"フィルム形成樹脂Aおよび無機物粒子Bを含むフィルムであって、フィルム形成樹脂Aがフッ化ビニリデン系樹脂a1を含み、無機物粒子Bの含有量がフィルム形成樹脂A100質量部に対して0.01質量部以上10質量部未満であって、かつ、無機酸化物粒子Bが、B1周期表の2族、3族、4族、12族または13族の1種の金属元素の無機酸化物粒子、またはこれらの無機酸化物複合粒子、B2式1:M1a1Nb1Oc1式中、M1は2族金属元素;Nは4族金属元素;a1は0.9~1.1;b1は0.9~1.1;c1は2.8~3.2である;M1とNはそれぞれ複数であってもよいで示される無機複合酸化物粒子、およびB3周期表の2族、3族、4族、12族または13族の金属元素の酸化物と酸化ケイ素との無機酸化物複合粒子よりなる群から選ばれる少なくとも1種である高誘電性フィルム。前記無機酸化物粒子またはこれらの無機酸化物複合粒子B1が、Al2O3、MgO、ZrO2、Y2O3、BeOおよびMgOAl2O3よりなる群から選ばれる少なくとも1種の粒子である請求項1記載の高誘電性フィルム。前記無機酸化物粒子またはこれらの無機酸化物複合粒子B1が、γ型Al2O3である請求項1記載の高誘電性フィルム。前記無機複合酸化物粒子B2が、BaTiO3、SrTiO3、CaTiO3、MgTiO3、BaZrO3、SrZrO3、CaZrO3およびMgZrO3よりなる群から選ばれる少なくとも1種の粒子である請求項1記載の高誘電性フィルム。前記無機酸化物複合粒子B3が、3Al2O32SiO2、2MgOSiO2、ZrO2SiO2およびMgOSiO2よりなる群から選ばれる少なくとも1種の粒子である請求項1記載の高誘電性フィルム。前記無機酸化物粒子Bの一次平均粒子径が1μm以下である請求項1~5のいずれかに記載の高誘電性フィルム。前記無機酸化物粒子Bの含有量が、フィルム形成樹脂A100質量部に対して0.1~5質量部である請求項1~6のいずれかに記載の高誘電性フィルム。フィルム形成樹脂Aが、フッ化ビニリデン系樹脂a1と非フッ素系樹脂a2を含む請求項1~7のいずれかに記載の高誘電性フィルム。非フッ素系樹脂a2が、セルロース系樹脂およびアクリル樹脂よりなる群から選ばれる少なくとも1種である請求項8記載の高誘電性フィルム。フッ化ビニリデン系樹脂a1が、フッ化ビニリデン/テトラフルオロエチレン系共重合体である請求項1~9のいずれかに記載の高誘電性フィルム。フィルムコンデンサ用である請求項1~10のいずれかに記載の高誘電性フィルム。請求項1~11のいずれかに記載の高誘電性フィルムの少なくとも片面に電極層が積層されているフィルムコンデンサ。しかし、高誘電性複合酸化物粒子によってフィルムコンデンサ用フィルムの誘電性を向上させるためには多量の配合が必要になり、その結果、もともと電気絶縁性が他の非フッ素系樹脂に比べて高くないVdF系樹脂の電気絶縁性を低下させる方向に働く。得られるVdF系樹脂のフィルムコンデンサの耐電圧を改善する方法として、酢酸セルロースなどの絶縁性の高い非フッ素系樹脂をブレンドする方法も有効な手段であるが、本発明者らは、意外なことに、汎用の無機酸化物粒子のうち、特定の無機酸化物粒子を少量配合することでVdF系樹脂フィルムの電気絶縁性を大きく低下させずに、しかもVdF系樹脂の高い比誘電率を維持したまま得られるフィルムコンデンサの体積抵抗率を向上させることができることを見出した。本発明の目的は、VdF系樹脂の高い比誘電率を維持したまま体積抵抗率が向上した高誘電性フィルムを提供することにある。本発明は、フィルム形成樹脂Aおよび無機酸化物粒子Bを含むフィルムであって、フィルム形成樹脂Aがフッ化ビニリデンVdF系樹脂a1を含み、かつ無機酸化物粒子Bの含有量がフィルム形成樹脂A100質量部に対して0.01質量部以上10質量部未満であって、かつ、無機酸化物粒子Bが、B1周期表の2族、3族、4族、12族または13族の1種の金属元素の無機酸化物粒子、またはこれらの無機酸化物複合粒子、B2式1:M1a1Nb1Oc1式中、M1は2族金属元素;Nは4族金属元素;a1は0.9~1.1;b1は0.9~1.1;c1は2.8~3.2である;M1とNはそれぞれ複数であってもよいで示される無機複合酸化物粒子、およびB3周期表の2族、3族、4族、12族または13族の金属元素の酸化物と酸化ケイ素との無機酸化物複合粒子よりなる群から選ばれる少なくとも1種である高誘電性フィルムに関する。