固体電解質層上に一対の電極を有するセルと、該セルの主面上に配置される主面側絶縁層と、が積層された長手方向に延びる板状のガスセンサ素子の製造方法において、前記固体電解質層を形成するための未焼成の固体電解質シートと、前記主面側絶縁層を形成するための未焼成の絶縁シートとを積層し、焼成して、焼成積層体を形成する第1工程と、前記焼成積層体の長手方向に延びる前記稜線を面取りして面取り部を形成する第2工程と、前記面取り部を含む前記焼成積層体の長手方向に沿う側面に対して、焼成温度より低い軟化点を有するとともに前記固体電解質層の熱膨張率よりも熱膨張率の小さいガラス材料を含む絶縁ペーストを塗布することによって、前記固体電解質層の露出部分を覆う絶縁ペースト層を形成する第3工程と、前記絶縁ペースト層を、前記焼成温度より低く且つガラスの軟化点より高い温度で加熱してガラスの焼き付けを行って、前記焼成積層体の側面に側面被覆部を形成する第4工程と、を有することを特徴とするガスセンサ素子の製造方法。前記ガスセンサ素子は、測定対象ガスと接触する前記長手方向の先端側に、前記一対の電極が配置されたガス検知部を備えており、前記第3工程では、前記ガス検知部より後端側に、前記絶縁ペースト層を形成することを特徴とする請求項1に記載のガスセンサ素子の製造方法。前記第3工程では、前記焼成積層体の前記主面に到らないように、前記面取り部まで前記絶縁ペースト層を形成することを特徴とする請求項1又は2に記載のガスセンサ素子の製造方法。ところが、上述した従来技術では、ジルコニアからなる固体電解質シートとアルミナからなる絶縁シートとは、焼成する際の挙動即ち焼成の際の温度変化に伴う膨張や収縮の挙動が大きく異なり、しかも、積層型センサ素子の積層内と積層型ガスセンサ素子の側面側との配置上の違いからも、同時焼成すると、側面のセラミック絶縁層にクラックや割れ等が発生することがあり、その結果、電気絶縁性が低下するというが問題があった。さらに、従来技術では、積層型ガスセンサ素子の側面にセラミック絶縁層を形成した後、積層型ガスセンサ素子の長手方向に沿う稜線つまりは、セラミック絶縁層が形成する角部に面取りを行い、面取り部を形成していた。この面取り部は、積層型ガスセンサ素子の稜線に外部からの衝撃に対してクラックを発生させないために設けられる。しかしながら、積層型ガスセンサ素子の側面にセラミック絶縁層を形成した後に面取り部を設けると、過剰に面取りを行ってしまい、セラミック絶縁層で覆った固体電解質層が露出する虞があり、その結果、電気絶縁性が低下するというが問題があった。本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、固体電解質層の側面が露出する素子端面を電気絶縁材で覆う場合に、その電気絶縁性を高めることができるガスセンサ素子の製造方法を提供することにある。1本発明は、第1態様として、固体電解質層上に一対の電極を有するセルと、該セルの主面上に配置される主面側絶縁層と、が積層された長手方向に延びる板状のガスセンサ素子の製造方法において、前記固体電解質層を形成するための未焼成の固体電解質シートと、前記主面側絶縁層を形成するための未焼成の絶縁シートとを積層し、焼成して、焼成積層体を形成する第1工程と、前記焼成積層体の長手方向に延びる前記稜線を面取りして面取り部を形成する第2工程と、前記面取り部を含む前記焼成積層体の長手方向に沿う側面に対して、焼成温度より低い軟化点を有するとともに前記固体電解質層の熱膨張率よりも熱膨張率の小さいガラス材料を含む絶縁ペーストを塗布することによって、前記固体電解質層の露出部分を覆う絶縁ペースト層を形成する第3工程と、前記絶縁ペースト層を、前記焼成温度より低く且つガラスの軟化点より高い温度で加熱してガラスの焼き付けを行って、前記焼成積層体の側面に側面被覆部を形成する第4工程と、を有することを特徴とする。