基板上に酸化物絶縁膜を形成し、前記酸化物絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成した後、加熱処理を行い、該加熱処理を行った後、前記酸化物半導体膜の一部をエッチングして、島状の酸化物半導体膜を形成し、前記島状の酸化物半導体膜上に一対の電極を形成し、前記島状の酸化物半導体膜及び前記一対の電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜を介して前記島状の酸化物半導体膜と重畳するゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。基板上に酸化物絶縁膜を形成し、前記酸化物絶縁膜上に一対の電極を形成し、前記一対の電極上に酸化物半導体膜を形成した後、加熱処理を行い、該加熱処理を行った後、前記酸化物半導体膜の一部をエッチングして、島状の酸化物半導体膜を形成し、前記一対の電極及び前記島状の酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜を介して前記島状の酸化物半導体膜と重畳するゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1または請求項2において、前記酸化物絶縁膜は、昇温脱離ガス分光法分析にて、酸素原子に換算しての酸素の脱離量が1.0×1018atoms/cm3以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1または請求項2において、前記酸化物絶縁膜として、化学量論比より多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、前記加熱処理は、前記酸化物半導体膜から水素を除去すると共に、前記酸化物絶縁膜に含まれる酸素を前記酸化物半導体膜に拡散させる温度で加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、前記加熱処理は、150°C以上前記基板の歪み点未満であることを特徴とする半導体装置の作製方法。しかしながら、従来の酸化物半導体を用いたトランジスタは、オンオフ比が低く、表示装置の画素のスイッチング素子としては十分な性能が得られなかった。また、しきい値電圧がマイナスとなり、ノーマリーオンの特性になるという問題があった。本発明の一態様は、電気特性の優れたトランジスタを作製することを課題とする。本発明の一態様は、基板上に酸化物絶縁膜を形成し、該酸化物絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜に含まれる水素を脱離させつつ、酸化物絶縁膜に含まれる酸素の一部を脱離させる温度で加熱した後、該加熱された酸化物半導体膜を所定の形状にエッチングして島状の酸化物半導体膜を形成し、島状の酸化物半導体膜上に一対の電極を形成し、該一対の電極及び島状の酸化物半導膜上にゲート絶縁膜を形成し、該ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴とする。本発明の一態様は、基板上に酸化物絶縁膜を形成し、該酸化物絶縁膜上に一対の電極を形成し、該一対の電極及び酸化物絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に含まれる水素を脱離させつつ、酸化物絶縁膜に含まれる酸素の一部を脱離させる温度で加熱した後、該加熱された酸化物半導体膜を所定の形状にエッチングして島状の酸化物半導体膜を形成し、一対の電極及び島状の酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、該ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴とする。基板上に形成する酸化物絶縁膜は、加熱により酸素の一部が脱離する酸化物絶縁膜を用いて形成する。加熱により酸素の一部が脱離する酸化物絶縁膜としては、化学量論的組成比よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。加熱により酸素の一部が脱離する酸化物絶縁膜の代表例としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、酸化イットリウム等がある。加熱により酸素の一部が脱離する酸化物絶縁膜の酸素の脱離量は、TDSThermalDesorptionSpectroscopy:昇温脱離ガス分光法分析にて、酸素原子に換算しての酸素の脱離量が1.0×1018atoms/cm3以上、好ましくは1.0×1020atoms/cm3以上、より好ましくは3.0×1020atoms/cm3以上である。酸化物半導体膜に含まれる水素を脱離させつつ、酸化物絶縁膜に含まれる酸素の一部を酸化物半導体膜に拡散させる温度は、150°C以上基板の歪み点未満、好ましくは250°C以上450°C以下である。酸化物絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に含まれる水素を脱離させつつ、酸化物絶縁膜に含まれる酸素の一部を脱離させる温度で加熱することで、酸化物絶縁膜に含まれる酸素の一部を酸化物半導体膜に拡散させると共に、酸化物半導体膜に含まれる水素を脱離させることができる。なお、酸化物半導体膜に拡散した酸素は、酸化物半導体膜の酸素欠損を補償するため、酸化物半導体膜の酸素欠損が低減する。また、酸化物半導体膜は酸化物絶縁膜からの外部への酸素脱離のブロッキング膜として機能するため、酸化物絶縁膜から過剰な酸素の脱離が生じず、酸化物絶縁膜に酸素が残存する。これらにより、キャリア源となる水素及び酸素欠損の濃度を低減しつつ、酸化物半導体膜及び酸化物絶縁膜の界面における欠陥を低減することができる。酸化物半導体に含まれる元素と水素の結合により、水素の一部がドナーとなり、キャリアである電子が生じてしまう。また、酸化物半導体中の酸素欠損も同様に、ドナーとなり、キャリアである電子が生じてしまう。これらのため、酸化物半導体膜中の水素濃度及び酸素欠損量を低減することで、しきい値電圧のマイナスシフトを低減することができる。また、酸化物半導体膜に酸素の一部を拡散しつつ、酸化物絶縁膜に酸素を残存させることで、酸化物半導体膜及び酸化物絶縁膜の界面における欠陥を低減することができ、しきい値電圧のマイナスシフトを低減することができる。なお、本明細書では、nチャネル型トランジスタにおいて、しきい値電圧の値が正であるトランジスタをノーマリオフのトランジスタと定義する。pチャネル型トランジスタにおいて、しきい値電圧の値が負であるトランジスタをノーマリオフのトランジスタと定義する。また、nチャネル型トランジスタにおいて、しきい値電圧の値が負であるトランジスタをノーマリーオンのトランジスタと定義する。pチャネル型トランジスタにおいて、しきい値電圧の値が正であるトランジスタをノーマリーオンのトランジスタと定義する。酸化物絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に含まれる水素を脱離させつつ、酸化物絶縁膜に含まれる酸素の一部を脱離させる温度で加熱した後、当該酸化物半導体膜を所定の形状にエッチングしてトランジスタを作製することで、電気特性の優れたトランジスタを作製することができる。