磁性体特性解析プログラムにおいて、磁性体特性解析装置に、解析対象が分割された各要素について与えられる平均磁化を用いて、有限要素法による磁場解析を行わせ、前記有限要素法による磁場解析により算出される磁界を固定値として前記各要素に作用する有効磁界を算出させ、前記算出した有効磁界を用いてLLGLandauLifshitzGilbert方程式を時間積分して前記各要素内で磁化ベクトルを算出させ、前記算出した磁化ベクトルを平均して前記各要素についての平均磁化を算出させることを特徴とする磁性体特性解析プログラム。前記磁性体特性解析プログラムは、前記磁性体特性解析装置に、前記算出した磁化ベクトルを平均して前記各要素についての平均磁化の算出を、前記平均磁化に依存する磁界の変化を前記有効磁界に再帰的に反映させて複数回行わせることを特徴とする請求項1記載の磁性体特性解析プログラム。前記磁性体特性解析プログラムは、前記磁性体特性解析装置に、有限要素法による磁場解析を行う処理と、前記有効磁界を算出させ、前記磁化ベクトルを算出させ、前記各要素についての平均磁化を算出させる処理と、を交互に繰り返し実行させることを特徴とする請求項1又は2記載の磁性体特性解析プログラム。前記磁性体特性解析プログラムは更に、前記磁性体特性解析装置に、設定値である外部磁界を反映させて前記有効磁界を算出させ、前記複数回行う処理を実行させた後、該複数回行う処理において算出された平均磁化と、前回の前記複数回行う処理において算出された平均磁化との変化を示す指標値が所定値未満であるか否かを判定させ、該指標値が所定値未満である場合に前記外部磁界を変更させることを特徴とする、請求項1ないし3のいずれか1項に記載の磁性体特性解析プログラム。前記磁性体特性解析プログラムは更に、前記指標値が所定値未満となった際に前記複数回行う処理により算出された平均磁化に応じた値と、該指標値が所定値未満となった際に設定されている外部磁界と、の組み合わせを解析結果として前記磁性体特性解析装置に出力させることを特徴とする、請求項4記載の磁性体特性解析プログラム。前記磁性体特性解析プログラムは更に、前記磁性体特性解析装置に、前記複数回行う処理における実行回数を、前記外部磁界が不変である期間の経過に応じて徐々に減少させることを特徴とする、請求項3記載の磁性体特性解析プログラム。解析対象が分割された各要素について与えられる平均磁化を用いて、有限要素法による磁場解析を行う磁場解析部と、前記有限要素法による磁場解析により算出される磁界を固定値として前記各要素に作用する有効磁界を算出する有効磁界算出部と、前記算出した有効磁界を用いてLLGLandauLifshitzGilbert方程式を時間積分して前記各要素内で磁化ベクトルを算出する磁化ベクトル算出部と、前記算出した磁化ベクトルを平均して前記各要素についての平均磁化を算出する平均磁化算出部を有することを特徴とする磁性体特性解析装置。磁性体特性解析方法において、磁性体特性解析装置が、解析対象が分割された各要素について与えられる平均磁化を用いて、有限要素法による磁場解析を行い、前記有限要素法による磁場解析により算出される磁界を固定値として前記各要素に作用する有効磁界を算出し、前記算出した有効磁界を用いてLLGLandauLifshitzGilbert方程式を時間積分して前記各要素内で磁化ベクトルを算出し、前記算出した磁化ベクトルを平均して前記各要素についての平均磁化を算出することを特徴とする磁性体特性解析方法。しかしながら、上記特許文献に記載の装置の如く、有限要素法と他の手法を用いて磁性体の特性解析を行う場合、有限要素法に基づく演算の処理負荷が高く、全体として処理速度が低下するという課題が生じる。一つの側面では、本発明は、磁性体の特性の解析スピードの向上を図ることを目的とする。上記目的を達成するための一態様は、磁性体特性解析プログラムにおいて、磁性体特性解析装置に、解析対象が分割された各要素について与えられる平均磁化を用いて、有限要素法による磁場解析を行わせ、前記有限要素法による磁場解析により算出される磁界を固定値として前記各要素に作用する有効磁界を算出させ、前記算出した有効磁界を用いてLLGLandauLifshitzGilbert方程式を時間積分して前記各要素内で磁化ベクトルを算出させ、前記算出した磁化ベクトルを平均して前記各要素についての平均磁化を算出させることを特徴とする磁性体特性解析プログラムである。一実施態様によれば、磁性体の特性の解析スピードの向上を図ることができる。以下、本発明を実施するための形態について、添付図面を参照しながら実施例を挙げて説明する。以下、図面を参照し、本発明の一実施例に係る磁性体特性解析プログラム、磁性体特性解析装置、及び磁性体特性解析方法について説明する。[構成]図1は、本発明の一実施例に係る磁性体特性解析装置1のハードウエア構成例である。