"半導体チップを備える半導体装置の製造方法であって、半導体チップを準備する工程Aと、熱硬化型樹脂層を有する樹脂シートを準備する工程Bと、前記熱硬化型樹脂層上に複数の半導体チップを配置する工程Cと、前記複数の半導体チップ上にカバーフィルムを配置し、配置された前記カバーフィルムを介して加えられる圧力により、前記複数の半導体チップを前記熱硬化型樹脂層に埋め込む工程Dとを具備し、前記カバーフィルムの水に対する接触角が90°以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。半導体チップを備える半導体装置の製造方法であって、半導体チップを準備する工程Aと、熱硬化型樹脂層を有する樹脂シートを準備する工程Bと、前記複数の半導体チップを前記熱硬化型樹脂層に埋め込む工程Dとを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。しかしながら、特許文献1の半導体装置の製造方法では、上述のように最終的には感熱性接着剤と共通キャリアとを剥離する必要があることから、共通キャリアに感熱性接着剤の残渣が残ったり、感熱性接着剤のアウトガス成分が共通キャリアに不純物として残存し、その洗浄に時間を要したりするなどして生産効率が低下するおそれがある。また、特許文献1の半導体装置の製造方法では、感熱性接着剤は、チップを仮固定するのに使用された後に、最終的に剥離されており、これらの工程を省略できれば、より生産性を向上させることができるといった点で改善の余地があった。従って、本発明の目的は、半導体チップの汚染が少なく、且つ、生産効率のよい半導体装置の製造方法を提供することにある。本願発明者等は、下記の構成を採用することにより、前記の課題を解決できることを見出して本発明を完成させるに至った。すなわち、本発明は、半導体チップを備える半導体装置の製造方法であって、半導体チップを準備する工程Aと、熱硬化型樹脂層を有する樹脂シートを準備する工程Bと、前記熱硬化型樹脂層上に複数の半導体チップを配置する工程Cと、前記複数の半導体チップ上にカバーフィルムを配置し、配置された前記カバーフィルムを介して加えられる圧力により、前記複数の半導体チップを前記熱硬化型樹脂層に埋め込む工程Dとを具備し、前記カバーフィルムの水に対する接触角が90°以下であることを特徴とする。本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、熱硬化型樹脂層上に複数の半導体チップを配置した後工程C、複数の半導体チップを前記熱硬化型樹脂層に埋め込む工程D。従って、前記熱硬化型樹脂層を、半導体チップを封止する封止材とすることができる。また、半導体チップを熱硬化型樹脂層上に配置した後、前記熱硬化型樹脂層に埋め込むため、半導体チップを仮固定するためのシートを必要としない。また、半導体チップを仮固定するためのシートを剥離する工程を必要としない。その結果、製造工程の簡略化や、製造コストの削減を図ることができる。また、半導体チップを熱硬化型樹脂層に埋め込むため、半導体チップに仮止め用のシートを貼り剥がしする必要がない。その結果、半導体チップの汚染を抑制することができる。また、前記埋め込む工程Dは、前記複数の半導体チップ上に配置されたカバーフィルムを介して加えられる圧力により、前記複数の半導体チップを前記熱硬化型樹脂層に埋め込む工程であり、前記カバーフィルムの水に対する接触角が90°以下である。一般的に疎水性のものほど表面エネルギーが小さく、低摩擦となり、親水性のものほど表面エネルギーが大きく、高摩擦となる。前記構成によれば、前記カバーフィルムの水に対する接触角が90°以下であり、親水性が高いため、カバーフィルムと半導体チップとの間の摩擦力が大きくなり、埋め込み工程Dにおいて両者のズレを低減することができる。その結果、埋め込み時の半導体チップの位置ずれを抑制することができる。なお、本発明では、カバーフィルムの表面のすべり性の指標として、水に対する接触角を規定している。また、本発明は、半導体チップを備える半導体装置の製造方法であって、半導体チップを準備する工程Aと、熱硬化型樹脂層を有する樹脂シートを準備する工程Bと、前記複数の半導体チップを前記熱硬化型樹脂層に埋め込む工程Dとを具備することを特徴とする。本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、複数の半導体チップを前記熱硬化型樹脂層に埋め込む工程D。従って、前記熱硬化型樹脂層を、半導体チップを封止する封止材とすることができる。また、半導体チップを熱硬化型樹脂層に直接埋め込むため、半導体チップを仮固定する工程や、半導体チップを仮固定するためのシートを必要としない。その結果、製造工程の簡略化や、製造コストの削減を図ることができる。また、半導体チップを熱硬化型樹脂層に直接埋め込むため、半導体チップに仮止め用のシートを貼り剥がしする必要がない。その結果、半導体チップの汚染を抑制することができる。本発明によれば、汚染が少なく、且つ、生産効率のよい半導体装置の製造方法を提供することができる。以下、本発明の実施形態の一例を、図面を参照しつつ説明する。図1~図8は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。以下では、まず、半導体装置の製造方法について説明した後、該製造方法により得られる半導体装置について説明する。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップを備える半導体装置の製造方法であって、半導体チップを準備する工程A半導体チップ準備工程と、熱硬化型樹脂層を有する樹脂シートを準備する工程B樹脂シート準備工程と、前記熱硬化型樹脂層上に複数の半導体チップを配置する工程C半導体チップ配置工程と、前記複数の半導体チップを前記熱硬化型樹脂層に埋め込む工程D半導体チップ埋め込み工程とを少なくとも具備する。[半導体チップ準備工程]半導体チップ準備工程工程Aでは、回路形成面5aに導通部材6が形成された半導体チップ5を準備する図1参照。半導体チップ5は従来公知の方法により、表面に回路が形成された半導体ウェハをダイシングして個片化するなどして作製することができる。半導体チップ5の平面視での形状としては目的とする半導体装置に応じて変更すればよく、例えば一辺の長さが1~15mmの間で独立して選択される正方形又は矩形などであってもよい。半導体チップ5の厚さは、目的とする半導体装置のサイズに応じて変更すればよく、例えば30~725μmであり、好ましくは50~450μmである。