"A半導体層に形成され、M層但し、M≧2の受光/電荷蓄積層が積層されて成る受光/電荷蓄積領域、B半導体層に形成された電荷出力領域、C受光/電荷蓄積領域と電荷出力領域との間に位置する半導体層の部分から構成された空乏層形成領域、並びに、D空乏層形成領域における空乏層の形成状態を制御する制御電極領域、を備え、各受光/電荷蓄積層から空乏層形成領域へと延在する受光/電荷蓄積層延在部を更に備えており、空乏層形成領域は、第1導電型を有し、電荷出力領域、受光/電荷蓄積層及び受光/電荷蓄積層延在部は、第2導電型を有し、受光/電荷蓄積層は、第1導電型を有する上層及び下層に挟まれており、受光/電荷蓄積層に蓄積された電荷が電荷出力部へと転送される際に制御電極領域に印加される制御電圧の値の絶対値は、半導体層の法線方向に沿って制御電極領域から離れた所に位置する受光/電荷蓄積層ほど高い固体撮像素子。制御電極領域は、1つの制御電極部から成り、電荷出力領域は、1つの電荷出力部から成り、制御電極部への第m番目但し、1≦m≦Mの値を有する制御電圧の印加に基づき空乏層形成領域に形成された空乏層を介して、第m層目の受光/電荷蓄積層に蓄積された電荷が、電荷出力部へと転送される請求項1に記載の固体撮像素子。受光/電荷蓄積層延在部と制御電極領域との間に位置する空乏層形成領域の部分の厚さは、各受光/電荷蓄積層によって異なっており、制御電極領域は、M個の制御電極部から成り、電荷出力領域は、M個の電荷出力部から成り、第m番目但し、1≦m≦Mの制御電極部への制御電圧の印加に基づき空乏層形成領域に形成された空乏層を介して、第m層目の受光/電荷蓄積層に蓄積された電荷が、第m番目の電荷出力部へと転送される請求項1に記載の固体撮像素子。空乏層形成領域における各受光/電荷蓄積層延在部の射影像は重なっていない請求項1に記載の固体撮像素子。受光/電荷蓄積層延在部と制御電極領域との間に位置する空乏層形成領域の部分の厚さは、各受光/電荷蓄積層において同じであり、制御電極領域は、1つの制御電極部から成り、電荷出力領域は、M個の電荷出力部から成り、制御電極部への制御電圧の印加に基づき空乏層形成領域に形成された空乏層を介して、第m層目但し、1≦m≦Mの受光/電荷蓄積層に蓄積された電荷が、第m番目の電荷出力部へと転送される請求項4に記載の固体撮像素子。電荷蓄積前に、各受光/電荷蓄積層は完全空乏化される請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の固体撮像素子。空乏層形成領域の不純物濃度は、半導体層の法線方向に沿って制御電極領域から離れるほど、低い請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の固体撮像素子。電荷が電子である場合、受光/電荷蓄積層に蓄積された電荷を電荷出力領域へと転送する際、電子に対する電荷出力領域のポテンシャルは空乏層のポテンシャルよりも低く、空乏層のポテンシャルは受光/電荷蓄積層のポテンシャルよりも低い請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の固体撮像素子。しかしながら、上述した特許公開公報に開示された固体撮像素子にあっては、積層された受光/電荷蓄積層のそれぞれにMOS型スイッチが設けられている。即ち、3つのMOS型スイッチが独立して設けられている。それ故、固体撮像素子全体の面積が大きくなり、微細化に適さないという問題がある。また、各受光/電荷蓄積層から電荷を転送するための接続領域を設けているが、この接続領域をn半導体層又はp半導体層から構成した場合、接続領域がkTCノイズの影響を受けるといった問題がある。従って、本発明の目的は、受光/電荷蓄積層を積層した固体撮像素子であって、固体撮像素子全体の面積を小さくすることができ、また、電荷転送時にノイズが与える影響を小さくし得る構成、構造を有する固体撮像素子及びその駆動方法を提供することにある。上記の目的を達成するための本発明の固体撮像素子、あるいは又、上記の目的を達成するための本発明の第1の態様乃至第3の態様に係る固体撮像素子の駆動方法における固体撮像素子は、A半導体層に形成され、M層但し、M≧2の受光/電荷蓄積層が積層されて成る受光/電荷蓄積領域、B半導体層に形成された電荷出力領域、C受光/電荷蓄積領域と電荷出力領域との間に位置する半導体層の部分から構成された空乏層形成領域、並びに、D空乏層形成領域における空乏層の形成状態を制御する制御電極領域、を備え、各受光/電荷蓄積層から空乏層形成領域へと延在する受光/電荷蓄積層延在部を更に備えている。尚、本発明の固体撮像素子、本発明の第1の態様あるいは第2の態様に係る固体撮像素子の駆動方法における固体撮像素子にあっては、空乏層形成領域における各受光/電荷蓄積層延在部の射影像は、重なっていなくともよいし、重なっていてもよい。ここで、受光/電荷蓄積層延在部を投影して射影像を得るときの投影方向は、本質的に任意であるが、ここでは、半導体層の法線方向Z方向と呼ぶ場合があるとする。以下の説明においても同様である。また、本発明の第1の態様に係る固体撮像素子の駆動方法にあっては、制御電極領域は、1つの制御電極部から成り、電荷出力領域は、1つの電荷出力部から成り、制御電極部に制御電圧を、順次、印加することで空乏層形成領域に形成された空乏層を介して、受光/電荷蓄積層に蓄積された電荷を、順次、電荷出力部へと転送する。また、本発明の第2の態様に係る固体撮像素子の駆動方法にあっては、受光/電荷蓄積層延在部と制御電極領域との間に位置する空乏層形成領域の部分の厚さは、各受光/電荷蓄積層によって異なっており、制御電極領域は、M個の制御電極部から成り、電荷出力領域は、M個の電荷出力部から成り、制御電極部に制御電圧を印加することで空乏層形成領域に形成された空乏層を介して、受光/電荷蓄積層に蓄積された電荷を電荷出力部へと転送する。尚、制御電極部に制御電圧を、順次、印加することで空乏層形成領域に形成された空乏層を介して、受光/電荷蓄積層に蓄積された電荷を、順次、電荷出力部へと転送する形態とすることもできるし、制御電極部のそれぞれに異なる値を有する制御電圧を同時に印加することで空乏層形成領域に形成された空乏層を介して、各受光/電荷蓄積層に蓄積された電荷を同時に各電荷出力部へと転送する形態とすることもできる。また、本発明の第3の態様に係る固体撮像素子の駆動方法にあっては、空乏層形成領域における各受光/電荷蓄積層延在部の射影像は重なっておらず、受光/電荷蓄積層延在部と制御電極領域との間に位置する空乏層形成領域の部分の厚さは、各受光/電荷蓄積層において同じであり、制御電極領域は、1つの制御電極部から成り、電荷出力領域は、M個の電荷出力部から成り、制御電極部に制御電圧を印加することで空乏層形成領域に形成された空乏層を介して、受光/電荷蓄積層に蓄積された電荷を、同時に、電荷出力部へと転送する。