"一方の面側に搭載される半導体チップからの発熱を、他方の面側に設置される冷却器へと伝熱させるパワーモジュール用絶縁放熱基板であって、少なくとも、絶縁樹脂基板と、当該絶縁樹脂基板の表裏に積層された金属層と、当該絶縁樹脂基板中に配置された高熱伝導絶縁粒子とを有し、且つ、当該両金属層と高熱伝導絶縁粒子とが、当該高熱伝導絶縁粒子の絶縁樹脂基板からの露出面に設けられた鉤状の凹部に、当該金属層の一部が噛み合わせ状に食い込んだ状態で接続されていることを特徴とするパワーモジュール用絶縁放熱基板。当該高熱伝導絶縁粒子の露出面が、絶縁樹脂基板からの突出露出面であることを特徴とする請求項1記載のパワーモジュール用絶縁放熱基板。当該高熱伝導絶縁粒子の露出面が、絶縁樹脂基板から突出することなく当該絶縁樹脂基板面と面一となっていることを特徴とする請求項1記載のパワーモジュール用絶縁放熱基板。当該金属層が、無電解めっきと電解めっきとを順次析出したものからなることを特徴とする請求項1~3の何れか1項に記載のパワーモジュール用絶縁放熱基板。当該無電解めっきが、Niめっきからなることを特徴とする請求項4に記載のパワーモジュール用絶縁放熱基板。当該無電解めっきが、絶縁樹脂基板の表面及び裏面に残された金属箔のアンカーパターンを介して析出されていることを特徴とする請求項4又は5に記載のパワーモジュール用絶縁放熱基板。当該高熱伝導絶縁粒子が、搭載される半導体チップに対応して部分的に配置されていることを特徴とする請求項1~6の何れか1項に記載のパワーモジュール用絶縁放熱基板。当該半導体チップに対応する部分に配置されている高熱伝導絶縁粒子が、硬化後に絶縁樹脂基板となる絶縁樹脂フィルムに設けた開口部をガイドにして配置されたものであることを特徴とする請求項7に記載のパワーモジュール用絶縁放熱基板。当該絶縁樹脂基板が、内部に補強繊維を含んでいることを特徴とする請求項1~8の何れか1項に記載のパワーモジュール用絶縁放熱基板。当該絶縁樹脂基板が、横方向の線膨張係数よりも縦方向の線膨張係数が小さい異方性線膨張樹脂からなることを特徴とする請求項1~9に記載のパワーモジュール用絶縁放熱基板。当該絶縁樹脂基板の表裏に積層される金属層のうち、半導体チップが搭載される面とは反対側の面に積層される金属層が、冷却器であることを特徴とする請求項1~10の何れか1項に記載のパワーモジュール用絶縁放熱基板。本発明は、パワーモジュール用絶縁放熱基板の絶縁基板として絶縁樹脂基板を用いた場合においても、金属層回路層や熱拡散層等として使用される金属層と高熱伝導絶縁粒子との間の接触熱抵抗の増大を抑制できるパワーモジュール用絶縁放熱基板を提供することを課題とする。本発明は、一方の面側に搭載される半導体チップからの発熱を、他方の面側に取り付けられる冷却器へと伝熱させるパワーモジュール用絶縁放熱基板であって、少なくとも、絶縁樹脂基板と、当該絶縁樹脂基板の表裏に積層された金属層と、当該絶縁樹脂基板中に配置された高熱伝導絶縁粒子とを有し、且つ、当該両金属層と高熱伝導絶縁粒子とが、当該高熱伝導絶縁粒子の絶縁樹脂基板からの露出面に設けられた鉤状の凹部に、当該金属層の一部が噛み合わせ状に食い込んだ状態で接続されていることを特徴とするパワーモジュール用絶縁放熱基板により上記課題を解決したものである。本発明によれば、半導体チップからの発熱が絶縁放熱基板に流入した場合においても、高熱伝導絶縁粒子と金属層との間の接触熱抵抗を常温時とほぼ同じ状態に維持することができ、以て、半導体チップから発せられた熱を素早く冷却器側へ逃がすことができる。本発明の第一の実施の形態を図1eを用いて説明する。尚、従来技術と同じ部位には同じ符号を付すようにした。