金属膜が形成された半導体基板を、表面がアルコールで濡れた状態でチャンバ内に導入する工程と、前記チャンバ内に二酸化炭素の超臨界流体を供給する工程と、前記チャンバ内の温度を75°C以上かつ前記アルコールの臨界温度未満の所定温度にして、前記半導体基板上の前記薬液を前記超臨界流体に置換する工程と、前記チャンバ内の温度を前記所定温度に維持しながら、前記チャンバから前記超臨界流体及び前記アルコールを排出し、前記チャンバ内の圧力を下げる工程と、を備える半導体基板の超臨界乾燥方法。前記所定温度は97°C以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の超臨界乾燥方法。薬液を用いて前記半導体基板を洗浄し、前記半導体基板の洗浄後に、純水を用いて前記半導体基板をリンスし、前記純水を用いた前記半導体基板のリンス後、前記半導体基板を前記チャンバ内に導入する前に、前記アルコールを用いて前記半導体基板をリンスすることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体基板の超臨界乾燥方法。前記金属膜は、タングステン、チタン、又は窒化チタンを含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体基板の超臨界乾燥方法。前記アルコールはイソプロピルアルコールであり、前記臨界温度は235.6°Cであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体基板の超臨界乾燥方法。本発明は、半導体基板上に生じるパーティクルを低減すると共に、半導体デバイスの電気的特性の劣化を防止することができる半導体基板の超臨界乾燥方法を提供することを目的とする。本実施形態によれば、半導体基板の超臨界乾燥方法は、金属膜が形成された半導体基板を、表面がアルコールで濡れた状態でチャンバ内に導入する工程と、前記チャンバ内に二酸化炭素の超臨界流体を供給する工程と、前記チャンバ内の温度を75°C以上かつ前記アルコールの臨界温度未満の所定温度にして、前記半導体基板上の前記薬液を前記超臨界流体に置換する工程と、前記チャンバ内の温度を前記所定温度に維持しながら、前記チャンバから前記超臨界流体及び前記アルコールを排出し、前記チャンバ内の圧力を下げる工程と、を備える。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。まず、超臨界乾燥について説明する。図1は、圧力と温度と物質の相状態との関係を示す状態図である。超臨界乾燥に用いられる超臨界流体の機能物質には、三態と称される気相気体、液相液体、固相固体の3つの存在状態がある。図1に示すように、上記3つの相は、気相と液相との境界を示す蒸気圧曲線気相平衡線、気相と固相との境界を示す昇華曲線、固相と液相との境界を示す溶解曲線で区切られる。これら3つの相が重なったところが三重点である。この三重点から蒸気圧曲線が高温側に延びると、気相と液相が共存する限界である臨界点に達する。この臨界点では、気相と液相の密度が等しくなり、気液共存状態の界面が消失する。そして、臨界点より高温、高圧の状態では、気相、液相の区別がなくなり、物質は超臨界流体となる。超臨界流体とは、臨界温度以上で高密度に圧縮された流体である。超臨界流体は、溶媒分子の拡散力が支配的である点においては気体と類似している。一方、超臨界流体は、分子の凝集力の影響が無視できない点においては液体と類似しているため、種々の物質を溶解する性質を有している。また、超臨界流体は、液体に比べ非常に高い浸潤性を有し、微細な構造にも容易に浸透する特徴がある。また、超臨界流体は、超臨界状態から直接気相に転移するように乾燥させることで、気体と液体の界面が存在しないように、すなわち毛管力表面張力が働かないようにして、微細構造を破壊することなく乾燥することができる。超臨界乾燥とは、このような超臨界流体の超臨界状態を利用して基板を乾燥することである。この超臨界乾燥に用いられる超臨界流体としては、例えば、二酸化炭素、エタノール、メタノール、プロパノール、ブタノール、メタン、エタン、プロパン、水、アンモニア、エチレン、フルオロメタン等が選択される。特に、二酸化炭素は、臨界温度が31.1°C、臨界圧力が7.37MPaと比較的低温低圧であるので、容易に処理が可能である。本実施形態における超臨界乾燥処理は、二酸化炭素を用いたものである。図2に本発明の実施形態に係る超臨界乾燥システムの概略構成を示す。超臨界乾燥システムは、ボンベ201、冷却器202、203、昇圧ポンプ204、ヒータ205、バルブ206、207、気液分離器208、及びチャンバ210を備える。ボンベ201は液体状態の二酸化炭素を貯留する。