"基体と、前記基体に設けられたトランスデューサと、前記基体に設けられて、前記トランスデューサに接続された配線と、を備え、前記配線は、前記基体の上面に形成された第1の下部電極層と、前記第1の下部電極層の上面に形成された第1の圧電層と、前記第1の圧電層の上面に形成された容量低減層と、前記容量低減層の上面に形成された第1の上部電極層と、を有し、前記容量低減層の比誘電率は前記第1の圧電層の比誘電率よりも小さい、慣性力センサ。前記第1の圧電層と前記第1の上部電極層とは前記容量低減層を露出させないように全体的に覆う、請求項1に記載の慣性力センサ。前記容量低減層は、前記第1の圧電層の前記上面に位置する下面を有し、前記容量低減層は、前記容量低減層の前記上面と前記下面とに繋がる側面を有し、前記第1の上部電極層は前記容量低減層の前記上面と前記側面とを覆う、請求項1に記載の慣性力センサ。前記容量低減層の厚みは前記第1の上部電極層の厚み以下である、請求項1に記載の慣性力センサ。前記容量低減層の誘電率は前記第1の圧電層の誘電率の5以下である、請求項1に記載の慣性力センサ。前記容量低減層は感光性の有機材料からなる、請求項1に記載の慣性力センサ。前記容量低減層は感光性ポリイミドからなる、請求項1に記載の慣性力センサ。前記容量低減層はアルカリ現像型の感光性ポリイミドからなる、請求項1に記載の慣性力センサ。前記容量低減層のキュア温度は前記第1の圧電層のキュリー温度よりも低い、請求項1に記載の慣性力センサ。前記トランスデューサは、前記基体の前記上面に形成された第2の下部電極層と、前記第2の下部電極層の上面に形成された第2の圧電層と、前記第2の圧電層の上面に形成された第2の上部電極層と、を有する、請求項1に記載の慣性力センサ。前記第2の下部電極層は前記第1の下部電極層に連続して延びており、前記第2の圧電層は前記第1の圧電層に連続して延びており、前記第2の上部電極層は前記第1の上部電極層に連続して延びている、請求項10に記載の慣性力センサ。前記トランスデューサは、前記基体に印加された応力を検出する、請求項1に記載の慣性力センサ。前記トランスデューサは前記基体を駆動して振動させる、請求項1に記載の慣性力センサ。実施の形態1図1Aは、本発明の実施の形態1における慣性力センサ6の断面図である。加速度や角速度等の慣性力を検知する慣性力センサ6は、配線が形成された領域を有する。この領域は、基体7と、基体7の上面に形成された下部電極層8と、下部電極層8の上面に形成された圧電層9と、圧電層9の上面に形成された容量低減層10と、容量低減層10の上面に形成された上部電極層11とを備えている。容量低減層10の比誘電率は、圧電層9の比誘電率よりも小さい。この構成により、下部電極層8と上部電極層11との間の容量を低減させることができる。その結果、慣性力センサ6のノイズレベルを小さくし、感度を改善することができる。また、慣性力センサ6に接続される回路部の消費電力を抑制することができる。以下、各構成要素について説明する。基体7は、シリコンSiなどの半導体材料、溶融石英、アルミナ等の非圧電材料を用いて形成されている。好ましくは、シリコンを用いることにより、微細加工技術を用いて小型の慣性力センサ6を作成することができる。なお、基体7の表面には、例えば、シリコン酸化膜SiO2からなるバリア層や、チタンTiからなる密着層など、他の層が形成されていても良い。下部電極層8は、例えば、銅、銀、金、チタン、タングステン、白金、クロム、モリブデンの少なくとも一種からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金又はそれらの金属が積層された構成からなる。好ましくは、TiまたはTiOxを含む白金Ptとすることにより、電動度が高く高温酸化雰囲気での安定性が優れた下部電極層8が得られる。実施の形態1では、下部電極層8の厚みは100nm~500nmである。圧電層9は、例えば、酸化亜鉛、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、又はニオブ酸カリウム等の圧電材料により形成されている。好ましくは、圧電層9にジルコニウム酸チタン酸鉛PbZr,TiO3を用いることにより、圧電特性の良い慣性力センサ6を実現することができる。実施の形態1では、圧電層9の厚みは1000nm~4000nmである。なお、圧電層9の下面に、例えば、チタン酸塩PbTiO3からなる配向制御層など、他の層が形成されていてもよい。