半導体チップ5の回路形成面5aには導通部材6が形成されている。導通部材6としては特に限定されず、バンプ、ピン、リードなどが挙げられる。導通部材6の材質としては特に限定されず、例えば、錫-鉛系金属材、錫-銀系金属材、錫-銀-銅系金属材、錫-亜鉛系金属材、錫-亜鉛-ビスマス系金属材等の半田類合金や、金系金属材、銅系金属材などが挙げられる。導通部材6の高さも用途に応じて定められ、一般的には5~100μm程度である。半導体チップ5の回路形成面5aにおいて個々の導通部材6の高さは同一でも異なっていてもよい。[樹脂シート準備工程]次に、樹脂シート準備工程工程Bでは、支持体2上に熱硬化型樹脂層1が積層された樹脂シート10を準備する図1参照。支持体支持体2は樹脂シート10の強度母体となるものである。支持体2の材質は特に限定されず、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン-酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン-メタアクリル酸共重合体、エチレン-メタアクリル酸エステルランダム、交互共重合体、エチレン-ブテン共重合体、エチレン-ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフィド、アラミド紙、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、ガラス、金属箔、紙等が挙げられる。この中でも加熱時の支持性の観点から耐熱性を有するもの、例えば、ポリカーボネート、ガラス、金属銅箔等が好ましい。また支持体2の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーも挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。支持体2の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高めるため、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤によるコーティング処理を施すことができる。支持体2は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、支持体2には、帯電防止能を付与するため、前記の支持体2上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが30~500Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。支持体2は単層あるいは2種以上の複層でもよい。支持体2の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には5~200μm程度である。熱硬化型樹脂層本実施形態に係る熱硬化型樹脂層1は、回路形成面5a側図1では回路形成面5aの下側の空間を充填するとともに、半導体チップ5を封止する機能を有する。熱硬化型樹脂層1の構成材料としては、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを併用したものが挙げられる。また、熱硬化性樹脂単独でも使用可能である。前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-アクリル酸共重合体、エチレン-アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、6-ナイロンや6,6-ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、PETやPBT等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体チップの信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数30以下、特に炭素数4~18の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの1種又は2種以上を成分とする重合体等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、へキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、メタアクリル酸2-ヒドロキシエチル、メタアクリル酸2-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸4-ヒドロキシブチル、メタアクリル酸6-ヒドロキシヘキシル、メタアクリル酸8-ヒドロキシオクチル、メタアクリル酸10-ヒドロキシデシル、メタアクリル酸12-ヒドロキシラウリル若しくは4-ヒドロキシメチルシクロヘキシル-メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2-メタアクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、メタアクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピルメタアクリレート若しくはメタアクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は2-ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。特に、半導体チップを腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビスフェノールS型、臭素化ビスフェノールA型、水添ビスフェノールA型、ビスフェノールAF型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。さらに、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、tert-ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基1当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が0.5~2.0当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、0.8~1.2当量である。