発光ダイオードLEDを製造するための方法であって、第1の光変換材料をLED上の第1の領域に付与することと、第2の光変換材料をLED上の第2の異なる領域に付与することを含み、前記LEDの少なくとも一部は、前記第1および前記第2の光変換材料を付与した後に露光される方法。前記LEDはワークピース上の複数のLEDのうちの1つであり、更に、前記第1の光変換材料を前記ワークピース上の多重LED上の前記第1の領域に付与すること、および、前記第2の光変換材料を前記ワークピース上の多重LED上の前記第2の領域に付与することを含む、請求項1に記載の方法。前記第1の光変換材料は、前記ワークピース上の2つ以上のLEDに同時にまたはほぼ同時に付与され、前記第2の光変換材料は、前記ワークピース上の2つ以上のLEDに同時にまたはほぼ同時に付与される、請求項2に記載の方法。前記ワークピース上の各LEDは第1および第2の光変換材料と同じ配置を含む、請求項2に記載の方法。前記ワークピース上の各LEDは第1および第2の光変換材料と異なる配置を含む、請求項2に記載の方法。前記ワークピースは第1の発光特性を有する第1のLEDセットと前記第1の放射特性とは異なる第2の放射特性を有する第2のLEDセットを含み、そして:前記第1および第2の光変換材料は、前記第1のLEDセットの各LED上、相互に関連する第1の配置を有し、前記第1および第2の光変換材料は、前記第2のLEDセットの各LED上、相互に関連する第2の配置であって、前記第1の配置とは異なる第2の配置を有する、請求項2に記載の方法。第2の光変換材料を前記LED上の第2の異なる領域に付与することは、前記第2の光変換材料を前記第1の光変換材料が前記第2の光変換材料から離隔するように付与することを含む、請求項1に記載の方法。前記第1の光変換材料を前記第1の領域へ付与することは、前記第1の光変換材料を前記LED上の複数の独立した第1の直線で囲まれたブロックに前記独立した第1のブロックを互いに分離する第1のチャンネルと共に付与することと、前記第2の光変換材料を前記第2の領域へ付与することは、前記第2の光変換材料を前記LED上の複数の独立した第2の直線で囲まれたブロックに前記独立した第1のブロックを互いにおよび前記第1のブロックから分離する第2のチャンネルと共に付与することと、を含む、請求項1に記載の方法。さらに、前記第1の光変換材料を付与することの前に前記第1の光変換材料を選択することであって、、第1の蛍光体が所望の第1の放射波長を持つように、組成物、濃度および第1の蛍光体の量の少なくとも1つを選択することを含むことと、前記第2の光変換材料を付与することの前に前記第2の光変換材料を選択することであって、前記第2の蛍光体が所望の第2の放射波長を持つように、組成物、濃度および第2の蛍光体の量の少なくとも1つを選択することを含むことを含む、請求項1に記載の方法。前記第1の光変換材料は黄色もしくは黄色がかった蛍光体を含み、前記第2の光変換材料は赤色蛍光体を含む、請求項1に記載の方法。前記第1の光変換材料を付与することおよび前記第2の光変換材料を付与することは、前記LED上への前記第1および第2の光変換材料のスクリーン印刷することを含む、請求項1に記載の方法。前記第1の光変換材料を付与することは、第1のフォトリソグラフィー工程を用いて前記第1の光変換材料を付与することと、前記第2の光変換材料を付与することは、第2のフォトリソグラフィー工程を用いて前記第2の光変換材料を付与することを含む、請求項1に記載の方法。前記第1の光変換材料は第1の蛍光体を含み、前記第2の光変換材料は第2の蛍光体を含み、前記第1の光変換材料を付与することは、前記LED上に第1のフォトレジスト材料を付与してパターン化することと、電気泳動を使用して前記第1のフォトレジスト材料中の開口へ前記第1の蛍光体を蒸着することを含み、前記第2の光変換材料を付与することは、前記第1のフォトレジスト材料の除去することと、前記LED上に第2のフォトレジスト材料を付与してパターン化することと、電気泳動を使用して前記第2のフォトレジスト材料中の開口へ前記第2の蛍光体を蒸着することと、前記第2のフォトレジスト材料を除去することを含む、請求項1に記載の方法。