基板30上に形成され、複数のアッテネータ21~26を組み合わせることにより所定のステップ値で減衰量を可変可能なステップアッテネータ20において、前記各アッテネータに対して信号の入力又は出力を行う信号線路1~7と、前記基板上に配置され、前記複数のアッテネータを予め定められた個数ごとに収容する複数の収容室40a~40dを有するシールドケース40と、を備え、前記信号線路は、前記基板の表面に形成された表面信号線路1、3、7と、前記基板の内層に形成され、前記表面信号線路に接続された内層信号線路32a、32bと、を備え、前記シールドケースは、前記各収容室を仕切る第1及び第2の仕切壁41~45を備え、前記第1の仕切壁41は、前記基板の表面に接触する第1の接触部41b及び前記第1の接触部の一部を開口して前記表面信号線路を通す開口部41aを備え、前記第2の仕切壁42は、前記内層信号線路を前記基板の表面に投影した投影領域の一部を含む前記基板の表面領域に接触する第2の接触部42aを備えたことを特徴とするステップアッテネータ。前記信号の入力側から出力側に沿って、前記第1の仕切壁と前記第2の仕切壁とが交互に少なくとも1組設けられていることを特徴とする請求項1に記載のステップアッテネータ。前記各収容室は、予め定められた基準減衰量以上の減衰量を有するアッテネータを1つ収容し、前記基準減衰量未満の減衰量を有するアッテネータを複数収容するものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のステップアッテネータ。請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載のステップアッテネータ20と、ベースバンド信号を出力するベースバンド信号出力手段11と、予め定められた局部発振周波数の局部発振信号を生成する局部発振信号生成手段15と、前記ベースバンド信号と前記局部発振信号とを乗算して直交変調及び周波数変換を行うことにより無線周波数信号を生成する無線周波数信号生成手段14と、前記無線周波数信号の信号レベルを設定して前記ステップアッテネータに出力する信号レベル設定手段17と、を備えたことを特徴とする信号発生装置。しかしながら、従来の信号発生装置では、キロヘルツからギガヘルツまでの広範囲な周波数の試験信号を発生する必要があるが、広範囲な周波数を対象としてステップアッテネータの最大減衰量を増加させることは困難であるという課題があり、出力信号レベルのダイナミックレンジをさらに広範囲に可変可能にするために、さらなるアイソレーションの改善が求められていた。本発明は、前述の事情に鑑みてなされたものであり、入出力間のアイソレーションを従来のものよりも高めることができるステップアッテネータ及びそれを備えた信号発生装置を提供することを目的とする。本発明の請求項1に係るステップアッテネータは、基板30上に形成され、複数のアッテネータ21~26を組み合わせることにより所定のステップ値で減衰量を可変可能なステップアッテネータ20において、前記各アッテネータに対して信号の入力又は出力を行う信号線路1~7と、前記基板上に配置され、前記複数のアッテネータを予め定められた個数ごとに収容する複数の収容室40a~40dを有するシールドケース40と、を備え、前記信号線路は、前記基板の表面に形成された表面信号線路1、3、7と、前記基板の内層に形成され、前記表面信号線路に接続された内層信号線路32a、32bと、を備え、前記シールドケースは、前記各収容室を仕切る第1及び第2の仕切壁41~45を備え、前記第1の仕切壁41は、前記基板の表面に接触する第1の接触部41b及び前記第1の接触部の一部を開口して前記表面信号線路を通す開口部41aを備え、前記第2の仕切壁42は、前記内層信号線路を前記基板の表面に投影した投影領域の一部を含む前記基板の表面領域に接触する第2の接触部42aを備えた構成を有している。この構成により、本発明の請求項1に係るステップアッテネータは、第1及び第2の仕切壁を備えることにより、入出力間のアイソレーションを従来のものよりも高めることができる。本発明の請求項2に係るステップアッテネータは、前記信号の入力側から出力側に沿って、前記第1の仕切壁と前記第2の仕切壁とが交互に少なくとも1組設けられている構成を有している。この構成により、本発明の請求項2に係るステップアッテネータは、第2の仕切壁が位置する基板の内層に設けられた、表面信号線路に接続された内層信号線路間のアイソレーションを高めることができる。