"高周波入力信号を検波する検波回路であって、順方向電圧および逆方向電圧それぞれが、互いに異なる2つの検波ダイオードと、前記2つの検波ダイオードそれぞれと接続され、前記高周波入力信号の入力電力レベルの値に応じて抵抗値が変化することで、前記2つの検波ダイオードにかかる負荷を変化させる2つの可変抵抗素子と、前記2つの検波ダイオードから出力される検波電圧のうち、高い方の検波電圧を出力検波電圧として出力する電圧比較回路とを有する検波回路。請求項1に記載の検波回路において、前記2つの検波ダイオードのうち、第1の検波ダイオードの順方向電圧および逆方向電圧それぞれは、それ以外の検波ダイオードである第2の検波ダイオードの順方向電圧および逆方向電圧それぞれよりも低い値であり、前記第1の検波ダイオードと、該第1の検波ダイオードと接続されている前記可変抵抗素子との間に、信号の位相を遅延させる遅延素子が接続されていることを特徴とする検波回路。請求項2に記載の検波回路において、前記遅延素子は、前記信号の位相を90度遅らせることを特徴とする検波回路。請求項2に記載の検波回路において、前記可変抵抗素子は、PINダイオードであることを特徴とする検波回路。請求項4に記載の検波回路において、前記第1の検波ダイオードは、アノードが前記PINダイオードのアノードと接続され、前記第2の検波ダイオードは、カソードが前記PINダイオードのカソードと接続されていることを特徴とする検波回路。高周波入力信号を検波する検波方法であって、順方向電圧および逆方向電圧それぞれが互いに異なり、前記高周波入力信号の入力電力レベルの値に応じて抵抗値が変化する2つの可変抵抗素子とそれぞれ接続された2つの検波ダイオードを用いて前記高周波入力信号を検波する処理と、前記検波した検波電圧のうち、高い方の検波電圧を出力検波電圧として出力する処理とを行う検波方法。しかしながら、図14に示したような検波回路においては、出力検波電圧の上限値V196と下限値V195が変わらずに、入力ダイナミックレンジが拡大されるため、図15に示すように、入力電力レベルに対する出力検波電圧の感度ΔVdet/ΔPinが劣化してしまうという問題点がある。また、図16に示したような検波回路においては、図18に示すように、回路の送信パワーが20dBmのとき、検波電圧は約3.8Vであることがわかる。このとき、図17に示したAの特性より、検波ダイオードAの検波電圧が飽和してから20dB高いパワーが検波ダイオードAに入力されていることがわかる検波ダイオードAの検波電圧が飽和するパワーレベルは0dBmであるため。これでは、検波ダイオードAへの入力パワーが過入力であり、検波ダイオードAの破壊耐圧を大きく超える交流の電圧が瞬時的にかかってしまうことになり、検波ダイオードAの動作に支障をきたしてしまうおそれがある。また、図19に示したような検波回路においては、アッテネータのON/OFF切替え時に検波特性に不連続が生じてしまうという問題点がある。本発明の目的は、上述した課題を解決する検波回路および検波方法を提供することである。本発明の検波回路は、高周波入力信号を検波する検波回路であって、順方向電圧および逆方向電圧それぞれが、互いに異なる2つの検波ダイオードと、前記2つの検波ダイオードそれぞれと接続され、前記高周波入力信号の入力電力レベルの値に応じて抵抗値が変化することで、前記2つの検波ダイオードにかかる負荷を変化させる2つの可変抵抗素子と、前記2つの検波ダイオードから出力される検波電圧のうち、高い方の検波電圧を出力検波電圧として出力する電圧比較回路とを有する。また、本発明の検波方法は、高周波入力信号を検波する検波方法であって、順方向電圧および逆方向電圧それぞれが互いに異なり、前記高周波入力信号の入力電力レベルの値に応じて抵抗値が変化する2つの可変抵抗素子とそれぞれ接続された2つの検波ダイオードを用いて前記高周波入力信号を検波する処理と、前記検波した検波電圧のうち、高い方の検波電圧を出力検波電圧として出力する処理とを行う。以上説明したように、本発明においては、入力電力レベルに対する出力検波電圧の感度を劣化させることなく入力ダイナミックレンジの拡大を実現することができる。以下に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図1は、本発明の検波回路の第1の実施の形態を示す図である。