流出ノズルから垂下された溶融ガラスを、切断手段により切断してガラスゴブとし、該ガラスゴブをテーブルで担持した後にプレス成型してガラスブランクスを得るブランクス成型工程を有するHDD用ガラス基板の製造方法であって、前記切断手段により切断されたガラスゴブを、前記切断手段の下方に設けられた、加熱手段または保温手段により、ガラスゴブを加熱または保温する加熱保温工程と、前記ガラスゴブをプレス成型するプレス成型工程と、を有するHDD用ガラス基板の製造方法。前記加熱手段が、ガスバーナまたはヒータの少なくとも一方である請求項1記載のHDD用ガラス基板の製造方法。前記保温手段が、断熱材である請求項1記載のHDD用ガラス基板の製造方法。前記ガラスゴブの1100°Cにおける粘度logηaと、1500°Cにおける粘度logηbとの差Δが2.0dPas以上である請求項1~3のいずれか1項に記載のHDD用ガラス基板の製造方法。前記溶融ガラスのガラス転移温度Tgが、Tg>600°Cである請求項1~4のいずれか1項に記載のHDD用ガラス基板の製造方法。アシスト記録用HDD用ガラス基板の製造方法である請求項1~5のいずれか1項に記載のHDD用ガラス基板の製造方法。化学強化工程をさらに有する請求項1~6のいずれか1項に記載のHDD用ガラス基板の製造方法。前記溶融ガラスを構成するガラス素材が、15~30モルのアルカリ土類金属酸化物を含む請求項1~7のいずれか1項に記載のHDD用ガラス基板の製造方法。請求項1~8のいずれか1項に記載のHDD用ガラス基板の製造方法により製造されるHDD用ガラスブランクスであって、中心孔を有し、該中心孔の半径をr0、ガラスブランクスの半径をr1としたとき、下記式Iにより定義される半径rの位置の全周において、記録面に対して垂直方向に直線偏光を入射したときのリタデーション量の最大値が20nm/mm以下であるHDD用ガラスブランクス。r=r0r1-r0/2I請求項1~8のいずれか1項に記載のHDD用ガラス基板の製造方法により製造されるHDD用ガラス基板であって、中心孔を有し、該中心孔の半径をr0’、ガラス基板の半径をr1’としたとき、下記式IIにより定義される半径r’の位置の全周において、記録面に対して垂直方向に直線偏光を入射したときのリタデーション量の最大値が1nm/mm以下であることを特徴とするHDD用ガラス基板。r’=r0’r1’-r0’/2II本発明は、このような従来の問題に鑑みてなされたものであり、ガラスブランクスの内部の残留歪みが少なく、ガラス基板の製造工程における高熱が付与される工程において変形や割れが生じにくいHDD用ガラス基板の製造方法、該製造方法により得られるHDD用ガラスブランクスならびにHDD用ガラス基板を提供することを目的とする。本発明者による更なる検討の結果、このような残留歪みは大部分がプレス成形時に発生しており、非常に耐熱性が高いガラスにおいては通常のようにアニール加工加熱による残留歪みを低減される工程を施しても、充分に解消できていないことが明らかになった。このような残留歪みは従来は検出することが困難であり、問題として特定されていなかったが、透過光におけるリタデーション量位相差として検出することで残留歪みを検出することで課題を顕在化するに至った。上記の課題を解決する為の本発明の一態様としては、流出ノズルから垂下された溶融ガラスを、切断手段により切断してガラスゴブとし、該ガラスゴブをテーブルで担持した後にプレス成型してガラスブランクスを得るブランクス成型工程を有するHDD用ガラス基板の製造方法であって、前記切断手段により切断されたガラスゴブを、前記切断手段の下方に設けられた、加熱手段または保温手段により、ガラスゴブを加熱または保温する加熱保温工程と、前記ガラスゴブをプレス成型するプレス成型工程と、を有するHDD用ガラス基板の製造方法である。本態様によれば、このような構成を有することにより、プレス成型前のガラスゴブの温度を高くなるよう調整することができ、レス成型により得られるガラスブランクスに内部歪みが残存しにくい。その結果、高耐熱材料において、従来の手法で発生していた残留歪みを充分に解消し、後の工程において高温熱処理を経ても、変形や割れを生じにくいガラス基板とすることができる。前記加熱手段は、ガスバーナまたはヒータの少なくとも一方であることが好ましい。ガスバーナまたはヒータの少なくとも一方を用いることにより、切断手段により切断されたガラスゴブは、高い温度に加熱され、プレス成型時に内部に歪みを生じにくい。前記保温手段は、断熱材であることが好ましい。断熱材を用いることにより、切断手段により切断されたガラスゴブは、高い温度に保持され、プレス成型時に内部に歪みを生じにくい。前記ガラスゴブの1100°Cにおける粘度logηaと、1500°Cにおける粘度logηbとの差Δは、2.0dPas以上であることが好ましい。このような構成を有するガラスゴブは、プレス成型前に粘度が上昇する割合が大きく、プレス成型時には粘度が高くなり過ぎて、プレスにより内部に歪みを生じやすい。本発明は、このようなガラスゴブに対しても、プレス成型前に高温に調整できるため、得られるガラスブランクスの内部に歪みを生じにくい。前記溶融ガラスのガラス転移温度Tgは、Tg>600°Cであることが好ましい。このような構成を有する溶融ガラスを用いて得られるガラス基板は、高温熱処理に耐え得る観点から、記憶容量の大きなディスクを製造するための材料として好ましく用いられる。本発明は、このような溶融ガラスを用いた場合において、得られるガラスブランクスの内部歪みの発生を抑制できるため、得られるガラス基板の不良が少なく、製造時の歩留まりを向上させることができる。また、このような溶融ガラスから得られるガラス基板は、高温熱処理工程である化学強化工程を行うことができ、より耐衝撃性や耐熱性等の諸物性に優れたガラス基板を得ることができる。本発明のガラス基板の製造方法は、アシスト記録用HDD用ガラス基板の製造方法であることが好ましい。