"荷電粒子ビームの偏向とビーム軌道の補正の役割を兼ねる少なくとも1つの偏向電磁石102a~102dを配置した複数の偏向部102-1~102-4と、前記複数の偏向部に配置された偏向電磁石を個別に励磁するための複数の電磁石電源403a~403dとを備え、前記荷電粒子ビームを所望のエネルギーまで加速してビーム利用設備に出射するシンクロトロン100の電磁石電源制御システムにおいて、前記複数の偏向部に配置された偏向電磁石のそれぞれの励磁強度パターンを、前記複数の偏向部に共通の主パターン301と、前記複数の偏向部に個別のビーム軌道補正パターン302a~302dに分けて作成する管理装置401と、前記荷電粒子ビームの加減速時に、前記管理装置で作成した前記共通の主パターンと前記個別のビーム軌道補正パターンを合算した結果に従って前記複数の偏向部に配置された偏向電磁石をそれぞれ励磁するよう前記複数の電磁石電源を制御する制御装置402とを備えることを特徴とするシンクロトロンの電磁石電源制御システム。請求項1に記載のシンクロトロンの電磁石電源制御システムにおいて、前記管理装置401は、前記共通の主パターン301と前記個別のビーム軌道補正パターン302a~302dを作成する際に、前記共通の主パターンデータと前記個別のビーム軌道補正パターンデータを表示する表示装置400a~400cを有し、前記表示装置は、前記共通の主パターンのデータと前記個別のビーム軌道補正パターンデータを別々にグラフ表示し、かつ前記共通の主パターンデータに対して前記個別のビーム軌道補正パターンデータを拡大してグラフ表示することを特徴とするシンクロトロンの電磁石電源制御システム。請求項1に記載のシンクロトロンの電磁石電源制御システムにおいて、前記制御装置402は、前記共通の主パターン301と前記個別のビーム軌道補正パターン302a~302dをあらかじめ合算し、その合算した結果のパターン303a~303dのみを保存することを特徴とするシンクロトロンの電磁石電源制御システム。請求項1に記載のシンクロトロンの電磁石電源制御システムにおいて、前記制御装置402Aは、前記共通の主パターン301と前記個別のビーム軌道補正パターン302a~302dを分けたまま別々に保存し、さらに両パターンを合算した結果のパターン303a~303dを保存することを特徴とするシンクロトロンの電磁石電源制御システム。請求項1に記載のシンクロトロンの電磁石電源制御システムにおいて、前記制御装置は、前記共通の主パターン301と前記個別のビーム軌道補正パターン302a~302dを分けたまま別々に保存し、前記荷電粒子ビームの加減速時に、両パターンを合算しながら前記複数の電磁石電源403a~403dを制御することを特徴とするシンクロトロンの電磁石電源制御システム。請求項1~5のいずれか1項記載の電磁石源源制御システム410;410A;410Bを備えることを特徴とするシンクロトロン。荷電粒子ビームの偏向とビーム軌道の補正の役割を兼ねる少なくとも1つの偏向電磁石102a~102dを配置した複数の偏向部102-1~102-4と、前記複数の偏向部に配置された偏向電磁石を個別に励磁するための複数の電磁石電源403a~403dとを備え、前記荷電粒子ビームを所望のエネルギーまで加速してビーム利用設備に出射するシンクロトロン100の電磁石電源制御方法において、前記複数の偏向部に配置された偏向電磁石のそれぞれの励磁強度パターンを、前記複数の偏向部に共通の主パターン301と、前記複数の偏向部に個別のビーム軌道補正パターン302a~302dに分けて作成する第1手順と、前記荷電粒子ビームの加減速時に、前記第1手順で作成した前記共通の主パターンと前記個別のビーム軌道補正パターンを合算した結果に従って前記複数の偏向部に配置された偏向電磁石をそれぞれ励磁するよう前記複数の電磁石電源を制御する第2手順とを有することを特徴とするシンクロトロンの電磁石電源制御システム。請求項7に記載のシンクロトロンの電磁石電源制御方法において、前記第1手順は、前記共通の主パターン301と前記個別のビーム軌道補正パターン302a~302dを作成する際に、前記共通の主パターンデータと前記個別のビーム軌道補正パターンデータを別々にグラフ表示し、かつ前記共通の主パターンデータに対して前記個別のビーム軌道補正パターンデータを拡大してグラフ表示することを特徴とするシンクロトロンの電磁石電源制御方法。