"光入射面を有し、前記光入射面から入射した光を集光するレンズアレイと、前記レンズアレイにより集光した光を受光し、電気を発生する発電素子と、前記発電素子に対して前記レンズアレイと対向する側に配置したグラファイトシートとを有する集光型太陽電池であって、前記発電素子は、光が入射する第一面と、前記第一面に対向する第二面とを有する半導体層と、前記第一面上に形成された第3電極と、前記第二面上に形成された第4電極と、前記第3電極と電気的に接合されるとともに、前記半導体層の厚みよりも大きい厚みを有し、かつ前記半導体層の外周側に端部が突出する第2電極と、ここで、第2電極は第3端部と第2中間部と第4端部の3領域で構成されている、前記第4電極と電気的に接合されるとともに、前記半導体層の厚みよりも大きい厚みを有し、かつ前記半導体層の外周側に端部が突出する第1電極と、ここで、第1電極は第1端部と第1中間部と第2端部の3領域で構成されている、前記半導体層の外周側に突出した第1電極の第2端部領域と前記レンズアレイ上に形成された第1配線、第1電極パッド、および、前記半導体層の外周側に突出した第2電極の第4端部領域と前記レンズアレイ上に形成された第2配線、第2電極パッドが、それぞれ、第1はんだバンプ、第2はんだバンプにより電気的に接合されており、ここで、前記第1配線、ならびに、前記第1電極パッドと、前記第2配線、ならびに、前記第2電極パッドは前記レンズアレイ上で電気的に絶縁されている、前記レンズアレイ並びに前記発電素子と前記グラファイトシートの間には機械的に接着する異方性導電膜を備え、前記半導体層の第2面上に位置する第1電極の第1端部と第1中間部、ならびに、第2電極の第3端部と第2中間部における前記発電素子と前記グラファイトシートの間隔は、前記第1電極の第2端部、前記第1はんだバンプ、前記第1電極パッド、前記第1配線と前記グラファイトシートの間隔、並びに、前記第2電極の第4端部、前記第2はんだバンプ、前記第2電極パッド、前記第2配線と前記グラファイトシートの間隔よりも小さいことを特徴とする集光型太陽電池。太陽光が入射する第1面と前記第1面に対向する第2面とを有し、かつ太陽光を集光するレンズアレイと、前記レンズアレイにより集光した光を受光し、電気を発生する発電素子と、前記発電素子に対して前記レンズアレイと対向する側に配置したグラファイトシートと、前記レンズアレイ並びに前記発電素子と前記グラファイトシートとの間を接着する異方性導電膜とを備え、前記発電素子は、光を受光する第一面と、前記第一面に対向する第二面とを有する半導体層と、前記第一面上に形成されたグリッド電極と、前記第二面上に形成された下面電極とを有し、前記グリッド電極は、前記レンズアレイの第2面上に形成した第2配線と電気的に接続し、前記下面電極は、前記レンズアレイの第2面上に形成した第1配線と電気的に接続し、前記第1配線と第2配線とは、各々の外部取り出し線と電気的に接続する集光型太陽電池。金属粒子を含む異方性導電膜は、レンズアレイとグラファイトシートとの間に発電素子を内包した状態で、レンズアレイとグラファイトシートとの接着し、前記グリッド電極と前記レンズアレイの第2配線と電気的に接続する第2電極と、前記下面電極と前記レンズアレイの第1配線と電気的に接続する第1電極とを備え、前記半導体層の下面電極に位置する第1電極と前記グラファイトシートとの間の間隔T1が、他の第1電極と前記グラファイトシートとの間隔T2、T3よりも小さい請求項2記載の集光型太陽電池。前記グラファイトシート上には電気配線を配置しない請求項2又は3記載の集光型太陽電池。前記異方性導電膜が、熱硬化性樹脂と金属粒子からなる請求項1又は2記載の集光型太陽電池。前記金属粒子が、金粒子、または、表面に金を被覆した樹脂粒子からなる請求項1又は2記載の集光型太陽電池。前記金属粒子が半田粒子である請求項5記載の集光型太陽電池。特許文献1の集光型太陽電池では、発電素子の熱を放熱板に効率良く逃がす具体的な方法が開示されていない。特許文献2で開示されているカーボン、ガラス繊維、アルミナ、金属粒子などを混入した樹脂シート922は、素子の放熱性が悪く、放熱用の銅板924が必要となる。また、集光用レンズを一体にした構成についての開示はない。本発明は、かかる課題を解決し、発電素子内で発生した熱を効率良く放熱板に逃がすことが可能な、レンズと発電素子とが一体構造の集光型太陽電池を提供することを目的とする。