本発明では、焼成積層体の稜線を面取りして面取り部を形成した後に、面取り部を含む焼成積層体の側面に対して、焼成積層体の焼成温度より低い軟化点を有するとともに固体電解質層の熱膨張率よりも熱膨張率の小さいガラス材料を含む絶縁ペーストを用いて、焼成積層体の側面の固体電解質層の露出部分を覆い絶縁ペースト層を形成する第3工程と、その後、絶縁ペースト層を、焼成温度よりも低く且つガラスの軟化点よりも高い温度で加熱してガラスの焼き付けを行って側面被覆部を形成する第4工程を有する。従って、本発明の製造方法によれば、従来の積層体の側面にセラミックペーストを塗布し、同時焼成する製造方法に比べて、ガラス製の側面被覆部にクラックや割れが発生することを防止できるので、ガスセンサ素子の側面における電気絶縁性の低下を防止できる。これは、本発明の様に、焼成後の焼成積層体にガラスを溶融して側面被覆部を形成する方法では、各部材の冷却の際の挙動により、側面被覆部にクラックや割れが生じ難いからである。更に、本発明では、焼成積層体の長手方向に延びる稜線を面取りして面取り部を形成する第2工程後に、第3、第4工程にて側面被覆部を形成するので、過剰に面取り部を形成したとしても、固体電解質層が露出することがない。その結果、ガスセンサ素子の側面における電気絶縁性の低下を防止できる。その上、従来の様に、セラミック絶縁層を形成してから面取りを行う方法では、セラミック絶縁層を形成する際には面取りが行われていないので、積層体の稜線のエッジが鋭く、よって、焼成後の積層体にマスキングをしてセラミック絶縁層のセラミックペーストを塗布する際に、鋭いエッジによってマスクが破損することがあった。それに対して、本発明では、焼成積層体の面取り部を形成する第2工程後に、第3、第4工程にて側面被覆部を形成するので、マスク等の治具が破損し難いという効果がある。さらに、ガスセンサ素子に対して、焼成後にその性能を調べる場合には、検査の際にガスセンサ素子の端面のバリや鋭いエッジなどによってクラックや破損が生じない様に、面取り後に実施するが、従来の様に、側面のセラミック絶縁層を形成し更に面取りを行った後に検査を行うと、不良品が出た場合には、セラミック絶縁層を形成する工程が無駄になり、コスト的に好ましくない。それに対して、本発明では、焼成積層体の面取り部を形成する第2工程後に検査を実施し、その後に第3、第4工程にて側面被覆部を形成するので、工程に無駄がなく、コスト的に有利である。なお、側面とは、セルの主面の広がる平面に対して例えば垂直に交差する面を示している。また、前記セルとしては、固体電解質層上に配置した一対の電極における酸素濃度の違いによって起電力を発生する酸素濃淡電池セルや、固体電解質層上に配置した一対の電極によって、酸素イオンのポンピングを行う酸素ポンプセルが挙げられる。さらに、第3工程にて、面取り部を含む焼成積層体の長手方向に沿う側面に対して絶縁ペースト形成するとは、絶縁ペーストの形成領域が面取り部を一部でも覆うように形成していても良く、面取り部全体を覆うように形成していても良い。2本発明では、第2態様として、前記ガスセンサ素子は、測定対象ガスと接触する前記長手方向の先端側に、前記一対の電極が配置されたガス検知部を備えており、前記第3工程では、前記ガス検知部より後端側に、前記絶縁ペースト層を形成することを特徴とする。ガスセンサ素子を、例えばエンジンの排気ガス等の様な高温な測定対象ガスに対して使用する場合には、ガス検知部は非常に高温となるが、この第2態様では、ガラス材料を含む絶縁ペースト層を、ガス検知部より後端側に形成するので、第4工程にて形成される側面被覆部が、高温のガスによって破損することを防止できる。3本発明では、第3態様として、前記第3工程では、前記焼成積層体の前記主面に到らないように、前記面取り部まで前記絶縁ペースト層を形成することを特徴とする。この第3態様では、第3工程で、焼成積層体の主面に到らないように、面取り部まで絶縁ペースト層を形成しているので、第4工程にて形成される側面被覆部はガスセンサ素子の主面側には形成されない。従って、ガスセンサ素子の厚みが側面被覆部によって変化することがないので、ガスセンサ素子をガスセンサの組み込む際に、他部材に設けられるガスセンサ挿通孔等に、ガスセンサ素子が接触し、破損することを防止でき、また、精度良く組み込むことができるという利点がある。