処理表面5と呼ばれる自由表面と、裏面7と呼ばれる反対表面とを有するエレクトレットポリマー薄膜6の構造化方法であって、-第1ステップにおいて、構造化パターンと呼ばれる凸型ナノメートルパターンを含み、かつ導電性又は半導性材料で形成された構造化表面4と呼ばれるモールド2の表面を、エレクトレットポリマー薄膜6の処理表面5の少なくとも一部と接触させ、-第2ステップにおいて、期間T1の間、エレクトレットポリマー薄膜6の処理表面5に対して構造化表面4の圧力を与えて、エレクトレットポリマー膜6内にナノメートルパターンを形成し、形成されたナノメートルパターンが、頂部と、底部とを有する方法において、-第3ステップにおいて、エレクトレットポリマー薄膜6内のナノメートルパターンの形成後に、形成されたパターンの頂部と、底部との間に静電荷の特異的分布を誘起することに適した期間T2の間、モールドの構造化表面4と、エレクトレットポリマー薄膜6の裏面7との間に電圧を印加し、かつ-第4ステップにおいて、電圧の印加を停止し、かつエレクトレットポリマー薄膜6の表面からモールド2を取り出すことを特徴とする方法。エレクトレットポリマー薄膜6が、基板8上に付着することを特徴とする請求項1に記載の方法。基板8が、導電性又は半導性材料で形成されることを特徴とする請求項2に記載の方法。エレクトレットポリマー薄膜6が、熱可塑性ポリマー材料及び熱硬化性ポリマー材料から選択される材料で形成されることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。-エレクトレットポリマー薄膜6が、熱可塑性ポリマー材料で形成され、-第2ステップにおいて、熱可塑性ポリマー材料のガラス転移温度を超える温度に、膜6を至らせた後で、エレクトレットポリマー薄膜6の処理表面5に対して構造化表面4の圧力を与えることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。エレクトレットポリマー薄膜6の処理表面5に対し、モールドの構造化表面4によって、第2ステップにおいて与えられる圧力は、5N~5000N、特に500N~2000Nであることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。エレクトレットポリマー薄膜6の厚さが、5mm以下、特に1mm以下、特別には500nm以下、かつ更に特別には150nm以下であることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。モールド2が、導電性材料及び半導性材料から選択される材料で形成されることを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。モールド2が、シリコン、Nドープシリコン、例えばリンをドープしたシリコン、Pドープシリコン、例えばホウ素をドープしたシリコン、及びそれらの混合物から選択された材料で形成されることを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。モールドの構造化パターンが、10nm~990nm、特に50nm~300nmに及ぶ高さと、5nm~500μm、特に10nm~50μm、特に3μm~10μmに及ぶ少なくとも1つの横方向寸法とを有することを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。第3ステップにおいて、モールドの構造化表面4と、エレクトレットポリマー薄膜6の裏面7との間に、-200V~200V、特に-100V~100V、特別には-50V~50V、かつ更に特別には絶対値で約25Vの、ゼロでない電圧を印加することを特徴とする請求項1から10のいずれか一項に記載の方法。第3ステップにおいて、電圧が、1秒~1時間の所定の期間T2の間、印加されることを特徴とする請求項1から11のいずれか一項に記載の方法。第4ステップの終了時に得られるエレクトレットポリマー薄膜6を、マイクロ物体及び/又はナノ物体と接触させることを特徴とする請求項1から12のいずれか一項に記載の方法。マイクロ物体及び/又はナノ物体が、帯電しているか、又は電気的に分極可能であることを特徴とする請求項13に記載の方法。