搬送手段が備えられた搬送室に隣接する描画室で試料に荷電粒子ビームを照射して所望のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法において、前記パターンが目視で判別可能である場合には、該パターンの描画と前記試料とは異なる試料の前記搬送手段による搬送とを並行して行うことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。前記搬送手段によって、前記描画室への前記試料の搬送と、前記搬送室に隣接する処理室への前記異なる試料の搬送とを同時に行い、前記描画室への搬送が終了すれば、前記処理室への搬送が終了しているか否かにかかわらず前記目視で判別可能なパターンの描画を行うことを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム描画方法。前記試料に目視で判別不可能なパターンを描画しているときに、前記試料とは異なる試料の搬送をする場合、描画予定のパターンの中に目視で判別可能なパターンがあるか否かを判定し、該パターンがある場合には、前記目視で判別不可能なパターンの描画を中断して前記目視で判別可能なパターンの描画を行うとともに前記試料とは異なる試料の搬送を行い、該搬送を終えた後に中断した前記目視で判別不可能なパターンの描画に戻ることを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム描画方法。試料を載置するステージを内蔵する描画室と、前記ステージに載置した試料に荷電粒子ビームを照射して所望のパターンを描画するビーム照射手段と、前記描画室に隣接する位置に配置された搬送室と、前記搬送室に収納された搬送手段とを備える荷電粒子ビーム描画装置において、前記パターンが目視で判別可能なパターンである場合には、該パターンの描画と前記試料とは異なる試料の前記搬送手段による搬送とを並行して行うよう構成されたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。前記ビーム照射手段は制御部に接続しており、前記制御部は、前記パターンが目視で判別可能か否かについての情報が格納されたフラグを参照して前記荷電粒子ビームの照射と前記搬送手段による搬送とを制御することを特徴とする請求項4に記載の荷電粒子ビーム描画装置。本発明は、こうした点に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、スループットの向上を図ることのできる荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置を提供することにある。本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。本発明の第1の態様は、搬送手段が備えられた搬送室に隣接する描画室で試料に荷電粒子ビームを照射して所望のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法において、パターンが目視で判別可能なパターンである場合には、このパターンの描画と試料とは異なる試料の搬送手段による搬送とを並行して行うことを特徴とするものである。本発明の第1の態様では、搬送手段によって、描画室への試料の搬送と、搬送室に隣接する処理室への異なる試料の搬送とを同時に行い、描画室への搬送が終了すれば、処理室への搬送が終了しているか否かにかかわらず目視で判別可能なパターンの描画を行うことが好ましい。本発明の第1の態様では、試料に目視で判別不可能なパターンを描画しているときに、この試料とは異なる試料の搬送をする場合、描画予定のパターンの中に目視で判別可能なパターンがあるか否かを判定し、かかるパターンがある場合には、目視で判別不可能なパターンの描画を中断して目視で判別可能なパターンの描画を行うとともに試料とは異なる試料の搬送を行い、この搬送を終えた後に中断した目視で判別不可能なパターンの描画に戻ることが好ましい。この場合、目視で判別不可能なパターンは、回路パターンまたはアライメントパターンとすることが好ましい。本発明の第2の態様は、試料を載置するステージを内蔵する描画室と、ステージに載置した試料に荷電粒子ビームを照射して所望のパターンを描画するビーム照射手段と、描画室に隣接する位置に配置された搬送室と、搬送室に収納された搬送手段とを備える荷電粒子ビーム描画装置において、パターンが目視で判別可能なパターンである場合には、このパターンの描画と試料とは異なる試料の搬送手段による搬送とを並行して行うよう構成されたことを特徴とするものである。