図1に示した検波回路を構成する各要素について説明する。検波ダイオード1,2は、高周波入力信号Pin124の入力によって、検波電圧Vdet121およびVdet122をそれぞれ出力する。また、検波ダイオード1第1の検波ダイオードの逆方向電圧Vrおよび順方向電圧Vfのそれぞれは、検波ダイオード2第2の検波ダイオードの逆方向電圧Vrおよび順方向電圧Vfのそれぞれと比較して低い。また、一般的に、検波ダイオードの逆方向電圧Vrと順方向電圧Vfとを比較した場合、逆方向電圧Vrが高い検波ダイオードのほうが順方向電圧Vfも高い。コンデンサ3は、本形態における検波回路に入力される高周波入力信号は通過させ、直流成分は遮断する。また、検波ダイオード1のカソードと検波ダイオード2のカソードとの間には、本形態における検波回路に入力される高周波入力信号は通過させ、直流成分は遮断するコンデンサ4,5とPINダイオード6とが直列接続されている。PINダイオード6,7は、印加される電圧の値によって抵抗値が変化する可変抵抗素子である。コイル8~12は、本形態における検波回路に入力される高周波入力信号が通過しない程高いインピーダンスを持つインダクタンスである。なお、コイル8は、PINダイオード6のカソード側を接地させる。コンデンサ13,14は、本形態における検波回路に入力される高周波入力信号は通過させる程低いインピーダンスを持つキャパシタンスである。電圧比較回路15は、検波ダイオード1の検波電圧Vdet121と検波ダイオード2の検波電圧Vdet122とを入力とし、その検波電圧のうち、電圧値が高いほうの検波電圧を、本形態における検波回路の出力検波電圧Vdet123として出力する。直流増幅回路16は、電圧比較回路15から出力された電圧を入力とし、その入力電圧値に応じた電圧Vd21を出力する電圧電流源回路である。また、直流増幅回路16の出力電圧Vd21が、PINダイオード6,7に印加される。これにより、本形態における検波回路の出力検波電圧Vdet123が直流増幅回路16に入力され、直流増幅回路16からの出力電圧Vd21がPINダイオード6,7に印加されることによって、PINダイオード6,7の抵抗値が変化する。線路17は、PINダイオード7から検波ダイオード1のアノード部にかけて、本形態における検波回路に入力される周波数帯の信号の位相を90度遅延させる長さの線路遅延素子である。コイル18は、本形態における検波回路に入力される高周波入力信号が通過しない程高いインピーダンスを持つインダクタンスである。コンデンサ19,20は、本形態における検波回路に入力される周波数帯の信号は通過させ、直流成分は遮断する。また、コンデンサ20は、コイル9,10と共に、直流増幅回路16の出力電圧Vd21をPINダイオード6,7に印加するためのバイアス回路を形成する。図2は、図1に示した直流増幅回路16の出力電圧Vd21に対するPINダイオード6,7の抵抗値の変化を示すグラフである。図2において、横軸が直流増幅回路16の出力電圧Vd21を表し、縦軸がPINダイオード6,7の抵抗値の対数を表す。図2に示すように、直流増幅回路16の出力電圧Vd21が増加すると、PINダイオード6,7の抵抗値は減少し、出力電圧Vd21が減少すると抵抗値は増加する。図3Aは、図1に示した形態における高周波入力信号Pin124の入力電力レベルに対する検波ダイオード1の検波電圧Vdet121の変化および検波ダイオード2の検波電圧Vdet122の変化を示すグラフである。図3Aにおいて、横軸は、本形態における検波回路に入力される高周波入力信号Pin124の入力電力レベルを表し、縦軸は出力検波電圧値の対数を表す。また、検波ダイオード1の検波電圧Vdet121の変化を一点鎖線で示し、検波ダイオード2の検波電圧Vdet122の変化を破線で示す。また、本形態における検波回路の出力検波電圧の下限値をV145とする。この出力検波電圧の下限値V145は、本形態における検波回路から出力される電圧を入力とする外部回路の検出可能な電圧値によって決まる。本形態における検波回路の出力検波電圧の値がV145のとき、PINダイオード6,7の抵抗値が、本形態における検波回路に入力される周波数帯では開放状態に近いインピーダンスとなるような電圧電流値を、直流増幅回路16は出力する。