"A熱可塑性樹脂とB熱硬化性成分とを含み、前記A熱可塑性樹脂が、A1ガラス転移温度が60°C以下、かつ重量平均分子量が10000~100000のポリイミド樹脂、及びA2樹脂分が20質量となるようにN-メチル-2-ピロリドンに溶解させたときの25°Cにおける粘度が10ポイズ以上の非ポリイミド樹脂を含有し、前記B熱硬化性成分が、B1エポキシ樹脂及びB2ビスマレイミド樹脂を含有する、接着剤組成物。前記A2非ポリイミド樹脂が、ポリウレタン樹脂である、請求項1に記載の接着剤組成物。前記A2非ポリイミド樹脂が、ポリビニルブチラール樹脂である、請求項1に記載の接着剤組成物。前記B熱硬化性成分が、B3エポキシ基含有液状アクリルポリマーを更に含有する、請求項1~3のいずれか一項に記載の接着剤組成物。Cフィラーを更に含む、請求項1~4のいずれか一項に記載の接着剤組成物。半導体素子固定用である、請求項1~5のいずれか一項に記載の接着剤組成物。請求項1~5のいずれか一項に記載の接着剤組成物がフィルム状に成形されてなる接着剤層を備える、接着シート。支持フィルムを更に備え、該支持フィルム上に前記接着剤層が設けられている、請求項7に記載の接着シート。ダイシングシートを更に備え、該ダイシングシート上に前記接着剤層が設けられている、請求項7に記載の接着シート。前記ダイシングシートが、基材フィルム及び該基材フィルム上に設けられた粘着剤層を有し、該粘着剤層側に前記接着剤層が設けられている、請求項9に記載の接着シート。半導体素子と支持部材とが請求項1~5のいずれか一項に記載の接着剤組成物の硬化物を介して接着された構造、又は半導体素子同士が請求項1~5のいずれか一項に記載の接着剤組成物の硬化物を介して接着された構造を備える半導体装置。ところで、最近では、半導体素子の小型薄型化高性能化に加えて、多機能化が進み、複数の半導体素子を積層した半導体装置が急増している。一方で、半導体装置の厚みは薄型化の方向に進んでおり、更に極薄化された半導体ウェハが用いられている。そのため、半導体素子の多段積層化と半導体装置の薄型化に対応するため半導体素子固定用接着剤の薄膜形成性成膜性の更なる向上が必要である。半導体素子の極薄化が進むにつれて、ワイヤボンド時の衝撃による半導体素子割れの抑制、及びワイヤボンド時の超音波効率の向上を目的に、極薄半導体素子を支持固定する接着剤層の高弾性化がこれまで以上に必要となってきている。また、半導体装置の最下段の被着体である有機基板の薄型化も進む中で、組立熱履歴による有機基板の反り上昇を抑制するため、低温圧着性及び低温硬化性がこれまで以上に必要となってきている。そのため、接着剤層に適用される接着剤組成物は、ダイボンド後の組立工程で受ける熱履歴ワイヤボンド工程までの組立熱履歴を利用して接着剤層の硬化を進行させることができ、ワイヤボンド温度における接着剤層の弾性率が十分に高いことが必要である。また、組立熱履歴の低温化に対応するため、低温圧着性確保に必要とされる熱圧着流動性を確保しつつ、比較的低温の組立熱履歴で充分に硬化が進行することが必要である。一方、組立工程の簡略化を目的に、接着剤層の一方の面にダイシングシートを貼り合せた接着シート、すなわちダイシングシートとダイボンドフィルムを一体化させたフィルム以下、場合によりダイシングダイボンド一体型フィルムという。を用いる方法により、ウェハ裏面への貼り合せプロセスの簡略化を図る場合がある。この手法によればウェハ裏面へフィルムを貼り付けるプロセスを簡略化できるため、ウェハ割れのリスクを軽減できる。ダイシングテープの軟化温度は、通常150°Cを下回る。そのため、ダイシングダイボンド一体型フィルムの形態の場合は特に、ダイシングテープの軟化温度やウェハ反りの抑制を考慮して150°Cよりも低温で貼り付けが可能であること、すなわち低温での優れた加工性を有することが接着シートに求められる。このように、低温での加工性、及び極薄半導体素子の実装効率等のプロセス特性と、耐リフロー性を含む半導体装置の信頼性を高度に両立できる接着シートが強く求められている。しかしながら、従来の半導体素子固定用接着剤は、低温での加工性と耐リフロー性の両立と同時に、ダイボンド後の組立工程で受ける熱履歴による硬化性の点でも十分なレベルを達成することはできないことが分かった。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、薄膜形成性、低温での加工性低温貼付性、及び耐リフロー性に必要とされる高温時の高接着性を満足することができ、かつダイボンド後の組立工程で受ける熱履歴の低温化に対応可能な硬化性が得られると同時に高弾性化を達成できる接着剤組成物、並びにこれを用いた接着シート及び半導体装置を提供することを目的とする。本発明は、A熱可塑性樹脂とB熱硬化性成分とを含み、上記A熱可塑性樹脂が、A1ガラス転移温度以下、Tgともいう。が60°C以下、かつ重量平均分子量が10000~100000のポリイミド樹脂、及びA2樹脂分が20質量となるようにN-メチル-2-ピロリドン以下、NMPともいう。に溶解させたときの25°Cにおける粘度が10ポイズ以上の非ポリイミド樹脂を含有し、上記B熱硬化性成分が、B1エポキシ樹脂及びB2ビスマレイミド樹脂を含有する、接着剤組成物を提供する。上記接着剤組成物は、薄膜塗工性を含む薄膜形成性に優れ、この接着剤組成物から得られる接着シートは、低温貼付性を高度に満足することができる。具体的には、本発明の接着剤組成物からは、より薄い接着剤層を有する接着シートが得られるとともに、該接着シートはより低温で接着剤層を半導体素子及び支持部材等の被着体に貼り付けることが可能であり、また低温、低圧かつ短時間の条件でのダイボンドが可能となる。また、ダイボンド時の基板上の配線段差への低圧での埋め込みを可能にする熱時流動性熱圧着流動性をも有する。さらに、上記接着シートは、取り扱いが容易であり、ダイシング工程等の半導体装置組立プロセスの効率化に寄与する。上記接着剤組成物から得られる接着剤層を有する半導体装置は、耐リフロー性等の半導体装置の信頼性を高度に満足することができる。また、ダイボンド後の組立工程で受ける熱履歴、すなわちプレキュアステップキュア及び/又はワイヤボンド等の熱履歴により接着剤組成物の硬化が十分に進行してその弾性率が向上し、その結果、ワイヤボンド時の超音波処理の効率を向上させ、ワイヤボンド時の衝撃による極薄半導体素子の割れ、又は破壊を抑制でき、極薄半導体素子を多段積層化した半導体装置の組立性の効率化に寄与できる。また、上記プレキュアステップキュア等の熱履歴を低温化できるため、有機基板の薄厚化に伴う反り上昇の抑制に寄与できる。上記A2非ポリイミド樹脂は、ポリウレタン樹脂又はポリビニルブチラール樹脂であることが好ましい。上記接着剤組成物がポリウレタン樹脂又はポリビニルブチラール樹脂を含むとき、ポリイミド樹脂を含む他の配合成分からなる塗工ワニスの相溶性が良好な他、二軸延伸ポリプロピレンOPP又はポリエチレンテレフタラートPET等の塗工基材に対するぬれ性、安定した膜形成性と塗工後の基材はく離性が良好なため、良好な薄膜塗工性を付与できる。上記B熱硬化性成分は、B3エポキシ基含有液状アクリルポリマーを更に含有することが好ましい。これにより、Bステージ硬化前での低アウトガス及び良好な熱時流動性と、含有するエポキシ基の反応性を利用したCステージでの熱時流動抑制等の効果が得られるため、熱圧着流動性及び耐リフロー性をより十分に満足することができる。上記接着剤組成物は、Cフィラーを更に含むことが好ましい。これにより、特に、ダイシング時の易切断性、ピックアップ時のダイシングテープからの易剥離性、及び耐リフロー性をより高度に達成できる。また、組立工程で受ける熱履歴による弾性率向上、低吸湿性、リフロー工程での破壊強度の向上に寄与し得る。上記接着剤組成物は、半導体素子固定用であることが好ましく、特に極薄ウェハを用いて複数の半導体素子を積層した半導体装置をウェハ裏面貼付け方式で製造するために好適に使用することができる。本発明は、上記接着剤組成物がフィルム状に成形されてなる接着剤層を備える、接着シートを提供する。フィルム状の接着剤層を備える接着シートは、取り扱いが容易であり、ダイシング工程等の半導体装置組立プロセスの効率化に寄与する。上記接着シートは、支持フィルムを更に備え、該支持フィルム上に上記接着剤層が設けられていることが好ましい。また、上記接着シートは、ダイシングシートを更に備え、該ダイシングシート上に上記接着剤層が設けられていてもよい。また、上記ダイシングシートは、基材フィルム及び該基材フィルム上に設けられた粘着材層を有し、上記粘着剤層側に上記接着剤層が設けられていてもよい。接着シートが支持フィルム又はダイシングシートを備えることにより、該接着シートの取り扱い性がより向上する。特に、ダイシングシートを備える接着シートは、ダイシングシートとダイボンディングフィルムの両方の機能を兼ね備えるダイシングダイボンド一体型フィルムとして用いることにより、半導体装置の製造工程をより簡略化することができる。本発明は、半導体素子と支持部材とが上記接着剤組成物の硬化物を介して接着された構造、又は半導体素子同士が上記接着剤組成物の硬化物を介して接着された構造を備える半導体装置を提供する。上記半導体装置は、内蔵する極薄半導体素子の多段積層化と小型薄層化を同時に達成できるとともに、高性能、高機能及び高信頼性特に、耐リフロー性、耐熱性、耐湿性等を有し、またワイヤボンディング等の超音波処理を用いる工程を経ても、高い効率での製造が可能となる。本発明の接着剤組成物は薄膜塗工性を含む薄膜形成性に優れ、接着剤組成物から得られる接着シートは低温貼付性を高度に満足することができる。