"窒化珪素質焼結体からなる基板の主面に珪素を含む多数の粒状体が一体化しており、該粒状体の一部から、窒化珪素を主成分とする針状結晶または柱状結晶が複数伸びていることを特徴とする窒化珪素質基板。前記粒状体は、前記基板の主面に対して半球状に一体化していることを特徴とする請求項1に記載の窒化珪素質基板。前記粒状体は、複数の列状に配置されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の窒化珪素質基板。前記粒状体は、密度が48個/cm2以上502個/cm2以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の窒化珪素質基板。前記粒状体は、アルミニウムの酸化物を含んでいることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の窒化珪素質基板。アルミニウムの酸化物の含有量は、前記粒状体よりも前記基板の方が少ないことを特徴とする請求項5に記載の窒化珪素質基板。前記粒状体は、炭素の含有量が0.05質量以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の窒化珪素質基板。前記粒状体は、酸素の含有量が3.5質量以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の窒化珪素質基板。前記基板の主面から窒化珪素を主成分とする第2の針状結晶または柱状結晶が複数伸びており、前記針状結晶または柱状結晶は、前記第2の針状結晶または柱状結晶よりも径が細いことを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の窒化珪素質基板。前記基板は、前記粒状体よりも平均粒径が小さい窒化珪素を主成分とする結晶からなることを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれかに記載の窒化珪素質基板。請求項1乃至請求項10のいずれかに記載の窒化珪素質基板からなる支持基板の一方の主面に金属からなる回路部材を、他方の主面に金属からなる放熱部材をそれぞれろう材を介して接合してなることを特徴とする回路基板。請求項11に記載の回路基板における前記回路部材上に電子部品を搭載したことを特徴とする電子装置。しかしながら、特許文献1で提案された回路搭載用窒化ケイ素基板は、表面性状を調整するために、サンドブラスト,ショットブラスト,グリッドブラストまたはハイドロブラスト等の機械加工により粒界相を機械的に除去するものであるために、窒化ケイ素基板の表面に存在する窒化ケイ素粒子は脱粒しやすくなっており、また、上述した機械加工によって粒界相を機械的に除去した窒化ケイ素基板の表面においては、この粒界相の除去された空隙にはろう材が入りにくいものであるため、今日求められている、半導体素子等の電子部品の作動に伴う繰り返しの冷熱サイクルに起因する金属回路板の剥離を抑制することのできる高い信頼性に応える接合強度を十分に有していると言えるものではなかった。本発明は、上記課題を解決すべく案出されたものであり、回路部材,放熱部材等の金属からなる部材をそれぞれ接合したときの接合強度を高くすることができる窒化珪素質基板と、この窒化珪素質基板を用いることにより信頼性を向上させることのできる回路基板ならびに電子装置を提供するものである。本発明の窒化珪素質基板は、窒化珪素質焼結体からなる基板の主面に珪素を含む多数の粒状体が一体化しており、該粒状体の一部から、窒化珪素を主成分とする針状結晶または柱状結晶が複数伸びていることを特徴とするものである。また、本発明の回路基板は、上記構成の窒化珪素質基板からなる支持基板の一方の主面に金属からなる回路部材を、他方の主面に金属からなる放熱部材をそれぞれろう材を介して接合してなることを特徴とするものである。また、本発明の電子装置は、上記構成の回路基板における前記回路部材上に電子部品を搭載したことを特徴とするものである。本発明の窒化珪素質基板によれば、窒化珪素質焼結体からなる基板の主面に珪素を含む多数の粒状体が一体化しており、該粒状体の一部から、窒化珪素を主成分とする針状結晶または柱状結晶が複数伸びていることから、基板の主面にろう材を塗布し、塗布したろう材の上に金属からなる部材である回路部材や放熱部材を配置した後、加熱して窒化珪素質基板と金属からなる部材とを接合するときに、窒化珪素質基板とろう材との間において、針状結晶または柱状結晶によって高いアンカー効果が得られるため、窒化珪素質基板と金属からなる部材とを強固に接合することができる。また、本発明の回路基板によれば、本発明の窒化珪素質基板からなる支持基板の一方の主面に金属からなる回路部材を、他方の主面に金属からなる放熱部材をそれぞれろう材を介して接合してなることから、高いアンカー効果が得られる本発明の窒化珪素質基板からなる支持基板を用いているので、支持基板に対するろう材の密着性が上がり、支持基板と回路部材および放熱部材とを強固に接合することができる。また、本発明の電子装置によれば、本発明の回路基板における回路部材上に電子部品を搭載したことから、電子部品が発熱を繰り返しても、支持基板と、回路部材および放熱部材とが容易に剥離しないので、耐久性の高い電子装置とすることができる。以下、本実施形態の窒化珪素質基板,回路基板および電子装置の一例について説明する。図1は、本実施形態の窒化珪素質基板の一例を模式的に示す、aは平面図であり、bはaのA-A’線での断面図であり、cはbのB部の部分拡大図である。本実施形態の窒化珪素質基板1は、図1aおよび図1bに示すように、窒化珪素質焼結体からなる基板1aの主面図1aにおける図示面に珪素を含む多数の粒状体1bが一体化している。ここで、粒状体1bとは、珪素を含む粉末を混合し粉砕してスラリーとし、噴霧乾燥機で乾燥させた顆粒または珪素を含む粉末を用いて焼成した焼結体を粉砕した敷粉等の粉粒体が焼成されてなるものである。そして、図1cに示すように、粒状体1bの一部から、窒化珪素を主成分とする針状結晶1cまたは柱状結晶1dが複数伸びている表面形態であることにより、基板1aの主面にろう材を塗布し、塗布したろう材の上に、図示しない金属からなる部材以下、金属部材という。である回路部材や放熱部材を配置した後、加熱して窒化珪素質基板1と金属部材とを接合するときに、窒化珪素質基板1とろう材との間において、針状結晶1cまたは柱状結晶1dによって高いアンカー効果が得られるため、窒化珪素質基板1と金属部材とを強固に接合することができる。また、基板1aの主面に金属部材を直接配置して加熱することによっても、同様の効果により、従来の基板を用いたときよりも強固に接合することができる。ここで、基板1aを構成する窒化珪素質焼結体は、窒化珪素を80質量以上含有してなるものであり、特に、90質量以上含有していることが好適である。その他の添加成分としては、酸化マグネシウムMgOおよび酸化カルシウムCaOの少なくともいずれかならびに希土類元素の酸化物例えば、Sc2O3,Y2O3,La2O3,Ce2O3,Pr6O11,Nd2O3,Pm2O3,Sm2O3,Eu2O3,Gd2O3,Tb2O3,Dy2O3,Ho2O3,Er2O3,Tm2O3,Yb2O3およびLu2O3の少なくともいずれかが含まれていてもよい。窒化珪素質焼結体の主成分である窒化珪素は、X線回折法を用いて同定することができる。また、窒化珪素の含有量は、蛍光X線分析法またはICPInductivelyCoupledPlasma発光分光分析法により珪素Siの含有量を求め、この含有量を窒化珪素Si3N4に換算することで求めることができる。また、基板1aの主面に一体化された多数の粒状体1bは、珪素を含むものであり、具体的には、珪素,窒化珪素,酸化珪素およびサイアロンの少なくともいずれかであることが好ましく、これらの成分は薄膜X線回折法または透過電子顕微鏡を用いて同定することができる。