"表面に形成された画像を保持する像保持体の該表面の既定領域に対して、供給された電流の大きさに応じた光量の光を照射する照射手段と、前記照射手段によって照射された光の光量を照射光電圧に光電変換する光電変換素子及び該照射光電圧の大きさを増幅させる増幅回路を備え、前記光電変換素子によって光電変換されて得られた照射光電圧の大きさを、前記増幅回路を用いて基準電圧の大きさに追従させるように前記照射手段に電流を供給することによって前記照射手段から照射される光の光量を制御する光量制御手段と、前記照射手段から光が照射されることによって前記既定領域から反射された反射光の光量を光電変換素子によって光電変換し、光電変換して得た反射光電圧を出力する出力手段と、前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射されることによって該既定領域から反射された反射光の光量に対応する前記反射光電圧として前記出力手段から出力される表面反射光電圧の大きさと該表面反射光電圧の大きさを得るために前記光量制御手段で用いられた前記基準電圧の大きさとの対応関係を表す第1直線近似式を用いて、前記基準電圧の大きさが下限値のときに前記出力手段から出力される下限表面反射光電圧の大きさを導出し、前記照射手段から前記既定領域に形成された基準画像に光が照射されることによって該基準画像から反射された反射光の光量に対応する前記反射光電圧として前記出力手段から出力される画像反射光電圧の大きさと該画像反射光電圧の大きさを得るために前記光量制御手段で用いられた前記基準電圧の大きさとの対応関係を表す第2直線近似式を用いて、前記基準電圧の大きさが下限値のときに前記出力手段から出力される下限画像反射光電圧の大きさを導出する導出手段と、を含む画像濃度推定支援装置。前記第1直線近似式は、前記基準電圧の異なる大きさの各々に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際に得られた前記表面反射光電圧の大きさの各々と該表面反射光電圧の大きさの各々を得るために前記光量制御手段で用いられた前記基準電圧の大きさの各々との対応関係を表し、前記第2直線近似式は、前記基準電圧の異なる大きさの各々に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から前記既定領域に形成された基準画像に光が照射された際に得られた前記画像反射光電圧の大きさの各々と該画像反射光電圧の大きさの各々を得るために前記光量制御手段で用いられた前記基準電圧の大きさの各々との対応関係を表す請求項1に記載の画像濃度推定支援装置。請求項1又は請求項2に記載の画像濃度推定支援装置と、前記表面反射光電圧の既定の大きさが得られるように定められた前記基準電圧の大きさである追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際に得られた前記表面反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された前記下限表面反射光電圧の大きさを減算して得た値に対する、前記基準電圧の前記追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から前記既定領域に形成された前記基準画像に光が照射された際に得られた前記画像反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された前記下限画像反射光電圧の大きさを減算して得た値の割合を導出することによって画像の濃度を推定する推定手段と、を含む画像濃度推定装置。前記光量制御手段で用いられる前記基準電圧の大きさを変更する変更手段を更に含み、前記出力手段は、更に、前記光量制御手段が前記変更手段によって変更された前記基準電圧の大きさを用いて制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際に前記既定領域から反射された反射光の光量を光電変換して得た基準反射光電圧を出力し、前記基準電圧の前記追従対象値を、前記出力手段から出力された基準反射光量電圧の大きさが予め定められた大きさのときに前記光量制御手段で用いられた前記基準電圧の大きさとした請求項3に記載の画像濃度推定装置。前記予め定められた大きさを、前記照射手段から画像を有しない未使用の前記既定領域に既定光量の光が照射された際に得られる前記表面反射光電圧の大きさに相当する大きさとした請求項4に記載の画像濃度推定装置。前記変更手段は、前記光量制御手段で用いられる前記基準電圧の大きさを、前記表面反射光電圧の大きさを不安定にする前記基準電圧の大きさの範囲として予め定められた範囲を回避して変更する請求項4又は請求項5に記載の画像濃度推定装置。前記導出手段によって導出された前記下限表面反射光電圧の大きさが既定閾値以上の場合に、前記基準電圧の大きさを、前記表面反射光電圧の大きさを不安定にする前記基準電圧の大きさの範囲として予め定められた範囲の上限値を超えた特定の大きさまで増加させる増加手段と、前記増加手段によって増加された前記基準電圧の大きさを用いて前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際の前記表面反射光電圧の大きさを検出する電圧検出手段と、を更に含み、前記推定手段は、前記基準電圧の前記追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際に得られた前記表面反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された下限表面反射光電圧の大きさを減算すると共に前記電圧検出手段によって検出された前記表面反射光電圧の大きさを減算して得た値に対する、前記基準電圧の前記追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から前記既定領域に形成された前記基準画像に光が照射された際に得られた前記画像反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された下限画像反射光電圧の大きさを減算して得た値の割合を導出することによって画像の濃度を推定する請求項3~請求項6の何れか1項に記載の画像濃度推定装置。前記導出手段によって導出された前記下限表面反射光電圧の大きさが既定閾値未満の場合に、前記基準電圧の大きさを下限値に設定する設定手段を更に含み、前記電圧検出手段は、更に、前記設定手段によって前記基準電圧の大きさが下限値に設定された場合に前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際の前記表面反射光電圧の大きさを検出し、前記推定手段は、更に、前記基準電圧の前記追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際に得られた前記表面反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された下限表面反射光電圧の大きさを減算すると共に前記電圧検出手段によって検出された前記表面反射光電圧の大きさを加算して得た値に対する、前記基準電圧の前記追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から前記既定領域に形成された前記基準画像に光が照射された際に得られた前記画像反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された下限画像反射光電圧の大きさを減算して得た値の割合を導出することによって画像の濃度を推定する請求項7に記載の画像濃度推定装置。前記導出手段によって導出された前記下限表面反射光電圧の大きさが既定閾値未満の場合に、前記基準電圧の大きさを下限値に設定する設定手段と、前記設定手段によって前記基準電圧の大きさが下限値に設定された場合に前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際の前記表面反射光電圧の大きさを検出する電圧検出手段と、を更に含み、前記推定手段は、前記基準電圧の前記追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際に得られた前記表面反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された下限表面反射光電圧の大きさを減算すると共に前記電圧検出手段によって検出された前記表面反射光電圧の大きさを加算して得た値に対する、前記基準電圧の前記追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から前記既定領域に形成された前記基準画像に光が照射された際に得られた前記画像反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された下限画像反射光電圧の大きさを減算して得た値の割合を導出することによって画像の濃度を推定する請求項3~請求項6の何れか1項に記載の画像濃度推定装置。