"試料を載置する、連続移動可能なステージと、荷電粒子ビームを放出する放出部と、複数の開口部を有し、前記複数の開口部全体が含まれる第1の領域に前記荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の開口部を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材と、前記アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数のブランカーと、前記複数のブランカーによってビームOFFの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽するブランキングアパーチャ部材と、前記アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、不良ビームを検出する検出部と、前記アパーチャ部材の複数の開口部のうち、前記不良ビームを通過させる開口部を除く残りの開口部のうち、より多くの開口部が含まれるように第2の領域を設定する設定部と、前記アパーチャ部材の複数の開口部のうち、前記第2の領域から外れた開口部を遮蔽する可動式の遮蔽部材と、前記遮蔽部材によって遮蔽されなかった、前記第2の領域内の開口部を通過したことによって形成されたマルチビームを用いて、試料にパターンを描画するように描画処理を制御する描画処理制御部と、を備えたことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画装置。試料を載置する、連続移動可能なステージと、荷電粒子ビームを放出する放出部と、複数の開口部を有し、前記複数の開口部全体が含まれる第1の領域に前記荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の開口部を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材と、前記アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数のブランカーと、前記複数のブランカーによってビームOFFの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽するブランキングアパーチャ部材と、前記アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、不良ビームを検出する検出部と、前記アパーチャ部材の複数の開口部のうち、前記不良ビームを通過させる開口部を除く残りの開口部のうち、より多くの開口部が含まれるように第2の領域を設定する設定部と、前記アパーチャ部材の複数の開口部のうち、前記第2の領域から外れた開口部を通過したことによって形成されたマルチビームを遮蔽する可動式の遮蔽部材と、前記遮蔽部材によって遮蔽されなかった、前記第2の領域内の開口部を通過したことによって形成されたマルチビームを用いて、試料にパターンを描画するように描画処理を制御する描画処理制御部と、を備えたことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画装置。前記遮蔽部材として、2辺がL字型に形成された板状部材を用いて、前記2辺のうちのいずれか1辺で前記第2の領域の境界を形成することを特徴とする請求項1又は2記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。前記遮蔽部材として、共に2辺がL字型に形成された第1と第2の板状部材を用い、前記第1の板状部材と第2の板状部材は、互いにL字の向きが逆になるように配置されることを特徴とする請求項1又は2記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。荷電粒子ビームを放出する工程と、複数の開口部を有するアパーチャ部材の前記複数の開口部全体が含まれる第1の領域に前記荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の開口部を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成する工程と、前記アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、不良ビームを検出する工程と、前記アパーチャ部材の複数の開口部のうち、前記不良ビームを通過させる開口部を除く残りの開口部のうち、より多くの開口部が含まれるように第2の領域を設定する工程と、可動式の遮蔽部材を用いて、前記アパーチャ部材の複数の開口部のうち、前記第2の領域から外れた開口部を遮蔽する工程と、前記遮蔽部材によって遮蔽されなかった、前記第2の領域内の開口部を通過したことによって形成されたマルチビームを用いて、試料にパターンを描画する工程と、を備えたことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画方法。そこで、本発明は、上述した問題点を克服し、マルチビーム方式の描画において、ビームOFF制御ができず、常時ビームONとなる不良ビーム或いは所定の照射時間で照射量が制御できない不良ビームが発生した場合でも高精度に描画することが可能な描画装置および方法を提供することを目的とする。本発明の一態様のマルチ荷電粒子ビーム描画装置は、試料を載置する、連続移動可能なステージと、荷電粒子ビームを放出する放出部と、複数の開口部を有し、複数の開口部全体が含まれる第1の領域に荷電粒子ビームの照射を受け、複数の開口部を荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材と、アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数のブランカーと、複数のブランカーによってビームOFFの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽するブランキングアパーチャ部材と、アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、不良ビームを検出する検出部と、アパーチャ部材の複数の開口部のうち、不良ビームを通過させる開口部を除く残りの開口部のうち、より多くの開口部が含まれるように第2の領域を設定する設定部と、アパーチャ部材の複数の開口部のうち、第2の領域から外れた開口部を遮蔽する可動式の遮蔽部材と、遮蔽部材によって遮蔽されなかった、第2の領域内の開口部を通過したことによって形成されたマルチビームを用いて、試料にパターンを描画するように描画処理を制御する描画処理制御部と、を備えたことを特徴とする。本発明の他の態様のマルチ荷電粒子ビーム描画装置は、試料を載置する、連続移動可能なステージと、荷電粒子ビームを放出する放出部と、複数の開口部を有し、複数の開口部全体が含まれる第1の領域に荷電粒子ビームの照射を受け、複数の開口部を荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材と、アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数のブランカーと、複数のブランカーによってビームOFFの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽するブランキングアパーチャ部材と、アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、不良ビームを検出する検出部と、アパーチャ部材の複数の開口部のうち、不良ビームを通過させる開口部を除く残りの開口部のうち、より多くの開口部が含まれるように第2の領域を設定する設定部と、アパーチャ部材の複数の開口部のうち、第2の領域から外れた開口部を通過したことによって形成されたマルチビームを遮蔽する可動式の遮蔽部材と、遮蔽部材によって遮蔽されなかった、第2の領域内の開口部を通過したことによって形成されたマルチビームを用いて、試料にパターンを描画するように描画処理を制御する描画処理制御部と、を備えたことを特徴とする。