シリコン融成物を収容するように構成されたるつぼと、このるつぼに隣接して配置されかつ融成物が通ることができるように構成されたチャネルと、このチャネルに隣接して配置されかつチャネルを通って流れる融成物の温度を制御するように構成されたチャネル加熱システムと、融成物と接触しているシリコン種結晶を支持しかつこのシリコン種結晶を実質的に水平方向に移動させるように構成されたホルダと、を有することを特徴とするシリコンリボン形成装置。上記るつぼを内部に収容する断熱チャンバを更に有することを特徴とする請求項1記載のシリコンリボン形成装置。上記チャネルおよびチャネル加熱要素が断熱チャンバ内に収容されていることを特徴とする請求項2記載のシリコンリボン形成装置。保護ガスを断熱チャンバ内に導入するように構成されたガス入口を更に有することを特徴とする請求項2記載のシリコンリボン形成装置。上記断熱チャンバ内に真空を発生させるように構成された真空ポンプを更に有することを特徴とする請求項2記載のシリコンリボン形成装置。上記チャネルに隣接して配置されかつ融成物の凝固にしたがって融成物を熱処理するように構成された温度制御ゾーンを更に有することを特徴とする請求項1記載のシリコンリボン形成装置。上記チャネルに隣接して配置されかつ融成物の凝固にしたがって融成物を切断するように構成されたカッティングシステムを更に有することを特徴とする請求項1記載のシリコンリボン形成装置。上記チャネルに隣接して配置されかつ融成物の凝固部分を実質的に水平方向に引っ張るように構成されたプルシステムを更に有することを特徴とする請求項1記載のシリコンリボン形成装置。上記るつぼに隣接して配置されかつシリコン融成物を液体状態に維持するように構成されたるつぼ加熱システムを更に有していることを特徴とする請求項1記載のシリコンリボン形成装置。容器内のシリコンを加熱して融成物を形成する段階と、融成物の一部を容器からチャネルを通して実質的に水平方向に流出させる段階と、融成物の一部が容器から離れる方向に移動して凝固するときに、融成物の一部を種結晶と接触させることにより単結晶シリコンの形成を促進させる段階と、を有することを特徴とするシリコンリボン形成方法。上記容器を断熱チャンバ内に実質的に包囲する段階を更に有することを特徴とする請求項10記載のシリコンリボン形成方法。上記断熱チャンバ内に真空を発生させる段階を更に有することを特徴とする請求項11記載のシリコンリボン形成方法。上記断熱チャンバを保護ガスで実質的に充満する段階を更に有することを特徴とする請求項12記載のシリコンリボン形成方法。上記融成物の一部が容器から離れる方向に移動するときに、いかに急速に融成物の一部を凝固させるかの温度制御を行うことを特徴とする請求項10記載のシリコンリボン形成方法。上記温度制御段階および凝固は、容器を含む断熱チャンバ内で生じることを特徴とする請求項14記載のシリコンリボン形成方法。上記融成物の一部がチャネルを通って流れる流速は、融成物の一部の凝固にしたがって約250ミクロンより小さい厚さを有するシリコンリボンが形成されるように選択される段階を更に有することを特徴とする請求項10記載のシリコンリボン形成方法。上記融成物の一部の内部応力を低下させるべく、融成物の一部の凝固にしたがってこの一部の熱プロセシングを行う段階を更に有することを特徴とする請求項10記載のシリコンリボン形成方法。上記融成物の一部の凝固にしたがって、機械的装置を用いて、融成物の一部を実質的に水平方向に移動させる段階を更に有することを特徴とする請求項10記載のシリコンリボン形成方法。上記融成物の一部の凝固にしたがって融成物の一部を切断する段階を更に有することを特徴とする請求項10記載のシリコンリボン形成方法。シリコンを加熱して融成物を形成する手段と、融成物の一部を、上記加熱手段からチャネルを通して実質的に水平方向に流出させる手段と、上記融成物の一部が加熱手段から離れる方向に移動するときに、いかに急速に融成物の一部を冷却させるかを制御する手段と、単結晶シリコンの形成を促進させる手段と、を有し、この促進手段は、融成物の一部が加熱手段から離れる方向に移動しかつ凝固するときに融成物の一部と接触するように配置されていることを特徴とするシリコンリボン形成装置。少なくとも上記観点から、比較的低コストで高品質の単結晶シリコンリボンを製造できる新規な装置および/またはシステムを提供することが望まれている。また、製造されたシリコンリボンは、例えば太陽電池の用途に使用できることも望まれている。