PINダイオード7の抵抗値が、本形態における検波回路に入力される周波数帯において開放状態に近ければ、コンデンサ19および線路17を介し位相が90度遅れることにより、検波ダイオード1のアノード部は本形態における検波回路に入力される周波数帯において短絡状態となる。よって、検波ダイオード1は、アノード部を短絡接地した場合と同程度の検波電圧を出力する。続いて、本形態における検波回路への高周波入力信号Pin124の入力電力レベルが増加すると、検波ダイオード1における検波電圧Vdet121の値が増加するため、本形態における検波回路の出力検波電圧Vdet123の値は増加する。本形態における検波回路の出力検波電圧Vdet123が増加すると、直流増幅回路16の出力電圧Vd21も増加するため、PINダイオード6,7に印加される電圧が増加する。図2に示すように、PINダイオード6,7への印加電圧Vd21の値が増加すると、PINダイオード6,7の抵抗値は減少する。PINダイオード7の抵抗値が減少すると、コンデンサ19および線路17を介し位相が90度遅れた検波ダイオード1のアノード部での短絡性は弱くなる。よって、検波ダイオード1への入力電力レベルは、本形態における検波回路への高周波入力信号Pin124の入力電力レベルの増加量と比較して緩やかな増加となる。さらに、本形態における検波回路への高周波入力信号Pin124の入力電力レベルが増加すると、PINダイオード6,7の抵抗値は減少し、本形態における検波回路に入力される周波数帯において短絡状態となる。PINダイオード7における抵抗値が、本形態における検波回路に入力される周波数帯において短絡状態となると、コンデンサ19および線路17を介し位相が90度遅れた検波ダイオード1のアノード部におけるインピーダンスは開放状態となる。そのため、本形態における検波回路への高周波入力信号Pin124の入力電力レベルの増加に対して、検波ダイオード1への入力電力レベルは減少し、検波電圧Vdet121は減少する。上述したような、本形態における検波回路における高周波入力信号Pin124の入力電力レベルと、検波ダイオード1の検波電圧Vdet121との関係を、図3Aに一点鎖線で示している。また、本形態における検波回路における出力検波電圧の値がV145のとき、PINダイオード6の抵抗値が、本形態における検波回路に入力される周波数帯では開放状態に近い抵抗値となるため、検波ダイオード2へ高周波入力信号はほとんど入力されない。続いて、本形態における検波回路への高周波入力信号Pin124の入力電力レベルが増加すると、本形態における検波回路の出力検波電圧Vdet123の値は増加するため、直流増幅回路16の出力電圧Vd21も増加し、PINダイオード6に印加される電圧が増加する。図2に示すように、PINダイオード6への印加電圧Vd21の値が増加すると、PINダイオード6の抵抗値は減少する。PINダイオード6の抵抗値が減少すると、検波ダイオード2への入力電力レベルが増加するため、検波ダイオード2の検波電圧Vdet122が増加する。上述したような、本形態における検波回路における高周波入力信号Pin124の入力電力レベルと、検波ダイオード2の検波電圧Vdet122との関係を、図3Aに破線で示している。図3Bは、図3Aの特性に重ねて、図1に示した形態における高周波入力信号Pin124の入力電力レベルに対する出力検波電圧Vdet123の変化を示すグラフである。図3Bにて、出力検波電圧Vdet123を実線で示している。図1に示した電圧比較回路15は、入力される検波電圧Vdet121および検波電圧Vdet122のうち高い方の電圧値を、本形態における検波回路の出力検波電圧Vdet123とするため、図3Bにおいて、検波電圧Vdet121一点鎖線と検波電圧Vdet122破線との高い方の電圧値が出力検波電圧Vdet123実線となる。本形態における検波回路の出力検波電圧Vdet123は、高周波入力信号Pin124の入力電力レベルがある一定の入力電力レベル図3Bの入力電力レベルP74よりも低いレベルでは、検波ダイオード1における検波電圧Vdet121となり、P74よりも高いレベルでは、検波ダイオード2における検波電圧Vdet122となる。