"Aエポキシ樹脂、Bポリビニルアセタール樹脂、C平均粒径5~120nmの微粒子を必須成分とする特徴とするプリント配線板用エポキシ樹脂組成物。前記Bポリビニルアセタール樹脂は、Bポリビニルアセタール樹脂1mol中に水酸基を、15~30mol有するものである請求項1に記載のプリント配線板用エポキシ樹脂組成物。前記プリント配線板用エポキシ樹脂組成物は、さらにDシアネート樹脂は含むものである請求項1または2に記載のプリント配線板用エポキシ樹脂組成物。請求項1ないし3のいずれか一に記載のプリント配線板用エポキシ樹脂組成物を基材に含浸してなることを特徴とするプリプレグ。請求項4に記載のプリプレグ、又は当該プリプレグを2枚以上重ね合わせた積層体の少なくとも片面に金属箔を有することを特徴とする金属張積層板。請求項1ないし3のいずれか一に記載のプリント配線板用エポキシ樹脂組成物からなる絶縁層をフィルム上、又は金属箔上に形成してなる樹脂シート。請求項4に記載のプリプレグ、または請求項5に記載の金属張積層板を内層回路基板に用いてなることを特徴とするプリント配線板。内層回基板の回路上に、請求項4に記載のプリプレグ、及び/または請求項6に記載の樹脂シートを内層回路基板に積層してなるプリント配線板請求項7、または請求項8に記載のプリント配線板に半導体素子を搭載してなることを特徴とする半導体装置。本発明は、上記実情を鑑みて成し遂げられたものであり、絶縁層を形成した際に、絶縁層表面に微細な粗化形状を有し、かつ、十分なめっきピール強度を有するプリント配線板用エポキシ樹脂組成物、および当該プリント配線板用エポキシ樹脂組成物を用いた樹脂シート、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線板、及び半導体装置を提供するものである。上記の目的は、下記[1]~[9]に記載の本発明により達成される。[1]Aエポキシ樹脂、Bポリビニルアセタール樹脂、C平均粒径5~120nmの微粒子を必須成分とすることを特徴とするプリント配線板用エポキシ樹脂組成物。[2]前記Bポリビニルアセタール樹脂は、Bポリビニルアセタール樹脂1mol中に水酸基を、15~30mol有するものである[1]に記載のプリント配線板用エポキシ樹脂組成物。[3]前記プリント配線板用エポキシ樹脂組成物は、さらにDシアネート樹脂は含むものである[1]または[2]に記載のプリント配線板用エポキシ樹脂組成物。[4][1]乃至[3]のいずれか一に記載のプリント配線板用エポキシ樹脂組成物を基材に含浸してなることを特徴とするプリプレグ。[5][4]に記載のプリプレグ、又は当該プリプレグを2枚以上重ね合わせた積層体の少なくとも片面に金属箔を有することを特徴とする金属張積層板。[6][1]乃至[3]のいずれか一に記載のプリント配線板用エポキシ樹脂組成物からなる絶縁層をフィルム上、又は金属箔上に形成してなる樹脂シート。[7][4]に記載のプリプレグ、または[5]に記載の金属張積層板を内層回路基板に用いてなることを特徴とするプリント配線板。[8]内層回基板の回路上に、[4]に記載のプリプレグ、及び/または[6]に記載の樹脂シートを内層回路基板に積層してなるプリント配線板[9][7]、または[8]に記載のプリント配線板に半導体素子を搭載してなることを特徴とする半導体装置。本発明のプリント配線板用エポキシ樹脂組成物は、絶縁層を形成した際に、絶縁層表面に微細な粗化形状を有し、かつ、十分なめっきピール強度を有する。以下、本発明のプリント配線板用エポキシ樹脂組成物、樹脂シート、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線板、及び半導体装置について説明する。プリント配線板用エポキシ樹脂組成物まず、プリント配線板用エポキシ樹脂組成物について説明する。本発明のプリント配線板用エポキシ樹脂組成物以下、単にエポキシ樹脂組成物という場合がある。は、Aエポキシ樹脂、Bポリビニルアセタール樹脂、C平均粒径5~120nmの微粒子を必須成分とする。これにより、熱膨張係数が小さく耐熱性の高い樹脂組成物とすることができ、かつ、絶縁層を形成した際に、絶縁層表面に微細な粗化形状を形成することができ、かつ、導体回路と絶縁層との高い密着性めっきピール強度を得ることができる。前記Aエポキシ樹脂は、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂4,4’-シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールP型エポキシ樹脂4,4’-1,4-フェニレンジイソプリジエンビスフェノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂4,4’-1,3-フェニレンジイソプリジエンビスフェノール型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタンノボラック型エポキシ樹脂、1,1,2,2-テトラフェノールエタンのグリシジルエーテル類、3官能、又は4官能のグリシジルアミン類、テトラメチルビフェニル型エポキシ樹脂等のアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格変性エポキシ樹脂、メトキシナフタレン変性クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、メトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂等のナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、上記エポキシ樹脂をハロゲン化した難燃化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する2種類以上を併用することもでき、1種類又は2種類以上と、それらのプレポリマーを併用することもできる。これらのエポキシ樹脂の中でも特に、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格変性エポキシ樹脂、及びクレゾールノボラック型エポキシ樹脂よりなる群から選ばれる少なくとも1種が好ましい。