半導体発光デバイスをパッケージ化する方法であって、前面の上に前記半導体発光デバイスを有する基板を設けるステップと、前記前面の上の前記半導体発光デバイスの近傍に、第1の材料から第1の光学要素を形成するステップと、前記半導体発光デバイス及び前記第1の光学要素を覆って、前記第1の材料と異なる第2の材料から第2の光学要素を形成するステップとを含み、前記第1の光学要素を形成するステップ及び/又は前記第2の光学要素を形成するステップは、それぞれの光学要素を圧縮成形するステップを含むことを特徴とする方法。前記第2の光学要素を形成するステップは、前記前面の上に、前記第2の光学要素を圧縮成形するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記第1の光学要素を形成するステップは、前記前面の上に、前記第1の光学要素を圧縮成形するステップを含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。前記第1の光学要素を圧縮成形するステップ及び前記第2の光学要素を圧縮成形するステップは、前記第1の光学要素を形成するように構成された第1の成形キャビティ及び前記第2の光学要素を形成するように構成された第2の成形キャビティを備える自動成形装置に、前記基板を装着するステップと、前記基板を、前記第1の成形キャビティの方に移動するステップと、前記第1の成形キャビティ内において、前記第1の光学要素を前記前面の上に圧縮成形するステップと、前記第1の光学要素を有する前記基板を、前記基板を前記自動成形装置から取り外すことなく前記第2の成形キャビティの方に移動するステップと、前記第2の成形キャビティ内において、前記第2の光学要素を圧縮成形するステップと、前記第1の光学要素および前記第2の光学要素を有する前記基板を、前記自動成形装置から取り外すステップとを含むことを特徴とする請求項3に記載の方法。前記基板は、前記前面の上に複数の半導体発光デバイスを備え、前記第1の光学要素を圧縮成形するステップ及び前記第2の光学要素を圧縮成形するステップは、前記半導体発光デバイスの対応するそれぞれの上を覆って、前記前面の上に、複数の第1の光学要素を圧縮成形するステップ及び複数の第2の光学要素を圧縮成形するステップを含み、前記第1の成形キャビティ及び前記第2の成形キャビティは、前記複数の半導体発光デバイスの対応するそれぞれの近傍に配置された、レンズ形状の複数のキャビティをそれぞれ備えることを特徴とする請求項4に記載の方法。前記第2の光学要素を圧縮成形するステップは、前記第2の光学要素を、前記半導体発光デバイス及び前記第1の光学要素の上を覆って圧縮成形するステップを含むことを特徴とする請求項3に記載の方法。前記第1の光学要素と前記第2の光学要素とは、パッケージ化された半導体発光デバイスに所望の光学特性を与えるように選択された異なる屈折率を有することを特徴とする請求項6に記載の方法。前記第1の光学要素および前記第2の光学要素は、パッケージ化された半導体発光デバイスに選択された視角を与えるように構成されることを特徴とする請求項6に記載の方法。前記第1の材料は、圧縮成形の間に前記第1の光学要素の前記基板への接着を促進するように、かつ/または、パッケージ化された前記半導体発光デバイスの熱サイクルの間に前記半導体発光デバイスおよび/または前記半導体発光デバイスに結合しているワイヤボンドに加えられる応力を制限するように選択された接着特性を有することを特徴とする請求項6に記載の方法。前記第1の材料および/または前記第2の材料は、蛍光体を含み、前記第1の材料および/または前記第2の材料は、シリコーンを含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。前記基板を設けるステップは、反射キャビティを伴わずに、前記前面の上に前記前面と同じ高さに前記半導体発光デバイスを備え付けるステップを含み、前記第2の光学要素は、前記半導体発光デバイスを囲む前記基板の前記前面の領域に成形され、前記領域から延在し、かつ、前記半導体発光デバイスを覆って延在することを特徴とする請求項2に記載の方法。前記第1の光学要素を形成するステップは、圧縮成形以外のプロセスを用いて、前記第1の光学要素を形成するステップを含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。圧縮成形以外の前記プロセスは、ディスペンシング及び/又はボンディングを含むことを特徴とする請求項12に記載の方法。前記第1の光学要素を形成するステップは、前記半導体発光デバイスの近傍ではあるが前記半導体発光デバイスを覆わずに前記第1の光学要素を形成するステップを含むことを特徴とする請求項12に記載の方法。前記第2の材料は、前記第1の材料と異なる屈折率を有し、前記第1の光学要素は、キャビティを画定するように成形され、前記半導体発光デバイスは、前記キャビティ内に配置されることを特徴とする請求項14に記載の方法。前記第2の材料は、圧縮成形の間に前記第2の光学要素の前記基板への接着を促進するように、かつ/または、パッケージ化された前記半導体発光デバイスの熱サイクルの間に前記発光デバイスおよび/または前記発光デバイスに結合しているワイヤボンドに加えられる応力を制限するように選択された接着特性を有することを特徴とする請求項14に記載の方法。前記基板は、前記前面の上にコンタクトを備え、前記第2の光学要素を圧縮成形するステップは、前記基板を圧縮成形して、前記半導体発光デバイスの上を覆う前記基板の前記前面の上の前記第2の光学要素と、前記基板の前記前面の上の前記コンタクトを含む領域を覆う残余コーティングとを形成するステップを含み、前記方法は、前記コンタクトに損傷を与えることなく、前記コンタクトを覆う前記残余コーティングを取り除くステップをさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。前記第1の光学要素または前記第2の光学要素は、前記半導体発光デバイス及び前記半導体発光デバイスを前記基板に結合するワイヤボンドの上を覆って圧縮成形され、前記ワイヤボンドに直接に接触することを特徴とする請求項1に記載の方法。