"複数のセラミック層が積層されて構成されている積層体と、前記積層体に内蔵され、かつ、該積層体の実装面において、前記セラミック層間から実装面に露出している第1の露出部及び第2の露出部をそれぞれ有している第1の内部導体及び第2の内部導体と、前記第1の露出部及び前記第2の露出部をそれぞれ覆うように前記実装面に直接めっきにより形成された第1の外部電極及び第2の外部電極と、を備え、前記実装面における前記第1の露出部及び前記第2の露出部が設けられている部分は、該実装面における他の部分よりも突出していること、を特徴とする電子部品。前記第1の内部導体と前記第2の内部導体が前記セラミック層を介して対向する部分において、コンデンサが構成されていること、を特徴とする請求項1に記載の電子部品。前記実装面は、前記第1の露出部が設けられている部分と前記第2の露出部が設けられている部分との間において、窪んだ状態で湾曲していること、を特徴とする請求項1又は請求項2のいずれかに記載の電子部品。前記実装面は、前記第1の露出部が設けられている部分と前記第2の露出部が設けられている部分との間において連続した曲面をなしていること、を特徴とする請求項3に記載の電子部品。請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の電子部品の製造方法であって、前記第1の内部導体及び前記第2の内部導体を内蔵する前記積層体を準備する工程と、前記実装面が前記第1の露出部が設けられている部分と前記第2の露出部が設けられている部分との間において窪んだ状態で湾曲するように、前記積層体に対して研磨加工を施す工程と、前記第1の露出部及び前記第2の露出部のそれぞれを覆う前記第1の外部電極及び前記第2の外部電極を直接めっきにより形成する工程と、を備えていること、を特徴とする電子部品の製造方法。そこで、本発明の目的は、短時間で形成可能な外部電極を備えた電子部品及びその製造方法を提供することである。本発明の一形態に係る電子部品は、複数のセラミック層が積層されて構成されている積層体と、前記積層体に内蔵され、かつ、該積層体の実装面において、前記セラミック層間から実装面に露出している第1の露出部及び第2の露出部をそれぞれ有している第1の内部導体及び第2の内部導体と、前記第1の露出部及び前記第2の露出部をそれぞれ覆うように前記実装面に直接めっきにより形成された第1の外部電極及び第2の外部電極と、を備え、前記実装面における前記第1の露出部及び前記第2の露出部が設けられている部分は、該実装面における他の部分よりも突出していること、を特徴とする。前記電子部品の製造方法は、前記第1の内部導体及び前記第2の内部導体を内蔵する前記積層体を準備する工程と、前記実装面が前記第1の露出部が設けられている部分と前記第2の露出部が設けられている部分との間において窪んだ状態で湾曲するように、前記積層体に対して研磨加工を施す工程と、前記第1の露出部及び前記第2の露出部のそれぞれを覆う前記第1の外部電極及び前記第2の外部電極を直接めっきにより形成する工程と、を備えていること、を特徴とする。本発明によれば、外部電極を短時間で形成することができる。以下に、本発明の実施形態に係る電子部品及びその製造方法について図面を参照しながら説明する。電子部品の構成まず、電子部品の構成について図面を参照しながら説明する。図1は、電子部品10の外観斜視図である。図2は、電子部品10の積層体12の分解斜視図である。図3は、電子部品10を積層方向の上側から透視した図である。以下では、積層体12の積層方向をy軸方向と定義する。積層体12をy軸方向から平面視したときの積層体12の長辺方向をx軸方向と定義する。積層体12をy軸方向から平面視したときの積層体12の短辺方向をz軸方向と定義する。電子部品10は、チップコンデンサであり、図1及び図2に示すように、積層体12、外部電極1414a,14b,1515a,15b及びコンデンサC図1には図示せずを備えている。積層体12は、直方体状をなしている。ただし、積層体12は、面取りが施されることにより角及び稜線において丸みを帯びた形状をなしている。以下では、積層体12において、y軸方向の正方向側の面を側面S1とし、y軸方向の負方向側の面を側面S2とする。また、x軸方向の負方向側の面を端面S3とし、x軸方向の正方向側の面を端面S4とする。また、z軸方向の正方向側の面を上面S5とし、z軸方向の負方向側の面を下面S6とする。積層体12は、図2に示すように、複数のセラミック層16が積層されることにより構成されている。セラミック層16は、長方形状をなしており、誘電体セラミックにより作製されている。誘電体セラミックの例としては、BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3又はCaZrO3が挙げられる。