基板と、上記基板上に形成されたGaN系半導体層と、上記GaN系半導体層上に形成されているか、または、上記GaN系半導体層の上部に少なくとも一部が埋め込まれるように形成された電極と、上記GaN系半導体層上に形成された酸化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる層間絶縁膜と、上記電極の少なくとも一部の領域上かつ上記層間絶縁膜に形成され、上記基板平面に対して略垂直な第1の側壁を有する第1コンタクトホール部と、上記第1コンタクトホール部の上記第1の側壁の上縁から上側に向かって徐々に広がるように上記層間絶縁膜に形成され、上記基板平面に対して傾斜した第2の側壁を有する第2コンタクトホール部と、上記第1コンタクトホール部内と上記第2コンタクトホール部内および上記層間絶縁膜上に形成された配線層とを備え、上記配線層は、上記第1コンタクトホール部において上記第1の側壁の上記基板厚さ方向の寸法よりも膜厚が厚いことを特徴とするパワーデバイス。請求項1に記載のパワーデバイスにおいて、上記配線層は、第1バリア層と第1配線層と第2バリア層と第2配線層および第3バリア層が上記第1バリア層から順に積層された多層構造の配線層であり、上記第1配線層は、少なくとも上記第1コンタクトホール部において上記第1の側壁の上記基板厚さ方向の寸法よりも膜厚が厚いことを特徴とするパワーデバイス。請求項1または2に記載のパワーデバイスにおいて、上記第1コンタクトホール部の上記第1の側壁の上記基板厚さ方向の寸法は、上記第2コンタクトホール部の上記第2の側壁の上記基板厚さ方向の寸法よりも小さいことを特徴とするパワーデバイス。請求項1から3までのいずれか1つに記載のパワーデバイスにおいて、上記電極は、上記GaN系半導体層上に互いに間隔をあけて形成されているか、または、上記GaN系半導体層の上部に少なくとも一部が埋め込まれるように互いに間隔をあけて形成されたソース電極およびドレイン電極と、上記GaN系半導体層上かつ上記ソース電極と上記ドレイン電極との間に形成されたゲート電極を含み、上記ソース電極に上記第1第2コンタクトホール部を介して接続された上記配線層は、上記ソース電極側から上記ゲート電極側に向かって上記ゲート電極の上方かつ上記層間絶縁膜上に延在するように形成された部分がフィールドプレート部を兼ねることを特徴とするパワーデバイス。請求項1から4までのいずれか1つに記載のパワーデバイスにおいて、上記第2コンタクトホール部の略中央を通りかつ上記基板平面に対して垂直な平面による切断面において、上記第2コンタクトホール部の上記第2の側壁の傾斜面の上記基板厚さ方向の寸法よりも上記第2の側壁の傾斜面の上記基板平面に沿った方向の寸法が長いことを特徴とするパワーデバイス。基板上にGaN系半導体層を形成する工程と、上記GaN系半導体層上に電極を形成するか、または、上記GaN系半導体層の上部に少なくとも一部が埋め込まれるように電極を形成する工程と、上記電極が形成された上記GaN系半導体層上に酸化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる層間絶縁膜を形成する工程と、上記層間絶縁膜に上側に向かって徐々に広がるように、上記基板平面に対して傾斜した第2の側壁を有する第2コンタクトホール部をウェットエッチングにより形成する工程と、上記層間絶縁膜の上記第2コンタクトホール部の底部に、上記電極の少なくとも一部の領域が露出するように、上記基板平面に対して略垂直な第1の側壁を有する第1コンタクトホール部をドライエッチングにより形成する工程と、上記第1コンタクトホール部内と上記第2コンタクトホール部内および上記層間絶縁膜上に、少なくとも上記第1コンタクトホール部において上記第1の側壁の上記基板厚さ方向の寸法よりも膜厚が厚い配線層を形成する工程とを含むことを特徴とするパワーデバイスの製造方法。そこで、この発明の課題は、膜剥がれの要因となる有機材料を用いることなく、エレクトロマイグレーションの耐性と長期信頼性を向上できるパワーデバイスおよびパワーデバイスの製造方法を提供することにある。