"電子部品の所与の温度特性を補償するための温度補償データを作成する方法であって、複数の前記電子部品を搭載可能な治具の、複数の前記電子部品を搭載する搭載面の温度分布情報を生成する温度分布情報生成工程と、前記治具の前記搭載面に複数の前記電子部品を搭載する電子部品搭載工程と、複数の前記電子部品が搭載された前記搭載面の一部分の温度を測定する温度測定工程と、前記温度測定工程で測定した温度と前記温度分布情報に基づいて、前記搭載面の前記温度測定工程で温度を測定していない部分の温度情報を算出する温度情報算出工程と、前記温度情報算出工程で算出した前記温度情報に基づいて、複数の前記電子部品の各々に対する前記温度補償データを算出する温度補償データ算出工程と、を含む、電子部品の温度補償データ作成方法。請求項1において、前記温度測定工程において、前記電子部品に含まれる温度センサーを用いて前記搭載面の一部分の温度を測定する、電子部品の温度補償データ作成方法。請求項1において、前記温度測定工程において、前記治具の前記搭載面に固定された温度センサーを用いて前記搭載面の一部分の温度を測定する、電子部品の温度補償データ作成方法。請求項1乃至3のいずれかにおいて、前記温度測定工程において、前記治具の前記搭載面の中央部の温度を測定する、電子部品の温度補償データ作成方法。請求項1乃至4のいずれかにおいて、前記温度分布情報生成工程において、前記搭載面の所定位置の温度を測定し、当該所定位置の温度の情報を含む前記温度分布情報を生成し、前記温度測定工程において、前記搭載面の前記所定位置の温度を繰り返し測定し、前記温度情報算出工程において、前記温度測定工程で測定した前記所定位置の温度と前記温度分布情報から得られる当該所定位置の温度との差が所定量以下のときの前記温度情報を算出する、電子部品の温度補償データ作成方法。請求項1乃至5のいずれかにおいて、前記温度測定工程において、前記治具の前記搭載面の複数箇所に分かれた前記一部分の温度を測定する、電子部品の温度補償データ作成方法。請求項6において、前記温度測定工程において、前記治具の前記搭載面の中央部の温度および周辺部の温度を測定する、電子部品の温度補償データ作成方法。請求項6又は7において、前記温度分布情報生成工程において、前記搭載面の前記複数箇所の温度を測定し、当該複数箇所の温度差の情報を含む前記温度分布情報を生成し、前記温度測定工程において、前記搭載面の前記複数箇所の温度を繰り返し測定し、前記温度情報算出工程において、前記温度測定工程で測定した前記複数箇所の温度差と前記温度分布情報から得られる当該複数箇所の温度差との差が所定量以下になるまで待ってから前記温度情報を算出する、電子部品の温度補償データ作成方法。請求項1乃至8のいずれかにおいて、前記治具は、ペルチェ素子である、電子部品の温度補償データ作成方法。所与の温度特性を補償するための温度補償データを記憶する電子部品の生産方法であって、設計情報に基づいて、記憶部に前記温度補償データが記憶されていない複数の前記電子部品を製造する製造工程と、前記電子部品製造工程で製造した前記電子部品を検査する検査工程と、を含み、前記検査工程は、複数の前記電子部品を搭載可能な治具の、前記電子部品を搭載する搭載面の温度分布情報を生成する温度分布情報生成工程と、前記治具の前記搭載面に複数の前記電子部品を搭載する電子部品搭載工程と、複数の前記電子部品が搭載された前記搭載面の一部分の温度を測定する温度測定工程と、前記温度測定工程で測定した温度と前記温度分布情報に基づいて、前記搭載面の前記温度測定工程で温度を測定していない部分の温度情報を算出する温度情報算出工程と、前記温度情報算出工程で算出した前記温度情報に基づいて、複数の前記電子部品の各々に対する前記温度補償データを算出する温度補償データ算出工程と、温度補償データ算出工程で算出した前記温度補償データを前記複数の前記電子部品の各々の前記記憶部に書き込む温度補償データ書き込み工程と、を含む、電子部品の生産方法。しかしながら、特許文献1や特許文献2の手法では、TCXO毎に温度情報を取得する必要があるので、恒温槽の表示温度に基づいて温度補償データを算出する場合と比較して、温度補償データの算出精度は上がるものの、温度補償工程に要する時間が大幅に増えてしまうという問題がある。本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のいくつかの態様によれば、温度補償データの精度の劣化を抑えながら温度補償データの作成に要する時間を短縮することが可能な電子部品の温度補償データ作成方法及び電子部品の製造方法を提供することができる。1本発明は、電子部品の所与の温度特性を補償するための温度補償データを作成する方法であって、複数の前記電子部品を搭載可能な治具の、複数の前記電子部品を搭載する搭載面の温度分布情報を生成する温度分布情報生成工程と、前記治具の前記搭載面に複数の前記電子部品を搭載する電子部品搭載工程と、複数の前記電子部品が搭載された前記搭載面の一部分の温度を測定する温度測定工程と、前記温度測定工程で測定した温度と前記温度分布情報に基づいて、前記搭載面の前記温度測定工程で温度を測定していない部分の温度情報を算出する温度情報算出工程と、前記温度情報算出工程で算出した前記温度情報に基づいて、複数の前記電子部品の各々に対する前記温度補償データを算出する温度補償データ算出工程と、を含む、電子部品の温度補償データ作成方法である。本発明によれば、最初に一度だけ治具の搭載面の温度分布情報を生成すれば、その後は、温度補償データ作成対象の複数の電子部品を治具の搭載面に搭載する毎に、すべての電子部品の温度を測定するのではなく、当該搭載面の一部の温度のみ測定すればよいので、温度補償データの作成に要する時間を短縮することができる。また、本発明によれば、治具の搭載面の温度を測定することで、恒温槽の表示温度等と比較して電子部品により近い位置の温度の情報が得られるので、より高精度な温度補償データを作成することができる。2この電子部品の温度補償データ作成方法は、前記温度測定工程において、前記電子部品に含まれる温度センサーを用いて前記搭載面の一部分の温度を測定するようにしてもよい。このようにすれば、電子部品自身の温度情報を基に高精度な温度補償データを作成することができるとともに、例えば、恒温槽の表示温度が安定するまで待つ必要がないので、温度安定待ち時間を短縮することができる。3この電子部品の温度補償データ作成方法は、前記温度測定工程において、前記治具の前記搭載面に固定された温度センサーを用いて前記搭載面の一部分の温度を測定するようにしてもよい。専用の温度センサーそのものを治具の搭載面に直接固定してもよいし、温度センサーを内蔵する温度測定用の電子部品を治具の搭載面に固定することで温度センサーを治具の搭載面に固定してもよい。一般に、温度補償データ作成対象の電子部品は量産品であるため内蔵する温度センサーの特性にばらつきがあるので、これとは別の温度測定専用の温度センサー又は温度センサー内蔵の電子部品を治具に固定して温度を測定することで、温度測定の精度を向上させることができる。