"半導体基板の配線層が形成される第1面と反対側の第2面側に設けられ、所定の波長域の光について光電変換を行い、他の波長域の光を透過させる光電変換膜と、前記半導体基板の内部に設けられ、前記光電変換膜を透過した前記他の波長域の光について光電変換を行う光電変換層とを備え、前記光電変換膜及び前記光電変換層に対して前記第2面側から入射光を取り込む固体撮像装置。前記半導体基板へ光が入射する領域を規定する、導電性をもつ遮光膜を有し、前記遮光膜は、前記半導体基板に対して電気的に接続されている請求項1に記載の固体撮像装置。前記遮光膜には、入射光を前記半導体基板側に通過させる開口が設けられており、前記光電変換膜は、前記開口の面積よりも大きい面積を有する請求項2に記載の固体撮像装置。前記半導体基板の内部に設けられ、前記光電変換膜で光電変換された電荷を蓄積する電荷蓄積部を有し、前記遮光膜は、前記半導体基板に対して画素毎に電気的に接続され、前記光電変換膜で光電変換された電荷を前記電荷蓄積部に転送する請求項2に記載の固体撮像装置。前記遮光膜は、前記電荷蓄積部の上部の面積よりも大きな面積を有し、前記電荷蓄積部に対する遮光を行う請求項4に記載の固体撮像装置。前記遮光膜は、前記電荷蓄積部の上部の面積よりも大きな面積の部分と、当該大きな面積の部分から前記半導体基板側に突出し、前記半導体基板の表層部に形成された拡散領域に電気的に接する凸部とを有し、当該凸部によっても前記電荷蓄積部に対する遮光を行う請求項5に記載の固体撮像装置。前記遮光膜は、前記半導体基板の表層部に形成された拡散領域に電気的に接しており、前記拡散領域は、前記電荷蓄積部の上部の面積よりも大きな面積を有している請求項5に記載の固体撮像装置。前記遮光膜は、画素間の遮光を行う遮光領域を有し、前記遮光領域は、前記遮光膜を通して前記半導体基板側から所定の電位が与えられる請求項2に記載の固体撮像装置。前記光電変換膜は、下部電極と上部電極とによって挟まれており、前記遮光膜の一部は、前記半導体基板側から前記上部電極に対して所定のバイアス電圧を供給する配線として用いられる請求項2に記載の固体撮像装置。半導体基板の配線層が形成される第1面と反対側の第2面側に設けられ、所定の波長域の光について光電変換を行い、他の波長域の光を透過させる光電変換膜と、前記半導体基板の内部に設けられ、前記光電変換膜を透過した前記他の波長域の光について光電変換を行う光電変換層とを備え、前記光電変換膜及び前記光電変換層に対して前記第2面側から入射光を取り込む固体撮像装置を有する電子機器。特許文献1に記載の積層型の画素構造を有する固体撮像装置は、半導体基板の配線層が形成される側の面を表面とするとき、画素に対して半導体基板の表面側から入射光を照射する表面照射型の画素構造を採っている。この表面照射型の画素構造の場合、基板面とその上方に配される光電変換膜との間に配線層が介在することになるため、半導体基板の内部に設けられた光電変換層と半導体基板の外部に設けられた光電変換膜との間の距離が離れてしまう。ここで、画素に対して斜めに光が入射したときを考える。G光用の光電変換膜は、入射面に近い位置に存在するため、斜めに入射する光の角度に関係なく、入射光を光電変換できる。一方、半導体基板の内部に設けられた、B光用とR光用の光電変換層については、G光用の光電変換膜から離れた位置に存在するため、傾斜角度が大きい程入射光が光電変換層に到達しにくくなる。すなわち、F値に対する感度の変化が、入射光の光軸方向における光電変換膜及び光電変換層の配設位置によって異なる。これにより、色毎の感度のF値依存が生ずる。そこで、本開示は、積層型の画素構造を採用するに当たって、色毎の感度のF値依存の低減を可能にした固体撮像装置及び当該固体撮像装置を有する電子機器を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本開示に係る固体撮像装置は、半導体基板の配線層が形成される第1面と反対側の第2面側に設けられ、所定の波長域の光について光電変換を行い、他の波長域の光を透過させる光電変換膜と、前記半導体基板の内部に設けられ、前記光電変換膜を透過した前記他の波長域の光について光電変換を行う光電変換層とを備え、前記光電変換膜及び前記光電変換層に対して前記第2面側から入射光を取り込む構成となっている。この固体撮像装置は、各種の電子機器においてその画像取込部画像読取部として用いられる。上記構成の固体撮像装置、あるいは、当該固体撮像装置を画像取込部として有する電子機器において、半導体基板の配線層が形成される第1面を基板表面とするとき、第2面側から入射光を取り込むということは、光電変換膜及び光電変換層に対して裏面側から入射光を照射する、所謂、裏面照射型の画素構造である。この裏面照射型の画素構造は、半導体基板と光電変換膜との間に配線層が存在しない構造であることから、配線層が存在する構造、所謂、表面照射型の画素構造に比べて、光電変換膜と基板面との間の距離、ひいては、光電変換膜と基板内部の光電変換層との間の距離を短くできる。