"表示層と、前記表示層の上方に配列して形成された複数の第1の電極と、前記複数の第1の電極全体を配列面に沿って取り囲むように、前記複数の第1の電極と離間して形成されたシールド電極と、絶縁層と、前記絶縁層を挟んで、前記第1の電極および前記シールド電極と対向して形成された半導電層とを備え、前記第1の電極の平均電位と前記シールド電極の平均電位との差が0.5V以下である表示装置。前記シールド電極の平均電位は、前記第1の電極の平均電位以上である請求項1に記載の表示装置。前記シールド電極の平均電位は、前記第1の電極の平均電位と略同一である請求項2に記載の表示装置。前記シールド電極の配置面積は、前記第1の電極の配置面積よりも小さい請求項2に記載の表示装置。前記半導電層は静電気防止層である請求項1に記載の表示装置。前記半導電層は偏光板である請求項1に記載の表示装置。前記絶縁層を挟んで、前記半導電層から、前記第1の電極と同じあるいはより遠い位置に形成された第2の電極をさらに備えた請求項1に記載の表示装置。前記第1の電極は、タッチの有無に応じた信号を伝えるタッチ検出電極であり、前記第2の電極は、前記タッチ検出電極との間に静電容量を形成する駆動電極である請求項7に記載の表示装置。前記第2の電極は、タッチの有無に応じた信号を伝えるタッチ検出電極であり、前記第1の電極は、前記タッチ検出電極との間に静電容量を形成する駆動電極である請求項7に記載の表示装置。前記第2の電極の平均電位と前記シールド電極の平均電位との差が0.5V以下である請求項7に記載の表示装置。前記表示部は、液晶層と、前記液晶層および前記駆動電極の間に形成され、もしくは前記駆動電極を挟んで前記液晶層と対向するように配置された画素電極とを含んで構成された請求項8に記載の表示装置。前記表示部は、液晶層と、前記液晶層を挟んで前記駆動電極と対向するように配置された画素電極とを含んで構成された請求項8に記載の表示装置。前記第1の電極は、タッチの有無に応じた信号を伝えるタッチ検出電極である請求項1に記載の表示装置。表示層と、前記表示層の上方に配列して形成された複数の第1の電極と、前記複数の第1の電極全体を配列面に沿って取り囲むように、前記複数の第1の電極と離間して形成されたシールド電極と、絶縁層と、前記絶縁層を挟んで、前記第1の電極および前記シールド電極と対向して形成された半導電層とを備え、前記シールド電極の平均電位は、前記第1の電極の平均電位以上である表示装置。複数の第1の電極と、前記複数の第1の電極全体を配列面に沿って取り囲むように、前記複数の第1の電極と離間して形成されたシールド電極と、絶縁層と、前記絶縁層を挟んで、前記第1の電極および前記シールド電極と対向して形成された半導電層とを備え、前記第1の電極の平均電位と前記シールド電極の平均電位との差が0.5V以下であるタッチ検出装置。表示装置と、前記表示装置を利用した動作制御を行う制御部とを備え、前記表示装置は、表示層と、前記表示層の上方に配列して形成された複数の第1の電極と、前記複数の第1の電極全体を配列面に沿って取り囲むように、前記複数の第1の電極と離間して形成されたシールド電極と、絶縁層と、前記絶縁層を挟んで、前記第1の電極および前記シールド電極と対向して形成された半導電層とを有し、前記第1の電極の平均電位と前記シールド電極の平均電位との差が0.5V以下である電子機器。ところで、タッチパネルでは、一般に、駆動電極やタッチ検出電極が殆ど見えなくなるのが望ましいため、これらの電極を見えにくくすることが期待されている。本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、電極を見えにくくすることができる表示装置、タッチ検出装置、および電子機器を提供することにある。本開示の第1の表示装置は、表示層と、複数の第1の電極と、シールド電極と、絶縁層と、半導電層とを備えている。複数の第1の電極は、表示層の上方に配列して形成されたものである。シールド電極は、複数の第1の電極全体を配列面に沿って取り囲むように、複数の第1の電極と離間して形成されたものである。半導電層は、絶縁層を挟んで、第1の電極およびシールド電極と対向して形成されたものである。第1の電極の平均電位とシールド電極の平均電位との差が0.5V以下である。ここで、半導電層とは、例えば、10[Ωm]から1013[Ωm]程度の範囲の抵抗率を有するものである。本開示の第2の表示装置は、表示層と、複数の第1の電極と、シールド電極と、絶縁層と、半導電層とを備えている。複数の第1の電極は、表示層の上方に配列して形成されたものである。シールド電極は、複数の第1の電極全体を配列面に沿って取り囲むように、複数の第1の電極と離間して形成されたものである。半導電層は、絶縁層を挟んで、第1の電極およびシールド電極と対向して形成されたものである。上記シールド電極の平均電位は、第1の電極の平均電位以上である。本開示のタッチ検出装置は、複数の第1の電極と、シールド電極と、絶縁層と、半導電層とを備えている。シールド電極は、複数の第1の電極全体を配列面に沿って取り囲むように、複数の第1の電極と離間して形成されたものである。半導電層は、絶縁層を挟んで、第1の電極およびシールド電極と対向して形成されたものである。第1の電極の平均電位とシールド電極の平均電位との差が0.5V以下である。本開示の電子機器は、上記第1の表示装置を備えたものであり、例えば、テレビジョン装置、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、ビデオカメラあるいは携帯電話等の携帯端末装置などが該当する。本開示の第1の表示装置、タッチ検出装置、ならびに電子機器では、外乱ノイズが印加された場合には、この外乱ノイズは、シールド電極によりシールドされることにより、第1の電極に伝わるおそれを低減することができる。その際、第1の電極の平均電位とシールド電極の平均電位との差は、0.5V以下に設定される。本開示の第2の表示装置では、外乱ノイズが印加された場合には、この外乱ノイズは、シールド電極によりシールドされることにより、第1の電極に伝わるおそれを低減することができる。その際、シールド電極の平均電位は、第1の電極の平均電位以上に設定される。本開示の第1の表示装置、タッチ検出装置、ならびに電子機器によれば、第1の電極の平均電位とシールド電極の平均電位との差を0.5V以下にしたので、電極を見えにくくすることができる。