多接合型の太陽電池モジュールであって、外光を受光して発電する発電層と、前記発電層の受光面側に設けられたセル基板と、前記セル基板にて前記受光面よりも外光の進行側にのみ設けられた電極とを備え、前記セル基板には、少なくとも一部の外光を前記発電層に導くように前記セル基板の一部を除去した除去部が設けられる太陽電池モジュール。前記除去部が、前記セル基板を貫通する孔として設けられる、請求項1に記載の太陽電池モジュール。前記除去部が、前記発電層の前記受光面に隣接する前記セル基板を完全に除去して設けられる、請求項2に記載の太陽電池モジュール。前記電極が、前記発電層の前記受光面とは反対側の面に設けられた表面電極と、前記セル基板の発電層形成面側の面に前記発電層を取り囲んで設けられた周囲電極とからなり、前記除去部が、さらに周囲電極に隣接する前記セル基板を除去せずに設けられる、請求項3に記載の太陽電池モジュール。前記除去部には、透明樹脂が充填される、請求項1~4のいずれか一項に記載の太陽電池モジュール。前記透明樹脂が、所定の透過率、粘度、および硬化収縮率の特性を有する材料からなる、請求項5に記載の太陽電池モジュール。前記セル基板が、外光を直接受光する、請求項1~6のいずれか一項に記載の太陽電池モジュール。前記セル基板の発電層形成面側の面を支持する光透過支持基板をさらに備え、前記光透過支持基板には、少なくとも一方の面に印刷された導電材料が設けられる、請求項1~7のいずれか一項に記載の太陽電池モジュール。前記光透過支持基板が前記セル基板に超音波接合される、請求項8に記載の太陽電池モジュール。前記発電層、前記セル基板、および前記電極を備えるトップセルと、前記トップセルの下層に設けられ、前記トップセル側に面した発電層形成面を有する第2のセル基板と、前記第2のセル基板の前記発電層形成面に設けられた第2の発電層とを備える下層セルと、前記発電層の前記受光面とは反対側の面と前記第2の発電層の前記発電層形成面とは反対側の面とに、同一の形状および配置でそれぞれ設けられた表面電極と、前記セル基板の前記発電層形成面と前記第2のセル基板の前記発電層形成面とにそれぞれ設けられた周囲電極とを備える、請求項1に記載の太陽電池モジュール。多接合型の太陽電池モジュールでは、セル基板の上面、つまり受光面側に発電層が形成されている。このため、発電層を通過した光の一部は、半導体材料からなるセル基板で吸収され、光の吸収損失が生じる。また、表裏面電極型セルでは、セル基板の上下両面に電極が設けられている。このため、セル基板を透過した光の一部は、セル基板の下面に位置する光反射性材料からなる電極で反射され、光の反射損失が生じる。よって、光の吸収損失および反射損失により電池モジュールの発電効率が低下する場合があった。そこで、本発明は、光の吸収損失および反射損失による発電効率の低下を抑制可能な太陽電池モジュールを提供しようとするものである。本発明の一態様によれば、多接合型の太陽電池モジュールであって、外光を受光して発電する発電層と、発電層の受光面側に設けられたセル基板と、セル基板にて受光面よりも外光の進行側にのみ設けられた電極とを備え、セル基板には、少なくとも一部の外光を発電層に導くようにセル基板の一部を除去した除去部が設けられる太陽電池モジュールが提供される。このような太陽電池モジュールによれば、セル基板の一部を除去して除去部が設けられ、この除去部を通じて少なくとも一部の外光が発電層に導かれるので、除去部を設けない場合と比べて、基板の除去厚さに応じてセル基板による光の吸収が抑制される。また、セル基板にて受光面よりも外光の進行側にのみ電極が設けられるので、セル基板の両面に電極を設ける場合と比べて、電極による光の反射が抑制される。よって、光の吸収損失および反射損失による発電効率の低下を抑制できる。また、除去部が、セル基板を貫通する孔として設けられてもよい。かかる構成によれば、セル基板を貫通する孔からなる除去部を通じて少なくとも一部の外光が発電層に導かれるので、除去部を設けない場合と比べて、セル基板による光の吸収をさらに抑制できる。また、除去部が、発電層の受光面に隣接するセル基板を完全に除去して設けられてもよい。かかる構成によれば、発電層に対して垂直に入射する全ての外光がセル基板を通過せずに発電層に導かれる。