"外径が400mmよりも大きく内径が300mmよりも大きい透明合成ガラス状シリカガラスの中空インゴットであって、前記インゴットは、直径が100μmよりも大きいバブルまたはインクルージョンを実質的に含まず、100ppb以下の任意の個別の金属不純物を有し、かつ、5ppm未満の塩素濃度を有する、中空インゴット。直径が10μmよりも大きいバブルまたはインクルージョンを実質的に含まない、請求項1に記載の中空インゴット。10ppb以下の任意の個別の金属不純物を含む、請求項1に記載の中空インゴット。直径が10μmよりも大きいバブルまたはインクルージョンを実質的に含まず、10ppb以下の任意の個別の金属不純物を含む、請求項1に記載の中空インゴット。内径に対する外径の比率は、1.33以下である、請求項1~4のいずれか1項に記載の中空インゴット。50ppm未満のOH含有率を有する、請求項1~5のいずれか1項に記載の中空インゴット。20ppm未満のOH含有率を有する、請求項6に記載の中空インゴット。1ppm未満の塩素濃度を有する、請求項1~7のいずれか1項に記載の中空インゴット。フッ素を実質的に含まない、請求項1~8のいずれか1項に記載の中空インゴット。1200°Cを超える徐冷点粘度が1013ポアズを有する、請求項1~9のいずれか1項に記載の中空インゴット。1100°C未満の仮想温度を有する、請求項1~10のいずれか1項に記載の中空インゴット。前記ガラスは、アルミニウムおよび/または1種もしくは2種以上の希土類金属でドープされている、請求項1~11のいずれか1項に記載の中空インゴット。前記ガラスは、炭素または窒素またはその両方でドープされている、請求項1~12のいずれか1項に記載の中空インゴット。塩素を含まないシリカ前駆物質からの化学的蒸気堆積で、300mmよりも大きい内径および400mmよりも大きい外径を、脱水および焼結後にインゴットに付与し、最小のくずを伴って300mmよりも大きい内径および400mmよりも大きい外径の最終製品を生み出すように選択される寸法の多孔質スート体を形成することによって作製された、請求項1~13のいずれか1項に記載の中空インゴット。前記塩素を含まないシリカ前駆物質は、蒸気の形態で合成火炎に運ばれる、請求項14に記載の中空インゴット。前記塩素を含まないシリカ前駆物質は、霧化された液滴の噴霧の形態で合成火炎に運ばれる、請求項14に記載の中空インゴット。前記塩素を含まない前駆物質は、シロキサンまたは2種もしくは3種以上のシロキサンの混合物である、請求項14~16のいずれか1項に記載の中空インゴット。前記塩素を含まない前駆物質は、アルコキシシランである、請求項14~16のいずれか1項に記載の中空インゴット。前記シロキサンは、ヘキサメチルジシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサンまたはそれらの2種もしくは3種以上の混合物である、請求項17に記載の中空インゴット。請求項1~19のいずれか1項に記載のインゴットに由来する、透明合成ガラス状シリカガラスの、半導体ジグでの使用に好適な環状インゴットまたはリング。請求項1~19のいずれか1項に記載の中空インゴットを製造する方法であって、前記方法は、密度が0.4g/cm3よりも大きい多孔質スート体を耐酸化回転軸に堆積させる工程、真空下または還元ガスが存在する中のいずれかで、グラファイト、炭素繊維強化炭素CFRC、シリコンカーバイド、シリコン含浸シリコンカーバイド、シリコンカーバイトでコーティングされたグラファイトまたはガラス状シリカを含む回転軸上で前記スート体を脱水する工程、および真空下またはヘリウムの雰囲気の中で、気孔のない透明なガラスに前記脱水したスート体を焼結する工程を含む、方法。外径が400mmよりも大きく、内径が300mmよりも大きい透明合成ガラス状シリカガラスの中空インゴットを製造する方法であって、前記方法は、1つもしくは2つ以上の合成バーナーの火炎にシリカ前駆物質を供給する工程、密度が0.4g/cm3よりも大きい多孔質スート体を、少なくとも300mmの直径の耐酸化回転軸に堆積させる工程、真空下または還元ガスが存在する中のいずれかで、グラファイト、炭素繊維強化炭素CFRC、シリコンカーバイド、シリコン含浸シリコンカーバイド、シリコンカーバイトでコーティングされたグラファイトまたはガラス状シリカを含む回転軸上で前記スート体を脱水する工程、および真空下またはヘリウムの雰囲気の中で、気孔のない透明なガラスに前記脱水したスート体を焼結する工程を含む、方法。