蓄電層が正電極及び負電極の層で挟まれたシート状電池であって、少なくとも上記蓄電層が半導体特性を有するシート状電池をリペアする、シート状電池のリペア装置において、上記正電極及び上記負電極間に電気的刺激を印加する電気的刺激源と、上記電気的刺激の印加時における上記シート状電池の電気特性を測定する電気特性測定手段と、測定された電気特性をも参酌しながら、上記電気的刺激源による電気的刺激の値を指示する制御手段とを有することを特徴とするシート状電池のリペア装置。上記正電極及び上記負電極間に印加する電気的刺激が、上記半導体特性における逆バイアス方向の電流刺激であることを特徴とする請求項1に記載のシート状電池のリペア装置。上記正電極及び上記負電極間に印加する電気的刺激が、上記半導体特性における逆バイアス方向の電圧刺激であることを特徴とする請求項1に記載のシート状電池のリペア装置。上記正電極及び上記負電極間に印加する電気的刺激が、上記半導体特性における逆バイアス方向の電力刺激であることを特徴とする請求項1に記載のシート状電池のリペア装置。上記正電極及び上記負電極間に印加する電気的刺激が、上記半導体特性における順バイアス方向の電流刺激であることを特徴とする請求項1に記載のシート状電池のリペア装置。上記正電極及び上記負電極間に印加する電気的刺激が、上記半導体特性における順バイアス方向の電圧刺激であることを特徴とする請求項1に記載のシート状電池のリペア装置。上記正電極及び上記負電極間に印加する電気的刺激が、上記半導体特性における順バイアス方向の電力刺激であることを特徴とする請求項1に記載のシート状電池のリペア装置。上記正電極及び上記負電極間に印加する電気的刺激の上限を制限するリミット手段をさらに有することを特徴とする請求項1に記載のシート状電池のリペア装置。上記電気的刺激源は、上記半導体特性における逆バイアス方向の電流刺激、上記半導体特性における逆バイアス方向の電圧刺激、上記半導体特性における順バイアス方向の電流刺激、上記半導体特性における順バイアス方向の電圧刺激のうちの2以上に対応できるものであり、上記制御手段は、上記電気的刺激源が対応できる全種類の電気的刺激を順次、上記正電極及び上記負電極間に印加させるように制御することを特徴とする請求項1に記載のシート状電池のリペア装置。上記シート状電池を放電させて空充電状態に変化させる空充電化手段を備えると共に、上記制御手段は、電気的刺激の種類を切り換える際には、上記空充電化手段による動作を実行させた後、新たな種類の電気的刺激を、上記正電極及び上記負電極間に印加させることを特徴とする請求項9に記載のシート状電池のリペア装置。しかしながら、上述した特許文献1~特許文献3による太陽電池のリペアは、太陽電池の櫛形電極へのコンタクトによる電圧源での電気的刺激しか示されていない。すなわち、従来では、電極が櫛形電極になっていない量子電池などのシート状電池に対してどのようにリペアすれば良いか、開示や示唆したものは存在しない。本発明は、以上の点に鑑みなされたものであり、半導体特性を持つシート状電池の欠陥を適切に修復、無害化できるシート状電池のリペア装置を提供しようとしたものである。かかる課題を解決するため、本発明は、蓄電層が正電極及び負電極の層で挟まれたシート状電池であって、少なくとも上記蓄電層が半導体特性を有するシート状電池をリペアするシート状電池のリペア装置において、1上記正電極及び上記負電極間に電気的刺激を印加する電気的刺激源と、2上記電気的刺激の印加時における上記シート状電池の電気特性を測定する電気特性測定手段と、3測定された電気特性をも参酌しながら、上記電気的刺激源による電気的刺激の値を指示する制御手段とを有することを特徴とする。本発明によれば、半導体特性を持つシート状電池の欠陥を適切に修復、無害化できるシート状電池のリペア装置を提供できる。A主たる実施形態以下、本発明によるシート状電池のリペア装置の一実施形態を、図面を参照しながら説明する。