使用する無機酸化物粒子Bは、一次平均粒子径が1μm以下であるものが好ましい。無機酸化物粒子Bの含有量としては、フィルム形成樹脂A100質量部に対してさらに少量である0.1~5質量部でも充分な体積抵抗率の向上効果が奏される。本発明の高誘電性フィルムにおいて、フィルム形成樹脂Aは、VdF系樹脂a1に加えて非フッ素系樹脂a2を含んでいてもよい。本発明の高誘電性フィルムはフィルムコンデンサ用として特に有用であり、したがって、本発明は本発明の高誘電性フィルムの少なくとも片面に電極層が積層されているフィルムコンデンサにも関する。本発明の高誘電性フィルムによれば、VdF系樹脂の高い比誘電率を維持したまま体積抵抗率を大幅に高くすることができる。本発明の高誘電性フィルムは、フィルム形成樹脂Aおよび特定の無機酸化物粒子Bを含むフィルムであって、フィルム形成樹脂Aがフッ化ビニリデンVdF系樹脂a1を含み、かつ無機酸化物粒子Bの含有量がフィルム形成樹脂A100質量部に対して0.01質量部以上10質量部未満であることを特徴とする。以下、各成分について説明する。Aフィルム形成樹脂フィルム形成樹脂Aは、VdF系樹脂a1を含む。a1VdF系樹脂VdF系樹脂としては、比誘電率1kHz、25°Cが4以上のものが、フィルムとしたときに耐電圧、絶縁性、誘電性が向上する点から好ましい。VdF系樹脂a1としては、フッ化ビニリデンVdFの単独重合体PVdFでも、VdFと共重合可能な他の単量体の1種または2種以上との共重合体であってもよい。また、VdFの単独重合体とVdF共重合体とのブレンド、または2種以上のVdF共重合体同士のブレンドであってもよい。VdFと共重合可能な他の単量体としては、たとえば、テトラフルオロエチレンTFE、クロロトリフルオロエチレンCTFE、トリフルオロエチレンTrFE、モノフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレンHFP、パーフルオロアルキルビニルエーテルPAVEなどの含フッ素オレフィン類;含フッ素アクリレート、官能基含有含フッ素単量体などがあげられる。これらのうち、溶剤溶解性が良好な点から、TFE、CTFE、HFPが好ましい。共重合割合は、VdFが50モル以上、好ましくは60モル以上であることが、比誘電率が高い点、溶剤溶解性が高い点から好ましい。なかでも、VdF単位60~100モル、TFE単位0~40モルおよびHFP単位0~40モルを含む重合体が比誘電率が6以上であり、好ましい。具体的には、VdFの単独重合体PVdF、VdF/TFE系共重合体、VdF/TFE/HFP系共重合体、VdF/HFP系共重合体、VdF/CTFE系共重合体などが例示でき、特に比誘電率が高い点、溶剤溶解性が良好な点から、PVdF、VdF/TFE系共重合体、VdF/HFP系共重合体が好ましい。VdF/TFE系共重合体の場合、その組成比は、VdF単位が50~95モルでTFE単位が5~50モルであることが、特にVdF単位が60~90モルでTFE単位が10~40モルである場合、VdF系樹脂の中でも電気絶縁性が高い点から好ましい。また、別の観点からは、VdF単位が60~95モルでTFE単位が5~40モル、特にVdF単位が70~90モルでTFE単位が10~30モルの範囲も採用できる。また、VdF系樹脂自体の誘電損失を下げるために、エチレン、プロピレン、アルキルビニルエーテル、酢酸ビニル、塩化ビニル、塩化ビニリデン、CH2=CHCF3、CH2=CFCF3などと共重合することも好ましい。この場合、VdFとは直接反応しにくいので、TFEのような上記の共重合可能な他の単量体とともに共重合することもできる。