また、本開示の第2の表示装置によれば、シールド電極の平均電位を、第1の電極の平均電位以上にしたので、電極を見えにくくすることができる。以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。1.静電容量式タッチ検出の基本原理2.第1の実施の形態インセルタイプ3.第2の実施の形態オンセルタイプ4.適用例<1.静電容量式タッチ検出の基本原理>まず最初に、図1~図3を参照して、本開示の表示パネルにおけるタッチ検出の基本原理について説明する。このタッチ検出方式は、静電容量式のタッチセンサとして具現化されるものであり、例えば図1Aに示したように、誘電体Dを挟んで互いに対向配置された一対の電極駆動電極E1およびタッチ検出電極E2を用い、容量素子を構成する。この構造は、図1Bに示した等価回路として表される。駆動電極E1、タッチ検出電極E2および誘電体Dによって、容量素子C1が構成される。容量素子C1は、その一端が交流信号源駆動信号源Sに接続され、他端Pは抵抗器Rを介して接地されると共に、電圧検出器タッチ検出回路DETに接続される。交流信号源Sから駆動電極E1容量素子C1の一端に所定の周波数例えば数kHz~数十kHz程度の交流矩形波Sg図3Bを印加すると、タッチ検出電極E2容量素子C1の他端Pに、図3Aに示したような出力波形タッチ検出信号Vdetが現れる。なお、この交流矩形波Sgは、後述する交流駆動信号VcomACに相当するものである。指が接触または近接していない状態では、図1に示したように、容量素子C1に対する充放電に伴って、容量素子C1の容量値に応じた電流I0が流れる。このときの容量素子C1の他端Pの電位波形は、例えば図3Aの波形V0のようになり、これが電圧検出器DETによって検出される。一方、指が接触または近接した状態では、図2に示したように、指によって形成される容量素子C2が容量素子C1に直列に追加された形となる。この状態では、容量素子C1、C2に対する充放電に伴って、それぞれ電流I1、I2が流れる。このときの容量素子C1の他端Pの電位波形は、例えば図3Aの波形V1のようになり、これが電圧検出器DETによって検出される。このとき、点Pの電位は、容量素子C1、C2を流れる電流I1、I2の値によって定まる分圧電位となる。このため、波形V1は、非接触状態での波形V0よりも小さい値となる。電圧検出器DETは、検出した電圧を所定のしきい値電圧Vthと比較し、このしきい値電圧以上であれば非接触状態と判断する一方、しきい値電圧未満であれば接触状態と判断する。このようにして、タッチ検出が可能となる。<2.第1の実施の形態>[構成例]全体構成例図4は、実施の形態に係る表示パネルの一構成例を表すものである。この表示パネル1は、液晶表示パネルと静電容量式のタッチパネルとを一体化した、いわゆるインセルタイプの表示パネルである。この表示パネル1は、制御部11と、ゲートドライバ12と、ソースドライバ13と、駆動電極ドライバ16と、タッチ検出機能付き表示デバイス10と、タッチ検出部40とを備えている。制御部11は、映像信号Vdispに基づいて、ゲートドライバ12、ソースドライバ13、駆動電極ドライバ16、およびタッチ検出部40に対してそれぞれ制御信号を供給し、これらがお互いに同期して動作するように制御する回路である。ゲートドライバ12は、制御部11から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示デバイス10の表示駆動の対象となる1水平ラインを順次選択する機能を有している。具体的には、ゲートドライバ12は、後述するように、走査信号線GCLを介して、走査信号Vscanを画素PixのTFT素子Trのゲートに印加することにより、タッチ検出機能付き表示デバイス10の液晶表示デバイス20にマトリックス状に形成されている画素Pixのうちの1行1水平ラインを表示駆動の対象として順次選択する。ソースドライバ13は、制御部11から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示デバイス10の各画素Pix後述に画素信号Vpixを供給する回路である。具体的には、ソースドライバ13は、後述するように、画素信号Vpixを、画素信号線SGLを介して、ゲートドライバ12により順次選択される1水平ラインを構成する各画素Pixにそれぞれ供給するものである。そして、これらの画素Pixでは、供給される画素信号Vpixに応じて、1水平ラインの表示が行われるようになっている。駆動電極ドライバ16は、制御部11から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示デバイス10の駆動電極COML後述に駆動信号Vcomを供給する回路である。具体的には、駆動電極ドライバ16は、駆動電極COMLに対して、交流矩形波形の駆動信号Vcomを時分割的に順次印加する。そして、タッチ検出機能付き表示デバイス10のタッチ検出デバイス30は、複数のタッチ検出電極TDL後述から、その駆動信号Vcomに基づくタッチ検出信号Vdetを出力し、タッチ検出部40に供給するようになっている。タッチ検出機能付き表示デバイス10は、タッチ検出機能を内蔵した表示デバイスである。タッチ検出機能付き表示デバイス10は、液晶表示デバイス20と、タッチ検出デバイス30とを有する。この液晶表示デバイス20は、後述するように、ゲートドライバ12から供給される走査信号Vscanに従って、1水平ラインずつ順次走査して表示を行うデバイスである。タッチ検出デバイス30は、上述した静電容量式タッチ検出の基本原理に基づいて動作し、タッチ検出信号Vdetを出力するものである。図5は、タッチ検出機能付き表示デバイス10の要部断面構造の例を表すものである。このタッチ検出機能付き表示デバイス10は、画素基板2と、この画素基板2に対向して配置された対向基板3と、画素基板2と対向基板3との間に挿設された液晶層6とを備えている。画素基板2は、透明基板21と、駆動電極COMLと、画素電極23とを有している。透明基板21は、各種電極や配線、薄膜トランジスタTFT;ThinFilmTransistorなどが形成される回路基板として機能するものであり、例えばガラスにより構成されるものである。透明基板21の上には、駆動電極COMLが形成される。駆動電極COMLは、複数の画素Pix後述に共通の電圧を供給するための電極である。