"A第一スズ塩と、第一スズ塩及び銀、銅、ビスマス、鉛、ニッケル、アンチモンよりなる群から選ばれた金属の塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性塩、B有機酸及び無機酸から選ばれた酸又はその塩、C次の一般式1式1中、R1、R2、R3及びR4は同一又は異なっても良く、水素原子、C1~C4アルキル基、ハロゲン、フェニル基、C1~C4アルキル基、ハロゲン又はスルホン酸基で置換されたフェニル基を示すで表されるフェナントロリンジオン化合物を含有することを特徴とするスズ及びスズ合金メッキ浴。酸が有機スルホン酸であることを特徴とする請求項1に記載のスズ及びスズ合金メッキ浴。さらに、界面活性剤、錯化剤、光沢剤、半光沢剤、平滑剤、酸化防止剤、pH調整剤よりなる群から選ばれた添加剤の少なくとも一種を含有することを特徴とする請求項1又は2に記載のスズ及びスズ合金メッキ浴。請求項1~3のいずれか1項に記載のスズ又はスズ合金メッキ浴を用いて、スズ又はスズ合金の電着皮膜を形成した電子部品。本発明は、スズメッキ浴又はスズ-銀合金、スズ-銅合金、スズ-ビスマス合金などのスズ合金メッキ浴において、広範囲の電流密度域で、得られる電着皮膜の外観や均一電着性を向上し、或いはスズ合金皮膜の組成比を安定にすることを技術的課題とする。本発明者らは、上記特許文献1~6に列挙された添加物とは異なる化合物をスズ系メッキに適用して、広い電流密度域での均一電着性や皮膜外観の改善を鋭意研究した結果、上記特許文献6に記載されたフェナントロリン類に広義には属するがその開示例には全く包含されず、当該化合物から誘導されるフェナントロリンジオン化合物が、同フェナントロリン類に比べて均一電着性や皮膜外観を改善する点で明らかな優位性を示すこと、つまり、低電流~高電流の広い範囲で電流密度を変えるメッキ条件の下でも、得られる皮膜の均一電着性や皮膜外観を向上できることを見い出し、本発明を完成した。本発明1は、A第一スズ塩と、第一スズ塩及び銀、銅、ビスマス、鉛、ニッケル、アンチモンよりなる群から選ばれた金属の塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性塩、B有機酸及び無機酸から選ばれた酸又はその塩、C次の一般式1式1中、R1、R2、R3及びR4は同一又は異なっても良く、水素原子、C1~C4アルキル基、ハロゲン、フェニル基、C1~C4アルキル基、ハロゲン又はスルホン酸基で置換されたフェニル基を示すで表されるフェナントロリンジオン化合物を含有することを特徴とするスズ及びスズ合金メッキ浴である。本発明2は、上記本発明1において、酸が有機スルホン酸であることを特徴とするスズ及びスズ合金メッキ浴である。本発明3は、上記本発明1又は2において、さらに、界面活性剤、錯化剤、光沢剤、半光沢剤、平滑剤、酸化防止剤、pH調整剤よりなる群から選ばれた添加剤の少なくとも一種を含有することを特徴とするスズ及びスズ合金メッキ浴である。本発明4は、上記本発明1~3のいすれかのスズ又はスズ合金メッキ浴を用いて、スズ又はスズ合金の電着皮膜を形成した電子部品である。本発明のフェナントロリンジオン化合物を含むスズ又はスズ合金メッキ浴を用いると、広範囲の電流密度域でのメッキ条件、即ち、低電流~高電流の広い範囲内で様々に電流密度を変えてメッキを実施しても、得られるメッキ皮膜は均一電着性に優れるとともに、良好な皮膜外観を具備できる。また、スズ合金メッキの場合、広範囲の電流密度域で合金組成例えば、スズと相手方の金属との2元合金の場合には、スズと相手金属との組成のバラツキを抑制して、均一な合金組成を得ることができる。特に、本発明のフェナントロリンジオン化合物は、特許文献6に記載のフェナントロリン類に対して、上記均一電着性や皮膜外観を改善する点で明らかな優位性があり、スズ合金皮膜の組成比を安定にする作用も同様である。本発明は、第一に、Aスズ塩と、スズ塩及び銀、銅、ビスマスなどの所定の金属塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性塩と、B酸又はその塩と、C特定のフェナントロリンジオン化合物とを含有するスズ又はスズ合金メッキ浴であり、第二に、当該所定のスズ系メッキ浴を用いて金属皮膜を形成した電子部品である。