周波数が異なる第1及び第2の磁界を放射する磁界放射器と、第1の導電体、及び前記第1の導電体の手前に配置された第2の導電体に前記磁界放射器を用いて前記第1の磁界を照射した場合の、前記磁界放射器の特性、前記第1及び第2の導電体の位置の第1の関係と、前記第1及び第2の導電体に前記磁界放射器を用いて前記第2の磁界を照射した場合の、前記磁界放射器の特性、前記第1及び第2の導電体の位置の第2の関係と、を保存する関係記憶装置と、第1の測定対象導電体、及び前記第1の測定対象導電体の手前に配置された第2の測定対象導電体に前記第1の磁界を照射した場合の前記磁界放射器の特性及び前記第1の関係に基づき、前記第1及び第2の導電体の位置の第3の関係を算出し、前記第1及び第2の測定対象導電体に前記第2の磁界を照射した場合の前記磁界放射器の特性及び前記第2の関係に基づき、前記第1及び第2の導電体の位置の第4の関係を算出する関係算出部と、前記第3の関係及び前記第4の関係に共通する、前記第1及び第2の導電体の位置の組み合わせを特定する特定部と、を備える、導電体センサ。前記磁界放射器が、前記第1の磁界を放射する第1のコイルと、前記第2の磁界を放射する第2のコイルと、を備える、請求項1に記載の導電体センサ。前記磁界放射器が、異なる時間に、前記第1の磁界と、前記第2の磁界と、を放射するコイルを備える、請求項1に記載の導電体センサ。前記磁界放射器が、前記第1の磁界と、前記第1の磁界に重ね合わされた前記第2の磁界と、を放射するコイルを備える、請求項1に記載の導電体センサ。前記第2の導電体の位置が、前記第1の導電体に対する前記第2の導電体の相対位置である、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の導電体センサ。前記第2の導電体の位置が、前記磁界放射器に対する前記第2の導電体の相対位置である、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の導電体センサ。前記磁界放射器がLC発振回路を構成するコイルを備え、前記磁界放射器の特性が、前記LC発振回路の発振振幅である、請求項1に記載の導電体センサ。前記磁界放射器の特性が、インピーダンス、インダクタンス、抵抗又はクオリティファクタである、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の導電体センサ。第1の導電体、及び前記第1の導電体の手前に配置された第2の導電体に磁界放射器を用いて第1の磁界を照射した場合の、前記磁界放射器の特性、前記第1及び第2の導電体の位置の第1の関係を用意することと、前記第1及び第2の導電体に前記磁界放射器を用いて前記第1の磁界とは周波数が異なる第2の磁界を照射した場合の、前記磁界放射器の特性、前記第1及び第2の導電体の位置の第2の関係を用意することと、第1の測定対象導電体、及び前記第1の測定対象導電体の手前に配置された第2の測定対象導電体に前記第1の磁界を照射したときの前記磁界放射器の特性及び前記第1の関係に基づき、前記第1及び第2の導電体の位置の第3の関係を算出することと、前記第1及び第2の測定対象導電体に前記第2の磁界を照射したときの前記磁界放射器の特性及び前記第2の関係に基づき、前記第1及び第2の導電体の位置の第4の関係を算出することと、前記第3の関係及び前記第4の関係に共通する、前記第1及び第2の導電体の位置の組み合わせを特定することと、を含む、導電体の検出方法。前記磁界放射器が、前記第1の磁界を放射する第1のコイルと、前記第2の磁界を放射する第2のコイルと、を備える、請求項9に記載の導電体の検出方法。前記磁界放射器が、異なる時間に、前記第1の磁界と、前記第2の磁界と、を放射するコイルを備える、請求項9に記載の導電体の検出方法。前記磁界放射器が、前記第1の磁界と、前記第1の磁界に重ね合わされた前記第2の磁界と、を放射するコイルを備える、請求項9に記載の導電体の検出方法。