この温度情報を用いることで、治具の搭載面の温度分布が先に生成した温度分布情報とより一致した状態にしてより高精度な温度補償データを作成することができる。さらに、機構が単純な信頼性の高い壊れにくい専用の温度センサーを用いることで、温度センサーの経時劣化に起因する温度補償データの精度の低下を抑えることができる。4この電子部品の温度補償データ作成方法は、前記温度測定工程において、前記治具の前記搭載面の中央部の温度を測定するようにしてもよい。5この電子部品の温度補償データ作成方法は、前記温度分布情報生成工程において、前記搭載面の所定位置の温度を測定し、当該所定位置の温度の情報を含む前記温度分布情報を生成し、前記温度測定工程において、前記搭載面の前記所定位置の温度を繰り返し測定し、前記温度情報算出工程において、前記温度測定工程で測定した前記所定位置の温度と前記温度分布情報から得られる当該所定位置の温度との差が所定量以下のときの前記温度情報を算出するようにしてもよい。このようにすれば、治具の搭載面の温度分布が先に生成した温度分布情報に近づいた状態になるまで待ってから、精度の高い温度補償データを作成することができる。6この電子部品の温度補償データ作成方法は、前記温度測定工程において、前記治具の前記搭載面の複数箇所に分かれた前記一部分の温度を測定するようにしてもよい。このようにすれば、治具の搭載面の温度分布が先に生成した温度分布情報に近づいたか否かを正確かつ容易に判断できる。7この電子部品の温度補償データ作成方法は、前記温度測定工程において、前記治具の前記搭載面の中央部の温度および周辺部の温度を測定するようにしてもよい。治具の搭載面の中央部の温度を基準とすると周辺部の温度が中央部の温度と最も差があると考えられるので、中央部の温度と周辺部の温度を測定することで、治具の搭載面の温度分布が先に生成した温度分布情報に近づいたか否かを最も正確かつ容易に判断できる。8この電子部品の温度補償データ作成方法は、前記温度分布情報生成工程において、前記搭載面の前記複数箇所の温度を測定し、当該複数箇所の温度差の情報を含む前記温度分布情報を生成し、前記温度測定工程において、前記搭載面の前記複数箇所の温度を繰り返し測定し、前記温度情報算出工程において、前記温度測定工程で測定した前記複数箇所の温度差と前記温度分布情報から得られる当該複数箇所の温度差との差が所定量以下になるまで待ってから前記温度情報を算出するようにしてもよい。このようにすれば、治具の搭載面の温度分布が先に生成した温度分布情報に確実に近づいた状態になるまで待ってから、精度の高い温度補償データを作成することができる。9この電子部品の温度補償データ作成方法において、前記治具は、ペルチェ素子であってもよい。10本発明は、所与の温度特性を補償するための温度補償データを記憶する電子部品の生産方法であって、設計情報に基づいて、記憶部に前記温度補償データが記憶されていない複数の前記電子部品を製造する製造工程と、前記電子部品製造工程で製造した前記電子部品を検査する検査工程と、を含み、前記検査工程は、複数の前記電子部品を搭載可能な治具の、前記電子部品を搭載する搭載面の温度分布情報を生成する温度分布情報生成工程と、前記治具の前記搭載面に複数の前記電子部品を搭載する電子部品搭載工程と、複数の前記電子部品が搭載された前記搭載面の一部分の温度を測定する温度測定工程と、前記温度測定工程で測定した温度と前記温度分布情報に基づいて、前記搭載面の前記温度測定工程で温度を測定していない部分の温度情報を算出する温度情報算出工程と、前記温度情報算出工程で算出した前記温度情報に基づいて、複数の前記電子部品の各々に対する前記温度補償データを算出する温度補償データ算出工程と、温度補償データ算出工程で算出した前記温度補償データを前記複数の前記電子部品の各々の前記記憶部に書き込む温度補償データ書き込み工程と、を含む、電子部品の生産方法である。本発明によれば、検査工程において、最初に一度だけ治具の搭載面の温度分布情報を生成すれば、その後は、温度補償データ作成対象の複数の電子部品を治具の搭載面に搭載する毎に、すべての電子部品の温度を測定するのではなく、当該搭載面の一部の温度のみ測定すればよい。従って、電子部品の検査工程に要する時間を短縮することができる。また、本発明によれば、検査工程において、治具の搭載面の温度を測定することで、恒温槽の表示温度等と比較して電子部品により近い位置の温度の情報が得られるので、より高精度な温度補償データを作成することができる。従って、本発明によれば、温度特性が良好な電子部品を生産することができる。以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。1.電子部品の生産方法本実施形態の製造方法は、温度補償データを記憶する電子部品を対象とする。このような電子部品としては、例えば、温度補償型水晶発振器TCXO、TSXO、温度補償型のMEMSMicroElectroMechanicalSystems発振器等の発振器やジャイロセンサー等のセンサーなどが挙げられる。図1は、本実施形態の電子部品の生産方法のフローチャートの一例を示す図である。図1に示すように、本実施形態では、電子部品は製造工程S10と検査工程S20を経て生産される。製造工程S10では、電子部品の設計情報設計データやマスク情報等に基づいて、例えば、半導体の製造プロセスやパッケージングなどを行い、記憶部に温度補償データが記憶されていない複数の電子部品が製造される。検査工程S20では、製造工程S10で製造された電子部品に対して種々の検査特性検査や外観検査等を行い、良品を選別する。特に、本実施形態では、選別された良品に対して温度補償工程S22が行われる。この温度補償工程S22は、電子部品の所与の温度特性例えば、周波数温度特性を補償するための温度補償データを作成する温度補償データ作成工程S24と、温度補償データ作成工程S24で作成した温度補償データを、電子部品の記憶部に書き込む温度補償データ書き込み工程S26を含む。図2は、本実施形態の電子部品の温度補償データ作成方法図1の温度補償データ作成工程S24のフローチャートの一例を示す図である。図2に示すように、まず、治具の搭載面の温度分布情報を生成する温度分布情報生成工程S30。治具は、複数の電子部品を固定して搭載可能であればよく、例えば、ペルチェ素子であってもよいし、電子部品を固定する複数のソケットが設けられたプリント基板であってもよい。なお、治具の搭載面とは、治具における複数の電子部品が搭載される面である。次に、治具の搭載面に複数の電子部品を搭載する電子部品搭載工程S32。次に、治具の温度が所定の温度になるよう温度設定し、治具の搭載面の一部分の温度を測定する温度測定工程S34。温度設定については例えば、治具を恒温槽に収容して恒温槽の内部温度が所定の温度になるように設定し、搭載面の一部分の温度を測定してもよい。次に、ステップS34で測定した温度とステップS30で生成した温度分布情報に基づいて、ステップS34で治具の搭載面の温度を測定していない部分の温度情報を算出する温度情報算出工程S36。