また、粒状体1bは、任意の断面において、例えば、主面における幅が10μm以上48μm以下であり、主面からの高さが16μm以上52μm以下である。このような粒状体の幅および高さは、光学顕微鏡を用い、倍率を100倍以上500倍以下として求めることができる。また、粒状体1bの一部から複数伸びている針状結晶1cまたは柱状結晶1dは、窒化珪素を主成分とするものであり、窒化珪素を60質量以上含有してなることが好適であり、さらに、70質量以上含有していることがより好適である。この針状結晶1cまたは柱状結晶1dの主成分である窒化珪素は、薄膜X線回折法または透過電子顕微鏡を用いて同定することができる。また、窒化珪素の含有量は、透過電子顕微鏡を用いて測定することにより珪素Siの含有量を求め、この含有量を窒化珪素Si3N4に換算することで求めることができる。また、針状結晶1cまたは柱状結晶1dは、例えば、粒状体1bの表面からの突出長さは2μm以上10μm以下であり、突出長さの中間の位置における直径は02μm以上5μm以下である。このような針状結晶1cまたは柱状結晶1dは、光学顕微鏡を用い、倍率を100倍以上1000倍以下として確認することができる。また、粒状体1bの一部から複数伸びている針状結晶1cまたは柱状結晶1dは、特定方向に配向していないことが好適であり、特定方向に配向していないことによって、より高いアンカー効果を得ることができる。図2は、本実施形態の窒化珪素質基板の断面における粒状体を示す写真である。図2に示す例の窒化珪素質基板1の断面の写真では、基板1aの主面に対して半球状に一体化している粒状体1b1と半球状以外の形状である粒状体1b2とを示している。ここで、粒状体1は、基板1aの主面に対して半球状に一体化していることが好ましい。粒状体1b1のように、基板1aの主面に対して半球状に一体化しているときには、焼成後の残留応力が半球状以外の形状である粒状体1b2に比べて粒状体1b1の周辺に残りにくいので、基板1aの強度が低下するおそれを少なくすることができる。なお、本実施形態における半球状とは、真球,扁平球および回転楕円体等のほぼ中心の位置で切断した形状を含み、表面全体にわたって角部がない形状をいい、半球状に一体化している粒状体1b1の個数の比率は、粒状体1b全数に対して55以上であることが好適である。図3は、本実施形態の窒化珪素質基板の他の例を模式的に示す、aは平面図であり、bはaのC-C’線での断面図である。本実施形態の窒化珪素質基板1は、図3に示す例のように、粒状体1bが複数の列状に配置されていることが好ましい。粒状体1bが複数の列状に配置されているときには、窒化珪素質基板1と金属部材との接合時における、本実施形態の窒化珪素質基板1の表面形態によって得られる高いアンカー効果の場所によるばらつきを抑えることができる。このように、複数の列状に配置された、隣り合う粒状体1bの各中心点の間隔aは、例えば01mm以上05mm以下であることが好ましい。図4は、本実施形態の窒化珪素質基板の他の例を模式的に示す、aは平面図であり、bはaのD-D’線での断面図であり、cはaのE-E’線での断面図である。図3に示す例の窒化珪素質基板1では、粒状体1bは、図中に矢印で方向を示すX方向およびY方向のうち、X方向のみ複数の列状に配置されていたが、図4に示す例の窒化珪素質基板1では、X方向およびY方向ともに複数の列状に配置されている。このように、X方向およびY方向ともに複数の列状に配置されているときには、窒化珪素質基板1と金属部材との接合時における、本実施形態の窒化珪素質基板1の表面形態によって得られる高いアンカー効果の場所によるばらつきをさらに抑えることができる。このように、X方向およびY方向ともに複数の列状に配置された、隣り合う粒状体1bの各中心点の間隔b,cは、いずれも例えば、01mm以上05mm以下であることが好ましい。なお、図1,3,4では、窒化珪素質焼結体からなる基板1aの両方の主面に珪素を含む多数の粒状体1bが一体化している窒化珪素質基板1を示したが、金属部材が一方の主面にのみ接合される場合、その主面にのみ粒状体1bが一体化されていればよい。また、本実施形態の窒化珪素質基板1における粒状体1bは、密度が48個/cm2以上502個/cm2以下であることが好適である。粒状体1bの密度がこの範囲であるときには、粒状体1bが散在したり、凝集したりすることなく、適正な間隔で粒状体1bが配置されることとなるので、適正な間隔で配置された粒状体1bの一部から、窒化珪素を主成分とする針状結晶1cまたは柱状結晶1dが複数伸びていることによって、窒化珪素質基板1とろう材との間におけるアンカー効果が高まり、窒化珪素質基板1と金属部材とをより強固に接合することができる。特に、粒状体1bは、密度が102個/cm2以上448個/cm2以下であることがより好適である。粒状体1bの密度は、光学顕微鏡を用いて、倍率を50倍以上1000倍以下として基板1aの主面から、例えば、170μm×170μmの範囲を選び、その範囲における粒状体1bの個数を数えて、1cm2当りの粒状体1bの密度を算出すればよい。また、本実施形態の窒化珪素質基板1における粒状体1bは、アルミニウムの酸化物を含んでいることが好適である。粒状体1bがアルミニウムの酸化物を含んでいる、すなわち、粒状体1bとなる粉粒体にアルミニウムの酸化物を含んでいるときには、焼結工程で液相焼結がより促進されるので、粒状体1bは、基板1aに強固に固着されて一体化されたものとなり、機械的強度を高くすることができる。特に、アルミニウムの酸化物がアルミン酸マグネシウムであるときには、粒状体1bが基板1aに強固に固着されて一体化されるとともに、粒状体1bを形成する結晶間に存在する粒界相の耐食性が向上するので、粒状体1bの耐食性を高くすることができる。なお、粒状体1bに含まれるアルミニウムの酸化物は、薄膜X線回折法または透過電子顕微鏡を用いて同定することができる。また、本実施形態の窒化珪素質基板1において、アルミニウムの酸化物の含有量は、粒状体1bよりも基板1aの方が少ないことが好適である。アルミニウムの酸化物の含有量が、粒状体1bよりも基板1aの方が少ないときには、この粒状体1bと基板1aとの含有量が等しいときや基板1aの方の含有量が多いときよりも、基板1aを形成する結晶およびこれら結晶間に存在する粒界相におけるフォノンの伝搬が進みやすくなるので、基板1aの両主面間における熱伝導が促進されることとなる。さらに、基板1aを形成する結晶間に存在する粒界相を構成するガラス非晶質成分が少なければ、窒化珪素質基板1の絶縁破壊電圧が高くなり、絶縁性能に対する信頼性を高くすることができる。特に、基板1aにおけるアルミニウムの酸化物の含有量は、01質量以下であることがより好適である。このアルミニウムの酸化物の含有量は、ICP発光分光分析法により求めることができる。具体的には、まず、アルミニウムの酸化物を薄膜X線回折法または透過電子顕微鏡法を用いて同定し、ICP発光分光分析法により求められた金属元素であるアルミニウムの含有量を、同定された組成式に応じたアルミニウムの酸化物の含有量に換算することにより求めることができる。また、本実施形態の窒化珪素質基板1における粒状体1bは、炭素の含有量が005質量以下であることが好適である。炭素の含有量が005質量以下であるときには、導電性を有する炭素の含有量が制限されているので、リーク電流を生じにくくさせることができる。粒状体1bに含まれる炭素の含有量は、炭素分析法を用いて求めればよい。また、本実施形態の窒化珪素質基板1では、粒状体1bは、酸素の含有量が35質量以下であることが好適である。酸素の含有量が制限されていることによって、粒状体1bを形成する結晶間に存在する液相粒界相の溶融時に生じる泡状の気孔の発生が抑制される。