基板上に、トンネル酸化膜、チャージトラップ膜、ブロッキング絶縁膜、およびゲート電極がこの順番で形成された積層構造を有し、前記ゲート電極に電圧を印加することによって、前記基板側から前記チャージトラップ膜に電荷をトラップ及びデトラップして情報の書き込み及び消去を行うチャージトラップ型記憶装置であって、前記ゲート電極が、前記ブロッキング絶縁膜上に配置されたWとNとOを含有する金属酸窒化物層であることを特徴とするチャージトラップ型記憶装置。前記金属酸窒化物層のWとNとOのモル比率O/ONWが0<OWNO≦0.22であることを特徴とする請求項1記載のチャージトラップ型記憶装置。前記金属酸窒化物層上に設けられた、WとNを含有する金属窒化物層をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のチャージトラップ型記憶装置。前記ゲート電極の仕事関数が4.75eV以上であることを特徴とする請求項1に記載のチャージトラップ型記憶装置。基板上に、トンネル酸化膜、チャージトラップ膜、ブロッキング絶縁膜、およびゲート電極がこの順番で形成された積層構造を有し、前記ゲート電極に電圧を印加することによって、前記シリコン基板側から前記チャージトラップ膜に電荷をトラップ及びデトラップして情報の書き込み及び消去を行うるチャージトラップ型記憶装置の製造方法であって、前記トンネル酸化膜、前記チャージトラップ膜、および前記ブロッキング絶縁膜が順に形成された基板を用意する工程と、前記ブロッキング絶縁膜上にWとNとOを含有する金属酸窒化物層を形成する工程とを有することを特徴とするチャージトラップ型記憶装置の製造方法。前記金属酸窒化物層を形成する工程は、WとNとOのモル比率O/ONWが0<O/WNO≦0.22となるように前記金属酸窒化物層を形成することを特徴とする請求項5に記載のチャージトラップ型記憶装置の製造方法。前記金属酸窒化物層上にWとNを含有する金属窒化物層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項5に記載のチャージトラップ型記憶装置の製造方法。前記金属酸窒化物層及び前記金属窒化物層を形成する工程が、真空容器内で、反応性ガスと不活性ガスの混合雰囲気下において前記金属酸窒化物層及び前記金属窒化物層に含まれる金属からなる金属ターゲットをマグネトロンスパッタする工程であり、前記金属酸窒化物層を形成する工程における前記反応性ガスが酸素及び窒素であり、前記金属窒化物層を形成する工程における前記反応性ガスが窒素であることを特徴とする請求項7に記載のチャージトラップ型記憶装置の製造方法。前記マグネトロンスパッタする工程は、前記金属ターゲットの表面が酸化、窒化または酸窒化することにより生じるスパッタ率の低下率が最大となる供給量以下に、前記反応性ガス又は不活性ガスの供給量を設定することを特徴とする請求項8に記載のチャージトラップ型記憶装置の製造方法。前記真空容器内の圧力を1×10-1Pa以下に設定することを特徴とする請求項8に記載のチャージトラップ型記憶装置の製造方法。前記ゲート電極の仕事関数が4.75eV以上であることを特徴とする請求項5に記載のチャージトラップ型記憶装置の製造方法。前記金属酸窒化物層を形成する工程と前記金属窒化物層を形成する工程とを大気に曝露することなく真空中で連続して実施することを特徴とする請求項7に記載のチャージトラップ型記憶装置の製造方法。本発明者らは、上記課題を解決すべく検討した結果、特定の組成を有する金属酸窒化物をチャージトラップ型記憶装置のゲート電極として形成すことにより、膜密度と仕事関数が高い電極膜が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。以下、本発明の実施形態を図面に基づき詳細に説明する。本発明の一実施形態は、表面にシリコン酸化膜を有するシリコン基板上に、トンネル酸化膜、チャージトラップ膜、ブロッキング絶縁膜、ゲート電極がこの順番で形成された積層構造を有し、該ゲート電極に電圧を印加することによって、シリコン基板側からチャージトラップ膜に電荷をトラップ及びデトラップして情報の書き込み及び消去を行うチャージトラップ型記憶装置に指向する。