最後に、ステップS36で算出した温度情報に基づいて、複数の電子部品の各々に対する温度補償データを算出する温度補償データ算出工程S38。以下では、電子部品の温度補償データ作成方法の具体的な実施形態として、温度補償型水晶発振器TCXOの温度補償データ作成方法を例に挙げて詳細に説明する。2.電子部品の温度補償データ作成方法2-1.測定系まず、本実施形態の温度補償型水晶発振器TCXOの測定系について説明する。図3は、本実施形態の温度補償型水晶発振器TCXOの測定系の構成例を示す図である。本実施形態の温度補償型水晶発振器TCXO1は、温度補償用ICIntegratedCircuit10と水晶振動子12を含んで構成されている。温度補償用IC10は、電圧制御発振回路20、温度補償電圧発生回路30、温度センサー40、インターフェースI/F回路50、メモリー60、スイッチ回路70、スイッチ回路80を含んで構成されている。電圧制御発振回路20は、外部端子13,14を介して水晶振動子12と接続されており、制御電圧に応じて可変容量素子22の容量値を変化させることにより、水晶振動子12の発振周波数を制御する。電圧制御発振回路20の発振信号は、出力端子15を介して外部に出力される。温度補償電圧発生回路30は、温度センサー40の電圧値とメモリー60に記憶されている温度補償データに基づいて、温度補償電圧を発生させる。本実施形態では、温度補償電圧発生回路30は、水晶振動子12の周波数温度特性を表す関数と相似形の関数となるように、温度センサー40の電圧値に応じた温度補償電圧を発生させる。例えば、水晶振動子12がATカット水晶振動子であれば、温度補償電圧発生回路30は、次式1で表されるような、温度センサー40の電圧値を変数とする3次関数の温度補償電圧VTCを発生させる。式1において、VTSは温度センサーの電圧値、C3は3次係数、C2は2次係数、C1は1次係数、C0は0次の定数である。メモリー60は、EEPROMElectricallyErasableProgrammableReadOnlyMemory等の不揮発性のメモリーであり、水晶振動子12の周波数温度特性を温度補償するための温度補償データが記憶されている。温度補償データは、例えば、式1の4つの係数C3,C2,C1,C0の値であり、入出力端子17からインターフェースI/F回路50を介してメモリー60に書き込んだり、メモリー60から読み出したりすることができるようになっている。スイッチ回路70は、不図示の内部レジスタの設定値に従って、可変容量素子22の制御電圧の供給源を選択する。また、スイッチ回路80は、不図示の内部レジスタの設定値に従って、入出力端子16の接続先を選択する。具体的には、通常動作モードでは、可変容量素子22の制御電圧として温度補償電圧が選択され、テストモードでは、スイッチ回路70とスイッチ回路80の接続先を切り替えて、温度センサー40の電圧値を入出力端子16から出力したり、可変容量素子22の制御電圧を入出力端子16から供給することができるようになっている。このような構成の温度補償型水晶発振器TCXO1は、温度補償工程図1のS22において、出力端子15、入出力端子16,17を介して測定器2と接続される。測定器2は、周波数カウンター100、電圧発生器110、電圧マルチメーター120、パーソナルコンピューターPC130を含んで構成されている。周波数カウンター100は、温度補償用IC10の出力端子15から出力される発振信号の周波数をカウントし、カウント値をPC130に送信する。電圧発生器110は、パーソナルコンピューターPC130の制御信号に応じた電圧を発生させる。電圧発生器110の出力電圧は、入出力端子16を介して、可変容量素子22の制御電圧として供給することができる。電圧マルチメーター120は、温度補償用IC10の入出力端子16の電圧電圧発生器110の出力電圧あるいは温度センサー40の電圧を測定し、測定値をPC130に送信する。パーソナルコンピューターPC130は、温度補償用IC10のスイッチ回路70やスイッチ回路80の制御、メモリー60に対する温度補償データの書き込みや読み出し、電圧発生器110の出力電圧の制御等を行う。次に、図3に示した測定系を用いた温度補償型水晶発振器TCXOの温度補償データ作成方法について、4つの実施形態を例に挙げて詳細に説明する。2-2.第1実施形態図4は、第1実施形態の温度補償データ作成方法の全体フローチャートの一例を示す図である。まず、例えば図5に示すように、複数のマスターワーク5をペルチェ素子3治具の一例の搭載面4に搭載し、恒温槽不図示に収容するS50。マスターワーク5は、温度に対する電圧値が正確にわかっている温度センサーを含む電子部品であればよく、例えば、高精度の温度センサーそのものであってもよいし、あらかじめ精度の高い測定器で温度センサーの電圧値を測定済みの温度補償型水晶発振器TCXO1であってもよい。あるいは、温度補償型水晶発振器TCXO1に内蔵された温度センサー40よりも高感度かつ高精度の温度センサーを内蔵し、その他は温度補償型水晶発振器TCXO1と同じ構造の温度補償型水晶発振器TCXOをマスターワーク5としてもよい。次に、ペルチェ素子3の搭載面4の第1温度~第5温度の温度分布情報を生成するS52。次に、例えば図6に示すように、複数の温度補償型水晶発振器TCXO1をマスターワーク5が取り除かれたペルチェ素子3の搭載面4に搭載し、恒温槽不図示に収容するS54。複数の温度補償型水晶発振器TCXO1は、ステップS50で複数のマスターワーク5を搭載した位置と同じ位置に搭載するのが望ましい。次に、第1温度~第5温度で、ペルチェ素子3の搭載面4に搭載した一部の温度センサーの電圧値温度情報を測定して各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得または算出するS56。本実施形態では、この一部の温度センサーの電圧値として、図6に示すペルチェ素子3の搭載面4の中央部の温度補償型水晶発振器TCXO1aの温度センサー40の電圧値を取得する。次に、第1温度~第5温度の各々に対して、一部の温度センサーの電圧値ステップS56で取得した温度センサーの電圧値と温度分布情報ステップS52で生成した温度分布情報から、各温度補償型水晶発振器TCXO1の温度センサー40の電圧値測定していない温度センサー40の電圧値を算出するS58。最後に、各温度補償型水晶発振器TCXO1に対して、第1温度~第5温度の温度センサー40の電圧値ステップS56で取得した温度センサー40の電圧値又はステップS58で算出した温度センサー40の電圧値と理想補償電圧値ステップS56で取得した理想補償電圧値から、水晶振動子12の周波数温度特性を表す3次関数の各係数値例えば、式1の係数C3,C2,C1,C0の値を算出するS60。具体的には、各温度補償型水晶発振器TCXO1に対して、式1に第1温度~第5温度の温度センサー40の電圧値をそれぞれ代入して係数C3,C2,C1,C0を4つの変数とする5つの連立方程式を立てて、最小二乗近似等の手法を用いて、係数C3,C2,C1,C0の値を算出する。