"シロキサン結合により基材と結合した離型層を備えるインプリント用モールドから前記離型層を除去するための洗浄方法において、前記離型層表面の水に対する接触角を低下させる第1洗浄工程と、前記第1洗浄工程を経た前記離型層にアルカリ洗浄剤を接触させる第2洗浄工程と、を有することを特徴とするインプリント用モールドの洗浄方法。前記第1洗浄工程は、前記離型層表面の水に対する接触角を95°以下とする工程であることを特徴とする請求項1に記載のインプリント用モールドの洗浄方法。前記第1洗浄工程は、前記離型層に190nm未満の波長域を含む光を照射する工程、前記離型層に190nm~370nmの波長域を含む光を照射する工程、前記離型層にアッシングを施す工程、および、前記離型層に電子線を照射する工程の少なくとも1つの工程を有することを特徴とする請求項1に記載のインプリント用モールドの洗浄方法。前記第1洗浄工程における前記離型層への190nm未満の波長域を含む光の照射は、波長域が190nm未満の光の照射量が1~10000mJ/cm2の範囲となるように行うことを特徴とする請求項3に記載のインプリント用モールドの洗浄方法。前記第1洗浄工程における前記離型層への190nm~370nmの波長域を含む光の照射は、波長域が190nm~370nmの光の照射量が1~100000mJ/cm2の範囲となるように行うことを特徴とする請求項3に記載のインプリント用モールドの洗浄方法。前記第1洗浄工程における前記離型層へのアッシングは、活性ラジカル、イオンの少なくとも1種によるアッシングであることを特徴とする請求項3に記載のインプリント用モールドの洗浄方法。前記第1洗浄工程における前記離型層へのアッシングは、酸素ラジカル、フッ素ラジカル、アルゴンラジカル、酸素イオン、フッ素イオン、アルゴンイオン、および、オゾンの少なくとも1種によるアッシングであることを特徴とする請求項6に記載のインプリント用モールドの洗浄方法。前記第1洗浄工程の前に水分除去工程を有することを特徴とする請求項1に記載のインプリント用モールドの洗浄方法。シロキサン結合により基材と結合した離型層を備えるインプリント用モールドから前記離型層を除去するための洗浄方法において、前記離型層表面に含まれる撥水基を切断する第1洗浄工程と、前記第1洗浄工程を経た前記離型層にアルカリ洗浄剤を接触させる第2洗浄工程と、を有することを特徴とするインプリント用モールドの洗浄方法。前記第1洗浄工程は、前記離型層に190nm未満の波長域を含む光を照射する工程、前記離型層に190nm~370nmの波長域を含む光を照射する工程、前記離型層にアッシングを施す工程、および、前記離型層に電子線を照射する工程の少なくとも1つの工程を有することを特徴とする請求項9に記載のインプリント用モールドの洗浄方法。前記第1洗浄工程における前記離型層への190nm未満の波長域を含む光の照射は、波長域が190nm未満の光の照射量が1~10000mJ/cm2の範囲となるように行うことを特徴とする請求項10に記載のインプリント用モールドの洗浄方法。前記第1洗浄工程における前記離型層への190nm~370nmの波長域を含む光の照射は、波長域が190nm~370nmの光の照射量が1~100000mJ/cm2の範囲となるように行うことを特徴とする請求項10に記載のインプリント用モールドの洗浄方法。前記第1洗浄工程における前記離型層へのアッシングは、活性ラジカル、イオンの少なくとも1種によるアッシングであることを特徴とする請求項10に記載のインプリント用モールドの洗浄方法。前記第1洗浄工程における前記離型層へのアッシングは、酸素ラジカル、フッ素ラジカル、アルゴンラジカル、酸素イオン、フッ素イオン、アルゴンイオン、および、オゾンの少なくとも1種によるアッシングであることを特徴とする請求項13に記載のインプリント用モールドの洗浄方法。前記第1洗浄工程の前に水分除去工程を有することを特徴とする請求項9に記載のインプリント用モールドの洗浄方法。シロキサン結合により基材と結合した離型層を備えるインプリント用モールドから前記離型層を除去するための洗浄装置において、前記離型層表面の親水化処理を行う第1洗浄部と、前記第1洗浄部により親水化処理を施したインプリント用モールドに対してアルカリ洗浄を行う第2洗浄部と、前記インプリント用モールドの表面状態を測定する少なくとも1つの測定部と、該測定部の測定結果に基づいて、前記第1洗浄部により親水化処理を施した前記離型層表面がアルカリ洗浄可能であるかを判定する第1判定部と、前記測定部の測定結果に基づいて、前記第2洗浄部によりアルカリ洗浄を施したインプリント用モールド表面において前記離型層が除去されているかを判定する第2判定部と、を備えることを特徴とするインプリント用モールドの洗浄装置。前記第1洗浄部は、前記離型層表面の水に対する接触角を低下させることにより前記親水化処理を行うものであり、前記測定部は、水に対する接触角を測定するものであり、前記第1判定部は、前記第1洗浄部により親水化処理を施した前記離型層表面の水に対する接触角が第1基準値以下の場合にアルカリ洗浄可能と判定し、前記第2判定部は、前記第2洗浄部によりアルカリ洗浄を施したインプリント用モールド表面の水に対する接触角が前記第1基準値未満で設定されている第2基準値以下の場合に前記離型層が除去されていると判定することを特徴とする請求項16に記載のインプリント用モールドの洗浄装置。前記第1洗浄部は、前記離型層表面に光照射を行うための光源を有し、該光源から照射される光は190nm未満の波長域の光を含むことを特徴とする請求項17に記載のインプリント用モールドの洗浄装置。前記第1洗浄部は、前記離型層表面に光照射を行うための光源を有し、該光源から照射される光は190nm~370nmの波長域の光を含むことを特徴とする請求項17に記載のインプリント用モールドの洗浄装置。前記第1洗浄部は、前記離型層表面にアッシングを施す処理装置を有することを特徴とする請求項17に記載のインプリント用モールドの洗浄装置。前記第1洗浄部は、前記離型層表面に電子線を照射するための装置を有することを特徴とする請求項17に記載のインプリント用モールドの洗浄装置。前記第1基準値は、95°であり、前記第2基準値は、離型層を形成する前の前記基材の水に対する接触角よりも2°大きい角度であることを特徴とする請求項17に記載のインプリント用モールドの洗浄装置。前記測定部は、前記第1洗浄部により親水化処理を施した前記離型層表面の水に対する接触角を測定する第1測定部と、前記第2洗浄部によりアルカリ洗浄を施したインプリント用モールド表面の水に対する接触角を測定する第2測定部と、を有し、前記第1測定部で前離型層表面の水に対する接触角を測定しながら前記第1洗浄部による前記離型層表面の親水化処理を行うことを特徴とする請求項17に記載のインプリント用モールドの洗浄装置。基材と、該基材の片面に位置する凹凸構造と、少なくとも該凹凸構造を被覆するようにシロキサン結合により基材と結合した離型層と、を備えるインプリント用モールドの前記離型層表面を親水化させる第1洗浄工程と、前記第1洗浄工程を経た前記離型層にアルカリ洗浄剤を接触させ、前記離型層で被覆されていた前記基材を露出させる第2洗浄工程と、を有することを特徴とするインプリント用モールドの製造方法。基材と、該基材の片面に位置する凹凸構造と、少なくとも該凹凸構造を被覆するようにシロキサン結合により基材と結合した離型層と、を備えるインプリント用モールドの前記離型層を除去する洗浄工程と、少なくとも該凹凸構造を被覆するように前記基材にシロキサン結合により結合した離型層を形成する再形成工程と、を有し、前記洗浄工程は、前記離型層表面の水に対する接触角を低下させる第1洗浄工程と、前記第1洗浄工程を経た前記離型層にアルカリ洗浄剤を接触させる第2洗浄工程と、を有することを特徴とするインプリント用モールドの製造方法。前記再形成工程では、フルオロアルキル系またはアルキル系のシランカップリング剤を使用して離型層を形成することを特徴とする請求項25に記載のインプリント用モールドの製造方法。前記再形成工程で形成する離型層の厚みは、0.3~100nmの範囲とすることを特徴とする請求項25に記載のインプリント用モールドの製造方法。基材と、該基材の片面に位置する凹凸構造と、少なくとも該凹凸構造を被覆するようにシロキサン結合により基材と結合した離型層と、を備えるインプリント用モールドの前記離型層を除去する洗浄工程と、少なくとも該凹凸構造を被覆するように前記基材にシロキサン結合により結合した離型層を形成する再形成工程と、を有し、前記洗浄工程は、前記離型層表面に含まれる撥水基を切断する第1洗浄工程と、前記第1洗浄工程を経た前記離型層にアルカリ洗浄剤を接触させる第2洗浄工程と、を有することを特徴とするインプリント用モールドの製造方法。前記再形成工程では、フルオロアルキル系またはアルキル系のシランカップリング剤を使用して離型層を形成することを特徴とする請求項28に記載のインプリント用モールドの製造方法。前記再形成工程で形成する離型層の厚みは、0.3~100nmの範囲とすることを特徴とする請求項28に記載のインプリント用モールドの製造方法。