本発明の請求項3に係るステップアッテネータは、前記各収容室は、予め定められた基準減衰量以上の減衰量を有するアッテネータを1つ収容し、前記基準減衰量未満の減衰量を有するアッテネータを複数収容するものである構成を有している。この構成により、本発明の請求項3に係るステップアッテネータは、信号漏洩量の影響を受けにくい複数のアッテネータを1つの収容室に収容できるので、第1又は第2の仕切壁の個数を削減でき、シールドケースの構造を単純化することができる。本発明の請求項4に係る信号発生装置は、ステップアッテネータ20と、ベースバンド信号を出力するベースバンド信号出力手段11と、予め定められた局部発振周波数の局部発振信号を生成する局部発振信号生成手段15と、前記ベースバンド信号と前記局部発振信号とを乗算して直交変調及び周波数変換を行うことにより無線周波数信号を生成する無線周波数信号生成手段14と、前記無線周波数信号の信号レベルを設定して前記ステップアッテネータに出力する信号レベル設定手段17と、を備えた構成を有している。この構成により、本発明の請求項4に係る信号発生装置は、入出力間のアイソレーションを従来のものよりも高めることができるステップアッテネータを備えるので、出力信号レベルのダイナミックレンジを従来のものよりも広範囲に可変可能にすることができる。本発明は、入出力間のアイソレーションを従来のものよりも高めることができるという効果を有するステップアッテネータ及びそれを備えた信号発生装置を提供することができるものである。以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。なお、本発明に係るステップアッテネータを信号発生装置に適用した例を挙げて説明する。まず、本発明に係る信号発生装置の一実施形態における構成について説明する。図1に示すように、本実施形態における信号発生装置10は、波形データ記憶部11、デジタルアナログコンバータDAC12及び13、直交変調器14、局部発振器15、自動レベル制御回路ALC17、操作部18、設定部19、ステップアッテネータステップATT20を備えている。波形データ記憶部11は、被試験装置を試験するための複数の試験信号データとして、デジタル値のベースバンドの波形データを記憶している。試験者は、操作部18を操作し、設定部19を介して、波形データ記憶部11に記憶された試験信号データを選択して出力できるようになっている。試験信号データは、I相成分同相成分及びQ相成分直交成分のベースバンドの波形データを含む。波形データは、例えば、図示しないDSPDigitalSignalProcessorによって生成される。なお、波形データ記憶部11は、本発明に係るベースバンド信号出力手段を構成する。DAC12及び13は、それぞれ、波形データ記憶部11が出力するI相成分及びQ相成分のデジタル値のベースバンド信号波形データをアナログ値に変換して直交変調器14に出力するようになっている。局部発振器15は、設定部19からの設定信号に基づいた局部発振周波数の局部発振信号を生成し、直交変調器14に出力するようになっている。この局部発振器15は、本発明に係る局部発振信号生成手段を構成する。直交変調器14は、乗算器14a及び14b、90度移相器14c、加算器14dを備え、DAC12からのI相成分及びDAC13からのQ相成分と、局部発振器15から入力した局部発振信号とを乗算することにより直交変調及び周波数変換を行って無線周波数の信号RF信号を生成してALC17に出力するようになっている。この直交変調器14は、本発明に係る無線周波数信号生成手段を構成する。ALC17は、直交変調器14の出力信号の電力レベルを所定の電力レベルに調整してステップATT20に出力するようになっている。ALC17が設定する電力レベルは、設定部19からの設定信号によって設定されるようになっている。ALC17は、出力信号レベルを例えば0.1dB単位で調整できるものである。このALC17は、本発明に係る信号レベル設定手段を構成する。操作部18は、試験者が試験条件及び試験手順に関する設定等を行うために操作するものであり、例えば、キーボード、ダイヤル又はマウスのような入力デバイス、これらを制御する制御回路等で構成される。試験者が設定する試験条件としては、例えば、波形データ記憶部11に記憶された波形データ、ステップATT20が出力するRF試験信号の出力レベル及び無線周波数等がある。