"光学装置であって、試料にパルス光を照明する照明システムと、前記パルス光の発光タイミングを得るための発光タイミング生成部と、前記発光タイミングを使って、前記試料からの光を検出する検出システムと、を備えることを特徴とする光学装置。請求項1に記載の光学装置において、前記発光タイミング生成部による信号に遅延時間を与える波形生成部を有することを特徴とする光学装置。請求項1に記載の光学装置において、前記発光タイミング生成部による信号に持続時間を与える波形生成部を有することを特徴とする光学装置。請求項1に記載の光学装置において、前記照明システムは、EO変調部を有することを特徴とする光学装置。請求項1に記載の光学装置において、前記発光タイミング生成部は、前記照明システムの光路に配置された光電変換素子を有することを特徴とする光学装置。請求項1に記載の光学装置において、前記照明システムは、パルス光を発生する光源と、前記光源からのパルス光を2分割するビームスプリッタと、前記ビームスプリッタにより分割された2つのパルス光のそれぞれが通過する2つの光路と、前記2つの光路からのパルス光を、前記試料表面の2つの異なる領域に照射する照明レンズと、を有し、前記2つの光路の光路長は互いに異なり、前記試料表面の2つの異なる領域への前記パルス光の照明タイミングが互いに異なることを特徴とする光学装置。上記従来技術において、1つの方位角から照明を行うと、一般に図15に示すように、照明ビーム21は、照明領域と被検査物体移動ステージの主走査である回転動作の回転中心を結ぶ直線の方向に沿って半導体ウェハ上の照射領域に入射する。ここで、図16に示すように、その結晶方位が特定できる切り欠き部300を有する半導体ウェハ表面に固定した、x、y座標系を取るものとする。この半導体ウェハが回転移動させられて、固定方向からの照明ビーム21によって照明されるとき、半導体ウェハ上のA点では照明はx、y座標系のy軸に平行な方向から成されるが、B点では照明はx軸に平行な方向から成される。また、C点ではその中間のx軸y軸と45°を成す方向から照明が成される。もし、照明光により発生する散乱光の強度が、照明光の入射方向に依存する異方性を持つような異物や欠陥が半導体ウェハ表面上に付着している場合には、半導体ウェハ上のどの位置に異物等が付着しているかによって、散乱光強度が異なる。従って、検出感度に差が生じたり、散乱光強度に基づいて異物や欠陥の大きさを算出するときに誤差を生じてしまうことが予想される。また、表面の平坦度を非常に高めるよう研磨された半導体ウェハにおいては、その表面を構成する原子の配列段差に近いレベルの表面粗さが見られるが、このような配列段差は一般にその半導体ウェハの結晶方位と大きな相関を持って現れる。そのため、そのような半導体ウェハの同一位置を同一の仰角の、異なる方位角から照明すると、異なる強度の散乱光が発生する。即ち、そのような半導体ウェハが回転移動によって異なる方向からの照明光によって照明されると、半導体ウェハ全面で一様な表面粗さを有する場合であっても、被検査物体移動ステージの主走査回転に伴ってその回転角毎に異なる強度の散乱光が観測されてしまう。このことは実際の表面検査装置で頻繁に発生しており、半導体ウェハの表面粗さに由来する信号以下、これをヘイズ信号と呼ぶの半導体ウェハ上での強度分布は、例えば、図17に示すようになることが多い。図17中、ヘイズ信号が、a→b→c→d→e→f→gの順に大きいことを表している。このヘイズ信号の検出感度の異方性は、異物欠陥の検出感度にも影響を及ぼす。すなわち、異物欠陥からの散乱光を検出する際のノイズレベルは、一般に、表面粗さに由来する散乱光のゆらぎショットノイズに依存することが良く知られており、ヘイズ信号の高い部位では異物欠陥からの信号を検出する際のしきい値を大きくする必要が生じ、その結果として異物欠陥の検出感度が低下してしまう。本発明の目的は、半導体ウェハ表面や表面近傍に存在する異物や欠陥、またはその半導体ウェハの表面粗さに由来して発生する散乱光の強度が照明方向に依存する異方性を有する場合であっても、主走査方向の回転角に依存せずに均一な感度で異物や欠陥、または表面粗さの検査が可能な表面検査方法及び装置を実現することである。本発明の表面検査方法は、主走査が回転移動で副走査が並進移動を行う被検査物体移動ステージ上に搭載された被検査物体の表面に光ビームを照射し、上記被検査物体からの散乱回折反射された光を集光し、集光した光に基づいて上記被検査物体表面を検査する。