"放射を放出する放射エミッタと、前記放射を収集するコレクタと、前記放射エミッタによって放出される汚染物を捕集する汚染物トラップであって、実質的に放射状に延びる複数のフォイルと、前記コレクタによって収集される放射の外側円錐軌道外に位置する第1の磁気リングと、前記コレクタによって収集される放射の軌道内に位置する第2の磁気リングとを備える汚染物トラップとを備え、前記磁気リングが前記フォイルに平行な成分を含む磁界を提供する、放射源。前記コレクタが、互いの内部に提供された複数の反射シェルを備え、前記第2の磁気リングが、前記コレクタの反射シェルに関連する、請求項1に記載の放射源。前記汚染物トラップが、前記コレクタの別の反射シェルに関連する第3の磁気リングをさらに備える、請求項2に記載の放射源。前記汚染物トラップが、前記コレクタの前記反射シェルの少なくとも半数に関連する磁気リングを備える、請求項3に記載の放射源。前記磁気リングの少なくとも1つが、反射シェルに実質的に整列する、請求項2又は3に記載の放射源。前記反射シェルのうちの1つの反射シェルの終端縁と前記放射エミッタとの間に前記磁気リングの少なくとも1つが提供される、請求項2から5のいずれか1項に記載の放射源。前記磁気リングの内面及び外面が前記放射エミッタによって放出される放射の移動方向に実質的に平行になるように、前記少なくとも1つの磁気リングが放射エミッタの方に向けられる、請求項6に記載の放射源。前記磁気リングのうちの少なくとも1つが、前記反射シェルの1つから延びる影領域内の前記コレクタに提供される、請求項2から7のいずれか1項に記載の放射源。前記フォイルが、前記コレクタの前記反射シェル間に提供される、請求項2から8のいずれか1項に記載の放射源。前記コレクタが、前記放射エミッタの放射を受け、前記放射を焦点へ向けて反射するコレクタミラーを備える、請求項1に記載の放射源。前記第2の磁気リングが、前記放射が前記放射エミッタから放出される第1の方向に平行な方向の長さが前記第1の方向に垂直な第2の方向の長さよりも長い、請求項10に記載の放射源。前記第2の磁気リングが、前記コレクタミラーの外側よりも前記コレクタミラーの中心の近くにある、請求項10又は11に記載の放射源。前記第2の磁気リングが、前記コレクタミラーの中心と外側との距離の約50未満の位置にある、請求項10又は11に記載の放射源。請求項1から13のいずれか1項に記載の放射源と、前記放射を放射ビームに調整する照明システムと、前記放射ビームの断面にパターンを付与するパターニングデバイスを支持する支持構造と、基板を保持する基板テーブルと、前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、を備えるリソグラフィ装置。放射源であって、放射を放出する放射エミッタと、前記放射を収集するコレクタと、前記放射エミッタによって放出される汚染物を捕集する汚染物トラップであって、実質的に放射状に延びる複数のフォイルと、前記コレクタによって収集される放射の外側円錐軌道外に位置する第1の磁気リングと、前記コレクタによって収集される放射の軌道内に位置する第2の磁気リングとを備える汚染物とラップとを備え、前記磁気リングが前記フォイルに平行な成分を含む磁界を提供する、放射源と、前記放射を放射ビームに調整する照明システムと、前記放射ビームの断面にパターンを付与するパターニングデバイスを支持する支持構造と、基板を保持する基板テーブルと、前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、を備えるリソグラフィ装置。0035図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置1を概略示す。この装置1は、放射ビームB例えば、EUV放射を調整するように構成された照明システムイルミネータILと、パターニングデバイス例えば、マスクMAを支持するように構成され、一定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に配置するように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造例えば、マスクテーブルMTと、基板例えば、レジストコートウェーハWを保持するように構成され、一定のパラメータに従って基板を正確に配置するように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル例えば、ウェーハテーブルWTと、基板Wのターゲット部分C例えば、1つ又は複数のダイを含む上にパターニングデバイスMAによって放射ビームBへ付与されたパターンを投影するように構成された投影システム例えば、屈折投影レンズシステムPSとを備える。0036照明システムは、放射を方向付け、整形し、制御する屈折、反射、磁気、電磁気、静電気又は他のタイプの光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含むことができる。0037支持構造は、パターニングデバイスを支持する、すなわち、その重量を受ける。支持構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置1の設計、及びパターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた形でパターニングデバイスを保持する。支持構造は、機械的、真空、静電気又は他のクランピング技術を用いてパターニングデバイスを保持することができる。支持構造は、例えば、必要に応じて固定するか可動式のフレーム又はテーブルであってもよい。