更に、このような比較的低コストで高品質の単結晶シリコンリボンを製造する新規な方法を提供することも望まれている。上記要望は、本発明の1つ以上の実施形態により相当程度まで達成される。このような1つの実施形態によれば、シリコンリボンを形成する装置が提供される。この装置は、シリコン融成物を収容するように構成されたるつぼを有している。装置はまた、るつぼに隣接して配置されかつ融成物が通って流れることができるように構成されたチャネルを有している。また装置は、チャネルに隣接して配置されかつチャネルを通って流れる融成物の温度を制御するように構成されたチャネル加熱システムを有している。装置は更に、融成物と接触しているシリコン種結晶を支持しかつこのシリコン種結晶を実質的に水平方向に移動させるように構成されたホルダを有している。本発明の他の実施形態によれば、シリコンリボン形成方法が提供される。本発明の方法は、容器内の原料例えば固体シリコンを加熱して融成物を形成する段階を有している。この方法はまた、融成物の一部を容器からチャネルを通して実質的に水平方向に流出させる段階を有している。またこの方法は、融成物の一部が容器から離れる方向に移動して凝固するときに、融成物の一部を種結晶と接触させることにより単結晶シリコンの形成を促進させる段階を有している。本発明の更に別の実施形態によれば、シリコンリボンを形成する他の装置が提供される。この装置は、シリコンを加熱して融成物を形成する手段を有している。装置はまた、融成物の一部を、上記加熱手段からチャネルを通して実質的に水平方向に流出させる手段を有している。更に、装置は、融成物の一部が加熱手段から離れる方向に移動するときに、いかに急速に融成物の一部を冷却させるかを制御する手段を有している。また装置は、単結晶シリコンの形成を促進させる手段を有し、この促進手段は、融成物の一部が加熱手段から離れる方向に移動しかつ凝固するときに融成物の一部と接触するように配置されている。以上、本発明の詳細な説明がより良く理解されるようにし、かつ当業界への本発明の寄与がより良く理解されるようにするため、本発明の或る実施形態をかなり概略的に説明した。もちろん、以下に説明する本発明の他の実施形態もあり、これらの実施形態は特許請求の範囲に記載の主題を形成する。この点に関し、本発明の少なくとも1つの実施形態を説明する前に理解すべきは、本発明は、以下の説明で述べまたは図面に示すコンポーネンツの詳細な構造および配置にその適用が限定されるものではないことである。本発明は、説明された実施形態以外にも実施できかつ種々の態様で実施できる。また、本明細書並びに要約書において使用される語句および用語は、説明を目的とするものであって限定を意図するものではないと理解すべきである。また、当業者ならば、本明細書の開示が基づいている概念は、本発明の幾つかの目的を実行する他の構造、方法およびシステムを設計するための基礎として容易に利用できることは理解されよう。したがって、特許請求の範囲の記載は、本発明の精神および範囲から逸脱しない限り、このような均等構成をも含むものであると解釈すべきである。以下、添付図面を参照して本発明を説明する。なお、全図面を通して、同じ部品は同じ参照番号で示されている。図1は、本発明の一実施形態による、シリコンリボン12を形成する装置10を示す概略図である。図1に示すように、装置10は、シリコン融成物16を収容すなわち保持するように構成されたるつぼすなわち容器14を有している。図1に示す融成物16は、るつぼ14内の溶融ポリシリコン原料により形成されている。しかしながら、融成物16は、本発明の1つ以上の実施形態の実施時に使用すべく、当業者には明白な他の任意の材料単一または複数を加熱することによっても形成できる。本発明の或る実施形態によれば、るつぼ14は、グラファイトで支持された、実質的に直方体の水晶容器である。しかしながら、水晶以外の材料を用いて、るつぼ14を形成できる。また、るつぼの他の構成および幾何学的形状も本発明の範囲内にある。図1には示されていないが、本発明の一実施形態によれば、るつぼ14の一部表面または全表面に1種類以上のセラミックコーティング例えば、Si3N44、SiO2を塗布できる。一般に、これらのコーティングは、るつぼ14から融成物16への酸素の溶解を低減させかつるつぼ壁へのシリコン融成物の付着を防止しまたは少なくとも低減させるように構成される。他の機能例えば、高い表面硬度および耐引っ掻き性を果たす非セラミックコーティング単一または複数も本発明の範囲内にある。図1に示すように、るつぼ加熱システム26が、るつぼ14に隣接して配置されている。