液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、シリコン基板の一方の面側に、液体供給口の形成位置を内側に囲むように、エッチングによって溝部を形成する工程と、前記シリコン基板の一方の面側であって、前記溝部内及び前記溝部の外側に、保護膜を形成する工程と、前記保護膜をマスクとして、前記シリコン基板に結晶異方性エッチング処理を施すことにより前記液体供給口を形成する工程と、を有することを特徴とする液体吐出ヘッド用基板の製造方法。前記溝部の内側の側壁が前記液体供給口の開口端部となるように前記液体供給口を形成する請求項1に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。前記シリコン基板に先導孔を設けた後に前記結晶異方性エッチング処理を施す請求項1又は2に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。前記結晶異方性エッチング処理の後、さらにドライエッチング処理を施すことにより前記液体供給口を形成する請求項1乃至3のいずれかに記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。前記保護膜は、第一の保護膜及び第二の保護膜を有し、1前記シリコン基板の前記一方の面側に前記第一の保護膜を形成し、前記第一の保護膜に前記溝部のエッチング開始面を露出する第一の開口を形成し、前記第一の開口から前記シリコン基板をエッチングして前記溝部を形成する工程と、2前記第一の保護膜の上及び前記溝部内に前記第二の保護膜を形成し、前記第一の保護膜及び前記第二の保護膜のうち前記溝部の内側の領域をエッチングして前記シリコン基板を露出することにより、第二の開口を形成する工程と、3前記第二の開口から前記結晶異方性エッチング処理を施すことにより、前記液体供給口を形成する工程と、を有する請求項1に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。前記第二の保護膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、及びアルミ酸化物のいずれかである請求項5に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。前記溝部をドライエッチングにより形成する請求項1乃至6のいずれかに記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。前記ドライエッチングはステップエッチングである請求項7に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。前記先導孔をレーザーにより形成する請求項3に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。前記溝部の側壁は前記シリコン基板の面方向に対して垂直に形成される請求項1乃至9のいずれかに記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。本発明は、シリコン基板に液体供給口を形成する方法に関し、液体吐出ヘッドに用いられる液体吐出ヘッド用基板の製造方法に関する。なお、以下の説明では、本発明の適用例としてインクジェット記録ヘッドを例に挙げて説明することもあるが、本発明の適用範囲はこれに限定されるものではなく、バイオチップ作製や電子回路印刷用途の液体吐出ヘッド等にも適用できる。液体吐出ヘッドとしては、インクジェット記録ヘッドの他にも、例えばカラーフィルター製造用ヘッド等も挙げられる。まず、本発明では、シリコン基板の一方の面側に、液体供給口の形成位置を内側に囲むように、エッチングによって溝部を形成する。そして、前記シリコン基板の一方の面側であって、前記溝部内及び前記溝部の外側に、保護膜を形成する。さらに、前記保護膜をマスクとして、前記シリコン基板に結晶異方性エッチング処理を施すことにより前記液体供給口を形成する。本発明においては、溝部の壁面である側壁及び底壁が結晶異方性エッチングにおける進行面となる。溝部の壁面は本工程においてエッチングにより形成するため、本工程前で発生した基板の傷等の発生を抑制することができる。したがって、本発明により、開口寸法のバラツキを軽減し、精度良く液体供給口を形成することができる。また、液体供給口は、溝部の内側の側壁が液体供給口の開口端部となるように形成することが好ましい。また、シリコン基板に先導孔を設けた後に結晶異方性エッチング処理を施すことにより液体供給口を形成することが好ましい。また、結晶異方性エッチング処理の後、さらにドライエッチング処理を施すことにより液体供給口を形成することが好ましい。以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。図2は、本実施形態によるインクジェット記録ヘッドの一例を示す斜視図である。図2に示すように、本実施形態のインクジェット記録ヘッドは、基板1と、複数の吐出口14を備え、基板1に固定された流路形成部材13とを備えている。基板には、吐出口14にインクを供給するインク供給口11が形成されており、インク供給口内であって、基板の裏面図の下側の面から表面図の上側の面に向かって基板の面方向に垂直な方向へ掘り込まれた溝跡10が形成されている。溝跡10が前記溝部の側壁に相当する。インク供給口11は、図1hに示すように、基板1を貫通する形状に形成されている。