アシスト記録方式は、記憶容量の大きなディスクを得るために必須の記録方式である。アシスト記録方式は、高保磁力の磁性膜を備えたガラス基板を必要とする。高保磁力の磁性膜は、ガラス基板に成膜された後に、高温で熱処理される。本発明のガラス基板の製造方法により得られるガラス基板は、内部歪みが少ないため、高温熱処理において割れが少なく、効率的に熱アシスト方式により高保磁力の磁性膜を備えたガラス基板を作製し得る。そのため、アシスト記録用のHDDガラス基板を製造する際に特に有用である。本発明のガラス基板の製造方法は、化学強化工程をさらに有することが好ましい。内部歪みの少ないガラスブランクスに対して化学強化を行うことにより、得られるガラス基板の表面が充分に強化される。その結果、ガラス基板は、耐熱性、耐衝撃性等の諸物性が向上する。前記溶融ガラスを構成するガラス素材は、15~30モルのアルカリ土類金属酸化物を含むことが好ましい。ガラス素材は、15~30モルのアルカリ土類金属酸化物を含むことにより、Tgが向上し、かつ、溶融ガラスの溶融性が向上する。その結果、プレス成型時に粘度が低く、内部歪みがより少ないガラスブランクスを作製しやすい。本発明のHDD用ガラスブランクスは、上記HDD用ガラス基板の製造方法により製造されるHDD用ガラスブランクスであって、中心孔を有し、該中心孔の半径をr0、ガラスブランクスの半径をr1としたとき、下記式Iにより定義される半径rの位置の全周において、記録面に対して垂直方向に直線偏光を入射したときのリタデーション量の最大値が20nm/mm以下であることが好ましい。r=r0r1-r0/2Iガラスブランクスは、上記リタデーション量の最大値を有することにより、形状が安定し、高温熱処理が施された場合でも変形や割れが生じにくい。本発明のHDD用ガラス基板は、上記HDD用ガラス基板の製造方法により製造されるHDD用ガラス基板であって、中心孔を有し、該中心孔の半径をr0’、ガラス基板の半径をr1’としたとき、下記式IIにより定義される半径r’の位置の全周において、記録面に対して垂直方向に直線偏光を入射したときのリタデーション量の最大値が1nm/mm以下であることが好ましい。r’=r0’r1’-r0’/2IIガラス基板は、上記リタデーション量の最大値を有することにより、形状が安定し、衝撃等が加わった際に変形や割れが生じにくい。リタデーション量nmとは、ガラスブランクスの歪み内部歪みを表す指標とすることができ、下記の式で表される。Re=nx-ny×dただし、nxは、ガラスブランクスまたはガラス基板の平面方向における最も屈折率が大きい方向xの屈折率を表し、nyは、x方向と直交するy方向における屈折率を表し、dは、ガラスブランクスまたはガラス基板の厚みnm単位を表す。測定方法としては、前記ガラスブランクスの半径r=r0r1-r0/2の位置の全周におけるリタデーション量を、PA-100フォトニクスラティス社を用いてガラスブランクスに直線偏光を通過させ、通過後の偏光状態の変化を観察することで測定することが可能である。本発明によれば、ガラスブランクスの内部に歪みが少なく、ガラス基板の製造工程における高熱が付与される工程において変形や割れが生じにくいHDD用ガラス基板の製造方法、該製造方法により得られるHDD用ガラスブランクスならびにHDD用ガラス基板を提供することができる。実施の形態1以下、本実施形態のガラス基板の製造方法について、詳細に説明する。本実施形態は、図1に示されるように、溶融ノズル1から垂下される溶融ガラス2をブレード3で切断する際に、ブレード3よりも下方に設けられたガスバーナ4加熱手段で加熱し、加熱されたガラスゴブ5をプレス機6でプレス成型するブランクス成型工程を有することを特徴とする。ブランクス成型校定以外にも、本実施形態のガラス基板の製造方法は、たとえば、ブランクス成型工程の前にガラス溶融工程を有し、ブランクス成型工程の後に、熱処理工程、コアリング工程、研削工程、粗研磨工程、鏡面研磨工程、最終洗浄工程を有する。以下、本実施形態の特徴部分であるブランクス成型工程を詳述する。なお、本発明において、ガラスゴブとは、溶融ガラスがブレードにより切断された溶融ガラス塊をいう。また、ガラスブランクスとは、ガラス基板の中間成形体をいう。<ブランクス成型工程>ブランクス成型工程は、後述するガラス溶融工程により溶融された溶融ガラスを溶融ノズルから垂下し、ブレード切断手段により溶融ガラスを切断する位置よりも下方に設けられたガスバーナにより溶融ガラスを加熱する加熱工程加熱保温工程と、得られたガラスゴブをプレス成型するプレス成型工程とを有する。溶融ガラスを構成するガラス素材の材料としては特に限定されない。たとえば、溶融ガラスを構成するガラス素材の材料としては、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス、ボロシリケートガラス、Li2O-SiO2系ガラス、Li2O-Al2O3-SiO2系ガラス、R’O-Al2O3-SiO2系ガラスR’=Mg、Ca、Sr、Ba等を採用することができる。なかでも、溶融ガラスを構成するガラス素材が15~30モルのアルカリ土類金属酸化物を含むことが好ましい。たとえば、5~15モルのMgO、5~15モルのCaO、0~5モルのSrO、0~5モルのBaOを含むことが好ましい。また、アルカリ土類金属酸化物ではないが、ZnOも同様の効果が得られるため必要に応じて含有させてもよい。以下、特に断りなく、本発明においてはZnOをアルカリ土類金属酸化物として同様に扱う。溶融ガラスを構成するガラス素材が上記範囲のアルカリ土類金属を含む場合、得られる溶融ガラスのTgが向上し、かつ、溶融ガラスの溶融性が向上する。その結果、プレス成型時に粘度が低く、内部歪みがより少ないガラスブランクスを作製しやすい。アルカリ土類金属酸化物の含有量が15モル未満の場合には、Tgを向上させて溶融性も向上させる効果が十分に得られない傾向がある。