反射電子ビームリソグラフィーのための装置であって、出射された電子から電子ビームを形成するように配置された電子源構造と、パターン状電子ビームを形成するように前記電子ビームの選択部分を反射するように構成された、パターン状電子反射構造と、目標基板を保持するステージと、前記パターン状電子ビームを縮小し、前記縮小されたパターン状電子ビームを前記目標基板上に投射するように構成された縮小電子レンズと、ExBセパレータであって、前記電子源構造からの前記電子ビームの軌跡を前記パターン状電子反射構造に向かって偏向させ、前記パターン状電子ビームを前記縮小電子レンズに向かって直線状に通過させるように構成される、ExBセパレータと、を含む、装置。請求項1に記載の装置であって、前記電子源構造は、電子銃および銃陰極レンズを含む、装置。請求項1に記載の装置であって、前記パターン状電子反射構造は、ダイナミックパターンジェネレータおよび界浸陰極レンズを含む、装置。請求項1に記載の装置であって、電子レンズを含む対物レンズであって、前記ExBセパレータと、前記パターン状電子反射器との間の前記電子ビームに作用するように構成される、対物レンズ、をさらに含む、装置。請求項1に記載の装置であって、前記電子ビームパスが前記ExBセパレータ内を通過する際に前記電子ビームに作用するように構成された、電子レンズを含む対物レンズ、をさらに含む、装置。請求項1に記載の装置であって、前記電子源構造と前記ExBセパレータとの間に配置された屈曲要素であって、前記電子ビームが前記ExBセパレータに到達する前に前記電子ビームの軌跡を屈曲させるように構成される、屈曲要素、をさらに含む、装置。請求項1に記載の装置であって、前記電子ビームが前記ExBセパレータに到達する前に前記電子ビームを反射するように配置された電子鏡、をさらに含む、装置。請求項7に記載の装置であって、前記電子源構造および前記電子鏡は、前記ExBセパレータの対向する側部に配置される、装置。請求項1に記載の装置であって、前記ExBセパレータは、磁極および電極を含む第1のExBセパレータであり、前記第1のExBセパレータと前記縮小電子レンズとの間に配置された第2のExBセパレータ、をさらに含む、装置。請求項9に記載の装置であって、前記第1のExBセパレータと比較して、前記第2のExBセパレータは、磁極の位置が逆に配置されかつ電極の位置が逆に配置されている、装置。電子ビームリソグラフィーのためのプロセスであって、電子源から出射された電子から電子ビームを形成するステップと、ExBセパレータにより、前記電子ビームの軌跡をパターン状電子反射器に向かって屈曲させるステップと、前記パターン状電子反射器により、パターン状電子ビームを形成するように前記電子ビームの選択部分を反射させるステップと、前記パターン状電子ビームを前記ExBセパレータ内に通過させるステップと、前記パターン状電子ビームを縮小するステップと、前記縮小されたパターン状電子ビームを目標基板上に投射させるステップと、を含む、プロセス。請求項11に記載のプロセスであって、前記電子ビームが前記ExBセパレータに到達する前に、前記電子ビームの軌跡を屈曲させるステップ、をさらに含む、プロセス。請求項11に記載のプロセスであって、前記電子ビームが前記ExBセパレータに到達する前に、電子鏡によって前記電子ビームを反射させるステップ、をさらに含む、プロセス。請求項11に記載のプロセスであって、前記ExBセパレータは第1のExBセパレータであり、前記パターン状電子ビームを縮小する前に、前記パターン状電子ビームを第2のExBセパレータ内に通過させるステップ、さらに含む、プロセス。請求項14に記載のプロセスであって、前記第1のExBセパレータと比較して、前記第2のExBセパレータは、磁極の位置が逆に配置されかつ電極の位置が逆に配置されている、プロセス。図1Aは、本発明の第1の実施形態によるExBセパレータ110を用いたマスクなし反射電子ビーム投射リソグラフィー装置100の模式図である。図1B、図1Cおよび図1Dは、図1A中の構成の対応する電子/光線図である。装置100は、電子銃源102を含む。電子銃源102は、陰極103と、銃陰極レンズ104とを含み、これにより電子ビームを形成する。銃陰極レンズ104は、界浸陰極レンズであり得、陰極103から出射された電子を、第1の対物レンズ106の近隣のクロスオーバー内に集束させる。この第1の対物レンズ106は、ExBセパレータ110の近隣において、前記陰極を結像させる。一実施構成において、陰極レンズ104は、第1の対物レンズ106内においてまたは第1の対物レンズ106の近隣において、ビームクロスオーバーを形成する。