基板とフォトマスクとの距離を所定の露光ギャップに設定するアライメント方法であって、前記フォトマスクは矩形であり、かつ、第1の辺と、前記第1の辺と対向する第2の辺とを含み、前記第1の辺の中点と前記基板との距離を前記露光ギャップに合わせ、前記第1の辺の中点と、前記第2の辺の中点とを結ぶ線を軸として前記フォトマスクを回転させることによって、前記第1の辺の両端のそれぞれと前記基板との距離を前記露光ギャップに合わせ、前記第1の辺を軸として前記フォトマスクを回転させることによって、前記第2の辺の中点と前記基板との距離を前記露光ギャップに合わせる、アライメント方法。さらに、前記フォトマスクを少なくとも2つの多角形から構成されていると近似し、第1の多角形内の少なくとも1点および第2の多角形内の少なくとも1点の位置を制御することにより、前記第1の辺の中点、前記第1の辺の両端および前記第2の辺の中点と前記基板との距離を前記露光ギャップに合わせる、請求項1に記載のアライメント方法。さらに、前記フォトマスクを前記基板に対して凸形状または凹形状に固定し、前記フォトマスクを少なくとも2つの多角形から構成されていると近似する、請求項2に記載のアライメント方法。前記フォトマスクを、2つの三角形から構成されていると近似する、請求項2または3のいずれか一項に記載のアライメント方法。基板に形成された感光性膜を、露光ギャップを隔てて配置された複数のフォトマスクを用いて分割露光するフラットパネルディスプレイの製造方法であって、前記複数のフォトマスクは、少なくとも第1のフォトマスクと第2のフォトマスクとを含み、前記第1のフォトマスクは矩形であり、かつ、第1の辺と、前記第1の辺と対向する第2の辺とを含み、前記第2のフォトマスクは矩形であり、かつ、第3の辺と、前記第3の辺と対向する第4の辺とを含み、前記分割露光される境界部において前記第1の辺の中点と前記基板との距離を前記露光ギャップに合わせ、前記第1の辺の中点と、前記第2の辺の中点とを結ぶ線を軸として前記第1のフォトマスクを回転させることによって、前記第1の辺の両端のそれぞれと前記基板との距離を前記露光ギャップに合わせ、前記第1の辺を軸として前記第1のフォトマスクを回転させることによって、前記第2の辺の中点と前記基板との距離を前記露光ギャップに合わせ、前記分割露光される境界部において前記第3の辺の中点と前記基板との距離を前記露光ギャップに合わせ、前記第3の辺の中点と、前記第4の辺の中点とを結ぶ線を軸として前記第2のフォトマスクを回転させることによって、前記第3の辺の両端のそれぞれと前記基板との距離を前記露光ギャップに合わせ、前記第3の辺を軸として前記第2のフォトマスクを回転させることによって、前記第4の辺の中点と前記基板との距離を前記露光ギャップに合わせる、フラットパネルディスプレイの製造方法。PDPの製造方法を例に説明がなされる。[1.PDP1の構造]PDPの基本構造は、一般的な交流面放電型PDPである。図1に示すように、PDP1は前面ガラス基板3などよりなる前面板2と、背面ガラス基板11などよりなる背面板10とが対向して配置されている。前面板2と背面板10とは、周縁がガラスフリットなどからなる封着材によって気密封着されている。封着されたPDP1内部の放電空間16には、ネオンNeおよびキセノンXeなどの放電ガスが53kPa400Torr~80kPa600Torrの圧力で封入されている。走査電極4および維持電極5は、それぞれインジウム錫酸化物ITO、酸化錫SnO2、酸化亜鉛ZnOなどの導電性金属酸化物からなる透明電極上にAgからなるバス電極が積層されている。背面ガラス基板11上には、表示電極6と直交する方向に、銀Agを主成分とする導電性材料からなる複数のデータ電極12が、互いに平行に配置されている。データ電極12は、下地誘電体層13に被覆されている。さらに、データ電極12間の下地誘電体層13上には放電空間16を区切る所定の高さの隔壁14が形成されている。隔壁14間の溝には、データ電極12毎に、紫外線によって赤色に発光する蛍光体層15、緑色に発光する蛍光体層15および青色に発光する蛍光体層15が順次塗布して形成されている。