受光領域への入射光により電荷が生成され蓄積される複数のフォトダイオードと、一方の端子に少なくとも2つの前記フォトダイオードが接続され、オン状態/オフ状態に切り替える制御信号が入力される制御端子が共通接続された少なくとも1つの転送ゲートと、各々の前記転送ゲートの他方の端子が接続され、各々の前記転送ゲートが同時にオン状態に切り替わることにより、各々の前記フォトダイオードの前記電荷が同時に転送され集約し、各々の前記転送ゲートが同時にオフ状態に切り替わることにより、各々の前記フォトダイオードと遮断されるフローティングディフィージョンとを備え、前記フローティングディフィージョンから各々の前記フォトダイオードの前記受光領域の最遠部の間の最大距離が、規定の時間内で各々の前記フォトダイオードの前記電荷の全てが各々の前記フォトダイオードから前記フローティングディフィージョンに転送される距離である光電変換回路。しかしながら、BPDに濃度勾配をつけるためには、複数枚のマスクおよび複数回の製造工程が必要となるウェハプロセスとなるため、ウェハプロセスが複雑となる課題がある。この発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、BPDに濃度勾配を設ける特別なウェハプロセスを用いることなく、感度が高く規定の時間内にBPD内の信号電荷がFDに転送される光電変換回路を得るものである。この発明による光電変換回路は、受光領域への入射光により電荷が生成され蓄積される複数のフォトダイオードと、一方の端子に少なくとも2つの前記フォトダイオードが接続され、オン状態/オフ状態に切り替える制御信号が入力される制御端子が共通接続された少なくとも1つの転送ゲートと、各々の前記転送ゲートの他方の端子が接続され、各々の前記転送ゲートが同時にオン状態に切り替わることにより、各々の前記フォトダイオードの前記電荷が同時に転送され集約し、各々の前記転送ゲートが同時にオフ状態に切り替わることにより、各々の前記フォトダイオードと遮断されるフローティングディフィージョンとを備え、前記フローティングディフィージョンから各々の前記フォトダイオードの前記受光領域の最遠部の間の最大距離が、規定の時間内で各々の前記フォトダイオードの前記電荷の全てが各々の前記フォトダイオードから前記フローティングディフィージョンに転送される距離であるものである。この発明によれば、感度が高く規定の時間内にBPD内の信号電荷がFDに転送される光電変換回路が得られる。実施の形態1.図1は、この発明の実施の形態1における固体撮像回路の回路構成例である。画素回路100は、埋め込み型フォトダイオードBPD1、埋め込み型フォトダイオードBPD1に蓄積された電荷を転送する制御信号によりオン/オフする転送ゲートTG2および埋め込み型フォトダイオードBPD1に転送された電荷を蓄積するフローティングディフィージョンFD3で構成される光電変換回路31と、フローティングディフィージョンFD3の電圧を所定の電圧にリセットするためのリセットトランジスタMRST4、フローティングディフィージョンFD3の電圧を伝達するためのソースフォロワ用トランジスタM15と定電流源SF_BIAS6、フローティングディフィージョンFD3から伝達された信号電圧を蓄積する信号電圧用サンプルホールド回路SIGSH7、信号電圧用サンプルホールド回路SIGSH7の電圧を後段へ伝えるための信号伝達アンプSIGAMP8、フローティングディフィージョンFD3から伝達されたリセット信号を蓄積するリセット電圧用サンプルホールド回路RSTSH9、リセット電圧用サンプルホールド回路RSTSH9の電圧を後段へ伝えるためのリセット信号伝達アンプRSTAMP10により構成されている。この画素回路100は必要な読み取り画素数に対応して複数配置される。固体撮像回路200は、各画素回路100から出力される信号伝達アンプSIGAMP8の信号とリセット信号伝達アンプRSTAMP10の信号との出力差分をとり所定の利得を乗ずる作動可変利得アンプCDS21および固体撮像回路200の外部へ信号を伝達する出力アンプOUTAMP22で構成される。図1の動作説明を行う。まず、転送ゲートTG2を制御信号図示しないによりオフ状態とし、電荷が発生していない完全空乏状態の埋め込み型フォトダイオードBPD1の受光領域に光を照射し、埋め込み型フォトダイオードBPD1に電荷を蓄積する。リセットトランジスタMRST4をオンにすることでフローティングディフィージョンFD3の電圧を基準電圧へリセットし、リセットトランジスタMRST4をオフにする。リセットした電圧は、ソースフォロワ用トランジスタM15と定電流源SF_BIAS6によって構成されるソースフォロワを通して、リセット電圧用サンプルホールド回路RSTSH9へ蓄積される。次に、転送ゲートTG2を制御信号図示しないによりオン状態とし、埋め込み型フォトダイオードBPD1に蓄積された電荷をフローティングディフィージョンFD3へ転送する。フローティングディフィージョンFD3へ転送された信号電荷により変動した信号電圧は、ソースフォロワを通して、信号電圧用サンプルホールド回路SIGSH7へ蓄積される。信号電圧用サンプルホールド回路SIGSH7およびリセット電圧用サンプルホールド回路RSTSH9は、それぞれ信号伝達アンプSIGAMP8およびリセット信号伝達アンプRSTAMP10を通して、画素回路100の外部へ出力される。複数の画素回路100は各々の画素回路100に入力される出力制御信号図示しないにより順次排他的に出力され、順次に各々の画素回路100からのリセット電圧と信号電圧の差分出力が、作動可変利得アンプCDS21を通して出力され、さらに出力アンプOUTAMP22を介して固体撮像素子200の外部へ、順次出力される。