"導体層と前記導体層と接する導電性物質層を有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、常温の前記研磨用組成物中で電位計の正極側を前記導電性物質に接続し、且つ負極側を前記導体に接続した条件において、前記導電性物質と前記導体を研磨したときに正極側から負極側へ流れる電流の値が、正の値ゼロを含む。を示すことを特徴とする研磨用組成物。前記導体及び前記導電性物質との間に流れる電流値を正の値ゼロを含む。にする添加剤を含有する、請求項1に記載の研磨用組成物。前記電流値を正の値ゼロを含む。にする添加剤が、窒素原子含有化合物、硫黄原子含有化合物及びリン原子含有化合物からから選ばれるいずれか一以上である、請求項1又は2に記載の研磨用組成物。前記導体が、貴金属を含む、請求項1~3のいずれか一項に記載の研磨用組成物。前記導体が、ルテニウムを含む、請求項1~4のいずれか一項に記載の研磨用組成物。請求項1~5のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて、導体層と前記導体層と接する導電性物質層を有する研磨対象物の表面を研磨することを含む研磨方法。請求項6に記載の研磨用組成物を用いて、導体層と前記導体層と接する導電性物質層を有する基板を得るべく、導体層と前記導体層と接する導電性物質層を有する研磨対象物の表面を研磨して導体層と前記導体層と接する導電性物質層の一部を除去することを含む、導体層と前記導体層と接する導電性物質層を有する基板の製造方法。そこで本発明の目的は、導体層と前記導体層と接する導電性物質層を有する研磨対象物、特に貴金属を含む導体層に対して高い研磨速度を維持しつつ、腐蝕欠陥を抑制する研磨用組成物並びにそれを用いた研磨方法及び基板の製造方法を提供することにある。従来、導電性物質の腐蝕欠陥は、導体と導電性物質間の電位差によって生じると考えられていた。すなわち、例えば銅からなる導電性物質とタンタルを含むバリア導体との異種金属の接触面においてバリア導体よりも銅の電位が低い場合、バリア導体と銅との境界部近傍にて、銅表面からバリア導体へ電子が移動するため、銅イオンが研磨用組成物中に溶出し、腐蝕欠陥が起こると考えられていた。よって、導体と導電性物質間の電位差を低くする解決方法が提案されていた。これに対して、本発明者らは、腐蝕欠陥は導体と導電性物質間の電位差を低くするだけでは十分ではなく、特定の条件下で導体へ導電性物質から電子の移動があった場合、すなわち、導体から導電性物質へ電流が流れた場合に腐食欠陥が生じることを見出した。本発明者らは、鋭意検討の結果、特定の条件下で導体から導電性物質へ流れる電流値を正の値ゼロを含む。を示す研磨用組成物を使用することで、導体層と前記導体層と接する導電性物質層を有する研磨対象物、特に貴金属を含む導体層に対して高い研磨速度を維持しつつ、腐蝕欠陥を抑制できることを見出した。本発明によれば、導体へ導電性物質からの電子の移動を、すなわち、導体から導電性物質への電流が流れを防止することができ、導体と導電性物質との境界部近傍の導電性物質表面から電子と導電性物質イオンの研磨用組成物中への溶出を防止することができる。その結果、腐食欠陥を防止することができる。すなわち、本発明の要旨は下記の通りである。<1>導体層と前記導体層と接する導電性物質層を有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、常温の前記研磨用組成物中で電位計の正極側を前記導電性物質に接続し、且つ負極側を前記導体に接続した条件において、前記導電性物質と前記導体を研磨したときに正極側から負極側へ流れる電流の値が、正の値ゼロを含む。を示すことを特徴とする研磨用組成物。<2>導体及び導電性物質との間に流れる電流値を正の値ゼロを含む。にする添加剤を含有する。<3>電流値を正の値ゼロを含む。にする添加剤が、窒素原子含有化合物、硫黄原子含有化合物及びリン原子含有化合物からから選ばれるいずれか一以上である。