表示電極6とデータ電極12とが交差する位置に放電セルが形成されている。表示電極6方向に並んだ赤色、緑色、青色の蛍光体層15を有する放電セルがカラー表示のための画素になる。なお、本実施の形態において、放電空間16に封入する放電ガスは、10体積以上30体積以下のXeを含む。図2に示すように、フロート法などにより製造された前面ガラス基板3に、走査電極4と維持電極5よりなる表示電極6と遮光層7とが形成されている。走査電極4と維持電極5は、それぞれインジウムスズ酸化物ITOや酸化スズSnO2などからなる透明電極4a、5aと、透明電極4a、5a上に形成された金属バス電極4b、5bとにより構成されている。金属バス電極4b、5bは、銀Ag材料を主成分とする導電性材料によって形成されている。誘電体層8は、表示電極6および遮光層7を覆う第1誘電体層81と、第1誘電体層81を覆う第2誘電体層82の少なくとも2層の構成である。さらに、前面板2は、第2誘電体層82を覆う保護層9を有する。さらに誘電体層8の表面に保護層9が形成されている。保護層9は、下地層91と、金属酸化物の結晶粒子92aが複数凝集した凝集粒子92とを含む。[2.PDP1の製造方法][2-1.前面板2の形成]フォトリソグラフィ法によって、前面ガラス基板3上に、走査電極4および維持電極5とブラックストライプ7とが形成される。走査電極4および維持電極5は、導電性を確保するための銀Agを含む金属バス電極4b、5bを有する。また、走査電極4および維持電極5は、透明電極4a、5aを有する。金属バス電極4bは、透明電極4aに積層される。金属バス電極5bは、透明電極5aに積層される。透明電極4a、5aの材料には、透明度と電気伝導度を確保するためインジウム錫酸化物ITOなどが用いられる。まず、スパッタ法などによって、ITO薄膜が前面ガラス基板3に形成される。次にリソグラフィ法によって所定のパターンの透明電極4a、5aが形成される。金属バス電極4b、5bの材料には、銀Agと銀を結着させるためのガラスフリットと感光性樹脂と溶剤などを含む電極ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、電極ペーストが、前面ガラス基板3に塗布される。次に、乾燥炉によって、電極ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、電極ペーストが露光される。次に、電極ペーストが現像され、金属バス電極パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、金属バス電極パターンが所定の温度で焼成される。つまり、金属バス電極パターン中の感光性樹脂が除去される。また、金属バス電極パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融していたガラスフリットは、焼成後にガラス化する。以上の工程によって、金属バス電極4b、5bが形成される。ブラックストライプ7は、黒色顔料を含む材料により、形成される。次に、誘電体層8が形成される。誘電体層8の材料には、誘電体ガラスフリットと樹脂と溶剤などを含む誘電体ペーストが用いられる。まずダイコート法などによって、誘電体ペーストが所定の厚みで走査電極4、維持電極5およびブラックストライプ7を覆うように前面ガラス基板3上に塗布される。次に、乾燥炉によって、誘電体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、誘電体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、誘電体ペースト中の樹脂が除去される。また、誘電体ガラスフリットが溶融する。溶融していた誘電体ガラスフリットは、焼成後にガラス化する。以上の工程によって、誘電体層8が形成される。ここで、誘電体ペーストをダイコートする方法以外にも、スクリーン印刷法、スピンコート法などを用いることができる。また、誘電体ペーストを用いずに、CVDChemicalVaporDeposition法などによって、誘電体層8となる膜を形成することもできる。