"p型GaN半導体層上に積層され、p型熱電酸化物を形成できるNi系合金または固溶体を含む第1電極層と、前記第1電極層上に積層され、Au、Pd、Pt、Ru、Re、Sc、Mg、Zn、V、Hf、Ta、Rh、Ir、W、Ti、Ag、Cr、Mo、Nb、Ca、Na、Sb、Li、In、Sn、Al、Ni、CuおよびCoのうちから選択された少なくとも一つを含む第2電極層と、を含むことを特徴とするp型GaN半導体のオーム接触形成のための薄膜電極。前記Ni系合金または固溶体Ni-X1はNiを母体とし、前記X1元素はNa、V、Ca、K、Cs、Ag、SrおよびBaよりなる群のうちから選択された何れか一つを含むことを特徴とする請求項1に記載のp型GaN半導体のオーム接触形成のための薄膜電極。前記X1元素の添加率は1~99原子であることを特徴とする請求項2に記載のp型GaN半導体のオーム接触形成のための薄膜電極。前記第1電極層および前記第2電極層の厚さはそれぞれ1~10,000Åおよび1~50,000Åであることを特徴とする請求項1に記載のp型GaN半導体のオーム接触形成のための薄膜電極。前記p型GaN半導体層と前記第1電極層との間にNi、Au、Pd、Pt、Rh、Re、RuおよびIrのうちから選択された何れか一つよりなる純金属層がさらに備わったことを特徴とする請求項1に記載のp型GaN半導体のオーム接触形成のための薄膜電極。前記純金属層の厚さは、1~1,000Åであることを特徴とする請求項5に記載のp型GaN半導体のオーム接触形成のための薄膜電極。前記p型GaN半導体層は、AlxInyGazN0<x,y,z<1,xyz=1よりなることを特徴とする請求項1または5に記載のp型GaN半導体のオーム接触形成のための薄膜電極。p型GaN半導体層上に積層され、p型熱電酸化物を形成できるCu系合金または固溶体より構成された第1電極層と、前記第1電極層上に積層され、Au、Pd、Pt、Ru、Re、Sc、Mg、Zn、V、Hf、Ta、Rh、Ir、W、Ti、Ag、Cr、Mo、Nb、Ca、Na、Sb、Li、In、Sn、Al、Ni、CuおよびCoよりなる群のうちから選択された少なくとも一つを含む第2電極層と、を含むことを特徴とするp型GaN半導体のオーム接触形成のための薄膜電極。前記Cu系合金または固溶体Cu-X2はCuを母体とし、前記X2成分として元素周期律表上で1族元素、2族元素、3族元素およびZn、Pd、Ag、Rh、Re、Pt、Co、Ru、Ir、Zr、VおよびTiのうちから選択された何れか一つを含むことを特徴とする請求項8に記載のp型GaN半導体のオーム接触形成のための薄膜電極。前記X2元素の添加率は1~99原子であることを特徴とする請求項9に記載のp型GaN半導体のオーム接触形成のための薄膜電極。前記第1電極層および前記第2電極層の厚さは、それぞれ1~10,000Åおよび1~50,000Åであることを特徴とする請求項8に記載のp型GaN半導体のオーム接触形成のための薄膜電極。前記1族元素は、Li、Na、K、CsおよびRbのうちから選択された何れか一つ、前記2族元素はBe、Mg、Ca、SrおよびBaのうちから選択された何れか一つ、前記3族元素はScおよびLa系列のうちから選択された何れか一つであることを特徴とする請求項9に記載のp型GaN半導体のオーム接触形成のための薄膜電極。前記p型GaN半導体層と前記第1電極層との間にNi、Au、Pd、Pt、Rh、Re、RuおよびIrのうちから選択された何れか一つよりなる純金属層がさらに備わったことを特徴とする請求項8に記載のp型GaN半導体のオーム接触形成のための薄膜電極。前記純金属層の厚さは1~1,000Åであることを特徴とする請求項13に記載のp型GaN半導体のオーム接触形成のための薄膜電極。前記p型GaN半導体層は、AlxInyGazN0<x,y,z<1,xyz=1よりなることを特徴とする請求項8または13に記載のp型GaN半導体のオーム接触形成のための薄膜電極。