しかし、フルオロアルキル系あるいはアルキル系のシランカップリング剤を用いて形成した離型層を特開2008-260173号公報に記載の方法で洗浄した場合、離型層の除去が不十分でモールドに離型層が残存し、新たな離型層の形成に支障を来すという問題があった。また、アルカリ系洗浄剤を使用した場合、離型層の撥水性によってアルカリ系洗浄剤がはじかれるので、離型層に対する洗浄作用を発現し難いとともに、洗浄に要する時間も長くなる。また、材質が石英ガラスやシリコンのようにアルカリに対する耐性が低い材質からなるモールドには、アルカリ系洗浄剤を使用した洗浄方法は適用できないという問題もあった。本発明は、上述のような実情に鑑みてなされたものであり、シロキサン結合により基材と結合した離型層を備えるインプリント用モールドの洗浄方法と洗浄装置、および、使用条件の幅が広いインプリント用モールド、優れた離型効果を発現する離型層を備えたインプリント用モールドの製造方法を提供することにある。本発明は、シロキサン結合により基材と結合した離型層を備えるインプリント用モールドから前記離型層を除去するための洗浄方法において、前記離型層表面の水に対する接触角を低下させる第1洗浄工程と、前記第1洗浄工程を経た前記離型層にアルカリ洗浄剤を接触させる第2洗浄工程と、を有するような構成とした。本発明の他の態様として、前記第1洗浄工程は、前記離型層表面の水に対する接触角を95°以下とする工程であるような構成とした。本発明の他の態様として、前記第1洗浄工程は、前記離型層に190nm未満の波長域を含む光を照射する工程、前記離型層に190nm~370nmの波長域を含む光を照射する工程、前記離型層にアッシングを施す工程、および、前記離型層に電子線を照射する工程の少なくとも1つの工程を有するような構成とした。本発明の他の態様として、前記第1洗浄工程における前記離型層への190nm未満の波長域を含む光の照射は、波長域が190nm未満の光の照射量が1~10000mJ/cm2の範囲となるように行うような構成とした。本発明の他の態様として、前記第1洗浄工程における前記離型層への190nm~370nmの波長域を含む光の照射は、波長域が190nm~370nmの光の照射量が1~100000mJ/cm2の範囲となるように行うような構成とした。本発明の他の態様として、前記第1洗浄工程における前記離型層へのアッシングは、活性ラジカル、イオンの少なくとも1種によるアッシングであるような構成とした。本発明の他の態様として、前記第1洗浄工程における前記離型層へのアッシングは、酸素ラジカル、フッ素ラジカル、アルゴンラジカル、酸素イオン、フッ素イオン、アルゴンイオン、および、オゾンの少なくとも1種によるアッシングであるような構成とした。本発明の他の態様として、前記第1洗浄工程の前に水分除去工程を有するような構成とした。また、本発明は、シロキサン結合により基材と結合した離型層を備えるインプリント用モールドから前記離型層を除去するための洗浄方法において、前記離型層表面に含まれる撥水基を切断する第1洗浄工程と、前記第1洗浄工程を経た前記離型層にアルカリ洗浄剤を接触させる第2洗浄工程と、を有するような構成とした。本発明の他の態様として、前記第1洗浄工程は、前記離型層に190nm未満の波長域を含む光を照射する工程、前記離型層に190nm~370nmの波長域を含む光を照射する工程、前記離型層にアッシングを施す工程、および、前記離型層に電子線を照射する工程の少なくとも1つの工程を有するような構成とした。本発明の他の態様として、前記第1洗浄工程における前記離型層への190nm未満の波長域を含む光の照射は、波長域が190nm未満の光の照射量が1~10000mJ/cm2の範囲となるように行うような構成とした。本発明の他の態様として、前記第1洗浄工程における前記離型層への190nm~370nmの波長域を含む光の照射は、波長域が190nm~370nmの光の照射量が1~100000mJ/cm2の範囲となるように行うような構成とした。本発明の他の態様として、前記第1洗浄工程における前記離型層へのアッシングは、活性ラジカル、イオンの少なくとも1種によるアッシングであるような構成とした。本発明の他の態様として、前記第1洗浄工程における前記離型層へのアッシングは、酸素ラジカル、フッ素ラジカル、アルゴンラジカル、酸素イオン、フッ素イオン、アルゴンイオン、および、オゾンの少なくとも1種によるアッシングであるような構成とした。本発明の他の態様として、前記第1洗浄工程の前に水分除去工程を有するような構成とした。また、本発明は、シロキサン結合により基材と結合した離型層を備えるインプリント用モールドから前記離型層を除去するための洗浄装置において、前記離型層表面の親水化処理を行う第1洗浄部と、前記第1洗浄部により親水化処理を施したインプリント用モールドに対してアルカリ洗浄を行う第2洗浄部と、前記インプリント用モールドの表面状態を測定する少なくとも1つの測定部と、該測定部の測定結果に基づいて、前記第1洗浄部により親水化処理を施した前記離型層表面がアルカリ洗浄可能であるかを判定する第1判定部と、前記測定部の測定結果に基づいて、前記第2洗浄部によりアルカリ洗浄を施したインプリント用モールド表面において前記離型層が除去されているかを判定する第2判定部と、を備えるような構成とした。本発明の他の態様として、前記第1洗浄部は、前記離型層表面の水に対する接触角を低下させることにより前記親水化処理を行うものであり、前記測定部は、水に対する接触角を測定するものであり、前記第1判定部は、前記第1洗浄部により親水化処理を施した前記離型層表面の水に対する接触角が第1基準値以下の場合にアルカリ洗浄可能と判定し、前記第2判定部は、前記第2洗浄部によりアルカリ洗浄を施したインプリント用モールド表面の水に対する接触角が前記第1基準値未満で設定されている第2基準値以下の場合に前記離型層が除去されていると判定するような構成とした。本発明の他の態様として、前記第1洗浄部は、前記離型層表面に光照射を行うための光源を有し、該光源から照射される光は190nm未満の波長域の光を含むような構成とした。本発明の他の態様として、前記第1洗浄部は、前記離型層表面に光照射を行うための光源を有し、該光源から照射される光は190nm~370nmの波長域の光を含むような構成とした。本発明の他の態様として、前記第1洗浄部は、前記離型層表面にアッシングを施す処理装置を有するような構成とした。本発明の他の態様として、前記第1洗浄部は、前記離型層表面に電子線を照射するための装置を有するような構成とした。本発明の他の態様として、前記第1基準値は、95°であり、前記第2基準値は、離型層を形成する前の前記基材の水に対する接触角よりも2°大きい角度であるような構成とした。本発明の他の態様として、前記測定部は、前記第1洗浄部により親水化処理を施した前記離型層表面の水に対する接触角を測定する第1測定部と、前記第2洗浄部によりアルカリ洗浄を施したインプリント用モールド表面の水に対する接触角を測定する第2測定部と、を有し、前記第1測定部で前離型層表面の水に対する接触角を測定しながら前記第1洗浄部による前記離型層表面の親水化処理を行うような構成とした。本発明のインプリント用モールドの製造方法は、基材と、該基材の片面に位置する凹凸構造と、少なくとも該凹凸構造を被覆するようにシロキサン結合により基材と結合した離型層と、を備えるインプリント用モールドの前記離型層表面を親水化させる第1洗浄工程と、前記第1洗浄工程を経た前記離型層にアルカリ洗浄剤を接触させ、前記離型層で被覆されていた前記基材を露出させる第2洗浄工程と、を有するような構成とした。また、本発明のインプリント用モールドの製造方法は、基材と、該基材の片面に位置する凹凸構造と、少なくとも該凹凸構造を被覆するようにシロキサン結合により基材と結合した離型層と、を備えるインプリント用モールドの前記離型層を除去する洗浄工程と、少なくとも該凹凸構造を被覆するように前記基材にシロキサン結合により結合した離型層を形成する再形成工程と、を有し、前記洗浄工程は、前記離型層表面の水に対する接触角を低下させる第1洗浄工程と、前記第1洗浄工程を経た前記離型層にアルカリ洗浄剤を接触させる第2洗浄工程と、を有するような構成とした。本発明の他の態様として、前記再形成工程では、フルオロアルキル系またはアルキル系のシランカップリング剤を使用して離型層を形成するような構成とした。本発明の他の態様として、前記再形成工程で形成する離型層の厚みは、0.3~100nmの範囲とするような構成とした。また、本発明のインプリント用モールドの製造方法は、基材と、該基材の片面に位置する凹凸構造と、少なくとも該凹凸構造を被覆するようにシロキサン結合により基材と結合した離型層と、を備えるインプリント用モールドの前記離型層を除去する洗浄工程と、少なくとも該凹凸構造を被覆するように前記基材にシロキサン結合により結合した離型層を形成する再形成工程と、を有し、前記洗浄工程は、前記離型層表面に含まれる撥水基を切断する第1洗浄工程と、前記第1洗浄工程を経た前記離型層にアルカリ洗浄剤を接触させる第2洗浄工程と、を有するような構成とした。