半導体ウェーハをエキスパンドしてチップを生成するエキスパンド方法であって、前記半導体ウェーハの裏面に、伸縮可能な素材で形成されると共に孔部が形成された粘着シートを貼り付ける第1の工程と、前記粘着シートが貼り付けられた前記半導体ウェーハの裏面を鉛直上方に向けた状態で前記粘着シートを引き伸ばし、前記半導体ウェーハを複数のチップに分断する第2の工程と、を含み、前記第2の工程において、前記引き伸ばされた粘着シートの孔部及び前記複数のチップの間隙を通して、前記半導体ウェーハの裏面側から主面側に向けて流体を流すことを特徴とする、エキスパンド方法。請求項1に記載のエキスパンド方法であって、前記第2の工程において、層流の状態で前記流体を流すことを特徴とする、エキスパンド方法。請求項2に記載のエキスパンド方法であって、前記第2の工程において流す流体は、前記流体の平均流速にエキスパンド後のチップ間隔を乗じ、前記流体の動粘性係数で除したレイノルズ数を2000以下とすることにより、層流の状態とされることを特徴とする、エキスパンド方法。請求項1ないし3のいずれか1項に記載のエキスパンド方法であって、前記流体として、純水に二酸化炭素を溶かし込んだ液体を用いることを特徴とする、エキスパンド方法。請求項1ないし4のいずれか1項に記載のエキスパンド方法であって、前記流体として、界面活性剤を添加した液体を用いることを特徴とする、エキスパンド方法。半導体ウェーハをエキスパンドしてチップを生成するためのエキスパンド装置であって、半導体ウェーハに貼り付けられ、孔部が形成された粘着シートを引き伸ばすことにより前記半導体ウェーハを複数のチップに分断するための駆動手段と、前記駆動手段が動作する際に、前記引き伸ばされた粘着シートの孔部及び前記複数のチップの間隙を通して、鉛直上方から鉛直下方に向けて流体を流す流体発生手段と、を備えるエキスパンド装置。請求項6に記載のエキスパンド装置であって、前記流体発生手段は、鉛直上方から前記粘着シートに対して前記流体を供給する流体供給部と、前記粘着シートに供給された前記流体を鉛直下方に吸引する流体吸引部と、を含む、エキスパンド装置。請求項7に記載のエキスパンド装置であって、前記流体吸引部は、前記流体の流路を部分的に狭めるためのスリット形状を有する部材を含む、エキスパンド装置。請求項6ないし8のいずれか1項に記載のエキスパンド装置であって、前記流体発生手段は、層流の状態で前記流体を流すことを特徴とする、エキスパンド装置。請求項9に記載のエキスパンド装置であって、前記流体発生手段は、前記流体の平均流速にエキスパンド後のチップ間隔を乗じ、前記流体の動粘性係数で除したレイノルズ数を2000以下とすることにより、層流の状態で前記流体を流すことを特徴とする、エキスパンド装置。請求項6ないし10のいずれか1項に記載のエキスパンド装置であって、前記流体発生手段は、純水に二酸化炭素を溶かし込んだ液体を流すことを特徴とする、エキスパンド装置。請求項6ないし11のいずれか1項に記載のエキスパンド装置であって、前記流体発生手段は、界面活性剤を添加した液体を流すことを特徴とする、エキスパンド装置。半導体ウェーハをエキスパンドしてチップを生成するのに用いられる粘着シートであって、一方の面に粘着材が取り付けられ、伸縮可能な素材で形成されると共に孔部が形成された粘着シート。しかしながら、上記特許文献2に記載のエキスパンド方法においても、依然としてシリコン屑等が半導体ウェーハの主面に付着する可能性が排除できない。エアーを斜め下方向から吹き付けることによってシリコン屑等に上向きの力が作用し、重力の作用と相殺してしまう可能性があるからである。また、乱流が発生することによってシリコン屑等に浮力を発生させることも懸念される。これに対し、エアーの吹き付けを省略することも考えられるが、この場合、静電気力によってシリコン屑等が落下せずに半導体ウェーハの主面に残る可能性がある。本発明はこのような課題を解決するためのものであり、半導体ウェーハの分断時に、チップ主面へのシリコン屑等が付着するのを、より強力に抑制することが可能なエキスパンド方法、及びエキスパンド装置、並びにこれらに好適に用いられる粘着シートを提供することを、主たる目的とする。