よって、セル基板による光の吸収損失を大幅に抑制できる。また、電極が、発電層の受光面とは反対側の面に設けられた表面電極と、セル基板の発電層形成面側の面に発電層を取り囲んで設けられた周囲電極とからなり、除去部が、さらに周囲電極に隣接するセル基板を除去せずに設けられてもよい。かかる構成によれば、周囲電極に隣接するセル基板が除去されないので、周囲電極を含む発電薄膜層の機械的強度を維持できる。また、除去部には、透明樹脂が充填されてもよい。かかる構成によれば、除去部が透明樹脂で充填されるので、除去部の機能を維持しつつ、発電薄膜層の機械的強度を補強できる。また、透明樹脂が、所定の透過率、粘度、および硬化収縮率の特性を有する材料からなってもよい。かかる構成によれば、透明樹脂の透過性により除去部の機能を維持しながら、透明樹脂の粘性および硬化収縮性により発電薄膜層の機械的強度を補強できる。また、セル基板が、外光を直接受光してもよい。ここで、一般的な太陽電池モジュールでは、トップセルの上面、つまり電池モジュールの受光面側にトップ支持ガラス光透過支持基板が設けられている。この場合、空気層-ガラス層間での屈折率の大きな変化約1.0から約1.5へ変化により、トップ支持ガラスに入射する一部の外光がガラス面で反射し、光の反射損失が生じる。しかし、かかる構成によれば、セル基板が外光を直接受光する、つまりトップ支持ガラスを介さずに外光を受光する。よって、一般的な太陽電池モジュールと比べて、発電層に到達するまでの光路上で屈折率の変化が抑制されるので、屈折率の変化による光の反射損失を抑制できる。また、太陽電池モジュールが、セル基板の発電層形成面側の面を支持する光透過支持基板をさらに備え、光透過支持基板には、少なくとも一方の面に印刷された導電材料が設けられてもよい。かかる構成によれば、光透過支持基板に導電材料が印刷されるので、配線形態を簡略化できる。また、光透過支持基板がセル基板に超音波接合されてもよい。かかる構成によれば、光透過支持基板とセル基板とが超音波接合されるので、接合点が強固となり接合不良が生じ難い。また、太陽電池モジュールが、発電層、セル基板、および電極を備えるトップセルと、トップセルの下層に設けられ、トップセル側に面した発電層形成面を有する第2のセル基板と、第2のセル基板の発電層形成面に設けられた第2の発電層とを備える下層セルと、発電層の受光面とは反対側の面と第2の発電層の発電層形成面とは反対側の面とに、同一の形状および配置でそれぞれ設けられた表面電極と、セル基板の発電層形成面と第2のセル基板の発電層形成面とにそれぞれ設けられた周囲電極とを備えてもよい。かかる構成によれば、プレーナ型のトップセルおよび下層セルでは、表面電極が同一の形状および配置で設けられるので、電極による光の反射損失を最小限に抑制できる。以上説明したように本発明によれば、光の吸収損失および反射損失による発電効率の低下を抑制可能な太陽電池モジュールを提供することができる。まず、図1、図2および図11を参照して、本発明の一実施形態に係る太陽電池モジュールの構成について説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る太陽電池モジュールの構成を示す概略断面図である。図2は、太陽電池モジュールのトップセルTCの構成例を示す図である。図11は、従来の多接合型の太陽電池モジュールの構成を示す概略断面図である。図1に示すように、本発明の一実施形態に係る太陽電池モジュールは、発電特性の異なる複数の電池セルを積層して接合した多接合型の太陽電池モジュールである。太陽電池モジュールは、配線基板CS、ボトムセルBC、ボトム支持ガラスBG、ミドルセルMC、ミドル支持ガラスMG、トップセルTCの各層を接着層CLを介して積層してなる。なお、多接合型の太陽電池モジュールは、トップセルTCとボトムセルBCの組合せ、またはこの組合せに複数のミドルセルMCを組み合わせて構成されてもよい。図1に示す太陽電池モジュールでは、ミドル支持ガラスMG上にトップセルTCのセル基板TSが設けられる。セル基板TSは、外光を直接受光する図1では、セル基板TSの上面で受光する。。セル基板TSには、発電層GLの受光面図1では、発電層GLの上面よりも外光の進行側図1では、受光面よりも下側に、発電層GLおよび電極PE、NEが設けられる。