"第1主面及び該第1主面に対向する第2主面を有する基板と、前記第1主面側に設けられ、高周波信号を処理する無線IC素子と、前記第2主面側に設けられ、第1層間導体を含む給電回路を介して前記無線IC素子に結合された第1放射体と、前記第1主面側に設けられ、第2層間導体を介して前記第1放射体に結合された第2放射体と、を備えたことを特徴とする無線ICデバイス。前記給電回路は前記第1層間導体を含むループ状に形成されており、前記ループ状給電回路は直流的に又は電磁界を介して前記第1放射体に結合されていること、を特徴とする請求項1に記載の無線ICデバイス。前記ループ状給電回路は電磁界を介して前記第2放射体にも結合していること、を特徴とする請求項2に記載の無線ICデバイス。前記ループ状給電回路はそのループ面が前記第1放射体及び第2放射体に対して略垂直となるように形成されていること、を特徴とする請求項2又は請求項3に記載の無線ICデバイス。前記第1放射体及び/又は前記第2放射体はループ状に形成されていること、を特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の無線ICデバイス。ループ状に形成された前記第1放射体及び/又は前記第2放射体は、その一部にスリットを有していること、を特徴とする請求項5に記載の無線ICデバイス。前記第1放射体はソリッドな状態で形成されており、前記第2放射体はループ状に形成されており、前記第1放射体と前記第2放射体とは、平面視したときに、前記第2放射体のループ内で互いに重ならない領域を有すること、を特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の無線ICデバイス。前記基板の第2主面側に設けられている第1グランド電極が前記第1放射体として使用され、前記基板の第1主面側に設けられている第2グランド電極が前記第2放射体として使用されていること、を特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の無線ICデバイス。前記無線IC素子は、高周波信号を処理する無線ICチップであること、を特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれかに記載の無線ICデバイス。前記無線IC素子は、高周波信号を処理する無線ICチップと、所定の共振周波数を有する給電回路を含んだ給電回路基板とで構成されていること、を特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれかに記載の無線ICデバイス。前記基板は親基板に搭載された子基板であり、前記親基板には前記ループ状給電回路と電磁界を介して結合されたいま一つの放射体が設けられていること、を特徴とする請求項2ないし請求項10のいずれかに記載の無線ICデバイス。そこで、本発明の目的は、基板の大型化を招くことなく、放射利得を向上させ、容易にインピーダンスを調整できる無線ICデバイスを提供することにある。本発明の一形態である無線ICデバイスは、第1主面及び該第1主面に対向する第2主面を有する基板と、前記第1主面側に設けられ、高周波信号を処理する無線IC素子と、前記第2主面側に設けられ、第1層間導体を含む給電回路を介して前記無線IC素子に結合された第1放射体と、前記第1主面側に設けられ、第2層間導体を介して前記第1放射体に結合された第2放射体と、を備えたことを特徴とする。前記無線ICデバイスにおいて、無線IC素子は第1放射体と第1層間導体を含む給電回路を介して結合するとともに、該第1放射体及び第2層間導体を介して第2放射体と結合する。それゆえ、無線IC素子から第1及び第2放射体に効率的に高周波エネルギーが供給され、第1及び第2放射体から放射される高周波信号の利得が大きくなる。しかも、第1放射体は基板の第2主面側に設けられ、第2放射体は基板の第1主面側に設けられているため、無線ICデバイスの表層に実装部品が搭載された場合であっても、表層側への放射利得の低下を抑制でき、結果的に放射利得が向上する。特に、無線IC素子を基板の第1主面側に設け、この無線IC素子を第2主面側に配置された第1放射体に結合させているため、基板面積の大型化を招くことなく、無線IC素子と第1放射体との間に形成される給電回路の形成領域を大きく設定することができ、かつ、インピーダンスを高く設計できるなど、給電回路のインピーダンスが調整しやすくなる。また、給電回路の形成領域を大きく設定できるので、給電回路をループ状に形成する場合、ループを通過する磁束を増やすことができ、放射利得が向上する。しかも、第1層間導体、第1放射体、第2層間導体、第2放射体をそれぞれループ状に形成すれば、これらの導体によって形成されるループにも磁束が通過することになり、さらに放射利得が向上する。本発明によれば、基板の大型化を招くことなく、放射利得を向上させ、容易にインピーダンスを調整できる無線ICデバイスを得ることができ、RFIDシステムに好適に用いることができる。