図1eは、本発明パワーモジュール用絶縁放熱基板以降これを単に絶縁放熱基板と表記するPの概略断面図を示したもので、当該絶縁放熱基板Pは、絶縁樹脂基板1と、当該絶縁樹脂基板1の表面に積層された回路層3及び同基板1の裏面に積層された熱拡散層4と、当該絶縁樹脂基板1中に配置された高熱伝導絶縁粒子2とを有し、且つ、当該回路層3及び熱拡散層4と、高熱伝導絶縁粒子2とが、当該高熱伝導絶縁粒子2の絶縁樹脂基板1表面A及び裏面Bからの突出露出面、すなわち突出部13の表面に設けられた鉤状の凹部5に、当該回路層3及び熱拡散層4の一部が噛み合わせ状に食い込んだ状態で接続されているものである図3b参照。本発明において、鉤状の凹部とは、図2及び図3aに示されているように、予め水酸化ナトリウムや弗酸などで処理して高熱伝導絶縁粒子2の表面に形成された凹部5で、その内部において開口部5aの間口エリアから外れた抉れ部5bを有するものを云う。続いて、上記絶縁放熱基板Pの製造方法を図1を用いて説明する。まず、図1aに示したように、金属箔4aの一方の面に、大きさをある程度揃えた高熱伝導絶縁粒子2当該大きさとしては、後に形成される絶縁樹脂基板の厚さよりも厚みがあり、且つ、当該絶縁樹脂基板の表裏に金属層を積層した際に、当該金属層を貫通しない程度の大きさであるで、その表面に鉤状の凹部5図2,図3a参照が予め形成されたものを、配置位置に偏りが生じないようにマスクなどを介して配置した後、当該金属箔4a上に配置された高熱伝導絶縁粒子2を挟むように金属箔3aを配置し図1b参照、次いで、後に金属箔3aと金属箔4aとの間に形成される絶縁樹脂基板1の厚さ分のスペースが空くようにスペーサー等図示省略を介してプレス加工を行い、当該高熱伝導絶縁粒子2の一部図1に示した突出部13に相当を金属箔3a、4aに突入させるとともに図1c参照、当該高熱伝導絶縁粒子2の表面に設けられた鉤状の凹部5に、当該金属箔3a及び金属箔4aの一部を噛み合せ状に食い込ませる図3a,b参照。ここで、金属箔3a、4aの材料としては、熱伝導率が高く、高熱伝導絶縁粒子2よりも軟らかいものであれば特に限定されるものではないが、一般的に使用されるCuやAl等例えば、厚さ150μm~300μm程度のCu箔やAl箔等が熱伝導性や電気特性などを考慮した場合に好ましく、また、高熱伝導絶縁粒子2の材料としては、絶縁性と比較的高い熱伝導率を兼ね備えたセラミックスが使用でき、例えば、Al2O3熱伝導率:20W/mk、SiC、SiN熱伝導率:70W/mk、AlN熱伝導率:170W/mk等が挙げられるが、必要とする放熱性能に応じて選択することができる。次に、図1cに示した矢印のように、金属箔3a、4aの間に液状絶縁樹脂1aを流し込んだ後、当該液状絶縁樹脂1aを硬化して絶縁樹脂基板1とする図1d参照。ここで、当該液状絶縁樹脂1a絶縁樹脂基板1としては、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエチレン、液晶ポリマー、アクリル、ポリカーボネート、シリコーン等が挙げられるが、特に、耐熱性、応力緩和性がより優れているという点で液晶ポリマーが好ましい。尚、図には示していないが、上記樹脂中に、高熱伝導絶縁粒子2と同質材料で、且つ、当該高熱伝導絶縁粒子2よりも径が小さいフィラーを、絶縁樹脂基板1の応力緩和性に影響が出ない範囲で充填するのが、高熱伝導粒子2を含む絶縁樹脂基板1の全熱抵抗を下げる即ち、熱伝導率を上げる上で好ましい。そして最後に、金属箔3a、4aに対して周知のフォトエッチングプロセス当該金属箔3a、4aの表面にエッチングレジスト用のドライフィルムをラミネートした後、露光現像でエッチングレジストパターンを形成し、次いで、エッチングレジストパターンから露出した金属箔3a、4aをエッチング除去して、配線回路を形成する工程で回路形成を施し、回路層3と熱拡散層4とを形成することによって、図1eの絶縁放熱基板Pを得る。