前記第2の導電体の位置が、前記第1導電体に対する前記第2の導電体の相対位置である、請求項9乃至12のいずれか1項に記載の導電体の検出方法。前記第2の導電体の位置が、前記磁界放射器に対する前記第2の導電体の相対位置である、請求項9乃至12のいずれか1項に記載の導電体の検出方法。前記磁界放射器がLC発振回路を構成するコイルを備え、前記磁界放射器の特性が、前記LC発振回路の発振振幅である、請求項9に記載の導電体の検出方法。前記磁界放射器の特性が、インピーダンス、インダクタンス、抵抗又はクオリティファクタである、請求項9乃至14のいずれか1項に記載の導電体の検出方法。しかし、導電性膜の背後に導電体が配置されている場合、コイルから磁界を励磁すると、導電性膜と、導電体と、の両方に渦電流が生じる。そのため、導電性膜と、導電体と、のいずれの位置も正確に検出できないという問題がある。そこで、本発明は、少なくとも2つの導電体のそれぞれの位置を特定可能な導電体センサ及び導電体の検出方法を提供することを目的の一つとする。本発明の態様によれば、a周波数が異なる第1及び第2の磁界を放射する磁界放射器と、b第1の導電体、及び第1の導電体の手前に配置された第2の導電体に磁界放射器を用いて第1の磁界を照射した場合の、磁界放射器の特性、第1及び第2の導電体の位置の第1の関係と、第1及び第2の導電体に磁界放射器を用いて第2の磁界を照射した場合の、磁界放射器の特性、第1及び第2の導電体の位置の第2の関係と、を保存する関係記憶装置と、c第1の測定対象導電体、及び第1の測定対象導電体の手前に配置された第2の測定対象導電体に第1の磁界を照射した場合の磁界放射器の特性及び第1の関係に基づき、第1及び第2の導電体の位置の第3の関係を算出し、第1及び第2の測定対象導電体に第2の磁界を照射した場合の磁界放射器の特性及び第2の関係に基づき、第1及び第2の導電体の位置の第4の関係を算出する関係算出部と、d第3の関係及び第4の関係に共通する、第1及び第2の導電体の位置の組み合わせを特定する特定部と、を備える、導電体センサが提供される。また、本発明の態様によれば、a第1の導電体、及び第1の導電体の手前に配置された第2の導電体に磁界放射器を用いて第1の磁界を照射した場合の、磁界放射器の特性、第1及び第2の導電体の位置の第1の関係を用意することと、b第1及び第2の導電体に磁界放射器を用いて第1の磁界とは周波数が異なる第2の磁界を照射した場合の、磁界放射器の特性、第1及び第2の導電体の位置の第2の関係を用意することと、c第1の測定対象導電体、及び第1の測定対象導電体の手前に配置された第2の測定対象導電体に第1の磁界を照射したときの磁界放射器の特性及び第1の関係に基づき、第1及び第2の導電体の位置の第3の関係を算出することと、d第1及び第2の測定対象導電体に第2の磁界を照射したときの磁界放射器の特性及び第2の関係に基づき、第1及び第2の導電体の位置の第4の関係を算出することと、e第3の関係及び第4の関係に共通する、第1及び第2の導電体の位置の組み合わせを特定することと、を含む、導電体の検出方法が提供される。本発明によれば、少なくとも2つの導電体のそれぞれの位置を特定可能な導電体センサ及び導電体の検出方法を提供可能である。以下に本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものである。したがって、具体的な寸法等は以下の説明を照らし合わせて判断するべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。実施の形態に係る導電体センサは、図1に示すように、第1の周波数を有する第1の磁界を放射する第1のコイル11、及び第1の周波数とは異なる第2の周波数を有する第2の磁界を放射する第2のコイル12を有する磁界放射器1と、磁界放射器1に接続された中央演算処理装置CPU300と、を備える。