これにより、耐熱性及び難燃性が向上する。前記Aエポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、エポキシ樹脂組成物全体の固形分基準で5~50重量とすることが好ましい。含有量が前記下限値未満であると、エポキシ樹脂の硬化性が低下したり、当該エポキシ樹脂組成物より得られるプリプレグ、又はプリント配線板の耐湿性が低下したりする場合がある。また、前記上限値を超えると、プリプレグ又はプリント配線板の線熱膨張率が大きくなったり、耐熱性が低下したりする場合がある。前記Aエポキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量4.0×102~1.8×104が好ましい。重量平均分子量が前記下限未満であると、ガラス転移温度が低下し、前記上限値を超えると流動性が低下し、基材に樹脂組成物を含浸できない場合がある。重量平均分子量を前記範囲内とすることにより、基材に対する樹脂組成物の含浸性に優れるものとすることができる。前記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、例えば、ゲル浸透クロマトグラフィーGPCで測定し、ポリスチレン換算の重量分子量として特定することができる。前記Bポリビニルアセタール樹脂は、レーザ加工後の樹脂残渣を除去するデスミア工程において、絶縁樹脂層表面に均一な粗化形状を形成することができる。またBポリビニルアセタール樹脂の極性基の存在により、導体回路との高いめっき密着性を得ることができる。Bポリビニルアセタール樹脂は、例えば、ポリビニルアルコールを塩酸や硫酸のような酸触媒の存在下でアルデヒドと反応させて、ポリビニルアルコールの水酸基の一部又は全部をアセタール化して合成することができる。前記Bポリビニルアセタール樹脂は、特に限定されないが、Bポリビニルアセタール樹脂中に、水酸基が15~30mol含むことが好ましい。水酸基が前記範囲よりも小さいと十分な粗化が行われずにめっき密着性が低下する場合があり、前記範囲より大きいとデスミアで過疎化されることによりめっき不具合が生じることがある。ポリビニルアセタール樹脂として、例えば、積水化学工業社製エスレックBL-5,BL-10,BL-S,BM-S,BH-A,BH-S,KS-10,KS-1,KS-3,KS-5や、電気化学工業社製デンカブチラール3000-1、5000-A、6000-Cなどが挙げられるが、これに限定されるものではない。前記C平均粒径5~120nmの微粒子は、Bポリビニルアセタール樹脂との相乗効果により、絶縁層表面に従来よりも微細できめ細かな粗化形状を形成することができる。また、プリント配線板用エポキシ樹脂組成物に他の充填材を併用した場合は、従来に比べ、より多量の無機充填材をガラス繊維基材中に均一に含浸させることができるので、プリプレグ、または金属張積層板の熱膨張係数を小さくすることができる。前記C平均粒径5~120nmの微粒子は、特に限定されないが、例えば、タルク、焼成タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカ等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウムニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等を挙げることができる。これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、2種類以上を併用したりすることもできる。この中でもシリカ、酸化チタン、硫酸バリウム等が、比較的球状で入手しやすく、また金属張積層板の線熱膨張率を下げる点で好ましい。また、分散性の観点から、シリカであることが更に好ましい。前記前記C平均粒径5~120nmの微粒子の形状は、球状であることが好ましい。これにより、含浸性を向上させることができる。球状にする方法は特に限定されないが、例えば、シリカの場合は、燃焼法などの乾式の溶融シリカや沈降法やゲル法などの湿式のゾルゲルシリカなどにより球状にすることができる。前記C平均粒径5~120nmの微粒子の配合量は、特に限定されないが、プリント配線板用エポキシ樹脂組成物中に1~30重量部が好ましい。前記範囲であれば、微細でキメ細かな粗化形状を形成することができる。また、他の無機充填材を含む場合は、他の無機充填材の総体積を100体積部とした場合、その100体積部に対して1~40体積部であることが好ましい。さらに、5~25体積部が特に好ましい。これにより無機充填材の分散性と繊維基材への含浸性、および低熱膨張性に優れる。本発明のエポキシ樹脂組成物は、さらにシアネート樹脂を含むことが好ましい。これにより、難燃性をより向上させることができる。前記シアネート樹脂は、特に限定されないが、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類やナフトール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる。また、このようにして調製された市販品を用いることもできる。前記シアネート樹脂は、特に限定されないが、例えば、2,2’-ビス4-シアナトフェニルイソプロピリデン、1,1’-ビス4-シアナトフェニルエタン、ビス4-シアナト-3,5-ジメチルフェニルメタン、1,3-ビス4-シアナトフェニル-1-1-メチルエチリデンベンゼン、ビス4-シアナトフェニルチオエーテル、ビス4-シアナトフェニルエーテル、1,1,1-トリス4-シアナトフェニルエタン、トリス4-シアナトフェニルホスファイト、ビス4-シアナトフェニルスルホン、2,2-ビス4-シアナトフェニルプロパン、1,3-、1,4-、1,6-、1,8-、2,6-又は2,7-ジシアナトナフタレン、1,3,6-トリシアナトナフタレン、4,4-ジシアナトビフェニル、及びフェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、ジシクロペンタジエン型の多価フェノール類と、ハロゲン化シアンとの反応で得られるシアネート樹脂、ナフトールアラルキル型の多価ナフトール類と、ハロゲン化シアンとの反応で得られるシアネート樹脂等が挙げられる。