a半導体基板の外周部を、保持台に設けられた保持部材により保持する工程、b保持されている前記半導体基板を前記保持台とともに回転させた状態で、過酸化水素水と加熱された硫酸とが混合された薬液を前記半導体基板上に吐出する工程、c前記b工程の後、前記半導体基板を回転させた状態で、前記半導体基板上にリンス液を吐出する工程、d前記c工程の後、前記半導体基板を回転させることによって、前記半導体基板を振り切り乾燥する工程、を含む半導体装置の製造方法であって、前記b工程では、前記半導体基板の外周の回転速度が1.6~2.4m/秒であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1記載の半導体装置の製造方法であって、前記保持台は、接地されており、前記保持部材は、非導電性であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1記載の半導体装置の製造方法であって、前記b工程では、前記半導体基板が、前記保持部材を濡らしている薬液を介して前記保持台と電気的に接触するように、前記半導体基板の外周の回転速度が1.6~2.4m/秒であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1記載の半導体装置の製造方法であって、前記b工程では、前記半導体基板上に薬液を吐出している間、前記半導体基板の外周の回転速度が常に1.6~2.4m/秒であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1記載の半導体装置の製造方法であって、前記b工程では、過酸化水素水と80°C以上に加熱された硫酸とが混合された薬液を前記半導体基板上に吐出することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1記載の半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板は、主面上に形成されたフォトレジストパターンをマスクとしてイオン注入されたものであり、前記b工程では、過酸化水素水と加熱された硫酸とが混合された薬液を前記半導体基板上に吐出することによって、前記フォトレジストパターンを除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1記載の半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板は、シリコン層上に金属膜を堆積した後、熱処理することによって、前記シリコン層と前記金属膜が反応して金属シリサイド層が形成されたものであり、前記b工程では、過酸化水素水と加熱された硫酸とが混合された薬液を前記半導体基板上に吐出することによって、未反応の前記金属膜を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。a半導体基板の外周部を、保持台に設けられた保持部材により保持する工程、b保持されている前記半導体基板を前記保持台とともに回転させた状態で、過酸化水素水と加熱された硫酸とが混合された薬液を前記半導体基板上に吐出する工程、c前記b工程の後、前記半導体基板を回転させた状態で、前記半導体基板上にリンス液を吐出する工程、d前記c工程の後、前記半導体基板を回転させることによって、前記半導体基板を振り切り乾燥する工程、を含む半導体装置の製造方法であって、前記保持部材により保持されている前記半導体基板の周囲であって、前記半導体基板の周方向に沿って前記保持部材と異なる位置に、前記保持台と電気的に接触した部材が設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項8記載の半導体装置の製造方法であって、前記保持台は、接地されており、前記保持部材は、非導電性であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項8記載の半導体装置の製造方法であって、前記b工程では、前記半導体基板が、薬液を介して前記部材と電気的に接触していることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項8記載の半導体装置の製造方法であって、前記b工程では、前記半導体基板の外周の回転速度が4.8m/秒以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項8記載の半導体装置の製造方法であって、前記b工程では、過酸化水素水と80°C以上に加熱された硫酸とが混合された薬液を前記半導体基板上に吐出することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項8記載の半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板は、主面上に形成されたフォトレジストパターンをマスクとしてイオン注入されたものであり、前記b工程では、過酸化水素水と加熱された硫酸とが混合された薬液を前記半導体基板上に吐出することによって、前記フォトレジストパターンを除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項8記載の半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板は、シリコン層上に金属膜を堆積した後、熱処理することによって、前記シリコン層と前記金属膜が反応して金属シリサイド層が形成されたものであり、前記b工程では、過酸化水素水と加熱された硫酸とが混合された薬液を前記半導体基板上に吐出することによって、未反応の前記金属膜を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。本発明者の検討によれば、次のことが分かった。半導体装置の製造工程の後、ウェハ表面に局所的に異常放電の痕跡が発見されることがある。本発明者による調査の結果、この異常放電が、洗浄工程において発生していることが分かった。また、この異常放電は、1SPM液の吐出直後、2SPM液の吐出中、および、3SPM液の吐出終了後水洗への切り替えの際、に発生することが分かった。このうち、1SPM液の吐出直後、および、3SPM液の吐出終了後水洗への切り替えの際、に発生する異常放電は、薬液または水を吐出する前にウェハ外の位置で数秒薬液または水を吐出することにより、抑制することができる。しかし、吐出前にウェハ外の位置で数秒薬液または水を吐出する方法では、2SPM液の吐出中に発生する異常放電は、抑制することができない。その結果、半導体装置の製造工程で、ウェハに局所的に異常放電が起こり、半導体装置の性能が低下するおそれがある。本発明の目的は、半導体装置の性能を向上させることができる技術を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。代表的な実施の形態による半導体装置の製造方法は、洗浄工程を含むものである。その洗浄工程では、ウェハステージに設けられたウェハチャックによりウェハの外周部を保持し、保持したウェハを、ウェハの外周の回転速度が1.6~2.4m/秒になるように回転させた状態で、過酸化水素水と加熱された硫酸とが混合された薬液をウェハ上に吐出する。また、代表的な実施の形態による半導体装置の製造方法は、洗浄工程を含むものである。その洗浄工程では、ウェハステージと電気的に接触した突起部材が設けられたウェハステージを用い、そのウェハステージに設けられたウェハチャックによりウェハの外周部を保持し、保持したウェハを回転させた状態で、過酸化水素水と加熱された硫酸とが混合された薬液をウェハ上に吐出する。本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。代表的な実施の形態によれば、半導体装置の性能を向上させることができる。以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等個数、数値、量、範囲等を含むに言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素要素ステップ等も含むは、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。また、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見易くするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。実施の形態1<洗浄装置および洗浄工程>本発明の一実施の形態である洗浄装置および洗浄工程を、図面を参照して説明する。本実施の形態の洗浄装置は、基板を1枚ずつ洗浄処理する枚葉式洗浄装置である。図1は、実施の形態1の洗浄装置の構成を模式的に示す図である。図2は、実施の形態1の洗浄装置の要部の構成を模式的に示す側面図である。