"基板の上の樹脂とモールドとを接触させた状態で当該樹脂を硬化させ、硬化した樹脂から前記モールドを剥離することで前記基板に前記モールドのパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記基板の上の複数のショット領域のそれぞれに形成されたマークを検出する検出部と、処理部と、を有し、前記処理部は、前記検出部によって前記複数のショット領域のうちサンプルショット領域に形成されたマークを検出し、当該マークの検出結果を統計処理して前記複数のショット領域の配列を表す第1統計量を求める第1処理と、前記第1統計量に基づいて前記モールドと前記基板との位置関係を調整しながら、前記複数のショット領域のうち前記サンプルショット領域を除くショット領域に前記インプリント処理を行う第2処理と、前記第2処理の後に、前記検出部によって前記サンプルショット領域に形成されたマークを検出し、当該マークの検出結果を統計処理して前記複数のショット領域の配列を表す第2統計量を求める第3処理と、前記第1統計量と前記第2統計量との差分が許容値以下である場合には、前記第2統計量に基づいて前記モールドと前記基板との位置関係を調整しながら、前記サンプルショット領域に前記インプリント処理を行い、前記第1統計量と前記第2統計量との差分が前記許容値以下でない場合には、前記サンプルショット領域に前記インプリント処理を行わずにエラー処理を行う第4処理と、を行うことを特徴とするインプリント装置。前記エラー処理は、前記基板を前記インプリント装置の外部に搬送する処理及び前記第1統計量と前記第2統計量との差分が前記許容値以下でないことを通知する処理の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。基板の上の樹脂とモールドとを接触させた状態で当該樹脂を硬化させ、硬化した樹脂から前記モールドを剥離することで前記基板に前記モールドのパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記基板の上の複数のショット領域のそれぞれに形成されたマークを検出する検出部と、処理部と、を有し、前記複数のショット領域は、サンプルショット領域を除くショット領域を少なくとも1つ含む複数のグループに分割され、前記処理部は、前記検出部によって前記複数のショット領域のうちサンプルショット領域に形成されたマークを検出し、当該マークの検出結果を統計処理して前記複数のショット領域の配列を表す第1統計量を求める第1処理と、前記複数のグループのそれぞれについて、前記第1統計量に基づいて前記モールドと前記基板との位置関係を調整しながら、前記複数のグループのそれぞれに含まれる前記サンプルショット領域を除くショット領域に前記インプリント処理を行った後に、前記検出部によって前記サンプルショット領域に形成されたマークを検出し、当該マークの検出結果を統計処理して前記複数のショット領域の配列を表す第2統計量を求める第2処理と、前記第1統計量と前記第2統計量との差分が許容値以下であるグループについては、前記第2統計量に基づいて前記モールドと前記基板との位置関係を調整しながら、当該グループに含まれるサンプルショット領域に前記インプリント処理を行い、前記第1統計量と前記第2統計量との差分が前記許容値以下でないグループについては、当該グループに含まれるサンプルショット領域に前記インプリント処理を行わずにエラー処理を行う第3処理と、を行うことを特徴とするインプリント装置。前記エラー処理は、前記第1統計量と前記第2統計量との差分が前記許容値以下でないグループを通知する処理を含むことを特徴とする請求項3に記載のインプリント装置。前記複数のグループの全てが、前記第1統計量と前記第2統計量との差分が前記許容値以下でないグループとなる場合、前記エラー処理は、前記基板を前記インプリント装置の外部に搬送する処理を含むことを特徴とする請求項3又は4に記載のインプリント装置。基板の上の樹脂とモールドとを接触させた状態で当該樹脂を硬化させ、硬化した樹脂から前記モールドを剥離することで前記基板に前記モールドのパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント方法であって、前記基板の上の複数のショット領域のうちサンプルショット領域に形成されたマークを検出し、当該マークの検出結果を統計処理して前記複数のショット領域の配列を表す第1統計量を求める第1ステップと、前記第1統計量に基づいて前記モールドと前記基板との位置関係を調整しながら、前記複数のショット領域のうち前記サンプルショット領域を除くショット領域に前記インプリント処理を行う第2ステップと、前記第2ステップの後に、前記サンプルショット領域に形成されたマークを検出し、当該マークの検出結果を統計処理して前記複数のショット領域の配列を表す第2統計量を求める第3ステップと、前記第1統計量と前記第2統計量との差分が許容値以下である場合には、前記第2統計量に基づいて前記モールドと前記基板との位置関係を調整しながら、前記サンプルショット領域に前記インプリント処理を行い、前記第1統計量と前記第2統計量との差分が前記許容値以下でない場合には、前記サンプルショット領域に前記インプリント処理を行わずにエラー処理を行う第4ステップと、を有することを特徴とするインプリント方法。