設定部19は、例えばマイクロコンピュータによって構成されており、装置全体の制御を行うようになっている。また、設定部19は、試験者が操作部18を操作して設定した各試験条件に基づき、各試験条件を設定する設定信号を波形データ記憶部11、局部発振器15、ALC17、ステップATT20にそれぞれ出力し、各試験条件を設定するようになっている。ここで、ALC17に対する設定としては、例えば、ユーザが信号発生装置10の出力レベルを-40.2dBmに設定した場合、設定部19は、ステップATT20の減衰量を30dBに設定し、ALC17に対し、出力信号レベルを-10.2dBmに設定するための制御信号を出力する。ステップATT20は、複数のATT部21~26を備え、入力したRF信号のレベルを所定の減衰量のステップで減衰することができるATTである。このステップATT20の減衰量は、設定部19からの設定信号によって設定されるようになっている。このステップATT20の詳細な構成について図2を用いて説明する。図2は、ステップATT20を多層基板30上に実装した状態を模式的に示している。なお、ステップATT20は、後述するようにシールドケースで覆われているが、図2では、シールドケースを取り外した状態を示している。図2aに示すように、ステップATT20は、4つのセクションS1~S4を有している。セクションS1~S3は、それぞれ、ATT部21~23を含む。セクションS4は、直列に接続された3つのATT部24~26を含む。なお、図2aに記載した記号AはATTを表している。ATT部21は、2つの切替スイッチSW21a及び21cと、減衰量が40dBのATT21bとを備えている。図2bに示すように、切替SW21a及び21cは、ATT21bを選択する減衰状態と、ATT21bをバイパスする表面信号線路31aを選択するバイパス状態とを切り替えるようになっている。すなわち、切替SW21a及び21cは、ATT部21の減衰量を40dB又は0dBに切り替えることができる。切替SW21a及び21cによる減衰量の切り替えは、設定部19からの設定信号に基づいて行われるようになっている。同様に、ATT部22~26においても各切替SWにより、減衰状態とバイパス状態とを切り替えることができるようになっている。ATT部21の切替SW21aには、多層基板30の表面に形成された表面信号線路1が接続されている。ATT部21と22との間には、多層基板30の内層信号線路後述を経由した表面信号線路が形成されている。すなわち、ATT部21のSW21cと、ATT部22のSW22aとの間は、多層基板30の表面に形成された表面信号線路2a及び2dと、内層信号線路図示省略と、表面信号線路2a及び2dのそれぞれと内層信号線路とを接続する層間信号線路2b及び2cとで接続されている。ここで、層間信号線路2b及び2cは、例えば、ドリル加工やレーザ加工により形成したスルーホールやビアホールにパネルメッキを行って形成される。ATT部22と23との間は、多層基板30の表面に形成された表面信号線路3で接続されている。ATT部23と24との間は、前述したATT部21と22との間と同様に形成されており、多層基板30の表面に形成された表面信号線路4a及び4d、内層信号線路、表面信号線路4a及び4dのそれぞれと内層信号線路とを接続する層間信号線路4b及び4cとで接続されている。ATT部24と25との間、ATT部25と26との間は、それぞれ、多層基板30の表面に形成された表面信号線路5及び6が接続されている。ATT部26の切替SW26cには、多層基板30の表面に形成された表面信号線路7が接続されている。次に、図3に基づき、ステップATT20をシールドケース40で覆った構成について説明する。図3aはシールドケース40の断面図を含むステップATT20の平面図であり、図3bはシールドケース40で覆ったステップATT20の断面図である。多層基板30は、表面に形成され前述の表面信号線路5及び6を構成する表面金属層31、前述の内層信号線路を構成する第1金属内層32、接地される第2金属内層33を有する。シールドケース40は、仕切壁41~45と、側面壁46及び47と、上面壁48と、これらの各壁によって形成された収容室40a~40dと、を備えている。このシールドケース40は、例えばアルミダイキャストで一体成型されて形成される。ただし、シールドケース40は、プレス加工技術による打ち抜きや折り曲げ加工、溶着等の工程により形成されたものでもよい。仕切壁41、43及び45と、仕切壁42及び44とは、互いに異なる形状を有している。