その層は下部電極層8の上面上に配置される。容量低減層10は絶縁性を有し、低温プロセスでの成膜が可能であり、パターニング時の圧電層9へのダメージを最小限に抑制できる材料よりなり、ポリイミドなどの低誘電率有機材料よりなる。また低誘電率有機材料の中でも、特に、感光性ポリイミドを用いることにより、微細加工が容易であり、耐薬品性に優れた容量低減層10を得ることができる。さらに、容量低減層10にアルカリ性溶液で現像できるアルカリ現像型感光性ポリイミドを用いてもよい。アルカリ現像型感光性ポリイミドは、アルカリ現像でのパターニングが可能であるため、パターン形成時現像工程の化学反応で圧電層9に悪影響を与える酸が発生せず、圧電層9へ与えるダメージを抑制することができる。なお、容量低減層10として、SiO2、SiN、SiON、SiC、Al2O3など、圧電層9と比較して比誘電率の低い無機材料を用いてもよい。好ましくは、容量低減層10をSiO2もしくはSiNにより形成することで、耐薬品性および耐湿性などの耐久性にすぐれた容量低減層10を得ることができる。実施の形態1では、容量低減層10の厚みは100nm~2000nmである。上部電極層11は、例えば、銅、銀、金、チタン、タングステン、白金、クロム、モリブデンの少なくとも一種からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金又はそれらの金属が積層された構成からなる。好ましくは、金Auとすることにより、熱、湿気、酸素など、ほとんどの化学的腐食に対して非常に強い上部電極層11を形成することができる。なお、実施の形態1では、上部電極層11の厚みは100nm~2000nmである。なお、上部電極層11の下面にチタンTiからなる密着層などの他の層が形成されていてもよい。その層は容量低減層10の上面上に配置される。図1Bは実施の形態1における他の慣性力センサ206の断面図である。図1Bにおいて、図1Aに示す慣性力センサ6と同じ部分には同じ参照番号を付す。慣性力センサ206は、図1Aに示す慣性力センサ6の容量低減層10の代わりに、圧電層9の上面に設けられた容量低減層210を備える。上部電極層11は容量低減層210の上面に設けられている。容量低減層210は、容量低減層10の上述の低誘電率有機材料よりなる有機材料層210Cと、有機材料層210Cの上面に設けられた上述の低誘電率無機材料よりなる無機材料層210Dよりなる。好ましくは有機材料層210Cと無機材料層210Dは、それぞれ感光性ポリイミドとSiNよりなる。これにより、パターニング時の圧電層9へのダメージを最小限に抑制でき、かつ耐薬品性および耐湿性などの耐久性に優れた容量低減層210を得ることができる。図2Aは、実施の形態1による慣性力センサ6の製造プロセスを示すフローチャートである。以下、図2Aを参照して、慣性力センサ6の製造方法を説明する。基体7となるウエハの上面に下部電極層8を形成するステップS101。次に下部電極層8の上面に圧電層9を形成するステップS102。次に圧電層9の上面に容量低減層10を形成するステップS103。ステップS103で容量低減層10を形成する方法について以下に説明する。圧電層9の上面に、ポリイミド等の材料を塗布するS103A。次に、塗布された材料をパターニングするステップS103B。次に、パターニングされた材料を硬化するキュア工程を行うことによりステップS103C、容量低減層10が得られる。次に、容量低減層10の上面に上部電極層11を形成しステップS104、次に、上部電極層11をパターニングするステップS105。その後、上部電極層11と下部電極層8との間に電圧を印加することで圧電層9を分極させるステップS106。その後、ウエハ基体7と下部電極層8と圧電層9とをパターニングしステップS107、慣性力センサ6の外形を加工するステップS108。次に、基体7が所定の厚みを有するように、ウエハ基体7の下面を研磨しステップS109、ウエハをダイシングにより個々の基体7に分割してステップS110、個々の慣性力センサ6を得る。次に、ステップS110で得られた慣性力センサ6の特性を検査することでステップS111、慣性力センサ6が得られる。図2Bは、容量低減層を有していない図11に示す比較例である従来の慣性力センサ1の製造プロセスを示すフローチャートである。図2Bにおいて、図2Aに示す実施の形態1における慣性力センサ6の製造工程と同じ部分には同じ参照番号を付す。従来の慣性力センサ1では、圧電層4の上面に上部電極層5が設けられている。