磁性体特性解析装置1は、例えば、CPUCentralProcessingUnit10と、ドライブ装置12と、補助記憶装置16と、メモリ装置18と、インターフェース装置20と、入力装置22と、表示装置24と、を備える。これらの構成要素は、バスやシリアル回線等を介して接続されている。CPU10は、例えば、プログラムカウンタや命令デコーダ、各種演算器、LSULoadStoreUnit、汎用レジスタ等を有する演算処理装置としてのプロセッサである。ドライブ装置12は、記憶媒体14からプログラムやデータを読み込み可能な装置である。プログラムを記録した記憶媒体14がドライブ装置12に装着されると、プログラムが記憶媒体14からドライブ装置12を介して補助記憶装置16にインストールされる。記憶媒体14は、例えば、CDCompactDisc、DVDDigitalVersatileDisc、USBUniversalSerialBusメモリ等の可搬型の記憶媒体である。また、補助記憶装置16は、例えば、HDDHardDiskDriveやフラッシュメモリである。プログラムのインストールは、上記のように記憶媒体14を用いる他、インターフェース装置20がネットワークを介して他のコンピュータよりダウンロードし、補助記憶装置16にインストールすることによって行うこともできる。ネットワークは、インターネット、LANLocalAreaNetwork、無線ネットワーク等である。また、プログラムは、磁性体特性解析装置1の出荷時に、予め補助記憶装置16やROMReadOnlyMemory等に格納されていてもよい。このようにしてインストール又は予め格納されたプログラムをCPU10が実行することにより、図1に示す態様の情報処理装置を、本実施例の磁性体特性解析装置1として機能させることができる。メモリ装置18は、例えば、RAMRandomAccessMemory、EEPROMElectricallyErasableandProgrammableReadOnlyMemoryやフラッシュメモリ等である。インターフェース装置20は、上記ネットワークとの接続等を制御する。入力装置22は、例えば、キーボード、マウス、ボタン、タッチパッド、タッチパネル、マイク等である。また、表示装置24は、例えば、LCDLiquidCrystalDisplayやCRTCathodeRayTube等の表示装置である。磁性体特性解析装置1は、表示装置24の他、プリンタ、スピーカ等の他の種類の出力装置を備えてもよい。図2は、本発明の第1実施例に係る磁性体特性解析装置1の機能構成例である。磁性体特性解析装置1は、設定入力受付部30と、第1演算処理部40と、第2演算処理部50と、制御部60と、を備える。第2演算処理部50は、更に、有効磁界算出51と、磁化ベクトル算出52と、平均磁化算出部53と、を有する。これらの機能ブロックは、補助記憶装置16等に格納されたプログラムソフトウエアをCPU10が実行することにより機能する。なお、これらの機能ブロックが明確に分離したプログラムによって実現される必要はなく、サブルーチンや関数として他のプログラムによって呼び出されるものであってもよい。また、機能ブロックの一部が、LSILargeScaleIntegratedcircuit、ICIntegratedCircuitやFPGAFieldProgrammableGateArray等のハードウエア手段であっても構わない。設定入力受付部30は、各種パラメータ設定、及び解析対象の物性情報等の入力を受け付ける。各種パラメータには、磁場の非定常計算ステップN、LLGループ回数M、収束判定閾値ε、自由度P、外部磁界の時間当たりの変動量等が含まれる。また、解析対象の物性情報には、基本物性値、材料の性質、異方性の設定等が含まれる。これらの設定入力は、例えばインターフェース装置20や入力装置22に対して行われ、入力されたデータは補助記憶装置16やメモリ装置18に格納される。第1演算処理部40は、有限要素法による磁場解析を行う。また、第2演算処理部50は、マイクロマグネティックスに基づく磁性体の特性解析を行う。以下、有限要素法とマイクロマグネティックスについて説明する。[有限要素法とマイクロマグネティックス]有限要素法の基本概念有限要素法は、解析対象を有限個の小領域要素であるメッシュに分割し、解を求める手法である。流体、構造、磁場等の物理状態を支配する微分方程式は一般に支配方程式と呼ばれ、空気や固体液体等の物質中に連続的に定義される物理量連続場が未知変数となる。有限要素法は、解析的に解くことが難しい微分方程式の近似解を数値的に得る方法の一つである。有限要素法では、本来は無限の自由度を持つ支配方程式の定義領域Ωを有限個の小領域要素にメッシュに分割することにより、解を求めることが可能になる。図3は、有限要素法においてメッシュへの分割が行われる様子を示す図である。