"純度99.99質量以上の銀Agと純度99.999質量以上の金Auと純度99.99質量以上のパラジウムPdとからなる三元合金系ボンディングワイヤであって、金Auが4~10質量、パラジウムPdが2~5質量、酸化性非貴金属添加元素が15~70質量ppmおよび残部が銀Agからなり、当該ボンディングワイヤは連続ダイス伸線前に焼きなまし熱処理がされ、連続ダイス伸線後に調質熱処理がされ、窒素雰囲気中でボールボンディングされることを特徴とする半導体素子用AgAuPd三元合金系ボンディングワイヤ。上記金Auが6~9質量およびパラジウムPdが3~5質量であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子用AgAuPd三元合金系ボンディングワイヤ。上記酸化性非貴金属添加元素がカルシウムCaであることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子用AgAuPd三元合金系ボンディングワイヤ。上記酸化性非貴金属添加元素が希土類元素であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子用AgAuPd三元合金系ボンディングワイヤ。上記酸化性非貴金属添加元素がランタンLaであることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子用AgAuPd三元合金系ボンディングワイヤ。上記焼きなまし熱処理が2回以上繰り返されることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子用AgAuPd三元合金系ボンディングワイヤ。上記焼きなまし熱処理の温度が上記調質熱処理の温度よりも高いことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子用AgAuPd三元合金系ボンディングワイヤ。本発明は、樹脂封止された半導体装置が高温、高湿および高圧下の過酷な使用環境下で使用されても、アルミパッドとの接続信頼性を維持する優れたボールボンディング用のAgAuPd三元合金系ボンディングワイヤを提供することを目的とする。本発明者らは、AgAuPd三元合金系ボンディングワイヤは銅Cu系ボンディングワイヤのように酸化が起こらないことに着目し、窒素雰囲気中でアルミパッドへボールボンディングして高温接続信頼性を調べた。この窒素雰囲気は、完全に密閉した窒素雰囲気にしなくても、また、窒素と水素の混合ガスを用いなくても、溶融ボール形成時に窒素ガスを吹き付けただけで真球度の高いフリーエアーボールFABが得られた。また、本発明者らは、高純度のAgAuPd三元合金に微量の酸化性非貴金属元素を添加し、AgAuPd三元合金中に微細に分散させることにより、伸線中の焼鈍熱処理によってもAgAuPd三元合金の結晶粒が粗大化することなく加工ひずみが除かれるだけで、連続ダイス伸線後のボンディングワイヤ内に伸線組織が残るようにしたものである。上記の課題を解決するための本発明の半導体素子用AgAuPd三元合金系ボンディングワイヤは、純度99.999質量以上の銀Agと純度99.999質量以上の金Auと純度99.99質量以上のパラジウムPdとからなる三元合金系ボンディングワイヤであって、金Auが4~10質量、パラジウムPdが2~5質量、酸化性非貴金属元素が20~100質量ppmおよび残部が銀Agからなり、当該ボンディングワイヤは連続ダイス伸線前に焼鈍熱処理がされ、連続ダイス伸線後に調質熱処理がされ、窒素雰囲気中でボールボンディングされるものである。AgAuPd三元合金本発明のAgAuPd三元合金は、金Auが4~10質量、パラジウムPdが2~5質量および残部が銀Agからなる完全に均一固溶した合金である。本発明において、銀Agを84質量以上の残部としたのは、純アルミニウムAlパッドやアルミニウム合金パッドと接続する際に、大気中で形成されていた銀AgとアルミニウムAlの金属間化合物が窒素雰囲気中ではほとんど形成されないことが判明したからである。また、本発明において、金Auは、窒素雰囲気中で金AuとアルミニウムAlの金属間化合物を形成せず、かつ、第一ボンディング時に溶融ボールを真円形状で接合する効果がある。