その結果、気孔内に付着する金属成分等の導電性を有する成分も減少させることができるので、リーク電流を生じにくくさせることができる。粒状体1bに含まれる酸素の含有量は、酸素分析法を用いて求めればよい。なお、粒状体1bに含まれる酸素の含有量とは、単独で存在している酸素のみならず、金属酸化物や酸窒化物として存在している酸素を含むものである。図5は、本実施形態の窒化珪素質基板の他の例を模式的に示す、aは平面図であり、bはaのF-F’線での断面図であり、cはbのG部の部分拡大図である。図5に示す例の窒化珪素質基板1では、基板1aの主面から窒化珪素を主成分とする第2の針状結晶1eまたは第2の柱状結晶1fが複数伸びており、針状結晶1cまたは柱状結晶1dは、第2の針状結晶1eまたは第2の柱状結晶1fよりも径が細い。このように、粒状体1bの一部から複数伸びている針状結晶1cまたは柱状結晶1dは、基板1aの主面から複数伸びている第2の針状結晶1eまたは第2の柱状結晶1fよりも径が細いときには、針状結晶1cまたは柱状結晶1dが、第2の針状結晶1eまたは第2の柱状結晶1fよりも径が太いときよりもろう材と接する表面積が増えるので、窒化珪素質基板1とろう材との間におけるアンカー効果が高まり、窒化珪素質基板1と金属部材とをさらに強固に接合することができる。針状結晶1c,柱状結晶1d,第2の針状結晶1eおよび第2の柱状結晶1fのそれぞれの径の測定は、まず、窒化珪素質基板1の一部を切り出して樹脂に埋め込んだ後、破断面をクロスセクションポリシャ法によって研磨して粒状体1bを含む研磨面を作製する。次に、光学顕微鏡を用いて、倍率を50倍以上1000倍以下として、上記研磨面において測定する。具体的には、上記研磨面から例えば170μm×170μmの範囲を4箇所抽出し、抽出した各箇所に対して針状結晶1cまたは柱状結晶1dと、第2の針状結晶1eまたは第2の柱状結晶1fとをそれぞれ5個抽出し、各結晶の突出長さの中間の位置における直径を測定する。針状結晶1cまたは柱状結晶1dは、第2の針状結晶1eまたは第2の柱状結晶1fよりも径が細い状態とは、針状結晶1cまたは柱状結晶1dの平均直径が第2の針状結晶1eまたは第2の柱状結晶1fの平均直径よりも小さい状態をいう。特に、針状結晶1cまたは柱状結晶1dの平均直径と、第2の針状結晶1eまたは第2の柱状結晶1fの平均直径との差は、3μm以上であることが好適である。また、本実施形態の窒化珪素質基板1では、基板1aは、粒状体1bよりも平均粒径が小さい窒化珪素を主成分とする結晶からなることが好適である。基板1aは、粒状体1bよりも平均粒径が小さい窒化珪素を主成分とする結晶からなるときには、基板1aおよび粒状体1bのそれぞれの平均粒径が同じである窒化珪素質基板1よりも基板1aの強度を高くすることができるので、本実施形態の窒化珪素質基板1を、回路基板を構成する支持基板のように厚みが薄いものに用いても、信頼性が損なわれるおそれを少なくすることができる。特に、基板1aにおける窒化珪素を主成分とする結晶の平均粒径は、05μm以上14μm以下であることが好適である。なお、基板1aおよび粒状体1bのそれぞれにおける結晶の各平均粒径は、窒化珪素質基板1の破断面で測定することができる。具体的には、破断面の100μm×100μmにおける範囲から、基板1aおよび粒状体1bをそれぞれ構成する結晶の平均粒径は、光学顕微鏡を用いて、倍率を50倍以上500倍以下とし、JISR1670-2006に準拠して求めればよい。ただし、基板1aおよび粒状体1bにおける結晶の個数は、それぞれ少なくとも10個とすればよい。また、基板1aおよび粒状体1bのそれぞれにおける結晶の各平均粒径が破断面で測定しにくい場合は、窒化珪素質基板1の一部を切り出して樹脂に埋め込んだ後、クロスセクションポリシャ法によって破断面を研磨して得られた研磨面を用いればよい。そして、窒化珪素質基板1の機械的特性は、3点曲げ強度が750MPa以上であり、動的弾性率が300GPa以上であり、ビッカース硬度Hvが13GPa以上であり、破壊靱性K1Cが5MPam1/2以上であることが好ましい。これら機械的特性を上記範囲とすることより、窒化珪素質基板1と金属部材とを接合した接合部材は、特に、耐クリープ性やヒートサイクルに対する耐久性を向上させることができるので、高い信頼性が得られるとともに長期間にわたって使用することができる。なお、3点曲げ強度については、JISR1601-2008ISO17565:2003MODに準拠して測定すればよい。ただし、窒化珪素質基板1の厚みが薄く、窒化珪素質基板1から切り出した試験片の厚みを3mmとすることができない場合には、窒化珪素質基板1の厚みをそのまま試験片の厚みとして評価するものとし、その結果が上記数値を満足することが好ましい。また、動的弾性率については、JISR1602-1995で規定される超音波パルス法に準拠して測定すればよい。ただし、窒化珪素質基板1の厚みが薄く、窒化珪素質基板1から切り出した試験片の厚みを10mmとすることができない場合には、片持ち梁共振法を用いて評価するものとし、その結果が上記数値を満足することが好ましい。ただし、そのままの厚みで評価して上記数値を満足することができないほどに窒化珪素質焼結体の厚みが薄いときには、試験片寸法や得られた測定値から計算式により3点曲げ強度および動的弾性率を求めればよい。ビッカース硬度Hvおよび破壊靱性K1Cについては、それぞれJISR1610-2003ISO14705:2000MOD,JISR1607-1995に規定される圧子圧入法IF法に準拠して測定すればよい。なお、窒化珪素質基板1の厚みが薄く、窒化珪素質基板1から切り出した試験片の厚みをそれぞれJISR1610-2003,JISR1607-1995圧子圧入法IF法で規定する05mmおよび3mmとすることができないときには、窒化珪素質基板1の厚みをそのまま試験片の厚みとして評価してその結果が上記数値を満足することが好ましい。ただし、そのままの厚みで評価して上記数値を満足することができないほどに窒化珪素質基板1の厚みが薄いとき、例えば02mm以上05mm未満のときには、窒化珪素質基板1に加える試験力を0245N,試験力を保持する時間を15秒としてビッカース硬度Hvおよび破壊靱性K1Cを測定すればよい。また、上述したような窒化珪素質基板1の電気的特性は、体積抵抗率が、常温で1014Ωcm以上であって、300°Cで1012Ωcm以上であることが好ましい。この体積抵抗率は、JISC2141-1992に準拠して測定すればよい。ただし、窒化珪素質基板1が小さく、窒化珪素質基板1からJISC2141-1992で規定する大きさとすることができない場合には、2端子法を用いて評価するものとし、その結果が上記数値を満足することが好ましい。図6は、本実施形態の回路基板の一例を示す、aは平面図であり、bはaのH-H’線での断面図であり、cは底面図である。図6に示す例の回路基板10は、本実施形態の窒化珪素質基板1からなる支持基板以降、支持基板に符号1を付す。の一方の主面に金属からなる回路部材2を、他方の主面に金属からなる放熱部材3をそれぞれろう材4a,4bを介して接合してなる回路基板10である。この回路基板10は、高いアンカー効果が得られる本実施形態の窒化珪素質基板からなる支持基板1を用いているので、支持基板1に対するろう材4a,4bの密着性が上がり、支持基板1と回路部材2および放熱部材3とを強固に接合することができる。本実施形態の回路基板10を構成する支持基板1は平板状であり、例えば、長さ図6に示すX方向が20mm以上200mm以下であり、幅図6に示すY方向が10mm以上120mm以下である。支持基板1の厚みは用途によって異なるが、耐久性および絶縁耐圧が高く、熱抵抗が抑制されたものにするには、02mm以上10mm以下とすることが好適である。また、本実施形態の回路基板10を構成する回路部材2aは、例えば、長さ図6に示すX方向が15mm以上155mm以下であり、幅図6に示すY方向が8mm以上100mm以下である。