本発明の固体撮像素子あるいは本発明の第1の態様~第3の態様に係る固体撮像素子の駆動方法にあっては、空乏層形成領域における空乏層の形成状態を制御する制御電極領域が備えられている。従って、制御電極領域に適切な制御電圧を印加することで、空乏層形成領域において空乏層を形成し、空乏層を介して、受光/電荷蓄積層に蓄積された電荷を電荷出力領域電荷出力部へと転送することができるので、固体撮像素子全体の大きさを小さくすることができるし、電荷転送時にノイズが与える影響を小さくすることができる。このように、制御電極領域に適切な制御電圧を印加することで、空乏層を延ばし、これによって、受光/電荷蓄積層に蓄積された電荷の電荷出力領域電荷出力部への転送を制御する構成、構造の固体撮像素子は、本発明者が調べた限りでは知られていない。以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明するが、本発明は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。1.本発明の固体撮像素子、及び、本発明の第1の態様乃至第3の態様に係る固体撮像素子の駆動方法、全般に関する説明2.実施例1本発明の固体撮像素子、及び、本発明の第1の態様に係る固体撮像素子の駆動方法の具体的な説明3.実施例2本発明の固体撮像素子、及び、本発明の第2の態様に係る固体撮像素子の駆動方法の具体的な説明4.実施例3本発明の固体撮像素子、及び、本発明の第3の態様に係る固体撮像素子の駆動方法の具体的な説明、その他[本発明の固体撮像素子、及び、本発明の第1の態様乃至第3の態様に係る固体撮像素子の駆動方法、全般に関する説明]本発明の第1の態様乃至第3の態様に係る固体撮像素子の駆動方法にあっては、電荷蓄積前に、各受光/電荷蓄積層を完全空乏化する形態とすることができる。本発明の固体撮像素子、あるいは、上記の好ましい形態を含む本発明の第1の態様乃至第3の態様に係る固体撮像素子の駆動方法にあっては、空乏層形成領域は、第1導電型を有し、電荷出力領域、受光/電荷蓄積層及び受光/電荷蓄積層延在部は、第2導電型を有し、受光/電荷蓄積層は、第1導電型を有する上層及び下層に挟まれている形態とすることができる。ここで、第1導電型がp型である場合、第2導電型はn型であり、キャリアは電子である。一方、第1導電型がn型である場合、第2導電型はp型であり、キャリアはホールである。上記の好ましい形態を含む本発明の固体撮像素子にあっては、本発明の第1の態様に係る固体撮像素子の駆動方法を実行するために、制御電極領域は、1つの制御電極部から成り、電荷出力領域は、1つの電荷出力部から成り、制御電極部への第m番目但し、1≦m≦Mの値を有する制御電圧の印加即ち、M回の制御電圧の印加に基づき空乏層形成領域に形成された空乏層を介して、第m層目の受光/電荷蓄積層に蓄積された電荷が、電荷出力部へと転送される構成とすることができる。尚、mの値が小さいほど、受光/電荷蓄積層は光入射面に近い方に位置する構成とすることができる。あるいは又、上記の好ましい形態を含む本発明の固体撮像素子にあっては、本発明の第2の態様に係る固体撮像素子の駆動方法を実行するために、受光/電荷蓄積層延在部と制御電極領域との間に位置する空乏層形成領域の部分の厚さは、各受光/電荷蓄積層によって異なっており、制御電極領域は、M個の制御電極部から成り、電荷出力領域は、M個の電荷出力部から成り、第m番目但し、1≦m≦Mの制御電極部への制御電圧の印加即ち、M回の制御電圧の順次の印加、あるいは又、印加電圧の値を変えてのM個の制御電極部への1回の印加に基づき空乏層形成領域に形成された空乏層を介して、第m層目の受光/電荷蓄積層に蓄積された電荷が、第m番目の電荷出力部へと転送される構成とすることができる。尚、mの値が小さいほど、受光/電荷蓄積層は光入射面に近い方に位置する構成とすることができる。あるいは又、上記の好ましい形態を含む本発明の固体撮像素子にあっては、空乏層形成領域における各受光/電荷蓄積層延在部の射影像は重なっていない形態とすることができる。そしてこの場合、本発明の第3の態様に係る固体撮像素子の駆動方法を実行するために、受光/電荷蓄積層延在部と制御電極領域との間に位置する空乏層形成領域の部分の厚さは、各受光/電荷蓄積層において同じであり、制御電極領域は、1つの制御電極部から成り、電荷出力領域は、M個の電荷出力部から成り、制御電極部への制御電圧の印加即ち、1回の制御電圧の印加に基づき空乏層形成領域に形成された空乏層を介して、第m層目但し、1≦m≦Mの受光/電荷蓄積層に蓄積された電荷が、第m番目の電荷出力部へと転送される構成とすることができる。尚、mの値が小さいほど、受光/電荷蓄積層は光入射面に近い方に位置する構成とすることができる。更には、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の固体撮像素子においては、電荷蓄積前に、各受光/電荷蓄積層は完全空乏化される構成とすることが好ましい。これによって、kTCノイズ発生を抑制することができる。尚、場合によっては、完全には空乏化されていなくともよい。前回の動作においても、各受光/電荷蓄積層に蓄積された電荷は電荷出力領域電荷出力部へと転送されるが、この動作の完了時に、各受光/電荷蓄積層は完全空乏化され得る。従って、このような動作も、電荷蓄積前に各受光/電荷蓄積層は完全空乏化されるといった概念に包含される。上述したように、本発明の第1の態様乃至第3の態様に係る固体撮像素子の駆動方法にあっても、電荷蓄積前に各受光/電荷蓄積層を完全空乏化する形態とすることができるが、ここでの電荷蓄積前も、同様の意味に用いる。また、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の固体撮像素子、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の第1の態様あるいは第2の態様に係る固体撮像素子の駆動方法において、空乏層形成領域の不純物濃度は、半導体層の法線方向Z方向に沿って制御電極領域から離れるほど、低い構成とすることができる。あるいは又、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の固体撮像素子、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の第1の態様あるいは第2の態様に係る固体撮像素子の駆動方法において、受光/電荷蓄積層に蓄積された電荷が電荷出力部へと転送される際に制御電極領域に印加される制御電圧の値の絶対値あるいは、受光/電荷蓄積層に蓄積された電荷を電荷出力部に転送する際に制御電極部に印加する制御電圧の値の絶対値は、半導体層の法線方向Z方向に沿って制御電極領域から離れた所に位置する受光/電荷蓄積層ほど高い構成とすることができる。