金属酸化膜による光学薄膜を形成する方法であって、基板上に、金属酸化膜による薄膜を形成する薄膜形成工程と、該薄膜形成工程で形成された薄膜を、酸素を含む雰囲気中において加熱焼成することにより、上記薄膜中の金属の酸化を促進して光学薄膜とするための追加焼成工程と、を有することを特徴とする光学薄膜の形成方法。請求項1記載の光学薄膜の形成方法において、追加焼成工程が、400°C以上で行なわれることを特徴とする光学薄膜の形成方法。請求項1または2記載の光学薄膜の形成方法において、薄膜形成工程が、スパッタリングや真空蒸着等の真空成膜により、金属酸化膜による薄膜を形成する工程であることを特徴とする光学薄膜の形成方法。請求項1または2記載の光学薄膜の形成方法において、薄膜形成工程が、CVDケミカルヴェーパデポジット、プラズマ蒸着法、イオンプレーティング法により、金属酸化膜による薄膜を形成する工程であることを特徴とする光学薄膜の形成方法。請求項1~4の任意の1に記載の光学薄膜の形成方法において、薄膜形成工程により、金属酸化膜による薄膜が単層膜として形成されることを特徴とする光学薄膜の形成方法。請求項1~4の任意の1に記載の光学薄膜の形成方法において、薄膜形成工程により、金属酸化膜による薄膜が多層膜として形成されることを特徴とする光学薄膜の形成方法。請求項1~6の任意の1に記載の光学薄膜の形成方法において、形成される光学薄膜が、反射防止膜であることを特徴とする光学薄膜の形成方法。基板上に請求項1~7の任意の1に記載の形成方法で形成された光学薄膜を有する光学素子。この発明は上述した事情に鑑みてなされたものであり、金属酸化膜中の酸素欠損に由来した金属薄膜内の光吸収を有効に軽減できる光学薄膜の形成方法の提供、かかる光学薄膜を基板上に形成された光学素子の提供を課題とする。この発明の光学薄膜の形成方法は金属酸化膜による光学薄膜を形成する方法であって、薄膜形成工程と、追加焼成工程とを有する。薄膜形成工程は、基板上に、金属酸化膜による薄膜を形成する工程である。追加焼成工程は、薄膜形成工程で形成された薄膜を、酸素を含む雰囲気中において加熱焼成することにより、上記薄膜中の金属の酸化を促進して光学薄膜とするための工程である。この発明の光学薄膜の形成方法によれば、薄膜形成工程により形成された薄膜の酸素欠損状態を、追加焼成工程により薄膜中の金属の酸化を促進するので、酸素欠損が有効に軽減された光学薄膜を形成でき、光学薄膜における酸素欠損由来の光吸収を有効に軽減でき、光学薄膜の光学特性を有効に向上させることができ、このような光学薄膜を実現することにより、良好な光学特性を持つ光学素子を実現できる。以下、実施の形態を説明する。図1に即して、光学薄膜の形成方法を説明する。図1aの符号10は、基板を示す。基板10は、図1aにおいて平行平板として示されているが、基板の形態はこれに限定されない。基板はまた、レンズやプリズム等の光学部品であることが出来る。また、基板の材質は、薄膜形成が可能なものであれば特に制限無く選択可能である。図1bは、基板10上に、金属酸化膜による薄膜12Aを形成した状態を示している。薄膜12Aを形成する工程が薄膜形成工程である。薄膜形成工程は、例えば、前述の直接スパッタ法や反応スパッタ法によるスパッタリングや金属や金属酸化物を蒸発源とする真空蒸着法等の真空成膜により行なうことが出来るが、これに限らず、CVDケミカルヴェーパデポジットや、プラズマ蒸着法、イオンプレーティング法等により実行しても良い。これら何れの成膜法によって薄膜形成工程を行なってもよいが、薄膜形成工程で形成された薄膜12Aには酸素欠損が存在している。従って、薄膜12Aのみでは、求められる光学特性理論上の光学特性を実現できない。この薄膜12Aは金属酸化物のみによる単一膜であってもよいし、金属酸化物の膜と非金属材料の膜とを積層した多層膜であることもできる。例えば、Ta2O5の薄膜と、SiO2の薄膜とを交互に積層した多層膜であることができる。この場合、酸素欠損は、SiO2膜においても生じるので、追加焼成工程による金属の酸化は、Siの酸化も含んでいる。成膜された薄膜12Aは、酸素欠損は存在するが金属酸化物の薄膜である。追加焼成工程は、薄膜形成工程で形成された金属酸化膜を酸素雰囲気中で加熱することにより行なわれるが400°C以上で行なうのが良い。