図3は、実施の形態1の洗浄装置の要部の構成を模式的に示す上面図である。図4は、実施の形態1の洗浄工程の一部を示すプロセスフロー図である。図5は、実施の形態1の洗浄工程中の洗浄装置の要部の状態を模式的に示す側面図である。洗浄装置は、処理チャンバー1、配管ライン2a~2cで構成されている。処理チャンバー1内には、ウェハ21を薬液により処理する処理カップ3と、ノズル待機ポッド4a、4bが設けられており、それらの上方には横方向水平方向に移動可能な、薬液を吐出するノズル5a、リンス液を吐出するノズル5bが設けられている。処理カップ3には、半導体基板であるウェハ21が保持される保持台であるウェハステージ6が設けられている。ウェハステージ6には、ウェハ21の外周部を保持する保持部材であるウェハチャック7が設けられている。ウェハチャック7は、図3に示されるように、保持されているウェハ21の周方向に沿って複数の位置に、例えば周方向に沿って等間隔な3つの位置に設けられている。また、ウェハチャック7は、保持されるウェハ21の外周部に対して進退可能またはウェハ21の面内で回動可能に設けられている。そして、ウェハチャック7は、上記した複数の位置でウェハチャック7がウェハ21の外周部に接触してウェハ21を中心側へ押圧することによって、ウェハ21を保持する。また、ウェハステージ6は、保持されているウェハ21の中心を通り、ウェハ21表面に垂直な軸である回転軸8を中心として回転可能に設けられている。ウェハステージ6の回転軸8は、モーター9により回転駆動される。処理カップ3は、ノズル5aからウェハ21上に吐出され、振り切られた薬液、および、ノズル5bからウェハ21上に吐出され、振り切られたリンス液を受ける。処理カップ3には、廃液管10が接続されている。ノズル待機ポッド4aは、処理カップ3の側方外部に設けられている。ノズル待機ポッド4aは、薬液を吐出して処理を行わないときに、ノズル5aがウェハ21外で待機する位置の下方に設けられている。ノズル待機ポッド4aは、ノズル5aからノズル待機ポッド4aに吐出された薬液を受ける。ノズル待機ポッド4aには、廃液管11aが接続されている。ノズル待機ポッド4bは、処理カップ3の側方外部に設けられている。ノズル待機ポッド4bは、リンス液を吐出して処理を行わないときに、ノズル5bがウェハ21外で待機する位置の下方に設けられている。ノズル待機ポッド4bは、ノズル5bからノズル待機ポッド4bに吐出されたリンス液を受ける。ノズル待機ポッド4bには、廃液管11bが接続されている。ノズル5aは、ウェハ21中心上の位置図1で実線で表示された状態とウェハ21外のノズル待機ポッド4a上の位置図1で二点鎖線で表示された状態との間で移動可能に設けられている。また、ノズル5aは、移動機構12aにより、ウェハ21の中心上の位置図1で実線で表示された状態とウェハ21外のノズル待機ポッド4a上の位置図1で二点鎖線で表示された状態との間を移動する。ノズル5bは、ウェハ21中心上の位置とウェハ21外のノズル待機ポッド4b上の位置との間で移動可能に設けられている。また、ノズル5bは、移動機構12bにより、ウェハ21の中心上の位置とウェハ21外のノズル待機ポッド4b上の位置との間を移動する。ノズル5aには、2系統の配管ライン2aおよび配管ライン2bが接続されている。配管ライン2aは、ノズル5aと薬液タンク13aとを接続し、配管ライン2bは、ノズル5aと薬液タンク13bとを接続する。ノズル5aと薬液タンク13aとの間の配管ライン2aには、ポンプ14a、ヒーター15a、フィルター16a、バルブ17a、流量計18aが設けられている。ノズル5aと薬液タンク13bとの間の配管ライン2bには、ポンプ14b、フィルター16b、バルブ17b、流量計18bが設けられている。薬液タンク13aには、硫酸が貯留されている。そして、バルブ17aが開いているときは、薬液タンク13aに貯留されている硫酸は、フィルター16aによりろ過され、ヒーター15aにより所定の温度に加熱され、流量計18aおよびポンプ14aにより流量が調整された状態で、ノズル5aに供給される。また、薬液タンク13bには、過酸化水素水が貯留されている。そして、バルブ17bが開いているときは、薬液タンク13bに貯留されている過酸化水素水は、室温の状態で、フィルター16bによりろ過され、流量計18bおよびポンプ14bにより流量が調整された状態で、ノズル5aに供給される。ノズル5aに供給された、加熱された硫酸と室温の過酸化水素水は、ノズル5aの先端よりも上流側で混合される。混合された硫酸と過酸化水素水は、硫酸と過酸化水素水の反応熱を利用してさらに加熱されたSPM液となり、ノズル5aの先端からウェハ21上に吐出される。加熱されたSPM液中では、硫酸H2SO4と過酸化水素水H2O2が反応し、H2SO4H2O2→H2SO5H2O1に示されるように、カロ酸H2SO5が発生する。そして、発生したカロ酸により、ウェハ21表面が洗浄処理される。例えば98wtの硫酸を用い、30wtの過酸化水素水を用いる場合、硫酸と過酸化水素水との混合比を、流量比で例えば4:1とすることができる。ノズル5aからウェハ21上に吐出されるSPM液は、120~200°Cの温度に加熱されていることが好ましい。SPM液の温度が120°C未満の場合、洗浄工程における洗浄能力を確保できないからである。また、SPM液の温度が200°Cを超える場合、ノズル5aなどSPM液が接触する各部材の耐熱性の確保が困難になるからである。また、前述したように、ノズル5aの先端よりも上流側で加熱された硫酸と室温の過酸化水素水が混合されると、硫酸と過酸化水素水の反応熱により、予め加熱された硫酸の温度よりもさらに高温に加熱されたSPM液となる。従って、ヒーター15aにより硫酸が加熱される温度は、80~180°Cであることが好ましい。また、ウェハ21上に吐出されるSPM液の流量が1.5~3.0L/分であることが好ましい。SPM液の流量が1.5L/分未満の場合、洗浄工程における洗浄能力を確保できないからである。また、SPM液の流量が3.0L/分を超える場合、洗浄能力が飽和し、SPM液の使用量だけが増加してしまうからである。ノズル5bには、配管ライン2cが接続されている。配管ライン2cは、ノズル5bとリンス液供給源13cとを接続する。ノズル5bとリンス液供給源13cとの間の配管ライン2cには、バルブ17c、流量計18cが設けられている。そして、バルブ17cが開いているときは、流量計18cにより流量が調整された状態で、リンス液がリンス液供給源13cからノズル5bに供給される。ノズル5bに供給されたリンス液は、ノズル5bの先端からウェハ21上に吐出される。リンス液として純水を用いることができる。ウェハステージ6は、導電性部材からなるとともに、接地されている。本願発明では、電流を流す機能ではなく、帯電を抑制する機能が確保できればよいため、導電性部材は、金属導電体に加え、半導体電気抵抗率が10-5~108Ωcm程度であってもよい。また、ウェハステージ6は、高温において例えばSPM液などの酸からなる薬液に対する耐性に優れていることが好ましい。このような条件を満たす導電性部材として、炭化珪素SiCを好適に用いることができる。炭化珪素SiCは、電気抵抗率が10-2~10―1Ωcm程度であり、帯電したSPM液などの薬液による帯電を抑制することができるからである。また、炭化珪素SiCは、化学的に安定であり、前述したような120°C以上の温度に保持されたSPM液などの高温の酸に対する耐性に優れているからである。ノズル5a、配管ライン2a、2bおよびウェハチャック7の材質として、非導電性のフッ素系樹脂が好適に用いられる。非導電性のフッ素系樹脂として、例えばポリテトラフルオロエチレンPTFEなどを用いることができ、その電気抵抗率は、1014Ωcm程度以上である。SPM液の帯電を抑制するためには、ノズル5a、配管ライン2a、2bおよびウェハチャック7の材質として、非導電性のフッ素系樹脂に例えばカーボンなどを混合した、導電性のフッ素系樹脂電気抵抗率が108Ωcm程度以下を用いることも考えられる。しかし、導電性のフッ素系樹脂は、耐熱温度がせいぜい100°C程度であり、非導電性のフッ素系樹脂に比べて耐熱性に劣るため、前述したような120°C以上の温度に保持されたSPM液などの高温の酸に対する耐性が、非導電性のフッ素系樹脂に比べて劣る。そのため、耐酸性および耐熱性の制約から、ノズル5a、配管ライン2a、2bおよびウェハチャック7の材質として、非導電性のフッ素系樹脂が用いられる。なお、SPM液の帯電を抑制するためには、ウェハチャック7の材質として、ウェハステージ6と同様に、導電性を有し、耐熱性にも優れた炭化珪素SiCを用いることも考えられる。しかし、炭化珪素SiCは、衝撃に弱く硬質であるため、ウェハ21と直接接触するウェハチャック7の材質としては適切ではない。そのため、耐衝撃性の制約からも、ウェハチャック7の材質として、非導電性のフッ素系樹脂が用いられる。なお、耐熱性、耐酸性、耐衝撃性に優れているものであれば、ノズル5a、配管ライン2a、2bおよびウェハチャック7の材質として、フッ素系樹脂以外の各種の非導電性の樹脂を用いることもできる。