貫通孔を有しており、窒化アルミニウムを主成分として含んでいる絶縁基板と、前記貫通孔の内面の上端部から下端部にかけて設けられたアルミニウム層と、該アルミニウム層の表面に設けられた薄膜層と、該薄膜層の表面に設けられた金属層とを備えていることを特徴とする配線基板。請求項1に記載された配線基板と、該配線基板に搭載された電子部品を備えていることを特徴とする電子装置。しかしながら、特許文献1のようにすると、小径の貫通孔を高い寸法精度で形成することはできるものの、貫通孔の高アスペクト比化に伴って、貫通孔の中央部分において薄膜層が設けられないことがあった。そのため、薄膜層が貫通孔の上端部から下端部にかけて連続して設けられず、十分な電気的経路を設けることが不可能なことがあった。そのため、小径でアスペクト比の高い貫通孔について安定して導通させるためには改善が必要なものであった。本発明の一つの態様による配線基板は、貫通孔を有しており、窒化アルミニウムを主成分として含んでいる絶縁基板と、前記貫通孔の内面の上端部から下端部にかけて設けられたアルミニウム層と、該アルミニウム層の表面に設けられた薄膜層と、該薄膜層の表面に設けられた金属層とを備えていることを特徴とする。本発明の他の態様による電子装置は、配線基板と、該配線基板に搭載された電子部品を備えていることを特徴とする。本発明の一つの態様による配線基板は、貫通孔を有しており、窒化アルミニウムを主成分として含んでいる絶縁基板と、貫通孔の内面の上端部から下端部にかけて設けられたアルミニウム層と、アルミニウム層の表面に設けられた薄膜層と、薄膜層の表面に設けられた金属層とを備えている。本発明の一つの態様による配線基板は、このような構成を含んでいることによって、貫通孔の高アスペクト比化が進んで仮に貫通孔の中央部分において薄膜層が設けられなかったとしても、アルミニウム層によって貫通孔の上端部から下端部にかけて十分な電気的経路を設けることができる。本発明の他の態様による電子装置は、上記構成の配線基板を備えていることによって、アスペクト比の高い小径の貫通孔1aの導通性に関して向上されるものとなる。本発明のいくつかの例示的な実施形態について図面を参照して説明する。第1の実施形態図1a、b、図1に示された電子装置に使用される配線基板母配線基板の一つの実施形態を示す平面図である図2a、b、cおよび図2cに示された配線基板5の要部の拡大断面図である図3を参照して本発明の第1の実施形態における電子装置について説明する。図1a、bに示されているように、本実施形態における電子装置は、配線基板5と、配線基板5に搭載された電子部品6とを含んでいる。また、図1a、b、図2a、b、cおよび図3に示されているように、配線基板5は、貫通孔1aを有しており、窒化アルミニウムを主成分として含んでいる絶縁基板1と、貫通孔1aの内面の上端部から下端部にかけて設けられたアルミニウム層2と、アルミニウム層2の表面に設けられた薄膜層3と、薄膜層3の表面に設けられた金属層4とを含んでいる。また、配線基板5は、製品寸法が小さいことが多いため、図2a、b、cに示されているように、配線基板5が多数個形成された母配線基板5 ́を分割することによって作成される場合があるが、本発明においては母配線基板も配線基板に含まれる。図2に示された本実施形態における母配線基板5 ́および母配線基板5 ́を分割してできる配線基板5の作成方法について、以下に説明を行う。窒化アルミニウムを主成分として含んでいる母絶縁基板1 ́は、主原料としての窒化アルミニウムに焼結助剤としてのイットリア、カルシア及び適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法を採用することによってグリーンシート生シートを形成し、しかる後、前記グリーンシートを高温約1800°Cで焼成することによって製作される。なお、絶縁基板1は生産性を高めるために、通常は絶縁基板1を多数個集合した母絶縁基板の状態で作成し、母配線基板5 ́が完成した時点もしくは電子装置が完成した時点で分割されることが多いので、作成工程については主に母配線基板5 ́の作成工程とするが、母配線基板5 ́を分割すること無く、直接配線基板5を作成することも可能である。