p型GaN半導体層上に積層され、p型熱電酸化物を形成できるCo系合金または固溶体より構成された第1電極層と、前記第1電極層上に積層され、Au、Pd、Pt、Ru、Re、Sc、Mg、Zn、V、Hf、Ta、Rh、Ir、W、Ti、Ag、Cr、Mo、Nb、Ca、Na、Sb、Li、In、Sn、Al、Ni、CuおよびCoよりなる群のうちから選択された少なくとも一つを含む第2電極層と、を含むことを特徴とするp型GaN半導体のオーム接触形成のための薄膜電極。前記Co系合金または固溶体Co-X3はCoを母体とし、前記X3成分として元素周期律表上で1族元素、2族元素、3族元素、Zn、Pd、Ag、Rh、Re、Pt、Co、Ru、Ir、Zr、VおよびTiよりなる群のうちから選択された何れか一つを含むことを特徴とする請求項16に記載のp型GaN半導体のオーム接触形成のための薄膜電極。前記X3元素の添加率は1~99原子であることを特徴とする請求項17に記載のp型GaN半導体のオーム接触形成のための薄膜電極。前記第1電極層および前記第2電極層の厚さは、それぞれ1~10,000Åおよび1~50,000Åであることを特徴とする請求項16に記載のp型GaN半導体のオーム接触形成のための薄膜電極。前記1族元素はLi、Na、K、CsおよびRbよりなる群のうちから選択された何れか一つを、前記2族元素はBe、Mg、Ca、SrおよびBaよりなる群のうちから選択された何れか一つを、前記3族元素はScおよびLa系列よりなる群のうちから選択された何れか一つであることを特徴とする請求項17に記載のp型GaN半導体のオーム接触形成のための薄膜電極。前記p型GaN半導体層と前記第1電極層との間にNi、Au、Pd、Pt、Rh、Re、RuおよびIrよりなる群のうちから選択された何れか一つよりなる純金属層がさらに備わったことを特徴とする請求項16に記載のp型GaN半導体のオーム接触形成のための薄膜電極。前記純金属層の厚さは1~1,000Åであることを特徴とする請求項21に記載のp型GaN半導体のオーム接触形成のための薄膜電極。前記p型GaN半導体層は、AlxInyGazN0<x,y,z<1,xyz=1よりなることを特徴とする請求項16および21に記載のp型GaN半導体のオーム接触形成のための薄膜電極。p型GaN半導体層上に積層され、p型熱電酸化物を形成できるAl、GaおよびInよりなる群のうちから選択された少なくとも一つの成分がドーピングされたNi酸化物より構成された第1電極層と、前記第1電極層上に積層され、Au、Pd、Pt、Ru、Re、Sc、Mg、Zn、V、Hf、Ta、Rh、Ir、W、Ti、Ag、Cr、Mo、Nb、Ca、Na、Sb、Li、In、Sn、Al、Ni、CuおよびCoよりなる群のうちから選択された少なくとも一つを含む第2電極層と、を含むことを特徴とするp型GaN半導体のオーム接触形成のための薄膜電極。前記Ni酸化物は、0.1~5.1原子の範囲内にドーピングされることを特徴とする請求項24に記載のp型GaN半導体のオーム接触形成のための薄膜電極。前記p型GaN半導体層と前記第1電極層との間にNi、Au、Pd、Pt、Rh、Re、RuおよびIrよりなる群のうちから選択された何れか一つよりなる純金属層がさらに備わったことを特徴とする請求項24に記載のp型GaN半導体のオーム接触形成のための薄膜電極。前記純金属層の厚さは1~1,000Åであることを特徴とする請求項26に記載のp型GaN半導体のオーム接触形成のための薄膜電極。前記p型GaN半導体層はAlxInyGazN0<x,y,z<1,xyz=1よりなることを特徴とする請求項24または26に記載のp型GaN半導体のオーム接触形成のための薄膜電極。p型GaN半導体層上の不純物を除去する第1段階と、前記不純物が除去された前記p型GaN半導体層上に合金または固溶体を蒸着させる第2段階と、前記固溶体が蒸着された結果物を熱処理する第3段階と、を含むことを特徴とする発光素子用薄膜電極の製造方法。