また、これらの材料が主成分とされ、Mn化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物又はNi化合物が副成分とされていてもよい。セラミック層16の厚みは、0.5μm以上10μm以下であることが好ましい。以下では、セラミック層16のy軸方向の正方向側の主面を表面と称し、セラミック層16のy軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。以上のように、積層体12の側面S1は、y軸方向の最も正方向側に設けられているセラミック層16の表面により構成されている。積層体12の側面S2は、y軸方向の最も負方向側に設けられているセラミック層16の裏面により構成されている。また、端面S3は、複数のセラミック層16のx軸方向の負方向側の短辺が連なることによって構成されている。端面S4は、複数のセラミック層16のx軸方向の正方向側の短辺が連なることによって構成されている。上面S5は、複数のセラミック層16のz軸方向の正方向側の長辺が連なることによって構成されている。下面S6は、複数のセラミック層16のz軸方向の負方向側の長辺が連なることによって構成されている。コンデンサCは、図2に示すように、積層体12に内蔵されているコンデンサ導体内部導体1818a,18bにより構成されている。コンデンサ導体18は、例えば、Ni、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等の導電性材料により作製されており、0.3μm以上2.0μm以下の厚さを有していることが好ましい。コンデンサ導体18aは、セラミック層16の表面上に設けられており、容量部20a及び引き出し部22a,24aを有している。容量部20aは、長方形状をなしており、セラミック層16の外縁に接していない。引き出し部22aは、容量部20aのz軸方向の負方向側の長辺のx軸方向の負方向側の端部近傍から、z軸方向の負方向側に向かって突出している。これにより、引き出し部22aは、セラミック層16のz軸方向の負方向側の長辺に引き出されている。引き出し部22aは、z軸方向の負方向側の先端部分において、積層体12の下面S6において、隣り合う2層のセラミック層16間から露出している露出部26aを有している。引き出し部24aは、容量部20aのz軸方向の正方向側の長辺のx軸方向の負方向側の端部近傍から、z軸方向の正方向側に向かって突出している。これにより、引き出し部24aは、セラミック層16のz軸方向の正方向側の長辺に引き出されている。引き出し部24aは、z軸方向の正方向側の先端部分において、積層体12の上面S5において、隣り合う2層のセラミック層16間から露出している露出部28aを有している。コンデンサ導体18bは、セラミック層16の表面上に設けられており、容量部20b及び引き出し部22b,24bを有している。容量部20bは、長方形状をなしており、セラミック層16の外縁に接していない。そして、容量部20bは、セラミック層16を介して容量部20aと対向している。これにより、容量部20a,20b間には容量が発生している。引き出し部22bは、容量部20bのz軸方向の負方向側の長辺のx軸方向の正方向側の端部近傍から、z軸方向の負方向側に向かって突出している。これにより、引き出し部22bは、セラミック層16のz軸方向の負方向側の長辺に引き出されている。引き出し部22bは、引き出し部22aよりもx軸方向の正方向側に位置している。引き出し部22bは、z軸方向の負方向側の先端部分において、積層体12の下面S6において、隣り合う2層のセラミック層16間から露出している露出部26bを有している。引き出し部24bは、容量部20bのz軸方向の正方向側の長辺のx軸方向の正方向側の端部近傍から、z軸方向の正方向側に向かって突出している。これにより、引き出し部24bは、セラミック層16のz軸方向の正方向側の長辺に引き出されている。引き出し部24bは、引き出し部24aよりもx軸方向の正方向側に位置している。引き出し部24bは、z軸方向の正方向側の先端部分において、積層体12の上面S5において、隣り合う2層のセラミック層16間から露出している露出部28bを有している。以上のように構成されたコンデンサ導体18a,18bは、y軸方向に交互に並ぶように複数のセラミック層16上に設けられている。これにより、コンデンサCは、コンデンサ導体18aとコンデンサ導体18bとがセラミック層16を介して対向する部分において構成されている。そして、コンデンサ導体18が設けられている複数のセラミック層16が積層されている領域を、内層領域と称す。また、内層領域のy軸方向の正方向側には、コンデンサ導体18が設けられていない複数のセラミック層16が積層されている。