Cu-In-Ga-Se合金を作製するためのCu-In-Ga合金粉末の製造方法であって、Cu-In-Ga合金溶湯を作製し、前記Cu-In-Ga合金溶湯をストリップキャスト法により凝固させてCu-In-Ga合金薄帯を作製し、前記Cu-In-Ga合金薄帯を粉砕するCu-In-Ga合金粉末の製造方法。Cu-In-Ga合金溶湯を作製し、前記Cu-In-Ga合金溶湯をストリップキャスト法により凝固させてCu-In-Ga合金薄体を作製し、前記Cu-In-Ga合金薄帯を粉砕してCu-In-Ga合金粉末を作製し、前記Cu-In-Ga合金粉末とSe粉末とを混合してCu-In-Ga合金及びSe混合粉末を作製し、前記Cu-In-Ga合金及びSe混合粉末を焼成するCu-In-Ga-Se合金粉末の製造方法。Cu-In-Ga合金溶湯を作製し、前記Cu-In-Ga合金溶湯をストリップキャスト法により凝固させてCu-In-Ga合金薄体を作製し、前記Cu-In-Ga合金薄帯を粉砕してCu-In-Ga合金粉末を作製し、前記Cu-In-Ga合金粉末とSe粉末とを混合してCu-In-Ga合金及びSe混合粉末を作製し、前記Cu-In-Ga合金及びSe混合粉末を焼成してCu-In-Ga-Se合金粉末を作製し、前記Cu-In-Ga-Se合金粉末を焼結するCu-In-Ga-Se合金焼結体の製造方法。請求項3に記載のCu-In-Ga-Se合金焼結体の製造方法であって、前記Cu-In-Ga-Se合金粉末を焼結して作製された前記Cu-In-Ga-Se合金焼結体をターゲット形状に加工する工程をさらに有するCu-In-Ga-Se合金焼結体の製造方法。Cu-In-Ga-Se合金を作製するためのCu-In-Ga合金粉末であって、Inを主成分とする第1の領域と、Cu-Ga合金を主成分とし、前記第1の領域中に分散した粒径1μm以下の粒状である第2の領域とを具備するCu-In-Ga合金粉末。Inを主成分とする第1の領域と、Cu-Ga合金を主成分とし前記第1の領域中に分散した粒径1μm以下の粒状である第2の領域とを有するCu-In-Ga合金粉末と、前記Cu-In-Ga合金粉末と混合されたSe粉末とが焼成されて形成されたCu-In-Ga-Se合金粉末。Cu-In-Ga-Se合金を作製するためのCu-In-Ga合金粉末の製造方法であって、Cu-In-Ga合金溶湯を作製し、前記Cu-In-Ga合金溶湯を凝固させて、Inを主成分とする第1の領域とCu-Ga合金を主成分とし前記第1の領域中に分散した粒径1μm以下の粒状である第2の領域とを有するCu-In-Ga合金薄帯を作製し、前記Cu-In-Ga合金薄帯を粉砕するCu-In-Ga合金粉末の製造方法。Cu-In-Ga合金溶湯を作製し、前記Cu-In-Ga合金溶湯を凝固させて、Inを主成分とする第1の領域とCu-Ga合金を主成分とし前記第1の領域中に分散した粒径1μm以下の粒状である第2の領域とを有するCu-In-Ga合金薄体を作製し、前記Cu-In-Ga合金薄帯を粉砕してCu-In-Ga合金粉末を作製し、前記Cu-In-Ga合金粉末とSe粉末とを混合してCu-In-Ga合金及びSe混合粉末を作製し、前記Cu-In-Ga合金及びSe混合粉末を焼成するCu-In-Ga-Se合金粉末の製造方法。しかしながら、特許文献1に記載の方法では、多層膜の積層やSe雰囲気処理を行うためにCIGS層の製造コストを削減することは困難である。ここで、CIGSからなるスパッタリングターゲットであるCIGSターゲットを用いてスパッタリング法によりCIGS層を形成することができれば、多層膜の積層やSe雰囲気処理の必要はなく、製造コストを低減させることが可能である。ところがCIGSターゲットの作製は困難であるとされてきた。その理由は、各元素の単金属を溶解、混合してCIGSを作製する際にInとSeが爆発的な発熱反応を示すためである。そこで本発明者らは、この点を考慮してCIGSターゲットとして用いることが可能な、CIGS焼結体を安全に製造する方法を検討した。以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、安全に製造することが可能なCu-In-Ga-Se合金焼結体、その材料及びそれらの製造方法を提供することにある。上記目的を達成するため、本発明の一実施形態に係るCu-In-Ga-Se合金を作製するためのCu-In-Ga合金粉末の製造方法は、Cu-In-Ga合金溶湯を作製する。