"金属ガリウムと塩素ガスとを反応させて一塩化ガリウムガスを生成する第1工程と、生成した一塩化ガリウムガスと塩素ガスとを反応させて三塩化ガリウムガスを生成する第2工程と、を有する三塩化ガリウムガスの製造方法。前記第1工程は、前記金属ガリウムと前記塩素ガスとの反応を300~1,000°Cの温度で行う請求項1に記載の三塩化ガリウムガスの製造方法。前記第2工程は、前記一塩化ガリウムガスと前記塩素ガスとの反応を150~1,000°Cの温度で行う請求項1または請求項2に記載の三塩化ガリウムガスの製造方法。前記第1工程は、前記金属ガリウムと前記塩素ガスとの反応を500~1,000°Cの温度で行う請求項1~請求項3のいずれか1項に記載の三塩化ガリウムガスの製造方法。前記第2工程は、前記一塩化ガリウムガスと前記塩素ガスとの反応を500~1,000°Cの温度で行う請求項1~請求項4のいずれか1項に記載の三塩化ガリウムガスの製造方法。前記第1工程及び前記第2工程における反応は、水素ガスの割合モル比が1.0×10-3以下であるキャリアガスの存在下で行う請求項1~請求項5のいずれか1項に記載の三塩化ガリウムガスの製造方法。請求項1~請求項6のいずれか1項に記載の三塩化ガリウムガスの製造方法により三塩化ガリウムガスを製造する工程と、少なくとも前記三塩化ガリウムガスとアンモニアガスとを原料ガスとして用い、基体上に、気相成長法により、ガリウムを含む窒化物半導体結晶を成長させる工程と、を有する窒化物半導体結晶の製造方法。上記GaCl-NH3系による結晶成長においてGaClは、例えば、加熱された7Nグレード純度99.99999の金属Ga上に塩化水素HClを導入し、GaとHClとを反応させることにより生成される。このGaとHClとの反応では、HCl濃度などの反応条件により異なるが、一般的な10-2atm程度のHCl濃度では、500°C以上の温度で一塩化ガリウムGaClが主に生成され、500°C未満の温度では三塩化ガリウムGaCl3の濃度が温度の低下とともに増加する。このように、GaとHClとを500°C未満等の低温で反応させる方法により三塩化ガリウムGaCl3が得られるが、この方法では、GaCl3に加えてGaCl等を相当量含む混合物が得られるに過ぎない。従って、GaとHClとを500°C未満等の低温で反応させてGaCl3を得る方法は、GaCl3の選択性に乏しい。更に、GaとHClとを500°C未満等の低温で反応させる方法では、反応温度の低下に伴い反応速度が低下するので、反応が完全に進行しないで未反応のHClを下流に送ることとなり、その結果、結晶成長などが不安定になる可能性が高い。以上の理由により、GaとHClとを反応させる方法は、三塩化ガリウムGaCl3の量産には適さない。また、以上の理由が、従来のGaN結晶のHVPE成長の原料として、三塩化ガリウムGaCl3ではなく、原料部での反応速度が速く高温で得られる一塩化ガリウムGaClが用いられる主な理由となっている。一方、結晶成長のための反応系として、一塩化ガリウム-アンモニア系GaCl-NH3系に代えて三塩化ガリウム-アンモニア系GaCl3-NH3系を用いることにより、結晶をより高速で成長させ、かつ、結晶をより高温で成長させることが可能となる。この理由は、GaCl-NH3系に比べてGaCl3-NH3系の方が、結晶成長の自由エネルギー変化量が大きく、その結果、成長の駆動力が大きくなるためである。上述の特開平11-354844号公報やJournalofCrystalGrowth268p475477には、GaCl3を用いることが記載されてはいるものの、GaCl3の製造方法については特に開示されていない。通常、気体のGaCl3は固体のGaCl3の蒸気として得られる。しかし、固体のGaCl3の蒸気として気体のGaCl3を得る方法では、固体のGaCl3が非常に高い吸湿性を有することから、化合物半導体の原料として用いるには気体のGaCl3の純度が低くなりすぎるという問題がある。本発明は上記に鑑みなされたものである。即ち、本発明の課題は、高純度の三塩化ガリウムガスを選択性良く製造できる三塩化ガリウムガスの製造方法を提供することである。また、本発明の課題は、ガリウムを含む窒化物半導体結晶を、高い成長温度及び高い成長速度にて成長させることができる窒化物半導体結晶の製造方法を提供することである。前記課題を解決するための具体的手段は以下のとおりである。<1>金属ガリウムと塩素ガスとを反応させて一塩化ガリウムガスを生成する第1工程と、生成した一塩化ガリウムガスと塩素ガスとを反応させて三塩化ガリウムガスを生成する第2工程と、を有する三塩化ガリウムガスの製造方法。<2>前記第1工程は、金属ガリウムと塩素ガスとの反応を300~1,000°Cの温度で行う<1>に記載の三塩化ガリウムガスの製造方法。