"基板上に圧電体を形成する圧電体形成工程と、前記圧電体形成工程の後、前記基板における前記圧電体の形成側とは反対側の面を研磨する研磨工程とを有しており、前記圧電体形成工程では、配向方向が前記基板の面に対して001方向となるように、前記基板上に圧電体を形成することを特徴とする圧電デバイスの製造方法。前記圧電体形成工程において、前記基板の直径をDmmとし、前記基板の厚さをtmmとしたときに、A=t2/Dが0.001よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の圧電デバイスの製造方法。前記圧電体形成工程において、A=t2/Dが0.002よりも大きいことを特徴とする請求項2に記載の圧電デバイスの製造方法。前記圧電体は、菱面体晶であり、111方向に分極していることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法。前記圧電体は、正方晶であり、001方向に分極していることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法。前記基板は、シリコン基板であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法。前記圧電体形成工程では、前記基板上に前記圧電体を成膜することを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法。前記圧電体形成工程は、前記基板と前記圧電体とを接合する接合工程を含んでいることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法。請求項1から8のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法によって製造されたことを特徴とする圧電デバイス。ところが、圧電体を形成した基板を研磨する際に、圧電体の配向方向が適切に設定されていないと、圧電体に圧力がかかったときに、粒界に亀裂が入る、結晶表面が押しつぶされるなどの損傷が生じる。また、結晶格子の変形によって圧電定数が低下するなどの特性劣化も確認されている。以下、この点についてより詳しく説明する。図8は、圧電体の結晶構造を模式的に示している。圧電体は、結晶がペロブスカイト型構造を採るときに良好な圧電効果を発現することが知られている。ペロブスカイト型構造とは、例えばPbZrx,Ti1xO3の正方晶では、正方晶の各頂点にPb原子が位置し、体心にTi原子またはZr原子が位置し、各面心にO原子が位置する構造である。また、図9は、PZTの結晶状態を示す断面図である。PZTとSiとは、結晶の格子定数が異なるため、Si基板上に成膜されたPZTは、複数の結晶粒101が柱状に寄り集まった多結晶状態となる。隣り合う結晶粒101101の間には、結晶粒界101aが形成される。図10は、PZTの結晶構造と分極方向とを示す説明図である。PZTは、PTOとPZOとの混晶であり、前者の比率が高いときには正方晶となり、後者の比率が高いときには菱面体晶となる。正方晶では、中心のTiまたはZrのイオンが001方向に偏位し、同方向に分極する。一方、菱面体晶では、中心のTiまたはZrのイオンが111方向に偏位し、同方向に分極する。後者が前者より分極が大きいため、この方向を用いると、圧電体の変位が最大となる。つまり、図11に示すように、基板201上の圧電体202には、基板201の面に垂直に電界が印加されるため、この方向基板201に垂直な方向に圧電体202の111方向を配置することにより、圧電体202の変位を最大にすることができる。なお、図11では、圧電体202の上下の電極の図示を省略している。ところが、図11のように圧電体202を配向すると、圧電体202の各結晶格子の角が表面に並ぶため、基板201の研磨の際に、圧電体202に対して基板201の面に垂直方向に圧力が加わったときに、格子の境界を起点として亀裂が入りやすく、また、格子の角がつぶれやすくなる。さらに、上記圧力によって結晶の対角方向の寸法が圧縮され、結晶格子の形状が変化すると、イオンの電荷バランスが変化する。これは、結果として、圧電定数の低下を招く。本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、配向方向を適切に設定して基板上に圧電体を形成することにより、その後に基板を研磨するときの圧力による圧電体の損傷や変形を回避でき、これによって、薄型でありながら、圧電特性の劣化を抑えた圧電デバイスおよびその製造方法を提供することにある。