すなわち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。エポキシ樹脂とフェノール樹脂の熱硬化促進触媒としては、特に制限されず、公知の熱硬化促進触媒の中から適宜選択して用いることができる。熱硬化促進触媒は単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。熱硬化促進触媒としては、例えば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン-ホウ素系硬化促進剤などを用いることができる。また、熱硬化型樹脂層1には、無機充填剤を適宜配合することができる。無機充填剤の配合は、導電性の付与や熱伝導性の向上、貯蔵弾性率の調節等を可能にする。前記無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田等の金属、又は合金類、その他カーボン等からなる種々の無機粉末が挙げられる。これらは、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。なかでも、シリカ、特に溶融シリカが好適に用いられる。無機充填剤の平均粒径は、0.1~30μmの範囲内であることが好ましく、0.5~25μmの範囲内であることがより好ましい。なお、本発明においては、平均粒径が相互に異なる無機充填剤同士を組み合わせて使用してもよい。また、平均粒径は、光度式の粒度分布計HORIBA製、装置名;LA-910により求めた値である。前記無機充填剤の配合量は、有機樹脂成分100重量部に対し100~1400重量部に設定することが好ましい。特に好ましくは230~900重量部である。無機充填剤の配合量を100重量部以上にすると、耐熱性や強度が向上する。また、1400重量部以下とすることにより、流動性が確保できる。これにより、接着性や埋め込み性が低下することを防止できる。なお、熱硬化型樹脂層1には、前記無機充填剤以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤、カーボンブラック等の顔料等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β-3、4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。また、高温硬化時の粘性の向上を考慮し、粘度調整用の添加剤として、エラストマー成分を添加することもできる。エラストマー成分は、樹脂を増粘するものであれば、特に制限されないが、例えば、ポリアクリル酸エステルなどの各種アクリル系共重合体;ポリスチレンーポリイソブチレン系共重合体、スチレンアクリレート系共重合体などのスチレン骨格を有するエラストマー;ブタジエンゴム、スチレンーブタジエンゴムSBR、エチレンー酢酸ビニルコポリマーEVA、イソプレンゴム、アクリロニトリルゴムなどのゴム質重合体などが挙げられる。また、熱硬化型樹脂層の120°Cにおける粘度は100~10000Pasが好ましく,更に500~3000Pasがより好ましい。前記粘度が100Pas以上であると、熱硬化時に表面形状が大きく変形することを抑制することができる。また、10000Pas以下とすることにより、樹脂の流動性が悪くなり部品の端面を十分に充填することができなくなることを抑制することができる。熱硬化型樹脂層1の厚さ複層の場合は、総厚は特に限定されないものの、硬化後の樹脂の強度や導通部材6間の充填性を考慮すると100μm以上1000μm以下が好ましい。なお、熱硬化型樹脂層1の厚さは、導通部材6の高さを考慮して適宜設定することができる。樹脂シートの作製方法本実施形態に係る樹脂シートは、支持体2上に熱硬化型樹脂層1を積層することにより得られる。支持体2の製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Tダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。熱硬化型樹脂層1を形成する工程としては、例えば、離型フィルム上に熱硬化型樹脂層1の構成材料である接着剤組成物溶液を塗工して塗布層を形成する工程を行い、その後、前記塗布層を乾燥させる工程を行う方法が挙げられる。前記接着剤組成物溶液の塗工方法としては特に限定されず、例えば、コンマコート法、ファウンテン法、グラビア法などを用いて塗工する方法が挙げられる。塗工厚みとしては、塗布層を乾燥して最終的に得られる熱硬化型樹脂層1の厚さが10~100μmの範囲内となる様に適宜設定すればよい。前記離型フィルムとしては特に限定されず、例えば、離型フィルムにおける熱硬化型樹脂層1との貼り合わせ面に、シリコーン層等の離型コート層が形成されたものが挙げられる。また、離型フィルムの基材としては、例えば、グラシン紙のような紙材や、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル等よりなる樹脂フィルムが挙げられる。前記塗布層の乾燥は、塗布層に乾燥風を吹き付けることにより行う。当該乾燥風の吹き付けは、例えば、その吹き付け方向を離型フィルムの搬送方向と平行となる様に行う方法や、塗布層の表面に垂直となる様に行う方法が挙げられる。乾燥風の風量は特に限定されず、通常は5~20m/min、好ましくは5~15m/minである。乾燥風の風量が5m/min以上にすることにより、塗布層の乾燥が不十分になるのを防止することができる。その一方、乾燥風の風量を20m/min以下にすることにより、塗布層の表面近傍における有機溶剤の濃度を均一にするので、その蒸発を均一にすることができる。その結果、表面状態が面内において均一な熱硬化型樹脂層1の形成が可能になる。乾燥時間は接着剤組成物溶液の塗工厚みに応じて適宜設定され、通常は1~5min、好ましくは2~4minの範囲内である。乾燥時間を1min以上とすることにより、硬化反応が十分に進行せず、未反応の硬化成分や残存する溶媒量が多くなることを抑制できる。その結果、後工程にてアウトガスやボイドの問題が発生することを防止できる。その一方、5min以内とすることにより、硬化反応が進行しすぎることを抑制できる。その結果、流動性や半導体ウェハの導通部材の埋まり込み性が低下することを防止できる。乾燥温度は特に限定されず、通常は70~160°Cの範囲内で設定される。本実施形態においては、乾燥時間の経過とともに、乾燥温度を段階的に上昇させて行うことが好ましい。具体的には、例えば乾燥初期乾燥直後から1min以下では70°C~100°Cの範囲内で設定され、乾燥後期1minを超えて5min以下では100~160°Cの範囲内で設定される。