"インジウム及びジルコニウムをそれぞれIn、Zrとしたときに、原子比でZr/InZrが0.05~5atであり、ジルコニウムを含有する粒子を含有し、当該粒子の平均粒径が2μm以下であることを特徴とする複合酸化物焼結体。請求項1の複合酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。請求項2に記載のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることを特徴とする、酸化物透明導電膜の製造方法。請求項3に記載の方法により得られる酸化物透明導電膜。インジウム及びジルコニウムをそれぞれIn、Zrとしたときに、原子比でZr/InZrが0.05~5atであることを特徴とする酸化物透明導電膜。本発明は、広い波長域に渡って、より低い光吸収特性を示す酸化物透明導電膜が得られ、かつ機械的強度が高く、スパッタリング中の異常放電をより一層抑制することが可能な複合酸化物焼結体及びそれを用いて得られる酸化物透明導電膜を提供するものである。このような背景に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、酸化インジウムに特定の元素を、特定の組成で添加し、特定の構造を有する複合酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして用いることで、機械的強度が高く、スパッタリング中の異常放電現象の発生をより一層抑制してパーティクルによる歩留まり低下を抑制し、著しく低い光吸収特性と抵抗を両立した酸化物透明導電膜を得ることが可能な複合酸化物焼結体、スパッタリングターゲット、及び酸化物透明導電膜を得るに至り、本発明を完成するに至った。本発明の態様は以下の通りである。1インジウム及びジルコニウムをそれぞれIn、Zrとしたときに、原子比でZr/InZrが0.05~5atであり、ジルコニウムを含有する粒子を含有し、当該粒子の平均粒径が2μm以下であることを特徴とする複合酸化物焼結体。2上述の1に記載の複合酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。3上述の2に記載のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることを特徴とする、酸化物透明導電膜の製造方法。4上述の3に記載の方法により得られる酸化物透明導電膜。5インジウム及びジルコニウムをそれぞれIn、Zrとしたときに、原子比でZr/InZrが0.05~5atであることを特徴とする酸化物透明導電膜。以下、本発明を詳細に説明する。本発明の複合酸化物焼結体は、インジウム及びジルコニウムをそれぞれIn、Zrとしたときに、原子比でZr/InZrが0.05~5atである。このような組成範囲とすることにより、低抵抗でかつ広い波長域に渡って低い光吸収特性を有する酸化物透明導電膜を得ることが可能となる。この組成Zr/InZrは、好ましくは0.05~2atである。なお、本発明においては、不可避的な微量の不純物の混入は問わない。本発明の複合酸化物焼結体は、ジルコニウムを含有する粒子を含有する。このジルコニウムを含有する粒子は、ジルコニアを主成分として含有するものが好ましく、他の成分が含有されていてもかまわない。このような粒子を含むことにより、複合酸化物焼結体中の粒子の異常成長を抑制し、複合酸化物焼結体の機械的強度をより高めることが可能となる。当該ジルコニウムを含有する粒子の平均粒径は2μm以下である。このようにすることにより、複合酸化物焼結体の機械的強度を高めるとともに、スパッタリング中の異常放電現象をより抑制することが可能となる。この平均粒径は、好ましくは1μm以下である。ここで、ジルコニウムを含有する粒子とその平均粒径は以下のようにして求めた。すなわち、本発明の複合酸化物焼結体を適当な大きさに切断した後、観察面を表面研磨し、次に希塩酸溶液でケミカルエッチングを行い、粒界を明確化する。