請求項7に記載のシンクロトロンの電磁石電源制御方法において、前記第2手順は、前記共通の主パターン301と前記個別のビーム軌道補正パターン302a~302dをあらかじめ合算し、その合算した結果のパターン303a~303dのみを保存することを特徴とするシンクロトロンの電磁石電源制御方法。請求項7に記載のシンクロトロンの電磁石電源制御方法において、前記第2手順は、前記共通の主パターン301と前記個別のビーム軌道補正パターン302a~302dを分けたまま別々に保存し、さらに両パターンを合算した結果のパターン303a~303dを保存することを特徴とするシンクロトロンの電磁石電源制御方法。請求項7に記載のシンクロトロンの電磁石電源制御方法において、前記第2手順は、前記共通の主パターン301と前記個別のビーム軌道補正パターン302a~302dを分けたまま別々に保存し、前記荷電粒子ビームの加減速時に、両パターンを合算しながら前記複数の電磁石電源403a~403dを制御することを特徴とするシンクロトロンの電磁石電源制御方法。特許文献1に記載のように、偏向電磁石がビームの偏向のみを行い、ステアリング電磁石がビームの軌道補正を行うシンクロトロンでは、ステアリング電磁石の設置スペースが必要であり、その分、シンクロトロンが大型化する問題がある。非特許文献1に記載のシンクロトロンでは、偏向電磁石がビームの偏向と軌道補正の両方を行うため、ステアリング電磁石が不要となり、シンクロトロンを小型化することができる。しかし、偏向電磁石がビームの偏向と軌道補正の両方を行うシンクロトロンには、電磁石電源制御において二つの問題がある。第一に、励磁強度パターンの個別化による問題がある。上述のように、偏向電磁石がビーム軌道補正を行わない場合は、共通の電源一つにパターンを設定する。それに対して偏向電磁石がビーム軌道補正を行う場合は、それぞれの電源に異なるパターンを設定する必要があるため、パターンの数が多くなり、パターンの調整に手間がかかる。例えばビーム軌道が全体的に外側にずれていたとすると、全偏向電磁石の励磁強度を一律に上げてビームの偏向角度を大きくし、軌道を内側に寄せる。その際、各偏向電磁石を共通の電源によって励磁する場合は、共通の電源に設定するパターン一つを調整すればよい。それに対して、偏向電磁石を個別の電源によって励磁する場合は、偏向電磁石電源の台数分のパターンを調整しなければならない。第二に、励磁強度パターンのうち、ビーム軌道補正のための励磁調整分がグラフ上で見分けにくいという問題がある。偏向電磁石がビーム軌道補正を行わない場合は、ビーム加減速に応じた励磁強度パターンを偏向電磁石電源に設定し、それとは別にビーム軌道補正用の励磁調整パターンをステアリング電磁石電源に設定する。それに対して偏向電磁石がビーム軌道補正を行う場合、各偏向電磁石電源に設定する励磁強度パターンは、ビーム加減速に合わせて励磁を大きく変化させる分と、ビーム軌道のずれに応じて励磁強度を微調整する分を兼ねるものになる。ビーム加減速に応じた励磁強度に対して、ビーム軌道を補正するための励磁調整量は微小である。従ってパターンデータをグラフ上で作成する際、ビーム軌道補正用の励磁調整分を判別しにくく、調整が困難である。本発明の目的は、偏向電磁石がビームの偏向と軌道補正の両方を行うシンクロトロンにおいて、偏向電磁石の励磁調整を容易に行うことができる電磁石電源制御システム及び制御方法並びにシンクロトロンを提供することにある。上記目的を達成するために、本発明では、各偏向電磁石の励磁強度パターンを、ビーム加減速に応じた主パターンと、ビーム軌道補正用のパターンに分けて作成し管理する。主パターンは全偏向部の偏向電磁石に共通であり、補正パターンは各偏向部の偏向電磁石に個別である。運転時は、共通の主パターンと個別の補正パターンを合算した結果を、各偏向電磁石電源に設定する。本発明によれば次のような効果が得られる。