従来の課題を解決するために、本発明の集光型太陽電池は、太陽光が入射する第1面と前記第1面に対向する第2面とを有し、かつ太陽光を集光するレンズアレイと、前記レンズアレイにより集光した光を受光し、電気を発生する発電素子と、前記発電素子に対して前記レンズアレイと対向する側に配置したグラファイトシートと、前記レンズアレイ並びに前記発電素子と前記グラファイトシートとの間を接着する異方性導電膜とを備え、前記発電素子は、光を受光する第一面と、前記第一面に対向する第二面とを有する半導体層と、前記第一面上に形成されたグリッド電極と、前記第二面上に形成された下面電極とを有し、前記グリッド電極は、前記レンズアレイの第2面上に形成した第2配線と電気的に接続し、前記下面電極は、前記レンズアレイの第2面上に形成した第1配線と電気的に接続し、前記第1配線と第2配線とは、各々の外部取り出し線と電気的に接続する集光型太陽電池。本発明の集光型太陽電池は、グラファイトシートには電気配線を形成することなく、発電素子の熱を効率的に放熱できる。本発明の一実施態様は、光入射面を有し、前記光入射面から入射した光を集光するレンズアレイと、前記レンズアレイにより集光した光を受光し、電気を発生する発電素子と、前記発電素子に対して前記レンズアレイと対向する側に配置したグラファイトシートとを有する集光型太陽電池であって、前記発電素子は、光が入射する第一面と、前記第一面に対向する第二面とを有する半導体層と、前記第一面上に形成された第3電極と、前記第二面上に形成された第4電極と、前記第3電極と電気的に接合されるとともに、前記半導体層の厚みよりも大きい厚みを有し、かつ前記半導体層の外周側に端部が突出する第2電極と、ここで、第2電極は第3端部と第2中間部と第4端部の3領域で構成されている、前記第4電極と電気的に接合されるとともに、前記半導体層の厚みよりも大きい厚みを有し、かつ前記半導体層の外周側に端部が突出する第1電極と、ここで、第1電極は第1端部と第1中間部と第2端部の3領域で構成されている、前記半導体層の外周側に突出した第1電極の第2端部領域と前記レンズアレイ上に形成された第1配線、第1電極パッド、および、前記半導体層の外周側に突出した第2電極の第4端部領域と前記レンズアレイ上に形成された第2配線、第2電極パッドが、それぞれ、第1はんだバンプ、第2はんだバンプにより電気的に接合されており、ここで、前記第1配線、ならびに、前記第1電極パッドと、前記第2配線、ならびに、前記第2電極パッドは前記レンズアレイ上で電気的に絶縁されている、前記レンズアレイ並びに前記発電素子と前記グラファイトシートの間には機械的に接着する異方性導電膜を備え、前記半導体膜の第2面上に位置する第1電極の第1端部と第1中間部、ならびに、第2電極の第3端部と第2中間部における前記発電素子と前記グラファイトシートの間隔は、前記第1電極の第2端部、前記第1はんだバンプ、前記第1電極パッド、前記第1配線と前記グラファイトシートの間隔、並びに、前記第2電極の第4端部、前記第2はんだバンプ、前記第2電極パッド、前記第2配線と前記グラファイトシートの間隔よりも小さいことを特徴とする。本実施態様によれば、第1電極と第2電極が半導体層全体を覆っており、かつ、第1電極と第2電極の厚みが半導体層の厚みよりも大きく、さらに、半導体層の外側にも位置する。従って、第1電極と第2電極は、発電素子の放熱板として機能し、発電素子内部で発生した熱を、早く第1電極と第2電極に放熱する。また、本発明の集光型太陽電池は、第1電極と第2電極が、それぞれ、異方性導電膜の金属粒子を介してグラファイトシートに接着されているので、第1電極と第2電極の熱は、効率良くグラファイトシートに伝導する。この結果、発電素子内部で発生した熱は効率良くグラファイトシートに伝達される。また、異方性導電膜によって、レンズアレイ、発電素子、グラファイトシートを一体固定でき、レンズアレイに発生した熱も、異方性導電膜を介してグラファイトシートに伝えることができる。さらに、第1電極の第2端部、第1はんだバンプ、第1電極パッド、第1配線と第2電極の第4端部、第2はんだバンプ、第2電極パッド、第2配線における異方性導電性膜は電気的に導通しないので、レンズアレイとグラファイトシートを接着しても電気的な絶縁性は確保される。また、本発明の一実施態様は、太陽光が入射する第1面と前記第1面に対向する第2面とを有し、かつ太陽光を集光するレンズアレイと、前記レンズアレイにより集光した光を受光し、電気を発生する発電素子と、前記発電素子に対して前記レンズアレイと対向する側に配置したグラファイトシートと、前記レンズアレイ並びに前記発電素子と前記グラファイトシートとの間を接着する異方性導電膜とを備え、前記発電素子は、光を受光する第一面と、前記第一面に対向する第二面とを有する半導体層と、前記第一面上に形成されたグリッド電極と、前記第二面上に形成された下面電極とを有し、前記グリッド電極は、前記レンズアレイの第2面上に形成した第2配線と電気的に接続し、前記下面電極は、前記レンズアレイの第2面上に形成した第1配線と電気的に接続し、前記第1配線と第2配線とは、各々の外部取り出し線と電気的に接続する。