本実施の形態の注目すべき点は、金属箔3a、4a回路層3や熱拡散層4等として使用される金属箔と熱的に接続される高熱伝導絶縁粒子2として、表面に鉤状の凹部5が形成されたものを用い、当該金属箔3a、4aと、当該高熱伝導絶縁粒子2との接続構造として、当該金属箔3a、4aの一部を当該鉤状の凹部5に噛み合わせ状に食い込ませた点である図1b~c工程で行われるプレス工程の要部拡大断面図を示した図3a、b参照。これにより、半導体チップから発せられた熱が絶縁放熱基板Pに流入し、当該絶縁放熱基板Pの絶縁樹脂基板1が膨張した場合においても、高熱伝導絶縁粒子2と金属箔3a,4a即ち、回路層3及び熱拡散層4との接触熱抵抗を常温時と略同じ状態に維持することができるため、当該熱を素早く冷却器側へ逃がすことができる即ち、絶縁樹脂基板1における縦方向の膨張量が高熱伝導絶縁粒子2のそれより大きくても、高熱伝導絶縁粒子2と金属箔3a,4aとの接触部にアンカー効果が働き、両者の接触界面に図15cに示したような剥離部26が発生しないため、両者の接触熱抵抗の増大を抑制できる。次に、図1eに示した絶縁放熱基板Pと同様の構造の絶縁放熱基板Paを得るための他の製造方法について図4を用いて説明する使用される金属箔、高熱伝導絶縁粒子、絶縁樹脂の種類などは図1で説明したのと同じであるため、その説明については省略する。まず、図4aに示したように、金属箔4aの表面に半硬化状態の絶縁樹脂フィルム1bを積層し、次いで、図4bに示したように、表面に鉤状の凹部5が形成された高熱伝導絶縁粒子2を当該絶縁樹脂フィルム1b上に配置する配置方法としては、図1で説明したのと同様にマスクなどを介して行う。次に、絶縁樹脂フィルム1上に配置された高熱伝導絶縁粒子2を金属箔4aと挟むように金属箔3aを配置し図4c参照、次いで、プレス加工を行うことによって、当該高熱伝導絶縁粒子2の一部図4eに示した突出部13に相当を金属箔3a、4aに突入させるとともに、当該高熱伝導絶縁粒子2の表面に設けられた鉤状の凹部5に、当該金属箔3a及び金属箔4aの一部を噛み合せ状に食い込ませ、当該絶縁樹脂フィルム1bを硬化させて絶縁樹脂基板1とする図4d参照。そして最後に、金属箔3a、4aに回路形成を施し、回路層3及び熱拡散層4を形成することによって、図1eのものと同様の構造からなる絶縁放熱基板Paを得る図4e参照。以上のように、図4の製造方法においては、図1cの工程のように、絶縁樹脂基板1を形成する手段として液状絶縁樹脂1aを金属箔3a、4a間に流し込むといった手間のかかる工程が不要になるため、図1の製造工程よりも容易に絶縁放熱基板を得ることができる。次に、本発明の第二の実施の形態を図6eを用いて説明する。図6eは、本発明絶縁放熱基板Pbの概略断面図を示したもので、当該絶縁放熱基板Pbは、回路層11及び熱拡散層12を、無電解めっき10、電解めっき11a、12aから形成した以外は、図1e、図4eの構造のものと同様のものである。続いて、上記絶縁放熱基板Pbの製造方法を図6を用いて説明する。まず、図1a~d又は図4a~dに示した製造工程により、図1d又は図4dと同じ構造の基板を作製し図6a参照、次いで、絶縁樹脂基板1の表裏に積層された金属箔3a、4aをエッチングにより除去する図6b参照。次に、過マンガン酸ナトリウム系あるいは過マンガン酸カリウム系のデスミア処理を行うことによって、絶縁樹脂基板1の表面を粗化処理するとともに、露出している高熱伝導絶縁粒子2の表面に設けられた鉤状の凹部5内に巻き込まれた樹脂を除去する図6b参照。