荷電粒子源と、前記荷電粒子源から放出された荷電粒子ビームを所定形状にする第1のアパーチャと、前記第1のアパーチャを透過した荷電粒子ビームを所望の形状と寸法のショットにする第2のアパーチャとを有する荷電粒子ビーム描画装置において、実描画が行われていないときに、前記第2のアパーチャの開口部の周囲であって前記第2のアパーチャによって遮蔽される複数の位置に前記荷電粒子ビームを偏向し、各位置に所定の照射量の前記荷電粒子ビームが照射されるようにする偏向制御部を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。前記荷電粒子ビームによる描画対象が載置されるステージと、前記ステージの駆動を制御するステージ制御部と、前記ステージの位置を測定するステージ位置測定部を有し、前記偏向制御部は、前記ステージ制御部から情報を取得して実描画が行われているか否かを判断し、前記ステージ位置測定部からの情報を基に前記荷電粒子ビームの偏向位置を決定することを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム描画装置。前記所定の照射量は、前記第2のアパーチャの温度を300°C以上とするのに必要な照射量であることを特徴とする請求項1または2に記載の荷電粒子ビーム描画装置。荷電粒子源から放出された荷電粒子ビームを第1のアパーチャで所定形状にし、さらに第2のアパーチャで所望の形状と寸法のショットにして、ステージ上に載置された描画対象にパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法において、実描画が行われていないときに、前記第2のアパーチャの開口部の周囲であって前記第2のアパーチャによって遮蔽される複数の位置に前記荷電粒子ビームを偏向し、各位置に所定の照射量の前記荷電粒子ビームを照射することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。前記ステージ上に前記描画対象が載置される前に、前記開口部の周囲を前記荷電粒子ビームで順に照射することを特徴とする請求項4に記載の荷電粒子ビーム描画方法。前記描画対象の描画領域は、短冊状の複数のストライプに仮想分割されており、前記描画対象が載置された前記ステージが、第1のストライプの長手方向に移動した後、第2のストライプの所定位置に移動するまでの間のみ、前記開口部の周囲にある1点に前記荷電粒子ビームを照射し、次いで、前記ステージが、前記第2のストライプの長手方向に移動した後、第3のストライプの所定位置に移動するまでの間のみ、前記開口部の周囲にある前記1点とは別の1点に前記荷電粒子ビームを照射することを特徴とする請求項4に記載の荷電粒子ビーム描画方法。しかしながら、特許文献1における膜厚測定器や元素分析器、加熱ヒータ、酸素プラズマ発生器、イオンビーム発生器などは、描画処理において直接必要とされるものではなく、こうした装置を設けることは電子ビーム描画装置を複雑化することになる。また、電子ビームの通過経路に絶縁物があると、電子ビームがあたることによって絶縁物がチャージアップし、電子ビームの軌道を変化させる。さらに、こうした装置に起因して金属製のゴミが発生すると、これによっても描画精度が低下する。本発明は、こうした点に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、膜厚測定器や加熱ヒータなどの装置を付加することなしに、アパーチャへの汚染物質の付着を抑制することのできる荷電粒子ビーム描画装置を提供することにある。また、本発明の目的は、アパーチャへの汚染物質の付着を簡便に抑制して、描画精度に優れた荷電粒子ビーム描画方法を提供することにある。本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。本発明の第1の態様は、荷電粒子源と、荷電粒子源から放出された荷電粒子ビームを所定形状にする第1のアパーチャと、第1のアパーチャを透過した荷電粒子ビームを所望の形状と寸法のショットにする第2のアパーチャとを有する荷電粒子ビーム描画装置において、実描画が行われていないときに、第2のアパーチャの開口部の周囲であって第2のアパーチャによって遮蔽される複数の位置に荷電粒子ビームを偏向し、各位置に所定の照射量の荷電粒子ビームが照射されるようにする偏向制御部を備えたことを特徴とするものである。