更に、金属粒子を含む異方性導電膜は、レンズアレイとグラファイトシートとの間に発電素子を内包した状態で、レンズアレイとグラファイトシートとの接着し、前記グリッド電極と前記レンズアレイの第2配線と電気的に接続する第2電極と、前記下面電極と前記レンズアレイの第1配線と電気的に接続する第1電極とを備え、前記半導体層の下面電極に位置する第1電極と前記グラファイトシートとの間の間隔T1が、他の第1電極と前記グラファイトシートとの間隔T2、T3よりも小さい。ここで、間隔T1は、第1電極を覆う絶縁層の厚みを加えた間隔としてもよい。加えて、前記グラファイトシート上には電気配線を配置しない。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。もちろんこの発明は以下の例によって制限されるものではない。以下の説明で用いる図では、図面内の寸法、寸法比率及び位置関係は必ずしも正確ではない。さらに、見やすいようにハッチングを省略する場合がある。実施の形態1本実施の形態では、本発明の集光型太陽電池の具体的な構造を示す。図1aは、本発明の一実施形態における集光型太陽電池システムの模式図である。図1bは、図1aの集光型太陽電池100のAA面における断面模式図である。集光型太陽電池システム107は、集光型太陽電池100と、集光型太陽電池100を支える支柱105、台106、集光型太陽電池を動かして太陽光を追尾するための駆動装置図示せずから構成される。集光型太陽電池100は、レンズアレイ101、発電素子103、グラファイトシート102が順に配置されている。レンズアレイ101は、太陽光が入射する第1面入射面108と、第1面108に対向する第2面底面109から構成され、太陽光を集光する。本実施形態の集光型太陽電池は、対向する第2面109が平面形状であり、第2面109内近傍にレンズの焦点が存在する。レンズアレイ101は、太陽光を集光するレンズを二次元に配列した構造を有する。図1aで示すレンズアレイは、光入射側から個々のレンズを見た時のレンズの平面形状は四角形である。レンズ形状は四角形に限る必要はなく、多角形でも良い。例えば、個々のレンズの平面形状が六角形の場、レンズアレイは、個々のレンズが蜂の巣状に配置された構造となる。図1bで示すように、発電素子103はレンズアレイの第2面109の焦点付近に接触している。グラファイトシート102は、発電素子103に対して、レンズアレイの第2面109とは反対側に配置されている。本実施形態の集光型太陽電池100は、レンズアレイ101とグラファイトシート102によって発電素子103をはさんだ構造になっている。図2は、一個の発電素子103の近傍の断面模式図である。図3aは発電素子の側面図、図3bはその上面図である。レンズアレイ101の第2面109上は、第1配線213、第2配線214、及び共通電極401とが形成されている図4参照。第1配線213は、複数の発電素子103における、一方の電極209同士を電気的に接続する。第2配線214は、複数の発電素子103における、他方の電極210同士を電気的に接続する。第2配線214は、外部取り出し線403と電気的に接続する。共通電極401は、各々の第1配線213と電気的に接続する。また、共通電極401は、外部取り出し線404と電気的に接続する。また、共通電極401は、絶縁膜402によって第2配線214と電気的に絶縁されている。発電素子103で発生した電気は、外部取り出し線404と、外部取り出し線403とを通じて取り出せる。図2、図3を用いて本実施形態の集光型太陽電池に用いる発電素子の構造を説明する。発電素子103は、半導体層201発電層、半導体層201の第1面太陽光の受光面201a側に形成した第3電極グリッド電極202、第1面光受光面201aと対向する第2面201b側に形成した第4電極下面電極203、板形状の第1電極204、板形状の第2電極205を有する。第2電極205は、接続用金属膜217を介して第3電極202と電気的に接続している。図2に示すように、第3端部205aは第2面201bに位置し、第2中間部205bで屈曲し、第4端部205cは半導体層201の外周側から突出する。具体的には、第2電極205の第2中間部205b、第4端部205cの部分が、接続用金属膜217を介して第3電極202と電気的に接続している。第1電極204は、第4電極203と電気的に接続しており、図2に示すように、第1端部204aは第4電極203に接続され、第1中間部204bで屈曲し、第2端部204cは半導体層201の外周側から突出する。