第一の導電型のドレイン、前記第一の導電型のソース、及び、前記ドレインから前記ソースに向かって縦方向に延びる、前記第一の導電型の複数のドリフト領域を備え、前記ドリフト領域のうちの隣り合う領域は、誘電体層によって第一の横方向に分離され、前記ドリフト領域の各々は、指先領域で、第二の横方向に終端し、さらに、前記第一及び第二の横方向に前記ドリフト領域の各々を取り囲む前記誘電体層内に配置されたフィールドプレート部材、を備えることを特徴とする高電圧トランジスタ。前記指先領域が丸い形状を持つことを特徴とする請求項1に記載の高電圧トランジスタ。前記誘電体層の内側領域が、前記ドリフト領域を前記フィールドプレート部材から分離し、前記誘電体層の外側領域が、前記フィールドプレート部材を前記高電圧トランジスタのスクライブ領域から分離することを特徴とする請求項1に記載の高電圧トランジスタ。前記内側及び外側領域が、実質的に同じ幅を持つことを特徴とする請求項3に記載の高電圧トランジスタ。前記高電圧トランジスタが、平坦な底面を持つ半導体基板上に製造され、前記縦方向が、前記平坦な底面に対して垂直に向けられ、かつ、前記第一及び第二の横方向が、前記平坦な底面と平行に向けられる、ことを特徴とする請求項1に記載の高電圧トランジスタ。前記ドリフト領域の各々は、長さが前記縦方向に向けられ、幅が第一の横方向に向けられており、前記長さが前記幅の5倍より大きい、ことを特徴とする請求項1に記載の高電圧トランジスタ。前記第一の導電型がn型を含むことを特徴とする請求項1に記載の高電圧トランジスタ。前記フィールドプレート部材が、前記縦方向に延び、前記ドリフト領域と実質的に平行に向けられたことを特徴とする請求項1に記載の高電圧トランジスタ。前記ソースを各ドリフト領域から分離する、第二の導電型の本体領域をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の高電圧トランジスタ。第一の導電型のドレイン、前記第一の導電型のソース、誘電体材料で埋められた第一の溝、前記誘電体材料に配置された第一の導電フィールドプレート部材、及び前記第一の溝を横方向に取り囲み、前記ドレインから前記ソースに向かって縦方向に延びる、前記第一の導電型のドリフト領域、を備え、前記誘電体材料が、前記第一の導電フィールドプレート部材を前記ドリフト領域から絶縁し、さらに、前記誘電体材料で埋められた、前記ドリフト領域を横方向に取り囲む第二の溝、及び前記第二の溝の誘電体材料に配置された第二の導電フィールドプレート部材、を備え、前記第二の溝の誘電体材料が、前記第二の導電フィールドプレート部材を前記ドリフト領域から絶縁することを特徴とする高電圧トランジスタ。前記ドリフト領域が、前記縦方向と直交する第一及び第二の横方向にリング形状を有することを特徴とする請求項10に記載の高電圧トランジスタ。前記リング形状が前記第一の横方向に延びたことを特徴とする請求項11に記載の高電圧トランジスタ。前記リング形状が実質的に直線で囲まれていることを特徴とする請求項11に記載の高電圧トランジスタ。前記第二の溝の前記誘電体材料の内側領域が、前記ドリフト領域を前記第二の導電フィールドプレート部材から分離し、前記誘電体材料の外側領域が、前記第二の導電フィールドプレート部材を前記高電圧トランジスタのスクライブ領域から分離することを特徴とする請求項10に記載の高電圧トランジスタ。前記内側及び外側領域が、実質的に同じ幅を持つことを特徴とする請求項14に記載の高電圧トランジスタ。前記第二の導電フィールドプレート部材が、前記縦方向と直交する第一及び第二の横方向にリング形状を備えることを特徴とする請求項10に記載の高電圧トランジスタ。前記第一の導電フィールドプレート部材が、丸い形状を持つ指先領域において、第一の横方向に終端することを特徴とする請求項16に記載の高電圧トランジスタ。前記第一の導電フィールドプレート部材が、前記ドレインの一部を横方向に取り囲むことを特徴とする請求項10に記載の高電圧トランジスタ。前記高電圧トランジスタが、平坦な底面を持つ半導体基板上に製造され、前記縦方向が、前記平坦な底面に対して垂直に向けられ、かつ、前記第一及び第二の横方向が、前記平坦な底面と平行に向けられる、ことを特徴とする請求項10に記載の高電圧トランジスタ。前記ドリフト領域の各々は、長さが前記縦方向に向けられ、幅が第二の横方向に向けられており、前記長さが前記幅の5倍より大きいことを特徴とする請求項10に記載の高電圧トランジスタ。