前記第2段階で、前記固溶体は2×10-6~5×10-8Torrの圧力下で蒸着させることを特徴とする請求項29に記載の発光素子用薄膜電極の製造方法。前記第3段階で、前記熱処理は空気、酸素または窒素雰囲気下で250~800°Cの温度で30秒~1時間実施することを特徴とする請求項29に記載の発光素子用薄膜電極の製造方法。前記p型GaN半導体層上の不純物を除去する第1段階と、前記不純物が除去された前記p型GaN半導体層上にNiLa、NiCa、NiLaO3、NiCaO2、PdCoO2、NamCoO20≦m<1、NaCo2O4およびLa2CuO4のうちから選択された何れか一つを積層させる第2段階と、前記第2段階を経た結果物を熱処理する第3段階と、を含むオーム接触形成を利用した発光素子用薄膜電極の製造方法。前記第2段階で、前記NiLa、NiCa、NiLaO3、NiCaO2、PdCoO2、NamCoO20≦m<1、NaCo2O4およびLa2CuO4のうち選択された何れか一つは2×10-6~5×10-8Torrの圧力下で蒸着させることを特徴とする請求項32に記載の発光素子用薄膜電極の製造方法。前記第3段階で、前記熱処理は空気、酸素または窒素雰囲気下で250~800°Cの温度で30秒~1時間実施することを特徴とする請求項32に記載の発光素子用薄膜電極の製造方法。本発明の目的は、前記問題点を改善するためのものであって、p型熱電酸化物の薄膜P-typeThermoElectricOxideThinFilm:PTEを形成する合金または固溶体の優れた水素親和力を利用することによってMg-H結合を破壊して、GaN半導体の表面部位での実効キャリア濃度を高め、前記p型熱電酸化物の大きい仕事関数と短波長領域での高透過度とを利用して高品位オーム接触を形成できる薄膜電極を提供することである。本発明が解決しようとする他の目的は、前記薄膜電極の製造方法を提供することである。前記目的を達成するために本発明は、p型GaN半導体層上に積層されたPTEを形成するNi系合金または固溶体Ni-X1を含む第1電極層と前記第1電極層上に積層され、Au、Pd、Pt、Ru、Re、Sc、Mg、Zn、V、Hf、Ta、Rh、Ir、W、Ti、Ag、Cr、Mo、Nb、Ca、Na、Sb、Li、In、Sn、Al、Ni、CuおよびCoのうちから選択された少なくとも一つを含む第2電極層とを含むことを特徴とするp型GaN半導体のオーム接触形成のための薄膜電極を提供する。本発明で、PTEを形成するNi系合金または固溶体Ni-X1はNiを母体とし、前記X1元素は元素周期律表上のNa、V、Ca、K、Cs、Ag、SrおよびBa群のうちから選択された何れか一つを含みうる。本発明で、PTEを形成するNi系合金またはNi-X1を構成するX1元素の添加率は1~99原子でありうる。前記目的を達成するために本発明はまた、p型GaN半導体層上に積層されたPTEを形成するCu系合金またはCu-X2より構成された第1電極層と前記第1電極層上に積層され、Au、Pd、Pt、Ru、Re、Sc、Mg、Zn、V、Hf、Ta、Rh、Ir、W、Ti、Ag、Cr、Mo、Nb、Ca、Na、Sb、Li、In、Sn、Al、Ni、CuおよびCoよりなる群のうちから選択される少なくとも一つを含む第2電極層とを含むオーム接触用薄膜電極を提供する。前記PTEを形成するCu系合金または固溶体Cu-X2はCuを母体とし、X2成分として元素周期律表上で1族元素、2族元素、3族元素、Zn、Pd、Ag、Rh、Re、Pt、Co、Ru、Ir、Zr、VおよびTiのうちから選択された何れか一つを含みうる。前記Cu系合金または固溶体Cu-X2を構成するX2元素の添加率は1~99原子でありうる。