本発明は電気スズメッキ浴、並びに電気スズ合金メッキ浴である。上記スズ合金は、スズと、銀、銅、ビスマス、鉛、ニッケル、アンチモンより選ばれた所定金属との合金であり、例えば、スズ-銀合金、スズ-銅合金、スズ-ビスマス合金、スズ-鉛合金、スズ-ニッケル合金、スズ-アンチモン合金の2元合金、スズ-銅-ビスマス、スズ-銅-銀合金などの3元合金が挙げられる。従って、本発明の上記可溶性塩Aはメッキ浴中でSn2、Ag、Cu、Cu2、Bi3、Pb2、Ni2、Sb3などの各種金属イオンを生成する任意の可溶性塩を意味し、例えば、当該金属の酸化物、ハロゲン化物、無機酸又は有機酸の当該金属塩などが挙げられる。金属酸化物としては、酸化第一スズ、酸化銅、酸化ニッケル、酸化ビスマス、酸化アンチモンなどが挙げられ、金属のハロゲン化物としては、塩化第一スズ、塩化ビスマス、臭化ビスマス、塩化第一銅、塩化第二銅、塩化ニッケル、塩化アンチモンなどが挙げられる。無機酸又は有機酸の金属塩としては、硫酸銅、硫酸第一スズ、硫酸ビスマス、硫酸ニッケル、硫酸アンチモン、硝酸ビスマス、硝酸銀、硝酸銅、硝酸アンチモン、硝酸ニッケル、硝酸鉛、酢酸銅、酢酸ニッケル、酢酸鉛、炭酸鉛、炭酸ニッケル、スズ酸ナトリウム、ホウフッ化第一スズ、ケイフッ化鉛、メタンスルホン酸第一スズ、メタンスルホン酸鉛、メタンスルホン酸亜鉛、メタンスルホン酸ビスマス、メタンスルホン酸ニッケル、エタンスルホン酸第一スズ、2-ヒドロキシプロパンスルホン酸ビスマスなどが挙げられる。本発明の酸又はその塩Bは、有機酸及び無機酸、或いはその塩から選択される。上記有機酸には、アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸、芳香族スルホン酸等の有機スルホン酸、或いは脂肪族カルボン酸などが挙げられ、無機酸には、ホウフッ化水素酸、ケイフッ化水素酸、スルファミン酸、塩酸、硫酸、硝酸、過塩素酸などが挙げられる。その塩は、アルカリ金属の塩、アルカリ土類金属の塩、アンモニウム塩、アミン塩、スルホン酸塩などである。当該成分Bは、金属塩の溶解性や排水処理の容易性の観点から有機スルホン酸が好ましい本発明2参照。上記アルカンスルホン酸としては、化学式CnH2n1SO3Hで示されるものが使用でき、具体的には、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、1―プロパンスルホン酸、2―プロパンスルホン酸、1―ブタンスルホン酸、2―ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸などの外、ヘキサンスルホン酸、デカンスルホン酸、ドデカンスルホン酸などが挙げられる。上記アルカノールスルホン酸としては、化学式CmH2m1CHCpH2pSO3Hで示されるものが使用でき、具体的には、2―ヒドロキシエタン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシプロパン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシブタン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシペンタン―1―スルホン酸などの外、1―ヒドロキシプロパン―2―スルホン酸、3―ヒドロキシプロパン―1―スルホン酸、4―ヒドロキシブタン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシヘキサン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシデカン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシドデカン―1―スルホン酸などが挙げられる。