"基板を処理する処理室と、前記処理室内の圧力を検出する圧力センサと、前記処理室内の圧力が前記処理室外の大気圧と同圧になると、大気圧検出信号を出力する大気圧センサと、前記処理室内を前記処理室外の大気と連通する大気排気管と、前記大気排気管に設けられた排気バルブと、前記大気圧センサが前記大気圧検出信号を出力し、かつ、前記圧力センサの検出値が所定値以上となった場合に、前記排気バルブを開けて前記処理室内を前記処理室外と連通させる制御部とを備えた基板処理装置。本発明の目的は、大気圧センサが誤動作した場合にも処理室外の大気が処理室内に逆流することを抑制することが可能な基板処理装置あるいは半導体装置の製造方法を提供することにある。前記課題を解決するための、本発明の基板処理装置の代表的な構成は、次のとおりである。すなわち、基板を処理する処理室と、前記処理室内の圧力を検出する圧力センサと、前記処理室内の圧力が前記処理室外の大気圧と同圧になると、大気圧検出信号を出力する大気圧センサと、前記処理室内を前記処理室外の大気と連通する大気排気管と、前記大気排気管に設けられた排気バルブと、前記大気圧センサが前記大気圧検出信号を出力し、かつ、前記圧力センサの検出値が所定値以上となった場合に、前記排気バルブを開けて前記処理室内を前記処理室外と連通させる制御部とを備えた基板処理装置。上記の構成によれば、大気圧センサが異常動作した場合にも処理室外の大気が処理室内に逆流することを抑制することができる。以下、図面を参照して、本発明の実施形態における基板処理装置を説明する。本実施形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置IC:IntegratedCircuitの製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。なお、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やCVDChemicalVaporDeposition処理などを行うバッチ式縦型半導体製造装置以下、単に処理装置というを適用した場合について述べる。図1は、本発明が適用される処理装置の透視図であり、斜視図として示されている。また、図2は図1に示す処理装置の側面透視図である。処理装置100では、シリコン等からなるウェハ基板200を収納したウェハキャリアとしてポッド基板収容器110が使用される。図2に示されているように、処理装置100は、筐体111を備えている。筐体111の正面壁111aの正面前方部には、メンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口103が開設され、この正面メンテナンス口103を開閉する正面メンテナンス扉104、104がそれぞれ建て付けられている。筐体111の正面壁111aには、ポッド搬入搬出口基板収容器搬入搬出口112が、筐体111の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口112は、フロントシャッタ基板収容器搬入搬出口開閉機構113によって開閉されるようになっている。ポッド搬入搬出口112の正面前方側には、ロードポート基板収容器受渡し台114が設置されており、ロードポート114は、ポッド110を載置して位置合わせするように構成されている。ポッド110は、ロードポート114上に工程内搬送装置図示せずによって搬入され、かつまた、ロードポート114上から搬出されるようになっている。筐体111内の前後方向の略中央部における上部には、回転棚基板収容器載置棚105が設置されており、回転棚105は、複数個のポッド110を保管するように構成されている。すなわち、回転棚105は、垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱116と、支柱116に上下3段の各位置において放射状に支持された複数枚この例では3枚の棚板基板収容器載置台117とを備えており、複数枚の棚板117は、ポッド110を複数個それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。図2に示すように、筐体111内におけるロードポート114と回転棚105との間には、ポッド搬送装置基板収容器搬送装置118が設置されている。ポッド搬送装置118は、ポッド110を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ基板収容器昇降機構118aと、水平搬送機構としてのポッド搬送機構基板収容器搬送機構118bとで構成されており、ポッド搬送装置118は、ポッドエレベータ118aとポッド搬送機構118bとの連続動作により、ロードポート114、回転棚105、ポッドオープナ基板収容器蓋体開閉機構121との間で、ポッド110を搬送するように構成されている。