これらの中で、フェノールノボラック型シアネート樹脂が難燃性、及び低熱膨張性に優れ、2,2-ビス4-シアナトフェニルイソプロピリデン、及びジシクロペンタジエン型シアネート樹脂が架橋密度の制御、及び耐湿信頼性に優れている。特に、フェノールノボラック型シアネート樹脂が低熱膨張性の点から好ましい。また、更に他のシアネート樹脂を1種類あるいは2種類以上併用したりすることもでき、特に限定されない。前記シアネート樹脂は、単独で用いてもよいし、重量平均分子量の異なるシアネート樹脂を併用したり、前記シアネート樹脂とそのプレポリマーとを併用したりすることもできる。前記プレポリマーは、通常、前記シアネート樹脂を加熱反応等により、例えば3量化することで得られるものであり、プリント配線板用エポキシ樹脂組成物の成形性、流動性を調整するために好ましく使用されるものである。前記プレポリマーは、特に限定されないが、例えば、3量化率が20~50重量のプレポリマーを用いた場合、良好な成形性、流動性を発現できる。前記シアネート樹脂の含有量は、特に限定されないが、プリント配線板用エポキシ樹脂組成物全体の固形分基準で5~60重量であることが好ましく、より好ましくは10~50重量であり、特に好ましくは10~40重量である。含有量が前記範囲内であると、シアネート樹脂は、効果的に耐熱性、及び難燃性を発現させることができる。シアネート樹脂の含有量が前記下限未満であると熱膨張性が大きくなり、耐熱性が低下する場合があり、前記上限値を超えるとプリント配線板用エポキシ樹脂組成物を用いて作製したプリプレグの強度が低下する場合がある。また、本発明のプリント配線板用エポキシ樹脂組成物は、特に限定されないが、マレイミド樹脂を含むことが好ましい。これにより、耐熱性を向上させることができる。前記マレイミド樹脂としては、特に限定されないが、N,N’-4,4’-ジフェニルメタンビスマレイミド、ビス3-エチル-5-メチル-4-マレイミドフェニルメタン、2,2-ビス[4-4-マレイミドフェノキシフェニル]プロパン等のビスマレイミド樹脂が挙げられる。また、更に他のマレイミド樹脂を1種類あるいは2種類以上併用したりすることもでき、特に限定されない。前記マレイミド樹脂は、単独で用いてもよいし、重量平均分子量の異なるマレイミド樹脂を併用したり、前記マレイミド樹脂とそのプレポリマーとを併用したりすることもできる。前記マレイミド樹脂の含有量は、特に限定されないが、プリント配線板用エポキシ樹脂組成物の固形分基準で1~30重量であることが好ましく、より好ましくは5~25重量であり、さらに好ましくは5~20重量である。さらに、本発明のエポキシ樹脂組成物は、ポリイミド樹脂、トリアジン樹脂、フェノール樹脂、及びメラミン樹脂よりなる群から選ばれる少なくとも1種を含んでいてもよい。本発明のプリント配線板用エポキシ樹脂組成物は、フェノール系硬化剤を使用することができる。フェノール系硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、アルキルフェノールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、ザイロック型フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ポリビニルフェノール類等公知慣用のものを単独あるいは2種類以上組み合わせて使用することができる。前記フェノール系硬化剤の含有量は、特に限定されないが、Aエポキシ樹脂との当量比フェノール性水酸基当量/エポキシ基当量が1.0未満、0.1以上が好ましい。これにより、未反応のフェノール系硬化剤の残留がなくなり、吸湿耐熱性が向上する。更に、厳しい吸湿耐熱性を必要とする場合は、0.2~0.5の範囲が特に好ましい。また、フェノール樹脂は、硬化剤として作用するだけでなく、シアネート基とエポキシ基との硬化を促進することができる。本発明のプリント配線板用エポキシ樹脂組成物は、必要に応じて、上記成分以外の添加物を、特性を損なわない範囲で添加することができる。上記成分以外の成分は、例えば、エポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、シリコーンオイル型カップリング剤等のカップリング剤、イミダゾール類、トリフェニルホスフィン、及び4級ホスホニウム塩等の硬化促進剤、アクリル系重合物等の表面調整剤、染料及び顔料等の着色剤等を挙げることができる。本発明のプリント配線板用エポキシ樹脂組成物は、プリプレグの調製の際に、溶媒に溶解させてワニスとして用いられる。前記ワニスの調製方法は、特に限定されないが、例えば、前記C平均粒径5~120nmの微粒子を溶媒に分散したスラリーを調製し、当該スラリーにその他のプリント配線板用エポキシ樹脂組成物の成分を添加し、さらに前記溶媒を加えて溶解混合させる方法等が挙げられる。C平均粒径5~120nmの微粒子は、凝集し易く、樹脂組成物に配合する際に2次凝集等を形成してしまうことが多いが、予めスラリー状のものを用いることで、このような2次凝集を防止することができ、分散性が向上される。前記溶媒としては、特に限定されないが、前記プリント配線板用エポキシ樹脂組成物に対して良好な溶解性を示す溶媒が好ましく、例えば、シアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系等が挙げられる。尚、悪影響を及ぼさない範囲で貧溶媒を使用しても構わない。前記ワニスが含むエポキシ樹脂組成物の固形分は、特に限定されないが、10~70重量が好ましく、特に20~55重量が好ましい。これにより、プリント配線板用エポキシ樹脂組成物の基材への含浸性を向上できる。プリプレグ次に、プリプレグについて説明する。本発明のプリプレグは、前記プリント配線板用エポキシ樹脂組成物を基材に含浸し、加熱乾燥してなるものである。前記基材としては、特に限定されないが、例えば、ガラス織布、ガラス不織布、ガラスペーパー等のガラス繊維基材、紙、アラミド、ポリエステル、芳香族ポリエステル、フッ素樹脂等の合成繊維等からなる織布や不織布、金属繊維、カーボン繊維、鉱物繊維等からなる織布、不織布、マット類等が挙げられる。これらの基材は単独又は混合して使用してもよい。これらの中でもガラス繊維基材が好ましい。