"基板上に形成された回路パターンを光学的に検出して得られるパターン測定データと該回路パターンに対応するパターン設計データとを比較して、基板上の回路パターンの欠陥の有無を検査する手段と、前記基板上に形成された回路パターンに対し、描画装置に設けられた測定計から得られる描画時の装置情報を含む描画結果データを基に前記描画装置で作成された欠陥予報データを取り込む手段と、前記欠陥予報データに基づいて欠陥が生じていると予測される箇所を先に検査するように前記検査手段による検査の優先順位を決定する手段と、前記優先順位により最初に検査するように決定された前記回路パターンの箇所を前記検査手段により検査した後に、さらに前記基板上に形成された回路パターンの全面を前記検査手段により検査する手段と、を具備してなることを特徴とするパターン検査装置。基板上に形成された回路パターンを光学的に検出して得られるパターン測定データと該回路パターンに対応するパターン設計データとを比較して、基板上の回路パターンの欠陥の有無を検査する手段と、前記基板上に形成された回路パターンに対し、描画装置に設けられた測定計から得られる描画時の装置情報を含む描画結果データを基に前記描画装置で作成された欠陥予報データを取り込む手段と、前記欠陥予報データに基づいて前記検査手段による検査の優先順位,検出感度,又は繰り返し回数を決定する手段と、前記優先順位により前記検査を最初に行うように決定された前記回路パターンの箇所を前記検査手段により検査した後に、前記回路パターンの欠陥が有りと判定され前記欠陥予報データが取り込まれていない場合、又は前記回路パターンの欠陥が無しと判定され前記欠陥予報データが取り込まれている場合に、前記優先順位により最初に検査するように決定された前記回路パターンの箇所を前記検出感度により再び検査をするか又は前記繰り返し回数にて前記検査を繰り返し行い、さらに前記基板上に形成された回路パターンの全面を前記検査手段により検査する手段と、前記欠陥予報データに対応する箇所が実際に欠陥として判定されたか否かを基に予報的中率データを作成し、この予報的中率データを保持又は出力する手段と、を具備してなることを特徴とするパターン検査装置。前記欠陥予報データは、前記描画装置に与える指令値と実際の描画時に測定された実際の値との差分に基づいて作成されるものであることを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン検査装置。パターン設計データを基に線源からの線束を基板表面上で走査して該基板上に所望の回路パターンを描画するパターン描画装置と、基板上に形成された回路パターンを光学的に検出して得られるパターン測定データとパターン設計データとを比較して欠陥の有無を検査するパターン検査装置と、を接続してなるパターン描画システムであって、前記パターン描画装置は、前記線束の走査により前記基板から放出される電子,X線,又は光を検出して該装置に設けられた測定計から得られる描画時の装置情報を含む描画結果データを得る描画結果検出手段と、前記描画結果検出手段で得られた描画結果データを基に欠陥パターンを描画した可能性を示す欠陥予報データを作成する手段と、前記欠陥予報データを出力する手段とを有し、前記パターン検査装置は、前記パターン描画装置から出力された欠陥予報データを取り込む手段と、前記欠陥予報データに基づいて欠陥が生じていると予測される箇所を先に検査するように前記検査手段による検査の優先順位を決定する手段と、前記優先順位により最初に検査するように決定された前記回路パターンの箇所を記検査手段により検査した後に、さらに前記基板上に形成された回路パターンの全面を前記検査手段により検査する手段とを有することを特徴とするパターン描画システム。前記欠陥予報データを作成する手段は、前記描画装置に与える指令値と実際の描画時に測定された実際の値との差分に基づいて欠陥予報データを作成するものであることを特徴とする請求項4に記載のパターン描画システム。このように従来、マスクの欠陥を検査するには、マスクの全面にわたって測定データと設計データとを比較する必要があり、検査に多大な時間がかかり、これがスループットの低下を招く要因となっている。例えば、検査開始から長時間にわたって欠陥は発見されず、検査の終了近くになって欠陥が発見されたら、それまでの時間は無駄時間となる。