表面にミリメートルオーダの高さとサブミリメートルオーダの幅を持つ突起部がミリメートルオーダの間隔で設けられており、前記突起部間の表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅ピッチとサブマイクロメートルオーダの深さとを持つ微細凹凸構造が形成されていることを特徴とする炭素系基板。請求項1記載の炭素系基板を用いていることを特徴とする放熱器。炭素系基板材料の表面にミリメートルオーダの高さとサブミリメートルオーダの幅を持つ突起部をミリメートルオーダの間隔で形成する突起部形成工程と、突起部形成工程を行った後、前記突起部間の炭素系基板材料の表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅ピッチとサブマイクロメートルオーダの深さとを持つ微細凹凸構造を形成する微細凹凸構造形成工程とを有していることを特徴とする炭素系基板の製造方法。炭素系基板材料の表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅ピッチとサブマイクロメートルオーダの深さとを持つ微細凹凸構造を形成する微細凹凸構造形成工程と、微細凹凸構造形成工程を行った後、微細凹凸構造が形成されている炭素系基板材料の表面にミリメートルオーダの高さとサブミリメートルオーダの幅を持つ突起部をミリメートルオーダの間隔で形成する突起部形成工程とを有していることを特徴とする炭素系基板の製造方法。しかしながら、特許文献2の発光モジュールでは、在来の一般的なグラファイトシートを用いているため、放熱性能を著しく向上させることができないという問題があった。すなわち、在来の一般的なグラファイトシートは、熱拡散性には優れているが異方性を有するため、厚さ方向への熱伝導性能が低く、また、後述のように、表面の放射率が0.7程度と、さほど高くないため、放射による熱放散性能が低く、放熱性能を著しく向上させることができないという問題があった。小型薄型化、軽量に適し、なおかつ、放熱性能を著しく向上させる部材放熱材料として、本願出願人は、本願の先願特願2009-195354に記載のように、表面にナノメートルのオーダの幅ピッチの微細凹凸構造が形成された炭素系基板例えば、グラファイト基板を開発した。この先願によれば、表面にナノメートルのオーダの幅ピッチの微細凹凸構造が形成された炭素系基板例えば、グラファイト基板とすることで、輻射による放熱性を高くでき、表面の放射率を0.9以上にすることができて、放熱性能を著しく向上させることが可能となる。しかしながら、表面にナノメートルのオーダの幅ピッチの微細凹凸構造が形成されている炭素系基板では、ナノメートルのオーダの幅ピッチの微細凹凸構造の強度が物理的に弱く、例えば搬送、組付けなどの作業中等に人の手の接触などによって微細凹凸構造が破壊されやすく、それにより元来の高い放熱性能を発揮できなくなるなどの問題がある。なお、ここで、微細凹凸構造の破壊とは、例えば微細凹凸構造の倒れまたは剥れ等を指す。本発明は、表面にナノメートルのオーダ本発明では、ナノメートルのオーダとは、ナノメートルオーダのみならずサブマイクロメートルオーダも含むものとするの幅ピッチの微細凹凸構造が形成されている炭素系基板であって、例えば搬送、組付けなどの作業中等に人の手などが微細凹凸構造に接触することなどを防止でき、これにより、微細凹凸構造の破壊を防止できて、高い放熱性能を維持することが可能な炭素系基板、放熱器、炭素系基板の製造方法を提供することを目的としている。上記課題を解決するために、請求項1記載の発明は、表面にミリメートルオーダの高さとサブミリメートルオーダの幅を持つ突起部がミリメートルオーダの間隔で設けられており、前記突起部間の表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅ピッチとサブマイクロメートルオーダの深さとを持つ微細凹凸構造が形成されていることを特徴とする炭素系基板である。また、請求項2記載の発明は、請求項1記載の炭素系基板を用いていることを特徴とする放熱器である。