ここで、仕切壁41、43及び45は、それぞれ、本発明に係る第1の仕切壁を構成する。また、仕切壁42及び44は、それぞれ、本発明に係る第2の仕切壁を構成する。仕切壁41は、図4に示すように、開口部41a、接触部41bを有する。開口部41aは、多層基板30の表面に接触する接触部41bの一部を開口して形成され、表面信号線路1を通すようになっている。この開口部41aは、使用周波数に対して表面信号線路1と仕切壁41との電磁的結合を抑制するため、幅寸法W及び高さ寸応Hが極力小さくなるよう設定されている。なお、接触部41bは、本発明に係る第1の接触部を構成する。仕切壁43及び45も、図示を省略したが、仕切壁41と同様な構成を有している。なお、図4に示した例では、仕切壁41が表面信号線路1と直交するよう配置されているが、これに限定されず、仕切壁41と表面信号線路1とが任意の角度で交差する構成であってもよい。仕切壁42は、図5に示すように、多層基板30の表面に接触する接触部42aを有する。表面信号線路2aは、層間信号線路2b及び2cと、内層信号線路32aとを介し、表面信号線路2dに接続されている。図示のように、仕切壁42の接触部42aは、内層信号線路32aを多層基板30の表面に投影した投影領域の一部を含む多層基板30の表面領域に接触するようになっている。なお、接触部42aは、本発明に係る第2の接触部を構成する。仕切壁44も、図示を省略したが、仕切壁42と同様な構成を有している。なお、図5に示した例では、仕切壁42が内層信号線路32aと直交するよう配置されているが、これに限定されず、仕切壁42と内層信号線路32aとが任意の角度で交差する構成であってもよい。図3に戻り、ATT部21~26について説明する。ATT部21~26に含まれる各ATTの減衰量は異なっており、ATT21bは40dB、ATT22bは20dB、ATT23bは40dB、ATT24bは5dB、ATT25bは10dB、ATT26bは5dBの減衰量を有する。この構成により、ステップATT20は、0dBから120dBまでの減衰量を5dBステップで設定することができる。ここで、本実施形態では、基準減衰量を20dBとして定め、この基準減衰量に基づいてATT部21~26を収容室40a~40dに収容する構成としている。すなわち、20dB以上の減衰量を有するATT部21~23は、それぞれ、収容室40a~40cに収容されている。また、20dB未満の減衰量を有するATT部24~26は、1つの収容室40dに収容されている。基準減衰量は、実験又はシミュレーションにより予め求めておく。この構成により、ステップATT20は、入出力間における信号漏洩の影響を受けにくい複数のATT部24~26を1つの収容室40dに収容できるので、仕切壁の個数を削減でき、シールドケース40の構造を単純化することができる。また、ATT部21~26のうち、最大の減衰量40dBを有するATT部21及び23の間には、これらよりも減衰量の小さいATT部22を設けている。これは、減衰量が比較的大きなATTはできるだけ離した方が、ステップATT20の減衰特性が安定する傾向にあるからである。したがって、減衰量が比較的大きく、互いに隣接させないことが好ましいATT部を実験又はシミュレーションにより予め求めておくのが望ましい。さらに、ステップATT20には、入力側から出力側に向かって仕切壁41、42、43、44及び45が順次設けられている。すなわち、ステップATT20には、仕切壁41、43、45第1の仕切壁と、仕切壁42、44第2の仕切壁とが交互に設けられている。この構成により、ステップATT20は、全ての仕切壁を第1の仕切壁で形成したもの、又は第2の仕切壁で形成したものよりも入出力間のアイソレーションを高めることができる。なお、図3に示した例では、仕切壁41及び42と、仕切壁43及び44とで、第1の仕切壁と第2の仕切壁との組を2組含むが、ステップATT20の構成に応じて第1の仕切壁と第2の仕切壁との組数を増減するのが望ましい。次に、本実施形態におけるステップATT20のアイソレーション特性について図6を用いて説明する。図6は、100MHzから6000MHzまでの周波数範囲でのアイソレーション特性について、従来のステップATTの破線と、本実施形態におけるステップATT20実線とを比較した実験結果を示したものである。この実験では、各ATT部21~26を機能させない状態とし、アイソレーション測定の入力信号として信号レベルが0dBmの連続波を用いた。