"光起電力セルを製造するための蒸着システムであって、前記蒸着システムは、基板上の半導体材料の微結晶層を形成するために、前記半導体材料が前記基板上に蒸着されるべき反応空間を実質的に包囲する蒸着チャンバと、前記反応空間内の前記基板を支持する基板支持部と、互いに向かい合って距離Dで分離された第1および第2の電極と備え、前記第1および第2の電極は、動作可能に電源に接続されて、プラズマを点火するとともに前記蒸着の少なくとも一部の間は前記プラズマを前記反応空間内で維持するために電圧が印加され、少なくとも部分的に前記蒸着チャンバを排気する真空サブシステムと、プロセスガスを前記反応空間に導入する供給サブシステムとをさらに備え、前記プロセスガスは、半導体源からの半導体含有ガスと、希釈源からの希釈物質とを含み、コントローラをさらに備え、前記コントローラは、前記真空サブシステムと前記供給サブシステムとのうちの少なくとも1つの動作を制御するようにプログラムされて、前記半導体材料の前記蒸着の少なくとも一部の間に、準大気圧を、50mbarmm/D以下となる圧力前記Dは、前記第1および第2の電極を分離する距離であり、mmで表されるで維持するとともに、前記半導体材料の前記蒸着の少なくとも一部の間に、体積で少なくとも50となる、前記プロセスガスにおける前記半導体含有ガスの濃度を確立する、蒸着システム。基板コンディショナをさらに備え、前記基板コンディショナは、前記基板に加熱効果を与える、前記基板に冷却効果を与える、あるいは前記基板に加熱効果および冷却効果を与えることで、前記基板上の前記半導体材料の蒸着のための所望の温度を確立する、請求項1に記載の蒸着システム。前記第1の電極は、前記基板支持部を含む、請求項1または2に記載の蒸着システム。前記基板コンディショナによって確立された前記基板の前記所望の温度は、約120°Cから約280°Cまでの温度範囲内にある、請求項1から3のいずれか1項に記載の蒸着システム。前記温度範囲は、約140°Cから約220°Cまでである、請求項1から4のいずれか1項に記載の蒸着システム。前記電源は、35MHz以上の周波数を有するRFパワーを供給するRF発生器を備える、請求項1から5のいずれか1項に記載の蒸着システム。前記第1および第2の電極のうちの少なくとも1つは、表面積Aを有する実質的に平坦な表面を含み、前記RFパワーは、前記表面積Aのcm2あたり0.1W以上となる電力密度を有する、請求項6に記載の蒸着システム。前記第1および第2の電極を分離する前記距離Dは、約10mm以上、約30mm以下である、請求項1から7のいずれか1項に記載の蒸着システム。前記第1および第2の電極のうちの少なくとも1つは、表面積Aを有する実質的に平坦な表面を含み、前記コントローラは、さらに、前記反応空間に導入されるプロセスガスの流量を、前記表面積Aのcm2あたり約0.03sccmに確立するようにプログラムされる、請求項1から8のいずれか1項に記載の蒸着システム。前記コントローラは、さらに、前記準大気圧を、0.8mbar以上、3.0mbar以下の圧力に維持するようにプログラムされる、請求項1から9のいずれか1項に記載の蒸着システム。前記コントローラは、前記半導体材料の前記蒸着の前記一部の間に、前記プロセスガス中の前記半導体含有ガスの濃度を、体積で70よりも上に維持するようにプログラムされる、請求項1から10のいずれか1項に記載の蒸着システム。前記プロセスガスは、体積で約75の、前記半導体含有ガスとしてのシランSiH4と、体積で約25の、前記希釈物質としての水素H2とを含む、請求項1から11のいずれか1項に記載の蒸着システム。前記供給サブシステムは、前記希釈物質と組み合わされたドーパントを導入し、前記ドーパントは、前記微結晶層に含まれてドープド微結晶層を確立する不純物を含む、請求項1から12のいずれか1項に記載の蒸着システム。蒸着システムの蒸着チャンバ内の基板上に半導体材料を蒸着する方法であって、前記蒸着システムは、さらに、距離Dで分離されるとともに、プラズマを前記蒸着チャンバ内で維持するために電源に動作可能に接続された第1および第2の電極と、少なくとも部分的に前記蒸着チャンバを排気する真空サブシステムと、プロセスガスを前記蒸着チャンバに導入する供給サブシステムとを備え、前記方法は、コントローラで、前記半導体材料の前記蒸着の少なくとも一部の間に、前記蒸着チャンバ内に確立されるべき準大気圧を受けるステップを備え、前記準大気圧は、50mbarmm/D前記Dは、前記第1および第2の電極を分離する距離であり、mmで表される以下であり、前記方法は、さらに前記真空サブシステムの動作を制御する圧力信号を送信して、少なくとも部分的に前記蒸着チャンバを排気して、受けた前記準大気圧を確立するステップと、前記コントローラで、前記電源を制御するプラズマ信号を送信して、前記第1および第2の電極に電圧を印加して、前記蒸着チャンバ内に前記プラズマを確立するステップと、供給サブシステムの動作を制御する流量信号を送信して、半導体含有ガスと適切な量の希釈物質とを前記蒸着チャンバに導入して、前記蒸着の少なくとも一部の間に、前記蒸着チャンバ内の前記半導体含有ガスの濃度を、体積で少なくとも50に確立するステップとを備える、方法。