第1電極204の第2端部204cの第一面204dと、第2電極の第4端部205cの第一面205dは、半導体層201において、光照射面となる第1面201a第3電極202を含むと略同一平面上になるように構成されている。本実施形態の、第1電極204と第2電極205は、図2に示すように、屈曲した形状であり、端部204a、205a、中間部204b、205b、端部204c、205cの各厚みt1、t2、t3は均一でない。ここで、厚みt1,t2,t3は、電極の一端から他端における各位置の厚みである。本実施形態の第1電極と第2電極の厚みとは、電極を構成する最小の厚みt1、t2、t3で最小の厚みと定義する。また、第1電極204と第2電極205の厚みは、半導体層201の厚みよりも大きい。第1電極と第2電極の厚みに制限はないが、半導体層201の厚みの1.5~3倍が望ましい。3倍よりも大きくすると、第1と第2電極形成時に発生した応力により半導体層が割れる場合がある。第1電極204と第2電極205の材料は、Auを使用することができる。第1電極204と第2電極205とは、絶縁膜206、207、208によって電気的に絶縁されている。第1電極204の端部204cの第二面側面204e及び第2電極205の端部205cの第二面側面205eには、それぞれ、第1はんだバンプ209と第2はんだバンプ210が形成されている。はんだバンプ材料にはSn-Ag-Cu、Sn-Bi、Sn-InといったSn合金を用いることが望ましい。図2、図3に示すように、発電素子は、発電層半導体層、第1電極、第2電極、第1はんだバンプ、第2はんだバンプを含み、前記発電層は、n型半導体層およびp型半導体層を積層し、透過平面視において、第1はんだバンプが前記発電層に重ならず、第1電極を介して前記n型半導体層が第1はんだバンプに電気的に接続されており、透過平面視において、第2はんだバンプが前記発電層に重ならず、第2電極を介して前記p型半導体層が第2はんだバンプに電気的に接続されている。半導体層発電層201は、pn接合が積層された構造を含めば特に制限はない。例えば、半導体層としては、n型のGaAs薄膜とp型のGaAs薄膜が積層されたもの、または、光入射面から順に、n型InGaP膜、p型InGaP膜、トンネル接合膜、n型GaAs膜、p型GaAs膜、トンネル接合膜、n型InGaAs膜、p型InGaP膜が積層されたものがある。また、上記半導体層のpn接合の順序が反対でも良い。この場合、np接合が積層された構造となる。第1電極と第2電極に接触する部分に、抵抗率の低いコンタクト層を挿入しても良い。また、光電流の再結合を防ぐために、再結合防止用の薄膜を挿入しても良い。第3電極と第4電極の材料は、半導体層201とオーミック接続するものが好ましく、例えばTiとAuの積層膜、Ti、Pt、Auの積層膜、AuGe合金、Ni、Auの積層膜を使用することができる。第3電極202は、図3bで示すように、櫛型状であることが望ましい。櫛型形状にすることで、発電素子に照射された太陽光が半導体層201に入射して吸収される。図2を用いて、本発明の集光型太陽電池の構造を示す。発電素子103は、第3電極202の面半導体層の第1面201a側が、レンズアレイの第2面109と対向して配置されている。半導体層201の第1面201aとレンズアレイの第2面109との間は、透明樹脂層を介して対向する。すなわち、半導体層201の第1面201aと対向するレンズアレイの第2面109上には、第1配線213と第2配線214とは存在しない。レンズアレイ101に設けた第1配線213は、第1電極パッド211を介して、半導体層201の第1はんだバンプ209と電気的に接続する。レンズアレイ101に設けた第2配線214は、第2電極パッド212を介して、半導体層201の第2はんだバンプ210と電気的に接続する。このように、半導体層の第1面201aに形成した第3電極グリッド電極202とレンズアレイ101に形成した第2配線214とを電気的に接続する。本実施形態では、第3電極202、接続用金属膜217、第2電極205、第1はんだバンプ209、第2電極パッド212、第2配線214の順に電気的に接続する。尚、本実施形態は、接続用金属膜217、第2電極205、第2はんだバンプ210、第2電極パッド212を用いたが、各構成を全て使用することは必須でなく、一部を用いてもよく、第3電極と第2配線とを電気的に接続すればよい。同様に、半導体層の第2面201bに形成した第4電極下面電極203とレンズアレイ101に形成した第1配線213とを電気的に接続すればよい。本実施形態では、第4電極203、第1電極204、第1はんだバンプ209、第1電極パッド211、第1配線213の順に電気的に接続するが、各構成を全て使用することは必須でなく、一部を用いてもよく、第4電極と第1配線とを電気的に接続すればよい。