"金属の酸化剤、酸化金属溶解剤、金属防食剤及び重量平均分子量が8,000以上のアニオン性官能基を有する水溶性ポリマを含有し、pHが1以上3以下であることを特徴とする金属用研磨液。前記金属の酸化剤が、過酸化水素、過硫酸アンモニウム、硝酸、過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸及びオゾン水から選ばれる1種類以上の酸化剤であることを特徴とする請求項1記載の金属用研磨液。前記酸化金属溶解剤が、25°Cにおける第一段の酸解離指数が3.7未満である無機酸または有機酸、もしくはその塩から選ばれる1種類以上の酸化金属溶解剤であることを特徴とする請求項1又は2記載の金属用研磨液。前記酸化金属溶解剤が、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、グリコール酸、グルタミン酸、シュウ酸、酒石酸、硫酸、硝酸、燐酸、塩酸、ギ酸、乳酸、フタル酸、フマル酸、マレイン酸、アミノ酢酸、アミド硫酸及びその塩から選ばれる1種類以上の酸化金属溶解剤であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の金属用研磨液。前記金属防食剤が、含窒素環状化合物及びイオン性界面活性剤から選ばれる1種類以上の金属防食剤であることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の金属用研磨液。前記アニオン性官能基を有する水溶性ポリマが、スルホン酸基、カルボン酸基、リン酸基、またはその塩の少なくとも1種類のアニオン性官能基を有する水溶性ポリマであることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の金属用研磨液。金属用研磨液重量に対して、1重量未満の研磨粒子を添加してなる請求項1~6のいずれか一項に記載の金属用研磨液。前記研磨粒子が、シリカ、アルミナ、セリア、チタニア、ジルコニア、ゲルマニアから選ばれる1種類以上の研磨粒子であることを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の金属用研磨液。金属用研磨液の研磨対象である被研磨金属が、銅、銅合金及び銅化合物から選ばれる1種類以上の金属であることを特徴とする請求項1~8のいずれか一項に記載の金属用研磨液。研磨定盤の研磨布上に請求項1~9のいずれか一項に記載の金属用研磨液を供給しながら、被研磨金属膜を有する基板を研磨布に押圧した状態で研磨定盤と基板を相対的に動かして被研磨金属膜を研磨することを特徴とする被研磨膜の研磨方法。以下に、本発明の金属用研磨液について詳細に説明する。従来、実質的に研磨砥粒を含まない金属用研磨液は、研磨速度を減少させない為に金属防食剤の添加量を最低限に抑制することが求められていた。しかしながら、金属防食剤の添加量を減らすと研磨布との接触面のみならず、凹部においても等方的なエッチングが進みディッシングの発生を十分に抑制できなかった。これに対し、種々の金属用研磨液が検討され、エッチングの抑制と研磨速度の向上を達成しているが、テクノロジーノード130nm以降に必要とされるレベルのディッシング量の埋め込みCu配線の形成は困難であった。これに対して本発明者らは、十分に低いpHの領域において、金属防食剤と重量平均分子量が8,000以上のアニオン性官能基を有する水溶性ポリマを併用することによって、CMPに適用できる十分に高い研磨速度の達成と、テクノロジーノード130nm以降に必要とされるレベルのディッシング量の埋め込みCu配線の形成が可能であることを見出した。本発明の金属用研磨液は、金属の酸化剤、酸化金属溶解剤、金属防食剤及び重量平均分子量が8,000以上のアニオン性官能基を有する水溶性ポリマを含有し、pHが1以上3以下であることを特徴とする。本発明の金属用研磨液のpHは1以上3以下であり、好ましくは1.5以上2.8以下、さらに好ましくは1.8以上2.5以下である。pHが3を超えるとディッシングが増加し、また、pHが1未満では配線金属の腐食やエッチングに起因すると思われるディッシングが増加してしまう。