基板と、通電により発光する発光層を含み当該基板上に積層される半導体層とを有する半導体発光素子であって、前記基板は、前記半導体層が積層される基板上面と、当該基板上面とは反対側に設けられる基板底面と、当該基板上面および当該基板底面の周縁を取り囲むように形成される基板側面とを備えるとともに、当該基板上面と当該基板側面との境界に沿って間隔を隔てて並び且つ当該基板の一部が切欠かれた複数の切り欠きが形成され、前記半導体層は、前記基板上面と接して設けられる半導体底面と、当該半導体底面とは反対側に設けられる半導体上面と、当該半導体底面および当該半導体上面の周縁を取り囲むように設けられる半導体側面とを有し、前記半導体側面には、前記半導体底面側から前記半導体上面側に向かって延び且つ前記半導体層の内部に向かって凹む凹部が複数並ぶことで、凹凸が形成されることを特徴とする半導体発光素子。前記半導体層は、前記基板と前記発光層との間に設けられる第1半導体層と、当該発光層を含み且つ当該第1半導体層上に設けられる第2半導体層とを有し、複数の前記凹部は、前記半導体側面のうち前記第1半導体層が露出する領域に設けられることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。前記半導体側面は、前記基板上面に垂直な方向に対して、傾斜して設けられることを特徴とする請求項1または2記載の半導体発光素子。前記半導体底面と前記半導体側面とがなす角は、90度よりも大きいことを特徴とする請求項3記載の半導体発光素子。前記凹部の横断面形状は、前記半導体底面側と、前記半導体上面側とで異なることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の半導体発光素子。前記半導体底面側における前記凹部の曲率は、前記半導体上面側における当該凹部の曲率よりも小さいことを特徴とする請求項5記載の半導体発光素子。前記半導体底面側における前記凹部の曲率は、前記半導体上面側における当該凹部の曲率と略等しく、当該凹部の中心軸が、当該半導体底面側と当該半導体上面側とで異なることを特徴とする請求項5記載の半導体発光素子。前記半導体側面は、当該半導体側面における前記半導体上面側のほうが、当該半導体側面における前記半導体底面側よりも、凹凸が大きく形成されることを特徴とする請求項5記載の半導体発光素子。前記基板側面は、第1方向に沿う第1基板側面と、当該第1方向と交差する第2方向に沿う第2基板側面とを有し、前記基板上面と前記第1基板側面との境界には、前記第1方向に沿って第1間隔を隔てて前記切り欠きが複数並び、当該基板上面と前記第2基板側面との境界には、前記第2方向に沿って第2間隔を隔てて当該切り欠きが複数並び、前記半導体側面は、前記第1方向に沿う第1半導体側面と、前記第2方向に沿う第2半導体側面とを有し、前記第1半導体側面には、前記基板上面と前記第1基板側面との境界に並ぶ複数の前記切り欠きのそれぞれと対向する前記凹部が複数並び、前記第2半導体側面には、当該基板上面と前記第2基板側面との境界に並ぶ複数の当該切り欠きのそれぞれと対向する当該凹部が複数並び、当該第1半導体側面に並ぶ凹部と当該第2半導体側面に並ぶ凹部とは、形状が異なることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項記載の半導体発光素子。前記基板上面には、凹凸が形成されていることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項記載の半導体発光素子。上面と、当該上面とは反対側に設けられる底面とを備える基板の当該上面に、通電により発光する発光層を含む半導体層が積層された半導体積層基板に対して、当該半導体層が積層された側からレーザ光を順次照射することで、それぞれが当該半導体層を貫通し且つ当該基板の一部が切り取られた複数の開口を、隣接する当該開口との間に間隔を有するように並べて形成するレーザ照射工程と、複数の前記開口が形成された前記半導体積層基板における前記半導体層に対して、ウェットエッチングを施すエッチング工程と複数の前記開口の配列に沿って、前記半導体積層基板を分割する分割工程とを含む半導体発光素子の製造方法。前記エッチング工程では、隣接する前記開口同士が繋がるように、前記半導体層に対してウェットエッチングを施すことを特徴とする請求項11記載の半導体発光素子の製造方法。前記レーザ照射工程の前に、前記半導体層上に保護膜を形成する保護膜形成工程を更に有し、前記レーザ照射工程では、前記保護膜が形成された半導体積層基板に対して、当該保護膜が形成された側から、当該保護膜および前記半導体層を介して前記基板の前記上面に到達するようにレーザ光を照射し、前記エッチング工程では、前記半導体層上に前記保護膜が形成された状態で、前記半導体積層基板における当該半導体層に対してウェットエッチングを施すことを特徴とする請求項11または12記載の半導体発光素子の製造方法。前記レーザ照射工程は、サファイア単結晶のC面で構成された前記上面に、III族窒化物を含む前記半導体層が積層された前記半導体積層基板に対して、サファイア単結晶のM面に沿う第1方向にレーザ光を順次照射することで、当該第1方向に沿って、第1間隔を隔てて並ぶ複数の前記開口を形成する第1レーザ照射工程と、前記半導体積層基板に対して、前記第1方向と交差する第2方向にレーザ光を順次照射することで、当該第2方向に沿って、第2間隔を隔てて並ぶ複数の前記開口を形成する第2レーザ照射工程とを含むことを特徴とする請求項11乃至13のいずれか1項記載の半導体発光素子の製造方法。凹凸加工が施された前記基板の前記上面に、前記半導体層を積層して前記半導体積層基板を形成する、半導体積層工程を更に含むことを特徴とする請求項11乃至14のいずれか1項記載の半導体発光素子の製造方法。基板と、通電により発光する発光層を含み、当該基板上に積層される半導体層とを備える半導体発光素子と、前記半導体発光素子に対して給電を行う給電部材とを備え、前記基板は、前記半導体層が積層される基板上面と、当該基板上面とは反対側に設けられる基板底面と、当該基板上面および当該基板底面の周縁を取り囲むように形成される基板側面とを備えるとともに、当該基板上面と当該基板側面との境界に沿って間隔を隔てて並び且つ当該基板の一部が切欠かれた複数の切り欠きが形成され、前記半導体層は、前記基板上面と接して設けられる半導体底面と、当該半導体底面とは反対側に設けられる半導体上面と、当該半導体底面および当該半導体上面の周縁を取り囲むように設けられる半導体側面とを有し、前記半導体側面は、前記半導体底面側から前記半導体上面側に向かって延び且つ前記半導体層の内部に向かって凹む凹部を複数有することを特徴とする発光装置。前記半導体底面と前記半導体側面とがなす角は、90度よりも大きく形成され、前記半導体発光素子は、前記半導体層における前記半導体上面側から光を取り出すことを特徴とする請求項16記載の発光装置。しかしながら、半導体発光素子において、半導体層の側面に凹凸を設けた場合に加えて更なる光取り出し効率の向上が要請されている。本発明は、基板を有する半導体発光素子における光の取り出し効率を向上させることを目的とする。本発明によれば、下記[1]~[17]に係る発明が提供される。[1]基板と、通電により発光する発光層を含み当該基板上に積層される半導体層とを有する半導体発光素子であって、前記基板は、前記半導体層が積層される基板上面と、当該基板上面とは反対側に設けられる基板底面と、当該基板上面および当該基板底面の周縁を取り囲むように形成される基板側面とを備えるとともに、当該基板上面と当該基板側面との境界に沿って間隔を隔てて並び且つ当該基板の一部が切欠かれた複数の切り欠きが形成され、前記半導体層は、前記基板上面と接して設けられる半導体底面と、当該半導体底面とは反対側に設けられる半導体上面と、当該半導体底面および当該半導体上面の周縁を取り囲むように設けられる半導体側面とを有し、前記半導体側面は、前記半導体底面側から前記半導体上面側に向かって延び且つ前記半導体層の内部に向かって凹む凹部が複数並ぶことで、凹凸が形成されることを特徴とする半導体発光素子。[2]前記半導体層は、前記基板と前記発光層との間に設けられる第1半導体層と、当該発光層を含み且つ当該第1半導体層上に設けられる第2半導体層とを有し、複数の前記凹部は、前記半導体側面のうち前記第1半導体層が露出する領域に設けられることを特徴とする[1]記載の半導体発光素子。[3]前記半導体側面は、前記基板上面に垂直な方向に対して、傾斜して設けられることを特徴とする[1]または[2]記載の半導体発光素子。[4]前記半導体底面と前記半導体側面とがなす角は、90度よりも大きいことを特徴とする[3]記載の半導体発光素子。[5]前記凹部の横断面形状は、前記半導体底面側と、前記半導体上面側とで異なることを特徴とする[1]~[4]のいずれかに記載の半導体発光素子。[6]前記半導体底面側における前記凹部の曲率は、前記半導体上面側における当該凹部の曲率よりも小さいことを特徴とする[5]記載の半導体発光素子。[7]前記半導体底面側における前記凹部の曲率は、前記半導体上面側における当該凹部の曲率と略等しく、当該凹部の中心軸が、当該半導体底面側と当該半導体上面側とで異なることを特徴とする[5]記載の半導体発光素子。[8]前記半導体側面は、当該半導体側面における前記半導体上面側のほうが、当該半導体側面における前記半導体底面側よりも、凹凸が大きく形成されることを特徴とする[4]記載の半導体発光素子。[9]前記基板側面は、第1方向に沿う第1基板側面と、当該第1方向と交差する第2方向に沿う第2基板側面とを有し、前記基板上面と前記第1基板側面との境界には、前記第1方向に沿って第1間隔を隔てて前記切り欠きが複数並び、当該基板上面と前記第2基板側面との境界には、前記第2方向に沿って第2間隔を隔てて当該切り欠きが複数並び、前記半導体側面は、前記第1方向に沿う第1半導体側面と、前記第2方向に沿う第2半導体側面とを有し、前記第1半導体側面には、前記基板上面と前記第1基板側面との境界に並ぶ複数の前記切り欠きのそれぞれと対向する前記凹部が複数並び、前記第2半導体側面には、当該基板上面と前記第2基板側面との境界に並ぶ複数の当該切り欠きのそれぞれと対向する当該凹部が複数並び、当該第1半導体側面に並ぶ凹部と当該第2半導体側面に並ぶ凹部とは、形状が異なることを特徴とする[1]~[8]のいずれかに記載の半導体発光素子。[10]前記基板上面には、凹凸が形成されていることを特徴とする[1]~[9]のいずれかに記載の半導体発光素子。[11]上面と、当該上面とは反対側に設けられる底面とを備える基板の当該上面に、通電により発光する発光層を含む半導体層が積層された半導体積層基板に対して、当該半導体層が積層された側からレーザ光を順次照射することで、それぞれが当該半導体層を貫通し且つ当該基板の一部が切り取られた複数の開口を、隣接する当該開口との間に間隔を有するように並べて形成するレーザ照射工程と、複数の前記開口が形成された前記半導体積層基板における前記半導体層に対して、ウェットエッチングを施すエッチング工程と複数の前記開口の配列に沿って、前記半導体積層基板を分割する分割工程とを含む半導体発光素子の製造方法。[12]前記エッチング工程では、隣接する前記開口同士が繋がるように、前記半導体層に対してウェットエッチングを施すことを特徴とする[11]記載の半導体発光素子の製造方法。[13]前記レーザ照射工程の前に、前記半導体層上に保護膜を形成する保護膜形成工程を更に有し、前記レーザ照射工程では、前記保護膜が形成された半導体積層基板に対して、当該保護膜が形成された側から、当該保護膜および前記半導体層を介して前記基板の前記上面に到達するようにレーザ光を照射し、前記エッチング工程では、前記半導体層上に前記保護膜が形成された状態で、前記半導体積層基板における当該半導体層に対してウェットエッチングを施すことを特徴とする[11]または[12]記載の半導体発光素子の製造方法。[14]前記レーザ照射工程は、サファイア単結晶のC面で構成された前記上面に、III族窒化物を含む前記半導体層が積層された前記半導体積層基板に対して、サファイア単結晶のM面に沿う第1方向にレーザ光を順次照射することで、当該第1方向に沿って、第1間隔を隔てて並ぶ複数の前記開口を形成する第1レーザ照射工程と、前記半導体積層基板に対して、前記第1方向と交差する第2方向にレーザ光を順次照射することで、当該第2方向に沿って、第2間隔を隔てて並ぶ複数の前記開口を形成する第2レーザ照射工程とを含むことを特徴とする[11]~[13]に記載の半導体発光素子の製造方法。[15]凹凸加工が施された前記基板の前記上面に、前記半導体層を積層して前記半導体積層基板を形成する、半導体積層工程を更に含むことを特徴とする[11]~[14]に記載の半導体発光素子の製造方法。