実際のトポグラフィと、意図したトポグラフィと、の間の差を生成するために、実際のトポグラフィが決定されるべきであることを理解されたい。これは、インプリント後に、インプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分のトポグラフィを、例えば、1つ以上の光学検査装置及び技術などを用いて測定するすなわち、決定することによって行われる。代替的又は追加的に、実際のトポグラフィは、インプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分を形成するために用いられた又は用いられるインプリントリソグラフィテンプレートのその部分のトポグラフィを測定することによって、決定、導出、又は測定してもよい。0083上記実施形態では、1つのパターンフィーチャタイプのトポグラフィの補正が示されている。実際には、トポグラフィの補正は、多数又は区域のパターンフィーチャ全体にわたって適用してもよい。望ましくは隣接するパターンフィーチャのトポグラフィに影響を与えることなく、パターンフィーチャのスケールでこの方法を実行できる場合に、1つのパターンフィーチャのトポグラフィの補正が達成可能である。実際には、トポグラフィの変化を起したプロセス条件の性質により、意図したトポグラフィからの変化は複数のパターンフィーチャ全体へ延び、またそれらを含んでもよい例えば、エッチング条件などでは、1マイクロメートル以上のサイズの領域の不均一性。したがって、コスト及び複雑性の理由から、1つのパターンフィーチャのトポグラフィの不均一性の補正が可能な方法を提供することは要求されてないか又は望まれていない。0084第2の局所的ドーズ量のUV放射の適用によって修正された化学反応を介して達成されるトポグラフィの補正に加えて又はその代わりに、1つ以上の個別の導電性/放射性加熱要素などを用いて化学反応を調整するように局所加熱が実行されてもよい。しかし、局所加熱を提供するより便利な方法の1つは、例えば、赤外線放射、又は、強度及び/又は波長及び/又はエネルギーにおいて十分な任意の放射などの1つ以上の放射ビームの使用、を介して行うものである。0085一例図示せずでは、化学反応の修正によるトポグラフィの補正が望まれる場所では、インプリント可能な媒体のパターン形成された層13の部分又はその近隣で、2つ以上の放射ビームを交差させることによって加熱を提供してもよい。個別の任意のビームは十分なエネルギーを提供せず、インプリント可能な媒体の層に対して材料を追加する結果にはならないが、2つ以上の放射ビームを交差させることによって、その交差ポイントのエネルギーが、確実に化学反応が修正されるようにするのに必要なしきい値以上のエネルギーとなる。0086加熱を提供するために放射ビームをこのように用いることは、例えば、個別の導電性/放射性加熱要素などに比べて望ましい。これは、放射ビームの位置及び/又は強度が正確且つ迅速に高解像度で制御し得るからであり、導電性/放射性加熱要素などを用いることでは可能にならない又は少なくとも実行がそれほど容易ではないものである。0087本発明は、インプリントリソグラフィ方法に関する。インプリントリソグラフィ方法は、電子デバイス及び集積回路などのデバイスの製造、又は集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド、有機発光ダイオードの製造などのその他の用途に使用することができる。インプリントリソグラフィ方法を用いて、インプリントリソグラフィテンプレートを得てもよい。これは、この方法で作成したインプリントリソグラフィテンプレートが意図したトポグラフィ又は意図したものに近いトポグラフィを有することになるので有利である。したがって、この方法で作成されたインプリントリソグラフィテンプレートを用いて製造されるデバイスなども同様に意図したトポグラフィ又は意図したものに近いトポグラフィを有することになろう。0088上述したパターンフィーチャは、1つ以上のサブミクロン例えば、ほぼナノメートル程度の寸法を有してもよい。