第一に、全偏向電磁石の励磁量を一律に変更する際、ビームの曲げ量が大きく励磁調整に手間が掛かる主パターンひとつを変更すれば全偏向部の変更電磁石に反映されるため、偏向電磁石の励磁調整が容易となる。第二に、励磁強度が大きい主パターンとは別に励磁変化が微細な補正パターンを管理するため、パターンデータをグラフ表示する際にビーム軌道補正のための励磁調整分を見分けやすく、励磁強度の微調整が容易となる。以上の結果、偏向電磁石がビームの偏向と軌道補正の両方を行うシンクロトロンにおいて、偏向電磁石の励磁調整を容易かつ速やかに行うことができ、励磁強度パターンの作成調整時間の短縮が可能となる。以下、本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。<第1の実施の形態>本発明の第1の実施の形態を説明する。~シンクロトロンの全体構成~図1はシンクロトロンの構成図である。シンクロトロン100は、前段加速器101、偏向電磁石102a,102b,102c,102d、四極電磁石103、六極電磁石104、静電インフレクタ105、静電デフレクタ106、出射セプタム電磁石107、入射バンプ電磁石108、ビーム位置モニタ109a,109b,109c,109d、高周波加速空胴110などを備える。偏向電磁石102a,102b,102c,102dは4つの偏向部102-1,102-2,102-3,102-4に1つづつ配置されている。ビームは前段加速器101で予備加速された後に、静電インフレクタ105からシンクロトロン100に入射され、偏向電磁石102a,102b,102c,102dによって偏向されて環状の真空ダクト内を周回する。ビームは高周波加速空胴110を通過するたびに高周波電圧を印加されて加速していき、所望のエネルギーに達すると出射セプタム電磁石107からビーム利用設備へ出射される。~偏向電磁石の励磁強度パターン~図2は、偏向電磁石102a,102b,102c,102dの励磁強度パターンを示す図である。偏向電磁石102a,102b,102c,102dはビームを偏向するために、ビームのエネルギー加速度に合わせて、図2のように励磁の強弱をつける。ビームのエネルギーが高まるほど強い力でビームを偏向する必要があるため、ビームのエネルギーに応じて偏向電磁石の励磁強度を変化させる。最初はビーム入射時の低いエネルギーに合わせて磁場を低く設定し入射運転201、ビームが加速するごとに磁場を強めていき加速運転202、出射時のエネルギーに合わせて磁場を一定に保った後出射運転203、次のビーム入射のため磁場を低くする減速運転204。このように偏向電磁石の励磁強度は大きな山形となる。シンクロトロン100はビームの入射-加速-出射-減速を所定の周期で繰り返すため、図2の励磁強度の変化を一つのパターンとし、偏向電磁石はビームの入射-加速-出射-減速の周期に合わせて励磁強度パターンを繰り返す。このパターンは出射時のエネルギーの高さに応じて変える必要があり、所望する出射エネルギーの種類分のパターンが必要である。~ビーム軌道補正~また偏向電磁石102a,102b,102c,102dは、ビーム位置モニタ109a,109b,109c,109dの地点においてビームが正しい位置を通るように、励磁強度を微調整してビームを偏向する角度を変え、ビーム軌道の補正を行う。例えば偏向電磁石102aは、ビーム位置モニタ109aの地点においてビーム軌道が所望の位置と一致するように、ビーム偏向角度を調整する。ビーム軌道のずれは各ビーム位置モニタの地点でそれぞれ異なるため、各モニタに対応する電磁石ごとにビーム軌道の補正角度はそれぞれ異なり、励磁強度の調整量も異なる。従って、従来は、偏向電磁石の台数分のパターンが必要であった。つまり、4台の偏向電磁石を備えるシンクロトロン100で300種類のエネルギーのビームを出射するためには、4台分のパターンの組み合わせ×300通りが必要であった。~本発明の制御原理~図3は本発明の制御原理を示す図である。本発明では、偏向電磁石のパターンデータは、図3のように偏向電磁石102a,102b,102c,102d偏向部102-1,102-2,102-3,102-4に共通の主パターン301と、ビーム軌道を補正するための偏向電磁石102a,102b,102c,102d偏向部102-1,102-2,102-3,102-4に個別の補正パターン302a,302b,303c,302dに分けて作成し管理する。