前記耐酸化回転軸および前記脱水工程の間に使用される回転軸は分離され、前記方法は、堆積の後、脱水の前に、前記耐酸化回転軸を除去し、それを前記回転軸で置き換える工程をさらに含み、前記回転軸で前記脱水および焼結を行う、請求項21または22に記載の方法。前記耐酸化回転軸および前記脱水工程の間に使用される回転軸は同じであり、前記耐酸化回転軸は、スート堆積の後、除去されず、保持され、その後の脱水および焼結プロセスの間、前記スート体を支持するために使用される、請求項21または22に記載の方法。二次リフロープロセスを必要とせずに請求項1に記載の寸法を達成する、請求項21~24のいずれか1項に記載の方法。焼結の前に、還元雰囲気の中で前記スート体を熱処理する工程を含む、請求項21~25のいずれか1項に記載の方法。前記還元雰囲気は、水素、一酸化炭素、アンモニア、窒素、炭化水素ガスまたは有機もしくはオルガノシリコン蒸気、またはそれらの2種もしくは3種以上の混合物を含む、請求項26に記載の方法。前記オルガノシリコン蒸気は、シロキサンまたはシラザンを含む、請求項27に記載の方法。前記焼結体を徐冷し、1100°C未満の仮想温度を達成する工程をさらに含む、請求項21~28のいずれか1項に記載の方法。アルミニウムおよび/または1種もしくは2種以上の希土類金属を前記合成シリカガラスにドーピングする工程をさらに含む、請求項21~29のいずれか1項に記載の方法。前記シリカ前駆物質およびドーパント塩の水性溶液は、前記シリカ前駆物質の液滴の中に分散した水性相のミクロ液滴のエマルションを含む液滴の噴霧として、好適な合成バーナーの火炎に供給される、請求項30に記載の方法。焼結の前に、前記スート体は、アルミニウムおよび/または1種もしくは2種以上の希土類金属の1種もしくは2種以上の塩の溶液の中の浸漬によってドープされる、請求項30に記載の方法。合成ガラス状シリカ材料のくずを最小にしながら、半導体ジグまたは他の物における使用のための環状インゴットもしくはリングへ前記中空インゴットを機械加工する工程をさらに含む、請求項21~32のいずれか1項に記載の方法。焼結後の前記中空インゴット製品が、請求項1および5に記載の適切な内径および外径を有し、二次リフロープロセスを必要とせずに機械加工のロスによる合成ガラス状シリカ材料のくずを最小にして要求される製品を生み出すように、焼結のために使用される前記回転軸の直径および堆積プロセスの継続時間が両方とも選択される、請求項21~33のいずれか1項に記載の方法。本発明の目的は、プラズマエッチングまたは同様な環境の中での半導体製造における使用に好適な合成ガラス状シリカ部品を提供することである。その部品は、好ましくは金属もしくは非金属ドーパントをドーピングする既存の方法の欠点を避けながら、高い粘度と関連するであろう高い耐エッチング性を示す能力によって、非常に高い化学的純度によって、粒子もしくはホコリを放出するミクロバブルおよびインクルージョンならびに他の原因が実質的にないことによって優れている。要求される特性のためには、ガラスが最小の濃度のヒドロキシ基と最小の濃度の、好ましくはゼロの濃度の塩素およびフッ素を含むことが必要である。上記部品が、効率的にかつ高い原料歩留まりで、許容される経済的コストで、および最小の工程数を備えた単純なプロセスによって作製されることをさらに目的とする。本発明のとくに好ましい目的である部品は、すべて、環状、すなわち、リング形状であり、大きな直径の中空のインゴットを薄く切断して環状の切片にすることによって作製される。過去においてこれは不可能であったが、効率的な製造には、適切な内径および外形を有する中空のインゴットが作製されること、すなわち、中空インゴットが中空スート体として形成されることが必要である。焼結後、それは、ニアネットシェイプnearnetshapeであり、要求される環状部品の最終的な寸法を達成するために除去するガラスの量を最小にすることを可能にする。本発明の部品は、少なくとも300mmの内径と少なくとも400mmの外形とを有する。ニアネットシェイプである中間未加工品の製造は、使用されるガラスの歩留まりを最大にすることおよび販売に適した中空の未加工品または要求される寸法の最終の環状半導体ジグにインゴットを変えるときに堆積されるガラスの損失量が非常に少ないことを意味する。ガラスの製造の後、要求される寸法の製品を達成するために追加の高温のリフロープロセスreflowprocessが必要でないという点でさらに有利である。多孔質シリカスート体が、好適な密度で耐酸化回転軸に堆積され、その後、その回転軸は、除去され、グラファイトまたは別の材料の二次回転軸によって置き換えられ、その二次回転軸でそのスート体は、真空下もしくは還元ガスの存在下のいずれかで脱水され、そして、そのスート体は、その後、再び真空下で、もしくは所望によりヘリウムなどの不活性ガスの存在下で焼結されるところのプロセスによって、これらの目的は達成され得ることを見出した。