前記蒸着システムは、さらに、加熱効果および冷却効果の一方または両方を前記基板に与える基板コンディショナを備え、前記方法は、前記コントローラで、前記蒸着のための前記基板の目標温度を受けるステップと、前記基板コンディショナを制御する温度信号を送信して、前記目標温度に近づく温度または前記目標温度にほぼ等しい温度へと、前記基板の温度を上昇、低下、あるいは上昇および低下させるステップとを備える、請求項14に記載の方法。受けた前記目標温度は、少なくとも120°Cかつ280°C以下である、請求項14または15に記載の方法。受けた前記目標温度は、少なくとも140°Cかつ220°C以下である、請求項14から16のいずれか1項に記載の方法。前記第1および第2の電極のうちの少なくとも1つは、表面積Aを有する実質的に平坦な表面を含み、前記流量信号は、前記反応空間に導入されるプロセスガスの所望の流量を、前記表面積Aのcm2あたり約0.03sccmに確立するために、前記フローレギュレータを調整するための命令を含む、請求項14から17のいずれか1項に記載の方法。前記圧力信号は、前記準大気圧を、0.8mbarから3.0mbar以下の圧力に維持するための命令を含む、請求項14から18のいずれか1項に記載の方法。ドーパント信号を送信するステップをさらに備え、前記ドーパント信号は、前記供給サブシステムの動作を制御して、前記希釈物質と組み合わされたドーパントを導入し、前記ドーパントは、前記微結晶層の真性導電率を変更して、ドープド微結晶層を確立する不純物を含む、請求項14から19のいずれか1項に記載の方法。上記の欠点を克服するための試みは、典型的には、しばしば純粋シランSiH4すなわち希釈されていないを用いたプラズマの生成を含む、完全に異なる種類の蒸着を含む。しかしながら、ガスの流れの安定性の違いおよびシリコンパウダーの捕捉により、これらの異なる蒸着プロセスは、希釈シランSiH4を用いた蒸着プロセスのために設計された、既存の、商業的に利用可能である大面積のPECVD蒸着装置に、重要な変更を必要とする。概要1つの局面に従うと、本願は、光起電力セルを製造するための蒸着システムを含み、蒸着システムは、基板上の半導体材料の微結晶層を形成するために、半導体材料が基板上に蒸着されるべき反応空間を実質的に包囲する蒸着チャンバを含む。基板コンディショナは、基板に加熱効果を与える、基板に冷却効果を与える、あるいは基板に加熱効果および冷却効果を与えることで、基板上の半導体材料の蒸着のための所望の温度を確立する。第1および第2の電極は互いに向かい合って距離Dで分離され、動作可能に電源に接続されて、プラズマを点火するとともに蒸着の少なくとも一部の間はプラズマを反応空間内で維持するために電圧が印加される。真空サブシステムは、少なくとも部分的に蒸着チャンバを排気し、供給サブシステムは、プロセスガスを反応空間に導入する。プロセスガスは、半導体源からの半導体含有ガスと、希釈源からの希釈物質とを含む。コントローラは、真空サブシステムと供給サブシステムとのうちの少なくとも1つの動作を制御するようにプログラムされて、半導体材料の蒸着の少なくとも一部の間に、準大気圧を、50mbarmm/D以下となる圧力で維持する。距離Dは、第1および第2の電極を分離する距離であり、mmで表される。コントローラは、また、半導体材料の蒸着の少なくとも一部の間に、体積で少なくとも50となる、プロセスガスにおける半導体含有ガスの濃度を確立するようにプログラムされる。他の局面に従うと、本願は、蒸着システムの蒸着チャンバ内の基板上に半導体材料を蒸着する方法を含む。蒸着システムは、また、加熱効果および冷却効果の一方または両方を基板に与える基板コンディショナと、距離Dで分離されるとともに、プラズマを蒸着チャンバ内で維持するために電源に動作可能に接続された第1および第2の電極と、少なくとも部分的に蒸着チャンバを排気する真空サブシステムと、プロセスガスを蒸着チャンバに導入する供給サブシステムとを備える。方法は、コントローラで、半導体材料の蒸着の少なくとも一部の間に、蒸着チャンバ内に確立されるべき準大気圧を受けるステップを備える。準大気圧は、50mbarmm/D以下である。距離Dは、第1および第2の電極を分離する距離であり、mmで表される。方法は、また、真空サブシステムの動作を制御する圧力信号を送信して、少なくとも部分的に蒸着チャンバを排気して、受けた準大気圧を確立するステップを含む。また、コントローラで、蒸着のための基板の目標温度が受けられる。基板コンディショナを制御して、目標温度に近づく温度または目標温度にほぼ等しい温度へと、基板の温度を上昇、低下、あるいは上昇および低下させる温度信号がコントローラから送信される。電源を制御して、第1および第2の電極に電圧を印加して、蒸着チャンバ内にプラズマを確立するプラズマ信号が、また、コントローラから送信される。