要素とは、解析対象となる領域を分割した最小単位の領域であり、複数の節点によって構成される。図4は、複数節点で構成される三角形要素と四角形要素を示す図である。このように、有限要素法では、モデル全体を小さな要素で構成して解を求めるため、複雑な形状の解析対象領域を扱うことができる。有限要素法による磁場解析手法として、ガラーキン法または重み付き残差法と称される手法が用いられる。ガラーキン法とは、支配方程式の両辺に任意形状の重み関数を乗じ、空間積分することで結果的に自由度を低減離散化する手法である。式1は、物理変数φの空間分布を表現する支配方程式である。ここで、φは空間Xに依存する。有限要素法では、支配方程式が非線形であっても、解を求める過程では式2で示される線形方程式として扱うことができる。式2中、Fはφに対する空間微分の演算子の関数、F0はφに依存しない定数である。N個の節点を持つ要素内の解φは、補間関数Nを用いて式3のように近似することができる。式3中、φiは、位置xiにおける場フィールドの値、nは節点の数である。また、重み関数wxは、補間関数Nを用いて式4のように定義される。ここで、位置xiにおける補間関数Nの値は、式5で示される性質を有する。図5は、一次元の補間関数Nを一次元座標上で表現した図である。次に、補間関数Nを用いて、二次元空間で定義された式を有限要素法で解く手法について説明する。まず、式2の両辺に任意の重み関数wを乗じ、面積で積分すると式6となる。そして、重み関数wと求める解φを、補間関数Nを用いて表現すると、一要素当たりの式は式7となる。このように空間積分を行うことによって、空間の自由度が消滅し、結果的に未知数φに関する方程式となる。そして、任意の重み関数の数nだけφjに関する方程式が得られるので、この連立方程式を解くことで解φを求めることが可能となる。有限要素法の磁場解析への適用空気中に磁化ベクトル→Mが存在する場合の磁場の方程式は、式8で表される。以下、数式等においてアルファベット上に矢印が付されたベクトル表記を、明細書文中では→A等と表記する。また、<>は平均を表すものとする。式8中、→Aはベクトルポテンシャル、v0は真空の透磁率の逆数、→J0は励磁電流、→Mは磁化ベクトルである。式8の両辺に重み関数wを乗算し、一つの要素について空間積分を行うと、式9が得られる。更に、式9の左辺第二項について部分積分を行うと、式10が得られる。なお、式10の右辺第二項を導出する過程で関係式11を用いている。また、磁化ベクトル→Mに起因する項は、部分積分によって式12に書き換えられる。式9の空間積分によって得られる係数cij、dij、ei、fi、giを、次式13~17で表す。そして、式9を任意の値の重みwiに対する恒等式とみなすと、重みwiの係数はゼロとなり、連立方程式18が得られる。式18は、一つの要素における未知数Ajに関する連立方程式である。全ての要素に対して未知数Ajに関する連立方程式を合成することで、定義領域全体の連立方程式が構成できる。ここで、要素単位の連立方程式である式18のインデックスi、jをそれぞれ、領域全体のインデックスI、Jに書き換え、時刻n、n1に対して陰解法で記述すると式19となる。式19における未知数Ajn1を左辺に移行すると式20が得られる。そして、式21のように、未知数Ajn1に関する連立方程式を解くことにより、時刻n1における解Ajn1を求めることができる。なお、解析領域の境界から磁束が流入又は流出しない一般的な場合には、式21における→Bがゼロとなり、式22が成立する。こうして解として得られるベクトルポテンシャルAjn1により、式23のように磁束密度Bn1が得られる。ここで、Nは一つの要素内に定義される補間関数であり、Bn1は対象となる要素における値である。そして、式23の磁束密度Bn1を用いて、式24の磁界Hjn1が得られる。マイクロマグネティクスをベースとする磁気特性の表現方法本実施例の第2演算処理部50が有する磁化ベクトル算出部52は、マイクロマグネティクスにおけるLLG方程式を積分し、LLG方程式が所定値未満となる定常状態の磁化ベクトル→Mを求める。LLG方程式は、式25で表される。LLG方程式は、磁性体の磁性体の磁区構造やそれに基づく磁気特性を解析するために用いられる。式25中、→Miは磁化ベクトル、→Heffは磁化ベクトルに作用する有効磁界、γはジャイロ磁気定数Hzm/A、αはダンピングコンスタントである。磁化ベクトルに作用する有効磁界は、式26で表される。式26中、→Haniは結晶磁気異方性磁界、→Hexcは磁気交換結合磁界、→Hexternalは外部磁界、→Hはその他の磁界磁界による静磁界、励磁電流、渦電流によるものである。LLG方程式は、複数の部分構造を有する磁性体モデルの磁気特性や磁区構造を解析するために活用されてきた。