"レジストが塗布され回転ステージ上に載置された基板を前記回転ステージを回転させることにより回転させつつ、該基板上において、電子ビームを該回転の半径方向と直交する方向に微小往復振動させると共に該半径方向に偏向走査して、略平行四辺形状のエレメントを描画することにより、多数のエレメントからなるディスク状記録媒体用の微細パターンを描画する電子ビーム描画方法であって、前記微細パターンにおいて、対角線方向に隣接する1対のエレメントがあり、該1対のエレメントの両者に同時に隣接するエレメントが存在していない場合、該1対のエレメントの少なくとも一方のエレメントについて、該一方のエレメントについての前記半径方向への偏向走査の他方のエレメント側の一端位置を、該一方のエレメントの設計上の配置における半径方向端部位置よりも前記他方のエレメントから離間した位置に設定し、前記半径方向への偏向走査長さが、該一方のエレメントの前記半径方向の設計上の長さよりも短くなるように描画することを特徴とする電子ビーム描画方法。前記各エレメントの描画時間は、所定の描画クロック信号におけるクロック数で定めるものとし、前記一方のエレメントについての描画クロック数MMは整数を、該一方のエレメントを前記半径方向に前記半径方向の設計上の長さ偏向走査する場合の基準クロック数NNは整数に対し、M≒Tp’/TpNここで、Tpは前記設計上の長さ、Tp’は前記偏向走査長さである。とすることを特徴とする請求項1記載の電子ビーム描画方法。基板を回転させる回転ステージと、前記基板上に電子ビームを走査する電子ビーム照射部とを備えた電子ビーム描画装置と、前記基板に描画する、複数の平行四辺形状のエレメントからなるディスク状記録媒体用の微細パターンに応じた描画データ信号を、前記電子ビーム描画装置に送出する信号送出装置とを備え、該信号送出装置が、前記描画データ信号として、前記回転ステージを回転させつつ、電子ビームを該回転の半径方向と直交する方向に微小往復振動させると共に該半径方向に偏向走査して、前記平行四辺形状のエレメントを描画するため制御信号を前記電子ビーム描画装置に送出するものであり、前記微細パターンにおいて、対角線方向に隣接する1対のエレメントがあり、該1対のエレメントの両者に同時に隣接するエレメントが存在していない場合の、該1対のエレメントの少なくとも一方のエレメントについての前記制御信号は、該一方のエレメントについての前記半径方向への偏向走査の他方のエレメント側の一端を、該一方のエレメントの設計上の配置における半径方向端部位置よりも前記他方のエレメントから離間した位置に設定し、前記半径方向への偏向走査長さが、該一方のエレメントの前記半径方向の設計上の長さよりも短くなるように描画を制御する信号であることを特徴とする電子ビーム描画システム。前記信号送出装置が、所定の描画クロック信号を生成するクロック生成部を備え、前記各エレメントの描画時間を前記描画クロック信号のクロック数で定め、前記制御信号を該クロック信号に同期させて、かつ、前記一方のエレメントについての描画クロック数MMは整数を、該一方のエレメントを前記半径方向に前記半径方向の設計上の長さ偏向走査する場合の基準クロック数NNは整数に対し、M≒Tp’/TpNここで、Tpは前記設計上の長さ、Tp’は前記偏向走査長さである。として、該描画クロック数Mで前記描画対象のエレメントを描画するように前記一方のエレメントについての制御信号を前記電子ビーム露光装置に送出するものであることを特徴とする請求項3記載の電子ビーム描画システム。請求項1または2記載の電子ビーム描画方法により、ディスク状記録媒体用の微細パターンをレジストが塗布された基板に描画し、該微細パターンが描画された基板を用いて、前記微細パターンに応じた凹凸パターンを形成する工程を含むことを特徴とする凹凸パターン担持体の製造方法。請求項5記載の製造方法により製造された凹凸パターン担持体としてのインプリントモールドを用い、該モールドの表面に設けられた前記凹凸パターンに応じた凹凸パターンを転写する工程を含むことを特徴とするディスク状記録媒体の製造方法。請求項5記載の製造方法により製造された凹凸パターン担持体としての磁気転写用マスター担体を用い、該マスター担体の表面に設けられた前記凹凸パターンに応じた磁化パターンを磁気転写する工程を含むことを特徴とするディスク状記録媒体の製造方法。一方で、特許文献5は、半径方向のパターン配置に対しては十分に考慮がされていなかった。図11Aに示すように、設計パターンとして対角線方向に隣接した1対のエレメント101、102があり、この両者に同時に隣接するエレメントがない場合エレメント101、102が1つの頂角角部Cで点対称に配置され、頂角Cを共有するエレメントがそれらのみである場合に、同図に描画軌跡104およびY方向偏向走査域105を模式的に示す特許文献5に記載の方法を用いて描画すると、レジスト現像後のパターンにおけるエレメント101’、102’は図11Bに模式的に示すようなものとなる。すなわち、図11Bに示すように、現像後のパターンにおいて、エレメント101’、102’は近接効果により角部C’が鈍り繋がってしまっている。1つの描画単位であるエレメントのトラックピッチが150nm超であった従来のパターンであれば、図11Bに示すような角部C’の鈍りもそれほど問題とならなかった。一方で、ハードディスクの記録密度は、年率30-40で増加しており、磁気ディスク媒体用の描画パターンとしても、最小線幅が数10nmレベルと非常に微細なパターンの形成が要求されるようになってきている。そして、微細化に伴い、パターン寸法、形状の僅かな差が、最終製品である記録媒体としての信号特性に大きな影響を及ぼすようになってきている。このような記録密度の顕著な増加に伴い、最終製品である磁気記録媒体の信号品質SN比、読み込みエラー低減向上のためには、サーボ信号におけるアドレスビットパターンの半径方向、トラック方向の寸法は1nm単位で最適化する必要があることが本発明者らの研究では明らかになってきた。