"基板1上にアルミニウムと窒素と酸素とを少なくとも含有するAlNOバッファ層2を形成する工程と、前記AlNOバッファ層2上に窒化物半導体層3,4,5,6,7,8を形成する工程と、を含み、前記AlNOバッファ層2を形成する工程において、前記AlNOバッファ層2は、窒素ガスと酸素ガスとを連続的に導入して排気する雰囲気中においてアルミニウムをターゲット26とした反応性スパッタ法で形成され、前記雰囲気は、前記窒素ガスの流量と前記酸素ガスの流量の合計に対する前記酸素ガスの流量の比が0.5以下の雰囲気であることを特徴とする、窒化物半導体素子100の製造方法。前記AlNOバッファ層2を形成する工程において、前記AlNOバッファ層2は、前記AlNOバッファ層2の酸素濃度が1原子以上10原子以下となるように形成されることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体素子100の製造方法。前記AlNOバッファ層2を形成する工程において、前記AlNOバッファ層2は、前記AlNOバッファ層2の酸素濃度が前記AlNOバッファ層2中で均一となるように形成されることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体素子100の製造方法。前記AlNOバッファ層2を形成する工程において、前記AlNOバッファ層2は、前記AlNOバッファ層2の波長450nmの光に対する屈折率が2以上2.1以下となるように形成されることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体素子100の製造方法。前記AlNOバッファ層2を形成する工程において、前記AlNOバッファ層2は、前記AlNOバッファ層2の膜厚が5nm以上100nm以下となるように形成されることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体素子100の製造方法。前記AlNOバッファ層2を形成する工程において、前記AlNOバッファ層2は、前記基板1の表面の90以上を覆うように形成されることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体素子100の製造方法。前記AlNOバッファ層2を形成する工程において、前記AlNOバッファ層2は、前記基板1の温度が300°C以上1000°C以下の温度で形成されることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体素子100の製造方法。前記AlNOバッファ層2を形成する工程において、前記AlNOバッファ層2の形成直前の雰囲気の圧力が1×104Pa以下であることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体素子100の製造方法。前記AlNOバッファ層2を形成する工程に先立って、スパッタ装置のチャンバ内のダミー放電を行なう工程をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体素子100の製造方法。前記AlNOバッファ層2を形成する工程において、前記AlNOバッファ層2は、0.2Pa以上の雰囲気の圧力下で形成されることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体素子100の製造方法。前記AlNOバッファ層2を形成する工程において、前記AlNOバッファ層2は、0.01nm/秒以上1nm/秒以下の形成速度で形成されることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体素子100の製造方法。前記基板1はサファイア基板を含み、前記窒化物半導体層3,4,5,6,7,8は、n型窒化物半導体層4,5と、窒化物半導体活性層6と、p型窒化物半導体層7,8と、を含むことを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体素子100の製造方法。前記AlNOバッファ層2を形成する工程において、前記反応性スパッタ法は100mm以上250mm以下の距離に配置された前記基板1と前記ターゲット26との間にDC-continuous方式により電圧を印加して行なわれるDCマグネトロンスパッタ法により行なわれることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体素子100の製造方法。前記AlNOバッファ層2を形成する工程において、前記ターゲット26は前記基板1の表面に対して傾けて配置されていることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体素子100の製造方法。請求項1に記載の窒化物半導体素子100の製造方法により製造された、窒化物半導体発光素子100。請求項15に記載の窒化物半導体発光素子100を含む、発光装置200。上記の特許文献3~6に記載の各種スパッタ法により、主にAlNから成るバッファ層以下、AlNバッファ層を形成した場合には、スパッタ装置のチャンバの内壁に付着した水分などの酸素含有物がスパッタによって内壁から叩きだされ、成膜中のAlNバッファ層に酸素が不可避的に混入する。また、チャンバに残存する酸素含有物の量も経時的に変化するため、スパッタ中にチャンバの内壁から叩きだされる酸素含有物の量も変化し、その結果、バッファ層中の酸素含有量が安定しない、つまりバッファ層の結晶性の再現性に乏しいという問題があった。バッファ層の結晶性の再現性に乏しい場合には、バッファ層上に形成される窒化物半導体層の結晶性の再現性も乏しくなる。また、特許文献6に記載されているように、バッファ層の形成に先立って、チャンバ内において16回のダミー放電を繰り返した場合には、ダミー放電に要する処理時間が長くなるため、バッファ層上の窒化物半導体層および窒化物半導体素子を効率的に製造することができないという問題があった。上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、優れた結晶性を有する窒化物半導体層を再現性良く形成して優れた特性を有する窒化物半導体素子を効率良く製造することができる窒化物半導体素子の製造方法を提供することにある。本発明は、基板上にアルミニウムと窒素と酸素とを少なくとも含有するAlNOバッファ層を形成する工程と、AlNOバッファ層上に窒化物半導体層を形成する工程と、を含み、AlNOバッファ層を形成する工程において、AlNOバッファ層は、窒素ガスと酸素ガスとを連続的に導入して排気する雰囲気中においてアルミニウムをターゲットとした反応性スパッタ法で形成され、雰囲気は、窒素ガスの流量と酸素ガスの流量の合計に対する酸素ガスの流量の比が0.5以下の雰囲気である窒化物半導体素子の製造方法である。また、本発明の窒化物半導体素子の製造方法においては、AlNOバッファ層を形成する工程において、AlNOバッファ層は、AlNOバッファ層の酸素濃度が1原子以上10原子以下となるように形成されることが好ましい。また、本発明の窒化物半導体素子の製造方法においては、AlNOバッファ層を形成する工程において、AlNOバッファ層は、AlNOバッファ層の酸素濃度がAlNOバッファ層中で均一となるように形成されることが好ましい。また、本発明の窒化物半導体素子の製造方法においては、AlNOバッファ層を形成する工程において、AlNOバッファ層は、AlNOバッファ層の波長450nmの光に対する屈折率が2以上2.1以下となるように形成されることが好ましい。また、本発明の窒化物半導体素子の製造方法においては、AlNOバッファ層を形成する工程において、AlNOバッファ層は、AlNOバッファ層の膜厚が5nm以上100nm以下となるように形成されることが好ましい。