基板の上の樹脂とモールドとを接触させた状態で当該樹脂を硬化させ、硬化した樹脂から前記モールドを剥離することで前記基板に前記モールドのパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント方法であって、前記基板の上の複数のショット領域は、サンプルショット領域を除くショット領域を少なくとも1つ含む複数のグループに分割され、前記複数のショット領域のうちサンプルショット領域に形成されたマークを検出し、当該マークの検出結果を統計処理して前記複数のショット領域の配列を表す第1統計量を求める第1ステップと、前記複数のグループのそれぞれについて、前記第1統計量に基づいて前記モールドと前記基板との位置関係を調整しながら、前記複数のグループのそれぞれに含まれる前記サンプルショット領域を除くショット領域に前記インプリント処理を行った後に、前記サンプルショット領域に形成されたマークを検出し、当該マークの検出結果を統計処理して前記複数のショット領域の配列を表す第2統計量を求める第2ステップと、前記第1統計量と前記第2統計量との差分が許容値以下であるグループについては、前記第2統計量に基づいて前記モールドと前記基板との位置関係を調整しながら、当該グループに含まれるサンプルショット領域に前記インプリント処理を行い、前記第1統計量と前記第2統計量との差分が前記許容値以下でないグループについては、当該グループに含まれるサンプルショット領域に前記インプリント処理を行わずにエラー処理を行う第3ステップと、を有することを特徴とするインプリント方法。請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載のインプリント装置を用いて樹脂のパターンを基板に形成するステップと、前記ステップで前記パターンが形成された前記基板を加工するステップと、を有することを特徴とする物品の製造方法。しかしながら、グローバルアライメント方式をインプリント装置に適用した場合には、以下の課題を招いてしまう。グローバルアライメント方式では、上述したように、基板の上の樹脂にモールドを接触させる際にはショット領域に形成されたマークを検出せず、統計処理から得られる指標に基づいてアライメントが行われる。但し、インプリント装置では、基板の上の樹脂にモールドを接触させる際の反力に起因してモールドや基板に位置ずれ及び変形が生じることがある。従って、インプリント装置にグローバルアライメント方式を適用してアライメントを行ったとしても、モールドや基板の目標位置に対して位置ずれや変形による誤差成分が含まれてしまうため、基板とモールドとを正しくアライメントすることができないことがある。このように、基板とモールドとを正しくアライメントすることができなかった場合には、生産性の低下を防止するために、かかる基板即ち、正しくアライメントすることができなかったショット領域に次のプロセスを行わないようにする必要がある。本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、インプリント装置にグローバルアライメント方式を適用した場合において、生産性の低下の防止に有利な技術を提供することを例示的目的とする。上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、基板の上の樹脂とモールドとを接触させた状態で当該樹脂を硬化させ、硬化した樹脂から前記モールドを剥離することで前記基板に前記モールドのパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記基板の上の複数のショット領域のそれぞれに形成されたマークを検出する検出部と、処理部と、を有し、前記処理部は、前記検出部によって前記複数のショット領域のうちサンプルショット領域に形成されたマークを検出し、当該マークの検出結果を統計処理して前記複数のショット領域の配列を表す第1統計量を求める第1処理と、前記第1統計量に基づいて前記モールドと前記基板との位置関係を調整しながら、前記複数のショット領域のうち前記サンプルショット領域を除くショット領域に前記インプリント処理を行う第2処理と、前記第2処理の後に、前記検出部によって前記サンプルショット領域に形成されたマークを検出し、当該マークの検出結果を統計処理して前記複数のショット領域の配列を表す第2統計量を求める第3処理と、前記第1統計量と前記第2統計量との差分が許容値以下である場合には、前記第2統計量に基づいて前記モールドと前記基板との位置関係を調整しながら、前記サンプルショット領域に前記インプリント処理を行い、前記第1統計量と前記第2統計量との差分が前記許容値以下でない場合には、前記サンプルショット領域に前記インプリント処理を行わずにエラー処理を行う第4処理と、を行うことを特徴とする。