基板上に物理蒸着法を用いて酸化物超電導薄膜を形成することを繰り返して所定の厚みの成膜を行う薄膜成膜工程と、成膜された酸化物超電導薄膜の表面を平滑化する平滑化工程とを繰り返して厚膜の酸化物超電導膜を形成することを特徴とする酸化物超電導膜の製造方法。前記物理蒸着法が、パルスレーザ蒸着法であることを特徴とする請求項1に記載の酸化物超電導膜の製造方法。前記平滑化工程が、研磨による平滑化工程であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の酸化物超電導膜の製造方法。しかしながら、従来のPVD法を用いて、薄膜の積層を行った場合、膜厚の増加に比例してIcが増加せず、ある膜厚でIcが飽和し、それ以上の膜厚ではIcが伸びないという問題があった。そこで、本発明は、PVD法を用いて、膜厚の増加に比例してIcが増加し、所望する高いIcの酸化物超電導膜を得ることができる酸化物超電導膜の製造方法を提供することを課題とする。本発明者は、従来のPVD法による酸化物超電導膜の作製において、膜厚の増加に対してIcが飽和する原因につき、種々の実験、検討を行った。その結果、PVD法による酸化物超電導膜の成膜の場合、膜厚が増加するにつれて、成膜された酸化物超電導膜の表面状態が荒くなり、即ち、表面粗度が大きくなって、膜表面における結晶性が低下していることが分かった。そして、表面粗度の増加は、表面積の増加や放射率の増加を招き、この結果、膜表面の温度が低下して、結晶のc軸配向性が低下していることが分かった。そこで、本発明者は、成膜過程の途中で膜表面を平滑化した場合、結晶性が低下した表面部が除去されると共に、また結晶のc軸配向性の低下が抑制できると考え、実験を行った結果、Icの飽和が抑制され、厚膜化時に高いIcの酸化物超電導膜が得られることが確認でき、本発明を完成するに至った。これを、図2に基づき詳しく説明する。図2は、本発明における膜厚とIcとの間の関係を示す図である。なお、図2において、横軸は膜厚μmであり、縦軸はIcである。従来の方法のまま、平滑化工程を設けることなく酸化物超電導薄膜の成膜を行った場合、イの点に達するまでは膜厚の増加と比例してIcが増加するものの、その後は、ロ、ハの点に示されるように、膜厚の増加に対してIcの伸びが低下していた。そこで、Icがロに達した時点で成膜を停止し、成膜表面を削り取って膜厚がイの点の膜厚となるように調整し、成膜表面を平滑化する。即ち、成膜表面の状態を、表面の結晶性の低下や結晶のc軸配向性の低下が開始する直前の状態まで戻す。その後、成膜を再開すると、イの膜厚の酸化物超電導薄膜の上で、膜厚の増加と比例してIcが増加する成膜が開始される。しかし、前記と同様に、膜厚がニの点に達した後は、膜厚の増加に対して、ホ、ヘの点に示されるように、Icの伸びが低下する。そこで、前記と同様に、成膜を停止し、ニの点の膜厚まで平滑化処理を行った後、成膜を再開する。その結果、ニの膜厚の酸化物超電導薄膜の上で、膜厚の増加と比例してIcが増加する成膜が開始され、トの点まで膜厚の増加と比例してIcが増加する成膜が行われる。このように、成膜工程と平滑化工程とを繰り返すことにより、膜厚の増加に比例してIcが増加した厚膜の酸化物超電導薄膜を作製することができる。本発明は、上記の知見に基づくものであり、請求項1に記載の発明は、基板上に物理蒸着法を用いて酸化物超電導薄膜を形成することを繰り返して所定の厚みの成膜を行う薄膜成膜工程と、成膜された酸化物超電導薄膜の表面を平滑化する平滑化工程とを繰り返して厚膜の酸化物超電導膜を形成することを特徴とする酸化物超電導膜の製造方法である。基板としては、金属基板が好ましく、具体的には、IBAD基板、Ni-W合金基板、SUS等をベース金属としたクラッドタイプの配向金属基板等を挙げることができる。そして、金属基板上には中間層が形成されていることが好ましい。中間層としては、金属基板側から順に、種層シード層、拡散防止層バリア層、格子整合層キャップ層の多層構造で形成されている中間層が好ましい。請求項2に記載の発明は、前記物理蒸着法が、パルスレーザ蒸着法であることを特徴とする請求項1に記載の酸化物超電導膜の製造方法である。本発明において、物理蒸着法としては、前記したPLD法、スパッタリング法、イオンプレーテイング法等のいずれの方法を用いてもよいが、これらの内でも、PLD法は、特にターゲットと同じ組成比の薄膜を容易に作製できるため好ましい。請求項3に記載の発明は、前記平滑化工程が、研磨による平滑化工程であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の酸化物超電導膜の製造方法である。平滑手段として、研磨は、極めて簡便な手段であるため、好ましい。具体的な研磨方法としては、機械的な研磨作用と研磨剤の化学的作用とを用いるメカノケミカル研磨が好ましく、研磨剤としては、例えば、酸化物超電導膜と化学的に反応する恐れがないSiO2粉末などの懸濁液を挙げることができる。