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、対角線方向に隣接する1対のエレメントを描画し現像した後の現像パターンにおける形状をより鮮鋭なものとすることが可能な電子ビーム描画方法および電子ビーム描画を行うための電子ビーム描画システムを提供することを目的とするものである。また、本発明は、電子ビームにより精度よく描画された微細パターンを有する、インプリントモールドや磁気転写用マスター担体などの凹凸パターン担持体の製造方法を提供すること、および、その凹凸パターン担持体を用いて凹凸パターンもしくは磁気パターンが転写されてなる磁気ディスク媒体の製造方法を提供することを目的とするものである。本発明の電子ビーム描画方法は、レジストが塗布され回転ステージ上に載置された基板を、前記回転ステージを回転させることにより回転させつつ、該基板上において、電子ビームを該回転の半径方向と直交する方向に微小往復振動させると共に該半径方向に偏向走査して、略平行四辺形状のエレメントを描画することにより、多数のエレメントからなるディスク状記録媒体用の微細パターンを描画する電子ビーム描画方法であって、前記微細パターンにおいて、対角線方向に隣接する1対のエレメントがあり、該1対のエレメントの両者に同時に隣接するエレメントが存在していない場合、該1対のエレメントの少なくとも一方のエレメントについて、該一方のエレメントについての前記半径方向への偏向走査の他方のエレメント側の一端位置を、該一方のエレメントの設計上の配置における半径方向端部位置よりも前記他方のエレメントから離間した位置に設定し、前記半径方向への偏向走査長さが、該一方のエレメントの前記半径方向の設計上の長さよりも短くなるように描画することを特徴とするものである。本発明の電子ビーム描画方法においては、前記各エレメントの描画時間は、所定の描画クロック信号におけるクロック数で定めるものとし、前記一方のエレメントについての描画クロック数MMは整数を、該一方のエレメントを前記半径方向に前記半径方向の設計上の長さ偏向走査する場合の基準クロック数NNは整数に対し、M≒Tp’/TpNここで、Tpは前記設計上の長さ、Tp’は前記偏向走査長さである。とすることが好ましい。本発明の電子ビーム描画システムは、基板を回転させる回転ステージと、前記基板上に電子ビームを走査する電子ビーム照射部とを備えた電子ビーム描画装置と、前記基板に描画する、複数の平行四辺形状のエレメントからなるディスク状記録媒体用の微細パターンに応じた描画データ信号を、前記電子ビーム描画装置に送出する信号送出装置とを備え、該信号送出装置が、前記描画データ信号として、前記回転ステージを回転させつつ、電子ビームを該回転の半径方向と直交する方向に微小往復振動させると共に該半径方向に偏向走査して、前記平行四辺形状のエレメントを描画するため制御信号を前記電子ビーム描画装置に送出するものであり、前記微細パターンにおいて、対角線方向に隣接する1対のエレメントがあり、該1対のエレメントの両者に同時に隣接するエレメントが存在していない場合の、該1対のエレメントの少なくとも一方のエレメントについての前記制御信号は、該一方のエレメントについての前記半径方向への偏向走査の他方のエレメント側の一端を、該一方のエレメントの設計上の配置における半径方向端部位置よりも前記他方のエレメントから離間した位置に設定し、前記半径方向への偏向走査長さが、該一方のエレメントの前記半径方向の設計上の長さよりも短くなるように描画を制御する信号であることを特徴とするものである。本発明の電子ビーム描画システムにおいては、前記信号送出装置が、所定の描画クロック信号を生成するクロック生成部を備え、前記各エレメントの描画時間を前記描画クロック信号のクロック数で定め、前記制御信号を該クロック信号に同期させて、かつ、前記一方のエレメントについての描画クロック数MMは整数を、該一方のエレメントを前記半径方向に前記半径方向の設計上の長さ偏向走査する場合の基準クロック数NNは整数に対し、M≒Tp’/TpNここで、Tpは前記設計上の長さ、Tp’は前記偏向走査長さである。として、該描画クロック数Mで前記描画対象のエレメントを描画するように前記一方のエレメントについての制御信号を前記電子ビーム露光装置に送出するものとすることが好ましい。本発明の凹凸パターン担持体の製造方法は、本発明の電子ビーム描画方法により、ディスク状記録媒体用の微細パターンをレジストが塗布された基板に描画し、該微細パターンが描画された基板を用いて、前記微細パターンに応じた凹凸パターンを形成する工程を含むことを特徴とする。ここで、凹凸パターン担持体とは、表面に所望の凹凸パターン形状を有する担体であり、その凹凸パターンの形状をディスク状記録媒体に転写するためのインプリントモールド、凹凸パターンの形状に応じた磁化パターンをディスク状記録媒体に転写するための磁気転写用マスター担体などである。本発明のディスク状記録媒体の製造方法は、本発明の製造方法により製造された凹凸パターン担持体としてのインプリントモールドを用い、該モールドの表面に設けられた前記凹凸パターンに応じた凹凸パターンを転写する工程を含むことを特徴とする。本発明の別のディスク状記録媒体の製造方法は、本発明の製造方法により製造された凹凸パターン担持体としての磁気転写用マスター担体を用い、該マスター担体の表面に設けられた前記凹凸パターンに応じた磁化パターンを磁気転写する工程を含むことを特徴とするディスク状記録媒体の製造方法。本発明の電子ビーム描画方法および電子ビーム描画システムによれば、微細パターンにおいて、対角線方向に隣接する1対のエレメントがあり、該1対のエレメントの両者に同時に隣接するエレメントが存在していない場合、該1対のエレメントの少なくとも一方のエレメントについて、該一方のエレメントについての半径方向への偏向走査の他方のエレメント側の一端位置を、該一方のエレメントの設計上の配置における半径方向端部位置よりも前記他方のエレメントから離間した位置に設定し、前記半径方向への偏向走査長さが、該一方のエレメントの前記半径方向の設計上の長さよりも短くなるように描画することにより、現像後のパターンにおいてこのような配置の1対のエレメントの隣接箇所が電子ビーム描画における近接効果により鈍り繋がってしまうのを抑制し、現像後のエレメントの形状の鮮鋭化を向上させることができる。