この駆動電極COMLは、液晶表示動作のための共通駆動電極として機能するとともに、タッチ検出動作のための駆動電極としても機能するものである。駆動電極COMLの上には絶縁層22が形成され、その上に画素電極23が形成される。画素電極23は、画素信号Vpixを供給するための電極であり、透光性を有するものである。駆動電極COMLおよび画素電極23は、例えばITOIndiumTinOxide;酸化インジウムスズにより構成される。画素電極23の上には、配向膜24が形成されている。また、透明基板21の、駆動電極COMLなどが形成された面とは反対の面には、偏光板25が配設されている。対向基板3は、透明基板31と、カラーフィルタ32と、タッチ検出電極TDLと、シールド電極SHと、接着層34と、偏光板35とを有している。透明基板31は、透明基板21と同様に、例えばガラスにより構成されるものである。透明基板31の上には、カラーフィルタ32が形成されている。このカラーフィルタ32は、例えば赤R、緑G、青Bの3色のカラーフィルタ層を周期的に配列して構成したもので、各表示画素にR、G、Bの3色が1組として対応付けられている。カラーフィルタ32の上には、配向膜33が形成されている。透明基板31のカラーフィルタ32などが形成された面とは反対の面には、タッチ検出電極TDLおよびシールド電極SHが形成されている。シールド電極SHは、タッチ検出電極TDLを外部ノイズから保護するためのものである。タッチ検出電極TDLおよびシールド電極SHは、例えばITOにより構成され、透光性を有する電極である。タッチ検出電極TDLおよびシールド電極SHの上には、接着層34を挟んで偏光板35が配設されている。偏光板35の抵抗率は、例えば、1013[Ωm]程度である。液晶層6は、表示機能層として機能するものであり、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものである。この電界は、駆動電極COMLの電圧と画素電極23の電圧との電位差により形成される。液晶層6には、FFSフリンジフィールドスイッチングやIPSインプレーンスイッチング等の横電界モードの液晶が用いられる。図6は、液晶表示デバイス20における画素構造の構成例を表すものである。液晶表示デバイス20は、マトリックス状に配列した複数の画素Pixを有している。各画素Pixは、3つのサブ画素SPixにより構成される。この3つのサブ画素SPixは、図5に示したカラーフィルタ32の3色RGBにそれぞれ対応するものである。サブ画素SPixは、TFT素子Trおよび液晶素子LCを有している。TFT素子Trは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、nチャネルのMOSMetalOxideSemiconductor型のTFTで構成されている。TFT素子Trのソースは画素信号線SGLに接続され、ゲートは走査信号線GCLに接続され、ドレインは液晶素子LCの一端に接続されている。液晶素子LCは、一端がTFT素子Trのドレインに接続され、他端が駆動電極COMLに接続されている。サブ画素SPixは、走査信号線GCLにより、液晶表示デバイス20の同じ行に属する他のサブ画素SPixと互いに接続されている。走査信号線GCLは、ゲートドライバ12と接続され、ゲートドライバ12より走査信号Vscanが供給される。また、サブ画素SPixは、画素信号線SGLにより、液晶表示デバイス20の同じ列に属する他のサブ画素SPixと互いに接続されている。画素信号線SGLは、ソースドライバ13と接続され、ソースドライバ13より画素信号Vpixが供給される。さらに、サブ画素SPixは、駆動電極COMLにより、液晶表示デバイス20の同じ行に属する他のサブ画素SPixと互いに接続されている。駆動電極COMLは、駆動電極ドライバ16と接続され、駆動電極ドライバ16より駆動信号Vcomが供給される。この構成により、液晶表示デバイス20では、ゲートドライバ12が走査信号線GCLを時分割的に線順次走査するように駆動することにより、1水平ラインが順次選択され、その1水平ラインに属する画素Pixに対して、ソースドライバ13が画素信号Vpixを供給することにより、1水平ラインずつ表示が行われるようになっている。図7は、タッチ検出デバイス30の一構成例を斜視的に表すものである。図8は、タッチ検出デバイス30の上面構成の一例を表すものである。タッチ検出デバイス30は、画素基板2に設けられた駆動電極COML、および対向基板3に設けられたタッチ検出電極TDLにより構成されている。駆動電極COMLは、図8の左右方向に延在する帯状の電極パターンを有している。駆動電極COMLの一端には、駆動電極ドライバ16と接続するための接続パッド29が形成されている。タッチ検出動作を行う際は、各電極パターンには、駆動電極ドライバ16により駆動信号Vcomが順次供給され、時分割的に順次走査駆動が行われるようになっている。タッチ検出電極TDLは、駆動電極COMLの電極パターンの延在方向と直交する方向図8の上下方向に延びる帯状の電極パターンを有している。タッチ検出電極TDLの一端には、タッチ検出部40と接続するための接続パッド39が形成されている。この例では、各接続パッド39は、タッチ検出電極TDLが形成された面の共通する一の辺の近傍に配置されている。このタッチ検出電極TDLには、後述するように、高抵抗を介して、直流電圧Vsensが印加される。駆動電極COMLとタッチ検出電極TDLにより互いに交差した電極パターンは、その交差部分に静電容量を形成している。この構成により、タッチ検出デバイス30では、駆動電極ドライバ16により駆動電極COMLに対して印加された駆動信号Vcomがタッチ検出電極TDLに伝わり、タッチ検出電極TDLからタッチ検出信号Vdetとして出力される。つまり、駆動電極COMLは、図1~図3に示したタッチ検出の基本原理における駆動電極E1に対応し、タッチ検出電極TDLは、タッチ検出電極E2に対応するものであり、タッチ検出デバイス30はこの基本原理に従ってタッチを検出するようになっている。図8に示したように、互いに交差した電極パターンは、静電容量式タッチセンサをマトリックス状に構成している。よって、タッチ検出デバイス30のタッチ検出面全体にわたって走査することにより、外部近接物体の接触または近接が生じた位置の検出も可能となっている。