本発明の他の態様として、前記再形成工程では、フルオロアルキル系またはアルキル系のシランカップリング剤を使用して離型層を形成するような構成とした。本発明の他の態様として、前記再形成工程で形成する離型層の厚みは、0.3~100nmの範囲とするような構成とした。本発明のインプリント用モールドの洗浄方法では、第1洗浄工程で離型層表面の水に対する接触角が低下され、あるいは、離型層表面に含まれる撥水基が切断される。このため、次の第2洗浄工程でのアルカリ洗浄剤による洗浄では、離型層によるアルカリ系洗浄剤のはじきが抑制され、離型層に対するアルカリ洗浄剤の洗浄作用が発現し易くなり、離型層をモールドに密着させる機能をなすシロキサン結合が切断される。このような第1洗浄工程、第2洗浄工程の組み合わせによって離型層に対する優れた洗浄効果が奏される。さらに、アルカリ洗浄剤を用いた第2洗浄工程に要する時間は、アルカリ洗浄剤を単独使用した洗浄方法に比べて格段に短いものとなり、石英ガラスやシリコンのようにアルカリに対する耐性が低い材質からなるモールドであっても洗浄可能であり、洗浄方法の対象となるモールドには制限がないという効果も奏される。また、本発明のインプリント用モールドの洗浄装置では、シロキサン結合によりインプリント用モールドの基材と結合した離型層を確実に洗浄除去できるとともに、石英ガラスやシリコンのようにアルカリに対する耐性が低い材質からなるモールドであっても洗浄可能であるという効果が奏される。また、本発明のインプリント用モールドの製造方法では、第1洗浄工程で離型層表面が親水化され、次の第2洗浄工程でアルカリ洗浄剤によりシロキサン結合が切断されて離型層が除去されるので、基材が露出したモールドの製造が可能である。したがって、モールドの使用目的、被加工物の材質等に応じて、基材が露出した状態のまま、あるいは、基材表面に所望の加工を施した状態でモールドを使用することができ、使用条件に対する適応幅が広いモールドを製造することができるとともに、モールドの製造コスト、および、モールドを用いたインプリントに要するコストの大幅な低減が可能である。さらに、本発明のインプリント用モールドの製造方法は、モールドが備える離型層を確実に除去した後、離型層を再形成してモールドを作製するので、再形成された離型層は欠陥等のないものとなる。したがって、繰り返し使用に供されて離型層の離型効果が低下したモールドを再生して、優れた離型効果を発現する離型層を備えたモールドの製造が可能である。また、本発明のインプリント用モールドの製造方法は、モールドの繰り返し使用回数を大幅に引き上げることが可能であり、例えば、モールドがマスターモールドである場合、コピーモールドの製造コストの大幅な低減が可能であり、また、モールドがコピーモールドである場合、モールドを用いたインプリントに要するコストの大幅な低減が可能である。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。[インプリント用モールドの洗浄方法]本発明のインプリント用モールドの洗浄方法は、第1洗浄工程と、第2洗浄工程とからなる。第1洗浄工程では、モールドに形成されている離型層表面の水に対する接触角の低下、あるいは、離型層に含まれる撥水基の切断が行われる。次いで、第2洗浄工程にて、第1洗浄工程を経た離型層にアルカリ洗浄剤を接触させることにより、離型層をモールドから除去するものである。本発明の洗浄対象となるインプリント用モールドは、特に制限はなく、例えば、図1に示されるように、基材12と、この基材12の片面12aに位置する凹凸構造13と、少なくとも凹凸構造13を被覆するように形成した離型層14図示例では、片面12aの全面を離型層14が被覆していると、を備えるモールド11であってよい。また、図2に示されるように、基材22が基部22Aと、この基部22Aから突出している凸部22Bを有し、この基材22の凸部22Bの頂部をなす平面22bに凹凸構造23を備えるものであってもよい。そして、この凹凸構造23を被覆するように離型層24図示例では、凸部22Bの平面22bの全面を離型層24が被覆しているを備えたモールド21等であってよい。モールド11,21の基材12,22の材質は、シリコン等の半導体材料、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等、あるいは、ニッケル、アルミニウム、チタン、銅、クロム、鉄、コバルト、タングステン等の金属、これらの金属と炭素、珪素等の非金属とからなる合金、これらの任意の積層材、あるいはガラス状カーボン等の炭素材料等を用いることができる。また、凹凸構造13,23は、片面12a、平面22bに対して所望の形状で凹部となっているような構造、あるいは、片面12a、平面22bに対して所望の形状で凸部となっているような構造、あるいは、片面12a、平面22bに対して所望の形状で凹部と凸部とを有しているような構造、あるいは、片面12a、平面22bに対して所望の形状で凹部および/または凸部を有するとともに所望形状の平坦面を有しているような構造等であってよい。また、凹凸構造の凹部や凸部の幅、凹部の深さや凸部の高さは、インプリントで形成するパターン所望の線、模様等の図形、所望の平面形状等に応じて数十nm~数mmの範囲で適宜設定することができる。また、本発明の洗浄対象となる離型層14,24は、シロキサン結合によりモールドの基材と結合した離型層であり、例えば、シランカップリング剤を用いて形成した離型層である。このようなシランカップリング剤としては、撥水基を有する有機物領域がシロキサン結合を介してモールドに結合しているような構造の離型層を形成し得るものであり、例えば、フルオロアルキル系、アルキル系のシランカップリング剤を挙げることができる。具体的には、フルオロアルキル系のシランカップリング剤として、C4F9OC3F6nC3F6SiOCH33CF3CF2nCH22SiOCH2CH33CF3CF2nCH22SiOCH33CF3CF2nCH22SiCl3CF3CH22SiOCH2CH33CF3CH22SiOCH33CF3CH22SiCH32ClC4F9OC3F6nC3F7SiCH3OCH32CF3CF2nCH22SiCH3OCH2CH32CF3CF2nCH22SiCH3OCH32CF3CF2nCH22SiCH3Cl2CF3CH22SiCH3OCH2CH32CF3CH22SiCH3OCH32CF3CH22SiCH3Cl2C4F9OC3F6nC3F6SiCH32OCH3CF3CF2nCH22SiCH32OCH2CH3CF3CF2nCH22SiCH32OCH3CF3CF2nCH22SiCH32ClCF3CH22SiCH32OCH2CH3CF3CH22SiCH32OCH3CF3CH22SiCH32ClCF3CF2nC6H4CH22SiOCH33CF3CH2nC6H4SiOCH33CF3CH2C6H42CH2nSiCH22OCH33等を挙げることができる。上記において、nは1以上の整数である。また、アルキル系のシランカップリング剤として、CH3CH2nSiOCH2CH33CH3CH2nSiOCH33CH3CH2nSiCl3CH33SiNHSiCH33C2H53SiNHSiCH33CH3CH2nSiCH3OCH2CH32CH3CH2nSiCH3OCH32CH3CH2nSiCH3Cl2CH33SiNHSiCH3CH32C2H53SiNHSiCH3CH32CH3CH2nSiCH32OCH2CH3CH3CH2nSiCH32OCH3CH3CH2nSiCH32ClCH33SiNHSiCH32CH3C2H53SiNHSiCH32CH3等を挙げることができる。上記において、nは1以上の整数である。尚、離型層形成の上記の材料は例示であり、構造中にCF2、CF3等のフッ素含有基、CH2、CH3、NH2等の官能基を有する材料であればよく、上記の材料に限定されるものではない。また、離型層は、図1および図2に示される例では均一な厚みであるが、図3A~図3Cに示されるような形態であってもよい。すなわち、図3Aに示されるように、基材12の片面12a上の離型層14の厚みt1と、凹凸構造13の底部13aにおける離型層14の厚みt2とが異なる図示例では厚みt1が厚みt2よりも大きいものであってもよい。また、図3Bに示される離型層14は、基材12の片面12a上、および、凹凸構造13の底部13aに形成されており、凹凸構造13の側壁部13bは露出している。さらに、図3Cに示される離型層14は、基材12の片面12a上、および、凹凸構造13の底部13aに形成されており、基材12の片面12a上の離型層14は、凹凸構造13の側壁部13bの一部に回り込んでいる。次に、本発明のインプリント用モールドの洗浄方法を、図面を参照しながら説明する。図4A~図4Cは、本発明のインプリント用モールドの洗浄方法を説明するための工程図であり、上述の図1に示したインプリント用モールド11を例としている。シロキサン結合によりモールドの基材12に結合した離型層14は、撥水基を有する有機物領域Iと、シロキサン結合領域IIからなり、有機物領域Iはシロキサン結合領域IIを介してモールドの基材12に結合している図4A。