また、遮蔽部材として、2辺がL字型に形成された板状部材を用いて、2辺のうちのいずれか1辺で第2の領域の境界を形成すると好適である。また、遮蔽部材として、共に2辺がL字型に形成された第1と第2の板状部材を用い、第1の板状部材と第2の板状部材は、互いにL字の向きが逆になるように配置されると好適である。本発明の一態様のマルチ荷電粒子ビーム描画方法は、荷電粒子ビームを放出する工程と、複数の開口部を有するアパーチャ部材の複数の開口部全体が含まれる第1の領域に荷電粒子ビームの照射を受け、複数の開口部を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成する工程と、アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、不良ビームを検出する工程と、アパーチャ部材の複数の開口部のうち、不良ビームを通過させる開口部を除く残りの開口部のうち、より多くの開口部が含まれるように第2の領域を設定する工程と、可動式の遮蔽部材を用いて、アパーチャ部材の複数の開口部のうち、第2の領域から外れた開口部を遮蔽する工程と、遮蔽部材によって遮蔽されなかった、第2の領域内の開口部を通過したことによって形成されたマルチビームを用いて、試料にパターンを描画する工程と、を備えたことを特徴とする。本発明の一態様によれば、常時ビームONとなる不良ビーム或いは所定の照射時間でビームOFFにできず照射量が制御できない不良ビームを排除できる。また、かかる不良ビームを排除した部分領域第2の領域のマルチビームを使って描画できる。その結果、かかる不良ビームがあっても描画精度を落とさずに描画できる。以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。実施の形態1.図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、遮蔽プレート212,214、アパーチャ部材203、ブランキングプレート204、縮小レンズ205、制限アパーチャ部材206、対物レンズ207、及び偏向器208が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象基板となるマスク等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスク、或いは、半導体装置が製造される半導体基板シリコンウェハ等が含まれる。また、試料101には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。XYステージ105上には、さらに、電流量測定部の一例としてのファラディーカップ106と、XYステージ105の位置測定用のミラー210とが配置される。また、遮蔽プレート212,214は、照明レンズ202とアパーチャ部材203の間に配置される。制御部160は、制御計算機110、メモリ112、偏向制御回路130,132、デジタルアナログ変換DACアンプ134,136、駆動部137、電流検出器138、ステージ位置測定部139及び磁気ディスク装置等の記憶装置140を有している。制御計算機110、メモリ112、偏向制御回路130,132、デジタルアナログ変換DACアンプ134,136、駆動部137、電流検出器138、ステージ位置測定部139及び記憶装置140は、図示しないバスを介して互いに接続されている。記憶装置140記憶部には、描画データが外部から入力され、格納されている。制御計算機110内には、検出処理部50、設定部51、描画処理制御部52、描画データ処理部54、及び遮蔽板制御部56が配置される。検出処理部50、設定部51、描画処理制御部52、描画データ処理部54、及び遮蔽板制御部56といった各機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。検出処理部50、設定部51、描画処理制御部52、描画データ処理部54、及び遮蔽板制御部56に入出力される情報および演算中の情報はメモリ112にその都度格納される。ここで、図1では、実施の形態1を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。図2は、実施の形態1におけるアパーチャ部材の構成を示す概念図である。図2aにおいて、アパーチャ部材203には、縦y方向m列×横x方向n列m,n≧2の穴開口部22が所定の配列ピッチでマトリクス状に形成されている。図2aでは、例えば、512×8列の穴22が形成される。各穴22は、共に同じ寸法形状の矩形例えば長方形或いは正方形で形成される。或いは、同じ外径の円形であっても構わない。ここでは、y方向の各列について、x方向にAからHまでの8つの穴22がそれぞれ形成される例が示されている。これらの複数の穴22を電子ビーム200の一部がそれぞれ通過することで、マルチビーム20が形成されることになる。ここでは、縦横x,y方向が共に2列以上の穴22が配置された例を示したが、これに限るものではない。例えば、縦横x,y方向どちらか一方が複数列で他方は1列だけであっても構わない。また、穴22の配列の仕方は、図2aにように、縦横が格子状に配置される場合に限るものではない。図2bに示すように、例えば、縦方向y方向1段目の列と、2段目の列の穴同士が、横方向x方向に寸法aだけずれて配置されてもよい。同様に、縦方向y方向2段目の列と、3段目の列の穴同士が、横方向x方向に寸法bだけずれて配置されてもよい。図3は、実施の形態1におけるブランキングプレートの構成を示す概念図である。ブランキングプレート204には、アパーチャ部材203の各穴22の配置位置に合わせて通過孔が形成され、各通過孔には、対となる2つの電極24,26の組ブランカーが、それぞれ配置される。各通過孔を通過する電子ビーム20は、それぞれ独立にかかる対となる2つの電極24,26に印加される電圧によって偏向される。かかる偏向によってブランキング制御される。このように、複数のブランカーが、アパーチャ部材203の複数の穴22開口部を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う。電子銃201放出部から放出された電子ビーム200は、照明レンズ202によりほぼ垂直にアパーチャ部材203全体を照明する。アパーチャ部材203には、矩形例えば長方形或いは正方形の複数の穴開口部が形成され、電子ビーム200は、すべての複数の穴が含まれる領域を照明する。複数の穴の位置に照射された電子ビーム200の各一部が、かかるアパーチャ部材203の複数の穴をそれぞれ通過することによって、例えば矩形形状の複数の電子ビームマルチビーム20a~eが形成される。かかるマルチビーム20a~eは、ブランキングプレート204のそれぞれ対応するブランカー内を通過する。かかるブランカーは、それぞれ、個別に通過する電子ビーム20を偏向するブランキング偏向を行う。