被処理体の上にレジスト膜を成膜し、成膜した前記レジスト膜をパターニングする、レジスト膜形成工程と、前記被処理体及び前記レジスト膜を被覆するようにスペーサ膜を成膜して、前記スペーサ膜で囲まれた凹部を形成する、スペーサ膜成膜工程と、前記凹部の底面にある前記被処理体及び前記レジスト膜の上面を露出させると共に、前記レジスト膜の側面側に前記スペーサ膜が残るようにエッチングして、前記凹部から第1の開口部を形成する、第1開口部形成工程と、前記レジスト膜を除去することにより第2の開口部を形成する、第2開口部形成工程と、を含むパターンの形成方法。前記第1の開口部と前記第2の開口部の形状が異なる、請求項1に記載のパターン形成方法。前記第1の開口部は複数存在し、互いに異なる2種以上の形状からなる、請求項1又は2に記載のパターン形成方法。前記スペーサ膜は、酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、窒化シリコン、アモルファスシリコン、ポリシリコンのいずれか1種類又は2種類以上から成る、請求項1乃至3に記載のパターンの形成方法。前記スペーサ膜は、ALD法により成膜される、請求項1乃至4に記載のパターンの形成方法。請求項1乃至5のいずれか一項に記載のパターンの形成方法により製造される半導体装置。しかしながら、LELEプロセスによるダブルパターニングを行ってレジストパターンを形成する場合、次のような問題がある。LELEプロセスでは、塗布現像装置により第1のレジスト開口パターンを形成した後、エッチング装置によりエッチングを行って第1のホール又はトレンチパターンを形成する。その後、塗布現像装置により第2のレジスト開口パターンを形成した後、再びエッチング装置によりエッチングを行って第2のホール又はトレンチパターンを形成する。そのため、工程数が増えるという問題点を有する。また、プロセス全体としてフォトリソグラフィ技術を2回行うため、プロセス全体としてのコストが高くなるという問題点も有する。本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、LELEプロセスよりも少ない工程数で、フォトリソグラフィ技術を2度使用することなく、微細なホール又はトレンチパターンを形成する方法を提供することを課題とする。本発明によれば、被処理体の上にレジスト膜を成膜し、成膜した前記レジスト膜をパターニングする、レジスト膜形成工程と、前記被処理体及び前記レジスト膜を被覆するようにスペーサ膜を成膜して、前記スペーサ膜で囲まれた凹部を形成する、スペーサ膜成膜工程と、前記凹部の底面にある前記被処理体及び前記レジスト膜の上面を露出させると共に、前記レジスト膜の側面側に前記スペーサ膜が残るようにエッチングして、前記凹部から第1の開口部を形成する、第1開口部形成工程と、前記レジスト膜を除去することにより第2の開口部を形成する、第2開口部形成工程と、を含むパターンの形成方法が提供される。本発明によれば、LELEプロセスよりも少ない工程数で、フォトリソグラフィ技術を2度使用することなく、微細なホール又はトレンチパターンを形成する方法を提供できる。以下、本発明を実施するための形態について図面と共に説明する。図1~図5は、実施の形態に係るパターンの形成方法を説明するための図であり、各工程における基板構造の一例を示す模式図である。図1~図5におけるaの図は各工程における基板構造の一例を示す平面図であり、図1~図5におけるbの図は、そのA1-A2断面図であり、図2~図5におけるcの図は、A3-A4断面図である。また、図1~図5では、被処理体として、図示しない基板上に形成された1種類の下地膜を使用しているが、これに限定されない。例えば、基板上に下記で挙げる材質の下地膜を1種類又は2種類以上を積層した構造であっても良い。下地層の材質は、特に限定されるものではなく、例えばTEOSテトラエトキシシラン:Tetraethoxysilane、SOGSpinOnGlass膜、SiON膜、又はLTOLowTemperatureOxide膜とBARCの複合膜、即ちSiを含んだBARCであるSiARC等を用いることができる。[レジスト膜の形成工程]図1に本発明のパターンの形成方法における、レジスト膜の形成工程後の基板構造の一例を示す。