図4は、一般的な検波回路の出力検波電圧の特性と本発明の検波回路の出力検波電圧の特性との比較を示すグラフである。ここでは、一般的な検波回路を図8に示した検波回路とし、本発明の検波回路を図1に示した検波回路とする。つまり、一般的な検波回路の高周波入力信号はPin301であり、出力検波電圧はVdet300である。また、本発明の検波回路の高周波入力信号はPin124であり、出力検波電圧はVdet123である。また、図4において、Pin301に対するVdet300の特性を破線で示し、Pin124に対するVdet123の特性を実線で示す。また、図4に示した特性は、図8に示した検波ダイオード30と図1に示した検波ダイオード1とで同じ特性のものを使用したときのものである。また、図4に示したV145は、本形態における検波回路の出力検波電圧の下限値であり、本形態における検波回路から出力される電圧を入力とする外部回路の検出可能な電圧値に依存する。図8に示した検波ダイオード30と、図1に示した検波ダイオード1が同じ特性のものであるため、入力電力レベルP405における出力検波電圧の値は同じV145である。また、図4に示したV146は、図8に示した検波回路における出力検波電圧の上限値である。また、図4に示したV147は、図1に示した検波回路における出力検波電圧の上限値である。また、図8に示した検波回路における入力ダイナミックレンジはPrng403となり、図1に示した検波回路における入力ダイナミックレンジはPrng404となる。図1に示した検波回路では、入力電力レベルに応じて逆方向電圧Vrおよび順方向電圧Vfが互いに異なる2つの検波ダイオードの入出力の負荷を変化させ、出力検波電圧の上限値を、図8に示した検波回路と比較して増加させる。そのため、高周波入力信号Pin124の入力電力レベルに対する出力検波電圧Vdet123の感度ΔVdet/ΔPinを劣化させることなく、図8に示した検波回路の入力ダイナミックレンジPrng403と比較して入力ダイナミックレンジの拡大を実現することができる。図5は、本形態における、入力される高周波入力信号の入力電力レベルに対する検波電圧の変化を示すグラフである。図5において、検波ダイオード1における検波電圧の特性を実線で示し、検波ダイオード2における検波電圧の特性を破線で示す。図5に示すように、本形態における検波回路の出力検波電圧Vdet123の値により、PINダイオード7への印加電圧が変化し、検波ダイオード1のアノード部の負荷が変化する。具体的には、出力検波電圧Vdet123が小さな値から大きな値へ変化すると、PINダイオード7における抵抗値が開放状態から短絡状態となる。そのため、長さがλ/4λは信号の波長の線路17を介した検波ダイオード1のアノード部の負荷は、短絡状態から開放状態となる。検波ダイオード1のアノード部の負荷が開放状態になると、検波ダイオード1へ高周波は入力されなくなるため、破壊耐圧を超える電圧は検波ダイオード1にかからない。つまり、高周波パワーに対する検波ダイオード1の検波電圧Vdet121の特性は、図5の実線で示したものとなり、破壊耐圧を超えるような電圧は検波ダイオード1にかからないため、検波ダイオード1を破壊してしまうことはない。また、本発明では、出力検波電圧Vdet123のレベルによってPINダイオード6,7への印加電圧が連続的に変化し、検波ダイオード1,2の入出力の負荷が連続的に変化するため、上述したような実線破線に示した検波特性になる。この実線破線のうち、電圧値の大きな方を出力検波電圧Vdet123とするため、本発明の検波特性については不連続が生じない。図6は、本発明の検波回路の第2の実施の形態を示す図である。図6に示した検波ダイオード201は、図1に示した検波ダイオード1と同じ特性を持つものであり、高周波入力信号の入力によって、検波電圧Vdet221を出力する。また、検波ダイオード202は、検波ダイオード201を直列接続したダイオードであり、検波ダイオード201と比較して、逆方向電圧Vrおよび順方向電圧Vfはそれぞれ2倍の値となる。また、図6に示した他の構成要素については、図1に示したものと同じものである。