また、本発明の窒化物半導体素子の製造方法においては、AlNOバッファ層を形成する工程において、AlNOバッファ層は、基板の表面の90以上を覆うように形成されることが好ましい。また、本発明の窒化物半導体素子の製造方法においては、AlNOバッファ層を形成する工程において、AlNOバッファ層は、基板の温度が300°C以上1000°C以下であることが好ましい。また、本発明の窒化物半導体素子の製造方法においては、AlNOバッファ層を形成する工程において、AlNOバッファ層の形成直前の雰囲気の圧力が1×104Pa以下であることが好ましい。また、本発明の窒化物半導体素子の製造方法においては、AlNOバッファ層を形成する工程に先立って、スパッタ装置のチャンバ内のダミー放電を行なう工程をさらに含むことが好ましい。また、本発明の窒化物半導体素子の製造方法においては、AlNOバッファ層を形成する工程において、AlNOバッファ層は、0.2Pa以上の雰囲気の圧力下で形成されることが好ましい。また、本発明の窒化物半導体素子の製造方法においては、AlNOバッファ層を形成する工程において、AlNOバッファ層は、0.01nm/秒以上1nm/秒以下の形成速度で形成されることが好ましい。また、本発明の窒化物半導体素子の製造方法においては、基板はサファイア基板を含み、窒化物半導体層は、n型窒化物半導体層と、窒化物半導体活性層と、p型窒化物半導体層と、を含むことが好ましい。また、本発明の窒化物半導体素子の製造方法においては、AlNOバッファ層を形成する工程において、反応性スパッタ法は100mm以上250mm以下の距離に配置された基板とターゲットとの間にDC-continuous方式により電圧を印加して行なわれるDCマグネトロンスパッタ法により行なわれることが好ましい。また、本発明の窒化物半導体素子の製造方法においては、AlNOバッファ層を形成する工程において、ターゲットは基板の表面に対して傾けて配置されていることが好ましい。また、本発明は、上記のいずれかに記載の窒化物半導体素子の製造方法により製造された窒化物半導体発光素子である。さらに、本発明は、上記の窒化物半導体発光素子を含む発光装置である。本発明によれば、反応性スパッタ法によってバッファ層を形成する際に積極的に酸素を導入することによって、そのバッファ層上に積層される窒化物半導体層の結晶性が向上する。その結果、優れた発光特性を有する窒化物半導体発光素子を製造することが可能となる。また、本発明によれば、バッファ層を形成する際に積極的に酸素を導入することによって、優れた結晶性を有するバッファ層を再現性良くかつ効率的に形成することができるため、そのバッファ層上に優れた結晶性を有する窒化物半導体層を再現性良くかつ効率的に形成することができる。その結果、優れた発光特性を有する窒化物半導体発光素子を再現性良くかつ効率的に製造することが可能となる。以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。<素子の構造>図1に、本発明の窒化物半導体素子の一例である実施の形態の窒化物半導体発光ダイオード素子の模式的な断面図を示す。ここで、実施の形態の窒化物半導体発光ダイオード素子100は、基板1と、基板1の表面に接して設置された酸素およびアルミニウムを含有する窒化物半導体以下酸窒化アルミニウムまたはAlNOという。バッファ層2と、AlNOバッファ層2の表面に接して設置された窒化物半導体下地層3と、窒化物半導体下地層3の表面に接して設置されたn型窒化物半導体コンタクト層4と、n型窒化物半導体コンタクト層4の表面に接して設置されたn型窒化物半導体クラッド層5と、n型窒化物半導体クラッド層5の表面に接して設置された窒化物半導体活性層6と、窒化物半導体活性層6の表面に接して設置されたp型窒化物半導体クラッド層7と、p型窒化物半導体クラッド層7の表面に接して設置されたp型窒化物半導体コンタクト層8と、p型窒化物半導体コンタクト層8の表面に接して設置された透光性電極層9と、を備えている。そして、n型窒化物半導体コンタクト層4の露出表面に接するようにしてn側電極11が設置されており、透光性電極層9の表面に接するようにしてp側電極10が設置されている。なお、AlNOバッファ層2は、酸素と窒素とアルミニウムとを含有するものであればよく、たとえば、Alx0Ga1x0Ny0O1y00<x0≦1、0<y0<1の式で表わされる窒化物半導体からなる窒化物半導体層を積層することができる。なかでも、基板1の表面成長面の法線方向に伸長する結晶粒の揃った柱状結晶の集合体からなる良好な結晶性のAlNOバッファ層2を得る観点からは、AlNy0O1y00<y0<1の式で表わされる窒化物半導体からなる窒化物半導体層をAlNOバッファ層2として積層することが好ましい。<素子の製法>以下、実施の形態の窒化物半導体発光ダイオード素子100の製造方法の一例について説明する。まず、図2の模式的断面図に示すように、基板1の表面上にAlNOバッファ層2を積層する。ここで、AlNOバッファ層2は、基板1とターゲットとの間にDC-continuous方式により電圧を印加して行なわれるDCマグネトロンスパッタ法によって形成される。なお、AlNOバッファ層2の形成方法は、DC-continuous方式により電圧を印加して行なわれるDCマグネトロンスパッタ法に限定されず、たとえば、RFスパッタ法、ECRスパッタ法またはその他の反応性スパッタ法を用いることができる。<基板>基板1としては、たとえば、a面、c面、m面またはr面などの露出面を有するサファイアAl2O3単結晶、スピネルMgAl2O4単結晶、ZnO単結晶、LiAlO2単結晶、LiGaO2単結晶、MgO単結晶、Si単結晶、SiC単結晶、GaAs単結晶、AlN単結晶、GaN単結晶またはZrB2などのホウ化物単結晶などからなる基板を用いることができる。なお、基板1の成長面の面方位は特に限定されるものではなく、ジャスト基板やオフ角を付与した基板などを適宜用いることができるが、なかでも、基板1としてサファイア単結晶からなるサファイア基板を用い、サファイア基板のc面上に後述するAlNOバッファ層2を形成した場合には、結晶粒の揃った柱状結晶の集合体からなる良好な結晶性のAlNOバッファ層2を積層することができる傾向が大きくなる点で好ましい。<基板の前処理>AlNOバッファ層2の積層前の基板1の成長面について前処理を行なってもよい。基板1の成長面の前処理の一例としては、シリコン基板に対してよく行なわれるものと同様のRCA洗浄を行なうことによって、基板1の成長面を水素終端化する処理が挙げられる。これにより、基板1の成長面上に良好な結晶性を有するAlNOバッファ層2を再現性良く積層することができる傾向にある。基板1の成長面の前処理の他の一例としては、基板1の成長面を窒素ガスのプラズマに曝す処理が挙げられる。これにより、基板1の成長面に付着した有機物や酸化物などの異物を除去し、基板1の成長面の状態を整えることができる傾向にある。特に、基板1がサファイア基板である場合には、基板1の成長面を窒素ガスのプラズマに曝すことによって、基板1の成長面が窒化されて、基板1の成長面上に積層されるAlNOバッファ層2が面内で均一に形成されやすくなる傾向にある。<スパッタ装置>図3に、基板1の表面上にAlNOバッファ層2を積層するのに用いられるDCマグネトロンスパッタ装置の一例の模式的な構成を示す。ここで、DCマグネトロンスパッタ装置は、チャンバ21と、チャンバ21の内部の下方に設置されたヒータ23とヒータ23と向かい合うようにして設置されたカソード28と、チャンバ21の内部のガスをチャンバ21の外部に放出するための排気口25と、を備えている。なお、ヒータ23はヒータ支持材24によって支持されている。また、カソード28は、アルミニウムからなるAlターゲット26と、マグネット支持材29に支持されたマグネット27とを有している。