"一時的にボンディングされたウエハ対をデボンディングするデボンディング装置において、チャック、及び一時的にボンディングされたウエハ対の第1ウエハをチャックの上面と当接して保持するように構成された第1ウエハホルダーを含むチャックアセンブリと、屈曲板、及び一時的にボンディングされたウエハ対の第2ウエハを屈曲板の第1面と当接して保持するように構成された第2ウエハホルダーを含むと共に、屈曲板が、チャックの上面より上方に配置された屈曲板アセンブリと、チャックの第1縁部の近くに配置されていると共に、屈曲板の第1縁部を押上げ及び上昇させる押上げ手段を含むコンタクトローラと、屈曲板上を水平に移動する移動手段、及び屈去板に下方力を印加する印加手段を含む抵抗ローラとを備え、抵抗ローラが、屈曲板に下方力を印加すると同時に屈曲板の第1縁部から離隔するように水平に移動する間に、コンタクトローラが、屈曲板の第1縁部を押上げ及び上昇させることにより、一時的にボンディングされたウエハ対が、リリース層に沿って離層して、第1ウエハと第2ウエハが互いに分離されるデボンディング装置。離層プロセス中に分離されたウエハの間の角度を一定に維持する維持手段を更に備える請求項1に記載のデボンディング装置。前記維持手段が、抵抗ローラの下方力を屈曲板の第1縁部に対するコンタクトローラの押上げ力と最初に釣合わせる釣合手段と、その後、抵抗ローラが水平に移動中に抵抗ローラの下方力を減少させる減少手段とを備える請求項2に記載のデボンディング装置。屈曲板が、ヒンジに接続された第2縁部を備えて、第2縁部が、屈曲板の前記第1縁部と正反対であり、屈曲板が、ヒンジの回りで振れると共に、チャックの上面の上方に配置される請求項1に記載のデボンディング装置。チャックの上面の平面に対して直角にコンタクトローラを移動させるデボンディングドライブモータを更に備える請求項4に記載のデボンディング装置。ウエハ対が、接着剤層とリリース層を介して第2ウエハに対してスタッキング及び一時的にボンディングされた第1ウエハを備え、第1ウエハの非ボンディング面がチャックの上面と当接するように、ウエハ対が、チャック上に載置され、屈曲板が、ヒンジの回りで振れると共に、チャックの上方に配置されて、屈曲板の第1面が第2ウエハの非ボンディング面と当接し、第2ウエハが、第2ウエハホルダーを介して屈曲板によって保持されると共に、第1ウエハが、第1ウエハホルダーを介してチャックによって保持される間、コンタクトローラが、屈曲板の第2縁部に当接して第2縁部を押上げるまで、コンタクトローラが上方に駆動される請求項4に記載のデボンディング装置。ヒンジモータを更に備え、ヒンジがヒンジモータによって駆動される請求項4に記載のデボンディング装置。第1ウエハホルダーと第2ウエハホルダーが、夫々、チャックと屈曲板に真空を引く請求項1に記載のデボンディング装置。ウエハ対が、更に、テープフレームを備え、チャックに引かれた真空でテープフレームを保持することにより、第1ウエハが、チャックによって保持される請求項6に記載のデボンディング装置。チャックアセンブリ、屈曲板アセンブリとヒンジを支持する支持板を更に備える請求項5に記載のデボンディング装置。支持板、コンタクトローラ、ヒンジモータとデボンディングドライブモータを支持するベースプレートを更に備える請求項10に記載のデボンディング装置。チャックアセンブリが、チャックの上面に載置されたウエハを昇降させるように構成されたリフトピンアセンブリを更に備える請求項1に記載のデボンディング装置。屈曲板が、夫々、200mmと300mmの直径を有するウエハを保持するように構成されると共に独立制御される2個の同心真空ゾーンを更に備える請求項1に記載のデボンディング装置。同心真空ゾーンが、Oリングと吸引カップのいずれかで封止される請求項13に記載のデボンディング装置。チャックが、多孔性セラミック材料から成る真空チャックを備える請求項1に記載のデボンディング装置。屈曲板の偶発的な後方振れを防止するためのアンチバックラッシュギアドライブを更に備える請求項1に記載のデボンディング装置。一時的にボンディングされたウエハ対をデボンディングする方法において、チャックアセンブリ、屈曲板アセンブリ、コンタクトローラと抵抗ローラを備えるデボンディング装置であって、チャックアセンブリが、チャック、及びウエハをチャックの上面と当接して保持するように構成された第1ウエハホルダーを含み、屈曲板アセンブリが、屈曲板、及びウエハを屈曲板の第1面と当接して保持するように構成された第2ウエハホルダーを含み、コンタクトローラが、チャックの第1縁部の近くに配置されていると共に、屈曲板の第1縁部を押上げ及び上昇させる押上げ手段を含み、抵抗ローラが、屈曲板上を水平に移動する移動手段、及び屈去板に下方力を印加する印加手段を含むデボンディング装置を提供するステップと、接着剤層とリリース層を介して第2ウエハに対してスタッキング及び一時的にボンディングされた第1ウエハを備える一時的にボンディングされたウエハ対を提供するステップと、第1ウエハの非ボンディング面がチャックの上面と当接するように、ウエハ対をチャック上に載置するステップと、屈曲板の第1面が第2ウエハの非ボンディング面と当接するように、屈曲板をチャックの上方に配置するステップと、第2ウエハが、第2ウエハホルダーを介して屈曲板によって保持されると共に、第1ウエハが、第1ウエハホルダーを介してチャックによって保持される間、コンタクトローラが、屈曲板の第1縁部に当接するまで、コンタクトローラを上方に駆動するステップと、抵抗ローラで屈曲板に下方力を印加すると同時に屈曲板の第1縁部から離隔するように抵抗ローラを水平に移動させる間に、コンタクトローラで屈曲板の第1縁部を押上げることにより、一時的にボンディングされたウエハ対をリリース層に沿って離層して、第1ウエハと第2ウエハを互いに分離するステップとを備える方法。抵抗ローラの下方力を屈曲板の第1縁部に対するコンタクトローラの押上げ力と最初に釣合わせ、その後、抵抗ローラが水平に移動中に抵抗ローラの下方力を減少させることにより、離層プロセス中に分離されたウエハの間の角度を一定に維持するステップを更に備える請求項17に記載の方法。屈曲板が、ヒンジに接続された第2縁部を備えて、第2縁部が、屈曲板の前記第1縁部と正反対であり、屈曲板が、ヒンジの回りで振れると共に、チャックの上面の上方に配置される請求項17に記載の方法。デボンディング装置が、チャックの上面の平面に対して直角にコンタクトローラを移動させるデボンディングドライブモータを更に備える請求項19に記載の方法。デボンディング装置が、ヒンジモータを更に備え、ヒンジがヒンジモータによって駆動される請求項20に記載の方法。第1ウエハホルダーと第2ウエハホルダーが、夫々、チャックと屈曲板に真空を引く請求項17に記載の方法。ウエハ対が、更に、テープフレームを備え、チャックに引かれた真空でテープフレームを保持することにより、第1ウエハが、チャックによって保持される請求項17に記載の方法。デボンディング装置が、チャックアセンブリ、屈曲板アセンブリとヒンジを支持する支持板を更に備える請求項21に記載の方法。デボンディング装置が、支持板、コンタクトローラ、ヒンジモータとデボンディングドライブモータを支持するベースプレートを更に備える請求項24に記載の方法。チャックアセンブリが、チャックの上面に載置されたウエハを昇降させるように構成されたリフトピンアセンブリを更に備える請求項17に記載の方法。屈曲板が、夫々、200mmと300mmの直径を有するウエハを保持するように構成されると共に独立制御される2個の同心真空ゾーンを更に備える請求項17に記載の方法。同心真空ゾーンが、Oリングと吸引カップのいずれかで封止される請求項27に記載の方法。チャックが、多孔性セラミック材料から成る真空チャックを備える請求項17に記載の方法。デボンディング装置が、屈曲板の偶発的な後方振れを防止するためのアンチバックラッシュギアドライブを更に備える請求項17に記載の方法。