上記芳香族スルホン酸は、基本的にはベンゼンスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、フェノールスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸などであって、具体的には、1-ナフタレンスルホン酸、2―ナフタレンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、p―フェノールスルホン酸、クレゾールスルホン酸、スルホサリチル酸、ニトロベンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸、ジフェニルアミン―4―スルホン酸などが挙げられる。上記脂肪族カルボン酸としては、例えば、酢酸、プロピオン酸、酪酸、クエン酸、酒石酸、グルコン酸、スルホコハク酸、トリフルオロ酢酸などが挙げられる。本発明のフェナントロリンジオン化合物は、前述の通り、次の一般式1で表される。上記フェナントロリンジオン化合物はフェナントロリン核の5位と6位にカルボニル基を有する。また、フェナントロリン核に結合する置換基R1、R2、R3及びR4は同一でも良いし、異なっても良く、これらの置換基R1、R2、R3及びR4は、a水素原子bC1~C4アルキル基cハロゲンdフェニル基eC1~C4アルキル基、ハロゲン又はスルホン酸基で置換されたフェニル基の中から選ばれる。本発明のフェナントロリンジオン化合物は、各種の置換基が結合した、或いは無置換のフェナントロリンを常法に従って、濃硫酸及び濃硝酸などを用いて酸化することにより製造される。本発明のフェナントロリンジオン化合物の具体例は次の通りである。1化合物1:フェナントロリン-5,6-ジオン上記一般式1のうち、置換基R1、R2、R3及びR4=水素原子であり、下式で表される。2化合物2:2,9-ジメチルフェナントロリン-5,6-ジオン上記一般式1のうち、置換基R1及びR3=メチルであり、下式で表される。3化合物3:3478-テトラメチルフェナントロリン-5,6-ジオン上記一般式1のうち、置換基R1、R2、R3及びR4=メチルであり、下式で表される。4化合物4:29-ジブチルフェナントロリン-5,6-ジオン上記一般式1のうち、置換基R1及びR3=ブチルであり、下式で表される。5化合物5:29-ジ4-クロロフェニルフェナントロリン-5,6-ジオン上記一般式1のうち、置換基R1及びR3=塩素で置換されたフェニル基であり、下式で表される。6化合物6:9-クロロフェナントロリン-5,6-ジオン上記一般式1のうち、置換基R1=塩素であり、下式で表される。本発明のスズ又はスズ合金メッキ浴には、界面活性剤を初め、光沢剤、半光沢剤、平滑剤、酸化防止剤、pH調整剤、錯化剤、導電性塩などの各種添加剤を含有することができる本発明3参照。上記界面活性剤には通常のノニオン系、アニオン系、両性、或はカチオン系などの各種界面活性剤が挙げられ、メッキ皮膜の外観、緻密性、平滑性、密着性などの改善に寄与する。上記アニオン系界面活性剤としては、アルキル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩などが挙げられる。カチオン系界面活性剤としては、モノ~トリアルキルアミン塩、ジメチルジアルキルアンモニウム塩、トリメチルアルキルアンモニウム塩などが挙げられる。ノニオン系界面活性剤としては、C1~C20アルカノール、フェノール、ナフトール、ビスフェノール類、C1~C25アルキルフェノール、アリールアルキルフェノール、C1~C25アルキルナフトール、C1~C25アルコキシルリン酸、ソルビタンエステル、ポリアルキレングリコール、C1~C22脂肪族アミドなどにエチレンオキシド及び/又はプロピレンオキシドを2~300モル付加縮合させたものなどが挙げられる。両性界面活性剤としては、カルボキシベタイン、イミダゾリンベタイン、スルホベタイン、アミノカルボン酸などが挙げられる。