リペア対象は、半導体特性を持つシート状電池であれば良いが、以下では量子電池を例に、実施形態に係るリペア装置を説明する。A-1リペア対象となり得るシート状電池の説明図1は、リペア対象であるシート状電池の積層構造を示す説明図である。リペア対象のシート状電池は、二次電池として実用化されるものに限らず、一次電池として実用化されるものであっても良い。以下では、シート状電池が二次電池であるとして説明する。また、リペア対象は、シート状平行平板状の電池であれば良い。例えば、図1に示すように、蓄電部として機能する蓄電層2が、正電極4及び負電極3の層で挟まれた固体によるシート状電池1であれば、リペア対象とすることができる。図1では、シート状電池1が基材5に取り付けられ、正電極4及び負電極3にそれぞれ、正極端子7及び負極端子6が取り付けられた状態を示している。例えば、光励起構造変化を利用した上述した量子電池をリペア対象とすることができる。以下、リペア対象となり得る、光励起構造変化を利用した量子電池を簡単に説明する。量子電池における蓄電層を、その特質に鑑み、充電層と呼ぶこととする。充電層は、充電動作で電子を蓄え、放電動作で蓄電電子を放出し、充放電がなされない状態で電子を保持蓄電している層であり、光励起構造変化技術が適用されて形成される。光励起構造変化は、例えば、国際特許出願JP2006/322011に記載されており、その出願の発明者である中澤明氏本願の発明者でもあるが見出した現象技術である。すなわち、中澤明氏は、所定値以上のバンドギャップを持つ半導体であって透光性をもつ金属酸化物が、絶縁被覆された状態で有効な励起エネルギーを与えられると、バンドギャップ内に電子不在のエネルギー準位が多数発生することを見出した。量子電池は、これらのエネルギー準位に電子を捕獲させることで充電し、捕獲した電子を放出させることで放電するものである。量子電池の場合、正電極4は、電極本体層4Aと、充電層2に接するように形成されたp型金属酸化物半導体層4Bとを有する。p型金属酸化物半導体層4Bは、電極本体層4Aから充電層2への電子の注入を防止するために設けられている。負電極3及び正電極4の電極本体層4Aは導電層として形成されたものであれば良い。充電層2は、絶縁被膜で覆われたn型金属酸化物半導体の微粒子が、負電極3に対して薄膜状に付着され、n型金属酸化物半導体が紫外線照射によって光励起構造変化を起こし、電子を蓄えることができるように変化したものである。A-2量子電池の等価素子表現量子電池の動作メカニズムは未だ完全には解明されていないが、等価的にはダイオードの接合部にあたる部分に電子を蓄える中間的な準位を持つ構造になっていると考えられている。図2は、量子電池の等価素子表現を示している。図2Aは、電子が充電されていない空状態の量子電池の単位部分を表現しており、抵抗とダイオードとの直列回路で表すことができる。図2Bは、充電中の状態の量子電池の単位部分を表現しており、抵抗と、ダイオードと、このダイオードのカソードに端子を接続した電池直流電源の直列回路で表すことができる。図2Cは、放電中の状態の量子電池の単位部分を表現しており、抵抗と、この抵抗に端子を接続した電池直流電源の直列回路で表すことができる。量子電池そのものが新しいデバイスなので、その素子記号はないが、ここでは、図2Dに示すような等価素子表現を適用する。すなわち、量子電池を、抵抗と、ダイオード及び電池が融合された素子との直列回路で表す。ダイオード及び電池が融合された素子を、図2Dでは、ダイオードのカソード側を表す横線と、電池の正極を表す横線を共通にした表現を適用している。なお、上述した抵抗には、両側電極との接合抵抗や、電極の持つ抵抗も含まれている。量子電池はこのような等価素子が多数並列接続された構造になっていると表現できる。但し、厳密に言えば、漏れ電流の原因となる抵抗Rleakも並列に接続される形となるが、ここでは、その抵抗値が充分に大きいとして省略してある。