さらに接着剤組成物から得られる接着剤層を用いた半導体装置は耐リフロー性に優れ、かつダイボンド後の組立工程で受ける比較的低温での熱履歴によって接着剤層を十分に硬化できると同時に高い弾性率を有する接着剤層を得ることができる。本発明の接着剤組成物は、極薄ウェハを用いて複数の半導体素子を積層した半導体装置をウェハ裏面貼付け方式で製造するために好適に使用することができる。フィルム状の接着剤層を貼り付ける際、通常、接着剤組成物が溶融する温度まで加熱するが、本発明の接着剤組成物を用いることにより、フィルム状の接着剤層を低温でウェハ裏面に貼り付けて、ウェハに対する熱応力を低減することができる。その結果、大径化かつ薄化したウェハを用いた場合であっても、反り等の問題の発生を顕著に抑制できる。また、ダイボンド工程での低温圧着性、及びダイボンド後の低温短時間硬化性を有するため、有機基板の薄厚化に伴う反りの上昇を抑制できる。本発明によれば、基板表面の配線段差への良好な埋め込みを可能にする熱時流動性を確保することも可能である。そのため、複数の半導体素子を積層した半導体装置の製造工程に好適に対応できる。さらには、高温時の高い接着強度を確保できるため、耐熱性及び耐湿信頼性を向上できるとともに、半導体装置の製造工程を簡略化できる。本発明は、ダイシング時のチップ飛びの抑制や、ピックアップ性等の半導体装置の製造時の作業性の向上、及びアウトガス性低減の点でも有利である。また、パッケージの組立熱履歴に対して安定した特性を維持できる。本発明の半導体装置は、製造工程が簡略化された、信頼性に優れるものである。本発明の半導体装置は、半導体素子を実装する場合に要求される耐熱性及び耐湿性を十分に達成できる。以下、場合により図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。図面の説明において同一要素には同一符号を付し、重複する説明は適宜省略する。上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。図1に示す接着シート100は、接着剤組成物をフィルム状に成形してなる接着剤層1のみからなるものである。接着剤層1の厚みは、0.5~200μmであることが好ましく、0.5~100μmであることがより好ましく、1~50μmであることが更に好ましい。接着シート100は、例えば、幅1~20mm程度のテープ状や、幅10~50cm程度のシート状であってよく、その場合、好ましくは巻き芯に巻かれた状態で搬送される。これにより、接着シート100の保管や搬送が容易となる。接着シート100は、厚膜化を目的に、接着剤層1を複数重ねて貼り合せた積層体であってもよい。図2に示す接着シート110は、支持フィルム2と、支持フィルム2の両主面上に積層されたフィルム状の接着剤層1とを備える。支持フィルム2は、接着剤層1を支持する基材として機能する。支持フィルム2の片面上のみに接着剤層1が設けられていてもよい。図3に示す接着シート120は、支持フィルム2と、支持フィルム2の一方の主面上に積層されたフィルム状の接着剤層1と、接着剤層1の支持フィルム2とは反対側の面上に積層された保護フィルム3とを備える。保護フィルム3は、接着剤層1の損傷や汚染を防ぐことを主な目的として、接着剤層1の支持フィルム2とは反対側の面を覆うように設けられている。通常、保護フィルム3を剥離してから接着シート120がダイボンディングに用いられる。接着シートは、保護テープ保護フィルム及びダイシングテープダイシングシートの軟化温度以下の低温で被着体に貼り付け可能であることが好ましい。貼り付け可能な温度が低いことは、半導体ウェハ反り抑制の点でも有利である。具体的には、接着剤層1を被着体に貼り付ける温度は、好ましくは10~150°C、より好ましくは20~100°C、更に好ましくは20~80°Cである。このような低温での貼り付けを可能にするために、接着剤層1のTgは100°C以下であることが好ましい。接着剤層1は、接着剤組成物をフィルム状に成形して得ることができる。以下、接着剤組成物について詳細に説明する。接着剤組成物は、A熱可塑性樹脂とB熱硬化性成分とを含む。A熱可塑性樹脂は、A1Tgが60°C以下、かつ重量平均分子量が10000~100000のポリイミド樹脂、及びA2樹脂分が20質量となるようにN-メチル-2-ピロリドンに溶解させたときの25°Cにおける粘度が10ポイズ以上の非ポリイミド樹脂を含有する。A1ポリイミド樹脂のTgは60°C以下、好ましくは-20~60°C、より好ましくは0~60°Cである。Tgが60°Cを超えると、A2非ポリイミド樹脂との組み合わせにおいて、半導体ウェハ裏面への貼り付け温度が100°Cを超える可能性が高くなり、優れた低温貼付性が得られなくなる傾向にある。一方、Tgが-20°C未満であると、Bステージ状態での接着剤層1表面のタック上昇により、取り扱い性が徐々に低下する傾向にある。なお、本明細書において、Tgとは、フィルム状に成形された樹脂の動的粘弾性の温度依存性を測定したときに観測される主分散のピーク温度である。樹脂の動的粘弾性は、例えば、35mm×10mm×40μm厚の試験片を用いて、昇温速度5°C/分、周波数1Hz、測定温度-150~300°Cの条件で測定される。このとき、主分散においてtanδ損失正接が極大値を示す温度主分散温度がTgである。粘弾性の測定は、例えば、レオメトリックス株式会社製の粘弾性アナライザー商品名:RSA-2を用いて行うことができる。A1ポリイミド樹脂の重量平均分子量は10000~100000、より好ましくは10000~80000、更に好ましくは20000~80000である。重量平均分子量が100000を超えると、Bステージでの熱時流動性が低下する傾向にある他、含有するオリゴマー末端基数の減少によって、B1エポキシ樹脂との反応を利用した硬化性を十分に付与できなくなる可能性が高くなる。一方、重量平均分子量が10000未満であると、成膜性が低下する傾向にある。なお、本明細書において、重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPC;例えば株式会社島津製作所製、商品名:C-R4Aにより、下記測定条件で測定して得られる標準ポリスチレン換算値である。溶媒:ジメチルホルムアミドDMF臭化リチウムLiBr0.03mol対DMF1Lりん酸0.06mol対DMF1Lカラム:G6000HXLG4000HXLG2000HXL東ソー株式会社製試料濃度:10mg/5mL注入量:0.5mL圧力:100kgf/cm2流量:1.00mL/分測定温度:25°C。A1ポリイミド樹脂は、1種を単独で又は必要に応じて2種以上を組み合わせて使用することができる。A1ポリイミド樹脂を含有することで、耐熱性、純度、及び被着体に対する良好な接着性を更に高度に達成することができる。ここで、純度とは、熱可塑性樹脂中に含まれる、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ハロゲンイオン、特には塩素イオンや加水分解性塩素等の不純物イオンの量の指標である。A1ポリイミド樹脂は、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを通常の方法で、例えば有機溶剤中で縮合反応させて得られる。各成分の添加順序は任意である。通常80°C以下、好ましくは0~60°Cで付加反応させ、反応が進行するにつれ反応液の粘度が徐々に上昇し、ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミド酸が生成する。生成したポリアミド酸を50~80°Cの温度で加熱して解重合させることによって、その分子量を調整してもよい。このポリアミド酸を脱水閉環させて、ポリイミド樹脂を得ることができる。脱水閉環は、加熱処理する熱閉環法、又は脱水剤を使用する化学閉環法により行うことができる。上記縮合反応におけるテトラカルボン酸二無水物とジアミンとの組成比は等モルであってもよいし、必要に応じてテトラカルボン酸二無水物1.0molに対して、ジアミン0.5~2.0mol、好ましくは、0.8~1.0molの範囲で組成比を調整してもよい。テトラカルボン酸二無水物1.0molに対して、ジアミンが2.0molを超えると、得られるポリイミド樹脂中に、アミン末端を有するポリイミドオリゴマーの量が多くなる傾向がある。テトラカルボン酸二無水物1.0molに対して、ジアミンが0.5mol未満であると、得られるポリイミド樹脂中に、酸末端を有するポリイミドオリゴマーの量が多くなる傾向がある。いずれの場合においても、ポリイミド樹脂の重量平均分子量が低くなり、接着剤層1の耐熱性を含む種々の特性が低下する傾向がある。また、接着剤組成物がこれらの末端との反応性を有するB1エポキシ樹脂を含有する場合、上記ポリイミドオリゴマーの量が多くなるにつれて、接着剤組成物の保存安定性が低下する傾向がある。かかる傾向は、特にアミン末端のポリイミドオリゴマーの量が多くなるにつれて顕著になる。テトラカルボン酸二無水物は、縮合反応の前に、その融点よりも10~20°C低い温度で12時間以上加熱乾燥するか、又は無水酢酸からの再結晶により精製処理されていることが好ましい。テトラカルボン酸二無水物の示差走査熱量測計DSCによる吸熱開始温度と吸熱ピーク温度との差は、10°C以内であることが好ましい。かかる温度差の値はテトラカルボン酸二無水物の純度の指標として用いることができる。吸熱開始温度及び吸熱ピーク温度は、DSC株式会社パーキンエルマー製、DSC-7型を用いて、サンプル量:5mg、昇温速度:5°C/分、測定雰囲気:窒素、の条件で測定したときの値を用いる。