本発明の圧電デバイスの製造方法は、基板上に圧電体を形成する圧電体形成工程と、前記圧電体形成工程の後、前記基板における前記圧電体の形成側とは反対側の面を研磨する研磨工程とを有しており、前記圧電体形成工程では、配向方向が前記基板の面に対して001方向となるように、前記基板上に圧電体を形成することを特徴としている。本発明によれば、薄型でありながら、圧電特性の劣化を抑えた圧電デバイスを実現することができる。本発明の実施の一形態について、図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。1.製造方法について図1は、本実施形態に係る圧電デバイスの製造時の流れを、各製造工程での断面図とともに示している。まず、Siからなる基板1上に、SiO2からなる熱酸化膜2を形成するS1。なお、基板1の厚みは、基板サイズ直径により異なるが、例えば400~600μm程度であり、後述するように半導体の製造用として国際規格SEMI規格で定められたものを用いることができる。熱酸化膜2は、基板1の保護および絶縁の目的で形成されるものであり、基板1を1500°C程度で加熱することにより形成され、その厚みは例えば0.1μm程度である。続いて、熱酸化膜2上に、TiおよびPtを順にスパッタ法で成膜し、下部電極3を形成するS2。Tiは、SiO2とPtとの密着性を向上させるためのものであり、その膜厚は、例えば0.02μm程度である。また、Ptの厚みは、例えば0.1μm程度である。次に、下部電極3上にPZTをスパッタ法で成膜し、圧電体4を形成するS3;圧電体形成工程。PZTの厚みは、用途によって異なるが、例えばセンサやフィルタでは1μm以下、アクチュエータでは1~5μm程度である。なお、圧電体4の成膜方法の詳細については後述する。このとき、PZTは、Ptとの格子定数の差が大きいため、多結晶で成長する。続いて、圧電体4の上に、TiおよびAuを順にスパッタ法で成膜し、上部電極5を形成するS4。Tiは、PZTとAuとの密着性を向上させるためのものであり、その膜厚は、例えば0.02μm程度である。また、Auの厚みは、例えば0.1μm程度である。さらに、上部電極5の上に、レジスト剤などの保護層6を塗布しS5、その後、支持板7となるSi基板を貼り付けるS6。支持板7は、基板1を研磨する際の土台となるものであり、研磨する基板1よりも一回り大きく、厚みも大きい。次に、支持板7上に設置された基板1を研磨装置にセットして、基板1における圧電体4が設けられた側とは反対側の面を研磨するS7;研磨工程。このときの基板1の薄肉化には、機械的研磨や化学機械的研磨を用いることができる。なお、研磨する量が大きい場合には、研削などにより最終寸法近くまで粗く落としてから研磨すればよい。所定の厚さまで基板1を研磨した後、保護層6を薬液で除去して支持板7を取り去るS8。これにより、圧電体4が成膜された基板1を薄型化した圧電デバイス10を作製することができる。なお、基板1の厚さの詳細については後述する。2.圧電体の成膜方法について次に、上述したS3の工程における圧電体4の成膜方法の詳細について説明する。図2は、圧電体4を成膜するスパッタ装置の概略の構成を示す断面図である。圧電体4は、例えば高周波マグネトロンスパッタリング法により成膜することができる。まず、所定の組成比に調合したPZT材料の粉末を混合、焼成、粉砕し、ターゲット皿12に充填してプレス機で加圧することにより、ターゲット11を作製する。そして、このターゲット皿12をマグネット13上に設置し、その上にカバー14を設置する。このマグネット13とその下にある高周波電極15は、絶縁体16によって真空チャンバー17と絶縁されている。また、高周波電極15は、高周波電源18と接続されている。次に、基板1を、基板加熱ヒーター19上に設置する。そして、真空チャンバー17内を排気し、基板加熱ヒーター19によって基板1を600°Cまで加熱する。加熱後、バルブ20および21を開け、スパッタガスであるArとO2を所定の割合でノズル22より真空チャンバー17内に導入し、真空度を所定値に保つ。ターゲット11に高周波電源18より高周波電力を投入し、プラズマを発生させることにより、基板1上に圧電体4としてのPZT層を成膜することができる。このように、基板1上に圧電体4を成膜によって形成することにより、一般的な成膜装置を用いて圧電体4を形成成膜することができる。3.