本形態においては、出力検波電圧Vdet223を、高周波入力信号Pin224の入力電力レベルがある一定の入力電力レベルよりも低いレベルでは、検波ダイオード201における検波電圧Vdet221とし、Pin224がある一定レベルよりも高いレベルでは、検波ダイオード202における検波電圧Vdet222とすることによって、出力検波電圧の上限値を増加する。図6に示した検波ダイオード202は、検波ダイオード201と比較して逆方向電圧Vrおよび順方向電圧Vfがそれぞれ2倍の値であるため、図1に示した検波回路と同様に出力検波電圧の上限値を増加することが可能であり、図1に示した検波回路と同様の効果が得られる。また、図6に示した検波回路では、検波ダイオード202は検波ダイオード201を直列接続したダイオードであるため、図6に示した破線部分の検波ダイオード群203をMMICMonolithicMicrowaveIntegratedCircuitに集積化しやすいという利点がある。図7は、本発明の検波回路の第3の実施の形態を示す図である。図7に示した検波回路を構成する各要素について説明する。検波ダイオード101,102は、図1に示した検波ダイオード1,2それぞれと同じであり、高周波入力信号の入力によって、それぞれ検波電圧Vdet131,Vdet132をそれぞれ出力する。また、検波ダイオード101の逆方向電圧Vrおよび順方向電圧Vfは、検波ダイオード102のそれと比較して低い。図1に示した形態では、検波回路への高周波入力信号の入力電力レベルに応じて検波ダイオード2の入力側の負荷を変化させている。図7に示した形態においては、検波回路への高周波入力信号の入力電力レベルに応じて検波ダイオード102の出力側の負荷を変化させている。コンデンサ103は、本形態における検波回路に入力される高周波入力信号は通過させ、直流成分は遮断する。検波ダイオード101のカソードと検波ダイオード102のカソードとの間には、本形態における検波回路に入力される高周波入力信号は通過させ、直流成分は遮断するコンデンサ104が直列接続されている。PINダイオード109,110は、図1に示したPINダイオード7,6と同じであり、印加される電圧の値によって抵抗値が変化する可変抵抗素子である。コイル112,113,116,117は、本形態における検波回路に入力される高周波入力信号が通過しない程高いインピーダンスを持つインダクタンスである。コンデンサ119,120は、検波回路に入力される高周波入力信号は通過させる程低いインピーダンスを持つキャパシタンスである。電圧比較回路115は、検波ダイオード101の検波電圧Vdet131と検波ダイオード102の検波電圧Vdet132とを入力とし、その電圧値が高いほうの電圧を、本形態における検波回路の出力検波電圧Vdet133として出力する。直流増幅回路136は、電圧比較回路115から出力された電圧を入力とし、その入力電圧値に応じた電圧Vd135を出力する電圧電流源回路である。直流増幅回路136の出力電圧Vd135が、PINダイオード109,110に印加される。したがって、本形態における検波回路の出力検波電圧Vdet133が直流増幅回路136に入力され、直流増幅回路136からの出力電圧Vd135がPINダイオード109,110に印加されることによって、PINダイオード109,110の抵抗値が変化する。線路105は、PINダイオード109から検波ダイオード101のアノード部にかけて、本形態における検波回路に入力される周波数帯の信号の位相を90度遅延させる長さの線路遅延素子である。コイル107,111は、本形態における検波回路に入力される高周波入力信号が通過しない程高いインピーダンスを持つインダクタンスである。コンデンサ108,118は、本形態における検波回路に入力される周波数帯の信号は通過させ、直流成分は遮断する。コンデンサ114は、本形態における検波回路に入力される周波数帯の信号は通過させ、直流成分は遮断し、コイル112,113と共に、直流増幅回路136の出力電圧Vd135をPINダイオード110,109に印加するためのバイアス回路を形成する。図7に示した検波回路における出力検波電圧Vdet133の値が下限値の場合、PINダイオード109,110の抵抗値が、検波回路に入力される周波数帯では開放状態に近いインピーダンスとなるような電圧値を、直流増幅回路136は出力する。