なお、ステップS50及びS52は、図2の温度分布情報生成工程S30に相当する。また、ステップS54は、図2の電子部品搭載工程S32に相当する。また、ステップS58は、図2の温度情報算出工程S36に相当する。また、ステップS60は、図2の温度補償データ算出工程S38に相当する。なお、図4の各ステップは、可能な範囲で適宜順番を入れ替えてもよい。例えば、ステップS58は、ステップS52とステップS60の間にあればよく、ステップS54,S56との前後関係は問わない。図7は、ペルチェ素子3の搭載面4の第1温度~第5温度の温度分布情報を生成する処理図4のS52の処理の具体的なフローチャートの一例を示す図である。まず、ペルチェ素子3を収容した恒温槽を第1温度例えば、-30°Cに設定するS100。次に、中央部のマスターワーク5aの温度センサーの電圧値を取得するS102。そして、中央部の温度と第1温度設定温度との差が所定量以下になったか否かを判定しS104、所定量以下になっていなければS104のN、所定量以下になるまでS104のYステップS102とS104の処理を繰り返し行う。具体的には、例えば、ステップS102で取得した中央部のマスターワーク5aの温度センサーの電圧値と、第1温度に対するマスターワーク5aの温度センサーの電圧値計算値との差が所定量以下になるか否かを判定する。この所定量としては、0又は0に近い値が設定される。中央部の温度と第1温度との差が所定量以下になればS104のY、第1設定時間が経過するまで待ってS106のY、各マスターワーク5の温度センサーの電圧値を取得し、第1温度の温度分布情報を生成するS108。例えば、取得した各マスターワーク5の温度センサーの電圧値の情報をそのまま第1温度の温度分布情報としてもよいし、あるいは、第1温度の温度分布情報として、中央部のマスターワーク5aの温度センサーの電圧値の情報と、各マスターワーク5の温度センサーの電圧値と中央部のマスターワーク5aの温度センサーの電圧値との差の情報とを生成するようにしてもよい。第1設定時間は、例えば、中央部の温度と第1温度との差が所定量以下になってから、ペルチェ素子3の搭載面4の温度分布が安定するのに必要な時間である。次に、恒温槽を第2温度例えば、0°Cに設定しS110、ステップS102~S108と同様の処理により、第2温度の温度分布情報を生成するS112~S118。次に、恒温槽を第3温度例えば、25°Cに設定しS120、ステップS102~S108と同様の処理により、第3温度の温度分布情報を生成するS122~S128。次に、恒温槽を第4温度例えば、55°Cに設定しS130、ステップS102~S108と同様の処理により、第4温度の温度分布情報を生成するS132~S138。最後に、恒温槽を第5温度例えば、85°Cに設定しS140、ステップS102~S108と同様の処理により、第5温度の温度分布情報を生成しS142~S148、処理を終了する。図8は、第1温度~第5温度で一部の温度センサーの電圧値と各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得する処理図4のS56の処理の具体的なフローチャートの一例を示す図である。まず、ペルチェ素子3を収容した恒温槽を第1温度図7のステップS100で設定した温度に設定するS200。次に、図6における中央部の温度補償型水晶発振器TCXO1aの温度センサー40の電圧値を取得するS202。具体的には、温度補償型水晶発振器TCXO1aに対して、PC130が、スイッチ回路80を制御して入出力端子16に温度センサー40の電圧を出力させ、電圧マルチメーター120の測定値を取得する。そして、中央部の温度と第1温度との差が所定量以下になったか否かを判定しS204、所定量以下になっていなければS204のN、所定量以下になるまでS204のYステップS202とS204の処理を繰り返し行う。具体的には、例えば、ステップS202で取得した中央部の温度補償型水晶発振器TCXO1aの温度センサー40の電圧値と、第1温度に対するマスターワーク5aの温度センサーの電圧値計算値との差が所定量以下になるか否かを判定する。この所定量としては、0又は0に近い値が設定される。中央部の温度と第1温度との差が所定量以下になればS204のY、第1設定時間図7のステップS106における設定時間が経過するまで待ってS206のY、各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得するS208。具体的には、各温度補償型水晶発振器TCXO1に対して、順番に、PC130が、電圧発生器110の出力電圧を変化させながら周波数カウンター100のカウント値をモニターし、発振周波数が公称周波数と一致する時の電圧マルチメーター120の測定値を第1温度点での理想補償電圧として取得する。次に、恒温槽を第2温度図7のステップS110で設定した温度に設定しS210、ステップS202~S208と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得するS218。次に、恒温槽を第3温度図7のステップS120で設定した温度に設定しS220、ステップS202~S208と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得するS228。次に、恒温槽を第4温度図7のステップS130で設定した温度に設定しS230、ステップS202~S208と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得するS238。最後に、恒温槽を第5温度図7のステップS140で設定した温度に設定しS240、ステップS202~S208と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得しS248、処理を終了する。なお、図8のステップS200~S204,S210~S214,S220~S224,S230~S234,S240~S244は、図2の温度測定工程S34に相当する。そして、測定器のPC130が、第1温度~第5温度の各々に対して、中央部の温度補償型水晶発振器TCXO1aの温度センサー40の電圧値と温度分布情報から、各温度補償型水晶発振器TCXO1の温度センサー40の電圧値を算出する図4のS58。例えば、第1温度の温度分布情報から得られる中央部の温度センサーの電圧値がV1例えば、-30°Cに相当する電圧値であり、中央部の温度補償型水晶発振器TCXO1aの温度センサー40の電圧値がV2例えば、-30.1°Cに相当する電圧値であれば、中央部を除く各位置の温度補償型水晶発振器TCXO1aの温度センサー40の電圧値を、第1温度の温度分布情報から得られる各位置の温度センサーの電圧値V2-V1として算出するV2-V1は、例えば0.1°Cに相当する電圧値。