また、ノズル5bおよび配管ライン2cは、内部をSPM液が流れるわけではないが、SPM液の蒸気雰囲気中で使用されるため、材質として、同様に、非導電性のフッ素系樹脂、または、フッ素系樹脂以外の各種の非導電性の樹脂であって、耐熱性、耐酸性、耐衝撃性に優れたものを用いることができる。本実施の形態の洗浄装置を用いた洗浄工程では、まず、ウェハ21をウェハステージ6に保持する図4のステップS1。このステップS1では、ウェハ21を保持している搬送アーム図示せずを洗浄装置内に搬入し、搬送アームからウェハステージ6に設けられた例えば昇降可能なリフトピン図示せずにウェハ21を受け渡して保持する。そして、ウェハステージ6に保持されたウェハ21の外周部にウェハチャック7を前進または回動させて接触させることで、ウェハ21を保持する。次に、ウェハ21を回転させる図4のステップS2。このステップS2では、ウェハ21が保持されたウェハステージ6をモーター9により回転させることで、保持されているウェハ21の中心を通り、ウェハ21表面に垂直な軸を中心として、ウェハ21をウェハステージ6とともに回転させる。回転数については、後述する。次に、ウェハ21にSPM液を吐出する前に、ウェハ21外のノズル待機ポッド4a上の位置で、ノズル5aから予めSPM液を吐出する図4のステップS3。このステップS3では、移動機構12aによりノズル5aをノズル待機ポッド4a上の位置に移動させ、その位置でノズル5aからSPM液を吐出する。非導電性のフッ素系樹脂はSPM液との摩擦により帯電しやすい。従って、前述したように、ノズル5aの材質として非導電性のフッ素系樹脂が用いられている場合、ノズル5aがSPM液との摩擦により帯電するおそれがある。そのため、ウェハ21にSPM液を吐出する前にウェハ21外のノズル待機ポッド4a上の位置で数秒間SPM液を吐出する。これにより、ノズル5aおよび配管ライン2a、2bの帯電部分が放電され、帯電が緩和されるとともに、ノズル5aから吐出されるSPM液の帯電が緩和される。次に、ウェハ21の中心上の位置で、ノズル5aからSPM液を吐出する図4のステップS4。このステップS4では、移動機構12aによりノズル5aをノズル待機ポッド4a上の位置からウェハ21の中心上の位置に移動させる。そして、モーター9によりウェハステージ6とともにウェハ21を回転させた状態で、ウェハ21の中心上の位置でノズル5aからウェハ21上にSPM液を吐出する。吐出されたSPM液がウェハ21上を中心から外周側へ流れることによって、ウェハ21を洗浄する。前述したように、このときのSPM液の流量を例えば1.5~3.0L/分とすることができる。前述したように、例えば80°C以上の温度に加熱された硫酸と、室温の過酸化水素水を、ノズル5aの先端よりも上流側で混合し、硫酸と過酸化水素水の反応熱によりさらに例えば120°C以上の温度に加熱されたSPM液とした状態で、ノズル5aの先端からウェハ21上にSPM液を吐出する。式1を用いて前述したように、加熱されたSPM液中では、硫酸H2SO4と過酸化水素水H2O2が反応し、カロ酸H2SO5が発生する。そして、発生したカロ酸により、ウェハ21表面が洗浄処理される。ノズル5aからSPM液を吐出する際には、ノズル5aとSPM液との摩擦により、SPM液に流動帯電が発生する。また、加熱された硫酸と、室温の過酸化水素水をノズル5aの先端よりも上流側で混合すると、混合された硫酸と過酸化水素水が激しく反応し、気泡が大量に発生するため、発生した気泡とSPM液との摩擦により、SPM液の帯電がさらに増加する。このため、加熱された硫酸と、室温の過酸化水素水をノズル5aの先端よりも上流側で混合すると、吐出されるSPM液の帯電量が、時間経過に伴って著しく増加するおそれがあった。それに伴って、SPM液が吐出されたウェハ21の帯電量も、時間経過に伴って著しく増加するおそれがあった。しかし、本実施の形態では、ウェハ21の中心上の位置でSPM液を吐出する工程図4のステップS4において、ウェハ21の外周の回転速度Vを、1.6~2.4m/秒とする。このウェハ21の外周の回転速度は、従来のSPM液を吐出する工程におけるウェハ21の外周の回転速度よりも低い。これにより、図5に示されるように、ウェハ21上に吐出されたSPM液Sが振り切られず、ウェハチャック7を濡らしながらウェハチャック7を伝ってウェハステージ6へ流れる。そして、ウェハチャック7を濡らしているSPM液を介して、ウェハ21とウェハステージ6とを電気的に接触させることができるため、時間経過に伴ってウェハ21の帯電量が増加することを抑制することができる。なお、ノズル5aをウェハ21の中心上の位置とウェハ21の外周上の位置との間で移動または揺動させてもよい。これにより、ウェハ21面内の各位置に吐出するSPM液の合計量を調整することができ、ウェハ21面内の各位置における洗浄量を均一化することができる。例えばウェハ21が直径300mmのウェハ12インチウェハである場合、ウェハ21の中心上の位置でSPM液を吐出する工程図4のステップS4において、ウェハ21の回転数ωを100~150rpmとする。図32を用いて後述するように、回転数ωが150rpmを超える場合、ウェハ21上に吐出されたSPM液が遠心力により振り切られてしまい、SPM液がウェハチャック7を濡らしながらウェハチャック7を伝ってウェハステージ6へ流れることができず、ウェハ21とウェハステージ6とを電気的に接触させることができないからである。一方、回転数ωが100rpm未満である場合、ウェハ21上に吐出されたSPM液が中心から外周側に均一に流れず、ウェハ21を均一に洗浄できないからである。ここで、ウェハ21の半径をRm、回転数をωrpmとすると、ウェハ21の外周の回転速度Vm/秒は、V=R×ω×2π/602と表される。例えばウェハ21の直径が300mmR=0.15mの場合、式2により、回転数ωが100~150rpmであることは、外周の回転速度Vが1.6~2.4m/秒であることに相当する。従って、ウェハ21の直径が300mmR=0.15m以外の場合も含め、ウェハ21の中心上の位置でSPM液を吐出する工程図4のステップS4において、ウェハ21の外周の回転速度Vを1.6~2.4m/秒とする。このような条件でウェハ21を回転させることにより、SPM洗浄の際に、ウェハ21表面を均一にSPM洗浄処理できるとともに、時間経過に伴ってウェハ21の帯電量が増加することを抑制することができる。次に、ノズル5bからリンス液を吐出する図4のステップS5。このステップS5では、ノズル5aからのSPM液の吐出を停止し、移動機構12aによりノズル5aをノズル待機ポッド4a上の位置に移動させる。次に、移動機構12bによりノズル5bをノズル待機ポッド4b上の位置からウェハ21の中心上の位置に移動させる。そして、モーター9によりウェハステージ6とともにウェハ21を回転させた状態で、ウェハ21の中心上の位置でノズル5bからウェハ21にリンス液を吐出する。吐出されたリンス液がウェハ21上を中心から外周側へ流れることによって、ウェハ21上のSPM液を洗い流す。このときのウェハ21の回転数を例えば1000rpmとし、リンス液の流量を例えば2L/分とすることができる。また、ウェハ21にリンス液を吐出する前にも、ウェハ21外のノズル待機ポッド4b上の位置で、ノズル5bから予めリンス液を吐出してもよい。移動機構12bによりノズル5bを移動させ、ノズル待機ポッド4b上の位置でノズル5bからリンス液を吐出する。これにより、ノズル5bおよび配管ライン2cの帯電部分が放電し、帯電が緩和されるとともに、ノズル5bから吐出されるリンス液の帯電が緩和される。次に、ウェハ21を振り切り乾燥する図4のステップS6。このステップS6では、ノズル5bからのリンス液の吐出を停止し、移動機構12bによりノズル5bをノズル待機ポッド4b上の位置に移動させる。そして、モーター9によりウェハステージ6とともにウェハ21を回転させることによって、ウェハ21を振り切り乾燥させる。このときのウェハ21の回転数を例えば2250rpmとすることができる。次に、ウェハ21の回転を停止する図4のステップS7。次に、ウェハ21をウェハステージ6から取り外す図4のステップS8。このステップS8では、ウェハ21の外周部からウェハチャック7を後退または回動させてウェハ21の保持を解除し、ウェハステージ6に設けられた例えば昇降可能なリフトピン図示せずを介してウェハ21を搬送アーム図示せずに受け渡し、ウェハ21をウェハステージ6から取り外す。<半導体装置の製造工程>次に、前述の洗浄工程を含む本実施の形態の半導体装置の製造工程を、図面を参照して説明する。図6および図7は、実施の形態1の半導体装置の製造工程の一部を示す製造プロセスフロー図である。図8~図30は、実施の形態1の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。まず、図8に示されるように、例えば1~10Ωcm程度の電気抵抗率を有するp型の単結晶シリコンなどからなる半導体基板ウェハ21を準備する図6のステップS11。