次に、誘電体層8上に保護層9が形成される。保護層9は、一例として、EBElectronBeam蒸着装置により形成される。保護層9の材料は、単結晶のMgOからなるペレットである。ペレットには、さらに不純物としてアルミニウムAl、珪素Si9などが添加されていてもよい。まず、EB蒸着装置の成膜室に配置されたペレットに電子ビームが照射される。電子ビームのエネルギーを受けたペレットは蒸発する。蒸発したMgOは、成膜室内に配置された誘電体層8上に付着する。MgOの膜厚は、電子ビームの強度、成膜室の圧力などによって、所定の範囲に収まるように調整される。なお、保護層9は、MgOの他にも酸化カルシウムCaOとの混合膜あるいは、酸化ストロンチウムSrO、酸化バリウムBaO、酸化アルミニウムAl2O3などの金属酸化物を含む膜を用いることができる。また、複数の種類の金属酸化物を含む膜を用いることもできる。以上の工程により前面ガラス基板3上に所定の構成部材を有する前面板2が完成する。[2-2.背面板10の形成]フォトリソグラフィ法によって、背面ガラス基板11上に、データ電極12が形成される。データ電極12の材料には、導電性を確保するための銀Agと銀を結着させるためのガラスフリットと感光性樹脂と溶剤などを含むデータ電極ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、データ電極ペーストが所定の厚みで背面ガラス基板11上に塗布される。次に、乾燥炉によって、データ電極ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、データ電極ペーストが露光される。次に、データ電極ペーストが現像され、データ電極パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、データ電極パターンが所定の温度で焼成される。つまり、データ電極パターン中の感光性樹脂が除去される。また、データ電極パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融していたガラスフリットは、焼成後にガラス化する。以上の工程によって、データ電極12が形成される。ここで、データ電極ペーストをスクリーン印刷する方法以外にも、スパッタ法、蒸着法などを用いることができる。次に、下地誘電体層13が形成される。下地誘電体層13の材料には、誘電体ガラスフリットと樹脂と溶剤などを含む下地誘電体ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、下地誘電体ペーストが所定の厚みでデータ電極12が形成された背面ガラス基板11上にデータ電極12を覆うように塗布される。次に、乾燥炉によって、下地誘電体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、下地誘電体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、下地誘電体ペースト中の樹脂が除去される。また、誘電体ガラスフリットが溶融する。溶融していた誘電体ガラスフリットは、焼成後にガラス化する。以上の工程によって、下地誘電体層13が形成される。ここで、下地誘電体ペーストをスクリーン印刷する方法以外にも、ダイコート法、スピンコート法などを用いることができる。また、下地誘電体ペーストを用いずに、CVDChemicalVaporDeposition法などによって、下地誘電体層13となる膜を形成することもできる。次に、フォトリソグラフィ法によって、隔壁14が形成される。隔壁14の材料には、フィラーと、フィラーを結着させるためのガラスフリットと、感光性樹脂と、溶剤などを含む隔壁ペーストが用いられる。まず、ダイコート法などによって、隔壁ペーストが所定の厚みで下地誘電体層13上に塗布される。次に、乾燥炉によって、隔壁ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、隔壁ペーストが露光される。