この試料をX線マイクロアナライザーEPMA、走査電子顕微鏡/エネルギー分散型X線分析SEM/EDS、X線回折XRD等を用いて、焼結体の研磨面の観察写真を撮るとともに、各粒子の組成を確認する。観察写真内のジルコニウムを含有する粒子50個以上の長径を求め、その算術平均をジルコニウムを含有する粒子の平均粒径とした。またジルコニウムを含有する粒子が複合酸化物焼結体中に含有される量に特に限定はないが、観察面の単位面積250μm×250μmあたり、ジルコニウムを含有する粒子が占める面積は、その長径を直径とする円形状の面積として計算した場合に、面積割合で0.001~20が好ましく、0.005~15がさらに好ましい。また本発明の複合酸化物焼結体は、CuKα線をX線源とし、管電圧40kV、管電流40mAの条件でのX線回折試験において、酸化インジウムの結晶構造であるビックスバイト型酸化物相は同定されるが、酸化ジルコニウムの結晶構造である蛍石型酸化物相及びそれ以外の結晶相は同定されないという特徴を有する。本発明の複合酸化物焼結体の曲げ強度は150MPa以上であることが好ましく、200MPa以上であることがさらに好ましい。このような高い曲げ強度を有することにより、スパッタリング中の割れ等の破損をより一層抑制することが可能となる。ここで、曲げ強度はJIS-R-1601に準拠して三点曲げ強度を測定した。本発明の複合酸化物焼結体は、相対密度が好ましくは96以上、さらに好ましくは98以上である。本発明の複合酸化物焼結体はジルコニウムを含有する粒子を内在するため、このような焼結密度範囲とすることにより、高い機械的強度が可能であるとともに、スパッタリング中の異常放電を特に一層低減することが可能となる。ここで、本発明の相対密度は、以下のように算出されるものである。すなわち、In及びZrを、それぞれ、In2O3及びZrO2の酸化物に換算して重量比率を求める。ここで、求めたIn2O3及びZrO2の重量比率を、それぞれa及びbとする。次にそれぞれの真密度In2O3:7.18g/cm3、ZrO2:6.00g/cm3を用いて、理論密度Ag/cm3を算出する。A=ab/a/7.18b/6.00酸化物焼結体の焼結密度Bg/cm3は、JIS-R1634-1998に準拠してアルキメデス法で測定した。相対密度は、算術的に求めた理論密度Ag/cm3に対する焼結密度Bg/cm3の相対値として、下式により求めた。相対密度=B/A×100本発明の複合酸化物焼結体の平均粒径は10μm以下、さらに好ましくは6μm以下である。こうすることにより、複合酸化物焼結体の強度をより一層高めることが可能となる。なお、本発明における酸化物中の粒子の平均粒径の測定方法は以下のように行う。すなわち、本発明の酸化物焼結体を適当な大きさに切断した後、観察面を表面研磨し、次に希塩酸溶液でケミカルエッチングを行い、粒界を明確化する。この試料をEPMA、SEM/EDS、XRD等を用いて、焼結体の研磨面の観察写真を撮るとともに各粒子の組成を確認する。観察写真の粒子500個以上の長径を求め、その算術平均を平均粒径とした。次に、本発明の酸化物焼結体の製造方法について説明する。本発明においては、原料粉末の混合方法は、インジウム源となる粉末及びジルコニウム源となる粉末を同時に混合してもよく、又は一部を予備混合した後に、さらに残部を追加して混合してもよいが、本発明では、酸化ジルコニウム粉末、もしくはジルコニウム源となる粉末を酸化ジルコニウム粉末とし、酸化ジルコニウム粉末を顆粒化してインジウム源となる粉末と混合する方法が好ましいので、以下、この方法にそって説明する。原料粉末としては、特に限定されるものではなく、酸化ジルコニウム、酸化インジウムが適するが、焼成により酸化ジルコニウム、酸化インジウムとなるジルコニウムやインジウムの硝酸塩、塩化物、炭酸塩、アルコキシド等も使用することができる。取り扱い性等を考慮すると酸化物粉末が好適に用いられる。ジルコニウム源となる粉末は、酸化ジルコニウム粉末を用いるか、酸化ジルコニウム粉末以外の金属塩やアルコキシド等を用いる場合には加熱処理等により酸化ジルコニウム粉末としておく。この酸化ジルコニウム粉末は顆粒としておく。このとき顆粒の平均粒径は5~200μm、好ましくは5~100μmである。