圧電デバイスの応用例について図3は、本実施形態で作製した圧電デバイス10をダイヤフラム振動板に応用したときの構成を示す平面図であり、図4は、図3のA-A’線矢視断面図である。圧電体4は、基板1の必要な領域に、2次元の千鳥状に複数個配置されている。基板1において圧電体4の形成領域に対応する領域は、厚さ方向の一部が断面円形円筒状で除去された凹部1aとなっており、基板1における凹部1aの上部凹部1aの底部側には、薄い板状の領域1bが残っている。下部電極3および上部電極5は、図示しない配線により、外部の制御回路と接続されている。制御回路から、所定の圧電体4を挟む下部電極3および上部電極5に電気信号を印加することにより、所定の圧電体4のみを駆動することができる。つまり、圧電体4の上下の電極に所定の電界を加えると、圧電体4が図4における左右方向に伸縮し、バイメタルの効果によって圧電体4および基板1の領域1bが上下に湾曲する。したがって、基板1の凹部1aに気体や液体を充填すると、圧電デバイス10をポンプとして用いることができる。また、所定の圧電体4の電荷量を下部電極3および上部電極5を介して検出することにより、圧電体4の変形量を検出することもできる。つまり、音波や超音波により、圧電体4が振動すると、上記と反対の効果によって上下の電極間に電界が発生するため、このときの電界の大きさや検出信号の周波数を検出することにより、圧電デバイス10をセンサとして用いることもできる。4.圧電体の配向方向について次に、基板1上に形成する圧電体4の配向方向について説明する。図5は、本実施形態における圧電体4の基板1に対する配向方向を示す説明図である。なお、図5では、圧電体4の上下の電極上部電極5、下部電極3の図示を省略している。PZTからなる圧電体4がPTO過多となる組成比の場合には、結晶は正方晶となり、分極方向は001方向となる。この場合、圧電体4を基板1の表面に対して001方向に配向するように成膜することにより、結晶の上面を基板と平行に配置することができる。一方、圧電体4がPZO過多となる組成比の場合には、結晶は菱面体晶となり、分極方向は111方向となる。この場合でも、圧電体4を基板1の表面に対して001方向に配向するように成膜することにより、結晶の上面を基板と平行に配置することができる。ここで、PZTの配向性の制御には、温度やガスの圧力など成膜条件を調節する、下部電極3の構成材料であるTiやPtの配向性を工夫する、下部電極3の材料や結晶構造を工夫する、下部電極3とPZT圧電体4との間に配向を制御する中間層配向制御層を設ける、などの既知の方法を用いることが有効である。具体的には、下部電極3として111方向に自己配向したPtを用いる、基板1として、PZTと格子定数の近いMgOなどの単結晶基板を用いる、下部電極3と圧電体4との間に、LaNiO3、PtTiO3、PbLaTiO3などの配向制御層を設ける等の手法を採用することができる。いずれの手法も、下地層の格子定数を所望の配向方向上記では001方向のPZTと揃えることで、PZTの001配向を実現している。本実施形態のように、配向方向が基板1の面に対して001方向となるように、圧電体4を基板1上に形成することにより、図5に示すように、圧電体4の結晶格子の上面が基板1に平行に位置することになる。これにより、基板1の研磨時に圧電体4に圧力がかかっても、圧電体4の結晶格子の複数の原子が均等に圧力を受けることになり、結晶格子の境界を起点として亀裂が入りにくく、結晶格子もつぶれにくくなる。また、結晶格子の変形が抑えられるため、圧電定数の低下も回避できる。なお、圧電定数とは、単位電圧あたりの変位量m/Vを示す値であり、圧電定数が大きいほど、圧電体としての特性が高くなる。したがって、基板1上に圧電体4を形成した後、基板1を研磨して薄型の圧電デバイス10を作製する場合でも、圧電特性の劣化を抑えることができる。なお、正方晶の場合は、基板面に垂直な方向に菱面体晶の111方向を配向する図11の構成と比較して、若干の特性低下は生じるが、研磨による特性劣化が無いため、圧電特性を安定化することができる。また、本実施形態のように、菱面体晶でも001方向に配向する場合、分極方向は111方向であり、基板面に対して傾く。この場合、基板1に垂直な方向に電界を印加すると、分極方向が垂直に近づくように回転し、格子が上下に細長く伸びる。これにより、従来の圧電効果と同等の変位を得ることができるドメインエンジニアリング効果。なお、基板研磨時の圧力の影響を回避できる点は、正方晶の場合と同様である。