また、VdF系樹脂自体の比誘電率1kHz、25°Cは5以上、好ましくは6以上、さらには7.5以上であることが、フィルムの誘電性をさらに高める点から好ましい。なお、上限値はとくに制限はないが、通常15、好ましくは13である。本発明において、フィルム形成樹脂Aは、VdF系樹脂a1に加えて非フッ素系樹脂a2を併用してもよい。併用する非フッ素系樹脂a2としては、セルロース系樹脂および/またはアクリル樹脂が、VdF系樹脂との相溶性がよい点から好ましい。非フッ素系樹脂a2を併用する場合は、VdF系樹脂a1の誘電損失の温度依存性、特に高温での温度依存性を低減化するという効果が奏される。セルロース系樹脂としては、たとえばモノ酢酸セルロース、ジ酢酸セルロース、トリ酢酸セルロース、酢酸セルロースプロピオネート、酢酸セルロースブチレートなどのエステル置換セルロース;メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロースなどのエーテルで置換されたセルロースなどが例示できる。これらの中でも、VdF系樹脂との相溶性がよい点から、酢酸セルロースプロピオネート、酢酸セルロースブチレートが好ましい。アクリル樹脂としては、たとえばポリメタクリル酸メチル、スチレンメタクリル酸メチル共重合体などが例示でき、なかでもポリメタクリル酸メチルがVdF系樹脂との相溶性がよい点から好ましい。非フッ素系樹脂a2を併用する場合は、VdF系樹脂a1と非フッ素系樹脂a2を80/20~99.9/0.1、さらには90/10~95/5の質量比で含むことが、比誘電率が大きく、かつHzオーダーの周波数での誘電損失の温度依存性が小さい点から好ましい。B無機酸化物粒子本発明に用いる無機酸化物粒子Bは、以下の無機酸化物粒子の少なくとも1種である。B1周期表の2族、3族、4族、12族または13族の1種の金属元素の無機酸化物粒子、またはこれらの無機酸化物複合粒子:金属元素としては、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、Ti、Zr、Zn、Alなどがあげられ、特に、Al、Mg、Y、Znの酸化物が汎用で安価であり、また体積抵抗率が高い点から好ましい。具体的には、Al2O3、MgO、ZrO2、Y2O3、BeOおよびMgOAl2O3よりなる群から選ばれる少なくとも1種の粒子が、体積抵抗率が高い点から好ましい。なかでも、結晶構造がγ型のAl2O3が、比表面積が大きく、樹脂への分散性が良好な点から好ましい。B2式1:M1a1Nb1Oc1式中、M1は2族金属元素;Nは4族金属元素;a1は0.9~1.1;b1は0.9~1.1;c1は2.8~3.2である;M1とNはそれぞれ複数であってもよいで示される無機複合酸化物粒子:4族の金属元素としては、たとえばTi、Zrが好ましく、2族の金属元素としてはMg、Ca、Sr、Baが好ましい。具体的には、BaTiO3、SrTiO3、CaTiO3、MgTiO3、BaZrO3、SrZrO3、CaZrO3およびMgZrO3よりなる群から選ばれる少なくとも1種の粒子が、体積抵抗率が高い点から好ましい。B3周期表の2族、3族、4族、12族または13族金属元素の酸化物と酸化ケイ素との無機酸化物複合粒子:無機酸化物粒子B1と酸化ケイ素との複合体粒子であり、具体的には、3Al2O32SiO2、2MgOSiO2、ZrO2SiO2およびMgOSiO2よりなる群から選ばれる少なくとも1種の粒子があげられる。本発明においては、無機酸化物粒子Bの一次平均粒子径は小さい方が好ましく、特に1μm以下のいわゆるナノ粒子が好ましい。このような無機酸化物ナノ粒子が均一分散することにより、少量の配合でフィルムの電気絶縁性を大幅に向上させることができる。好ましい一次平均粒子径は300nm以下、さらには200nm以下、特に100nm以下である。下限は特に限定されないが、製造の困難性や均一分散の困難性、価格の面から、10nm以上であることが好ましい。これらの無機酸化物粒子Bは誘電性の向上を目的とするものではなく、電気絶縁性、ひいては体積抵抗率の向上を目的としているので、必ずしも高誘電性である必要はない。