"はんだをワークピース10、好ましくはソーラセルのような半導体デバイスに付着させる方法であって、はんだワイヤを用いて、ソノトロード18によって加えられた超音波振動の作用により、半導体ワイヤを、溶融した状態で、前記ワークピースに付着させ、前記はんだワイヤが、加熱手段16,17と、前記超音波振動を加える前記ソノトロード18との間に延びているギャップ24に供給され、溶融され、前記ギャップを通って前記ワークピース10上に流れることを特徴とする方法。前記ギャップ24を、前記ソノトロード18と、前記加熱手段16,17との間で、幅Bに調整し、但し、1/2D≦B≦Dであって、しかも、D=前記はんだワイヤの直径であることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記ソノトロード18および前記加熱手段16,17を、前記はんだの溶融温度より上の温度に加熱することを特徴とする請求項1または2に記載の方法。前記加熱手段16,17の温度を、ソノトロード18の温度とは別に調節することを特徴とする請求項3に記載の方法。加熱手段16,17として、ブロック状のまたは平行六面体状の加熱体を用い、この加熱体は、ソノトロード側で、好ましくは、前記ギャップ24を区画している突起26を有し、この突起は、好ましくは、シリンダ部分の形状を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。前記加熱手段16,17従ってまた前記突起26を、前記ギャップ24がその高さに亘って一定の幅を有し、または前記ワークピース10の方向に拡大しているように、前記ソノトロード18に対し整列させることを特徴とする請求項5に記載の方法。はんだをワークピース10に塗布した後に、およびはんだを他のワークピースに塗布する前に、前記ギャップ24を、好ましくは、液体またはガス、例えば、空気、N2、アルゴンまたは他の不活性ガスのインパルス状の噴射によって洗浄することを特徴とする請求項1に記載の方法。はんだ材料として、SnZn塩基、SnAg塩基をベースにしておりあるいは特に純粋なスズからなるはんだ材料を用いることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記ソノトロード18の縦軸線は、前記ワークピースの表面から出ている法線に対し、角度αを形成し、但し、0°<α≦90°であることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記はんだを速度Vで付着させ、但し、0.1mm/sec≦V≦200mm/sec、特に20mm/sec≦V≦80mm/secであることを特徴とする請求項1に記載の方法。ワークピース10として、ソーラセルを用い、このソーラセル上に、はんだを、特に幅Aを有するバスバーとして塗布し、但し、0.5mm≦A≦15mmであって、好ましくはA≒2mmであることを特徴とする請求項1に記載の方法。プロセス安定性のために、前記ソノトロード18は、前記はんだワイヤを連続的に供給する最中に、振動で励起されたままであることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記ソノトロード18を、自らの共振周波数とは異なる周波数で、振動させることを特徴とする請求項1に記載の方法。はんだをワークピース10、好ましくはソーラセルのような半導体デバイスに付着させるための装置であって、はんだワイヤ供給手段と、加熱手段16,17と、超音波を加える超音波ソノトロード18と、前記ワークピースを、前記加熱手段および前記ソノトロードへ搬送するための搬送手段とを有し、前記はんだワイヤは、前記加熱手段に割り当てられた加熱ゾーン14において溶融され、前記加熱ゾーン14は、前記ソノトロード18および前記加熱手段16,17によって区画されており、かつ前記はんだを前記ワークピース10に供給するための供給手段であるギャップ24を有することを特徴とする装置。前記加熱手段16は、ブロック状のまたは平行六面体状の加熱体17であり、この加熱体は、ソノトロード側で、前記ギャップ24を区画している突起26を有し、この突起は、好ましくは、シリンダ部分の形状を有することを特徴とする請求項14に記載の装置。前記加熱体17の下面30は、前記ソノトロード18から始まって、前記ワークピース18の表面に対し、鋭角αを形成し、但し、好ましくは0°<α≦20°、特に0°<α≦5°であることを特徴とする請求項15に記載の装置。前記ギャップ24は、その高さに亘って、一定の幅Bを有し、あるいは、前記ワークピース10の方向に拡大していることを特徴とする請求項14に記載の装置。前記装置は、前記ギャップ24に、洗浄媒体、例えば、N2、空気、アルゴン、不活性ガスまたは液体をインパルス状に供給することができる洗浄手段を有することを特徴とする請求項14に記載の装置。前記装置には、前記ギャップを機械的に、例えば回転ブラシによって洗浄することができる洗浄手段が割り当てられていることを特徴とする請求項14に記載の装置。前記装置は、はんだによる汚染を吸い取るための吸取り装置を有することを特徴とする請求項14に記載の装置。複数の図からは、ワークピース10の上に好ましくはストリップ状の板状はんだを付着させる装置の部分図および詳細図が見て取れる。ワークピース10は、特に、ソーラセルのような半導体デバイスである。半導体デバイスは、はんだ材料を塗布した後に、半導体デバイス上に、例えば電流コンタクトをはんだ付けするためのものである。電流コンタクトは、セルコネクタであってもよい。半導体材料の付着は、ソーラセル上に付着されかつ特に集電器グリッドフィンガに接続されるバスバーの機能を担う板状はんだが形成されるように、なされることもできる。はんだをワークピースに付着させるために、図示しないはんだワイヤ供給手段によって、はんだワイヤ12が、加熱ゾーン14に供給される。加熱ゾーンは、加熱手段16と、超音波装置のソノトロード18との間に延びている。複数の図面に示すように、棒の形状を有する超音波ソノトロード以下、ソノトロードともいう18は、加熱手段16の上方で、加熱ワイヤを有するセラミック管20によって囲繞されている。