本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。本発明によれば、例えば、インプリント装置にグローバルアライメント方式を適用した場合において、生産性の低下の防止に有利な技術を提供することができる。以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。図1は、本発明の一側面としてのインプリント装置1の構成を示す図である。インプリント装置1は、モールドのパターンを基板に転写するリソグラフィ装置である。インプリント装置1は、基板の上の樹脂とモールドとを接触させた状態で樹脂を硬化させ、硬化した樹脂からモールドを剥離することで基板にモールドのパターンを転写するインプリント処理を行う。インプリント装置1は、図1に示すように、基板ステージ102と、干渉計108と、インプリント構造体116と、第1検出部120と、照射部122と、樹脂供給部126と、第2検出部128と、制御部130とを有する。基板ステージ102は、シリコンウエハやガラスプレートなどの基板104を保持し、X軸方向及びY軸方向に駆動可能に構成される。基板104の上、詳細には、基板104の上の複数のショット領域のそれぞれには、アライメントマーク106が形成されている。基板ステージ102の位置は、干渉計108によって計測される。また、基板ステージ102の上には、ステージの基準となる基準部材110が配置されている。基準部材110には、アライメントマーク112が形成されている。モールド114は、基板104に転写すべきパターン回路パターンが形成された原版であって、インプリント構造体116に保持される。モールド114には、基板104に形成されたアライメントマーク106に対応するアライメントマーク118が形成されている。また、インプリント構造体116は、本実施形態では、モールド114だけではなく、第1検出部120や照射部122なども保持する。第1検出部120は、基板104に形成されたアライメントマーク106と、モールド114に形成されたアライメントマーク118とを光学的に検出する。換言すれば、第1検出部120は、アライメントマーク106即ち、基板104とアライメントマーク118即ち、モールド114との相対位置関係を検出する。第1検出部120は、例えば、アライメントマーク106及び118からの干渉信号やモアレなどの相乗効果による信号を検出する検出系で構成される。照射部122は、レンズなどの光学系を含み、基板104の上に供給塗布された樹脂124とモールド114とが接触した状態において即ち、モールド114を介して、樹脂124に光本実施形態では、紫外線を照射する。樹脂供給部126は、樹脂124を液滴として吐出する複数のディスペンサを含み、基板104の上の各ショット領域に樹脂124を供給塗布する。具体的には、樹脂供給部126を構成するディスペンサから樹脂124を吐出しながら基板ステージ102を駆動スキャン駆動やステップ駆動することで、基板104の上に樹脂124を塗布する。第2検出部128は、モールド114やインプリント構造体116から離れた位置に配置され、モールド114を介さずに基板104の上の複数のショット領域のそれぞれに形成されたアライメントマーク106を検出する。第2検出部128が基板104の上のアライメントマーク106を検出する際には、図1に点線で示す位置に基板ステージ102を駆動する。第2検出部128は、例えば、結像光学系を含み、基板104の上のアライメントマーク106を画像として検出する検出系で構成される。制御部130は、CPUやメモリを含み、後述するように、インプリント装置1の各処理例えば、モールド114のパターンを基板104に転写するための処理を行う処理部として機能する即ち、インプリント装置1を動作させる。以下、インプリント装置1の動作について説明する。インプリント装置1は、基板104とモールド114とのアライメント方式として、グローバルアライメント方式を採用する。但し、インプリント装置1では、基板104の上の複数のショット領域のうち一部のショット領域にインプリント処理を行った後にも、インプリント処理を行う前と同様に、基板104の上のアライメントマーク106の検出を行う。これにより、インプリント処理に起因して基板104に位置ずれや変形が生じ、基板104とモールド114とを正しくアライメントすることができなかった場合を検出することが可能となる。なお、グローバルアライメント方式を採用する露光装置では、基板を露光装置に搬入する前に、基板の全面にレジスト感光剤を塗布するため、レジストが塗布された状態で、基板の上のアライメントマークが検出される。従って、基板を露光した後にアライメントマークを検出再検出しても、検出結果に変化は生じにくい。