<3>前記第2工程は、一塩化ガリウムガスと塩素ガスとの反応を150~1,000°Cの温度で行う<1>または<2>に記載の三塩化ガリウムガスの製造方法。<4>前記第1工程は、金属ガリウムと塩素ガスとの反応を500~1,000°Cの温度で行う<1>~<3>のいずれか1項に記載の三塩化ガリウムガスの製造方法。<5>前記第2工程は、一塩化ガリウムガスと塩素ガスとの反応を500~1,000°Cの温度で行う<1>~<4>のいずれか1項に記載の三塩化ガリウムガスの製造方法。<6>前記第1工程及び前記第2工程における反応は、水素ガスの割合モル比が1.0×10-3以下であるキャリアガスの存在下で行う<1>~<5>のいずれか1項に記載の三塩化ガリウムガスの製造方法。<7><1>~<6>のいずれか1項に記載の三塩化ガリウムガスの製造方法により三塩化ガリウムガスを製造する工程と、少なくとも前記三塩化ガリウムガスとアンモニアガスとを原料ガスとして用い、基体上に、気相成長法により、ガリウムを含む窒化物半導体結晶を成長させる工程と、を有する窒化物半導体結晶の製造方法。本発明によれば、高純度の三塩化ガリウムガスを選択性良く製造できる三塩化ガリウムガスの製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、ガリウムを含む窒化物半導体結晶を、高い成長温度及び高い成長速度にて成長させることができる窒化物半導体結晶の製造方法を提供することができる。<三塩化ガリウムガスの製造方法>本発明の三塩化ガリウムガスの製造方法は、金属ガリウムと塩素ガスとを反応させて一塩化ガリウムガスを生成する第1工程と、生成した一塩化ガリウムガスと塩素ガスとを反応させて三塩化ガリウムガスを生成する第2工程と、を有する。本発明の三塩化ガリウムガスの製造方法によれば、GaとHClとを反応させる従来の方法と比較して、高温例えば500°C以上を含む広い範囲の反応温度で三塩化ガリウムガスを選択性良く生成でき、更には、生成される三塩化ガリウムガスに未反応のHClが混入することを防止できる。更に、本発明の三塩化ガリウムガスの製造方法によれば、固体のGaCl3の蒸気として気体のGaCl3三塩化ガリウムガスを得る従来の方法と比較して、生成される三塩化ガリウムガスに不純物水分などが混入することを抑制できる。以上により、本発明の三塩化ガリウムガスの製造方法によれば、高純度の三塩化ガリウムガスを選択性良く製造できる。上記本発明の製造方法により製造された三塩化ガリウムガスは、例えば、気相成長法における原料ガスとして好適に用いることができる。ここで気相成長法としては、原料ガスとして三塩化ガリウムガスを用いる気相成長法であれば特に限定はなく、例えば、ハイドライド気相成長HVPE法、有機金属気相成長MetalOrganicChemicalVaporDeposition:MOCVD法を含むCVDChemicalVaporDeposition法等、種々の方法が挙げられる。また、気相成長法により製造される結晶としては、ガリウムを含む窒化物半導体結晶が挙げられ、具体的には、窒化ガリウムGaN結晶、AlGaN三元混晶、InGaN三元混晶、InGaAlN四元混晶等が挙げられる。三塩化ガリウムガスを、ガリウムを含む窒化物半導体結晶の製造に用いる利点としては、例えば、下記A~Dを挙げることができる。AGaCl3gNH3g→GaNs3HClg反応の自由エネルギー変化量は、GaClgNH3g→GaNsHClgH2g反応の自由エネルギー変化量に比べて大きい。従って、GaCl3を用いることにより、成長速度の高速化、および、高温までの広い温度領域にわたる成長が期待できる。BAlGaN三元混晶のHVPE成長HVPE法による成長。以下同じ。の場合、Al原料としてはAlCl3が用いられ、Ga原料としてはGaClおよびGaCl3のどちらを用いることも可能である。しかし、GaClを用いた場合は、Ga成分が固相に取り込まれにくい自由エネルギー変化量が小さいためため、特に、高温ではGa成分が固相に取り込まれ難くなるという欠点がある。GaCl3を用いた場合にはより高温までの三元混晶の成長が可能になる。CInGaN三元混晶のHVPE成長の場合、反応系としては、InCl3-GaCl-NH3系およびInCl3-GaCl3-NH3系が考えられる。しかし、InCl3-GaCl-NH3系の場合、気相中で、InCl3GaCl→InClGaCl3の交換反応一塩化物と三塩化物との交換反応が起こるために、正確な固相制御が困難となる。一方、InCl3-GaCl3-NH3系では、一塩化物と三塩化物との交換反応を抑制できるので、固相制御が容易となる。