<4>導体が、貴金属を含む。<5>導体が、ルテニウムを含む。<6>前記<1>~<5>のいずれかに記載の研磨用組成物を用いて、導体層とその導体層と接する導電性物質層を有する研磨対象物の表面を研磨することを含む研磨方法。<7>前記<6>に記載の研磨用組成物を用いて、導体層とその導体層と接する導電性物質層を有する基板を得るべく、導体層とその導体層と接する導電性物質層を有する研磨対象物の表面を研磨して導体層とその導体層と接する導電性物質層の一部を除去することを含む、導体層とその導体層と接する導電性物質層を有する基板の製造方法。本発明によれば、導体層と前記導体層と接する導電性物質層を有する研磨対象物、特に貴金属を含む導体層に対して高い研磨速度を維持しつつ、腐蝕欠陥を抑制する研磨用組成物並びにそれを用いた研磨方法及び基板の製造方法が提供される。以下、本発明の実施形態を説明する。本実施形態の研磨用組成物は、導体層と前記導体層と接する導電性物質層を有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物である。研磨対象物は、具体的には、半導体デバイスの配線部形成工程における、表面が凹部および凸部からなる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を表面に沿って被覆するバリア導体層と、前記凹部を充填してバリア導体層を被覆する銅を主成分とする導電性物質層とを有する基板が挙げられる。導電性物質としては、銅、銅合金、銅の酸化物、銅合金の酸化物、タングステン、タングステン合金、銀、銀合金、金等の、金属が主成分の物質が挙げられる。銅が主成分である導電性物質以下、導電性物質ともいう。が好ましく、例えば銅、銅合金、銅の酸化物、銅合金の酸化物が挙げられる。より好ましくは銅である。このような導電性物質からなる導電性物質層としては、例えば半導体デバイス中の配線部用金属層が挙げられる。導体としてタングステン、窒化タングステン、タングステン合金、その他のタングステン化合物、チタン、窒化チタン、チタン合金、その他のチタン化合物、タンタル、窒化タンタル、タンタル合金、その他のタンタル化合物、ルテニウム及びその他のルテニウム化合物から選ばれた少なくとも1種以下、導体ともいう。が例示される。導体層は、導体からなる層であっても、その層を含む積層膜であってもよい。導体層としては、例えば半導体デバイスにおいて、層間絶縁膜中への導電性物質拡散防止、および層間絶縁膜と導電性物質との密着性向上のために形成されるバリア導体層が挙げられる。また、本実施形態の研磨用組成物は、特定の条件下で研磨用組成物中において電位計の正極側を前記導電性物質に接続し、負極側を前記導体に接続した場合の正極側から負極側へ流れる電流の値が、正の値ゼロを含む。を示す。特定の条件下については、図1に基づいて説明すると次の通りである。なお、図1においては、1は導電性物質基板、2は導体基板、3は研磨パッド、4は容器、5は電位電流計を示す。まず、2000ml程度容量の容器4に1000ml程度の研磨用組成物を入れ、常温にする。ここで、研磨用組成物とは、CMP研磨時の研磨用組成物のことであり、化学機械研磨する直前に添加する場合がある金属の酸化剤等の添加物を実際に添加した後の研磨液のことである。シリコン基板上に導電性物質膜を形成した導電性物質基板1と、シリコン基板上にタンタル等の導体膜を形成した導体基板2を適当な大きさにして、電位計の正極側を導電性物質基板1に、負極側を導体基板2に接続する。その後、導電性物質基板1および導体基板2をお互いに接触しないように距離をとった状態で、液面に対して水平、かつ導電性物質膜表面と導体膜表面が液面に向くように研磨用組成物に浸す。その後、水平方向及び垂直方向に制御可能な樹脂塩化ビニル製の回転体に研磨パッド3を貼り付け、そのパッドで導電性物質基板1および導体基板2を研磨する。研磨開始から30秒経過後までの電流値を電位電流計5で測定して採用する。