次に、図6cに示したように、厚さ0.3~3μmの無電解めっき10例えば無電解Cuめっきを全面に析出させた後、厚さ150μm~300μm程度の電解めっき11a、12a例えば、電解Cuめっきを析出させる図6d参照。そして最後に、無電解めっき10、電解めっき11a及び12aに対して回路形成を施し、回路層11及び熱拡散層12を形成することによって、図6eの絶縁放熱基板Pbを得る。本実施の形態の注目すべき点は、回路層11及び熱拡散層12を無電解めっき10及び電解めっき11a、12aで形成した点である。これにより、回路層3及び熱拡散層4を金属箔から形成する図1、図4の構成で見られた鉤状の凹部5内の金属未充填部7図3b参照を無くすことができるため図7参照、絶縁放熱基板P、Paよりも初期接触熱抵抗を小さくすることができる即ち、熱を素早く冷却器側に逃がすことができる。また、上記第二の実施の形態では、無電解めっき10として無電解Cuめっきを析出する例を示したが、当該無電解Cuめっきよりも結晶粒径が小さい無電解Niめっきを析出すれば、無電解Cuめっきよりも緻密なめっき膜を析出できるため、初期接触熱抵抗をより小さくすることができる。尚、当該無電解Niめっきの種類としては、無電解NiPめっき、無電解NiBめっき等、何れのNiめっきも利用可能であるが、中でも熱伝導率が最も高いNiBめっきを選択するのがより初期接触熱抵抗を小さくできる点で好ましい。因みに、上記第二の実施の形態における回路層11および熱拡散層12の形成手段として、無電解めっき10上に電解めっき11a及び12aを析出させた後、エッチングフォトエッチングプロセス:サブトラクティブ法により形成する例を示したが、パターンめっきで回路を形成するアディティブ法無電解めっき10を全面に形成した後、めっきレジストパターンを形成し、次いで、めっきレジストパターン非形成部に電解めっき11a、12aを析出させた後、めっきレジストパターンの除去及び当該めっきレジストパターンの除去によって露出した無電解めっき10をフラッシュエッチングで除去する回路形成手段で形成することももちろん可能である。次に、本発明の第三の実施の形態を図8fを用いて説明する。図8fは、本発明絶縁放熱基板Pcの概略断面図を示したもので、当該絶縁放熱基板Pcは、高熱伝導絶縁粒子2の露出面が、図8cに示したように、当該絶縁樹脂基板1の表面A及び裏面Bから突出することなく当該表面A及び裏面Bと面一となっている以外は、図6eの構造のものと同様のものである。続いて、上記絶縁放熱基板Pcの製造方法を図8を用いて説明する。まず、図8bの構造の基板を、図6a~図6bと同じ工程により形成する。次に、図8bに示したように、絶縁樹脂基板1の表面A及び裏面Bから突出した高熱伝導絶縁粒子2の突出部13を、平面研磨やブラスト処理などにより除去することによって、当該絶縁樹脂基板1の表面A及び裏面Bと、当該高熱伝導絶縁粒子2の露出面とを平坦な面一にする図8c参照。次に、デスミア処理を行った後、絶縁樹脂基板1の表面A及び裏面Bと平坦な高熱伝導絶縁粒子2の露出面を粗化処理して鉤状の凹部5を形成し図9に示した要部拡大断面図参照。因みに、符号14は金属箔3a、4aをエッチング除去した際に絶縁樹脂基板1に形成されたアンカーパターン6と同形状の粗化層である、次いで、図8dに示した無電解めっき10の析出から図8fの回路形成までの工程を図6c~図6eと同じ工程で行うことによって、図8fの絶縁放熱基板Pcを得る。本実施の形態の注目すべき点は、絶縁樹脂基板1の表面A及び裏面Bと、高熱伝導絶縁粒子2の露出面とを面一にし、当該高熱伝導絶縁粒子2を回路層11及び熱拡散層12内に突入させない構造とした点である。これにより、金属よりも熱伝導率の低い高熱伝導絶縁粒子2が、金属からなる回路層11及び熱拡散層12側に突出しないため、当該高熱伝導絶縁粒子2が回路層3及び熱拡散層4側に突出する第一、第二の実施の形態のものよりも熱を素早く逃がすことができる。