実施の形態に係る導電体センサは、さらに、CPU300に接続された関係記憶装置401を備える。関係記憶装置401は、第1の導電体、及び第1の導電体の手前に配置された第2の導電体に磁界放射器1を用いて第1の磁界を照射して予め取得された、磁界放射器1の特性、第1及び第2の導電体の位置の第1の関係を保存する。また、関係記憶装置401は、第1の導電体、及び第1の導電体の手前に配置された第2の導電体に磁界放射器1を用いて第2の磁界を照射して予め取得された、磁界放射器1の特性、第1及び第2の導電体の位置の第2の関係も保存する。CPU300は、関係算出部301を備える。関係算出部301は、第1の測定対象導電体2、及び第1の測定対象導電体2の手前に配置された第2の測定対象導電体3に磁界放射器1から第1の磁界を照射した場合の磁界放射器1の特性と、関係記憶装置401に保存されている第1の関係と、に基づき、第1の導電体の位置と、第2の導電体の位置と、の第3の関係を算出する。また、関係算出部301は、第1の測定対象導電体2及び第2の測定対象導電体3に磁界放射器1から第2の磁界を照射した場合の磁界放射器1の特性と、関係記憶装置401に保存されている第2の関係と、に基づき、第1の導電体の位置と、第2の導電体の位置と、の第4の関係も算出する。さらに、CPU300は、第3の関係と、第4の関係と、に共通する、第1の導電体の位置と、第2の導電体の位置と、の組み合わせを特定する特定部303を備える。特定された第1の導電体の位置が、第1の測定対象導電体2の位置となる。第1の測定対象導電体2の位置とは、例えば、磁界放射器1に対する第1の測定対象導電体2の相対位置であり、より具体的には、磁界放射器1からの距離Dである。また、特定された第2の導電体の位置が、第2の測定対象導電体3の位置となる。第2の測定対象導電体3の位置とは、例えば、第1の測定対象導電体2に対する第2の測定対象導電体3の相対位置であり、より具体的には、第1の測定対象導電体2の表面から第2の測定対象導電体3の裏面までの距離Mである。第1のコイル11と、第2のコイル12と、は、第2の測定対象導電体3との距離Dが同じになるよう、平行に配置される。第1のコイル11と、第2のコイル12と、は、第1の磁界と、第2の磁界と、の干渉が低減されるよう、離して配置されてもよい。また、第1の周波数と、第2の周波数と、の差を、干渉が低減されるように設定してもよい。あるいは、第1のコイル11と、第2のコイル12と、は、所定時間毎又は所定波数毎に、交互に磁界を発してもよい。さらに、第1の測定対象導電体2又は第2の測定対象導電体3の抵抗率の変動の影響を低減させたい場合は、第1の測定対象導電体2又は第2の測定対象導電体3の抵抗率の変動を抑制する周波数を設定してもよい。例えば、誤差要因として、第2の測定対象膜3の膜厚の変動がある場合には、第1の測定対象導電体2及び第2の測定対象導電体3の位置の検出が可能な範囲内で、第1及び第2の周波数を低くするとよい。第1の測定対象導電体2及び第2の測定対象導電体3のそれぞれは、例えば鉄等の磁性体、あるいはアルミニウム、銅、又はこれらを支配的に含む合金等の非磁性体からなる。第1の測定対象導電体2は、第1及び第2の周波数のうち、低い方の周波数に対する表皮深さよりも厚い板等である。なお、第1の測定対象導電体2は、第1及び第2の周波数のうち、低い方の周波数に対する表皮深さよりも薄い薄膜等であってもよい。また、第2の測定対象導電体3は、第1及び第2の周波数のうち、低い方の周波数に対する表皮深さよりも薄い薄膜等である。第1のコイル11は、LC発振回路の一部をなしている。LC発振回路は、発振振幅が第1のコイル11のクオリティファクタの値以下、Q値という。の単調関数となるよう、構成されている。