"酸素を含むガスの雰囲気下で、反応性スパッタリング法により、銅Cuからなる第1ターゲットとニオブNbおよびタンタルTaからなる群から選択される1種類の遷移元素からなる第2ターゲットとを用いて交互にスパッタを行うことにより、基板上に第1酸化物膜不可避不純物を含み得るを形成する工程、及び前記第1酸化物膜を不活性ガス雰囲気中で加熱焼成することにより第2酸化物膜不可避不純物を含み得るを形成する工程を含む、酸化物膜の製造方法。前記第1ターゲットによる前記基板への第1スパッタ時間を1としたときの前記第2ターゲットによる前記基板への第2スパッタ時間の値比が、0.5以上5以下である、請求項1に記載の酸化物膜の製造方法。前記銅Cuに対する前記遷移元素の原子数比が、前記銅Cuの原子数を1とした場合に前記遷移元素の原子数が0.5以上3未満である、請求項1または請求項2に記載の酸化物膜の製造方法。前記不活性ガス雰囲気中、300°C以上400°C以下で前記第1酸化物膜を加熱焼成することにより前記第2酸化物膜を形成する、請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の酸化物膜の製造方法。上述のように、p型の導電性を示す導電膜、特に、透明導電膜としての酸化物膜の高性能化は、n型のそれと比べて大きく立ち遅れているのが現状である。すなわち、現在開発されているp型の透明導電膜は、主として透明性又は導電性が低いといった問題を抱えている。また、結晶性の酸化物膜については、その物性を決定する結晶の配向制御の問題が生じうる。その意味で、特定の結晶方位を有しなければその性能を十分に発揮しないような結晶性の酸化物膜の採用は、工業化を念頭に置いたときに量産化や基板の大型化にとっての技術的な障壁となる可能性がある。一方、透明性が高く、p型の高い導電性を示す導電膜を製造するための優れた方法を創出することも、その量産化等を実現するための強い駆動力となる。本発明は、上述の技術課題の少なくとも1つを解決することにより、p型の導電膜、特にp型の透明導電膜としての酸化物膜の高性能化、及びその製造方法の最適化に向けて大きく貢献するものである。発明者らは、導電膜の適用範囲を広げるためにはp型の導電性を有する酸化物膜の高性能化が不可欠であると考え、その導電性又は透明性を高めるべく、古くから研究されている対象の元素のみならず、これまで本格的な研究対象となっていなかった新しい元素の採用を試みた。数多くの試行錯誤を行った結果、発明者らは、いわゆる薄膜化を行うことによって塊状の物性とは全く異なる物性を示す材料が存在し、その膜の特性が上述の幾つかの問題の解決に寄与し得ることを知見した。さらに発明者らが研究を重ねた結果、その材料は、ある特殊な製造方法によって形成されることによって優れた特性が得られることも併せて知見した。本発明は、そのような知見と経緯によって創出された。本発明の1つの酸化物膜の製造方法は、次の2つの工程を含んでいる。その1つは、酸素を含むガスの雰囲気下で、反応性スパッタリング法により、銅Cuからなる第1ターゲットとニオブNbおよびタンタルTaからなる群から選択される1種類の遷移元素からなる第2ターゲットとを用いて交互にスパッタを行うことにより、基板上に第1酸化物膜不可避不純物を含み得るを形成する工程である。もう1つは、前述の第1酸化物膜を不活性ガス雰囲気中で加熱焼成することにより、第2酸化物膜不可避不純物を含み得るを形成する工程である。この酸化物膜の製造方法は、反応性スパッタリング法によって第1酸化物膜が形成されるため、量産性ないし工業性に優れる。また、この第1酸化物は、膜状になった後、不活性ガス雰囲気中で加熱焼成されことによって、そのp型としての導電性が飛躍的に向上する。したがって、この酸化物膜の製造方法によれば、従来と比較してp型の高い導電性を備えた酸化物膜が、例えば大型基板上においても容易に形成され得る。なお、本出願においては、基板とは、代表的にはガラス基板、半導体基板、金属基板、及びプラスチック基板を意味するが、これに限定されない。また、本出願における基板には、平板状に限らず、曲面状の構造体も含まれ得る。さらに、本願において、基板の温度とは、特に言及がない限り、その基板を支持、保持、又は収容する台や器具を加熱するヒーターの設定温度を意味する。また、本出願において、酸化物及び酸化物膜には、製造上、混入を避けることができない不純物が含まれ得る。なお、この不純物の代表的なものは、例えば、ターゲットを製造する際に混入しうる不純物や、各種の基板の含まれる不純物、あるいは各種のデバイスの製造工程において利用される水の中に含まれる不純物である。