"半導体発光装置の回路基板にフリップチップ実装し被覆用樹脂で被覆する半導体発光素子において、半導体層と接続する少なくとも2個の突起電極を有し、前記突起電極の間に剥離部材を備えることを特徴とする半導体発光素子。前記剥離部材が前記半導体層の周辺部に存在しないことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。前記半導体層が絶縁膜により被覆され、前記絶縁膜が無機物であり、前記剥離部材が有機物であり、前記絶縁膜と前記剥離部材が接していることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光素子。前記突起電極が一個のn側突起電極と複数個のp側突起電極からなり、前記n側突起電極を前記p側突起電極が囲み、前記n側突起電極と前記p側突起電極の間に前記剥離部材が配置されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体発光素子。前述したように図7に示した応力緩和層102bは、半導体チップ102とアンダーフィル樹脂104との熱膨張差によるクラックの発生防止に寄与していると記載されているので、ずり応力を緩和し半導体チップ102の底面部の剥離や破壊を防ごうとしているものと推定できる。しかしながら図6に示した剥離は、LEDダイ69の底部に存在する被覆用樹脂61の膨張収縮によってLEDダイ69が押し上げられたり引き下げられたりすることで起こる。特に図6のBで示した部分で起こる剥離は被覆用樹脂61の収縮により起こり、半導体層63の破壊につながる。すなわち特許文献1に示された応力緩和機構図7の応力緩和層102bを図6のLED装置60に適用しても、図6のBで示される部分の剥離による破壊に対応できない。そこで本発明は、この課題を解決するため、半導体装置の回路基板にフリップチップ実装する半導体素子において、半導体発光素子の底部の被覆用樹脂がリフロー直後で収縮しても半導体発光装置が破壊しにくい半導体発光素子を提供することを目的とする。上記課題を解決するため本発明の半導体発光素子は、半導体発光装置の回路基板にフリップチップ実装し蛍光樹脂などの被覆用樹脂で被覆する半導体発光素子において、半導体層と接続する少なくとも2個の突起電極を有し、前記突起電極の間に剥離部材を備えることを特徴とする。本発明の半導体発光素子を回路基板にフリップチップ実装し被覆用樹脂で被覆すると、実装部では突起電極及び回路基板の電極により形成される隙間に被覆用樹脂が入り込む。半田リフローの直後においてこの被覆用樹脂が急激に収縮しても、半導体発光素子若しくは被覆用樹脂から剥離部材が剥がれ、被覆用樹脂から半導体発光装置の半導体層に応力が伝達しなくなる。この結果、半導体層が半導体発光装置の透明絶縁基板から剥離したり、半導体層内での剥離クラックが発生したりすることが防止され、半導体発光装置の全体的な破壊を防止できる。前記剥離部材が前記半導体層の周辺部に存在しないことが好ましい。前記半導体層が絶縁膜により被覆され、前記絶縁膜がSiO2などの無機物であり、前記剥離部材がポリイミド樹脂などの有機物であり、前記絶縁膜と前記剥離部材が接していても良い。前記突起電極が一個のn側突起電極と複数個のp側突起電極からなり、前記n側突起電極を前記p側突起電極が囲み、前記n側突起電極と前記p側突起電極の間に前記剥離部材が配置されていても良い。以上のように本発明の半導体発光素子は、突起電極の間に剥離層を備えているので、この半導体発光素子を含む半導体発光装置をマザー基板に実装したとき、半導体発光素子と回路基板の間の被覆用樹脂が収縮しても剥離部材の部分的な剥離により半導体発光素子の全体的な破壊を防ぐことができる。以下、添付図1~5を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また説明のため部材の縮尺は適宜変更している。さらに特許請求の範囲に記載した発明特定事項との関係をカッコ内に記載している。第1実施形態図1と図2により本発明の第1実施形態におけるLEDダイ10半導体発光素子を説明する。図1はLEDダイ10の構造を示す図であり、aが断面図、bが底面図である。なおaはbのEE線に沿って描いたLEDダイ10の断面図である。aに示すようにサファイア基板11の下にはn型半導体層12が形成され、n型半導体層12の下面の一部にp型半導体層13が形成されている。n型半導体層12とp型半導体層13は二つの開口部を有する絶縁膜14で被覆されている。絶縁膜14の開口部には、p型半導体層13に接続するp側突起電極16と、n型半導体層12に接続するn側突起電極17とが設けられている。n側突起電極17は、平面サイズを大きくするため、その一部分が絶縁膜14を介して平面的にp型半導体層13と重なっている。