この範囲を下回ると複合酸化物焼結体中のジルコニウムを含有する粒子の効果が得られにくく、この範囲を上回るとジルコニウムを含有する粒子の平均粒径が大きくなりやすく、所望の特性を得るためには多くの時間を必要とし、生産性が劣る場合がある。酸化ジルコニウム粉末を顆粒化する方法は特に限定されるものではないが、スラリー化した後に噴霧乾燥して造粒する方法や転動造粒する方法等を挙げることができる。このとき、酸化ジルコニウム粉末の1次粒径は1μm以下としておく。インジウム源となる粉末の粒径は、取扱性を考慮すると平均1次粒径1.5μm以下であることが好ましく、さらに好ましくは0.1~1.5μmである。このような粉末を使用することにより、焼結体密度の改善効果が得られる。次に顆粒化した酸化ジルコニウム粉末以下、酸化ジルコニウム顆粒とインジウム源となる粉末を混合する。混合方法は特に限定されるものではないが、ジルコニア、アルミナ、ナイロン樹脂等のボールやビーズを用いた乾式、湿式のメディア撹拌型ミルやメディアレスの容器回転式混合、機械撹拌式混合等の混合方法が例示される。具体的には、ボールミル、ビーズミル、アトライタ、振動ミル、遊星ミル、ジェットミル、V型混合機、パドル式混合機、二軸遊星撹拌式混合機等が挙げられる。なお、湿式法のボールミルやビーズミル、アトライタ、振動ミル、遊星ミル、ジェットミル等を用いる場合には、粉砕後のスラリーを乾燥する必要がある。この乾燥方法は特に限定されるものではないが、例えば、濾過乾燥、流動層乾燥、噴霧乾燥等が例示できる。このようにして、成形用の粉末が調整される。なお、本発明において、イジウム源となる粉末、ジルコニウム源となる粉末の使用量が、金属元素の原子比で表したときの最終組成は、Zr/InZrが0.05~5atであり、好ましくは0.05~2atである。このような組成範囲とすることにより、低抵抗でかつ広い波長域に渡って低い光吸収特性を有する酸化物透明導電膜を得ることが可能となる。次に得られた成形用粉末を成形する。成形方法は、目的とした形状に成形できる成形方法を適宜選択することが肝要であり、特に限定されるものではない。プレス成形法、鋳込み成形法等が例示できる。成形圧力はクラック等の発生がなく、取り扱いが可能な成形体であれば特に限定されるものではないが、成形密度は可能な限り、高めた方がより好ましい。そのために冷間静水圧成形CIP等の方法を用いることも可能である。この際、必要に応じ、成形性を改善するための有機系の添加剤を使用しても良い。成形の際に添加剤を使用した場合には、成形体中に残存する水分や有機系の添加剤を除去するため80~500°Cの温度で加熱処理を施すことが好ましい。この処理温度は、残存する水分や添加剤の量や種類により適宜選択されれば良い。次に得られた成形体を焼成する。昇温速度については特に限定されないが、焼成時間の短縮と割れ防止の観点から、10~400°C/時間とするのが好ましい。焼結温度は、1400°C以上、1650°C未満、好ましくは、1500°C以上1625°C以下とする。こうすることにより、高密度の焼結体が得ることができる。保持時間は1時間以上、好ましくは3~30時間であることが望ましい。こうすることにより、高密度でかつ平均粒径が小さい焼結体を得ることができる。降温速度については、通常の範囲内で設定されれば特に限定されるものではなく、焼成時間の短縮と割れ防止の観点から、10~500°C/時間とするのが好ましい。焼成時の雰囲気は、酸素を含有する雰囲気であることが好ましく、特に酸素気流中が好ましく、さらに焼結時に炉内に酸素を導入する際の酸素流量L/minと成形体仕込重量kgの比仕込重量/酸素流量を、1.0以下とすることが好ましい。こうすることにより、高密度の焼結体を得ることができる。本発明のスパッタリングターゲットは、前記の複合酸化物焼結体からなることを特徴とする。このようなスパッタリングターゲットを用いたスパッタリングによって成膜された透明導電膜は、抵抗率が低く、広い波長域に渡って低い光吸収特性を有する酸化物透明導電膜を得ることが可能となる。