また、チャンバ21には、チャンバ21の内部にアルゴンガスを供給するためのマスフローコントローラ30と、チャンバ21の内部に窒素ガスを供給するためのマスフローコントローラ31と、チャンバ21の内部に酸素ガスを供給するためのマスフローコントローラ32と、が接続されている。そして、基板1の表面上にAlNOバッファ層2を積層するにあたっては、まず、以上のような構成のDCマグネトロンスパッタ装置の内部のヒータ23上に基板1が設置される。基板1は、基板1の成長面AlNOバッファ層2が成長する面がAlターゲット26の表面と向かい合うようにして所定の距離dをあけて配置される。上記の距離dは、Alターゲット26の表面の中心と、基板1の成長面との間の最短距離を意味しており、その距離dは、100mm以上250mm以下とされることが好ましく、120mm以上210mm以下とされることがより好ましく、150mm以上180mm以下とされることがさらに好ましい。これは、DCマグネトロンスパッタ法によるAlNOバッファ層2の積層時には高エネルギの反応種が基板1に供給されることになるが、上記の距離dを100mm以上とした場合には、上記の反応種が基板1の成長面に与えるダメージを小さくすることができ、上記の距離dを250mm以下とした場合には、プラズマ放電が起きやすくなるとともにAlNOバッファ層2の形成速度も大きくなるため、基板1の成長面の法線方向垂直方向に伸長する結晶粒の揃った柱状結晶の集合体からなる良好な結晶性のAlNOバッファ層2を積層することができる傾向にある。したがって、このような良好な結晶性のAlNOバッファ層2の表面上に窒化物半導体層を成長させることによって、転位密度が低く結晶性に優れた窒化物半導体層本実施の形態では窒化物半導体下地層3を再現性良く得ることができ、ひいては良好な特性を有する窒化物半導体素子を再現性良く作製することができる。上記の距離dを120nm以上210nm以下とした場合、特に150nm以上180nm以下とした場合には、良好な結晶性のAlNOバッファ層2を積層することができるため、そのようなAlNOバッファ層2の表面上には転位密度が低く結晶性に優れる窒化物半導体層を再現性良く成長させることができる傾向が大きくなり、ひいては良好な特性を有する窒化物半導体素子を再現性良く作製することができる傾向が大きくなる。図4に、基板1の表面上にAlNOバッファ層2を積層するのに用いられるDCマグネトロンスパッタ装置の他の一例の模式的な構成を示す。図4に示す構成のDCマグネトロンスパッタ装置は、基板1とAlターゲット26との間に間隔をあけて基板1の成長面に対してAlターゲット26を傾けて配置している点に特徴がある。ここで、Alターゲット26は、基板1の成長面の法線方向に対して角度θだけ傾けて配置されている。ここで、結晶性に優れたAlNOバッファ層2を積層する観点からは、角度θは10°以上45°以下であることが好ましく、20°以上45°以下であることがより好ましい。このように、基板1とAlターゲット26との間に間隔をあけて基板1の成長面に対してAlターゲット26を傾けて配置した状態で、基板1とAlターゲット26との間にDC-continuous方式により電圧を印加してDCマグネトロンスパッタ法によってAlNOバッファ層2を積層した場合には、AlNOバッファ層2の積層時に基板1に供給される高エネルギの反応種による基板1の成長面へのダメージを低減することができるため、結晶性に優れたAlNOバッファ層2を積層することができる傾向にある。さらに、AlNOバッファ層2の結晶性および層厚が基板1の面内で均一になる傾向にある。図4に示す構成のDCマグネトロンスパッタ装置においても、Alターゲット26の表面の中心と、基板1の成長面との間の最短距離dは、100mm以上250mm以下とされることが好ましく、120mm以上210mm以下とされることがより好ましく、150mm以上180mm以下とされることがさらに好ましい。図4に示す構成のDCマグネトロンスパッタ装置においても、上記の最短距離dを上記のように設定することによって、上述した理由により、結晶性に優れたAlNOバッファ層2を積層することができる傾向にある。<AlNOバッファ層の形成>次に、チャンバ21の内部に、マスフローコントローラ31から窒素ガスを連続的に供給し、マスフローコントローラ32から酸素ガスを連続的に供給することによって、基板1とAlターゲット26との間に窒素ガスおよび酸素ガスを連続的に導入しつつ、チャンバ21の内部のガスを排気口25から外部に連続的に排出する。そして、基板1とAlターゲット26との間にDC-continuous方式により電圧を印加することによって基板1とAlターゲット26との間に、窒素ガスと酸素ガスとの混合ガスのプラズマを発生させる。これにより、Alターゲット26のスパッタが行なわれ、基板1の表面上にアルミニウムと窒素と酸素との化合物からなるAlNOバッファ層2が積層する。なお、DC-continuous方式は、Alターゲット26のスパッタリング中において、所定の大きさの直流電圧時間によって方向が変化しない電圧を基板1とAlターゲット26との間に連続的に印加する方式である。以上のように、チャンバ21の内部に窒素ガスと酸素ガスとを連続的に導入しつつ、チャンバ21の内部のガスを排気口25からチャンバ21の外部に連続的に排出しながら、チャンバ21の内部でAlターゲット26をターゲットとして用いた反応性スパッタ法でAlNOバッファ層2を形成した場合には、優れた結晶性を有する窒化物半導体層をその上方に再現性良く形成することが可能な転位密度の低い良好な結晶性を有するAlNOバッファ層2を形成できることを本発明者らが見い出し、本発明を完成するに至ったものである。これは、流量の酸素ガスと窒素ガスとをチャンバ21の内部に連続的に導入排気を行なうことによってチャンバ21の内部の雰囲気が新鮮な状態に保たれるため、チャンバ21の雰囲気を構成するガス中に占めるチャンバ21の内壁から発生するガスの割合が低減されていることによるものであると考えられる。<流量比>AlNOバッファ層2は、窒素ガスの流量と酸素ガスの流量との合計に対する酸素ガスの流量の比が0.5以下である雰囲気において形成され、0.25以下である雰囲気において形成されることがより好ましい。窒素ガスの流量と酸素ガスの流量との合計に対する酸素ガスの流量の比が0.5以下である場合、特に0.25以下である場合には、良好な結晶性のAlNOバッファ層2を積層することができるため、そのようなAlNOバッファ層2の表面上には転位密度が低く結晶性に優れる窒化物半導体層を再現性良く成長させることができる傾向が大きくなり、ひいては良好な特性を有する窒化物半導体素子を再現性良く作製することができる傾向が大きくなる。ここで、AlNOバッファ層2は、窒素ガスの流量と酸素ガスの流量との合計に対する酸素ガスの流量の比が0.05以上である雰囲気において形成されることが好ましく、0.1以上である雰囲気において形成されることがより好ましい。窒素ガスの流量と酸素ガスの流量との合計に対する酸素ガスの流量の比が0.05以上である場合、特に0.1以上である場合には、良好な結晶性のAlNOバッファ層2を積層することができるため、そのようなAlNOバッファ層2の表面上には転位密度が低く結晶性に優れる窒化物半導体層を再現性良く成長させることができる傾向が大きくなり、ひいては良好な特性を有する窒化物半導体素子を再現性良く作製することができる傾向が大きくなる。なお、上記においては、チャンバ21の内部に窒素ガスと酸素ガスとを供給する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、たとえば、窒素ガスの少なくとも一部をアンモニアガスに置き換えてもよい。<AlNOバッファ層の被覆度>AlNOバッファ層2は、基板1の表面の90以上を覆うように形成されることが好ましい。