"被検知ガス分子と結合する検知部が、接続部を介して一対の金属電極間に固定されてなるガス分子検知素子であって、該検知部は、中心金属として鉄またはコバルトを有する単一ポルフィリンまたは単一ポルフィリン誘導体であり、該接続部は、該単一ポルフィリンまたは単一ポルフィリン誘導体に結合したメルカプトフェニレンエチニル基である、ガス分子検知素子。上記の被検知ガス分子が、CO分子、O2分子またはNO分子である請求項1記載のガス分子検知素子。請求項1記載のガス分子検知素子と該ガス分子検知素子を保持する基板とを有する検知体と、被検知ガス分子以外のガス分子を除去するフィルター部と、該ガス分子検知素子の通電電流値の変化を測定する電流測定部とを少なくとも有するガス分子検知装置。上記の被検知ガス分子が、CO分子、O2分子またはNO分子である請求項3記載のガス分子検知装置。上記の被検知ガス分子がNO分子であり、上記フィルター部に平均細孔2nmの活性炭を用いる請求項3記載のガス分子検知装置。請求項3記載のガス分子検知装置を用いる、CO分子、O2分子またはNO分子のガス分子検知方法。しかしながら、前記の従来のFET型センサーの構成では、ポルフィリン分子の電子状態の変化はゲート絶縁膜を介してチャンネル部を変調させるので、最も低い検知濃度が数ppmであり、これ以上の性能向上は困難であるという課題を有していた。それに対し、特許文献1のように、電極間に架橋させた分子の電子状態の変化を直接計測することにより感度向上を図る方法が考えられる。しかしながら、感度向上に関しては十分な成果が得られていないのが現状である。また、NO以外にも、一酸化炭素COや酸素O2についてもより高感度な検知方法が必要とされている。本発明は、前記の課題を解決するもので、ガス分子の高感度な検出が可能なガス分子検知素子、ガス分子検知装置およびガス分子検知方法を提供することを目的とした。本発明者は、ポルフィリン分子の電子状態の変化を直接計測する過程で、ポルフィリン分子と電極とを接続する官能基を制御することで、高感度なNOの検出が可能なことを見出して本発明を完成させたものである。すなわち、本発明のガス分子検知素子は、被検知ガス分子と結合する検知部が、接続部を介して一対の金属電極間に固定されてなるガス分子検知素子であって、該検知部は、中心金属として鉄またはコバルトを有する単一ポルフィリンまたは単一ポルフィリン誘導体であり、該接続部は、該単一ポルフィリンまたは単一ポルフィリン誘導体に結合したメルカプトフェニレンエチニル基であることを特徴とする。また、本発明のガス分子検知装置は、上記の本発明のガス分子検知素子と該ガス分子検知素子を保持する基板とを有する検知体と、被検知ガス分子以外のガス分子を除去するフィルター部と、該ガス分子検知素子の通電電流値の変化を測定する電流測定部とを少なくとも有することを特徴とするものである。また、本発明のガス分子検知方法は、上記のガス分子検知装置を用いることを特徴とする、CO分子、O2分子またはNO分子のガス分子検知方法である。本発明によれば、被検知ガス分子がポルフィリン分子に結合したときの電流変化を大きくすることができるので、被検知ガス分子を高感度で検出することが可能となる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。ガス分子検知素子本発明のガス分子検知素子は、被検知ガス分子と結合する検知部が、接続部を介して一対の金属電極間に固定されてなるガス分子検知素子であって、該検知部は、中心金属として鉄またはコバルトを有する単一ポルフィリンまたは単一ポルフィリン誘導体であり、該接続部は、該単一ポルフィリンまたは単一ポルフィリン誘導体に結合したメルカプトフェニレンエチニル基である。図1は、本発明のガス分子検知素子の構造の一例を示す模式平面図である。ガス分子検知素子11は、被検知ガス分子と結合する検知部1が、接続部2を介して一対の金属電極3,3の間に固定されている。検知部1は、被検知ガス分子と結合する中心金属を有する単一ポルフィリンまたは単一ポルフィリン誘導体からなる。その中心金属は、鉄またはコバルトである。ここで、単一ポルフィリンとは、以下の化学式1で示される、ダイマー等の多量体を形成しない単一のポルフィリン分子をいう、R1からR12は水素原子である。一方、単一ポルフィリン誘導体とは、置換基を有する単一ポルフィリンである。