次に、半導体基板21上に、絶縁膜22および絶縁膜23を形成する図6のステップS12。まず、半導体基板21を酸化好ましくは熱酸化して半導体基板21の主面表面に絶縁膜酸化膜22を形成する。次に、半導体基板21の主面表面全面上に、すなわち絶縁膜22上に、CVDChemicalVaporDeposition:化学気相成長法例えば熱CVD法などにより、絶縁膜23を形成堆積する。半導体基板21上に、絶縁膜22および絶縁膜23を形成堆積した状態を、図9に示す。絶縁膜22は、好ましくは酸化シリコン膜からなり、絶縁膜23は、好ましくは窒化シリコン膜からなる。絶縁膜22の厚みは、例えば5~20nm程度とすることができ、絶縁膜23の厚みは、例えば50~500nm程度とすることができる。次に、半導体基板21の主面表面全面上に、すなわち絶縁膜23上に、フォトレジスト層を塗布した後、このフォトレジスト層を露光、現像することで、図10に示されるように、フォトレジストパターンPR1を形成する図6のステップS13。フォトレジストパターンPR1は、素子分離領域24に開口部を有している。次に、フォトレジストパターンPR1をエッチングマスクとして用いて、絶縁膜23、絶縁膜22および半導体基板21を順次ドライエッチングプラズマドライエッチングすることにより、図11に示されるように、素子分離用の溝素子分離溝25を形成する図6のステップS14。このステップS14では、例えばプラズマドライエッチングによって溝25を形成する。溝25は、絶縁膜23、絶縁膜22および半導体基板21にかけて形成されている。溝25の深さ半導体基板21の上面から溝25の底面までの深さは、例えば300~700nm程度である。溝25の形成後、フォトレジストパターンPR1は除去する。図11には、フォトレジストパターンPR1を除去した段階状態が示されている。次に、図12に示されるように、溝25の内部すなわち溝25の底面および側壁および絶縁膜23の表面を酸化好ましくは熱酸化して絶縁膜26を形成堆積する図6のステップS15。絶縁膜26のうち、溝25の底面および側壁で露出する半導体基板21の露出面に形成された部分は、酸化シリコン膜からなり、絶縁膜23の表面に形成された部分は、酸化シリコン膜または酸窒化シリコン膜からなる。絶縁膜26の厚みは、例えば5~20nm程度とすることができる。次に、図13に示されるように、半導体基板21の主面表面全面上に、すなわち絶縁膜26上に、溝25を埋めるように、素子分離膜27を形成堆積する図6のステップS16。素子分離膜27は、好ましくは酸化シリコン膜からなる。素子分離膜27は、好ましくはプラズマCVDにより形成し、特に好ましくはHDPHighDensityPlasma:高密度プラズマ-CVD法により形成する。素子分離膜27は、溝25内を埋めることができるような厚みに形成する。溝25の深さにもよるが、素子分離膜27の厚みは、例えば500~1000nm程度とすることができる。プラズマCVD法特にHDP-CVD法により素子分離膜27を成膜した場合、絶縁膜26は、素子分離膜27を堆積する際の半導体基板21へのダメージを防止する作用も備えている。素子分離膜27の形成後、スクラバ洗浄例えば純水を使用したスクラバ洗浄のような洗浄処理が行われる。次に、溝25内に埋め込まれた素子分離膜27を焼き締めるための熱処理アニール処理を行う。この熱処理は、半導体基板21を例えば400~1200°C程度で熱処理することにより、行うことができる。次に、素子分離膜27をCMPChemicalMechanicalPolishing:化学的機械的研磨法により研磨する図6のステップS17。これにより、図14に示されるように、溝25の外部の素子分離膜27が除去され、溝25内に素子分離膜27が残される。また、このCMP法による研磨CMP処理の際に、絶縁膜23上の素子分離膜27および絶縁膜26も除去され、絶縁膜23の上面が露出される。また、ステップS17のCMP処理は、素子分離膜27および絶縁膜26酸化シリコン膜の研磨速度に比べて、絶縁膜23窒化シリコン膜の研磨速度が小さくなるような条件で行われるため、絶縁膜23はCMP処理のストッパ膜または保護膜として機能することができる。次に、絶縁膜23、22を除去し図6のステップS18、素子分離膜27を所望量エッチングし、溝25内に埋め込まれた素子分離膜27の上面と半導体基板21の上面との段差を低減する処置を行う。まず、熱リン酸などの薬液エッチング液を用いたウェットエッチングにより絶縁膜23を除去する。この際のウェットエッチングは、絶縁膜23窒化シリコン膜のエッチング速度に比べて素子分離膜27および絶縁膜22酸化シリコン膜のエッチング速度が小さくなるようなエッチング条件で行われるため、絶縁膜23が選択的に除去されて、絶縁膜22の上面が露出される。次に、フッ酸などの薬液エッチング液を用いたウェットエッチングにより、絶縁膜22を除去する。絶縁膜22を除去したことにより、半導体基板21の上面が露出される。また、絶縁膜22のウェットエッチングでは、絶縁膜22が除去されて半導体基板21の上面が露出される程度だけ行うため、溝25内の素子分離膜27および絶縁膜26は、ほとんどエッチングされずに残存する。次に、溝25内の素子分離膜27の上部上面をドライエッチングプラズマドライエッチングによってエッチバックすることにより、溝25内の素子分離膜27の上面を後退させる。この際、溝25内の素子分離膜27の上面の高さ位置が、半導体基板21の上面の高さ位置よりも低くなる前に、ドライエッチングプラズマドライエッチングを終了することで、溝25内の素子分離膜27の上面と半導体基板21の上面との段差が低減される。このようにして、図15に示されるように、半導体基板21の素子分離領域24において、素子分離膜27がSTIShallowTrenchIsolation法により形成される。素子分離領域24に素子分離膜27を形成したことで、半導体基板21においては、素子分離膜27が形成された素子分離領域24によりMISFET形成領域活性領域28A、28Bが規定画定される。そして、そのMISFET形成領域28A、28Bに、以降の工程で種々の半導体素子例えば後述するMISFETQ1、Q2などが形成される。次に、半導体基板21の上面から所定の深さに亘ってウェル領域を形成する工程を2回繰り返す。1回目は、半導体基板21中に、p型不純物例えば、ホウ素などを含有するp型ウェル領域PWを形成し、2回目は、半導体基板21中に、n型不純物例えば、リンやヒ素などを含有するn型ウェル領域NWを形成する。p型ウェル領域PWは、例えば、イオン注入法を用いて、半導体基板21中にp型不純物を導入することにより形成することができる。まず、半導体基板21の主面表面全面上に、フォトレジスト層を塗布した後、このフォトレジスト層を露光、現像することで、図16に示されるように、フォトレジストパターンPR2を形成する1回目の図6のステップS19。フォトレジストパターンPR2は、MISFET形成領域28Aに開口部を有している。次に、フォトレジストパターンPR2をマスクとして用いて、例えば、5×1012~5×1013/cm2の濃度で、ホウ素Bをイオン打ち込みし、図17に示されるように、不純物の濃度が、5×1017~5×1018/cm3のp型ウェル領域PWを形成する1回目の図6のステップS20。その後、フォトレジストパターンPR2を除去する1回目の図6のステップS21。図17には、フォトレジストパターンPR2を除去した段階状態が示されている。n型ウェル領域NWは、例えば、イオン注入法を用いて、半導体基板21中にn型不純物を導入することにより形成することができる。まず、半導体基板21の主面表面全面上に、フォトレジスト層を塗布した後、このフォトレジスト層を露光、現像することで、図18に示されるように、フォトレジストパターンPR3を形成する2回目の図6のステップS19。フォトレジストパターンPR3は、MISFET形成領域28Bに開口部を有している。次に、フォトレジストパターンPR3をマスクとして用いて、例えば、5×1012~5×1013/cm2の濃度で、リンPまたはヒ素Asをイオン打ち込みし、図19に示されるように、不純物の濃度が、5×1017~5×1018/cm3のn型ウェル領域NWを形成する2回目の図6のステップS20。その後、フォトレジストパターンPR3を除去する2回目の図6のステップS21。図19には、フォトレジストパターンPR3を除去した段階状態が示されている。本実施の形態では、フォトレジストパターンPR2、PR3の除去図6のステップS21には、前述した洗浄装置を用いた洗浄工程、すなわちSPM液を用いたSPM洗浄を用いることができる図4のステップS1~ステップS8。イオン注入後の半導体基板ウェハ21の外周部をウェハチャック7により保持することによって、半導体基板ウェハ21をウェハステージ6に保持する図4のステップS1。