内部に能動回路素子を有する第1の基板と第2の基板とを、前記各基板の対向する面の間にある流動性誘電材料とともに押圧するステップであって、前記第1の基板及び前記第2の基板の各々の熱膨張係数が10ppm/°C未満であり、前記対向する面の少なくとも一方は、該面の縁から延びている複数のチャネルを有し、それにより、前記対向する面によって定められる平面間の前記誘電材料の厚みが1ミクロンを超え、前記誘電材料の少なくとも一部が前記チャネルのうちの少なくともいくつかに流れ込むこととなる、ステップを含む、第1のマイクロ電子素子と第2のマイクロ電子素子とを接合する方法。前記押圧するステップの後に、前記第1の基板と前記第2の基板とを、それらの間にある前記流動性誘電材料とともにチャンバ内に配置するステップと、前記流動性誘電材料と前記チャネルとの少なくとも一方にある空気を除去するために前記チャンバから空気を排出するステップとを更に含む請求項1に記載の接合する方法。前記押圧するステップの前に、前記第1の基板と前記第2の基板とを、前記対向する面の少なくとも一方に接触している前記流動性誘電材料とともにチャンバ内に配置するステップと、前記チャンバから空気を排出するステップとを更に含む請求項1に記載の接合する方法。前記第1の基板が、前記対向する面から離れたコンタクト支持面を有するものである、請求項1に記載の方法。前記第1の基板の前記対向する面がそれ自体のコンタクト支持面である、請求項1に記載の方法。前記第2の基板が内部に能動回路素子を有するものである、請求項1に記載の方法。前記第2の基板が、前記チャネルを有する面とは反対側を向いているコンタクト支持面を有するものである、請求項6に記載の方法。前記複数のチャネルが前記第2の基板のダイシングレーンに配置される、請求項6に記載の方法。前記押圧するステップの後に、前記複数のチャネルの少なくともいくつかが、部分的にのみ前記流動性誘電材料により満たされる、請求項1に記載の方法。前記誘電材料が接着剤を含むものである、請求項1に記載の方法。前記誘電材料が部分的に硬化した誘電材料を含むものである、請求項1に記載の方法。前記押圧するステップの後に、前記流動性誘電材料を硬化させるステップを更に含む請求項11に記載の方法。少なくともいくつかのチャネルが第1の端部及び第2の端部を有し、各々が前記第2の基板の少なくとも1つの縁において露出している、請求項1に記載の方法。前記複数のチャネルのうちの少なくとも2つが交差している、請求項13に記載の方法。前記マイクロ電子素子が複数の縁を有する矩形形状であり、少なくともいくつかのチャネルが前記複数の縁のうちの少なくともいくつかにまで延びている、請求項1に記載の方法。前記マイクロ電子素子が、少なくとも実質的に円形状のウェハであり、少なくともいくつかのチャネルが前記ウェハの縁まで延びている、請求項1に記載の方法。各平面を定める対向する面と該平面間の空間を満たす誘電材料とを有する第1のマイクロ電子素子及び第2のマイクロ電子素子であって、前記対向する面のうちの少なくとも一方は、該面の縁から延びている複数のチャネルを有し、前記誘電材料は、前記平面間の空間における厚みが1ミクロンを超え、かつ前記チャネルの全てを満たすことなく前記チャネルのうちの少なくともいくつかに存在する、第1のマイクロ電子素子及び第2のマイクロ電子素子を備えたインプロセスユニット。前記チャネルにおける前記対向する面からの深さが少なくとも5ミクロンである、請求項17に記載のインプロセスユニット。前記第1の基板が、前記対向する面から離れたコンタクト支持面を有している、請求項17に記載のインプロセスユニット。前記複数のチャネルが前記第2の基板のダイシングレーンに設けられている、請求項17に記載のインプロセスユニット。前記誘電材料が接着剤を含むものである、請求項17に記載のインプロセスユニット。前記誘電材料が部分的に硬化した誘電材料を含むものである、請求項17に記載のインプロセスユニット。少なくともいくつかのチャネルが第1の端部及び第2の端部を有し、前記チャネルの各々が前記第2の基板の少なくとも1つの縁において露出している、請求項17に記載のインプロセスユニット。前記チャネルのうちの少なくとも1つが誘電材料を含むものである、請求項17に記載のインプロセスユニット。前記複数のチャネルのうちの少なくとも2つが交差している、請求項17に記載のインプロセスユニット。前記第1のマイクロ電子素子及び前記第2のマイクロ電子素子が、複数の縁を有する矩形形状であり、少なくともいくつかのチャネルが、前記複数の縁のうちの少なくともいくつかにまで延びている、請求項17に記載のインプロセスユニット。