一方、インプリント装置では、一般的に、基板の上のショット領域にインプリント処理を行う直前に、インプリント処理の対象となるショット領域のみに樹脂を供給する。これは、基板に供給する樹脂として、高い揮発性を有する樹脂が用いられることが多いからである。従って、基板STの上のアライメントマークAMは、インプリント処理前では、図2aに示すように、樹脂RSが供給されていない状態で検出され、インプリント処理後では、図2bに示すように、樹脂RSが供給された状態で検出されることになる。このような場合、例えば、図2bに示すように、基板STの上に供給された樹脂RSの厚さが不均一であると、アライメントマークAMで反射される光の光軸OAが傾いてしまうため、インプリント処理の前後で検出結果に変化が生じる可能性がある。そこで、インプリント装置1では、サンプルショット領域に形成されたアライメントマーク106の検出を行った後に、基板104の上の複数のショット領域のうちサンプルショット領域を除くショット領域にインプリント処理を行う。次いで、サンプルショット領域に形成されたアライメントマーク106の検出再検出を行う。この場合、サンプルショット領域には樹脂124が供給されていないため、樹脂124に起因して検出結果に変化が生じることはない。そして、基板104とモールド114とを正しくアライメントすることができているかどうかを確認判定した後に、基板104の上のサンプルショット領域にインプリント処理を行う。<第1の実施形態>図3は、インプリント装置1の第1の実施形態における動作即ち、モールド114のパターンを基板104に転写するための動作を説明するためのフローチャートである。制御部130がインプリント装置1の各部を統括的に制御することで、インプリント装置1は、図3に示すように動作する。S302では、インプリント装置1に、モールド114のパターンを転写すべき基板104を搬入し、かかる基板104を基板ステージ102に保持させる。S304第1処理では、基板ステージ102に保持された基板104の上の複数のショット領域の配列を表す第1統計量を算出する。具体的には、まず、基板ステージ102基板104を第2検出部128の視野内図1に点線で示す位置に配置駆動する。次いで、干渉計108の計測結果に基づいて基板ステージ102の位置制御を行いながら、第2検出部128によって基板104の上の複数のショット領域のうちサンプルショット領域に形成されたアライメントマーク106を検出する。なお、図4に示すように、基板104の上の複数のショット領域SRのうちアライメントマーク106の劣化の少ないショット領域斜線で示す領域がサンプルショット領域SSRとして予め選択されている。次に、第2検出部128によるアライメントマーク106の検出結果を統計処理して基板104の上の複数のショット領域の配列を表す第1統計量、即ち、グローバル補正値を算出する。グローバル補正値は、基板104の上の複数のショット領域のそれぞれのシフト成分、倍率成分及び回転成分の少なくとも1つを含み、従来のグローバルアライメント方式と同様に算出することができる。ここで、グローバル補正値の算出について具体的に説明する。例えば、サンプルショット領域の中心位置の設計位置X,Yとサンプルショット領域の中心位置の検出位置Px,Pyとは、以下の式1及び式2の関係にあると近似する。式1及び式2の係数から、グローバル補正値として、基板104の上の複数のショット領域の配列を表す統計量であるシフト成分Sx1,Sy1、倍率成分Mx1,My1及び回転成分Rx1,Ry1を算出する。具体的には、式1及び式2の係数を、サンプルショット領域の中心位置の設計位置X,Yと検出位置Px,Pyを用いて公知の最小自乗法で求める。ここでは、上述したグローバル補正値を算出する場合を例に説明するが、式1及び式2の代わりにN次多項式を用いてもよいし、各サンプルショット領域で複数のアライメントマークを検出することで各ショット領域の形状を統計値としてもよい。S306では、基板104の上の対象ショット領域これからモールド114のパターンを転写するショット領域がサンプルショット領域であるかどうかを判定する。対象ショット領域がサンプルショット領域でない場合には、S314に移行する。また、対象ショット領域がサンプルショット領域である場合には、S308に移行する。S308では、樹脂供給部126によって基板104の上の対象ショット領域に樹脂124を供給塗布する。具体的には、基板104の上の対象ショット領域を樹脂供給部126の下に配置し、樹脂供給部126から樹脂124を吐出しながら基板ステージ102をスキャン駆動する。S310第2処理では、基板104の上の対象ショット領域に対して、モールド114のパターンを転写するインプリント処理を行う。具体的には、まず、S304で算出した第1統計量に基づいて基板104の上の対象ショット領域とモールド114との位置関係を調整する即ち、グローバルアライメントを行う。次いで、基板104の上の対象ショット領域に供給された樹脂124とモールド114とを接触させるモールド114を押印する。