これにより、入射光の光軸方向における光電変換膜及び光電変換層の配設位置の違いによるF値に対する感度の変化を小さくできる。本開示によれば、入射光の光軸方向における光電変換膜及び光電変換層の配設位置の違いによるF値に対する感度の変化を小さくできるため、色毎の感度のF値依存を低減できる。以下、本開示の技術を実施するための形態以下、実施形態と記述するについて図面を用いて詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。1.実施形態の説明1-1.実施例11-2.実施例21-3.実施例31-4.実施例42.変形例3.電子機器撮像装置4.本開示の構成<1.実施形態の説明>本開示の実施形態に係る固体撮像装置は、半導体基板の外部に所定の波長域の光について光電変換を行い、他の波長域の光については透過させる光電変換膜を設け、半導体基板の内部に光電変換膜を透過した他の波長域の光について光電変換を行う光電変換層を設けた積層型の画素構造を採っている。この積層型の画素構造において、半導体基板の外部に設けられる光電変換膜は、入射光に含まれる所定の波長域の光、例えば、G緑色光を吸収し、当該G光について光電変換を行う。一方、半導体基板の内部に設けられる光電変換層は、入射光の光軸方向において上下して設けられる例えば2つの光電変換層からなる。具体的には、2つの光電変換層のうち一方の光電変換層は半導体基板の表層部側に位置し、他方の光電変換層は当該一方の光電変換層の下方に位置している。そして、2つの光電変換層のうち、半導体基板の表層部側に位置する光電変換層は、光電変換膜を透過したG光以外の波長域の光のうち、例えば、B青色光を吸収し、当該B光について光電変換を行う。また、表層部側の光電変換層の下方に位置する光電変換層は、表層部側の光電変換層を透過した、例えば、R赤色光を吸収し、当該R光について光電変換を行う。ここで、半導体基板の配線層が形成される第1面を基板表面とするとき、G光用の光電変換膜は、第2面側、即ち、基板裏面側に設けられる。そして、G光用の光電変換膜に対して入射光を照射する取り込む構造として、裏面側から入射光を照射する裏面照射型の画素構造を採るものとする。このように、裏面照射型を採る積層型の画素構造では、半導体基板とG光用の光電変換膜との間に配線層が存在しないため、配線層が存在する表面照射型の画素構造に比べて、光電変換膜と基板面との間の距離、ひいては、光電変換膜と基板内部の光電変換層との間の距離を短くできる。これにより、入射光の光軸方向における光電変換膜及び光電変換層の配設位置の違いによるF値に対する感度の変化を小さくできるため、色毎の感度のF値依存を低減できる。因みに、例えばベイヤー配列の固体撮像装置にあっては、各画素サブピクセルからは単一の色情報しか得られないため、デモザイク処理と呼ばれる信号処理を用いて、各画素に対してその周辺画素から足りない色情報を集め与えることで色情報を補完するようにしている。但し、このような信号処理を行うと、前にも述べたように、偽色と呼ばれるような信号処理に伴う画質の劣化を招く。このような問題点については、上述した積層型の画素構造を採ることによって解消できる。以下に、本開示の実施形態に係る固体撮像装置の具体的な実施例について、実施例1乃至実施例4として説明する。以下では、主に、実施形態の特徴となる、光電変換膜及び光電変換層を含む単位画素1つの画素部の画素構造について説明するものとする。[1-1.実施例1]先ず、本開示の実施形態に係る固体撮像装置の実施例1に係る画素構造の構成及び製造プロセスについて説明する。画素構造の構成図1は、本開示の実施形態に係る固体撮像装置の実施例1に係る画素構造を示す断面図である。図1において、半導体基板、例えば、シリコン基板11は、下方の面11Aを表面第1面とし、その反対側の上方の面11Bを裏面第2面としている。シリコン基板11の表面11A側には配線層が形成されている。ここでは、図面の簡略化のために、配線層については図示を省略している。シリコン基板11の内部において、裏面11B側の表層部には例えばB青色光用の光電変換層12が設けられている。このB光用の光電変換層12は、例えば断面が逆L字形状になるように形成されており、入射する光に含まれるB光について光電変換を行い、光電変換によって発生する電荷を蓄積する。具体的には、逆L字形の光電変換層12において、基板面に対して平行な部分が光電変換部12Aとなり、基板面に対して垂直な部分が電荷蓄積部12Bとなる。B光用の光電変換層12の近傍には、フローティングディフュージョン部以下、FD部と記述する13が設けられており、配線層に形成された転送ゲート14による制御によって光電変換層12内の電荷がFD部13に転送されるようになっている。B光用の光電変換層12の下方には、例えばR赤色光用の光電変換層15が設けられている。