pHは、例えば、金属用研磨液に添加する酸化金属溶解剤の量で調整することができる。また、アンモニア、水酸化カリウム等の塩基を酸化金属溶解剤と併用することにより調整することも可能である。本発明におけるpHは、pHメータ例えば、横河電機株式会社製、ModelpH81で測定することができる。測定方法は、標準緩衝液フタル酸塩pH緩衝液pH:4.2125°C、中性りん酸塩pH緩衝液pH6.8625°Cを用いて2点構成した後、電極を研磨液に入れて、2分以上経過して安定した後の値を研磨液のpHとした。本発明における金属の酸化剤としては、過酸化水素H2O2、硝酸、過ヨウ素酸カリウム、過硫酸アンモニウム、次亜塩素酸、オゾン水等が挙げられ、これらの中でも過酸化水素が好ましい。これら酸化剤は1種類単独で、もしくは2種類以上を組み合わせて使用することができる。基板が集積回路用素子を含むシリコン基板である場合、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン化物などによる汚染は望ましくないので、不揮発成分を含まない酸化剤が望ましく、なかでも安定性の面から過酸化水素が好ましい。本発明における酸化剤の配合量は適宜選択されるが、研磨液全重量に対して、3~20重量であることが好ましく、5~15重量であることがより好ましい。酸化剤の配合量が3重量未満である場合は、十分な研磨速度が得られない傾向にあり、20重量を超える場合にも同様にも十分な研磨速度が得られない傾向にある。本発明における酸化金属溶解剤は、25°Cにおける第一段の酸解離指数pK1が好ましくは3.7未満、さらに好ましくは2.0~3.7である無機酸または有機酸、もしくはその塩から選ばれる1種類以上の水溶性の酸化金属溶解剤である。かかる酸化金属溶解剤は、例えば、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、グリコール酸、グルタミン酸、グリコン酸、シュウ酸、酒石酸、ピコリン酸、ニコチン酸、マンデル酸、酢酸、硫酸、硝酸、燐酸、塩酸、ギ酸、乳酸、フタル酸、フマル酸、マレイン酸、アミノ酢酸、アミド硫酸、もしくはそのアンモニウム塩やカリウム塩などが挙げられる。これらの酸化金属溶解剤は保護幕形成剤とのバランスが得やすい点で好ましい。これらのなかでも、実用的なCMP速度を維持しつつ、エッチング速度を効果的に抑制できるという点で、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、リン酸、硫酸が好ましく、リンゴ酸、リン酸、硫酸がより好ましい。これら酸化金属溶解剤は1種類単独で、もしくは2種類以上を組み合わせて使用することができる。本発明において、高い研磨速度と低いディッシングを達成する為には水溶性ポリマのアニオン性官能基の解離を抑制する必要がある。アニオン性官能基の解離を抑制するには第一段の酸解離指数が低い酸を添加するのが効果的であり、具体的には第一段の酸解離指数が3.7未満である水溶性の酸化金属溶解剤が水溶性ポリマのアニオン性官能基の解離の抑制に有用であることが分かった。なお、本発明における酸解離指数は、酸解離定数の逆数の対数値で、例えば化学便覧基礎編改定4版平成5年9月30日発行、丸善株式会社、II-317~321頁に詳細な記載がある。本発明における酸化金属溶解剤の配合量は適宜選択されるが、研磨液全重量に対して、0.05~3.0重量であることが好ましく、0.1~1.0重量であることがより好ましい。酸化金属溶解剤の配合量が0.05重量未満である場合は、十分な研磨速度が得られない傾向にあり、3.0重量を超える場合は、実用的な平坦性が得られない傾向にある。