"被加工物に対して局所加工ツールを走査させることで、前記被加工物を加工する局所加工方法において、温度測定器によって前記被加工物の表面の複数の点の温度を測定することで前記被加工物の温度プロファイルを計測する工程と、前記温度プロファイルと前記局所加工ツールの温度依存性のある単位加工形状とに基づき被加工物に対する前記局所加工ツールの滞留時間分布を導出する工程と、前記滞留時間分布に基づき局所加工ツールを制御して前記被加工物を加工する工程と、を有する局所加工方法。被加工物を加工する局所加工装置であって、前記被加工物の表面を加工する局所加工ツールと、前記被加工物の表面の複数の点の温度を計測する温度測定器と、計測された温度をもとに前記被加工物の表面の温度プロファイルを算出し、前記温度プロファイルと前記局所加工ツールの温度依存性のある単位加工形状とに基づき前記局所加工ツールの滞留時間分布を定める演算手段と、前記滞留時間分布に基づき前記局所加工ツールを前記被加工物に対して相対的に移動させる移動手段と、を備えることを特徴とする局所加工装置。前記温度測定器は、複数の放射温度計であることを特徴とする、請求項2に記載の局所加工装置。前記局所加工ツールは反応性プラズマ源であることを特徴とする請求項2または3のいずれかに記載の局所加工装置。前記反応性プラズマ源は、赤外線を透過し高周波の電磁波を遮断する部材を具備している事を特徴とする、請求項4に記載の局所加工装置。前記反応性プラズマ源の金属部分の一部もしくは全体が、赤外線反射防止処理を施している事を特徴とする、請求項4または5のいずれかに記載の局所加工装置。前記温度測定器が、ガスパージによる腐食防止手段を具備することを特徴とする、請求項2乃至6に記載の局所加工装置。前記放射温度計の光学部品が、フッ化物材料からなる事を特徴とする、請求項3乃至7に記載の局所加工装置。前述のとおり、加工中には多量の熱エネルギーが被加工物に照射される局所加工ツールを用いて加工すると、加工部の温度は加工時間の経過に従い上昇する。このため、局所加工ツールの単位加工形状は常に変化し、加工精度が低減してしまう。特に被加工物が肉厚で熱伝導率の低い材料である場合には、被加工物の温度制御は困難であり、加工部の温度上昇も著しい。つまり加工部を含む被加工物表面の温度分布温度プロファイルは常に変化する。この問題を回避するために、被加工物を400°C以上に加熱するなどして加工レートを一定に近づける方法があるが、高い品質が必要とされる多くの半導体材料や光学素子材料は、そのような高温に耐え得ない場合が多い。また肉厚で大型の素子は素子全体もしくは素子の一部を、加熱することは、コストや技術的難易度の面から見ても不利である。さらに別の方法として、予め同形状のサンプルを数回加工することにより、経験的に温度による加工レート変化パターンを取得し、その情報を用いて滞留時間分布を修正する方法もある。しかし、この方法は加工雰囲気やワークチャック状態の僅かな変化による温度再現性のばらつきによって、大きな加工誤差を生じ得る。そこで本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みて考案されたものである。すなわち、加工中に発生する熱等で被加工物の加工部の温度プロファイルが常に変化していても、高精度かつ効率の良い加工を可能とする。さらにその結果として、製品の品質向上と生産コストを縮小させることを目的としている。上述の課題を解決する本発明は、被加工物に対して局所加工ツールを走査させることで、前記被加工物を加工する局所加工方法において、温度測定器によって前記被加工物の表面の複数の点の温度を測定することで前記被加工物の温度プロファイルを計測する工程と、前記温度プロファイルと前記局所加工ツールの温度依存性のある単位加工形状とに基づき被加工物に対する前記局所加工ツールの滞留時間分布を導出する工程と、前記滞留時間分布に基づき局所加工ツールを制御して前記被加工物を加工する工程と、を有する局所加工方法、である。本発明の局所加工方法によれば、加工中の被加工物の温度プロファイルが変化することで加工部の単位加工形状が刻々と変化する場合においても、滞留時間分布を随時適正に補正することが可能なので、加工精度の低減を防止することができる。また本発明の物品の生産方法によって、単純な構成によって高速で温度プロファイルを計測する事が可能となり、加工コストを低減しつつ、加工精度の高い物品を得ることができる。本発明の具体的構成を詳述する前に、まず反応性プラズマを用いた局所加工方法を例にとり、加工シミュレーションの結果を、図を用いて説明する。図4に反応性プラズマ加工シミュレーションの結果を示す。