供給サブシステムの動作を制御する流量信号がコントローラから送信されて、半導体含有ガスと適切な量の希釈物質とを蒸着チャンバに導入して、蒸着の少なくとも一部の間に、蒸着チャンバ内の半導体含有ガスの濃度を、体積で少なくとも50に確立する。他の局面に従うと、本願は、蒸着システムの蒸着チャンバ内の基板上に半導体材料を蒸着する方法を含む。蒸着システムは、また、加熱効果および冷却効果の一方または両方を基板に与える基板コンディショナと、距離Dで分離されるとともに、プラズマを蒸着チャンバ内で維持するために電源に動作可能に接続された第1および第2の電極とを備える。真空サブシステムが設けられて、少なくとも部分的に蒸着チャンバを排気し、供給サブシステムがプロセスガスを蒸着チャンバに導入する。方法は、半導体材料の蒸着の少なくとも一部の間に、蒸着チャンバ内に準大気圧を確立するステップを備え、準大気圧は、50mbarmm/D以下である。距離Dは、第1および第2の電極を分離する距離であり、mmで表される。基板コンディショナを用いて、約120°Cから約280°Cの範囲内の目標温度に近づく温度またはその目標温度にほぼ等しい温度へと、基板の温度を上昇、低下、あるいは上昇および低下させる。電源を用いて、第1および第2の電極のうちの少なくとも1つに電圧が印加されて、蒸着チャンバ内にプラズマを確立する。半導体含有ガスと適切な量の希釈物質とが蒸着チャンバに導入されて、蒸着の少なくとも一部の間に、蒸着チャンバ内の半導体含有ガスの濃度を、体積で少なくとも50に確立する。他の局面に従うと、本願は、蒸着システムの蒸着チャンバ内の基板上に半導体材料を蒸着する方法を含む。蒸着システムは、また、加熱効果および冷却効果の一方または両方を基板に与える基板コンディショナと、距離Dで分離されるとともに、プラズマを蒸着チャンバ内で維持するために電源に動作可能に接続された第1および第2の電極と、少なくとも部分的に蒸着チャンバを排気する真空サブシステムと、プロセスガスを蒸着チャンバに導入する供給サブシステムとを備える。方法は、半導体材料の蒸着の少なくとも一部の間に、蒸着チャンバ内に準大気圧を確立するステップを備え、準大気圧は、50mbarmm/D以下である。距離Dは、第1および第2の電極を分離する距離であり、mmで表され、約10mm以上であるが約30mm以下である。基板コンディショナを用いて、約120°Cから約280°Cの範囲内の目標温度に近づく温度またはその目標温度にほぼ等しい温度へと、基板の温度を上昇、低下、あるいは上昇および低下させる。電源を用いて、第1および第2の電極のうちの少なくとも1つに電圧が印加されて、蒸着チャンバ内にプラズマを確立する。実行されるべき蒸着のために、半導体含有ガスと適切な量の希釈物質とが蒸着チャンバに導入される。上記の概要は、本明細書で議論されるシステムおよび/または方法のいくつかの局面の基本的理解を与えるための単純化された概要を提示する。この概要は、本明細書で議論されるシステムおよび/または方法の拡張的な概観ではない。この概要は、主要な/重要な要素を特定したり、そのようなシステムおよび/または方法の範囲を説明したりすることを意図するものではない。その唯一の目的は、後に提示されるより詳細な説明のための前置きとして単純な形態でいくつかの概念を示すことである。図面の簡単な説明本発明は、ある特定の部分および部分の配置における物理的形態を取り得るが、それらの実施の形態は、この明細書において詳細に説明されるとともに、本明細書の一部を形成する添付の図面によって示されるであろう。詳細な説明ある特定の用語が、本明細書では便利さのためにのみ用いられており、本発明の限定としては用いられていない。本明細書で用いられる相対的な用語は、図面を参照して最もよく理解されるものであり、図面において、同様の参照符号は、同様の要素を特定するために用いられる。さらに、図面においては、ある特定の特徴は、いくらか概略的な形態で示され得る。また、少なくとも1つのとの表現が用いられている場合には、その表現は、その後に続く複数の要素のうちの1つ、またはそれらの要素の1よりも大きい組合せを意味する。たとえば、第1の装置および第2の装置のうちの少なくとも1つとの表現は、本願では次の意味を表わす:第1の装置、第2の装置、または、第1および第2の装置。同様に、第1の装置、第2の装置および第3の装置のうちの少なくとも1つは、本願においては次の意味を表わす:第1の装置、第2の装置、第3の装置、第1および第2の装置、第1および第3の装置、第2および第3の装置、または、第1、第2および第3の装置。図1は、光起電力セルを作製するためのプラズマ化学気相成長PECVDシステム10の例示的な実施の形態を示す。示されるように、蒸着システム10の例示的な実施の形態は、反応空間14を実質的に包囲する蒸着チャンバ12を含み、反応空間では、少なくとも1つの層、および任意選択的には半導体材料の複数の微結晶層が基板16上に蒸着される。そのような蒸着チャンバ12の物理的構成の例は、スイス国トリューブバックTrubbachのエリコンソーラーOeliconSolarAGによるのモデルKAI-1200蒸着反応装置において見出すことができる。