次に、隔壁ペーストが現像され、隔壁パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、隔壁パターンが所定の温度で焼成される。つまり、隔壁パターン中の感光性樹脂が除去される。また、隔壁パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融していたガラスフリットは、焼成後にガラス化する。以上の工程によって、隔壁14が形成される。ここで、フォトリソグラフィ法以外にも、サンドブラスト法などを用いることができる。次に、蛍光体層15が形成される。蛍光体層15の材料には、蛍光体粒子とバインダと溶剤などとを含む蛍光体ペーストが用いられる。まず、ディスペンス法などによって、蛍光体ペーストが所定の厚みで隣接する隔壁14間の下地誘電体層13上および隔壁14の側面に塗布される。次に、乾燥炉によって、蛍光体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、蛍光体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、蛍光体ペースト中の樹脂が除去される。以上の工程によって、蛍光体層15が形成される。ここで、ディスペンス法以外にも、スクリーン印刷法などを用いることができる。以上の工程により、背面ガラス基板11上に所定の構成部材を有する背面板10が完成する。[2-3.前面板2と背面板10との組立]次に、前面板2と、背面板10とが組立てられる。まず、ディスペンス法によって、背面板10の周囲に封着材図示せずが形成される。封着材図示せずの材料には、ガラスフリットとバインダと溶剤などを含む封着ペーストが用いられる。次に乾燥炉によって、封着ペースト中の溶剤が除去される。次に、表示電極6とデータ電極12とが直交するように、前面板2と背面板10とが対向配置される。次に、前面板2と背面板10の周囲がガラスフリットで封着される。最後に、放電空間16にNe、Xeなどを含む放電ガスが封入されることによりPDP1が完成する。[3.リソグラフィ法の詳細]露光の際、フォトマスクと被露光基板との位置合わせアライメントが行われる。アライメントにずれが生じた場合、パターンが設計どおりに形成できなくなる。よって、PDP面内で画像表示状態が変化したり、外観でのムラが生じたりする。よって、アライメントには非常に高い精度が求められる。またPDPの大画面化の進展に伴い、一枚のフォトマスクの露光領域に収まらない広い領域を露光するため、複数のフォトマスクを用いる分割露光法が採用される。分割露光法においては、一方の分割露光領域と他方の分割露光領域とを結合している重複領域以下、つなぎ領域と称するが存在する。よって、一方の分割露光領域と他方の分割露光領域とのアライメントも必要となってくる。例えば、電極パターンのつなぎ領域に段差のようなずれが生じた場合は、本来直線形状であるはずの電極に対して、特定の領域に段差が生じる。段差は、電極長手方向の法線方向に連なって、外観上のスジ状のムラとなってしまう。ここに開示された技術はこのような課題を解決するものである。[3-1.分割露光法の詳細]図2および図4に示すように、矩形の基板51上には、感光性材料層52が形成されている。基板51と対向する位置に、第1のフォトマスク53および第2のフォトマスク54が配置されている。第1のフォトマスク53および第2のフォトマスク54は矩形である。なお、矩形とは、必ずしも幾何学的に完全な矩形であることを意味するものではない。フォトマスクの設計上の理由などにより、一部に出っ張りや、凹みなどがあっても、目視観察によって、概ね矩形と判断されるものである。ここで、基板51の面積は第1のフォトマスク53および第2のフォトマスク54に比べて大きい。よって、感光性材料層52は、分割露光される。つまり、第1のフォトマスク53によって露光される領域と、第2のフォトマスク54によって露光される領域に分割される。図3に示すように、基板51の左側には、第1のフォトマスク53が露光ギャップを隔てて感光性材料層52の上部に配置されている。