"互いに相分離可能な第1の相と第2の相とを含み、かつ第1の相及び第2の相のうち少なくとも一方の相が有機半導体相を含む複数の相を形成するための組成物であって、第1の相を形成するための第1の成分系と、第1の相と相分離可能な第2の相を形成する第2の成分系とを含み、第1の成分系及び第2の成分系のうち少なくとも一方の成分系が、π共役系の3次元架橋構造を有する有機半導体相を形成する反応成分を含んでいる組成物。第1の成分系及び第2の成分系のうち少なくとも一方の成分系が、反応によりポリマー化して、第1の相と第2の相との相分離構造を形成する複数の成分を含んでいる請求項1記載の組成物。第1の成分系及び第2の成分系のうち一方の成分系が複数の非芳香族成分で構成され、他方の成分系が複数の芳香族成分で構成されている請求項1又は2記載の組成物。第1の成分系及び第2の成分系のうち一方の成分系がそれぞれ2つの反応部位を有する複数の2官能性成分で構成され、他方の成分系がそれぞれ複数の反応部位を有する複数の成分で構成され、かつ他方の成分系の複数の成分のうち少なくとも1つの成分が、3以上の反応部位を有する多官能性成分である請求項1~3のいずれかに記載の組成物。第1の成分系及び第2の成分系が、それぞれ、複数の反応部位を有する複数の成分で構成され、かつ各成分系の複数の成分のうち少なくとも1つの成分が、3以上の反応部位を有する多官能性成分を含んでいる請求項1~4のいずれかに記載の組成物。第1の成分系及び第2の成分系のうち一方の成分系が、低分子化合物、線状高分子及び3次元架橋構造の高分子から選択された少なくとも1つの相であって、電気絶縁体相、半導体相又は導電体相を形成する1又は複数の成分を含み、他方の成分系が、下記1a及び2aから選択された少なくとも一方の成分系である請求項1~5のいずれかに記載の組成物。1a複数のカルボニル基を有する芳香族カルボニル化合物と複数のアミノ基を有する芳香族アミン化合物とを含み、芳香族カルボニル化合物1分子中のカルボニル基の数をW、芳香族アミン化合物1分子中のアミノ基の数をXとしたとき、W≧2,X≧2であり、かつW及びXのうち少なくとも一方が3以上である複数の成分を含む成分系2a少なくとも1つのホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物と複素環のヘテロ原子に隣接して複数の遊離のα-炭素位を有する芳香族複素環式化合物とを含み、芳香族アルデヒド化合物1分子中のホルミル基の数をY、芳香族複素環式化合物1分子中の遊離のα-炭素位の数をZとしたとき、芳香族アルデヒド化合物及び芳香族複素環式化合物が、Y≧2及び/又はZ≧3但し、Y=2であるとき、Z≧2であるである複数の成分を含む成分系第1の成分系及び第2の成分系のうち一方の成分系が、加熱により反応する複数の成分を含み、他方の成分系が、触媒の存在下、加熱により反応する複数の成分を含む請求項1~6のいずれかに記載の組成物。第1の成分系及び第2の成分系のうち一方の成分系が、芳香族カルボニル化合物と芳香族アミン化合物とを含み、他方の成分系が、芳香族アルデヒド化合物と複素環のヘテロ原子に隣接して複数の遊離のα-炭素位を有する芳香族複素環式化合物と酸触媒とを含む請求項1~7のいずれかに記載の組成物。π共役系の3次元架橋構造を有し、かつ互いに相分離した複数の有機半導体相を形成するための組成物であって、下記1及び2の成分系を含む請求項1~8のいずれかに記載の組成物。1b複数のカルボニル基を有する芳香族カルボニル化合物と複数のアミノ基を有する芳香族アミン化合物とを含み、芳香族カルボニル化合物1分子中のカルボニル基の数をW、芳香族アミン化合物1分子中のアミノ基の数をXとしたとき、W≧2,X≧2であり、かつW及びXのうち少なくとも一方が3以上である複数の成分を含む成分系2b少なくとも1つのホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物と複素環のヘテロ原子に隣接して複数の遊離のα-炭素位を有する芳香族複素環式化合物とを含む複数の成分を含み、芳香族アルデヒド化合物1分子中のホルミル基の数をY、芳香族複素環式化合物1分子中の遊離のα-炭素位の数をZとしたとき、芳香族アルデヒド化合物及び芳香族複素環式化合物が、Y≧2及び/又はZ≧3但し、Y=2であるとき、Z≧2であるである複数の成分を含む成分系第1の成分系及び第2の成分系が、それぞれ共通成分として芳香族アルデヒド化合物を含む請求項9記載の組成物。