図2に示すように、筐体111内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体119が後端にわたって構築されている。サブ筐体119の正面壁119aには、ウェハ200をサブ筐体119内に対して搬入搬出するためのウェハ搬入搬出口基板搬入搬出口120が1対、垂直方向に上下2段に並べられて開設されており、上下段のウェハ搬入搬出口120、120には1対のポッドオープナ121、121がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ121は、ポッド110を載置する載置台122、122と、ポッド110のキャップ蓋体を着脱するキャップ着脱機構蓋体着脱機構123、123とを備えている。ポッドオープナ121は、載置台122に載置されたポッド110のキャップをキャップ着脱機構123によって着脱することにより、ポッド110のウェハ出し入れ口を開閉するように構成されている。載置台122は、基板を移載する際に基板収容器が載置される移載棚である。図2に示すように、サブ筐体119は、ポッド搬送装置118や回転棚105の設置空間の雰囲気と隔絶された移載室124を構成している。移載室124の前側領域には、ウェハ移載機構基板移載機構125が設置されている。ウェハ移載機構125は、ウェハ200を水平方向に回転ないし直動可能なウェハ移載装置基板移載装置125a、およびウェハ移載装置125aを昇降させるためのウェハ移載装置エレベータ基板移載装置昇降機構125bとで構成されている。これら、ウェハ移載装置エレベータ125bおよびウェハ移載装置125aの連続動作により、ウェハ移載装置125aのツイーザ基板保持体125cをウェハ200の載置部として、ボート基板保持具217に対して、ウェハ200を装填チャージングおよび脱装ディスチャージングするように構成されている。図1に示されているように、移載室124のウェハ移載装置エレベータ125b側と反対側である左側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア133を供給するよう、供給フアンおよび防塵フィルタで構成されたクリーンユニット134が設置されており、ウェハ移載装置125aとクリーンユニット134との間には、ウェハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置135不図示が設置されている。クリーンユニット134から吹き出されたクリーンエア133は、ノッチ合わせ装置135およびウェハ移載装置125aに流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体111の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット134の吸い込み側である一次側供給側にまで循環され、再びクリーンユニット134によって、移載室124内に吹き出されるように構成されている。移載室124の後側領域には、ボート217を収容して待機させる待機部126があり、待機部126の上方には、処理炉202が設けられている。処理炉202の下端部は、炉口シャッタ炉口開閉機構147により開閉されるように構成されている。図1に示されているように、サブ筐体119内には、ボート217を昇降させるためのボートエレベータ基板保持具昇降機構115が設置されている。ボートエレベータ115に連結された連結具としてのアーム128には、蓋体としてのシールキャップ219が水平に据え付けられており、シールキャップ219は、ボート217を垂直に支持し、処理炉202の下端部を閉塞可能なように構成されている。ボート217の詳細については、後述する。次に、本実施形態における処理炉202の構成について、図3を用いて説明する。図3は、本実施形態における基板処理装置の処理炉の垂直断面図である。本実施形態においては、処理炉202は、バッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD用の処理炉として構成されている。処理炉202は、その内側に、縦形のアウタチューブ外管221を備えている。アウタチューブ221は、上端が閉塞され下端が開口された略円筒形状をしており、開口された下端が下方を向くように、かつ、筒方向の中心線が垂直になるように縦向きに配置されている。アウタチューブ221の内側には、インナチューブ内管222が設けられている。インナチューブ222およびアウタチューブ221はいずれも、本例では、石英SiO2や炭化シリコンSiC等の耐熱性の高い材料によって、それぞれ略円筒形状に一体成形されており、両者でプロセスチューブを構成している。