前記マイクロ電子素子が、少なくとも実質的に円形状のウェハであり、少なくともいくつかのチャネルが前記ウェハの縁まで延びている、請求項17に記載のインプロセスユニット。これらの欠点を改善するさまざまな方法が考案されている。しかし、接合を改善することに当てられた全ての労力にも関らず、更なる改善に対する必要は満たされていない。本発明の一態様によれば、第1のマイクロ電子素子と第2のマイクロ電子素子とを接合する方法が提供される。本方法は、内部に能動回路素子を含む第1の基板と第2の基板とを合わせて押圧するステップを含む。流動性誘電材料を前記それぞれの基板の対向する面の間に設けることができる。前記第1の基板及び前記第2の基板の熱膨張係数は10ppm/°C未満とすることができる。前記対向する面のうちの少なくとも一方は、該面の縁から延びている複数のチャネルを有することができる。それにより、前記対向する面によって定められる平面間の誘電材料の厚みが1ミクロンを超えることとなる。前記誘電材料の少なくとも一部は、前記チャネルのうちの少なくともいくつかに流れ込むことができる。本発明のこの態様の別の実施の形態では、前記押圧するステップの後に、前記第1の基板及び前記第2の基板を、それらの間にある前記流動性誘電材料とともにチャンバ内に配置するステップと、前記チャンバから空気を排出するステップとを更に含む。これにより、前記流動性誘電材料又は前記チャネルのうちの少なくとも一方にある空気を除去することが可能になる。本発明のこの態様の別の実施の形態では、前記押圧するステップの前に、第1の基板及び第2の基板を、前記対向する面のうちの少なくとも一方に接触している前記流動性誘電材料とともにチャンバ内に配置することができ、前記チャンバから空気を排出することができる。本発明のこの態様の別の実施の形態では、前記第1の基板は、前記対向する面から離れているコンタクト支持面を有することができる。本発明のこの態様の別の実施の形態では、前記第1の基板の前記対向する面はそれ自体のコンタクト支持面である。本発明のこの態様の別の実施の形態では、前記第2の基板は内部に能動回路素子を有することができる。あるいは、前記第2の基板は、前記チャネルを有する面とは反対側を向いているコンタクト支持面を有することができる。前記複数のチャネルは前記第2の基板のダイシングレーンに配置することができる。本発明のこの態様の別の実施の形態では、前記押圧するステップの後に、前記複数のチャネルのうちの少なくともいくつかが、部分的にのみ前記流動性誘電材料で満たされる。本発明のこの態様の別の実施の形態では、前記誘電材料は接着剤を含むことができるか又は前記誘電材料は部分的に硬化した誘電材料を含むことができる。代替的には、前記押圧するステップの後に、前記流動性誘電材料を硬化させることができる。本発明のこの態様の別の実施の形態では、少なくともいくつかのチャネルが第1の端部及び第2の端部を有し、各々が前記第2の基板の少なくとも1つの縁において露出している。代替的には、前記複数のチャネルのうちの少なくとも2つは交差することができる。本発明のこの態様の別の実施の形態では、前記マイクロ電子素子は、複数の縁を有する矩形形状とすることができ、少なくともいくつかのチャネルは、前記複数の縁のうちの少なくともいくつかにまで延ばすことができる。本発明のこの態様の別の実施の形態では、前記マイクロ電子素子は、少なくとも実質的に円形状のウェハであり、少なくともいくつかのチャネルが前記ウェハの縁まで延びている。本発明の別の態様によれば、インプロセスユニットinprocessunitは、それぞれの平面を定める対向する面と該平面間の空間を満たす誘電材料とを有する第1のマイクロ電子素子及び第2のマイクロ電子素子を具備することができる。前記対向する面のうちの少なくとも一方は、それぞれの面の縁から延びている複数のチャネルを有することができる。前記誘電材料は、前記平面間の空間における厚みが1ミクロンを超えることができ、かつ前記チャネルの全てを満たすことなく前記チャネルのうちの少なくともいくつかに存在しうる。本発明のこの態様の別の実施の形態では、前記対向する面からの前記チャネルの深さは少なくとも5ミクロンである。本発明のこの態様の別の実施の形態では、前記第1の基板は、前記対向する面から離れたコンタクト支持面を有することができる。本発明のこの態様の別の実施の形態では、前記複数のチャネルは前記第2の基板のダイシングレーンに配置することができる。本発明のこの態様の別の実施の形態では、前記誘電材料は接着剤を含むことができる。