"基板上の一部領域にレジストパターンを形成する段階と、前記レジストパターンが形成された結果物に、酸ソースを含むデスカム溶液を接触させる段階と、前記デスカム溶液内で、前記酸ソースから得られる酸を利用し、前記基板表面に残留するレジスト残留物を分解させる段階と、前記分解された残留物及び前記デスカム溶液を、前記基板から除去する段階と、を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。前記デスカム溶液は、前記酸ソースと、有機化合物と、溶媒と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。前記酸ソースは、TAGthermalacidgenerator及びPAGphotoacidgeneratorのうち選択される少なくとも1つの潜在的酸からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。前記酸ソースは、スルホン酸及び酢酸のうち選択される少なくとも1つの酸からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。前記レジスト残留物を分解させる段階は、前記デスカム溶液に熱を加え、前記デスカム溶液内で、前記酸ソースから得られる酸を拡散させる段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。前記分解された残留物及び前記デスカム溶液を基板から除去するために、純水及びアルカリ水溶液のうち選択される少なくとも一つを利用するリンス工程を行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。前記基板は、前記レジストパターンによって一部が覆われるベース層を含み、前記デスカム溶液を接触させる段階で、前記ベース層の表面が前記デスカム溶液に接触し、前記デスカム溶液を前記基板から除去した後、前記レジストパターンをエッチングマスクとして利用し、前記ベース層を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。前記ベース層を除去するために、湿式エッチング工程を利用することを特徴とする請求項7に記載の半導体素子の製造方法。基板上にベース層を形成する段階と、前記ベース層を一部露出させるレジストパターンを、前記ベース層上に形成する段階と、前記ベース層の露出表面に、水溶性高分子及び溶媒を含むデスカム溶液を接触させる段階と、前記デスカム溶液に熱を加える段階と、前記デスカム溶液を、前記基板から除去する段階と、を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。基板上に、前記基板の一部領域を覆う高分子材料パターンを形成する段階と、前記基板表面及び前記高分子材料パターンを、水溶性高分子、酸ソース及び溶媒を含むデスカム溶液と接触させる段階と、前記デスカム溶液内で、前記酸ソースから得られる酸を拡散させる段階と、前記基板表面及び前記高分子材料パターンから、前記デスカム溶液を除去する段階と、を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。本発明の目的は、レジストパターン形成のための露光工程及び現像工程を経た後、基板上の所望しない部分に残っているスカムのような残留物を、前記基板上の他の構成要素の形状及び性能に悪影響を及ぼさずに、単純かつ低コストな工程によって効果的に除去することができる半導体素子の製造方法を提供することである。前記目的を達成するために、本発明の第1態様による半導体素子の製造方法では、基板上の一部領域にレジストパターンを形成する。前記レジストパターンが形成された結果物に、酸ソースacidsourceを含むデスカムdescum溶液を接触させる。前記デスカム溶液内で、前記酸ソースから得られる酸を利用し、前記基板表面に残留するレジスト残留物を分解させる。前記分解された残留物及び前記デスカム溶液を、前記基板から除去する。前記デスカム溶液は、前記酸ソースと、有機化合物と、溶媒とを含むことができる。前記酸ソースは、TAGthermalacidgenerator及びPAGphotoacidgeneratorのうち選択される少なくとも1つの潜在的酸からなりうる。または、前記酸ソースは、スルホン酸及び酢酸のうち選択される少なくとも1つの酸からなりうる。本発明の第1態様による半導体素子の製造方法で、前記レジスト残留物を分解させる段階は、前記デスカム溶液に熱を加え、前記デスカム溶液内で、前記酸ソースから得られる酸を拡散させる段階を含むことができる。また、前記分解された残留物及び前記デスカム溶液を基板から除去するために、純水及びアルカリ水溶液のうち選択される少なくとも一つを利用するリンス工程を行うことができる。本発明の第1態様による半導体素子の製造方法で、前記基板は、前記レジストパターンによって一部が覆われるベース層を含み、前記デスカム溶液を接触させる段階で、前記ベース層の表面が前記デスカム溶液に接触しうる。そして、前記デスカム溶液を前記基板から除去した後、前記レジストパターンをエッチングマスクとして利用し、前記ベース層を除去する段階をさらに含むことができる。