また、請求項3記載の発明は、炭素系基板材料の表面にミリメートルオーダの高さとサブミリメートルオーダの幅を持つ突起部をミリメートルオーダの間隔で形成する突起部形成工程と、突起部形成工程を行った後、前記突起部間の炭素系基板材料の表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅ピッチとサブマイクロメートルオーダの深さとを持つ微細凹凸構造を形成する微細凹凸構造形成工程とを有していることを特徴とする炭素系基板の製造方法である。また、請求項4記載の発明は、炭素系基板材料の表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅ピッチとサブマイクロメートルオーダの深さとを持つ微細凹凸構造を形成する微細凹凸構造形成工程と、微細凹凸構造形成工程を行った後、微細凹凸構造が形成されている炭素系基板材料の表面にミリメートルオーダの高さとサブミリメートルオーダの幅を持つ突起部をミリメートルオーダの間隔で形成する突起部形成工程とを有していることを特徴とする炭素系基板の製造方法である。請求項1、請求項2記載の発明によれば、表面にミリメートルオーダの高さとサブミリメートルオーダの幅を持つ突起部がミリメートルオーダの間隔で設けられており、前記突起部間の表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅ピッチとサブマイクロメートルオーダの深さとを持つ微細凹凸構造が形成されているので、例えば搬送、組付けなどの作業中等に人の手などが微細凹凸構造に接触することなどを上記突起部により防止でき、これにより、微細凹凸構造の破壊を防止できて、高い放熱性能を維持することが可能となる。また、請求項3記載の発明によれば、炭素系基板材料の表面にミリメートルオーダの高さとサブミリメートルオーダの幅を持つ突起部をミリメートルオーダの間隔で形成する突起部形成工程と、突起部形成工程を行った後、前記突起部間の炭素系基板材料の表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅ピッチとサブマイクロメートルオーダの深さとを持つ微細凹凸構造を形成する微細凹凸構造形成工程とを有しているので、例えば搬送、組付けなどの作業中等に人の手などが微細凹凸構造に接触することなどを防止でき、これにより、微細凹凸構造の破壊を防止できて、高い放熱性能を維持することが可能となる炭素系基板を製造できる。また、請求項4記載の発明によれば、炭素系基板材料の表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅ピッチとサブマイクロメートルオーダの深さとを持つ微細凹凸構造を形成する微細凹凸構造形成工程と、微細凹凸構造形成工程を行った後、微細凹凸構造が形成されている炭素系基板材料の表面にミリメートルオーダの高さとサブミリメートルオーダの幅を持つ突起部をミリメートルオーダの間隔で形成する突起部形成工程とを有しているので、例えば搬送、組付けなどの作業中等に人の手などが微細凹凸構造に接触することなどを防止でき、これにより、微細凹凸構造の破壊を防止できて、高い放熱性能を維持することが可能となる炭素系基板を製造できる。以下、本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。本発明は、本願の先願特願2009-195354に記載のような、表面にナノメートルのオーダ本発明では、ナノメートルのオーダとは、ナノメートルオーダのみならずサブマイクロメートルオーダも含むものとするの幅ピッチの微細凹凸構造が形成されている炭素系基板例えば、グラファイト基板およびそれを用いた放熱器、炭素系基板の製造方法に関するものである。より詳細に、本発明の炭素系基板例えば、グラファイト基板は、基本的には図2に概略拡大図で示すように、炭素系基板材料例えば、グラファイト基板材料1の表面に、ナノメートルオーダー約10nm~500nm程度の範囲からサブマイクロメートルオーダ約0.5μm~10μm程度の範囲の幅ピッチNPと、サブマイクロメートルオーダ約0.5μm~10μm程度の範囲の深さNHとを持つ微細凹凸構造2が形成されたものとなっている。