以下では、ゲート電極膜として、構成元素としてWとNとOとを含む金属酸窒化膜以下WON膜と記述を形成したMONOSMetalOxideNitrideOxideSemiconductor型記憶装置を例に取り説明する。図1に示すように、表面に膜厚3nm~5nmの範囲のシリコン酸化膜を有するシリコン基板1にSiO2層2とSiN層3とを積層し、誘電体膜4を堆積した後、WON膜であるゲート電極として機能する電極膜5を形成している。SiO2層2はトンネル酸化膜、SiN層3はチャージトラップ膜、誘電体膜4はブロッキング絶縁膜である。なお、ブロッキング絶縁膜としての誘電体膜4は、金属酸化物、金属シリケート、もしくは窒素が導入された、金属酸化物または金属シリケートを含む高誘電率絶縁膜である。図2に、WON膜からなるゲート電極の形成工程に用いられる処理装置の一例の概略を示す。成膜処理室100はヒータ101によって所定の温度に加熱できるように構成されている。被処理基板102は、基板支持台103に組み込まれた、サセプタ104を介して、ヒータ105によって所定の温度に加熱される。基板支持台103は、膜厚の均一性の観点から所定の回転数で回転できることが好ましい。成膜処理室100内には、ターゲット106、126が、被処理基板102を望む位置に設置されている。ターゲット106、126は、Cu等の金属から出来ているバックプレート107、127を介してターゲットホルダー108、128に設置されている。なお、ターゲット106、126とバックプレート107、127を組み合わせたターゲット組立体の外形を1つの部品としてターゲット材料で作成し、これをターゲットとして取り付けても構わない。つまり、ターゲットがターゲットホルダーに設置された構成でも構わない。Cu等の金属製のターゲットホルダー108、128には、スパッタ放電用電力を印加する直流電源110、130が接続されており、絶縁体109、129により接地電位の成膜処理室100の壁から絶縁されている。スパッタ面から見たターゲット106、126の背後には、マグネトロンスパッタリングを実現するためのマグネット111、131が配設されている。マグネット111、131は、マグネットホルダー112、132に保持され、図示しないマグネットホルダー回転機構により回転可能となっている。ターゲットのエロージョンを均一にするため、放電中には、このマグネット111、131は回転している。ターゲット106、126は、基板102に対して斜め上方のオフセット位置に設置されている。すなわち、ターゲット106、126のスパッタ面の中心点は、基板102の中心点の法線に対して所定の寸法ずれた位置にある。ターゲット106、126と処理基板102の間には、遮蔽板116が設置され、電力が供給されたターゲット106、126から放出されるスパッタ粒子による処理基板102上への成膜を制御している。本発明の一実施形態では、窒化膜3上にスパッタリング法により膜厚10nmの誘電体膜4を堆積させる。次に、成膜後、アニール処理を施すことにより結晶化させ、誘電体膜4とする。次に、誘電体膜4上にゲート電極としてのWON電極5を堆積させる。ターゲットは、Wの金属ターゲット106を用いれば良い。電極膜5の堆積は、金属ターゲット106に、直流電源110より、ターゲットホルダー108およびバックプレート107を介して電力を供給することにより実施される。この際、不活性ガスが、不活性ガス源201から、バルブ202、マスフローコントローラ203、バルブ204を介してターゲット付近から処理室100に導入される。また、酸素と窒素とを含む反応性ガスは、それぞれ酸素ガス源205と窒素ガス源209から、バルブ206、210、マスフローコントローラ207、211、バルブ208、212を介して処理室100内の基板付近に導入される。導入された不活性ガスおよび反応性ガスは、コンダクタンスバルブ117を介して、排気ポンプ118によって排気される。本発明の一実施形態では、基板温度30°C、Wのターゲットパワーを500Wに設定し、不活性ガスとしてArを用い、Arの供給量を25sccmとして、反応性ガスである窒素と酸素を供給し、成膜する。