DInGaAlN四元混晶のHVPE成長の場合、In原料としてInCl3を、Ga原料としてGaCl3を、Al原料としてAlCl3を、それぞれ用いることにより、気相中での一塩化物と三塩化物との交換反応を抑制できるので、四元混晶の成長における固相制御が容易となる。次に、本発明の三塩化ガリウムガスの製造方法について、更に詳細に説明する。本発明の三塩化ガリウムの製造方法は、2つの反応工程第1工程及び第2工程を有する。第1工程第1工程は、金属ガリウムと塩素ガスとを反応させて一塩化ガリウムガスを生成する工程である。第1工程における反応は、下記反応式1で表わされる反応である。Gas1/2Cl2g→GaClg1ここでsおよびgはそれぞれ物質が固体およびガス状態であることを示す記号である。第1工程は、例えば、金属Ga上に塩素ガスを連続的に供給し、金属Gaと塩素ガスとを接触させる方法により実施される。金属Gaとしては、例えば7Nグレード純度99.99999の如き高純度Gaを用いることができ、また塩素ガスとしても高純度塩素ガスが好ましく用いられる。第1工程において、塩素ガスは、キャリアガスとともに供給されることが好ましい。該キャリアガスとしては、例えば、窒素ガス、アルゴンガス、もしくはヘリウムガス、またはこれらの少なくとも1種を含む混合ガス等の不活性ガスを用いることができる。第1工程における反応温度は300~1,000°Cが好ましく、500~900°Cがより好ましく、700~850°Cが特に好ましい。第1工程における反応温度が300°C以上であると、生成されるGaClの選択性がより向上する。第1工程における反応温度が1000°C以下であると、石英等を材質とする反応管の損傷を抑制できる。前記第1工程における反応では、生成ガスとして、一塩化ガリウムガスを含むガリウム塩化物ガスが生成される。ここでいうガリウム塩化物は、一塩化ガリウム、二塩化ガリウム、三塩化ガリウム、三塩化ガリウムのダイマー二量体等のガリウムの塩化物全般を指す。前記第1工程では、一塩化ガリウムガスを主成分とするガリウム塩化物ガスが生成されることが好ましい。ここで主成分とは、含有比率モル比率が最も高い成分を意味する。第1工程では、生成されるガリウム塩化物ガスの全量に対する一塩化ガリウムガスの量が、80モル以上であることが好ましく、90モル以上であることが更に好ましい。第2工程第2工程では、第1工程で生成した一塩化ガリウムと塩素ガスとを反応させる。第2工程の反応系には第1工程の反応系と異なり、金属Gaはもはや存在しない。第2工程において三塩化ガリウムガスを生成する反応は、下記反応式2で表わされる反応である。GaClgCl2g→GaCl3g2第2工程は、例えば、第1工程で得られた生成ガス一塩化ガリウムガスを含むガリウム塩化ガスに対し塩素ガスを連続的に供給し、生成ガスと塩素ガスとを接触させることにより実施される。このとき塩素ガスは、キャリアガスとともに供給することができる。該キャリアガスとしては、例えば、窒素ガス、アルゴンガス、もしくはヘリウムガス、またはこれらの少なくとも1種を含む混合ガス等の不活性ガスを用いることができる。第2工程における反応温度は150~1,000°Cが好ましく、200~900°Cがより好ましく、500~700°Cが特に好ましい。第2工程における反応温度が150°C以上であると、生成されるGaCl3の選択性がより向上する。第2工程における反応温度が1000°C以下であると、石英等を材質とする反応管の損傷を抑制できる。以上で説明した第1工程の反応及び第2工程の反応は、異なる反応管で行われてもよいが、GaCl3生成の効率の観点からは、同じ反応管反応管の異なる場所で行われることが好ましい。次に、本発明の三塩化ガリウムガスの製造方法の一実施形態を、従来法と対比しつつ図面を用いてさらに具体的に説明する。図1~3において、上段は反応管の構成を示しており、下段は該反応管内の位置横軸と温度縦軸との関係を示している。図1は、従来法である、GaとHClとの反応によりGaClを生成する反応系Ga-HCl系を示す概念図である。このGa-HCl系は、従来より、GaNのHVPE成長に用いられるGaCl-NH3系において、原料系として用いられている。図1に示すように、Ga-HCl系は、一端側から他端側に向けてHCl及び不図示のキャリアガス水素ガス、窒素ガス、アルゴンガス、もしくはヘリウムガス、またはこれらの少なくとも1種を含む混合ガス等が流通される反応管と、該反応管内に配置された金属Gaと、を有する構成となっている。図1に示す反応管の下流側HCl及びキャリアガスの流通方向についての下流側。以下同じ。には、図示しない結晶成長部が配置されている。Ga-HCl系では、反応管の一端側から該反応管内にHCl及び不図示のキャリアガスが供給され、供給されたHClと金属Gaとが反応温度T1で反応する。このGa-HCl系では、GaとHClとが反応温度T1で反応して、GaCl、GaCl3、さらにGaCl2が生成される。