このR光用の光電変換層15は、入射する光に含まれるR光について光電変換を行い、光電変換によって発生する電荷を蓄積する。ここでは、図示を省略しているが、R光用の光電変換層15の近傍にもFD部が設けられ、配線層に形成された転送ゲートによる制御によって光電変換層15内の電荷がFD部に転送されるようになっている。光電変換層12,15の横には、例えばG緑色光用の電荷蓄積部16が設けられている。この電荷蓄積部16は、シリコン基板11の外部に設けられる、後述するG光用の光電変換膜17による光電変換によって得られる電荷を蓄積する。電荷蓄積部16の近傍には、FD部19が設けられており、配線層に形成された転送ゲート20による制御によって電荷蓄積部16内の電荷がFD部19に転送されるようになっている。また、電荷蓄積部16の上には、当該電荷蓄積部16から溢れた電荷を掃き捨てるためのオーバーフローバリアOFB20が設けられている。そして、オーバーフローバリア20と基板面との間には、例えばNの拡散領域によってコンタクト部21が形成されている。G光用の光電変換膜17による光電変換によって得られる電荷は、Nのコンタクト部21及びオーバーフローバリア20を介して電荷蓄積部16に転送される。上記のB光用の光電変換層12、R光用の光電変換層15、G光用の電荷蓄積部16、及び、これらに付随する構成要素が、画素単位で設けられることになる。シリコン基板11の裏面上には、反射防止膜22が基板全面に亘って形成されている。この反射防止膜22には、コンタクトホール23がシリコン基板11の基板面に達する状態で形成されている。そして、反射防止膜22の上には、シリコン基板11へ光が入射する領域を規定する遮光膜2424A,24Bが形成されている。この遮光膜24は、主にG光用の電荷蓄積部16を遮光する機能を持つが、導電性材料から成ることで配線としての機能をも持っている。遮光膜24としては、シリコン基板11とのコンタクトをとる必要があるため、バリアメタルのチタンTiと窒化チタンTiNの積層膜とタングステンWを用いることが好ましい。この遮光膜24は、コンタクトホール23に埋め込まれることにより、シリコン基板11との電気的な接続をなすコンタクト部図2、図3のコンタクト部33,34に相当を形成している。遮光膜24は、B光用の光電変換層12及びR光用の光電変換層15に対しては、入射光を通過させる必要がある。従って、遮光膜24の光電変換層12,15の上方の部位には開口24Oが形成されている。遮光膜24は、開口24Oによってシリコン基板11へ光が入射する領域を規定する。遮光膜24の上には絶縁膜25が形成され、更に、当該絶縁膜25を通してコンタクトプラグ26が画素単位で形成されている。このコンタクトプラグ26は、G光用の電荷蓄積部16の上方に位置する遮光膜24に対して電気的に接触している。絶縁膜25の上面は、CMPChemicalMechanicalPolishing化学的機械研磨等によって平坦化されている。絶縁膜25の上には、透明な一方の電極以下、下部電極と記述する27が画素単位で形成されている。この下部電極27は、コンタクトプラグ26に対して電気的に接触する状態で形成されている。下部電極27の周囲には、当該下部電極27のエッジの段差を緩和するために絶縁膜28が形成されている。この絶縁膜28については、全面に亘って成膜した後に、テーパー形状をもち下部電極27の表面が露出するようなエッチングを行うことで形成することができる。下部電極27及び絶縁膜28の上には、G光を吸収し、光電変換する、先述したG光用の光電変換膜17が形成されている。このG光用の光電変換膜17は、遮光膜24の開口24Oの面積開口面積よりも大きな面積を有している。更に、光電変換膜17の上には、上部電極の一部となる透明電極以下、上部電極と記述する29が、画素が行列状に配置されて成る画素アレイ部画素領域の全体に亘って全画素共通に形成されている。上部電極29の上には更に透明電極30が形成されている。この透明電極30は、画素アレイ部の周辺領域において、シリコン基板11内の電源供給部31に対して電気的に接続されているコンタクトがとられている。また、光電変換を行わない光学的黒領域の画素上には遮光膜32が形成されている。上記構成の画素構造は、G光用の光電変換膜17がシリコン基板11の外部に位置し、B光用の光電変換部12及びR光用の光電変換層15がシリコン基板11の内部に積層されて成る積層型の画素構造となっている。そして、この積層型の画素構造は、シリコン基板11の裏面11B側から入射光を照射する取り込む裏面照射型の画素構造を採っている。この裏面照射型の積層型画素構造において、シリコン基板11の電源供給部31から、配線としての遮光膜24の一部を通して、透明電極30に対して所定のバイアス電圧が供給され、当該バイアス電圧が上部電極29に対して透明電極30を介して与えられる。上部電極29にバイアス電圧が与えられた状態において、透明電極30及び透明な上部電極29を通してG光用の光電変換膜17に光が入射すると、当該光電変換膜17はG光を吸収して光電変換する。