サファイア下地基板上にGaN層を気相成長させる工程と、前記GaN層から前記サファイア下地基板を、前記成長中の反りもしくは降温中の熱応力によって前記下地基板を破壊することで除去する工程と、を含む、GaN自立基板を製造する方法において、前記サファイア下地基板が、面方位が11-20面であるa面サファイア下地基板であり、前記サファイア下地基板の表面もしくは裏面に前記サファイア下地基板全面を横断するように溝を形成し、前記溝が前記a面サファイア下地基板の劈開しやすい面方向に形成されていることを特徴とするGaN自立基板の製造方法。前記a面サファイア下地基板の劈開しやすい面方向が、[0001]方向となるc軸方向であり、前記溝の形成方向を、前記c軸方向に形成することを特徴とする請求項1記載のGaN自立基板の製造方法。前記GaN層を気相成長させる工程において、気相成長がHVPE法によることを特徴とする、請求項1又は2記載のGaN自立基板の製造方法。前記GaN層を気相成長させる工程において、成長させる前記GaN層の厚さを1.0mm以上とすることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項記載のGaN自立基板の製造方法。本発明は、上記した事情に鑑みなされたもので、GaN層をサファイア下地基板から簡単に剥離できるようにしたGaN自立基板の製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明のGaN自立基板の製造方法は、サファイア下地基板上にGaN層を気相成長させる工程と、前記GaN層から前記サファイア下地基板を、前記成長中の反りもしくは降温中の熱応力によって前記下地基板を破壊することで除去する工程と、を含む、GaN自立基板を製造する方法において、前記サファイア下地基板が、面方位が11-20面であるa面サファイア下地基板であり、前記サファイア下地基板の表面もしくは裏面に前記サファイア下地基板全面を横断するように溝を形成し、前記溝が前記a面サファイア下地基板の劈開しやすい面方向に形成されていることを特徴とする。このようにa面サファイア下地基板の劈開しやすい面方向に溝を形成することで、小さい応力でサファイア下地基板を割ることが可能となる。また、小さい応力でサファイア下地基板を割ることができるので、より簡単に歩留まりよくGaN層をサファイア下地基板から剥離することができる。前記a面サファイア下地基板の劈開しやすい面方向が、[0001]方向となるc軸方向であり、前記溝の形成方向を、前記c軸方向に形成するのが好適である。前記GaN層を気相成長させる工程において、気相成長がHVPE法によるのが好ましい。前記GaN層を気相成長させる工程において、成長させる前記GaN層の厚さを1.0mm以上とするのがさらに好ましい。本発明によれば、GaN層をサファイア下地基板から簡単に剥離できるようにしたGaN自立基板の製造方法を提供することができるという著大な効果を有する。以下、本発明の一つの実施の形態を添付図面に基づいて説明するが、これらの説明は例示的に示されるもので限定的に解釈すべきものでないことはいうまでもない。図1において、符号10は、本発明に係るGaN自立基板の製造方法に用いられる面方位が11-20面であるa面サファイア下地基板を示す。前記サファイア下地基板10の表面もしくは裏面には、前記サファイア下地基板10の全面を横断するように溝12が形成されている。かかる溝は、ダイサーブレードを用いた機械加工で溝を形成したものである。なお、ダイヤモンドペンでケガいて溝12を形成することも可能である。前記溝12は、前記a面サファイア下地基板10の劈開しやすい面方向である[0001]方向となるc軸方向に形成されている。図示例では、オリエンテーションフラット14と平行となる例を示した。次に、c面サファイア下地基板とa面サファイア下地基板の劈開しやすい面方向の違いを図2に示したサファイアの結晶構造に基づいて説明する。c面サファイア基板を下地基板として用いた場合の溝の形成方向として、特許文献1にはサファイアの劈開面が1-102面なので、この面の劈開を起こしやすくするために、[11-20]方向a軸方向に形成することが記載されている。1-102面とは、図2に示したサファイアの結晶構造のユニットセル中において図2aに示してあるような面で、六回対称となる。図2aからも分かるように、c面サファイア下地基板においてa軸方向に溝を形成するということは、特許文献1に記載されているように1-100面に沿う方向に溝を形成することになる。