パワー半導体素子をスイッチング動作させて電気的な動特性を検査する半導体検査装置において、検査対象である前記パワー半導体素子に電流を供給する電源回路と、前記パワー半導体素子に制御信号を与え、電気特性を測定する測定部と、前記パワー半導体素子に供給する電流を検出する電流検出器と、前記電流検出器で検出された電流に基づいて前記パワー半導体素子に供給する電流を遮断する機能と、定められた時間に亘り定電流を供給する機能とを備えた電気制御回路と、を備えることを特徴とする半導体検査装置。前記電気制御回路は、前記電気特性を測定する前記測定部の検出時間と同等時間以上に亘り定電流を供給することを特徴とする請求項1に記載の半導体検査装置。前記電気制御回路は、前記測定部による測定時の短絡電流を前記電流検出器で検出し遮断信号をトランジスタへ与えて前記電流を遮断し、前記トランジスタで前記定電流を前記パワー半導体素子に供給し飽和電圧を検査可能にしたことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体検査装置。前記動特性、及び前記飽和電圧の検査に応じて、前記トランジスタでの定電流の供給をオン/オフする切替スイッチを備えたことを特徴とする請求項3に記載の半導体検査装置。パワー半導体素子をスイッチング動作させて電気的な動特性を検査するとともに、前記パワー半導体素子での短絡電流の発生に伴って前記パワー半導体素子を電気的に遮断するトランジスタを備えた半導体検査装置を用いた半導体検査方法において、前記トランジスタを定電流出力動作させるように構成した定電流回路によって、前記トランジスタを定電流出力動作させ、当該定電流を前記パワー半導体素子に与えて飽和電圧を検査することを特徴とする半導体検査方法。ところで、特許文献1に開示の技術において、パワー半導体素子の動特性検査時に、静特性である飽和電圧を合わせて検査する場合、誘導負荷を通じてパワー半導体素子に与えられる通電電流に基づいて飽和電圧を検査することとなる。しかしながら、動特性検査時には、通電電流が誘導負荷と通電時間に応じて変化することから、高精度に飽和電圧を測定することが困難となる。そこで、例えば通電電流を一定にする定電流電源を検査装置に別途に設け、この定電流電源の電流をパワー半導体素子に与えて飽和電圧を検査する構成も考え得るが、検査装置の複雑化や高コスト化を招く、という問題がある。本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、パワー半導体素子の動特性と、静特性たる飽和電圧とを1台の装置で精密に検査することができる半導体検査装置、及び半導体検査方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明は、パワー半導体素子をスイッチング動作させて電気的な動特性を検査する半導体検査装置において、検査対象である前記パワー半導体素子に電流を供給する電源回路と、前記パワー半導体素子に制御信号を与え、電気特性を測定する測定部と、前記パワー半導体素子に供給する電流を検出する電流検出器と、前記電流検出器で検出された電流に基づいて前記パワー半導体素子に供給する電流を遮断する機能と、定められた時間に亘り定電流を供給する機能とを備えた電気制御回路と、を備えることを特徴とする。本発明によれば、定められた時間に亘り定電流を供給する電気制御回路を備えるため、この回路で定電流を供給することにより、パワー半導体素子の動特性と静特性たる飽和電圧を1台の装置で精密に検査することができる。また本発明は、上記半導体検査装置において、前記電気制御回路は、前記電気特性を測定する前記測定部の検出時間と同等時間以上に亘り定電流を供給することを特徴とする。本発明によれば、測定部が測定に要する十分な時間に亘り定電流を供給することができる。また本発明は、上記半導体検査装置において、前記電気制御回路は、前記測定部による測定時の短絡電流を前記電流検出器で検出し遮断信号をトランジスタへ与えて前記電流を遮断し、前記トランジスタで前記定電流を前記パワー半導体素子に供給し飽和電圧を検査可能にしたことを特徴とする。