図2Aと図2Bに示すように、実施の形態1における慣性力センサ6の製造プロセスでは、圧電層9の成膜工程ステップS102と上部電極層11の成膜工程ステップS104との間に容量低減層10の形成工程ステップS103が行われる。実施の形態1において、容量低減層10はジアゾナフトキノンDNQを感光剤とした感光性ポリイミドを用いて形成される。感光剤であるジアゾナフトキノンは、ポジ型レジストの感光剤に広く用いられ、アルカリ性の現像液で現像できるアルカリ現像を施すことができる。このように、容量低減層10は好ましくはアルカリ現像型感光性ポリイミドで形成される。アルカリ現像型感光性ポリイミドにパターンが描かれたマスクを通して光を照射して露光すると、露光による光化学反応光重合反応により、感光体であるジアゾナフトキノンがインデンケテンを介してインデンカルボン酸に変化する。インデンカルボン酸はアルカリ溶液に対して高い溶解性を持っているので、光が照射した部分が溶解し、ポリマーのうち光が照射されていない未露光部の部分が残存し、アルカリ現像型感光性ポリイミドがパターニングされる。またジアゾナフトキノンは、ポリマーの溶解阻害剤としても作用する。またパターニングされたアルカリ現像型感光性ポリイミドにキュア処理である熱処理を施すことにより、ポリイミド前駆体であるポリアミド酸ポリアミック酸のイミド化反応脱水閉環が進み、硬化してポリイミドが得られる。ここで、ポリアミド酸は有機溶媒に対して溶解し、ポリイミドになると有機溶媒に対して溶解しなくなる。したがって、パターニングされる前は、ポリアミド酸に感光剤を含む有機溶媒を結合させた溶液状態で塗布し、その溶液をプリベークして乾燥し、露光現像により所望のパターンを形成した後に、キュア処理である熱処理を施すことによりパターニングされたポリイミド層が得られる。容量低減層10として、キュア処理での温度であるキュア温度が低い感光性ポリイミドを用いることにより、圧電層9へのダメージを抑制することができる。例えば、圧電層9としてジルコニウム酸チタン酸鉛を用いる場合、ジルコニウム酸チタン酸鉛のキュリー温度は約330°Cであるので、キュリー温度以上の熱ストレスを加えると、圧電層9の圧電特性が消失し、常誘電層となる。キュア温度が圧電層9のキュリー温度よりも低い感光性ポリイミドを用いて容量低減層10を形成することにより、キュア処理時において圧電層9へ与えるダメージを抑制することができる。実施の形態1では、感光剤にジアゾナフトキノンを用いた感光性ポリイミドにより容量低減層10を形成するが、容量低減層10は同じ作用を有する別の感光剤および別の感光性ポリイミドで形成してもよい。以下、容量低減層10を有する実施の形態1における実施例の慣性力センサ6と容量低減層10を有していない比較例の慣性力センサの上部電極層と下部電極層との間の容量の違いを検討する。圧電層9の比誘電率εrは980であり、膜厚dは2.85μmであり、誘電率εは8,68×10-9F/mである。実施例における容量低減層10の材料であるアルカリ現像型感光性ポリイミドの比誘電率εrは3であり、膜厚dは0.5μmであり、誘電率εは2.66×10-11F/mである。容量低減層10を有する実施例の慣性力センサ6では、上部電極層11と下部電極層8との間の容量CTotalは、圧電層9による部分と容量低減層10による部分との合成容量である。圧電層9による部分の容量CPE、容量低減層10による部分の容量CPIにより、容量CTotalは以下の式で表される。CTotal=CPE×CPI/CPECPI容量低減層10の比誘電率は圧電層9の比誘電率の約0.3しかないので、これら2つの層で合成容量を形成した場合、膜厚の違いが多少あったとしても、容量CTotalは容量低減層10のみによる部分の容量CPEに近づく。例えば、容量低減層10の厚みが圧電層9の厚みの1/5である場合には、容量CTotalは圧電層9のみによる容量CPEの1程度になる。このように、上部電極層11と圧電層9との間に誘電率の低い材料よりなる容量低減層10を設けることにより、上部電極層11と下部電極層8との間の容量を大きく低減させることができる。次に容量低減層10の容量低減効果を確認するため、サンプルを作成して評価した。具体的には、厚み2.85μmの圧電層9上に容量低減層10としてアルカリ現像型感光性ポリイミドを厚み1.6μmで形成し、その上に上部電極層11を形成して実施例のサンプルを作製した。上部電極層11は、容量低減層10上に形成された厚み10nmのTiの層と、Tiの層上に形成された厚み300nmのAuの層よりなる。