本発明のこの態様の別の実施の形態では、前記誘電材料は部分的に硬化した誘電材料を含む。本発明のこの態様の別の実施の形態では、少なくともいくつかのチャネルが第1の端部及び第2の端部を有し、前記チャネルの各々が前記第2の基板の少なくとも1つの縁において露出することができる。本発明のこの態様の別の実施の形態では、前記チャネルのうちの少なくとも1つは誘電材料を含む。本発明のこの態様の別の実施の形態では、前記複数のチャネルのうちの少なくとも2つが交差している。本発明のこの態様の別の実施の形態では、前記第1のマイクロ電子素子及び前記第2のマイクロ電子素子が、複数の縁を有する矩形形状であり、少なくともいくつかのチャネルは、前記複数の縁のうちの少なくともいくつかにまで延びている。本発明のこの態様の別の実施の形態では、前記マイクロ電子素子は、少なくとも実質的に円形状のウェハであり、少なくともいくつかのチャネルは前記ウェハの縁まで延びている。図1は、本発明の例示的な実施形態による基板を合わせて接合する方法を示している。図1aを参照すると、基板及び接合剤102が示されている。この実施形態では、基板を、ダイシングレーン110に沿って取り付けられた複数のチップ101からなるウェハ100とすることができる。例示的には、ウェハは、限定されないもののシリコン、シリコンの合金、他のIV族半導体、III-V族半導体及びII-VI族半導体を含む、少なくとも半導体材料の層を含む多くの入手可能なタイプのウェハのうちの1つである。図1b、すなわちウェハ100の上面図に示すように、各チップ101には、半導体デバイス層に半導体デバイス領域108が設けられており、この半導体デバイス領域108は、例えばチップの半導体材料に一体的に形成された1つ以上の能動デバイス又は受動デバイスを有する。このようなデバイスの例として、限定はされないが、SAWデバイス、MEMSデバイス、VCO等のマイクロ電子デバイス又は微小電気機械デバイスと、電気光学デバイスとが挙げられる。各チップ101のデバイス領域108は、配線図示せずにより、各チップ101の能動面104のボンドパッド領域に配置されたボンドパッド106に電気的に接続されている。いくつかのタイプのチップでは、ボンドパッド108は、表面において露出しているはんだ濡れ性solderwettable領域を有している。再び図1aを参照すると、第1のウェハ100の能動面104に、接合剤102の層を設けることができる。接合剤102を、2つの基板の接合をもたらすことのできる任意のタイプの材料とすることができる。例えば、接着材料、誘電材料等を使用することができる。一実施形態では、エポキシ樹脂といった高分子材料等の接着材料を使用することができる。次に図1c及び図1dを参照すると、表面114図1dと裏面116図1dとを有する第2のウェハ112が示されている。この実施形態では、第2のウェハ112は、その上に能動デバイスがない丸いブランクウェハである。図示しているように、第2のウェハ112の表面114にチャネル118が設けられているが、チャネル118を、代替的には、第2のウェハ112の表面114と裏面116との一方又は両方に設けることができる。チャネルは、特にレーザエッチング、ウェットエッチング、サンドブラスト加工、のこ引きsawing又は機械的フライス加工等による任意の既知の方法を用いて基板に形成することができる。再び図1c及び図1dを参照すると、本実施形態として示すように、チャネル118は、第2のウェハ112の表面114上に延びている丸みを帯びた断面profileとすることができる。チャネル118はまた、第1の端部118Aと第2の端部118Bとを有することもでき、端部118A、118Bの各々は第2のウェハ112の縁120に隣接している。チャネルを、第2のウェハ112のソーレーンsawlaneに位置合せすることができ、チャネルは、ウェハの表面114からその最下点まで測定した際に少なくとも5ミクロンの深さX図1dを有することができる。チャネル118の各々を、均一に成形及び離間することができる。チャネル118は、さまざまな形状、サイズ及び/又は設計のうちの任意の1つをとることができることが理解されるべきである。例えば、チャネル118を、ウェハの1つ以上の面にわたって分散させることができ、互いに均一に離間する必要はない。第1のウェハ100及び第2のウェハ112が用意されると、それらを、図1eに示すように互いに位置合せすることができる。第2のウェハ112を、第1のウェハ100及び接合剤102の上に重なるように配置することができる。第2のウェハ112の表面114は、接合剤102の上面122及び第1のウェハ100のコンタクト支持面104と向かい合うようにすることができる。