上記光沢剤、半光沢剤としては、ベンズアルデヒド、o-クロロベンズアルデヒド、246-トリクロロベンズアルデヒド、m-クロロベンズアルデヒド、p-ニトロベンズアルデヒド、p-ヒドロキシベンズアルデヒド、フルフラール、1-ナフトアルデヒド、2-ナフトアルデヒド、2-ヒドロキシ-1-ナフトアルデヒド、3-アセナフトアルデヒド、ベンジリデンアセトン、ピリジデンアセトン、フルフリルデンアセトン、シンナムアルデヒド、アニスアルデヒド、サリチルアルデヒド、クロトンアルデヒド、アクロレイン、グルタルアルデヒド、パラアルデヒド、バニリンなどの各種アルデヒド、トリアジン、イミダゾール、インドール、キノリン、2-ビニルピリジン、アニリン、フェナントロリン、ネオクプロイン、ピコリン酸、チオ尿素類、N――p―スルファニル酸、N―ブチリデンスルファニル酸、N―シンナモイリデンスルファニル酸、24―ジアミノ―6―エチル―135―トリアジン、24―ジアミノ―6―エチル―135―トリアジン、24―ジアミノ―6―エチル―135―トリアジン、サリチル酸フェニル、或は、ベンゾチアゾール、2-メルカトプトベンゾチアゾール、2―メチルベンゾチアゾール、2―アミノベンゾチアゾール、2―アミノ―6―メトキシベンゾチアゾール、2―メチル―5―クロロベンゾチアゾール、2―ヒドロキシベンゾチアゾール、2―アミノ―6―メチルベンゾチアゾール、2―クロロベンゾチアゾール、25―ジメチルベンゾチアゾール、5―ヒドロキシ―2―メチルベンゾチアゾール等のベンゾチアゾール類などが挙げられる。上記平滑剤としては、β-ナフトール、β-ナフトール-6-スルホン酸、β-ナフタレンスルホン酸、m-クロロベンズアルデヒド、p-ニトロベンズアルデヒド、p-ヒドロキシベンズアルデヒド、メトキシベンズアルデヒド、バニリン、ジクロロベンズアルデヒド、クロロベンズアルデヒド、1-ナフトアルデヒド、2-ナフトアルデヒド、2-ヒドロキシ-1-ナフトアルデヒド、2-クロロ-1-ナフトアルデヒド、2-チオフェンカルボキシアルデヒド、2-フルアルデヒド、3-インドールカルボキシアルデヒド、サリチルアルデヒド、o-フタルアルデヒド、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、パラアルデヒド、ブチルアルデヒド、イソブチルアルデヒド、プロピオンアルデヒド、n-バレルアルデヒド、アクロレイン、クロトンアルデヒド、グリオキサール、アルドール、スクシンジアルデヒド、カプロンアルデヒド、イソバレルアルデヒド、アリルアルデヒド、グルタルアルデヒド、1-ベンジリデン-7-ヘプタナール、24-ヘキサジエナール、シンナムアルデヒド、ベンジルクロトンアルデヒド、アミン-アルデヒド縮合物、酸化メシチル、イソホロン、ジアセチル、ヘキサンジオン-34、アセチルアセトン、3-クロロベンジリデンアセトン、subピリジリデンアセトン、subフルフリジンアセトン、subテニリデンアセトン、4--3-ブテン-2-オン、4--3-ブテン-2-オン、4--3-ブテン-2-オン、クルクミン、ベンジリデンアセチルアセトン、ベンザルアセトン、アセトフェノン、ジクロロアセトフェノン、ベンジリデンアセトフェノン、2-シンナミルチオフェン、2-ビニルフラン、ビニルフェニルケトン、アクリル酸、メタクリル酸、エタクリル酸、アクリル酸エチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸ブチル、クロトン酸、プロピレン-13-ジカルボン酸、ケイ皮酸、トルイジン、アミノアニリン、アニリン、クロロアニリン、クロロメチルアニリン、N-モノメチルアニリン、44′-ジアミノジフェニルメタン、N-フェニル-ナフチルアミン、メチルベンズトリアゾール、123-トリアジン、124-トリアジン、135-トリアジン、123-ベンズトリアジン、イミダゾール、2-ビニルピリジン、インドール、キノリン、モノエタノールアミンとo-バニリンの反応物、ポリビニルアルコール、カテコール、ハイドロキノン、レゾルシン、ポリエチレンイミン、エチレンジアミンテトラ酢酸二ナトリウム、ポリビニルピロリドンなどが挙げられる。また、ゼラチン、ポリペプトン、Npスルファニル酸、Nブチリデンスルファニル酸、Nシンナモイリデンスルファニル酸、24ジアミノ6エチル135トリアジン、24ジアミノ6エチル135トリアジン、24ジアミノ6エチル135トリアジン、サリチル酸フェニル、或は、ベンゾチアゾール類も平滑剤として有効である。上記ベンゾチアゾール類としては、ベンゾチアゾール、2メチルベンゾチアゾール、2メルカプトベンゾチアゾール、2ベンゾチアゾール、2アミノベンゾチアゾール、2アミノ6メトキシベンゾチアゾール、2メチル5クロロベンゾチアゾール、2ヒドロキシベンゾチアゾール、2アミノ6メチルベンゾチアゾール、2クロロベンゾチアゾール、25ジメチルベンゾチアゾール、6ニトロ2メルカプトベンゾチアゾール、5ヒドロキシ2メチルベンゾチアゾール、2ベンゾチアゾールチオ酢酸などが挙げられる。