本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。また、本明細書にて用いる第1、第2、第3などの用語は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではない。そのため、例えば、第1のを第2のまたは第3のなどと適宜置き換えて説明することができる。実施の形態1図1は、半導体装置の構成の一形態であるトランジスタの作製工程を示す断面図であり、図2の一点破線A-Bの断面図は図1Eに相当する。図1Aに示すように、基板51上に酸化物絶縁膜53を形成し、酸化物絶縁膜53上に酸化物半導体膜55を形成する。基板51としては、ガラス基板無アルカリガラス基板とも呼ばれる。、石英基板、セラミック基板、プラスチック基板等を適宜用いることができる。また、基板51として、可撓性を有するガラス基板または可撓性を有するプラスチック基板を用いることができる。プラスチック基板としては、屈折率異方性の小さい基板を用いることが好ましく、代表的には、ポリエーテルサルフォンPESフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエチレンナフタレートPENフィルム、PVFポリビニルフルオライドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリカーボネートPCフィルム、アクリル樹脂フィルム、または半硬化した有機樹脂中に繊維体を含むプリプレグ等を用いることができる。酸化物絶縁膜53は、加熱により酸素の一部が脱離する酸化物絶縁膜を用いて形成する。加熱により酸素の一部が脱離する酸化物絶縁膜としては、化学量論的組成比よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。加熱により酸素の一部が脱離する酸化物絶縁膜は、加熱により酸素が脱離するため、加熱により酸化物半導体膜に酸素を拡散させることができる。酸化物絶縁膜53は、代表的には、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、酸化イットリウム等で形成することができる。化学量論的組成比よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜は、加熱により酸素の一部が脱離する。このときの酸素の脱離量は、TDS分析にて、酸素原子に換算しての酸素の脱離量が1.0×1018atoms/cm3以上、好ましくは1.0×1020atoms/cm3以上、より好ましくは3.0×1020atoms/cm3以上である。ここで、TDS分析にて、酸素原子に換算しての酸素の脱離量の測定方法について、以下に説明する。TDS分析したときの気体の脱離量は、スペクトルの積分値に比例する。このため、酸化物絶縁膜のスペクトルの積分値と、標準試料の基準値に対する比とにより、気体の脱離量を計算することができる。標準試料の基準値とは、所定の原子または分子を含む試料の、スペクトルの積分値に対する原子または分子の密度の比である。例えば、標準試料である所定の密度の水素を含むシリコンウェハのTDS分析結果、及び酸化物絶縁膜のTDS分析結果から、酸化物絶縁膜の酸素分子の脱離量NO2は、数式1で求めることができる。NO2=NH2/SH2×SO2×α数式1NH2は、標準試料から脱離した水素分子を密度で換算した値である。SH2は、標準試料をTDS分析したときのスペクトルの積分値である。即ち、標準試料の基準値は、NH2/SH2である。SO2は、酸化物絶縁膜をTDS分析したときのスペクトルの積分値である。αは、TDS分析におけるスペクトル強度に影響する係数である。数式1の詳細に関しては、特開平6-275697公報を参照する。なお、上記酸化物絶縁膜の酸素の脱離量は、電子科学株式会社製の昇温脱離分析装置EMD-WA1000S/Wを用い、標準試料として1×1016atoms/cm3の水素原子を含むシリコンウェハを用いて測定した。なお、NO2は酸素分子O2の脱離量である。酸化物絶縁膜においては、酸素原子で換算した酸素の脱離量は、酸素分子O2の脱離量の2倍となる。酸化物絶縁膜53は、50nm以上、好ましくは200nm以上500nm以下とする。酸化物絶縁膜53を厚くすることで、酸化物絶縁膜53からの酸素脱離量を増加させることができると共に、酸化物絶縁膜53及び後に形成される酸化物半導体膜との界面における欠陥を低減することが可能である。酸化物絶縁膜53は、スパッタリング法、CVD法等により形成する。なお、加熱により酸素の一部が脱離する酸化物絶縁膜は、スパッタリング法を用いることで形成しやすいため好ましい。加熱により酸素の一部が脱離する酸化物絶縁膜をスパッタリング法により形成する場合は、成膜ガス中の酸素量が高いことが好ましく、酸素O2、または酸素O2及び希ガスArなどの混合ガス等を用いることができる。代表的には、成膜ガス中の酸素濃度を6以上100以下にすることが好ましい。加熱により酸素の一部が脱離する酸化物絶縁膜の代表例として酸化シリコン膜を形成する場合、石英好ましくは合成石英をターゲットに用い、基板温度30°C以上450°C以下好ましくは70°C以上200°C以下、基板とターゲットの間の距離T-S間距離を20mm以上400mm以下好ましくは40mm以上200mm以下、圧力を0.1Pa以上4Pa以下好ましくは0.2Pa以上1.2Pa以下、高周波電源を0.5kW以上12kW以下好ましくは1kW以上5kW以下、成膜ガス中のO2/O2Ar割合を1以上100以下好ましくは6以上100以下として、RFスパッタリング法により酸化シリコン膜を形成することが好ましい。なお、石英好ましくは合成石英ターゲットに代えてシリコンターゲットを用いることもできる。なお、成膜ガスとしては、酸素のみを用いてもよい。酸化物半導体膜55は、四元系金属酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn-O系金属酸化物や、三元系金属酸化物であるIn-Ga-Zn-O系金属酸化物、In-Sn-Zn-O系金属酸化物、In-Al-Zn-O系金属酸化物、Sn-Ga-Zn-O系金属酸化物、Al-Ga-Zn-O系金属酸化物、Sn-Al-Zn-O系金属酸化物や、二元系金属酸化物であるIn-Zn-O系金属酸化物、Sn-Zn-O系金属酸化物、Al-Zn-O系金属酸化物、Zn-Mg-O系金属酸化物、Sn-Mg-O系金属酸化物、In-Mg-O系金属酸化物などを用いることができる。ここでは、n元系金属酸化物はn種類の金属酸化物で構成される。なお、酸化物半導体膜55に形成することが可能な金属酸化物は、エネルギーギャップが2eV以上、好ましくは2.5eV以上、より好ましくは3eV以上である。このように、バンドギャップの広い金属酸化物を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。また、酸化物半導体膜は、化学式InMO3ZnOmm>0で表記される薄膜を用いることができる。