第1の成分系及び第2の成分系のうち他方の成分系が、触媒として熱酸発生剤及び光酸発生剤から選択された酸発生剤を含む請求項8~10のいずれかに記載の組成物。芳香族カルボニル化合物が、下記式Iで表される化合物である請求項6~11のいずれかに記載の組成物。式中、A1は芳香族性環、Lはリンカー、R1はカルボニル基含有基、R2aは非反応性基を示し、nは0又は1、k1は1又は2以上の整数であり、k2は0又は1以上の整数であり、pは1以上の整数である芳香族アミン化合物が、下記式IIで表される化合物である請求項6~11のいずれかに記載の組成物。式中、A2は芳香族性環、R2bは非反応性基、R3は、水素原子、アミノ基、メルカプト基又はヒドロキシル基を示し、k2は0又は1以上の整数、k3は1以上の整数を示し、L、n、及びpは前記に同じ。但し、k3×pは2以上の整数である。芳香族アルデヒド化合物が、請求項12に記載の式Iにおいて、R1で表されるカルボニル基含有基がホルミル基を示す化合物である6~11のいずれかに記載の組成物。芳香族複素環式化合物が、下記式IIIa又はIIIbで表される化合物である6~11のいずれかに記載の組成物。式中、環Het、Het1~Het2は、それぞれ、芳香族複素環を示し、X、X1~X2は、それぞれ、ヘテロ原子を示し、R2c、R2d~R2eは非反応性基を示し、r、r1~r2は0~3の整数を示し、p1は1以上の整数を示し、L、n及びpは前記に同じ互いに相分離した第1の相と第2の相とを含み、第1の相及び第2の相のうち少なくとも一方の相が有機半導体相を含む複数の相で構成された相分離構造体であって、1又は複数の成分を含む第1の成分系で形成された第1の相と、この第1の相に対して相分離し、かつ1又は複数の成分を含む第2の成分系で形成された第2の相とを含んでおり、第1の相及び第2の相のうち少なくとも一方の相がπ共役系の3次元架橋構造を有する有機半導体相を形成している相分離構造体。第1の相及び第2の相のうち一方の相が、絶縁体、半導体又は導電体を形成している請求項11又は16記載の相分離構造体。第1の相及び第2の相のうち一方の相が、低分子化合物、線状高分子及び3次元架橋構造の高分子から選択された少なくとも1つの物質で形成されている請求項16又は17記載の相分離構造体。第1の相と第2のうち、一方の相がn型半導体を形成し、他方の相がp型半導体を形成している請求項16~18のいずれかに記載の相分離構造体。第1の相と第2の相のうち、一方の相が三次元架橋構造を有するn型半導体を形成し、他方の相が三次元架橋構造を有するp型半導体を形成している請求項16~19のいずれかに記載の相分離構造体。第1の相と第2の相のうち、一方の相が薄膜状に形成され、この薄膜状の一方の相の上に、他方の相が薄膜状又は所定のパターンの形態で形成されている請求項16~20のいずれかに記載の相分離構造体。請求項16~21に記載の相分離構造体を備えた電子デバイス。請求項1~15のいずれかに記載の組成物を含む膜を加熱処理し、第1の相と第2の相との相分離構造を形成する、相分離構造体の製造方法。請求項11記載の組成物を含む膜を、a光照射した後、加熱処理する方法、b加熱処理した後、光照射して加熱する方法、又はc加熱しつつ光照射する方法により、第1の相と第2の相との相分離構造を形成する、相分離構造体の製造方法。パターン露光し、ネガ型又はポジ型のパターンを有する相分離構造体を形成する請求項24記載の方法。光照射した後、ポストエクスボージャーベークし、現像する請求項24又は25記載の方法。従って、本発明の目的は、相分離構造を有し、かつ熱安定性耐熱性、耐溶剤性及び耐久性に優れた有機半導体を形成するのに有用な組成物、この組成物により形成された有機半導体及び電子デバイスを提供することにある。