"白金からなる第1電極を形成する工程と、前記第1電極上に、ビスマス及び白金を含みパイロクロア構造を有する化合物からなるバッファー層を形成する工程と、前記バッファー層上に、ビスマスを含む酸化物からなる酸化物層を形成する工程と、前記酸化物層を焼成し、ビスマスを含みペロブスカイト構造を有する化合物からなる圧電体層を形成する工程と、前記圧電体層上に第2電極を形成する工程と、を具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。前記バッファー層は、パイロクロア構造のAサイトにBiが、BサイトにPtが位置している化合物からなることを特徴とする請求項1に記載する液体噴射ヘッドの製造方法。請求項1または2に記載の液体噴射ヘッドの製造方法により液体噴射ヘッドを製造する工程を有することを特徴とする液体噴射装置の製造方法。白金からなる第1電極を形成する工程と、前記第1電極上に、ビスマス及び白金を含みパイロクロア構造を有する化合物からなるバッファー層を形成する工程と、前記バッファー層上に、ビスマスを含む酸化物からなる酸化物層を形成する工程と、前記酸化物層を焼成し、ビスマスを含みペロブスカイト構造を有する化合物からなる圧電体層を形成する工程と、前記圧電体層上に第2電極を形成する工程と、を具備することを特徴とする圧電素子の製造方法。しかしながら、このような非鉛又は鉛の含有量を抑えた複合酸化物からなる圧電体層は、結晶性が低いという問題がある。圧電体層の結晶性が低いと、例えば、変位量が小さくなる等の問題が生じる。なお、このような結晶性が低いという問題は、BiFeO3系の圧電材料に限らず、ビスマスを含むビスマス系圧電材料においても同様に存在する。また、このような問題は、インクジェット式記録ヘッドだけではなく、勿論、インク以外の液滴を吐出する他の液体噴射ヘッドにおいても同様に存在し、また、液体噴射ヘッド以外に用いられる圧電素子においても同様に存在する。本発明はこのような事情に鑑み、環境負荷が小さく且つ結晶性が高い圧電体層を有する液体噴射ヘッドの製造方法及び液体噴射装置の製造方法並びに圧電素子の製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決する本発明の態様は、白金からなる第1電極を形成する工程と、前記第1電極上に、ビスマス及び白金を含みパイロクロア構造を有する化合物からなるバッファー層を形成する工程と、前記バッファー層上に、ビスマスを含む酸化物からなる酸化物層を形成する工程と、前記酸化物層を焼成し、ビスマスを含みペロブスカイト構造を有する化合物からなる圧電体層を形成する工程と、前記圧電体層上に第2電極を形成する工程と、を具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。かかる態様では、ビスマス及び白金を含みパイロクロア構造を有するバッファー層を形成し、このバッファー層上に形成したビスマスを含む酸化物からなる酸化物層を焼成して圧電体層を形成することにより、結晶性が高い圧電体層を有する液体噴射ヘッドを製造することができる。また、非鉛又は鉛の含有量を抑えられるため、環境への負荷を低減することができる。前記バッファー層は、パイロクロア構造のAサイトにBiが、BサイトにPtが位置している化合物からなることが好ましい。これによれば、容易にビスマス及び白金を含みパイロクロア構造を有する化合物からなるバッファー層を形成することができる。本発明の他の態様は、上記液体噴射ヘッドの製造方法により液体噴射ヘッドを製造する工程を有することを特徴とする液体噴射装置の製造方法にある。これによれば、環境への負荷が低減され且つ圧電特性変位量等に優れた液体噴射装置を提供することができる。また、本発明の他の態様は、白金からなる第1電極を形成する工程と、前記第1電極上に、ビスマス及び白金を含みパイロクロア構造を有する化合物からなるバッファー層を形成する工程と、前記バッファー層上に、ビスマスを含む酸化物からなる酸化物層を形成する工程と、前記酸化物層を焼成し、ビスマスを含みペロブスカイト構造を有する化合物からなる圧電体層を形成する工程と、前記圧電体層上に第2電極を形成する工程と、を具備することを特徴とする圧電素子の製造方法にある。これによれば、ビスマス及び白金を含みパイロクロア構造を有するバッファー層を形成し、このバッファー層上に形成したビスマスを含む酸化物からなる酸化物層を焼成して圧電体層とすることにより、結晶性が高い圧電体層を有する圧電素子を製造することができる。また、非鉛又は鉛の含有量を抑えられるため、環境への負荷を低減することができる。実施形態1図1は、本発明の実施形態1に係る製造方法によって製造される液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図2は、図1の平面図であり、図3aは図2のA-A′線断面図、図3bは図3aの要部拡大断面図である。図1~図3に示すように、本実施形態の流路形成基板10は、シリコン単結晶基板からなり、その一方の面には二酸化シリコンからなる弾性膜50が形成されている。流路形成基板10には、複数の圧力発生室12がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板10の圧力発生室12の長手方向外側の領域には連通部13が形成され、連通部13と各圧力発生室12とが、各圧力発生室12毎に設けられたインク供給路14及び連通路15を介して連通されている。連通部13は、後述する保護基板のマニホールド部31と連通して各圧力発生室12の共通のインク室となるマニホールドの一部を構成する。インク供給路14は、圧力発生室12よりも狭い幅で形成されており、連通部13から圧力発生室12に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。なお、本実施形態では、流路の幅を片側から絞ることでインク供給路14を形成したが、流路の幅を両側から絞ることでインク供給路を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向から絞ることでインク供給路を形成してもよい。本実施形態では、流路形成基板10には、圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及び連通路15からなる液体流路が設けられていることになる。また、流路形成基板10の開口面側には、各圧力発生室12のインク供給路14とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口21が穿設されたノズルプレート20が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート20は、例えば、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板、ステンレス鋼等からなる。