主パターン301とは、図2のようにビーム入射時と出射時のエネルギーに合わせたパターン、すなわちビームエネルギーが高いほど強い励磁でビームを偏向させるという励磁強度のパターンである。補正パターン302a,302b,303c,302dとは、偏向電磁石の励磁強度を微調整してビームの偏向角度をわずかに変え、ビーム位置モニタの地点においてビーム軌道が所望の位置と一致するように補正するための励磁調整パターンである。主パターン301補正パターン302a,302b,303c,302d=偏向電磁石パターン303a,303b,303c,303dとしすなわち、共通の主パターン301と個別のビーム軌道補正パターン302a~302dを合算し、合算した結果を偏向電磁石パターン303a,303b,303c,303dとして求め、そのパターン303a~303dに従って各偏向電磁石を励磁する。本発明では、主パターン301は、エネルギー数分の300パターンがあればよい。~電磁石電源制御システムの全体構成~図4は、シンクロトロン100の電磁石電源制御システムの全体構成を示す図である。電磁石電源制御システム410は、複数の端末表示装置400a,400b,400cを有する計算機401管理装置と、制御装置402とを備えている。オペレータは、端末400a,400b,400cの表示部のグラフ作成画面に図3に示した主パターン301のデータと補正パターン302a~302dのデータを表示して主パターン301と補正パターン302a~302dを作成し、計算機401の記憶装置に保存する。計算機401は保存された複数のパターンデータを、電流電圧パターンなど電源制御で使用できる形に変換し、制御装置402のメモリに設定する。制御装置402はビームの入射-加速-出射-減速のタイミングに合わせて,メモリに設定された複数のパターンデータの中から所望のエネルギーに対応したパターンを選び出し、電磁石電源BendingMagnetPowerSupply403a,403b,403c,403dに出力する。電磁石電源403a,403b,403c,403dは偏向電磁石102a,102b,102c,102d偏向部102-1,102-2,102-3,102-4に個別に設けられ、制御装置402から受け取った値に従って、偏向電磁石102a,102b,102c,102dを励磁する。~電磁石電源制御システムの機能の詳細~図5は、計算機401と制御装置402の機能の詳細を示す図である。図5に示すように、計算機401は主パターン301と補正パターン302a~302dを分けたまま計算機401に保存する。計算機401は以下のように、両パターンを合算して制御装置402に設定する。例えばビームの入射-加速-出射-減速の周期が可変である出射許可の時間を除いて3秒であり、パターンデータが1ミリ秒ごとの計3000点の励磁強度データから構成される場合、計算機401は主パターン3000点と補正パターン3000点の同じ時点のデータを合算する。その励磁強度データを、電流電圧データなど電源制御で使用できる形に変換し、制御装置402のメモリに保存する。なお、主パターン補正パターンの合算と、励磁強度データから電流電圧データへの変換は、逆の順序で行ってもよい。制御装置402の出力装置402aは、メモリに保存された複数のパターンから所望の出射エネルギーに合うものを選び出し、電流電圧データ3000点を各時点のタイミングに合わせて、偏向電磁石電源403a~403dに出力する。なお、制御装置402は、3000点のデータを30000点などに展開して出力することもできる。電磁石電源403a~403dは、制御装置402から受け取った電流電圧データに従って、偏向電磁石102a~102dを励磁する。~励磁パターンデータの作成プロセス~図6は、偏向電磁石電源制御で用いるパターンデータの作成プロセスを示すフローチャートである。偏向電磁石電源制御で用いるパターンデータは次のように作成する。