図2は、この発明の実施形態1における光電変換回路の構造を示す上面図である。図2において、光電変換回路31は1個のフローティングディフィージョンFD3を挟んで2個の転送ゲートTG2が接続され、各々の転送ゲートTG2の両端に2個の埋め込み型フォトダイオードBPD1が接続されている構成となっており、結果、1個のフローティングディフィージョンFD3には4個の埋め込み型フォトダイオードBPD1が接続されている。また、図中の距離DはフローティングディフィージョンFD3から埋め込み型フォトダイオードBPD1の受光領域の一番離れた電荷eまでの距離を表し、ここでは、規定の読出し時間内に電荷eの完全転送が可能な距離に設定されている。図3は、図2において、A-B間の断面図及びポテンシャル図である。図3aは図2のA-B間の断面図であり、埋め込み型フォトダイオードBPD1はシリコンSi基板の表面側に埋め込まれたN拡散層およびN拡散層の表面を覆うP拡散層で構成されており、転送ゲートTG2が埋め込み型フォトダイオードBPD1およびフローティングディフィージョンFD3に隣接しており、フローティングディフィージョンFD3を挟んで転送ゲートTG2および埋め込み型フォトダイオードBPD1が配置される構造となっている。なお、2個の転送ゲートTG2の制御端子は共通接続されている。また、図3bおよび図3cは受光時のポテンシャル図および転送時のポテンシャル図を表す。図2の動作を説明する。フローティングディフィージョンFD3を基準電圧にリセット後、転送ゲートTG2をオフした状態で電荷eがない完全空乏化した埋め込み型フォトダイオードBPD1へ光を入射すると光電変換により電荷eが発生し、所定の蓄積時間が経過すると、埋め込み型フォトダイオードBPD1および転送ゲートTG2およびフローティングディフィージョンFD3のポテンシャルは図3bの状態となる。その後、転送ゲートTG2をオンにし、埋め込み型フォトダイオードBPD1の電荷eをフローティングディフィージョンFD3へ転送したときのポテンシャルは図3cとなる。ここで、電荷eが移動する距離Dは規定の読出し時間内に完全転送できるように決定しているので、電荷eが埋め込み型フォトダイオードBPD1に残ることはなく、フローティングディフィージョンFD3へ完全転送されるため、残像は発生しない。距離Dは、埋め込み型フォトダイオードBPD1からフローティングディフィージョンFD3へ電荷eが移動する速度×転送の時間で示され、即ち、電荷eが埋め込み型フォトダイオードBPD1内を移動する速度V1×電荷eが埋め込み型フォトダイオードBPD1内を移動する時間T1電荷eが埋め込み型フォトダイオードBPD1から転送ゲートTG2へ移動する速度V2×電荷eが埋め込み型フォトダイオードBPD1から転送ゲートTG2へ移動する時間T2電荷eが転送ゲートTG2からフローティングディフィージョンFD3へ移動する速度V3×電荷eが転送ゲートTG2からフローティングディフィージョンFD3へ移動する時間T3で示される。従って、埋め込み型フォトダイオードBPD1からフローティングディフィージョンFD3への転送時間は、T1T2T3となる。光電変換回路31の感度は、フローティングディフィージョンFD3への電荷eの注入前後の電圧変化量が大きいほど感度が高い。フローティングディフィージョンFD3への電荷eの注入前後の電圧変化量は、フローティングディフィージョンFD3への注入電荷eの電荷量/フローティングディフィージョンFD3の容量ソースフォロワ用トランジスタM15のゲート容量α周辺寄生容量で示される。従って、フローティングディフィージョンFD3への注入電荷、即ち、埋め込み型フォトダイオードBPD1に生成される電荷eの電荷量が多いほど画素31の感度が高くなる。埋め込み型フォトダイオードBPD1に生成される電荷eの電荷量を多くするためには、埋め込み型フォトダイオードBPD1の面積が広くなるが、それに伴い距離Dも長くなるため、埋め込み型フォトダイオードBPD1からフローティングディフィージョンFD3への転送時間が長くなるため、読出し時間が長くなり、短時間で動作させると残像が発生する。逆に、短時間で動作させるため、距離Dを短くすると、埋め込み型フォトダイオードBPD1の面積が狭くなり、光電変換回路31の感度が低下する。図2においては、規定の読出し時間で埋め込み型フォトダイオードBPD1からフローティングディフィージョンFD3へ電荷eが転送されるように距離Dを設定した埋め込み型フォトダイオードBPD1を、1個のフローティングディフィージョンFD3に4個接続しているため、規定の読出し時間で埋め込み型フォトダイオードBPD1からフローティングディフィージョンFD3へ電荷eが転送されると共に、4個の埋め込み型フォトダイオードBPD1の電荷eが1個のフローティングディフィージョンFD3に転送されるので、転送される電荷eの電荷量も1個の埋め込み型フォトダイオードBPD1よりも多くなり感度も高くなる。このように、この発明の実施の形態1においては、規定の読出し時間で埋め込み型フォトダイオードBPD1に発生した電荷eがフローティングディフィージョンFD3へ完全転送される高感度の光電変換回路が得られる。この発明の実施の形態1においては、1個のフローティングディフィージョンFD3の周囲に、4個の矩形状の埋め込み型フォトダイオードBPD1を矩形状に配置した構成としたが、前述した、規定の転送時間と所定のフローティングディフィージョンFD3への電荷e注入前後の電圧変化量を得るように、1個のフローティングディフィージョンFD3に複数の任意形状で所定の面積の埋め込み型フォトダイオードBPD1を接続するように構成しても良い。