さらに、本発明の凹凸パターン担持体の製造方法によれば、上記の電子ビーム描画方法により、レジストが塗布された基板に、ディスク状記録媒体用の微細パターンを描画し、該微細パターンに応じた凹凸パターンを形成する工程を経て凹凸パターン担持体を製造するので、表面に高精度の凹凸パターン形状を有する担体を得ることができる。また、本発明のディスク状記録媒体の製造方法によれば、上記の製造方法により製造された凹凸パターン担持体としてのインプリントモールドを用い、このモールドの表面に設けられた凹凸パターンに応じた凹凸パターンを転写して作製することにより、すなわち、インプリント技術を用いて形状パターニングを行う際に、このモールドを磁気ディスク媒体の形成過程でのマスクとなる樹脂層表面に圧接することにより、媒体表面に一括して形状転写し、特性の優れたディスクリートトラックメディアやビットパターンメディアなどの磁気ディスク媒体を作製することができる。また、本発明の他のディスク状記録媒体の製造方法によれば、上記の製造方法により製造された凹凸パターン担持体としての磁気転写用マスター担体を用い、このマスター担体の表面に設けられた凹凸パターンに応じた磁化パターンを磁気転写して作製することにより、すなわち、このマスター担体を磁気ディスク媒体と重ねて磁気転写技術を用いて磁界を印加することにより、磁気ディスク媒体に微細パターンに対応した磁化パターンを転写形成し、特性の優れた磁気ディスク媒体を作製することができる。以下、本発明の実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。図1は本発明の電子ビーム描画方法により基板に描画するべきディスク状記録媒体、特にここでは、磁気ディスク媒体用の微細パターンを示す全体平面図であり、図2はこの微細パターンの一部の拡大図を示す図である。図1に示すように、磁気ディスク媒体用の微細パターンは、周方向に交互に配置されたサーボ領域12とデータ領域15とで構成され、円盤状の基板10に、外周部および内周部を除く円環状領域に形成される。サーボ領域12は、基板10の同心円状トラックに等間隔で、各セクターに中心部から湾曲放射状の細幅の領域である。サーボ領域12に形成されるサーボパターンSは、プリアンブルP、アドレスA、バースト信号B等に対応するパターンを含む。一部拡大した図2に示すように、サーボ領域12においては、同心円状のトラックシリンダT1~T6に、例えば、プリアンブルP、アドレスA、バースト信号Bに対応して平行四辺形状ここでは、斜線で示す矩形状の微細なエレメント13が配置される。エレメント13は、パターン描画の際に電子ビームで露光走査すべき描画領域である。なお、バースト信号Bとしては、ここでは、サーボエレメント13が市松模様に配置されたヌルNullバースト信号を例に挙げているが、所望の仕様により、フォーバースト、位相バーストパターンなど種々のパターンの信号がある。図2に示すパターンは、設計上の微細パターン設計パターンである。設計パターンにおいて、各エレメント13の半径方向Yの長さは、1トラック幅に相当する。本発明において、エレメントの半径方向の設計上の長さは、パターン描画後、レジストを現像した現像パターンにおいて形成されているトラック幅に相当する。図2において、丸○を付しているのが本発明の電子ビーム描画方法において、近接効果補正の対象となる箇所である。すなわち、設計パターンにおいて、対角線方向に隣接する1対のエレメントであって、その1対のエレメントの両者に同時に隣接するエレメントが存在していないような1対のエレメントの隣接頂角隣接角部に印を付している。この角部は既述の通り、従来の描画方式で描画すると、図11において示したように、レジスト現像後のパターンにおいて角部が鈍り、矩形性が低下してしまう。そこで、本発明の電子ビーム描画方法では、このような1対のエレメントの少なくとも一方のエレメントについて、この一方のエレメントについての半径方向Yへの偏向走査の他方のエレメント側の一端位置を、この一方のエレメントの設計上の配置における半径方向端部位置トラック境界位置よりも他方のエレメントから離間した位置に設定し、半径方向への偏向走査長さが、この一方のエレメントの半径方向の設計上の長さトラック幅よりも短くなるように描画する。図3、4を参照して本発明の電子ビーム描画方法の詳細を説明する。図3には、図2のトラックT1、T2のアドレス部Aの一部パターンおよび本発明の描画方法の一実施形態Iを模式的に示している。1対のエレメントA1、A2は角部Cを挟み対角線方向に隣接している。両エレメントA1、A2は角部Cの頂点を共有するようにして、この頂点を中心とする点対称な位置に配置されている。そしてその両者を同時に共有する他のエレメントは存在していない。本発明の電子ビーム描画方法の一実施形態Iによれば、エレメントA1、A2を描画する際に、エレメントA1について、半径方向Yへの偏向走査D1のエレメントA2側の一端位置Y方向偏向走査の終端位置を、エレメントA1の設計上の配置における半径方向端部位置yトラックT1とトラックT2との境界位置よりもエレメントA2から離間した位置yΔy1に設定し、半径方向Yへの偏向走査長さL1が、エレメントA1の半径方向Yの設計上の長さLよりも短くなるように描画する。同様に、エレメントA2について、半径方向Yへの偏向走査D1のエレメントA1側の一端位置Y方向偏向走査の開始位置を、エレメントA1の設計上の配置における半径方向端部位置yよりもエレメントA1から離間した位置y-Δy1に設定し、半径方向への偏向走査長さL1が、エレメントA2の半径方向の設計上の長さLよりも短くなるように描画する。ここでは、エレメントA1、A2についての半径方向端部位置yからの端部位置のいずれも離間距離Δy1であり、偏向走査長さがL1と同一となるものとしているが、両者エレメントの半径方向端部位置yからの離間距離は必ずしも同一でなくてもよい。図4には、パターンAについての本発明の描画方法の別の形態II,IIIを示している。