"主磁極とエアベアリング面とを有する磁気記録ヘッドによる熱アシスト磁気記録を促進させる構造の製造方法であって、基板を準備する工程と、前記基板の上に、下部クラッド層を成膜する工程と、前記下部クラッド層の上に、第1の導波路層を成膜する工程と、前記第1の導波路層をパターニングすることにより、第1の端部を有する直線状の第1の部分と第2の端部を有する直線状の第2の部分とが互いに直交した状態で湾曲部分を介して互いに接続されてなる第1の導波路を、前記主磁極に近接した領域において前記第2の端部が前記エアベアリング面の位置で終端するように、形成する工程と、前記第1の端部に対して、曲面形状となるようにパターニングをさらに行うことにより、前記第1の端部に第1のシリンドリカルレンズを形成する工程と、前記基板を全体的に覆うように、上部クラッド層を成膜する工程と、前記第1のシリンドリカルレンズと対向する壁部をこの第1のシリンドリカルレンズに近接した位置に有するキャビティを、前記上部クラッド層と前記基板との間のすべての層を含めて前記上部クラッド層から前記基板に至るまで延びるように形成する工程と、前記キャビティの内部に、レーザダイオードを、その出射光が前記第1のシリンドリカルレンズにより集束されたのちに前記導波路に入射することとなるような方向に向けて配置する工程とを含む熱アシスト磁気記録促進構造の製造方法。前記基板をAlTiCとする請求項1に記載の熱アシスト磁気記録促進構造の製造方法。前記上部および下部クラッド層を、それぞれ、Al2O3,SiO2,SiON,MgO,およびMgF2からなる群から選択される材料を用いて400nmないし2000nmの厚さに成膜する請求項1に記載の熱アシスト磁気記録促進構造の製造方法。前記導波路層を、Ta2O5,TiO2,Si,SiON,ZnO,BN,ZnS,ダイアモンド,Ta,およびAlNからなる群から選択される材料を用いて100nmないし800nmの厚さに成膜する請求項1に記載の熱アシスト磁気記録促進構造の製造方法。前記曲面形状を円筒面シリンドリカル面形状とする請求項1に記載の熱アシスト磁気記録促進構造の製造方法。前記第1のシリンドリカルレンズの曲率半径を1μmないし50μmとすることにより、その焦点距離を0.5μmないし25μmとする請求項1に記載の熱アシスト磁気記録促進構造の製造方法。さらに、前記導波路層をパターニングすることにより、前記壁部の一部である平坦な第1の表面と、前記壁部から前記第1のシリンドリカルレンズに向かって突出し前記第1の表面と向かい合う凸状の第2の表面とを有する第2のシリンドリカルレンズを形成する工程を含む請求項1に記載の熱アシスト磁気記録促進構造の製造方法。前記キャビティを、一辺が100μmないし600μm、他辺が50μmないし150μmという寸法をもつように形成する請求項1に記載の熱アシスト磁気記録促進構造の製造方法。前記キャビティを、一辺が250μmないし350μm、他辺が80μmないし120μmという寸法をもつように形成する請求項1に記載の熱アシスト磁気記録促進構造の製造方法。さらに、前記第1の導波路層の上に第2の導波路層を成膜する工程と、前記第1のシリンドリカルレンズの真上に底辺が位置し前記レーザダイオードから離れる方向に頂点が向く三角形パターンが形成されるように前記第2の導波路層をパターニングする工程とを含み、前記第2の導波路層に侵入する光子を前記第1の導波路層へと向かわせることにより、前記レーザダイオードからの発散光の効率的な三次元的集束を可能とする構造を形成する請求項1に記載の熱アシスト磁気記録促進構造の製造方法。主磁極とエアベアリング面とを有する磁気記録ヘッドによる熱アシスト磁気記録を促進させる構造の製造方法であって、基板を準備する工程と、前記基板の上に、下部クラッド層を成膜する工程と、前記下部クラッド層の上に、導波路層を成膜する工程と、前記導波路層をパターニングすることにより、前記エアベアリング面から所定距離だけ離れた位置まで直線的に延びる導波路を形成する工程と、前記導波路を含めて前記基板の全体を覆うように上部クラッド層を成膜する工程と、互いに対向する主側壁を有するトレンチと前記トレンチに対向する壁部を有するキャビティとを、それらが前記上部クラッド層から前記基板に至るまで延びる深さを有し、かつ、前記トレンチが前記キャビティの前記壁部に対して平均して45°の角度をなす方向を向くように、形成する工程と、反射性材料層を用いて、前記キャビティに最も近い主側壁をコーティングする工程と、前記キャビティの内部に、レーザダイオードを、その出射光が前記反射性材料層により反射されたのちに前記導波路に入射することとなるような方向に向けて配置する工程とを含む熱アシスト磁気記録促進構造の製造方法。