第4ステップの終了時に得られるエレクトレットポリマー薄膜6をナノ粒子コロイド溶液中に浸漬することを特徴とする請求項1から14のいずれか一項に記載の方法。頂部と、底部とを有する非貫通ナノメートルパターンと、パターンの頂部と、底部との間に静電荷の特異的分布とを含むことを特徴とする請求項1から15のいずれか一項に記載の方法によって得られるエレクトレットポリマー材料の薄膜。マイクロ物体及び/又はナノ物体、特にはナノ粒子が、形成されたナノメートルパターンの底部内に本質的に、かつ特に選択的に専ら配置されることを特徴とする請求項16に記載の薄膜。図1a~1dにおいて、縮尺は例示目的のため重要視されない。地形的画像を表す図3、5、9、13及び14で、最も濃いゾーンは最も低いゾーンに対応し、最も淡いゾーンは最も高いゾーンに対応し、表される地形的振幅は、対応する階調レベルの目盛の上に示される。表面電位に関する図7及び図11で、最も濃いゾーンは最も低い表面電位を表すゾーンに対応し、最も淡いゾーンは最も高い表面電位を表すゾーンに対応し、表された表面電位の大きさは、対応する階調レベルの目盛の上に示される。フレーム20を含む機械19は、本発明による方法を実施するために使用される。機械19は、プレート13に続くピストン12が内部を滑動する固定部材10を含む。調節手段11は、エレクトレットポリマー薄膜6の処理表面5と呼ばれる自由表面に対してモールド2によって与えられる圧力Pを調節することを可能にする。エレクトレットポリマー膜6が付着される基板8は、ピストン12のプレート13に特に吸入によって固定される。固定部材10は、支持要素9に続く。プレート13は、エレクトレットポリマー薄膜6の処理表面5に対してモールドの圧力を与えるように、エレクトレットポリマー薄膜6の基板8に対して圧力を与え得るために適している。モールド2は、突起で形成される構造化パターンと呼ばれる凸型ナノメートルパターン3を含む構造化表面4と呼ばれる表面を有する。構造化表面4は、導電性又は半導性材料で形成される。モールド2は、フォトリソグラフィプロセスと、それに続くウェットエッチングステップによって製造できる。モールド2は、特にシリコン、Nドープシリコン、例えばリンをドープしたシリコン、Pドープシリコン、例えばホウ素をドープしたシリコン、及びそれらの混合物から選択される導電性又は半導性材料で形成され得る。もう1つの実施変形形態において、モールド2は、透過性材料、特にエレクトレットポリマー薄膜6を形成するためのモノマー又はプレポリマーの重合用の紫外光源の使用を可能にする紫外線透過材料で形成され得る。モールド2は、支持要素9の底部1上に配置され、モールド2の構造化表面4は、ピストンのプレート13側に配置される。基板8は、基板8上に付着した膜6の処理表面5と呼ばれる自由表面が、モールドの構造化表面4と相対して配置されるように、かつモールド2と相対して配置されるプレート13の表面に固定される。膜の裏面7と呼ばれる膜6の反対表面は、基板8と接触する。図1aに表した第1ステップにおいて、構造化表面4を、導電性又は半導性材料の基板8上に付着したエレクトレットポリマー薄膜6の平坦な処理表面5の少なくとも一部と接触させる。モールド2の構造化表面4の構造化パターンは、平面を有する。特に、構造化パターンの頂部及び底部は、平面を有し、構造化パターンの頂部を形成する各平面及び底部を形成する各平面は、それぞれ同じ平面内に位置する。その上、構造化パターンの底部を形成する表面は、好ましくはパターンの頂部を形成する表面に平行である。本発明によれば、構造化パターンは、底部と、頂部とを有するあらゆる形状を取ることもできる。他方で、構造化パターンの頂部と、底部との間の横方向間隔は、規則的又は不規則であっても良い。構造化パターンの頂部と、底部との間の横方向間隔は、有利には、エレクトレットポリマー薄膜内に形成される凹型パターンの頂部と、底部との間に静電荷の差を得ることに適している。本発明は、構造化パターンがモールド内に凹型に伸長する窪みである場合にもよく適用される。図1bに表した第2ステップにおいて、エレクトレットポリマー薄膜6内での凹型ナノメートルパターンの形成を可能にするために適した条件で、前記エレクトレットポリマー薄膜6の処理表面5に対して構造化表面4の圧力を与える。与えられる圧力は、プレート13によって与えられる圧力の調節手段11を用いて調節される。