容器4は研磨用組成物と反応しない限り特に限定されないが、ガラス製、プラスチック製等が好ましい。また、ここでいう室温とは、JISZ8703に規定される常温をいい、pHは研磨用組成物のpHに依存する。なお、ここでいう電流値は、小数点以下第4位の値を四捨五入した値を用いる。従来、導電性物質の腐蝕欠陥は、導体と導電性物質間の電位差によって生じると考えられていた。すなわち、例えば銅からなる導電性物質とタンタルを含むバリア導体との異種金属の接触面において電位差が大きくなると、バリア導体と銅との境界部近傍の銅表面から電子と銅イオンが研磨用組成物中に溶出し、腐蝕欠陥が起こると考えられている。よって、導体と導電性物質間の電位差を低くする解決方法が提案されていた。これに対して、本発明者らは、腐蝕欠陥は導体と導電性物質間の電位差を低くするだけでは十分ではなく、特定の条件下で導体へ導電性物質から電子の移動があった場合、すなわち、導体から導電性物質へ電流が流れた場合に腐食欠陥が生じることを確認した。この課題の解決方法として、本発明では、特定の条件下で導体から導電性物質へ流れる電流値を正の値ゼロを含む。を示す研磨用組成物を提供する。本発明の実施形態の研磨用組成物によれば、導体へ導電性物質からの電子の移動を、すなわち、導体から導電性物質への電流が流れを防止することができ、導体と導電性物質との境界部近傍の導電性物質表面から電子と導電性物質イオンの研磨用組成物中への溶出を防止することができる。その結果、腐食欠陥を防止することができると考えられる。本発明において、特定の条件下で研磨用組成物中において電位計の正極側を前記導電性物質に接続し、負極側を前記導体に接続した場合の正極側から負極側へ流れる電流の値の下限は0ゼロ以上が好ましく、より好ましくは0.001mA以上、さらに好ましくは0.01mA以上である。この電流の値が大きいほど、導体へ導電性物質からの電子の移動を、すなわち、導体から導電性物質への電流が流れを防止することができる。その結果、腐食欠陥を防止することができるので好ましい。本発明において、特定の条件下で研磨用組成物中において電位計の正極側を前記導電性物質に接続し、負極側を前記導体に接続した場合の正極側から負極側へ流れる電流の値が、正の値ゼロを含む。を示す研磨用組成物の調整方法としては、導体及び導電性物質との間に流れる電流値を正の値ゼロを含む。にする添加剤を研磨用組成物に含有する方法が挙げられる。導体及び導電性物質との間に流れる電流値を正の値ゼロを含む。にする添加剤に特に制限はなく、導体及び導電性物質の材料並びに研磨用組成物のpHによって、導体及び導電性物質との間に流れる電流値を正の値ゼロを含む。にする効果がある添加剤を選択することが好ましい。導体及び導電性物質との間に流れる電流値を正の値ゼロを含む。にする添加剤は、例えば、A窒素原子含有化合物、B硫黄原子含有化合物及びCリン原子含有化合物から選ばれる少なくとも一種であって、導体及び導電性物質との間に流れる電流値を正の値ゼロを含む。にする効果がある添加剤であることが好ましい。例えば、導体層がルテニウムを含むバリア導体層で、導電性材料層が銅を含む場合において、A窒素原子含有化合物であって導体及び導電性物質との間に流れる電流値を正の値ゼロを含む。にする効果がある添加剤は、研磨用組成物のpHが中性のときはベンゾトリアゾール、ウラゾール、ピペラジン及びピペリジンが、研磨用組成物のpHがアルカリのときはアンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウム、モルホリン、1,2,4-トリアゾール、テトラゾール、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピリミジン、ピラジン及びウラゾールが挙げられる。例えば、導体層がルテニウムを含むバリア導体層で、導電性材料層が銅を含む場合において、B硫黄原子含有化合物であって導体及び導電性物質との間に流れる電流値を正の値ゼロを含む。