"X線ビームのためのコリメーションデバイスであって、前記コリメーションデバイスが、真空、または、制御雰囲気下で配置されるように意図されたエンクロージャ110を含み、前記エンクロージャ110が、ビームのための入口120と、出口121と、回折周期構造を有する材料から作られた少なくとも1つのプレート104とを含み、前記プレート104が、2つの主要面104a、104bと、前記面どうしの間で外側に広がっている少なくとも1つの開口部104cとを含むことを特徴とする、コリメーションデバイス。前記少なくとも1つのプレートにおける前記主要面104a、104bの一方104aが、ビームの伝播方向に対する上流面であり、他方104bが下流面であり、前記開口部104cが、前記プレートにおける上流面104aから下流面104bに外側に広がっている、請求項1に記載のデバイス。回折周期構造を有する材料から作られている前記少なくとも1つのプレート104が、前記エンクロージャにおける前記出口121に配置されている、請求項1または2に記載のデバイス。回折周期構造を有する材料から作られている少なくとも1つの他方のプレート104’が、前記エンクロージャ110における前記入口に設けられており、この他方のプレート104’が、2つの主要面104’a、104’bと、前記面どうしの間で外側に広がっている少なくとも1つの開口部104’cとを含む、請求項3に記載のデバイス。前記少なくとも1つの他方のプレート104’における前記主要面104’a、104’bの一方104’aが、ビームの伝播方向に対する上流面であり、他方104’bが下流面であり、前記開口部104’cが、前記プレートにおける上流面104’aから下流面104’bに外側に広がっている、請求項4に記載のデバイス。前記2つのプレート104、104’が同一である、請求項4または5に記載のデバイス。前記2つのプレート104、104’が異なる開口部104c、104’cを呈する、請求項4または5に記載のデバイス。前記開口部104c、104’cの外側に広がっている方向Dと、前記主要面104a、104’a,104b、104’bの1つとの間に作られる鋭角の角度θが、10°から80°の範囲である、請求項1から7のいずれか一項に記載のデバイス。前記角度θが、プレート104を形成する回折周期構造の材料における、2つの単結晶の面どうしの間の角度に等しい、請求項8に記載のデバイス。-前記プレートの主要面104a、104’a、104b、104’bが、単結晶の材料における{100}面に相当し、-このプレートにおける前記主要面104a、104bをつなぐ前記開口部104cの面が、{111}面に相当する、請求項9に記載のデバイス。前記プレートまたはそれぞれのプレート104、104’が、単結晶の材料から作られている、請求項1から10のいずれか一項に記載のデバイス。前記プレートまたはそれぞれのプレート104、104’が、シリコンまたはゲルマニウムの中から選ばれた材料で作られている、請求項1から11のいずれか一項に記載のデバイス。X線ビームの散乱によって試料105を分析するための光学デバイス100であって、請求項1から12のいずれか一項に記載の、ビームをコリメートするためのデバイスを含むことを特徴とする、光学デバイス100。X線光源101、102が設けられている、請求項13に記載の光学デバイス100。前記X線光源101、102が単色ビームを生成する、請求項14に記載の光学デバイス100。真空、または、制御雰囲気下で配置されるように意図された別のエンクロージャ106が設けられており、前記試料105の下流に配置されたこの別のエンクロージャ106が、X線のビームを止めるための手段107を含む、請求項13から15のいずれか一項に記載の光学デバイス100。前記別のエンクロージャ106の下流に配置された検出器108が設けられている、請求項16に記載の光学デバイス100。X線ビームのためのコリメータにおいて、前記コリメータが複数の部分1041、1042、1043、1044、1045を含み、回折周期構造を有する材料から作られているそれぞれの部分が、この部分の厚さの方向に外側に広がる少なくとも1つの開口部と、この開口部104Cにおける長手方向の軸A104に沿う鋸歯構造を形成する、前記コリメータにおけるそれぞれの部分の開口部の集合によって形成された前記開口部104Cの面とを含むことを特徴とする、コリメータ。