AlNOバッファ層2が基板1の表面の90以上を覆っている場合には、AlNOバッファ層2上に形成される窒化物半導体層にヒロックhillockやピットpitが生じるのを抑制することができる傾向にある。<AlNOバッファ層の酸素濃度>AlNOバッファ層2は、AlNOバッファ層2中の酸素濃度が1原子以上10原子以下となるように形成されることが好ましく、2原子以上9原子以下となるように形成されることがより好ましく、3原子以上7原子以下であることがさらに好ましい。上述したように、従来においては、バッファ層2中の酸素濃度は1原子以下でなければならないとされていたが、本発明者らが鋭意検討した結果、AlNOバッファ層2中の酸素濃度が1原子以上10原子以下である場合、さらに2原子以上9原子以下である場合、特に3原子以上7原子以下である場合には、転位密度が低く結晶性に優れる窒化物半導体層を再現性良く成長させることができる傾向が大きくなり、ひいてはさらに良好な特性を有する窒化物半導体素子を再現性良く作製することができる傾向が大きくなることが見い出されたためである。AlNOバッファ層2は、AlNOバッファ層2中の酸素濃度がAlNOバッファ層2中で均一となるように形成されることが好ましい。この場合には、転位密度が低く結晶性に優れる窒化物半導体層を再現性良く成長させることができる傾向が大きくなり、ひいてはさらに良好な特性を有する窒化物半導体素子を再現性良く作製することができる傾向にある。なお、AlNOバッファ層2中の酸素濃度がAlNOバッファ層2中で均一であると言えるためには、AlNOバッファ層2において酸素濃度が最大となる部分の酸素濃度と、AlNOバッファ層2において酸素濃度が最小となる部分の酸素濃度との差が10原子以下であればよい。<AlNOバッファ層の屈折率>AlNOバッファ層2の波長450nmの光に対する屈折率は2以上2.1以下であることが好ましく、2.03以上2.08以下であることがより好ましく、2.03以上2.05以下であることがより好ましい。AlNOバッファ層2の波長450nmの光に対する屈折率が2以上2.1以下である場合、さらに2.03以上2.08以下である場合、特に2.03以上2.05以下である場合には、転位密度が低く結晶性に優れる窒化物半導体層を再現性良く成長させることができる傾向が大きくなり、ひいてはさらに良好な特性を有する窒化物半導体素子を再現性良く作製することができる傾向にある。<AlNOバッファ層の厚さ>基板1の成長面上に積層されるAlNOバッファ層2の厚さは5nm以上100nm以下とすることが好ましい。AlNOバッファ層2の厚さが5nm未満である場合には、AlNOバッファ層2がバッファ層としての機能を十分に発揮しないおそれがある。また、AlNOバッファ層2の厚さが100nmを超える場合にはバッファ層としての機能が向上することなく、AlNOバッファ層2の形成時間だけが長くなるおそれがある。また、AlNOバッファ層2のバッファ層としての機能を面内において均一に発揮させる観点からは、AlNOバッファ層2の厚さを10nm以上50nm以下とすることがより好ましい。<基板温度>AlNOバッファ層2の積層時における基板1の温度は、300°C以上1000°C以下であることが好ましい。AlNOバッファ層2の積層時における基板1の温度が300°C未満である場合には、AlNOバッファ層2が基板1の成長面を十分に覆うことができず、基板1の成長面がAlNOバッファ層2から多く露出するおそれがある。また、AlNOバッファ層2の積層時における基板1の温度が1000°Cを超える場合には、基板1の成長面での原料のマイグレーションが活発になりすぎて、柱状結晶の集合体というよりはむしろ単結晶の膜に近いAlNOバッファ層2が形成されて、AlNOバッファ層2のバッファ層としての機能が低下するおそれがある。<スパッタ装置の到達真空度>AlNOバッファ層2の積層時においてチャンバ21の内部に不純物が存在しないことが望ましいため、良好な結晶性を有するAlNOバッファ層2を得る観点からは、スパッタ直前のチャンバ21の内部の圧力は1×104Pa以下であることが好ましい。すなわち、AlNOバッファ層の形成直前の雰囲気の圧力は1×104Pa以下とされることが好ましい。<ダミー放電>チャンバ21の到達真空度をより向上させるため、AlNOバッファ層2の形成前に、チャンバ21内において、ダミー放電を行なうことが好ましい。このようなダミー放電を行なうことにより、チャンバー21内より叩き出される不純物を予め除去することが可能となる。ダミー放電の方法としては、たとえば、AlNOバッファ層2の形成時の処理と同様の放電プログラムを、基板1を導入せずに行なう方法などを用いることができる。このようなダミー放電は、AlNOバッファ層2の形成条件と同様の条件として行う方法の他、さらに不純物を叩き出し易い条件に設定して行なうことも可能である。そのような条件としては、たとえば、基板加熱用の設定温度を高めに設定する条件、プラズマを発生させるためのパワーを高めに設定するする条件などが挙げられる。チャンバ21内でプラズマを継続して発生させた状態で、アルゴンガスのみ供給する工程とAlNOバッファ層2の形成時のガスを供給する工程とを交互に繰り返すダミー放電も到達真空度の向上に有効である。このダミー放電においては、アルゴンガスのみ供給する工程でチャンバ21の内壁をアルミニウムリッチな金属膜で薄くコーティングすることが重要である。アルミニウムリッチな金属膜は、不純物を吸着しやすいためである。ただし、ダミー放電の最後の工程は、AlNOバッファ層2の形成条件のガスを供給する工程で終わることが好ましい。ここで、アルゴンガスのみを供給する工程でダミー放電を終えた場合は、アルミニウムリッチな金属膜がチャンバ21の内壁を覆った状態となっているため、その内壁が非常に不安定な状態となり、不安定なチャンバ21の内壁の状態でAlNOバッファ層2を成膜するとAlNOバッファ層2の膜質特性の再現性が乏しくなる傾向にあるためである。上述したようなダミー放電を行なうことにより、AlNOバッファ層2の成膜前のチャンバ21内の到達真空度をより高めることにより、チャンバ21の内壁や空間中に存在する酸素含有物をより確実に除去して低減することが可能となる。<AlNOバッファ層の積層時のチャンバの内部の圧力>AlNOバッファ層2の積層時におけるチャンバ21の内部の圧力は、0.2Pa以上であることが好ましい。AlNOバッファ層2の積層時におけるチャンバ21の内部の圧力が0.2Pa未満である場合には、チャンバ21の内部における窒素量が少なくなって、Alターゲット26からスパッタされたアルミニウムが窒化物とならない状態で基板1の成長面上に付着するおそれがある。また、AlNOバッファ層2の積層時におけるチャンバ21の内部の圧力の上限は特に限定されず、チャンバ21の内部にプラズマを発生させることができる程度の圧力であればよい。<AlNOバッファ層の形成速度>AlNOバッファ層2の形成速度は、0.01nm/秒以上1nm/秒以下であることが好ましい。AlNOバッファ層2の形成速度が0.01nm/秒未満である場合にはAlNOバッファ層2が基板1の成長面上に均一に広がって成長せずに島状に成長して基板1の成長面を均一にAlNOバッファ層2が覆うことができず、基板1の成長面がAlNOバッファ層2から露出するおそれがある。また、AlNOバッファ層2の形成速度が1nm/秒を超える場合には、AlNOバッファ層2が非晶質となって、AlNOバッファ層2上に転位密度が小さく優れた結晶性を有する窒化物半導体層を成長させることができなくなるおそれがある。<窒化物半導体下地層の形成>次に、図5の模式的断面図に示すように、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法によって、AlNOバッファ層2の表面上に窒化物半導体下地層3を積層する。