前記基板は、セラミック基板、MCPCB、可撓性回路基板、および/またはリードフレームを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記基板は、前記前面の上に複数の半導体発光デバイスを備え、前記第1の光学要素を形成するステップおよび前記第2の光学要素を形成するステップは、前記半導体発光デバイスの対応するそれぞれの上を覆って、前記基板の前記前面の上に、複数の第1の光学要素を形成するステップおよび複数の第2の光学要素を成形するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。パッケージ化された半導体発光デバイスであって、基板と、前記基板の前面の上に備え付けられた半導体発光デバイスと、前記基板の前記前面の上の前記半導体発光デバイスの近傍の第1の光学要素と、前記基板の前記前面の上の前記半導体発光デバイス及び前記第1の光学要素を覆う第2の光学要素とを備え、前記第1の光学要素および/または前記第2の光学要素は、圧縮成形された光学要素を備えることを特徴とするパッケージ化された半導体発光デバイス。前記半導体発光デバイスは、反射キャビティを伴わずに前記基板の前記前面の上に前記前面と同じ高さに備え付けられ、前記第2の光学要素は、前記半導体発光デバイスを囲む前記基板の前記前面の領域に成形され、前記領域から延在し、かつ、前記半導体発光デバイスを覆って延在することを特徴とする請求項21に記載のパッケージ化された半導体発光デバイス。前記圧縮成形された光学要素は、シリコーンレンズを備えることを特徴とする請求項21に記載のパッケージ化された半導体発光デバイス。前記半導体発光デバイスは、複数の半導体発光デバイスを備え、前記圧縮成形された光学要素は、前記半導体発光デバイスの対応するそれぞれの上を覆う複数の圧縮成形された光学要素を備えることを特徴とする請求項21に記載のパッケージ化された半導体発光デバイス。前記半導体発光デバイスに電気的に結合された、前記基板の前記前面の上のコンタクトをさらに備えることを特徴とする請求項21に記載のパッケージ化された半導体発光デバイス。前記半導体発光デバイスは、複数の半導体発光デバイスを備え、前記コンタクトは、各半導体発光デバイスに電気的に結合された、前記前面の上の複数のコンタクトを備え、前記圧縮成形された光学要素は、前記半導体発光デバイスの対応するそれぞれを覆う複数の圧縮成形された光学要素を備えることを特徴とする請求項25に記載のパッケージ化された半導体発光デバイス。前記圧縮成形された光学要素は、シリコーンレンズを備えることを特徴とする請求項26に記載のパッケージ化された半導体発光デバイス。前記半導体発光デバイスを前記基板のコンタクト部分に電気的に結合するワイヤボンドをさらに備え、前記圧縮成形された光学要素のうちの少なくとも1つは、前記ワイヤボンドに直接に接触することを特徴とする請求項25に記載のパッケージ化された半導体発光デバイス。前記第1の光学要素と前記第2の光学要素とは、前記パッケージ化された半導体発光デバイスに所望の光学特性を与えるように選択された異なる屈折率を有することを特徴とする請求項21に記載のパッケージ化された半導体発光デバイス。前記第1の光学要素および前記第2の光学要素は、前記パッケージ化された半導体発光デバイスに選択された視角を与えるように構成されていることを特徴とする請求項21に記載のパッケージ化された半導体発光デバイス。前記第1の光学要素は、圧縮成形の間に前記第1の光学要素の前記基板への接着を促進するように、かつ/または、前記パッケージ化された半導体発光デバイスの熱サイクルの間に前記発光デバイスおよび/または前記発光デバイスに結合しているワイヤボンドに加えられる応力を制限するように選択された接着特性を有する第1の材料を含むことを特徴とする請求項21に記載のパッケージ化された半導体発光デバイス。前記第1の光学要素は、第1の材料を含み、前記第2の光学要素は、第2の材料を含み、前記第1の材料および/または前記第2の材料は、蛍光体を含み、前記第1の材料および/または前記第2の材料は、シリコーンを含むことを特徴とする請求項21に記載のパッケージ化された半導体発光デバイス。別のアプローチでは、シリコーンを用いて圧縮成形compressionmoldingにより形成されたレンズを用いる。圧縮成形を用いると、基板またはウェーハ上のLEDチップの整合アレイmatchingarrayの上に圧縮成形レンズのアレイを配置することができる。しかしながら、従来のレンズの圧縮成形では、成形材料が延在し前面側コンタクトとの電気的接続の形成を制限してしまう可能性があるので、一般に基板の前面側よりはむしろ背面側での電気的コンタクトが必要である。そのような従来の圧縮成形されたレンズを形成するための圧縮成形プロセスは、日本国京都府のTOWACorporationから入手可能である。半導体発光デバイスのパッケージ化は、種々の操作に対して要求される精度に起因して、得られるパッケージ化されたデバイスのコストを増大させる場合がある。異なる光学特性を有するパッケージ化された発光デバイスが要求されるにつれて、コストは一般に増大する。パッケージ化された発光デバイスの形成コストを下げる可能性のある技術として圧縮成形技術が提案されているものの、この技術の恩恵はまだ十分には得られていない。例えばそのような技術は、一般に単一の材料で簡単なレンズを製造することにしか用いられてこなかった。本発明のいくつかの実施形態は、半導体発光デバイスをパッケージ化する方法を提供する。この方法は、半導体発光デバイスを前面上に有する基板を設けるステップを含む。第1の光学要素が、前面上の半導体発光デバイスの近傍に、第1の材料から形成される。第2の光学要素が、半導体発光デバイス及び第1の光学要素を覆って、第1の材料と異なる第2の材料から形成される。第1の光学要素および/または第2の光学要素は、それぞれの光学要素を圧縮成形することにより形成される。他の実施形態では、第1の光学要素および第2の光学要素の圧縮成形は、第1の光学要素を形成するように構成された第1の成形キャビティ及び第2の光学要素を形成するように構成された第2の成形キャビティを備える自動成形装置に基板を装着するステップを含む。基板が、第1の成形キャビティの方に移動される。第1の光学要素は、第1の成形キャビティ内で前面上に圧縮成形される。第1の光学要素を備える基板が、自動成形装置から基板を取り外すことなく、第2の成形キャビティの方に移動される。第2の光学要素が、第2の光学キャビティ内で圧縮成形される。第1および第2の光学要素を有する基板が、自動成形装置から取り外される。他の実施形態では、基板は、前面上に複数の半導体発光デバイスを備える。