前記目的を達成するために本発明はまた、p型GaN半導体層上に積層されたPTEを形成するCo系合金または固溶体Co-X3より構成された第1電極層と前記第1電極層上に積層され、Au、Pd、Pt、Ru、Re、Sc、Mg、Zn、V、Hf、Ta、Rh、Ir、W、Ti、Ag、Cr、Mo、Nb、Ca、Na、Sb、Li、In、Sn、Al、Ni、CuおよびCo群のうちから選択された少なくとも一つを含む第2電極層とを含むオーム接触用薄膜電極を提供する。この時、前記PTEを形成するCo系合金または固溶体Co-X3はCoを母体とし、X成分として元素周期律表上で1族元素、2族元素、3族元素、Zn、Pd、Ag、Rh、Re、Pt、Co、Ru、Ir、Zr、VおよびTiよりなる群のうちから選択された何れか一つを含みうる。前記Co系合金または固溶体Co-X3を構成するX3元素の添加率は1~99原子でありうる。前記目的を達成するために本発明はまた、p型GaN半導体層上に積層されたPTEを形成するX3成分がドーピングされたNiOより構成された第1電極層と前記第1電極層上に積層され、Au、Pd、Pt、Ru、Re、Sc、Mg、Zn、V、Hf、Ta、Rh、Ir、W、Ti、Ag、Cr、Mo、Nb、Ca、Na、Sb、Li、In、Sn、Al、Ni、CuおよびCoよりなる群のうちから選択された何れか一つを含む第2電極層とを含むことを特徴とするオーム接触用薄膜電極を提供する。この時、前記PTEを形成するドーピングされたNiOは、Al、Ga、およびInのうち選択された少なくとも何れか一つの成分がドーピングされており、原子量0.1~5.1範囲内にドーピングしうる。前記第1および第2電極層の厚さはそれぞれ1~10,000Åおよび1~50,000Åでありうる。前記1族元素はLi、Na、K、Cs、Rbのうちから選択された何れか一つを含み、2族元素はBe、Mg、Ca、Sr、Baのうちから選択された何れか一つを含み、3族元素はSc、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、YbおよびLuのうちから選択された何れか一つを含みうる。前記p型GaN半導体層と前記PTEを形成する第1電極層間にNi、Au、Pd、Pt、Rh、Re、RuおよびIrのうちから選択された何れか一つよりなる純金属層をさらに含みうる。前記純金属層は1~1,000Åの厚さに形成しうる。前記p型GaN半導体層はAlxInyGazN0<x,y,z<1,xyz=1よりなりうる。前記他の目的を達成するために本発明は、p型GaN半導体層上に発光素子用薄膜電極を製造する方法において、前記p型GaN半導体層上で不純物を除去する段階と前記不純物が除去されたp型GaN半導体層上に2×10-6~5×10-8Torr2.666×10-4~6.665×10-6Paの圧力下で固溶体を蒸着させる段階および前記蒸着後に250~800°Cの温度で空気、酸素または窒素雰囲気下で30秒~1時間熱処理する段階を含む発光素子LEDおよびLD用薄膜電極の製造方法を提供する。前記他の目的を達成するために本発明はまた、p型GaN半導体層上に発光素子用薄膜電極を製造するにおいて、前記p型GaN半導体層上で炭素および酸素層のような不純物を除去する段階、2×10-6~5×10-8Torr2.666×10-4~6.665×10-6Paの圧力下でNiLa、NiCa、NiLaO3、NiCaO2、PdCoO2、NamCoO20≦m<1、NaCo2O4およびLa2CuO4のうち選択された何れか一つを前記p型GaN半導体層上に積層させる段階および前記蒸着後に250~800°Cの温度で空気、酸素または窒素雰囲気下で30秒~1時間熱処理する段階を含むことを特徴とする発光素子用薄膜電極の製造方法を提供する。