本発明における金属防食剤は、金属膜表面の酸化層上に保護膜を形成し、酸化層の研磨液中への溶解を防止するものと考えられ、例えば、アンモニア;ジメチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、プロピレンジアミン等のアルキルアミンや、エチレンジアミンテトラ酢酸EDTA、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム、キトサン等のアミン;ジチゾン、クプロイン2,2’-ビキノリン、ネオクプロイン2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリン、バソクプロイン2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン、キュペラゾンビスシクロヘキサノンオキサリルヒドラゾン等のイミン;ベンズイミダゾール-2-チオ-ル、トリアジンジチオール、トリアジントリチオール、2-[2-ベンゾチアゾリル]チオプロピオン酸、2-[2-ベンゾチアゾリル]チオブチル酸、2-メルカプトベンゾチアゾール、1,2,3-トリアゾール、1,2,4-トリアゾール、3-アミノ-1H-1,2,4-トリアゾール、ベンゾトリアゾール、1-ヒドロキシベンゾトリアゾール、1-ジヒドロキシプロピルベンゾトリアゾール、2,3-ジカルボキシプロピルベンゾトリアゾール、4-ヒドロキシベンゾトリアゾール、4-カルボキシル-1H-ベンゾトリアゾール、4-カルボキシル-1H-ベンゾトリアゾールメチルエステル、4-カルボキシル-1H-ベンゾトリアゾールブチルエステル、4-カルボキシル-1H-ベンゾトリアゾールオクチルエステル、5-ヘキシルベンゾトリアゾール、N-1,2,3-ベンゾトリアゾリル-1-メチル-N-1,2,4-トリアゾリル-1-メチル-2-エチルヘキシルアミン、トリルトリアゾール、ナフトトリアゾール、ビス[1-ベンゾトリアゾリルメチル]ホスホン酸等のアゾール;ノニルメルカプタン、ドデシルメルカプタン等のメルカプタン;並びにグルコース、セルロース、ドデシルベンゼンスルホン酸、ドデシル硫酸及びその塩等が挙げられる。これらの中でも含窒素環状化合物、イオン性界面活性剤がエッチング速度の抑制と高い研磨速度の両立に好適であり、含窒素環状化合物がより好適である。イオン性界面活性剤としては、イオン性基がスルホン酸基、カルボン酸基、リン酸基、フェノール性水酸基のいずれか一つもしくは複数からなり、疎水性基が炭素数6以上からなるイオン性界面活性剤が好ましい。これら金属防食剤は1種類単独で、もしくは2種類以上を組み合わせて使用することができる。本発明における金属防食剤の配合量は適宜選択されるが、研磨液全重量に対して、0.05~3.0重量であることが好ましく、0.1~1.0重量であることがより好ましい。金属防食剤の配合量が0.05重量未満である場合は、十分な防食効果が得られずエッチングが増加し平坦性が悪化する傾向にあり、3.0重量を超える場合は、実用的な研磨速度が得られない傾向にある。本発明におけるアニオン性官能基を有する水溶性ポリマの重量平均分子量は8,000以上であり、好ましくは8,000以上200,000以下であり、より好ましくは20,000以上100,000以下であり、特に好ましくは40,000以上80,000以下である。重量平均分子量が8,000未満の場合は、研磨速度が低下し、かつ、ディッシングが増加してしまう。また、重量平均分子量の上限については特に制限はないが、例えば、200,000を超えると、研磨速度の大幅な低下は認められないが、研磨ウエハ面内の研磨速度分布のばらつきが大きくなり、ディッシングが増加する傾向がある。本発明におけるアニオン性官能基を有する水溶性ポリマの重量平均分子量の測定は、ゲル浸透クロマトグラフ法で行った。測定条件等は以下に示すとおりである。ポンプ:株式会社日立製作所製L-6000型検出器:株式会社日立製作所製L-3300型R1検出器カラム:株式会社日立製作所製GelpackGL-W500カラムサイズ:10.7mmφ×300mm溶離液:100mMリン酸緩衝液pH=6.8/アセトニトリル=90/10Vol液送圧力:17kgf/cm2溶離液流量:1.0ml/min測定サンプル量:50μl検量線:PEG/PEOアニオン性官能基を有する水溶性ポリマは、スルホン酸基、カルボン酸基、リン酸基、またはその塩の少なくとも1種を有する水溶性ポリマである。