また、回路部材2bは、例えば、長さ図6に示すX方向が1mm以上10mm以下であり、幅図6に示すY方向が8mm以上100mm以下である。回路部材2a,2bのそれぞれの厚みは回路部材2a,2bを流れる電流の大きさや回路部材2a,2bに搭載される電子部品図示しないの発熱量等によって決められ、例えば、05mm以上5mm以下である。また、回路基板10を構成する放熱部材3は、発熱した電子部品図示しないから熱を逃がすという機能を有し、例えば、長さ図6に示すX方向が18mm以上190mm以下であり、幅図6に示すY方向が8mm以上100mm以下であり、厚みが05mm以上5mm以下である。そして、金属からなる回路部材2および放熱部材3とは、銅やアルミニウム等の熱伝導率の高い金属からなる部材である。図7は、本実施形態の回路基板の他の例を示す、aは平面図であり、bはaのI-I’線での断面図であり、cは底面図である。図7に示す例の回路基板10は、窒化珪素質基板からなる支持基板1の一方の主面に金属からなる回路部材2を、他方の主面に金属からなる放熱部材3を支持基板1側からそれぞれろう材4a,4b、金属からなる中間材5a,5bを順次介して接合してなる回路基板10である。この図7に示す例の回路基板10も図6に示す例の回路基板10と同様の作用および効果を得ることができる。また、図6に示す例の回路基板10において、回路部材2および放熱部材3の主成分が銅からなるとき、800~900°Cの接合温度が必要であるが、金属からなる中間材5a,5bとして銅材を介することにより、回路部材2および中間材5a間,放熱部材3および中間材5b間でそれぞれの構成成分である銅が300~500°C程度の比較的低い温度で拡散して接合することができるため、支持基板1に生じる反りを抑制することができる。その結果、回路部材2および放熱部材3の少なくともいずれかを厚くすることができるため、放熱特性を高くすることができる。なお、図7に示す例の回路基板10を構成する支持基板1、回路部材2a,2bおよび放熱部材3のそれぞれの長さ,幅,厚みは、図6に示す例の回路基板10を構成する支持基板1、回路部材2a,2bおよび放熱部材3のそれぞれの長さ,幅,厚みと同じである。図8は、本実施形態の回路基板の他の例を示す、aは平面図であり、bはaのJ-J’線での断面図であり、cは底面図である。図8に示す例の回路基板10は、窒化珪素質基板からなる支持基板1の一方の主面に金属からなる回路部材2を、他方の主面に金属からなる放熱部材3を支持基板1側からそれぞれろう材4a,4b、中間材5a,5bを順次介して接合してなる回路基板10である。図8に示す例は、並べて配置される回路部材2a,2bの大きさが同等であり、回路部材2a,2bの寸法は、例えば、長さ図8に示すX方向が8mm以上85mm以下であり、幅図8に示すY方向が8mm以上100mm以下であり、厚みが05mm以上5mm以下である。また、図8に示す例の支持基板1および放熱部材3のそれぞれの長さ,幅,厚みは、図6および図7に示す例の回路基板10を構成する支持基板1および放熱部材3のそれぞれの長さ,幅,厚みと同じである。図8に示す例のように、支持基板1の一方の主面に大きさが同等の回路部材2aおよび回路部材2bが配置されているときには、図7に示す例の回路基板10と比較して、接合するときに支持基板1に生じる応力の偏りを減少させることができるので、回路基板10の製造工程で発生する支持基板1の反りを抑制することができる。なお、金属からなる回路部材2および放熱部材3は、含有量が90質量以上の銅からなることが好ましい。さらに、回路部材2および放熱部材3は、銅の含有量が多い、無酸素銅,タフピッチ銅およびりん脱酸銅のいずれかからなることが好適で、特に、無酸素銅のうち、銅の含有量が99995質量以上の線形結晶無酸素銅,単結晶状高純度無酸素銅および真空溶解銅のいずれかからなることが好適である。このように、回路部材2および放熱部材3は、銅の含有量が多くなると、それぞれ電気抵抗が低く、熱伝導率が高くなるため、放熱特性が向上し、さらに回路部材2に至っては、回路特性回路部材2上に搭載される電子部品の発熱を抑制し、電力損失を少なくする特性も向上する。また、銅の含有量が多くなると、降伏応力が低く、加熱すると塑性変形しやすくなるため、中間材5a,5bの材質も銅とすれば、回路部材2および中間材5a,放熱部材3および中間材5bのそれぞれの密着性が上がり、より信頼性を高くすることができる。また、ろう材4a,4bは、主成分が銀および銅の少なくともいずれか1種であって、チタン,ジルコニウム,ハフニウムおよびニオブから選ばれる1種以上を含有することが好適であり、その厚みは、支持基板1の主面に一体化している粒状体を覆うことのできる厚みとする。さらに、モリブデン,タンタル,オスミウム,レニウムおよびタングステンから選ばれる1種以上を含有することがより好適である。また、銅からなる中間材5a,5bとしては、銅の含有量が多い、無酸素銅,タフピッチ銅およびりん脱酸銅のいずれかからなることが好適で、特に、無酸素銅のうち、銅の含有量が99995質量以上の線形結晶無酸素銅,単結晶状高純度無酸素銅および真空溶解銅のいずれかからなることが好適であり、その厚みは、例えば、01mm以上06mm以下である。なお、回路基板10を構成する窒化珪素質基板からなる支持基板1の3点曲げ強度,動的弾性率,ビッカース硬度Hvおよび破壊靱性K1Cについては、回路基板10からろう材4a,4bおよび中間材5a,5bをエッチングにより除去した後、上述した方法によって求めればよい。図9は、本実施形態の電子装置の一例を示す、aは平面図であり、bはaのK-K’線での断面図であり、cは底面図である。図9に示す例の電子装置Sは、本実施形態の回路基板10の回路部材2上に1つ以上の半導体素子等の電子部品6,7が搭載されたものであり、これらの電子部品6,7同士は導体図示しないにより互いに電気的に接続されている。本実施形態の電子装置Sによれば、本実施形態の回路基板10における回路部材2上に電子部品6,7を搭載したことから、電子部品6,7が発熱を繰り返しても、支持基板1と、回路部材2および放熱部材3とが容易に剥離しないので、耐久性の高い電子装置Sとすることができる。図9に示す例における支持基板1の寸法は、例えば、長さ図9に示すX方向が20mm以上200mm以下であり、幅図9に示すY方向が10mm以上120mm以下であり、厚みが02mm以上10mm以下とすることが好適である。そして、回路部材2および放熱部材3の寸法は、例えば、長さ図9に示すX方向が4mm以上40mm以下であり、幅図9に示すY方向が5mm以上50mm以下であり、厚みが05mm以上5mm以下とすることが好適である。図9に示す例のように、回路部材2および放熱部材3が、平面視でそれぞれ複数行および複数列に配置されていることが好適である。このように、回路部材2および放熱部材3が平面視で複数行および複数列に配置されることで、回路部材2および放熱部材3を支持基板1に接合した際に、支持基板1に生じる応力が分散されやすくなるので、支持基板1の反りを抑制することができる。特に、回路部材2および放熱部材3は、図9に示す例のように、平面視でそれぞれ複数行および複数列に等間隔で配置されていることが好適である。さらに、本実施形態の窒化珪素質基板1は、熱電変換モジュールを構成する支持基板1にも用いることができる。図10は、本実施形態の熱電変換モジュールの一例を示す、aは部分破断した斜視図であり、bは断面図である。なお、以下の説明において、符号を付して説明するが、同部材において個々の構成を示すときには、数値の後にアルファベットを付す。