なお、このような微細凹凸構造2は、後述の図6のステップS2または図9のステップS11に示すようなプラズマエッチング法によるエッチングによって形成することができる。図3は、グラファイト基板材料の表面に形成された本発明の微細凹凸構造2を示す走査型電子顕微鏡SEM写真である。本発明の炭素系基板は、炭素系基板材料例えば、グラファイト基板材料1の表面に、ナノメートルオーダー約10nm~500nm程度の範囲からサブマイクロメートルオーダ約0.5μm~10μm程度の範囲の幅ピッチNPと、サブマイクロメートルオーダ約0.5μm~10μm程度の範囲の深さNHとを持つ微細凹凸構造2が形成されたものとなっていることにより、表面積が著しく増大し、また、以下に説明するように、可視光を含む領域及び遠赤外領域の反射率を十分に低くして放射率を理論最大値1.0に極めて近い0.9以上まで向上させることができ輻射による放熱性を著しく高めることができ、放熱性能を著しく向上させることが可能となる。従って、小型薄型、軽量で、放熱性能の著しく高い放熱材料放熱部材すなわち放熱器として用いることができる。以下に、本発明に係る炭素系部材表面に微細凹凸構造2が形成された炭素系部材を放熱材料として用いる場合の、動作原理を説明する。本発明に係る放熱材料の動作原理は完全黒体効果を利用した吸収エネルギーの遠赤外放射による放射冷却作用を利用する。すなわち、図4に示すように、光の平均反射率RがR=R080と高い時には、放熱材料が吸収したエネルギーは放熱材料が有する温度たとえば室温300Kで図4のI0に示す遠赤外領域の黒体放射スペクトルの放射率I0で外部に放射散逸を起こすが、反射率が高いため放熱効率が低い。他方、光の平均反射率RがR=R11と低い時には、放熱材料が吸収したエネルギーは室温300Kで図4のI1に示す遠赤外領域の黒体放射スペクトルの放射率I1で外部に放射散逸を起こすことができるので、放熱効率が高い。つまり、反射率Rが低下すると、放射率Iが上昇し、逆に、反射率Rが上昇すると、放射率Iが低下するという関係が成立する。この場合、光放熱つまり光放射能力を示す指数として放射率を用いるが、光の透過率がほぼ0の場合、放射率I≒1-R反射率で表わされる。従って、理想的には、放熱材料としてたとえば波長0.3-50μmの反射率Rができるだけ0に近いものを用いると、放熱効率が大きくなることが分かる。ところで、前述したように、表面に微細凹凸構造2が形成された炭素系部材炭素系基板例えば、グラファイト基板では、微細凹凸構造2の強度が物理的に弱く、接触などによって微細凹凸構造2が破壊されやすく、それにより元来の高い放熱性能を発揮できなくなるという問題がある。ここで、微細凹凸構造2の破壊とは、例えば微細凹凸構造2の倒れまたは剥れ等を指す。従って、表面に微細凹凸構造2が形成された炭素系部材炭素系基板例えば、グラファイト基板を、例えば照明装置、電子機器あるいは携帯端末の放熱材料として用いる場合、微細凹凸構造2に人の手などが触れたりすると、微細凹凸構造2が破壊され、元来の高い放熱性能を発揮できなくなってしまう。この問題を解決するため、本発明では、図5に示すように、炭素系部材炭素系基板例えば、グラファイト基板1の表面に、ミリメートルオーダ約1mm~10mm程度の範囲の高さHとサブミリメートルオーダ約0.1mm~1mm程度の範囲の幅Dを持つ突起部接触防止用の突起部3をミリメートルオーダ約1mm~10mm程度の範囲の間隔Pで設け、該突起部3間の炭素系部材炭素系基板例えば、グラファイト基板1の表面に、図2に示したようなナノメートルオーダ約10nm~500nm程度の範囲またはサブマイクロメートルオーダ約0.5μm~10μm程度の範囲の幅ピッチNPとサブマイクロメートルオーダ約0.5μm~10μm程度の範囲の深さNHとを持つ微細凹凸構造2を形成することを特徴としている。