溶射用材料となるワイヤを溶射ガン先端のノズル前方に向けて供給し、このワイヤをノズル内の電極とワイヤとの間に発生したプラズマアークの熱により溶融させた溶融金属を、被溶射物に向けて噴射するプラズマ溶射方法であって、前記ワイヤを、その先端が前記ノズルの前方位置にある状態で第1の速度で前進移動させつつ供給し、この供給状態で前記プラズマアークを発生させて前記ワイヤの先端を溶融させ、前記プラズマアーク発生後の前記ワイヤの移動速度を、移動開始時の前記第1の速度よりより高い第2の速度とすることを特徴とするプラズマ溶射方法。前記ワイヤを供給するワイヤ供給手段が、ワイヤを移動させる駆動部を備えるとともに、前記プラズマアークを発生させるプラズマ発生手段が、電力供給部と、この電力供給部から電力の供給を受けて高周波を発生する高周波発生部とを備え、制御手段が、前記駆動部及び前記電力供給部に対して同時に起動信号を出力することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ溶射方法。溶射用材料となるワイヤを溶射ガン先端のノズル前方に向けて供給し、このワイヤをノズル内の電極とワイヤとの間に発生したプラズマアークの熱により溶融させた溶融金属を、被溶射物に向けて噴射するプラズマ溶射装置であって、前記ワイヤを前進移動させつつ供給するワイヤ供給手段と、前記ノズル内の電極とワイヤとの間にプラズマアークを発生させるプラズマ発生手段と、このプラズマ発生手段及び前記ワイヤ供給手段を駆動制御する制御手段とを有し、この制御手段は、前記ワイヤが第1の速度で前進移動しつつ供給を開始し、ワイヤの先端が前記ノズルの前方位置にある状態で前記プラズマアークが発生し、このプラズマアーク発生後前記ワイヤの移動速度が、前記供給開始時の前記第1の速度よりより高い第2の速度となるように、駆動制御することを特徴とするプラズマ溶射装置。前記ワイヤ供給手段は、ワイヤを移動させる駆動部を備えるとともに、前記プラズマ発生手段は、電力供給部と、この電力供給部から電力の供給を受けて高周波を発生する高周波発生部とを備え、前記制御手段は、前記駆動部及び前記電力供給部に対して同時に起動信号を出力することを特徴とする請求項3に記載のプラズマ溶射装置。ところで、上記した従来の溶射装置にあっては、プラズマアークを発生させた後に、ワイヤをノズル側方からノズル中心に向けて前進移動させている。すなわち、この場合には、パイロットアークがワイヤに移行してプラズマアークが発生した時点では、ワイヤは停止したまま先端が溶融することになり、このためプラズマアークの先端側が溶融したワイヤの先端に引張られるようにして側方に変位してしまう。その結果、この状態でワイヤが溶融すると、溶融金属がノズル前方の本来のプラズマジェットの流れから外れた方向へ吹き飛ばされて側方の電極など他箇所に付着、堆積し、この堆積物が離反して被溶射物に溶射されることになって不良品の発生を招く。また、ノズルに付着した堆積物によってプラズマガスの流れ方向が変化して溶射方向が変わり、必要とする箇所に溶射されずに不良品の発生を招く。そこで、本発明は、プラズマ溶射による不良品発生を抑えることを目的としている。本発明は、ワイヤを、その先端がノズルの前方位置にある状態で前進移動させつつ供給し、この供給状態でプラズマアークを発生させてワイヤの先端を溶融させ、プラズマアーク発生後のワイヤの移動速度を、移動開始時より高くすることを特徴とする。本発明によれば、プラズマアークの発生時には、ワイヤの先端は既にノズル前方位置にあるので、プラズマアークはこの前方位置に向けて形成されて側方への変位を抑制でき、プラズマ溶射による不良品発生を抑えることができる。以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。図1に示すように、本発明の一実施形態に係わるプラズマ溶射装置は、ガン本体1から下方に突出して設けてある溶射ガン3の先端部分から、側方の被加工物5の被加工面5aに向けて溶射金属の噴流7を吹き付け皮膜を形成する。なお、ここでの被加工物5は、一例としてエンジンのシリンダブロックとしてあり、被加工面5aはシリンダボアである。ガン本体1及び溶射ガン3には、ワイヤ収容容器9に収容してある鉄系金属材料からなるワイヤ11が、ワイヤ供給手段としてのワイヤ送給部13を経て順次供給される。ワイヤ送給部13は、駆動部としてのワイヤ送りモータ15図2参照と、ワイヤ送りモータ15によって回転する送りローラ17を備え、送りローラ17の回転によってワイヤ11を移動させる。ワイヤ送りモータ15は、制御手段としての制御コントローラ19によって駆動制御される。溶射ガン3は、その基端部図1中で上端部を、ガン本体1のハウジング21内の底部に回転可能に設けてある回転支持部23に連結している。回転支持部23には、隔壁25を隔ててハウジング21内に設けてあるガン回転用モータ27を、連結ベルト29を介して連結している。