なお、グローバルアライメントを行う際には、第2検出部128とモールド114との間の距離所謂、ベースラインは、第1検出部120及び第2検出部128を用いて予め求めておく必要がある。ベースラインは、第1検出部120でモールド114の上のアライメントマーク118及び基準部材110の上のアライメントマーク112を検出すると共に、第2検出部128で基準部材110の上のアライメントマーク112を検出することで求められる。次に、基板104の上の対象ショット領域に供給された樹脂124とモールド114とを接触させた状態において、照射部122によって樹脂124に光を照射して樹脂124を硬化させる。そして、硬化した樹脂124からモールド114を剥離することで、基板104の上の対象ショット領域にモールド114のパターンが転写される。S312では、基板104の上のサンプルショット領域を除く全てのショット領域に対してインプリント処理を行ったかどうかを判定する。基板104の上のサンプルショット領域を除く全てのショット領域に対してインプリント処理を行っていない場合には、S314に移行する。一方、基板104の上のサンプルショット領域を除く全てのショット領域に対してインプリント処理を行った場合には、S316に移行する。S314では、基板104の上の複数のショット領域から次のショット領域を対象ショット領域として選択し、S306に移行する。このように、基板104の上の複数のショット領域の全てのショット領域を対象ショット領域として選択するまでS306~S314を繰り返すことで、サンプルショット領域を除く全てのショット領域にインプリント処理が行われることになる。S316第3処理では、基板104の上の複数のショット領域の配列を表す第2統計量を算出する。S304と同様に、第2検出部128によって基板104の上のサンプルショット領域に形成されたアライメントマーク106を検出し、かかる検出結果を統計処理することで第2統計量、即ち、グローバル補正値を算出することができる。なお、ここでは、グローバル補正値として、基板104の上の複数のショット領域の配列を表す統計量であるシフト成分Sx2,Sy2、倍率成分Mx2,My2及び回転成分Rx2,Ry2を算出する。S318では、S304で算出した第1統計量とS316で算出した第2統計量との差分が許容値以下であるかどうかを判定する。ここでは、第1統計量と第2統計量との差分Esx、Esy、Emx、Emy、Erx、Eryは、以下の式3、式4、式5、式6、式7及び式8で表される。S318において、第1統計量と第2統計量との差分本実施形態では、差分Esx、Esy、Emx、Emy、Erx及びEryの全てが許容値以下である場合には、S320に移行する。S320では、基板104の上のサンプルショット領域から1つのサンプルショット領域を対象ショット領域として選択し、S308と同様に、樹脂供給部126によって基板104の上の対象ショット領域に樹脂124を供給塗布する。S322第4処理では、基板104の上の対象ショット領域即ち、サンプルショット領域に対して、モールド114のパターンを転写するインプリント処理を行う。ここでは、S316で算出した第2統計量に基づいて基板104の上の対象ショット領域とモールド114との位置関係を調整しながら、サンプルショット領域にインプリント処理を行う。S324では、基板104の上の全てのサンプルショット領域に対してインプリント処理を行ったかどうかを判定する。基板104の上の全てのサンプルショット領域に対してインプリント処理を行っていない場合には、S326に移行する。一方、基板104の上の全てのサンプルショット領域に対してインプリント処理を行った場合には、S328に移行する。S326では、基板104の上の次のサンプルショット領域を対象ショット領域として選択し、S320に移行する。このように、基板104の上の全てのサンプルショット領域を対象ショット領域として選択するまでS320~S326を繰り返すことで、全てのサンプルショット領域にインプリント処理が行われることになる。S328では、インプリント装置1から、基板104の上の全てのショット領域サンプルショット領域を除くショット領域、及び、サンプルショット領域にモールド114のパターンが転写された基板104を搬出して、動作を終了する。一方、S318において、第1統計量と第2統計量との差分本実施形態では、差分Esx、Esy、Emx、Emy、Erx及びEryのうちの少なくとも1つが許容値以下でない場合には、S330に移行する。S330第4処理では、基板104の上のサンプルショット領域にインプリント処理を行わずに、エラー処理を行う。ここで、エラー処理とは、生産性の低下を防止するために、第1統計量と第2統計量との差分が許容値以下でない基板に対して次のプロセスを行わないようにするための処理である。本実施形態では、エラー処理は、基板104をインプリント装置1の外部に搬送する処理及び第1統計量と第2統計量との差分が許容値以下でないことを通知する処理の少なくとも一方を含む。