本発明の第1の態様は、荷電粒子ビームによる描画対象が載置されるステージと、ステージの駆動を制御するステージ制御部と、ステージの位置を測定するステージ位置測定部を有し、偏向制御部は、ステージ制御部から情報を取得して実描画が行われているか否かを判断し、ステージ位置測定部からの情報を基に荷電粒子ビームの偏向位置を決定することが好ましい。本発明の第1の態様において、所定の照射量は、第2のアパーチャの温度を300°C以上とするのに必要な照射量であることが好ましい。本発明の第2の態様は、荷電粒子源から放出された荷電粒子ビームを第1のアパーチャで所定形状にし、さらに第2のアパーチャで所望の形状と寸法のショットにして、ステージ上に載置された描画対象にパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法において、実描画が行われていないときに、第2のアパーチャの開口部の周囲であって第2のアパーチャによって遮蔽される複数の位置に荷電粒子ビームを偏向し、各位置に所定の照射量の荷電粒子ビームを照射することを特徴とするものである。本発明の第2の態様は、ステージ上に描画対象が載置される前に、開口部の周囲を荷電粒子ビームで順に照射することが好ましい。本発明の第2の態様において、描画対象の描画領域は、短冊状の複数のストライプに仮想分割されており、描画対象が載置されたステージが、第1のストライプの長手方向に移動した後、第2のストライプの所定位置に移動するまでの間のみ、開口部の周囲にある1点に荷電粒子ビームを照射し、次いで、ステージが、第2のストライプの長手方向に移動した後、第3のストライプの所定位置に移動するまでの間のみ、開口部の周囲にある上記1点とは別の1点に荷電粒子ビームを照射することが好ましい。この場合、第1のストライプ、第2のストライプ、第3のストライプの順に描画される。これらのストライプは、隣接していてもよく、隣接していなくてもよい。本発明の第1の態様によれば、膜厚測定器や加熱ヒータなどの装置を付加することなしに、アパーチャへの汚染物質の付着を抑制することのできる荷電粒子ビーム描画装置が提供される。本発明の第2の態様によれば、アパーチャへの汚染物質の付着が簡便に抑制され、描画精度に優れた荷電粒子ビーム描画方法が提供される。図1は、本実施の形態における電子ビーム描画装置の構成図である。図1において、電子ビーム描画装置の試料室1内には、描画対象としてのマスク基板2が設置されたステージ3が設けられている。ステージ3は、ステージ制御部としてのステージ駆動回路4によりX方向とY方向に駆動される。ステージ3の移動位置は、レーザ測長計などを用いた、ステージ位置測定部としての位置回路5により測定される。試料室1の上方には、電子ビーム光学系10が設置されている。電子ビーム光学系10は、荷電粒子源としての電子銃6、各種レンズ7、8、9、11、12、ブランキング用偏向器13、成形偏向器14、ビーム走査用の主偏向器15、ビーム走査用の副偏向器16、ビーム成形用の第1のアパーチャ17および第2のアパーチャ18などから構成されている。マスク基板2上の描画領域は、短冊状の複数のストライプによって仮想分割されている。ステージ3は、マスク基板2を載置した状態で、第1のストライプの長手方向に移動し、これと連動して電子ビーム54による描画が行われる。第1のストライプの描画を終えると、ステージ3は、例えば、第1のストライプに隣接する第2のストライプの描画開始位置に移動する。そして、同様に、第2のストライプの長手方向にステージ3が移動しながら描画が行われる。第2のストライプの描画を終えると、ステージ3は、例えば、第2のストライプに隣接する第3のストライプの描画開始位置に移動する。そして、同様に、第3のストライプの長手方向にステージ3が移動しながら描画が行われる。以上の工程を繰り返して、マスク基板2の描画領域全体に所定のパターンが描画される。図2は、電子ビームによる描画方法の説明図である。この図に示すように、マスク基板2上に描画されるパターン51は、短冊状のストライプ52に分割されている。