このとき、WON膜の酸素のモル比率O/ONWは、窒素ガス流量を15sccm一定として、酸素ガス流量を0sccm~20sccmの範囲で変えることにより調節する。尚、本明細書中におけるモル比率とは、物質量の基本単位であるモル数の比率をいう。モル比率は、例えば、X線光電子分光法により物質内にある固有の電子の結合エネルギー、電子のエネルギー準位と量から測定することができる。また、sccm=一分間当たり供給されるガス流量0°C1気圧で表したcm3数=1.69×10-3Pam3/s0°Cにおいてである。また、酸素ガス流量を20sccm以下としたのは、Wのターゲットの表面が酸化することにより生じるスパッタ率の低下率が最大となるようにするためである。スパッタ率とは、スパッタターゲットを衝撃する衝撃イオン1個当たり放出するスパッタ原子数の割合をいう。図3Aに窒素を導入した時のWターゲットの放電特性WNの放電特性、図3Bに窒素流量を15sccmに固定して、酸素を0sccm~50sccm導入した時のWターゲットの放電特性WONの放電特性を示す。図3AのWターゲットの放電特性より、窒素流量を増やすと放電電圧は緩やかに増加することが解る。一方図3BのWターゲットの放電特性より、酸素流量を増やすと、酸素流量が30sccm以下の領域では放電電圧が増加するが、30sccmよりさらに酸素流量を増やすと放電電圧は徐々に低下する。この放電電圧の変化は酸素の供給量が増加すると金属ターゲット表面が酸化され、スパッタ率が変化するためである。図4AにWN膜の成膜速度に対する窒素流量依存性、図4BにWON膜、WO膜の成膜速度に対する酸素流量依存性を示す。図4A中、黒塗り菱形◆のプロットはWN膜の結果を示している。図4B中、黒塗りの丸●のプロットはWO膜、黒塗り三角▲のプロットはWON膜の結果を示している。図4Aより、WNの成膜速度は、窒素流量が増すに従って減少することが解る。これらの放電電圧の変化は窒素の供給量が増加すると金属ターゲット表面が窒化され、スパッタ率が低下するためである。一方、図4Bにおいて、WO及びWON膜の成膜速度は、酸素流量の増加に従って増加する。本発明の一実施形態における絶縁体膜形成を堆積速度の低下を招くことなく実現するには、少なくともWターゲットの窒化が小さい15sccm以下で行うことが好ましい。図5に、WON膜の酸素のモル比率O/ONWと成膜時の酸素ガス流量依存性を示す。組成は、AESAugerElectronSpectroscopyオージェ電子分光法により評価した。該評価の結果から、酸素ガス流量を0sccmから10sccmの範囲で調節することにより、酸素モル比率を0から0.55の範囲で制御することが確認できる。図6にWON膜の比抵抗と酸素のモル比率O/ONWの関係を示す。WON膜の比抵抗は、酸素のモル比率が増加するに従って増加する。WON膜を電極膜5として用いる場合、電極膜5の比抵抗を6000μΩcm以下にすることが望ましい。従って、本発明の一実施形態におけるWON膜の酸素のモル比率を0から0.22の範囲内に設定することが好ましい。図7にWON膜の密度と酸素のモル比率O/の関係を示す。図より、WON膜の密度は、酸素モル比率が増えるに従って減少することが解る。WON膜の密度が低下すると絶縁膜や、誘電体膜からの酸素の拡散により、WON膜の酸素モル比率が変化し、比抵抗の制御が困難となる。従って、WON膜の酸素モル比率は、密度を大幅に低下させることのない0から0.3の範囲で制御することが必要であり、10g/cc以上の密度が得られる酸素のモル比率O/が、0<O/≦0.22の範囲で制御することが好ましい。なお、密度の測定は、XRRX-RAYReflectometerX線反射率法を用いて行った。WN膜及びWON膜の仕事関数を測定する為、SiO2基板上に10nmTiN膜を積層し、更に15nmWN膜若しくは15nmWONを積層し、更に3nmHfOxを積層したスタック構造を形成し、電気特性の測定を行った。尚、本明細書中における仕事関数とは、1個の電子をフェルミ準位から真空準位へ取り出すのに必要なエネルギーをいう。