記録媒体を製造するための方法であって、基板上に記録媒体を形成する形成ステップと、前記記録媒体の、前記基板とは反対側に保護膜を成膜する成膜ステップであって、前記保護膜は第一の表面仕上げ層を有する成膜ステップと、前記保護膜をエッチングして、前記保護膜に前記第一の表面仕上げ層より平滑な第二の表面仕上げ層を設けるエッチングステップと、を含む方法。前記保護膜の前記第二の表面仕上げ層には、前記エッチングステップの後に前記保護膜をさらに平坦化するための機械的加工が行われない、請求項1に記載の方法。前記成膜ステップは、不活性ガスを導入した真空中で行われ、前記エッチングステップは、イオンビームエッチングを含み、前記第二の表面仕上げ層は、前記第一の表面仕上げ層より約15~35平滑である、請求項1に記載の方法。前記成膜ステップは、不活性ガスと、窒素、水素、酸素、キセノン、クリプトン、ネオンおよびCO2の少なくとも1つを含む反応ガスと、を導入した真空中で行われ、前記第二の表面仕上げ層は、前記第一の表面仕上げ層より約20~30平滑である、請求項1に記載の方法。前記成膜ステップと前記エッチングステップは、in-situドライ真空工程中に逐次的に行われ、前記記録媒体は垂直磁気記録媒体であり、前記保護膜はカーボン保護膜である、請求項1に記載の方法。前記エッチングステップの後に、前記第二の表面仕上げ層の上に第二の保護膜を成膜するステップをさらに含み、前記第二の保護膜は、実質的に前記第二の表面仕上げ層を有する第二のカーボン保護膜である、請求項1に記載の方法。前記第二の保護膜には、前記第二の保護膜をさらに平坦化するための機械的加工が行われない、請求項6に記載の方法。前記第二の表面仕上げ層は、約0.20~0.35Åの平均高さRaを有し、前記エッチングステップは、約0.1~40秒間の時間にわたるスパイクピークの除去を含む、請求項1に記載の方法。前記第二の表面仕上げ層は、約0.24~0.30Åの平均高さRaを有し、前記エッチングステップは、約3~30秒間の時間にわたるスパイクピークの除去を含む、請求項1に記載の方法。前記エッチングステップにより、エッチングされていないカーボン保護膜を有する記録媒体と比較して、a記録ヘッドタッチダウンTDパワーが約1~20mW、およびb前記エッチングされていない媒体の重ね書きOWが約0.5~3dB、改善される、請求項1に記載の方法。前記エッチングステップにより、エッチングされていないカーボン保護膜を有する記録媒体と比較して、a記録ヘッドタッチダウンTDパワーが約6~15mW、およびb信号対雑音比SNRが約0.1~2dB、改善される、請求項1に記載の方法。前記エッチングステップにより、エッチングされていないカーボン保護膜を有する記録媒体と比較して、a信号対雑音比SNRが約0.5~1.0dB、b低周波数振幅が約1~20、およびcビットエラーレートBERが約10~20、改善される、請求項1に記載の方法。被加工物を製造するシステムであって、前記被加工物を製造するための複数の加工ステーションを有するスパッタリングシステムを含み、前記加工ステーションの少なくとも1つは、前記被加工物に保護膜を成膜して、前記被加工物に第一の表面仕上げ層を設け、逐次的に前記保護膜にエッチングを行い、前記保護膜に前記第一の表面仕上げ層より平滑な第二の表面仕上げ層を設ける、保護膜加工ステーションである、システム。前記加工ステーションの前記少なくとも1つは、前記保護膜を成膜するための第一の保護膜加工ステーションと、前記保護膜をイオンビームエッチングするための第二の保護膜加工ステーションと、を含む、請求項13に記載のシステム。前記被加工物は、磁気媒体、ソリッドステートメモリ、半導体、磁気ランダムアクセスメモリまたはソーラー薄膜であり、前記保護膜の前記第二の表面仕上げ層には、前記エッチング後に、前記保護膜をさらに平坦化するための機械的加工を行わない、請求項13に記載のシステム。前記加工ステーションの前記少なくとも1つは、不活性ガスと、窒素、水素、酸素、キセノン、クリプトン、ネオンおよびCO2の少なくとも1つを含む反応ガスと、を使用するin-situドライ真空工程を含み、前記保護膜はカーボン保護膜である、請求項13に記載のシステム。