早期の欠陥発見が可能であれば、そこで検査を終了し、無駄時間を解消できることになるが、早期の欠陥発見を行うような方法はなかった。本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、回路パターンが描画された基板に対して早期の欠陥発見を可能とし、スループットの向上に寄与し得るパターン描画システムを提供することにある。また、本発明の別の目的は、上記のシステムに用いることのできるパターン描画装置及びパターン検査装置を提供することにある。上記課題を解決するために本発明は、次のような構成を採用している。本発明の一態様に係るパターン描画装置は、基板上に形成された回路パターンを光学的に検出して得られるパターン測定データと該回路パターンに対応するパターン設計データとを比較して、基板上の回路パターンの欠陥の有無を検査する手段と、前記基板上に形成された回路パターンに対し、描画装置に設けられた測定計から得られる描画時の装置情報を含む描画結果データを基に前記描画装置で作成された欠陥予報データを取り込む手段と、前記欠陥予報データに基づいて欠陥が生じていると予測される箇所を先に検査するように前記検査手段による検査の優先順位を決定する手段と、前記優先順位により最初に検査するように決定された前記回路パターンの箇所を記検査手段により検査した後に、さらに前記基板上に形成された回路パターンの全面を前記検査手段により検査する手段と、を具備してなることを特徴とする。また、本発明のさらに別の態様は、パターン設計データを基に線源からの線束を基板表面上で走査して該基板上に所望の回路パターンを描画するパターン描画装置と、基板上に形成された回路パターンを光学的に検出して得られるパターン測定データとパターン設計データとを比較して欠陥の有無を検査するパターン検査装置と、を接続してなるパターン描画システムであって、前記パターン描画装置は、前記線束の走査により前記基板から放出される電子,X線,又は光を検出して該装置に設けられた測定計から得られる描画時の装置情報を含む描画結果データを得る描画結果検出手段と、前記描画結果検出手段で得られた描画結果データを基に欠陥パターンを描画した可能性を示す欠陥予報データを作成する手段と、前記欠陥予報データを出力する手段とを有し、前記パターン検査装置は、前記パターン描画装置から出力された欠陥予報データを取り込む手段と、前記欠陥予報データに基づいて欠陥が生じていると予測される箇所を先に検査するように前記検査手段による検査の優先順位を決定する手段と、前記優先順位により検査するように決定された前記回路パターンの箇所を記検査手段により検査した後に、さらに前記基板上に形成された回路パターンの全面を前記検査手段により再検査する手段とを有することを特徴とする。実施形態を説明する前に、本発明の基本原理について説明しておく。現在のマスク製造におけるスループットは、製造プロセス上の各装置毎での高速化に依存偏重している。仮に、パターン描画装置とパターン検査装置各々が10スループット短縮したとしても、全工程の最初と最後の2工程だけが短縮するだけなので、大幅な効果が得がたいのは明らかである。しかし、基板検査開始直後数分から数十分後に致命的な欠陥があることが判明すれば、検査時間5時間としても90以上を削減できる描画5時間、描画後プロセス10時間、検査5時間としても、30分で致命的欠陥を発見できれば全工程で22.5の短縮に繋がる。また、描画中に致命的な描画ミス=致命的な欠陥があったことを検知できれば、全工程にわたっても大幅な無駄時間短縮が可能となってくる描画5時間、描画後プロセス10時間、検査5時間としても、最悪描画にかかる5時間の費消で済み全工程で75の短縮に繋がる。例えば、修正不能と判定されるような欠陥が存在するのなら、検査の直後に検出できれば無駄な時間を低減できる。そこで、パターン描画装置から大きな欠陥を描いてしまったかもしれないという予報があれば、検査はそこから優先的に開始し、問題が無ければ全面的にくまなく検査を行うし、実際に欠陥があれば即座に検査を終了し、無駄時間を一気に解消することができるようになる。