LLG方程式を解くことで得られる個々の部分構造の磁化ベクトルは、それぞれ空間上の位置に配置され、磁化ベクトルの空間分布による磁界静磁界、交換結合磁界も磁気特性に寄与する。しかし、磁化ベクトルの空間分布に依存する有効磁界静磁界、交換結合磁界の影響を減らしても、磁性体の特性を近似的に再現することが可能である。従って、詳細な幾何形状を無視した適当なサイズの直方体モデルに対してLLG方程式を適用して磁化ベクトルを算出し、磁化ベクトルの平均値を求めることによって、磁性体の特性を近似的に表現することができる。より具体的には、有限要素法によりメッシュに分割された要素を更に分割した内部構造について磁化ベクトルを求め、内部構造毎の磁化ベクトルの平均値を、当該要素の磁化ベクトル平均値とする。図6は、立方体を構成する部分構造のそれぞれについて算出される磁化ベクトルを示す図である。図中、矢印が磁化ベクトルの向きを示している。磁化ベクトルの数自由度Pを、図6で示すようにP=l×m×nとすると、磁化ベクトル平均値平均磁化は式27で表わされる。図7は、磁化ベクトルの平均値と外部磁界の関係を示す図である。図示するように、磁化ベクトルの平均値を用いた結果は、磁気ヒステリシスを正確に再現することができる。ところで、LLG方程式を磁性体に適用した場合、扱える磁性体の大きさは数百ミクロンが限界である。従って、本実施例の磁性体特性解析装置1では、有限要素法を用いてメッシュへの分割を行った各要素に対してLLG方程式を適用する。これによって、解析対象の形状やサイズに拘わらず、LLG方程式を用いた磁気特性の解析を行うことができる。[具体的動作]図8は、第1演算処理部40と第2演算処理部50により実行される処理を概念的に示す図である。また、図9は、制御部60により実行される処理の流れを示すフローチャートである。図9に示すように、まず、制御部60は、パラメータの初期化を行うS100。パラメータの初期化には、磁場の非定常計算ステップN及びLLGループ回数Mの指定、収束判定閾値εの設定、磁場の方程式の時間ステップnの初期化等が含まれる。制御部60は、設定入力受付部30が受け付けた値、或いはデフォルト値として補助記憶装置16等に格納された値を読み込み、メモリ装置18上に展開する。次に、制御部60は、物性情報を設定し、外部磁界→Hexternalの初期値を設定するS102。物性情報や外部磁界→Hexternalは、上記パラメータと同様に、設定入力受付部30が受け付けた値、或いはデフォルト値として補助記憶装置16等に格納された値であり、メモリ装置18上に展開される。次に、制御部60は、第1演算処理部40に有限要素法におけるメッシュへの分割を行わせ、複数の要素を設定させるS104。第1演算処理部40は、解析対象となる磁性体を含む空間を、複数の要素であるメッシュに分割する。次に、制御部60は、第2演算処理部50の磁化ベクトル算出部52がLLG方程式の計算に用いる自由度各要素内で、磁化ベクトル→Miを計算する内部構造の数Pを設定するS106。次に、制御部60は、分割した各要素内の内部構造について、初期の磁化ベクトルを例えばランダムに設定するS108。そして、制御部60は、設定した磁化ベクトルに基づいて各要素の平均磁化<→M>を算出するS110。なお、S106~S110の処理は、第2演算処理部50に行わせてもよい。このように処理状態の設定が終了すると、制御部60は、第1演算処理部40に有限要素法の磁場解析を行わせるS112。第1演算処理部40は、まず、S110又は後述するS120において算出された平均磁化<→M>を図8における式28に代入し、ベクトルポテンシャル→Ajn1を算出する。次に、第1演算処理部40は、ベクトルポテンシャル→Ajn1に基づき式29により磁束密度→Bn1を算出し、式30により磁界→Hn1を算出する。ここで、磁界→Hn1は、磁束密度→Bn1を真空透磁率μ0で除算して得られる成分→H1n1と、平均磁化<M>の符号を逆にした値を真空透磁率μ0で除算して得られる成分→H2n1に分解することができる。第1演算処理部40は、これらのうち磁束密度→Bn1を真空透磁率μ0で除算して得られる成分→H1n1を第2演算処理部50の有効磁界算出部51に出力する。第1演算処理部40による有限要素法の磁場解析は、分割された各要素を含む全空間について行われる。従って、磁場解析の結果には、ある要素における平均磁化<→M>に起因して他の要素に作用する磁界等が全て反映されることになる。この結果、LLG方程式の時間ステップ方程式による磁性体の特性解析が、一定以上の大きさを有する磁性体デバイスの特性解析まで拡張される。第1演算処理部40による有限要素法の磁場解析が完了すると、制御部60は、第2演算処理部50に以下の処理を実行させる。第2演算処理部50の有効磁界算出部51は、図8における式31により有効磁界を算出するS116。