被加工物はφ50mmの石英の円盤状の部材であり、発生させるプラズマはArおよびSF6ガスに対し、マイクロ波を150W投入した反応性プラズマである。図4aはプラズマを被加工物中心に静止させ、8秒間照射した直後の温度プロファイルである。図4bは被加工物の水平方向中心線に対し、反応性プラズマを照射しながら図の紙面左から右へ10mm/secでライン走査し、被加工物の左端から出発して被加工物中心に到達した瞬間の温度プロファイルを示している。図4cは、被加工物全体に対し、反応性プラズマを図の下から上へ送りピッチ2mm、走査速度10mm/secでラスター走査し、反応性プラズマが被加工物中心に到達した瞬間の温度プロファイルを示している。これらのシミュレーション結果のように、図4aによると反応性プラズマを静止している場合には、温度プロファイルは中心対称であるのに対し、図4bのように走査している場合には走査の軌跡に対して尾を引くように伸びたプロファイルとなっている。また、図4bによると反応性プラズマの照射位置は被加工物中心に有るにも関わらず、温度プロファイルのピーク位置は、走査方向と逆方向に遅れた場所に位置していることもわかる。さらに、図4cに描かれているように、ラスター走査の場合には反応性プラズマの送り方向紙面上方向に対して、高低の温度差が生じており、走査経路により温度プロファイルが変化する事を示している。上記のシミュレーション結果によると、反応性プラズマなどの局所加工ツールを用いた場合、局所加工ツールを被加工物上に走査する際の温度プロファイルは、加工条件、時間、位置により顕著に変化するものである。したがって加工部の単位加工形状も、加工中に常に変化する事がわかる。従来のように、加工中の温度プロファイルの変化を加味せずに加工した場合の、加工シミュレーションの結果を図4dに示す。このシミュレーションにおいては、単位加工形状を一定のアスペクト比を保つ形状として与え、被加工物の昇温による加工レートの変化は単位加工形状の体積が変化すると仮定して、ある滞留時間分布で加工した場合の加工形状をとした。次に、加工中の温度プロファイルの変化を加味して加工した場合の、加工シミュレーションの結果eに示すその加工方法については下段にて詳述する。ここでは、加工中に変化する温度プロファイルから、加工中の単位加工形状の変化を算出しながら、図4dの場合と同じ滞留時間分布で加工した場合の加工形状をとした。さらに、図4dと図4eの差分形状をfとした。すなわちfは、eという形状を狙って、温度プロファイルの変化を加味せずに加工した場合に発生する形状の誤差を示している。この結果のように、従来のように温度プロファイルの変化を加味せずに加工すると、目標形状に対する誤差形状は、PVpeaktoValleyで17以上という大きな値となってしまう。これは例えば、加工前の素子形状が目標の素子形状に対して10μmPVであり、目標精度が目標形状に対して10nmPVであった場合、10μmPV×0.17^4=8.4nmPVといったように、最低でも4回の加工を繰り返さなければ目標精度を達成出来ない事を表している。このように、加工-計測を繰り返す方法は、いうまでもなく余分な時間と労力を必要とし、その結果として生産コストを増大させてしまうことがわかる。以下、上述のシミュレーション結果を踏まえ、本発明について図を用いて説明する。本発明は加工中に被加工物の加工部における複数の点温度を計測して、計測した温度から被加工物の加工部の温度プロファイルを計測し、この温度プロファイルと局所加工ツールの温度依存性のある単位加工形状に基づき滞留時間分布を導出する点に特徴がある。以下順を追って説明する。より具体的には、図6のフローチャートに示された順に加工を行う。STEP0準備予め、サンプルとなるダミーの被加工物に対して局所加工ツールを静止させて、予備的なスポット加工実験を行い単位加工形状、加工時の温度分布温度プロファイルを取得する。この単位加工形状には被加工物の温度の因子を含むデータとなっている。局所加工ツールの単位加工形状は、局所加工ツールの加工能力による因子と、被加工物の温度による因子とを含むが、それぞれの決定方法については、実施例以下で詳述する。そして、代表的な単位加工形状および目標除去形状とから、局所加工ツールの仮の滞留時間分布を作成する。仮の滞留時間分布は加工の際の初期値として利用するため、その際、加工中の被加工物温度は一様かつ一定としても良いし、計算あるいは経験的に任意の分布を与えても良い。STEP1温度プロファイルの計測次に、作成した滞留時間分布に従い、反応性プラズマを被加工物上に走査させて加工を行う。加工中には、被加工物表面の加工箇所近傍における温度プロファイルを常時または必要な頻度で断続的に計測する。