まず、オペレータは、計算機401の例えば端末400aを用いて、所望の出射エネルギーに対応した主パターン301を作成しステップS501、その主パターン301のみを制御装置402に設定してシンクロトロン100を運転する。そして、誤差を補正したい時点ビーム入射時、出射時などにおけるビームの位置をビーム位置モニタ109a,109b,109c,109dにより測定し、その測定結果を計算機401の例えば端末400aに表示するステップS502。図7は、各ビーム位置モニタの測定結果を示す図である。最初のビーム位置モニタ109a,109b,109c,109dの測定結果は、例えば図7の画面601のようになる。画面中、0はビーム軌道がモニタの中心に位置することを意味し、プラスは軌道が外側に、マイナスは軌道が内側に寄っていることを示す。画面601に示すように、所望のビーム軌道位置が0であり、軌道が全体的に所望位置の外側にずれていた場合、全偏向電磁石102a~102dのビーム偏向角度を大きくして軌道を全体的に内側に寄せるため、偏向電磁石共通である主パターンの励磁強度を強めるステップS501。軌道全体を内側に寄せるための主パターンの調整は、オペレータが例えば端末400aにおいて画面601を見ながら行い、計算機401は、その操作結果に基づいて主パターンの励磁強度を増大させる。主パターンを作成するステップS501の操作とシンクロトロン100の運転及びビーム軌道の測定を行うステップS502の操作は、図7の画面602に示すようにビームの平均軌道が0を基準とした所望の位置になるまで繰り返す。また、作成した主パターンを用いてシンクロトロン100の運転を行うステップS502では、オペレータは、作成した主パターンを、適宜、計算機401の例えば端末400bにグラフ表示し、どのような主パターンに従ってシンクロトロン100を運転しているかを確認する。このときの主パターンの表示は例えば図2に示すようなものである。次に、偏向電磁石ごとに異なるビーム軌道補正パターン302a,302b,302c,302dを作成するステップS503。ここで、各ビーム位置モニタ109a~109dの地点におけるビーム軌道の誤差量調整量と各偏向電磁石102a~102dによる軌道補正角度とは相関関係にあり、各偏向電磁石102a~102dによる軌道補正角度は各ビーム位置モニタ109a~109dの地点におけるビーム軌道の誤差量調整量から一意に決まる。式1に示すように、ビーム位置モニタ1~nの地点におけるビーム軌道の調整量ΔX1~ΔXnは、偏向電磁石1~nによる軌道補正の角度ΔX1~ΔXnと正方行列Aの積で表される。従って偏向電磁石による軌道補正の角度ΔX1~ΔXnは、ビーム位置モニタの地点におけるビーム軌道の調整量ΔX1~ΔXnに、正方行列Aの逆行列を左からかけることにより求められる。なお、本実施形態のシンクロトロン100はビーム位置モニタおよび偏向電磁石を4台ずつ備えているため、Aは4×4の正方行列となる。また正方行列Aは、シンクロトロン100の機器配置及び運転条件から解析的に求めるか、もしくは偏向電磁石の励磁量を一台のみ変化させた際の軌道誤差の変化量から試験的に求める。ステップS503では、オペレータは、図7の画面602を見ながら各ビーム位置モニタ109a~109dの地点におけるビーム軌道の誤差量調整量を設定する。計算機401は、上述の手法で各偏向電磁石102a~102dによる軌道補正の角度を導き出し、その補正角度から励磁調整量を求める。また、計算機401は、主パターン301の複数の時点ビーム入射時、出射時などにおける励磁調整量を求め、例えば端末400bのグラフ上でその点同士をなめらかに結ぶことで、各偏向電磁石のビーム軌道補正パターン302a~302dを作成する。本実施の形態では、計算機401が励磁調整量を求める例を示したが、計算機401に接続された外部の他の計算機図示せずが励磁調整量を求める構成であってもよい。この場合、他の計算機は、求めた励磁調整量の情報を計算機401に出力する。計算機401は、この励磁調整量に基づいて、各偏向電磁石のビーム軌道補正パターン302a~302dを作成する。