窒化物半導体下地層3としては、たとえばAlx1Gay1Inz1Nの式で表わされるIII族窒化物半導体からなる窒化物半導体層0≦x1≦1、0≦y1≦1、0≦z1≦1、x1y1z1≠0を積層することができるが、柱状結晶の集合体からなるAlNOバッファ層2中の転位などの結晶欠陥を引き継がないようにするためにはIII族元素としてGaまたはInを含むものであることが好ましい。AlNOバッファ層2中の転位を引き継がないようにするためにはAlNOバッファ層2との界面付近で転位をループさせる必要があるが、窒化物半導体下地層3がGaまたはInを含むIII族窒化物半導体からなる場合には転位のループが生じやすい。したがって、GaまたはInを含むIII族窒化物半導体からなる窒化物半導体下地層3を用いることによって、AlNOバッファ層2との界面付近で転位をループ化して閉じ込めて、AlNOバッファ層2から窒化物半導体下地層3に転位が引き継がれるのを抑えることができる。特に、窒化物半導体下地層3がAlx1Gay1N0<x1<1、0<y1<1の式で表わされるIII族窒化物半導体からなる場合、特にGaNからなる場合には、AlNOバッファ層2との界面付近で転位をループ化して閉じ込めることができるため、転位密度が小さく良好な結晶性を有する窒化物半導体下地層3が得られる傾向にある。窒化物半導体下地層3の積層直前のAlNOバッファ層2の表面を熱処理を行なってもよい。この熱処理によって、AlNOバッファ層2の表面の清浄化と結晶性の向上を図ることができる傾向にある。この熱処理は、たとえばMOCVD法が用いられるMOCVD装置内で行なうことができ、熱処理時の雰囲気ガスとしては、たとえば水素ガスや窒素ガスなどを用いることができる。また、上記の熱処理時におけるAlNOバッファ層2の分解を防ぐためには、熱処理時の雰囲気ガスにアンモニアガスを混合してもよい。また、上記の熱処理は、たとえば900°C以上1250°C以下の温度でたとえば1分間以上60分間以下の時間行なうことができる。窒化物半導体下地層3には、n型ドーパントが1×1017cm3以上1×1019cm3以下の範囲でドーピングされていてもよいが、良好な結晶性を維持する観点からは窒化物半導体下地層3はアンドープであることが好ましい。なお、n型ドーパントとしては、たとえばシリコン、ゲルマニウムおよび錫などを用いることができ、なかでもシリコンおよび/またはゲルマニウムを用いることが好ましい。窒化物半導体下地層3の積層時の基板1の温度は800°C以上1250°C以下であることが好ましく、1000°C以上1250°C以下であることがより好ましい。窒化物半導体下地層3の積層時の基板1の温度が800°C以上1250°C以下である場合、特に1000°C以上1250°C以下である場合には、結晶性に優れた窒化物半導体下地層3を成長させることができる傾向にある。<窒化物半導体層の形成>次に、図6の模式的断面図に示すように、MOCVD法によって、窒化物半導体下地層3の表面上に、n型窒化物半導体コンタクト層4、n型窒化物半導体クラッド層5、窒化物半導体活性層6、p型窒化物半導体クラッド層7およびp型窒化物半導体コンタクト層8をこの順に積層して積層体を形成する。<n型窒化物半導体コンタクト層>n型窒化物半導体コンタクト層4としては、たとえば、Alx2Gay2Inz2Nの式で表わされるIII族窒化物半導体からなる窒化物半導体層0≦x2≦1、0≦y2≦1、0≦z2≦1、x2y2z2≠0にn型ドーパントをドーピングした層などを積層することができる。なかでも、n型窒化物半導体コンタクト層4は、Alx2Ga1x2N0≦x2≦1、好ましくは0≦x2≦0.5、より好ましくは0≦x2≦0.1の式で表わされるIII族窒化物半導体にn型ドーパントとしてシリコンがドーピングされた窒化物半導体層であることが好ましい。n型窒化物半導体コンタクト層4へのn型ドーパントのドーピング濃度は、n側電極11との良好なオーミック接触の維持、n型窒化物半導体コンタクト層4におけるクラックの発生の抑制および良好な結晶性の維持の観点から、5×1017cm3以上5×1019cm3以下の範囲内であることが好ましい。窒化物半導体下地層3とn型窒化物半導体コンタクト層4との厚さの合計は、これらの層の良好な結晶性を維持する観点から、4μm以上20μm以下であることが好ましく、4μm以上15μm以下であることがより好ましく、6μm以上15μm以下であることがさらに好ましい。窒化物半導体下地層3とn型窒化物半導体コンタクト層4との厚さの合計が4μm未満である場合にはこれらの層の結晶性が悪化したり、これらの層の表面にピットpitが生じるおそれがある。一方、窒化物半導体下地層3とn型窒化物半導体コンタクト層4との厚さの合計が20μmを超える場合には、基板1の反りが大きくなって、素子の収率低下を招くおそれがある。<n型窒化物半導体クラッド層>n型窒化物半導体クラッド層5としては、たとえば、Alx3Gay3Inz3Nの式で表わされるIII族窒化物半導体からなる窒化物半導体層0≦x3≦1、0≦y3≦1、0≦z3≦1、x3y3z3≠0にn型ドーパントをドーピングした層などを積層することができる。n型窒化物半導体クラッド層5は、III族窒化物半導体からなる複数の窒化物半導体層をヘテロ接合した構造や超格子構造であってもよい。また、n型窒化物半導体クラッド層5のバンドギャップは、後述する窒化物半導体活性層6への光閉じ込めの観点から、窒化物半導体活性層6のバンドギャップよりも大きくすることが好ましい。n型窒化物半導体クラッド層5の厚さは特に限定されないが、好ましくは0.005μm以上0.5μm以下であり、より好ましくは0.005μm以上0.1μm以下である。n型窒化物半導体クラッド層5へのn型ドーパントのドーピング濃度については、良好な結晶性維持および素子の動作電圧低減の観点から、1×1017cm3以上1×1020cm3以下であることが好ましく、1×1018cm3以上1×1019cm3以下であることがより好ましい。<窒化物半導体活性層>また、窒化物半導体活性層6がたとえば単一量子井戸SQW構造を有する場合には、窒化物半導体活性層6としては、たとえば、Ga1z4Inz4Nの式で表わされるIII族窒化物半導体からなる窒化物半導体層0<z4<0.4を量子井戸層とするものを用いることができ、所望の発光波長となるようにIn組成や厚さを制御する。窒化物半導体活性層6の厚みは特に限定されないが、発光出力を向上させる観点からは、1nm以上10nm以下であることが好ましく、1nm以上6nm以下であることがより好ましい。窒化物半導体活性層6の形成時の基板1の温度は700°C以上900°C以下であることが好ましく、750°C以上850°C以下であることがより好ましい。窒化物半導体活性層6の形成時の基板1の温度が700°C未満である場合には窒化物半導体活性層6の結晶性が悪化するおそれがある一方で、900°Cを超える場合にはInNの昇華が顕著になって固相中へのInの取り込み効率が低減してIn組成が変動するおそれがある。また、窒化物半導体活性層6としては、たとえば、Ga1z4Inz4Nの式で表わされるIII族窒化物半導体からなる窒化物半導体層0<z4<0.4を量子井戸層とし、この井戸層よりもバンドギャップの大きいAlx5Gay5Inz5Nの式で表わされる窒化物半導体からなる窒化物半導体層0≦x5≦1、0≦y5≦1、0≦z5≦1、x5y5z5≠0を量子障壁層とし、これらを交互に1層ずつ積層した多重量子井戸MQW構造を有するものを用いることもできる。なお、上記の量子井戸層および/または量子障壁層にはn型またはp型のドーパントがドーピングされていてもよい。