本発明の第2の態様において、ビーム照射手段は制御部に接続しており、制御部は、パターンが目視で判別可能か否かについての情報が格納されたフラグを参照して荷電粒子ビームの照射と搬送手段による搬送とを制御することが好ましい。本発明によれば、スループットの向上を図ることのできる荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置が提供される。上述したように、電子ビーム描画装置における電子ビームのショットサイズや偏向器の偏向幅は小さくなっている。例えば、主偏向器の偏向幅L1とショットサイズL2の変化を見ると、従来は、L1=1024μm、L2=1.0μmであったものが、L1=184μm、L2=0.50μmとなり、最近では、L1=180μm、L2=0.35μmとなっている。こうしたショットサイズや偏向幅の縮小化は、描画処理の長時間化を招き、スループットを低下させる。ところで、マスク上に描画されるパターンは、目的の異なる複数のパターンによって構成される。そして、これらのパターンは、必ずしもその全てに高い描画精度が要求されるものではない。例えば、半導体集積回路に使用される回路パターンは、デバイスの品質や容量に影響するため高い描画精度が必要になる。また、基板の位置決めに使用されるアライメントパターンにも高い描画精度が必要とされる。一方、基板情報や半導体製造工程で必要とされる情報を反映するパターンは、目視によるパターン間の判別が可能であり、回路パターンやアライメントパターンほどの描画精度は必要とされない。こうしたパターンとしては、例えば、作業者がマスクを目視で判別するためのIDパターン、半導体製造工程で使用される各装置がマスクを判別するためのバーコードパターン、社名のロゴパターン、ステッパによる露光時にマスクの方向を確認するための矢印パターン、および、エッチングの終了時点を確認するためのエンドマークパターンなどが挙げられる。一般に、高い描画精度が必要とされるパターンは基板の中央付近に配置される。これに対して、高い描画精度が必要とされないパターンは基板の周辺部分に配置される。従来の電子ビーム描画方法では、パターン全体の描画条件を回路パターンやアライメントパターンの描画精度に合わせて設定していた。このため、高い描画精度が必要とされないパターンに対しても、回路パターンやアライメントパターンと同じ条件で描画が行われていた。こうした従来の電子ビーム描画方法において、高い描画精度が必要とされないパターンに対する描画時間は、パターン全体の描画時間に対して3程度であった。しかしながら、ショットサイズや偏向幅の縮小化が進んだ現在では、全体の10程度を占めるまでになっている。つまり、本来は高い精度が必要とされないパターンに対して、過剰の精度で描画を行っているうえに、かかるパターンの描画に要する時間が無視できないものとなっている。そこで、本実施の形態においては、高い描画精度が必要とされないパターンの描画処理と、基板の搬送処理とを並行して行う。具体的には、高い描画精度が必要とされないパターンの描画中に処理室への他の基板の搬送が必要となった場合、描画処理を続けた状態で搬送処理を並行して行う。また、描画室への基板の搬送と、処理室への基板の搬送とを同時に行う場合、描画室への基板の搬送が終われば、処理室への基板の搬送が終えてない状態であっても描画を行う。但し、この状態で描画するパターンは、高い描画精度が必要とされないパターンとする。さらに、高い精度が必要とされるパターンの描画処理中に、処理室への基板の搬送が必要になった場合には、かかるパターンの描画を中断し、搬送が終了するまで高い精度が必要とされないパターンの描画を行う。そして、搬送処理を終えた後は、中断したパターンの描画に戻る。この場合、描画精度が低いパターンであるか否かを識別するフラグを定義する。描画精度が低いパターンであればフラグを1とし、描画精度が低いパターンでなければフラグは0とする。例えば、IDパターン、バーコードパターン、ロゴパターン、矢印パターンおよびエンドマークパターンなどは、フラグ1のパターンである。一方、回路パターンおよびアライメントパターンなどは、フラグ0のパターンである。以上のようにすることで、スループットの大幅な向上を図ることができる。つまり、基板の搬送処理を行う場合、従来は、描画精度にかかわらず描画処理を中断していたが、高い描画精度を必要としないパターンについては中断しないこととするので、これらのパターンの描画時間の分だけ全体の描画時間を短縮することができる。具体的には、ショットサイズや偏向幅の縮小化が進むことにより、描画時間全体の10を要していた時間をそのままカットすることが可能である。本実施の形態による電子ビーム描画方法を図1を用いて詳しく説明する。