にする効果がある添加剤は、研磨用組成物のpHがアルカリのときは、硫酸ナトリウム、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。また、例えば、導体層がルテニウムを含むバリア導体層で、導電性材料層が銅を含む場合において、Cリン原子含有化合物であって導体及び導電性物質との間に流れる電流値を正の値ゼロを含む。にする効果がある添加剤は、研磨用組成物のpHが酸性及び中性のときはリン酸が、研磨用組成物のpHがアルカリのときはホスホン酸が挙げられる。前記A~Cは、1種を単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。いずれにおいても、導体及び導電性物質との間に流れる電流値を正の値ゼロを含む。にする効果がある添加剤であれば、特に制限はない。酸化剤研磨用組成物には、任意で酸化剤を含有させることができる。酸化剤は研磨対象物の表面を酸化する作用を有し、研磨用組成物中に酸化剤を加えた場合には、研磨用組成物による研磨速度が向上する効果がある。使用可能な酸化剤は、例えば過酸化物である。過酸化物の具体例としては、例えば、過酸化水素、過酢酸、過炭酸塩、過酸化尿素および過塩素酸、ならびに過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウムおよび過硫酸アンモニウムなどの過硫酸塩が挙げられる。中でも過硫酸塩および過酸化水素が研磨速度の観点から好ましく、水溶液中での安定性および環境負荷への観点から過酸化水素が特に好ましい。研磨用組成物中の酸化剤の含有量の上限は、10質量であることが好ましく、より好ましくは5質量、さらに好ましくは1質量である。酸化剤の含有量が少なくなるにつれて、金属配線層のディッシング等の欠陥を抑制できる。研磨用組成物中の酸化剤の含有量の下限は、0.001質量であることが好ましく、より好ましくは0.01質量、さらに好ましくは0.1質量である。酸化剤の含有量が多くなるにつれて、研磨速度が向上する。砥粒研磨用組成物には、任意で砥粒を含有させることができる。砥粒は、無機粒子、有機粒子、及び有機無機複合粒子のいずれであってもよい。無機粒子の具体例としては、例えば、シリカ、アルミナ、セリア、チタニアなどの金属酸化物からなる粒子、並びに窒化ケイ素粒子、炭化ケイ素粒子及び窒化ホウ素粒子が挙げられる。有機粒子の具体例としては、例えばポリメタクリル酸メチルPMMA粒子が挙げられる。その中でもシリカ粒子が好ましく、特に好ましいのはコロイダルシリカである。砥粒は表面修飾されていてもよい。通常のコロイダルシリカは、酸性条件下でゼータ電位の値がゼロに近いために、酸性条件下ではシリカ粒子同士が互いに電気的に反発せず凝集を起こしやすい。これに対し、酸性条件でもゼータ電位が比較的大きな正もしくは負の値を有するように表面修飾された砥粒は、酸性条件下においても互いに強く反発して良好に分散する結果、研磨用組成物の保存安定性を向上させることになる。このような表面修飾砥粒は、例えば、アルミニウム、チタン又はジルコニウムなどの金属あるいはそれらの酸化物を砥粒と混合して砥粒の表面にドープさせることや、スルホン酸基やホスホン酸基により、アミノ基を有したシランカップリング剤を用いて砥粒の表面に修飾して得ることができる。研磨用組成物中の砥粒の含有量は0.1質量以上であることが好ましく、より好ましくは0.5質量以上、さらに好ましくは1質量以上である。砥粒の含有量が多くなるにつれて、研磨用組成物による研磨対象物の除去速度が向上する利点がある。研磨用組成物中の砥粒の含有量はまた、25質量以下であることが好ましく、より好ましくは15質量以下、さらに好ましくは10質量以下である。砥粒の含有量が少なくなるにつれて、研磨用組成物の材料コストを抑えることができるのに加え、砥粒の凝集が起こりにくい。