すなわち、離型層14の形成に上記のようなシランカップリング剤を使用した場合、使用されたシランカップリング剤のアルコキシ基あるいはアルキル基が加水分解によりシラノール基SiOHとなる。そして、基材12の表面12aとの間にシロキサン結合Si-O領域IIを形成し、離型層14の表面側シロキサン結合領域IIからは、基材12と反対側には撥水基図示例ではCF3を有する有機物領域Iが位置している。まず、本発明の洗浄方法の第1洗浄工程は、モールドに形成されている離型層14の表面の水に対する接触角を低下させる、あるいは、離型層14に含まれる撥水基の切断を行うものである。このような第1洗浄工程は、離型層14に190nm未満の波長域を含む光を照射する工程、離型層14に190nm~370nmの波長域を含む光を照射する工程、離型層14にアッシングを施す工程、および、離型層14に電子線を照射する工程の少なくとも1つの工程である。したがって、第1洗浄工程は上記の工程を組み合わせて行ってもよい。このような第1洗浄工程により、離型層14の有機物領域Iが分解されて、離型層表面の水に対する接触角が低下され、あるいは、撥水基が切断除去される。これにより、シロキサン結合領域IIが露出した状態の離型層14′とされる図4B。図示例では、第1洗浄工程がなされた後の離型層14′は、有機物領域Iが完全に分解され除去されている。ここで、本発明の第1洗浄工程の目的は、後工程である第2洗浄工程において、離型層14′に対するアルカリ洗浄剤の洗浄作用を発現し易くすることである。したがって、アルカリ洗浄剤が離型層14′にはじかれることなく侵入して、シロキサン結合を切断することに支障を来さない程度であれば、離型層14′の一部に有機物領域Iが残存していても本発明の効果は奏される。このような第1洗浄工程の目的からすると、離型層14′の水に対する接触角が95°以下、好ましくは75°以下、さらに好ましくは45°以下の状態であれば、本発明の効果は奏される。尚、本発明では、水に対する接触角はマイクロシリンジから水滴を滴下して10秒後に接触角測定器協和界面科学株製DM-700型を用いて測定する。上記の190nm未満の波長域を含む光とは、波長域が190nm未満の光のみからなる光、あるいは、エネルギー的には波長域が190nm未満の光が大部分を占めるものの、波長域が190nm以上の光も含んでいる光である。このような190nm未満の波長域を含む光としては、ピーク波長が126nm、146nm、172nmのエキシマ光、ピーク波長が185nmの低圧紫外光、あるいは、ピーク波長が190nm未満の波長域に存在しない光源からの光等を挙げることができる。このような光は、有機物領域IのSi-C結合、C-H結合、C-C結合、C-O結合を切断可能である。また、照射量は、例えば、波長域が190nm未満の光の照射量が1~10000mJ/cm2の範囲となるように適宜設定することができ、ピーク波長を考慮して照度、照射時間を設定することができる。より好ましくは、短波長光を照射し続けることにより、モールドの基材温度が上昇しパターン寸法に影響を与える可能性を考慮すると、波長域が190nm未満の光の照射量を1~8000mJ/cm2の範囲で設定する。また、上記の190nm~370nmの波長域を含む光とは、波長域が190nm~370nmの光のみからなる光、あるいは、エネルギー的には波長域が190nm~370nmの光が大部分を占めるものの、波長域が370nmを超える光も含んでいる光である。このような190nm~370nmの波長域を含む光としては、半導体用の露光装置として一般的に使われている193nmのArFレーザ、248nmのKrFレーザ、ピーク波長が222nm、254nmの遠紫外光、ピーク波長が308nm、365nmの紫外光等を使用することができ、また、ピーク波長が190nm~370nmの波長域に存在しない光源からの光についても種々使用することができる。例えば、ピーク波長が365nmの紫外光を使用する場合は、C-O結合を切断可能であり、ピーク波長が308nmの紫外光を使用する場合は、C-O結合およびC-C結合を切断可能であり、ピーク波長が254nmの遠紫外光を使用する場合は、C-O結合、C-C結合、C-H結合およびSi-C結合を切断可能であり、ピーク波長が222nmの遠紫外光を使用する場合は、C-O結合、C-C結合、C-H結合、Si-C結合およびC-F結合を切断可能である。このような光の照射量は、例えば、波長域が190nm~370nmの光の照射量が1~100000mJ/cm2の範囲となるように適宜設定することができ、ピーク波長を考慮して照度、照射時間を設定することができる。より好ましくは、短波長光を照射し続けることにより、モールドの基材温度が上昇しパターン寸法に影響を与える可能性を考慮すると、波長域が190nm~370nmの光の照射量を1~80000mJ/cm2の範囲で設定する。ここで、一般的に広く基板の洗浄として使用されている装置として、例えば、ピーク波長が172nm等のエキシマ光洗浄装置が挙げられる。このような波長域が190nm未満の光は、良好な洗浄効果を得ることが期待できるが、一方でSi-O結合を切断することが可能な高いエネルギーを有している。そのため、モールドの基材が石英である場合、次のような変化が生じることが推定される。光照射前Si-O-Si→光照射後Si-OSi上記のように光照射によりSi-O結合が切断され、その後、再結合することによって、光照射前後におけるSi-Oの結合距離が変化する。したがって、モールドのパターン寸法変動やモールドの歪み等の欠陥が引き起こされるおそれがある。そのため、半導体用途等のようにモールドのパターン寸法について厳しい制限がある場合には、190nm未満の波長域を含む光よりも、190nm~370nmの波長域を含む光を用いた洗浄がより好ましいと考えられる。また、例えば、上記のピーク波長が365nmの紫外光を使用する場合、有機物領域IのC-O結合は切断されるが、結合強度の大きい結合C-C結合、C-H結合、Si-C結合およびC-F結合は残存することになり、図1Bに示した離型層2′のような、シロキサン結合領域IIが完全に露出する状態とはならない。しかし、有機物領域IのC-O結合を切断することにより、有機物領域Iが有する撥水基の一部は除去され、後述の第2洗浄工程において使用するアルカリ洗浄剤が離型層14′にはじかれることなく侵入できる程度例えば、離型層14′の水に対する接触角が95°以下まで離型層14′のはじき作用が低減されるので、シロキサン結合領域IIに対するアルカリ洗浄剤の洗浄作用が格段に向上する。したがって、190nm~370nmの波長域を含む光を使用した第1洗浄工程では、190nm~370nmの範囲内において短波長側にある光を使用することが好ましいが、離型層14の有機物領域Iが少なくともC-O結合を有する材料であれば、C-O結合を切断することにより本発明の効果は奏される。また、上記のアッシングを施す工程は、例えば、活性ラジカル、イオンの少なくとも1種により有機物領域Iをアッシングして除去するものである。具体的には、例えば、真空チャンバー内に洗浄対象のモールドを載置し、酸素やフッ素、あるいは、不活性ガスと酸素やフッ素の混合気体等を供給し、真空チャンバー内に所望の高周波電流を印加してプラズマを発生させる。これにより生成した酸素ラジカル、フッ素ラジカル、アルゴンラジカル、酸素イオン、フッ素イオン、アルゴンイオン、および、オゾンの少なくとも1種により有機物領域Iをアッシングして除去するものである。真空チャンバー内の真空度は適宜設定することができ、例えば、1~1000mTorrの範囲内で設定することができる。また、上記の離型層14に含まれる撥水基の切断は、撥水基を構成する元素の結合エネルギーを超えるエネルギーを、電子線等のエネルギー線を用いて供給することにより可能である。したがって、電子線照射による洗浄によって、上記の光照射による洗浄の場合と同様の効果が奏される。電子線の照射は、従来公知の電子線発生装置を用いて行うことができる。照射する電子線量は、後述の第2洗浄工程において使用するアルカリ洗浄剤が離型層14′にはじかれることなく侵入できる程度まで離型層14′のはじき作用を低減するように適宜設定することができる。次に、本発明の洗浄方法の第2洗浄工程は、第1洗浄工程が完了したモールドの離型層14′にアルカリ洗浄剤を接触させるものである。この第2洗浄工程により、モールドの基材12に残存していた離型層14′のシロキサン結合領域IIのシロキサン結合が切断され、離型層14′が除去されて洗浄が完了する図4C。本発明では、洗浄後のモールドの基材12の水に対する接触角が、離型層14を形成する前のモールドの基材12の水に対する接触角に対して2°の範囲以内になった状態を離型層14が除去されたと判断する。ここで、離型層14を形成する前のモールドの基材12とは、離型層を形成する前の基材表面上に吸着している有機物等を除去した状態の基材を意味する。このように、本発明の洗浄が完了したモールドの基材12は、上述のシランカップリング剤を用いて再度離型層の形成が可能な状態にある。