本実施の形態では、第1電極204と第2電極205に、それぞれ、第1はんだバンプ209と第2はんだバンプ210が形成されている。第1はんだバンプ209と第2はんだバンプ210は、それぞれ、第1電極パッド211、第2電極パッド212に電気的に接続されている。第1電極パッド211、第2電極パッド212は、それぞれ、第1配線213、第2配線214に電気的に接続されている。グラファイトシートは金属との密着性が悪く、蒸着等によるグラファイトシート上に電極配線を直接形成することが難しい。また、仮に配線が形成できたとしても、発電素子の電極とグラファイトシートの配線を接合するときに、グラファイトシートと金属との密着性が悪いことから、グラファイトシート上の配線が剥離してしまう。そこで、本実施形態では、レンズアレイ側に電気配線を形成し、グラファイトシート側には配線を形成しない構成にしている。このため、上述するような課題は発生しない。また、グラファイトシートは、放熱性がよく、しかも導電性粒子を介して直接、半導体層の熱を伝達することが可能となり、従来の配線を介在した放熱板に比べて、熱冷却効率が向上する。尚、絶縁層は、相対的に薄く熱の伝播に影響はない。第1配線213、第2配線214は、レンズアレイ101上にメタルマスク等を用いた蒸着や、スクリーン印刷等によりパターニングされている。また、第1電極パッド211、第2電極パッド212も同様にパターニングすることができる。発電素子103は、第1はんだバンプ209と第2はんだバンプ210をリフローにより溶融させることにより、第1はんだバンプ209と第2はんだバンプ210を介して第1電極パッド211、第2電極パッド212と電気的に接続される。上述したように、発電素子103はレンズアレイ101上の第1配線213、第2配線214と電気的に接続され、レンズアレイ101上に固定される。グラファイトシート102は、異方性導電膜104によって、レンズアレイ101、並びに発電素子103と接着されている。異方性導電膜104は、複数個の金属粒子215が熱硬化性樹脂216に分散した10~50um程度の厚みを持つ接着剤を塗布した構造を有する。金属粒子には、Au、AuやNiで被覆された樹脂粒子を用いることができる。金属粒子の粒径は2um~数10umまでのものが使用できるが、3um~15um程度のものを使用することが好ましい。グラファイトシート102と発電素子103が配置されたレンズアレイ101とを異方性導電膜104によって接着した場合の、位置関係間隔について説明する。間隔T1は、発電素子103に形成された絶縁膜207、208とグラファイトシート102との間隔が近接する領域の間隔と定義する。具体的には、T1は第1電極204の第1端部204a、第1中間部204bと第2電極205の第3端部205a、第2中間部205bの領域とグラファイトシート102との間隔である。間隔T2は、第1はんだバンプ209とグラファイトシート102との間隔と定義する。間隔T3は、第2はんだバンプ210とグラファイトシート102との間隔T3と定義する。本実施形態では、間隔T1は、間隔T2及び間隔T3よりも小さくする。これにより、発電素子103とグラファイトシート102の間には接着時に圧力が印加されて、金属粒子215が接触する。一方、発電素子103以外の領域T2、T3の領域を含むにおいては、T2、T3の方がT1よりも大きいため第1はんだバンプ209、第2はんだバンプ210とグラファイトシート102との間には接着時に加わる圧力が小さくなるため、各々の金属粒子215は接触しない。また、レンズアレイ101上の第1配線213、第2配線214とグラファイトシートの間隔も間隔T2,T3よりも大きく、上述したように加わる圧力は更に小さくなるため、各々の金属粒子215は接触しない。これにより、第1配線213、第2配線214との間は電気的に絶縁される。さらに、レンズアレイ101によって太陽光を発電素子103に集光しても、発電素子103とグラファイトシート102は間にある金属粒子215が接触しているので熱伝導性が良くなり、異方性導電膜104を介してレンズアレイに発生した熱をグラファイトシートに効率良く伝えることが可能である。図4は、レンズアレイ101をグラファイトシート102側から見た平面模式図である。図4では、発電素子103が4個の場合を記載しているが、これ以上の数でも良い。また、理解しやすいように、図4では、グラファイトシート102と、発電素子103周辺の異方性導電膜104は省略されている。発電素子103の各々の第3電極202は、接続用金属膜217、第2電極205、第2はんだバンプ210、第2電極パッド212を介してレンズアレイ101上に形成した第2配線214と電気的に接続させている。