図2および図4に示すように、第1のフォトマスク53および第2のフォトマスク54には開口部55が設けられている。開口部55を通して第1のフォトマスク53および第2のフォトマスク54の上方に設けられた露光光源図示せずから、感光性材料層52に対して光が照射される。第1のフォトマスク53によって、左側の第1の露光領域52aが形成される。図5に示すように、第2のフォトマスク54によって、右側の第2の露光領域52bが形成される。第1の露光領域52aと第2の露光領域52bとの間につなぎ領域52cが形成される。なお、本実施の形態では、感光性材料層52の未露光領域が次の現像工程で除去される。また、基板51の長辺側の上下端部および中央部それぞれには、十字形状のアライメントマーク図示せずが設けられている。アライメントマークを用いることにより、基板51と、第1のフォトマスク53および第2のフォトマスク54との位置合わせができる。分割露光法をPDPの製造に適用する場合、一例として、前面板2のアライメントマークは、透明電極4a、5aを前面ガラス基板3に形成する際にITOにより同時に形成できる。また背面板10のアライメントマークは、データ電極12を背面ガラス基板11に形成する際にAgなどの導電材料により同時に形成できる。[3-2.アライメント方法]アライメントは、基板51と第1のフォトマスク53および第2のフォトマスク54との相対位置を補正することによって行われる。補正は、位置補正と傾き補正によって行われる。[3-2-1.位置補正]図6には、直交座標系x-yが示されている。位置補正は、x-y軸および回転方向θの位置を補正することである。図6に示すように、第1のフォトマスク53の四隅には、可視光を透過するウィンドウW11、W12、W13およびW14が設けられている。第2のフォトマスク54の四隅には、W21、W22、W23およびW24が設けられている。露光装置は、W11~W24を介して略十字形のアライメントマーク図示せずを認識する。続いて、アライメントマークが所定の位置にくるように、第1のフォトマスク53および第2のフォトマスク54が移動される。アライメントマークは、カメラなどによる画像処理の手法などにより、認識される。[3-2-2.傾き補正]次に、第1のフォトマスク53および第2のフォトマスク54の傾き補正が行われる。露光装置には、W11~W24を介して、基板51と対向する位置にレーザ変位計図示せずが配置されている。レーザ変位計は、レーザの反射光および透過光からフォトマスクと基板との距離である露光ギャップを測定する。第1のフォトマスク53には位置P11、P12およびP13に露光ギャップを調整するための機構であるアクチュエータが設けられている。第1のフォトマスク53には、位置P21、P22およびP23にアクチュエータが設けられている。露光装置の制御機構に数値を入力することによって、アクチュエータが動作する。アクチュエータの動作によって、露光ギャップが変化する。P11、P12およびP13は、図6に示す直交座標系x-yにおいて異なる座標に配置されている。よって、傾き補正可能範囲が大きくなる。P21、P22およびP23についても同様である。本実施の形態にかかる露光装置は、6つの位置における露光ギャップを入力できる。つまり図7に示すように、P11に対してh11、P12に対してh12、P13に対してh13、P21に対してh21、P22に対してh22、P23に対してh23のそれぞれに露光ギャップを入力できる。例えば、露光ギャップを500μmとしたい場合、h11、h12、h13、h21、h22およびh23に500μmを入力する。しかしながら、実際の第1のフォトマスク53および第2のフォトマスク54は平面ではない。つまり、反りやうねりを有した曲面である場合が多い。第1のフォトマスク53および第2のフォトマスク54は、従来と比較して大面積のガラス基板から製造されているためである。つまり、理想的な露光ギャップの値を露光装置に入力したとしても、実際の露光ギャップは異なる値になる場合がある。したがって、理想的な露光ギャップになるような、露光ギャップの設定値を求めることが重要である。