炉内の実際のガス圧は、加熱速度およびスート体の脱ガスにより変動するかもしれないが、本文脈では、真空は、100Pa0.75トルtorr未満のガス圧を一般に意味する。この手段で、必要な寸法の透明合成ガラス状シリカガラスの中空のインゴットを達成できる。そのインゴットは、直径が100μmよりも大きなバブルもしくはインクルージョンを実質的に含まず、好ましくは直径が10μmよりも大きなバブルもしくはインクルージョンを実質的に含まない。そのインゴットは、100ppbpartsperbillion以下の任意のそれぞれの金属不純物を有し、好ましくは10ppb以下の任意のそれぞれの金属不純物を有し、5ppmpartspermillionよりも小さい塩素濃度を有する。本明細書では、ppbもしくはppmとして表される濃度は、それぞれ、質量によるppbもしくはppmを示すと理解されるべきである。本発明の主な使用の一つは、半導体ジグの製造における使用である。本文脈では、バブルもしくはインクルージョンを実施的に含まないの表現により我々が言おうとしていることは、インゴットが、十分に小さな数の上記特徴を有すること、1つもしくは2つ以上の好ましくは多くの半導体ジグがそのインゴットから機械加工され、その結果、そのように形成されたそれぞれの半導体ジグが、直径が100μmよりも大きい上記バブルもしくはインクルージョンを、好ましくは直径が10μmよりも大きい上記バブルもしくはインクルージョンを有さないことである。したがって、最良のケースでは、インゴットそれ自体は、直径が100μmよりも大きいバブルもしくはインクルージョンを全く含まないことができ、さらに、直径が10μmよりも大きいバブルもしくはインクルージョンを全く含まないことができる。また、バブルもしくはインクルージョンが非常にまばらであるため、材料の過度のくずを出すことなく、そのような特徴を全く含まない個々のジグをインゴットから機械加工できる場合、インゴットでは、少ない数のそのような特徴は許容されるであろう。グラファイトは二次回転軸に好ましい材料であるが、特定の実施形態では、この回転軸は別の材料から作製されてもよい。その材料には、炭素繊維強化炭素CFRC、シリコンカーバイドおよびシリコン含浸シリコンカーバイドがある。また、いくつかの実施形態では、スートの堆積のために使用される耐酸化回転軸は、焼結用の回転軸として役に立つことができる。この場合、堆積後、脱水および焼結の前に、二次回転軸にスート体を移動させる必要がない。スート堆積のための基材としてのガラス状シリカ石英ガラスの薄い有壁チューブthinwalledtubeそのチューブは、所望により耐火性の取付台の上に支持される。取付台は、たとえばグラファイト、シリコンカーバイドなどで作製される。の使用は、特別なケースである。それによって、シリカ基材チューブに取り付けられながら、シリカスート体は脱水および焼結されてもよい。シリカ基材チューブは中空のインゴット製品の中に取り込まれる。シリカ基材チューブはその製品の一部として残っていてもよく、その後、機械加工またはエッチングプロセスにより除去されてもよい。したがって、本発明は、一態様では、400mmよりも大きな外径および300mmよりも大きな内径の透明合成ガラス状シリカガラス中空のインゴットを提供する。そのインゴットは、直径が100μmよりも大きなバブルもしくはインクルージョンを実質的に含まず、100ppb以下の任意の個別の金属不純物を含み、5ppmよりも小さな塩素濃度を有する。本発明は、追加の態様では、外径が400mmよりも大きく、内径が300mmよりも大きい透明合成ガラス状シリカガラスの中空のインゴット、またはそれから作製された半導体ジグを提供する。そのインゴットまたはそれから作製された半導体ジグは、直径が10μmよりも大きなバブルもしくはインクルージョンを実質的に含まず、10ppb以下の任意の個々の金属不純物を含み、5ppmよりも小さな塩素濃度を有する。多くのケースでは、それに限定されないが、内径に対する外径の比率は、1.33未満である。したがって、本発明は、半導体ジグのためのリングなどの大きな環状の製品の作製にとくに好適である。ここで、所望の最終製品の形状および寸法に可能な限り近い形状および寸法の合成シリカガラスの製品を作り出すその能力はとくに有利である。とくに、本発明は、最終的な形状への必要な機械加工に起因する合成シリカ材料のくずを最小にして、および二次リフロープロセスを必要とせず、そのような製品を製造することを可能にする。