上記課題を解決するため、この発明のパワーデバイスは、基板と、上記基板上に形成されたGaN系半導体層と、上記GaN系半導体層上に形成されているか、または、上記GaN系半導体層の上部に少なくとも一部が埋め込まれるように形成された電極と、上記GaN系半導体層上に形成された酸化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる層間絶縁膜と、上記電極の少なくとも一部の領域上かつ上記層間絶縁膜に形成され、上記基板平面に対して略垂直な第1の側壁を有する第1コンタクトホール部と、上記第1コンタクトホール部の上記第1の側壁の上縁から上側に向かって徐々に広がるように上記層間絶縁膜に形成され、上記基板平面に対して傾斜した第2の側壁を有する第2コンタクトホール部と、上記第1コンタクトホール部内と上記第2コンタクトホール部内および上記層間絶縁膜上に形成された配線層とを備え、上記配線層は、上記第1コンタクトホール部において上記第1の側壁の上記基板厚さ方向の寸法よりも膜厚が厚いことを特徴とする。ここで、GaN系半導体層とは、GaNをベースとした混晶材料からなる半導体層であり、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN等の化合物を含むものである。上記構成によれば、第1第2コンタクトホール部内および層間絶縁膜上に、少なくとも第1コンタクトホール部において第1の側壁の基板厚さ方向の寸法よりも膜厚が厚い配線層を形成することによって、膜厚の厚い層間絶縁膜にできると共に、均一な厚さの配線層にすることができ、第1コンタクトホール部の第1の側壁および第2コンタクトホール部の第2の側壁において、配線層に膜厚の薄い部分が形成されないので、膜厚の薄い配線層部分に生じやすいエレクトロマイグレーションを効果的に抑制できる。したがって、膜剥がれの要因となる有機材料を層間絶縁膜に用いることなく、エレクトロマイグレーションの耐性と長期信頼性を向上できる。特に、パワーデバイスとして、高耐圧で大電流高温動作が可能なGaN系半導体を用いたFETでは、ソース電極やドレイン電極に接続される配線層の電流密度が高くかつ高温動作となるので、エレクトロマイグレーションが発生しやすくなるが、この発明の効果が極めて有効である。また、一実施形態のパワーデバイスでは、上記配線層は、第1バリア層と第1配線層と第2バリア層と第2配線層および第3バリア層が上記第1バリア層から順に積層された多層構造の配線層であり、上記第1配線層は、少なくとも上記第1コンタクトホール部において上記第1の側壁の上記基板厚さ方向の寸法よりも膜厚が厚い。上記実施形態によれば、第1バリア層と第1配線層と第2バリア層と第2配線層および第3バリア層が第1バリア層から順に積層された多層構造の配線層を、第1第2コンタクトホール部内および層間絶縁膜上に形成することによって、第1コンタクトホール部内から第2コンタクトホール部を介して層間絶縁膜上に急な段差なしに配線層が引き出されるので、配線層の多層構造が乱れてバリア層が途切れたり薄くなったりすることがなく、第1配線層および第2配線層において上方向または下方向への配線層材料の拡散を第1~第3バリア層により確実に抑制でき、エレクトロマイグレーションの耐性と長期信頼性をさらに向上できる。また、一実施形態のパワーデバイスでは、上記第1コンタクトホール部の上記第1の側壁の上記基板厚さ方向の寸法は、上記第2コンタクトホール部の上記第2の側壁の上記基板厚さ方向の寸法よりも小さい。上記実施形態によれば、第1コンタクトホール部の第1の側壁の基板厚さ方向の寸法を、第2コンタクトホール部の第2の側壁の基板厚さ方向の寸法よりも小さくすることによって、基板平面に対して略垂直な第1コンタクトホール部の第1の側壁において配線層に膜厚の薄い部分が形成されないように確実にできる。また、一実施形態のパワーデバイスでは、上記電極は、上記GaN系半導体層上に互いに間隔をあけて形成されているか、または、上記GaN系半導体層の上部に少なくとも一部が埋め込まれるように互いに間隔をあけて形成されたソース電極およびドレイン電極と、上記GaN系半導体層上かつ上記ソース電極と上記ドレイン電極との間に形成されたゲート電極を含み、上記ソース電極に上記第1第2コンタクトホール部を介して接続された上記配線層は、上記ソース電極側から上記ゲート電極側に向かって上記ゲート電極の上方かつ上記層間絶縁膜上に延在するように形成された部分がフィールドプレート部を兼ねる。上記実施形態によれば、ソース電極に第1第2コンタクトホール部を介して接続された配線層において、ソース電極側からドレイン電極側に向かってゲート電極の上方かつ層間絶縁膜上に延在するように形成された部分がフィールドプレート部を兼ねることによって、エレクトロマイグレーションの耐性と長期信頼性を向上しつつ、GaN系半導体層における電界強度を緩和することで耐圧を向上できる。