前記導波路を、前記エアベアリング面から10μmないし100μmの距離まで延びるように形成する請求項11に記載の熱アシスト磁気記録促進構造の製造方法。前記反射性材料層を、金,銀,アルミニウム,および銅からなる群から選択から選択される材料を用いて形成する請求項11に記載の熱アシスト磁気記録促進構造の製造方法。前記レーザダイオードからの出射光が前記エアベアリング面から最も離れた前記導波路の端部に集束することとなるように、前記トレンチを、上面視形状が曲線であるような曲面形状に形成する請求項11に記載の熱アシスト磁気記録促進構造の製造方法。前記曲面形状を、球面形状および放物面形状からなる群から選択する請求項14に記載の熱アシスト磁気記録促進構造の製造方法。さらに、前記導波路の、前記エアベアリング面から最も離れた端部を、シリンドリカルレンズとして機能するようにパターニングする工程と、前記レーザダイオードからの出射光が前記シリンドリカルレンズにより前記導波路に集束することとなるように、前記トレンチを、上面視形状が直線であるような形状に成形する工程とを含む請求項11に記載の熱アシスト磁気記録促進構造の製造方法。主磁極とエアベアリング面とを有する磁気記録ヘッドによる熱アシスト磁気記録を促進させる構造であって、基板と、前記基板の上に設けられた下部クラッド層と、前記下部クラッド層の上に設けられ、曲面形状を有することにより第1のシリンドリカルレンズとして機能する第1の端部を有する直線状の第1の部分と、前記主磁極に近接した領域において前記エアベアリング面の位置で終端する第2の端部を有する直線状の第2の部分とが互いに直交した状態で湾曲部分を介して互いに接続されてなる第1の導波路と、前記基板の全体を覆う上部クラッド層と、第1のシリンドリカルレンズと対向する壁部を前記第1のシリンドリカルレンズに近接した位置に有すると共に、前記上部クラッド層と前記基板との間のすべての層を含めて前記上部クラッド層から前記基板に至るまで延びるように形成されたキャビティと、前記キャビティの内部に、その出射光が前記第1のシリンドリカルレンズにより集束されたのちに前記導波路に入射することとなるような方向に向けて配置されたレーザダイオードとを備えた熱アシスト磁気記録促進構造。追加前記レーザダイオードは、前記導波路の入射面に対して5°から25°の間の角度で傾斜した出射面を有し、これにより前記レーザダイオードへの後方反射光が低減されている請求項17に記載の熱アシスト磁気記録促進構造。前記基板がAlTiCである請求項17に記載の熱アシスト磁気記録促進構造。前記上部および下部クラッド層が、それぞれ、Al2O3,SiO2,SiON,MgO,およびMgF2からなる群から選択される材料により形成されると共に400nmないし2000nmの厚さを有する請求項17に記載の熱アシスト磁気記録促進構造。前記導波路層が、Ta2O5,TiO2,Si,SiON,ZnO,BN,ZnS,ダイアモンド,Ta,およびAlNからなる群から選択される材料により形成されると共に100nmないし800nmの厚さを有する請求項17に記載の熱アシスト磁気記録促進構造。前記曲面形状が円筒面シリンドリカル面形状である請求項17に記載の熱アシスト磁気記録促進構造。前記第1のシリンドリカルレンズが、1μmないし50μmの曲率半径を有することにより0.5μmないし25μmの焦点距離を有する請求項17に記載の熱アシスト磁気記録促進構造。さらに、前記壁部の一部である平坦な第1の表面と、前記壁部から前記第1のシリンドリカルレンズに向かって突出し前記第1の表面と向かい合う凸状の第2の表面とを有する第2のシリンドリカルレンズを備えた請求項17に記載の熱アシスト磁気記録促進構造。前記キャビティは、一辺が100μmないし600μm、他辺が50μmないし150μmという寸法を有する請求項17に記載の熱アシスト磁気記録促進構造。前記キャビティは、一辺が250μmないし350μm、他辺が80μmないし120μmという寸法を有する請求項17に記載の熱アシスト磁気記録促進構造。さらに、前記第1の導波路層の上に、前記第1のシリンドリカルレンズの真上に底辺が位置し前記レーザダイオードから離れる方向に頂点が向く三角形状の第2の導波路層を備え、前記第2の導波路層に侵入する光子が前記第1の導波路層へと導かれることにより、前記レーザダイオードからの発散光の三次元的集束が効率的に行われる請求項17に記載の熱アシスト磁気記録促進構造。