本発明の或る実施形態によれば、るつぼ加熱システム26は、シリコン融成物16を液体状態に維持するように構成されている。また、るつぼ加熱システム26は、るつぼ14内に導入される固体材料例えば、上記原料中の多結晶シリコンを溶解するように構成することもできる。図1に示す本発明の実施形態では、るつぼ加熱システム26は、チャンバ18の側壁に取付けられた1対のグラファイト抵抗ヒータを有している。しかしながら、他の形式の加熱要素および/またはこれらの他の位置への配置も本発明の範囲内にある。例えば、加熱システム26の一部をるつぼ14の下に配置するか、多ゾーン加熱形態で作動することができる。図1に示したるつぼ14および融成物16は、断熱チャンバ18内に収容すなわち包囲される。断熱チャンバ18は、熱損失を低減させまたは最小にできかつシリコンプロセシングに関連する高温に耐えることができる任意の断熱材料単一または複数から作ることができる。図1に示す断熱チャンバ18の頂部にはガス入口20が配置され、底部には真空ポンプ22が配置されている。しかしながら、ガス入口20または真空ポンプ22の位置決めに関して特別な制限は課されない。また、多数の入口/出口を設けることも本発明の範囲内にあり、これにより、冗長性redundanciesおよび/または断熱チャンバ18内に導入すべきガス混合物を加減できる。本発明の或る実施形態によれば、真空ポンプ22は断熱チャンバ18内に真空を発生するように構成され、ガス入口20は保護ガスまたはガス混合物例えば、不活性ガスを断熱チャンバ18内に導入するように構成されている。図3に示すフローチャートを参照して以下により詳細に説明するように、図1に示すガス入口20および真空ポンプ22を使用して、不活性雰囲気が断熱チャンバ18内に導入される。また、シリコン融成物16の品質は、断熱チャンバ18内の不活性ガス例えばアルゴンの適当な圧力を維持することにより維持されるすなわち、融成物16は、汚染、酸化等から保護される。また、るつぼ14から流出する融成物16の速度は、ガスの圧力レベルにより影響を受ける。換言すれば、シリコン融成物16の上方のガス圧力は、融成物16の頂面に作用する圧力を増減させるべく増大または減少される。図1に示すように、るつぼ14に隣接してチャネル24が設けられている。チャネル24は、図1に示す開位置にあるとき、シリコン融成物16がチャネル24を通って流れることを可能にする。また図1には、チャネル24に隣接して配置されたチャネル加熱システム28が示されている。本発明の或る実施形態によれば、チャネル24およびチャネル加熱システム28の両方の少なくとも一部およびときには全部が断熱チャンバ18内に収容される。一般に、チャネル加熱システム28は、シリコン融成物16がるつぼ14から凝固へと更に進行するときに、チャネル24を通って流れるシリコン融成物16の温度を制御するように構成されている。図1に示された装置10の他のコンポーネントは、シリコン種結晶32を支持すべく構成されたホルダ30である。融成物16がるつぼ14から流出し始めるとき、ホルダ30は、最初に、種結晶32を、るつぼ14の外部の所定位置で融成物16と接触するように位置決めする。この位置で、融成物16の温度は、種結晶32が、図1に示す微結晶シリコンリボン12の形成を開始できる温度にある。ホルダ30はまた、種結晶32を支持することに加え、ひとたび上記リボン形成が開始されたときに、種結晶32をるつぼ14から離れる方向に実質的に水平に移動させるように構成されている。換言すれば、ホルダ30は、種結晶32およびこれに付着した全ての凝固シリコンを、図1に示すように、チャネル24を通してるつぼ14から離れる方向に引っ張るように構成されている。これにより、多量の融成物16をるつぼ14から流出させて、多量のリボン12を凝固させかつ形成することが可能になる。図1には、温度制御ゾーン34が、チャネル24に隣接して断熱チャンバ18の外部に配置されているところが示されている。本発明の或る実施形態によれば、温度制御ゾーン34は、シリコン融成物16の凝固にしたがってすなわち、固体のシリコンリボン12が形成された後に、シリコン融成物16を熱処理するように構成されている。より詳しくは、温度制御ゾーン34は、シリコンリボン12の温度を徐々に低下させて、リボン12内の熱応力を実質的に無くすか、少なくとも大幅に低下させるのに使用される。必要ならば、温度制御ゾーン34は、リボン12を徐冷アニーリングして、リボン内の内部機械的応力を低下させ、リボン12にクラッキングが生じる蓋然性を更に低下させるように構成することもできる。