以下に、本発明の実施形態を図面と共に説明する。なお、以下に示す各実施形態では、ガスセンサの一種である全領域空燃比センサ以下単に空燃比センサともいうを例に挙げる。具体的には、自動車や各種内燃機関における空燃比フィードバック制御に使用するために、測定対象となる排ガス中の特定ガス酸素を検出するガスセンサ素子検出素子が組み付けられるとともに、内燃機関の排気管に装着される空燃比センサを例に挙げて説明する。[実施形態]aまず、本実施形態のガスセンサ素子が使用される空燃比センサの全体の構成について、図1に基づいて説明する。図1に示す様に、本実施形態における空燃比センサ1は、排気管に固定するためのネジ部3が外表面に形成された筒状の主体金具5と、軸線方向空燃比センサ1の長手方向:図中上下方向に延びる板状形状のガスセンサ素子7と、ガスセンサ素子7の径方向周囲を取り囲むように配置される筒状のセラミックスリーブ9と、軸線方向に貫通する挿通孔11の内壁面がガスセンサ素子7の後端部の周囲を取り囲む状態で配置される絶縁コンタクト部材セパレータ13と、ガスセンサ素子7とセパレータ13との間に配置される5個図1には2個のみ図示の接続端子15とを備えている。前記ガスセンサ素子7は、後に詳述する様に、測定対象となるガスに向けられる先端側図中下方:長手方向先端部に、保護層17に覆われたガス検知部19が形成されており、また、後端側図中上方:長手方向後端部の外表面のうち表裏の位置関係となる第1主面21及び第2主面23に、電極パッド25、27、29、31、33図3参照が形成されている。前記接続端子15は、ガスセンサ素子7の電極パッド25~33にそれぞれ電気的に接続されるとともに、外部からセンサの内部に配設されるリード線35にも電気的に接続されており、リード線35が接続される外部機器と電極パッド25~33との間に流れる電流の電流経路を形成する。前記主体金具5は、軸線方向に貫通する貫通孔37を有し、貫通孔37の径方向内側に突出する棚部39を有する略筒状形状に構成されている。この主体金具5は、ガス検知部19を貫通孔37の先端よりも先端側に配置し、電極パッド25~33を貫通孔37の後端よりも後端側に配置する状態で、貫通孔37に挿通されたガスセンサ素子7を保持するよう構成されている。また、主体金具5の貫通孔37の内部には、ガスセンサ素子7の径方向周囲を取り囲む状態で、環状形状のセラミックホルダ41、滑石リング43、45、及び上述のセラミックスリーブ9が、この順に先端側から後端側にかけて積層されている。このセラミックスリーブ9と主体金具5の後端部47との間には、加締パッキン49が配置され、一方、セラミックホルダ41と主体金具5の棚部39との間には、滑石リング43やセラミックホルダ41を保持するための金属ホルダ51が配置されている。なお、主体金具5の後端部47は、加締パッキン49を介してセラミックスリーブ9を先端側に押し付けるように、加締められている。更に、主体金具5の先端部53の外周には、ガスセンサ素子7の突出部分を覆う金属製例えば、ステンレスなどの二重構造とされたプロテクタ55が溶接等によって取り付けられている。一方、主体金具5の後端側外周には、外筒57が固定されている。また、外筒57の後端側の開口部には、各電極パッド25~33とそれぞれ電気的に接続される5本のリード線35図1では3本が図示が挿通されるリード線挿通孔59が形成されたグロメット61が配置されている。なお、セパレータ13の外周には、突出部63が形成されており、突出部63は、保持部材65を介して外筒57に固定されている。b次に、本実施形態の要部であるガスセンサ素子7の構成について、図2~図4に基づいて詳細に説明する。図2に示す様に、ガスセンサ素子7は、長手方向Y軸方向に延びる長尺の板材である。なお、図2において、長手方向がガスセンサの軸線方向に沿う形態となる。また図2のZ軸方向は、長手方向に垂直な積層方向であり、X軸方向は、長手方向及び積層方向に垂直な幅方向である。このガスセンサ素子7は、積層方向の一方の側図2の手前側である表側に配置されて、長手方向に伸びる板状の素子部71と、素子部71の反対側裏側配置されて、同じく長手方向に延びる板状のヒータ73とが積層された素子である。