ビスマス置換希土類-鉄ガーネット成分を溶かしたフラックス液面に、ガーネット基板を接触させてビスマス置換希土類-鉄ガーネット膜を成長させるビスマス置換希土類-鉄ガーネット膜の液相エピタキシャル成長方法において、上記ガーネット基板の板厚が200μm以上350μm以下であり、ビスマス置換希土類-鉄ガーネット膜の膜厚が100μm以上300μm以下であることを特徴とするビスマス置換希土類-鉄ガーネット膜の液相エピタキシャル成長方法。上記ガーネット基板の板厚をTμm、ビスマス置換希土類-鉄ガーネット膜の膜厚をtμmとしたとき、下式数1を満たすことを特徴とする請求項1に記載のビスマス置換希土類-鉄ガーネット膜の液相エピタキシャル成長方法。2T700μm≦t≦4T1500μm数1上記フラックスが酸化系フラックスで構成され、ガーネット基板が化学式Gd3ScGa5O12で示されるGSGG基板で構成されると共に、ビスマス置換希土類-鉄ガーネット膜が化学式Bi3xRxFe5O12但し、Rはランタノイド金属およびYの内から選択される2種以上の希土類元素であり、かつ、0<x<3であるで示されるビスマス置換希土類-鉄ガーネット膜であることを特徴とする請求項1または2に記載のビスマス置換希土類-鉄ガーネット膜の液相エピタキシャル成長方法。本発明はこのような問題に着目してなされたもので、その課題とするところは、板厚の薄い基板に膜厚の薄いRIG膜が選択された場合、得られるRIG膜表面に発生する放射状、直線状のクラックを抑制したビスマス置換希土類-鉄ガーネット膜の液相エピタキシャル成長方法を提供し、合わせて短波長向けのビスマス置換希土類-鉄ガーネット膜の製造方法を提供することにある。すなわち、請求項1に係る発明は、ビスマス置換希土類-鉄ガーネット成分を溶かしたフラックス液面に、ガーネット基板を接触させてビスマス置換希土類-鉄ガーネット膜を成長させるビスマス置換希土類-鉄ガーネット膜の液相エピタキシャル成長方法において、上記ガーネット基板の板厚が200μm以上350μm以下であり、ビスマス置換希土類-鉄ガーネット膜の膜厚が100μm以上300μm以下であることを特徴とし、請求項2に係る発明は、請求項1に記載の発明に係るビスマス置換希土類-鉄ガーネット膜の液相エピタキシャル成長方法において、上記ガーネット基板の板厚をTμm、ビスマス置換希土類-鉄ガーネット膜の膜厚をtμmとしたとき、下式数1を満たすことを特徴とする。2T700μm≦t≦4T1500μm数1次に、請求項3に係る発明は、請求項1または2に記載の発明に係るビスマス置換希土類-鉄ガーネット膜の液相エピタキシャル成長方法において、上記フラックスが酸化系フラックスで構成され、ガーネット基板が化学式Gd3ScGa5O12で示されるGSGG基板で構成されると共に、ビスマス置換希土類-鉄ガーネット膜が化学式Bi3xRxFe5O12但し、Rはランタノイド金属およびYの内から選択される2種以上の希土類元素であり、かつ、0<x<3であるで示されるビスマス置換希土類-鉄ガーネット膜であることを特徴とする。本発明に係るビスマス置換希土類-鉄ガーネット膜の液相エピタキシャル成長方法によれば、ガーネット基板の板厚を200μm以上350μm以下とし、ビスマス置換希土類-鉄ガーネット膜の膜厚を100μm以上300μm以下の範囲にそれぞれ規定しているため、従来法と較べて板厚のより薄い基板に膜厚のより薄いRIG膜が選択されているにも拘わらず、育成するビスマス置換希土類-鉄ガーネット膜表面に発生し易い放射状、直線状のクラックを抑制することが可能となる効果を有する。以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。従来、RIG膜としての磁性ガーネット単結晶をLPE法により育成する場合、取り扱いの容易さ等の観点から、上述したように板厚500μm以上の厚いガーネット基板が使用されてきた。育成するRIG膜のLPE法を説明すると、はじめにRIG膜の原料を完全に溶融し、その後、その液相温度から過冷却状態に融液の温度を降下させ、その過冷却状態において温度一定若しくは育成中の温度を変えてビスマス置換量を変えるという手法でRIG膜を育成している。このようなLPE法による単結晶の育成においては、度々クラック等の発生により育成が困難となる現象が生じる。これは、基板と単結晶の格子定数の不一致ミスマッチによると言われており、単結晶を育成する時には基板との間で格子定数が一致するような単結晶および基板の組成を選択するのが一般的である。しかし、基板と単結晶の格子定数を整合させてもクラックが発生する不具合が多くなり、その対策を検討した。