尚、第2洗浄工程が完了した後、モールドを純水、温水等で水洗してアルカリ洗浄剤を除去することが好ましい。この第2洗浄工程において使用するアルカリ洗浄剤としては、アンモニア過酸化水素の混合溶液APM、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸塩、ケイ酸ソーダ等を挙げることができ、また、上記のAPMと硫酸過酸化水素の混合溶液SPMとの併用、フッ化水素、オゾン水、界面活性剤等も可能である。また、使用するアルカリ洗浄剤の温度は適宜設定することができ、例えば、23~200°Cの範囲で設定することができる。また、モールドの離型層2とアルカリ洗浄剤との接触は、浸漬法、スプレー法、超音波洗浄法、離型層14にアルカリ洗浄剤を供給した後にスピン除去する方法パドル洗浄法等を採用して行うことができる。上記の浸漬法では、アルカリ洗浄剤中でモールドを揺動するようにしてもよい。このような本発明のインプリント用モールドの洗浄方法では、第1洗浄工程で離型層表面の水に対する接触角が低下され、あるいは、離型層表面に含まれる撥水基が切断される。このため、次の第2洗浄工程でのアルカリ洗浄剤による洗浄では、離型層によるアルカリ系洗浄剤のはじきが抑制され、離型層に対するアルカリ洗浄剤の洗浄作用が発現し易くなる。これにより、離型層をモールドに密着させる機能をなすシロキサン結合が切断される。このような第1洗浄工程、第2洗浄工程の組み合わせによって離型層に対する優れた洗浄効果が奏される。さらに、アルカリ洗浄剤を用いた第2洗浄工程に要する時間は、アルカリ洗浄剤を単独し使用した洗浄方法に比べて格段に短いものとなり、石英ガラスやシリコンのようにアルカリに対する耐性が低い材質からなるモールドであっても洗浄可能であり、本発明の洗浄方法の対象となるモールドには制限がない。上述の本発明のインプリント用モールドの洗浄方法は一例であり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。例えば、第1洗浄工程と第2洗浄工程との間に他の洗浄工程を有するものであってもよい。このような他の洗浄工程としては、例えば、切断された撥水基を除去するためのリンス工程等を挙げることができる。また、第1洗浄工程の前に水分除去工程を有するものであってもよい。この水分除去工程の目的は、第1洗浄工程において離型層に光照射あるいは電子線照射を行う際に、残存する水分子の酸素原子が、光あるいは電子線を吸収し、洗浄ムラを生じることを防止するものである。水分除去工程は、例えば、減圧乾燥、脱水ベーク、低沸点溶剤乾燥、超臨界接触法、遠心乾燥等とすることができる。さらに、第1洗浄工程後、第2洗浄工程後に、静電気除去工程を有するものであってもよい。静電気除去は、公知の静電気除去装置、例えば、軟X線照射方式やコロナ放電方式の静電気除去装置等を用いて行うことができる。このような静電気除去工程は、第1洗浄工程がなされた後の離型層14′の水に対する接触角の測定、第2洗浄工程がなされた基材12の水に対する接触角の測定において、マイクロシリンジから滴下する水滴が測定箇所を外れて不要な部位に滴下されるのを防止するうえで有効である。[インプリント用モールドの洗浄装置]次に、本発明のインプリント用モールドの洗浄装置について説明する。図5は、シロキサン結合により基材と結合した離型層を備えるインプリント用モールドから離型層を除去するための洗浄装置である本発明の洗浄装置の基本構成の一例を示す構成図である。本発明の洗浄装置41は、インプリント用モールドの離型層表面の親水化処理を行う第1洗浄部42と、第1洗浄部により親水化処理を施したインプリント用モールドに対してアルカリ洗浄を行う第2洗浄部43とを備えている。また、インプリント用モールドの表面状態を測定する測定部44と判定部47を有している。判定部47は、測定部44の測定結果に基づいて、第1洗浄部42により親水化処理を施した離型層表面がアルカリ洗浄可能であるかを判定する第1判定部と、上記の測定部44の測定結果に基づいて、第2洗浄部43によりアルカリ洗浄を施したインプリント用モールド表面において離型層が除去されているかを判定する第2判定部からなっている。また、図6は、本発明のインプリント用モールドの洗浄装置の基本構成の他の例を示す構成図である。図6に示される洗浄装置41では、判定部が第1判定部48と第2判定部49が個別の装置となっている点で、上述の図5に示される洗浄装置41と相違している。すなわち、第1判定部48は、測定部44の測定結果に基づいて、第1洗浄部42により親水化処理を施した離型層表面がアルカリ洗浄可能であるかを判定する。また、第2判定部49は、測定部44の測定結果に基づいて、アルカリ洗浄を施したインプリント用モールド表面において離型層が除去されているかを判定する。また、図7は、本発明のインプリント用モールドの洗浄装置の基本構成の他の例を示す構成図である。図7に示される洗浄装置41では、測定部が第1測定部45と第2測定部46が個別の装置となっている点で、上述の図6に示される洗浄装置41と相違している。すなわち、第1判定部48は、第1測定部45の測定結果に基づいて、第1洗浄部42により親水化処理を施した離型層表面がアルカリ洗浄可能であるかを判定する。また、第2判定部49は、第2測定部46の測定結果に基づいて、アルカリ洗浄を施したインプリント用モールド表面において離型層が除去されているかを判定する。上述の洗浄装置の基本構成は例示であり、本発明はこれらに限定されるものではない。例えば、測定部44、第1測定部45でインプリント用モールドの表面状態を測定しながら、第1洗浄部42による離型層表面の親水化処理を行うように構成してもよい。本発明の洗浄装置41による洗浄対象となるインプリント用モールドは、上述のインプリント用モールドの洗浄方法で説明したものと同様であり、ここでの説明は省略する。本発明の洗浄装置41を構成する第1洗浄部42は、光照射装置、アッシング装置、電子線照射装置等とすることができる。光照射装置は、例えば、190nm未満の波長域を含む光を照射する光照射装置、190nm~370nmの波長域を含む光を照射する光照射装置等を使用することができる。具体的には、190nm未満の波長域を含む光を照射する光照射装置として、ピーク波長が126nm、146nm、172nmのエキシマ光、ピーク波長が185nmの低圧紫外光等を照射可能な装置をあげることができる。また、エネルギー的には波長域が190nm未満の光が大部分を占めるものの、ピーク波長が190nm未満の波長域に存在しない光等を照射可能な装置を挙げることができる。190nm~370nmの波長域を含む光を照射する光照射装置として、半導体用の露光装置として一般的に使われている193nmのArFレーザ、248nmのKrFレーザ、あるいは、ピーク波長が222nm、254nmの遠紫外光、ピーク波長が308nm、365nmの紫外光等を照射可能な装置をあげることができる。また、エネルギー的には波長域が190nm~370nmの光が大部分を占めるものの、ピーク波長が190nm~370nmの波長域に存在しない光等を照射可能な装置を挙げることができる。また、アッシング装置は、活性ラジカル、イオンの少なくとも1種をインプリント用モールドの離型層の有機物領域I図4A参照に供給する装置である。具体的には、例えば、洗浄対象のモールドを載置する真空チャンバーと高周波電流印加装置を備えたものを挙げることができる。このアッシング装置では、真空チャンバー内に酸素やフッ素、あるいは、不活性ガスど酸素やフッ素の混合気体等を供給する。そして、これに所望の高周波電流を印加してプラズマを発生させる。これにより生成した酸素ラジカル、フッ素ラジカル、アルゴンラジカル、酸素イオン、フッ素イオン、アルゴンイオン、および、オゾンの少なくとも1種により離型層の有機物領域Iをアッシングして除去する。また、電子線照射装置は、従来公知の電子線発生装置を使用することができる。尚、洗浄対象のモールドに水分が残存していると、第1洗浄部42において離型層に光照射あるいは電子線照射を行う際に、残存する水分子の酸素原子が光あるいは電子線を吸収し、洗浄ムラが生じる。このような第1洗浄部42による洗浄ムラを防止するために、第1洗浄部42の前に水分除去部を配設してもよい。この水分除去部は、例えば、減圧乾燥装置、脱水ベーク装置、低沸点溶剤乾燥装置、超臨界接触法装置、遠心乾燥装置等とすることができる。本発明の洗浄装置41を構成する第2洗浄部43は、第1洗浄部42から搬送されてきたモールドの離型層にアルカリ洗浄剤を接触させて離型層を除去するものである。このような第2洗浄部43としては、浸漬槽、モールド揺動装置を組み込んだ浸漬槽、スプレー洗浄装置、超音波洗浄装置を組み込んだ浸漬槽、パドル洗浄用のスピン塗布洗浄装置等を使用することができる。また、アルカリ洗浄剤や、洗浄溶液として併用するSPMや界面活性剤を所望の温度に加熱するためのヒーターを配設したものであってもよい。