以下、本発明に係る無線ICデバイスの実施例について添付図面を参照して説明する。なお、各図において、共通する部品、部分は同じ符号を付し、重複する説明は省略する。第1実施例、図1~図4参照第1実施例である無線ICデバイス1Aは、図1及び図2に示すように、基材層11a,11b,11c,11dを積層した多層基板からなり、該多層基板の上面を第1主面、下面を第2主面と称する。多層基板の第1主面側には高周波信号を処理する無線IC素子50が設けられ、第2主面側には第1層間導体31a,31bを含む給電回路20を介して無線IC素子50に結合された第1放射体41が設けられ、さらに、第1主面側には第2層間導体32a,32bを介して第1放射体41に結合された第2放射体42が設けられている。無線IC素子50は、高周波信号を処理するもので、その詳細は図5~図8を参照して以下に詳述する。第1及び第2放射体41,42は、以下に説明するようにアンテナとして機能するものであるが、多層基板上に搭載される電子部品図15参照のグランド電極として機能してもよい。詳しくは、基材層11a~11dは周知のガラスエポキシ材料から形成されている。基材層11a上には、1辺部分に給電導体21a,21bが形成され、一端が無線IC素子50の図示しない第1端子電極及び第2端子電極に電気的に接続されている。即ち、給電導体21a,21bの一端は給電端子として機能している。基材層11d上には略全面に第1放射体41が形成され、基材層11b,11cを貫通する第1層間導体ビアホール導体31a,31bによって直流的に結合している。図3Aの断面図に示すように、給電導体21a,21bと第1層間導体31a,31bと第1放射体41の1辺部分とでループ状の給電回路20が構成されている。また、基材層11a上には、給電導体21a,21bを形成した残りの略全面に第2放射体42が平面視でループ状に形成されている。この第2放射体42は多層基板の他辺部分において基材層11b,11cを貫通する第2層間導体ビアホール導体32a,32bによって直流的に結合している。図4に示すように、ループ状の給電回路20は、第1放射体41と、直流的DCに結合しているとともに電磁界結合M1している。さらに、ループ状の給電回路20は、第2放射体42とも互いに近接した部分で電磁界結合M2している。ここで、電磁界結合とは電界及び/又は磁界結合を意味する。ループ状の給電回路20と第1放射体41とを電気的に接続直流結合することで、高周波信号の伝達効率を向上させることができる。無線ICデバイス1AをY-Y断面で見た場合、図3Bに示すように、第1層間導体31b31aと第1放射体41と第1層間導体32b32aと第2放射体42によってもループ状の導体パターンが形成されている。以上の構成からなる無線ICデバイス1Aにおいては、ループ状の給電回路20が第1及び第2放射体41,42と結合していることにより、RFIDシステムのリーダライタから放射されて第1及び第2放射体41,42で受信された高周波信号が給電回路20を介して無線IC素子50に供給され、無線IC素子50が動作する。一方、無線IC素子50からの応答信号が給電回路20を介して第1及び第2放射体41,42に伝達されてリーダライタに放射される。より詳しくは、給電回路20と第1放射体41とは、第1放射体41の1辺領域において直流的に結合し、かつ、電磁界結合M1している。また、第2放射体42は、第1放射体41と第2層間導体32a,32bを介して直流的DCに結合し、かつ、給電回路20とも電磁界結合M2している。即ち、無線IC素子50から供給された高周波電力は、第1放射体41には給電回路20を介して直流的にかつ電磁界的に供給され、第2放射体42には給電回路20、第1放射体41及び第2層間導体32a,32bを介して直流的に供給され、かつ、給電回路20を介して電磁界的にも供給される。それゆえ、無線IC素子50から第1及び第2放射体41,42に効率的に高周波エネルギーが供給され、第1及び第2放射体41,42から放射される高周波信号の利得が大きくなる。また、無線ICデバイス1Aにおいて、第1放射体41は多層基板の第2主面側に設けられ、第2放射体42は多層基板の第1主面側に設けられているため、無線ICデバイス1Aの表層に実装部品が搭載された場合であっても、表層側への放射利得の低下を抑制でき、結果的に放射利得が向上する。特に、無線IC素子50を多層基板の第1主面側に設け、この無線IC素子50を第2主面側に配置された第1放射体41に結合させているため、基板面積の大型化を招くことなく、無線IC素子50と第1放射体41との間に形成される給電回路20の形成領域を大きく設定することができ、かつ、インピーダンスを高く設計できるなど、給電回路20のインピーダンスが調整しやすくなる。また、給電回路20の形成領域を大きく設定できるので、給電回路20をループ状に形成する場合、ループを通過する磁束を増やすことができ、放射利得が向上する。