その結果、本発明に至ったもので、概して薄いエピ膜RIG膜を育成する場合、基板の板厚を従来と較べてより薄くする必要があることが判明した。但し、以下に示す実施例の結果から判るように、許容されるRIG膜の膜厚と基板の板厚の組み合わせの範囲内では、クラック発生に関する最適な関係は、膜厚と板厚が逆比例の関係すなわち、RIG膜の膜厚が薄い場合には基板の板厚は大きい方がクラック発生率は低くなり、RIG膜の膜厚が厚い場合には基板の板厚は小さい方がクラック発生率は低くなるにあることが判った。以下の実施例1~8はそれぞれ100回繰り返しを行ったが、基板の板厚が200μm未満は行っていない。この理由は、基板の板厚が200μm未満になると、ガーネットのインゴットから基板を切り出すときに割れ易く、基板を製作する歩留りが極端に悪くなるからである。実施例1~8と比較例1~4の結果を示す以下の表1および図2のグラフ図から、基板の板厚Tは200μm≦T≦350μmの範囲とする必要があり、中でも冷却時のクラック発生率が10未満である実施例3~7が望ましいことが確認される。一般に基板が厚くなる方が取り扱いに容易なため、基板の厚みは300μm程度が最も好ましい。また、実施例1~8と比較例1~4の結果を示す以下の表1および図2のグラフ図から、RIG膜の膜厚tは100μm≦t≦300μmの範囲とする必要がある。更に、図2のグラフ図に示された冷却時のクラック発生率が10未満である実施例3~7から、基板の板厚Tが200μm≦T≦350μm、および、RIG膜の膜厚tが100μm≦t≦300μmの範囲にあることを前提として、下式数1の条件を満たすことが望ましい。2T700μm≦t≦4T1500μm数1尚、実施例1~8と比較例1~4では、フラックスが酸化系フラックスで構成され、ガーネット基板が化学式Gd3ScGa5O12で示されるGSGG基板により構成され、かつ、RIG膜が化学式Bi116Gd054Nd130Fe5O12で示されるビスマス置換希土類-鉄ガーネット膜で構成されている。しかし、ガーネット基板については、例えば化学式CaGd3ZrMgGa5O12で示されるSGGG基板、RIG膜についても化学式Bi3xRxFe5O12但し、Rはランタノイド金属およびYの内から選択される2種以上の希土類元素であり、かつ、0<x<3であるで示される他のガーネット膜であっても機械的特性が大幅に変わることは無く、同等の結果が得られる。以下、本発明の実施例について比較例を挙げて具体的に説明する。[RIG膜の育成]白金坩堝中に、PbO、Bi2O3、B2O3をフラックスとし、RIG成分を溶かし込んだ融液を、電気炉内で820°Cに加熱しながら、その融液表面に1インチ径のGSGG基板を接触させ、このGSGG基板を100rpmで回転させて、化学式Bi116Gd054Nd130Fe5O12で示されるRIG膜を育成する。GSGG基板1とRIG膜2を図1に示す。[評価方法]育成したRIG膜の評価方法は、実体顕微鏡40~50倍で放射状、直線状のクラック発生の有無を確認する。クラックが一箇所でも見つかればその基板は不良とし、育成方法の合否判定は、全基板に対する不良基板の枚数比で10以下の場合を合格とし、10を越えた場合に不合格とした。[実施例1]ガーネット基板がGSGG、基板の板厚が200μmとして上記育成方法によりRIG膜を100枚育成した。すなわち、板厚が200μmのGSGG基板上に、膜厚が100μmのRIG膜を育成した実施例1では、RIG膜100枚中、放射状、直線状クラック発生の枚数は10枚であり、実施例1の育成方法は合格であった。[実施例2]ガーネット基板がGSGG、基板の板厚が250μmとして上記育成方法によりRIG膜を100枚育成した。すなわち、板厚が250μmのGSGG基板上に、膜厚が100μmのRIG膜を育成した実施例2では、RIG膜100枚中、放射状、直線状クラック発生の枚数は10枚であり、実施例2の育成方法は合格であった。[実施例3]ガーネット基板がGSGG、基板の板厚が300μmとして上記育成方法によりRIG膜を100枚育成した。すなわち、板厚が300μmのGSGG基板上に、膜厚が100μmのRIG膜を育成した実施例3では、RIG膜100枚中、放射状、直線状クラック発生の枚数は1枚であり、実施例3の育成方法は合格であり、実施例1、2より更に良好であった。[実施例4]ガーネット基板がGSGG、基板の板厚が350μmとして上記育成方法によりRIG膜を100枚育成した。すなわち、板厚が350μmのGSGG基板上に、膜厚が100μmのRIG膜を育成した実施例4では、RIG膜100枚中、放射状、直線状クラック発生の枚数は0枚であり、実施例4の育成方法は合格であり、実施例1、2より更に良好であった。