発電素子103の第4電極203は、第1電極204、第1はんだバンプ209、第1電極パッド211を介してレンズアレイ101上に形成した第1配線213と電気的に接続されている。第2配線214は共通電極401に電気的に接続されている。第1配線213と共通電極401は絶縁膜402により、レンズアレイ101上では電気的に絶縁されている。このように、本実施形態の集光型太陽電池は、電気回路的には、発電素子103が並列接続された構造を有する。複数の発電素子103で発電した電気エネルギーは、外部取り出し線403、404によって外部に取り出すことができる。本実施形態の集光型太陽電池においては、発電素子上の第3電極202と第4電極203に、それぞれ、板形状の第2電極205と板形状の第1電極204が電気的に接合する構造を有する。この構造によって、半導体層201内部で発生した熱は、第3電極202と第4電極203を介して、第1電極204と第2電極205に伝わる。また、本実施の形態の集光型太陽電池においては、板形状の第1電極204と第2電極205の厚みが半導体層201の膜厚よりも大きく、さらに、第1電極204と第2電極205の一部は半導体層201の外部に位置することを特徴とする。従って、第1電極204と第2電極205は、発電素子103の放熱板として働き、半導体層201内部で発生した熱が第1電極204と第2電極205に放熱される。また、本実施の形態の集光型太陽電池においては、板形状の第1電極204と第2電極205が、それぞれ、異方性導電膜104によってグラファイトシート102と接着されていることを特徴とする。第1電極204とグラファイトシート102の間、及び、第2電極205とグラファイトシート102の間には金属粒子215が存在するので、第1電極204と第2電極205の熱は絶縁膜207、208、並びに、金属粒子215を介して効率よくグラファイトシート102に伝導する。この結果、半導体層201で発生した熱は効率良くグラファイトシート102に逃がすことが可能である。尚、本実施の形態で第1電極204は、第4電極203を含んで、第1の電極とし、第2電極205は、第3電極202を含んで、第2の電極としてもよい。実施の形態2本実施の形態では、実施の形態1で示した集光型太陽電池の作製方法を示す。図2、図5、図6を用いて本発明の集光型太陽電池の作製方法を説明する。図5は、発電素子の作製方法を示した断面模式図である。図6a、b、c、d、eは、それぞれ、図5a、b、c、d、eを半導体層501の側から見た平面模式図である。図5aと図6aで示すように、基板503に犠牲層502を介して半導体層501を形成する。基板503としては、例えば、厚みが400~600μmのGaAs基板を用いることができる。犠牲層502としては、例えば、膜厚が10~200nmのAlAs膜を用いることができる。半導体層501としては、例えば、n型のGaAs薄膜とp型のGaAsを積層したもの、または、基板側から、n型InGaP膜、p型InGaP膜、トンネル接合膜、n型GaAs膜、p型GaAs膜、トンネル接合膜、n型InGaAs膜、p型InGaAs膜が積層されたものを用いることができる。また、半導体層501の再下部と最上面に、電極とオーミックコンタクト接続をするための抵抗率の低いコンタクト層を作製しても良い。また、光電流の再結合を防ぐために、再結合防止用の薄膜を挿入しても良い。次に、図5bと図6bで示すように、犠牲層502を残して、半導体層501をパターニングする。パターンのサイズには特に制限がないが、例えば一辺が100~1000μmの正方形にすることが望ましい。パターニングは、ウェットエッチング法またはドライエッチング法を用いることができる。なお、図ではパターニングした半導体層201が一個しか示されていないが、実際は、基板503上にパターニングした多数個の半導体層201が存在する。次に、図5cと図6cで示すように、第4電極203と接続用金属膜217を形成する。これらの電極は、例えば、パターニングしたレジスト膜を形成後、真空電子ビーム蒸着法でTi、Au薄膜を形成した後、レジストを剥離することで形成することができる。第4電極203と接続用金属膜217の厚みに特に制限はないが、100~300nmが好ましい。次に、図5dと図6dで示すように、絶縁膜206を形成する。絶縁膜としては、例えば窒化シリコン薄膜や、窒化シリコン薄膜と酸化シリコン薄膜の積層膜を用いることができる。これらの薄膜は、真空スパッタリング法またはプラズマCVD法で形成することができる。絶縁膜206は、ドライエッチング法によりパターニングすることが可能である。次に、図5eと図6eで示すように、第1電極204を形成する。