前記推定手段によって推定された画像の濃度を表示する表示手段を更に含む請求項3~請求項9の何れか1項に記載の画像濃度推定装置。請求項3~請求項10の何れか1項に記載の画像濃度推定装置と、前記像保持体の表面に形成された潜像を着色粒子と磁性粒子とを含んで構成された現像剤で現像することにより該表面に画像を形成する形成手段と、前記推定手段によって推定された画像の濃度が予め定められた濃度となるように、前記形成手段が前記潜像の現像に用いる前記現像剤に対する該現像剤に含まれる前記着色粒子の割合を調整する調整手段と、を含む画像形成装置。コンピュータを、表面に形成された画像を保持する像保持体の該表面の既定領域に対して、供給された電流の大きさに応じた光量の光を照射する照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射されることによって該既定領域から反射された反射光の光量を光電変換素子によって光電変換し、光電変換して得た反射光電圧を出力する出力手段から出力される前記反射光電圧としての表面反射光電圧の大きさと該表面反射光電圧の大きさを得るために、前記照射手段によって照射された光の光量を照射光電圧に光電変換する光電変換素子及び該照射光電圧の大きさを増幅させる増幅回路を備え、前記光電変換素子によって光電変換されて得られた照射光電圧の大きさを、前記増幅回路を用いて基準電圧の大きさに追従させるように前記照射手段に電流を供給することによって前記照射手段から照射される光の光量を制御する光量制御手段で用いられた前記基準電圧の大きさとの対応関係を表す第1直線近似式を用いて、前記基準電圧の大きさが下限値のときに前記出力手段から出力される下限表面反射光電圧の大きさを導出する手段、及び前記照射手段から前記既定領域に形成された基準画像に光が照射されることによって該基準画像から反射された反射光の光量に対応する前記反射光電圧として前記出力手段から出力される画像反射光電圧の大きさと該画像反射光電圧の大きさを得るために前記光量制御手段で用いられた前記基準電圧の大きさとの対応関係を表す第2直線近似式を用いて、前記基準電圧の大きさが下限値のときに前記出力手段から出力される下限画像反射光電圧の大きさを導出する手段として機能させるためのプログラム。本発明の課題は、画像濃度の簡便かつ高精度な推定に寄与する、画像濃度推定支援装置、画像濃度推定装置、画像形成装置及びプログラムを提供することである。上記目的を達成するために、請求項1に記載の画像濃度推定支援装置を、表面に形成された画像を保持する像保持体の該表面の既定領域に対して、供給された電流の大きさに応じた光量の光を照射する照射手段と、前記照射手段によって照射された光の光量を照射光電圧に光電変換する光電変換素子及び該照射光電圧の大きさを増幅させる増幅回路を備え、前記光電変換素子によって光電変換されて得られた照射光電圧の大きさを、前記増幅回路を用いて基準電圧の大きさに追従させるように前記照射手段に電流を供給することによって前記照射手段から照射される光の光量を制御する光量制御手段と、前記照射手段から光が照射されることによって前記既定領域から反射された反射光の光量を光電変換素子によって光電変換し、光電変換して得た反射光電圧を出力する出力手段と、前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射されることによって該既定領域から反射された反射光の光量に対応する前記反射光電圧として前記出力手段から出力される表面反射光電圧の大きさと該表面反射光電圧の大きさを得るために前記光量制御手段で用いられた前記基準電圧の大きさとの対応関係を表す第1直線近似式を用いて、前記基準電圧の大きさが下限値のときに前記出力手段から出力される下限表面反射光電圧の大きさを導出し、前記照射手段から前記既定領域に形成された基準画像に光が照射されることによって該基準画像から反射された反射光の光量に対応する前記反射光電圧として前記出力手段から出力される画像反射光電圧の大きさと該画像反射光電圧の大きさを得るために前記光量制御手段で用いられた前記基準電圧の大きさとの対応関係を表す第2直線近似式を用いて、前記基準電圧の大きさが下限値のときに前記出力手段から出力される下限画像反射光電圧の大きさを導出する導出手段と、を含んで構成した。請求項1に記載の画像濃度推定支援装置を、請求項2に記載の発明のように、前記第1直線近似式が、前記基準電圧の異なる大きさの各々に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際に得られた前記表面反射光電圧の大きさの各々と該表面反射光電圧の大きさの各々を得るために前記光量制御手段で用いられた前記基準電圧の大きさの各々との対応関係を表し、前記第2直線近似式が、前記基準電圧の異なる大きさの各々に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から前記既定領域に形成された基準画像に光が照射された際に得られた前記画像反射光電圧の大きさの各々と該画像反射光電圧の大きさの各々を得るために前記光量制御手段で用いられた前記基準電圧の大きさの各々との対応関係を表すものとした。請求項3に記載の画像濃度推定装置を、請求項1又は請求項2に記載の画像濃度推定支援装置と、前記表面反射光電圧の既定の大きさが得られるように定められた前記基準電圧の大きさである追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際に得られた前記表面反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された前記下限表面反射光電圧の大きさを減算して得た値に対する、前記基準電圧の前記追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から前記既定領域に形成された前記基準画像に光が照射された際に得られた前記画像反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された前記下限画像反射光電圧の大きさを減算して得た値の割合を導出することによって画像の濃度を推定する推定手段と、を含んで構成した。請求項3に記載の画像濃度推定装置を、請求項4に記載の発明のように、前記光量制御手段で用いられる前記基準電圧の大きさを変更する変更手段を更に含み、前記出力手段が、更に、前記光量制御手段が前記変更手段によって変更された前記基準電圧の大きさを用いて制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際に前記既定領域から反射された反射光の光量を光電変換して得た基準反射光電圧を出力し、前記基準電圧の前記追従対象値を、前記出力手段から出力された基準反射光量電圧の大きさが予め定められた大きさのときに前記光量制御手段で用いられた前記基準電圧の大きさとしたものとした。請求項4に記載の画像濃度推定装置を、請求項5に記載の発明のように、前記予め定められた大きさを、前記照射手段から画像を有しない未使用の前記既定領域に既定光量の光が照射された際に得られる前記表面反射光電圧の大きさに相当する大きさとしたものとした。請求項5に記載の濃度推定装置を、請求項4又は請求項5に記載の発明のように、前記変更手段は、前記光量制御手段で用いられる前記基準電圧の大きさを、前記表面反射光電圧の大きさを不安定にする前記基準電圧の大きさの範囲として予め定められた範囲を回避して変更するものとした。請求項3~請求項6の何れか1項に記載の画像濃度推定装置を、請求項7に記載の発明のように、前記導出手段によって導出された前記下限表面反射光電圧の大きさが既定閾値以上の場合に、前記基準電圧の大きさを、前記表面反射光電圧の大きさを不安定にする前記基準電圧の大きさの範囲として予め定められた範囲の上限値を超えた特定の大きさまで増加させる増加手段と、前記増加手段によって増加された前記基準電圧の大きさを用いて前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際の前記表面反射光電圧の大きさを検出する電圧検出手段と、を更に含み、前記推定手段が、前記基準電圧の前記追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際に得られた前記表面反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された下限表面反射光電圧の大きさを減算すると共に前記電圧検出手段によって検出された前記表面反射光電圧の大きさを減算して得た値に対する、前記基準電圧の前記追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から前記既定領域に形成された前記基準画像に光が照射された際に得られた前記画像反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された下限画像反射光電圧の大きさを減算して得た値の割合を導出することによって画像の濃度を推定するものとした。