G光用の光電変換膜17による光電変換によって得られる電荷は、透明な下部電極27によって取り出され、コンタクトプラグ26及び配線を兼ねる遮光膜2424A、更には、コンタクト部34図2、図3を参照を介してG光用の電荷蓄積部16に転送されて蓄積される。電荷蓄積部16に蓄積された電荷は、転送ゲート19による制御によってFD部18に選択的に転送される。一方、G光用の光電変換膜17を透過した光は、遮光膜24の開口24Oを通してシリコン基板11に入射する。すると、B光用の光電変換層12は、基板面に平行な部分、即ち、光電変換部12Aにおいて、G光以外の波長域の光のうち、B光を吸収して光電変換し、この光電変換によって得た電荷を基板面に垂直な部分、即ち、電荷蓄積部12Bに転送してここに蓄積する。B光用の電荷蓄積部12Aに蓄積された電荷は、転送ゲート14による制御によってFD部13に選択的に転送される。また、B光用の光電変換層12を透過した光は、R光用の光電変換層15に入射する。R光用の光電変換層15は、B光用の光電変換層12を透過した光のうち、R光を吸収して光電変換し、蓄積する。このR光用の光電変換層15蓄積された電荷も、図示を省略しているが、G光及びR光についての電荷と同様に、転送ゲートによる制御によってFD部に選択的に転送される。図2は、画素が行列状に配置されてなる画素アレイ部の遮光膜2424A,24Bを形成した状態の上面図である。また、図3には、図2における上下左右に隣接する4つの画素について拡大して示している。図2及び図3では、遮光膜2424A,24Bについて、理解を容易にするために、ハッチングを付して示している。図2及び図3に示すように、遮光膜24は、画素間に格子状に形成されて画素相互間を遮光する遮光膜24Aと、画素内に島状に形成されて画素個々のG光用の電荷蓄積部16を遮光する遮光膜24Bとの2種類から成る。画素相互間を遮光する遮光膜24Aは、画素アレイ部の画素間に画素行毎及び画素列毎に形成されており、画素アレイ部の周辺部にてコンタクト部33を介してシリコン基板11とコンタクトがとられることで、所定の電位、例えばウェル電位グランド電位/0Vに設定される。すなわち、遮光膜24Aは、画素アレイ部の全領域において等電位となっている。遮光膜24Aは、画素相互間の遮光のみならず、B光用の光電変換層12の電荷蓄積部基板面に対して垂直な部分12Bをも遮光する。具体的には、遮光膜24Aは、画素個々において矩形状の画素の1つの角部に張り出して形成された遮光膜24Cを有し、当該遮光膜24CにてB光用の光電変換層12の電荷蓄積部12Bを遮光する。一方、遮光膜24Bは、G光用の電荷蓄積部16の上部の面積よりも大きな面積を有して、矩形状の画素内に島状に形成されてG光用の電荷蓄積部16を遮光する。また、遮光膜24Bは、コンタクトホール23図1を参照に配線材料が埋め込まれて成るコンタクト部34によってシリコン基板11に対してコンタクトがとられていることで、下部電極27によって取り出された電荷をG光用の電荷蓄積部16に転送する配線として機能する。このように、画素毎にG光用の電荷蓄積部16を遮光する遮光膜24Bは、画素毎に電位が決まる。これに対して、上述したように、遮光膜24Aは、画素アレイ部の全領域において等電位、例えば、グランド電位になっている。すなわち、画素相互間を遮光する遮光膜24Aと、画素毎にG光用の電荷蓄積部16を遮光する遮光膜24Bとは電位が異なっている。図4に、上部電極29に透明電極30を積み増しした状態を示す。同図に示すように、上部電極29について、画素全体で同一の電位にするために、上部電極29に積み増しされた透明電極30は、画素アレイ部の周辺部においてシリコン基板11に対してコンタクト部35にて電気的に接続される。これにより、図1に示したように、電源供給部31からコンタクト部35及び透明電極30を介して上部電極29に所定のバイアス電圧が供給されるために、上部電極29は画素全体で同一のバイアス電位になる。よって、画素全体で同一の条件の下に、G光用の光電変換膜17による光電変換を行うことができる。製造プロセス続いて、上記構成の実施例1に係る画素構造の製造プロセスについて、図4乃至図9を用いて説明する。尚、図5乃至図11において、図1と同等部位には同一符号を付して示している。また、図1の場合と同様に、R光用の転送ゲートについては図示を省略するものとする。図5Aに示すように、表面11A側に配線層等が形成されたシリコン基板11を裏返した状態において、シリコン基板11中にB光用及びR光用の光電変換層12,15を積層するとともに、G光用の電荷蓄積部16、オーバーフローバリア20、及び、Nのコンタクト部21を形成する工程1。次に、図5Bに示すように、シリコン基板11の裏面基板面上に反射防止膜22を形成し工程2、次いで、図6Aに示すように、反射防止膜22にコンタクトホール23を形成する工程3。