支持構造によって、例えば、投影システムに対してパターニングデバイスが確実に所望の位置にあるようにすることができる。本明細書に記載するレチクル又はマスクという用語のいかなる使用もパターニングデバイスというより一般的な用語と同義と考えてよい。0038本明細書で使用するパターニングデバイスという用語は、例えば、基板のターゲット部分にパターンを生成するために、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用することができる任意のデバイスを指すものと広義に解釈すべきである。放射ビームに付与されたパターンは、基板のターゲット部分の所望のパターンに正確に対応しないこともあることに留意されたい。例えば、パターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合がこれにあたる。一般に、放射ビームに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分に作成されるデバイスの特定の機能レイヤに対応する。0039パターニングデバイスの例は、マスク及びプログラマブルミラーアレイを含む。マスクは、リソグラフィ分野で周知であり、通常、EUV放射又は超EUV放射リソグラフィ装置では反射型である。プログラマブルミラーアレイの一例は、各々が入射放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜を付けることができるマトリクス状に配置した小型ミラーを使用している。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射される放射ビーム内にパターンを付与する。0040本明細書で使用する投影システムという用語は、任意のタイプの投影システムを含むものと広く解釈すべきである。普通、EUV放射又は超EUV放射リソグラフィ装置では光学要素は反射型である。しかし、その他のタイプの光学要素を使用してもよい。光学要素は真空内にあってもよい。本明細書での投影レンズという用語のいかなる使用もより一般的な投影システムという用語と同義と考えてよい。0041本明細書に示すように、この装置1は、反射型例えば、反射マスクを使用するである。0042リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ又はそれ以上の基板テーブル及び/又は2つ以上のマスクテーブルを有するタイプであってもよい。そのようなマルチステージマシンでは、追加のテーブルを並列に使用することができ、又は1つ又は複数の他のテーブルで準備ステップを実行中に1つ又は複数のテーブルで露光を実行することができる。0043図1を参照すると、イルミネータILは、放射線源SOから放射ビームを受ける。この線源とリソグラフィ装置は別のエンティティであってもよい。そのような場合、線源は、リソグラフィ装置の一部を形成するとは考えられず、放射ビームは、例えば、適した誘導ミラー及び/又はビームエキスパンダを備えるビームデリバリシステムの助けを借りて線源SOからイルミネータILまで伝送される。他の場合、線源は、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよい。線源SO及びイルミネータIL、必要に応じてビームデリバリシステムを放射システムと呼んでもよい。0044イルミネータILは、放射ビームの角強度分布を調整するアジャスタを備えることができる。一般に、少なくともイルミネータの瞳平面内の強度分布の外側及び/又は内側半径範囲一般にはそれぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれるを調整することができる。さらに、イルミネータILは、一般に、インテグレータ及びコンデンサのような種々の他のコンポーネントを備えることができる。イルミネータは、放射ビームBが断面で所望の均一性と強度分布とを有するように放射ビームBを調整するために使用することができる。0045放射ビームBは、支持構造例えば、マスクテーブルMT上に保持されたパターニングデバイス例えば、マスクMAに入射し、パターニングデバイスによってパターン付けされる。マスクMAに反射してから、放射ビームBは、投影システムPSを通過し、投影システムPSは、このビームを基板Wのターゲット部分C上に合焦する。第2のポジショナPW及び位置センサIF2例えば、干渉計、線形エンコーダ又は容量センサを用いて、基板テーブルWTを、例えば、異なるターゲット部分Cを放射ビームBの経路に配置するように、正確に動かすことができる。同様に、例えば、マスクライブラリから機械的に検索してから、又はスキャン中に、第1のポジショナPM及び別の位置センサIF1を使用して放射ビームBの経路に関してマスクMAを正確に配置することができる。一般に、マスクテーブルMTの移動は、第1のポジショナPMの一部を形成する、ロングストロークモジュール粗動位置決めとショートストロークモジュール微動位置決めの助けを借りて実現することができる。同様に、基板テーブルWTの移動は、第2のポジショナPWの一部を形成するロングストロークモジュールとショートストロークモジュールとを用いて実現することができる。ステッパの場合スキャナとは違い、マスクテーブルMTをショートストロークアクチュエータだけに結合してもよく、又は固定してもよい。マスクMA及び基板Wは、マスクアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を用いて整列してもよい。図示の基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占めるが、ターゲット部分の間の空間内に配置してもよいスクライブレーンアライメントマークとして知られている。