この温度プロファイル計測は、複数の放射温度計を用いて多点の温度を計測し、そのデータの数値補間する事によって可能である。または、一つの放射温度計の姿勢を可動に、あるいはその光学系を被加工物の表面内に走査して、高速に輪番で計測しても良いし、サーモビューア等の被加工物の多点を含む表面を広域に温度分布を計測できる機器を使用して、温度プロファイルを計測しても良い。STEP2滞留時間分布の算出以上のようにして得られた温度プロファイルの情報と、局所加工ツールの単位加工形状と、に基づき被加工物の加工時現在の単位加工形状を算出する。この現在の単位加工形状から局所加工ツールの滞留時間分布を算出する。STEP3滞留時間分布に基づき加工次に、被加工物の温度プロファイルを加味して得られた滞留時間分布に基づき局所加工ツールを制御して、被加工物を加工する。滞留時間分布は随時補正しながら加工してもよい。この滞留時間分布の補正方法としては、例えば以下のように行われる。STEP0で準備した仮の滞留時間分布がGx,yであり、その滞留時間分布を求めるのに用いた代表の単位加工形状がFxp,ypとする。ここで、x,yは被加工物表面内の座標系であり、xp,ypは反応性プラズマ照射位置の中心を基準とした、被加工物表面内の座標系である。ある小区間領域xj,yj~xk,ykに反応性プラズマを仮の滞留時間分布Gx,yに従って照射した場合に加工されるべき形状は、ΣΣFxp,yp×Gx,yx=xi~xj,y=yi~yjである。しかし、時刻tにその領域において単位加工形状がF’xp,yp,tに変わっていた場合には、となるように、反応性プラズマの照射位置x’-u,y’-wおよび照射時刻t0~t1を補正制御してやれば良い。ここで、u,wは反応性プラズマの位置を補正した移動量であり、温度依存性のある単位加工形状の変動にともない現れるこの補正値に基づき局所加工ツールの照射位置が補正される。t0およびt1は、小区間領域xj,yj~xk,ykの加工を狙って反応性プラズマの照射を開始した時刻、および照射を終了して次の領域に移動する時刻である。略同一の複数の被加工物を続けて加工する際などには、テーブル化して記憶されたデータから導出した滞留時間分布を用いて加工しても良い。一方、前述したように加工中に計測される温度プロファイル情報を用いて局所加工ツールの走査をリアルタイムで制御する方法の他にも、加工終了後の被加工物形状を温度プロファイル情報により推定し、その被加工物形状情報により加工に続いて再加工することで、目標の加工精度を得る方法もある。より具体的には、例えば以下のように行われる。予め、スポット加工実験により、上述のSTEP0で説明した準備を行い、温度プロファイル、単位除去形状を取得する。滞留時間分布の設定は、目標除去形状を深さ方向に分割し、加工回数を複数回として設定する。次に、作成した滞留時間分布に従い、反応性プラズマなどを利用した局所加工ツールを被加工物上に走査させて加工を行う。加工中には、局所加工ツールの走査を、温度プロファイル情報を用いてリアルタイムで制御しても良いし、そうしなくとも良い。但し、加工中の温度プロファイル情報は随時記憶しておく。設定された滞留時間分布に従って、第一の加工終了後に、加工中に記録された被加工物の温度プロファイル情報と、予めスポット加工実験によって得られている温度プロファイルと単位加工形状との関係とから、加工後の被加工物形状を算出する。その結果に基づいて、再度滞留時間を決定し、第二の加工として再び加工を行う。これらの行程を、加工後に算出される被加工物形状が目標形状に収斂するまで繰り返す。このような方法により、計測や被加工物の出し入れを省略し、加工を繰り返し行う事ができる。図1は、本実施例による反応性プラズマエッチング加工装置の概略を説明するものである。101は局所加工ツールである反応性プラズマ源であり、加工環境を一定に保つためのチャンバー102内に配置されている。被加工物103は石英材料からなり、ワークテーブル104に載せられている。配管105より導入されたArおよび配管106により導入されたSF6ガスは、同軸ケーブル107を介して導入される10~150Wのマイクロ波によって反応性プラズマ108となる。また、チャンバー102には、加工中の雰囲気を所望に保つためのO2を導入するための配管109,110が備えられている。配管110の開口は5個の放射温度計111の近傍に設置され、放射温度計の腐食防止のガスパージ機能として利用される。5個の放射温度計111は、波長が約5μmの赤外線を利用した温度計であり、その光学レンズ材料は、フッ素により腐食され難いフッ化カリウムからなる。したがって、反応性プラズマ源の金属部分の一部もしくは全体に、赤外線反射防止処理を施しておくとよい。