そして、モーター9によりウェハステージ6とともに半導体基板ウェハ21を回転させ図4のステップS2、予めノズル待機ポッド4a上の位置でSPM液を吐出した後図4のステップS3、半導体基板ウェハ21の中心上の位置でノズル5aからSPM液を吐出する図4のステップS4。そして、吐出されたSPM液によりフォトレジストパターンPR2またはPR3を除去する。その後、SPM液の吐出を停止し、ノズル5bからリンス液を吐出し図4のステップS5、振り切り乾燥し図4のステップS6、半導体基板ウェハ21の回転を停止し図4のステップS7、半導体基板ウェハ21をウェハステージ6から取り外す図4のステップS8。このうち、ステップS4の工程では、前述したように、半導体基板21上に吐出されたSPM液が、ウェハチャック7を濡らしながらウェハチャック7を伝ってウェハステージ6へ流れるように、半導体基板21の外周の回転速度Vを、1.6~2.4m/秒とする。これにより、高温のSPM液に対する耐性を確保するため非導電性のフッ素系樹脂からなるウェハチャック7を用いなければならない場合でも、ウェハチャック7を濡らしているSPM液を介して、半導体基板21とウェハステージ6とを電気的に接触させることができる。そのため、SPM液を吐出する際の半導体基板21の帯電量の増加を抑制することができる。次に、半導体基板21上に、ゲート絶縁膜用の絶縁膜29およびゲート電極用の導電体膜30を形成する図7のステップS22。まず、半導体基板21の主面表面全面上に、例えば熱酸化法により例えば酸化シリコン膜からなるゲート絶縁膜用の絶縁膜29を形成する。膜厚を例えば1.0~2.5nm程度とすることができる。なお、CVD法を用いて酸化シリコン膜を形成してもよく、酸化シリコン膜に、3~10程度の窒素を窒素プラズマ法で導入し、酸窒化シリコン膜としてもよい。また、ゲート絶縁膜用の絶縁膜29を、例えばHigh-k膜高誘電率膜などの他の絶縁膜、または、酸化シリコン膜もしくは酸窒化シリコン膜とHigh-k膜高誘電率膜との積層膜としてもよい。次に、半導体基板21の主面表面全面上に、ゲート電極用の導電体膜30を形成する。ゲート電極用の導電体膜30として例えば多結晶シリコン膜ドープトポリシリコン膜を用いることができる。半導体基板21上にゲート絶縁膜用の絶縁膜29およびゲート電極用の導電体膜30が形成された状態を図20に示す。次に、図21に示されるように、半導体基板21の主面表面全面上に、フォトレジスト層を塗布した後、露光、現像することで、フォトレジストパターンPR4を形成する図7のステップS23。その後、フォトレジストパターンPR4をエッチングマスクとしたドライエッチングプラズマドライエッチングによりゲート電極用の導電体膜30およびゲート絶縁膜用の絶縁膜29をエッチングする。これにより、図22に示されるように、n型MISFET形成領域28Aおよびp型MISFET形成領域28Bのそれぞれに、パターニングされたゲート電極GEおよびゲート絶縁膜GIを形成する図7のステップS24。その後、フォトレジストパターンPR4は除去される。図22には、フォトレジストパターンPR4を除去した段階状態が示されている。なお、このフォトレジストパターンPR4の除去の際に、前述したSPM液を用いたSPM洗浄からなる洗浄工程を行ってもよく、これにより、洗浄工程における半導体基板21の帯電を抑制することができる。次に、図23に示されるように、エクステンション領域EXを形成する図7のステップS25。まず、p型ウェル領域PWのゲート電極GEの両側の領域にリンPまたはヒ素Asなどのn型の不純物をイオン注入することにより、n型のエクステンション領域EXを形成する。また、n型ウェル領域NWのゲート電極GEの両側の領域にホウ素Bなどのp型の不純物をイオン注入することにより、p型のエクステンション領域EXを形成する。このイオン注入の際に、ゲート電極GEはイオン注入阻止マスクとして機能することができるため、エクステンション領域EXは、ゲート電極GEの直下の領域に整合自己整合して形成される。n型のエクステンション領域EXおよびp型のエクステンション領域EXのそれぞれを形成する際には、フォトレジストパターンを形成してイオン注入を行い、その後、フォトレジストパターンを除去することができる。なお、このフォトレジストパターンの除去の際にも、前述したSPM洗浄からなる洗浄工程を行ってもよく、これにより、洗浄工程における半導体基板21の帯電を抑制することができる。次に、図24に示されるように、ゲート電極GEの側壁上に、側壁絶縁膜として、例えば酸化シリコン膜もしくは窒化シリコン膜またはそれらの積層膜などからなるサイドウォールスペーサSWを形成する図7のステップS26。サイドウォールスペーサSWは、例えば、半導体基板21の主面表面全面上に酸化シリコン膜もしくは窒化シリコン膜またはそれらの積層膜を堆積し、この酸化シリコン膜もしくは窒化シリコン膜またはそれらの積層膜をRIEReactiveIonEtching法などにより異方性エッチングすることによって形成することができる。サイドウォールスペーサSWの形成後、図25に示されるように、ソースドレイン領域SDを形成する図7のステップS27。n型ウェル領域NWのゲート電極GEおよびサイドウォールスペーサSWの両側の領域にホウ素Bなどのp型の不純物をイオン注入することにより、p型のソースドレイン領域SDを形成する。また、p型ウェル領域PWのゲート電極GEおよびサイドウォールスペーサSWの両側の領域にリンPまたはヒ素Asなどのn型の不純物をイオン注入することにより、n型のソースドレイン領域SDを形成する。このイオン注入の際に、ゲート電極GEおよびその側壁上のサイドウォールスペーサSWはイオン注入阻止マスクとして機能することができるため、ソースドレイン領域SDは、ゲート電極GEの直下の領域に整合自己整合して形成される。n型のソースドレイン領域SDおよびp型のソースドレイン領域SDのそれぞれを形成する際には、フォトレジストパターンを形成してイオン注入を行い、その後、フォトレジストパターンは除去される。なお、このフォトレジストパターンの除去の際にも、前述したSPM液を用いたSPM洗浄からなる洗浄工程を行ってもよく、これにより、洗浄工程における半導体基板21の帯電を抑制することができる。ソースドレイン領域SD形成用のイオン注入の後、導入した不純物の活性化のためのアニール処理を行う。このアニール処理は、例えば、1050°C程度のフラッシュランプアニール処理にて行うことができる。このようにして、図25に示されるように、n型MISFET形成領域28Aにおいて、nチャネル型のMISFETQ1が形成され、p型MISFET形成領域28Bにおいて、pチャネル型のMISFETQ2が形成される。ゲート電極GEの一方の側に形成されているエクステンション領域EXとソースドレイン領域SDとの対によりLDDLightlyDopedDrain構造のソースまたはドレインとして機能する半導体領域が形成される。ソースドレイン領域SDはエクステンション領域EXよりも、不純物濃度が高くかつ深さ接合深さが深くなっている。次に、サリサイド技術により、ゲート電極GEおよびソースドレイン領域SDの表面に、コバルトシリサイドまたはニッケルシリサイドなどからなる低抵抗の金属シリサイド層34a、34bを形成する図7のステップS28。まず、図26に示されるように、例えば多結晶シリコン膜からなるゲート電極GEおよびソースドレイン領域SDを覆うように、半導体基板21の主面表面全面上に、例えばコバルトCo膜またはニッケルNi膜などの金属膜33を形成堆積する。この金属膜33は、例えばスパッタ法により形成することができる。次に、ゲート電極GEと金属膜33の接触部に金属シリサイド層34aを形成し、ソースドレイン領域SDと金属膜33との接触部に金属シリサイド層34bを形成する。例えば500~540°Cで1分間程度の熱処理を施すことにより、多結晶シリコン膜シリコン層からなるゲート電極GEとCo膜またはNi膜からなる金属膜33の接触部、および、シリコン層からなるソースドレイン領域SDと金属膜33との接触部において、シリサイド化反応を起こさせる。その後、未反応の金属膜33を除去図7のステップS29することによって、図27に示されるように、コバルトシリサイドまたはニッケルシリサイドからなる金属シリサイド層34a、34bを形成する。本実施の形態では、未反応の金属膜33の除去図7のステップS29には、前述した洗浄工程、すなわちSPM液を用いたSPM洗浄を用いることができる図4のステップS1~S8。熱処理後の半導体基板ウェハ21の外周部をウェハチャック7により保持することによって、半導体基板ウェハ21をウェハステージ6に保持する図4のステップS1。そして、モーター9によりウェハステージ6とともに半導体基板ウェハ21を回転させ図4のステップS2、予めノズル待機ポッド4a上の位置でSPM液を吐出した後図4のステップS3、半導体基板ウェハ21の中心上の位置でノズル5aからSPM液を吐出する図4のステップS4。そして、吐出されたSPM液により未反応の金属膜33を除去する。