また、研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨することにより表面欠陥の少ない研磨面を得られやすい。砥粒の平均一次粒子径は5nm以上であることが好ましく、より好ましくは7nm以上、さらに好ましくは10nm以上である。砥粒の平均一次粒子径が大きくなるにつれて、研磨用組成物による研磨対象物の除去速度が向上する有利がある。なお、砥粒の平均一次粒子径の値は、例えば、BET法で測定される砥粒の比表面積に基づいて計算することができる。砥粒の平均一次粒子径はまた、100nm以下であることが好ましく、より好ましくは90nm以下、さらに好ましくは80nm以下である。砥粒の平均一次粒子径が小さくなるにつれて、研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨することにより表面欠陥の少ない研磨面を得られやすい。砥粒の平均二次粒子径は150nm以下であることが好ましく、より好ましくは120nm以下、さらに好ましくは100nm以下である。砥粒の平均二次粒子径の値は、例えば、レーザー光散乱法により測定することができる。砥粒の平均二次粒子径の値を平均一次粒子径の値で除することにより得られる砥粒の平均会合度は1.2以上であることが好ましく、より好ましくは1.5以上である。砥粒の平均会合度が大きくなるにつれて、研磨用組成物による研磨対象物の除去速度が向上する利点がある。砥粒の平均会合度はまた、4以下であることが好ましく、より好ましくは3以下、さらに好ましくは2以下である。砥粒の平均会合度が小さくなるにつれて、研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨することにより表面欠陥の少ない研磨面を得られやすい。研磨促進剤研磨用組成物は、任意で研磨促進剤を含有させることができる。研磨用組成物中に含まれる錯化剤は、研磨対象物の表面を化学的にエッチングする作用を有し、研磨用組成物による研磨速度を向上させる働きをする。使用可能な錯化剤は、例えば、無機酸、有機酸、およびアミノ酸である。無機酸の具体例としては、例えば、硫酸、硝酸、ホウ酸、炭酸、次亜リン酸、亜リン酸およびリン酸が挙げられる。有機酸の具体例としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、2-メチル酪酸、n-ヘキサン酸、3,3-ジメチル酪酸、2-エチル酪酸、4-メチルペンタン酸、n-ヘプタン酸、2-メチルヘキサン酸、n-オクタン酸、2-エチルヘキサン酸、安息香酸、グリコール酸、サリチル酸、グリセリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸および乳酸が挙げられる。メタンスルホン酸、エタンスルホン酸およびイセチオン酸などの有機硫酸も使用可能である。無機酸または有機酸の代わりにあるいは無機酸または有機酸と組み合わせて、無機酸または有機酸のアンモニウム塩やアルカリ金属塩などの塩を用いてもよい。アミノ酸の具体例としては、例えば、グリシン、α-アラニン、β-アラニン、N-メチルグリシン、N,N-ジメチルグリシン、2-アミノ酪酸、ノルバリン、バリン、ロイシン、ノルロイシン、イソロイシン、フェニルアラニン、プロリン、サルコシン、オルニチン、リシン、タウリン、セリン、トレオニン、ホモセリン、チロシン、ビシン、トリシン、3,5-ジヨード-チロシン、β-3,4-ジヒドロキシフェニル-アラニン、チロキシン、4-ヒドロキシ-プロリン、システイン、メチオニン、エチオニン、ランチオニン、シスタチオニン、シスチン、システイン酸、アスパラギン酸、グルタミン酸、S-カルボキシメチル-システイン、4-アミノ酪酸、アスパラギン、グルタミン、アザセリン、アルギニン、カナバニン、シトルリン、δ-ヒドロキシ-リシン、クレアチン、ヒスチジン、1-メチル-ヒスチジン、3-メチル-ヒスチジンおよびトリプトファンが挙げられる。