シリコンが、シリコン融成物16の一部となっている状態とシリコンリボン12の一部となっている状態との間で遷移するときに、シリコンが装置10を通って連続的に移動することを確保するため、チャネル4に隣接してプルシステム36も配置されている。図1には、プルシステム36が、温度制御ゾーン34に関してチャネル24とは反対側に配置されているところが示されている。本発明の或る実施形態によれば、プルシステム36の速度は、シリコンリボン12の安定した均一な形成すなわち、成長を確保すべく入念に制御される。以下により詳細に説明するが、図1に例示するプルシステム36は、シリコンリボン12の完全に凝固した部分と摩擦接触する1対のローラ38を有している。しかしながら、本発明にしたがって、他のプルシステム36の構成を使用することもでき、またプルシステム36は図1に示した装置10の他のコンポーネンツに対して他の位置に移動することもできる。作動時に、ローラ38が図1に示すように回転すなわち、上方ローラが反時計回り方向に回転し、下方ローラが時計回り方向に回転すると、両ローラ間のシリコンリボン12が断熱チャンバ18から離れる方向に移動されるすなわち、選択される基準フレームに基づいて押出されるか、引出される。また、リボン12は、種結晶32をるつぼ14から離れる方向に引出し、より多くのシリコン融成物16をるつぼ14から流出させることができる。本発明の或る実施形態によれば、プルシステム36は、シリコン融成物16の凝固部分すなわち、シリコンリボン12の一部を、ローラ38を用いて実質的に水平方向に移動させるように構成されている。しかしながら、断熱チャンバ18から離れる方向へのシリコンリボン12の移動を促進させるように構成された他の装置も本発明の範囲内に含まれる。上記全てのコンポーネンツ以外に、図1には、カッティングシステム40が、チャネル24に隣接しかつプルシステム36に関して温度制御ゾーン34とは反対側に配置されているところが示されている。本発明の或る実施形態によれば、カッティングシステム40は、シリコン融成物16の凝固にしたがってすなわち、融成物16がシリコンリボン12に凝固した後にシリコン融成物16を切断するように構成されている。この機能を遂行するため、カッティングシステム40には、1つ以上のソー鋸、1つ以上のレーザーおよび/またはシリコンリボン12を2つ以上のピースに切断できる他の任意の装置/コンポーネント単一または複数を設けることができる。図2は、図1に示した装置10を通るシリコンリボンの温度プロファイルを示すグラフである。図2に示すように、温度は、シリコン融成物16がるつぼ14を出るときから比較的一定に維持されて、加熱チャネル28に入る。温度は、シリコン融成物16が加熱チャネル28を出るときから比較的急速に低下し、ここで融成物16は、一般にリボン12に凝固し始めるすなわち、温度は溶融温度Tmeltingより低い温度に低下する。次に、シリコンリボン12は温度制御ゾーン34に入る。しかしながら、ひとたび温度制御ゾーン34に入ると、リボン12内のあらゆる熱衝撃を低減/最小化すべく、冷却速度が遅くなる。前述のように、本発明の或る実施形態によれば、リボン12の内部応力を徐冷により完全に除去できるように、温度は、温度制御ゾーン34内の選択された距離に亘って比較的一定に保持される。次に、シリコンリボン12が温度制御ゾーン34の出口に近づくと、温度は再び急速に低下できるようになる。最後に、温度制御ゾーン34を出るにしたがって、シリコンリボン12は大気条件下で冷却され、最終的に大気温度に到達する。図3は、図1に示した本発明の一実施形態によるシリコンリボン12の形成方法の段階を示すフローチャート42である。本発明による装置/システムおよび/または方法の使用により、長い少数キャリヤ寿命、少ない不純物および/または低い欠陥レベルを有する単結晶シリコンリボンを形成できる。換言すれば、本発明の或る実施形態を実施することにより、さもなくばCZ法またはDSS法により形成しなければならない、単結晶シリコンウェーハと同等のセル効率を有するシリコンリボンを得ることができる。図3に示す代表的な方法によれば、フローチャート42の第1段階すなわち段階44では、融成物例えば、上記シリコン融成物16を形成すべく、容器例えば、図1に示したるつぼ14内の原料例えば、固体のポリシリコンのバッチの加熱が規定される。