前記ベース層を除去するために、湿式エッチング工程を利用することができる。また、前記ベース層は、絶縁物質または導電物質からなるターゲット膜と、前記ターゲット膜を覆う保護膜と、を含むことができる。この場合、前記ベース層を除去する段階は、前記保護膜及びターゲット膜を順に湿式エッチングする段階を含むことができる。また、前記目的を達成するために、本発明の第2態様による半導体素子の製造方法では、基板上にベース層を形成する。前記ベース層を一部露出させるレジストパターンを、前記ベース層上に形成する。ベース層の露出表面に、水溶性高分子及び溶媒を含むデスカム溶液を接触させる。前記デスカム溶液に熱を加える。前記デスカム溶液を、前記基板から除去する。前記水溶性高分子は、窒素原子を有するヘテロ環化合物heterocycliccompoundからなる置換基を有する反復単位を含むことができる。本発明の第2態様による半導体素子の製造方法では、前記デスカム溶液に熱を加える段階で、前記熱によって、前記レジスト表面に残留している酸がデスカム溶液内に拡散することができる。また、本発明の第2態様による半導体素子の製造方法で、前記デスカム溶液は、酸または潜在的酸からなる酸ソースをさらに含むことができる。一例で、前記デスカム溶液は、ピロリドン及びイミダゾールの共重合体を含む水溶性高分子と、TAGと、純水とを含むことができる。このとき、前記デスカム溶液に熱を加える段階で、前記熱によって前記TAGから酸が発生し、前記TAGから発生した酸が前記デスカム溶液内で拡散することができる。一例で、前記デスカム溶液を、前記基板から除去するために、純水、水酸化テトラメチルアンモニウムTMAHまたはそれらの組み合わせからなる溶液を使用するリンス工程を行うことができる。また、前記目的を達成するために、本発明の第3態様による半導体素子の製造方法では、基板上に、前記基板の一部領域を覆う高分子材料パターンを形成する。前記基板表面及び前記高分子材料パターンを、水溶性高分子、酸ソース及び溶媒を含むデスカム溶液と接触させる。前記デスカム溶液内で、前記酸ソースから得られる酸を拡散させる。前記基板表面及び前記高分子材料パターンから、前記デスカム溶液を除去する。本発明による半導体素子の製造方法によれば、露光工程及び現像工程を経てレジストパターンを形成した後、基板上に残っているスカムのような残留物を、酸拡散を利用する湿式工程によって除去するので、基板上の他の構成要素の形状及び性能に悪影響を及ぼさずに、単純かつ低コストな工程によって、残留物を効果的に除去することができる。従って、製品のスループットthoughputを向上させることができる。本発明の望ましい実施形態について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。しかし、本発明の実施形態は、さまざまな形態に変形され、本発明の範囲が後述する実施形態に限定されるものであると解釈することがあってはならない。図面において、層及び領域の厚みは、明細書の明確性のために誇張されている。図面上で同じ符号は、同じ要素を指す。図1Aないし図1Fは、本発明の技術的思想に基づく第1実施形態による半導体素子の製造方法について説明するために工程順序によって図示した断面図である。図1Aを参照すれば、基板10上のベース層20上に、レジスト膜30を形成する。前記基板10は、シリコン基板からなりうる。前記ベース層20は、単一層、または2層以上の互いに異なる物質層が順に積層された多重層からなりうる。本例では前記ベース層20が、ターゲット膜22と、前記ターゲット膜22を保護するための保護膜24とから構成された場合を例示している。前記ターゲット膜22は、形成しようとするパターンの用途によって、多様な物質からなりうる。前記基板10上に電極を形成する場合、前記ターゲット膜22は、金属、金属窒化物、合金、ドーピングされたポリシリコン層、金属シリサイド層またはそれらの組み合わせからなりうる。または、前記ターゲット膜22は、誘電膜または絶縁膜からなりもする。前記保護膜24は、後続の工程を経つつ前記ターゲット膜22が損傷することを防止するために、前記ターゲット膜22を完全に覆うように形成されうる。前記保護膜24は、絶縁膜、例えば、シリコン酸化膜からなりうる。本発明の思想の範囲内で、前記保護膜24は省略されもする。前記レジスト膜30は、通常のレジスト組成物を使用して形成されうる。例えば、前記レジスト膜30は、PAGphotoacidgeneratorを含有するポジティブ型化学増幅型レジスト組成物から構成することができる。または、前記レジスト膜30は、KrFエキシマレーザ248nm用レジスト組成物、ArFエキシマレーザ193nm用レジスト組成物、またはF2エキシマレーザ157nm用レジスト組成物から得られる。必要によっては、前記ベース層20とレジスト膜30との間に、反射防止膜図示せずをさらに形成することもできる。前記反射防止膜図示せずは、有機材料または無機材料からなりうる。図1Bを参照すれば、レジスト膜30の一部領域を露光した後、現像工程を経て、前記ベース層20の一部を覆うレジストパターン30Pを形成する。