A-3実施形態におけるリペア電気的リペアの考え方量子電池などのシート状平行平板構造のデバイスでは、ピンホールの発生に起因して、層間が短絡したり、異物や不要な空隙が形成されたりする欠陥が生じることがある。また、量子電池の充電層の成膜には塗布熱分解法を適用しており、塗布熱分解法で成膜された充電層は、充電層及びその界面に原子と電子の結合が不充分な分子が存在する恐れもある。この実施形態では、量子電池が半導体特性を持つことに鑑み、上述のような欠陥を修復リペアするために、逆バイアスと順バイアスの2通りの電気的刺激を与えることとした。因みに、LIBのような化学電池では、逆極性での印加は、安全性、信頼性に重大な影響を及ぼすことがある。量子電池への逆バイアス印加では、半導体のVBDブレークダウン電圧まで、あるいは、充電層のVWS耐電圧かVED静電破壊電圧まで電気的刺激を与えることが可能である。通常、VWSやVEDはVBDに比べて充分に高い電圧である。A-4実施形態のリペア装置の構成次に、実施形態のリペア装置の構成を説明する。図3は、実施形態のリペア装置の構成を示すブロック図である。実施形態のリペア装置10は、Iモード電流モードリペア部20と、Vモード電圧モードリペア部30と、モード選択スイッチ40、41と、リペア対象接続スイッチ42と、負荷抵抗43と、コントローラ44とを有する。Iモードリペア部20は、コントローラ44の制御下で、リペア対象の量子電池1にリペアさせるための電流を印加する流すものである。この明細書においては、電流の作用によってリペアさせるモードをIモードと呼んでいる。Iモードリペア部20は、可変電流源21と、電流リミット回路22と、電圧計23とを有する。可変電流源21は、コントローラ44の制御下で、量子電池1に印加する電流を供給するものであり、その供給電流を可変できるだけでなく、供給電流の向きをも可変できるものである。電流リミット回路22は、コントローラ44の制御下で、量子電池1へ流れる電流の上限を制限するものであり、これにより、余計な過電流が量子電池1に流れることを防止できる。電圧計23は、量子電池1へ電流を供給している際の量子電池1の両端電圧を検出するものであり、その検出電圧はコントローラ44に与えられるようになされている。Vモードリペア部30は、コントローラ44の制御下で、リペア対象の量子電池1にリペアさせるための電圧を印加するものである。この明細書においては、電圧の作用によってリペアさせるモードをVモードと呼んでいる。Vモードリペア部30は、可変電圧源31と、電圧リミット回路32と、電流計33とを有する。可変電圧源31は、コントローラ44の制御下で、量子電池1に印加する電圧を生成するものであり、その印加電圧を可変できるだけでなく、印加電圧の向き順バイアス、逆バイアスをも可変できるものである。電圧リミット回路32は、コントローラ44の制御下で、量子電池1へ印加する電圧の上限を制限するものであり、これにより、余計な過電圧が量子電池1に印加されることを防止できる。電流計33は、量子電池1へ電圧を印加している際の量子電池1に流れる電流を検出するものであり、その検出電流はコントローラ44に与えられるようになされている。一対のモード選択スイッチ40及び41は、コントローラ44の制御下で連動して切り替わるものであり、Iモードリペア部20又はVモードリペア部30の一方を量子電池1に接続させるものである。リペア対象接続スイッチ42は、コントローラ44の制御下で、リペア対象の量子電池1を、そのとき選択されているIモードリペア部20又はVモードリペア部30に接続させ、若しくは、リペア対象の量子電池1を、Iモードリペア部20やVモードリペア部30から切り離すものである。負荷抵抗43は、リペア対象の量子電池1がIモードリペア部20やVモードリペア部30から切り離されている場合に量子電池1に接続され、量子電池1を放電させて空充電状態にするためのものである。コントローラ44は、当該電気的リペア装置10の全体の動作を制御するものである。コントローラ44の制御方法については、以下で明らかにする。