"研磨パッドと、前記研磨パッドによって研磨される半導体ウェハを吸着するトップリングと、前記トップリングを研磨中にガイドするために設けられているガイドリングと、を備え、前記トップリングの外周部に、複数の穿孔が設けられている半導体ウェハの研磨装置。前記穿孔はトップリングの中心に対して同心円状に設けられている請求項1に記載の半導体ウェハの研磨装置。前記穿孔は等間隔かつ等角度ごとに設けられている請求項2に記載の半導体ウェハの研磨装置。半導体ウェハの研磨装置に備わっているトップリングによって半導体ウェハを研磨パッド上に搭載する搭載工程と、前記半導体ウェハを研磨する研磨工程と、を有し、前記トップリングの外周部には、複数の穿孔が設けられており、前記研磨工程において、前記研磨装置に設けられた前記穿孔から液体を注ぐ注入工程を含む、半導体装置の製造方法。前記液体がスラリーに含まれる溶媒である請求項4に記載の半導体装置の製造方法。前記溶媒が純水である請求項5に記載の半導体装置の製造方法。半導体ウェハ表面を研磨する際、半導体ウェハ表面全体を所定の膜厚にするものの、半導体ウェハの外周部は内周と比べて早く削られてしまう。このため、半導体ウェハの外周部領域のデバイス特性に問題が生じ、歩留りが落ちてしまう。本発明によれば、研磨パッドと、上記研磨パッドによって研磨される半導体ウェハを吸着するトップリングと、上記トップリングを研磨中にガイドするために設けられているガイドリングと、を備え、上記トップリングの外周部に、複数の穿孔が設けられている半導体ウェハの研磨装置が提供される。さらに、本発明によれば、半導体ウェハの研磨装置に備わっているトップリングによって半導体ウェハを研磨パッド上に搭載する搭載工程と、上記半導体ウェハを研磨する研磨工程と、を有し、上記トップリングの外周部には、複数の穿孔が設けられており、上記研磨工程において、上記研磨装置に設けられた上記穿孔から液体を注ぐ注入工程を含む、半導体装置の製造方法が提供される。本発明によれば、研磨装置においてトップリングの外周部に設けられた複数の穿孔から液体を注入した状態で半導体ウェハを研磨する。これによって、スラリーは希釈され、濃度が下がる。このため、スラリーは研磨装置における研磨パッド表面上において均一に広がる。これによって、半導体ウェハ表面にもスラリーが均一に広がるため、半導体ウェハ表面を均等に研磨することができる。本発明によれば、半導体ウェハ外周部と内周の膜厚を均等に削れるような半導体ウェハを提供できる。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。第1の実施形態図1は、本実施形態による研磨装置における半導体ウェハ保持部の断面図である。図1に示すように、研磨パッド4と、研磨パッド4によって研磨される半導体ウェハ3を吸着するトップリング2と、トップリング2に吸着させた半導体ウェハ3を研磨中に固定保持するために設けられているガイドリング1と、を備え、トップリング2の外周部に、複数の穿孔10が設けられている。なお、ガイドリング1およびトップリング2は、支持盤40および固定ネジ50によって固定されている。これによって、トップリング2の位置ズレを抑制することができる。図2は、本実施形態による研磨装置におけるトップリングの平面図である。図2に示すように、トップリング2には穿孔10,20を有している。穿孔20は半導体ウェハ3を吸着し、固定するために設けられている。一方、穿孔10は、半導体ウェハ3を研磨する際、外周部に滞ってしまうスラリー6を希釈するために液体を供給するために設けられたものである。なお、穿孔10は、穿孔20よりも外側に位置している。また、穿孔10は、半導体ウェハ3のエッジに近くに配置されているほうが好ましい。さらに、穿孔10の口径は、穿孔20の口径と同様であってもよい。複数の穿孔10は、トップリング2の外周部において同心円状に設けられていることが好ましい。また、これら複数の穿孔10は、等間隔かつ等角度ごとにトップリング2に設けられていることが好ましい。これによって、半導体ウェハ3の中心に対して点対称に穿孔10を設けることができる。したがって、半導体ウェハ3の外周部に滞っていたスラリー6を均等に希釈することができる。なお、穿孔10の大きさは、トップリングの表面積に対し1/50~1/100倍程度である。また、穿孔20の大きさは、トップリングの表面積に対し1/100~1/200倍程度である。