このとき、前記レジスト膜30の現像後、レジストパターン30Pの周囲に露出されたベース層20の表面上には、スカムscumのようなレジスト膜30の残留物30Sが残留しうる。このように、ベース層20の表面上に残っている残留物30Sは、後続工程で、ベース層20のエッチング工程に悪影響を及ぼすことがある。図1Cを参照すれば、露出されたベース層20を、有機化合物及び酸ソースを含むデスカムdescum溶液50に接触させ、前記酸ソースから得られる酸と前記残留物30Sとを反応させる。前記残留物30Sを構成するポリマーの保護基protectinggroupが酸によって脱保護deprotectingされ、その結果、前記残留物30Sが分解され、ベース層20の表面から分離されうる。デスカム溶液50を、前記ベース層20の表面に接触させるために、多様な方法を利用することができる。例えば、レジストパターン30Pが形成された基板の上部全面に、デスカム溶液50をスピンコーティングspincoatingするために、基板10のプレウェッティングpre-wetting工程、及びストリームノズルstreamnozzleを使用する噴射工程を行うことができる。または、レジストパターン30Pが形成された基板の上部全面に、デスカム溶液50をコーティングするために、線形駆動方式の噴射装備に備わった噴射ノズルを利用することもできる。他の方法として、シャワーヘッドを具備する噴射ノズルを利用し、デスカム溶液50を基板10に噴射することもできる。デスカム溶液50は、前記有機化合物と、前記酸ソースと、溶媒とから構成されうる。デスカム溶液50に含まれうる有機化合物は、水溶性高分子からなりうる。または、前記有機化合物は、窒素原子を有するヘテロ環化合物、または窒素原子を有するヘテロ環化合物からなる置換基を有する高分子からなりうる。例えば、前記デスカム溶液50は、ピロリドン系の第1反復単位、及びイミダゾール系の第2反復単位のうち選択される少なくとも1つの反復単位を含む水溶性高分子からなりうる。他の例として、デスカム溶液50を構成する水溶性高分子は、ピロリドン系の第1反復単位と、前記第1反復単位とは異なる構造を有する第2反復単位とを含む共重合体からなりうる。前記第2反復単位は、アクリルアミド型モノマーユニット、ビニル型モノマーユニット、アルキレングリコール型モノマーユニット、無水マレイン酸モノマーユニット、エチレンイミンモノマーユニット、オキサゾリン基を含むモノマーユニット、アクリロニトリルモノマーユニット、アリルアミドモノマーユニット、3,4-ヒドロピランモノマーユニット及び2,3-ジヒドロフランモノマーユニットのうち選択される少なくとも1つのモノマーユニットを含むことができる。さらに他の例として、前記デスカム溶液50を構成する水溶性高分子は、ピロリドン系の第1反復単位と、イミダゾール系の第2反復単位と、前記第1反復単位及び第2反復単位とは異なる構造を有する第3反復単位と、を含む共重合体からなりうる。前記第3反復単位は、アクリルアミド型モノマーユニット、ビニル型モノマーユニット、アルキレングリコール型モノマーユニット、無水マレイン酸モノマーユニット、エチレンイミンモノマーユニット、オキサゾリン基を含むモノマーユニット、アクリロニトリルモノマーユニット、アリルアミドモノマーユニット、3,4-ヒドロピランモノマーユニット及び2,3-ジヒドロフランモノマーユニットのうち選択される少なくとも1つのモノマーユニットを含むことができる。前記デスカム溶液50に含まれうる酸ソースは、TAGthermalacidgenerator及びPAGのうち選択される少なくとも一つから構成される潜在的酸potentialacidまたは酸からなりうる。前記酸の種類は、特別に制限されるものではなく、多種の酸を使用することができる。例えば、パラトルエンスルホン酸PTSA、CH3SO3Hのようなスルホン酸を使用することができる。ここで、前記デスカム溶液50にスルホン酸が含まれる場合、スルホン酸基の-H基が、C1-C10アルキル基で置換された形態の化合物を使用することもできる。または、デスカム溶液50に含まれうる酸ソースとして、C4F9SO3Hパーフルオロブタンスルホン酸、CF3CO2Hトリフルオロ酢酸及びCF3SO3Hトリフルオロメタンスルホン酸のうち選択される少なくとも一つを使用することができる。または、前記デスカム溶液50に含まれうる酸ソースとして、KrFエキシマレーザ248nm、ArFエキシマレーザ193nm及びF2エキシマレーザ157nmのうち選択されるいずれか1つの光に露光されれば酸を発生させるPAGを使用することができる。前記PAGは、トリアリールスルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、スルホネートまたはその混合物からなりうる。