つまり、トップセルTCは、セル基板TSの下面側に正電極PEおよび負電極NEが設けられたプレーナ型セルとして構成される。なお、プレーナ型セルとは、セル基板の片面側に正電極PEおよび負電極NEを配置したセルをいう。発電層GLは、セル基板TSの下面に設けられ、正周囲電極PEは、発電層GLの周囲でセル基板TSの下面に設けられ、負表面電極NEは、発電層GLの下面に設けられる。セル基板TSには、セル基板TSの一部を除去して除去部LGが設けられる。以下では、セル基板TSを貫通する孔として除去部LGを設ける場合について説明する。この場合、少なくとも一部の外光は、セル基板TSを透過せずに発電層GLに直接導かれる。しかし、除去部LGは、セル基板TSを貫通しない凹部として設けられてもよい。セル基板TSは、例えば、ヒ化ガリウム、ゲルマニウムなどの半導体材料からなり、セル基板TSの発電層形成面には、セル基板TSの半導体材料から、例えば、ヒ化ガリウム、インジウム、リン化ガリウムなどからなる発電層GLが形成される。電極PE、NEは、例えば、銀、金、アルミニウムなどの導電材料からなる。なお、ガラス基板TGは、光を透過しつつセル基板TSを支持する他の光透過支持基板で置換されてもよい。図2には、図1に示した太陽電池モジュールのトップセルTCの構成例が示されている。図2aには、トップセルTCの平面図が示され、図2bには、トップセルTCの断面構成が示されている。セル基板TSは、亜鉛Znを添加されたp型のヒ化ガリウムp-GaAs層からなる。セル基板TSの下面には、亜鉛Znを添加されたp型のヒ化ガリウム層p-GaAsを介して発電層GLが設けられる。発電層GLは、亜鉛Znを添加されたp型のリン化ガリウムインジウムp-InGaP層と、シリコンSiを添加されたn型のリン化ガリウムインジウムn-InGaP層とからなる。セル基板TSの下面、発電層GLの周囲には、金Au/亜鉛Zn層からなる正周囲電極PEが設けられる。発電層GLの下面には、シリコンSiを添加されたn型のリン化インジウムアルミニウムn-AlInP層と、シリコンSiを添加されたn型のヒ化ガリウムn-GaAs層を介して、金Au/ゲルマニウムGe/ニッケルNi層からなる負表面電極NEが設けられる。一方、図11に示すように、従来の多接合型の太陽電池モジュールは、配線基板CS、ボトムセルBC、ボトム支持ガラスBG、ミドルセルMC、ミドル支持ガラスMG、トップセルTC、トップ支持ガラスTGの各層を接着層CLを介して積層してなる。図11には、トップセルTCについて、電極PE、NEを上面側に配置したプレーナ型セルの構成aと、電極PE、NEを上下面に配置した表裏面電極型セルの構成bとが示されている。プレーナ型セルでは、ミドル支持ガラスMG上にトップセルTCのセル基板TSが設けられ、セル基板TS上に発電層GLおよび電極PE、NEが設けられ、セル基板TS上にトップ支持ガラスTGが設けられる。正周囲電極PEは、発電層GLの周囲でセル基板TS上に設けられ、負表面電極NEは、発電層GL上に設けられる。表裏面電極型セルでは、ミドル支持ガラスMGとトップ支持ガラスTGとの間に、トップセルTCのセル基板TSが設けられ、セル基板TSの上下に発電層GLおよび電極PE、NEが設けられる。発電層GLは、セル基板TS上に設けられ、正電極PEは、発電層GL上に設けられ、負電極NEは、セル基板TS下に設けられる。なお、表裏面電極型セルとは、セル基板の一面に正電極PEを配置し、他面に負電極NEを配置したセルをいう。このような従来の構成では、電池モジュールに入射する外光は、トップ支持ガラスTGの上面で受光される。この場合、トップ支持ガラスTGで受光された光の一部は、空気層-ガラス層間の屈折率の大きな変化により、L1で示すように、トップ支持ガラスTGの上面で反射し、入射光の反射損失が生じる。例えば、出願人等の実験によれば、屈折率の変化は、入射光の約4に相当する反射損失をもたらす。また、トップ支持ガラスTGを透過した光の一部は、L2で示すように、半導体材料からなるセル基板TSで吸収される。例えば、ヒ化ガリウムからなるセル基板TSでは、特に-870nモジュールの波長を伴う光が吸収され、下層セルへの透過量が減少する。