第1のコイル11のQ値は、ωを共振角周波数、Lを第1のコイル11の自己インダクタンス、Rを第1のコイル11の高周波抵抗として、下記1式で与えられる。QωLRLC発振回路の発振に伴い、第1のコイル11から第2の測定対象導電体3及び第1の測定対象導電体2に向かって、高周波交流磁界が形成され、第2の測定対象導電体3及び第1の測定対象導電体2のそれぞれに渦電流が発生する。渦電流による電気エネルギの損失は、第1のコイル11の見かけ上の高周波抵抗Rを増大させ、Q値を低下させる。したがって、Q値の変化は、第2の測定対象導電体3及び第1の測定対象導電体2の位置に依存する。また、第1のコイル11の見かけ上の自己インダクタンス、高周波抵抗、又はインピーダンス等の特性の変化、あるいはそれらに相関するLC発振回路の発振の変化、LC発振回路を流れる電流の変化も、第2の測定対象導電体3及び第1の測定対象導電体2の位置に依存する。第2のコイル12についても同様である。ここでは、磁界放射器1は、例として、第1のコイル11から第1の周波数として100kHzの第1の磁界を第2の測定対象導電体3及び第1の測定対象導電体2に照射し、第1のコイル11のQ値の測定値を関係算出部301に送信する。また、磁界放射器1は、例として、第2のコイル12から第2の周波数として500kHzの第2の磁界を第2の測定対象導電体3及び第1の測定対象導電体2に照射し、第2のコイル12のQ値の測定値を関係算出部301に送信する。関係記憶装置401に保存されている図2に示すような第1の関係を取得する際には、例えば、第1の測定対象導電体2と大きさ及び材料がほぼ等しい第1の導電体と、第2の測定対象導電体3と大きさ及び材料がほぼ等しい第2の導電体と、が用意される。次に、第1の導電体と、第1の導電体の手前に配置された第2の導電体と、の間隔Mを例えば25μm、50μm、75μm、100μmにしたそれぞれの場合について、図1に示す第1のコイル11と第1の導電体との間の距離Dを変えながら、第1のコイル11から100kHzの第1の磁界を放射して、第1のコイル11のQ値を測定する。これにより、図2に示すような、第1のコイル11のQ値と、磁界放射器1及び第1の導電体の間の距離Dと、第1及び第2の導電体の間隔Mと、の第1の関係が得られる。図1に示す関係記憶装置401に保存されている図3に示すような第2の関係を取得する際にも、例えば、第1の測定対象導電体2と大きさ及び材料がほぼ等しい第1の導電体と、第2の測定対象導電体3と大きさ及び材料がほぼ等しい第2の導電体と、が用意される。次に、第1の導電体と、第2の導電体と、の間隔Mを例えば25μm、50μm、75μm、100μmにしたそれぞれの場合について、図1に示す第2のコイル12と第1の導電体との間の距離Dを変えながら、第2のコイル12から500kHzの第2の磁界を放射して、第2のコイル12のQ値を測定する。これにより、図3に示すような、第2のコイル12のQ値と、磁界放射器1及び第1の導電体の間の距離Dと、第1及び第2の導電体の間隔Mと、の第2の関係が得られる。なお、第1の関係と、第2の関係と、は、図1に示す入力装置312から関係記憶装置401に入力してもよい。関係算出部301は、磁界放射器1から第1のコイル11のQ値の測定値を受信する。また、関係算出部301は、関係記憶装置401から、図2に示す第1の関係を読み出す。100kHzの第1の磁界を第2の測定対象導電体3及び第1の測定対象導電体2に照射した場合の、第1のコイル11のQ値の測定値が51.8であった場合、関係算出部301は、Q値51.8における図2に示す第1の関係から、図4に示すような磁界放射器1及び第1の導電体の間の距離Dと、第1及び第2の導電体の間隔Mと、の第3の関係を算出する。さらに関係算出部301は、磁界放射器1から第2のコイル12のQ値の測定値を受信する。また、関係算出部301は、関係記憶装置401から、図3に示す第2の関係を読み出す。