基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、成膜容器と、前記薄膜の原料である原料ガスを前記成膜容器に供給する原料ガス供給部と、前記原料ガスと反応して前記薄膜を形成する反応ガスを前記成膜容器に供給する反応ガス供給部と、前記成膜容器の内部にプラズマを発生させるために高周波電流を供給する高周波電源と、前記原料ガスと前記反応ガスとが交互に供給されるように、前記原料ガス供給部と前記反応ガス供給部とを制御し、かつ、前記高周波電源が高周波電流を供給するタイミングを制御する制御部と、前記基板を上面に載置するサセプタと、前記サセプタに設けられ、前記成膜容器の成膜空間内の前記基板の上方に磁界を発生させる磁界発生部と、を備えることを特徴とする原子層堆積装置。前記磁界発生部は、前記サセプタに設けられた、前記基板を上面に載置する金属製載置部の下面に設けられる、請求項1に記載の原子層堆積装置。前記磁界発生部は複数の磁石を平面状に有し、各磁石は、前記サセプタの上方に向く端部の極性が隣接する磁石と異なるように設けられる、請求項1または2に記載の原子層堆積装置。前記磁界発生部は複数の磁石を平面状に有し、各磁石は、隣接する磁石と対向する端部の極性が互いに異なるように設けられる、請求項1または2に記載の原子層堆積装置。酸化剤として水又はオゾンを用い、或いは酸化ガスを用いたプラズマを用いて形成されたアルミナの密度を屈折率によって比較した場合に、オゾンを酸化剤として用いたときのアルミナの屈折率が1.61であるのに対し、プラズマを用いて形成されたアルミナの屈折率は1.64である。即ち、プラズマを酸化剤として用いると高密度の薄膜を形成することができる。しかしながら、水酸化アルミニウムを酸素雰囲気中で焼成させることにより形成されるアルミナ焼結体の屈折率は1.76であり、低温で薄膜を形成可能なプラズマALD法を用いた場合の屈折率は、上記焼結法により形成される場合に比べて依然として低い。これは、形成されるアルミナ膜の密度が上記焼結法と比べて低いことによるものである。そこで、本発明は、プラズマALD法を用いた場合により高密度の薄膜を形成することができる原子層堆積装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明の原子層堆積装置は、基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、成膜容器と、前記薄膜の原料である原料ガスを前記成膜容器に供給する原料ガス供給部と、前記原料ガスと反応して前記薄膜を形成する反応ガスを前記成膜容器に供給する反応ガス供給部と、前記成膜容器の内部にプラズマを発生させるために高周波電流を供給する高周波電源と、前記原料ガスと前記反応ガスとが交互に供給されるように、前記原料ガス供給部と前記反応ガス供給部とを制御し、かつ、前記高周波電源が高周波電流を供給するタイミングを制御する制御部と、前記基板を上面に載置するサセプタと、前記サセプタに設けられ、前記成膜容器の成膜空間内の前記基板の上方に磁界を発生させる磁界発生部と、を備えることを特徴とする。また、前記磁界発生部は、前記サセプタに設けられた、前記基板を上面に載置する金属製載置部の下面に設けられることが好ましい。さらに、前記磁界発生部は複数の磁石を平面状に有し、各磁石は、前記サセプタの上方に向く端部の極性が隣接する磁石と異なるように設けられることが好ましい。さらにまた、前記磁界発生部は複数の磁石を平面状に有し、各磁石は、隣接する磁石と対向する端部の極性が互いに異なるように設けられることが好ましい。本発明の原子層堆積装置によれば、プラズマALD法を用いた場合により高密度の薄膜を形成することができる。<第1実施形態>原子層堆積装置の構成まず、図1を参照して、本実施形態の原子層堆積装置の構成を説明する。図1は、本実施形態の原子層堆積装置の一例を示す概略構成図である。本実施形態の原子層堆積装置10は、原料ガスと反応ガスとを交互に供給し、基板S上に原子層単位で薄膜を形成する。その際、反応活性を高めるため、プラズマを発生させることができる。特に、本実施形態では原料ガスとしてTMATriMethylAlminumを用い、反応ガスとして酸素ガスを用いることにより、アルミナの薄膜を形成する例について説明するが、これに限定されるものではない。例えば、反応ガスとしてオゾンガスを用いてもよい。本実施形態の原子層堆積装置10は、成膜容器20と、排気部40と、高周波電源50と、制御部60と、原料ガス供給部70と、反応ガス供給部80と、を備える。成膜容器20には、上側電極22と、サセプタ30とが設けられている。サセプタ30の上面には、載置部としての下側電極32が設けられている。下側電極32は平板状に形成されており、接地されている。基板Sは、成膜容器20の下方からサセプタ30を貫通するリフトピン24によって支持される。リフトピン24は昇降機構26によって上下方向に昇降可能であり、リフトピン24が基板Sを支持した状態で昇降機構26がリフトピン24を下方向に移動させることにより、基板Sは下側電極32の上面に載置される。また、サセプタ30の内部には加熱ヒータ34が設けられており、加熱ヒータ34により基板Sの温度を調整することができる。