同様に、複数のダイがマスクMA上に提供されるケースでは、ダイとダイの間にマスクアライメントマークを配置することができる。0046図示の装置1は、以下のモードのうち少なくとも1つのモードで使用することができる。00471.ステップモードでは、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTが基本的に静止状態に保たれ、放射ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分Cに1回で投影されるすなわち、単一静止露光。次に、基板テーブルWTがX及び/又はY方向にシフトされ、異なるターゲット部分Cを露光することができる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、単一静止露光で結像するターゲット部分Cのサイズを制限する。00482.スキャンモードでは、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影されている間、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTが同期してスキャンされる単一動的露光。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの倍率縮小率及び画像反転特性によって決まる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが、単一動的露光におけるターゲット部分の幅非スキャン方向のを制限し、スキャン運動の長さがターゲット部分の高さスキャン方向を決定する。00493.別のモードでは、マスクテーブルMTが基本的に静止状態に保たれてプログラマブルパターニングデバイスを保持する。放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影されている間、基板テーブルWTが移動又はスキャンされる。このモードでは、通常、パルス放射線源が使用される。スキャン中、基板テーブルWTが移動するたびに、又は連続する放射パルスの間に、適宜、プログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用しているマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。0050上に述べた使用モードの組合せ及び/又はその変形形態、あるいは全く異なる使用モードを使用してもよい。0051図2は、放射源SO、照明光学ユニットIL,及び投影システム図2ではPLとして示すを含む装置1の詳細図を示す。放射源SOは、放電プラズマを備えることができる放射エミッタ2を含む。EUV放射は、超高温のプラズマが生成されて電磁スペクトルのEUV放射範囲内で放射を放出するXeガス又はLi蒸気などのガス又は蒸気によって生成することができる。超高温のプラズマは、電気放電の部分的にイオン化されたプラズマを光軸O上に崩壊させることで生成される。放射の効率的な生成には、分力が、例えば、10PaのXeガス又はLi蒸気又は他の任意の適切なガス又は蒸気が望ましい。いくつかの実施形態では、スズを使用することができる。放射エミッタ2によって放出される放射は、放射源チャンバ3を通過してコレクタチャンバ4に達する。0052コレクタチャンバ4は、汚染物トラップ5とかすめ入射コレクタ6矩形で概略を示すを含む。コレクタ6を通過した放射は、格子スペクトルフィルタ7で反射され、コレクタチャンバ4の開口の仮想放射源ポイント8に合焦する。コレクタチャンバ4から、放射ビーム9が照明光学ユニットIL内で第1及び第2の垂直入射レフレクタ10、11を介してレチクル又はマスクテーブルMT上に位置するレチクル又はマスク上に反射される。第1及び第2の反射要素13、14を介して基板テーブルWT上に保持された基板図示せず上に投射光学システムPL内に結像されるパターン付ビーム12が形成される。照明光学ユニットIL及び投影システムPLには、普通、図に示す以上の要素を備えることができる。0053図3は、かすめ入射コレクタ6及びそれに関連する汚染物トラップ5の概略断面図を示す。EUV放射及び荷電粒子が放射する放射エミッタ2も図3に示されている。かすめ入射コレクタ6は、例えば、Ruコーティングを施したNiから形成される6つのシェル15を備える。各シェル15の放射状の内側表面は、EUV放射を反射する。6つのシェル15が示されているが、任意の適した数のシェルを使用することができる。0054各シェルは、断面が円形で、シェルは、放射エミッタ2点線20で示されるを通過する軸と同軸に配置されている。シェルは、組み合わさって放射エミッタ2に最も近いかすめ入射コレクタ6の端部の5つの環状の開口16を画定する。放射エミッタ2によって生成されるEUV放射は、開口16に進入しシェルによって画定される導管17を通過することができる各導管は放射状の外部のシェル15の放射状の内部表面と放射状の内部シェル15の放射状の外部表面によって画定される。0055各シェル15は、断面が円形であるが、シェルは円筒形ではない。例えば、各シェルは、通常、実質的に双曲線形状を有し放射エミッタ2の全体の方向に内側へテーパする第1の部分18aと実質的に楕円形の形状を有する第2の部分18bとを含む。各シェル15の第1の部分18aは、全体として放射エミッタ2に向かってテーパしているが、放射エミッタに直接向かわず、放射エミッタを超えたある位置に向かう。図を見やすくするために、シェルの第1及び第2の部分18a、bは、図3では曲線ではなく直線で示されている。