しかも、第1層間導体31a,31b、第1放射体41、第2層間導体32a,32b、第2放射体42をそれぞれループ状に形成すれば図3B参照、これらの導体によって形成されるループにも磁束が通過することになり、さらに放射利得が向上する。特に、第2放射体42を平面視でループ状に形成することによって、ループ状パターンにも磁界が形成されやすくなり、放射利得が向上する。前記給電回路20は、無線IC素子50と第1放射体41とを結合させてインピーダンスの整合回路として機能し、かつ、無線IC素子50と第2放射体42とを結合させてインピーダンスの整合回路として機能する。給電回路20はその電気長や給電導体21a,21bの幅などを調整することで、インピーダンスの整合をとることができる。特に、ループ状給電回路20はそのループ面が第1放射体41及び第2放射体42に対して略垂直となるように形成されているため、多層基板の面積を大きくすることなく給電回路20を配置でき、ループ状給電回路20を第1放射体41及び第2放射体42と高い結合度にて結合できる。なお、前記第1実施例において、無線IC素子50は、多層基板の第1主面上に設けられている必要はなく、第1放射体41よりも第1主面側であれば、多層基板の内層に設けられていてもよい。同様に、第1放射体41は、多層基板の第2主面に設けられている必要はなく、無線IC素子50よりも第2主面側であれば、多層基板の内層に設けられていてもよい。即ち、第1実施例において、第1放射体41は基材層11dの内側に設けられている。また、第2放射体42も、多層基板の第1主面に設けられている必要はなく、多層基板の内層に設けられていてもよい。つまり、第2放射体42は第1放射体41よりも第1主面側に設けられていればよい。また、無線ICデバイス1Aの第2主面側に設けられているグランド電極を第1放射体41として利用してもよく、無線ICデバイス1Aの第1主面側に設けられているグランド電極を第2放射体42として利用してもよい。これであれば、放射体41,42を別途形成する必要がなくなる。無線IC素子、図5~図8参照無線IC素子50は、図5に示すように、高周波信号を処理する無線ICチップ51であってもよく、あるいは、図6に示すように、無線ICチップ51と所定の共振周波数を有する共振回路を含んだ給電回路基板65とで構成されていてもよい。図5に示す無線ICチップ51は、クロック回路、ロジック回路、メモリ回路などを含み、必要な情報がメモリされている。無線ICチップ51は、その裏面に入出力用端子電極52、52及び実装用端子電極53,53が設けられている。入出力用端子電極52、52は前記第1実施例で示した第1及び第2端子電極であって、前記給電導体21a,21bと金属バンプなどを介して電気的に接続される。なお、金属バンプの材料としては、Au、はんだなどを用いることができる。図6に示すように、無線ICチップ51と給電回路基板65とで無線IC素子50を構成する場合、給電回路基板65には種々の給電回路共振回路/整合回路を含むを設けることができる。例えば、図7に等価回路として示すように、互いに異なるインダクタンス値を有し、かつ、互いに逆相で磁気結合相互インダクタンスMで示すされているインダクタンス素子L1、L2を含む給電回路66であってもよい。給電回路66は、所定の共振周波数を有するとともに、無線ICチップ51のインピーダンスと第1及び第2放射体41,42とのインピーダンスマッチングを図っている。なお、無線ICチップ51と給電回路66とは、電気的に接続直流接続されていてもよいし、電磁界を介して結合されていてもよい。給電回路66は、無線ICチップ51から発信された所定の周波数を有する高周波信号を前記給電回路20を介して第1及び第2放射体41,42に伝達し、かつ、第1及び第2放射体41,42で受信した高周波信号を給電回路20を介して無線ICチップ51に供給する。給電回路66が所定の共振周波数を有するので、第1及び第2放射体41,42とのインピーダンスマッチングが図りやすくなり、給電回路20の電気長を短くすることができ、また、通信上の諸特性が第1及び第2放射体41,42の材質、サイズなどに依存する程度が少なくなる。次に、給電回路基板65の構成について説明する。図5及び図6に示すように、無線ICチップ51の入出力用端子電極52は、給電回路基板65上に形成した給電端子電極142a、142bに、実装用端子電極53は、実装端子電極143a、143bに金属バンプなどを介して接続される。給電回路基板65は、図8に示すように、誘電体あるいは磁性体からなるセラミックシート141a~141hを積層、圧着、焼成したものである。但し、給電回路基板65を構成する絶縁層はセラミックシートに限定されるものではなく、例えば、液晶ポリマなどのような熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂のような樹脂シートであってもよい。最上層のシート141aには、給電端子電極142a,142b、実装端子電極143a,143b、ビアホール導体144a,144b,145a,145bが形成されている。