このうち、素子部71は、図3に分解して示す様に、固体電解質層75の両側に多孔質電極77、79を形成した酸素濃淡電池セル81と、同じく固体電解質層83の両側に多孔質電極85、87を形成した酸素ポンプセル89と、これらの両セル81、89の間に積層され、中空の測定ガス室ガス検出室91を形成するための絶縁スペーサ93などから構成される。なお、固体電解質層75、83は、イットリアを安定化剤として固溶させたジルコニアから形成され、多孔質電極77、79、85、87は、Ptを主体に形成される。また、測定ガス室91を形成する絶縁スペーサ93は、アルミナを主体に構成されており、中空の測定ガス室91の内側には、酸素濃淡電池セル81の一方の多孔質電極77と、酸素ポンプセル89の一方の多孔質電極87が露出するように配置されている。更に、素子部71の側面には、測定ガス室91と素子部71の外部とを連通する拡散律速部95が形成されている。この拡散律速部95は、例えば、アルミナ等からなる多孔質体で構成されており、測定対象ガスが測定ガス室91へ流入する際の律速を行う。更に、素子部71の第1主面21側図3上方にはアルミナを主体とする絶縁基板97が積層されており、この絶縁基板97には、拡散律速部95と同様に、多孔質体で構成された通気部99が形成されている。この通気部99は、酸素ポンプセル89の駆動により移動する酸素を通過させるために使用される。なお、測定ガス室91は、素子部71の先端側に位置するように形成されており、この測定ガス室91、拡散律速部95などが形成される部分がガス検知部19に相当する。一方、ヒータ73は、アルミナを主体とする絶縁基板101、103の間に、Ptを主体とする発熱抵抗体パターン105が挟み込まれて形成されている。このようなガスセンサ素子7では、第1主面21の後端側図3における右側に3個の電極パッド27~29が形成され、第2主面23の後端側に2個の電極パッド31、33が形成されている。このうち、第1主面21の1つの電極パッド図2の右側電極パッド29は、絶縁基板97に設けられるスルーホール97a、固体電解質層83に設けられるスルーホール83a、絶縁スペーサ93に設けられるスルーホール93aを介して、測定ガス室91の内側に露出する酸素濃淡電池セル81の一方の多孔質電極77に電気的に接続される。また、第1主面21の1つの電極パッド29は、絶縁基板97に設けられるスルーホール97a、固体電解質層83に設けられるスルーホール83aを介して、測定ガス室91の内側に露出する酸素ポンプセル89の一方の多孔質電極87に電気的に接続される。よって、多孔質電極77と多孔質電極87とは、共用する形で電気的に接続される。また、他の電極パッド図2の中央電極パッド27は、絶縁基板97に設けられるスルーホール97b、固体電解質層83に設けられるスルーホール83b、絶縁スペーサ93に設けられるスルーホール93b、固体電解質層75に設けられるスルーホール75bを介して、酸素濃淡電池セル81の他方の多孔質電極79と電気的に接続される。更に他の電極パッド図2の左側電極パッド25は、絶縁基板97に設けられるスルーホール97cを介して、酸素ポンプセル89の他方の多孔質電極85と電気的に接続されている。また、電極パッド31、33は、絶縁基板103に設けられたスルーホール103a、103bを介して、発熱抵抗体パターン105の両端に、各々電気的に接続されている。上述した構成のガスセンサ素子7は、長尺の略直方体形状の板材であるので、その径方向の外周側の角部には、その長手方向図2のY方向に沿って伸びる4つの辺長手稜線H1、H2、H3、H4を備えている。詳しくは、ガスセンサ素子7は、ガスセンサ素子7の長手方向と垂直の4方向の外周壁として、第1主面21と第2主面23と両主面21、23に連接された第1側面111と第2側面113を備えている。また、第1主面21と第1側面111との間の稜線である第1辺H1と、第1主面21と第2側面113との間の稜線である第2辺H2と、第2主面23と第2側面113との間の稜線である第3辺H3と、第2主面23と第1側面111との間の稜線である第4辺H4とを備えている。