[16]基板と、通電により発光する発光層を含み、当該基板上に積層される半導体層とを備える半導体発光素子と、前記半導体発光素子に対して給電を行う給電部材とを備え、前記基板は、前記半導体層が積層される基板上面と、当該基板上面とは反対側に設けられる基板底面と、当該基板上面および当該基板底面の周縁を取り囲むように形成される基板側面とを備えるとともに、当該基板上面と当該基板側面との境界に沿って間隔を隔てて並び且つ当該基板の一部が切欠かれた複数の切り欠きが形成され、前記半導体層は、前記基板上面と接して設けられる半導体底面と、当該半導体底面とは反対側に設けられる半導体上面と、当該半導体底面および当該半導体上面の周縁を取り囲むように設けられる半導体側面とを有し、前記半導体側面は、前記半導体底面側から前記半導体上面側に向かって延び且つ前記半導体層の内部に向かって凹む凹部を複数有することを特徴とする発光装置。[17]前記半導体底面と前記半導体側面とがなす角は、90度よりも大きく形成され、前記半導体発光素子は、前記半導体層における前記半導体上面側から光を取り出すことを特徴とする[16]記載の発光装置。本発明によれば、基板を有する半導体発光素子における光の取り出し効率を向上させることができる。以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、以下の説明において参照する図面における各部の大きさや厚さ等は、実際の半導体発光素子等の寸法とは異なっている場合がある。[実施の形態1]半導体発光素子の構造図1は、本実施の形態が適用される半導体発光素子1の斜視図の一例であり、図2は、図1に示す半導体発光素子1の上面図の一例である。図1および図2に示すように、本実施の形態の半導体発光素子1は、基板の一例であるサファイア基板100と、サファイア基板100上に積層された半導体層の一例である積層半導体層200と、積層半導体層200上に形成されたp電極300およびn電極400とを有している。また、本実施の形態の積層半導体層200は、サファイア基板100上に積層される第1半導体層の一例としての下側半導体層210と、下側半導体層210上に積層される第2半導体層の一例としての上側半導体層220とを有している。なお、この例では、p電極300は、上側半導体層220上に形成され、n電極400は、下側半導体層210上に形成されている。また、図1に示すように、本実施の形態の半導体発光素子1は、略直方体の形状を有している。そして、図2に示すように、この半導体発光素子1は、p電極300およびn電極400が形成される側からみた場合に、長辺側と短辺側とを有する略長方形の形状を有している。本実施の形態においては、半導体発光素子1をp電極300およびn電極400が形成される側からみた場合に、長辺側に沿う方向を第1方向xとし、短辺側に沿う方向を第2方向yとする。また、第1方向xと第2方向yとに垂直、且つ、半導体発光素子1においてサファイア基板100側から積層半導体層200側へ向かう方向を第3方向zとする。さらに、図1に示すように、本実施の形態のサファイア基板100は、略直方体の形状を有している。そして、図2に示すように、このサファイア基板100は、積層半導体層200が積層される側からみた場合に、第1方向xに沿う長辺側と第2方向yに沿う短辺側とを有する略長方形の形状を有している。したがって、サファイア基板100は、4つの基板側面と、積層半導体層200が積層される基板上面113と、4つの基板側面を介して基板上面113と対向する基板底面114後述する図3参照とを有している。そして、基板上面113および基板底面114は、それぞれ、第1方向xに沿う2つの長辺および第2方向yに沿う2つの短辺を有する長方形の形状を備えている。また、本実施の形態においては、4つの基板側面のうち、第1方向xに沿う2つの長辺側の基板側面を、それぞれ第1基板側面111と称し、第2方向yに沿う2つの短辺側の基板側面を、それぞれ第2基板側面112と称する。この例では、サファイア基板100として、C面を基板上面113としたサファイア単結晶を用いている。なお、基板上面113の面方位としては、品質の良い積層半導体層200を得やすいサファイア単結晶のC面を用いることが望ましい。そして、基板上面113としては、サファイア単結晶のC面に対して微小なオフ角が付与してある面を用いることが、更に望ましい。オフ角を付与する場合は、オフ角として1°以下が適用される。本実施の形態においては、このようなオフ角が付与された場合を含めて、単に、基板上面113はC面であると呼ぶ。また、サファイア基板100として用いるサファイア単結晶は、微量の不純物が含まれたものであってもよい。さらに、サファイア基板100における2つの第1基板側面111は、それぞれサファイア基板100として用いられるサファイア単結晶のM面に沿って設けられており、2つの第2基板側面112は、それぞれサファイア単結晶のA面に沿って設けられている。すなわち、本実施の形態においては、第1方向xはサファイア単結晶のM面に沿う方向であり、第2方向yはサファイア単結晶のA面に沿う方向である。なお、積層半導体層200を成長させる基板としては、サファイア単結晶からなるサファイア基板100以外に、SiC単結晶基板を用いることができる。また、図1、図2に示すように、本実施の形態の下側半導体層210は、略直方体の形状を有している。したがって、下側半導体層210は、4つの下側半導体側面と、上側半導体層220およびn電極400が積層される下側半導体上面213と、4つの下側半導体側面を介して下側半導体上面213と対向し、基板上面113と接する半導体底面の一例としての下側半導体底面214とを有している。本実施の形態においては、下側半導体層210における4つの下側半導体側面のうち、第1方向xに沿う2つの下側半導体側面を、それぞれ第1下側半導体側面211と称し、第2方向yに沿う2つの下側半導体側面を、それぞれ第2下側半導体側面212と称す。ここで、本実施の形態においては、サファイア基板100における基板上面113の面積よりも、下側半導体層210における下側半導体底面214の面積の方が小さく形成されている。したがって、サファイア基板100の基板上面113における周縁部が外部に露出している。また、この例においては、下側半導体層210における下側半導体上面213の面積よりも、下側半導体底面214の面積の方が小さく形成されている。さらに、図1、図2に示すように、本実施の形態の上側半導体層220は、略直方体の形状を有している。したがって、上側半導体層220は、4つの上側半導体側面と、p電極300が積層される半導体上面の一例としての上側半導体上面223と、4つの上側半導体側面を介して上側半導体上面223と対向し、下側半導体層210における下側半導体上面213と接する上側半導体底面図示せずとを有している。本実施の形態においては、上側半導体層220における4つの上側半導体側面のうち、第1方向xに沿う2つの上側半導体側面を、それぞれ第1上側半導体側面221と称し、第2方向yに沿う2つの上側半導体側面を、それぞれ第2上側半導体側面222と称す。なお、2つの第2上側半導体側面222における一方の第2上側半導体側面222は、下側半導体層210上に設けられるn電極400に沿って円弧状に湾曲した部分を有している。本実施の形態においては、2つの第1上側半導体側面221および2つの第2上側半導体側面222は、それぞれ、下側半導体層210における下側半導体上面213に対して略垂直に設けられている後述する図4も参照。ここで、本実施の形態においては、下側半導体層210における下側半導体上面213の面積よりも、上側半導体層220における上側半導体底面の面積の方が小さく形成されている。したがって、下側半導体層210の下側半導体上面213における周縁部が外部に露出している。なお、本実施の形態においては、第1下側半導体側面211、第2下側半導体側面212、第1上側半導体側面221および第2上側半導体側面222により、半導体側面が構成されている。また、第1下側半導体側面211および第1上側半導体側面221により第1半導体側面が構成され、第2下側半導体側面212および第2上側半導体側面222により第2半導体側面が構成されている。本実施の形態のサファイア基板100は、第1基板側面111と基板上面113との境界部に、第1方向xに沿って延びる第1切り欠き列121が形成されている。第1切り欠き列121は、第1基板側面111と基板上面113との境界部において、サファイア基板100の一部が切り欠かれた切り欠きの一例としての第1切り欠き121aが、第1方向xに沿って複数並ぶことで構成されている。ここで、第1切り欠き121a同士が隣接する距離は、第1間隔p1となっている。同様に、本実施の形態のサファイア基板100は、第2基板側面112と基板上面113との境界部に、第2方向yに沿って延びる第2切欠き列122が形成されている。第2切り欠き列122は、第2基板側面112と基板上面113との境界部において、サファイア基板100の一部が切り欠かれた切り欠きの一例としての第2切り欠き122aが、第2方向yに沿って複数並ぶことで構成されている。ここで、第2切り欠き122a同士が隣接する距離は、第2間隔p2となっている。また、第1切り欠き121aおよび第2切り欠き122aの深さは0.1μm~20μmの範囲である。なお、本実施の形態において、第1間隔p1と第2間隔p2とは等しいp1=p2。また、本実施の形態の下側半導体層210における第1下側半導体側面211は、第3方向zに沿って延び且つ下側半導体層210の内側に向かって凹む複数の第1凹部211bと、第3方向zに沿って延び且つ第1凹部211bよりも下側半導体層210の外側に向かって突出する複数の第1凸部211aとを有している。そして、複数の第1凹部211bと複数の第1凸部211aとは、第1方向xに沿って交互に並んで配置され、第1下側半導体側面211には、第1方向xに沿って周期的に変化する凹凸形状が形成されている。ここで、この例においては、隣接する第1凸部211a同士の距離は第1間隔p1である。さらに、本実施の形態の下側半導体層210における第2下側半導体側面212は、第2方向yおよび第3方向zに沿って略平坦に形成される第2平坦部212bと、第2平坦部212bにおける上側半導体層220側に設けられ、第2平坦部212bよりも下側半導体層210の外側に向かって突出し且つ第2方向に沿って並ぶ複数の第2突起部212aとが設けられている。そして、第2下側半導体側面212には、第2突起部212aと第2平坦部212bとにより、第2方向yに沿って周期的に変化する凹凸形状が形成されている。ここで、隣接する第2突起212a同士の距離は第2間隔p2である。なお、本実施の形態においては、第1下側半導体側面211における第1凹部211bおよび第2下側半導体側面212における第2平坦部212bにより、凹部が構成されている。本実施の形態においては、第1下側半導体側面211に形成される凹凸と、第2下側半導体側面212に形成される凹凸とは、形状が異なっている。下側半導体層210における第1下側半導体側面211および第2下側半導体側面212の凹凸形状については、後段にて詳細に説明する。なお、この例においては、nクラッド層203b、発光層204およびp型半導体層205を含む上側半導体層220における第1上側半導体側面221および第2上側半導体側面222には、凹凸形状は形成されていない。続いて、本実施の形態の半導体発光素子1におけるサファイア基板100および積層半導体層200の積層構造について説明する。図3は、本実施の形態のサファイア基板100および積層半導体層200の縦断面図の一例である。なお、本実施の形態においては、サファイア基板100の基板上面113と垂直な方向に沿った断面を縦断面と呼び、基板上面113と平行な方向に沿った断面を横断面と呼ぶ。図3に示すように、本実施の形態のサファイア基板100は、平坦な基板上面113上に、積層半導体層200側へ突出する複数の凸部113aが形成されている。それぞれの凸部113aの幅は0.05~5μmであることが好ましく、それぞれの凸部113aの高さは0.05~5μmの範囲であることが好ましい。また、隣接する凸部113a同士の間隔は、第1間隔p1図2参照および第2間隔p2図2参照よりも小さいことが好ましい。なお、サファイア基板100の基板上面113上には、必ずしも凸部113aを設ける必要はないが、サファイア基板100上に積層される積層半導体層200の結晶性および半導体発光素子1における発光効率を向上させる観点からは、基板上面113上に複数の凸部113aを設けることが好ましい。さらに、下側半導体層210の第1下側半導体側面211および第2下側半導体側面212に凹凸を形成する観点からは、サファイア基板100の基板上面113上に複数の凸部113aを設けることが好ましい。また、図3に示すように、本実施の形態の積層半導体層200は、サファイア基板100の基板上面113上と、基板上面113上に形成される凸部113a上とに積層される。