反応温度T1を500°C以上とした場合、生成物の大部分はGaClである。生成物は、図1に示す反応管に対し下流側に配置される結晶成長部不図示へ輸送される。なお、Ga-HCl系では、反応温度の低下とともにGaCl3の生成比率が増大する。但し、反応温度の低下とともに反応速度が低下するために500°C以下の反応温度は適切ではない。このため、一般的なHVPE成長でのGa原料は、700°Cから850°Cに保たれている。図2は、参考の形態である、金属Ga上にCl2を供給する原料系Ga-Cl2系を示す概念図である。図2に示すように、Ga-Cl2系は、一端側から他端側に向けてCl2及び不図示のキャリアガスが流通される反応管と、該反応管内に配置された金属Gaと、を有する構成となっている。図2に示す反応管の下流側には、図示しない結晶成長部が配置されている。Ga-Cl2系では、反応管中に配置された金属Ga上にCl2が、不図示のキャリアガスとともに供給され、供給されたCl2と金属Gaとが反応温度T1で反応する。Ga-Cl2系におけるキャリアガスとしては、窒素ガス、アルゴンガス、もしくはヘリウムガス、またはこれらの少なくとも1種を含む混合ガス等の不活性ガスが用いられる。水素ガスはCl2と反応するため、キャリアガスとして水素ガスを用いることはできない。このGa-Cl2系によっても、500°C以上の反応温度ではGaClが主成分となり、低温ではGaCl3の生成量を増加させることが可能である。但し、反応速度の観点から500°C以下の反応温度は推奨できない。図3は、本発明の一実施形態を示す概念図である。かかる本発明の一実施形態は、金属ガリウムと塩素ガスとを反応させて生成された生成ガスと、塩素ガスと、を反応させる、Ga-Cl2-Cl2系である。図3に示すように、本発明の一実施形態Ga-Cl2-Cl2系は、一端側から他端側に向けてCl2及び不図示のキャリアガスが流通される反応管と、該反応管内に配置された金属Gaと、を有する構成となっている。この反応管には、金属Gaに対し下流側Cl2及びキャリアガスの流通方向についての下流側。以下同じ。にCl2導入口が設けられている。また、図3に示す反応管の下流側には、図示しない結晶成長部が配置されている。本実施形態では、反応管の一端側からCl2及び不図示のキャリアガスが供給され、供給されたCl2と金属Gaとが反応温度T1で反応する第1工程。第1工程により生成された生成ガス一塩化ガリウムガスを含む塩化ガリウムガスは下流側に輸送され、輸送された生成ガスとCl2導入口から導入されたCl2とが反応温度T2で反応する第2工程。第2工程で得られた生成ガスは、図3に示す反応管に対し下流側に配置される結晶成長部不図示へ輸送される。このように本実施形態に係る反応系は、Cl2導入口よりも上流側の領域であり第1工程における反応が行われる第1ゾーンと、Cl2導入口を含めた下流側の領域であり第2工程における反応が行われる第2ゾーンと、から構成されている。Ga-Cl2-Cl2系におけるキャリアガスとしては、例えば、窒素ガス、アルゴンガス、もしくはヘリウムガス、またはこれらの少なくとも1種を含む混合ガス等の不活性ガスが用いられる。第1ゾーン第1工程及び第2ゾーン第2工程では、以下の反応が行われる。第1ゾーンの反応:Gas1/2Cl2g→GaClg第2ゾーンの反応:GaClgCl2g→GaCl3g第1ゾーン第1工程における反応温度T1は、反応速度を速くする観点から、300°C以上であることが好ましく、500°C以上であることがより好ましく、700°C以上であることが特に好ましい。第2ゾーン第2工程における反応温度T2には特に限定はなく、広範囲の温度を選択することができるが、反応温度T2の下限は第1ゾーンから供給されるGaClが反応管の管壁に析出しない程度の温度とすることが好ましい。このような観点から、反応温度T2は、150°C以上であることが好ましく、200°C以上であることがより好ましく、500°C以上であることが特に好ましい。また、第2ゾーンにおいてCl2供給口から供給されるCl2の量は、生成されるGaCl3の選択性をより高める観点より、第1ゾーンから第2ゾーンに供給されるGaClとほぼ同量とすることが好ましい。図4は、図1に示した反応系Ga-HCl系における、反応温度とGa塩化物の生成分圧平衡分圧との関係を示すグラフである。この関係は熱力学的手法により求めた。図4における詳細な条件は以下の通りである。~条件~系内圧力ΣPi:1.0atm塩化水素供給分圧PoHCl:1×10-3atmキャリアガス中の水素割合Fo:0なお、図4では、キャリアガスとして窒素ガス等の不活性ガスを用いる場合Fo=0を示しているが、キャリアガスとして水素ガスを用いても大きな変化はない。