中央のEUV生成位置20で生成された極紫外線又はEUV光18を集める光学コレクタ15であって、反射シェル25を備える光学コレクタ15において、前記反射シェル25に熱的に誘発された変形を補償する手段が設けられていることを特徴とする、光学コレクタ15。冷却チャネル29が前記反射シェル25の裏側と支持構造体24との間に設けられるように、前記反射シェル25が、前記支持構造体24上に取り付けられているとともに前記支持構造体24によって支持されており、前記冷却チャネル29を通って流れる冷却媒体26と前記反射シェル25の前記裏側との間の対流熱伝達が、熱伝導に関して前記反射シェル25から熱を除去する過程に影響を与えるように、前記反射シェル25の厚さが実質的に減らされており、前記冷却媒体の圧力及び/又は質量流量及び/又は温度が制御された状態で前記冷却媒体26を前記冷却チャネル29に供給するよう冷却回路33が前記冷却チャネル29に接続されていることを特徴とする、請求項1に記載の光学コレクタ。前記反射シェル25が略楕円形状であるとともに軸線30に関して線対称をなしており、前記冷却チャネル29が前記軸線30に関して漏斗形状であることを特徴とする、請求項2に記載の光学コレクタ。前記冷却チャネル29が複数の入口ポート27及び複数の出口ポート32経由で前記冷却回路33に接続されていることを特徴とする、請求項3に記載の光学コレクタ。ボリュート28、31が、前記入口ポート27と前記冷却チャネル29との間、及び前記出口ポート32と前記冷却チャネル29との間に設けられていることを特徴とする、請求項4に記載の光学コレクタ。前記冷却媒体26が、前記軸線30近くの前記冷却チャネル29に入り、前記軸線30から離れた前記冷却チャネル29から出ることを特徴とする、請求項3~5のいずれか一項に記載の光学コレクタ。流れを乱す手段36が前記冷却チャネル29内の所定位置に設けられていることを特徴とする、請求項1~6のいずれか一項に記載の光学コレクタ。前記流れを乱す手段が、特に攪乱部材36形状の、複数の障害物を含み、複数の前記障害物が、前記反射シェル25の前記裏側とは反対にある前記冷却チャネル29の側面及び/又は前記反射シェル25の前記裏側上に取り付けられていることを特徴とする、請求項7に記載の光学コレクタ。前記冷却回路29が、熱交換手段34、圧縮器35及び制御弁41を含む閉じた回路であり、制御部40が、前記圧縮器35及び/又は前記制御弁41及び/又は前記熱交換手段34を制御するために設けられていることを特徴とする、請求項1~6のいずれか一項に記載の光学コレクタ。請求項1~9のいずれか一項に記載の光学コレクタを動作させる方法において、前記冷却チャネル29を通って流れる前記冷却媒体26の前記圧力及び/又は前記質量流量及び/又は前記温度が、前記反射シェル25に熱的に誘発される変形を補償するために用いられることを特徴とする方法。前記反射シェル25の変形の特徴を示す入力信号42に従って、前記冷却媒体26の前記圧力及び/又は前記質量流量及び/又は前記温度が制御されることを特徴とする、請求項10に記載の方法。ガスが前記冷却媒体として用いられることを特徴とする、請求項10又は請求項11に記載の方法。前記ガスが、水素、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン、塩素、窒素、フッ素、臭素及びヨウ素を含むガスのうちの1つである、又は前記ガスのうちの2つ以上からなる混合物であることを特徴とする、請求項12に記載の方法。ターゲット物質の一連のドロップレット19を照射するターゲット供給システム17と、EUV生成位置20で前記ターゲット物質を強熱する高出力駆動レーザ12と、前記EUV生成位置20で生成された前記EUV光18を集める光学コレクタ15とを備え、前記光学コレクタ15が請求項1~9のいずれか一項に記載のコレクタであることを特徴とする、EUV源10。本発明の目的は、特にEUV源に用いられる光学コレクタであって、動作中に光学コレクタ上の熱負荷の影響を受けずに集められた放射線の焦点を合わせる事が可能な光学コレクタを提供すること、並びに、そのような光学コレクタを動作させる方法、及び、そのような光学コレクタを備えるEUV源を提供することである。この目的は、請求項1に記載の光学コレクタ、請求項10に記載の方法、及び請求項14に記載のEUV源によって達成される。本発明にかかる光学コレクタは、中央のEUV生成位置で生成された極紫外線又はEUV光を集める。反射シェルを備える光学コレクタは、反射シェルに熱的に誘発された変形を補償する手段が設けられていることを特徴とする。