また、実際にマスク検査をした結果、パターン描画装置の予報が的中していれば、この結果をパターン描画装置にレポートすることにより、パターン描画装置自身で予報ではなく欠陥発生を確度良く判定できるようになり、致命的な欠陥が発生した描画してしまったと判定した瞬間に現在のマスク描画プロセスを中止することもできるようになる。さらに、実際の欠陥発生と描画装置の予報との相関から、マスク製造上の欠陥発生の原因が描画起因なのか、描画装置以降のプロセス起因なのかを分析できるようにもなり、歩留まり解析に有益である。従来方法においては、マスク製造プロセスの上流下流の関係にあるパターン描画装置とパターン検査装置との間では、設計図面であるCADデータと製品であるマスクが引き継がれるだけであり、マスク製造プロセスを見渡した歩留まり向上の手法がなかった。そこで本発明では、マスク製造プロセスの上流下流の関係にあるパターン描画装置とパターン検査装置との間で欠陥発生予報とその予報の的中率データを共有化することにより、早期の欠陥発見を行えるようにしたことを特徴とする。実施形態以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。図1は、本発明の一実施形態に係わるパターン描画システムを示す概略構成図である。このシステムは、パターン描画装置100とパターン検査装置200、及びこれらの装置100,200を接続するためのLAN300の構成を示している。パターン描画装置100は、CPU160から与えられるパターン設計データ指令値に基づき、電子銃110からの電子線111を偏向器112により走査θ紙面に垂直方向すると共に、ステージ140によりマスク130回路パターン形成前の基板を走査x、紙面に左右方向することにより、マスク130上に回路パターンを描画するようになっている。なお、電子銃110は線源であれば良く、例えばレーザ光源でも良く、この場合はミラーによりレーザ光束を走査すればよい。ステージ140は紙面に垂直方向yにも位置決め可能になっている。そして、マスク130上に照射される電子線111の位置は、CADデータを基にCPU160が指令する描画座標x,yθとなる。ここで、x,yにはステージ140を用いて位置決めし、θには偏向器112を用いて位置決めする。x,y位置決めの際にはレーザ光151を用いたヘテロダイン干渉式のステージ位置測定器150から得られる座標情報rx,ryを、θ位置決めには偏向器112から得られる座標情報rθを、それぞれ位置フィードバック制御量を得るのに用いている。なお、実際に検知された座標値でもある実描画座標rx,ryrθはCPU160に出力できるよう接続されている。ここで必要なことは、CADデータの座標値に対応してマスク130上に描画を行うことである。また、実際に描画された位置がどこであったかという結果は、後述する位置決め誤差として用いられる。ちなみに、本実施形態では省略しているが、描画焦点を位置決めするためのオートフォーカス機構を設けることは、本実施形態の効果を高めることに他ならない。本実施形態のパターン描画装置100には、パターンを描画するために電子銃110からマスク130に照射される電子線111の露光量を制御するための電流値を規定する図示しないレギュレータを備えている。ここで求められることは、少なくとも露光量の制御指令値であり、CADデータを基にしたCPU160の指令値である。実際に射出される露光量である必要はない。なお、より精度を高めるために、CPU指令値に対して実射出された露光量が測定できることは有益であり、線源110が電子線であれば電流密度や照射面積、更には照射の開き角など、レーザ光であれば光量Wや光量密度W/cm2などを、線源110の露光量の指令値或いは実際の計測値からも用いられるようにした場合、さらに本実施形態の効果を高めることになる。即ち、これらの測定計をCPU160に測定結果を出力できるよう接続し、CPU160の指令値に対して実際にマスク130が被照射した露光量を測定ないしは推定するのに用いる情報量を豊富にすることになる。本実施形態のパターン描画装置100は、マスク130の表面温度を測定できる非接触温度計141、ステージ140の振動を測定するための3軸加速度計142、パターン描画装置100自体への振動外乱を測定できる振動計143、図示しない変位計、更に図示しないが装置外気の気圧,温度,湿度を測定するための気圧計,気温計,湿度計を装備している。