別の態様では、本発明は、所望のタイプの中空インゴットを製造するためのプロセスを提供する。そのプロセスは、0.4g/cm3よりも大きな密度の多孔質スート体を耐酸化回転軸に堆積させる工程、真空下もしくは還元ガスの存在下のいずれかで、グラファイト、炭素繊維強化炭素CFRC、シリコンカーバイド、シリコン含浸シリコンカーバイド、シリコンカーバイトでコーティングされたグラファイトまたはガラス状シリカを含む回転軸上のそのスート体を脱水させる工程、および、上記回転軸に支持されながら、真空下もしくはヘリウム雰囲気中で、脱水されたスート体を透明な気孔のないガラスに焼結させる工程を含む。別の態様では、本発明は、外径が400mmよりも大きく、内径が300mmよりも大きい透明合成ガラス状シリカガラスの中空のインゴットを製造するためのプロセスを提供する。そのプロセスは、1つもしくは2つ以上の合成バーナーの火炎にシリカ前駆物質を供給する工程、多孔質スート体を堆積させる工程、0.4g/cm3よりも大きな密度の多孔質スート体を、直径が少なくとも300mmである耐酸化回転軸に堆積させる工程、真空下もしくは還元ガスの存在下のいずれかで、グラファイト、炭素繊維強化炭素CFRC、シリコンカーバイド、シリコン含浸シリコンカーバイド、シリコンカーバイトでコーティングされたグラファイトまたはガラス状シリカを含む回転軸上のそのスート体を脱水させる工程、および、上記回転軸に支持されながら、真空下もしくはヘリウム雰囲気中で、脱水されたスート体を、気孔を含まない透明なガラスに焼結させる工程を含む。いくつかのケースでは、堆積工程の後、耐酸化回転軸を除去してそれを異なる回転軸に置き換え、その回転軸の上で脱水工程を実行することが都合のよいことであろう。あるいは、耐酸化回転軸ならびに脱水および焼結の工程の間に使用される回転軸は同じであってもよい。その場合、スートの堆積の後、耐酸化回転軸は除去されず、耐酸化回転軸は、維持され、次の脱水および焼結のプロセスの間、スート体を支持するために使用される。概して、本発明により製造されたインゴットは、50ppm未満の、ときにはさらに20ppm以下のOH含有率を有する。また、そのインゴットは、概して、フッ素、塩素もしくは他のハロゲン不純物を実質的に含まない。たとえば、そのインゴットは5ppmよりも小さな、より好ましくは1ppmよりも小さな塩素含有率を有する。とくに興味を持たせる実施形態では、徐冷点粘度が1013ポアズが1200°Cよりも高く、さらに、仮想温度fictivetemperatureが1100°C未満でもよい。本発明によるインゴットはドープされてもよい。たとえば、アルミニウムを使用して、および/または1種もしくは2種以上の希土類金属を使用してドーピングを実施してもよい。たとえば、所望の金属の好適な塩たとえば酸化物を使用してドーピングを成し遂げてもよい。いくつかの実施形態では、本方法は、シリカ前駆物質の液滴中に分散した水性相のミクロ液滴のエマルションを含む液滴を噴霧して、ドーパント塩の水溶液を、好適な合成バーナーの火炎に供給することを含む。他の実施形態では、多孔質スート体は、アルミニウムおよび/または1種もしくは2種以上の希土類金属の1種もしくは2種以上の塩の溶液の中に浸され、その後、乾燥され、気孔を含まないガラスに焼結されてもよい。あるいは、炭素もしくは窒素または両方をガラスにドープしてもよい。任意の好適な好ましくは塩素を含まないシリカ前駆物質を使用してもよい。とくに本発明における使用のための適切な前駆物質はシロキサンである。好都合なことにヘキサメチルジシロキサンHMDS、オクタメチルシクロテトラシロキサンOMCTS、デカメチルシクロペンタシロキサンDMCPSまたはそれらの2種もしくは3種以上の混合物を使用してもよい。所望によりキャリアガスの存在している中、蒸気の形態の、またはその代わりに、霧状にされた液体の霧の状態の上記前駆物質をバーナーの合成火炎に届けてもよい。ここで、液滴は、ガス噴霧化、超音波噴霧化などの従来の方法で、作り出される。焼結の前、スート体は、概して準大気圧で、所望により不活性ガスで薄められた反応性雰囲気中で、たとえば還元雰囲気、たとえば水素、一酸化炭素、アンモニア、窒素、炭化水素ガスまたは有機もしくはオルガノシリコン蒸気たとえば、シロキサンまたはシラザンを含む蒸気、またはそれらのガスの1種もしくは2種以上の混合物を含む雰囲気の中で熱処理を受けてもよい。たとえば、真空下で、もしくはヘリウムを含む雰囲気中で焼結工程を実施してもよい。