次に、図8fに示した絶縁放熱基板Pcと同様の構造の絶縁放熱基板Pdを得るための他の製造方法について図10を用いて説明する。尚、図10に示した製造工程図は、図8の工程と異なる工程のみを示したため、共通の工程に関しては、図8の製造工程図を用いることにした。また、最終的に得られる絶縁放熱基板Pdの構成も、図8fのものと同様の構成となるため、図8fを共通図面として用いることにした。まず、図8aの基板の金属箔3a、4aにエッチング処理を施し、当該金属箔3a、4aを、例えば1~5μm程度まで薄層化する図10aの薄層化された金属箔3b、4b参照。次に、図10aの状態の基板に対して、平面研磨を施すことにより、絶縁樹脂基板1の表面A及び裏面Bと、当該高熱伝導絶縁粒子2の露出面とを平坦な面一にする図10b参照。尚、図10bに示した絶縁樹脂基板1の表面A及び裏面Bの状態は、図10cの要部拡大断面図に示したように、金属箔3a、4aのアンカーパターン6が残った状態となっている。因みに、上記平坦な面一化方法では、金属箔3a、4aを薄層化してから研磨を行う例を示したが、箔層化せずに研磨のみで平坦な面一にすることももちろん可能である。次に、デスミア処理を行った後、図10dに示したように、高熱伝導絶縁粒子2の絶縁樹脂基板1からの露出面を粗化して鉤状の凹部5を形成し、次いで、図10eに示した無電解めっき10の析出工程以降の工程を、図8d~図8f{即ち、図6c~図6e}と同じ工程で行うことによって、図8fの絶縁放熱基板Pdを得る。図10の製造工程で得られた絶縁放熱基板Pdと、図8の製造工程で得られた絶縁放熱基板Pcとは、放熱性能的には同じであるが、絶縁樹脂基板1に直接無電解めっき10を析出させる絶縁放熱基板Pcと比較した場合図9、図8参照、無電解めっき10を金属箔3a、4aのアンカーパターン6を介して析出させる絶縁放熱基板Pdの方が、当該無電解めっき10と絶縁樹脂基板1との密着強度を向上できるという点で優れている図10c、e参照。次に、本発明の第四の実施の形態を図11dを用いて説明する。図11dは、本発明の絶縁放熱基板Peの概略断面図を示したもので、当該絶縁放熱基板Peは、絶縁樹脂基板として補強繊維15入りの絶縁樹脂基板1dを用いここでは、半導体チップ19の搭載エリアに対応する絶縁樹脂17のみからなる部分も含んで絶縁樹脂基板1dとする、また、高熱伝導絶縁粒子2の配置位置を、当該半導体チップ19の搭載エリアに対応する部分にのみ配置した以外は、図1eや図4eに示したものと同様のものである。続いて、上記絶縁放熱基板Peの製造方法を図11を用いて説明する。まず、金属箔4aの一方の面に、後に搭載される半導体チップ19の搭載エリアに対応した部分に開口部16を有する補強繊維15入りの絶縁樹脂フィルム1cを配置し図11a参照、次いで、当該開口部16内に、表面に鉤状の凹部5が形成された高熱伝導絶縁粒子2を充填する図11b参照。次に、当該絶縁樹脂フィルム1cの開口部16内に充填された高熱伝導絶縁粒子2を金属箔4aと挟むように金属箔3aを配置し図11b参照、次いで、プレス加工を行うことによって、当該高熱伝導絶縁粒子2の一部を金属箔3a、4aに突入させるとともに、当該高熱伝導絶縁粒子2の表面に設けられた鉤状の凹部5に、当該金属箔3a及び金属箔4aの一部を噛み合せ状に食い込ませ、当該絶縁樹脂フィルム1cを硬化させて絶縁樹脂基板1dとする図11c参照。尚、図11cに示した符号17はプレス加工の際に絶縁樹脂フィルム1cから流れ出た絶縁樹脂である。そして最後に、金属箔3a、4aに対して回路形成を施し、回路層3と熱拡散層4とを形成することによって、図11dの絶縁放熱基板Peを得る。