"被制御対象を制御するための信号を発生する電子回路組立体と、前記電子回路組立体を固定するベースと、前記電子回路組立体を電気的に接続したリード端子とを有し、これらをモールド樹脂で封止した、制御装置に用いる電子回路装置であって、前記電子回路組立体の回路基板のベアチップボンディング部に、前記回路基板にボンディングパッドが配置され、隣接する前記ボンディングパッド間の前記回路基板に設けた凹部を備えることを特徴とする制御装置に用いる電子回路装置。請求項1記載の制御装置に用いる電子回路装置において、隣接ずる前記ボンディングパッドの内、第1のボンディングパッドを回路基板の凸部に形成し、前記第1のボンディングパッドに隣接する第2のボンディングパッドを前記凹部に形成したことを特徴とする制御装置に用いる電子回路装置。請求項1記載の制御装置に用いる電子回路装置において、前記ボンディングパッドは、第1の列のボンディングパッドと、第2の列のボンディングパッドとからなり、これらの第1の列と第2の列が前後方向に配列され、前記第1の列のボンディングパッドを回路基板の凸部に形成し、前記第2の列のボンディングパッドを前記凹部に形成したことを特徴とする制御装置に用いる電子回路装置。請求項1記載の制御装置に用いる電子回路装置において、前記凹部は、隣接する前記ボンディングパッドの間の、前記回路基板の形成したことを特徴とする制御装置に用いる電子回路装置。請求項1記載の制御装置に用いる電子回路装置において、前記ボンディングパッドは、第1の列のボンディングパッドと、第2の列のボンディングパッドとからなり、これらの第1の列と第2の列が前後方向に配列され、前記凹部は、前記第1の列のボンディングパッドと前記第2の列のボンディングパッドとのの回路基板に形成したことを特徴とする制御装置に用いる電子回路装置。しかしながら、従来の電子回路装置のベアチップ部のボンディング構造は、ベアチップの高機能化にともないベアチップのボンディング本数が多くなっている。回路基板のAu細線ボンディングパッド間はマイグレーション対策のため一定の距離を確保し、ベアチップのボンディング数に合わせて配列してあるが、ボンディング本数が多くなると回路基板のAu細線ボンディングパッド範囲が大きくなり、その他回路素子の実装範囲が少なくなる。本発明の目的は、回路基板のAu細線ボンディングパッド範囲を小さくでき、その他回路素子の実装範囲を大きくできる制御装置に用いる電子回路装置を提供することにある。1上記目的を達成するために、本発明は、被制御対象を制御するための信号を発生する電子回路組立体と、前記電子回路組立体を固定するベースと、前記電子回路組立体を電気的に接続したリード端子とを有し、これらをモールド樹脂で封止した、制御装置に用いる電子回路装置であって、前記電子回路組立体の回路基板のベアチップボンディング部に、前記回路基板にボンディングパッドが配置され、隣接する前記ボンディングパッド間の前記回路基板に設けた凹部を備えるようにしたものである。かかる構成により、回路基板のAu細線ボンディングパッド範囲を小さくでき、その他回路素子の実装範囲を大きくできるものとなる。2上記1において、好ましくは、隣接ずる前記ボンディングパッドの内、第1のボンディングパッドを回路基板の凸部に形成し、前記第1のボンディングパッドに隣接する第2のボンディングパッドを前記凹部に形成したものである。3上記1において、好ましくは、前記ボンディングパッドは、第1の列のボンディングパッドと、第2の列のボンディングパッドとからなり、これらの第1の列と第2の列が前後方向に配列され、前記第1の列のボンディングパッドを回路基板の凸部に形成し、前記第2の列のボンディングパッドを前記凹部に形成したものである。4上記1において、好ましくは、前記凹部は、隣接する前記ボンディングパッドの間の、前記回路基板の形成したものである。5上記1において、好ましくは、前記ボンディングパッドは、第1の列のボンディングパッドと、第2の列のボンディングパッドとからなり、これらの第1の列と第2の列が前後方向に配列され、前記凹部は、前記第1の列のボンディングパッドと前記第2の列のボンディングパッドとのの回路基板に形成したものである。