0056シェル15の形状の効果として、放射エミッタ2から移動するEUV放射は、所与のシェル15の第1の部分18aの放射状の内部表面に入射する。放射は、シェル15の第1の部分18aの放射状の内部表面から反射し、シェルの第2の部分18bの放射状の内部表面に向かう。放射はこの表面から反射し、それ以上反射することなくこのシェルによって形成された導管17及び隣接するシェルを通過する。次に、EUV放射は、かすめ入射コレクタを抜け、格子スペクトルフィルタ7に入射する図2を参照。0057各シェル15は、有限の厚みを有する。すなわち、放射エミッタ2に最も近い各シェル15の端部で、シェルは、終端縁19を有する。シェルの終端縁19に入射するEUV放射は、かすめ入射コレクタ6には入射しない。従って、このEUV放射は、収集されずリソグラフィ装置によって使用されない。0058かすめ入射コレクタ6は、有限の放射状範囲を有し、特定の角度範囲内に収まる放射エミッタ2からの放射だけを捕集することができる。最も外側のシェル15の終端縁19は、放射エミッタ2と組み合わさって、その外側ではかすめ入射コレクタ図3に破線21aで示すによって放射が収集されない外側円錐軌道を画定する。0059最も内側のシェル15は、放射エミッタ2と組み合わさって、その内部ではかすめ入射コレクタ図3に破線21bで概略示すによって放射が収集されない内側円錐軌道を画定する。0060汚染物トラップ5は、放射エミッタ2とかすめ入射コレクタ6との間に提供される。汚染物トラップ5は、外側円錐軌道21aの外側の実質的に環状の断面の外部磁石22を備える。汚染物トラップ5は、また内側円錐軌道21bの内側の実質的に円形又は環状の断面の内部磁石24を備える。いくつかの例では、内部磁石を含まない汚染物トラップ5を提供することができる。汚染物トラップ5は、実質的に環状の断面の5つの中間磁石23の組をさらに備える。中間磁石23の各々は、かすめ入射コレクタ6の特定のシェル15に関連する。0061外部磁石22、中間磁石23及び内部磁石24は、組み合わさって汚染物トラップ5内に磁界を確立する。図3で、各磁石22~24は、暗い側と明るい側とを有する。これらは、磁石の磁化の方向極を示すためのものである。暗い側は磁石の北極、明るい側は磁石の南極を表す。磁石は、所与の磁石の北極が隣接する磁石の南極を向くように配置される。磁石によって生成される磁界の磁界線は、磁石から磁石へと通過し、それにより汚染物トラップ5内に磁界を確立する。磁石は、逆の向きに設けることができることを理解されたいすなわち、暗い側は磁石の南極、明るい側は磁石の北極を表してもよい。00625つの中間磁石が示されているが、任意の適した数の中間磁石を使用することができる。0063図4は、前方から見た磁石22~24の概略図を示す。磁石によって確立される磁界の磁界線は、破線25によって概略が示されている。磁界線は、内部磁石24から外部磁石22へ向かって外側に放射状に延びている。0064汚染物トラップ5内には、複数のプレーナフォイル部材26が提供される。フォイル部材26は、放射エミッタ2からEUV放射の移動方向に平行に、中間磁石23に垂直に配置されている。フォイル部材26は、隣接する中間磁石23の間に延び、中間、内部、及び外部磁石22~24によって支持される。フォイル部材26は、実質的に放射状に延びることができる。フォイル部材26は、約30mmの軸長を有するが、フォイル部材は、約5mmから約200mmの間の任意の適した長さでよく、より望ましくは、約15mmから約40mmの間でよいことを理解されたい。図4は、放射状に隣接したフォイル部材26を放射状に整列した形で示しているが、それらをこのように整列する必要はない。例えば、放射状に隣接したフォイル部材26を互いに放射方向にオフセットするようにすることもできる。0065図3を再度参照すると、各中間磁石23は、かすめ入射コレクタ6のシェル15に関連する。各中間磁石は、シェル15に実質的に整列するこれは中間磁石の位置についてであり、向きについてではない-中間磁石がシェルと同じ方向を向いているという意味ではない。各中間磁石23は、かすめ入射コレクタ6のシェル15の終端縁19に実質的に整列する外縁23aを有する。各中間磁石23は、放射エミッタ2の方向に向け、そのため、中間磁石の内面及び外面は、放射エミッタによって放出される放射の移動方向に実質的に平行になっている。各中間磁石23は実質的に環状で、環状の円錐台形状をしていると言ってもよい。別の方法としては、各中間磁石23の形状と位置は、各中間磁石23が環状の円錐容積内に実質的に収まり、円錐容積のポイントが放射エミッタ2によって画定され、環状の円錐容積の環状の底部がかすめ入射コレクタ6の対応するシェル16の終端縁19によって画定されると表現してもよい。0066各中間磁石23の形状と位置は、所与の中間磁石23に入射するEUV放射又はEUV放射のかなりの部分が中間磁石23がなければ対応するシェル15の終端縁19に入射していたはずの形状と位置である。従って、終端縁19に関連し、これに隣接する中間磁石23を提供することは、かすめ入射コレクタ6によって収集されるEUV放射の量を大幅に低減しない。可能な限り多くのEUV放射をリソグラフィ装置の基板テーブルWT上に向ける図1を参照ことが望ましいため、このことは有利であり、基板を迅速に露光することができる。0067磁石22~24は、サマリウムコバルトSmCoを備えることができる。別の方法としては、磁石22~24は、任意の適当な材料例えば、適当なキュリー温度を備え水素損傷への適当な耐性がある材料を備えることができる。磁石22~24はコバルト、鉄、又はニッケルなどの強磁性の材料を備えることができる。磁石のすべてが永久磁石であることは必須ではない。