図1cは、追加焼成工程を行なっている状態を示す。薄膜形成工程で形成された薄膜12Aを酸素を含む雰囲気中において加熱焼成することにより、薄膜12A中の金属の酸化を促進する。酸素を含む雰囲気は空気であることができる。即ち追加焼成工程は空気中で行なうことができる。図1cにおいて、矢印群は過熱焼成の際に、薄膜12Aに供給される酸素を示している。このようにして、追加焼成工程が完了すると、薄膜12Aは、図1dに示す光学薄膜12Bとなる。光学薄膜12B中では酸素欠損が有効に減少しているので、薄膜の光学特性を向上させることができる。追加焼成工程は、これを十分に行なうことにより、薄膜12Aにおける金属を実質的に完全に酸化させることが可能であり、このように薄膜内の金属を完全酸化できれば、光学薄膜本来の光学特性実質的に理論上の光学特性である。を実現できる。また、追加焼成工程による酸化が完全酸化に至らないまでも、酸化を促進したことにより、酸素欠損が減少し、光学特性を理論上の光学特性に近づけることができる。若干付言すると、薄膜形成工程をスパッタリングや真空蒸着等の真空成膜で行なう場合、成膜される薄膜内の金属を完全に酸化することは技術的に必ずしも容易でない。真空成膜による成膜で金属材料を酸化するためには、真空チャンバ内にO2ガスを導入する必要があるが、導入されたO2ガスはスパッタリングや真空蒸着の効果を減ずる作用をもたらす。従って、例えば、金属酸化物のターゲットを用いるスパッタリングの場合、O2ガスの導入に伴い成膜レートが数10程度低下するのが一般的である。また、反応性スパッタリングにおいても、成膜レートは真空チャンバ内での酸化速度が律速となるため、単純に成膜レートを向上させることが出来ない。薄膜の形成と、形成された薄膜の酸化とを真空チャンバ内で実行する方法が、特許文献1に記載されているが、上記の成膜レートの低下を考慮すると、得策であるとは必も言いがたい。この発明の方法によれば、酸化促進を実現するのは真空成膜後の工程であるから、各々の成膜装置の限界まで成膜レートを向上させることが可能となる。これは、生産効率の向上につながり、より低コストでの光学素子製品の作製が実現可能となる。また、薄膜形成工程と追加焼成工程とは、一連の工程ではあるが、これらは相互に時間的に分離して行なうこともできる。例えば、多数個の光学素子を製造する場合、製造数の薄膜の形成を行なった後、これら複数の薄膜に対して追加焼成工程をまとめて行なうことができる。また、追加焼成工程は空気中で行なうこともできるので、比較的簡単な焼成設備で実行できる。追加焼成工程による薄膜中の金属の酸化促進の程度は、追加焼成工程を行なう温度と、時間とに関係する。追加焼成工程を行なう温度は、酸素欠損を減少させる程度を定める。即ち、ある一定の温度で、追加焼成工程を行なう場合、追加焼成工程の工程時間の増大とともに、酸素欠損は次第に減少するが、工程時間がある一定の時間に達すると、酸素欠損の減少は停止し、それ以上の時間をかけても酸素欠損の減少は進行しない。このように、酸素欠損の減少が停止するときの酸素欠損状態を減少限界状態とよぶと、この減少限界状態は、追加焼成工程の温度に依存し、該温度が高いほど減少限界状態で残留している酸素欠損は少なくなる。また、特定の温度での追加焼成工程で、限界減少状態に至る時間以下飽和時間と言う。は金属酸化膜の厚さに比例する。従って、なるべく高温で金属酸化膜に応じた飽和時間の追加焼成工程を行なうことにより、酸素欠損を有効に減少させることができる。後述する例に示すように、追加焼成工程を有効に行なうには、好適には400°C以上の温度、より好適には450°C以上が良い。具体例基板として石英ガラスの平行平板を用い、その片面に光学薄膜を形成した。薄膜形成工程は、反応性スパッタリングにより行い、追加焼成工程は、雰囲気温度と時間を変えて行なった。酸素を含む雰囲気は空気とした。即ち、追加焼成工程は空気中においておこなった。具体例1上記石英の基板上に、金属酸化膜としてアルミナAl2O3の薄膜を、厚さ:1μmに形成した薄膜形成工程。この薄膜に対して、評価波長:300nmの光を透過させ、透過率反射率の理論値との比較により、損失薄膜内部における光吸収による損失を調べたところ、略1.4であった。