ボンディング界面において第2ウエハにボンディングされた第1ウエハを備える一時的にボンディングされたウエハ対をデボンディングするデボンディング装置において、孤立した第1及び第2チャンバーを有するクラムシェル型リアクタと、第1チャンバー内に収容されて、第2チャンバーに突入する下面、及びクランプ手段で固定位置に保持されるように構成された縁部を含む上部チャックと、第2チャンバー内に収容されて、上部チャックの下面に平行に対向する上面を有する下部チャックと、一時的にボンディングされたウエハ対の第1ウエハの非ボンディング面を、上部チャックの下面に保持する第1ウエハ保持手段と、第1チャンバーを加圧する第1チャンバー加圧手段と、一時的にボンディングされたウエハ対のボンディング界面の点において分離先端を開始する分離開始手段と、第1チャンバーの圧力を減少させつつ、第2チャンバーを加圧することにより、上部チャックと止着ウエハ対の下方湾曲を除去すると共に、分離先端を全ボンディング界面に伝播させる第2チャンバー加圧手段と、分離された第2ウエハの非ボンディング面を、下部チャックの上面に保持する第2ウエハ保持手段とを備え、上部チャックの縁部が、クランプ手段で固定位置に保持されつつ、第1チャンバー加圧手段が、上部チャックの上面に圧力を印加することにより、上部チャックの下面と止着ウエハ対を下方に湾曲させるデボンディング装置。分離先端が、ウエハ対の縁部で開始される請求項31に記載のデボンディング装置。分離開始手段が、エアナイフを備える請求項31に記載のデボンディング装置。分離開始手段が、第1ウエハ又は第2ウエハを側方に押圧する押圧手段を備える請求項31に記載のデボンディング装置。一時的にボンディングされたウエハが、フレームに止着され、分離開始手段が、フレームを押上げる押上げ手段を備える請求項31に記載のデボンディング装置。上部チャックが、円形縁部を備える請求項31に記載のデボンディング装置。クランプ手段が、機械的クランプ又は真空クランプを備える請求項31に記載のデボンディング装置。第1チャンバー加圧手段と第2チャンバー加圧手段が、第1チャンバーと第2チャンバーを排気する排気手段と、第1チャンバーと第2チャンバーを加圧ガスで充填する加圧ガス充填手段とを備える請求項31に記載のデボンディング装置。加圧ガスが窒素である請求項38に記載のデボンディング装置。第1ウエハが、接着剤層とリリース層を介して第2ウエハに対してスタッキング及び一時的にボンディングされる請求項31に記載のデボンディング装置。上部チャックと下部チャックが、夫々、第1ウエハと第2ウエハの非ボンディング面を止着するように真空を引く多孔性セラミック材料から成る請求項31に記載のデボンディング装置。第1ウエハ保持手段又は第2ウエハ保持手段が、真空である請求項31に記載のデボンディング装置。ボンディング界面において第2ウエハにボンディングされた第1ウエハを備える一時的にボンディングされたウエハ対をデボンディングする方法において、孤立した第1及び第2チャンバーを有するクラムシェル型リアクタ、第1チャンバー内に収容されて、第2チャンバーに突入する下面、及びクランプ手段で固定位置に保持されるように構成された縁部を含む上部チャックと第2チャンバー内に収容されて、上部チャックの下面に平行に対向する上面を有する下部チャックを備えるデボンディング装置を提供するステップと、一時的にボンディングされたウエハ対の第1ウエハの非ボンディング面を上部チャックの下面に止着するステップと、上部チャックの縁部をクランプ手段で固定位置に保持しつつ、第1チャンバーを加圧して、上部チャックの上面に圧力を印加することにより、上部チャックの下面と止着ウエハ対を下方に湾曲させるステップと、一時的にボンディングされたウエハ対のボンディング界面の点において分離先端を開始するステップと、第1チャンバーの圧力を減少させつつ、第2チャンバーを加圧することにより、上部チャックと止着ウエハ対の下方湾曲を除去すると共に、分離先端を全ボンディング界面に伝播させるステップと、分離された第2ウエハの非ボンディング面を下部チャックの上面に止着するステップとを備える方法。分離先端が、ウエハ対の縁部で開始される請求項43に記載の方法。分離先端が、エアナイフによって開始される請求項43に記載の方法。分離先端が、第1ウエハ又は第2ウエハを側方に押圧することによって開始される請求項43に記載の方法。一時的にボンディングされたウエハが、フレームに止着され、分離先端が、フレームを押上げることによって開始される請求項43に記載の方法。上部チャックが、円形縁部を備える請求項43に記載の方法。クランプ手段が、機械的クランプ又は真空クランプを備える請求項43に記載の方法。最初に、第1チャンバーと第2チャンバーを排気し、次に、第1チャンバーと第2チャンバーを加圧ガスで充填することにより、第1チャンバーと第2チャンバーが加圧される請求項43に記載の方法。加圧ガスが窒素である請求項50に記載の方法。第1ウエハが、接着剤層とリリース層を介して第2ウエハに対してスタッキング及び一時的にボンディングされる請求項43に記載の方法。上部チャックと下部チャックが、夫々、第1ウエハと第2ウエハの非ボンディング面を止着するように真空を引く多孔性セラミック材料から成る請求項43に記載の方法。第1ウエハ又は第2ウエハの非ボンディング面が、上部チャックの下面又は下部チャックの上面に真空で止着される請求項43に記載の方法。いくつかのデボンディングの方法と装置が提案されてきた。しかしながら、多くの場合、薄くされたウエハは、デボンディングプロセス中に破断する。従って、薄くされたウエハの破断を避けるために、制御されたデボンディングプロセスへの必要がある。本発明は、一時的にボンディングされたウエハをデボンディングするための改善された装置と方法に関し、より詳しくは、機械的分離に基づく産業規模のデボンディング装置に関する。一般的に、一態様において、本発明は、チャックアセンブリと、屈曲板アセンブリと、コンタクトローラと、抵抗ローラとを備えて、一時的にボンディングされたウエハ対をデボンディングするデボンディング装置を特徴とする。チャックアセンブリは、チャック、及び一時的にボンディングされたウエハ対の第1ウエハをチャックの上面と当接して保持するように構成された第1ウエハホルダーを含む。屈曲板アセンブリは、屈曲板、及び一時的にボンディングされたウエハ対の第2ウエハを屈曲板の第1面と当接して保持するように構成された第2ウエハホルダーを含む。屈曲板は、チャックの上面より上方に配置されている。コンタクトローラは、チャックの第1縁部の近くに配置されていると共に、屈曲板の第1縁部を押上げ及び上昇させる押上げ手段を含む。抵抗ローラは、屈曲板上を水平に移動する移動手段、及び屈去板に下方力を印加する印加手段を含む。抵抗ローラが、屈曲板に下方力を印加すると同時に屈曲板の第1縁部から離隔するように水平に移動する間に、コンタクトローラが、屈曲板の第1縁部を押上げ及び上昇させることにより、一時的にボンディングされたウエハ対が、リリース層に沿って離層して、第1ウエハと第2ウエハが互いに分離される。本発明のこの態様の実施は、1個以上の以下の特徴を含む。デボンディング装置は、離層プロセス中に分離されたウエハの間の角度を一定に維持する維持手段を更に備える。前記維持手段が、抵抗ローラの下方力を屈曲板の第1縁部に対するコンタクトローラの押上げ力と最初に釣合わせる釣合手段と、その後、抵抗ローラが水平に移動中に抵抗ローラの下方力を減少させる減少手段とを備える。屈曲板が、ヒンジに接続された第2縁部を備えて、第2縁部が、屈曲板の前記第1縁部と正反対であり、屈曲板が、ヒンジの回りで振れると共に、チャックの上面の上方に配置される。デボンディング装置は、チャックの上面の平面に対して直角にコンタクトローラを移動させるデボンディングドライブモータを更に備える。ウエハ対が、接着剤層とリリース層を介して第2ウエハに対してスタッキング及び一時的にボンディングされた第1ウエハを備える。第1ウエハの非ボンディング面がチャックの上面と当接するように、ウエハ対が、チャック上に載置される。屈曲板が、ヒンジの回りで振れると共に、チャックの上方に配置されて、屈曲板の第1面が第2ウエハの非ボンディング面と当接する。第2ウエハが、第2ウエハホルダーを介して屈曲板によって保持されると共に、第1ウエハが、第1ウエハホルダーを介してチャックによって保持される間、コンタクトローラが、屈曲板の第2縁部に当接して第2縁部を押上げるまで、コンタクトローラが上方に駆動される。デボンディング装置が、ヒンジモータを更に備え、ヒンジがヒンジモータによって駆動される。第1ウエハホルダーと第2ウエハホルダーが、夫々、チャックと屈曲板に真空を引く。