"絶縁体基板と、それぞれ予め定められた間隔に相互分離された第1及び第2領域を有し前記絶縁体基板の両面に覆われた第1及び第2金属層と、前記第1及び第2金属層の第1領域を相互連結するよう前記絶縁体基板の厚さ方向に形成された第1電気連結部と、前記第1及び第2金属層の第2領域を相互連結するよう前記絶縁体基板の厚さ方向に形成された第2電気連結部と、前記第1金属層に装着され前記第1金属層の第1及び第2領域と電気的に連結された発光ダイオードチップと、前記発光ダイオードチップの周りに空間を形成するよう前記第1金属層に付着された壁部と、前記発光ダイオードチップを封止するよう前記壁部の空間に提供された透明封止体と、前記第2金属層に装着され、前記発光ダイオードチップを電気的異常から保護するよう前記第2金属層の第1及び第2領域と電気的に連結された保護素子と、前記保護素子を封止するよう前記第2金属層に付着された封止体とを含むことを特徴とする側面型発光ダイオード。前記壁部と前記第1金属層との間に介在された接着層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の側面型発光ダイオード。前記壁部は前記第1金属層の表面に射出成形された樹脂からなることを特徴とする請求項1に記載の側面型発光ダイオード。前記保護素子の周りに空間を形成すると共に前記第2金属層に積層された絶縁体の第2基板をさらに含み、前記封止体は前記保護素子を封止するよう前記第2基板の空間に提供されたことを特徴とする請求項1に記載の側面型発光ダイオード。前記第2基板と前記第2金属層との間に介在された接着層をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の側面型発光ダイオード。前記第1または第2連結部は円筒を長さ方向に切った形態で、円筒内面に該当する部分が外部に露出されたことを特徴とする請求項1に記載の側面型発光ダイオード。前記保護素子の封止体は透明、半透明または不透明樹脂からなることを特徴とする請求項1に記載の側面型発光ダイオード。前記第1または第2連結部はビア形態であることを特徴とする請求項1に記載の側面型発光ダイオード。前記第1または第2連結部は金属粉末の充填と後続の焼結またはリフローにより形成されたことを特徴とする請求項8に記載の側面型発光ダイオード。前記第1及び第2金属層は外部電源を前記発光ダイオードチップに供給するよう少なくとも一部が外部に露出されたことを特徴とする請求項1に記載の側面型発光ダイオード。本発明は前述の従来技術の問題を解決するため案出されたものとして、本発明の目的は基板の両面に金属層を形成しその上にLEDチップと保護素子をそれぞれ配置することにより、保護素子による光吸収を防止して発光効率を高めLEDチップと保護素子の同一空間配置による作業性低下を克服できる側面型LEDを提供することにある。前述の本発明の目的を達成するため本発明は、側面型発光ダイオードを提供し、本発明の側面型発光ダイオードは絶縁体基板と、それぞれ予め定められた間隔に相互分離された第1及び第2領域を有し上記絶縁体基板の両面に覆われた第1及び第2金属層と、上記第1及び第2金属層の第1領域を相互連結するよう上記絶縁体基板の厚さ方向に形成された第1電気連結部と、上記第1及び第2金属層の第2領域を相互連結するよう上記絶縁体基板の厚さ方向に形成された第2電気連結部と、上記第1金属層に装着され上記第1金属層の第1及び第2領域と電気的に連結された発光ダイオードチップと、上記発光ダイオードチップの周りに空間を形成するよう上記第1金属層に付着された壁部と、上記発光ダイオードチップを封止するよう上記壁部の空間に提供された透明封止体と、上記第2金属層に装着され、上記発光ダイオードチップを電気的異常から保護するよう上記第2金属層の第1及び第2領域と電気的に連結された保護素子と、上記保護素子を封止するよう上記第2金属層に付着された封止体とを含むことを特徴とする。本発明の側面型LEDにおいて、上記壁部と上記第1金属層との間に介在された接着層をさらに含むことを特徴とする。本発明の側面型LEDにおいて、上記壁部は上記第1金属層の表面に射出成形された樹脂からなることを特徴とする。