本発明による方法では、気孔のないガラスに焼結されたとき、製品が、要求される中空インゴットまたはその環状製品の内径および外径とほぼ同じである内径および外径を有するように、高純度シリカスートは、要求される環状製品の内径に対応して選択された、直径が少なくとも300mmである好適な耐酸化回転軸に、外側の蒸気堆積によって、たとえば堆積され、規定の外径の多孔質シリカスート体を形成してもよい。その後、スート体は、要求される製品の直径よりも少し小さい直径の高純度グラファイト回転軸に移動されてもよい。そしてその後、その組立体は、脱水を可能とするために、概して1150~1350°Cの範囲の温度の真空加熱処理を受け、次いで、概して1450~1600°Cの範囲の温度で、気孔を含まないガラスに焼結されてもよい。上で述べられた様に、別の回転軸材料は可能であり、別の回転軸材料には、炭素繊維強化炭素CFRC、シリコンカーバイド、シリコン含浸シリコンカーバイドおよびガラス状シリカがある。適切に選択されたスート体の寸法、すなわち、そのように作製された中空のインゴットの最終的な内径および外径は、要求される最終製品の直径を達成するために必要な表面の機械加工が最小になるような内径および外径である。要求される低い仮想温度にガラスをもたらすために、制御された徐冷作業の後にこの熱処理が続いてもよい。真空焼結炉の中で、またはその代わりにこの目的のために設計された別個の徐冷オーブンの中でその徐冷を行ってもよい。一実施形態では、欧州特許出願公開第2,024,289号明細書に記載されているように、スート体の焼結の後、たとえばグラファイトで作製された、加熱された型の中にガラス化されたスート体を降ろすことによって、中空インゴットのニアネットシェイプがすぐに達成される。焼結後、要求される外径及び内径に、焼結したインゴットを機械加工し、販売のために、またはさらなるプロセスのために、適切な長さに薄く切断しもよい。次のプロセスは、半導体ウエハを加工するときに使用されるリング形状最終製品を提供するためのさらなる微細機械加工を含んでもよい。そのリングの仕上げは、研磨grinding、ラッピングlapping、火炎研磨flamepolishingなどによって行ってもよい。その仕上げは、適切な表面粗さを提供するための工程を含んでもよい。その工程には、サンドブラストsandblasting、酸エッチングまたは酸-塩基フロスティングfrostingがある。酸-塩基フロスティングは、たとえば、フッ化水素酸-フッ化アンモニウム溶液中で、形状がよくはっきりしたミクロ構造の擬結晶表面仕上げを提供する。ニアネットシェイプの、すなわち、内径が300mmよりも大きく、外径が400mmよりも大きなその比は1.33よりも大きい合成ガラス状シリカの中空インゴットに至らしめる要求される寸法の中空スート体の製造は、過去に示されておらず、新しいアプローチが必要である。要求される取扱い作業に必要な十分な強度を提供するためにはスート堆積が十分な密度を有することが不可欠である。一般にこのためには、少なくとも0.4g/cm3の、より一般的には0.6g/cm3程度の密度の多孔質スートを堆積させることが必要である。スート体のサイズは、プロセスに必要なエネルギーの要求をかなりのものにする。このエネルギーの入力は、燃料ガス、一般に水素、天然ガスメタン、プロパンなど、の形態で、またはシリカ前駆物質で実施されなければならない。この点で、本発明者は、過去において使用されてきた、より従来の四塩化ケイ素または塩素を含まないアルコキシシランたとえばメチルトリメトキシシラン、MTMSの代わりに、シロキサン化合物、好ましくは、オクタメチルシクロテトラシロキサンOMCTS、D4として知られているまたはデカメチルシクロペンタシロキサンDMCPS、D5として知られているまたはそれらの製品の混合物などの環式ポリメチルシロキサンを前駆物質として使用することによってかなりの有利な点を提供し得ることを見出した。環境保護に関して許容でき、経済的な、塩素を含まないガラスのためのプロセスを探しているとき、四塩化ケイ素は前駆物質として許容できないことを見出した。酸素との反応により、塩素および塩酸ガスなどの有害な副産物が作られる以下に示す反応を参照のみならず、燃焼の熱は小さいので、反応を促進させるために、および高密度スート堆積が確実に達成され得るようにするために、多くの追加の燃料ガスおよび酸素を供給する必要がある。温度が十分高い場合、2つの反応、酸化および加水分解は、酸化が優勢で、平行して起こるJRBautistaandRMAdamsJAerosolSci22667675参照。SiCl4O2→SiO22Cl2ΔΗr240kJmolSiCl42H2O2→SiO24HC1ΔΗr609kJmolこれらの反応を完全にさせるために、および必要なスート体密度を達成するために必要な、多くの燃料ガスの存在、および同等の流量の酸素は、火炎の乱流を大いに増加させ、シリカ蒸気化学種の濃度を減少させる。