その後、SPM液の吐出を停止し、ノズル5bからリンス液を吐出し図4のステップS5、振り切り乾燥し図4のステップS6、半導体基板ウェハ21の回転を停止し図4のステップS7、半導体基板ウェハ21をウェハステージ6から取り外す図4のステップS8。また、ステップS4の工程では、前述したように、半導体基板21上に吐出されたSPM液が、ウェハチャック7を濡らしながらウェハチャック7を伝ってウェハステージ6へ流れるように、半導体基板21の外周の回転速度Vを、1.6~2.4m/秒とする。これにより、高温のSPM液に対する耐性を確保するため非導電性のフッ素系樹脂からなるウェハチャック7を用いなければならない場合でも、ウェハチャック7を濡らしているSPM液を介して、半導体基板21とウェハステージ6とを電気的に接触させることができる。そのため、SPM液を吐出する際の半導体基板21の帯電量の増加を抑制することができる。次に、層間絶縁膜31およびプラグPGを形成する図7のステップS30。まず、図28に示されるように、半導体基板21の主面表面全面上に層間絶縁膜31を形成する。すなわち、ゲート電極GEおよびサイドウォールスペーサSWを覆うように、半導体基板21の主面表面全面上に層間絶縁膜31を形成する。層間絶縁膜31は、例えば、酸化シリコン膜の単体膜や、あるいは、窒化シリコン膜とそれよりも厚い酸化シリコン膜との積層膜などからなる。その後、層間絶縁膜31の表面上面をCMP法により研磨するなどして、層間絶縁膜31の上面を平坦化する。下地段差に起因して層間絶縁膜31の表面に凹凸形状が形成されていても、層間絶縁膜31の表面をCMP法により研磨することにより、その表面が平坦化された層間絶縁膜を得ることができる。次に、層間絶縁膜31上に形成したフォトレジストパターン図示せずをエッチングマスクとして用いて、層間絶縁膜31をドライエッチングすることにより、層間絶縁膜31にコンタクトホールCNTを形成する。コンタクトホールCNTの底部では、半導体基板21の主面の一部、例えばゲート電極GEに形成された金属シリサイド層34aの一部や、ソースドレイン領域SDの表面に形成された金属シリサイド層34bの一部などが露出される。次に、コンタクトホールCNT内に、タングステンWなどからなる導電性のプラグPGを形成する。プラグPGを形成するには、例えば、コンタクトホールCNTの内部を含む層間絶縁膜31上に、プラズマCVD法などによりバリア導体膜例えばチタン膜、窒化チタン膜、あるいはそれらの積層膜を形成する。それから、タングステン膜などからなる主導体膜を、CVD法などによって、バリア導体膜上にコンタクトホールCNTを埋めるように形成し、層間絶縁膜31上の不要な主導体膜およびバリア導体膜をCMP法またはエッチバック法などによって除去することにより、図29に示されるように、プラグPGを形成することができる。図29では、図面の簡略化のために、プラグPGは、主導体膜とバリア導体膜を一体化して示してある。プラグPGは、その底部で、ゲート電極GEに形成された金属シリサイド層34a、または、ソースドレイン領域SDの表面に形成された金属シリサイド層34bなどと、電気的に接触する。次に、プラグPGが埋め込まれた層間絶縁膜31上に、絶縁膜32を形成する。絶縁膜32は、複数の絶縁膜の積層膜で形成することもできる。次に、シングルダマシン法により第1層目の配線である配線M1を形成する図7のステップS31。具体的には、次のようにして配線M1を形成することができる。まず、フォトレジストパターン図示せずをマスクとしたドライエッチングプラズマドライエッチングによって絶縁膜32の所定の領域に配線溝を形成した後、配線溝の底部および側壁上を含む絶縁膜32上にバリア導体膜例えば窒化チタン膜、タンタル膜または窒化タンタル膜などを形成する。続いて、CVD法またはスパッタリング法などによりバリア導体膜上に銅のシード層を形成し、さらに電解めっき法などを用いてシード層上に銅めっき膜を形成して、銅めっき膜により配線溝の内部を埋め込む。それから、配線溝以外の領域の主導体膜銅めっき膜およびシード層とバリア導体膜をCMP法により研磨して除去することで、配線溝に埋め込まれ、銅を主導電材料とする第1層目の配線M1を形成する。これにより、図30に示すように、第1層目の配線M1までが形成された構造を有する半導体装置が製造される。図30では、図面の簡略化のために、配線M1は、バリア導体膜、シード層および銅めっき膜を一体化して示してある。配線M1は、プラグPGを介してゲート電極GEまたはソースドレイン領域SDなどと電気的に接続されている。その後、デュアルダマシン法により2層目の配線を形成するが、ここでは図示およびその説明は省略する。<ウェハの回転数とウェハの帯電量との関係について>図31は、比較例を行う際のウェハ上のノズルの状態を模式的に示す側面図である。図32は、比較例として、洗浄工程におけるウェハの回転数を変えた場合について、ウェハの帯電量を計測した結果を示すグラフである。比較例では、ノズル5aからSPM液を吐出しながら、ウェハ21の中心上と外周上とを往復動作させた。そして、このときのウェハ21の帯電量を、ウェハ21上のSPM液の帯電量として測定した。SPM液の帯電量の測定として、図31に示されるように、ノズル5aの先端に一端が現れるように、ノズル5aに白金Pt線35を挿入し、白金Pt線35の他端にステンレスSUS板36を接続し、ステンレスSUS板36の電位を測定することで、SPM液の帯電量およびウェハ21の帯電量を測定した。また、比較例は、直径300mm12インチのウェハ21について行った。ノズル5aからSPM液を吐出しながらウェハ21の中心上と外周上との間を往復動作させた場合、図32のノズル往復の部分に示されるように、ウェハ21の回転数が200rpm以上のときに、SUS板36の電位が上下変動した。例えばウェハ21の回転数が300rpmのとき、時間経過とともに増加するSUS板36の電位が、時間時刻A、時間時刻Bで急激に減少する。また、ウェハ21の回転数が300rpmのとき、時間時刻A、時間時刻Bでは、ノズル5aはウェハ21の外周上に位置しており、時間時刻Aから時間時刻Bの間で、ノズル5aは、ウェハ21の外周上→中心上→外周上と往復動している。すなわち、ウェハ21の回転数が200rpm以上の場合、ノズル5aがウェハ21の外周上に位置するときは、SUS板36の電位が減少して0に近くなり、ノズル5aがウェハ21の外周上に位置しないときは、SUS板36の電位が時間経過に伴って上昇した。これは、ノズル5aがウェハ21の外周上に位置するときは、ノズル5aから吐出されたSPM液がウェハチャック7を濡らしながらウェハチャック7を伝ってウェハステージ6へ流れており、ウェハ21上のSPM液が、ウェハチャック7を濡らしているSPM液を介して、ウェハステージ6と電気的に接触しているためと考えられる。そして、ウェハ21が、ウェハ21上のSPM液およびウェハチャック7を濡らしているSPM液を介して、ウェハステージ6と電気的に接触しているためと考えられる。また、ノズル5aがウェハ21の外周上に位置しないときは、SPM液がウェハ21の回転により振り切られており、ノズル5aから吐出されたSPM液がウェハチャック7を濡らしながらウェハチャック7を伝ってウェハステージ6へ流れておらず、ウェハ21上のSPM液がウェハステージ6と電気的に接触していないためと考えられる。そして、ウェハ21がウェハステージ6と電気的に接触していないためと考えられる。一方、ウェハ21の回転数が150rpm以下では、SUS板36の電位は、ノズル5aの往復移動に関わらず上下変動しなかった。すなわち、ウェハ21の回転数が150rpm以下の場合、ノズル5aがウェハ21の外周上に位置するときも、ノズル5aがウェハ21の外周上に位置しないときも、SUS板36の電位は相対的に低く、0に近くなっていた。これは、ウェハ21の回転数が150rpm以下の場合は、ノズル5aがウェハ21上のどの位置にあっても、ノズル5aから吐出されたSPM液がウェハチャック7を濡らしながらウェハチャック7を伝ってウェハステージ6へ流れており、ウェハ21上のSPM液が、ウェハチャック7を濡らしているSPM液を介して、ウェハステージ6と電気的に接触しているためと考えられる。そして、ウェハ21が、ウェハ21上のSPM液およびウェハチャック7を濡らしているSPM液を介して、ウェハステージ6と電気的に接触しているためと考えられる。<本実施の形態の主要な特徴と効果>そこで、本実施の形態では、SPM洗浄の際に、ウェハ21を、ウェハ21上に吐出されたSPM液が振り切られず、ウェハチャック7を濡らしながらウェハチャック7を伝ってウェハステージ6へ流れるように、ウェハ21の外周の回転速度Vを1.6~2.4m/秒とする。これにより、ノズル5aがウェハ21の中心上に位置するときも、ウェハ21を、ウェハ21上のSPM液およびウェハチャック7を濡らしているSPM液を介して、ウェハステージ6と電気的に接触させることができる。そして、ウェハステージ6が導電性部材からなるとともに、接地されているため、ウェハ21を、ウェハ21上のSPM液、ウェハチャック7を濡らしているSPM液およびウェハステージ6を介して、接地することができる。