これらの測定計はCPU160に測定結果を出力できるよう接続されている。ここで必要なことは、パターン描画装置100が制御管理し得ない外乱或いは現象を測定できることである。即ち、本実施形態での測定項目及び物理量に限らず、パターン描画装置100が制御管理し得ない外乱或いは現象をモニタできる測定項目及び物理量であれば本実施形態の効果を得られ、或いは高めることができる。その代表的なものとしては、現在の描画位置におけるマスク130やステージ140及び電子光学システム等の振動変位量や加速度,温度や線膨張,位置決め誤差,焦点位置、更にはマスク130の形状寸法誤差厚さ,たわみ量といった項目も含まれる。本実施形態のパターン描画装置100は、2次電子測定器120を備えている。これは、電子線111が照射されたマスク130上の描画部位から発する2次電子121を測定して描画結果データを得るもので、例えばシンチレータと光電子増倍管の組み合わせによる測定器構成となっている。これらの測定計はCPU160に測定結果を出力できるよう接続されている。ここで必要なことは、CPU160の指令値に対して実際にマスク130が被照射した露光量を測定ないしは推定できることであり、2次電子測定に限らず、本実施形態のような電子線使用のパターン描画装置であれば、反射電子,オージェ電子,特性X線,燐光などを測定する検出器を単一ないしは複数装備することによっても本実施形態による効果を得られる。また、レーザ光等を使用したパターン描画装置では反射光,回折光,散乱光,燐光などを測定できる検出器を装備することで同様の効果を得ることができるのは明らかである。以上により、本実施形態のパターン描画装置100は、CPU160からの指令値と上記各測定計で得られたCPU160への出力、即ち実際の値を、上記描画座標x,yθ毎に取得できる。本実施形態では、取得した実際の値を指令値と比較し、その差分が予め決定されている基準値第1の基準値を超えている場合に、その描画座標と実際の値を対にして欠陥予報データとして出力する。加えて、指令値の無い実際の値、即ちパターン描画装置100が制御管理し得ない外乱或いは現象の測定値が予め決定されている基準値を超えている場合に、その描画座標と実際の値を対にして欠陥予報データとして出力する。ここで必要なことは、描画しようと予定していた値指令値に対してマスク上に実際に露光された実際の値との差異の有無及びその程度が、描画座標毎に抽出できることである。そして、その差異の程度が、実際に欠陥パターンを生じる虞があることを類推できるものだということである。よって、指令値と実際の値の差分を用いることは勿論のこと、各測定計毎ないしは複数或いは全ての測定計を基に定義された相関関数を基に、指標値を算出して用いることも本発明の趣旨に合致する。そして、以上に示した本実施形態で用いている指令値及び測定計の選定理由は、実際に欠陥パターンを生じる可能性のある現象及び外乱かどうかを基準としており、これに妥当する見解に基づいて選定された指令値及び測定計を用いることは、本発明の趣旨にも合致することになる。本実施形態のパターン描画装置100は、取りまとめた欠陥予報データを電子データとしてLAN300、電子メディア大容量記憶媒体等を介して出力できる。ここで必要なことは、欠陥予報データをパターン描画装置外部100へ利用可能に出力できることであり、この趣旨に合致する手段は本発明に基づくものと解釈できる。本実施形態のパターン描画装置100は、後述するパターン検査装置200からの予報的中率データを基に、パターン検査装置200へ出力する欠陥予報データ作成時の基準値を修正できる。即ち、パターン検査装置200において実際に欠陥判定された描画座標における上記実際の値を基に欠陥が発生する可能性を示唆する基準値を各量毎に修正更新し、以降のパターン描画において欠陥予報データの新基準として使用できるようになっている。この結果、描画に際しての欠陥発生に寄与するパラメータやそれらの程度量がプロセスをまたがったフィードバックによって明確にできるようになる。また、本実施形態による欠陥予報データは描画座標に添付する測定値の種類を随時変更することが可能である。