さらに、容量低減層10を有していないこと以外は実施例のサンプルと同様の構造を有する比較例のサンプルを作製した。容量低減層10が形成されていない比較例のサンプルの容量は1887.0pFであり、容量低減層10が形成されている実施例のサンプルの容量は16.9pFであった。このように、容量低減層10が形成されている実施例のサンプルの容量は、容量低減層10が形成されていない比較例のサンプルの容量の0.9であり、上記の式で試算した通りの容量低減効果を確認することができた。図3は実施の形態1におけるさらに他の慣性力センサ12の上面図である。図3において、図1Aに示す慣性力センサ6と同じ部分には同じ参照番号を付す。慣性力センサ12は、基体7と、駆動電極16と、検出電極17と、モニタ電極18と、配線19と、電極パッド20を備える。駆動電極16と検出電極17とモニタ電極18と配線19と電極パッド20は基体7の上面上に設けられている。基体7はシリコン基板からなり、支持部13と、支持部13から中心軸12Cに沿った方向12Dに共に互いに平行に延びる2つのアーム14、15とを有する音叉形状を有する。中心軸12Cと直角の軸12Eにおいてアーム14、15は中心軸12Cについて互いに反対側に配置されている。アーム14、15は固有の共振周波数で振動する。検出電極17は、2つのアーム14、15のそれぞれの軸12Eの方向において略中央部に設けられている。駆動電極16は軸12Eの方向において検出電極17の両側に設けられている。支持部13に接続されるアーム14、15のそれぞれの根元にモニタ電極18が設けられている。また、駆動電極16、検出電極17及びモニタ電極18はそれぞれ、配線19を介して電極パッド20に電気的に接続されている。慣性力センサ12には中心軸12Cを中心とする角速度が印加されるように構成されており、慣性力センサ12はその角速度を検出する角速度センサとして機能する。慣性力センサ12の動作を以下に説明する。図3に示すように、中心軸12Cと軸12Eとそれぞれ平行に延びるY軸とX軸を定義し、さらに、X軸とY軸に直角に延びるZ軸を定義する。駆動電極16及びモニタ電極18は配線19を介して電極パッド20に接続されている。電極パッド20には駆動回路が接続されるように構成されている。検出電極17は配線19を介して電極パッド20に接続されている。電極パッド20には検出回路が接続されるように構成されている。駆動電極16及びモニタ電極18は駆動回路に接続され、駆動電極16及びモニタ電極18と駆動回路は慣性力センサ12を駆動してアーム14、15を振動させる駆動ループを構成する。アーム14、15は固有の共振周波数で振動するように構成されている。駆動回路から電極パッド20及び配線19を介して駆動電極16にその共振周波数の交流電圧である駆動信号が与えられることにより、アーム14、15がX軸方向に振動する。モニタ電極18はこれらの振動に応じたモニタ信号を駆動回路に送る。駆動回路はモニタ信号に基づいて、アーム14、15が共振周波数で一定の振幅でX軸方向に振動するように駆動信号を制御する。この状態でY軸周りの角速度が印加されると、角速度に応じてアーム14、15に発生するコリオリ力によりアーム14、15がZ軸方向に撓み、検出電極17に電荷が発生する。検出電極17から発生した電荷による電流である検出信号が配線19及び電極パッド20を介して検出回路に送られる。検出回路は検出信号に基づいて角速度を検出することができる。上述のように、検出電極17は、コリオリ力によりアーム14、15で発生する機械的歪や変形を電気信号に変換するトランスデューサである。駆動電極16は、入力された交流電圧の電気信号に基づいて機械的に変形し、アーム14、15を振動させるトランスデューサである。モニタ電極18は、アーム14、15の機械的な振動に応じて電気信号を出力するトランスデューサである。慣性力センサ12は、境界ACで分けられた、少なくとも検出電極17が形成された領域ADと、少なくとも配線19が形成された領域AEとを有している。容量低減層10を設けた部分の容量は低減することが、同時にその部分の圧電特性が低下する。したがって、検出電極17を有する領域ADには容量低減層10を設けておらず、配線19を有する領域AEには容量低減層10を設けている。この構成により、配線19が形成された領域AEに生ずるノイズを低減しつつ、検出電極17が形成された領域ADの圧電特性を確保することができる。