インナチューブ222は、上端と下端が開口した略円筒形状に形成されている。インナチューブ222内には、基板保持具としてのボート217によって水平姿勢で多段に積層された複数枚のウェハ200を収容して処理する処理室204が形成される。インナチューブ222の内径は、ウェハ200群を保持するボート217の最大外径よりも大きくなるように設定されている。アウタチューブ221は、インナチューブ222より大きく、かつ、インナチューブ222と略相似形状であり、インナチューブ222の外側を取り囲むように同心円状に被せられている。インナチューブ222とアウタチューブ221の下端部は、それぞれ、その水平断面が略円形リング形状であるマニホールド206によって気密に封止されている。マニホールド206が筐体111に支持されることにより、プロセスチューブは、筐体111に垂直に据え付けられた状態になっている。マニホールド206の下端開口は、ウェハ200群を保持したボート217を出し入れするための炉口205を構成している。マニホールド206には、マニホールド206の下端開口を閉塞するシールキャップ219が、垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ219はアウタチューブ221の外径と同等以上の外径を有する円盤形状に形成されており、アウタチューブ221の外部に垂直に設備されたボートエレベータ115によって、前記円盤形状を水平姿勢に保った状態で垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ219上には、ウェハ200を保持する基板保持具としてのボート217が垂直に支持されるようになっている。ボート217は、上下で一対の端板と、両端板間に渡って垂直に設けられた複数本、本例では3本のボート支柱ウェハ保持部材とを備えている。端板及びボート支柱は、例えば、石英SiO2や炭化珪素SiC等の耐熱性の高い材料から構成される。各ボート支柱には、水平方向に刻まれた多数条の保持溝が、長手方向にわたって等間隔に設けられている。各ボート支柱は、保持溝が互いに対向し、各ボート支柱の保持溝の垂直位置垂直方向の位置が一致するように設けられている。ウェハ200の周縁が、複数本のボート支柱における同一の段の保持溝内に、それぞれ挿入されることにより、複数枚のウェハ200は、水平姿勢、かつ互いにウェハの中心を揃えた状態で多段に積載されて保持されるように構成されている。また、ボート217とシールキャップ219との間には、保温筒210が設けられている。保温筒210は、例えば、石英SiO2や炭化珪素SiC等の耐熱性材料から構成されている。保温筒210によって、後述するヒータユニット208からの熱が、マニホールド206側に伝わるのを抑止する。シールキャップ219の下側処理室204と反対側には、ボート217を回転させるボート回転機構267が設けられている。ボート回転機構267のボート回転軸は、シールキャップ219を貫通してボート217を下方から支持している。ボート回転軸を回転させることにより、処理室204内にてウェハ200を回転させることが可能となる。シールキャップ219は、上述のボートエレベータ121によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これにより、ボート217を処理室204内外に搬送することが可能となっている。ボート回転機構267及びボートエレベータ115は、制御部280、詳しくは後述の駆動制御部14に電気的に接続されている。駆動制御部14は、ボート回転機構267及びボートエレベータ121が所望のタイミングにて所望の動作をするように制御する。アウタチューブ221の外部には、プロセスチューブ1内を全体にわたって均一または所定の温度分布に加熱する加熱機構としてのヒータユニット208が、アウタチューブ221を包囲するように設けられている。ヒータユニット208は、基板処理装置100の筐体111に支持されることにより垂直に据え付けられた状態になっており、例えば、カーボンヒータ等の抵抗加熱ヒータにより構成されている。インナチューブ222内には、温度検出器としての図示しない温度センサが設置されている。ヒータユニット208と温度センサは、制御部280、詳しくは後述の温度制御部13に電気的に接続されている。温度制御部13は、処理室204内の温度が所望のタイミングにて所望の温度分布となるように、前記温度センサにより検出された温度情報に基づいてヒータユニット208への通電量を制御する。図3に示すように、処理室204内に処理ガスを供給するガスノズル224aが、マニホールド206の側壁を貫通して設けられている。ガスノズル224aには、処理ガス供給管224が接続されている。