従って、本願出願時の最新の分析機器によって必ずしも検出できるとは言えないが、例えば、アルミニウムAl、シリコンSi、鉄Fe、ナトリウムNa、カルシウムCa、及びマグネシウムMgが代表的な不純物として考えられる。また、本出願において、ニオブNb及びタンタルTaからなる群から選択される1種類の遷移元素と、銅Cuとを含む酸化物の膜には、ニオブNb又はタンタルTaと銅Cuとの複合酸化物例えば、CuXNbYOZやCuXTaYOZ、但し、X,Y,Zは、それぞれの原子の存在比率を表す。以下、同じの膜のみならず、酸化銅CuXOYと酸化ニオブNbXOY又は酸化タンタルTaXOYとの混合物の膜も含まれる。同様に、本出願において、銅CuとニオブNbからなる酸化物の膜には、ニオブNbと銅Cuとの複合酸化物CuXNbYOZの膜のみならず、酸化銅CuXOYと酸化ニオブNbXOYとの混合物の膜も含まれる。本発明の1つの酸化物膜の製造方法によれば、従来と比較してp型の高い導電性を備えた酸化物膜が、例えば大型基板上においても容易に形成され得る。本発明の実施形態を、添付する図面に基づいて詳細に述べる。なお、この説明に際し、全図にわたり、特に言及がない限り、共通する部分には共通する参照符号が付されている。また、図中、各実施形態の要素のそれぞれは、必ずしも互いの縮尺比を保って示されてはいない。また、各図面を見やすくするために、一部の符号が省略され得る。<第1の実施形態>本実施形態では、銅Cu及びニオブNbとからなる酸化物膜及びその製造方法について説明する。図1は、本実施形態における第1酸化物膜の製造装置20の説明図である。図2A及び図2Bは、本実施形態における第2酸化物膜の形成過程の1つを示す説明図である。図1に示すように、本実施形態の第1酸化物膜の製造装置20は、いわゆる反応性スパッタリング装置であり、基板回転機構22及び背面ヒーター23を備えた、基板10を公知の保持具図示しないにより保持するステージ24を、密閉可能なチャンバー21内に備えている。また、この第1酸化物膜の製造装置20は、上下方向に互いに向かい合うように配置された銅Cuのターゲット第1ターゲットともいう30a,30a及びニオブNbのターゲット第2ターゲットともいう30b,30bを、前述の基板回転機構22及びステージ24の外周側に備えている。また、本実施形態では、一対の銅Cuのターゲット30a,30aの中心軸に平行にプラズマ収束磁界を印加させるために磁石25a,,25aが配置されている。同様に、一対のニオブNbのターゲット30b,30bに対しても、磁石25b,,25bが配置されている。加えて、各ターゲット30a,30bを冷却するための冷却水を流すための配管冷却用配管29a,29bが設けられている。また、本実施形態の第1酸化物膜の製造装置20では、チャンバー21内に反応ガス本実施形態では、アルゴンArガス80mol及び酸素O2ガス20molの混合ガスを導入するための導入口28aと、それらの反応ガスを排気するための排気口28bとが、開閉可能に設けられている。なお、本実施形態の基板10は石英基板である。また、前述の銅Cuのターゲット30a,30a及びニオブNbのターゲット30b,30bは、それぞれ単体物質であるが、不可避不純物を含みうる。ここで、本実施形態では、上述のとおり、一対の第1ターゲット30a,30aの中心軸、及び一対の第2ターゲット30b,30bの中心軸に平行にプラズマ収束磁界を印加させるため、各ターゲット30a,30bから放出されるγ電子が一対の第1ターゲット30a,30a間及び一対の第2ターゲット30b,30b間の空間内に閉じ込められることになる。その結果、反応ガスのイオン化が促進されるため、プラズマ密度を高めることが可能になる。また、本実施形態では、図1に示すように、一対の第1ターゲット30a,30aの中心軸、及び一対の第2ターゲット30b,30bの中心軸に平行に、かつ,それらによって形成されるプラズマ領域外に、基板10が配置されている。従って、正電荷のみならず負電荷の高エネルギー荷電粒子の基板10への衝突が抑制されるため、基板10上に堆積される第1酸化物膜11へ与える損傷を低減することができる。また、第1酸化物膜の製造装置20が上述の構成を備えることにより、2種類のターゲット30a,30bから形成されるプラズマを交互に利用して、原子層オーダーで組成制御しながら基板10上に第1酸化物膜11を堆積させることを可能となる。また、本実施形態の基板回転機構22の回転軸がステッピングモーターによって駆動するように設計されている。従って、前述の反応ガスが導入されてプラズマが形成され、スパッタリングが行われている間、一対の銅Cuのターゲット30a,30a間のプラズマ領域に向いて停止している時間と、一対の銅Cuのターゲット30a,30a間のプラズマ領域に向いて停止している時間とを自由に変更することができる。