ウエハ対が、更に、テープフレームを備え、チャックに引かれた真空でテープフレームを保持することにより、第1ウエハが、チャックによって保持される。デボンディング装置が、チャックアセンブリ、屈曲板アセンブリとヒンジを支持する支持板を更に備える。デボンディング装置が、支持板、コンタクトローラ、ヒンジモータとデボンディングドライブモータを支持するベースプレートを更に備える。チャックアセンブリが、チャックの上面に載置されたウエハを昇降させるように構成されたリフトピンアセンブリを更に備える。屈曲板が、夫々、200mmと300mmの直径を有するウエハを保持するように構成されると共に独立制御される2個の同心真空ゾーンを更に備える。同心真空ゾーンが、Oリングと吸引カップのいずれかで封止される。チャックが、多孔性セラミック材料から成る真空チャックを備える。デボンディング装置が、屈曲板の偶発的な後方振れを防止するためのアンチバックラッシュギアドライブを更に備える。一般に、別の態様において、本発明は、以下のステップを含んで、一時的にボンディングされたウエハ対をデボンディングする方法を特徴とする。最初のステップとして、チャックアセンブリ、屈曲板アセンブリ、コンタクトローラと抵抗ローラを備えるデボンディング装置を提供する。チャックアセンブリが、チャック、及びウエハをチャックの上面と当接して保持するように構成された第1ウエハホルダーを含み、屈曲板アセンブリが、屈曲板、及びウエハを屈曲板の第1面と当接して保持するように構成された第2ウエハホルダーを含み、コンタクトローラが、チャックの第1縁部の近くに配置されていると共に、屈曲板の第1縁部を押上げ及び上昇させる押上げ手段を含み、抵抗ローラが、屈曲板上を水平に移動する移動手段、及び屈去板に下方力を印加する印加手段を含む。次のステップとして、接着剤層とリリース層を介して第2ウエハに対してスタッキング及び一時的にボンディングされた第1ウエハを備える一時的にボンディングされたウエハ対を提供する。次のステップとして、第1ウエハの非ボンディング面がチャックの上面と当接するように、ウエハ対をチャック上に載置する。次のステップとして、屈曲板の第1面が第2ウエハの非ボンディング面と当接するように、屈曲板をチャックの上方に配置する。次のステップとして、第2ウエハが、第2ウエハホルダーを介して屈曲板によって保持されると共に、第1ウエハが、第1ウエハホルダーを介してチャックによって保持される間、コンタクトローラが、屈曲板の第1縁部に当接するまで、コンタクトローラを上方に駆動する。最後のステップとして、抵抗ローラで屈曲板に下方力を印加すると同時に屈曲板の第1縁部から離隔するように抵抗ローラを水平に移動させる間に、コンタクトローラで屈曲板の第1縁部を押上げることにより、一時的にボンディングされたウエハ対をリリース層に沿って離層して、第1ウエハと第2ウエハを互いに分離する。その方法は、抵抗ローラの下方力を屈曲板の第1縁部に対するコンタクトローラの押上げ力と最初に釣合わせ、その後、抵抗ローラが水平に移動中に抵抗ローラの下方力を減少させることにより、離層プロセス中に分離されたウエハの間の角度を一定に維持するステップを更に備える。一般に、別の態様において、本発明は、ボンディング界面において第2ウエハにボンディングされた第1ウエハを備える一時的にボンディングされたウエハ対をデボンディングするデボンディング装置を特徴とする。デボンディング装置は、クラムシェル型リアクタと、上部チャックと、下部チャックとを含む。リアクタは、孤立した第1及び第2チャンバーを有する。上部チャックは、第1チャンバー内に収容されて、第2チャンバーに突入する下面、及びクランプ手段で固定位置に保持されるように構成された縁部を含む。下部チャックは、第2チャンバー内に収容されて、上部チャックの下面に平行に対向する上面を有する。デボンディング装置は、又、一時的にボンディングされたウエハ対の第1ウエハの非ボンディング面を、上部チャックの下面に保持する第1ウエハ保持手段と、第1チャンバーを加圧する第1チャンバー加圧手段とを含む。上部チャックの縁部が、クランプ手段で固定位置に保持されつつ、第1チャンバー加圧手段が、上部チャックの上面に圧力を印加することにより、上部チャックの下面と止着ウエハ対を下方に湾曲させる。デボンディング装置は、又、一時的にボンディングされたウエハ対のボンディング界面の点において分離先端を開始する分離開始手段を含む。デボンディング装置は、又、第1チャンバーの圧力を減少させつつ、第2チャンバーを加圧することにより、上部チャックと止着ウエハ対の下方湾曲を除去すると共に、分離先端を全ボンディング界面に伝播させる第2チャンバー加圧手段を含む。デボンディング装置は、又、分離された第2ウエハの非ボンディング面を、下部チャックの上面に保持する第2ウエハ保持手段を含む。本発明のこの態様の実施は、1個以上の以下の特徴を含む。分離先端が、ウエハ対の縁部で開始される。分離開始手段が、エアナイフを備える又は第1ウエハ又は第2ウエハを側方に押圧する押圧手段を備える。一時的にボンディングされたウエハが、フレームに止着され、分離開始手段が、フレームを押上げる押上げ手段を備える。上部チャックが、円形縁部を備える。クランプ手段が、機械的クランプ又は真空クランプを備える。第1チャンバー加圧手段と第2チャンバー加圧手段が、第1チャンバーと第2チャンバーを排気する排気手段と、第1チャンバーと第2チャンバーを加圧ガスで充填する加圧ガス充填手段とを備える。加圧ガスは、窒素であり得る。第1ウエハが、接着剤層とリリース層を介して第2ウエハに対してスタッキング及び一時的にボンディングされる。上部チャックと下部チャックが、夫々、第1ウエハと第2ウエハの非ボンディング面を止着するように真空を引く多孔性セラミック材料から成る。一般に、別の態様において、本発明は、以下のステップを含んで、一時的にボンディングされたウエハ対をデボンディングする方法を特徴とする。最初のステップとして、孤立した第1及び第2チャンバーを有するクラムシェル型リアクタ、第1チャンバー内に収容されて、第2チャンバーに突入する下面、及びクランプ手段で固定位置に保持されるように構成された縁部を含む上部チャックと第2チャンバー内に収容されて、上部チャックの下面に平行に対向する上面を有する下部チャックを備えるデボンディング装置を提供する。次のステップとして、一時的にボンディングされたウエハ対の第1ウエハの非ボンディング面を上部チャックの下面に真空手段で止着する。次のステップとして、上部チャックの縁部をクランプ手段で固定位置に保持しつつ、第1チャンバーを加圧して、上部チャックの上面に圧力を印加することにより、上部チャックの下面と止着ウエハ対を下方に湾曲させる。次のステップとして、一時的にボンディングされたウエハ対のボンディング界面の点において分離先端を開始し、次に、第1チャンバーの圧力を減少させつつ、第2チャンバーを加圧することにより、上部チャックと止着ウエハ対の下方湾曲を除去すると共に、分離先端を全ボンディング界面に伝播させる。最後のステップとして、分離された第2ウエハの非ボンディング面を下部チャックの上面に真空手段で止着する。図1において、改善された一時的ウエハボンディング装置100は、一時的ボンダ-クラスター110とデボンダークラスター120を含む。一時的ボンダ-クラスター110は、夫々、210、310、410と510で番号付けられた一時的ボンダ-モジュールA、モジュールB、モジュールCとモジュールDを含む。デボンダークラスター120は、夫々、150、250と350で番号付けられた熱スライドデボンダーA、機械的デボンダーBと放射線/機械的デボンダーCを含む。ボンダ-クラスター110は、とりわけ、図1A、図2A、図3Aと図4において、夫々、番号60a、70a、80aと90aで示す一時的ボンディングプロセスA、B、CとDを容易にする。デボンダークラスター120は、図1A、図2Aと図3Aにおいて、夫々、番号60b、70bと80bで示すデボンディングプロセスA、BとCを容易にする。図1Aにおいて、一時的ボンディングプロセスA60aは、以下のステップを含む。最初に、デバイスウエハ20が、保護コーティング21で塗布され62、次に、そのコーティングがベーキング及び冷却され63、次に、反転される64。キャリアウエハ30は、接着剤層31で塗布され65、次に、そのコーティングがベーキング及び冷却される66。