前記LEDはワークピース上の複数のLEDのうちの1つであり、前記方法は更に、前記第1の光変換材料を前記ワークピース上に付与する前に複数のLEDの発光特性を測定することを含む、請求項1に記載の方法。更に、前記LED上の前記第1の光変換材料用の第1のパターンおよびLED上の前記第2の光変換材料用の第2のパターンを、少なくとも部分的に前記LEDと前記第1および第2の光変換材料からの組合せ放射が、少なくとも白色光に近いように、測定された放射特性に基づいて選択することを含む、請求項1に記載の方法。更に、前記第1の光変換材料用の組成物および前記第2の光変換材料用の組成物を、少なくとも部分的に前記LEDと前記第1および第2の光変換材料からの組合せ放射が少なくとも白色光に近いように、測定された発光特性に基づいて選択することを含む、請求項1に記載の方法。マイクロエレクトロニクスワークピースの個々の発光ダイオードLEDの放射特性を変更する方法であって、第1のパターンで各LED上へ第1の蛍光体材料を選択的に付与することと、前記第1のパターンと異なる第2のパターンで各LED上へ、選択的に第2の蛍光体材料を付与することを含み、前記個々のLED用に、対応するLED、前記第1の蛍光体材料および前記第2の蛍光体材料からの組合せの放射が所望のスペクトル成分を有する光を生成する方法。更に、個々のLEDの放射特性を変更する前に、前記ワークピース基板上に複数のLEDを形成することを含み、個々のLEDを形成することは、順次にN型窒化ガリウムGaN、インジウム窒化ガリウムInGaNおよびP型窒化ガリウムを、エピタキシャル成長によりシリコン基板上へ付与することを含む、請求項17に記載の方法。各LEDは、InGaNLEDを含み、第1の蛍光体材料を付与することは、セリウムIIIドープ型イットリウムアルミニウムガーネットCe:YAGを含む黄色蛍光体を付与することを含み、前記第1のパターンは個々のLED全体の第1の部分のアレーを含み、前記第2の蛍光体材料を付与することは、Ce:YAGを含む赤色蛍光体を付与することを含み、前記第2のパターンは、個々のLED全体の第2部分のアレーを含み、前記第1の部分とは接触せず、更に、前記第1および第2の部分は、完全にLEDを覆わない、請求項17に記載の方法。個々のLEDの放射特性を変更することは、それぞれのLEDからの発光が少なくとも白色光に近いように、前記LEDの放射特性を調節することを含む、請求項17に記載の方法。更に、前記第1および第2のパターンと異なる第3のパターンでそれぞれのLED上へ第3の蛍光体材料を付与することを含み、前記対応するLED、前記第1の蛍光体材料、前記第2の蛍光体材料および前記第3の蛍光体材料からの組合せ放射が所望の色を生成する、請求項17に記載の方法。前記ワークピースは複数の第1のLEDを含む第1のワークピースを含み、前記方法は、更に、前記第1のパターンの各第2のLED上へ、前記第1の蛍光体材料を選択的に付与することと、前記第2のパターンで各第2のLED上へ、前記第2の蛍光体材料を選択的に付与することによって、複数の第2のLEDを含む第2のワークピースを処理することを含み、前記個々の第2のLED用に、前記対応する第2のLED、前記第1の蛍光体材料および第2の蛍光体材料からの組合せ放射は、前記所望の色の光を生成する、請求項17に記載の方法。発光ダイオードLEDの色補正のための方法であって、LEDの第1の離散的領域上に第1の色補正材料を形成することであって、第1の色補正材料は、第1の発光波長を有する第1の蛍光体を含むことと、LEDの第2の離散的領域上に第2の色補正材料を形成することであって、前記第2の色補正材料は、第1の発光波長と異なる第2の発光波長を有する第2の蛍光体を含み、前記LEDならびに前記第1および第2の色補正材料からの組合せ発光は、少なくとも白色光に近いことを含む方法。