これにより、プリプレグの剛性、寸法安定性を向上することができる。このようなガラス繊維基材を構成するガラスとしては、例えば、Eガラス、Cガラス、Aガラス、Sガラス、Dガラス、NEガラス、Tガラス、Hガラス、Qガラス等が挙げられる。これらの中でも、ガラスは、Sガラス、または、Tガラスであるのが好ましい。これにより、ガラス繊維基材の熱膨張係数を比較的小さくすることができる。これらの中でも、ドリル加工性の観点から、Eガラス、Dガラス、NEガラスが好ましい。前記エポキシ樹脂組成物を前記基材に含浸させる方法は、特に限定されないが、例えば基材をプリント配線板用エポキシ樹脂組成物のワニスに浸漬する方法、各種コーターにより塗布する方法、スプレーにより吹き付ける方法等が挙げられる。これらの中でも、基材をプリント配線板用エポキシ樹脂組成物のワニスに浸漬する方法が好ましい。これにより、基材に対するプリント配線板用エポキシ樹脂組成物の含浸性を向上することができる。尚、基材をプリント配線板用エポキシ樹脂組成物のワニスに浸漬する場合、通常の含浸塗布設備を使用することができる。図1に示すように、基材1を、含浸槽2の前記エポキシ樹脂ワニス3中に浸漬して、基材1にエポキシ樹脂ワニス3を含浸する。その際、含浸槽2が備えるディップロール4図1では3本によって基材1はエポキシ樹脂ワニス3中に浸漬される。次いで、エポキシ樹脂ワニス3を含浸した基材1を、垂直方向に引き上げて、水平方向に並設され、対向している1対のスクイズロール又は、コンマロール図1の5はスクイズロールの間を通して、基材1へのエポキシ樹脂ワニス3の塗布量を調整する。その後、エポキシ樹脂ワニス3が塗布された基材1を、乾燥機6で所定の温度で加熱して、塗布されたワニス中の溶剤を揮発させると共にエポキシ樹脂組成物を半硬化させてプリプレグ7を製造する。なお、図1中の上部ロール8はプリプレグ7を進行方向に移動させるために、プリプレグ7の進行方向と同方向に回転している。また、前記エポキシ樹脂ワニスの溶剤を乾燥させる条件は、温度90~180°C、時間1~10分で乾燥させることにより半硬化のプリプレグ7を得ることができる。金属張積層板次に、金属張積層板について説明する。本発明の金属張積層板は、基材に上記のプリント配線板用エポキシ樹脂組成物を含浸してなる樹脂含浸基材層の少なくとも片面に金属箔を有するものである。本発明の金属張積層板は、例えば、上記のプリプレグ又は当該プリプレグを2枚以上重ね合わせた積層体の少なくとも片面に金属箔を張り付けることで製造できる。プリプレグ1枚のときは、その上下両面もしくは片面に金属箔を重ねる。また、プリプレグを2枚以上積層することもできる。プリプレグ2枚以上積層するときは、積層したプリプレグの最も外側の上下両面もしくは片面に金属箔あるいはフィルムを重ねる。次に、プリプレグと金属箔とを重ねたものを加熱加圧成形することで金属張積層板を得ることができる。前記加熱する温度は、特に限定されないが、120~250°Cが好ましく、特に150~220°Cが好ましい。前記加圧する圧力は、特に限定されないが、0.1~5MPaが好ましく、特に0.5~3MPaが好ましい。また、必要に応じて高温槽等で150~300°Cの温度で後硬化を行っても構わない。また、本発明の金属張積層板を製造する別の方法として、図2に示す絶縁樹脂層付き金属箔を用いた金属張積層板の製造方法が挙げられる。まず、金属箔11に均一な絶縁樹脂層12をコーターで塗工した絶縁樹脂層付き金属箔10を準備し、ガラス繊維等の基材20の両側に、絶縁樹脂層付き金属箔10、10を絶縁樹脂層を内側にして配し図2a、真空中で加熱60~130°C、加圧0.1~5MPaでラミネート含浸させる方法により、金属箔付きプリプレグ41を得る図2b。次いで、金属箔付きプリプレグ41を直接加熱加圧成形することで、金属張積層板51を得ることができる図2c。さらに、本発明の金属張積層板を製造する別の方法として、図3に示す絶縁樹脂層付き高分子フィルムシートを用いた金属張積層板の製造方法も挙げられる。まず、高分子フィルムシート31に、均一な絶縁樹脂層32をコーターで塗工した絶縁樹脂層付き高分子フィルムシート30を準備し、基材2の両側に絶縁樹脂層付き高分子フィルムシート30、30を絶縁樹脂層を内側にして配し図3a、真空中で加熱60~130°C、加圧0.1~5MPaでラミネート含浸させる方法により、高分子フィルムシート付きプリプレグ42を得ることができる図3b。次いで、高分子フィルムシート付きプリプレグ42の少なくとも片面の高分子フィルムシート31を剥離後図2c、高分子フィルムシート31を剥離した面に金属箔11を配し図3d、加熱加圧成形することで金属張積層板52を得ることができる図3e。さらに、両面の高分子フィルムシートを剥離する場合は、前述のプリプレグ同様に、2枚以上積層することもできる。プリプレグを2枚以上積層するときは、積層したプリプレグの最も外側の上下両面もしくは片面に金属箔または高分子フィルムシートを配し、加熱加圧成形することで金属張積層板を得ることができる。この様な製造方法で得られた金属張積層板は、厚み精度が高く、厚みが均一であり、更には表面平滑性に優れる。また成形歪の小さい金属張積層板を得ることができるため、当該製造方法により得られた金属張積層板を用い作製したプリント配線板、および半導体装置は、反りが小さく、反りばらつきも小さい。さらにプリント配線板、および半導体装置を、歩留り良く製造することができる。前記加熱加圧成形する条件としては、温度は、特に限定されないが、120~250°Cが好ましく、特に150~220°Cが好ましい。前記加圧する圧力は、特に限定されないが、0.1~5MPaが好ましく、特に0.5~3MPaが好ましい。さらに必要に応じて高温槽等で150~300°Cの温度で後硬化を行ってもかまわない。図2~3等の金属張積層板は、特に限定されないが、例えば、絶縁樹脂層付き金属箔を製造する装置及び金属張積層板を製造する装置を用いて製造される。前記絶縁樹脂層付き金属箔を製造する装置において、金属箔は、例えば長尺のシート品を巻物形態にしたもの等を用い、これにより連続的に巻き出すことにより供給することができる。液状の絶縁樹脂は、絶縁樹脂の供給装置により、所定量が連続的に金属箔上に供給される。ここで液状の絶縁樹脂として、本発明の樹脂組成物を溶剤に溶解、分散させた塗布液が用いられる。