本発明によれば、PVD法を用いて、膜厚の増加に比例してIcが増加し、所望する高いIcの酸化物超電導膜を得ることができる酸化物超電導膜の製造方法を提供することができる。以下、本発明を実施の形態に基づいて説明する。本実施の形態においては、PLD法を用いて酸化物超電導膜を作製している。1.成膜装置PLD装置図1は、本発明に係る酸化物超電導膜の製造方法に使用する成膜装置PLD装置の概略構成を示す図であり、aは平面図、bは側面図である。図1において、1は成膜装置、2はチャンバ、3は台に保持されたターゲット、4はエキシマレーザ、7はヒーターである。そして、チャンバ2には、図示しない減圧手段が接続されており、チャンバ2内を所定の圧力に保持することができる。また、成膜装置1の両側には、リールに巻かれたテープ状の配向金属基板Sをチャンバ2に送出す送出し機8と、チャンバ2内で表面に酸化物超電導膜が成膜された配向金属基板Sをリールに巻取る巻取り機9が備えられており、これらは外気から独立した雰囲気に保たれている。2.酸化物超電導薄膜の形成次に、上記の成膜装置を用いた酸化物超電導薄膜の形成につき、説明する。まず、リールに巻かれたテープ状の配向金属基板Sが送出し機8からチャンバ2に向けて送出される。チャンバ2内では、エキシマレーザ4がパルスレーザ光を発生し、このパルスレーザ光がターゲット3に照射されることにより、ターゲット3の酸化物超電導膜材料からプルームPが発生する。そして、このプルームPが、送込まれた配向金属基板Sの表面に堆積、成長して酸化物超電導薄膜が形成される。酸化物超電導薄膜が形成された配向金属基板Sは、その後、巻取り機9により巻取られる。以上の過程を繰り返すことにより、配向金属基板S上に厚膜の酸化物超電導薄膜が形成される。前記した通り、酸化物超電導薄膜のIcは、一定の膜厚を超えると膜厚に比例した伸びを得ることができない。このため、酸化物超電導薄膜の形成が繰り返されて所定の厚みとなった時点で、表面を研磨して、酸化物超電導薄膜の厚みを調整する。なお、この所定の厚みや研磨後の厚みについては、別途、予め実験により設定しておく。酸化物超電導薄膜の厚みが調整された後、再び、所定の厚みの酸化物超電導薄膜が積層されるまで、上記の成膜を行う。以下、これを繰り返すことにより、所望するIcの酸化物超電導薄膜を形成することができる。以下に実施例を用いて、本発明を具体的に説明する。実施例1.配向金属基板の作製最初に、SUS基板上に、配向Ni層を形成させた総厚120μmのクラッド材の上に、スパッタ法を用いて、CeO2厚み140nm/YSZ厚み300nm/CeO2厚み70nmの順で、3層からなる中間層を形成し、配向金属基板幅30mm×長さ10mとした。2.酸化物超電導薄膜の形成1第1成膜工程前記の配向金属基板の上に、以下の成膜条件で4回の成膜を行い、総厚1.4μmのGdBCO超電導薄膜を形成した。成膜法:PLD法レーザー種類:エキシマレーザ周波数:300Hz出力:300Wエネルギー:1Jターゲット:GdBCOヒーター直下温度:1010°Cチャンバ内雰囲気:O216Pa線速:24m/hなお、成膜4回終了後、成膜表面に数百nm程度の粒子が多く観察された。2第1研磨工程以下の研磨条件で、成膜表面を0.2μm研磨した。研磨機:株日本ミクロコーテイング社製回転数:290rpm研磨剤:クリアライト粒径70nmと15nmの2種類のSiO2粉末の懸濁液線速:5.3m/h3第2成膜工程研磨後のGdBCO超電導薄膜の上に、ヒーター直下温度を1060°C温度低下を補うために第1成膜工程よりも高温に設定としたこと以外は、第1成膜工程と同様にして、2回の成膜を行い、0.7μmのGdBCO超電導薄膜を積層し、最終的に配向金属基板上に総厚1.9μmのGdBCO超電導膜が形成された超電導線材を得た。比較例途中に研磨工程を設けることなく、第1成膜工程と同様にして、6回の成膜を行い、配向金属基板上に総厚2.1μmのGdBCO超電導薄膜が形成された超電導線材を得た。3.研磨前と研磨後の酸化物超電導膜の観察第1研磨工程の前後における酸化物超電導膜の表面状態をSEMにより観察した。結果をそれぞれ図3と図4に示す。図3、4より、研磨により酸化物超電導膜の表面が平滑化されていることが確認された。4.Icの測定実施例および比較例で得られた各酸化物超電導膜を、77K、自己磁場下において、Icを測定したところ、実施例の場合には420A/cmであり、比較例の370A/cmに比べて、明らかにIcが伸びていることが確認された。以上のように、本発明によれば、膜厚の増加に比例してIcが増加し、所望する高いIcの酸化物超電導膜を得ることができる。以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではない。本発明と同一および均等の範囲内において、上記の実施の形態に対して種々の変更を加えることが可能である。