図1および図2は、本実施の形態における電子ビーム描画装置の一例である。この電子ビーム描画装置は、描画室1と、描画室1の天井部に立設したビーム照射手段たる電子鏡筒2と、描画室1に隣接する搬送室3と、搬送室3の脇に隣接するアライメント室4とを備えている。アライメント室4は、本発明における処理室の一例であり、搬送室3に隣接して複数配置されていてもよい。描画室1には、互いに直交するX方向およびY方向に移動自在なステージ5が設けられている。そして、電子ビーム描画装置の外部から搬送室3に搬送され、次いで、アライメント室4で定位置に位置決めされた基板Sを、搬送室3に配置した搬送ロボット6に受け渡し、搬送ロボット6により基板Sをステージ5上に搬送して載置するようにしている。基板Sは、例えば、ガラス基板上にCr酸化膜とレジスト膜とが積層されたマスク基板である。搬送ロボット6は、X方向およびY方向に直交するZ方向の軸線回りに回転自在な回転軸6aと、回転軸6aに固定された座標系の水平な1軸方向に伸縮自在なロボットアーム6bと、ロボットアーム6bの先端に取り付けた、基板Sを保持するロボットハンド6cとを有する極座標型ロボットで構成されている。ロボットアーム6bの伸縮方向は、ステージ5上に基板Sを載置する際に、Y方向と平行になる。また、ロボットハンド6cは、ロボットアーム6bの伸縮方向に一致する姿勢に常時維持される。尚、本実施形態では、ロボットアーム6bを一対のアームの屈伸動作で伸縮するものに構成しているが、テレスコピック型のアームでロボットアーム6bを構成してもよい。電子鏡筒2は、内蔵する電子銃から発せられた電子ビームを所要の断面形状に成形した後偏向させて基板Sに照射する公知のものであり、その詳細な説明は省略する。電子鏡筒2は照射制御部7により制御され、ステージ5はステージ制御部8により制御され、搬送ロボット6はロボット制御部9により制御される。そして、これら照射制御部7、ステージ制御部8およびロボット制御部9は、全体制御部10で統括制御される。全体制御部10には、第1メモリ111と第2メモリ112とが接続されている。第1メモリ111にはパターンデータが記憶されている。全体制御部10は、パターンデータに基づいて描画すべき図形の形状、位置を規定する描画データを作成し、これを第2メモリ112に記憶させる。また、電子ビーム描画装置は、ステージ5のX方向およびY方向の位置を測定するステージ位置測定器12と、ステージ5に載置された基板Sの高さを測定する高さ測定器13とを備えている。ステージ位置測定器12は、図2に示す如く、ステージ5に固定したX方向の法線を持つステージミラー5aへのレーザ光の入反射でステージ5のX方向位置を測定するレーザ測長計12aと、ステージ5に固定したY方向の法線を持つステージミラー5bへのレーザ光の入反射でステージ5のY方向位置を測定するレーザ測長計12bとで構成されている。高さ測定器13は、レーザ光を基板Sの表面に斜め上方から収束して照射する投光部13aと、基板Sからの反射光を受光して反射光の位置を検出する受光部13bと、反射光の位置から基板Sの高さを算出する高さ信号処理部13cとで構成されている。高さ測定器13で測定された基板Sの高さデータは、全体制御部10から高さデータ読出指令を受信した際に、全体制御部10へ応答データとして入力される。そして、全体制御部10は、基板Sの高さの正規高さからずれ量に応じて、描画精度を維持するのに必要な電子ビームの偏向角や焦点範囲を算出し、描画データを補正する。尚、高さ信号処理部13cは、受光部13bから得られる高さ信号を演算して反射光の受光量を検出する機能を併せ持つ。図1において、第1メモリ111には、半導体集積回路のパターンデータが記憶されている。このパターンデータは全体制御部10に入力される。そして、全体制御部10において、パターンデータに基づいて描画すべき図形の形状、位置を規定する描画データが作成される。作成された描画データは、第2メモリ112に記憶される。このとき、描画精度の低いパターンについては、1をフラグに格納する。一方、描画精度の高いパターンについては、0をフラグに格納する。全体制御部10は、パターンの描画精度に関する情報が格納されたフラグを参照して、電子ビームの照射と基板の搬送とを制御する。ここで、描画精度の低いパターンとは、目視による判別が可能なパターン、例えば、IDパターン、バーコードパターン、ロゴパターン、矢印パターンおよびエンドマークパターンなどを言う。具体的には、線幅または線間が0.2mm以上のパターンを言う。これに対して、回路パターンおよびアライメントパターンなどは、目視による判別が不可能であり、描画精度の高いパターンである。