追加焼成の雰囲気温度を100°Cとし、追加焼成時間を1時間としたところ、損失は略1.2に減少した。続いて、追加焼成時間を30分とし、雰囲気温度を100°Cから50°C刻みに450度まで昇温させて、実験を繰り返したところ、雰囲気温度の上昇と共に、損失が減少した。図2に、この場合の損失変化をプロットしたものを示す。図2に示すように、雰囲気温度:450°C、追加焼成時間:30分で、損失を略0.2まで減少させることができた。この損失:略0.2は、実質的に理論値に等しい。即ち、追加焼成工程により薄膜中の金属を略完全に酸化させることができることが明らかとなった。雰囲気温度:400°Cでも、酸素欠損由来の損失を有効に減少させることができる。具体例2石英の基板上に、金属酸化膜として五酸化ニオブNb2O5の薄膜を、厚み:0.6μmに形成した薄膜形成工程。この薄膜に対して、評価波長:355nmの光を透過させ、透過率反射率の理論値との比較により、損失薄膜内部における光吸収による損失を調べたところ、略14であった。追加焼成の雰囲気温度を100°Cとし、追加焼成時間を1時間としたところ、損失は略14.5に増加した。この損失の増大の理由は明らかではない。続いて、追加焼成の時間を30分とし、雰囲気温度を100°Cから50°C刻みに450度まで昇温させて実験を繰り返したところ、雰囲気温度の上昇と共に損失が減少した。図3に、この場合の損失変化をプロットしたものを示す。図3に示すように、雰囲気温度:450°C、追加焼成時間:30分で、損失を略10.25まで減少させることができた。この損失:略10.25は、実質的に理論値に等しい。具体例3石英の基板上に、五酸化タンタルTa2O5と二酸化シリコンSiO2を交互に64層積層して、厚:3m.2μの金属酸化膜を形成した薄膜形成工程。この薄膜に対して、評価波長:300nmの光を透過させ、透過率反射率の理論値との比較により、損失薄膜内部における光吸収による損失を調べたところ、略39.75であった。追加焼成の雰囲気温度を100°Cとし、追加焼成時間を1時間としたところ、損失は略39.3に減少した。続いて、追加焼成時間を30分とし、雰囲気温度を100°Cから50°C刻みに450度まで異ならせて、実験を繰り返したところ、雰囲気温度の上昇と共に、損失が減少した。図4に、この場合の損失変化をプロットしたものを示す。図4に示すように、雰囲気温度:450°C、追加焼成時間:30分で、損失を略34.7まで減少させることができた。この損失:略34.7は、実質的に理論値に等しい。即ち、追加焼成工程により薄膜中の金属を略完全に酸化させることができることが明らかとなった。具体例4具体例2の場合において、評価波長を340nmとして、具体例2における各追加焼成の場合の損失を調べたところ、図5のようになった。薄膜形成工程後の薄膜Nb2O5における損失は、略54.4であるが、追加焼成の雰囲気温度を100°Cとし、追加焼成時間を1時間としたところ、損失は略54.25に減少した。続いて、追加焼成時間を30分とし、雰囲気温度を100°Cから50°C刻みに450度まで異ならせて、実験を繰り返したところ、雰囲気温度の上昇と共に、損失が減少した。図5に、この場合の損失変化をプロットしたものを示す。図5に示すように、雰囲気温度:450°C、追加焼成時間:30分で、波長:340nmの光に対する損失を略49.8まで減少させることができた。波長:340nmの光に対する損失:略49.9は、実質的に理論値に等しい。このように、一定の評価波長の光に対する損失を見ると、追加焼成工程を十分に行なうことにより、理論値に実質的に等しい値に軽減できることが分かる。このように、この発明の形成方法によれば、膜中の酸素欠損に由来する損失を有効に軽減もしくは実質的に無くすることができ、特に250nm~400nmという短い波長領域の光に対して顕著な効果を得ることができる。上には、金属酸化物による光学薄膜として、反射防止膜の例を挙げたが、光学薄膜は反射防止膜に限らず、反射膜、フィルタ膜、位相差や、光学部品の表面を保護する表面保護膜等、所望の光学特性を実現する薄膜として形成することができる。従って、この発明の形成方法で光学薄膜を形成することにより、良好な光学性能の光学素子を実現できる。