前記工程ステーションの前記少なくとも1つは、前記第二の表面仕上げ層の上に第二の保護膜を成膜し、前記第二の保護膜は、実質的に前記第二の表面仕上げ層を有する第二のカーボン保護層である、請求項13に記載のシステム。前記第二の表面仕上げ層は、前記第一の表面仕上げ層より約15~35平滑であり、前記第二の表面仕上げ層は、約0.20~0.35Åの平均高さRaを有し、前記エッチングは、約0.1~40秒間の時間にわたるスパイクピークの除去を含む、請求項13に記載のシステム。前記エッチングにより、エッチングされていないカーボン保護膜を有する記録媒体と比較して、a記録ヘッドタッチダウンTDパワーが約1~20mW、およびbエッチングされていない媒体の重ね書きOWが約0.5~3dB、改善される、請求項13に記載のシステム。前記エッチングにより、エッチングされていないカーボン保護膜を有する記録媒体と比較して、a信号対雑音比SNRが約0.5~1.0dB、b低周波数振幅が約1~20、およびcビットエラーレートBERが約10~20、改善される、請求項13に記載のシステム。媒体を製造するためのシステムおよび方法の実施形態が開示される。いくつかの実施形態において、ディスク媒体の製造方法は、基板上に記録媒体を形成するステップを含む。記録媒体の、基板と反対側に保護膜を成膜する。保護膜は、第一の表面仕上げ層を有する。保護膜をエッチングして、保護膜材料の一部を除去し、より平滑な表面を設ける。第二の保護膜表面仕上げ層は第一の表面仕上げ層より平滑である。エッチングは、イオンビームエッチングを含んでいてもよい。保護膜の第二の表面仕上げ層には、エッチング後、保護膜をさらに平坦化するための機械的工程を行わなくてもよい。成膜とエッチングは、in-situドライ真空工程で逐次的に行ってもよい。他の実施形態において、成膜は不活性ガスと反応ガスを導入した真空中で行う。エッチングステップの後、方法は、第二の表面仕上げ層の上に第二の保護膜を成膜するステップをさらに含んでいてもよい。第二の保護膜は実質的に、第二の表面仕上げ層を有していてもよく、機械的、エッチングまたはその他の工程によってさらに平坦化しなくてもよい。これらの実施形態の上記およびその他の目的と利点は、以下の詳細な説明を付属の特許請求範囲と添付の図面と併せて読めば、当業者にとって明らかとなるであろう。実施形態の特徴と利点が実現される方法をより詳細に理解できるように、添付の図面に描かれているその実施形態を参照することによって、より具体的な説明が得られるかもしれない。しかしながら、図面はいくつかの実施形態を描いただけにすぎず、したがって、同等に有効な実施形態があるかもしれないため、範囲を限定するとはみなされないものとする。異なる図面で用いられている同じ参照記号の使用は、同様または同じ品目であることを指す。媒体を製造するためのシステムおよび方法の実施形態が開示される。図1Aと図1Bに示されるように、磁気記録ディスク媒体等の媒体11を製造するための方法の1つの実施形態は、基板15上に記録媒体13を形成するステップを含む。たとえば、記録媒体13は、軟磁性裏打ち層17、磁気交換遮断層19および記録層21を有する垂直磁気記録PMR媒体を含んでいてもよい。これらの層は、用途に応じて複数の副層を含んでいてもよい。当業者にはわかるように、本明細書で開示する実施形態は他のタイプの媒体にも適している。保護膜23は、記録媒体13の上の、基板15と反対側に成膜される。成膜は、真空中にアルゴンその他等の不活性ガスを導入して行ってもよい。保護膜は、アモルファスまたはダイヤモンドライクカーボンDLC等のカーボン保護膜COC、窒化ケイ素、炭化ケイ素その他を含んでいてもよい。保護膜は、図のようなピーク山とバレー谷を有する第一の表面仕上げ層25図1のaを有する。その後、保護膜23をエッチングし27、保護膜材料の少なくとも一部を除去する。エッチング27は、イオンビームエッチングを含んでいてもよい。エッチング27により、保護膜23には、第一の表面仕上げ層25図1のaより平滑な第二の表面仕上げ層29図1のbが設けられる。