そして、上記被検査物体の表面に対して、略同一の仰角で互いに異なる方位角から2つの光ビームを、上記被検査物体の表面の異なる2つの領域に照射し、上記2つの領域からの散乱回折反射された光を集光し、集光した光に基づいて上記被検査物体表面上又は表面近傍内部に存在する異物や欠陥の位置や大きさ又は上記被検査物体表面粗さを検出する。また、本発明の表面検査装置は、主走査が回転移動で副走査が並進移動を行う被検査物体移動ステージと、このステージ上に搭載された被検査物体の表面に光ビームを照射する手段と、上記被検査物体からの散乱回折反射された光を集光する手段と、集光した光に基づいて上記被検査物体表面を検査する検査手段とを有する。そして、上記被検査物体の表面に対して、略同一の仰角で互いに異なる方位角から2つの光ビームを、上記被検査物体の表面の異なる2つの領域に照射する光ビーム照射手段と、上記2つの領域からの散乱回折反射された光を集光する集光手段と、集光した光に基づいて上記被検査物体表面上又は表面近傍内部に存在する異物や欠陥の位置や大きさ又は上記被検査物体表面粗さを検出する検出手段とを備える。半導体ウェハ表面や表面近傍に存在する異物や欠陥、またはその半導体ウェハの表面粗さに由来して発生する散乱光の強度が照明方向に依存する異方性を有する場合であっても、主走査方向の回転角に依存せずに均一な感度で異物や欠陥、または表面粗さの検査が可能な表面検査方法及び装置を実現することができる。以下、本発明の実施形態を添付図面を参照して説明する。図1は、本発明の第1の実施形態である異物欠陥検査装置の概略構成図である。図1において、被検査物体である半導体ウェハ100はチャック101に真空吸着されており、このチャック101は、回転ステージ103と並進ステージ104とを備える被検査物体移動ステージ102及びZステージ105上に搭載されている。半導体ウェハ100の上方に配置されている照明検出光学系110は、図2、図3に示す光学系である。図2は光学系の平面図であり、図3は光学系の側面図である。図2、図3において、照明検出光学系110の、照明光の光源11には、紫外域の波長の光を時間的に繰返してパルス発振するパルスレーザを用いる。この光源11から出た光は、ビームスプリッタ12で2本の照明ビーム21、22に分けられる。照明ビーム21は偏向制御部111及び折り返しミラー112を介して照射レンズ18に到達し、この照射レンズ18の作用により、図4に示す照明スポット3を形成する。また、照明ビーム22は偏向制御部111及び折り返しミラー112を介して照射レンズ19に到達し、この照射レンズ19の作用により、図4に示す照明スポット4を形成する。照明スポット3、4は、被検査物体移動ステージ102の主走査方向に、互いに重ならないように調整されている。微小な異物や欠陥を高感度で検出するためには、照明ビームの被検査物体表面に対する仰角は、概略5°乃至25°程度の低い仰角、より望ましくは被検査物体を構成する材料に対するブリュースター角近辺とするのがよい。そこで、本発明の第1の実施形態では、両照明ビーム21、22を、共に概略、結晶Siに対するブリュースター角で、共に半導体ウェハ100の外周から内周へ向かう方向に沿って斜入射するように構成する。このため、照明スポット3、4は概略楕円形状をしている。ここで、照度が照明スポット中心部のeの2乗分の1eは自然対数の底に低下する輪郭線の内部を、あらためて照明スポットと定義することにする。図2に示すように、この照明スポットの長軸方向の幅をd1、短軸方向の幅をd2とする。照明スポット3および4は、互いに略等しいd1、d2を有し、略等しい照度で照明される。両照明ビーム21、22の偏光状態は偏光制御部111により照明スポット3、4に入射する段階で、共にP偏光または共にs偏光または共に円偏光または共に概略等しい楕円率を有する楕円偏光となるように制御される。図2に示すように、半導体ウェハ100に照射される照明ビーム21の方位角は、被検査物体移動ステージ102の主走査回転中心と照明スポット3及び4の長軸方向の延長線の交点とを結ぶ線分に対して概略45°の角度61を成す。また、半導体ウェハ100に照射される照明ビーム22の方位角は、照明ビーム21の方位角に対して概略90°の角度62を成す。このことから、照明スポット3及び4の長軸は互いに略90°の角度を成す。この配置により、被検査物体移動ステージ102の主走査回転に伴って照明スポット3が半導体ウェハ100の表面上で描く軌跡と、照明スポット4が描く軌跡とは、被検査物体移動ステージ102の半径方向において概略重なる。