描画方法の形態IIに示すように、2つのエレメントのうちトラックT1のエレメントA1について、半径方向Yへの偏向走査D2のエレメントA2側の一端位置Y方向偏向走査の終端位置を、エレメントA1の設計上の配置における半径方向端部位置yよりもエレメントA2から離間した位置yΔy2に設定し、半径方向への偏向走査長さL2が、エレメントA1の半径方向の設計上の長さLよりも短くなるように描画し、トラックT2のエレメントA2については、設計パターンの設計長Lと同等の長さ偏向走査Dして描画するようにしてもよい。あるいは、描画方法の形態IIIに示すように、2つのエレメントのうちのトラックT2のエレメントA2について、半径方向Yへの偏向走査D3のエレメントA1側の一端位置Y方向偏向走査の開始位置を、エレメントA2の設計上の配置における半径方向端部位置yよりもエレメントA1から離間した位置y-Δy3に設定し、半径方向への偏向走査長さL3が、エレメントA2の半径方向の設計上の長さLよりも短くなるように描画し、他方のエレメントA1については、設計パターンの設計長Lと同等の長さ偏向走査Dして描画するようにしてもよい。隣接する1対のエレメントに対する上記の近接効果補正において、偏向走査一端のトラック境界位置からのずらし量は、使用するレジストの感度、電子ビームの加速電圧ビーム径、そして現像プロセス等に依存するが、一般的な化学増幅型レジストを使用する場合は、ずらし量を酸の拡散長と同程度の5~20nmとすることが好ましい。また、パターンの両端を短くする場合についても同様である。上記のように、設計パターンの微細パターンにおいて対角線方向に隣接する1対のエレメントA1、A2があり、この1対のエレメントの両者に同時に隣接するエレメントが存在していない場合、少なくとも一方のエレメントについて、その半径方向Yへの偏向走査の他方のエレメント側の一端位置を、一方のエレメントの設計上の配置における半径方向端部位置よりも他方のエレメントから離間した位置に設定し、半径方向への偏向走査長さが、一方のエレメントの半径方向の設計上の長さよりも短くなるように描画することにより、レジスト現像後のパターンにおいて、1対のエレメントの隣接する角部Cが鈍るのを抑制し、矩形性を向上させることができる。図5は、図2に示す設計パターンを本発明の電子ビーム描画方法の一実施形態で描画する場合の各エレメントについてのY方向への偏向走査の長さを示す模式図である。図5においては、図2に丸で示した部分を共有する各エレメントについては斜線を付している。斜線で示したエレメントについては、いずも偏向走査の一端の位置をトラック境界となる位置からトラック内方向へずらし、偏向走査長さが設計パターンの偏向走査長さトラック幅よりも短くなるように描画する。図2で丸が付されていないエレメントについては、設計パターンの偏向走査長さと同じだけY方向へ偏向走査する。また、ヌルバースト部のエレメントは、市松模様の配置になっており、各エレメントは2つもしくは4つの頂点を挟んで複数の対角線方向に隣接エレメントを有している。このように、あるエレメントが半径方向Yの正負両方向に1対のエレメントの他のエレメントを有する場合、偏向走査の両端の位置を変更すればよい。なお、図5においては、頂点を共有する1対のエレメントの両者について、偏向走査の位置を変更するものとしているが、図3、4で説明したように、1対のエレメントの少なくとも一方の偏向走査の一端位置を変更すればよい。たとえば、1対のエレメントのうち偶数トラックT2nに配置されているエレメントについてのみ、あるいは奇数トラックT2n1に配置されているエレメントについてのみ偏向走査の一端位置をトラック境界位置から変更するようにしてもよい。図5に記載のように、一部のエレメントについて、近接効果補正のためにY方向への走査距離を偏向するが、このように描画露光したレジストを現像すると、角部の鈍りによる隣接エレメントが繋がりは抑制され、Y方向への走査距離をトラック幅よりも短く描画したエレメントについても、近接効果の影響によりほぼトラック幅程度の領域が露光され現像され、従来の描画方法で描画した場合の現像後のパターンよりも、設計パターンに近いパターンを現像後に得ることができる。各エレメントの描画は、表面にレジスト11が塗布された基板10を、後述の回転ステージ31図7参照に設置して回転させつつ、例えば、内周側のトラックより外周側トラックへ順に、またはその反対方向へ、1トラックずつ描画するものである、つまり、基板10を一方向Aに回転させつつ、微視的にみれば直線状に延びる同心円状の各トラックの所定移位相位置に、設計パターンのエレメント配置に応じて、平行四辺形状の領域を塗りつぶすように微小径の電子ビームEBで走査して各エレメントの描画露光を行うものである。なお、近年注目されているディスクリートトラックメディアでは、上記のようなサーボパターンに加え、データ領域15における各データトラック間のガードバンド部分に、隣接する各トラックを溝状に分離するようトラック方向に延びるグルーブパターンが同心円状に形成されるものであり、このグルーブパターンも基板の1回転中にサーボパターンの描画と連続して描画される。一般的な磁気ディスク媒体は、角速度一定CAV方式で信号の記録再生が行われる。したがって、最終的な磁気ディスク媒体として回転駆動された際に、ディスク全域においてサーボエレメントから読み出される信号が同じとなるように、磁気ディスク媒体用のパターンにおいては、同心円状のトラックの各トラック幅トラックピッチは一定であるが、内周から外周にかけて、円周が大きくなるに伴ってエレメントのトラック方向の長さ物理ビット長は大きくなっている。一方で、上記のような磁気ディスク媒体用の微細パターンを描画する際には、基板10の描画領域における、描画部位の半径方向位置の移動つまりトラック移動に対し、基板10の外周側部位でも内周側部位でも全描画域で同一の線速度となるように、回転ステージ31の回転数を外周トラック描画時には遅く、内周トラック描画時には速くなるように調整する。これにより、電子ビームEBの描画における近接効果補正を含む均等なドーズ量を得る点、および描画位置精度を確保する点で有利となる。図6は、設計パターンにおけるエレメント形状と、その形状を描画するための電子ビームEBの描画動作およびその描画動作を行うための偏向信号等の各種信号のタイミングチャートの一例を示す図である。