これにより、塗工直後に乾燥温度を急激に上昇させた場合に生じる塗布層表面のピンホールの発生を防止することができる。続いて、支持体2上に熱硬化型樹脂層1の転写を行う図1参照。当該転写は圧着により行うことができる。貼り合わせ温度は40~80°Cが好ましく、より好ましくは50~70°Cである。また、貼り合わせ圧力は0.1~0.6MPaが好ましく、より好ましくは0.2~0.5MPaである。前記離型フィルムは、支持体2上に熱硬化型樹脂層1を貼り合わせ後に剥離してもよく、あるいは、そのまま樹脂シート10の保護フィルムとして使用し、半導体チップの熱硬化型樹脂層1上への配置の際に剥離してもよい。これにより、本実施形態に係る樹脂シート10を製造することができる。なお、熱硬化型樹脂層1の形成は、支持体2上に接着剤組成物溶液を直接塗工した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させてもよい。これによっても、樹脂シート10を製造することができる。[半導体チップ配置工程]次に、半導体チップ配置工程工程Cでは、上記熱硬化型樹脂層1と上記半導体チップの回路形成面5aとが対向するように熱硬化型樹脂層1上に複数の半導体チップ5を配置する図1参照。半導体チップ5の配置には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。半導体チップ5の配置のレイアウトや配置数は、樹脂シート10の形状やサイズ、目的とする半導体装置の生産数などに応じて適宜設定することができ、例えば、複数行で、かつ複数列のマトリックス状に整列させて配置することができる。上記複数の半導体チップ5の熱硬化型樹脂層1上への配置の際には、少なくとも導通部材6が熱硬化型樹脂層1と接触していればよい。特に、回路形成面5aが熱硬化型樹脂層1と接触していることがより好ましい。少なくとも導通部材6が熱硬化型樹脂層1と接触していると、半導体チップ5を熱硬化型樹脂層1に固定することができる。[半導体チップ埋め込み工程]次に、半導体チップ埋め込み工程工程Dでは、複数の半導体チップ5上に配置されたカバーフィルム12を介して圧力を加えることにより、複数の半導体チップ5を熱硬化型樹脂層1に埋め込む図2、図3参照。埋め込みは、プレス成型機や、ロール成型機を用い、樹脂シート10の両側から圧力を加えることにより行なうことができる。埋め込みは、カバーフィルム12を予め複数の半導体チップ5上に配置した後、樹脂シート10の両側から圧力を加える例えば、金型20により圧力を加える方法を採用することができる。また、プレス成型機や、ロール成型機側にカバーフィルム12を配しておき、加圧とともにカバーフィルム12が複数の半導体チップ5上に配置される方法を採用することができる。これにより、半導体チップ5の回路形成面5aとは反対側の面5b裏面5bが露出し、且つ、半導体チップ5が熱硬化型樹脂層1に埋め込まれた状態とすることができる。埋め込み温度は60~150°Cが好ましく、より好ましくは80~120°Cである。また、埋め込み圧力は0.02~3MPaが好ましく、より好ましくは0.05~1MPaである。カバーフィルムカバーフィルム12としては、特に限定されないが、例えば、グラシン紙のような紙材や、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル等よりなる樹脂フィルムが挙げられる。カバーフィルム12の表面熱硬化型樹脂層1、及び、半導体チップ5と接する側の面は、半導体チップの裏面への熱硬化型樹脂層1の糊残りの防止の観点から、慣用の表面処理、例えば、プラズマ処理、エンボス処理、サンドブラスト処理等を施すことができる。カバーフィルム12の水に対する接触角は、90°以下である。前記接触角は、80°以下であることが好ましい。また、前記接触角は、小さいほど好ましいが、例えば45°以上、60°以上とすることができる。カバーフィルム12の水に対する接触角が90°以下であり、カバーフィルム12表面のすべり性が低いため、カバーフィルム12と半導体チップ5半導体チップ5の裏面5bとの間の摩擦力が大きくなり、埋め込み工程において両者のズレを低減することができる。その結果、埋め込み時の半導体チップ5の位置ずれを抑制することができる。[熱硬化工程]次に、熱硬化工程では、熱硬化型樹脂層1を加熱し、硬化させる。前記熱硬化工程における加熱温度は、90~200°Cで行なうことが好ましく、120~175°Cで行なうことがより好ましい。また、加熱時間は、30~240分であることが好ましく、60~180分であることがより好ましい。熱硬化型樹脂層の硬化前後における、半導体チップ間距離の変化は、前記半導体チップ配置工程において半導体チップ5間の距離を5000μmとして配置したときに、20μm以内であることが好ましく、10μmであることがより好ましい。なお、半導体チップ間距離とは、隣り合う半導体チップの端同士の距離をいう。[支持体剥離工程]次に、支持体剥離工程では、支持体2を熱硬化型樹脂層1から剥離する図4参照。剥離は、従来公知の剥離装置を用いて行なうことができる。[半導体裏面用フィルム貼り付け工程]本実施形態ではさらに半導体裏面用フィルム貼り付け工程を含むことが好ましい。半導体裏面用フィルム貼り付け工程では、半導体裏面用フィルム14を半導体チップ5の裏面5b側から貼り付ける図5参照。半導体裏面用フィルム本実施形態では、半導体裏面用フィルム14は、半導体素子本実施形態では、半導体チップ5の裏面本実施形態では、裏面5bに形成されることで、当該半導体素子を保護する機能を果たすものである。尚、前記半導体素子の裏面とは、回路が形成された面とは反対側の面を意味する。半導体裏面用フィルム本実施形態に係る半導体裏面用フィルム14はフィルム状の形態を有している。半導体裏面用フィルム14は、通常、製品としての形態では、未硬化状態半硬化状態を含むであり、半導体ウエハ、又は、半導体素子に貼着させた後に熱硬化される。前記半導体裏面用フィルムは、少なくとも熱硬化性樹脂により形成されていることが好ましく、更に少なくとも熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とにより形成されていることがより好ましい。少なくとも熱硬化性樹脂により形成することで、半導体裏面用フィルムは接着剤層としての機能を有効に発揮させることができる。