本発明によれば、短絡電流発生時にパワー半導体素子を遮断するトランジスタを定電流出力動作させることで、前記トランジスタが出力する定電流を前記パワー半導体素子に与えて飽和電圧を検査可能になるため、別途に定電流回路を装置に組み込まなくとも定電流をパワー半導体素子に与えることができ、1台の装置で動特性と飽和電圧とを精密に検査することができる。また本発明は、上記半導体検査装置において、前記動特性、及び前記飽和電圧の検査に応じて、前記トランジスタでの定電流の供給をオン/オフする切替スイッチを備えたことを特徴とする。本発明によれば、切替スイッチを作動させるだけで、動特性と飽和電圧の検査を簡単に切り替え、これらを連続して検査することができることから、検査工程におけるタクトの短縮化、及びスループットの向上が図られる。また上記目的を達成するために、本発明は、パワー半導体素子をスイッチング動作させて電気的な動特性を検査するとともに、前記パワー半導体素子での短絡電流の発生に伴って前記パワー半導体素子を電気的に遮断するトランジスタを備えた半導体検査装置を用いた半導体検査方法において、前記トランジスタを定電流出力動作させるように構成した定電流回路によって、前記トランジスタを定電流出力動作させ、当該定電流を前記パワー半導体素子に与えて飽和電圧を検査することを特徴とする。本発明によれば、上述した半導体検査装置と同様に、定電流回路を別途に装置に組み込まなくとも定電流をトランジスタで供給することができ、1台の装置で動特性と飽和電圧とを精密に検査することができる。本発明によれば、定められた時間に亘り定電流を供給する電気制御回路を備えるため、この回路で定電流を供給することにより、パワー半導体素子の動特性と静特性たる飽和電圧を1台の装置で精密に検査することができる。また本発明において、前記電気制御回路は、前記電気特性を測定する前記測定部の検出時間と同等時間以上に亘り定電流を供給する構成を備えることで、測定部が測定に要する十分な時間に亘り定電流を供給することができる。また本発明において、前記電気制御回路は、前記測定部による測定時の短絡電流を前記電流検出器で検出し遮断信号をトランジスタへ与えて前記電流を遮断し、前記トランジスタで前記定電流を前記パワー半導体素子に供給し飽和電圧を検査可能にすることで、別途に定電流回路を装置に組み込まなくとも定電流をパワー半導体素子に与えることができ、1台の装置で動特性と飽和電圧とを精密に検査することができる。また本発明において、前記動特性、及び前記飽和電圧の検査に応じて、前記トランジスタでの定電流の供給をオン/オフする切替スイッチを備える構成とすることで、切替スイッチを作動させるだけで、動特性と飽和電圧の検査を簡単に切り替え、これらを連続して検査することができることから、検査工程におけるタクトの短縮化、及びスループットの向上が図られる。以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。なお、以下の説明では、パワーモジュールとして、直流を交流に変換する電力変換装置たるインバータ装置のアームを例示し、当該アームを被試験デバイスいわゆる、DUTとして検査する半導体検査装置について説明する。図1は、半導体検査装置1の電気的構成を示す回路図である。半導体検査装置1は、インバータ装置が備える1相分のアーム2を検査する装置である。アーム2は、逆並列接続されたダイオード4を有する2つのスイッチング素子6を直列接続して構成されており、電位が高圧側P側のラインと、低圧側N側のラインとの間に接続され、アーム2の中点Pから出力が得られる。スイッチング素子6には、パワー半導体素子の一例たるIGBTが用いられている。アーム2は、インバータモジュールに組み込む前のベアチップ状態で検査され、スイッチング素子6のそれぞれには、ゲート端子に制御信号としてのゲート電圧を与えて駆動するゲートドライブ回路GDと、コレクタ-エミッタ間電圧Vceを測定する電圧測定器8が接続されている。