さらに、サセプタ30には、耐熱性を有する複数の磁石36が、下側電極32と加熱ヒータ34との間に平面状に設けられている。各磁石36は、磁界発生部の一例である。各磁石36の上端は下側電極32の下面に接している。また、各磁石36は、上端即ちサセプタ30の上方に向く端部の極性が、隣接する磁石36毎に異なるように設けられている。具体的には、図2に示すように、上端側の極性がN極の磁石36と、上端側の極性がS極の磁石36とが、下側電極32と加熱ヒータ34との間に交互に配列されている。この場合、互いに隣接する磁石36による磁力線38が、基板Sの上方近傍に発生する。なお、図2では、各磁石36が一列に配置されているものを示したが、各磁石36を複数列設けてもよい。また、隣接する磁石36毎に上端側の極性が異なるのであれば、各磁石36を格子状やリング状等に配置することも可能である。このように、サセプタ30に磁石36を設けるのは、磁石36によって基板Sの上方に形成される磁界の作用により、プラズマを基板Sの上方で高密度に発生させるためである。これにより、高密度な薄膜を形成することができる。上側電極22は基板Sの上方に設けられ、高周波電源50と接続されている。高周波電源50が所定の周波数例えば13.56~135.6MHzの高周波電流を供給することにより、上側電極22と下側電極32との間でプラズマが生成される。また、高周波電源50は制御部60と接続されている。高周波電源50が上側電極26に高周波電流を供給するタイミングは、制御部60により制御される。排気部40は、排気管42を介して成膜容器20内に供給された原料ガス、反応ガス、パージガスを排気する。排気部40は、例えば、ドライポンプである。排気部40が成膜容器20内を排気することにより、原料ガス、反応ガス、パージガスが成膜容器20内に供給されても、成膜容器20内の真空度は、1Pa~100Pa程度に維持される。原料ガス供給部70は、成膜容器20に設けられた原料ガス供給口72を介して、TMAなどの原料ガスを成膜容器20に供給する。原料ガス供給部70は制御部60と接続されている。原料ガス供給部70が原料ガスを供給するタイミングは、制御部60により制御される。反応ガス供給部80は、成膜容器20に設けられた反応ガス供給口82を介して、酸素などの反応ガスを成膜容器20に供給する。反応ガス供給部80は制御部60と接続されている。反応ガス供給部80が反応ガスを供給するタイミングは、制御部60により制御される。制御部60は、原料ガス供給部70が原料ガスを供給するタイミング、反応ガス供給部80が反応ガスを供給するタイミング、高周波電源50が高周波電流を供給するタイミングをそれぞれ独立に制御する。なお、図示されていないが、原料ガス供給部70、反応ガス供給部80は、それぞれ、成膜容器20の内部に、N2ガスやArガスなどのパージガスを供給することができるように構成されている。以上が本実施形態の原子層堆積装置10の概略構成である。原子層堆積方法次に、図3、図4を参照して、本実施形態の原子層堆積装置10を用いた原子層堆積方法について説明する。図3は、本実施形態の原子層堆積方法の一例を示すフローチャートである。図4a~dは、基板Sの上に薄膜が形成される工程を示す図である。まず、原料ガス供給部70が、成膜容器20の内部に原料ガスを供給するステップS101。制御部60によって制御されるタイミングで、原料ガス供給部70から成膜容器20の内部に原料ガスが供給される。原料ガス供給部70は、例えば、0.1秒間、成膜容器20の内部にTMAなどの原料ガスを供給する。図4aに示されるように、ステップS101によって、成膜容器20の内部に原料ガス110が供給され、基板Sの上に原料ガス110が吸着して、吸着層102が形成される。次に、原料ガス供給部70が、成膜容器20の内部にパージガス112を供給するステップS102。原料ガス供給部70は、例えば、0.1秒間、成膜容器20の内部にパージガス112を供給する。また、排気部40が、成膜容器20の内部の原料ガス110やパージガス112を排気する。排気部40は、例えば、2秒間、成膜容器20の内部の原料ガス110やパージガス112を排気する。図4bに示されるように、ステップS102によって、成膜容器20の内部にパージガス112が供給され、基板Sの上に吸着していない原料ガス110が成膜容器20からパージされる。次に、反応ガス供給部80が、成膜容器20の内部に反応ガスを供給するステップS103。制御部60によって制御されるタイミングで、反応ガス供給部80から成膜容器20の内部に反応ガスが供給される。反応ガス供給部80は、例えば、1秒間、成膜容器20の内部に反応ガスを供給する。図4cに示されるように、ステップS103によって、成膜容器20の内部に反応ガス114が供給される。また、高周波電源50が上側電極26に所定の周波数の高周波電流を供給するステップS104。制御部60によって制御されるタイミングで、高周波電源50から上側電極26に高周波電流が供給される。高周波電源50は、例えば、0.2秒間、高周波電流を供給する。このとき、上側電極22と下側電極32との間にプラズマが発生する。