上記目的を達成するための本発明の第1の態様は、半導体ウェーハをエキスパンドしてチップを生成するエキスパンド方法であって、前記半導体ウェーハの裏面に、伸縮可能な素材で形成されると共に孔部が形成された粘着シートを貼り付ける第1の工程と、前記粘着シートが貼り付けられた前記半導体ウェーハの裏面を鉛直上方に向けた状態で前記粘着シートを引き伸ばし、前記半導体ウェーハを複数のチップに分断する第2の工程と、を含み、前記第2の工程において、前記引き伸ばされた粘着シートの孔部及び前記複数のチップの間隙を通して、前記半導体ウェーハの裏面側から主面側に向けて流体を流すことを特徴とする、エキスパンド方法である。この本発明の第1の態様によれば、半導体ウェーハの裏面に、伸縮可能な素材で形成されると共に孔部が形成された粘着シートを貼り付け、粘着シートが貼り付けられた半導体ウェーハの裏面を鉛直上方に向けた状態で粘着シートを引き伸ばして半導体ウェーハを複数のチップに分断すると共に、引き伸ばされた粘着シートの孔部及び複数のチップの間隙を通して半導体ウェーハの裏面側から主面側に向けて流体を流すため、半導体ウェーハの分断時に、チップ主面へのシリコン屑等が付着するのを、より強力に抑制することができる。本発明の第1の態様において、前記第2の工程において、層流の状態で前記流体を流すことを特徴とするものとしてもよい。こうすれば、半導体ウェーハの分断時に、チップ主面へのシリコン屑等が付着するのを、更に強力に抑制することができる。この場合、前記第2の工程において流す流体は、例えば、前記流体の平均流速にエキスパンド後のチップ間隔を乗じ、前記流体の動粘性係数で除したレイノルズ数を2000以下とすることにより、層流の状態とされる。また、本発明の第1の態様において、前記流体として、純水に二酸化炭素を溶かし込んだ液体を用いることを特徴とするものとしてもよい。また、本発明の第1の態様において、前記流体として、界面活性剤を添加した液体を用いることを特徴とするものとしてもよい。本発明の第2の態様は、半導体ウェーハをエキスパンドしてチップを生成するためのエキスパンド装置であって、半導体ウェーハに貼り付けられ、孔部が形成された粘着シートを引き伸ばすことにより前記半導体ウェーハを複数のチップに分断するための駆動手段と、前記駆動手段が動作する際に、前記引き伸ばされた粘着シートの孔部及び前記複数のチップの間隙を通して、鉛直上方から鉛直下方に向けて流体を流す流体発生手段と、を備えるエキスパンド装置である。この本発明の第2の態様によれば、本発明の第1の態様のエキスパンド方法を実行することができ、半導体ウェーハの分断時に、チップ主面へのシリコン屑等が付着するのを、より強力に抑制することができる。本発明の第1の態様において、前記流体発生手段は、鉛直上方から前記粘着シートに対して前記流体を供給する流体供給部と、前記粘着シートに供給された前記流体を鉛直下方に吸引する流体吸引部と、を含むものとしてもよい。この場合、前記流体吸引部は、前記流体の流路を部分的に狭めるためのスリット形状を有する部材を含むものとすると、好適である。こうすれば、半導体ウェーハの分断時に生じたシリコン屑等が鉛直上方に向けて舞い上がり、チップ主面に付着するのを防止することができる。また、本発明の第2の態様において、前記流体発生手段は、層流の状態で前記流体を流すことを特徴とするものとしてもよい。この場合、前記流体発生手段は、前記流体の平均流速にエキスパンド後のチップ間隔を乗じ、前記流体の動粘性係数で除したレイノルズ数を2000以下とすることにより、層流の状態で前記流体を流すことを特徴とするものとしてもよい。また、本発明の第2の態様において、前記流体発生手段は、純水に二酸化炭素を溶かし込んだ液体を流すことを特徴とするものとしてもよい。また、本発明の第2の態様において、前記流体発生手段は、界面活性剤を添加した液体を流すことを特徴とするものとしてもよい。本発明の第3の態様は、半導体ウェーハをエキスパンドしてチップを生成するのに用いられる粘着シートであって、一方の面に粘着材が取り付けられ、伸縮可能な素材で形成されると共に孔部が形成された粘着シートである。この本発明の第3の態様は、本発明の第1及び第2の態様において、好適に使用することができる。本発明によれば、半導体ウェーハの分断時に、チップ主面へのシリコン屑等が付着するのを、より強力に抑制することが可能なエキスパンド方法、及びエキスパンド装置、並びにこれらに好適に用いられる粘着シートを提供することができる。以下、本発明を実施するための形態について、添付図面を参照しながら実施例を挙げて説明する。以下、図面を参照し、本発明の一実施例に係るエキスパンド方法、エキスパンド装置、及び粘着シートについて説明する。なお、以下の説明では、半導体ウェーハにおける素子が形成された面を主面、反対側の面を裏面と称する。