タッチ検出電極TDLの周りには、図7,8に示したように、タッチ検出電極TDLを取り囲むようにシールド電極SHが形成されている。このシールド電極SHは、その配置面積がタッチ検出電極TDLの総配置面積よりも小さくなるように形成される。この例では、シールド電極SHは、タッチ検出電極TDLの接続パッド39が形成されている辺を除く3方からタッチ検出電極TDLを取り囲むように形成されている。これにより、シールド電極SHは、例えば、ユーザが表示パネル1の搭載されたモバイル機器を手に持った場合に、ユーザの手が接触する、モバイル機器の端部と、タッチ検出電極TDLとの間隙に配置されるようになっている。シールド電極SHには、直流電圧Vshが印加される。この例では、直流電圧Vshは、タッチ検出電圧TDLに高抵抗を介して印加される直流電圧Vsensとほぼ等しい電圧である。なお、直流電圧Vshのシールド電極SHへの供給は、常時であってもよいし、タッチ検出電極TDLから出力されるタッチ検出信号Vdetが遷移する前後の所定の期間だけであってもよい。この構成により、表示パネル1では、例えば、表示パネル1の搭載されたモバイル機器を持っているユーザがアンテナとなり外部ノイズを拾い、そのノイズがユーザの手を介して表示パネル1に伝わった場合でも、シールド電極SHによりシールドされるため、そのノイズがタッチ検出電極TDLに伝わるおそれを低減することができ、この外部ノイズに起因する誤検出のおそれを低減することができる。なお、シールド電極SHは、タッチ検出機能付き表示デバイス10の表示面の外側有効表示エリア外に配置されていることが好ましい。また、図8に示したように、シールド電極SHとタッチ検出電極TDLとの間隔上下方向の間隔D1、左右方向の間隔D2は、互いに隣り合う2つのタッチ検出電極TDLの間隔D3と同程度か、またはそれよりも大きいことが好ましい。このようにした場合には、シールド電極SHとタッチ検出電極TDLとの間の寄生容量を小さくすることができ、接触非接触の検出に際して、この寄生容量による影響を小さくすることができる。ここで、間隔とは、対象となる2つの電極が最も近づいている部分における間隔を指している。また、シールド電極SHは、タッチ検出電極TDLと同一の材料によって構成されていることが好ましい。このようにした場合には、製造過程において、シールド電極SHとタッチ検出電極TDLとを同時に形成することが可能となり、シールド電極SHおよびタッチ検出電極TDLを互いに異なる材料によって構成した場合と比べて、工程数やマスクの枚数を減らすことができる。タッチ検出部40は、制御部11から供給される制御信号と、タッチ検出機能付き表示デバイス10のタッチ検出デバイス30から供給されたタッチ検出信号Vdetに基づいて、タッチ検出デバイス30に対するタッチの有無を検出し、タッチがある場合においてタッチ検出領域におけるその座標などを求める回路である。このタッチ検出部40はLPFLowPassFilter部42と、A/D変換部43と、信号処理部44と、座標抽出部45と、検出タイミング制御部46とを有している。LPF部42は、タッチ検出デバイス30から供給されるタッチ検出信号Vdetに含まれる高い周波数成分ノイズ成分を除去し、タッチ成分を取り出してそれぞれ出力する低域通過フィルタである。LPF部42の入力端子のそれぞれには、高抵抗値を有する抵抗Rが接続されており、抵抗Rを介して、直流電圧Vsensが印加されるようになっている。なお、この抵抗Rに代えて、例えばスイッチを設け、所定の時間にこのスイッチをオン状態にすることにより直流電圧Vsensを与えるようにしてもよい。A/D変換部43は、交流駆動信号VcomACに同期したタイミングで、LPF部42から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する回路である。信号処理部44は、A/D変換部43の出力信号に基づいて、タッチ検出デバイス30に対するタッチの有無を検出する論理回路である。座標抽出部45は、信号処理部44においてタッチ検出がなされたときに、そのタッチパネル座標を求める論理回路である。検出タイミング制御部46は、これらの回路が同期して動作するように制御する機能を有している。ここで、タッチ検出電極TDLは、本開示における第1の電極の一具体例に対応する。接着層34は、本開示における絶縁層の一具体例に対応する。偏光板35は、本開示における半導電層の一具体例に対応する。[動作および作用]続いて、本実施の形態の表示パネル1の動作および作用について説明する。全体動作概要まず、図4を参照して、表示パネル1の全体動作概要を説明する。制御部11は、映像信号Vdispに基づいて、ゲートドライバ12、ソースドライバ13、駆動電極ドライバ16、およびタッチ検出部40に対してそれぞれ制御信号を供給し、これらがお互いに同期して動作するように制御する。ゲートドライバ12は、液晶表示デバイス20に走査信号Vscanを供給し、表示駆動の対象となる1水平ラインを順次選択する。ソースドライバ13は、ゲートドライバ12により選択された1水平ラインを構成する各画素Pixに、画素信号Vpixを供給する。駆動電極ドライバ16は、駆動電極COMLに対して駆動信号Vcomを順次印加する。タッチ検出機能付き表示デバイス10は、表示動作を行うとともに、駆動信号Vcomに基づいてタッチ検出動作を行い、タッチ検出電極TDLからタッチ検出信号Vdetを出力する。タッチ検出部40は、タッチ検出信号Vdetに基づいて、タッチ検出面におけるタッチを検出する。具体的には、LPF部42は、タッチ検出信号Vdetに含まれる高い周波数成分ノイズ成分を除去し、タッチ成分を取り出して出力する。A/D変換部43は、LPF部42から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換する。信号処理部44は、A/D変換部43の出力信号に基づいて、タッチ検出面におけるタッチの有無を検出する。座標抽出部45は、信号処理部44においてタッチ検出がなされたときに、そのタッチパネル座標を求める。検出タイミング制御部46は、LPF部42、A/D変換部43、信号処理部44、座標抽出部45が同期して動作するように制御する。図9は、タッチ検出動作の一動作例を表すものであり、Aは駆動信号Vcomの波形を示し、Bはタッチ検出信号Vdetの波形を示す。駆動電極ドライバ16は、図9Aに示した交流矩形波形の駆動信号Vcomを、駆動電極COMLに対して順次印加する。