電子ビーム54による描画は、ステージ3が一方向例えば、X方向に連続移動しながら、ストライプ52毎に行われる。ストライプ52は、さらに副偏向領域53に分割されており、電子ビーム54は、副偏向領域53内の必要な部分のみを描画する。尚、ストライプ52は、主偏向器15の偏向幅で決まる短冊状の描画領域であり、副偏向領域53は、副偏向器16の偏向幅で決まる単位描画領域である。副偏向領域53内での電子ビーム54の位置決めは、副偏向器16で行われる。副偏向領域53の位置制御は、主偏向器15によってなされる。すなわち、主偏向器15によって、副偏向領域53の位置決めがされ、副偏向器16によって、副偏向領域53内でのビーム位置が決められる。さらに、成形偏向器14と2つのアパーチャ17、18によって、電子ビーム54の形状と寸法が決められる。そして、ステージ3を一方向に連続移動させながら、副偏向領域53内を描画し、1つの副偏向領域53の描画が終了したら、次の副偏向領域53を描画する。ストライプ52内の全ての副偏向領域53の描画が終了したら、ステージ3を連続移動させる方向と直交する方向例えば、Y方向にステップ移動させる。その後、同様の処理を繰り返して、ストライプ52を順次描画して行く。図3に示すように、設計者ユーザが作成したCADデータ201は、OASISなどの階層化されたフォーマットの設計中間データ202に変換される。設計中間データ202には、レイヤ層毎に作成されて各マスクに形成されるパターンデータが格納される。ここで、一般に、描画装置300は、OASISデータを直接読み込めるようには構成されていない。すなわち、描画装置300の製造メーカー毎に、異なるフォーマットデータが用いられている。このため、OASISデータは、レイヤ毎に各描画装置に固有のフォーマットデータ203に変換された後に描画装置300に入力される。フォーマットデータ203は、図1の入力部20に記録される。記録されたデータは制御計算機19によって読み出され、ストライプ52毎にパターンメモリ21に一時的に格納される。パターンメモリ21に格納されたストライプ52毎のパターンデータ、すなわち、描画位置や描画図形データなどで構成されるフレーム情報は、データ解析部であるパターンデータデコーダ22と描画データデコーダ23に送られる。次いで、これらを介して、副偏向領域偏向量算出部28、ブランキング回路24、ビーム成形器ドライバ25、主偏向器ドライバ26、副偏向器ドライバ27に送られる。パターンデータデコーダ22からの情報は、ブランキング回路24とビーム成形器ドライバ25に送られる。具体的には、パターンデータデコーダ22で描画データに基づいてブランキングデータが作成され、ブランキング回路24に送られる。また、描画データに基づいて所望とするビーム寸法データも作成されて、副偏向領域偏向量算出部28とビーム成形器ドライバ25に送られる。そして、ビーム成形器ドライバ25から、電子ビーム光学系10の成形偏向器14に所定の偏向信号が印加されて、電子ビーム54の形状と寸法が制御される。副偏向領域偏向量算出部28は、パターンデータデコーダ22で作成したビーム形状データから、副偏向領域53における、1ショットごとの電子ビームの偏向量移動距離を算出する。算出された情報は、セトリング時間決定部29に送られ、副偏向による移動距離に対応したセトリング時間が決定される。セトリング時間決定部29で決定されたセトリング時間は、偏向制御部30へ送られた後、パターンの描画のタイミングを計りながら、偏向制御部30より、ブランキング回路24、ビーム成形器ドライバ25、主偏向器ドライバ26、副偏向器ドライバ27のいずれかに適宜送られる。描画データデコーダ23では、描画データに基づいて副偏向領域53の位置決めデータが作成され、このデータは、主偏向器ドライバ26と副偏向器ドライバ27に送られる。そして、主偏向器ドライバ26から、電子ビーム光学系10の主偏向器15に所定の偏向信号が印加されて、電子ビーム54が所定の主偏向位置に偏向走査される。また、副偏向器ドライバ27から、副偏向器16に所定の副偏向信号が印加されて、副偏向領域53内での描画が行われる。この描画は、具体的には、設定されたセトリング時間が経過した後、電子ビーム54を繰り返し照射することによって行われる。