半導体基板と、基板上の複数の発光ダイオードLEDであって、前記個々のLEDは、前記LED上の第1の予め定められたパターンの第1の変換材料と、前記LED上の第2の予め定められたパターンの第2の変換材料であって、前記第2のパターンは前記第1のパターンと異なり、前記LEDの少なくとも一部は前記第1および第2のパターンでアクセス可能である第2の変換材料と、前記LED、前記第1の変換材料および前記第2の変換材料からの組合せ放射は、所望のスペクトルの成分を有する光を生成する、マイクロエレクトロニクスワークピース。前記基板上の前記個々のLEDは、N型窒化ガリウムGaN材料およびP型窒化ガリウム材料間のインジウム窒化ガリウムInGaN材料を含み、前記第1の変換材料は、黄色蛍光体材料を含み、前記第2の変換材料は、赤色蛍光体を含む、請求項24に記載のマイクロエレクトロニクスワークピース。前記第1のパターンは、LED全体の第1のブロックのアレーを含み、第1のギャップによって分離され、前記第2のパターンが、LED全体の第2のブロックのアレーを含み、第2のギャップによって分離される、請求項24に記載のマイクロエレクトロニクスワークピース。前記第1のブロックが、一般に円形、直線状および/または多角形状のブロックを含み、前記第2のブロックが、一般に円形、直線状および/または多角形状のブロックを含む、請求項26に記載のマイクロエレクトロニクスワークピース。前記第1の変換材料は、前記個々のLED上のギャップによって前記第2の変換材料から離隔している、請求項24に記載のマイクロエレクトロニクスワークピース。その上に形成される複数のLEDを有するマイクロエレクトロニクスワークピースおよびこの種の複数のLEDを製造するための方法のさまざまな実施形態について以下に説明する。用語マイクロエレクトロニクスワークピースは、全体を通じてマイクロエレクトロニクスデバイス、マイクロメカニカルデバイス、データ記憶エレメント、読み出し/書き込みコンポーネントおよび他の特徴フィーチャーがその上および/またはそこに形成される基板を含む。たとえば、基板は半導体片例えばシリコンウェーハ、砒化ガリウムウェーハまたは他の半導体ウェーハ、非導電性片例えばさまざまなセラミック基板または導電性片でありえる。この種のシステムとしばしば関連する周知の構造、システムおよび方法は、不必要に本技術のさまざまな実施形態の記述を不明瞭にすることを避けるために示さないかまたは詳述しなかった。関連した技術の当業者は、したがって、本技術が付加的な実施形態を有することができ、そして、本技術が図1A~8に関して示されまたは後述できる数個の要件なしで実践できることを理解するだろう。図1Aは、多重マイクロエレクトロニクスデバイスまたはコンポーネント120を含む半導体ウェーハ110の形態のマイクロエレクトロニクスワークピース100である。後述の少なくとも幾つかの工程は、ウェーハレベルでマイクロエレクトロニクスワークピース100に対して実施でき、そして、デバイス120がより大きいウェーハ110からシンギュレート単一化されたあと、他の工程をマイクロエレクトロニクスワークピース100の個々のマイクロエレクトロニクスデバイス120に実施できる。したがって、特に明記しない限り、マイクロエレクトロニクスワークピースの文脈で後述する構造および方法は、ウェーハ110、ウェーハ110から形成されるデバイス120および/または支持部材に取り付けられる一つ以上のデバイス120のアセンブリに適用できる。図1Bは、図1Aに示されるウェーハ110からシンギュレートされた後の個々のデバイス120の概略図である。デバイス120は、オプションとして保護封入体内に封入される、動作可能なマイクロエレクトロニクス構造を含むことができる。たとえば、素子120はInGaNおよび/または他のタイプの複数のLED、トランジスタ、キャパシタ、カラーフィルタ、鏡および/または他のタイプの電気的/機械的/光学的ワークピースを含むことができる。