本実施の形態の注目すべき点は、高熱伝導絶縁粒子2を、硬化後に絶縁樹脂基板1dとなる絶縁樹脂フィルム1cに設けた開口部16をガイドにして、半導体チップの搭載エリアに対応する部分にのみ配置するようにした点である。これにより、半導体チップの搭載エリアに対応する部分のみに容易に高熱伝導絶縁粒子を配置することができ、また、高価な高熱伝導絶縁粒子の使用量を大幅に削減できるため、絶縁放熱基板を安価なものとすることができる。更に、絶縁樹脂基板として補強繊維入りの絶縁樹脂基板例えば、ガラス織布あるいはガラス不織布にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグ等の絶縁樹脂フィルムを硬化させたものを用いたことも注目すべき点である。これにより、パワーモジュールが大型の場合においても反りを抑制することができる。尚、図11の構成においては、絶縁樹脂基板の表裏に形成される回路層3及び熱拡散層4の形成手段として、積層された金属箔をエッチングして回路形成する例のみを説明したが、もちろん、図6の構成と同様に、めっきで形成することも可能である。次に、本発明の第五の実施の形態を図12を用いて説明する。図12は、本発明の絶縁放熱基板Pfの概略断面図を示したもので、当該絶縁放熱基板Pfは、絶縁樹脂基板として補強繊維15入りの絶縁樹脂基板1dを用いここでは、半導体チップ19の搭載エリアに対応する絶縁樹脂17のみからなる部分も含んで絶縁樹脂基板1dとする、また、高熱伝導絶縁粒子2の配置位置を当該半導体チップ19の搭載エリアに対応する部分にのみ配置した以外は、図8fに示した絶縁放熱基板Pc、Pdと同様のものである。尚、図12の絶縁放熱基板Pfの製造方法に関しては、図11の状態の基板を図8aの工程に適用すれば、図8、図10の製造工程により容易に得られるため、その説明については省略する。因みに、図11、図12の構成においては、絶縁樹脂フィルムとして、補強繊維入りのものを用いて説明したが、パワーモジュールが大型でなく、反りの懸念が無い場合には、補強繊維が入っていない絶縁樹脂フィルムを用いることも可能である。本発明を説明するに当たって、高熱伝導絶縁粒子と金属層回路層、熱拡散層等としての金属層との間の接触熱抵抗の増大を抑制する手段として、高熱伝導絶縁粒子に設けた鉤状の凹部に、金属層の一部を噛み合わせ状に食い込ませる例を説明してきたが、絶縁樹脂基板に用いる絶縁樹脂として、横方向の線膨張係数よりも縦方向の線膨張係数が小さい異方性線膨張樹脂を用いれば、絶縁放熱基板の放熱信頼性をより向上させることができる。また、金属箔3a、4aを回路形成することによって、回路層3及び熱拡散層4を形成する図1、図4、図11の構成において、当該熱拡散層4として、金属層内部に冷却水9を備えた冷却器8を直接積層すれば、回路層3から冷却器8への伝熱距離を短くでき、以て、半導体チップからの発熱をより一層素早く放散できる図5参照。尚、高熱伝導絶縁粒子として球状のものを用いて説明してきたが、当該高熱伝導絶縁粒子が塊状であることをイメージし易くするために球状にしただけであって、実際の形状と異なることはいうまでもない。以下、実施例を挙げて本発明の絶縁放熱基板の構成をより詳しく説明する。尚、実施例としては、図4eと図12に示した絶縁放熱基板Pa、Pfの製造例を用いることとし、また、当該絶縁放熱基板Pfの構成における絶縁樹脂基板として、絶縁放熱基板Paと同様に内部に補強繊維が含まれていない場合の構成について説明する。実施例1:図4eに示した絶縁放熱基板Paの製造例。