集積回路が形成された半導体基板であって、前記集積回路に電気的に接続された電極が形成され、前記電極の少なくとも一部を露出させる開口を有するパッシベーション膜が形成された半導体基板の、前記パッシベーション膜上に樹脂突起を形成する工程と、前記電極上から前記樹脂突起上に至るように配線を形成する工程と、前記パッシベーション膜上に位置決めマークを形成する工程と、を含み、前記配線及び前記位置決めマークを同時に形成する半導体装置の製造方法。請求項1に記載された半導体装置の製造方法において、前記パッシベーション膜は、表面が凸凹な領域と、表面が平坦な領域と、を含み、前記位置決めマークは、前記平坦な領域のみに形成する半導体装置の製造方法。請求項1又は2に記載された半導体装置の製造方法において、前記集積回路は、内部配線を含み、前記内部配線の一部を覆う、遮光性を有して表面が平坦な下地層をさらに有し、前記パッシベーション膜は、光透過性を有し、前記下地層を覆い、前記位置決めマークは、前記下地層の上方に形成する半導体装置の製造方法。請求項3に記載された半導体装置の製造方法において、前記下地層と前記位置決めマークは、異なる平面形状を有するように形成する半導体装置の製造方法。請求項1から4のいずれか1項に記載された半導体装置の製造方法において、前記樹脂突起は、長尺状に形成し、複数の前記樹脂突起が平行に配列し、前記複数の樹脂突起に挟まれた領域に、前記位置決めマークを形成する半導体装置の製造方法。集積回路が形成された半導体基板と、前記半導体基板に形成され、前記集積回路に電気的に接続された電極と、前記電極の少なくとも一部を露出させる開口を有して前記半導体基板上に形成されたパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜上に配置された樹脂突起と、前記電極上から前記樹脂突起上に至るように配置されている配線と、前記パッシベーション膜上に配置され、前記配線と同じ材料からなり、前記配線との位置が固定された位置決めマークと、を有する半導体装置。請求項6に記載された半導体装置において、前記パッシベーション膜は、表面が凸凹な領域と、表面が平坦な領域と、を含み、前記位置決めマークは、前記平坦な領域のみに形成されてなる半導体装置。請求項6又は7に記載された半導体装置において、前記集積回路は、内部配線を含み、前記内部配線の一部を覆う、遮光性を有して表面が平坦な下地層をさらに有し、前記パッシベーション膜は、光透過性を有し、前記下地層を覆い、前記位置決めマークは、前記下地層の上方に位置する半導体装置。請求項8に記載された半導体装置において、前記下地層と前記位置決めマークは異なる平面形状を有する半導体装置。請求項6から9のいずれか1項に記載された半導体装置において、前記樹脂突起は、長尺状に形成され、複数の前記樹脂突起が平行に配列され、前記複数の樹脂突起に挟まれた領域に前記位置決めマークが位置する半導体装置。本発明は、精度の高い位置決めマークを形成することを目的とする。1本発明に係る半導体装置の製造方法は、集積回路が形成された半導体基板であって、前記集積回路に電気的に接続された電極が形成され、前記電極の少なくとも一部を露出させる開口を有するパッシベーション膜が形成された半導体基板の、前記パッシベーション膜上に樹脂突起を形成する工程と、前記電極上から前記樹脂突起上に至るように配線を形成する工程と、前記パッシベーション膜上に位置決めマークを形成する工程と、を含み、前記配線及び前記位置決めマークを同時に形成する。本発明によれば、配線及び位置決めマークを同時に形成するので、配線に対する位置決めマークの位置が固定されることになり、精度の高い位置決めマークを形成することができる。2この半導体装置の製造方法において、前記パッシベーション膜は、表面が凸凹な領域と、表面が平坦な領域と、を含み、前記位置決めマークは、前記平坦な領域のみに形成してもよい。3この半導体装置の製造方法において、前記集積回路は、内部配線を含み、前記内部配線の一部を覆う、遮光性を有して表面が平坦な下地層をさらに有し、前記パッシベーション膜は、光透過性を有し、前記下地層を覆い、前記位置決めマークは、前記下地層の上方に形成してもよい。4この半導体装置の製造方法において、前記下地層と前記位置決めマークは、異なる平面形状を有するように形成してもよい。5この半導体装置の製造方法において、前記樹脂突起は、長尺状に形成し、複数の前記樹脂突起が平行に配列し、前記複数の樹脂突起に挟まれた領域に、前記位置決めマークを形成してもよい。