本発明の側面型LEDにおいて、上記保護素子の周りに空間を形成しながら上記第2金属層に積層された絶縁体の第2基板をさらに含み、上記封止体は上記保護素子を封止するよう上記第2基板の空間に提供されることを特徴とする。この際、上記第2基板と上記第2金属層との間に介在された接着層をさらに含むことが出来る。本発明の側面型LEDにおいて、上記第1または第2連結部は円筒を長さ方向に切った形態で、円筒内面に該当する部分が外部に露出されることを特徴とする。本発明の側面型LEDにおいて、上記保護素子の封止体は透明、半透明または不透明樹脂からなることを特徴とする。また、本発明の側面型LEDにおいて、上記第1または第2連結部はビア形態であることを特徴とし、上記第1または第2連結部は金属粉末の充填と後続きの焼結またはリフローによって形成され得る。また、本発明の側面型LEDにおいて、上記第1及び第2金属層は外部電源を上記発光ダイオードチップに供給するよう少なくとも一部が外部に露出されたことを特徴とする。本発明のLEDによると、第1金属層が反射器の役割をするのでLEDチップから発生した光を効果的に放出することが出来る。尚、保護素子がLEDチップの反対側に配置されるため、光吸収が無く発光効率を高めることが出来る。また、保護素子をLEDチップとは異なる空間に配置すると作業の複雑性が低減され製造が容易になる。尚、幾重の基板を使用してLEDを製造するため樹脂成形に比べ製造工程が容易になり、大量生産が可能である。以下図4と図5を参照に本発明の実施例による側面型LEDに対して説明する。これら図面において、図4は本発明の実施例による側面型LEDの正面図で、図5は図4の5-5線に沿って切った断面図で、図6は図4の6-6線に沿って切った断面図である。本発明の実施例による側面型LED100は3層構造を有する。即ち中間層には第1基板110があり、第1基板110の上側には壁部120と透明封止体130があり、第1基板の下側には第2基板140と封止体150がある。第1基板110は絶縁体からなり、両面に第1及び第2金属層112、114がコーティングされている。第1金属層112は間隔116により相互分離され、図面左側の第1領域112aと右側の第2領域112bを形成している。また、第2金属層114は間隔116により分離され、図面の左側の第1領域114aと右側の第2領域114bを形成している。第1及び第2金属層112、114の第1領域112a、114aを相互連結するよう第1基板110の予め定められた位置には厚さ方向に電気連結部118が形成されている。また、第1及び第2金属層112、114の第2領域112b、114bもまた電気連結部118により同一に連結される。これら電気連結部118は第1基板110に通孔を開けた後その中に伝導体、例えば金属粉末を満たしリフローまたは焼結するかメッキを通じて形成したものである。一方、図6に図示した通り、第1及び第2金属層112、114は第1基板110と共に側面型LED100の側面まで延長され外部に露出される。従って、本発明のLED100を図1のように装着すると、例えば第1及び第2金属層112、114の第1領域112a、114aは入力端子になり、これらの第2領域112b、114bは出力端子となってバックライト装置基板52に形成された配線と連結され得る。勿論、その逆も可能である。第1金属層112にはLEDチップ102が装着されワイヤ104によって第1金属層の第1及び第2領域112a,112bと電気的に連結される。壁部120はLEDチップ102の周りに空間122を形成するよう配置され、この空間122には透明樹脂からなっている封止体130が提供されLEDチップ102を封止する。壁部120は第1基板110のように絶縁体基板に空間122となる孔を開け、これを第1金属層112に接着剤で結合して形成する。これとは異なり、樹脂を第1金属層112に射出成形して壁部120を形成することが出来る。どの場合であれ、壁部120は好ましくは不透明な材料で作り、さらに好ましくは反射率の高い材料で作る。勿論、壁部120を透明な材料で作り空間122側の内壁に不透明であるか反射率の高い材料を塗布またはコーティングすることも出来る。透明封止体130は多様な樹脂で形成することが出来る。