第1の光学要素および第2の光学要素の圧縮成形は、半導体発光デバイスの対応するそれぞれの上を覆って、複数の第1の光学要素および複数の第2の光学要素を前面上に圧縮成形するステップを含む。第1の成形キャビティ及び第2の成形キャビティは、複数の半導体発光デバイスの対応するそれぞれの近傍に配置されたレンズ形状の複数のキャビティをそれぞれ備える。さらなる実施形態では、第2の光学要素の圧縮成形は、半導体発光デバイス及び第1の光学要素の上を覆って第2の光学要素を圧縮成形するステップを含む。第1の光学要素と第2の光学要素とは、パッケージ化された半導体発光デバイスに所望の光学特性を与えるように選択された異なる屈折率を有することができる。第1の光学要素および第2の光学要素は、パッケージ化された半導体発光デバイスに選択された視角を与えるように構成することができる。第1の材料は、圧縮成形の間に第1の光学要素の基板への接着を促進するように、かつ/または、パッケージ化された半導体発光デバイスの熱サイクルの間に発光デバイスおよび/または発光デバイスに結合しているワイヤボンドに加えられる応力を制限するように選択された接着特性を有する。第1の材料および/または第2の材料は、蛍光体を含むことができる。第1の材料および/または第2の材料は、シリコーンとすることができる。他の実施形態では、基板を設けるステップは、反射キャビティを伴わずに、前面上に前面と同じ高さに半導体発光デバイスを備え付けるステップを含む。第2の光学要素は、半導体発光デバイスを囲む基板の前面の領域に成形され、そしてそこから延在し、かつ、半導体発光デバイスを覆って延在する。さらに他の実施形態では、第1の光学要素を形成するステップは、圧縮成形以外のプロセスを使用して第1の光学要素を形成するステップを含む。圧縮成形以外のプロセスには、ディスペンシング及び/又はボンディングが含まれる。第1の光学要素を形成するステップは、半導体発光デバイスの近傍ではあるが半導体発光デバイスを覆わずに第1の光学要素を形成するステップを含む。第2の材料は、第1の材料と異なる屈折率を有することができ、第1の光学要素は、キャビティを画定するように成形することができ、半導体発光デバイスは、キャビティ内に配置することができる。第2の材料は、圧縮成形の間に第2の光学要素の基板への接着を促進するように、かつ/または、パッケージ化された半導体発光デバイスの熱サイクルの間に発光デバイスおよび/または発光デバイスに結合しているワイヤボンドに加えられる応力を制限するように選択された接着特性を有することができる。他の実施形態では、基板は、前面上にコンタクトを有する。第2の光学要素の圧縮成形は、基板を圧縮成形して、半導体発光デバイスの上を覆う基板の前面上の第2の光学要素と、基板の前面上のコンタクトを含む領域を覆う残余コーティングとを形成することを含む。この方法はさらに、コンタクトに損傷を与えることなく、コンタクトを覆う残余コーティングを取り除くステップを含む。さらなる実施形態では、第1の光学要素または第2の光学要素は、半導体発光デバイス及び半導体発光デバイスを基板に結合するワイヤボンドの上を覆って圧縮成形され、ワイヤボンドに直接に接触する。基板には、セラミック基板、MCPCB、可撓性回路基板、および/またはリードフレームを用いることができる。基板は、前面上に複数の半導体発光デバイスを備えることができ、第1の光学要素を形成するステップ及び第2の光学要素を形成するステップは、半導体発光デバイスの対応するそれぞれの上を覆って基板の前面上に、複数の第1の光学要素を形成するステップ及び複数の第2の光学要素を形成するステップを含むことができる。さらに他の実施形態では、パッケージ化された半導体発光デバイスは、基板と、基板の前面上に備え付けられた半導体発光デバイスとを備える。第1の光学要素が、基板の前面上の半導体発光デバイスの近傍にある。第2の光学要素が、半導体発光デバイス及び第1の光学要素を覆って、基板の前面上にある。第1の光学要素および/または第2の光学要素は、圧縮成形された光学要素である。半導体発光デバイスは、反射キャビティを伴わずに基板の前面上に前面と同じ高さに備え付けることができ、第2の光学要素は、半導体発光デバイスを囲む基板の前面の領域に成形され、そしてそこから延在し、かつ、半導体発光デバイスを覆って延在する。圧縮成形された光学要素は、シリコーンレンズとすることができる。半導体発光デバイスは、複数の半導体発光デバイスとすることができ、圧縮成形された光学要素は、半導体発光デバイスの対応するそれぞれの上を覆う複数の圧縮成形された光学要素とすることができる。さらに他の実施形態では、半導体発光デバイスに電気的に結合されたコンタクトが、基板の前面上に設けられる。半導体発光デバイスは、複数の半導体発光デバイスとすることができ、コンタクトは、各半導体発光デバイスに電気的に結合された前面上の複数のコンタクトとすることができ、圧縮成形された光学要素は、半導体発光デバイスの対応するそれぞれの上を覆う複数の圧縮成形された光学要素とすることができる。ワイヤボンドが、半導体発光デバイスを基板のコンタクト部分に電気的に結合することができ、少なくとも1つの圧縮成形された光学要素は、ワイヤボンドに直接に接触することができる。さらなる実施形態では、第1の光学要素と第2の光学要素とは、パッケージ化された半導体発光デバイスに所望の光学特性を与えるように選択された異なる屈折率を有することができる。第1の光学要素および第2の光学要素は、パッケージ化された半導体発光デバイスに選択された視角を与えるように構成することができる。第1の光学要素は、圧縮成形の間に第1の光学要素の基板への接着を促進するように、かつ/または、パッケージ化された半導体発光デバイスの熱サイクルの間に発光デバイスおよび/または発光デバイスに結合しているワイヤボンドに加えられる応力を制限するように選択された接着特性を有する第1の材料とすることができる。第1の光学要素は第1の材料とすることができ、第2の光学要素は第2の材料とすることができ、第1の材料および/または第2の材料は、蛍光体を含むことができる。第1の材料および/または第2の材料は、シリコーンとすることができる。本発明は、本発明の実施形態を示す添付図面を参照して、以下でより十分に説明される。しかしながら、本発明は、多くの異なる形態で実施されることが可能で、本明細書に記載された実施形態に限定されると解釈すべきではない。むしろ、これらの実施形態は、本開示を網羅的、かつ完璧なものとし、本発明の範囲を当業者に十分に伝えるために提供するものである。