デバイス120は、ピン、ボンドパッド、半田ボール、再分布構造および/または他の導電性構造によって外部構造上のデバイスに対して電気的に接続し得る。図2A~6は、本技術の実施形態によって複数のLED上へ選択的に光変換材料を付与する方法のさまざまな段階を示す。下記で詳述する通り、1つ以上の光変換材料または変換材料例えば蛍光体は、ワークピースまたはウェーハ上の各LEDの個別の領域上へ付与できる。用語蛍光体は、励起された粒子例えば電子および/または光子に露光の後、輝くことを維持できる材料を意味する。光変換材料複数の光変換材料は、ウェーハ全体の色自由度補償を助成するために各LED上へパターン化されるまたは選択的に付与できる。更に、ウェーハ上の個々の構成要素の色複数の色は、本願明細書において記載されている方法を用いて正確に調整または制御できる。図2Aは、ワークピース200上に光変換材料を付与する前の初期段階における、マイクロエレクトロニクスワークピース200の一部を部分概略上面図である。図2Bは、実質的に図2Aの線2B-2Bに沿った部分概略側面断面図である。図2Aおよび2Bを共に参照すると、マイクロエレクトロニクスワークピース200は、前面またはアクティブ側面204図2Bを有する半導体基板202および前側面204図2Bに形成されるLED210例えばInGaNLEDを含む。単一のLED210だけが示されているものの、図2A-6に関して本願明細書において記載されている方法が同時に多重デバイスにまたはほぼ同時にワークピース200全体に実行できることはいうまでもない。ワークピース200は、図1Aおよび1Bを参照して上述したワークピース100と全般的に類似の幾つかの特徴を含み得る。たとえば、基板202はウェーハ上のダイパターンに配置される複数のマイクロエレクトロニクスデバイスまたは構成要素例えばLED210を有する半導体ウェーハであり得る。個々のLED210もまた、端子212例えば図2Aで示すボンドパッドおよび端子212に電気的に結合する回路図示せずを含む。InGaNLEDを形成するための1つの技術には、サファイヤAl2O3および/またはシリコンSi基板上に金属有機化学蒸着MOCVD工程におけるエピタキシャル成長によって窒素ドープ型GaN、InGaN、および燐ドープ型GaNを順次に付与することを含み得る。しかしながら、他の実施形態において、他の適切な技術をLED210形成に用いてもよい。光変換材料は、様々な異なる方法を使用してLED210に選択的に付与できる。たとえば、図示した実施形態において、第1のマスクまたはレチクル220は、LED210上に配置される。第1のマスク220は、LED210上の第1の光変換材料図示されていないが、図3Aおよび3Bを参照して下記に詳細に記載されるの所望のパターンと一致している複数のアパーチャまたは開口222を含む。第1のマスク220はLED210の上表面から離隔した離散的要素であり得る、または、マスク220はLED210図2Bの破線に示すの上表面に付与されるフォトレジスト材料または他の適切なマスク材料を含むことができ、フォトリソグラフィーおよび/または他の適切な技術を使用してパターン化される。端子212もまた、処理の間の短絡または汚染コンタミネーションを妨ぐためにマスクされ得る。図3Aおよび3Bを参照すると、第1の光変換材料または第1の変換材料224例えば黄色蛍光体は、LED210上に所望のパターンで付与される。第1の光変換材料224は、スクリーン印刷プロセスおよび/または他の適切な方法を使用して付与される。上記した通り、第1の光変換材料224がLED210の所望の領域だけの上へ選択的に付与されるように、第1のマスク220は特定の接触領域を除外するように構成される。図示した実施形態において、第1の光変換材料224は、LED210上の選択されたパターンで配置された複数のブロックまたは島を含む。第1の光変換材料224の個々の部分は、複数の第1のギャップまたは溝225によって相互に分離される。