そして、本実施の形態の積層半導体層200は、サファイア基板100上に積層される中間層201と、中間層201上に積層される下地層202と、下地層202上に積層されるn型半導体層203と、n型半導体層203上に積層される発光層204と、発光層204上に積層されるp型半導体層205とを備えている。なお、p型半導体層205上に、更に透明導電層や保護層等の他の層が積層されていてもよい。本実施の形態においては、p型半導体層205上に透明導電層や保護層等の層が積層されているものも含めて、積層半導体層200と呼ぶ。n型半導体層203は、下地層202上に積層されるnコンタクト層203aと、nコンタクト層203a上に積層されるnクラッド層203bとから構成される。なお、nコンタクト層203aはnクラッド層203bを兼ねることも可能である。また、p型半導体層205は、発光層204上に積層されるpクラッド層205aと、pクラッド層205a上に積層されるpコンタクト層205bとから構成される。なお、pコンタクト層205bは、pクラッド層205aを兼ねることも可能である。なお、本実施の形態においては、下側半導体層210は、中間層201、下地層202およびnコンタクト層203aにおける下地層202側の一部により構成されている。さらに、上側半導体層220は、nコンタクト層203aにおけるnクラッド層203b側の一部、nクラッド層203b、発光層204、pクラッド層205aおよびpコンタクト層205bにより構成されている。続いて、積層半導体層200を構成する各層について、それぞれ説明する。なお、以下の説明では、AlGaN、GaN、GaInNについて、各元素の組成比を省略した形で記述する場合がある。<中間層>中間層201は、サファイア基板100と下地層202との格子定数の違いを緩和し、特にC面を主面とするサファイア単結晶でサファイア基板100を構成した場合には、サファイア基板100のC面0001面上にc軸配向した単結晶層の形成を容易にする働きがある。したがって、中間層201を形成することで、その上に積層する下地層202の結晶性を向上させることができる。本実施の形態の中間層201は、AlNで形成されている。なお、中間層201としては、AlN以外の、多結晶のAlxGa1xN0≦x≦1、単結晶のAlxGa1xN0≦x≦1からなるものを用いても良い。中間層201の厚さは、0.01μm~0.5μmの範囲が好ましい。中間層201の厚みが0.01μm未満であると、中間層201によりサファイア基板100と下地層202との格子定数の違いを緩和する効果が十分に得られない場合がある。また、中間層201の厚みが0.5μmを超えると、中間層201としての機能には変化が無いのにも関わらず、中間層201の成膜処理時間が長くなり、生産性が低下するおそれがある。<下地層>下地層202としては、AlxGayInzN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz=1を用いることができる。下地層202の厚さは、0.1μm以上が好ましく、より好ましくは0.5μm以上であり、1μm以上が最も好ましい。下地層202の厚さを1μm以上にすることにより、結晶性の良好な下地層202を得やすくなる。また、下地層202の結晶性を良くするためには、下地層202には不純物をドーピングしない方が望ましい。しかし、p型あるいはn型の導電性が必要な場合には、アクセプター不純物あるいはドナー不純物を添加することができる。さらに、第1下側半導体側面211図1参照および第2下側半導体側面212図1参照を、下側半導体底面214と垂直な方向に対して傾斜し且つ下側半導体上面213側と下側半導体底面214側とで異なる凹凸形状にするためには、中間層201の材質と下地層202の材質とが異なることが望ましい。中間層201の材質と下地層202の材質とが異なることにより、後述する半導体発光素子の製造方法におけるエッチング工程図7参照において、下側半導体上面213側と下側半導体底面214側とで下側半導体層210のエッチング形状およびエッチングのされやすさが異なりやすくなる。中間層201および下地層202の好適な例として、中間層201にAlGaNを含む材質を用い、下地層202にGaN、InGaNを含む材質を用いることができる。また、中間層201または下地層202にドーパントを加えてもよい。この場合、中間層201と下地層202とで、添加するドーパントの種類やドーピング量を変えることが望ましい。<nコンタクト層>nコンタクト層203aは、n電極400を設けるための層である。nコンタクト層203aは、AlxGa1xN層0≦x<1、好ましくは0≦x≦0.5、さらに好ましくは0≦x≦0.1から構成されることが好ましい。また、nコンタクト層203aにはn型不純物がドープされていることが好ましい。n型不純物を1×1017/cm3~1×1020/cm3、好ましくは1×1018/cm3~1×1019/cm3の濃度で含有すると、n電極400との良好なオーミック接触を維持できる点で好ましい。n型不純物としては、例えば、Si、GeおよびSn等が挙げられ、好ましくはSiおよびGeが挙げられる。nコンタクト層203aの厚さは、0.5μm~5μmとされることが好ましく、1μm~3μmの範囲に設定することがより好ましい。nコンタクト層203aの厚さが上記範囲にあると、発光層204等の結晶性が良好に維持される。また、nコンタクト層203aの厚さがこの範囲にあると、電気抵抗が低くなり、動作電圧VFの低減に効果がある。なお、nコンタクト層203aの厚さが厚すぎる場合には、生産性の低下につながる。<nクラッド層>nクラッド層203bは、発光層204へのキャリアの注入とキャリアの閉じ込めとを行う層である。nクラッド層203bはAlGaN、GaN、GaInNなどで形成することが可能である。また、これらの構造のヘテロ接合や複数回積層した超格子構造としてもよい。nクラッド層203bをGaInNで形成する場合には、発光層204のGaInNのバンドギャップよりも大きくすることが望ましい。nクラッド層203bのn型不純物濃度は1×1017/cm3~1×1020/cm3が好ましく、より好ましくは1×1018/cm3~1×1019/cm3である。不純物濃度がこの範囲であると、良好な結晶性の維持による発光効率の向上および素子の動作電圧低減の点で好ましい。nクラッド層203bの厚さは、好ましくは5nm~500nmであり、より好ましくは50nm~200nmである。なお、nクラッド層203bを、超格子構造を含む層とする場合には、10nm以下の厚さを有するIII族窒化物半導体からなるn側第1層と、n側第1層と組成が異なるとともに10nm以下の厚さを有するIII族窒化物半導体からなるn側第2層とが積層された構造を含むものであってもよい。また、nクラッド層203bは、n側第1層とn側第2層とが交互に繰返し積層された構造を含んだものであってもよく、この場合には、GaInNとGaNとの交互構造又は組成の異なるGaInN同士の交互構造であることが好ましい。<発光層>nクラッド層203bの上に積層される発光層204としては、単一量子井戸構造あるいは多重量子井戸構造などを採用することができる。量子井戸構造の井戸層としては、所望の発光波長を得られるように調整したGa1yInyN0<y<0.4からなるIII族窒化物半導体層が通常用いられる。また、多重量子井戸構造の発光層204を用いる場合は、上記Ga1yInyNを井戸層とし、井戸層よりバンドギャップエネルギーが大きいAlzGa1zN0≦z<0.3を障壁層とする。井戸層および障壁層には、設計により不純物をドープしてもよく、不純物をドープしなくてもよい。<pクラッド層>pクラッド層205aは、発光層204へのキャリアの閉じ込めとキャリアの注入とを行う層である。pクラッド層205aとしては、発光層204のバンドギャップエネルギーより大きくなる組成であり、発光層204へのキャリアの閉じ込めができるものであれば特に限定されないが、例えばAlxGa1xN0<x≦0.4を用いることが望ましい。pクラッド層205aが、このようなAlGaNからなると、発光層204へのキャリアの閉じ込めの点で好ましい。pクラッド層205aのp型不純物濃度は、1×1018/cm3~1×1021/cm3が好ましく、より好ましくは1×1019/cm3~1×1020/cm3である。p型不純物濃度が上記範囲であると、結晶性を低下させることなく良好なp型結晶が得られる。また、pクラッド層205aは、上述したnクラッド層203bと同様に超格子構造としてもよい。この場合には、組成比が異なるAlGaNと他のAlGaNとが交互に積層された構造または組成が異なるAlGaNとGaNとが交互に積層された構造であることが好ましい。pクラッド層205aの厚さは、特に限定されないが、好ましくは1nm~400nmであり、より好ましくは5nm~100nmである。<pコンタクト層>pコンタクト層205bは、p電極300を設けるための層である。pコンタクト層205bは、AlxGa1xN0≦x≦0.4から構成されることが好ましい。Al組成が上記範囲であると、良好な結晶性の維持およびp電極300との良好なオーミック接触の維持が可能となる点で好ましい。なお、pコンタクト層205bとp電極300との間にIZO、ITO等の光透過性および導電性に優れた透明導電層を設けることが好ましい。このような透明導電層を設けることで、電流拡散が良好となり、発光出力の向上および動作電圧の低下につながる。pコンタクト層205bのp型不純物濃度は、1×1018/cm3~1×1021/cm3が好ましく、より好ましくは5×1019/cm3~5×1020/cm3である。p型不純物濃度が上記範囲であると、良好なオーミック接触の維持、良好な結晶性の維持が可能となる点で好ましい。p型不純物としては、特に限定されないが、例えばMg等が挙げられる。pコンタクト層205bの厚さは、特に限定されないが、10nm~500nmが好ましく、より好ましくは50nm~200nmである。pコンタクト層205bの厚さが上記範囲にあると、発光出力、動作電圧の点で好ましい。次に、下側半導体層210における第1下側半導体側面211および第2下側半導体側面212の詳細な構造について説明する。図4は、本実施の形態が適用される半導体発光素子1の縦断面図の一例である。ここで、図4aは図2におけるIVA-IVA断面図であり、下側半導体層210の第1下側半導体側面211において、第1凸部211aが存在する部位の縦断面図である。bは図2におけるIVB-IVB断面図であり、下側半導体層210の第1下側半導体側面211において、第1凹部211bが存在する部位の縦断面図である。cは図2におけるIVC-IVC断面図であり、下側半導体層210の第2下側半導体側面212において、第2突起部212aが存在する部位の縦断面図である。dは図2におけるIVD-IVD断面図であり、下側半導体層210の第2下側半導体側面212において、第2平坦部212bが存在する部位の縦断面図である。図5は、本実施の形態が適用される半導体発光素子1の横断面図の一例である。ここで、図5aは図4aにおけるVA-VA断面図であり、bは図4aにおけるVB-VB断面図であり、cは図4aにおけるVC-VC断面図であり、dは図4aにおけるVD-VD断面図である。まず、下側半導体層210における第1下側半導体側面211の形状について説明を行う。図4aに示すように、下側半導体層210において、第1凸部211aにおける第1下側半導体側面211と下側半導体底面214とがなす角度をθ1aとする。本実施の形態においては、θ1aは、鈍角であるθ1a>90°。同様に、図4bに示すように、下側半導体層210において、第1凹部211bにおける第1下側半導体側面211と下側半導体底面214とがなす角度をθ1bとする。本実施の形態においては、θ1bは、鈍角であるθ1b>90°。また、本実施の形態では、互いに対向する2つの第1下側半導体側面211は、対向する第1下側半導体側面211との距離が、第3方向zに沿って下側半導体底面214側から下側半導体上面213側に向かうにつれて、徐々に長くなるように設けられている。したがって、本実施の形態では、第1下側半導体側面211は、第1方向xに沿い且つ基板上面113と垂直な平面に対して、下側半導体層210の外側に向かって傾斜した形状を有している。そして、図4abに示すように、θ1aとθ1bとは異なっており、本実施の形態においては、θ1aがθ1bよりも大きく形成されているθ1a>θ1b。すなわち、本実施の形態においては、下側半導体層210の第1下側半導体側面211と基板上面113とがなす角は、第1方向xに沿って周期的に変化している。また、横断面図である図5a~dに示すように、第1下側半導体側面211における第1凹部211bの横断面は、それぞれ下側半導体層210よりも外側に円の中心を有する円弧形状をなしている。