保護膜23の第二の表面仕上げ層29には、エッチング後に、保護膜をさらに平坦化するための機械的加工たとえば、最終テープ研磨等をさらに行わなくてもよい。成膜とエッチングは、in-situドライ真空工程で逐次的に行ってもよい。他の実施形態では、エッチングは、不活性ガスと、ドーパント等の少なくとも1つの反応ガスを導入した真空中で行われる。たとえば、反応ガスは、窒素、水素、酸素、キセノン、クリプトン、ネオンまたはCO2、あるいはこれらのどのような組み合わせを含んでいてもよい。エッチングステップの後に、方法は、第二の表面仕上げ層29の上に第二の保護膜31図1のbを成膜するステップをさらに含んでいてもよい。第二の保護膜31も、カーボン保護膜であってよい。第二の保護膜31は実質的に、図のように第二の表面仕上げ層29を有していてもよい。いくつかの実施形態において、第二の保護膜31は、機械的、エッチングまたはその他の工程によってさらに平坦化しなくてもよい。第二の表面仕上げ層の実施形態は、第一の表面仕上げ層より約15~35平滑であり、他の形態では第一の表面仕上げ層より20~30平滑である。以下にさらに説明するように、第二の表面仕上げ層はまた、約0.20~0.35Å、および他の実施形態では0.24~0.30Åの平均高さRaを有する。エッチングは、約0.1~40秒間、または他の実施形態では3~30秒間にわたる表面スパイクまたはピーク除去を含んでいてもよい。エッチングにより、ディスク上のタッチダウンTDパワーが約1~20mW、または他の実施形態では約6~15mW改善されるかもしれない。いくつかの実施形態において、PMR媒体の媒体表面の平坦化のためのドライ真空in-situ工程により、表面粗さが低くなる。従来の技術によって生産されたものと比較して、媒体表面粗さは有意に低減され、タッチダウン間隙は有意に改善される。たとえば、スパッタリングによる成膜工程の後に、ドライ真空イオンビームエッチング工程を使って、ディスク表面を平滑化する。再び図1のaを参照すると、完成間近のPMR媒体の概略図が示されている。第一の表面仕上げ層25は、薄膜スバッタリング工程中の原子可動性の制御と結晶成長による、高い表面粗さを示す。しかしながら、真空工程の最終ステップの1つでin-situイオンビームエッチング27を適用することにより、第二の表面仕上げ層29の粗さを、図1のbに示されるように有意に低減させることができる。低い表面粗さ29を有する平坦化された媒体では、ヘッドとディスクの界面における間隙が増大しているかもしれず、これによって、信号対雑音比SNR、重ね書きOW、分解能等の記録性能が改善される。粗さが低いことにより、媒体腐食ロバスト性が改善された、より薄いカーボン保護膜層の使用もまた可能となる。イオンビームエッチング工程の実施形態は、ドライ真空条件下で、スパッタリング仕上げのディスク媒体の表面を研磨するために使用してもよい。たとえば、利用してもよいエッチング工程条件のいくつかを表1と表2にまとめる。これらの表は、各種の表面処理条件下でのディスク粗さ特性を示している。この開示では、表面仕上げに関する用語、Ra、Rq、RpおよびRvを以下のように定義する。Ra:すべての正と負の高さの数学的平均である。Rq:二乗平均平方根rmsである。Rp:平均からのピーク高さである。Rv:平均からのバレー深さである。Rv-max:平均からの最大バレー深さである。表面エッチングを行った媒体のサンプルと表面エッチングを行っていないものの表面粗さを比較したところ、エッチング工程後の有意な表面形状の変化が明らかになった。このデータは、少なくとも一部の表面スパイクピークが除去されたことを示している。図2と図3はそれぞれ、エッチング工程時間に関する粗さパラメータ、Rv-masとRqのグラフ41、43を示している。表2は、エッチングを行った媒体サンプルとエッチングを行っていないものを比較した、その他のデータを示す。選択されたエッチング条件において、Rv-maxは、エッチングされていない媒体と比較して、約26減少する。