絶縁樹脂の塗工量は、コンマロールと、当該コンマロールのバックアップロールとのクリアランスにより制御することができる。所定量の絶縁樹脂が塗工された金属箔は、横搬送型の熱風乾燥装置の内部を移送し、液状の絶縁樹脂中に含有される有機溶剤等を実質的に乾燥除去し、必要に応じて、硬化反応を途中まで進めた絶縁樹脂層付き金属箔とすることができる。絶縁樹脂層付き金属箔は、そのまま巻き取ることもできるがラミネートロールにより、絶縁樹脂層が形成された側に保護フィルムを重ね合わせ、当該保護フィルムがラミネートされた絶縁樹脂層付き金属箔を巻き取って、巻物形態の絶縁樹脂層付き金属箔を得ている。図2~3等の製造方法を用いると、図1に示すワニスを含浸させる製造方法より、均一な樹脂量の制御、および面内厚み精度に優れるため、半導体素子を搭載した半導体装置の反りばらつきが小さく、歩留まりが向上する。また、この様な製造方法により金属張積層板を得た場合、溶剤中に溶解、分散させたワニスではなく、樹脂組成物を直接繊維基材への含浸性を考慮する必要がある。無機充填材は、C平均粒径5~120nmの微粒子を用いることで、特に繊維基材への含浸性が向上するため、加熱加圧成形時に、金属張積層板内における樹脂組成物のフローを抑え、溶融樹脂の不均一な移動が抑制されるため、金属張積層板表面のスジ状のムラを防止し、且つ均一な厚みとすることができる。樹脂シート次に、本発明の樹脂シートについて説明する。本発明の樹脂シートは、前記プリント配線板用エポキシ樹脂組成物からなる絶縁層を金属箔上、またはフィルム上に形成してなるものである。ここで、プリント配線板用エポキシ樹脂組成物からなる絶縁層を金属箔、またはフィルム上に形成する方法としては特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂組成物を溶剤などに溶解分散させて樹脂ワニスを調製して、各種塗工装置を用いて樹脂ワニスを基材に塗工した後、これを乾燥する方法、樹脂ワニスをスプレー装置にて基材に噴霧塗工した後、これを乾燥する方法などが挙げられる。本発明の樹脂シートに用いるフィルムは、特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂などの耐熱性を有した熱可塑性樹脂フィルムなどを用いることができる。本発明の樹脂シートに用いる金属箔は、特に限定されないが、例えば、銅及び/又は銅系合金、アルミ及び/又はアルミ系合金、鉄及び/又は鉄系合金、銀及び/又は銀系合金、金及び金系合金、亜鉛及び亜鉛系合金、ニッケル及びニッケル系合金、錫及び錫系合金等の金属箔などを用いることができる。なお、本発明の樹脂シートを製造するにあたっては、絶縁層を積層する金属箔表面の凹凸は、表面粗さRzが2μm以下であることが好ましい。表面粗さRzが、2μm以下の金属箔表面上に、本発明の樹脂組成物からなる絶縁層を形成することにより、表面粗さが小さく、かつ、密着性めっきピール強度に優れるものとすることができる。尚、金属の表面粗さRzは、10点測定を行い、その平均値とした。表面粗さは、JISB0601に基づいて測定した。プリント配線板次に、本発明のプリント配線板について説明する。本発明のプリント配線板は、上記の金属張積層板を内層回路基板に用いてなる。また、本発明のプリント配線板は、内層回路上に、上記のプリプレグ、または樹脂シートを絶縁層に用いてなる。また、本発明のプリント配線板は、内層回路上に、上記のエポキシ樹脂組成物を絶縁層に用いてなる。本発明においてプリント配線板とは、絶縁層の上に金属箔等の導電体で回路を形成したものであり、片面プリント配線板一層板、両面プリント配線板二層板、及び多層プリント配線板多層板のいずれであってもよい。多層プリント配線板とは、メッキスルーホール法やビルドアップ法等により3層以上に重ねたプリント配線板であり、内層回路基板に絶縁層を重ね合わせて加熱加圧成形することによって得ることができる。前記内層回路基板としては、例えば、本発明の金属張積層板の金属層に、エッチング等により所定の導体回路を形成し、導体回路部分を黒化処理したものを好適に用いることができる。前記絶縁層としては、本発明のプリプレグ、又は本発明のプリント配線板用エポキシ樹脂組成物からなる樹脂シートを用いることができる。尚、前記絶縁層として、前記プリプレグ又は前記プリント配線板用エポキシ樹脂組成物からなる樹脂シートを用いる場合は、前記内層回路基板は本発明の金属張積層板からなるものでなくてもよい。以下、本発明のプリント配線板の代表例として、まず本発明の金属張積層板を内層回路基板として用い、本発明のプリプレグを絶縁層として用いる場合の多層プリント配線板について説明する。前記金属張積層板の片面又は両面に回路形成し、内層回路基板を作製する。場合によっては、ドリル加工、レーザー加工によりスルーホールを形成し、メッキ等で両面の電気的接続をとることもできる。この内層回路基板に前記プリプレグを重ね合わせて加熱加圧形成することで絶縁層を形成する。同様にして、エッチング等で形成した導体回路層と絶縁層とを交互に繰り返し形成することにより、多層プリント配線板を得ることができる。具体的には、前記内層回路基板の両側にプリプレグを重ね、さらに両側に銅箔を重ねて、真空プレス装置などを用いて加熱加圧成形し、絶縁層を加熱硬化させる。ここで加熱加圧成形する条件としては、特に限定されないが、一例を挙げると、温度120°C~240°C、圧力0.5~5MPa,時間30~180分間で実施することができる。尚、次工程においてレーザーを照射し、絶縁層に開口部を形成するが、その前に銅箔をエッチングなどにより剥離する必要がある。次に、絶縁層にレーザーを照射して、開孔部を形成する。前記レーザーは、エキシマレーザー、UVレーザー及び炭酸ガスレーザー等が使用できる。レーザー照射後の樹脂残渣等スミアは過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤等により除去する処理、すなわちデスミア処理を行うことが好ましい。デスミア処理が不十分で、デスミア耐性が十分に確保されていないと、開孔部に金属メッキ処理を行っても、スミアが原因で上層金属配線と下層金属配線との通電性が十分に確保されなくなるおそれがある。