即ち、上記フィードバックの繰り返しにより、パターン描画装置100の周辺環境における湿度影響が殆ど無いことが明確になったとすると、人的ないしは自動判断この場合、基準値を設けておく必要があるが、本発明の趣旨のとおり、欠陥発生確率が0などといった判断基準となることは明らかであるで、この湿度計測値を以降の欠陥予報データには添付しないようにすることができる。こうすることで、データ量の削減が可能となる。また逆に、新規の評価基準を設けた場合も容易に欠陥予報データに追加できることも明らかである。この結果、パターン描画装置100の性能分析、経過診断までもが実施可能となる。次に、本実施形態のパターン検査装置200は、レーザ光源210からの光束211をマスク130回路パターンが形成された基板の上方の顕微鏡光学系220を介してマスク130上に照射し、ステージ240によるマスク130の走査左右方向及び紙面に垂直方向を利用して、マスク130上の全面を走査する。そして、マスク130上を走査しパターン情報を取得した光束211をマスク下方の顕微鏡光学系221を介してTDIセンサ222に結像し、パターン像を撮像することができる。即ち、マスク130上に形成された回路パターンの測定データ、即ちパターン測定データが得られる。なお、本実施形態では簡易にクリティカル照明を基にした顕微鏡光学系としているが、ケーラー照明による顕微鏡光学系を用いることもより高感度な欠陥検査が可能となり有益である。また、レーザ走査型の光学系や、反射光学系の採用も可能である。何れにしても、本発明の趣旨に沿うことには変わりない。勿論、光源210もレーザ光源に限定されるものではなく、撮像にはCCDカメラやフォトダイオード、電子増倍管等々を利用しても本実施形態の効果を得ることができる。マスク130上に照射される光束211の位置は、パターン描画装置100で使用したCADデータを基にCPU260が指令する描画座標x,yとなる。ここで、x,yにはステージ240を用いて位置決めする。x,y位置決めにはレーザ光251を用いたヘテロダイン干渉式のステージ位置測定器250から得られる座標情報kx,kyを位置フィードバック制御量を得るのに用いている。なお、実際に検知された座標値でもある実描画座標kx,kyはCPU260に出力できるよう接続されている。ここで必要なことは、CADデータの座標値に対応してマスク130上を検査することである。ちなみに、本実施形態では省略しているが、光学焦点を位置決めするためのオートフォーカス機構を設けることは、本実施形態の効果を高めることに他ならない。本実施形態のパターン検査装置200は、CADデータを基にしたパターンデータ参照画像と撮像されたパターン像センサ画像とを描画座標x,yと実描画座標kx,kyとが一致するように比較できるようになっている。取得した参照画像とセンサ画像を比較し、その差分量や微分量など欠陥有無の判定に有意な比較アルゴリズムを用い、予め決定されている基準値との差異を基に欠陥判定を行う。本実施形態のパターン検査装置200は、上記パターン描画装置100からの欠陥予報データをLAN300、電子メディア大容量記憶媒体等を介して入力できる。この、欠陥予報データを基に、最優先で欠陥検査すべき座標を判定したり、その結果に基づいてマスク走査の軌道を決定検査実行したりすることができる。また、後述する予報的中率データと対比して欠陥発生する可能性判定を行うこともできる。さらに、パターン描画装置からの欠陥発生予測情報に基づいて実際の欠陥検出有無の結果と相互比較し、次のような欠陥検査手続きが行える。図2は、図1のシステムの動作を説明するためのフローチャートである。まず、パターン検査装置200はパターン描画装置100で作成された欠陥予報データを取得しステップS1、このデータに基づいて検査の優先順位を決定するステップS2。即ち、欠陥予報データから欠陥が生じていそうな箇所を先に検査するように定める。そして、この優先順位に従って欠陥の検査を実施しステップS3、欠陥の有無を判定するステップS4。S4にて欠陥有りと判定された場合、それに対応する欠陥予報データが取得されていたか否かを判定しステップS5、欠陥予報データが取得されていた場合は欠陥と判定するステップS6。そして、パターン描画装置100にフィードバックすることにより、予報優先度の向上をはかるステップS7。また、欠陥予報データが取得されていなかった場合は、所定の要件に基づいて検査回数、検査感度、又は検査する際の走査座標の位置ずらし量を決定するステップS8。