一方、アルカリ土類金属酸化物の含有量が30モルを超える場合には、失透傾向が高まり、ガラスとして不安定になる傾向がある。また、ガラスの溶融方法としては特に限定されず、通常は上記ガラス素材を公知の温度、時間にて高温で溶融する方法を採用することができる。本実施形態のガラス基板の製造方法で使用する溶融ガラスのガラス転移温度Tgは、600°Cを超えることが好ましい。Tgが600°Cを超える溶融ガラスを用いてガラス基板を製造した場合、得られるガラス基板は、高温熱処理に耐え得る。そのため、当該ガラス基板は、記憶容量の大きなディスクを製造するための材料として好ましく用いることができる。本実施形態のガラス基板の製造方法において、このような溶融ガラスを用いた場合には、得られるガラスブランクスの内部歪みの発生が抑制できる。そのため、得られるガラス基板は変形や割れなどの不良が少ない。その結果、本発明のガラス基板の製造方法は、製造時の歩留まりを向上させることができる。また、このような溶融ガラスから得られるガラス基板は、後述する高温熱処理工程である化学強化工程を行うことができ、より耐衝撃性や耐熱性等の諸物性に優れる。溶融ガラスからガラスブランクスを得る工程について、図2~図4により一例を説明する。図2~図4は、ダイレクトプレス法において使用し得るプレス機を例示している。ダイレクトプレス法とは、溶融ガラスを供給し、加圧成形して製造する方法である。まず、溶融ガラスは、図2に示されるように、回転テーブル6aを有するプレス機6によりプレス成型される。溶融ガラス2は、回転テーブル6aに並べられたプレス機下部6bの下型6cに、溶融ノズル1から垂下される。回転テーブル6aは、制御機構図示せずにより、矢印A1の方向に回転可能に制御されている。プレス機下部6bは、図3に示されるように、回転テーブル6a上に設けられている。プレス機下部6bの上面には、下型6cがそれぞれ設けられている。図4aおよび図4bに示されるように、ブレード3は、溶融ノズル1から垂下された溶融ガラス2を、左右から挟んで切断する。切断された溶融ガラス2は、ガラスゴブ5となり、下型6c上に載置される。ブレード3が溶融ガラス2を切断するタイミングは特に限定されない。ブレード3は、垂下される溶融ガラス2の速度および量に併せて、所定の時間間隔で駆動して、連続的に溶融ガラス2を切断し、ガラスゴブ5を作製する。下型6c上に供給されたガラスゴブ5の形状は、軸対称性を有するように制御されることが好ましい。このような状態において、プレス成型されることにより、平坦度の優れた円盤状のガラスブランクス7が得られやすい。回転テーブル6aは、下型6cにガラスゴブ5が載置されたことを確認してから回転する。図1および図4に示されるように、本実施形態では、ブレード3の下方において、ガスバーナ4により溶融ガラス1を加熱している加熱工程。ガスバーナ4を設ける位置は、ブレード3により切断されたガラスゴブ5を加熱し得る位置であれば特に限定されない。ガスバーナ4は、たとえば、ブレード3の下方にのみ設けて加熱してもよく、回転テーブル6aが回転した後に、ガラスゴブ5が移動する箇所にのみ設けて加熱してもよく、両方の位置に設けて加熱してもよい。また、ガスバーナ4の設置数は特に限定されず、1個でもよく、複数でもよい。ガスバーナ4は、プレス機6によりプレス成型される直前まで加熱し得る位置ガスバーナ4a参照に配置し、プレス成型時にプレス機と接触しないよう収容される構成を採用してもよい。溶融ノズル1から垂下された、1300~1350°Cの溶融ガラス2は、ガスバーナ4に加熱されて1250~1300°C程度に維持される。ガスバーナ4の噴出口の温度は、約1500~1600°Cである。下型6cを含む金型は、たとえば、550~650°C程度に保温されている。そのため、プレス成型される時点図5参照において、ガラスゴブの温度は1150~1250°C程度に維持される。図5に示されるように、ガラスゴブは、プレス機上部6dの上型6eと、ガラスゴブが載置されたプレス機下部の下型とでプレスされ、ガラスブランクスに成型されるプレス成型工程。プレス成型工程において、金型の熱伝導率が120W/mK以上であって、プレス時間が0.05~0.20秒である突き当て成形を行うことが好ましい。このときのプレス時間としては、0.05~0.20秒であることが好ましく、より好ましくは0.08~0.17秒である。下型と上型に加重を負荷して溶融ガラスを加圧するための加圧手段としては、公知の加圧手段を適宜採用することができる。たとえば、エアシリンダ、油圧シリンダ、サーボモータを用いた電動シリンダ等を採用することができる。本実施形態のガラス基板の製造方法を用いてガラス基板を作製すれば、プレス成型前のガラスゴブの温度を上記温度に調整することができる。そのため、1100°Cにおける粘度logηaと、1500°Cにおける粘度logηbとの差Δが2.0dPas以上、より好ましくは2.2dPas以上であるような、ガラスの粘度曲線の勾配が急なガラスゴブであっても、プレス成型時に内部に生じる歪みを少なくすることができる。そのため、本実施形態のガラス基板の製造方法によれば、高保磁力材料を用いて磁性膜を形成することができ、ディスクの大容量化に寄与し得る。また、得られるガラス基板は、アシスト記録用HDD用ガラス基板として使用しうる。ここで、アシスト記録方式は、記憶容量の大きなディスクを得るために必須の記録方式である。アシスト記録方式は、高保磁力の磁性膜を備えたガラス基板を必要とする。高保磁力の磁性膜は、ガラス基板に成膜された後に、高温で熱処理される。本発明のガラス基板の製造方法により得られるガラス基板は、内部歪みが少ないため、高温熱処理において変形や割れが少なく、効率的に熱アシスト方式により高保磁力の磁性膜を備えたガラス基板を作製し得る。そのため、アシスト記録用のHDDガラス基板を製造する際に特に有用である。