[実施例5]ガーネット基板がGSGG、基板の板厚が200μmとして上記育成方法によりRIG膜を100枚育成した。すなわち、板厚が200μmのGSGG基板上に、膜厚が300μmのRIG膜を育成した実施例5では、RIG膜100枚中、放射状、直線状クラック発生の枚数は1枚であり、実施例5の育成方法は合格であり、実施例1、2より更に良好であった。[実施例6]ガーネット基板がGSGG、基板の板厚が250μmとして上記育成方法によりRIG膜を100枚育成した。すなわち、板厚が250μmのGSGG基板上に、膜厚が300μmのRIG膜を育成した実施例6では、RIG膜100枚中、放射状、直線状クラック発生の枚数は2枚であり、実施例6の育成方法は合格であり、実施例1、2より更に良好であった。[実施例7]ガーネット基板がGSGG、基板の板厚が300μmとして上記育成方法によりRIG膜を100枚育成した。すなわち、板厚が300μmのGSGG基板上に、膜厚が300μmのRIG膜を育成した実施例7では、RIG膜100枚中、放射状、直線状クラック発生の枚数は10枚であり、実施例7の育成方法は合格であった。[実施例8]ガーネット基板がGSGG、基板の板厚が350μmとして上記育成方法によりRIG膜を100枚育成した。すなわち、板厚が350μmのGSGG基板上に、膜厚が300μmのRIG膜を育成した実施例8では、RIG膜100枚中、放射状、直線状クラック発生の枚数は10枚であり、実施例8の育成方法は合格であった。[比較例1]ガーネット基板がGSGG、基板の板厚が180μmとして上記育成方法を試みたところ、基板の板厚が180μmの場合、ガーネットインゴットから切り出すときに割れ易く加工時のクラック発生有り、基板を製作する歩留りが極端に悪くなった。このため、膜厚80μmのRIG膜の育成を行なわなかったことから、比較例1に係る育成方法の評価はできなかった。[比較例2]ガーネット基板がGSGG、基板の板厚が370μmとして上記育成方法によりRIG膜の育成を試みた。すなわち、板厚が370μmのGSGG基板上に、膜厚が80μmのRIG膜を育成した比較例2では、RIG膜を10枚育成した段階で、放射状、直線状クラック発生の枚数が8枚となり、極端に歩留まりが悪いため途中でRIG膜の育成を中止した。[比較例3]ガーネット基板がGSGG、基板の板厚が180μmとして上記育成方法を試みたところ、基板の板厚が180μmでは、ガーネットインゴットから切り出すときに割れ易く加工時のクラック発生有り、基板を製作する歩留りが極端に悪くなった。このため、膜厚320μmのRIG膜の育成を行なわなかったことから、比較例3に係る育成方法の評価はできなかった。[比較例4]ガーネット基板がGSGG、基板の板厚が370μmとして上記育成方法によりRIG膜の育成を試みた。すなわち、板厚が370μmのGSGG基板上に、膜厚が320μmのRIG膜を育成した比較例4では、RIG膜を10枚育成した段階で、放射状、直線状クラック発生の枚数が6枚となり、極端に歩留まりが悪いため途中でRIG膜の育成を中止した。[評価]1全ての実施例では、基板の板厚が200μm以上350μm以下の範囲内で、RIG膜の膜厚が100μm以上300μm以下の範囲内にあり、全基板に対する不良基板の発生率が10以下と優れている。これに対し、全ての比較例では、基板の板厚が200μm以上350μm以下の範囲外である180μm、370μmで、かつ、RIG膜の膜厚も100μm以上300μm以下の範囲外である80μm、320μmであり、全基板に対する不良基板の発生率が60以上と劣っている。2また、RIG膜の膜厚が100μmである実施例1、2、3、4の育成方法を対比すると、基板の板厚が300μm、350μmである実施例3と4が1、0であるのに対し、基板の板厚が200μm、250μmである実施例1と2がそれぞれ10と劣っている。他方、RIG膜の膜厚が300μmである実施例5、6、7、8の育成方法を対比すると、基板の板厚が300μm、350μmである実施例7と8が8、10であるのに対し、基板の板厚が200μm、250μmである実施例5と6が1、2と優れている。このことから、許容されるRIG膜の膜厚と基板の板厚の組み合わせの範囲内では、クラック発生に関する最適な関係は、膜厚と板厚が逆比例の関係にあることが確認できる。3更に、図2のグラフ図に示された冷却時のクラック発生率が10未満である実施例3~7から、基板の板厚Tが200μm≦T≦350μm、および、RIG膜の膜厚tが100μm≦t≦300μmの範囲にあることを前提として、下式数1の条件を満たすことが望ましいことも確認できる。2T700μm≦t≦4T1500μm数1