仕事関数の測定は、C-V測定器を用いて行った。図8にWONの仕事関数と酸素のモル比率O/ONWの関係を示す。WON膜の仕事関数は、酸素のモル比率の増加に従って増加するが、極大値を持ち、酸素のモル比率を0.14とすることにより4.9eV得られた。仕事関数が4.75eV以上を実現するには、酸素のモル比率が0から0.3の範囲で制御することが必要であり、好ましくは仕事関数が4.87eV以上である酸素のモル比率が0<O/ONW≦0.22の範囲を有することが好ましい。次に、大気曝露によるWON膜中のO濃度の変化を防ぐないしは低減する為にTiN膜でCapしてWON膜の組成を測定した。図9、10にそれぞれTiN膜/WN膜及びTiN膜/WON膜の積層膜を1000°Cで熱処理した後の膜厚方向の組成を示す。組成は、SIMSSecondaryionmassspectrometry二次イオン質量分析法により評価した。図9より、TiN/WNの積層膜は、1000°Cで熱処理した後もTiN膜とWN膜の各金属は拡散することなく、2層に分離していることが解る。一方、図10より、TiN/WONの積層膜は、1000°Cで熱処理することによりTiとWが相互拡散し、TiN/WONの界面が不明瞭となっていることが解る。以上の結果より、WON上に金属膜を積層し、更に熱処理が加わる場合は、WONと金属膜の間にWN膜を挿入することで、Wと金属の相互拡散を抑制出来ることが解る。すなわち、ゲート電極膜としてのWON膜上に、WとNとを含有する金属窒化物層としてのWN膜を形成することによって、WON膜上にTiN層等を形成する場合に、WのTiN層への拡散およびTiのWON膜への拡散を低減することができる。また、金属酸窒化物を形成する工程が、図2に示す真空容器100内で、酸素と窒素の混合ガスからなる反応性ガス205と不活性ガス201の混合雰囲気下において上記金属酸窒化物層を形成するための金属ターゲット106、126をマグネトロンスパッタする工程である。該工程では、堆積速度の低下を抑制するため、反応性ガス205の供給量を金属ターゲット106、126の表面が酸化、窒化または酸窒化することにより生じるスパッタ率の低下率が最大となる供給量以下に設定することが好ましい。更に、形成される電極膜の膜厚均一性を±2.5以下にするには、成膜中の真空容器100内の圧力を1×10-1Pa以下に設定することが好ましい。なお、WとNを含有する金属窒化物層を形成する場合は、金属酸窒化物層を形成する工程と、金属窒化物層を形成する工程とを、基板を大気に暴露することなく真空中で連続して実施することが好ましい。尚、上記の説明では、シリコン酸化膜1上に、SiO2層2とSiN層3を積層し、誘電体膜4を堆積した後、電極膜5を形成したチャージトラップ型記憶装置の場合ついて述べたが、これらに限定されるものではない。例えば、TANOS型不揮発メモリにおける電極膜、FG型不揮発メモリ素子における浮遊電極とゲート電極、MOSトランジスタの一部に、本発明のWとNとOとを含有する金属酸窒化物層を適用することで、十分にその効果を得ることができる。即ち、電極膜を有する半導体装置の製造方法に、本発明の方法電極層としてWとNとOとを含有する金属酸窒化物層を形成する工程を適用することができ、例えば、以下の製造方法が挙げられる。1.上記本発明の方法を、少なくとも表面が半導体層で構成される基板と、該基板上に形成されたゲート電極と、上記基板と上記ゲート電極の間に順次積層された積層型ゲート絶縁膜を有する不揮発性半導体装置の製造方法に適用することができる。すなわち、上記積層型ゲート絶縁膜に含まれる絶縁膜の少なくとも一層を、上記本発明の方法により形成する。2.また、本発明の一実施形態は、少なくとも表面が半導体層で構成される基板と、該基板上に形成されたゲート電極と、上記基板と上記ゲート電極の間に絶縁膜と浮遊電極と絶縁膜が順次積層された構造を有する不揮発性半導体装置であって、上記ゲート電極と上記浮遊電極の少なくとも一部が、本発明の電極膜WとNとOとを含有する金属酸窒化物層である不揮発性半導体装置をも含む。