電子部品10、及び、該電子部品10が実装される実装基板30を備える電子装置であって、前記実装基板30に、前記電子部品10の実装面30aからその裏面30bまでを貫通する貫通溝31が少なくとも1つ形成され、前記貫通溝31によって、前記電子部品10の実装領域の少なくとも一部が囲まれており、前記貫通溝31は、前記実装基板30よりもヤング率が低い弾性部材32によって埋められていることを特徴とする電子装置。前記弾性部材32は、前記実装基板30よりも線膨張係数が低いことを特徴とする請求項1に記載の電子装置。前記実装面30aに沿う第1方向において、前記実装領域を介して2つの前記貫通溝31が並んでいることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電子装置。前記実装面30aに沿い、前記第1方向に直交する第2方向において、前記実装領域を介して2つの前記貫通溝31が並んでいることを特徴とする請求項3に記載の電子装置。前記貫通溝31は、平面環状、平面矩形状、平面C字状、平面L字状、若しくは、平面コの字状であることを特徴とする請求項1~4いずれか1項に記載の電子装置。前記電子部品10は、半田を介して、前記実装基板30に実装されていることを特徴とする請求項1~5いずれか1項に記載の電子装置。前記電子部品10は、センサ部11、及び、該センサ部11を収納するパッケージ12を有することを特徴とする請求項1~6いずれか1項に記載の電子装置。前記センサ部11は、センサチップ13、及び、該センサチップ13の信号を処理する回路チップ14を有することを特徴とする請求項7に記載の電子装置。ところで、特許文献1に記載の部品実装基板では、スリットによって表面とその裏面とが貫通されている。そのため、裏面側から水などの導電性を有する異物がスリットを介して表面側に流入する虞がある。異物が表面側に流入すると、その異物を介して、電子部品と部品実装基板との複数の接続部位が電気的に接続され、電気的な接続不良が生じる虞がある。そこで、本発明は上記問題点に鑑み、電気的な接続不良の発生が抑制された電子装置を提供することを目的とする。上記した目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、電子部品10、及び、該電子部品10が実装される実装基板30を備える電子装置であって、実装基板30に、電子部品10の実装面30aからその裏面30bまでを貫通する貫通溝31が少なくとも1つ形成され、貫通溝31によって、電子部品10の実装領域の少なくとも一部が囲まれており、貫通溝31は、実装基板30よりもヤング率が低い弾性部材32によって埋められていることを特徴とする。このように本発明によれば、貫通溝31が弾性部材32によって埋められている。これにより、導電性を有する異物が、貫通溝31を介して、裏面30bから実装面30aに流動することが抑制される。この結果、電子部品10と実装基板30とで電気的な接続不良が生じることが抑制される。また、貫通溝31によって、実装領域の少なくとも一部が囲まれている。したがって、貫通溝31を挟んで実装領域と対向する領域以下、対向領域と示すに熱によるねじれが生じたとしても、そのねじれが実装領域に印加されることが抑制される。この結果、電子部品10と実装基板30との接続部位に応力が印加されることが抑制され、電子部品10と実装基板30とで電気的な接続不良が生じることが抑制される。なお、もちろんではあるが、貫通溝31は弾性部材32によって埋められているので、対向領域のねじれは、弾性部材32を介して実装領域に印加される。しかしながら、弾性部材32は実装基板30よりもヤング率が低いので、貫通溝31が実装基板30と同一材料によって埋められた構成、すなわち、貫通溝31が実装基板30に形成されていない構成と比べて、対向領域のねじれが実装領域に印加されることが抑制される。請求項2に記載のように、弾性部材32は、実装基板30よりも線膨張係数が低い構成が好適である。これによれば、弾性部材32と実装基板30の線膨張係数が等しい構成と比べて、実装領域に印加される、熱膨張に起因する応力以下、熱応力と示すが弱くなる。このため、熱応力によって、実装領域に歪みが生じることが抑制され、電子部品10と実装基板30との接続部位に応力が印加されることが抑制される。この結果、電子部品10と実装基板30とで電気的な接続不良が生じることが抑制される。