上記の電子ビーム描画装置によるパターンの描画は次のようにして行われる。まず、電子ビーム描画装置の外部から搬送室3に基板Sが搬送される。そして、搬送室3に配置した搬送ロボット6により、基板Sをアライメント室4に搬送し、アライメント室4で基板Sの位置決めを行う。次に、アライメント室4で定位置に位置決めされた基板Sを、搬送ロボット6に受け渡す。そして、搬送ロボット6により、基板Sを描画室1に搬送してステージ5上に載置する。また、基板Sをアライメント室4から描画室1に搬送した後は、電子ビーム描画装置の外部から別の基板図示せずを搬送室3に搬送する。そして、搬送ロボット6により、この基板をアライメント室4に搬送し、基板Sと同様にアライメント室4で位置決めを行う。ステージ5上に基板Sを載置した後は、ステージ5をX方向に移動させつつ、高さ測定器13の投光部13aからの光を基板Sの表面に照射し、受光部13bで反射光を受光して、X方向の位置合わせを行う。同様に、ステージ5をY方向に移動させてY方向の位置合わせを行う。基板Sについての位置合わせを終えた後は、電子鏡筒2から電子ビームを基板Sに照射する。このとき、全体制御部10において、上述の別の基板の搬送が終了しているか否かを判定する。搬送を終えている場合には、描画精度の高低にかかわらず所望のパターンを描画することができる。一方、搬送を終えていない場合には、描画精度の低いパターンを描画する。図3は、電子ビームによる描画方法の説明図である。この図に示すように、基板S上に描画されるパターン51は、短冊状のストライプ52に分割されている。電子ビーム54による描画は、ステージが一方向例えば、X方向に連続移動しながら、ストライプ52毎に行われる。ストライプ52は、さらに副偏向領域53に分割されており、電子ビーム54は、副偏向領域53内の必要な部分のみを描画する。ストライプ52は、電子鏡筒2内に配置された主偏向器図示せずの偏向幅で決まる短冊状の描画領域であり、副偏向領域53は、電子鏡筒2内に配置された副偏向器図示せずの偏向幅で決まる単位描画領域である。換言すると、副偏向領域の基準位置の位置決めは、主偏向器で行われ、副偏向領域53内での描画は、副偏向器によって制御される。また、電子ビーム54の形状と寸法は、電子鏡筒2内に配置された、成形偏向器図示せずとビーム成形用の2つのアパーチャ図示せずによって決められる。そして、ステージを一方向に連続移動させながら、副偏向領域53内を描画し、1つの副偏向領域53の描画が終了したら、次の副偏向領域53を描画する。ストライプ52内の全ての副偏向領域53の描画が終了したら、ステージ5を連続移動させる方向と直交する方向例えば、Y方向にステップ移動させる。その後、同様の処理を繰り返して、ストライプ52を順次描画して行く。副偏向領域内を描画する際には、パターン図形に応じて準備された寸法と形状のショットが成形偏向器により形成される。具体的には、電子銃から出射された電子ビーム54が、第1のアパーチャで矩形状に成形された後、成形偏向器で第2のアパーチャに投影されて、そのビーム形状と寸法を変化させる。その後、電子ビーム54は、上述の通り、副偏向器と主偏向器により偏向されて、ステージ上に載置された基板Sに照射される。本実施の形態においては、基板Sへの描画中に別の基板を搬送することもできる。この場合、全体制御部10は、描画中のパターンが描画精度の低いパターンであるか、描画精度の高いパターンであるかを判定する。描画精度の低いパターンである場合には、搬送処理と並行して描画処理を続ける。描画精度の高いパターンである場合には、ストライプの描画を終えるまで搬送を待機する。また、全体制御部10は、描画予定のパターンの中に、描画精度の低いパターンがあるか否かを判定する。すなわち、第2メモリ112に格納されたフラグ1のパターンのうちで描画を終えていないものがあるか否かを判定する。描画を終えていないフラグ1のパターンがあると判定された場合には、そのうちの任意のパターンを上記ストライプ描画の後に描画する。そして、並行して別の基板の搬送処理を行う。フラグ1のパターンの描画は、搬送処理が終わるまで続けられる。搬送処理を終えた後は、描画を中断したパターンに戻って描画を再開する。一方、全体制御部10において、描画予定のフラグ1のパターンがないと判定された場合には、ストライプの描画を終えたところで描画を中断する。そして、別の基板の搬送処理を行う。搬送処理を終えるまでは、描画を行わない。搬送処理を終えたことを確認した後、中断したパターンの描画を再開する。図4は、1の基板への描画中に別の基板の搬送が必要となった場合の処理方法の一例を示すフローチャートである。