基板上に設けられた下地層と、無電解メッキ法により前記下地層上に設けられたニッケル層と、前記ニッケル層上に設けられた半田ボールと、を具備し、前記ニッケル層の前記半田ボール側の領域である第2領域は、前記ニッケル層の前記下地層側の領域である第1領域に比べて硬いことを特徴とする半導体装置。前記第1領域の硬さは150Hv以上500Hv未満であり、前記第2領域の硬さは500Hv以上1000Hv以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記ニッケル層の硬さは段階的に変化する、又は連続的に変化することを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。前記第1領域の厚さ及び前記第2領域の厚さは、それぞれ0.1μm以上5μm以下であることを特徴とする請求項1から3いずれか一項記載の半導体装置。前記下地層は金、銅又はアルミニウムの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1から4いずれか一項記載の半導体装置。前記ニッケル層の表面には凹凸が形成され、前記ニッケル層と前記半田ボールとの間にはカバー層が介在し、前記カバー層の表面には、前記凹凸を反映した凹凸が設けられてなることを特徴とする請求項1から5いずれか一項記載の半導体装置。基板上に下地層を設ける工程と、無電解メッキ法により前記下地層上にニッケル層を設ける工程と、前記ニッケル層上に半田ボールを設ける工程と、を有し、前記ニッケル層の前記半田ボール側の領域である第2領域は、前記ニッケル層の前記下地層側の領域である第1領域に比べて硬いことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記ニッケル層を設ける工程は、前記ニッケル層の上面を熱処理する工程を含むことを特徴とする請求項7記載の半導体装置の製造方法。前記ニッケル層を設ける工程におけるメッキ液中のリン濃度を変化させることを特徴とする請求項7又は8いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。前記ニッケル層を設ける工程において、無電解メッキ法に用いるメッキ液の温度は低温から高温に連続的に変化し、前記第1領域を形成するためのメッキ液の温度は低く、前記第2領域を形成するためのメッキ液の温度は高いことを特徴とする請求項7から9いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。前記ニッケル層の表面に凹凸を形成する工程と、前記ニッケル層上にカバー層を形成する工程と、をさらに有し、前記カバー層の表面には、前記ニッケル層の凹凸を反映した凹凸が設けられることを特徴とする請求項7から10いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。しかし、Cuの拡散防止層が厚い場合、工数が増大しコストも高くなり、さらに面内均一性のバラつきも大きくなる。また、拡散防止層が薄い場合は、半田の拡散を十分に抑制することが難しい。本願発明は、上記課題に鑑み、低コストで、半田の拡散を抑制し、かつストレスを緩和することが可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。本発明は、基板上に設けられた下地層と、無電解メッキ法により前記下地層上に設けられたニッケル層と、前記ニッケル層上に設けられた半田ボールと、を具備し、前記ニッケル層の前記半田ボール側の領域である第2領域は、前記ニッケル層の前記下地層側の領域である第1領域に比べて硬い半導体装置である。本発明によれば、低コストで、半田の拡散を抑制し、かつストレスを緩和することが可能な半導体装置を提供することができる。上記構成において、前記第1領域の硬さは150Hv以上500Hv未満であり、前記第2領域の硬さは500Hv以上1000Hv以下である構成とすることができる。上記構成において、前記ニッケル層の硬さは段階的に変化する、又は連続的に変化する構成とすることができる。上記構成において、前記第1領域の厚さ及び前記第2領域の厚さは、それぞれ0.1μm以上5μm以下である構成とすることができる。上記構成において、前記下地層は金、銅又はアルミニウムの少なくとも1つを含む構成とすることができる。