主磁極とエアベアリング面とを有する磁気記録ヘッドによる熱アシスト磁気記録を促進させる構造であって、前記エアベアリング面と同一平面上に位置する縁部を有する基板と、前記基板の上に設けられた下部クラッド層と、前記下部クラッド層の上に設けられ、前記前記エアベアリング面から所定距離だけ離れて上方に延びる直線状の導波路と、前記導波路を含めて前記基板の全体を覆う上部クラッド層と、互いに対向する主側壁を有し、前記上部クラッド層から前記基板に至るまで延びる深さを有するトレンチと、前記トレンチに対向する壁部を有し、前記上部クラッド層から前記基板に至るまで延びる深さを有するキャビティと、前記トレンチの前記キャビティに最も近い主側壁に設けられた反射コーティングと、前記キャビティの内部に設けられたレーザダイオードと、を備え、前記トレンチは、前記対向する主側壁が前記キャビティの前記壁部に対して平均して45°の角度をなすような方向に向けられ、前記レーザダイオードは、その出射光が前記反射コーティングにより反射されたのちに前記導波路に入射することとなるような方向に向けて配置されている熱アシスト磁気記録促進構造。前記導波路が、前記エアベアリング面から10μmないし100μmの距離まで延びている請求項28に記載の熱アシスト磁気記録促進構造。前記反射コーティングが、金,銀,アルミニウム,および銅からなる群から選択される材料を用いて形成されている請求項28に記載の熱アシスト磁気記録促進構造。前記トレンチは、前記レーザダイオードからの出射光が前記エアベアリング面から最も離れた前記導波路の端部に集束することとなるように、上面視形状が曲線であるような曲面形状に形成されている請求項28に記載の熱アシスト磁気記録促進構造。前記曲面形状は、球面形状および放物面形状からなる群から選択されたものである請求項31に記載の熱アシスト磁気記録促進構造。前記トレンチは、上面視形状が直線状である側壁を有し、前記導波路の、前記エアベアリング面から最も離れた端部が、シリンドリカルレンズとして機能するように成形され、これにより、前記レーザダイオードからの出射光が前記導波路に集束される請求項28に記載の熱アシスト磁気記録促進構造。特許文献1および特許文献2は、熱アシスト磁気記録を実現するための、図1に示すようなヘッド構造について記載している。図1のaは、従来のヘッド構造の断面図であり、同図bは、これをエアベアリング面ABS:AirBearingSurface側から見た図である。この図のaおよびbに示すように、このヘッド構造は、再生ヘッド1と、プラズモンアンテナすなわち、プラズモンジェネレータ2と、導波路3と、垂直記録磁極4と、スライダの上部に設けられたレーザダイオード5と、磁界コイル6とを備えている。レーザ光は、レーザダイオード5から出射したのち、導波路3の内部へとそのまま結合される。プラズモンジェネレータ2は、エッジプラズモンEP:EdgePlasmonを誘起するために用いられる。このプラズモンジェネレータ2は、光回折効果による影響をもはや受けないため、鋭い先端の末端部にまでエネルギーを閉じ込めることができる。しかしながら、これらの従来の構造には重大な不都合がある。例えば、レーザダイオードをスライダ上に設けるようにしていることから、特別に設計されたサスペンションやボンディングパッドが必要となる。また、レーザダイオードからのレーザ光を導波路にそのまま結合させるために、集束用の補助的な部材を介在させずに端部と端部とを当接させるエンドファイアEndFire結合法が一般的に用いられている。この方法は、レーザダイオードから出射されたレーザ光の発散性に起因して低効率である。さらに、レーザダイオードと導波路とを精密に位置合わせをする必要があり、このことは、組立やパッケージングがコスト高になってしまうことを意味している。Poon等による特許文献3は、レーザ光案内ミラーと、レーザ光集束レンズとを備えた光学ヘッドを開示している。VanKesteranによる特許文献4は、光学レンズを用いてレーザ光を、ミラーを介してディスク上に集束させることが好ましいことを教示している。Shimizu等による特許文献5は、導波路と共役関係にあるレンズとミラーとを示している。Gomez等による特許文献6は、平行ビームを出射させるためのレンズを開示している。Matsumotoによる特許文献7は、導波路から出射する光を集束させるためのコリメータレンズを示している。Chu等による特許文献8は、集束レンズと、可動ミラーと、導波路とを示している。Rausch等による特許文献9は、レンズと、導波路と、曲面ミラーまたは直線ミラーとを開示している。本発明の目的は、プラズモン放射による、記録媒体の極めて局地的な加熱を可能とする熱アシスト磁気記録促進構造およびその製造方法を提供することにある。