前記熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-アクリル酸共重合体、エチレン-アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、6-ナイロンや6,6-ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、PETポリエチレンテレフタレートやPBTポリブチレンテレフタレート等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂は単独で又は2種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数30以下好ましくは炭素数4~18、更に好ましくは炭素数6~10、特に好ましくは炭素数8又は9の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの1種又は2種以上を成分とする重合体等が挙げられる。すなわち、本発明では、アクリル樹脂とは、メタクリル樹脂も含む広義の意味である。前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、へキシル基、ヘプチル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ドデシル基ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基等が挙げられる。また、前記アクリル樹脂を形成するための他のモノマーアルキル基の炭素数が30以下のアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステル以外のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、メタアクリル酸2-ヒドロキシエチル、メタアクリル酸2-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸4-ヒドロキシブチル、メタアクリル酸6-ヒドロキシヘキシル、メタアクリル酸8-ヒドロキシオクチル、メタアクリル酸10-ヒドロキシデシル、メタアクリル酸12-ヒドロキシラウリル若しくは4-ヒドロキシメチルシクロヘキシル-メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2-メタアクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、メタアクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピルメタアクリレート若しくはメタアクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は2-ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーなどが挙げられる。尚、メタアクリル酸とはアクリル酸及び/又はメタクリル酸をいい、本発明のメタとは全て同様の意味である。また、前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂の他、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。熱硬化性樹脂は、単独で又は2種以上併用して用いることができる。熱硬化性樹脂としては、特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等含有が少ないエポキシ樹脂が好適である。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂を好適に用いることができる。エポキシ樹脂としては、特に限定は無く、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオンレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型エポキシ樹脂、トリスグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂若しくはグリシジルアミン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂としては、前記例示のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、tert-ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。フェノール樹脂は単独で又は2種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基1当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が0.5当量~2.0当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、0.8当量~1.2当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。前記熱硬化性樹脂の含有量としては、半導体裏面用フィルムにおける全樹脂成分に対して5重量以上90重量以下であることが好ましく、10重量以上85重量以下であることがより好ましく、15重量以上80重量以下であることがさらに好ましい。エポキシ樹脂とフェノール樹脂の熱硬化促進触媒としては、特に制限されず、公知の熱硬化促進触媒の中から適宜選択して用いることができる。熱硬化促進触媒は単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。前記熱硬化促進触媒の割合は、樹脂成分の全量に対して0.008~0.25重量であることが好ましく、0.0083~0.23重量であることがより好ましく、0.0087~0.22重量であることがさらに好ましい。熱硬化促進触媒の前記割合が0.01重量以上であると、熱硬化性樹脂を好適に熱硬化させることができる。また、熱硬化促進触媒の前記割合が0.25重量以下の割合であると、長期間の保存の際の硬化反応の進行を抑制することができる。ここで、半導体裏面用フィルムは単層でもよく複数の層が積層された積層フィルムであってもよいが、半導体裏面用フィルムが積層フィルムである場合、熱硬化促進触媒の前記割合は、積層フィルム全体として樹脂成分の全量に対して0.01~0.25重量であればよい。