あるいは又、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の固体撮像素子、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の第1の態様あるいは第2の態様に係る固体撮像素子の駆動方法において、受光/電荷蓄積層延在部と制御電極領域との間に位置する空乏層形成領域の部分の不純物濃度は、受光/電荷蓄積層延在部と制御電極領域との間に位置する空乏層形成領域の部分の厚さに依存して、異なっている構成とすることができる。一方、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の第3の態様に係る固体撮像素子の駆動方法において、空乏層形成領域の不純物濃度は同じ一定である構成とすることができる。以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本発明の固体撮像素子、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本発明の第1の態様乃至第3の態様に係る固体撮像素子の駆動方法にあっては、電荷が電子である場合、受光/電荷蓄積層に蓄積された電荷を電荷出力領域あるいは電荷出力部へと転送する際、電子に対する電荷出力領域あるいは電荷出力部のポテンシャルは空乏層のポテンシャルよりも低く、空乏層のポテンシャルは受光/電荷蓄積層のポテンシャルよりも低い構成とすることができる。以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本発明の固体撮像素子、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の第1の態様乃至第3の態様に係る固体撮像素子の駆動方法以下、これらを総称して、単に、本発明と呼ぶ場合があるにおいて、制御電極領域の具体的な構成、構造として、空乏層形成領域の上方に絶縁膜を介して形成された転送ゲートトランスファーゲートから構成された、一種のMOS型スイッチを挙げることができる。また、半導体層は、例えば、エピタキシャル成長法にて、第2導電型を有するシリコン半導体基板上に形成されたシリコン層から構成することができる。場合によっては、半導体層を、シリコン半導体基板の表面領域から構成することもできる。Mの具体的な値として、限定するものではないが、2,3を挙げることができる。M=3とした場合、半導体層の光入射面に最も近い領域に位置する受光/電荷蓄積層便宜上、第1層目の受光/電荷蓄積層m=1と呼ぶは、半導体層の光入射面から、例えば、平均的に0.1μm乃至0.3μmに位置し、次に近い領域に位置する受光/電荷蓄積層便宜上、第2層目の受光/電荷蓄積層m=2と呼ぶは、半導体層の光入射面から、例えば、平均的に0.5μm乃至0.8μmに位置し、最も遠い領域に位置する受光/電荷蓄積層便宜上、第3層目の受光/電荷蓄積層m=M=3と呼ぶは、半導体層の光入射面から、例えば、平均的に1.5μm乃至3μmに位置する。尚、このような構成にあっては、第1層目の受光/電荷蓄積層は青色の光波長:例えば、400nm乃至500nmを受光し、電荷を蓄積し、第2層目の受光/電荷蓄積層は緑色の光波長:例えば、500nm乃至600nmを受光し、電荷を蓄積し、第3層目の受光/電荷蓄積層は赤色の光波長:例えば、600nm乃至700nmを受光し、電荷を蓄積する。本発明の固体撮像素子によって、CCDイメージセンサやCMOSイメージセンサ等の単板式カラー固体撮像素子、単板式カラー固体撮像装置を構成することができる。また、本発明の固体撮像素子は、表面照射型とすることもできるし、裏面照射型とすることもできる。実施例1は、本発明の固体撮像素子、及び、本発明の第1の態様に係る固体撮像素子の駆動方法に関する。実施例1の固体撮像素子の模式的な一部断面図を、図1のA、図2のA及び図3のAに示し、第1層目、第2層目及び第3層目の受光/電荷蓄積層等の配置状態を示す模式的な一部断面図を図1のB、図2のB及び図3のBに示す。尚、図1のA、図2のA及び図3のAは、図1のB、図2のB及び図3のBの矢印A-Aに沿った模式的な一部断面図である。また、図1のB、図2のB及び図3のBは、図1のAの矢印a-a,b-b,c-cに沿った受光/電荷蓄積層等の配置状態を示す模式的な一部断面図である。実施例1、後述する実施例2~実施例3の固体撮像素子、あるいは又、実施例1、後述する実施例2~実施例3の固体撮像素子の駆動方法における固体撮像素子によって、CMOSイメージセンサが構成され、且つ、表面照射型の単板式カラー固体撮像素子、単板式カラー固体撮像装置が構成される。そして、この固体撮像素子は、A半導体層11に形成され、M層但し、M≧2であり、実施例にあっては、具体的には、M=3の受光/電荷蓄積層121,122,123,221,222,223,321,322,323が積層されて成る受光/電荷蓄積領域120,220,320、B半導体層11に形成された電荷出力領域電荷保持領域140,240,340、C受光/電荷蓄積領域120,220,320と電荷出力領域140,240,340との間に位置する半導体層11の部分から構成された空乏層形成領域150,250,350、並びに、D空乏層形成領域150,250,350における空乏層の形成状態を制御する制御電極領域160,260,360、を備え、更に、各受光/電荷蓄積層121,122,123,221,222,223,321,322,323から空乏層形成領域150,250,350へと延在する受光/電荷蓄積層延在部121A,122A,123A,221A,222A,223A,321A,322A,323Aを備えている。尚、電荷出力領域140,240,340は、固体撮像素子によってCMOSイメージセンサが構成されている場合、浮遊拡散領域フローティングディフュージョンとも呼ばれる。一方、固体撮像素子によってCCDイメージセンサが構成されている場合、電荷出力領域140,240,340は、周知の垂直CCD構造を有する。そして、実施例1にあっては、空乏層形成領域150における各受光/電荷蓄積層延在部121A,122A,123Aの射影像は重なっておらず、しかも、並置された状態にある。また、制御電極領域160は、1つの制御電極部161から成り、電荷出力領域140は、1つの電荷出力部電荷保持部141から成る。ここで、実施例1の固体撮像素子にあっては、制御電極部161への第m番目但し、1≦m≦Mの値を有する制御電圧の印加即ち、M回の制御電圧の印加に基づき空乏層形成領域150に形成された空乏層を介して、第m層目の受光/電荷蓄積層121,122,123に蓄積された電荷が、電荷出力部141へと転送される。