また、平滑な絶縁層の表面を同時に粗化することができ、続く金属メッキにより形成する導電配線回路の密着性を上げることができる。次に、外層回路を形成する。外層回路の形成方法は、金属メッキにより絶縁樹脂層間の接続を図り、エッチングにより外層回路パターン形成を行う。さらに絶縁層を積層し、前記同様回路形成を行っても良いが、多層プリント配線板では、回路形成後、最外層にソルダーレジストを形成する。ソルダーレジストの形成方法は、特に限定されないが、例えば、ドライフィルムタイプのソルダーレジストを積層ラミネートし、露光、及び現像により形成する方法、又は液状レジストを印刷したものを露光、及び現像により形成する方法によりなされる。尚、得られた多層プリント配線板を半導体装置に用いる場合、半導体素子を実装するため接続用電極部を設ける。接続用電極部は、金メッキ、ニッケルメッキ及び半田メッキ等の金属皮膜で適宜被覆することができる。前記金メッキの代表的な方法の1つとして、ニッケル-パラジウム-金無電解メッキ法がある。この方法では、接続用電極部に、クリーナー等の適宜の方法により前処理を行った後、パラジウム触媒を付与し、その後さらに、無電解ニッケルメッキ処理、無電解パラジウムメッキ処理、及び無電解金メッキ処理を順次行う。ENEPIG法は、前記ニッケル-パラジウム-金無電解メッキ法の無電解金メッキ処理段階において、置換金メッキ処理を行う方法である。下地メッキとしての無電解ニッケルメッキ皮膜と、無電解金メッキ皮膜との間に無電解パラジウムメッキ皮膜を設けることによって、接続用電極部における導体材料の拡散防止性、耐食性が向上する。下地ニッケルメッキ皮膜の拡散防止を図ることができるので、Au-Au接合の信頼性が向上し、また金によるニッケル酸化を防止することができるので、熱負荷の大きい鉛フリー半田接合の信頼性も向上する。ENEPIG法では、通常、無電解パラジウムメッキ処理を行う前に表面処理を行って、メッキ工程での導通不良の発生を防ぐ必要があり、導通不良が甚だしい場合には隣接する端子間でショートを起こす原因となる。一方、本発明のプリント配線板は、表面処理を行わなくても上記のような導通不良がなく、簡単にメッキ処理を行うことができる。次に、本発明のプリント配線板の代表例として、本発明の樹脂シートを絶縁層として用いる場合のプリント配線板について説明する。前記本発明の樹脂シートを、内層回路基板とを合わせて、真空加圧式ラミネーター装置などを用いて真空加熱加圧成形させ、その後、熱風乾燥装置等で加熱硬化させることにより得ることができる。ここで加熱加圧成形する条件は、特に限定されないが、一例を挙げると、温度60~160°C、圧力0.2~3MPaで実施することができる。また、加熱硬化させる条件も特に限定されないが、一例を挙げると、温度140~240°C、時間30~120分間で実施することができる。また、他の製造方法としては、前記本発明の樹脂シートを内層回路基板に重ね合わせ、平板プレス装置などを用いて加熱加圧成形することにより得ることができる。ここで加熱加圧成形する条件としては特に限定されないが、一例を挙げると、温度140~240°C、圧力1~4MPaで実施することができる。前記内層回路基板は、特に限定されないが、例えば、ドリル等によりスルーホールを形成し、メッキにより前記スルーホールを充填した後、金属張積層板の両面に、エッチング等により所定の導体回路内層回路を形成し、導体回路を黒化処理等の粗化処理することにより内層回路基板を作製する。前記金属張積層板は、本発明の金属張積層板を用いることが好ましい。前記で得られた基板に、さらに、金属箔またはフィルムを剥離除去して、絶縁層表面を過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤などにより粗化処理した後、金属メッキにより新たな導電配線回路を形成する。本発明の樹脂組成物から形成された絶縁層は、前記粗化処理工程において、微細な凹凸形状を高い均一性で多数形成することができ、また、絶縁層表面の平滑性が高いため、微細な配線回路を精度よく形成することができるものである。その後、前記絶縁層を加熱することにより硬化させる。硬化させる温度は、特に限定されないが、例えば、100°C~250°Cの範囲で硬化させることができる。好ましくは150°C~200°Cで硬化させることである。次に、絶縁層に、炭酸レーザー装置を用いて開口部を設け、電解銅めっきにより絶縁層表面に外層回路形成を行い、外層回路と内層回路との導通を図る。なお、外層回路には、半導体素子を実装するための接続用電極部を設ける。最後に、最外層にソルダーレジストを形成し、露光現像により半導体素子が実装できるよう接続用電極部を露出させ、ニッケル金メッキ処理を施し、所定の大きさに切断し、多層プリント配線板を得ることができる。半導体装置次に、本発明の半導体装置について説明する。前記で得られたプリント配線板に半田バンプを有する半導体素子を実装し、半田バンブを介して、前記プリント配線板との接続を図る。そして、プリント配線板と半導体素子との間には液状封止樹脂を充填し、半導体装置を形成する。半田バンプは、錫、鉛、銀、銅、ビスマス等からなる合金で構成されることが好ましい。半導体素子とプリント配線板との接続方法は、フリップチップボンダー等を用いて、基板上の接続用電極部と半導体素子の半田バンプとの位置合わせを行ったあと、IRリフロー装置、熱板、その他加熱装置を用いて半田バンプを融点以上に加熱し、プリント配線板と半田バンプとを溶融接合することにより接続する。尚、接続信頼性を良くするため、予めプリント配線板上の接続用電極部に半田ペースト等、比較的融点の低い金属の層を形成しておいてもよい。この接合工程に先んじて、半田バンプ及び/又はプリント配線板上の接続用電極部の表層にフラックスを塗布することで接続信頼性を向上させることもできる。以下、本発明の内容を実施例により詳細に説明するが、本発明は、その要旨を越えない限り以下の例に限定されるものではない。実施例、比較例及び参考例において用いた原材料は以下の通りである。