ポリイミド樹脂の原料として用いられるテトラカルボン酸二無水物は、例えば、ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス3,4-ジカルボキシフェニルプロパン二無水物、2,2-ビス2,3-ジカルボキシフェニルプロパン二無水物、1,1-ビス2,3-ジカルボキシフェニルエタン二無水物、1,1-ビス3,4-ジカルボキシフェニルエタン二無水物、ビス2,3-ジカルボキシフェニルメタン二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルメタン二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルスルホン二無水物、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルエーテル二無水物、ベンゼン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、3,4,3’,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,2’,3’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3,3’,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,6-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,7-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-テトラクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,8,9,10-テトラカルボン酸二無水物、ピラジン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、チオフェン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,4,3’,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,2’,3’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルジメチルシラン二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルメチルフェニルシラン二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルジフェニルシラン二無水物、1,4-ビス3,4-ジカルボキシフェニルジメチルシリルベンゼン二無水物、1,3-ビス3,4-ジカルボキシフェニル-1,1,3,3-テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、p-フェニレンビストリメリテート無水物、エチレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4-ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒドロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビスエキソ-ビシクロ[2,2,1]ヘプタン-2,3-ジカルボン酸二無水物、ビシクロ-[2,2,2]-オクト-7-エン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス3,4-ジカルボキシフェニルプロパン二無水物、2,2-ビス[4-3,4-ジカルボキシフェニルフェニル]プロパン二無水物、2,2-ビス3,4-ジカルボキシフェニルヘキサフルオロプロパン二無水物、2,2-ビス[4-3,4-ジカルボキシフェニルフェニル]ヘキサフルオロプロパン二無水物、4,4’-ビス3,4-ジカルボキシフェノキシジフェニルスルフィド二無水物、1,4-ビス2-ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピルベンゼンビストリメリット酸無水物、1,3-ビス2-ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピルベンゼンビストリメリット酸無水物、5-2,5-ジオキソテトラヒドロフリル-3-メチル-3-シクロヘキセン-1,2-ジカルボン酸二無水物、テトラヒドロフラン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、4,4’-オキシジフタル酸二無水物、4,4’-4,4’-イソプロピリデンジフェノキシビスフタル酸二無水物、1,2-エチレンビストリメリテート無水物、1,3-トリメチレンビストリメリテート無水物、1,4-テトラメチレンビストリメリテート無水物、1,5-ペンタメチレンビストリメリテート無水物、1,6-ヘキサメチレンビストリメリテート無水物、1,7-ヘプタメチレンビストリメリテート無水物、1,8-オクタメチレンビストリメリテート無水物、1,9-ノナメチレンビストリメリテート無水物、1,10-デカメチレンビストリメリテート無水物、1,12-ドデカメチレンビストリメリテート無水物、1,16-ヘキサデカメチレンビストリメリテート無水物、1,18-オクタデカメチレンビストリメリテート無水物から1種又は2種以上が選ばれる。これらの中でも、より優れた耐湿信頼性を付与できる点で、4,4’-オキシジフタル酸二無水物、及び4,4’-4,4’-イソプロピリデンジフェノキシビスフタル酸二無水物が好ましい。また、より優れた熱時流動性を付与できる点で、1,10-デカメチレンビストリメリテート無水物、1,12-ドデカメチレンビストリメリテート無水物、1,16-ヘキサデカメチレンビストリメリテート無水物及び1,18-オクタデカメチレンビストリメリテート無水物が好ましい。ポリイミド樹脂の原料として用いられるジアミンは、例えば、o-フェニレンジアミン、m-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、3,3’-ジアミノジフェニルエーテル、3,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、3,3’-ジアミノジフェニルメタン、3,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、ビス4-アミノ-3,5-ジメチルフェニルメタン、ビス4-アミノ-3,5-ジイソプロピルフェニルメタン、3,3’-ジアミノジフェニルジフルオロメタン、3,4’-ジアミノジフェニルジフルオロメタン、4,4’-ジアミノジフェニルジフルオロメタン、3,3’-ジアミノジフェニルスルホン、3,4’-ジアミノジフェニルスルホン、4,4’-ジアミノジフェニルスルホン、3,3’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’-ジアミノジフェニルケトン、3,4’-ジアミノジフェニルケトン、4,4’-ジアミノジフェニルケトン、2,2-ビス3-アミノフェニルプロパン、2,2’-3,4’-ジアミノジフェニルプロパン、2,2-ビス4-アミノフェニルプロパン、2,2-ビス3-アミノフェニルヘキサフルオロプロパン、2,2-3,4’-ジアミノジフェニルヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス4-アミノフェニルヘキサフルオロプロパン、1,3-ビス3-アミノフェノキシベンゼン、1,4-ビス3-アミノフェノキシベンゼン、1,4-ビス4-アミノフェノキシベンゼン、3,3’-1,4-フェニレンビス1-メチルエチリデンビスアニリン、3,4’-1,4-フェニレンビス1-メチルエチリデンビスアニリン、4,4’-1,4-フェニレンビス1-メチルエチリデンビスアニリン、2,2-ビス4-3-アミノフェノキシフェニルプロパン、2,2-ビス4-3-アミノフェノキシフェニルヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス4-4-アミノフェノキシフェニルヘキサフルオロプロパン、ビス4-3-アミノフェノキシフェニルスルフィド、ビス4-4-アミノフェノキシフェニルスルフィド、ビス4-3-アミノフェノキシフェニルスルホン、ビス4-4-アミノフェノキシフェニルスルホン、3,3’-ジヒドロキシ-4,4’-ジアミノビフェニル、3,5-ジアミノ安息香酸等の芳香族ジアミン、1,3-ビスアミノメチルシクロヘキサン、2,2-ビス4-アミノフェノキシフェニルプロパン、4,7,10-トリオキサトリデカン-1,13-ジアミン、4,9-ジオキサデカン-1,12-ジアミン1,4-ブタンジオールビス3-アミノプロピルエーテル、2,4-ジアミノ-6-ジアリルアミノ-1,3,5-トリアジン別名:N,N’-ジアリルメラミン、ビニルジアミノトリアジン、N,N’-ビス3-アミノプロピルエチレンジアミン、N,N’-ビスアミノプロピル-1,3-プロピレンジアミン、N,N’-ビスアミノプロピル-1,4-ブチレンジアミン、N-3-アミノプロピル1,3-プロパンジアミン、メチルイミノビスプロピルアミン、ラウリルイミノビスプロピルアミン、1,4-ビスアミノプロピルピペラジンの他、サンテクノケミカル株式会社製ジェファーミンD-230,D-400,D-2000,D-4000,ED-600,ED-900,ED-2001,EDR-148,BASF株式会社製ポリエーテルアミンD-230,D-400,D-2000