ここで、反射防止膜22の膜厚によって、次に形成する遮光膜24とシリコン基板11の基板面との間の距離が決まる。そして、この反射防止膜22の膜厚はなるべく薄い方が、遮光膜24をシリコン基板11の基板面に近づけた状態で形成できるため、斜めに入射する光を抑制するのに効果的である。続いて、図6Bに示すように、反射防止膜22の上に、配線を兼ねる遮光膜24となる導電膜240を形成するとともに、当該導電膜240をコンタクトホール23内に埋め込む工程4。この導電膜240は、シリコン基板11とのコンタクトをとる必要があるため、バリアメタルのチタンTiと窒化チタンTiNの積層膜とタングステンWを用いることが好ましい。次いで、図7Aに示すように、導電膜240、即ち、TiとTiNとWを遮光したい部分だけ残すように加工する工程5。ここで、コンタクトプラグ材料をそのまま遮光膜24として残すことで、工程数を増やすことなく、プラグと遮光膜24を形成することができる。続いて、図7Bに示すように、遮光膜24の上に絶縁膜25を形成し、例えばCMP化学的機械研磨を用いて絶縁膜25の上面を平坦化する工程6。そして、図8Aに示すように、遮光膜24の上にコンタクトプラグ26を形成し工程7、次いで、図8Bに示すように、G光用の光電変換膜17の下部電極27となる透明電極を形成する工程8。次に、図9に示すように、下部電極27のエッジの段差を緩和するための絶縁膜28を形成する工程9。この絶縁膜28については、全面に成膜した後に、テーパー形状をもち、下部電極27の表面を露出するようなエッチングを行うことで形成することができる。次に、図10に示すように、G光用の光電変換膜17と上部電極29の一部となる透明電極とを順に成膜する工程10。ここでは、光電変換膜17と上部電極29の一部となる透明電極とを成膜した後に、上部電極29をハードマスクとして光電変換膜17を所望の形状に加工する。しかる後、図11に示すように、更に透明電極30を積み増す工程11。そして、最終的に、図1に示すように、光電変換を行わない光学的黒領域の画素上に遮光膜32を形成する。以上説明したように、実施例1に係る画素構造は裏面照射型の画素構造を採っている。この裏面照射型の画素構造によれば、シリコン基板11とG光用の光電変換膜17との間に配線層が存在しないため、配線層が存在する表面照射型の画素構造に比べて、光電変換膜17と基板面との間の距離、ひいては、光電変換膜17と基板内部の光電変換層12,15との間の距離を短くできる。これにより、入射光の光軸方向における、G光用の光電変換膜17及びB光用、R光用の光電変換層12,15の配設位置の違いによるF値に対する感度の変化を小さくできるため、色毎の感度のF値依存を低減できる。ここで、シリコン基板11の内部にB光用、R光用の光電変換層12,15を設ける場合には、シリコン基板11の受光面、即ち、光電変換層12,15の上方の部位を開口しておく必要がある。加えて、同じくシリコン基板11の内部に設けられたG光用の電荷蓄積部16については遮光する必要があり、その遮光膜24に対しては、斜めに入射する光の漏れ込みを確実に抑え得ることが望まれる。これに対して、実施例1に係る画素構造では、遮光膜2424A,24B,24Cとシリコン基板11との間には反射防止膜22が存在するだけであり、基板面に近い位置で遮光する構造となっている。従って、遮光膜24に開口24Oが存在していても、当該遮光膜24によって斜めに入射する光の漏れ込みを確実に抑えることができる。しかも、遮光膜24が配線を兼ね、G光用の光電変換膜17とシリコン基板11とを電気的に接続するコンタクト部、即ち、遮光膜24の基板側に突出する凸部も、G光用の光電変換膜17の遮光構造の一部を成しているため、斜め光の漏れ込みをより確実に抑制できる。また、シリコン基板11の内部に設けられた2層の光電変換層12,15においても、隣接する画素間での混色を抑制するには、隣接する画素間を遮光する必要がある。これに対しても、実施例1に係る画素構造では、隣接する画素間を遮光する遮光膜24Aを、G光用の電荷蓄積部16を遮光する遮光膜24Bと同じ層として同じ工程で形成しているため、工程数を増やさずに所期の目的の遮光を実現できる。これにより、画素間の混色低減に効果を発揮することができる。また更に、下部電極27及び上部電極29によって挟まれて成る光電変換膜17にあっては、光電変換を行うためには、上部電極29に対して所定のバイアス電圧を印加する必要がある。これに対して、実施例1に係る画素構造では、遮光膜24を上部電極29に対して所定のバイアス電圧を印加するための配線の一部として用いているために、別途配線を形成する場合に比べて、工程数の増加を抑えることが可能となる。[1-2.実施例2]実施例2に係る画素構造は、構造及びプロセスフローについては、実施例1に係る画素構造と基本的に同様であるが、遮光膜24の構成及び電位の取り方が実施例1に係る画素構造と異なっている。すなわち、実施例2に係る画素構造の断面構造については、遮光膜24の構成を除き、図1に示す実施例1に係る画素構造の場合と基本的に同じ構造となっている。