そして円弧形状をなす複数の第1凹部211bが第1方向xに沿って並ぶことで、隣接する第1凹部211b同士の間に第1凹部211bよりも下側半導体層210において外側に突出した第1凸部211aが形成されている。すなわち、第1下側半導体側面211の横断面は、円弧状の第1凹部211bと、第1凹部211bよりも下側半導体層210の外側に突出する第1凸部211aとが、交互に且つ周期的に並んだ構造を有している。さらに、図5a~dに示すように、第1下側半導体側面211の横断面形状は、第3方向zに沿って下側半導体層210における下側半導体底面214図4参照側から下側半導体上面213図4参照側に向かうにつれて、形状が変化している。具体的には、下側半導体層210における下側半導体底面214側から下側半導体上面213側に向かうにつれて、第1下側半導体側面211における第1凹部211bの曲率が、徐々に大きくなっている。なお、曲率とは曲線の曲がり度合いを示す量をいうが、本実施の形態では、多角形の外接円における曲率を単に曲率と呼ぶことがある。さらにまた、図4bおよび上述した図2に示すように、サファイア基板100の基板上面113と第1基板側面111との境界部において、第1下側半導体側面211の第1凹部211bと対応する領域には、第1切り欠き121aが形成されている。本実施の形態においては、図2および図5に示すように、第1下側半導体側面211における第1凹部211bは、基板上面113と垂直な方向からみた場合に、それぞれ第1切り欠き121aを中心とした円の円弧をなしている。一方、図4aおよび図2に示すように、サファイア基板100の基板上面113と第1基板側面111との境界部において、第1下側半導体側面211の第1凸部211aと対応する領域には、切り欠きは形成されていない。続いて、下側半導体層210における第2下側半導体側面212の形状について説明を行う。上述した図1に示すように、本実施の形態の第2下側半導体側面212では、複数の第2突起部212aが形成される領域を除く、第2下側半導体側面212の全域に亘って第2平坦部212bが設けられている。第2下側半導体側面212における第2平坦部212bとサファイア基板100の基板上面113とがなす角度をθ2bとする。本実施の形態においては、θ2bは、鈍角であるθ2b>90°。また、本実施の形態では、互いに対向する2つの第2下側半導体側面212は、対向する第2下側半導体側面212との距離が、第3方向zに沿って下側半導体底面214側から下側半導体上面213側に向かうにつれて、徐々に長くなるように設けられている。したがって、本実施の形態では、第2下側半導体側面212は、第2方向yに沿い且つ基板上面113と垂直な平面に対して、下側半導体層210の外側に向かって傾斜した形状を有している。また、図4cに示すように、第2突起部212aにおける基板側の面とサファイア基板100の基板上面113とがなす角度をθ2aとする。本実施の形態においては、θ2aは、鈍角であるθ2a>90°。これにより、第2突起部212aは、第3方向zと反対方向に沿って下側半導体上面213側から下側半導体底面214側に向かうにつれて、第2平坦部212bから突出する高さが減少している。そして、図4cdに示すように、θ2aとθ2bとは異なっており、本実施の形態においては、θ2aがθ2bよりも大きく形成されているθ2a>θ2b。さらに、横断面図である図5a~dに示すように、第2下側半導体側面212の横断面形状は、下側半導体層210における下側半導体上面213側図5a、bと、下側半導体層210における下側半導体底面214側図5c、dとで異なっている。具体的には、図5a、bに示すように、下側半導体層210における下側半導体上面213側では、第2下側半導体側面212の横断面は、第2平坦部212bに対応する直線上の領域と、第2突起部212aに対応し、直線上の領域から下側半導体層210の外側に突出する領域とが交互に且つ周期的に並んだ構造をしている。一方、図5c、dに示すように、下側半導体層210における下側半導体底面214側では、第2突起部212aが形成されていないため、第2下側半導体側面212の横断面は、第2平坦部212bに対応する直線状の形状を有している。さらに、図4dおよび上述した図2に示すように、サファイア基板100の基板上面113と第2基板側面112との境界部において、第2下側半導体側面212における隣接する第2突起部212a同士の中心に位置する第2平坦部212bと対応する領域に、第2切り欠き122aが形成されている。本実施の形態においては、図2および図5に示すように、2つの隣接する第2突起部212aと、2つの第2突起部212aの間に位置する第2平坦部212bとは、基板上面113と垂直な方向からみた場合に、第2切り欠き122aを中心とした六角形における隣接した3辺を構成している。一方、図4cおよび図2に示すように、サファイア基板100の基板上面113と第2基板側面112との境界部において、第2下側半導体側面212の第2突起部212aと対応する領域には、切り欠きは形成されていない。また、図5a~dに示すように、本実施の形態においては、下側半導体層210は、下側半導体底面214側から下側半導体上面213側に向かうにつれて、下側半導体層210における横断面の面積が徐々に大きくなっている。半導体発光素子を有する発光装置の構造続いて、本実施の形態の半導体発光素子1を搭載する発光装置5の構成について説明する。図6は、上述した本実施の形態の半導体発光素子1を適用した発光装置5の断面図の一例である。図6に示すように、発光装置5は、砲弾型であり、本実施の形態の半導体発光素子1が実装されたものである。図6に示すように、本実施の形態の半導体発光素子1は、半導体発光素子1におけるサファイア基板100側が、発光装置5の基台となるp側フレーム53にダイボンドされている。また、半導体発光素子1におけるp電極300がp側ボンディングワイヤ51を介してp側フレーム53に接続され、同様に、n電極400がn側ボンディングワイヤ52を介してn側フレーム54に接続されている。また、半導体発光素子1の周辺は、透明な樹脂等からなるモールド55により封止されている。なお、発光装置5は、例えば、半導体発光素子1と蛍光体とを組み合わせてなるものであり、当業者周知の手段によって、当業者周知の構成とすることができる。また、半導体発光素子1と蛍光体とを組み合わせることによって白色光を得る技術が知られているが、このような技術を本実施の形態の発光装置5に対しても、何ら制限なく採用することが可能である。また、半導体発光素子1を備える発光装置5としては、表面実装タイプやサイドビュー型など、他の構造、形状についても制限なく使用できる。続いて、図6に示す発光装置5による発光動作を説明する。発光装置5に設けられたp側ボンディングワイヤ51およびn側ボンディングワイヤ52を介して半導体発光素子1に、p側フレーム53からn側フレーム54に向かう電流を流すと、半導体発光素子1では、p電極300からp型半導体層205図3参照、発光層204図3参照、n型半導体層203図3参照を介してn電極400に向かう電流が流れる。その結果、発光層204から、例えば青色の光が出力される。発光層204から出力される光は、発光層204を中心として、サファイア基板100側およびp型半導体層205側へ向かって積層半導体層200内を伝播する。ここで、本実施の形態の半導体発光素子1における第1下側半導体側面211および第2下側半導体側面212は、サファイア基板100の基板上面113と垂直な方向に対して、外側に傾斜した構造を有している。したがって、発光層204から出力され、下側半導体層210を伝播して第1下側半導体側面211または第2下側半導体側面212に到達した光は、第1下側半導体側面211または第2下側半導体側面212を介して外部に取り出され、あるいは、第1下側半導体側面211または第2下側半導体側面212によって、上側半導体層220側に向けて反射される。これにより、第1下側半導体側面211及び第2下側半導体側面212が基板上面113と垂直な方向に対して傾斜していない場合と比較して、第1下側半導体側面211および第2下側半導体側面212から取り出される光の量が増加するとともに、半導体発光素子1の上側p電極300およびn電極400が形成される側から取り出される光の量が増加する。さらに、第1下側半導体側面211および第2下側半導体側面212が基板上面113と垂直な方向に対して外側に傾斜した構造を有することで、下側半導体層210の各側面第1下側半導体側面211、第2下側半導体側面212が互いに平行ではなくなる。これにより、下側半導体層210を伝播する光が反射する際の反射角が各側面で異なるため、積層半導体層200内で、発光層204から出力された光が繰り返し反射されるのを抑制することができる。したがって、本構成を有していない場合と比較して、半導体発光素子1における光の取り出し効率を向上させることが可能になる。また、本実施の形態においては、下側半導体層210における第1下側半導体側面211および第2下側半導体側面212は、ともに凹凸を有している。したがって、第1下側半導体側面211または第2下側半導体側面212が凹凸を有さない場合と比較して、第1下側半導体側面211および第2下側半導体側面212の表面積を大きくすることができる。さらに、本構成を有さない場合と比較して、基板上面113と垂直な方向に対する第1下側半導体側面211および第2下側半導体側面212の傾斜角度が多様な角度になる。これにより、第1下側半導体側面211または第2下側半導体側面212が凹凸を有さない場合と比較して、発光層204から出力された光を、上側半導体層220側に向けて反射させることができる面が大きくなり、半導体発光素子1における光の取り出し効率を向上させることが可能になる。さらに、本構成を有さない場合と比較して、発光層204から出力し、下側半導体層210を伝播する光を反射させる反射角が多様になることで、積層半導体層200における光の内部反射が起こる確率が減少し、半導体発光素子1における光の取り出し効率を向上させることが可能になる。さらに、第1下側半導体側面211および第2下側半導体側面212が、ともに凹凸を有することで、発光層204から出力され、第1下側半導体側面211または第2下側半導体側面212に到達した光を、凹凸により散乱させて外部に取り出すことも可能になる。したがって、第1下側半導体側面211または第2下側半導体側面212が凹凸を有さない場合と比較して、発光層204から出力された光をより多く、外部に取り出すことが可能になり、半導体発光素子1における光の取り出し効率を向上させることが可能になる。さらにまた、本実施の形態においては、第1下側半導体側面211は、第1方向xに沿って、第1凸部211aと第1凹部211bとが交互に並んだ構造を有している。すなわち、第1下側半導体側面211とサファイア基板100における基板上面113とがなす角度は、第1方向xに沿って、周期的に変化している。一方、本実施の形態においては、第2下側半導体側面212は、略平坦な第2平坦部212bと、第2平坦部212b上に形成された複数の第2突起部212aとを有している。すなわち、第2下側半導体側面212とサファイア基板100における基板上面113とがなす角度は、第2突起部212aと第2平坦部212bとで異なっており、第2方向yに沿って周期的に変化している。これにより、本実施の形態の第1下側半導体側面211は、第1下側半導体側面211と基板上面113とがなす角度が第1方向xに沿って変化しない場合と比較して、第1下側半導体側面211に入射する光のうち、より広い範囲の入射角度の光を反射させることができる。同様に、第2下側半導体側面212と基板上面113とがなす角度が第2方向yに沿って変化しない場合と比較して、第2下側半導体側面212に入射する光のうち、より広い範囲の入射角度の光を反射させることができる。したがって、本実施の形態の構成を有さない場合と比較して、第1下側半導体側面211および第2下側半導体側面212にて、より多くの光を反射させることができ、半導体発光素子1における光の取り出し効率を向上させることが可能になる。また、本実施の形態においては、第1下側半導体側面211の凹凸形状と第2下側半導体側面212の凹凸形状とが異なっている。これにより、第1下側半導体側面211の凹凸形状と第2下側半導体側面212の凹凸形状とで、第1下側半導体側面211または第2下側半導体側面212に入射する入射角が異なる光を反射させることが可能になる。したがって、第1下側半導体側面211の凹凸形状と第2下側半導体側面212の凹凸形状とが等しい場合と比較して、より広い範囲の入射角の光を反射させることが可能になり、半導体発光素子1における光の取り出し効率を向上させることが可能になる。