例えば、中間磁石23のいくつかは、永久に磁化されてはいない材料を含むことができる。それでも、その材料は、汚染物トラップの他の磁石によって生成される磁界を集中させるのを助けるという点で有利な効果をもたらす。少なくとも磁石の一部は電磁石である。例えば、内部及び外部磁石22、24は電磁石であってもよい。0068外部磁石22は、任意の適した環状厚さであってもよく、その厚みは、望ましくは、約0.5mm~約50mm、より望ましくは、約10mm~約50mmの範囲内である。中間磁石23の環状厚みは、望ましくは、かすめ入射コレクタ6のシェル15の終端縁19の厚みに等しいか又はそれより小さい。例えば、中間磁石23の環状厚みは、約0.5mm~約5mmの範囲内でよく、より望ましくは、約1mm~約3mmの範囲内である。内部磁石24の厚みは、望ましくは、約0.5mm~約50mm、より望ましくは、約10mm~約50mmの範囲内である。0069かすめ入射コレクタ6に向かって汚染物トラップ5を通過するEUV放射は、その向きが放射の移動方向に平行であるためにフォイル部材26の影響が最小限で済む。磁界がない場合、放射エミッタ2からの荷電粒子もフォイル部材26によって最小限の影響を受ける。これは、汚染物の移動方向がフォイル部材の移動方向と同じであるからである。しかし、汚染物トラップ全体にわたって磁石22~24によって確立された磁界によって汚染物の各荷電粒子にローレンツ力が作用し、汚染物トラップに進入する荷電粒子の軌道が変更される。荷電粒子の軌道は、荷電粒子の移動方向に垂直で磁界の方向に垂直な方向に曲げられる。荷電粒子の変更された軌道によって粒子はフォイル部材26に向かって移動し、フォイル部材26に入射する。これによって荷電粒子は、汚染物トラップ5によって捕集され、かすめ入射コレクタ6には到達しない。従って、荷電粒子は、かすめ入射コレクタ6を損傷できない。0070中間磁石23を提供することで汚染物トラップ5内の磁界強度が増大し、荷電粒子を捕集する中間磁石23の能力が増大する中間磁石23がない場合に提供される磁界と比較して。中間磁石23は、汚染物トラップ内で内部及び外部磁石24及び22によって生成される磁界を集中させるのを助ける。0071本発明のある実施形態を図5に示す。図3及び図4の実施形態のフィーチャに対応する図5の実施形態のフィーチャには対応するが、100だけ増えた参照数字が付与されている。0072図5は、汚染物トラップ105、かすめ入射コレクタ106及び放射エミッタ102の概略断面図を示す。第1の実施形態のようにかすめ入射コレクタ106と放射エミッタ102の間に位置する代わりに、汚染物トラップ105の一部は、かすめ入射コレクタ106のシェル115内に提供される。0073上記のように、シェル115は、各々放射エミッタ102を超えた位置に向けて内側にテーパする第1の部分118aを含む。この効果として、放射エミッタ102から移動するEUV放射は、各シェル115の第1の部分118aの放射状の内部表面に入射する。この構成の結果として、各シェル115の第1の部分118aからそのシェルの第1の部分118の放射状の外部表面に隣接した領域125内に影が延びる。影になった領域は影領域125と呼ばれる。放射エミッタ102からかすめ入射コレクタ106へ移動するEUV放射は、影領域125を通過しない。従って、中間磁石123などの要素を影領域125内に配置してもコレクタ106によって収集されるEUV放射の量を大幅に減らさずに済む。0074汚染物トラップ105は、シェル115によって確立される影領域125内に提供される5つの中間磁石123を含む複数の磁石122~124を備える。各中間磁石は、異なるシェル115の影領域125内に提供される。各中間磁石123は、断面が実質的に環状で、各々が対応するシェル115の第1の部分118aの外部表面に接触しこれによって支持される内部表面を有する。所与の中間磁石123がそれを支持するシェル115に関連すると言ってもよい。各中間磁石123の外部表面は、対応するシェル115によって画定された影領域125の外にはみださない形状と寸法を備える。各中間磁石は、対応するシェルによって画定された影領域125を実質的に占有するような形状と寸法を備えることができる。0075影領域125内の利用可能な空間の量は、場合によって図3及び図4に示す実施形態の例よりも大きい中間磁石123を使用することができる大きさである。さらに、中間磁石123は、シェル15の終端縁19に整列する必要がないため、磁石のサイズと位置決めの許容差が拡大する。汚染物トラップ105の一部をかすめ入射コレクタ106内に提供することで、トラップ105とかすめ入射コレクタ106との相対位置は確実に一定であるように助けることができる。0076図5には示していないが、汚染物トラップ105は、汚染物を捕集する役目を果たす実質的に放射状に延びるフォイル部材を含むことができる。0077図3~図5では、中間磁石23、123は、最も外側のシェルを除き、かすめ入射コレクタ6、106の各シェル15、115に関連する。しかし、場合によっては、シェルの一部は中間磁石を備えていなくてもよい。例えば、汚染物トラップは、外部磁石22、122と、単一の中間磁石23、123と、内部磁石24、124とを備えることができる。別の方法としては、2つ以上の中間磁石を使用することもできる。一例では、中間磁石23、123を1つおきのシェル15、115に関連付けることができる。場合によっては、内部磁石24、124を提供することは好ましくない。所与のコレクタに関して使用する磁石の配置は、そのコレクタ内に有することが望ましい磁界の強度に依存する。0078図3~図5に示すかすめ入射コレクタ6、106は、6つのシェルを有するが、他の任意の適した数のシェルも使用することができる。