さらに、表裏面電極型セルでは、セル基板TSを透過した光の一部は、L3で示すように、セル基板TSの下面の電極例えば負電極NEで反射され、入射光の反射損失が生じる。よって、屈折率の変化による光の反射損失、セル基板TSによる光の吸収損失、電極PE、NEによる光の反射損失に起因して、電池モジュールの発電効率が低下してしまう。このため、出願人等は、前述したような従来の多接合型の太陽電池モジュールの欠点を解消するために、図1および図2を参照して説明したように、太陽電池モジュールのトップセルTCの構成を改良した。本発明の実施形態に係る太陽電池モジュールによれば、トップ支持ガラスTGを設けないので、外光は、L1 ́で示すように、トップ支持ガラスTGを介さずに除去部LGを通じて、発電層GLに導かれる。よって、トップ支持ガラスTGを設ける場合と比べて、発電層GLに到達するまでの光路上で屈折率の変化が抑制されるので、屈折率の変化による光の反射損失を抑制できる。また、少なくとも一部の外光は、L2 ́で示すように、セル基板TSを透過せずに、貫通孔として設けられた除去部LGを通じて、ミドルセルMC、ボトムセルBCなどの下層セルに導かれる。よって、セル基板TSによる光の吸収損失を抑制できる。なお、除去部LGが凹部として設けられる場合でも、基板の除去厚さに応じてセル基板TSによる光の吸収損失を抑制できる。さらに、セル基板TSの片面側、受光面よりも外光の進行側にのみ電極PE、NEが設けられるので、セル基板TSの両面に電極PE、NEが設けられる場合と比べて、電極PE、NE特に電極NEによる光の反射が生じ難くなる。よって、電極PE、NE特に電極NEによる光の反射損失を抑制できる。これにより、屈折率の変化による光の反射損失、セル基板TSによる光の吸収損失、電極PE、NEによる光の反射損失に起因して生じる電池モジュールの発電効率の低下を抑制でき、電池モジュールの発電効率を向上できる。また、トップ支持ガラスTGを必要としない点、除去された基板材料の一部を再利用できる点により、従来の多接合型の太陽電池モジュールと比べて電池モジュールの生産性も向上できる。つぎに、図3および図4を参照して、図1に示した太陽電池モジュールのトップセルTCの変形例について説明する。図3は、図1に示した太陽電池モジュールのトップセルTCを示す概略図横断図a、平面図bである。図4は、図1に示した太陽電池モジュールのトップセルTCの変形例を示す概略図横断図a、平面図bである。図3に示すように、図1に示した太陽電池モジュールでは、発電層GLの受光面図3では発電層GLの下側の面に隣接してセル基板TSの一部が残存するように、除去部LGが設けられている。よって、除去部LGは、発電層GLの受光面よりも小さな平面形状を有している。このようなトップセルTCの構成では、発電層GLに到達すべき外光図3では発電層GLの下方から到達するの一部は、発電層GLの直下に残存するセル基板TSで吸収され、よって電池モジュールの発電効率が低下する。一方、図4に示すように、変形例に係るトップセルTCでは、発電層GLの受光面図4では発電層GLの下側の面に隣接してセル基板TSが残存していない。つまり、除去部LGは、発電層GLの受光面に隣接するセル基板TSを完全に除去して設けられる。よって、除去部LGは、発電層GLの受光面と同一の平面形状を有している。ただし、発電層GLの受光面側には、周囲電極PEに隣接してセル基板TSが残存している。このようなトップセルTCの変形例によれば、発電層GLに対して垂直に入射する全ての外光がセル基板TSを通過せずに発電層GLに直接導かれ、よってセル基板TSによる光の吸収損失を大幅に抑制できる。また、周囲電極PEの直下に残存するセル基板TSにより、周囲電極PEを含む発電薄膜層の機械的強度を維持できる。つぎに、図5を参照して、図4に示した太陽電池モジュールのトップセルTCの変形例について説明する。図5は、図4に示した太陽電池モジュールのトップセルTCaと、その変形例bを示す概略図である。図5に示すように、変形例に係るトップセルTCでは、セル基板TSに設けられた除去部LGに透明樹脂TRが充填される。なお、図5には、発電層GLの受光面に隣接してセル基板TSが残存していない場合図4参照について示しているが、セル基板TSの一部が残存する場合図1、図3参照にも同様に適用できる。