置換基としては、上記の化学式のR1、R2、R4、R5、R7、R8、R10、R11は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1から3の直鎖アルキル基、または炭素数1から3の直鎖アルキル基を置換基として有してもよいフェニル基を示し、R3およびR9の対またはR6およびR12の対の一方の対は、炭素数1から3の直鎖アルキル基を置換基として有してもよいフェニル基、-CH2-CH2-CH3、-CH=CH-CH3、-C≡C-CH3、-CH2-CH2-Ph、-CH=CH-Phまたは-C≡C-Phn-n=1~50を示し、ここで、Phは炭素数1から3の直鎖アルキル基を置換基として有してもよいフェニル基を示し、R3およびR9の対またはR6およびR12の対の他方の対は、水素原子を示す。好ましくは、R1、R2、R4、R5、R7、R8、R10、R11は、水素原子、R3およびR9の対またはR6およびR12の対の一方の対は、炭素数1から3の直鎖アルキル基を置換基として有してもよいフェニル基、-CH2-CH2-CH3、-CH=CH-CH3、-C≡C-CH3、-CH2-CH2-Ph、-CH=CH-Phまたは-C≡C-Phn-n=1~50である。R3およびR9の対またはR6およびR12の対の一方の対は、より好ましくは-CH2-CH2-Ph、-CH=CH-Phまたは-C≡C-Phn-n=1~50である。接続部は、金属電極と結合して、検知部を一対の金属電極間に固定する役割を有するリンカー分子である。接続部には、上記の単一ポルフィリンまたは単一ポルフィリン誘導体に結合したメルカプトフェニレンエチニル基以下、MPE基という表現も用いるを用いる。メルカプトフェニレンエチニル基は、フェニレン基が置換基を有してもよく、該置換基は、炭素数1から3の直鎖アルキル基である。好ましくは、フェニレン基は無置換である。本発明で用いる金属電極は、単一分子の分子長に合わせた間隔を有する電極対であり、ナノメーターオーダーの間隙幅を有するナノギャップ電極を用いる。本発明においては、単一ポルフィリンまたは単一ポルフィリン誘導体の分子長に合わせたギャップ幅を用いる。電極間のギャップ幅の下限は、電子ビーム露光装置の最小加工寸法である約2.5nmである。上限は、約100μmである。また、金属電極材料には、金、銅、またはアルミを用いることができる。好ましくは金である。検知素子は、例えば、以下の方法により作製することができる。1.ナノギャップ電極作製基板、例えばシリコン基板上に、蒸着により所定膜厚の金の電極層を形成する。その後、特開2006-128438号公報に開示されている手法に基づき、電子ビーム露光器により電極層にパターニングを行い、所定の電極幅と所定のギャップ幅を有するナノギャップ電極を作製する。この方法によれば、約2.5nmのキャップ幅を有するギャップ電極を作製できる。2.電極への検知分子結合次いで、金電極層の表面をピラニー溶液で洗浄した後、検知分子を含む溶液溶媒:NaOMe、濃度:約1nmol/L中に基板を浸漬させる。なお、チオール基-SHは非常に活性なため、MPE基そのままでは、ジスルフィド基が生じてしまう。それを防ぐため、シリル系保護基であるTIPSを用いることもできる。溶液をアルカリから酸性に制御することで、チオール基は脱保護される。本発明のガス検知素子に所定の電圧を印加した状態で、NOを導入すると、低濃度のNOであっても従来に比し、顕著な電流値の増加が認められ、より高感度のNO検出が可能となる。検出可能なNO分子の濃度としては、0.02ppm~20ppm、好ましくは0.04ppm~20ppmである。なお、被検知ガス分子として、NO分子について説明したが、本発明のガス分子検知素子は、COやO2の検出にも使用できる。これは、単一ポルフィリンまたは単一ポルフィリン誘導体の中心金属が鉄あるいはコバルトであり、COやO2が不対電子をもつことから、NOと同様にCOやO2が中心金属と結合するためである。また、NO、CO、O2以外の不対電子をもつガス分子にも本発明のガス分子検知素子は使用できる。ガス分子検知装置本発明のガス分子検知装置は、上記の本発明のガス分子検知素子と該ガス分子検知素子を保持する基板とを有する検知体と、被検知ガス分子以外のガス分子を除去するフィルター部と、該ガス分子検知素子の通電電流値の変化を測定する電流測定部とを少なくとも有する。図2は、本発明のガス分子検知装置の構成の一例を示す模式図である。