さらに、表面エッチングされた媒体のいくつかの実施形態に関して、追加のカーボン保護膜層CNXを再成膜することにより、さらに表面の平滑さが保護される。この特徴によって、ハードディスクドライブの統合時における潤滑剤の選択に対して有意な利益を提供する。表3に、媒体の磁気特性に対するエッチング工程の各種パラメータの影響をまとめる。このデータは、媒体の磁気特性性能が、アルゴンおよび窒素をドーピングした条件下のいずれにおいても、保護膜エッチング工程に対して略影響を受けないことを明確に示している。これは、表面エッチング工程を現在の媒体製造に容易に取り入れられることを示している。図4は、スピンスタンドサーマルフライハイトコントロールTFC試験の結果のグラフである。この試験は、2種類のディスクドライブヘッドに関して、対照用、つまりエッチングされていない媒体をエッチングされた媒体と比較するものである。測定されたAE信号は、エッチングされていない媒体と比較して、表面エッチングが行われた媒体のTFCタッチダウンTDパワーが6mW~15mWの範囲で増大したことを示している。そのため、本明細書に記載の平坦化工程により、ヘッドと媒体の間隙が有意に増大する。表4に、エッチングされた媒体とエッチングされていないものを比較するGuzikスピンスタンド試験から得られたデータをまとめる。エッチングされたカーボン保護膜を有する媒体は、OW、SNR、低周波数LF振幅およびビットエラーレートBERが改善され、これは、タッチダウンTDパワーのゲインと一致する。TFCタッチダウンおよび一定のプルバック条件下で、エッチングされた媒体は記録性能において明確な利点を示す。表面エッチングされたディスクに関して、媒体のOWは約0.5~3dB、またはいくつかの実施形態では約1.2dB改善された。媒体のSNRは約0.1~2dB、またはいくつかの実施形態では約0.5および1dB改善された。エッチングにより、媒体のLFもまた約1~20、またはいくつかの実施形態では約11改善される。エッチングはさらに、媒体のBERを約10~20、またはいくつかの実施形態では約16改善させた。したがって、エッチングされたCOCを有する媒体の全体的な耐食性は、エッチングされていないCOCを有する従来の媒体のそれの約2~10倍優れている。表5に示されているように、カーボン保護膜のエッチングにより、エッチングされていない保護膜と比較して、コバルト溶出量が少ない等、耐食性がはるかに改善される。エッチングされたディスクについては、たとえCOCの層が薄くても、コバルト溶出量は低く、これは耐食性がよりよいことを示している。これらの性能上の利益によって、ハードディスクドライブ業界において現在のPMR技術をさらに拡張するための道が開かれる。これらの工程は、各種の機器で実行してもよい。従来、カーボン保護膜はスパッタリング工程によって成膜されるが、スパッタリングを用いて30Åのロバストなカーボン保護膜を生成することは現実的ではない。現在、イオンビーム成膜、プラズマ促進化学蒸着およびフィルタード陰極真空アークシステム等の技術で、薄い保護用カーボン保護膜を生成できる。特に、イオンビームカーボンIBC成膜技術によれば、高品質の、薄い、耐久性のある、製造可能でロバストなカーボン保護膜が生成される。IBC工程では、炭化水素CxHyガスを前駆体として使用し、炭化水素分子のイオン化によってプラズマを発生させる。これらのイオン化された種は、ターゲットに向けられる。高い衝撃エネルギーを有するイオンによって、カーボン保護膜内のダイヤモンド状含有物の割合が高くなり、それによって高い硬度、高い密度および高い弾性係数が得られる。これに加え、イオンビームカーボン保護膜は、摩擦化学反応による摩耗と腐食に対する抵抗力が有意に改善される。逆に、イオンビーム工程を、カーボン被覆ディスク媒体等のターゲット物体から材料をエッチングするために使用することができる。再び図1のaとbを参照すると、被加工物を製造するためのシステムの実施形態は、被加工物を製造するための複数の工程ステーションを有するスパッタリングシステムを含む。