例えば、エポキシまたはシリコンを使用することが可能で、LEDチップ102から発生する紫外線を吸収する紫外線吸収剤または単色光を白色光に変換させる蛍光物質などを含有することが出来る。LEDチップ102の反対側、即ち第2金属層114には保護素子106が装着され、ワイヤ108によって第2金属層114の第2領域114bと連結される。この際、保護素子106の他の電極は第2金属層114の第1領域114aと直接連結されている。このように、保護素子106はLEDチップ102と並列連結され、LEDチップ102を電気的異常即ち静電気、逆電圧及び過電圧から保護する。一方、保護素子106の例としてツェナーダイオードのような定電圧ダイオードがある。第2基板140は保護素子106の周りに空間が形成されるよう第2金属層114に付着され、第2基板140の空間には保護素子106を封止するよう樹脂が満たされ封止体150を形成する。封止体150は前述の透明封止体130とは異なり必ずしも透明である必要はない。このように構成すると、第1金属層112が反射器の役割をするので、LEDチップ102から発生した光を効果的に放出することが出来る。尚、保護素子106がLEDチップ102の反対側に配置されるため、光吸収が無く発光効率を高めることが出来る。また、保護素子106をLEDチップ102と異なる空間に配置すると作業の複雑性が軽減され製造が容易になる。また、幾重の基板を使用してLEDを製造するので樹脂成形に比べ製造工程が容易になり、大量生産が可能となる。以下、図7と図8を参照に本発明の実施例による側面型LEDの製造工程を説明する。先ず、図7のに図示した通り、両面に金属層112,114が形成された絶縁体からなっている第1基板110を準備する。勿論、絶縁体基板の両面に第1及び第2金属層を形成してこの構造を得ることも可能である。次いで、図7のに図示した通り、予め定められた位置に第1及び第2金属層112、114と第1基板110を貫通する通孔117を開ける。穿孔はドリルまたはパンチング等を通じ行われ得る。次いで、通孔117の間の予め定められた位置から第1及び第2金属層112、114のみを部分的に除去して間隔116を形成する。除去作業は好ましくは蝕刻により遂行される。一方、穿孔作業と間隔形成作業はその手順を変えることが出来る。次に、通孔117に金属粉末を満たしリフローまたは焼結などを通じ第1金属層112の左側部分、即ち第1金属層の第1領域112aと第2金属層114の左側部分、即ち第2金属層の第2領域114aを相互連結する電気連結部118を形成し、第1金属層の第2領域112bと第2金属層の第2領域114bもまた電気連結部118を形成して相互連結する。その後、図7のに図示した通り、予め定められた厚さの第2絶縁体基板140に予め定められた大きさの孔142を開けた後、第1基板110に矢印方向で付着する。この際、第2基板140とくっつき合うこととなる第2金属層の第1及び第2領域114a、114bには予め接着剤を塗って第1及び第2基板110、140を円滑に結合されるようにする。次に、図8のに図示した通り、予め定められた大きさと形態の孔が開けられた基板を準備するか、基板に予め定められた大きさと形態の孔を開けた後これを第1金属層112a、112bの上に付着する。付着された基板は空間122を有する壁部120を形成する。勿論、基板の底面には予め接着剤を塗って第1金属層112a、112bに効果的に結合されるようにする。これとは異なって、樹脂を射出して壁部120を形成することも出来る。どの場合であれ、壁部120は好ましくは不透明な樹脂、さらに好ましくは反射率が高い樹脂で作る。次いで、図8のに図示した通り、壁部120の空間122内の第1金属層の第1領域112aにLEDチップ102を装着させ、ワイヤ104で第1金属層の第1及び第2領域112a、112bに連結する。その後、第2基板140の空間142内の第2金属層の第1領域114aに保護素子106を装着し、ワイヤ104で第2金属層の第2領域114bに連結する。一方、保護素子106の他の電極は直接第2金属層の第1領域114aと連結される。このようにすると、保護素子106がLEDチップ102の反対側に並列連結される。勿論、LEDチップ102と保護素子106を装着する手順は相互変えても良い。