このような構成では、ミリメートルオーダ約1mm~10mm程度の範囲の間隔Pで設けられたミリメートルオーダ約1mm~10mm程度の範囲の高さHとサブミリメートルオーダ約0.1mm~1mm程度の範囲の幅Dを持つ突起部接触防止用の突起部3によって、図2に示したようなナノメートルオーダ約10nm~500nm程度の範囲またはサブマイクロメートルオーダ約0.5μm~10μm程度の範囲の幅ピッチNPとサブマイクロメートルオーダ約0.5μm~10μm程度の範囲の深さNHとを持つ微細凹凸構造2は、人の手などからの接触などから護られ保護され、これにより、接触などによる微細凹凸構造2の破壊を防止でき、高い放熱性能放射率を維持することが可能となる。図6は本発明に係る炭素系部材炭素系基板例えば、グラファイト基板の加工プロセスの一例を示すフローチャートである。なお、以下では、炭素系部材炭素系基板はグラファイト基板であるとして説明する。すなわち、以下の例では、炭素系基板材料1としてグラファイト基板材料を用いている。図6のステップS1接触防止構造形成ステップでは、突起部接触防止用の突起部3となるべき部分を残してグラファイト基板材料1の表面を切削加工することにより、あるいは、突起部接触防止用の突起部3となるべき部分をマスクしてウェットエッチングやドライエッチングすることにより、グラファイト基板材料1の表面に、図7aに示すような例えば矩形状の溝10を得る。ここで、溝10は、ミリメートルオーダ約1mm~10mm程度の範囲の間隔Pで、ミリメートルオーダ約1mm~10mm程度の範囲の深さHであり、溝10とならずに残された部分サブミリメートルオーダ約0.1mm~1mm程度の範囲の幅Dの部分が接触防止用の突起部3となる。なお、上記例では、溝10の形状を矩形状のものにし、これにより、突起部接触防止用の突起部3は矩形状のものとなるが、溝10の形状は、台形状のものでも蒲鉾状のものなどでも良く、突起部接触防止用の突起部3の形状を所望の形状のものにすることができる。また、突起部接触防止用の突起部3の形成方法として、上記例の他に、例えば、あらかじめ用意した溝に対応する構造の金型に、炭素系材料を流し込み、射出成形することで炭素系基板いまの例ではグラファイト基板材料1の表面に突起部接触防止用の突起部3を作製することもできる。次いで、図6のステップS2プラズマエッチングステップでは、ステップS1で図7aに示すように加工されたグラファイト基板材料1の表面を、図7bに示すようにO2ガス酸素ガスを用いたプラズマエッチング法によってエッチングして、図5に示したように図7cに示すように、突起部3間の表面に微細凹凸構造2が形成されたグラファイト基板1を得ることができる。ここで、プラズマエッチング条件は、例えば次のごとくである。RFパワー:500W圧力:50mTorrO2流量:200sccmエッチング時間:50分なお、ステップS2でのプラズマエッチング法は、電子サイクロトロン共鳴ECRエッチング法、反応性イオンエッチングRIE法、大気圧プラズマエッチング法等のいずれでもよく、また、処理ガスはO2ガス以外のArガス、N2ガス、H2ガス、CF4ガス、CO2ガス、SF6ガス等のいずれでもよく、これらの混合ガスでもよい。このようにして突起部3間の表面に微細凹凸構造2が形成されたグラファイト基板1を得ることができ、微細凹凸構造2が表面に形成されたことにより、表面積が著しく増大し、また、可視光を含む領域及び遠赤外領域の反射率を十分に低くして放射率を著しく高めることができるため輻射による放熱性を著しく高めることができるため、放熱効率を著しく高めることができる。すなわち、図8に示すように、可視光を含む領域の波長0.5-2.5μmの平均反射率はプラズマエッチング前の15-25からプラズマエッチング後の1.5以下と低くなる。また、遠赤外領域の平均反射率もプラズマエッチング前に比べてプラズマエッチング後では同程度に低くなる。本願の発明者は、実際、突起部3間の表面に微細凹凸構造2が形成されたグラファイト基板1の放射率を放射温度計KEYENCEFT-H20により測定した。この結果、突起部3間の表面に微細凹凸構造2が形成されたグラファイト基板1の表面の温度が150°Cのときの放射率は、理論最大値1.00に対して0.97となった。すなわち、図4の理想的な反射特性R1に近づき、突起部3間の表面に微細凹凸構造2が形成されたこのグラファイト基板1をそのまま放熱材料すなわち放熱器として用いることができる。