また、図7は本発明の電子ビーム描画方法を実施する一実施形態の電子ビーム描画システムの要部側面図および部分平面図である。図6において、は設計パターンにおけるエレメント形状を示し、Bは電子ビームEBの半径方向Yおよび周方向X回転方向Aの描画動作を模式的に示し、は半径方向Yの偏向信号Defを、は周方向Xの偏向信号Defを、は周方向Xの振動信号Modを、は電子ビームEB照射のオンオフ動作を、、Bの横軸は基板10の位相を、~の横軸は時間を示している。図6Aの設計パターンにおけるエレメントが、本発明の描画方法における近接効果補正の対象となる対角線方向に隣接する1対のエレメントの一方を構成するものである場合、そのエレメントの他方のエレメント図示せず。との隣接する頂角に丸印を付している。ここでは、エレメント13aは、本発明の描画方法における近接効果補正の対象とならず、エレメント13a~13が近接効果補正の対象となるものである。エレメント13bは下端右角部方向に他方のエレメントと隣接し、エレメント13cは上端右角部方向に他方のエレメントと隣接し、エレメント13dは上端左角部方向および下端右角部方向に他方のエレメントと隣接している。電子ビームEBの走査は、基板10回転ステージ31を回転させつつ、エレメント13a~13dの最小トラック方向長さより小さいビーム径の電子ビームEBを、後述のブランキング手段24の描画部位に応じたオンオフ制御により照射を断続し、周方向Xへ一定の振幅で高速に往復振動させつつ、半径方向Yおよび周方向Xに偏向させることにより平行四辺形状を塗りつぶすように走査し、描画する。各エレメントの描画時間は、図6Gの描画クロック信号におけるクロック数で定める。図6のの描画クロック信号は、後述の信号送出装置内で生成される、状況に応じて変化することのない一定のクロック信号基本クロック信号に基づき生成される信号である。描画クロック信号は、内周トラック描画時と外周トラック描画時とで回転ステージ31の回転数が変化しても、1回転1周でのクロック数が同一となるように、回転数の変更に応じてクロック幅クロック長さが調整される。つまり、クロック幅は半径rに応じて所定トラックごとに、内周トラックで狭く、外周側トラックで広くなるように、変化するものである。そして、周方向回転方向Aの寸法的および時間的幅を、描画クロック信号のクロック数で規定し、内周トラックおよび外周トラックで同じ描画クロック数で微細パターンを描画することを基本としている。これにより、内周側と外周側とでの、同一角度位相における描画クロック数を同じにして、相似形のパターンを簡易に描画できる。また、上記近接効果補正に応じて各エレメントの描画時間は、整数個のクロック数を増減するもので、本発明の電子ビーム描画方法において近接効果補正の対象となる、一対のエレメントの少なくとも一方のエレメントについての描画クロック数MMは整数を、その一方のエレメントを半径方向Yに半径方向の設計上の長さ偏向走査する場合の基準クロック数NNは整数に対し、M≒Tp’/TpNここで、Tpは前記設計上の長さ、Tp’は前記偏向走査長さである。とする。例えば、図3において、エレメントA1の設計上の長さLに対して、描画方法Iでの偏向走査長L1=0.9Lとするとき、エレメントA1の描画方法Iでの描画クロック数M=0.9/1Nである。基準クロック数Nが50クロックであるとき、Mは40クロックとなる。なお、クロック数N、Mは整数であり、クロック数の増減は整数で行うため、上記式の右辺Tp’/TpNが整数でない場合、Mは右辺の少数点以下を、切り上げ、切捨て、もしくは四捨五入等により得られるTp’/TpN―1<M<Tp’/TpN1の範囲の整数値である。EB照射のオン、オフは、後述のブランキング手段のオフ、オンで制御する。後述の電子銃からの電子ビーム出力自体をオン/オフするのは電子ビームの安定性上好ましくなく、一般に電子ビームEBの照射のオン、オフは、電子ビームをブランキング手段のオフ、オンで行う。以下において、電子ビームEBの照射のオンはブランキング手段のオフ、電子ビームEBの照射のオフはブランキング手段のオンを意味する。図6により本発明の電子ビーム描画方法を具体的に説明する。まず、各エレメント13a~13dの基本的な描画動作は、それぞれa,c,e,g点で電子ビームEBの照射をオンとし、エレメント13a~13dの描画を開始するものであり、描画開始位置にある電子ビームEBをEの振動信号Modにより周方向Xに往復振動させつつ、Cの偏向信号Defにより半径方向-Yに偏向させて送るとともに、A方向への基板10の回転に伴う電子ビームEBの照射位置のずれを補償するために、Dの偏向信号DefによりA方向と同方向の周方向Xに偏向させて送ることにより、矩形状のエレメント13a~13dを塗りつぶすように走査し、b,d,f、h点でのブランキング信号BLKのオンにより電子ビームEBの照射を停止し、各サーボエレメント13a~13dの描画を終了する。描画後に、半径方向Yおよび周方向Xの偏向を基準位置に戻す。各サーボエレメント13a~13dの周方向Xの長さは同じであり、電子ビームEBの周方向往復振動の振幅によって規定している。電子ビーム描画方法は、図6に示すように、半径方向Yおよび周方向Xに三角波信号の偏向信号を出力して電子ビームの偏向走査を行っている。偏向信号は図6CおよびDに示すような三角波信号であるが、実際の電子ビームEBの偏向走査は、電気的および電子的な回路要素に起因する全体的な遅れを持って作動し、その遅れに加えて偏向開始点では起動遅れが生じる。また、三角波形状の斜辺部分にしたがって略直線的に偏向した後、三角波形の頂点において、時間経過では三角波信号の頂点に到達して鋭角に折り返すはずであるが、実際の電子ビームの偏向移動はこれに追従できず、頂点に到達する前にR形状に折り返して描画する偏向動作となってしまう。そのため、エレメント13a~13dの描画においては、三角波信号の起点および終点を含まない斜辺部で電子ビームの描画のオン、オフを行うことにより、電子ビーム偏向動作の動作開始部の近傍および動作終了部の近傍を除去して、略直線的に偏向動作する期間に描画を行うようにしている。