等のポリオキシアルキレンジアミン等の脂肪族ジアミン、更に1,2-ジアミノエタン、1,3-ジアミノプロパン、1,4-ジアミノブタン、1,5-ジアミノペンタン、1,6-ジアミノヘキサン、1,7-ジアミノヘプタン、1,8-ジアミノオクタン、1,9-ジアミノノナン、1,10-ジアミノデカン、1,11-ジアミノウンデカン、1,12-ジアミノドデカン、1,2-ジアミノシクロヘキサン等の脂肪族ジアミン、更に、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ビス4-アミノフェニルジシロキサン、1,1,3,3-テトラフェノキシ-1,3-ビス4-アミノエチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラフェニル-1,3-ビス2-アミノエチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラフェニル-1,3-ビス3-アミノプロピルジシロキサン、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ビス2-アミノエチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ビス3-アミノプロピルジシロキサン、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ビス3-アミノブチルジシロキサン、1,3-ジメチル-1,3-ジメトキシ-1,3-ビス4-アミノブチルジシロキサン、1,1,3,3,5,5-ヘキサメチル-1,5-ビス4-アミノフェニルトリシロキサン、1,1,5,5-テトラフェニル-3,3-ジメチル-1,5-ビス3-アミノプロピルトリシロキサン、1,1,5,5-テトラフェニル-3,3-ジメトキシ-1,5-ビス4-アミノブチルトリシロキサン、1,1,5,5-テトラフェニル-3,3-ジメトキシ-1,5-ビス5-アミノペンチルトリシロキサン、1,1,5,5-テトラメチル-3,3-ジメトキシ-1,5-ビス2-アミノエチルトリシロキサン、1,1,5,5-テトラメチル-3,3-ジメトキシ-1,5-ビス4-アミノブチルトリシロキサン、1,1,5,5-テトラメチル-3,3-ジメトキシ-1,5-ビス5-アミノペンチルトリシロキサン、1,1,3,3,5,5-ヘキサメチル-1,5-ビス3-アミノプロピルトリシロキサン、1,1,3,3,5,5-ヘキサエチル-1,5-ビス3-アミノプロピルトリシロキサン、1,1,3,3,5,5-ヘキサプロピル-1,5-ビス3-アミノプロピルトリシロキサン等のシロキサンジアミンから選ばれる。これらのジアミンは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。ポリイミド樹脂のTgを60°C以下にするためには、ポリオキシアルキレンジアミン等の脂肪族ジアミンを用いることが好ましい。かかる脂肪族ジアミンのジアミン全量に対する比率は1~80モルであることが好ましく、5~60モルであることがより好ましい。脂肪族ジアミンの比率が1モル未満であると、接着シートへの低温貼付性、熱時流動性の付与効果が小さくなる傾向にあり、80モルを超えると、ポリイミド樹脂のTgが過度に低くなって、接着シートの自己支持性が低下する傾向にある。脂肪族ジアミンの市販品としては、例えば、サンテクノケミカル株式会社製ジェファーミンD-230,D-400,D-2000,D-4000,ED-600,ED-900,ED-2001又はEDR-148,BASF株式会社製ポリエーテルアミンD-230,D-400又はD-2000等のポリオキシプロピレンジアミンが挙げられる。また、上記ジアミンの中でも、2,4-ジアミノ-6-ジアリルアミノ-1,3,5-トリアジンを用いることが好ましい。これにより、含有アリル基と、後述するB2ビスマレイミド樹脂のマレイミド基間との反応性を利用することができ、Bステージでの良好な保存安定性、良好な熱時流動性と、半導体装置組立熱履歴での良好な硬化性、硬化収縮の抑制、及びCステージ硬化状態での高温高弾性及び高温高接着性を達成できる他、ビスマレイミド樹脂を含有する塗工ワニスの相溶性向上、及び後述する塗工基材に対するぬれ性を向上できるため、薄膜塗工性向上に寄与できる。上記原料の組み合わせ、仕込みモル比率の調整、及び合成条件を調整することによって、ポリイミド樹脂の重量平均分子量を10000~100000の範囲に調整する。重量平均分子量をこれら数値範囲内に収めることによって、接着剤層1の強度、可とう性、及びタック性がより良好なものとなる。また、適切な熱時流動性も得られることから、被着体表面の段差への良好な埋込性をより十分に確保することができる。ポリイミド樹脂の重量平均分子量が10000未満であると、上述したように接着剤組成物の成膜性が低下する、又は接着剤層1の強度が小さくなる傾向がある。ポリイミド樹脂の重量平均分子量が100000を超えると、徐々に熱時流動性が低下し、被着体の凹凸表面に対する埋め込み性が低下する傾向がある。A1ポリイミド樹脂のTg及び重量平均分子量を上記の範囲内とすることにより、接着剤層1の被着体への貼り付け温度をより低く抑えることができるだけでなく、半導体素子を支持部材に接着固定する際の加熱温度ダイボンディング温度も低くすることができる。その結果、半導体素子、及び有機基板の反りの増大をより一層顕著に抑制することができる。支持部材が有機基板の場合、ダイボンディング時の加熱温度による上記有機基板の吸湿水分の急激な気化を抑制でき、気化によるダイボンディング材層の発泡を抑制することができる。A1ポリイミド樹脂の含有量は、A熱可塑性樹脂の総量に対して10~90質量であることが好ましく、20~80質量であることがより好ましく、30~70質量であることが更に好ましい。上記含有量が10質量未満であると、低温貼付性及び被着体に対する良好な接着性が損なわれる傾向があり、上記含有量が90質量を超えると、薄膜形成性が損なわれる傾向がある。A熱可塑性樹脂は、A1ポリイミド樹脂に加えて、A2樹脂分が20質量となるようにNMPに溶解させたときの25°Cにおける粘度が10ポイズ以上の非ポリイミド樹脂を更に含む。なお、A2非ポリイミド樹脂を2種以上含む場合、粘度が10ポイズ以上の非ポリイミド樹脂を少なくとも1種含んでいればよく、粘度が10ポイズ未満となる非ポリイミド樹脂を含有していてもよい。A2非ポリイミド樹脂の粘度の上限は特に限定されるものではないが、例えば1000ポイズ以下であることが好ましく、800ポイズ以下であることがより好ましく、500ポイズ以下であることが更に好ましい。また、A2非ポリイミド樹脂の粘度の下限は、10ポイズ以上であることがより好ましく、50ポイズ以上であることが更に好ましい。これらの粘度は、かかる樹脂の高分子鎖の絡み合い、又は分子内に含まれる極性基間の相互作用による分子間の引き合いによって起きる高分子鎖凝集性の指標となり、この値が大きい程、高分子鎖の凝集性は大きくなる。使用する樹脂の重量平均分子量が大きくなるにつれて、また分子内極性基の濃度が高くなるにつれて、高分子鎖凝集性は大きくなり、そのNMP溶液の粘度は上昇する傾向にある。NMP溶液の粘度が10ポイズ以上の樹脂を使用することによって、比較的低い樹脂分での安定した成膜性と、塗工後の塗工ワニスに含まれる溶剤揮発によって、良好な薄膜塗工性を確保できるとともに、熱時流動性、及び高温時の接着性を高度に両立できる。上記粘度が10ポイズ未満であると、接着剤塗工ワニスの粘度が低くなり、上述した薄膜塗工性の効果が薄くなる傾向にある。上記粘度が1000ポイズを超えると、接着剤塗工ワニス配合時、及び成膜時の作業性が低下し、また高分子鎖凝集性が大きくなるため、得られる接着剤組成物のBステージにおける熱時流動性が低下する傾向にある。なお、本明細書において、粘度とは、20質量の樹脂分でNMPに溶解させた溶液ワニスを、東京計器株式会社製E型粘度計を用いて、測定温度:25°C、サンプル容量:1.3cm3、回転数:5rpmの条件で測定したときの値である。A2非ポリイミド樹脂は、A1ポリイミド樹脂以外の熱可塑性樹脂である。なお、熱可塑性樹脂とは、加熱により溶融又は軟化して外力により変形流動し、冷却すると固化する直鎖状又は分岐鎖状高分子のことであり、分子内に反応性の官能基を有するものであっても、前述のように加熱による流動性を有する樹脂であれば、熱可塑性樹脂に含むB熱硬化性成分に含まれるものを除く。。A2非ポリイミド樹脂としては、A1ポリイミド樹脂以外の熱可塑性樹脂であれば、特に限定されるものではなく、例えば、ポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、スチレン-マレイミド共重合体、マレイミド-ビニル化合物共重合体、又はメタアクリル共重合体等が挙げられる。また、A2非ポリイミド樹脂は、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドンNMP、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トルエン、ベンゼン、キシレン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブ、ジオキサン、シクロヘキサノン又は酢酸エチル等の有機溶剤に可溶であることが好ましい。A2非ポリイミド樹脂の含有量は、A熱可塑性樹脂の総量に対して10~90質量であることが好ましく、20~80質量であることがより好ましく、30~70質量であることが更に好ましい。