レジスト膜の形成工程では、下地膜上に、レジスト膜11を成膜し、成膜したレジスト膜11を所定のパターンにパターニングする。まず、下地膜10の上に、例えば露光装置を組み込んだ塗布現像装置を用いたスピンオンにより、レジスト膜11を成膜する。レジスト膜11の材質として、例えばArFレジストを用いることができる。その後、例えば露光装置を組み込んだ塗布現像装置を用いたフォトリソグラフィ技術により、成膜したレジスト膜11をパターニングする。レジスト膜の成膜時の膜厚及びパターニングのピッチは当業者が適宜選択できるものである。[スペーサ膜の成膜工程]次いで、レジスト膜11が形成された下地膜10を被覆するように、スペーサ膜12を成膜するスペーサ膜の成膜工程について説明する。図2及び図3に、スペーサ膜の成膜工程時及び成膜工程後における、基板構造の一例を示す。スペーサの材質としては、特に限定されないが、酸化シリコンSiO2、酸化アルミニウムAlxOy、窒化アルミニウムAlN、酸化チタンTiOx、窒化シリコンSiN、アモルファスシリコン、ポリシリコンのいずれか1種類又は2種類以上を併用して使用することができる。スペーサの成膜方法としては、特に限定されないが、原子層堆積法AtomicLayerDeposition法、以下ALD法というが好ましい。ALD法とは、基板上に原料化合物の分子をモノレイヤごとに表面への吸着、反応による成膜、系内のリセットを繰り返し行うことによって、段差被覆性の高い膜を形成させる方法である。詳細な膜の成膜方法は下記で示すが、概略的には、例えば、シリコンを含む原料ガスを成膜装置の処理容器内に供給し、シリコン原料を基板上に吸着させる工程と、酸素を含むガスを処理容器内に供給し、シリコン原料を酸化させる工程とを交互に繰り返す。ALD法は高精度の膜厚制御、組成制御及び段差被覆性が可能であり、また、使用できる材料の選択肢が広いことから好ましい。さらに、例えば23°C~25°Cといった、半導体デバイスの他の製造プロセスを行う温度で成膜できるため好ましい。以下ALD法によって例えばSiO2を成膜する方法について説明する。シリコンを含む原料ガスを基板上に吸着させる工程においては、シリコンを含む原料ガスとして、1分子内に2個のアミノ基を有するアミノシランガス、例えばビスターシャルブチルアミノシラン以下、BTBASというを、シリコン原料ガスの供給ノズルを介して処理容器内に所定の時間T1供給する。これにより、基板上にBTBASを吸着させる。時間T1は、例えば1~60secとすることができる。シリコンを含む原料ガスの流量は、10~500mL/minsccmとすることができる。また、処理容器内の圧力は13.3~665Paとすることができるが、これらのパラメータは形成する膜の種類は厚さに基づき、当業者が適宜選択することができる。次に、酸素を含むガスを処理容器内に供給し、シリコン材料を酸化させる工程においては、酸素を含むガスとして、例えば高周波電源を備えたプラズマ生成機構によってプラズマ化されたO2ガスを、ガス供給ノズルを介して処理容器内に所定の時間T2供給する。これにより、基板上に吸着されたBTBASが酸化され、SiO2膜が形成される。時間T2は、例えば5~300secとすることができる。また、酸素を含むガスの流量は、100~20000mL/minsccmとすることができる。また、高周波電源の周波数は13.56MHzとすることができ、高周波電源の電力は5~1000Wとすることができる。また、処理容器内の圧力は13.3~665Paとすることができる。これらのパラメータは当業者が適宜選択することができる。また、シリコンを含む原料ガスを基板上に吸着させる工程と、シリコン材料を酸化させる工程とを切り換える際に、工程間に、処理容器内を真空排気しつつ例えばN2ガス等の不活性ガスよりなるパージガスを処理容器内に供給する工程を所定の時間T3行うことができる。時間T3は、例えば1~60secとすることができる。また、パージガスの流量は、50~5000mL/minsccmとすることができる。これらのパラメータは当業者が適宜選択できることができる。なお、この工程は、処理容器内に残留しているガスを除去することができればよく、パージガスを供給せずに全てのガスの供給を停止した状態で真空排気を継続して行うことができる。