本発明によれば、回路基板のAu細線ボンディングパッド範囲を小さくでき、その他回路素子の実装範囲を大きくできるものとなる。以下、図1~図6を用いて、本発明の第1の実施形態による制御装置に用いる電子回路装置の構成について説明する。図1は、本発明の第1の実施形態による制御装置に用いる電子回路装置の全体構成を示す平面図である。図2は、図1のI-I線に沿う要部断面図である。図3は、本発明の第1の実施形態による電子回路装置に用いるベアチップ部の平面図である。図4は、図3のIIII部の拡大図である。図5は、図4のIIIIII線に沿う断面図である。図6は、本発明の第1の実施形態による電子回路装置のボンディングパット部の説明図である。図1及び図2に示すように、フランジ部2aを有するベース2に、電子回路組立体5がエポキシ等の接着剤で接着固定されている。電子回路組立体5は、回路素子6およびベアチップ7を実装した回路基板8を備えている。電子回路組立体5は、被制御対象例えば、自動変速機を制御するための信号を発生する。電子回路組立体5に有するボンディングパッド部とリード端子3に有するボンディングパッド部がワイヤボンディング法でアルミ細線9を介して電気的に接続されている。これにより、電子回路組立体5とリード端子3は、電気的に接続されている。電子回路組立体5は、接着剤によりベース2bの上面に接着固定されている。ベアチップ7は、はんだおよび銀ペースト材で回路基板8に接合され、Au細線10で回路基板8と電気的に接続されている。回路基板8は、ガラスエポキシ基板が用いられる。電子回路組立体5とリード端子3とがアルミ細線9で接続された後、これらの部品、回路素子6,ベアチップ7,回路基板8,ベース2,リード端子3を一括して封止樹脂4により、モールドする。このとき、リード端子3の一部やベース2のフランジ部2aの一部がモールドから除かれており、封止樹脂4から露出している。封止樹脂4は、トランスファモールド成形により製作され、一般に封止樹脂としてはエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用い、型内に流動および固化させるものである。図3及び図4に示すように、回路基板8に接合されているベアチップ7は、ボンディングパッド部11にAu細線10が接続されている。このとき、図5に示すように、回路基板8に設けられた、隣りあうように連続して配置されるボンディングパッド部11とボンディングパッド凹部11aは、ボンディングパッド間距離12を狭めるために、ボンディングパッド凹部高さ12aを設けられている。すなわち、ボンディングパッド部が形成されるガラス基板8の表面に凹凸が形成され、隣接するボンディングパッド部11とボンディングパッド凹部11aとは、その高さが異なり、交互に凹凸の構成となっている。ここで、図6を用いて、図5に示したボンディングパッド部の構成による効果について説明する。図6Bは、従来の形状であり、ガラス基板8’の表面は平らである。従って隣接するボンディングパッド部11は、同じ高さに形成されている。このとき、隣接するボンディングパッド部11の間の距離は、L1となっている。このL1は、マイグレーション対策のために設けられた一定の距離であり、例えば、0.4mm~0.5mm程度の距離である。隣接するボンディングパッド間には最低でも距離L1を設ける必要があるため、ボンディング本数が増加すると、ボンディングパッドの範囲が大きくなる。図6Aは、図5に示した本実施形態の場合である。ガラス基板8の表面には凹凸が形成され、隣接するボンディングパッド部11とボンディングパッド凹部11aは、それぞれ、凸部凹部に形成されている。ここで、距離L1は、ボンディングパッド部11とボンディングパッド凹部11aとの間の沿面距離である。沿面距離とは、ボンディングパッド凹部11aの端面の内、隣接するボンディングパッド部11の側の端面から、ボンディングパッド部11の端面の内、隣接するボンディングパッド凹部11aまでの、ガラス基板8の表面に沿った距離である。