処理ガス供給管224には、上流から順に、処理ガス供給源不図示、流量制御装置であるMFC不図示、及び開閉バルブ不図示が設けられる。MFC及び開閉バルブは、制御部280、詳しくは後述のガス流量制御部12に電気的に接続されている。ガス流量制御部12は、処理室204内に供給するガスの種類が所望のタイミングにて所望のガス種となるよう、また、供給するガスの流量が所望のタイミングにて所望の流量となるよう、MFC及び開閉バルブを制御する。ガスノズル224aから処理室204内に供給された処理ガスは、インナチューブ222の上側開放端から排気路209内へ流れた後、排気口227aを介して排気管227内に流れ、処理炉202外へ排出される。排気管227には、上流から順に、大気圧センサ41、処理室204内の圧力を検出する圧力検出器としての圧力センサ42、処理室204内の圧力を調整する圧力調整器としてのAPCAutoPressureControllerバルブ44、真空排気装置としての真空ポンプ246が設けられている。真空ポンプ246は、処理室204内の圧力が所定の圧力真空度となるよう真空排気しうるように構成されている。大気圧センサ41は、処理室204内の圧力が処理室204外の大気圧と同圧になると、大気圧検出信号を出力する差圧計である。大気圧センサ41の上流には、排気管227から分岐して大気排気管ベント排気管228が設けられている。大気排気管228には排気バルブ43が設けられており、排気バルブ43が開くと、処理室204内の雰囲気と処理室204外の大気雰囲気とが連通する。APCバルブ44と圧力センサ42と大気圧センサ41と排気バルブ43は、制御部280、詳しくは圧力制御部11に電気的に接続されている。圧力制御部11については後述する。次に、図4を参照して、基板処理装置における制御部280の機能ブロック構成について説明する。図4に示されるように、制御部280は、処理制御部10、圧力制御部11、ガス流量制御部12、温度制御部13、駆動制御部14、記憶部20、操作部31、表示部32等の各構成部から構成される。処理制御部10には、上述の各構成部が電気的に接続されており、処理制御部10は、成膜プロセス等の制御シーケンスであるプロセスレシピ21を、記憶部20から読み込んで基板処理を実行するもので、そのために上述の各構成部を制御する。処理制御部10等の各制御部10~14は、ハードウエア構成としては、それぞれ、CPUCentralProcessingUnitと各制御部の動作プログラム等を格納するメモリを備えており、各CPUは、各動作プログラムに従って動作する。圧力制御部11は、処理室204内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように、圧力センサ42により検出された圧力値に基づいてAPCバルブ44の開度を制御する。また、圧力制御部11は、処理室204内の圧力が処理室204外の大気圧と同圧になったときに大気圧センサ41から出力される大気圧検出信号を受信し、かつ、圧力センサ42の検出値が所定値後述の大気圧チェック値22以上となった場合に、APCバルブ44を閉じ排気バルブ43を開けて処理室204内を処理室204外と連通させるベント排気動作を行う。ガス流量制御部12は、基板処理室204内へ処理用ガス等を供給し、また供給流量を調整する。温度制御部13は、反応炉202を加熱するヒータ208を所定の目標温度に加熱制御する。駆動制御部14は、ボート217とポッド110との間でウェハを移載するウェハ移載機125や、ボートエレベータ115等の駆動機構の駆動制御を行う。操作部31は、操作員が基板処理装置に対し行う各種操作を受け付ける。表示部32は、基板処理装置を操作するための操作画面などを表示する。記憶部20は、基板処理を行うためのプロセスレシピ基板処理のシーケンス21や、後述する大気圧チェック値22を記憶する。プロセスレシピ21には、プロセス処理の制御を行うためのプロセスシーケンス及び制御パラメータ温度,圧力,ガス流量等の制御目標値が、複数のイベントとして実行順に記述されている。大気圧チェック値22は、圧力制御部11が前述したベント排気動作を行う際に、圧力センサ42の検出値が所定値以上であるか否かをチェックするためのもので、例えば、1気圧776Torrよりも低い714Torrに設定される。大気圧チェック値22は、操作部31から操作員により入力設定することができる。記憶部20は、ハードディスクや半導体メモリ等から構成することができる。次に、本実施形態の処理装置の動作について説明する。この処理装置の動作は、制御部280により制御される。図1、図2に示されているように、ポッド110がロードポート114に供給されると、ポッド搬入搬出口112がフロントシャッタ113によって開放され、ロードポート114上のポッド110が、ポッド搬入搬出口112から搬入される。