本発明の一実施形態によれば、冷却チャネルが反射シェルの裏側と支持構造体との間に設けられるように、反射シェルが、支持構造体上に取り付けられているとともに支持構造体によって支持されており、反射シェルが、支持構造体上に取り付けられているとともに支持構造体によって支持されている冷却チャネルを通って流れる冷却媒体と反射シェルの裏側との間の対流熱伝達が熱伝導に関して反射シェルから熱を除去する過程に影響を与えるように、反射シェルの厚さが実質的に減らされており、冷却媒体の圧力及び/又は質量流量及び/又は温度が制御された状態で冷却媒体を冷却チャネルに供給するために冷却回路が冷却チャネルに接続されている。本発明の別の実施形態によれば、反射シェルが略楕円形状であるとともに軸線に関して線対称をなしており、冷却チャネルが軸線に関して漏斗形状である。本発明の別の実施形態によれば、冷却チャネルが複数の入口ポート及び複数の出口ポート経由で冷却回路に接続されている。本発明の別の実施形態によれば、ボリュートvolute:渦巻き部が、入口ポートと冷却チャネルとの間、及び出口ポートと冷却チャネルとの間に設けられている。本発明の別の実施形態によれば、冷却媒体が軸線近くの冷却チャネルに入り、軸線から離れた冷却チャネルから出る。本発明の別の実施形態によれば、流れを乱す手段が冷却チャネル内の所定位置に設けられている。本発明の別の実施形態によれば、流れを乱す手段が、特に攪乱部材turbulator形状の、複数の障害物を含み、その障害物が、反射シェルの裏側とは反対にある冷却チャネルの側面上及び/又は反射シェルの裏側上に取り付けられている。本発明の単なる別の実施形態によれば、冷却回路が熱交換手段、圧縮器及び制御弁を含む閉じた回路であり、それによって制御部が圧縮器及び/又は制御弁及び/又は熱交換手段を制御するために設けられている。本発明に係る光学コレクタを動作させる方法は、冷却チャネルを通って流れる冷却媒体の圧力及び/又は質量流量及び/又は温度が、反射シェルに熱的に誘発される変形を補償するために用いられることを特徴とする。本発明に係る方法の一実施形態によれば、反射シェルの変形の特徴を示す入力信号に従って、冷却媒体の圧力及び/又は質量流量及び/又は温度が制御される。本発明に係る方法の別の実施形態によれば、ガスが冷却媒体として用いられる。本発明に係る方法の単なる別の実施形態によれば、ガスが、水素、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン、塩素、窒素、フッ素、臭素及びヨウ素を含むガスのうちの1つである、又は前記ガスのうちの2つ以上からなる混合物である。本発明に係るEUV源は、ターゲット物質の一連のドロップレットを照射するターゲット供給システムと、EUV生成位置でターゲット物質を強熱する高出力駆動レーザと、EUV生成位置で生成されたEUV光を集める光学コレクタとを備えており、それによってその光学コレクタが本発明に係るコレクタである。次に、様々な実施形態によって及び添付の図面を参照して本発明をより詳細に説明する。本発明は、楕円コレクタ光学系がEUV放射線源に用いられる際に楕円コレクタ光学系を熱的及び機械的に取り扱う冷却機構に関するものである。この光学系の目的は、その光学系のプラズマ源から来る放射線を集め、集められた放射線を中間焦点に焦点を合わせることである。本発明は、EUV源内のコレクタ光学系が直面する2つの主な問題を解決する対処法を含む。すなわち、プラズマから生じる熱負荷が物質温度を上昇させ、コレクタのいたる所に温度勾配をもたらすことであり、これらはコレクタの反射面の変形を誘発する。一方、集められた放射線の使用には、反射された放射線の焦点において非常に小さなスポットサイズが要求される。このことは放射線源の輝度を確実に高くするためである。コレクタの反射シェルに変形が誘発されると、コレクタに要求される焦点調整の質が損なわれることになる。新規の設計と制御手法は、コレクタ物質内の温度分布を調整することと、熱的に誘発された変形を補償することを可能にする。第1のステップでは、反射シェルの厚さが実質的に減らされ、このことは局所的温度に対して対流熱伝達の強い影響を及ぼす。伝導による熱の横分布は、シェルの厚さ方向にわたる熱伝達と比較して減少される。このことは、対流熱伝達を裏側の冷却媒体ガスに局所的に調節させることによって温度に局所的に影響を及ぼすことを可能にする。高い熱負荷を伴う領域では、ガス流の流れを加速し、流れの方向を変更し又は流れを乱すことによって局所的な熱伝達が増進される。従って、熱負荷が非均一的に分布されるにもかかわらず、反射シェルの温度を略均一±1°Cにすることが実現できる。一方では反射シェルが薄く設計され、他方では支持構造体が堅いと、反射シェルの一定の変形態様のみが可能になる。有限要素シミュレーションの結果、冷却媒体の圧力が上がると局所的な表面回転が誘発され、その局所的な表面回転が、反射面の広範囲にわたって物質温度が上昇する冷却媒体の質量流量が減少することによって誘発される局所的な表面回転とは反対方向であることがわかった。