本発明の洗浄装置41を構成する測定部44、第1測定部45、第2測定部46は、インプリント用モールドの表面状態、すなわち、第1洗浄部42による親水化処理後の表面状態、第2洗浄部43でのアルカリ洗浄後の表面状態を測定するものである。このような測定部としては、例えば、水に対する接触角を測定する装置、離型層の厚みを測定する干渉計等の装置、離型層に含まれる撥水基の含有量を測定するXPSX線光電子分光分析装置等の表面成分分析装置、離型層の厚み変化による透過率、反射率の変動を検出する装置、凹凸構造の凹部の開口幅の変化から離型層の厚み変化を検出するAFM、SEM走査型電子顕微鏡等の装置、異物検査装置等を挙げることができる。本発明の洗浄装置41を構成する第1判定部47,48は、測定部44、第1測定部45の測定結果に基づいて、第1洗浄部42により親水化処理を施した離型層表面がアルカリ洗浄可能であるかを判定するものである。例えば、測定部44、第1測定部45が、上記のように、水に対する接触角を測定する装置である場合、第1洗浄部42により親水化処理を施した離型層表面の水に対する接触角が第1基準値以下であるときに、第2洗浄部43におけるアルカリ洗浄が可能であると判定するCPU等であってよい。上記の第1基準値としては、例えば、95°、好ましくは75°、さらに好ましくは45°を設定することができる。このような第1判定部47,48の判定結果が、アルカリ洗浄が可能であるとの判定である場合、第1洗浄部から第2洗浄部にモールドが搬送される。また、第1判定部47,48の判定結果が、アルカリ洗浄が可能でないとの判定である場合、モールドは第1洗浄部42に戻され再度親水化処理が行われる。この場合、モールドは上記の水分除去部を経由して第1洗浄部42に戻されることが好ましい。また、本発明の洗浄装置41を構成する第2判定部47,49は、測定部44、第2測定部46の測定結果に基づいて、第2洗浄部43によりアルカリ洗浄を施したインプリント用モールド表面において離型層が除去されているかを判定するものである。例えば、測定部44、第2測定部46が、上記のように、水に対する接触角を測定する装置である場合、第2洗浄部43によりアルカリ洗浄を施したインプリント用モールド表面の水に対する接触角が第2基準値以下であるときに、離型層が除去されていると判定するCPU等であってよい。上記の第2基準値としては、例えば、離型層を形成する前のモールドの基材の水に対する接触角2°を設定することができる。ここで、離型層を形成する前のモールドの基材とは、離型層を形成する前の基材表面上に吸着している有機物等を除去した状態の基材を意味する。このような第2判定部47,49の判定結果が、離型層が除去されているとの判定である場合、第2洗浄部からモールドが搬出される。また、第2判定部47,49の判定結果が、離型層が除去されていないとの判定である場合、モールドは第2洗浄部43に戻され再度アルカリ洗浄処理が行われる。図8は、本発明のインプリント用モールドの洗浄装置の一実施形態を示す構成図であり、図7に示される基本構成に対応したものである。図8において、洗浄装置41は、第1洗浄部42、第1測定部45、第2洗浄部43、第2測定部46が直列となるように配列されている。第1洗浄部42は、搬送アーム等の搬送装置図示せずにより搬送されたモールド11を載置するチャンバー42Aと、照射光源42Bとを備えている。照射光源42Bは、モールド11の全面に光照射を行うようにスキャン可能なものであってよく、また、モールドの全面に同時に光照射可能なものであってもよい。第1測定部45は、搬送アーム等の搬送装置図示せずにより第1洗浄部42から搬送されたモールド11の離型層上に水滴を滴下するための滴下装置45Aと、離型層上の水滴の接触角を測定するための測定光源45B、検出器CCD等45Cとを備えている。この第1測定部45には、第1判定部48図示せずが接続されている。第2洗浄部43は、搬送アーム等の搬送装置図示せずにより第1測定部45から搬送されたモールド11を載置するターンテーブル43Aと、高速で回転するターンテーブル43A上のモールド11にアルカリ洗浄剤を供給する供給装置43Bとを備えている。供給装置43Bは、高速で回転するターンテーブル43Aの上方を走査可能であってよく、また、固定式であってもよい。また、上記のターンテーブル43Aの上方には排気フード43Cが配設され、供給装置43Bの側方にはスピン除去されたアルカリ洗浄剤を回収する排液回収路43Dが配設されている。第2測定部46は、搬送アーム等の搬送装置図示せずにより第2洗浄部43から搬送されたモールド11上に水滴を滴下するための滴下装置46Aと、水滴の接触角を測定するための測定光源46B、検出器CCD等46Cとを備えている。この第2測定部46には、第2判定部49図示せずが接続されている。また、洗浄装置41は、第1洗浄部42の上流側に水分除去装置図示せずが配設されている。図9は、本発明のインプリント用モールドの洗浄装置の洗浄処理のフローチャートであり、これを参照しながら図8に示される洗浄装置の動作を説明する。まず、洗浄対象のモールド11が水分除去装置に搬送されS1、離型層に付着している水分が除去されるS2。次に、モールド11は第1洗浄部42に搬送されS3、チャンバー42A内において照射光源42Bからの光照射を受け、親水化処理がなされるS4。この第1洗浄部42では、照射光源42Bからの光照射を行っている間、あるいは、光照射後にチャンバー42A内は排気されている。次いで、モールド11は第1測定部45に搬送されS5、離型層の水に対する接触角が測定されるS6。この第1測定部45には第1判定部48図示せずが接続されており、第1判定部48は、第1測定部45によるモールドの離型層表面の水に対する接触角が第1基準値以下であるかを判定するS7。第1判定部48において、離型層表面の水に対する接触角が第1基準値以下ではなく、第2洗浄部43でのアルカリ洗浄が可能でないと判定された場合、モールド11は水分除去装置へ戻される。一方、第1判定部48において、離型層表面の水に対する接触角が第1基準値以下であり、第2洗浄部43でのアルカリ洗浄が可能であると判定された場合、モールド11は第2洗浄部43に搬送されるS8。第2洗浄部43では、モールド11をターンテーブル43Aに載置して高速で回転する。そして、供給装置43Bからターンテーブル43A上のモールド11にアルカリ洗浄剤を供給するとともにスピン除去する方法パドル洗浄でアルカリ洗浄が施されるS9。次いで、モールド11は第2測定部46に搬送されS10、モールド表面の水に対する接触角が測定されるS11。この第2測定部46には第2判定部49図示せずが接続されており、第2判定部49は、第2測定部46によるモールド表面の水に対する接触角が第2基準値以下であるかを判定するS12。第2判定部49において、モールド表面の水に対する接触角が第2基準値以下ではなく、離型層が除去されていないと判定された場合、モールド11は第2洗浄部43へ戻される。一方、第2判定部49において、モールド表面の水に対する接触角が第2基準値以下であり、第2洗浄部43でのアルカリ洗浄で離型層が除去されていると判定された場合、第2洗浄部からモールドが搬出されるS13。上述の本発明のインプリント用モールドの洗浄装置は一例であり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。例えば、第1洗浄部の後、第2洗浄部の後に、静電気除去部を備えるものであってもよい。静電気除去部は、イオナイザ等の公知の静電気除去装置を使用することができる。このような静電気除去部を配設することにより、測定部による離型層表面あるいはモールド表面の水に対する接触角の測定において、滴下装置から滴下する水滴が測定箇所を外れて不要な部位に滴下されるのを防止し、また、AFMやSEMを測定部に使用する場合の正確な測定を可能とすることができる。また、第1洗浄部と第2洗浄部との間に他の洗浄部を備えるものであってもよい。このような他の洗浄部としては、例えば、第1洗浄部で切断された撥水基を除去するためのリンス洗浄装置等を挙げることができる。[インプリント用モールドの製造方法]次に、本発明のインプリント用モールドの製造方法の一実施態様について説明する。本発明の製造方法は、基材と、この基材の片面に位置する凹凸構造と、少なくとも該凹凸構造を被覆するようにシロキサン結合により基材と結合した離型層と、を備えるインプリント用のモールドであって、繰り返し使用に供されて離型層の離型効果が低下したモールドの離型層表面を親水化させる第1洗浄工程と、第1洗浄工程を経た離型層にアルカリ洗浄剤を接触させ、離型層で被覆されていた基材を露出させる第2洗浄工程と、を有するものである。本発明の製造方法が適用可能なインプリント用モールドは、例えば、図1~図3を参照して説明した上述のモールド11,21等であってよい。また、モールド11,21の基材12,22の材質は、シリコン等の半導体材料、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等、あるいは、ニッケル、アルミニウム、チタン、銅、クロム、鉄、コバルト、タングステン等の金属、これらの金属と炭素、珪素等の非金属とからなる合金、これらの任意の積層材、あるいはガラス状カーボン等の炭素材料等を用いることができる。