また、一実施形態のパワーデバイスでは、上記第2コンタクトホール部の略中央を通りかつ上記基板平面に対して垂直な平面による切断面において、上記第2コンタクトホール部の上記第2の側壁の傾斜面の上記基板厚さ方向の寸法よりも上記第2の側壁の傾斜面の上記基板平面に沿った方向の寸法が長い。上記実施形態によれば、第2コンタクトホール部の略中央を通りかつ基板平面に対して垂直な平面による切断面において、第2コンタクトホール部の第2の側壁の傾斜面の基板厚さ方向の寸法よりも第2の側壁の傾斜面の基板平面に沿った方向の寸法を長くすることによって、第2の側壁がゆるやかに傾斜するので、第1コンタクトホール部内から第2コンタクトホール部を介して層間絶縁膜上に段差なくスムーズに配線層を引き出すことができ、エレクトロマイグレーションが生じやすい膜厚の薄い部分が配線層に形成されるのを確実に防ぐことができる。例えば、基板平面に対して第2の側壁の傾斜角度は45度以下が好ましく、より好ましくは30度以下であり、これにより、配線層をより均一な厚さにすることができる。また、この発明のパワーデバイスの製造方法では、基板上にGaN系半導体層を形成する工程と、上記GaN系半導体層上に電極を形成するか、または、上記GaN系半導体層の上部に少なくとも一部が埋め込まれるように電極を形成する工程と、上記電極が形成された上記GaN系半導体層上に酸化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる層間絶縁膜を形成する工程と、上記層間絶縁膜に上側に向かって徐々に広がるように、上記基板平面に対して傾斜した第2の側壁を有する第2コンタクトホール部をウェットエッチングにより形成する工程と、上記層間絶縁膜の上記第2コンタクトホール部の底部に、上記電極の少なくとも一部の領域が露出するように、上記基板平面に対して略垂直な第1の側壁を有する第1コンタクトホール部をドライエッチングにより形成する工程と、上記第1コンタクトホール部内と上記第2コンタクトホール部内および上記層間絶縁膜上に、少なくとも上記第1コンタクトホール部において上記第1の側壁の上記基板厚さ方向の寸法よりも膜厚が厚い配線層を形成する工程とを含むことを特徴とする。上記構成によれば、第1第2コンタクトホール部内および層間絶縁膜上に、少なくとも第1コンタクトホール部において第1の側壁の基板厚さ方向の寸法よりも膜厚が厚い配線層を形成することによって、第1コンタクトホール部の第1の側壁および第2コンタクトホール部の第2の側壁において、配線層に膜厚の薄い部分が形成されないので、膜厚の薄い配線層部分に生じやすいエレクトロマイグレーションを効果的に抑制できる。したがって、膜剥がれの要因となる有機材料を層間絶縁膜に用いることなく、エレクトロマイグレーションの耐性と長期信頼性を向上できる。また、第1第2コンタクトホール部の大きさを均一にすることができるので、同一ウェハ内の素子間の特性バラツキを抑えることができる。以上より明らかなように、この発明のパワーデバイスおよびパワーデバイスの製造方法によれば、膜剥がれの要因となる有機材料を用いることなく、エレクトロマイグレーションの耐性と長期信頼性を向上できる大電流動作高温動作に適したパワーデバイスを実現することができる。以下、この発明のパワーデバイスおよびパワーデバイスの製造方法を図示の実施の形態により詳細に説明する。第1実施形態図1はこの発明の第1実施形態のパワーデバイスの断面図を示している。この第1実施形態のパワーデバイスは、GaN系HFETである。この第1実施形態のパワーデバイスは、図1に示すように、Si基板1上に、GaN系半導体層の一例として、超格子バッファ層2と、チャネル層3と、バリア層4とを順に形成している。上記バリア層4上に間隔をあけてソース電極5とドレイン電極6を形成している。このソース電極5とドレイン電極6との間の領域かつバリア層4上にゲート電極7を形成している。ソース電極5とドレイン電極6はHf/Alからなる合金であり、ゲート電極7はWNからなる。なお、Si基板1の代わりにサファイア基板でもよいし、GaN基板を用いてもよい。また、超格子バッファ層2として、AlGaN多層構造でAl組成を異ならせた2層を積層してもよく、低温バッファ層でも構わない。