この場合、基板Sの上方近傍には、複数の磁石36によって発生した磁界が存在するため、基板Sの上方近傍におけるプラズマの電子密度が高くなる。なお、高周波電源50が反応ガス114のプラズマを発生させるタイミングは、反応ガス供給部80が成膜容器20の内部に反応ガス114を供給するタイミングと同時でもよい。次に、反応ガス供給部80が、成膜容器20の内部にパージガス112を供給するステップS106。反応ガス供給部80は、例えば、0.1秒間、成膜容器20の内部にパージガス112を供給する。また、排気部40が、成膜容器20の内部の反応ガス114やパージガス112を排気する。図4dに示されるように、ステップS105によって、成膜容器20の内部にパージガス112が供給され、反応ガス114が成膜容器20からパージされる。以上説明したステップS101~S105により、基板Sの上に一原子層分の薄膜層104が形成される。以下、ステップS101~S105を所定回数繰り返すことにより、所望の膜厚の薄膜層104を形成することができる。なお、本実施形態の原子層堆積装置10を用いて形成されたアルミナとハフニアの屈折率を、分光エリプソメータを用いてもとめたところ、アルミナの屈折率は1.70であり、ハフニアの屈折率は2.10であった。ここで、ハフニアを形成する際には、TEMAHを原料ガスとして用い、酸素ガスを反応ガスとして用いた。また、このハフニアは、原料ガスを供給する際に分圧を5Paに設定した原料ガスを0.5秒間供給し、反応ガスを供給する際に分圧を95Paに設定した反応ガスを1秒間供給することにより形成されている。また、上記屈折率を求める際の環境について説明する。まず、成膜容器20内の温度を100°Cに設定し、成膜容器20内の全圧を1~100Paに設定した。また、2インチSiウェハを基板として用いた。さらに、磁石36については、磁気強度0.5テラス、直径1cmの耐熱ネオジウム磁石を5つ用いた。また、5つの磁石を、上端の極性がS極である1つの磁石の四方が、上端の極性がN極の4つの磁石によって囲まれるように配置した。一方、同じ環境下において各磁石36を用いずにアルミナとハフニアを形成した場合には、アルミナの屈折率は1.64であり、ハフニアの屈折率は1.95であった。これにより、各磁石36を用いた場合には、高密度の薄膜を形成することができた。以上説明したように、本実施形態によれば、基板Sの近傍に磁界を発生させる複数の磁石36をサセプタ30に設けたことにより、基板Sの近傍におけるプラズマの電子密度を高くすることができる。これにより、プラズマALD法を用いた場合により高密度の薄膜層104を形成することができる。また、本実施形態によれば、基板Sの近傍にプラズマを集中して発生することができるので、プラズマが発生した際に成膜容器20の内壁部に薄膜が形成されるのを抑制することができる。そのため、成膜容器20の内壁部の清掃頻度を低減することができる。さらに、複数の磁石36を、金属性下側電極32の下面に設けたので、基板Sと各磁石36とを、下側電極32を介して近接させることができる。そのため、各磁石36によって、基板Sの上方に磁界を発生させるのが容易となる。さらにまた、各磁石36を、上端側の極性が隣接する磁石36毎に異なるように設けたので、隣接する磁石36間に磁界を発生させることができる。そのため、基板Sの近傍におけるプラズマの電子密度を高くすることができる。このとき、磁石36は、金属製下側電極32を介して、基板Sの上方の成膜空間に磁界を形成するので、磁界がより均一な分布に近づき、より均一なプラズマを発生させることができる。<第2実施形態>以下に、本発明の第2実施形態に係る原子層堆積装置10について、図5を参照して説明する。前述した第1実施形態と異なる点は、複数の磁石36を、隣接する磁石36と対向する端部の極性が互いに異なるように設けた点にある。その他の構成については第1実施形態と同様であるため、詳細な説明を省略する。図5に示すように、各磁石36は、配列方向一端側図中左側がS極、配列方向他端側図中右側がN極となるように一列に配置されている。この場合、隣接する磁石36間において、対向する端部の極性が互いに異なっている。また、各磁石36による磁力線38が基板Sの上方近傍に発生する。なお、図5では、各磁石36が一列に配置されているものを示したが、各磁石36を複数列設けてもよい。以上説明したように、本実施形態によれば、各磁石36を、隣接する磁石36と対向する端部の極性が互いに異なるように設けたので、各磁石36による磁界を基板Sの上方に発生させることができる。このため、基板Sの上方におけるプラズマの電子密度を高くすることができる。以上、本発明の原子層堆積装置について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。また、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。例えば、上記実施形態では説明を省略したが、基板S近傍のプラズマ密度を均一にするために、基板Sと各磁石36との間隔を適宜調節可能に構成してもよい。具体的には、下部電極104を、厚み寸法の異なる他の金属板に交換可能に形成してもよい。