"被加工物上の窒化シリコンをエッチングする方法であって、a前記被加工物を処理チャンバ内にセットし、bリン酸を前記被加工物に塗布し、c前記被加工物を処理温度まで加熱し、d前記被加工物を前記処理温度の範囲内に維持し、e前記被加工物を冷却し、f前記処理チャンバから前記被加工物を取除くこと、を含む方法。前記加熱を、赤外光で前記被加工物を照射して実行する、請求項1に記載の方法。前記被加工物が前記処理温度に達するまで初期の高強度で赤外光を前記被加工物に照射した後、次なる低強度で前記被加工物に照射して、前記被加工物を前記処理温度に維持することを更に含む、請求項2に記載の方法。前記被加工物を前記処理温度に維持しながら、リン酸を連続的に、前記被加工物に塗布する、請求項3に記載の方法。赤外光による前記被加工物の照射を停止することで、前記被加工物を冷却する、請求項2に記載の方法。脱イオン水を前記被加工物に塗布して前記被加工物を冷却することを更に含む、請求項5に記載の方法。前記被加工物に窒素を吹付して前記被加工物を冷却することを更に含む、請求項2に記載の方法。ウエハの窒化シリコンをエッチングする方法であって、リン酸のミストを処理チャンバ内でウエハに塗布し、前記ウエハの温度を、200°C超の処理温度まで60秒未満で上昇させ、リン酸を前記ウエハに塗布しながら、前記ウエハを80秒未満の間処理温度で維持し、前記ウエハを冷却し、前記ウエハを前記処理チャンバから取除くことを含む方法。前記ウエハを前記処理チャンバ内で回転させることを更に含む、請求項8に記載の方法。シリコンウエハの表面から窒化シリコンを除去する方法であって、前記ウエハを処理チャンバ内にセットし、前記処理チャンバを密封し、前記ウエハを回転させ、エアロゾル状態のリン酸を前記ウエハに、密封した処理チャンバ内で塗布し、前記ウエハの前記温度を、前記ウエハに赤外光を照射して、60秒未満で200°C~280°Cの処理温度に上昇させ、リン酸を前記ウエハに略連続的に塗布しながら、前記ウエハを、60秒未満の間前記処理温度に維持し、前記ウエハの前記照射を停止し、エアロゾル状態のリン酸を前記ウエハに塗布することを停止し、脱イオン水を前記ウエハに塗布して、前記ウエハを冷却し、前記処理チャンバを開封、開口し、前記ウエハを前記処理チャンバから取除くことを含む方法。ウエハ上の窒化シリコンをエッチングする処理装置であって、密封可能な処理チャンバと、ウエハを保持する前記処理チャンバの固定具と、前記処理チャンバの複数のノズルと、前記ノズルに連結したリン酸源と、前記リン酸を加熱するヒータと、前記処理チャンバの外側にある複数の赤外線ランプを含み、赤外光を前記処理チャンバに放射するよう配置する赤外線放射組立体とを備える処理装置。前記赤外線放射組立体と関連する冷却用組立体を更に備える請求項11に記載の処理装置。前記固定具が、ロータを備える請求項11に記載の処理装置。処理チャンバが、前記ウエハを冷却するために、脱イオン水及び/又は窒素ガスを前記ウエハに吹付するノズルを有する請求項11に記載の処理装置。赤外線放射組立体が、前記ウエハを室温から200°C超に60秒未満で加熱するよう適合されている請求項11に記載の処理装置。従って、SiNをエッチングする改善したシステム及び方法が必要である。加熱浴技術に伴う問題を解決する新たな窒化シリコンをエッチングする装置及び方法を、発明した。新たな方法では、被加工物又はウエハを処理チャンバ内にセットする。処理チャンバを閉鎖し密封する。リン酸を被加工物上に塗布する。リン酸を、ミスト又はエアロゾルとして被加工物に噴霧及び吹付してもよい。被加工物を、急速に処理温度まで加熱して後、処理温度付近で維持する。リン酸の膜を、処理中、表面に維持する。その後、加熱を停止し、被加工物を急速に冷却する。赤外線照射を使用して、被加工物を加熱してもよい。被加工物を、任意に脱イオン水及び/又は窒素ガスを被加工物に吹付して、冷却してもよい。窒化シリコンをエッチングする新たな装置は、被加工物を保持する固定具を有する処理チャンバを含む。処理チャンバの噴霧ノズルに、加熱したリン酸を供給してもよい。赤外線放射組立体には、処理チャンバの外に、該処理チャンバに赤外光を放射するように配置した赤外線ランプを有する。