上記パワーデバイスにおいて、チャネル層3とバリア層4のバンドギャップ差により、GaNからなるチャネル層3側の表面近傍に2DEGが形成される。ゲート電極7は、バリア層4に対してショットキー障壁が形成される材料を選択して形成する。ゲート電極材料として、Ni/AuやTiNなども用いることができる。なお、ソース電極5とドレイン電極6を形成する前に、ゲート電極7が形成されたバリア層4上に表面保護膜8として窒化シリコンからなる絶縁膜を形成している。この表面保護膜8は、コラプスを抑制するための膜としても機能する。また、表面保護膜は、単層である必要はなく、多層膜であってもよく、多層膜の場合には、酸化シリコン膜を上層にしてもよい。そして、表面保護膜8のソース電極とドレイン電極が形成されるべき領域に開口を設けた後、その開口内にソース電極5とドレイン電極6を形成する。このソース電極6およびドレイン電極7は、2DEGとのオーミック接合が形成されればよいので、例えば、バリア層を除去したリセス構造や、バリア層にドープを行なってn型バリア層としたところにオーミック電極を形成しても構わない。次に、図2~図5に従って配線層を形成する工程について説明する。なお、図2~図5では、ソース電極5に配線層が電気的に接続されているが、図示しないドレイン電極7も同様にして他の配線層が電気的に接続されている。まず、図2に示すソース電極5とドレイン電極6とゲート電極7および表面保護膜8が形成されたバリア層4上に、プラズマCVDを用いて層間絶縁膜10として酸化シリコン膜を厚さ1000nm形成する。次に、図3に示すように、フォトレジスト11を堆積し、フォトレジスト11を露光現像して、フォトレジスト11のソース電極5が形成されるべき領域に開口部11aを形成する。次に、バッファフッ酸を用いたウェットエッチングにより層間絶縁膜10に600nmの深さの開口部を第2コンタクトホール部10bとして形成する。この層間絶縁膜10の第2コンタクトホール部10bとなる開口部は、フォトレジスト11の下部に一部入り込む形で形成される。次に、図4に示すように、ドライエッチングにより、フォトレジスト11をマスクにして層間絶縁膜10に400nmの深さの開口部を第1コンタクトホール部10aとして形成することによって、ソース電極5を露出させる。上記ウェットエッチングおよびドライエッチングの条件を適切に選ぶことによって、等方性エッチングと異方性エッチングの特性を生かして、基板平面に対して略垂直な第1の側壁W1を有する第1コンタクトホール部10aと、基板平面に対して傾斜した第2の側壁W2を有する第2コンタクトホール部10bを形成する。実際には、第1コンタクトホール部10aの第1の側壁W1は、基板平面に対して90~80度の傾きで形成し、第2コンタクトホール部10bの第2の側壁W2は、基板平面に対して45~20度の傾きに形成することができる。なお、次の工程における配線層を形成するスパッタの均一性を向上させるには、第2コンタクトホール部10bの第2の側壁W2の基板平面に対する傾きを30度以下の構造にすることが好ましい。次に、図5に示すように、スパッタ法によりSi基板1上にTiN/Al/TiNを1500nm堆積させる。次に、フォト工程を用いて、配線領域を残してエッチングすることによって、配線層12を形成する。以上の工程によって、厚い酸化シリコンからなる層間絶縁膜10を有した均一な厚さの配線構造を形成することができる。なお、層間絶縁膜として、耐圧を確保する観点から酸化シリコンが好ましいが、Nを含んだ酸窒化シリコンでもよく、また微量であればBやPを含んでいてもよい。また、配線層としては、AlCuを用いてもよい。上記構成のパワーデバイスおよびパワーデバイスの製造方法によれば、第1第2コンタクトホール部10a10b内および層間絶縁膜10上に、少なくとも第1コンタクトホール部10aにおいて第1の側壁W1のSi基板1厚さ方向の寸法よりも膜厚が厚い配線層12を形成することによって、膜厚の厚い層間絶縁膜10にできると共に、均一な厚さの配線層12にすることができ、第1コンタクトホール部10aの第1の側壁W1および第2コンタクトホール部10bの第2の側壁W2において、配線層12に膜厚の薄い部分が形成されないので、膜厚の薄い配線層部分に生じやすいエレクトロマイグレーションを効果的に抑制できる。