一方、このような流路形成基板10の開口面とは反対側には、上述したように弾性膜50が形成され、この弾性膜50上には、例えば厚さ30~50nm程度の酸化チタン等からなり、弾性膜50等の第1電極60の下地との密着性を向上させるための密着層56が設けられている。なお、弾性膜50上に、必要に応じて酸化ジルコニウム等からなる絶縁体膜が設けられていてもよい。さらに、この密着層56上には、白金Ptからなる第1電極60と、詳しくは後述するがパイロクロア構造を有する化合物からなるバッファー層64を焼成して形成されるバッファー層焼成層65と、薄膜である圧電体層70と、第2電極80とが、積層形成されて、圧力発生室12に圧力変化を生じさせる圧力発生手段としての圧電素子300を構成している。ここで、圧電素子300は、第1電極60、圧電体層70及び第2電極80を含む部分をいう。一般的には、圧電素子300の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層70を各圧力発生室12毎にパターニングして構成する。本実施形態では、第1電極60を圧電素子300の共通電極とし、第2電極80を圧電素子300の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。また、ここでは、圧電素子300と当該圧電素子300の駆動により変位が生じる振動板とを合わせてアクチュエーター装置と称する。なお、上述した例では、弾性膜50、密着層56、第1電極60及び必要に応じて設ける絶縁体膜が振動板として作用するが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、弾性膜50や密着層56を設けなくてもよい。また、圧電素子300自体が実質的に振動板を兼ねるようにしてもよい。バッファー層焼成層65は、本実施形態においては、ビスマスBi及び白金Ptを含みペロブスカイト構造を有する酸化物からなるものである。バッファー層焼成層65としては、例えば、Bi及びFeを含有する鉄酸ビスマス系のペロブスカイト構造を有する複合酸化物であってPtを含むものが挙げられる。なお、ペロブスカイト構造、すなわち、ABO3型構造のAサイトは酸素が12配位しており、Bサイトは酸素が6配位して8面体オクタヘドロンをつくっている。鉄酸ビスマス系であれば、このAサイトにBiが、BサイトにFeが位置している。ここで、鉄酸ビスマス系のペロブスカイト構造を有する複合酸化物は公知の圧電材料であり、種々の組成のものが知られている。例えば、鉄酸ビスマス、BiFeO3以外に、元素Bi、FeやOが一部欠損する又は過剰であったり、元素の一部が他の元素に置換されたものも知られているが、本発明で鉄酸ビスマスと表記した場合、基本的な特性が変わらない限り、元素Bi、Fe、Oの欠損や過剰により化学量論の組成BiFeO3からずれたものも、鉄酸ビスマスの範囲に含まれるものとする。バッファー層焼成層65の具体例としては、Bi、Pt、Fe及びCoを含む化合物からなるもの、Bi、Pt、Fe及びNaを含む化合物からなるものや、Bi、Pt、Fe及びMgを含む化合物からなるもの等が挙げられる。Bi、Pt、Fe及びCoを含むバッファー層焼成層65は、例えば、鉄酸ビスマスとコバルト酸ビスマスとの混晶のペロブスカイト構造を有する複合酸化物にPtが添加された構造、または、鉄酸ビスマスとコバルト酸ビスマスが均一に固溶した固溶体にPtが添加された構造としても表される。また、Bi、Pt、Fe及びNaを含むバッファー層焼成層65は、例えば、鉄酸ビスマスにNa及びPtが添加された構造である。そして、Bi、Pt、Fe及びMgを含むバッファー層焼成層65は、例えば、鉄酸ビスマスにMg及びPtが添加された構造である。なお、X線回折パターンにおいて、鉄酸ビスマスや、コバルト酸ビスマスは、単独では検出されないものである。本実施形態においては、バッファー層焼成層65は、ペロブスカイト構造を有する化合物からなるものとしたが、バッファー層焼成層65はペロブスカイト構造を有さない化合物からなるものであってもよい。例えば、後述するバッファー層64の状態、すなわち、パイロクロア構造のままでもよい。ただし、バッファー層焼成層65がペロブスカイト構造を有する化合物からなるものとすると変位が良好な圧電材料とすることができるため、バッファー層焼成層65はペロブスカイト構造を有する化合物からなることが好ましい。このようなバッファー層焼成層65上に設けられた圧電体層70は、ビスマスを含みペロブスカイト構造を有する化合物からなる圧電材料である。具体的には、例えば、鉄酸ビスマス系や、チタン酸ビスマス系のペロブスカイト構造を有する複合酸化物が挙げられる。ペロブスカイト構造、すなわち、ABO3型構造のAサイトは酸素が12配位しており、また、Bサイトは酸素が6配位して8面体オクタヘドロンをつくっている。このAサイトにBiやBaが、BサイトにFeやTiが位置している。鉄酸ビスマス系としては、鉄酸ビスマスBiFeO3、鉄酸アルミニウム酸ビスマスBiFe,AlO3、鉄酸マンガン酸ビスマスBiFe,MnO3、鉄酸マンガン酸ビスマスランタンBi,LaFe,MnO3、鉄酸マンガン酸チタン酸ビスマスバリウムBi,BaFe,Mn,TiO3、鉄酸コバルト酸ビスマスBiFe,CoO3、鉄酸ビスマスセリウムBi,CeFeO3、鉄酸マンガン酸ビスマスセリウムBi,CeFe,MnO3、鉄酸ビスマスランタンセリウムBi,La,CeFeO3、鉄酸マンガン酸ビスマスランタンセリウムBi,La,CeFe,MnO3、鉄酸ビスマスサマリウムBi,SmFeO3、鉄酸クロム酸ビスマスBiCr,FeO3、鉄酸マンガン酸チタン酸ビスマスカリウムBi,KFe,Mn,TiO3、鉄酸マンガン酸亜鉛酸チタン酸ビスマスバリウムBi,BaFe,Mn,Zn,TiO3等が挙げられる。また、チタン酸ビスマス系としては、チタン酸ビスマスナトリウムカリウムBi,Na,KTiO3、チタン酸亜鉛酸ビスマスバリウムナトリウムBi,Na,BaZn,TiO3、チタン酸銅酸ビスマスバリウムナトリウムBi,Na,BaCu,TiO3が挙げられる。その他、チタン酸ビスマスカリウムBi,KTiO3、クロム酸ビスマスBiCrO3等が挙げられる。また、上述した複合酸化物に、例えば、BiZn1/2Ti1/2O3、Bi1/2K1/2TiO3、Bi1/2Na1/2TiO3、Li,Na,KTa,NbO3を添加したものであってもよい。本実施形態においては、圧電体層70をBi、Fe、Ba及びTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物とした。