図12は、本開示の実施形態に係る固体撮像装置の実施例2に係る画素構造における画素アレイ部の遮光膜24を形成した状態の上面図である。また、図13には、図12における上下左右に隣接する4つの画素について拡大して示している。図12及び図13では、遮光膜24について、理解を容易にするために、ハッチングを付して示している。実施例1に係る画素構造では、画素の周辺部を全体的に遮光膜2424A,24Cによって遮光するとともに、当該遮光膜24とは電気的に分離された遮光膜24BによってG光用の電荷蓄積部16を遮光する構成を採っていた。そして、遮光膜24については画素アレイ部の周辺においてコンタクト部33にて例えばグランド電位とコンタクトをとり、遮光膜24Bについてはコンタクト部34にてシリコン基板11とコンタクトをとることによって配線として兼用していた。これに対して、実施例2に係る画素構造にあっては、図12及び図13に示すように、遮光膜24として、G光用の電荷蓄積部16を遮光する遮光膜24Bと、B光用の光電変換層12の電荷蓄積部12Bを遮光する遮光膜24Cとを一体的に形成した構成を採っている。当然のことながら、遮光膜24における、B光用の光電変換層12の光電変換部12Aの上方の部位には、入射光を通過させる開口24Oが形成されている。そして、この遮光膜2424B,24Cについては、コンタクト部34にてシリコン基板11とコンタクトをとることにより、光電変換膜17から下部電極27を介して取り出された電荷をG光用の電荷蓄積部16に供給する配線として兼用している。遮光膜2424B,24Cは、配線の一部であることから、画素毎に分離された構造となっている。図14に、上部電極29に透明電極30を積み増しした状態を示す。同図に示すように、上部電極29について、画素全体で同一の電位にするために、上部電極29に積み増しされた透明電極30は、画素アレイ部の周辺部でシリコン基板11に対してコンタクト部35にて電気的に接続される。この実施例2に係る画素構造によれば、B光用の光電変換層12の電荷蓄積部12Bを遮光する遮光膜24Cが、G光用の電荷蓄積部16を遮光する遮光膜24Bと一体的に形成されていることで、電荷蓄積部12Bと電荷蓄積部16との間の上方の部位からの漏れ光を無くすことができる。また、図2のコンタクト部33に相当するコンタクト部が不要になるため、コンタクト部の数を削減できる分だけチップサイズの縮小化を図ることができる。[1-3.実施例3]実施例3に係る画素構造は、構造及びプロセスフローについては、実施例1に係る画素構造と基本的に同様であるが、遮光膜24の構成及び電位の取り方が実施例1に係る画素構造と異なっている。すなわち、実施例3に係る画素構造の断面構造については、遮光膜24の構成を除き、図1に示す実施例1に係る画素構造の場合と基本的に同じ構造となっている。図15は、本開示の実施形態に係る固体撮像装置の実施例3に係る画素構造における画素アレイ部の遮光膜24を形成した状態の上面図である。また、図16には、図15における上下左右に隣接する4つの画素について拡大して示している。図15及び図16では、遮光膜24について、理解を容易にするために、ハッチングを付して示している。実施例2に係る画素構造では、遮光膜24として、G光用の電荷蓄積部16を遮光する遮光膜24Bと、B光用の光電変換層12の電荷蓄積部12Bを遮光する遮光膜24Cとを一体的に形成していた。そして、実施例1の画素構造における画素間の格子状の遮光膜24Aについては省略した構成を採っていた。これに対して、実施例3に係る画素構造は、実施例2に係る画素構造の場合と同様に、G光用の電荷蓄積部16を遮光する遮光膜24Bと、B光用の光電変換層12の電荷蓄積部12Bを遮光する遮光膜24Cとを一体的に例えばL字状に形成している。遮光膜2424B,24Cにおける、B光用の光電変換層12の光電変換部12Aの上方の部位には、入射光を通過させる開口24Oが形成されている。加えて、実施例3に係る画素構造では、図15及び図16に示すように、実施例1に係る画素構造の場合と同様に、画素間に格子状に形成されて画素相互間を遮光する遮光膜24Aを設けた構成を採っている。この遮光膜24Aは、画素アレイ部の周辺部にてコンタクト部33を介してシリコン基板11とコンタクトがとられることで、ウェル電位、例えばグランド電位0Vに設定される。すなわち、遮光膜24Aは、画素アレイ部の全領域において等電位となっている。図17に、上部電極29に透明電極30を積み増しした状態を示す。同図に示すように、上部電極29について、画素全体で同一の電位にするために、上部電極29に積み増しされた透明電極30は、画素アレイ部の周辺部でシリコン基板11に対してコンタクト部35にて電気的に接続される。[1-4.実施例4]図18は、本開示の実施形態に係る固体撮像装置の実施例4に係る画素構造を示す断面図であり、図中、図1と同等部位には同一符号を付して示している。