図10に示す熱電変換モジュール20は、対向する支持基板1x,1y間に、p型熱電変換素子11aとn型熱電変換素子11bとからなる熱電変換素子11が配列され、熱電変換素子11は、それぞれ支持基板1側から接合層1212a,配線導体13,第2接合層1212bを介して支持基板1に接合されており、それぞれの熱電変換素子11が電気的に直列に接続されてなるものである。このような支持基板1x,1yとして本実施形態の窒化珪素質基板を用いれば、支持基板1x,1yの主面に珪素を含む多数の粒状体1bが一体化しており、粒状体1bの一部から、窒化珪素を主成分とする針状結晶または柱状結晶が複数伸びているので、加熱して支持基板1と配線導体13とを接合するときに、支持基板1とろう材との間において、針状結晶または柱状結晶によって高いアンカー効果が得られるため、支持基板1と配線導体13とを強固に接合することができる。次に、本実施形態の窒化珪素質基板の製造方法について説明する。まず、β化率が20以下である窒化珪素の粉末と、添加成分として酸化マグネシウムMgOおよび酸化カルシウムCaOの粉末の少なくともいずれかならびに希土類元素の酸化物例えば、Sc2O3,Y2O3,La2O3,Ce2O3,Pr6O11,Nd2O3,Pm2O3,Sm2O3,Eu2O3,Gd2O3,Tb2O3,Dy2O3,Ho2O3,Er2O3,Tm2O3,Yb2O3およびLu2O3の少なくともいずれかの粉末とを、バレルミル,回転ミル,振動ミル,ビーズミル,サンドミル,アジテーターミル等を用いて湿式混合し、粉砕してスラリーを作製する。ここで、窒化珪素の粉末とこれら添加成分の粉末の合計との総和を100質量とすると、添加成分である酸化マグネシウムMgOの粉末および酸化カルシウムCaOの粉末のいずれかを2~7質量、希土類元素の酸化物例えば、Sc2O3,Y2O3,La2O3,Ce2O3,Pr6O11,Nd2O3,Pm2O3,Sm2O3,Eu2O3,Gd2O3,Tb2O3,Dy2O3,Ho2O3,Er2O3,Tm2O3,Yb2O3およびLu2O3の少なくともいずれかの粉末を7~16質量となるようにすればよい。ところで、窒化珪素には、その結晶構造の違いにより、α型およびβ型という2種類の窒化珪素が存在する。α型は低温で、β型は高温で安定であり、1400°C以上でα型からβ型への相転移が不可逆的に起こる。ここで、β化率とは、X線回折法で得られたα102回折線とα210回折線との各ピーク強度の和をIα、β101回折線とβ210回折線との各ピーク強度の和をIβとしたときに、次の式によって算出される値である。β化率={Iβ/IαIβ}×100窒化珪素の粉末のβ化率は、窒化珪素質焼結体の強度および破壊靱性値に影響する。β化率が20以下の窒化珪素の粉末を用いるのは、強度および破壊靱性値をともに高くすることができるからである。β化率が20を超える窒化珪素の粉末は、焼成工程で粒成長の核となって、粗大で、しかもアスペクト比の小さい結晶となりやすく、強度および破壊靱性値とも低下するおそれがある。そのため、特に、β化率が10以下の窒化珪素の粉末を用いるのが好ましい。窒化珪素および添加成分の粉末の粉砕で用いるボールは、不純物が混入しにくい材質、あるいは同じ材料組成の窒化珪素質焼結体からなるボールが好適である。なお、窒化珪素および添加成分の粉末の粉砕は、粒度分布曲線の累積体積の総和を100とした場合の累積体積が90となる粒径D90が3μm以下となるまで粉砕することが、焼結性の向上および結晶組織の柱状化または針状化の点から好ましい。粉砕によって得られる粒度分布は、ボールの外径,ボールの量,スラリーの粘度,粉砕時間等で調整することができる。スラリーの粘度を下げるには分散剤を添加することが好ましく、短時間で粉砕するには、予め累積体積50となる粒径D50が1μm以下の粉末を用いることが好ましい。次に、得られたスラリーをASTME11-61に記載されている粒度番号が200のメッシュより細かいメッシュの篩いに通した後に乾燥させて窒化珪素を主成分とする顆粒以下、窒化珪素質顆粒という。を得る。乾燥は、噴霧乾燥機で乾燥させてもよく、他の方法であっても何ら問題ない。そして、粉末圧延法を用いて窒化珪素質顆粒をシート状に成形してセラミックグリーンシートとし、このセラミックグリーンシートを所定の長さに切断して窒化珪素質成形体を得る。次に、この窒化珪素質成形体の主面に珪素を含む顆粒または敷粉等の多数の粉粒体を載置する。載置する方法は、篩い等を用いて振り掛ける、または粉粒体に溶媒等を加えてスラリーとし、刷毛やローラ等を用いて塗布してもよい。なお、粉粒体を構成する粉末は、例えば、珪素の粉末,窒化珪素の粉末,酸化珪素の粉末およびサイアロンの粉末の少なくともいずれかと、添加成分としての酸化マグネシウムMgOおよび酸化カルシウムCaOの粉末の少なくともいずれかならびに希土類元素の酸化物の粉末である。なお、顆粒とは、例えば上記粉末を混合し粉砕してスラリーとし、噴霧乾燥機で乾燥させたものであり、敷粉とは、上記粉末を用いて焼成した焼結体を粉砕したもの等である。ここで、基板1aの主面に対して半球状に一体化している粒状体1bとするには、球状の顆粒を用いればよい。また、複数の列状に配置されている粒状体1bとするには、粉粒体を複数の列状に配置可能なローラ等を用いて載置すればよく、隣り合う粉粒体の間隔は、例えば、0125mm以上0625mm以下とすればよい。また、基板1aの主面上の粒状体1bの密度を48個/cm2以上502個/cm2以下とするには、窒化珪素質成形体の主面上の粉粒体の密度を31個/cm2以上321個/cm2以下とすればよい。また、針状結晶1cまたは柱状結晶1dの径を、第2の針状結晶1eまたは第2の柱状結晶1fの径よりも細くするには、基板1aよりも粒状体1bを構成する添加成分の含有量を少なくすればよい。また、基板1aが粒状体1bよりも平均粒径が小さい窒化珪素を主成分とする結晶から構成するには、基板1aの主成分である窒化珪素の粉末の平均粒径を粒状体1bの原料である珪素の粉末,窒化珪素の粉末,酸化珪素の粉末およびサイアロンの粉末から選択された粉末の平均粒径よりも小さくすればよい。例えば、基板1aの主成分である窒化珪素の粉末の平均粒径を07μm以上1μm以下とし、粒状体1bの原料である珪素の粉末,窒化珪素の粉末,酸化珪素の粉末およびサイアロンの粉末から選択された粉末の平均粒径を5μm以上10μm以下とすればよい。また、粒状体1bがアルミニウムの酸化物を含んでいるものとするには、粉粒体を構成する粉末にアルミニウムの酸化物となる成分を添加すればよい。さらに、アルミニウムの酸化物の含有量が粒状体1bよりも窒化珪素質基板1の方が少ないこととするには、粉粒体を構成する粉末と、窒化珪素質基板1となる原料粉末とにおけるアルミニウムの量を調整すればよい。また、炭素の含有量が005質量以下である粒状体1bを得るには、炭素の含有量が005質量以下である粉粒体を、また、酸素の含有量が35質量以下である粒状体1bを得るには、酸素の含有量が35質量以下である粉粒体を用いればよい。次に、主面に粉粒体を載置した窒化珪素質成形体を複数積み重ねて、この状態で黒鉛抵抗発熱体が設置された焼成炉内に入れて焼成する。焼成炉内には窒化珪素質成形体の含有成分の揮発を抑制するために、酸化マグネシウムおよび希土類元素の酸化物等の成分を含んだ共材を配置してもよい。温度については、室温から300~1000°Cまでは真空雰囲気中にて昇温し、その後、窒素ガスを導入して、窒素分圧を15~300kPaに維持する。この状態における窒化珪素質成形体の開気孔率は40~55程度であるため、窒化珪素質成形体中には窒素ガスが十分充填される。1000~1400°C付近では添加成分が固相反応を経て、液相成分を形成し、1400°C以上の温度域で、α型からβ型への相転移が不可逆的に起こる。そして、焼成炉内の温度をさらに上げて、温度を1700°C以上1800°C未満として、4時間以上10時間以下保持することによって、主面に珪素を含む多数の粒状体1bが一体化しており、粒状体1bの一部から、窒化珪素を主成分とする結晶粒の成長により針状結晶1cまたは柱状結晶1dが複数伸びている窒化珪素質基板1を得ることができる。