請求項7に記載の画像濃度推定装置を、請求項8に記載の発明のように、前記導出手段によって導出された前記下限表面反射光電圧の大きさが既定閾値未満の場合に、前記基準電圧の大きさを下限値に設定する設定手段を更に含み、前記電圧検出手段が、更に、前記設定手段によって前記基準電圧の大きさが下限値に設定された場合に前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際の前記表面反射光電圧の大きさを検出し、前記推定手段が、更に、前記基準電圧の前記追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際に得られた前記表面反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された下限表面反射光電圧の大きさを減算すると共に前記電圧検出手段によって検出された前記表面反射光電圧の大きさを加算して得た値に対する、前記基準電圧の前記追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から前記既定領域に形成された前記基準画像に光が照射された際に得られた前記画像反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された下限画像反射光電圧の大きさを減算して得た値の割合を導出することによって画像の濃度を推定するものとした。請求項3~請求項6の何れか1項に記載の画像濃度推定装置を、請求項9に記載の発明のように、前記導出手段によって導出された前記下限表面反射光電圧の大きさが既定閾値未満の場合に、前記基準電圧の大きさを下限値に設定する設定手段と、前記設定手段によって前記基準電圧の大きさが下限値に設定された場合に前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際の前記表面反射光電圧の大きさを検出する電圧検出手段と、を更に含み、前記推定手段が、前記基準電圧の前記追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際に得られた前記表面反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された下限表面反射光電圧の大きさを減算すると共に前記電圧検出手段によって検出された前記表面反射光電圧の大きさを加算して得た値に対する、前記基準電圧の前記追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から前記既定領域に形成された前記基準画像に光が照射された際に得られた前記画像反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された下限画像反射光電圧の大きさを減算して得た値の割合を導出することによって画像の濃度を推定するものとした。請求項3~請求項9の何れか1項に記載の画像濃度推定装置を、請求項10に記載の発明のように、前記推定手段によって推定された画像の濃度を表示する表示手段を更に含んで構成した。請求項11に記載の画像形成装置を、請求項3~請求項10の何れか1項に記載の画像濃度推定装置と、前記像保持体の表面に形成された潜像を着色粒子と磁性粒子とを含んで構成された現像剤で現像することにより該表面に画像を形成する形成手段と、前記推定手段によって推定された画像の濃度が予め定められた濃度となるように、前記形成手段が前記潜像の現像に用いる前記現像剤に対する該現像剤に含まれる前記着色粒子の割合を調整する調整手段と、を含んで構成した。請求項12に記載のプログラムを、表面に形成された画像を保持する像保持体の該表面の既定領域に対して、供給された電流の大きさに応じた光量の光を照射する照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射されることによって該既定領域から反射された反射光の光量を光電変換素子によって光電変換し、光電変換して得た反射光電圧を出力する出力手段から出力される前記反射光電圧としての表面反射光電圧の大きさと該表面反射光電圧の大きさを得るために、前記照射手段によって照射された光の光量を照射光電圧に光電変換する光電変換素子及び該照射光電圧の大きさを増幅させる増幅回路を備え、前記光電変換素子によって光電変換されて得られた照射光電圧の大きさを、前記増幅回路を用いて基準電圧の大きさに追従させるように前記照射手段に電流を供給することによって前記照射手段から照射される光の光量を制御する光量制御手段で用いられた前記基準電圧の大きさとの対応関係を表す第1直線近似式を用いて、前記基準電圧の大きさが下限値のときに前記出力手段から出力される下限表面反射光電圧の大きさを導出する手段、及び前記照射手段から前記既定領域に形成された基準画像に光が照射されることによって該基準画像から反射された反射光の光量に対応する前記反射光電圧として前記出力手段から出力される画像反射光電圧の大きさと該画像反射光電圧の大きさを得るために前記光量制御手段で用いられた前記基準電圧の大きさとの対応関係を表す第2直線近似式を用いて、前記基準電圧の大きさが下限値のときに前記出力手段から出力される下限画像反射光電圧の大きさを導出する手段としてコンピュータを機能させるためのものとした。請求項1、請求項3、請求項11及び請求項12に係る発明によれば、第1直線近似式を用いて下限表面反射光電圧の大きさを導出すると共に第2直線近似式を用いて下限画像反射光電圧の大きさを導出する構成を有しない場合に比べ、画像濃度の簡便かつ高精度な推定に寄与する、という効果が得られる。請求項2に係る発明によれば、表面反射光電圧の大きさの各々と対応する基準電圧の大きさの各々とから第1直線近似式を導出せず、かつ画像反射光電圧の大きさの各々と対応する基準電圧の大きさの各々とから第2直線近似式を導出しない場合に比べ、下限表面反射光電圧の大きさ及び下限画像反射光電圧の大きさが簡便かつ高精度に導出される、という効果が得られる。請求項4に係る発明によれば、基準電圧の追従対象値を、出力手段から出力された基準反射光量電圧の大きさが予め定められた大きさのときに光量制御手段で用いられた基準電圧の大きさとしない場合に比べ、下限表面反射光電圧の大きさ及び下限画像反射光電圧の大きさが高精度に導出される、という効果が得られる。請求項5に係る発明によれば、請求項3に記載の予め定められた大きさを、画像を有しない未使用の既定領域に既定光量の光が照射された際に得られる表面反射光電圧の大きさに相当する大きさとしない場合に比べ、下限表面反射光電圧の大きさ及び下限画像反射光電圧の大きさが高精度に導出される、という効果が得られる。請求項6に係る発明によれば、光量制御手段で用いられる基準電圧の大きさが、表面反射光電圧の大きさを不安定にする基準電圧の範囲として予め定められた範囲を回避して変更されない場合に比べ、下限表面反射光電圧の大きさ及び下限画像反射光電圧の大きさが高精度に導出される、という効果が得られる。請求項7に記載に係る発明によれば、下限表面反射光電圧の大きさが既定閾値以上の場合に、画像の濃度を推定する際に用いる値として、表面反射光電圧の大きさから下限表面反射光電圧の大きさを減算すると共に電圧検出手段によって検出された表面反射光電圧の大きさを減算して得た値を採用しない場合に比べ、画像の濃度が高精度に推定される、という効果が得られる。請求項8及び請求項9に係る発明によれば、下限表面反射光電圧の大きさが既定閾値未満の場合に、画像の濃度を推定する際に用いる値として、表面反射光電圧の大きさから下限表面反射光電圧の大きさを減算すると共に電圧検出手段によって検出された表面反射光電圧の大きさを加算して得た値を採用しない場合に比べ、画像の濃度が高精度に推定される、という効果が得られる。請求項10に係る発明によれば、推定手段によって推定された画像の濃度を表示しない場合に比べ、画像の濃度が容易に把握される、という効果が得られる。図1は、本実施形態に係る画像形成装置10の要部構成を示す概略構成図である。同図に示されるように、画像形成装置10には、複数のロール12に巻き掛けられ、モータ図示省略の駆動により矢印E方向に搬送される無端ベルト状の中間転写ベルト14が備えられており、当該中間転写体ベルト14の長手方向に沿って、複数の画像形成ユニット15が配置されている。