その中でも錯化剤としては、研磨向上の観点から、グリシン、α-アラニン、β-アラニン、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、グリコール酸、イセチオン酸またはそれらのアンモニウム塩もしくはアルカリ金属塩が好ましい。研磨用組成物中の研磨促進剤の含有量の上限は特に限定されないが、50質量であることが好ましく、より好ましくは10質量、さらに好ましくは1質量である。研磨促進剤の含有量が少なくなるにつれて、金属配線層のディッシング等の欠陥を抑制できる。研磨用組成物中の研磨促進剤の含有量の下限も特に限定されないが、0.001質量であることが好ましく、より好ましくは0.01質量、さらに好ましくは0.1質量である。研磨促進剤の含有量が多くなるにつれて、研磨速度が向上する。金属防食剤研磨用組成物は、任意で金属防食剤を含有させることができる。研磨用組成物中に金属防食剤を加えた場合には、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面にディッシング等の表面欠陥がより生じにくくなる効果がある。また、その金属防食剤は、研磨用組成物中に酸化剤及び/又は錯化剤が含まれている場合には、酸化剤による研磨対象物の表面の酸化を緩和するとともに、酸化剤による研磨対象物の表面の金属の酸化により生じる金属イオンと反応して不溶性の錯体を生成する働きをする。その結果、錯化剤による研磨対象物の表面へのエッチングを抑制することができ、研磨後の研磨対象物の平滑性が向上する。使用可能な金属防食剤の種類は特に限定されないが、好ましくは複素環式化合物である。複素環式化合物中の複素環の員数は特に限定されない。また、複素環式化合物は、単環化合物であってもよいし、縮合環を有する多環化合物であってもよい。金属防食剤としての複素環化合物の具体例は、例えば、ピロール化合物、ピラゾール化合物、イミダゾール化合物、トリアゾール化合物、テトラゾール化合物、ピリジン化合物、ピラジン化合物、ピリダジン化合物、ピリンジン化合物、インドリジン化合物、インドール化合物、イソインドール化合物、インダゾール化合物、プリン化合物、キノリジン化合物、キノリン化合物、イソキノリン化合物、ナフチリジン化合物、フタラジン化合物、キノキサリン化合物、キナゾリン化合物、シンノリン化合物、ブテリジン化合物、チアゾール化合物、イソチアゾール化合物、オキサゾール化合物、イソオキサゾール化合物およびフラザン化合物などの含窒素複素環化合物が挙げられる。ピラゾール化合物の具体例として、例えば、1H-ピラゾール、4-ニトロ-3-ピラゾールカルボン酸および3,5-ピラゾールカルボン酸が挙げられる。イミダゾール化合物の具体例としては、例えば、イミダゾール、1-メチルイミダゾール、2-メチルイミダゾール、4-メチルイミダゾール、1,2-ジメチルピラゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、2-イソプロピルイミダゾール、ベンゾイミダゾール、5,6-ジメチルベンゾイミダゾール、2-アミノベンゾイミダゾール、2-クロロベンゾイミダゾールおよび2-メチルベンゾイミダゾールが挙げられる。トリアゾール化合物の具体例としては、例えば、1,2,3-トリアゾール、1,2,4-トリアゾール、1-メチル-1,2,4-トリアゾール、メチル-1H-1,2,4-トリアゾール-3-カルボキシレート、1,2,4-トリアゾール-3-カルボン酸、1,2,4-トリアゾール-3-カルボン酸メチル、3-アミノ-1H-1,2,4-トリアゾール、3-アミノ-5-ベンジル-4H-1,2,4-トリアゾール、3-アミノ-5-メチル-4H-1,2,4-トリアゾール、3-ニトロ-1,2,4-トリアゾール、3-ブロモ-5-ニトロ-1,2,4-トリアゾール、4-1,2,4-トリアゾール-1-イルフェノール、4-アミノ-1,2,4-トリアゾール、4-アミノ-3,5-ジプロピル-4H-1,2,4-トリアゾール、4-アミノ-3,5-ジメチル-4H-1,2,4-トリアゾール、4-アミノ-3,5-ジペプチル-4H-1,2,4-トリアゾール、5-メチル-1,2,4-トリアゾール-3,4-ジアミン、1-ヒドロキシベンゾトリアゾール、1-アミノベンゾトリアゾール、1-カルボキシベンゾトリアゾール、5-クロロ-1H-ベンゾトリアゾール、5-ニトロ-1H-ベンゾトリアゾール、5-カルボキシ-1H-ベンゾトリアゾール、5,6-ジメチル-1H-ベンゾトリアゾール、1-1’’,2’-ジカルボキシエチルベンゾトリアゾールが挙げられる。