また、図4~図7中のIGは、窒素ガスを含めた不活性ガスInertgasを示す。図4に示すように、反応温度が400°C以下の領域において、GaCl2およびGaCl3の分圧が増加し、GaClの分圧が減少する。一方、反応温度の低下は金属GaとHCl塩化水素との反応速度を減少させるので、Ga塩化物である原料ガスに加え、未反応のHClが結晶の結晶成長部に輸送されることとなる。したがって、結晶成長部への安定した原料供給を行うためには500°C以上の反応温度が望ましい。図4に示すように、結晶成長部への安定な原料供給が見込まれる500°C以上の温度では、図4からGaClが主成分であり、GaCl3はGaClに比較して5ケタ以上低い。図5は、図2に示したGa-Cl2系において、反応温度と生成分圧平衡分圧との関係を示すグラフである。この関係は熱力学的手法により求めた。図5における詳細な条件は以下の通りである。~条件~系内圧力ΣPi:1.0atm塩素供給分圧PoCl2:5×10-4atmキャリアガス中の水素割合Fo:0塩素と水素との混合はHCl生成の急激な反応が起こる。このために、Ga-Cl2系では、キャリアガスとして水素を用いることができないので、キャリアガスとしては窒素ガスを含めた不活性ガスが用いられる。図5に示すように、Ga-Cl2系での分圧の変化はGa-HCl系での分圧の変化と類似しており、500°C以上の反応温度では、GaCl3はGaClに比較して5ケタ以上低い。図6は、図3に示した本発明の一実施形態Ga-Cl2-Cl2系において、第2工程における反応温度T2とGa塩化物の生成分圧平衡分圧との関係を示すグラフである。この関係は熱力学的手法により求めた。図6中では、反応温度T2をTemperatureSource2と表記した。図6における詳細な条件は以下の通りである。~条件~系内圧力ΣPi:1atm第一工程における塩素供給分圧PoCl2Source1:5.0×10-4atm第二工程における塩素供給分圧PoCl2Source2:1.0×10-3atm第一工程における反応温度T1:800°CGa-Cl2-Cl2系において、反応温度T1は、上述したように、反応速度を速くする観点から、500°C以上とすることが好ましい。このような観点より、図6では反応温度T1を800°Cとした。図6に示すように、Ga-Cl2-Cl2系では、広い反応温度T2にわたって効率良くGaCl3が得られる。この理由は、第2工程では、金属Gaが存在しないためである。特に、反応温度T2が150°C以上である領域ではGaCl3の分圧が高く、中でも反応温度T2が200°C以上である領域では、Ga塩化物の主成分がGaCl3となっている。反応温度T2が200°C未満の領域では、GaCl32で示されるGaCl3のダイマーの分圧が増大しGaCl3の分圧が低下するが、GaCl32の分圧とGaCl3の分圧との合計は1×10-3atmで一定となっている。反応温度T2が200°C未満の領域であっても、十分な量のGaCl3を結晶成長部に供給できる。その理由は、原料部で生成されたGaCl32が1000°C付近で行われる結晶成長部に輸送されることにより、GaCl3に変化するためである。図7は、図3に示した本発明の一実施形態Ga-Cl2-Cl2系において、キャリヤガス中における水素ガスの含有比率モル比と、Ga塩化物の生成分圧平衡分圧と、の関係を示すグラフである。図7における詳細な条件は以下の通りである。~条件~系内圧力ΣPi:1.0atm第一工程における塩素供給分圧PoCl2Source1:5.0×10-4atm第二工程における塩素供給分圧PoCl2Source2:1.0×10-3atm第一工程における反応温度T1:750°C第二工程における反応温度T1:750°C図7において、Foはキャリヤガス中における水素ガスの割合モル比を示し、よく用いられている常圧ではキャリアガス中の水素分圧と同じ値となる。また、ここでいうキャリアガスには、窒素ガスを含めた不活性ガス、及び水素ガスが含まれる。図7に示すように、水素ガスの分圧が1×10-3atm以上になると、GaCl3ガスの分圧が急激に減少してGaClガスの分圧が増加する。したがって、本実施形態では、水素分圧を、GaCl3の平衡分圧が影響を受けない分圧まで下げることが好ましい。キャリアガス中における水素ガスの割合モル比;F0に着目すると、GaCl3ガスの選択性をより向上させる観点より、F0は、1.0×10-3以下であることが好ましく、1.0×10-4以下であることがより好ましい。以上で説明した本発明の三塩化ガリウムガスの製造方法によって製造されるGaCl3は、次世代DVDレーザ用基板結晶、高輝度高効率LED用基板結晶、高効率電子制御素子用基板結晶として用いられるGaN自立基板結晶;紫外発光素子用基板結晶として用いられるAlGaN厚膜結晶;高効率可視光LDおよびLED用基板結晶として用いられるInGaN厚膜結晶;等の製造に利用できる。