一実施形態では、第1のウェハ100及び第2のウェハ112は、熱膨張係数が10ppm/°C未満である。これは、接合剤102が硬化した後の、第1のウェハ100と第2のウェハ112との間のいかなる反り又は不整合性をも低減するのに役立つ。次に図1fを参照すると、接合剤102が流れるようにするために接合剤102の温度を上昇させることができる。接合剤102は流動性を有する一方で、第1のウェハ100及び第2のウェハ112を互いに接合できるように、矢印A1及びA2に示す方向に沿ってともに押圧することもできる。他の実施形態では、力を一度にウェハの一方のみに加えることができることが理解されるべきである。例えば、第1のウェハ100にのみ力を加えることができ、第2のウェハ112は、押圧中に移動しないか、又は移動が防止されることになる。あるいは、第2のウェハ112にのみ力を加えることができ、第1のウェハ100は、押圧中に移動しないか、又は移動が防止されることになる。同様に、力を第1のウェハ100に加え、その後、第2のウェハ112に加えることができるが、両方に同時に加えることはできない。第1のウェハ100及び第2のウェハ112を合わせて押圧すると、接合剤102の一部がチャネル118内に流れ込み始める可能性がある。チャネル118は、接合剤102のいかなる過剰な空気又はボイドも逃げ、かつ接合剤102が流れるような通路を提供する。図示しているように、本実施形態では、チャネル118を用いて、過剰な空気及び接合剤を収容することができるため、接合剤102がチャネル118の全体の体積を満たす可能性は低い。内部に接合剤がないいくつかのチャネル118A、118Dが存在する可能性があり、他のチャネル118B、118E、118Fは部分的にチャネルが満たされる。1つ以上のチャネル118Cに関して、他のチャネル118B、118E、118Fよりも接合剤102が少ない可能性もある。チャネル118の各々が、第2のウェハ112の縁120から延びている少なくとも1つの端部を有していることにより、接合剤内に取り込まれた過剰な空気は、第1のウェハ100及び第2のウェハ112の外縁に流れ込み、第1のウェハ100と第2のウェハ112とのボイドフリーな接合をもたらしうる。第1のウェハ100及び第2のウェハ112を合わせて押圧した後、接合剤は、ファンデルワールス力以外の接合力が優勢となる厚みを有することができる。一例では、これを、接合剤が1ミクロンを超える厚みとなることを確実にすることによって達成することができる。本実施形態では、チャネルは、接合剤102の上面122の上に重なることができるが、接合剤の底面124には重ならない可能性があることが理解されるべきである。これは、接合剤102の底面124に隣接してチャネルを設けると、単に、チャネル118の容積全体が接合剤で充填されることになるためである。この場合、チャネル118がその意図した目的で作用すること、すなわち接合剤に取り込まれた過剰な空気を逃がすための通路を提供することが妨げられる。チャネル118を設けるステップを含む接合プロセス全体が、システム内の過剰な空気によりもたらされる可能性のある接合剤102のボイドを低減するのに役立つ。それはまた、第2のウェハ112の表面114と接合剤102の上面122との間と、接合剤の底面124と第1のウェハ100のコンタクト支持面104との間とに、より平面状の接触面を提供するのにも役立つ。接合剤102に取り込まれる可能性があるいかなる過剰な空気も、ここでチャネル118内に押し込まれ、接合剤及びシステム全体から排出することができる。次に図1gを参照すると、過剰な空気が押圧ステップ中に排出されると、接合剤が硬化しうる。その後、ウェハは、個々のチップデバイスに切断される用意ができる。一実施形態では、ウェハを、チャネル118及びダイシングレーン110に沿って切断することができ、それにより、ダイシングレーン110に沿った切断プロセスにより全てのチャネル118が除去される。次に図2に、本発明の代替的な実施形態を示している。図2において、かつ本明細書を通して、同様の参照符号を用いて同様の要素を特定していることを理解されたい。図示しているように、図2a~図2dに示すステップは、図1a~図1dを参照して説明したステップ及び構造と同一である。図2a及び図2bに示すように、接合剤202は、ダイシングレーン210に沿って取り付けられた複数のチップ201から構成された第1のウェハ200の上を覆っている。各チップ201は、内部にコンタクトパッド206及び能動デバイス208を有していてもよい。