それぞれの部分1041、1042、1043、1044、1045がプレートで形成されており、前記プレートが隣接している、請求項18に記載のコリメータ。前記プレートが同一である、請求項19に記載のコリメータ。X線ビームのためのコリメータの動作における、回折周期構造を有する材料で作られた少なくとも1つのプレート104の使用であって、前記プレート104が、2つの主要面104a、104bと、前記面どうしの間で外側に広がっている少なくとも1つの開口部104cとを含む、使用。前記開口部104cの外側に広がっている方向Dと、前記主要面104a、104bの一方との間に作られる鋭角の角度θが、10°から80°の範囲である、請求項21に記載の使用。互いに隣接している複数の同一のプレート104の、請求項21または22に記載の使用。本発明の目的は、ハイブリッドスリットの欠点のうちの少なくとも1つを呈することなくハイブリッドスリットの利点を呈する、X線ビームをコリメートするための少なくとも1つのデバイスを含む簡単な光学デバイスを提案することである。本発明の別の目的は、この光学デバイスに実装されるように特に適合した、X線ビームのためのコリメーションデバイスを提案することである。目的は、さらに、このコリメーションデバイスに用いられるように特に意図された、X線ビームのコリメータを提案することである。これらの目的の少なくとも1つを達成するために、本発明は、X線ビームのためのコリメーションデバイスにおいて、上記コリメーションデバイスが、真空、または、制御雰囲気下で配置されるように意図されたエンクロージャを含み、このエンクロージャが、ビームのための入口と、出口と、回折周期構造を有する材料から作られた少なくとも1つのプレートとを含み、上記プレートが、2つの主要面と、上記面どうしの間で外側に広がっている少なくとも1つの開口部とを含むことを特徴とする、コリメーションデバイスを提案する。このコリメーションデバイスは、以下において、単独または組み合わせで得られる他の技術的特徴を提供することができる。-上記少なくとも1つのプレートにおける主要面の一方が、ビームの伝播方向に対する上流面であり、他方が下流面であり、開口部が、プレートにおける上流面から下流面に外側に広がっている。-回折周期構造を有する材料から作られている上記少なくとも1つのプレートが、エンクロージャにおける出口に配置されている。-回折周期構造を有する材料から作られている少なくとも1つの他方のプレートが、エンクロージャにおける入口に設けられており、この他方のプレートが、2つの主要面と、上記面どうしの間で外側に広がっている少なくとも1つの開口部とを含む。-上記少なくとも1つの他方のプレートにおける主要面の一方が、ビームの伝播方向に対する上流面であり、他方が下流面であり、開口部が、プレートにおける上流面から下流面に外側に広がっている。-2つのプレートが同一である。-2つのプレートが異なる開口部を呈する。-開口部の外側に広がっている方向Dと、上記主要面の1つとの間に作られる鋭角の角度θが、10°から80°の範囲である。-角度θが、プレートを形成する回折周期構造の材料における、2つの単結晶の面どうしの間の角度に等しい。-プレートの主要面が、単結晶の材料における{100}面に相当し、このプレートにおける上記主要面をつなぐ開口部の面が、{111}面に相当する。-プレートまたはそれぞれのプレートが、単結晶の材料から作られている。-プレートまたはそれぞれのプレートが、シリコンまたはゲルマニウムの中から選ばれた材料で作られている。また、本発明は、X線ビームの散乱によって試料を分析するための光学デバイスにおいて、本発明による、ビームをコリメートするためのデバイスを含むことを特徴とする、光学デバイスを提案する。この光学デバイスは、以下において、単独または組み合わせで得られる他の技術的特徴を提供することができる。-X線光源。-X線光源が単色ビームを生成する。-真空、または、制御雰囲気下で配置されるように意図された別のエンクロージャ。試料の下流に配置されたこの別のエンクロージャは、X線のビームを止めるための手段を含む。-この別のエンクロージャの下流に配置された検出器。