本発明の他の目的は、レーザダイオードをスライダに設けるための特別に設計されたサスペンションおよびボンディングパッドを必要としない熱アシスト磁気記録促進構造およびその製造方法を提供することにある。本発明のさらに他の目的は、レーザダイオードからの光をプラズモンアンテナに効率的に結合させることを可能とする熱アシスト磁気記録促進構造およびその製造方法を提供することにある。本発明のさらに他の目的は、レーザダイオードから出射した光が何らかの構造壁で反射して再びレーザダイオードに戻ってしまうという光の後方反射を解消することを可能とする熱アシスト磁気記録促進構造およびその製造方法を提供することにある。上記目的は、レーザダイオードからの光を近傍の導波路に集束させるシリンドリカルレンズを、1つ以上形成することにより達成される。この光は、導波路においてプラズモンへと変換される。このプラズモンは、熱アシスト磁気記録が生じるべき位置へと導かれる。レーザダイオードがスライダ構造体に完全に一体化されていることから、スライダの高さがほとんど増加せず、ハードディスクドライブのディスク間距離を増加させる必要がない。より具体的には、上記目的は以下のようにして達成される。本発明における第1の熱アシスト磁気記録促進構造の製造方法は、主磁極とエアベアリング面とを有する磁気記録ヘッドによる熱アシスト磁気記録を促進させる構造の製造方法であって、基板を準備する工程と、基板の上に、下部クラッド層を成膜する工程と、下部クラッド層の上に、第1の導波路層を成膜する工程と、第1の導波路層をパターニングすることにより、第1の端部を有する直線状の第1の部分と第2の端部を有する直線状の第2の部分とが互いに直交した状態で湾曲部分を介して互いに接続されてなる第1の導波路を、主磁極に近接した領域において第2の端部がエアベアリング面の位置で終端するように、形成する工程と、第1の端部に対して、曲面形状となるようにパターニングをさらに行うことにより、第1の端部に第1のシリンドリカルレンズを形成する工程と、基板を全体的に覆うように、上部クラッド層を成膜する工程と、第1のシリンドリカルレンズと対向する壁部をこの第1のシリンドリカルレンズに近接した位置に有するキャビティを、上部クラッド層と基板との間のすべての層を含めて上部クラッド層から基板に至るまで延びるように形成する工程と、キャビティの内部に、レーザダイオードを、その出射光が第1のシリンドリカルレンズにより集束されたのちに導波路に入射することとなるような方向に向けて配置する工程とを含むものである。本発明における第1の熱アシスト磁気記録促進構造は、主磁極とエアベアリング面とを有する磁気記録ヘッドによる熱アシスト磁気記録を促進させる構造であって、基板と、基板の上に設けられた下部クラッド層と、下部クラッド層の上に設けられ、曲面形状を有することにより第1のシリンドリカルレンズとして機能する第1の端部を有する直線状の第1の部分と、主磁極に近接した領域においてエアベアリング面の位置で終端する第2の端部を有する直線状の第2の部分とが互いに直交した状態で湾曲部分を介して互いに接続されてなる第1の導波路と、基板の全体を覆う上部クラッド層と、第1のシリンドリカルレンズと対向する壁部を第1のシリンドリカルレンズに近接した位置に有すると共に、上部クラッド層と基板との間のすべての層を含めて上部クラッド層から基板に至るまで延びるように形成されたキャビティと、キャビティの内部に、その出射光が第1のシリンドリカルレンズにより集束されたのちに導波路に入射することとなるような方向に向けて配置されたレーザダイオードとを備えたものである。本発明における第1の熱アシスト磁気記録促進構造の製造方法および第1の熱アシスト磁気記録促進構造では、基板をAlTiCで構成し、上部クラッド層および下部クラッド層を、Al2O3,SiO2,SiON,MgO,およびMgF2からなる群から選択される材料を用いて400nmないし2000nmの厚さにそれぞれ成膜し、導波路層を、Ta2O5,TiO2,Si,SiON,ZnO,BN,ZnS,ダイアモンド,Ta,およびAlNからなる群から選択される材料を用いて100nmないし800nmの厚さに成膜することが好ましい。第1のシリンドリカルレンズは、その曲率半径を1μmないし50μmとすることにより、焦点距離を0.5μmないし25μmとすることが好ましい。キャビティの寸法は、一辺が100μmないし600μmより好ましくは250μmないし350μm、他辺が50μmないし150μmより好ましくは80μmないし120μm程度が好ましい。また、第1のシリンドリカルレンズに加えてさらに、上記キャビティの壁部の一部である平坦な第1の表面と、この壁部から第1のシリンドリカルレンズに向かって突出し第1の表面と向かい合う凸状の第2の表面とを有する第2のシリンドリカルレンズを備えるようにしてもよい。