また、半導体の製造に用いられるSi基板の厚さは、後述する規格で決められているため、基板1として、半導体の製造に用いられるものと同じSi基板を用いて薄型の圧電デバイス10を作製する場合には、Si基板を研磨して薄型化することが必要となる。このことから、本実施形態の圧電デバイス10の製造方法は、基板1としてSi基板を用いて薄型の圧電デバイス10を作製する場合に特に有効であると言える。5.基板の厚さについて基板1として用いたSi基板は、成膜時の平坦性、熱分布の均一性、取り扱い時の機械強度を確保するため、圧電体4の成膜時には一定の厚さが必要とされる。容易に入手可能な半導体の製造に使用されるSi基板の厚さは、国際規格SEMI規格で定められており、これを表1に示す。なお、これらのSi基板は、円盤状のウェハであり、その直径ごとに厚さが定められている。表1に示した厚さよりも基板が薄いと、取り扱い時の強度が不足するだけでなく、圧電体の成膜時に基板の反りや温度分布が生じ、圧電特性がばらつく原因となり得る。そこで、直径の異なる2種類の基板75mm、150mmを用意し、それぞれの基板の厚みを3種類に変化させて圧電体を成膜したときの圧電定数の面内分布を調べた。その結果を表2に示す。なお、圧電定数の面内分布とは、圧電体の面内での変位量のバラツキを示すものであり、変位量の最小値/変位量の最大値×100で示される。したがって、変位量のバラツキが小さいほど、圧電定数の面内分布は高くなる。ここでは、円形のウェハの中心とその中心から上下左右に位置する点の合計5点で変位量の最小値および最大値を測定したが、上記5点に加えて、中心と上下左右の点との間の中間点4つを増やし、合計9点で変位量の最小値および最大値を測定してもよい。なお、変位量の測定の仕方としては、例えば、実際にデバイスを圧力室などに加工して変位量を測定する、圧電定数と相関のある誘電率を測定する、測定箇所から短冊状の小片を切り出して曲げ変形量を測定する、などの方法を用いることができる。また、基板の直径をDmmとし、厚さをtmmとしたときの以下の式1で示されるAの値以下、係数Aと記載するを求めたところ、この係数Aと圧電定数の面内分布との間に一定の関係があることを見い出した。図6は、係数Aと圧電定数の面内分布との関係を示している。A=t2/D1ここで、係数Aは、基板の反り量xに関連する値であり、単位はmmである。後述するように、係数Aが大きいほどDに対してtが大きいほど、基板の反り量xが小さいので、逆に、係数Aが小さく、基板の反り量xが大きい厚さの基板、つまり、Dに対してtの小さい基板薄い基板がデバイスの最終形態として求められる場合には、薄い基板上に圧電体を形成するのではなく、基板上に圧電体を001配向で形成した後に基板を研磨して薄型化するという本実施形態の製造方法を採用し、基板の反り量xが小さい状態で圧電体を形成しておくことにより、圧電特性のバラツキを抑えることができる圧電定数の面内分布を高めることができる。以下、係数Aと基板の反り量xとの関係と、本実施形態の製造方法を適用する際の基準となる係数Aの範囲について説明する。なお、以下では、特に断らない限り、便宜上、Dおよびtの単位はメートルmとする。基板の反り量xmは、膜圧電体が持っている力FNと、基板を曲げるときの剛性kN/mとで決まる。また、基板の剛性kは、ヤング率をEPa、ポアソン比をvとして、以下の式で表わされる。k=Et3/121-v2また、膜が持っている力Fは、膜応力sPa=N/m2に断面積Dtm2を掛け合わせたものとなる。したがって、基板の反り量xは、x=F/k=sDt121-v2/Et3=s/E121-v2D/t2で表わされることになり、D/t2に比例する値となる。これは、t2/Dが大きいほど、基板の反り量xが小さいことを示す。よって、Dおよびtの単位をmmに戻し、基板の直径をDmmとし、厚さをtmmとした場合でも、係数A単位はmm=t2/Dが大きいほど、基板の反り量xは小さいと言える。図6のように、係数Aが大きいほど、圧電定数の面内分布が高いのは変位量の面内バラツキが小さいのは、上記のように、係数Aが大きいほど、圧電体を成膜したときの基板の反り量xが小さいからである。ここで、圧電定数の面内分布の許容値は、適用される製品やその仕様値により異なるが、インクジェットヘッドや超音波センサなど、多数のチャネルを備えた面積の大きなデバイスでは、圧電定数の面内分布は80~90以上が一般的な許容値であり、赤外線センサや周波数フィルタなどの単一のチャネルで面積の小さなデバイスでは、圧電定数の面内分布は50~70以上が一般的な許容値であると考えられる。