同様に、内層領域のy軸方向の負方向側には、コンデンサ導体18が設けられていない複数のセラミック層16が積層されている。以下では、コンデンサ導体18が設けられていない複数のセラミック層16が積層されている2つの領域を外層領域と称す。外部電極14a,14bはそれぞれ、露出部26a,26bを覆うように、積層体12の下面S6上に直接めっきにより形成されている。外部電極14aは、外部電極14bよりもx軸方向の負方向側に位置している。外部電極15a,15bはそれぞれ、露出部28a,28bを覆うように、積層体12の上面S5上に直接めっきにより形成されている。外部電極15aは、外部電極15bよりもx軸方向の負方向側に位置している。以上のように外部電極14,15が設けられることにより、外部電極14a,15aと外部電極14b,15bとの間にコンデンサCが接続されている。外部電極14,15の材料としては、例えば、Cuが挙げられる。ところで、電子部品10では、外部電極14,15を短時間で形成可能な構成を有している。以下に、かかる構成について詳細に説明する。電子部品10では、図3に示すように、下面S6における露出部26a,26bが設けられている部分は、下面S6のその他の部分よりもz軸方向の負方向側に突出している。露出部26a,26bが設けられている部分とは、露出部26a,26b及び露出部26a,26bに挟まれているセラミック層16により構成されている領域である。換言すれば、下面S6は、露出部26aが設けられている部分と露出部26bが設けられている部分との間において、z軸方向の正方向側に窪んだ状態で湾曲している。更に、本実施形態では、下面S6は、露出部26aが設けられている部分と露出部26bが設けられている部分との間において連続した曲面をなしている。以上のように、下面S6において、露出部26a,26bが設けられている部分が突出し,それ以外の部分が窪んでいることにより、露出部26a,26bは、図3の拡大図に示すように、x軸に平行な部分P1に加えて、x軸に対して傾いている部分P2,P3を有するようになる。また、図3に示すように、上面S5における露出部28a,28bが設けられている部分は、上面S5のその他の部分よりもz軸方向の正方向側に突出している。ただし、露出部28a,28b及び上面S5の構成は,露出部26a,26b及び下面S6の構成と同じであるので、これ以上の説明を省略する。以上のように構成された電子部品10は、回路基板上に実装されて用いられる。以下に、電子部品10の実装について図面を参照しながら説明する。図4aは、本実施形態に係る電子部品10が回路基板200に実装されたときの図である。回路基板200は、例えば、プリント配線基板等であり、図4aに示すように、電子部品10を実装するためのランド202202a,202bを有している。電子部品10は、回路基板200に実装される際には、上面S5を実装面として、回路基板200の主面に対向させる。そして、外部電極14a,14bをそれぞれランド202a,202bと対向させ,これらをはんだにより固定する。これにより、電子部品10が回路基板200上に実装される。なお、電子部品10において、下面S6を実装面としてもよい。電子部品の製造方法次に、電子部品10の製造方法について説明する。なお、図面は、図1ないし図3を援用する。まず、主成分であるBaTiO3、CaTiO3、SrTiO3又はCaZrO3と、副成分であるMn化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物又はNi化合物とを所定の比率で秤量してボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、誘電体セラミック粉末を得る。この誘電体セラミック粉末に対して、有機バインダ及び有機溶剤を加えてボールミルで混合を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアシート上にシート状に形成して乾燥させ、セラミック層16となるべきセラミックグリーンシートを作製する。セラミック層16となるべきセラミックグリーンシートの厚さは、0.5μm~10μmであることが好ましい。次に、セラミック層16となるべきセラミックグリーンシート上に、導電性材料からなるペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、コンデンサ導体18a,18bを形成する。導電性材料からなるペーストは、例えば、金属粉末に、有機バインダ及び有機溶剤が加えられたものである。次に、セラミック層16となるべきセラミックグリーンシートを積層して未焼成のマザー積層体を得る。この後、未焼成のマザー積層体に対して、静水圧プレスにて圧着を施す。次に、未焼成のマザー積層体を所定寸法にカットして、複数の未焼成の積層体12を得る。そして、未焼成の積層体12を焼成する。