したがって、汎用で安価な1種類の金属の酸化物粒子B1、特にAl2O3やMgOなどを使用しても、体積抵抗率の向上を図ることができる。これら1種類の金属の酸化物粒子B1の比誘電率1kHz、25°Cは、100未満、さらには10以下である。本発明において、無機酸化物粒子Bとして、従来、誘電性を向上させるために配合されている強誘電性比誘電率1kHz、25°Cが100以上の金属酸化物粒子B2~B3を用いてもよい。しかし、その配合量は誘電性の向上効果がそれ程見込めない少量である点で、従来の使用形態と異なる。さらに好ましい実施形態では、粒径の観点からも、多量に配合すると均一分散が困難である一次平均粒子径が1μm以下のものを用いる点でも異なる。強誘電性の金属酸化物粒子B2~B3を構成する無機材料としては、次の複合金属酸化物、その複合体、固溶体、ゾルゲル体などが例示できるが、これらのみに限定されるものではない。無機酸化物粒子Bの含有量は、フィルム形成樹脂A100質量部に対して、0.01質量部以上10質量部未満である。含有量が10質量部以上になると却って電気絶縁性耐電圧が低下していく傾向にあるほか、無機酸化物粒子Bをフィルム形成樹脂A中に均一に分散させることが容易ではなくなることがある。好ましい上限は8質量部、さらには6質量部である。また、含有量が少なすぎると電気絶縁性の向上効果が得られず、したがって好ましい下限は、0.1質量部、さらには0.5質量部、特に1質量部である。C他の任意成分本発明において、高誘電性フィルムの電気絶縁性を向上させるためには、上記の特定のフィルム形成樹脂Aと無機酸化物粒子Bで充分であるが、そのほか、他の補強用フィラーや親和性向上剤などの添加剤を、本発明の効果を損なわない範囲内で含ませてもよい。補強用フィラーは機械的特性引張強度、硬度などを付与するために添加される成分であって、上記の無機酸化物粒子B以外の粒子または繊維であり、たとえば炭化ケイ素、窒化ケイ素、硼素化合物の粒子または繊維があげられる。なお、シリカ酸化ケイ素は、加工改良剤や補強用フィラーとして配合してもよいが、絶縁性向上効果の点からは、熱伝導率が低く、特に高温で体積抵抗率が大きく低下するため、上記無機酸化物粒子Bよりも劣る。親和性向上剤としては、上記フィルム形成樹脂A以外の化合物であり、たとえば官能基変性ポリオレフィン、スチレン改質ポリオレフィン、官能基変性ポリスチレン、ポリアクリル酸イミド、クミルフェノールなどがあげられ、本発明の効果を損なわない範囲内で含んでもよい。なお、絶縁性向上効果の点からはこれらの成分は含まないことがより好ましい。本発明の高誘電性フィルムは、たとえばフィルム形成樹脂Aと無機酸化物粒子B、さらに要すれば他の成分Cと溶剤Dとを含むコーティング組成物をコーティングしてフィルムを形成し、ついで剥離することで作製することができる。コーティング組成物を調製するための溶剤Dとしては、VdF系樹脂a1、さらに要すれば非フッ素系樹脂a2を溶解する任意の溶媒を使用できるが、特に、極性有機溶媒が好ましい。なかでも極性有機溶媒としては、たとえばケトン系溶剤、エステル系溶媒、カーボネート系溶媒、環状エーテル系溶媒、アミド系溶剤が好ましい。具体的には、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、乳酸エチル、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジプロピルカーボネート、メチルエチルカーボネート、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどが好ましくあげられる。コーティング組成物では、溶剤Dにより、フィルム形成樹脂A、無機酸化物粒子B、その他の任意成分のうちの固形分の合計の固形分濃度を5~30質量とすることが、コーティング作業が容易で、組成物の安定性がよいことから好ましい。コーティング組成物は、これらの各成分を溶剤に溶解または分散させることにより調製できる。