上記構成において、前記ニッケル層の表面には凹凸が形成され、前記ニッケル層と前記半田ボールとの間にはカバー層が介在し、前記カバー層の表面には、前記凹凸を反映した凹凸が設けられてなる構成とすることができる。本発明は、基板上に下地層を設ける工程と、無電解メッキ法により前記下地層上にニッケル層を設ける工程と、前記ニッケル層上に半田ボールを設ける工程と、を有し、前記ニッケル層の前記半田ボール側の領域である第2領域は、前記ニッケル層の前記下地層側の領域である第1領域に比べて硬い半導体装置の製造方法である。本発明によれば、低コストで、半田の拡散を抑制し、かつストレスを緩和することが可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。上記構成において、前記ニッケル層を設ける工程は、前記ニッケル層の上面を熱処理する工程を含む構成とすることができる。上記構成において、前記ニッケル層を設ける工程におけるメッキ液中のリン濃度を変化させる構成とすることができる。上記構成において、前記ニッケル層を設ける工程において、無電解メッキ法に用いるメッキ液の温度は低温から高温に連続的に変化し、前記第1領域を形成するためのメッキ液の温度は低く、前記第2領域を形成するためのメッキ液の温度は高い構成とすることができる。上記構成において、前記ニッケル層の表面に凹凸を形成する工程と、前記ニッケル層上にカバー層を形成する工程と、をさらに有し、前記カバー層の表面には、前記ニッケル層の凹凸を反映した凹凸が設けられる構成とすることができる。本発明によれば、低コストで、半田の拡散を抑制し、かつストレスを緩和することが可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することができる。以下、本発明の実施例について説明する。図1aは実施例1に係る半導体装置を例示する断面図である。図1bは電極付近の拡大図である。断面図における層の厚さは模式的に例示したものである。図1aにおいては、個片化前のウェハ状態の半導体装置を示している。図1aに示すように、実施例1に係る半導体装置は、基板10と電極11とを備える。図示しないが、電極11とそれと隣接する電極11との間には、絶縁層が形成されていてもよい。基板10は、例えばシリコンSi、炭化シリコンSiC又はサファイア等からなる絶縁性基板と、絶縁性基板上にエピタキシャル成長された窒化物半導体とを含む半導体基板である。図1bは図1aの破線の円で囲んだ部分を拡大している。電極11は、下地層12、ニッケルNi層16、カバー層18及び半田ボール20を含む。例えば厚さ0.5μm~10μmの金Auからなる下地層12は、基板10上に設けられている。絶縁層14は例えば窒化シリコンSiN層、酸化シリコンSiO2層、ポリイミド層等を積層したものであり、基板10上及び下地層12上に設けられている。絶縁層14に形成された開口部からは下地層12が露出している。Ni層16は、露出した下地層12上、及び絶縁層14上に設けられている。図1bに破線で区切ったように、Ni層16の下地層12側の領域を第1領域16a、半田ボール側の領域を第2領域16bとする。第1領域16aの厚さ及び第2領域16bの厚さは、それぞれ例えば0.1μm以上、5μm以下である。例えば厚さ30nmのAu等の金属からなるカバー層18は、Ni層16と半田ボール20との間に介在し、Ni層16の上面及び側面を覆っている。カバー層18上には例えば錫、銀及び銅を主成分とする半田Sn-Ag-Cu系半田を含む半田ボール20が設けられている。下地層12は基板10の半導体層の上面に接触し、Ni層16は下地層12の上面に接触している。カバー層18はNi層16の上面及び側面に接触している。半田ボール20はカバー層18の上面に接触している。Ni層16は半田ボール20からの半田の拡散を抑制するアンダーバンプメタルUBM:UnderBumpMetalとして機能する。下地層12は電極11の下地、及び配線層として機能する。カバー層18はNi層16の酸化を抑制する保護層として機能する。半田ボール20は、半導体装置と外部の実装基板とを接続する外部接続端子として機能する。Ni層16の構成についてより詳しく説明する。図2aは実施例1における電極の模式図である。図2bはニッケル層の硬さを例示するグラフである。図2bの横軸は硬さ、縦軸はカバー層18上面からの深さを表す。図2a及び図2bに示すように、無電解メッキ法により形成されたNi層16は、硬さの異なる第1領域16a及び第2領域16bを含む。