尚、実施例1、あるいは、後述する実施例2~実施例3において、mの値が小さいほど、受光/電荷蓄積層は光入射面に近い方に位置する。具体的には、mの値が小さいほど、受光/電荷蓄積層は半導体層11の浅い領域半導体の光入射面に近い領域に位置する。実施例1、あるいは、後述する実施例2~実施例3において、空乏層形成領域150,250,350は、第1導電型具体的には、p型を有する。また、電荷出力領域、受光/電荷蓄積層及び受光/電荷蓄積層延在部は、第2導電型具体的には、n型を有する。尚、より具体的には、電荷出力領域140,240,340はn型不純物領域であり、受光/電荷蓄積領域120,220,320及び受光/電荷蓄積層延在部121A,122A,123A,221A,222A,223A,321A,322A,323Aは、n型不純物領域である。更には、受光/電荷蓄積層は、第1導電型を有する上層及び下層に挟まれている。具体的には、第1層目の受光/電荷蓄積層121,221,321は、第1導電型具体的には、p型を有する上層30及び下層31に挟まれている。また、第2層目の受光/電荷蓄積層122,222,322は、第1導電型具体的には、p型を有する上層31及び下層32に挟まれている。また、空乏層形成領域150,250,350は、第1導電型を有する層p型不純物領域30,31,32,33によって囲まれている。更には、第3層目の受光/電荷蓄積層123,223,323は、第1導電型具体的には、p型を有する上層32及び下層33に挟まれている。ここで、上述したとおり、電荷出力領域140,240,340における第2導電型具体的には、n型の不純物の濃度は、受光/電荷蓄積層121,122,123,221,222,223,321,322,323及び受光/電荷蓄積層延在部121A,122A,123A,221A,222A,223A,321A,322A,323Aにおける第2導電型具体的には、n型の不純物の濃度よりも高い。実施例1、あるいは、後述する実施例2~実施例3において、電荷は電子であり、受光/電荷蓄積層121,122,123,221,222,223,321,322,323に蓄積された電荷を電荷出力領域140,240,340あるいは電荷出力部へと転送する際、電荷出力領域140,240,340あるいは電荷出力部のポテンシャルは空乏層のポテンシャルよりも低く、空乏層のポテンシャルは受光/電荷蓄積層121,122,123,221,222,223,321,322,323のポテンシャルよりも低い。また、電荷蓄積前に、各受光/電荷蓄積層121,122,123,221,222,223,321,322,323は完全空乏化される。ここで、上述したとおり、第1層目の受光/電荷蓄積層121,221,321は、第1導電型具体的には、p型を有する上層30によって覆われている。即ち、第1層目の受光/電荷蓄積層121,221,321は、露出した状態にはない。それ故、暗電流の低減、kTCノイズの低減を図ることができる。実施例1、あるいは、後述する実施例2~実施例3において、制御電極領域160,260,360は、空乏層形成領域150,250,350の上方に絶縁膜61を介して形成された転送ゲートトランスファーゲートから構成された、一種のMOS型スイッチから成る。半導体層11は、エピタキシャル成長法にて、第2導電型具体的には、n型を有するシリコン半導体基板10上に形成されたシリコン層から構成されている。制御電極領域160,260,360、受光/電荷蓄積領域120,220,320、及び、電荷出力領域140,240,340は、入射する可視光に対して透明な平滑化層63によって覆われている。ここで、可視光が入射する平滑化層63は、例えば、SiO2やSiNから成る。平滑化層63の上には、オンチップマイクロレンズ図示せずが設けられている。また、受光/電荷蓄積領域120,220,320以外の領域の上方には遮光層62が形成されている。平滑化層63には、各種の配線図示せずが形成されている。平滑化層63に入射した可視光は、遮光層62に設けられた開口部を通過し、受光/電荷蓄積領域120,220,320に入射する。実施例1の固体撮像素子にあっては、受光/電荷蓄積層延在部121A,122A,123Aと制御電極領域との間に位置する空乏層形成領域150の部分151,152,153の不純物濃度は、受光/電荷蓄積層延在部121A,122A,123Aと制御電極領域との間に位置する空乏層形成領域150の部分151,152,153の厚さに依存して、異なっている。具体的には、空乏層形成領域150の不純物濃度は、半導体層11の法線方向Z方向に沿って制御電極領域160から離れるほど即ち、実施例1にあっては、半導体層11のより深い領域ほど、低い。より具体的には、第1層目の受光/電荷蓄積層121の受光/電荷蓄積層延在部121Aと同じレベル半導体層11の光入射面から0.2μmの所に位置する空乏層形成領域150の部分151の不純物濃度は約5×1016/cm3VTG=1ボルトで空乏層が0.2μmに達する濃度である。また、第2層目の受光/電荷蓄積層122の受光/電荷蓄積層延在部122Aと同じレベル半導体層11の光入射面から0.6μmの所に位置する空乏層形成領域150の部分152の不純物濃度は約1×1016/cm3VTG=2ボルトで空乏層が0.6μmに達する濃度である。更には、第3層目の受光/電荷蓄積層123の受光/電荷蓄積層延在部123Aと同じレベル半導体層11の光入射面から2μmの所に位置する空乏層形成領域150の部分153の不純物濃度は約8×1014/cm3VTG=5ボルトで空乏層が3μmに達する濃度である。尚、半導体層11の光入射面とは、より具体的には、第1導電型p型を有する上層30の表面を指す。空乏層形成領域150の不純物濃度を上記のとおりに設定することで、制御電極領域160制御電極部161に、それぞれ、VTGB=1ボルト、VTGG=2ボルト、VTGR=5ボルトの電圧を印加することで、空乏層形成領域150に形成された空乏層を介して、第1層目、第2層目、第3層目の受光/電荷蓄積層121,122,123に蓄積された電荷が、受光/電荷蓄積層延在部121A,122A,123Aを介して、電荷出力部141へと転送される。制御電極領域160への印加電圧VTGと、生成される空乏層の厚さの関係を、図21に示す。尚、図21において、白菱形印のAで示す曲線、白四角印のBで示す曲線、白円印のCで示す曲線、白三角印のDで示す曲線、黒菱形印のEで示す曲線、黒四角印のFで示す曲線、は、不純物濃度が、それぞれ、1×1014/cm3、2×1014/cm3、1×1015/cm3、1×1016/cm3、1×1017/cm3、1×1018/cm3における関係を示す。