なお、実施の形態1における慣性力センサ12では、駆動電極16を領域ADに形成している。これにより、容量低減層10による駆動効率の低下を抑制することができる。また、モニタ電極18を領域ADに形成している。これにより、モニタ電極18から駆動回路に入力されるモニタ信号の振幅を確保することができる。なお、実施の形態1における慣性力センサ12では、電極パッド20を領域AEに形成している。これにより、電極パッド20で発生するノイズを低減することができる。なお、アーム14、15の先端部分など、駆動電極16や検出電極17、モニタ電極18が形成されない部分に容量低減層10を設けても良い。これにより、アーム14、15の質量を大きくすることができ、慣性力センサ12の感度を向上させることができる。図4Aは、図3に示す慣性力センサ12の領域ADでの線4A-4Aにおける断面図である。領域ADにおいて、慣性力センサ12は、2つのアーム14、15のそれぞれである基体7と、基体7の上面に形成された下部電極層8と、下部電極層8の上面に形成された圧電層9と、圧電層9の上面に形成された上部電極層11とを備えている。検出電極17は基体7アーム14、15のX軸方向における略中央部に設けられている。駆動電極16はX軸方向において検出電極17の両側に設けられている。このように、アーム14、15における駆動電極16及び検出電極17が設けられた領域ADには容量低減層10が形成されていない。図4Bは図3に示す慣性力センサ12の領域AEでの線4B-4Bにおける断面図であり、支持部13の断面を示す。領域AEにおいて、慣性力センサ12は、支持部13である基体7と、基体7の上面に形成された下部電極層8と、下部電極層8の上面に形成された圧電層9と、圧電層9の上面に形成された容量低減層10と、容量低減層10の上面に形成された上部電極層11とを備えている。図4Bに示す電極パッド20は検出電極17と電気的に接続されており、配線19はそれぞれ駆動電極16又はモニタ電極18と接続されている。検出電極17に接続された配線19は、駆動電極16やモニタ電極18に接続された配線19と同様の構造を有する。このように、配線19や電極パッド20が設けられた領域AEには容量低減層10が形成されている。慣性力センサ12の駆動時に発生する微振動により、特性に寄与しない領域AEでは、圧電層9に微振動が加わることによって発生する電荷によりノイズが発生する場合がある。容量低減層10によりそのノイズを大幅に抑制することができ、ノイズレベルが改善するとともに、慣性力センサ12に接続される駆動回路や検出回路の消費電力を抑制することができる。図5Aは図3に示す慣性力センサ12の線5A-5Aにおける断面を走査型電子顕微鏡SEMで撮影したSEM写真である。容量低減層10の厚みW1は上部電極層11の厚みW2以下であり、より好ましくは上部電極層11の厚みW2より小さい。この場合は、領域ADにおける容量低減層10を形成した部分と、領域AEにおける容量低減層10を形成していない部分との境界ACで形成される上部電極層11の段差部分11Fは滑らかに連続している。図5Bは、厚みW1が厚みW2よりも大きい場合の図3に示す慣性力センサ12の線5A-5Aにおける断面図である。この場合は、上部電極層11の境界ACの段差部分11Fに亀裂が発生している。このように、容量低減層10の厚みW1を上部電極層11の厚みW2以下とすることにより、境界部分における上部電極層11の亀裂の発生を抑制することができる。ただし、容量低減層10の厚みW1が薄くなりすぎると、容量低減層10の容量を小さくできずCPI=εS/d:Sは対向する電極の面積、容量CTotalの低減効果が減少する。容量低減層10の誘電率ε1を厚みW1で割った値ε1/W1が圧電層9の誘電率ε2を厚みW2で割った値ε2/W2の5以下となるように、容量低減層10の厚みW1の下限を規定することにより、容量の低減効果を確保することができる。図6は実施の形態1におけるさらに他の慣性力センサ106の断面図である。図6において、図1に示す慣性力センサ6と同じ部分には同じ参照番号を付す。図6に示す慣性力センサ106は、図1Aに示す慣性力センサ6の容量低減層10の代わりに、容量低減層10と同様の材料よりなる容量低減層110を備える。図6に示す慣性力センサ106の容量低減層110は、圧電層9の上面9Aに位置する下面110Bと、上部電極層11の下面11Bに位置する上面110Aと、上面110Aと下面110Bに繋がり互いに反対側に位置する側面110C、110Dとを有する。