半導体チップと、この半導体チップの表面を被覆するパッシベーション膜と、このパッシベーション膜上に設けられ、外部から加わる応力を吸収して緩和するための応力緩和層とを含み、前記応力緩和層は、前記パッシベーション膜の側面へ回り込み、当該側面を被覆していることを特徴とする半導体装置。前記半導体チップは、半導体基板上に形成された層間膜を備えており、前記応力緩和層は、前記パッシベーション膜および前記層間膜の各側面へ回り込み、前記パッシベーション膜および前記層間膜の各側面を被覆していることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記パッシベーション膜の側面と前記層間膜の側面とがほぼ面一に形成されていることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。前記半導体チップには、その最表面の周縁部に段差が形成されており、前記応力緩和層は、前記段差に入り込んでいることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体装置。前記応力緩和層上に設けられ、前記半導体チップの表面側を封止するための封止樹脂層をさらに含み、前記封止樹脂層は、前記応力緩和層の外側から前記パッシベーション膜の表面および側面を被覆していることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の半導体装置。パッシベーション膜を有する半導体チップと、前記パッシベーション膜上に設けられ、外部から加わる応力を吸収して緩和するための応力緩和層と、この応力緩和層上に設けられた封止樹脂層とを含み、前記応力緩和層および/または前記封止樹脂層は、前記パッシベーション膜の側面へ回り込み、当該側面を被覆していることを特徴とする半導体装置。WL-CSPの半導体装置であることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の半導体装置。複数の半導体チップが作り込まれ、その表面がパッシベーション膜で被覆された半導体ウエハを用意する工程と、前記半導体ウエハに設定されたダイシングラインに沿って、前記パッシベーション膜の表面から前記パッシベーション膜の下方まで凹状に窪む凹部を形成する工程と、前記凹部の形成後、前記ダイシングラインを挟んで隣接する各半導体チップ上の部分に間隔が生じるように、前記パッシベーション膜上に応力緩和層を形成する工程と、前記応力緩和層の形成後に、前記半導体ウエハ上に封止樹脂層を形成する封止樹脂層形成工程と、この封止樹脂層形成工程後に、前記凹部内において前記応力緩和層が形成されていない部分とほぼ同じ幅で前記半導体ウエハをダイシングラインに沿って切断し、半導体チップの個片に切り分けるダイシング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。ところが、このようにして製造される半導体装置は、半導体チップ101、パッシベーション膜102および封止樹脂層108の各側面が面一となって露出する。半導体チップ101および封止樹脂層108はある程度の厚みを有しているが、パッシベーション膜102は薄い膜状であるため、半導体装置の側面に応力が加わったときに、その薄いパッシベーション膜102が、半導体チップ101の表面から剥がれたり、ひび割れたりするおそれがあった。そこで、この発明の目的は、パッシベーション膜の剥がれやひび割れを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供することである。前記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、半導体チップ1と、この半導体チップの表面を被覆するパッシベーション膜2と、このパッシベーション膜上に設けられ、外部から加わる応力を吸収して緩和するための応力緩和層3とを含み、前記応力緩和層は、前記パッシベーション膜の側面へ回り込み、当該側面を被覆していることを特徴とする半導体装置である。なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。この構成によれば、応力緩和層がパッシベーション膜の側面に回り込んで形成されており、パッシベーション膜の側面が応力緩和層によって被覆されている。そのため、パッシベーション膜の剥がれやひび割れを防止することができる。請求項2記載の発明は、前記半導体チップは、半導体基板上に形成された層間膜12を備えており、前記応力緩和層は、前記パッシベーション膜および前記層間膜の各側面へ回り込み、前記パッシベーション膜および前記層間膜の各側面を被覆していることを特徴とする請求項1記載の半導体装置である。