昇圧ポンプ204は、ボンベ201から二酸化炭素を吸い出し、昇圧して排出する。ボンベ201から吸い出された二酸化炭素は、配管231を介して冷却器202に供給され、冷却されてから、配管232を介して昇圧ポンプ204に供給される。昇圧ポンプ204は、二酸化炭素を昇圧して排出する。昇圧ポンプ204から排出された二酸化炭素は配管233を介してヒータ205に供給される。ヒータ205は二酸化炭素を臨界温度以上に昇温加熱する。ヒータ205から排出された二酸化炭素は配管234を介してチャンバ210に供給される。配管234にはバルブ206が設けられている。バルブ206は、チャンバ210への二酸化炭素の供給量を調整する。なお、配管231~234にはそれぞれパーティクルを除去するフィルタ221~224が設けられている。チャンバ210は、SUSで形成された所定の耐圧性を確保した高圧容器である。また、チャンバ210は、ステージ211及びヒータ212を有する。ステージ211は被処理基板Wを保持するリング状の平板である。ヒータ212は、チャンバ210内の温度を調整することができる。ヒータ212はチャンバ210の外周部に設けてもよい。チャンバ210内の気体や超臨界流体は、配管235を介して排出される。配管235にはバルブ207が設けられている。バルブ207の開度によって、チャンバ210内の圧力を調整することができる。配管235のバルブ207より下流側では、超臨界流体は気体となる。気液分離器208は、気体と液体を分離する。例えば、チャンバ210から、アルコールが溶解した超臨界状態の二酸化炭素が排出された場合、気液分離器208は、液体のアルコールと気体の二酸化炭素とを分離する。分離されたアルコールは再利用することができる。気液分離器208から排出された気体状態の二酸化炭素は、配管236を介して冷却器203に供給される。冷却器203は、二酸化炭素を冷却して液体状態とし、配管237を介して冷却器202へ排出する。冷却器203から排出された二酸化炭素も昇圧ポンプ204に供給される。このような構成にすることで、二酸化炭素を循環使用できる。図3に本実施形態に係る半導体基板の洗浄及び乾燥方法を説明するフローチャートを示す。ステップS101処理対象の半導体基板が図示しない洗浄チャンバに搬入される。そして、半導体基板の表面に薬液が供給され、洗浄処理が行われる。薬液には、例えば、硫酸、フッ酸、塩酸、過酸化水素等を用いることができる。ここで、洗浄処理とは、レジストを半導体基板から剥離するような処理や、パーティクルや金属不純物を除去する処理や、基板上に形成された膜をエッチング除去する処理等を含むものである。なお、本実施形態における処理対象の半導体基板には、タングステンを用いて形成された金属膜金属配線が設けられているものとする。ステップS102半導体基板の表面に純水が供給され、半導体基板の表面に残留していた薬液を純水によって洗い流す純水リンス処理が行われる。ステップS103半導体基板の表面にアルコールが供給され、半導体基板の表面に残留していた純水をアルコールに置換するアルコールリンス処理が行われる。アルコールは、純水と超臨界二酸化炭素流体の両方に溶解する置換しやすいものが用いられる。本実施形態ではイソプロピルアルコールIPAを用いて説明する。ステップS104表面がIPAで濡れた状態のまま、自然乾燥しないように、半導体基板が洗浄チャンバから搬出され、図2に示す超臨界乾燥システムのチャンバ210に導入され、ステージ211に固定される。半導体基板の固定後、チャンバ210を密閉する。ステップS105ボンベ201内の二酸化炭素ガスを昇圧ポンプ204及びヒータ205により昇圧昇温し、配管234を介して、チャンバ210内に供給する。チャンバ210内の圧力温度が二酸化炭素の臨界圧力臨界温度以上になるとチャンバ210内の二酸化炭素は超臨界流体超臨界状態となる。なお、この時、ヒータ212を用いて、チャンバ210内の温度Tを75°C以上、かつIPAの臨界温度235.6°C未満にする。チャンバ210内の温度Tをこのような温度に設定する理由については後述する。図4は、二酸化炭素とIPAの各々についての、圧力と温度と相状態との関係を示す状態図である。図4では、実線が二酸化炭素に対応し、破線がIPAに対応する。本ステップにおけるチャンバ210内の二酸化炭素の変化は、図4における矢印A1に相当する。ステップS106半導体基板を、超臨界CO2流体に所定時間、例えば20分程度、浸漬させる。これにより、半導体基板上のIPAが超臨界CO2流体に溶解し、半導体基板からIPAが除去される。言い換えれば、半導体基板上のIPAが超臨界CO2流体に置換される。