第1の実施例:スパッタ法による実施例本発明の第1の実施例を、図面を参照しながら詳細に説明する。図11は、誘電体膜303を有するMISmetalinsulatorsemiconductorキャパシタを示した図である。表面に膜厚3nm~5nmのシリコン酸化膜302を有するシリコン基板301に、誘電体膜303として、HfOx膜を堆積した後、電極膜304としてスパッタ法によりWON膜を堆積した。ターゲットとしては、Wの金属ターゲットを用い、スパッタガスとしてアルゴン、および酸素および窒素を用いた。なお、図11において、大気曝露によるWON膜中のO濃度の変化を防ぐないしは低減する為に、WON膜上にTiN膜を積層し熱処理を行う場合には、WON膜とTiN膜の間にWN膜を挿入してもよい。基板温度は27°C~600°C、ターゲットパワーは50W~1000W、スパッタガス圧は0.02Pa~0.1Pa、Arガス流量は1sccm~200sccm、酸素ガス流量は1sccm~100sccm、窒素ガス流量は1sccm~100sccm、の範囲内で適宜決定することができる。ここでは、基板温度30°C、Hfのターゲットパワー500W、スパッタガス圧0.03Pa、Arガス流量25sccm、酸素流量0sccm~20sccmとして成膜を行った。このとき、誘電体膜303の酸素モル比率O/HfOは、Hfターゲットパワーと酸素流量によって制御することができる。誘電体膜303として、上述の形成工程を用いた酸素モル比率0≦O/HfO≦0.50の範囲のHfOx膜としての誘電体膜303を膜厚5nm~25nmの範囲で成膜した。尚、ここでは誘電体膜303として、HfOx膜を用いたが、Al2O3、HfAlONも適宜、用いることができる。また、これらからなる群のうちから選択される膜を堆積してもよい。基板温度30°C、Wのターゲットパワー500W、スパッタガス圧0.03Pa、Arガス流量25sccm、窒素流量15sccm、酸素流量0sccm~50sccmとして電極膜304の成膜を行った。このとき、本実施例の電極膜304のモル比率O/ONWは、WターゲットパワーとO流量とN流量によって制御することができる。図5は、本実施例において形成した電極膜304のモル比率O/ONWの酸素流量依存性を示す。組成は、AESAugerElectronSpectroscopyオージェ電子分光法による分析により評価した。このように、酸素流量を調節することにより、0~0.3の範囲でモル比率O/ONWを制御できることを確認した。次に、窒素雰囲気中で1000°Cの温度において10secのアニール処理を行い、誘電体膜303を結晶化させた。尚、ここでは電極膜WON膜304を堆積した後、アニール処理を行ったが、電極膜WON膜304を堆積する前にアニール処理を行ってもよい。また、ここでは窒素雰囲気中でアニール処理を行ったが、酸素雰囲気、Ar等の不活性ガス雰囲気を適宜、用いることができる。また、これらからなる群のうち選択される雰囲気中でアニールしてもよい。次に、リソグラフィー技術とRIE技術を用いて電極膜WON膜304を所望の大きさに加工し、MISキャパシタ構造を形成した。以上のように作製した電極膜WON膜304の比抵抗を評価した。図6に示した酸素のモル比率とWON膜の比抵抗の関係より、酸素のモル比率0<O/ONW≦2.2の範囲で、比抵抗が6000μΩcm以下となる。図7にWONの密度と酸素のモル比率O/の関係を示す。図より、WONの密度は、酸素のモル比率が増えるに従って減少することが解る。図8はWONの仕事関数と酸素のモル比率O/ONWの関係を示す。WONの仕事関数は、酸素含有量の増加に従って増加するが、極大値を持ち、酸素のモル比率を0.14とすることにより4.9eVが得られた。仕事関数が4.75eV以上を実現するには、酸素のモル比率が0から0.3の範囲で制御することが必要であり、好ましくは仕事関数が4.87eV以上であるモル比率が0から0.22の範囲で制御することが好ましい。以上のことからわかるように、本実施例によれば、WとNとOを含有する複合酸窒化物からなる電極膜であって、WとOとNのモル比率O/ONWが0から0.22の間であり、成膜速度が5nm/min以上であり、膜密度が10g/cm3以上である電極膜において、仕事関数が4.9eV以上の高仕事関数が得られることがわかる。