かかるアニオン性官能基としては、スルホン酸基、カルボン酸基、リン酸基が好ましく、スルホン酸基、カルボン酸基がより好ましい。また、塩としては、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、ハロゲン化物、アンモニウム塩などが例示されるが、研磨液を適用する基板が半導体集積回路用シリコン基板などの場合は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン化物等による汚染は望ましくないためアンモニウム塩が望ましい。水溶性ポリマはかかるアニオン性官能基を少なくとも一種類有しており、2種類以上含有していてもよい。また、アニオン性官能基が異なる水溶性ポリマを2種類以上使用することができる。かかるアニオン性基を有する水溶性ポリマとして、ポリスチレンスルホン酸、ポリアクリルアミドメチルプロパンスルホン酸、ポリリンゴ酸、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリクロトン酸、ポリイタコン酸、ポリマレイン酸、ポリフマル酸、ポリビニルスルホン酸、ポリアスパラギン酸、ポリグルタミン酸、ポリリン酸、ポリメタリン酸、またはそのアンモニウム塩、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩等を挙げることができる。これらのなかでも、ポリカルボン酸が賞用される。なお、ここでポリカルボン酸とは、官能基としてカルボキシル基を有する水溶性ポリマのことである。これらアニオン性官能基を有する水溶性ポリマは、従来法に基づいて製造することができる。本発明では、アニオン性官能基を有する水溶性ポリマを添加することにより、高い研磨速度と良好なディッシングを得ることができる。かかる水溶性ポリマの配合量は適宜選択されるが、研磨液全重量に対して、0.05~2.0重量であることが好ましく、0.1~0.8重量であることがより好ましい。アニオン性官能基を有する水溶性ポリマの配合量が0.05重量未満である場合は、実用的な研磨速度が得られない傾向にある。図1にpHとアニオン性官能基を有する水溶性ポリマの粒径及びディッシングの関係を示す。アニオン性官能基を有する水溶性ポリマの粒径は、アニオン性官能基を有する水溶性ポリマを酸化金属溶解剤の添加量でpH調整したものを測定した。アニオン性官能基を有する水溶性ポリマは、ポリカルボン酸であり、酸化金属溶解剤は硫酸を用いた。ディッシングは、金属の酸化剤、酸化金属溶解剤、金属防食剤及びアニオン性官能基を有する水溶性ポリマからなり、そのpHは酸化金属溶解剤の添加量で調整した。金属の酸化剤は、過酸化水素、酸化金属溶解剤は、硫酸、金属防食剤はベンゾトリアゾール、アニオン性官能基を有する水溶性ポリマはポリカルボン酸である。なお、ここでアニオン性官能基を有する水溶性ポリマの粒径とは、レーザ回折式粒度分布計にて得られた値であり、水溶液中でのポリマ鎖の広がりを示す指針として捉えている。また示した粒径はメジアン径である。pHが低くなる程、ポリマ径が小さくなることが分かる。これはpHが低くなるとアニオン性官能基の解離が抑制されてアニオン性官能基間の静電反発が低下してポリマ鎖が収縮した為と考えている。また、pHが低くなるに従ってディッシングが抑制されていることが分かる。被研磨金属上に形成される保護膜は、金属研磨液中の金属防食剤やポリマの吸着層又は金属防食剤やポリマと被研磨金属もしくはそのイオンが配位結合、イオン結合、共有結合等によって結合した反応物の層と考えられる。金属防食剤は、緻密且つ強固な保護膜を形成する為にディッシング抑止には非常に効果的であるが、添加量の増加によって研磨速度を低下させる。一方、水溶性ポリマを添加した金属用研磨液では、研磨速度の低下を回避できるが、ディッシングの増加抑制効果が低減する。これは、金属用研磨液中で水溶性のポリマ鎖が伸びた状態で存在し、このポリマ鎖によって形成された保護膜は粗雑な保護膜となり、これがディッシングの増加抑制効果を低下させていると考えられる。