2層目~8層目のシート141b~141hには、それぞれ、インダクタンス素子L1,L2を構成する配線電極146a,146bが形成され、必要に応じてビアホール導体147a,147b,148a,148bが形成されている。以上のシート141a~141hを積層することにより、配線電極146aがビアホール導体147aにて螺旋状に接続されたインダクタンス素子L1が形成され、配線電極146bがビアホール導体147bにて螺旋状に接続されたインダクタンス素子L2が形成される。また、配線電極146a,146bの線間にキャパシタンスが形成される。シート141b上の配線電極146aの端部146a-1はビアホール導体145aを介して給電端子電極142aに接続され、シート141h上の配線電極146aの端部146a-2はビアホール導体148a,145bを介して給電端子電極142bに接続される。シート141b上の配線電極146bの端部146b-1はビアホール導体144bを介して給電端子電極142bに接続され、シート141h上の配線電極146bの端部146b-2はビアホール導体148b,144aを介して給電端子電極142aに接続される。以上の給電回路66において、インダクタンス素子L1,L2はそれぞれ逆方向に巻かれているため、インダクタンス素子L1,L2で発生する磁界が相殺される。磁界が相殺されるため、所望のインダクタンス値を得るためには配線電極146a,146bをある程度長くする必要がある。これにてQ値が低くなるので共振特性の急峻性がなくなり、共振周波数付近で広帯域化することになる。インダクタンス素子L1,L2は、給電回路基板65を平面透視したときに、左右の異なる位置に形成されている。また、インダクタンス素子L1,L2で発生する磁界はそれぞれ逆向きになる。これにて、給電回路66を給電回路20に結合させたとき、給電回路20には逆向きの電流が励起され、第1及び第2放射体41,42に電流を発生させることができ、その電流による電位差で第1及び第2放射体41,42をアンテナとして動作させることができる。給電回路基板65に共振/整合回路を内蔵することにより、外部の物品の影響による特性変動を抑えることができ、通信品質の劣化を防ぐことができる。また、無線IC素子50を構成する無線ICチップ51を給電回路基板65の厚み方向の中央側に向けて配置すれば、無線ICチップ51の破壊を防ぐことができ、無線IC素子50としての機械的強度を向上させることができる。第2実施例、図9参照第2実施例である無線ICデバイス1Bは、図9に示すように、基材層11d上に第1放射体41を設け、基材層11b上に第2放射体42を設け、さらに基材層11c上に第3放射体43を設けたもので、それぞれの放射体41,42,43は平面視でループ状に形成されている。給電回路20は前記第1実施例と同じ構成であり、それぞれの放射体41,42,43は他辺部分において第2層間導体32a,32bによって直流的に結合している。本第2実施例である無線ICデバイス1Bの作用効果は前記第1実施例と基本的には同様であり、各放射体41,42,43が平面視でループ状に形成されていることから、ループ状パターンの内側に沿っても磁界が発生し、放射利得がさらに向上する。第3実施例、図10参照第3実施例である無線ICデバイス1Cは、図10に示すように、第2放射体42を基材層11b上に広い面積でソリッドに設けたもので、この第2放射体42と第1放射体41とは多数の第2層間導体32a,32b,32cによって直流的に結合している。他の構成は前記第1実施例と同様であり、その作用効果も第1実施例と基本的に同様である。特に、本第3実施例のごとく、第2放射体42をソリッドに形成して第1放射導体41と複数の第2層間導体32a,32b,32cで接続すると、グランド機能が強化される。また、側面視において、第1及び第2放射体41,42が第2層間導体32a,32b,32cにてループ状のパターンとなるように構成されているため、磁界が発生しやくなり、放射利得が向上する。第4実施例、図11参照第4実施例である無線ICデバイス1Dは、図11に示すように、基材層11b上に設けたループ状の第2放射体42の一部給電回路20から離れた箇所にスリット42aを形成したものである。本第4実施例において、他の構成は前記第1実施例と同様であり、その作用効果も第1実施例と基本的に同様である。特に、第2放射体42にスリット42aを形成することにより、誘起電流がスリット42aで回り込むため、第2放射体42の電流経路が実質的に長くなる。換言すれば、第2放射体42を小型化することができる。なお、第1放射体41にもスリットを形成してもよい。第5実施例、図12参照第5実施例である無線ICデバイス1Eは、図12Aに示すように、基材層11a上に給電回路20を構成する給電導体21a,21bに隣接して第2放射体42を形成し、基材層11bを介して積層された基材層11cに第1放射体41を形成したものである。第1放射体41は略T字をなし、ソリッドな状態で形成されている。