その目的は、ソノトロードを、はんだ材料の溶融温度より上の温度に加熱するためである。更に、ソノトロード18は、知られるように、超音波発生器22から出ており、この超音波発生器によって、ソノトロード18は、10kHzと80kHzの間の、特に、10kHzと40kHzの間の範囲の超音波振動で励起される。但し、数字は例として挙げるに過ぎない。加熱手段16は、実施の形態では、加熱カートリッジを備える平行六面体状のまたはブロック状の加熱体17である。この場合、加熱体17は、高い熱容量を有する。その目的は、加熱ゾーン14の領域で、望ましい一定の温度を保証するためである。実施の形態では、複数の図面の比較が基本的に示すように、はんだワイヤ12が、側面から斜めに加熱ゾーン14へ挿入される。しかしながら、このことによって、本発明に係わる教示を限定しないことが意図される。本発明では、加熱ゾーン14は、ギャップ24を有する。このギャップは、図3および4から明らかなように、一方では、ソノトロード18によって、他方では、加熱手段16の、詳しくは加熱体17の、好ましくは半シリンダ状の突起26によって区画される。しかし、加熱体17がかような突起を有することは、必須というわけではない。むしろ、加熱体17は、ソノトロード側に、平滑な面を有する。この面は、同様に、対応のギャップを区画する。しかし、加熱体17の、ソノトロード18に向いた面からは、突起26が出ている。しかし、突起は、図面から見て取れる断面が円弧形状を有する形状とは異なった形状を有してもよい。図4が明示するように、ギャップ幅Bは、従って、ソノトロード18と突起26との間の内法間隔は、この間隔が、好ましくは、1/2DとDの間にあって、但し、D=はんだワイヤであるように、選択されている。幅Bは、ワークピースへのはんだ10の塗布方向に、従って、図1では図平面に、かつワークピース10の図示した部分に平行に延びている。幅Bは一定であってもよいし、あるいは、ワークピースの方向に錐形に拡大してもよい。加熱体17およびソノトロード18は、はんだワイヤ12の溶融温度より上にある温度に調整される。100°Cと350°Cの間の範囲で溶融するはんだ材料が用いられることは好ましい。しかし、温度範囲が80°Cと600°Cの間にあってもよい。この場合、突起26の領域における加熱体17の温度調節は、ソノトロード18の温度の調節とは別になされる。本発明では、はんだワイヤ12は、加熱ゾーン14において、ギャップ24に供給される。このとき、はんだワイヤは溶融する。表面張力が大きいにも係わらず、超音波振動で励起されたソノトロード18によって、ギャップ24の境界の濡れがなされる図5の右の図を参照のこと。その結果、溶融されたはんだが、ギャップ24を通って、ワークピース10の表面上に流れ、次に、ワークピース10に付着されたはんだには、ソノトロード18の、ワークピース10に向いた平らな端面に亘って、超音波が照射される。その目的は、ワークピース10のはんだ付けを保証するためである。端面28の領域には、励起されたソノトロード18の最大振幅が延びている。図5の左の図では、溶融されたはんだは、ソノトロード18が振動されない状態で示されている。図1および2から明らかなように、平行六面体状のまたはブロック状の加熱体17の下面30は、ワークピースの表面に対して、以下のように、すなわち、ソノトロード18から始まって鋭角αが生じ、この鋭角が、0°と20°の間で、特に0°と50°との間にあるほうがよいように、整列されている。このことによって、更に、保証されることは、ワークピース10が、加熱体17によって望ましく加熱されることである。ギャップ24は、ギャップの高さに亘って、一定の幅を有することができる。しかしながら、ギャップがワークピース10の方向に拡大される可能性もある。ギャップが拡大されるのは、加熱体17によって区画されるギャップ24の領域が、加熱体17の下面30に垂直に延びているとき、特にそのときである。更に、本発明では、図示しない洗浄手段を用いて、超音波装置を加熱手段16と共に持ち上げた後に、ギャップの領域を洗浄するために、噴出インパルスが放出されることが提案される。噴出インパルスは、はんだによる外被を除去するように、インパルス状にギャップ領域に噴出されるガスまたは液体である。その代わりにまたは補足的に、はんだによる外被を除去するために、機械的な洗浄手段が設けられていることができる。この洗浄手段は、回転ブラシ、あるいは、外被の除去を可能にし、かつ同一の作用をする他の要素であってもよい。更に、はんだによる汚れを捕まえかつ吸引するために、吸引装置が設けられていることもできる。プロセス安定性を達成するために、ソノトロードは、はんだワイヤが供給されないときでも、連続的に励起され続けることが可能である。実際また、ギャップにおける、はんだによる濡れ特性が安定化される。ワークピース10へのはんだの塗布速度は、2mm/secと200mm/secの間の、好ましくは20mm/secと30mm/secの間の範囲にあるほうがよい。実施の形態では、ソノトロードの長手方向は、ワークピース10から出ている法線に沿って整列されているが、他の角度も同様に可能である。特に、超音波の、はんだへの斜めの伝達が可能である。このことは、ソノトロード18の縦軸線が、ワークピース10から出ている法線に対し、角度>0°を形成することを意味する。この場合、必要な場合には、ワークピース10の表面に対し平行に整列がなされる。このことに応じて、ソノトロードの先端、従ってまた加熱体17の、対応の面が、形成されねばならない。その目的は、はんだワイヤのための必要なギャップを用いるためである。本発明は、共鳴振動数の適切な相違が、例えば、ソノトロード18の離調によって、あるいは、λ/2の整数倍とは、但しλ=振幅であって、異なる長さを有するソノトロード18を使用することによってなされることを含む。ソノトロード18は、ギャップの領域で、0.5mmと4mmとの間の、好ましくは1mmと2mmとの間にある直径を有するシリンダ状の形状を有するほうがよい。"