ここで、Mは、Zn、Ga、Al、Mn及びCoから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えばMとして、Ga、Ga及びAl、Ga及びMn、またはGa及びCoなどがある。また、酸化物半導体としてIn-Zn-O系の材料を用いる場合、用いるターゲットの組成比は、原子数比で、In:Zn=50:1~1:2モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=25:1~1:4、好ましくはIn:Zn=20:1~1:1モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=10:1~1:2、さらに好ましくはIn:Zn=15:1~1.5:1モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=15:2~3:4とする。例えば、In-Zn-O系酸化物半導体の形成に用いるターゲットは、原子数比がIn:Zn:O=X:Y:Zのとき、Z>1.5XYとする。なお、酸化物半導体膜55には、水素が含まれる。酸化物半導体膜55に含まれる水素は、水素原子の他、水素分子、水、水酸基、または水素化物として含まれる場合もある。酸化物半導体膜55において、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度は、2×1016atoms/cm3以下、あるいは1×1018atoms/cm3以下であることが好ましい。酸化物半導体膜55の厚さは、3nm以上50nm以下とすることが好ましい。酸化物半導体膜55は、スパッタリング法、塗布法、印刷法、パルスレーザー蒸着法等により形成することができる。本実施の形態では、酸化物半導体膜55としてIn-Ga-Zn-O系酸化物ターゲットを用いたスパッタリング法により形成する。また、酸化物半導体膜55は、希ガス代表的にはアルゴン雰囲気、酸素雰囲気、又は希ガスと酸素の混合雰囲気においてスパッタリングすることによって、形成することができる。なお、酸化物半導体膜55を形成する際に用いるスパッタリングガスは、水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。また、基板温度を100°C以上600°C以下好ましくは200°C以上400°C以下としながら酸化物半導体膜55を形成することで、酸化物半導体膜55に含まれる不純物濃度を低減することができる。次に、基板51に加熱処理を施して、酸化物半導体膜55から水素を除去すると共に、酸化物絶縁膜53に含まれる酸素の一部を、酸化物半導体膜55と、酸化物絶縁膜53における酸化物半導体膜55及び酸化物絶縁膜53との界面近傍に拡散させる。このように、酸化物半導体膜の成膜を加熱しながら行い、または酸化物半導体膜を成膜後に加熱処理を施すことによって、酸化物半導体膜を、C軸配向した結晶領域を有する膜とすることができる。当該加熱処理に用いる加熱処理装置は特に限られず、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって、被処理物を加熱する装置を備えていてもよい。例えば、電気炉や、GRTAGasRapidThermalAnneal装置、LRTALampRapidThermalAnneal装置等のRTARapidThermalAnneal装置を用いることができる。LRTA装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光電磁波の輻射により、被処理物を加熱する装置である。GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。加熱処理温度は、酸化物半導体膜55から水素を除去すると共に、酸化物絶縁膜53に含まれる酸素の一部を脱離させ、さらには酸化物半導体膜55に拡散させる温度が好ましく、代表的には、150°C以上基板51の歪み点未満、好ましくは250°C以上450°C以下とする。加熱処理は、不活性ガス雰囲気で行うことが好ましく、代表的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン、クリプトン等の希ガス、または窒素雰囲気で行うことが好ましい。また、酸化性雰囲気で行ってもよい。当該加熱処理により、酸化物半導体膜55から水素を脱離させると共に、酸化物絶縁膜53に含まれる酸素の一部を、酸化物半導体膜55と、酸化物絶縁膜53における酸化物絶縁膜53及び酸化物半導体膜55との界面近傍に拡散させることができる。当該工程により、酸化物半導体膜55中に含まれる酸素欠損を低減することができるとともに、酸化物絶縁膜53及び酸化物半導体膜55との界面近傍に酸素を拡散させることで、酸化物半導体膜55及び酸化物絶縁膜53との界面における欠陥を低減することができる。この結果、図1Bに示すように、水素濃度及び酸素欠損が低減された酸化物半導体膜57を形成することができる。酸化物絶縁膜53を酸化物半導体膜55が覆う状態で加熱処理を行うことで、酸化物絶縁膜53に含まれる酸素の一部が酸化物半導体膜55に拡散するため、酸化物半導体膜55に含まれる酸素欠損を低減することができる。また、酸化物絶縁膜53が酸化物半導体膜55に覆われており、表面が露出していないため、酸化物絶縁膜53からの外部への酸素の放出量が低減され、酸化物絶縁膜53において酸化物半導体膜55との界面の欠陥を効率よく低減することができる。次に、酸化物半導体膜57上にマスクを形成した後、当該マスクを用いて酸化物半導体膜57をエッチングして、島状の酸化物半導体膜59を形成する。この後、マスクを除去する図1C参照。。酸化物半導体膜57をエッチングするためのマスクは、フォトリソグラフィ工程、インクジェット法、印刷法等を適宜用いることができる。また、酸化物半導体膜57のエッチングはウエットエッチングまたはドライエッチングを適宜用いることができる。次に、図1Dに示すように、酸化物半導体膜59に接する一対の電極61を形成する。一対の電極61は、ソース電極及びドレイン電極として機能する。一対の電極61は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金などを用いて形成することができる。また、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウムのいずれか一または複数から選択された金属元素を用いてもよい。また、一対の電極61は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造などがある。また、一対の電極61は、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を適用することもできる。また、上記透光性を有する導電性材料と、上記金属元素の積層構造とすることもできる。一対の電極61は、印刷法またはインクジェット法により形成する。若しくは、スパッタリング法、CVD法、蒸着法等で導電膜を形成した後、該導電膜上にマスクを形成して導電膜をエッチングして形成する。