反応性プラズマエッチング加工装置は制御手段である演算手段を有するコンピュータもしくはコントローラに接続され、局所加工ツールである反応性プラズマ源の制御、移動ステージの位置制御、放射温度計111から得た温度情報の取得などを行い、温度プロファイルなど得られたデータの蓄積も不図示の記憶部で行う。演算手段であるCPUでは、滞留時間分布の算出や、各種の演算を行う。図2は、本発明の局所加工装置に配設された温度測定器が計測する温度の測定領域を模式的に描いた図である。反応性プラズマ源101と5個の放射温度計111とは、被加工物103に対して共に移動させるため、移動ステージ112に搭載されている。また5個の放射温度計は、温度の測定領域が図2に描かれているように配設されている。本実施例における反応性プラズマ加工方法においては、まず、ダミーの被加工物に対して反応性プラズマ源の位置を固定し、プラズマの照射時間を数通り変えてスポット加工を行う。なお、加工中は5個の放射温度計111を用いて加工部の温度プロファイルを常時測定し、その結果を図示しない記憶部に記憶させる。図3a、図3bはスポット加工結果を示している。図3aは横軸を反応性プラズマ源から照射されるプラズマの照射中心軸に対して交差する方向の、プラズマの照射中心軸からのダミーの被加工物上の距離を示しており、縦軸はダミーの被加工物に掘り込まれた加工孔の深さを示している。図3aは局所加工ツールである反応性プラズマエッチング加工装置におけるプラズマ照射時間と形成された加工孔との関係を示したデータである。このデータからある位置例えばx=0の位置における加工孔形成の時間経過が分かるので、ある時刻における加工孔の深さに対する時間微分を計算することでその時刻における加工レートを算出することができる。一方、図3bは、プラズマ照射時間と被加工物の温度分布温度プロファイルの関係を示したデータである。横軸を反応性プラズマ源から照射されるプラズマの照射中心軸に対して交差する方向の、プラズマの照射中心軸からのダミーの被加工物上の距離を示しており、縦軸はダミーの被加工物のある位置における温度を示している。本発明のように、被加工物の温度が位置ごとに異なる場合、単位加工形状Fは局所加工ツールの加工能力のみによらず、温度による因子をさらに有する。局所加工ツールの中心軸からの位置をxp,yp、被加工物の温度をTとすると数式で表現すると、局所加工ツールの温度依存性のある単位加工形状Fは、Fxp,yp=αxp,ypβT式2と表現できる。αxp,ypで表現される関数は単位加工形状のうち、局所加工ツール自体が持つプラズマ放射角、出力など加工能力に相当し、βTで表現される関数は単位加工形状のうち、被加工物の温度によって変化する因子に相当する。さて、図3aに示されたプラズマ照射時間と形成された加工孔との関係は、ある位置における被加工物の温度による因子を含んだ単位加工形状Fに対応したデータを示している。したがって、図3aに示されるスポット加工実験のデータから経過時間で規格化することで単位加工形状Fxp,ypを得ることができる。一方、図3bに示したプラズマの照射時間と被加工物の温度分布温度プロファイルのデータからある位置例えばx=0の位置におけるある時刻例えば2secに注目すると、被加工物のある位置ある時刻における温度が分かる。その時刻に対応する加工孔の深さの時間微分を、図3aに示されたプラズマ照射時間と形成された加工孔との関係から算出すると、ある温度におけるその局所加工ツールにおける特定の位置xp,ypにおける加工レートを算出することができる。より詳細には数式2の両辺の自然対数をとりLnF=LnαLnβとして、横軸を温度縦軸を加工レートとするグラフをプロットしてβに対応する関数を求めると良い。局所加工ツールが化学反応による除去加工であるプラズマジェット加工ツールの場合は、関数βがいわゆるアレーニウス則によるものと仮定するとβ~exp-E/RTとなるため、アレーニウスプロットにより関数βが求められるEは活性化エネルギー、Rは気体定数、Tは絶対温度。以上のことから算出されたFxp,ypおよびβTのデータにより、関数αを求めることができる。したがって、単位加工形状Fを、局所加工ツールが持つ加工能力を示すαxp,ypと被加工物の温度による因子βTとを独立に定めることができる。局所加工ツールの仕様が既知で、予めαxp,ypにかかるデータを決めることができる場合は、そのデータを用いて関数αxp,ypの決定に用いても良い。温度測定器による被加工物の多点計測により得られた加工中の被加工物上の温度プロファイルTxp,ypの情報は、単位加工形状Fの温度の因子に対応する関数βに用いるデータとして使用される。