波長200nm以下の真空紫外光を発する光源と、処理室と、前記処理室内に設置され前記真空紫外光により処理される被処理材を設置するステ-ジとを有する処理装置において、前記光源は、ド-ナツ状の発光部を有することを特徴とする処理装置。請求項1記載の処理装置において、前記光源は、前記ド-ナツ状の発光部の内側に内側発光部を更に有することを特徴とする処理装置。請求項2記載の処理装置において、前記ド-ナツ状の発光部と前記内側発光部は、前記ステージ上に設置される前記被処理材に対し、同軸上となるように配置されるものであることを特徴とする処理装置。請求項3記載の処理装置において、前記光源は、前記ド-ナツ状の発光部と前記内側発光部に各々電力を供給する複数の光源用電源あるいは出力分配器に接続されることを特徴とする処理装置。請求項4記載の処理装置において、前記ドーナツ状の発光部と前記内側発光部とはそれぞれ分離されており、前記ド-ナツ状の発光部あるいは前記内側発光部を、前記ステージ上に配置される前記被処理材に対し同軸上において相対的な高さ位置を変化させる機構を更に有することを特徴とする処理装置。請求項1記載の処理装置において、前記光源は、誘電体バリア放電を用いた光源であることを特徴とする処理装置。請求項6記載の処理装置において、前記光源は、エキシマ発光光源であることを特徴とする処理装置。請求項1記載の処理装置において、前記光源は、ガス導入口、ガス排出口、ガス供給装置、真空排気装置、圧力調整装置、電力供給装置を有するプラズマ光源であることを特徴とする処理装置。請求項2記載の処理装置において、前記内側発光部は、円板状あるいはドーナツ状であることを特徴とする処理装置。請求項1記載の処理装置において、前記光源と前記処理室とを隔壁すると共に前記真空紫外光が透過する窓を更に有することを特徴とする処理装置。請求項10記載の処理装置において、前記処理室は、ガス導入口およびガス排出口を更に有することを特徴とする処理装置。請求項10記載の処理装置において、前記処理室は、真空排気口を更に有することを特徴とする処理装置。半導体素子等の製造に用いられる基板は拡大の方向にあり、基板内における均一処理が益々重要になると思われる。そこで発明者らは、エキシマランプ等を用いたVUV真空紫外光処理装置における均一処理について検討した。発明者等が検討したVUV真空紫外光処理装置の縦断面図を図1に示す。この場合、波長200nm以下の誘電体バリア放電を用いた円板状エキシマランプ1がランプハウス2内に設置されている。円板状エキシマランプ1は、波長172nmのエキシマ光を放出するXeエキシマランプを使用する場合が多い。円板状エキシマランプ1は、合成石英の容器3にガスが封入されており、また円板状容器3の上部に電極4と下部に電極5が設置されている。また下部電極5は接地され、上部電極4は、電源6に接続されており、円板状容器3内に誘電体バリア放電を発生させる。下部電極5をメッシュあるいはパンチメタル構造とすることにより、上記誘電体バリア放電からの真空紫外光を取り出している。処理室7内には、被処理材であるウェハ8が、ウェハステ-ジ9上に載置される。ここでウェハの直径は300mmである。またランプハウス2と処理室7の間には、円板状エキシマランプ1から放射される真空紫外光が、ウェハ8に照射されるように、真空紫外光を透過することができる窓10が設置されている。この場合、窓材としては、波長172nmのエキシマ光が透過可能な合成石英のフラットな板を使用した。ランプハウス2と処理室7は、窓10で隔壁されている。ランプハウス2には、ガス導入口図示省略とガス排出口図示省略が設けられており、この場合、N2ガスを導入し、ランプハウス2内をN2に置換することにより、空気中のO2による真空紫外光の減衰を抑制している。同様に、処理室7にも、ガス導入口図示省略とガス排出口図示省略が設けられており、この場合、N2ガスを導入し、処理室7内をN2に置換することにより、真空紫外光の空気中のO2による減衰を抑制している。また別のケ-スでは、処理室7に設けた真空排気口図示省略と真空排気システム図示省略により、処理室7内を真空とし、ウェハ8に真空紫外光を照射する。