S101では、図1の全体制御部10において、基板Sへの描画中に別の基板の搬送処理開始が検知される。例えば、アライメント室4から搬送室3へ搬送ロボット6で別の基板を搬送したり、電子ビーム描画装置の外部から搬送室3へ別の基板を搬送したりすることが検知される。次いで、全体制御部10は、描画中のパターンが描画精度の低いパターンであるか、描画精度の低いパターンであるかを判定するS102。描画中のパターンが描画精度の低いパターンである場合には、搬送処理と並行して描画処理を続けるS103。描画中のパターンが描画精度の高いパターンである場合には、ストライプの描画を終えるまで、すなわちストライプエンドまで描画処理を続けるS104。その間、別の基板の搬送処理は行われず、待機状態とされる。次に、全体制御部10は、描画予定のパターンの中に、描画精度の低いパターンがあるか否かを判定するS105。すなわち、第2メモリ112に格納されたフラグ1のパターンのうちで描画を終えていないものがあるか否かを判定する。描画を終えていないフラグ1のパターンがあると判定された場合には、そのうちの任意のパターンを上記ストライプ描画の後に描画するとともに、別の基板の搬送処理を行うS106。フラグ1のパターンの描画は、搬送処理が終わるまで続けられる。すなわち、搬送処理が終わらないうちに、フラグ1のパターンの描画を終えた場合にはS108、他にも未描画でフラグ1のパターンがあるか否かを判定するS109。描画を終えていないフラグ1のパターンがあると判定された場合には、そのうちの任意のパターンを続けて描画するS110。搬送処理が続いている間は、未描画でフラグ1のパターンがなくなるまでS108~S110の工程が繰り返される。そして、S109において、未描画でフラグ1のパターンがないと判定されると、描画は中断されるS111。その後、搬送処理を終えたことを確認した後はS112、描画を中断したパターンに戻って描画を再開するS116。一方、S108~S110の工程を繰り返すなかで搬送処理を終えたことが確認されるとS113、描画中のフラグ1のパターンについて、ストライプエンドまで描画が続けられるS114。その後、描画を中断したパターンに戻って描画を再開するS116。一方、S105において、描画予定のフラグ1のパターンがないと判定された場合には、ストライプの描画を終えたところで描画を中断し、別の基板の搬送処理を行うS107。その後、搬送処理を終えたことを確認した後はS115、中断したパターンの描画を再開するS116。全体のスループットを向上するには、描画が停止される時間をできるだけ短くする必要がある。そのためには、搬送処理と並行して描画処理を行えるようにすることが有効である。具体的には、描画精度の高いパターンの描画中に搬送処理が必要となったとき、フラグ1のパターンが残されているようにするのがよい。フラグ1のパターンがなく、フラグ0のパターンのみである場合、搬送処理と描画処理を並行して行うことはできない。搬送処理を行うと、搬送ロボットの駆動に伴う振動の発生により描画室内の磁場や電場が変化する。フラグ0のパターンは、高い描画精度が必要とされるので、こうした磁場や電場の変化による描画精度の低下によって描画不良となるおそれがある。一方、フラグ1のパターンは、高い描画精度が必要とされない。したがって、搬送処理に伴い描画室内の磁場や電場が変化しても、フラグ1のパターンが描画不良となるまでには至らない。よって、搬送処理が必要となったとき、未描画のフラグ1のパターンがあれば、描画対象をこれに変更することで、描画を中断させずに搬送処理を並行して行うことができ、結果として全体のスループット向上を図れる。描画精度の高いパターンの描画中に搬送処理が必要となったとき、フラグ1のパターンが残されているようにするには、次のようにすることが好ましい。一般に、基板Sへのパターンの描画は、予め決められた描画順にしたがって行われる。従来法では、この描画順が変更されることがないため、搬送処理を終えるまで、描画を開始できないか、あるいは、描画が中断されることになる。一方、本実施の形態においても、予め決められた描画順にしたがって描画されるのが原則である。しかしながら、フラグ0のパターンを描画しているときに別の基板の搬送処理が検知されると、描画予定のパターンの中にフラグ1のパターンがあるか否かを判定し、ある場合には、上記の描画順にフラグ1のパターンの描画を割り込ませる。これにより、描画と搬送を並行して行うことが可能となる。つまり、描画と搬送を並行して行うには、割り込ませることが可能なフラグ1のパターンをできるだけ多く用意しておく必要がある。そのためには、予め決められた描画順において、描画精度の高いパターンが先にくるようにし、描画精度の低いパターンが後にくるようにしておくことが好ましい。