なお、熱アシスト方式については、後述する磁性膜形成工程において詳述する。次に、本発明が採用し得るその他の工程について説明する。なお、本発明のガラス基板の製造方法は、上記したブランクス成型工程を有していればよく、その他の工程については、各工程において好ましい条件は存在するものの、特に限定されない。そのため、以下に説明するその他の工程は、例示であり、適宜設計変更を行うことができる。<ガラス溶融工程>ガラス溶融工程は、ガラス素材を溶融する工程である。ガラスの溶融方法としては特に限定されず、通常は上記したガラス素材を公知の温度、時間にて高温で溶融する方法を採用することができる。<ブランクス成型工程>ブランクス成型工程は、すでに上記したとおりである。本実施形態のガラス基板の製造方法によれば、プレス成型時にガラスゴブの温度が高く保持されているため、プレス成型により内部歪みを生じにくい。<熱処理工程>熱処理工程は、ガラスブランクスの平坦度の修正および内部歪みの除去を目的とする工程である。熱処理の方法としては特に限定されないが、たとえばセッターアルミナ、ジルコニア等を用いて、ガラスブランクスと交互に積み重ねて熱処理炉に入れて熱を加える方法を採用することができる。熱処理の条件としては特に制限されない。たとえば、熱処理時の温度としては、ガラスブランクスのTgからTg100°Cの温度範囲で行うことができる。当該温度範囲内で熱処理を行うことにより、ガラスブランクスの平坦度を充分に修正することができるとともに、ガラスブランクスの形状の悪化を低減し、さらにセッターとの間の融着に起因する粘着痕の発生する可能性を低減することができる。<コアリング工程>コアリング工程は、得られたガラスブランクスの表面の中心部にダイヤモンドコアドリルを用いて内孔中心孔を形成する工程である。このコアリング工程によって、ガラスブランクスの中心が決定される。なお、本実施形態において、ガラスブランクスとは、コアリング工程を終え、主平面の研削工程が行われる前のガラス成形物をいう。本実施形態のガラスブランクスは、上記のとおり、ブランクス成型工程を経ることにより、内部歪みの少ないガラスブランクスである。具体的には、本実施形態のガラスブランクスは、図6aに示されるように、中心孔Pの半径をr0、ガラスブランクスの半径をr1としたとき、下記式Iにより定義される半径rの位置の全周において、主表面記録面に対して垂直方向に直線偏光を入射したときのリタデーション量の最大値が20nm/mm以下である。より好ましくは、リタデーション量の最大値は、15nm/mm以下である。r=r0r1-r0/2Iリタデーション量Reとは、ガラスブランクスやガラス基板の歪み内部歪みを表す指標であり、下記の式で表される。Re=nx-ny×dただし、nxは、ガラスブランクスまたはガラス基板の平面方向における最も屈折率が大きい方向xの屈折率を表し、nyは、x方向と直交するy方向における屈折率を表し、dは、ガラスブランクスまたはガラス基板の厚みnmを表す。ガラスブランクスやガラス基板の内部に歪み応力バラツキがあると、ガラスブランクスやガラス基板の各所で、方向によって屈折率が異なる。そのため、リタデーション量を測定することにより、内部歪みを測定することができる。測定方法としては、前記ガラスブランクスの半径rの位置の全周におけるリタデーション量を、PA-100フォトニクスラティス社を用いてガラスブランクスに直線偏光を通過させ、通過後の偏光状態の変化を観察すること方法を採用することができる。また、リタデーション量を小さく抑えることで、通常のHDDで一般に用いられるような周方向で線状にて押しつけるクランプ方式において、クランプによって発生する記録媒体の歪みを少なくすることができ、耐衝撃性をより一層向上させることができる。以上のように、ガラスブランクスの作製時においてリタデーション量を所定の範囲内に作製すれば、それを用いて製造されたHDD用ガラス基板のリタデーション量は、おのずと小さくなる。その結果、ガラスブランクスの内部歪みが少なくなるため、ガラスブランクスの耐衝撃性が向上する。<研削工程>研削工程は、得られたガラス基板の両主表面について、形状測定工程と同様に、ラッピング加工を行う工程である。この研削工程を行うことにより、前工程であるコアリング工程や形状測定工程において、主表面に形成された微細な凹凸形状をあらかじめ除去することができ、後続する両主表面に対する研磨工程を短時間で完了させることができる。<粗研磨工程>粗研磨工程は、後続する鏡面研磨工程において最終的に必要とされる面粗さが効率よく得られるように、ガラス基板の両主表面を研磨剤スラリーを用いて研磨加工する工程である。この工程で採用される研磨方法としては特に限定されず、両面研磨機を用いて研磨することが可能である。使用する研磨パッドは、研磨パッドの硬度が研磨による発熱により低下すると研磨面の形状変化が大きくなるため、硬質パッドを使用することが好ましく、たとえば発泡ウレタンを使用することが好ましい。研磨液は、平均一次粒子径が0.6~2.5μmの酸化セリウムを使用し、酸化セリウムを溶媒に分散させてスラリー状にしたものが好ましい。溶媒としては特に限定されず、中性の水や、酸性アルカリ性の水溶液を採用することができる。また、これら溶媒には、分散剤を添加することができる。溶媒と酸化セリウムとの混合比率は、1:9~3:7程度である。平均一次粒子径が0.6μm未満の場合には、研磨パッドは、両主表面を良好に研磨できない傾向がある。一方、平均一次粒子径が2.5μmを超える場合には、研磨パッドは、端面の平坦度を悪化させたり、傷を発生する可能性がある。研磨剤スラリーの供給量としては特に限定されず、たとえば、5~10L/分である。粗研磨工程におけるガラス基板の研磨量は、25~40μm程度とするのが好ましい。ガラス基板の研磨量が25μm未満の場合には、キズや欠陥が充分に除去されない傾向がある。