焼成温度は、例えば、900°C以上1300°C以下であることが好ましい。以上の工程により、コンデンサ導体18を内蔵している焼成された積層体12の準備が完了する。次に、積層体12の表面に、バレル研磨加工等の研磨加工を施す。より詳細には、下面S6が、露出部26aが設けられている部分と露出部26bが設けられている部分との間において窪んだ状態で湾曲し、上面S5が、露出部28aが設けられている部分と露出部28bが設けられている部分との間において窪んだ状態で湾曲するように、バレル研磨加工を施す。上記のように上面S5及び下面S6を加工するためには、例えば、比較的長時間のバレル研磨加工を行うとよい。積層体12は、コンデンサ導体18に比べて、高い脆性を有している。そのため、バレル研磨加工により、下面S6における露出部26aが設けられている部分と露出部26bが設けられている部分との間の部分、及び、上面S5における露出部28aが設けられている部分と露出部28bが設けられている部分との間の部分が、上面S5及び下面S6における露出部26a,26b,28a,28bが設けられている部分に比べて多く削られる。これにより、上面S5及び下面S6において、露出部26a,26b,28a,28bが設けられている部分が、その他の部分に比べて突出し、露出部26aが設けられている部分と露出部26bが設けられている部分との間において連続した曲面をなすようになり、同様に、露出部28aが設けられている部分と露出部28bが設けられている部分との間において連続した曲面をなすようになる。以上のようなバレル研磨加工により、露出部26a,26b,28a,28bは、バレル研磨加工前に比べて、より大きな面積で上面S5及び下面S6から露出するようになる。次に、めっき工法によりCuからなる外部電極14,15を形成する。具体的には、導電性メディアが入れられたバレル内に、積層体12を投入する。そして、バレルをめっき液内に浸し、所定時間回転させる。これにより、露出部26a,26b,28a,28bに導電性メディアが接触して給電が行われる。その結果,露出部26a,26b,28a,28bには、Cuが析出して外部電極14,15が形成される。以上の工程により、電子部品10が完成する。効果以上の電子部品10及びその製造方法によれば、外部電極14,15を短時間で形成できる。より詳細には、一般的な電子部品では、積層体の側面は平面である。そのため、図3のx軸に平行な部分P1のみが積層体の側面から露出し、x軸に対して傾いている部分P2,P3は積層体の側面から露出しない。一方、電子部品10では、図3に示すように、x軸に平行な部分P1及びx軸に対して傾いている部分P2,P3が積層体12の上面S5及び下面S6から露出している。よって、電子部品10では、一般的な電子部品に比べて、x軸に対して傾いている部分P2,P3の面積だけ、コンデンサ導体18が積層体12から露出している面積が大きい。そのため、導電性メディアは、電子部品10の方が一般的な電子部品に比べてコンデンサ導体18に接触しやすくなる。その結果、電子部品10及びその製造方法では、外部電極14,15の形成が促進され、外部電極14,15を短時間で形成できるようになる。ここで、電子部品10では、露出部26a,26b,28a,28bはそれぞれ、上面S5及び下面S6のみから露出しており、他の面から露出していない。そのため、電子部品10において露出部26a,26b,28a,28bに導電性メディアが接触する確率は、比較的に低くなってしまう。故に、上面S5及び下面S6において、露出部26a,26b,28a,28bが設けられている部分をその他の部分よりも突出させて、露出部26a,26b,28a,28bに導電性メディアが接触する確率を向上させることは、電子部品10において外部電極14,15を短時間で形成できるという顕著な効果を期待できる。また、電子部品10では、回路基板200に実装した際に、外部電極14a,14b間で短絡が発生することを抑制できる。以下に、図4を参照しながら説明する。図4bは、比較例に係る電子部品110が回路基板200に実装されたときの図である。比較例に係る電子部品110は、上面S5及び下面S6が平面である点において電子部品10と相違している。図4bに示すように、電子部品110を回路基板200上に実装した場合には、余剰はんだ204a,204bが発生する。この余剰はんだ204a,204bは、実装面である上面S5と回路基板200の主面との間の隙間をx軸方向に延びる。そして、余剰はんだ204a,204bの量が多い場合には、余剰はんだ204a,204b同士がつながってしまう。その結果、外部電極114a,114b間に短絡が発生してしまう。一方、電子部品10では、実装面である下面S6は、z軸方向の正方向側に窪んでいる。