BTBASは、シリコンを含む原料ガスとして用いる1分子内に2個のアミノ基を有するアミノシランガスである。このようなアミノシランガスとしては、上記BTBASの他に、ビスジエチルアミノシランBDEAS、ビスジメチルアミノシランBDMAS、ジイソプロピルアミノシランDIPAS、ビスエチルメチルアミノシランBEMASを用いることができる。更に、シリコン原料ガスとして、1分子内3個以上のアミノ基を有するアミノシランガスを用いることができ、1分子内に1個のアミノ基を有するアミノシランガスを用いることもできる。一方、酸素を含むガスとしては、O2ガスの他、NOガス、N2Oガス、H2Oガス、O3ガスを用いることができ、これらを高周波電界によりプラズマ化して酸化剤として用いることができる。このような酸素を含むガスのプラズマを用いることにより、SiO2膜の成膜を300°C以下の低温で行うことができ、更に酸素を含むガスのガス流量、高周波電源の電力、処理容器内の圧力を調整することにより、SiO2膜の成膜を100°C以下又は室温で成膜を行うことができる。以上説明したような成膜方法により、レジスト膜11及び下地膜10を覆うようにスペーサ膜12が成膜される。すなわち、レジスト膜を芯材とするピラーが形成されるようにスペーサ膜12が成膜される。これにより、スペーサ膜12の成膜が進行すると、図3aに示すように、スペーサ膜12及びレジスト膜11から成る複数のピラーに囲まれた、凹部13が形成される。凹部13の大きさは、レジスト膜11のパターニング及びスペーサ膜12の膜厚に依存するため、当業者が適宜選択することができるものである。また、凹部の形状も、レジスト膜11のパターニング及びスペーサ膜12の膜厚に依存するが、後のエッチング工程により丸みを帯びることがあるため、図4以降では円形で示しているが、これに限定されない。[第1開口部形成工程]次に、第1の開口部を形成する工程について説明する。図4は、第1の開口部を形成する工程後における、基板構造の一例を示す。まず、レジスト膜11の側壁方向のスペーサ膜12であって、凹部13の底面を形成するスペーサ膜12以外のスペーサ膜12を残すように、スペーサ膜の一部を異方性エッチングする。エッチングの方法としては、特に限定されず、反応性イオンエッチングReactiveIonEtching;RIE等の方法を使用することができる。これにより、レジスト膜11の上面より上にあるスペーサ膜に加え、凹部13の底面を形成するスペーサ膜12も除去され、下地膜10上に第1の開口部14となるホール又はトレンチパターンが形成される。エッチャントガスの種類としては、スペーサ膜12がSiO2、TiOx、SiN、アモルファスシリコン、ポリシリコンなどの場合は、エッチャントガスとして、例えばCF4、C4F8、CHF3、CH3F、CH2F2等のCF系ガスと、Arガス等の混合ガス、またはこの混合ガスに必要に応じて酸素を添加したガス等を用いて行うことができる。また、スペーサ膜12が例えばAlxOy、AlN、TiOxよりなるときは、エッチャントガスとして、例えばCl2、Cl2HBr、Cl2O2、CF4O2、SF6、Cl2N2、Cl2HCl、HBrCl2SF6等のいわゆるハロゲン系ガスを用いることができる。エッチング処理は、処理容器と、処理容器内に処理ガスを供給するガス供給部と、処理容器内に設けられた基板を保持する保持部を有するプラズマエッチング装置を用いて行うことができる。処理容器内には、保持部の上方には、高周波電力が印加可能な上部電極が設けられており、保持部は高周波電力が印加可能な下部電極を兼ねている。保持部に基板を保持した状態で、ガス供給部より例えばCF4ガス、O2ガス及びArガスを処理容器内に供給し、処理容器内を例えば40mTorrの圧力に保持する。その後、周波数が60MHzの高周波電力を例えば1000Wとして上部電極に供給し、処理ガスをプラズマ化するとともに、バイアス用の高周波として、周波数が13.56MHzの高周波電力を例えば300Wとして下部電極に供給する。これにより、スペーサ膜がエッチングされる。[第2開口部形成工程]次に、第2の開口部を形成する工程について説明する。図5に、第2の開口部を形成する工程後における、基板構造の一例を示す。本工程では、レジスト膜11を除去する。レジスト膜11を除去する方法としては、特に限定されず、アッシング又はエッチングにより除去することができる。