この駆動信号Vcomは、静電容量を介してタッチ検出電極TDLに伝わり、タッチ検出信号Vdetが変化する図9B。具体的には、この例では、タッチ検出信号Vdetは、駆動信号Vcomの遷移とともに遷移し、所定の時間後に電圧Vsensに収束する。すなわち、タッチ検出信号Vdetの電圧の平均値平均電圧Vaveは、電圧Vsensとほぼ等しくなる。A/D変換部43は、駆動信号Vcomに同期したサンプリングタイミングts1,ts2において、タッチ検出信号Vdetが入力されたLPF部42の出力信号をサンプリングしてA/D変換する図9B。サンプリングタイミングts1は、駆動信号Vcomの遷移タイミングの直前に設けられており、サンプリングタイミングts2は、この駆動信号Vcomの遷移タイミングの直後に設けられている。タッチ検出部40の信号処理部44では、サンプリングタイミングts1におけるA/D変換結果と、サンプリングタイミングts2におけるA/D変換結果との差に基づいて、タッチ検出を行う。図9に示したように、タッチ検出信号Vdetは交流信号であるため、電圧Vsens平均電圧Vaveは、例えば、表示パネル1における電源電圧の半分程度例えば1.4Vになるように設定される。一方、一般に電子機器において、外部ノイズ等をシールドする際には、例えば0Vの電圧が用いられる。しかしながら、表示パネル1では、このような電圧設定で動作させる場合には問題が生じるおそれがある。以下に、その例を説明する。タッチ検出電極TDLの変色について表示パネル1に対して、信頼性評価の目的で高温通電試験を行った。その際、ある条件において、タッチ検出電極TDLの変色が確認された。以下に、その詳細を説明する。図10は、高温通電試験の結果の一例を表すものである。この図10は、70[°C]の温度条件において、表示パネル1を所定時間通電したときのタッチ検出電極TDLの視認状態を示している。なお、この例では、シールド電極SHの配置面積を、タッチ検出電極TDLの総配置面積の約1/10にしている。図10に示したように、タッチ検出信号Vdetの平均電圧Vaveを1.4Vにするとともに、シールド電極SHの電圧Vshを1.4Vにして高温通電試験を行った場合には、タッチ検出電極TDLは視認できず、好ましい状態を維持していた。一方、タッチ検出信号Vdetの平均電圧Vaveを1.4Vにするとともに、シールド電圧SHの電圧Vshを0Vにして高温通電試験を行った場合には、タッチ検出電極TDLが白く変色した。すなわち、電圧Vshが平均電圧Vaveと等しい場合には、タッチ検出電極TDLを視認できなかったが、電圧Vshと平均電圧Vaveとの電位差を大きくした場合には、タッチ検出電極TDLを視認できるようになってしまった。この原因は、シールド電極SHの電圧Vshと、タッチ検出信号Vdetの平均電圧Vaveに基づいて、偏光板35の電位が設定され、これにより、例えば接着層34に含まれるイオンが移動し、タッチ検出電極TDLの電極材料の組成が変化したためと考えられる。以下に、その詳細を説明する。図11は、タッチ検出機能付き表示デバイス10の一部の断面を、等価回路とともに表すものである。シールド電極SHおよび偏光板35は、接着層34を挟んで配置されているため、シールド電極SHと偏光板35との間には、抵抗Rshが存在する。また、タッチ検出電極TDLおよび偏光板35は、同様に接着層34を挟んで配置されているため、タッチ検出電極SHと偏光板35との間には、抵抗Rtdlが存在する。また、偏光板35には、抵抗が分布定数として存在する。よって、偏光板35の電位は、シールド電極SHの電圧Vshと、タッチ検出電極TDLの電圧タッチ検出信号Vdetの平均電圧Vaveに基づいて、抵抗Rsh、偏光板35の抵抗、および抵抗Rtdlの分圧により設定されることとなる。例えば、タッチ検出信号Vdetの平均電圧Vaveが1.4Vであり、シールド電極SHの電圧Vshが0Vである場合には、このように分圧されることにより、偏光板35は、0Vと1.4Vとの間のある所定の電位に設定される。これにより、偏光板35とタッチ検出電極TDLとの間に電場が形成され、その電場により、接着層34内のイオンが移動する。そして、このイオンの移動により、タッチ検出電極TDLの電極材料の化学反応や組成の変化が生じることにより、タッチ検出電極TDLが視認されるようになる。タッチ検出電極TDLが白く見えるのは、そのイオンの性質に依存するものと考えられる。以上の考察から、シールド電極の電圧Vshが、タッチ検出信号Vdetの平均電圧Vaveから離れるに従って、タッチ検出電極TDLが視認されるようになると考えられる。次に、この電位差をどの程度大きくすると、タッチ検出電極TDLが視認されるようになるかについて説明する。図12は、シールド電極SHの電圧Vshを様々な電圧に設定した場合の高温通電試験の結果の一例を表すものである。判定結果の欄において、○は、タッチ検出電極TDLを視認できないことを示し、×は、タッチ検出電極TDLを視認できることを示し、△は、人によってはタッチ検出電極TDLを視認できることを示している。この例では、タッチ検出信号Vdetの平均電圧Vaveを1.4Vに固定している。シールド電極SHの電圧Vshがタッチ検出信号Vdetの平均電圧Vave1.4Vよりも低い場合には、タッチ検出電極TDLが白くなり、電圧Vsh=0.9VVsh-Vave=-0.5Vにおいて、人によってはタッチ検出電極TDLを視認できるようになり、電圧Vsh=0.8VVsh-Vave=-0.6Vにおいて、多くの人がタッチ検出電極TDLを視認できるようになってしまう。一方、シールド電極SHの電圧Vshがタッチ検出信号Vdetの平均電圧Vave1.4Vよりも高い場合には、タッチ検出電極TDLが黒くなり、電圧Vsh=2.0VVsh-Vave=0.6Vにおいて、多くの人がタッチ検出電極TDLを視認できるようになってしまう。なお、この例では、タッチ検出信号Vdetの平均電圧Vaveは1.4Vとしたが、この平均電圧を他の電圧に設定しても、同様の試験結果が得られている。このように、シールド電極SHの電圧Vshと、タッチ検出信号Vdetの平均電圧Vaveとの大小関係により、タッチ検出電極TDLの見え方が異なる。すなわち、電圧Vshが平均電圧Vaveよりも低い場合には、タッチ検出電極TDLは白く見え、一方、シールド電極SHの電圧Vshが平均電圧Vaveよりも高い場合には、タッチ検出電極TDLは黒く見える。