この構成によれば、パッシベーション膜および層間膜の各側面が応力緩和層で被覆されるので、パッシベーション膜および層間膜の剥がれやひび割れを防止することができる。請求項3記載の発明は、前記パッシベーション膜の側面と前記層間膜の側面とがほぼ面一に形成されていることを特徴とする請求項2記載の半導体装置である。請求項4記載の発明は、前記半導体チップには、その最表面の周縁部に段差が形成されており、前記応力緩和層は、前記段差に入り込んでいることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体装置である。この構成によれば、半導体チップの最表面の周縁部に段差が形成され、この段差に応力緩和層が入り込んでいる。そのため、応力緩和層の段差に入り込んだ部分においても、この半導体装置の側面に加わる応力を吸収することができ、パッシベーション膜の剥がれやひび割れをより確実に防止することができる。請求項5記載の発明は、前記応力緩和層上に設けられ、前記半導体チップの表面側を封止するための封止樹脂層をさらに含み、前記封止樹脂層は、前記応力緩和層の外側から前記パッシベーション膜の表面および側面を被覆していることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の半導体装置である。この構成によれば、パッシベーション膜の側面が応力緩和層によって被覆され、さらにその外側から封止樹脂層によって被覆されているので、パッシベーション膜の剥がれやひび割れをより確実に防止することができる。請求項6記載の発明は、パッシベーション膜2を有する半導体チップ1と、前記パッシベーション膜上に設けられ、外部から加わる応力を吸収して緩和するための応力緩和層3と、この応力緩和層上に設けられた封止樹脂層5とを含み、前記応力緩和層および/または前記封止樹脂層は、前記パッシベーション膜の側面へ回り込み、当該側面を被覆していることを特徴とする半導体装置である。この構成によれば、応力緩和層および/または封止樹脂層がパッシベーション膜の側面に回り込んで形成されており、パッシベーション膜の側面が応力緩和層および/または封止樹脂層によって被覆されている。そのため、パッシベーション膜の剥がれやひび割れを防止することができる。請求項7記載の発明は、WL-CSPの半導体装置であることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の半導体装置である。請求項8記載の発明は、複数の半導体チップ1が作り込まれ、その表面がパッシベーション膜2で被覆された半導体ウエハWを用意する工程と、前記半導体ウエハに設定されたダイシングラインLに沿って、前記パッシベーション膜の表面から前記パッシベーション膜の下方まで凹状に窪む凹部9を形成する工程と、前記凹部の形成後、前記ダイシングラインを挟んで隣接する各半導体チップ上の部分に間隔が生じるように、前記パッシベーション膜上に応力緩和層3を形成する工程と、前記応力緩和層の形成後に、前記半導体ウエハ上に封止樹脂層5を形成する封止樹脂層形成工程と、この封止樹脂層形成工程後に、前記凹部内において前記応力緩和層が形成されていない部分とほぼ同じ幅で前記半導体ウエハをダイシングラインに沿って切断し、半導体チップの個片に切り分けるダイシング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。この方法により、請求項1~7記載の構成の半導体装置を作製することができる。以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、この発明の一実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。この半導体装置は、WL-CSPの半導体装置であり、半導体チップ1と、この半導体チップ1の表面機能素子が形成されている側の面を被覆するパッシベーション膜表面保護膜2と、このパッシベーション膜2上に積層された応力緩和層3と、この応力緩和層3上に形成された再配線4と、この再配線4上に積層された封止樹脂層5と、この封止樹脂層5上に配置された金属ボール6とを備えている。半導体チップ1は、平面視略矩形状に形成され、その最表面の周縁部に溝11を有している。この溝11は、半導体チップ1の最表面の周縁部が、たとえば、幅10~20μmおよび深さ10~100μmの断面略正方形状に切除されることによって形成された段差である。