更に別のケ-スでは、処理室7に設けた真空排気口図示省略およびガス導入口図示省略と真空排気システム図示省略およびガス供給システム図示省略により、処理室7内を真空排気後、ガスを導入し、減圧下で、ウェハ8に真空紫外光を照射する。図2に、ランプの発光部が直径330mmでの真空紫外光の光強度分布径方向とランプ-ウェハ間距離軸方向との関係の計算結果を示す。簡単のために、1ランプ直下では、放射光強度分布は均一、2窓10なし、3気相中で、真空紫外光の減衰なしとし、計算した。図2に示すように、ランプ1-ウェハ8間距離が増加するに伴って、真空紫外光の光強度が減少し、ランプ1の下部と言えども、均一性が劣化する。このことは、ランプ1からの光の放射が立体角に関係することから、理解することができる。ランプの発光部が円板状の場合は、ランプの発光部が、ウェハ8に対して非常に大きく、且つ、ランプ-ウェハ間距離が小さい場合は良好な光均一性が得られる。しかしながら、円板状エキシマランプ1とウェハ8には、窓10の設置が必要である。窓10は、ランプハウス2と処理室7を隔壁し、ランプハウス2内にN2ガス導入等により、誘電体バリア放電により高温となる円板状エキシマランプ1を冷却するとともに、ランプハウス2内からの微小異物がウェハ8に付着し、歩留まりが低下することを抑制する。また1ウェハ8のウェハステ-ジ9への搬送/搬出図示省略、2ウェハ8からの揮発物の窓10への付着抑制の観点から、窓10とウェハ8との間隔は、ある程度の距離は必要である。以上のように、有限の大きさの円板状エキシマランプ1で、ウェハ8の搬送/搬入が自動で行える機構を備えた、波長200nm以下のエキシマランプ等を用いたVUV真空紫外光処理装置では、真空紫外光の照射光強度のウェハ面内均一性について十分が配慮がされておらず、ウェハ8全面に均一に真空紫外光を照射し、均一にウェハ8を処理することが困難であることが分かった。そこで、従来の均一性向上策について更に検討した。特許文献1には、管状のエキシマランプを複数設置し、被処理材であるウェハに真空紫外光を照射し、ウェハを処理する処理装置が開示されている。しかしながら、真空紫外光の照射光強度のウェハ面内均一性およびそれに伴うウェハ処理の均一性については、十分に考慮されていない。特許文献2には、円筒状誘電体バリア放電ランプを複数設置し、隣接したランプ間に概略V字型の光反射板を設けた放電ランプ装置が開示され、真空紫外光の照射光強度の均一性について考慮されている。しかし、この場合でも、真空紫外光の照射光強度のウェハ面内均一性は十分ではないことが予想された。即ち、円筒状ランプ軸方向に垂直方向複数のランプを並べる方向の均一性については、配慮されているものの、円筒状ランプとウェハ間に間隔がある場合で、円筒状ランプの軸方向の照射光強度のウェハ面内均一性については、配慮されていない。特許文献3には、ランプに対し、ウェハステ-ジを回転運動あるいは並進運動させる半導体製造装置が開示されている。ウェハステ-ジを回転運動させる場合、周方向の均一性は改善されるものの、径方向の均一性を十分に改善することが困難である。特に中心付近では、光強度の特異点が生じ易く、ウェハ全面で高均一に真空紫外光を照射することが困難である。ウェハステ-ジを並進運動させる場合でも、上述したように、円筒状ランプとウェハ間に間隔がある場合で、円筒状ランプの軸方向の照射光強度のウェハ面内均一性については、配慮されておらず、一般的な並進運動の方向である、ランプの軸方向に対し垂直方向に並進運動させた場合、ランプの長さ方向の均一性を改善することができず、ウェハ全面で高均一に真空紫外光を照射することが困難である。また特に半導体素子を製造するウェハの場合、微細加工が要求されるため、歩留まりの観点から、微小異物の低減が必須となる。ウェハステ-ジを駆動させる場合、駆動部から異物が発生するリスクが高い。このため微小異物低減の観点からは、ウェハステ-ジ固定で、真空紫外光の照射光強度のウェハ面内均一性を向上することが望ましい。また特許文献4や5には、薄板箱状ランプを設けたエキシマ照射装置が開示されている。