そして、ブランキングプレート204を通過したマルチビーム20a~eは、縮小レンズ205によって、縮小され、制限アパーチャ部材206に形成された中心の穴に向かって進む。ここで、ブランキングプレート204のブランカーによって偏向された電子ビーム20は、制限アパーチャ部材206ブランキングアパーチャ部材の中心の穴から位置がはずれ、制限アパーチャ部材206によって遮蔽される。一方、ブランキングプレート204のブランカーによって偏向されなかった電子ビーム20は、制限アパーチャ部材206の中心の穴を通過する。かかるブランカーのON/OFFによって、ブランキング制御が行われ、ビームのON/OFFが制御される。このように、制限アパーチャ部材206は、複数のブランカーによってビームOFFの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する。そして、ビームONになってからビームOFFになるまでに形成された、制限アパーチャ部材206を通過したビームにより1回分のショットのビームが形成される。制限アパーチャ部材206を通過したマルチビーム20は、対物レンズ207により焦点が合わされ、所望の縮小率のパターン像となり、偏向器208によって、制限アパーチャ部材206を通過した各ビームマルチビーム20全体が同方向にまとめて偏向され、各ビームの試料101上のそれぞれの照射位置に照射される。また、例えばXYステージ105が連続移動している時、ビームの照射位置がXYステージ105の移動に追従するように偏向器208によって制御される。一度に照射されるマルチビーム20は、理想的にはアパーチャ部材203の複数の穴の配列ピッチに上述した所望の縮小率を乗じたピッチで並ぶことになる。描画装置100は、ショットビームを連続して順に照射していくラスタースキャン方式で描画動作を行い、所望のパターンを描画する際、パターンに応じて必要なビームがブランキング制御によりビームONに制御される。図4は、実施の形態1における描画動作を説明するための概念図である。図4aに示すように、試料101の描画領域30は、例えば、y方向に向かって所定の幅で短冊状の複数のストライプ領域32に仮想分割される。かかる各ストライプ領域32は、描画単位領域となる。まず、XYステージ105を移動させて、第1番目のストライプ領域32の左端、或いはさらに左側の位置に一回のマルチビーム20の照射で照射可能な照射領域34が位置するように調整し、描画が開始される。第1番目のストライプ領域32を描画する際には、XYステージ105を例えば-x方向に移動させることにより、相対的にx方向へと描画を進めていく。XYステージ105は所定の速度で例えば連続移動させる。第1番目のストライプ領域32の描画終了後、ステージ位置を-y方向に移動させて、第2番目のストライプ領域32の右端、或いはさらに右側の位置に照射領域34が相対的にy方向に位置するように調整し、今度は、図4bに示すように、XYステージ105を例えばx方向に移動させることにより、-x方向にむかって同様に描画を行う。第3番目のストライプ領域32では、x方向に向かって描画し、第4番目のストライプ領域32では、-x方向に向かって描画するといったように、交互に向きを変えながら描画することで描画時間を短縮できる。但し、かかる交互に向きを変えながら描画する場合に限らず、各ストライプ領域32を描画する際、同じ方向に向かって描画を進めるようにしても構わない。1回のショットでは、図4cに示すように、アパーチャ部材203の各穴22を通過することによって形成されたマルチビームによって、各穴22と同数の複数のショットパターン36が一度に形成される。例えば、アパーチャ部材203の1つの穴Aを通過したビームは、図4cで示すAの位置に照射され、その位置にショットパターン36を形成する。同様に、例えば、アパーチャ部材203の1つの穴Bを通過したビームは、図4cで示すBの位置に照射され、その位置にショットパターン36を形成する。以下、C~Hについても同様である。そして、各ストライプ32を描画する際、x方向に向かってXYステージ105が移動する中、偏向器208によってy方向或いはx,y方向に各ショットが順に移動するスキャンするように偏向し、ショットビームを連続して順に照射していくラスタースキャン方式で描画する。まず、不良ビーム検出工程として、検出処理部50検出部は、電子ビーム200の照射を受けてマルチビーム20を形成する複数の穴22開口部を有するアパーチャ部材203の複数の穴22を通過したマルチビーム20のうち、不良ビームを検出する。検出の方法は、例えば、検出処理部50は、マルチビーム20の各ビームについてそれぞれ電流量を測定する。具体的には、マルチビーム20の各ビームが照射される位置にファラディーカップ106が位置するように順にXYステージ105を移動させる。そして、マルチビーム20を1本ずつ、ファラディーカップ106に照射し、ファラディーカップ106からのアナログ信号を電流検出器138で受信する。そして、電流検出器138は、ファラディーカップ106に照射された各ビームの電流量を示すデジタル信号データ信号を検出処理部50に出力する。このようにして、検出処理部50は、ファラディーカップ106に照射された各ビームの電流量を測定する。測定される対象ビーム以外のビームは、ブランキング制御によりビームOFFの状態にすると好適である。対象ビーム以外のビームが照射されてもファラディーカップ106で検出されない位置関係であればビームONの状態のままでも構わない。電流量が測定できない電流が検出されないビームは、ビームON制御ができず、常時ビームOFFとなる不良ビームである。また、電流量が検出されても所望する電流量ではないビームは、ビームONはできても規定の照射時間でビームOFFにできず、照射量が制御できない不良ビームである。一方、ビームOFFの状態に制御してもビーム電流量が検出されるビームは、常時ONとなる不良ビームである。よって、検出処理部50は、電流検出器138から入力したデータ信号に基づいて、ビームONに設定しても電流量が測定できない電流が検出されない或いは、所望する電流量ではないビームを、また、ビームOFFに設定してもビーム電流量が検出されるビームを、不良ビームとして検出する。部分領域第2の領域設定工程として、設定部51は、アパーチャ部材203の複数の穴22のうち、不良ビームを通過させる穴を除く残りの穴22のうち、より多くの穴22が含まれるように部分領域矩形領域を設定する。図5は、実施の形態1におけるy方向分割による部分領域矩形領域の一例を示す図である。図6では、例えば、縦y方向に512個、横x方向に8個の穴22がマトリクス状に配置されたアパーチャ部材203の例を示している。図5では、例えば、左端からx方向に6列目および上端から-y方向に4段目の穴23が不良ビームを形成する穴22としている。かかる場合に、y方向分割により、不良ビームを除いて部分領域矩形領域を設定するには、図5に示すように、x方向に全列、そして上端から-y方向に5段目から下端までの複数の穴22が含まれる部分領域矩形領域40と、x方向に全列、そして上端から-y方向に3段目までの複数の穴22が含まれる部分領域矩形領域42と、の2つの部分領域矩形領域を想定できる。なお、この例ではビーム配置がxy方向に直行しているので、x方向m本、y方向n本のビームを含む部分領域矩形領域は、正方形或いは長方形の領域となるが、配置が直行していない場合には、その配置に応じた形状となる。部分領域矩形領域40と部分領域矩形領域42とでは、部分領域矩形領域40の方が、より多くの穴22が含まれるのでy方向分割による場合には、部分領域矩形領域40を選択する。