Bi、Fe、Ba及びTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物は、鉄酸ビスマスとチタン酸バリウムとの混晶のペロブスカイト構造を有する複合酸化物、または、鉄酸ビスマスとチタン酸バリウムが均一に固溶した固溶体としても表される。なお、X線回折パターンにおいて、鉄酸ビスマスや、チタン酸バリウムは、単独では検出されないものである。ここで、鉄酸ビスマスやチタン酸バリウムは、それぞれペロブスカイト構造を有する公知の圧電材料であり、それぞれ種々の組成のものが知られている。例えば、鉄酸ビスマスやチタン酸バリウムとして、BiFeO3やBaTiO3以外に、元素Bi、Fe、Ba、TiやOが一部欠損する又は過剰であったり、元素の一部が他の元素に置換されたものも知られているが、本発明で鉄酸ビスマス、チタン酸バリウムと表記した場合、基本的な特性が変わらない限り、欠損過剰により化学量論の組成からずれたものや元素の一部が他の元素に置換されたものも、鉄酸ビスマス、チタン酸バリウムの範囲に含まれるものとする。また、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムとの比も、種々変更することができる。このようなBi、Fe、Ba及びTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体層70の組成は、例えば、下記一般式1で表される混晶として表される。また、この式1は、下記一般式1’で表すこともできる。ここで、一般式1及び一般式1’の記述は化学量論に基づく組成表記であり、上述したように、ペロブスカイト構造を取り得る限りにおいて、格子不整合、酸素欠損等による不可避な組成のずれは勿論、元素の一部置換等も許容される。例えば、化学量論比が1とすると、0.85~1.20の範囲内のものは許容される。また、下記のように一般式で表した場合は異なるものであっても、Aサイトの元素とBサイトの元素との比が同じものは、同一の複合酸化物とみなせる場合がある。1-xBiFeO3-xBaTiO310<x<0.40Bi1-xBaxFe1-xTixO31’0<x<0.40また、圧電体層70を構成する複合酸化物がBi、Fe、Ba及びTiを含むものである場合、Bi、Fe、Ba及びTi以外の元素をさらに含んでいてもよい。他の元素としては、例えば、Mn、Co、Crなどが挙げられる。勿論、他の元素を含む複合酸化物である場合も、ペロブスカイト構造を有する必要がある。圧電体層70が、Mn、CoやCrを含む場合、Mn、CoやCrはBサイトに位置した構造の複合酸化物である。例えば、Mnを含む場合、圧電体層70を構成する複合酸化物は、鉄酸ビスマスとチタン酸バリウムが均一に固溶した固溶体のFeの一部がMnで置換された構造、又は、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムとの混晶のペロブスカイト構造を有する複合酸化物として表され、基本的な特性は鉄酸ビスマスとチタン酸バリウムとの混晶のペロブスカイト構造を有する複合酸化物と同じであるが、リーク特性が向上することがわかっている。また、CoやCrを含む場合も、Mnと同様にリーク特性が向上するものである。なお、X線回折パターンにおいて、鉄酸ビスマス、チタン酸バリウム、鉄酸マンガン酸ビスマス、鉄酸コバルト酸ビスマス、及び、鉄酸クロム酸ビスマスは、単独では検出されないものである。また、Mn、CoおよびCrを例として説明したが、その他遷移金属元素の2元素を同時に含む場合にも同様にリーク特性が向上することがわかっており、これらも圧電体層70とすることができ、さらに、特性を向上させるため公知のその他の添加物を含んでもよい。このようなBi、Fe、Ba及びTiに加えてMn、CoやCrも含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体層70は、例えば、下記一般式2で表される混晶である。また、この式2は、下記一般式2’で表すこともできる。なお一般式2及び一般式2’において、Mは、Mn、CoまたはCrである。ここで、一般式2及び一般式2’の記述は化学量論に基づく組成表記であり、上述したように、ペロブスカイト構造を取り得る限りにおいて、格子不整合、酸素欠損等による不可避な組成ずれは許容される。例えば、化学量論が1であれば、0.85~1.20の範囲内のものは許容される。また、下記のように一般式で表した場合は異なるものであっても、Aサイトの元素とBサイトの元素との比が同じものは、同一の複合酸化物とみなせる場合がある。1-xBiFe1-yMyO3-xBaTiO320<x<0.40、0.01<y<0.10Bi1-xBaxFe1-yMy1-xTixO32’0<x<0.40、0.01<y<0.10バッファー層焼成層65や、圧電体層70の厚さは限定されない。例えば、バッファー層焼成層65の厚さは10nm~200nmである。また、圧電体層70の厚さは例えば3μm以下、好ましくは0.3~1.5μmである。このような圧電素子300の個別電極である各第2電極80には、インク供給路14側の端部近傍から引き出され、弾性膜50上や必要に応じて設ける絶縁体膜上にまで延設される、例えば、金Au等からなるリード電極90が接続されている。このような圧電素子300が形成された流路形成基板10上、すなわち、第1電極60、弾性膜50や必要に応じて設ける絶縁体膜及びリード電極90上には、マニホールド100の少なくとも一部を構成するマニホールド部31を有する保護基板30が接着剤35を介して接合されている。このマニホールド部31は、本実施形態では、保護基板30を厚さ方向に貫通して圧力発生室12の幅方向に亘って形成されており、上述のように流路形成基板10の連通部13と連通されて各圧力発生室12の共通のインク室となるマニホールド100を構成している。また、流路形成基板10の連通部13を圧力発生室12毎に複数に分割して、マニホールド部31のみをマニホールドとしてもよい。さらに、例えば、流路形成基板10に圧力発生室12のみを設け、流路形成基板10と保護基板30との間に介在する部材例えば、弾性膜50、必要に応じて設ける絶縁体膜等にマニホールド100と各圧力発生室12とを連通するインク供給路14を設けるようにしてもよい。また、保護基板30の圧電素子300に対向する領域には、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部32が設けられている。圧電素子保持部32は、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。このような保護基板30としては、流路形成基板10の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板10と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。