この色の違いは、電圧Vshと平均電圧Vaveの大小関係により、例えば、タッチ検出電極TDLに対する吸着反応や脱離反応酸化還元反応が異なることに起因すると考えられる。また、シールド電極SHの電圧Vshが平均電圧Vaveよりも高い方が、タッチ検出電極TDLを視認しにくくなっている。すなわち、電圧Vshが平均電圧Vaveよりも低い場合には、電圧Vshと平均電圧Vaveとの電位差が0.4V以下であればタッチ検出電極TDLは視認されず、電圧Vshが平均電圧Vaveよりも高い場合には、電圧Vshと平均電圧Vaveとの電位差が0.5V以下であればタッチ検出電極TDLは視認されない。これは、例えば、シールド電極SHの電圧Vshが平均電圧Vaveよりも高い場合には、タッチ検出電極TDLが黒く変色するので、白に変色する場合に比べて視認されにくいためと考えられる。よって、シールド電極SHの電圧Vshを、電圧Vave-0.4V~電圧Vave0.5V平均電圧Vaveが1.4Vの場合には1V~1.9Vの範囲内に設定することにより、タッチ検出電極TDLを見えにくくすることができる。比較例次に、比較例に係る表示パネル1Rについて説明するとともに、比較例と対比して本実施の形態の作用を説明する。表示パネル1Rは、シールド電極SHの配置面積が、タッチ検出電極Vdetの総配置面積と同等になるように、シールド電極SHおよびタッチ検出電極TDLを形成したものである。図13は、表示パネル1Rにおける高温通電試験の結果の一例を表すものである。この例では、シールド電極SHの電圧Vshがタッチ検出信号Vdetの平均電圧Vave1.4Vよりも低い場合には、タッチ検出電極TDLが白くなり、電圧Vsh=0.9VVsh-Vave=-0.5Vにおいて、人によってはタッチ検出電極TDLを視認できるようになり、電圧Vsh=0.8VVsh-Vave=-0.6Vにおいて、多くの人がタッチ検出電極TDLを視認できるようになってしまう。一方、シールド電極SHの電圧Vshがタッチ検出信号Vdetの平均電圧Vave1.4Vよりも高い場合には、タッチ検出電極TDLが黒くなり、電圧Vsh=1.9VVsh-Vave=0.5Vにおいて、人によってはタッチ検出電極TDLを視認できるようになり、電圧Vsh=2.0VVsh-Vave=0.6Vにおいて、多くの人がタッチ検出電極TDLを視認できるようになってしまう。すなわち、この例では、シールド電極SHの電圧Vshが、電圧Vave-0.4V~電圧Vave0.4V平均電圧Vaveが1.4Vの場合には1V~1.8Vの範囲内にある場合には、タッチ検出電極TDLは視認されない。つまり、比較例に係る表示パネル1Rでは、本実施の形態に係る表示パネル1の場合図12と比較して、タッチ検出電極TDLが視認されないような電圧Vshの範囲が狭くなっている。具体的には、シールド電極SHの電圧Vshが電圧Vave0.5V平均電圧Vaveが1.4Vの場合には1.9Vである場合、本実施の形態に係る表示パネル1図12では、タッチ検出電極TDLは視認されなかったが、本比較例に係る表示パネル1R図13では視認されてしまう。表示パネル1Rでは、シールド電極SHの配置面積を、タッチ検出電極TDLの総配置面積と同等にしている。これにより、本比較例に係る表示パネル1Rでは、本実施の形態に係る表示パネル1の場合と比べて、図11に示した抵抗Rshが小さくなるとともに、抵抗Rtdlが大きくなる。よって、偏光板35の電圧とタッチ検出電極TDLの電圧タッチ検出信号Vdetの平均電圧Vaveとの電位差は、本実施の形態に係る表示パネル1の場合に比べて大きくなるため、偏光板35とタッチ検出電極TDLとの間の電場が強くなり、接着層34内のイオンがより移動しやすくなり、タッチ検出電極TDLが変色しやすくなる。一方、本実施の形態に係る表示パネル1では、シールド電極SHの配置面積を、タッチ検出電極TDLの総配置面積よりも小さくしている。これにより、本比較例に係る表示パネル1Rに比べて、偏光板35の電圧とタッチ検出信号Vdetの平均電圧Vaveとの電位差を小さくすることができるので、接着層34内のイオンの移動を抑えることができ、タッチ検出電極TDLの変色を抑えることができる。[効果]以上のように本実施の形態では、シールド電極の電圧とタッチ検出信号の平均電圧との電位差を0.5V以下にしたので、タッチ検出電極の変色を抑えることができ、タッチ検出電極を見えにくくすることができる。また、本実施の形態では、シールド電極の電圧をタッチ検出信号の平均電圧以上に設定したので、タッチ検出信号の平均電圧以下に設定する場合に比べて、タッチ検出電極が見えにくいシールド電極の電圧の範囲を広くすることができる。特に、シールド電極の電圧を、タッチ検出信号の平均電圧と等しくした場合には、例えば、電圧Vshと電圧Vsens平均電圧Vaveを共通のリファレンス電源により生成することができるため、回路構成をシンプルにすることができる。また、本実施の形態では、シールド電極の配置面積を、タッチ検出電極の総配置面積よりも小さくしたので、接着層内のイオンの移動を抑えることができ、タッチ検出電極の変色を抑えることができるため、タッチ検出電極を見えにくくすることができる。[変形例1-1]上記実施の形態では、偏光板35とタッチ検出電極TDL間に電界が形成されるものとしたが、これに限定されるものではない。例えば、図14に示したように、接着層34と偏光板35の間に、ESD対策を目的として半導電層36を設けた場合には、この半導電層36とタッチ検出電極TDL間に電界が形成される。この半導電層36の抵抗率は、例えば、108[Ωm]程度である。この場合でも、例えば、シールド電極SHの電圧Vshとタッチ検出信号Vdetの平均電圧Vaveとの電位差を0.5V以下にすることにより、この電界によるイオンの移動を抑えることができ、タッチ検出電極TDLを見えにくくすることができる。[変形例1-2]上記実施の形態では、タッチ検出電極TDLに、高抵抗を介して、直流電圧Vsensが印加したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、所定数の表示のフレーム期間ごとに電圧VH,VLの間で遷移する矩形波形を印加してもよい。この場合には、タッチ検出電極TDLの平均電圧Vaveは、電圧VHと電圧VLとの中間電圧程度になる。