図3に示す集光レンズ5は、レーリー散乱に従うような微小な異物に対して効率良くその散乱光を捕捉できるよう、低い仰角で散乱回折反射光を集光できる構成となっている。この構成において、異物1は第1の照明スポット3を通過後、第2の照明スポット4を通過するので、光検出器7からは散乱回折反射光信号が2回得られる。なお、本発明の第1の実施形態では、光検出器7として光電子増倍管を用いるが、異物からの散乱回折反射光を高感度に検出できる光検出器であれば他の検出原理の光検出器であっても良い。光検出器7からの散乱回折反射光信号は、増幅器26で増幅された後、A/D変換器30で予め定められたサンプリング間隔dT毎にサンプリングされ、デジタルデータに変換される。サンプリング間隔dTは、異物1が照明スポット3を通過後、照明スポット4を通過するまでの時間間隔に対し、十分小さくなるように設定してある。サンプリング間隔dTごとのデジタルデータは異物欠陥判定機構108で予め定められた検出しきい値と比較され、デジタルデータが閾値以上であれば異物欠陥判定機構108はこのデジタルデータが異物欠陥よるものだと判定して、異物欠陥判定情報を発生する。なお、この異物欠陥判定は、A/D変換器30から得られるデジタルデータを予め定められた閾値と比較して異物欠陥の存在を判定する代わりに、増幅器26からの出力電気信号を予め定められた閾値電圧と比較して判定するようにしても良い。予め定められた閾値をノイズレベルに対して適切に設定すれば、異物1が照明スポット3の通過時と照明スポット4の通過時に2回発生する散乱回折反射光信号を、正しくデジタルデータ群として捉えることができる。異物欠陥座標検出機構130は、異物欠陥判定情報が発生すると、被検査物体移動ステージ102が発生する、主走査並びに副走査の現在位置の情報から、異物欠陥の主走査方向並びに副走査方向の座標位置r,θを算出する。このとき、異物欠陥座標検出機構130は、2回発生する散乱回折反射光信号のデジタルデータ群を用いることにより、座標位置r,θのうちr座標を更に高精度で算出する。具体的には、2回発生する散乱回折反射光信号間の時間間隔を算出し、時間間隔から異物1が各照明スポット3、4内のどの半径位置を通過したかを算出する。これは、図4に示す配置の場合、半導体ウェーハ100表面上の異物1が照明スポット3を通過後に照明スポット4を通過するまでの時間は、異物1が主走査の回転軸寄りである場合には、より短く、主走査の回転軸から隔たっている場合にはより長くなる、というように、異物1が各照明スポット3、4内のどの半径位置を通過したかが時間間隔に比例することを利用したものである。このとき、上記時間間隔が取り得る値の最小値及び最大値は、異物1が照明スポット3、4を通過するときの線速度によって決まる。被検査物体移動ステージ102を主走査と副走査の協調制御により線速度一定で走査する場合には、最小値および最大値は走査中の半径位置に依らず一定値であるが、回転速度一定で走査する場合には、走査中の半径位置により異なる。そのため、異物欠陥座標検出機構130は、上記時間間隔から異物1が各照明スポット3、4内のどの半径位置を通過したかを算出する際には、被検査物体移動ステージ102が発生する副走査r方向の現在位置の情報も用いる。ここで、異物や欠陥の位置座標を高い精度で求めるには、隣り合う2周分の主走査間の副走査移動量を小さくし、主走査の各走査軌跡が一定の割合で重なり合うようにして得た複数周のデータから異物欠陥の座標を求めることが考えられる。しかし、本発明の第1の実施形態では上記のように、ただ1周分の主走査データのみを用いて異物欠陥の座標を高精度に求めることが可能であり、主走査の各走査軌跡が一定の割合で重なり合うようにする必要はなく、隣り合う2周分の主走査間の副走査移動量を大きくすることができるため、検査速度を向上できるという利点を有する。また、本発明の第1の実施形態で異物1の照明スポット内通過位置を求める精度は、照明スポット内の照度分布の形状に依らないので、異物や欠陥の検出感度を一定に保つ上でより有利なように、照明スポット内で概略一定の照度分布とすることも可能である。検出された異物欠陥の座標位置が求まると、続いて粒径算出機構120はデシタルデータ群から、検出された異物欠陥の大きさを算出する。具体的には、異物1が照明スポット3の通過時と照明スポット4の通過時に2回発生する散乱回折反射光信号の和に相当する信号をデジタルデータ群から算出して、総散乱回折反射光信号とし、総散乱回折反射光信号の強度を異物1の大きさに換算する。