図3Aおよび3Bに示したパターンは単に、第1の光変換材料224の特定のパターンの代表的なものに過ぎない。第1の光変換材料224は、多種多様な異なるパターンまたは配置でLED210上へ付与できる。第1の光変換材料224は、刺激を受けると所望の波長で発光する組成物を有し得る。たとえば、一実施形態において、第1の光変換材料224は、燐含有セリウムIIIドープ型イットリウムアルミニウムガーネットCe:YAGまたはYAG:Ceを特定の濃度で含み得る。この種の材料は、光ルミネセンスの下で緑色から黄色まで、そして、赤色までの広範囲の色を放射することができる。他の実施形態において、第1の光変換材料224は、ネオジムドープ型YAG、ネオジムクロミウム二重ドープ型YAG、エルビウムドープ型YAG、イッテルビウムドープ型YAG、ネオジムセリウム二重ドープ型YAG、ホルミウム‐クロミウム‐ツリウム三重ドープ型YAG、ツリウムドープ型YAG、クロミウムドープ型YAG、ジスプロシウムドープ型YAG、サマリウムドープ型YAG、テルビウムドープ型YAG、および/または他の適切な燐組成物を含み得る。他の実施形態において、第1の光変換材料224は、ユウロピウム蛍光体例えばCaS:Eu、CaAlSiN3:Eu、Sr2Si5N8:Eu、SrS:Eu、Ba2Si5N8:Eu、Sr2SiO4:Eu、SrSi2N2O2:Eu、SrGa2S4:Eu、SrAl2O4:Eu、Ba2SiO4:Eu、Sr4Al14O25:Eu、SrSiAl2O3N:Eu、BaMgAl10O17:Eu、Sr2P2O7:Eu、BaSO4:Eu、および/またはSrB4O7:Euを含み得る。光変換材料の前述のリストは、網羅的ではない。蛍光体材料はまた、適切なキャリヤ材料エポキシ、シリコーン、その他に混合できる。上記した通り、第1の光変換材料そして、任意のそれに続く光変換材料は、選択的に多くの異なる方法を使用してLED210に付与できる。たとえば、LED210上に第1の光変換材料224を選択的に付与するための適切な他の方法において、蛍光体材料例えば、Ce:YAGは感光性の材料例えばPVAおよび重クロム酸アンモニウムと混合でき、そして、組成物の層はLED210上へ付与される。フォトリソグラフィーの手順は選択的に組成物の部分を露光するために用いられ、露光した部分はLED210上の所望の位置で固定され、第1の光変換材料224を形成する。この付与/露光/現像工程は、LED210上へ選択的に付加的光変換材料を付与するために何度も繰り返され得る。第1の光変換材料224を選択的に付与するためのさらに別の適切な技術は、LED210上にフォトレジスト材料をスピン塗布し、材料をパターン化してLED210の所望面積または領域上に開口を形成することを含む。第1の光変換材料224は、電気泳動または適切な他の工程を使用して開口内に、およびLED210上へ付与できる。第1の光変換材料224を付与した後に、フォトレジストは除去できる。代替の実施形態において、感光性材料を使用するよりはむしろ、ある他の適切な材料はLED210上へ付与でき、開口はエキシマレーザアブレーションまたは適切な他の工程を使用して、選択的に形成できる。更に他の実施形態において、他の適切な技術は、LED210上へ選択的に第1の光変換材料224そして、任意のそれに続く光変換材料を付与するために用い得る。図4Aおよび4Bを参照すると、第2のマスクまたはレチクル230は、LED210上に配置される。第2のマスク230は、LED210上の第2の光変換材料図示されないが、図5Aおよび5Bを参照して下記に詳述されるの所望のパターンに対応する複数のアパーチャまたは開口232を含む。第1のマスク220と同様に、第2のマスク230はLED210の上表面から離隔した離散的構成要素であり得る、または、第2のマスク230はLED210上の表面に付与されるフォトレジスト材料または他の適切なマスク材料を含むことができて、フォトリソグラフィーおよび/または他の適切な技術を使用してパターン化される。