次に、本実施形態の回路基板の製造方法について説明する。図6に示す例の本実施形態の回路基板10を得るには、まず、X方向の長さが20mm以上200mm以下であり、Y方向の長さが10mm以上120mm以下であり、厚みが02mm以上10mm以下の窒化珪素質基板からなる支持基板1を準備する。次いで、この支持基板1の両主面上に、チタン,ジルコニウム,ハフニウムおよびニオブから選ばれる1種以上を含有する銀Ag-銅Cu系合金のペースト状のろう材を、スクリーン印刷法,ロールコーター法および刷毛塗り法等のいずれかで塗布し、一方に銅を主成分とする回路部材2を、他方に銅を主成分とする放熱部材3を配置する。上記ペースト状のろう材に、モリブデン,タンタル,オスミウム,レニウムおよびタングステンから選ばれる1種以上を含有させてもよい。その後、800°C以上900°C以下で加熱して、支持基板1の一方の主面に回路部材2を、他方の主面に放熱部材3をそれぞれろう材4a,4bを介して接合してなる回路基板10を得ることができる。また、図7,8に示す例の本実施形態の回路基板10を得るには、まず、上述した大きさの支持基板1を準備する。次いで、この支持基板1の両主面上に、チタン,ジルコニウム,ハフニウムおよびニオブから選ばれる1種以上を含有する銀Ag-銅Cu系合金のペースト状のろう材を、スクリーン印刷法,ロールコーター法および刷毛塗り法等のいずれかで塗布し、両側に薄状の銅からなる中間材5a,5bをそれぞれ配置する。上記ペースト状のろう材に、モリブデン,タンタル,オスミウム,レニウムおよびタングステンから選ばれる1種以上を含有させてもよい。その後、800°C以上900°C以下で加熱して、支持基板1の一方の主面にろう材4aおよび材5aを、他方の主面にろう材4bおよび銅からなる中間材5bを形成する。そして、銅からなる中間材5a,5bがそれぞれ回路部材2および放熱部材3と対向する面を研磨した後、銅からなる中間材5a,5b上にそれぞれ回路部材2および放熱部材3を配置する。そして、水素,窒素,ネオンまたはアルゴンのいずれかから選ばれる雰囲気中、300~500°Cに加熱し、30MPa以上の圧力を加えることにより、支持基板1の一方の主面に回路部材2を、他方の主面に放熱部材3をそれぞれろう材4a,4b、銅からなる中間材5a,5bを順次介して接合してなる回路基板10を得ることができる。そして、この回路基板10における回路部材2上に電子部品を搭載することにより、本実施形態の電子装置とすることができる。以下、本実施形態の実施例を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。まず、β化率が10即ち、α化率が90である窒化珪素の粉末と、添加成分として酸化マグネシウムMgOの粉末および酸化エルビウムEr2O3の粉末とを、回転ミルを用いて湿式混合し、粒径D90が1μm以下となるまで粉砕してスラリーとした。ここで、窒化珪素の粉末とこれら添加成分の粉末との合計の総和を100質量とすると、添加成分である酸化マグネシウムMgOの粉末および酸化エルビウムEr2O3の粉末は、それぞれ5質量,10質量とした。次に、得られたスラリーをASTME11-61に記載されている粒度番号が250のメッシュの篩いに通した後に噴霧乾燥機を用いて乾燥させることによって窒化珪素質顆粒を得た。そして、粉末圧延法を用いて窒化珪素質顆粒をシート状に成形してセラミックグリーンシートとし、このセラミックグリーンシートを所定の長さに切断して窒化珪素質成形体を得た。次に、窒化珪素を主成分とし、表1に示す含有量の酸化マグネシウムMgOおよび酸化エルビウムEr2O3を添加成分とする粉粒体である顆粒を上述した方法と同じ方法により得た。そして、窒化珪素質成形体の主面上の粉粒体の密度を異ならせるため、表面形状の異なるローラを用いて各試料の窒化珪素質成形体の主面に粉粒体を載置した。その後、光学顕微鏡を用いて、倍率を800倍として窒化珪素質成形体の主面から、170μm×170μmの範囲を選び、その範囲における粉粒体の個数を数え、1cm2当りの粉粒体の密度を算出した。次に、主面に粉粒体を載置した窒化珪素質成形体を試料毎に複数積み重ねて、この状態で黒鉛抵抗発熱体が設置された焼成炉内に入れて焼成した。なお、焼成炉内には窒化珪素質成形体の含有成分の揮発を抑制するために、酸化マグネシウムMgOおよび酸化エルビウムEr2O3を含んだ共材を配置した。温度については、室温から500°Cまでは真空雰囲気中にて昇温し、その後、窒素ガスを導入して、窒素分圧を30kPaに維持した。そして、焼成炉内の温度をさらに上げて、温度を1750°Cとして、表1に示す時間で保持することによって、長さが60mm,幅が30mm,厚みが032mmである窒化珪素質基板を得た。そして、光学顕微鏡を用いて、倍率を800倍として基板1aの主面から、170μm×170μmの範囲を選び、その範囲における粒状体1bの個数を数え、1cm2当りの粒状体1bの密度を算出した。また、針状結晶1c,柱状結晶1d,第2の針状結晶1eおよび第2の柱状結晶1fのそれぞれの径を測定した。具体的には、まず窒化珪素質基板の一部を切り出して樹脂に埋め込んだ後、クロスセクションポリシャ法によって研磨して粒状体1bを含む研磨面を作製した。具体的には、走査型電子顕微鏡用試料作製装置クロスセクションポリッシャ、日本電子株式会社製SM―09010を用い、照射するアルゴンイオンの加速電圧を6kVとし、検出されるアルゴンイオンの電流の最大値の70~80となるようにアルゴンガスの流量を調整し、研磨時間を8時間とした。次に、光学顕微鏡を用いて、倍率を800倍として、上記研磨面から170μm×170μmの範囲を4箇所抽出し、抽出した各箇所に対して針状結晶1cまたは柱状結晶1dと、第2の針状結晶1eまたは柱状結晶1fとをそれぞれ5個抽出し、各結晶の突出長さの中間の位置における直径を測定した。そして、針状結晶1cまたは柱状結晶1dの平均直径および第2の針状結晶1eまたは柱状結晶1fの平均直径を算出した。これらの換算値および算出値を表1に示す。次に、各試料の窒化珪素質基板を支持基板1とし、図8に示すように、支持基板1の一方の主面に回路部材2a,2bの配置に、また、他方の主面に放熱部材3の配置に対応する部分にそれぞれペースト状のろう材4a,4bをスクリーン印刷で塗布した後、135°Cで乾燥した。ここで、塗布するろう材4a,4bは、銀および銅を主成分とし、チタン,モリブデンおよびインジウムを添加成分とするろう材であり、銀,銅,チタン,モリブデンおよびインジウムの各含有量はそれぞれ530質量,388質量,24質量,29質量,29質量とした。そして、ろう材4a,4bにそれぞれ接するように無酸素銅からなる中間材5a,5bを配置して、真空雰囲気中において840°Cで加熱した。次に、中間材5a,5bの回路部材2a,2bおよび放熱部材3と対向する面をそれぞれ研磨した後、回路部材2a,2bおよび放熱部材3を図8に示すように配置し水素雰囲気中にて、400°Cに保持した状態で、30MPa以上の圧力で加圧接合した。そして、加圧接合後、加圧した状態のままで銅が酸化しない温度である50°Cまで冷却して取出すことにより、ろう材4a,4bおよび中間材5a,5bを順次介して回路部材2a,2bおよび放熱部材3を支持基板1に接合した回路基板10を得た。この回路部材2a,2bは、それぞれ一辺が24mmの正方形状であり、厚みが2mmであり、回路部材2aと回路部材2bとの間隔を2mmとした。また、放熱部材3は、長さが58mmであり、幅が26mmであり、厚みを2mmとした。さらに、ろう材4a,4bは、回路部材2a,2bおよび放熱部材3に合わせた形状とし、粒状体1bを覆うことのできる厚みとした。また、中間材5a,5bは、回路部材2a,2bおよび放熱部材3に合わせた形状とし、厚みを035mmとした。