また、保護基板30には、保護基板30を厚さ方向に貫通する貫通孔33が設けられている。そして、各圧電素子300から引き出されたリード電極90の端部近傍は、貫通孔33内に露出するように設けられている。また、保護基板30上には、並設された圧電素子300を駆動するための駆動回路120が固定されている。この駆動回路120としては、例えば、回路基板や半導体集積回路IC等を用いることができる。そして、駆動回路120とリード電極90とは、ボンディングワイヤー等の導電性ワイヤーからなる接続配線121を介して電気的に接続されている。また、このような保護基板30上には、封止膜41及び固定板42とからなるコンプライアンス基板40が接合されている。ここで、封止膜41は、剛性が低く可撓性を有する材料からなり、この封止膜41によってマニホールド部31の一方面が封止されている。また、固定板42は、比較的硬質の材料で形成されている。この固定板42のマニホールド100に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部43となっているため、マニホールド100の一方面は可撓性を有する封止膜41のみで封止されている。このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドIでは、図示しない外部のインク供給手段と接続したインク導入口からインクを取り込み、マニホールド100からノズル開口21に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路120からの記録信号に従い、圧力発生室12に対応するそれぞれの第1電極60と第2電極80との間に電圧を印加し、弾性膜50、密着層56、第1電極60、バッファー層焼成層65及び圧電体層70をたわみ変形させることにより、各圧力発生室12内の圧力が高まりノズル開口21からインク滴が吐出する。次に、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドの製造方法の一例について、図4~図8を参照して説明する。なお、図4~図8は、圧力発生室の長手方向の断面図である。まず、図4aに示すように、シリコンウェハーである流路形成基板用ウェハー110の表面に弾性膜50を構成する二酸化シリコンSiO2等からなる二酸化シリコン膜を熱酸化等で形成する。次いで、図4bに示すように、弾性膜50二酸化シリコン膜上に、酸化チタン等からなる密着層56を、スパッターリング法や熱酸化等で形成する。次に、図5aに示すように、密着層56の上に、白金からなる第1電極60をスパッターリング法や蒸着法等により全面に形成する。次に、図5bに示すように、第1電極60上に所定形状のレジスト図示無しをマスクとして、密着層56及び第1電極60の側面が傾斜するように同時にパターニングする。次いで、レジストを剥離した後、この第1電極60上に、ビスマス及び白金を含みパイロクロア構造を有する化合物からなるバッファー層64を形成する。このバッファー層64は、例えば、金属錯体を含む溶液を塗布乾燥し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなるバッファー層64を得るMODMetal-OrganicDecomposition法やゾル-ゲル法等の化学溶液法を用いて製造できる。その他、レーザーアブレーション法、スパッターリング法、パルスレーザーデポジション法PLD法、CVD法、エアロゾルデポジション法などでも、バッファー層64を製造することもできる。バッファー層64を化学溶液法で形成する場合の具体的な形成手順例としては、まず、図5cに示すように、Ptからなる第1電極60上に、金属錯体、具体的には、Biや、必要に応じて含有させるFe、Co、Na、Mg等を含有する金属錯体を含むMOD溶液やゾルからなるバッファー層形成用組成物バッファー層の前駆体溶液をスピンコート法などを用いて、塗布してバッファー層前駆体膜63を形成するバッファー層塗布工程。塗布するバッファー層の前駆体溶液は、焼成によりBiや、必要に応じて含有させるFe、Co、Na、Mg等を含みパイロクロア構造を有する複合酸化物を形成しうる金属錯体を混合し、該混合物を有機溶媒に溶解または分散させたものである。Biや、Fe、Co、Na、Mg等をそれぞれ含む金属錯体としては、例えば、アルコキシド、有機酸塩、βジケトン錯体などを用いることができる。Biを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸ビスマス、酢酸ビスマスなどが挙げられる。Feを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸鉄、酢酸鉄、トリスアセチルアセトナート鉄などが挙げられる。Coを含む有機金属化合物としては、例えば2-エチルヘキサン酸コバルト、コバルトIIIアセチルアセトナートなどが挙げられる。Naを含む有機金属化合物としては、例えば2-エチルヘキサン酸ナトリウムなどが挙げられる。Mgを含む有機金属化合物としては、例えば2-エチルヘキサン酸マグネシウムなどが挙げられる。勿論、Biや、Fe、Co、Na、Mg等を二種以上含む金属錯体を用いてもよい。また、バッファー層の前駆体溶液の溶媒としては、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、オクタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、オクタン、デカン、シクロヘキサン、キシレン、トルエン、テトラヒドロフラン、酢酸、オクチル酸などが挙げられる。このように、バッファー層64を、Bi及びPtを含みパイロクロア構造を有する化合物からなるものとするには、例えば、Bi、Fe及びCoの金属錯体を含む前駆体溶液、Bi、Fe及びNaの金属錯体を含む前駆体溶液、または、Bi、Fe及びMgの金属錯体含む前駆体溶液を用い、これをPtからなる第1電極60上に塗布等し焼成すればよい。前駆体溶液等の原料の組成は特に限定されず、各金属が所望のモル比となるように混合すればよいが、例えば、Bi、Fe及びCoを含む原料の場合は、モル比でBi:Fe:Co=80~120:80~120:0.5~30、Bi、Fe及びNaを含む原料の場合は、モル比でBi:Fe:Na=80~120:80~120:0.5~30、Bi、Fe及びMgを含む原料の場合は、モル比でBi:Fe:Mg=80~120:80~120:0.5~30とすればよい。勿論、Bi及びPtを含みパイロクロア構造を有する化合物からなるバッファー層64を形成することができれば、これらの原料を用いなくてもよい。