なお、後述するように、第3辺H3と第4辺H4には、第3長辺面取り部125と第4長辺面取り部127が設けられているため、本実施形態では、第3辺H3と第4辺H4はガスセンサ素子7から取り除かれているが、本実施形態の詳細を説明するため、図示している。そして、本実施形態では、前記図2示す様に、ガスセンサ素子7の後端側図2上方は、中央に長手方向と垂直な後端面129を残す様にして、後端面129の周囲の四方の稜線に対してC面取りを施して後端側C面取り部131が形成されている。また、素子部71側である第1主面21側の幅方向X方向の両側の第1辺H1と第2辺H2には、ガスセンサ素子7の先端側から後端側の電極パッド25~29の手前まで長手方向に延びる、C面取り量0.2mmのC面取りが施されて、それぞれ第1長辺面取り部121と第2長辺面取り部123が形成されている。つまり、第1辺H1と第2辺H2のうち、電極パッド25、29の幅方向外側には、C面取りが施されていない。更に、図4に示す様に、ヒータ73側である第2主面23側の幅方向の両側の第3辺H3と第4辺H4には、ガスセンサ素子7の先端側から後端側に到る全てに、C面取り量0.2mmのC面取りが施されて、それぞれ第3長辺面取り部125と第4長辺面取り部127が形成されている。さらに、本実施形態では、ガスセンサ素子7の第1側面111と第2側面113を覆う様に、ガラス製の第1側面被覆部133及び第2側面被腹部135が形成されている。詳しくは、ガスセンサ素子7のうち、素子部71とヒータ73との焼成積層体143の幅方向の両側面112、114即ち固体電解質層75、83の側方の端面が露出する部分を覆う様に、第1側面被覆部133及び第2側面被腹部135が形成されている。なお、以下では、両側面被覆層133、135を備えていない素子部71とヒータ73との積層体を、焼成積層体143と称し、この焼成積層体143に両側面被覆層133、135を設けたものをセラミック積層体106と称する。前記第1側面被覆部133及び第2側面被腹部135は、焼成積層体143の両側端面112、114を覆うとともに、両側端面112、114に隣接する第1~第4長辺面取り部121~127に到るまで形成されているが、第1主面21及び第2主面23に到らないようにされている。また、第1側面被覆部133及び第2側面被腹部135は、図2に示す様に、その後端側は、第1、第2長辺面取り部121、123の後端位置の直前まで形成され、その先端側は、保護層17に重ならないようにつまり、ガス検知部19に到らないように形成されている。また、第1側面被覆部133、第2側面被覆部135の厚みとしては、10μm以上の範囲例えば10~20μmが、良好な電気的絶縁性を保持する上で好ましい。前記第1側面被覆部133及び第2側面被腹部135を構成するガラス材料としては、後述する焼成温度より低い軟化点を有するとともに、固体電解質基板75、83を形成する材料よりも熱膨張率が小さな材料が用いられる。詳しくは、例えば、軟化点は900~1200°C例えば、950°C、熱膨張率は4×106~7×106例えば、5×106である材料が用いられる。例えばCaO-Al2O3-SiO2などのガラスが用いられる。なお、このガラスは、ガスセンサ素子7の使用温度よりも軟化点が高いものである。c次に、本実施形態の空燃比センサ1の製造方法について、図5~図8に基づいて説明する。ガスセンサ素子7を製造する場合は、まず、ガスセンサ素子7の材料となる各種積層材料、即ち、素子部71の固体電解質基板75、83となる未焼成固体電解質シートや、ヒータ73等の絶縁基板97、101、103となる未焼成絶縁シートなどを積層状態とし、未圧着積層体を得る。なお、この未圧着積層体には、電極パッド25~23となる未焼成電極パッドなどが形成されている。これらのうち、例えば、未焼成固体電解質シートは、ジルコニアを主体とするセラミック粉末に対して、アルミナ粉末やブチラール樹脂などを加えて、さらに混合溶媒トルエン及びメチルエチルケトンを混合して、スラリーを生成する。