回転支持部23の中心にはワイヤ11を移動可能に挿入してあり、回転支持部23はこのワイヤ11を中心として回転し、ワイヤ11は回転しない。溶射ガン3は回転支持部23の回転中心に対して偏心した位置に取り付けてあり、したがって、溶射ガン3はワイヤ11を中心としてその周囲を旋回するようにして回転する。また、この回転する溶射ガン3の先端を除く周囲を囲むようにして円筒形状のカバー30をハウジング21の下部に取り付けている。回転支持部23の上部には、ガス導入部31を設けてあり、このガス導入部31に、プラズマ用ガスボンベ33及びアトマイズ用エアボンベ35から、プラズマ用ガス及びアトマイズ用エアをそれぞれ供給して溶射ガン3の先端から噴出させる。したがって、図1では特に図示していないが、ガス導入部31から回転支持部23及び溶射ガン3にわたり、プラズマ用ガス及びアトマイズ用エアがそれぞれ流れるプラズマ用ガス流路及びアトマイズ用エア流路を形成してある。ここで、ガス導入部31内の図示しないプラズマ用ガス流路及びアトマイズ用エア流路と、ガス導入部31に対して回転する回転支持部23内の図示しないプラズマ用ガス流路及びアトマイズ用エア流路とをそれぞれ連通させる必要がある。この場合の連通構造としては、例えばガス導入部31内のプラズマ用ガス流路及びアトマイズ用エア流路の各下端部を環状通路とし、この環状通路に、回転支持部23内の上下に延びるプラズマ用ガス流路及びアトマイズ用エア流路の上端をそれぞれ連通させることが考えられる。これにより、回転支持部23がガス導入部31に対して回転しても、回転支持部23内のプラズマ用ガス流路及びアトマイズ用エア流路とガス導入部31内のプラズマ用ガス流路及びアトマイズ用エア流路とがそれぞれ常時連通することになる。溶射ガン3は、先端下端のカバー30から突出した部分に、ノズル37を備えており、このノズル37は、図2に示すように、吐出口39が溶射ガン3の回転中心軸線ワイヤ11の長さ方向に対してほぼ直交する方向に指向している。ノズル37は、中心部にプラズマ用ガスが流れるプラズマ用ガス吐出通路41を備え、プラズマ用ガス通路41の周囲にアトマイズ用エアが流れるアトマイズ用エア吐出通路43を複数形成している。プラズマ用ガス吐出通路41及びアトマイズ用エア吐出通路43は、前記した図示しないプラズマ用ガス流路及びアトマイズ用エア流路にそれぞれ連通している。プラズマ用ガス吐出通路41は、先端側ほど内径が小さくなるよう先細の円錐形状に形成してあり、この円錐形状の外周側に沿ってアトマイズ用エア吐出通路43を形成している。すなわち、ノズル37の吐出口39は、プラズマ用ガス吐出通路41の先端の中心部に位置するプラズマ用ガス吐出口41aと、その周囲にて円周方向に沿ってほぼ等間隔に複数形成された、アトマイズ用エア吐出通路43の先端のアトマイズ用エア吐出口43aとを備えている。プラズマ用ガス吐出通路43の中心には電極として陰極45を配置してあり、この陰極45と陽極となるノズル37との間に、電力供給部としての電源装置47により高電圧が印加される。ワイヤ11のノズル37付近には、ノズル37と同様の陽極となるコンタクトチップ49を設けてあり、このコンタクトチップ49は、溶射ガン3ノズル37に一体となるよう取り付けてあるものとする。したがって、コンタクトチップ49は、ノズル37の回転に伴って回転しつつワイヤ11に対して電気的に導通することになる。なお、ワイヤ11は、コンタクトチップ49とハウジング21との間で、図示しないワイヤガイドによってガイドされて前方で順次送られる。電源装置47と陰極45との間には、高周波発生部としての高周波発生装置51を接続しており、この高周波発生装置51と電源装置47とでプラズマ発生手段を構成している。次に、図3~図6を用いて作用を説明する。まず、制御コントローラ19が、プラズマ発生オン信号とワイヤ供給オン信号とを同時に出力するステップS1。これにより、ワイヤ送りモータ15が駆動してワイヤ11の供給が図6の時間T1にて開始される、図4a。このとき、図6に示すように、ワイヤ11の送り速度Aは、第1の速度である3m/minと低速としている。なお、このとき、プラズマ用ガス及びアトマイズ用エアは、あらかじめノズル37先端のプラズマ用ガス吐出口41a及びアトマイズ用エア吐出口43aからそれぞれ吐出しているものとする。その後、電源装置47から高周波発生装置51に対し高周波高電圧駆動信号を出力しステップS2、これにより陰極45と、ノズル37におけるプラズマ用ガス通路41の内壁との間にパイロットアーク53図2参照が発生する。発生したパイロットアーク53は、プラズマガス流に乗ってワイヤ11の先端に移行し、図4bに示すように、図6の時間T2にてプラズマアーク55となる。プラズマアーク55が発生する時点では、ワイヤ11は、ほぼ図4aの位置から、図4bに示すように、先端がノズル37の中心線57を僅かに越えた状態となっている。