500kHzの第2の磁界を図1に示す第2の測定対象導電体3及び第1の測定対象導電体2に照射した場合の、第2のコイル12のQ値の測定値が113.5であった場合、関係算出部301は、Q値113.5における図3に示す第2の関係から、図5に示すような磁界放射器1及び第1の導電体の間の距離Dと、第1及び第2の導電体の間隔Mと、の第4の関係を算出する。図1に示す特定部303は、図6に示すように、第3の関係を与える関数と、第4の関係を与える関数と、の交点における磁界放射器1及び第1の導電体の間の距離Dの値と、第1及び第2の導電体の間隔Mの値と、を特定する。特定された磁界放射器1及び第1の導電体の間の距離Dの値が、図1に示す磁界放射器1から第1の測定対象導電体2までの距離Dの測定値となる。また、特定された第1及び第2の導電体の間隔Mの値が、第1の測定対象導電体2と、第2の測定対象導電体3と、の間隔Mの測定値となる。特定部303は、磁界放射器1から第1の測定対象導電体2までの距離Dの測定値と、第1の測定対象導電体2及び第2の測定対象導電体3の間隔Mの測定値と、を、例えば出力装置313に出力させる。なお、図4に示した第3の関係を与える関数の傾きと、図5に示した第4の関係を与える関数の傾きと、が近似すると、磁界放射器1及び第1の導電体の間の距離Dの値と、第1及び第2の導電体の間隔Mの値と、を特定する際に誤差が生じうる。そのため、第3の関係を与える関数の傾きと、第4の関係を与える関数の傾きと、の差が所定の大きさ以上になるよう、第1の磁界の第1の周波数と、第2の磁界の第2の周波数と、を設定してもよい。以上示したように、実施の形態に係る導電体センサによれば、図1に示す第1の測定対象導電体2の位置と、第2の測定対象導電体3の位置と、を同時に測定することが可能となる。さらに、実施の形態に係る導電体センサによれば、第1の測定対象導電体2の存在が、第2の測定対象導電体3の位置の測定値に誤差を与えない。また、第2の測定対象導電体3の存在が、第1の測定対象導電体2の位置の測定値に誤差を与えない。したがって、実施の形態に係る導電体センサによれば、第1の測定対象導電体2の位置と、第2の測定対象導電体3の位置と、をリアルタイムかつ高精度に測定することが可能となる。その他の実施の形態上記のように、本発明を実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす記述及び図面はこの発明を限定するものであると理解するべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施の形態及び運用技術が明らかになるはずである。例えば、実施の形態では、第2の測定対象導電体3の位置とは、第1の測定対象導電体2の表面から第2の測定対象導電体3の裏面までの距離Mであると説明したが、第2の測定対象導電体3の位置とは、第1の測定対象導電体2の表面から第2の測定対象導電体3の表面までの距離であってもよい。あるいは、第2の測定対象導電体3の位置とは、磁界放射器1から第2の測定対象導電体3までの距離で表されてもよい。また、実施の形態では、磁界放射器1が第1のコイル11と、第2のコイル12と、を有する例を示したが、図7に示すように、磁界放射器1は、単一のコイル13のみを有していてもよい。この場合、単一のコイル13は、所定時間毎又は所定波数毎に、第1の磁界と、第2の磁界と、を交互に放射すればよい。あるいは、単一のコイル13は、第1の周波数を有する第1の磁界と、第2の周波数を有する第2の磁界と、を重ね合わせた磁界を放射してもよい。この場合、単一のコイル13のQ値又はインピーダンス等の特性は、第1の周波数に関する特性と、第2の周波数に関する特性と、に分割されて利用される。この様に、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を包含するということを理解すべきである。