前記他の目的を達成するために本発明はまた、p型GaN半導体層上に発光素子用薄膜電極を製造するにおいて、合金または固溶体を蒸着する前に前記p型GaN半導体層上で炭素および酸素層のような不純物を除去する段階、電子線金属蒸着器、スパッタリング装置、およびパルスレーザー蒸着器PLD:PulseLaserDepositorのうち何れか一つを利用して2×10-6~5×10-8Torr2.666×10-4~6.665×10-6Paの圧力下で合金または固溶体を蒸着させる段階および前記蒸着後に250~800°Cの温度で空気、酸素または窒素雰囲気下で合金または固溶体が蒸着された結果物を30秒~1時間熱処理する段階を含むことを特徴とする発光素子用薄膜電極の製造方法を提供する。本発明を利用すれば、p型熱電酸化物の優秀な電気伝導性および熱的安定性を利用して従来の一般金属電極を代替できる。そして、p型熱電酸化物の主要母体金属であって、熱力学的にGaN関連化合物を形成するのに有利なNi、Co、およびCuなどを使用してp型GaN半導体の表面に多量のGa空孔を生成することもある。本発明によるp型熱電酸化物の薄膜は、オーム接触形成時に、低い比接触抵抗、優秀な電流-電圧特性、良好な表面状態および高い透明性などの優秀な電気的、光学的特性が期待されるので、今後GaNを用いたLEDおよびLDの電気的、光学的効率が高まって良質のLEDおよびLDの開発に利用されうる。本発明の第一は、p型GaN層上に積層され、p型熱電酸化物を形成できる合金または固溶体を含む第1電極層と、第1電極層上に積層された第2電極層とを含むことを特徴とするp型GaN半導体のオーミックコンタクトのための薄膜電極である。以下、添付した図面を参照して本発明をさらに詳細に説明する。図1は、本発明の第1実施の形態による薄膜電極を含む積層物を示す。図1を参照すれば、薄膜電極を含む積層物は、基板層1上にp型GaN半導体層2、第1電極層4および第2電極層5が順次に積層されている。基板層1は特に限定されないが、サファイア、SiN、GaNまたはGaAsなどを用いることが好ましい。p型GaN半導体層2としてはAlxInyGazN0<xyz<1,xyz=1を用いることが好ましい。第1電極層4は、p型熱電酸化物の薄膜を形成する合金または固溶体を含むp型GaN半導体のオーム接触を形成するための電極である。前記合金または固溶体は、前記p型GaN半導体内のMg-H結合を破壊し易く、Gaと化合物を形成するだけでなく、熱処理時に大きい仕事関数を有するp型熱電透明伝導性酸化物に変化することが望ましい。第1電極層4の厚さは1~10,000Åが好ましく、より好ましくは1~4,000Åである。また、100Å以上の厚さでも高い光の透過度を有する物質であることが望ましい。前記合金または固溶体として、Ni-X1、Cu-X2もしくはCo-X3またはNi-Al、Ni-GaもしくはNi-Inの酸化物が好ましい。前記X1として、Na、V、Ca、K、Cs、Ag、SrまたはBaが好ましい。前記X2および前記X3として、Li、Na、K、Cs、Rb、Fr,Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Zn、Pd、Ag、Rh、Re、Pt、Co、Ru、Ir、Zr、VまたはTiが好ましく、より好ましくは、Li、Na、K、Cs、Rb、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Zn、Pd、Ag、Rh、Re、Pt、Co、Ru、Ir、Zr、VまたはTiである。X1、X2またはX3の添加率は1~99原子が好ましい。Ni-Al、Ni-GaまたはNi-Inの酸化物としては、Ni-Al-O、Ni-Ga-OまたはNi-In-Oなどが好ましい。また、Niは0.1~49原子の範囲内でドーピングされることが好ましく、より好ましくは0.1~5.1原子である。p型熱電酸化物としては、SrCu2O2、ZnRh2O4、CuGaO2、PdCoO2、NamCoO20≦m<1、NaCo2O4またはLa2CuO4が好ましい。