このため、プラズマアーク55は、ノズル37の中心線57に沿った状態で、陰極45とワイヤ11の先端付近との間に形成されることになる。この状態で、ワイヤ11の先端がプラズマアーク55の熱により溶融し、図5aに示すように、その溶滴59が、プラズマガス流及びアトマイズエア流によって流され、前記した噴流7となって被溶射面5aに吹き付けられて皮膜を形成する。速度Aの低速でワイヤ11が移動している間は、ワイヤ移動速度に対しプラズマの熱量が過多となるので、図5aに示すように、プラズマアーク55内のワイヤ11は、溶融により徐々に短くなっていく。そして、このプラズマアーク55の発生を、電源装置47が備えているプラズマ発生検出器検流計61が検出し、この検出信号をプラズマ発生確認信号として制御コントローラ19に出力するステップS3。制御コントローラ19は、プラズマ発生確認信号を受けて、ワイヤ送りモータ15を低速から高速となるよう駆動信号を出力しステップS4、これに伴いワイヤ送りモータ15は図6の時間T2にて高速での駆動を開始する。このワイヤ11の高速での送り速度Bは、図6に示すように第2の速度となる10m/minとしている。ワイヤ11の送り速度Bが高速になると、図5bに示すように、送り速度Bとプラズマアーク55の熱量とのバランスが取れた定常状態となり、この定常状態で、溶射ガン3を回転させつつ下降させることで、被溶射面5aに溶射皮膜が形成される。このように、本実施形態では、ワイヤ11を、低速の送り速度Aで移動させてノズル37の前方位置とした状態で、プラズマアーク55を発生させ、その後ワイヤ11の移動速度を通常速度となるよう高めるようにしている。これにより、プラズマアーク55の発生時には、ワイヤ11の先端はノズル37の前方の中心線57にほぼ対応した位置となり、プラズマアーク55はこの前方位置に向けて形成されてコンタクトチップ49側への変位を抑制できる。これに対し比較例として図7aに示すように、プラズマアーク550を発生させた後に、ワイヤ110の供給を開始する場合には、プラズマアーク550が発生した時点では、ワイヤ110は停止したまま先端の溶融が進行することになる。このため、プラズマアーク550の先端側がワイヤ110に引張られるようにして側方のコンタクトチップ490側に変位してしまう。その結果、この状態でワイヤ110が溶融すると、溶融金属が本来のプラズマジェットの流れから外れた方向へ吹き飛ばされてコンタクトチップ490周辺に付着、堆積し、この堆積物100がやがて離反して被溶射物に溶射されることになって不良品の発生を招く。また、図7bに示すように、コンタクトチップ490に付着した堆積物100によってガスの流れ方向が変化し、溶射方向が本来の破線位置から実線位置のようにノズル370の中心からずれるように変化してしまい、被溶射物の必要な箇所に溶射されず不良品の発生を招くことになる。また、図8の比較例のように、ワイヤ110をあらかじめノズル370を越えた位置まで供給しておいてプラズマアーク550を発生させる場合には、プラズマアーク550が発生するまでに多くのワイヤ110が供給されることになってワイヤ110の消費量が多くなるとともに、余剰ワイヤ110aの被溶射物への付着による不良品が発生する。一方、本実施形態では、プラズマアーク55は、発生時にノズル37の前方位置に向けて形成されてコンタクトチップ49側への変位を抑制しているので、図6のような堆積物100のコンタクトチップ49への付着を抑えることができる。その結果、図4bに示すように、プラズマアーク55はノズル37の前方位置にて中心線57を中心としたほぼ円錐形状に広がり、被溶射面5aに対して均一な皮膜を形成でき、よってプラズマ溶射による不良品発生を抑えることができる。また、プラズマアーク550の側方への変位を避けるために、図8のように、あらかじめワイヤ110を充分供給しておいてから、プラズマアーク550を発生させる場合のような余剰ワイヤ110aの発生も抑えることもできる。また、本実施形態では、制御コントローラ19が、ワイヤ送りモータ15及び電源装置47に対して同時に起動信号を出力するようにしている。これにより、ワイヤ送りモータ15が駆動してワイヤ11の供給が開始された後に、電源装置47からの要求信号によって高周波発生装置51が遅れて作動し、プラズマアーク55をワイヤ11の送り動作に遅れて発生させることができる。なお、上記実施形態では、ワイヤ11を送り速度Aの低速で供給開始した時間T1からプラズマアーク55が発生する時間T2までの時間間隔を、20msec~100msecとすることで、図6に示したような堆積物100のコンタクトチップ490への付着を回避することができた。また、プラズマアーク55が発生するまでのワイヤ11の低速での送り速度Aについては、3m/minに限らず、1.5~6.0m/minの範囲で堆積物100の発生を抑えることができた。