なお、第1統計量と第2統計量との差分が許容値以下でないことを通知する処理としては、例えば、インプリント装置1に備えられた表示部不図示にエラーメッセージを表示する処理が考えられる。また、第1統計量と第2統計量との差分が許容値以下でないことを通知する処理として、インプリント装置1を含む半導体デバイスの製造に関わる装置露光装置や加工装置などの全体を制御するホストコンピュータにエラーを通知する処理も考えられる。本実施形態では、第1統計量と第2統計量との差分が許容値以下であれば、サンプルショット領域にインプリント処理を行い、第1統計量と第2統計量との差分が許容値以下でなければ、サンプルショット領域にインプリント処理を行わずにエラー処理を行う。これにより、第1統計量と第2統計量との差分が許容値以下でない場合には、サンプルショット領域へのインプリント処理を含めて次のプロセスを行わないようにすることができるため、生産性の低下を防止することができる。なお、本実施形態では、S316において、基板104の上のサンプルショット領域に形成されたアライメントマーク106を、第2検出部128を用いて検出しているが、第1検出部120を用いて検出してもよい。また、本実施形態では、S318において、第1統計量と第2統計量とを比較しているが、S304におけるアライメントマーク106の検出結果サンプルショット領域の位置とS316におけるアライメントマーク106の検出結果とを比較してもよい。<第2の実施形態>図5は、インプリント装置1の第2の実施形態における動作即ち、モールド114のパターンを基板104に転写するための動作を説明するためのフローチャートである。制御部130がインプリント装置1の各部を統括的に制御することで、インプリント装置1は、図5に示すように動作する。本実施形態では、基板104の上の複数のショット領域は、サンプルショット領域を除くショット領域を少なくとも1つ含む複数のグループに分割され、例えば、図6に示すように、4つのグループG1、G2、G3及びG4に分割されている。そして、インプリント処理やショット領域の配列を表す統計量の算出サンプルショット領域に形成されたアライメントマークの検出をグループ単位で行う。これにより、基板104とモールド114とを正しくアライメントすることができているかどうかをグループ単位で確認判定することが可能となる。S502は第1の実施形態におけるS302と同じであり、S504第1処理は第1の実施形態におけるS304と同じであるため、ここでの詳細な説明は省略する。S506では、基板104の上のサンプルショット領域を除くショット領域を少なくとも1つ含む複数のグループから、これからモールド114のパターンを転写する対象グループを選択する。S508では、S506で選択したグループにおいて、対象ショット領域これからモールド114のパターンを転写するショット領域がサンプルショット領域であるかどうかを判定する。対象ショット領域がサンプルショット領域でない場合には、S516に移行する。また、対象ショット領域がサンプルショット領域である場合には、S510に移行する。S510は第1の実施形態におけるS308と同じであり、S512第2処理は第1の実施形態におけるS310と同じであるため、ここでの詳細な説明は省略する。S514では、S506で選択したグループにおいて、サンプルショット領域を除く全てのショット領域に対してインプリント処理を行ったかどうかを判定する。サンプルショット領域を除く全てのショット領域に対してインプリント処理を行っていない場合には、S516に移行する。一方、サンプルショット領域を除く全てのショット領域に対してインプリント処理を行った場合には、S518に移行する。S516では、S506で選択したグループにおいて、次のショット領域を対象ショット領域として選択し、S508に移行する。このように、1つのグループに含まれる全てのショット領域を対象ショット領域として選択するまでS508~S516を繰り返すことで、1つのグループにおいて、サンプルショット領域を除く全てのショット領域にインプリント処理が行われることになる。S518第2処理は第1の実施形態におけるS316と同じであり、S520は第1の実施形態におけるS318と同じであるため、ここでの詳細な説明は省略する。S520において、第1統計量と第2統計量との差分が許容値以下である場合には、S522に移行する。S522では、全てのグループを対象グループとして選択したかどうかを判定する。全てのグループを対象グループとして選択していない場合には、S506に移行して、次のグループを対象グループとして選択する。一方、全てのグループを対象グループとして選択した場合には、S526に移行する。また、S520において、第1統計量と第2統計量との差分が許容値以下でない場合には、S524に移行する。S524第3処理では、エラー処理を行う。