実施例4に係る画素構造では、構造及びプロセスフローについては、実施例1に係る画素構造と基本的に同様であるが、Nのコンタクト部21及び遮光膜24の構成が実施例1に係る画素構造と異なっている。すなわち、実施例4に係る画素構造の断面構造については、Nのコンタクト部21及び遮光膜24の構成を除き、図1に示す実施例1に係る画素構造の場合と基本的に同じ構造となっている。実施例1に係る画素構造では、Nのコンタクト部21が、平面視で光入射面から見てG光用の電荷蓄積部16と同程度の大きさの面積にて形成され、当該コンタクト部21の大きさに対応した穴径にてコンタクトホール23が形成されていた。これにより、遮光部24のコンタクトホール23の底部の部位の面積は、G光用の電荷蓄積部16の上部の面積に比べてかなり小さい構造となっていた。これに対して、実施例4に係る画素構造は、Nのコンタクト部21を、平面視で光入射面から見てG光用の電荷蓄積部16よりも大きな面積にて形成し、当該コンタクト部21の領域からはみ出さない範囲内で、電荷蓄積部16の領域よりも大きな穴径にてコンタクトホール23を形成する構造を採っている。そして、コンタクトホール23に導電性の材料を埋め込むことにより、配線を兼ねた遮光膜2424A,24Bが形成される。実施例1でも述べたように、遮光膜24Aは、画素間に格子状に形成されて画素相互間を遮光する遮光膜である。また、遮光膜24Bは、画素内に島状に形成されて画素個々のG光用の電荷蓄積部16を遮光する遮光膜である。実施例4に係る画素構造においては、遮光部24のコンタクトホール23の底部の部位は、実施例1に係る画素構造の場合に比べて大きな面積となっており、Nのコンタクト部21との電気的な接続を行うだけでなく、遮光膜としても機能することになる。これにより、G光用の電荷蓄積部16と遮光膜24即ち、遮光部24のコンタクトホール23の底部の部位との間の距離が近くなるため、斜め入射光のG光用の電荷蓄積部16への漏れ込みを効果的に抑制することができる。また、実施例4に係る画素構造では、Nのコンタクト部21の領域よりも小さい穴径にてコンタクトホール23を形成している点も特徴の一つとして挙げることができる。コンタクトホール23がNのコンタクト部21の領域からはみ出して形成されていると、Nのコンタクト部21と周辺のPウェル基板との間でコンタクトメタルを介したリークが増加する。従って、Nのコンタクト部21の領域よりもコンタクトホール23を小さくすることが重要である。そして、Nのコンタクト部21の領域よりもコンタクトホール23を小さく形成した上で、更に、G光用の電荷蓄積部16を遮光部24のコンタクトホール23の底部の部位で遮光するという構造は、実施例4実施例1に係る画素構造であるが故に実現できる構造となっている。具体的には、G光用の電荷蓄積部16と、オーバーフローバリア20と、Nのコンタクト部21とを縦方向基板面に対して垂直な方向に積層しているからこそ可能な有利な構造となっている。換言すれば、実施例4に係る画素構造は、オーバーフローバリア20をNのコンタクト部21の横に形成し、横方向基板面に平行な方向にG光用の電荷蓄積部16を形成する構造では実現が不可能である。<2.変形例>上記実施形態では、基板外部に設ける光電変換膜をG光用の光電変換膜とし、基板内部に設ける光電変換層をB光用、R光用の光電変換層とした画素構造を例に挙げて説明したが、これらの組み合わせは一例に過ぎず、これに限定されるものではない。すなわち、基板外部に設ける光電変換膜としては所定の波長域の光について光電変換を行い、他の波長域の光を透過させるものであれば良く、また、基板内部に設ける光電変換層としては当該他の波長域の光について光電変換を行うものであれば良い。また、上記実施形態では、基板内部に設ける光電変換層をB光用、R光用の2色分の光電変換層とした画素構造を例に挙げて説明したが、これに限られるものではなく、少なくとも1色分の光電変換層を基板内部に設けた画素構造であれば、本開示の技術を適用することができる。また、本開示の技術は、可視光の入射光量の分布を検知して画像として撮像する固体撮像装置への適用に限らず、赤外線やX線、あるいは粒子等の入射量の分布を画像として撮像する固体撮像装置全般に対して適用可能である。尚、固体撮像装置はワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と、信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。<3.電子機器>本開示は、固体撮像装置への適用に限られるものではなく、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、携帯電話機などの撮像機能を有する携帯端末装置など、画像取込部光電変換部に固体撮像装置を用いる電子機器全般に対して適用可能である。