請求項3に記載のように、実装面30aに沿う第1方向において、実装領域を介して2つの貫通溝31が並んだ構成が良い。これによれば、第1方向において、実装領域と対向する対向領域のねじれが、実装領域に印加されることが抑制される。請求項4に記載のように、実装面30aに沿い、第1方向に直交する第2方向において、実装領域を介して2つの貫通溝31が並んだ構成が良い。これによれば、第2方向において、実装領域と対向する対向領域のねじれが、実装領域に印加されることが抑制される。請求項5に記載のように、貫通溝31の形状としては、平面環状、平面矩形状、平面C字状、平面L字状、若しくは、平面コの字状を採用することができる。請求項6に記載のように、電子部品10は、半田を介して、実装基板30に実装された構成を採用することができる。請求項7に記載のように、電子部品10は、センサ部11、及び、該センサ部11を収納するパッケージ12を有する構成を採用することができる。請求項8に記載のように、センサ部11は、センサチップ13、及び、該センサチップ13の信号を処理する回路チップ14を有する構成を採用することができる。以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。第1実施形態図1は、第1実施形態に係る電子装置の概略構成を示す上面図である。図2は、図1のII-II線に沿う断面図である。図3は、図1に示す電子部品の概略構成を示す図であり、aは上面図、bは側面図である。なお、図2では、本来であれば蓋部12bによって隠れるために図示されない外部端子16を破線で示し、図3のaでは、蓋部12bを省略している。以下においては、実装基板30の実装面30aに沿う一方向を第1方向、実装面30aに沿い、第1方向に直交する方向を第2方向と示す。図1及び図2に示すように、電子装置100は、電子部品10、及び、実装基板30を備える。電子部品10が、実装基板30の実装面30aに表面実装されており、半田図示略を介して、電子部品10と実装基板30とが機械的及び電気的に接続されている。電子部品10は、図3に示すように、センサ部11、及び、該センサ部11を収納するパッケージ12を有する。センサ部11は、センサチップ13、及び、該センサチップ13の信号を処理する回路チップ14を有する。センサチップ13は、バンプ図示略を介して、回路チップ14と機械的及び電気的に接続され、回路チップ14は、接着剤図示略を介してパッケージ12に機械的に接続されている。そして、回路チップ14は、配線15を介してパッケージ12と電気的に接続されている。本実施形態に係るセンサチップ13は第1半導体層、絶縁層、第2半導体層が順次積層されて成るSOI基板であり、周知の露光技術を用いて、容量変化によって物理量を検出する微細構造センシング部を第1半導体層及び絶縁層に形成している。パッケージ12は、有底筒状の箱部12aと、箱部12aの開口端を閉塞する蓋部12bと、を有する。箱部12aは、セラミックパッケージであり、箱部12aの内面に内部端子図示略が形成され、外面に外部端子16が形成され、内部に内部端子と外部端子16とを接続する内部配線図示略が形成されている。配線15が内部端子に接続されており、センサ部11と実装基板30とが、配線15、内部端子、内部配線、外部端子16、及び、半田を介して電気的に接続されている。本実施形態では、図3に示すように、箱部12aの側壁に外部端子16が形成されており、電子部品10は、実装基板30に対して横付けされる。実装基板30は、プリント基板であり、実装面30aからその裏面30bまでを貫通する貫通溝31を有する。本実施形態では、図1に示すように、平面矩形状の貫通溝31が、電子部品10の実装領域を介して、第1方向に2つ並んでいる。これにより、実装領域が、第1方向において貫通溝31によって囲まれている。図2に示すように、貫通溝31は、弾性部材32によって埋められている。弾性部材32は、実装基板30よりもヤング率及び線膨張係数が低い材料から成る。このような弾性部材32は、以下の工程を経ることで形成される。先ず、貫通溝31が形成された実装基板30を冶具に固定する。この際、貫通溝31の裏面30b側の開口部を冶具によって閉塞する。こうすることで、貫通溝31を構成する壁面を側壁、貫通溝31の開口部を閉塞する冶具を底部とする凹部を構成する。その後、この凹部に液状の材料を流入し、固化する。上記工程を経ることで、弾性部材32が形成される。