本発明の金属用研磨液は、低pH領域を用いることでポリマ鎖が収縮した水溶性ポリマ、すなわち緻密な水溶性ポリマが被研磨金属上を効率的に被覆することによって緻密な保護膜を形成しディッシングの増加を抑止すると考えている。一般的にポリマの分子量が大きいものは研磨速度は速くなるが、被研磨面の平坦性が得られ難くなり、逆にポリマの分子量が小さいものは被研磨面の平坦性は得られるが研磨速度が遅くなる傾向にある。本発明では重量平均分子量8000以上の水溶性ポリマを用いて特定のpH領域に設定することにより、水溶性ポリマのポリマ鎖が収縮しポリマ粒径が小さくなってきると考えられ、その結果、高研磨速度と被研磨面の平坦性を達成できる。加えて金属防食剤のような強固な保護膜ではなく、緻密ではあるが軟質な保護膜を形成することで高い研磨速度を得ていると考えている。一般的に金属防食剤と水溶性ポリマを併用することで、金属防食剤単独使用に比べて軟質な保護膜が形成され研磨速度は向上するが、被研磨面の平坦性が得られない。本発明では金属防食剤と重量平均分子量8000以上の水溶性ポリマを用いて特定のpH領域に設定することにより、高研磨速度と被研磨面の平坦性を達成できる。水溶性ポリマ粒径測定方法本発明で用いられる酸化金属溶解剤でpHを調整した水溶液中の水溶性ポリマの粒径実施例ではメジアン径と記す。を、レーザ回折式粒度分布計で測定した。測定装置:MALVERN社製ZETASIZER3000HS測定条件:温度25°C分散媒の屈折率1.33分散媒の粘度0.89cP本発明では、金属用研磨液に研磨粒子を添加してもよく、研磨粒子を添加することによって研磨速度をさらに向上させることができる。但し、研磨粒子を添加することによりディッシングが増加する可能性がある為、研磨粒子の添加量は本発明の効果に影響を及ぼさない範囲で適宜選択される。研磨粒子の添加量は、研磨液重量に対して、1重量未満が好ましく、0.001~1重量がより好ましく、0.03~1重量が特に好ましい。研磨粒子の添加量が1重量を超えるとディッシングが悪化する傾向にある。研磨粒子の添加量の下限は特に制限されないが、例えば、0.001重量未満では研磨速度の向上に寄与せず添加する効果が望めない傾向にある。研磨粒子としては、例えば、シリカ、アルミナ、チタニア、セリア、ジルコニア、もゲルマニア等の無機物砥粒、ポリスチレン、ポリアクリル、ポリ塩化ビニル等の有機砥粒等が挙げられ、これらのなかでもシリカ、アルミナ、セリアが好ましく、コロイダルシリカ及び/又はコロイダルシリカ類がより好ましい。さらに前記研磨粒子に微量金属種の添加や、表面修飾を施し、電位を調整したものを使用することもできる。その手法に特に制限はない。ここで、コロイダルシリカ類とはコロイダルシリカを基として、ゾルゲル反応時において金属種を微量添加したもの、表面シラノール基へ化学修飾などを施したもの等を指し、その手法に特に制限はない。これら研磨粒子は1種類単独で、もしくは2種類以上を組み合わせて使用することができる。研磨粒子の一次粒子径は、被研磨金属の種類や研磨粒子の種類等により適宜調整されるが、好ましくは200nm以下、より好ましくは5~200nm、特に好ましくは5~150nm、極めて好ましくは5~100nmである。一次粒子径が200nmを超えると、研磨面の平坦性が悪化する傾向にある。また5nm未満の一次粒子径を選択する場合は、CMP速度が低くなる可能性があるので注意が必要である。また、研磨粒子が会合している場合、二次粒子径は、好ましくは200nm以下、より好ましくは10~200nm、特に好ましくは10~150nm、極めて好ましくは10~100nmである。二次粒子径が200nmを超えると、研磨面の平坦性が悪化する傾向にある。また10nm未満の二次粒子径を選択する場合は、研磨粒子によるメカニカルな反応層除去能力が不十分となりCMP速度が低くなる可能性があるので注意が必要である。本発明における研磨粒子の一次粒子径は、透過型電子顕微鏡例えば、株式会社日立製作所製のS4700を用いて測定することができる。また、二次粒子径は、光回折散乱式粒度分布計例えば、COULTERElectronics社製のCOULTERN4SDを用いて測定することができる。