図1、2は、本発明の一実施例に係るエキスパンド方法における第1の工程を説明するための説明図である。図示するように、第1の工程では、円盤状の半導体ウェーハ10の裏面10Bに、伸縮可能な素材で形成されると共に孔部が形成された粘着シート20が貼り付けられる。半導体ウェーハ10は、例えばMEMSデバイスとなる素子が予め主面10Aに形成されており、分断予定線にはレーザーが照射されて改質層10Cが格子状に形成されている図3、4を参照。改質層10Cは、レーザー照射及び冷却によってアモルファス状態となっており、単結晶状態の半導体ウェーハ10の他の部分に比して強度が弱く、破断され易くなっている。粘着シート20は、図1に示すように、矩形又は円形等の孔部20Aが形成された形状であってもよいし、図2に示すように、格子状メッシュ状に部材が形成されることによって孔部20Aが形成された形状であってもよい。すなわち、何らかの形状の孔部が形成されていれば足りるが、一定の大きさ、形状、間隔を有する複数の孔部が形成されていると好適である。この場合、粘着シート20は、一定の間隔及び形状を有する孔部20Aの配列が分断予定線である改質層10Cに沿うように、半導体ウエーハ10に貼り付けられるとよい。図3、4は、本発明の一実施例に係るエキスパンド方法における第2の工程を説明するための説明図である。図3に示すように、第2の工程では、まず、粘着シート20が貼り付けられた半導体ウェーハ10がエキスパンド装置100に搭載される。なお、粘着シート20がエキスパンド装置100に搭載されてから半導体ウェーハ10が粘着シート20に貼り付けられても構わない。ここで、エキスパンド装置100について説明する。エキスパンド装置100は、環状のダイシングリング110及びこれを駆動するアクチュエータ115と、部材120と、流体供給部130と、流体吸引部140と、を備える。図3、4におけるZ方向は鉛直上方を示しており、エキスパンド装置100は、流体供給部130が半導体10の搭載位置に対して鉛直上方、流体吸引部140が半導体10の搭載位置に対して鉛直下方となるように設置される。ダイシングリング110は、搭載予定の半導体ウェーハ10の直径よりも大きい直径を有している。アクチュエータ115は、ダイシングリング110を鉛直上方及び下方に駆動することができる。部材120は、例えばダイシングリング110と同様の環状部材であり、その直径は、半導体ウェーハ10の直径とダイシングリング110の直径の間となるように設計されている。なお、ダイシングリング110及び部材120は、必ずしも円環状である必要はなく、矩形の環状部材等であっても構わない。粘着シート20が貼り付けられた半導体ウェーハ10は、粘着シート20がダイシングリング110と部材120に挟まれる状態でダイシングリング110に固定されることにより、エキスパンド装置100に搭載される。流体供給部130は、例えばポンプやノズル等を備え、鉛直上方からダイシングリング110の内側部分に向けて、すなわち半導体ウェーハ10の裏面に向けて流体を供給する吹き付ける。流体吸引部140は、スリット部材140Aとバキュームポンプ140Bを有する。流体吸引部140は、ダイシングリング110の内側部分から流体を鉛直下方に吸引する。図4に示すように、第2の工程では、図3の状態に続いて、アクチュエータ115がダイシングリング110を鉛直上方に駆動する。アクチュエータ115がダイシングリング110を鉛直上方に駆動すると、ダイシングリング110と部材120が粘着シート20を全体的に引き伸ばす。これによって、半導体ウェーハ10が改質層10Cで破断し、複数のチップ10Dに分断される。なお、これとは逆に、ダイシングリング110は固定部材であり、部材120が鉛直下方に駆動される態様であってもよい。半導体ウェーハ10が複数のチップに分断される際に、破断面を中心にシリコン屑等が発生するため、これがチップ10Dの主面に付着しないようにする必要がある。流体供給部130及び流体吸引部140は、アクチュエータ115の駆動エキスパンドに先だって作動開始し、一定時間流体を供給及び吸引する。なお、流体供給部130及び流体吸引部140は、アクチュエータ115の駆動と略同時に作動開始してもよい。これによって、流体供給部130及び流体吸引部140は、半導体ウェーハ110の裏面110Bの側から主面110Aの側に向けて、引き伸ばされた粘着シート10の孔部及び複数のチップ10Dの間隙を通して流体を流すことができる。この流体は、半導体ウェーハ10の破断によって生じたシリコン屑等を押し流し、生成されたチップ10D特に主面に付着しないように作用する。