これらの装置では、放電容器の内部には、窓面に平行な面内で互いに直交する2方向のそれぞれに沿って等間隔で複数の支柱が配置されている。上記は、1薄板箱状ランプのサイズが、被処理材のサイズよりも非常に大きく、2薄板箱状ランプと被処理材との間隔が小さく、3上述の複数の支柱のサイズが小さい場合に、良好な照射光強度の均一性が得られる。しかし、ランプと被処理材との間隔が広い程、照射光強度は凸型分布となる。上述のように、従来の波長200nm以下のエキシマランプ等を用いたVUV真空紫外光処理装置は、真空紫外光の照射光強度のウェハ面内均一性およびそれに伴うウェハ処理の均一性が今後の要求を満たすには不十分であると思われる。本発明の目的は、光源からウェハ等の処理基板までの距離が離れている場合、処理基板表面全面に均一にVUV真空紫外光を照射し、処理基板を均一に処理することのできる処理装置を提供することにある。上記目的を達成するための一実施形態として、波長200nm以下の真空紫外光を発する光源と、処理室と、前記処理室内に設置され前記真空紫外光により処理される被処理材を設置するステ-ジとを有する処理装置において、前記光源は、ド-ナツ状の発光部を有することを特徴とする処理装置とする。本発明によれば、光源からウェハ等の処理基板までの距離が離れている場合、光源がド-ナツ状の発光部を有することにより、処理基板表面全面に均一にVUV真空紫外光を照射し、処理基板を均一に処理することのできる処理装置を提供することができる。以下、実施例により詳細に説明する。本発明の第1の実施例を図3、図4、図5及び図6により説明する。図3に、本実施例のVUV真空紫外光処理装置の縦断面図を示す。本実施例において、波長200nm以下の誘電体バリア放電を用いた円板状エキシマランプ11がランプハウス2内に設置されている。円板状エキシマランプ11の中央部に合成石英の支柱を設置し、発光部はドーナツ状とした。また円板状エキシマランプ11は、ウェハ処理基板8に対し、同軸上となるように設置した。なお、同一符号は同一構成要素を示す。本実施例の場合、円板状エキシマランプ11は、波長172nmのエキシマ光を放出するXeエキシマランプを使用したが、波長126nmのArエキシマランプ、波長146nmのKrエキシマランプ、波長193nmのArFエキシマランプ等、他のVUV真空紫外光光源を使用しても良い。円板状エキシマランプ11は、合成石英の円板状容器3にガスが封入されており、また円板状容器3の上部に上部電極4と下部に下部電極5が設置されている。また下部電極5は接地され、上部電極4は、電源6に接続されており、円板状容器3内に誘電体バリア放電を発生させる。下部電極5をメッシュあるいはパンチメタル構造とすることにより、上記誘電体バリア放電からの真空紫外光を取り出している。処理室7内には、被処理材であるウェハ8が、ウェハステ-ジ9上に載置される。本実施例では、ウェハの直径は300mmである。またランプハウス2と処理室7の間には、円板状エキシマランプ11から放射される真空紫外光が、ウェハ8に照射されるように、真空紫外光を透過することができる窓10が設置されている。この場合、窓材としては、波長172nmのエキシマ光が透過可能な合成石英のフラットな板を使用したが、フッ化マグネシウムMgF2、フッ化カルシウムCaF2、フッ化リチウムLIF、サファイアAl2O3等の他のVUV真空紫外光を透過する材料を用いても良い。但し、材料に応じてVUV真空紫外光の透過スペクトルが異なるので、使用するVUV真空紫外光光源の光が透過する材料を選択する必要がある。ランプハウス2と処理室7は、窓10で隔壁されている。ランプハウス2には、ガス導入口図示省略とガス排出口図示省略が設けられており、本実施例では、N2ガスを導入し、ランプハウス2内をN2に置換することにより、空気中のO2による真空紫外光の減衰を抑制している。真空紫外光による減衰が小さければ、He、Ne、Kr、Ar等、他の希ガスを用いても良い。