6本発明に係る半導体装置は、集積回路が形成された半導体基板と、前記半導体基板に形成され、前記集積回路に電気的に接続された電極と、前記電極の少なくとも一部を露出させる開口を有して前記半導体基板上に形成されたパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜上に配置された樹脂突起と、前記電極上から前記樹脂突起上に至るように配置されている配線と、前記パッシベーション膜上に配置され、前記配線と同じ材料からなり、前記配線との位置が固定された位置決めマークと、を有する。本発明によれば、配線及び位置決めマークを同じ材料で形成するので、精度の高い位置決めマークを容易に形成することができる。7この半導体装置において、前記パッシベーション膜は、表面が凸凹な領域と、表面が平坦な領域と、を含み、前記位置決めマークは、前記平坦な領域のみに形成されてもよい。8この半導体装置において、前記集積回路は、内部配線を含み、前記内部配線の一部を覆う、遮光性を有して表面が平坦な下地層をさらに有し、前記パッシベーション膜は、光透過性を有し、前記下地層を覆い、前記位置決めマークは、前記下地層の上方に位置してもよい。9この半導体装置において、前記下地層と前記位置決めマークは異なる平面形状を有してもよい。10この半導体装置において、前記樹脂突起は、長尺状に形成され、複数の前記樹脂突起が平行に配列され、前記複数の樹脂突起に挟まれた領域に前記位置決めマークが位置してもよい。図1は、本発明の実施の形態に係る半導体装置を示す平面図である。図2は、図1に示す半導体装置のIIII線断面図であり、図3は、図1に示す半導体装置のIIIIII線断面図である。半導体装置は、半導体基板10を有する。半導体基板10は、それが半導体チップであれば矩形の面を有しており、それが半導体ウエハであれば半導体チップとなる各領域が矩形の面である。半導体基板101つの半導体チップ又は半導体チップとなる各領域には、集積回路12トランジスタ等が形成されている。半導体基板10には、集積回路12に電気的に接続されるように、電極14が形成されている。電極14は、1列又は複数列平行な複数列に並んでいる。電極14は、半導体基板10の矩形の面の辺に沿って平行に並んでいる。電極14は、集積回路12に電気的に接続されている。集積回路12は、内部配線16を含む。内部配線16の一部を覆うように内部配線16の上方に、遮光性を有して表面少なくとも上面が平坦な下地層18が半導体基板10に形成されている。下地層18は、内部配線16と同じ材料例えば金属からなる。なお、上方上面の上とは、半導体基板10の、電極14が形成された面が向く方向をいう。半導体基板10には、電極14の少なくとも一部が露出する様に、保護膜としてのパッシベーション膜20が形成されている。パッシベーション膜20は、光透過性を有する。パッシベーション膜20は、例えば、SiO2やSiN等の無機材料のみで形成されていてもよい。パッシベーション膜20は、集積回路12の上方に形成されている。パッシベーション膜20は、下地層18を覆う。下地層18のパッシベーション膜20と接触する面が平坦であるため、パッシベーション膜20は、下地層18と接触する面も平坦になり、かつ、均一な膜厚で形成すると下地層18とは反対側の面も平坦になる。パッシベーション膜20は、下地層18の有無によって凹凸が形成されている。つまり、パッシベーション膜20は、表面が凸凹な領域と、表面が平坦な領域と、を含む。半導体基板10パッシベーション膜20上には、樹脂突起22が設けられている。図1には、半導体基板10の矩形の面の辺に沿って平行に延びる樹脂突起22が示されており、複数の樹脂突起22が平行に配列されている。樹脂突起22の材料としては、例えばポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテンBCB;benzocyclobutene、ポリベンゾオキサゾールPBO;polybenzoxazole、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂等の樹脂を用いてもよい。樹脂突起22は長尺状に形成されている。樹脂突起22の表面半導体基板10とは反対側を向く面は、凸曲面になっている。