第1の樹脂フィルムを基材とする第1の誘電体層と、該第1の誘電体層上に設けられ、第2の樹脂フィルム中に、該第2の樹脂フィルムよりも比誘電率の低いセラミック粒子を含む第2の誘電体層とを有することを特徴とする誘電体フィルム。前記セラミック粒子がシリカガラスであることを特徴とする請求項1に記載の誘電体フィルム。前記セラミック粒子が中空粒子であることを特徴とする請求項1または2に記載の誘電体フィルム。前記セラミック粒子の表面にフッ素化合物が被覆されていることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれかに記載の誘電体フィルム。前記第1の樹脂フィルム中に、該第1の樹脂フィルムよりも比粒電率の高い高誘電率粒子を有することを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれかに記載の誘電体フィルム。請求項1乃至5のうちいずれか記載の誘電体フィルムが、第1電極と、第2電極との間に配置されており、前記第1電極および第2電極にそれぞれ外部端子が接合されていることを特徴とするコンデンサ。しかしながら、樹脂フィルム中にセラミック粒子を含ませた複合材料は、誘電率を高めることができる反面、樹脂のみの場合に比べて絶縁耐力を低下させるという課題がある。これは樹脂フィルム中にセラミック粒子を含有させると、セラミック粒子の誘電率が樹脂フィルムの誘電率に比較して高いために、印加された電界が誘電率の高いセラミック粒子の方に集中しやすくなることによる。従って、本発明は、絶縁耐力の高い誘電体フィルムとこれを用いたコンデンサを提供することを目的とする。本発明の誘電体フィルムは、第1の樹脂フィルムを基材とする第1の誘電体層と、該第1の誘電体層上に設けられ、第2の樹脂フィルム中に、該第2の樹脂フィルムよりも比誘電率の低いセラミック粒子を含む第2の誘電体層とを有することを特徴とする。上記誘電体フィルムでは、前記セラミック粒子がシリカガラスであることが望ましい。上記誘電体フィルムでは、前記セラミック粒子が中空粒子であることが望ましい。上記誘電体フィルムでは、前記セラミック粒子の表面にフッ素化合物が被覆されていることが望ましい。上記誘電体フィルムでは、前記第1の樹脂フィルム中に、該第1の樹脂フィルムよりも比粒電率の高い高誘電率粒子を有することが望ましい。本発明のコンデンサは、上記の誘電体フィルムが、第1電極と、第2電極との間に配置されており、前記第1電極および第2電極にそれぞれ外部端子が接合されていることを特徴とする。本発明によれば、絶縁耐力の高い誘電体フィルムとこれを用いたコンデンサを得ることができる。図1は、本発明の誘電体フィルムの一実施形態を示す概略縦断面図である。図2は、本発明の誘電体フィルムの他の実施形態を示す概略縦断面図である。図3は、図2の誘電体フィルム内における電気力線を示す拡大断面図である。図4は、本発明のコンデンサの一実施形態を示す概略縦断面図である。本実施形態の誘電体フィルムAは、図1に示すように、第1の樹脂フィルム11を基材とする第1の誘電体層10と、第2の樹脂フィルム21中に、該第2の樹脂フィルム21よりも比誘電率の低いセラミック粒子23を含む第2の誘電体層20とを有している。本実施形態の誘電体フィルムAによれば、2層積層された樹脂フィルム11、21のうちの1層の樹脂フィルム21中に、この樹脂フィルム21よりも比誘電率空気の比誘電率を1とした場合の値としての低いセラミック粒子23を含有させているために、誘電体フィルムAに電圧を印加した場合に、第1の誘電体層10を通過してきた電界が下層側の第2の誘電体層20を構成する樹脂フィルム21の内部において、電界電束がセラミック粒子23に集中せず迂回するようになることから、電界電束が分散されやすくなり、これにより第2の誘電体層20を全面にわたって高絶縁性にできる。その結果、誘電体フィルムAの絶縁耐力を高めることができる。この場合、セラミック粒子23はシリカガラスであることが望ましい。シリカガラス比誘電率25°C:3.72は樹脂フィルムに比較して比誘電率が低いからである。また、セラミック粒子23が中空粒子であることが望ましい。中空粒子はその内部の空間に比誘電率が1の空気の層を含んでいることからセラミック粒子23の比誘電率をさらに低下させることができる。さらに、セラミック粒子23は、その周囲にフッ素化合物が被覆されていることが望ましい。