本実施形態における画像形成装置10は、カラー画像の形成にも対応しており、イエローY、マゼンタM、シアンC、ブラックKの4色に対応するトナー像を形成する画像形成ユニット15Y、15M、15C、15Kがそれぞれ配設されている。以下、各色毎に設けられた部材については、符号の末尾に各々の色を示すアルファベットY/M/C/Kを付与して示すが、特に色を区別せずに説明する場合は、この符号末尾のアルファベットを省略して説明する。各画像形成ユニット15により形成された互いに異なる色のトナー像は、中間転写ベルト14のベルト面上で、互いに重なり合うように中間転写ベルト14に各々転写される。これにより、中間転写ベルト14上にカラーのトナー像が形成される。なお、本実施形態では、このようにして4色のトナー像が重ねて転写されたトナー像を最終トナー像と称する。4つの画像形成ユニット15よりも中間転写ベルト14の搬送方向下流側には、対向する2つのロール26A,26Bを有する転写装置26が設けられている。中間転写ベルト14上に形成された最終トナー像は、このロール26A,26Bの間に送り込まれ、画像形成装置10の底部に設けられた用紙入れ29から取り出されて、同じくロール26A,26Bの間に搬送されてきた用紙28に転写される。また、最終トナー像が転写された用紙28の搬送経路には、加圧ロール30Aと加熱ロール30Bとからなる定着装置30が設けられている。定着装置30に搬送された用紙28は、加圧ロール30Aと加熱ロール30Bとによって挟み込まれて搬送されることにより最終トナー像が溶融すると共に用紙28に圧着されることによって定着される。これにより、用紙28上に所望の画像カラー画像が形成される。画像が形成された用紙28は装置外へ排出される。一方、転写装置26よりも中間転写ベルト14の搬送方向下流側には、転写装置26によって用紙28に転写されずに中間転写ベルト14上に残留したトナーを回収するクリーナ32が設けられている。クリーナ32には、中間転写ベルト14に接するようにブレード34が備えられており、残留したトナーを擦り取ることによって回収する。また、中間転写ベルト14の搬送方向の画像形成ユニット15の下流側には、照射検出装置36が設けられている。照射検出装置36は、中間転写ベルト14の表面の既定領域に対して光を照射し、照射した際の反射光を検出するものであり、中間転写ベルト14の表面の既定領域に転写された基準トナー像の濃度に対応した値以下、濃度対応値とも言う。を導出する際に必要な物理量本実施形態では、一例として光量に応じた電圧を取得するために用いられる。図2には、画像形成ユニット15の構成が示されている。なお、各画像形成ユニット15の構成は同様であるので、ここでは各々の色を示す末尾の符号を省略して説明する。同図に示されるように、画像形成ユニット15は、中間転写ベルト14に接するように配置され、矢印F方向に予め定められた速度で回転する感光体ドラム16を備えている。各感光体ドラム16の周面には、感光体ドラム16を帯電させるための帯電ロール18が配置されている。帯電ロール18は、導電性のロールであり、その周面が感光体ドラム16の周面に接触し、かつ帯電ロール18の軸線方向と感光体ドラム16の軸線方向とが略一致するように配置されている。帯電ロール18には、DC直流成分とAC交流成分とが重畳された予め定められた電圧が印加され、感光体ドラム16の回転に追従するように回転しながら、感光体ドラム16の表面を予め定められた電位に帯電させる。また、各感光体ドラム16の回転方向矢印F方向の帯電ロール18よりも下流側の周面上には、感光体ドラム16上に静電潜像を形成するための露光器20が備えられている。露光器20は、複数のLED発光ダイオード20Aが画像形成時における主走査方向図2紙面前後方向に沿って配列されたLEDアレイを含んで構成されており、帯電ロール18により一様に帯電された感光体ドラム16の軸線方向に、入力された画像情報に基づく光ビームを走査しながら照射する。露光器20により光ビームが照射された領域の電位は上昇し、感光体ドラム16上に静電潜像が形成される。さらに、各感光体ドラム16の回転方向の露光器20よりも下流側の周囲には、感光体ドラム16上に形成された静電潜像を予め定められた色イエロー/マゼンタ/シアン/ブラックの何れか1色のトナーによって現像してトナー像を形成させる現像器22が配設されている。現像器22には、トナーを収容するトナーボックス44がパイプ図示省略を経由して接続されている。トナーボックス44から現像器22に補給されるトナーの補給量は、ディスペンスモータ図示省略の回転時間により調整される。なお、本実施形態では、上記トナーとして、負極性であるトナー粒子着色粒子及び正極性であるキャリア磁性粒子の二成分を含む現像剤が適用されている。また、現像効率及び後述する転写効率を向上させるためには、トナー粒子の形状は球状であることが好ましい。また、本実施形態では、現像器22には、キャリアは補給されず、トナー粒子のみが補給される構成となっている。現像器22は、同図に示されるように、感光体ドラム16に近接配置された現像ロール38及びブレード40を含んで構成されている。現像ロール38は、感光体ドラム16の表面と同極性本実施形態では、負極性のDC直流成分とAC交流成分とが重畳された予め定められた電圧が印加され、現像器22内に装填された正極性のキャリアと共にトナー粒子が周面に搬送される。また、現像ロール38は、感光体ドラム16の回転方向と同じ方向図中矢印G方向に回転駆動され、現像ロール38に余分に付着したトナー粒子及びキャリアがブレード40によって落とされて現像ロール38に均一に付着される。現像ロール38の矢印G方向への回転により、現像ロール38に付着されたトナーが感光体ドラム16の表面に供給される。一方、各感光体ドラム16の回転方向の現像器22よりも下流側の周囲には、各感光体ドラム16上のトナー像を中間転写ベルト14に転写する転写ロール25が備えられている。転写ロール25は、矢印H方向に回転して中間転写ベルト14を予め定められた速度で搬送して感光体ドラム16に順次対向させる。また、転写ロール25には電源42が接続されており、転写ロール25は、正極性のバイアス電圧が印加され、感光体ドラム16上のトナーを中間転写ベルト14上に転写させる。ここで、転写ロール25では、感光体ドラム16上の全てのトナーを中間転写ベルト14に転写させることはできず、転写ロール25の配設位置を通過した感光体ドラム16上には、トナーがわずかに残留する転写残トナー。また、転写ロール25によって極性がプラスに反転され、感光体ドラム16上に再び付着するトナーリトランスファートナーも存在する。なお、転写ロール25の配設位置を通過する際に、中間転写ベルト14上に他色のトナー像が既に転写されている場合には、リトランスファートナーには、他色のトナーも含まれる。そこで、感光体ドラム16の周面の転写ロール25よりも下流側には、感光体ドラム16上の転写残トナー又はリトランスファートナーを一時的に保持するクリーニングロール24が配置されている。クリーニングロール24は、表面に導電性のブラシ毛が植毛されており、当該ブラシ毛が感光体ドラム16と接触するように配設されており、バイアス電圧が印加されると共に、回転駆動されるようになっている。クリーニングロール24は、画像形成が行われている期間は負極性本実施形態では、-500Vのバイアス電圧が印加されると共に、感光体ドラム16の回転方向と同方向に回転される。これにより、感光体ドラム16の表面に付着しているプラス極性のリトランスファートナーをブラシ毛に吸着させて回収する。なお、クリーニングロール24では、マイナス極性の転写残トナーについては回収されず、感光体ドラム16上に付着したまま感光体ドラム16に対する帯電及び露光が行われ、非画像部に付着している転写残トナーについては、現像器22の現像ロール38に付着したキャリア及びトナーとの摺擦により現像器22内に回収される。クリーニングロール24によって回収されたリトランスファートナーは、非画像形成時に実行されるクリーニングモードによって、感光体ドラム16上に吐き出される。クリーニングモードでは、クリーニングロール24は正極性本実施形態では、500Vのバイアス電圧が印加されると共に、感光体ドラム16の回転方向とは異なる方向に感光体ドラム16の回転に追従するように回転される。これにより、クリーニングロール24に保持されていたプラス極性のリトランスファートナーが感光体ドラム16上に吐き出される。このようにして感光体ドラム16上に吐き出されたリトランスファートナーは、感光体ドラム16の回転により転写位置まで搬送される。クリーニングモードでは、転写ロール25は負極性のバイアス電圧が印加されるようになっており、転写位置まで搬送されたリトランスファートナーは、転写ロール25によって中間転写ベルト14上に転写され、中間転写ベルト14によってクリーナ32へと搬送され、クリーナ32のブレード34によって擦り取られる。