第2の実施例:不揮発メモリ素子の電極膜に適用した実施例図12は本発明の第2の実施例に関わる半導体素子の作製工程を示した断面図である。まず図12の工程121に示すようにシリコン基板401の表面にSTIShallowTrenchIsolation技術を用いて素子分離領域402を形成した。続いて、素子分離されたシリコン基板401表面に、第1の絶縁膜403としてシリコン酸化膜を熱酸化膜法により30Å~100Å形成した。続いて、第2の絶縁膜404としてシリコン窒化膜をLPCVDLowPressureChemicalVaporDeposition法により30Å~100Å形成した。続いて、第3の絶縁膜405として、酸化アルミニウム膜を5Å~50Å形成した。酸化アルミニウム膜は、MOCVD法、ALDAtomicLayerDeposition法、PVDPhysicalVaporDeposition法を用いてもよい。続いて、第4の絶縁膜406として、HfAlON膜を膜厚5nm~20nmの範囲で形成した。続いて、第5の絶縁膜407として、酸化アルミニウム膜を5Å~50Å形成した。形成方法は、MOCVD法、ALD法、PVD法を用いて形成した。次に、ゲート電極408として厚さ10nmのWON膜を形成した。WON膜はPVD法を用いて作成した。ゲート電極の作製後、図12の工程122に示すように、リソグラフィー技術およびRIEReactiveIonEtching技術を用いてゲート電極に加工し、引き続きイオン注入を行い、エクステンション領域409を、ゲート電極をマスクとして自己整合的に形成した。さらに、図12の工程123に示すように、シリコン窒化膜とシリコン酸化膜を順次堆積し、その後エッチバックすることによってゲート側壁410を形成した。この状態で再度イオン注入を行い、活性化アニールを経てソースドレイン領域411を形成した。なお、図12において、大気曝露によるWON膜中のO濃度の変化を防ぐないしは低減する為に、WON膜上にTiN膜を積層し熱処理を行う場合には、WON膜とTiN膜の間にWN膜を挿入してもよい。以上のように作製した電極膜408の仕事関数と半導体素子の信頼性を評価した。図8に示したWONの仕事関数と酸素のモル比率O/ONWの関係より、WONの仕事関数は、酸素のモル比率の増加に従って増加するが、極大値を持ち、酸素のモル比率を0.14とすることにより4.9eV得られた。下記表1に様々な上部電極膜に対するリーク電流及び信頼性の関係を示す。なお、下記表1のTopelectrodeはゲート電極、ProgramΔVfbは書き込み時と消去時の電圧差、RetentionVfbchangeは信頼性、CETは電気的酸化膜換算膜厚、Jatは印加電圧を示す。上記表1より、WON膜をゲート電極とした場合、印加電圧20VJat20Vにおけるリーク電流0.00019は、TiN電極のリーク電流0.0003やWN電極のリーク電流0.00027よりも低く、酸素のモル比率を増加すると更にリーク電流は低減することが解った。又、仕事関数が最大となった酸素のモル比率が0.14のWON膜を電極とした場合、信頼性は向上し、Vfbchange比率が5.41とTiN膜を用いた場合の2倍以上の改善が観られた。このように、本実施例によれば、WON酸素のモル比率0<O/ONW≦0.3で表され、スパッタ実施することにより仕事関数が4.9eV以上であり、かつリーク電流値の低減し、信頼性を向上することができる電極膜が得られることを確認した。なお、図13は実施例2の半導体装置の断面図であり、601はpoly-Siを示す。第3の実施例:スタックトゲート型メモリセルの電極膜に適用した実施例本発明の電極膜は、公知のスタックトゲート型メモリセルの浮遊ゲートFG又は制御ゲートCGにも適用可能である。本発明の電極膜を浮遊ゲートFG又は制御ゲートCGに適用することにより、仕事関数が4.9eV以上であり、かつリーク電流値の低減し、信頼性を向上することができる浮遊ゲートFG又は制御ゲートCGが得られることを確認した。