同様に、処理室7にも、ガス導入口図示省略とガス排出口図示省略が設けられており、本実施例では、N2ガスを導入し、処理室7内をN2に置換することにより、真空紫外光の空気中のO2による減衰を抑制している。上述と同じく、He等、他の希ガスを用いても良い。また別のケ-スでは、処理室7に設けた真空排気口図示省略と真空排気システム図示省略により、処理室7内を真空とし、ウェハ8に真空紫外光を照射する。更に別のケ-スでは、処理室7に設けた真空排気口図示省略およびガス導入口図示省略と真空排気システム図示省略およびガス供給システム図示省略により、処理室7内を真空排気後、光励起反応ガスあるいはウェハ8との光アシスト表面反応ガスを導入し、減圧下で、ウェハ8に真空紫外光を照射する。またランプハウス2および処理室7から排出されたガスは、必要に応じて、排ガス処理装置図示省略を通して、処理する。図4に、本実施例の変形例を示す。図4では、ドーナツ状エキシマランプ12とし、中央部は空洞である。図3の場合と同様に、発光部は、ドーナツ状であり、ウェハ8に対し、同軸上となるように配置した。図5に、ランプの発光部外径330mm-内径110mmでの真空紫外光の光強度分布径方向とランプ-ウェハ間距離軸方向との関係の計算結果を示す。また図6に、ランプの発光部外径330mm-内径210mmでの真空紫外光の光強度分布径方向とランプ-ウェハ間距離軸方向との関係の計算結果を示す。簡単のために、1ランプ直下では、放射光強度分布は均一、2窓10なし、3気相中で、真空紫外光の減衰なしとし、計算した。図5、図6ともに、図2と比較すると、ランプ-ウェハ間距離80mmで良好な光均一性が得られている。ランプの発光部の外径と内径を調整すれば、所望のランプ-ウェハ間距離で良好な光均一性を得ることができる。また通常、エキシマランプ1、11、12の内部は、減圧されている。このため、発光部が円板状のランプ1よりも、発光部がドーナツ状のランプ11、12の方が、圧力容器の強度の点で有利と言える。従って本実施例によれば、波長200nm以下のエキシマランプ等を用いたVUV真空紫外光処理装置において、VUV光真空紫外光を発するド-ナツ状の発光部を有する光源を、被処理材料に対し、同軸上となるように配置することにより、ウェハ搬送等に必要な、窓10-ウェハ8間距離を十分確保した上で、ウェハ8全面に均一に真空紫外光を照射することができ、その結果、ウェハ8全面を均一に処理することができると言う効果がある。本発明の第2の実施例を図7、図8、図9および図10により説明する。なお、実施例1に記載され本実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施例にも適用することができる。図7は本実施例に係るVUV真空紫外光処理装置の縦断面図であり、図3に示す第1の実施例において、ランプの中央部に円板状の発光部を設けたものである。ドーナツ状発光部と円板状発光部を有するランプ13を、ウェハ8に対し同軸上となるように配置した。またドーナツ状発光部と円板状発光部には、各々、電源6と上部電極4を設けることにより、各発光部は独立した誘電体バリア放電を生成できるように構成した。接地される下部電極5は共通としたが、上記と同様に別々に設けても良い。上述の構成により、ドーナツ発光部と円板状発光部の光強度を、所望の比率に設定できる。図8は、ドーナツ状発光部と円板状発光部を有することは、図7と同じだが、ド-ナツ状ランプ12の内側に、円板状ランプ1を設けることにより、個別のランプとした第2の実施例の変形例のVUV真空紫外光処理装置の縦断面図である。この場合もドーナツ状ランプ12と円板状ランプ1は、ウェハ8に対し同軸上となるように配置した。また各々のランプには、各々、電源6と電源6に接続された上部電極4と接地された下部電極5を設けることにより、独立した誘電体バリア放電を生成できるように構成した。上述の構成により、ドーナツ状ランプ12と円板状ランプ1の光強度を、所望の比率に設定できる。図9に、ド-ナツ状発光部外径330mm-内径210mm、円板状発光部外径150mmで、単位面積当たりの発光強度が、円板状発光部:ドーナツ状発光部=1:2とした場合の真空紫外光の光強度分布径方向とランプ-ウェハ間距離軸方向との関係の計算結果を示す。