1エポキシ樹脂A:ナフタレン変性クレゾールノボラック型エポキシ樹脂DIC社製EPICLONHP-50002エポキシ樹脂B:ビフェニルアラルキル型ノボラックエポキシ樹脂日本化薬社製NC-30003シアネート樹脂:ノボラック型シアネート樹脂ロンザジャパン社製プリマセットPT-304ビスマレイミド化合物:ケイアイ化成工業社製BMI-705フェノキシ樹脂:ビスフェノールA型およびF型フェノキシ樹脂三菱化学社製jER-42756ポリビニルアセタール樹脂I:積水化学社製KS-10水酸基25mol7ポリビニルアセタール樹脂II:積水化学社製BX-L水酸基37mol8硬化剤:4,4-ジアミノジフェニルメタン9硬化触媒:1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール四国化成社製1B2PZ10平均粒径5~120nmの微粒子:球状シリカトクヤマ社製NSS-5N,平均粒径75nm11無機充填材:球状シリカアドマテックス社製SO25R,平均粒径0.5μm12無機充填材:水酸化アルミニウム昭和電工社製HP36013カップリング剤:エポキシシランカップリング剤信越化学工業社製KBM403実施例11樹脂ワニス1の調製Aエポキシ樹脂としてメトキシナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂DIC社製、EPICLONHP-500035重量部、Bポリビニルアセタール樹脂積水化学社製、エスレックKS-10;水酸基25mol13重量部、Dシアネート樹脂としてフェノールノボラック型シアネート樹脂LONZA社製、PrimasetPT-3035重量部、硬化触媒としてイミダゾール四国化成社製、キュアゾール1B2PZ1重量部をジメチルアセトアミド溶媒で30分攪拌し、溶解させた。さらに、カップリング剤としてエポキシシランカップリング剤信越化学工業社製KBM4031重量部とC無機充填材として球状溶融シリカトクヤマ社製、NSS-5N、平均粒径75nm15重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて10分攪拌し、固形分35の樹脂ワニスを調製した。2樹脂シートの作製前記ワニスを厚さ36μmのPETポリエチレンテレフタレートフィルムの片面に、コンマコーター装置を用いて乾燥後の厚さが40μmとなるように塗工し、これを160°Cの乾燥装置で3分間乾燥し、樹脂シートを形成した。3プリプレグの作製前記ワニスをガラス織布厚さ87μm、日東紡績製Eガラス織布、WEA-116Eに含浸し、180°Cの加熱炉で2分間乾燥して、プリプレグ中のエポキシ樹脂組成物が固形分基準で約50重量のプリプレグを得た。4金属張積層板の作製前記プリプレグを4枚重ね、その両面に12μmの銅箔三井金属鉱業社製、3EC-VLP箔を重ねて、圧力3MPa、温度220°Cで2時間加熱加圧成形し、両面に銅箔を有する金属張積層板を得た。5プリント配線板の製造両面に銅箔を有する前記金属張積層板を、ドリル機で開孔し、スルーホールを形成後、無電解メッキで上下銅箔間の導通を図り、両面の銅箔をエッチングすることにより内層回路を両面に形成した。次に、内層回路に過酸化水素水と硫酸を主成分とする薬液旭電化工業株製、テックSO-Gをスプレー吹き付けすることにより、粗化処理による凹凸形成を行った。内層回路基板の表裏に、前記で得られた樹脂シートの絶縁層面を内側にして重ね合わせ、これを、真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度100°C、圧力1MPaで真空加熱加圧成形し、その後、熱風乾燥装置にて170°Cで60分間加熱硬化を行い、多層プリント配線板を製造した。前記で得られた多層プリント配線板から基材を剥離し、炭酸レーザー装置を用いてφ60μmの開口部ブラインドビアホールを形成した。その後、樹脂残渣スミアを除去するため、80°Cの膨潤液アトテックジャパン株式会社製、スウェリングディップセキュリガントPに10分間浸漬し、さらに80°Cの過マンガン酸カリウム水溶液アトテックジャパン株式会社製、コンセントレートコンパクトCPに20分浸漬後、中和して粗化処理を行った。これを脱脂、触媒付与、活性化の工程を経た後、無電解銅メッキ皮膜を約1μmの給電層を形成した。この給電層表面に、厚さ25μmの紫外線感光性ドライフィルム旭化成社製、AQ-2558をホットロールラミネーターにより貼り合わせ、最小線幅/線間が20/20μmのパターンが描画されたクロム蒸着マスクトウワプロセス社製を使用して、位置を合わせ、露光装置ウシオ電機社製UX-1100SM-AJN01にて露光、炭酸ソーダ水溶液にて現像し、めっきレジストを形成した。次に、給電層を電極として電解銅めっき奥野製薬社製81-HLを3A/dm2、30分間行って、厚さ約25μmの銅配線を形成した。ここで2段階剥離機を用いて、前記めっきレジストを剥離した。各薬液は、1段階目のアルカリ水溶液層にはモノエタノールアミン溶液三菱ガス化学社製R-100、2段階目の酸化性樹脂エッチング剤には過マンガン酸カリウムと水酸化ナトリウムを主成分とする水溶液日本マクダーミッド社製、マキュダイザー9275、9276、中和には酸性アミン水溶液日本マクダーミッド社製マキュダイザー9279をそれぞれ用いた。そして、給電層を過硫酸アンモニウム水溶液メルテックス株製、AD-485に浸漬処理することで、エッチング除去し、配線間の絶縁を確保した。次に、絶縁層を温度200°C、時間60分で最終硬化させ、最後に回路表面にソルダーレジスト太陽インキ社製、PSR4000/AUS308を形成し、プリント配線板を得た。6半導体装置の製造半導体装置は、前記前記半導体装置用のプリント配線板上に半田バンプを有する半導体素子TEGチップ、サイズ15mm×15mm、厚み0.8mmを、フリップチップボンダー装置により、加熱圧着により搭載し、次に、IRリフロー炉で半田バンプを溶融接合した後、液状封止樹脂住友ベークライト社製、CRP-4152Sを充填し、液状封止樹脂を硬化させることで得た。尚、液状封止樹脂は、温度150°C、120分の条件で硬化させた。尚、前記半導体素子の半田バンプは、Sn/Pb組成の共晶で形成されたものを用いた。実施例2~4、比較例1~2表1に示した配合量で実施例1と同様に樹脂ワニス、樹脂シート、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線板、半導体装置を得た。実施例、および比較例を用い得られた結果を表1に示す。なお上記評価項目の内容を以下に示すとおりである。