図3は、本実施形態に係る画像形成装置10の電気系の要部構成を示すブロック図である。同図に示すように、画像形成装置10は、照射検出装置36、CPU中央処理装置60、ROMReadOnlyMemory62、RAMRandomAccessMemory64、NVMNonVolatileMemory66、UIユーザインタフェースパネル68、通信インタフェース70及び画像形成部74を含んで構成されている。CPU60は、画像形成装置10全体の動作を司るものである。ROM62は、画像形成装置10の作動を制御する制御プログラム、後述する濃度対応値導出処理プログラムや各種パラメータ等を予め記憶する記憶手段として機能するものである。RAM64は、各種プログラムの実行時のワークエリア等として用いられるものである。NVM66は、装置の電源スイッチが切られても保持しなければならない各種情報を記憶するものである。UIパネル68は、ディスプレイ上に透過型のタッチパネルが重ねられたタッチパネルディスプレイ等から構成され、各種情報がディスプレイの表示面に表示されると共に、ユーザがタッチパネルに触れることにより各種情報や指示が入力される。通信インタフェース70は、パーソナルコンピュータ等の外部装置72に接続され、外部装置72から用紙28に形成する画像を示す画像情報等の各種情報を受信するためのものである。画像形成部74は、LEDゼログラフィ方式にて用紙28に対して画像形成を行うものであり、前述した画像形成ユニット15、転写装置26及び定着装置30を含んで構成されている。照射検出装置36、CPU60、ROM62、RAM64、NVM66、UIパネル68、通信インタフェース70及び画像形成部74は、システムバスBUSを介して相互に接続されている。従って、CPU60は、ROM62、RAM64、NVM66へのアクセスと、UIパネル68への各種情報の表示と、UIパネル68に対するユーザの操作指示内容の把握と、外部装置72からの通信インタフェース70を介した各種情報の受信と、照射検出装置36及び画像形成部74の作動の制御と、画像形成部74の動作状態の把握と、照射検出装置36によって取得された情報の受信と、を各々行う。図4は、本実施形態に係る照射検出装置36の構成の一例を示すブロック図である。同図に示すように、照射検出装置36は、LED76、照射光検出部78、反射光検出部80、光量制御回路82、アナログデジタル変換器A/D変換器84及びデジタルアナログ変換器D/A変換器86を含んで構成されている。LED76は、中間転写ベルト14の表面の既定領域に対して、供給された電流の大きさに応じた光量の光照射光を照射する。照射光検出部78は、光電変換を行う光電変換素子を有しており、この光電変換素子を用いて、LED76による照射光を受光して受光量に応じた電圧を増幅して照射光電圧として出力する。反射光検出部80は、光電変換素子を有しており、この光電変換素子を用いて、LED76による照射光が既定領域で反射した際の反射光例えば正反射光を受光して受光量に応じて電圧を増幅して反射光電圧として出力する。光量制御回路82は、照射光検出部78での検出結果及び反射光検出部80での検出結果に基づいてLED76から発せられる光の光量を制御する。A/D変換器84は、入力されたアナログ信号をデジタル信号に変換して出力する。D/A変換器86は、入力されたデジタル信号をアナログ信号に変換して出力する。反射光検出部82の出力端はA/D変換器84を介してシステムバスBUSに接続されており、反射光検出部80は反射光電圧をA/D変換器84に印加し、CPU60は、A/D変換器84を介して反射光検出部80の検出結果反射光電圧の大きさを取得し、取得した反射光検出部80の検出結果に基づいて画像の濃度を推定する。また、光量制御回路76の第1の入力端は照射光検出部80の出力端に接続されており、照射光検出部80は、照射光電圧を光量制御回路82の第1の入力端に印加する。また、光量制御回路76の第2の入力端はD/A変換器86を介してシステムバスBUSに接続されており、CPU60は、反射光検出部80の検出結果に基づいて推定した画像の濃度に対して予め定められた大きさの基準電圧をD/A変換器86を介して光量制御回路82に印加する。更に、光量制御回路76の出力端はLED78に接続されており、光量制御回路82は、照射光検出部80によって印加された照射光電圧の大きさ以下、照射光電圧Vmonと称する。を、CPU60によってD/A変換器86を介して印加された基準電圧の大きさ以下、基準電圧Vrefと称する。に追従させるようにLED76に発光用の電流を供給することによってLED76の発光量を制御する。図5は、照射検出装置36のLED76、照射光検出部78及び光量制御回路82の構成の一例を示した回路図である。同図に示すように、LED76では、カソードが光量制御回路82の出力端に接続されており、アノードが電源配線Vccに接続されている。照射光検出部78は、フォトダイオード98、オペアンプ100、抵抗素子R6~R8及びコンデンサC2を含んで構成されている。フォトダイオード98のアノードには、接地電圧が印加された接地配線GNDが接続されている。オペアンプ100は、電源端子100A、接地端子100B、反転入力端子100C、非反転入力端子100D及び出力端子100Eを備えている。電源端子100Aは、駆動用の正極電圧が印加された電源配線Vccに接続されている。接地端子100B及び非反転入力端子100Dは、接地配線GNDに接続されている。反転入力端子100Cは、フォトダイオード98のカソードに接続されている。出力端子100Eは、抵抗素子R7,R8を介して接地配線GNDに接続され、かつ照射光検出部78の出力端を介して配線96に接続されている。コンデンサC2及び抵抗素子R6は並列に接続されており、一方の接続端が反転入力端子100Cに接続され、他方の接続端が抵抗素子R7と抵抗素子R8との接続部に接続されている。このように構成されたLED76及び照射光検出部78では、LED76が光量制御回路82の制御に従って発光し、照射光検出部78がLED76から発せられた光をフォトダイオード98で受光し、フォトダイオード98の後段の回路で受光量に応じた電圧を増幅して照射光電圧として配線96を介して光量制御回路82の第1の入力端に印加する。一方、光量制御回路82は、オペアンプ90,92、NPNトランジスタ94、抵抗素子R1~R5及びコンデンサC1を含んで構成されており、前段回路IC1及び後段回路IC2に大別される。前段回路IC1は、照射光検出部78から供給された電圧を増幅して後段回路IC2に供給する回路であり、オペアンプ90、抵抗素子R1,R2及びコンデンサC1を含んで構成されている。オペアンプ90は、電源端子90A、接地端子90B、反転入力端子90C、非反転入力端子90D及び出力端子90Eを備えている。電源端子90Aは、電源配線Vccに接続されている。接地端子90Bは、接地配線GNDに接続されている。反転入力端子90Cは、配線96に接続されている。非反転入力端子90Dは、一方の電極が接地配線GNDに接続されたコンデンサC1の他方の電極に接続され、かつ前述のD/A変換器86を介してシステムバスBUSに接続されて基準電圧が印加されている。出力端子90Eは、抵抗素子R1を介して反転入力端子90Cに接続されている。また、配線96には抵抗素子R2が挿入されており、反転入力端子90Cは抵抗素子R2を介して照射光検出部78の出力端に接続されている。後段回路IC2は、前段回路IC1から供給された電圧を予め定められた大きさの電流にしてLED76に供給する回路であり、オペアンプ92、NPNトランジスタ94及び抵抗素子R3~R5を含んで構成されている。オペアンプ92は、電源端子92A、接地端子92B、反転入力端子92C、非反転入力端子92D及び出力端子92Eを備えている。電源端子92Aは、電源配線Vccに接続されている。接地端子90Bは、接地配線GNDに接続されている。反転入力端子90Cは、抵抗素子R5を介して接地配線GNDに接続されている。非反転入力端子92Dは、オペアンプ90の出力端子90Eに接続されている。出力端子92Eは、抵抗素子R3を介してNPNトランジスタ94のベースに接続され、かつ抵抗素子R4,R5を介して接地配線GNDに接続されている。また、NPNトランジスタ94のエミッタは抵抗素子R3を介して接地配線GNDに接続されており、NPNトランジスタ94のコレクタは光量制御回路82の出力端に接続されている。このように構成された光量制御回路82では、照射光検出部78によって第1の入力端に照射光電圧が印加されると、印加された照射光電圧Vmonが、現時点で推定されている画像の濃度に対して予め定められた基準電圧Vrefに追従するように前段回路IC1によって制御され、後段回路IC2によってNPNトランジスタ94のコレクタ及びエミッタ間にLED76の発光用電流の大きさ以下、発光用電流Iと称するが基準電圧Vrefに対応する既定電流値になるようにフィードバック制御される。