図8は、ビーム入射時と出射時においてビーム軌道補正のための励磁調整量を求め、その2点をグラフ上でなめらかに結ぶことで作成した、偏向電磁石のビーム軌道補正用パターンのグラフ表示の一例を示す図である。オペレータは、計算機401の端末400bにグラフ表示された補正パターン302a~302dを見ながら、手操作入力で補正パターンの微調整を行いすなわち、ビーム軌道の誤差量調整量を設定し、軌道が所望の位置に合うようにする。ここで、図8に示すように、ビーム軌道補正のための励磁調整量の補正パターン302a~302dのグラフ表示における励磁強度の上限図8の縦軸の励磁強度の値は、図2に示す主パターン301よりも小さい値で表示する主パターン>補正パターン。これにより補正パターン302a~302dの励磁量は主パターン301に比べて拡大表示され、微細な励磁調整分が明確になる。例えば図2のように主パターン301のグラフ励磁強度の上限を300Tmとし、図8のように補正パターン302a~302dのグラフ励磁強度の上下限を±001Tmとした場合、ビーム軌道補正分の励磁強度の視認性拡大率は図2の3000倍となる。従って、オペレータによる補正パターンの作成調整が容易になる。こうして作成した各偏向電磁石の励磁調整パターンを用いて、再びシンクロトロン100を運転し、ビーム軌道の位置を測定するステップS504。補正パターン302a~302dを作成するステップS503の操作とシンクロトロン100の運転及びビーム軌道の測定を行うステップS504の操作は、図7の画面603に示すように各ビーム位置モニタにおけるビーム軌道が所望の位置になるまで繰り返す。また、作成した補正パターンを用いてシンクロトロン100を運転するステップS504において、オペレータは、作成したビーム軌道補正パターン302a~302dを計算機401の例えば端末400cにグラフ表示し、どのような補正パターンに従ってシンクロトロン100を運転しているかを確認する。~効果~以上のように本実施の形態においては、まず共通の主パターン301によって全体的にビーム軌道を調整し、次に偏向電磁石102a~102dごとの補正パターン302a~302dによって各ビームモニタ109a~109dの地点におけるビーム軌道を調整する。この過程において、各偏向電磁石のパターンを主パターンと補正パターンに分ける手法は、以下の利点がある。第一に、共通の主パターン301を変更すれば全偏向電磁石109a~109dのパターンに反映されるため、全偏向電磁石109a~109dの強度を一律で変更したい場合は共通の主パターン一つを変更すればよい。ビーム軌道が全体的に外側にずれていた場合画面601、主パターン301の励磁強度を強めると全偏向電磁石109a~109dのビーム偏向角度が大きくなり、ビーム軌道を中心に寄せることができる画面602。前述のように、パターンデータは出射エネルギーごとに作成する必要があり、例えば所望の出射エネルギーが300種類ある場合は300組のパターンデータが必要である。偏向電磁石を4つ備えるシンクロトロン100において、300組のパターンデータについて同様の調整を行うとすると、全偏向電磁石分の300×4=1200パターンを変更することになる。このとき偏向電磁石共通の主パターンがあれば、エネルギー数分の300パターンを変更すればよい。所望の出射エネルギーごとの、ビームを大きく曲げる主パターン301の作成には、ビームの軌道を微調整する補正パターンの作成に比べて多くの時間を要する。従って、ビームを大きく曲げる主パターン301を共通パターンとすることで、全体パターンの作成時間を短縮することができる。第二に、励磁強度が大きい主パターンと励磁強度が微細な補正パターンを分けることで、ビーム軌道補正用の励磁調整分が明確になる。例えば図9に示すように偏向半径が14mの偏向電磁石を4つ備えるシンクロトロン100において、エネルギー250MeVのビームを偏向する場合、各偏向電磁石による軌道補正角度は本来の偏向角度である90度の02~03にとどまる。このとき主パターンと補正パターンを分けない従来の場合の各偏向電磁石102a~102dの励磁強度パターンは図10に示すようであり実線がビーム軌道補正分を含むパターン、破線がビーム軌道補正分を含まないパターン、各偏向電磁石102a~102dの励磁調整分を見分けにくい。