本発明の金属用研磨液は、上述した成分の他に、染料、顔料等の着色剤や、pH調整剤、水以外の溶媒などの、一般に研磨液に添加される添加剤を、研磨液の作用効果を損なわない範囲で添加しても良い。本発明の被研磨膜の研磨方法は、研磨定盤の研磨布上に上記本発明の金属用研磨液を供給しながら、被研磨金属膜を有する基板を研磨布に押圧した状態で研磨定盤と基板を相対的に動かして被研磨金属膜を研磨することを特徴とする。研磨対象である被研磨金属膜は単層でも積層でも構わない。金属膜としては、銅、アルミニウム、タングステン、タンタル、チタンなどの金属、それらの金属の合金、それら金属または金属合金の酸化物や窒化物などの化合物のいずれか1種類以上が例示される。これらのなかでも、銅、銅合金、銅化合物が好ましく。金属膜はスパッタ法やメッキ法などの公知の方法により成膜される。基板としては、半導体装置製造に係る基板、例えば回路素子と配線パターンが形成された段階の半導体基板、回路素子が形成された段階の半導体基板等の半導体基板上に、絶縁層が形成された基板などが挙げられる。本発明の研磨方法において使用できる研磨装置としては、例えば、被研磨金属膜を有する基板を保持するホルダーと研磨布パッドを貼り可能で、回転数が変更可能なモータなどを取り付けてある研磨定盤とを有する一般的な研磨装置が使用できる。例えば、アプライドマテリアルズ社製MIRRAが使用できる。研磨定盤上の研磨布としては、特に制限はなく、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等が使用できる。研磨条件は、特に制限はないが、基板が飛び出さないように定盤の回転速度を200rpm以下の低回転にすることが好ましい。被研磨金属膜を有する基板の研磨布への研磨圧力は5~100kPaであることが好ましく、研磨速度の被研磨金属膜面内の均一性及びパターンの平坦性の見地から10~50kPaであることが好ましい。基板の被研磨金属膜を研磨布に押圧した状態で研磨布と被研磨金属膜とを相対的に動かすには、具体的には基板と研磨定盤との少なくとも一方を動かせば良い。研磨定盤を回転させる他に、ホルダーを回転や揺動させて研磨しても良い。また、研磨定盤を遊星回転させる研磨方法、ベルト状の研磨布を長尺方向の一方向に直線状に動かす研磨方法等が挙げられる。なお、ホルダーは固定、回転、揺動のいずれの状態でも良い。これらの研磨方法は、研磨布と被研磨金属膜とを相対的に動かすのであれば、被研磨面や研磨装置により適宜選択できる。研磨している間、研磨布には金属用研磨液をポンプなどで連続的に供給することが好ましい。この供給量に制限はないが、研磨布の表面が常に研磨液で覆われていることが好ましい。具体的には、研磨布面積1cm2当たり、0.3~0.9ミリリットル供給されることが好ましい。研磨終了後の半導体基板は、流水中で良く洗浄後、スピンドライヤなどを用いて半導体基板上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させることが好ましい。以下、実施例により本発明を説明する。本発明はこれらの実施例により制限するものではない。金属用研磨液の作製実施例1~6及び比較例1~2研磨液重量に対して、過酸化水素水試薬特級、30水溶液30重量、表1に示す酸化金属溶解剤、ベンゾトリアゾール0.4重量、表1に示すアニオン性官能基を有する水溶性ポリマ0.4重量、計100重量になるように残部に純水を配合して、実施例1~6の研磨液A~F及び比較例1~2の研磨液I~Jを作製した。なお、研磨液のpHは、酸化金属溶解剤の添加量で表1に示す値になるように調整した。実施例7~8及び比較例3研磨液重量に対して、過酸化水素水試薬特級、30水溶液30重量、表1に示す酸化金属溶解剤、ベンゾトリアゾール0.4重量、表1に示すアニオン性官能基を有する水溶性ポリマ0.4重量、メジアン径が60nmのコロイダルシリカ砥粒0.05重量、計100重量になるように残部に、純水を配合して実施例7~8の研磨液G~H及び比較例3の研磨液Kを作製した。