本質的に構造EA2SiO4:Dを有するオルトシリケートのクラスからの、青色から黄色まで発光する蛍光体において、該蛍光体が、成分EAとして、元素EA=Sr、Ba、Ca又はMgの少なくとも1種を単独で又は組み合わせて有し、活性化ドーピングDがEuから成り、かつSiO2が過少量で導入されていることから、準化学量論的な変性されたオルトシリケートが存在していることを特徴とする、蛍光体。前記オルトシリケートが、SE及びNで安定化されたオルトシリケートSE=希土類金属であることから、この化学量論組成がEA2xaSExEuaSi1yO4x2yNxに相当することを特徴とする、請求項1記載の蛍光体。SEが、La若しくはY単独であるか、又はそれらの組合せであることを特徴とする、請求項1記載の蛍光体。前記Euの割合aが、a=0.01~0.20であることを特徴とする、請求項2記載の蛍光体。EAが、Sr及び/又はBaを少なくとも66モルで、殊に最大5モルのCa割合と共に、かつ殊に最大30モルのMg割合と共に含有することを特徴とする、請求項1記載の蛍光体。前記x割合が、0.003~0.02であることを特徴とする、請求項1記載の蛍光体。過少量の基準となる係数yが、0<y≦0.1の範囲、殊に0.002≦y≦0.02の範囲にあることを特徴とする、請求項1記載の蛍光体。波長領域140~480nmの光学スペクトル領域の短波領域の放射を放出する一次放射源を有する光源であって、この放射が、請求項1から7までのいずれか1項記載の第一の蛍光体によって完全に又は部分的に可視スペクトル領域の二次長波放射に変換される、光源。一次放射源として、InGaN若しくはInGaAlPを基礎とする発光ダイオード、又は、殊にインジウム含有封入物を有する、低圧放電ランプ若しくは高圧放電ランプ、又はエレクトロルミネセンスランプが用いられることを特徴とする、請求項8記載の光源。前記一次放射の一部が、さらに、更なる蛍光体によって、より波長の長い放射に変換され、ここで、前記蛍光体が、殊に、白色光を作り出すために適切に選択及び混合されていることを特徴とする、請求項8記載の光源。以下の方法工程:a出発物質SiO2を単独で又はSi成分としてのSi3N4と組み合わせて、並びにSEN又はSE2O3の群から選択された少なくとも1種のSE前駆体、並びに少なくとも1種のEA前駆体、有利にはEACO3、殊にSrCO3、BaCO3、CaCO3及びMgOの群からの少なくとも1種の前駆体、並びにEu前駆体、殊にEu2O3を準備する工程、ここで、該Si成分は、準化学量論比で準備される;b該出発物質を混合し、そして1000°C~1500°Cの温度での還元性雰囲気下で少なくとも1時間のあいだアニーリングする工程;c場合により、工程bで製造した蛍光体の二回目のアニーリングを800~1400°Cで引き続き行う工程を特徴とする、高効率蛍光体の製造法。フッ化物若しくは塩化物、殊にEAF2、EACl2、RECl2若しくはREF2の群からの少なくとも1種、又はアンモニウムのフッ化物若しくは塩化物、又はH3BO3、又はLiF又は氷晶石を単独で若しくは組み合わせて、フラックスとして工程aにおいて及び/又は工程cにおいて用いることを特徴とする、請求項11記載の方法。一次放射を放出するチップ、並びに該チップの一次放射の少なくとも一部を二次放射に変換する、該チップの前に置かれた蛍光体含有層、を有する変換型LEDであって、請求項1から7までのいずれか1項記載の蛍光体が使用されている、変換型LED。白色を作り出すための更なる蛍光体として、Lu、Y、Gd3Al、Ga5O12:Ceを使用することを特徴とする、請求項13記載の変換型LED。更なる蛍光体として、Cuによって変性されたCaAlSiN3:Euを使用することを特徴とする、請求項13記載の変換型LED。