セラミック粒子23は、通常、その表面がイオン化しており、電荷が蓄えられた状態となっていることから、わずかな分極が起こっているが、セラミック粒子23の表面にフッ素化合物を被覆することによりセラミック粒子23の表面の分極を低減でき、これによりセラミック粒子23の比誘電率をさらに低下させることができる。このように、セラミック粒子23を上記した構成シリカガラス、中空粒子および表面にフッ素化合物を被覆したもの、さらにはこれらを組み合わせることにより、セラミック粒子23を低誘電率化できることから、第2の誘電体層20における電界電束4の集中をさらに緩和することができ、これにより第2の誘電体層20の絶縁性をさらに高めることができる。また、本実施形態の誘電体フィルムAでは、図2に示すように、第1の誘電体層10を構成する第1の樹脂フィルム11中に、第1の樹脂フィルム11よりも比粒電率の高い高誘電率粒子25を含有させても構わない。低誘電率のセラミック粒子23を含有している第2の誘電体層20に積層された第1の誘電体層10側に、第1の樹脂フィルム11よりも比誘電率の高い高誘電率粒子25を含有させることにより、第1の誘電体層10の層を高誘電率化することができ、これにより本実施形態の誘電体フィルムAの比誘電率を相対的に高めることができる。また、図3に示すように、第2の誘電体層20側に低誘電率のセラミック粒子23を分散させているために、第1の誘電体層10に高誘電率粒子25が存在していることに起因して、誘電体フィルムAに電圧を印加した場合に、高誘電率粒子25に電界電束4が集中しても、この第1の誘電体層10に積層された第2の誘電体層20側において、電界電束4が分散されることから、誘電体フィルムAは厚み方向に対して、依然として、高い絶縁性を保つことができ、これにより高い絶縁耐力を維持することが可能となる。本実施形態の誘電体フィルムAを構成する第1および第2の樹脂フィルム11、21の材料としては、ポリビニルブチラール樹脂比粒電率25°C:4.2、ポリビニルアセトアセタール樹脂比誘電率25°C:4.2およびビスフェノールA型エポキシ樹脂比誘電率25°C:6.0のうちのいずれかの樹脂を用いることが望ましく、この場合、第1の樹脂フィルム11と第2の樹脂フィルム21は、同じ材料を用いても良く、また、含まれるセラミック粒子23や高誘電率粒子25との親和性に応じて各層異なる樹脂フィルムの材料を適宜選択してもよい。高誘電体粒子25としては、ペロブスカイト型の結晶構造を有するセラミック複合材料が好適であり、とりわけ、チタン酸バリウム比誘電率25°C:1000~3000またはチタン酸ストロンチウム比誘電率25°C:200~350が望ましい。第1の樹脂フォルム11中に含まれるセラミック粒子23または第2の樹脂フォルム21中に含まれる高誘電率粒子25の含有量は、10~70体積であることが望ましい。第1の誘電体層10においては、より高誘電率化を図れるという理由から、また、第2の誘電体層20においては、より低誘電率化と高絶縁性という理由から、いずれもこれらの粒子の含有量は多い方が好ましいが、誘電体フィルムAを形成するための接着性を維持し、また、可とう性を有し、第1および第2の樹脂フィルム11、21を第1電極31および第2電極33に重ねて巻回した状態にできるという理由から上記範囲がよい。また、セラミック粒子23の表面に被覆するフッ素化合物としては、化合物中の官能基間において電気陰性度が低く、低い極性を有するという理由から、ポリテトラフルオロエチレンPTFEやその誘導体が好ましい。本実施形態のコンデンサは、図4に示すように、上述した誘電体フィルムAが、第1、第2の電極31、33間に配置され、第1の電極31、誘電体フィルムAおよび第2の電極33がこの順に積層されており、第1、第2の電極31、33にそれぞれ外部端子35、37が接合されている。これにより絶縁耐力の高いコンデンサを得ることができる。第1、第2の電極31、33の材料としては、アルミニウム、銅、ニッケル、錫、亜鉛の群から選ばれる少なくとも1種の金属が好適であり、曲げても折れにくく、酸化し難いという理由から、アルミニウムが好ましい。なお、このコンデンサは外部端子35、37の他の部品との接続部を除いて熱硬化性樹脂などの樹脂により被覆されていてもよく、これにより耐湿性や機械的衝撃等に対する耐性を高めることができる。