1-100面に沿って形成された溝は一部、1-102面にも沿うことにもなるので、a軸方向に溝を形成すれば、1-102面での劈開が起こりやすくなることが予想できる。一方、a面サファイア基板の場合、図2bに示すように、[0001]方向c軸方向に溝を形成すると非常に基板が割れやすくなる。上述した特許文献1の理屈をa面サファイア下地基板に適用すると、c軸方向に溝を形成することで1-102面での劈開が誘発されやすくなることになる。ところが、図2bに示すように1-102面はc面に対して約43°傾いているため、a面サファイア下地基板の場合で、この面から基板の劈開が起こるとすれば、図3aに示すように、a面サファイア下地基板10の表面又は裏面に斜めに、割れ16が生じて割れることになる。しかし、a面サファイア下地基板においてc軸方向に溝を形成すると、図3bのように基板は溝に沿って割れ18が生じまっすぐ割れる。このとき、m面で割れていると考えられる。a面サファイア下地基板10においてc軸方向に溝を形成した場合、m面で劈開しているとすると、図4に示すように、m面は1-102面からは約47°傾いている。特許文献1には、溝形状のパターンが、劈開が誘発される場合において、劈開方向から3°以下の範囲でずれていてもよい旨の記載があるが特許文献1、段落0020、本発明では、かかる溝形成方向の劈開面である1-102面からのずれは、上述の3°を大きく超えていることになる。このように、a面サファイア下地基板においてc軸方向に溝を形成した場合には、従来の溝形成方向とは大きく異なることになる。劈開面であると言われている1-102面は、c面からは約43°、m面からは約47°傾いているため、a面サファイア下地基板の場合、図4に示すように、1-102面はc面とm面のちょうど中間あたりに存在することになる。つまり、1-102面がa面サファイア下地基板の劈開に大きく貢献しているとするならば、c軸方向に溝を形成してもm軸方向に溝を形成しても1-102面の貢献度が同程度と考えられ、従って、割れやすさも同程度になるはずである。しかし、実際にはa面サファイア下地基板に対してm軸方向に溝を形成すると、簡単には劈開しないc面基板に溝を形成して劈開しようとしたときと同じように、非常に割れ難い。以上より、a面サファイア下地基板の劈開はm面から起こりやすく、故に、サファイア基板の面方位がa面であり、且つ溝形成方向をc軸方向とすることで、劈開が起こりやすくなるのである。以下に、本発明の実施例をあげてさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく、本発明の技術思想から逸脱しない限り様々の変形が可能であることは勿論である。実施例1GaN自立基板を得るために、a面サファイア下地基板10の裏面にダイサーで溝加工を施した。使用したa面サファイア下地基板10は厚さ430μm、サイズは2インチである。形成する溝は、深さを200μm、幅を50μmで固定とし、a面サファイア下地基板10の端から端まで基板全面を横断するように形成した。かかる溝12のパターンとしては、図5aに示すように、a面サファイア下地基板10の中心部分に基板全面を横断するように[0001]方向となるc軸方向に1本形成したパターン1。かかる溝12のパターンをそれぞれ5枚のa面サファイア下地基板10の裏面に形成した。これらの溝12がパターン加工されたa面サファイア下地基板10上にHVPE法によりGaN厚膜を1mm形成した。このように厚膜を成長することで、成長中に生じる反り、あるいは熱膨張係数差によって生じる降温中の応力によって、サファイア基板のみを溝部分から破壊しGaN自立基板を得ることができる。このようにして、GaNが割れずに得られた確率剥離成功率を表1に示す。実施例2GaN自立基板を得るために、a面サファイア下地基板10の裏面にダイサーで溝加工を施した。使用したa面サファイア下地基板10は厚さ430μm、サイズは2インチである。形成する溝は、深さを200μm、幅を50μmで固定とし、a面サファイア下地基板10の端から端まで基板全面を横断するように形成した。かかる溝20のパターンとしては、図5bに示すように、a面サファイア下地基板10のオリエンテーションフラット14側から8.5mmピッチで基板全面を横断するように[0001]方向となるc軸方向に5本形成したパターン2。かかる溝20のパターンをそれぞれ5枚のa面サファイア下地基板10の裏面に形成した。