以下、図9~図11を参照して、実施例1の固体撮像素子の駆動方法を説明するが、実施例1にあっては、基本的には、制御電極部161に制御電圧を、順次、印加することで空乏層形成領域150に形成された空乏層を介して、受光/電荷蓄積層121,122,123に蓄積された電荷を、順次、電荷出力部141へと転送する。尚、受光/電荷蓄積層121,122,123に蓄積された電荷が電荷出力部141へと転送される際に制御電極部161に印加される制御電圧の値の絶対値は、半導体層11の法線方向Z方向に沿って制御電極領域160から離れた所に位置する受光/電荷蓄積層ほど高い。具体的には、半導体層11のより深い所に位置する受光/電荷蓄積層ほど高い。ここで、図9~図15において、FDは、電荷出力領域あるいは電荷出力部におけるポテンシャルを意味する。また、B、G、Rは、それぞれ、第1層目の受光/電荷蓄積層、第2層目の受光/電荷蓄積層、第3層目の受光/電荷蓄積層におけるポテンシャルを意味する。更には、FDリセットは、電荷出力領域あるいは電荷出力部の初期化リセットを意味する。また、B読み出しは、第1層目の受光/電荷蓄積層に蓄積された電荷を電荷出力領域あるいは電荷出力部へと転送することを意味し、G読み出しは、第2層目の受光/電荷蓄積層あるいは、第1層目の受光/電荷蓄積層及び第2層目の受光/電荷蓄積層に蓄積された電荷を電荷出力領域あるいは電荷出力部へと転送することを意味し、R読み出しは、第3層目の受光/電荷蓄積層あるいは、第1層目の受光/電荷蓄積層、第2層目の受光/電荷蓄積層及び第3層目の受光/電荷蓄積層に蓄積された電荷を電荷出力領域あるいは電荷出力部へと転送することを意味する。[工程-100]実施例1の固体撮像素子の駆動方法にあっては、先ず、電荷蓄積前に、各受光/電荷蓄積層121,122,123を完全空乏化する。具体的には、前回の動作において、各受光/電荷蓄積層に蓄積された電荷が電荷出力領域電荷出力部へと転送されるが、この動作の完了時に、各受光/電荷蓄積層121,122,123は完全空乏化される。従って、このような動作によって、各受光/電荷蓄積層121,122,123を完全空乏化することができる。[工程-110]その後、電荷出力部141に、例えば、VFDB=5ボルトを印加し、同時に、制御電極部161にVTGB=5ボルトを印加する。これによって、各受光/電荷蓄積層121,122,123に、所謂逆バイアスが加えられ、各受光/電荷蓄積層121,122,123における受光状態に依存して、各受光/電荷蓄積層121,122,123に電荷実施例1にあっては、電子が蓄積される。但し、この工程は、省略することができる。[工程-120]所定の露光時間が経過した後、電荷出力部141に、例えば、VFDreset=5ボルトを印加する。但し、VFDresetの値は5ボルト以外の値例えば、3ボルトの電源電圧等であってもよい。これによって、電荷出力領域140が初期化リセットされる。[工程-130]その後、第1層目の受光/電荷蓄積層121に蓄積された電荷を、電荷出力領域140へと転送するB読み出し。具体的には、例えば、制御電極部161に、第1番目の値を有する制御電圧VTGB=1ボルトを印加する。これによって、空乏層形成領域150に空乏層が形成され、しかも、この空乏層は、第1層目の受光/電荷蓄積層延在部121Aに達するが、第2層目及び第3層目の受光/電荷蓄積層延在部122A,123Aには達しない状態となる。その結果、第1層目の受光/電荷蓄積層121が、第1層目の受光/電荷蓄積層延在部121A、空乏層を介して電荷出力部141と導通状態となり、第1層目の受光/電荷蓄積層121に蓄積された電荷が電荷出力領域140へと転送される。次いで、電荷出力領域140において電荷が電圧に変換され、係る電圧が図示しない周知の信号検出回路に送出される。尚、図9と図10において、B読み出しは重複して図示している。[工程-140]次いで、[工程-120]を再び実行して電荷出力領域140を初期化リセットした後、第2層目の受光/電荷蓄積層122に蓄積された電荷を、電荷出力領域140へと転送するG読み出し。具体的には、例えば、制御電極部161に、第2番目の値を有する制御電圧VTGG=2ボルトを印加する。これによって、空乏層形成領域150に空乏層が形成され、しかも、この空乏層は、第2層目の受光/電荷蓄積層延在部122Aに達するが、第3層目の受光/電荷蓄積層延在部123Aには達しない状態となる。その結果、第1層目の受光/電荷蓄積層121及び第2層目の受光/電荷蓄積層122が、第1層目及び第2層目の受光/電荷蓄積層延在部121A,122A、空乏層を介して電荷出力部141と導通状態となり、第2層目の受光/電荷蓄積層122に蓄積された電荷が電荷出力領域140へと転送される。次いで、電荷出力領域140において電荷が電圧に変換され、係る電圧が図示しない周知の信号検出回路に送出される。[工程-150]その後、[工程-120]を再び実行して電荷出力領域140を初期化リセットした後、第3層目の受光/電荷蓄積層123に蓄積された電荷を、電荷出力領域140へと転送するR読み出し。具体的には、例えば、制御電極部161に、第3番目の値を有する制御電圧VTGR=5ボルトを印加する。これによって、空乏層形成領域150に空乏層が形成され、しかも、この空乏層は、第3層目の受光/電荷蓄積層延在部123Aに達する。その結果、第1層目の受光/電荷蓄積層121、第2層目の受光/電荷蓄積層122及び第3層目の受光/電荷蓄積層123が、第1層目、第2層目及び第3層目の受光/電荷蓄積層延在部121A,122A,123A、空乏層を介して電荷出力部141と導通状態となり、第3層目の受光/電荷蓄積層123に蓄積された電荷が電荷出力領域140へと転送される。次いで、電荷出力領域140において電荷が電圧に変換され、係る電圧が図示しない周知の信号検出回路に送出される。実施例1にあっては、[工程-130]において、第1層目の受光/電荷蓄積層121に蓄積された電荷を、電荷出力領域140へと転送するが、第1層目の受光/電荷蓄積層121に蓄積された電荷は、青色、緑色及び赤色の光を受光することに起因した電荷である。また、[工程-140]において、第2層目の受光/電荷蓄積層122に蓄積された電荷を、電荷出力領域140へと転送するが、第2層目の受光/電荷蓄積層122に蓄積された電荷は、緑色及び赤色の光を受光することに起因した電荷である。更には、[工程-150]において、第3層目の受光/電荷蓄積層123に蓄積された電荷を、電荷出力領域140へと転送するが、第3層目の受光/電荷蓄積層123に蓄積された電荷は、赤色の光を受光することに起因した電荷である。