また、モールド11,21を構成する離型層14,24は、撥水基を有する有機物領域がシロキサン結合を介してモールドに結合しているような構造を有する離型層である。このような離型層14,24は、例えば、シランカップリング剤を用いて形成した離型層であり、使用するシランカップリング剤は、例えば、フルオロアルキル系、アルキル系のシランカップリング剤を挙げることができ、より具体的には、上述の本発明の洗浄方法で挙げたフルオロアルキル系のシランカップリング剤、アルキル系のシランカップリング剤を挙げることができる。図10A、図10Bは、本発明のインプリント用モールドの製造方法を説明するための工程図であり、上述の図1に示したインプリント用モールド11を例としている。本発明では、まず、第1洗浄工程にて、モールド11の離型層14表面を親水化させて、離型層14′とする図10A。この第1洗浄工程は、離型層14に190nm未満の波長域を含む光を照射する工程、離型層14に190nm~370nmの波長域を含む光を照射する工程、離型層14にアッシングを施す工程、および、離型層14に電子線を照射する工程の少なくとも1つの工程とすることできる。また、第1洗浄工程は上記の工程を組み合わせて行ってもよい。このような第1洗浄工程により、離型層14の有機物領域Iが分解されて、離型層表面の水に対する接触角が低下され、あるいは、撥水基が切断除去されて、シロキサン結合領域IIが露出した状態の離型層14′とされる図4B参照。この第1洗浄工程の具体的な説明は、上述の本発明の洗浄方法の第1洗浄工程の説明と重複するので、ここでは省略する。次に、第2洗浄工程にて、第1洗浄工程を経た離型層にアルカリ洗浄剤を接触させ、離型層14で被覆されていた基材12の片面12aを露出させる。これにより、インプリント用モールド11′が作製される図10B。この第2洗浄工程の具体的な説明は、上述の本発明の洗浄方法の第2洗浄工程の説明と重複するので、ここでは省略する。本発明のインプリント用モールドの製造方法では、第1洗浄工程で離型層表面が親水化され、次の第2洗浄工程でアルカリ洗浄剤によりシロキサン結合が切断されて離型層が除去されるので、基材が露出したモールドの製造が可能である。したがって、モールドの使用目的、被加工物の材質等に応じて、基材が露出した状態のまま、あるいは、基材表面に所望の加工を施した状態でモールドを使用することができ、使用条件に対する適応幅が広いモールドを製造することができるとともに、モールドの製造コスト、および、モールドを用いたインプリントに要するコストの大幅な低減が可能である。次に、本発明のインプリント用モールドの製造方法の他の実施態様について説明する。本発明の製造方法は、基材と、この基材の片面に位置する凹凸構造と、少なくとも該凹凸構造を被覆するようにシロキサン結合により基材と結合した離型層と、を備えるインプリント用のモールドであって、繰り返し使用に供されて離型層の離型効果が低下したモールドから、まず、離型層を除去し、その後、新たな離型層を再形成してインプリント用のモールドとして再生するものである。本発明の製造方法が適用可能なインプリント用モールドは、上述の本発明の製造方法が適用可能なインプリント用モールドと同じである。図11A~図11Cは、本発明のインプリント用モールドの製造方法を説明するための工程図であり、上述の図1に示したインプリント用モールド11を例としている。本発明では、まず、洗浄工程において、繰り返し使用に供されて離型層14の離型効果が低下したモールド11に対して、離型層14を除去するための洗浄を行う図11A。これにより、モールド11から離型層14が除去されて凹凸構造13が露出し、モールド11はシランカップリング剤を用いて新たな離型層を再度形成可能な状態となる図11B。この洗浄工程では、上述の本発明の洗浄方法により離型層14の洗浄除去が行われる。すなわち、第1洗浄工程にて、モールド11に形成されている離型層14表面の水に対する接触角の低下、あるいは、離型層14に含まれる撥水基の切断が行われる。次いで、第2洗浄工程にて、第1洗浄工程を経た離型層14にアルカリ洗浄剤を接触させることにより、離型層14をモールド11から除去する。このような第1洗浄工程、第2洗浄工程の説明は、上述の本発明の洗浄方法の説明と重複するので、ここでは省略する。次に、再形成工程において、モールド11の基材12の片面12aに位置する凹凸構造13を被覆するように新たな離型層15を形成し、シロキサン結合により結合した離型層を備えたモールド11を再生する図11C。このような離型層15は、例えば、モールド11の基材12の片面12aに、浸漬法、スピン法等によりシランカップリング剤を塗布し乾燥することにより形成することができる。また、蒸着法等によりシランカップリング剤を片面12aに供給し成膜することにより形成することができる。この離型層15の形成では、塗布されたシランカップリング剤のアルコキシ基やシラザン基等の加水分解性基の加水分解によりシラノール基SiOHが生成される。そして、このシラノール基SiOHと基材11の片面12aとの間にシロキサン結合Si-Oが形成され、このシロキサン結合領域が、撥水基を有する有機物領域を基材11の片面12aに結合する機能を果たしている。したがって、形成された離型層15は、表面側に撥水基を有する有機物領域が位置し、基材11の片面12a側にシロキサン結合領域が位置した構造となり、優れた離型性と、基材11への良好な密着性とを兼ね備えたものとなる。また、例えば、酸素雰囲気下でArFエキシマレーザー光をレンズでシランカップリング剤に集光照射してアルキル基等の反応基を光解離させ、このときの酸素の光励起によって生成した基底状態の酸素原子3pがケイ素のダングリンボンドと結合される光励起反応を利用して離型層15を形成してもよい。尚、シロキサン結合の形成過程は上記のものに限定されない。このような離型層15の厚みは、例えば、0.3~100nm、好ましくは0.3~50nm程度であり、凹凸構造13の凹部や凸部の幅、凹部の深さや凸部の高さが数十nm程度の微細なものであっても、モールド11の良好なパターン再現性を可能とするものである。尚、離型層15の形成に使用するシランカップリング剤は、離型層14の形成に使用したシランカップリング剤と同じものであってもよく、また、異なるものであってもよい。上述のような本発明のインプリント用モールドの製造方法は、モールドが備える離型層を確実に除去した後、離型層を再形成してモールドを作製するので、再形成された離型層は欠陥等のないものとなる。したがって、繰り返し使用に供されて離型層の離型効果が低下したモールドを再生して、優れた離型効果を発現する離型層を備えたモールドの製造が可能である。また、本発明のインプリント用モールドの製造方法は、モールドの繰り返し使用回数を大幅に引き上げることが可能であり、例えば、モールドがマスターモールドである場合、コピーモールドの製造コストの大幅な低減が可能であり、また、モールドがコピーモールドである場合、モールドを用いたインプリントに要するコストの大幅な低減が可能である。上述の本発明のインプリント用モールドの製造方法は一例であり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。また、本発明の洗浄方法は、離型層を有するモールドの洗浄の用途に限らず、シランカップリング剤を成膜した基材の洗浄に用いることができる。例えば、基材と紫外線硬化樹脂との密着層などの、離型効果以外の目的で用いるシロキサン結合により結合した層を有する転写基材の洗浄に用いることができる。次に、より具体的な実施例を示して本発明を更に詳細に説明する。<洗浄対象モールドの作製>厚みが6.35mm、外周形状が25mm×25mmの正方形である薄板状の石英ガラスを用いてモールドを作製した。このモールドブランクは、一方の面に深さ100nm、ライン/スペースが50nm/50nmの凹凸構造を備えるものであった。このモールドブランクの凹凸構造を有する面の水に対する接触角を測定した結果、2°であった。尚、水に対する接触角はマイクロシリンジから水滴を滴下して10秒後に接触角測定器協和界面科学株製DM-700型を用いて測定した。次に、上記のモールドブランクの凹凸構造を有する面に蒸着法により下記2種のフルオロアルキル系のシランカップリング剤A1、A2をそれぞれ供給し成膜して離型層厚み約2nmを形成した。これにより、2種のモールドA1、A2を作製した。これらのモールドA1、A2の離型層の水に対する接触角θ0を上記と同様に測定した結果、モールドA1は109°、モールドA2は107°であった。シランカップリング剤A1:ダイキン工業株製OptoolDSXC4F9OC3F6nC3F6SiOCH33シランカップリング剤A2:東京化成株製T1770CF3CF25CH22SiOCH2CH33また、上記のモールドブランクの凹凸構造を有する面に蒸着法により下記2種のアルキル系のシランカップリング剤B1、B2をそれぞれ供給し成膜して離型層厚み約2nmを形成した。