図面の中で、層および領域の大きさ、または相対的な大きさは、明確に示すために誇張されることがある。ある要素または層が、別の要素または層の上に存在する、に接続される、またはに結合されると表現されるときは、それは、他の要素または層の上に直接に存在し、直接に接続され、または直接に結合されてもよいし、または、介在要素または層があってもよいことが理解されるであろう。対照的に、ある要素が、別の要素または層の上に直接に存在する、に直接に接続される、またはに直接に結合されると表現されるときは、それは介在要素または層が存在しないことを意味する。全般にわたり、同様の番号は同様の要素を示す。本明細書で用いられる用語および/またはは、関連付けて列挙された項目の1つ又はそれ以上の項目の、任意または全ての組み合わせを含む。本明細書では、種々の要素、コンポーネント、領域、層、および/または区域を表現するために、第1、第2等の用語が用いられる場合があるが、これらの要素、コンポーネント、領域、層、および/または区域は、これらの用語によって限定されるべきではないということが理解されるであろう。これらの用語は、1つの要素、コンポーネント、領域、層、または区域を別の領域、層、または区域から区別するためにのみ用いられている。従って、下記で論じる第1の要素、コンポーネント、領域、層、または区域は、本発明の教示から逸脱することなく、第2の要素、コンポーネント、領域、層、または区域と表現できたものである。下にbeneath、下方にbelow、低位にlower、上方にabove、上位にupper等の空間的な相対性を示す用語は、図示された1つの要素または形体の、別の要素または形体との関係を説明するのに表現しやすくするために本明細書で用いられることがある。空間的な相対性を示す用語は、図示された方向付けに加えて、使用中または動作中のデバイスの異なる方向付けをも包含する意図で用いられることが理解されるであろう。例えば、図中のデバイスを上下逆さまにすれば、他の要素または形体の下方にまたは下に描かれた要素は、他の要素または形体の上に位置するであろう。従って、下にという例示的用語は、上と下の両方の方向付けを包含することができる。デバイスは、他の態様90°回転する等で方向付けることができ、本明細書で使用される空間的な相対性を示す記述子は、その方向付けに従って解釈される。本明細書で用いられる用語は、特定の実施形態だけを説明する目的で用いられ、本発明を限定することを意図していない。本明細書で用いる単数形は、文脈がそうではないと明確に示さない限り、複数形をも含むことが意図されている。さらに、本明細書中で用語備えるまたは含むcomprises、comprisingが用いられる場合は、述べられた形体、整数、ステップ、操作、要素、および/またはコンポーネントの存在を明示するものであるが、1つ又はそれ以上の、他の形体、整数、ステップ、操作、要素、コンポーネント、および/またはそれらの組み合わせの存在または追加を排除するものではないことが理解されるであろう。本明細書では、本発明の実施形態が、本発明の理想的な実施形態を示す断面図を参照して説明される。従って、例えば製造技術や製造精度によって、図示された形状からの変化が予想されるであろう。このように、本発明の実施形態は、本明細書に示される領域の特定の形状に限定されると解釈されるべきではなく、例えば、製造に由来する形状の変位を含むべきである。例えば、矩形として示されたエッチングされた領域は、典型的に曲線状の又は湾曲した形状であろう。従って、図面に描かれた領域は、本質的に模式的であって、それらの形状はデバイスの領域の精密な形状を描くことを意図するものではなく、本発明の範囲を限定する意図ではない。本明細書で用いるすべての用語技術用語や科学用語を含むは、別段の定めがない限り、本発明の技術の属する分野の当業者によって共通に理解される意味と同様の意味を有する。さらに、次のことが理解されるであろう。すなわち、例えば共通に用いる辞書の中で定義されている用語は、関連技術および本明細書の文脈で用いられる意味と一貫した意味を有すると解釈されるべきであること、また、本明細書において明確に定義がなされない限り、理想化した意味または極度に形式的な意味に解釈されないであろうということである。パッケージ化された半導体発光デバイスの実施形態およびその形成方法の実施形態について、図1より図9を参照して説明を行う。最初に図1を参照すると、パッケージ化された半導体発光デバイス100が、上面図で示されている。より詳細には、図示されたデバイス100は、基板105の前面107の上にアレイ配列arrayarrangementに備え付けられた複数の半導体発光デバイス108を有する基板105を備える。圧縮成形された光学要素110は、レンズとして示されており、基板105の前面107の上に、各半導体発光デバイス108の上を覆って形成される。半導体発光デバイス108は、発光ダイオード、レーザダイオード、および/または、1つ又はそれ以上の半導体層を有することができるその他のデバイスと、基板と、1つ又はそれ以上のコンタクト層とを備えることができる。半導体層は、シリコン、炭化ケイ素、窒化ガリウム、および/またはその他の半導体材料を含むことができ、基板は、サファイア、シリコン、炭化ケイ素、窒化ガリウム、および/またはその他のマイクロエレクトロニック基板を含むことができ、コンタクト層は、金属、および/またはその他の導電層を含むことができる。半導体発光デバイスの設計および製造は当業者によく知られている。発光デバイス108は、例えば、NorthCarolinaDurhamのCree社から製造販売されているような炭化ケイ素基板上に作製された窒化ガリウムベースのLEDまたはレーザとすることができる。例えば、本発明の実施形態は、特許文献2~16に示されたLEDおよび/またはレーザとともに用いるのが適当であろう。これらの発明の開示は、参照により、本明細書に完全に記載されたかのように本明細書に組み込む。その他の適当なLEDおよび/またはレーザは、特許文献17及び18に説明されている。さらに、蛍光体コーティングされたLEDは、例えば、特許文献19に説明されている。これも本発明の実施形態に用いるのに適していると考えられる。これらの発明の開示は、参照により、完全に記載されたかのように本明細書に組み込む。さらにその他の実施形態では、蛍光体を中に含むエポキシ等の材料が少量、半導体発光デバイスの上に置かれてもよい。蛍光体コーティングを用いたLEDは、例えば、特許文献20~25で説明されている。