このように、本発明の第1の実施形態によれば、略等しい仰角を有し、互いに略直交する2つの方位角からの2つの照明ビーム21、22によって被検査物体表面を照明し、その両照明光による散乱回折反射光の和を検出すると、被検査物体自身またはそこに存在する異物や欠陥が照明方向に関して有する異方性の影響を解消もしくは軽減することが可能となる。なお、上述した例では、異物や欠陥の検出について説明したが、被検査対象の半導体ウェハ100の表面粗さを計測する場合にも同様の効果が得られることは明白である。また、上記例では、光源11を紫外域の波長の光を時間的に繰返してパルス発振するパルスレーザとしたが、紫外域以外の波長のレーザでもよく、また連続発振するレーザを光源に用いた場合でも、上記技術はそのまま適用することができる。また、1つのレーザ光源から発生した光を2つに分岐して2つの照明ビームとしているが、略発振波長の等しい2台の別々のレーザ光源を用いて2つの照明ビームを発生するようにしてもよい。同様に、2つの照明ビームが半導体ウェハ100表面を照明する方向は、共に概略外周から内周に向かう方向としたが、共に概略内周から外周に向かう方向からであっても上記技術はそのまま適用することができる。斜方照明では一般的に、照明ビームと被照明表面との高さ関係が変化した時に、照明スポット位置が変位してしまう現象を生じる。しかし、2つの照明ビームの照射方向を共に略外周から内周に向かう方向または共に略内周から外周に向かう方向とすることにより、このような場合に2つの照明スポット3、4は半導体ウェハ100の表面上で半径方向の同じ向きに同じ距離だけ移動するので、被検査物体移動ステージ102の主走査回転に伴って照明スポット3が半導体ウェハ100の表面上で描く軌跡と、照明スポット4が描く軌跡は被検査物体移動ステージ102の半径方向において略重なるという関係は崩れることなく保たれるという利点が得られる。上述した、本発明の第1の実施形態では、散乱回折反射光の検出方向を一つとしたが、複数の仰角と複数の方位角とを組合わせた複数の方向の各方向に配置して複数の方位から散乱回折反射光を検出するよう構成することもできる。図5、図6は、本発明の第2の実施形態の検出光学系の説明図であり、複数の仰角と複数の方位角とを組合わせた複数の方向の各方向に配置して複数の方位から散乱回折反射光を検出する例である。なお、図5は検出光学系の平面図、図6は検出光学系の側面図である。本発明の第2の実施形態における照明光学系は、第1の実施形態と同等であるで説明は省略する。本発明の第2実施形態における散乱回折反射光検出系は、略等しい第1の仰角を有し、被検査物体移動ステージ102の主走査回転軸に関して相互に異なり、互いに概略90°ずつ隔たった4つの方位角から散乱回折反射光を検出する集光する4個の集光素子71を含む第1仰角検出系70と、第1の仰角より大きく、略等しい第2の仰角を有し、被検査物体移動ステージ102の主走査回転軸に関して相互に異なり、互いに概略90°ずつ隔たった4つの方位角から散乱回折反射光を検出する集光する4個の集光素子81を含む第2仰角検出系80を備える。8個の各集光素子71、81はレンズから成る。本発明の第2の実施形態における照明光は、第1の実施例と同等であり、2本の照明ビームが低い仰角から半導体ウェハ100表面に照射される。これら2本の照明ビームの方位角は互いに略直交する関係にあるため、それらの正反射光もまた略直交する。このため、2本の照明ビームと2本の正反射光の併せて4本の光ビームが互いに概略90°ずつを成す関係で存在している。各集光素子71、81、特に第1仰角検出系の各集光素子71は、これら4本の光ビームと機械的配置として干渉する恐れがある。そこで、本発明の第2の実施形態では、これら各集光素子71、81を、4本の光ビームの光路を避けて配置してある。具体的には、図5に示すように、同一仰角に属する4個の集光素子の各光軸を、照明ビーム21を基準にしてその前方右側45°、前方左側45°、後方右側45°、および後方左側45°の4方向となるように配置する。このように配置することにより、2本の照明ビームとそれらによる2本の正反射光の光路と干渉することなく、効率的に散乱回折反射光を検出することが可能となる。このとき、より高い仰角位置にある第2仰角検出系80において、4本の光ビームの光路と干渉する恐れがない場合には、図7に示すように、第1仰角検出系70のみを4本の光ビームの光路を避ける配置とすることもできる。