冷却用組立体を使用して、赤外線放射組立体及び/又は処理チャンバを冷却してもよい。この新たな装置及び方法によって、極少量のリン酸を使用して、加熱浴法のリスクや短所なしに窒化シリコンの高速エッチングが可能になる。図面では、同じ参照番号により各図で同一要素を示す。シリコンウエハから窒化シリコンをエッチング又は除去する新たな方法では、略密閉又は密封チャンバでリン酸を使用する。赤外線エネルギを、該チャンバ内に放射して、ウエハとリン酸を同時に加熱してもよい。或いは、熱を、例えばマイクロ波放射線等の他の種類の放射線によって提供してもよい。また、加熱したウエハ保持台を使用してもよい。こうした処理により、かなり高温でも安全に使用できる一方で、バルクな液体リン酸をエアロゾル状に霧化することで、リン酸の消費も抑制できる。処理装置には、石英製の上部チャンバを、処理中に使用又は生成され得る液相物質、エアロゾル相物質、蒸気相物質及び気相物質を収容するために有する一方で、赤外線をウエハに照射するように通過可能にしてもよい。また、ウエハ保持台又はロータも石英製にして、ウエハを保持する一方で、赤外線放射をウエハ上に反射させてもよい。毎分2,000オングストロームより速い窒化シリコンのエッチング速度を達成できる。高温、赤外線放射、処理時間短縮を組み合わせることで、窒化シリコンと熱酸化シリコン物との通常のエッチング選択比を、10/1から200/1超に増大できる。図1~図3では、説明した方法を実行するのに使用できる処理装置を示している。図1で示したように、処理装置20は、第1又は下部チャンバ組立体22と第2又は上部チャンバ組立体24とを含んでもよい。下部チャンバ組立体22は、ベースプレート30上で支持するボウル32を含んでもよい。例えばシリコンウエハ等の被加工物又はウエハ70を保持して回転させるよう適合させたロータ組立体26を、下部チャンバ組立体22内に収容する。或いは、固定した又は非回転のウエハ保持台を使用してもよい。ウエハ保持台、又はロータを使用した場合、ロータは、加熱要素を含んで、伝導によってウエハを加熱してもよい。図2~図3に示したように、ボウル32は、流体を収集及び除去する排水金具36を有する流体収集トラフ34を含んでもよい。Oリング等の密封要素40を、ボウル32の上面38に設ける。ロータ組立体26は、ウエハ70を保持するプレート組立体80を回転させるモータ50を含む。遮蔽プレート64を、天板81とロータハブ56に取着したロータプレート82との間で挟持する。プレートクリップ86でプレート組立体80の構成要素を纏めて保持する。フィンガ84を、プレート組立体80から垂直に延伸させて、ロータプレート82の周辺部に配置する。ウエハ70を、ロータプレート82から離間して、ロータプレート82と略平行に載置する。図2に示した特定の設計では、ロータ組立体26は、上下シャフト54及び60に其々連結するロータハブ56を含む。ドライブシャフトは、モータ50を定位置に固定したまま自在に回転する。モータ50を、ベースプレート30に取着したモータ取付用プレート52で支持して、下部チャンバ組立体22にあるロータ組立体26を回転可能に支持してもよい。ロータ組立体のフィンガ84又は同様な装置を、プレート組立体80に取着して、ウエハ70を縁部で支持及び保持する。ロータカーテン66をロータ組立体26に取着して、液体が上側ドライブシャフト54、下側ドライブシャフト60、モータ50に達しないように遮断する。このロータ組立体26は、使用できる様々な設計の代表例の1つである。まだ図2~図3を参照すると、上部チャンバ組立体24は、下唇部104と上唇部106を有する環状の上部チャンバ体102を含んでもよい。上部チャンバ体102を下部リテーナリング98を用いて昇降リング90に取着できる。ここで図1、図2、図3を参照すると、昇降アクチュエータ92を、昇降リング90上のリングタブ95に取着してもよい。アクチュエータの昇降運動によって、それに応じて上部チャンバ組立体24全体を上昇させ、下部チャンバ組立体22から離す。そのため昇降リング90を耐食鋼製又は同様な材料製としてもよい。