他の実施形態では、接着剤層を塗布する代りに、乾燥接着フィルムがキャリアウエハに貼合わされる。次に、デバイスウエハの保護コーティングを有する表面20aが、キャリアウエハの接着剤層を有する表面と対向するように、反転されたデバイスウエハ20が、キャリアウエハ30と心合せされる67。次に、2個のウエハが、図1Bに示す一時的ボンダ-モジュールA内でボンディングされる68。そのボンドは、保護層21と接着剤層31の間の一時的ボンドである。他の実施形態では、保護コーティングが、デバイスウエハ表面に塗られず、デバイスウエハ表面20aが、接着剤層31と直接ボンディングされる。デバイスウエハの例は、GaAsウエハ、シリコンウエハ又は100μm未満まで薄くする必要のある他のどのような半導体ウエハを含む。これらの薄いウエハは、パワーアンプ又は良好な熱除去と小さいパワーファクターが望ましい他のパワーデバイスを製作するための軍事的及び電気通信用途に使用される。キャリアウエハは、通常、デバイスウエハと熱的に合致する、即ち、同じ熱膨張率CTEを有する非汚染材料から成る。キャリアウエハ材料の例は、シリコン、ガラス、サファイア、石英又は他の半導体材料を含む。デバイスウエハの縁部を支持すると共にデバイスウエハ縁部の割れやチッピングを防止するために、キャリアウエハの直径は、通常、デバイスウエハの直径と同じ又はデバイスウエハの直径より少し大きい。一例では、キャリアウエハの厚さは、約1000μmであり、全厚み変動TTVは2-3μmである。キャリアウエハは、デバイスウエハからデボンディングされた後リサイクル及び再使用される。一例では、接着剤層31は、米国ミズーリ州のBrewerScienceで製造される有機接着剤WaferBONDHT1010商標である。接着剤31は、スピンオンプロセスで塗られ、9-25μmの範囲の厚さを有する。スピン速度は、1000-2500rpmの範囲であり、スピン時間は、3-60秒の間である。スピンオンの後、接着剤層は、100°Cと150°Cの間の温度で2分間ベーキングされ、次に、160°Cと220°Cの間の温度で1-3分間硬化される。WaferBONDHT1010層は、光学的に透明であり、220°Cまで安定である。付録Aは、WaferBONDHT1010の仕様を表す。デバイスウエハの露出表面20bのシンニングの後、キャリアウエハ30が、図1Aに示すデボンディングプロセスA60bでデボンディングされる。デボンディングプロセスA60bは、以下のステップを含む。最初に、接着剤層31が軟化して、キャリアウエハ30が薄くしたウエハから横滑りするまで、ウエハスタック10が加熱される。WaferBONDHT1010のデボンディング時間は5分未満である。薄くされたウエハ20は、次に、接着剤残留物を取除くように清浄にされ52、薄くされたウエハが、ダイシングフレーム25に載置される。いくつかの実施形態で、キャリアウエハの小さな回転運動ねじりが、横滑り運動の前に行われる。デバイスウエハ20へのキャリアウエハ30の一時的ボンディング68は、一時的ボンダ-モジュールA210内で行われる。図1Bにおいて、デバイスウエハ20は、取付具チャック202に載置され、取付具チャックは、チャンバー210に装入される。キャリアウエハ30は、接着剤層が上向くように底部チャック210aの上に直接載置され、2個のウエハ20と30が、スタッキング及び心合せされる。頂部チャック210bが、スタッキングされたウエハの上に降下させられ、低い力が印加される。チャンバーが排気させられ、保護コーティング層21と接着剤層31の間のボンドを形成するように、温度が200°Cに上げられる。次に、チャンバーが冷却され、取付具が搬出される。デボンディングプロセスA60bは、熱スライドデボンディングプロセスであって、図1Aに示す以下のステップを含む。ボンディングされたウエハスタック10を加熱することにより、接着剤層31が軟化させられる。次に、キャリアウエハが、軸心169の回りでねじられて、制御された力と速度でウエハスタックから横滑りさせられる69。分離されたデバイスウエハ20は、次に、清浄にされて52、ダイシングフレーム25に装着される53。図2Aにおいて、一時的ボンディングプロセスB70aは、以下のステップを含む。最初に、リリース層22が、デバイスウエハ20の表面20aに形成される72。リリース層は、プリカーサーコンパウンドをデバイスウエハ表面20aにスピンコーティングすることにより形成され、次に、プラズマ増強化学気相成長PECVDを市販のPECVDチャンバー内で行う。一例では、リリース層用のプリカーサーは、ドイツのWackerによって製造されるシリコーンゴムSemicoSil商標である。塗布されたデバイスウエハは、次に、接着剤でスピンコートされて73、反転される74。次に、軟質層32が、キャリアウエハ30の表面30aにスピンコートされる76。一例では、軟質層32は、高温架橋HTCシリコーンエラストマーである。次に、デバイスウエハのリリース層22を有する表面20aが、キャリアウエハの軟質層32を有する表面30aと対向するように、反転されたデバイスウエハ20が、キャリアウエハ30と心合せされ、次に、2個のウエハが、図2Bに示す一時的ボンダ-モジュールB内でボンディングされる。一時的ボンドは、0.1ミリバールの真空、150°Cと200°Cの間の硬化温度と低印加ボンディング力で形成される。図2Bにおいて、デバイスウエハ20は、接着剤層を上に向けて取付具チャック202図4に載置される。次に、スペーサ203が、デバイスウエハ0の頂部に載置され、キャリアウエハ30がスペーサの頂部に載置され、組立てられた取付具チャック202が、ボンダ-モジュールB310に移送される。チャンバーは排気され、スペーサ203が取外されて、キャリアウエハ30が、デバイスウエハ20上に降下させられる。チャンバーを低圧でパージすることにより、低い力が印加され、温度が、ボンドの形成のために200°Cまで上げられる。次に、チャンバーが冷却され、取付具が搬出される。他の実施形態では、Z軸239が上昇して、スタッキングされたウエハ20と30が、上部チャック222に当接される。上部チャック222は、後述するように、セミコンプライアント又はノンコンプライアントでよい。デボンディングプロセスB70bは、機械的リフトデボンディングプロセスであって、図2Aに示す以下のステップを含む。ボンディングされたウエハスタック10が、ダイシングフレーム25に装着され54、キャリアウエハ30が、デバイスウエハ20から機械的に持上げられる55。薄くされたデバイスウエハ20は、ダイシングフレーム25によって支持されたままである。図3Aにおいて、一時的ボンディングプロセスC80aは、以下のステップを含む。最初に、デバイスウエハ20の表面が、接着剤層23で塗布される82。一例では、接着剤層23は、米国ミネソタ州の3M社によって製造される紫外線硬化性接着剤LC3200商標である。接着剤を塗布したデバイスウエハは、次に、反転される84。次に、吸光リリース層33が、キャリアウエハ30の表面30aにスピンコートされる86。一例では、吸光リリース層33は、米国ミネソタ州の3M社によって製造されるLC4000商標である。次に、デバイスウエハの接着剤層23を有する表面20aが、キャリアウエハ30の吸光リリース層を有する表面30aと対向するように、反転されたデバイスウエハ20は、キャリアウエハ30と心合せされる。2個の表面20aと30aが当接して、接着剤層が紫外線で硬化させられる87。2個のウエハは、図3Bに示す一時的ボンダ-モジュールC410内でボンディングされる88。ボンドは、吸光リリース層33と接着剤層23の間の一時的ボンドであって、0.1ミリバールの真空と低印加ボンディング力で形成される。デバイスウエハに対するキャリアウエハの一時的ボンディングは、図3Bに示す一時的ボンダ-モジュールC内で行われる88。図3Bにおいて、光熱変乾層である吸光リリース層を有するキャリアウエハ30は、頂部チャック412に載置され、保持ピン413によって所定位置に保持される。次に、デバイスウエハ20が、接着剤層23を上向きにして底部チャック414に載置される。次に、ウエハ20と30が心合せされ、チャンバーが排気され、更に、キャリアウエハ30を有する頂部チャック412が、デバイスウエハ20上に降下させられる。リリース層33と接着剤層23の間のボンドを形成するように、低い力が印加される。