<窒化物半導体結晶の製造方法>本発明の窒化物半導体結晶の製造方法は、既述の本発明の三塩化ガリウムガスの製造方法により三塩化ガリウムガスを製造する工程以下、三塩化ガリウムガス製造工程ともいうと、少なくとも前記三塩化ガリウムガスとアンモニアガスとを原料ガスとして用い、基体上に、気相成長法により、ガリウムを含む窒化物半導体結晶を成長させる工程以下、成長工程ともいうと、を有する。本発明の窒化物半導体結晶の製造方法によれば、三塩化ガリウム-アンモニア系GaCl3-NH3系を反応系として、ガリウムを含む窒化物半導体結晶を成長させることができるので、ガリウムを含む窒化物半導体結晶を、高い成長温度及び高い成長速度にて成長させることができる。更に、本発明の窒化物半導体結晶の製造方法によれば、前記窒化物半導体結晶の成長温度を上昇させることができるので、高品質な前記窒化物半導体結晶を高速成長させることができる。また、本発明の窒化物半導体結晶の製造方法により製造された窒化物半導体結晶を、公知の方法により基体から分離することで、窒化物半導体結晶の自立基板を製造することもできる。前記三塩化ガリウムガス製造工程については、既述の本発明の三塩化ガリウムガスの製造方法と同様であり、好ましい範囲も同様である。前記成長工程としては、原料ガスとして三塩化ガリウムガスを用いること以外は、ガリウムを含む窒化物半導体結晶の気相成長法として公知の方法を用いることができる。以下、本発明の窒化物半導体結晶の製造方法の一実施形態について、図8を参照しながら説明する。図8は、本発明の窒化物半導体結晶の製造方法の一実施形態を実施するために好適な、窒化物半導体結晶製造装置の概念図である。図8に示すように、窒化物半導体結晶製造装置100は、気相成長法によりガリウムを含む窒化物半導体結晶を成長させるための反応管10と、前記反応管10に気密状態で連通され、前記気相成長法における原料ガスの一部である三塩化ガリウムガスを製造するための反応管20と、を備えている。図8に示すように、反応管20は、既述の第1工程における反応が行われる第1ゾーンZ1と、既述の第2工程における反応が行われる第2ゾーンZ2と、を有する。反応管20の第1ゾーンZ1には、金属ガリウムGaが配置されている。更に、反応管20は、第1ゾーンZ1に塩素ガスCl2を必要に応じキャリアガスと共に供給するための第1供給口と、第2ゾーンZ2に塩素ガスCl2を必要に応じキャリアガスと共に供給するための第2供給口と、生成された三塩化ガリウムガスGaCl3を排出するための排出口と、を有する。更に、反応管20の外部には不図示の外部加熱手段例えば、抵抗加熱式ヒーター、高周波加熱装置、ランプヒーター等が配置されており、この外部加熱手段により、第1ゾーンZ1と第2ゾーンZ2とを、それぞれ独立に加熱できるようになっている。ここで、外部加熱手段は、第1ゾーンZ1と第2ゾーンZ2とを同時に加熱できる手段であってもよい。また、窒化物半導体結晶製造装置100は、外部加熱手段に加え、金属ガリウムを独立して加熱できる加熱手段を更に備えていてもよい。反応管20の材質としては、石英等、HVPE法に用いられる反応管の材質として公知の材質を用いることができる。キャリアガスとしては、例えば、窒素ガス、アルゴンガス、もしくはヘリウムガス、またはこれらの少なくとも1種を含む混合ガスを用いる。その他、反応管20の構成は、図3に示した本発明の三塩化ガリウムガスの製造方法の一実施形態と同様であり、好ましい範囲も同様である。また、図8に示すように、反応管10は、基板30基体を保持するためのサセプタ40と、外部からアンモニアガスNH3を供給するためのアンモニアガス供給口と、反応管10を排気するための排気口と、を有する。反応管10の途中には、反応管20が気密状態で挿入されている。窒化物半導体結晶製造装置100では、反応管20における排気口が反応管10の内部に位置するように構成されている。サセプタ40としては、基板30を直接的に加熱できるカーボンサセプタ等を用いることができる。更に、サセプタ40は、結晶成長に必要な電力を供給するための電源不図示に接続されている。基板30としては、サファイア0001基板、炭化シリコン基板、窒化ガリウム基板等の単結晶基板を用いることができる。反応管10の内部において、反応管20の排気口よりも下流側の領域は、ガス混合部M1となっている。このガス混合部M1で、GaCl3とNH3と必要に応じキャリアガスとが混合される。また、反応管10の内部において、ガス混合部M1の更に下流側の領域であってサセプタ40を含む領域は、結晶成長部G1となっている。この結晶成長部G1では、気相反応成長法により、窒化物半導体結晶の成長が行われる。