上記含有量が10質量未満であると、上述した成膜性及び薄膜形成性付与の効果が小さくなる傾向にあり、上記含有量が90質量を超えると、A1ポリイミド樹脂を含有することで得られる上述の低温接着性及び高接着性の両立化の効果が小さくなる傾向にある。A2非ポリイミド樹脂としては、ポリウレタン樹脂又はポリビニルブチラール樹脂が好ましい。ポリウレタン樹脂又はポリビニルブチラール樹脂は、比較的高い樹脂分でもNMP等の塗工溶媒に対する溶解性に優れるとともに、塗工溶媒に比較的低い樹脂分で溶解させたときの溶液粘度が比較的高い他、耐熱性、接着性にも優れる。また、A1ポリイミド樹脂、及び後述するB1エポキシ樹脂、B2ビスマレイミド樹脂、及びB3エポキシ基含有液状アクリルポリマー等のB熱硬化性成分との相溶性が比較的良好なため、安定した配合溶液が得られる。また、これらのポリマーポリウレタン樹脂又はポリビニルブチラール樹脂は、Tgが100°Cを下回るため、低温圧着性の維持に有利である。ポリウレタン樹脂は、主鎖中にウレタンカルバミド酸エステル結合を持つ重合体であれば特に限定されないが、重量平均分子量が5000~500000、かつ熱流動温度が200°C以下の重合体であることが、NMP等の有機溶剤への溶解性、薄膜塗工性、熱時流動性等の点で好ましい。中でも、下記一般式Iで表されるポリウレタン樹脂が、上記可溶性溶解性及び成膜性に加えて、高接着性等を付与できる点で好ましく用いられる。一般式I中、nは1~100の整数を示し、好ましくは5~100であり、より好ましくは10~100である。一般式I中、mは1~100の整数を示し、好ましくは2~100であり、より好ましくは5~50である。一般式I中、は結合手を示す。ポリウレタン樹脂の具体例としては、DICBayerPolymerディーアイシーバイエルポリマー株製PANDEXシリーズ、Desmopanシリーズ、Texinシリーズ等が挙げられる。なお、上記熱流動温度とは、フィルム化した試料を使用して、レオメトリックス製粘弾性アナライザーRSA-2を用いて、フィルムサイズ35mm×10mm×40μm厚、昇温速度5°C/分、周波数1Hz、測定温度-150~300°Cの条件で測定し、貯蔵弾性率が0.1MPa以下となる温度である。ポリビニルブチラール樹脂は、分子内にビニルブチラール基を有する重合体であれば特に限定されないが、下記一般式IIで表されるポリビニルブチラール単位p、ポリ酢酸ビニル単位q、ポリビニルアルコール単位rが分子内にランダムに重合した重量平均分子量が10000~500000の重合体であることがNMP等の有機溶剤への溶解性と上記溶液粘度の点で好ましい。ポリビニルブチラール樹脂の具体例としては、電気化学工業株製電化ブチラール3000-1、3000-K、4000-2、5000-A、6000-C、6000-EP、積水化学工業株製エスレックBHシリーズ、BXシリーズ、KSシリーズ、BLシリーズ、BMシリーズの他、ソルーシアSolutia社製ビュートバーButvarシリーズ、クラレ株製SB-45M等が挙げられる。A熱可塑性樹脂の含有量は、接着剤組成物全量を基準として、5~95質量であることが好ましく、10~90質量であることがより好ましく、20~80質量であることが更に好ましい。接着剤組成物を構成するB熱硬化性成分は、加熱によって架橋構造を形成し、接着剤層を硬化させ得る成分であり、少なくともB1エポキシ樹脂及びB2ビスマレイミド樹脂を含有する。B熱硬化性成分は、B1エポキシ樹脂及びB2ビスマレイミド樹脂以外の成分を含んでいてもよい。B熱硬化性成分は、B1エポキシ樹脂を含むことにより、A1ポリイミド樹脂のオリゴマー末端基等に含まれる反応性基との反応によるCステージでの熱時流動抑制、及び高温高接着化等の効果が得られるため、低温貼付性及び耐リフロー性をより十分に満足することができる。また、後述するように、適切な硬化促進剤を組み合わせることによって、半導体装置組立熱履歴の低温化に対応可能な硬化性を付与できる。B熱硬化性成分は、B2ビスマレイミド樹脂を含むことにより、Cステージ硬化状態での高温高弾性及び高温高接着性を達成できる。また、後述するように、適切な過酸化物を組み合わせることによって、半導体装置組立熱履歴の低温化に対応可能な硬化性を付与できる。B熱硬化性成分は、DSCによる硬化発熱開始温度が130~160°Cの範囲内に調整することが好ましい。これにより、ダイボンド工程後、ワイヤボンド工程までの組立熱履歴、すなわち接着剤層のプレキュアステップキュア条件を低温化、及び短時間化できるため、有機基板の薄厚化に伴う反りの上昇を抑制できる他、接着剤層の硬化を十分に進行させることができるため高弾性化を付与でき、その結果、ワイヤボンド時の超音波処理の効率が向上し、ワイヤボンド時の衝撃による極薄半導体素子の割れ、又は破壊を抑制でき、極薄半導体素子を多段積層化した半導体装置の組立性の効率化に寄与できる。上記硬化発熱開始温度が130°C未満であると、塗膜乾燥工程で、含有する溶剤揮発温度を下回る可能性が高くなり、Bステージでの接着剤組成物の硬化抑制と接着剤層の残存溶剤量低減の両立が困難となり、熱圧着流動性が低下、また高温加熱時の耐発泡性等の信頼性が低下する傾向にある。160°Cを超えると、低温硬化性が損なわれるため、ダイボンド後のプレキュアステップキュア熱履歴での接着剤層の硬化が十分に進行せず、ワイヤボンド工程で必要となる熱時高弾性を保持できなくなる可能性が高くなる傾向にある。なお、B熱硬化性成分の硬化発熱開始温度は、パーキンエルマー製示差走査熱量計DSC7を用いて、試料:10mg、昇温速度:10°C/分、測定温度:40~250°C、窒素流量:20mL/分の条件で測定したときに検出される発熱ピーク挙動から算出する。発熱ピークが複数検出される場合は、より低温側のピークから算出したときの温度位置を見積もる。B1エポキシ樹脂としては、分子内に少なくとも2個以上のエポキシ基を含むものが好ましく、硬化性や硬化物特性の点からフェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂がより好ましい。このようなB1エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型又はAD型、S型、F型のグリシジルエーテル、水添加ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、エチレンオキシド付加体ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、プロピレンオキシド付加体ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビスフェノールAノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ナフタレン樹脂のグリシジルエーテル、3官能型又は4官能型のグリシジルエーテル、ジシクロペンタジエンフェノール樹脂のグリシジルエーテル、ジアリルビスフェノールAジグリシジルエーテル、アリル化ビスフェノールAとエピクロルヒドリンの重縮合物、ダイマー酸のグリシジルエステル、3官能型又は4官能型のグリシジルアミン、ナフタレン樹脂のグリシジルアミン等が挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。また、B1エポキシ樹脂には不純物イオンである、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ハロゲンイオン、特に塩素イオンや加水分解性塩素等を300ppm以下に低減した高純度品を用いることがエレクトロマイグレーション防止や金属導体回路の腐食防止のために好ましい。B1エポキシ樹脂は、A熱可塑性樹脂100質量部に対して1~300質量部の割合で配合することが好ましく、5~200質量部の割合で配合することがより好ましく、10~100質量部の割合で配合することが更に好ましい。B1エポキシ樹脂の配合量が300質量部を超えると、加熱時のアウトガスが多くなる他、フィルム形成性靭性が損なわれる傾向がある。一方、1質量部未満であると、高温接着性が低くなる傾向にある。B熱硬化性成分には、必要に応じてB1エポキシ樹脂の硬化剤を使用することもできる。このような硬化剤としては、例えば、フェノール系化合物、脂肪族アミン、脂環族アミン、芳香族ポリアミン、ポリアミド、脂肪族酸無水物、脂環族酸無水物、芳香族酸無水物、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジド、三フッ化ホウ素アミン錯体、イミダゾール類、第3級アミン等が挙げられ、中でもフェノール系化合物が好ましく、分子中に少なくとも2個以上のフェノール性水酸基を有するフェノール系化合物がより好ましい。硬化剤の具体例としては、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、t-ブチルフェノールノボラック、ジシクロペンタジェンクレゾールノボラック、ジシクロペンタジェンフェノールノボラック、キシリレン変性フェノールノボラック、ナフトール系化合物、トリスフェノール系化合物、テトラキスフェノールノボラック、ビスフェノールA型ノボラック、ポリ-p-ビニルフェノール、フェノールアラルキル樹脂等が挙げられる。これら硬化剤の中でも、数平均分子量が400~30000の範囲内のものが好ましい。これにより、半導体装置組立加熱時に、半導体素子又は装置等の汚染の原因となる加熱時のアウトガスを抑制できる。硬化剤の使用量は、B1エポキシ樹脂中のエポキシ基の総量エポキシ当量と、これと反応性を示す官能基の総量例えばフェノール系化合物の水酸基当量との比で決定され、官能基の総量/エポキシ基の総量当量比で0.2/1.0~1.8/1.0の比率となるようにすることがより好ましい。