上部電極層11は、容量低減層110の上面110Aだけでなく側面110C、110Dも覆っている。このように、圧電層9と上部電極層11は容量低減層110を圧電層9と上部電極層11から露出しないように、容量低減層110の全体を覆っている。図1Aに示す慣性力センサ6では容量低減層10の側面は圧電層9と上部電極層11から露出している。この構成により、図2Aに示す慣性力センサ6の製造工程のステップS104以降の工程で容量低減層10を保護することができる。例えば、ステップS107において、圧電層9と下部電極層8と基体7をパターニングする際には、これらの層はエッチング液もしくはエッチングガス等のエッチング剤でエッチングされる。容量低減層10の側面が露出していると、このエッチングの際にエッチング剤でダメージを受け、自身の特性や圧電層9や上部電極層11との密着性が損なわれる場合がある。図6に示す慣性力センサ106では容量低減層110の側面110C、110Dが上部電極層11で覆われ、容量低減層110が上部電極層11と圧電層9から露出せずに全体的に覆われているので、図2Aに示すステップS107で使用されるエッチング剤でも容量低減層110はダメージを受けない。これにより、容量低減層110の特性の劣化や、圧電層9や上部電極層11との密着性の劣化を防ぐことができる。図7は実施の形態1におけるさらに他の慣性力センサ112の上面図である。図8Aは図7に示す慣性力センサ112の線8A-8Aにおける断面図である。図8Bは図7に示す慣性力センサ112の線8B-8Bにおける断面図である。図7と図8Aと図8Bにおいて、図3と図4Aと図4Bに示す慣性力センサ12と同じ部分には同じ参照番号を付す。図7~図8Bに示す慣性力センサ112は、図3~図4Bに示す慣性力センサ12の容量低減層10の代わりに、図6に示す容量低減層110を備える。すなわち、領域AEにおける配線19と電極パッド20は、圧電層9の上面に設けられた容量低減層110を有する。容量低減層110の上面110Aと側面110C、110Dは上部電極層11で覆われている。上部電極層11と圧電層9は容量低減層110が露出しないように全体的に容量低減層110を覆う。これにより、図2Aに示すステップS107でのパターニングのためのエッチングの際の、容量低減層110の特性の劣化や、圧電層9や上部電極層11との密着性の劣化を防ぐことができる。以上、実施の形態1で述べたように、慣性力センサ612、106、112、206は、基体7と、基体7に設けられたトランスデューサ駆動電極16、検出電極17、モニタ電極18と、基体7に設けられてトランスデューサに接続された配線19とを備える。配線19は、基体7の上面に形成された下部電極層8と、下部電極層8の上面に形成された圧電層9と、圧電層9の上面に形成された絶縁性の容量低減層10110、210と、容量低減層10110、219の上面に形成された上部電極層11とを有する。容量低減層10110、210の比誘電率は圧電層9の比誘電率よりも小さい。圧電層9と上部電極層11とは容量低減層110を露出させないように全体的に覆う。容量低減層110は、圧電層9の上面9Aに位置する下面110Bを有する。容量低減層110は、上面110Aと下面110Bとに繋がる側面110C110Dを有する。上部電極層11は容量低減層110の上面110Aと側面110C110Dとを覆う。トランスデューサ駆動電極16、検出電極17、モニタ電極18は、基体7の上面に形成された下部電極層8と、下部電極層8の上面に形成された圧電層9と、圧電層9の上面に形成された上部電極層11とを有する。トランスデューサの下部電極層8は配線19の下部電極層8に連続して延びている。トランスデューサの圧電層9は配線19の圧電層9に連続して延びている。トランスデューサの上部電極層11は配線19の上部電極層11に連続して延びている。トランスデューサ検出電極17は、基体7に印加された応力を検出する。また別のトランスデューサ駆動電極16は基体7を駆動して振動させる。実施の形態2図9は本発明の実施の形態2における慣性力センサ21の上面図である。慣性力センサ21は図3に示す実施の形態1における慣性力センサ12と異なる形状を有する。図9に示すように、慣性力センサ21は、2つの支持部22と、2つの支持部22に両端が接続された2つの縦梁23と、2つの縦梁23に両端が接続された横梁24と、横梁24に一端が接続された略J字状のアーム25と、アーム25の他端に接続された錘50とを備えている。