ガス分子検知装置21は、検知体12、被検知ガス分子以外のガス分子を除去するフィルター部13、ガス分子検知素子11に電圧を印加する直流電源17、ガス分子検知素子11の通電電流値の変化を測定する電流測定部18、および該電流測定部18からのデータに基づいて被検知ガスの濃度を決定するデータ処理部19を有している。検知体12は、上記のガス分子検知素子11と、該ガス分子検知素子11を保持する基板14とから構成されている。基板14には、例えば、シリコン、サファイアなどを用いることができる。図2では、基板をエッチングして凹部15を形成し、その凹部15の底部にガス分子検知素子11を配置した例を示している。ガス分子検知素子11の上方には、凹部15を塞ぐようにフィルター部13を着脱可能に取り付ける一方、凹部15の底部には基板の裏面に達する1個以上の貫通孔からなる排気孔16を設けている。被検知ガスは、フィルター部を通過して、凹部内を移動してガス分子検知素子に到達し、その後排気孔16を通って、基板14から排気される。凹部15は断面V字形状を有することが好ましい。フィルター部13を通過した被検知ガスを集束させてガス分子検知素子に到達させることができるからである。なお、図2では、フィルター部が基板に一体的に配置されている構成を示しているが、フィルター部は被検知ガス分子以外のガス分子を除去する機能を有していればよく、基板と別体となるように配置してもよい。例えば、フィルターを備えた配管を設け、該配管の出口がガス分子検知素子の近傍に位置するように配置してもよい。フィルター部には、測定ガスから被検知ガス分子以外のガス分子を除去する働きを有する材料を用いる。例えば、被検知ガス分子がNO分子である場合、平均細孔径が2nmである活性炭を用いることが好ましい。その活性炭は、NO以外のガスの成分例えば、二酸化窒素、二酸化炭素、一酸化炭素、酸素等を除去することができる。一方、NOは活性炭表面と親和性がないため、除去されずに通過する。なお、活性炭の平均細孔径はガス吸着法を用いて測定できる。また、CO分子やO2分子を検知対象とする場合には、CO分子またはO2分子のみを透過させることのできるガス分離膜、例えば特開平7-275672号公報に記載された高分子ゲルからなるガス分離膜を用いることができる。例えば、COのみを選択的に透過させるためには、キャリア特定のガス分子と相互作用する親和性物質としてCuNH42を含有させた高分子ゲルをフィルター部として用いることができる。また、O2のみを選択的に透過させるためには、キャリアとしてCoNH42を含有させた高分子ゲルをフィルター部として用いることができる。ガス分子検知方法本発明のガス分子検知方法は、本発明のガス分子検知装置を用いるものであれば特に限定されないが、少なくとも、標準ガスを用いた検量線作成工程ステップ1、吸着した標準ガスを脱離させる工程ステップ2、および被検知ガスの濃度を決定する工程ステップ3を含むことが好ましい。図3は、本発明のガス分子検知方法を説明するための模式図であり、ステップ1およびステップ2で用いる。密閉容器24内には検知体11が配置されている。標準ガスを有するガスボンベ22から供給弁23を通して密閉容器24内に標準ガスを導入し、排気弁27から排気する。26はマニュピレータであり、検知体12に取り付けたフィルター部を脱着するのに用いる。25は、標準ガスを脱離させるための白色ランプである。以下、被検知ガス分子としてNO分子を用いた場合の検知方法について、図2および図3を用いて説明する。1.ステップ1本ステップでは、標準ガスを用いて検量線を決定する。密閉容器24の中に、検知部10を配置する。次に、標準ガスを有するガスボンベ22を供給弁23につながる配管に接続する。次に、供給弁23と排気弁27を開く。このとき、標準ガスによる電流測定部14での電流測定値のデータを処理部15に送る。次に、処理部15は、標準ガスの濃度と電流測定値のデータから以下のに基づいて、係数Aを決定する。ΔI=A×C式1ここで、ΔIは増加電流値A、Cは濃度ppm、Aは係数A/ppmである。測定終了後、供給弁23と排気弁27を閉める。2.ステップ2本ステップでは、吸着した標準ガスを脱離させる。マニュピレータ26を操作して、検知部10のフィルター部12を外す。次に、排気弁27を開け、一定以上の放射照度例えば、約200J/m2s以上を有する白色ランプ25のスイッチをオンすることにより、検知体12に約5分間照射する。これにより、ステップ1においてポルフィリン環の中心金属に吸着した標準ガス分子を脱離させることが可能となる。