Cu-In-Ga合金薄帯は、上記Cu-In-Ga合金溶湯をストリップキャスト法により凝固させて作製される。上記Cu-In-Ga合金薄帯は粉砕される。この製造方法によれば、Inを主成分とする第1の領域と、Cu-Ga合金を主成分とし上記第1の領域中に分散した粒径1μm以下の粒状である第2の領域とを有するCu-In-Ga合金粉末を製造することが可能である。このCu-In-Ga合金粉末をSe粉末と混合して溶融させると、Cu、In、Ga及びSeの各元素が合金化する。ここで、このCu-In-Ga合金粉末は、第1の領域と第2の領域とを有しているため、合金化の際に第1の領域で発生するSeとInの発熱反応が、第2の領域で発生するSeとCuの吸熱反応により減殺され、系全体の発熱が抑制される。これにより、爆発的反応による溶湯の飛散が防止され、安全にCu-In-Ga-Sn合金粉末を作製することが可能となる。上記目的を達成するため、本発明の一実施形態に係るCu-In-Ga-Se合金粉末の製造方法は、Cu-In-Ga合金溶湯を作製する。Cu-In-Ga合金薄帯は、上記Cu-In-Ga合金溶湯をストリップキャスト法により凝固させて作製される。Cu-In-Ga合金粉末は、上記Cu-In-Ga合金薄帯を粉砕して作製される。Cu-In-Ga合金及びSe混合粉末は、上記Cu-In-Ga合金粉末とSe粉末とが混合されて作製される。上記Cu-In-Ga合金及びSe混合粉末は焼成される。この製造方法によれば、Cu-In-Ga合金及びSe混合粉末の焼成の際に、溶融したSeとInの発熱反応に起因する爆発的反応による溶湯の飛散が防止され、Cu-In-Ga-Se合金粉末を製造することが可能である。上記目的を達成するため、本発明の一実施形態に係るCu-In-Ga-Se合金焼結体の製造方法は、Cu-In-Ga合金溶湯を作製する。Cu-In-Ga合金薄帯は、上記Cu-In-Ga合金溶湯をストリップキャスト法により凝固させて作製される。Cu-In-Ga合金粉末は、上記Cu-In-Ga合金薄帯を粉砕して作製される。Cu-In-Ga合金及びSe混合粉末は、上記Cu-In-Ga合金粉末とSe粉末とが混合されて作製される。Cu-In-Ga-Se合金粉末は、上記Cu-In-Ga合金及びSe混合粉末が焼成されて作製される。上記Cu-In-Ga-Se合金粉末は、焼結される。この製造方法によれば、Cu-In-Ga合金及びSe混合粉末の焼成の際に、溶融したSeとInの発熱反応に起因する爆発的反応による溶湯の飛散が防止され、Cu-In-Ga-Se合金粉末が作製される。Cu-In-Ga-Se合金粉末を焼結する際には、既にSeとInの合金化は完了、もしくはほぼ完了しているため、SeとInの発熱反応に起因する爆発的反応は発生せず、Cu-In-Ga-Se合金焼結体を製造することが可能である。上記Cu-In-Ga-Se合金焼結体の製造方法は、上記Cu-In-Ga-Se合金粉末を焼結して作製された上記Cu-In-Ga-Se合金焼結体をターゲット形状に加工する工程をさらに有してもよい。この製造方法によれば、上記Cu-In-Ga-Se合金焼結体をCu-In-Ga-Se合金からなるスパッタリングターゲットとすることが可能である。上記目的を達成するため、本発明の一実施形態に係るCu-In-Ga-Se合金を作製するためのCu-In-Ga合金粉末は、第1の領域と、第2の領域とを具備する。上記第1の領域は、Inを主成分とする。上記第2の領域は、Cu-Ga合金を主成分とし、上記第1の領域中に分散した粒径1μm以下の粒状である。このCu-In-Ga合金粉末をSe粉末と混合して溶融させると、Cu、In、Ga及びSeの各元素が合金化する。ここで、このCu-In-Ga合金粉末は、Inを主成分とする第1の領域と、第1の領域中に分散したCu-Ga合金を主成分とする第2の領域を有している。このため、合金化の際に第1の領域で発生するSeとInの発熱反応が、第2の領域で発生するSeとCuの吸熱反応により減殺され、系全体の発熱が抑制される。これにより、爆発的反応による溶湯の飛散が防止され、安全にCu-In-Ga-Sn合金を作製することが可能となる。