図6に示すように、従来のステップATTのアイソレーションは-113dB以下である。論理上、アイソレーションと同等の減衰量を得ることはできず、-113dB程度のアイソレーションであれば最大の減衰量が-80dB程度のステップATTとなる。これに対し、本実施形態におけるステップATT20のアイソレーションは-150dB以下を確保できており、従来のものより40dBも改善されている。このステップATT20は、最大の減衰量が-120dBのステップATTとして実用可能である。次に、本実施形態における信号発生装置10の動作について図1に示したブロック構成図を用いて説明する。試験者が操作部18を操作することにより、試験者が所望する試験条件が入力され、設定部19によって試験条件が各部に設定される。具体的には、設定部19は、波形データ記憶部11に波形データを指定する信号を、局部発振器15に局部発振周波数を指定する信号をそれぞれ出力する。また、設定部19は、ALC17に出力信号の電力レベルを指定する信号を、ステップATT20に減衰量を指定する信号をそれぞれ出力する。波形データ記憶部11は、試験者が指定した、I相成分及びQ相成分のベースバンドの波形データを、それぞれ、DAC12及び13に出力する。DAC12及び13は、それぞれ、I相成分及びQ相成分のベースバンドの波形データをアナログの波形データに変換し、直交変調器14に出力する。直交変調器14は、DAC12及び13からベースバンド信号と、局部発振器15から局部発振信号とを入力し、直交変調信号と局部発振信号とを乗算することにより、直交変調及び周波数変換を行ってRF信号を生成し、生成したRF信号をALC17に出力する。ALC17は、入力したRF信号のレベルを、例えば-10dBmに設定するレベル制御を行って、ステップATT20に出力する。ステップATT20は、設定部19が設定した減衰量でRF信号を減衰し、RF試験信号として出力する。出力先の試験対象は、例えば、移動体通信の端末や基地局、あるいはそれらに用いられるデバイスなどである。以上のように、本実施形態における信号発生装置10は、仕切壁41、43及び45と、仕切壁42及び44とを備え、仕切壁41、43及び45の位置では信号線路を多層基板30の表面上で通し、仕切壁42及び44の位置では信号線路を多層基板30の内層側で通す構成としたので、入出力間のアイソレーションを従来のものよりも高めることができる。次に、ステップATTの他の態様について2つの例を挙げて説明する。第1の他の態様に係るステップATTは、図7に示すように、多層基板50上に形成されている。多層基板50は、表面に形成された表面金属層51、内層信号線路を構成する第1金属内層52及び第2金属内層53、接地される第3金属内層54を有する。図示のように、仕切壁42の位置では、多層基板50内で第1金属内層52に形成された内層信号線路52aが層間信号線路2b及び2cに接続されている。また、仕切壁44の位置では、多層基板50内で第2金属内層53に形成された内層信号線路53aが層間信号線路3b及び3cに接続されている。この構成のステップATTは、内層信号線路52aと内層信号線路53aとを異なる層に形成することにより、これらの内層信号線路間のアイソレーションが改善されるので、前述のステップATT20と同様に、従来のものよりもアイソレーションを大幅に改善することができる。第2の他の態様に係るステップATTは、図8に示すように、多層基板60上に形成されている。多層基板60は、表面に形成された表面金属層61、内層信号線路を構成する第1金属内層62、第2金属内層63及び第3金属内層64、接地される第4金属内層65を有する。図示のように、この例ではステップATTが5つの仕切壁42を備えている。内層信号線路を構成する金属内層が、順次、信号の入力側から第1金属内層62、第2金属内層63、第3金属内層64となっている。この構成のステップATTは、隣り合う内層信号線路を異なる層に形成することにより、これらの内層信号線路間のアイソレーションを改善するとともに、開口部を有する仕切壁41を用いないので、特に、多層基板30の表面側におけるアイソレーションを大幅に改善することができる。なお、前述の実施形態において、図3に示したように、ATT部21~26を直線上に一列に接続した例を挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、複数のATT部を平面状に配置する構成としてもよい。