搬入されたポッド110は、ポッド搬送装置118によって、回転棚105の指定された棚板117へ自動的に搬送されて受け渡され、回転棚105で一時的に保管された後、棚板117から一方のポッドオープナ121に搬送されて載置台122に移載されるか、もしくは、ロードポート114から直接、ポッドオープナ121に搬送されて、載置台122に移載される。この際、ポッドオープナ121のウェハ搬入搬出口120は、キャップ着脱機構123によって閉じられており、移載室124にはクリーンエア133が流通され、充満されている。例えば、移載室124には、クリーンエア133として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が20ppm以下になるよう、筐体111の内部大気雰囲気の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。図2に示すように、載置台122に載置されたポッド110は、その開口側端面が、サブ筐体119の正面壁119aにおけるウェハ搬入搬出口120の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップが、キャップ着脱機構123によって取り外され、ポッド110のウェハ出し入れ口が開放される。ウェハ200は、ポッド110からウェハ移載装置125aのツイーザ125cによって、ウェハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ノッチ合わせ装置135にてウェハを整合した後、ボート217へ移載されて装填ウェハチャージングされる。ボート217にウェハ200を受け渡したウェハ移載装置125aは、ポッド110に戻り、次のウェハ110をボート217に装填する。この一方上段または下段のポッドオープナ121におけるウェハ移載装置125によるウェハ200のボート217への装填作業中に、他方下段または上段のポッドオープナ121には、回転棚105ないしロードポート114から別のポッド110がポッド搬送装置118によって搬送され、ポッドオープナ121によるポッド110の開放作業が同時進行される。予め指定された枚数のウェハ200がボート217に装填されると、処理炉202の下端部が炉口シャッタ147によって開放される。続いて、シールキャップ219がボートエレベータ115によって上昇されて、シールキャップ219に支持されたボート217が、処理炉202内へ搬入ローディングされて行く。ローディング後は、処理室204内が、所定の処理温度に昇温され、また、圧力センサ42の検出値に基づき所定の処理圧力に減圧される。この状態で、処理ガス供給管224からインナチューブ222内へ処理ガスが供給され、処理室204内にてウェハ200に任意の熱処理が実施される。処理ガスは、インナチューブ222内の下部から上部へ流れ、アウタチューブ221とインナチューブ222の間の排気路209を通って、排気管227へ排気される。このとき、炉口205付近や排気路209内の特に下部には、多少なりとも反応副生成物が堆積される。熱処理後は、処理室204内が不活性ガス、例えば窒素ガスに置換されるとともに、所定の温度に降温され、また処理室204外の圧力である大気圧に復帰される。大気圧復帰手順は、詳しくは次の通りである。まず、APCバルブ44の開度を調整して、圧力センサ42の検出値、つまり、処理室204内の圧力を徐々に大気圧に近づける。大気圧センサ41は、処理室204内の圧力が処理室204外の大気圧と同圧になったことを検出すると、大気圧検出信号を出力する。圧力制御部11は、大気圧センサ41からの大気圧検出信号を受信し、かつ、圧力センサ42の検出値が記憶部20に記憶した所定の大気圧チェック値22以上となった場合に、APCバルブ44を閉じて真空ポンプ246による真空排気動作を停止し、排気バルブ43を開けて処理室204内を処理室204外と連通させる。処理室204内を処理室204外と連通させることにより、処理室204内外が完全に同圧となるので、次の工程において処理室204内からボート217が引き出されるときに、処理室204内外の圧力差により炉口205付近の反応副生成物が巻上げられることを抑制できる。本実施形態では、少なくとも処理室204内外を連通させるとき、詳しくは、少なくとも処理室204内外を連通させる前から連通させた後にかけて、処理ガス供給管224からインナチューブ222内へ窒素ガスを供給しながら、排気路209と排気管227を経て大気排気管228から排気するようにしている。これにより、処理室204外の大気が処理室204内へ逆流することを抑制し、また、炉口205付近や排気路209内に堆積された反応副生成物が、処理室204内へ逆流しウェハ200に付着して汚染することを抑制する。