また、基板105の前面107の上に、複数の電気的コンタクト115が示されている。例えば、コンタクト115は、金をメッキした電気的コンタクトパッドであってもよく、これは半導体発光デバイス108を、電気回路、電源等に接続する。本明細書では前面107の上のコンタクトだけが論じられているが、いくつかの実施形態においては、背面のコンタクトが設けられてもよいことが理解されるであろう。本明細書でさらに説明されるように、本発明のある実施形態では、前面のコンタクト115を用いつつ、かつ、レンズ110を形成するのに用いる非導電性材料の残余堆積物からの干渉interferenceを受けることなく前面107への電気的接続を可能にしつつ、基板105の前面107の上に圧縮成形されたレンズ110を形成することのできる方法を提供する。さらに、本発明のいくつかの実施形態では、レンズ110を形成するのに用いられるシリコーンの残余が、電気的コンタクトの必要でない前面107の表面上に残っていてもよい。図1に示す構成は例示の目的であること、および、単一の半導体発光デバイス108を有するデバイスを含み、1つ又はそれ以上の半導体発光デバイス108およびコンタクト115の種々の異なる構成および組み合わせを本発明の種々の実施形態においてパッケージ化された半導体発光デバイス100に含められることが理解されるであろう。同様にいくつかの実施形態においては、図1に示す構造をさらに加工して、図示されたデバイス100から形成された複数の個別のパッケージ化された半導体発光デバイスを実現するようにその部分を分離することができることが理解されるであろう。実施形態によっては、基板は電気的コンタクト115の間に一続き又は一群のLEDを形成するための埋め込みの電気的接続を備え、個別のLED、および/または一続き若しくは一群のLEDを実現することができる。さらに、レンズを有する個別のLEDは、LEDの動作を可能とするためのコンタクトをそれぞれ備えることができる。本発明のいくつかの実施形態においては、半導体発光デバイス108は、基板105の上の前面107の上に、半導体発光デバイス108を囲む反射キャビティを設けることなく、前面107と同じ高さ同一平面上に備え付けてもよい。この例は図7に示されている。次に、図2の略図を参照して、さらなる実施形態に従うパッケージ化された半導体発光デバイス200の説明を行う。図2の実施形態に示すように、パッケージ化された半導体発光デバイス200は、基板205と、基板205の前面207の上に前面207と同じ高さに備え付けられた複数の発光デバイス208とを備える。複数の電気的コンタクト215は、前面207の上に半導体発光デバイス208に近接して示されている。また、図2にはコンタクト215の前面側を覆うマスク230が示されている。図2に示されるように、マスク230は、コンタクト215の全表面を完全に覆わなくともよい。半導体発光デバイス208は、円形を有するものとして図2に示されている。しかし、半導体発光デバイス208の形状は、変わってもよく、円形の表現は、本発明を説明するためであることが理解されるであろう。さらに、圧縮成形されたレンズ110の構造は、図2には示されていない。前面側のコンタクト215の発光デバイス208に対する相対的な配置および前面側のコンタクト215の数は、説明の目的であって、本発明のいくつかの実施形態に従えば他の配置も可能である。次に、本発明のいくつかの実施形態に従って、図3~図6の断面図および図9のフローチャートを参照し、パッケージ化された半導体発光デバイスを形成する方法の説明を行う。図3~図6の断面図は、図2のA-A線に沿った断面図である。従って、図2の説明のように、図3~図6に示すコンタクト215及び発光デバイス208の特定の配置は、本発明を説明するための目的であって、本発明の方法は、図示されたコンポーネントの特定の構造または配置に限定されるものではないことが理解されるであろう。図面を参照して説明されるように、本発明のいくつかの実施形態は、基板の上に圧縮成形されたレンズと前面の電気的コンタクトとを有するパッケージ化された半導体発光デバイスを形成するための方法を提供する。基板は、例えば、セラミック基板、MCPCB、可撓性回路、および/またはリードフレームであってよい。図3~図6の実施形態に対して、成形を行う前に、ポリイミドフィルム等のマスクまたはステンシルを基板の上のコンタクトに当てる。シリコーンレンズ等の圧縮成形されたレンズが基板に設置された後に、ホットスクリーンやその他の除去方法が、マスクまたはステンシルによって覆われている前面側コンタクトから、レンズを形成している材料を除去するのに用いられる。しかし、本発明のさらなる実施形態では、マスクまたは基板を用いずに、圧縮成形されたレンズを備えるパッケージ化された半導体発光デバイスの製造を実現することが理解されるであろう。また、レンズ形成材料の残余を除去するために、異なる種類のマスクも使い得るし、レーザ、のこぎり、ホットナイフ、ホットワイヤグリッド、および/またはワイヤメッシュ等の異なる方法を用いてもよい。図3に示す実施形態に見られるように、前面207の上の半導体発光デバイス208および前面側コンタクト215を有する基板205を備えるアセンブリ200が設けられる。上記で述べたように、図示した実施形態においては、前面側コンタクト215を覆うマスク230もまた設けられる。また図3には、圧縮鋳型compressionmold305が模式的に示されている。鋳型305には、レンズの形をしたくぼみ又はキャビティ320が設けられている。キャビティ320は、図示された複数の発光デバイス208のそれぞれに対して設けられる。シリコーン315が、鋳型305の上を覆って、かつくぼみの中に配置される。また図3に示すように、シリコーン315と鋳型305との間に剥離層310が用いられてもよい。剥離層310は、レンズの圧縮成形の後に、剥離層310のところでシリコーン315から鋳型305を除去するのを容易にすることができる。剥離層310は、例えば、旭硝子社から得られるアフレックス登録商標フィルムとすることができる。図3に見られるように、シリコーン315は、図示した圧縮成形プロセスにおいてキャビティ320を充満するが、さらにキャビティ320の間および周囲の領域にわたり延在し、それ故に、基板205の前面のコンタクト215を含む領域を覆って基板205上に残余コーティングの堆積をもたらす。本明細書で説明する本発明の実施形態におけるレンズまたは光学要素を形成するために用いる圧縮成形プロセスの性質によって、このようなシリコーン315の付加的被膜が生じる場合がある。