本発明の他の目的は、相分離構造を有し、かつ界面抵抗が小さな有機半導体を形成するのに有用な組成物、この組成物により形成された有機半導体及び電子デバイスを提供することにある。本発明のさらに他の目的は、ミクロ相分離構造の有機半導体バルクへテロジャンクション層などや積層構造の有機半導体を形成するのに有用な組成物、この組成物により形成された有機半導体及び電子デバイス太陽電池素子、ダイオード素子などを提供することにある。本発明の別の目的は、ミクロ相分離から2層分離構造に至るまで相分離構造を制御できる組成物、この組成物により形成された有機半導体及び電子デバイスを提供することにある。本発明のさらに別の目的は、2層に相分離した構造を有し、かつ上相に有機半導体膜を所定のパターンで形成するのに有用な組成物、この組成物により形成された有機半導体及び電子デバイスMOSトランジスタなどを提供することにある。本発明者は、前記課題を達成するため鋭意検討した結果、加熱により縮合可能な複数の成分を含む第1の成分系と、感光して縮合可能な複数の成分で構成された第2の成分系とを組み合わせると、第1の成分系及び第2の成分系が反応に伴って相分離構造を形成すること、第1の成分系及び第2の成分系のうち少なくとも一方の成分系をπ共役系の3次元架橋構造を有する有機半導体相を形成する反応成分で形成すると、架橋に伴って耐熱性などに優れた有機半導体相を形成できることを見いだし、本発明を完成した。すなわち、本発明の組成物は、互いに相分離可能な第1の相と第2の相とを含み、かつ第1の相及び第2の相のうち少なくとも一方の相が有機半導体相を含む複数の相を形成するための組成物であって、第1の相を形成するための第1の成分系と、第1の相と相分離可能な第2の相を形成する第2の成分系とを含み、第1の成分系及び第2の成分系のうち少なくとも一方の成分系が、π共役系実質的に全体がπ共役系の3次元架橋構造を有する有機半導体相を形成する反応成分を含んでいる。この組成物において、反応に伴って相分離構造を形成するため、第1の成分系及び第2の成分系のうち少なくとも一方の成分系は、反応によりポリマー化して、第1の相と第2の相との相分離構造を形成する複数の成分を含んでいてもよい。また、第1の成分系及び第2の成分系のうち一方の成分系は、複数の非芳香族成分で構成し、他方の成分系は複数の芳香族成分で構成してもよい。このような組成物では、一方の成分系により有機絶縁体を形成できる。さらに、一方の成分系がそれぞれ2つの反応部位を有する複数の2官能性成分で構成され、他方の成分系がそれぞれ複数の反応部位を有する複数の成分で構成され、かつ他方の成分系の複数の成分のうち少なくとも1つの成分は、3以上の反応部位を有する多官能性成分であってもよい。この組成物では、一方の成分系により線状高分子を形成でき、他方の成分系により3次元架橋構造を形成できる。さらには、第1の成分系及び第2の成分系は、それぞれ、複数の反応部位を有する複数の成分で構成してもよく、各成分系の複数の成分のうち少なくとも1つの成分は、3以上の反応部位を有する多官能性成分を含んでいてもよい。このような組成物では、第1の成分系及び第2の成分系により、それぞれ3次元架橋構造を形成できる。さらに、第1の成分系及び第2の成分系のうち一方の成分系は、低分子化合物、線状高分子及び3次元架橋構造の高分子から選択された少なくとも1つの第1の相を形成する1又は複数の成分を含んでいてもよく、一方の成分系は、電気絶縁体相、半導体相又は導電体相を形成する成分1又は複数の成分であってもよい。また、他方の成分系は、下記1a及び2aから選択された少なくとも一方の成分系であってもよい。1a複数のカルボニル基を有する芳香族カルボニル化合物と複数のアミノ基を有する芳香族アミン化合物とを含み、芳香族カルボニル化合物1分子中のカルボニル基の数をW、芳香族アミン化合物1分子中のアミノ基の数をXとしたとき、W≧2,X≧2であり、かつW及びXのうち少なくとも一方が3以上である複数の成分を含む成分系例えば、複数の芳香族反応成分を含む成分系2a少なくとも1つのホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物と複素環のヘテロ原子に隣接して複数の遊離のα-炭素位を有する芳香族複素環式化合物とを含み、芳香族アルデヒド化合物1分子中のホルミル基の数をY、芳香族複素環式化合物1分子中の遊離のα-炭素位の数をZとしたとき、芳香族アルデヒド化合物及び芳香族複素環式化合物が、Y≧2及び/又はZ≧3但し、Y=2であるとき、Z≧2であるである複数の成分を含む成分系例えば、複数の芳香族反応成分を含む成分系。