この比率が、0.2/1.0未満の場合及び1.8/1.0を超える場合には未反応のエポキシ基や官能基が硬化物中に多量に残存することとなり、硬化物の機械特性を低下させる傾向がある。また、B熱硬化性成分には、必要に応じて、硬化促進剤を使用することもできる。硬化促進剤としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を硬化させるものであれば特に制限はなく、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、2-エチル-4-メチルイミダゾール-テトラフェニルボレート、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン-7-テトラフェニルボレート等が挙げられる。上述したように、B熱硬化性成分のDSCによる硬化発熱開始温度が130~160°Cの範囲となるように、適宜、これらの硬化促進剤を選択、添加する。B2ビスマレイミド樹脂は、分子内にマレイミド基を2個以上含むことが好ましく、下記一般式IIIで表されるビスマレイミド化合物、及び下記一般式IVで表されるノボラック型マレイミド化合物から選ばれる少なくとも1種であることがより好ましい。一般式III中、Rは、芳香族環又は直鎖、分岐鎖若しくは環状脂肪族炭化水素基を含む2価の有機基を示す。Rは、好ましくは、ベンゼン残基、トルエン残基、キシレン残基、ナフタレン残基、若しくは直鎖、分岐鎖若しくは環状飽和炭化水素基、又はこれらの組み合わせから構成される2価の基であることが好ましい。一般式IV中、sは0~20の整数を示す。接着剤組成物のCステージでの耐熱性及び高温接着力をより高度に付与できる点で、B2ビスマレイミド樹脂は、Rが下記式v、vi若しくはviiで表される2価の基である一般式IIIで表されるビスマレイミド化合物、又は一般式IVで表されるノボラック型マレイミド化合物であることが好ましい。B2ビスマレイミド樹脂の配合量は、成膜性、Bステージでの低アウトガス性、及びCステージでの高温時の高弾性、高温時の高接着性、耐熱性に優れるため、A熱可塑性樹脂100質量部に対して、1~300質量部の割合で配合することが好ましく、5~200質量部の割合で配合することがより好ましく、5~100質量部の割合で配合することが更に好ましい。B2ビスマレイミド樹脂の配合量が1質量部未満であると、上記特性の向上効果が小さくなる傾向にあり、300質量部を超えると、加熱時のアウトガスが多くなる傾向や、成膜性及び取り扱い性が徐々に低下するとともに、硬化後の接着剤層1の強度が低下する傾向がある。B2ビスマレイミド樹脂は、それぞれ、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。B2ビスマレイミド樹脂の加熱による硬化を促進するために、必要に応じて有機過酸化物がB熱硬化性成分に含有されていてもよい。接着シート作製時の硬化抑制、及びBステージでの保存安定性の点から、1分間半減期温度が120°C以上の有機過酸化物を使用することが好ましい。B熱硬化性成分に含まれる有機過酸化物の含有量は、上述したように、B熱硬化性成分のDSCによる硬化発熱ピーク温度が130~170°Cの範囲となるように調整することが望ましい。さらに、保存安定性、低アウトガス性、硬化性の観点から、B2ビスマレイミド樹脂100質量部に対して、0.01~10質量部であることが好ましい。B熱硬化性成分に含有される、B1エポキシ樹脂及びB2ビスマレイミド樹脂以外の成分としては、硬化発熱開始温度が上記範囲内であれば、特に限定されることなく、例えば、シアネート樹脂又はシアネートエステル樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、レゾルシノールホルムアルデヒド樹脂、キシレン樹脂、フラン樹脂、ケトン樹脂、トリアリルシアヌレート樹脂、ポリイソシアネート樹脂、ビスアリルナジイミド樹脂、トリス2-ヒドロキシエチルイソシアヌラートを含有する樹脂、トリアリルトリメリタートを含有する樹脂、シクロペンタジエンから合成された熱硬化性樹脂、芳香族ジシアナミドの三量化による熱硬化性樹脂等の他、多官能アクリレート及び/又はメタクリレート化合物、ビニル基あるいはスチリル基を含む化合物、及びこれらの重合体等が挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。B熱硬化性成分は、B1エポキシ樹脂及びB2ビスマレイミド樹脂以外の成分として、B3エポキシ基含有液状アクリルポリマーを更に含有することが好ましい。この場合、B3エポキシ基含有液状アクリルポリマーは、Tgが-10°C以下、重量平均分子量が10000以下であることが好ましい。B3エポキシ基含有液状アクリルポリマーを含有する場合、その配合量は、Bステージでの良好な熱時流動性、低アウトガス性とCステージでの耐熱性の点から、A熱可塑性樹脂100質量部に対して、1~500質量部の割合で配合することが好ましく、5~300質量部の割合で配合することがより好ましく、5~100質量部の割合で配合することが更に好ましい。この配合量が1質量部未満であると、上記特性を両立する効果が小さくなる傾向があり、500質量部を超えると、加熱時のアウトガスが多くなり、成膜性及び取り扱い性が徐々に低下する傾向にある。B熱硬化性成分は、上述した有機過酸化物、硬化剤又は硬化促進剤触媒を含有してもよい。また、必要に応じて硬化剤と硬化促進剤、又は触媒と助触媒を併用することができる。上記硬化剤、硬化促進剤、触媒、助触媒、及び有機過酸化物の添加量、及び添加の有無については、上述したB熱硬化性成分のDSCによる硬化発熱開始温度の範囲を確保できる範囲で判断、調整する。接着剤組成物は、更にCフィラーを含有することが好ましい。接着剤組成物が、Cフィラーを更に含むことにより、特に、ダイシング時の易切断性、ピックアップ時のダイシングテープからの易剥離性、及び耐リフロー性をより高度に達成できる。また、組立工程で受ける熱履歴による弾性率向上、低吸湿性、リフロー工程での破壊強度の向上に寄与し得る。Cフィラーとしては、例えば、銀粉、金粉、銅粉、ニッケル粉等の金属フィラー;アルミナ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等の非金属無機フィラー;又は、カーボン、ゴム系フィラー等の有機フィラー等が挙げられる。種類形状等にかかわらず特に制限なくCフィラーを使用することができる。Cフィラーは、所望する機能に応じて使い分けることができる。例えば、金属フィラーは、接着剤組成物に導電性、熱伝導性、チキソ性等を向上させる目的で添加され、非金属無機フィラーは、接着剤層に熱伝導性、低熱膨張性、低吸湿性等を向上させる目的で添加され、有機フィラーは接着剤層に靭性等を向上させる目的で添加される。これら金属フィラー、非金属無機フィラー又は有機フィラーは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。これらの中でも、半導体装置用接着材料に求められる、導電性、熱伝導性、低吸湿特性、絶縁性等を向上させる点で、金属フィラー、非金属無機フィラー、又は絶縁性のフィラーが好ましく、非金属無機フィラー、又は絶縁性フィラーの中では、樹脂ワニスに対する分散性が良好で、かつ高温時の接着力を向上させることができる点で、窒化ホウ素フィラー又はシリカフィラーがより好ましい。接着剤組成物に含まれるCフィラーの量は、向上させる特性、又は機能に応じて決められる。Cフィラーの含有量は、接着剤組成物のA熱可塑性樹脂、B熱硬化性成分、Cフィラー、後述するカップリング剤、イオン補足剤及びその他の添加剤の合計を基準として1~40体積であることが好ましく、5~30体積であることがより好ましく、5~20体積であることが更に好ましい。Cフィラーを適度に増量させることにより、シート表面の低粘着化、及び高弾性率化が図れ、ダイシング性ダイサー刃による切断性、ピックアップ性ダイシングテープとの易剥離性、ワイヤボンディング性超音波効率、熱時の接着強度をより高度に向上できる。Cフィラーを必要以上に増量させると、低温貼付性、被着体との界面接着性、及び熱時流動性に関する効果が低下し、耐リフロー性を含む信頼性の低下を招く可能性がある。そのため、Cフィラーの含有量は上記の範囲内に収めることが好ましい。求められる特性のバランスをとるべく、最適な含有量を決定することが好ましい。Cフィラーを用いた場合の混合混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。接着剤組成物には、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することができる。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、又はアルミニウム系等が挙げられ、中でも効果が高い点で、シラン系カップリング剤が好ましい。カップリング剤の使用量は、その効果や耐熱性及びコストの面から、A熱可塑性樹脂100質量部に対して、0.01~20質量部とすることが好ましい。接着剤組成物には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性を良くするために、更にイオン捕捉剤を添加することもできる。このようなイオン捕捉剤としては、特に制限はなく、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤等の銅がイオン化して溶け出すのを防止するための銅害防止剤として知られる化合物、ジルコニウム系、又はアンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤等が挙げられる。