さらに、分割露光の場合は、つなぎ領域52cでパターンのズレが起きないように第1のフォトマスク53および第2のフォトマスク54の位置補正および傾き補正を行うことが重要である。特に、つなぎ領域52cでの露光ギャップを同等にすることが重要である。つまり、つなぎ領域52cでの露光ギャップが同等でない場合は、つなぎ領域52cの両側で異なる幅のパターンが形成される場合がある。よって、つなぎ領域52cにおいてパターンが滑らかにつながらない。従って、つなぎ領域52cでの露光ギャップ調整には高い精度が求められる。[3-2-3.実施例]第1のフォトマスク53および第2のフォトマスク54が露光装置にセットされる。第1のフォトマスク53および第2のフォトマスク54は露光装置内のフォトマスクフォルダ図示せずに吸着されている。吸着面は露光領域に干渉されない領域に設けられている。それぞれの吸着箇所には、第1のフォトマスク53および第2のフォトマスク54に対して3次元方向に移動自在な機構が設けられている。よって、第1のフォトマスク53および第2のフォトマスク54に意図的に撓みを生じさせた状態で、第1のフォトマスク53および第2のフォトマスク54それぞれを独立して移動および固定できる。本実施の形態では、露光装置内に配置された基板51に対して、第1のフォトマスク53および第2のフォトマスク54が全体として凸形状または凹形状となるように固定されることが好ましい。これにより、フォトマスク交換時においても後述するアライメント方法が使用可能になる。上述の手順で位置補正がされた後、傾き補正がされる。本実施例は露光ギャップの算出方法に特徴がある。まず、第1のフォトマスク53が複数の多角形により構成されると近似される。次に、複数の多角形上に、P11、P12およびP13が存在すると仮定される。さらに、つなぎ領域52cの露光ギャップが設定値になるように、h11、h12およびh13が算出される。算出された値が、露光装置に入力される。したがって、つなぎ領域52cの露光ギャップの設定値からのズレを最小限に保ちつつ、つなぎ領域52cと反対側の領域においても露光ギャップとのズレを最小限に止めることができる。第2のフォトマスク54についても同様である。[4.計算例]具体的な計算例が示される。まず、図8について詳細に説明される。図8は、基板51と第1のフォトマスク53との関係が模式的に示された図である。図8において、基板51が配置された面が基板面と仮想されている。基板面に対して露光ギャップの設定値とする面が露光ギャップ面である。つまり図8における直方体の上面が露光ギャップ面である。さらに、第1のフォトマスク53が二つの多角形である三角形として近似されている。図8のx-y-z直交座標系において、図6に示されたW11は、AAx、Ay、Azに置き換えられている。以下同様に、W12は、BBx、By、Bzに置き換えられている。W13は、CCx、Cy、Czに置き換えられている。W14は、DDx、Dy、Dzに置き換えられている。P11は、PPx、Py、Pzに置き換えられている。ADの中点は、EEx、Ey、Ezである。BCの中点は、FFx、Fy、Fzである。第2のフォトマスク54とのつなぎ領域52cは線分BC側である。露光ギャップ面でのz座標は、Gzである。つまり、Gzは、露光ギャップ設定値である。さらに、P12は、QQx、Qy、Qzに置き換えられている。P13は、RRx、Ry、Rzに置き換えられている。計算される数値は、Pz、QzおよびRzである。図9に示すように、基板面中心は、原点O0、0、0とされる。[4-1.第1の回転補正値の算出]まず、位置補正が完了したときのA、B、CおよびDの座標が求められる。次に、第1の回転補正値ΔZ2が算出される。まず、FzがGzになるときの補正値ΔZ1が算出される。つまり、ΔZ1は、第1のフォトマスク53がZ軸に沿って平行移動するときの補正値である。FはBCの中点であるから、Fzは、Fz=BzCz/2である。よって、ΔZ1=Gz-BzCz/2である。次に、BzおよびCzがGzとなるときの第1の回転補正値ΔZ2が算出される。つまり、ΔZ2は、第1のフォトマスク53がFおよびEを通る直線を中心軸として回転するときの補正値である。