ここで、エラー処理とは、生産性の低下を防止するために、第1統計量と第2統計量との差分が許容値以下でないグループに対して次のプロセスを行わないようにするための処理である。本実施形態では、エラー処理は、第1統計量と第2統計量との差分が許容値以下でないグループを通知する処理を含む。なお、第1統計量と第2統計量との差分が許容値以下でないグループを通知する処理としては、例えば、インプリント装置1に備えられた表示部不図示にエラーメッセージを表示する処理が考えられる。また、第1統計量と第2統計量との差分が許容値以下でないグループを通知する処理として、インプリント装置1を含む半導体デバイスの製造に関わる装置露光装置や加工装置などの全体を制御するホストコンピュータにエラーを通知する処理も考えられる。S526では、第1統計量と第2統計量との差分が許容値以下であるグループがあるかどうかを判定する。第1統計量と第2統計量との差分が許容値以下であるグループがない、即ち、全てのグループが第1統計量と第2統計量との差分が許容値以下でないグループである場合には、S528に移行する。一方、第1統計量と第2統計量との差分が許容値以下であるグループがある場合には、S530に移行する。S528では、基板104の上のサンプルショット領域にインプリント処理を行わずにエラー処理を行って、動作を終了する。ここでは、全てのグループが第1統計量と第2統計量との差分が許容値以下でないため、全てのグループ即ち、基板104に対して次のプロセスを行わないようにする必要がある。従って、エラー処理として、例えば、基板104をインプリント装置1の外部に搬送する。S530では、第1統計量と第2統計量との差分が許容値以下であるグループから、これからモールド114のパターンを転写する対象グループを選択する。S532では、S530で選択したグループにおいて、サンプルショット領域から1つのサンプルショット領域を対象ショット領域として選択し、樹脂供給部126によって基板104の上の対象ショット領域に樹脂124を供給する。S534第3処理では、基板104の上の対象ショット領域即ち、サンプルショット領域に対して、モールド114のパターンを転写するインプリント処理を行う。S536では、S530で選択したグループにおいて、全てのサンプルショット領域に対してインプリント処理を行ったかどうかを判定する。全てのサンプルショット領域に対してインプリント処理を行っていない場合には、S538に移行する。一方、全てのサンプルショット領域に対してインプリント処理を行った場合には、S540に移行する。S538では、S530で選択したグループにおいて、次のサンプルショット領域を対象ショット領域として選択し、S532に移行する。このように、S530で選択したグループにおいて、全てのサンプルショット領域を対象ショット領域として選択するまでS532~S538を繰り返すことで、全てのサンプルショット領域にインプリント処理が行われることになる。S540では、第1統計量と第2統計量との差分が許容値以下である全てのグループを対象グループとして選択したかどうかを判定する。第1統計量と第2統計量との差分が許容値以下である全てのグループを対象グループとして選択していない場合には、S530に移行して、次のグループを対象グループとして選択する。一方、第1統計量と第2統計量との差分が許容値以下である全てのグループを対象グループとして選択した場合には、S542に移行する。S542では、インプリント装置1から、第1統計量と第2統計量との差分が許容値以下であるグループに含まれる全てのショット領域にモールド114のパターンが転写された基板104を搬出して、動作を終了する。本実施形態では、第1統計量と第2統計量との差分が許容値以下であるグループに含まれるサンプルショット領域に対しては、インプリント処理を行う。一方、第1統計量と第2統計量との差分が許容値以下でないグループに含まれるサンプル領域に対しては、インプリント処理を行わずに、エラー処理、例えば、第1統計量と第2統計量との差分が許容値以下でないグループを通知する処理を行う。これにより、第1統計量と第2統計量との差分が許容値以下でないグループに含まれるサンプルショット領域へのインプリント処理を含めて次のプロセスを行わないようにすることができるため、グループ単位で生産性の低下を防止することができる。物品としてのデバイス半導体デバイス、液晶表示素子等の製造方法は、インプリント装置1を用いて基板ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等に樹脂のパターンを転写形成するステップを含む。かかる製造方法は、パターンが転写された基板をエッチングするステップを更に含む。なお、かかる製造方法は、パターンドットメディア記録媒体や光学素子などの他の物品を製造する場合には、エッチングステップの代わりに、パターンが転写された基板を加工する他の加工ステップを含む。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。"