以下に詳細に説明されるように、微結晶層の一部としてドーパントが蒸着される場合、残りの微結晶層は、n型またはp型ドープド微結晶層と呼ばれる。ドーパントのない蒸着された微結晶層は、真性微結晶層と呼ばれる。ペデスタルまたは他の適切な基板支持部18は、蒸着に適した、反応空間14内の場所において基板16を支持する。基板コンディショナ20は、基板支持部18に隣接して設けられて、基板16上の半導体材料の蒸着のための所望のレベルに、基板16の温度を調節するとともに実質的に維持することができる。基板コンディショナ20は、本明細書で説明される蒸着の間に、基板16を加熱する、基板16を冷却する、または基板16を加熱および冷却するように動作可能である。加熱の目的のため、基板コンディショナ20は、抵抗加熱、誘導加熱、放射加熱等の任意の方式で熱エネルギを生成する加熱素子を含むことができる。基板16に加熱効果を与えるために必要な熱エネルギは、本明細書で説明されるように生成されたプラズマによって、少なくとも一部が任意選択的に与えられ得る。基板16に冷却効果を与える実施の形態の場合、基板コンディショナ20は、冷却回路の部分を含むことができる。冷却回路は、少なくとも一部が冷媒の相変化によって熱エネルギを取り除く。あるいは、基板コンディショナ20は、基板16よりも低い温度で冷媒を輸送して基板16から熱エネルギを取り除く輸送管、あるいは蒸着の間に基板16に所望の冷却効果を与えるための任意の他の適切な装置を用いることができる。基板コンディショナ20によって確立されたような基板16の所望の温度は、蒸着されるべき特定の半導体材料および他のプロセス条件に依存し得る。しかしながら、この実施の形態によれば、所望の温度は、任意の温度とすることができ、約120°Cから約280°Cまでの範囲内の、任意の温度のサブレンジを含む。代替的な実施の形態によれば、所望の温度が含まれる温度の範囲は、約140°Cから約220°Cであり、好ましくは180°Cから約200°Cである。図示された実施の形態によれば、基板支持部18は、少なくとも一部分において、金属、合金または他の適切な導電性材料から形成されて第1の電極を形成し、第1の電極は第2の電極22と対向する。第2の電極22は、実質的に基板支持部18と平行であり、基板支持部18は、この実施の形態によれば第1の電極でもある。第2の電極22は基板支持部18から距離Dだけ離れて配置され、距離Dは基板支持部18および第2の電極22と垂直である。さまざまな実施の形態の場合、第1の電極/基板支持部18と第2の電極22とを分離する距離Dは、約10mm以上であり約30mm以下とすることができるが、距離Dの他の値もまたこの開示の範囲に含まれ得る。図1を参照して示されるとともに説明される実施の形態では、基板支持部18は第1の電極であるが、他の実施の形態では、基板支持部18から区別される別の第1の電極を任意選択的に含むことができる。図1における第1の電極/基板支持部18および第2の電極22は、基板16への半導体材料の蒸着の少なくとも一部の間に、反応空間14内でプラズマ26を点火させるとともに維持するために電源24に動作可能に結合される。図1に示された実施の形態の場合、電源24はRF生成器を含み、RF生成器は、たとえば13.56MHz以上、またはその高調波たとえば約28MHzまたは約40MHz、あるいは他の別の適切な周波数といった周波数を有するRFパワーを供給することができる。代替的な実施の形態の場合、第1の電極/基板支持部18と第2の電極とのうちの少なくとも1つは、対向する電極と向き合う実質的に平坦な表面28を有し、その表面は所定の表面積を有する。平坦な表面28の表面積は、電源24とともに選択可能であり、実行されるべき特定の蒸着のための所望の電力密度を確立する。たとえば、第2の電極22の平坦な表面28の表面積およびRF生成器は、集合的に、第2の電極22の表面積において0.1W/cm2以上となる電力密度を確立することができる。真空サブシステム29は、また、反応空間14内の準大気圧を確立するために配置され得る。真空サブシステム29は、少なくとも部分的に蒸着チャンバ12を排気して、反応空間14内の圧力を1気圧未満に下げるように動作可能な、任意の装置を含むことができる。たとえば、真空サブシステム29は、プロセスガス供給サブシステム30と協調して動作可能であるが、プロセスガス供給サブシステム30は、反応空間14にプロセスガスを導入して、半導体材料の蒸着の少なくとも一部の間、反応空間14内を準大気圧に維持する。適切な蒸着圧力の例は、以下に示す圧力以下のような、任意の圧力を含むことができる。50mbarmm/Dここで、距離Dは、第1の電極18と第2の電極22とを分離し、ミリメートルmmで表わされる。すなわち、反応空間14内の圧力ミリバールmbarで表わされると距離Dミリメートルmmで表わされ、第2の電極22から第1の電極/基板支持部18を分離するとの積は、約50mbarmm以下である。