反応管10の排気口には不図示の排気手段が接続されている。この排気手段より、反応管10内を排気したり、反応管10内の圧力全圧を一定の値に調整できるようになっている。また、反応管10の外部には不図示の外部加熱手段例えば、抵抗加熱式ヒーター、高周波加熱装置、ランプヒーター等が配置されており、この外部加熱手段により、反応管10全体を加熱できるようになっている。反応管10の材質としては、石英等、HVPE法に用いられる反応管の材質として公知の材質を用いることができる。その他、反応管10の構成については、例えば、国際公開第2008/108381号パンフレット、特開2005-252248号公報、特開2007-220927号公報等に記載されているような、HVPE法における公知の反応管の構成とすることができる。以下、窒化物半導体結晶製造装置100を用いた窒化物半導体結晶の製造の一例について説明する。まず、反応管10内のサセプタ40上に基板30をセットし、次いで反応管10及び20内にキャリアガスを流通させ反応管10及び20内の雰囲気をキャリアガス雰囲気とする。次に、サセプタ40及び外部加熱手段の少なくとも一方による加熱により、基板30を、例えば1,000~1,100°C程度の温度で1~10分間加熱して基板30表面に付着している有機物を除去するサーマルクリーニング。サーマルクリーニング終了後、基板30を所定の成長温度例えば1,000°C以上1,200°C未満に加熱する。反応管10内の圧力は、外部の排気手段により、一定の値例えば、0.8~1.2atmとなるように調整する。次に、反応管20内で原料ガスの一部であるGaCl3の生成を行う。具体的には、反応管20の第1ゾーンZ1及び第2ゾーンZ2を加熱した状態で、第1ゾーンZ1にキャリアガス及び塩素ガスを供給するとともに、第2ゾーンZ2にキャリアガス及び塩素ガスを供給する。第1ゾーンZ1では金属Gaと塩素ガスとが反応し第1工程、この反応により得られたGaClを含む生成ガスが第2ゾーンZ2に輸送される。第2ゾーンZ2では、前記生成ガスのうちのGaClと第2ゾーンZ2に供給された塩素ガスとが反応し第2工程、GaCl3を含む生成ガスが得られる。上記過程では、第1ゾーンZ1の温度第1工程の反応温度及び第2ゾーンZ2の温度第2工程の反応温度を所定の温度に調整する。第1工程の反応温度及び第2工程の反応温度の好ましい範囲については前述のとおりである。第2ゾーンZ2で生成されたGaCl3を含む生成ガスは、反応管10のガス混合部M1に向けて排出される。一方、反応管10には、外部のガス供給手段不図示よりNH3が、必要に応じキャリアガス窒素ガス、アルゴンガス、もしくはヘリウムガス、またはこれらの少なくとも1種を含む混合ガスとともに供給される。供給されたNH3は、ガス混合部M1において、既述のGaCl3を含む生成ガスと混合される。このようにして、GaCl3及びNH3を含んだ原料ガスが得られる。以上の状態で、サセプタ40を通じて基板30に所定の電力を供給することにより、上記原料ガスを用いた気相成長法により、ガリウムを含む窒化物半導体結晶例えば、窒化ガリウム結晶が基板30上に成長する。以上のようにして、窒化物半導体結晶製造装置100を用い、GaCl3及びNH3を原料ガスとする気相成長法GaCl3-NH3系により、ガリウムを含む窒化物半導体結晶を高い成長温度及び高い成長速度にて成長させることができる。以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。実施例1<GaCl3-NH3系によるGaN結晶膜の生成>窒化物半導体結晶製造装置100を用い、GaCl3-NH3系を反応系として、基板30上に窒化ガリウムGaN結晶膜を成長させた。窒化物半導体結晶製造装置100の詳細な条件は以下の通りとした。反応管20における金属Gaとしては、7Nグレード純度99.99999の金属Gaを用いた。反応管20の第1ゾーンZ1には窒素ガスキャリアガス及び塩素ガスを供給した。このとき、窒素ガス及び塩素ガスの供給量を調整し、第1ゾーンZ1において、塩素ガスの分圧が8.0×10-3atmとなり全圧が1atmとなるように調整した。また、第1ゾーンZ1における反応温度即ち第1工程の反応温度T1は750°Cとした。反応管20の第2ゾーンZ2には窒素ガスキャリアガス及び塩素ガスを供給した。このとき、窒素ガス及び塩素ガスの供給量を調整し、第2ゾーンZ2において、塩素ガスの分圧が1.6×10-2atmとなり全圧が1atmとなるように調整した。第2ゾーンZ2における反応温度即ち第2工程の反応温度T2は750°Cとした。また、反応管10において、基板30としてはサファイア0001基板を用いた。サセプタ40としては、カーボン発熱体を有する窒化アルミニウムと窒化ホウ素の複合焼結体からなるサセプタを用いた。