2つの支持部22はX軸方向に平行に延びている。また、アーム25の上には駆動電極26と、検出電極27と、モニタ電極28が設けられている。横梁24の上に検出電極29が設けられている。縦梁23の上に検出電極30が設けられている。また、支持部22の上に電極パッド31が設けられており、それぞれ駆動電極26、検出電極27、29、30及びモニタ電極28と配線121により電気的に接続されている。慣性力センサ21の動作を説明する。駆動電極26及びモニタ電極28は配線121と電極パッド31を介して駆動回路に接続される。駆動電極26及びモニタ電極28、駆動回路は駆動ループを構成する。駆動回路から電極パッド31及び配線121を介して駆動電極26に駆動信号が与えられることにより、アーム25がXY面内で振動する。この状態でZ軸周りの角速度が印加されると、角速度により発生するコリオリ力によりアーム25がY軸方向に撓み、検出電極27に電荷が発生する。また、アーム25がXY面内で振動している状態でX軸周りの角速度がアーム25に印加されると、その角速度により発生するコリオリ力によりアーム25がZ軸方向に撓み、検出電極29に電荷が発生する。また、アーム25がXY面内で振動している状態でY軸周りの角速度が印加されると、その角速度によりコリオリ力によりアーム25がZ軸方向に撓み、検出電極30に電荷が発生する。検出電極27、29、30で発生する電荷による電流が配線121及び電極パッド31を介して検出回路に送られる。検出回路は送られた電流に基づき、X軸周りの角速度とY軸周りの角速度、及びZ軸周りの角速度を検出することができる。慣性力センサ21では、駆動電極26、検出電極27、29、30及びモニタ電極28は図1Aに示す容量低減層10や図6に示す容量低減層110を設けていない。配線121や電極パッド31は容量低減層10または容量低減層110を設けている。この構成により、配線121や電極パッド31の容量を低減することができる。すなわち、慣性力センサ21として特性に寄与しない部分に容量低減層10または容量低減層110を形成することにより、ノイズレベルを改善するとともに、慣性力センサ21に接続される駆動回路又は検出回路の消費電力を抑制することができる。実施の形態3図10は本発明の実施の形態3における慣性力センサ32の上面図である。慣性力センサ32は加速度を検出する加速度センサとして機能する。慣性力センサ32は、支持部33と、錘部34と、支持部33と錘部34とを連結する中央支持梁35と、振動梁36とを備える。振動梁36には駆動電極37および検出電極38が形成されている。駆動電極37および検出電極38は配線39により電気的に電極パッド40に接続されている。慣性力センサ32は、駆動電極37を介して駆動回路に接続され、駆動電極37と駆動回路は駆動ループを構成する。駆動回路から電極パッド40及び配線39を介して駆動電極37に駆動信号が与えられることにより、振動梁36がZ軸方向に振動する。この状態で、X軸方向に加速度が印加されると、中央支持梁35について互いに反対側に配置された振動梁36に引張り応力と圧縮応力がそれぞれ印加される。印加された応力により振動梁36の共振周波数が変化し、その変化を振動梁36に配置されている検出電極38で検知することにより加速度を検知することが可能となる。慣性力センサ32では、駆動電極37及び検出電極38は容量低減層10、110を有していない。駆動電極37及び検出電極38の他の部分、例えば配線39と電極パッド40には容量低減層10または容量低減層110が設けてられている。この構成により、配線39や電極パッド40の容量を低減することができる。すなわち、慣性力センサ32として特性に寄与しない部分に容量低減層10、110を形成することにより、ノイズレベルを改善するとともに、慣性力センサ32に接続される駆動回路又は検出回路の消費電力を抑制することができる。なお、実施の形態1~3における慣性力センサは角速度センサおよび加速度センサとして機能する。圧力センサなど他の慣性力センサにおいても容量低減層10、110を設けることにより、電極容量を低減することができるので、ノイズレベルを改善するとともに、慣性力センサに接続される回路部の消費電力を抑制することができる。実施の形態1~3において、上面下面等の方向を示す用語は、基体7、容量低減層10等の慣性力センサの構成部分の相対的な位置関係にのみ依存する相対的な方向を示すものであり、上下方向等の絶対的な方向を示すものではない。"