図4は、第1の成形アパーチャ17の開口部の一例を示す概念図である。また、図5は、第2の成形アパーチャ18の開口部の一例を示す概念図である。図4において、第1の成形アパーチャ17には、矩形、例えば正方形または長方形の開口部101が形成されている。図5において、第2の成形アパーチャ18には、長方形の1辺と6角形の1辺とを無くしてつなげた成形開口102が形成されている。成形開口102は、例えば、45度の整数倍の角度を頂点とした図形に形成されている。図6は、第1の成形アパーチャ17と第2の成形アパーチャ18を用いた電子ビーム描画装置におけるビーム成形の一例である。図1の電子銃6から出射された電子ビーム54は、レンズ8によって第1のアパーチャ17を照明する。次いで、第1のアパーチャ17の開口部101を透過した後、図1の成形偏向器14によって偏向されて、第2のアパーチャ18の開口部102を透過する。図6の符号61は、開口部101を透過して第2のアパーチャ18上に照射された電子ビーム54の照射像である。照射像61の形状は、第1のアパーチャ17の開口部101の形状を反映して矩形状である。照射像61と第2のアパーチャ18の開口部102とが重なる領域の形状も矩形状である。つまり、図6の例では、第2のアパーチャ18の開口部102を透過した電子ビーム54は矩形状に成形され、矩形ショット62が形成される。尚、照射像61と開口部102とが重なる位置を変えることで、電子ビーム54を三角形に成形することも可能である。電子ビーム描画装置において、各偏向器を駆動する際には、その負荷に応じた出力電圧のセトリング時間が必要になる。すなわち、目標とする偏向位置に電子ビームを整定するには、所定のセトリング時間を要する。このセトリング時間は、上記の通り、セトリング時間決定部29で決定される。ここで、セトリング時間中にマスク基板へ電子ビームが照射されると描画結果に悪影響を及ぼす。そこで、ブランキング機構を作動させて、電子ビームが照射されないようにしている。しかし、偏向器の各偏向電極に印加される偏向電圧は、一定の目標偏向電圧に達するまで偏向電圧速度がばらつく。この偏向電圧速度のばらつきにより、電子ビームのブランキング点がふらつくように移動し、電子ビームが対物絞りの開口孔から漏れることがある。そこで、第1の成形アパーチャを透過した電子ビームの全体が第2の成形アパーチャで遮蔽されるようにして、電子ビームがこれより下流側に照射されるのを防止している。具体的には、図1において、第1の成形アパーチャ17を透過した電子ビーム54を副偏向器16で偏向して、電子ビーム54が第2の成形アパーチャ18で遮蔽されるようにしている。尚、この目的のために、第2の成形アパーチャ18上で電子ビーム54が偏向される位置は常に同じである。また、ブランキング機構が作動しない場合にも、下流側への電子ビーム54の照射を防ぐために、同じ位置に電子ビーム54を偏向することがあり、この場合には、この位置に電子ビーム54が照射されることになる。以下では、主として電子ビーム54が照射される場合を想定している。本発明者の検討によれば、雰囲気中にある炭素などの成分に起因する汚染物質は、アパーチャの特定箇所に付着することが分かっている。具体的には、汚染物質は、第2の成形アパーチャ18の特定箇所、すなわち、下流側への電子ビームの漏れを防ぐために、副偏向器16で電子ビーム54を偏向する位置から離れた箇所に付着する。つまり、第2の成形アパーチャ18上で、電子ビームが偏向される位置やその近傍に汚染物質は付着しない。また、開口部101の全体に電子ビーム54が照射される第1の成形アパーチャ17にも汚染物質は付着しない。上記理由としては、電子ビームが照射される箇所が高温例えば、300°C程度になることが挙げられる。つまり、高温になることによって、この周辺における雰囲気中のガス濃度が低くなる。具体的には、分子の移動速度が速くなり、単位体積当たりの分子の存在確率が低くなる。このため、汚染物質が付着し難くなると考えられる。そこで、本実施の形態では、電子ビームの下流側への漏れを防ぐために第2の成形アパーチャ18上で電子ビームを偏向する箇所を1箇所に限定せず、開口部102の周辺に満遍なく偏向する。