例えば、前記PAGは、トリフェニルスルホニウムトリフレート、トリフェニルスルホニウムアンチモネート、ジフェニルヨードニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムアンチモネート、メトキシジフェニルヨードニウムトリフレート、ジ-t-ブチルジフェニルヨードニウムトリフレート、2,6-ジニトロベンジルスルホネート、ピロガロールトリスアルキルスルホネート、N-ヒドロキシスクシンイミドトリフレート、ノルボルネン-ジカルボキシミド-トリフレート、トリフェニルスルホニウムノナフレート、ジフェニルヨードニウムノナフレート、メトキシジフェニルヨードニウムノナフレート、ジ-t-ブチルジフェニルヨードニウムノナフレート、N-ヒドロキシスクシンイミドノナフレート、ノルボルネン-ジカルボキシミド-ノナフレート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネートPFOS、ジフェニルヨードニウムPFOS、メトキシジフェニルヨードニウムPFOS、ジ-t-ブチルジフェニルヨードニウムトリフレート、N-ヒドロキシスクシンイミドPFOS、ノルボルネン-ジカルボキシミドPFOS、またはそれらの混合物からなりうる。または、前記デスカム溶液50に含まれうる酸ソースとして、熱によって酸を発生させるTAGを使用することができる。前記TAGは、脂肪族または脂環式化合物によって構成されうる。例えば、前記TAGは、カルボネートエステル、スルホネートエステル及びホスフェートエステルからなる群から選択される少なくとも1つの化合物によって構成されうる。さらに具体的な例として、前記TAGは、シクロヘキシルノナフルオロブタンスルホネート、ノルボルニルノナフルオロブタンスルホネート、トリシクロデカニルノナフルオロブタンスルホネート、アダマンチルノナフルオロブタンスルホネート、シクロヘキシルノナフルオロブタンカルボネート、ノルボルニルノナフルオロブタンカルボネート、トリシクロデカニルノナフルオロブタンカルボネート、アダマンチルノナフルオロブタンカルボネート、シクロヘキシルノナフルオロブタンホスホネート、ノルボルニルノナフルオロブタンホスホネート、トリシクロデカニルノナフルオロブタンホスホネート及びアダマンチルノナフルオロブタンホスホネートからなる群から選択される少なくとも1つの化合物によって構成されうる。前記デスカム溶液50に含まれうる溶媒は、純水deionizedwater、有機溶媒またはそれらの組み合わせからなりうる。前記有機溶媒は、イソプロピルアルコールIPA、ペンタノール、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートPGMEA、乳酸エチルEL、シクロヘキサノンなどからなりうる。前記デスカム溶液50の一例として、窒素原子を有するヘテロ環化合物を含む水溶性高分子、酸ソース及び純水との混合物からなる組成物を使用することができる。前記酸ソースとしてTAGを含む場合、前記デスカム溶液50を、前記ベース層20上にコーティングした後、約25~180°Cの温度下で、約20~180秒間ベークbakeして、TAGから酸を発生させることができる。前記デスカム溶液50の他の例として、RELACSTMResolutionEnhancementLithographyAssistedbyChemicalShrink:AZElectronicMaterials社製の一種であるR-607商品名と、酸ソースと、純水との混合物からなる組成物を使用することができる。この場合、前記デスカム溶液50を、前記ベース層20上にコーティングした後、約100~150°Cの温度下で、約20~70秒間ベークする工程を行うことができる。前記デスカム溶液50で、高分子の含有量は、前記デスカム溶液50の総重量を基準に、約1~50重量の範囲内で決定されうる。また、前記デスカム溶液50で、酸ソースの含有量は、前記デスカム溶液50の総重量を基準に、約1~20重量の範囲内で決定されうる。前記デスカム溶液50で、高分子の含有量は、前記デスカム溶液50の総重量を基準に、約1~50重量の範囲内で決定されうる。そして、前記デスカム溶液50で、高分子含有量及び酸ソース含有量を除外した残りの含有量は、溶媒によって構成されうる。図1Cを参照して説明したように、露出されたベース層20をデスカム溶液50に接触させた後、デスカム溶液50内の酸の拡散を容易にし、酸と残留物30Sとの反応を促進させるために、基板10上に、前記デスカム溶液がコーティングされた結果物に対して熱を加えるベーク工程を追加することができる。このとき、前記ベーク工程は、約100~150°Cの温度下で、約20~70秒間行われうる。本発明の思想の範囲内で、前記デスカム溶液50は、酸または潜在的酸のような酸ソースを含まないこともある。例えば、前記レジストパターン30Pを形成するとき、ポジティブ型化学増幅型レジスト組成物を利用した場合、前記レジストパターン30Pの外側表面には、酸が残りうる。このように、レジストパターン30Pの表面に酸が残っている状態で、前記レジストパターン30P及びベース層20の露出部分を覆うデスカム溶液50をコーティングし、必要によってベーク工程を行えば、前記レジストパターン30Pの表面に残っている酸が、デスカム溶液50内で前記残留物30Sまで拡散して残留物30Sと反応し、残留物30Sを分解させることができる。図1Cを参照して説明するようなベーク工程を行うことによって、前記レジストパターン30Pの表面に残っている酸が、デスカム溶液50内で拡散することが促進されうる。