図6は、実施の形態1におけるx方向分割による部分領域矩形領域の一例を示す図である。図6では、図5と同様、例えば、縦y方向に512個、横x方向に8個の穴22がマトリクス状に配置されたアパーチャ部材203の例を示している。図6では、図5と同様、例えば、左端からx方向に6列目および上端から-y方向に4段目の穴23が不良ビームを形成する穴22としている。かかる場合に、x方向分割により、不良ビームを除いて部分領域矩形領域を設定するには、図6に示すように、y方向に全列、そして左端からx方向に5列目までの複数の穴22が含まれる部分領域矩形領域44と、y方向に全列、そして左端からx方向に7列目から右端までの複数の穴22が含まれる部分領域矩形領域46と、の2つの部分領域矩形領域を想定できる。部分領域矩形領域44と部分領域矩形領域46とでは、部分領域矩形領域44の方が、より多くの穴22が含まれるのでx方向分割による場合には、部分領域矩形領域44を選択すればよい。ここで、設定部51は、部分領域矩形領域を設定する際に、上述したy方向分割とx方向分割のいずれを選択するか予め設定しておくとよい。或いは、描画処理制御部52が、描画速度の効率を求めて、設定部51は、より効率の高い方で選択するようにしてもよい。例えば、y方向分割による部分領域矩形領域で描画した場合の描画速度は、使用可能なy方向のビーム本数に比例する。よって、不良ビームが無い100のビーム本数に対して、例えば80のビーム本数で描画した場合には、描画速度の効率は80に低下することになる。描画速度の効率は部分領域矩形領域40に含まれるy方向のビーム本数を、不良ビームが無い場合のy方向の全ビーム本数で割った値となる。図5の例では、不良ビームが無い場合のy方向の全ビーム本数が512本に対して、部分領域矩形領域40に含まれるy方向のビーム本数は、508本なので、描画速度の効率=508/512=0.992となり、描画速度の効率は99.2となる。一方、例えば、x方向分割による部分領域矩形領域で描画した場合の描画速度は、使用可能なx方向のビーム本数に比例する。よって、不良ビームが無い100のビーム本数に対して、例えば80のビーム本数で描画した場合には、描画速度の効率は80に低下することになる。描画速度の効率は部分領域矩形領域44に含まれるx方向のビーム本数を、不良ビームが無い場合のx方向の全ビーム本数で割った値となる。図6の例では、不良ビームが無い場合のx方向の全ビーム本数が8本に対して、部分領域矩形領域44に含まれるx方向のビーム本数は、5本なので、描画速度の効率=5/8=0.625となり、描画速度の効率は62.5となる。そのため、図5と図6の例では、図5のy方向分割の方が効率良い描画が行えることになる。実際の描画に際しては、どちらか効率の良い方法を選択するようにするのが好ましい。次に、マルチビーム遮蔽工程として、アパーチャ部材203の複数の穴22のうち、設定された部分領域矩形領域から外れた穴22を遮蔽する。図7は、実施の形態1における遮蔽プレートの構成と遮蔽方法を示す概念図である。図7では、y方向分割により部分領域矩形領域40を設定した場合を示している。図7において、可動式の複数の遮蔽プレート212,214遮蔽部材、第1と第2の板状部材の一例が駆動部137によって、設定された部分領域矩形領域40から外れたアパーチャ部材203の穴22を上方から覆う。本実施例では、ビームがxy方向に直行して配置されているので、遮蔽プレート212,214は、共にL字型に形成された板状部材により構成される。よって、遮蔽プレート212,214は、一方向に延びた後に直交する方向に曲がりさらに延びた形状に形成される。よって、内角を構成する2辺も直交し、L字型に形成される。遮蔽プレート212,214は、導電性材料により形成されると好適である。例えば、チタンTiの板材、カーボンcの板材、或いは両者の板材を重ねた積層構造により形成されると好適である。そして、遮蔽プレート212,214は、互いにL字の向きが逆になるように配置される。遮蔽板制御部56によって制御された駆動部137は、遮蔽板制御部56から制御信号に従って、遮蔽プレート212,214の一方或いは両方をy方向或いは-y方向に移動させる。図7の例では、遮蔽プレート212のL字型の2辺直交する2辺の一方の辺が、アパーチャ部材203のx方向幅より大きく、他方の辺がアパーチャ部材203のy方向幅より大きく形成される。そして、遮蔽プレート212が-y方向に移動した際、アパーチャ部材203の複数の穴22のうち、少なくとも上端側から半分までの穴上端側から256段までの分のすべての穴22までを覆うことができるサイズに遮蔽プレート212は形成される。同様に、遮蔽プレート214のL字型の2辺直交する2辺の一方の辺が、アパーチャ部材203のx方向幅より大きく、他方の辺がアパーチャ部材203のy方向幅より大きく形成される。そして、遮蔽プレート214がy方向に移動した際、アパーチャ部材203の複数の穴22のうち、少なくとも下端側から半分までの穴下端側から256段までの分のすべての穴22までを覆うことができるサイズに遮蔽プレート214は形成される。図7では、y方向分割により部分領域矩形領域40を設定しているので、アパーチャ部材203の上端側から3段目までの複数の穴が部分領域矩形領域40から外れた穴22群となる。遮蔽プレート212が-y方向に移動して、かかる穴22群を塞ぐことで、2辺のうちの1辺で部分領域矩形領域40の境界を形成する。部分領域矩形領域40から外れた穴22群は、遮蔽プレート212によってふさがれているので、電子銃201から放出された電子ビーム200が通過できない。例えば、図1では、アパーチャ部材203の複数の穴10,12が塞がれている例を示している。これにより、部分領域矩形領域40から外れた不良ビームを含むマルチビーム20の形成自体を防止できる。よって、不良ビームをブランキング制御によりビームOFFにできない場合或いは不良ビームについてブランキング制御ができない場合でも、不良ビームそのものの形成を抑制できる。図5の例では、部分領域矩形領域40から外れた穴22群がアパーチャ部材203のy方向中心段より上端側y方向端側に位置しているため遮蔽プレート212で遮蔽したが、これに限るものではない。部分領域矩形領域から外れた穴22群がアパーチャ部材203のy方向中心段より下端側-y方向端側に位置している場合には、遮蔽プレート214をy方向に移動して、かかる穴22群を塞ぐようにすると好適である。2つの遮蔽プレート212,214のうち、塞ぐ穴22群の領域に近い方に位置する遮蔽プレートを使って部分領域矩形領域40から外れた穴22群を塞げばよい。アパーチャ部材203の上下方向y方向および-y方向にそれぞれ遮蔽プレート212或いは遮蔽プレート214を配置することで、遮蔽時の移動時間を短縮できる。また、移動距離を短くできる。また、複数の不良ビームが存在し、y方向分割により設定される部分領域矩形領域がかかる複数の不良ビームの間に位置する場合には、遮蔽プレート212,214の両方を使って上下方向から部分領域矩形領域から外れた両穴群を塞げばよい。図8は、実施の形態1における遮蔽プレートのx方向分割時の遮蔽方法を示す概念図である。図8では、図7に示した遮蔽プレート212,214を使って、x方向分割時の遮蔽方法を示す。図8では、x方向分割により部分領域矩形領域44を設定した場合を示している。図8において、遮蔽板制御部56によって制御された駆動部137は、遮蔽板制御部56から制御信号に従って、遮蔽プレート212,214の一方或いは両方をx方向或いは-x方向に移動させる。