また、このようなスパッタリングターゲットは、成膜時の放電特性に優れ、異常放電が抑制され安定した成膜を可能とする。本発明においては、酸化物焼結体をそのままスパッタリングターゲットとして用いても良く、酸化物焼結体を所定の形状に加工してスパッタリングターゲットとして用いても良い。スパッタリングターゲットは、スパッタリング面の表面粗さが中心線平均粗さRaで3μm以下であることが好ましく、2μm以下であることがより好ましい。これにより、成膜時の異常放電の回数を一層抑制することが可能となり、安定した成膜を可能とする。中心線平均粗さは、酸化物焼結体のスパッタリング面を番手を変えた砥石等で機械加工する方法、サンドブラスト等で噴射加工する方法等により調整することが可能である。また中心線平均粗さは、例えば測定面を表面性状測定装置で評価することにより求めることができる。本発明の酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして、スパッタリング法により成膜することができる。特にスパッタリング法としては、DCスパッタリング法、RFスパッタリング法、ACスパッタリング法、DCマグネトロンスパッタリング法、RFマグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法等を適宜選択することができる。これらのうち、大面積に均一にかつ高速成膜可能な点で、DCマグネトロンスパッタリング法、RFマグネトロンスパッタリング法が好ましい。スパッタリング時に用いられる基板の温度は特に限定されるものではないが、その基板の耐熱性に影響される。例えば、無アルカリガラスを基板とした場合は通常250°C以下、樹脂製のフィルムを基板とした場合は、通常150°C以下が好ましい。もちろん、石英、セラミックス、金属等の耐熱性に優れた基板を用いる場合には、それ以上の温度で成膜することも可能である。スパッタリング時の雰囲気ガスは、通常、不活性ガス、例えばアルゴンガスを用いる。必要に応じて、酸素ガス、窒素ガス、水素ガス等を用いてもよい。このようにしてインジウム及びジルコニウムをそれぞれIn、Zrとしたときに、原子比でZr/InZrが0.05~5atである酸化物透明導電膜を得ることができる。その組成Zr/InZrは好ましくは0.05~2atである。本発明の複合酸化物焼結体は、高い機械的強度を有し、スパッタリングターゲットとして好適に用いることができる。そして、そのターゲットを用いてスパッタリングすることにより、スパッタリング中の異常放電を抑止しながら、本発明の酸化物透明導電膜を製造することができる。本発明の酸化物透明導電膜は、低抵抗で広い波長域に渡って低い光吸収特性を有する膜である。このため、例えば太陽電池に用いることによって、従来よりも光学損失と、光吸収による発熱を抑制することが可能となり、光電変換効率の高く、安定した太陽電池を提供することができる。なお、ここで言う太陽電池とは、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンを用いたシリコン系太陽電池、CuInSe2、CuIn、GaSe2、GaAs、CdTeなどの化合物系太陽電池、さらに色素増感型太陽電池等の酸化物透明導電膜を用いる太陽電池を例示できる。本発明を以下の実施例により具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。なお、評価方法は以下の通りである。[複合酸化物焼結体の評価]組成ICP発光分析法により定量した。相対密度複合酸化物焼結体の相対密度は、JIS-R1634-1998に準拠してアルキメデス法で測定した。機械的強度複合酸化物焼結体の機械的強度は、JIS-R-1601に準拠して三点曲げ強度を測定した。ジルコニウムを含有する粒子の平均粒径複合酸化物焼結体に含有するされるジルコニウムを含有する粒子の平均粒径は、以下のように測定した。即ち、複合酸化物焼結体を適当な大きさに切断した後、観察面を表面研磨し、次に希塩酸溶液でケミカルエッチングを行い、粒界を明確化した。