上述のようにp型GaN半導体層2と接触する前記合金または固溶体は、低い温度600°C以下で熱処理する時、GaN半導体内のMg-H結合を容易に破壊し、Gaと化合物とを形成して界面でのエネルギー障壁のSBWを狭められるだけでなく、大きい仕事関数を有するp型熱電酸化物に変化して界面でのエネルギーバンドギャップを調節してSBHを低くできる。このようなp型GaN半導体層2の表面でのドーパントのMgの再活性化とGa空孔による表面の高い実効キャリア濃度>1018/cm3とは、p型GaN半導体層2と接触する電極間の界面に存在するSBWを狭めて多数キャリアであるホールが量子概念のトンネリング効果を通じてキャリアの高伝導現象を発生させうる。また、600°C以下で熱処理する時、合金または固溶体電極が、大きい仕事関数を有するp型熱電透明伝導性酸化物に変化してp型GaN半導体とこれらp型熱電酸化物間のSBHを低めてキャリアのフローをさらに容易にでき、その結果高品位オーム接触を形成できる。第2電極層5は、薄膜電極の最上層にLEDまたはLDなどの素子製作工程に適用される高温300~700°C工程中に発生する表面劣化現象の防止能があり、酸化に安定的でワイヤー接着性が良く、優れた透明性を有する物質が望ましい。第2電極層5の成分は特別に限定されない。しかし、前記のような要求条件を満足させる最上層の代表的な例としては、Au、Pd、Pt、Ru、Re、Sc、Mg、Zn、V、Hf、Ta、Rh、Ir、W、Ti、Ag、Cr、Mo、Nb、Ca、Na、Sb、Li、In、Sn、Al、Ni、CuまたはCoなどが好ましい。より好ましくはAu,PdまたはPtである。第2電極層5の厚さは1~5,000Åであることが好ましく、より好ましくは1~3,000Åである。図2は、本発明の第2実施の形態による薄膜電極を含む積層物を示す。図2を参照すれば、基板層1上にp型GaN半導体層2、純金属層3、第1電極層4および第2電極層5が順次に積層されている。基板層1、p型GaN半導体層2、第1電極層4および第2電極層5は、前記第1実施の形態による本発明の薄膜電極に関する説明で言及したものと同じである。純金属層3は、p型GaN半導体層2上に蒸着した後、低温で熱処理する時にGaと優先的に化合物を形成できる金属層が望ましい。純金属層3は、他の金属に比べて大きい仕事関数を有しつつGa関連化合物形成能が優秀な金属、例えばNi、Au、Pt、Pd、Ir、Rh、ReまたはRuなどよりなることが望ましい。図3は、本発明の一実施例による電極薄膜で5×1017/cm3のキャリア濃度を有するp型GaN半導体層上にCu-La合金/Auを蒸着した後、熱処理前後に測定した電流-電圧特性を表す。図3を参照すれば、空気雰囲気下で550°C、1分間熱処理した後、電流-電圧特性を測定した結果から約10-6Ωcm2の比接触抵抗が得られることが分かる。熱処理後に得られたグラフは、優秀なオーム接触特性を表す明確な線形グラフであるが、熱処理前に得られたグラフでは整流性接触特性である非線形グラフを表している。図4は、本発明の一実施の形態による電極薄膜で5×1017/cm3のキャリア濃度を有するp型GaN半導体の上部にGa関連化合物を形成する純金属、Pd/Cu-La合金/Auを蒸着させた後、熱処理前後に測定した電流-電圧特性を表す。図4を参照すれば、550°C、1分間熱処理した後、電流-電圧特性を測定した結果、オーム比接触抵抗値が10-6Ωcm2以下であることが分かり、オーム接触特性を表す明確な線形グラフを得られた。前記p型熱電酸化物を利用した高品位オーム接触の形成技術は、一般的な上部発光LEDだけでなく、発光効率を高めるために考案されたフリップチップLEDFlip-chipLEDでのオーム接触形成にも使用されうる。本発明の第二は、p型GaN半導体層上に薄膜電極を製造する方法において、p型GaN半導体層上の不純物を除去する第1段階と、不純物が除去されたp型GaN層上に固溶体を蒸着させる第2段階と、固溶体が蒸着された結果物を熱処理する第3段階と、を含むことを特徴とする発光素子用薄膜電極の製造方法である。