供給サブシステム30は、フローレギュレータ32を含み、フローレギュレータ32は、たとえばバルブのような、反応空間14へのプロセスガスの導入を制御し、任意選択的に計測可能な任意の調整可能な装置とすることができる。フローレギュレータ32に加えて、供給サブシステム32は、また、任意選択的に混合器50を含むことができ、混合器50は、プロセスガスの成分が反応空間14に導入される前に結合可能な体積を定義する。また、さまざまな供給源34,36,38の各々のための個々のバルブ52または他のフローレギュレータが、さまざまな供給源34,36,38と反応空間14との間の流体の流れを確立する配管に沿って任意選択的に配置可能である。もし存在するならば、個々のバルブ52は、反応空間14に導入される半導体含有ガス、希釈物質およびドーパントの流量を制御するように調整可能である。プロセスガスは、以下のものの少なくとも1つを含むことができる:半導体供給源34からの半導体含有ガス、希釈源36からの希釈物質、およびドーパント供給源38からのドーパント。半導体含有ガスは、半導体物質を含む任意のガスとすることができ、たとえば、シリコンを含む、シランSiH4といったガスである。光起電力アプリケーションでの半導体の蒸着の目的での最も一般的な希釈物質は水素であるが、半導体含有ガスの濃度を希釈するための任意の他の適切な希釈物質もまた、この開示の範囲内である。ドーパントは、蒸着されたときに半導体材料の蒸着層の導電率に影響を与える物質を含む。ドーパントの例は、以下に限定されるものではないが、ホスフィンPH3、ジボランB2H6およびトリメチルボロンBCH33を含む。簡潔さのためおよび本技術の明確な記載のために、図1に示されて以下に説明される実施の形態は、シランSiH4を半導体含有ガスとして含み、水素H2を希釈物質として含む。例示的な実施の形態において、N型微結晶層を蒸着する場合には、ホスフィンPH3がドーパントとして説明され、p型微結晶層を蒸着する場合には、ジボランB2H6がドーパントとして用いられる。繰返すように、他の適切なP型およびN型ドーパントがこの開示の範囲内である。コントローラ40は、以下のうちの少なくとも1つの動作を制御するために設けられる:RFパワーを第1の電極/基板支持部18および第2の電極22に供給してプラズマ26を点火および維持する電源24、蒸着チャンバの内容物の少なくとも一部を反応空間14から排気する真空サブシステム29、および反応空間14にプロセスガスを導入する供給サブシステム30。コントローラ40は、たとえば、非一時的なコンピュータ読取可能なメモリ42にアクセスするマイクロプロセッサベースの組込システムとすることができる。そのような実施の形態によれば、コンピュータ読取可能なメモリ42に記憶されたコンピュータ実行可能な命令が、マイクロプロセッサ46によって実行可能であり、制御線44を介して、制御信号を、供給サブシステム30、真空サブシステム29および電源24の部分に送り、それらをコントローラ44によって制御する。代替的な実施の形態に従うと、コントローラ40は、供給サブシステム30、真空サブシステム29および電源24の動作を制御するさまざまな制御ステップを実行するように配線で接続することができる。たとえば、コントローラ40は、1以上の特定用途集積回路を含むことができる。図2は、共通ガラス基板16に隣り合って配置された単一接合太陽電池セル60および複数接合この例では二重接合太陽電池セル26の概略的表現の図である。示されるように、単一接合太陽電池セル60は、P型微結晶層64を含み、P型微結晶層64の上には真性微結晶層66が蒸着され、それに続きN型微結晶層68が蒸着される。導電性材料から形成された表側コンタクト70および裏面コンタクト72は、単一接合太陽電池セル60の端子を形成し、単一接合セル60に光74が照射されることにより、電極間にDC電流が生成される。表側コンタクト70は実質的に透明であって、表側コンタクト70に与えられた光74の大部分は、半導体の微結晶層へと透過する。ドープド微結晶層64は、P型層である。その理由は、ドープド微結晶層64が、微結晶材料を形成するために蒸着された半導体材料よりも、少なくとも1つ少ない価電子を有する原子を含むためである。この例ではP型ドープド微結晶層64は、半導体含有ガスとしてのシランSiH4によって蒸着され、たとえばボロンを含むドーパントが反応空間14に導入され得る。上記のように、ジボランB2H6およびトリメチルボロンBCH33が、P型ドープド微結晶層64を蒸着するための適切なドーパントの2つの例である。同様に、ドープド微結晶層68はN型である。その理由は、ドープド微結晶層68が、微結晶層を形成するために蒸着された半導体材料よりも少なくとも1つ多い価電子を有する原子を含むように、負にドープされているためである。この例では微結晶層68はシランSiH4により蒸着された半導体材料としてシリコンから形成されているが、たとえばリンを含むドーパントも反応空間14に導入することができる。