0089本明細書中、基板という用語は、基板の部分を形成する、又は別の基板上に提供される、例えば、平坦化層及び反射防止コーティング層などのあらゆる表面層を含むことを意味する。0090使用時は、インプリントリソグラフィテンプレートは、インプリントリソグラフィテンプレートホルダによって保持してもよい。インプリントリソグラフィテンプレートホルダは、例えば、静電力又は磁気力、機械力を用いて例えば、1つ以上の圧電素子などの使用を介して、及び/又は、真空力などによる多くの異なる機構の1つを用いて、インプリントリソグラフィテンプレートを保持してもよい。インプリントリソグラフィテンプレートは、インプリントリソグラフィテンプレートホルダの適切な移動によって移動可能である。使用時は、基板は基板ホルダによって保持してもよい。基板ホルダは、例えば、静電力又は磁気力、機械力例えば、クランプなどを用いて、及び/又は、真空力などによる多くの異なる機構の1つを用いて、基板を保持してもよい。基板は、基板ホルダの適切な移動によって移動可能である。0091上記実施形態では、例えば1つのチャンバ内に1つのインプリントリソグラフィテンプレート、1つのインプリントリソグラフィテンプレートホルダ、1つの基板ホルダ及び1つの基板が提供される。別の実施形態では、インプリントをより効率的に又は迅速に例えば、並列に実行するために1つ以上のチャンバ内に2つ以上のインプリントリソグラフィテンプレート、2つ以上のインプリントリソグラフィテンプレートホルダ、2つ以上の基板ホルダ、及び/又は2つ以上の基板を提供してもよい。例えば、ある実施形態では、複数の例えば、2つ、3つ、又は4つの基板ホルダを含む装置が提供される。ある実施形態では、複数の例えば、2つ、3つ、又は4つのインプリントリソグラフィテンプレートホルダ及び/又はインプリントリソグラフィテンプレートを含む装置が提供される。ある実施形態では、基板ホルダ当たり1つのテンプレートホルダ及び/又はインプリントリソグラフィテンプレートを使用するように構成された装置が提供される。ある実施形態では、基板ホルダ当たり2つ以上のテンプレートホルダ及び/又はインプリントリソグラフィテンプレートを使用するように構成された装置が提供される。ある実施形態では、複数の例えば、2つ、3つ、又は4つのインプリント可能な媒体のディスペンサを含む装置が提供される。ある実施形態では、基板ホルダ当たり1つのインプリント可能な媒体のディスペンサを使用するように構成された装置が提供される。ある実施形態では、インプリントリソグラフィテンプレート当たり1つのインプリント可能な媒体のディスペンサを使用するように構成された装置が提供される。ある実施形態では、複数の基板ホルダを含む装置が提供された場合、基板ホルダは装置内の機能を共用することができる。例えば、基板ホルダは、基板ハンドラ、基板カセット、例えば、インプリント中にヘリウム環境を生成するためのガス供給システム、インプリント可能な媒体のディスペンサ、及び/又はインプリント可能な媒体を硬化させるため放射源を共用することができる。ある実施形態では、2つ以上例えば、3つ又は4つの基板ホルダが装置の1つ以上の機能例えば、1つ、2つ、3つ、4つ、又は5つの機能を共用する。ある実施形態では、装置の1つ以上の例えば、1つ、2つ、3つ、4つ、又は5つの機能がすべての基板ホルダ間で共用される。0092説明内の好適な、好適には、好ましい又はより好ましいなどの用語の使用は、そのように記載された特徴が望ましいことを示すが、必ずしも必要ではなく、そのような特徴を有さない実施形態も添付の特許請求の範囲に定義する本発明の範囲内に含まれることを理解されたい。特許請求の範囲に関して、ある、少なくとも1つ、又は少なくとも一部などの用語は、添付の特許請求の範囲で、特に断りのない限り、特許請求の範囲をそのような特徴に限定する意図がない特徴に先行するものである。少なくとも一部又は一部分及び/又は一部又は一部分といった言語が使用される場合には、その要素は、特に断りのない限り、一部又は一部分及び/又は要素全体を含むことができる。"