続いて、各温度補償型水晶発振器TCXO1に対して、第1温度~第5温度の温度センサー40の電圧値と理想補償電圧値から、温度補償データ式1の係数C3,C2,C1,C0の値を算出する図4のS60。最後に、測定器2のPC130が、各温度補償型水晶発振器TCXO1に対して、温度補償用IC10の入出力端子17を介して温度補償データをメモリー60に書き込み図1のS26、温度補償工程図1のS22を終了する。以上に説明した第1実施形態の温度補償データ作成方法によれば、最初に一度だけペルチェ素子3の搭載面4の温度分布情報を生成すれば、その後は、温度補償データ作成対象の複数の温度補償型水晶発振器TCXO1をペルチェ素子3の搭載面4に搭載する毎に、すべての温度補償型水晶発振器TCXO1の温度を測定温度センサー40の電圧値を取得するのではなく、中央部の温度補償型水晶発振器TCXO1aの温度のみ測定温度センサー40の電圧値のみ取得すればよいので、温度補償データの作成に要する時間を短縮することができる。また、本発明によれば、温度補償型水晶発振器TCXO1の温度センサー40によって温度を測定することで、温度補償型水晶発振器TCXO1の正確な温度の情報が得られる。そして、中央部の温度補償型水晶発振器TCXO1の温度が温度分布情報から得られる当該中央部の温度とほぼ一致するまで待ってから、各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧を取得するので、より高精度な温度補償データを作成することができる。さらに、恒温槽の表示温度が安定するまで待つ必要がないので温度安定待ち時間を短縮することができる。なお、温度を測定する温度補償型水晶発振器TCXO1は、ペルチェ素子3の搭載面4の中央部に限らず、どの位置にあってもよい。2-3.第2実施形態第1実施形態では、図8のステップS206,S216,S226,S236,S246において、それぞれ第1設定時間~第5設定時間が経過するまで待ってから、各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得している。この第1設定時間~第5設定時間を短くすれば温度補償工程のTATを短縮することができるが、第1設定時間~第5設定時間が短いほど、理想補償電圧値を取得する時のペルチェ素子3の搭載面4の温度分布と図7のステップS108,S108,S108,S108,S108でそれぞれ生成した第1温度~第5温度の温度分布情報との差が大きくなりやすく、結果的に、温度補償データの精度が低下するおそれがある。そこで、第2実施形態では、第1温度~第5温度に設定した後、ペルチェ素子3の搭載面4の温度分布がそれぞれ第1温度~第5温度の温度分布情報とほぼ一致するまで待ってから、各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得する。第2実施形態の温度補償データ作成方法の全体フローチャートは、第1実施形態図4と同様であるため、その説明を省略する。ただし、本実施形態では、図4のステップS52において、一部の温度センサーの電圧値として、ペルチェ素子3の搭載面4の中央部と周辺部の温度補償型水晶発振器TCXO1の温度センサー40の電圧値を取得する。また、第2実施形態における第1温度~第5温度の温度分布情報を生成する処理図4のS52の処理の具体的なフローチャートは、第1実施形態図7と同様であるため、その説明を省略する。図9は、第2実施形態における、第1温度~第5温度で一部の温度センサーの電圧値と各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得する処理図4のS56の処理の具体的なフローチャートの一例を示す図である。また、図10A及び図10Bは、それぞれ、温度分布情報を生成する際及び各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得する際のペルチェ素子3の搭載面4の配置例を示す図であり、それぞれ図5及び図6と同様の配置になっている。まず、第1実施形態と同様に、ペルチェ素子3を搭載した恒温槽を第1温度図7のステップS100で設定した温度に設定しS300、図10Bにおける中央部の温度補償型水晶発振器TCXO1aの温度センサー40の電圧値Vaを取得するS302。そして、第1実施形態と同様に、中央部の温度と第1温度との差が所定量以下になったか否かを判定しS304、所定量以下になっていなければS304のN、所定量以下になるまでS304のYステップS302とS304の処理を繰り返し行う。中央部の温度と第1温度との差が所定量以下になればS304のY、図10Bにおける周辺部の温度補償型水晶発振器TCXO1b,1c,1d,1eの各温度センサー40の電圧値Vb,Vc,Vd,Veを取得するS306。具体的には、各温度補償型水晶発振器TCXO1b,1c,1d,1eに対して、順番に、PC130が、スイッチ回路80を制御して入出力端子16に温度センサー40の電圧を出力させ、電圧マルチメーター120の測定値を取得する。次に、各周辺部と中央部の温度差と、第1温度の温度分布における当該各周辺部と中央部の温度差との差が所定量以下になったか否かを判定しS308、所定量以下になっていなければS308のN、所定量以下になるまでS308のYステップS306とS308の処理を繰り返し行う。具体的には、図7のステップS108で取得した、温度補償型水晶発振器TCXO1a,1b,1c,1d,1eとそれぞれ同じ位置にある図10Aのマスターワーク5a,5b,5c,5d,5eの各温度センサーの電圧値をVa0,Vb0,Vc0,Vd0,Ve0とし、所定量をΔVとすると、例えば、|Vb-Vb0-Va-Va0|≦ΔV、かつ、|Vc-Vc0-Va-Va0|≦ΔV、かつ、|Vd-Vd0-Va-Va0|≦ΔV、かつ、|Ve-Ve0-Va-Va0|≦ΔVか否かを判定する。この所定量としては0に近い値が設定される。各周辺部と中央部の温度差と、第1温度の温度分布における当該各周辺部と中央部の温度差との差が所定量以下になればS308のY、第1実施形態と同様に、各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得するS310。次に、恒温槽を第2温度図7のステップS110で設定した温度に設定しS312、ステップS302~S310と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得するS322。次に、恒温槽を第3温度図7のステップS120で設定した温度に設定しS324、ステップS302~S310と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得するS334。次に、恒温槽を第4温度図7のステップS130で設定した温度に設定しS336、ステップS302~S310と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得するS346。