次に、本実施形態に係る画像形成装置10の作用を説明する。先ず、用紙28に画像を形成する場合の画像形成装置10の動作について一例を挙げて説明する。画像形成装置10では、例えば外部装置72から送信された画像情報を受信すると、中間転写体ベルト14が図1に示す矢印E方向へ駆動すると共に、感光体ドラム16Y,16M,16C,16Kが順次に図2の矢印F方向へ回転する。そして、帯電ロール18Y,18M,18C,18Kが予め定められた電圧に帯電し、感光体ドラム16Y,16M,16C,16Kと同期して回転することにより帯電ロール18が感光体ドラム16Y,16M,16C,16Kの表面を既定電圧値に帯電させる。画像情報はイエロー/マゼンタ/シアン/ブラックの各色毎のデータに変換され、変換されたデータに基づき各色毎の画像形成ユニット15のLEDアレイ40Y,40M,40C,40Kを点灯させる。感光体ドラム16Y、16M、16C,16KにはLEDアレイ40Y,40M,40C,40Kからの光ビームにより露光されて各色毎の静電潜像を形成される。続いて、現像ロール38Y,38M,38C,38Kに例えば-400Vの電圧が印加され、図2に示す矢印G方向に回転して感光体ドラム16Y,16M,16C,16K上の静電潜像に各色のトナーを付着させて現像を行う。そして、転写ロール25Y,25M,25C,25Kに例えば500Vの電圧が印加され、現像器22Y,22Y,22C,22Kにより現像された感光体ドラム16Y,16M,16C,16K上の互いに異なる色のトナー像を、中間転写体ベルト14のベルト面上で、互いに重なり合うように中間転写体ベルト14へ転写して最終トナー像を形成する。そして、転写装置26では、中間転写体ベルト14に転写された最終トナー像がロール26A,26Bの間に送り込まれ、用紙28が用紙入れトレイ29から取り出されてロール26A,26Bの間に搬送されて用紙28に最終トナー像が転写される。最終トナー像が転写された用紙28は、加圧ロール30Aと加熱ロール30Bからなる定着装置30に搬送されて定着処理が施される。これにより、最終トナー像が用紙28に定着されて、用紙28上に画像カラー画像が形成される。ところで、本実施形態に係る画像形成装置10では、濃度対応値を導出し、導出した濃度対応値に基づいて、画像の濃度が予め定められた濃度例えば予め定められた画質以上の画像を形成するために必要な濃度となるように、現像器22内のトナーに対するそのトナーに含まれるトナー粒子の割合を調整するための制御であるTCトナーコンセントレーション制御や、画像形成部74によって中間転写ベルト14の表面に形成される画像を示す画像情報の補正処理、感光体ドラム16の表面の帯電量、露光器20に照射される光ビームの光量調整、現像ロール38に印加すべき電圧の大きさ、転写ロール25に印加されるバイアス電圧の大きさの調整量、中間転写ベルト14から用紙28にトナー像を転写するときにロール26Aに印加されるバイアス電圧の大きさの調整量などの各種条件画像形成条件が決定される。ここで、濃度対応値とは、LED76が画像を有しない既定領域に対して予め定められた光量の光を照射した際のその既定領域で反射された反射光の光量に対応する反射光電圧である表面反射光電圧の大きさ以下、表面反射光電圧Voutと称する。に対する、画像形成部74によって既定領域に形成された基準トナー像に対してLED76が予め定められた光量の光を照射した際のその基準トナー像で反射された反射光の光量に対応する反射光電圧である画像反射光電圧の大きさ以下、画像反射光電圧Vpatchと称する。の割合のことである。また、予め定められた光量とは、光量制御回路82が濃度対応値に対して予め定められた基準電圧Vrefに照射光電圧Vmonを追従させるようにLED76に電流を供給することによってLED76から照射される光の光量照射光量のことである。この照射光量は、基準電圧Vrefに対応している。すなわち、照射光量は、基準電圧Vrefの増加に伴って大きくなり、基準電圧Vrefの減少に伴って小さくなる。従って、意図する照射光量を得るためには、基準電圧Vrefを一意に定める濃度対応値を高精度に推定することが要求される。しかし、反射光検出部80は、如何に精密に製造されたとしても、製造工程や構成部材が有する特性、製造されてから実際に利用されるまでの期間、経時劣化などが反射光検出部80毎に異なるため、個々に特性が異なる。これは光量制御回路82についても言えることである。反射光検出部80毎の特性の違いは、例えば反射光検出部80から出力される暗電圧の大きさの違いとして現れる。また、光量制御回路82毎の特性の違いは、例えば光量制御回路82から出力されるオフセット電圧の大きさの違いとして現れる。このように、反射光検出部80における暗電圧の大きさの違い及び光量制御回路82におけるオフセット電圧の大きさの違いは、画像形成装置10毎のLED76の発光量の違いにつながり、LED76の発光量の違いは、画像形成装置10毎の表面反射光電圧Voutの違い及び画像反射光電圧Vpatchの違いにもつながる。従って、表面反射光電圧Vout及び画像反射光電圧Vpatchに依存する濃度対応値も画像形成装置10毎に異なってしまう。図6には、反射光電圧の検出有効範囲が正負の両極に亘って設定されている場合に2つの照射検出装置36の各々から得られた反射光電圧の大きさと基準電圧Vrefとの対応関係の一例が示されている。なお、同図の例では、一方の照射検出装置36を照射検出装置Aとし、他方の照射検出装置36を照射検出装置Bとして表現している。同図に示すように、照射検出装置Aでは、基準電圧Vrefが0Vのときに光量制御回路82から出力されるオフセット電圧に起因してLED76が発光するので反射光電圧の下限値がプラス側のVooffとなる。これに対し、照射検出装置Bでは、基準電圧Vrefが0Vのときに光量制御回路82から出力されるオフセット電圧に起因してLED76が発光するにも拘わらず反射光電圧の下限値がプラス側に現れずにマイナス側のVooffとなり、基準電圧Vrefをある程度の大きさ同図の例ではVrefbまで上げなければ反射光電圧の大きさが0Vにはならない。そのため、照射検出装置Bでは、反射光電圧が検出される範囲として予め設定されている範囲ダイナミックレンジが0V以上とされている場合、基準電圧Vrefの0V以上Vrefb未満の範囲は反射光電圧が検出されない範囲として存在してしまう。そのため、ダイナミックレンジがプラス側にだけ制限されている場合マイナス側が用いられない場合、照明検出装置Aに比べて照射検出装置Bを扱うことが困難になる。このような照射検出装置A,Bを個別に画像形成装置10に採用した場合、各々において、例えば基準電圧VrefとしてVrefbを超える規格電圧値内の電圧値を光量制御回路82に設定したとしても、照射検出装置Aと照射検出装置Bとでは検出される反射光電圧の大きさが異なるので、照射検出装置Aを備えた画像形成装置10と照射検出装置Bを備えた画像形成装置10とでは濃度対応値が異なる結果となって現れてしまう。画像形成装置10の各々で導出される濃度対応値を統一するための補正方法としては、基準電圧Vrefが下限値である0Vのときの表面反射光電圧補正用表面反射光電圧の大きさを予め検出しておき、現時点で検出された表面反射光電圧Voutから補正用表面反射光電圧の大きさを減算して得た値に対する、現時点で検出された画像反射光電圧Vpatchから補正用表面反射光電圧の大きさを減算して得た値の割合を濃度対応値とする方法が考えられるが、この方法では、図6に示す例の照射検出装置AのVooff分の反射光電圧の大きさは補正されるが、照射検出装置BのVooff分の反射光電圧の大きさは補正されない。しかも、補正用表面反射光電圧は、表面反射光電圧であり、画像反射光電圧ではないので、表面反射光電圧Voutに比べて画像反射光電圧Vpatchが精度良く補正されているとは言えない。別の補正方法としては、図6に示す例の照射検出装置BのVooff分の反射光電圧の大きさを打ち消すためにバイアス電圧を付与することによって濃度対応値を補正する方法も考えられるが、照射検出装置AのVooff分の反射光電圧にもバイアス電圧が付与されるため、反射光電圧の実質の検出有効範囲ダイナミックレンジが狭くなってしまう。更に別の補正方法としては、照射検出装置A,Bの各々にオフセット電圧を打ち消すためのオフセット電圧調整回路を設ける方法も考えられるが、コストアップと調整に要する時間を考慮すると実用性に欠ける。そこで、本実施形態では、画像形成装置10において、上記の補正方法を用いた場合よりも簡便かつ高精度に濃度対応値を導出する濃度対応値導出処理を実行している。