反応管10には、窒素ガスキャリアガス及びアンモニアガスを供給した。このとき、排気速度並びに窒素ガスキャリアガス及びアンモニアガスNH3の供給量を調整し、反応管10におけるNH3の分圧P0NH3が2.0×10-1atm、反応管10におけるGaCl3の分圧P0CaCl3が8.0×10-3atmとなるように調整した。上記条件の下、成長温度GrowthTemperature[°C]と成長速度Growthrate[μm/h]との関係を測定した。ここで、成長温度はサファイア0001基板の温度である。得られた成長温度GrowthTemperature[°C]と成長速度Growthrate[μm/h]との関係を図9に示す。次に、成長温度を1150°Cに固定し、厚み30μmのGaN結晶膜を形成した。得られたGaN結晶膜の表面を、走査型電子顕微鏡SEMを用いて観察した。得られたSEM像を図10中の下段に示す。また、同じGaN結晶膜について、波長193nmのArFエキシマーレーザーMPB社製PSX-100を用い、室温にて、フォトルミネッセンスPLスペクトルを測定した。測定されたフォトルミネッセンスPLスペクトルを図10中の下段に示す。比較例1<GaCl-NH3系によるGaN結晶膜の生成>比較例1として、GaCl-NH3系によるGaN結晶膜の生成を行った。詳細な操作を以下に示す。まず、実施例1の窒化物半導体結晶製造装置100において、反応管20を、図1に示したような従来のGa-HCl系の反応管におきかえた窒化物半導体結晶製造装置比較用を準備した。窒化物半導体結晶製造装置比較用のGa-HCl系の反応管には、窒素ガスキャリアガス及び塩化水素ガスHClを供給した。このとき、窒素ガス及び塩化水素ガスHClの供給量を調整し、HClの分圧が8.0×10-3atmとなり全圧が1atmとなるように調整した。また、反応温度は750°Cとした。反応管10の構成は実施例1と同様である。反応管10には、窒素ガスキャリアガス及びアンモニアガスを供給した。このとき、排気速度並びに窒素ガスキャリアガス及びアンモニアガスNH3の供給量を調整し、反応管10におけるNH3の分圧P0NH3が2.0×10-1atm、反応管10におけるGaClの分圧P0CaClが8.0×10-3atmとなるように調整した。上記条件の下、成長温度GrowthTemperature[°C]と成長速度Growthrate[μm/h]との関係を測定した。ここで、成長温度はサファイア0001基板の温度である。得られた成長温度GrowthTemperature[°C]と成長速度Growthrate[μm/h]との関係を図9に示す。次に、成長温度を970°Cとし、厚み30μmのGaN結晶膜を形成した。得られたGaN結晶膜の表面を、走査型電子顕微鏡SEMを用いて観察した。得られたSEM像を図10中の上段に示す。また、同じGaN結晶膜について、波長193nmのArFエキシマーレーザーMPB社製PSX-100を用い、室温にて、フォトルミネッセンスPLスペクトルを測定した。測定されたフォトルミネッセンスPLスペクトルを図10中の上段に示す。<測定結果>図9は、実施例1及び比較例1について、成長温度GrowthTemperature[°C]と成長速度Growthrate[μm/h]との関係を示すグラフである。図9に示すように、実施例1は比較例1と比較して、すべての成長温度において成長速度が顕著に速かった。実施例1において、特に成長温度1150°C以下の領域では180μm/hの成長速度を示した。更に、実施例1は比較例1と比較して、高温を含めた広い成長温度で結晶成長を行うことができた。即ち、実施例1では、比較例1における成長温度の上限を超える範囲具体的には1100°C~1300°Cでも結晶成長を行うことができた。図10は、実施例1及び比較例1について、フォトルミネッセンスPLスペクトル及びSEM像を示す図である。図10の上段は比較例1の結果であり、下段は実施例1の結果である。図10に示すように、実施例1では比較例1と比較して、フォトルミネッセンスPLスペクトルのピーク強度PLintensityが高く、かつピークの半値全幅FWHMが小さかった。この結果から、実施例1の結晶膜が、比較例1の結晶膜よりも良質な結晶構造を有することが確認された。更に、図10中のSEM像に示すように、実施例1では比較例1と比較して、表面の平坦性が高く、良質な結晶膜が得られたことが確認された。日本出願2010-110064の開示はその全体が参照により本明細書に取り込まれる。本明細書に記載された全ての文献、特許出願、および技術規格は、個々の文献、特許出願、および技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。"