ここで、量子電池1と電気的リペア装置10との接続は、量子電池1の正極端子7及び負極端子6に対して、電気的リペア装置10の端子を接続させる方法を適用できる。正極端子7に対する端子接続に代え、正電極4の表面に、基端が共通に接続されている複数のプローブの先端を接触させる方法であっても良い。また、正電極4の表面に、1つのプローブを接触させ、その接触位置の変更をコントローラ44が指示するものであっても良い。基材5から取り外された量子電池1であれば、負電極3についても、表面へのプローブ接触を利用するようにしても良い。A-5逆バイアス印加のリペア図4は、逆バイアス印加におけるリペアを模式的に表している。逆バイアス印加によるリペアも、IモードリペアとVモードリペアとを適用でき、図4は、IモードリペアをVモードリペアより先に実行した場合を示している。なお、図4において、ハッチを付与した素子表記箇所が欠陥箇所を表しており、ダイオード素子表記にハッチを付与した欠陥はダイオード特性を多少残している欠陥を表し、矩形にハッチを付与した欠陥はダイオード特性を呈しない欠陥を表している。ジュール熱による修復は、基本的には短絡部に電流を流し込むことにより発生するジュール熱で、短絡を生じさせている異物を蒸発させて開放したり、黒化酸化させて絶縁させたりする。短絡部の場所が判っている場合には、その場所に対して電流源をコンタクトさせれば良いが、たとえ、場所が判っていなくとも、負電極3と正電極4の抵抗値が充分に低いために、電圧降下も殆どなく電流は短絡部に集中して流れて、その部分にジュール熱を発生させることが可能となる。短絡があると、電流の印加により発生する電極間の電圧は低いが、短絡部が修復されると電圧値が高くなる。但し、短絡部の状況によっては、一挙には開放とはならずに、ある有限の抵抗値に変化する場合もある。次に、電子結合が不充分で半導体として充分に動作していない部分に、VBGバンドギャップ相当の電圧を逆バイアスで印加すると、不充分な結合電子が原子から切れて開放に近い状態になると考えられる。なお、量子電池1の充電層2は酸化物金属による半導体からなっており、酸化物金属に電子が結合されていないと半導体とならずに絶縁体になっている。なお、充電層2の材質として、複数種の半導体がある場合には、それらに応じて異なったVBG1、VBG2、...符号の数字部分が小さいほうが値も小さいとするが存在し、それぞれの半導体固有のVBD1、VBD2、...が存在し、VBGよりも充分に大きな値となっている。逆バイアス印加の場合、上述したように、可変電流源21からの電流による、短絡部に対するジュール熱によるリペアIモードリペアが試みられる。電流の印加方向は、図4Bに示すように、負電極3、充電層2及び正電極4の順に流れる方向である。この際には、コントローラ44は、量子電池1の電極3及び4間の電圧を、電圧計23で監視しながら、VBGiVBG1、VBG2、...のうちで今意図しているものを超えない電圧になるまで、電流値を徐々に大きくして行き、VBGiを超えれば即座に電流値をゼロに戻すように制御する。コントローラ44は、電流を増やす度にある一定時間を保持してジュール熱が短絡部に充分に伝わるようにし、その期間中であっても測定電圧値が変化してVBGiを超えれば電流値をゼロに戻すようにする。電流をゼロに戻した際に、コントローラ44が、電極3及び4間の電圧がゼロになるように制御すれば例えば、抵抗を介してリセットさせたり、ゼロ電圧源を接続したりする;図3は前者の場合の構成を示している、逆バイアス印加で発生した量子電池1の残留電荷をゼロにしたり不要な充電を空にしたりすることができ、次のステップを実行する際にデバイス量子電池ヘの予想外のダメージを与えずに済む。また、短絡部が非常に強固でジュール熱により修復されない場合、電圧値が上昇せずに電流が流れ続けて焼損して量子電池1を破壊する可能性があるので、予め電流を連続して流す上限の時間を設定しておき、コントローラ44が内部タイマの計時時間がこの上限時間に達したときに、電流をゼロに戻すようにすれば焼損を防ぐことができる。