また、本実施の形態では、第1下側半導体側面211および第2下側半導体側面212は、第3方向zに沿って下側半導体底面214から下側半導体上面213に向かうにつれて、凹凸が大きくなっている。これにより、発光層204から出力され、下側半導体層210における下側半導体上面213近傍に入射した光を、第1下側半導体側面211および第2下側半導体側面212における下側半導体上面213側の大きな凹凸にて、上側半導体層220側に向けて、より効率良く反射させることができる。したがって、本構成を有さない場合と比較して、半導体発光素子1における光の取り出し効率を向上させることが可能になる。また、本実施の形態の半導体発光素子1におけるサファイア基板100には、基板上面113と第1基板側面111との境界部および基板上面113と第2基板側面112との境界部に、それぞれ第1切り欠き121aおよび第2切り欠き122aが複数形成されている。したがって、発光層204から出力された光が、積層半導体層200を透過してサファイア基板100に入射した場合に、第1切り欠き121aまたは第2切り欠き122aにより当該光を散乱させることが可能になる。したがって、本構成を有さない場合と比較して、半導体発光素子1における光の取り出し効率を向上させることができる。半導体発光素子の製造方法続いて、図1および図2に示す本実施の形態の半導体発光素子1の製造方法の一例について説明する。図7は、半導体発光素子1の製造方法の一例を示すフローチャートである。この例では、まず、ウエハ状のサファイア基板100に積層半導体層200を形成する半導体積層工程を実行するステップ101。次に、ステップ101でサファイア基板100上に形成された積層半導体層200に対して複数の第1溝部11後述する図9参照および複数の第2溝部12後述する図9参照を形成するとともに、複数のp電極300図1参照および複数のn電極400図1参照を形成することで、素子群形成基板10後述する図9参照を得る素子群形成工程を実行するステップ102。続いて、ステップ102で得られた素子群形成基板10に対して、p電極300およびn電極400が形成される素子群形成基板10の表面側から、第1溝部11および第2溝部12に沿ってレーザを照射することで、第1照射ライン21後述する図10参照および第2照射ライン22後述する図10参照を形成する表面レーザ工程を実行するステップ103。さらに続いて、ステップ103で表面レーザが照射された素子群形成基板10にウェットエッチングを施すエッチング工程を実行するステップ104。次に、ステップ104でウェットエッチングが施された素子群形成基板10に対して、サファイア基板100の基板底面114を研削および研磨する研磨工程ステップ105を実行する。そして、ステップ105にて研削および研磨が施された素子群形成基板10を、第1照射ライン21および第2照射ライン22に沿って分割することで、素子群形成基板10から、個片化した半導体発光素子1図1参照を得る分割工程を実行するステップ106。続いて、上述した各ステップの工程について順に説明する。まず、ステップ101の半導体積層工程について説明する。ステップ101の半導体積層工程では、まず、C面を主面とするサファイア単結晶からなるウエハ状のサファイア基板100を用意し、表面加工を施す。表面加工としては、例えば、ウェットエッチングやドライエッチング、スパッタ法等を用いることで、ウエハ状のサファイア基板100における基板上面113に、複数の凸部113a図3参照を形成する。次に、表面加工を施したウエハ状のサファイア基板100に対して、スパッタ法等により、AlNからなる中間層201を形成する。なお、中間層201は、スパッタ法だけでなく、MOCVD法で形成することもできる。続いて、中間層201を形成したウエハ状のサファイア基板100に対して、III族窒化物からなる下地層202、n型半導体層203nコンタクト層203a、nクラッド層203b、発光層204およびp型半導体層205pクラッド層205a、pコンタクト層205bを順に積層する。これらの層の積層方法としては、MOCVD法有機金属化学気相成長法、HVPE法ハイドライド気相成長法、MBE法分子線エピタキシー法、スパッタ法等の方法を使用することができる。特に好ましい積層方法として、膜厚制御性、量産性の観点から、MOCVD法が挙げられる。MOCVD法では、例えばIII族窒化物からなる層を形成する場合、キャリアガスとして水素H2または窒素N2、III族原料であるGa源としてトリメチルガリウムTMGまたはトリエチルガリウムTEG、Al源としてトリメチルアルミニウムTMAまたはトリエチルアルミニウムTEA、In源としてトリメチルインジウムTMIまたはトリエチルインジウムTEI、V族原料であるN源としてアンモニアNH3、ヒドラジンN2H4などが用いられる。また、ドーパントとしては、n型にはSi原料としてモノシランSiH4またはジシランSi2H6を、Ge原料として有機ゲルマを用い、p型にはMg原料としては例えばビスシクロペンタジエニルマグネシウムCp2MgまたはビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウムEtCp2Mgを用いる。図8は、本実施の形態における、サファイア基板100の結晶方位と、サファイア基板100上に形成される積層半導体層200の結晶方位との関係を表した模式図である。本実施の形態においては、ウエハ状のサファイア基板100として、基板上面113がC面であるサファイア単結晶が用いられる。さらに、図8に示すように、ウエハ状のサファイア基板100の周縁には、サファイア基板100の結晶方位を示すオリエンテーションフラットOF:OrientationFlat100aが設けられている。本実施の形態においては、OF100aは、サファイア単結晶のA面に形成されている。なお、本実施の形態においては、ウエハ状のサファイア基板100を構成するサファイア単結晶のM面に沿う方向が第1方向xとなり、サファイア単結晶のA面に沿う方向が第2方向yとなる。積層半導体層200を構成するIII族窒化物は、六方晶系の結晶構造を有する。そして、積層半導体層を構成するIII族窒化物は、サファイア基板100を構成するサファイア単結晶のC面基板上面113上において、基板上面113に沿う面を底面とし、第3方向zすなわち、サファイア基板100を構成するサファイア単結晶のc軸方向を軸とする六角柱状の結晶格子を形成する。そして、図8に示すように、積層半導体層200を構成するIII族窒化物の結晶格子は、六角形の6つの辺のうち、互いに対向する2辺が、第2方向yに沿うように配向する。そしてこの場合、図8に示すように、結晶格子の六角形の頂点が第1方向xに沿って等間隔に周期的に並ぶことになる。すなわち、本実施の形態においては、ウエハ状のサファイア基板100上に形成される積層半導体層200の結晶格子の形状は、第1方向xと第2方向yとで異なっている。ここで、本実施の形態においては、サファイア基板100の基板上面113に、複数の凸部113a図3参照が形成されている。このようなサファイア基板100の基板上面113に、AlNからなる中間層図3参照やGaN等のIII族窒化物半導体層からなる下地層202およびnコンタクト層203a等を積層させると、まず、基板上面113に垂直な方向に向かって延びる島状の結晶が複数形成される。そして、更に積層を続けると、III族窒化物は基板上面113に垂直な方向に向かって成長するとともに、複数の島状の結晶が互いに繋がり、やがて平坦な結晶成長面が得られることになる。したがって、本実施の形態の下側半導体層210における中間層201、下地層202およびnコンタクト層203a等は、それぞれ、下側半導体底面214側から下側半導体上面213側に向かって、徐々にIII族窒化物の結晶性が良くなるように形成される。これにより、下側半導体層210全体としても、下側半導体底面214側から下側半導体上面213側に向かって、徐々にIII族窒化物の結晶性が良くなるように形成されることになる。さらに、本実施の形態において、MOCVD法により積層半導体層200をサファイア基板100上に積層した場合には、積層半導体層200を構成するIII族窒化物は、N極性面である000-1面がサファイア基板100の基板上面113側を向き、III族元素の極性面例えばGa極性面である0001面が上側半導体層220の上側半導体上面223側を向くようにして結晶が成長する。続いて、ステップ102の素子群形成工程について説明する。図9は、積層半導体層200が形成されたウエハ状のサファイア基板100に対して、ステップ102の素子群形成工程を実行することにより得られた素子群形成基板10の構成の一例を示す図である。ここで、図9aは、素子群形成基板10を、p電極300およびn電極400が形成される素子群形成基板10の表面側からみた上面図であり、図9bは、図9aのIXB-IXB断面図である。ステップ102の素子群形成工程では、まず、ステップ101の半導体積層工程で積層半導体層200が積層されたウエハ状のサファイア基板100から、積層半導体層200の一部を除去することで、nコンタクト層203a図3参照の一部を露出させる。これにより、第1溝部11、第2溝部12、n電極400を搭載するためのn電極搭載部13を形成する。図9aに示すように、第1溝部11は複数形成され、それぞれが第1方向xに沿って設けられる。複数の第1溝部11は、隣接する第1溝部11同士の間隔が等しくなるように、互いに略平行に並んでいる。同様に、第2溝部12は複数形成され、それぞれが第2方向yに沿って設けられる。複数の第2溝部12は、隣接する第2溝部12同士の間隔が等しくなるように、互いに略平行に並んでいる。本実施の形態においては、隣接する第1溝部11同士の間隔が、隣接する第2溝部12同士の間隔よりも狭くなっている。n電極搭載部13は複数形成される。この例では、複数のn電極搭載部13は、第2方向yに沿って並んで配置されている。そして、複数のn電極搭載部13は、それぞれが第2溝部12と繋がって設けられている。図9a、bに示すように、第1溝部11および第2溝部12が形成されることで、積層半導体層200には、基板上面113の全域に亘って設けられる下側半導体層210と、下側半導体上面213上に設けられ、第1溝部11および第2溝部12により複数の領域に分離される上側半導体層220とが形成される。図9aに示すように、上側半導体層220を基板上面113に垂直な方向からみた形状は、第1方向xに沿う方向を長辺、第2方向yに沿う方向を短辺とする長方形である。第1溝部11、第2溝部12およびn電極搭載部13を形成するために積層半導体層200の一部を除去する方法としては、公知のフォトリソグラフィー技術および公知のエッチング技術を用いることができる。特に、第1溝部11、第2溝部12およびn電極搭載部13を形成する手段としては、ウェットエッチングおよび、ドライエッチング等のエッチング法を用いることが好ましい。エッチング法は他の方法と比較して、積層半導体層200のうち除去しない部分を傷めにくいからである。エッチング法としては、ドライエッチングであれば、例えば、反応性イオンエッチング、イオンミリング、集束ビームエッチングおよびECRエッチングなどの手法を用いることができ、ウェットエッチングであれば、例えば、硫酸とリン酸との混酸を用いることができる。ただし、エッチングを行う前に、所望のチップ形状となるように、積層半導体層200の表面に所定のマスクを形成する。なお、第1溝部11および第2溝部12を形成する方法としては、エッチング法以外にも、ダイシング法やレーザ照射による方法等の周知の手法を何ら制限なく用いることができる。また、本実施の形態では、第1溝部11および第2溝部12を形成するのと同時にn電極搭載部13を形成したが、これらを別工程で形成しても良い。ステップ102の素子群形成工程では、続いて、各上側半導体層220上の所定の位置にp電極300を形成するとともに、各n電極搭載部13上にn電極400を形成する。p電極300およびn電極400としては、各種の組成および構造が周知であり、これら周知の組成や構造を何ら制限なく用いることができる。なお、p電極300と積層半導体層200におけるpコンタクト層205bとの間には、ITO、IZO等の導電性および発光層204から出射される光に対する透過性を有する透明導電膜図示省略を形成することが望ましい。このような透明導電膜を設けることで、半導体発光素子1において動作電圧を低下させることができるとともに電流を拡散させることが可能になり、発光層204全体を発光させることが可能になる。また、p電極300およびn電極400を形成する手段としては、真空蒸着法やスパッタ法等、周知の方法を何ら制限なく用いることができる。ステップ102の素子群形成工程では、積層半導体層200の上面、p電極300およびn電極400を覆うように、SiO2等からなる保護膜500を形成する。なお、図9aにおいては、保護膜500の記載を省略している。