<p型窒化物半導体クラッド層>p型窒化物半導体クラッド層7としては、たとえばAlx6Gay6Inz6Nの式で表わされるIII族窒化物半導体からなる窒化物半導体層0≦x6≦1、0≦y6≦1、0≦z6≦1、x6y6z6≠0にp型ドーパントをドーピングした層などを積層することができ、なかでもAlx6Ga1x6Nの式で表わされるIII族窒化物半導体からなる窒化物半導体層0<x6≦0.4、好ましくは0.1≦x6≦0.3にp型ドーパントをドーピングした層を積層することが好ましい。なお、p型ドーパントとしては、たとえばマグネシウムなどを用いることができる。p型窒化物半導体クラッド層7のバンドギャップは、窒化物半導体活性層6への光閉じ込めの観点から、窒化物半導体活性層6のバンドギャップよりも大きくすることが好ましい。また、p型窒化物半導体クラッド層7の厚さは特に限定されないが、好ましくは0.01μm以上0.4μm以下であり、より好ましくは0.02μm以上0.1μm以下である。良好な結晶性のp型窒化物半導体クラッド層7を得る観点からは、p型窒化物半導体クラッド層7へのp型ドーパントのドーピング濃度は、1×1018cm3以上1×1021cm3以下であることが好ましく、1×1019cm3以上1×1020cm3以下であることがより好ましい。<p型窒化物半導体コンタクト層>p型窒化物半導体コンタクト層8としては、たとえばAlx7Gay7Inz7Nの式で表わされるIII族窒化物半導体からなる窒化物半導体層0≦x7≦1、0≦y7≦1、0≦z7≦1、x7y7z7≠0にp型ドーパントをドーピングした層などを積層することができ、なかでもGaN層にp型ドーパントをドーピングした層を用いることが良好な結晶性の維持および良好なオーミック接触を得る観点から好ましい。p型窒化物半導体コンタクト層8へのp型ドーパントのドーピング濃度は、良好なオーミック接触の維持、p型窒化物半導体コンタクト層8におけるクラックの発生の抑制および良好な結晶性の維持の観点から、1×1018cm3以上1×1021cm3以下の範囲内であることが好ましく、5×1019cm3以上5×1020cm3以下の範囲内であることがより好ましい。また、p型窒化物半導体コンタクト層8の厚さは特に限定されるものではないが、窒化物半導体発光ダイオード素子100の発光出力を向上させる観点からは、0.01μm以上0.5μm以下であることが好ましく、0.05μm以上0.2μm以下であることがより好ましい。<MOCVD法>上記のn型窒化物半導体コンタクト層4、n型窒化物半導体クラッド層5、窒化物半導体活性層6、p型窒化物半導体クラッド層7およびp型窒化物半導体コンタクト層8がそれぞれIII族窒化物半導体から構成される場合には、これらの層はたとえば以下のようにしてMOCVD法によって積層される。すなわち、MOCVD装置の反応炉の内部に、たとえばトリメチルガリウムTMG、トリメチルアルミニウムTMAおよびトリメチルインジウムTMIからなる群から選択された少なくとも1つのIII族元素の有機金属原料ガスと、たとえばアンモニアなどの窒素原料ガスとを供給してこれらを熱分解し、反応させることによって積層することができる。また、n型ドーパントであるシリコンをドーピングする場合には、MOCVD装置の反応炉の内部に、たとえばシランSiH4あるいはジシランSi2H4をドーピングガスとして上記の原料ガスに加えて供給することにより、シリコンをドーピングすることが可能である。また、p型ドーパントであるマグネシウムをドーピングする場合には、MOCVD装置の反応炉の内部に、たとえばビスシクロペンタジエニルマグネシウムCP2Mgをドーピングガスとして上記の原料ガスに加えて供給することにより、マグネシウムをドーピングすることが可能である。<電極の形成>次に、図7の模式的断面図に示すように、p型窒化物半導体コンタクト層8の表面上にたとえばITOIndiumTinOxide、ZnOまたはIZOIndiumZincOxideからなる透光性電極層9を形成した後に、透光性電極層9の表面上にp側電極10を形成する。その後、p側電極10の形成後の積層体の一部をエッチングにより除去することによって、n型窒化物半導体コンタクト層4の表面の一部を露出させる。その後、図1に示すように、n型窒化物半導体コンタクト層4の露出した表面上にn側電極11を形成することによって、実施の形態の窒化物半導体発光ダイオード素子100を作製することができる。<素子の特性>以上のようにして作製された実施の形態の窒化物半導体発光ダイオード素子100においては、上述のように、基板1の成長面の法線方向垂直方向に伸長する結晶粒の揃った柱状結晶の集合体からなる良好な結晶性のAlNOバッファ層2の表面上に窒化物半導体下地層3、n型窒化物半導体コンタクト層4、n型窒化物半導体クラッド層5、窒化物半導体活性層6、p型窒化物半導体クラッド層7およびp型窒化物半導体コンタクト層8がこの順序で積層されているため、AlNOバッファ層2の表面上に積層されたこれら層については転位密度が低くなり優れた結晶性を有している。したがって、このような優れた結晶性を有する層から形成された実施の形態の窒化物半導体発光ダイオード素子100は、動作電圧が低く、発光出力の高い素子となる。<発光装置>図8に、実施の形態の窒化物半導体発光ダイオード素子100を用いた発光装置の一例の模式的な断面図を示す。ここで、図8に示す構成の発光装置200は、実施の形態の窒化物半導体発光ダイオード素子100を第1のリードフレーム41上に設置した構成を有している。そして、窒化物半導体発光ダイオード素子100のp側電極10と第1のリードフレーム41とが第1のワイヤ45で電気的に接続されているとともに、窒化物半導体発光ダイオード素子100のn側電極11と第2のリードフレーム42とが第2のワイヤ44で電気的に接続されている。さらに、透明なモールド樹脂43で窒化物半導体発光ダイオード素子100がモールドされていることによって、発光装置200は砲弾型の形状とされている。図8に示す構成の発光装置は、実施の形態の窒化物半導体発光ダイオード素子100を用いていることから、動作電圧が低く、発光出力の高い発光装置とすることができる。実施例1においては、図2に示すように、表面が平坦なサファイア基板からなる基板1上に、図3に示すスパッタ装置を用いた反応性スパッタ法により様々な条件でAlNOバッファ層2を積層し、それぞれのAlNOバッファ層2の特性を調査した。さらに、それぞれのAlNOバッファ層2上にMOCVD法によりアンドープGaNからなる窒化物半導体下地層3を積層し、それぞれの窒化物半導体下地層3の特性を調査した。具体的には、まず、図3に示すスパッタ装置のヒータ23上にサファイア基板からなる基板1を設置していない状態で、チャンバ21の内部にマスフローコントローラ30で流量制御されたアルゴンガスを供給し、供給したアルゴンガスと同量のガスを排気口25から真空ポンプを用いて排気することによって、チャンバ21の内部を一定の圧力に保った。次に、ヒータ23とAlターゲット26との間に電圧を印加することによって、ヒータ23とAlターゲット26との間にアルゴンガスのプラズマを発生させた。アルゴンガスのプラズマを発生させた状態で数分間保持し、チャンバ21の内壁をアルミニウムリッチな金属膜で薄くコーティングした。さらに、アルゴンガスのプラズマを発生させた状態を保持して、アルゴンガスから窒素ガスに切り替えた。この際、チャンバ21の内部の圧力の変動は小さい方がよい。続けて、窒素プラズマを発生させた状態で数分間保持し、チャンバ21の内壁をAlN膜でコーティングした。次に、チャンバ21の内部のヒータ23上に基板1を設置して基板1の表面とAlターゲット26の表面との最短距離d=180mm、基板1の温度が500°Cとなるように基板1をヒータ23により加熱して、基板1の温度が500°Cの状態を10分間保持した。