そして、このスラリーをドクターブレード法によりシート状とし、混合溶媒を揮発させて作製される。また、未焼成絶縁シートは、アルミナを主体とするセラミック粉末に対して、ブチラール樹脂とジブチルフタレートとを加えて、更に混合溶媒トルエン及びメチルエチルケトンを混合して、スラリーを生成する。そして、このスラリーをドクターブレード法によりシート状とし、混合溶媒を揮発させて作製される。そして、この未圧着積層体を1MPaで加圧することにより、図5に示す様な圧着された成形体141を得る。なお、加圧前の未圧着積層体を得るまでの製造方法については、一般的なガスセンサ素子の製造方法と同様であるため詳細な説明は省略する。そして、加圧により得られた成形体141を、所定の大きさで切断することにより、ガスセンサ素子7の大きさと略一致する複数例えば10個の未焼成積層体を得る。その後、この未焼成積層体を樹脂抜きし、さらに焼成温度1500°Cにて、1時間で本焼成して、図6aに示す様な焼成積層体143を得る。なお、これまでの工程が特許請求の範囲の第1工程に相当する。なお、図示しないが、未焼成積層体の先端側同図右上側の周囲に多孔質層17となる未焼成多孔質部を形成し、この未焼成多孔質部が形成された未焼成積層体を焼成している。次に、図6b及び図4に示す様に、この焼成積層体143に対して、面取りを行う。具体的には、焼成積層体143の長手方向に伸びる4辺第1~第4辺H1~H4を回転砥石に当接して、周知のC面取りを行う。なお、このとき、第2主面23側の幅方向の第3辺H3及び第4辺H4に対しては、焼成積層体143の先端から後端に到るまで、全てC面取りを行うが、第1主面21側の幅方向の第1辺H1及び第2辺H2に対しては、焼成積層体143の先端から電極パッド25~29の手前までしかC面取りを行わない。なお、これまでの工程が特許請求の範囲の第2工程に相当する。また、焼成積層体143の後端側に対しても、その全周にC面取りを施す。これによって、C面取りが施された焼成積層体143が得られる。次に、このC面取り後の焼成積層体143の側面に、第1、第2側面被覆部133、135を形成することにより、セラミック積層体106が得られる。具体的には、CaO-Al2O3-SiO2からなるガラス材料に、バインダ及び溶剤等を加えて絶縁ペーストを作成し、この絶縁ペーストを、C面取り後の焼成積層体143の側面に塗布する。詳しくは、図7及び図8に示す様に、C面取り後の焼成積層体143を、その側面の一方が露出する様にして、平板状の固定用治具151の表面の溝153に嵌め込む。その上に、C面取り後の焼成積層体143の側面に対応する位置詳しくは第1、第2側面被覆部133、135の形成位置に、長尺の開口部155が開けられたマスク157を配置し、絶縁ペーストを用いて、周知のスクリーン印刷を行う。なお、この開口部155の開口幅は、C面取り後の焼成積層体143の厚みより小さく、且つ、左右の面取り部分の間の側端面112、114の厚みよりも若干大きく設定しておく。これにより、図6cに示す様に、第1、第2側面111、113において、絶縁ペーストを、第1、第2長辺面取り部125、127の後端側からガス検知部19の手前にまでの範囲で塗布して絶縁ペースト層144を形成する。この時、絶縁ペーストは、第1~第4長辺面取り部121~127に若干はみ出す程度に塗布するが、第1主面21側及び第2主面23側に回り込まないようにする。なお、これまでの工程が特許請求の範囲の第3工程に相当する。その後、絶縁ペーストを塗布したC面取り後の焼成積層体143を、ガラスの軟化点例えば950°C以上で、焼成温度以下の1050°Cで加熱して焼き付けする。これにより、前記図4に示す様に、C面取り後の焼成積層体143の側面に、第1、第2側面被覆部133、135を形成したセラミック積層体106が得られる。なお、これまでの工程が特許請求の範囲の第4工程に相当する。その後、定法により、セラミック積層体106の先端側に保護層17を形成し、ガスセンサ素子7を完成する。その後、ガスセンサ素子7を主体金具5に組み付ける組付工程を行う。