加熱温度、溶融される原料の組成物例えば不純物または容器の幾何学的形状または組成物、および半導体工業で一般的に用いられているパラメータおよび組成物は、本発明の或る実施形態にしたがって選択される。段階46によれば、容器は、断熱チャンバ例えば断熱チャンバ18内に少なくとも実質的に包囲される。次に、段階48によれば、断熱チャンバ内に真空が発生される。断熱チャンバにより達成される実際の圧力に関し、特別な制限は全くない。しかしながら、本発明の或る実施形態によれば、5トルの公称圧力が達成される。段階48にしたがって、段階50に規定するように、断熱チャンバが、保護ガス例えば不活性ガスで充満される。本発明の或る実施形態によれば、段階48の間に、断熱チャンバ内にアルゴン環境が導入される。しかしながら、シリコン融成物が化学反応することを防止する他の不活性ガスおよび/または他のガスまたは混合物を含む環境を使用することもできる。段階52に記載されているように、次に、融成物の一部が容器からチャネルを通って実質的に水平方向に排出される。本発明の或る実施形態によれば、段階52は、段階54で定められたパラメータにしたがって実施され、段階54では、約250ミクロンより小さい厚さを有するシリコンリボンが、融成物の一部の凝固にしたがって形成されるように、融成物の一部がチャネルから排出される流速を選択すべきことが規定されている。当業者ならば、本発明の1つ以上の実施形態を実施するとき、例えば図1に示した装置10の構成/寸法およびプロセシング温度例えば、シリコン融成物16の温度、温度制御ゾーン34内の温度等が、段階54を実施するときにいかなる流速を選択すべきかについて影響を与えることは理解されよう。シリコンリボンの所望の寸法例えば、厚さおよび幅も、いかなる流速を選択すべきかについて影響を与える。図3に示す次の段階は段階56であり、この段階56は、融成物の一部が容器から離れる方向に移動しかつ凝固するときに、融成物の一部を種結晶と接触させることにより、単結晶シリコンの形成を促進することを規定している。図1を参照すると、段階56中に、融成物16がるつぼ14から流出し始めるとき、種結晶32はシリコン融成物16と最初の接触を行う。次に、種結晶32が断熱チャンバ18から出て、温度制御ゾーン34に向かって移動されると、融成物16が種結晶32に沿って引出され、冷却されて、最終的に凝固する。段階56にしたがって、段階58は、融成物の一部が容器から離れる方向に移動するときに、融成物の一部をいかに急速に凝固させるかの温度制御を規定している。本発明の或る実施形態によれば、段階56で規定された温度制御により、図2に示された冷却プロファイルの少なくとも一部が得られる。しかしながら、温度制御ゾーン34の存在に基づかない冷却プロファイルを含む他の冷却プロファイルも本発明の範囲内にある。段階58に規定された凝固にしたがって、段階60によれば、融成物の一部内の内部応力を低減させるべく、段階58で説明した融成物の一部の熱プロセシングが行われる。換言すれば、シリコン融成物16の一部が図1に示したシリコンリボン12の一部に凝固した後、シリコンリボン12の当該部分が有効に徐冷される。図3に示した次の段階は段階62であり、この段階62には、融成物の一部の凝固にしたがって、機械的装置を用いて融成物の一部を実質的に水平方向に移動させる。本発明の或る実施形態によれば、図1に示したローラベースのプルシステム36と同一または同様な装置が使用される。しかしながら、シリコンが融成物からリボンに凝固するときに、シリコンの実質的に水平方向の例えば、プッシュまたはプル移動を行いおよび/または促進する他の装置も本発明の範囲内にある。フローチャート42の最終段階は段階64であり、この段階64は、融成物の一部の凝固にしたがって当該一部を切断することを規定している。図1に示したカッティングシステム40に関連して前述したように、段階64は、例えば、ソーまたはレーザーの少なくとも一方を備えた装置またはシステムを用いて実施される。しかしながら、本発明の或る実施形態によれば、シリコンリボンを2つ以上のピースに切断できる他の任意のシステム/装置を使用することもできる。詳細な明細書から、本発明の多くの特徴および長所が明らかになったであろう。したがって、特許請求の範囲の記載は、本発明の精神および範囲内に含まれるこれらの全ての特徴および長所をカバーするものである。また、当業者ならば多くの変更を容易に想到できるので、本発明を図示しかつ説明したものと正確に同じ構造および作動に限定されず、したがって、適当な変更および均等物も本発明の範囲内に包含されるものである。