本実施形態では、第1ターゲット30a,30aによる基板10へのスパッタ時間第1スパッタ時間ともいうを1としたときの第2ターゲット30b,30bによる基板10へのスパッタ時間第2スパッタ時間ともいうの値比が、2.4であった。本実施形態の第1酸化物膜の製造装置20を用いて、基板10上に第1酸化物膜11を形成した。成膜時間は4時間であった。ここで、3つの第1酸化物膜11が形成された基板10を評価サンプルとして用意した。その1つに対しては、その後、窒素N2ガスが供給されることにより酸素濃度が1未満の雰囲気となっている管状炉内において400°Cのアニール加熱焼成処理を1時間行うことにより、図2Bに示すような第2酸化物膜12を形成した。また、他の1つに対しては、その後、窒素N2ガス雰囲気下の管状炉内において300°Cのアニール処理を1時間行うことにより、第2酸化物膜12を形成した。さらに最後の1つは、アニール処理を施さない比較例つまり、第1酸化物11のままとした。上述の3つの評価サンプルについて、膜厚、抵抗率ρ[Ωcm]、伝導率σ[S/cm]、及び透過率[]を測定した。表1は、それらの測定結果を示す一覧表である。まず、表1に示すように、膜厚は、いずれの評価サンプルも1.1μmであった。次に、第1酸化物膜11及び第2酸化物膜12の組成比については、ニオブNbが1に対して銅Cuが0.96ないし0.99であった。すなわち、その組成比は、ニオブNbが1に対して、銅Cuがほぼ1である。また、本実施形態では、3つの評価サンプルの抵抗率ρは次のように測定された。まず、金電極をそれぞれの評価サンプルの4箇所に真空蒸着した。その後、その金電極上に銀ペーストを用いて銅線を接着し、vanderPauw法によって抵抗率ρを算出した。その結果、第2酸化物膜12は、ホットプローブ法に基づく評価及びホール効果を考慮すると、p型の導電性を有すると考えられる結果が得られた。また、本実施形態では、3つの評価サンプルの透過率については、分光光度計日本分光株式会社製、型式V-650を使用し、200nm~800nmの範囲において測定を行った。図3は、その3つの評価サンプルにおける第1酸化物膜11及び第2酸化物膜12の主として紫外光から可視光領域の波長の光線の透過率の分析結果を示すチャートである。なお、図中、一点鎖線は、第1酸化物膜11による結果を示している。また、実線は300°Cでアニール処理された第2酸化物膜12による結果を示し、点線は400°Cでアニール処理された第2酸化物膜12による結果を示している。ここで、本実施形態における透過率の数値については、分光光度計による測定の結果、350nm付近から透過率が上昇し始め、550nm付近よりも長い波長領域において透過率が飽和傾向となっていることが確認されたため、その飽和領域、すなわち、550nm以上における平均的透過率値を以って透過率とした。その結果、第1酸化物膜11及び第2酸化物膜12のいずれも、55以上の高い透過率を有していることが確認された。特に、第1酸化物膜11の透過率は約65であった。さらに、発明者らは、3つの評価サンプルについて、XRDX線回折による分析を行った。図4は、その3つの評価サンプルにおける第1酸化物膜11及び第2酸化物膜12のXRDX線回折分析結果を示すチャートである。XRD分析の結果、図4に示すように、第1酸化物膜11及び第2酸化物膜12は、いずれも2θが20°付近にピークを有するとともに、20°乃至40°においてブロードなピークが観察された。従って、本実施形態の第1酸化物膜11及び第2酸化物膜12は、微結晶の集合体、微結晶を含むアモルファス状、又はアモルファス状であると考えられる。なお、上述の第1の実施形態では、第1スパッタ時間を1としたときの第2スパッタ時間の値比が、2.4であったが、第1の実施形態はこの値に限定されない。例えば、その値が0.5以上5以下であれば、本実施形態の効果の少なくとも一部の効果が奏され得る。また、上述の第1の実施形態では、第2ターゲットがニオブNbどターゲットであったが、第2ターゲットもニオブNbに限定されない。例えば、ニオブNbの代わりに、タンタルTa、又はニオブNbとタンタルTaの混合物が採用されたとしても、本実施形態の効果の少なくとも一部の効果が奏され得る。また、上述の第1の実施形態では、第2酸化物膜12を形成するためのアニール処理において、窒素N2ガス雰囲気下で行われたが、第1の実施形態のアニール処理は、窒素N2ガス雰囲気下に限定されない。例えば、その他の不活性ガス例えば、アルゴンArガス雰囲気中でアニール処理することによっても、本実施形態の効果と同様の効果が奏され得る。<第2の実施形態>本実施形態では、第1の実施形態の第2酸化物膜12の膜厚が異なる点を除き、第1の実施形態の各プロセスと同様である。