1熱膨張係数熱膨張係数は、TMA熱機械的分析装置TAインスツルメント社製、Q400を用いて行った。上記金属張積層板の金属箔部をエッチング後、裁断し、4mm×20mmの試験片を作製した。測定は、温度範囲30~300°C、10°C/分、荷重5gの条件で2サイクル目の50~100°Cにおける線膨張係数CTEを測定した。各符号は下記の通りである。◎:15ppm/°C未満○:15ppm/°C以上20ppm/°C未満×:20ppm/°C以上表面粗さ実施例および比較例のプリント配線板製造において、レーザ加工後に樹脂残渣スミア除去を行った後の積層体を準備し、樹脂表面を、レーザー顕微鏡KEYENCE社製、VK-8510、条件;PITCH0.02μm、RUNmodeカラー超深度にて表面粗さRaを測定した。Raは、10点測定し、10点の平均値とした。各符号は下記の通りである。◎:Ra0.6μm未満○:Ra0.6μm以上0.9μm未満×:Ra0.9μm以上めっきピール強度実施例および比較例のプリント配線板製造において、回路形成するために、めっき銅を形成した後、そのメッキ銅の引き剥がし強度をJISC6481に基づいて測定した。各符号は下記の通りである。◎:ピール強度0.6kN/m以上○:ピール強度0.4kN/m以上0.6kN/m未満×:ピール強度0.4kN/m未満4熱衝撃試験前記で得られた半導体装置をフロリナート中で-55°C30分、125°C30分を1サイクルとして、1000サイクル処理し、基板又は半導体素子等にクラックが発生していないか確認した。尚、各符号は以下のとおりである。◎:1000サイクル以上で異常なしの場合○:500サイクル以上1000サイクル未満でクラック等の異常が発生した場合△:300サイクル以上、500サイクル未満にクラック等の異常が発生した場合×:300サイクル未満で等の異常が発生した場合表1に記載されている評価結果からわかるように、実施例1~3では各評価項目において良好な結果が得られた。めっきピール強度についても、実施例は、いずれも高い値が得ら、また実施例は、いずれも表面粗さが小さいことから、細線の導体回路加工に必要な低粗度高密着な材料となっている。また材料の低い熱膨張係数が得られた。比較例1はポリビニルアセタール樹脂を用いない例であるが、めっきピールが低い結果となった。比較例2はシリカの粒径が大きい例であるが、粗化処理後の表面粗さが大きくなる結果となった。以下に、本発明の樹脂組成物を用いた作製した樹脂付き銅箔の参考例を示す。参考例11樹脂付き銅箔の作製実施例1で用いたワニスを厚さ3μm、キャリア箔18μmの銅箔日本電解社製YSNAP-3PFに、コンマコーター装置を用いて乾燥後の厚さが5μmとなるように塗工し、これを160°Cの乾燥装置で3分間乾燥し、樹脂付き銅箔を形成した。2金属張積層板の作製プリプレグとして厚さ100μmのEI-6785TS-F住友ベークライト社製を4枚重ね、その両面に前記樹脂付き銅箔を重ねて、圧力3MPa、温度220°Cで2時間加熱加圧成形し、両面に銅箔を有する金属張積層板を得た。3プリント配線板の作製前記金属張積層板および実施例1で作製した樹脂シートを用いて、実施例1と同様にプリント配線板を作製した。参考例2プリプレグとして100μm厚みのEI-6785GS住友ベークライト社製を用いた以外は参考例1と同様にワニス、プライマー付き銅箔、樹脂シート、金属張積層板、プリント配線板、半導体装置を作製した。参考例31プリプレグの作製Aエポキシ樹脂としてエポキシ樹脂B:ビフェニルアラルキル型ノボラックエポキシ樹脂日本化薬社製NC-300011重量部、ビスマレイミド化合物ケイアイ化成工業社製BMI-7020重量部、硬化剤として4,4-ジアミノジフェニルメタンを3.5重量部、無機充填材として水酸化アルミニウム昭和電工社製HP36065重量部をジメチルアセトアミドとメチルエチルケトンの混合溶媒で30分攪拌し、溶解させた。さらに、カップリング剤としてエポキシシランカップリング剤越化学工業社製KBM4030.5重量部添加して、高速攪拌装置を用いて10分攪拌し、固形分35の樹脂ワニスを調製した。次に得られた樹脂ワニスを実施例1同様にしてプリプレグを得た。2金属張積層板、プリント配線板の作製前記で得られたプリプレグを用いた以外は、参考例1と同様にして金属張積層板、およびプリント配線板を得た。参考例4銅はくとして、厚さ3μmの銅箔日本電解社製、YSNAP-3Bを用いた以外は参考例1と金属張積層板、プリント配線板を作製した。参考例5銅はくとして、厚さ3μmの銅箔日本電解社製、YSNAP-3Bを用いた以外は参考例2と同様に金属張積層板、プリント配線板、半導体装置を作製した。上記で得られた参考例1~5の金属張積層板、プリント配線板を用いて、以下の評価を行った。評価1熱膨張係数熱膨張係数は、TMA熱機械的分析装置TAインスツルメント社製、Q400を用いておこなった。前記参考例1~5で得られ金属張積層板の金属箔部をエッチング後、裁断し、4mm×20mmの試験片を作製した。測定は、温度範囲30~300°C、10°C/分、荷重5gの条件で2サイクル目の50~100°Cにおける線膨張係数CTEを測定した。各符号は下記の通りである。A:7ppm/°C未満B:7ppm/°C以上評価2耐熱性試験耐熱性試験は、前記参考例1~5で得られたプリント配線板を用い行った。前記プリント配線板を、JEDECJ-STD-020Bに準拠し、鉛フローのリフロー条件にてリフロー処理を30回行った。各符号は以下のとおりである。◎:30回実施後膨れ等の異常が無かった場合○:15回実施後膨れ等の異常が無かった場合△:3回実施後膨れ等の異常が無かった場合×:3回以内に膨れ等の異常があった場合上記参考例1~5の評価結果を表2に示す。参考例1~3は樹脂付き銅箔の樹脂に本発明の樹脂組成物を用いた例であるが、いずれも耐熱性に優れる結果が得られた。参考例4および参考例5は樹脂付き銅箔を用いず銅箔を用いる例であるが、金属張積層板の樹脂と内層銅箔との密着が低下したために耐熱試験において膨れが生じる結果となった。特に参考例4のような、導体回路である銅やソルダーレジストと比較して、熱膨張係数の低い金属張積層板を用いた場合において、樹脂付き銅箔を用いることで密着性が向上し、また加工時に発生する応力が緩和するため、大きな耐熱性向上効果が得られたと推察する。"