炉14のような、加熱手段と、温度調節手段15とを備えた囲い14は、モールド2、基板8及び熱可塑性ポリマー薄膜6を、エレクトレットポリマー薄膜を形成する前記熱可塑性ポリマー材料のガラス転移温度を超える温度に至らせるように配置される。有利には、炉14は、固定部材17を用いて機械19のフレーム20に固定された板16上に配置される。炉14は次に、基板8、エレクトレットポリマー薄膜6及びモールド2が、膜6を形成するポリマー材料のガラス転移温度を下回る温度に達するように取り出される。ナノメートルパターンは、熱可塑性ポリマーの場合に、一旦エレクトレットポリマー膜の温度がガラス転移温度を下回り、かつ熱硬化性ポリマーの場合に、一旦モノマーの重合が行われると、形成される。従って第2ステップの終了時に、ナノメートルパターンは、一旦モールドが取り除かれると、形状を保つことが可能である。図1cに表した第3ステップにおいて、エレクトレットポリマー薄膜6内での前記凹型ナノメートルパターンの形成後、パターンの頂部と、底部との間に静電荷の差を誘起することに適した所定の期間T2の間、表した概略図において前記構造化表面4と、膜6の前記裏面との間で、すなわち構造化表面と、基板8との間で正電圧を印加する。モールド2は、モールドの構造化表面4を形成する材料と同一の導電性又は半導性材料で形成される。電気接点がモールド2及び基板8内に作られ、かつ電圧発生機18に連結される。モールドの構造化表面全体は、電圧によって電気的に分極され、モールドの構造化表面の電位は、エレクトレットポリマー薄膜6の処理表面5の電位と異なる。図1dに表した第4ステップにおいて、電圧の印加を停止し、かつエレクトレットポリマー薄膜6の表面からモールド2を取り出す。この場合に、正電圧の印加に続き、エレクトレットポリマー薄膜内に形成されたナノメートルパターンの底部が、パターンの頂部に対して非常に有意に、正に帯電することが確認される。非貫通凹型の、正に帯電したナノメートルパターンを含むエレクトレットポリマー薄膜の調製一辺5μm、かつ高さ100nmの正方形接触片の形状のパターン格子を含む、一辺5mm、かつ厚さ275μmのPドープシリコン1018原子/cm3小板からなるモールドは、フォトリソグラフィ及びウェットエッチングによって製造される。各パターン格子内で、パターンは、5μmの横方向間隔で分離される。図2は、凸型構造化パターンを含むこのモールドの表面の一部の原子間力顕微鏡法AFMによって得られた斜視かつ三次元の地形的画像である。図3は、凸型パターンを有する原子間力顕微鏡法AFMによって得られた、モールドの側から見た、この同じモールドの地形的画像であり、かつ図4は、図3に表した部分に沿って、モールドの構造化表面の地形的概観を表すグラフである。ポリメチルメタクリレートPMMA溶液を、濃度約40g/LのメチルイソブチルケトンMIBK中で、分子量約15000g/モルの、ガラス転移温度が100°Cである、SIGMAALDRICH社米国セントルイスによって市販されるような、粉末形状のPMMA細粒を希釈して調製した。調製したPMMA溶液は、回転板加速度:5000回転/分2、速度:30秒間、2000回転/分を用いたスピンコーティングによって一辺1cm、かつ厚さ500μmのPドープシリコン1016原子/cm3基板上に付着させた。シリコン小板は、次に付着したPMMA膜内になおも存在するMIBK溶剤を蒸発させるように、加熱プレート上に置かれる。シリコン基板に付着した、得られたPMMA薄膜は、130nmの厚さを持つ。モールドは、シリコン基板によって支持されるPMMA膜と相対して配置し、この全体を炉内でPMMAのガラス転移温度、すなわち130°Cを超える温度に加熱する。1000Nのモールドの機械的圧力を、30分間、PMMA膜の処理表面に対して与え、次にこの全体を、50°Cの温度に達するまで冷却する。次に20Vの電圧を、3分間の期間の間、モールドの構造化表面と、膜の裏面との間に印加し、基板は接地する。50mAの関連した電流がこの電圧の印加中に測定された。次いでモールドを取り除く。深さ100nmの非貫通凹型ナノメートルパターンを含み、かつ形成された凹型パターンの頂部と、底部との間に静電荷の差を有するPMMA薄膜が得られる。得られたPMMA薄膜の構造化された表面の形状は、図5及び図6に表され、図6は、図5に対応する画像上に引かれた点線に沿った、構造化された表面の地理的概観を表す横座標に前記点線の方向、かつ縦座標に深さ。