ボウルリング96を昇降リング90に亘り設けて、処理装置20内で使用する腐食性のある酸から保護してもよい。図2で示すように、閉鎖又は処理位置の処理装置20では、ボウルリング96の下面が密封要素40と係合して、上部チャンバ組立体24を下部チャンバ組立体22に密封する。図示した設計では、使用する昇降アクチュエータは、ベースプレート30で支持し、リングタブ95まで延伸してリングタブ95に取着するシャフトを有する昇降アクチュエータ92を含む。図1では、3つの昇降アクチュエータを使用して示したが、3つ以上又は以下で使用してもよい。図2及び図3では、処理装置20を閉鎖位置又は処理位置とした際に、下部チャンバ組立体22と上部チャンバ組立体24との間に形成される処理チャンバ28について、示している。流体出口又はノズルにより、チャンバ28にプロセス流体を供給する。様々なノズル番号、形式、位置を使用してもよい。ノズルを上部チャンバ体102の筒状側壁108に取着してもよい。供給路図示せずでプロセス流体をノズルに給送する。噴霧ノズルや吹付ノズル等各種ノズルを用いてもよい。以下で説明する処理を行うために、処理装置20は、リン酸噴霧用ノズル112を有する。また、処理装置20は窒素ガス用ノズルも含み、ウエハ冷却用に上下脱イオン水用ノズル116を含んでもよい。脱イオン水用ノズル116を使用した場合、該ノズルを上下ノズル組で、ウエハ70に関して対にしてもよい。また、図2で示すように、熱電対センサ又はプロキシセンサ等の1個又は複数のチャンバ温度センサ122をチャンバ28に設けて、処理中にウエハ温度の近似値を得てもよい。まだ図2及び図3を参照すると、ヘッドプレート130を上部押えプレート134を介して上部チャンバ体102に固定する。排気プレート132をヘッドプレート130に拘持して、それらの間に赤外線透過窓148を固定する。ヘッドプレート130と排気プレート132には其々、プレート組立体80に略合致し、プレート組立体80の略中心にある中心貫通開口部を有する。赤外線透過窓148を該開口部全体に及ぶようにし、ヘッドプレート130と排気プレート132の両方に封着してもよい。赤外線透過窓148を、光及び/又は赤外線エネルギが該窓を通過でき、プレート組立体80上に配置したウエハ70が赤外線エネルギを吸収できるように配置する。排気プレート132には、少なくとも1つの排気口133を有する。排気口133により処理チャンバ28の排気が可能になる。また、放射線又は赤外線IR組立体126も上部チャンバ組立体24のヘッドプレート130で支持してもよい。図2で示したように、赤外線ランプ140を、赤外線透過窓148の上方に一列に設ける。ランプ140は、ランプハウジング138内で、保持台又はブラケット142に吊着してもよい。電力ケーブル156によりランプ140に電気を供給する。冷却システム150を赤外線組立体126に設ける。冷却システムは、管152をランプハウジング138上又は内に含んでもよい。冷却液を、管152を通して適宜赤外線組立体126を冷却するよう圧送する。管152は、ランプハウジング138のヒートシンクプレートを通り延伸させてもよい。また、冷却システム150は、空気分流板146と、ランプハウジング138を通り及び/又は周りに空気流路を含んでもよい。使用時には、処理装置20を初めに、図1に示した開位置、又はロード/アンロード位置にする。上部チャンバ組立体24を下部チャンバ組立体22から上昇させて、横からプレート組立体80に接近可能にする。ウエハ70を、手動で、又はより一般的にはロボットで、天板81上にセットする。ウエハはフィンガ84に載置する。次に昇降アクチュエータ92により上部チャンバ組立体24を下部チャンバ組立体22上へと降下させて、両組立体間で処理チャンバ28を形成する。その後、処理装置20を、図2及び図3に示した処理位置にする。ボウルリング96によりシール40に対して密封して、チャンバ28を略密封する。チャンバ28を、真空ラインを介して空にするが、必ずしも気密でなければならないというわけではない。むしろ、或いはまた、処理装置20を、液体、ガス、蒸気が容易に周囲の環境に漏れないように設計してもよい。リン酸を、好適にはエアロゾル又は霧化したミストとしてチャンバ28に供給する。