また、このとき、各偏向位置における温度が所定温度汚染物質が付着しない温度以上となるようにする。具体的には、第2の成形アパーチャ18の温度が300°C以上となるようにすることが好ましい。偏向位置の温度は、電子ビームの照射時間によって決められる。以下に、電子ビームの照射時間とアパーチャの温度との関係について述べる。尚、アパーチャの加熱は、熱伝導、対流および輻射によって行われるが、アパーチャは真空中にあることから、下記では対流はほぼないとして考える。第2の成形アパーチャ上において、電子ビームのサイズを100×10-12m、電子ビームの電流密度を200×104A/m2、所定位置への電子ビームの連続照射時間をtsとすると、この所定位置へのドーズ量は、下記式で表される。また、電荷Qに値する電子の数は、下記式で表される。このうち、反射する電子が30であるとすると、第2の成形アパーチャに吸収される電子の数は、下記式で表される。電子1個の質量は、9.1×10-31kgであるので、第2の成形アパーチャに当たる電子の総重量は、下記式で表される。これらの電子の総エネルギーは、下記式で表される。また、1秒あたりの照射エネルギーは、下記式で表される。電子ビームが照射された位置における熱抵抗をRt°C/W、電子ビームが照射される部分の熱容量をCt、電子ビームが照射された位置での温度上昇をTKとすると、これらの関係は下記式で表される。ここで、T=600Kとすると、で表されるので、この式から電子ビームの照射時間tを算出することができる。尚、熱抵抗Rtと熱容量Ctは、いずれもアパーチャの材質や形状に依存する。また、温度Tは、汚染物質が付着しない温度に適宜設定される。図7は、第2の成形アパーチャ18上で電子ビームを偏向する箇所を1箇所に限定せず、開口部102の周辺に満遍なく偏向する様子を模式的に示した図である。符号541~5418は、電子ビームの偏向位置を表しており、この例では、18箇所の偏向位置について541、542、543、、5418の順に偏向する。尚、偏向位置の数や偏向順序はこの例に限られるものではなく、適宜設定することができる。図8は、第2の成形アパーチャ18上に電子ビーム54を偏向するタイミングを示すフローチャートである。S1で電子ビーム描画装置の稼動が開始すると、S2で実描画中であるか否かの判定が行われる。描画処理が開始されていない場合や、空描画をしている場合、他のマスク基板が搬送中のため描画処理が中断している場合、他のマスク基板との交換中であるため描画処理が中断している場合などは、実描画が行われていないと判定され、S3に進む。S3では、図7に示すいずれかの偏向位置541~5418に電子ビームが偏向される。一方、S2で実描画中と判定された場合には、S4へ進み、ストライプを描画中であるか否かが判定される。上記したように、マスク基板2上に描画されるパターン51は、図2に示すように、主偏向で偏向可能なY方向幅の短冊状の複数のストライプ52に分割され、さらに、各ストライプ52は、行列状の多数の副偏向領域53に分割される。描画に際しては、ステージをストライプ52の幅方向に直交するX方向に連続移動させつつ、電子ビーム54を主偏向により各副偏向領域53に位置決めし、副偏向により副偏向領域53の所定位置に電子ビーム54をショットする。そして、1つのストライプ52の描画を終了すると、ステージをY方向にステップ移動させてから次のストライプ52の描画を行い、これを繰り返してマスク基板2の全体にパターン51を描画する。つまり、実描画中であっても、1つのストライプ52の描画が終了し、次のストライプ52の描画に移るときは、ステージの移動が終了するまで描画処理が中断される。そこで、この場合は、S4でストライプを描画中でないと判定し、S3へ進んで電子ビームを偏向する。一方、ストライプ52を描画中であるとの判定がされた場合には、ストライプ52の描画を終えるまで、S4の判定を繰り返し行う。S3の処理は、実描画が開始または再開されるまで行われる。その後、S2~S4を繰り返す。ここで、S3の処理を行い、S2またはS4を経て再びS3の処理を行う場合、第2の成形アパーチャ上での電子ビームの偏向位置は前回と異なる位置とする。例えば、前回の処理で図7の偏向位置541に偏向した場合、次の処理では、偏向位置542に電子ビームを偏向する。