ここで、距離L1は、図6Bにおける距離L1と等しくすることで、マイグレーション対策が可能である。ここで、図6Aにおける沿面距離L1は、図示した距離l1距離l2距離l3に等しいものである。ガラス基板8の表面の凹凸の高さl2は、例えば、0.2mmとしている。その結果、隣接するボンディングパッド部11とボンディングパッド凹部11aの間の距離は、距離l1距離l3となる。ここで、距離L1を0.4mmとし、高さ距離l2を0.2mmとすると、隣接するボンディングパッド部11とボンディングパッド凹部11aの間の距離は、0.2mmとなる。図6Bの場合、隣接するボンディングパッドの間の距離L1は、0.4mmであるので、距離を半減でき、その結果、本実施形態では、ボンディングパッドの範囲を小さくできる。なお、これらのボンディング構造は、樹脂封止を行わない回路基板に適用してもよいものである。以上説明したように、本実施形態によれば、電子回路組立体の回路基板のベアチップボンディング部に、回路基板の凹凸形状にともないボンディングパッドが配置され、左右に隣り合うボンディングパッド間に回路基板の凹凸の高さで必要な距離を設けたことで、ボンディングパッド間の距離を狭くし、Au細線ボンディングパッド範囲を小さくすることができ、その他回路素子の実装範囲を確保することが可能になる。また、ボンディングパッド間に回路基板の凹凸の高さで必要な距離を設けたことで、マイグレーションの問題もなくなる。これらにより、電子回路装置において、ボンディング構造の簡略化を図ることができる。次に、図7~図8を用いて、本発明の第2の実施形態による制御装置に用いる電子回路装置の構成について説明する。なお、本実施形態による制御装置に用いる電子回路装置の全体構成は、図1に示したものと同様である。また、本実施形態による電子回路装置に用いるベアチップ部の平面構成は、図3に示したものと同様である。図7は、本発明の第2の実施形態による制御装置に用いる電子回路装置におけるボンディングパッド部の拡大平面図である。なお、図7は、図3のIIII部の位置における本実施形態の拡大図である。図8は、図7のIIIIII線に沿う断面図である。なお、図7,図8において、同一符号は同一部分を示している。図7に示すように、ボンディングパッド部11は、交互に前後に配列されている。そして、ボンディングパッド部11には、Au細線10が接続されている。このとき、図8に示すように、回路基板8に設けられた、前後に配列したボンディングパッド部11とボンディングパッド凹部11aは、ボンディングパッド間距離12を狭めるために、ボンディングパッド凹部高さ12aを設けることで沿面距離を確保し、ボンディングパッド間距離12を狭めて回路素子6の実装範囲を確保している。なお、これらのボンディング構造は、樹脂封止を行わない回路基板に適用してもよいものである。本実施形態によっても、ボンディングパッド範囲を小さくすることができ、その他回路素子の実装範囲を確保することが可能になる。また、ボンディングパッド間に回路基板の凹凸の高さで必要な距離を設けたことで、マイグレーションの問題もなくなる。これらにより、電子回路装置において、ボンディング構造の簡略化を図ることができる。次に、図9~図10を用いて、本発明の第3の実施形態による制御装置に用いる電子回路装置の構成について説明する。なお、本実施形態による制御装置に用いる電子回路装置の全体構成は、図1に示したものと同様である。また、本実施形態による電子回路装置に用いるベアチップ部の平面構成は、図3に示したものと同様である。図9は、本発明の第3の実施形態による制御装置に用いる電子回路装置におけるボンディングパッド部の拡大平面図である。なお、図9は、図3のIIII部の位置における本実施形態の拡大図である。図10は、図9のIIIIII線に沿う断面図である。なお、図9,図10において、同一符号は同一部分を示している。図9に示すように、回路基板8に隣りあうように連続して配置されるボンディングパッド部11の間に、凹部11bを設けている。