そして、遮蔽プレート212が-x方向に移動した際、アパーチャ部材203の複数の穴22のうち、少なくとも右端側から半分までの複数の穴右端側から4列までの分のすべての穴22を覆うことができるサイズに遮蔽プレート212は形成される。同様に、遮蔽プレート214がx方向に移動した際、アパーチャ部材203の複数の穴22のうち、少なくとも左端側から半分までの複数の穴左端側から4列までの分のすべての穴22を覆うことができるサイズに遮蔽プレート214は形成される。x方向分割により部分領域矩形領域44を設定した場合、図8に示すように、アパーチャ部材203の右端側から3列目までの複数の穴が部分領域矩形領域44から外れた穴22群となる。遮蔽プレート212が-x方向に移動して、かかる穴22群を塞ぐことで、2辺のうちの1辺で部分領域矩形領域44の境界を形成する。部分領域矩形領域44から外れた穴22群は、遮蔽プレート212によってふさがれているので、電子銃201から放出された電子ビーム200が通過できない。これにより、部分領域矩形領域44から外れた不良ビームを含むマルチビーム20の形成自体を防止できる。よって、不良ビームをブランキング制御によりビームOFFにできない場合或いは不良ビームについてブランキング制御ができない場合でも、不良ビームそのものの形成を抑制できる。図6の例では、部分領域矩形領域44から外れた穴22群がアパーチャ部材203のx方向中心列より右端側x方向端側に位置しているため遮蔽プレート212で遮蔽したが、これに限るものではない。部分領域矩形領域から外れた穴22群がアパーチャ部材203のx方向中心列より左端側-x方向端側に位置している場合には、遮蔽プレート214をx方向に移動して、かかる穴22群を塞ぐようにすると好適である。2つの遮蔽プレート212,214のうち、塞ぐ穴22群の領域に近い方に位置する遮蔽プレートを使って部分領域矩形領域44から外れた穴22群を塞げばよい。アパーチャ部材203の左右方向x方向および-x方向にそれぞれ遮蔽プレート212或いは遮蔽プレート214を配置することで、遮蔽時の移動時間を短縮できる。また、移動距離を短くできる。また、複数の不良ビームが存在し、x方向分割により設定される部分領域矩形領域がかかる複数の不良ビームの間に位置する場合には、遮蔽プレート212,214の両方を使って左右方向から部分領域矩形領域から外れた両穴群を塞げばよい。描画工程として、描画処理制御部52は、遮蔽プレート212或いは遮蔽プレート214、或いは遮蔽プレート212,214の両方によって遮蔽されなかった、部分領域矩形領域内の穴を通過したことによって形成されたマルチビーム20を用いて、試料101にパターンを描画するように描画処理を制御する。具体的には、以下のように描画処理が行われる。図9は、実施の形態1におけるy方向分割による部分領域矩形領域が設定された際の描画処理を説明するための概念図である。y方向分割による部分領域矩形領域が設定された場合、描画処理制御部52は、まず、試料101の描画領域を複数のストライプ領域に仮想分割する際、部分領域矩形領域40のy方向の幅寸法で分割する。具体的には、不良ビームが存在せずにすべてのマルチビームが使用できる場合のストライプ領域33に対して、y方向に制限された部分領域矩形領域40で描画可能なストライプ領域32にストライプ幅を縮める小さくする。そして、描画処理制御部52によって制御された描画データ処理部54は、かかるストライプ領域32毎に、記憶装置140から描画データを読み出し、複数段のデータ変換処理を行って、装置固有のショットデータを生成する。偏向制御回路130は、ショットデータに沿って、各回のそれぞれのブランカーが行うショットのブランキング制御用の信号を生成し、DACアンプ134で増幅の上、デジタル信号をアナログ信号に変換の上、各ブランカーに出力する。偏向制御回路130は、アパーチャ部材203の複数の穴22のうち、部分領域矩形領域40から外れた穴22を通過するマルチビームをビームOFFの状態になるように対応するブランカーを制御する。偏向制御回路130は、ブランカー制御部の一例である。このように、描画処理の際には、部分領域矩形領域40から外れた複数の穴22を通過するビームについてはブランキング制御によりビームOFFにすればよい。或いは、部分領域矩形領域40から外れた複数の穴22,23を通過するビームについてのブランキング制御自体は、ビームON制御のままでもよい。ブランキング制御自体がビームON制御のままでも、遮蔽プレート212,214によってそもそもマルチビーム自体が形成されないので、実際にビームONにはならない。また、偏向制御回路132は、ショット毎のx,y方向への偏向量を演算し、偏向用の信号を生成し、DACアンプ136で増幅の上、デジタル信号をアナログ信号に変換の上、偏向器208に出力する。描画部150は、各ストライプ領域32を部分領域矩形領域40内の穴22を通過したことによって形成されたマルチビームを用いて、試料101にパターンを描画する。図10は、実施の形態1におけるy方向分割による描画モードでのラスタースキャンの描画動作の一例を説明するための概念図である。図10では、例えば、図4cで示したようにアパーチャ部材203についてx方向に8つの穴A~Hが形成されている場合に、一度に照射されるx方向に隣り合うショットパターン36間をステージが移動する間に、複数回のショットのビームで照射する。あるショットパターン36と、一度に照射されるx方向に隣り合うショットパターン36と、一度に照射されるy方向に隣り合うショットパターン36と、x方向に隣り合うショットパターン36と一度に照射されるy方向に隣り合うショットパターン36とによる、一度に照射される4つのショットパターン36により囲まれる領域を、例えば、所定の量子化寸法で格子状に配置した制御グリッドAU:アドレスユニットで分割し、nAU×mAUに設定する。そして、AUずらす毎にマルチビームをショットする。図10では、x方向に7AU、y方向に8AUに分割した例を示している。図10において、ステージ移動方向をX方向とし、それと同方向のX方向および直行するY方向にビーム全体を偏向器208により偏向することによってスキャンするように制御する。この様子を同図の右側に概念的に矢印で図示している。また、アパーチャの開口穴位置四角穴の下にスキャン開始のタイミングを、T=0を基準として、T=-6~3で示している。図10は、T=0の時点で、各ビームがスキャンを開始する描画位置を模式的に表している。この例では、ステージのX方向ステージ移動に合わせてX方向およびY方向にスキャンを行うことで、ビームショットが相対的にY方向に移動しながら、全面を塗りつぶして行く。T=0で0回目のY方向スキャンが終わると、ビーム位置は1度に照射された場合の隣のビームの位置の1AU-X方向へずれた所にあり、ここから1回目T=1のスキャンを開始する。ステージ移動速度は、1回のYスキャンが終わった時点でビーム位置が隣のビームの1AU-X方向へずれた所になるように制御される。Y方向上下のビームについても同様に描画が行われ、AU単位で全面を塗り潰すようにビームショットができる。これらのビームショットの各々を所望のパターンに合わせてビームON/ビームOFFのブランキング制御を行うことで様々なパターンが描画されることになる。かかる構成により、y方向分割による描画モードにおいて、描画速度は、不良ビームが無い場合より低下するものの、不良ビームの照射を防止できるので描画精度を低下させずに描画処理を行うことができる。図11は、実施の形態1におけるx方向分割による描画モードでのラスタースキャンの描画動作の一例を説明するための概念図である。図11では、例えば、x方向の8本のビームのうち、端部のビームが不良ビームである場合を示している。