図5は、上述した逆バイアスのIモードリペアの動作を実行させるコントローラ44の処理を示すフローチャートである。動作内容は既に説明しているので、図5を用いた詳細説明は省略するが、図5でのパラメータ表記を説明すると以下の通りである。Iは印加電流を、Istartは最初の印加電流を、ΔIは印加電流の増加分を表している。TI1は印加電流Iの値に拘らず印加電流を流す上限時間TI1maxを計時するためのタイマ値を表しており、単位分ΔTIずつ更新される。TI2は、現在の電流値の印加電流を流す上限時間TI2maxを計時するためのタイマ値を表しており、単位分ΔTIずつ更新される。Vdetは電圧計23が検出した電圧を表している。例えば、図4Aに示すように、量子電池1が短絡部DEF1を有していたとしても、その短絡部DEF1は、図4Bに示すように、逆バイアス印加のIモードリペアにより無害化される。逆バイアスのIモードリペアの次に、逆バイアスのVモードリペアが実行される。コントローラ44は、可変電圧源31による電圧を量子電池1の電極4及び3間に逆バイアス方向に印加させ図4C参照、そのときに流れる電流を電流計33で監視しながら、印加電圧値を徐々に大きくして行く。半導体が充分に特性を出していないと電流が流れるが、不充分な電子の結合が切れて絶縁体に近い状態になると電流は流れ難くなる。印加電圧値がVBGiに達するまで上げて行くが、電流が流れ難くなった時点で一旦、印加電圧値をゼロに戻す。この場合にはゼロに戻した時点で残留電荷も不要充電もない状態になる。Vモードリペアでも徒に動作時間が長くならないように、動作時間に上限を設ける。図6は、上述した逆バイアスのVモードリペアの動作を実行させるコントローラ44の処理を示すフローチャートである。動作内容は既に説明しているので、図6を用いた詳細説明は省略するが、図6でのパラメータ表記を説明すると以下の通りである。Vは印加電圧を、Vstartは最初の印加電圧を、ΔVは印加電圧の増加分を表している。TV1は印加電圧Vの値に拘らず印加電圧を印加する上限時間TV1maxを計時するためのタイマ値を表しており、単位分ΔTVずつ更新される。TV2は、現在の電圧値を印加する上限時間TV2maxを計時するためのタイマ値を表しており、単位分ΔTVずつ更新される。Idetは電流計33が検出した電流を表している。例えば、図4Aに示すように、量子電池1が、電子結合が不十分な欠陥DEF2、DEF3を有していたとしても、その電子結合不十分欠陥DEF2、DEF3は、図4Cに示すように、逆バイアス印加のVモードリペアにより、不充分な結合電子が原子から切れて開放に近い状態になって無害化される。逆バイアスにおける、電流印加/電圧監視Iモードリペアと、電圧印加/電流監視Vモードリペアの動作を、VBG1、VBG2、...を区切りとして交互に働かせることで、すなわち、0~VBG1、VBG1~VBG2、VBG2~VBG3、...の区間ごとに交互に働かせることで、デバイス量子電池1に与えるダメージを最小に抑えてリペアすることが可能である。但し、いかなる場合でも、量子電池1の電極3及び4間の電圧値が、VBDminVBD1、VBD2、...のうちで最も低い値を超えないようにすることを要する。A-6順バイアス印加のリペア図7は、順バイアス印加におけるリペアを模式的に表している。順バイアス印加によるリペアも、IモードリペアとVモードリペアとを適用でき、図7は、IモードリペアをVモードリペアより先に実行した場合を示している。なお、図7において、ハッチを付与した素子表記が欠陥箇所を表しており、量子電池素子表記にハッチが付与した欠陥は量子電池特性を多少残している欠陥を表し、ダイオード素子表記にハッチが付与した欠陥はダイオード特性を多少残している欠陥を表し、矩形にハッチが付与した欠陥はダイオード特性を呈しない欠陥を表している。