"第1基材と、第2基材と、前記第1基材と前記第2基材間に位置し、前記第1基材側に形成された第1の接続金属層と前記第2基材側に形成された第2の接続金属層とを共晶接合してなる封止接合部と、を有して構成され、前記封止接合部は、前記第1基材側から前記第2基材側にかけて、Ti層、Ta層、AlあるいはAl合金で形成された前記第1の接続金属層、及び、Geで形成された前記第2の接続金属層の順に積層されていることを特徴とするMEMSセンサ。前記第1基材の前記第2基材との対向面側に絶縁層が形成され、前記絶縁層内に配線層が埋設されており、前記封止接合部は、前記絶縁層と前記第2の基材間に形成されている請求項1記載のMEMSセンサ。前記配線層は前記封止接合部の外側にまで引き出されており、前記封止接合部の外側の位置に前記配線層と電気的に接続される電極パッドが設けられている請求項2記載のMEMSセンサ。前記第2基材は、アンカ部と、前記アンカ部に高さ方向へ変位可能に支持される可動部と、前記アンカ部及び前記可動部の周囲に形成された枠体部とを有して構成され、前記第2基材の前記第1基材と対向する反対側には前記アンカ部及び前記枠体部に固定される支持基板が設けられており、前記枠体部と前記第1基材間に前記封止接合部が形成されており、前記封止接合部と同じ積層構造の接合部が前記アンカ部と前記第1基材間に設けられる請求項1ないし3のいずれか1項に記載のMEMSセンサ。前記第1基材の前記第2基材との対向面側に絶縁層が形成され、前記絶縁層内に配線層が埋設されており、前記封止接合部は、前記絶縁層と前記第2の基材間に形成されており、前記配線層は、前記封止接合部の内側にて前記可動部と対向する位置に設けられた固定電極層に電気的に接続されている請求項4記載のMEMSセンサ。本発明は、上記従来の課題を解決するものであり、特に、封止接合部のAl-Ge共晶接合界面での接合強度及び封止気密性を向上させることが可能なMEMSセンサを提供することを目的としている。本発明におけるMEMSセンサは、第1基材と、第2基材と、前記第1基材と前記第2基材間に位置し、前記第1基材側に形成された第1の接続金属層と前記第2基材側に形成された第2の接続金属層とを共晶接合してなる封止接合部と、を有して構成され、前記封止接合部は、前記第1基材側から前記第2基材側にかけて、Ti層、Ta層、AlあるいはAl合金で形成された前記第1の接続金属層、及び、Geで形成された前記第2の接続金属層の順に積層されていることを特徴とするものである。このように、Ti層とAlあるいはAl合金で形成された第1の接続金属層間にTa層を介在させることで、前記第1の接続金属層とGeで形成された第2の接続金属層とを共晶接合させるべく所定の熱処理を施しても、比較例のように、AlとTiとが拡散するのを抑制できる。よって第1の接続金属層に空隙部ボイドが形成されるのを抑制でき、第1の接続金属層と第2の接続金属層間の共晶接合界面での接合強度及び封止気密性を向上させることができる。本発明では、前記第1基材の前記第2基材との対向面側に絶縁層が形成され、前記絶縁層内に配線層が埋設されており、前記封止接合部は、絶縁層と前記第2の基材間に形成されていることが好ましい。また本発明では、前記配線層は前記封止接合部の外側にまで引き出されており、前記封止接合部の外側の位置に前記配線層と電気的に接続される電極パッドが設けられていることが好ましい。また本発明では、前記第2基材は、アンカ部と、前記アンカ部に高さ方向へ変位可能に支持される可動部と、前記アンカ部及び前記可動部の周囲に形成された枠体部とを有して構成され、前記第2基材の前記第1基材と対向する反対側には前記アンカ部及び前記枠体部に固定される支持基板が設けられており、前記枠体部と前記第1基材間に前記封止接合部が形成されており、前記封止接合部と同じ積層構造の接合部が前記アンカ部と前記第1基材間に設けられることが好ましい。これにより、アンカ部と第1基材間に設けられた接合部の共晶接合界面での接合強度を高めることができる。