画像取込部に固体撮像装置を用いる電子機器には、画像読取部に固体撮像装置を用いる複写機も含まれる。尚、電子機器に搭載される上記モジュール状の形態、即ちカメラモジュールを撮像装置とする場合もある。撮像装置図19は、本開示に係る電子機器、例えば、撮像装置の構成の一例を示すブロック図である。図19に示すように、本開示に係る撮像装置100は、レンズ群101等を含む光学系、撮像素子撮像デバイス102、DSP回路103、フレームメモリ104、表示装置105、記録装置106、操作系107及び電源系108等を有する。そして、DSP回路103、フレームメモリ104、表示装置105、記録装置106、操作系107及び電源系108がバスライン109を介して相互に接続されている。レンズ群101は、被写体からの入射光像光を取り込んで撮像素子102の撮像面上に結像する。撮像素子102は、レンズ群101によって撮像面上に結像された入射光の光量を画素単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。表示装置105は、液晶表示装置や有機EL表示装置等のパネル型表示装置からなり、撮像素子102で撮像された動画または静止画を表示する。記録装置106は、撮像素子102で撮像された動画または静止画を、ビデオテープやDVD等の記録媒体に記録する。操作系107は、ユーザによる操作の下に、本撮像装置が持つ様々な機能について操作指令を発する。電源系108は、DSP回路103、フレームメモリ104、表示装置105、記録装置106及び操作系107の動作電源となる各種の電源を、これら供給対象に対して適宜供給する。上記の構成の撮像装置は、ビデオカメラやデジタルスチルカメラ、さらには、携帯電話機等のモバイル機器向けのカメラモジュールなどの種々の撮像装置として用いることができる。そして、当該撮像装置において、その画像取込部、即ち、撮像素子102として、先述した実施形態に係る固体撮像装置を用いることで、次のような作用、効果を得ることができる。すなわち、先述した実施形態に係る固体撮像装置は、入射光の光軸方向における光電変換膜及び光電変換層の配設位置の違いによるF値に対する感度の変化を小さくできるために、色毎の感度のF値依存を低減できる。従って、当該固体撮像装置を種々の撮像装置においてその画像取込部として用いることで、良好な撮像画像を得ることができる。<4.本開示の構成>1半導体基板の配線層が形成される第1面と反対側の第2面側に設けられ、所定の波長域の光について光電変換を行い、他の波長域の光を透過させる光電変換膜と、前記半導体基板の内部に設けられ、前記光電変換膜を透過した前記他の波長域の光について光電変換を行う光電変換層とを備え、前記光電変換膜及び前記光電変換層に対して前記第2面側から入射光を取り込む固体撮像装置。2前記半導体基板へ光が入射する領域を規定する、導電性をもつ遮光膜を有し、前記遮光膜は、前記半導体基板に対して電気的に接続されている前記1に記載の固体撮像装置。3前記遮光膜には、入射光を前記半導体基板側に通過させる開口が設けられており、前記光電変換膜は、前記開口の面積よりも大きい面積を有する前記2に記載の固体撮像装置。4前記半導体基板の内部に設けられ、前記光電変換膜で光電変換された電荷を蓄積する電荷蓄積部を有し、前記遮光膜は、前記半導体基板に対して画素毎に電気的に接続され、前記光電変換膜で光電変換された電荷を前記電荷蓄積部に転送する前記2または前記3に記載の固体撮像装置。5前記遮光膜は、前記電荷蓄積部の上部の面積よりも大きな面積を有し、前記電荷蓄積部に対する遮光を行う前記4に記載の固体撮像装置。6前記遮光膜は、前記電荷蓄積部の上部の面積よりも大きな面積の部分と、当該大きな面積の部分から前記半導体基板側に突出し、前記半導体基板の表層部に形成された拡散領域に電気的に接する凸部とを有し、当該凸部によっても前記電荷蓄積部に対する遮光を行う前記5に記載の固体撮像装置。7前記遮光膜は、前記半導体基板の表層部に形成された拡散領域に電気的に接しており、前記拡散領域は、前記電荷蓄積部の上部の面積よりも大きな面積を有している前記5に記載の固体撮像装置。8前記遮光膜は、画素間の遮光を行う遮光領域を有し、前記遮光領域は、前記遮光膜を通して前記半導体基板側から所定の電位が与えられる前記2から前記7のいずれかに記載の固体撮像装置。9前記光電変換膜は、下部電極と上部電極とによって挟まれており、前記遮光膜の一部は、前記半導体基板側から前記上部電極に対して所定のバイアス電圧を供給する配線として用いられる前記2から前記7のいずれかに記載の固体撮像装置。10半導体基板の配線層が形成される第1面と反対側の第2面側に設けられ、所定の波長域の光について光電変換を行い、他の波長域の光を透過させる光電変換膜と、前記半導体基板の内部に設けられ、前記光電変換膜を透過した前記他の波長域の光について光電変換を行う光電変換層とを備え、前記光電変換膜及び前記光電変換層に対して前記第2面側から入射光を取り込む固体撮像装置を有する電子機器。"