上記pH調整剤はメッキ浴のpHを調整するためのもので、例えば、中性スズメッキ浴では重要である。具体的には、塩酸、硫酸等の各種の無機酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸等のモノカルボン酸類、ホウ酸類、リン酸類、シュウ酸、コハク酸等のジカルボン酸類、乳酸、酒石酸等のオキシカルボン酸類などの有機酸、或は、アンモニア水、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、有機アミン塩等の各種の塩基などを使用する。上記酸化防止剤は、可溶性第一スズ塩の第二スズ塩への酸化を防止する目的で含有され、次亜リン酸類を初め、アスコルビン酸又はその塩、ハイドロキノン、カテコール、レゾルシン、フロログルシン、ヒドラジン、クレゾールスルホン酸、フェノールスルホン酸、カテコールスルホン酸、ハイドロキノンスルホン酸、ナフトールスルホン酸、或いはこれらの塩などが使用できる。上記錯化剤は、特に、銀などの貴金属を含むメッキ浴で貴金属イオンなどを浴中で安定化させるために用いる。例えば、チオグリコール酸、チオジグリコール酸、チオグリコール、チオジグリコール、メルカプトコハク酸、36-ジチア-18-オクタンジオール、369-トリチアデカン-111-ジスルホン酸、チオビスドデカエチレングリコール、ジ6-メチルベンゾチアゾリルジスルフィドトリスルホン酸、ジ6-クロロベンゾチアゾリルジスルフィドジスルホン酸、ジチオジアニリン、ジピリジルジスルフィド、メルカプトコハク酸、亜硫酸塩、チオ硫酸塩、チオ尿素類などの含イオウ化合物、トリス3-ヒドロキシプロピルホスフィンなどのリン化合物を添加する。また、例えば、中性スズメッキ浴では、Sn2を浴中で安定化させて白色沈殿の発生や浴の分解を防止するために錯化剤が必要である。当該錯化剤は、オキシカルボン酸、ポリカルボン酸、モノカルボン酸などであり、具体的には、グルコン酸、クエン酸、グルコヘプトン酸、グルコノラクトン、グルコヘプトラクトン、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、アスコルビン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グリコール酸、リンゴ酸、酒石酸、ジグリコール酸、或はこれらの塩などが挙げられる。好ましくは、グルコン酸、クエン酸、グルコヘプトン酸、グルコノラクトン、グルコヘプトラクトン、或はこれらの塩などである。また、エチレンジアミン、エチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、ニトリロ三酢酸、イミノジ酢酸、イミノジプロピオン酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸、エチレンジオキシビス-NNN′N′-テトラ酢酸、グリシン類、ニトリロトリメチルホスホン酸、或はこれらの塩なども有効である。また、導電性塩としては、硫酸、塩酸、リン酸、スルファミン酸、スルホン酸のナトリウム塩、カリウム塩、マグネシウム塩、アンモニウム塩、アミン塩などが挙げられる。本発明のフェナントロリンジオン化合物Cは単用又は併用でき、メッキ浴での含有量は001~100ppm、好ましくは01~50ppm、より好ましくは1~20ppm=0001~0020g/Lである。含有量が適正範囲より少ないと均一電着性や皮膜外観の向上効果などが充分に得られず、多すぎるとヤケが発生するなどの恐れがある。また、上記所定の可溶性金属塩Aは単用又は併用でき、メッキ浴中での含有量は0001~2モル/Lであり、好ましくは001~15モル/Lである。無機酸、有機酸又はその塩Bは単用又は併用でき、メッキ浴中での含有量は01~12モル/Lであり、好ましくは02~30モル/Lである。尚、上記各成分の添加濃度はバレルメッキ、ラックメッキ、高速連続メッキ、ラックレスメッキ、バンプメッキなどのメッキ方式に応じて任意に調整選択することになる。