ここで、透明樹脂TRは、孔または凹部を介して外光を発電層GLに導くという除去部LGの機能を維持しながら、発電薄膜層の機械的強度を向上させうるような、高透過率、低粘度、低硬化収縮率の特性を有する材料からなる。透明樹脂TRは、例えば、99.0以上の内部透過率、1000モジュールPas以下の粘度、および5.0以下の低硬化収縮率を有していることが好ましい。内部透過率は、空気層-樹脂層間の屈折率の変化を極力抑制することで、除去部LGの機能を維持するように決定される。粘度は、除去部LGに対する透明樹脂TRの充填性を確保できるように決定される。硬化収縮率は、硬化収縮時の発電薄膜層の損傷割れ、除去などを抑制できるように決定される。透明樹脂TRとしては、例えば以下の樹脂材料が適用される。なお、各樹脂材料について、括弧書きで屈折率の参考値が併記されている。アクリレート単官能としては、フェノールEO変性アクリレート1.514、ノニフェノールEO変性アクリレート1.507、ノニフェノールPO変性アクリレート1.501、2-エチルヘキシルEO変性アクリレート1.493、N-アクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフルタイミド1.506が挙げられる。アクリレート2官能としては、トリシクロデカンジメチロールジアクリレート1.502、ビスフェノールFEO変性ジアクリレート1.539、ビスフェノールAEO変性ジアクリレート1.536、ポリプロピレングリコールジアクリレート1.455、ポリエチレングリコールジアクリレート1.469が挙げられる。アクリレート多官能TモジュールPTA系としては、トリメチロールプロハントリアクリレート1.480、トリメチロールプロパンPO変性トリアクリレート1.466、トリメチロールプロパンEO変性トリアクリレート1.476が挙げられる。このようなトップセルTCの変形例によれば、透明樹脂TRの透過性により除去部LGの機能を維持しながら、透明樹脂TRの粘性および硬化収縮性により発電薄膜層の機械的強度を補強できる。つぎに、図6および図12を参照して、図4に示した太陽電池モジュールのトップセルTCの基板除去方法について説明する。図6には、図4に示した太陽電池モジュールのトップセルTCの基板除去方法を示す概略断面図である。図12は、一般的な基板除去方法を示す概略断面図である。図12には、ドライエッチングaおよびウェットエッチングbをそれぞれ用いた2つの基板除去方法が示されている。基板除去方法では、通常、発電層GLおよび電極PE、NEが設けられたセル基板TSのうち、側面と除去部LGを設ける部分以外の下面とをレジスト保護RPした状態でエッチング工程が行われる。しかし、図6に示す基板除去方法では、まず、セル基板TSの下面の中央から発電層GLに向けてセル基板TSを貫通する含浸孔Hが設けられるa。つぎに、セル基板TSの側面とともに、さらに下面のうち含浸孔Hの孔口以外の部分をレジスト保護RPした状態で、セル基板TSの下面からエッチャントに含浸させ、D3の方向でエッチャントを導入するb。すると、エッチャントとの反応は、含浸孔Hの孔面を通じて側方D4の方向へ等方的に進行するc。そして、所定時間が経過すると、セル基板TSをエッチャントから取り出して、エッチャントとの反応を停止させるd。なお、含浸孔Hは、セル基板の下面全体をレジスト保護した状態で、レジスト保護膜RPおよびセル基板TSを貫通して設けられてもよい。一方、図12aに示すドライエッチングを用いた一般的な方法では、セル基板TSの下面から反応性ガスに反応させ、D1の方向で反応を進行させる。しかし、この方法では、反応が発電層GLまで及ぶ場合があり、この場合、発電層GLの界面BFが荒れ、発電層GLが損傷したり、発電性能が低下したりする虞がある。図12bに示すウェットエッチングを用いた一般的な方法では、セル基板TSの下面からエッチャントに含浸させ、D2の方向で反応を進行させる。しかし、この方法では、エッチング時間が所定時間より短いと、発電層GLの直下の基板TSの一部特に、開口LGの上縁部が除去されずに残存したり、エッチング時間が所定時間より長いと、周囲電極PEの直下の基板TSの一部特に、開口LGの下縁部が除去されたりする場合がある。