この場合でも、例えば、シールド電極SHの電圧Vshとこの平均電圧Vaveとの電位差を0.5V以下にすることにより、この電界によるイオンの移動を抑えることができ、タッチ検出電極TDLを見えにくくすることができる。<3.第2の実施の形態>次に、第2の実施の形態に係る表示パネル5について説明する。この表示パネル5は、液晶表示パネルの表示面上に静電容量式のタッチパネルを形成した、いわゆるオンセルタイプの表示パネルである。なお、上記第1の実施の形態に係る表示パネル1と実質的に同一の構成部分には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。表示パネル5は、図4に示したように、タッチ検出機能付き表示デバイス50を有している。図15は、タッチ検出機能付き表示デバイス50の要部断面構造の例を表すものである。このタッチ検出機能付き表示デバイス50は、対向基板51を備えている。対向基板51は、駆動電極52と、絶縁層53とを有している。駆動電極52および絶縁層53は、透明基板31と、タッチ検出電極TDLおよび接着層34との間に形成されている。駆動電極52は、例えばITOにより構成され、図8に示した駆動電極COMLと同様に、タッチ検出電極TDLの電極パターンの延在方向図8の上下方向と直交する方向図8の左右方向に延びる帯状の電極パターンを有している。駆動電極52には、図9Aに示したような波形を有するタッチ検出駆動信号Vcomtが印加される。そして、このタッチ検出駆動信号Vcomtが、絶縁層53を介してタッチ検出電極TDLに伝わり、タッチ検出電極TDLからタッチ検出信号Vdetが出力される。この場合でも、例えば、シールド電極SHの電圧Vshとタッチ検出信号Vdetの平均電圧Vaveとの電位差を0.5V以下にすることにより、偏光板35とタッチ検出電極TDLとの間の電界によるイオンの移動を抑えることができ、タッチ検出電極TDLを見えにくくすることができる。また、駆動電極52は、偏光板35から見てタッチ検出電極TDLよりも遠くに配置されているため、シールド電極SHの電圧Vshとタッチ検出駆動信号Vcomtの平均電圧Vaveとの電位差を0.5V以下にすることにより、同様に、偏光板35と駆動電極52との間の電界によるイオンの移動を抑えることができ、駆動電極52を見えにくくすることができる。以上のように本実施の形態では、シールド電極の電圧とタッチ検出駆動信号の平均電圧との電位差を0.5V以下にしたので、駆動電極52の変色を抑えることができ、駆動電極52を見えにくくすることができる。その他の効果は、上記第1の実施の形態の場合と同様である。[変形例2-1]上記実施の形態では、駆動電極52およびタッチ検出電極TDLは帯状の電極パターンを有したが、これに限定されるものではない。以下に、その一例を詳細に説明する。図16は、本変形例に係るタッチ検出機能付き表示デバイス50Bにおけるタッチ検出デバイスの上面構成の一例を表すものである。図17は、図16に示したタッチ検出デバイスのXVII-XVII矢視方向の要部断面構成を表すものである。このタッチ検出デバイスは、駆動電極52Bおよびタッチ検出電極TDLBにより構成されている。タッチ検出電極TDLBは、図16に示したように、この例では正方形の形状を有する複数の部分電極を、その対角線の一方が図16の上下方向になるように直線上に配置するとともに、隣接する部分電極の角を互いに接続したものである。駆動電極52Bは、タッチ検出電極TDLBと同じ層に形成されており、この例では正方形の形状を有する複数の部分電極を、その対角線の一方が図16の左右方向になるように直線上に配置するとともに、隣接する部分電極の角を互いに接続したものである。その際、駆動電極52Bに係る部分電極間の接続部分は、図17に示したように、タッチ検出電極TDLBに係る部分電極間の接続をブリッジするようになっている。タッチ検出電極TDLBおよび駆動電極52Bの周りには、図16に示したように、これらの電極を取り囲むようにシールド電極SHが形成されている。この例では、シールド電極SHは、タッチ検出電極TDLBの接続パッド39が形成されている辺、および駆動電極52Bの接続パッド59が形成されている辺を除く2方から、これらの電極を取り囲むように形成されている。本変形例では、駆動電極52Bおよびタッチ検出電極TDLBは、ともに同じ層に形成されている。よって、例えば、シールド電極SHの電圧Vshとタッチ検出信号Vdetの平均電圧Vaveとの電位差を0.5V以下にすることにより、タッチ検出電極TDLBの変色を抑え、タッチ検出電極TDLBを見えにくくすることができるとともに、シールド電極SHの電圧とタッチ検出駆動信号Vcomtの平均電圧との電位差を0.5V以下にすることにより、駆動電極52Bの変色を抑え、駆動電極52Bを見えにくくすることができる。[変形例2-2]上記実施の形態では、図15に示したように、タッチ検出電極TDLおよび駆動電極52のうちの、タッチ検出電極TDLを偏光板35の側に配置したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、駆動電極52を偏光板35の側に配置してもよい。[変形例2-3]上記実施の形態では、表示パネル2は、液晶表示デバイス20の表面上にタッチパネルを一体として形成した、いわゆるオンセルタイプの表示パネルとしたが、これに限定するものではなく、これに代えて、例えば、液晶表示デバイス20と別体としてタッチパネルを形成し、液晶表示デバイス20に外付けするように構成してもよい。この場合でも、この単体のタッチパネルにおいて、例えば、シールド電極の電圧Vshとタッチ検出信号Vdetの平均電圧Vaveとの電位差を0.5V以下にすることにより、タッチ検出電極TDLの変色を抑え、タッチ検出電極TDLを見えにくくすることができる。<4.適用例>次に、上記実施の形態および変形例で説明した表示パネルの適用例について説明する。図18は、上記実施の形態等の表示パネルが適用されるテレビジョン装置の外観を表すものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル511およびフィルターガラス512を含む映像表示画面部510を有しており、この映像表示画面部510は、上記実施の形態等に係る表示パネルにより構成されている。