第2領域16bは、第1領域16aに比べて硬い。柔らかい第1領域16aと、硬い第2領域16bとの間で硬さは段階的に変化する。第1領域16aの硬さX1は例えば150Hv以上、500Hv未満であり、第2領域16bの硬さX2は例えば500Hv以上、1000Hv以下である。なお、純粋なNiの硬さは150Hv程度である。無電解メッキ法により形成したNiの硬さは、一般に例えば500Hv程度である。第2領域16bを硬くする理由は、半田ボール20から下地層12への半田の拡散の反応を抑制するためである。ただし層が硬くなるほど大きなストレスが生じる。そこで第1領域16aを第2領域16bよりも柔らかくすることで、第2領域16bのストレスを緩和することができる。これにより本願発明は、第2領域16bを設けることで、半田の拡散に起因するオープン及びショートを抑制し、第1領域16aを設けることで第2領域16bのストレスに起因する電極11及び半導体基板10のクラックを抑制することができる。また本願発明は、上記構成のNi層16を積層することで、その積層された膜厚と同等の膜厚の硬いNiを単層で形成した場合より、チップと実装基板の熱膨張係数に起因する半田ボール20のクラックを抑制することもできる。それは、一様に硬いNi層では、半田ボール20のストレスを緩和することが難しいからである。一方、Ni層が一様に柔らかい場合には、半田ボール20のストレスを緩和することはできるが、半田の拡散を抑制することは困難である。第1領域16aの硬さの上限は例えば450Hv、400Hv、300Hv等でもよい。第2領域16bの硬さは例えば550~950Hv、600~900Hv等でもよい。本発明では、Ni層16は無電解メッキ法により形成されるため、例えば電解メッキ法、蒸着法等により形成した場合よりも緻密な層となる。このため半田の拡散が効果的に抑制される。一般に、UBMが厚いほど大きなストレスが生じる。実施例1のNi層16は、例えば0.2~10μm程度の薄い層であるため、ストレスを低減することができ、かつ低コスト化も可能となる。第1領域16aの厚さ及び第2領域16bの厚さは例えば0.2μm以上4.8μm以下でもよいし、0.1μmより大きく5μm未満でもよい。第1領域16aと第2領域16bとは同じ厚さでもよいし、異なる厚さでもよい。次に実施例1に係る半導体装置の製造方法について説明する。図3aから図3cは実施例1に係る半導体装置の製造方法を例示する断面図である。図3aに示すように、基板10上に、例えば無電解メッキ法を用いて下地層12を設ける。絶縁層14を設け、絶縁層14に開口部を形成する。図3bに示すように、無電解メッキ法を用いて下地層12上にNi層16を設ける。無電解ニッケルメッキ液以下、メッキ液は、Niイオン、次亜リン酸又はその塩を含有する。2つのメッキ槽に入れた組成の異なるメッキ液を用いることで、第1領域16a及び第2領域16bを形成する。詳しくは後述する。図3cに示すように、例えば無電解メッキ法を用いてカバー層18を設ける。例えば印刷及びリフロー処理により、カバー層18上に半田ボール20を設ける。以上により図1aに示した半導体装置が形成される。さらに基板10を切断することにより個片化された半導体装置が形成される。次にメッキ液の組成について説明する。図4はP濃度と硬さとの関係を例示するグラフである。横軸は無電解メッキ法に用いられるメッキ液中のリンP濃度、縦軸はNi層16の硬さを示す。図4に示すように、例えばP濃度が0wtのとき硬さは約200Hv、P濃度が2wtのとき硬さは約700Hv、P濃度が12wtのとき硬さは約500Hvである。Ni層中に第1領域16a及び第2領域16bを形成するためには、P濃度を0~15wtの間で変化させればよい。硬さ150Hv以上500Hv未満の第1領域16aを形成するためには、メッキ液中のP濃度を例えば0wt以上1wt以下、又は12wtより大きくすればよい。またP濃度が1wt未満、又は12wtより大きくてもよい。硬さ500Hv以上の第2領域16bを形成するためには、メッキ液中のP濃度を例えば1wt以上12wt以下とすればよい。第2領域16bの硬さをより高めるためには、P濃度を1.5wt以上、10wt以下としてもよい。半田ボール20を形成する半田は、例えばSn-Cu系半田、Sn-Ag系半田、錫銀ビスマスSn-Ag-Bi系半田、又は錫亜鉛Sn-Zn系半田等を含んでもよく、環境保護のために鉛Pbは含まないことが好ましい。