そのため、電子部品10での下面S6と回路基板200の主面との間の隙間は、電子部品110での下面S6と回路基板200の主面との隙間よりも大きくなる。よって、余剰はんだ204a,204bは、互いにつながってしまう程にx軸方向に延びることが抑制される。その結果、電子部品10では、外部電極14a,14b間に短絡が発生することが抑制される。ところで、電子部品10は、回路基板内に内蔵された状態で実装されることがある。具体的には、凹部が設けられた回路基板が準備される。そして、電子部品10は、凹部内に実装される。この際、凹部内には、接着剤10を固定するための樹脂の接着剤が充填される。そして、凹部を塞ぐように、絶縁体層が積層されることにより、回路基板が完成する。ここで、電子部品10の下面S6は、z軸方向の正方向側に窪んでいる。そのため、電子部品10がこのような回路基板に内蔵される際には、電子部品10の下面S6と回路基板の実装面との隙間に接着剤が入り込みやすい。その結果、電子部品10が回路基板に強固に接着されるようになる。実験結果本願発明者は、電子部品10が奏する効果をより明確にするために、以下に説明する実験を行った。具体的には、以下の条件を有する6種類の電子部品を作製した。なお、第1の実施例ないし第5の実施例及び比較例において、それぞれ10個ずつ電子部品を作製した。寸法:1.0mm×0.5mm×0.5mmセラミック層の層数:475層内層領域のセラミック層の層数:445層外層領域のセラミック層の層数:各15層セラミック層の材料:チタン酸バリウム系誘電体セラミックセラミック層の厚み:0.7μmコンデンサ導体の材料:Niを主成分とする金属定格電圧:4.0V静電容量:10μF以下に、6種類の電子部品の作製時におけるバレル研磨加工の条件の一例を示す。バレル装置:湿式バレル装置メディア:ジルコニアボール直径1.0mmポッド:340cc回転数:250rpm処理時間:10分~300分以下に、6種類の電子部品の作製時におけるめっき工法の条件の一例を示す。膜厚:5μmめっき液:上村工業製ピロブライトプロセスピロブライトPY-61浴浴温:55°CpH:8.6バレル:水平回転バレル回転数:60rpm導電性メディアの直径:0.4mm電流密度:0.1A/dm2時間:300分6種類の電子部品では、図3に示す突出量Dと電子部品の長さLとの比率X=D/L×100が以下の第1の実施例ないし第5の実施例及び比較例に示すように異なっている。突出量Dは、レーザ変位計KS-1100:キーエンス社製により、上面S5及び下面S6の表面形状を測定することによって求めた。また、長さLは、ノギスにより測定した。なお、突出量Dと電子部品10の長さLとの比率Xは、第1の実施例ないし第5の実施例及び比較例の10個のサンプルにおけるそれぞれの値の平均値を求めた。第1の実施例:1.7第2の実施例:5.3第3の実施例:7.9第4の実施例:11.5第5の実施例:17.2比較例:0なお、比率Xを変化させるために、バレル研磨加工の時間を変化させた。具体的には、第1の実施例では、10分とし、第2の実施例では、30分とし、第3の実施例では、90分とし、第4の実施例では、180分とし、第5の実施例では、300分とし、比較例では、0分とした。バレル研磨加工の条件は、前記の通りであるので説明を省略する。また、外部電極14,15の形成の際のめっき工法の条件も、前記の通りであるので説明を省略する。以上のように作製された第1の実施例ないし第5の実施例及び比較例において、外部電極14,15の膜厚を測定した。膜厚は、XRFSFT-9450:エスアイアイナノテクノロジー社製を用いて、X線強度を測定し、検出線法によりX線強度を膜厚に換算することによって得た。なお、外部電極14,15の膜厚は、第1の実施例ないし第5の実施例及び比較例の10個のサンプルにおけるそれぞれの値の平均値を求めた。表1は、実験結果を示した表である。表1に示すように、比率Xが大きくなるにしたがって、膜厚が大きくなっていることがわかる。すなわち、比率Xが大きくなるにしたがって、外部電極14,15の形成速度が大きくなっていることがわかる。以上より、上面S5及び下面S6において、露出部26a,26b,28a,28bが設けられている部分をその他の部分よりも突出させることにより、外部電極14,15を短時間で形成できるようになることがわかる。第1の変形例図5は、第1の変形例に係る電子部品10を積層方向の上側から透視した図である。図5の電子部品10のように、外部電極15a,15b及び引き出し部24a,24bは、設けられていなくてもよい。第2の変形例図6は、第2の変形例に係る電子部品10aを積層方向の上側から平面視した図である。図6の電子部品10aでは、コンデンサ導体18a,18bは、引き出し部56a,56bを有している。また、外部電極14a,14b,15a,15bの代わりに、外部電極54a,54bが設けられている。