次に、本実施形態の誘電体フィルムAの製造方法について説明する。まず、樹脂フィルム11、21を構成する樹脂材料として、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセトアセタール樹脂、ポリイソシアネート樹脂およびビスフェノールA型エポキシ樹脂のうちのいずれかの樹脂を準備する。次に、これらの樹脂を、トルエン及びエタノールを重量比で1:1の割合で混合した混合溶媒に溶解させて、ポリピニルブチラール樹脂を含むビヒクルを作製する。また、セラミック粒子23として、平均粒径が0.03~0.5μmのシリカガラス粒子および中空状のシリカガラス粒子を準備する。高誘電率粒子25として、平均粒径が0.03~0.5μmのチタン酸バリウム粒子およびチタン酸ストロンチウム粒子を準備する。なお、これらセラミック粒子23の表面はポリテトラフルオロエチレン等により被覆処理していてもよい。次に、第1の誘電体層10および第2の誘電体層20をそれぞれ作製する。第1の誘電体層10を作製する場合には、高誘電率粒子25と、例えば、ポリビニルブチラール樹脂などの樹脂を含むビヒクルとをボールミルを用いて混合し、スラリーを調製する。一方、第2の誘電体層20を作製する場合には、高誘電率粒子25をセラミック粒子23に変えて同様にスラリーを調製する。次に、調製したスラリーをドクターブレード法などのシート成形法によりシート状に成形し、厚みが1~30μmの未硬化のシートを作製する。この後、セラミック粒子23を含む未硬化のシートと高誘電率粒子25を含む未硬化のシートとを温度70~200°C、圧力1~100MPaの条件で積層圧着させて、セラミック粒子23を含む第1の誘電体層10および高誘電率粒子25を含む第2の誘電体層20を有する誘電体フィルムAを作製する。次に、本実施形態のコンデンサの製造方法について説明する。この場合、作製した誘電体フィルムAの表裏の両主面に、アルミニウム、銅、ニッケル、錫、亜鉛の群から選ばれる少なくとも1種の金属膜を蒸着して、第1、第2の電極31、33を形成して、本実施形態のコンデンサを得る。まず、樹脂フィルムを構成する樹脂材料として、ポリビニルブチラール樹脂を準備し、これにトルエン及びエタノールを重量比で1:1の割合で混合した混合溶媒に溶解させて、ポリピニルブチラール樹脂を含むビヒクルを作製した。次に、調製したビヒクルと表1に示すセラミック粒子または高誘電率粒子とをボールミルを用いて混合してスラリを調製した。このときセラミック粒子および高誘電率粒子は平均粒径が0.1μmのものを用いた。また、樹脂フィルム中に含まれるセラミック粒子および高誘電率粒子の含有量は、いずれも約30体積となるようにした。このとき、セラミック粒子としては、市販のシリカガラスおよび中空のシリカガラスを用い、また、その表面をポリテトラフルオロエチレンPTFEにより被覆処理したものも用いた。次に、調製したスラリーをドクターブレード法などのシート成形法によりシート状に成形して厚みが14μmの未硬化のシートを作製した。この後、未硬化のシートを温度80°C、圧力10MPaの条件で表1の組合せにて積層圧着させて、第1の誘電体層およびセラミック粒子を含む第2の誘電体層との積層体を作製した。得られた第1の誘電体層および第2の誘電体層の厚みは、いずれも10μmであった。次に、作製した積層体の表裏の両主面に、アルミニウムを蒸着して、第1、第2の電極となる金属膜を形成してコンデンサを得た。比誘電率は、LCRメータ4284A:アジレント製を用いて、測定周波数:20kHz、及び測定電圧:1Vの条件にて測定し、また、絶縁耐力については、絶縁破壊電圧を絶縁抵抗計を用いて測定した。これらの評価はいずれも室温25°Cにて行った。試料数を10個とし平均値を求めた。表1の結果から明らかなように、第1の誘電体層が高誘電率粒子を含まず、第2の誘電体層が樹脂フィルムより比誘電率の低いセラミック粒子を含んでいない試料No.9および第1の誘電体層は高誘電率粒子を含んでいるが、第2の誘電体層が樹脂フィルムより比誘電率の低いセラミック粒子を含んでいない試料No.10は、いずれも絶縁破壊電圧が330V/μm以下であった。これに対して、第2の誘電体層にセラミック粒子としてシリカガラス、中空のシリカガラスを含ませた試料No.1~8は、絶縁破壊電圧が351V/μm以上であった。