詳しくは、樹脂突起22の表面は、樹脂突起22の長手軸又はそれと平行な直線を回転軸として、長手軸の周囲に平行に位置する直線を回転させて描かれる回転面である。樹脂突起22の表面は、円柱を中心軸に平行な平面で切断して得られた形状の曲面円柱の回転面の一部の形状をなしている。樹脂突起22は、上面よりも下面が広くなるように、末広がりの形状になっている。半導体基板10には、複数の配線24が形成されている。複数の配線24は、電極14上から樹脂突起22上に至るように形成されている。複数の配線24は、隣同士の間隔をあけて樹脂突起22の上面に形成されている。1つの樹脂突起22上に複数の配線24が形成されている。配線24は、樹脂突起22の長手軸に交差するように延びる。配線24は、電極14上から、パッシベーション膜20上を通って、樹脂突起22上に至る。配線24と電極14は直接接触していてもよいし、両者間に導電膜図示せずが介在していてもよい。配線24は、樹脂突起22の、電極14とは反対側の端部を越えて、パッシベーション膜20上に至るように形成されている。図3に示すように、樹脂突起22の上面は、隣同士の配線24の間の領域が、配線24の直下の領域よりも、半導体基板10に近くなるように形成されている。すなわち、樹脂突起22の上面は、配線24とオーバーラップする領域よりも、これらとオーバーラップしない領域が低くなるように形成されている。こうすることで、配線24の外部端子となる部分を高くして電気的な接続を図りやすくすることができる。この形状は、樹脂突起22上に配線24を形成した後に、樹脂突起22の隣り合う配線24間の部分をエッチングし、樹脂突起22の隣り合う配線24間の部分をエッチングして得られる。パッシベーション膜20上には、位置決めマーク26が形成されている。位置決めマーク26は、パッシベーション膜20の平坦な領域平坦な表面のみに形成されている。位置決めマーク26は、パッシベーション膜20と接触する面も平坦になり、かつ、均一な膜厚で形成するとパッシベーション膜20とは反対側の面も平坦になる。これにより、精密な認識が可能な位置決めマーク26が得られる。位置決めマーク26は、下地層18の上方に位置しており、位置決めマーク26の全体が下地層18の外縁の内側に入る大きさになっている。したがって、光透過性を有するパッシベーション膜20が内部配線16の画像を透過しても、遮光性を有する下地層18によってこれを遮断し、位置決めマーク26と内部配線16の画像が重複しないようになっている。位置決めマーク26の表面は、パッシベーション膜20の表面とは異なる反射率を有する。反射率が異なることコントラストによって、パッシベーション膜20上の位置決めマーク26を光学的に認識しやすい。位置決めマーク26の形状は特に限定されないが、円形の外形を有していてもよいし、リング状であってもよい。円形の外形を有する場合、円中心を算出してこれを基準点にすることができる。あるいは、位置決めマーク26は矩形の外形を有していてもよい。位置決めマーク26の直径外形が円の場合又は一辺の長さ外形が矩形の場合は、0.01mm以上0.1mm以下であってもよい。位置決めマーク26は、下地層18とは異なる外形を有している。したがって、下地層18の外縁によって描かれる画像と、位置決めマーク26の外縁によって描かれる画像を区別しやすい。例えば、位置決めマーク26の外形が円であれば、下地層18の外見は矩形であってもよい。位置決めマーク26は、複数2つの樹脂突起22に挟まれた領域に位置している。つまり、位置決めマーク26は、樹脂突起22の長手方向の隣の領域を避けており、かつ、複数の樹脂突起22の長手方向の延長線に挟まれた領域を避けている。この配置を選択することで、位置決めマーク26が、樹脂突起22の長手方向の隣の領域を占領してしまうことを避けられるので、樹脂突起22の長さ方向の面積を有効的に活用することができる。位置決めマーク26は、複数2つの樹脂突起22に挟まれた領域の、樹脂突起22の長手軸に平行な方向の両端にそれぞれ形成されている。位置決めマーク26は、樹脂突起22の端部に最も近い配線24が延びる方向の延長線上よりも外側樹脂突起22の長手軸に平行な方向の両端側に配置されている。一対の位置決めマーク26の間隔が離れているほど位置決めの精度が高くなる。複数2つの樹脂突起22に挟まれた領域には、複数の位置決めマーク26が、複数の樹脂突起22の間隔方向に並んでいる。