次いで、この試料をX線マイクロアナライザーEPMA、走査電子顕微鏡/エネルギー分散型X線分析SEM/EDS、X線回折XRDを用いて、焼結体の研磨面の観察写真を撮るとともに各粒子の組成を確認し、ジルコニウムを含有する粒子を特定した。観察写真を用いて、ジルコニウムを含有する粒子50個以上の長径を求め、その算術平均をジルコニウムを含有する粒子の平均粒径とした。焼結体の平均粒径複合酸化物焼結体を構成する粒子の平均粒径は、複合酸化物焼結体を適当な大きさに切断した後、観察面を表面研磨し、次に希塩酸溶液でケミカルエッチングを行い、粒界を明確化し、走査電子顕微鏡SEMを用いて観察写真を得、観察写真内の粒子500個の長径を求め、その算術平均を複合酸化物焼結体の平均粒径とした。X線回折試験測定条件は以下の通りである。X線源:CuKαパワー:40kV、40mA走査速度:1°/分得られた回折パターンを解析し、1ビックスバイト型酸化物相、2蛍石型酸化物相、及び3上述の12以外の他の結晶相、とに分類し、1、2、3の結晶相のそれぞれにおいて同定された場合は有、同定されなかった場合は無とした。[スパッタリングターゲットの評価]放電特性下記スパッタリング条件下で1時間当たりに生じた異常放電回数を算出した。スパッタリング条件装置:DCマグネトロンスパッタリング装置アルバック社製磁界強度:1000Gaussターゲット直上、水平成分基板温度:室温約25°C到達真空度:5×10-5Paスパッタリングガス:アルゴン酸素酸素/アルゴン酸素で実施例に記載体積比スパッタリングガス圧:0.5PaDCパワー:200Wスパッタリング時間:30時間。[酸化物透明導電膜の評価]光吸収率基板を含めた酸化物透明導電膜の光透過率、光反射率を分光光度計U-4100日立製作所社製で波長240nmから2600nmの範囲を測定した。得られた光透過率をT、光反射率をRとしたとき、光吸収率Aを下式により求めた。A=100-T―R得られた光吸収率Aについて、波長400~600nmでの平均値と、800~1200nmでの平均値を表2,4に示した。抵抗率薄膜の抵抗率は、HL5500日本バイオラッドラボラトリーズ社製を用いて測定した。[実施例1~8、比較例1~3]複合酸化物焼結体の作製純度99.9、平均1次粒径0.1μmの酸化ジルコニウム粉末をスラリー化した後、噴霧乾燥して平均粒径50μmの顆粒とした。得られた酸化ジルコニウム顆粒と純度99.99、平均1次粒径0.1μmの酸化インジウム粉末を最終組成となるように秤量してナイロンボールを用いた乾式ボールミルで10時間混合した。得られた混合粉末の平均1次粒径は0.1μmであった。得られた粉末を直径150mmの金型を用いて、0.3ton/cm2で金型成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形し、純酸素雰囲気焼結炉内に設置して、以下の条件で焼結した。焼成条件昇温速度:50°C/時間焼結温度:1600°C保持時間:5時間焼結雰囲気:昇温時の室温から降温時の100°Cまで純酸素ガスを炉内に導入降温速度:100°C/時間仕込重量/酸素流量:0.9。酸化物透明導電膜の作製このような複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法により下記の条件で成膜した後、後処理を行って酸化物透明導電膜を得た。スパッタリング成膜条件装置:DCマグネトロンスパッタ装置磁界強度:1000Gaussターゲット直上、水平成分基板温度:室温25°C到達真空度:5×10-4Paスパッタリングガス:アルゴン酸素酸素/アルゴン酸素で実施例に記載体積比スパッタリングガス圧:0.5PaDCパワー:200W膜厚:100nm使用基板:無アルカリガラスコーニング社製EAGLEXGガラス厚さ0.7mm後処理条件基板上に成膜した試料を190°Cで5分、大気中で熱処理を行った。評価結果を表1,2に示す。[実施例9~11]複合酸化物焼結体の作製実施例1と同様にして、但し乾式ボールミルでの混合時間をそれぞれ15時間実施例9、20時間実施例10、30時間実施例11として混合し、混合粉末を得た。得られた混合粉末の平均1次粒径は0.1μmであった。