固定床を有する反応器中で、導入された微粒子状の高純度シリコンを塩化水素含有ガスと反応させることによって気体の塩素-シリコン化合物を製造する方法であって、該固定床が冶金級シリコンを有し、かつ該微粒子状の高純度シリコンを、少なくとも380°Cに温度調節された供給部を用いて、該反応器の該固定床の充填床が形成されている帯域の下部又は内部に導通し、かつ該塩化水素含有ガスを、該反応器の該固定床の充填床が形成されている帯域の下部又は内部に導通し、かつ該固定床の充填床が380°Cを超える温度を有することを特徴とする、気体の塩素-シリコン化合物を製造する方法。該固定床の充填床が450°C超~最大1410°Cの温度を有する、請求項1記載の方法。該固定床の充填床が750°C超~最大1410°Cの温度を有する、請求項1記載の方法。該微粒子状の高純度シリコン及び該塩化水素含有ガスを、共通の温度調節された供給部を用いて、該反応器の該固定床の充填床が形成されている帯域の下部又は内部に導通する、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。該微粒子状の高純度シリコンをクロロシラン、水素及び/又は窒素との混合物で供給部へ導通する、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。該供給部が、該微粒子状の高純度シリコンが含まれている区間中に、温度調節装置を有する、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。該塩化水素含有ガス及び/又は該微粒子状の高純度シリコンを、供給部へ入る前に、少なくとも380°C、少なくとも400°C又は450°Cに温度調節する、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。該微粒子状の高純度シリコンを、該反応器へ供給する前に、部分的又は完全に連続的に又はバッチ式で粉砕する、請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。該固定床の材料を、微粒子状の高純度シリコンと一緒に、該供給部を介して添加する、請求項1から8までのいずれか1項記載の方法。該反応器の冷却を、その壁及び/又はそのふたを介して完全に行う、請求項1から9までのいずれか1項記載の方法。気体のSiHCl3及び/又はSiCl4を、該微粒子状の高純度シリコンとの混合物で該反応器中へ導く、請求項1から10までのいずれか1項記載の方法。冶金級シリコンからなる固定床が配置されている区間を有する反応器を有し、かつ該反応器中に、該固定床が配置されている該反応器区間の内部又は上部で合流する冶金級シリコン用の供給装置と、この区間の内部又は下部に配置された微粒子状の高純度シリコンの添加用の供給口を有する供給部とが配置されており、その際に該反応器が塩化水素用の供給部を有する、請求項1から11までのいずれか1項記載の方法における装置の使用であって、微粒子状の高純度シリコン用の該供給部が、少なくとも380°Cの温度を有し、かつ該固定床が少なくとも微粒子状の高純度シリコン用の該供給部が合流する領域内で、380°Cを上回る温度を有することを特徴とする、請求項1から11までのいずれか1項記載の方法における装置の使用。該反応器の該冷却装置が、熱伝達面が該反応器の壁からなる冷却装置からなる、請求項12記載の使用。該装置が、微粒子状の高純度シリコンを粉砕するための装置を有する、請求項12又は13のいずれか1項記載の使用。微粒子状の高純度シリコン用の供給部が、該固定床の下部に配置された少なくとも1個の供給口を有する塩化水素含有ガス用の供給部である、請求項12から14までのいずれか1項記載の使用。