本発明において、無機酸化物粒子Bをフィルム形成樹脂A中に均一に分散させることが重要である。本発明においては、無機酸化物粒子Bの配合量が少ないので、比較的均一に分散させることが容易である。ただ、必要に応じて、上記の親和性向上剤を使用するほか、界面活性剤をコーティング組成物に添加してもよい。界面活性剤としては、電気絶縁性を損なわない範囲でカチオン性、アニオン性、非イオン性、両性の界面活性剤が使用できるが、なかでも非イオン性界面活性剤、特に高分子系の非イオン性界面活性剤が好ましい。高分子系非イオン性界面活性剤としては、たとえばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ソルビタンモノステアレートなどが例示できる。コーティング組成物のコーティング方法としては、ナイフコーティング法、キャストコーティング法、ロールコーティング法、グラビアコーティング法、ブレードコーティング法、ロッドコーティング法、エアドクタコーティング法、カーテンコーティング法、ファクンランコーティング法、キスコーティング法、スクリーンコーティング法、スピンコーティング法、スプレーコーティング法、押出コーティング法、電着コーティング法などが使用できるが、これらのうち操作性が容易な点、膜厚のバラツキが少ない点、生産性に優れる点からロールコーティング法、グラビアコーティング法、キャストコーティング法、特にキャストコーティング法が好ましく、優れたフィルムコンデンサ用フィルムを製造することができる。たとえばコーティング組成物を基材表面にキャストし、乾燥した後、該基材から剥離するときは、得られる高誘電性フィルムは、電気絶縁性が高く、耐電圧が高い点で優れ、また薄膜で可撓性を有する点で優れたものである。キャストコーティングに使用する基材としては非多孔質な表面を有するものが好ましく、緻密なフィルム表面を形成できる材料であれば特に限定されず、たとえばポリエステルフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルムなどの樹脂フィルム;アルミニウム箔、銅箔などの金属箔などが例示できる。また、離型処理を施したものが好ましい。かくして得られる本発明の高誘電性フィルムは、膜厚を20μm以下、好ましくは10μm以下、さらに好ましくは6μm以下、特に好ましくは5μm以下にすることができる。膜厚の下限は機械的強度の維持の点から約2μmが好ましい。本発明はまた、本発明の高誘電性フィルムの少なくとも片面に電極層が積層されているフィルムコンデンサに関する。フィルムコンデンサの構造としては、たとえば、電極層と高誘電体フィルムが交互に積層された積層型特開昭63-181411号公報、特開平3-18113号公報などや、テープ状の高誘電体フィルムと電極層を巻き込んだ巻回型高誘電体フィルム上に電極が連続して積層されていない特開昭60-262414号公報などに開示されたものや、高誘電体フィルム上に電極が連続して積層されている特開平3-286514号公報などに開示されたものなどなどがあげられる。構造が単純で、製造も比較的容易な、高誘電体フィルム上に電極層が連続して積層されている巻回型フィルムコンデンサの場合は、一般的には片面に電極を積層した高誘電体フィルムを電極同士が接触しないように2枚重ねて巻き込んで、必要に応じて、巻き込んだ後に、ほぐれないように固定して製造される。電極層は、特に限定されないが、一般的に、アルミニウム、亜鉛、金、白金、銅などの導電性金属からなる層であって、金属箔として、または蒸着金属被膜として用いる。本発明においては、金属箔と蒸着金属被膜のいずれでも、また、両者を併用しても構わない。電極層を薄くでき、その結果、体積に対して容量を大きくでき、誘電体との密着性に優れ、また、厚さのバラつきが小さい点で、通常は、蒸着金属被膜が好ましい。蒸着金属被膜は、一層のものに限らず、たとえば耐湿性を持たせるためにアルミニウム層にさらに半導体の酸化アルミニウム層を形成して電極層とする方法たとえば特開平2-250306号公報などなど、必要に応じて多層にしてもよい。