気相薄膜合成法を用いて、基材上に機能性薄膜を成膜する機能性薄膜の成膜方法であって、前記基材の成膜面側から加熱して機能性薄膜の成膜を行うことを特徴とする機能性薄膜の成膜方法。さらに、前記基材の成膜面と反対側の面からも加熱して機能性薄膜の成膜を行うことを特徴とする請求項1に記載の機能性薄膜の成膜方法。前記気相薄膜合成法が、レーザ堆積法であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の機能性薄膜の成膜方法。前記機能性薄膜が、酸化物薄膜であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の機能性薄膜の成膜方法。前記酸化物薄膜が、酸化物超電導薄膜であることを特徴とする請求項4に記載の機能性薄膜の成膜方法。気相薄膜合成法を用いて、基材上に機能性薄膜を成膜する機能性薄膜の成膜装置であって、前記基材の成膜面側から前記基材を加熱する加熱手段を備えていることを特徴とする機能性薄膜の成膜装置。さらに、前記基材の成膜面と反対側の面から前記基材を加熱する加熱手段を備えていることを特徴とする請求項6に記載の機能性薄膜の成膜装置。前記気相薄膜合成法が、レーザ堆積法であることを特徴とする請求項6または請求項7に記載の機能性薄膜の成膜装置。以上のため、本発明は、膜厚が厚い場合でも、結晶性に優れ、機能性薄膜としての特性を十分に発揮させることができる機能性薄膜を得ることができる機能性薄膜の成膜方法および成膜装置を提供することを課題とする。本発明者は、鋭意検討の結果、以下に記載する発明により、上記課題が解決できることを見出し、本発明を完成させるに至った。以下、各請求項毎に説明する。請求項1に記載の発明は、気相薄膜合成法を用いて、基材上に機能性薄膜を成膜する機能性薄膜の成膜方法であって、前記基材の成膜面側から加熱して機能性薄膜の成膜を行うことを特徴とする機能性薄膜の成膜方法である。本発明者は、成膜に際しての基材テープ線材への加熱を、従来のように基材の成膜反対面側裏面側から行うのではなく、基材の成膜面側にヒータを配置して行うことに思い至った。基材の成膜面側から加熱することにより、厚膜の場合であっても、成膜面を十分に加熱することができる。この結果、基材上に、表面まで結晶性に優れた機能性薄膜を作製することができ、機能性薄膜としての特性を十分に発揮させることができる。また、基材の成膜反対面側における熱負荷が大きくなることがないため、上記した基材の変形や基材を構成する金属材料の拡散を防止することができる。なお、本請求項の発明にいう機能性薄膜とは、薄膜化した機能性材料である。機能性材料は、材料の持つ電気的性質、誘電体特性、磁性、光学特性などの機能を発現させることを目的として製品に組み込まれるタイプの材料を称する。具体的には、酸化物超電導薄膜、ハードディスク等に適用される磁性アモルファス薄膜、薄膜太陽電池等に用いられるアモルファス半導体薄膜、圧電デバイスに用いられる圧電薄膜などの薄膜が挙げられる。請求項2に記載の発明は、さらに、前記基材の成膜面と反対側の面からも加熱して機能性薄膜の成膜を行うことを特徴とする請求項1に記載の機能性薄膜の成膜方法である。基材の成膜面側から加熱すると共に、基材の成膜反対面側からも加熱することにより、機能性薄膜内における熱のばらつきを一層抑制することができ好ましい。また、基材の両面にヒータを配置して加熱するため、各ヒータにおける負荷を低減することができる。請求項3に記載の発明は、前記気相薄膜合成法が、レーザ堆積法であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の機能性薄膜の成膜方法である。レーザ堆積法は、スパッタ法などの他の気相薄膜合成法と比べて、成膜速度が速いため、より効率的に加熱する必要があるが、本発明においては基材の成膜面側から加熱しているため、より効率的な加熱が可能となり、本発明の効果を顕著に発揮させることができる。