これは、いずれの方法でも、セル基板TSの下面のうち保護RPされていない比較的大きな領域を通じてエッチャントとの反応が進行するので、反応の進行速度に局所的な差異が生じ易くなり、反応が等方的に進行し難いためであると考えられる。しかし、図6を参照して説明した基板除去方法によれば、エッチャントとの反応が含浸孔Hの孔面に相当する比較的小さな領域を通じて等方的に進行するので、発電層GLの界面BFの荒れ、または除去の過不足を生じることなしに、除去部LGが設けられるセル基板TSの一部を除去できる。なお、図6では、発電層GLの直下のセル基板TSを完全に除去する場合図4参照について示しているが、発電層GLの直下にセル基板TSの一部を残存させる場合図1、図3参照についても同様に適用される。この場合、エッチャントへのセル基板TSの含浸時間が適宜調整される。つぎに、図7を参照して、太陽電池モジュールの積層構造について説明する。図7は、図1に示した太陽電池モジュールの積層構造を示す概略断面図である。図7に示す太陽電池モジュールは、配線基板CS、ボトムセルBC、ボトム支持ガラスBG、ミドルセルMC、ミドル支持ガラスMG、トップセルTCの各層を積層してなる。ミドル支持ガラスMG上にトップセルTCのセル基板TSが設けられる。トップセルTCについては、図1に示した太陽電池モジュールと同様に構成される。ミドルセルMCについては、ボトム支持ガラスBGとミドル支持ガラスMGとの間にミドルセルMCのセル基板MSが設けられる。ミドルセルMCのセル基板MSは、ミドルセルMCの発電層GLを形成するための発電層形成面ミドル基板MSの上面を有し、発電層形成面には、発電層GLおよび電極PE、NEが設けられる。ミドルセルMCの発電層GLは、ミドルセルMCのセル基板MSの上面に設けられ、正周囲電極PEは、ミドルセルMCの発電層GLの周囲でミドルセルMCのセル基板MSの上面に設けられ、負表面電極NEは、ミドルセルMCの発電層GLの上面に設けられる。ボトムセルBCについては、配線基板CSとボトム支持ガラスBGとの間にボトムセルBCのセル基板BSが設けられる。ボトムセルBCのセル基板BSは、ボトムセルBCの発電層GLを形成するための発電層形成面ボトム基板BSの上面を有し、発電層形成面には、発電層GLおよび電極PE、NEが設けられる。ボトムセルBCの発電層GLは、ボトムセルBCのセル基板BSの上面に設けられ、正周囲電極PEは、ボトムセルBCの発電層GLの周囲でボトムセルBCのセル基板BSの上面に設けられ、負表面電極NEは、ボトムセルBCの発電層GLの上面に設けられる。このような積層構造によれば、トップセルTC、ミドルセルMC、およびボトムセルBCは、各セルTC、MC、BCのセル基板TS、MS、BSの片面側に正電極PEおよび負電極NEが設けられたプレーナ型セルとして構成される。これにより、各セルTC、MC、BCのセル基板TS、MS、BSでは、基板TS、MS、BS上の同一面から配線を引き出し可能となる。よって、表裏面電極型セルを用いる場合と比べて、配線の簡略化、電池モジュール全体の小型化および低コスト化が実現される。また、各セルTC、MC、BCのセル基板TS、MS、BSでは、負電極NEの形状および配置が同一に構成される。つまり、各セルTC、MC、BCの負電極NEは、電池モジュールの上面方向または下面方向に投影されると、それらの投影面が互いにほぼ一致するように構成される。これにより、電池モジュール全体において、電極PE、NEによる光の反射が生じ難くなる。よって、電極による光の反射損失を最小限に抑制できる。つぎに、図8~図10および図13を参照して、太陽電池モジュールの接合方法について説明する。図8は、図7に示した太陽電池モジュールの接合方法を示す概略断面図である。図9および図10は、図7に示した太陽電池モジュールの接合例を示す概略図である。図9は、接合前のトップセルTCのセル基板TSおよびミドル支持ガラスMGを示し、図10は、接合後のセル基板TSおよび支持ガラスMGを示している。図13は、一般的な多接合型の太陽電池モジュールの接合方法を示す概略断面図である。図8に示す太陽電池モジュールの接合方法では、導電材料を表面に印刷した支持ガラスMG ́、BG ́を各セルTC、MC、BC間に挿入して接合することで、配線材料CMを用いずに電極PE、NEの引き出しを実現する。