かかる場合の部分領域矩形領域44のx方向のビーム本数は7本となる。図10と同様、あるショットパターン36と、一度に照射されるx方向に隣り合うショットパターン36と、一度に照射されるy方向に隣り合うショットパターン36と、x方向に隣り合うショットパターン36と一度に照射されるy方向に隣り合うショットパターン36とによる、一度に照射される4つのショットパターン36により囲まれる領域を、例えば、x方向に7AU、y方向に8AUに分割した例を示している。図11において、ステージ移動方向をX方向とし、それと同方向のX方向および直行するY方向にビーム全体をスキャンするように制御する。この様子を同図の右側に概念的に矢印で図示している。また、アパーチャの開口穴位置四角穴の下にスキャン開始のタイミングを、T=0を基準として、T=-6~7で示している。図11は、T=0の時点で、各ビームがスキャンを開始する描画位置を模式的に表している。この例では、ステージのX方向ステージ移動に合わせてX方向およびY方向のスキャンを行うことで、ビームショットが相対的にY方向に移動しながら、全面を塗りつぶして行く。T=0で0回目のY方向スキャンが終わると、ビーム位置は一度に照射された場合の隣のビームの位置にあり、すでにその位置は一度に照射された場合の隣のビームによって照射されている。そのため、この時点で偏向器208により偏向することによって1AU-X方向へずれた所にスキャンする。そして、ここから1回目T=1のスキャンを開始する。ステージ移動速度は、1回のYスキャンが終わった時点でビーム位置が一度に照射された場合の隣のビーム位置になるように制御される。Y方向上下のビームについても同様に描画が行われ、AU単位で全面を塗り潰すようにビームショットができる。これらのビームショットの各々を所望のパターンに合わせてビームON/ビームOFFのブランキング制御を行うことで様々なパターンが描画されることになる。図12は、実施の形態1におけるx方向分割による描画モードでのラスタースキャンの描画動作の他の一例を説明するための概念図である。図12では、例えば、x方向の8本のビームのうち、端部のビームから1本内側のビームが不良ビームである場合を示している。かかる場合の部分領域矩形領域44のx方向のビーム本数は6本となる。図10と同様、あるショットパターン36と、一度に照射されるx方向に隣り合うショットパターン36と、一度に照射されるy方向に隣り合うショットパターン36と、x方向に隣り合うショットパターン36と一度に照射されるy方向に隣り合うショットパターン36とによる、一度に照射される4つのショットパターン36により囲まれる領域を、例えば、x方向に7AU、y方向に8AUに分割した例を示している。図12において、ステージ移動方向をX方向とし、それと同方向のX方向および直行するY方向にビーム全体をスキャンするように制御する。この様子を同図の右側に概念的に矢印で図示している。また、アパーチャの開口穴位置四角穴の下にスキャン開始のタイミングを、T=0を基準として、T=-5~6で示している。図12は、T=0の時点で、各ビームがスキャンを開始する描画位置を模式的に表している。この例では、ステージのX方向ステージ移動に合わせてX方向およびY方向のスキャンを行うことで、ビームショットが相対的にY方向に移動しながら、全面を塗りつぶして行く。T=0で0回目のY方向スキャンが終わると、ビーム位置は一度に照射された場合の隣のビームの位置の1AUx方向にずれた位置にある。そして、ここから1回目T=1のスキャンを開始する。ステージ移動速度は、1回のYスキャンが終わった時点でビーム位置が一度に照射された場合の隣のビーム位置の1AUx方向にずれた位置になるように制御される。Y方向上下のビームについても同様に描画が行われ、AU単位で全面を塗り潰すようにビームショットができる。これらのビームショットの各々を所望のパターンに合わせてビームON/ビームOFFのブランキング制御を行うことで様々なパターンが描画されることになる。図13は、実施の形態1におけるx方向分割による描画モードでのラスタースキャンの描画動作の他の一例を説明するための概念図である。図13では、例えば、x方向の8本のビームのうち、端部のビームから2本内側のビームが不良ビームである場合を示している。かかる場合の部分領域矩形領域44のx方向のビーム本数は5本となる。図10と同様、あるショットパターン36と、一度に照射されるx方向に隣り合うショットパターン36と、一度に照射されるy方向に隣り合うショットパターン36と、x方向に隣り合うショットパターン36と一度に照射されるy方向に隣り合うショットパターン36とによる、一度に照射される4つのショットパターン36により囲まれる領域を、例えば、x方向に7AU、y方向に8AUに分割した例を示している。図13において、ステージ移動方向をX方向とし、それと同方向のX方向および直行するY方向にビーム全体をスキャンするように制御する。この様子を同図の右側に概念的に矢印で図示している。また、アパーチャの開口穴位置四角穴の下にスキャン開始のタイミングを、T=0を基準として、T=-5~5で示している。図13は、T=0の時点で、各ビームがスキャンを開始する描画位置を模式的に表している。この例では、ステージのX方向ステージ移動に合わせてX方向およびY方向にスキャンを行うことで、ビームショットが相対的にY方向に移動しながら、全面を塗りつぶして行く。T=0で0回目のY方向スキャンが終わると、ビーム位置は一度に照射された場合の隣のビームの位置の2AUx方向にずれた位置にあり、すでにその位置は他のビームによって照射されている。そのため、この時点で偏向器208により偏向することによって1AU-X方向へずれた所にスキャンする。そして、ここから1回目T=1のスキャンを開始する。ステージ移動速度は、1回のYスキャンが終わった時点でビーム位置が一度に照射された場合の隣のビーム位置の2AUx方向にずれた位置になるように制御される。Y方向上下のビームについても同様に描画が行われ、AU単位で全面を塗り潰すようにビームショットができる。これらのビームショットの各々を所望のパターンに合わせてビームON/ビームOFFのブランキング制御を行うことで様々なパターンが描画されることになる。図14は、実施の形態1におけるx方向分割による描画モードでのラスタースキャンの描画動作の他の一例を説明するための概念図である。図14では、例えば、x方向の8本のビームのうち、端部のビームから3本内側のビームが不良ビームである場合を示している。かかる場合の部分領域矩形領域44のx方向のビーム本数は4本となる。図10と同様、あるショットパターン36と、一度に照射されるx方向に隣り合うショットパターン36と、一度に照射されるy方向に隣り合うショットパターン36と、x方向に隣り合うショットパターン36と一度に照射されるy方向に隣り合うショットパターン36とによる、一度に照射される4つのショットパターン36により囲まれる領域を、例えば、x方向に7AU、y方向に8AUに分割した例を示している。図14において、ステージ移動方向をX方向とし、それと同方向のX方向および直行するY方向にビーム全体をスキャンするように制御する。この様子を同図の右側に概念的に矢印で図示している。また、アパーチャの開口穴位置四角穴の下にスキャン開始のタイミングを、T=0を基準として、T=-5~7で示している。図14は、T=0の時点で、各ビームがスキャンを開始する描画位置を模式的に表している。この例では、ステージのX方向ステージ移動に合わせてX方向およびY方向にスキャンを行うことで、ビームショットが相対的にY方向に移動しながら、全面を塗りつぶして行く。