0079本発明の実施形態の上記説明では、中間磁石23、123をシェル15、115に関連するものとして説明している。関連するという用語は、例えば、シェルに実質的に整列した、又はシェル15から延びる影領域内にある中間磁石を含むことを意図している。0080本発明のある実施形態を図6に示す。図6は、垂直入射コレクタ206、汚染物トラップ205及び放射エミッタ202の概略断面図を示す。放射エミッタは、例えば、レーザビーム203によって気化されるスズの粒子を含むことができる。垂直入射コレクタ206は、楕円曲線コレクタミラー206aを備える。放射エミッタ202は、曲線の第1の焦点に位置し、コレクタによって収集されるEUV放射の出力ポイント図示せずは曲線の第2の焦点に位置する。0081コレクタミラー206aは、有限の放射状範囲を有し、特定の角度範囲内に収まる放射エミッタ202からの放射だけを捕集することができる。コレクタミラー206aの外縁は、放射エミッタ202と組み合わさってその外側ではコレクタミラー図6に破線212aで概略を示すによって放射が収集されない外側円錐軌道を画定する。0082コレクタミラー206aは、レーザビーム203が放射エミッタ202に到達するための開口204を中心に備える。開口204は、放射エミッタ202と組み合わさってその内部では、コレクタミラー図6に破線221bで概略を示すによって放射が収集されない内側円錐軌道を画定する。0083汚染物トラップ205は、実質的に放射状に延びる複数のフォイル226と、放射状に延びる磁界を生成するように配置された複数の磁石222~224とを備える。磁石は、形状が実質的に環状でコレクタミラー206aによって収集される放射の外側円錐軌道外に位置する外部磁石222と、形状が実質的に円筒状でコレクタミラー206aによって収集される放射の内側円錐軌道内に位置する内部磁石224とを備える。形状が実質的に環状の別の磁石223が内部及び外部磁石222、224の間に位置する。以下に中間磁石223と呼ぶこの別の磁石は、コレクタミラー206aによって収集される放射の軌道内に位置する。0084中間磁石223は、汚染物がコレクタミラー206aまでその中を進まなければならない放射状に延びる磁界を強化できるため、有利である。磁界のこの強化作用によって汚染物が放射状に延びるフォイル226上にそれるのを助ける。従って、中間磁石223は、中間磁石223が存在しなかった場合に捕集されなかったはずの汚染物の捕集を提供する。0085いくつかの実施形態では、内部磁石224を提供することは望ましくない。0086中間磁石223は、一定のEUV放射を阻止するため、一定のEUV放射は、コレクタミラー206aに到達できない。また中間磁石223は、コレクタミラー206aに入射し垂直入射コレクタの出力に向けて反射した一定のEUV放射を阻止することができる。これによって、リソグラフィ装置の後続部分へ移動するEUV放射の量が低減する。しかし、この潜在的な欠点は、場合によっては、中間磁石223が提供することができる改良型汚染物捕集性能によって補償できる限界を超えていると考えられる。0087中間磁石223によって阻止されるEUV放射の量を制限することが望ましい。これを達成する1つの方法は、中間磁石223の適切な形状を選択する方法である。例えば、中間磁石を細長くしてすなわち、長辺と短辺とを有して、それによって、EUV放射に比較的幅の狭い断面を提示することができる。中間磁石は、放射が放射エミッタ202から放出される方向に実質的に平行の向きの、又は放射が放コレクタミラー206aから中間焦点へ反射する方向に実質的に平行な、又はこれらの2つの方向の間の任意の方向に平行な長辺を有することができる。中間磁石223によって阻止されるEUV放射の量を制限できる別の方法は、中間磁石をコレクタミラーの外側よりもコレクタミラー206aの中心の近くに配置する方法である。中心から遠い位置よりもコレクタミラー206aの中心に近い位置の方が収集されるEUV放射の量は少ない。中間磁石は、例えば、コレクタミラーの中心と外側との距離の約50未満の位置、コレクタミラーの中心と外側との距離の約40未満の位置、またコレクタミラーの中心と外側との距離の約30未満の位置にあってよい。0088放射状に延びるフォイル226の程度は、コレクタミラー206aの程度に対応させて、放射状に延びるフォイルは、中心軸で収束せずコレクタミラーの開口204で収束するようにすることができる。0089放射状に延びるフォイル226は、軸を中心に回転するように配置することができる軸はフォイルの放射状の延伸方向に対応させることができる。この場合、磁界は、望ましくは、回転対称で、フォイル内で発生する電磁誘導を制限する。0090本発明の実施形態の磁石によって生成される磁界は、望ましくは、荷電粒子汚染物の移動方向に実質的に垂直な実質的に放射状のコンポーネントを備える。しかし、この磁界は、他の方向を向いたコンポーネントを含むことができる。磁界は、荷電粒子を捕集するように意図されたフォイルに向けて荷電粒子を偏向するように配置すべきである。0091環状又は円筒形の永久磁石は、特に磁化の方向が放射状である時には一体で製造することが困難である。従って、外部磁石22、122、222、中間磁石23、123、223及び/又は内部磁石24、124、224は、共に所望の磁界を生成するさまざまな磁化の方向を有する複数のセグメントを備えることができる。各セグメントは独立した磁石であってもよい。0092環状磁石という用語は、例えば、環状の磁石によって生成されるはずの磁界に似た磁界を共に生成するさまざまな磁化の方向を有する複数のセグメントを含むためのものである。