次に、チャンバ21の内部に、マスフローコントローラ31で流量制御された窒素ガスを供給するとともに、マスフローコントローラ32で流量制御された酸素ガスを供給し、供給したガス量と同量のガスを排気口25を介して真空ポンプで排気することによって、チャンバ21の内部を一定の圧力に保った。次に、基板1とAlターゲット26との間に電圧を印加することによって、基板1とAlターゲット26との間に、窒素ガスおよび酸素ガスのプラズマを発生させた。これにより、Alターゲット26のアルミニウムがスパッタリングされるとともに、アルミニウムと、プラズマ中の酸素および窒素とが反応する反応性スパッタが行なわれて、基板1の表面の全面にアルミニウムと窒素と酸素との化合物からなる厚さ25nmのAlNOバッファ層2が形成された。このときのAlNOバッファ層2の形成速度は0.04nm/秒であった。また、スパッタ直前のチャンバ21の内部の圧力は1×104Pa以下であった。また、AlNOバッファ層2の積層時のチャンバ21の内部の圧力は0.2Pa以上の雰囲気の圧力とされた。以上のようにして、表1のAlNOバッファ層の成膜条件の欄に示される様々な条件でサンプル1~6のAlNOバッファ層2の形成を行ない、サンプル1~6のAlNOバッファ層2のX線半値幅[arcsec]、酸素濃度[原子]および屈折率をそれぞれ測定した。その結果を表1に示す。なお、表1のX線半値幅[arcsec]は、X線回折測定によって検出されるロッキングカーブについてAlN結晶の002面、GaN結晶の004面およびGaN結晶の102面をそれぞれ反射面としたときに対応するピークの半値幅を測定することにより算出した。X線半値幅の値が小さいほど転位の少ない良好な結晶であると考えられるため、この数値を結晶性を評価する尺度としている。表1の酸素濃度[原子]は、XPSXrayphotoelectronspectroscopyにより測定した。表1の屈折率は、波長450nmの光に対する屈折率を示しており、分光エリプソメータにより測定した。次に、AlNOバッファ層2の積層後の基板1を図3に示すスパッタ装置のチャンバ21から取り出し、MOCVD装置の反応炉の内部に設置した。その後、反応炉の内部にアンモニアガスを供給しながら、キャリアガスとして窒素ガスおよび水素ガスを供給した状態で基板1の温度を約15分間かけて1125°Cまで上昇させた。ここで、反応炉の内部の圧力を常圧とし、キャリアガスである水素ガスと窒素ガスの流量比水素ガスの流量/窒素ガスの流量を50/50とした。そして、基板1の温度が1125°Cで安定したのを確認した後、TMGトリメチルガリウムガスの反応炉の内部への供給を開始して、図5に示すように、AlNOバッファ層2の表面上に厚さ5μmのアンドープのGaNからなる窒化物半導体下地層GaN層3をMOCVD法により積層した。以上のようにして、サンプル1~6のAlNOバッファ層2のそれぞれの表面上にサンプル1~6のGaN層3を形成し、サンプル1~6のGaN層3のGaN結晶の004面およびGaN結晶の102面をそれぞれ反射面とするX線半値幅[arcsec]をそれぞれ測定した。その結果を表1に示す。表1に示す結果から、以下の知見が得られた。a全く酸素ガスを流さないで形成したサンプル1のAlNOバッファ層2の特性と、酸素ガスを微量0.05流して形成したサンプル2のAlNOバッファ層2の特性はほぼ同等であった。サンプル1、2のAlNOバッファ層2のX線半値幅は、それぞれ、282[arcsec]、286[arcsec]であり、酸素濃度はともに2原子であった。しかしながら、450nmの波長の光に対する屈折率は、サンプル1と2のAlNOバッファ層2において、それぞれ、2.11、2.08となっており、わずかながら違いがあった。一方、サンプル1とサンプル2のGaN層の特性は、大きな差が生じており、サンプル1とサンプル2のGaN層のGaN004を反射面とするX線半値幅は、それぞれ、642[arcsec]、53[arcsec]であった。b酸素ガス流量比を0から0.99に増加させたときには、その増加に伴ってAlNOバッファ層2中の酸素濃度も2原子から12原子に増加した。一方、酸素ガス流量比を0から0.5まで増加させたときサンプル1からサンプル5までには、AlNOバッファ層2の屈折率は2.11から2.03に単調に減少するものの、酸素ガス流量比を0.99サンプル6まで増加させると逆に2.06となって増加した。c良好なGaN特性が得られたサンプル2~5のAlNOバッファ層2においては、AlN002面のX線半値幅が300[arcsec]以下であり、かつ屈折率が2.08以下であった。以上より、反応性スパッタによるAlNOバッファ層形成において、酸素ガス流量比酸素ガス流量×100/全ガスの総流量は0.5以下が好ましいことが確認された。ここで、特許文献6においては、AlNバッファ層中に不可避的に存在する酸素の量を極力少なくして良質の窒化物半導体素子を得ようとしているのに対し、本発明者らは逆に積極的に酸素を導入してAlNOバッファ層2を形成し、その表面上に窒化物半導体層を直接形成して良質の窒化物半導体素子を得ている。このような手法によって良好な結果を得られた理由について、確証はないが以下のように考えている。第1に、AlNOバッファ層2の形成時におけるチャンバ21の内部の雰囲気中に存在する酸素の性質の違いである。つまり、チャンバ21内に導入された純度の高い酸素ガスから供給される酸素高純度酸素と元々チャンバ21の内壁など残留した酸素含有物がスパッタ中に叩き出された酸素残留酸素との性質の違いである。残留酸素は、一般にチャンバ内壁に吸着する水分が分解して生成したものと考えられ、その形態としては、H2Oそのもの、OH中性またはイオン、O中性またはイオンであると考えられる。一方、高純度酸素は、O2そのもの、O2イオン、O中性またはイオンと考えられる。たとえば、高純度酸素は、O2という形態でAlNOバッファ層2に含まれる、あるいは水素を含まない状態でAlNOバッファ層2に含まれるため、残留酸素が混入したAlN膜とは性質が異なると推定される。第2に、適度に酸素を含むAlNOバッファ層2においては、AlNOバッファ層2を形成する柱状のAlN結晶のすきま結晶粒界を酸素が埋める働きをし、その上に直接形成される窒化物半導体層の転位密度を低減させていると考えられる。そして、結晶粒界を埋めるために、高純度酸素が良好に働くと考えられる。なお、上記においては、チャンバ21の内部に窒素ガスと酸素ガスとを供給する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、たとえば、窒素ガスの少なくとも一部をアルゴンガスに置き換えてもよく、それにより反応性スパッタ時に発生する雰囲気ガスのプラズマ状態を調整することができる。図9に、実施例2の窒化物半導体発光ダイオード素子の模式的な断面図を示す。ここで、実施例2の窒化物半導体発光ダイオード素子300は、表面が凹凸状に加工されたサファイア基板1と、サファイア基板1の表面に接して設置されたAlNOバッファ層2と、AlNOバッファ層2の表面に接して設置された窒化物半導体下地層3と、窒化物半導体下地層3の表面に接して設置されたn型窒化物半導体コンタクト層4と、n型窒化物半導体コンタクト層4の表面に接して設置されたn型窒化物半導体クラッド層5と、n型窒化物半導体クラッド層5の表面に接して設置された窒化物半導体活性層6と、窒化物半導体活性層6の表面に接して設置されたp型窒化物半導体クラッド層7と、p型窒化物半導体クラッド層7の表面に接して設置されたp型窒化物半導体コンタクト層8と、p型窒化物半導体コンタクト層8の表面に接して設置された透光性電極層9と、を備えている。そして、n型窒化物半導体コンタクト層4の露出表面に接するようにしてn側電極11が設置されており、透光性電極層9の表面に接するようにしてp側電極10が設置されている。ここで、サファイア基板1には窒化物半導体下地層3の結晶品質の向上および界面における光散乱を目的として凹凸形状が形成されている。