上記目的を達成するため、本発明の一実施形態に係るCu-In-Ga-Se合金粉末は、Inを主成分とする第1の領域と、Cu-Ga合金を主成分とし上記第1の領域中に分散した粒径1μm以下の粒状である第2の領域とを有するCu-In-Ga合金粉末と、上記Cu-In-Ga合金粉末と混合されたSe粉末とが焼成されて形成される。このCu-In-Ga-Se合金粉末は含有するSeとInの合金化が完了、もしくはほぼ完了しているため、焼結されることによりSeとInの発熱反応に起因する爆発的反応を発生することなくCu-In-Ga-Se合金焼結体となることが可能である。本発明の実施形態に係る、Cu-In-Ga-Se合金ターゲットの製造方法について説明する。図1は、Cu-In-Ga-Se合金ターゲットの製造方法を示すフローチャートである。同図に示す各ステップについて、順に説明する。Cu-In-Ga混合粉末の製造方法Cu銅インゴット、Inインジウムインゴット及びGaガリウムインゴットを準備する。各インゴットは、後述するCu-In-Ga合金の物質量比となる量とする。例えばCu:In:Ga=1:0.8:0.2とすることができる。上記各インゴットを溶解させ、混合するSt101。インゴットの溶解はトリアーク炉によってすることができる。また、各インゴットを溶解させることが可能な他の加熱手段を用いてもよい。溶解した各インゴットの混合は、Cu、In及びGaの混合による発熱反応は問題にならないため、通常の混合手段によってすることができる。これにより、Cu-In-Ga合金溶湯が形成される。図2aは、上記各インゴットの溶解及び混合によって形成されたCu-In-Ga合金インゴットの写真である。図2bは、図2aに示したCu-In-Ga合金インゴットの切断面の写真である。なお、これらの図に示すCu-In-Ga合金インゴットは説明のためであり、本実施形態ではCu-In-Ga合金溶湯の状態で、次のSt102に進む。次に、St101において形成されたCu-In-Ga合金溶湯をストリップキャストStripCast法によって凝固させるSt102。ストリップキャスト法とは金属溶湯の急冷鋳造法のひとつであり、以下で概要を説明する。図3は、ストリップキャスト法の態様を示す模式図である。図3に示すように、坩堝1から金属溶湯Yをロール2に近接するタンディッシュ3へ供給する。タンディッシュ3の底部にはスリット状のノズルが形成されており、このノズルから溶湯Yがロール2の周面へ供給される。ロール2は所定の速度で回転しており、供給された金属溶湯Yはロール2の表面で冷却されて凝固し、金属薄帯Hが形成される。なお、ロール2は、銅等の熱伝導性の高い金属材料で形成され、内部が冷却水等によって冷却されてもよい。ストリップキャスト法では、ロール2の回転速度、タンディッシュ3とロール2との間隔、タンディッシュ3のノズルの大きさ等によって金属薄帯Hの厚さを制御することができる。本実施形態では、このストリップキャスト法を用いて、Cu-In-Ga合金溶湯を凝固させ、Cu-In-Ga合金薄帯を作製する。ロールの回転速度は1m/secとすることができる。なお、ロールの回転速度を0.5m/secとすると形成されたCu-In-Ga合金薄帯の厚さが厚く、手で割れない程度の強度となるため、1m/sec程度の回転速度が好適である。図4に、ロールの回転速度を1m/secとして形成されたCu-In-Ga合金薄帯の写真を示す。ストリップキャスト法を用いることにより、後述する、In中に粒状のCu-Ga合金が分散した構造を有するCu-In-Ga合金を作製することが可能となる。このようにして、Cu、In及びGaの各インゴットから、Cu-In-Ga合金が形成される。このCu-In-Ga合金の構造について説明する。図5は、図4に示したCu-In-Ga合金薄帯の破断面をSEMScanningElectronMicroscope:走査型電子顕微鏡より撮像したSEM像である。図5aの拡大倍率は5000倍であり、図5bの拡大倍率は20000倍である。なお、図5において網状に表れた模様は、サンプルの切断面に生じた母相Inの脆性破断線である。これらの図に示すように、本実施形態の方法により形成されるCu-In-Ga合金は領域R1及びR2として示す2つの領域を含み、塊状の領域R1に、粒状の領域R2が分散している。塊状の領域を第1の領域R1とし、粒状の領域を第2の領域R2とする。第1の領域R1の主成分はInであり、第2の領域R2の主成分はCu-Ga合金である。