イオン捕捉剤の使用量は、添加による効果や耐熱性、コスト等の点から、A熱可塑性樹脂100質量部に対して、0.01~10質量部が好ましい。接着剤組成物にはその他の添加剤として、適宜、軟化剤、老化防止剤、着色剤、難燃剤、テルペン系樹脂等の粘着付与剤を添加してもよい。本実施形態に係る接着シートは、例えば、接着剤組成物を有機溶剤中に溶解又は分散させたワニスを基材上に塗工し、塗工されたワニスを加熱乾燥して接着剤層を形成する方法溶剤キャスト法により製造することができる。接着剤層の形成の後、基材を除去してもよいし、基材をそのまま接着シートの支持フィルムとして用いてもよい。加熱乾燥の条件は、ワニス中の有機溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常、50~200°Cで、0.1~90分間程度である。なお、上記加熱条件は2段階以上に分けてもよい。接着剤層を形成するために用いられるワニスは、接着剤組成物を構成する上述の各成分を有機溶媒中で混合し、必要に応じて混合物を混練する方法により調製される。ワニスを調製するための混合及び混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜組み合わせて行うことができる。ワニスに用いられる有機溶剤は、各成分を均一に溶解又は分散できるものであれば特に制限はなく、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、NMP、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トルエン、ベンゼン、キシレン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブ、ジオキサン、シクロヘキサノン及び酢酸エチルから選ばれる。接着剤層を形成するために用いられる基材支持フィルム2は、上記の加熱、乾燥条件に耐えるものであれば特に限定されるものではない。例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、又はメチルペンテンフィルムが用いられる。これらの基材フィルムは、2種以上を組み合わせた多層フィルムであってもよく、表面がシリコーン系、シリカ系等の離型剤等で処理されたものであってもよい。図4は、ダイシングシートを備えるダイシングダイボンド一体型の接着シートの一実施形態を示す断面図である。図4に示す接着シート130は、基材フィルム7及び基材フィルム7上に積層された粘着剤層6を有するダイシングシート5と、ダイシングシート5の粘着剤層6上に積層されたフィルム状の接着剤層1とを備える。図4に示す接着シート130は、ダイシングシートとダイボンディングフィルムの両者に要求される特性を兼ね備える。図4の接着シート130において用いられる基材フィルム7は、通常上述の支持フィルム2と同様のものである。図4の接着シート130の接着剤層1は、これが貼り付けられ半導体ウェハに近い形状で予め形成されているプリカットされていることが好ましい。粘着剤層6は、感圧型又は放射線硬化型の粘着剤によって形成されている。粘着剤層6は、ダイシング時には半導体素子が飛散しない十分な粘着力を有し、その後の半導体素子のピックアップ工程においては半導体素子を傷つけない程度の低い粘着力を有する、当該用途で通常用いられているものを使用することができる。例えば、放射線硬化型の粘着剤は、ダイシングの際には高い粘着力を有し、ダイシング後のピックアップの際にはピックアップ前の放射線照射によってその粘着力が低下する。図5に示す接着シート140のように、粘着材層を有するダイシングシートを用いるのに代えて、ダイシングシートとしての機能を有する基材フィルム7を用いることもできる。図5の接着シート140において用いられる基材フィルム7は、引張張力が加えられたときの伸びいわゆるエキスパンドを確保できるものである。基材フィルム7としては、例えばポリオレフィンフィルムが好ましく用いられる。図4及び図5に示される接着シート130及び140は、ダイシング時にはダイシングシートとして、ダイボンディング時にはダイボンディングフィルムとしての機能を発揮する。そのため、これら接着シートの接着剤層1を、加熱しながら半導体ウェハの裏面にラミネートし、ダイシングした後、接着剤層1が貼り付けられた状態の半導体素子をピックアップして、ダイボンディングを行うことができる。以上説明した本実施形態に係る接着剤組成物及び接着シートは、IC、LSI等の半導体素子を他の被着体と接着する半導体素子固定用接着剤、すなわちダイボンディング用接着剤として極めて有用である。半導体素子が接着される被着体としては、42アロイリードフレーム、銅リードフレーム等のリードフレーム;ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等のプラスチックフィルム;ガラス不織布等基材にポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等のプラスチックを含浸、硬化させたもの;アルミナ等のセラミックス等の半導体素子搭載用支持部材等がある。中でも、表面に有機レジスト層を具備してなる有機基板、表面に配線有する有機基板等の表面に凹凸を有する有機基板と半導体素子とを接着するためのダイボンディング用接着材料として接着シートが好適に用いられる。本実施形態にかかる接着剤組成物及び接着シートは、複数の半導体素子を積み重ねた構造の半導体装置Stacked-PKGにおいて、隣接する半導体素子同士を接着するために用いられる半導体素子固定用接着剤としても好適に用いられる。次に、本実施形態に係る接着剤組成物及び接着シートの用途に関連して、半導体素子固定用接着剤の実施形態について図面を用いて具体的に説明する。なお、近年は様々な構造の半導体装置が提案されており、本実施形態の接着剤組成物及び接着シートの用途は、以下に説明する構造の半導体装置に限定されるものではない。図6に示す半導体装置200は、半導体素子9が、接着剤組成物によって形成されたダイボンディング層硬化した接着剤層8を介して支持部材10に接着され、半導体素子9の接続端子図示せずがワイヤ11を介して外部接続端子図示せずと電気的に接続され、更に封止材12によって封止された構成を有している。図7に示す半導体装置210は、一段目の半導体素子9aが接着剤組成物によって形成されたダイボンディング層硬化した接着剤層8を介して端子13が形成された支持部材10に接着され、半導体素子9aの上に半導体素子9bが接着剤組成物によって形成されたダイボンディング層硬化した接着剤層8を介して接着され、全体が封止材12によって封止された構成を有している。半導体素子9a及び半導体素子9bの接続端子図示せずは、それぞれワイヤ11を介して外部接続端子と電気的に接続されている。図6及び図7に示す半導体装置半導体パッケージは、半導体素子と支持部材との間、又は半導体素子同士の間にフィルム状の接着剤層を挟み、加熱圧着して両者を接着させ、その後ワイヤボンディング工程、必要に応じて封止材による封止工程等の工程を経ることにより製造することができる。上記加熱圧着工程における加熱温度は、通常20~250°Cであり、荷重は、通常0.01~20kgfであり、加熱時間は、通常0.1~300秒間である。以下、実施例及び比較例に基づいて、本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲での種々の変更が可能である。なお、表1及び2中の数値は特に断りのない限り質量基準質量部である。[ポリイミド樹脂PI-1の合成]温度計、攪拌機、冷却管、及び窒素流入管を装着した300mLフラスコ中に、1,3-ビス3-アミノプロピルテトラメチルジシロキサン信越化学工業株式会社製、商品名:LP-710015.53g、ポリオキシプロピレンジアミンBASF株式会社製、商品名:D400、分子量:45028.13g、及び、NMP100.0gを仕込んで攪拌して、反応液を調製した。ポリオキシプロピレンジアミンが溶解した後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、予め無水酢酸からの再結晶により精製した4,4’-オキシジフタル酸二無水物32.30gを反応液に少量ずつ添加した。常温25°Cで8時間反応させた後、キシレン67.0gを加え、窒素ガスを吹き込みながら180°Cで加熱することにより、水と共にキシレンを共沸除去した。その反応液を大量の水中に注ぎ、沈澱した樹脂を濾過により採取し、乾燥してポリイミド樹脂PI-1を得た。得られたポリイミド樹脂PI-1の分子量をGPCにて測定したところ、ポリスチレン換算で、数平均分子量Mn=21200、重量平均分子量Mw=43400であった。ポリイミド樹脂PI-1のTgは45°Cであった。[ポリイミド樹脂PI-2の合成]温度計、攪拌機、冷却管、及び窒素流入管を装着した300mLフラスコ中に、1,3-ビス3-アミノプロピルテトラメチルジシロキサン信越化学工業株式会社製、商品名:LP-71004.97g、ポリオキシプロピレンジアミンBASF株式会社製、商品名:D400、分子量:45027.00g、2,4-ジアミノ-6-ジアリルアミノ-1,3,5-トリアジン東京化成株式会社製4.13g、及び有機溶媒としてN-メチル-2-ピロリドン93gを仕込み、この反応液を攪拌した。