次に図5A及び5Bを参照すると、第2の光変換材料234例えば赤色蛍光体は、LED210上に所望のパターンで選択的に付与される。図示した実施形態において、たとえば、第2の光変換材料234は、LED210上の選択されたパターンで配置された複数のブロックまたは島を含み、そのパターンでは、第2の光変換材料234が第1の光変換材料224の隣接した部分に接触するかまたは接触できない。第2の光変換材料234の個々の部分は、たとえば、互いに分離され、第1の光変換材料224は複数の第2のギャップまたはチャネル235によって分離される。図5A及び5Bに示されるパターンは単に、第2の光変換材料234用の1つの特定のパターンの代表的なものに過ぎない。第2の光変換材料234は、多種多様な異なるパターンまたは配置でLED210上へ付加できる。第2の光変換材料234は、図3Aおよび3Bを参照して上述した第1の光変換材料例えば、Ce:YAG、等の材料と類似した材料を含むことができる。加えて、第2の光変換材料234は、図3Aおよび3Bを参照して上述した第1の光変換材料224を付与するために用いる材料と同様な材料を使用しているLED210上へ付与できる。しかしながら他の実施形態において、第2の光変換材料234は、異なる材料から構成されおよび/または異なる技術を使用しているLED210上へ付与できる。図6は、第1および第2の光変換材料224および234がLED210の所望の部分に選択的に付与され、第2のマスク230図5A及び5Bは除去された後の、ワークピース200の部分概略上面図である。LED210は、どの光変換材料も含まない青色光を通過させる複数の非塗布もしくは非被覆部分240を含む。LED210はしたがって、非塗布部分240、第1の光変換材料224の部分、および第2の光変換材料234の部分の配置と寄与に基づいて所望の色の光を生成するように構成されている。第1および第2の光変換材料224および234用の特定の組成物の選択およびLED210上の第1および第2の光変換材料224および234のLED210上への正確な配置によって、LED210は、任意の所望の色の光例えば白色光も生成できることはいうまでもない。さらに、2つの光変換材料だけが本願明細書において記載されているものの、他の実施形態において、単一の光変換材料のみまたは2より多くの光変換材料をLED210上へ付加できる。先述の通り、単一のLED210のみが図2A~6に関して示されているが、本願明細書において記載されている方法はワークピース200全体の多重LED210に、同時にまたはほぼ同時に実行できる。一実施形態において、たとえば、ワークピース200上の各LED210は、光変換材料の同一であるか全般的に同一のパターンを使用して処理できる。しかしながら他の実施形態において、個々のLED210上の光変換材料のパターンは、ワークピース200全体で変化できる。たとえば、ウェーハレベルでマイクロエレクトロニクスデバイスを製造する1つの挑戦では、個々のマイクロエレクトロニクスデバイスの相違を配慮している。たとえば、同じマイクロエレクトロニクスワークピース上のマイクロエレクトロニクスデバイスの形成の間のエピタキシャル成長、化学的機械研摩、湿潤エッチング、および/または、他の操作の処理の相違によってワークピース200の一領域のLEDに他の領域とは異なる波長で発光させる。その結果、ワークピース200全体の各LEDが選択的に付与された光変換材料の同じパターンを含む場合、少なくとも幾つかのLEDからの発光は不一致もしくはオフホワイト例えば、赤、青および/または緑色をおびたであり得る。図2A~6に関連して上記した方法の実施形態は、ワークピース200全体のLEDの前述の発光変動を、個々のLED210のための第1および第2の光変換材料224および234の組成および/または配置を特定してアドレス指定できる。