一方、本発明の電気メッキ浴の浴温は一般に70°C以下、好ましくは10~40°Cである。陰極電流密度は一般に001~150A/dm2、好ましくは01~100A/dm2である。本発明4は、本発明1~3のフェナントロリンジオン化合物を含有するスズ又はスズ合金メッキ浴を被メッキ物である電子部品に適用して、電子部品に所定の金属皮膜を形成したものである。電子部品には、プリント基板、フレキシブルプリント基板、フィルムキャリア、半導体集積回路、抵抗、コンデンサ、フィルタ、インダクタ、サーミスタ、水晶振動子、スイッチ、リード線などが挙げられる。また、ウエハーのバンプ電極などのように電子部品の一部に本発明のメッキ浴を適用して皮膜形成しても良いことは言うまでもない。以下、本発明のフェナントロリンジオン化合物の製造例1~6、当該製造例1~6で得られた化合物1~6前述の具体的化合物1~6と同じを夫々含有させた電気スズ及びむスズ合金メッキ浴の実施例1~8、当該実施例1~8で得られた電着皮膜の共析率及び皮膜外観試験例を順次説明する。上記製造例、実施例、試験例の部、は基本的に重量基準である。尚、本発明は下記の製造例、実施例などに拘束されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意の変形をなし得ることは勿論である。《フェナントロリンジオン化合物の製造例》1製造例11Lの四つ口フラスコに2,9-ジメチルフェナントロリン20gと臭化カリウム20gを加え、撹拌下10°C以下に冷却した。そして、濃硫酸240mLを液温10°C以下でゆっくり滴下した。次に、濃硝酸160mLを同様に液温10°C以下でゆっくり滴下した。滴下終了後、65~67°Cにて3時間反応させた。反応終了後、室温まで冷却してから3kgの氷に反応物を注ぎ、撹拌下30°C以下にて炭酸ナトリウム590gを徐々に加えて中和した。これを塩化メチレン1Lで抽出し、塩化メチレン層を分液した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、乾燥した塩化メチレン層から塩化メチレンを留去して、残渣にメタノール320mLを加え、室温に冷却して再結晶した。結晶をろ別して127gの生成物を得た。そして、1H-NMRにより、上記生成物が2,9-ジメチルフェナントロリン-5,6-ジオン=前述のフェナントロリンジオン化合物2であることを確認した。1H-NMR:286、742、8382製造例2~6その他の前記フェナントロリンジオン化合物1、3~6も同様に処理して得ることができた。《スズ及びスズ合金メッキ浴の実施例》下記の実施例1~9のうち、実施例1は前記フェナントロリンジオン化合物1を含有するスズ-銀合金メッキ浴の例、同じく、実施例2は前記化合物2を含有するスズ-銅合金メッキ浴の例、実施例3は前記化合物3を含有するスズ-ビスマス合金メッキ浴の例、実施例4は前記化合物4を含有するスズ-銅-ビスマス合金メッキ浴の例、実施例5は前記化合物5を含有するスズメッキ浴の例、実施例6は前記化合物6を含有するスズ-鉛合金メッキ浴の例、実施例7は前記化合物3を含有するスズ-ニッケル合金メッキ浴の例、実施例8は前記化合物5を含有するスズ-アンチモン合金メッキ浴の例、実施例9は前記化合物3を含有するスズメッキ浴の例である。また、実施例7は中性スズ合金メッキ浴、実施例9は中性スズメッキ浴であり、その他の実施例はすべて酸性メッキ浴である。一方、下記の比較例1~12のうち、比較例1~9は夫々実施例1~9を基本として、本発明のフェナントロリンジオン化合物を含まないブランク例である例えば、比較例1は実施例1からフェナントロリンジオン化合物1を除いた例である。比較例10~12は前記特許文献6に準拠して、本発明のフェナントロリンジオン化合物に代えて同文献6に記載のフェナントロリン類を含有した例であり、比較例10は実施例1を基本として、本発明のフェナントロリンジオン化合物を1,10-フェナントロリンに代替したスズ-銀合金メッキ浴の例である。同じく、比較例11は実施例2を基本として2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリンに代替したスズ-銅合金メッキ浴の例、比較例12は実施例5を基本として3,4,7,8-テトラメチル-1,10-フェナントロリンに代替した酸性スズメッキ浴の例である。