前記のように、露出されたベース層20をデスカム溶液50に接触させ、酸と残留物30Sとを反応させることによって、残留物30Sが分解され、ベース層20の表面から分離され、前記デスカム溶液50内に残留する状態で存在することになる。図1Dを参照すれば、前記残留物30Sが、酸との反応によって分解された状態で、前記デスカム溶液50を除去する。前記デスカム溶液50が除去される間、分解された残留物30Sも共に除去されうる。前記デスカム溶液50を除去するために、前記デスカム溶液50及び分解された残留物30Sが完全に除去されるまで、基板10上にデスカム溶液50が残っている結果物を、純水、アルカリ水溶液またはそれらの組み合わせを利用して、リンスrinseする工程を利用することができる。前記アルカリ水溶液は、標準2.38重量水酸化テトラメチルアンモニウムTMAH水溶液からなりうる。図1Eを参照すれば、前記レジストパターン30Pをエッチングマスクとして利用し、前記ベース層20を構成する保護膜24及びターゲット膜22の露出部分を順にエッチングし、ターゲット膜パターン22P及び保護膜パターン24Pからなるベースパターン20Pを形成する。図1Fを参照すれば、前記レジストパターン30Pを除去して、保護膜パターン24Pの上面を露出させ、次に、前記保護膜パターン24Pを除去して、ターゲット膜パターン22Pの上面を露出させる。図1Aないし図1Fを参照して説明した第1実施形態では、スカムのようなレジスト残留物を除去するために、デスカム溶液を利用する湿式工程によって行われる。従って、酸素プラズマまたは紫外線UV照射を利用して、スカムのようなレジスト残留物を除去する工程の場合のように、高価な設備及び大きな設備を必要としたり、レジストパターンの形状を所望しないように変形させるような問題を引き起こさずに、湿式の比較的簡単な工程によって、レジスト残留物を効果的に除去することができる。図2Aないし図2Kは、本発明の技術的思想に基づく第2実施形態による半導体素子の製造方法について説明するために工程順序によって図示した断面図である。図2Aないし図2Kを参照して説明する第2実施形態では、本発明の思想による半導体素子の製造方法をロジックCMOScomplementarymetal-oxidesemiconductor形成工程、特に、ロジックCMOSの金属ゲート電極を形成する工程に適用した場合を例示する。図2Aを参照すれば、第1領域I及び第2領域IIを有する基板100に、素子分離膜102を形成し、複数の活性領域104を定義した後、基板100の第1領域I及び第2領域IIに、それぞれ複数の犠牲膜パターン112を形成する。素子分離膜102によって、第1領域I及び第2領域IIが区分されうる。ここで、第1領域Iは、NMOSnegativemetaloxidesemiconductor領域であり、第2領域IIは、PMOSpositivemetaloxidesemiconductor領域でありうる。そして、前記基板100は、シリコンからなり、前記素子分離膜102は、酸化膜、窒化膜またはそれらの組み合わせからなりうる。前記犠牲膜パターン112は、ポリシリコンからなりうる。前記複数の犠牲膜パターン112の両側壁をそれぞれ覆う複数の絶縁スペーサ114を形成する。前記複数の絶縁スペーサ114は、酸化膜、窒化膜またはそれらの組み合わせからなりうる。前記複数の絶縁スペーサ114を形成する前に、前記複数の犠牲膜パターン112をイオン注入マスクとして、基板100の第1領域I及び第2領域IIの活性領域104に、それぞれLDDlightlydopeddrain領域122,124を形成するためのイオン注入工程を行う。そして、前記複数の絶縁スペーサ114を形成した後、前記複数の犠牲膜パターン112及び複数の絶縁スペーサ114をイオン注入マスクとして利用し、基板100の第1領域I及び第2領域IIの活性領域104に、それぞれイオン注入工程を行った後、アニーリング工程を行い、基板100の活性領域104に、ソース/ドレイン領域126,128を形成する。基板100の第1領域Iでは、n型LDD領域122及びソース/ドレイン領域126を形成するために、n型ドーパントをイオン注入する。そして、基板100の第2領域IIでは、p型LDD領域124及びソース/ドレイン領域128を形成するために、p型ドーパントをイオン注入する。その後、前記複数の犠牲膜パターン112それぞれの間の空間で、前記絶縁スペーサ114によって限定される空間を絶縁膜130で充填する。前記絶縁膜130は、シリコン酸化物または低誘電定数物質を含むことができる。前記絶縁膜130を形成するために、前記複数の犠牲膜パターン112それぞれの間の空間で、前記絶縁スペーサ114によって限定される空間を充填するのに十分な厚みに、前記基板100上に絶縁物質を蒸着した後、前記犠牲膜パターン112の上面が露出されるまで、CMPchemicalmechanicalpolishing工程のような平坦化工程を行う。図2Bを参照すれば、第1領域I及び第2領域IIで、前記犠牲膜パターン112を除去し、相互隣接する2つの絶縁スペーサ114間の第1空間S1及び第2空間S2で、それぞれ基板100の活性領域104を露出させる。