一方、ガラス基板の研磨量が40μmを超える場合には、ガラス基板は、必要以上に研磨されることになり、製造効率が低下する傾向がある。粗研磨工程を終えたガラス基板は、中性洗剤、純水、IPA等で洗浄することが好ましい。<鏡面研磨工程>鏡面研磨工程は、ガラス基板の両主表面をさらに精密に研磨加工する工程である。鏡面研磨工程では、粗研磨工程で使用する両面研磨機と同様の両面研磨機を使用することができる。研磨パッドは、粗研磨工程で使用する研磨パッドよりも低硬度の軟質パッドを使用することが好ましく、例えば発泡ウレタンやスウェードを使用するのが好ましい。研磨剤スラリーとしては、粗研磨工程と同様の酸化セリウム等を含有するスラリーを用いることができる。ただし、ガラス基板の表面をより滑らかにするために、砥粒の粒径がより細かくバラツキが少ない研磨剤スラリーを用いるのが好ましい。たとえば、平均粒径が40~70nmのコロイダルシリカを溶媒に分散させてスラリー状にしたものを研磨剤スラリーとして用いることが好ましい。溶媒としては特に限定されず、中性の水や、酸性アルカリ性の水溶液を採用することができる。また、これら溶媒には、分散剤を添加することができる。溶媒とコロイダルシリカとの混合比率は、1:9~3:7程度が好ましい。研磨剤スラリーの供給量としては特に限定されず、たとえば、0.5~1L/分である。鏡面研磨工程での研磨量は、2~5μm程度とするのが好ましい。研磨量をこのような範囲とすることにより、得られるガラス基板は、ガラス基板の表面に発生した微小な荒れやうねり、あるいはこれまでの工程で発生した微小なキズ痕といった微小欠陥が良好に除去される。その結果、本発明のガラス基板の製造方法は、得られるガラス基板の平坦度を向上させることができ、端部領域において磁気ヘッドがより安定して浮上し得るガラス基板を作製することができる。また、本工程では、鏡面研磨工程の研磨条件を適宜調整することにより、ガラス基板の両主表面の平坦度を3μm以下、ガラス基板の両主表面の面粗さRaを0.1nmまで小さくすることができる。<化学強化工程>化学強化工程は、ガラス基板を強化処理液に浸漬し、ガラス基板の耐衝撃性、耐振動性及び耐熱性等を向上させる工程である。化学強化工程は、ガラス基板に化学強化を施す工程である。化学強化に用いる強化処理液としては、たとえば、硝酸カリウム60と硝酸ナトリウム40の混合溶液などを挙げることができる。化学強化においては、強化処理液を300°C~400°Cに加熱し、ガラス基板を200~300°Cに予熱し、強化処理液中に3~4時間浸漬することによって行うことができる。この浸漬の際に、ガラス基板の両主表面全体が化学強化されるように、複数のガラス基板の端面を保持するホルダに収納した状態で行うことが好ましい。なお、化学強化工程後に、ガラス基板を大気中に待機させる待機工程や、水浸漬工程を採用して、ガラス基板の表面に付着した強化処理液を除去するとともに、ガラス基板の表面を均質化することが好ましい。このような工程を採用することにより、化学強化層が均質に形成され圧縮歪が均質となり変形が生じ難く平坦度が良好で、機械的強度も良好となる。待機時間や水浸漬工程の水温は特に限定されず、たとえば大気中に1~60秒待機させ、35~100°C程度の水に浸漬させるとよく、製造効率を考慮して適宜決めればよい。<最終洗浄工程>最終洗浄工程は、ガラス基板を洗浄し、清浄にする工程である。洗浄方法としては特に限定されず、鏡面研磨工程後のガラス基板の表面を清浄にできる洗浄方法であればよい。本発明では、スクラブ洗浄を採用する。洗浄されたガラス基板は、必要に応じて超音波による洗浄および乾燥工程を行う。乾燥工程は、ガラス基板の表面に残る洗浄液をイソプロピルアルコールIPA等により除去した後、ガラス基板の表面を乾燥させる工程である。たとえば、スクラブ洗浄後のガラス基板に水リンス洗浄工程を2分間行ない、洗浄液の残渣を除去する。次いで、IPA洗浄工程を2分間行い、ガラス基板の表面に残る水をIPAにより除去する。最後に、IPA蒸気乾燥工程を2分間行い、ガラス基板の表面に付着している液状のIPAをIPA蒸気により除去しつつ乾燥させる。ガラス基板の乾燥工程としては特に限定されず、たとえばスピン乾燥、エアーナイフ乾燥などの、ガラス基板の乾燥方法として公知の乾燥方法を採用することができる。<検査工程>検査工程は、上記工程を経たガラス基板に対して、キズ、割れ、異物の付着等の有無を検査する工程である。検査は、目視や光学表面アナライザたとえば、KLA-TENCOL社製のOSA6100を用いて行う。検査後、ガラス基板は、異物等が表面に付着しないように、清浄な環境中で、専用収納カセットに収納され、真空パックされた後、出荷される。以上、上記工程を経て得られた本実施形態のガラス基板は、上記のとおり、内部歪みの少ないガラスブランクスを研削、研磨等して得られたガラス基板である。そのため、本実施形態のガラス基板は、図6bに示されるように、中心孔P’の半径をr’0、ガラス基板の半径をr’1としたとき、下記式IIにより定義される半径r’の位置の全周において、主表面記録面に対して垂直方向に直線偏光を入射したときのリタデーション量の最大値が1nm/mm以下である。より好ましくは、リタデーション量の最大値は、0.8nm/mm以下である。r’=r0’r1’-r0’/2IIリタデーション量Reの定義および測定方法としては、すでに上記したとおりである。以上のように、ガラス基板の作製時においてリタデーション量を所定の範囲内に作製すれば、内部歪みが少なくなる。そのため、ガラス基板の耐衝撃性が向上し、変形や割れが生じにくい。<磁性膜形成工程>磁性膜形成工程は、蒸着装置を用いてガラス基板に磁性膜を形成する工程である。磁性膜の形成方法としては特に限定されず、従来公知の方法を採用することができる。たとえば、磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂を基板上にスピンコートして形成する方法や、スパッタリング、無電解めっきにより形成する方法を採用することができる。