導電膜上に形成するマスクは印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法を適宜用いることができる。ここでは、酸化物半導体膜59及び酸化物絶縁膜53上に導電膜を形成した後、導電膜を所定の形状にエッチングして一対の電極61を形成する。なお、酸化物半導体膜57上に導電膜を形成した後、多階調フォトマスクによって、凹凸状のマスクを形成し、当該マスクを用いて酸化物半導体膜57及び導電膜をエッチングした後、アッシングにより凹凸状のマスクを分離し、当該分離されたマスクにより導電膜をエッチングすることで、島状の酸化物半導体膜59及び一対の電極61を形成することができる。当該工程により、フォトマスク数及びフォトリソグラフィ工程数を削減することができる。次に、酸化物半導体膜59及び一対の電極61上にゲート絶縁膜63を形成する。次に、ゲート絶縁膜63上であって、酸化物半導体膜59と重畳する領域にゲート電極65を形成する。この後、保護膜として絶縁膜69を形成してもよい図1E参照。。また、ゲート絶縁膜63及び絶縁膜69にコンタクトホールを形成した後、一対の電極61に接続する配線を形成してもよい。ゲート絶縁膜63は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、または酸化ガリウムを単層でまたは積層して形成することができる。なお、ゲート絶縁膜63は、酸化物半導体膜59と接する部分が酸素を含むことが好ましく、特に好ましくは酸化シリコン膜により形成する。酸化シリコン膜を用いることで、酸化物半導体膜59に酸素を拡散させることができ、特性を良好にすることができる。また、ゲート絶縁膜63として、ハフニウムシリケートHfSiOx、窒素が添加されたハフニウムシリケートHfSixOyNz、窒素が添加されたハフニウムアルミネートHfAlxOyNz、酸化ハフニウム、酸化イットリウムなどのhigh-k材料を用いることで、ゲート絶縁膜の物理的な膜厚を大きくすることができるため、ゲートリークを低減できる。さらには、high-k材料と、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、及び酸化ガリウムのいずれか一以上との積層構造とすることができる。ゲート絶縁膜63の厚さは、1nm以上300nm以下、より好ましくは5nm以上50nm以下とするとよい。ゲート絶縁膜63の厚さを5nm以上とすることで、ゲートリーク電流を低減することができる。なお、ゲート絶縁膜63を形成する前に、島状の酸化物半導体膜59の表面を、酸素、オゾン、一酸化二窒素等の酸化性ガスのプラズマに曝し、島状の酸化物半導体膜59の表面を酸化し、酸素欠損を低減してもよい。ゲート電極65は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金などを用いて形成することができる。また、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウムのいずれか一または複数から選択された金属元素を用いてもよい。また、ゲート電極65は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造などがある。また、ゲート電極65は、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を適用することもできる。また、上記透光性を有する導電性材料と、上記金属元素の積層構造とすることもできる。絶縁膜69は、ゲート絶縁膜63に列挙した絶縁膜を適宜用いて形成することができる。この後、加熱処理を行ってもよい。以上の工程により、酸化物半導体膜をチャネル形成領域に有するトランジスタを作製することができる。本実施の形態では、酸化物絶縁膜の表面が酸化物半導体膜で覆われた状態で加熱処理を行った後、酸化物半導体膜を所定の形状にエッチングし、酸化物絶縁膜の一部を露出させているため、酸化物絶縁膜からの酸素の外部への放出量を制御しつつ、酸素の一部を酸化物半導体膜に拡散させ酸化物半導体膜の酸素欠損を低減させると共に、酸化物半導体膜から水素を脱離させることが可能である。この結果、酸化物半導体膜のキャリア源となる水素及び酸素欠損を低減すると共に、酸化物半導体膜及び酸化物絶縁膜の界面における欠陥を低減することができるため、トランジスタのしきい値電圧のマイナスシフトを低減することができる。実施の形態2本実施の形態では、実施の形態1と異なる構造のトランジスタの作製方法について、図3及び図4を用いて説明する。本実施の形態では、酸化物絶縁膜及び酸化物半導体膜の間に一対の電極が設けられる点が実施の形態1と異なる。なお、図4の一点破線A-Bの断面図は図3Dに相当する。図3Aに示すように、実施の形態1と同様に、基板51上に酸化物絶縁膜53を形成する。次に、酸化物絶縁膜53上に一対の電極71を形成する。次に、一対の電極71及び酸化物絶縁膜53上に、酸化物半導体膜73を形成する。一対の電極71は、実施の形態1に示す一対の電極61と同様の材料及び作製方法を適宜用いて形成することができる。酸化物半導体膜73は、実施の形態1に示す酸化物半導体膜55と同様の材料及び作製方法を適宜用いて形成することができる。次に、実施の形態1と同様に基板51を加熱して、水素濃度及び酸素欠損が低減された酸化物半導体膜を形成した後、水素濃度及び酸素欠損が低減された酸化物半導体膜上にマスクを形成し、水素濃度及び酸素欠損が低減された酸化物半導体膜をエッチングして、島状の酸化物半導体膜75を形成する。この後、マスクを除去する図3B参照。。次に、図3Cに示すように、一対の電極71及び酸化物半導体膜75上にゲート絶縁膜77を形成する。次に、ゲート絶縁膜77上であって、酸化物半導体膜75と重畳する領域にゲート電極79を形成する。次に、ゲート絶縁膜77及びゲート電極79上に保護膜として絶縁膜81を形成してもよい。ゲート絶縁膜77は、実施の形態1に示すゲート絶縁膜63と同様の材料及び作製方法を適宜用いて形成することができる。ゲート電極79は、実施の形態1に示すゲート電極65と同様の材料及び作製方法を適宜用いて形成することができる。絶縁膜81は、実施の形態1に示す絶縁膜69と同様の材料及び作製方法を適宜用いて形成することができる。次に、絶縁膜81上にマスクを形成した後、ゲート絶縁膜77及び絶縁膜81の一部をエッチングしてコンタクトホールを形成する。次に、コンタクトホールを介して、一対の電極71に接続する配線83を形成する。配線83は、一対の電極71と同様の材料及び作製方法を適宜用いて形成することができる。以上の工程により、酸化物半導体膜をチャネル形成領域に有するトランジスタを作製することができる。本実施の形態では、酸化物半導体膜のキャリア源となる水素及び酸素欠損を低減すると共に、酸化物半導体膜及び酸化物絶縁膜の界面における欠陥を低減することができるため、トランジスタのしきい値電圧のマイナスシフトを低減することができる。実施の形態3本実施の形態では、実施の形態1及び実施の形態2と比較して、酸化物半導体膜及び一対の配線の接触抵抗を低減できるトランジスタの作製方法について、図1及び図5を用いて説明する。実施の形態1と同様に、図1A及び図1Bの工程により酸化物絶縁膜53上に酸化物半導体膜55を形成し、酸化物半導体膜55を加熱して、水素濃度及び酸素欠損が低減された酸化物半導体膜57を形成する。