上記のように、ホスフィンPH3がN型ドープド微結晶層68を蒸着するための適切なドーパントの例である。P型微結晶層64とN型微結晶層68との間の真性層66は、蒸着の間に意図的にドープされていないシリコンの蒸着層である。したがって、真性層66の導電率は、ドーパントの導入によって変化しない。図2に示された複数接合太陽電池セル62は、単一接合太陽電池セル60と同様であるが、P型、I真性型およびN型層を含む積層体を複数回繰返して含む。I型層の結晶化の程度に依存して、図2に示されるような太陽電池セルは、アモルファスa-Siまたは微結晶μc-Si光起電力セルとして特徴付けられる。本明細書において用いられるように、微結晶層とは、アモルファスの母体中に結晶化シリコンのかなりの小片、いわゆる微結晶を含んでいる層を指す。コントローラ40図1は、メモリ42内のコンピュータ実行可能な命令を実行して、蒸着チャンバ12内に配置された基板16上に半導体材料を蒸着する方法を実行する。コントローラ40の他の実施の形態に従うと、コントローラ40は、そのような方法を実行するために配線で結合され得る。あるいは、方法のステップのいくつかまたはすべてが本願の範囲から逸脱することなく手作業で実行可能である。そのような自動化された方法の例示的な実施の形態は、図3に表わされるフロー図を参照して理解可能である。図3に示されているステップの順序は、他に限定されていなければ実行に必要なステップにおける順序では必ずしもない。PECVDプロセスの1つの例が、図3に概略的に示されており、エリコンソーラーOeliconSolarAGにより商業的に利用可能な、モデルKAI-1200蒸着システムのような、標準的な蒸着装置を用いて真性微結晶層および/またはドープド微結晶シリコン層を蒸着する。この例は、半導体含有ガスとしてシランSiH4を用いて説明され、シランSiH4は、この例では反応空間14内の全プロセスガスの約50の混合比である。この例での希釈物質は水素H2を含み、ドープド微結晶層が蒸着されるべき実施の形態の場合には、ホスフィンPH3、ジボランB2H6、またはトリメチルボロンBCH33といったドーパントを加えることができる。蒸着の間に反応空間14に導入されるプロセスガスの流量は、この例では低く、第2の電極22の平坦な表面28図1の表面積で0.03sccm/cm2未満である。さらに、この例における蒸着チャンバ内の準大気圧は、50mbarmm圧力×電極分離距離の規格化された圧力に、あるいはそれ以下に維持される。蒸着の結果、少なくとも5Å/s50nm/sの蒸着レートが、高いRFパワー密度すなわち第2の電極22の平坦な表面28図1の表面積で0.1W/cm2より大きいで得られた。この例での上記のパラメータの使用は、他の適切な蒸着システム10への標準化されたスケーリングのために、平坦な表面28の表面積の1cm2に基づいて規格化された。図3に示されるように、方法は、ステップ100において、半導体材料の蒸着の少なくとも一部の間に蒸着チャンバ12内で確立される準大気圧をコントローラ40で受けるステップを含む。準大気圧は、蒸着システム10の構築の間にコントローラ40にプログラムされる、あるいは蒸着システム10を操作するユーザによって入力される、あるいはコントローラ40に入力され得る。準大気圧を特定する方法に拘らず、受取られる準大気圧は、下記の圧力以下とすることができる。50mbarmm/Dここで、距離Dは、第1および第2の電極を分離し、ミリメートルmmで表わされる。この例の場合、第1および第2の電極を分離する距離Dは、約10mm以上であり約30mm以下である。代替的な実施の形態の場合、ステップ100においてコントローラ40によって受取られる準大気圧は、少なくとも0.8mbarであり3.0mbar以下である。さらに別の実施の形態は、ステップ100においてコントローラ40によって受取られる準大気圧が少なくとも1.0mbarであり、2.0mbar以下であることを必要とする。コントローラ40は、次に、制御線44に沿って伝達されるべき圧力信号を送信することができ、圧力信号は、図3のステップ110において真空サブシステム29の動作を制御して、少なくとも部分的に蒸着チャンバ12を排気するとともに受取られた準大気圧を確立する。同様に、ステップS120において、コントローラ40は、また、実行されるべき蒸着プロセスのための基板16の目標温度を受取る。準大気圧と同じく、目標温度は、蒸着システム10の構築の間にコントローラ40にプログラムされる、あるいは蒸着システム10を操作するユーザによって入力される、あるいはコントローラ40に入力されることができる。目標温度が特定される方法に拘らず、この例で受取られる目標温度は、少なくとも120°Cであり、280°C未満である。代替的な実施の形態に従うと、受取られる目標温度は、少なくとも140°Cであるが220°C以下であり、好ましくは約180°Cから約200°Cまでである。コントローラ40は、次に図3のステップ130において基板コンディショナ20の動作を制御するための制御線44図1で伝送される温度信号を送信して、基板16の温度を受取られた目標温度に近付ける温度へと上昇あるいは低下させる。