PINダイオード109の抵抗値が、図7に示した検波回路に入力される周波数帯において開放状態に近ければ、コンデンサ108および線路105を介し位相が90度遅れることにより、検波ダイオード101のアノード部は、図7に示した検波回路に入力される周波数帯において短絡状態となる。よって、検波ダイオード101は、アノード部を短絡接地した場合と同程度の検波電圧を出力する。続いて、図7に示した検波回路への高周波入力信号Pin134の入力電力レベルが増加すると、検波ダイオード101における検波電圧Vdet131の値が増加するため、図7に示した検波回路の出力検波電圧Vdet133の値は増加する。図7に示した検波回路の出力検波電圧Vdet133が増加すると、直流増幅回路136の出力電圧Vd135も増加するため、PINダイオード109,110に印加される電圧が増加する。PINダイオード109,110への印加電圧Vd135の値が増加すると、PINダイオード109,110の抵抗値は減少する。PINダイオード109の抵抗値が減少すると、コンデンサ108および線路105を介し位相が90度遅れた検波ダイオード101のアノード部での短絡性は弱くなる。よって、検波ダイオード101への高周波入力信号の入力電力レベルは、図7に示した検波回路への高周波入力信号Pin134の入力電力レベルの増加量と比較して緩やかな増加となる。さらに、本形態における検波回路への高周波入力信号Pin134の入力電力レベルが増加すると、PINダイオード109,110の抵抗値は減少し、本形態における検波回路に入力される周波数帯において短絡状態となる。PINダイオード109における抵抗値が、本形態における検波回路に入力される周波数帯において短絡状態となると、コンデンサ108および線路105を介し位相が90度遅れた検波ダイオード101のアノード部におけるインピーダンスは開放状態となるため、本形態における検波回路への高周波入力信号Pin134の入力電力レベルの増加に対して検波ダイオード101への入力電力レベルは減少し、検波電圧Vdet131は減少する。一方、図7に示した検波回路における出力検波電圧Vdet133の値が下限値の場合、PINダイオード110の抵抗値が、本形態における検波回路に入力される周波数帯では開放状態に近い抵抗値であるため、検波ダイオード102へ高周波入力信号はほとんど入力されない。続いて、本形態における検波回路への高周波入力信号Pin134の入力電力レベルが増加すると、本形態における検波回路の出力検波電圧Vdet133の値は増加するため、直流増幅回路136の出力電圧Vd135も増加し、PINダイオード110に印加される電圧が増加する。PINダイオード110への印加電圧Vd135の値が増加すると、PINダイオード110の抵抗値は減少するため、検波ダイオード102への入力電力レベルは増加し、検波電圧Vdet132が増加する。図7に示した電圧比較回路115において、入力される検波電圧Vdet131と検波電圧Vdet132とのうち高い方の電圧値を、図7に示した検波回路の出力検波電圧Vdet133とする。そのため、図7に示した検波回路の出力検波電圧Vdet133は、高周波入力信号Pin134の入力電力レベルがある一定の入力電力レベルよりも低いレベルでは、検波ダイオード101における検波電圧Vdet131となり、ある一定レベルよりも高いレベルでは、検波ダイオード102における検波電圧Vdet132となる。したがって、入力電力レベルに応じて逆方向電圧Vrおよび順方向電圧Vfが互いに異なる2つの検波ダイオードの出力側の負荷を変化させ、出力検波電圧の上限値を増加させるため、高周波入力信号の入力電力レベルに対する出力検波電圧の感度ΔVdet/ΔPinを大きく劣化させることなく、入力電力レベルのダイナミックレンジを拡大でき、図1に示した形態と同様の効果が得られる。上述したように本発明は、高周波入力信号の検波回路において、逆方向電圧Vrおよび順方向電圧Vfが互いに異なる2つの検波ダイオードを用いて、検波回路への高周波入力信号の入力電力レベルによってそれぞれの検波ダイオードにおける入出力の負荷を変化させ、それぞれの検波ダイオードにて出力される検波電圧の高い方を検波回路の出力検波電圧とする。これにより、入力電力レベルに対する出力検波電圧の感度を劣化させることなく、入力電力レベルのダイナミックレンジを拡大できる。"