換言すると、冷却媒体の圧力が上がると楕円表面を一方向に膨張させる一方で、物質温度が上昇するとその反対方向への変形を引き起こすので、結果としてその楕円表面が変形していない形状に近く変形された輪郭になる。このため、集められた放射線をできる限り小さなスポットまで小さくして焦点調整するために有害である局所的な表面回転を補償することになる。これによって、コレクタの閉じた冷却ループ内の圧力は、対応する動作点に変形を誘発する温度を補償するために要求されたレベルに一致しなければならない。しかしながら、反射シェルの形状は必ずしも完全に楕円形であるとは限らない。動作条件によるいくつかの変形は、製造時に既に補償されることができるので、従って、冷却シェルはもはや完全に楕円形ではない。本発明の一実施形態にかかる基本的なコレクタ機構を図1に示す。コレクタ15は、線対称の反射シェル25を支持する線対称の剛性支持構造体24を備える。冷却媒体26は、コレクタ15の開口部22の周りに配置された1つ又は複数の入口ポート27からコレクタ支持構造体24に注入される。第1の周囲のボリュート28では、冷却媒体26が、反射シェル25の裏側に沿って延びている漏斗形状の冷却チャネル29に入る前に、冷却媒体26の流れが中心軸線30の周りに分布される。反射シェル25の裏側を通過した後に、冷却媒体26は第2の周囲のボリュート31に集められて、1つ又は複数の出口ポート32が冷却媒体26をその第2の周囲のボリュート31から放出する。冷却媒体26はガスであり、少なくとも熱交換手段34及び圧縮器35を含む閉じた冷却回路33に戻る。冷却媒体26の圧力及び/又は質量流量及び/又は入口温度は、冷却回路33の一部である圧縮器35及び/又は制御弁41及び/又は熱交換手段34によって制御されてもよい。圧縮器35及び/又は制御弁41及び/又は熱交換手段34の動作は制御部40によって制御され、制御部40は、反射シェル25の変形の特徴を示す入力信号42を例えば温度及び/又は変形センシング手段から受信する。コレクタ15の温度分布を形成する手段を図2に図示する。断面図は、既定の局所的な幅の冷却チャネル29を示す。冷却媒体の流れ26を加速させ、反射シェル25の裏側へ向かわせるために、リブ又は攪乱部材36形状この場合はくさび形状のインサートが所定位置において支持構造体24の内面上に分布されている。これらの攪乱部材36が取り付けられ障害物として機能する領域では、反射シェル25の裏側から冷却媒体26の流れへの熱伝達が増進される。あるいはまた、類似の攪乱部材が反射シェル25の裏側に設けられていてもよい。図3は、実験的に取得されたコレクタ15の半径方向温度プロファイル半径位置に依存する平均温度Tmeanからの偏差を比較するものである。元の温度プロファイル曲線Bと比較して、攪乱部材が挿入された領域において温度が低下されていること曲線Aは、これらの領域において冷却が増進されていることを証明するものである。温度プロファイルを形成するために、攪乱部材の間隔、位置、サイズ及び方向のような様々なパラメータの影響は、詳細に調査されており、この図面にも部分的に認められ得る。基板温度や冷却媒体圧力の変化によって変形が誘発される際のコレクタ15の薄い反射シェル25の変形態様を図5に示す変形されたシェルは番号25’及び25’’によって参照される。内側支持体37及び外側支持体38に近く、堅い又は固定された領域はそれぞれ、反射シェル25の中央の楕円部分39の変形よりも小さい変形に直面している。変形の形状は、ある位置における温度上昇による表面回転25’が、冷却媒体圧力の上昇によって誘発される表面回転25’’とは反対方向となるようなものである。これらの変形の相対的な程度は、半径位置に依存し、シェル25の物質温度が10°C上昇することを補償するために冷却媒体圧力が1バールbarまで上昇することを要求されるようなものである。このことは図4から分かることができ、図4は、様々な表面角度に対する表面温度や冷却媒体圧力の変化による表面回転の増加を示す。反射シェル25は必ずしも均一な厚さを有していなくてもよい。いくつかの場合には、熱的又は機械的に誘発された変形の所望の態様を作り出すために、反射シェル25の厚さが反射シェルの表面にわたってわずかに変化することが有利であり得る。変形されたコレクタ表面が補償無しでEUV源10の中間焦点すなわち第2の焦点21のスポットサイズにどの程度影響を及ぼすかは、図6におけるレイトレーシング結果から分かり得る。完全な楕円がミラー形状として用いられる場合、反射された光線はコレクタの変形によって動作条件下で中間焦点から1.2mmまで外れる。薄く設計するという本解決策のため、熱的に誘発された変形を補償することは、十分に小さい焦点スポットサイズを実現するために不可欠である。本発明をEUV放射線に関して上述したが、本発明はX線、すなわち波長範囲1nmから100nmまでのすべてに役に立ち得る。