図6は第1の領域R1及び第2の領域R2のEDXEnergyDispersiveXrayspectroscopy:エネルギー分散型X線分定性分析の結果を示すグラフである。グラフの横軸は入射電子線の照射エネルギーkeVであり、縦軸はX線のカウント数cps:countpersecondである。また、グラフに各元素の特性X線の文献値を示す。同図に示すように、第1の領域R1はInが主成分であり、第2の領域R2はCu-Ga合金が主成分であるといえる。即ち、このCu-In-Ga合金は、Inを主成分とする第1の領域R1中に、Cu-Ga合金を主成分とする粒状の第2の領域R2が分散している構造となっている。図7は、本実施形態の方法により形成されるCu-In-Ga合金のXRDXRayDiffractometer:X線回折法の結果を示すグラフである。グラフの横軸はX線の入射角度°、縦軸は回折強度である。また、グラフに純Cu及び純Inの文献値を示す。同図に示すように、このグラフから純Inに同定されるピークが確認され、純Cuに同定されるピークが確認されない。したがって、このCu-In-Ga合金は純Inと、合金化したCuを含むものといえ、上記EDX分析の結果と一致する。図1に戻り、以上のような構造を有するCu-In-Ga合金薄帯を粉砕するSt103。Cu-In-Ga合金薄帯は、上記ストリップキャスト法により手で割ることが可能な程度の強度に形成されているため、任意の手段により粉砕することが可能である。粉砕後、粉粒の粒径が140μm以下となるように分級する。これにより、Cu-In-Ga合金粉末が作製される。Cu-In-Ga合金粉末の製造方法次に、Cu-In-Ga合金粉末をSeセレン粉末と混合するSt104。Se粉末は、後述するCu-In-Ga-Se合金の物質量比となる量とする。例えば、Cu:In:Ga:Se=1:0.8:0.2:2となる量とすることができる。この混合により、Cu-In-Ga合金及びSe混合粉末が作製される。続いて、Cu-In-Ga合金及びSe混合粉末を焼成するSt105。焼成は各元素が空気中の酸素と反応しないように、Ar等の不活性ガス雰囲気下で行う。後述するが、焼成温度は500°C以上、特に620°Cが好適である。焼成時間は焼成が十分に進行する時間、例えば12時間とすることができる。焼成によって、Cu-In-Ga合金及びSe混合粉末が合金化され、Cu-In-Ga-Se合金粉末が形成される。合金化の過程において、Cu-In-Ga合金及びSe混合粉末中のIn及びSeが融点In:156°C、Se:217°Cを越えるが、InとSeの爆発的反応は発生しない。図8は、Cu-In-Ga合金及びSe混合粉末を500°Cで12時間焼成して形成したCu-In-Ga-Se合金粉末の写真である。同図に示すように、焼成中にSeが発熱反応により飛散した形跡はみられない。これは、図5に示したように、Inを主成分とする第1の領域R1中に、Cu-Ga合金を主成分とする粒状の第2の領域R2が分散しているためである。すなわち、第2の領域R2に含まれるCuとSeの合金化反応は吸熱反応を呈し、当該反応がInとSeの発熱反応で生じる熱が減殺されるためであると考えられる。本実施形態によって作製されたCu-In-Ga合金は第2の領域R2が第1の領域R1中に分散しているために特にこの熱の減殺が促進され、系全体の発熱が抑制される。図9は、Cu-In-Ga合金及びSe混合粉末のTGThermogravimetric/DTADifferentialThermalAnalysis熱重量示差熱分析の結果を示すグラフである。また、図10は、比較として示すIn及びSe混合粉末のTG/DTAの結果を示すグラフである。両図においてグラフの横軸はサンプル温度°Cであり、縦軸はTGについてサンプルの重量変化右目盛り、DTAについてリファレンスとサンプルの温度差熱電対の起電力μV左目盛りである。図10に示すIn及びSe混合粉末のDTAの結果では、220°C付近でInとSeの合金化に伴なう発熱反応が発生していることがわかる。これに対し、図9に示す本実施形態に係るCu-In-Ga合金及びSe混合粉末のDTAの結果では、明確な発熱は確認されない。即ち、InとSeの合金化に伴なう発熱が減殺されていることがわかる。また、図10に示すTGの結果から、400°C付近で重量変化が生じており、この温度付近でCu-In-Ga-Se合金CIGS相が生成されているとみられる。