本発明は、X線ビームのためのコリメータにおいて、このコリメータが複数の部分を含み、回折周期構造を有する材料から作られているそれぞれの部分が、この部分の厚さの方向に外側に広がる少なくとも1つの開口部と、この開口部における長手方向の軸に沿う鋸歯構造を形成する、コリメータにおけるそれぞれの部分の開口部の集合によって形成された開口部の面とを含むことを特徴とする、コリメータをさらに提案する。このコリメータは、以下において、単独または組み合わせで得られる他の技術的特徴を提供することができる。-それぞれの部分がプレートで形成されており、これらのプレートが隣接している。-これらのプレートが同一である。最後に、本発明は、X線ビームのためのコリメータの動作における、回折周期構造を有する材料で作られた少なくとも1つのプレートの使用であって、上記プレートが、2つの主要面と、上記面どうしの間で外側に広がっている少なくとも1つの開口部とを含む、使用を提案する。また、この使用は、-開口部の外側に広がっている方向Dと、上記主要面の一方との間に作られる鋭角の角度θが、10°から80°の範囲である、使用と、-互いに隣接している複数の同一のプレートの使用と、を提供することができる。本発明における他の特徴、目的、および利点は、添付図面を参照して与えられ、以降で詳述されている説明において述べられる。図4には、本発明による、X線の散乱によって試料105を分析するための光学デバイス100が示されている。この光学デバイス100は、単色ビームを生成するX線光源101、102を含む。この光源101、102は、既知の方法で、X線における実際の光源101と、モノクロメータミラー102とを含む。この例では、X線における実際の光源101は点光源であるが、他の場合には、例えば線光源でもよい。さらに、上記で与えられた定義による光源101、102は、単色性である必要はない。以下の説明全体を通じて、上流および下流という用語は、X線ビームにおける伝播の方向に関連して用いられることになる。このデバイスは、X線における光源101、102の下流において、真空にされるか、または、ヘリウムHeなどの制御雰囲気下にあるように意図された第1のエンクロージャ110を含む。この第1のエンクロージャ110は、ビームのための入口と出口を含み、入口と出口のそれぞれには、本発明による、回折周期構造を示す材料から作られた少なくとも1つのプレート104、104’が配置されている。概して、この回折周期構造は、単結晶構造である。これらのプレート104、104’は、エンクロージャ110の内側で、エンクロージャ110の端部壁120、121に取り付けられることが好ましい。このため、これらのプレート104、104’の位置決めは容易である。さらに、これらの壁120、121は、X線ビームのための入口と出口をそれぞれ形成する。図5には、このエンクロージャ110が断面図で示されている。また図7には、本発明による、回折周期構造からなる材料で作られたプレート104が示されている。それぞれのプレート104、104’は、2つの主要面、より正確には、上流面104a、104’a、および、下流面104b、104’b、ならびに、考えられているプレートの上流面と下流面との間で外側に広がる開口部104c、104’cを含む。添付図面に示されているように、プレート104、104’は、ビームの伝播方向に対して上流から下流に開口部104c、104’cが外側に広がるように配置されている。しかし、同じプレート104、104’が反対方向に配置されていてもよく、すなわち、ビームの伝播方向に対して上流から下流に開口部104c、104’cが狭くなるように同じプレート104、104’が配置されていてもよい。プレートを薄くすることによって、小角度で伝播するX線ビーム、すなわち、斜入射のX線ビームの反射が避けられる。さらに、開口部における外側への広がりの方向Dと、プレートの上流面または下流面のいずれかとの間の鋭角の角度θは、10°から80°の範囲であり得る。図6には、この角度θが例として示されている。特に、この角度θは、プレート104を形成している材料における結晶面{100}と{111}との間の角度に等しくてもよい。この特徴は、化学的性質の、プレートを製造するための方法が、異方性のウェットエッチングである場合に得られる。実際にこの方法を用いると、{100}と{111}の結晶面どうしの間には、材料の化学的浸食が生じる。このため、得られる表面状態は、非常に良好な品質のものである。{100}および{111}の記号は、ミラー指数に対応している。これらの記号は、結晶材料の面を指定することができる。