また、回路部材2aの引きはがし強さkN/mをJISC6481-1996に準拠して測定することにより、回路部材2aと支持基板1との接合強度を評価した。回路部材2aの引きはがし強さの値を表1に示した。なお、引きはがし強さを測定する試料は、一辺が24mmの正方形状の回路部材2aのX方向の両側をエッチングにより除去して10mm×24mmとして測定を行なった。表1に示す通り、試料No.1は、焼成時の1750°Cでの保持時間が短く、粒状体1bの一部から伸びている、窒化珪素を主成分とする針状結晶1cまたは柱状結晶1dが認められないことから、回路部材2aの引きはがし強さの値が小さく、回路部材2aと支持基板1との接合強度が低かった。一方、試料No.2~11は、粒状体1bの一部から、窒化珪素を主成分とする針状結晶1cまたは柱状結晶1dが複数伸びていることから、回路部材2aの引きはがし強さの値が大きく、回路部材2aと支持基板1との接合強度が高かった。また、試料No.3~10は、粒状体1bの密度が48個/cm2以上502個/cm2以下であることから、粒状体1bの密度がこの範囲外の試料No.2,11よりも回路部材2aの引きはがし強さの値が大きく、回路部材2aと支持基板1との接合強度が高かった。特に、粒状体1bの密度が102個/cm2以上448個/cm2以下である試料No.5~8は、回路部材2aの引きはがし強さの値がさらに大きく、回路部材2aと支持基板1との接合強度がより高かった。また、試料No.6と試料No.7を比べると、試料No.6は基板1aの主面から窒化珪素を主成分とする第2の針状結晶1eまたは第2の柱状結晶1fが複数伸びており、針状結晶1cまたは柱状結晶1dは、第2の針状結晶1eまたは第2の柱状結晶1fよりも径が細いことから、針状結晶1cまたは柱状結晶1dと、第2の針状結晶1eまたは第2の柱状結晶1fとの径が同一である試料No.7よりも回路部材2aの引きはがし強さの値が大きく、回路部材2aと支持基板1との接合強度が高かった。まず、実施例1で示した方法と同じ方法で窒化珪素質成形体を作製した。そして、窒化珪素を主成分とし、酸化マグネシウムMgOおよび酸化エルビウムEr2O3を添加成分とする粉末を用いた粉粒体試料No.12は球状の顆粒,No.13は非球状の敷粉を窒化珪素質成形体の主面に載置した。なお、酸化マグネシウムMgOおよび酸化エルビウムEr2O3の各含有量は、窒化珪素とこれら添加成分との合計の総和を100質量として、いずれの試料も2質量とし、粉粒体1bの密度はいずれの試料も208個/cm2とした。なお、試料No.12に用いた球状の顆粒については、上記粉末を混合し粉砕してスラリーとし、噴霧乾燥機で乾燥させたものであり、試料No.13に用いた非球状の敷粉については、上記粉末を用いて焼成した焼結体を粉砕したものを用いた。次に、主面に粉粒体を載置した窒化珪素質成形体を試料毎に複数積み重ねて、この状態で黒鉛抵抗発熱体が設置された焼成炉内に入れて焼成した。なお、焼成炉内には窒化珪素質成形体の含有成分の揮発を抑制するために、酸化マグネシウムMgOおよび酸化エルビウムEr2O3を含んだ共材を配置した。温度については、室温から500°Cまでは真空雰囲気中にて昇温し、その後、窒素ガスを導入して、窒素分圧を30kPaに維持した。そして、焼成炉内の温度をさらに上げ、温度を1750°Cとして、7時間保持することによって、長さが60mm,幅が4mm,厚みが3mmの窒化珪素質基板である試料No.12,13を得た。また、比較例として、窒化珪素質成形体の主面に粉粒体1bを載置せず、積み重ねずに平焼きとしたこと以外は上述と同条件で焼成することにより、窒化珪素基板である試料No.14を得た。そして、試料No.12~14のそれぞれの3点曲げ強度をJISR1601-2008に準拠して測定し、その測定値を表2に示した。また、3点曲げ強度を測定した後に、光学顕微鏡を用いて、倍率を500倍とし、破断面における170μm×170μmの範囲を選び、粒状体1bの形状を観察し、その結果を表2に示した。表2に示す通り、試料No.12は、粒状体1bが基板1aの主面に対して半球状に一体化しているので、基板1aの主面に対して半球状以外の形状で一体化している試料No.13に比べて、焼成後の残留応力が粒状体1bの周辺に残りにくくなっており、試料No.14と変わらぬ基板1aの強度結果となった。まず、実施例1で示した方法と同じ方法で窒化珪素質成形体を作製した。そして、窒化珪素を主成分とし、酸化マグネシウムMgOおよび酸化エルビウムEr2O3を添加成分とする粉粒体である敷粉を窒化珪素質成形体の主面に、表3に示す配置となるように載置した。なお、酸化マグネシウムMgOおよび酸化エルビウムEr2O3の各含有量は、窒化珪素とこれら添加成分との合計の総和を100質量として、いずれも2質量とし、粉粒体の密度は25個/cm2とした。次に、主面に粉粒体を載置した窒化珪素質成形体を試料毎に複数積み重ねて、この状態で黒鉛抵抗発熱体が設置された焼成炉内に入れて焼成した。なお、焼成炉内には窒化珪素質成形体の含有成分の揮発を抑制するために、酸化マグネシウムMgOおよび酸化エルビウムEr2O3を含んだ共材を配置した。温度については、室温から500°Cまでは真空雰囲気中にて昇温し、その後、窒素ガスを導入して、窒素分圧を30kPaに維持した。そして、焼成炉内の温度をさらに上げ、温度を1750°Cとして、6時間保持することによって、長さが60mm,幅が30mm,厚みが032mmの窒化珪素質基板である試料No.15~17を得た。なお、試料No.15~17は、それぞれ図1,3,4に示す形状の窒化珪素質基板である。そして、実施例1と同様の方法でろう材4aおよび中間材5aを順次介して、10mm×26mmの5個の回路部材2をそれぞれの試料に接合した。次に、各試料の5個の回路部材2の引きはがし強さを測定し、引きはがし強さのばらつきを順位付けし、ばらつきが最も小さかったものを1,中間であったものを2,ばらつきが最も大きかったものを3として表3に記入した。表3に示す通り、試料No.16,17は、粒状体1bが複数の列状に配置されていることから、試料No.15と比較して引きはがし強さのばらつきが小さいことから、接合強度のばらつきが小さかった。特に、試料No.17は、粒状体1bがX方向およびY方向とも複数の列状に配置されていることから、引きはがし強さのばらつきが最も小さく、回路基板10として用いれば信頼性を高められることがわかった。まず、実施例1に示した方法と同じ方法で窒化珪素質成形体を作製した。そして、窒化珪素を主成分とし、表4に示す成分を添加成分とする粉末を用いた粉粒体である敷粉を窒化珪素質成形体の主面に載置した。なお、これら添加成分の各含有量は、窒化珪素とこれら添加成分との合計の総和を100質量として、表4に示す通りとし、粉粒体の密度はいずれの試料も301個/cm2とした。そして、実施例3に示した方法と同じ方法で焼成することによって、長さが60mm,幅が40mm,厚みが3mmの窒化珪素質基板である試料No.18~20を得た。そして、試料No.18~20の3点曲げ強度をJISR1601-2008ISO17565:2003MODに準拠して測定し、その値を表4に示した。また、試料No.18~20について、濃度が30質量の塩酸に浸漬し、温度を90°Cとして100時間加熱処理した。そして、この加熱処理前後の各試料の質量を測定し、その減少比率を計算し、その値を表4に示した。また、加熱処理後の3点曲げ強度をJISR1601-2008ISO17565:2003MODに準拠して測定し、その値を表4に示した。なお、粒状体1bに含まれるアルミニウムの酸化物は、薄膜X線回折法を用いて、酸化物を構成する成分を同定したところ、試料No.19には、酸化アルミニウムが含まれており、試料No.20には、アルミン酸マグネシウムが含まれていた。