まず、後に熱拡散層として使用される厚さ0.3mm、熱伝導率400W/mKからなる無酸素銅箔住友金属鉱山伸銅社製の一方の面に、厚さ0.15mm、熱伝導率3W/mKの絶縁樹脂エポキシフィルムを配置し、次いで、当該絶縁樹脂フィルムの表面に、マスクを介して高熱伝導絶縁粒子をムラなく配置した。尚、高熱伝導絶縁粒子としては、大きさが約φ0.35mm、熱伝導率が170W/mKからなるAlNの破砕品トクヤマ社製を、濃度1mol/l常温の水酸化ナトリウム溶液に30分浸漬処理して、表面に鉤状の凹部を形成せしめたものを用いた。次に、高熱伝導絶縁粒子が配置された絶縁樹脂フィルムの表面に、後に回路層となる銅箔上記銅箔と同じものを配置した後、温度200°C、圧力5MPaの条件で積層プレス加工を行い、次いで、塩化第二銅溶液によるエッチング処理で回路層及び熱拡散層を形成することによって、図4eの構成の絶縁放熱基板を得た。上記実施例1の製造方法で得られた絶縁放熱基板の断面観察を行なった結果、僅かに銅箔未充填部が確認されたが、高熱伝導絶縁粒子の表面に設けられた鉤状の凹部に、回路層及び熱拡散層としての銅箔の一部が噛み合わせ状に食い込んでいることが確認できた。実施例2:図12に示した絶縁放熱基板Pfの製造例。まず、厚さ18μmの銅箔3EC-III:三井金属社製の一方の面に、半導体チップの搭載エリアに対応する部分に10mm□の開口部が形成された厚さ0.15mm、熱伝導率3W/mKの絶縁樹脂フィルムを配置し、次いで、当該開口部内に堆積比率が約60となるように高熱伝導絶縁粒子上記実施例1と同様のものを配置した。次に、高熱伝導絶縁粒子が配置された絶縁樹脂フィルムの表面に、厚さ18μmの銅箔上記と同様の銅箔を配置した後、温度200°C、圧力5MPaの条件で積層プレス加工を行い、次いで、薄板に適した4軸平面研磨機にて研磨当該研磨では、セラミックバフ♯800を使用を行い、高熱伝導絶縁粒子の露出面と絶縁樹脂基板の表面とを平坦な面一にした。次に、過マンガン酸ナトリウム溶液でデスミア処理を行うことによって、高熱伝導絶縁粒子の露出面に付着した樹脂研磨処理で発生した樹脂を除去するとともに絶縁樹脂基板の表面を粗化した。次に、上記デスミア処理後の基板を、濃度1mol/l常温の水酸化ナトリウム溶液に30分浸漬処理して、高熱伝導絶縁粒子の露出面に鉤状の凹部を形成した。次に、下記の無電解銅めっき工程1~11を行なって1μmの無電解銅めっきを析出させた後、硫酸銅めっき浴による電解銅めっき処理で300μmの電解銅めっきを析出させ、次いで、塩化第二銅溶液によるエッチング処理で回路層及び熱拡散層を形成することによって、図12の構成の絶縁放熱基板を得た。≪無電解銅めっき工程≫1界面活性処理コンディショナーOPC-370コンディクリーン:奥野製薬社製、濃度100ml/l、処理温度65°C、処理時間5分2水洗3ソフトエッチング:過水硫酸系4水洗5酸洗浄濃度100ml/l98濃硫酸、処理温度25°C、処理時間2分6触媒付与以下の工程を順次行う1プリディップ{OPC-SALM奥野製薬社製、濃度260g/l、処理温度25°C、処理時間2分}2触媒付与{OPC-SALM奥野製薬社製、濃度260g/l、処理温度25°C、処理時間5分}⇒{OPC-80キャタリスト奥野製薬社製、濃度50ml/l}7水洗8触媒活性化処理アクセラレーター{OPC-555奥野製薬社製、濃度100ml/l、処理温度25°C、処理時間7分}9水洗10無電解銅めっき処理処理温度30°C、処理時間20分、◎薬品名1ATSアドカッパーIW-A濃度50ml/l2ATSアドカッパーIW-M濃度80ml/l3ATSアドカッパーC濃度10ml/l4無電解銅R-N濃度3ml/l11水洗乾燥上記実施例2の製造工程で得られた絶縁放熱基板の断面観察を行なった結果、実施例1の構成で見られた銅箔未充填部がなく、鉤状の凹部にめっきが緻密に充填されていることが確認できた。"