図示するように、インク供給口11の側壁内壁の方位面は、裏面側図では上面側の開口部から連続する111面と、表面側図では下面側の開口部から連続する111面とが、基板1の板厚方向の中間部で交差している。もしくは、インク供給口11内の方位面は、裏面側から111面が形成され、表面側からは連続した110面が形成され、これらが基板1の基板厚方向の中間部で交差した形状でもよい。もしくは、裏面側から表面側まで連続する111面で形成されていてもよい。実施形態1図1を参照し、本実施形態におけるインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法について説明する。なお、実施形態のヘッド完成状態を図2に示す。また、本実施形態においては、基板1上に形成されたエネルギー吐出素子としての発熱体12、発熱体12を駆動させるための配線、および吐出口14までのインク流路は図示せず、発熱体12および配線を形成する工程も説明を省略する。図1は本実施形態の主要な工程を示す断面図である。また、図3は図1bの工程における基板1の裏面側図1において上側の平面図である。また、図4は図1fの工程における基板1の裏面側図1において上側の平面図である。まず、図1aに示すように、シリコン基板1の裏面側に第一の保護膜4を形成し、第一の保護膜4の上に溝部に対応するパターンを有する第一のレジストマスク2を形成する。より具体的には、ポジ型レジストを、基板の裏面図において上側の面にスピンコートにより塗布する。その後、露光、現像を行うことで、溝部に対応するパターンを有する第一のレジストマスク2を形成する。ポジ型レジストとしては、例えばIP5700東京応化社製、商品名を用いることができる。次に、図1bに示すように、第一の保護膜4をエッチングし、溝部5を形成するための第一の開口3を形成する。第一の開口3の開口形状を図3に示す。第一の保護膜4に用いる材料としては、耐アルカリ性であり除去可能な金属酸化膜や金属窒化物を用いることができる。第一の保護膜4に用いる材料としては、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、又はアルミ酸化物が挙げられ、例えば、SiN、SiO2、Al2O3、Si3N4等が挙げられる。例えば、第一の保護膜としてSiO2を用いる場合、シリコン基板の熱酸化により熱酸化膜として形成することができる。次に、図1cに示すように、第一のレジストマスク2をマスクとしたドライエッチングにより、第一の開口3をエッチング開始面として、基板1の面に対して垂直方向へ基板をエッチングし、基板の一方の面側に溝部5を形成する。溝部の壁面は本工程でエッチングにより形成されるため、傷等の欠陥の発生を抑制できる。したがって、後の工程の結晶異方性エッチング処理において、エッチングレートのばらつきを抑えることができる。溝部のエッチング方法としては、例えばドライエッチングを用いることができる。ドライエッチングとしては、特に限定されるものではないが、例えばリアクティブイオンエッチングRIE等のプラズマを用いたエッチング方式を用いることができる。ドライエッチングに用いるガスは、特に制限されるものではなく、シリコン基板のエッチングガスとして公知のものを用いることができる。エッチングガスとしては、例えば炭素、塩素、硫黄、フッ素、酸素、水素、アルゴンのいずれかの原子、および、それらから構成される分子よりなる反応性ガスのいずれかを用いることができる。反応性ガスとしては、例えば、SF6又はCF4を用いることができる。溝部5は、シリコン基板の一方の面側裏面側に、液体供給口の形成位置を内側に囲むように形成する。なお、溝部5内は、内側液体供給口が形成される側の側壁と外側液体供給口が形成される側と反対側の側壁が形成される。溝部5の幅は、インク供給口11の形成に必要な処理時間により基板1の裏面と平行方向へエッチングされる量サイドエッチング量を考慮し決定することができる。溝部の幅や深さは、後工程の結晶異方性エッチングにおけるエッチングレート等の条件を考慮して選択することができる。また、第一の開口3や溝部5は、ドライエッチングを用いたステップエッチングにより形成することもできる。この際、第一の保護膜4に熱酸化膜を用いた場合、エッチングガスとしては例えばフッ素系ガス及びアルゴンを含んで構成される反応性ガスを用いることができる。フッ素系ガスとしては、例えば、C4F6やC4F8を挙げることができる。次に、第一のレジストマスク2を除去した後、図1dに示すように、溝部5内と、溝部の外側である第一の保護膜4上に第二の保護膜6を形成する。第二の保護膜6は、結晶異方性エッチングに耐性を有する材料であれば特に制限されるものではない。第二の保護膜の材料は、基板1と第二の保護膜6間へのエッチング液の染み込み量が安定した状態で行える密着力を有するものが好ましい。そのような材料としては、第一の保護膜4と同様の材料を用いることができ、例えば、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、又はアルミ酸化物が挙げられ、例えばSiO2、SiN、Al2O3、Si3N4等が挙げられる。第二の保護膜の成膜方法としては、例えばプラズマCVD法又はスパッタリング法等が挙げられる。第二の保護膜の膜厚は、結晶異方性エッチングに用いられる強アルカリ溶液等のエッチング溶液に耐えられる厚みが選択される。また、第二保護膜として、ポリシラザンなどのレジストを塗布することにより形成することもできる。また、後工程における第2の開口8を形成する際に製造工程を簡略化するため、第一の保護膜4と第二の保護膜6は同一材料からなることが望ましい。