これらの溝20がパターン加工されたa面サファイア下地基板10上に実施例1と同様にしてHVPE法によりGaN厚膜を1mm形成した。GaNが割れずに得られた確率剥離成功率を表1に示す。実施例3GaN自立基板を得るために、a面サファイア下地基板10の裏面にダイサーで溝加工を施した。使用したa面サファイア下地基板10は厚さ430μm、サイズは2インチである。形成する溝は、深さを200μm、幅を50μmで固定とし、a面サファイア下地基板10の端から端まで基板全面を横断するように形成した。かかる溝22のパターンとしては、図5cに示すように、a面サファイア下地基板10のオリエンテーションフラット14側から0.5mmピッチで基板全面を横断するように[0001]方向となるc軸方向に100本形成したパターン3。かかる溝22のパターンをそれぞれ5枚のa面サファイア下地基板10の裏面に形成した。これらの溝22がパターン加工されたa面サファイア下地基板10上に実施例1と同様にしてHVPE法によりGaN厚膜を1mm形成した。GaNが割れずに得られた確率剥離成功率を表1に示す。比較例1GaN自立基板を得るために、c面サファイア下地基板24の裏面にダイサーで溝加工を施した。使用したc面サファイア下地基板24は厚さ430μm、サイズは2インチである。形成する溝は、深さを200μm、幅を50μmで固定とし、c面サファイア下地基板24の端から端まで基板全面を横断するように形成した。かかる溝28のパターンとしては、図6aに示すように、c面サファイア下地基板24の中心部分に基板全面を横断するように[11-20]方向となるa軸方向に1本形成したパターン1。かかる溝28のパターンをそれぞれ5枚のc面サファイア下地基板24の裏面に形成した。これらの溝28がパターン加工されたc面サファイア下地基板24上にHVPE法によりGaN厚膜を1mm形成した。このようにして、GaNが割れずに得られた確率剥離成功率を表1に示す。比較例2GaN自立基板を得るために、c面サファイア下地基板24の裏面にダイサーで溝加工を施した。使用したc面サファイア下地基板24は厚さ430μm、サイズは2インチである。形成する溝は、深さを200μm、幅を50μmで固定とし、c面サファイア下地基板24の端から端まで基板全面を横断するように形成した。かかる溝30のパターンとしては、図6bに示すように、c面サファイア下地基板24のオリエンテーションフラット26側に直交して8.5mmピッチで基板全面を横断するように[11-20]方向となるa軸方向に5本形成したパターン2。かかる溝30のパターンをそれぞれ5枚のc面サファイア下地基板24の裏面に形成した。これらの溝24がパターン加工されたc面サファイア下地基板24上に比較例1と同様にしてHVPE法によりGaN厚膜を1mm形成した。GaNが割れずに得られた確率剥離成功率を表1に示す。比較例3GaN自立基板を得るために、c面サファイア下地基板24の裏面にダイサーで溝加工を施した。使用したc面サファイア下地基板24は厚さ430μm、サイズは2インチである。形成する溝は、深さを200μm、幅を50μmで固定とし、c面サファイア下地基板24の端から端まで基板全面を横断するように形成した。かかる溝32のパターンとしては、図6cに示すように、c面サファイア下地基板24のオリエンテーションフラット26側に直交して0.5mmピッチで基板全面を横断するように[11-20]方向となるa軸方向に100本形成したパターン3。かかる溝32のパターンをそれぞれ5枚のc面サファイア下地基板24の裏面に形成した。これらの溝32がパターン加工されたc面サファイア下地基板24上に比較例1と同様にしてHVPE法によりGaN厚膜を1mm形成した。GaNが割れずに得られた確率剥離成功率を表1に示す。表1からわかるように、実施例のa面サファイア下地基板と比較例のc面サファイア下地基板共に溝の本数が多い程成功率が高くなる傾向があることがわかった。また、比較例のc面サファイア下地基板よりも実施例のa面サファイア下地基板を用いた場合の方が成功率が高いことがわかった。パターンが1本の実施例1では40の成功率であるが、これは100本のパターンを設けた比較例3と同様の結果であり、このことからも、c面サファイア下地基板よりもa面サファイア下地基板を用いた場合の方が成功率が高いことがわかる。これはa面サファイア基板のc軸方向への溝形成により、基板が非常に割れやすくなっていることが起因していることが考えられる。