最後に、恒温槽を第5温度図7のステップS140で設定した温度に設定しS348、ステップS302~S310と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得しS358、処理を終了する。なお、図9のステップS300~S304,S312~S316,S324~S328,S336~S340,S348~S352は、図2の温度測定工程S34に相当する。以上に説明した第2実施形態の温度補償データ作成方法によれば、ペルチェ素子3の搭載面4の中央部の温度とともに、中央部との温度差が大きいと考えられる周辺部の温度を測定し、その差が温度分布情報から得られる当該中央部と周辺部の温度差とほぼ一致するまで待つことで、ペルチェ素子3の搭載面4の温度分布と温度分布情報とがより正確に一致した状態で、各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得することができる。従って、温度補償データ各係数値の精度を高めることができる。なお、本実施形態では、周辺部の中でも中央部から最も遠い4隅の温度を測定し、中央部と4隅の各々との温度差が温度分布情報から得られる当該中央部と4隅の各々との温度差とほぼ一致するまで待つことで、ペルチェ素子3の搭載面4の温度分布と温度分布情報とを極めて正確に一致させることが期待できる。2-4.第3実施形態第1実施形態では、第1温度~第5温度で一部の温度センサーの電圧値と各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得する処理図4のS56の処理及び図8の処理において、ペルチェ素子3の搭載面4には、温度補償の対象となる温度補償型水晶発振器TCXO1のみを配置し、これにより温度補償工程のTATをできる限り短縮している。ただし、各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得する時のペルチェ素子3の搭載面4の温度分布が温度分布情報と一致しているか否かは、中央部の温度補償型水晶発振器TCXO1aの温度センサー40の電圧値から判定している。一般に、温度補償型水晶発振器TCXO1aの温度センサー40の精度はマスターワーク5の温度センサーの精度と比較して低いので、必ずしも十分な判定精度が得られない場合もある。そこで、第3実施形態では、ペルチェ素子3の搭載面4の中央部にマスターワーク5を固定して配置し、中央部を除く各位置には、第1温度~第5温度の温度分布情報を生成する処理図4のS52の処理及び図7の処理ではマスターワーク5を配置し、第1温度~第5温度で一部の温度センサーの電圧値と各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得する処理図4のS56の処理では、温度補償型水晶発振器TCXO1を配置する。第3実施形態の温度補償データ作成方法の全体フローチャートは、第1実施形態図4と同様であるため、その説明を省略する。ただし、本実施形態では、図4のステップS52において、一部の温度センサーの電圧値として、ペルチェ素子3の搭載面4の中央部のマスターワーク5の温度センサーの電圧値を取得する。また、第3実施形態における第1温度~第5温度の温度分布情報を生成する処理の具体的なフローチャートは、第1実施形態図7と同様であるため、その説明を省略する。図11は、第3実施形態における、第1温度~第5温度で一部の温度センサーの電圧値と各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得する処理図4のS56の処理の具体的なフローチャートの一例を示す図である。また、図12A及び図12Bは、それぞれ、温度分布情報を生成する際及び各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得する際のペルチェ素子3の搭載面4の配置例を示す図である。図12Aの配置は図5と同様の配置になっており、図12Bの配置は、図6の配置に対して中央部の温度補償型水晶発振器TCXO1aのみマスターワーク5aに置き換わっている。すなわち、マスターワーク5aは、ペルチェ素子3の搭載面4の中央部に固定されている。このマスターワーク5aは、温度に対する電圧値が正確にわかっている温度センサーを含む電子部品であればよく、例えば、高精度の温度センサーそのものであってもよいし、あらかじめ精度の高い測定器で温度センサーの電圧値を測定済みの温度補償型水晶発振器TCXO1であってもよい。あるいは、温度補償型水晶発振器TCXO1に内蔵された温度センサー40よりも高感度かつ高精度の温度センサーを内蔵し、その他は温度補償型水晶発振器TCXO1と同じ構造の温度補償型水晶発振器TCXOであってもよい。まず、第1実施形態と同様に、ペルチェ素子3を収容した恒温槽を第1温度図7のステップS100で設定した温度に設定するS400。次に、図12Bにおける中央部のマスターワーク5aの温度センサー40の電圧値を取得するS402。そして、中央部の温度と第1温度との差が所定量以下になったか否かを判定しS404、所定量以下になっていなければS404のN、所定量以下になるまでS404のYステップS402とS404の処理を繰り返し行う。具体的には、例えば、ステップS402で取得した中央部のマスターワーク5aの温度センサーの電圧値と、第1温度に対するマスターワーク5aの温度センサーの電圧値計算値との差が所定量以下になるか否かを判定する。この所定量としては、0又は0に近い値が設定される。中央部の温度と第1温度との差が所定量以下になればS404のY、第1実施形態と同様に、第1設定時間図7のステップS106における設定時間が経過するまで待ってS406のY、各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得するS408。次に、恒温槽を第2温度図7のステップS110で設定した温度に設定しS410、ステップS402~S408と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得するS418。次に、恒温槽を第3温度図7のステップS120で設定した温度に設定しS420、ステップS402~S408と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得するS428。次に、恒温槽を第4温度図7のステップS130で設定した温度に設定しS430、ステップS402~S408と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得するS438。最後に、恒温槽を第5温度図7のステップS140で設定した温度に設定しS440、ステップS402~S408と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得しS448、処理を終了する。なお、図11のステップS400~S404,S410~S414,S420~S424,S430~S434,S440~S444は、図2の温度測定工程S34に相当する。