前記第1段階は、p型GaN層上の不純物を除去する段階である。不純物の除去方法としては、洗浄溶液を用いて表面洗浄を行うことが好ましく、洗浄溶液としては、トリクロロエチレン、パークロロエチレン、クロロホルムまたはメチレンクロライドなどの塩素系有機溶媒;アセトン、メチルエチルケトンまたはメチルイソブチルケトンなどのケトン類;メタノールまたはエタノールなどのアルコール類;蒸溜水などがあげられる。このなかではトリクロロエチレン、アセトン、メタノールおよび蒸溜水が好ましい。前記第2段階は、不純物が除去されたp型GaN半導体層上に合金または固溶体を積層させる段階である。積層の方法としては蒸着が好ましく、蒸着装置として電子線金属蒸着器、スパッタリング装置またはパルスレーザー蒸着器を用いることができる。蒸着の圧力は1×10-4~5×10-8Torr1.333×10-2~6.666×10-6Paが好ましく、より好ましくは2×10-6~5×10-8Torr2.666×10-4~6.665×10-6Paである。合金または固溶体とは、上述した、第一電極および第2電極のことであり、更に純金属層を含みうる。前記第3段階は、合金または固溶体が積層された結果物を熱処理する段階である。熱処理温度は250~800°Cが好ましく、より好ましくは300~700°Cである。熱処理雰囲気は空気、酸素が好ましい。ただし、合金または固溶体として酸化物を蒸着した場合には、窒素雰囲気で熱処理を行うこともできる。熱処理時間は30秒~1時間が好ましく、より好ましくは1分である。熱処理は、第1電極層を積層した後に行う。第2電極を積層した後に熱処理を行うと、第2電極層と第1電極層との結着性が向上する点や、効率の点から好ましい。次には、本発明と関連して本発明者が実施した実験例について説明する。下記実験例は、本発明の理解を助けるために提示されるものに過ぎず、本発明の範囲がこれら実験例に限定されると解釈されることは望ましくない。実験例1p型GaN半導体をトリクロロエチレン、アセトン、メタノール、蒸溜水の順序で超音波洗浄器内で60°Cでそれぞれ5分ずつ表面洗浄した後、試料に残っている水分を除去するために100°Cで10分間乾燥ハードベーキングした。次いで、フォトレジストを4,000rpmでスピンコーティングした。その後、88°Cで10分間乾燥ソフトベーキングし、マスクパターンを現像するためにマスクと試料とを一致させた後、22.8mWの紫外線に10秒間露出し、現像液と蒸溜水との比を1:4に混合した溶液中に試料を浸漬させて15秒ほど現像した。次いで、BOEBufferedOxideEtch溶液を利用して現像された試料にある汚染層を除去するために5分間浸漬させ、電子ビーム蒸着器を利用してCu-La合金とAuとをそれぞれ50Åずつを蒸着した。アセトンによるリフトオフ工程を経た後、急速加熱炉内に試料を入れて空気雰囲気下で550°C、1分間熱処理してオーム接触形成のための金属薄膜を製造した。製造した薄膜電極を用いて電流-電圧特性を測定した結果を図3に示す。図3に関しては、上述のとおりである。実験例2電子ビーム蒸着器で電極物質を蒸着する工程までは前記実験例1と同じであり、次いで電子ビーム蒸着器を利用してPd/Cu-La合金/Auの順にそれぞれ50Åの厚さに蒸着した。アセトンによるリフトオフ工程を経た後、急速加熱炉内に試料を入れて空気雰囲気下で550°C、1分間熱処理してオーム接触形成のための薄膜電極を製造した。製造した薄膜電極を用いて電流-電圧特性を測定した結果を図4に示す。図4に関しては、上述のとおりである。以上、本発明の望ましい実施例を参照して説明したが、当業者ならば、特許請求の範囲に記載された本発明の思想および領域から外れていない範囲内で本発明を多様に修正および変更させうることが分かる。"