次に図4を参照すると、アセンブリ200が基板205の圧縮成形中に鋳型305の中に挿入され、基板の前面上に各半導体発光デバイス208を覆って光学要素が形成されるのが示されている。いくつかの実施形態においては、圧縮成形された光学要素や残余コーティングの形成に用いる材料は、シリコーンプラスチックであり、圧縮成形は、温度が約100°Cから約150°Cまたはいくつかの実施形態では約140°Cで、時間は、約3分から約10分またはいくつかの実施形態では約5分で、圧力は、約0.1トン/平方インチから約0.6トン/平方インチで行われる。本発明のいくつかの実施形態におけるパッケージ化された半導体発光デバイスを形成するために用いられる適当なシリコーン材料の例は、有機ポリシロキサンの混合物である。図5に見られるように、鋳型305は、圧縮成形後に剥離層のところで取り外される。従ってアセンブリ200は、各発光デバイス208を覆って圧縮成形された光学要素520と、基板の前面のコンタクト215を含む領域を覆う残余コーティング525とを備える。言い換えれば、圧縮成形されたシリコーン層515は、図5に示すように鋳型305から除去するときに残余コーティング525と光学要素520の両方を備える。図5はさらに、成形されたレンズを各発光デバイス208の上に残したまま、マスク230の上に位置するシリコーンを除去するために用いる除去方法またはプロセスを示す。図5に詳しく示されているように、除去プロセスは、残余コーティング525にカットされたパターンに対応したパターンを有するホットナイフ530又はその他のカッティング手段を用いて、残余コーティング525をマスク230に対応したパターンにカットすることを含む。いくつかの実施形態では、ホットナイフ530はそれ自身が対応するパターンを持ち、カッティングの操作が、第2の方向への動きを必要とせず、図5の矢印で示された方向への単一の動きで実行されることを可能にする。本発明の他のいくつかの実施形態では、カッティング装置530は、第2の方向および第3方向へ動き、コンタクト215を破損せずにコンタクト215の電気的コンタクト部分を望むように露出させることができる。本発明のいくつかの実施形態による図5に示された除去操作の結果、図6に示されるパッケージ化された半導体発光デバイスの構造が得られる。図6に見られるように、基板205は、対応する各発光デバイス208の上を覆うように形成された圧縮成形レンズ620を有する複数の発光デバイス208を備える。基板205の前面のコンタクト215の領域を含む領域を覆う残余コーティング525は、コンタクト215を破損することなく取り除かれ、コンタクト215との電気的接続を形成することが可能となる。次に、本発明のさらなる実施形態による半導体発光デバイスを形成する操作を、図9に示すフローチャートを参照して説明する。図9に描かれた実施形態で示されるように、操作は、ブロック900で、基板の前面107、207の上にコンタクト115、215を有する基板105、205を設けることにより始まるブロック900。半導体発光デバイス108、208は、基板105、205の前面107、207の上に備え付けられるブロック905。従って、コンタクト115、215は、基板105、205の前面107、207の上に電気的接続を形成することによって、発光デバイス108、208を他の回路と電気的に接続する手段を提供することができる。さらなる接続、またはブロック905で言及される接続は、各発光デバイス108、208を基板のコンタクト部分に電気的に接続するワイヤボンドを取り付けることにより形成することができるすなわち、コンタクト部分は、複数の前面側のコンタクト115、215のうちの1つとすることができるブロック910。種々の実施形態において、基板105、205は、セラミック基板、MCPCB、可撓性回路基板、および/またはリードフレームとすることができる。さらに、本発明の異なる実施形態において、1つ又はそれ以上の発光デバイス108、208および前面側のコンタクト115、215を、それぞれ異なる配置で基板105、205の上に設けてもよい。また、本発明の種々の実施形態においては、コンタクトからの残余コーティングの除去は、必要に応じて、発光デバイスおよび前面側のコンタクトの選択された幾何形状または配置に対応するのに適当なパターンに基づいて行われてもよい。図9に示すように、前面側のコンタクト115、215を覆うマスク230が設けられるブロック915。マスクは、例えばポリイミドフィルムでよい。基板は圧縮成形され、それにより基板107、207の上で各半導体発光デバイス108、208を覆って光学要素110、620が形成され、基板の前面のコンタクトを含む領域を覆って残余コーティングが形成される。これは、ブロック920~940を参照して説明される。図9に示した実施形態に見られるように、圧縮成形は、複数の半導体発光デバイス108、208の対応したそれぞれに近接して位置する複数のレンズ形状のキャビティを備える鋳型305の表面上に剥離層310を設けるステップを含むブロック920。基板は、キャビティを対応する各半導体発光デバイスに近接して配置した状態で、鋳型305の中に置かれるブロック925。シリコーン層315が、鋳型305およびキャビティ320の中、ならびに、キャビティ320の間および周囲に設けられるブロック930。レンズ620、110は、キャビティの中のシリコーンから圧縮成形されるブロック935。基板は、鋳型から分離されるブロック940。次に、コンタクトを覆う残余コーティングをコンタクトに損傷を与えずに除去することに関連する操作を、本発明のいくつかの実施形態について、図9のブロック945及びブロック950を参照して説明を行う。上記のブロック915で説明したように設けられたマスクに対応したパターンに残余コーティングがカットされる。基板が複数の発光デバイスおよびコンタクトを前面上に備えるいくつかの実施形態では、残余コーティングをカットするステップは、ホットナイフを用いて残余コーティングをカットするステップを含む。カッティング部の基板にわたる横運動を伴うことなく、カッティングナイフの基板に向かっての前進によってカッティング操作を実現することができるように、ホットナイフは、残余コーティングにカットされたパターンに対応したパターンを有することができる。従って、除去プロセスでコンタクトの表面に何らかの損傷を与える危険性を減少させることができる。