次に、ランプ照射後、白色ランプ25のスイッチのオフにする。最後に、マニュピレータ26を操作して、フィルター部を元に戻した後、排気弁27を閉める。3.ステップ3本ステップでは、被検知ガスの濃度を決定する。密閉容器24から検知体12を取り出す。次に、対象とする被検知ガスを検知体12に検知させる。このとき、被検知ガスによる電流測定部18での電流測定値のデータをデータ処理部19に送る。データ処理部19は、ステップ1で得られた係数Aと増加電流値のデータから上記のにしたがって、被検知ガスの濃度を決定する。実施例1.本実施例では、検知部に下記の化学式2で示される中心金属を有する単一ポルフィリン誘導体を用いた以下、化合物1という。接続部にはメルカプトフェニレンエチニル基を用いた。中心金属Mには鉄を用いた。化合物1の合成化合物1は、ピロールとMPE基をもつアルデヒドとフェニレンエチニル基をもつアルデヒドを用いて、Rothemund法により合成した。ガス分子検知素子の作製シリコン基板上に、蒸着により約50μmの膜厚である金の電極層を形成した。その後、特開2006-128438号公報に開示されている手法に基づいて、電子ビーム露光器により電極層にパターニングを行い、約50μmの電極幅、約2.5nmのギャップ幅のナノギャップ電極を形成した。金電極層の表面をピラニー溶液で洗浄した後、化合物1を含む溶液溶媒:NaOMe、濃度:約1nmol/L中に基板を浸漬させた。なお、チオール基-SHは非常に活性なため、MPE基そのままでは、ジスルフィド基が生じてしまう。それを防ぐため、シリル系保護基であるトリイソプロピルシリルTIPSを用いた。溶液をアルカリから酸性に制御することで、チオール基を脱保護した。このとき、分子の末端であるチオール基の水素原子が脱離し、硫黄原子が金表面に結合する。その後、溶液中から出し、窒素ガン等で乾燥させた。これにより、ガス分子検知素子を作製した。ガス分子検知素子の電気伝導性作製した検知素子は、電極間に0.4Vの電圧を印加して、約120mAの電流が得られた。なお、印加電圧は、検知素子を損傷しない範囲で適宜設定することができる。検知特性評価作製した検知素子を図2の検知体11に組み込み、標準ガスをArガスで希釈してNO濃度を変化させ、濃度範囲0.04ppmから20ppmで電流値の変化を測定した。測定は、室温で、電極間に電圧0.4Vを印加して行った。図4にその結果を示す。図4において、縦軸は電流変化量A、横軸はNO濃度ppmを示す。ここで、電流変化量とは、NO分子検出後の電流値とNO分子検出前の電流値の差であり、図4ではその絶対値で示している。本発明においては、NO分子検出に伴い、測定電流は減少するので、電流変化量は減少量となる。図4に示すように、0.04ppmから20ppmの範囲で、NO濃度に直線的に比例して電流変化量が増加した。0.04ppmの濃度に対して、約0.9μAの電流変化が得られた。このように、0.04ppmという従来報告されていない低濃度に対しても、十分な電流変化がみられたことから、NOの高感度な検知が可能なことを確認できた。本実施例の場合、図4の検量線の傾きAの値は、2.36×10-5A/ppmであった。比較例1.本比較例では、検知部に下記の化学式3で示される中心金属を有する単一ポルフィリン誘導体を用いた以下、化合物2という。接続部にはメルカプトフェニレンビニル基以下、MPV基という表現も用いるを用いた。中心金属Mには鉄を用いた。化合物2の合成化合物2は、ピロールとMPV基をもつアルデヒドとフェニレンビニレン基をもつアルデヒドを用いて、Rothemund法により合成した。ガス分子検知素子の作製化合物2を含む溶液を用いた以外は、実施例1と同様の方法によりガス分子検知素子を作製した。ガス分子検知素子の電気伝導性本比較例の検知素子は、0.4Vの印加電圧で、約1.1mAの電流が得られた。実施例1に比べると、約100分の1の大きさの電流であり、実施例1の検知素子よりも高抵抗であることがわかった。検知特性評価作製した検知素子を図2の検知体11に組み込み、実施例1の場合と同様にして、NO濃度を変化させ、検知素子の電流値の変化を測定した。図5に示すように、0.04ppmから20ppmの範囲で、NO濃度に直線的に比例して電流変化量が増加した。0.04ppmの濃度に対して、約0.2μAの電流変化が得られた。これは実施例1で得られた0.9μAの約1/4の大きさであった。比較例2.