ExBセパレータ110は、第1の縮小demagレンズ112の真下に配置され、電子ビーム107の軌跡をDPG118に向かって屈曲または偏向するように、配置される。この偏向が発生する理由は、前記電子ビームを含む電子の速度の方向は主にExBセパレータからの等しい値の電気力および磁力が増加する方向であるため、偏向力が倍加するためである。偏向109の角度は比較的小さく、例えば、10~20度の範囲である。セパレータ110による偏向109の角度も、電子ビーム107がセパレータ110内に入る入射角109である。ExBセパレータ110について、図8Aおよび図8Bを参照してさらに以下に説明する。第1の縮小レンズ112は、第1の縮小レンズ112の上に別のクロスオーバーを形成するように、再度方向付けられた電子ビーム113を集束させ、それと同時に、ExBセパレータ110の近隣に配置された陰極103の拡大像をDPG118上に形成する。この陰極の拡大像は、DPG118における照明均一性を増加させるよう、意図的に若干焦点から外れさせてもよい。DPGレンズ116は、二重目的を果たす静電レンズであり得る。詳細には、DPGレンズ116は、無限遠において前記クロスオーバーの虚像を形成し得、前記再度方向付けられた電子ビーム113の電子を数ボルトの陰極電位内に収まるように減速させる。DPGレンズ116は、例えば、界浸陰極レンズを含み得る。界浸陰極レンズは、DPG118の表面における大領域の平面上に実質的に均一な電流密度すなわち、比較的均質のフラッドビームを送達するように、構成される。一実施形態において、DPG118は、二次元配列の画素を含む。各画素は、導電性接点を含み得る。この導電性接点に対し、電圧レベルが制御された様式で付加される。以下、DPG118の動作について、図7Aおよび図7Bに関連して説明する。あるいは、前記ダイナミックパターンジェネレータの代わりに、別のパターン状電子反射器例えば、静電パターン状電子反射器を用いてもよく、その場合、パターンは動的に構成可能ではない。反射された電子119がDPG118から出て行くと、DPGレンズ116は、反射された電子119を第1の縮小レンズ112およびExBセパレータ110を通じてその第2のパスに向かって再加速させるように構成され、また、陰極103からのビームと同一の位置において第1の縮小レンズ112の上方にクロスオーバーを形成するよう、ビームを集束させる。ExBセパレータ110は、第1の縮小レンズ112からの反射された電子119を受け取り、前記反射された電子を偏向させることなく第2の縮小レンズ120へと送るように、構成される。この場合、電子ビームを含む電子は偏向されること無く送られる。なぜならば、その速度の方向は、主に前記ExBセパレータの電気力および磁力が打ち消し合う方向であるからである。第1の縮小レンズ112は、ExBセパレータ110の近隣の陰極の像と同じ位置において、DPG118の縮小像を同時に形成し、最終縮小レンズ120の真上の近隣において別のクロスオーバーを形成するように、無偏向電子ビーム113を集束させる。理解されるように、DPG118からステージ124へと延びる投射軸図1において垂直方向は直線状である。これは、磁気プリズムセパレータを用いた従来の装置における屈曲した投射軸と比較して、有利である。最終縮小レンズ120は、ExBセパレータ110と、目標基板122との間に配置される。最終縮小レンズ120は、反射された電子ビーム119を集束させ、前記ビームを目標基板122上に縮小するように、構成される。目標基板122は、例えば、表面上にフォトレジスト層を備えた半導体ウェーハであり得る。最終縮小レンズ120に起因するぼけおよび歪みは好適には、画素サイズのごく一部である。基板ステージ124は、目標基板122を保持する。一実施形態において、ステージ124は、リソグラフィー投射時において静止している。別の実施形態において、ステージ124は、リソグラフィー投射時において動いている。ステージ124が動いている場合、リソグラフィー投射時において、このステージ124の動きを補償するように、DPG118上のパターンを動的に調整すればよく、これにより、投射されたパターンは、ウェーハの動きに対応して移動する。ステージ124は、直線運動または回転運動に合わせて構成され得る。図1Bは、光線トレース152の外形点線および線場トレース154の外形実線を示す。線場トレース154は、電子ビームの形状に概ね対応し、光または像線トレース152は、像面位置を示すために設けられている。図1Cにおいて、光線トレース152中のクロスオーバー点において、像面162が図示されている。図1Dにおいて、線場トレース154中のクロスオーバー点において、場クロスオーバー164が図示されている。