引き出し部56aは、セラミック層16のx軸方向の負方向側の短辺に引き出されている。これにより、引き出し部56aはそれぞれ、端面S3において、隣り合う2層のセラミック層16から露出している露出部58aを有している。露出部58aは、露出部26a,28aとつながっている。引き出し部56bは、セラミック層16のx軸方向の正方向側の短辺に引き出されている。これにより、引き出し部56bはそれぞれ、端面S4において、隣り合う2層のセラミック層16から露出している露出部58bを有している。露出部58bは、露出部26b,28bとつながっている。外部電極54aは、露出部26a,28a,58aを覆うように、端面S3、上面S5及び下面S6に設けられている。外部電極54aは、図6に示すように、y軸方向の正方向側から平面視したときに、コ字型をなしている。外部電極54bは、露出部26b,28b,58bを覆うように、端面S4、上面S5及び下面S6に設けられている。外部電極54bは、図6に示すように、y軸方向の正方向側から平面視したときに、コ字型をなしている。以上の電子部品10aにおいても、電子部品10と同様に、外部電極54を短時間で形成できる。第3の変形例図7は、第3の変形例に係る電子部品10bを積層方向の上側から平面視した図である。図7の電子部品10bでは、引き出し部56aは、引き出し部22a,24aとつながっていない。同様に、引き出し部56bは、引き出し部22b,24bとつながっていない。また、電子部品10bは、外部電極60a,60bをさらに備えている。引き出し部56aは、セラミック層16のx軸方向の負方向側の短辺に引き出されている。これにより、引き出し部56aはそれぞれ、端面S3において、隣り合う2層のセラミック層16から露出している露出部58aを有している。ただし、露出部58aは、露出部26a,28aとつながっていない。すなわち、コンデンサ電極18aは、セラミック層16の角には設けられていない。引き出し部56bは、セラミック層16のx軸方向の正方向側の短辺に引き出されている。これにより、引き出し部56bはそれぞれ、端面S4において、隣り合う2層のセラミック層16から露出している露出部58bを有している。ただし、露出部58bは、露出部26b,28bとつながっていない。すなわち、コンデンサ電極18bは、セラミック層16の角には設けられていない。また、端面S3における露出部58aが設けられている部分は、端面S3のその他の部分よりもx軸方向の負方向側に突出している。同様に、端面S4における露出部58bが設けられている部分は、端面S4のその他の部分よりもx軸方向の正方向側に突出している。外部電極60aは、露出部58aを覆うように、端面S3に設けられている。外部電極60bは、露出部58bを覆うように、端面S4に設けられている。以上の電子部品10bにおいても、電子部品10と同様に、外部電極14,15,60を短時間で形成できる。その他の実施形態本発明に係る電子部品10は、前記実施形態に示したものに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。また、電子部品10,10,10a,10bにおいて、積層体12に内蔵されている回路素子は、コンデンサCに限らない。よって、回路素子は、圧電部品や抵抗やコイルやサーミスタ等であってもよい。回路素子が圧電部品である場合には、セラミック層16の材料として、PZT系セラミック等の圧電体セラミックが用いられる。また、回路素子がサーミスタである場合には、セラミック層16の材料として、スピネル系セラミック等の半導体セラミックが用いられる。また、回路素子がコイルである場合には、セラミック層16の材料として、磁性体セラミックが用いられる。なお、外部電極14,15,54a,54b,60a,60bは、前記の通りめっき工法により形成されるが、2度のめっき工法により形成されてもよい。具体的には、1回目のめっき工法により、下地めっき膜を形成した後に、2回目のめっき工法により、下地めっき膜上に上層めっき膜を形成する。下地めっき膜及び上層めっき膜の材料は、Cu,Ni,Sn,Pb,Au,Ag,Pd,Bi又はZnの中から選ばれる1種類の金属又は複数種類の金属からなる合金である。なお、コンデンサ導体18の材料としてNiを用いた場合には、下地めっき膜の材料としてNiと整合性のよいCuを用いることが好ましい。また、上層めっき膜を第1の上層めっき膜及び第2の上層めっき膜からなる2層構造としてもよい。下地めっき膜と接する第1の上層めっき膜の材料としては、はんだにより侵食されにくいNiを用いることが好ましい。また、外部に露出する第2の上層めっき膜の材料としては、はんだ濡れ性の優れたSnやAuを用いることが好ましい。なお、下層めっき膜、第1の上層めっき及び第2の上層めっき膜の厚さはそれぞれ、1μm以上15μm以下であることが好ましい。"