また本発明では、前記第1基材の前記第2基材との対向面側に絶縁層が形成され、前記絶縁層内に配線層が埋設されており、前記封止接合部は、前記絶縁層と前記第2の基材間に形成されており、前記配線層は、前記封止接合部の内側にて前記可動部と対向する位置に設けられた固定電極層に電気的に接続されている構成に適用できる。本発明のMEMSセンサによれば、AlあるいはAl合金からなる第1の接続金属層とGeからなる第2の接続金属層間の共晶接合界面での接合強度及び封止気密性を向上させることができる。図1は本発明の第1実施形態のMEMSセンサの模式図縦断面図、図2は本実施形態における封止接合部の拡大縦断面図、図3は、本発明の第2実施形態のMEMSセンサの模式図縦断面図である。図1に示すようにMEMSセンサ20は、第1基材21と第2基材22とを備える。第1基材21及び第2基材22はともにシリコンで構成される。図1に示すように絶縁下地層29が第1基材21の表面第2基材22との対向面21aの全面に形成される。図1に示すように第1配線層24及び第2配線層25が絶縁下地層29上に形成される。更に絶縁層23が第1配線層24及び第2配線層25上に形成される。このように各配線層24,25は絶縁層23に埋設されている。絶縁下地層29及び絶縁層23の材質は特に限定されないが例えば、SiO2層で形成される。また、各配線層24,25の材質は特に限定されるものでないが例えばAlCuで形成される。また図1では、絶縁層23の表面23bには突起部23cが形成されて後述する可動部38に対するストッパを構成しているが、絶縁層23の表面23bの形状は特に限定されない。また突起部23cは絶縁層23と一体に形成されてもよいし別体で形成されてもよい。図1に示すように、第2基材22は、第1基材21の反対面側に酸化絶縁層儀性層35を介して支持基板36に固定支持される。第2基材22、酸化絶縁層35及び支持基板36によりSOISilicononInsulator基板を構成することが出来る。支持基板36はシリコンで形成される。図1に示すように第2基材22は、アンカ部37、可動部38、ばね部39及び枠体部40とを有して構成される。第2基材22をエッチング加工することで各パーツを構成できる。可動部38はアンカ部37にばね部39を介して高さ方向Zに変位可能に支持される。可動部38と枠体部40は分離されている。枠体部40の平面形状X-Y平面の形状は、可動部38の周囲を囲む枠形状で形成されている。図1にはMEMSセンサ20を高さ方向から切断したときに可動部38の両側に現れる枠体部40の断面が示されている。なお第2基材22の各パーツの構成や形状は図1に示すものに限定されない。図1に示すように、可動部38及びばね部39と支持基板36との間には酸化絶縁層35が形成されていない。このため可動部38は高さ方向Zへの変位を可能としている。酸化絶縁層35はSiO2で形成されることが好適である。図1に示すように、第1基材21の表面21aに形成された絶縁層23と枠体部40との間には複数の金属層を積層して成る封止接合部50が形成されている。封止接合部50の上面は枠体部40に当接している。また封止接合部50の下面は、絶縁層23の表面23bに当接し、絶縁層23内に埋設された配線層とは絶縁された状態となっている。また、絶縁層23とアンカ部37との間にも前記封止接合部50と同じ積層構成の接合部51が形成されている。図1に示すように、接合部51の上面はアンカ部37に当接し、下面は第2配線層25と電気的に接続された状態となっている。なお図1に示す形態と異なって、例えば枠体部40と対向する絶縁層23上に絶縁層23とは別体の突出部が形成される形態では、前記突出部と枠体部との間に封止接合部50が形成されることになる。突出部は、例えば窒化シリコンで形成される。突出部は、可動部38と固定電極層26後記との間のギャップ調整用等として用いられる。図1に示すように、第1配線層24は、封止接合部50の内側枠体部40により囲まれた内側から封止接合部50を平面視で交差して外側にまで引き出されている。