さらに、穿孔10には研磨加圧に合わせ液体が流れるようにし、希釈状態を調整できるようにバルブを設けてもよい。次に、本実施形態による研磨装置を用いた半導体装置の研磨方法の各工程について説明する。ここで示す半導体装置の製造方法における各工程とは、本実施形態による研磨装置における研磨パッド4上に半導体ウェハ3を、スラリー6を注いだ後搭載する搭載工程と、半導体ウェハ3を研磨する研磨工程と、研磨した半導体ウェハ3を研磨装置から取り出す取り出し工程の3工程を含んでいる。なお、研磨工程には、研磨装置に設けられた穿孔10から液体を注ぐ注入工程が含まれている。まず、搭載工程では、トップリング2により半導体ウェハ3を吸着し、研磨パッド4上に搭載する。なお、半導体ウェハ3の吸着には、トップリング2に設けられている穿孔20を用いている。また、研磨対象物である半導体ウェハ3を研磨してる間、トップリング2の位置ずれを防ぐため、ガイドリング1が研磨装置には設けられている。次に、研磨工程には、研磨装置に設けられている、支持部、ガイドリング1、トップリング2、シールで構成されるキャリアを用いる。研磨装置に固定された半導体ウェハ3を、研磨パッド4を回転させつつ研磨パッド4上でキャリアを回転させ、キャリアに荷重を掛け所定の膜厚に達するまで研磨する。なお、研磨工程には、トップリングの外周部に設けられた穿孔10から液体を注ぐ注入工程が含まれる。具体的に注入工程とは、研磨装置のトップリング2における外周部に設けられた複数の穿孔10から液体を注ぐ工程である。このとき穿孔10を、トップリング2の中心に対して同心円状に、かつ等間隔に、かつ等角度に設けられることによって、半導体ウェハ3の研磨表面に均等に液体を導くことができる。また、スラリー6を希釈するためには、液体は穿孔10より外側のトップリング2と半導体ウェハ3によって形成されている隙間を通過しなくてはならない。このため、穿孔10は、トップリング2において出来る限り外周部に近い位置に配置されることが好ましい。なお、穿孔10から注入する液体は、スラリー6に含まれる溶媒であることが好ましい。さらには、純水であることが好ましい。ここで注入した液体は、スラリー6を希釈する。このため、スラリー6に含まれる溶媒を用いることで、スラリー6に含まれる固体物質の化学的変化や、溶媒同士の化学反応が起こる可能性を排除できる。なお、スラリー6は、溶媒として水を使用していることが多い。このため、液体として純水を用いることが好まれる。また、穿孔10から注入する液体の量は、スラリー6を2~4倍希釈できる程度が好ましい。次に、取り出し工程では、所定の膜厚まで研磨した半導体ウェハ3を、半導体ウェハ3の研磨装置から取り出す。半導体ウェハ3の取り出しには、トップリング2を用いる。トップリング2に吸着した状態で、取り出された半導体ウェハ3は、搭載工程以前に配置されていた箇所に再び配置される。次に、本実施形態の効果について説明する。スラリー6は、濃度が高いため粒子の自由度が低い。このため、半導体ウェハ3を研磨する際、半導体ウェハ3の外周部に滞ってしまいがちである。本実施形態の研磨装置によると、穿孔10から注いだ液体が研磨表面に液体が到達することで、スラリー6が希釈される。このため、スラリー6を構成する粒子の自由度は高くなる。これによって、濃度の薄くなったスラリー6は半導体ウェハ3の内周部に広がることができるため、均一な研磨被膜5を形成する。すなわち、研磨レート差を解消することができる。なお、半導体ウェハ3の内周部は、研磨パッドに形成されている溝に沿ってスラリーが供給されるため、外周部の様に研磨レートが低下することは起こらない。したがって、半導体ウェハ外周部と内周の膜厚を均等に削ることができる。第2の実施形態図3は、本実施形態による研磨装置における半導体ウェハ保持部の断面図である。図3に示すように、穿孔10の代わりに、トップリング2とガイドリング1の間に隙間30を設けている。本実施形態の半導体装置では、ガイドリング1とトップリング2、およびガイドリング1と半導体ウェハ3の隙間30に沿って注入した液体は、スラリー6に到達することができる。これによって、スラリー6は希釈され、均一な研磨被膜5を形成することができる。したがって、本実施形態においても第1の実施形態と同様の効果が得られる。以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。"