逆バイアス印加と異なるのは、全くの短絡状態でない限りは、順バイアス印加により電流でも電圧でも、量子電池1が充電動作をする点にある場合によっては放電動作もする。上述したように、短絡部は、逆バイアスの電流印加によってリペアされるが、短絡部が純抵抗であれば、順バイアスで電流を流しても同様の原理でジュール熱でリペア可能である。この場合も、コントローラ44は、電極4及び3間の電圧を電圧計23の出力で監視しながら、量子電池1の充電時の最大許容電圧以下の範囲で、可変電流源21の印加電流値を上げて行く。この場合の印加方向は、図7Bに示すような順バイアス方向である。短絡部が残っている場合には、電流の多くは短絡部に集中してその抵抗値に応じて電圧が発生するが、短絡部がリペアされると電圧が上昇するので、コントローラ44は、その時点で可変電流源21の印加電流値を一旦ゼロに戻す。次に、電極4及び3間の電圧を監視しながら、コントローラ44が可変電流源21の印加電流値を上げて行くと、電子結合が不充分な部分に電流が流れて結合が回復する場合がある。その際にも、印加電流値と検出電圧値は、充電時の最大許容値を越えないようにする。コントローラ44は、予め設定された時間、可変電流源21から一定の印加電流を流し、電圧値の変化が設定範囲内であれば可変電流源21からの印加電流をゼロに戻す。その際に、コントローラ44は、電極4及び3間の電圧がゼロになるように制御し例えば、抵抗を介してリセットさせたり、ゼロ電圧源を接続したりする;図3は前者の場合の構成を示している、その後、順バイアス電流によるリペア動作を終了させる。電極4及び3間の印加電圧がゼロになるようにすると、量子電池1は放電動作によって残留電荷が放出されると共に放電されて空充電状態に戻って、次のステップを実行する際に当該デバイス量子電池1が予想外のダメージを被ることを防止できる。図8は、上述した順バイアスのIモードリペアの動作を実行させるコントローラ44の処理を示すフローチャートである。動作内容は既に説明しているので、図8を用いた詳細説明は省略するが、図8でのパラメータ表記を説明すると以下の通りである。Iは印加電流を、Istartは短絡部の無害化のための最初の印加電流を、ΔIは印加電流の増加分を表している。Icostは、電子結合が不充分な部分の結合を回復させるための一定の印加電流を表している。TI1は、印加電流Iの値に拘らず短絡部の無害化のために印加電流を流す上限時間TI1maxを計時するためのタイマ値を表しており、単位分ΔTIずつ更新される。TI2は、現在の電流値の印加電流を短絡部の無害化のために流す上限時間TI2maxを計時するためのタイマ値を表しており、単位分ΔTIずつ更新される。TI3は、電子結合が不充分な部分の結合を回復させるために一定電流値を流す時間を計時するためのタイマ値を表しており、単位分ΔTIずつ更新される。MAVは、量子電池1の充電時の最大許容電圧を表している。Vdetは電圧計23が検出した電圧を表している。例えば、図7Aに示すように、量子電池1が短絡部DEF11を有していたとしても、その短絡部DEF11は、図7Bに示すように、順バイアス印加のIモードリペアにより無害化される。また例えば、図7Aに示すように、量子電池1が、電子結合が不充分な欠陥DEF12~DEF14を有していたとしても、そのような欠陥の中には、順バイアス印加のIモードリペアにより、電子結合が充分となって回復する欠陥もあり得る。図7Bに示すように、欠陥DEF14は、順バイアス印加のIモードリペアで、電子結合が回復したものである。順バイアスのIモードリペアの実行後には、順バイアスのVモードリペアを実行する。コントローラ44は、可変電圧源31による電圧を量子電池1の電極4及び3間に順バイアス方向に印加させ図7C参照、そのときに流れる電流を電流計33で監視しながら、印加電圧値を徐々に大きくして行く。電圧印加により、電子結合が不充分な箇所に電界がかかり、結合が回復する場合がある。一方、その部分が半導体として殆ど機能していない場合は、不充分な結合電子が切れて無害化されることもある。