そして、当該座標の再検査を行いステップS9、欠陥の有無を再検査するステップS10。S10で欠陥が所定回数比率以上再発見されたら、真の欠陥として出力するステップS11。また、S10で欠陥が発見されなければ、ノイズだった可能性があるから欠陥としては出力せず、疑似欠陥と判定しステップS12、その判定結果を描画装置100にフィードバックする。さらに、パターン検査装置200の再調整を行うステップS13。一方、S4で欠陥無しと判定された場合、それに対応する欠陥予報データが取得されていたか否かを判定しステップS14、欠陥予報データが取得されていなかった場合は欠陥無しと判定するステップS15。また、欠陥予報データが取得されていた場合は、所定の要件に基づいて検査回数、検査感度、又は検査する際の走査座標の位置ずらし量を決定するステップS16。そして、当該座標の再検査を行いステップS17、欠陥の有無を再検査するステップS18。S18で欠陥が発見されなければ、その結果を描画装置100にフィードバックし、予報しきい値の変更等を行うステップS19。また、S18で欠陥が所定回数比率以上再発見されたら、真の欠陥と判定しステップS20、その結果を描画装置100にフィードバックする。さらに、パターン検査装置200の再調整を行うステップS13。本実施形態において特徴的な動作は、S8~S13とS16~S21の二つの手続きである。手続き1欠陥予報データが無かった或いは欠陥発生の確率が低かったのに欠陥が検出された場合には、1所定の要件に基づいて検査回数を決定しながら再検査したり、2所定の要件に基づいて検査感度を変更しながら再検査したり、3前回検査したときの走査座標を少しずれた位置から再検査したり、するなどの手続きを選択的或いは組み合わせて実施可能となる。その結果、欠陥が所定回数比率以上再発見されたら、真の欠陥として出力したり、逆に発見されなければノイズだった可能性があるから欠陥としては出力せず、ノイズ発生した可能性がある旨報告したり、することができるようになる。手続き2欠陥予報データが有ったのに欠陥検出できなかった場合には、1所定の要件に基づいて検査回数を決定しながら再検査したり、2所定の要件に基づいて検査感度を変更しながら再検査したり、3前回検査したときの走査座標を少しずれた位置から再検査したり、するなどの手続きを選択的或いは組み合わせで実施可能となる。その結果、欠陥が所定回数比率以上再発見されたら、真の欠陥として出力したり、逆に発見されなければ真に欠陥が無かったか、或いは、ノイズだった可能性があるから欠陥としては出力せず、ノイズ発生した可能性がある旨報告したり、することができるようになる。ここで重要なのは、欠陥の予測による検査時間の短縮だけではなく、パターン検査装置200の性能状態性能劣化の有無も含むの検証が可能になり、得られた検査結果の信憑性までも高められるようになることである。さらに、前述のように、パターン描画装置100へのフィードバックをも可能とし、プロセスをまたがる複数の装置の性能向上と品質管理が可能となるのである。加えて、発生した欠陥がパターン描画装置起因なのか、それ以外のプロセス起因なのかを類推的に分離できるようになり、歩留まり向上のための改善箇所の絞込みを早められるようになり、結果として歩留まり解析の一助とできる。本実施形態のパターン検査装置200は、上記検査の結果を基に、実際に欠陥が発生した描画座標と、そこでの欠陥予報データを対にして、予報的中率データとして出力する。そして、この予報的中率データはパターン検査装置200の内部で保持できると共に記憶容量に制限があるときはパターン検査装置200内部に保持する予報的中率データのみ描画座標を除外して保持する、電子データとしてLAN300、電子メディア大容量記憶媒体等を介して出力できる。ここで必要なことは、予報的中率データをパターン検査装置200外部へ利用可能に出力できることであり、この趣旨に合致する手段は本発明に基づくものと解釈できる。また、パターン描画装置100内で描画予報情報を基に明らかに欠陥が生じることが予測できるようになり、描画プロセスの継続可否判断を行って自身による中断も可能となり、不良品作製にかかる時間の大幅削減が可能となる。また、予報的中率データはパターン検査装置200にとっての苦手な欠陥種を特定できる。