さらに、エレメント13b~13dについては、それぞれ図6Bに示すように、それぞれの偏向走査の一端位置が仮想的に示されているトラック境界位置からトラック内部側に位置するように描画される。Y方向およびX方向への偏向信号はエレメント13a~13dについて共通とし、エレメント13b~13dのEB照射の時間をエレメント13aの描画時間クロック数Nよりも短くすることにより近接効果補正を含む図6Bに示されるような描画を行うことができる。具体的には、エレメント13bは、下端右角方向に他方のエレメントが隣接配置されているため、このエレメント13bについての描画形状における、偏向走査の下端位置偏向走査終端をY方向にずれた位置とする。エレメント13bについての描画形状は、同様のX、Y方向への偏向走査信号に対し、電子ビーム照射オンのタイミングをエレメント13aの照射オンのタイミングと同じとして描画を開始し、電子ビーム照射オフのタイミングはエレメント13aの照射オフのタイミングより早い時刻として描画を終了することにより走査露光できる。エレメント13cは、上端右角方向に他方のエレメントが隣接配置されているため、このエレメント13cについての描画形状における、偏向走査の上端位置偏向走査開始端を-Y方向にずれた位置とする。エレメント13cについての描画形状は、同様のX,Y方向への偏向走査信号に対し、電子ビーム照射オンのタイミングをエレメント13aの照射オンのタイミングよりも遅い時刻として描画を開始し、電子ビーム照射オフのタイミングはエレメント13aの照射オフのタイミングと同じとして描画を終了することにより走査露光できる。エレメント13dは、上端左角方向および下端右角方向にそれぞれ他方のエレメントが隣接配置されているため、このエレメント13dについての描画形状における、偏向走査の上端位置および下端位置をそれぞれ-Y方向およびY方向にずれた位置とする。エレメント13dについての描画形状は、同様のX,Y方向への偏向走査信号に対し、電子ビーム照射オンのタイミングをエレメント13aの照射オンのタイミングよりも遅い時刻として描画を開始し、電子ビーム照射オフのタイミングはエレメント13aの照射オフのタイミングより早い時刻として描画を終了することにより走査露光できる。例えば、各エレメント13a~13dの描画時間は、エレメント13aを描画する際の電子ビーム照射のオンからオフまでの描画時間が20クロックとし、偏向走査の一端位置のズレ量をトラック幅の10した場合、エレメント13b、13cの描画時間を18クロック、エレメント13dの描画時間を16クロックとすればよい。このように、X方向、Y方向への偏向走査信号は各エレメントで同一とし、電子ビーム照射のオン、オフ制御により描画時間を変化させることにより、描画形状におけるエレメントの半径方向長さ偏向走査長さを容易に変化させることができる。X方向、Y方向への偏向走査信号が同一であることから、照射領域毎のドーズ量を常に一定とすることができる。1つのトラックを1周描画した後、次のトラックに移動し同様に描画して、基板10の全領域に所望の微細パターンを描画する。この電子ビームEBのトラック移動は、後述の回転ステージ31を半径方向Yに直線移動させて行う。その移動は前述のように、電子ビームEBの半径方向Yの偏向可能範囲に応じて複数トラック例えば、8トラック、16トラックなどの描画毎に行うか、1トラックの描画毎に行ってもよい。図6が内周トラック描画時とすると、外周トラック描画時には、C,,の信号は内周側振幅に対し、外周側振幅がエレメント13の幅の増大に対応した所定倍率で大きく設定される。そして、周方向Xおよび半径方向Yの偏向送りの基準速度は、外周側トラックの描画で送りが遅く、内周側トラックの描画で送りが速くなる。一方、基本クロック信号は時間的に同じ間隔で一定に生起し、これに基づきGの描画クロック信号が半径に応じて1周で同じクロック数となるようにクロック幅が調整される。つまり、C~Fの倍率と同様の倍率でクロック幅が大きくなる。そして、上記描画クロック信号の信号数を数えて、各種制御信号のオンオフタイミング、信号形状を設定する。例えば、1つのエレメントの描画における描画クロック数は、数十クロック程度で行うのが好適である。なお、エレメント13の描画面積が大きくなると、近接効果の影響が小さくなる傾向にあることより、内周側描画とは近接効果補正の係数が異なっている。上記のようにGの描画クロック信号は、クロック幅が外周トラックで広く内周トラックで狭くなり、回転ステージ31の回転数は前述のように外周トラックで遅く内周トラックで速くなり、両者は同期させて同時に変更する。そして、同じ回転数の時は描画トラック位置すなわち半径位置rを若干変更しても、1周のクロック数が同一であるので同じ描画クロック数による制御で同じ位相位置に略同じ形態のエレメントが描画できる。そのとき、電子ビームEBに対するレジスト11の相対移動速度は、半径位置で異なり、外周で若干速くなり、単位面積のドーズ量が変化する。しかし、描画されたエレメントの信号幅はの振動信号の振幅に依存するので略同じとなり、回転数および描画クロック信号幅を変更せずに、描画トラック位置の若干の変動はレジストの感度、信号精度等で補償され、実際の記録情報としては問題なく使用できるものであり、1トラック移動ごとに回転数および描画クロック幅を変更する必要はなく、前述のように例えば8トラック描画毎に変更調整する。電子ビームEBのビーム強度は、上記サーボエレメント13の高速振動描画でレジスト11の露光が十分に行える程度に設定されている。上記のような本発明の電子ビーム描画方法を実施するための本発明の電子ビーム描画システムの実施形態について図7を参照して説明する。図7に示す本実施形態の電子ビーム描画システム100は、電子ビーム描画装置40および信号送出装置50を備え、電子ビーム描画装置40は、基板に対して電子ビームを照射する電子ビーム照射部20と、基板を回転および直線移動させる機械駆動部30とを備えている。