図1に示すように、電極パッド27が封止接合部50の外側に形成されている。出力信号用である第1配線層24の外側端部の位置には絶縁層23に貫通孔23aが形成され、第1配線層24と電極パッド27とが前記貫通孔23aを介して電気的に接続されている。また図1に示すように、固定電極層26が、可動部38と高さ方向にて対向する絶縁層23の表面に形成されている。そして、第1配線層24の内側端部が絶縁層23に形成された貫通孔23aを介して固定電極層26と電気的に接続されている。図1に示す固定電極層26及び電極パッド27の材質は特に限定されないが導電性に優れた材質が好ましく適用される。また図1に示すように、アンカ部37は、接合部51を介して入力信号用の第2配線層25と電気的に接続されている。図示していないが第2配線層25も第1配線層24と同様に封止接合部50の外側に引き出され、図示しない電極パッドに接続されている。図1に示すように可動部38と固定電極層26との間には高さ方向に所定の間隔ギャップが設けられている。そして図1に示すMEMSセンサ20は、可動部38が高さ方向Zに変位すると固定電極層26との間の距離が変化して静電容量が変化し、静電容量変化を、電極パッド27を通じて電気回路にて検出することで例えば加速度の変化や加速度の大きさを検知することができる。図2に示すように、封止接合部50は下からTi層52、Ta層53、AlあるいはAl合金から成る第1の接続金属層54、及び、Geからなる第2の接続金属層55の順に積層されている。Al合金としては、アルミ銅合金AlCuやアルミスカンジウム銅合金AlScCu等を例示できる。封止接合部50の最下層であるTi層52は絶縁層23の表面23bに当接し密着して形成されている。また封止接合部50の最上層である第2の接続金属層55は、枠体部40の下面に当接して形成されている。なお封止接合部50の下面側や上面側の構成は図1に示すものに限定されず、MEMSセンサの構成に合わせて、封止接合部50の最下層であるTi層52と接する面、及び封止接合部50の最上層である第2の接続金属層55と接する面が適宜変更される。図2に示すTi層52、Ta層53、及び第1の接続金属層54の3層は、最初、第1基材21側にスパッタ等の既存の方法で形成されたものであり、第2の接続金属層55は最初、第2基材22側にスパッタ等の既存の方法で形成されたものである。そして第1の接続金属層54と第2の接続金属層55間を突き合わせて、所定の圧力を加えながら所定の熱処理を施すことでAlあるいはAl合金からなる第1の接続金属層54とGeからなる第2の接続金属層55間を共晶接合させる。本実施形態では、第1の接続金属層54と第2の接続金属層55との材質の組み合わせにより、各金属の融点以下の温度で熱処理を行い共晶接合させることができる。しかしながら、下地であるTi層52上に直接、AlあるいはAl合金からなる第1の接続金属層54を形成した形態比較例では、共晶接合の際の熱処理により、TiとAlとの間で拡散が生じ、第1の接続金属層54に空隙部が形成される不具合が生じた。そこで、本実施形態では、下地であるTi層52とAlあるいはAl合金からなる第1の接続金属層54との間にTa層53を介在させた。TaはTiよりも高融点で拡散バリア層として機能すると考えられる。このため、共晶接合の際の熱処理によっても、TiとAlとの拡散を抑制でき、第1の接続金属層54に空隙部ボイドが形成されるのを抑制できる。したがってAlあるいはAl合金からなる第1の接続金属層54とGeからなる第2の接続金属層55間を高い接合強度にて共晶接合できる。更に第1の接続金属層54に空隙部ボイドが形成されず、第1の接続金属層54と第2の接続金属層55間の全面が適切に密着していることで、封止気密性を適切に向上させることが可能である。Ti層52の膜厚は、0.01~0.1μm程度、Ta層53の膜厚は、0.01~0.1μm程度、AlあるいはAl合金からなる第1の接続金属層54の膜厚は、0.5~1.5μm程度、Geからなる第2の接続金属層55の膜厚は、0.3~1.0μm程度である。