なお、研磨液のpHは、酸化金属溶解剤の添加量で表1に示す値になるように調整した。比較例4研磨液重量に対して、過酸化水素水試薬特級、30水溶液30重量、表1に示す酸化金属溶解剤、ベンゾトリアゾール0.4重量、計100重量になるように残部に純水を配合して、比較例4の研磨液Lを作製した。なお、研磨液のpHは、酸化金属溶解剤の添加量で表1に示す値になるように調整した。比較例5研磨液重量に対して、過酸化水素水試薬特級、30水溶液30重量、表1に示す酸化金属溶解剤、ベンゾトリアゾール0.4重量、表1に示す水溶性ポリマカチオン性ポリマであるポリリジン0.4重量、計100重量になるように残部に純水を配合して、比較例5の研磨液Mを作製した。なお、研磨液のpHは、酸化金属溶解剤の添加量で表1に示す値になるように調整した。比較例6研磨液重量に対して、過酸化水素水試薬特級、30水溶液30重量、表1に示す酸化金属溶解剤、ベンゾトリアゾール0.4重量、表1に示す水溶性ポリマ0.4重量、計100重量になるように残部に純水を配合して、比較例6の研磨液Nを作製した。なお、研磨液のpHは、酸化金属溶解剤の添加量で表1に示す値になるように調整した。銅配線が形成された被研磨用基板パターン無しシリコン基板:シリコン基板表面に、二酸化ケイ素絶縁膜層を作製し、スパッタ法により15nmのTaN膜と10nmのTa膜と100nmの銅膜を形成した後、電解メッキ法により1.3μmの銅を堆積した被研磨用基板を用いた。パターン付きシリコン基板:シリコン基板表面に、二酸化ケイ素絶縁膜層を成膜し、SEMATECH854マスクパターンで二酸化ケイ素絶縁膜層に配線溝を形成した後、スパッタ法により15nmのTaN膜と10nmのTa膜と100nmの銅膜を形成し、電解メッキ法により1.1μmの銅を堆積した被研磨用基板を用いた。なお、配線溝の深さは500nmである。CMP研磨条件研磨装置:アプライドマテリアルズ社製MIRRA研磨圧力:13.8kPa研磨液供給量:200ml/分CMP後洗浄CMP処理後は、ポリビニルアルコール製ブラシ、超音波水による洗浄を行った後、スピンドライヤにて乾燥を行った。研磨品評価項目銅研磨速度:上記で作製した各研磨液A~Nを研磨布上に供給しながら上記パターン無しシリコン基板を上記研磨条件により60秒間研磨した。研磨前後での銅膜厚差を電気抵抗値から換算して求めた。結果を表1に示す。ディッシング量:上記で作製した各研磨液A~Nを研磨布上に供給しながら上記パターン付きシリコン基板を上記研磨条件により研磨した。なお、研磨はウエハ上から余剰の銅が完全に除去されてからオーバー研磨として30秒行った。接触式段差計Veeco製DECKTAKV200-Siを用いて、絶縁膜部に対する配線金属部の膜減り量を求めた。結果を表1に示す。なお、CMP処理後の基板の目視、光学顕微鏡観察及び電子顕微鏡観察により研磨傷発生の有無を確認した。その結果、すべての実施例及び比較例において顕著な研磨傷の発生は認められなかった。表1に示すように、pHが3.5である比較例1の研磨液Iは、pHが2.2である実施例1の研磨液AまたはpHが2.7である実施例2の研磨液Bと比べてディッシング量が大きいことが分かる。また、pHが3.5である比較例2の研磨液Jは、pHが2.2である実施例3の研磨液CまたはpHが2.7である実施例2の研磨液Dと比べてディッシング量が大きいことが分かる。また、水溶性ポリマの重量平均分子量が7000と小さい比較例3の研磨液Kは、水溶性ポリマの重量平均分子量が大きい実施例7の研磨液Gまたは実施例8の研磨液Hと比べて研磨速度が低くディッシング量も大きいことが分かる。また、pHが2.2で水溶性ポリマを用いない比較例4の研磨液Lは研磨速度が遅くディッシング量も大きいことが分かる。また、カチオン性ポリマを用いた比較例5の研磨液Mは研磨速度が遅くディッシング量も大きいことが分かる。また、水溶性ポリマの重量平均分子量が7000と小さい比較例6の研磨液Nは研磨速度が遅くディッシング量も大きいことが分かる。これに対し、実施例1~8の研磨液A~Hは研磨速度が高く、ディッシング量が小さいことがわかる。"