以上の工程により、サファイア基板100上に、下側半導体層210、複数の領域に分断された上側半導体層220、複数のp電極300および複数のn電極400が形成された素子群形成基板10が得られる。続いて、ステップ103の表面レーザ工程について説明する。図10は、素子群形成基板10に対してステップ103の表面レーザ工程を実行することにより得られた、第1照射ライン21および第2照射ライン22形成後の素子群形成基板10の構成の一例を示す上面図である。ここで、図10aは、第1照射ライン21および第2照射ライン22形成後の素子群形成基板10を、p電極300およびn電極400が形成された面と対向する側からみた上面図であり、図10bは、図10aの一部を拡大した拡大上面図である。なお、図10a、bにおいては、保護膜500の記載を省略している。また、図11は、素子群形成基板10に対してステップ103の表面レーザ工程を実行することにより得られた、第1照射ライン21および第2照射ライン22形成後の素子群形成基板10の構成の一例を示す縦断面図である。図11aは、図10bにおけるXIA-XIA断面図であり、図11bは、図10bにおけるXIB-XIB断面図であり、図11cは、図10bにおけるXIC-XIC断面図であり、図11dは、図10bにおけるXID-XID断面図である。ステップ103の表面レーザ工程は、ステップ1031の第1表面レーザ工程と、ステップ1032の第2表面レーザ工程とから構成される。まず、ステップ1031の第1表面レーザ工程について説明する。ステップ1031の第1表面レーザ工程では、ステップ102の素子群形成工程にて形成された第1溝部11に沿って、保護膜500が形成された側からレーザを照射することで、第1照射ライン21を形成する。図10aおよび図11bに示すように、第1照射ライン21は、複数の第1溝部11のそれぞれに沿って、複数形成される。複数の第1照射ライン21は、隣接する第1照射ライン21同士の間隔が等しくなるように、互いに略平行に並んでいる。また、図10bおよび図11bに示すように、複数の第1照射ライン21は、それぞれ、レーザ照射によって形成された複数の第1開口部21aが、第1方向xに沿い且つ第1溝部11に沿うように並ぶことで、構成されている。複数の第1開口部21aは、隣接する第1開口部21aとの距離が第1間隔p1になるように並んでいる。さらに、縦断面図である図11b、cに示すように、複数の第1開口部21aは、それぞれが保護膜500および積層半導体層200における下側半導体層210を貫通し、サファイア基板100まで到達している。そして、複数の第1開口部21aにおけるサファイア基板100の基板上面113には、それぞれレーザ痕が形成される。なお、本実施の形態においては、複数の第1開口部21aの形状は、それぞれ円柱形状である。第1照射ライン21は、レーザ照射を用いた方法により形成する。具体的に説明すると、素子群形成基板10に対して、保護膜500が形成された側から、第1溝部11に沿って、パルス発振させたレーザ光の照射を行う。このとき、レーザ光が、保護膜500および積層半導体層200における下側半導体層210を貫通し、サファイア基板100の内部に到達するように、レーザ光の照射を行う。本実施の形態では、1パルス分のレーザ光が照射されるごとに、隣接するレーザの照射位置同士の間隔が第1間隔p1となるように、レーザの照射位置が第1溝部11に沿って順次移動していくようになっている。したがって、保護膜500および下側半導体層210には、外部に露出する保護膜500の上面側からサファイア基板100側に向かって貫通し、サファイア基板100に到達する複数の第1開口部21aが、第1溝部11に沿って順次形成されていくことになる。この第1溝部11に沿って形成された複数の第1開口部21aにより、第1照射ライン21が構成される。第1照射ライン21の形成に用いることができるレーザとしては、例えば、パルス照射型のCO2レーザ、YAGレーザおよびエキシマレーザ等が挙げられる。また、レーザの波長としては、例えば1064nm、532nm、355nm、266nm等を用いることができる。第1照射ライン21の形成に用いるレーザの照射位置同士の間隔第1間隔p1やレーザのスポット径等は、隣接する第1開口部21a同士が繋がらない範囲、すなわち、レーザの照射位置同士の間隔第1間隔p1がレーザのスポット径よりも大きくなる範囲で、適宜選択することができる。レーザのスポット径は、レーザの照射位置同士の間隔第1間隔p1の25~90程度の大きさであることが好ましい。スポット径が第1間隔p1の25未満の場合には、レーザのスポット径に対してスポット同士の間隔が広くなるため、後述するステップ104のエッチング工程において形成される第1下側半導体側面211の凹凸が小さくなる恐れがある。また、スポット径が第1間隔p1の90よりも大きい場合には、隣接するスポット同士の重なりが大きくなるため、結果的に第1下側半導体側面211の凹凸が小さくなる恐れがある。さらに、第1照射ライン21の形成に用いるレーザの周波数やレーザの移動速度等も適宜選択することができる。本実施の形態においては、例えば、レーザの照射位置の間隔第1間隔p1は、10μmであり、レーザのスポット幅は7~9μmである。また、レーザの周波数は50kHzであり、レーザの移動速度は、500mm/secである。なお、第1照射ライン21の形成に用いるレーザのスポット径は、第1溝部11の幅よりも小さい方が好ましい。レーザのスポット径が、第1溝部11の幅よりも大きいと、発光層204を含む上側半導体層220までレーザ光が到達し、半導体発光素子1からの光の取り出し効率が低下するおそれがあるためである。また、第1照射ライン21の形成に用いるレーザの照射位置同士の間隔第1間隔p1は、ステップ101の半導体積層工程において、サファイア基板100の基板上面113に形成した複数の凸部113a同士の間隔よりも大きいことが好ましい。第1照射ライン21の形成に用いるレーザの強度としては、サファイア基板100にレーザ痕を残すことができる範囲で、適宜選択することができる。本実施の形態においては、第1照射ライン21の形成に用いるレーザの強度は、例えば、2.0Wである。続いて、ステップ1032の第2表面レーザ工程について説明する。ステップ1032の第2表面レーザ工程では、ステップ1031の第1表面レーザ工程終了後の素子群形成基板10に対して、ステップ102の素子群形成工程にて形成された第2溝部12に沿って、保護膜500が形成された側からレーザを照射することで、第2照射ライン22を形成する。図10aおよび図11dに示すように、第2照射ライン22は、複数の第2溝部12のそれぞれに沿って、複数形成される。複数の第2照射ライン22は、隣接する第2照射ライン22同士の間隔が等しくなるように、互いに略平行に並んでいる。なお、本実施の形態においては、隣接する第2照射ライン22同士の間隔は、隣接する第1照射ライン21同士の間隔よりも大きい。また、図10bおよび図11dに示すように、複数の第2照射ライン22は、それぞれ、レーザ照射によって形成された複数の第2開口部22aが、第2方向yに沿い且つ第2溝部12に沿うように並ぶことで、構成されている。複数の第2開口部22aは、隣接する第2開口部22aとの距離が第2間隔p2になるように並んでいる。さらに、断面図である図11a、dに示すように、複数の第2開口部22aは、それぞれが保護膜500および積層半導体層200における下側半導体層210を貫通し、サファイア基板100まで到達している。そして、複数の第2開口部22aにおけるサファイア基板100の基板上面113には、それぞれレーザ痕が形成される。なお、本実施の形態においては、複数の第2開口部22aの形状は、それぞれ円柱形状である。第2照射ライン22の形成に用いることができるレーザとしては、例えば、パルス照射型のCO2レーザ、YAGレーザおよびエキシマレーザ等が挙げられる。また、レーザの波長としては、例えば1064nm、532nm、355nm、266nm等を用いることができる。なお、第2照射ライン22の形成に用いるレーザは、ステップ1031の第1表面レーザ工程にて、第1照射ライン21の形成に用いたレーザと同じものを用いても良いし、異なるものを用いても良い。第2照射ライン22の形成に用いるレーザの照射位置同士の間隔第2間隔p2やレーザのスポット径等は、隣接する第2開口部22a同士が繋がらない範囲、すなわち、レーザの照射位置同士の間隔第2間隔p2がレーザのスポット径よりも大きくなる範囲で、適宜選択することができる。レーザのスポット径は、レーザの照射位置同士の間隔第2間隔p2の25~90程度の大きさであることが好ましい。スポット径が第2間隔p2の25未満の場合には、レーザのスポット径に対してスポット同士の間隔が広くなるため、後述するステップ104のエッチング工程において形成される第2下側半導体側面212の凹凸が小さくなる恐れがある。また、スポット径が第2間隔p2の90よりも大きい場合には、隣接するスポット同士の重なりが大きくなるため、結果的に第2下側半導体側面212の凹凸が小さくなる恐れがある。さらに、第2照射ライン22の形成に用いるレーザの周波数やレーザの移動速度等も適宜選択することができる。本実施の形態においては、例えば、レーザの照射位置の間隔第2間隔p2は、10μmであり、レーザのスポット幅は7~9μmである。また、レーザの周波数は50kHzであり、レーザの移動速度は、500mm/secである。なお、第2照射ライン22の形成に用いるレーザのスポット径は、第2溝部12の幅よりも小さい方が好ましい。レーザのスポット径が、第2溝部12の幅よりも大きいと、発光層204を含む上側半導体層220までレーザ光が到達し、半導体発光素子1からの光の取り出し効率が低下するおそれがあるためである。また、第2照射ライン22の形成に用いるレーザの照射位置同士の間隔第2間隔p2は、ステップ101の半導体積層工程において、サファイア基板100の基板上面113に形成した複数の凸部113a同士の間隔よりも大きいことが好ましい。第2照射ライン22の形成に用いるレーザの強度としては、サファイア基板100にレーザ痕を残すことができる範囲で、適宜選択することができる。本実施の形態においては、第2照射ライン22の形成に用いるレーザの強度は、例えば、2.0Wである。なお、本実施の形態では、複数の第1開口部21aからなる第1照射ライン21および複数の第2開口部22aからなる第2照射ライン22を形成するために、隣接するレーザの照射位置が重ならないように、レーザを照射している。したがって、レーザの周波数が一定の場合には、隣接するレーザの照射位置が重なるように照射した場合と比較して、レーザの移動速度を早くすることが可能になる。これにより、本実施の形態では、隣接するレーザの照射位置が重なるようにレーザを照射した場合と比較して、製品の生産性を向上させることが可能になる。なお、本実施の形態では、ステップ102の素子群形成工程で形成した保護膜500上からレーザを照射し、複数の第1開口部21aおよび複数の第2開口部22aを形成している。これにより、レーザ照射に伴って積層半導体層200や保護膜500の破片が飛散した場合であっても、これらは保護膜500に付着するので、積層半導体層200の表面に積層半導体層200等の破片が付着するのを抑制することが可能になる。これにより、積層半導体層200の表面に付着した汚れに起因して、半導体発光素子1の電気特性等が低下するのを抑制することが可能になる。次に、ステップ104のエッチング工程について説明する。ステップ104のエッチング工程では、ステップ103の表面レーザ工程で複数の第1照射ライン21および複数の第2照射ライン22が形成された素子群形成基板10図10参照をウェットエッチングすることで、下側半導体層210の第1下側半導体側面211図1参照および第2下側半導体側面212図1参照を形成する。ウェットエッチングは、複数の第1照射ライン21および複数の第2照射ライン22が形成された素子群形成基板10を、保護膜500が形成されたままの状態で、所定の温度に加熱されたオルトリン酸等のエッチング液に浸漬することで行う。続いて、ステップ104のエッチング工程における第1開口部21a、第2開口部22a、第1照射ライン21および第2照射ライン22の形状変化について説明を行う。図12は、エッチング工程におけるエッチング時間と、第1開口部21aおよび第1照射ライン21の形状変化との関係を説明する模式図である。図12aは、第1開口部21aの縦断面図であり、図12bは図12aにおけるXIIB-XIIB断面図であり、図12cは図12aにおけるXIIC-XIIC断面図である。図12a~cのそれぞれにおいて、4つの図のうち一番左側の図がウェットエッチングを開始する前の第1開口部21aおよび第1照射ライン21の状態を示す図である。