図2Aは、本発明の第2の実施形態による、ExBセパレータ110を用いたマスクなし反射電子ビーム投射リソグラフィー装置200の模式図である。図2B、図2Cおよび図2Dは、図2A中の構成の対応する光学図および線場図である。図2A中の装置200が図1Aの装置100と異なる点として、第1の対物レンズ106とExBセパレータ110との間に屈曲要素202が挿入されている点がある。加えて、電子銃102および第1の対物レンズ106の位置は、電子ビームが屈曲要素202を通じて屈曲要素202によって屈曲されながらExBセパレータ110へと向かうように、調整される。有利なことに、この屈曲要素により、電子ビームがExBセパレータ110内に入るときの入射角109を比較的浅くしつつ、電子銃102および第1の対物レンズ106を投射軸からさらに遠離方向に配置することが可能となる。屈曲要素202は、例えば、静電プリズムまたは磁気プリズムを含み得る。これらは、レンズ効果の弱い光学素子が得られるように、機能することもできる。図2Bは、光線トレース252の外形点線と、線場トレース254の外形実線とを示す。線場トレース254は、電子ビームの形状に概ね対応し、光線または像トレース252は、像面位置を示すために設けられている。図2C中、光線トレース252中のクロスオーバー点において、像面262が図示されている。図2D中、線場トレース254中のクロスオーバー点において、場クロスオーバー264が図示されている。図3は、本発明の第3の実施形態による、ExBセパレータ110を用いたマスクなし反射電子ビーム投射リソグラフィー装置700の模式図である。この実施形態において、第1の縮小器レンズ304および転送レンズ306が、ExBセパレータ110と、最終縮小レンズ120との間に配意されている。図4は、本発明の第4の実施形態による、ExBセパレータ110を用いたマスクなし反射電子ビーム投射リソグラフィー装置400の模式図である。図4中の装置400と、図1Aの装置100との間の相違点として、電子ビームが電子鏡404によって反射された後、その軌跡がExBセパレータ110によって屈曲されるように、電子銃102および第1の対物レンズ106の位置が調整されている点がある。このように電子鏡404を使用することで、有利なことに、電子ビームがExBセパレータ110内に入るときの入射角109を比較的浅くしつつ、電子銃102および第1の対物レンズ106を投射軸からさらに遠離方向に配置することが可能になる。電子鏡404は、例えば、静電デバイスを含み得る。別の相違点として、図4の装置400が、ExBセパレータ110内に場を付加するように配置された対物レンズ402と、ExBセパレータ110とDPG118との間に配置された転送レンズ406とを有する点がある。図5は、本発明の第5の実施形態による、ExBセパレータ110を用いたマスクなし反射電子ビーム投射リソグラフィー装置500の模式図である。図5中の装置500と、図4の装置400との間の相違点として、電子銃102、銃陰極レンズ104、第1の対物レンズ106、電子鏡404の位置が変更されている点がある。図4と同様に、電子ビームは、電子鏡404によって反射された後、その軌跡がExBセパレータ110によって屈曲される。図6は、本発明の第6の実施形態による、ExBセパレータ110を用いたマスクなし反射電子ビーム投射リソグラフィー装置600の模式図である。この実施形態において、ExBセパレータ110内を通過した後、電子ビームは、第2のExBセパレータ602を通過する。第2のExBセパレータ602は、第1のExBセパレータ110と反対の様態で構成されており、すなわち、第1のExBセパレータ110に起因するビームの色収差を打ち消すようになっている。例えば、第1のExBセパレータ110と比較して、第2のExBセパレータ602の磁極南北および電極正負が逆になっている。その結果得られた電子ビームは、最終縮小レンズ120に送られ、基板122の表面上に投射される。このような収差を打ち消すExBセパレータは、その他の構成のうちほとんどにおいて適用可能である。図7Aおよび図7Bは、本発明の実施形態によるダイナミックパターンジェネレータDPGの動作を示す図である。図7Aは、DPG基板702の断面図であり、画素の列または行を示す。各画素は、導電領域704を含む。各画素に対し、制御された電圧レベルが付加される。図7A中に示す例において、4つの画素がオフであり、これら4つの画素に対しゼロ0ボルトが付加されており、一方、1つの画素が704aとして記載された導電領域と共にはオンであり、この1つの画素に対し1ボルトが付加されている。