位置決めマーク26を半導体基板10の端辺から1mm以内に形成して、位置決めマーク26と配線24との間隔を確保してもよい。位置決めマーク26は、配線24と同じ材料金などの金属からなり、配線24との位置が固定されている。本実施の形態によれば、配線24及び位置決めマーク26を同じ材料で形成するので、精度の高い位置決めマーク26を容易に形成することができる。次に、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。本実施の形態では、上述した半導体基板10例えば半導体ウエハの、パッシベーション膜20上に樹脂突起22を形成する。樹脂突起22は、長尺状に形成する。複数の樹脂突起22を平行に配列する。電極14上から樹脂突起22上に至るように配線24を形成し、同時に、パッシベーション膜20上に位置決めマーク26を形成する。配線24と位置決めマーク26は同じ材料で形成する。その形成方法は、スパッタリング等の薄膜形成工程及びリソグラフィを適用したエッチング工程を含んでもよいが、その詳細は周知であるため説明を省略する。位置決めマーク26は、パッシベーション膜20の平坦な領域のみに形成する。位置決めマーク26は、下地層18の上方に形成する。複数の樹脂突起22に挟まれた領域に、位置決めマーク26を形成する。下地層18と位置決めマーク26は、異なる平面形状を有するように形成する。位置決めマーク26を半導体基板10半導体ウエハの端辺から離して形成ことで、ダイシング時のチッピングによる位置決めマーク26の破損を防止することができる。本実施の形態では、配線24及び位置決めマーク26を同時に形成するので、配線24に対する位置決めマーク26の位置が固定されることになり、精度の高い位置決めマーク26を形成することができる。図4A~図4Bは、本発明の実施の形態に係る半導体装置を使用した電子デバイスを説明する図である。なお、図4Aに示す半導体装置は図1のIIII線断面図2に対応し、図4Bに示す半導体装置は図1のIIIIII線断面図3に対応する。電子デバイスは、上述した半導体装置と、配線パターン28が形成された配線基板30と、を有する。半導体装置は、樹脂突起22上の配線24が配線パターン28に対向するように、配線基板30に搭載されている。複数の配線24と配線パターン28が電気的に接続している。配線基板30は、液晶パネル又は有機ELElectricalLuminescenceパネルの一部であってもよい。配線基板30はガラス、セラミックス又は樹脂のいずれであってもよい。樹脂突起22は、半導体装置及び配線基板30の対向方向に圧縮された状態で配置されている。樹脂突起22の、隣同士の配線24の間の領域は配線基板30に接触しない。半導体基板10と配線基板30の間には、硬化した接着剤32が介在する。接着剤32に導電粒子が分散されてなる異方性導電材料を使用してもよい。接着剤32は硬化収縮している。接着剤32は、硬化時の収縮による残存ストレスを内在している。樹脂突起22上の隣り合う配線24間の部分と配線基板30との間に接着剤32の一部が配置されている。次に、電子デバイスの製造方法を説明する。本実施の形態では、上述した半導体装置を、熱硬化性の接着剤32を介して、配線パターン28を有する配線基板30上に配置する。半導体装置は、樹脂突起22上の配線24が配線パターン28に対向するように配置する。配線24と配線パターン28の位置合わせに、上述した位置決めマーク26を使用する。そして、半導体装置及び配線基板30の間に押圧力及び熱を加える。また、樹脂突起22の隣り合う配線24間の部分上に接着剤32を配置する。そして、熱によって、接着剤32を硬化収縮させる。接着剤32が硬化するまで押圧力を加えたまま維持する。接着剤32が硬化したら押圧力を解除する。こうして、電子デバイスを製造する。電子デバイスは、表示デバイスパネルモジュールであってもよい。表示デバイスは、例えば液晶表示デバイスやELElectricalLuminescence表示デバイスであってもよい。図7には、表示デバイスとして構成された電子デバイス1000を示す。電子デバイス1000に使用される半導体装置1は、表示デバイスを制御するドライバICである。また、電子デバイス1000を有する電子機器として、図8にはノート型パーソナルコンピュータ2000を、図9には携帯電話3000を、それぞれ示す。本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。