次いで、このバッファー層前駆体膜63を所定温度例えば、150~200°Cに加熱して一定時間乾燥させるバッファー層乾燥工程。次に、乾燥したバッファー層前駆体膜63を所定温度例えば、350~450°Cに加熱して一定時間保持することによって脱脂するバッファー層脱脂工程。ここで言う脱脂とは、バッファー層前駆体膜63に含まれる有機成分を、例えば、NO2、CO2、H2O等として離脱させることである。バッファー層乾燥工程やバッファー層脱脂工程の雰囲気は限定されず、大気中、酸素雰囲気中や、不活性ガス中でもよい。次に、図5dに示すように、バッファー層前駆体膜63を所定温度、例えば600~850°C程度に加熱して、一定時間、例えば、1~10分間保持することによって結晶化させ、ビスマス及び白金を含みパイロクロア構造を有する化合物からなるバッファー層64を形成する焼成工程。なお、バッファー層焼成工程において、第1電極60となるPtとバッファー層前駆体膜63の構成元素が相互に拡散することにより、バッファー層64は、Biに加えてPtも含むものとなる。そして、バッファー層64は、パイロクロア構造、すなわち、A2B2O7型構造のAサイトには主にBiが、また、Bサイトには主にPtが位置しており、例えば、Bi2Pt2O7や、Bi2Pt2O7のBiやPtが他の元素Co、Na、Mg等で置換されている構造であると推測される。例えば、バッファー層の前駆体溶液として、Bi、Fe及びCoを含む原料を用いると、Bi、Pt、Fe及びCoを含みパイロクロア構造を有する化合物からなるバッファー層64が形成できる。また、Bi、Fe及びNaを含む原料を用いると、Bi、Pt、Fe及びNaを含みパイロクロア構造を有する化合物からなるバッファー層64が形成できる。また、Bi、Fe及びMgを含む原料を用いると、Bi、Pt、Fe及びMgを含みパイロクロア構造を有する化合物からなるバッファー層64を形成することができる。ここで、パイロクロア構造とは、X線回折測定により、30°付近の222面に由来する回折ピーク、及び、15°付近の111面に由来するピークが観察されるものである。なお、一般的にパイロクロア構造を持つ結晶のピーク強度は222面に由来する回折ピークが最も強く、Bi2Pt2O7においても222面に由来する回折ピークが最強ピークである。従って、全体的に回折ピークが大きい場合は222面に由来する回折ピーク、及び、111面に由来する回折ピークが検出されるが、全体的に回折ピークが弱い場合は、222面に由来する回折ピークのみ検出され、111面に由来する回折ピークはノイズに埋もれてしまい検出されない場合がある。そして、本実施形態においては、このバッファー層64は111面に配向しているものである。具体的には、X線回折装置XRDによる測定において、例えば110面のピークが観測される位置である2θ=32°、θ=16°に検出器を固定して、χ方向のスキャンを0~90°まで行うと、無配向である場合は、χ=0°の検出強度が最大となり、徐々に減衰する傾向を示す。一方、配向している場合は、その配向面に起因したピークが表れる。これにより、110面以外の配向の有無が確認できる。また、110面が配向しているか否かについては、例えば、100面のピーク位置にθ、2θを固定して、同様の測定を行い、ピークを確認し、χ=0°以外でピークが表れるか否かで配向しているか否かを判断することができる。そして、このようにして求めた無配向の場合の111面のピーク強度よりも、111面のピーク強度が強く観察される場合が、111面に配向していることを意味する。。このバッファー層焼成工程においても、雰囲気は限定されず、大気中、酸素雰囲気中や、不活性ガス中でもよい。バッファー層乾燥工程、バッファー層脱脂工程及びバッファー層焼成工程で用いられる加熱装置としては、例えば、赤外線ランプの照射により加熱するRTARapidThermalAnnealing装置やホットプレート等が挙げられる。本実施形態では、塗布工程を1回として1層からなるバッファー層64を形成したが、上述したバッファー層塗布工程、バッファー層乾燥工程及びバッファー層脱脂工程や、バッファー層塗布工程、バッファー層乾燥工程、バッファー層脱脂工程及びバッファー層焼成工程を所望の膜厚等に応じて複数回繰り返して複数層からなるバッファー層64を形成してもよい。次に、バッファー層64上にBiを含む酸化物からなる酸化物層72を形成する。酸化物層72は、例えば、金属錯体を含む溶液を塗布乾燥し、脱脂することにより製造することができる。その他、レーザーアブレーション法、スパッターリング法、パルスレーザーデポジション法PLD法、CVD法、エアロゾルデポジション法などでも酸化物層72を製造することもできる。酸化物層72を化学溶液法で形成する場合の具体的な形成手順例としては、まず、図6aに示すように、バッファー層64上に、金属錯体、具体的には、Biや、必要に応じて含有させるFe、Ba、Tiを含有する金属錯体を含むMOD溶液やゾルからなる酸化物層形成用組成物前駆体溶液をスピンコート法などを用いて、塗布して酸化物層前駆体膜圧電体層前駆体膜71を形成する塗布工程。塗布する前駆体溶液は、焼成によりBiや、必要に応じて含有させるFe、Ba、Tiを含む複合酸化物を形成しうる金属錯体を混合し、該混合物を有機溶媒に溶解または分散させたものである。また、Mn、CoやCrを含む複合酸化物を形成する場合は、さらに、Mn、CoやCrを有する金属錯体を含有する前駆体溶液を用いる。Biや、Fe、Ba、Ti、Mn、Co、Crをそれぞれ含む金属錯体を有する金属錯体の混合割合は、各金属が所望のモル比となるように混合すればよい。Bi、Fe、Ba、Ti、Mn、Co、Crをそれぞれ含む金属錯体としては、例えば、アルコキシド、有機酸塩、βジケトン錯体などを用いることができる。Biを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸ビスマス、酢酸ビスマスなどが挙げられる。Feを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸鉄、酢酸鉄、トリスアセチルアセトナート鉄などが挙げられる。Baを含む金属錯体としては、例えばバリウムイソプロポキシド、2-エチルヘキサン酸バリウム、バリウムアセチルアセトナートなどが挙げられる。Tiを含有する金属錯体としては、例えばチタニウムイソプロポキシド、2-エチルヘキサン酸チタン、チタンジ-i-プロポキシドビスアセチルアセトナートなどが挙げられる。Mnを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸マンガン、酢酸マンガンなどが挙げられる。Coを含む有機金属化合物としては、例えば2-エチルヘキサン酸コバルト、コバルトIIIアセチルアセトナートなどが挙げられる。Crを含む有機金属化合物としては、2-エチルヘキサン酸クロムなどが挙げられる。