ポリオキシプロピレンジアミンが溶解した後、予め無水酢酸で再結晶精製した4,4’-オキシジフタル酸二無水物25.83gを少量ずつ添加し、窒素ガスを吹き込みながら180°Cで加熱することにより、生成する水を共沸除去してポリイミド樹脂PI-2ワニスを得た。得られたポリイミド樹脂のGPCを測定したところ、ポリスチレン換算で、数平均分子量Mn=15000、重量平均分子量Mw=25600であった。また、得られたポリイミド樹脂のTgは37°Cであった。[ポリイミド樹脂PI-3の合成]温度計、攪拌機、冷却管、及び窒素流入管を装着した300mLフラスコ中に、2,2-ビス4-アミノフェノキシフェニルプロパン13.68g、4,9-ジオキサドデカン-1,12-ジアミン6.80g、及び、NMP165.8gを仕込んで攪拌して、反応液を調製した。4,9-ジオキサドデカン-1,12-ジアミンが溶解した後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、予め無水酢酸からの再結晶により精製したデカメチレンビストリメリテート二無水物34.80gを反応液に少量ずつ添加した。常温25°Cで8時間反応させた後、キシレン110.5gを加え、窒素ガスを吹き込みながら180°Cで加熱することにより、水と共にキシレンを共沸除去した。その反応液を大量の水中に注ぎ、沈澱した樹脂を濾過により採取し、乾燥してポリイミド樹脂PI-3を得た。得られたポリイミド樹脂PI-2の分子量をGPCにて測定したところ、ポリスチレン換算で、数平均分子量Mn=28900、重量平均分子量Mw=88600であった。ポリイミド樹脂PI-2のTgは67°Cであった。[接着剤組成物ワニスの調製]上記で得たポリイミド樹脂PI-1~PI-3、及び下記材料を用いて、表1及び2に示す各実施例及び比較例の組成比単位:質量部で各成分を配合して、接着剤層形成用のワニスを得た。[材料]<ポリイミド樹脂以外の熱可塑性樹脂>PU:DICBayerPolymerディーアイシーバイエルポリマー株式会社製、ポリウレタン樹脂T-8175,Tg:-23°C,重量平均分子量:81000,樹脂分20質量でNMPに溶解させた樹脂溶液の25°Cにおける溶液粘度:105ポイズPVB:クラレ株式会社製、ポリビニルブチラール樹脂SB-45M,Tg:76°C,重量平均分子量:82000,樹脂分20質量でNMPに溶解させた樹脂溶液の25°Cにおける溶液粘度:20ポイズPKHH:巴工業株式会社製、ビスフェノールA型フェノキシ樹脂Tg:100°C,重量平均分子量:113000,樹脂分20質量でNMPに溶解させた樹脂溶液の25°Cにおける溶液粘度:8ポイズZX-1395:東都化成株式会社製、ビスフェノールF型フェノキシ樹脂Tg:68°C,重量平均分子量:88000,樹脂分20質量でNMPに溶解させた樹脂溶液の25°Cにおける溶液粘度:3ポイズ<アクリルポリマー>UG-4010:東亜合成株式会社製、エポキシ基含有無溶剤型液状アクリルポリマーARUFON,Tg:-57°C,重量平均分子量:2900<エポキシ樹脂>ESCN-195:住友化学株式会社製、クレゾールノボラック型固体状エポキシ樹脂エポキシ当量:200<エポキシ樹脂硬化促進剤>2P4MHZ:四国化成株式会社製、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール<ビスマレイミド樹脂>BMI-1000:東京化成株式会社製、4,4’-ビスマレイミドジフェニルメタン<過酸化物>パークミルD:日本油脂株式会社製、ジクミルパーオキサイド<フィラー>HP-P1:水島合金鉄株式会社製、窒化ホウ素フィラー<溶媒>NMP:関東化学株式会社製、N-メチル-2-ピロリドン[硬化発熱ピーク温度]乳鉢を用いて混練した熱硬化性成分を所定の開放アルミパンに5mg秤量し、パーキンエルマー製示差走査熱量計DSC7を用いて、昇温速度:10°C/分、測定温度:40~250°C、窒素流量:20mL/分の条件で測定したときに検出される発熱ピーク挙動から硬化発熱ピーク温度を算出した。なお、前記発熱ピークが複数検出された場合は、最も低温側の発熱ピークの温度位置とした。[接着シートの作製]得られたワニスを、乾燥後の膜厚が40μm±5μmとなるように、それぞれ支持基材上に塗布した。支持基材として二軸延伸ポリプロピレンOPPフィルム厚さ60μmを用いた。塗布されたワニスをオーブン中にて80°Cで30分間、続いて、120°Cで30分間加熱することにより乾燥して、支持基材及び該支持基材上に形成されたフィルム状の接着剤層を有する接着シートを得た。[薄膜形成性の評価]上記条件で得られた接着シートについて、以下の基準により成膜性を評価した。下記基準で成膜性の評価がAであるとき、薄膜形成性が優れることを意味する。A:フィルム状の接着剤層が支持基材上でハジキがなく塗工可能であり、得られた接着シートから支持基材をはく離可能C:支持基材上でフィルム状の接着剤層のハジキがある得られたフィルム面積が70以下に縮小[低温貼付性の評価]上記条件で得られた各接着シートから、幅10mm、長さ40mmの試験片を切り出した。この試験片を、支持台上に載せたシリコンウェハ6インチ径、厚さ400μmの裏面支持台と反対側の面に、接着剤層がシリコンウェハ側になる向きで積層した。積層は、ロール温度100°C、線圧4kgf/cm、送り速度0.5m/分で加圧する方法により行った。このようにして準備したサンプルについて、レオメータ株式会社東洋精機製作所製、ストログラフE-S商品名を用いて常温で90°ピール試験を行って、接着剤層-シリコンウェハ間のピール強度を測定した。測定結果から、以下の基準により低温貼付性を評価した。下記基準で評価がAであるとき、低温貼付性が優れることを意味する。A:ピール強度が2N/cm以上C:ピール強度が2N/cm未満[フロー量の測定]上記条件で得られた接着シートを、10mm×10mmサイズに切断して試験片とした。この試験片を、2枚のスライドグラス松浪硝子工業株式会社製、76mm×26mm×1.0~1.2mm厚の間に挟み、120°Cの熱盤上で全体に100kgf/cm2の荷重を加えながら15秒間加熱圧着した。加熱圧着後の上記OPP基材の四辺からのフィルム状接着剤のはみ出し量をそれぞれ光学顕微鏡で計測し、それらの平均値をフロー量とした。なお、Bステージとは、接着剤層形成用ワニスをOPP基材上に塗工後、オーブン中にて80°Cで30分間、続いて120°Cで30分間の条件で加熱した後の状態のことである。このフロー量の値が大きいほど、Bステージでの熱時流動性に優れ、被着体表面の凹凸に対する充填性埋め込み性に優れている。[260°Cピール強度の測定]上記条件で得られた接着シートの接着剤層5mm×5mm×40μm厚を、42アロイリードフレームと、突起部を有するシリコンチップ5mm×5mm×400μm厚との間に介在させ、その状態で加熱圧着した。加熱温度は実施例1~6、比較例1~8、及び比較例10では150°C、比較例9、11では200°Cに設定した。加圧は荷重:1kgf/chip、時間:5秒間の条件で行った。加熱圧着後、オーブン中で180°C5時間の条件で加熱して接着剤層を硬化させて、ピール強度測定用のサンプルとしての積層体を得た。図8に示す接着力評価装置を用いて260°Cピール強度を測定した。図8に示す接着力評価装置300は、熱盤36とプッシュプルゲージ31とを有する。プッシュプルゲージ31に取り付けられたロッドの先端に、取手32が支点33の周りで角度可変に設けられている。260°Cに加熱された熱盤36上に、シリコンウェハ9と42アロイリードフレーム35とが硬化した接着剤層ダイボンディング層8を介して接着された積層体を、42アロイリードフレーム35が熱盤36側になる向きで載置し、サンプルを20秒間加熱した。次いで、シリコンウェハ9の突起部に取手32を引っ掛けた状態で、取手32を0.5mm/秒でサンプルの主面に平行な向きで移動させ、そのときのシリコンウェハ9の剥離応力をプッシュプルゲージ31で測定した。測定された剥離応力を260°Cピール強度とした。上述の条件で加熱圧着したサンプルを、オーブン中にて180°Cで5時間の条件で接着剤層を加熱硬化し、その後、85°C、85RHの恒温恒湿槽中に48時間放置した。かかる吸湿処理を施した後のサンプルを用いて、上記と同様の方法で吸湿後の260°Cピール強度を測定した。これらのピール強度が大きいほど、耐リフロー性に優れ、半導体装置の信頼性を高度に満足することができる。[180°C弾性率の測定]接着剤層形成用ワニスをOPP基材上に塗布後、オーブン中にて80°Cで30分間、続いて120°Cで30分間の条件で加熱した後、OPP基材を剥離してフィルム状の接着剤層を得た。得られたフィルム状の接着剤層を、2枚の額縁状鉄フレームの間に挟み、オーブン中にて150°Cで2時間の条件で接着剤層を加熱硬化した。加熱硬化後のフィルム状の接着剤層を35mm×10mmサイズに切断した試験片に対し、レオメトリックス株式会社の粘弾性アナライザー商品名:RSA-2、昇温速度:5°C/分、周波数:1Hz、測定温度:-150~300°C、モード:引張モードを用いた試験を行い、加熱硬化後の接着剤層の180°Cにおける弾性率貯蔵弾性率を見積もった。このようにして求めた180°C弾性率が高いということは、極薄チップを使用したワイヤボンド時の超音波効率が高く、またワイヤボンド時の衝撃でのチップ破壊を抑制できる可能性が高くなることを意味する。また、得られた半導体装置の耐リフロー性向上に寄与できることを意味する。表1及び2に示した結果から明らかなように、実施例1~6の接着剤組成物は、薄膜形成性、低温貼付性、熱時流動性、180°C弾性率に優れ、かつ加熱硬化後及び吸湿後の260°Cピール強度が十分に高いことが確認された。"