ここで、有効磁界算出部51は、式31における磁界の項→H1n1については、S112において第1演算処理部40により算出された値を固定値として用いるが、他の成分<→M>/μ0については、S120で更新した値を再帰的に反映させる。次に、第2演算処理部50の磁化ベクトル算出部52は、各要素の内部構造について、図8における式32に示すLLG方程式を設定し、LLG方程式を時間積分して磁化ベクトル→Miを算出するS118。そして、第2演算処理部50の平均磁化算出部53は、各要素について、図8における式33により、磁化ベクトル→Miの平均値である平均磁化<→M>を求めて平均磁化<→M>を更新し、LLG方程式の時間ステップkを1増加させるS120。次に、第2演算処理部50は、LLG方程式の時間ステップkがLLGループ回数Mに等しくなったか否かを判定するS122。LLGループ回数Mは、例えば数十~数百程度の値に設定される。LLG方程式の時間ステップkがLLGループ回数Mに等しくない場合、第2演算処理部50は、S116に戻り処理を実行するループA。LLG方程式の時間ステップkがLLGループ回数Mに等しくなると、第2演算処理部50の処理が一時的に終了し、制御部60が平均磁化<→M>の残差δ<M>を算出するS124。残差δ<M>は、S112~S120の処理において最終的に算出された平均磁化<→M>から、前回実行されたS112~S120の処理において最終的に算出された平均磁化<→M>を差し引いた値に基づく指標値である。残差δ<M>は、例えば分割された各要素について算出された平均磁化<→M>の平均値<<→M>>の差分である。また、残差δ<M>は、これに限らず、各要素についての平均磁化<→M>の差分の集合であっても構わない。残差δ<M>は、例えば式34又は式35により算出される。式35の方が高精度に残差δ<M>が算出されるが、処理負荷が大きいため、磁性体特性解析装置1は、解析に求められる精度に応じていずれか任意の式を採用してもよいし、ユーザ設定等によって切り換えてもよい。残差δ<M>を算出すると、制御部60は、残差δ<M>が収束判定閾値ε未満であるか否かを判定するS126。本ステップの判定は、残差δ<M>が平均磁化<→M>の平均値<<→M>>の差分である場合は、当該平均値<<→M>>の差分が収束判定閾値ε未満であるか否かを判定するものとなる。また、残差δ<M>が各要素についての平均磁化<→M>の差分の集合である場合は、例えば差分の全てが収束判定閾値ε未満であるかを判定するものとなる。残差δ<M>が収束判定閾値ε以上である場合、S112に戻り、第1演算処理部40が有限要素法の磁場解析を行うループB。残差δ<M>が収束判定閾値ε未満である場合、現在の外部磁界→Hexternalに関して平均磁化<→M>が十分に収束したと判断することができる。従って、磁性体特性解析装置1は、外部磁界→Hexternalと、平均磁化<→M>の規格化した値例えば各要素について平均した値を、解析結果の一部として出力するS128。係る解析結果は、例えばメモリ装置18に格納される。次に、制御部60は、磁場の方程式の時間ステップnが磁場の非定常計算ステップNに等しくなったか否かを判定するS130。磁場の方程式の時間ステップnが磁場の非定常計算ステップNに等しくない場合、制御部60は、An1=An、n=n1とし、時間ステップを進めるS132。この際に、制御部60は、予め定められた外部磁界の時間当たりの変動量等に基づき、外部磁界→Hexternalを一定量変更する。そして、S112に戻り、第1演算処理部40が有限要素法の磁場解析を行うループC。ループCに係る処理を繰り返し実行することによって、外部磁界→Hexternalと、当該外部磁界が与えられた際の平均磁化<→M>の収束値を規格化した値との組み合わせであるデータが複数個出力されることになる。係る複数個のデータが、本実施例の磁性体特性解析装置1の解析結果の一つとなる。図10は、本実施例の磁性体特性解析装置1の解析結果を表示装置24により表示した画面例である。図示するように、磁性体特性解析装置1の解析結果は、例えば外部磁界と平均磁化の関係を示すBHカーブを示す。磁場の方程式の時間ステップnが磁場の非定常計算ステップNに等しくなると、制御部60は、本フローチャートの処理を終了する。なお、S132における外部磁界→Hexternalの変更程度は、例えば磁場の方程式の時間ステップnが磁場の非定常計算ステップNに等しくなる時点で一巡するように、予め設定されている。本実施例の磁性体特性解析装置1は、上記説明したループA、Bの処理によって、平均磁化<→M>の収束を早め、処理速度を向上させることができる。第1演算処理部40がベクトルポテンシャルAjn1に基づき算出する磁界の成分H1n1は、磁化分布、励磁電流、渦電流等に起因する成分であり、平均磁化<→M>が変化する時間と比較すると、緩やかに変化する。