それ故、電荷出力領域140において電荷が電圧に変換され、係る電圧が図示しない周知の信号検出回路に送出され、信号検出回路にて演算を行うことで、青色の光の受光量、緑色の光の受光量、及び、赤色の光の受光量を得ることができる。尚、後述する実施例2あるいは実施例3においても同様である。尚、機械的なシャッター機構を設けない場合、[工程-130]、[工程-140]、[工程-150]においても受光/電荷蓄積領域は受光している状態にあるが、[工程-130]、[工程-140]、[工程-150]の時間は極めて短時間であるため、特に問題が生じることはない。実施例1の固体撮像素子あるいは固体撮像素子の駆動方法にあっては、空乏層形成領域150における空乏層の形成状態を制御する制御電極領域160が備えられており、しかも、空乏層形成領域150における各受光/電荷蓄積層延在部121A,122A,123Aの射影像は重なっておらず、更には、並置された状態にある。従って、制御電極領域160に適切な制御電圧を印加することで、空乏層形成領域150において空乏層を形成し、空乏層を介して、受光/電荷蓄積層121,122,123に蓄積された電荷を電荷出力領域140電荷出力部141へと転送することができ、固体撮像素子全体の大きさを小さくすることができる。実施例1の固体撮像素子は、シリコン半導体基板10上にエピタキシャル成長法その場導入insitudopingを行うエピタキシャル成長法にてp型不純物を含む半導体層11を形成した後、周知のイオン注入法に基づき、受光/電荷蓄積層121,122,123、受光/電荷蓄積層延在部121A,122A,123A、電荷出力領域浮遊拡散領域140、空乏層形成領域150を形成し、次いで、半導体層11の表面に絶縁膜61を形成し、空乏層形成領域150の上方に制御電極領域160を形成し、全面に、平滑化層63、遮光層62、平滑化層63を形成するといった方法に基づき、製造することができる。あるいは又、シリコン半導体基板等の模式的な一部端面図である図16のA~D、図17のA~C、図18のA~Cを参照して以下に説明する方法に基づき、実施例1の固体撮像素子を製造することもできる。尚、図16のA~D、図17のA~C、図18のA~Cは、図1のBの矢印A-Aに沿ったと同様の模式的な一部断面図である。[工程-A]先ず、シリコン半導体基板10上にエピタキシャル成長法にてp型不純物を含む半導体層11Aを形成する図16のA参照。次いで、周知のイオン注入法に基づき、半導体層11Aに、第3層目の受光/電荷蓄積層123、空乏層形成領域150を形成する図16のB参照。尚、半導体層11Aは、下層33に相当する。[工程-B]次いで、全面に、エピタキシャル成長法にてp型不純物を含む半導体層11Bを形成する図16のC参照。次いで、周知のイオン注入法に基づき、半導体層11Bの表面領域に、第2層目の受光/電荷蓄積層122、空乏層形成領域150を形成する図16のD参照。尚、第2層目の受光/電荷蓄積層122と第3層目の受光/電荷蓄積層123との間に位置する半導体層11Bは、上層32あるいは下層32に相当する。[工程-C]次いで、全面に、エピタキシャル成長法にてp型不純物を含む半導体層11Cを形成する図17のA参照。次いで、周知のイオン注入法に基づき、半導体層11Cの表面領域に、第1層目の受光/電荷蓄積層121、空乏層形成領域150を形成する図17のB参照。尚、第1層目の受光/電荷蓄積層121と第2層目の受光/電荷蓄積層122との間に位置する半導体層11Cは、上層31あるいは下層31に相当する。[工程-D]次いで、全面に、エピタキシャル成長法にてp型不純物を含む半導体層11Dを形成し、半導体層11Dの表面を酸化することで、SiO2から成る絶縁膜61を形成する図17のC参照。次いで、周知のイオン注入法に基づき、半導体層11Dに、空乏層形成領域150を形成する図18のA参照。尚、絶縁膜61と第1層目の受光/電荷蓄積層121との間に位置する半導体層11Dは、上層30に相当する。[工程-E]その後、周知の方法で、空乏層形成領域150の上方に制御電極領域160を形成する図18のB参照。[工程-F]次いで、周知のイオン注入法に基づき、半導体層11Dに電荷出力領域浮遊拡散領域140を形成する図18のC参照。[工程-G]その後、全面に、平滑化層63、遮光層62、平滑化層63を形成することで、実施例1の固体撮像素子を得ることができる。尚、後述する実施例2あるいは実施例3の固体撮像素子も、基本的には、以上に説明した方法に基づき製造することができる。実施例2は、本発明の固体撮像素子、及び、本発明の第2の態様に係る固体撮像素子の駆動方法に関する。実施例2の固体撮像素子における制御電極部及び電荷出力部の配置状態を示す模式図を図4のAに示し、第1層目、第2層目及び第3層目の受光/電荷蓄積層等の配置状態を示す模式的な一部断面図を図4のB、図5のA及びBに示す。実施例2にあっても、空乏層形成領域250における各受光/電荷蓄積層延在部221A,222A,223Aの射影像は重なっておらず、しかも、並置された状態にある。また、受光/電荷蓄積層延在部221A,222A,223Aと制御電極領域との間に位置する空乏層形成領域250の部分251,252,253の厚さは、実施例1と同様に、各受光/電荷蓄積層221,222,223によって異なっている。更には、制御電極領域260は、M個実施例2にあっても、M=3の制御電極部261,262,263から成り、電荷出力領域240は、M個の電荷出力部電荷保持部241,242,243から成る。そして、第m番目但し、1≦m≦Mの制御電極部への制御電圧の印加実施例2にあっては、印加電圧の値を変えてのM個の制御電極部261,262,263への1回の印加に基づき空乏層形成領域250に形成された空乏層を介して、第m層目の受光/電荷蓄積層に蓄積された電荷が、第m番目の電荷出力部へと転送される。受光/電荷蓄積層延在部221A,222A,223Aと制御電極領域との間に位置する空乏層形成領域250の部分251,252,253の厚さに関して、受光/電荷蓄積層延在部221A,222A,223Aのレベルは、上述した実施例1と同様の値である。そして、実施例2の固体撮像素子にあっても、受光/電荷蓄積層延在部221A,222A,223Aと制御電極領域との間に位置する空乏層形成領域250の部分251,252,253の不純物濃度は、受光/電荷蓄積層延在部221A,222A,223Aと制御電極領域との間に位置する空乏層形成領域250の部分251,252,253の厚さに依存して、異なっている。具体的には、実施例1と同様に、空乏層形成領域250の不純物濃度は、半導体層11の法線方向Z方向に沿って制御電極領域260から離れるほど即ち、半導体層11のより深い領域ほど、低い。以下、図12~図13を参照して、実施例2の固体撮像素子の駆動方法を説明するが、実施例2にあっては、基本的には、制御電極部に制御電圧を印加することで空乏層形成領域に形成された空乏層を介して、受光/電荷蓄積層に蓄積された電荷を電荷出力部へと転送する。