スピンコート法での膜厚は約0.3~1.2μm程度、スパッタリング法での膜厚は0.04~0.08μm程度、無電解めっき法での膜厚は0.05~0.1μm程度である。これらの形成方法により磁性膜を成膜する場合、ガラス基板は、250~350°C程度に保持される。磁性膜に用いる磁性材料としては特に限定されず、従来公知の磁性材料を用いることができる。高い保磁力を得るために、結晶異方性の高いCoを基本とし、残留磁束密度を調整する目的でNiやCrを加えたCo系合金などを用いることができる。また、アシスト記録用のメディアを作製する場合には、Co-Pt合金のように、遷移金属元素と貴金属元素とからなる合金であって、遷移金属元素Coと貴金属元素Ptとの原子含有量がほぼ等しい合金や、遷移金属元素Coと貴金属元素Ptとの原子含有量がほぼ等しく、かつ、Niの原子含有量が0.1以上50以下であるCo-Ni-Pt合金や、遷移金属元素Co及びNiと貴金属元素Ptとの原子含有量がほぼ等しいCo-Ni-Pt合金や、Fe-Pt-Ag合金、Fe-Pt合金と、Cu酸化物とを含有した薄膜を形成することが好ましい。この場合、薄膜の下部には、ソフト磁性層保磁力の小さな材料、Co系アモルファスなどを積層することが好ましい。以下、たとえばFe-Pt合金を採用する場合について説明する。Fe-Pt合金と、Cu酸化物とを含有した薄膜において、薄膜中のFeとPtとの含有比率は、モル比でFe:Pt=45~55:55~45程度であることが好ましい。また、Fe-Pt合金とCu酸化物とを含有した薄膜をスパッタリング法で成膜する場合、たとえば、Fe、PtおよびCu酸化物をそれぞれターゲットとした同時スパッタリング製膜によって作製することができる。この際、FeおよびPtにかえてFe-Pt合金をターゲットとしてスパッタリング製膜してもよい。Fe-Pt合金をターゲットとしてスパッタリング製膜する場合は、Fe-Ptの組成比を固定しやすい。Cu酸化物は、Cuの酸化物であれば特に限定されず、CuOやCuO2、またはこれらの混合物を用いることができる。Fe-Pt合金にCu酸化物を添加することによって、製膜時の結晶粒サイズを低下させることができる。さらに、製膜時の結晶粒サイズを抑制し、結晶粒間に作用する引っ張り応力を誘起することによって、急速加熱による高配向、高規則化を促進することができる。Cu酸化物を添加する方法は特に限定されず、たとえば、あらかじめCu酸化物を混合した材料をターゲットとしてスパッタリング製膜してもよく、別途Cu酸化物をターゲットとしてその他のターゲットと同時スパッタリング製膜してもよい。薄膜を構成する材料のうち、Cu含有量は、Fe-Pt合金とCu酸化物との合計量に対して、CuO換算で10体積以上20体積以下となる量であることが好ましい。アシスト記録用のメディアを作製する場合、成膜後のガラス基板は、加熱される。加熱により、薄膜は磁気記録層として機能し得る。加熱工程における加熱速度は、30°C/秒以上であることが好ましく、より好ましくは50°C/秒以上である。加熱速度を速くすると、保磁力が減少する傾向がある。加熱工程における加熱方法は特に限定されない。加熱方法としては、たとえば、赤外線加熱を挙げることができる。加熱工程では、ガラス基板は、たとえば550~650°Cに加熱された後に、所定の時間保持することが好ましい。保持時間としては、たとえば15分~1時間である。以上の方法により、ガラス基板に磁性膜を形成することができる。また、磁気ヘッドの滑りをよくするために、磁性膜の表面に潤滑剤をコーティングしてもよい。さらに必要に応じて、磁性膜には、下地層や保護層を設けてもよい。下地層および保護層は、磁性膜の種類に応じて選択される。なお、本発明は、HDDの製造方法に限定されるものではなく、たとえば、光磁気ディスクや光ディスク等の製造方法としても用いることができる。また、本発明は、必要に応じて、研削工程を2つの工程に分けて順次行ったり、化学強化工程をコアリング工程、研削工程、粗研磨工程、鏡面研磨工程のいずれの工程の後に行ってもよく、適宜設計変更が可能である。さらに、本発明は、ガラス基板に生じた傷のエッジ緩和処理として、ガラス基板をフッ化水素浸漬処理に供してもよい。以上、本実施形態のガラス基板の製造方法によれば、ガラスブランクスの内部に歪みが少なく、ガラス基板の製造工程における高熱が付与される工程において変形や割れが生じにくいガラス基板の製造方法を提供することができる。実施の形態2本実施形態のガラス基板の製造方法は、ブランクス成型工程の加熱工程加熱保温工程において、ブレードにより溶融ガラスを切断する位置よりも下方に設けられたヒータにより溶融ガラスを加熱している以外は、実施の形態1のガラス基板の製造方法と同じである。そのため、重複する工程については説明を省略する。ヒータとしては特に限定されず、公知の各種のヒータの中から適宜選択して用いることができる。たとえば、溶融ノズルから溶融している溶融ガラスの周囲に設けられた部材の内部に埋め込んで使用するカートリッジヒータや、当該部材の外側に接触させて使用するシート状のヒータなどを用いることができる。また、温度センサとしては、種々の熱電対のほか、白金測温抵抗体、各種サーミスタ等公知のセンサを用いることができる。具体的には、二珪化モリブデンヒータなどを使用することができる。ヒータは、実施の形態1のガスバーナと同様の位置に設けることができる。ブレードの下方にヒータを設ける場合、ヒータの設定温度としては、たとえば1500~1600°C程度とすることが好ましい。また、ヒータの設置数は特に限定されず、1個でもよく、複数でもよい。ブレードの下方にのみ設けてもよく、回転移動した金型の周囲にのみ設けてもよく、それら両方の位置に設けてもよい。