次に、図5Aに示すように、水素濃度及び酸素欠損が低減された酸化物半導体膜57上に、n型の導電型を有するバッファ84を形成する。n型の導電型を有するバッファ84としては、インジウム酸化物、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、錫酸化物、亜鉛酸化物、錫亜鉛酸化物から選ばれた一つの金属酸化物であるか、または該金属酸化物にアルミニウム、ガリウム、シリコンから選ばれた元素が一つ以上含まれている材料を用いることができる。この構成とすることで、後に形成されるソース電極及びドレイン電極として機能する一対の電極及び酸化物半導体膜の接触抵抗を低減することができる。ここでは、酸化物半導体膜を加熱して酸化物半導体膜から水素を脱離させると共に、酸化物絶縁膜から酸化物半導体膜に酸素を拡散させた後、当該酸化物半導体膜上にn型の導電型を有するバッファ84を形成するため、酸化物半導体膜からの水素の脱離を十分に行うことができる。この結果、酸化物半導体膜中の水素濃度及び酸素欠損を低減することが可能であり、トランジスタのしきい値電圧のマイナスシフトを低減することができる。次に、n型の導電型を有するバッファ84上にマスクを形成した後、水素濃度及び酸素欠損が低減された酸化物半導体膜57及びn型の導電型を有するバッファ84をエッチングして、島状の酸化物半導体膜59及びn型の導電型を有するバッファ85を形成する。この後、マスクを除去する図5B参照。。次に、図5Cに示すように、島状の酸化物半導体膜59及びn型の導電型を有するバッファ85上に一対の電極61を形成する。ここでは、ゲート絶縁膜の膜質を保つため、一対の電極61として、ゲート絶縁膜から、酸素を引き抜かない材料を用いることが好ましい。このような一対の電極61の材料として、タングステン、モリブデン等がある。しかしながら、タングステン及びモリブデンは酸化物半導体膜及びゲート絶縁膜と接する領域において抵抗の高い金属酸化物が形成されてしまう。そこで、島状の酸化物半導体膜59及び一対の電極61の間に、n型の導電型を有するバッファを設けることで、島状の酸化物半導体膜59及び一対の電極61の接触抵抗を低減することができる。次に、一対の電極61上に形成されるマスク図示しない。を用いて、n型の導電型を有するバッファ85の露出部をエッチングして、一対のn型の導電型を有するバッファ87を形成する。なお、一対の電極61上に形成されるマスクを除去した後、一対の電極61をマスクとして、n型の導電型を有するバッファ85の露出部をエッチングして、一対のn型の導電型を有するバッファ87を形成してもよい。n型の導電型を有するバッファ85をエッチングする際には、島状の酸化物半導体膜59がエッチングされず、選択的にn型の導電型を有するバッファ85をエッチングする条件エッチング選択比の高い条件を用いることが好ましい。なお、島状の酸化物半導体膜59及びn型の導電型を有するバッファ85のエッチング選択比が低い場合は、n型の導電型を有するバッファ85のエッチングの際に島状の酸化物半導体膜59の一部もエッチングされ、溝部凹部を有する形状となることもある。本実施の形態により、島状の酸化物半導体膜59及び一対の電極61の間にn型の導電型を有するバッファ87を有するため、島状の酸化物半導体膜59及び一対の電極61の接触抵抗を低減することができる。この結果、トランジスタのオン電流の低減を抑えることができる。次に、実施の形態1と同様に、ゲート絶縁膜63、ゲート電極65、及び絶縁膜69を形成する。また、ゲート絶縁膜63及び絶縁膜69にコンタクトホールを形成した後、一対の電極61に接続する配線を形成してもよい。以上の工程により、酸化物半導体膜をチャネル形成領域に有するトランジスタを作製することができる。本実施の形態により、水素濃度及び酸素欠損が低減された酸化物半導体膜を形成すると共に、酸化物半導体膜及び一対の配線の間に接触抵抗を低減するn型の導電型を有するバッファを形成するため、トランジスタのしきい値電圧のマイナスシフトを低減すると共に、トランジスタのオン電流の低減を抑えることができる。実施の形態4本実施の形態では、オン電流及び電界効果移動度を高めることが可能なトランジスタ、またはしきい値電圧を制御することができるトランジスタについて、図6を用いて説明する。図6Aに示すように、基板51上に酸化物絶縁膜53を形成する。次に、酸化物絶縁膜53上に第1のゲート電極91を形成する。次に、酸化物絶縁膜53及び第1のゲート電極91上に第1のゲート絶縁膜93を形成する。次に、第1のゲート絶縁膜93上に酸化物半導体膜95を形成する。第1のゲート電極91は、実施の形態1に示すゲート電極65と同様に形成することができる。第1のゲート絶縁膜93は、実施の形態1に示すゲート絶縁膜63と同様に形成することができる。酸化物半導体膜95は、実施の形態1に示す酸化物半導体膜55と同様に形成することができる。次に、図6Bに示すように、実施の形態1と同様に、酸化物半導体膜95を加熱して、水素濃度及び酸素欠損が低減された酸化物半導体膜97を形成する。次に、酸化物半導体膜97上にマスクを形成して、酸化物半導体膜97をエッチングして、島状の酸化物半導体膜99を形成する。この後マスクを除去する図6C参照。。次に、図6Dに示すように、島状の酸化物半導体膜99上に一対の電極101を形成する。次に、島状の酸化物半導体膜99及び一対の電極101上に第2のゲート絶縁膜103を形成する。次に、第2のゲート絶縁膜103上であって、島状の酸化物半導体膜99と重畳する領域に第2のゲート電極105を形成する。次に、第2のゲート絶縁膜103及び第2のゲート電極105上に保護膜として絶縁膜109を形成してもよい。一対の電極101は、実施の形態1に示す一対の電極61と同様に形成することができる。第2のゲート絶縁膜103は、実施の形態1に示すゲート絶縁膜63と同様に形成することができる。第2のゲート電極105は、実施の形態1に示すゲート電極65と同様に形成することができる。絶縁膜109は、実施の形態1に示す絶縁膜69と同様に形成することができる。第1のゲート電極91及び第2のゲート電極105は接続されていてもよい。この場合、第1のゲート電極91及び第2のゲート電極105は同電位となるため、チャネル形成領域が酸化物半導体膜99の第1のゲート絶縁膜93側、及び第2のゲート絶縁膜103側に形成されるため、トランジスタのオン電流及び電界効果移動度を高めることができる。または、第1のゲート電極91及び第2のゲート電極105は接続されず、異なる電位が印加されてもよい。この場合、トランジスタのしきい値電圧を制御することができる。なお、本実施の形態では、一対の電極が島状の酸化物半導体膜99及び第2のゲート絶縁膜103の間に形成したが、第1のゲート絶縁膜93及び島状の酸化物半導体膜99の間に形成してもよい。以上の工程により、ゲート電極を複数有するトランジスタを作製することができる。実施の形態5本実施の形態では、実施の形態1乃至実施の形態4と比較して、さらに酸化物半導体膜中の水素濃度を低減する方法について、説明する。本実施の形態では実施の形態1を用いて説明するが、適宜実施の形態2乃至実施の形態4に適応することができる。