下地層12は、例えばCu又はアルミニウムAl等、Au以外の金属でも形成してもよいし、Au、Cu又はAlの少なくとも1つを含む合金からなるとしてもよい。カバー層18の材料は、例えばAg等、Au以外の金属でもよい。半導体層の材料となる窒化物半導体とは、窒素Nを含む半導体であり、例えば窒化ガリウムGaN、窒化アルミニウムAlN、窒化アルミニウムガリウムAlGaN、窒化インジウムアルミニウムInAlN、窒化インジウムガリウムInGaN、窒化インジウムInN、及び窒化アルミニウムインジウムガリウムAlInGaN等がある。半導体層の材料には窒化物半導体以外に例えばガリウム砒素GaAs等、他の半導体を用いてもよい。また基板10は、例えばSi基板、Si基板上にシリコンゲルマニウムSiGeを積層した基板、GaAs基板上にGaAs系半導体を積層した基板、リン化インジウムInP基板上にInP系半導体を積層した基板等でもよい。半導体装置は、例えばFETFieldEffectTransistor:電界効果トランジスタ、HBTHeterojunctionBipolarTransistor:ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、MMICMonolithicMicrowaveIntegratedCircuit:モノリシックマイクロ波回路、LEDLightEmittingDiode:発光ダイオード、LDLaserDiode:レーザーダイオード、液晶に用いられるTFTThinFilmTransistor:薄膜トランジスタ等として機能するCSPである。実施例2はNi層16の硬さが連続的に変化する例である。図5aは実施例2における電極の模式図である。図5bはNi層の硬さを例示するグラフである。図5aにおいては、Ni層16のハッチングを省略し、点線の楕円で第1領域16a及び第2領域16bを模式的に示している。図5a及び図5bに示すように、Ni層16の硬さは下地層12側から半田ボール20側にかけて連続的に高くなる。Ni層16の下面における硬さX1は例えば150Hv以上、500Hv未満であり、上面における硬さX2は例えば500Hv以上、1000Hv以下である。実施例2によれば、実施例1と同様に、低コスト化が可能で、半田の拡散を抑制し、かつストレスを緩和することができる。またNi層16中に硬さが急激に変化する箇所が存在しないため、硬さの異なる領域間の境界においてNi層16が剥離することを抑制できる。次に実施例2に係る半導体装置の製造方法について説明する。図3aから図3cに示した図は、実施例2においても共通である。またメッキ液は実施例1において使用したもの同じ種類の溶液であり、P濃度は一定とする。Ni層16を形成する無電解メッキ法において、メッキ液の温度を例えば30°Cから80°Cまで連続的に変化させる。無電解メッキ法の開始時点においては、メッキ液の温度を例えば30°C程度の低温とすることで柔らかい第1領域16aを形成する。温度を徐々に上げ、無電解メッキ法の後半においては、メッキ液の温度を例えば80°C程度の高温とすることでNi層16へのPの取り込みを促進させる。これにより硬い第2領域16bを形成する。以降の工程は実施例1と同じである。なお、メッキ液の温度は30~80°C以外に、例えば20~70°C、40~90°C等でもよい。実施例3は、Ni層を設ける工程において熱処理を行う例である。図6aから図6cは実施例3に係る半導体装置の製造方法を例示する断面図である。図6aに示すように、下地層12上にNi層16を設ける。実施例3におけるメッキ液は、実施例1において使用したものと同じであり、P濃度は一定である。このため、無電解メッキ後のNi層16の硬さは領域に関係なく一定で、例えば100Hv~500Hv程度である。図6bに示すように、Ni層16上にカバー層18を設ける。ウェハ上においてレーザーを走査又は一括照射し、図6cに格子斜線で示すようにNi層16の上面付近及びカバー層18を例えば350°Cまで加熱する。レーザーの光源として、エキシマレーザー、又はYAGイットリウムアルミニウムガーネットレーザー等を用いる。レーザーアニールは、例えば水素H2ガス、窒素N2ガス、アルゴンArガス等の不活性ガス、及び大気を含む雰囲気中において行う。レーザーアニールにより、Ni層16には硬い第2領域16bが形成される。なお、熱がNi層16の上面から下面に向けて連続的に伝わることで、Ni層16の硬さは図5bに示したように連続的に変化する。