さらに、第1の導波路層の上に、第1のシリンドリカルレンズの真上に底辺が位置しレーザダイオードから離れる方向に頂点が向く三角形状の第2の導波路層を備えることが好ましい。この場合には、第2の導波路層に侵入する光子が第1の導波路層へと導かれ、その結果、レーザダイオードからの発散光の三次元的集束が効率的に行われる。本発明における第2の熱アシスト磁気記録促進構造の製造方法は、主磁極とエアベアリング面とを有する磁気記録ヘッドによる熱アシスト磁気記録を促進させる構造の製造方法であって、基板を準備する工程と、基板の上に下部クラッド層を成膜する工程と、下部クラッド層の上に導波路層を成膜する工程と、導波路層をパターニングすることにより、エアベアリング面から所定距離だけ離れた位置まで直線的に延びる導波路を形成する工程と、導波路を含めて基板の全体を覆うように上部クラッド層を成膜する工程と、互いに対向する主側壁を有するトレンチとトレンチに対向する壁部を有するキャビティとを、それらが上部クラッド層から基板に至るまで延びる深さを有し、かつ、トレンチがキャビティの壁部に対して平均して45°の角度をなす方向を向くように、形成する工程と、反射性材料層を用いて、キャビティに最も近い主側壁をコーティングする工程と、キャビティの内部に、レーザダイオードを、その出射光が反射性材料層により反射されたのちに導波路に入射することとなるような方向に向けて配置する工程とを含むものである。本発明における第2の熱アシスト磁気記録促進構造は、主磁極とエアベアリング面とを有する磁気記録ヘッドによる熱アシスト磁気記録を促進させる構造であって、エアベアリング面と同一平面上に位置する縁部を有する基板と、基板の上に設けられた下部クラッド層と、下部クラッド層の上に設けられ、エアベアリング面から所定距離だけ離れて上方に延びる直線状の導波路と、導波路を含めて基板の全体を覆う上部クラッド層と、互いに対向する主側壁を有し、上部クラッド層から基板に至るまで延びる深さを有するトレンチと、トレンチに対向する壁部を有し、上部クラッド層から基板に至るまで延びる深さを有するキャビティと、トレンチのキャビティに最も近い主側壁に設けられた反射コーティングと、キャビティの内部に設けられたレーザダイオードとを備えたものである。上記のトレンチは、対向する主側壁がキャビティの壁部に対して平均して45°の角度をなすような方向に向けられ、レーザダイオードは、その出射光が反射コーティングにより反射されたのちに導波路に入射することとなるような方向に向けて配置されている。本発明における第2の熱アシスト磁気記録促進構造の製造方法および第2の熱アシスト磁気記録促進構造では、導波路の入射面に対して5°から25°の間の角度で傾斜した出射面を有するようにレーザダイオードを構成配置することが好ましい。これによりレーザダイオードへの後方反射光が低減される。導波路は、エアベアリング面から10μmないし100μmの距離まで延びるように形成することが好ましい。上記反射性材料層は、金,銀,アルミニウム,および銅からなる群から選択から選択される材料を用いて形成可能である。上記トレンチは、レーザダイオードからの出射光がエアベアリング面から最も離れた導波路の端部に集束することとなるように、上面視形状が曲線であるような曲面形状に形成することが好ましい。この曲面形状は、例えば、球面形状または放物面形状とすることが可能である。あるいは、上記のトレンチを、上面視形状が直線であるような形状に成形すると共に、導波路の、エアベアリング面から最も離れた端部にシリンドリカルレンズを形成するようにしてもよい。この場合には、シリンドリカルレンズの作用により、レーザダイオードからの出射光を導波路に集束させることができる。本発明によれば、プラズモン放射による、記録媒体の極めて局地的な加熱を可能とする熱アシスト磁気記録促進構造において、レーザダイオードから導波路に至る導光系に一体型集束素子集光レンズや凹面ミラーを導入するようにしたので、レーザダイオードの発散レーザ光を補償し、これにより導光系と導波路との間の結合効率を改善することができる。以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下に説明する各実施の形態は、それぞれ、レーザ光を導波路に結合させるための異なる方法を提供するものであるが、それらに共通する主要な特徴は、熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、レーザダイオードから導波路に至る導光系に一体型集束素子を導入することにより、レーザダイオードの発散レーザ光を補償し、これにより導光系と導波路との間の結合効率を改善することにある。