BzおよびCzがGzとなるときは、BzΔZ1ΔZ2=Gz、および、CzΔZ1-ΔZ2=Gz、が成り立つ。よって、ΔZ2=Cz-Bz/2である。[4-2.第2の回転補正値の算出]第1の回転補正値ΔZ2による補正がされたと仮定する。このとき、Aのz座標Az’は、Az’=AzΔZ1ΔZ2=AzGz-Bz、である。Dのz座標Dz’は、Dz’=DzΔZ1-ΔZ2=DzGz-Cz、である。次に、次に、EzがGzとなるときの第2の回転補正値ΔZ3が算出される。つまり、ΔZ3は、第1のフォトマスク53がBおよびCを通る直線を中心軸として回転するときの補正値である。EzがGzとなるときは、EzΔZ1ΔZ3=Gz、が成り立つ。Ez=AzDz/2であることから、ΔZ3=-AzBzCz-Dz/2、となる。第2の回転補正値ΔZ3による補正がされたと仮定する。このとき、Aのz座標Az’’は、Az’’=Az’ΔZ3=GzAz-BzCz-Dz/2、となる。Dのz座標Dz’’は、Dz’’=Dz’ΔZ3=Gz-AzBz-CzDz/2、である。また、このときのBzおよびCzはGzのままである。つまり、本実施例においては、第1の辺であるBCの中点Fと基板51との距離を露光ギャップGzに合わせる。次に、Fと、第2の辺であるADの中点Eとを結ぶ線を軸として第1のフォトマスク53を回転させることによって、BCのそれぞれと基板51との距離を露光ギャップGzに合わせる。次にBC軸として第1のフォトマスク53を回転させることによって、Eと基板51との距離を露光ギャップGzに合わせる。以上の動作により、第1のフォトマスク53のつなぎ領域52cに対応する領域を露光ギャップ設定値に合わせ、かつ、つなぎ領域52cと反対側の領域も、露光ギャップ設定値に可能な限り近づけたと仮定したときのA、B、CおよびDの座標が求められた。なお厳密には、第1のフォトマスク53を回転させた際に、A、B、CおよびDのx、y座標も移動することになる。しかしながらフォトマスクのx、y軸方向の大きさと比較して、z方向の移動量が二桁程度小さいので、x、y方向への移動量は無視できる。[4-3.入力値の算出]次にPz、Qz、Rzが算出される。Px、Py、Qx、Qy、RxおよびRyは位置補正がされた時点で既に決定されている。本実施例において、P、QおよびRの全てが、三角形BCDまたは三角形ABDに位置しないように構成された。つまり、P、QおよびRのいずれかは、三角形BCD内に位置する。かつ、P、QおよびRのいずれかは、三角形ABD内に位置する。一例として、図8および図9に示すように、PおよびRは、三角形ABD内に位置する。Qは、三角形BCD内に位置する。[4-3-1.Pzの算出]AとDを結ぶベクトルをSとし、AとBを結ぶベクトルをTとしたとき、S=Dx-Ax、Dy-Ay、Dz-Az、T=Bx-Ax、By-Ay、Bz-Az、となる。ベクトルSおよびベクトルTに垂直なベクトルUを求めると、U={Dy-AyBz-Az-By-AyDz-Az、Dz-AzBx-Ax-Bz-AzDx-Ax、Dx-AxBy-Ay-Bx-AxDy-Ay}、となる。従って、三角形ABDを含むベクトルUに垂直な平面は、定数kを用いて、{Dy-AyBz-Az-By-AyDz-Az}X{Dz-AzBx-Ax-Bz-AzDx-Ax}Y{Dx-AxBy-Ay-Bx-AxDy-Ay}Zk=0、とかける。三角形ABDは、Dを通るので、定数kを求めると、k={Dy-AyBz-Az-By-AyDz-Az}Dx{Dz-AzBx-Ax-Bz-AzDx-Ax}Dy{Dx-AxBy-Ay-Bx-AxDy-Ay}Dz、となり、三角形ABDが作る平面が得られる。Pは、三角形ABD上の点であるから、上記の式および既に決定されているPxおよびPyを用いて、Pzを算出できる。Rについても同様である。同様に三角形BCDについても、定数hを用いて、{By-CyDz-Cz-Dy-CyBz-Cz}X{Bz-CzDx-Cx-Dz-CzBx-Cx}Y{Bx-CxDy-Cy-Dx-CxBy-Cy}Zh=0、とかける。