図6で、縦座標の目盛のゼロは、パターンの頂部の高さとほぼ一致する。PMMA膜内に形成された凹型ナノメートルパターンは、使用されるモールドの構造化パターンの凹凸が逆になったものに対応する。PMMA膜内に形成された凹型ナノメートルパターンは、パターンの頂部に対して約1800mVの表面電位を有する。得られたPMMA薄膜の構造化された表面の表面電位は、図7及び8に表され、図8は、図7に対応する画像上に付された点線に沿った、構造化された表面の電位の概観を表す横座標に前記点線の方向、かつ縦座標に電位。図8で、縦座標の目盛のゼロは、パターンの頂部の高さとほぼ一致する。更に、ケルビン力顕微鏡法KFMでの同じ測定を、特に24時間後及び3カ月後にこの膜に対して行ったところ、膜は、約40の空気の相対湿度比の存在下で、温度21°C及び大気圧1013.25hPaで保たれた。約50のナノメートルパターンの表面電位の減少が、24時間後に観察され、次に表面電位は、その後に安定した状態に留まり、3カ月後に測定した表面電位は、24時間後に測定された表面電位とほぼ等しかった。非貫通凹型の、負に帯電したナノメートルパターンを含むエレクトレットポリマー薄膜の調製実施例1と同じ方法で、同じモールドを使用し、かつPMMA薄膜を、シリコン基板上に同じ方法で付着させるが、20Vの代わりに-50Vの電圧を印加する。50mAの関連した電流がこの電圧の印加中に測定された。モールドを取り除いた後、深さ100nmの非貫通凹型ナノメートルパターンを含み、かつ形成された凹型パターンの頂部と、底部との間に静電荷の差を有するPMMA薄膜が得られる。得られたPMMA薄膜の構造化された表面の地形は、図9及び10に表され、図10は、図9に対応する画像上に付された点線に沿った、構造化された表面の地形的概観を表す横座標に前記点線の方向、縦座標に深さ。図10で、縦座標の目盛のゼロは、パターンの頂部の高さとほぼ一致する。PMMA膜内に形成された凹型ナノメートルパターンは、使用されるモールドの構造化パターンの凹凸が逆になったものに対応する。PMMA膜内に形成された凹型ナノメートルパターンは、パターンの頂部に対して約-450mVの表面電位を有する。得られたPMMA薄膜の構造化された表面の表面電位は、図11及び12に表され、図12は、図11に対応する画像上に付された点線に沿った、構造化された表面の電位の概観を表す横座標に前記点線の方向、かつ縦座標に電位。図12で、縦座標の目盛のゼロは、パターンの頂部の高さとほぼ一致する。ケルビン力顕微鏡法KFMでの測定を、特に24時間後及び3カ月後に同じ膜に対して改めて行ったところ、膜は、約40の空気の相対湿度比の存在下で、温度21°C及び大気圧1013.25hPaで保たれた。約50のナノメートルパターンの絶対値での表面電位の減少が、24時間後に観察され、次に表面電位は、その後に安定した状態に留まり、3カ月後に測定した表面電位は、24時間後に測定された表面電位とほぼ等しかった。凹型ナノメートルパターン内に捕捉されたナノ粒子を与えられたエレクトレットポリマー膜の調製実施例1で調製された膜を、イソプロパノール中のラテックスナノ粒子のコロイド溶液18×1010ナノ粒子/mL中に浸漬する。使用する球形のラテックスナノ粒子は、100nmの大きさを有し、かつ負に帯電したカルボキシル基により機能化される。このコロイド溶液中の1分間の浸漬、次にイソプロパノール中の30秒間のすすぎ後、得られた膜を、窒素流下で乾燥させた。得られた膜表面の原子間力顕微鏡法AFMによる観察図13及び14で、ラテックスナノ粒子が、PMMA薄層内で形成された凹型パターンの中で選択的に集められ、凹型パターン内でラテックスナノ粒子層を形成することが明らかにされる。図14は、図13に表された膜表面の中心部分上のズームに対応する。従って、ラテックスナノ粒子が静電的に捕捉される非貫通凹型ナノメートルパターンを含むPMMA薄膜が得られる。パターンの上部を形成するPMMA薄膜の表面は、ナノ粒子をほぼ含まない。その上、本発明は、上記に記載した実施形態や例に対して、さまざまな変形形態及び多くの他の用途の対象とすることができる。例えば幅200nm、高さ100nm、長さ2μmの線の形状のパターンを有するモールドから、溝の形状でパターンを製作することが可能である。