勿論、Biや、Fe、Ba、Ti、Mn、Co、Crを二種以上含む金属錯体を用いてもよい。また、前駆体溶液の溶媒としては、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、オクタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、オクタン、デカン、シクロヘキサン、キシレン、トルエン、テトラヒドロフラン、酢酸、オクチル酸などが挙げられる。次いで、この酸化物層前駆体膜71を所定温度例えば、150~200°Cに加熱して一定時間乾燥させる乾燥工程。次に、乾燥した酸化物層前駆体膜71を所定温度例えば、350~450°Cに加熱して一定時間保持することによって脱脂する脱脂工程。これにより、図6bに示すように、酸化物層72が形成される。ここで言う脱脂とは、酸化物層前駆体膜71に含まれる有機成分を、例えば、NO2、CO2、H2O等として離脱させることである。乾燥工程や脱脂工程の雰囲気は限定されず、大気中、酸素雰囲気中や、不活性ガス中でもよい。なお、塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程を複数回行ってもよい。なお、スパッターリング法で酸化物層72を形成した場合、スパッターした段階でこの脱脂工程が行われて、酸化物層72が形成されることになる。次に、図6cに示すように、酸化物層72を所定温度、例えば600~850°C程度に加熱して、一定時間、例えば、1~10分間保持することによって焼成する焼成工程。これにより酸化物層72が結晶化し、Biを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体膜73となる。この焼成工程においても、雰囲気は限定されず、大気中、酸素雰囲気中や、不活性ガス中でもよい。乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程で用いられる加熱装置としては、例えば、赤外線ランプの照射により加熱するRTARapidThermalAnnealing装置やホットプレート等が挙げられる。また、この酸化物層72の焼成工程において、同時にパイロクロア構造を有する化合物からなるバッファー層64も焼成される。本実施形態においては、この酸化物層72の焼成工程により、バッファー層64はペロブスカイト構造を有する酸化物になる。勿論、パイロクロア構造のままでもよい。いずれにしても、この酸化物層72の焼成工程の後のバッファー層64を、バッファー層焼成層65と呼ぶ。すなわち、バッファー層焼成層65は、Bi2Pt2O7や、Bi2Pt2O7のBiやPtが他の元素Co、Na、Mg等で置換されている構造等と推測されるパイロクロア構造を有する化合物からなるバッファー層64を経由して形成されるものである。次いで、上述した塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程や、塗布工程、乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程を所望の膜厚等に応じて複数回繰り返して複数の圧電体膜73からなる圧電体層70を形成することで、図6dに示すように複数層の圧電体膜73からなる所定厚さの圧電体層70を形成する。例えば、塗布溶液の1回あたりの膜厚が0.1μm程度の場合には、例えば、10層の圧電体膜73からなる圧電体層70全体の膜厚は約1.1μm程度となる。なお、本実施形態では、圧電体膜73を積層して設けたが、1層のみでもよい。このように、パイロクロア構造を有する化合物からなるバッファー層64を形成すると、この上に形成されるBiを含む圧電材料からなる層本実施形態においては圧電体層70を、パイロクロア構造を有する化合物からなるバッファー層上に形成しなかった場合と比較して、顕著に結晶性が高いものとすることができる。これは、パイロクロア構造を有する化合物からなるバッファー層64によって、その上に形成されるBiを含む圧電体層70のペロブスカイト構造の形成が促進されるためと推測される。このように本発明においては製造される圧電体層70の結晶性が高いため、例えば、変位量が向上したものとなる。このように圧電体層70を形成した後は、図7aに示すように、圧電体層70上に白金等からなる第2電極80をスパッターリング法等で形成し、各圧力発生室12に対向する領域にバッファー層焼成層65、圧電体層70及び第2電極80を同時にパターニングして、第1電極60と圧電体層70と第2電極80を有する圧電素子300を形成する。なお、バッファー層焼成層65と圧電体層70と第2電極80とのパターニングでは、所定形状に形成したレジスト図示なしを介してドライエッチングすることにより一括して行うことができる。その後、必要に応じて、例えば、600~850°Cの温度域でアニールを行ってもよい。これにより、圧電体層70とバッファー層焼成層65、第1電極60や第2電極80との良好な界面を形成することができ、かつ、圧電体層70のさらに結晶性を高くすることができる。次に、図7bに示すように、流路形成基板用ウェハー110の全面に亘って、例えば、金Au等からなるリード電極90を形成後、例えば、レジスト等からなるマスクパターン図示なしを介して各圧電素子300毎にパターニングする。次に、図7cに示すように、流路形成基板用ウェハー110の圧電素子300側に、シリコンウェハーであり複数の保護基板30となる保護基板用ウェハー130を接着剤35を介して接合した後に、流路形成基板用ウェハー110を所定の厚さに薄くする。次に、図8aに示すように、流路形成基板用ウェハー110上に、マスク膜52を新たに形成し、所定形状にパターニングする。そして、図8bに示すように、流路形成基板用ウェハー110をマスク膜52を介してKOH等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチングウェットエッチングすることにより、圧電素子300に対応する圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及び連通路15等を形成する。その後は、流路形成基板用ウェハー110及び保護基板用ウェハー130の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハー110の保護基板用ウェハー130とは反対側の面のマスク膜52を除去した後にノズル開口21が穿設されたノズルプレート20を接合すると共に、保護基板用ウェハー130にコンプライアンス基板40を接合し、流路形成基板用ウェハー110等を図1に示すような一つのチップサイズの流路形成基板10等に分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドIとする。以下、実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。実施例1まず、100単結晶シリコンSi基板の表面に熱酸化により膜厚1200nmの酸化シリコンSiO2膜を形成した。次に、SiO2膜上にRFマグネトロンスパッター法により膜厚40nmのチタン膜を作製し、熱酸化することで酸化チタン膜を形成した。次に、酸化チタン膜上にRFマグネトロンスパッター法により、111面に配向し厚さ100nmの白金膜第1電極60を形成した。次いで、第1電極60上にBi及びPtを含みパイロクロア構造を有する化合物からなるバッファー層64を形成した。その手法は以下のとおりである。まず、2-エチルヘキサン酸ビスマス、2-エチルヘキサン酸鉄及び2-エチルヘキサン酸コバルトのn-オクタン溶液を、モル濃度比がBi:Fe:Co=100:85:15となるように混合して、バッファー層の前駆体溶液を調製した。次いで、バッファー層の前駆体溶液を、酸化チタン膜及び白金膜が形成された上記基板上に滴下し、3000rpmで基板を回転させてスピンコート法によりバッファー層前駆体膜63を形成したバッファー層塗布工程。次に、ホットプレート上で、180°Cで2分間乾燥したバッファー層乾燥工程。次いで、350°Cで2分間脱脂を行ったバッファー層脱脂工程。その後に、400°C/秒で750°Cまで昇温し、酸素雰囲気中で、RTARapidThermalAnnealing装置で750°C2分間の焼成を行うことにより、ビスマス及び白金を含みパイロクロア構造を有する化合物からなるバッファー層64を形成したバッファー層焼成工程。次いで、このバッファー層64上に酸化物層72を形成した。その手法は以下のとおりである。まず、2-エチルヘキサン酸ビスマス、2-エチルヘキサン酸鉄、2-エチルヘキサン酸バリウム及び2-エチルヘキサン酸チタンの各n-オクタン溶液を、各元素がモル比でBi:Ba:Fe:Ti=75:25:75:25となるように混合して、前駆体溶液を調製した。そしてこの前駆体溶液を、バッファー層64上に滴下し、3000rpmで基板を回転させてスピンコート法により酸化物層前駆体膜71を形成した塗布工程。次に、ホットプレート上で、180°Cで2分間乾燥した乾燥工程。次いで、350°Cで2分間脱脂を行うことにより、酸化物層72を形成した脱脂工程。その後、酸化物層72を、400°C/秒で750°Cまで昇温し、酸素雰囲気中で、RTA装置で750°C2分間の焼成を行うことにより、結晶化させて、Bi、Fe、Ba及びTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体層70を形成した焼成工程。この酸化物層72の焼成工程において、同時にバッファー層64も焼成され、バッファー層焼成層65が形成された。なお、圧電体層70の厚さは80nm、バッファー層焼成層65の厚さは20nmであった。実施例2バッファー層の前駆体溶液として、2-エチルヘキサン酸ビスマス、2-エチルヘキサン酸鉄、2-エチルヘキサン酸ナトリウムのn-オクタン溶液を、モル濃度比がBi:Fe:Na=100:100:10となるように混合したものを用いた以外は、実施例1と同様の操作を行った。実施例3バッファー層の前駆体溶液として、2-エチルヘキサン酸ビスマス、2-エチルヘキサン酸鉄、2-エチルヘキサン酸マグネシウムのn-オクタン溶液を、モル濃度比がBi:Fe:Mg=100:100:10となるように混合したものを用いた以外は、実施例1と同様の操作を行った。比較例1SiO2膜、酸化チタン膜、白金膜を形成せず、100単結晶シリコンSi基板上に、直接バッファー層を形成した以外は、実施例1と同様の操作を行った。比較例2白金膜を形成せず、酸化チタン膜上に、直接バッファー層を形成した以外は、実施例1と同様の操作を行った。試験例1実施例1~3及び比較例1~2において、バッファー層64を形成した段階で、BrukerAXS社製のX線回折装置、D8DISCOVERを用い、X線源に銅を使用し、検出器に2次元検出器を使用し、室温25°Cで、作製したバッファー層64側からX線を照射して、バッファー層64の2次元のX線回折パターンを求め、また、この2次元のX線回折パターンをχ方向に積分した。なお、この2次元のX線回折パターンをχ方向に積分した結果が、回折強度-回折角2θの相関関係を示す図である。また、圧電体層70を形成した段階、すなわち、酸化物層72を形成し焼成した後の段階で、上記バッファー層64のX線回折パターンを求めた条件と同じ測定条件で、圧電体層70及びバッファー層焼成層65の2次元のX線回折パターンを求め、また、この2次元のX線回折パターンをχ方向に積分した。得られた結果を、実施例1についてバッファー層64を形成した段階での2次元のX線回折パターン図においてバッファー層形成後と表記するを図9aに、圧電体層70を形成した段階での2次元のX線回折パターン図において圧電体層形成後と表記するを図9bに、図9a及び図9bをそれぞれχ方向に積分した結果を図10に示す。また、実施例2についてバッファー層64を形成した段階での2次元のX線回折パターンを図11aに、圧電体層70を形成した段階での2次元のX線回折パターンを図11bに、図11a及び図11bをそれぞれχ方向に積分した結果を図12に示す。また、実施例3についてバッファー層64を形成した段階での2次元のX線回折パターンを図13aに、圧電体層70を形成した段階での2次元のX線回折パターンを図13bに、図13a及び図13bをそれぞれχ方向に積分した結果を図14に示す。また、比較例1についてバッファー層64を形成した段階での2次元のX線回折パターンを図15aに、圧電体層70を形成した段階での2次元のX線回折パターンを図15bに、図15a及び図15bをそれぞれχ方向に積分した結果を図16に示す。また、比較例2についてバッファー層64を形成した段階での2次元のX線回折パターンを図17aに、圧電体層70を形成した段階での2次元のX線回折パターンを図17bに、図17a及び図17bをそれぞれχ方向に積分した結果を図18に示す。この結果、実施例1では、2次元のX線回折パターンをχ方向に積分した結果である図10に示すように、バッファー層64を形成した段階ではパイロクロア構造に由来するピーク、具体的には、30°付近の222面に由来するピーク及び15°付近の111面に由来するピークが観察されるが、圧電体層70を形成した段階では、パイロクロア構造の結晶相は観察されず、ペロブスカイト構造の結晶相がみられる。また、バッファー層64を形成した段階の2次元のX線回折パターンである図9aではパイロクロア構造の222面の2θ位置でスポット状になっていることより、バッファー層64のパイロクロア構造が111面に配向していることが分かる。