請求項4に記載の発明は、前記機能性薄膜が、酸化物薄膜であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の機能性薄膜の成膜方法である。機能性薄膜の内でも、酸化物からなる薄膜は、形成時における成長温度が高温であるため、本発明に係る成膜方法を採用することによる効果が顕著に発揮される。請求項5に記載の発明は、前記酸化物薄膜が、酸化物超電導薄膜であることを特徴とする請求項4に記載の機能性薄膜の成膜方法である。酸化物薄膜の内でも、酸化物超電導薄膜は特に高温での成長が必要である。また、酸化物超電導薄膜は黒色である。これらのため、基材の成膜反対面側からのみ加熱する従来の方法の場合には、成膜面を十分に高温とするために、大きな熱負荷を基材に加える必要があり、基材の変形や金属材料の拡散を招く恐れが高かった。しかし、本発明においては、基材の成膜面側から加熱する方法を採用しているため、基材の成膜反対面側から大きな熱負荷を加える必要がなく、上記の問題の発生を回避しながら高い加熱効率で成膜を行うことができる。請求項6に記載の発明は、気相薄膜合成法を用いて、基材上に機能性薄膜を成膜する機能性薄膜の成膜装置であって、前記基材の成膜面側から前記基材を加熱する加熱手段を備えていることを特徴とする機能性薄膜の成膜装置である。前記したように、基材の成膜面側から加熱することにより、厚膜の場合であっても、基材上に、表面まで結晶性に優れた機能性薄膜を作製することができ、優れた特性の機能性薄膜を提供することができる。請求項7に記載の発明は、さらに、前記基材の成膜面と反対側の面から前記基材を加熱する加熱手段を備えていることを特徴とする請求項6に記載の機能性薄膜の成膜装置である。前記したように、基材の成膜面側から加熱すると共に、基材の成膜反対面側からも加熱することにより、機能性薄膜内における熱のばらつきを一層抑制することができる。また、基材両側の各ヒータにおける負荷を低減することができる。請求項8に記載の発明は、前記気相薄膜合成法が、レーザ堆積法であることを特徴とする請求項6または請求項7に記載の機能性薄膜の成膜装置である。前記したように、レーザ堆積法は、成膜速度が速いため、本発明の装置の効果を顕著に発揮させることができる。本発明によれば、膜厚が厚い場合でも、結晶性に優れ、機能性薄膜としての特性を十分に発揮させることができる機能性薄膜を得ることができる機能性薄膜の成膜方法および成膜装置を提供することができる。以下、酸化物超電導薄膜を作製する場合を例に挙げて、本発明の実施の形態について説明する。1.成膜装置はじめに、本実施の形態の成膜装置について説明する。図1は本実施の形態の気相薄膜合成法を用いた機能性薄膜酸化物超電導薄膜の成膜装置を説明する図である。図1において、1は真空チャンバ図示省略内に設けられた成膜装置であり、ヒータ11、ヒータ13、スリット12を備えている。また、成膜装置1は、原料ターゲットTにレーザを照射するレーザ照射装置、テープ線材W基材をreeltoreelで搬送する搬送手段、円盤状の原料ターゲットTを保持し回転させる機構を備えているいずれも図示省略。なお、Pは、レーザ光の照射により原料ターゲットTから放出昇華された成膜材料が酸素ガスと衝突して発光したレーザプルームである。レーザ照射装置は、エキシマレーザなどを用いて、回転している円盤状の原料ターゲットTの円盤の中心の外側にレーザ光を照射する。これにより、成膜原料が放出昇華され、テープ線材Wの成膜面側表面に成膜される。レーザエネルギー単位:J/パルスおよび照射面積単位:cm2を調整することにより、成膜に適切な照射エネルギー密度単位:J/cm2が決定される。原料ターゲットTとテープ線材Wとの間隔は、通常70mm程度が好ましい。原料ターゲットTのレーザ照射位置から離れた場所では、昇華されてテープ線材Wに付着する際の元素組成比がずれてしまい、良好な超電導特性が得られなくなる恐れがある。