これにより、2種のモールドB1、B2を作製した。これらのモールドB1、B2の離型層の水に対する接触角θ0を上記と同様に測定した結果、モールドB1は106°、モールドB2は101°であった。シランカップリング剤B1:東京化成株製O0256CH3CH217SiOCH33シランカップリング剤B2:東京化成株製O0171CH3CH27SiOCH2CH33次いで、上記のモールドA1、A2、B1、B2を、光インプリント法によるパターン形成に10回繰り返し使用して、洗浄対象モールドA1、A2、B1、B2とした。尚、上記の光インプリント法は、次にように行った。まず、石英ガラスからなる基板上に光硬化性樹脂材料東洋合成工業株製PAK-01をスピンコート法で塗布した。次に、この光硬化性樹脂材料にモールドの凹凸構造側を押し当てた。そして、この状態でモールド側から紫外線を照射して光硬化性樹脂材料を硬化させた後、モールドを離型した。上記の4種の洗浄対象モールドA1、A2、B1、B2を水洗後、ベーク処理120°C、5分間を施して水分除去を行った。次に、上記の4種の洗浄対象モールドA1、A2、B1、B2に対する洗浄として、第1洗浄工程にて、ピーク波長が172nmのエキシマ光を離型層に照射照射量400mJ/cm2した。その後、第2洗浄工程にて、下記組成のアルカリ洗浄剤をパドル法により離型層上に塗布し、2分間放置した後、スピン除去によりモールドからアルカリ洗浄剤を除去し、水洗し乾燥した。アルカリ洗浄剤の組成水...60体積アンモニア水30...15体積過酸化水素水30...20体積界面活性剤...5体積第1洗浄工程として、ピーク波長が222nmの紫外光を離型層に照射照射量60000mJ/cm2した他は、実施例1と同様に、洗浄対象モールドに対する洗浄を行った。第1洗浄工程として、ピーク波長が308nmの紫外光を離型層に照射照射量70000mJ/cm2した他は、実施例1と同様に、洗浄対象モールドに対する洗浄を行った。第1洗浄工程として、洗浄対象モールドを真空チャンバー内に載置し、真空チャンバー内を10mTorrまで減圧し、80sccmの流量で酸素を供給しながら高周波電流を印加100Wして、酸素ラジカルによるアッシングを離型層に1分間施した他は、実施例1と同様に、洗浄対象モールドに対する洗浄を行った。第1洗浄工程として、洗浄対象モールドを真空チャンバー内に載置し、真空チャンバー内を10mTorrまで減圧し、アルゴンを20sccm、酸素を80sccmの流量で供給しながら高周波電流を印加128Wして、酸素ラジカルによるアッシングを離型層に1分間施した他は、実施例1と同様に、洗浄対象モールドに対する洗浄を行った。第1洗浄工程として、ピーク波長が365nmの紫外光を離型層に照射照射量90000mJ/cm2した他は、実施例1と同様に、洗浄対象モールドに対する洗浄を行った。第1洗浄工程として、ピーク波長が365nmの紫外光を離型層に照射照射量40000mJ/cm2し、次いで、ピーク波長が308nmの紫外光を離型層に照射照射量50000mJ/cm2した他は、実施例1と同様に、洗浄対象モールドに対する洗浄を行った。[比較例1]第1洗浄工程を行わず、実施例1と同じ第2洗浄工程のみで洗浄対象モールドに対する洗浄を行った。[比較例2]アルカリ洗浄剤として濃度48の水酸化カリウム水溶液を使用し、このアルカリ洗浄剤中に上記の4種の洗浄対象モールドA1、A2、B1、B2をそれぞれ2分間浸漬し、その後、水洗し乾燥して洗浄を行った。[比較例3]上記の4種の洗浄対象モールドA1、A2、B1、B2をそれぞれ真空チャンバー内に載置し、真空チャンバー内を10mTorrまで減圧し、80sccmの流量で酸素を供給しながら高周波電流を印加130Wして、酸素ラジカルによるアッシングを離型層に1分間施し、その後、水洗し乾燥して洗浄を行った。[比較例4]上記の4種の洗浄対象モールドA1、A2、B1、B2をそれぞれ真空チャンバー内に載置し、真空チャンバー内を10mTorrまで減圧し、80sccmの流量でCF4を供給しながら高周波電流を印加130Wして、フッ素ラジカルによるアッシングを離型層に1分間施し、その後、水洗し乾燥して洗浄を行った。<洗浄の評価>上記の実施例1~7、比較例1~4において洗浄が行われた4種の洗浄対象モールドA1、A2、B1、B2について、その凹凸構造を有する面の水に対する接触角θ1を上記と同様に測定し、結果を下記の表1に示した。本発明では、洗浄後の凹凸構造を有する面の水に対する接触角θ1が、上記のモールドブランクの凹凸構造を有する面の水に対する接触角2°に対して2°の範囲以内であれば、良好な洗浄が行われたと判断する。表1に示されるように、4種の洗浄対象モールドA1、A2、B1、B2のいずれにおいても、本発明の洗浄方法実施例1~5により離型層の洗浄除去が可能であることが確認された。尚、実施例2~3の洗浄に要する照射量を比較すると、ピーク波長が190nm~370nmの範囲でより短波長側にある光を照射することにより洗浄効率が高くなることが確認された。また、実施例6の本発明の洗浄方法は、洗浄対象モールドA1において離型層の洗浄除去が可能であることが確認された。これに対し、離型層を構成するシランカップリング剤が、結合強度の大きい結合C-C結合、C-H結合、Si-C結合およびC-F結合を有するシランカップリング剤A2、B1、B2である洗浄対象モールドA2、B1、B2においては、アルカリ洗浄剤が離型層にはじかれて洗浄作用を十分に発現できず、離型層の洗浄除去は不十分であった。このことから、ピーク波長が365nmの紫外光を用いた実施例6の本発明の洗浄方法は、離型層を構成するシランカップリング剤に応じて適用可能であるといえる。一方、実施例7の本発明の洗浄方法は、4種の洗浄対象モールドA1、A2、B1、B2のいずれにおいても、離型層の洗浄除去が可能であることが確認された。この実施例7と実施例6とを検討すると、ピーク波長が365nmの紫外光照射に、ピーク波長が308nmの紫外光照射を組み合わせることにより、洗浄対象モールドの制限が解消され、かつ、ピーク波長が190nm~370nmの範囲でより長波長側の光を使用することができ、モールドの基材温度上昇を抑制し易いものとなる。しかし、本発明の第1洗浄工程を行わない比較例1、2では、アルカリ洗浄剤が離型層にはじかれて洗浄作用を十分に発現できず、離型層の洗浄除去は不十分であった。さらに、比較例3、4の洗浄方法では、離型層の洗浄除去は不十分であった。<インプリント用モールドの製造>上記の実施例1~7、比較例1~4の洗浄方法により洗浄が行われた4種の洗浄対象モールドA1、A2、B1、B2の凹凸構造を有する面に、それぞれ対応した上記のシランカップリング剤A1、A2、B1、B2を使用し、上記のモールドブランクへの離型層の形成と同様の条件で離型層を再形成してモールドを作製した。このように作製した各モールドについて、離型層の水に対する接触角θ2を上記と同様に測定し、結果を下記の表2に示した。表2に示されるように、本発明の洗浄方法実施例1~5により離型層の洗浄除去が行なわれた後に離型層が再形成された再生モールドでは、4種の洗浄対象モールドA1、A2、B1、B2のいずれにおいても、再形成された離型層が、モールドブランクに最初に形成した対応する離型層と同等の優れた撥水性を発現することが確認された。また、実施例6の本発明の洗浄方法により離型層の洗浄除去が行なわれた後に離型層が再形成された再生モールドでは、洗浄対象モールドA1において、再形成された離型層がモールドブランクに最初に形成した対応する離型層と同等の優れた撥水性を発現することが確認された。これに対し、離型層を構成するシランカップリング剤が、結合強度の大きい結合C-C結合、C-H結合、Si-C結合およびC-F結合を有するシランカップリング剤A2、B1、B2である洗浄対象モールドA2、B1、B2においては、離型層を十分に洗浄除去できず、再形成された離型層に形成不良箇所が存在し、離型層の撥水性は不十分なものであった。このことから、ピーク波長が365nmの紫外光を用いた実施例6の本発明の洗浄方法は、離型層を構成するシランカップリング剤に応じて適用可能であるといえる。一方、実施例7の本発明の洗浄方法により離型層の洗浄除去が行なわれた後に離型層が再形成された再生モールドでは、4種の洗浄対象モールドA1、A2、B1、B2のいずれにおいても、再形成された離型層が、モールドブランクに最初に形成した対応する離型層と同等の優れた撥水性を発現することが確認された。この実施例7と実施例6とを検討すると、ピーク波長が365nmの紫外光照射に、ピーク波長が308nmの紫外光照射を組み合わせることにより、優れた撥水性を発現する離型層の再形成が可能となり、かつ、ピーク波長が190nm~370nmの範囲でより長波長側の光を使用することができ、モールドの基材温度上昇を抑制し易いものとなる。しかし、比較例1~4の洗浄方法により離型層の洗浄除去が行われた後に離型層が再形成され再生されたモールドは、再形成された離型層に形成不良箇所が存在し、離型層の撥水性は不十分なものであった。"