同様に、円筒形磁石という用語は、例えば、円筒形の磁石によって生成されるはずの磁界に似た磁界を共に生成するさまざまな磁化の方向を有する複数のセグメントを含むためのものである。磁石について使用する環状円錐台形状という用語は、例えば、環状の円錐台形状を有する磁石によって生成されるはずの磁界に似た磁界を共に生成するさまざまな磁化の方向を有する複数のセグメントを含むためのものである。0093環状の磁石、円筒形の磁石及び環状の円錐台磁石は、磁石リングの例と考えられる。磁石リングは、所望の磁界を共に生成するさまざまな磁化の方向を有するセグメントから製造することができる。磁界は、例えば、環状の磁石、円筒形の磁石又は環状の円錐台磁石によって提供されるはずの磁界に似ていてもよい。各セグメントは、異なる磁石であってもよい。0094本発明の実施形態によって提供される汚染物の捕集は、バッファガスの使用などを含む他の汚染緩和方法によって補足されてもよい。本明細書に記載する本発明の実施形態に加えて回転式フォイルトラップを使用してもよい。0095上記のように、フォイルトラップ及び/又はそのようなフォイルトラップと併用されるバッファガスのプレーナフォイル部材への熱負荷は許容できないほど高い場合がある。従って、この熱負荷を低減したいという要望がある。熱負荷を低減するには、フォイルトラップのプレーナフォイル部材を冷却しなければならない。プレーナフォイル部材は薄いため、プレーナフォイル部材内に、例えば、流体を流す流路などの能動的冷却システムを含ませることは困難である場合がある。0096本発明のある実施形態によれば、コレクタ及びフォイルトラップは、フォイルトラップの1つ又は複数のプレーナフォイル部材がコレクタに接触するように配置される。接触は直接的であってもよい。例えば、フォイルトラップのプレーナフォイル部材をコレクタに直接取り付けてもよい。接触は非直接的であってもよい。例えば、フォイルトラップのプレーナフォイル部材を締結具ねじ、ボルト、又は接着剤などを介してコレクタに取り付けてもよい。フォイルトラップのプレーナフォイル部材内の熱は、熱をコレクタに導通させることでより容易に放散する。同様に、プレーナフォイル部材の近くにあるバッファガスもフォイル部材とコレクタとを通して熱を放散する。コレクタは、例えば、流体流路冷却システムを使用して能動的に冷却でき、プレーナフォイル部材からの熱の放散をさらに促進する。本発明の特定の実施形態について以下に説明する。0097図7aは、図6と同じ垂直入射コレクタ206、汚染物トラップ205すなわち、フォイルトラップ及び放射エミッタ202の概略断面図を示す。図6に示し同図に関して説明したフィーチャは、図7aで同じ参照数字を付与されている。しかし、図6とは対照的に、図7aは、コレクタ206が汚染物トラップ205のプレーナフォイル部材226に接触している状態を示す。特に、図7aは、コレクタミラー206aが汚染物トラップ205のプレーナフォイル部材226に接触している状態を示す。プレーナフォイル部材226内の熱は、コレクタミラー206aを通る導通を介して放散でき、これによってプレーナフォイル部材226への熱負荷を低減することができる。0098プレーナフォイル部材226は、放射エミッタ202すなわち、放射の放出ポイントに関して放射状に並ぶように整列し、従って、プレーナフォイル部材226は、放射エミッタ202から放出される放射を可能な限り少なく覆い隠す。言い換えれば、プレーナフォイル部材226は、放射の移動方向に平行な方向を向いている。0099フォイル部材226は、任意の適した方法でコレクタ206に結合する取り付けることができる。一例では、コレクタ206内にスリットが提供される例えば、コレクタミラー206aを形成するために反射コーティングが提供される前に。スリットは、例えば、レーザカッティング装置を使用して、又は放電加工によって提供することができる。次に、プレーナフォイル部材226がスリットに挿入され、半田付けなどによってコレクタ206の背面すなわち、非反射側に固定される。そのような構成によって、コレクタ206によって収集又は言い換えれば、反射可能な放射の量をほとんど又は全く低減させることなく、プレーナフォイル部材226とコレクタ206との良好な熱接触が確保される。これは、スリットが提供されなかったとしても、スリットが提供されるコレクタ206の領域は、プレーナフォイル部材226の存在によって放射を反射することがないためである。0100プレーナフォイル部材226への熱負荷のさらなる低減又は、言い換えれば、プレーナフォイル部材226のさらなる冷却は、コレクタ206を能動的に冷却することで達成することができる。例えば、流体を搬送する流路をコレクタ206内又はコレクタ206の背面に形成することができる。コレクタ206から、すなわち、プレーナフォイル部材226から熱を吸収して除去するために、水などの流体を流路に通すことができる。0101上記のように、バッファガスをプレーナフォイル部材226と併用して汚染物の捕集を改善することができる。図7bは、図7aに示し同図に関して説明した垂直入射コレクタ206の端面図を示す。図7bは、開口206bがコレクタミラー206a内に備えられることを示す。開口206bを介して、バッファガスをコレクタ206の背面側からプレーナフォイル部材226の間に挿入することができる。0102プレーナフォイル部材は、プレーナフォイル部材226の間に大幅な圧力低下を発生させるように適当な位置に置くことができる。大幅な圧力低下によって、ガスを用いて粒子が捕集される、又はフォイルトラップを用いてガスが冷却されるフォイルトラップ内のガスの大部分が保持される。0103プレーナフォイル部材226は、それぞれ長さが違っていてもよい長さはコレクタミラー206aの中心から外側へ向かって測定される。