本発明において、金Auを4~10質量としたのは、10質量を超えると溶融ボールの形成温度が高くなりすぎて酸化性非貴金属元素の酸化物が形成されやすくなってFABの真球度が得られないからであり、4質量未満では溶融ボールが不安定になってFABの真球度が確保できなくなるからである。金Auは6~9質量の範囲が好ましい。また、本発明において、パラジウムPdは第一ボンディング時に銀AgとアルミニウムAlの金属間化合物の形成を阻止する効果、および半導体素子の高温高湿環境下での使用時に銀AgとアルミニウムAlの金属間化合物の劣化を抑制する効果がある。従来のAgワイヤの場合、これらの接合界面に金属間化合物Ag2Alが生成する。このAg2Alとボールの界面は水分を含む環境下では腐食し、AgとAl2O3が生成する。本願発明のAgAuPd微量添加元素αの場合、Ag2Alとボールの間にAg2AlとPd濃化層が生成し、Ag2Alの腐食を抑制する働きをする。図1の模式図に示すように、Agワイヤの場合接合されたボールとアルミニウムパッドの界面でAg2Al金属間化合物が形成され、水分を含む環境下で腐食が進行する。これに対して、本発明のAgAuPd三元合金ワイヤの場合、同図Bに示すように、同じくボール接合界面ではAg2Al金属間化合物が形成されるが、AuとPdとは相溶性がよく、ボール側にAu2AlとPd濃化層が形成されてAlの腐食を抑制され、シェア強度及びHST信頼性を著しく向上する。パラジウムPdを2~5質量としたのは、5質量を超えると窒素雰囲気中で形成した溶融ボールが硬くなりすぎるためであり、2質量未満では銀AgとアルミニウムAlの金属間化合物の劣化を抑制する効果が確保できなくなるからである。パラジウムPdは3~5質量の範囲が好ましい。酸化性非貴金属添加元素本発明において、酸化性非貴金属添加元素は15~70質量ppmである。本発明では銀Agの純度は99.99質量以上であるが、実質的な不可避不純物は20ppm程度である。その不可避不純物も酸化性非貴金属添加元素とともにAgAuPd三元合金中に微細に分散し、ピン止め作用によりAgAuPd三元合金の結晶粒の粗大化を防止してその効果を発揮する。酸化性非貴金属添加元素の主な効果は、ワイヤの機械的特性を向上したり、第一ボンドの圧着ボールの真円性を向上したりすることである。酸化性非貴金属添加元素が最大70質量ppm以下であれば、AgAuPd三元合金を大気中で焼鈍熱処理しても合金表面に厚い酸化膜を作って合金表面が変色することは無い。酸化性非貴金属元素は20~60質量ppmが好ましく、より好ましくは20~50質量ppmである。酸化性非貴金属添加元素としては、カルシウムCa,希土類元素Y、La、Ce、Eu、Gd、NdおよびSm、ベリリウムBe、マグネシウムMg、スズSn、インジウムIn、ビスマスBiがある。好ましくは、カルシウムCaおよび希土類元素、特にランタンLa、ベリリウムBeがよい。焼鈍熱処理本発明における焼鈍熱処理は、AgAuPd三元合金の伸線加工による加工ひずみを除去して加工割れを防ぐためである。酸化性非貴金属元素はAgAuPd三元合金内に微細に分散させておく必要があるため、熱処理においてAgAuPd三元合金の融点約1000°C近くまで温度を高くすることはできない。通常は、500°Cで2時間、600°Cで30分、700°Cで10分程度である。焼鈍熱処理後に伸線加工を施すことによってボンディングワイヤに伸線組織が形成される。このため、最終の連続伸線前に焼鈍熱処理をしておくことが好ましい。また、焼鈍熱処理を繰り返すと、ボンディングワイヤの伸線組織が緻密になると考えられるので、2回以上繰り返すのが好ましいが、生産性が悪くなるので、2~3回が好ましい。調質熱処理本発明における調質熱処理は、金線の場合と同様に、管状炉において、温度およびスピードを調整の上、引張り破断試験機で伸びが4となるように調整するための熱処理である。通常は、500°Cで2秒程度である。上述のように、本発明のボンディングワイヤ用AgAuPd合金線は、窒素雰囲気で第一ボンドを行っているので、溶融ボールと純アルミニウムAlパッドやアルミニウム合金パッドとの接合性が良好であり、圧着ボールの真円性を確保することができ、また、高温高湿下の半導体装置の使用においてもアルミニウムAlの金属間化合物が第一ボンドの接合界面で粗大化が進展することが無く、安定した接合信頼性を確保することができる。