ベクトルポテンシャルAjn1が変化する時間スケールは、例えばマイクロ秒オーダーであるのに対し、平均磁化<→M>が変化する時間スケールは、例えばナノ秒オーダーである。このため、平均磁化<→M>が変化する時間スケールは、ベクトルポテンシャルAjn1が変化する時間スケールの1/1000以下となり得る。この結果、磁界の成分H1n1は、磁界の成分H2n1に比して緩やかに時間変化し、磁界の成分H2n1の変化に対して静止しているものとして扱うことができる。これに対し、磁界の成分H2n1は、LLG方程式の時間発展に関するループAの中で平均磁化<→M>と共に変化する磁界であり、解析結果となり得るBHカーブの形に大きく影響する。更に、有限要素法による磁場解析では、分割された各要素に関する連立方程式を解く必要があるため、S112の磁場解析は、S118のLLG方程式の時間積分に比して、多くの処理時間を要するものである。従って、ループAにおいて、磁界の成分H1n1を固定しつつ、平均磁化<→M>に比例する磁界の成分H2n1を変化させることにより、ループBにおける平均磁化<→M>の収束を早めることができる。また、S112の処理を一回実行した後、ループAの処理を複数回実行することにより、例えばこれらを一回ずつ交互に実行する場合に比して、多くの処理時間を要する有限要素法による磁場解析の実行頻度を低下させ、高速且つ高精度に磁性体の特性を解析することができる。[参考手法との比較]ここで、有限要素法による磁場解析と、LLG方程式の時間積分とを一回ずつ交互に実行する手法以下、参考手法と称するとの比較について説明する。なお、本実施例の処理結果は、与えられた外部磁界→Hexternalに対して平均磁化<→M>が収束した際の平均磁化<→M>に関して、参考手法による処理結果と一致する筈である。図11は、参考手法において実行される処理を概念的に示す図である。また、図12は、参考手法を実行するための処理の流れを示すフローチャートである。参考手法では、図11に示すように、有限要素法による磁場解析の結果である磁界→Hn1は、成分→H1n1、→H2n1に分解されず、磁界→Hn1全体として有効磁界の算出に用いられる。LLG方程式の算出積分、及び平均磁化の算出に関しては、図8に示す本実施例の手法と同様である。また、図12に示す参考の処理の流れは、図9に示す本実施例の処理の流れと比較すると、S114、S122の処理が省略され、ループAが無くなっている。このため、前述した理由により、平均磁化<→M>が収束するまでのループBの実行回数が、本実施例の処理に比して多くなってしまう。本出願の出願人は、図8、9に示す本実施例の手法と、図11、12に示す参考手法の双方により磁性体の特性解析シミュレーションを行った。係るシミュレーションは、LLGループ回数Mを200として実行された。図13は、本実施例の手法による解析結果と、参考手法による解析結果を比較した図である。図示するように、本実施例の手法によれば、参考手法と同様の結果を得られることが確かめられた。更に、上記磁性体の特性解析シミュレーションにより、本実施例の手法を用いることにより、参考手法と比較して処理時間が短縮されることが確かめられた。図14、15は、係る結果を示す図である。図14は、本実施例の手法と参考手法におけるループBの実行回数を比較した図である。図示するように、本実施例の手法では、参考手法に比して平均磁化<→M>の収束が早まるため、ループBの実行回数は約1/40となった。なお、LLGループ回数Mを200に設定しているため、図9におけるS116~S120の実行回数は、本実施例の手法の方が5倍200/40増加している。図15は、本実施例の手法と参考手法の処理時間を比較した図である。図示するように本実施例の手法では、参考手法に比して処理時間が1/7程度に短縮された。この処理時間の短縮効果は、以下のような理由によると考えられる。有限要素法による磁場解析に要する処理時間を1とすると、図9のS116~S120の処理に要する処理時間は、0.02~0.025程度である。従って、参考手法によりループBを一回実行する時間を10.02=1.02とすると、本実施例の手法においてループBを一回実行する時間は10.02×200=5となる。更に、本実施例の手法はループBの実行回数が参考手法の約1/40であるため、本実施例の手法におけるループCの一回の実行時間は、5/40=0.125となる。これを参考手法におけるループCの一回の実行時間1.02で除算すると、0.125/1.02=0.122約1/8となる。ループCの実行回数は、外部磁界→Hexternalの変更幅等によって決定される任意事項であるため、ループCの一回の実行時間比を、処理時間比とみなすことができる。