即ち、苦手な欠陥種が特定できることで、その欠陥種に特化した改善や調整が可能とる。よって、これらを自動的に運用して改善効率の向上に繋げることができ有効といえる。このように、本実施形態によるパターン描画装置100は、パターン設計データであるCADデータを基にパターンを描画する。そして、描画結果には書き損じも含まれるかもしれないので、その描画座標毎に逐次に描画結果データを保存し、設計データとマスクと描画結果データをセットにしてパターン検査装置200へ承継する。本実施形態によるパターン検査装置200は、パターン描画装置100から引き継がれたマスクとCADデータとの相違を比較しながら検査することになるが、描画結果データを一瞥し、所定量以上の描画誤差や外乱影響を受けている座標部を認識し、これらを最優先に検査を行えるようになる。そして、修正不能な欠陥が実際に検出されれば即座に検査を終了しこれを報告し、修正可能な欠陥であったなら引き続き全面くまなく検査を行い欠陥情報を報告する従来方式の検査を行える。さらに、描画結果データから欠陥発生が予報されているにも拘わらず、欠陥が発見できなかった場合は、検査装置の性能変動に起因する可能性もあるため、同一箇所を所定回数繰り返して検査したり、検査感度を高めて再度検査したり、することにより、検査装置の性能限界近傍の極微細欠陥を検出したり、或いは誤検出であったことを確証することができるようになる。また、これらの検査結果をパターン描画装置100にフィードバックすることもできるようになり、パターン描画装置自身が描画中に致命的な描画ミスを生じたことも判定できるようになり、加えて、描画装置起因の欠陥なのか、それ以外の製造プロセス起因の欠陥なのかも識別できるようになる。そしてこれにより、致命的欠陥の早期検出によるスループットの大幅な削減ができると共に、パターン描画装置100及び検査装置200の性能も相互に補償できるようになり、各々の装置の性能を管理しやすくなると共に、高い性能を安定発揮できるようになる。そして、マスク製造プロセス全体の歩留まり及び信頼性向上に寄与できることになる。このように本実施形態のパターン描画システムは、パターン描画装置100とパターン検査装置200との間で、描画に起因した欠陥の発生を予報する欠陥予報データと予報に対する実際の予報的中率データとを生成共有できるようにしたことにより、致命的なパターン欠陥の存在を基板検査開始初期に検知することができ、更に欠陥の発生をパターン描画中に検知することができ、これにより基板再製作に取り掛かるまでの時間短縮をはかることができる。変形例なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではない。パターン描画装置及びパターン検査装置の構成は、前記図1に何ら限定されるものではなく、仕様に応じて適宜変更可能である。パターン描画装置としては、通常の描画と同時に、線束の走査により基板から放出される電子,X線乃至光を検出して描画結果データを得て、この描画結果データを基に欠陥予報データを作成し、この欠陥予報データを出力できるものであればよい。パターン検査装置としては、通常の欠陥検査機能に加え、欠陥予報データに基づいて検査の優先順位,検出感度,又は繰り返し回数等を変更できる機能を有するものであればよい。線源としては、電子ビーム,ランプ光,レーザ光,X線のいずれかを用いることができる。描画結果検出器としては、反射電子,2次電子,オージェ電子,特性X線,燐光,反射光,回折光,散乱光などを測定できる検出器であればよい。実施形態では欠陥予報データとして、描画指令データと描画結果データとの差異量を用いたが、描画結果データそのものを用いることも可能である。さらに、描画結果データが予め決定されている基準値第2の基準値を超えている場合に、その描画座標と実際の値を対にして欠陥予報データとして出力するようにしてもよい。実施形態では、欠陥予報データを単独で出力するようにしたが、これをパターン設計データに追加若しくは添付するようにしてもよい。ここで、追加とは、パターン設計データそのものに欠陥予報データを加えることであり、添付とは、パターン設計データに該データに関連付けた添付ファイルとして加えることである。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。"