図8に示す太陽電池モジュールは、配線基板CS、ボトムセルBC、電極機能付きボトム支持ガラスBG ́、ミドルセルMC、電極機能付きミドル支持ガラスMG ́、トップセルTCの各層を積層してなる。電極機能付きの各支持ガラスMG ́、BG ́には、金、銀、アルミニウムなどの導電材料からなる電極PE、NEが印刷されている。電極機能付きの各支持ガラスMG ́、BG ́は、プレーナ型セル間に挿入されて超音波接合UBされる。図9には、ミドル支持ガラスMGとトップセルTCとの接合例を示している。図9aに示すように、セル基板TSの周囲には、正周囲電極PEの配置経路に沿って突起電極SB金スタッドバンプが数箇所に取り付けられている。また、発電層GLの中央下には、負表面電極NEの配置箇所に突起電極SBが取り付けられている。一方、図9bに示すように、支持ガラスMG ́の下部には、オーバーハング部OHが設けられている。支持ガラスMG ́の周囲には、正電極PEが略逆U字状の経路に沿って印刷され、オーバーハング部OHに印刷された正端子PTに接続される。また、支持ガラスMG ́の中央下には、負電極NEが略L字状の経路に沿って印刷され、オーバーハング部OHに印刷された負端子NTに接続される。そして、図10に示すように、電極機能付き支持ガラスMG ́は、正および負電極PE、NEの配置を位置合わせした状態でセル基板TS上に重ねられ、突起電極SBを介して超音波接合UBされる。ミドル支持ガラスMG ́には、その上面にトップセルTCの電極PE、NEが印刷され、その下面にミドルセルMCの電極PE、NEが印刷され、ボトム支持ガラスBG ́には、その下面にボトムセルBCの電極PE、NEが印刷される。そして、トップセルTCのセル基板TSとミドル支持ガラスMG ́との間、ミドル支持ガラスMG ́とミドルセルMCのセル基板との間、ボトム支持ガラスBG ́とボトムセルBCのセル基板BSとの間が超音波接合UBされる。一方、図13に示す一般的な多接合型の太陽電池モジュールの接合方法では、各セルTC、MC、BCの正電極PEおよび負電極NEがインターコネクタなどの配線材料CMを用いて配線基板CS側に引き出される。しかし、このような構成では、各セルTC、MC、BCから引き出される配線により配線形態が複雑化する。また、配線材料CMが発電層GLを横切るように配置されると、配線材料CMの表面で光が反射し、よって配線材料CMによる反射損失が生じる。しかし、図8~図10に示すような接合方法によれば、支持ガラスMG ́、BG ́の少なくとも一方の面に印刷された導電材料が設けられるので、配線材料CMが不要となり配線形態が簡略化される。また、配線材料CMが発電層GLを横切るように配置されないので、配線材料CMによる光の反射損失が抑制される。さらに、セル基板TS、MS、BSと支持ガラスMG ́、BG ́とが超音波接合されるので、接合点が強固となり接合不良が生じ難い。以上説明したように、本発明の実施形態に係る多接合型の太陽電池モジュールによれば、セル基板TSの一部を除去して除去部LGが設けられ、この除去部LGを通じて少なくとも一部の外光が発電層GLに導かれるので、除去部LGを設けない場合と比べて、基板の除去厚さに応じてセル基板TSによる光の吸収が抑制される。また、セル基板TSにて受光面よりも外光の進行側にのみ電極PE、NEが設けられるので、セル基板TSの両面に電極PE、NEを設ける場合と比べて、電極PE、NE特に電極NEによる光の反射が抑制される。よって、光の吸収損失および反射損失による発電効率の低下を抑制できる。なお、図1~図10では、トップセルTCのセル基板TSに貫通孔として除去部LGを設ける場合について説明している。しかし、これらの説明は、トップセルTCのセル基板TSに凹部として除去部LGを設ける場合についても同様に適用される。また、図6~図10では、トップセルTCの発電層GLの直下にセル基板TSの一部が残存するように除去部LGを設ける場合図1、図3参照における太陽電池モジュールの基板除去方法、積層構造、および接合方法について説明している。しかし、これらの説明は、発電層GLの直下のセル基板TSを完全に除去するように除去部LGを設ける場合図4参照、および除去部LGに透明樹脂TRを充填する場合図5参照にも同様に適用される。