上記第2の実施形態では、散乱回折反射光検出系の各集光素子をレンズから成るとしたが、これらを凹面鏡とすることも可能である。集光素子に凹面鏡を用いる場合には、上記と同様に凹面鏡の各光軸を4本の光ビームの光路を避けた配置とすることももちろん可能であるが、図8、9に示すように、同一仰角に属する4個の集光素子71の各光軸を、照明ビーム21を基準にしてその概略前方、左側方、右側方、および後方の4方向となるように配置することも可能である。このとき、各鏡面は2本の照明ビームとそれらによる2本の正反射光の光路と干渉するが、各鏡面にこれらの光ビームが貫通するよう貫通穴を設けることで、光学的な干渉を避けることができる。以上のように、本発明の第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様な効果を得ることができる他、一つの異物欠陥に対して異なる2つの仰角から測定した2つの散乱回折反射光信号が得られるので、異物欠陥判定機構108は、第1および第2の合成散乱回折反射光信号を比較することにより、検出した異物欠陥の種別、例えば、半導体ウェハ100表面の付着異物か、半導体ウェハ100内部の結晶欠陥かを判別し、分類することができる。次に、本発明の第3の実施形態を説明する。図10は、本発明の第3の実施形態である表面検査装置の概略構成図である。なお、本発明の第1又は第2の実施形態と共通の部分については説明を省略する。図10において、光源11は時間的に繰返してパルス発振するパルスレーザを発生し、パルス発振の時間間隔は、異物1が主走査により照明スポット内を通過する時間内に複数回の発光が含まれるような時間間隔となっている。光源11から出た光は、ビームスプリッタ12で2本の照明ビーム21、22に分けられる。照明ビーム21は照射レンズ18の作用により図4に示す照明スポット3を形成し、照明ビーム22は照射レンズ19の作用により照明スポット4を形成する。照明ビーム22は、照明ビーム21に比べて遅延して、ウェハ100に照射されるように、より長い光路長の光路が構成されている。この光路長の差は、遅延時間が光源11のパルス発振間隔の1/10乃至1/2の時間に相当するように構成されている。照明ビーム21、22の光路には、各々のレーザ光の発光開始タイミングを信号として取り出すための発光開始タイミング信号生成手段として、照明ビーム21、22の一部を取り出すためのビームスプリッタ14、15と、その一部取り出した光の時間変化波形を電気信号に変換するフォトダイオード16、17とが設けてある。2つの照明スポット3、4の間の発光時刻差を正しく検出するために、2つのフォトダイオード16、17は、照明スポット3、4側から照明ビーム21、22の光路を逆にたどった時に等距離となる位置に配置してある。これらのフォトダイオード16、17から得られる発光タイミング信号は、例えば、図11のA、Bに示すような波形となる。各照明ビームによって形成される照明スポットの特性は第1の実施形態と同等である。異物1は、第1の照明スポット3を通過後、第2の照明スポット4を通過し、光検出器7からは散乱回折反射光信号が2回得られる図11のC、D。ただし、光源11がパルスレーザであるので、光検出器7の時間応答速度が十分に速ければ光電子増倍管ではこの仮定は十分現実的である、各照明スポット3、4を通過中に発生する散乱回折反射光信号の時間強度変化は連続波形ではなく、図11に示すように、光源11のパルス発振に対応した離散的な波形となる。図11のC、Dから分かるように、厳密には、照明光は第1の照明スポット3と第2の照明スポット4に同時刻には照射されていないため、第1の照明スポット3からの第2の散乱回折反射光と、照明スポット4からの散乱回折反射光とは同時刻には発生していない。本発明の第3の実施形態では、先の発光タイミング信号生成手段14、15、16、17により、各照明スポット3、4に実際に照明光が照射されている時刻時間を正確に知ることができる。そこで、この発光タイミング信号を用いて、図11のEに示す、光検出器7からの出力信号を分離すれば、1つの光検出器7のみを用いて、複数の照明スポット3、4からの散乱回折反射光信号を分離して検出することが可能となる。具体的には、光検出器7の出力信号は、図13に示す構成の分離回路で処理される。すなわち、光検出器7の出力信号は前置増幅器25で増幅された後、2個のゲート回路27a、27bに分配される。