したがって、膜剥がれの要因となる有機材料を層間絶縁膜に用いることなく、エレクトロマイグレーションの耐性と長期信頼性を向上できる。また、上記パワーデバイスの製造方法によれば、第1第2コンタクトホール部10a10bの大きさを均一にすることが可能となり、同一ウェハ内の素子間の特性バラツキを抑えることができる。上記第1実施形態のパワーデバイスでは、配線層12の電流密度の設計値は139×105A/cm2とし、大電流動作に適した設計条件としている。このような大電流動作に対応し、かつ、高耐圧で高温動作が可能なGaN系半導体を用いたパワーデバイスにおいて、ソース電極やドレイン電極に接続される配線層の電流密度が高くかつ高温動作となってエレクトロマイグレーションが発生しやすい条件でも、エレクトロマイグレーションの耐性と長期信頼性が向上するという高い効果が得られる。また、上記第1コンタクトホール部10aの第1の側壁W1の基板厚さ方向の寸法を、第2コンタクトホール部10bの第2の側壁W2の基板厚さ方向の寸法よりも小さくすることによって、基板平面に対して略垂直な第1コンタクトホール部10aの第1の側壁W1において配線層12に膜厚の薄い部分が形成されるのを確実に防止できる。また、上記第2コンタクトホール部10bの略中央を通りかつ基板平面に対して垂直な平面による切断面において、第2コンタクトホール部10bの第2の側壁W2の傾斜面の基板厚さ方向の寸法よりも第2の側壁W2の傾斜面の基板平面に沿った方向の寸法を長くすることによって、第2の側壁W2がゆるやかに傾斜するので、第1コンタクトホール部10a内から第2コンタクトホール部10bを介して層間絶縁膜10上に段差なくスムーズに配線層12を引き出すことができ、エレクトロマイグレーションが生じやすい膜厚の薄い部分が配線層12に形成されるのを確実に防ぐことができる。なお、上記ソース電極5に第1第2コンタクトホール部10a10bを介して接続された配線層12において、ソース電極5側からドレイン電極6側に向かってゲート電極7の上方かつ層間絶縁膜10上に延在するように形成された部分がフィールドプレート部を兼ねるようにすることによって、エレクトロマイグレーションの耐性と長期信頼性を向上しつつ、チャネル層3とバリア層4における電界強度を緩和することで耐圧を向上できる。第2実施形態図6はこの発明の第2実施形態のパワーデバイスの断面図を示している。この第2実施形態のパワーデバイスは、配線層を除いて第1実施形態のパワーデバイスと同一の構成をしており、同一構成部には同一参照番号を付して説明を省略する。この第2実施形態のパワーデバイスは、図4の第1第2コンタクトホール部10a10bを形成する工程までは、上記第1実施形態のパワーデバイスと同じである。第1第2コンタクトホール部10a10bの形成工程の次に、図6に示すように、スパッタ法によりSi基板1上にTiN/AlCu/TiN/AlCu/TiNを1500nm堆積させる。次に、フォト工程を用いて、配線領域を残してエッチングすることによって、2層構造の配線層20を形成する。図7は上記パワーデバイスの要部の平面図を示しており、ソース電極5またはドレイン電極6の少なくとも一部の領域上に形成された長方形状のトレンチ構造の第1第2コンタクトホール部10a10bを形成し、その第1第2コンタクトホール部10a10b内および層間絶縁膜10上に配線層20を形成している。上記配線層20は、図8に示すように、第1バリア層の一例としてのバリアメタル層21と、第1配線層22と、第2バリア層の一例としてのバリアメタル層23と、第1配線層24と、第3バリア層の一例としてのバリアメタル層25が下側から順に積層された構造をしている。上記第2実施形態のパワーデバイスは、第1実施形態のパワーデバイスと同様の効果を有する。また、上記バリアメタル層21と第1配線層22とバリアメタル層23と第2配線層24およびバリアメタル層25がバリアメタル層21から順に積層された多層構造の配線層20を、第1第2コンタクトホール部10a10b内および層間絶縁膜10上に形成することによって、第1コンタクトホール部10a内から第2コンタクトホール部10bを介して層間絶縁膜10上に急な段差なしに配線層20が引き出されるので、配線層20の多層構造が乱れてバリアメタル層212325が途切れたり薄くなったりすることがない。この場合、第1配線層22および第2配線層24において上方向または下方向への配線層材料の拡散をバリアメタル層212325により確実に抑制でき、エレクトロマイグレーションの耐性と長期信頼性をさらに向上できる。