以上の工程により、第二の保護膜6は、溝部内及び溝部の外側に形成される。次に、図1eに示すように、フォトリソグラフィー技術により、ポジ型レジストをパターニングすることにより、第二のレジストマスク7を形成する。次に、図1fに示すように、第二のレジストマスク7を用いて、第二の保護膜6のうち溝部の内側の領域をエッチングすることにより、底部にエッチング開始面を露出する第二の開口8を形成する。第二の開口8のパターンを図4に示す。第二の保護膜6のうち溝部の内側の領域とは、面方向において溝部の内周側の側壁よりも内側に存在する第二の保護膜部分を指す。溝部の外側とは、この内側の領域の反対側を指す。例えば、熱酸化膜により第二の保護膜6を形成した場合、第一の保護膜4と第二の保護膜6をバッファードフッ酸により一括除去可能である。次に、第二のレジストマスク7を除去した後、インク供給口11を形成する。インク供給口を形成する際、図1gに示すように、例えばレーザー等を用いて、先導孔9を形成することが好ましい。次に、図1hに示すように、結晶異方性エッチングを施すことにより、インク供給口11を形成する。結晶異方性エッチングは、溝部5の内側の側壁がインク供給口の開口端部となるように形成することが好ましい。これは結晶異方性エッチングの条件や溝部の幅や深さなどの形状等によって適宜調整することができる。結晶異方性エッチングには、アルカリ水溶液からなるエッチング液を用いることができる。エッチング液には、例えばTMAHを用いることができ、他にも、例えばKOH、EDP、ヒドラジン等を用いることができる。これらは結晶面におけるエッチング速度差を生じさせることができる。インク供給口11を形成した後、第一の保護膜4と第二の保護膜6を除去する。しかし、第一の保護膜4と第二の保護膜6は必要に応じて除去すればよく、除去しなくてもよい。尚、第一の保護膜4を除去した場合には、溝部5の外側の側壁がインク供給口の開口端部となる。本実施形態によりインクジェット記録ヘッドを製造することにより、溝部5により裏面開口幅を制御することで開口のうねりが抑制されて形状が安定し、チッププレートとチップの接着面積を確保することが可能となる。また、インク供給口内に基板底面と直交する垂直な面を形成することで、基板裏面部の剛性が増し、品質が向上する。実施例1図1を参照し、実施形態1におけるインクジェット記録ヘッド用基板の製造例について説明する。なお、実施形態のヘッド完成状態を図2に示す。図1aに示すように、シリコン基板1の裏面図では上面に第一の保護膜4を形成し、第一の保護膜4の上に溝部に対応するパターンを有する第一のレジストマスク2を形成した。第一の保護膜4は、シリコン基板を熱酸化することにより形成した。第一のレジストマスク2は、ポジ型レジストをシリコン基板1の裏面にスピンコートにより塗布した後、露光及び現像処理を行うことで形成した。ポジ型レジストとしては、IP5700東京応化社製、商品名を用いた。次に、図1bに示すように、第一の保護膜4をエッチングし、溝部5を形成するための第一の開口3を形成した。第一の開口3の開口形状を図3に示す。次に、図1cに示すように、第一のレジストマスク2をマスクとしたドライエッチングにより、第一の開口3をエッチング開始面として、基板1の面に対して垂直方向へ基板をエッチングし、溝部5を形成した。エッチングはドライエッチングのステップエッチングにより行った。溝部5は、シリコン基板の裏面に液体供給口の形成位置を内側に囲むように形成した。次に、第一のレジストマスク2を除去した後、図1dに示すように、溝部5内及び第一の保護膜4上に第二の保護膜6を形成した。次に、図1eに示すように、フォトリソグラフィー技術により、ポジ型レジストをパターニングすることにより、第二のレジストマスク7を形成した。次に、図1fに示すように、第二のレジストマスク7を用いて、第二の保護膜6をエッチングすることにより、底部にエッチング開始面を露出する第二の開口8を形成した。第二の開口8のパターンを図4に示す。次に、第二のレジストマスク7を除去した後、図1gに示すように、レーザーを用いて、先導孔9を形成した。次に、図1hに示すように、インク供給口11を結晶異方性エッチングにより形成した。結晶異方性エッチングは、溝部5の内側の側壁がインク供給口の開口端部となるように形成した。インク供給口11を形成した後、第一の保護膜4と第二の保護膜6を除去した。溝部5と、第二の保護膜6の1例として、裏面を20μmドライエッチングし、ECRスパッタリングによりSiO2を成膜したシリコン基板を、83°CのTMAH22wt水溶液を使用し結晶異方性エッチングを行うことで形成した。その際、溝部5の底部におけるサイドエッチングレートは0.02μm/min程度であった。ドライエッチングを行わずSiO2を成膜した酸化誘起積層欠陥以下OSFというが発生している基板のサイドエッチングレートは0.2μm/minであった。即ち、OSFの影響によるサイドエッチング量を抑えることができた。また、同条件のエッチング液を使用した場合、SiO2のエッチング速度は0.56×104μm/min程度であった。例えば、1000分で結晶異方性エッチングを行うことを前提とした場合、第二の保護膜6の厚さは560×10×104μm以上とすることで、掘り込まれた溝部5を保護することが可能であった。本発明の構成とすることにより、シリコン基板にある傷等の欠陥による影響を抑えて液体供給口を形成することができる。したがって、本発明により、開口寸法のバラツキを軽減し、精度良く液体供給口を形成することができる液体吐出ヘッド用基板の製造方法を提供することができる。