したがって、図6より、圧電体を成膜する際の基板の係数Aの値としては、前者の応用例では概ね0.002よりも大きいことが必要であり、後者の応用例では0.001よりも大きいことが必要であると言える。したがって、デバイスに求められる基板の厚みが、これらの係数Aから算出される値以下である場合には、係数Aから算出される値よりも大きな厚さの基板に圧電体を先に形成した後に、基板を研磨して所望の厚みにする薄型化する必要がある。そこで、本実施形態では、A=t2/Dが0.002mmよりも大きい基板1上に圧電体4を001配向で形成した後、所望の厚さまで基板1を研磨して薄型化する。これにより、基板の反りおよびそれに伴う圧電特性の劣化を回避することができ、最終形態としてA=t2/Dが0.002mm以下の基板が要求される場合であっても、圧電特性の良好な圧電デバイスを実現することができる。つまり、最初からA=t2/Dが0.002mm以下の基板を用いて圧電体を形成した場合には、基板の反り量の増大により、圧電定数の面内分布が80以下に低下するが図6参照、上記した本実施形態の製造方法を採用することにより、研磨前の基板1の係数Aに応じた圧電定数の面内分布例えば80以上を実現することができる。したがって、この場合は、圧電定数の面内分布80以上が要求される、インクジェットヘッドや超音波センサに好適な薄型の圧電デバイスを実現できる。また、デバイスの最終形態として、圧電定数の面内分布50以上が要求される場合であれば、A=t2/Dが0.001mmよりも大きい基板を用いて、上記と同様に、基板1上に圧電体4を001配向で形成した後、所望の厚さまで基板1を研磨して薄型化することにより、研磨前の基板1の係数Aに応じた圧電定数の面内分布50以上を実現することができる。したがって、この場合は、圧電定数の面内分布50以上が要求される、赤外線センサや周波数フィルタに好適な薄型の圧電デバイスを実現できる。したがって、本実施形態において、基板上に圧電体を形成するときの基板のA=t2/Dは、最終的に得たいデバイスによって異なるが、0.001mmよりも大きいことが好ましく、0.002mmよりも大きいことがさらに好ましい。以下、具体的な実験例を説明する。この実験例では、直径の異なる2種類のSi基板直径75mm、厚さ380μmと、直径150mm、厚さ675μmの上に圧電体としてのPZTを成膜した。このときの成膜条件は、以下の通りである。基板材料:Si/SiO2/Ti/Pt111配向膜厚:Ti30nm、Pt100nm、PZT3μm基板温度:550°C圧力:0.5Pa成膜速度:2μm/hその結果、正方晶構造で001に配向したPZTの薄膜が形成された。圧電定数の面内分布を測定したところ、直径75mmの基板では80、直径150mmの基板では98であった。その後、直径75mmの基板を厚さ150μmまで、直径150mmの基板を厚さ300μmまで研磨したが、圧電定数の面内分布に変化は見られなかった。なお、この研磨の際には、グラインダーによる機械的研磨により厚みを落とし、その後、SiO2をベースにしたコロイダルシリカを砥粒に用いた液体状の研磨材で化学機械的研磨を行った。6.他の製造方法についてPZTのZr、Tiの元素をMg、Nbに置き換えたPMNマグネシウムニオブ酸鉛や、Znに置き換えたPZN亜鉛ニオブ酸鉛など、いわゆるリラクサ材料と呼ばれる物質の単結晶を圧電体として用いると、PZTよりもさらに大きな圧電特性が得られる。しかし、このような単結晶とSiとは、結晶の格子定数が異なるため、Si基板上に単結晶を成長させることはできない。したがって、リラクサ材料を圧電体として薄型の圧電デバイスを得るためには、圧電体と基板とを接合し、その後、基板を研磨して薄型化する必要がある。なお、結晶でないバルク状態の圧電体を用いる場合も、上記と同様に、両者を接合後、基板を研磨して薄型化する必要がある。そこで、以下では、圧電体と基板とを接合して圧電デバイスを得る際の製造方法について説明する。図7は、圧電体としてPMNを用いた圧電デバイスの製造時の流れを、各製造工程での断面図とともに示している。まず、Siからなる基板31を用意しS11、基板31の上に、TiおよびAuを順にスパッタ法で成膜し、接合層としての金属膜32を形成するS12。なお、基板31の厚みは、基板サイズ直径により異なるが、例えば400~600μm程度である。Tiは、SiとAuとの密着性を向上させるためのものであり、その膜厚は、例えば0.02μm程度である。Auの厚みは、例えば0.1μm~0.5μm程度である。一方、圧電体41は、PMNであり、単結晶材料から500μm程度の厚さに切り出されているS13。