一方、圧電体層70を形成した段階の2次元のX線回折パターンである図9bでは、図9aにおいて観察された222面の2θ位置でのスポットが観察されないことから、パイロクロア構造が消滅したことが分かる。つまり、最初の焼成バッファー層焼成工程で形成されるバッファー層64はパイロクロア構造であり、このバッファー層64が次の酸化物層72の焼成焼成工程でペロブスカイト構造へと結晶が変わっていることが分かる。また、圧電体層70を形成した段階では、パイロクロア構造の結晶相は観察されず、ペロブスカイト構造の結晶相がみられたことから、圧電体層70及びバッファー層焼成層65は、それぞれペロブスカイト構造を有する化合物からなるものであることが分かる。実施例2及び実施例3は、図11~図14に示すように、実施例1と同様の結果が得られ、最初の焼成バッファー層焼成工程で形成されるバッファー層64はパイロクロア構造であり、このバッファー層64が次の酸化物層72の焼成焼成工程でペロブスカイト構造へと結晶が変わっていることが分かる。また、圧電体層70及びバッファー層焼成層65は、それぞれペロブスカイト構造を有する化合物からなるものであることが分かる。比較例1~2は、バッファー層64を形成した段階ではパイロクロア構造に由来するピークは観察されなかった。また、比較例1~2は、圧電体層70を形成した段階では、パイロクロア構造の結晶相は観察されず、また、若干のペロブスカイト構造がみられるが、ペロブスカイト構造を有する結晶のピーク強度は極めて小さかった。ここで、実施例1ではこの構造を構成する元素は、Si、Bi、Fe、Co、Pt、Tiであり、比較例1ではSi、Bi、Fe、Coであり、比較例2ではSi、Bi、Fe、Ti、Coである。そして、実施例1のバッファー層64のパイロクロア構造の構成元素を考えると、パイロクロア構造のAサイトはイオン半径のとりうる大きさからBiのみが候補となり、Bサイトは実施例1と、比較例1~2の構成元素の違いから判断するとPtが候補となる。したがって、実施例のパイロクロア構造を有する化合物からなるバッファー層64は、Bi及びPtを含むものであり、Bi2Pt2O7や、Bi2Pt2O7のBiやPtが実施例1であればCo等、実施例2であればNa等、実施例3であればMg等で置換されている構造であるといえる。なお、実施例1~3は、2次元のX線回折パターンをχ方向に積分した結果からも、バッファー層64がBi及びPtを含む化合物を有することが分かる。そして、図9~図18に示すように、Ptからなる第1電極60上にBi及びPtを含みパイロクロア構造を有する化合物からなるバッファー層64を形成した後に圧電体層70を形成した実施例1~3では、パイロクロア構造を有する化合物からなるバッファー層64を形成しなかった比較例1~2に比べて、ピーク強度が高く、結晶性が高いことが確認された。以上より、Bi及びPtを含みパイロクロア構造を有する化合物からなるバッファー層64は、その上に形成されるBiを含む圧電体層70のペロブスカイト構造の形成を促進させる効果があることが分かる。他の実施形態以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明の基本的構成は上述したものに限定されるものではない。例えば、上述した実施形態では、流路形成基板10として、シリコン単結晶基板を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、SOI基板、ガラス等の材料を用いるようにしてもよい。さらに、上述した実施形態では、基板流路形成基板10上に第1電極60、圧電体層70及び第2電極80を順次積層した圧電素子300を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、圧電材料と電極形成材料とを交互に積層させて軸方向に伸縮させる縦振動型の圧電素子にも本発明を適用することができる。また、これら実施形態のインクジェット式記録ヘッドは、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録装置に搭載される。図19は、そのインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。図19に示すインクジェット式記録装置IIにおいて、インクジェット式記録ヘッドIを有する記録ヘッドユニット1A及び1Bは、インク供給手段を構成するカートリッジ2A及び2Bが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3は、装置本体4に取り付けられたキャリッジ軸5に軸方向移動自在に設けられている。この記録ヘッドユニット1A及び1Bは、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとしている。そして、駆動モーター6の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト7を介してキャリッジ3に伝達されることで、記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3はキャリッジ軸5に沿って移動される。一方、装置本体4にはキャリッジ軸5に沿ってプラテン8が設けられており、図示しない給紙ローラーなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートSがプラテン8に巻き掛けられて搬送されるようになっている。なお、上述した実施形態では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELディスプレイ、FED電界放出ディスプレイ等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオchip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。また、本発明にかかる圧電素子は、液体噴射ヘッドに用いられる圧電素子に限定されず、その他のデバイスにも用いることができる。その他のデバイスとしては、例えば、超音波発信器等の超音波デバイス、超音波モーター、温度-電気変換器、圧力-電気変換器、強誘電体トランジスター、圧電トランス、赤外線等の有害光線の遮断フィルター、量子ドット形成によるフォトニック結晶効果を使用した光学フィルター、薄膜の光干渉を利用した光学フィルター等のフィルターなどが挙げられる。また、センサーとして用いられる圧電素子、強誘電体メモリーとして用いられる圧電素子にも本発明は適用可能である。圧電素子が用いられるセンサーとしては、例えば、赤外線センサー、超音波センサー、感熱センサー、圧力センサー、焦電センサー、及びジャイロセンサー角速度センサー等が挙げられる。"