前記半導体裏面用フィルムとしては、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂を含む樹脂組成物や、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂を含む樹脂組成物により形成されていることが好適である。これらの樹脂は、イオン性不純物が少なく耐熱性が高いので、半導体素子の信頼性を確保できる。半導体裏面用フィルム14は、半導体チップ5の裏面5b回路非形成面に対して接着性密着性を有していることが重要である。半導体裏面用フィルム14は、例えば、熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂を含む樹脂組成物により形成することができる。半導体裏面用フィルム14を予めある程度架橋させておく為、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくことが好ましい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。半導体裏面用フィルムの半導体ウエハ半導体チップに対する接着力23°C、剥離角度180度、剥離速度300mm/分は、0.5N/20mm~15N/20mmの範囲が好ましく、0.7N/20mm~10N/20mmの範囲がより好ましい。0.5N/20mm以上にすることにより、優れた密着性で半導体ウエハや半導体チップに貼着されており、浮き等の発生を防止することができる。前記架橋剤としては、特に制限されず、公知の架橋剤を用いることができる。具体的には、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤の他、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン系架橋剤などが挙げられる。架橋剤としては、イソシアネート系架橋剤やエポキシ系架橋剤が好適である。また、前記架橋剤は単独で又は2種以上組み合わせて使用することができる。なお、架橋剤の使用量は、特に制限されず、架橋させる程度に応じて適宜選択することができる。具体的には、架橋剤の使用量としては、例えば、ポリマー成分特に、分子鎖末端の官能基を有する重合体100重量部に対し、通常7重量部以下例えば、0.05重量部~7重量部とするのが好ましい。架橋剤の使用量がポリマー成分100重量部に対して7重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。なお、凝集力向上の観点からは、架橋剤の使用量はポリマー成分100重量部に対して0.05重量部以上であることが好ましい。なお、本発明では、架橋剤を用いる代わりに、あるいは、架橋剤を用いるとともに、電子線や紫外線などの照射により架橋処理を施すことも可能である。前記半導体裏面用フィルムは着色されていることが好ましい。これにより、優れたマーキング性及び外観性を発揮させることができ、付加価値のある外観の半導体装置とすることが可能になる。このように、着色された半導体裏面用フィルムは、優れたマーキング性を有しているので、半導体素子又は該半導体素子が用いられた半導体装置の非回路面側の面に、半導体裏面用フィルムを介して、印刷方法やレーザーマーキング方法などの各種マーキング方法を利用することにより、マーキングを施し、文字情報や図形情報などの各種情報を付与させることができる。特に、着色の色をコントロールすることにより、マーキングにより付与された情報文字情報、図形情報などを、優れた視認性で視認することが可能になる。半導体裏面用フィルム14を着色させる場合、その着色形態は特に制限されない。例えば、半導体裏面用フィルムは、着色剤が添加された単層のフィルム状物であってもよい。また、少なくとも熱硬化性樹脂により形成された樹脂層と、着色剤層とが少なくとも積層された積層フィルムであってもよい。なお、半導体裏面用フィルム14が樹脂層と着色剤層との積層フィルムである場合、積層形態の半導体裏面用フィルム14としては、樹脂層/着色剤層/樹脂層の積層形態を有していることが好ましい。この場合、着色剤層の両側の2つの樹脂層は、同一の組成の樹脂層であってもよく、異なる組成の樹脂層であってもよい。半導体裏面用フィルム14には、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば、充填剤フィラー、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤の他、増量剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤などが挙げられる。前記充填剤としては、無機充填剤、有機充填剤のいずれであってもよいが、無機充填剤が好適である。無機充填剤等の充填剤の配合により、半導体裏面用フィルムに導電性の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を図ることができる。なお、半導体裏面用フィルム14としては導電性であっても、非導電性であってもよい。前記無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田などの金属、又は合金類、その他カーボンなどからなる種々の無機粉末などが挙げられる。充填剤は単独で又は2種以上を併用して用いることができる。充填剤としては、なかでも、シリカ、特に溶融シリカが好適である。なお、無機充填剤の平均粒径は0.1μm~80μmの範囲内であることが好ましい。無機充填剤の平均粒径は、例えば、レーザー回折型粒度分布測定装置によって測定することができる。前記充填剤特に無機充填剤の配合量は、有機樹脂成分100重量部に対して80重量部以下0重量部~80重量部であることが好ましく、特に0重量部~70重量部であることが好適である。また、前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。難燃剤は、単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β-3、4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。シランカップリング剤は、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。イオントラップ剤は、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。