電子ビーム照射部20は、鏡筒18内に電子ビームEBを出射する電子銃21、電子ビームEBを半径方向Yおよび円周方向Xへ偏向させるとともに円周方向Xに一定の振幅で微小往復振動させる偏向手段22,23、電子ビームEBの照射をオンオフするためのブランキング手段24としてアパーチャ25およびブランキング26偏向器を備えており、電子銃21から出射された電子ビームEBは偏向手段22、23および図示しない電磁レンズ等を経て、レジスト11が塗布された基板10上に照射される。ブランキング手段24における上記アパーチャ25は、中心部に電子ビームEBが通過する透孔を備え、ブランキング26はEB照射のオンオフ信号の入力に伴って、オン信号時には電子ビームEBを偏向させることなくアパーチャ25の透孔を通過させて照射させ、一方、オフ信号時には電子ビームEBを偏向させてアパーチャ25の透孔を通過させることなくアパーチャ25で遮断して、電子ビームEBの照射を行わないように作動する。機械駆動部30は、鏡筒18が上面に配置された筐体19内に原盤を支持する回転ステージ31および該ステージ31の中心軸と一致するように設けられたモータ軸を有するスピンドルモータ32と備えた回転ステージユニット33と、回転ステージユニット33を回転ステージ31の一半径方向に直線移動させるための直線移動手段34とを備えている。直線移動手段34は、回転ステージユニット33の一部に螺合された精密なネジきりが施されたロッド35と、このロッド35を正逆回転駆動させるパルスモータ36とを備えている。また、ステージユニット33には、回転ステージ31の回転角に応じたエンコーダ信号を出力する図示しないエンコーダが設置されている。エンコーダは、スピンドルモータ32のモータ軸に取り付けられる、多数の放射状のスリットが形成された回転板と、そのスリットを光学的に読み取る光学素子とを備え、エンコーダスリットの読み取りによって所定回転位相で等間隔に生じるエンコーダ信号を信号送出装置50に送出する。上記スピンドルモータ44の駆動すなわち回転ステージ31の回転速度、パルスモータ48の駆動すなわち直線移動手段49による直線移動、電子ビームEBの変調、偏向手段22、23の制御、ブランキング手段24のブランキング26のオンオフ制御等は信号送出装置50から送出される制御信号に基づいて行われる。信号送出装置50は、所望のディスク媒体用の微細パターン設計パターンに基づく描画データを記憶し、電子ビーム描画装置40に描画データ信号に基づく各種制御信号を送出するものである。信号送出装置50は、描画データを蓄積する描画データ蓄積部52と、描画タイミングを計るための描画クロックを生成する描画クロック生成部51と、描画データに基づく各種制御信号を生成し、描画データ信号として電子ビーム描画装置40に送出する信号送出部53とを備えている。信号送出装置50は所謂フォーマッタにより構成することができる。描画すべきパターンに関する設計パターンに基づく描画データは、電子ビーム描画を開始する前に、予め図示しない外部の設計データ処理装置から信号送出装置50に送られ、描画データ蓄積部52に蓄積される。描画クロック生成部51は、不変の基準クロックを発生する基準クロック発生部を内包し、この基準クロックおよび電子ビーム描画装置40からのエンコーダ信号や半径位置信号に基づいて、各半径位置に応じたクロック幅の描画クロック信号を生成するものである。本電子ビーム描画システム100においては、信号送出装置50が、ブランキングのオンオフ制御、電子ビームEBのX-Y偏向制御、回転ステージ31の回転速度制御等の制御信号からなる描画データ信号を、各アンプおよびドライバに振り分けるものであり、それぞれのデータ信号はエンコーダ37から入力されたエンコーダパルスと描画クロックに基づいて所定のタイミングで送出される。そして、電子ビーム描画装置40において、スピンドルモータ32の駆動すなわち回転ステージ31の回転速度、パルスモータ36の駆動すなわち直線移動手段34による直線移動、電子ビームEBの変調、偏向手段22および23の制御、ブランキング手段24のブランキング26のオンオフ制御すなわち電子ビームのオフオン制御等は信号送出装置50から送出された描画データ信号に基づいて行われる。この描画データ信号には、既述の本発明の電子ビーム描画方法における近接補正のための信号が盛り込まれている。すなわち、微細パターンにおいて、対角線方向に隣接する1対のエレメントがあり、該1対のエレメントの両者に同時に隣接するエレメントが存在していない場合の、該1対のエレメントの少なくとも一方のエレメントについての制御信号として、一方のエレメントについての前記半径方向への偏向走査の他方のエレメント側の一端を、この一方のエレメントの設計上の配置における半径方向端部位置よりも他方のエレメントから離間した位置に設定し、半径方向Yへの偏向走査長さが、この一方のエレメントの半径方向の設計上の長さよりも短くなるように描画を制御する信号が盛り込まれている。<凹凸パターン担持体の製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法>次に、上記のような電子ビーム描画システム100により、前述の電子ビーム描画方法によって微細パターンを描画する工程を経て製造する凹凸パターン担持体の製造方法およびその凹凸パターン担持体を用いた磁気ディスク媒体の製造方法を説明する。図8は、凹凸パターン担持体の一形態であるインプリントモールドを用いて微細凹凸パターンを転写形成している過程を示す概略断面図である。インプリントモールド70は、透光性材料による基板71の表面にレジスト11が塗布され、磁気ディスク用の微細パターンが描画される。その後、現像処理して、レジストによる凹凸パターンを基板71に形成する。このパターン状のレジストをマスクとして基板71をエッチングし、その後レジストを除去し、表面に形成された微細凹凸パターン72を備えるインプリントモールド70を得る。一例としては、上記微細凹凸パターン72は、ディスクリートトラックメディア用のサーボパターンとグルーブパターンとを備えたものである。このインプリントモールド70を用いて、インプリント法によって磁気ディスク媒体80を作製する。磁気ディスク媒体80は、基板81上に磁性層82を備え、その上にマスク層を形成するためのレジスト樹脂層83が被覆されている。