リン酸を一般的に、通常約50°C~約90°Cに事前に加熱した液体として、ノズルに供給できる。必須ではないが、液状のリン酸を事前に加熱すると、より速く処理できる可能性がある。また、事前加熱により、液状リン酸の粘着性を減少させ、その結果液状リン酸の圧送が一層容易になる。テフロン配管、バルブ、ポンプ、結合金具等の流体ライン構成要素は、最大90°Cの温度まで容易に対応できる。リン酸を、吹付よりむしろ噴霧することで、ウエハの一時冷却が局所化するのを防ぐのに役立つ。これにより、ウエハ全体に亘り処理の均一性が向上する。ロータを用いる装置では、モータ50を作動させて、ロータ組立体26とウエハ70を回転させる。10~300rpmの回転速度を使用してもよい。回転により、赤外線放射や加熱をウエハ70の表面全体に亘り一層均一にするのに役立つ。リン酸を噴霧することで、薬品消費量を抑制できる。通常、最低5ml~10mlのリン酸で十分に300mmのウエハを剥離できる。水を任意にリン酸への追加成分としてウエハ上に供給するか、又は別々にエアロゾルとして処理チャンバの別々のノズルから塗布するかしてもよい。電子級のリン酸は通常約5の水を含む。リン酸を幾らか希釈するための更なる水を使用してもよい。一般に、ウエハを初めにリン酸で被覆する間、ランプ140を点灯し、例えば、最大出力の5~25に低減した電力レベルに設定してもよい。初期の加熱ステップの特定のタイミング及びシーケンスは変更してもよく、初期加熱ステップを、初めにリン酸を塗布する前、後又は同時に実行してもよい。ランプ140により窓148を通してウエハ70に照射する。窓148を石英製としてもよいが、これは石英が赤外線放射に対して略透過性で、且つ化学的に不活性であり、耐熱性が高いためである。上部チャンバ体102と天板81もまた石英製として、赤外線放射への露出から生じる高加工温度に対して耐性を良好にしてもよい。プレート組立体80内の遮蔽プレート64は、赤外線放射が下部チャンバ組立体22に貫通するのを遮断するのに役立つ。遮蔽プレート64を、反射コーティングを有する水晶板としてもよい。一般に、遮蔽プレート64より下の構成要素は、従来の金属材料及びプラスチック材料としてもよい。ウエハ70の温度を、温度センサ122で監視してもよい。ウエハの温度を、閉フィードバックループで温度センサ122によって制御し、ランプ140に対する電力を調整してもよい。これを、処理装置20と関連させた、又は施設内の離れた位置にある電子制御装置又はコンピュータで実行してもよい。また、該制御装置により、処理装置の他の操作も制御してもよい。この温度は、処理中にウエハ表面に追加されるリン酸によって影響を受けるかもしれない。リン酸でウエハを被覆する初期段階の後に、ランプ出力を増大させて、急速にウエハの温度を処理温度まで上昇させるが、該処理温度は他の範囲も使用してもよいが、通常は200~250°Cとする。このステップに、ランプの全出力100の出力を使用してもよい。ランプアップrampup間隔を、機器の設計や、所望する処理温度や、潜在的には他の要因、例えばSiN層を構成する特定の化学薬品やリン酸に応じて、約20~80秒持続させてもよい。次に、ウエハ温度を、通常20~100秒、30~80秒又は40~70秒の範囲とするドウェルdwell間隔に対して、所望の処理温度で又は付近に保つ。ランプ出力を、ウエハ温度を所望の処理温度で又は付近で維持するように調整する。通常、ランプ出力を、この間隔中は、約30~60に設定する。更なるリン酸をウエハ表面に添加して膜を維持してもよい。リン酸を、噴霧器又はスプレーノズルによって等、様々な装置によってエアロゾルの形で、添加してもよい。更に、リン酸を、連続的、律動的、計量的、規則的に等の様々な方法で、また任意にはセンサ及び/又は特定のパラメータで決定して、塗布してもよい。次に、ウエハ70を急冷して、処理時間を短縮してもよい。急冷を、主として赤外線ランプ140とランプハウジング138を冷却する冷却用組立体150を用いて達成できる。窒素ガス及び/又は脱イオン水といったウエハ70への流体噴射を使用して、ウエハ70を冷却してもよい。