図1Aにおいて、基板51に酸化物絶縁膜53を形成する前に、基板51を加熱する。次に、基板51上に酸化物絶縁膜53及び酸化物半導体膜55を形成する。基板51を加熱する温度は、基板51に吸着または含有される水素を脱離させることが可能な温度が好ましい。代表的には100°C以上基板歪み点未満である。また、基板51を加熱する際、水素含有量の低い雰囲気で行うことが好ましい。好ましくは1×10-4Pa以下の高真空中で行ことが好ましい。この結果、基板表面に吸着する水素、水素分子、水、水酸基、または水素化物などを低減できる。さらには、基板51の加熱から酸化物半導体膜55の形成までを大気に曝さず、真空雰囲気で連続的に行うことで、基板51、酸化物絶縁膜53、及び酸化物半導体膜55に水素、水素分子、水、水酸基、または水素化物が吸着されず、酸化物半導体膜55の加熱工程において、基板51及び酸化物絶縁膜53から酸化物半導体膜55への水素拡散を低減することが可能であり、図1Bに示す加熱された酸化物半導体膜57の水素濃度をより低減することができる。この結果、トランジスタのしきい値電圧のマイナスシフトを低減することができる。実施の形態6実施の形態1乃至5に示したトランジスタを作製し、該トランジスタを画素部、さらには駆動回路に用いて表示機能を有する半導体装置表示装置ともいうを作製することができる。また、トランジスタを用いた駆動回路の一部または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することができる。表示装置は表示素子を含む。表示素子としては液晶素子液晶表示素子ともいう、発光素子発光表示素子ともいうを用いることができる。発光素子は、電流または電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機ELElectroLuminescence、有機EL等が含まれる。また、電子インクなど、電気的作用によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。また、表示装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルと、該パネルにコントローラを含むIC等を実装した状態にあるモジュールとを含む。さらに、該表示装置を作製する過程における、表示素子が完成する前の一形態に相当する素子基板に関し、該素子基板は、電流を表示素子に供給するための手段を複数の各画素に備える。素子基板は、具体的には、表示素子の画素電極のみが形成された状態であっても良いし、画素電極となる導電膜を形成した後であって、エッチングして画素電極を形成する前の状態であっても良いし、あらゆる形態があてはまる。なお、本明細書中における表示装置とは、画像表示デバイス、表示デバイス、もしくは光源照明装置含むを指す。また、コネクタ、例えばFPCFlexibleprintedcircuitもしくはTABTapeAutomatedBondingテープもしくはTCPTapeCarrierPackageが取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または表示素子にCOGChipOnGlass方式によりIC集積回路が直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。実施の形態7本明細書に開示する半導体装置は、電子ペーパーとして適用することができる。電子ペーパーは、情報を表示するものであればあらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。例えば、電子ペーパーを用いて、電子書籍電子ブック、ポスター、デジタルサイネージ、PIDPublicInformationDisplay、電車などの乗り物の車内広告、クレジットカード等の各種カードにおける表示等に適用することができる。電子機器の一例を図7に示す。図7は、電子機器の一例として電子書籍2700を示している。例えば、電子書籍2700は、筐体2701及び筐体2703の2つの筐体で構成されている。筐体2701及び筐体2703は、軸部2711により一体とされており、該軸部2711を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。筐体2701には表示部2705及び光電変換装置2706が組み込まれ、筐体2703には表示部2707及び光電変換装置2708が組み込まれている。表示部2705及び表示部2707は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右側の表示部図7では表示部2705に文章を表示し、左側の表示部図7では表示部2707に画像を表示することができる。また、図7では、筐体2701に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体2701において、電源2721、操作キー2723、スピーカ2725などを備えている。操作キー2723により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子イヤホン端子、USB端子、またはACアダプタ及びUSBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。さらに、電子書籍2700は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。また、電子書籍2700は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。実施の形態8本明細書に開示する半導体装置は、さまざまな電子機器遊技機も含むに適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。図8Aは、電子機器の一例としてテレビジョン装置9600を示している。テレビジョン装置9600は、筐体9601に表示部9603が組み込まれている。表示部9603により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド9605により筐体9601を支持した構成を示している。テレビジョン装置9600の操作は、筐体9601が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機9610により行うことができる。リモコン操作機9610が備える操作キー9609により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部9603に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機9610に、当該リモコン操作機9610から出力する情報を表示する表示部9607を設ける構成としてもよい。なお、テレビジョン装置9600は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向送信者から受信者または双方向送信者と受信者間、あるいは受信者間同士などの情報通信を行うことも可能である。