この凹凸形状の深さは、AlNOバッファ層2の厚さよりも十分深いことが好ましい。また、窒化物半導体下地層3も凹凸形状に沿って形成されることが好ましいため、凹凸の深さは0.3μm以上3μm以下であることが好ましい。また、凸部と凸部の間隔は2μm以上5μm以下であることが好ましい。凸部の断面形状は台形状であってもよいが、凸部の上部が丸みを帯びた形状であってもよい。以下に、実施の形態に示した半導体発光素子の実施例を詳細に説明する。まず、図9に示すサファイア基板1を、図4に示すDC-continuous方式により電圧を印加して行なわれるDCマグネトロンスパッタ装置のチャンバ21の内部に備え付けられたヒータ23上に設置した。ここで、サファイア基板1のc面がAlターゲット26の表面と対向し、かつAlターゲット26の表面の中心とサファイア基板1のc面との最短距離dが180mmとなるように基板1を設置した。その後、ヒータ23によってサファイア基板1を550°Cの温度に加熱した。スパッタ直前のチャンバ21の内部の圧力は3×105Pa以下であった。次に、DCマグネトロンスパッタ装置のチャンバ21の内部に窒素ガスを40sccm、酸素ガスを0.02sccmの流量で供給し、圧力を0.4Paに保持した後に、サファイア基板1の温度を550°Cに維持した。そして、サファイア基板1とAlターゲット26との間にDC-continuous方式により330Wのバイアス電圧を印加してプラズマを生成して行なわれるDCマグネトロンスパッタ法を用いた反応性スパッタにより、図9に示すように、サファイア基板1のc面上に酸窒化アルミニウムAlONの柱状結晶の集合体からなる厚さ30nmのAlNOバッファ層2を積層した。このときのAlNOバッファ層2の形成速度は0.04nm/秒であった。なお、図4に示すDCマグネトロンスパッタ装置のカソード28中のマグネット27は、サファイア基板1のc面の窒化中およびAlNOバッファ層2の積層中のいずれの場合にも揺動させておいた。また、AlNOバッファ層2の積層は、予め測定しておいたAlNOバッファ層2の成膜速度にしたがって所定の時間だけ行なわれ、AlNOバッファ層2の厚さが30nmとなったところで窒素プラズマを停止した。次に、AlNOバッファ層2の積層後のサファイア基板1をDCマグネトロンスパッタ装置のチャンバ21から取り出し、MOCVD装置の反応炉の内部に設置した。ここで、AlNOバッファ層2の積層後のサファイア基板1は、高周波誘導加熱式ヒータで加熱するため、グラファイト製のサセプタ上に設置された。なお、AlNOバッファ層2の積層後のサファイア基板1を抵抗加熱式ヒータで加熱する場合には、AlNOバッファ層2の積層後のサファイア基板1は、グラファイト製のサセプタ上に設置される石英製のトレイ上に設置される。その後、反応炉の内部にアンモニアガスを供給しながら、キャリアガスとして窒素ガスおよび水素ガスを供給した状態でサファイア基板101の温度を約15分間かけて1125°Cまで上昇させた。ここで、反応炉の内部の圧力を常圧とし、キャリアガスである水素ガスと窒素ガスの流量比水素ガスの流量/窒素ガスの流量を50/50とした。そして、サファイア基板101の温度が1125°Cで安定したのを確認した後、TMGガスの反応炉の内部への供給を開始して、図9に示すように、AlNOバッファ層2の表面上に厚さ4μmのアンドープGaNからなるGaN下地層3をMOVPE法により積層した。なお、アンモニアガスは、III族元素に対するV族元素のモル比V族元素のモル数/III族元素のモル数が1500となるように反応炉の内部に供給された。次に、サファイア基板1の温度を1125°Cとして、Siのドーピング濃度が1×1019/cm3となるようにシランガスを反応炉の内部に供給することによって、図9に示すように、GaN下地層3の表面上に厚さ3μmのSiドープn型GaNコンタクト層4をMOVPE法により積層した。次に、反応炉の内部へのTMGガスおよび水素ガスの供給を停止した後に、サファイア基板1の温度を800°Cに低下させ、キャリアガスを水素ガスから窒素ガスに変更した。そして、反応炉の内部の状態が安定するのを確認した後に、原料ガスとしてのTMGガス、TMIガスおよびアンモニアガスを反応炉の内部に供給し、さらにはSiのドーピング濃度が1×1018/cm3となるようにシランガスを反応炉の内部に供給することによって、図9に示すように、n型GaNコンタクト層4の表面上に厚さ8nmのSiドープn型In001Ga099Nクラッド層5を積層した。次に、シランガスの供給を停止した後に、TMGガスおよびTMIガスを供給することによって厚さ35nmのアンドープIn015Ga085Nからなる量子井戸層をSiドープn型In001Ga099Nクラッド層5の表面上に積層した。さらに、続けて、シランガスの供給を開始し、TMIガスを供給停止して厚さ6nmのSiドープn型GaNからなる量子障壁層を積層した。以上のような量子井戸層と量子障壁層の形成手順を繰り返すことによって、6層のアンドープIn015Ga085Nからなる量子井戸層と6層のSiドープn型GaNからなる量子障壁層とが1層ずつ交互に積層された多重量子井戸構造のMQW活性層6を積層した。次に、サファイア基板1の温度を1100°Cまで上昇させ、キャリアガスを窒素ガスから水素ガスに変更した。そして、反応炉の内部にTMGガス、TMAガスおよびCP2Mgガスを供給開始して、その後2分間に亘って供給した後、TMGガスおよびTMAガスの供給を停止した。これにより、厚さ20nmのp型Al02Ga08Nクラッド層7をMQW活性層6の表面上に積層した。次に、サファイア基板1の温度を1100°Cに保持するとともに、反応炉の内部にアンモニアガスを供給しながら、TMAガスの供給を停止した。その後、反応炉の内部へのTMGガスとCP2Mgガスの供給量を変更することによって、図9に示すように、厚さ0.2μmのMgドープp型GaNコンタクト層108をp型Al02Ga08Nクラッド層7の表面上に積層した。p型GaNコンタクト層8の積層後は、直ちにヒータへの通電を停止するとともに、反応炉の内部に供給されるキャリアガスを水素ガスから窒素ガスに変更した。そして、サファイア基板1の温度が300°C以下になったことを確認して、上記の層の積層後のサファイア基板1を反応炉から取り出した。次に、図9に示すように、p型GaNコンタクト層8の表面上にITO層9を形成した後に、ITO層9の表面上にチタン層、アルミニウム層および金層をこの順序で積層することによってp側ボンディングパッド電極10を形成した。次に、図9に示すように、p側ボンディングパッド電極10の形成後の積層体の一部をドライエッチングにより除去することによって、n型GaNコンタクト層4の表面の一部を露出させた。その後、図9に示すように、n型GaNコンタクト層4の露出した表面上にニッケル層、アルミニウム層、チタン層および金層をこの順序で積層することによって、n側ボンディングパッド電極11を形成した。そして、サファイア基板1の裏面を研削および研磨してミラー状の面とした後に、サファイア基板1を350μm角の正方形状のチップに分割することによって、実施例2の窒化物半導体発光ダイオード素子を作製した。以上のようにして作製した実施例2の窒化物半導体発光ダイオード素子のp側ボンディングパッド電極10とn側ボンディングパッド電極11との間に20mAの順方向電流を流したところ、順方向電流20mAにおける順方向電圧は3.0Vであった。なお、この順方向電圧は窒化物半導体発光ダイオード素子の動作電圧に相当する。また、ITO層9を通して実施例2の窒化物半導体発光ダイオード素子の発光を観察したところ、その発光波長は450nmであり、発光出力は23.4mWであった。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"