前記第一の導電型がn型を含むことを特徴とする請求項10に記載の高電圧トランジスタ。前記ソースを前記ドリフト領域から分離する、第二の導電型の本体領域をさらに備えることを特徴とする請求項10に記載の高電圧トランジスタ。基板、及び、複数の内側の溝を横方向に取り囲む外側の溝を含む前記基板の複数の溝、を備え、前記外側の溝及び内側の溝が、前記基板の溝の表面から底面まで縦方向に延び、第一の横方向に延びる複数のドリフト領域を備えるメサ領域を定め、前記ドリフト領域の両端が、第二の横方向に延びる前記メサ領域の一部によって1つに繋がれており、さらに、各々が、前記内側の溝のうちの対応する一つに配置され、誘電体材料によって前記メサ領域から絶縁される、複数の第一のフィールドプレート部材、及び、第二の誘電体材料によって前記メサ領域から絶縁されている、前記外側の溝に配置された第二のフィールドプレート部材を備えることを特徴とする高電圧トランジスタ。前記第二のフィールドプレート部材が、前記縦方向と直交する第一及び第二の横方向に、リング形状を持つことを特徴とする請求項23に記載の高電圧トランジスタ。前記第一及び第二の誘電体材料が酸化物を含むことを特徴とする請求項23に記載の高電圧トランジスタ。前記外側の溝の前記第二の誘電体材料の内側領域が、前記メサ領域を前記第二のフィールドプレート部材から分離し、前記外側の溝の前記第二の誘電体材料の外側領域が、前記第二のフィールドプレート部材を前記高電圧トランジスタのスクライブ領域から分離することを特徴とする請求項23に記載の高電圧トランジスタ。前記内側及び外側領域が、実質的に同じ幅を持つことを特徴とする請求項26に記載の高電圧トランジスタ。前記基板が平坦な底面を持ち、前記縦方向が、前記平坦な底面に対して垂直に向けられることを特徴とする請求項23に記載の高電圧トランジスタ。第一の導電型のドレイン、前記第一の導電型のソース、前記ドレインから前記ソースに向かって縦方向に延びる、前記第一の導電型のドリフト領域、及び、誘電体層によって前記ドリフト領域から絶縁された、前記ドリフト領域を横方向に取り囲むフィールドプレート部材、を備えることを特徴とする高電圧トランジスタ。前記ドリフト領域が、横方向に延び、丸い指先領域のすべての端において終端することを特徴とする請求項29に記載の高電圧トランジスタ。前記誘電体層の内側領域が、前記ドリフト領域を前記フィールドプレート部材から分離し、前記誘電体層の外側領域が、前記フィールドプレート部材を前記高電圧トランジスタの指先領域から分離することを特徴とする請求項29に記載の高電圧トランジスタ。前記内側及び外側の領域が、実質的に同じ幅を持つことを特徴とする請求項31に記載の高電圧トランジスタ。前記高電圧トランジスタが、平坦な底面を持つ半導体基板上に製造され、前記縦方向が、前記平坦な底面に対して垂直に向けられ、かつ、前記横方向が、前記平坦な底面と平行に向けられることを特徴とする請求項30に記載の高電圧トランジスタ。前記第一の導電型がn型を含むことを特徴とする請求項29に記載の高電圧トランジスタ。前記フィールドプレート部材が、前記縦方向に延び、前記ドリフト領域と実質的に平行に向けられたことを特徴とする請求項29に記載の高電圧トランジスタ。前記ソースを前記ドリフト領域から分離する、第二の導電型の本体領域をさらに備えることを特徴とする請求項29に記載の高電圧トランジスタ。基板、前記基板の外側の溝、及び前記外側の溝によって横方向に取り囲まれた一又はそれ以上の内側の溝、を備え、前記外側の溝及び前記一又はそれ以上の内側の溝が、一又はそれ以上のドリフト領域を備えるメサ領域を定め、さらに、各々が、前記一又はそれ以上の内側の溝のうちの対応する一つに配置され、誘電体材料によって前記メサ領域から絶縁された一又はそれ以上の内側のフィールドプレート部材、及び前記誘電体材料によって前記メサ領域から絶縁された、前記外側の溝に配置された外側のフィールドプレート部材、を備えることを特徴とする高電圧トランジスタ。前記外側のフィールドプレート部材が、リング形状を持つことを特徴とする請求項37に記載の高電圧トランジスタ。前記第一及び第二の誘電体材料が、酸化物を含むことを特徴とする請求項37に記載の高電圧トランジスタ。前記外側の溝が、前記外側のフィールドプレート部材を前記高電圧トランジスタのスクライブ領域から分離することを特徴とする請求項37に記載の高電圧トランジスタ。前記一又はそれ以上のドリフト領域が、丸い指先領域の横方向のすべての端において終端することを特徴とする請求項37に記載の高電圧トランジスタ。