これにより、小さなサイズのシリカナノ粒子が生じ、収集効率を減少させる。また、残留ハロゲンを除去するためのさらなるプロセスの工程がない場合、焼結後、ガラス製品は、微量の塩素を含むであろう。また、塩素を含まないシリカ前駆物質を使用することによって、これらのハロゲン含有排ガスを回避してもよい。様々な理由で、シロキサン、とくにポリメチルシクロシロキサンが好ましい前駆物質である。したがって、たとえば、OMCTSを酸素と反応させて、火炎中にシリカナノ粒子を形成するようにしてもよい。これらは、縮合と凝集を続けることによって成長し、多孔質スート体として集まるようにしてもよい。以下の方程式に示すように、その反応は、エネルギーのかなりの放出を伴う。2SiO416O2→4SiO28CO212H2OΔΗR7669kJmolこのエネルギーは、粒子の成長および基材上へのその粒子の熱泳動堆積thermophoreticdepositionの両方を促進させる火炎の中心において有益である。また、高いエネルギー火炎は、補助燃焼ガスたとえば、水素、メタンなど流を増加させることを必要としないで、多孔質体の部分的焼結および高いスート密度の達成を促進させる。補助燃焼ガス流の増加は、乱流を増加させ、火炎中の粒子の密集を減少させ、したがって、堆積効率を減少させるのと同様に、プロセスのコストに加わる。また、OMCTSなどの環式ポリメチルシロキサンからのシリカの高い収率を示すことは興味深い。酸化のとき、1kgのOMCTSは、0.81kgのシリカならびに比較的小さな容積の二酸化炭素および水蒸気を生み出す。一方、1kgの四塩化ケイ素は、大きな容積の酸性排ガスと一緒に、たった0.35kgのシリカしか生み出さない。その酸性排ガスは、火炎を薄め、潜在的収集効率をさらに減少させる。標準的な環状半導体ジグの製造のために半導体石英二次加工業者に必要な未加工品の典型的なサイズは、外径が420mmであり、内径が353mmである。ユーザーによって必要とされる正確な寸法への石英二次加工業者による最終機械加工のために、これは、石英製造業者によって円筒として、または環状の薄片として供給される。今まで、これらの溶融天然石英の円筒は、中実のインゴットから穴を開けることによって結果として使用されない材料のくずを伴って、特大のサイズの中空体として連続溶融炉から引き出すことによって、回転している炉のバッチ溶融によって、または、溶融石英の小さな中実体もしくは中空体からの困難なリフロープロセスreflowprocessによってのいずれかで供給されてきた。それらのプロセスのそれぞれは、不十分であり、コストのかかる製品を生み出し、その製品は、天然石英結晶源に固有のミクロバブルおよびインクルージョンを保持する。合成シリカ粉末から上記製品を製造することの試みると、非常にコストのかかる製品になった。そして、バブルおよびインクルージョンを全体的に含まないことを達成することは難しい。一方、蒸気堆積に基づく方法では、今までのところ、小さなインゴットができるだけであった。それを大きな直径の中空体に換えることは許容できないほどコストがかかるとはっきり示されていた。さらにこれらの製品は、微量な塩素もしくはヒドロキシによる不純物を一般に含んでいた。それらは両方ともガラスの粘度を減少させ、プラズマエッチング環境におけるエッチング速度を高める。また、前に述べたように、より大きな直径の中空製品を達成するためのリフローはグラファイト型を使用してきた。これらからの不純物の拡散により汚染された。そして、機械加工によって、酸エッチングによって、またはこれらの技術を組み合わせることによって、製品の外側の層を、その後除去する必要があった。本発明は、過去のプロセスおよび製品の欠陥を克服し、優れた耐プラズマエッチング性を有する高純度で欠陥を含まない製品に至る経済的に実現可能な道筋を提供する。実施例新しいプロセスの実施例は、今、記載されるであろう。それは、半導体ジグ、すなわち、外径が420mmであり、内径が353mmである中空のインゴットを製造するための標準的な未加工品の製造に好適な寸法のインゴットに適用できる。好適な堆積設備が図1に概略的に示される。これは、横型堆積旋盤を示す。これは、直径が350mmの、アルミナ、シリコンカーバイドなどの耐酸化耐熱性材料で作製された円筒状基材1を支持するために使用される。その旋盤は、石英ガラスで作製された15個の同軸バーナー2の線形アレイを備える。同軸バーナー2は、100mmの距離だけその隣のものから、それぞれ離されている。キャリアガスとしての窒素の中で、これらのバーナーにOMCTS蒸気が供給され、水素流によって囲まれる。