表4に示す通り、試料No.19,20は、粒状体1bにアルミニウムの酸化物を含んでいることによって、焼結工程で液相焼結がより促進されて、粒状体1bが基板1aに強固に固着されていることにより、機械的強度を高められることがわかった。さらに、試料No.20は、アルミニウムの酸化物がアルミン酸マグネシウムであることから、粒状体1bを形成する結晶間に存在する粒界相の耐食性が向上しているので、粒状体1bの耐食性が高くなり、濃度が30質量の塩酸に浸漬し、加熱処理した後も、試料No.18,19よりも試料の質量の減少比率が小さく、機械的強度が低下しにくいことがわかった。まず、β化率が10即ち、α化率が90である窒化珪素の粉末と、添加成分として酸化マグネシウムMgOの粉末および酸化エルビウムEr2O3の粉末とを、回転ミルを用いて湿式混合し、粒径D90が1μm以下となるまで粉砕してスラリーとした。ここで、基板1aにおける酸化マグネシウムMgOおよび酸化エルビウムEr2O3の含有量については、それぞれ3質量,14質量とし、酸化アルミニウムAl2O3については、表5に示す含有量となるように調整した。そして、実施例1で示した方法と同じ方法で窒化珪素質成形体を作製した。次に、窒化珪素を主成分とし、粒状体1bにおける酸化マグネシウムMgO,酸化エルビウムEr2O3および酸化アルミニウムAl2O3の各含有量が、それぞれ3質量,14質量,05質量となるように調整された粉粒体である顆粒を実施例1で示した方法と同じ方法により得た。そして、ローラを用いて各試料の窒化珪素質成形体の主面に粉粒体を載置し、粉粒体の密度は、301個/cm2とし、実施例1の試料No.2~11と同じ方法で窒化珪素質基板を作製した。そして、基板1aおよび粒状体1bに含まれるそれぞれのアルミニウムの酸化物は、薄膜X線回折法を用いて、酸化物を構成する成分を同定したところ、いずれも組成式がAl2O3として表される酸化アルミニウムであり、この酸化物の含有量について、ICP発光分光分析法により求め、その値を表5に示した。また、熱定数測定装置アルバック理工株製、TC-7000を用いて、レーザフラッシュによる2次元法により各試料の厚み方向における熱拡散率αを測定した。また、超高感度型示差走査熱量計セイコーインスツルメンツ株製、DSC-6200を用いて、示唆走査熱量法DSC法により各試料の比熱容量Cを測定した。さらに、JISR1634-1998に準拠して、各試料のかさ密度ρkg/m3を測定した。そして、これらの方法によって求められた値を、次式のκ=αCρに代入して、各試料の厚み方向における熱伝導率κW/mKを算出し、その値を表5に示した。表5に示す通り、試料No.21,22は、アルミニウムの酸化物の含有量が、粒状体1bよりも基板1aの方が少ないことから、アルミニウムの酸化物の含有量が、基板1aよりも粒状体1bの方が多い試料No.23,24よりも熱伝導率が高くなっており、基板1aを形成する結晶およびこれら結晶間に存在する粒界相におけるフォノンの伝搬が進みやすくなっているので、基板1aの両主面間における熱伝導が促進されていることがわかった。まず、実施例5に示した方法と同じ方法で窒化珪素質成形体を作製した。そして、窒化珪素を主成分とし、酸化マグネシウムMgO,酸化エルビウムEr2O3,酸化アルミニウムAl2O3,カーボン等を用いて、添加成分を異ならせた粉粒体である顆粒を実施例1で示した方法と同じ方法により得た。そして、表面形状の異なるローラを用いて各試料の窒化珪素質成形体の主面に載置し、粉粒体の密度は、301個/cm2とし、実施例3に示した方法と同じ方法で焼成することによって、長さが60mm,幅が40mm,厚みが3mmの窒化珪素質基板である試料No.25~29を得た。そして、それぞれの粉粒体のみを上述した同じ方法で焼成したものを用いて、粒状体1bにおける炭素および酸素の各含有量を、それぞれ炭素分析法、酸素分析法により測定し、その値を表6に示した。ここで、粒状体1bにおける酸素の含有量は、単独で存在している酸素のみならず、金属酸化物および酸窒化物を構成する酸素との含有量である。また、窒化珪素質基板の絶縁破壊電圧を、JISC2110-1994IEC60243:1967MODに準拠して測定し、その値を表6に示した。表6に示す通り、粒状体1bにおける酸素の含有量が同じである試料No.25,27,29を比べると、試料No.25,27は、炭素の含有量が005質量以下であることによって、導電性を有する炭素の含有量が制限されているので、試料No.29よりも絶縁破壊電圧が高く、リーク電流が生じにくいことがわかった。また、粒状体1bにおける炭素の含有量が同じである試料No.26,27,28を比べると、試料No.26,27は、試料No.28よりも絶縁破壊電圧が高く、リーク電流が生じにくくなっているので、酸素の含有量が35質量以下であることが好適であることがわかった。まず、β化率が10即ち、α化率が90である窒化珪素の粉末と、添加成分として酸化マグネシウムMgOの粉末および酸化エルビウムEr2O3の粉末とを、回転ミルを用いて湿式混合し、粒径D90がそれぞれ表7に示すように06μm以下,08μm,10μm以下となるまで粉砕して3種類のスラリーを得た。ここで、窒化珪素の粉末とこれら添加成分の粉末との合計の総和を100質量とすると、添加成分である酸化マグネシウムMgOの粉末および酸化エルビウムEr2O3の粉末は、それぞれ5質量,10質量とした。次に、得られたスラリーをASTME11-61に記載されている粒度番号が250のメッシュの篩いに通した後に噴霧乾燥機を用いて乾燥させることによって、3種類の窒化珪素質顆粒を得た。そして、粉末圧延法を用いて、これら3種類の窒化珪素質顆粒をそれぞれシート状に成形してセラミックグリーンシートとし、これらのセラミックグリーンシートを所定の長さに切断した窒化珪素質成形体を得た。次に、窒化珪素を主成分とし、酸化マグネシウムMgOおよび酸化エルビウムEr2O3を添加成分とする粉粒体をローラを用いて各試料の窒化珪素質成形体の主面に載置した。そして、実施例2に示した方法と同じ方法で焼成することによって、長さが60mm,幅が4mm,厚みが3mmの窒化珪素質基板である試料No.30~32を得た。そして、試料No.30~32のそれぞれの3点曲げ強度をJISR1601-2008に準拠して測定し、その測定値を表7に示した。また、基板1aおよび粒状体1bにおける窒化珪素を主成分とする結晶の各平均粒径を測定するために、試料の一部を切り出して樹脂に埋め込んだ後、クロスセクションポリシャ法によって研磨して得られた研磨面を、光学顕微鏡を用い、倍率を200倍とし、JISR1670-2006に準拠して求め、その測定値を表7に示した。表7に示す通り、基板1aが粒状体1bよりも平均粒径が小さい窒化珪素を主成分とする結晶からなる試料No.30,31は、基板1aおよび粒状体1bのそれぞれの平均粒径が同じである試料No.32よりも基板1aの強度を高くすることができているので、回路基板10を構成する支持基板1のように厚みが薄いものに用いられても、信頼性が損なわれるおそれを少なくできることがわかった。また、上記結果から、本発明の窒化珪素質基板は、主面に珪素を含む多数の粒状体1bが一体化しており、粒状体1bの一部から、窒化珪素を主成分とする針状結晶1cまたは柱状結晶1dが複数伸びていることにより、高いアンカー効果が得られ、支持基板1として用いたときに支持基板1に対するろう材の密着性が上がり、支持基板1と回路部材2および放熱部材3とを強固に接合することができるので、信頼性の高い回路基板10とできることがわかった。また、このような信頼性の高い回路基板10を用いて、回路部材2上に電子部品6,7を搭載したことから、電子部品6,7が発熱を繰り返しても、支持基板1と、回路部材2および放熱部材3とが容易に剥離しないので、耐久性の高い電子装置Sとすることができることがわかった。"