半導体裏面用フィルム14は、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と、必要に応じてアクリル樹脂等の熱可塑性樹脂と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤などとを混合して樹脂組成物を調製し、フィルム状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。具体的には、例えば、適当なセパレータ剥離紙など上に前記樹脂組成物を塗布して樹脂層又は接着剤層を形成し、これを乾燥させる方法などにより、半導体裏面用フィルムとしてのフィルム状の層接着剤層を形成することができる。なお、前記樹脂組成物は、溶液であっても分散液であってもよい。なお、半導体裏面用フィルム14が、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されている場合、半導体裏面用フィルムは、半導体ウエハに適用する前の段階では、熱硬化性樹脂が未硬化又は部分硬化の状態である。半導体裏面用フィルム14の厚さ積層フィルムの場合は総厚は特に限定されないが、例えば、2μm~200μm程度の範囲から適宜選択することができる。更に、前記厚さは4μm~160μm程度が好ましく、6μm~100μm程度がより好ましく、10μm~80μm程度が特に好ましい。また、半導体裏面用フィルム14における可視光波長:400nm~800nmの光線透過率可視光透過率は、特に制限されないが、例えば、20以下0~20の範囲であることが好ましく、より好ましくは10以下0~10、特に好ましくは5以下0~5である。可視光透過率を20以下にすると、光線通過により、半導体素子に悪影響を及ぼす恐れを低減できる。前記可視光透過率は、半導体裏面用フィルム14の樹脂成分の種類やその含有量、着色剤顔料や染料などの種類やその含有量、無機充填材の含有量などによりコントロールすることができる。[フェイス側加工工程]次に、フェイス側加工工程では、熱硬化型樹脂層1の半導体裏面用フィルム14が貼り付けられていない側の面を研削する図6参照。この工程は、例えば、従来公知のバックグラインドテープを半導体裏面用フィルム14に貼り付けた上で、従来公知の裏面研削装置を用いて行なうことができる。これにより、導通部材6を露出させる。なお、上記半導体裏面用フィルム貼り付け工程においては、半導体裏面用フィルム14を貼り付ける場合について説明したが、本発明においては、バックグラインドテープ上に半導体裏面用フィルムが積層された、バックグラインドテープ一体型の半導体裏面用フィルムを、半導体チップ5の裏面5b側から貼り付けることとしてもよい。この場合、バックグラインドテープを貼り付ける工程を省略することが可能となる。[再配線形成工程]次に、再配線形成工程では、熱硬化型樹脂層1上に、上記露出した導通部材6と接続する再配線8を形成する図7参照。再配線の形成方法としては、例えば、露出している導通部材6及び熱硬化型樹脂層1上へ真空成膜法などの公知の方法を利用して金属シード層を形成し、セミアディティブ法などの公知の方法により、再配線8を形成することができる。かかる後に、再配線8及び熱硬化型樹脂層1上へポリイミドやPBOなどの絶縁層を形成してもよい。[バンプ形成工程]次いで、形成した再配線8上にバンプを形成するバンピング加工を行ってもよい図示せず。バンピング加工は、半田ボールや半田メッキなど公知の方法で行うことができる。バンプの材質は、半導体チップ準備工程で説明した導通部材の材質を好適に用いることができる。[ダイシング工程]最後に、熱硬化型樹脂層1、半導体チップ5、半導体裏面フィルム14及び再配線8等を備える積層体のダイシングを行う図8参照。これにより、チップ領域の外側に配線を引き出した半導体装置11を得ることができる。ダイシングは、通常、従来公知のダイシングシートにより上記積層体を固定した上で行う。切断箇所の位置合わせは赤外線IRを用いた画像認識により行ってもよい。本工程では、例えば、ダイシングシートまで切込みを行うフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。なお、ダイシング工程に続いて積層体のエキスパンドを行う場合、該エキスパンドは従来公知のエキスパンド装置を用いて行うことができる。エキスパンド装置は、ダイシングリングを介して積層フィルムを下方へ押し下げることが可能なドーナッツ状の外リングと、外リングよりも径が小さく積層フィルムを支持する内リングとを有している。このエキスパンド工程により、隣り合う半導体装置11同士が接触して破損するのを防ぐことができる。以上、本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、熱硬化型樹脂層1上に複数の半導体チップ5を配置した後工程C、複数の半導体チップ5を熱硬化型樹脂層1に埋め込む工程D。従って、熱硬化型樹脂層1を、半導体チップ5を封止する封止材とすることができる。また、半導体チップ5を熱硬化型樹脂層1上に配置した後、熱硬化型樹脂層1に埋め込むため、半導体チップを仮固定するためのシートを必要としない。また、半導体チップを仮固定するためのシートを剥離する工程を必要としない。その結果、製造工程の簡略化や、製造コストの削減を図ることができる。また、半導体チップ5を熱硬化型樹脂層1に埋め込むため、半導体チップに仮止め用のシートを貼り剥がしする必要がない。その結果、半導体チップの汚染を抑制することができる。他の実施形態1上述した実施形態では、フェイス側加工工程、すなわち、熱硬化型樹脂層1の半導体裏面用フィルム14が貼り付けられていない側の面を研削し、導通部材6を露出させる場合について説明した図6参照。しかしながら、本発明において、導通部材を露出させる方法は、これに限定されず、例えば、熱硬化型樹脂層側からレーザー加工を行い、導通部材を露出させるレーザー加工工程こととしてもよい。この場合、前記フェイス側加工工程の代わりに、レーザー加工工程を行なえばよい。図9は、本発明の他の実施形態1に係る半導体装置の製造方法の工程を模式的に示す断面図である。図9に示すように、他の実施形態1においては、熱硬化型樹脂層1側からレーザー加工を行い、導通部材6露出させる。この際、レーザーとしては、炭酸ガスレーザーやYAGレーザー、エキシマレーザー等を用いることができる。なお、レーザー加工の後は、露出した導通部材6と接続する再配線8を形成する工程再配線形成工程を行なうこととなる。他の実施形態2上述した実施形態では、熱硬化型樹脂層1上に複数の半導体チップ5を配置した後、埋め込む場合、すなわち、半導体チップ配置工程工程Aを行なった後、半導体チップ埋め込み工程工程Bを行なう場合について説明した。