前記犠牲膜パターン112を除去するために、湿式エッチング工程を利用することができる。図2Cを参照すれば、第1領域I及び第2領域IIで、第1空間S1及び第2空間S2の露出表面をそれぞれコンフォーマルにconformally覆うゲート絶縁膜140を形成し、前記ゲート絶縁膜140上に、第1金属積層膜150を形成する。そして、前記第1金属積層膜150上に、PMOS仕事関数金属層160を形成する。前記ゲート絶縁膜140は、例えば、シリコン酸化膜及び高誘電膜が積層された構造によって形成されうる。前記高誘電膜は、例えば、ZrでドーピングされたHfO2膜からなりうる。前記第1金属積層膜150は、例えば、TiN膜及びTaを基板とする金属膜が順に積層された構造を有することができる。ここで、前記Taを基板とする金属膜は、TaNからなりうる。前記PMOS仕事関数金属層160は、例えば、TiN膜からなりうる。前記PMOS仕事関数金属層160は、PMOS領域である第2領域IIでのみ必要な膜であるから、第1領域IにあるPMOS仕事関数金属層160は、除去される必要がある。図2Dを参照すれば、前記PMOS仕事関数金属層160のうち、第1領域Iにある部分だけを選択的に除去するために、第2領域IIで、PMOS仕事関数金属層160を覆うレジストパターン164を形成する。このとき、前記PMOS仕事関数金属層160を保護するために、前記レジストパターン164を形成する前に、前記PMOS仕事関数金属層160の上面を全面的に覆う保護膜162を形成し、前記レジストパターン164は、前記保護膜162上に形成されうる。前記保護膜162は、シリコン酸化膜からなりうる。前記レジストパターン164が形成された後、第1領域Iでは、保護膜162の表面上にスカムのようなレジスト残留物164Sが残留しうる。保護膜162上に残っている残留物164Sは、後続工程で行われるPMOS仕事関数金属層160のエッチング工程に悪影響を及ぼしうる。図2Eを参照すれば、図1Cを参照して説明したような方法で、第1領域Iで露出されている保護膜162の表面を、デスカム溶液170に接触させる。前記保護膜162の表面をデスカム溶液170に接触させるために、前記レジストパターン164が形成された結果物上に、前記デスカム溶液170をスピンコーティングする工程を利用する。前記デスカム溶液170についての詳細な事項は、図1Cを参照して、デスカム溶液50について説明した通りである。前記レジストパターン164が形成された結果物上に、前記デスカム溶液170をコーティングした後、図1Cを参照して説明したような工程条件によってベーク工程を行い、前記デスカム溶液170内に含まれている酸ソースから得られる酸を拡散させ、残留物164Sを分解させることができる。本実施形態では、前記残留物164Sを除去するにあたり、デスカム溶液170を使用する湿式工程を利用するので、第1領域Iで第1空間S1のうち、前記保護膜162が形成された後に残っている空間がいかに狭くても、前記第1空間S1内に存在する残留物164Sとデスカム溶液170との十分な接触が可能である。従って、デスカム溶液170内の酸が、第1空間S1内に存在するそれぞれの残留物164Sまで拡散によって達し、前記残留物164Sを効果的に分解させることができる。図2Fを参照すれば、前記残留物164Sが酸との反応によって分解された状態で、図1Dを参照して説明したような方法で、前記デスカム溶液170を除去する。前記デスカム溶液170が除去される間、分解された残留物164Sも共に除去され、第1領域Iで、前記保護膜162の表面がきれいな状態で完全に露出されうる。前記デスカム溶液170を除去するために、前記デスカム溶液170及び分解された残留物164Sが完全に除去されるまで、基板100上にデスカム溶液170が残っている結果物を、純水、アルカリ水溶液またはそれらの組み合わせを利用してリンスする工程を利用する。図2Gを参照すれば、前記レジストパターン164をエッチングマスクとして利用して、第1領域Iで露出されている保護膜162をエッチングによって除去し、第1領域IでPMOS仕事関数金属層160を除去する。その後、第2領域IIに残っているレジストパターン164を除去し、第2領域IIに残っている保護膜162をエッチングマスクとして利用して、第1領域IにあるPMOS仕事関数金属層160をエッチングによって除去する。前記保護膜162を除去する工程及びPMOS仕事関数金属層160を除去する工程は、それぞれ湿式エッチング工程を利用する。このように、湿式エッチング工程を利用して、保護膜162及びPMOS仕事関数金属層160を除去する場合、乾式エッチング工程、特に、プラズマエッチング工程を利用するときに発生しうる下部構造物の損傷、またはレジストパターン164のリフティングのような形態変形などの問題の発生を抑制することができる。前記保護膜162がシリコン酸化膜からなる場合、前記保護膜162を除去するために、HF溶液を使用する湿式エッチング工程を利用する。また、前記PMOS仕事関数金属層160がTiNからなる場合、前記PMOS仕事関数金属層160を除去するために、H2O2を含むエッチング額を使用する湿式エッチング工程を利用する。