チャネル218図2c及び図2dを有する第2のウェハ212も示している。次にステップ2eを参照すると、第1のウェハ200と第2のウェハ212とを接合する代替的な方法によれば、第1のウェハ200及び第2のウェハ212を位置合せすることができる。本実施形態では、スペーサ209が第1のウェハ200及び第2のウェハ212を分離している。図示しているように、第2のウェハ212の底面は、スペーサ209の上面211と向かい合っている。スペーサ209の底面208は、第1のウェハ200の能動面204と向かい合っている。その後、図2fに示していように、真空チャンバ226内に、事前に位置合せされた第1のウェハ200及び第2のウェハ212を配置することができる。次に図2gを参照すると、チャンバから空気又はガスを排出することができ、スペーサ292を除去することができる。矢印A1又はA2によって示す方向に沿って、第1のウェハ200及び第2のウェハ212に力を加えることができる。図2hを参照すると、上述したように、いかなる過剰な空気及び材料もチャネル内にかつチャネルを通じて流れ、第1のウェハ200及び第2のウェハ212上において、場所によって接合剤の厚みが変わってしまう原因となる接合剤のいかなるボイドの存在もなくすのに役立つ。真空を使用し続けることで、チャネルを通って排出されたいかなる過剰な空気も除去することができる。代替的な実施形態では、第1のウェハ200及び第2のウェハ212を、任意の時点で真空チャンバ内に配置することができることを理解されたい。例えば、第1のウェハ200及び第2のウェハ212を、合わせて押圧する前に又は押圧した後に真空チャンバ226内に配置することができる。さらに、真空チャンバ226を、第1のウェハ200及び第2のウェハ212を合わせて押圧する前か、押圧している間か、押圧した後かに動作可能とすることができる。第1のウェハ200及び第2のウェハ212が合わせて接合されると、それらを硬化させ、その後、図2iに示すように個々のマイクロ電子デバイス228A、228B、228C、228Dに切断することができる。この例では、チャネル218A、218C、218Eといったいくつかのみが除去され、その他のチャネル218B、218D、218Fは、マイクロ電子デバイス228B、228C及び228Dの一部として残ることになる。本明細書にて示しているように、チャネル118図1c及びチャネル218図2cは、2つ以上のウェハ間のボイドフリーな接合を実現するのに役立つために重要な役割を果たす。本発明によれば、チャネル118の様々な形状、サイズ及びパターンを利用することができる。チャネルを、広く、狭く、又は可変とすることができる。チャネルは、ウェハのある縁から反対側の縁まで直線状に延びるか、又は単にウェハのある縁のみから延びるものとすることができる。必須ではないものの、過剰な空気及び材料が第1のウェハと第2のウェハとの組合せから出て行くことができるように、チャネルの少なくとも一端がウェハの外縁に隣接していることが望ましい。図3~図10は、ウェハ上のチャネルの形状及び設計のさまざまな実施形態の小さなサンプリングを提供するものである。まず図3を参照すると、ウェハ300が示されており、そこでは、チャネル318は、ウェハ300の表面314を横切るように水平x軸方向及び垂直y軸方向の両方に均一に延びている。チャネルの配置により、過剰な空気及び流体が通過する複数の通路がもたらされる。図4にはウェハ400を示している。この実施形態では、2つのチャネル418A、418Bのみが設けられており、それらの各々は、ウェハ400の中心を通って延びており、ウェハ400の直径となっている。同様に、図5には、3つのチャネル518A、518B、518Cが中心を通って延びている別のウェハ500を示している。当然ながら、任意の数のチャネルを用いることができることを理解されたい。図6には、代替的なウェハ600を示している。本実施形態では、ウェハ600は、正方形の形状であり、4つの縁、すなわち第1の縁602と第2の縁604と第3の縁606と第4の縁608とを有している。複数のチャネル618が、ウェハのある縁から反対側の縁まで水平x方向にかつ垂直y方向に延びている。例えば、チャネル618Aは、第2の縁604から反対側にある第4の縁608まで垂直方向に延びている。チャネル618Bは、第3の縁606から反対側にある第1の縁602まで延びている。図7には、別の代替的なウェハ700を示している。これまでの実施形態とは対照的に、チャネル718は、1つの縁のみが、ウェハ700の外縁720まで延びている。