尚、実施例2にあっては、制御電極部261,262,263のそれぞれに異なる値を有する制御電圧VTGを同時に印加することで空乏層形成領域250に形成された空乏層を介して、各受光/電荷蓄積層221,222,223に蓄積された電荷を同時に各電荷出力部241,242,243へと転送する。代替的に、制御電極部261,262,263に制御電圧を、順次、印加することで空乏層形成領域250に形成された空乏層を介して、受光/電荷蓄積層221,222,223に蓄積された電荷を、順次、電荷出力部241,242,243へと転送してもよい。受光/電荷蓄積層221,222,223に蓄積された電荷が電荷出力部241,242,243へと転送される際に制御電極部261,262,263に印加される制御電圧の値の絶対値は、半導体層11の法線方向Z方向に沿って制御電極領域260から離れた所に位置する受光/電荷蓄積層ほど具体的には、半導体層11のより深い所に位置する受光/電荷蓄積層ほど、高い。[工程-200]実施例2の固体撮像素子の駆動方法にあっても、実施例1の[工程-100]と同様にして、各受光/電荷蓄積層221,222,223を完全空乏化する。[工程-210]その後、実施例1の[工程-110]と同様にして、各受光/電荷蓄積層221,222,223に、所謂逆バイアスを加え、各受光/電荷蓄積層221,222,223における受光状態に依存して、各受光/電荷蓄積層221,222,223に電荷実施例2にあっても、電子を蓄積させる。[工程-220]所定の露光時間が経過した後、実施例1の[工程-120]と同様にして、但し、第1番目の電荷出力部241、第2番目の電荷出力部242、及び、第3番目の電荷出力部243に、例えば、VFDresetボルトを印加し、同時に、第1番目の制御電極部261、第2番目の制御電極部262及び第3番目の制御電極部263にVTGresetボルトを印加する。これによって、第1番目の電荷出力部241、第2番目の電荷出力部242、及び、第3番目の電荷出力部243が初期化リセットされる。[工程-230]その後、第1層目の受光/電荷蓄積層221に蓄積された電荷を、第1番目の電荷出力部241へと転送し、同時に、第2層目の受光/電荷蓄積層222に蓄積された電荷を、第2番目の電荷出力部242へと転送し、同時に、第3層目の受光/電荷蓄積層223に蓄積された電荷を、第3番目の電荷出力部243へと転送する図12及び図13における読み出し参照。具体的には、例えば、第1番目の電荷出力部241にVFDBボルトを印加し、第1番目の制御電極部261に、第1番目の値を有する制御電圧VTGBボルトを印加する。同時に、第2番目の電荷出力部242にVFDGボルトを印加し、第2番目の制御電極部262にVTGGボルトを印加する。同時に、第3の電荷出力部243にVFDRボルトを印加し、同時に、第3番目の制御電極部263にVTGRボルトを印加する。これによって、空乏層形成領域250に空乏層が形成され、しかも、この空乏層は、第1番目の制御電極部261の直下においては、第1層目の受光/電荷蓄積層延在部221Aに達するが、第2層目及び第3層目の受光/電荷蓄積層延在部222A,223Aには達しない状態となる。また、第2番目の制御電極部262の直下においては、第2層目の受光/電荷蓄積層延在部222Aに達するが、第3層目の受光/電荷蓄積層延在部223Aには達しない状態となる。更には、第3番目の制御電極部263の直下においては、第3層目の受光/電荷蓄積層延在部223Aに達する。その結果、第1層目の受光/電荷蓄積層221が、第1層目の受光/電荷蓄積層延在部221A、空乏層を介して第1番目の電荷出力部241と導通状態となり、第1層目の受光/電荷蓄積層221に蓄積された電荷が第1番目の電荷出力部241へと転送される。また、第2層目の受光/電荷蓄積層222が、第2層目の受光/電荷蓄積層延在部222A、空乏層を介して第2番目の電荷出力部242と導通状態となり、第2層目の受光/電荷蓄積層222に蓄積された電荷が第2番目の電荷出力部242へと転送される。更には、第3層目の受光/電荷蓄積層223が、第3層目の受光/電荷蓄積層延在部223A、空乏層を介して第3番目の電荷出力部243と導通状態となり、第3層目の受光/電荷蓄積層223に蓄積された電荷が第3番目の電荷出力部243へと転送される。次いで、電荷出力部241,242,243において電荷が電圧に変換され、係る電圧が図示しない周知の信号検出回路に送出される。実施例2の固体撮像素子あるいは本発明の第2の態様に係る固体撮像素子の駆動方法にあっても、空乏層形成領域250における空乏層の形成状態を制御する制御電極部261,262,263が備えられており、しかも、空乏層形成領域250における各受光/電荷蓄積層延在部221A,222A,223Aの射影像は重なっておらず、更には、並置された状態にある。従って、制御電極部261,262,263に適切な制御電圧を印加することで、空乏層形成領域250において空乏層を形成し、空乏層を介して、受光/電荷蓄積層221,222,223に蓄積された電荷を、一度に、電荷出力部241,242,243へと転送することができ、固体撮像素子全体の大きさを小さくすることができる。しかも、制御電極部261,262,263への制御電圧の印加を1回行えばよいので、動作シークエンスの簡素化を図ることができる。実施例3は、本発明の固体撮像素子、及び、本発明の第3の態様に係る固体撮像素子の駆動方法に関する。実施例3の固体撮像素子の模式的な一部断面図を、図6のA、図7のA及び図8のAに示し、第1層目、第2層目及び第3層目の受光/電荷蓄積層等の配置状態を示す模式的な一部断面図を図6のB、図7のB及び図8のBに示す。尚、図6のA、図7のA及び図8のAは、図6のB、図7のB及び図8のBの矢印A-Aに沿った模式的な一部断面図である。また、図6のB、図7のB及び図8のBは、図6のAの矢印a-a,b-b,c-cに沿った受光/電荷蓄積層等の配置状態を示す模式的な一部断面図である。実施例3にあっても、空乏層形成領域350における各受光/電荷蓄積層延在部321A,322A,323Aの射影像は重なっておらず、しかも、並置された状態にある。但し、受光/電荷蓄積層延在部321A,322A,323Aと制御電極領域との間に位置する空乏層形成領域350の部分351,352,353の厚さは、各受光/電荷蓄積層321,322,323において同じである。また、制御電極領域360は1つの制御電極部361から成り、電荷出力領域340は、M個の電荷出力部電荷保持部341,342,343から成る。