そして、このレジスト樹脂層83に、前記インプリントモールド70の微細凹凸パターン72が押し当てられて、紫外線照射によって上記レジスト樹脂層83を硬化させ、微細凹凸パターン72の凹凸形状を転写形成してなる。その後、レジスト樹脂層83の凹凸形状に基づき磁性層82をエッチングし、磁性層82による微細凹凸パターンが形成されたディスクリートトラックメディア用の磁気ディスク媒体80を作製するものである。また、上記ではディスクリートトラックメディアの製造について説明したが、ビットパターンメディアも同様の工程で製造することができる。図9は、同様に、電子ビーム描画システム100を用い前述の電子ビーム描画方法によって描画された微細パターンを備えた凹凸パターン担持体の他の一形態である磁気転写マスター担体を用いて微細凹凸パターンに応じた磁気パターンを転写形成する過程を示す概略断面図である。磁気転写用マスター担体90の作製工程はインプリントモールド70の作製方法とほぼ同様である。回転ステージ31に設置する基板10は、例えばシリコン、ガラスあるいは石英からなる円板の表面に電子ビーム描画用レジスト11が塗設され、このレジスト11上に、電子ビームを走査させて所望のパターンを描画する。その後、レジスト11を現像処理して、レジストによる微細凹凸パターンを有する基板10を得る。これが磁気転写用マスター担体90の原盤となる。次に、この原盤の表面の凹凸パターン表面に薄い導電層を成膜し、その上に、電鋳を施し、金属の型をとった凹凸パターンを有する基板91を得る。その後、原盤から所定厚みとなった基板91を剥離する。基板91の表面の凹凸パターンは、原盤の凹凸形状が反転されたものである。基板91の裏面を研磨した後、その凹凸パターン上に磁性層92軟磁性層を被覆して磁気転写用マスター担体90を得る。基板91の凹凸パターンの凸部あるいは凹部形状は、原盤のレジストの凹凸パターンに依存した形状となる。上記のようにして作製された磁気転写用マスター担体90を用いた磁気転写方法を説明する。情報が転写される被転写媒体である磁気ディスク媒体85は、例えば、基板86の両面または片面に磁気記録層87が形成されたハードディスク、フレキシブルディスク等であり、ここでは、磁気記録層87の磁化容易方向が記録面に対して垂直な方向に形成されている垂直磁気記録媒体とする。図9Aに示すように、予め磁気ディスク媒体85に初期直流磁界Hinをトラック面に垂直な一方向に印加して磁気記録層87の磁化を初期直流磁化させておく。その後、図9Bに示すように、この磁気ディスク媒体85の記録層87側の面とマスター担体90の磁性層92の面とを密着させ、磁気ディスク媒体85のトラック面に垂直な方向に初期直流磁界Hinとは逆方向の転写用磁界Hduを印加して磁気転写を行う。その結果、転写用磁界がマスター担体90の磁性層92に吸い込まれ、凸部に対応する部分の磁気ディスク媒体85の磁性層87の磁化が反転し、その他の部分の磁化は反転しない結果、磁気ディスク媒体85の磁気記録層87にはマスター担体90の凹凸パターンに応じた情報例えばサーボ信号が磁気的に転写記録される。なお、磁気ディスク媒体85の上側記録層についても磁気転写を行う場合には、上側記録層に上側用のマスター担体を密着させて下側記録層と同時に磁気転写を行う。なお、面内磁気記録媒体への磁気転写の場合にも、上記垂直磁気記録媒体用とほぼ同様のマスター担体90が使用される。この面内記録の場合には、磁気ディスク媒体の磁化を、予めトラック方向に沿った一方向に初期直流磁化しておき、マスター担体と密着させてその初期直流磁化方向と略逆向きの転写用磁界を印加して磁気転写を行うものであり、この転写用磁界がマスター担体90の凸部磁性層に吸い込まれ、凸部に対応する部分の磁気ディスク媒体の磁性層の磁化は反転せず、その他の部分の磁化が反転する結果、凹凸パターンに対応した磁化パターンを磁気ディスク媒体に記録することができる。以上説明した、本発明の電子ビーム描画方法を用いた、インプリントモールド、磁気転写用マスター担体の上述の製造方法は一例であり、本発明の電子ビーム描画方法を用いて微細パターンの描画を行い、凹凸パターンを形成する工程を経るものであれば上述の作製方法に限るものではない。本発明の電子ビーム描画方法の実施例および比較例について説明する。本発明の電子ビーム描画方法によりパターン描画を行い作製した原盤を用いて磁気転写用マスター担体を作製し、この磁気転写用マスター担体を用いて磁気転写を行って磁気ディスク媒体を作製した。描画の際、本発明の描画方法において、近接効果の補償対象となるエレメントについては、描画時の半径方向への電子ビームの偏向走査の一端位置の設計位置からのずらし量を、10nm、20nmとした場合をそれぞれ実施例1~2とした。このとき、設計パターンにおけるエレメントの半径方向長さトラック幅は115nmであった。なお、比較例として、全てのエレメントについて、半径方向への電子ビームの偏向走査長さを設計パターンにおけるエレメントの長さトラック幅と同一の長さとして描画して作製した原盤を用いて磁気転写用マスター担体を作製し、この磁気転写用マスター担体を用いて磁気転写を行って磁気ディスク媒体を作製した。実施例1~4および比較例の磁気ディスク媒体について、アドレスエラーレートの測定を行った結果を図10に示す。<アドレスエラーレートの測定方法>磁気転写後の磁気記録媒体について、スピンスタンドを用いてGMRヘッドでサーボ信号の再生波形を取得し、デコードプログラムを利用して解析した。これによって求められた全測定フレーム数に対するアドレスエラー01反転、信号識別不能、信号ズレ等の数よりアドレスエラーレートを算出した。図10は、各例についてのアドレスエラーレートを比較例1についての値で規格化したものである。図10に示すように、本発明の実施例1~2は、比較例1に比べ、格段にエラーレートが低減した。これは、本発明の描画方法により描画されて作製された原盤におけるパターンの矩形性の向上により、この原盤を元に作製した磁気転写用マスター担体における凹凸パターンの凸部、凹部の平面形状の矩形性が向上し、さらには、磁気転写用マスター担体を用いて磁気転写により磁化パターンが形成された磁気ディスク媒体の該磁化パターンの鮮鋭化が図られた効果であると考えられる。"