このため、原料ターゲットTとテープ線材Wの間には、開口部を有するスリット12が設けられて、成膜領域が制限されるようになっている。テープ線材Wの長手方向におけるスリット12の開口部の長さL1は、レーザの原料ターゲットT上の照射形状に応じて、30~80mmで適宜設定される。なお、スリット12の開口部両端では、図1に示すように、テープ線材W側に壁を設けて、昇華した成膜原料がヒータ11に付着しないようにすることが好ましい。また、レーザプルームPの位置における加熱が、機能性薄膜の成長を左右するため、前記した壁とヒータ11の端部との間隔d2はできる限り小さい方が好ましく、具体的には1mm程度が好ましい。テープ線材Wとスリット12の間には、テープ線材Wの搬送経路の成膜ゾーンの前後にテープ線材W表面を加熱するヒータ11が、テープ線材Wから3~10mmの間隔d1を隔てて設けられている。ヒータ11としては、テープ線材Wと原料ターゲットTとの距離を短縮可能であるという観点から薄いヒータが好ましく、例えば、厚みtを10mm程度とすることが可能な抵抗線加熱ヒータなどを用いることが好ましい。ヒータ11を成膜ゾーンの前後に設けて、成膜直前に基材の表面を有効に加熱するとともに、成膜直後にも加熱を行うことにより、結晶化における加熱処理を、より効率よく行うことができ好ましい。なお、ヒータ11の大きさは、幅としてはテープ線材Wの幅方向の均熱を得るためにテープ線材Wの幅よりも両側が10mm以上広いことが好ましく、長さテープ線材Wの長手方向の長さL2としてはテープ線材Wの移動を考慮すると50~100mm程度であることが好ましい。また、本実施の形態においては、テープ線材Wの成膜反対面側裏面にも、ヒータ13が設けられている。ヒータ13としては、ランプヒータなどが好ましく使用される。2.機能性薄膜の成膜方法次に、上記の構成の成膜装置を用いた機能性薄膜の成膜方法について説明する。まず、10~60Pa程度の酸素ガス雰囲気に設定された真空チャンバ内に、reeltoreelで数十メートルから数百メートルの長さのテープ線材Wを、成膜面を下側にして所定のスピードで導入する。真空チャンバ内には、予め、原料ターゲットTが、テープ線材Wの成膜面に対向して設置されている。次に、テープ線材Wを表面からはヒータ11、裏面からはヒータ13により加熱し、酸化物超電導薄膜の成膜に適した所定の温度約650~750°C程度になるように各ヒータの投入パワーを調整する。そして、テープ線材Wを所定の速度で移動させながら、原料ターゲットTにレーザを照射して成膜材料を昇華させ、テープ線材Wの成膜面上に所定の厚さの酸化物超電導薄膜を成膜する。本実施の形態においては、テープ線材Wを成膜面側から加熱しているため、膜厚が厚い場合でも、成膜面を十分に加熱することができ、基材上に、表面まで結晶性に優れた機能性薄膜を作製することができ、機能性薄膜としての特性を十分に発揮させることができる。また、基材の成膜反対面側からも加熱しているため、薄膜内における熱のばらつきを一層抑制することができ、より安定した成膜が可能となる。また、表面、裏面の各ヒータにおける負荷をより低減することができる。以上のように本実施の形態を採用することにより、厚膜であっても、基材上に、表面まで結晶性に優れた機能性薄膜酸化物超電導薄膜を作製することができる。以下、実施例により、本発明をより具体的に説明する。本実施例は、PLD法を用いてGdBCOGdBa2Cu3O7-x酸化物超電導薄膜を成膜し、酸化物超電導線材を作製した例である。実施例図2に示す構成の酸化物超電導線材を以下の手順により作製した。1下地基材テープ線材の作製まず、100μm厚のステンレス基板に配向銅Cuを貼り合わせた後、ニッケルNiめっきを施し、120μm厚の配向金属基板を作製した。次に、配向金属基板にRFスパッタ法を用いて、中間層を形成した。具体的には、シード層として0.14μm厚のCeO2膜、Ni拡散防止層として0.3μm厚のYSZ膜、超電導層との整合層として0.07μm厚のCeO2膜を形成し、幅30mm、長さ150mのテープ線材基材を作製した。