さらに、本発明のAgAuPd合金からなるボンディングワイヤは、機械的性質が軟質になっているので、リーニングやループ高さのばらつきがなく、しかも、超音波接合による第二ボンドの接合強度のばらつきも少なくなるという効果がある。表1左欄に示される成分組成を有するAgAuPd合金を溶解鋳造し、10mm径から3mm径まで伸線加工して600°Cで30分間焼鈍熱処理をし、次いで径0.1mmまで伸線加工して600°Cで30分間焼鈍熱処理をした。その後、湿式で最終の連続伸線をすることにより20μmの線径を有する本発明に係るボンディングワイヤ用AgAuPd合金線以下、本発明ワイヤという。1~27と本発明の組成範囲に入らない比較品のボンディングワイヤ用AgAuPd合金線以下、比較ワイヤという。28~36を製造した。これらの本発明ワイヤ1~27および比較ワイヤ28~36をKulickeSoffaキューリックアンドソファ製のワイヤボンダー商品名:Maxμmultraにセットし、半導体ICチップに搭載されたAl-0.5質量Cu合金からなる50μm角Al合金パッドに、吹き付け窒素雰囲気下で38μm狙いでFABを作製し、加熱温度:200°C、ループ長さ:5mm、ループ高さ:220μm、圧着ボール径:48μm、圧着ボール高さ:14μm、の条件でボンディングを行なって、FAB真球度、真円性のばらつき、1stボールシェア、HAST信頼性について評価を行なった。FAB真球度の評価方法]各々の合金組成に対し、ワイヤボンダーでFABを100個作製し、FABのXワイヤと直角方向とYワイヤ方向の長さを測定し、その差により評価した。それらの評価結果を表1右側欄に示す。[真円性のばらつきの評価方法]各々の合金組成に対し、評価用のICチップに100本ボンディングしたときの圧着ボールのX方向超音波印加と直角方向とY方向超音波印加と方向の長さを測定し、その比のばらつきを評価した。それらの評価結果を表1右側欄に示す。[1stボールシェア評価方法]各々の合金組成に対し、専用のICチップにワイヤボンダーでボンディングを行い、100点について、Dage社製の製品名万能ボンドテスターBT型式4000を用い、1st圧着ボールのshear強度評価を行った。それらの評価結果を表1右側欄に示す。[HAST信頼性評価方法]各々の合金組成に対し、専用のICチップ200pinにワイヤボンダーでボンディングを行い、専用のプラスチック樹脂で封止し、電気抵抗測定用サンプルを作製した。そのサンプルを高度加速寿命試験HAST装置内に温度130°C、湿度85、圧力2.2気圧の条件で192時間放置後、電気抵抗を測定した。電気抵抗は、KEITHLEY社製の製品名ソースメーター型式2004を用い、専用のICソケットおよび専用に構築した自動測定システムで行った。測定方法は、いわゆる直流四端子法で測定している。測定用プローブから隣接する外部リード間ICチップ上のパッドが短絡した対を選択に一定電流を流し、プローブ間の電圧が測定される。電気抵抗は外部リード100対200ピンについて、HAST装置放置前と放置後に電気抵抗測定を行い電気抵抗の上昇率を評価した。それらの評価結果を表1右側欄に示す。表1右側欄中、FAB真球度は観察結果を示し、◎は差が1μm以内、○は2μm以内、△は2μm超を、それぞれ示す。表1右側欄中、真円性のばらつきは標準偏差の値を示し、◎は0.8未満、○は0.8以上1.0未満、△は1.0以上1.5未満、×は1.5以上を、それぞれ示す。表1右側欄中、1stボールシェアは、シェア荷重値を示し、◎は15gf以上、○は12gf以上、△は10gf以上、10gf未満もしくはボール剥がれ発生の場合は×を、それぞれ示す。表1右側欄中、HAST信頼性は、HAST装置放置前の電気抵抗値に対する放置後の電気抵抗の上昇率を示し、◎は20以下、○は50以下、×は50超を、それぞれ示す。表1右欄に示される結果から明らかなように、本発明ワイヤは、溶融ボールの真球度がよく、圧着ボールの真円性が良く、1stボールの接合性がよく、HAST信頼性が良好であるのに対し、比較ワイヤ25~31はこれら特性の少なくともいずれか一つは不良となることが分かる。"