図9は上記パワーデバイスの要部の拡大断面の模式図を示しており、図9において、H1は2層構造の配線層20のうちの第1配線層22の厚さ、H2は2層構造の配線層20のうちの第2配線層24の厚さ、HW1は第1コンタクトホール部10aの第1の側壁W1の基板厚さ方向の寸法、HW2は第2コンタクトホール部10bの第2の側壁W2の基板厚さ方向の寸法、θは第2コンタクトホール部10bの第2の側壁W2の基板平面に対する傾斜角度である。なお、図9では、バリアメタル層212325を省略している。上記第1配線層22の厚さH1と、第1コンタクトホール部10aの第1の側壁W1の基板厚さ方向の寸法HW1との関係は、H1>HW1の条件を満足している。このような2層構造の配線層20にすることによって、寿命を飛躍的に向上させることができる。表1は、加速度試験を行って、第1実施形態の1層構造の配線層および第2実施形態の2層構造の配線層の寿命を算出した結果を示している。この加速度試験では、環境温度を250°Cとし、試験対象となる配線層に133×106A/cm2の一定電流を定電流源から流して配線層の両端電圧の経時変化を測定し、上記配線層に流れる一定電流と配線層の両端電圧に基づいて配線層の抵抗の経時変化を求めて、配線層の抵抗が初期値から10変動したところで不良と判定することにより各配線層の寿命を求めた。そして、上記加速度試験の結果から得られた各配線層の寿命に基づいて、配線層の材質構造などに関係する定数である形状因子Aを次のにより求める。寿命=AJ-2exp.........ここで、Aは形状因子、Jは電流密度、Eaは活性化エネルギー、kはボルツマン定数、Tは絶対温度である。また、絶対温度Tは、事前に温度特性を測定して、133×106A/cm2で電流を流した時に見積もられた絶対温度である。そうして、得られた形状因子Aを用いて、Tを42315k、Jを14×105A/cm2の条件で上記により寿命を算出すると、第1実施形態の1層構造の配線層では71年となり、第2実施形態の2層構造の配線層では261年となった。2層構造の配線層は、1層構造の配線層よりも寿命が約36倍延びる。上記第2実施形態では、1層目の第1配線層22を厚さ600nmとして、第1の側壁W1の高さよりも厚くすることで、均一な配線とすることができる。これにより、エレクトロマイグレーション特性を十分に改善することができた。上記第2実施形態のパワーデバイスにおいて、2層構造の配線層20とする場合には、コンタクトホールを2段階とし、第1配線層22の厚さを1段階目の第1コンタクトホール部の深さより大きくすることによって、配線層に膜厚の薄い部分が生じるのを効果的に抑制することができる。上記第1第2実施形態では、パワーデバイスとしてバリア層4上にソース電極5とドレイン電極6およびゲート電極7が形成されたGaN系HFETについて説明したが、GaN系半導体層の上部に少なくとも一部が埋め込まれるように互いに間隔をあけて形成されたソース電極ドレイン電極を有するパワーデバイスにこの発明を適用してもよい。すなわち、この発明のパワーデバイスでは、GaN系半導体層上に互いに間隔をあけてソース電極ドレイン電極の全部が形成されている場合と、GaN系半導体層をエッチングすることにより互いに間隔をあけて2つの凹部を形成して、その各凹部内にソース電極ドレイン電極の全部が形成されている場合と、さらに、GaN系半導体層をエッチングすることにより互いに間隔をあけて2つの凹部を形成して、その各凹部内にソース電極ドレイン電極の下側の一部が埋め込まれるように、ソース電極ドレイン電極が形成されている場合がある。なお、ソース電極またはドレイン電極の一方は、GaN系半導体層上に全部が形成され、ソース電極またはドレイン電極の他方は、GaN系半導体層内に少なくとも一部が形成されていてもよい。この発明のパワーデバイスのGaN系半導体層は、AlxInyGa1xyNで表されるものであればよい。すなわち、GaN系半導体層は、GaNに限らず、AlGaN、InGaN、AlInGaNでもよい。また、この発明のパワーデバイスは、上記第1第2実施形態のHFETに限らず、他の構成の電界効果トランジスタであってもよい。この発明の具体的な実施の形態について説明したが、この発明は上記第1第2実施形態に限定されるものではなく、この発明の範囲内で種々変更して実施することができる。