蒸着金属被膜の厚さも特に限定されないが、好ましくは100~2,000オングストローム、より好ましくは200~1,000オングストロームの範囲とする。蒸着金属被膜の厚さがこの範囲である時に、コンデンサの容量や強度がバランスされ好適である。電極層として蒸着金属被膜を用いる場合、被膜の形成方法は特に限定されず、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などを採用することができる。通常は、真空蒸着法が用いられる。真空蒸着法としては、たとえば成形品のバッチ方式と、長尺品で使用される半連続セミコンテニアス方式と連続airtoair方式などがあり、現在は、半連続方式が主力として行われている。半連続方式の金属蒸着法は、真空系の中で金属蒸着、巻き取りした後、真空系を大気系に戻し、蒸着されたフィルムを取り出す方法である。半連続方式については、具体的には、たとえば特許第3664342号明細書に図1を参照して記載されている方法で行うことができる。高誘電性フィルム上に金属薄膜層を形成する場合、あらかじめ高誘電性フィルム表面に、コロナ処理、プラズマ処理など、接着性向上のための処理を施しておくこともできる。電極層として金属箔を用いる場合も、金属箔の厚さは特に限定されないが、通常は、0.1~100μm、好ましくは1~50μm、より好ましくは3~15μmの範囲である。固定方法は、特に限定されず、たとえば樹脂で封止したり絶縁ケースなどに封入したりすることにより、固定と構造の保護とを同時に行えばよい。リード線の接続方法も限定されず、溶接、超音波圧接、熱圧接、粘着テープによる固定などが例示される。巻き込む前から電極にリード線を接続しておいてもよい。絶縁ケースに封入する場合など、必要に応じて、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂で開口部などを封止して酸化劣化などを防止してもよい。このようにして得られた本発明のフィルムコンデンサは、高誘電性を維持したまま、体積抵抗率を大幅に高くしている。つぎに本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はかかる例のみに限定されるものではない。なお、本明細書で使用している特性値は、つぎの方法で測定したものである。膜厚デジタル測長機株仙台ニコン製のMF-1001を用いて、基板に載せたフィルムを室温下にて測定する。耐電圧耐電圧絶縁抵抗試験器菊水電子工業株TOS9201を用いて、基板に載せたフィルムをドライエアー雰囲気下にて測定する。昇圧速度は100V/sで測定する。誘電損失および比誘電率複合フィルムを真空中で両面にアルミニウムを蒸着しサンプルとする。このサンプルをインピーダンスアナライザヒューレットパッカード社製のHP4194Aにて、30°Cおよび85°C下で、周波数100Hz、1kHzおよび10kHzでの静電容量と誘電正接を測定する。得られた各静電容量と誘電正接の測定値から比誘電率および誘電損失を算出する。体積抵抗率デジタル超絶縁計/微小電流計にて、体積抵抗率Ωcmを85°C、ドライエアー雰囲気下、DC500Vで測定する。実施例11Lセパラブルフラスコ中にジメチルアセトアミドDMAcキシダ化学株製640質量部とポリフッ化ビニリデンPVdFダイキン工業株製のVP825。比誘電率:9.51kHz、25°Cを160質量部入れ、60°Cにて24時間、スリーワンモーターにて攪拌し、20質量濃度のPVdF溶液を得た。このPVdFのDMAc溶液濃度20質量30質量部に、Al2O3粒子結晶型:γ型。一次平均粒子径:100nm。比誘電率1kHz、25°C:2.1。住友化学株製のAKP-G150.06質量部、メチルエチルケトンMEK10質量部を加えた。この混合物に、直径1mmのジルコニアビーズを同質量加えて卓上遊星ボールミル有GokinPlanetaring製のPlanetMに入れ、室温下、回転数800rpmで15分間分散処理を行った。