しかしながら他の実施形態において、各LED210のためのパターンをカスタマイズすることよりむしろ選択的に付与した光変換材料のパターンが、ワークピース200上の特定の領域の多重LEDのために使用し得る。たとえば、オペレータは個々のLED210の領域のための代表として、ワークピース200上の選択されたLED210の発光特性を測定することができる。更なる実施形態において、測定された発光特性は、平均化、濾過、および/または他様に操作できて個々のLED210の領域の代表的値として、値を導出することができる。さらに他の実施形態において、処理されるワークピースは前もってソートされることができ、同様な発光特性を有するワークピースの第1のバッチが個々のワークピース上の素子のための光変換材料の第1の選択されたパターンを使用して、一緒に処理されることができて、ワークピースの第2のバッチは、個々のワークピース、等の上のデバイスのための光変換材料の第2のパターンを使用して、一緒に処理されることができる。図7および8は、図2A~6を参照して上述したように、マイクロエレクトロニクスワークピース上へ選択的に光変換材料を付与する方法の2つの付加的実施形態を示す。図7および8のそれぞれにおいて、幾つかの特徴は、図2A~6のワークピース200と関連して議論された上記と同一であってもよい。したがって、同様な参照番号は図2A~6ならびに図7および8の同様な構成要素を意味する。図7は、たとえば、本技術の他の実施形態によってLED210上に光変換材料を付与したワークピース300を部分概略上面図である。より具体的には、ワークピース300は第1の光変換材料324および第2の光変換材料334が、図6の第1および第2の光変換材料224および234とは選択的に。異なるパターンのLED210上へ付与されたという点で図2A~6に示されるワークピース200と異なる。本実施形態において、たとえば、第1の光変換材料324は、LED210全体にわたり複数の一般的な同心円を含む。他の形状、例えば、三角形、六角形等もまた、考慮される。第1の光変換材料324の個々の環状部は、チャネルまたはギャップ325によって分離される。これらのチャネルまたはギャップ325の一部は、非塗布領域340を含み、LED210から青色光が通過できる。図8は、本技術の更に他の実施形態によってLED210上に光変換材料を付与したワークピース400を部分概略上面図である。ワークピース400は、第1の光変換材料424がLED210全体の複数の個々の直線状部分のLED210上へ付与されたという点で、図2A~7に関して上記したワークピース200および300と異なる。第1の光変換材料424の個々の直線状部分は、チャネルまたはギャップ425によって分離される。第2の光変換材料434の個々の部分は、第1の光変換材料424の直線状部分の配置と一般に一致しているパターンのLED210上へ付与される。さらに他の実施形態において、第1のおよび/または第2の光変換材料の一部は、他の形状例えば、多角形のまたは適切なパターンのLED210上へ、選択的に付与できる。前述のことから、本技術のある実施形態が説明のために本願明細書において記載されていたことはいうまでもない、しかしながら、そのさまざまな変更は本技術の趣旨および権利範囲から逸脱することなく実行できる。たとえば、ある実施形態の文脈に記載されている構造および/または工程は他の実施形態において組合せることができるかまたは消去できる。特に、ある実施形態に関して上記した第1のおよび/または第2の光変換材料の配置はウェーハ全体の選択されたLED上へ選択的に付与される1つ以上の付加的光変換材料を含むことができ、または、上記した光変換材料のうちの1つ以上は省略できる。さらに、本技術のある実施形態と関連する効果がこれらの実施形態の文脈に記載されると共に、他の実施形態はまた、この種の効果を呈することができ、実施形態が必ずしも必要とする全技術の権利範囲内に含まれる効果を示すというわけではない。したがって、本技術の実施形態は添付請求項以外では制限されることはない。