また、チップ10Dの主面は鉛直下方に向けられているため、重力によってシリコン屑等がチップ10Dの主面に押しつけられることがない。また、スリット部材140Aは、半導体ウェーハ110から落下してくるシリコン屑等を挟み込み、鉛直上方に向けて舞い上がるのを防止している。これらによって、半導体ウェーハ10の分断時に、チップ10Dの主面へのシリコン屑等の付着を、より強力に抑制することができる。ここで、流体供給部130が供給する流体は、気体又は液体である。いずれを使用する場合も、静電気を発生しにくいものを使用すると好適である。液体の場合は、電気を通しにくい液体純水、アルコール、ベンゼン系の液体は使用しない方が望ましく、純水に二酸化炭素を溶かし込んで被抵抗を下げた液体等を使用するとよい。これによって、チップ10Dの主面へのシリコン屑等の付着を、更に強力に抑制することができる。また、表面張力も切り分けたチップ同士をくっつける作用を生じるので、例えば界面活性剤を添加して表面張力を弱くした液体を使用すると好適である。また、流体供給部130及び流体吸引部140が流す流体は、層流の状態となるように設定されると好適である。これによって、流体が乱流の状態となり、シリコン屑等に浮力を与えて鉛直下方への落下を妨げるという不都合を抑制することができる。流体を層流とするための要件は、次式1で示されるレイノルズ数を2000以下とすることである。レイノルズ数=流体の平均流速[msec]×エキスパンド後のチップ10Dの間隔[m]/流体の動粘性係数[m2sec]...1ここで、流体としてドライエアーを用いた場合の具体的数値について説明する。ドライエアーの動粘性係数は1335×106[m2sec]である。エキスパンド後のチップ10Dの間隔は任意に決定可能な事項であるが、例えば0001[m]とする。この場合、流体の平均流速を、267[msec]以下とすればよい。従って、例えばエキスパンド後のチップ10Dの間隔が0001[m]となるようにアクチュエータ115の駆動量を決定しておき、更に、ドライエアーの平均流速が267[msec]以下となるように流体供給部130の単位時間あたりのドライエアー供給量、スリット部材140Aの間隔、バキュームポンプ140Bの単位時間あたりのドライエアー吸引量等を設定すれば、流体は、層流の状態とすることができる。図5は、本実施例に係るエキスパンド方法を含む半導体製造方法の各手順を、順に説明したフローチャートである。なお、少なくともS240~S270の工程は、エキスパンド装置100によって自動的に行われる。まず、半導体ウェーハ10の主面10Aに、例えばMEMSデバイスとなる素子が形成されるS200。次に、半導体ウェーハ10の分断予定線にレーザーを照射し、その後冷却して、改質層10Cが格子状に形成されるS210。次に、半導体ウェーハ10の裏面10Bに、粘着シート20が貼り付けられるS220。次に、粘着シート20が貼り付けられた半導体ウェーハ10が、エキスパンド装置100に搭載されるS230。次に、流体供給部130及び流体吸引部140が作動開始するS240。次に、アクチュエータ115がダイシングリング110を駆動し、半導体ウェーハ10が分断されて複数のチップが生成されるS250。そして、一定時間経過後、流体供給部130及び流体吸引部140が停止しS260、S270、複数のチップがエキスパンド装置100及び粘着シート20から取り外され、半導体製造工程が終了する。以上説明した本実施例のエキスパンド方法、及びエキスパンド装置100によれば、半導体ウェーハ10の分断時に、チップ10Dの主面へのシリコン屑等の付着を、より強力に抑制することができる。また、伸縮可能な素材で形成されると共に孔部が形成された粘着シート20は、本実施例のエキスパンド方法、及びエキスパンド装置100において、好適に使用することができる。以上、本発明を実施するための最良の形態について実施例を用いて説明したが、本発明はこうした実施例に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変形及び置換を加えることができる。例えば、本実施例のエキスパンド方法、及びエキスパンド装置100は、レーザーダイシング法に好適に適用されるものであるが、ブレードを用いたダイシング法において、半導体ウェーハ10を完全に破断しない場合ハーフカットにも適用可能である。この場合、半導体ウェーハ10はエキスパンドされる際に、ブレードによって形成された切り込みに沿って分断される。