本実施形態では、図1に示すアンカ部37と第2配線層25間を接合する接合部51も封止接合部50と同じ積層構造で形成されている。すなわち接合部51も下からTi層/Ta層/AlあるいはAl合金からなる第1の接続金属層/Geからなる第2の接続金属層の順に積層されている。これにより接合部51における第1の接続金属層と第2の接続金属層間の共晶接合界面での接合強度を適切に向上させることができる。また図1に示す絶縁層23上に形成された固定電極層26及び電極パッド27も、Ti層/Ta層/Al層あるいはAl合金層の積層構造で形成されることが好適である。すなわち、第1基材21側に、封止接合部50及び接合部51を構成する3層構造Ti層/Ta層/Al層あるいはAl合金層の積層構造を形成する際に、同時に、固定電極層26及び電極パッド27も前記3層構造で形成することで製造工程を容易化できる。図3は、図1とは別の実施形態を示すMEMSセンサの部分縦断面図を示す。図3では、第1基材68上に電気的絶縁性の絶縁下地層63を介して配線層64が形成されている。図3に示すように、配線層64上には絶縁層65が形成されている。これにより配線層64は絶縁層65内に埋設された状態になる。図3に示すように絶縁層65には配線層64に通じる貫通孔69,73が形成されている。図3に示す実施形態では、絶縁層65上に平面視にて枠形状の突出層66が形成されている。突出層66は例えば、窒化シリコンで形成される。そして、突出層66上に図2と同様の積層構造Ti層52/Ta層53/AlあるいはAl合金からなる第1の接続金属層54/Geからなる第2の接続金属層55からなる封止接合部50を介して第2基材67が形成されている。これにより第1基材68と第2基材67間に密閉された内部空間S1が形成される。図3に示す実施形態では、内部空間S1内に、センサ素子70が設置され、センサ素子70の接続端子部71が電気接続層72と電気的に接続された状態となっている図3では一方の接続端子部の接続状態を示す。図4aは本実施例の封止接合部の断面SIM写真、図4bは比較例の封止接合部の断面SIM写真である。図4aに示す本実施例では、封止接合部を第1基材側に下からTi0.02/Ta0.02/第1の接続金属層;Al0.8の順に積層し、第2基材側に第2の接続金属層;Ge0.5を形成した。括弧内の数値は膜厚を示し単位はμmである。そして、Alから成る第1の接続金属層とGeから成る第2の接続金属層とを突き合わせた状態で、430°Cの条件下で熱処理を施した。これによりAl-Ge共晶接合を行った。一方、図4bに示す比較例では、封止接合部を第1基材側に下からTi0.02/第1の接続金属層;Al0.8の順に積層し、第2基材側に第2の接続金属層;Ge0.5を形成した。括弧内の数値は膜厚を示し単位はμmである。そして、Alから成る第1の接続金属層とGeから成る第2の接続金属層とを突き合わせた状態で、430°Cの条件下で熱処理を施した。これによりAl-Ge共晶接合を行った。図4aの実施例に示すように、Al層第1の接続金属層と、Ge層第2の接続金属層との界面はきれいに密着し、Al層に空隙部ボイドが形成されていないことがわかった。これに対して図4bの比較例では、Al層第1の接続金属層と、Ge層第2の接続金属層との界面付近のAl層に空隙部ボイドが形成されていることがわかった。続いて、図4aに示す本実施例のMEMSセンサ及び図4bに示す比較例のMEMSセンサに対して、引張試験を行い封止接合部の接合強度を測定した。図4bに示す比較例では、1kgf程度の荷重でAl層とGe層との界面より剥離することがわかった。一方、図4aに示す実施例では、1.5kgf程度の荷重で、Al層とGe層との界面以外の箇所Al層内部や基材との間の界面等で破壊が生じることがわかった。したがって実施例では比較例に比べてAl層とGe層とのAl-Ge共晶接合界面での接合強度が高いことがわかった。"