なお、図6の接触防止構造形成ステップS1突起部3の形成ステップはプラズマエッチングステップS2の後で行ってもよい。図9は本発明に係る炭素系部材炭素系基板例えば、グラファイト基板の加工プロセスの他の例を示すフローチャートである。なお、以下では、炭素系部材炭素系基板はグラファイト基板であるとして説明する。すなわち、以下の例では、炭素系基板材料1としてグラファイト基板材料を用いている。図9のステップS11では、図6のプラズマエッチングステップS2におけると同様にして、グラファイト基板材料1の表面をプラズマエッチング法によってエッチングし、図10aに示すように表面に微細凹凸構造2が形成されたグラファイト基板1を得る。しかる後に、ステップS12では、図10bに示すように、表面に微細凹凸構造2が形成されたグラファイト基板1に、例えば射出成形により矩形状に加工した突起部3を取り付ける。ここで、接触防止用の突起部3の間隔P及び高さHはミリメートルオーダ約1mm~10mm程度の範囲であり、突起部3の幅Dはサブミリメートルオーダ約0.1mm~1mm程度の範囲である。また、炭素系基板いまの例ではグラファイト基板1への接触防止用突起部3の取り付け方法は、好ましくは突起部3とグラファイト基板1との間の接触熱抵抗が小さくなるような取り付け方法、例えば熱伝導性ペーストを用いた取り付け方法がよい。また、取り付ける接触防止用の突起部3の加工方法は、例えば切削加工でもよく、プレス成形などでもよい。また、突起部3の材料は、例えば炭素系材料でも良いし、あるいは、Al、Fe、Cu、Ag、Auなどの金属材料及びその合金、あるいは、樹脂やセラミックスなどでも良いし、あるいは、これらの複合材でもよい。このようにして、ステップS12の工程を行うことにより、図10cに示すように、表面に微細凹凸構造2が形成されているとともに接触防止のための突起部3が形成されたグラファイト基板1を得ることができる。図10cに示すようなグラファイト基板1では、図7cに示したグラファイト基板1と同様に、微細凹凸構造2が表面に形成されていることにより、表面積が著しく増大し、また、可視光を含む領域及び遠赤外領域の反射率を十分に低くして放射率を著しく高めることができるため輻射による放熱性を著しく高めることができるため、放熱効率を著しく高めることができる。上述の各例では、表面に微細凹凸構造2が形成されているとともに接触防止のための突起部3が形成された炭素系部材炭素系基板としてグラファイト基板を用いる場合を示したが、表面に微細凹凸構造2が形成されているとともに接触防止のための突起部3が形成された炭素系部材炭素系基板は、グラファイト基板に金属を混ぜた稠密グラファイト基板でもよい。また、表面に微細凹凸構造2が形成されているとともに接触防止のための突起部3が形成された炭素系部材炭素系基板は、グラファイト基板以外の炭素系基板、例えばダイヤモンド基板やガラス状炭素基板などでもよい。このように、本発明では、高い放熱性能と小型薄型軽量とを両立可能であるとともに、突起部3が形成されていることによって、例えば搬送、組付けなどの作業中等に人の手などが微細凹凸構造2に接触することなどを防止でき、これにより、微細凹凸構造2の破壊を防止できて、高い放熱性能を維持することが可能となる。従って、表面に微細凹凸構造2が形成されているとともに接触防止のための突起部3が形成された本発明の炭素系部材炭素系基板は、ヘッドランプ、レーザヘッドランプ、フォグランプ、街路灯などの照明装置LED照明装置などに放熱器として取り付けて利用できる。すなわち、表面に微細凹凸構造2が形成されているとともに接触防止のための突起部3が形成された本発明の炭素系部材炭素系基板は、放熱器として用いられる。また、照明装置に限らず、発熱源を有し、発熱源からの熱を放熱する必要のある装置、機器例えばパソコンなどの電子機器や、携帯電話などの携帯端末などにも、本発明の炭素系部材炭素系基板を同様に放熱器として取り付けて利用できて、本発明の炭素系部材炭素系基板を同様に放熱器として取り付けて利用することで、高い放熱性能と小型薄型軽量とを両立可能な装置、機器を提供することができる。