各ゲート回路の27a、27bのオンオフは、フォトダイオード16、17からの発光タイミング信号に従って制御される。図12のEに示すように、一般に、光検出器7の出力信号は、照明光21、22の発光タイミングに対して遅れて立上がり、かつ周波数応答速度がパルスレーザの発光持続時間例えば15ps程度に比べて遅いために光検出器7の出力信号のパルス幅は照明光3、4の発光持続時間より長くなる。そこで、フォトダイオード16、17からの発光タイミング信号に所定の遅延時間とパルス持続時間を与えるため、波形整形器28を設ける。波形整形器28からの出力信号は、例えば、図12のC、Dに示すような波形となる。この波形整形器28からのゲート信号によってゲート回路27a、27bをオンオフすることにより、前置増幅器25の出力信号から、図12のF、Gに示す各照明スポット3、4に対応した散乱回折反射光信号が分離される。分離された各散乱回折反射光信号は、その後、さらに増幅器26a、26bで増幅される。このように、図13に示した分離回路を用いることにより、1つの光検出器7の出力信号から、複数の照明スポット3、4に対応する散乱回折反射光信号を分離して検出でき、かつ分離された個々の散乱回折反射光信号は、対応していない側の照明スポット3、4の背景光の影響を受けることがない。本発明の第1の実施形態と同様に、2回の散乱回折反射光信号の和を算出して、総散乱回折反射光信号とする場合、総散乱回折反射光信号の大きさは照明スポットを1つだけ用いる場合の散乱回折反射光信号の2倍となる。また、分離された個々の散乱回折反射光信号は各々照明スポット1個分からの背景散乱光の影響しか受けていないため、個々の散乱回折反射光信号に含まれる雑音は照明スポットを1つだけ用いる場合と同等であり、2回の散乱回折反射光信号の和を取った結果に含まれる雑音の大きさは、2の平方根倍となる。その結果、S/N比は、総散乱回折反射光信号が2倍で雑音が2の平方根倍なので、2の平方根倍に改善される。このように、本発明の第3の実施形態による表面検査装置では、第1または第2の実施形態で得られる効果に加え、検出感度を向上させられるという効果が得られる。本発明の第3の実施形態では、2つの照明ビーム21、22の発光タイミングを各照明ビーム21、2の光路上で光学的にモニタしているが、これは、図14に示すように、2つの照明スポット3、4からの正反射光の一部をフォトダイオード16で光学的にモニタするように構成しても良い。また、パルスレーザ源11から出力される発光同期信号、もしくは、パルスレーザ源11の制御のために外部からパルスレーザ源11に与えられる発光制御信号を元にして生成するようにしても良い。この場合は、第1の照明スポット3に対して遅れた発光タイミングを有する第2の照明スポット4の遅延時間は、両者の光路長の差から予め計算により求めておけば良い。また、照明ビーム21と22との光路長を互いに変えることで2つの照明ビーム21、22間に遅延時間を与える代わりに、光源11のパルスレーザから出た光ビームを、カー効果等を利用したEO変調器に通すことで、パルス発光タイミングの異なる2つの光ビームに分離する技術を用いることもできる。一般に、EO変調器に連続発振するレーザ光を入射し、適当な周波数の信号で変調させると、2系等ある出力ビームのうち一方からは入射ビームを上記適当な周波数で強度変調した第1の出力ビームが得られ、他方からは第1の出力ビームと位相が反転、すなわち第1の出力ビームと強弱が逆転した出力ビームが得られる。このようなEO変調器にレーザ光源11からのパルス発振する光ビームを入射させ、EO変調器を光源11の繰返し発振周波数に同期し、かつ適切な位相差を与えてて変調させると、EO変調器の2系統ある出力からは、元のパルス発振間隔が2倍、すなわち発振周波数が1/2に間引きされた2つの出力ビームが得られる。そして、これら2系統の出力ビームの発振タイミングは互いに元の入射ビームの発振間隔分だけずれているので、光路長を変えることで2つの照明ビーム間に遅延時間を与える技術の代わりに用いることができる。以上のように、本発明によれば、被検査物体表面を方位角が互いに90°異なる2方向から照明してその両照明光による散乱回折反射光を検出することにより、被検査物体自身またはそこに存在する異物や欠陥が照明方向に関して有する異方性の影響を解消もしくは軽減することができるので、主走査方向の回転角に依存せずに略均一な感度で前記異物や欠陥、または表面粗さの検査を行うことが可能になる。"