分散処理後の混合物をステンレススチール製のメッシュ真鍋工業株製の80メッシュに通してジルコニアビーズを取り除いて、コーティング用組成物を得た。このコーティング組成物をマイクログラビアコーターを用いて、離型処理を施した38μm厚の非多孔質ポリエステルPETフィルム上にキャストし、乾燥炉を通すことにより、PETフィルム上にVdF系樹脂フィルムが形成された積層フィルムを得た。ついで、PETフィルムから剥離することにより、膜厚6.1μmの本発明の高誘電性フィルムを得た。得られたフィルムについて、耐電圧、誘電損失、比誘電率および体積抵抗率を測定した。結果を表1に示す。実施例2~5実施例1において、Al2O3粒子を表1に示す量に変更したほかは実施例1と同様にしてコーティング用組成物を調製し、実施例1と同様にしてキャスティングして本発明の高誘電性フィルムを得た。得られたフィルムについて、耐電圧、誘電損失、比誘電率および体積抵抗率を測定した。結果を表1に示す。比較例1実施例1において、Al2O3粒子を配合しなかったほかは実施例1と同様にしてコーティング用組成物を調製し、実施例1と同様にしてキャスティングして膜厚6.2μmの比較用の高誘電性フィルムを得た。得られたフィルムについて、耐電圧、誘電損失、比誘電率および体積抵抗率を測定した。結果を表1に示す。比較例2実施例1において、Al2O3粒子の量を0.72質量部PVdF100質量部に対しAl2O3粒子12質量部としたほかは実施例1と同様にしてコーティング用組成物を調製し、実施例1と同様にしてキャスティングして膜厚6.2μmの比較用の高誘電性フィルムを得た。得られたフィルムについて、耐電圧、誘電損失、比誘電率および体積抵抗率を測定した。結果を表1に示す。表1から、Al2O3粒子を添加すると体積抵抗率が向上していることが分かる。しかし、添加量が過剰になると、他の物性耐電圧が著しく低下するため、樹脂に対して10質量部以下の添加量が適切であるということが分かる。実施例6~9実施例1において、無機酸化物粒子Bとして表2に示す無機酸化物粒子を表2に示す量で用いたほかは実施例1と同様にしてコーティング用組成物を調製し、実施例1と同様にしてキャスティングして高誘電性フィルムを得た。得られたフィルムについて、耐電圧、誘電損失、比誘電率および体積抵抗率を測定した。結果を表2に示す。比較例3実施例1において、無機酸化物粒子Bに代えてシリカ粒子一次平均粒子径15nm。比誘電率1kHz、25°C:3.5シグマアルドリッチジャパン株製を用いたほかは実施例1と同様にしてコーティング用組成物を調製し、実施例1と同様にしてキャスティングして高誘電性フィルムを得た。得られたフィルムについて、耐電圧、誘電損失、比誘電率および体積抵抗率を測定した。結果を表2に示す。なお、表2において用いた無機酸化物粒子はつぎのものである。Al2O3粒子B1:結晶型:θ型。一次平均粒子径:10nm。比誘電率1kHz、25°C:2.1。大明化学工業株製のTM-100MgO粒子B1:一次平均粒子径:30nm。比誘電率1kHz、25°C:9.8。株ATR製の3310FYスピネルMgOAl2O3粒子B1:一次平均粒子径240nm。比誘電率1kHz、25°C:20。大明化学工業株製のTSP20BaTiO3粒子B2:一次平均粒子径50nm。比誘電率1kHz、25°C:1500。戸田工業株製のTBTO50RF表2の結果から、無機酸化物の種類を変更しても、体積抵抗率が高くなっていることが分かる。実施例10実施例2において、フィルム形成樹脂としてVdF/TFE80/20モル共重合体を用いたほかは実施例1と同様にしてコーティング用組成物を調製し、実施例1と同様にしてキャスティングして高誘電性フィルムを得た。得られたフィルムについて、耐電圧、誘電損失、比誘電率および体積抵抗率を測定した。結果を表3に示す。実施例11実施例2において、フィルム形成樹脂としてPVdFと酢酸セルロースブチレートCABイーストマンケミカルジャパン株製のCAB321を90/10質量比で用いたほかは実施例1と同様にしてコーティング用組成物を調製し、実施例1と同様にしてキャスティングして高誘電性フィルムを得た。