また、右の図に行くほどエッチング工程が進行し、一番右側の図が、ウェットエッチング終了時の第1開口部21aおよび第1照射ライン21の状態を示す図である。図12に示すように、ウェットエッチングを開始する前の第1開口部21aは、略円柱状の形状を有している。すなわち、第1開口部21aの径は、下側半導体層210における下側半導体上面213側と下側半導体底面214側とで、略等しい。続いて、素子群形成基板10をエッチング液に浸漬すると、エッチング液は第1開口部21a内に浸入する。第1開口部21aの内部においては、下側半導体層210が露出している。したがって、第1開口部21aに浸入したエッチング液により、露出する下側半導体層210が浸食される。一方、下側半導体層210上および上側半導体層220上に積層された保護膜500は、第1開口部21aに浸入したエッチング液によっては浸食されない。図12に示すように、ウェットエッチングは、基板上面113と垂直な方向からみた場合に、下側半導体層210において、第1開口部21aの側面を起点として同心円状に進行する。したがって、ウェットエッチングを行う時間の経過とともに、第1開口部21aの径が徐々に大きくなり、そして最終的には、隣接する第1開口部21a同士が繋がる。これにより、第1下側半導体側面211が形成され、ウエハ状のサファイア基板100上に積層された下側半導体層210が、第1方向x各第1照射ライン21;図10参照に沿って複数の領域に分割されることになる。ここで、本実施の形態においては、下側半導体層210は、下側半導体上面213側と下側半導体底面214側とで、エッチング液による浸食のされやすさが異なっている。具体的には、下側半導体層210における下側半導体上面213側と比較して、下側半導体層210における下側半導体底面214側の方がエッチング液による浸食がされやすくなっている。これは以下の理由による。一般に、本実施の形態の中間層201を構成するAlNは、本実施の形態における下地層202およびnコンタクト層203a等を構成するAlGaN、GaN、InGaN等と比較して、オルトリン酸等のエッチング液によりウェットエッチングされやすい性質を有している。また、上述したように、本実施の形態においては、下側半導体層210を構成する中間層201、下地層202およびnコンタクト層203aは、それぞれサファイア基板100に近い側から上側半導体層220に接する側に向かって徐々に結晶性が良くなるように形成されている。さらに、上述したように、本実施の形態における下側半導体層210を構成するIII族窒化物半導体は、N極性面がサファイア基板100の基板上面113を向くように成長する。そして一般に、III族窒化物半導体をウェットエッチングする場合には、N極性面側からエッチングが進行することが知られている。以上の理由により、本実施の形態の下側半導体層210は、下側半導体上面213側と比較して、下側半導体底面214側の方がエッチング液による浸食がされやすくなっている。したがって、図12a~cに示すように、エッチングが進行するほど、下側半導体層210における下側半導体底面214側の方が、下側半導体上面213側よりも大きく削られる。そして、図12cに示すように、サファイア基板100の基板上面113と垂直な方向に対して傾斜した形状の第1下側半導体側面211が形成されることとなる。また、上述したように、ウェットエッチングは第1開口部21aの側面を起点として同心円状に進行する。そして、ウェットエッチングの進行の仕方は、下側半導体層210における下側半導体底面214側の方が、下側半導体上面213側よりも速くなる。したがって、図12b、cに示すように、ウェットエッチングにより形成された第1下側半導体側面211には、横断面形状が円弧形状である複数の第1凹部211b図1参照と、隣接する第1凹部211b同士の間に位置する複数の第1凸部211a図1参照が形成される。そして、第1凹部211bの円弧形状は、下側半導体層210における下側半導体上面213側よりも、下側半導体底面214側の方が、曲率が小さくなる。なお、エッチングは、隣接する第1開口部21a同士が繋がり、第1下側半導体側面211が形成された時点で終了することが好ましい。エッチング時間を長くしすぎると、第1下側半導体側面211における凹凸が小さくなったり、凹凸が無くなったりするおそれがある。続いて、エッチング工程における第2開口部22aおよび第2照射ライン22の形状変化について説明を行う。上述した第1開口部21aおよび第1照射ライン21と同様に、ウェットエッチングは、第2開口部22aの側面を起点として進行する。そして、ウェットエッチングを行う時間の経過とともに、第2開口部22aが徐々に大きくなり、最終的には、隣接する第2開口部22a同士が繋がる。これにより、第2下側半導体側面212が形成され、ウエハ状のサファイア基板100上に積層された下側半導体層210が、第2方向y第2照射ライン22;図10参照に沿って複数の領域に分割されることになる。また、第1開口部21aおよび第1照射ライン21について説明したように、下側半導体層210は、下側半導体上面213側と比較して、下側半導体底面214側の方が、エッチング液による浸食がされやすくなっている。したがって、第1開口部21aおよび第1照射ライン21と同様に、第2開口部22aおよび第2照射ライン22についても、エッチングが進行するほど、下側半導体層210における下側半導体底面214側の方が、下側半導体上面213側よりも大きく削られる。そして、サファイア基板100の基板上面113と垂直な方向に対して傾斜した形状の第2下側半導体側面212が形成されることになる。本実施の形態では、ステップ101の半導体積層工程において、積層半導体層200を構成するIII族窒化物半導体の結晶構造が第1方向xと第2方向yとで異なるように、ウエハ状のサファイア基板100上に積層半導体層200を積層した図8参照。ここで、III族窒化物半導体は、結晶方位によってエッチング液によるエッチングのされやすさが異なることが知られている。したがって、第2開口部22aの側面を起点としたウェットエッチングの進み方は、第1開口部21aの側面を起点としたウェットエッチングの進み方と異なっている。これにより、エッチング工程にて形成される第2下側半導体側面212の凹凸形状は、第1下側半導体側面211の凹凸形状とは異なることになる。例えば、本実施の形態では、第2下側半導体側面212には、基板上面113と垂直な方向に対して傾斜し且つ略平坦な第2平坦部212bと、第2平坦部212bから下側半導体層210の外側に向けて突出した複数の第2突起部212aとから構成される凹凸形状が形成される。なお、本実施の形態のエッチング工程では、隣接する第1開口部21a同士が繋がるように、ウェットエッチングを行うものとした。しかし、ウェットエッチングは、必ずしも隣接する第1開口部21a同士が繋がるように行う必要はない。上述したように、エッチング工程では、それぞれの第1開口部21aを起点として、下側半導体層210における下側半導体底面214側が、下側半導体上面213側よりも大きく削られる。したがって、ウェットエッチングで隣接する第1開口部21a同士が繋がらない場合であっても、ウェットエッチング後の第1開口部21aにおける内壁は、それぞれ基板上面113と垂直な方向に対して傾斜することになる。これにより、後述するステップ106の分割工程において、第1照射ライン21および第2照射ライン22に沿って素子群形成基板10が分割することで、基板上面113と垂直な方向に対して傾斜した凹凸を有する第1下側半導体側面211を得ることができる。同様に、ウェットエッチングは、必ずしも隣接する第2開口部22a同士が繋がるように行う必要はない。続いて、ステップ105の研磨工程について説明する。ステップ105の研磨工程では、ステップ104のエッチング工程により下側半導体層210が複数の領域に分離された素子群形成基板10におけるサファイア基板100が所定の厚さになるように、サファイア基板100の基板底面114を研削および研磨する。加工後のサファイア基板100の厚みは、60~300μm、好ましくは80~250μm、より好ましくは100~200μmとする。サファイア基板100の厚みを上記範囲とすることで、ステップ106の分割工程において素子群形成基板10の分割が容易になり、効率良く素子群形成基板10を分割することが可能になる。ここで、サファイア単結晶からなるサファイア基板100上にIII族窒化物半導体からなる積層半導体層200を積層した場合、サファイア基板100と積層半導体層200との間における格子定数や熱膨張率の違いに起因して、素子群形成基板10が反ることがある。そして、素子群形成基板10の反りが大きい場合には、サファイア基板100を研削研磨する工程において、素子群形成基板10が割れてしまう恐れがある。本実施の形態では、ステップ103の表面レーザ工程第1表面レーザ工程、第2表面レーザ工程において、レーザ光が下側半導体層210を貫通し、サファイア基板100まで到達するように、レーザ光を照射して複数の第1開口部21aおよび第2開口部22aを形成した。これにより、第1開口部21aまたは第2開口部22aが形成された領域では、サファイア基板100上に部分的に積層半導体層200が存在しない領域が形成される。さらに、サファイア基板100には、レーザ照射に起因する複数のレーザ痕が形成される。これにより、素子群形成基板10におけるサファイア基板100の反りを緩和することが可能になる。したがって、レーザ光が下側半導体層210を貫通してサファイア基板100まで到達しないようにレーザを照射した場合と比較して、素子群形成基板10の反りを緩和することが可能になり、研磨工程において素子群形成基板10が割れるのを抑制することが可能になる。続いて、ステップ106の分割工程について説明を行う。分割工程では、ステップ104のエッチング工程により下側半導体層210が複数の領域に分離され、ステップ105の研磨工程によりサファイア基板100が研磨された素子群形成基板10を、第1照射ライン21および第2照射ライン22に沿って切断し、複数の半導体発光素子1に分割する。具体的には、まず、素子群形成基板10におけるウエハ状のサファイア基板100の基板底面114図3参照側から、第1照射ライン21および第2照射ライン22に沿って、サファイア基板100内部にレーザを照射する。これにより、サファイア基板100の内部に、第1照射ライン21および第2照射ライン22に沿ってサファイア単結晶が改質された複数の改質領域が形成される。続いて、第1照射ライン21および第2照射ライン22に沿って形成された改質領域に沿うように、ウエハ状のサファイア基板100の基板底面114側からブレードを押し当てることにより、改質領域を起点として亀裂を生じさせ、ウエハ状のサファイア基板100を複数のサファイア基板100に分割する。このとき、分離された各サファイア基板100上には、下側半導体層210、上側半導体層220、p電極300およびn電極400が存在することになる。この分割により、サファイア基板100における第1基板側面111および第2基板側面112が形成される。また、この分割に伴って、サファイア基板100における第1基板側面111と基板上面113との境界部に、複数の第1切り欠き121aが第1方向xに並んで構成される第1切り欠き列121が形成される。同様に、第2基板側面112と基板上面113との境界部に、複数の第2切り欠き122aが第2方向yに並んで構成される第2切り欠き列122が形成される。ここで、複数の第1切り欠き121aは、それぞれ、ステップ103の表面レーザ工程において複数の第1開口部21aの形成に伴って形成されたレーザ痕に由来するものである。同様に、複数の第2切り欠き122aは、それぞれ、ステップ103の表面レーザ工程において複数の第2開口部22aの形成に伴って形成されたレーザ痕に由来するものである。そして、以上の工程を経ることで、図1に示す半導体発光素子1を得ることができる。ここで、本実施の形態では、ステップ103の表面レーザ工程において、第1照射ライン21および第2照射ライン22を形成する際に、レーザ光がサファイア基板100に到達するようにレーザを照射した。これにより、素子群形成基板10におけるウエハ状のサファイア基板100の基板上面113には、第1照射ライン21に起因する第1方向xに沿ったレーザ痕、および、第2照射ライン22に起因する第2方向に沿ったレーザ痕が存在する。素子群形成基板10におけるウエハ状のサファイア基板100の基板底面114側からレーザを照射して複数の改質領域を形成する場合には、サファイア基板100の基板上面に形成されたレーザ痕を目印として、レーザを照射することができる。これにより、第1照射ライン21および第2照射ライン22に沿って改質領域を形成することが容易になり、素子群形成基板10の分割精度を向上させることが可能になる。