尚、各メッキ浴の浴温は明示がある外は25°Cである。1実施例1下記の組成によりスズ-銀合金メッキ浴を建浴した。メタンスルホン酸スズSn2として40g/Lメタンスルホン酸銀Agとして1g/Lメタンスルホン酸遊離酸として120g/L化合物10005g/Lチオ尿素12g/Lメチルナフトールポリエトキシレート2g/Lイオン交換水残部2実施例2下記の組成によりスズ-銅合金メッキ浴を建浴した。2-プロパノールスルホン酸スズSn2として50g/L2-プロパノールスルホン酸銅Cu2として1g/Lメタンスルホン酸遊離酸として120g/L化合物20005g/L47-ジチア-110-デカンジオール30g/Lジスチレン化フェノールポリエトキシレート7g/Lイオン交換水残部3実施例3下記の組成によりスズ-ビスマス合金メッキ浴を建浴した。エタンスルホン酸スズSn2として20g/Lメタンスルホン酸ビスマスBi3として5g/L2-ブタンスルホン酸80g/L化合物300012g/L次亜燐酸20g/Lリノレイルアミンポリエトキシレート-ポリプロポキシレート12g/Lイオン交換水残部4実施例4下記の組成によりスズ-銅-ビスマス合金メッキ浴を建浴した。2-プロパノールスルホン酸スズSn2として20g/L2-プロパノールスルホン酸銅Cu2として05g/Lメタンスルホン酸ビスマスBi3として15g/L2-ヒドロキシエタンスルホン酸遊離酸として120g/L36-ジチア-18-オクタンジオール30g/L化合物40001g/Lラウリルアミンポリエトキシレート10g/Lドデシルベンジルジメチルアンモニウムメタンスルホネート05g/Lイオン交換水残部5実施例5下記の組成により酸性スズメッキ浴を建浴した。2-ヒドロキシプロパンスルホン酸第一スズ20g/L2-ヒドロキシプロパンスルホン酸100g/L2-メルカプトベンゾチアゾール01g/L化合物5001g/Lノニルフェノールポリエトキシレート10g/Lカテコール03g/Lイオン交換水残部6実施例6下記の組成によりスズ-鉛合金メッキ浴を建浴した。メタンスルホン酸第一スズ36g/Lメタンスルホン酸鉛4g/L遊離メタンスルホン酸100g/L化合物60007g/Lポリオキシエチレン-ポリオキシプロピレングリコール5g/Lドデシルアルコールポリエトキシレート10g/Lハイドロキノン02g/Lイオン交換水残部7実施例7下記の組成により中性スズ-ニッケル合金メッキ浴を建浴した。硫酸第一スズ30g/L硫酸ニッケル1g/Lグルコン酸ナトリウム220g/L化合物30005g/Lチオビスドデカエチレングリコール20g/L硫酸ナトリウム50g/Lジジスルフィド-ジスルホン酸二ナトリウム03g/Lイオン交換水残部pH水酸化ナトリウムで調整40[メッキ温度]浴温:25°C8実施例8下記の組成によりスズ-アンチモン合金メッキ浴を建浴した。硫酸第一スズ25g/L塩化アンチモン1g/L硫酸100g/L化合物50003g/Lフッ化アンチモン5g/Lゼラチン05g/Lフェノール5g/Lジジスルフィドトリスルホン酸05g/Lイオン交換水残部[メッキ温度]浴温:45°C9実施例9下記の組成により中性スズメッキ浴を建浴した。メタンスルホン酸第一スズ15g/Lメタンスルホン酸40g/Lグルコン酸ナトリウム220g/L化合物30005g/Lアスコルビン酸1g/Lベンジルジメチルヘキサデシルアンモニウムメチルスルホネート05g/L硫酸マグネシウム15g/Lイオン交換水残部pH水酸化ナトリウムで調整45[メッキ温度]浴温:25°C10比較例1~9比較例nn=1~9の整数は、上記実施例nn=1~9の整数を基本として、フェナントロリンジオン化合物を添加しないでスズ又はスズ合金メッキ浴を建浴した。例えば、比較例3n=3は実施例3n=3からフェナントロリンジオン化合物3を排除したブランク例である。11比較例10下記の組成によりスズ-銀合金メッキ浴を建浴した。メタンスルホン酸スズSn2として40g/Lメタンスルホン酸銀Agとして1g/Lメタンスルホン酸遊離酸として120g/L1,10-フェナントロリン0005g/Lチオ尿素12g/Lメチルナフトールポリエトキシレート2g/Lイオン交換水残部12比較例11下記の組成によりスズ-銅合金メッキ浴を建浴した。