これらゲートドライブ回路GDと電圧測定器8とを含んで、パワー半導体素子たるスイッチング素子6に制御信号を与えて電気的特性を測定する測定部3が構成されている。この半導体検査装置1は、アーム2の各スイッチング素子6をゲートドライブ回路GDにより実際の動作状態に則してスイッチング動作させたときの出力を評価可能に構成されており、直流電源12を有した電源回路14と、この電源回路14の高圧側に接続されるP側バスライン16と、低圧側に接続されるN側バスライン18と、負荷回路19とを備え、これらP側バスライン16及びN側バスライン18にアーム2が電気的に接続されている。電源回路14は、電解コンデンサ20、逆流防止ダイオード22、及びスイッチング素子24を有する放電回路28を備えて構成されており、直流電源12で電解コンデンサ20に電荷を蓄積させて大電流を出力する。負荷回路19は、疑似誘導負荷31と、疑似誘導負荷31を流れる電流の向きを切り替えるための切替スイッチ32を備え、インバータ装置が駆動する交流モータ例えば電気自動車の車両駆動モータの負荷を擬似的に再現する。この負荷回路19に上記アーム2の中点Pが接続され、アーム2が負荷回路19を駆動する際の性能試験がスイッチング特性試験動特性の検査として行われる。負荷回路19とアーム2の間には、スナバコンデンサ46及び抵抗47を有すスナバ回路48が設けられている。また、この半導体検査装置1は、検査を通じてアーム2を構成するスイッチング素子6が短絡破壊された時に生じる短絡電流から半導体検査装置1を保護するための短絡保護回路50を備えている。短絡保護回路50は、P側バスライン16を通じてスイッチング素子6に供給される電流を検出する電流検出器としてのカレントトランス51と、逆並列接続されたダイオード52を有しP側バスライン16に介挿された半導体スイッチとしてのトランジスタ53と、カレントトランス51に基づいて短絡電流を検出したときにトランジスタ53のゲートドライブ回路GDを制御して当該トランジスタ53をオフし、P側バスライン16からアーム2を電気的に切断する短絡保護制御部54とを有している。上記トランジスタ53には、大電流を高速にスイッチングして遮断する必要があることから、本実施形態ではIGBTを用いることとしている。ところで、スイッチング素子6のコレクタ-エミッタ間電圧Vceの飽和電圧Vcesatを静特性として半導体検査装置1を用いて測定しようとした場合、最も単純には、スイッチング特性の検査時のアーム2への通電を利用して、アーム2のN側のスイッチング素子6を対象に飽和電圧Vcesatを測定することが考え得る。ただし、この場合、N側のスイッチング素子6には、負荷コイルたる疑似誘導負荷31からアーム2の中点Pを通じて通電電流が供給されることから、この通電電流が通じ通電時間に応じて変化し、この結果、N側のスイッチング素子6に流れるコレクタ電流Icも変化することになる。図2は、動特性たるスイッチング特性検査時のコレクタ電流Ic及びコレクタ-エミッタ間電圧Vceの時間波形変化の説明図であり、図2Aは時間波形を示し、図2Bは図2Aの一部の期間を拡大して示す図である。コレクタ電流Icを利用して飽和電圧Vcesatを測定する場合には、コレクタ電流Icが流れている期間Tにおいて、コレクタ電流Icに対するコレクタ-エミッタ間電圧Vceを測定する。しかしながら、スイッチング特性の検査時には、疑似誘導負荷31の両端の極性を交互に変えるため、この疑似誘導負荷31を通じて流れる通電電流が変化することで、コレクタ電流Icは、図2Aに示すように三角波状に変化し、これに伴いコレクタ-エミッタ間電圧Vceも変化する。このため、コレクタ電流Icの測定タイミングに時間差Δtが生じると、図2Bに示すように、コレクタ電流Icにも電流差ΔIcが生じることから、この電流差ΔIcに伴いコレクタ-エミッタ間電圧Vceも変わる。