図2は、本発明の第1の実施の形態に係るTAMRヘッドの要部構造を表すものである。図2において、aは上面視した状態を模式的に示し、bは、aの2b-2b線に沿った断面構造を示す。dは、aの2d-2d線に沿った断面構造を示し、cは、aをエアベアリング面から見た図である。このTAMRヘッドは、テーパ部25第1の部分と湾曲部24湾曲部分と直線部21第2の部分とを含む導波路3第1の導波路と、テーパ部25の一端第1の端部に形成された一体型集束レンズ23と、スライダのキャビティの内部に設けられたエッジ放射レーザダイオード22とを有する導光系を備えている。直線部21は、湾曲部24との接続部からABSまで延びており、主磁極に近接した領域例えば、主磁極から500nm以内の領域のABSにおいて終端している第2の端部。一体型集束レンズ23は、導波路3のテーパ部25とともに、エッジ放射レーザダイオード22の結合効率および取り付け公差を改善するように機能する。一体型集束レンズ23とテーパ部25とは、いずれも、エッジ放射レーザダイオード22の波面と位相整合するように構成されている。一体型集束レンズ23およびテーパ部25は、製造工程がまだウェハレベル段階にあるときに、導波路の形成と同時に容易に形成される。一体型集束レンズ23は、選択された構成に応じて、レーザ光を集束し、またはコリメートするようになっている。図3は第2の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録促進構造の要部を表すものであり、発散レーザ光を集束させ、またはコリメートするための方法を示している。図3のaは上面視した状態を模式的に示し、bは、aの3b-3b線に沿った断面構造を示す。本実施の形態では、湾曲した曲面ミラー31がレーザ光路に挿入されている。この曲面ミラー31は、レーザ光を導波路の入射部に最も良好に導いて集束させるように、例えば、球面形状または放物面形状を有している。この手法を用いた場合、図2aに示したような、レーザ光の方向を変化させるための湾曲した導波路を設ける必要がなくなる。後述するように、曲面ミラー31は、ウェハプロセスの一部として、スライダの内部に容易に形成することができる。その他の構成は第1の実施の形態と同様である。図4は第3の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録促進構造の要部を表すものであり、平面ミラー41をレンズ43と組み合わせて用いるケースを示している。図4のaは上面視した状態を模式的に示し、bは、aの4b-4b線に沿った断面構造を示す。本実施の形態では、平面ミラー41がレーザ光の方向を変化させるように機能する。レンズ43は、レーザ光を最も効率良く導波路2に結合させるべく、このレーザ光を集束し、またはコリメートするようになっている。その他の構成は第2の実施の形態と同様である。以上のような3つの実施の形態では、いずれも、スライダのキャビティの入射部からエッジ放射レーザダイオード22へと後方反射するレーザ光による影響を低減することが必要となる場合がある。このような後方反射レーザ光がエッジ放射レーザダイオード22へと戻ってくると、エッジ放射レーザダイオード22の安定性に悪影響を及ぼし、レーザ光の出力を変動させてしまう可能性があるが、その解決方法の詳細については後述する。次に、各実施の形態の製造方法について説明する。なお、以下参照する図5~図14において、aは上面図であり、bは断面図である。はじめに、図5を参照して第1の実施の形態の製造方法を説明する。まず、AlTiCよりなる基板53の上に、400nmないし2000nmの厚さを有する下部クラッド層52例えば、Al2O3を成膜する。AlTiCを基板53として選択した理由は、その機械的特性にある。ただし、下部クラッド層52には、例えば、SiO2,SiON,MgO,およびMgF2などの材料を用いてもよい。つぎに、下部クラッド層52の上に、100nmないし800nmの厚さを有するコア導波路層51例えば、Ta2O5を成膜する。Ta2O5を選択した理由は、その比較的高い誘電率にある。ただし、TiO2,Si,SiON,ZnO,BN,ZnS,ダイアモンド,Ta,およびAlNなどの類似の材料も、本発明の基本的な動作原理に対して悪影響を及ぼさずに用いることができる。つぎに、図6aおよびbに示すように、一般的なフォトリソグラフィ法を用いてコア導波路層51をパターニングすることにより、直線部21、湾曲導波路62湾曲部24およびテーパ部25からなる導波路3第1の導波路を形成すると共に、その前端部第1の端部にシリンドリカルレンズ61を一体形成する。