また図10に、ランプ-ウェハ間距離80mmの場合における、1円板状発光部外径330mm、2ドーナツ状発光部外径330mm、内径110mm、3ドーナツ状発光部外径330mm、内径210mmと4ドーナツ状発光部外径330mm、内径210mm円板状発光部外径150mmでの真空紫外光の光強度分布径方向の計算結果の比較を示す。図9に示すように、ランプ-ウェハ間距離80mmで良好な光量均一性が得られている。また図10に示すように、図1に示す円板状発光部、第1の実施例のドーナツ状発光部よりも、本実施例のドーナツ状発光部円板状発光部の場合が、良好な光量均一性を得ることができる。またドーナツ状発光部と円板状発光部の発光強度比率を変化させれば、所望のランプウェハ間距離で、良好な光量均一性を得ることができる。またウェハ8に照射する光量を凹型分布~凸型分布に任意に変化させることができる。これにより、ウェハ処理の均一性を、必要に応じて、補正することができる。従って本発明の第2の実施例によれば、第1の実施例と同様の作用効果に加えて、所望のランプウェハ間距離で、良好な光量均一性を得ることができ、また光量分布を凹型~凸型に任意に変化させ、所望の光量分布でウェハ8を処理することができると言う効果がある。本発明の第3の実施例を図11および図12により説明する。なお、実施例1又は2に記載され本実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施例にも適用することができる。図11は本実施例に係るVUV真空紫外光処理装置の縦断面図であり、図7に示す第2の実施例において、ランプの中央部にドーナツ状の発光部を設けたものである。内外の2つのドーナツ状発光部を有するランプ14を、ウェハ8に対し同軸上となるように配置した。図12は、内外の2つのドーナツ状発光部を有することは、図11と同じだが、内外に個別のド-ナツ状ランプ12を設けた第3の実施例の変形例のVUV真空紫外光処理装置の縦断面図である。この場合も内外に2つのドーナツ状ランプ12は、ウェハ8に対し同軸上となるように配置した。本発明の第3の実施例によれば、第2の実施例と同様の作用効果がある。本発明の第4の実施例を図13により説明する。なお、実施例1乃至3のいずれかに記載され本実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施例にも適用することができる。図13は本実施例に係るVUV真空紫外光処理装置の縦断面図であり、図12に示す第3の実施例の変形例において、内外のドーナツ状ランプ12に、電源6を電力分配器15を介して接続したものである。電力分配器15は、所望の分配比率で、電力を内外のドーナツ状ランプ12に供給することができる。従って、本発明の第4の実施例によれば、第3の実施例と同様の作用効果に加えて、使用する電源の数を削減し、簡素化できると言う作用効果がある。本発明の第5の実施例を図14により説明する。なお、実施例1乃至4のいずれかに記載され本実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施例にも適用することができる。図14は本実施例に係るVUV真空紫外光処理装置の縦断面図であり、図8に示す第2の実施例の変形例において、内外のランプ1、12とウェハ8との各々の距離を異なるようにしたものである。また必要に応じて、内外のランプ1、12とウェハ8との各々の距離を変化されるように、駆動機構図示省略を設けたものである。これにより、ウェハ8に照射する光量分布を広範囲に変化されることができる。従って、本発明の第5の実施例によれば、第3の実施例と同様の作用効果に加えて、更に高均一のウェハ8処理を行うことができると言う効果がある。また更に広範囲の所望の光量分布でウェハ8を処理することができるので、ウェハ8処理の均一性を高精度に補正することができると言う効果がある。本発明の第6の実施例を図15により説明する。