次に、ボンディングされたウエハスタック10が、搬出されて、接着剤が、紫外線で硬化させられる。図3Aに戻って、デボンディングプロセスC80bは、以下のステップを含む。ボンディングされたウエハスタック10は、ダイシングフレーム25に装着され56、キャリアウエハ30は、YAGレーザビームで照明される。レーザビームは、リリース層33に沿ってウエハスタックを分離させ57、分離させられたキャリアウエハ30は、機械的にデバイスウエハ20から持上げられる58。接着剤層は、デバイスウエハ表面20aから剥離させられ59、薄くされたデバイスウエハ20は、ダイシングフレーム25によって支持されたままである。図5において、一時的ボンダ-クラスター110は、下部キャビネット103の頂部に堆積された上部キャビネット構造物102を有するハウジング101を含む。上部キャビネット102は、サービスアクセスサイド105を有し、下部キャビネットは、レベリング調整部104と運搬キャスター106を有する。上部キャビネット構造物102内に、配置変更可能な一時的ボンディングプロセスモジュール210、310、410と510が、図6に示すように垂直に堆積されている。ホットプレートモジュール130とコールドプレートモジュール140も、又、図7に示すようにプロセスモジュール210と310の頂部、下方又は間に垂直に堆積されている。更なる処理機能を付与するために、追加のプロセスモジュールを設けてもよい。ボンディングプロセスモジュールの例は、低印加力モジュール、高印加力モジュール、高温及び低温モジュール、照明紫外線又はレーザモジュール、高圧ガスモジュール、低圧真空モジュールとその組合せを含む。図9乃至図12において、一時的ボンダーモジュール210は、装入ドア211を有するハウジング212、上部ブロックアセンブリ220と対向する下部ブロックアセンブリ230を含む。上部ブロックアセンブリ220と下部ブロックアセンブリ230は、4本のZ軸ガイドポスト242に移動自在に接続されている。他の実施形態では、4本未満又は4本を越えるZ軸ガイドポストが使用される。伸縮式のカーテンシール235が、上部ブロックアセンブリ220と下部ブロックアセンブリ230の間に配置される。一時的ボンディングチャンバー202が、上部ブロックアセンブリ220、下部ブロックアセンブリ230と伸縮式カーテンシール235の間に形成される。カーテンシール235は、一時的ボンディングチャンバー領域202の外方にあるプロセス部品の多くを、プロセスチャンバーの温度、圧力、真空及び大気から隔離する。チャンバー領域202の外方にあるプロセス部品は、とりわけ、ガイドポスト242、Z軸ドライブ243、照明源、機械的プリアライメントアーム460a、460bとウエハ心出しジョー461a,461bを含む。カーテン235は、又、任意の半径方向からのボンディングチャンバー202へのアクセスを許す。図11において、下部ブロックアセンブリ230は、ウエハ20を支持するヒータプレート232、断熱層236、水冷支持フランジ237、移送ピンステージ238とZ軸ブロック239を含む。ヒータプレート232は、セラミック板で、抵抗加熱要素233と組込み空冷部234を含む。加熱要素233は、2個の異なる加熱ゾーンが形成されるように配置される。第1加熱ゾーン233Bは、200mmウエハ又は300mmウエハの中心領域を加熱するように構成され、第2加熱ゾーン233Aは、300mmウエハの外周部を加熱するように構成されている。全ボンディング界面405中の熱的一様性を達成すると共に、ウエハスタックの縁部における熱損失を軽減するために、加熱ゾーン233Aは、加熱ゾーン233Bから独立して制御される。ヒータプレート232は、又、夫々、200mmと300mmのウエハを保持するための2個の異なる真空ゾーンを含む。水冷断熱支持フランジ237は、断熱層236によってヒータプレートから分離されている。移送ピンステージ238は、下部ブロックアセンブリ230の下方に配置されていると共に、4本のポスト242によって移動自在に支持されている。移送ピンステージ238は、移送ピン240が異なるサイズのウエハを昇降させることができるように、支持ピン240を支持する。一例では、移送ピン240は、200mmウエハと300mmウエハを昇降させることができるように配置されている。移送ピン240は、まっすぐな軸であって、いくつかの実施形態では、図15に示すように、その中心を貫通する真空送り穴を有する。移送ピンの穴を介して引かれる真空は、移動中のウエハを移送ピンで所定位置に保持して、ウエハの心狂いを防止する。図12に示すように、Z軸ブロック239は、ボールスクリューを有する精密Z軸ドライブ243、直線カム、サブミクロン位置制御のための直線フィードバックエンコーダ244と歯車箱を有するサーボモータ246を含む。図13において、上部ブロックアセンブリ220は、上部セラミックチャック222、カーテン235がシール要素235aで封止する頂部静止チャンバー壁221、200mmと300mmのメンブレン層224a、224bと円周に120度で配置された3個のメタル曲げストラップ226を含む。図14に示すように、メンブレン層224aと224bは、夫々、上部チャック222と頂部ハウジング壁213の間にクランプ215aと215bで締付けられると共に、200mmウエハと300mmウエハを保持するための2個の別個の真空ゾーン223aと223bを形成する。メンブレン層224aと224bは、エラストマー材料又は金属ベローから成る。頂部セラミックチャック222は、極めて平坦で薄い。頂部セラミックチャック222は、ウエハスタック10に一様な圧力を印加するために、小質量を有すると共に、セミコンプライアントである。上部チャック222は、3個の調整式レベリングクランプ/ドライブアセンブリ216に対してメンブレン圧で軽く予備負荷をかけられる。クランプ/ドライブアセンブリ216は、円周に120度で配置されている。上部チャック222は、最初に下部セラミックヒータプレート232と当接してレベリングされて、ヒータプレート232に平行である。3個のメタルストラップ226は、曲げ作用をして、最小Z-拘束のX-Y-Tθ位置決めをもたらす。クランプ/ドライブアセンブリ216は、又、並進無しに支持ウエハの中心に対応する中心点の回りでセラミックチャック222を回転及び/又は傾斜させる球状ウェッジエラー補償WEC機構を提供する。ウエハの装入とプリアライメントは、図16に示す機械的心出し装置460で容易になる。心出し装置460は、図16に示す開放位置と図17に示す閉鎖位置にある2個のプリアライメントアーム460aと460bを含む。アーム460aと460bの端部に、機械的ジョー461aと461bがある。図18Aと図18Bに示すように、機械的ジョー461aと461bは、夫々、300mmウエハと200mmウエハの湾曲縁部に合致するテーパ面462と463を有する。別の実施形態では、ウエハの装入とプリアライメントは、図19Aと図19Bに示すウエハ心出し装置470で容易になる。ウエハ心出し装置470は、3個の心出しリンク471、472と473を含む。心出しリンク471は、ウエハ30をY軸方向に移動させる直線中間位置エアベアリング又は機械的スライド471aを含む。心出しリンク472と473は、夫々、時計方向と反時計方向に回転する回転心出しアーム472aと473aを含む。心出しリンク471、472と473の運動は、直線カム輪郭474aと474bを有するカム板474を使用して同期化される。カム輪郭474aは、中間位置心出しアーム471の直線運動を提供し、カム輪郭474bは、左右の心出しアームプッシュロッド472bと473bの直線運動を提供する。プッシュロッド472bと473bの直線運動は、夫々、心出しアーム472aと473aにおけるカム/カムフォロア界面での回転運動に変換される。カム板474は、電気モータ又は空圧作動によって直線運動X軸運動で駆動される直線スライドに固定される。心出しリンク471におけるリニア可変作動変圧器LVDT又は別の電気センサーが、心出し装置がウエハ縁部に対して停止させられる距離フィードバックを提供する。ばね予備負荷が、心出し装置471aにかけられ、ばね予備負荷が追い越されると、LVDTは、変位を記録する。更に別の実施形態では、ウエハ30の装入とプリアライメントは、図19Cと図19Dに示すウエハ心出し装置480で容易になる。