そのため、耐酸性、耐熱性およびウェハ21と接触する際の耐衝撃性の制約からウェハチャック7が非導電性の樹脂からなる場合でも、ウェハ21表面を均一にSPM洗浄処理できるとともに、SPM洗浄工程におけるウェハ21の帯電を抑制することができる。また、SPM洗浄の際に、ウェハ21上にSPM液を吐出している間、ウェハ21の外周の回転速度Vが常に1.6~2.4m/秒であることが好ましい。これにより、ノズル5aがウェハ21の中心上に位置する場合でも、図32に示したような時間経過に伴うウェハ21の帯電量の増加を、より確実に抑制することができる。また、SPM洗浄の際に、ウェハ21にSPM液を吐出している間、ウェハ21は、ウェハ21上のSPM液およびウェハチャック7を濡らしているSPM液を介して、ウェハステージ6に電気的に接触していることが好ましい。これにより、ウェハ21にSPM液を吐出している間、ウェハ21は常時接地された状態となるため、SPM洗浄工程における時間経過に伴うウェハ21の帯電量の増加を抑制することができる。なお、本実施の形態では、さらに、フォトレジストパターンPR1その他の工程のフォトレジストパターンを除去する工程でも、本実施の形態の洗浄工程を行うことができる。これにより、フォトレジストパターンPR2またはPR3を除去する工程などと同様に、SPM洗浄工程におけるウェハ21の帯電を抑制することができる。実施の形態2実施の形態1では、ウェハ21上に吐出されたSPM液が振り切られず、ウェハチャック7を濡らしながらウェハチャック7を伝ってウェハステージ6へ流れるように、ウェハ21の外周の回転速度Vを1.6~2.4m/秒とし、従来のウェハの回転速度よりも低い回転速度とした。それに対して、実施の形態2では、ウェハチャック7に保持されているウェハ21の周囲に、ウェハステージ6と電気的に接触した導電性部材である突起部材41を設け、ウェハ21上を中心から外周側に流れるSPM液を突起部材41に接触させる。<洗浄装置および洗浄方法>図33は、実施の形態2の洗浄装置の要部の構成を模式的に示す側面図である。図34は、実施の形態2の洗浄装置の要部の構成を模式的に示す上面図である。図35は、実施の形態2の洗浄工程中の洗浄装置の要部の状態を模式的に示す側面図である。本実施の形態では、実施の形態1の洗浄装置を構成する各部材に加え、突起部材41が設けられている。突起部材41は、ウェハチャック7に保持されているウェハ21の周囲に、ウェハステージ6上面から上方に突出するように設けられており、導電性部材からなるとともに、ウェハステージ6と電気的に接触している。導電性部材として、炭化珪素SiCを用いることができる。前述したように、炭化珪素SiCは、電気抵抗率が10-2~10―1Ωcm程度であり、帯電したSPM液などの薬液による帯電を抑制することができる。そして、炭化珪素SiCは、耐酸性および耐熱性にも優れている。また、突起部材41はウェハ21と直接接触しないため、衝撃に弱く硬質であっても炭化珪素SiCを用いることができる。突起部材41は、図34に示されるように、ウェハチャック7に保持されているウェハ21の周囲であって、ウェハ21の周方向に沿って複数の位置に、例えば周方向に沿って等間隔に3箇所に設けられている。また、突起部材41は、ウェハ21の周方向に沿ってウェハチャック7と異なる位置に設けられている。これにより、突起部材41をウェハ21の外周に近づけて設けることができる。図33に示されるように、ウェハ21の径方向に沿った突起部材41とウェハ21との間隔Dは、0.3~1.0mmであることが好ましい。間隔Dが1.0mmを超える場合、ウェハ21上を中心から外周側に流れるSPM液を容易に突起部材41に接触させることができないおそれがある。また、間隔Dが0.3mm未満の場合、ウェハ21の寸法公差などによりウェハ21が突起部材41と接触し、ウェハ21または突起部材41が損傷するおそれがある。突起部材41の上端の高さは、ウェハステージ6に保持されているウェハ21の上面の高さよりも高いことが好ましい。これによりウェハ21上を中心から外周側に流れるSPM液を容易に突起部材41に接触させることができる。本実施の形態の洗浄装置を用いた洗浄工程は、ウェハ21の中心上の位置でSPM液を吐出する工程図4のステップS4を除き、実施の形態1の洗浄装置を用いた洗浄工程と同様に行うことができる。また、ステップS4では、ウェハ21の周囲に突起部材41が設けられているため、図35に示されるように、ウェハ21上を中心から外周側に流れるSPM液Sは、突起部材41に接触する。突起部材41に接触したSPM液Sは、突起部材41を伝ってウェハステージ6へ流れる場合もある。SPM液Sが突起部材41に接触することで、ウェハ21も、SPM液Sを介して突起部材41と電気的に接触する。さらに、突起部材41は、導電性部材からなるとともに、ウェハステージ6と電気的に接触しており、また、ウェハステージ6が導電性部材からなるとともに接地されている。このため、ウェハ21を、SPM液、突起部材41およびウェハステージ6を介して、接地することができる。従って、耐酸性、耐熱性およびウェハ21と接触する際の耐衝撃性の制約からウェハチャック7が非導電性の樹脂からなる場合でも、ウェハ21表面を均一にSPM洗浄処理でき、また、SPM洗浄工程におけるウェハ21の帯電を抑制することができる。その結果、ステップS4におけるウェハ21の外周の回転速度Vは、1.6~2.4m/秒に限られない。すなわち、例えばウェハ21が直径300mmのウェハ12インチウェハであるときは、ステップS4におけるウェハ21の回転数ωは、100~150rpmに限られない。さらに、ステップS4におけるウェハ21の外周の回転速度Vは、4.8m/秒以上であることが好ましい。すなわち、例えばウェハ21が直径300mmのウェハ12インチウェハであるときは、ステップS4におけるウェハ21の回転数ωは、式2により、300rpm以上であることが好ましい。これにより、ステップS4における回転速度を従来の回転速度より低くしなくてもSPM洗浄工程におけるウェハ21の帯電を抑制することができるため、例えば洗浄工程の時間を短縮することができるなど、洗浄工程における条件をより自在に調整することができる。<半導体装置の製造工程>本実施の形態の洗浄工程を含む半導体装置の製造工程も、洗浄工程を除き、図8~図30を用いて説明した実施の形態1の洗浄工程を含む半導体装置の製造工程と同様に行うことができる。そして、フォトレジストパターンPR2、PR3を除去する工程図6のステップS21、金属シリサイド層34a、34bを形成した後、未反応の金属膜33を除去する工程図7のステップS29、さらに、フォトレジストパターンPR1、PR4その他のフォトレジストパターンを除去する工程で、本実施の形態の洗浄工程を行うことができる。これにより、SPM洗浄工程におけるウェハ21の帯電を抑制することができ、また、ウェハ21の回転速度の範囲をより広げることができる。実施の形態3実施の形態1では、ウェハ21上に吐出されたSPM液が振り切られず、ウェハチャック7を濡らしながらウェハチャック7を伝ってウェハステージ6へ流れるように、ウェハ21の外周の回転速度Vを1.6~2.4m/秒とし、従来のウェハの回転速度よりも低い回転速度とした。それに対して、実施の形態3では、ウェハ21の外周部上にノズル5aとは別にノズル5cを設け、ノズル5cからウェハ21の外周部上に吐出されたSPM液がウェハチャック7を濡らしながらウェハチャック7を伝ってウェハステージ6へ流れるようにする。<洗浄装置および洗浄方法>図36は、実施の形態3の洗浄装置の構成を模式的に示す図である。図37は、実施の形態3の洗浄装置の要部の構成を模式的に示す側面図である。図38は、実施の形態3の洗浄工程中の洗浄装置の要部の状態を模式的に示す側面図である。本実施の形態では、実施の形態1の洗浄装置を構成する各部材に加え、ノズル5cが設けられている。ノズル5cは、ウェハ21の外周部上の位置に設けられている。ノズル5cは、ウェハ21の外周部上にSPM液を吐出する。ノズル5cには、2系統の配管ライン2dおよび配管ライン2eが接続されている。図36に示されるように、配管ライン2dは、配管ライン2aから分岐されており、配管ライン2dの途中にバルブ17d、流量計18dが設けられている。また、配管ライン2eは、配管ライン2bから分岐されており、配管ライン2eの途中にバルブ17e、流量計18eが設けられている。あるいは、配管ライン2dは、薬液タンク13aと別に設けられ、硫酸が貯留された薬液タンクとノズル5cとを接続してもよく、その薬液タンクとノズル5cとの間にポンプ、ヒーター、フィルター、バルブ、流量計が設けられていてもよい。また、配管ライン2eは、薬液タンク13bと別に設けられ、過酸化水素水が貯留された薬液タンクとノズル5cとを接続してもよく、その薬液タンクとノズル5cとの間にポンプ、フィルター、バルブ、流量計が設けられていてもよい。