2酸化物超電導薄膜の成膜図1に示した成膜装置1を用いてGdBCO酸化物超電導薄膜を成膜した。レーザには248nmの波長のエキシマレーザを使用し、レーザエネルギーを原料ターゲットT上で0.75J/パルスとし、照射面積を0.25cm2にすることで、3J/cm2程度の照射エネルギー密度とした。なお、原料ターゲットTにはGdBCOの焼結体を使用した。ヒータ11には厚みが10mmの抵抗線加熱ヒータを用いた。ヒータ11とテープ線材W基材との距離d1は10mmとした。スリット12の開口部の長さL1は65mmとした。スリット12のテープ線材W側に設けた壁からヒータ11の端部までの距離d2は1mmとした。ヒータ11の大きさは、幅方向を50mmとし、テープ線材の長手方向の長さL2はテープ線材が移動するために90mmとした。また、真空チャンバ内は20Paの酸素ガスで保持した。テープ線材Wをreeltoreelで原料ターゲットTが設置された真空チャンバに導入し、ヒータ11の投入パワーを3kW、ヒータ13の投入パワーを0.4kWとして、テープ線材Wの表裏両面から加熱することにより、酸化物超電導薄膜を成膜する表面成膜面側の温度が700°C程度になるように調整した。テープ線材Wを10m/時の速度で移動させながら、エキシマレーザを原料ターゲットTに照射してターゲット材料を昇華させ、テープ線材Wの表面上にGdBCO酸化物超電導薄膜を成膜した。3安定化層および保護層の形成所定の方法を用いて、GdBCO酸化物超電導薄膜上に2μm厚の銀Ag安定化層を形成した後、スリッターを用いて線幅4mmで6条の線材にスリットした。その後、得られた各条線材の外周に20μm厚のCu保護層を形成し、実施例の酸化物超電導線材を得た。比較例図5に示したテープ線材Wの裏面側から加熱する従来の成膜装置2を用い、ヒータ23の投入パワーを膜厚に応じて3.5~4kWと変化させながら、テープ線材Wの裏面側から加熱したこと以外は実施例と同様にしてGdBCO酸化物超電導薄膜を成膜し、さらに、安定化層および保護層を形成し、比較例の酸化物超電導線材を得た。上記より、実施例の場合、比較例に比べて小さなヒータの投入パワーであるにも拘わらず、テープ線材表面を成膜に適した約700°C程度に加熱できることが確認できた。酸化物超電導線材の評価1評価方法実施例および比較例の酸化物超電導線材について、77.3Kの温度下、通電法によりIc値を測定した。2評価結果評価結果を図3に示す。図3において、縦軸はIc値A/cm:線材幅4mmでの実測値を1cm幅に換算であり、横軸は酸化物超電導薄膜の膜厚μmである。また、実線が実施例の評価結果であり、破線が比較例の評価結果図4と同一のデータである。図3より、比較例の場合、酸化物超電導薄膜の膜厚が約1.3mm以上ではIc値が膜厚に比例して増加せず、Jcが低下していることが分かる。これに対して、実施例の場合、Ic値が膜厚に比例して増大しており、Jcが低下していないことが分かる。そして、500A/cmのIcを得るためには、比較例の場合には2.8μmの膜厚を必要とするのに対して、実施例の場合には1.8μmの膜厚で同等のIc値が得られることが分かる。また、実施例の場合には、2.2μmの膜厚で600A/cmのIc値を得ることができることも分かる。以上の結果より、本発明を採用することにより、膜厚が厚い場合でも、結晶性に優れた酸化物超電導薄膜が得られ、Jcが低下せず、厚膜化により高Ic値化が可能となることが確認できた。また、同等のIc値を得るために必要な膜厚を低減することができるため、成膜コストの低減が可能となることが確認できた。以上、本発明を実施の形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。本発明と同一および均等の範囲内において、上記の実施の形態に対して種々の変更を加えることができる。