以上に説明した第3実施形態の温度補償データ作成方法は、第1実施形態と同様の効果を奏するとともに、以下の効果も奏する。第3実施形態の温度補償データ作成方法では、温度分布情報を生成する際に使用した中央部のマスターワーク5aの温度センサーを、各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧を取得する際の温度測定にも使用するので、各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧を取得する際のペルチェ素子3の搭載面4の温度分布を温度分布情報と一致させやすい。従って、温度補償データの精度の向上と温度補償データの作成に要する時間の短縮が期待できる。また、一般に、温度補償データ作成対象の温度補償型水晶発振器TCXO1は量産品であるため内蔵する温度センサー40の特性ばらつきがあるので、第1実施形態又は第2実施形態の温度補償データ作成方法では、ペルチェ素子3の搭載面4に搭載する温度補償型水晶発振器TCXO1を変える度に、理想補償電圧を取得する際の温度測定精度もばらつく。これに対して、第3実施形態の温度補償データ作成方法によれば、マスターワーク5aをペルチェ素子3の搭載面4に固定し、毎回マスターワーク5aの温度センサーで温度を測定するので、理想補償電圧を取得する際の温度測定精度を一定に保つことができる。これにより、温度補償データの精度を高めることができる。なお、毎回、マスターワーク5aの温度センサーで温度測定を行うので、マスターワーク5aの経時劣化によって温度補償データの精度が低下するおそれがある。そこで、マスターワーク5aとして、例えば、機構が単純な信頼性の高い壊れにくい専用の温度センサーを用いることで経時劣化を最小限に抑え、温度補償データの精度の低下を最小限に抑えることができる。2-5.第4実施形態第2実施形態では、第1温度~第5温度で一部の温度センサーの電圧値と各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得する処理図4のS56の処理及び図8の処理において、ペルチェ素子3の搭載面4には、温度補償の対象となる温度補償型水晶発振器TCXO1のみを配置し、これにより温度補償工程のTATをできる限り短縮している。ただし、各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得する時のペルチェ素子3の搭載面4の温度分布が温度分布情報と一致しているか否かは、周辺部の温度補償型水晶発振器TCXO1b,1c,1d,1eの各温度センサー40の電圧値と中央部の温度補償型水晶発振器TCXO1aの温度センサー40の電圧値との差から判定している。一般に、温度補償型水晶発振器TCXO1a,1b,1c,1d,1eの温度センサー40の精度はマスターワーク5の温度センサーの精度と比較して低いので、必ずしも十分な判定精度が得られない場合もある。そこで、第4実施形態では、ペルチェ素子3の搭載面4の中央部と周辺部の一部にマスターワーク5を固定して配置し、中央部と周辺部の一部を除く各位置には、第1温度~第5温度の温度分布情報を生成する処理図4のS52の処理及び図7の処理ではマスターワーク5を配置し、第1温度~第5温度で一部の温度センサーの電圧値と各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得する処理図4のS56の処理では、温度補償型水晶発振器TCXO1を配置する。第4実施形態の温度補償データ作成方法の全体フローチャートは、第2実施形態図4と同様であるため、その説明を省略する。ただし、本実施形態では、図4のステップS52において、一部の温度センサーの電圧値として、ペルチェ素子3の搭載面4の中央部と周辺部のマスターワーク5の温度センサーの電圧値を取得する。また、第4実施形態における第1温度~第5温度の温度分布情報を生成する処理の具体的なフローチャートは、第2実施形態図7と同様であるため、その説明を省略する。図13は、第4実施形態における、第1温度~第5温度で一部の温度センサーの電圧値と各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得する処理図4のS56の処理の具体的なフローチャートの一例を示す図である。また、図14A及び図14Bは、それぞれ、温度分布情報を生成する際及び各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得する際のペルチェ素子3の搭載面4の配置例を示す図である。図14Aの配置は図10Aと同様の配置になっており、図14Bの配置は、図10Bの配置に対して中央部の温度補償型水晶発振器TCXO1aと周辺部の4つの温度補償型水晶発振器TCXO1b,1c,1d,1eのみ、それぞれマスターワーク5a,5b,5c,5d,5eに置き換わっている。すなわち、マスターワーク5aは、ペルチェ素子3の搭載面4の中央部に固定され、マスターワーク5b,5c,5d,5eは、ペルチェ素子3の搭載面4の周辺部に固定されている。このマスターワーク5a,5b,5c,5d,5eは、温度に対する電圧値が正確にわかっている温度センサーを含む電子部品であればよく、例えば、高精度の温度センサーそのものであってもよいし、あらかじめ精度の高い測定器で温度センサーの電圧値を測定済みの温度補償型水晶発振器TCXO1であってもよい。あるいは、温度補償型水晶発振器TCXO1に内蔵された温度センサー40よりも高感度かつ高精度の温度センサーを内蔵し、その他は温度補償型水晶発振器TCXO1と同じ構造の温度補償型水晶発振器TCXOであってもよい。まず、第3実施形態と同様に、ペルチェ素子3を収容した恒温槽を第1温度図7のステップS100で設定した温度に設定しS500、図14Bにおける中央部のマスターワーク5aの温度センサーの電圧値Vaを取得するS502。そして、第3実施形態と同様に、中央部の温度と第1温度との差が所定量以下になったか否かを判定しS504、所定量以下になっていなければS504のN、所定量以下になるまでS504のYステップS502とS504の処理を繰り返し行う。中央部の温度と第1温度との差が所定量以下になればS504のY、図14Bにおける周辺部のマスターワーク5b,5c,5d,5eの各温度センサーの電圧値Vb,Vc,Vd,Veを取得するS506。次に、各周辺部と中央部の温度差と、第1温度の温度分布における当該各周辺部と中央部の温度差との差が所定量以下になったか否かを判定しS508、所定量以下になっていなければS508のN、所定量以下になるまでS508のYステップS506とS508の処理を繰り返し行う。具体的には、図7のステップS108で取得した、図10Aのマスターワーク5a,5b,5c,5d,5eの各温度センサーの電圧値をVa0,Vb0,Vc0,Vd0,Ve0とし、所定量をΔVとすると、例えば、|Vb-Vb0-Va-Va0|≦ΔV、かつ、|Vc-Vc0-Va-Va0|≦ΔV、かつ、|Vd-Vd0-Va-Va0|≦ΔV、かつ、|Ve-Ve0-Va-Va0|≦ΔVか否かを判定する。