テトラゾール化合物の具体例としては、例えば、1H-テトラゾール、5-メチルテトラゾール、5-アミノテトラゾール、および5-フェニルテトラゾールが挙げられる。インドール化合物の具体例としては、例えば、1H-インドール、1-メチル-1H-インドール、2-メチル-1H-インドール、3-メチル-1H-インドール、4-メチル-1H-インドール、5-メチル-1H-インドール、6-メチル-1H-インドール、および7-メチル-1H-インドールが挙げられる。インダゾール化合物の具体例としては、例えば、1H-インダゾールおよび5-アミノ-1H-インダゾールが挙げられる。金属防食剤は、トリアゾール骨格を有する複素環化合物でありことが好ましく、それらの中でも1,2,3-トリアゾール、および1,2,4-トリアゾールが特に好ましい。これらの複素環化合物は、研磨対象物の表面への化学的または物理的吸着力が高いため、より強固な保護膜を研磨対象物の表面に形成する。このことは、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面の過剰なエッチングを抑制することができる。その結果、過剰な研磨を抑制することができる。研磨用組成物中の保護膜形成剤の含有量の上限は特に限定されないが、50質量であることが好ましく、より好ましくは10質量、さらに好ましくは1質量である。保護膜形成剤の含有量が少なくなるにつれて、研磨速度が向上する。研磨用組成物中の保護膜形成剤の含有量の下限も特に限定されないが、0.001質量であることが好ましく、より好ましくは0.01質量、さらに好ましくは0.1質量である。保護膜形成剤の含有量が多くなるにつれて、金属配線層のディッシング等の欠陥を抑制できる。研磨用組成物のpH及びpH調整剤研磨用組成物のpHの上限は特に限定されないが、12であることが好ましく、より好ましくは11、さらに好ましくは10である。研磨用組成物のpHが小さくなるにつれて、研磨対象物の表面の過剰なエッチング抑制の効果があり、その結果として過剰な研磨及び腐食を抑制する効果を得ることができる。研磨用組成物のpHの下限も特に限定されないが、2であることが好ましく、より好ましくは3、さらに好ましくは4である。研磨用組成物のpHが大きくなるにつれて、研磨対象物の表面の過剰なエッチング抑制の効果があり、その結果として過剰な研磨及び腐食を抑制する効果を得ることができる。研磨用組成物のpHを所望の値に調整するために必要に応じて使用されるpH調整剤は酸及びアルカリのいずれであってもよく、また無機及び有機の化合物のいずれであってもよい。本実施形態の研磨用組成物による研磨速度向上の効果を損なわないように適宜選択されればよい。本実施形態によれば以下の作用及び効果が得られる。本実施形態の研磨用組成物は導体層と前記導体層と接する導電性物質層を有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、前記研磨用組成物中において電位計の正極側を前記導電性物質に接続し、負極側を前記導体に接続した場合の室温で、導電性物質正極と導体負極両面の研磨中において正極側から負極側へ流れる電流の値が、正の値ゼロを含む。を示す。この研磨用組成物により、導体へ導電性物質からの電子の移動を、すなわち、導体から導電性物質への電流が流れを防止することができ、導体と導電性物質との境界部近傍の導電性物質表面から電子と導電性物質イオンの研磨用組成物中への溶出を防止することができる。