レーザーアニール以降の工程は実施例1と同じである。熱処理温度が300°C~500°Cの場合、第2領域16bの硬さは800Hvを超え、熱処理温度が400度付近の場合、硬さは900~1000Hv程度まで上昇する。所望の硬さに調整するため、熱処理温度を例えば100~600°Cの間で調整する。第2領域16bをより硬くするためには、熱処理温度を例えば200~500°C、300~450°Cとすることが好ましい。第1領域16aの硬さを低く維持したまま、第2領域16bの硬さを高めるためには、例えばNi層16の上面付近を集中的に、かつ1秒等の短時間、熱処理することが好ましい。このため熱処理の方法としてはレーザーアニールが好ましい。また処理時間が短いため、半導体の特性の劣化が抑制され、かつ製造工程が効率化される。レーザーアニールの場合、レーザーの出力、ビーム走査速度及びパルス幅を調整することで、熱処理温度及び照射時間を変更することができる。実施例1に示したP濃度の変更、実施例2に示したメッキ温度の変更、及び実施例3に示した熱処理を組み合わせてもよい。例えばメッキ液のP濃度を変更し、かつ温度を連続的に変化させてもよい。また例えばP濃度を変化させてNi層16を形成し、さらにレーザーアニール等の熱処理を行うことで第2領域16bをより硬くすることができる。特に1000Hv程度の硬さを得るためには、熱処理を行うことが好ましい。さらにメッキ液として、例えばNiイオン、ジメチルアミンボラン及びグルコン酸、又はその塩を含有するものを使用してもよい。この場合、ホウ素Bの濃度の調整、メッキ液の温度の変更、又は熱処理によりNi層16の硬さを調整することができる。実施例4はNi層16上面に凹凸を設けた例である。図7aは実施例4における電極付近の拡大図であり、図7bのA-Aに沿った断面を図示している。図7bは電極の平面図であり、半田ボール20を透視している。図7bの破線の円で囲んだ領域は、半田ボール20が接合する領域である。図7aに示すように、下地層12の表面に凹凸が形成されている。Ni層16の表面の、下地層12の凹凸に対応する位置に、凹凸が形成されている。カバー層18はNi層16の凹凸に沿って設けられており、表面にはNi層16の凹凸を反映した凹凸が形成されている。半田ボール20はカバー層18の凹凸に接触するように設けられている。Ni層16の凹部22の深さは例えば0.5μm~10μmである。図7bに示すように、Ni層16の表面は、複数の凹部22が分布するワッフル構造である。凹凸により下地層12の表面積、及びNi層16の表面積を大きくすることができるため、小さい領域にストレスが集中することを抑制することができる。従って、例えば電極11の径が小さくなった場合でも、ストレスの緩和が可能である。さらに、アンカー効果により下地層12とNi層16、Ni層16とカバー層18、カバー層18と半田ボール20、それぞれの接合強度が高くなる。このため実装信頼性が向上する。次に実施例4に係る半導体装置の製造方法について説明する。図8aから図8cは実施例4に係る半導体装置の製造方法を例示する断面図である。実施例1と共通する構成については説明を省略する。図8aに示すように、下地層12を形成した後、例えばエッチング等により、下地層12の表面に凹凸を形成する。凹凸の形成は、絶縁層14を設ける前、設けた後、どちらに行ってもよい。図8bに示すように、無電解メッキ法によりNi層16を形成する。下地層12の凹凸に対応した凹凸がNi層16の表面にも形成される。ここで、実施例1と同様にP濃度を変化させることで第1領域16aと第2領域16bとの硬さを調整する。図8cに示すように、蒸着法又はスパッタリング法により、Ni層16上に凹凸に沿うようにカバー層18を設ける。リフローを行うことで、溶融した半田が凹凸に充填され、半田ボール20が形成される。また凹凸は、下地層12の表面に形成する以外に、Ni層16の表面又はカバー層18の表面に直接形成することもできる。次に実施例4の変形例について説明する。図9は実施例4の変形例における電極の平面図である。図9に示すように、Ni層16の表面は、凹部22が十字型に配列される構造でもよい。凹部22の数及び配置は変更してもよい。実施例4において、P濃度の変更、メッキ温度の変更、及び熱処理のいずれか1つを適用してもよいし、複数を組み合わせてもよい。以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。