そして、制御電極部361への制御電圧の印加即ち、1回の制御電圧の印加に基づき空乏層形成領域350に形成された空乏層を介して、第m層目但し、1≦m≦Mの受光/電荷蓄積層に蓄積された電荷が、第m番目の電荷出力部へと転送される。受光/電荷蓄積層延在部321A,322A,323Aと制御電極領域との間に位置する空乏層形成領域350の部分351,352,353の厚さに関して、受光/電荷蓄積層延在部321A,322A,323Aの制御電極領域360に最も近い部分321B,322B,323Bのレベルは、上述した実施例1における第1層目の受光/電荷蓄積層121の受光/電荷蓄積層延在部121Aと同じレベルである。尚、実施例3の固体撮像素子にあっては、実施例1や実施例2と異なり、受光/電荷蓄積層延在部321A,322A,323Aと制御電極領域との間に位置する空乏層形成領域350の部分351,352,353の不純物濃度は同じ一定である。具体的には、空乏層形成領域350の部分351,352,353の不純物濃度は、実施例1における第1層目の受光/電荷蓄積層の受光/電荷蓄積層延在部と同じレベルに位置する空乏層形成領域150の部分151の不純物濃度と同じである。以下、図14~図15を参照して、実施例3の固体撮像素子の駆動方法を説明するが、実施例3にあっては、基本的には、制御電極部に制御電圧を印加することで空乏層形成領域に形成された空乏層を介して、受光/電荷蓄積層に蓄積された電荷を、同時に、電荷出力部へと転送する。[工程-300]実施例3の固体撮像素子の駆動方法にあっても、実施例1の[工程-100]と同様にして、先ず、電荷蓄積前に、各受光/電荷蓄積層321,322,323を完全空乏化する。[工程-310]その後、実施例1の[工程-110]と同様にして、各受光/電荷蓄積層321,322,323に、所謂逆バイアスを加え、各受光/電荷蓄積層321,322,323における受光状態に依存して、各受光/電荷蓄積層321,322,323に電荷実施例3にあっても、電子を蓄積させる。[工程-320]所定の露光時間が経過した後、実施例1の[工程-120]と同様にして、但し、第1番目の電荷出力部341、第2番目の電荷出力部342、及び、第3番目の電荷出力部343に、例えば、VFDresetボルトを印加し、同時に、制御電極部361にVTGresetボルトを印加する。これによって、第1番目の電荷出力部341、第2番目の電荷出力部342、及び、第3番目の電荷出力部343が初期化リセットされる。[工程-330]その後、第1層目の受光/電荷蓄積層321に蓄積された電荷を、第1番目の電荷出力部341へと転送し、同時に、第2層目の受光/電荷蓄積層322に蓄積された電荷を、第2番目の電荷出力部342へと転送し、同時に、第3層目の受光/電荷蓄積層323に蓄積された電荷を、第3番目の電荷出力部343へと転送する図14及び図15における読み出し参照。具体的には、例えば、第1番目の電荷出力部341、第2番目の電荷出力部342及び第3番目の電荷出力部343に同時にVFDBボルトを印加し、同時に、制御電極部361に制御電圧VTGBボルトを印加する。これによって、空乏層形成領域350に空乏層が形成され、しかも、この空乏層は、第1層目の受光/電荷蓄積層延在部321Aの部分321B、第2層目の受光/電荷蓄積層延在部322Aの部分322B及び第3層目の受光/電荷蓄積層延在部323Aの部分323Bに達する。その結果、第1層目の受光/電荷蓄積層321が、第1層目の受光/電荷蓄積層延在部321A,321B、空乏層を介して第1番目の電荷出力部341と導通状態となり、第1層目の受光/電荷蓄積層321に蓄積された電荷が第1番目の電荷出力部341へと転送される。同時に、第2層目の受光/電荷蓄積層322が、第2層目の受光/電荷蓄積層延在部322A,322B、空乏層を介して第2番目の電荷出力部342と導通状態となり、第2層目の受光/電荷蓄積層322に蓄積された電荷が第2番目の電荷出力部342へと転送される。更には、第3層目の受光/電荷蓄積層323が、第3層目の受光/電荷蓄積層延在部323A,323B、空乏層を介して第3番目の電荷出力部343と導通状態となり、第3層目の受光/電荷蓄積層323に蓄積された電荷が第3番目の電荷出力部343へと転送される。次いで、電荷出力部341,342,343において電荷が電圧に変換され、係る電圧が図示しない周知の信号検出回路に送出される。実施例3の固体撮像素子あるいは本発明の第3の態様に係る固体撮像素子の駆動方法にあっても、空乏層形成領域350における空乏層の形成状態を制御する制御電極部361が備えられており、しかも、空乏層形成領域350における各受光/電荷蓄積層延在部321A,322A,323Aの射影像は重なっておらず、更には、並置された状態にある。従って、制御電極部361に適切な制御電圧を印加することで、空乏層形成領域350において空乏層を形成し、空乏層を介して、受光/電荷蓄積層321,322,323に蓄積された電荷を、一度に、電荷出力部341,342,343へと転送することができ、固体撮像素子全体の大きさを小さくすることができる。しかも、制御電極部361への制御電圧の印加を1回行えばよいので、動作シークエンスの簡素化を図ることができる。以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例において説明した固体撮像素子の構成、構造は例示であり、適宜、変更することができる。実施例においては、各受光/電荷蓄積層延在部を並置された状態としたが、これに限定するものではない。受光/電荷蓄積領域の平面形状を矩形とし、係る矩形形状の受光/電荷蓄積領域の3つの辺から各受光/電荷蓄積層延在部が延びるような構成、構造としてもよい。Mの数は3に限定されず、2でもよいし、4以上とすることもできる。実施例にあっては、専ら表面照射型の固体撮像素子を説明したが、固体撮像素子を裏面照射型とすることもできる。具体的には、例えば、実施例1にて説明した固体撮像素子を裏面照射型とする場合、図19に示すように、シリコン半導体基板10から光を入射させる。シリコン半導体基板10には、絶縁層64、遮光層62が形成され、更に、半導体層11が形成されている。そして、半導体層11に、受光/電荷蓄積層121,122,123、受光/電荷蓄積層延在部121A,122A,123A、電荷出力領域浮遊拡散領域140、空乏層形成領域150が形成されている。更には、半導体層11の表面には絶縁膜61が形成され、空乏層形成領域150の下方に制御電極領域160が形成され、更には、平滑化層63が形成されている。尚、制御電極領域160は、第3層目の受光/電荷蓄積層よりも下方に設けられている。あるいは、代替的に、図20に示すように、制御電極領域160を、第1層目の受光/電荷蓄積層よりも上方に設けてもよい。尚、図20において、参照番号65は絶縁層である。"