残余コーティングの上を覆っているマスクとカットは、除去されて前面のコンタクトが露出するブロック950。本発明のいくつかの実施形態では、発光デバイス108、208は、光学要素110、620を圧縮成形する前に、ワイヤボンドによってコンタクト部分に電気的に接続される。さらにいくつかの実施形態では、基板は圧縮成形されて、半導体発光デバイス108、208の上を覆いワイヤボンドと直接に接触する光学要素110、620が形成される。本明細書に説明する圧縮成形プロセスは、ワイヤボンドによる発光デバイスとコンタクト部分との結合への損傷を減少または回避さえしながら、このような直接の接触と、ワイヤボンド及びそれと関連付けられた発光デバイスの両方の上に光学要素を形成することとを可能にする。対照的に、このような配置のレンズを形成する他の種々の方法は、ワイヤボンドと発光デバイス及び基板の対応するコンタクト部分との接続への損傷を避けるため、追加の保護的塗布を必要とする可能性がある。さらに、本明細書に説明する本発明のいくつかの実施形態では、発光デバイスを、基板の前面上に前面と同じ高さに備え付けることができ、また圧縮成形された光学要素を、発光デバイスの周囲に、発光デバイスを覆い180°にわたって延在するドーム状に形成することができる。従って、レンズ形成材料および任意の添加物等の選択により、発光デバイスを囲む反射材料のキャビティの使用を必要とする手法と比較して、発光デバイスからの光の抽出および供給に関してより大きな柔軟性および/または効率を得ることができる。そのような反射キャビティは一般に、発光した光の少なくとも一部を吸収するが、前面から延在して、基板の前面上に前面と同じ高さに備え付けられた発光デバイスを十分に囲むレンズ又はその他の光学要素は、種々の応用において光の抽出を改善することができる。しかし、いくつかの実施形態においては、LEDはキャビティまたは凹部の中にあってもよい。これまでは、図3~図6および図9を参照して、マスクを用いる本発明の実施形態を説明してきたが、本発明のいくつかの実施形態においては、そのようなマスクやカッティング手法を用いないことが理解されるであろう。本発明のいくつかの実施形態においては、基板は可撓性回路基板であり、残余コーティングは基板の湿式溶媒の化学洗浄によって除去され、コンタクトを覆う残余コーティングが除去される。マスクまたは湿式エッチング手法のいずれを用いても、複数のコンタクトを含む基板の前面の領域を覆う残余コーティングの除去は可能であるが、いずれの場合もコンタクトを完全に露出させる必要はないことが理解されるであろう。しかしながら、コンタクトの十分な面積を露出させて、残余コーティングが電気的接続と干渉することなく電気的接続を形成できるようにしなければならない。圧縮成形の前に行うのとは対照的に残余コーティングを形成した後に行われるマスキングの手法を、湿式溶媒の化学洗浄の手法と組み合わせて行い、これにより選択したパターンの所望の領域から残余コーティングが除去されるのを制限することができる。次に、図7と図8に示した実施形態を参照して、本発明のさらなる実施形態に従ったパッケージ化された半導体発光デバイスの説明を行う。それぞれ、基板の上に形成された複数の光学要素を備え、これらは、図では第1と第2で示されている。本発明の異なる実施形態では、1つ及び/又は両方の光学要素を圧縮成形を用いて形成することができることが理解されるであろう。図7に示した実施形態に見られるように、パッケージ化された半導体発光デバイス700は、基板705の前面707の上に前面707と同じ高さに備え付けられた複数の半導体発光デバイス708を備える。第1の光学要素740は、それぞれの半導体発光デバイス708の上を覆って形成される。第2の光学要素720は、第1の光学要素740及び発光デバイス708の上を覆って形成される。図7の実施形態にさらに示されているように、添加物742を第2の光学要素中に添加して、半導体発光デバイス708の光の透過特性または発光特性に影響を与えてもよい。添加物742は、第2の光学要素720中ではなくて第1の光学要素740中に添加されてもよく、または、同じ及び/又は異なる添加物が光学要素720及び光学要素740にそれぞれ添加されてもよいことが理解されるであろう。加えて、光学要素720と光学要素740のそれぞれに対して異なる特性を選択することにより、例えば、半導体発光デバイス708から出力する光の行路において所望の影響を与えるために、それぞれの材料に対して異なる屈折率を選択することにより、光学特性をさらに調整することができる。光学特性に影響を与える添加物は、蛍光体、散乱剤、ルミセッセント材料、および/または発光の光学特性に影響するその他の材料とすることができる。図7の実施形態においては、第1の光学要素と第2の光学要素の両方を、圧縮成形により形成することができることが理解されるであろう。しかし、さらなる実施形態では、第1の光学要素740を他の方法により形成することができ、第2の光学要素720を一般に、図3~図6および図8において上記で説明した圧縮成形で形成することができる。パッケージ化された半導体発光デバイス800のさらなる実施形態が図8に示される。図8の実施形態に見られるように、半導体発光デバイス808は、基板805の前面上に前面と同じ高さに備え付けられる。基板805と半導体発光デバイス808との間の接続を形成するワイヤボンド809が示されている。図8には見られないが、発光デバイス808と基板805の前面との界面で第2の接続を形成してもよいことが理解されるであろう。第1の光学要素840は、基板805の前面上の発光デバイス808の近傍に形成される。第2の光学要素820は、発光デバイス808、ワイヤボンド809および第1の光学要素840の上を覆って形成される。図7を参照して説明したように、光学要素840および光学要素820の片方または両方は、本明細書で先に一般的に説明したように圧縮成形を用いて形成してもよい。さらに、第1の光学要素840は、図8の断面図では2つの個別要素として示されているが、発光デバイス808及びワイヤボンド809の周囲に延在するトロイダル形の単一の光学要素であってもよい。次に、図10のフローチャートを参照して、パッケージ化された半導体発光デバイスを形成するための方法のさらなる実施形態を説明する。より詳細には、図10を参照して説明される方法は、図7または図8に示されたデバイスの形成に用いることができる。図10を説明する目的のために、両方の光学要素が自動成形装置によって圧縮成形される実施形態の説明を行う。