1つの実施の形態に従うと、供給システム30図1は、図3におけるステップ140において、プロセスガスの導入前、およびプラズマ26の点火前に、反応空間14に点火ガスを任意選択的に導入することができる。点火ガスは、たとえば、希釈供給源36図1からの水素H2のようなガス、あるいは不活性ガスとすることができる。任意選択的な点火ガスの導入に続き、コントローラ40はステップ150においてプラズマ信号を送信することができ、プラズマ信号は、電源が第1の電極18および第2の電極22に電圧を与えて、点火ガスの存在する蒸着チャンバ12内でのプラズマ26を確立させる。この例に従うと、電源はRFパワーを供給するRF生成器を含み、RFパワーは、少なくとも13.56MHzあるいはその周波数の高調波、たとえば約28MHzまたは40MHzのような周波数を有する。代替的な実施の形態に従うと、周波数は、少なくとも35MHzまたは少なくとも40MHzとすることができる。さらに、供給されるRFパワーは、第2の電極22の平坦な表面28の表面積において0.1W/cm2以上となる電流密度を有する。同様に、コントローラ40はまた、ステップ120において、実行されるべき蒸着プロセスのための基板16の目標温度を受ける。準大気圧と同様に、目標温度は、コントローラ40に、体積パーセント、すなわち少なくとも体積で75であるようにプログラミング可能である。シランSiH4の濃度に拘らず、コントローラは、さらに、供給サブシステム30の一部を調整して、反応空間14に導入されるプロセスガスの流量を、第1の電極18および/または第2の電極22の平坦な表面28の表面積Aにおいてcm2あたり約0.03sccmへと確立する。そのような方法に従う微結晶層の蒸着は、少なくとも5Å/sec50nm/sの成長レートを生み出す。図3を参照して説明される方法は、自動化方法の一例である。しかしながら、上記のように、1以上のステップが本願の範囲から逸脱することなく、手作業で、またはコントローラ40以外の手段によって実行可能である。すなわち、そのようなステップを実行する主体に拘らず、蒸着システム10を用いた、本明細書で説明される半導体材料の蒸着を制御する一般的方法が、図4を参照して理解可能である。図4に示されるように、ステップ200で、蒸着チャンバ12内において準大気圧が確立されて、半導体材料の蒸着の少なくとも一部の間、準大気圧が維持される。これまでと同じく、準大気圧は、下記の圧力以下とすることができる。50mbarmm/D距離Dは、第1および第2の電極を分離し、mmで表わされる。この例の場合、第1および第2の電極を分離する距離Dは、少なくとも約10mmであるが約30mm以下である。代替的な実施の形態の場合、準大気圧は、少なくとも0.8mbarであるが3.0mbar以下になる。さらに別の実施の形態では、ステップS200において確立される準大気圧は、少なくとも1.0mbarであるが2.0mbar以下とされることが必要となる。値に拘らず、準大気圧は、真空サブシステム29および供給サブシステム30のうちの少なくとも1つの動作を制御することによって確立可能である。基板コンディショナ20図1を用いて、基板16の温度が図4のステップ210において調整されすなわち上昇、低下または維持されて、特定の蒸着プロセスが実行されるための目標温度に近づく温度またはほぼ等しい温度に調整される。上記のように、目標温度は、コントローラ40にプログラムされる、コントロールパネルを介してオペレータによって入力される、あるいは、さもなくば、特定されることができる。半導体含有ガスとしてシランSiH4を用いた例の場合、目標温度は少なくとも120°Cであるが280°C以下である。代替的な実施の形態に従うと、目標温度は少なくとも140°Cであるが220°C以下であり、好ましくは約180°Cから約200°Cまでである。1つの実施の形態に従うと、供給サブシステム30図1は、図4におけるステップ220においてシランSiH4または他の半導体含有ガスの導入前、およびプラズマ26の点火前に、反応空間14に点火ガスを導入することができる。点火ガスは水素H2または希釈供給源36図1からの不活性ガスとすることができ、一度点火すればプラズマ26の存在において、顕著な量の、または任意選択的には不要な固体物を堆積させないガスである。点火ガスの任意の導入に続き、電源24図1は、ステップ230において第1の電極18および第2の電極22に電圧を加えて、任意選択的に点火ガスが存在する蒸着チャンバ12内のプラズマ26を確立するために用いられる。この例に従うと、電源はRF生成器を含み、RF生成器は、たとえば13.56MHz、またはその周波数の高調波約28MHzまたは約40MHzのような周波数を有するRFパワーを供給する。代替的な実施の形態に従うと、周波数は少なくとも35MHzまたは少なくとも40MHzとすることができる。