またp側突起電極16とn側突起電極17の間であって、絶縁膜14の下面には剥離部材15が配置されている。次にbの底面図を説明する。LEDダイ10を底面側から眺めると、外周部に絶縁膜14が見える。絶縁膜14の内側の領域にはp側突起電極16とn側突起電極17があり、p側突起電極16とn側突起電極17の間に剥離部材15がある。なおaで示したp型半導体層13及びn型半導体層12は絶縁膜14で被覆されているので、直接的には図示していないがp型半導体層13及びn型半導体層12からなる半導体層の周辺部には剥離部材15がない。サファイア基板11は透明絶縁基板であり厚さが80~120μmである。n型半導体層12はGaNバッファ層とn型GaN層からなり厚さが5μm程度である。p型半導体層13は、反射層や原子拡散防止層などを含む金属多層膜とp型GaN層からなり厚みが1μm程度である。図示していないが発光層はp型半導体層13とn型半導体層12の境界部にあり、平面形状はp型半導体層13とほぼ等しい。絶縁膜14はSiO2であり厚さが数100nm~1μm程度である。p側及びn側の突起電極16,17はAu又はCuをコアとするバンプであり、電解メッキ法で形成し厚さが10~30μm程度である。p側及びn側の突起電極16,17は印刷法と熱処理により形成した半田バンプであっても良い。剥離部材15はポリイミド樹脂であり、厚さを0.5~1μm程度とすると剥離しやすくできる。剥離部材15は、LEDダイ10に切断する前のウェハーに対しマスクを使って印刷若しくは噴霧により形成する。また剥離部材15はシリコーン樹脂を主成分とする離型剤であっても良い。図2によりLED装置20を説明する。図2はLED装置20の断面図である。LED装置20においてLEDダイ10は、回路基板28にフリップチップ実装され、回路基板28の上面とともに蛍光樹脂21被覆用樹脂で被覆されている。回路基板28の上面及び下面にはそれぞれ内部接続電極22,25及び外部接続電極24,27が形成されている。内部接続電極22,25は、LEDダイ10のp側及びn側の突起電極16,17と接続し、さらにスルーホール電極23,26を介して外部接続電極24,27と接続している。回路基板28の材料は、反射率、熱伝導性、耐熱性及び耐光性等を考慮し、セラミクス、金属、樹脂から選ぶ。内部接続電極22,25及び外部接続電極24,27はNi及びAuメッキした銅箔である。とくに回路基板28の材料を樹脂とした場合、熱伝導性を高くするため、内部接続電極22,25は厚さを30~50μm程度にし、スルーホール電極23,26内に金属ペーストを充填すると良い。なおスルーホール電極23,26の直径は100~200μm程度である。蛍光樹脂21はシリコーン樹脂に蛍光体を混練したものである。次に図2により剥離部材15によるLEDダイ10の破壊防止メカニズムを説明する。半田リフローなどで加熱され、その後冷却すると、剥離部材15の下部に存在する蛍光樹脂21は、先ず膨張しようとし、その後収縮しようとする。LEDダイ10や回路基板28に含まれる界面が蛍光樹脂21の膨張に耐えられれば、収縮時は剥離部材15が絶縁膜14若しくは蛍光樹脂21から剥離する。この結果、LEDダイ10の底面においてp型及びn型の半導体層13,12に係る剥離は起こらない。本実施形態では剥離部材15をポリイミド樹脂としていたが、いっぱんに予め硬化させておいたシリコーン樹脂と新たに塗布したシリコーン樹脂の界面は接着力が弱いので、剥離部材15をシリコーン樹脂とすることも可能である。本実施形態のLEDダイ10は、LEDダイ10の底面において蛍光樹脂21の収縮が起きても、剥離部材15でLEDダイ10底面と蛍光樹脂21が分離することによりLED装置20の破壊を防止していた。剥離による破壊を防止する別の手段として、図2において剥離部材15を回路基板28と蛍光樹脂21の間に配置しても良い。しかしながらこのとき回路基板28から別の回路基板に交換する場合、剥離部材の形状や配置位置を再設計せざるを得ない。すなわち本実施形態のようにLEDダイ10側に剥離部材15を備えていたほうが、回路基板変更に対して剥離部材15の再設計が不要な分、汎用性が高い。フリップチップ実装時のLEDダイ10底面の剥離を防止する別の手段として、p側及びn側の突起電極16,17若しくは回路基板28の内部接続電極22,25の厚みを減らし、LEDダイ10の底面における蛍光樹脂21の膨張収縮量を小さくしても良い。本実施形態の手段とこれらの手段を組合せれば高い効果が得られる。しかしながらp側及びn側の突起電極16,17を薄くするとゴミや応力への余裕度が減ってしまう。また前述したように内部接続電極22,25の厚みを減らすと熱伝導性が悪化する場合がある。図1bで示したようにLEDダイ10の底面の周辺部には剥離部材がない。