具体的には、後述する製造工程で形成される凹部9に沿って、ウエハWがダイシングブレードで切断されることにより生じる段差であり、この実施形態では、溝11として説明する。パッシベーション膜2は、酸化シリコンまたは窒化シリコンからなり、溝11を除いて、半導体チップ1の表面全域を被覆するように形成されている。このパッシベーション膜2には、半導体チップ1の表面に形成されたアルミニウムなどの金属からなる内部配線の一部を、電極パッド7として露出させるためのパッド開口21が形成されている。応力緩和層3は、たとえば、ポリイミドからなり、この半導体装置に応力が加わったときに、その応力を吸収して緩和するために設けられており、平面視において、パッシベーション膜2よりも少し小さい矩形状に形成されている。この応力緩和層3には、電極パッド7と対向する位置に貫通孔31が貫通して形成されている。再配線4は、たとえば、銅などの金属材料を用いて形成され、応力緩和層3の表面に沿って、封止樹脂層5を挟んで金属ボール6と対向する位置まで延びている。封止樹脂層5は、たとえば、エポキシ樹脂からなり、半導体チップ1の表面側を封止している。この封止樹脂層5は、パッシベーション膜2、応力緩和層3および再配線4の表面を覆い尽くし、さらに、これらの表面から側面に回り込み、半導体チップ1の溝11を埋め尽くしている。また、封止樹脂層5は、表面が平坦面に形成されるとともに、その側面が半導体チップ1の側面と面一に形成されている。これによって、この半導体装置は、平面視におけるサイズが半導体チップ1のサイズと等しい略直方体形状を有している。また、封止樹脂層5には、再配線4と金属ボール6との間に、たとえば、銅などの金属からなる扁平な円柱状のポスト8が貫通して設けられており、このポスト8によって、再配線4と金属ボール6とが接続されている。金属ボール6は、図示しない配線基板などとの接続外部接続のための外部接続端子であり、たとえば、半田などの金属材料を用いてボール状に形成されている。以上のような構成によれば、パッシベーション膜2の側面は、封止樹脂層5によって被覆されており、この半導体装置の側面において露出していない。そのため、この半導体装置の側面に加わる応力によるパッシベーション膜2の剥がれやひび割れを防止することができる。また、半導体チップ1の最表面の周縁部に溝11が形成され、この溝11に封止樹脂層5が入り込んでいる。そのため、封止樹脂層5の溝11に入り込んだ部分においても、この半導体装置の側面に加わる応力を吸収することができ、パッシベーション膜2の剥がれやひび割れをより確実に防止することができる。図2は、図1に示す半導体装置の製造工程を工程順に示す断面図である。まず、複数の半導体チップ1が作り込まれ、その表面全域がパッシベーション膜2で覆われたウエハWが用意される。そして、図2aに示すように、パッシベーション膜2に、電極パッド7を露出させるためのパッド開口21が形成された後、そのパッシベーション膜2上に、応力緩和層3および再配線4が順に形成される。なお、応力緩和層3は、各半導体チップ1の間に設定されたダイシングラインL上には形成されない。そのため、ダイシングラインLを挟んで隣接する各半導体チップ1上の応力緩和層3の間には所定幅の間隔が生じ、ダイシングラインL上には、この応力緩和層3の間においてパッシベーション膜2が露出している。次いで、図2bに示すように、ダイシングラインLに沿って、パッシベーション膜2の表面からパッシベーション膜2の下方まで凹状に窪む凹部9が形成される。この凹部9は、たとえば、ウエハWを各半導体チップ1に切り分けるためのダイシングのためのダイシングブレードよりも厚み幅の大きなブレード図示せずを用いて、パッシベーション膜2の表面側からハーフカットの手法によって形成してもよいし、レーザ加工によって形成してもよい。ブレードを用いる場合、そのブレードの厚みおよびカット量切り込み量によって、凹部9溝11の幅および深さを制御することができる。その後、図2cに示すように、ウエハWの表面全域上に封止樹脂層5が形成される。この封止樹脂層5は、ウエハWの表面全域に液状未硬化のエポキシ樹脂を塗布し、これを硬化させることによって形成することができる。そして、封止樹脂層5の所定位置にポスト8が形成された後、そのポスト8上に金属ボール6が形成される。ポスト8は、封止樹脂層5に孔を貫通形成した後、電解めっきによって、その孔内を埋めるように金属材料を供給することにより形成することができる。そして、図2dに示すように、図示しないダイシングブレードを用いて、ダイシングラインLに沿って、封止樹脂層5とともにウエハWが切断ダイシングすると、図1に示すWL-CSPの半導体装置が得られる。