具体的な電圧は、システムのパラメータによって異なり得る。その結果得られた局所的静電等電位線706が歪み706aと共に図示されており、歪み706aは、図示のオフ画素に関連する。この例において、前記DPGに接近した入射電子708は、前方において停止状態となり、前記オン画素それぞれによって反射されるが、入射電子708aは、前記オフ画素内に引き寄せられ、前記オフ画素によって吸収される。その結果得られた反射電流単位は任意を図7B中に示す。図7Bから分かるように、前記反射電流は、前記オフ画素に対して0であり、前記オン画素に対して1である。ExBセパレータは、ウィーンフィルタと呼ばれる場合もある。図8Aおよび図8Bは、例示的なExBセパレータの断面図である。図8Aおよび図8B中に図示されているのは、磁界磁極片北40および南42と、電界磁極片正44および負46である。例示的な磁界線50および52が、図8A中に図示されている。これらの磁界線50および52は、磁性材料からなる磁極片40および42内を通過し、空間48内においてこれら磁極片40および42の間を通過し、これを通じてビーム14が通過する。一方、図8Bは、例示的な電界線54、56、58および60を示す。これらの電界線54、56、58および60は、電圧Vおよび電圧-Vが電極片44および46にそれぞれ付加されたときに、発生する。記載のExBセパレータまたはウィーンフィルタの例は、最も単純な形態のものであり、電気双極子および磁界のものである。収差を低減させるために、高次電気多重極偏向器および磁気偏向器を用いてもよく、その場合、典型的には8極子またはこれよりも高次のものが理想的である。一般的に、高次多極の場合、電界および磁界の双方を規定する際に同一の磁極片が用いられる。先ず、電子ビームの軌跡がページ面からZ軸に沿って出て行く場合すなわち、Z方向に移動してく場合を考える。磁界から、前記ビームに対しX方向への力が付加される図8Aにおいて左方向。電界から、前記ビームに対しX方向への力が付加される図8Bにおいて右方向。この場合に磁力および電気力が打ち消し合うように、界強度が調整される。そのため、前記電子ビームは、軌跡が実質的に不変のまま、ExBセパレータ内を通過する。第2に、電子ビームの軌跡がZ軸に沿ってページ面内に入る場合すなわち、-Z方向に移動する場合を考える。磁界から、前記ビームに対しX方向への力が付加される図8Aにおいて右方向。電界からも、前記ビームに対しX方向への力が付加される図8Bにおいて右方向。そのため、前記電子ビームは、電力または磁力のいずれかの2倍に等しい状態で、ExBセパレータを通過しつつ、右に偏向される。本明細書中開示される反射電子ビームリソグラフィーのための装置は、驚くほど有利である。詳細には、この装置は、直線状の投射軸を有し、また、磁気プリズムを用いた従来装置と比較して電子ビーム経路を実質的に3分の1まで低減する。このような電子ビーム経路長さの低減により、電子間相互作用に起因するクーロンぼけが実質的に低減する。クーロンぼけが低減すると、ビーム内において利用される電流がぼけは同じままで実質的に増加する。このように電流が実質的に増加すると、リソグラフィーシステムにおけるスループットが増加する。さらなる利点として、投射軸が軸方向において対称であるため、装置のセットアップおよびアライメントが簡略化される点がある。上記の図は、必ずしも縮尺通りではなく、例示的なものであり、特定の実行形態に限定されない。上記記載において、本発明の実施形態を深く理解してもらうために、多数の具体的な詳細を記載している。しかし、上記記載の本発明の実施形態は、包括的なものではなく、本発明を開示の形態のみに限定することも意図していない。関連分野の当業者であれば、本発明は、上記の具体的な詳細のうちの1つ以上無しでも実行可能であり、あるいは、他の方法、部品などと共に実行することも可能であることを認識する。他の場合において、周知の構造または動作については、本発明の局面が曖昧になるのを回避するために、詳細な図示または説明を省略している。本発明の具体的実施形態および例について例示目的のため本明細書中記載しているが、関連分野の当業者であれば理解するように、多様な均等な改変が本発明の範囲内において可能である。本発明のこのような改変は、上記の詳細な説明を鑑みれば実行可能である。以下の特許請求の範囲において用いられる用語は、本発明を明細書および特許請求の範囲中に開示された具体的実施形態に限定するものとして解釈されるべきではない。すなわち、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。以下の特許請求の範囲は、クレーム解釈についての確立された原理に基づいて解釈されるべきである。