作製されたCu-In-Ga-Se合金が実際に合金化されているかをXRDを用いて確認した。図11は、焼成前のCu-In-Ga合金及びSe混合粉末以下、焼成前サンプルと焼成後のCu-In-Ga-Se合金粉末以下、焼成後サンプルのXRDの結果を示すグラフである。グラフには、Cu-In-Ga-Se合金CuIn0.8Ga0.2Se2、Se及びInの文献値を示す。なお、焼成条件は温度620°C、12時間である。同図に示すように、焼成前サンプルでは、Se及びInに同定されるピークがみられる一方、当然にCu-In-Ga-Se合金に同定されるピークはみられない。これに対し焼成後のサンプルでは、Se及びInに同定されるピークが消失し、Cu-In-Ga-Se合金に同定されるピークが出現している。即ち、焼成によりCu-In-Ga-Se合金CIGS相が生成していることが確認された。次に、焼成温度について検討する。図12は、それぞれ焼成温度500°Cと620°Cで12時間焼成した焼成後サンプルのXRDの結果である。グラフには、Cu-In-Ga-Se合金CuIn0.8Ga0.2Se2の文献値を示す。同図に示すように、焼成温度を500°Cとした焼成後サンプルに比べ、620°Cとした焼成後サンプルの方が先鋭なピークである。即ち、焼成温度を620°Cとした方がCIGS相がより単相化していることがわかる。図13aは焼成前サンプル、図13bは500°Cで12時間焼成した焼成後サンプル、図13cは620°Cで12時間焼成した焼成後サンプルのSEM像拡大倍率3000倍である。図13aに示すSEM像は、粒径100μm程度のCu-In-Ga合金の粉粒に、より微細な粒径1μm程度のSeの粉粒が付着している状態である。図13bに示す500°Cで焼成した焼成後サンプルのSEM像では、Cu-In-Ga-Se合金が多少溶融し、Seの粉粒がCu-In-Ga-Se合金の内部に取り込まれている状態である。図13cに示す620°Cで焼成した焼成後サンプルのSEM像では、Cu-In-Ga-Se合金がより溶融し、Seの粉粒がCu-In-Ga-Se合金のさらに内部に取り込まれている状態である。以上のように、焼成温度を620°CとすることによりCIGS相が十分に単層化させることが可能である。Cu-In-Ga-Se合金焼結体の製造方法図1に戻り、焼成により作製されたCu-In-Ga-Se合金粉末を焼結してCu-In-Ga-Se合金焼結体を作製するSt106。焼結は、放電プラズマ焼結法等の方法によって行うことができる。焼結の際には、既にCu-In-Ga-Se合金粉末に含まれていたSeとInの合金化は完了、もしくはほぼ完了しているため、SeとInの発熱反応に起因する爆発的反応は発生せず、Cu-In-Ga-Se合金焼結体を製造することが可能である。次に、Cu-In-Ga-Se合金焼結体を加工して、Cu-In-Ga-Se合金ターゲットを作製するSt107。この加工は、切削、研削等の任意の手法によって行うことができる。以上のようにして、Cu、In、Ga及びSeの単金属を原料として、Cu-In-Ga-Se合金ターゲットを作製することが可能である。以上のように本実施形態の製造方法では、Inを主成分とする第1の領域R1と、Cu-Ga合金を主成分とし第1の領域中R1に分散した粒径1μm以下の粒状である第2の領域R2とを有するCu-In-Ga合金粉末を製造する。Cu-In-Ga合金粉末をSe粉末と混合して合金化する際に、第1の領域R1で発生するSeとInの発熱反応が、第2の領域R2で発生するSeとCuの吸熱反応により減殺され、系全体の発熱が抑制される。これにより、爆発的反応による溶湯の飛散が防止され、安全にCu-In-Ga-Sn合金焼結体を作製することが可能となる。本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において変更され得る。上記実施形態では、Cu、In、Ga及びSeを合金化するものとしたが、他の元素をさらに追加してもよい。この場合であっても、SeとInの発熱反応がCuとInの吸熱反応によって減殺され、爆発的反応を抑制することが可能である。上記実施形態では、Cu-In-Ga-Sn合金焼結体の例として、Cu-In-Ga-Sn合金ターゲットを示した。しかし、Cu-In-Ga-Sn合金焼結体はスパッタリングターゲットには限られず、他の用途に用いることも可能である。