この動作中も、印加電圧値と検出電流値は、充電時の最大許容値を越えないようにする。コントローラ44は、予め設定された総所要時間を要する複数の所定電圧の順次印加が、検出電流値の設定範囲を超えることなく終了すると、印加電圧値をゼロに戻す。この場合も、その後、コントローラ44は、抵抗を介して放電させるなど、量子電池1を残量電荷がない、しかも、空充電の状態にする動作を実行させ、その後、順バイアス電圧によるリペア動作を終了させる。図9は、上述した順バイアスのVモードリペアの動作を実行させるコントローラ44の処理を示すフローチャートである。動作内容は既に説明しているので、図9を用いた詳細説明は省略するが、図9でのパラメータ表記を説明すると以下の通りである。Vは印加電圧を、Vstartは最初の印加電圧を、ΔVは印加電圧の増加分を表している。TV1は印加電圧Vの値に拘らず印加電圧を印加する上限時間TV1maxを計時するためのタイマ値を表しており、単位分ΔTVずつ更新される。TV2は、現在の電圧値を印加する上限時間TV2maxを計時するためのタイマ値を表しており、単位分ΔTVずつ更新される。Idetは電流計33が検出した電流を表している。MAVは、量子電池1の充電時の最大許容電圧を表している。MAIは、量子電池1の充電時の最大許容電流を表している。例えば、図7Aに示すように、量子電池1が、電子結合が不充分な欠陥DEF12~DEF14を有していたとしても、そのような欠陥の中には、順バイアス印加のVモードリペアにより、電子結合が充分となって回復する欠陥もあれば、不十分な結合電子が切れて無害化される欠陥もあり得る。図7Cに示すように、欠陥DEF13は、順バイアス印加のVモードリペアで、電子結合が回復したものを表し、欠陥DEF12は、順バイアス印加のVモードリペアで、不十分な結合電子が切れて無害化されたものを表している。A-7実施形態の効果上記実施形態によれば、半導体特性を持つシート状電池の欠陥を適切に修復、無害化することができる。ここで、レーザ等で物理的に異物や短絡部を除去したり、レジスト等で短絡欠陥のモトとなるピンホールを塞いだりするには先ず場所を特定しなければならないが、上記実施形態が適用している電気的リペアではその必要はない。予め有効とされている電気的刺激を与えた後に電気的特性を評価することでリペアするので、欠陥場所を特定して外部から物理的に修復する必要はない。上記実施形態によれば、逆バイアスにより短絡部にジュール熱を発生させて蒸発乃至黒化酸化させて開放させる方法を適用するだけでなく、これに加えて、不充分な電子結合を断ち切るか、あるいは、結合を充分にするための動作をさせるようにしたので、単に欠陥を無害化するだけでなく、シート状電池の効率を向上させることができる。上記実施形態のシーケンス逆バイアスのIモードリペア、Vモードリペア⇒順バイアスのIモードリペア、Vモードリペアによれば、電気的リペア動作の際に、デバイスに予想外のダメージを与えることを防止でき、リペア動作後や、異なるリペア動作間に、シート状電池から放電させて空充電状態に戻すことができる。また、観点を変えて言えば、コントローラが、電気的刺激の種類を切り換える際には、空充電化や残留電荷の放出なお、特許請求の範囲における空充電化手段による動作には、空充電化や残留電荷の放出の少なくとも一方が含まれているさせた後図5のS110、図6のS211、図8のS316参照、新たな種類の電気的刺激を、正電極及び負電極間に印加させるようにしたので、新たな種類の電気的刺激に切り替えても、デバイスに予想外のダメージを与えることを防止できる。上記実施形態によれば、コントローラが、リペア装置が有する電気的刺激源が対応できる全種類の電気的刺激を順次、量子電池の正電極及び負電極間に印加させるように制御しているので逆バイアスのIモードリペア、逆バイアスのVモードリペア、順バイアスのIモードリペア、逆バイアスのVモードリペア、リペアを最大限行うことができる。