図8Bは、電子機器の一例としてデジタルフォトフレーム9700を示している。例えば、デジタルフォトフレーム9700は、筐体9701に表示部9703が組み込まれている。表示部9703は、各種画像を表示することが可能であり、例えばデジタルカメラなどで撮影した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることができる。なお、デジタルフォトフレーム9700は、操作部、外部接続用端子USB端子、USBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など、記録媒体挿入部などを備える構成とする。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面に備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレーム9700の記録媒体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して画像データを取り込み、取り込んだ画像データを表示部9703に表示させることができる。また、デジタルフォトフレーム9700は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることもできる。本実施例では、酸化物絶縁膜及び酸化物半導体膜の形成工程、並びに加熱処理の順序と、酸化物絶縁膜からの酸素の脱離量との関係について、図9乃至図11を用いて説明する。はじめに、試料の作製方法について説明する。本実施例では、以下の工程1乃至工程4の少なくとも1以上を行って各試料を作製した。工程1基板上に酸化物絶縁膜を形成した。ここでは、酸化物絶縁膜として厚さ300nmの酸化シリコン膜を形成した。酸化物絶縁膜は、石英ターゲットを用い、スパッタリングガスとして流量25sccmのアルゴン及び25sccmの酸素を用いた、RFスパッタリング法を用いて形成した。周波数が13.56MHzの高周波電源の電力を1.5kWとし、圧力を0.4Paとし、基板及びターゲットの間隔を60mmとし、基板温度を100°Cとした。工程2酸化物絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成した。ここでは、酸化物半導体膜として厚さ30nmのIn-Ga-Zn-O膜を形成した。酸化物半導体膜は、In-Ga-Zn-OターゲットIn2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比]を用い、スパッタリングガスとして流量30sccmのアルゴン及び15sccmの酸素を用いた、DCスパッタリング法を用いて形成した。このときの電源の電力を0.5kWとし、圧力を0.4Paとし、基板及びターゲットの間隔を60mmとし、基板温度を200°Cとした。工程3酸化物半導体膜上にフォトリソグラフィ工程によりマスクを形成した後、酸化物半導体膜の一部をエッチングして、島状の酸化物半導体膜を形成した。工程4加熱処理を行った。加熱処理条件は、窒素雰囲気の電気炉で450°C、1時間保持することで、各試料を加熱した。試料1、試料3、及び試料5は、加熱処理を行わない試料であり、試料2、試料4及び試料6は加熱処理を行う試料である。また、試料2、試料4及び試料6はそれぞれ加熱処理の順序が異なる。試料1は、工程1及び工程2の後、酸化物半導体膜を除去した。試料2は、工程1及び工程2の後に工程4加熱処理を行い、酸化物半導体膜を除去した。試料3は、工程1を行った。試料4は、工程1の後に工程4加熱処理を行った。試料5は、工程1乃至工程3の後、島状の酸化物半導体膜を除去した。試料6は、工程1乃至工程3の後に工程4加熱処理を行い、島状の酸化物半導体膜を除去した。次に、試料1乃至試料6の脱ガス量をTDS分析により測定した。ここでは、TDS分析には、電子科学株式会社製の昇温脱離分析装置EMD-WA1000S/Wを用いた。なお、TDS分析とは、試料を真空容器内で昇温し、昇温中に試料から発生するガス成分を四重極質量分析計で検出する分析方法である。検出されるガス成分はm/z質量/電荷で区別される。ここでは、m/z=32におけるTDSスペクトルである。なお、m/z=32である成分には、酸素分子O2などが挙げられる。試料1加熱処理無し及び試料2加熱処理有りのTDSスペクトルをそれぞれ、図9Aの破線201及び実線203で示す。試料3加熱処理無し及び試料4加熱処理有りのTDSスペクトルをそれぞれ、図9Bの破線205及び実線207で示す。試料5加熱処理無し及び試料6加熱処理有りのTDSスペクトルをそれぞれ、図9Cの破線209及び実線211で示す。図10A乃至Cはそれぞれ、試料2、試料4、及び試料6の加熱処理における酸化物絶縁膜113からの酸素の放出を説明するモデル図である。図10Aに示すように、基板111上に積層された酸化物絶縁膜113及び酸化物半導体膜115を加熱処理すると、酸化物半導体膜115が保護膜となり、酸化物絶縁膜113からの酸素の外部への放出が低減される。このため、図9Aに示すように、酸化物半導体膜を除去した試料1及び試料2においては、加熱処理の有無でTDS分析における酸素の放出量の差がほとんど無い。これは、加熱処理によって、酸化物絶縁膜に含まれる、加熱により脱離可能な酸素含有量の減少が少ないためである。一方、図10Bに示すように、基板111上に形成された酸化物絶縁膜113の表面を覆う酸化物半導体膜が設けられない状態で加熱処理をすると、酸化物絶縁膜113から酸素が放出される。このため、図9Bの実線207に示すように、加熱処理がある試料4においては、試料3と比較してTDS分析における酸素の放出量が低減している。これは、加熱処理によって、酸化物絶縁膜から酸素の一部が外部へ放出してしまい、酸化物絶縁膜に含まれる、加熱により脱離可能な酸素含有量が低減しているためである。さらに、図10Cに示すように、基板111上に形成された酸化物絶縁膜113の表面の一部を覆う島状の酸化物半導体膜117が設けられた状態で加熱処理をすると、露出している酸化物絶縁膜113から酸素が放出される。また、島状の酸化物半導体膜117と接する酸化物絶縁膜113に含まれる酸素が拡散して、露出している酸化物絶縁膜113から放出される。これは、酸化物絶縁膜113から酸化物半導体膜への酸素の拡散より、酸化物絶縁膜中の酸素拡散係数の方が大きいため、酸化物絶縁膜から酸化物半導体膜へよりも、酸化物絶縁膜中での酸素の拡散の方が早く、島状の酸化物半導体膜の周辺に酸素が拡散してしまうためである。具体的には、450°C加熱処理において酸化物絶縁膜113中の酸素の拡散係数は1×10―10cm2/sec程度であり、酸化物半導体膜117中の酸素の拡散係数は1×10―17cm2/sec程度であることが分析により確認されている。なお、上記酸化物半導体膜117中の酸素の拡散係数は、酸化物半導体膜としてIn-Ga-Zn-O膜における値を示したが、他の酸化物半導体でも同様の傾向を示す。例えばIn-Sn-O膜中の酸素の拡散係数は、6×10―16cm2/sec程度であり、酸化物絶縁膜113中の酸素の拡散係数よりも十分小さい値を示す。