T=0で0回目のY方向スキャンが終わると、ビーム位置は一度に照射された場合の隣のビームの位置の3AUx方向にずれた位置にある。そして、ここから1回目T=1のスキャンを開始する。ステージ移動速度は、1回のYスキャンが終わった時点でビーム位置が一度に照射された場合の隣のビーム位置の3AUx方向にずれた位置になるように制御される。Y方向上下のビームについても同様に描画が行われ、AU単位で全面を塗り潰すようにビームショットができる。これらのビームショットの各々を所望のパターンに合わせてビームON/ビームOFFのブランキング制御を行うことで様々なパターンが描画されることになる。以上のように、x方向分割による描画モードにおいて、描画速度は、不良ビームが無い場合より低下するものの、不良ビームの照射を回避できるので描画精度を低下させずに描画処理を行うことができる。以上のように、実施の形態1によれば、常時ビームONとなる不良ビーム或いは所定の照射時間で照射量が制御できない不良ビームの試料面へのビーム照射が抑制できる。また、かかる不良ビームを排除した部分領域矩形領域のマルチビームを使って描画できる。その結果、かかる不良ビームがあっても描画精度を落とさずに描画できる。実施の形態2.実施の形態1では、不良ビームを含む領域についてマルチビームの形成自体を遮蔽プレートで阻止したが、常時ビームONとなる不良ビーム或いは所定の照射時間で照射量が制御できない不良ビームを排除する手法は、これに限るものではない。図15は、実施の形態2における描画装置の構成を示す概念図である。図15において、遮蔽プレート212,214が、ブランキングプレート204と縮小レンズ205の間に配置される点以外は、図1と同様である。以下、特に説明する点以外の内容は、実施の形態1と同様である。実施の形態2では、マルチビーム遮蔽工程として、アパーチャ部材203の複数の穴22のうち、設定された部分領域矩形領域40或いは部分領域矩形領域44から外れた穴22を通過したことによって形成されたマルチビーム20を遮蔽プレート212,214で遮蔽する。遮蔽プレート212,214の移動の仕方等は図7,8で説明した内容と同様である。以上のように、実施の形態2によれば、常時ビームONとなる不良ビーム或いは所定の照射時間でビームOFFにできず照射量が制御できない不良ビームをビーム形成後に排除できる。また、かかる不良ビームを排除した部分領域矩形領域のマルチビームを使って描画できる。その結果、かかる不良ビームがあっても描画精度を落とさずに描画できる。実施の形態3.実施の形態1,2では、設定される部分領域が矩形である場合について説明したが、これに限るものではない。実施の形態3では、他の形状である場合について説明する。また、実施の形態2において、以下、特に説明する点以外は、実施の形態1或いは実施の形態2と同様である。図16は、実施の形態3におけるy方向分割による部分領域平行四辺形領域:第2の領域の一例を示す図である。図16では、例えば、縦y方向に512個、横x方向に8個の穴22が、縦方向y方向に1段ずれるごとに横方向x方向に例えば寸法aだけずれて配置されたアパーチャ部材203の例を示している。例えば、縦方向y方向1段目の列と、2段目の列の穴同士が、横方向x方向に寸法aだけずれて配置される。また、縦方向y方向2段目の列と、3段目の列の穴同士が、横方向x方向に寸法bだけずれて配置されるように各段によってずれ幅を変更させてもよい。このように、アパーチャ部材203の穴22全体を含む領域が平行四辺形になっている。図16の例では、アパーチャ部材203自体の形状が平行四辺形で示されているが、矩形であっても構わない。図16では、例えば、左端からx方向に6列目および上端から-y方向に4段目の穴23が不良ビームを形成する穴22としている。かかる場合に、y方向分割により、不良ビームを除いて部分領域平行四辺形領域を設定するには、図16に示すように、x方向に全列、そして上端から-y方向に5段目から下端までの複数の穴22が含まれる部分領域平行四辺形領域41と、x方向に全列、そして上端から-y方向に3段目までの複数の穴22が含まれる部分領域平行四辺形領域43と、の2つの部分領域平行四辺形を想定できる。部分領域平行四辺形領域41と部分領域平行四辺形領域43とでは、部分領域平行四辺形領域41の方が、より多くの穴22が含まれるのでy方向分割による場合には、部分領域平行四辺形領域41を選択する。図17は、実施の形態3における遮蔽プレートの構成とy方向分割による遮蔽方法を示す概念図である。図17では、y方向分割により部分領域平行四辺形領域41を設定した場合を示している。図17において、アパーチャ部材203の穴22の配置形状に合わせて平行四辺形に形成された可動式の複数の遮蔽プレート213,215遮蔽部材、第1と第2の板状部材の一例が駆動部137によって、設定された部分領域平行四辺形領域41から外れたアパーチャ部材203の穴22を上方から覆う。ここでは、遮蔽プレート213が例えば-y方向に移動して部分領域平行四辺形領域41から外れたすべての穴22を覆う。図18は、実施の形態3におけるx方向分割による部分領域平行四辺形領域:第2の領域の一例を示す図である。図18では、図16と同様、例えば、縦y方向に512個、横x方向に8個の穴22が、縦方向y方向に1段ずれるごとに横方向x方向に例えば寸法aだけずれて配置されたアパーチャ部材203の例を示している。図18では、図16と同様、例えば、左端からx方向に6列目および上端から-y方向に4段目の穴23が不良ビームを形成する穴22としている。かかる場合に、x方向分割により、不良ビームを除いて部分領域平行四辺形領域を設定するには、図17に示すように、y方向に全列、そして左端からx方向に5列目までの複数の穴22が含まれる部分領域平行四辺形領域45と、y方向に全列、そして左端からx方向に7列目から右端までの複数の穴22が含まれる部分領域平行四辺形領域47と、の2つの部分領域平行四辺形領域を想定できる。部分領域平行四辺形領域45と部分領域平行四辺形領域47とでは、部分領域平行四辺形領域45の方が、より多くの穴22が含まれるのでx方向分割による場合には、部分領域平行四辺形領域45を選択する。図19は、実施の形態3における遮蔽プレートの構成とx方向分割による遮蔽方法を示す概念図である。図19では、x方向分割により部分領域平行四辺形領域45を設定した場合を示している。図19において、今度は、アパーチャ部材203の穴22の配置形状に合わせて平行四辺形に形成された可動式の遮蔽プレート215が例えば-x方向に移動して駆動部137によって、設定された部分領域平行四辺形領域45から外れたアパーチャ部材203の穴22を上方から覆う。図20は、実施の形態3におけるx方向分割による部分領域稲妻形領域:第2の領域の一例を示す図である。図20では、例えば、縦y方向に512個、横x方向に8個の穴22が、縦方向y方向に所定の段数だけ1段ずれるごとに横方向x方向に例えば寸法aだけずれて配置され、所定の段数になると、次の段が、1段目と同じx方向の位置に戻り、その段から再度、所定の段数だけ1段ずれるごとに横方向x方向に例えば寸法aだけずれて配置されることを繰り返すようにして配置されたアパーチャ部材203の例を示している。例えば、図20の例では、例えば、縦方向y方向に1~4段目まで、各段の列と、その次の段の列の穴同士が、横方向x方向に寸法aだけずれて配置される。そして、5~8段目まで、9~12段目まで、といった縦方向y方向に4段毎に、1~4段目までのx方向位置と同様に配置される。ここでは、x方向のずれ量が4段で隣りの穴の位置になるように配置される。