第1領域Iでは、保護膜162及びその下部のPMOS仕事関数金属層160が除去され、第2領域IIでは、レジストパターン164が除去されることにより、第1領域Iでは、第1金属積層膜150の上面が露出され、第2領域IIでは、保護膜162の上面が露出される。図2Hを参照すれば、第2領域IIに残っている保護膜162を除去し、第2領域で、前記PMOS仕事関数金属層160の上面を露出させる。図2Iを参照すれば、第1領域I及び第2領域IIに、それぞれ第2金属積層膜172を形成する。前記第2金属積層膜172は、NMOS仕事関数金属層を構成することができる。例えば、前記第2金属積層膜172は、TiAl膜からなりうる。図2Jを参照すれば、前記第2金属積層膜172上に、第3金属積層膜174及びキャッピング層176を順に形成する。前記第3金属積層膜174は、例えば、TiN膜、TiAl膜及びTiAl膜が順に積層された構造を有する。そして、前記キャッピング層176は、AlTiO膜からなりうる。図2Kを参照すれば、第1領域I及び第2領域IIで、前記絶縁膜130の上面が露出されるまで、図2Jの結果物をCMP工程を利用して平坦化し、第1領域Iでは、前記第1空間S1内に、第1ゲート積層構造182が残るようにし、第2領域IIでは、前記第2空間S2内に、第2ゲート積層構造184が残るようにする。図2Aないし図2Kを参照して説明した本発明の第2実施形態によれば、NMOSトランジスタが形成される第1領域I、及びPMOSトランジスタが形成される第2領域IIで、それぞれ互いに異なる仕事関数を有する材料を含むように、互いに異なるゲート構造を形成するにあたり、第1領域I及び第2領域IIのうちいずれか1つの領域でのみ選択的に所定膜質を除去するとき、レジスト材料をエッチングマスクとして使用するために、レジストパターンを形成した後で発生しうるスカムのようなレジスト残留物を除去するために、前述のようなデスカム溶液を利用する湿式工程を利用する。従って、酸素プラズマまたは紫外線UV照射を利用し、スカムのようなレジスト残留物を除去する工程の場合のように、高価な設備及び大きな設備を必要としたり、レジストパターンの形状を所望しないように変形させるなどの問題を引き起こさず、湿式の比較的簡単な工程によって、レジスト残留物を効果的に除去する。図3Aないし図3D、図4Aないし図4C及び図5Aないし図5Cは、本発明の技術的思想に基づく第3実施形態による半導体素子の製造方法について説明するために、工程順序によって図示した断面図である。第3実施形態では、本発明の思想による半導体素子の製造方法を埋没ゲートburiedgate構造を有するDRAMdynamicrandom-accessmemory素子の製造工程に適用した場合を例示する。図3Aは、DRAM素子のメモリセル領域の主要構成を図示したレイアウトであり、図3Bは、図3Aの3B-3B’線に沿って切り取った断面図であり、図3Cは、図3Aの3C-3C’線に沿って切り取った断面図である。図3Dは、前記DRAM素子で、図3Aに例示したメモリセル領域の周囲に位置するコア領域または周辺回路領域以下、コア/ペリ領域とし、図3Dでは、CORE/PERIと表示するを図示した断面図である。図3Aないし図3Dを参照すれば、セルアレイ領域で、絶縁膜312及び素子分離膜314によって囲まれるように、基板300に定義されている複数の活性領域310を横切り、第1方向図3Aでx方向に、複数の埋没ワードライン320が相互平行に延びている。複数の活性領域310及び複数の埋没ワードライン320上の基板300上に、複数のビットライン330が、第1方向に直交する第2方向図3Aでy方向に相互平行に延びている。図3Dに図示されたコア/ペリ領域では、基板300上に、周辺回路用ゲート電極350が形成されている。セルアレイ領域に形成されている複数のビットライン330の両側壁に、それぞれ絶縁スペーサを形成するために、複数のビットライン330が形成された基板300上のセルアレイ領域に、酸化膜、窒化膜またはそれらの組み合わせからなるスペーサ形成用絶縁膜332を全面的に形成した後、図3Dに例示したように、セルアレイ領域を露出させるように、コア/ペリ領域を覆うレジストパターン360を形成する。前記レジストパターン360が形成された結果物、そのうちでも、特に、セルアレイ領域上には、前記スペーサ形成用絶縁膜332の表面上に、スカムのようなレジスト残留物図示せずが残留しうる。スペーサ形成用絶縁膜332上に残っている残留物は、後続工程で所望しない悪影響を及ぼしうる。図4A、図4B及び図4Cは、それぞれ図1Cを参照して説明したような方法で、図3B、図3C及び図3Dの結果物を、デスカム溶液370に接触させた場合を例示した図面である。前記絶縁膜332及びレジストパターン360が形成された結果物上に、デスカム溶液370を接触させるために、スピンコーティング工程を利用する。前記デスカム溶液370についての詳細な事項は、図1Cを参照してデスカム溶液50について説明した通りである。前記絶縁膜332及びレジストパターン360が形成された結果物上に、デスカム溶液370をコーティングした後、図1Cを参照して説明したような工程条件によって、ベーク工程を行い、前記デスカム溶液370内に含まれている酸ソースから得られる酸を拡散させて、残留物図示せずを分解させることができる。