湾曲導波路62は、導波路3においてレーザ光が進む方向を、このレーザ光が導波路3の後端部第2の端部に達する前に、約90度の角度だけ変化させるように機能する。シリンドリカルレンズ61は、1μmないし50μmの曲率半径を有し、これにより、その焦点距離は0.5μmないし25μmとなっている。但し、シリンドリカルレンズ61の曲率半径を2μmないし75μm、焦点距離を1μmないし35μm程度にしてもよい。つぎに、図7aおよびbに示すように、上部クラッド層71例えば、Al2O3、ただしこれには限定されず、SiO2,SiON,MgO,およびMgF2等でもよい。を成膜したのち、図8に示したように、AlTiCよりなる基板53の層に至るまでエッチングを行うことにより、キャビティ81を形成する。そして、このキャビティ81内部に、出射端面をシリンドリカルレンズ61の方向に向けて、エッジ放射レーザダイオード22を配置する。以上により、第1の実施の形態の製造工程の要部が完了する。図8aに示したように、キャビティ81は、シリンドリカルレンズ61に近接した位置から延びている。具体的には、例えば、シリンドリカルレンズ61の表面から10μm以内の位置にキャビティ81の壁部が位置するように設計するのが好ましい。このキャビティ81は、例えば、長さが100μmないし600μmより好ましくは250μmないし350μm、幅が50μmないし150μmより好ましくは80μmないし120μm、深さが10μmないし50μm程度に形成される。なお、図8cに示すように、シリンドリカルレンズ61の湾曲表面をキャビティ81の内部に露出させ、この湾曲表面がキャビティ81のシリンドリカルレンズ61に対向する表面の一部をなすようにすることもできる。上記第2の実施の形態の場合、図9aおよびbに示すように、導波路31に続く経路には湾曲部材が挿入されておらず、その端部にもレンズは設けられていない。導波路31は、例えばABSから10μm~100μmの距離の位置まで延びるように形成される。この実施の形態では、図10aおよびbに示すように、リフトオフマスクを用いて、基板53の層に至るまでエッチングを行うまたは、そこから数μm程度深いところまでオーバーエッチングを行うことにより、トレンチ101を形成する。リフトオフマスクは、現時点ではその場に残存される。トレンチ101は、上面視図10aではC字状の形状を有し、キャビティ81の壁部に対して平均して45°の角度をなすような方向に向けて形成する。そして、反射性材料を用いてトレンチ101の側壁をコーティングすることにより、図3aに当初示したように、トレンチ101の側壁を、エッジ放射レーザダイオード22からの発散光を導波路2へと集束させるための球面形状または放物面形状の凹面ミラーとして機能させることができる。この後、図11に示したように、基板53の層に至るまでエッチングを行うことにより、キャビティ81を形成する。第3の実施の形態の製造方法は、上記第2の実施の形態と同様に開始される図9。したがって、導波経路には湾曲部材は設けられていない。ただし、この実施の形態では、図12aに示すように、導波路のテーパ部25の端部にレンズ12243が一体に形成される。また、図12aに示すように、リフトオフマスクを用いて、基板53の層に至るまでエッチングを行うことにより、トレンチ121が形成されている。リフトオフマスクは、現時点ではその場に残存される。このトレンチ121は、上面視図12aでは矩形状となっている。このトレンチ121を、キャビティ81の壁部に対して45°の角度をなすような方向に向けて形成する。そして、反射性材料を用いてトレンチ121の側壁をコーティングすることにより、図4aに当初示したように、トレンチ121の側壁を、エッジ放射レーザダイオード22からの発散光をレンズ122を介して導波路のテーパ部25へと導くための平面ミラーとして機能させることができる。この後、図13に示したように、基板53の層に至るまでエッチングを行うことにより、キャビティ81を形成する。第2および第3の実施の形態では、凹面ミラーおよび平面ミラーを以下のようにして形成する。図11および図13において、金Au,アルミニウムAl,銀Ag,および銅Cuなどの適切な反射性材料、またはこれらの材料の任意の合金を用いて、トレンチ101または121の、エッジ放射レーザダイオード22に最も近い内壁面をコーティングする。この工程は、成膜時において、コーティング対象面および蒸発源の少なくとも一方を傾斜させて両者を互いに傾斜させることにより、容易に行うことができる。