この濃度対応値導出処理は、コンピュータを利用してプログラムを実行することにより実現される。しかし、このようなソフトウェア構成による実現に限られるものではなく、ハードウェア構成や、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現しても良いことは言うまでもない。以下では、本実施形態に係る画像形成装置10が上記プログラムを実行することにより濃度対応値導出処理を実現する場合について説明する。この場合、上記プログラムをROM62に予め記憶させておく形態や、記憶内容がコンピュータによって読み取られる記録媒体に記憶された状態で提供される形態、有線または無線による通信手段を介して配信される形態等を適用しても良い。次に、図7を参照して、濃度対応値導出処理を実行する際の画像形成装置10の作用を説明する。なお、図7は、濃度対応値導出処理の実行を指示する操作がUIパネル68によって受け付けられた際に画像形成装置10のCPU60により実行される濃度対応値導出処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。なお、ここでは、錯綜を回避するために、反射光電圧のダイナミックレンジを0V以上2V以下とし、光量制御回路82に設定される基準電圧Vrefの範囲を0V以上5V以下とした場合について説明する。同図のステップ200では、光量制御回路82に対して、基準電圧Vrefの予め定められた第1の大きさに相当する電圧Vref1を設定した後、ステップ202に移行し、表面反射光電圧Voutとしての電圧Vb1を検出する。次のステップ204では、光量制御回路82に対して、電圧Vref1とは異なる大きさである基準電圧Vrefの予め定められた第2の大きさに相当する電圧Vref2を設定した後、ステップ206に移行し、表面反射光電圧Voutとしての電圧Vb2を検出する。次のステップ208では、上記ステップ200で光量制御回路82に対して設定された電圧Vref1と上記ステップ202で検出された電圧Vb1とを表す2次元座標Vref1,Vb1、及び上記ステップ204で光量制御回路82に対して設定された電圧Vref2と上記ステップ206で検出された電圧Vb2とを表す2次元座標Vref2,Vb2から基準電圧Vrefと表面反射光電圧Voutとの対応関係を表すVout=a1VrefVdarkbの第1直線近似式を作成する。なお、a1は第1直線近似式の傾きを示している。Vdarkbは第1直線近似式の切片であり、基準電圧Vrefを下限値である0Vとしたときに反射光検出部80から出力される電圧の大きさに相当する。以下では、Vdarkbを下限表面反射光電圧と称する。次のステップ210では、中間転写ベルト14の既定領域に基準トナー像が形成されるように画像形成部74を制御した後、ステップ211に移行し、中間転写ベルト14の既定領域に基準トナー像が形成されるまで待機する。基準トナー像が形成されると、ステップ211が肯定判定となってステップ212に移行し、光量制御回路82に対して、基準電圧Vrefの予め定められた第3の大きさに相当する電圧Vref3を設定した後、ステップ214に移行し、画像反射光電圧Vpatchとしての電圧Vt3を検出する。次のステップ216では、光量制御回路82に対して、電圧Vref3とは異なる大きさである基準電圧Vrefの予め定められた第4の大きさに相当する電圧Vref4を設定した後、ステップ218に移行し、画像反射光電圧Vpatchとしての電圧Vt4を検出する。なお、本実施形態では、電圧Vref3及び電圧Vref4として、予め定められた第3の大きさ及び予め定められた第4の大きさを用いたが、これに限らず、互いに異なる他の大きさであれば良い。また、この場合、表面反射光電圧の大きさを不安定にする基準電圧Vrefの範囲として予め定められた範囲を回避する大きさを採用することが好ましい。この範囲は、実機を用いた実験で予め得られた実測値に基づいて定められた範囲や、実機の仕様等に基づくコンピュータシミュレーションによって予め得られた推定値に基づいて定められた範囲であれば良い。次のステップ220では、上記ステップ212で光量制御回路82に対して設定された電圧Vref3と上記ステップ214で検出された電圧Vt3とを表す2次元座標Vref3,Vt3、及び上記ステップ216で光量制御回路82に対して設定された電圧Vref4と上記ステップ218で検出された電圧Vb4とを表す2次元座標Vref4,Vb4から基準電圧Vrefと画像反射光電圧Vpatchとの対応関係を表すVpatch=a2VrefVdarktの第2直線近似式を作成する。なお、a2は第2直線近似式の傾きを示している。Vdarktは第2直線近似式の切片であり、基準電圧Vrefの大きさを下限値である0Vとしたときに反射光検出部80から出力される電圧の大きさに相当する。以下では、Vdarktを下限画像反射光電圧と称する。次のステップ222では、光量制御回路82に対して、予め定められた大きさの基準電圧Vrefzを設定した後、ステップ224に移行し、表面反射光電圧Voutとしての電圧Vbzを検出する。次のステップ226では、上記ステップ224で検出された電圧Vbzが、既定の表面反射光電圧Voutが得られるように定められた基準電圧Vrefに相当する電圧Vcであるか否かを判定し、肯定判定となった場合にはステップ228に移行する一方、否定判定となった場合にはステップ230に移行する。ステップ230では、現時点で光量制御回路82に対して設定されている基準電圧Vrefzの大きさを変更した後、上記ステップ224に戻る。なお、上記の予め定められた大きさの基準電圧Vrefzとは、例えば、図6に示す例の基準電圧VrefにおけるVrefbを超える規格電圧値内の電圧値として予め定められた電圧値を示しており、実機を用いた実験で予め得られた実測値に基づいて定められた電圧値や、実機の仕様等に基づくコンピュータシミュレーションによって予め得られた推定値に基づいて定められた電圧値である。また、上記の電圧Vcは、例えば、中間転写ベルト14の表面における画像を有しない未使用の既定領域にLED76から既定光量例えば未使用の既定領域に光を照射した際に表面反射光電圧として2Vが検出されるだけの光量として予め定められた光量の光を照射した際に得られる表面反射光電圧の大きさに相当する大きさを示しており、実機を用いた実験で予め得られた実測値に基づいて定められた電圧値や、実機の仕様等に基づくコンピュータシミュレーションによって予め得られた推定値に基づいて定められた電圧値である。ステップ228では、中間転写ベルト14の既定領域に基準トナー像が形成されるように画像形成部74を制御した後、ステップ232に移行し、中間転写ベルト14の既定領域に基準トナー像が形成されるまで待機する。基準トナー像が形成されると、ステップ232が肯定判定となってステップ234に移行し、画像反射光電圧Vpatchとしての電圧Vtzを検出する。次のステップ236では、上記ステップ224で検出された電圧Vbzから、上記ステップ208で作成された第1直線近似式から外挿法で導出された下限表面反射光電圧Vdarkbを減算した後、ステップ238に移行し、上記ステップ234で検出された電圧Vtzから、上記ステップ220で作成された第2直線近似式から外挿法で導出された下限画像反射光電圧Vdarktを減算する。なお、本実施形態では、上記ステップ238において電圧Vbzから下限表面反射光電圧Vdarkbを減算して得た値を第1補正済み表面反射光電圧Vbf1と称し、上記ステップ238において電圧Vtzから下限画像反射光電圧Vdarktを減算して得た値を第1補正済み画像反射光電圧Vtfと称する。次のステップ240では、上記ステップ236で算出された第1補正済み表面反射光電圧Vbf1に対する、上記ステップ238で算出された第1補正済み画像反射光電圧Vtfの割合Ratio1を算出し、次のステップ242にて上記ステップ240で算出された割合を濃度対応値としてNVM66の予め定められた記憶領域に記憶した後、本濃度対応値導出処理プログラムを終了する。ところで、反射光検出部80から出力される暗電圧の大きさ及び光量制御回路82から出力されるオフセット電圧の大きさに起因して照射検出装置36毎にばらつく濃度対応値は上記の濃度対応値導出処理によって補正されるが、光量制御回路82に含まれるオペアンプ90,92及び照射光検出部78に含まれるオペアンプ100の各々の入出力特性が一例として図9に示す不安定領域図6及び図9に示す例では基準電圧Vrefが0以上Vrefb未満の領域で動作する虞がある。この不安定領域は、照射光検出部78と光量制御回路82との組み合わせより詳しくは、照射光検出部78に含まれるオペアンプ100及び光量制御回路82に含まれるオペアンプ90,92の組み合わせにより、光量制御回路82の動作が照射光電圧Vmon≒0Vの領域で平衡状態となり、LED76に流れる発光用電流Iが不安定になる場合がある。