これらの指数は、結晶学の分野で活動している人にはよく知られており、一般に受け入れられている。シリコンの場合には、水酸化カリウムKOHの溶液を使用することができる。変形例として、水酸化テトラメチルアンモニウムTMAHの溶液を使用することによって、{100}と{111}の結晶面どうしの間のエッチングに対して選択性の低いプロセスを用いることもできる。さらに、開口部104c、104’cの外側への広がりは、均一であると言われてもよい。均一な外側への広がりという表現は、プレートの上流面と下流面の間で開口部が受ける寸法の変化が、近似によって生じることを意味するように理解されたい。中心Oは、プレートの上流面における開口部の中心C1、および、プレートの下流面における中心C2を通過する軸Aと、上記の方向Dにおける軸との交点に一致している。図7bを参照することができる。回折周期構造からなる材料で作られているプレート104の上流面104a、104’a、または、下流面104b、104’bは、この構造体の{100}面に相当することが好ましい。さらに、上流面および下流面に対して傾いている、プレートにおける面は、この構造体における{111}面に相当する。変形例として、上記の範囲における角度を定めるために機械的な方法が用いられてもよい。X線のコリメータは、エンクロージャ110の入口における一方の104’と、エンクロージャ110の出口における他方の104とである2つのプレートを、このように構成することによって得られる。プレート104’は、スプリアス散乱を発生させることなくビームをコリメートするために、図1に示されている従来技術によるデバイスにおける、スリット12を有するプレートの代わりに、コリメータの部品用に挿入することができる。さらに、プレート104は、コリメートされたビームに対するあらゆるスプリアス散乱を防ぎ、ビームが試料105に当たる前にコリメーションを改善することもできる。したがって、これらのプレート104、104’は、文献D1で提案されているハイブリッドスリットと同じ機能を示す。光学デバイス100は、試料105の下流において、図1に示されている光学デバイスにおける既に知られている手段を含む。これは、真空または、制御雰囲気下を同様に意図した第2のエンクロージャ106を必要とし、第2のエンクロージャ106は、エンクロージャ106におけるビームの入口と反対側の端部において、ビームを止めるための手段107を含む。最後に、光学デバイス100は、第2のエンクロージャ106の下流に配置された検出器108を含む。第1のエンクロージャ110の入口と出口にそれぞれ配置されるプレート104’、104は、同一でもよい。さらに、プレート104、104’は、シリコンで作られていてもよく、例えばKOHの溶液が用いられた場合には、{100}と{111}の結晶面どうしの間の角度θは約54.7°でもよい。さらに、開口部の形状は、結晶面によって定められる。プレート104、104’の開口部は、正方形または長方形でもよく、上流面と下流面との間の外側への広がりは、角度θによって与えられる。例として、この開口部が正方形である場合には、プレート104、104’の上流面104a、104’aにおける正方形の辺は、1mmでもよい。他の形状の開口部も考えられる。例えば、AfluxandBackground-optimizedversionoftheNanoSTARsmall-angleX-rayscatteringcameraforsolutionscattering,JanSkovPedersen,J.ofAppliedCrystallography2004,37,369~380頁の記事を参照することができる。プレート104、104’は、約10mm×10mmの寸法と、約1~2mmの厚さとを呈し得る。変形例として、プレートの開口部104c、104’cが異なるという理由では特に、プレートは異なっていてもよい。実際に、これらのプレートにおける開口部104c、104’cは、それらの開口部の寸法、および/または、角度θの値によって異なる場合がある。さらに変形例として、それぞれのプレート104、104’は、この例示的単結晶においてシリコン以外の、回折周期構造からなる材料で作られていてもよい。例えば、それぞれのプレートは、ゲルマニウムなどの単結晶の構造体を含んでよい。図4に示す光学デバイスは、変形形態における主題をなすことができる。