第1電極204は電界めっき法により形成することができる。電極材料としてはAuを用いることができる。次に、図5fと図6fで示すように、絶縁膜207を形成する。絶縁膜としては、例えば窒化シリコン薄膜や、窒化シリコン薄膜と酸化シリコン薄膜の積層膜を用いることができる。これらの薄膜は、真空スパッタリング法またはプラズマCVD法で形成することができる。絶縁膜207は、ドライエッチング法によりパターニングすることが可能である。次に、図5gと図6gで示すように、第2電極205を形成する。第2電極205は電界めっき法により形成することができる。電極材料としてはAuを用いることができる。次に、図5hと図6hで示すように、絶縁膜208を形成する。絶縁膜としては、例えば窒化シリコン薄膜や、窒化シリコン薄膜と酸化シリコン薄膜の積層膜を用いることができる。これらの薄膜は、真空スパッタリング法またはプラズマCVD法で形成することができる。絶縁膜208は、ドライエッチング法によりパターニングすることが可能である。次に、図5で示すように、第1電極204と第2電極205に接するようにそれぞれ、蒸着法等により第1はんだバンプ209と第2はんだバンプ210を形成する。次に、図5で示すように、基板503と転写用基板504とを、ワックス505を用いて貼り付ける。転写用基板としては例えばガラス基板やシリコンウェハを用いることができる。次に、図5で示すように、犠牲層502を残して、ウェットエッチング法またはドライエッチング法によって基板503のみを除去する。基板がGaAs、犠牲層がAlAsの場合は、クエン酸と過酸化水素水の混合溶液を用いることで基板のみをウェットエッチングすることが可能である。次に、図5lで示すように、犠牲層502を除去した後、第3電極202を形成する。犠牲層がAlAsの場合は、フッ酸水溶液を用いて除去することができる。第3電極202は、図3bで示すように、櫛型形状であることが望ましい。第3電極202は、犠牲層502を除去した後、犠牲層502の存在した面に、例えば、メタルマスクを用いてTiとAuの積層膜を電子ビーム蒸着法等により形成することや、所定の形状のレジストのパターンを形成し、このTiとAuの積層膜をエッチング除去後、レジストを剥離することで形成することができる。最後に、図5で示すように、ワックス505を有機溶剤で溶解して発電素子103を転写用基板504から剥離する。次に、図2で示すように、第1配線213、第2配線214、第1電極パッド211、第2電極パッド212が形成されたレンズアレイ101の第2面109上に、作製した発電素子103を第3電極202がレンズアレイの第2面109に向くように配置する。次に、真空ピンセットで発電素子103をつかみ、発電素子103をレンズアレイ101の第2面109の所定の位置に移動し、発電素子103を置く。最後に、リフロー等により第1はんだバンプ209と第2はんだバンプ210を溶融させ、第1電極パッド211、第2電極パッド212それぞれと電気的に接合し、発電素子103をレンズアレイの第2面109上に固定する。次に、発電素子を配置したレンズアレイの第2面109の全体に異方性導電膜104を形成する。異方性導電膜の形成方法には以下の二種類がある。一つ目は、Au粒子やAu又はNiを分散した熱硬化性樹脂フィルムをレンズアレイの第2面109に貼り付ける方法である。この方法には、例えば、ソニ-ケミカルインフォメーションデバイス製の異方性導電フィルムCP6920F3を用いることができる。二つ目は、ハンダ粒子を分散した熱硬化性樹脂内を塗布する方法である。二つ目の方法は、例えば、特許第4432949号公報、特許第4591399号公報、特開2008-69317号公報に記述されている。次に、グラファイトシート102を異方性導電膜104の上から覆うように配置し、押し付ける。押し付けた状態でグラファイトシートを加熱した後、冷却する。これにより、図2で示すように、発電素子103が固定されたレンズアレイ101とグラファイトシート102を接着することができる。図7を用いて、レンズアレイ701とグラファイトシート702の接着方法を説明する。まず、図7aに示すように、レンズアレイの面703上にリフロー等により発電素子704を固定する。次に、プラスチックの粒子表面に金のめっき層を設けた導電性粒子粒径は5umが分散した異方性導電膜705厚み30umをレンズアレイ701上に配置する。図7bに示すように、レンズアレイ701上に異方性導電膜705を配置後、異方性導電膜705上に均一に加圧できるようにシリコーンシート706を置き、加熱ヘッド707を用いて80°C程度の加熱と1MPaの加圧を同時に行い、レンズアレイ701と異方性導電膜705を仮接着する。