B他の実施形態本発明は、上記実施形態のものに限定されない。以下に、変形実施形態をいくつか例示する。B-1上記実施形態では、Iモード電流モードリペアと、Vモード電圧モードリペアとを実行できるものを示したが、これらに加え、若しくは、これらの全て若しくは一部に代えて、Pモード電力モードリペアを実行できるようにしても良い。例えば、ジュール熱による短絡部の黒化は、正しく言えば、供給電流によってなされるより、供給電力によってなされているということができる。すなわち、Pモードリペアも適用できるものである。図10は、Pモードリペアにも対応できる変形実施形態のリペア装置10Aを示すブロック図であり、上記実施形態のリペア装置10を示す図3との同一、対応部分には同一、対応符号を付して示している。図10において、コントローラ44Aが、可変電流源21によって所定の電流値方向も規定されるを流すようにすると共に、可変電圧源31によって所定の電圧値方向も規定されるを印加させるようにすることにより、リペア対象の量子電池1に所定電力を印加する流すことができる。すなわち、Pモードリペアを実行させることができる。また、コントローラ44Aが、可変電圧源31による一定電圧の印加を実行させずに、可変電流源21による所定値の電流の供給を実行させることにより、Iモードリペアを実行できる。さらに、コントローラ44Aが、可変電流源21による一定電流の供給を実行させずに、可変電圧源31による所定値の電圧印加を実行させることにより、Vモードリペアを実行できる。B-2上記実施形態では、1つの電気的リペア装置が、逆バイアスのIモードリペア及びVモードリペア、順バイアスのIモードリペア及びVモードリペアを実行できるものを示したが、これら4つのリペアのうちの一部だけを実行できるように電気的リペア装置を構成しても良いことは勿論である。このようにした場合、仮に、4つのリペアを実行するためには、複数の電気的リペア装置で順次リペアを行うことを要する。B-3上記実施形態では、逆バイアスのIモードリペア及びVモードリペア、順バイアスのIモードリペア及びVモードリペアの順に、4種類のリペアを行うものを示したが、電流監視機能や電圧監視機能を高めて、デバイスの損傷を未然に防止できるのであれば、リペアの順序は、上記実施形態の順序に限定されるものではない。B-4上記実施形態においては、電気的刺激源である可変電流源又は可変電圧源は、その時点で指示された直流電流若しくは直流電圧を出力するものを示したが、可変電流源や可変電圧源に代え、電気的刺激源として任意波形発生器AWGを適用し、DCだけでなくAC的な刺激を与えるようにしても良い。例えば、サイン波、矩形波、鋸歯状波、パルス波等である。直流による電流、電圧に、周波数成分によるエネルギーが加わり、リペア動作を効率的に行うことが可能となると思われる。ここで、任意波形の周波数を、充電層の材質などが有する固有周波数に選定すると、効率良くエネルギーを加えることができる。B-5上記実施形態では、リペアの種類の切替時に、空充電化若しくは残留電荷の放出を行うものを示したが、新たなリペアのスタート時の電流値や電圧値の選定などによっては、リペアの種類の切替時の空充電化や残留電荷の放出を省略するようにしても良い。B-6上記実施形態では、どのリペア対象に対しても、同じシーケンスでリペアするものを示したが、過去のリペア時の情報をその後のリペア対象のリペアに反映させるようにしても良い。例えば、同じ材料と工程で製作された多数の量子電池に電気的リペアを適用し、リペア動作中に検出される電圧値や電流値の変化点を収集し、その変化点に対応する電気的刺激量を統計的に処理することにより、リペアが起きる条件を予想する。そして、電気的刺激を徐々に変化させるのではなく、狙った条件に即に電気的刺激を設定してリペアさせる。若しくは、狙った条件より少しずれた値から狙った条件に向けて電気的刺激を変化させる。このようにすると、スループットを向上させることが可能となる。