溶融ノズルから垂下された、1300~1350°Cの溶融ガラスは、ブレードに切断されたのち、ヒータに加熱されるため、プレス成型される時点で、1150~1250°C程度に維持される。実施の形態3本実施形態のガラス基板の製造方法は、ブランクス成型工程の加熱工程加熱保温工程において、ブレードにより溶融ガラスを切断する位置よりも下方に設けられた断熱材により溶融ガラスを保温している以外は、実施の形態1のガラス基板の製造方法と同じである。そのため、重複する工程については説明を省略する。なお、上記のとおり、本実施形態では、ガラスゴブを加熱ではなく保温している。そのため、加熱工程ではなく、保温工程加熱保温工程と称する。断熱材としては特に限定されず、気相を多く抱き込んで熱伝導率を低下させることができるものを採用することができる。たとえば、グラスウール、各種の繊維類、アルミナシリカ、多孔質セラミックス、ポリウレタンフォーム等を採用することができる。他にも、断熱材としては、熱遮断性のよい材料を採用することができる。たとえば、合成樹脂であれば、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイト、ポリブチレンテレフタレート、フェノール樹脂等を採用することができる。断熱材は、実施の形態1のガスバーナと同様の位置に設けることができる。すなわち、ブレードの下方のみを断熱材で覆ってもよく、回転移動した金型の周囲のみを覆ってもよく、それら両方の位置に設けてガラスゴブの周囲を覆ってもよい。ほかにも、金型の周囲を覆うように設けることができる。この場合、プレス成型前に、断熱材を取り外す機構を設けるか、プレス成型時に邪魔にならない位置に設けることが好ましい。溶融ノズルから垂下された、1300~1350°Cの溶融ガラスは、ブレードに切断されたのち、断熱材に保温されるため、プレス成型される時点で、1130~1200°C程度に維持される。以下、本発明のガラス基板の製造方法を実施例により詳述する。なお、本発明のガラス基板の製造方法は、以下に示す実施例になんら限定されるものではない。<実施例1>以下の方法によりガラス基板を作製した。[ガラス溶融工程]ガラス素材として、65モルのSiO2、2モルのAl2O3、3モルのNa2O、5モルのK2O、6モルのMgO、14モルのCaO、5モルのZrO2を含むアルミノシリケートガラスを溶融させて、溶融ガラスTg:670°Cを作製した。この溶融ガラスの粘度曲線を図7に示す。粘度曲線は、白金球引き上げ法により作成した。[ブランクス成型工程]溶融ガラスを1300°Cで溶融ノズルより流出させた。この溶融ガラスの粘度は、2.7dPasであった。一対のブレードで、10gごとに溶融ガラスを切断し、ガラスブランクスを得た。ブレードは平面視形状がV字形状となっているものを選択し、V字の内角を80°とした。V字が交わる部分の平面視形状は円弧形状のものを用いた。ブレードの下方に設けた一対のガスバーナ噴出口の設定温度:1500°Cによりガラスゴブを両端から挟むように加熱した。得られたガラスゴブのプレス成型直前における粘度は3.5dPasであった。図7より、この時点におけるガラスゴブの温度は、約1180°Cであった。ガラスゴブの温度は、放射温度計コニカミノルタ株製、IR-630を用いて測定した。プレス成型は、下型成形面の中央に供給したガラスゴブを下型に対向する上型を用い、上型および下型の金型には熱伝導率が150W/mKのタングステン系材料を用いた。またプレス時間は1秒間とし、成形後のブランクスの板厚が均等となるように突き当て成形を行った。[熱処理工程]得られたガラスブランクスに対して、内部歪みを除去するために670°Cにて3時間の熱処理を行った。[コアリング工程]円筒状のダイヤモンド砥石を備えたコアドリルを用いてブランクスの中心部に直径が約19.6mmの円形の中心孔を開けた。鼓状のダイヤモンド砥石を用いて、ブランクスの外周端面および内周端面を、外径65mm、内径20mmに内外径加工した。得られたガラスブランクスについて、中心孔からrの位置におけるリタデーションを測定した。リタデーションの測定方法は、すでに上記したとおりである。ガラスブランクスのリタデーションは、16nmであった。[研削工程]得られたガラス基板の両表面を、両面研削機浜井産業株製、16Bタイプを用いて研削加工した。研削条件として、ダイヤモンドペレットは1700メッシュのものを用い、加重は100g/cm2とし、上定盤の回転数は20rpmとし、下定盤の回転数は30rpmとした。[粗研磨工程]ガラス基板の両主表面を、両面研磨機浜井産業株製、16Bタイプを用いて粗研磨加工した。研磨パッドには発泡ウレタンパッドを、砥粒には平均一次粒子径1μmの酸化セリウム砥粒を用い、水と酸化セリウムとの混合比率は、80:20とした。さらに硫酸を含有する調整液でpHを調整した。また、加重は100g/cm2とした。研磨剤スラリーの供給量は、5~10L/分とした。[鏡面研磨工程]ガラス基板の両主表面を、両面研磨機浜井産業株製、16Bタイプを用いてさらに精密に研磨加工した。研磨剤スラリーは、平均一次粒子径が20nmのコロイダルシリカを砥粒として水に分散させてスラリー状にしたものを用い、水とコロイダルシリカとの混合比率は、80:20とした。さらに硫酸を含有する調整液でpHを調整した。また、加重は120g/cm2とした。研磨剤スラリーの供給量は、0.5~1L/分とした。本工程では、ガラス基板100枚を1バッチとし、5バッチずつ加工した。得られたガラス基板のRaは2Å以下であった。[化学強化工程]硝酸カリウムを500°Cにて溶融し、ガラス基板を1時間浸漬させた。[最終洗浄工程]ガラス基板をスクラブ洗浄した。洗浄液として、KOHとNaOHとを質量比で1:1に混合したものを超純水DI水で希釈し、洗浄能力を高めるために非イオン界面活性剤を添加して得られた液体を用いた。洗浄液の供給は、スプレー噴霧によって行った。