これにより、レジスト膜11が除去された領域に第2の開口部15となるホール又はトレンチパターンが形成される。レジスト膜をエッチングにより除去する場合、用いるエッチャントガスに対するレジスト膜11のエッチングレートが、用いるエッチャントガスに対するスペーサ膜12のエッチングレートよりも大きいことが好ましい。このとき、スペーサ膜12のエッチングレートに対するレジスト膜11のエッチングレートの比である選択比が大きくなり、レジスト膜11をエッチングする際に、スペーサ膜12をほとんどエッチングしない。そのため、レジスト膜11をエッチングする際に、スペーサ膜12を形状精度良く残すことができる。基板上に予め複数の下地膜を形成している場合は、その後の工程として、第1又は第2のホール又はトレンチパターンの底面を形成する下地膜をエッチングしても良い。次に、本発明のプロセスによるホール又はトレンチパターンの形成に関する実施例を示す。図6に本実施の一形態における、ホールパターンの形成方法を説明するための図であり、各工程におけるSEM像を示す。実施形態における全てのSEM像は、日立高分解能FEB測長装置CG4000株式会社日立ハイテクノロジーズ製を用いて撮影した。図6aは、レジスト膜の形成工程後のSEM像である。本実施の形態ではレジスト膜のハーフピッチhp1は、44nmであった。図6bは、スペーサ膜の成膜工程後のSEM像であり、スペーサ膜12としてSiO2をALD法により40nm成膜し、SiO2のピラーに囲まれた凹部13が形成されていることがわかる。図6cは、第2の開口部ホールパターンを形成する工程後のSEM像であり、本発明の手法により、ハーフピッチhp2が31nmのホールパターンを作成することができた。図7に本実施の別の形態における、トレンチパターンの形成方法を説明するための図を示す。図7aは実際に行ったトレンチパターンについて、第1の開口部14と第2の開口部15とを模式的に示している。本発明のトレンチパターンは当業者が適宜選択できるものであり、図7aのパターンに限定されない。図7aのようなトレンチパターンを形成する場合、従来のLELEプロセスでは、第1のレジスト膜よりなるよりなる開口パターンを形成し、形成した第1のレジスト開口パターンを用いて下地膜に第1の開口部を形成する。次いで、第2のレジスト膜よりなる第2のレジスト開口パターンを形成し、形成した第2のレジスト開口パターンを用いて下地膜に第2の開口部を形成するため、工程数が多くなる。また、レジスト開口パターンを2回行うため、フォトリソグラフィ技術を2回行う必要があり、コストが高くなる。一方、本発明のパターンの形成方法では、第2の開口部15に相当するパターンに、レジスト膜よりなるよりなるレジストパターンを形成する。その後、下地膜及びレジスト膜を被膜するようにスペーサ膜を成膜させる。スペーサ膜の成膜時に形成される、スペーサ膜で囲まれた凹部と、レジストパターンと、を利用することで、簡単にトレンチパターンを形成することができる。また、前述したホールパターンと異なり、図7aのトレンチパターンにおいては、第1の開口部14と第2の開口部15の、平面視における開口の形状が異なっている。さらに、複数存在する第1の開口部14は、互いに異なる2種以上の平面視における開口の形状を有している。このように、本発明のトレンチパターンの形成方法を用いれば、レジスト膜のパターニング時のパターンを直接転写する第2の開口部のパターンだけでなく、レジスト膜のパターニング時のパターンを直接転写しない第1の開口部のパターンについても、形状を自在に制御することが可能である。図7aのトレンチパターンを実際に形成した例を図7b及び図7cに示す。図7bは、レジスト膜の形成工程後のSEM像であり、図7cは、第2の開口部トレンチパターンを形成する工程後のSEM像である。本発明の手法により、図7に示すような複雑なトレンチパターンを容易に形成することが可能である。即ち、従来のLELEプロセスに比べ、工程数を削減してパターニングできる。また、フォトリソグラフィ技術を2回行う必要がないため、従来のLELEプロセスと比してコストも削減される。以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。