このように、本実施形態では、排気バルブ43を開けて処理室204内を処理室204外と連通させると、インナチューブ222内へ供給される窒素ガスにより、処理室204内の雰囲気が大気排気管228から処理室204外の大気中へ押し出されて排気されるベント排気動作が行われる。圧力制御部11は、大気圧センサ41からの大気圧検出信号を受信しても、圧力センサ42の検出値が記憶部20に記憶した所定の大気圧チェック値22、例えば714Torr以上とならない場合は、排気バルブ43を開けることがない。したがってこの場合、大気圧センサ41が誤動作を行ったとしても、つまり、処理室204内の圧力が処理室204外の大気圧力未満の状態にも拘らず大気圧検出信号を出力したとしても、排気バルブ43が開き処理室204内外が連通することがない。したがって、処理室204外の雰囲気が処理室204内へ逆流することを抑制できる。なお、大気圧センサ41の誤動作は、例えば台風が接近した場合等、大気圧が変動したときに生じやすい。なぜなら、大気圧センサ41は、1気圧で大気圧検出信号を出力するのではなく、実際の大気圧を検出して大気圧検出信号を出力するためである。本実施形態では、大気圧チェック値22を、処理室204外の大気が逆流することなく、処理ガス供給管224から処理室204へ供給される窒素ガスにより、処理室204内の雰囲気が大気排気管228から大気中へ押し出されるように、例えば714Torrに設定しているので、台風の接近等により大気圧が1気圧よりも低くなり、大気圧センサ41の誤動作が生じたとしても、処理室204内の圧力が大気圧チェック値22よりも低い状態では処理室204内外を連通させない。そして、処理室204内の圧力が大気圧チェック値22以上の状態に上昇すると、処理室204内外を連通させる。このように、処理室204内の圧力が大気圧チェック値22よりも低い状態では処理室204内外を連通させないので、処理室204内の圧力と大気圧との圧力差が大きい状態において、処理室204内外を連通させることがない。したがって、処理室204外の雰囲気が処理室204内へ逆流することを抑制できる。また、本実施形態では、大気圧チェック値22を、大気圧センサ41を誤動作させるような大気圧の圧力範囲よりも大きい値に設定している。一方、処理室204内の圧力が大気圧チェック値22例えば714Torr以上である状態では、処理室204外の大気圧の圧力は大気圧チェック値22よりも高い。したがって、この場合は、大気圧センサ41の動作は正常であるので、大気圧センサ41からの大気圧検出信号を受信すると処理室204内外を連通させるようにしても、処理室204外の雰囲気が処理室204内へ逆流することはない。一方、処理室204内の圧力が大気圧チェック値22よりも低い状態では、処理室204内外を連通させないので、処理室204外の雰囲気が処理室204内へ逆流することを抑制できる。処理室204内が、所定の温度に降温され、また処理室204外の圧力である大気圧に復帰された後、ボートエレベータ115によりボート217が引き出される。その後は、ノッチ合わせ装置135でのウェハの整合工程を除き、上述の逆の手順で、ウェハ200がボート217からポッド110へ移載され、ウェハ200を収容したポッド110が筐体111の外部へ搬出される。次に、本実施形態における排気ガス逆流防止処理シーケンスを、図5を用いて説明する。図5は、本実施形態に係る制御部280の処理フローチャートである。この排気ガス逆流防止処理シーケンスは、制御部280により制御される。まず、制御部280は、通常のプロセスレシピ処理を、本実施形態の排気ガス逆流防止処理に切り替えるステップS1。また、炉内圧力値、つまり処理室204内の圧力値を、圧力センサ42から受信するステップS2。また、大気圧チェック値22を、記憶部20から読み出し受信するステップS3。次に、制御部280は、排気ガス逆流防止機能が有効か否か、つまり、排気ガス逆流防止処理を行うように設定されているか否かを判定しステップS4、排気ガス逆流防止処理を行うように設定されていない場合はステップS4でNo、大気圧エラーポートのビットをOFFにしてステップS8、プロセスレシピ処理中において排気バルブ43を開けることを可能としステップS9、本処理を終了する。なお、排気ガス逆流防止処理を行うか否かは、操作部31から操作員により設定可能となっている。排気ガス逆流防止処理を行うように設定されている場合はステップS4でYes、大気圧センサ41がONか否か、つまり、大気圧センサ41から大気圧検出信号を受信したか否かを判定しステップS5、大気圧センサ41から大気圧検出信号を受信していない場合ステップS5でNoは、大気圧エラーポートのビットをOFFにしてステップS8、プロセスレシピ処理中において排気バルブ43を開けることを可能としステップS9、本処理を終了する。