図3は、この発明の第2の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。この図3において、上述の図1に示された各部に対応する部分には、図1の場合と同一の参照符号を付して示す。図3に示す半導体装置では、半導体チップ1に溝11が形成されていない。また、パッシベーション膜2の側面と応力緩和層3の側面とが面一に形成されている。このような構成の半導体装置の製造工程では、たとえば、図4aに示すように、パッシベーション膜2で覆われたウエハWが用意され、このパッシベーション膜2上に応力緩和層3および再配線4が順に形成された後、図4bに示すように、応力緩和層3をマスクとして、パッシベーション膜2の応力緩和層3から露出している部分がエッチング除去される。すなわち、ダイシングラインLに沿った所定幅の領域では、ダイシングラインLを挟んで隣接する各半導体チップ1上の応力緩和層3の間からパッシベーション膜2が露出しており、このダイシングラインL上のパッシベーション膜2が応力緩和層3をマスクとするエッチングによって除去される。この応力緩和層3をマスクとするパッシベーション膜2のエッチングは、応力緩和層3を溶解させず、パッシベーション膜2を溶解させるようなエッチング液を用いて達成することができる。たとえば、パッシベーション膜2が酸化シリコンからなる場合、硝酸をエッチング液として用いることによって、応力緩和層3をマスクとするパッシベーション膜2のエッチングが達成されてもよい。また、このようなウエットエッチングに限らず、RIE反応性イオンエッチングなどのドライエッチングによって、パッシベーション膜2の応力緩和層3から露出した部分が除去されてもよい。パッシベーション膜2のエッチング除去後は、図4cに示すように、ウエハWの表面全域上に封止樹脂層5が形成され、さらにポスト8および金属ボール6が形成された後、図4dに示すように、図示しないダイシングブレードを用いて、ダイシングラインLに沿って、封止樹脂層5とともにウエハWが切断ダイシングされることによって、図3に示すWL-CSPの半導体装置が得られる。図5は、この発明の第3の実施形態に係る半導体装置の構成を説明するための断面図である。この図5において、上述の図1に示された各部に対応する部分には、図1の場合と同一の参照符号を付して示す。図5に示す半導体装置では、半導体チップ1は、半導体チップ1の表面に形成された電極パッド7内部配線と半導体チップ1の基体をなす半導体基板との間に、たとえば、酸化シリコンまたは窒化シリコンからなる層間膜12を備えている。そして、溝11が層間膜12の下方半導体基板側まで掘り下げて形成されており、この溝11内に封止樹脂層5が入り込むことによって、パッシベーション膜2および層間膜12の各側面が封止樹脂層5によって被覆されている。この構成により、この半導体装置の側面に加わる応力によるパッシベーション膜2および層間膜12の剥がれやひび割れを防止することができる。図6は、この発明の第4の実施形態に係る半導体装置の構成を説明するための断面図である。この図6において、上述の図1に示された各部に対応する部分には、図1の場合と同一の参照符号を付して示す。図6に示す半導体装置では、パッシベーション膜2上に積層された応力緩和層3が、パッシベーション膜2の表面から側面に回り込み、半導体チップ1の最表面の周縁部に形成されている溝11を埋め尽くしている。そして、封止樹脂層5は、応力緩和層3の表面を覆い尽くすように形成されている。このような構成によれば、パッシベーション膜2の側面は、応力緩和層3によって被覆されており、この半導体装置の側面において露出していない。そのため、この半導体装置の側面に加わる応力によるパッシベーション膜2の剥がれやひび割れを防止することができる。そのうえ、半導体チップ1の最表面の周縁部に溝11が形成され、この溝11に応力緩和層3が入り込んでいるので、その応力緩和層3の溝11に入り込んだ部分においても、この半導体装置の側面に加わる応力を吸収することができ、パッシベーション膜2の剥がれやひび割れをより確実に防止することができる。図7は、図6に示す半導体装置の製造工程を工程順に示す断面図である。図6に示す半導体装置の製造工程では、まず、複数の半導体チップ1が作り込まれ、その表面全域がパッシベーション膜2で覆われたウエハWが用意される。そして、図7aに示すように、パッシベーション膜2に、電極パッド7を露出させるためのパッド開口21が形成された後、ダイシングラインLに沿って、パッシベーション膜2の表面からパッシベーション膜2の下方まで凹状に窪む所定幅の凹部9が形成される。