ウエハ心出し装置480は、3個の心出しリンク481、482と483を含む。心出しリンク481は、ウエハ30をY軸方向に移動させる直線中間位置エアベアリング又は機械的スライド481aを含む。心出しリンク482と483は、夫々、時計方向と反時計方向に回転する回転心出しアーム482aと483aと、プッシュロッド482bと483bとを含む。心出しリンク481、482と483の運動は、夫々、直線カム輪郭484aと485aを有する2個のカム板484と485を使用して同期化される。カム輪郭484aと485aは、左右の心出しアームプッシュロッド482bと483bの直線運動を提供する。プッシュロッド482bと483bの直線運動は、夫々、心出しアーム482aと483aにおけるカム/カムフォロア界面での回転運動に変換される。カム板484と485は、夫々、ロッド481aと481bを介して直線スライド481aに接続される。図19Dに示すように、スライド481aのY軸方向の直線運動は、夫々、ロッド481aと481bを介して、板484と485のX軸に沿った直線運動に変換される。図20A、図20Bと図20Cにおいて、ボンダ-モジュール210による一時的ボンディング操作は、以下のステップを含む。最初に、非接着性基板が、ロボットエンドエフェクタによって移送ピン240aに装着される350。この場合、基板は、300mmウエハであり、300mmピン240aによって支持される一方、200mmピン240bは、300mmピン240aより少し低く図示されている。次に、機械的テーパジョー461aと461bは、ウエハの回りの位置に移動し、移送ピン240aは、降下する352。移送ピンは、真空機能とパージ機能を有する。パージ機能により、ウエハは、心出しサイクル中に浮上し、真空機能は、心出し完了時にウエハを保持する。テーパ状漏斗ジョー461a、461bと461cは、ウエハが移送ピン240aで降下中にウエハを中心に駆動する。ジョー461a、461bと461cは、夫々、図19と図18に示す200mmと300mmを含むどのようなサイズのウエハも収容及びプリアライメントをするように設計されている。次に、図20Cに示すように、心出しジョー461a、461bと461cは後退し、移送ピンが、上昇して、頂部基板20を上部真空チャック222上に載置する354。次に、図21Aに示すように、接着剤を塗布した第2基板30が、上向きにロボットエンドエフェクタによって移送ピン240aに装着される。次に、図21Bに示すように、機械的テーパジョー460が、ウエハ30の回りの位置に移動して、移送ピン240aが、降下後、上昇する358。図21Cに示すように、心出しジョー461aと461bは後退し、移送ピン240aが、降下して、基板30を底部真空チャック232上に載置する359。次に、図22Aに示すように、下部ヒータステージ230は、上昇して、頂部基板20と底部基板30の間に閉鎖プロセスギャップを形成し、カーテンシール235は、閉鎖されて、一時的ボンディングチャンバー202を形成する360。頂部基板20が機械的フィンガーで保持されている間に、最初の10-4ミリバールの高真空が、一時的ボンディングチャンバー202に引かれる。設定真空度に一旦到達すると、頂部基板20を上部チャック222に保持する真空差圧を発生するように、チャンバー圧は、約5ミリバールに少し上げられる。図22Bに示すように、Z軸ステージ239は、更に上昇して、底部基板30を頂部基板20に当接させる362。頂部チャック222は、この動作によってストッパ216から持上げられる362。次に、力が、頂部メンブレン224aを介して印加され、底部チャック232とウエハスタック10が、プロセス温度まで加熱される364。一例では、印加される力は、500Nと8000Nの間の範囲であり、プロセス温度は200°Cである。片側加熱を使用する場合、ウエハスタック10は、良好な伝熱を確保するために、メンブレン圧で圧縮される。処理の終了後、ボンディングされたウエハスタック10は、冷却されると共に、移送ピンとロボットエンドエフェクタにより搬出される。上記の場合、Z軸は、上昇して、薄いセミコンプライアント上部チャック222/メンブレン224に当接する。本実施形態では、メンブレン/チャック曲げを介してボンディング界面に垂直な方向のみに圧力を印加すると共に、接着性トポグラフィに合致するようにセミコンプライアントチャックを使用することによって、接着剤層は、全厚み変動TTV/傾斜を制御する。他の実施形態では、Z軸は、上昇してノンコンプライアントチャックと当接する。これらの場合、Z軸運動は、接着剤層の最終厚さを制御すると共に、接着剤を剛性平坦チャック222に合致させる。接着剤層の厚さは、Z軸位置制御、予備測定基板厚さと既知の接着剤厚さを使用することによって制御される。更に他の実施形態では、コンプライアント層が、底部チャック232に設置され、接着剤が早期硬化されたり、その粘度が調整される。更に他の実施形態では、熱が、底部チャックと頂部チャックの両方を介して印加される。熱スライドデボンダー図23において、熱スライドデボンダー150は、頂部チャックアセンブリ151と、底部チャックアセンブリ152と、頂部チャックアセンブリ151を支持する静止ガントリー153と、底部チャックアセンブリ152を支持するX軸キャリッジドライブ154と、200mmと300mmの直径を含む各種の直径のウエハを昇降させるように設計されたリフトピンアセンブリ155と、X軸キャリッジドライブ154とガントリー153を支持するベースプレート163とを含む。図24において、頂部チャックアセンブリ151は、ガントリー153にボルト締めされた頂部支持チャック157と、頂部支持チャック157の底面と当接するヒーター支持板158と、ヒーター支持板158の底面と当接する頂部ヒーター159と、Z軸ドライブ160と、上部ウエハプレート/ヒーター底面164をレベリングするプレートレベリングシステムとを含む。プレートレベリングシステムは、頂部ヒーター159を頂部支持チャック157に接続する3本のガイド軸162と、3個の空圧作動のスプリットクランプ161とを含む。プレートレベリングシステムは、並進無しに支持ウエハの中心に対応する中心点の回りで上部ウエハプレート164を回転及び/又は傾斜させる球状ウェッジエラー補償WEC機構を提供する。ヒーター159は、支持されたウエハスタック10を350°Cまで加熱し得る定常状態ヒーターである。ヒーター159は、200mmウエハ又は300mmウエハの中心領域を加熱するように構成された第1加熱ゾーンと、300mmウエハの外周部を加熱するように構成された第2加熱ゾーンとを含む。ウエハスタックの全ボンディング界面中の熱的一様性を達成すると共に、ウエハスタックの縁部における熱損失を軽減するために、第1加熱ゾーンと第2加熱ゾーンは、互いに独立して制御される。ヒーター支持板158は、熱隔離をもたらすと共に、頂部ヒーター159によって発生される熱膨張応力の伝播を防止するために、水冷される。図25において、底部チャック152は、低熱質量セラミック材料から成ると共に、エアベアリングキャリッジドライブ154上でX軸に沿って摺動するように設計されている。キャリッジドライブ154は、このX軸運動において、2個の平行な側方キャリッジガイドトラック156によって案内される。底部チャック152は、又、Z軸169の回りを回転するように設計されている。小さい角度のZ軸回転即ち、ねじりは、下記のように、ウエハの分離を開始するのに使用される。ベースプレート163は、振動隔離されている。一例では、ベースプレートは、花コウ岩から成る。一例では、ベースプレート156は、ハニカム構造を有し、空圧振動アイソレータ不図示によって支持されている。図26A、図26Bと図26Cにおいて、図23の熱スライドデボンダー150のデボンディング操作は、以下のステップを含む。最初に、一時的にボンディングされたウエハスタック10は、プライマリリフトピン155に装着されて、キャリアウエハ30は頂部にあり、薄いデバイスウエハ20は底部にある171。次に、薄いデバイスウエハ20の底面が底部チャック152に当接するように、ウエハスタック10は降下させられる172。次に、底部チャック152は、頂部ヒータ159の下にあるまで、165aの方向に移動させられる174。