また、LEDチップ102をフリップチップタイプで第1金属層の第1及び第2領域112a、112bに連結することも出来る。その後、図8のに図示した通り、壁部120の空間122内に透明な樹脂を注いで硬化させ、LEDチップ102を封止する透明封止体130を形成する。透明封止体130の材料には透明なシリコンまたはエポキシがある。また、第2基板140の空間142内に樹脂を注いで硬化させ、保護素子106を封止する封止体150を形成する。封止体150は透明封止体130とは異なり、透明、不透明、半透明などの様々な樹脂を使用することが出来る。この状態で図8の構造を切断線に沿って切ると図5に図示したような単位LED100が得られる。以下、図9を参照に本発明の他の実施例による側面型LEDに対して説明する。ここで、図9は本実施例の側面型LED100-1の図5に対応する断面図である。図9に図示した側面型LED100-1は、第1金属層の第1領域112aと第2金属層の第1領域114aがビア形態の電気連結部の変わりに14円筒形態の電気連結部118-1により相互連結され、電気連結部118-1の外側には14円筒形態の溝119が形成された点を除いては前述の側面型LED100と実質的に同一である。従って、同一であるか対応する構成要素には同一図面符号を付与しており、その説明は省略する。電気連結部118-1と溝119の機能をみてみると次の通りである。即ち、側面型LED100-1はバックライトに使用される時、図1のような形態で装着される。一方、ここで孔117は電気連結部118-1と溝119を形成する領域に該当する。この際、メッキ、蒸着などを通じ孔117の内壁に金属層を形成することにより、電気連結部118-1を得ることが出来る。このようにすると、電気連結部118-1と溝119は底面に結合されるバックライト基板52に向かうこととなり、電気連結部118-1の付近でソルダリングを行うことにより、第1領域112a、114aまたは第2領域112b、114bはバックライト基板52の配線に連結される。このようにすると、溝119はソルダリングから生じるソルダの一部を収容することにより、LED100-1とバックライト基板52との間の結合力を向上させることが出来る。これは本実施例によるLED100-1に固有の特徴及び長所である。また、本実施例のLED100-1はこれを除いては前述のLED100と実質的に同一構成であるため、前述のLED100の長所と効果もまた有する。以下、LED100-1の製造工程を図10と11及び12を参照に説明する。先ず、図10のに図示した通り、両面に金属層112、114が形成された絶縁体からなる第1基板110を準備する。勿論、絶縁体基板の両面に第1及び第2金属層を形成してこの構造を得ることも出来る。次に、図10のに図示した通り、予め定められた位置に第1及び第2金属層112、114と第1基板110を貫通する孔117を開ける。穿孔はドリルまたはパンチング等を通じ行われることができ、後続の蒸着またはメッキ作業のために充分大きい直径で開ける。次いで、孔117の間の予め定められた位置で第1及び第2金属層112、114のみを部分的に除去して間隔116を形成する。除去作業は好ましくは蝕刻により遂行される。このように、孔117と間隔116が形成された基板を上から見た形態は図12に図示される。図12において、便宜上最終LED100-1の領域を太い線で示しており、LEDチップ102の位置を点線で表示した。一方、穿孔作業と間隔形成作業はその手順を変えることが出来る。次いで、図10のに図示した通り、蒸着またはメッキを通じ孔117の内壁に金属層を形成して円筒形の電気連結部118-1を形成する。以下の段階で孔117の表示は119に代替する。第1金属層112の左側部分、即ち第1金属層の第1領域112aと、第2金属層114の左側部分、即ち第2金属層の第2領域114aは、電気連結部118-1で相互連結され、第1金属層の第2領域112bと第2金属層の第2領域114bもまた電気連結部118-1により相互連結される。その後、予め定められた厚さの第2絶縁体基板140に予め定められた大きさの孔142を開けた後、第2基板140を矢印方向に第1基板110に付着する。