なお、実施例1乃至5のいずれかに記載され本実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施例にも適用することができる。図15は本実施例に係るVUV真空紫外光処理装置の縦断面図であり、図3に示す第1の実施例において、ランプ11にガスを封入するのではなく、ガス導入口16とガス排出口17を設けたものである。所望のガスをガス供給装置図示省略より、ガス導入口16を介して容器3に導入する。一方、ガス排出口17を介して、ガス排出装置図示省略により、ガスを排出する。圧力調整装置図示省略により、容器3内を所望の圧力に調整する。従って、実施例では、ガスを封入した所謂、ランプではなく、ガスが容器3内を流入、流出する所謂、プラズマ光源18である。ガスを封入したランプの場合、長時間の放電により、1ガスの劣化や2容器3の温度上昇に伴うガス圧力の変化等により、光量の経時変化が生じる。一方、プラズマ光源の場合は、容器3内に常時、新鮮なガスが流入し、圧力も一定に調整されるため、光量の経時変化が小さい。従って、本発明の第6の実施例によれば、第1の実施例と同様の作用効果に加えて、光量の経時変化を小さくできるので、ウェハ8処理の経時変化を小さくできると言う効果がある。以上の実施例では、円板状エキシマランプ、ドーナツ状エキシマランプは、波長172nmのエキシマ光を放出するXeエキシマランプを使用したが、波長126nmのArエキシマランプ、波長146nmのKrエキシマランプ、波長193nmのArFエキシマランプ等、他のVUV真空紫外光光源を使用しても良い。プラズマ光源の場合にも同様に、Xeガス、Arガス、Krガス等混合ガスを含むによる誘電体バリア放電、あるいはマイクロ波放電、ECR放電、ICP放電、平行平板型放電、マグネトロン放電、ホローカソード放電、DC放電等によるVUV光源真空紫外光源を使用しても良い。また上記実施例では、2つのランプあるいは2つの発光部を有する場合について述べたが、複数のランプあるいは複数の発光部を有する場合でも良い。多数のランプあるいは多数の発光部を有するほど、高精度に光量分布を調整することができる。また以上の実施例のアプリケ-ションとしては、ウェハ上の有機汚染除去、Lowk膜キュア、レジストパターンのLWR低減、レジストパターンのCD変動抑制、レジストトリムCD制御等に適用することができる。特にレジストパターン処理では、レジストドライArFレジスト、液浸ArFレジスト、EUVレジスト等を、露光機ArF露光機、EUV露光機等で露光後、現像し、レジストパタ-ニングする。その後、本VUV真空紫外光処理装置で、処理室内を真空あるいは、N2等の真空紫外光を吸収せず、かつ、不活性なガス雰囲気でVUV真空紫外光を照射することにより、レジスト初期LWRLineWidthRoughnessを低減することができる。このLWR低減後のレジストをマスクとして、レジストの下地膜をプラズマ等でエッチングすることにより、LWRの小さい微細加工を実現することができる。レジストパターンのCD変動抑制についても、同様に、レジスト露光、現像後にVUV真空紫外光を照射することにより、レジストの電子線によるシュリンクCD減少を抑制することができ、CD-SEM等で安定に測定することができる。正確にマスクであるレジストパターンの寸法を計測することができるので、レジストの下地膜をプラズマ等でエッチングすることにより、精度高く目標CD寸法に微細加工できる。レジストトリムでは、処理室を減圧後、O2等の反応性ガス導入、あるいは、処理室をN2等の真空紫外光を吸収せず、かつ、不活性なガス雰囲気とした後、O2等の反応性ガスを導入することにより、レジストをトリミングし、所望のCDに調節することができる。またリソグラフィ後のレジストパターンの初期CD面内分布あるいは初期LWR分布に応じて、真空紫外光の面内分布を所望の分布凹分布、凸分布等に補正することにより、レジストパターンのCD面内分布あるいはLWR分布を高均一分布等、所望の分布に補正することができる。その他、VUV光真空紫外光をウェハ等の被処理材に照射し、処理するアプリケ-ションであれば、本発明を適用することができ、同様の作用効果がある。