次に、頂部チャック151のZ軸ドライブ160が降下して、頂部ヒータ159の底面がキャリアウエハ30の上面に当接させられる。次に、キャリアウエハ30が設定温度に到達するまで、空気が頂部ヒータ159とキャリアウエハ30に送出される。設定温度に到達した時、キャリアウエハが頂部チャックアセンブリ151によって保持されるように、真空がキャリアウエハ30に引かれ、ガイド軸162が、スプリットクランプ161にロックされる175。この時、頂部チャック151は強固に保持される一方、底部チャック152はコンプライアントであり、最初に底部チャック152をねじって、次にX軸キャリッジ154を、強固に保持された頂部チャックアセンブリ151から離れる165bの方向に移動させることにより177、熱スライド分離が開始される176。デボンディングされたうすいデバイスウエハ20は、X軸キャリッジ154によって搬出位置に運ばれ、搬出位置で、ピンによって持上げられて178、除去される179。次に、X軸キャリッジ154が、165aの方向に戻される180。X軸キャリッジ154が頂部チャックアセンブリ151の下方の位置に到達すると、リフトピン155が、上昇させられて、キャリアウエハ30の接着剤側と当接し、キャリアウエハをヒータプレート159から解放するように、空気がヒータプレート159にパージされる181。リフトピン155が、底部チャック上面を接着剤で汚染しないように、底部チャックの真上の高さまで降下させられ182、X軸キャリッジ154が、搬出位置まで165bの方向に移動させられる。キャリアウエハが、冷却され、次に除去される183。図25Aにおいて、改善された熱スライドデボンダー500の底部チャック152は、Z軸ステージ501と支持アーム502a、502bと502cによって支持される。薄くされたデバイスウエハ20が底部チャック152に当接し、キャリアウエハ30が頂部チャックアセンブリ151に対向するように、薄くされたウエハ対10が、底部チャック152の頂部に載置される。上記ステップ175において設定温度に到達して、キャリアウエハが頂部チャックアセンブリ151によって保持されるように、真空がキャリアウエハ30に引かれる時、Z軸ステージ501は、ウエハ20の中心から約0.5mmの距離まで底部チャック152を504の方向に引下げる小さな力F1503で予備負荷をかけられる。この時、頂部チャック151は、強固に保持される一方、底部チャック152は、165aの側方に堅固でZ軸方向504にコンプライアントであり、最初に底部チャック152をねじって、次にZ軸ステージ501を、強固に保持された頂部チャックアセンブリ151から離れる165bの方向に移動させることにより177、熱スライド分離が開始される176。ロードセル506図25に図示は、Z軸ステージ501を引張る水平力F2505を測定する。従って、ロードセル506は、デボンディング力の抵抗を測定する。薄いデバイスウエハ20をキャリアウエハ30からデボンディングした後、デバイスウエハ20を有する底部チャック152が、X軸キャリッジ154上に降下させられ、側方キャリッジガイドレール156に沿って移動させられる。水平力F2505は、一定に維持され、又は、X軸運動の速度を制御することによって変動されてもよい。一例では、200mmウエハは、約50mmの距離を約2mm/secの移動速度でX軸方向165bに移動させられる。次に、移動速度が、約75mmの距離を4mm/secに上げられ、次に、移動速度が、75mmの距離を6mm/secに上げられる。ウエハは、又、約30度を0.5度/secの回転速度ねじられる。いくつかの実施形態では、ウエハ対10は、熱衝撃を防止するために、デボンディングの前に予熱される。機械的デボンダー図2Aにおいて、機械的デボンダーB250は、薄いデバイスウエハ20からキャリアウエハ30の縁部31を機械的に持上げることにより、薄いデバイスウエハ20からキャリアウエハ30をデボンディングする。デボンディングプロセスの前に、一時的にボンディングされたウエハスタック10は、フレーム25に止着され、分離時に、薄いウエハはフレーム25に支持されたままである。図27と図28において、デボンダー250は、2個の円形真空シール255を有する屈曲板253を含む。シール255は、シールによって囲まれる領域内に置かれる200mmウエハを封止する第1のものと、シールによって囲まれる領域内で300mmウエハを封止する第2のものの2個のゾーンを含む。シール255は、Oリング又は吸引カップで実施される。リフトピンアセンブリ254が、屈曲板253によって運搬される分離されたキャリアウエハ30を昇降するのに使用される。デボンダー250は、又、真空チャック256を含む。真空チャック256と屈曲板253は、ベースプレート251に支持される支持板252上で互いに隣接して配置されている。屈曲板253は、ヒンジドライブモータ257によって駆動されるヒンジ263に接続された縁部253bを有する。真空チャック256は、多孔性焼結セラミック材料から成り、分離された薄いウエハ20を支持するように設計されている。ヒンジモータドライブ257は、ウエハスタック10が真空チャック256に装着された後、屈曲板253をウエハスタック10に駆動するのに使用される。アンチバックラッシュギアドライブ258は、屈曲板253の偶発的後退を防止するために使用される。デボンディングドライブモータ259は、ベースプレート251の縁部251aに止着され、チヤック支持板の縁部252aに隣接する。デボンディングドライブモータ259は、ベースプレート251の平面に垂直な方向261にコンタクトローラ260を移動させ、コンタクトローラ260のこの運動は、下記するように、屈曲板が装入されたウエハスタック10に載置された後、屈曲板253の縁部253aを上昇させる。図29において、デボンダー250によるデボンディング操作は、以下のステップを含む。最初に、ウエハスタック10を有するテープフレーム25が、真空チャック256に装着されて、キャリアウエハ30は頂部にあり、薄いウエハ20は底部にある271。テープフレーム25は、図28に示すフレーム位置合せピン262に対して割出されて、テープフレーム25の位置がロックされる。次に、テープフレーム接着性フィルムを保持するように、真空が多孔性真空チャック256を介して引かれる。次に、屈曲板253を装着ウエハスタック上に搬送するように、ヒンジモータ257が作動させられて、屈曲板253がキャリアウエハ30の背面に当接する272。キャリアウエハ30上の位置に到達すると、真空が、シール255を介してキャリアウエハ頂部上に引かれる。屈曲板253をこの閉鎖位置に維持するために、ヒンジモータ257のトルクは、一定に保たれる。次に、コンタクトローラ260を方向261aに移動させると共に、屈曲板253の縁部253aを押上げるために、デボンディングモータ259が作動させられる273。屈曲板の縁部253aのこの上方運動は、キャリアウエハ30を少し曲げる又は屈曲させると共に、ウエハスタック10をリリース層32に沿って離層することにより、キャリアウエハ30を薄いウエハ20から分離する。シリコンウエハは、他のどの方位よりもはるかに容易に110結晶面に沿って破断又は劈開する。従って、110方向がプッシュ方向261aに垂直となるように、キャリアウエハ30は、110面上で製作されることにより、離層中のウエハ30の破断を防止する。薄いウエハ20は、真空チャック256で保持されるテープフレーム25に止着されたままである。このステップ中、デボンディングモータ259は、一定位置に保持される。次に、ヒンジモータドライブ257は、止着された分離キャリアウエハ30を有する屈曲板253を制御状態で開放位置に開く274。屈曲板真空を解放することにより、キャリアウエハ30が解放される。次に、キャリアウエハ30を上昇させるように、リフトピン254が上昇させられて、リリース層32が上向きとなって、キャリアウエハ30が除去される。次に、多孔性真空チャック256を介した真空が解放され、止着された薄いウエハ20を有するテープ25が除去される。図30乃至図33において、機械的デボンダー600の第2実施形態で、抵抗ローラ610は、コンタクトローラ260が屈曲板253の縁部253aを押上げ上昇させている間に、屈曲板253に下向きの力を印加するのに使用される。