あるいは、例えば、約104[Torr]≒133×104[Pa]を上回る圧力下でのスパッタ成膜プロセスにより、トレンチ101または121のすべての壁部をコーティングするようにしてもよい。トレンチ101または121の内部を少なくとも100nmの厚さで覆ったのち、成膜工程を終了させ、フォトレジストを通常の方法を用いてリフトオフする。上述したように、スライダのキャビティ81の壁部においてエッジ放射レーザダイオード22へと後方反射する光は、エッジ放射レーザダイオード22の安定性に悪影響を及ぼし、レーザ光の出力を変動させてしまう可能性がある点で、問題を生じる場合があるが、この問題は次の2つの方法により解決可能である。i図16aに示すように、エッジ放射レーザダイオード22を、キャビティ81の壁部に対して角度α5°ないし25°程度だけ傾けて配置する。iiスライダのキャビティ81の、エッジ放射レーザダイオード22の出射端部に対向する壁部を、角度α5°ないし25°程度だけ傾ける。図14は、第4の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録促進構造の要部を表すものである。本実施の形態の基本的な構成は上記第1の実施の形態と同様であるが、導波路の末端部に位置するレンズ141が第1の実施の形態の一体型集束レンズ23よりも緩やかな曲線を描いている点、および第2のレンズ142を備えている点で異なっている。レンズ141は、例えば、2μmないし75μmの曲率半径を有し、これにより、その焦点距離は1μmないし35μmとなっている。本実施の形態では、図14aおよびbに示すように、レンズ141と、光路に挿入した第2のレンズ142とが協働して、エッジ放射レーザダイオード22からの光を導波路に集束させるようにしている。第2のレンズ142は、例えば、2μmないし75μmの曲率半径を有し、これにより、その焦点距離は1μmないし35μmとなっている。第2のレンズ142は、スライダのキャビティ81の内壁に当接するように設けられている。この構成を用いた場合、以下の利点がある。i光学的配置に優れ、公差が改善されるとともに、柔軟性が高い。ii第2のレンズ142の平面側をエッジ放射レーザダイオード22の発散レーザ光に対向させるとともに、レンズの曲率を緩やかにすることにより、導光系における球面収差の量を減少させることができる。図14は、第5の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録促進構造の要部を表すものである。本実施の形態の基本的な構成は、上記第1の実施の形態と同様であるが、第1の誘電体層151の上に、第2の誘電体層152例えば、Ta2O5または類似の誘電材料を成膜したのち、第2の誘電体層152を図15aに示すような三角形状にパターニングする点で異なっている。第2の誘電体層152は導波路の厚さを増加させるように機能し、その結果、エッジ放射レーザダイオード22の垂直方向におけるモードに対する整合性が改善する。第2の誘電体層152が有する三角形状には、この第2の誘電体層152からの光を下方の第1の誘電体層151に導くという働きがある。三角形の第2の誘電体層152を、その三角形の頂点がエッジ放射レーザダイオード22の光源から離れる方向を向くように配置する。これにより、第2の誘電体層152に入り込んだ光子は、この三角形状の頂点に達するにつれて集中する。これにより、この光子が下方に移動し、第2の誘電体層152との界面を介して第1の誘電体層151に入り込む。このようにして、光の一部が下方に導かれることにより、従来の光学三次元集束における態様と同様の態様で振る舞う。[差異と利点]本発明の上記実施の形態と従来技術との主要な差異として、例えば、以下の事項が挙げられる。1.レーザダイオードを設けた場合であっても、スライダの底面積に大幅な変更が生じない。2.改善された集束手段が導光系と一体化される。以上説明した提案の利点として、例えば、以下の事項が挙げられる。1.外部部品の部品点数が減少する。2.スライダの高さが変わらない上、ハードディスクドライブのディスク間距離を損なわずに、簡易なサスペンションを用いることができる。3.レーザダイオードを、ウェハレベル、バーレベル、またはスライダレベルの時点で取り付けることができるため、低コストによる大量生産が促進され、これにより試作品製造の利便性に寄与し、または製造スループットが向上する。4.衝撃に対するロバスト性が改善される。5.レーザダイオードと導波路との間の結合効率が改善される。6.導波路に対するレーザダイオードの位置合わせが容易となる。7.優れた加熱手段がスライダに備わる。"