この際、第2基板140とくっつき合うこととなる第2金属層の第1及び第2領域114a、114bには予め接着剤を塗って第1及び第2基板110、140が円滑に結合されるようにする。次いで、予め定められた大きさと形態の孔が開けられた基板を準備するか、または基板に予め定められた大きさと形態の孔を開けた後、これを矢印方向に第1金属層112a、112bの上に付着する。付着された基板は空間122を有する壁部120を形成する。勿論、基板の底面には予め接着剤を塗って第1金属層112a、112bに効果的に結合されるようにする。これとは異なり、樹脂を射出して壁部120を形成することも出来る。ここで、第2基板140の付着作業と壁部120の形成作業は、その手順を相互変えても構わない。このように第2基板140が付着され壁部120が形成された構成が図11のに図示される。一方、後続の図11のの作業段階は前述の図8の段階と実質的に同一である。次の図11のの段階もまた透明封止体130と封止体150を形成する部分では前述の図8と実質的に同一である。但し、得られた構造を切断線に沿って切ると、円筒形の連結部118が図12のように4個に分離され、図9の14円筒形態の連結部118-1を得られることが異なる。以下、図13を参照に本発明のまた異なる実施例による側面型LEDを説明する。図13に図示した側面型LED200は保護素子206を封止する封止体250が第2金属層214a、214bの全体表面に形成されたことを除いては前述の側面型LED100と実質的に同一である。従って、同一であるか対応する構成要素には100ずつ増加した図面符号を付与しており、その説明は省略する。封止体250は透明、不透明または半透明樹脂で射出成形して形成することができ、図13の形状とは異なり保護素子206とワイヤ208のみを封止するようドーム、半球または半楕円体の形態に形成することが出来る。次いで、LED200の製造工程を図14と15を参照して説明する。先ず、図14のとの作業段階は前述の図7と7の作業段階と実質的に同一である。次に、図14のに図示した通り、予め定められた大きさと形態の孔が開けられた基板を準備するか、または基板に予め定められた大きさと形態の孔を開けた後、これを矢印方向に第1金属層212a、212bの上に付着する。付着された基板は空間222を有する壁部220を形成する。勿論、基板の底面には予め接着剤を塗って第1金属層212a、212bに効果的に結合されるようにする。これとは異なり、樹脂を射出して壁部220を形成することも出来る。その後、図15のに図示した通り、壁部220の空間222内の第1金属層の第1領域212aにLEDチップ202を装着し、ワイヤ204で第1金属層の第1及び第2領域212a、212bに連結する。その後、LEDチップ202の反対側にある第2金属層の第1領域214aに保護素子206を装着し、ワイヤ208で第2金属層の第2領域214bに連結する。一方、保護素子206の他の電極は直接第2金属層の第1領域214aと連結される。このようにすると、保護素子206がLEDチップ202の反対側に並列連結される。勿論、LEDチップ202と保護素子206を装着する手順は相互変えても良い。また、LEDチップ202をフリップチップタイプで第1金属層の第1及び第2領域212a、212bに連結することも出来る。図15のに図示した通り、壁部220の空間222内に透明な樹脂を注いで硬化させ、LEDチップ202を封止する透明封止体230を形成する。透明封止体230の材料としては透明なシリコンまたはエポキシがある。また、モールドを用いた射出成形を実施して保護素子206を封止する封止体250を形成する。封止体250は透明封止体230とは異なり、透明、不透明、半透明などの様々な樹脂を使用することが出来る。また、図示した形態とは異なり保護素子206とワイヤ208のみを封止するようドーム、半球または半楕円体形態に形成することが出来る。この状態で図15の構造を切断線に沿って切ると図13に図示したような単位LED200が得られる。上記では本発明の好ましい実施例を参照に説明したが、該当技術分野における通常の知識を有している者であれば、特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から外れない範囲内で本発明を様々に修正及び変更できることが分かる。"