得られた粉末を実施例1と同様に成形、焼結して焼結体を作製した。酸化物透明導電膜の作製実施例1と同様に、ターゲットを作製し、それを用いてDCマグネトロンスパッタリング法により成膜し、後処理を行って、酸化物透明導電膜を得た。評価結果を表1,2に示す。[実施例12~16]酸化物焼結体の作製以下に示す焼成条件以外は実施例1と同様に焼結体を作製した。焼成条件焼結温度:1500°C実施例16、1550°C実施例151600°C実施例12、13、1625°C実施例14保持時間:5時間実施例14、15時間実施例1225時間実施例13、15、16酸化物透明導電膜の作製実施例1と同様に、ターゲットを作製し、それを用いてDCマグネトロンスパッタリング法により成膜し、後処理を行って、酸化物透明導電膜を得た。評価結果を表1,2に示す。[比較例4~6]複合酸化物焼結体の作製純度99.99、平均1次粒径0.1μmの酸化インジウム粉末と純度99.9、平均1次粒径0.1μmの酸化ジルコニウム粉末を最終組成となるように秤量して、ジルコニアボールを用いた乾式ボールミルで10時間混合した。得られた粉末を実施例1と同様に成形、焼結して焼結体を作製した。酸化物透明導電膜の作製実施例1と同様に、ターゲットを作製し、それを用いてDCマグネトロンスパッタリング法により成膜し、後処理を行って酸化物透明導電膜を得た。評価結果を表1,2に示す。[実施例17]複合酸化物焼結体の作製実施例5と同様にして焼結体を作製した。酸化物透明導電膜の作製実施例1と同様に、ターゲットを作製し、それを用いてDCマグネトロンスパッタリング法により成膜し、後処理を行って酸化物透明導電膜を得た。また、前記した方法により、本ターゲットの放電特性を評価した。評価結果を表3,4に示す。[実施例18]複合酸化物焼結体の作製実施例9と同様にして焼結体を作製した。酸化物透明導電膜の作製実施例1と同様に、ターゲットを作製し、それを用いてDCマグネトロンスパッタリング法により成膜し、後処理を行って酸化物透明導電膜を得た。また、前記した方法により、本ターゲットの放電特性を評価した。評価結果を表3,4に示す。[比較例7~8]複合酸化物焼結体の作製実施例1と同様にして、但し、乾式ボールミルでの混合時間をそれぞれ6時間比較例7、3時間比較例8として混合し、混合粉末を得た。得られた混合粉末の平均1次粒径は0.1μmであった。得られた粉末を実施例1と同様に成形、焼結して焼結体を作製した。酸化物透明導電膜の作製実施例1と同様に、ターゲットを作製し、それを用いてDCマグネトロンスパッタリング法により成膜し、後処理を行って酸化物透明導電膜を得た。また、前記した方法により、本ターゲットの放電特性を評価した。評価結果を表3,4に示す。[参考例1]純度99.99、平均粒径0.5μmの酸化インジウム粉末と純度99.99、平均粒径0.5μmの酸化錫粉末を原料粉末とし、酸化インジウムと酸化錫が97:3の重量比となるように秤量して乾式ボールミルで混合した。平均粒径は0.2μmであった。得られた粉末を実施例1と同様に成形、焼結して、焼結体を作製し、ターゲットを作製し、DCマグネトロンスパッタリング法により成膜し、後処理を行って、酸化物透明導電膜を得た。但し、成膜時の膜厚は150nmとした。評価結果を表1,2に示す。実施例1~8と比較例1~3を比較することにより、本発明によれば広い波長域に渡って光吸収率を低減した膜が得られることが分かる。また、参考例1に現行材料のITO材料の場合を示したが、それと比較して本発明の膜は広い波長域に渡って光吸収率が低減されていることが分かる。実施例3、5、7と比較例4~6を比較することにより、本発明によれば機械的強度が高いスパッタリングターゲットが得られることが分かる。実施例17、18と比較例7~8を比較することにより、本発明によればスパッタリング中の異常放電現象の少ないスパッタリングターゲットが得られることが分かる。以上から本発明により、広い波長域に渡って光吸収率を低減した膜が得られ、かつ機械的強度が高く、スパッタリング中の異常放電現象を抑制したスパッタリングターゲットが得られる複合酸化物焼結体が得られることが分かる。"