この時、配管234を介してチャンバ210内に超臨界CO2流体を供給しつつ、バルブ207を開き、配管235を介してチャンバ210内から、IPAが溶解した超臨界CO2流体が徐々に排出されるようにする。また、チャンバ210内の温度Tは、ステップS105における設定温度のままとなるようにヒータ212を制御する。ステップS107バルブ207を開いて排気し、チャンバ210内の圧力を降圧して大気圧に戻し図4の矢印A2参照、基板の乾燥処理を終了する。排気降圧時のチャンバ210内の温度が、ステップS105における設定温度を維持するようにヒータ212を制御する。図4の矢印A2が示すように、チャンバ210内の圧力低下により、チャンバ210内の二酸化炭素は超臨界状態から気体状態に変化し、IPAは液体状態から気体状態に変化する。なお、降圧時のチャンバ210内の温度Tは、75°C以上、かつIPAの臨界温度235.6°C未満であれば多少変動してもよい。上述のような洗浄乾燥処理を行った後の半導体基板上における、サイズ40nm以上のパーティクルの数を、ステップS105におけるチャンバ210内の温度Tを40°Cにした場合、75°Cにした場合、97°Cにした場合のそれぞれについて観測した。なお、チャンバ210内の圧力二酸化炭素の分圧が8MPa臨界圧力以上となるように昇圧し、半導体基板のサイズは300mmとした。その結果、半導体基板上のパーティクル数は、図5に示すように、温度Tが40°Cの場合は60000個以上でオーバーフローパーティクル測定器設定値以上、75°Cの場合は35639個、97°Cの場合は9279個となった。この結果から、チャンバ210内の温度を上げることで、乾燥処理後の半導体基板上におけるパーティクル数が少なくなることがわかる。これは、チャンバ210内の温度が高い程、超臨界CO2流体に溶け込む溶媒IPAのクラスターが小さくなり、ステップS107における排気降圧時に、凝集して半導体基板に降り注ぐ溶媒起因のパーティクルが小さくなること、あるいはまた、凝集しても半導体基板に降り注ぐ前に溶媒が気化するといったことが要因として考えられる。半導体基板上のパーティクル数は少ない方がよい。温度40°Cでは、多数のパーティクルが半導体基板上に付着しており測定が不可能である。したがって温度Tは75°C以上が好ましく、97°C以上とすることがさらに好ましい。次に、上述のような洗浄乾燥処理時の、半導体基板上のタングステン膜のエッチングレートについて、ステップS105におけるチャンバ210内の温度Tを190°Cにした場合、250°Cにした場合のそれぞれについて観測した。190°CはIPAの臨界温度235.6°C未満であり、250°CはIPAの臨界温度以上である。チャンバ210内の圧力二酸化炭素の分圧は8MPaとなるように昇圧した。その結果、図6に示すように、温度Tが190°Cの場合はタングステン膜のエッチングレートが約2nm/分であったのに対し、温度Tが250°Cの場合は約3.4nm/分であった。これは、温度TをIPAの臨界温度以上にすると、IPAが超臨界状態になり、IPAから分解した生成物が発生し、タングステン膜がIPA超臨界状態で発生した生成物によりエッチングされたためと考えられる。そのため、温度Tは、IPAの臨界温度未満とすることが好ましい。従って、半導体基板上のパーティクル数及びタングステンのエッチングを考慮して、ステップS105では、チャンバ210内の温度Tが、75°C以上、より好ましくは97°C以上、かつIPAの臨界温度235.6°C未満となるようヒータ212を制御する。このように、本実施形態によれば、半導体基板上のIPAを超臨界CO2流体に置換すし、排気降圧するステップS105~S107ときのチャンバ210内の温度を、75°C以上かつIPAの臨界温度235.6°C未満とすることで、半導体基板上に生じるパーティクルを低減することができる。また、半導体基板の乾燥処理中のタングステンのエッチングを抑え、半導体デバイスの電気的特性の劣化を防止することができる上記実施形態では、半導体基板に形成される金属膜がタングステン膜である場合について説明したが、チタン又は、窒化チタン等の金属膜が形成されている場合にも、同様の効果を得ることができる。また、上記実施形態ではアルコールリンス処理にIPAを使用する例について説明したが、エタノール、メタノール、フッ化アルコール等を用いてもよい。その場合、ステップS105で設定されるチャンバ210内の温度Tは、使用したアルコールの臨界温度未満となるようにする。上記実施形態では、二酸化炭素を循環使用する超臨界乾燥システムについて説明したが、超臨界乾燥システムの構成はこれに限定されず、二酸化炭素を循環使用しない構成でもよい。なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。