これにより、図7cに示すように、レンズアレイ701上に異方性導電膜705が固定される。次に、図7dに示すように、異方性導電膜705上にグラファイトシート702を置き、シリコーンシート706と加熱ヘッド708を用いて180°C程度の加熱と2MPaの加圧を同時に行い、異方性導電膜705の接着剤成分を軟化させてレンズアレイ701上に異方性導電膜705を充填させて硬化させる。以上の工程により、図7eに示すように、レンズアレイ701とグラファイトシート702を異方性導電膜705により接着することができる。本実施の形態においては、Auで形成された第1電極204と第2電極205が半導体層201全体を覆っており、かつ、第1電極204と第2電極205の厚みが半導体層201の厚みよりも大きく、さらに、半導体層201の外側にも位置していることから、レンズアレイ101とグラファイトシート102を接着する時に半導体層201へ印加される圧力が分散され、半導体層201の割れを防ぐことができる。以上の工程により、本発明の集光型太陽電池を作製することができる。実施例GaAs発電素子の形成本実施例では、4インチのn型GaAsウェハ厚み450um上にAlAs犠牲層100nm、n型コンタクトGaAs層20nm、n型InGaP層50nm、n型GaAs層180nm、p型GaAs層3000nm、p型InGaP層100nm、p型コンタクトGaAs層350nmを順次、有機金属気相成長MOCVD法により成膜したものを発電素子として用いた。以下、図5を用いてGaAs発電素子の形成方法を示す。図5bに示すように、フォトリソグラフィー法により、500um角のレジストパターンを形成し、ドライエッチング法を用いてp型コンタクトGaAs層、p型InGaP層、p型GaAs層、n型GaAs層、n型InGaP層、n型コンタクトGaAs層のメサパターンを形成した。本実施例のドライエッチングには、BCl3とSF6の混合ガスを用いた。これにより、AlAs犠牲層でエッチングストップを実現した。次に、図5cに示すように、リフトオフ法により、Ti50nm、Pt150nm、Au100nmを順次電子ビーム蒸着法を用いて電極パターンを形成した。次に、図5dに示すように、プラズマCVD法を用いて窒化シリコン膜を800nm形成した。その後、フォトリソグラフィー法とドライエッチング法を用いて、電極パターン上の窒化シリコン膜を除去し、窒化シリコン膜のパターニングを行った。次に、図5eに示すように、電解めっき法により20um厚の第1Auめっきパターンを形成した。次に、図5fに示すように、第1Auめっき上に窒化シリコン膜を300nmのパターンを形成した。次に、図5gに示すように、電解めっき法により20um厚の第2Auめっきパターンを形成した。次に、図5hに示すように、第2Auめっき上に窒化シリコン膜を300nmのパターンを形成した。次に、図5iに示すように、第1、第2Auめっきの側面にはんだバンプを蒸着法により18um形成した。次に、図5jに示すように、GaAsウェハ、ならびに、ガラス基板上にスピンコートによりワックスを塗布した。その後、140°Cに加熱されたホットプレートにてGaAsウェハとガラス基板を貼り付けた。次に、図5kに示すように、GaAsウェハの裏面を研磨することにより、ウェハ厚みを450umから100umとした。その後、クエン酸と過酸化水素水の混合液を用いてGaAsウェハをウェットエッチングにより除去し、AlAs犠牲層でエッチングストップさせた。次に、図5lに示すように、バッファードフッ酸を用いたウェットエッチングによりAlAs犠牲層を除去した。その後、メタルマスクを用いてTi50nm/Au1000nmの櫛形形状の電極を電子ビーム蒸着法により形成した。次に、図5mに示すように、アセトンやイソプロピルアルコール等の有機溶剤を用いてワックスを除去し、発電素子を得た。集光型太陽電池の形成予め、配線や電極パッドが形成された4×4に配列したガラスレンズアレイ上に形成した発電素子4個を真空ピンセットにて、所定の位置に配置した。次に、リフロー法を用いて、250°C、1分間ではんだバンプを溶融させてガラスレンズアレイ上に発電素子を固定した。次に、ガラスレンズアレイ上にACF膜を貼り付け、その上から厚み70umのグラファイトシートを貼り付けた。加熱温度は180°Cで加圧して貼り付けた。以上により、ガラスアレイ上に一体となった集光型太陽電池を得た。この集光型太陽電池の太陽電池特性を計測する時に、WahlInstruments.INC製のウェハ表面温度測定用テンププレートをグラファイトシートに貼り付けて集光型太陽電池の温度を計測した。計測した温度は48°C以下であることが確認でき、本実施例における集光型太陽電池は高い放熱特性を有していることが確認できた。"