2-プロパノールスルホン酸スズSn2として50g/L2-プロパノールスルホン酸銅Cu2として1g/Lメタンスルホン酸遊離酸として120g/L2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリン0005g/L47-ジチア-110-デカンジオール30g/Lジスチレン化フェノールポリエトキシレート7g/Lイオン交換水残部13比較例12下記の組成により酸性スズメッキ浴を建浴した。2-ヒドロキシプロパンスルホン酸第一スズ20g/L2-ヒドロキシプロパンスルホン酸100g/L2-メルカプトベンゾチアゾール01g/L3478-テトラメチル-110-フェナントロリン0005g/Lノニルフェノールポリエトキシレート10g/Lカテコール03g/Lイオン交換水残部《金属共析率の測定及びメッキ皮膜の外観評価試験例》そこで、実施例1~9及び比較例1~12の各スズ及びスズ合金メッキ浴について、電流密度の条件を変えて電気メッキを行い、浴から得られた電着皮膜中の金属の共析率をICP発光分析装置蛍光X線膜厚計でも可を用いて測定した。また、得られた電着皮膜の外観について、ヤケコゲ、デンドライト又は粉末状化などの析出異常の有無を目視観察し、実用的なメッキ皮膜としての必要最低限のレベルを備えているか否かを下記の基準に従って評価した。◎:異なる電流密度域においても皮膜外観に異状がなく、美麗な白色外観で、金属光沢を呈し、ヤケやデンドライトが認められなかった。○:皮膜は白色外観であったが、高電流密度域においてヤケが認められた。×:いずれかの電流密度域においてヤケ、デンドライトなどが顕著に認められるか、茶色、褐色などのシミ、色ムラが見られ、皮膜外観はきわめて劣っていた。《試験評価》図1はその試験結果である。本発明のフェナントロリンジオン化合物を含まない比較例1~9ブランク例を見ると、スズ及びスズ合金メッキ浴から得られた電着皮膜の外観はいずれもヤケやデンドライトなどの析出異常か、シミや色ムラが見られ、外観不良を呈した。しかも、スズ合金メッキ浴の比較例1~4、6~8では、低電流密度と高電流密度での合金組成共析率を見ると、低密度域に比べて高電流密度域でのスズの相手方の金属の析出率が低下してしまい、特にスズ-銀合金、スズ-銅合金、スズ-鉛合金、スズ-アンチモン合金でこの低下が顕著であり、広い電流密度域で安定した組成比の合金を得ることはできなかった。また、本発明のフェナントロリンジオン化合物は含まず、特許文献6に記載のフェナントロリン類を含む比較例10~12では、いずれも皮膜は白色外観を呈したが、高電流密度でヤケが見られ、皮膜外観は〇の評価であった。スズ合金メッキ浴である比較例10~11の共析率を見ると、ブランク例比較例1~9に比べて低電流密度と高電流密度での差異は明らかに減少しており、合金組成のバラツキはかなり改善されていた。これに対して、本発明のフェナントロリンジオン化合物を含む実施例1~9を見ると、電着皮膜の外観にはいずれもヤケやデンドライトなどの析出異常や、シミや色ムラは見られずつまり高電流密度域でのヤケも見られず、白色の美麗な皮膜外観を呈した。また、スズ合金メッキ浴である実施例1~4、6~8の共析率を見ると、低電流密度と高電流密度での差異はないか、ほとんどなく、広い電流密度域で安定した組成の合金を得ることができ、特に、特許文献6に記載のフェナントロリン類を含む比較例10~12に比べても、得られた合金皮膜の組成比の安定性は顕著であった。実施例1~9のスズ及びスズ合金メッキ浴においては、酸性浴、中性浴を問わず、優れた皮膜外観と、広い電流密度範囲での合金組成の良好な安定性が得られることが裏付けられた。また、スズ-銀合金、スズ-銅合金、スズ-ビスマス合金、スズ-鉛合金、スズ-ニッケル合金、スズ-アンチモン合金の各メッキ浴種から得られる電着皮膜について、いずれも優れた皮膜外観と広範囲の電流密度域での合金皮膜の組成比の安定性が得られることが分かった。しかも、フェナントロリンジオン化合物は母核への所定の官能基の置換又は無置換のいずれの場合であっても、上記皮膜外観と合金組成比の安定性が得られるとともに、そのメッキ浴への含有量はppmオーダーの微量で有効に作用することが確認できた。"