スクラブ洗浄後、ガラス基板の表面に残る洗浄液を除去するために、水リンス洗浄工程を超音波槽で2分間行い、IPA洗浄工程を超音波槽で2分間行い、最後に、IPA蒸気によりガラス基板の表面を乾燥させた。得られたガラス基板について、中心孔からr’の位置におけるリタデーションを測定した。リタデーションの測定方法は、すでに上記したとおりである。ガラス基板のリタデーションは、0.6nmであった。[磁性膜形成工程]Fe-Pt合金をスパッタリング法により成膜し、その後、熱処理600°C、1時間を行って、磁性膜を形成した。<実施例2>実施例1において上記した工程のうちブランクス成型工程における加熱方法を、二珪化モリブデンヒータヒータ設定温度:1500°Cに変更した以外は、実施例1と同様の方法によりガラス基板を作製した。得られたガラスゴブのプレス成型直前における粘度は3.4dPasであった。図7より、この時点におけるガラスゴブの温度は、約1200°Cであった。ガラスブランクスのリタデーションは、15nmであった。ガラス基板のリタデーションは、0.2nmであった。<実施例3>実施例1において上記した工程のうちブランクス成型工程における加熱方法を、アルミナシリカの断熱材に変更した以外は、実施例1と同様の方法によりガラス基板を作製した。得られたガラスゴブのプレス成型直前における粘度は3.9dPasであった。図7より、この時点におけるガラスゴブの温度は、約1140°Cであった。ガラスブランクスのリタデーションは、18nmであった。ガラス基板のリタデーションは、0.9nmであった。<実施例4>実施例1において上記した工程のうちブランクス成型工程における加熱方法において、ガスバーナによる加熱位置をプレス機の左右とした以外は、実施例1と同様の方法によりガラス基板を作製した。得られたガラスゴブのプレス成型直前における粘度は3.3dPasであった。図7より、この時点におけるガラスゴブの温度は、約1210°Cであった。ガラスブランクスのリタデーションは、12nmであった。ガラス基板のリタデーションは、0.1nmであった。<実施例5>実施例1において上記した工程のうちブランクス成型工程における加熱方法において、さらに、プレス機の左右にガスバーナを設置して加熱した以外は、実施例1と同様の方法によりガラス基板を作製した。得られたガラスゴブのプレス成型直前における粘度は3.1dPasであった。図7より、この時点におけるガラスゴブの温度は、約1240°Cであった。ガラスブランクスのリタデーションは、7nmであった。ガラス基板のリタデーションは、0.1nmであった。<比較例1>実施例1において上記した工程のうちブランクス成型工程における加熱方法において、ガスバーナによる加熱位置をブレードの上方である溶融ノズルの出口付近とした以外は、実施例1と同様の方法によりガラス基板を作製した。得られたガラスゴブのプレス成型直前における粘度は4.1dPasであった。図7より、この時点におけるガラスゴブの温度は、約1120°Cであった。ガラスブランクスのリタデーションは、21nmであった。ガラス基板のリタデーションは、1.2nmであった。<比較例2>実施例1において上記した工程のうちブランクス成型工程における加熱方法において、アルミナシリカの断熱材を、ブレードの上方である溶融ノズルの出口付近に設置した以外は、実施例1と同様の方法によりガラス基板を作製した。得られたガラスゴブのプレス成型直前における粘度は4.4dPasであった。図7より、この時点におけるガラスゴブの温度は、約1080°Cであった。ガラスブランクスのリタデーションは、30nmであった。ガラス基板のリタデーションは、3.7nmであった。<比較例3>実施例1において上記した工程のうちブランクス成型工程における加熱方法において、加熱および保温を行わなかった以外は、実施例1と同様の方法によりガラス基板を作製した。得られたガラスゴブのプレス成型直前における粘度は5.0dPasであった。図7より、この時点におけるガラスゴブの温度は、約1030°Cであった。ガラスブランクスのリタデーションは、53nmであった。ガラス基板のリタデーションは、10.6nmであった。実施例1~5および比較例1~3で得られたガラス基板について、化学強化工程の良品率、成膜工程の良品率を測定した。試験方法を以下に示すとともに、結果を表1に示す。[化学強化工程の良品率]化学強化工程後のガラス基板の変形発生有無と割れや欠けといった欠陥発生を検査した。変形有無については、微小うねりをZygo社製光学計測機Newviewを用いて計測し、平坦度をPhaseShiftTechnology社製平坦度計測機Optiflatを用いて測定し、化学強化前のガラス基板と比較して形状に差がないものを良品としてカウントした。割れや欠けについては目視で検査した。良品率は、100枚を1バッチとして検査を行い、全サンプル中の良品の数を良品率として表した。[成膜効率の良品率]成膜工程後のガラス基板の変形発生有無と割れや欠けといった欠陥発生を検査した。変形については、上記と同様の方法で測定し、成膜前のガラス基板と比較して形状に差がないものを良品としてカウントした。割れや欠けについては目視で検査した。良品率は、100枚を1バッチとして検査を行い、全サンプル中の良品の数を良品率として表した。表1に示されるように、実施例1~4の方法により作製したガラスブランクスおよびガラス基板は、リタデーション量が小さく、高温熱処置である化学強化工程や成膜工程において良品率が98以上であった。一方、ブレードの上方で加熱または保温した比較例1または比較例2の方法に作製したガラスブランクスおよびガラス基板は、リタデーション量が大きく、高温熱処置である化学強化工程や成膜工程において良品率が52~87と低くなった。加熱保温工程を設けなかった比較例3の方法に作製したガラスブランクスおよびガラス基板は、リタデーション量が大きく、高温熱処置である化学強化工程や成膜工程において良品率がそれぞれ3、41と低くなった。