以上より、本実施例の手法によれば、参考手法と同様の解析結果が得られると共に、処理時間を短縮することができることが分かる。[解析結果例]また、本出願の出願人は、異なる形状を有する複数の磁性体モデルについて、本実施例の手法により特性解析シミュレーションを行った。図16は、解析対象となった複数の磁性体モデルタイプA、タイプB、タイプC、タイプD、タイプE、タイプFを示す図である。図示するように、解析対象となった複数の磁性体モデルは、それぞれ厚さが異なる直方体形状の磁性体モデルである。最も厚いタイプAの磁性体モデルは、形状によるBHカーブへの影響が最も大きく、最も薄いタイプBの磁性体モデルは、厚さ0を想定しているため、BHカーブへの影響が最も小さくなる。図17は、磁性体特性解析装置1に与えられた各磁性体モデルの寸法を示す図である。なお、本シミュレーションにおいて、外部磁界→Hexternalは、図16におけるX軸方向に与えられた。そして、図18は、異なる形状を有する複数の磁性体モデルについて、本実施例の手法により特性解析シミュレーションを行った結果を示す図である。図示するように、磁性体寸法が最も厚いタイプAのBHカーブの傾きが最も小さく、厚さが薄くなるに従って傾きが増加し、厚さ0を想定したタイプGの結果に近づくことが確かめられた。この結果、本実施例の手法により、LLG方程式を用いた磁性体モデルに対して、有限要素法による磁場解析によって得られる磁性体の形状効果を正しく考慮できていることが分かる。[まとめ]以上説明した本実施例の磁性体特性解析プログラム、磁性体特性解析装置、及び磁性体特性解析方法によれば、磁界の成分H1n1を固定しつつ、磁界の成分H2n1を変化させてLLG方程式の積分を複数回行うため、平均磁化<→M>の収束を早めることができる。また、S112の処理を一回実行した後、ループAの処理を複数回実行するため、上記参考手法に比して、多くの処理時間を要する有限要素法による磁場解析の実行頻度を低下させ、高速且つ高精度に磁性体の特性を解析することができる。以上、本発明を実施するための最良の形態について実施例を用いて説明したが、本発明はこうした実施例に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変形及び置換を加えることができる。例えば、上記実施例では、LLGループ回数Mを固定値としたが、ループBを繰り返し実行する回数LLG方程式の時間ステップkが増加するのに応じて、LLGループ回数Mが徐々に小さくなるように変更してもよい。平均磁化<→M>の収束が近づくと、平均磁化<→M>の変動幅が徐々に小さくなるからである。以上の説明に関し、さらに以下の項を開示する。付記1磁性体特性解析プログラムにおいて、磁性体特性解析装置に、解析対象が分割された各要素について与えられる平均磁化を用いて、有限要素法による磁場解析を行わせ、前記有限要素法による磁場解析により算出される磁界を固定値として前記各要素に作用する有効磁界を算出させ、前記算出した有効磁界を用いてLLGLandauLifshitzGilbert方程式を時間積分して前記各要素内で磁化ベクトルを算出させ、前記算出した磁化ベクトルを平均して前記各要素についての平均磁化を算出させることを特徴とする磁性体特性解析プログラム。付記2前記磁性体特性解析プログラムは、前記磁性体特性解析装置に、前記算出した磁化ベクトルを平均して前記各要素についての平均磁化の算出を、前記平均磁化に依存する磁界の変化を前記有効磁界に再帰的に反映させて複数回行わせることを特徴とする付記1記載の磁性体特性解析プログラム。付記3前記磁性体特性解析プログラムは、前記磁性体特性解析装置に、有限要素法による磁場解析を行う処理と、前記有効磁界を算出させ、前記磁化ベクトルを算出させ、前記各要素についての平均磁化を算出させる処理と、を交互に繰り返し実行させることを特徴とする付記1又は2記載の磁性体特性解析プログラム。付記4前記磁性体特性解析プログラムは更に、前記磁性体特性解析装置に、設定値である外部磁界を反映させて前記有効磁界を算出させ、前記複数回行う処理を実行させた後、該複数回行う処理において算出された平均磁化と、前回の前記複数回行う処理において算出された平均磁化との変化を示す指標値が所定値未満であるか否かを判定させ、該指標値が所定値未満である場合に前記外部磁界を変更させることを特徴とする、付記1ないし3のいずれか1項に記載の磁性体特性解析プログラム。付記5前記磁性体特性解析プログラムは更に、前記指標値が所定値未満となった際に前記複数回行う処理により算出された平均磁化に応じた値と、該指標値が所定値未満となった際に設定されている外部磁界と、の組み合わせを解析結果として前記磁性体特性解析装置に出力させることを特徴とする、付記4記載の磁性体特性解析プログラム。