図5A、図5B及び図5Cを参照すれば、残留物図示せずが、酸との反応によって分解された状態で、図2Fを参照してデスカム溶液170除去工程について説明したような方法で、デスカム溶液370を除去する。デスカム溶液370が除去される間、分解された残留物も共に除去され、セルアレイ領域に形成された絶縁膜332の表面がきれいな状態で露出されうる。デスカム溶液370を除去するために、純水、アルカリ水溶液またはそれらの組み合わせを利用するリンス工程を利用する。その後、前記レジストパターン360をエッチングマスクとして利用して、セルアレイ領域で、絶縁膜332をエッチバックし、複数のビットライン330の両側壁に、絶縁スペーサ332Sを形成する。本例では、前記のように、セルアレイ領域でのみ選択的に絶縁膜332をエッチバックし、基板300上に複数の絶縁スペーサ332Sを形成するにあたり、コア/ペリ領域を覆うレジストパターンを形成した後に発生しうるスカムのようなレジスト残留物を除去するために、前述のようなデスカム溶液を利用する湿式工程を利用する。従って、酸素プラズマまたは紫外線UV照射を利用し、スカムのようなレジスト残留物を除去する工程の場合のように、高価な設備及び大きな設備を必要としたり、レジストパターン形状の所望しない変形のような問題を引き起こさず、湿式の比較的簡単な工程によってレジスト残留物を効果的に除去でき、高度にスケーリングされて微細なデザインルールを有するセルアレイ領域で行われるエッチバック工程時、レジスト残留物によって所望しない不良の発生を防止することができる。前述の第3実施形態では、埋没ゲート構造を有するDRAM素子の製造工程を例に挙げて説明し、特に、セルアレイ領域で、絶縁スペーサ332Sの形成工程時、他の部分を保護するためのレジストパターン360を形成した後に本発明による方法を適用する場合を例示した。しかし、本発明は、これに限定されるものではない。例えば、フラッシュメモリ、PRAMphase-changerandom-accessmemory、FRAMferroelectricrandom-accessmemory、MRAMmagnetoresistiverandom-accessmemory、SRAMstaticrandomaccessmemory、埋め込みembeddedメモリロジック、CMOSイメージセンサなどの多様な素子の製造工程にそれぞれ適用され、それら素子で、それぞれセルアレイ領域、コア領域、周辺回路領域、ロジック領域、入出力領域などの多様な領域に適用されうる。また、エッチング工程、イオン注入工程、トリミング工程のように、レジストパターンを利用する多様な工程で、デスカム溶液を使用して、酸拡散によって残留物を除去する工程を含む本発明による半導体素子の製造工程を適用することができる。特に、フラッシュメモリ素子の製造工程で、複数のワードラインとXデコーダとの連結部分形成のための配線パターントリミング工程、または複数のビットラインとYデコーダとの連結部分形成のための配線パターントリミング工程時にも、レジストパターンを配線トリミングのためのエッチングマスクとして使用するとき、本発明による工程によって、デスカム溶液を使用して、酸拡散によって残留物を除去する工程を適用することによって、製品収率を高めることができる。また、NMOSトランジスタ領域及びPMOSトランジスタ領域を有するロジック領域を具備した半導体素子で、SMTstressmemorizationtechnique、DSLdualstresslinerまたはシリサイドブロッキング層silicideblockinglayerなどを適用したり、あるいはチャネルエンジニアリング技術が利用される所定の工程を適用するにあたり、前記ロジック領域のNMOSトランジスタ領域及びPMOSトランジスタ領域のうちいずれか1つの選択された領域にのみ前記技術を適用し、特定の構造を具現する場合がある。そのとき、選択されていない他の領域は、レジストパターンで覆われた状態で、前記選択された領域でのみ特定構造具現のための工程が進められる。しかし、前記レジストパターンを形成した後、前記選択された領域で、特定構造を具現するための工程を行うとき、前記選択された領域の表面に残留するスカムのようなレジスト残留物によって、工程不良または収率低下が引き起こされうる。一方、本発明によれば、選択されていない領域に、レジストパターンを形成した後、選択された領域で、前記特定構造具現のための工程を行う前に、前述のようなデスカム溶液を利用する湿式工程を利用し、前記選択された領域で、スカムのようなレジスト残留物を除去する工程を行うことができる。このように、湿式の比較的簡単な工程によって、レジスト残留物を効果的に除去することによって、半導体素子の製造工程時に所望しない不良の発生を防止することができる。以上、本発明について、望ましい実施形態を挙げて詳細に説明したが、本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想及び範囲内で、当分野で当業者によって、さまざまな変形及び変更が可能であろう。"