それは、酸素流で再び囲まれる。これらのバーナーの火炎は、回転している基材に向けられる。200mmの振幅を有する軸方向の振動をもたらす原因となる。あるいは、回転する基材がどう様な方法で振動させられるように配置することも可能である。スート体は積もるにしたがって、水素および酸素が供給される端のバーナー3は、スート体の先細の端に向けられる。これにより、端の領域のスートの緻密化が起こり、クラックがスート体の端から伝播する危険性を最小にする。また、スート体がサイズの点で成長したとき、回転軸を上昇させることによって、またはバーナーアセンブリを下降させることによって、バーナーアレイとスート体4との間の距離を、およそ150mmの一定の値で維持される。同様の実験からのスートの分析では、選択された堆積条件は0.6g/cm3の平均密度を生じさせることが示された。シリカスートの堆積は、21時間の間、維持された。その間、スートは、566mmの直径に堆積した。ニアネットシェイプを達成することが本方法の目的である。堆積プロセスの継続時間は、適切な量のシリカスートが確実に堆積されるように調整される。これは、ロードセル5を使用したオンラインの質量測定を用意することによって助けられる。その結果、同様にビデオカメラまたは好適なレーザーゲージlasergaugeを使用してスート体の直径をモニタリングして、堆積されたシリカスートの質量をモニタリングして、また密度をモニタリングすることができる。堆積プロセスが完了したとき、スート体を冷却し、そして、回転軸を除去し、焼結後の中空インゴットにおける要求される内径を生み出すように選択された直径が347mmである高純度グラファイト回転軸灰分、10ppm未満に置き換える。そのアセンブリは、真空炉の中に載置され、グラファイト加熱要素で抵抗加熱される。その炉は、0.5トルtorr67Pa未満の圧力に真空引きされ、窒素で元の圧力に戻される。圧力は0.5トル67Pa未満に再び減少され、温度が1100°Cまで上げられる。そして、スート体が脱水するにまかせる。1100°Cで6時間後、温度を1200°Cまで上昇させ、さらに12時間保持される。その後、温度は、1500°Cまで段々に上昇され、気孔を含まないガラスへの焼結がもたらされる。その後、炉は冷却される。使用された条件下で、焼結のときのスート体の軸方向の収縮はおよそ10である。そのようにして作り出されたガラス円筒の最終的な外径および内径は、それそれ、およそ425mmと348mmである。材料のほんの少ないロスで、必要な未加工品420×353mmへの機械加工が可能になる。操作パラメーターを精査することによって、さらによりマッチした寸法を達成できることが予測される。したがって、焼結のために使用される回転軸の直径および堆積プロセルの継続時間の適切な選択によって、焼結後の中空インゴット製品が確実に適切な内径および外径を有し、その結果、最小の機械加工のロスで要求される製品寸法が確実に生み出され、これにより、ニアネットシェイプの中空インゴット製品が、記載されたプロセスの組み合わせによって確実に達成されることが可能であることは明かである。増加したガラスの粘度および耐エッチング性の点から低い仮想温度を達成することは有益であるように見える。そして、これは、1200°Cから950°Cまでの温度範囲にわたって、制御しながらゆっくりと冷却することによって成し遂げられる。これは、真空焼結能力の対応するロスを有する上記真空炉の中で、またはその代わりに別個の徐冷オーブンの中で達成され得る。達成される最終的な仮想温度は、冷却速度と徐冷作業の継続時間とによって決まる。CPfleidererらによって記載されているようにJNonCrystSolids159145153、ガラスの試料の仮想温度は、606cm1の波長におけるレーザーラマン散乱の強度によって測定され得る。1100°C未満、好ましくは1075°C未満の仮想温度を達成することが有益であること、しかし、この高い粘度のガラスの場合、これには、数日間続く冷却サイクルが必要であることが示されている。徐冷の後、グラファイト回転軸は取り除かれる。そして、試料は、化学分析へ持ち込まれ、OHおよび仮想温度が測定される。10ppb検出の限度よりも大きな濃度の潜在的不純物金属の一般的な分析では何も示されない。そして、予測されてように、その材料は実質的に塩素を含んでいない。原子核活性化nuclearactivationによる塩素の分析では、Cl<380ppb検出の限度が示された。同様に、ガラスは、実質的にフッ素を含まないことが予測される。ASTMC59893に記載されているように、ビーム曲げ法bendingbeammethodによって試料60×4×3mmのサイズの粘度を測定してもよい。