大気圧センサ41から大気圧検出信号を受信していた場合は、ステップS5でYes、ステップS2で受信した炉内圧力値処理室204内の圧力値と、ステップS3で受信した大気圧チェック値22とを比較しステップS6、炉内圧力値が大気圧チェック値22以上である場合はステップS6でNo、大気圧エラーポートのビットをOFFにしてステップS8、プロセスレシピ処理中において排気バルブ43を開けることを可能としステップS9、本処理を終了する。炉内圧力値が大気圧チェック値22よりも小さい場合はステップS6でYes、大気圧エラーポートのビットをONにしてステップS8、プロセスレシピ処理中において排気バルブ43を開けることを不可としステップS9、本処理を終了する。制御部280は、通常のプロセスレシピ処理において、大気圧エラーポートのビットがONである場合は、大気圧センサ41から大気圧検出信号を受信したとしても、排気バルブ43を開けることがない。このように、大気圧センサ41から大気圧検出信号を受信したとしても、炉内圧力値が大気圧チェック値22よりも小さい場合は、排気バルブ43を開けることがないので、処理室204外の雰囲気が処理室204内へ逆流することを抑制できる。以上説明した実施形態によれば、少なくとも次の1~2の効果を得ることができる。1大気圧センサ41が大気圧検出信号を出力し、かつ、圧力センサ42の検出値が所定値大気圧チェック値22以上となった場合にのみ、排気バルブ43を開けて処理室204内外を連通させるようにしているので、処理室204内の圧力が大気圧チェック値22よりも低い状態、つまり、処理室204内外の圧力差が大きい状態では処理室204内外を連通させることがない。したがって、処理室204内外の圧力差が大きい状態において、処理室204外の雰囲気が処理室204内へ逆流することを抑制できる。2大気圧チェック値22を、大気圧センサ41を誤動作させる大気圧の圧力範囲よりも大きい値に設定しているので、処理室204内の圧力が大気圧チェック値22よりも低い状態、つまり、大気圧が、大気圧センサ41の誤動作が生じるような低圧になった場合には、処理室204内外を連通させない。したがって、大気圧低下に起因する大気圧センサ41の誤動作により、処理室204外の雰囲気が処理室204内へ逆流することを抑制できる。なお、本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。前記実施形態では、処理室204内を大気圧に復帰させる際に、インナチューブ222内へ供給される窒素ガスにより、処理室204内の雰囲気が大気排気管228から処理室204外の大気中へ押し出されて排気されるベント排気動作が行われるようにしたが、インナチューブ222内への窒素ガス供給を行わず、ベント排気動作を行わないようにしてもよい。本発明は、半導体製造装置だけでなく、LCD製造装置のようなガラス基板を処理する装置や、他の基板処理装置にも適用できる。基板処理の処理内容は、CVD、PVD、酸化膜、窒化膜、金属含有膜等を形成する成膜処理だけでなく、露光処理、リソグラフィ、塗布処理等であってもよい。なお、本明細書には少なくとも、基板処理装置又は半導体装置の製造方法に関する次の発明が含まれる。すなわち、第1の発明は、基板を処理する処理室と、前記処理室内の圧力を検出する圧力センサと、前記処理室内の圧力が前記処理室外の大気圧と同圧になると、大気圧検出信号を出力する大気圧センサと、前記処理室内を前記処理室外の大気と連通する大気排気管と、前記大気排気管に設けられた排気バルブと、前記大気圧センサが前記大気圧検出信号を出力し、かつ、前記圧力センサの検出値が所定値以上となった場合に、前記排気バルブを開けて前記処理室内を前記処理室外と連通させる制御部とを備えた基板処理装置。第2の発明は、第1の発明の基板処理装置であって、前記圧力センサが検出する所定値が、前記大気圧センサを異常動作させる大気圧の圧力範囲よりも大きい値である基板処理装置。第3の発明は、基板を処理室内へ搬入する搬入ステップと、前記基板を搬入した状態で、前記処理室内の圧力を検出する圧力センサの検出値に基づき、前記処理室内の圧力を所定の処理圧力に減圧する減圧ステップと、前記処理室内の基板を熱処理する熱処理ステップと、前記熱処理ステップの後、前記処理室内の圧力を前記処理室外の大気圧へ復帰させる大気圧復帰ステップと、前記熱処理した基板を処理室内から搬出する搬出ステップとを備えた半導体装置の製造方法であって、前記大気圧復帰ステップにおいて、前記処理室内の圧力が前記処理室外の大気圧と同圧になると大気圧検出信号を出力する大気圧センサが前記大気圧検出信号を出力し、かつ、前記圧力センサの検出値が所定値以上となった場合に、前記処理室の内外を連通状態にする半導体装置の製造方法。"