次に、本実施形態に係る電子装置100の作用効果を説明する。上記したように、貫通溝31が弾性部材32によって埋められている。これにより、導電性を有する異物が、貫通溝31を介して、裏面30bから実装面30aに流動することが抑制される。この結果、電子部品10と実装基板30とで電気的な接続不良が生じることが抑制される。また、貫通溝31によって、実装領域30が囲まれている。したがって、貫通溝31を挟んで実装領域と対向する領域以下、対向領域と示すに熱によるねじれが生じたとしても、そのねじれが実装領域に印加されることが抑制される。この結果、電子部品10と実装基板30との接続部位半田に応力が印加されることが抑制され、電子部品10と実装基板30とで電気的な接続不良が生じることが抑制される。なお、もちろんではあるが、貫通溝31は弾性部材32によって埋められているので、対向領域のねじれは、弾性部材32を介して実装領域に印加される。しかしながら、弾性部材32は実装基板30よりもヤング率が低いので、貫通溝31が実装基板30と同一材料によって埋められた構成、すなわち、貫通溝31が実装基板30に形成されていない構成と比べて、対向領域のねじれが実装領域に印加されることが抑制される。弾性部材32は、実装基板30よりも線膨張係数が低い材料から成る。これによれば、弾性部材32と実装基板30の線膨張係数が等しい構成と比べて、実装領域に印加される、熱膨張に起因する応力以下、熱応力と示すが弱くなる。このため、熱応力によって、実装領域に歪みが生じることが抑制され、電子部品10と実装基板30との接続部位半田に応力が印加されることが抑制される。この結果、電子部品10と実装基板30とで電気的な接続不良が生じることが抑制される。貫通溝31が、電子部品10の実装領域を介して、第1方向に2つ並んでいる。これにより、第1方向において、実装領域と対向する対向領域以下、第1対向領域と示すのねじれが、実装領域に印加されることが抑制される。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。以下、図4~図7に基づいて、電子装置100の変形例を示す。図4~図7は、電子装置の変形例を示す上面図である。本実施形態では、貫通溝31が、電子部品10の実装領域を介して、第1方向に2つ並んだ例を示した。しかしながら、図4に示すように、貫通溝31が、電子部品10の実装領域を介して、第1方向だけではなく、第2方向に2つ並んだ構成を採用することもできる。これによれば、第2方向において、実装領域と対向する対向領域以下、第2対向領域と示すのねじれが、実装領域に印加されることが抑制される。本実施形態では、貫通溝31が平面矩形状である例を示した。しかしながら、図5~図7に示すように、貫通溝31の形状としては、平面L字状、平面環状、平面コの字状を採用することができる。また、図示しないが、貫通溝31の形状としては、平面C字状、弧状等を採用することができ、上記例に限定されない。特に、図6に示すように、貫通溝31が平面環状の場合、実装領域が対向領域から切り離され、弾性部材32によってのみ連結された構成と成る。そのため、対向領域のねじれの実装領域への印加が、本実施形態で示した構成及びその他の変形例と比べてより効果的に抑制される。なお、貫通溝31が平面環状である場合、以下の工程を経ることで、実装基板30が形成される。実装領域を構成する第1基板実装基板と、対向領域を構成する第2基板対向基板とを冶具に固定する。こうすることで、貫通溝31を形作り、貫通溝31を構成する壁面を側壁、貫通溝31の一方の開口部を閉塞する冶具を底部とする凹部を構成する。その後、この凹部に液状の材料を流入し、固化する。この工程を経ることで、弾性部材32が形成され、2つの基板が連結される。この結果、実装基板30が形成される。本実施形態では、電子部品10と実装基板30とが半田を介して機械的及び電気的に接続された例を示した。しかしながら、例えば、電子部品10と実装基板30とが接着剤を介して機械的に接続され、ワイヤを介して電気的に接続された構成を採用することもできる。なお、この場合、ワイヤの一端が電子部品10に接続され、他端が対向領域に接続される構成が良い。これによれば、素子を形成することができない貫通溝31をワイヤが跨ぐので、ワイヤの配置による、素子形成領域の減少が抑制される。この結果、電子装置100の体格の増大が抑制される。