例えば、プレーナフォイル部材226がすべてコレクタミラー206aの周囲からコレクタミラーの開口204まで延びている場合、開口204を取り巻く領域内のプレーナフォイル部材226の密度は、その領域から反射する放射の強度が大幅に低減する程度であってよい。従って、フルレングスのフォイル部材の間にハーフレングスのフォイル部材を追加してもよい。長さが異なるプレーナフォイル部材を使用することで、コレクタミラー206aの表面全体により均一で平均的なフォイル空間を達成することができる。例えば、任意の適当な長さ例えば、フルレングスプレーナフォイル部材226の3分の1又は6分の1を有するプレーナフォイル部材226を提供してコレクタミラー206aの表面全体に均一で平均的なフォイル空間を確立することができる。0104図8及び図9は、本発明のある実施形態の概略図を示す。図8は、図3と同じかすめ入射コレクタ6、汚染物トラップ5すなわち、フォイルトラップ及び放射エミッタ2の概略断面図を示す。図9は、汚染物トラップ5の端面図を示す。図3及び図4に示し同図に関して説明したフィーチャは、図8及び図9で同じ参照数字を付与されている。しかし、図3及び図4とは対照的に、図8及び図9は、コレクタ6が汚染物トラップ5のプレーナフォイル部材26に接触している状態を示す。特に、図8及び図9は、コレクタ6のシェル15が汚染物トラップ5のプレーナフォイル部材26に接触している状態を示す。プレーナフォイル部材26内の熱及びプレーナフォイル部材26の近くのバッファガスは、コレクタシェル15を通る導通を介して放散することができ、これによってプレーナフォイル部材26への熱負荷を低減することができる。0105いくつかの実施形態では、コレクタの表面は、例えば、ガスを用いてクリーニングされる。そのような実施形態では、上記フォイルトラップは、汚染物を捕集する必要がない。そのような実施形態では、このフォイルトラップをトラップと考えなくてもよい。例えば、汚染物の捕集が望まれない実施形態では、フォイルトラップは、冷却部材の働きをしてもよい。プレーナ部材は、フォイル以外の材料、例えば、フォイルと考えるには厚すぎる1つ又は複数の金属レイヤから形成してもよい。従って、一般に、上記プレーナフォイルトラップ部材は、放出ポイントに関して放射状に整列するように並ぶプレーナ部材としてより総称的に記述でき、従って、プレーナ部材は、放出ポイントから放出される放射を可能な限り少なく覆い隠す。言い換えれば、プレーナフォイル部材は、放射の移動方向に平行な方向を向いている。0106コレクタが放出ポイントに関して放射状に整列するプレーナ部材に取り付けられているいくつかの用途では、コレクタ及びプレーナ部材を組み合わせて光軸を中心に回転させることが望ましい。これは、プレーナ部材によって引き起こされる影又は言い換えれば遮断又は不明瞭化が収集角度全体にわたって平均化されるためである。コレクタ及びプレーナ部材の構成は、例えば、コレクタのクリーニングにガスが使用され、プレーナ部材が汚染物トラップとして稼働していない時に回転させることができる。これは、回転時に引き起こされる遠心力によってプレーナ部材から汚染物が再び放出されるリスクがないためである。0107いくつかの例では、図7及び図9に示し同図に関して説明した磁石のすべて又はいずれかを提供することは望ましくない。図7及び図9に示し同図に関して説明した原理はそのような磁石の組み込みに依存しない。0108いくつかの実施形態では、プレーナ部材のすべてがコレクタに接触しているわけではない。しかし、プレーナ部材への熱負荷を低減するために、プレーナ部材の大部分がコレクタに接触していることが望ましく、さらにプレーナ部材のすべてがコレクタに接触していることが望ましい。0109従来のかすめ入射コレクタ及び従来の垂直入射コレクタに関連して本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はその他の形態のコレクタにも適用することができる。これは、図示されたかすめ入射コレクタと同様の構造を有するが入射角がすべてかすめ入射角ではないコレクタを含む。例えば、場合によって、コレクタは、大きい収集角度例えば、光軸から70°を超えた角度で収集を行うことができる。この場合、コレクタの外部シェルの反射角が大きすぎるため、外部シェルを多層反射コーティングで被膜することが有利であろう。そのようなコレクタは、最も厳密な意味ではかすめ入射コレクタとは呼べない。さらに、放射源と放射が1回通過する第1の反射との間に一般にある容積が存在する2つのほぼ垂直入射の反射に基づくコレクタ設計が存在する。上記細長い形状の磁石リングがこの容積内に配置されると、それらは一方向に通過する放射だけを図6に関する上記実施形態による二方向に通過する放射ではなく覆い隠す。従って、それらが放射を覆い隠す程度は低減される。0110本発明の実施形態は、材料の小滴を用いる放射源に限定されない。本発明のある実施形態は、例えば、材料の小滴ではなくガスからプラズマを生成することができる。これらは、両方共にプラズマ生成物質の例であると考えられる。0111本発明の実施形態についての上記説明はEUV放射を生成する放射源に関するものであるが、本発明は、また、beyondEUV超EUV放射、すなわち、波長が10nm未満の放射を生成する放射源にも実施することができる。超EUV放射は、例えば、6.7nm又は6.8nmの波長を有することができる。超EUV放射を生成する放射源も上記放射源と同じ方法で動作できる。0112上記説明は、例示としてのものであって限定するものではない。それ故、添付の請求の範囲から逸脱することなく本発明をさまざまに変更することができることは当業者には明らかであろう。"