このとき、圧電体41の配向方向は、圧電体41における基板31との接合側の面金属膜42の形成側の面に対して001方向となっている。この圧電体41上にTiおよびAuを順にスパッタ法で成膜し、接合層と下部電極とを兼ねた金属膜42を形成するS14。TiおよびAuの厚みは、基板31上の金属膜32と同程度である。次に、金属膜32における基板31とは反対側の面をプラズマ処理し、金属膜32の表面接合面を活性化するS15。同様に、金属膜42における圧電体41とは反対側の面をプラズマ処理し、金属膜42の表面接合面を活性化するS16。そして、両者の接合面を対向させ、両基板を加熱、加圧して接合するS17。このときの接合温度は、例えば200~400°Cであり、圧力は、例えば0.1~1MPaである。続いて、圧電体41における金属膜42とは反対側の面に、レジスト剤などの保護層43を塗布しS18、さらにその上に、Si基板からなる支持板44を貼り付けるS19。支持板44は、基板31を研磨する際の土台となるものであり、研磨する基板31よりも一回り大きく、厚みも大きい。支持板44上に設置された基板31を研磨装置にセットして、基板31における圧電体41が設けられた側とは反対側の面を研磨するS20。このときの基板31の薄肉化には、機械的研磨や化学機械的研磨を用いることができる。なお、研磨する量が大きい場合には、研削などにより最終寸法近くまで粗く落としてから研磨すればよい。所定の厚さまで基板31を研磨した後、保護層43を薬液で除去して支持板44を取り去るS21。次に、圧電体41における金属膜42が設けられた側と反対側の面を研磨するS22。なお、このときの研磨方法は、S18~S21までの工程と全く同様の手法で行われる。すなわち、基板31における金属膜32とは反対側の面に、レジスト剤などの保護層を塗布しS18に対応、さらにその上に、支持板を貼り付けS19に対応、この支持板と圧電体41とを研磨装置にセットして、圧電体41における金属膜42が設けられた側とは反対側の面を研磨する。最後に、圧電体42の研磨面、すなわち、圧電体42における金属膜42が設けられた側とは反対側の面に、TiおよびAuの各層を成膜し、上部電極45を形成するS23。このときのTiの厚みは、例えば0.02μm程度であり、Auの厚みは、例えば0.1μm程度である。これにより、圧電体41が形成された基板31を薄型化した圧電デバイス10’を作製することができる。以上のように、S11~S17までの工程を、基板31上に圧電体41を形成する圧電体形成工程とすると、この圧電体形成工程は、S17の工程、すなわち、基板31と圧電体41とを接合する接合工程を含んでいる。これにより、単結晶材料例えばリラクサ材料など、基板31上に直接成膜することができない材料を圧電体41として用いる場合でも、基板31と圧電体41との金属膜32、金属膜42を介しての接合によって、基板31上に圧電体41を形成することができる。また、接合時の圧力、接合面の平坦性、加熱による基板31の反りなどを防止するためには、基板31、圧電体41ともに所定の厚さが必要となるが、圧電体41の変位量の増大、デバイスの感度向上、小型化等のためには、基板31を薄くする要求がある。また、圧電体41をMEMSに利用するには、圧電体41も薄くする必要がある。これは、1成膜、フォトリソグラフィーなど半導体プロセス技術を用いた高精度な加工が可能となり、小型化、高密度化を実現できる、2大面積のウェハに一括加工できるため、コストを低減できる、3電気機械の変換効率が向上し、駆動素子の特性やセンサの感度が向上する、などの利点があるからである。上記のように基板31の面に対して001方向に配向するように圧電体41を基板31に接合することにより、圧電体41として単結晶を用いる場合でも、S20での基板31の研磨時に、圧電体41の亀裂やつぶれを回避することができる。また、圧電体41の結晶格子の平面部分が基板面と平行となるため、圧電体41を研磨するS22の工程においても、圧電体41の亀裂やつぶれを回避することができ、圧電体41の研磨中の欠けやこぼれの懸念も払拭される。よって、デバイスの薄型化が容易となる。以上、本実施形態の圧電デバイスの製造方法は、基板上に圧電体を形成する圧電体形成工程と、この圧電体形成工程の後、基板における圧電体の形成側とは反対側の面を研磨する研磨工程とを有しており、圧電体形成工程では、配向方向が基板の面に対して001方向となるように、基板上に圧電体を形成する。これにより、薄型で圧電特性の劣化を抑えた圧電デバイスを実現することができる。"