本比較例では、検知部に下記の化学式4で示される中心金属を有する単一ポルフィリン誘導体を用いた以下、化合物3という。接続部にはメルカプトビフェニル基以下、MBP基という表現も用いるを用いた。中心金属Mには鉄を用いた。化合物3の合成化合物3は、ピロールとMBP基をもつアルデヒドとフェニル基をもつアルデヒドを用いてRothemund法により作製した。ガス分子検知素子の作製化合物3を含む溶液を用いた以外は、実施例1と同様の方法によりガス分子検知素子を作製した。ガス分子検知素子の電気伝導性検知素子は、0.4Vの印加電圧で約0.57mAの電流が得られた。実施例1に比べると、約200分の1の大きさの電流であった。実施例1の検知素子よりも高抵抗であることがわかった。検知特性評価作製した検知素子を図2の検知体11に組み込み、実施例1の場合と同様にして、NO濃度を変化させ、検知素子の電流値の変化を測定した。図5に示すように、0.04ppmから20ppmの範囲で、NO濃度に直線的に比例して電流変化量が増加した。0.04ppmの濃度に対して、約0.1μAの電流変化が得られた。これは実施例1で得られた0.9μAの約1/8の大きさであった。比較例3.本比較例では、検知部に下記の化学式5で示される中心金属を有する単一ポルフィリン誘導体を用いた以下、化合物4という。接続部にはメルカプトフェニル基以下、MP基という表現も用いるを用いた。中心金属Mには鉄を用いた。化合物4の合成化合物4は、ピロールとメルカプトフェニル基をもつアルデヒドとフェニル基をもつアルデヒドを用いてRothemund法により作製した。ガス分子検知素子の作製化合物4を含む溶液を用いた以外は、実施例1と同様の方法によりガス分子検知素子を作製した。ガス分子検知素子の電気伝導性検知素子は、0.4Vの印加電圧で約0.042mAの電流が得られた。検知特性評価作製した検知素子を図2の検知体11に組み込み、実施例1の場合と同様にして測定を行った。しかし、NO濃度を変化させても、検知素子の電流値は変化しなかった。以上の結果を表1に示す。接続部としてMPE基を用いると、MPV基やMBP基を用いた場合よりも検知素子の電気伝導性が大幅に向上した。さらに、NO結合に伴うMPE基の電流変化量は、MPV基やMBP基と比べて約1桁向上した。電流変化量が向上することで、NO分子検出におけるノイズの影響を小さくすることができる。前述したように、上記の非特許文献2においては、テープポルフィリンの場合、MPE基、MPB基およびMPV基の間に電気伝導度の大きな差異があることは報告されていない。単一ポルフィリンおよび単一ポルフィリン誘導体において、接続部にMPE基を用いたことによる大きな電気伝導度および高感度のNO検出は本発明の特有の効果である。高感度NO検出が可能な理由としては、接続部にMPE基を用いた場合、ポルフィリン環のπ平面と、MPE基のπ平面との間の捩れ角が0度であり、広いπ共役平面を持つことにより電極との電気的接続が良好になったためと考えられる。これに対し、接続部にMPV基やMBP基を用いた場合、MPE基の場合に比し電気伝導度は低く、NO結合に伴う電流値の増加も少ない。ポルフィリン環のπ平面とMPB基のπ平面との捩れ角は66.7度、ポルフィリン環のπ平面とMPV基のπ平面との捩れ角は52.9度であり、MPE基の場合に比し、大きな捩れ角を有している。このことから、ポルフィリン環のπ平面との捩れがないことが、電極との電気的接続に寄与していると考えられる。実施例1に用いた以外の単一ポルフィリン誘導体であっても、平坦な構造であれば、接続部にMPE基を用いれば、ポルフィリン環のπ平面との捩れがなく、電極との電気的接続を向上させることが可能である。なお、捩れ角は、量子化学計算に基づく値である。また、分子長の影響も考えられる。MP基を用いた場合、検知部と接続部を合わせた分子の長さは、電極間のギャップ幅約2.5nmより短くなるため、検知部と接続部を電極間に架橋することができなかったと考えられる。一方、分子の長さがMPE基より長いMBP基では、トンネル伝導が減少して、電気伝導性が低下したものと考えられる。なお、量子化学計算に基づけば、分子長は、MPE基は2.6nm、MPV基は2.5nm、MBP基は3.0nm、MP基は2.1nmである。なお、同様のπ共役分子であるフタロシアニンはポルフィリンより大きいため、トンネル伝導が減少し、十分な特性が得られないと考えられる。したがって、NO分子検知素子として機能させるためには、検知部にポルフィリン分子を用いることが必要である。"