図20では、例えば、左端からx方向に6列目および上端から-y方向に4段目の穴23が不良ビームを形成する穴22としている。かかる場合に、x方向分割により、不良ビームを除いて部分領域を設定するには、図20に示すように、下端からy方向に4段目まで、そして左端からx方向に5列目までの複数の穴22が含まれる小分領域平行四辺形領域47aと、y方向に5~8段目まで、そして左端からx方向に5列目までの複数の穴22が含まれる小部分領域平行四辺形領域47bと、、上端から-y方向に8~5段目まで、そして左端からx方向に5列目までの複数の穴22が含まれる小部分領域平行四辺形領域47cと、上端から-y方向に4~1段目まで、そして左端からx方向に5列目までの複数の穴22が含まれる小部分領域平行四辺形領域47dと、を組み合わせた部分領域稲妻形領域48と、下端からy方向に4段目まで、そして左端からx方向に7列目から右端までの複数の穴22が含まれる小分領域平行四辺形領域49aと、y方向に5~8段目まで、そして左端からx方向に7列目から右端までの複数の穴22が含まれる小部分領域平行四辺形領域49bと、、上端から-y方向に8~5段目まで、そして左端からx方向に7列目から右端までの複数の穴22が含まれる小部分領域平行四辺形領域49cと、上端から-y方向に4~1段目まで、そして左端からx方向に7列目から右端までの複数の穴22が含まれる小部分領域平行四辺形領域49dと、を組み合わせた部分領域稲妻形領域70と、の2つの部分領域稲妻形領域を想定できる。言い換えれば、x方向分割においては、不良ビーム23が存在するx方向列目を除くように、複数の小部分領域平行四辺形領域を構成し、複数の小部分領域平行四辺形領域をy方向に組み合わせることで部分領域稲妻形領域48,70を構成する。部分領域稲妻形領域49と部分領域稲妻形領域70とでは、部分領域稲妻形領域49の方が、より多くの穴22が含まれるのでx方向分割による場合には、部分領域稲妻形領域49を選択する。このように、x方向m1本×y方向n1本のビーム形成穴22が含まれるように構成される平行四辺形領域がy方向に繰り返し配置されることにより構成される多角形領域例えば、稲妻領域を部分領域として設定してもよい。図21は、実施の形態3における遮蔽プレートの構成とx方向分割による遮蔽方法を示す概念図である。図21では、x方向分割により部分領域稲妻形領域70を設定した場合を示している。図21において、矩形の可動式の遮蔽プレート217が例えば-x方向に移動して駆動部137によって、設定された部分領域稲妻形領域70から外れたアパーチャ部材203の穴22を上方から覆う。なお、矩形の遮蔽プレート217を用いた場合には、稲妻形領域の部分領域70から外れたすべての穴22を覆うことができない場合もあり得る。その場合には、部分領域70から外れた複数の穴22のうち、できるだけ多くの穴22を覆うようにする。そして、部分領域70から外れた複数の穴22のうち、遮蔽プレート217で覆えなかった残りの穴22は、ビームOFFに制御すればよい。ここでは、遮蔽プレート217で少なくとも不良ビームの穴23を遮蔽できればよい。また、稲妻形領域の部分領域70を設定する際には、その形状に合わせた遮蔽プレートを用いることが望ましいことは言うまでもない。以上のように、ビーム配置アパーチャ部材203の複数の穴22の配置がxy方向に直行していない場合には、部分領域はその配置に応じた形状とすればよい。実施の形態4.実施の形態3では、ビーム配置アパーチャ部材203の複数の穴22の配置がxy方向に直行していない場合に、矩形以外の部分領域を設定する場合について説明したが、これに限るものではない。実施の形態4では、ビーム配置アパーチャ部材203の複数の穴22の配置がxy方向に直行していない場合でも、矩形の部分領域を設定する場合について説明する。実施の形態4において、以下、特に説明する点以外は、実施の形態1或いは実施の形態2と同様である。図22は、実施の形態4におけるy方向分割による部分領域矩形領域:第2の領域の一例を示す図である。図4では、図20と同様、例えば、縦y方向に512個、横x方向に8個の穴22が、縦方向y方向に所定の段数だけ1段ずれるごとに横方向x方向に例えば寸法aだけずれて配置され、所定の段数になると、次の段が、1段目と同じx方向の位置に戻り、その段から再度、所定の段数だけ1段ずれるごとに横方向x方向に例えば寸法aだけずれて配置されることを繰り返すようにして配置されたアパーチャ部材203の例を示している。例えば、図22の例では、例えば、縦方向y方向に1~4段目まで、各段の列とその次の段の列の穴同士が、横方向x方向に寸法aだけずれて配置される。そして、5~8段目まで、9~12段目まで、といった縦方向y方向に4段毎に、1~4段目までのx方向位置と同様に配置される。ここでは、x方向のずれ量が4段で隣りの穴の位置になるように配置される。図22では、例えば、左端からx方向に6列目および上端から-y方向に4段目の穴23が不良ビームを形成する穴22としている。かかる場合に、y方向分割により、不良ビームを除いて部分領域平行四辺形領域を設定するには、図22に示すように、x方向に全列、そして上端から-y方向に5段目から下端までの複数の穴22が含まれる部分領域矩形領域72と、x方向に全列、そして上端から-y方向に3段目までの複数の穴22が含まれる部分領域矩形領域74と、の2つの部分領域平行四辺形を想定できる。部分領域矩形領域72と部分領域矩形領域74とでは、部分領域矩形領域72の方が、より多くの穴22が含まれるのでy方向分割による場合には、部分領域矩形領域72を選択する。言い換えれば、y方向分割においては、不良ビーム23が存在するy方向段目を除くように、部分領域矩形領域72,62を構成し、その内のより多くの穴22が含まれる部分領域矩形領域72を選択する。以上のように、ビーム配置アパーチャ部材203の複数の穴22の配置がxy方向に直行していない場合でも、部分領域は矩形にできる。設定される部分領域が矩形であれば、実施の形態1で説明した矩形の遮蔽部分をもつ遮蔽プレート212,214で実施の形態1と同様に遮蔽すればよい。以上のように、上述した各実施の形態において、y方向分割においては、不良ビーム23が存在するy方向段目を除くように、x方向分割においては、不良ビーム23が存在するx方向列目を除くように、複数の部分領域を構成し、その内のより多くの穴22が含まれる部分領域を選択すればよい。以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。上述したラスタースキャン動作は一例であって、マルチビームを用いたラスタースキャン動作その他の動作方法であってもよい。また、遮蔽プレート212,214は、上述した例に限定するものではない。マルチビームの各位置との対応関係を制御することで、縮小レンズ205から試料101の間に配置してもよい。また、上述した例では、2つの遮蔽プレート212,214で部分領域矩形領域から外れた穴22を遮蔽したが、これに限るものではなく、1つの遮蔽プレートで遮蔽してもよい。また、遮蔽プレートの形状もL字型に限るものではなく、四角形でも構わない。或いはその他の形状でも構わない。部分領域矩形領域から外れた、少なくとも不良ビームを含む穴22を遮蔽できればどのような形状でも構わない。また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置100を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全てのマルチ荷電粒子ビーム描画装置及び方法は、本発明の範囲に包含される。"