この凹部9の形成後、図7bに示すように、パッシベーション膜2上に、貫通孔31を有する応力緩和層3が形成される。この応力緩和層3は、各半導体チップ1の間に設定されたダイシングラインL上の領域であって、凹部9よりも幅狭な領域上には形成されない。そのため、ダイシングラインLを挟んで隣接する各半導体チップ1上の応力緩和層3の間には間隔が生じ、ダイシングラインL上には、この応力緩和層3の間において半導体チップ1ウエハWが露出している。つづいて、図7cに示すように、再配線4および封止樹脂層5が形成された後、その封止樹脂層5の所定位置にポスト8が形成される。さらに、そのポスト8上に金属ボール6が形成される。そして、図7dに示すように、凹部9内において応力緩和層3が形成されていない部分の幅とほぼ同じ厚み幅を有するダイシングブレード図示せずを用いて、ダイシングラインLに沿って、封止樹脂層5とともにウエハWが切断ダイシングすると、図6に示すWL-CSPの半導体装置が得られる。図8は、この発明の第5の実施形態に係る半導体装置の構成を説明するための断面図である。この図8において、上述の図1に示された各部に対応する部分には、図1の場合と同一の参照符号を付して示す。図8に示す半導体装置では、パッシベーション膜2上に積層された応力緩和層3が、パッシベーション膜2の表面から側面に回り込み、半導体チップ1の最表面の周縁部に形成されている溝11に入り込んでいる。また、その応力緩和層3上に積層されている封止樹脂層5が、応力緩和層3の表面から側面に回り込み、応力緩和層3の外側からパッシベーション膜2の表面および側面を被覆している。そして、半導体チップ1の最表面の周縁部に形成されている溝11は、応力緩和層3および封止樹脂層5によって埋め尽くされている。このような構成によれば、パッシベーション膜2の側面が応力緩和層3によって被覆され、さらにその外側から封止樹脂層5によって被覆されているので、パッシベーション膜2の剥がれやひび割れをより確実に防止することができる。なお、図8に示す半導体装置は、上述の図7a~cの各工程が順次に行われた後、図7dに示す工程において、凹部9内において応力緩和層3が形成されていない部分の幅よりも小さな厚み幅を有するダイシングブレード図示せずを用いて、ダイシングラインLに沿って、封止樹脂層5とともにウエハWが切断ダイシングすることにより得ることができる。図9は、この発明の第6の実施形態に係る半導体装置の構成を説明するための断面図である。この図9において、上述の図5に示された各部に対応する部分には、図5の場合と同一の参照符号を付して示す。図9に示す半導体装置では、半導体チップ1は、半導体チップ1の表面に形成された電極パッド7内部配線と半導体チップ1の基体をなす半導体基板との間に、たとえば、酸化シリコンまたは窒化シリコンからなる層間膜12を備えている。そして、溝11が層間膜12の下方半導体基板側まで掘り下げて形成されており、この溝11内に応力緩和層3および封止樹脂層5が入り込むことによって、パッシベーション膜2および層間膜12の各側面が応力緩和層3および封止樹脂層5によって被覆されている。この構成により、この半導体装置の側面に加わる応力によるパッシベーション膜2および層間膜12の剥がれやひび割れを防止することができる。なお、この図9に示す構成では、パッシベーション膜2および層間膜12の各側面が応力緩和層3および封止樹脂層5によって被覆されているとしたが、応力緩和層3のみが溝11に入り込み、応力緩和層3のみによって、パッシベーション膜2および層間膜12の各側面が被覆されていてもよい。以上、この発明のいくつかの実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。たとえば、図2に示す製造方法によって、溝11を有しない構成の半導体装置が製造されてもよい。すなわち、図2bに示す工程において、ブレードを用いたハーフカットのカット量またはレーザビームの照射強度および照射時間を調節して、パッシベーション膜2のみを除去するようにすれば、溝11を有さず、パッシベーション膜2の側面が封止樹脂層5によって被覆された構成の半導体装置を得ることができる。また、上述の実施形態では、WL-CSPの半導体装置を例に取り上げたが、この発明は、WL-CSPの半導体装置以外にも、実装基板に対して、半導体チップの表面を対向させて、半導体チップの裏面が露出した状態で実装ベアチップ実装される、半導体装置に適用することもできる。その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。