さらに、ウエハ状のサファイア基板100の基板底面114側からブレードを押し当てた場合に、改質領域を起点として生じた亀裂は、第1照射ライン21に起因するレーザ痕および第2照射ライン22に起因するレーザ痕に到達することになる。これにより、素子群形成基板10は、第1照射ライン21および第2照射ライン22に起因するレーザ痕を起点として分割されることになり、サファイア基板100の切断面が第1方向xまたは第2方向yに対して曲がって下側半導体層210等に到達することを抑制できる。したがって、本構成を有さない場合と比較して、下側半導体層210が欠けるのを抑制することが可能になり、不良となる半導体発光素子1の発生を抑制することが可能になる。なお、分割工程において、改質領域を起点として生じた亀裂は、必ずしも第1照射ライン21および第2照射ライン22に起因するレーザ痕に到達するとは限らず、サファイア基板100の切断面の一部が、第1照射ライン21または第2照射ライン22に起因するレーザ痕からずれることがある。この場合、第1基板側面111と基板上面113との境界部の一部領域において第1切り欠き121aが形成されず、第2基板側面112と基板上面113との境界部の一部領域において第2切り欠き122aが形成されない場合がある。したがって、必ずしも図1に示すような半導体発光素子1が得られるとは限らない。しかし、このような場合であっても、分割工程により得られた半導体発光素子1において、第1基板側面111または第2基板側面112と基板上面113との境界部に、第1切り欠き121aまたは第2切り欠き122aが少なくとも2つ形成されていれば、本発明の範囲に含まれる。[実施の形態2]実施の形態1の半導体発光素子1では、第1下側半導体側面211は、下側半導体底面214側から下側半導体上面213側に向かうにつれて第1凹部211bの曲率が徐々に大きくなるように形成した。さらに、第2下側半導体側面212は、下側半導体上面213側に複数の第2突起部212aを設け、下側半導体底面214側は平坦な面となるように形成した。しかし、第1下側半導体側面211の形状および第2下側半導体側面212の形状はこれに限られない。以下、本発明の実施の形態2について説明する。なお、実施の形態1と同様な構成については同様の符号を用い、ここではその詳細な説明を省略する。図13は、実施の形態2における半導体発光素子1の上面図の一例である。実施の形態1における半導体発光素子1と同様に、本実施の形態における半導体発光素子1は、第1下側半導体側面211および第2下側半導体側面212が、基板上面113と垂直な方向に対して外側に傾斜して設けられている。そして、図13に示すように、本実施の形態の第1下側半導体側面211は、下側半導体上面213側と下側半導体底面214側とで、第1凹部211bの曲率が等しくなるように形成されている。また、本実施の形態の第2下側半導体側面212は、複数の第2突起部212aが、それぞれ下側半導体底面214側から下側半導体上面213側に向かう第3方向zに沿って延びて形成され、第2平坦部212bは第2突起部212aにより複数の領域に分割されて形成されている。図14は、実施の形態1および実施の形態2における半導体発光素子1の第1下側半導体側面211の形状を説明するための模式図である。図14aは、実施の形態1における第1下側半導体側面211の第1凹部211bの形状を説明するための模式図であり、実施の形態1の第1凹部211bにおける、下側半導体上面213側および下側半導体底面214側の横断面図を表している。同様に、図14bは、実施の形態2における第1下側半導体側面211の第1凹部211bの形状を説明するための模式図であり、実施の形態2の第1凹部211bにおける、下側半導体上面213側および下側半導体底面214側の横断面図を表している。実施の形態1における第1下側半導体側面211は、図14aに示すように、下側半導体底面214側における第1凹部211bの曲率が、下側半導体上面213側における第1凹部211bの曲率よりも小さくなるように形成されている。具体的に説明すると、第1凹部211bを第3方向zから見た場合に、下側半導体上面213側の第1凹部211bは、点aを中心とした半径r1の円弧を描いている。一方、下側半導体底面214側の第1凹部211bは、点aを中心とし、r1よりも大きい半径r2r1<r2の円弧を描いている。すなわち、第3方向zから見た場合に、下側半導体底面214側と下側半導体上面213側とで、第1凹部211bは、点aを中心とした同心円を描いている。これにより、下側半導体底面214側の第1凹部211bの曲率が、下側半導体上面213側の第1凹部211bの曲率よりも小さく形成されている。なお、本実施の形態において点aの位置は、サファイア基板100に設けられる第1切り欠き121aが設けられる位置に相当する。これに対し、実施の形態2における第1下側半導体側面211は、図14bに示すように、下側半導体底面214側における第1凹部211bの曲率と、下側半導体上面213側における第1凹部211bの曲率とが略等しくなるように形成されている。具体的に説明すると、第1凹部211bを第3方向zから見た場合に、下側半導体上面213側の第1凹部211bは、点aを中心とした半径r1の円弧を描いている。一方、下側半導体底面214側の第1凹部211bは、点aよりも対向する第1下側半導体側面211に近い側に位置する点bを中心とした半径r1の円弧を描いている。すなわち、実施の形態2では、第1凹部211bにおいて下側半導体底面214側と下側半導体上面213側とで曲率が略等しく、第1凹部211bの横断面が描く円弧の中心位置が、下側半導体底面214側と下側半導体上面213側とで異なっている。また、図13に示すように、実施の形態2における第2下側半導体側面212は、下側半導体底面214側と下側半導体上面213側とで、第2突起部212aと第2平坦部212bとにより隣接する3辺が構成される六角形の外接円における曲率が略等しくなっている。そして、第2突起部212aと第2平坦部212bとにより隣接する3辺が構成される六角形の外接円の中心位置が、下側半導体底面214側と下側半導体上面213側とで異なっている。ここで、実施の形態2に係る半導体発光素子1は、例えば、実施の形態1図7参照で説明したステップ101の半導体積層工程およびステップ102の素子群形成工程において、第1方向xおよび第2方向yをそれぞれ適宜選択すること、および/または、ステップ104のエッチング工程において、エッチング条件を適宜変更すること、により得ることができる。上述したように、本実施の形態の半導体発光素子1における第1下側半導体側面211および第2下側半導体側面212は、実施の形態1の半導体発光素子1と同様に、それぞれに凹凸が形成されるとともに、それぞれが基板上面113と垂直な方向に対して外側に傾斜した構造を有している。したがって、本構成を有していない場合と比較して、半導体発光素子1における光の取り出し効率を向上させることが可能になる。なお、半導体発光素子1における第1下側半導体側面211および第2下側半導体側面212に設ける凹凸の構成としては、上述した実施の形態1および実施の形態2に限られない。例えば、実施の形態1の構成と実施の形態2の構成とを併用しても良い。具体的には、第1下側半導体側面211において、下側半導体底面214側における第1凹部211bの曲率を下側半導体上面213側における第1凹部211bの曲率よりも小さくすると共に、下側半導体底面214側における第1凹部211bの中心位置と下側半導体上面213側における第1凹部211bの中心位置とを異ならせても良い。また、実施の形態1および実施の形態2においては、第1下側半導体側面211の凹凸形状と第2下側半導体側面212の凹凸形状とが異なるものについて説明したが、必ずしもこれらが異なる必要はない。しかし、半導体発光素子1の光取り出し効率の観点からは、第1下側半導体側面211の凹凸形状と第2下側半導体側面212の凹凸形状とは異なる方が好ましい。実施の形態1および実施の形態2では、第1下側半導体側面211の凹凸形状と第2下側半導体側面212の凹凸形状が異なるものの例として、第1間隔p1と第2間隔p2とが等しく、且つ、第1下側半導体側面211の横断面図における輪郭と、第2下側半導体側面212の横断面図における輪郭とが異なるものについて説明した。しかし、第1下側半導体側面211の凹凸形状と第2下側半導体側面212の凹凸形状が異なるものとしてはこれに限られない。例えば、第1間隔p1と第2間隔p2とが異なることで、第1下側半導体側面211の凹凸形状と、第2下側半導体側面212の凹凸形状が異なるものも含む。なお、第1間隔p1と第2間隔p2とが異なる場合、第1下側半導体側面211の横断面図における輪郭と、第2下側半導体側面212の横断面図における輪郭とは等しくてもよいし、異なっていてもよい。第1間隔p1と第2間隔p2とを異ならせる方法としては、上述したステップ103の表面レーザ照射工程において、第1照射ライン21を形成するレーザのピッチ第1間隔p1と第2照射ライン22を形成するレーザのピッチ第2間隔p2とを異ならせればよい。実施の形態1および実施の形態2では、第1下側半導体側面211の凹凸形状は第1方向xに沿って周期的に変化し、第2下側半導体側面212の凹凸形状は第2方向yに沿って周期的に変化するものとした。しかし、第1下側半導体側面211および第2下側半導体側面212の凹凸形状は、必ずしも周期的に変化しているものである必要はない。また、実施の形態1および実施の形態2においては、下側半導体層210の側面である第1下側半導体側面211および第2下側半導体側面212に凹凸形状を設け、上側半導体層220の側面である第1上側半導体側面221および第2上側半導体側面222には凹凸形状を設けないものとした。しかし、第1下側半導体側面211および第2下側半導体側面212と、第1上側半導体側面221および第2上側半導体側面222との双方に凹凸を設けてもよい。さらにまた、実施の形態1および実施の形態2では、第1下側半導体側面211が、第1方向xに沿い且つ基板上面113と垂直な平面に対して、下側半導体層210の外側に向かって傾斜し、第2下側半導体側面212が、第2方向yに沿い且つ基板上面113と垂直な平面に対して、下側半導体層210の外側に向かって傾斜するものについて説明した。しかし、第1下側半導体側面211および第2下側半導体側面212が、必ずしもこのような構成を有している必要はない。ただし、半導体発光素子1の光取り出し効率の観点からは、第1下側半導体側面211および第2下側半導体側面212は、基板上面113と垂直な方向に対して傾斜していることが好ましい。さらに、第1下側半導体側面211および第2下側半導体側面212は、基板上面113と垂直な方向に対して下側半導体層210の外側に向かって傾斜することがより好ましい。実施の形態1では、半導体発光素子1の長尺方向に沿う第1方向xを、サファイア基板100を構成するサファイア単結晶のM面に沿う方向とし、半導体発光素子1の短尺方向に沿う第2方向yを、サファイア基板100を構成するサファイア単結晶のA面に沿う方向とした。しかし第1方向x、第2方向yの方向はこれに限られず、適宜選択することができる。ここで、例えば、第1方向xおよび第2方向yとして、サファイア基板100を構成するサファイア単結晶における等価な方向を選択した場合、サファイア基板100上に積層される積層半導体層200のウェットエッチングのされやすさが、第1方向xと第2方向yとで同等になることがある。この場合には、第1間隔p1と第2間隔p2とを異ならせることで、第1下側半導体側面211の凹凸形状と第2下側半導体側面212の凹凸形状とを異ならせればよい。また、実施の形態1および実施の形態2では、半導体発光素子1をp電極300およびn電極400が形成される側からみた形状を、第1方向xを長尺側とし、第2方向yを短尺側とする長方形状としたが、半導体発光素子1の形状はこれに限られない。例えば、半導体発光素子1をp電極300およびn電極400が形成される側からみた形状が、正方形や平行四辺形等の他の四角形であっても良いし、四角形以外の多角形であっても良い。さらに、実施の形態1および実施の形態2では、サファイア基板100の基板上面113と第1基板側面111との境界部において、第1下側半導体側面211の第1凹部211bと対応する領域に第1切り欠き121aが形成されていた。同様に、サファイア基板100の基板上面113と第2基板側面112との境界部において、第2下側半導体側面212における隣接する第2突起部212a同士の中心に位置する第2平坦部212bと対応する領域に、第2切り欠き122aが形成されていた。しかし、第1下側半導体側面211の凹凸形状と、第1切り欠き121aとは、必ずしも対応して設けられる必要はない。同様に、第2下側半導体側面212の凹凸形状と、第2切り欠き122aとは、必ずしも対応して設けられる必要はない。