しかしながら、本発明において、半導体チップを熱硬化型樹脂層に埋め込む方法は、これに限定されず、例えば、半導体チップを1つずつ、直接、熱硬化型樹脂層に埋め込むこととしてもよい。図10は、本発明の他の実施形態2に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。図10に示すように、他の実施形態2においては、半導体チップ5を1つずつ、直接、熱硬化型樹脂層1に埋め込む。埋め込みには、例えば、従来公知のフリップチップボンダーを用いることができる。埋め込む条件としては、圧力は0.01~3MPaが好ましく、0.05~1MPaがより好ましい。また、温度は80~280°Cが好ましく、180~220°Cがより好ましい。他の実施形態2に係る半導体装置の製造方法によれば、熱硬化型樹脂層1を、半導体チップ5を封止する封止材とすることができる。また、半導体チップ5を熱硬化型樹脂層1に直接埋め込むため、半導体チップを仮固定する工程や、半導体チップを仮固定するためのシートを必要としない。その結果、製造工程の簡略化や、製造コストの削減を図ることができる。また、半導体チップ5を熱硬化型樹脂層1に直接埋め込むため、半導体チップに仮止め用のシートを貼り剥がしする必要がない。その結果、半導体チップの汚染を抑制することができる。他の実施形態3上述した実施形態では、半導体チップ配置工程工程Cにおいて、熱硬化型樹脂層1と半導体チップ5の回路形成面5aとが対向するように熱硬化型樹脂層1上に複数の半導体チップ5を配置する場合について説明した図1参照。しかしながら、本発明において半導体チップを配置する向きは、この例に限定されず、熱硬化型樹脂層と半導体チップの回路形成面とは反対側の面とが対向するように熱硬化型樹脂層上に複数の半導体チップを配置することとしてもよい。図11及び図12は、本発明の他の実施形態3に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。まず、図11に示すように、他の実施形態3においては、熱硬化型樹脂層1と半導体チップ5の回路形成面5aとは反対側の面とが対向するように熱硬化型樹脂層1上に複数の半導体チップ5を配置する。次に、複数の半導体チップ5上に配置されたカバーフィルム12を介して圧力を加えることにより、複数の半導体チップ5を熱硬化型樹脂層1に埋め込む。他の実施形態4上述した実施形態では、支持体2上に熱硬化型樹脂層1が積層された樹脂シート10を用いる場合について説明した。しかしながら、本発明において樹脂シートは熱硬化型樹脂層を有していれば、これに限定されない。例えば、本発明の樹脂シートは、熱硬化型樹脂層のみからなるものであってもよい。半導体装置半導体装置11は、図8に示したように、熱硬化型樹脂層1内に埋め込まれた半導体チップ5と、熱硬化型樹脂層1上に形成され、且つ、半導体チップ5が有する導通部材6に接続された再配線8とを備えている。<樹脂シートの作製>混練機を用い、エポキシ樹脂[エポキシ当量200、軟化点80°C、東都化成株式会社製YSLV-80XY]を100重量部、フェノール硬化剤[水酸基当量203、軟化点67°C、明和化成株式会社製MEH7851SS]を105重量部、溶融シリカ[電気化学工業社製、FB-9454平均粒径20μm]を2198重量部、硬化促進剤としてのイミダゾール系化合物[四国化成株式会社製2PHZ-PW]を2.5重量部、及び、粘度調整用の添加剤としてのポリスチレンーポリイソブチレン系共重合体[カネカ社製SIBSTAR072T]を90重量部混合した後、プレス機で圧延して樹脂シートA厚さ1000μmを作製した。なお、作成した樹脂シートAの粘度を測定したところ、120°Cでの粘度が2000Pasであった。測定は、TAインスツルメント社製、粘弾性測定装置ARESを用い、1Hzの条件で行なった。<カバーフィルム>押出で作製したPETフィルム厚さ50μmにシリコーンで離型処理を行なったフィルムをカバーフィルムAとした。押出で作製したポリオレフィンフィルム厚さ50μmをエンポス処理したフィルムをカバーフィルムBとした。接触角の測定作製したカバーフィルムの水に対する接触角は純水をフィルム上へ滴下しθ2法で測定した。結果を表1に示す。半導体チップ埋め込み工程の評価作製した樹脂シート及びカバーフィルムを用いて、半導体チップ埋め込み評価を行なった。評価は、樹脂シートAとカバーフィルムAを用いた場合を比較例1とし、樹脂シートAとカバーフィルムBを用いた場合を実施例1として行なった。また、図10のようにチップを一つずつ樹脂シートAに埋め込んだ場合を実施例2として行なった。具体的には、比較例1と実施例1に関しての評価に関しては、樹脂シートの熱硬化型樹脂層と半導体チップの回路形成面とが対向するように熱硬化型樹脂層上に16個の半導体チップを4行4列となるように配置した。この際、半導体チップ間の距離を5000μmとなるように配置した。半導体チップは、サイズが5mm□のものを用いた。半導体チップの配置は、新川社製の装置名ダイボンダーSPA-300を用い、テーブル温度70°C、ダイボンド圧力1kg、加圧時間1secで配置した。次に、半導体チップの埋め込みを行なった。具体的には、ミカドテクノス社製の装置名瞬時真空積層装置VS008-1515にカバーフィルムを配置し、カバーフィルムを介して圧力を加えることにより、複数の半導体チップを熱硬化型樹脂層に埋め込んだ。この際、装置の設定条件は真空20Torr雰囲気、テーブル温度90°C、圧力0.05MPa、加圧時間1分で行なった。その後、温度120°C、加熱時間3hrの条件で、熱硬化型樹脂層を硬化させた。熱硬化型樹脂層の硬化後の、半導体チップの裏面の糊残りの有無を顕微鏡により観察した。結果を表2に示す。また、熱硬化型樹脂層の硬化前後における、チップ間の距離の変化が20μm以内である場合をチップシフトなし、20μmより大きい場合をチップシフト有りとして評価した。結果を表2に示す。また、実施例2に関しての評価は、サイズが5mm□の半導体チップをパナソニック社製のフリップチップボンダーFB30T-Mを用いて、コレット温度200°C、押し込み速度50μm/sec、荷重1kg、10secで埋め込んだ。この際、半導体チップ間の距離を5000μmとなるように配置した。その後、温度120°C、加熱時間3hrの条件で、熱硬化型樹脂層を硬化させた。熱硬化型樹脂層の硬化前後における、チップ間の距離の変化が20μm以内である場合をチップシフトなし、20μmより大きい場合をチップシフト有りとして評価した。結果を表2に示す。"