例えば、チャネル718Aは、ウェハ700の外縁720に沿って第1の箇所750において位置合せされている第1の外縁717を有している。チャネル718はまた、ウェハ700の内部のある箇所に第2の内縁719も有している。したがって、チャネル718は、ウェハの外縁720の第1の箇所からウェハの外縁720に沿った第2の箇所まで延びているわけではない。図8を参照すると、代替的なウェハ800を示しており、そこでは、チャネル818が、ウェハ800の中心部870からウェハ800の縁820まで半径方向外側に延びている。チャネル818を、ウェハ800の中心部870から外縁820まで直線状に延びていないような形状とすることができる。図9を参照すると、代替的なウェハ900は、放射状チャネル918Bとウェハ900の中心部からウェハ900の縁920まで延びているチャネル918Aとの両方の使用を示したものである。チャネル918A、918Bの配置により、チャネル918A、918B内において空気及びあらゆる接合剤のより大きな移動が可能となる。次に図10を参照すると、この実施形態では、単一のチャネル1018のみを用いている。チャネル1018は、ウェハ1000の中心を通って延びているわけではなく、ウェハの縁1020の第1の箇所1070から縁1020の第2の箇所1072までしか延びていない弦となっている。ここで説明した接合の方法は、2つ以上のウェハを接合するのに適用可能であることを理解されたい。図11を参照すると、接合する前のマイクロ電子ユニット1130図11aを示している。マイクロ電子ユニット1130は、第1のウェハ1100と、第2のウェハ1112と、第1のウェハ1100と第2のウェハ1112との間に挿入された第1の接合剤1102とを有している。第2のウェハ1112は表面1114及び裏面1116を有している。これまでの実施形態とは対照的に、第2のウェハ1112はブランクウェハではなく、代わりに、内部に、裏面1116から離れる方向に延びているコンタクト1106と能動デバイス1108とを有している。図11bを参照すると、この実施形態では、第3のウェハ1280をその表面1214を横切るようにチャネル1218が延びているブランクウェハとすることができる。その後、図11cに示すように、ユニット1130の上に第3のウェハ1280を配置することができる。第2のウェハ1112の裏面1116に、第2の接合剤1202を堆積させるか又は設けることができる。その後、第2の接合剤1202の上面1222の上に第3のウェハ1280を配置することができる。先行する実施形態のように、最も外側にあるウェハを合わせて押圧することができる。ここで、力を、第3のウェハ1280に対して矢印A1の方向に加えることができる。第1のウェハ1100に対して矢印A2の方向に沿って同様の力を加えることができる。第1のウェハ1100、第2のウェハ1112及び第3のウェハ1280の押圧により、第1の接合剤1102及び第2の接合剤1202内の過剰な空気がチャネル1118及び1218内に押し込まれる。オプショナルではあるが、上述したように、過剰な空気を真空により除去することができる。図11dを参照すると、先行する実施形態のように、その後、第1のウェハ1100、第2のウェハ1112及び第3のウェハ1280を個々のデバイスに切断することができる。図12~図13の代替的な実施形態を参照すると、ウェハ自体の中にチャネルを形成するのとは対照的に、ウェハの上にチャネルを形成する代替的方法が示されている。これらの例では、ウェハの上に別個の表面層を堆積させることができ、それは、すでにチャネルを有しているか、又はそこからチャネルを形成することができる。図12に示した例では、第2のウェハ12’の上に連続した表面層1200図12aを堆積させることができる。表面層1200からチャネル1218図12bを選択的に形成することができる。図13に示した別の例では、ウェハ12’’図13aが示されている。スクリーン印刷、リソグラフィ、ディスペンシング等を用いて、ウェハ12’’の上に事前に形成されたチャネル1318図13bを設けることができる。本発明は特定の実施形態を参照しながら本明細書において説明してきたが、これらの実施形態は本発明の原理及び応用形態を例示しているに過ぎないことを理解されたい。それゆえ、添付の特許請求の範囲によって規定されるような本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、例示的な実施形態に数多くの変更を加えることができること、及び他の構成を考案することができることを理解されたい。