即ち、この工程では、上記製造方法で作製されたガスセンサ素子7を金属ホルダ51に挿入し、さらにガスセンサ素子7をセラミックホルダ41、滑石リング43で固定し、組み立て体を作製する。その後、この組み立て体を主体金具5に固定し、ガスセンサ素子7の軸線方向後端部側を滑石リング45、セラミックスリーブ9に挿通させつつ、これらを主体金具5に挿入する。そして、主体金具5の後端部47にてセラミックスリーブ9を加締め、下部組立体を作製する。なお、下部組立体には、あらかじめプロテクタ55が取付けられている。一方、外筒57、セパレータ13、グロメット61等を組みつけ、上部組立体を作製する。そして、下部組立体と上部組立体と接合し、空燃比センサ1を得る。d次に、本実施形態の効果について説明する。本実施形態では、焼成積層体143の長手方向に伸びる第1~第4辺H1~H4に対してC面取りを行って、第1~第4長辺面取り部121~127を形成する第2工程を有する。また、その後、C面取り後の焼成積層体143の第1、第2側面111、113に対して、前記焼成温度より軟化点が低く且つ固体電解質基板75、83の熱膨張率よりも熱膨張率の小さいガラス材料を含む絶縁ペーストを用いて、焼成積層体143の第1、第2側面111、113の固体電解質基板75、83の露出部分を覆う絶縁ペースト層144を形成する第3工程を有する。さらに、絶縁ペースト層144を、焼成温度よりも低く且つガラスの軟化点よりも高い温度で加熱してガラスの焼き付けを行って第1、第2側面被覆部133、135を形成する第4工程を有する。従って、加熱の際の挙動によって第1、側面被覆部133、135にクラックや割れが発生することを防止できるので、ガスセンサ素子7の側面における電気絶縁性の低下を防止できる。更に、本実施形態では、面取り後にガラスによって両側面被覆部133、135を形成しているので、両側面被覆部133、135の形成後に面取りを行う場合の様に、過剰に面取りを行うことによって固体電解質基板75、83の側面が露出して、電気絶縁性が低下するというような問題が生じることがないという利点がある。その上、従来の様に、側面のセラミック絶縁層を形成してから面取りを行う方法では、セラミック絶縁層を形成する際には面取りが行われていないので、積層体の稜線のエッジが鋭く、よって、マスキングの際にマスクが破損することがあったが、本実施形態では、面取り後に両側面被覆部133、135を形成するので、マスク157が破損し難いという効果がある。また、ガスセンサ素子7に対して、焼成後にその性能を調べる場合には、検査の際にガスセンサ素子7の端面のバリや鋭いエッジなどによってクラックや破損が生じない様に、面取り後に実施するが、従来の様に、側面のセラミック絶縁層を形成し更に面取りを行った後に検査を行うと、不良品が出た場合には、セラミック絶縁層を形成する工程が無駄になる。それに対して、本実施形態では、面取り後に両側面被覆層133、135を形成するので、面取り後に検査を実施するようにすれば、工程に無駄がなく、コスト的に有利である。更に、ガスセンサ素子7を、例えばエンジンの排気ガス等の様な高温な測定対象ガスに対して使用する場合には、ガス検知部19は非常に高温となるが、本実施形態では、ガラス材料を含む絶縁ペーストをガス検知部19より後端側に形成するので、両側面被覆部133、135が、高温のガスによって破損することを防止できる。その上、本実施形態では、第1、第2主面21、23に至らないように、第1~第4長辺面取り部121~127まで絶縁ペースト層144を形成しているので、両側面被覆部133、135はガスセンサ素子7の第1、第2主面21、23には形成されない。従って、ガスセンサ素子7を主体金具5内に組み込む際に、他部材例えば、セラミックスリーブ9やセラミックホルダ41に設けられるガスセンサ挿通孔等にガスセンサ素子7が接触し、破損することを防止でき、精度良く組み込むことができるという利点がある。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、様々な態様にて実施することが可能である。