徐冷点粘度1013ポアズは、一般に1200°Cよりも高いことがわかる。OHの含有率は、DMDoddらの方法OpticaldeterminationsofOHinfusedsilicaJApplPhysicsp3911によるIR吸収を測定することによって測定され、概して、10~20ppmの範囲内である。適切な徐冷のスケジュールにより仮想温度を1050~1100°Cに減少させることができる。この方法で作製された製品の粘度は驚くほど高い。しかし、他のガラスの粘度の範囲を調べると、それは傾向に合うことがわかった。図2は、直接堆積によって、ならびにスートおよび焼結法によってOMCTSから作製された、制御されたOH濃度を有し塩素を含まない合成シリカガラスの範囲のプロットを示す。見えるように、徐冷点粘度1013ポアズは、OH濃度が小さくなるにしたがって上昇し、現在の試料の場合、1202°Cであることがわかった。また、このプロットには、スート体から焼結した合成ガラス状シリカの1つの試料の粘度が示されている。そのスート体は、真空下の焼結の前に、塩素を含む雰囲気の中で脱水された。その結果、OHの含有率が1ppmであり、残留塩素がおよそ2000ppmであった。このガラスは、たった1084°Cでしかない徐冷点を示した。それは、本研究で達成された数字に比べて劇的に低い。100mmの厚さの上記インゴットの研磨した環状断面の輝度実験は、100cm3の容積中に、装置の検出限度10μmよりも大きなサイズのバブルもしくはインクルージョンがないことを概して示す。この実施例は、新しいプロセスの原理を示す。それは、高い粘度および優れた耐エッチング性の、100μmよりも大きなバブルおよびインクルージョンを実質的に含まない、極度の化学的純度の、100ppb未満のすべての金属不純物を概して有する環状半導体ジグを作製するための未加工品を製造するための新しく、経済的に実施可能な道筋を提供する。本研究で作製されたガラスの高い粘度は、一部は、スート体が脱水され、その後、大きな直径のグラファイト回転軸と密接に接触して、グラファイト加熱要素および炭素系絶縁材料を備えた真空炉の中で、焼結されるという事実から起こるかもしれないと考えられる。したがって、上述した熱処理プロセスは強い還元環境の中で行われる。焼結の前に、熱処理が、還元雰囲気の中で、たとえば、水素、一酸化炭素、アンモニア、炭化水素ガス、または、シロキサンもしくはシラザンの蒸気などの適切な有機もしくはオルガノシリコン蒸気などのガスが存在する中で加熱することを含む場合、良好な耐プラズマエッチング性を有する高い粘度のガラスが達成されることがさらに予測される。先行技術のプロセスに比べて窒素による、炭素によるまたは両方によるドーピングのレベルが高い本プロセスを達成できることを留意すべきである。なぜならば、焼結に続いて、最終製品の製造において、さらなる熱作業が必要ないからである。前駆物質としてOMCTSを利用した上記実施例は、蒸気の形態で合成火炎に導入された。あるいは、他のシロキサンを単独でもしくは蒸気の混合物として使用してもよい。さらにまた、塩素を含まずシリコンを含有する他の前駆物質、たとえば、純粋なもしくは混合物としてのどちらかで、アルコキシシランを使用することが可能である。さらなる実施形態では、ガス霧化および超音波霧化などを含む従来の方法による霧化に適合したバーナーを使用した、霧化された液滴の噴霧として合成火炎に、これらの前駆物質のいくつかを供給してもよい。上記プロセスのさらなる変形では、1種もしくは2種以上の希土類金属をドープし、所望により共ドーパントcodopantとしてアルミニウムが存在する、ニアネットシェイプの合成ガラス状シリカの直径が大きな中空体を製造することが可能である。これは、火炎に蒸気として供給される、シリカの塩素を含まない前駆物質、好ましくはシロキサン化合物を使用して、および同様に適切な化合物の蒸気の形態でドーパント金属を供給することによって達成され得る。しかし、独国特許出願第1003468.4号明細書および国際特許出願PCT/EP/052923号明細書で予見されているように、シリカ前駆物質の中で分散した水性相のミクロ液滴のエマルションの形態の適切な塩の水性溶液として供給されるドーパント金属と一緒に、霧化された液の噴霧の形態でシリカ前駆物質、好ましくはシロキサンを供給することによっても達成し得る。別のドーピング方法は、乾燥、仮焼および気孔を含まないガラスへの焼結の前に、アルミニウムおよび/または1種もしくは2種以上の希土類金属の1種もしくは2種以上の塩の溶液の中に多孔質スート体を浸漬させることを含む。"