上記実施の形態等の表示パネルは、このようなテレビジョン装置の他、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、携帯型ゲーム機、あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、上記実施の形態等の表示パネルは、映像を表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。以上、いくつかの実施の形態および変形例、電子機器への適用例を挙げて本技術を説明したが、本技術はこれらの実施の形態等には限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記の各実施の形態等では、例えば図7,8に示したように、タッチ検出電極TDLを3方から取り囲むようにシールド電極SHを形成したが、これに限定されるものではない。例えば、図19に示したように、各接続パッド39が、対向する2辺に配置されている場合には、これらの2辺を除く2方からタッチ検出電極TDLを挟むように、シールド電極SHを形成してもよい。また、例えば、上記の各実施の形態等では、図5に示したように、透明基板21の上に駆動電極COMLを形成し、その上に絶縁膜22を介して画素電極23を形成したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、透明基板21の上に画素電極23を形成し、その上に絶縁膜22を介して駆動電極COMLを形成してもよい。また、例えば、上記の各実施の形態等では、FFSやIPS等の横電界モードの液晶を用いた液晶表示デバイスとタッチ検出デバイスとを一体化したが、これに代えて、TNツイステッドネマティック、VA垂直配向、ECB電界制御複屈折等の各種モードの液晶を用いた液晶表示デバイスとタッチ検出デバイスとを一体化してもよい。このような液晶を用いた場合には、タッチ検出機能付き表示デバイスを、図20に示したように構成可能である。図20は、本変形例に係るタッチ検出機能付き表示デバイス10Cの要部断面構造の一例を表すものであり、画素基板2Cと対向基板3Cとの間に液晶層6Cを挟持された状態を示している。その他の各部の名称や機能等は図5の場合と同様なので、説明を省略する。この例では、図5の場合とは異なり、表示用とタッチ検出用の双方に兼用される駆動電極COMLは、対向基板3Cに形成されている。また、例えば、上記の各実施の形態等では、液晶表示デバイス20を用いて表示パネル1等を構成したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、ELElectroLuminescenceなどの表示デバイスを用いてもよい。この場合には、偏光板は必要ないが、例えば、表示パネルの表示面にESD対策を目的として半導電層を設けた場合には、変形例1-1と同様に、この半導電層とタッチ検出電極TDLとの間に電界が生じるため、本技術を適用することができる。なお、本技術は以下のような構成とすることができる。1表示層と、前記表示層の上方に配列して形成された複数の第1の電極と、前記複数の第1の電極全体を配列面に沿って取り囲むように、前記複数の第1の電極と離間して形成されたシールド電極と、絶縁層と、前記絶縁層を挟んで、前記第1の電極および前記シールド電極と対向して形成された半導電層とを備え、前記第1の電極の平均電位と前記シールド電極の平均電位との差が0.5V以下である表示装置。2前記シールド電極の平均電位は、前記第1の電極の平均電位以上である前記1に記載の表示装置。3前記シールド電極の平均電位は、前記第1の電極の平均電位と略同一である前記2に記載の表示装置。4前記シールド電極の配置面積は、前記第1の電極の配置面積よりも小さい前記2または3に記載の表示装置。5前記半導電層は静電気防止層である前記1から4のいずれかに記載の表示装置。6前記半導電層は偏光板である前記1から4のいずれかに記載の表示装置。7前記絶縁層を挟んで、前記半導電層から、前記第1の電極と同じあるいはより遠い位置に形成された第2の電極をさらに備えた前記1から6のいずれかに記載の表示装置。8前記第1の電極は、タッチの有無に応じた信号を伝えるタッチ検出電極であり、前記第2の電極は、前記タッチ検出電極との間に静電容量を形成する駆動電極である前記7に記載の表示装置。9前記第2の電極は、タッチの有無に応じた信号を伝えるタッチ検出電極であり、前記第1の電極は、前記タッチ検出電極との間に静電容量を形成する駆動電極である前記7に記載の表示装置。10前記第2の電極の平均電位と前記シールド電極の平均電位との差が0.5V以下である前記7から9のいずれかに記載の表示装置。11前記表示部は、液晶層と、前記液晶層および前記駆動電極の間に形成され、もしくは前記駆動電極を挟んで前記液晶層と対向するように配置された画素電極とを含んで構成された前記8から10のいずれかに記載の表示装置。12前記表示部は、液晶層と、前記液晶層を挟んで前記駆動電極と対向するように配置された画素電極とを含んで構成された前記8から10のいずれかに記載の表示装置。13前記第1の電極は、タッチの有無に応じた信号を伝えるタッチ検出電極である前記1から6のいずれかに記載の表示装置。14表示層と、前記表示層の上方に配列して形成された複数の第1の電極と、前記複数の第1の電極全体を配列面に沿って取り囲むように、前記複数の第1の電極と離間して形成されたシールド電極と、絶縁層と、前記絶縁層を挟んで、前記第1の電極および前記シールド電極と対向して形成された半導電層とを備え、前記シールド電極の平均電位は、前記第1の電極の平均電位以上である表示装置。15複数の第1の電極と、前記複数の第1の電極全体を配列面に沿って取り囲むように、前記複数の第1の電極と離間して形成されたシールド電極と、絶縁層と、前記絶縁層を挟んで、前記第1の電極および前記シールド電極と対向して形成された半導電層とを備え、前記第1の電極の平均電位と前記シールド電極の平均電位との差が0.5V以下であるタッチ検出装置。16表示装置と、前記表示装置を利用した動作制御を行う制御部とを備え、前記表示装置は、表示層と、前記表示層の上方に配列して形成された複数の第1の電極と、前記複数の第1の電極全体を配列面に沿って取り囲むように、前記複数の第1の電極と離間して形成されたシールド電極と、絶縁層と、前記絶縁層を挟んで、前記第1の電極および前記シールド電極と対向して形成された半導電層とを有し、前記第1の電極の平均電位と前記シールド電極の平均電位との差が0.5V以下である電子機器。"