関数βTはTxp,ypを用いて被加工物上の位置の関数βTxp、ypと置き換えることができる。したがって単位加工形状Fxp、ypは、被加工物上の局所加工ツールを原点とする位置のみの関数として表現できる。以上のことから、スポット加工結果およびダミーの被加工物の加工中の温度プロファイル情報図3bとから、温度プロファイルTxp,ypを変数とする関数Qによって単位加工形状Fxp,ypとの関係式Fxp,yp=QTxp,yp式3が導かれる。またこのときの温度プロファイルTxp,ypは、5点の放射温度計データをスプライン補間する事で得られる。なお上述の非特許文献2で挙げたように、基板を加熱して一定の温度以上に保ち、被加工物の加工レートを飽和させた上で加工を行う加工方法は、このβTを定数として扱うことに相当する。例えば局所加工ツールに反応性プラズマエッチング装置を用いる場合などは、基板温度を一定にはならないため、本実施例の加工方法が有効であることがわかる。次に、上記のSTEP0の項目でも説明したように本番の被加工物の目標除去形状と、代表的な単位加工形状とから、仮の滞留時間分布を決定する。この代表的な単位加工形状の決定には、4秒間ダミーの被加工物をスポット加工して得た加工形状を用いた。次に、作成された仮の滞留時間分布に従って反応性プラズマ源101をステージ112により駆動させて加工を開始する。加工中の加工部温度プロファイルは、反応性プラズマ源中心軸の位置と中心から東西南北の4か所の位置とで測定する合計5つの放射温度計111によって測定し、その結果は図示しない制御手段内に設けられている記憶部に取り込まれている。この記憶部に記憶された温度プロファイルと局所加工ツールの上記の単位加工形状により、滞留時間分布を随時補正しながら加工を行う。以上の説明では、単位加工形状を算出するものとして諸工程の説明を行ったが、もちろんデータをテーブル化して、該データをテーブルから引き出して加工に用いても良い。本実施例では、温度測定器によって前記被加工物の表面の複数の点の温度を測定することで被加工物の温度プロファイルを計測し、温度プロファイルと局所加工ツールの単位加工形状とに基づき被加工物に対する前記局所加工ツールの滞留時間分布を導出する点に特徴がある。以上のような装置および方法により、加工中に放射される熱により単位加工形状が変動する加工プロセスにおいても、高精度かつ低コストのプロセスが実現される。実施例1で説明した図1の加工装置を用いて行った、本発明による他の実施例を以下に示す。共通する加工装置の構成および加工方法についての説明は簡素化する。まず、予め実施例1と同様の方法により、前述の温度プロファイルTxp,ypと単位加工形状Fxp,ypとの関係式式3を取得する。次に、本番の被加工物の目標除去形状と、代表的な単位加工形状とから、仮の滞留時間分布を決定する。この代表的な単位加工形状の決定には、4秒間ダミーの被加工物をスポット加工して得られた加工形状を用いた。次に、作成された仮の滞留時間分布に従って反応性プラズマ源101をステージ112により駆動させて加工を行った。加工中の加工部温度プロファイルは、5個の放射温度計111によって常時測定し、その結果は図示しない記憶演算装置に記憶させた。ここでは、加工中に滞留時間分布を補正せずに加工を終えた。次に、記憶させた温度プロファイル情報と、温度プロファイルと単位加工形状との関係式式2、および加工に用いた滞留時間分布によって、加工後の被加工物形状を算出した。次に、算出された被加工物形状と、代表的な単位加工形状とから、再度滞留時間分布を決定した。この代表的な単位加工形状の決定には、同じく4秒間ダミーの被加工物をスポット加工した際の加工形状を用いた。次に、再度作成された滞留時間分布に従って反応性プラズマ源101をステージ112により駆動させ、再び加工を行った。このとき、加工中の温度プロファイルは、5個の放射温度計111によって常時測定し、その結果は図示しない記憶演算装置に再び記憶させた。またここでも、加工中に滞留時間分布を補正せずに加工を行った。次に、再び記憶させた温度プロファイル情報と、温度プロファイルと単位加工形状との関係式式2および加工に用いた滞留時間分布によって、加工後の被加工物形状を算出した。その結果、算出された被加工物形状が目標精度内に収まっていたので、被加工物103をチャンバー102から取り出し、形状を測定した。その結果、被加工物の形状精度は目標値以下に仕上がっていることが確認された。以上のような方法により、加工、と再加工の2回の加工で目標精度を達成することができる。そのため目標精度を達成するために加工-計測を例えば3回、4回と多数回にわたって繰り返す必要が無くなり、生産コストが削減される。"