以上述べたように、本実施の形態においては、高い描画精度が必要とされないパターンの描画処理と、基板の搬送処理とを並行して行う。一例として、高い描画精度が必要とされないパターンの描画中に処理室への他の基板の搬送が必要となった場合、描画処理を続けた状態で搬送処理を並行して行う。また、描画室への基板の搬送と、処理室への基板の搬送とを同時に行う場合、描画室への基板の搬送が終われば、処理室への基板の搬送が終えてない状態であっても描画を行う。但し、この状態で描画するパターンは、高い描画精度が必要とされないパターンとする。さらに、高い精度が必要とされるパターンの描画処理中に、処理室への基板の搬送が必要になった場合には、かかるパターンの描画を中断し、搬送が終了するまで高い精度が必要とされないパターンの描画を行う。本実施の形態によれば、高い描画精度が要求されるパターンの精度を落とすことなく、スループットの大幅な向上を図ることができる。つまり、従来は、基板に描画されるパターンの描画条件は、描画精度の高いパターンに合わせて設定されていた。このため、目視で判別可能なパターンについては、過剰な描画精度となっており、また、ショットサイズや偏向幅が縮小化している現在にあっては、これらのパターンの描画に要する時間が無視できないものとなっていた。さらに、1の基板の描画中に別の基板の搬送を行う場合、従来は、描画中のパターンに要求される描画精度にかかわらず、1の基板の描画処理を中断していた。これに対して、本実施の形態では、描画処理中に搬送処理が必要となった場合、高い描画精度を必要としないパターンについては描画処理を中断しないこととする。このことは、従来は一律に定められていた描画条件を、描画精度の高低によって変えることを意味する。つまり、高い描画精度が必要とされるパターンについては、搬送処理の間は描画されない。これは、従来法におけるのと同様であり、従来と同じ描画精度が維持される。これに対して、高い描画精度が必要とされないパターンについては、搬送処理の間も描画は中断されない。あるいは、高い描画精度が必要とされるパターンに代えて、搬送処理と並行して描画が行なわれる。これは、かかるパターンに対する描画条件を従来法におけるものより低下させることになる。しかしながら、従来法における条件は過剰精度に設定されており、搬送処理と同時に描画処理を行っても、それによってかかるパターンの描画不良が引き起こされることはない。一方、搬送処理と描画処理を並行して行うようにすることで、従来法において中断されていた描画処理の多くを低減することが可能となる。すなわち、本実施の形態によれば、高い描画精度が必要とされないパターンの描画時間の分だけ基板全体の描画時間を短縮することができるので、全体のスループットについて大幅な向上が図れる。以上、本発明の実施の形態について図面を参照して説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、上記実施の形態では、搬送室が描画室とアライメント室に隣接しており、電子ビーム描画装置の外部から搬送室内に基板が搬送され、アライメント室を経て描画室に搬送される例について述べたが、これに限られるものではない。すなわち、アライメント室以外の他の処理室が搬送室に隣接して設けられてもよい。他の処理室の例としては、基板カバーが収納される収納室が挙げられる。基板カバーは、基板の上に配置され、基板の周縁部近傍で散乱した電子を捕捉して帯電を防止するものである。例えば、搬送室内に搬送された基板は、搬送ロボットによってアライメント室に搬送されて位置決めされる。次いで、基板は、アライメント室から搬送室を経て、搬送室に隣接する収納室へ搬送される。収納室では、基板の上に基板カバーが載置される。その後、基板は、搬送ロボットによって描画室に搬送され、ステージ上に載置される。本実施の形態においては、描画室での描画と、アライメント室や収納室への基板の搬送とを並行して行うことが可能である。また、例えば、上記実施の形態は、電子ビームを照射する電子ビーム描画装置における描画方法に本発明を適用したものであるが、イオンビームなどの他の荷電粒子ビームを照射する描画装置にも同様に本発明を適用できる。上記記載においては、電子ビーム描画装置の構成や制御手法等について、本発明の説明に直接必要としない部分についての記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、電子ビーム描画装置を制御する具体的な制御部構成については記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることができるのは言うまでもない。