なお、ノズル5cおよび配管ライン2d、2eの材質として、ノズル5aおよび配管ライン2a、2bの材質と同様に、非導電性のフッ素系樹脂、または、フッ素系樹脂以外の各種の非導電性の樹脂であって、耐熱性、耐酸性、耐衝撃性に優れたものを用いることができる。本実施の形態の洗浄装置を用いた洗浄工程は、ウェハ21の中心上の位置でSPM液を吐出する工程図4のステップS4を除き、実施の形態1の洗浄装置を用いた洗浄工程と同様に行うことができる。また、ステップS4では、ノズル5aからSPM液SAを吐出するのに加え、図38に示されるように、ノズル5cからもSPM液SBを吐出する。ノズル5cから吐出されたSPM液SBは、直接ウェハチャック7に接触し、ウェハチャック7を濡らしながらウェハチャック7を伝ってウェハステージ6に流れる。従って、ウェハ21上のSPM液SAは、ウェハチャック7を濡らしているSPM液SBを介して、ウェハステージ6と電気的に接触する。また、ウェハ21も、SPM液SA、SBを介して、ウェハステージ6と電気的に接触する。さらに、ウェハステージ6は、導電性部材からなるとともに、接地されている。このため、ウェハ21を、SPM液およびウェハステージ6を介して、接地することができる。従って、耐酸性、耐熱性およびウェハ21と接触する際の耐衝撃性の制約からウェハチャック7が非導電性の樹脂からなる場合でも、ウェハ21表面を均一にSPM洗浄処理でき、また、SPM洗浄工程におけるウェハ21の帯電を抑制することができる。なお、ノズル5cからウェハ21上に吐出されるSPM液の流量が1.0~2.5L/分であることが好ましい。SPM液の流量が1.0L/分未満の場合、ウェハ21の帯電を抑制できないからである。また、SPM液の流量が2.5L/分を超える場合、SPM液の使用量が増加してしまうからである。その結果、ステップS4におけるウェハ21の外周の回転速度Vは、1.6~2.4m/秒に限られない。すなわち、例えばウェハ21が直径300mmのウェハ12インチウェハであるときは、ステップS4におけるウェハ21の回転数ωは、100~150rpmに限られない。さらに、ステップS4におけるウェハ21の外周の回転速度Vは、4.8m/秒以上であることが好ましく、これにより、実施の形態2と同様に、ステップS4における回転速度を従来の回転速度より低くしなくてもSPM洗浄工程におけるウェハ21の帯電を抑制することができるため、例えば洗浄工程の時間を短縮することができるなど、洗浄工程における条件をより自在に調整することができる。また、ノズル5aからウェハ21上に吐出されるSPM液の流量も1.5~3.0L/分に限られない。これにより、ノズル5aからウェハ21に吐出されるSPM液の流量を、3.0L/分より多くするか、または、1.5L/分より少なくした場合でもSPM洗浄工程におけるウェハ21の帯電を抑制することができるため、洗浄工程における条件をより自在に調整することができる。<半導体装置の製造工程>本実施の形態の洗浄工程を含む半導体装置の製造工程も、洗浄工程を除き、図8~図30を用いて説明した実施の形態1の洗浄工程を含む半導体装置の製造工程と同様に行うことができる。そして、フォトレジストパターンPR2、PR3を除去する工程図6のステップS21、金属シリサイド層34a、34bを形成した後、未反応の金属膜33を除去する工程図7のステップS29、さらに、フォトレジストパターンPR1、PR4その他のフォトレジストパターンを除去する工程で、本実施の形態の洗浄工程を行うことができる。これにより、SPM洗浄工程におけるウェハ21の帯電を抑制することができ、また、ウェハ21の回転速度やノズル5aからのSPM液の流量の範囲をより広げることができる。実施の形態4実施の形態1では、ウェハ21上に吐出されたSPM液が振り切られず、ウェハチャック7を濡らしながらウェハチャック7を伝ってウェハステージ6へ流れるように、ウェハ21の外周の回転速度Vを1.6~2.4m/秒とし、従来のウェハの回転速度よりも低い回転速度とした。それに対して、実施の形態4では、ウェハチャック7aのウェハ21に接触する側に、上下方向に沿って溝7bを形成し、ウェハ21上を中心から外周側に流れるSPM液が、溝7bを通ってウェハステージ6まで流れるようにする。<洗浄装置および洗浄方法>図39は、実施の形態4の洗浄装置の要部の構成を模式的に示す側面図である。図40は、実施の形態4の洗浄装置の要部の構成を模式的に示す上面図および側面図である。図40aは上面図であり、図40bは、側面図である。図41は、実施の形態4の洗浄工程中の洗浄装置の要部の状態を模式的に示す側面図である。なお、図41では、図面を見易くするために、ウェハチャック7aについては、断面を示す。本実施の形態の洗浄装置のうち、ウェハチャック7a以外の部分は、実施の形態1の洗浄装置と同様である。ウェハチャック7aは、図40に示されるように、保持されているウェハ21の周方向に沿って複数の位置に、例えば周方向に沿って等間隔な3つの位置に設けられている。また、ウェハチャック7aは、保持されるウェハ21の外周部に対して進退可能またはウェハ21の面内で回動可能に設けられている。そして、ウェハチャック7aは、上記した複数の位置でウェハチャック7aがウェハ21の外周部に接触してウェハ21を中心側へ押圧することによって、ウェハ21を保持する。ただし、図39および図40に示されるように、ウェハチャック7aには、ウェハチャック7aのウェハ21に接触する側に、上下方向に沿って溝7bが形成されている。溝7bは、ウェハ21がウェハチャック7aに保持されているとき、ウェハ21の上側と下側とを連通する。これにより、ウェハ21上を中心から外周側に流れるSPM液が、ウェハチャック7aに接触した後、溝7bを通ってウェハステージ6に流れやすくなる。例えば、図40に示されるように、溝7bの半径r1は、0.5~2.0mmであることが好ましい。半径r1が0.5mm未満の場合、SPM液が溝7bを通って容易にウェハステージ6に流れないおそれがある。また、半径r1が2.0mmを超える場合、SPM液が振り切られてしまい、ウェハ21がSPM液を介してウェハステージ6と電気的に接触できないおそれがある。なお、ウェハチャック7aの材質として、ウェハチャック7の材質と同様に、非導電性のフッ素系樹脂、または、フッ素系樹脂以外の各種の非導電性の樹脂であって、耐熱性、耐酸性、耐衝撃性に優れたものを用いることができる。本実施の形態の洗浄装置を用いた洗浄工程は、ウェハ21の中心上の位置でSPM液を吐出する工程図4のステップS4を除き、実施の形態1の洗浄装置を用いた洗浄工程と同様に行うことができる。また、ステップS4では、図41に示されるように、ウェハ21から振り切られたSPM液Sは、ウェハチャック7aに接触し、溝7bを濡らしながら溝7bを通ってウェハステージ6に流れる。従って、ウェハ21上のSPM液Sは、溝7bを濡らしているSPM液Sを介して、ウェハステージ6と電気的に接触する。また、ウェハ21も、SPM液Sを介して、ウェハステージ6と電気的に接触する。さらに、ウェハステージ6は、導電性部材からなるとともに、接地されている。このため、ウェハ21を、SPM液およびウェハステージ6を介して、接地することができる。従って、耐酸性、耐熱性およびウェハ21と接触する際の耐衝撃性の制約からウェハチャック7aが非導電性の樹脂からなる場合でも、突起部材41図33参照やノズル5c図36参照を設けることなく、ウェハ21表面を均一にSPM洗浄処理でき、また、SPM洗浄工程におけるウェハ21の帯電を抑制することができる。その結果、ステップS4におけるウェハ21の外周の回転速度Vは、1.6~2.4m/秒に限られない。すなわち、例えばウェハ21が直径300mmのウェハ12インチウェハであるときは、ステップS4におけるウェハ21の回転数ωは、100~150rpmに限られない。さらに、ステップS4におけるウェハ21の外周の回転速度Vは、4.8m/秒以上であることが好ましく、これにより、実施の形態2と同様に、ステップS4における回転速度を従来の回転速度より低くしなくてもSPM洗浄工程におけるウェハ21の帯電を抑制することができるため、例えば洗浄工程の時間を短縮することができるなど、洗浄工程における条件をより自在に調整することができる。<半導体装置の製造工程>本実施の形態の洗浄工程を含む半導体装置の製造工程も、洗浄工程を除き、図8~図30を用いて説明した実施の形態1の洗浄工程を含む半導体装置の製造工程と同様に行うことができる。そして、フォトレジストパターンPR2、PR3を除去する工程図6のステップS21、金属シリサイド層34a、34bを形成した後、未反応の金属膜33を除去する工程図7のステップS29、さらに、フォトレジストパターンPR1、PR4その他のフォトレジストパターンを除去する工程で、本実施の形態の洗浄工程を行うことができる。これにより、突起部材41図33参照やノズル5c図36参照を設けることなく、SPM洗浄工程におけるウェハ21の帯電を抑制することができ、また、ウェハ21の回転速度の範囲をより広げることができる。以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。