図9は、図7に示す偏向位置を随時変える処理を示すフローチャートである。かかる処理は、図1の偏向制御部30で行われる。偏向制御部30は、汚染物質付着防止ビーム制御部30aと、メモリ30bとを有する。汚染物質付着防止ビーム制御部30aは、図9に示す処理を制御する。メモリ30bは、ステージ駆動回路4からステージ移動のタイミング情報を取得する。また、メモリ30bは、位置回路5から電子ビームの偏向位置に関する情報を取得する。汚染物質付着防止ビーム制御部30aは、メモリ30bからの情報、具体的には、ステージ駆動回路4からの情報を基に実描画が行われているか否かを判断し、位置回路5からの情報を基に電子ビーム54の偏向位置を決定する。図9において、S11で第2の成形アパーチャへの偏向処理が開始されると、S12で、図1の汚染物質付着防止ビーム制御部30aによって、メモリ30bから前回の偏向位置N情報が読み出される。例えば、図7において、541=1、542=2、、5418=18とした場合、Nは1から18までのいずれかの値に該当する。S13では、偏向位置N1に電子ビームが偏向される。例えば、前回、偏向位置545に電子ビームを偏向した場合には、偏向位置546に電子ビームを偏向する。また、S14において、メモリ30bに記録された前回の偏向位置情報を更新する。例えば、情報が偏向位置545であった場合には、偏向位置546に情報を更新する。S15では、S13で決定された偏向位置N1に電子ビームを照射する。また、S16で照射時間をリセットし、S17で照射時間の測定を開始する。この照射時間は、上記した方法によって求められる。次に、S18で、必要な照射時間を超えたか否かが判定される。超えていない場合には、超えるまでこの判定が繰り返して行われる。必要な照射時間を超えると、S19でN=18であるか否かが判定される。N=18でない場合には、S12に戻って、前回の偏向位置情報例えば、偏向位置546を読み出し、新たな偏向位置例えば、偏向位置547に電子ビームを偏向する。一方、S19でN=18と判定された場合には、S20で偏向位置をN=1に戻したうえでS12に戻る。本実施の形態においては、図9の処理と並行して図10の処理を行う。図10の処理は、図1の汚染物質付着防止ビーム制御部30aにおいて、メモリ30bから読み出した、ステージ駆動回路4からメモリ30bへ送られたステージ移動のタイミング情報に基づいて行われる。図10に示すS21は、本実施の形態において常時行われる。ストライプ描画開始指示がない場合には、図9の処理が行われるS22。一方、ストライプ描画開始指示があると、S23に進み、図9のS15で電子ビームがONであるか否かが判定される。電子ビームがONと判定された場合には、S24で電子ビームをOFFにし、S25で図9の処理を停止する。一方、S23で電子ビームがONでないと判定された場合には、そのままS25へ進み、S25で図9の処理を停止する。その後、S26で、ストライプ描画を開始する。S26のストライプ描画を終えた後は、再び図9の処理を行うとともに、図10の処理も並行して行う。以上述べたように、本実施の形態によれば、第2の成形アパーチャ上で電子ビームを偏向する箇所を1箇所に限定せず、開口部の周辺に満遍なく偏向する。また、このとき、各偏向位置における温度が所定温度汚染物質が付着しない温度以上となるようにする。これにより、雰囲気中の分子の移動速度が速くなり、単位体積当たりの分子の存在確率が低くなるので、第2の成形アパーチャに汚染物質が付着するのを防ぐことができる。尚、第1の成形アパーチャへの汚染物質の付着は問題としなくてよいことが判明しているので、かかる偏向位置の変化は第2のアパーチャについてのみ行えばよい。本実施の形態によれば、膜厚測定器や元素分析器、加熱ヒータ、酸素プラズマ発生器、イオンビーム発生器などの装置を付加する必要がない。したがって、こうした装置を設けることによる電子ビームの軌道の変化や、金属製のゴミに起因する描画精度の低下を考慮しなくて済む。また、汚染物質の付着を防止するための上記処理は、描画が行われていない時間を利用して行うので、ダウンタイムが発生することもない。さらに、本実施の形態によれば、アパーチャへの汚染物質の付着を抑制できるので、アパーチャの交換頻度を減らすことができる。