これに対して主パターン310と補正パターン302a~302dを分けて作成し、偏向電磁石102a~102dのビーム軌道補正用パターン302a~302dをグラフ表示する場合は、図8に示したように、例えばビーム軌道補正分の励磁強度の視認性拡大率を図2の3000倍にも拡大表示することができ、オペレータによる補正パターンの作成調整が容易になる。以上の二つの利点により、励磁強度パターンの作成調整時間の短縮が可能となる。<第2の実施の形態>図11は本発明の第2の実施の形態における偏向電磁石電源制御システムの計算機と制御装置の機能の詳細を示す図である。本発明の第2の実施の形態における偏向電磁石電源制御システム410Aは、図11に示すように、上述した第1の実施の形態図5と同様に、偏向電磁石共通の主パターン301と偏向電磁石個別のビーム軌道補正パターン302a~302dを分けて作成し、計算機401Aに保存する。第1の実施の形態と異なる点は、共通の主パターン301と個別の補正パターン302a~302dの合算を計算機401Aが行うのではなく、制御装置402Aが行う点である。すなわち、計算機401Aは主パターン301と補正パターン302a~302dを分けたまま制御装置402Aに設定し、制御装置402Aは自身が主パターン301と補正パターン302a~302dを合算してメモリに保存する。制御装置402Aは、シンクロトロン100を運転する際は、主パターン301と補正パターン302a~302dの合算結果303a~303dから所望の出射エネルギーに対応したものを選び出し、各偏向電磁石電源403a~403dに出力する。<第3の実施の形態>図12は本発明の第3の実施の形態における偏向電磁石電源制御システムの計算機と制御装置の機能の詳細を示す図である。本発明の第3の実施の形態における偏向電磁石制御システム410Bは、図12に示すように、上述した第1の実施の形態図5及び第2の実施の形態図11と同様に、偏向電磁石共通の主パターン301と偏向電磁石個別のビーム軌道補正パターン302a~302dを分けて作成し、計算機401Bに保存する。第1及び第2の実施の形態と異なる点は、共通の主パターン301と個別の補正パターン302a~302dをシンクロトロン100の運転前に合算するのではなく、運転中に制御装置402Bの出力装置402bがリアルタイムで合算しながら電磁石電源403a~403dに出力する点である。すなわち、制御装置402Bは主パターン301と補正パターン302a~302dを分けたままメモリに保存し、シンクロトロン100を運転する際は所望のエネルギーに対応した主パターン301と補正パターン302a~302dを選び出し、両パターンを合算して各偏向電磁石電源403a~403dに出力する。<その他>本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、図1で示したシンクロトロン100は、偏向電磁石を配置した偏向部を4つ備えるが、5つ以上の偏向部を備えていてもよい。また、水平方向ビームを偏向する方向のビーム軌道補正を行う偏向電磁石とは別に、垂直方向の軌道補正を行う電磁石を備えていてもよい。図13はそのような変形を示す図である。図13の左側は、上述した実施の形態の偏向部を示すものであり、4つの偏向部102-1~102-4のうち偏向部102-2で代表して示している。偏向部102-2は偏向電磁石102bを1つ備え、偏向電磁石102bと電磁石電源403bは1:1で電源線1001を介して接続されている。図13の右側は、各偏向部に複数の偏向電磁石を配置する場合を、左側と同様に、偏向部102-2で代表して示すものである。偏向部102-2は2つの偏向電磁石102b1,102b2を備え、偏向電磁石102b1,102b2と電磁石電源403は2:1で電源線1002を介して接続されている。このように各偏向部に複数の偏向電磁石を配置する場合においても、本発明を適用し、同様の効果を得ることができる。本発明は、偏向電磁石の励磁量を微小に変えることで、ビーム軌道を補正する様々な形態のシンクロトロン電磁石電源制御に適用可能である。"