したがって、コレクタ電流Icの検出タイミングと、コレクタ-エミッタ間電圧Vceの検出タイミングとが正確に同期していないと、この検出タイミングのズレである時間差Δtにより、コレクタ-エミッタ間電圧Vceに誤差が生じることとなり、正確な測定が不可能となる。また飽和電圧Vcesatの測定は、線形領域で測定する必要があるため、スイッチング素子6に大電流例えば100Aを印加して測定する必要があるが、上記のように、通電電流が変化することから、かかる大電流が流れているタイミングを図って測定を行うことは困難であり測定精度を得にくい。そこで、例えば疑似誘導負荷31を通じて通電電流をスイッチング素子6に与えるのではなく、一定の通電電流をスイッチング素子6に与える定電流回路を別途に設ける構成とすれば、コレクタ電流Icが一定に維持されるため、コレクタ-エミッタ間電圧Vceに発生する誤差を防止できる。しかしながら、定電流回路を別途に設ける分、半導体検査装置1の複雑化や高コスト化を招くことになる。そこで、本実施形態では、前掲図1に示すように、上記短絡保護回路50が備えるトランジスタ53を用いて定電流回路60を構成することとしている。詳述すると、IGBTに代表されるトランジスタ53は、図3に示すように、活性領域において、定電流を出力する動作をする定電流特性を有し、このときの電流値コレクタ電流は、ゲート電圧Vgeに依存する。したがって、トランジスタ53のゲート端子に接続したゲートドライブ回路GDを通じて、所定のゲート電圧Vgeを印加することで、静特性の検査に必要な電流値の定電流をトランジスタ53から出力させることができる。定電流回路60は、短絡保護回路50が備えるトランジスタ53を定電流動作させて、当該トランジスタ53とともに定電流を出力する回路を構成するものであり、このトランジスタ53のゲート端子にゲートドライブ回路GDを介して接続されたオペアンプ61と、トランジスタ53の出力電流Ioの電流値を設定する電流設定値出力回路62とを備えている。静特性の検査時には、これら定電流回路60がトランジスタ53を定電流動作させることで、トランジスタ53のエミッタ端子から、電流設定値出力回路62の設定に基づく一定電流値の出力電流Ioが出力される。なお、トランジスタ53が定電流動作をしている間も、このトランジスタ53のゲート端子には上記短絡保護制御部54が接続されて短絡保護回路50として機能する。すなわち、トランジスタ53が定電流動作をしている間であっても、何らかの理由で短絡電流が生じた場合には、短絡保護制御部54がトランジスタ53をオフし、アーム2を電気的に遮断して切断する。これら短絡保護回路50、及び定電流回路60を含んで、カレントトランス51で検出された電流に基づいてスイッチング素子6に供給する電流を遮断する機能と、定められた時間に亘り、電流値可変の定電流を供給する機能とを備えた電気制御回路80が構成されている。上記定電流回路60について更に詳述すると、電流設定値出力回路62は、トランジスタ53の出力電流Ioの電流値を規定する設定電圧Viをオペアンプ61の非反転入力に入力する。このオペアンプ61の反転入力-には、トランジスタ53のエミッタ端子が切替スイッチ63を介して接続されている。この切替スイッチ63にはアーム2が接続されており、また、切替スイッチ63とアーム2の間に、抵抗64が設けられている。この抵抗64の出力側には、オペアンプ61の非反転入力が接続されており、切替スイッチ63がオンして閉状態になると、非反転入力と反転入力-の電位差ΔVは、次式のようになる。電位差ΔV=設定電圧Vi-抵抗64の抵抗値R1×出力電流Ioオペアンプ61は、電位差ΔVをゼロにするようにゲートドライブ回路GDを通じてトランジスタ53のゲート端子にゲート電圧Vgeを印加することから、結果として、出力電流Io=設定電圧Vi/抵抗値R1によって規定される一定の出力電流Ioが出力されることとなる。一方、P側バスライン16には、切替スイッチ63と排他的にオン/オフして電源回路14とアーム2との接続/遮断するスイッチ70が設けられている。