この所定量としては0に近い値が設定される。各周辺部と中央部の温度差と、第1温度の温度分布における当該各周辺部と中央部の温度差との差が所定量以下になればS508のY、第1実施形態と同様に、各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得するS510。次に、恒温槽を第2温度図7のステップS110で設定した温度に設定しS512、ステップS502~S510と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得するS522。次に、恒温槽を第3温度図7のステップS120で設定した温度に設定しS524、ステップS502~S510と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得するS534。次に、恒温槽を第4温度図7のステップS130で設定した温度に設定しS536、ステップS502~S510と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得するS546。最後に、恒温槽を第5温度図7のステップS140で設定した温度に設定しS548、ステップS502~S510と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧値を取得しS558、処理を終了する。なお、図13のステップS500~S504,S512~S516,S524~S528,S536~S540,S548~S552は、図2の温度測定工程S34に相当する。以上に説明した第4実施形態の温度補償データ作成方法は、第2実施形態と同様の効果を奏するとともに、以下の効果も奏する。第4実施形態の温度補償データ作成方法では、温度分布情報を生成する際に使用したマスターワーク5a,5b,5c,5d,5eの各温度センサーを、各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧を取得する際の温度測定にも使用し、ペルチェ素子3の搭載面4の中央部の温度とともに、中央部との温度差が大きいと考えられる周辺部の温度を測定する。これにより、各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧を取得する際のペルチェ素子3の搭載面4の温度分布を温度分布情報と一致させやすいので、温度補償データの精度の向上と温度補償データの作成に要する時間の短縮が期待できる。また、第4実施形態の温度補償データ作成方法によれば、マスターワーク5a,5b,5c,5d,5eをペルチェ素子3の搭載面4に固定し、毎回マスターワーク5a,5b,5c,5d,5eの温度センサーで温度を測定するので、理想補償電圧を取得する際の温度測定精度を一定に保つことができる。これにより、温度補償データの精度を高めることができる。なお、マスターワーク5a,5b,5c,5d,5eとして、例えば、機構が単純な信頼性の高い壊れにくい専用の温度センサーを用いることで経時劣化を最小限に抑え、温度補償データの精度の低下を最小限に抑えることができる。なお、本発明は本実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。第1~第4実施形態では、発振子として水晶振動子を用いた温度補償型水晶発振器TCXOを例に挙げたが、例えば、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電単結晶や、ジルコン酸チタン酸鉛等の圧電セラミックス等の圧電材料、又はシリコン半導体材料等を用いた発振子を用いてもよい。また、発振子の励振手段としては、圧電効果によるものを用いてもよいし、クーロン力による静電駆動を用いてもよい。また、本実施形態では、電子部品温度補償型水晶発振器TCXOをペルチェ素子に搭載するペルチェ式の恒温槽を例に挙げて説明したが、恒温槽のタイプは問わない。あるいは、本発明は、治具の搭載面の温度が安定すればよいので、必ずしも恒温槽をもちいなくてもよい。また、第1実施形態では、ペルチェ素子3の搭載面4の中央部の温度補償型水晶発振器TCXO1aの温度センサー40を温度測定に使用しているが、任意の位置の温度補償型水晶発振器TCXO1の温度センサー40を温度測定に使用してもよい。同様に、第3実施形態では、マスターワーク5aをペルチェ素子3の搭載面4の中央部に固定して温度測定に使用しているが、温度を測定するためにペルチェ素子3の搭載面4に固定されるマスターワーク5は、中央部に限らず、どの位置にあってもよい。また、第2実施形態では、ペルチェ素子3の搭載面4の中央部及び4隅の温度補償型水晶発振器TCXO1a,1b,1c,1d,1eの各温度センサー40を温度測定に使用しているが、任意の位置にある複数5個に限らないの温度補償型水晶発振器TCXO1の各温度センサー40を温度測定に使用してもよい。同様に、第4実施形態では、マスターワーク5a,5b,5c,5d,5eをペルチェ素子3の搭載面4の中央部及び4隅に固定して温度測定に使用しているが、温度を測定するためにペルチェ素子3の搭載面4に固定される複数5個に限らないのマスターワーク5は、中央部や4隅に限らずどの位置にあってもよい。また、本実施形態では、ペルチェ素子の搭載面中央部の温度が設定温度に一致し、かつ、ペルチェ素子の温度分布が温度分布情報と一致するまで待ってから各温度補償型水晶発振器TCXOの理想補償電圧を取得しているが、中央部の温度が設定温度に一致しなくてもペルチェ素子の温度分布が温度分布情報と一致した時点で理想補償電圧を取得するようにしてもよい。ペルチェ素子の搭載面中央部の温度が設定温度から多少ずれた状態で理想補償電圧を取得しても問題なければ、当該中央部の温度が設定温度に一致する必要がないので、温度データの作成に要する時間を短縮することができる。また、本実施形態では、温度分布情報を生成するために、ペルチェ素子3の搭載面4の温度分布が安定するのを待ってから各マスターワーク5の温度を取得しているが、ペルチェ素子3の搭載面4の温度分布が安定する前の過渡状態で各マスターワーク5の温度を取得するようにしてもよい。このようにすれば、ペルチェ素子3の搭載面4の温度分布が安定するのを待たずに各温度補償型水晶発振器TCXO1の理想補償電圧を取得することができるので、温度補償データの作成に要する時間を短縮することができる。ただし、過渡状態で理想補償電圧を取得するので、時間の経過により理想補償電圧の取得時のペルチェ素子3の搭載面4の温度分布と温度分布情報が徐々に一致しなくなり、温度補償データの精度が低下することが考えられる。従って、温度補償データの要求精度とコストを考慮して、ペルチェ素子3の搭載面4の温度分布がどの程度まで安定した時点で理想補償電圧を取得するかを決定するのがよい。本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。"