さらに、供給されるRFパワーは、第1および/または第2の電極18,22の平坦な表面28の表面積において0.1W/cm2以上の電力密度を有する。プラズマ26図1の点火に続き、プラズマ26の存在下で供給サブシステム30たとえばフローレギュレータ32の一部がステップ240において調整されて、少なくともシランSiH4および適切な量の水素H2を含むプロセスガスを蒸着チャンバ12へ導入する。供給サブシステム30の動作は、蒸着の間、体積で少なくとも50の反応空間14中のシランSiH4の濃度を確立する。真性微結晶層の蒸着のため、シランSiH4の濃度は、少なくとも体積で70、または体積で75であり、希釈物質としての水素H2で希釈される。ドープされた微結晶層の蒸着の場合、反応空間14におけるシランSiH4の濃度は、蒸着の間、少なくとも体積で50であり、ドーパントおよび水素H2の組合せの組成は少なくとも30である。そのような実施の形態の場合、ドーパントおよび水素の組合せは、水素で希釈されて体積で1未満の濃度となるドーパントを含むことができる。シランSiH4の濃度に拘らず、供給サブシステム30は、反応空間14に導入されるプロセスガスの流量比を、第1の電極18および/または第2の電極22の平坦な表面28の表面積Aにおける約0.03sccm/cm2に確立するように制御可能である。他の実施の形態に従うと、反応空間14に導入されるプロセスガスの全流量は、500sccm未満に維持可能である。以下に説明される蒸着の実施例は、本明細書で説明される方法およびシステムに従って実行されたものである。実施例1エリコンソーラーOeliconSolarAGによる蒸着モデルKAI-1200を用いた真性微結晶シリコン層の蒸着:プロセスガスは約75のSiH4と約25のH2を含んでいた。蒸着の間に反応空間に導入されるプロセスガスの全流量は約2.5sccm/平坦電極表面28の表面積が100cm2であった。この実施例では、約330sccmのSiH4と約100sccmのH2の体積流量のプロセスガスの量であった。電源24によって供給されるエネルギはRFパワーであった。RFパワーは約40MHzのRF周波数、および約0.17W/平坦な電極表面28の表面積cm2の電力密度を有していた。この実施例では、RFパワーは、蒸着チャンバあたり約3,000Wであった。反応空間内の圧力は、ほぼ1.3mbarに維持された。第1の電極18および第2の電極22を分離する距離Dは約28mmであった。すなわち、約36.4mbarmmであった。蒸着の間、基板温度は120°Cと280°Cとの間に維持された。大幅に希釈されたシランSiH4の場合の従来の蒸着プロセスすなわち体積で10未満の濃度のシランおよび体積で90の水素を含むプロセスガスと比較して、水素H2の消費は約95削減され、シランSiH4の利用効率はほぼ35上昇し、そのような従来の蒸着プロセスに対して微結晶層の成長レートはほぼ35上昇した。実施例2エリコンソーラーOeliconSolarAGによる蒸着モデルKAI-1200を用いたN型ドープド微結晶シリコン層の蒸着:プロセスガスは約67のSiH4と、ホスフィンPH3を含む約33のドーパントを含んでいた。ドーパントガスは、水素H2で希釈された、体積でほぼ0.5のホスフィンPH3を含んでいた。蒸着の間に反応空間14に導入されるプロセスガスの全流量は約2.5sccm/平坦電極表面28の表面積が100cm2であった。この実施例では、約300sccmのSiH4と約150sccmのドーパント2の体積流量のプロセスガスの量であった。電源24によって供給されるエネルギはRFパワーであった。RFパワーは約40MHzのRF周波数、および約0.2W/平坦な電極表面28の表面積cm2の電力密度を有していた。この実施例では、RFパワーは、蒸着チャンバあたり約3,500Wであった。反応空間内の圧力は、ほぼ1.3mbarに維持された。第1の電極18および第2の電極22を分離する距離Dは約28mmであった。すなわち、約36.4mbarmmであった。蒸着の間、基板温度は120°Cと280°Cとの間に維持された。大幅に希釈されたシランSiH4の場合の従来の蒸着プロセスすなわち体積で10未満の濃度のシランおよび体積で90の水素を含むプロセスガスと比較して、水素H2の消費は約95削減され、シランSiH4の利用効率はほぼ35上昇し、そのような従来の蒸着プロセスに対して微結晶層の成長レートはほぼ35上昇した。ここまでに例示的な実施の形態が説明されてきた。上記の装置および方法が、この発明の全体的な範囲から逸脱することなく、変形および変更を取り入れてもよいことが、当業者にとっては明らかであるだろう。すべてのそのような変形および変更は本発明の範囲内に含むことが意図される。さらに、用語含むincludesとの範囲は、詳細な説明または特許請求の範囲のいずれかにおいて用いられるが、そのような用語は、備えるcomprisingとの用語と同様の方式で包含することを意図するものである。その理由は、備えるcomprisingとは、特許請求の範囲において用いられたときに暫定的な用語として解釈されるためである。"