また、窒化アルミニウムを主成分として含むとは、絶縁基板1中に窒化アルミニウムが80質量以上含むことを言う。絶縁基板1中に含まれる窒化アルミニウムが80質量未満であると、貫通孔1a表面にアルミニウム層2を安定して形成し難い。好ましくは絶縁基板1中の窒化アルミニウムは95質量以上含有されていることが好ましい。窒化アルミニウムが95質量以上含まれていると、絶縁体の熱伝導率を170W/mK以上としやすいため、熱放散性に優れた配線基板5となるので好ましい。窒化アルミニウムからなる母絶縁基板1 ́の所定の部位にレーザー加工によって貫通孔1aを形成する。波長の短いYAGレーザーや、エキシマレーザーを使用すると、窒化アルミニウムが瞬時に蒸発してしまい、アルミニウム層2が貫通孔1aの内面に形成されにくく、CO2レーザーを使用すると、窒化アルミニウムの表面に安定してアルミニウム層2が形成され易いのでCO2レーザーを使用するのが好ましい。例えば、窒化アルミニウムの含有率が95質量で熱伝導率が170W/mK、板厚0.38mmの絶縁基板を用い、出力20Wで焦点の径がφ0.1mmのCO2レーザー波長10.6μmを用いて貫通孔1aを形成すると、入射側の直径が0.13mmで、出射側の直径は0.06mmとなり、貫通孔1aの表面にアルミニウムが形成された貫通孔1aとすることができる。このときのアルミニウム層2の厚みは1~16μmであった。アルミニウム層2の形成方法は、窒化アルミニウムからなる母絶縁基板1 ́に貫通孔1aを形成するときの上述のレーザー加工により窒化アルミニウムが還元されることによるものであり、この形成方法により、アルミニウム層2が貫通孔1aの内面の上端部から下端部にかけて設けられるものとなる。薄膜層3を構成する密着金属層は、母絶縁基板1 ́の表裏面の貫通孔1aの周囲にレーザー加工で形成される凸部を必要に応じて研磨等で除去平坦化し、絶縁基板1の表裏面および貫通孔1aの上下面付近に形成される。密着金属層は例えば、窒化タンタルやニッケルークロム、ニッケルークロムーシリコン、タングステンーシリコン、モリブデンーシリコン、タングステン、モリブデン、チタン、クロム等から成り、蒸着法やイオンプレーティング法、スパッタリング法等の薄膜形成技術を採用することにより貫通孔1a内のアルミニウム層2および絶縁基板1上に被着される。例えば真空蒸着法を用いて形成する場合には、母絶縁基板1 ́を真空蒸着装置の成膜室内に設置して、成膜室内の蒸着源に密着金属層と成る金属片を配置し、その後、成膜室内を真空状態10-2Pa以下の圧力にするとともに、蒸着源に配置された金属片を加熱して蒸着させ、この蒸着した金属片の分子を絶縁基板1に被着させることにより、密着金属層と成る薄膜金属の層を形成する。そして、薄膜金属層が形成された絶縁基板1にフォトリソグラフィ法を用いてレジストパターンを形成した後、エッチングによって余分な薄膜金属層を除去することにより、密着金属層が形成される。密着金属層の上面には薄膜層3を構成するバリア層が被着され、バリア層は密着金属層と主導体層と接合性、濡れ性が良く、密着金属層と主導体層とを強固に接合させるとともに密着金属層と主導体層との相互拡散を防止する作用をなす。バリア層は、例えば、ニッケルークロムや白金、パラジウム、ニッケル、コバルト等から成り、蒸着法やイオンプレーティング法、スパッタリング法等の薄膜形成技術により密着金属層の上面に被着される。密着金属層の厚さは001~05μm程度が良い。001μm未満では、絶縁基板1およびアルミニウム層2上に密着金属層を強固に密着させることが困難となる傾向がある。05μmを超える場合は、密着金属層の成膜時の内部応力によって密着金属層の剥離が生じ易くなる。また、バリア層の厚さは005~1μm程度が良い。005μm未満では、ピンホール等の欠陥が発生してバリア層としての機能を果たしにくくなる傾向がある。1μmを超える場合は、成膜時の内部応力によりバリア層の剥離が生じ易くなる。