給電導体21a,21bの端部は、それぞれ、基材層11bを貫通する第1層間導体31a,31bを介して第1放射体41の一端両側部分に直流的に結合している。第2放射体42はスリット42aが形成されたループ状をなし、スリット42aの対向部分は、それぞれ、基材層11bを貫通する第2層間導体32a,32bを介して第1放射体41の他端部分に直流的に結合している。本第5実施例の作用効果は前記第1及び第4実施例と基本的に同様である。特に、図12Bに示すように、第1及び第2放射体41,42が平面視で重ならない領域Cが設けられているため、第2放射体42によって形成される磁束が、第1放射体41によって遮られにくくなり、第2放射体42の放射特性が向上する、即ち、第1主面無線ICデバイス1Eの上面方向への放射利得が大きくなる。第6実施例、図13参照第6実施例である無線ICデバイス1Fは、図13に示すように、基材層11d上に給電導体21a,21bと平面視で同じ位置に給電導体22を形成し、この給電導体22は第1層間導体31a,31bを介して給電導体21a,21bに接続されている。第1放射体41は基材層11d上に給電導体22に近接して設けられている。また、第2放射体42は基材層11b上に設けられており、第1放射体41とは第2層間導体32a,32bを介して接続されている。本第6実施例において、給電回路20は、給電導体21a,21b,22と第1層間導体31a,31bとによって形成され、該給電回路20は第1放射体41と電磁界結合M1のみで結合されている。その作用効果は前記第1実施例と基本的には同様である。本第6実施例では、第1及び第2放射体41,42が給電回路20とは、電磁界結合M1,M2のみで結合し、直流的に接続されていないため、第1及び第2放射体41,42にサージ電圧が加わっても該サージ電圧が無線IC素子50に印加されることを防止できる。第7実施例、図14参照第7実施例である無線ICデバイス1Gは、図14に示すように、第2放射体42を給電導体21a,21bから離れた基材層11aの他辺側に形成したものである。他の構成は前記第1実施例と同様である。第2放射体42は第2層間導体32a,32b及び第1放射体41を介して給電回路20と結合しており、第1実施例と同様の作用効果を奏する。第8実施例、図15~図17参照第8実施例である無線ICデバイス1Hは、親基板35と該親基板35上に搭載された子基板1’とから構成されている。子基板1’は前記第1実施例として示した無線ICデバイス1Aと同じものであり、それ以外の実施例として示した無線ICデバイス1B~1Gのいずれであってもよい。親基板35は、基材層36b上に放射体37を形成し、基材層36a上に複数の端子電極38を形成し、基材層36a,36bを積層した多層基板である。基材層36a,36bは前記基材層11a~11dと同様の材料からなる。放射体37は以下に説明するようにアンテナ素子として機能するものであり、親基板35や子基板1’に搭載される電子部品図17参照のグランド電極として機能させてもよい。図16に示すように、子基板1’の下面には複数の端子電極25が形成されており、該端子電極25は層間導体ビアホール導体26を介して第1放射体41に電気的に接続されている。親基板35上に形成された端子電極38は層間導体ビアホール導体39を介して放射体37に電気的に接続されている。そして、子基板1’は親基板35上に、端子電極25をはんだや導電ピンなどの接合材27によって端子電極38上に電気的に接続固定されている。放射体37は、ループ状の給電回路20と電磁界結合M3しており、かつ、第1放射体41とは直流的に結合DCしている。子基板1’の動作は前記第1実施例で説明したとおりである。第1放射体41と放射体37との間で高周波信号が伝達されることになり、本第8実施例では第1及び第2放射体41,42に加えて親基板35の放射体37もアンテナ素子として機能するため、全体として放射体の面積が増え、放射利得が向上する。また、1個の無線IC素子50で、子基板1’と親基板35の両方の情報を管理することができ、複数の無線IC素子50を配置する必要がない。さらに、面積の小さな子基板1’の熱を層間導体26及びはんだなどの接合材27を介して面積の大きな親基板35に効率よく伝達、放熱することができる。なお、第1放射体41と放射体37とは必ずしも直流的に結合DCしている必要はなく、主に容量Cを介する電磁界結合であってもよい。前記無線ICデバイス1H上には種々の電子部品が搭載され、コンピュータなどの電子機器に内蔵される。そのような例を図17に示す。親基板35上にはIC回路部品45やチップタイプの電子部品46が多数搭載されている。また、子基板1’上にもIC回路部品47が搭載されている。他の実施例なお、本発明に係る無線ICデバイスは前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。例えば、多層基板の第1主面にキャビティが形成されており、該キャビティに無線IC素子が収容されていてもよい。"