一部の窒化シリコン層を、ランプアップ間隔中に完全に除去して、ドウェル間隔を不要にしてもよい。図4では、上述した処理の1実施例に関する時間/温度グラフを示している。図4の実施例では、ランプアップ時間を20秒とし、ドウェル時間を40秒とし、冷却時間を20秒としている。冷却用組立体150では、冷却水を、ランプハウジング138が予め設定した温度を超えたと、ランプハウジング温度センサ144が検出した際に、管152を通して圧送してもよい。一般に、冷却水は、ランプ140の点灯時には必ず、そして消灯後しばらくの間は、管又はコイル152を通り移動する。清浄な乾燥空気を、赤外線組立体126を通して圧送又は吸込して、更なる冷却を提供してもよい。冷却用組立体150により、赤外線組立体126から迷赤外線放射を遮断して、隣接する装置を加熱するのを軽減又は回避する。処理が完了すると、昇降アクチュエータ92は、上部チャンバ組立体24を上昇させて下部チャンバ組立体22から離して元に戻す。次に、処理したウエハ70を取出し、次のウエハを処理装置20にロードする。処理したウエハ70を、過酸化アンモニア洗浄ステップ等の洗浄ステップを実行する洗浄用チャンバ内に移動させ、その後乾燥ステップを実行してもよい。従来の高温リン酸浴アプローチとは対照的に、処理装置20により、極めて高温での処理が可能になる。リン酸をバルク液体の形で処理チャンバに提供しないので、沸騰で処理温度を制限することはない。同様に、高温のリン酸を圧送及び取扱する必要がないため、システム設計を簡素化でき、信頼性を向上できる。処理温度が高いことで、従来の方法を用いると通常30~90分必要な処理時間を、本方法を用いると約30~90秒に短縮できる。加熱したリン酸溶液、比較的複雑な装置、及び該装置を操作するのに必要な安全システムは、もう必要でなくなる。この処理には、水を浴システムに注入中にフラッシュ蒸発するリスクを避けられる等の、多くの利点がある。更に、昇温により、SiNの最適なエッチング速度及び対SiO2選択比を達成するために水を存在させる必要がなくなる。更に、昇温により、ダミーウエハを流して薬浴を状態調節して、特定レベルの溶解シリコンを該浴に加える必要がなくなる。これで、犠牲が大きい処理の遅れや、浴を状態調節するためのダミーウエハの使用を回避できる。ほんの数ミリリットルのリン酸しか、各ウエハを処理する際に使用しないので、材料費は極めて低い。リン酸の消費量が少ないため、リン酸を再生利用及び再使用することが不要になる。その結果、各ウエハを、新鮮なリン酸を使用して処理できる。酸の再使用の複雑さや、再使用によって起きる汚染のリスクを回避できる。上述した装置及び方法で、枚葉式技術を使用してSiN剥離が実行可能になる。現代の半導体素子製造は、益々枚葉式になっていくため、本装置及び方法は、半導体素子製造業における使用に、益々よく適応するであろう。ウエハ上の窒化シリコンをエッチングする処理装置は、密封可能な処理チャンバと、ウエハを保持する処理チャンバ内の固定具と、処理チャンバの複数の噴霧用ノズルと、該ノズルに連結したリン酸源と、リン酸を加熱するヒータと、処理チャンバの外側にある複数の赤外線ランプを含み、赤外光を処理チャンバに放射するよう配置する赤外線放射組立体と、赤外線放射組立体を関連する冷却用組立体と、を備える。固定具をロータとしてもよい。処理チャンバは、ウエハを冷却するために、脱イオン水及び/又は窒素ガスをウエハに吹付けるノズルを有してもよい。赤外線放射組立体を、ウエハを室温から200°C超に60秒未満で加熱するよう適合してもよい。処理パラメータに応じて、窒化シリコンのエッチング速度を、毎分2,000オングストローム超としてもよく、窒化シリコンと酸化シリコンとのエッチング選択比を、200/1以上で達成してもよい。リン酸を事前に加熱するステップを使用した場合、リン酸を、処理チャンバに50°C~90°Cの温度で供給してもよい。特定の実施形態では、40ml、20ml、10ml又は5ml未満のリン酸を各ウエハに使用してもよい。加熱回数及び温度は変更してもよく、1実施形態として、ウエハを200°C以上の温度で60秒以内に加熱するものが挙げられる。50秒以下のドウェル時間を使用してもよい。"