金属層4の形成方法は、絶縁基板1の表裏面共に、表面配線7を形成しない部分にレジスト膜を形成し、薄膜層3およびアルミニウム層2の表面に銅を電解めっきで形成することによるものであり、この形成方法により、金属層4が貫通孔1a内に充填されると共に表面配線7となる部分に厚い導体層が形成される。なお、密着金属層として、チタンTiを用い、その上に銅Cuをこの順でスパッタを行うと、チタンと銅の接合部にはチタン/銅のバリア層が形成され、表面には銅の導体層が形成されるので、その表面に電解めっきで銅を形成すると、金属層4が全て銅で形成されることになるので、電気抵抗や熱抵抗が低くなると共に大電流を流しやすくなるので好ましい。表面配線層7の厚さは2~200μm程度が良い。2μm未満では、十分に電流を流すことができない傾向があり、200μmを超えると、温度サイクル信頼性が低下する傾向がある。なお、表面配線層7の厚みが50μm以上となると絶縁基板1との熱膨張差が無視できなくなるが、上下の表面配線層7の厚みの差が5μm以下であると配線基板5に反りが発生し難くなるので好ましい。なお、金属層4および表面配線層7が銅の場合は、表面にニッケル層、金層をこの順に形成すると表面の腐食防止のために好ましい。次にレジストを剥離し、露出した薄膜層3をフッ酸でエッチングし除去することで、母配線基板5 ́となる。焼成済みの母絶縁基板1 ́にレーザー加工によって貫通孔1aを形成し表面配線7を形成することにより、寸法精度の高い母配線基板5 ́とすることができるので、母配線基板上に自動機等で発光素子等の電子部品6を容易に配置したり、ボンディングワイヤ8による電気的な接続を行うことができるようになるので、生産性が高まり好ましい。母配線基板5 ́で電子装置まで組み立てた場合は、多数の電子装置を組み立てた状態から、ダイシングやレーザー割断等の方法で、個別の電子装置に分割する。もしくは、母配線基板5 ́を同様の方法で個別の配線基板5に分割してから同様に電子部品6を配置接続することで電子装置となる。本実施形態の配線基板5において、貫通孔1aを有しており、窒化アルミニウムを主成分として含んでいる絶縁基板1と、貫通孔1aの内面の上端部から下端部にかけて設けられたアルミニウム層2と、アルミニウム層2の表面に設けられた薄膜層3と、薄膜層3の表面に設けられた金属層4とを備えていることによって、貫通孔1aの高アスペクト比化が進んで仮に貫通孔1aの中央部分において薄膜層3が設けられなかったとしても、アルミニウム層2によって貫通孔1aの上端部から下端部にかけて十分な電気的経路を設けることができ、アスペクト比の高い小径の貫通孔1aの導通性に関して向上されるものとなる。また、本実施形態の電子装置において、上記構成の配線基板5を備えていることによって、アスペクト比の高い小径の貫通孔1aの導通性に関して向上されるものとなる。第2の実施形態図4を参照して本発明の第2の実施形態における電子装置について説明する。本実施形態の電子装置において、第1の実施形態と異なる点は、貫通孔1a内の金属層4の構造である。第1の実施形態において貫通孔1a内が金属層4で充填される構造であったが、本実施形態においては貫通孔1aの内面に層状に形成されており、貫通孔の一方は表面配線層7で塞がれているが、他方は開放している構造である。この第2の実施形態の構造にすることによって、絶縁基板1と金属層4の熱膨張差による応力が加わり難くなっていることで、貫通孔1aの配置密度が高くなったとしても、絶縁基板1に応力による割れが発生し難くなるので好ましい。第3の実施形態図5を参照して本発明の第3の実施形態における電子装置について説明する。本実施形態の電子装置において、貫通孔1aを金属層4で充填した後に表裏面を研磨し、その後表面配線層7を形成した物であるが、この様に、貫通孔1a内の金属層4と表面配線層7を別に形成した場合は表面配線層7を金属層4と異なる金属とする事ができるので、表面配線層7として薄膜形成技術を用いた層以外に厚膜層を形成することも容易となり、また、薄膜形成技術を用いて形成する場合でも貫通導体まで形成した絶縁基板1を準備しておき、必要に応じて絶縁基板1の表裏面に様々な表面配線層7を形成することができるようになり、納期を短縮できるので好ましい。