p側及びn側の突起電極16,17を除く底面全体に剥離部材があっても破壊を防止する機能は保持できる。しかしながらLEDダイ10の底面周辺部に剥離部材がないと、蛍光樹脂21と絶縁膜14の密着性が向上するため、外部から侵入しようとする水分など有害な物資に対する防御性を高くできる。本実施形態のようにLEDダイ10の底面に剥離部材15を設けるという手法は、シリコン基板に多数の素子を形成した半導体素子に対しても有効である。しかしながらLEDダイ10はサファイア基板11の下面に半導体層を形成しているので、半導体層が剥離若しくは破壊しやすいため剥離部材15の効果が大きく現れる。第2実施形態LEDダイの平面サイズが大きくなると、電流分布を平準化し発光効率を向上させるためn側突起電極の周囲に複数のp側突起電極を配置することがある。そこで図3~5により本発明の第2実施形態として小型のn側突起電極37を4個のp側突起電極36a~36dが取り囲むLEDダイ30について説明する。先ず図3によりLEDダイ30の構造を説明する。図3はLEDダイ30の構造を示す図であり、aが断面図、bが底面図である。なおaはbのFF線に沿って描いたLEDダイ30の断面図である。aに示すようにサファイア基板31の下にはn型半導体層32が形成され、n型半導体層32の下面の一部にp型半導体層33が形成されている。なおp型半導体層33は中央部に開口を有する。n型半導体層32とp型半導体層33は絶縁膜34で被覆され、絶縁膜34には三つの開口部が見える。絶縁膜34の左右の開口部ではp側突起電極36a,36bがp型半導体層33と接続し、中央部の開口部ではn側突起電極37がn型半導体層32と接続している。またp側突起電極36a,36bとn側突起電極37の間であって、絶縁膜34の下面には剥離部材35が配置されている。なおn側突起電極37と絶縁膜34の間にある隙間に剥離部材が入り込んでいる。次にbの底面図を説明する。LEDダイ30を底面側から眺めると、外周部に絶縁膜34が見える。絶縁膜34の内側の領域の角部には4個のp側突起電極36a,36b,36c,36dがあり、底面の中央にはn側突起電極37がある。p側突起電極36a~36dはn側突起電極37を取り囲み、p側突起電極36a~36dとn側突起電極37の間に剥離部材35がある。LEDダイ30の各部材は、図1で示したLEDダイ10に対し材料や厚さが等しく、平面形状が異なる。次に図4によりLED装置40を説明する。図4はLED装置40の断面図である。LED装置40においてLEDダイ30は、回路基板48にフリップチップ実装され、回路基板48の上面とともに蛍光樹脂41被覆用樹脂で被覆されている。回路基板48の上面及び下面にはそれぞれ内部接続電極42,45及び外部接続電極44,47が形成されている。内部接続電極42は、LEDダイ30のp側突起電極36a,36bと接続し、内部接続電極45はn側突起電極37と接続している。内部接続電極42は図中で分離しているが紙面前方で接続している。さらに内部接続電極42と外部接続電極44はスルーホール電極43で接続し、内部接続電極45と外部接続電極47は図示していないスルーホール電極を介して接続している。なお、回路基板48及び回路基板48に形成した電極の材料及び厚さは、図2に示した回路基板28及び回路基板28に形成した電極の材料及び厚さと等しく、平面形状や個数が異なる。次に図5により剥離部材35によるLEDダイ30の破壊防止メカニズムを説明する。図5は、図4で示したLED装置40から、外部接続電極44,47、スルーホール電極43、回路基板48を除いた状態の底面図であり、LEDダイ30とその周辺部を内部接続電極42,45越しに眺めたものである。図中、LEDダイ30の外形、p側突起電極36a~36d、n側突起電極37、剥離部材35の外形を点線で示している。図5ではp側の内部接続電極42が広い面積を占め、中央部及びその上方に切り欠き部がある。この切り欠き部にはn側の内部接続電極45がある。図中、切り欠き部から剥離部材35が見え、その上部に絶縁膜34と蛍光樹脂41が見える。なお切り欠き部においてLEDダイ30図4参照と回路基板48図4参照の間に存在する蛍光樹脂41は図示していない。半田リフローで加熱されると切り欠き部から見える領域にある蛍光樹脂図示していないは内部接続電極42,45がないため大きく膨張し、その後冷却するとその蛍光樹脂は大きく収縮する。このとき剥離部材35で剥離が生じることがあるが、半導体層n型半導体層32及びp型半導体層33、図4参照は破壊しない。LEDダイ30の周辺部であって絶縁膜34が見える領域おいても内部接続電極42,45がないため、蛍光樹脂21図示せずは大きめな膨張収縮を行おうとするが、LEDダイ30の底面のない領域に近いため応力が分散する。"