この実施形態では、ボンディングされたウエハ対10とデボンディングされたデバイスウエハ20とキャリアウエハ30は、同じ方向620からデボンダーに対して装入及び除去される。デボンダー600は、マルチゾーン円形真空シール255を有する屈曲板253を含む。シール255は、とりわけ、シールによって囲まれる領域内に置かれる200mmウエハを封止する第1のものと、シールによって囲まれる領域内で300mmウエハを封止する第2のものの2個のゾーンを含む。シール255は、Oリング又は吸引カップで実施される。デボンダー600は、又、真空チャック256、リフトピンアセンブリ604と移送アーム602a、602bと602cを含む。この場合、図30に示すように、リフトピンアセンブリ604と移送アーム602a、602bと602cは、真空チャック256の回りに配置されている。屈曲板253は、ヒンジモータドライブ257によって駆動されるヒンジ263に接続された縁部253bを有する。真空チャック256は、多孔性焼結セラミック材料から成り、ボンディングされたウエハ対10と分離された薄いウエハ20及びキャリアウエハ30を支持するように設計されている。ヒンジモータドライブ257は、ウエハスタック10が真空チャック256に装着された後、屈曲板253をウエハスタック10に駆動するのに使用される。図28に示すアンチバックラッシュギアドライブ258は、屈曲板253の偶発的後退を防止するために使用される。デボンディングドライブモータ259は、ベースプレート251の縁部251aに止着され、チヤック支持板の縁部252a図28に図示に隣接する。デボンディングドライブモータ259は、ベースプレート251の平面に垂直な方向261aにコンタクトローラ260を移動させ、コンタクトローラ260のこの運動は、下記するように、屈曲板が、装入ウエハスタック10に載置された後、屈曲板253の縁部253aを上昇させる。図30乃至図41において、デボンダー600によるデボンディング操作は、以下のステップを含む。最初に、ウエハスタック10を有するテープフレーム25は、真空チャック256に装着され、キャリアウエハ30は頂部にあり、薄いウエハ20は底部にある662。テープフレーム25は、フレーム位置合せピン262に対して割出されて、テープフレーム25の位置がロックされる。次に、テープフレーム接着性フィルムを保持するように、真空が多孔性真空チャック256を介して引かれる。次に、屈曲板253を装着ウエハスタック上に降下させるように、ヒンジモータ257が作動させられて、屈曲板253がキャリアウエハ30の背面に当接する664。キャリアウエハ30との当接位置に到達すると、真空が、キャリアウエハ頂部上の封止ゾーンを介して引かれる。屈曲板253をこの閉鎖位置に維持するために、ヒンジモータ257のトルクは、一定に保たれる。次に、抵抗ローラ610が、屈曲板253の縁部253aと当接させられ666、下方屈曲力631が印加される668。次に、コンタクトローラ260を方向261aに移動させると共に、屈曲板253の縁部253aを力633で押上げるために、デボンディングモータ259が作動させられる一方、抵抗ローラ610が、水平に方向632に移動させられる670。移動抵抗ローラ610の抵抗力631の下での屈曲板縁部253aの上方運動は、制御状態でキャリアウエハ30を少し曲げる又は屈曲させると共に、ウエハスタック10をリリース層32に沿って離層することにより、キャリアウエハ30を薄いウエハ20から分離する672。最初に、力631は力633とる釣合い即ち、それらは同じ値を有し、次に、抵抗ローラ631が方向632に移動させられている間、分離されたキャリアウエハ30とデバイスウエハ20の間の角度一定のままであるように、力633が低減される。次に、止着された分離キャリアウエハ30を有する屈曲板253は、ヒンジモータ257で持上げられ、薄くされたデバイスウエハ20はテープフレーム25に止着されたままであり、テープフレーム25は、真空チャック256によって保持される674。次に、真空が、多孔性真空チャック256を介して解放され、止着された薄いウエハ20を有するテープ25が、方向620から搬出される676。次に、移送アーム602a、602bと602cが、真空チャック256に挿入され678、キャリアウエハ30を有する屈曲板253は、移送アーム602a、602bと602c上に降下させられる680。真空封止が解放され、キャリアウエハ30が、屈曲板253から分離される682。最後に、キャリアウエハ30も、方向620から真空チャック256から搬出される。他の実施形態では、ボンディングされたウエハスタック10の分離は、図42Aに示すように、キャリアウエハ30を有する屈曲板253を水平に方向691に押したり、図42Bに示すように、デバイスウエハ縁部を押下げながら、屈曲板253を水平に方向692に移動させることによって、開始される。他の実施形態では、装置は、ヒンジモータドライブ257を含まず、ヒンジ263が手動で駆動される。他の実施形態では、装置は、デボンディングドライブモータ259を含まず、コンタクトローラ260の作動は、ピストンと比例レギュレータにより空圧駆動される。新たなデボンディング装置と方法図43において、新たなデボンディング装置700は、下部702と上方カバー部704を有するクラムシェル型リアクタ内に収容される上部チャック730と下部チャック720を含む。2個の別個のチャンバー706と708が、リアクタ700内に形成され、下部チャンバー706は、下部チャック720を収容し、上部チャンバー708は、上部チャック730を収容する。上部チャックの下面730aは、下部チャンバー706に突入している。上部チャック730と下部チャック720は、多孔性セラミックであり、それらを通して真空を引くことにより、図44Cに示すように、夫々、方向712と714の力を印加することができる。力712と714は、夫々、上部チャック730の下面730aと下部チャック720の上面720a全体に印加される。力712と714は、夫々、基板を上部チャック730と下部チャック720によって保持するように使用される。上部チャンバー708と下部チャンバー706は、加圧ガスで充填されている。加圧ガスは、上部チャック730の上面730bに圧力711を印加し、又は、下部チャック720の上面720aに圧力716を印加する。一例では、圧力711と716は、約2バールであり、加圧ガスは窒素である。圧力711が印加されている間、上部チャック730の外方縁部は、クランプ725によって固定位置に保持される。クランプ725は、機械的クランプでも真空クランプでもよい。操作において、テープフレーム25上に支持されたボンディングされたウエハ対10は、チャンバー708に装入されて、図44Aに示すように、真空力712で上部チャック730の下面730aと当接して保持される。真空力712は、キャリアウエハ30の全非ボンディング面に印加される。次に、チャンバー708はガスで充填され、チャック730の縁部がクランプ725によって固定保持されつつ、圧力711が、加圧ガスによってチャック730の上面730bに印加される。この結果、図44Bに示すように、ウエハ対10が、点721において下部チャック720の上面720aと当接するまで、チャック730の下面730aと止着ウエハ対10が、下方に弓形に曲がる。この時、ボンディングされたウエハ対の分離が点10aの回りで開始される。その分離は、機械的手段、即ち、フレーム25を押上げたりキャリアウエハ30を側方に押圧することによって開始される。他の実施形態では、その分離は、エアナイフで開始される。次に、真空が、下部チャック720を介して引かれて、図44Cに示すように、真空力714をウエハ対710の下面に印加する。次に、チャンバー708内の圧力711を下げて、下面730aと止着ウエハ対の下方湾曲を徐々に除去する。同時に、下部チャンバー706内の圧力716が上げられる。これらのステップの組合せにより、図44Dに示すように、点10aで開始された分離先端が、全ボンディング界面に伝播する。最後に、圧力711が切られ、真空力712が切られ、次に、圧力716が切られて、図44Eに示すように、キャリアウエハ30と、下部チャック720上のテープフレーム25上に支持されたデバイスウエハ20とに分離し、テープフレーム25において、キャリアウエハ30とデバイスウエハ20は、真空力714によって保持される。"