付記6前記磁性体特性解析プログラムは更に、前記磁性体特性解析装置に、前記複数回行う処理における実行回数を、前記外部磁界が不変である期間の経過に応じて徐々に減少させることを特徴とする、付記3記載の磁性体特性解析プログラム。付記7解析対象が分割された各要素について与えられる平均磁化を用いて、有限要素法による磁場解析を行う磁場解析部と、前記有限要素法による磁場解析により算出される磁界を固定値として前記各要素に作用する有効磁界を算出する有効磁界算出部と、前記算出した有効磁界を用いてLLGLandauLifshitzGilbert方程式を時間積分して前記各要素内で磁化ベクトルを算出する磁化ベクトル算出部と、前記算出した磁化ベクトルを平均して前記各要素についての平均磁化を算出する平均磁化算出部を有することを特徴とする磁性体特性解析装置。付記8前記平均磁化算出部は、前記平均磁化の算出を、前記平均磁化に依存する磁界の変化を前記有効磁界に再帰的に反映させて複数回行うことを特徴とする付記7記載の磁性体特性解析装置。付記9前記磁場解析部による処理と、前記有効磁界算出部による処理、前記磁化ベクトル算出部による処理、及び前記平均磁化算出部による処理と、を交互に繰り返し実行することを特徴とする付記7又は8記載の磁性体特性解析装置。付記10前記有効磁界算出部は、設定値である外部磁界を反映させて前記有効磁界を算出し、前記平均磁化算出部が平均磁化を算出した後、平均磁化の今回値と前回値との変化を示す指標値が所定値未満であるか否かを判定し、該指標値が所定値未満である場合に前記外部磁界を変更することを特徴とする、付記7ないし9のいずれか1項に記載の磁性体特性解析装置。付記11前記指標値が所定値未満となった際に前記平均磁化算出部により算出された平均磁化に応じた値と、該指標値が所定値未満となった際に設定されている外部磁界と、の組み合わせを解析結果として出力することを特徴とする、付記10記載の磁性体特性解析装置。付記12前記平均磁化算出部における実行回数を、前記外部磁界が不変である期間の経過に応じて徐々に減少させることを特徴とする、付記9記載の磁性体特性解析装置。付記13磁性体特性解析方法において、磁性体特性解析装置が、解析対象が分割された各要素について与えられる平均磁化を用いて、有限要素法による磁場解析を行い、前記有限要素法による磁場解析により算出される磁界を固定値として前記各要素に作用する有効磁界を算出し、前記算出した有効磁界を用いてLLGLandauLifshitzGilbert方程式を時間積分して前記各要素内で磁化ベクトルを算出し、前記算出した磁化ベクトルを平均して前記各要素についての平均磁化を算出することを特徴とする磁性体特性解析方法。付記14前記磁性体特性解析方法は、前記磁性体特性解析装置が、前記算出した磁化ベクトルを平均して前記各要素についての平均磁化の算出を、前記平均磁化に依存する磁界の変化を前記有効磁界に再帰的に反映させて複数回行うことを特徴とする付記13記載の磁性体特性解析方法。付記15前記磁性体特性解析方法は、前記磁性体特性解析装置が、有限要素法による磁場解析を行う処理と、前記有効磁界を算出し、前記磁化ベクトルを算出し、前記各要素についての平均磁化を算出する処理と、を交互に繰り返し実行することを特徴とする付記13又は14記載の磁性体特性解析方法。付記16前記磁性体特性解析方法は更に、前記磁性体特性解析装置が、設定値である外部磁界を反映させて前記有効磁界を算出し、前記複数回行う処理を実行させた後、該複数回行う処理において算出された平均磁化と、前回の前記複数回行う処理において算出された平均磁化との変化を示す指標値が所定値未満であるか否かを判定させ、該指標値が所定値未満である場合に前記外部磁界を変更させることを特徴とする、付記13ないし15のいずれか1項に記載の磁性体特性解析方法。付記17前記磁性体特性解析方法は更に、前記指標値が所定値未満となった際に前記複数回行う処理により算出された平均磁化に応じた値と、該指標値が所定値未満となった際に設定されている外部磁界と、の組み合わせを解析結果として前記磁性体特性解析装置が出力することを特徴とする、付記16記載の磁性体特性解析方法。付記18前記磁性体特性解析方法は更に、前記磁性体特性解析装置が、前記複数回行う処理における実行回数を、前記外部磁界が不変である期間の経過に応じて徐々に減少させることを特徴とする、付記15記載の磁性体特性解析方法。付記19磁性体特性解析プログラムにおいて、磁性体特性解析装置に、解析対象が分割された各要素について与えられる平均磁化を用いて、有限要素法による磁場解析を行う処理と、前記各要素について、前記有限要素法による磁場解析において算出される磁界を用いて得られるLLG方程式を時間積分して前記平均磁化を算出する処理を行う処理とを、前記平均磁化を算出する処理を前記有限要素法による磁場解析を行う処理よりも多く実行させることを特徴とする磁性体特性解析プログラム。