このため、図9Cの実線211に示すように、加熱処理がある試料6においては、試料5と比較してTDS分析における酸素の放出量が低減している。これは、加熱処理によって、酸化物絶縁膜から酸素の一部が外部へ放出してしまい、酸化物絶縁膜に含まれる、加熱により脱離可能な酸素含有量が低減しているためである。以上のことから、酸化物絶縁膜113上に酸化物半導体膜115を形成し、島状の酸化物半導体膜117を形成する前に、加熱処理を行うことで、酸化物絶縁膜113に含まれる酸素を効率よく酸化物半導体膜115に拡散させることができる。本実施例では、トランジスタの作製方法及び当該トランジスタの電気特性について、図1及び図11を用いて説明する。本実施例では、実施例1と同様に、加熱工程順の異なる試料7乃至試料9を作製した。試料7は、酸化物絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成した後、加熱を行う。試料8は、酸化物絶縁膜を形成した後、加熱を行う。試料9は、酸化物絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜の一部をエッチングして島状の酸化物半導体膜を形成した後、加熱を行う。はじめに試料7乃至9の作製方法を説明する。図1Aに示すように、基板51上に酸化物絶縁膜53を形成した。次に、酸化物絶縁膜53上に酸化物半導体膜55を形成した。なお、試料8は、酸化物絶縁膜53の形成後、且つ酸化物半導体膜55の形成前に加熱処理を行った。また、試料7は酸化物半導体膜55の形成後、且つ図1Cに示す酸化物半導体膜59の形成前に加熱処理を行った。基板51として、AN100旭硝子社製ガラス基板を用いた。酸化物絶縁膜53の成膜条件は、実施例1の工程1に示す酸化物絶縁膜の成膜条件を用いて、厚さ300nmの酸化シリコン膜を形成した。酸化物半導体膜55の成膜条件は、実施例1の工程2に示す酸化物半導体膜の成膜条件を用いて、厚さ30nmのIn-Ga-Zn-O膜を形成した。試料7及び試料8の加熱処理は、実施例1の工程4に示す加熱処理条件を用いた。次に、酸化物半導体膜上にフォトリソグラフィ工程によりマスクを形成した後、当該マスクを用いて酸化物半導体膜をエッチングした。なお、試料9は、酸化物半導体膜をエッチングした後、加熱処理を行った。以上の工程により、図1Cに示すように、酸化物半導体膜59を形成した。ここでは、ウエットエッチングを用いて酸化物半導体膜をエッチングした。試料9の加熱処理は、実施例1の工程4に示す加熱条件を用いた。次に、酸化物半導体膜59上に一対の電極61を形成した図1D参照。。ここでは、導電膜として、スパッタリング法により厚さ100nmのタングステン膜を形成した。次に、導電膜上にフォトリソグラフィ工程によりマスクを形成した後、当該マスクを用いて導電膜をドライエッチングして一対の電極61を形成した。この後、マスクを除去した。次に、酸化物半導体膜59及び一対の電極61上にゲート絶縁膜63を形成した。次に、ゲート絶縁膜63上にゲート電極65を形成した。次に、保護膜として機能する絶縁膜69を形成した図1E参照。。ここでは、ゲート絶縁膜63として、プラズマCVD法により酸化窒化シリコン膜を形成した。試料7及び試料8では、ゲート絶縁膜の厚さを30nmとし、試料9ではゲート絶縁膜の厚さを15nmとした。また、ゲート絶縁膜63上に、スパッタリング法により厚さ15nmの窒化タンタル膜を形成した後、スパッタリング法により厚さ135nmのタングステン膜を形成した。次に、フォトリソグラフィ工程によりマスクを形成した後、当該マスクを用いてタングステン膜及び窒化タンタル膜をドライエッチングして、ゲート電極65を形成した。次に、マスクを除去した。ここでは、絶縁膜69としてプラズマCVD法により厚さ300nmの酸化窒化シリコン膜を形成した。次に、図示しないが、絶縁膜69上にフォトリソグラフィ工程によりマスクを形成した後、当該マスクを用いて絶縁膜69の一部をエッチングしてコンタクトホールを形成した。ここでは、ドライエッチングによりゲート絶縁膜63及び絶縁膜69をエッチングして、一対の電極61及びゲート電極65を露出するコンタクトホールを形成した。次に、一対の電極61及びゲート電極65に接続する配線をそれぞれ形成した。ここでは、絶縁膜69上に、スパッタリング法により厚さ50nmのチタン膜、厚さ100nmのアルミニウム膜、及び厚さ5nmのチタン膜を順に形成した。次に、フォトリソグラフィ工程によりマスクを形成した後、当該マスクを用いてチタン膜、アルミニウム膜、及びチタン膜をドライエッチングして、配線を形成した。次に、マスクを除去した。次に、窒素雰囲気の電気炉で250°C、1時間保持することで、各試料を加熱した。以上の工程によりトランジスタを作製した。次に、試料7乃至試料9に形成されたトランジスタの電気特性を測定した。測定は、基板面内で25点行っており、重ねて表示している。チャネル長Lは3μmであり、チャネル幅Wは10μmである。図11A、図11B、及び図11Cはそれぞれ、試料7、試料8、及び試料9に作製されたトランジスタの電気特性を示す。曲線221、225、229は、それぞれのトランジスタにドレイン電圧を0.1V印加したときの電流電圧曲線を示し、曲線223、227、231は、それぞれのトランジスタにドレイン電圧を3V印加したときの電流電圧曲線を示す。図11Aに示す電流電圧曲線はオンオフ比が高く、スイッチング特性を有するが、図11B及び図11Cに示す電流電圧曲線はオンオフがとれておらず、スイッチング特性を有していない。実施例1のTDS分析結果より、試料2に示すように、酸化物絶縁膜の表面を酸化物半導体膜で覆った状態で加熱処理を行っても酸化物絶縁膜に含まれる、加熱により脱離可能な酸素量の減少が少なく、外部への酸素の放出が生じにくい。一方、試料4及び試料6においては、酸化物絶縁膜が露出した状態で加熱処理することにより、酸素が外部へ放出している。これらのことから、試料2と同様の工程順で加熱処理を行った本実施例の試料7においては、酸化物絶縁膜に含まれる酸素の一部が加熱によって酸化物半導体膜に拡散しており、また外部への酸素放出が抑制されているため、酸化物半導体膜に含まれる酸素欠損が低減している。このため、当該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、スイッチング特性を有する。一方、試料4及び試料6と同様の工程順で加熱処理を行った本実施例の試料8及び試料9においては、酸化物絶縁膜に含まれる酸素の一部が加熱によって外部に放出されたため、酸化物半導体膜への酸素拡散量が少なく、キャリア源となる酸素欠損が多く含まれる。このため、酸化物半導体膜がn型の導電型を有し、当該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、スイッチング特性を有さない。以上のことから、加熱により酸素の一部が脱離する酸化物絶縁膜の表面を酸化物半導体膜で覆った状態で加熱処理を行った後、酸化物半導体膜を所定の形状にエッチングし、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成することで、オンオフ比が十分高く、しきい値電圧のマイナスシフトの少ないトランジスタを作製することができる。