ここで、h={By-CyDz-Cz-Dy-CyBz-Cz}Dx{Bz-CzDx-Cx-Dz-CzBx-Cx}Dy{Bx-CxDy-Cy-Dx-CxBy-Cy}Dz=0、である。そして、Qは、三角形BCD上の点であるから、上記の式および既に決定されているQxおよびQyを用いて、Qzを計算することができる。以上の計算によりA、B、CおよびDの座標からP、QおよびRを得ることができる。なお、A、B、CおよびDの座標については、上記フォトマスクの傾き補正で算出された座標を用いる。言い換えると、つなぎ領域52cの露光ギャップの設定値からのズレを最小限に保ちつつ、つなぎ領域52cと反対側の領域においても露光ギャップとのズレを最小限に止めたときの第1のフォトマスク53におけるA、B、CおよびDの座標に移動させるためのPz、QzおよびRzが求められた。算出されたPz、QzおよびRzを露光装置に入力することにより傾き補正を実施する。第2のフォトマスク54についても同様の補正が実施される。本実施例においては、第1のフォトマスク53および第2のフォトマスク54が2つの三角形から構成されていると近似して補正値の算出がされた。しかし、実際の、第1のフォトマスク53および第2のフォトマスク54は必ずしも2つの三角形から構成されていない場合がある。よって、傾き補正後の露光ギャップを測定することにより、設定値からの差分を求める。差分を反映させて再度、補正値を算出することで、より露光ギャップの設定値に近づけることができる。なお、本実施の形態にかかる露光装置においては、W11~W24のそれぞれに露光ギャップを設定する機構は有さない。これは、同じ露光装置で、画面サイズの異なる様々なPDPを製造可能にするためである。つまり、フォトマスクの四隅ではなく、様々な機種に対応する共通領域の3点にてフォトマスクの傾き補正ができる。これにより、製造工程での機種切替え時間ロスが低減される。[5.まとめ]本実施の形態におけるFPDの製造方法は、基板51に形成された感光性膜である感光性材料層52を、露光ギャップGzを隔てて配置された複数のフォトマスクを用いて分割露光する。複数のフォトマスクは、少なくとも第1のフォトマスク53と第2のフォトマスク54とを含む。第1のフォトマスク53は矩形であり、かつ、第1の辺と、第1の辺と対向する第2の辺とを含む。第2のフォトマスク54は矩形であり、かつ、第3の辺と、第3の辺と対向する第4の辺とを含む。まず、分割露光される境界部であるつなぎ領域52cにおいて第1の辺の中点と基板51との距離を露光ギャップGzに合わせる。次に、第1の辺の中点と、第2の辺の中点とを結ぶ線を軸として第1のフォトマスク53を回転させることによって、第1の辺の両端のそれぞれと基板51との距離を露光ギャップGzに合わせる。次に、第1の辺を軸として第1のフォトマスク53を回転させることによって、第2の辺の中点と基板51との距離を露光ギャップGzに合わせる。続いてつなぎ領域52cにおいて第3の辺の中点と基板51との距離を露光ギャップGzに合わせる。次に、第3の辺の中点と、第4の辺の中点とを結ぶ線を軸として第2のフォトマスク54を回転させることによって、第3の辺の両端のそれぞれと基板51との距離を露光ギャップGzに合わせる。次に、第3の辺を軸として第2のフォトマスク54を回転させることによって、第4の辺の中点と基板51との距離を露光ギャップGzに合わせる。上記の方法によれば、つなぎ領域52cの露光ギャップGzからのズレを最小限に保ちつつ、つなぎ領域52cと反対側の領域においても露光ギャップGzとのズレを最小限に止めることができる。なお、本実施の形態において、第1のフォトマスク53および第2のフォトマスク54は、2つの三角形から構成されると近似された。しかし、本発明はこれには限られない。三角形の他にも、適宜その他の多角形から構成されると近似してもよい。また、第1のフォトマスク53および第2のフォトマスク54が3つ以上の三角形から構成されると近似することもできる。さらに、本実施の形態において、露光される領域が2つに分割された分割露光が示された。しかし、本発明はこれには限られない。露光される領域が3つ以上に分割された分割露光においても、同様の方法の適用が可能である。