凹部11bは、モールド樹脂の封止により凹形状部にモールド樹脂が充填され、ボンディングパッド部11の最短距離を充填されたモールド樹脂により断絶させている。このとき、図10に示すように、回路基板8に設けられた、前後に配列したボンディングパッド部11の間に凹部11bを設けることで沿面距離を確保し、ボンディングパッド間距離12を狭めて回路素子6の実装範囲を確保している。本実施形態によっても、ボンディングパッド範囲を小さくすることができ、その他回路素子の実装範囲を確保することが可能になる。また、ボンディングパッド間に回路基板の凹凸の高さで必要な距離を設けたことで、マイグレーションの問題もなくなる。これらにより、電子回路装置において、ボンディング構造の簡略化を図ることができる。次に、図11~図12を用いて、本発明の第4の実施形態による制御装置に用いる電子回路装置の構成について説明する。なお、本実施形態による制御装置に用いる電子回路装置の全体構成は、図1に示したものと同様である。また、本実施形態による電子回路装置に用いるベアチップ部の平面構成は、図3に示したものと同様である。図11は、本発明の第4の実施形態による制御装置に用いる電子回路装置におけるボンディングパッド部の拡大平面図である。なお、図11は、図3のIIII部の位置における本実施形態の拡大図である。図12は、図11のIIIIII線に沿う断面図である。なお、図11,図12において、同一符号は同一部分を示している。図11に示すように、回路基板8に前後に配列したボンディングパッド部11のボンディングパッド間距離12を狭めるために、ボンディングパッド間の凹部11bの高さを設けている。これにより、図12に示すように、前後に配列したボンディングパッド部11の間の沿面距離を確保し、モールド樹脂の封止により凹形状部にモールド樹脂が充填され、ボンディングパッド部11の最短距離を充填されたモールド樹脂により断絶させてもよい。本実施形態によっても、ボンディングパッド範囲を小さくすることができ、その他回路素子の実装範囲を確保することが可能になる。また、ボンディングパッド間に回路基板の凹凸の高さで必要な距離を設けたことで、マイグレーションの問題もなくなる。これらにより、電子回路装置において、ボンディング構造の簡略化を図ることができる。次に、図13を用いて、本発明の第5の実施形態による制御装置に用いる電子回路装置の構成について説明する。なお、本実施形態による制御装置に用いる電子回路装置の全体構成は、図1に示したものと同様である。また、本実施形態による電子回路装置に用いるベアチップ部の平面構成は、図3に示したものと同様である。図13は、本発明の第5の実施形態による制御装置に用いる電子回路装置におけるボンディングパッド部の拡大平面図である。なお、図13は、図3のIIII部の位置における本実施形態の拡大図である。本実施形態は、図4及び図5に示したように、回路基板8に接合されているベアチップ7は、ボンディングパッド部11にAu細線10が接続されている。このとき、図5に示したように、回路基板8に設けられた、隣りあうように連続して配置されるボンディングパッド部11とボンディングパッド凹部11aは、ボンディングパッド間距離12を狭めるために、ボンディングパッド凹部高さ12aを設けられている。すなわち、ボンディングパッド部が形成されるガラス基板8の表面に凹凸が形成され、隣接するボンディングパッド部11とボンディングパッド凹部11aとは、その高さが異なり、交互に凹凸の構成となっている。その上で、図13に示す例では、図7に示したように、ボンディングパッド部11は、回路基板に前後に配列した構成となっている。本実施形態によっても、ボンディングパッド範囲を小さくすることができ、その他回路素子の実装範囲を確保することが可能になる。また、ボンディングパッド間に回路基板の凹凸の高さで必要な距離を設けたことで、マイグレーションの問題もなくなる。これらにより、電子回路装置において、ボンディング構造の簡略化を図ることができる。"