従って、第1の実施形態と重複する説明は省略され得る。本実施形態では、第1の実施形態と同様に、反応性スパッタリング装置である第1酸化物膜の製造装置20を用いて第1酸化物膜11を基板10上に形成した後、窒素N2ガスが供給されることにより酸素濃度が1未満の雰囲気となっている管状炉内においてアニール処理を行うことにより、第2酸化物膜12を形成した。本実施形態の成膜時間は2時間であった。ここで、第1の実施形態と同様に、3つの第1酸化物膜11が形成された基板10を評価サンプルとして用意した。その1つに対しては、その後、上述の処理方法を用いて400°Cのアニール加熱焼成処理を1時間行うことにより、第2酸化物膜12を形成した。また、他の1つに対しては、その後、上述の処理方法を用いて300°Cのアニール処理を1時間行うことにより、第2酸化物膜12を形成した。さらに最後の1つは、アニール処理を施さない比較例つまり、第1酸化物11のままとした。上述の3つの評価サンプルについて、膜厚、抵抗率ρ[Ωcm]、伝導率σ[S/cm]、及び透過率[]を測定した。表2は、それらの測定結果を示す一覧表である。なお、各結果は、第1の実施形態と同様の測定方法又は算出方法に基づくものである。まず、表2に示すように、膜厚は、いずれの評価サンプルも0.6μmであった。次に、第1酸化物膜11及び第2酸化物膜12の組成比については、ニオブNbが1に対して銅Cuが0.90ないし0.92であった。また、本実施形態では、3つの評価サンプルの抵抗率ρは次のように測定された。まず、金電極をそれぞれの評価サンプルの4箇所に真空蒸着した。その後、その金電極上に銀ペーストを用いて銅線を接着し、vanderPauw法によって抵抗率ρを算出した。その結果、第2酸化物膜12は、ホットプローブ法に基づく評価及びホール効果を考慮すると、p型の導電性を有すると考えられる結果が得られた。また、第1酸化物膜11の抵抗率ρが、高抵抗のために測定不可能であったのに対して、アニール処理を行った第2酸化物膜12の抵抗率は、第1の実施形態と同様に、アニール温度が高くなるほど顕著に低下する傾向が確認できた。特に、400°C下でアニール処理した第2酸化物膜12の抵抗率ρは、2.4[Ωcm]にまで低減された。すなわち、少なくとも、窒素N2ガス雰囲気下において300°C以上400°C以下のアニール処理によって、その抵抗率を顕著に低減することができる。一方、伝導率σについては、表2に示すように、抵抗率とは逆に、アニール温度が高くなるほど顕著に増加する傾向が確認できた。また、本実施形態においても、3つの評価サンプルの透過率については、分光光度計日本分光株式会社製、型式V-650を使用し、200nm~800nmの範囲において測定を行った。図5は、その3つの評価サンプルにおける第1酸化物膜11及び第2酸化物膜12の主として紫外光から可視光領域の波長の光線の透過率の分析結果を示すチャートである。その表示方法は、図3と同じであるため省略する。図5及び表2に示すように、第1酸化物膜11及び第2酸化物膜12のいずれも、75以上の高い透過率を有していることが確認された。さらに、発明者らは、3つの評価サンプルについて、XRDX線回折による分析を行った。図6は、その3つの評価サンプルにおける第1酸化物膜11及び第2酸化物膜12のXRDX線回折分析結果を示すチャートである。XRD分析の結果、図4に示すように、第1酸化物膜11及び第2酸化物膜12は、いずれも2θが20°付近にピークを有するとともに、20°乃至40°においてブロードなピークが観察された。従って、本実施形態の第1酸化物膜11及び第2酸化物膜12も、第1の実施形態と同様に、微結晶の集合体、微結晶を含むアモルファス状、又はアモルファス状であると考えられる。ところで、上述の第1の実施形態では、第2酸化物膜12に含まれる銅Cuに対するニオブNbの原子数比が、そのニオブNbの原子数を1とした場合にその銅Cuの原子数が0.90乃至0.99、換言すれば、その銅Cuの原子数を1とした場合にそのニオブNbの原子数が1.01乃至1.11であったが、その数値に限定されない。例えば、第2酸化物膜12に含まれる銅Cuに対するニオブNbの原子数比が、その銅Cuの原子数を1とした場合にそのニオブNbの原子数が0.5以上3未満であれば、上述の各の実施形態と同様の効果が奏され得る。同様に、前述のニオブNbが他の遷移元素例えば、タンタルTaに置き換えられても、少なくとも一部の効果が奏され得る。なお、上述の各実施形態の開示は、それらの実施形態の説明のために記載したものであって、本発明を限定するために記載したものではない。加えて、各実施形態の他の組合せを含む本発明の範囲内に存在する変形例もまた、特許請求の範囲に含まれるものである。"