工程ステーションの少なくとも1つは保護膜形成工程ステーションであり、ここでは被加工物に保護膜を成膜して、被加工物に第一の表面仕上げ層を設け、逐次的に、保護膜をエッチングして、保護膜に第一の表面仕上げ層より平滑な第二の表面仕上げ層を設ける。保護膜の第二の表面仕上げ層には、エッチングの後に、保護膜をさらに平坦化するための機械的加工を行わなくてもよい。工程ステーションのこの少なくとも1つは、保護膜を成膜する第一の保護膜加工ステーションと、保護膜をイオンビームエッチングするための第二の保護膜加工ステーションを含んでいてもよい。被加工品は、磁気媒体、ソリッドステートメモリ、半導体、磁気ランダムアクセスメモリまたはソーラー薄膜を含んでいてもよい。工程ステーションのこの少なくとも1つは、in-situドライ真空工程を含んでいてもよい。これに加え、工程ステーションのこの少なくとも1つは、実質的に第二の表面仕上げ層を有する第二の保護膜を第二の表面仕上げ層の上に成膜してもよい。この文章による説明は、最良の態様を含む実施形態を開示するため、また、当業者が本発明を実施し、使用できるようにするための例を用いている。特許可能な範囲は特許請求範囲によって定義され、当業者が着想するその他の例を含んでもよい。このような他の例は、それらが特許請求範囲の文言から相違しない構造的要素を含んでいれば、あるいはそれらが特許請求範囲の文言からの相違が些少な同等の構造的要素を含んでいれば、特許請求範囲に含めるものとする。一般的な説明または例において上述した行動のすべてが必要であるとは限らず、特定の行動の一部は不要かもしれず、および前述の行動のほかに、1つまたは複数の別の行動が実行されるかもしれないことに注意されたい。さらにまた、記載された行動の順番は、必ずしもそれらが実行される順番であるとは限らない。上の明細書の中で、概念を特定の実施形態に関して説明してきた。しかしながら、当業者は、以下の特許請求範囲に記載された本発明の範囲から逸脱することなく、さまざまな改変や変更を加えることができると理解するであろう。したがって、明細書と図面は、限定的な意味ではなく、例示としてみなされるものであり、このような改変はすべて、本発明の範囲内に含めるものとする。本明細書において、含むcomprises、comprising、含有するincludes、including、有するhas、havingまたはこれらの変化形は、非排他的包含をカバーするものとする。たとえば、一連の特徴を含む工程、方法、物品または装置は、必ずしもこれらの特徴にのみ限定されるのではなく、明記されていない、またはこれらの工程、方法、物品または装置に固有のその他の特徴を含むかもしれない。さらに、特に明確なことわりがないかぎり、またはorは排他的なまたはではなく、包含的なまたはである。たとえば、AまたはBという条件は、以下のいずれか1つにより満足される。Aは真でありまたは存在し、かつBは偽であるまたは存在しない、Aは偽でありまたは存在せず、かつBは真であるまたは存在する、およびAとBの両方が真であるまたは存在する。また、不定冠詞a、anの使用は、本明細書に記載された要素と構成要素を説明するために用いられる。これは、単に便宜のため、および本発明の範囲の一般的な意味を提供するために行われている。この説明は、1つまたは少なくとも1つを含むものと解釈すべきであり、そうではないことが明確である場合を除き、単数形は複数形もまた含む。利益、その他の利点および問題の解決策を、特定の実施形態に関して上述した。しかしながら、この利益、利点、問題の解決策および、何らかの利益、利点または解決策を発生させる、またはより顕著となるかもしれない特徴は、特許請求範囲のいずれかまたは全部の重要、必要または不可欠な特徴とは解釈されないものとする。明細書を読んだ後に、当業者は、本明細書においては明瞭化のために別の実施形態に関して説明された特定の特徴が、1つの実施形態の中で複合的に提供されてもよいと理解するであろう。逆に、簡潔さのために、1つの実施形態に関して説明された各種の特徴は、別々に、またはいかなる副結合において提供してもよい。さらに、範囲として記された数値には、その範囲の中の個々のすべての数値が含まれる。