その結果、腐食欠陥を防止することができると考えられる。本実施形態の研磨用組成物は、導体及び導電性物質との間に流れる電流値を正の値ゼロを含む。にする添加剤並びに砥粒、酸化剤、錯化剤及び金属防食剤等を含有することができる。これらの添加剤及び物質に制限はなく、結果として、完成した研磨用組成物が特定の条件下で研磨用組成物中において電位計の正極側を前記導電性物質に接続し、負極側を前記導体に接続した場合の正極側から負極側へ流れる電流の値が、正の値ゼロを含む。を示せばよい。前記実施形態は次のように変更されてもよい。前記実施形態の研磨用組成物は、必要に応じて、界面活性剤や水溶性高分子、防腐剤のような公知の添加剤をさらに含有してもよい。この場合、公知の添加剤について制限はなく、結果として、完成した研磨用組成物が特定の条件下で研磨用組成物中において電位計の正極側を前記導電性物質に接続し、負極側を前記導体に接続した場合の正極側から負極側へ流れる電流の値が、正の値ゼロを含む。を示せばよい。前記実施形態の研磨用組成物は一液型であってもよいし、二液型を始めとする多液型であってもよい。前記実施形態の研磨用組成物は、研磨用組成物の原液を水で希釈することにより調製されてもよい。次に、本発明の実施例及び比較例を説明する。表1~3に記載の組成となるように各成分を混合することにより、実施例1~26及び比較例1~78の研磨用組成物を調整した。表1~3の砥粒欄の含有量質量欄には、各研磨用組成物中の砥粒の含有量を示す。ここでの砥粒は、約70nmの平均二次粒子径平均一次粒子径35nm、平均会合度2を有するコロイダルシリカを使用した。表1~3の導体と導電性物質との間に流れる電流値を正の値にする添加剤欄の種類欄には、実施例又は比較例において各研磨用組成物中に含まれる導体及び導電性物質との間に流れる電流値を正の値にする添加剤の種類を示す。また、含有量質量欄には、各研磨用組成物中の導体と導電性物質との間に流れる電流値を正の値にする添加剤の含有量を示す。表1~3のpH欄には、各研磨用組成物中のpHを示す。なお、pHは無機酸又は無機塩基を添加して所定の値に調整した。また、各研磨用組成物は、研磨直前に過酸化水素を2質量になるように添加した。実施例1~26及び比較例1~78の各研磨用組成物を用いて、次のように導体と導電性物質間の電位差及び電流値を測定した。まず、2000ml程度の容量のプラスチック製容器に1000ml程度の各研磨用組成物を入れ、25±3°C常温にした。導電性物質膜としての銅をスパッタ法で形成したシリコン基板と、ルテニウムの導体膜をスパッタ法で形成したシリコン基板とを適当な大きさにして、電位計の正極側を導電性物質基板に、負極側を導体基板に接続した。その後、導電性物質基板および導体基板をお互いに接触しないように距離をとった状態で、液面に対して水平、かつ導電性物質膜表面と導体膜表面が液面に向くように研磨用組成物に浸す。水平方向及び垂直方向に制御可能な塩化ビニル樹脂製の回転体に研磨パッドを貼り付け、そのパッドで導電性物質基板および導体基板を研磨した。研磨開始から研磨用組成物に浸してから30秒経過後までの電位差及び電流値を測定して採用した。その結果を、表1~3の電位差欄及び電流値欄にそれぞれ示す。次いで、実施例1~26及び比較例1~78の各研磨用組成物を用いて、導体膜としてのルテニウム及び絶縁膜としてのTEOSを備えたCu配線導電性物質ウェーハを、表4に示す条件で研磨した。表4に示す条件で一定時間研磨した後の導電性物質表面の腐蝕欠陥について、走査電子顕微鏡を用いて評価し、その結果を表1~3の評価欄の腐蝕欠陥欄に示す。なお、本評価結果において、図2aのように腐蝕欠陥が確認されない場合を○、図2bのように腐食欠陥が確認された場合を×とした。表1~3に示すように、実施例1~26の研磨用組成物を用いた場合には、本発明の条件を満たさない比較例1~78の研磨用組成物に比べて、腐蝕欠陥の抑制において顕著に優れた効果を奏することが認められた。"