変形形態は、図1に示す従来技術による光学デバイスのコリメーション手段13と散乱防止スリット15とによって形成されたアセンブリを、本発明によるプレート104によって置き換えることができる。さらに、このプレート104は、X線をコリメートするためのデバイスを形成するために、図6に示すように、真空または、制御雰囲気下にあるように意図されたエンクロージャの出口に配置される。他方で、このエンクロージャは、このエンクロージャの入口においては、本発明によるプレートを含まない。しかし、図1に示すように、この入口の前には、スリット12と、適切である場合にはキャリブレーションされたアッテネータ参照せずとが配置される。図8aおよび図8bには、本発明における別の変形形態が示されている。この変形例によれば、それぞれのプレートにおける上記少なくとも1つの開口部がプレートの上流面と下流面との間で外側に広がるか、またはその逆となるように互いに隣接している、単結晶の材料からなる数枚のプレートを含む、X線ビームのコリメータが提供される。これらの隣接するプレートは、一般に同一である。この構成の利点は、開口部の外形部分における、単結晶の材料を貫通するビーム200の透過を制限するか、または全く排除することである。実際に、単一のプレートが設けられている場合には、ビーム200が当たるプレートの厚さefは、この開口部の外形部分において小さいことが理解される。したがって、数枚のプレートを隣接させることによって、開口部におけるこの長手方向の軸に沿って鋸歯形状を示す、開口部の外形部分においてビーム200が当たるプレートの厚さは、最終的に増加する。ビーム200のコリメーションは、開口部に残された空間Eを通るビームだけを透過させることによって、プレートの上流側において改善される。このことは、プレートがシリコンで作られている場合に特に有益である。シリコンより密度の高い材料であるゲルマニウムでプレートが作られている場合には、この構成は、15keVから30keVのエネルギー範囲のX線に対して特別な利点を呈することになる。図8では、互いに隣接している5枚の同じプレートが示されている点に留意されたい。当業者は、これが例示に過ぎない点と、考えられるプレートの数が、ビームのエネルギー、プレートの厚さ、および、このプレートを形成している単結晶材料の性質に特に依存することになる点とを理解するであろう。本出願人は、測定と、いくつかの計算を行なった。8keVのX線ビームに対しては、それぞれが約1~2mmの厚さである3枚の同じシリコンプレートを重ね合わせることは、同じ厚さのゲルマニウムプレートを1枚用いることと同等であることが見出された。さらに17keVのX線ビームの場合には、これらの同じシリコンプレートを15枚隣接させる必要があり、それによって同じ厚さのゲルマニウムプレートに等しい動作が得られる。図5に示すエンクロージャ110のそれぞれの端部においてプレートを隣接させることが想定され得る。これは、このエンクロージャ110の入口のみにおいて想定することもでき、また、この出口部分が本発明によるプレート104を単独で含む場合には特に、このエンクロージャ110の出口のみにおいて想定することもできる。あるいは、隣接するプレートは含まず、それぞれの異なる部分1041、1042、1043、1044、1045が上記のプレート104と見なせる単一ピースから作られているコリメータを提供することもできる。したがって、コリメータのそれぞれの部分における開口部の集合によって形成された開口部104Cの面は、この開口部104Cにおける長手方向の軸A104に沿う鋸歯構造を形成する。このため、図8bに例として示されている、この開口部104Cの形状は、図8aに示されているように数枚のプレート104を隣接させることによって得られる形状と同様である。本発明の枠組みの中で用いられているプレート104、104’は、最終的には、文献D1で提供されているハイブリッドスリットに対するいくつかの利点を与える。実際に、構造はシンプルであり、単一の結晶から作られる。さらに、このプレートは通常、真空、または、制御雰囲気下でのエンクロージャの端部に固定されることになるため、操作者は、調整を行なう必要がない。すなわち、唯一の調整は、プレートにおける最初の位置合わせだけである。さらに、通常用いられるこの化学的な製造方法は、スプリアス散乱のリスクを制限する優れた表面状態を作り出す。"