したがって、アパーチャの交換によるダウンタイムを低減することもできる。図11は、1枚のマスク基板に対する描画処理に汚染物質付着防止ビーム照射処理を行う一例である。描画処理工程では、最初に描画レイアウトの登録が行われる。これは、図3で説明した描画装置へのフォーマットデータの入力に対応する。この処理は、描画が行われる前段階であり、この処理が行われている期間Aでは、図1の試料室1内にマスク基板2が載置されていない。そこで、まず、期間Aにおいて、汚染物質付着防止ビーム照射処理を行う。これは、図8のS3に対応する。期間Aにおける照射処理では、例えば、図7の符号541~5418の位置を順に電子ビームでスキャンする。但し、各位置における照射時間は、アパーチャの温度が汚染物質が付着しない温度となるのに必要な時間とする。具体的な照射位置と照射時間の決定は、図9に示すフローチャートにしたがって行われる。描画レイアウトの登録を終えると、試料室1へのマスク基板2の搬送処理が行われる。この処理が行われている期間Bでは、実描画が行われていない。そこで、期間Bにおいても汚染物質付着防止ビーム照射処理を行うことができる。この処理も、図8のS3に対応しており、照射位置と照射時間の決定は、図9に示すフローチャートにしたがって行われる。試料室1のステージ3上にマスク基板2が載置され、描画準備が整うと、実描画が開始される。実描画中においては、1つのストライプ描画が終了し、次のストライプ描画に移るとき、ステージ3の移動が終了するまでは描画が中断される。この中断期間は、図11の期間Cに対応する。そこで、期間Cにおいても汚染物質付着防止ビーム照射処理を行うことができる。この処理は、図8でS4を経た後のS3に対応する。期間Cは、期間Aや期間Bに比較して短い。したがって、期間Cでは、例えば、最初に図7の符号541に電子ビームを照射してから実描画処理に戻り、図8のS2とS4を繰り返した後、次の期間Cで図7の符号542に電子ビームを照射する。次いで、再び実描画処理に戻り、図8のS2とS4を繰り返し、次の期間Cで図7の符号543に電子ビームを照射する。この工程を実描画が終了するまで行う。尚、各期間Cに応じた電子ビームの照射位置と照射時間の決定は、図9に示すフローチャートにしたがって行われる。図11の例をまとめると、本実施の形態では、ステージ上にマスク基板が載置される前に、第2の成形アパーチャの開口部の周囲を電子ビームで順に照射する。これは、期間Aと期間Bに対応する。尚、期間Bの一部には、ステージ上にマスク基板が載置された後、実描画が開始されるまでの時間も含まれるが、本実施の形態ではかかる時間もステージ上にマスク基板が載置される前に含めることができる。また、本実施の形態では、マスク基板が載置されたステージが、マスク基板の描画領域を仮想分割して得られる短冊状の第1のストライプの長手方向に移動した後、隣接する第2のストライプの描画開始位置に移動するまでの間のみ、第2の成形アパーチャの開口部の周囲にある1点に電子ビームを照射し、次いで、ステージが、第2のストライプの長手方向に移動した後、隣接する第3のストライプの描画開始位置に移動するまでの間のみ、上記開口部の周囲にある上記1点とは別の1点に電子ビームを照射する。第2のストライプの描画開始位置に移動するまでの間および第3のストライプの描画開始位置に移動するまでの間は、それぞれ期間Cに対応する。本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。例えば、上記では電子ビームを用いたが、本発明はこれに限られるものではなく、イオンビームなどの他の荷電粒子ビームを用いた場合にも適用可能である。また、上記各実施の形態では、装置構成や制御手法など、本発明の説明に直接必要としない部分についての記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができることは言うまでもない。その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更し得る全ての荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法は、本発明の範囲に包含される。