しかし、本発明はそのような実施形態に限定されないことが理解されるであろう。さらに、圧縮成形を参照して説明される操作は、前面上にコンタクトを有する基板を用い、成形材料の残余部分の除去を行い前面のコンタクトを露出させる、本明細書で先に説明したいくつかの実施形態に用いることができることが理解されるであろう。図10に示された実施形態に関して、操作は、前面上に半導体発光デバイスを有する基板を設けることで開始されるブロック1000。先に議論したように、基板は、図1および図2に示したように、その前面上に複数の半導体発光デバイスを備えることができる。さらに、半導体発光デバイスは、反射キャビティを用いずに、基板の前面上に前面と同じ高さに備え付けてもよい。基板は、例えば、セラミック基板、MCPCB、可撓性回路基板、および/またはリードフレームとすることができる。しかし、発光デバイスは、反射キャビティ等の中にあってもよい。次に、パッケージ化された半導体発光デバイスの第1の光学要素および第2の光学要素の形成に関する操作を、ブロック1005~ブロック1030を参照して説明する。第1の光学要素を形成するように構成された第1の成形キャビティと、第2の光学要素を形成するように構成された第2の成形キャビティとを備える自動成形装置に、基板が装着されるブロック1005。第1の成形キャビティおよび第2の成形キャビティは、複数の半導体発光デバイスの対応するそれぞれの近傍に配置される複数のレンズ形状のキャビティをそれぞれ備えることができる。ここで基板は、その上に複数の半導体発光デバイスを備える。基板は、第1の成形キャビティの方に移動されるブロック1010。移動は、自動成形装置の中の、自動コンベア、ロボットアーム等によって行うことができる。第1の光学要素は、第1の成形キャビティの中で、基板の前面上に圧縮成形されるブロック1015。ブロック1015では圧縮成形と示されているが、第1の光学要素または第2の光学要素は、ディスペンシング、および/またはボンディング等の圧縮成形とは別のプロセスを用いて形成することができることが理解されるであろう。さらに、第1の光学要素は、ブロック1015で、半導体発光デバイスの近傍に、しかし例えば図8の光学要素840によって図示されているように半導体発光デバイスを覆わない形で形成することができる。またいくつかの実施形態では、第1の光学要素は、図7の実施形態中の第1の光学要素740について示されているように、ブロック1015で、基板の前面の半導体発光デバイスを囲む領域に成形されてそこから延在し、半導体発光デバイスの上を覆って延在することができる。いくつかの実施形態では、第1の光学要素は発光デバイスの上に延在せず、第1の光学要素を、その中に半導体発光デバイスが配置されたキャビティを画定するように形成してもよい。第1の光学要素を有する基板は、第2の成形キャビティの方へ移動するブロック1020。このとき、自動成形装置から基板を取り出す必要はない。ブロック1010での操作を参照して説明したように、例えばコンベア、ロボットをブロック1020での操作にも用いることができる。第2の光学要素が、第2の光学キャビティ中で圧縮成形されるブロック1025。図8に示した第1の光学要素を参照して説明したように、第2の光学要素は、成形されて基板の前面から半導体発光デバイスを囲む領域に延在し、さらに、図7の第2の光学要素720および図8の第2の光学要素820で見られるように、発光デバイスの上を覆う形に延在してもよい。第1の光学要素および第2の光学要素をその上に有する基板は、自動成形装置から取り出されるブロック1030。また、図7と図8の両方に見られるように、第2の光学要素は、半導体発光デバイスおよび第1の光学要素の上を覆う形に圧縮成形されてもよい。第1の光学要素および第2の光学要素は、パッケージ化された半導体発光デバイスに所望の光学特性を与えるために選択した異なる屈折率を有することができる。第1の光学要素および第2の光学要素は、パッケージ化された半導体発光デバイスに対して選択した視角を与えるように構成することができる。いくつかの実施形態では、第1の光学要素および/または第2の光学要素を形成するのに用いられる材料は、圧縮成形の間に第1の光学要素の基板への接着を促進するように、かつ/または、パッケージ化された半導体発光デバイスの熱サイクルの間に発光デバイスおよび/または発光デバイスに結合しているワイヤボンドに加えられる応力を制限するように選択された接着特性を有する。第1の光学要素の材料および/または第2の光学要素の材料は、蛍光体を含むことができる。第1の材料および/または第2の材料は、シリコーン、エポキシ、ハイブリッドシリコーン/エポキシhybridsilicone/epoxy材料等でよい。先に説明したように、本発明のいくつかの実施形態は、パッケージ化された半導体発光デバイス、および、その形成方法であって調整された光学特性を有するレンズを作製するために圧縮成形を用いる方法を提供する。例えば、圧縮成形を用いて作製されたコンポジットcompositeレンズとともにパッケージ化された発光デバイスを提供することができる。いくつかの実施形態では、複数の圧縮成形を用いて圧縮成形レンズを作製することができ、ここでは、第1の光学要素および第2の光学要素を圧縮成形して、視角等の所望の光学特性を有するレンズを作製することができる。他の実施形態では、第1の光学要素がディスペンシング、ボンディング、および/または同様の手法によって作られ、第2の光学要素が圧縮成形されてもよい。従って、第1の光学要素と第2の光学要素とが、パッケージ化されたデバイスの用途の要求により調整された異なる性質形状、組成、屈折率等を有することもできる。いくつかの実施形態は、また、第1の光学要素および第2の光学要素に加えて、追加的な光学要素、層、および/または圧縮鋳型を備えてもよい。さらに、各光学要素の形状および組成は、互いに異なってもよく、所望のランプ動作を実現するように調整されてもよい。本発明の種々の実施形態において、改善された接着性、および/またはコンプライアントcompliantな部品に対する応力の低減を実現することができる。図面および明細書において、本発明の実施形態が開示された。そして、ここでは特定の用語が用いられているが、それらは一般的かつ説明的意味に用いられているだけであって、限定目的ではない。本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲に記載されている。