得られたフィルムについて、耐電圧、誘電損失、比誘電率および体積抵抗率を測定した。結果を表3に示す。実施例12実施例2において、フィルム形成樹脂としてVdF/TFE80/20モル共重合体と酢酸セルロースブチレートCABイーストマンケミカルジャパン株製のCAB321を90/10質量比で用いたほかは実施例1と同様にしてコーティング用組成物を調製し、実施例1と同様にしてキャスティングして高誘電性フィルムを得た。得られたフィルムについて、耐電圧、誘電損失、比誘電率および体積抵抗率を測定した。結果を表3に示す。実施例13実施例2において、フィルム形成樹脂としてVdF/TFE67/33モル共重合体を用いたほかは実施例1と同様にしてコーティング用組成物を調製し、実施例1と同様にしてキャスティングして高誘電性フィルムを得た。得られたフィルムについて、耐電圧、誘電損失、比誘電率および体積抵抗率を測定した。結果を表3に示す。実施例14実施例2において、フィルム形成樹脂としてVdF/TFE67/33モル共重合体と酢酸セルロースブチレートCABイーストマンケミカルジャパン製のCAB321を90/10質量比で用いたほかは実施例1と同様にしてコーティング用組成物を調製し、実施例1と同様にしてキャスティングして高誘電性フィルムを得た。得られたフィルムについて、耐電圧、誘電損失、比誘電率および体積抵抗率を測定した。結果を表3に示す。実施例15実施例2において、フィルム形成樹脂としてVdF/TFE67/33モル共重合体と酢酸セルロースブチレートCABイーストマンケミカルジャパン製のCAB321を80/20質量比で用いたほかは実施例1と同様にしてコーティング用組成物を調製し、実施例1と同様にしてキャスティングして高誘電性フィルムを得た。得られたフィルムについて、耐電圧、誘電損失、比誘電率および体積抵抗率を測定した。結果を表3に示す。実施例16実施例14において、Al2O3粒子を表3に示す量に変更したほかはで用いたほかは実施例1と同様にしてコーティング用組成物を調製し、実施例1と同様にしてキャスティングして高誘電性フィルムを得た。得られたフィルムについて、耐電圧、誘電損失、比誘電率および体積抵抗率を測定した。結果を表3に示す。表3の結果から、フィルム形成樹脂を変更しても、γ型のAl2O3粒子を添加することにより体積抵抗率が向上していることが分かる。実施例17実施例10において、γ-Al2O3粒子をSrTiO3に変更したほかは実施例10と同様にしてコーティング用組成物を調製し、実施例10と同様にしてキャスティングして膜厚5.7μmの本発明の高誘電性フィルムを得た。得られたフィルムについて、耐電圧、誘電損失、比誘電率および体積抵抗率を測定した。結果を表4に示す。実施例18実施例10において、γ-Al2O3粒子をCaTiO3に変更したほかは実施例10と同様にしてコーティング用組成物を調製し、実施例10と同様にしてキャスティングして膜厚5.9μmの本発明の高誘電性フィルムを得た。得られたフィルムについて、耐電圧、誘電損失、比誘電率および体積抵抗率を測定した。結果を表4に示す。実施例19実施例10において、γ-Al2O3粒子を3Al2O32SiO2製に変更したほかは実施例10と同様にしてコーティング用組成物を調製し、実施例10と同様にしてキャスティングして膜厚6.0μmの本発明の高誘電性フィルムを得た。得られたフィルムについて、耐電圧、誘電損失、比誘電率および体積抵抗率を測定した。結果を表4に示す。表4の結果から、フィルム形成樹脂としてVdF/TFE80/20共重合体を用い、無機酸化物粒子BをB2やB3のものに変更してもγ型のAl2O3粒子と同様に体積抵抗率が向上していることが分かる。実施例20実施例1で製造した高誘電性フィルムの両面に、真空蒸着装置株真空デバイス製のVE-2030により3Ω/□を目標にしてアルミニウムを蒸着して電極を形成した。これらのアルミニウム電極に電圧印加用のリード線を取り付け、スタンプ型簡易評価用のフィルムコンデンサを作製した。"