その結果、基準電圧Vrefが0Vのときに反射光検出部80から出力される下限表面反射光電圧darkbも不安定になり、濃度対応値導出処理によって得られる濃度対応値の精度も低下してしまう。本発明者らは、実機による実験やコンピュータシミュレーション等で得られた結果を通じて、下限表面反射光電圧Vdarkbが大きくなるほど不安定領域が生じやすくなり、下限表面反射光電圧Vdarkbがある大きさ以上になると不安定領域の発生確率が顕著に大きくなること図9に示す例では、照射検出装置Aの方が照射検出装置Bよりも不安定領域が生じる確率が高いということを知見した。この知見に基づき、本実施形態では、画像形成装置10において、上記の濃度対応値導出処理によって得られた濃度対応値を補正する濃度対応値補正処理を実行している。この濃度対応値補正処理は、コンピュータを利用してプログラムを実行することにより実現される。しかし、このようなソフトウェア構成による実現に限られるものではなく、ハードウェア構成や、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現しても良いことは言うまでもない。以下では、本実施形態に係る画像形成装置10が上記プログラムを実行することにより濃度対応値補正処理を実現する場合について説明する。この場合、上記プログラムをROM62に予め記憶させておく形態や、記憶内容がコンピュータによって読み取られる記録媒体に記憶された状態で提供される形態、有線または無線による通信手段を介して配信される形態等を適用しても良い。次に、図10を参照して、濃度対応値補正処理を実行する際の画像形成装置10の作用を説明する。なお、図10は、濃度対応値導出処理の終了後に予め定められた条件例えば濃度対応値導出処理が終了してから予め定められた時間例えば1秒が経過したとの条件を満足した際に画像形成装置10のCPU60により実行される濃度対応値補正処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。なお、本濃度対応値補正処理プログラムにおいて、上記の濃度対応値導出処理プログラムと相違しない処理を行うステップには、上記の濃度対応値導出処理プログラムで用いたステップを適用してその説明を省略する。同図のステップ200~208の処理を実行した後、ステップ250に移行し、上記ステップ208で作成された第1直線近似式から導出された下限表面反射光電圧Vdarkbが既定閾値Vs以上であるか否かを判定し、肯定判定となった場合にはステップ252に移行する。ステップ252では、下限表面反射光電圧Vdarkbが既定閾値Vs未満となるように、現時点で光量制御回路82に対して設定されている基準電圧Vrefを、表面反射光電圧Voutを不安定にする基準電圧Vrefの範囲として予め定められた範囲の上限値図9に示す例ではVrefbを超えた特定の電圧値まで増加させる。基準電圧Vrefの増加量は、光量制御回路82に対して設定されている基準電圧Vrefが特定の電圧値まで増加されるように下限表面反射光電圧Vdarkbに対して一意に定められており、例えばNVM66に下限表面反射光電圧Vdarkbに相当する電圧値に対応付けられた状態で予め記憶されている。従って、上記ステップ252では、CPU60がNVM66から下限表面反射光電圧Vdarkbに対応する基準電圧Vrefの増加量を取得し、取得した増加量分、基準電圧Vrefを増加させる。なお、上記の既定閾値Vsは、下限表面反射光電圧Vdarkbがこれ以上大きくなると光量制御回路82を誤動作させる下限表面反射光電圧Vdarkbとして予め定められた電圧値を示しており、実機を用いた実験で予め得られた実測値に基づいて定められた電圧値や、実機の仕様等に基づくコンピュータシミュレーションによって予め得られた推定値に基づいて定められた電圧値である。次のステップ254では、表面反射光電圧Voutとしての電圧Vdark1を検出した後、ステップ256に移行し、上記ステップ236で算出された第1補正済み表面反射光電圧Vbf1から上記ステップ254で検出された電圧Vdark1を減算する。なお、本実施形態では、上記ステップ256において第1補正済み表面反射光電圧Vbf1から電圧Vdark1を減算して得た値を第2補正済み表面反射光電圧Vbf2と称する。次のステップ258では、上記ステップ256で算出された第2補正済み表面反射光電圧Vbf2に対する、上記ステップ238で算出された第1補正済み画像反射光電圧Vtfの割合Ratio2を算出し、次のステップ260にて上記ステップ258で算出された割合を新たな濃度対応値としてNVM66の予め定められた記憶領域に上書きした後、本濃度対応値補正処理プログラムを終了する。一方、ステップ250において否定判定となった場合にはステップ262に移行し、現時点で光量制御回路82に対して設定されている基準電圧Vrefを下限値である0Vに変更した後、ステップ264に移行し、表面反射光電圧Voutとしての電圧Vdark0を検出する。次のステップ266では、上記ステップ236で算出された第1補正済み表面反射光電圧Vbf1から上記ステップ264で検出された電圧Vdark0を減算する。なお、本実施形態では、上記ステップ266において第1補正済み表面反射光電圧Vbf1から電圧Vdark0を減算して得た値を第2補正済み表面反射光電圧Vbf3と称する。次のステップ268では、上記ステップ266で算出された第2補正済み表面反射光電圧Vbf3に対する、上記ステップ238で算出された第1補正済み画像反射光電圧Vtfの割合Ratio3を算出し、次のステップ270にて上記ステップ268で算出された割合を新たな濃度対応値としてNVM66の予め定められた記憶領域に上書きした後、本濃度対応値補正処理プログラムを終了する。このようにしてNVM66の予め定められた記憶領域に記憶された濃度対応値は、画像形成条件を決定する際の基準に用いられる。また、NVM66の予め定められた記憶領域に上書きされた濃度対応値に対して予め定められた基準トナー画像の濃度がCPU60によってUIパネル68に表示される。この場合、基準トナー画像の濃度は濃度対応値に予め対応付けられた状態で例えばNVM66に予め記憶されており、CPU60は、上記濃度対応値補正処理によって得られた濃度対応値に対応する濃度をNVM66から取得し、取得した濃度をUIパネル68に表示する。なお、上記実施形態では、第1直線近似式及び第2直線近似式を2次元座標上の2点を結ぶ直線を表す1次関数で表し、この1次関数から外挿法を用いて下限表面反射光電圧Vdarkb及び下限画像反射光電圧Vdarktを導出したが、これに限らず、3点以上のプロットデータを用いて得られる線形回帰式から下限表面反射光電圧Vdarkb及び下限画像反射光電圧Vdarktを導出しても良い。また、上記実施形態では、UIパネル68により濃度対応値に対応する濃度を表示する場合の形態例を挙げて説明したが、これに限らず、例えば、濃度対応値により表される濃度レベルを多段階的にランプの発光色を変化させることによって利用者に認識させるようにしたり、スピーカ等による音声による可聴表示を行ったり、通信回線を介した外部装置72による報知等を適用しても良いし、これらを組み合わせても良い。また、上記実施形態では、濃度対応値を濃度に変換して表示する形態例を挙げて説明したが、濃度対応値を濃度に変換せずに濃度対応値のままで表示するようにしても良い。また、濃度対応値の算出に用いた下限表面反射光電圧Vdarkb及び下限画像反射光電圧Vdarktの少なくとも一方を表示するようにしても良い。また、上記実施形態では、中間転写ベルト14を像保持体として機能させる場合の形態例を挙げて説明したが、感光体ドラム16を像保持体とみなし、感光体ドラム16に形成された基準トナー像の濃度を推定しても良い。また、用紙28を像保持体とみなし、用紙28に形成された基準トナー像の濃度を推定しても良い。更に、シート状に形成された感光体シートを像保持体とみなし、その感光体シートに形成された基準トナー像の濃度を推定しても良い。このように、像保持体は、表面に形成された画像を保持する機能を有するものであれば良い。また、像保持体に対して光を照射する照射手段としては、LED76に限らず、光ビームを出力する装置であれば如何なるものであっても良い。また、上記実施形態では、既定領域に基準トナー像を形成する場合の形態例を挙げて説明したが、これに限らず、インクによる基準画像や、トナー及びインク以外の色材による基準画像を既定領域に形成しても良いことは言うまでもない。また、上記実施形態で説明したプログラムの処理の流れは一例であり、不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ替えたりしても良いことは言うまでもない。"