これら切替スイッチ63、及びスイッチ70は、動特性検査及び飽和電圧検査のどちらの検査を実施するかによってオン/オフが切り替えられる。すなわち、動特性検査時には、切替スイッチ63がオフして定電流回路60の動作を停止しつつ、スイッチ70がオンすることで、電源回路14の電力が負荷回路19及びアーム2に供給されてスイッチング特性の検査が行われる。一方、飽和電圧検査時には、スイッチ70がオフすることで電源回路14が負荷回路19及びアーム2から切り離されつつ、切替スイッチ63がオンすることで定電流回路60が作動するとともに定電流回路60がアーム2に接続され、トランジスタ53から定電流の出力電流Ioがアーム2に供給されることとなる。図4は、半導体検査装置1の検査フローを示す図である。アーム2の検査時には、先ず、動特性としてのスイッチング特性を検査すべく、半導体検査装置1は、スイッチ70をオンして電源回路14を負荷回路19及びアーム2に接続しつつ、切替スイッチ63をオフして定電流回路60を遮断した状態で、電源回路14から通電からアーム2スイッチング素子6に通電しステップS1、スイッチング特性の測定を行うステップS2。次いで、静特性としての飽和電圧を測定すべく、半導体検査装置1は、スイッチ70をオフするとともに切替スイッチ63をオンして定電流回路60をアーム2に接続するステップS3。そして、半導体検査装置1は、電流設定値出力回路62の設定に基づく一定の出力電流Ioをトランジスタ53から出力してアーム2のスイッチング素子6に印加してステップS4、飽和電圧Vcesatを測定することとなるステップS5。なお、この検査フローにおいて、飽和電圧Vcesatを検査した後に、スイッチング特性を検査しても良いことは勿論である。このように、本実施形態によれば、検査対象のパワー半導体素子たるスイッチング素子6の短絡破壊等によって短絡電流が発生した時に、当該スイッチング素子6を電気的に遮断する短絡保護回路50が備えるトランジスタ53を定電流出力動作させる定電流回路60を構成し、この定電流回路60によってトランジスタ53が出力する定電流をスイッチング素子6に与えて飽和電圧Vcesatを検査する構成とした。これにより、別途に定電流回路を装置に組み込まなくとも定電流をスイッチング素子6に与えることができ、1台の装置で動特性と飽和電圧Vcesatとを精密に検査することができる。また、半導体検査装置1自身の大型化、複雑化、高コスト化を抑制することができる。また本実施形態によれば、動特性、及び飽和電圧Vcesatの検査に応じて、定電流回路60によるトランジスタ53の定電流動作をオン/オフする切替スイッチ63を備える構成としたため、切替スイッチ63を作動させるだけで、動特性と飽和電圧の検査を簡単に切り替え、これらを連続して検査することができる。これにより検査工程におけるタクトの短縮化、及びスループットの向上が図られる。なお、上述した実施形態は、あくまでも本発明の一態様を示すものであり、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で任意に変形及び応用が可能である。例えば上述した実施形態において、定電流回路60としては、短絡保護回路50が備えるトランジスタ53を活性領域で動作させて一定の出力電流Ioを出力する定電流動作をさせる回路であれば、任意の回路を採用することができる。例えば、上述した実施形態では、被試験デバイスとしてインバータ装置のアーム2を検査する検査装置を例示したが、これに限らず、IGBTやMOSFET等のパワー半導体素子、或いは、当該パワー半導体素子を用いて構成したモジュールデバイスの検査装置として広く用いることができる。特に、上述した実施形態において、スイッチング素子6に並置されている逆流防止用のダイオード4の特性もスイッチング素子6と同様にして検査することができる。なお、この場合には、ダイオード4はスイッチング素子6に対して逆並列接続されることから、ダイオード4への通電方向を変える手段が半導体検査装置1に設けられる。