さらには、第1の成分系と第2の成分系は、それぞれ異なる機構例えば、熱縮合反応機構と感光を基点とする反応機構で反応又はポリマー化する複数の成分で構成してもよい。例えば、第1の成分系及び第2の成分系のうち一方の成分系は、加熱により反応する複数の成分を含んでいてもよく、他方の成分系は、触媒の存在下、加熱により反応する複数の成分を含んでいてもよい。例えば、一方の成分系は、芳香族カルボニル化合物と芳香族アミン化合物とを含んでいてもよく、他方の成分系は、芳香族アルデヒド化合物と複素環のヘテロ原子に隣接して複数の遊離のα-炭素位を有する芳香族複素環式化合物と酸触媒とを含んでいてもよい。さらに、π共役系の3次元架橋構造を有し、かつ互いに相分離した複数の有機半導体相を形成するための組成物は、下記1b及び2bの成分系を含んでいてもよい。1b反応部位として複数のカルボニル基を有する芳香族カルボニル化合物と反応部位として複数のアミノ基を有する芳香族アミン化合物とを含み、芳香族カルボニル化合物1分子中のカルボニル基の数をW、芳香族アミン化合物1分子中のアミノ基の数をXとしたとき、W≧2,X≧2であり、かつW及びXのうち少なくとも一方が3以上である複数の成分を含む成分系第1の有機半導体相を形成する第1の成分系など2b反応部位として少なくとも1つのホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物と複素環のヘテロ原子に隣接して反応部位として複数の遊離のα-炭素位を有する芳香族複素環式化合物とを含む複数の成分を含み、芳香族アルデヒド化合物1分子中のホルミル基の数をY、芳香族複素環式化合物1分子中の遊離のα-炭素位の数をZとしたとき、芳香族アルデヒド化合物及び芳香族複素環式化合物が、Y≧2及び/又はZ≧3但し、Y=2であるとき、Z≧2であるである複数の成分を含む成分系第2の有機半導体相を形成するための第2の成分系などさらには、本発明の組成物は、第1の成分系及び第2の成分系が、それぞれ共通成分例えば、前記芳香族アルデヒド化合物を含んでいてもよい。このような共通成分を含むと、相間を共役結合でき、相間の界面抵抗を大きく低減できるとともに耐久性を向上できる。さらに、第2の成分系は、触媒として熱酸発生剤及び光酸発生剤から選択された酸発生剤を含んでいてもよい。前記芳香族カルボニル化合物ポリカルボニル化合物は、下記式Iで表すことができる。式中、A1は芳香族性環、Lはリンカー、R1はカルボニル基含有基、R2aは非反応性基を示し、nは0又は1、k1は1又は2以上の整数であり、k2は0又は1以上の整数であり、pは1以上の整数であるまた、芳香族アミン化合物ポリアミン化合物は、下記式IIで表すことができる。式中、A2は芳香族性環、R2bは非反応性基、R3は、水素原子、アミノ基、メルカプト基又はヒドロキシル基を示し、k2は0又は1以上の整数、k3は1以上の整数を示し、L、n、及びpは前記に同じ。但し、k3×pは2以上の整数である。なお、芳香族アルデヒド化合物ポリアルデヒド化合物は、前記式Iにおいて、R1で表されるカルボニル基含有基がホルミル基を示す化合物であってもよい。芳香族複素環式化合物は、下記式IIIaIIIbで表すことができる。式中、環Het、Het1~Het2は、それぞれ、芳香族複素環を示し、X、X1~X2は、それぞれ、ヘテロ原子を示し、R2c、R2d~R2eは非反応性基を示し、r、r1~r2は0~3の整数を示し、p1は1以上の整数を示し、L、n及びpは前記に同じ本発明は有機半導体相を含む相分離構造体も包含する。この相分離構造体は、互いに相分離した第1の相と第2の相とを含み、第1の相及び第2の相のうち少なくとも一方の相が有機半導体相を含む複数の相で構成されている。このような相分離構造体は、1又は複数の成分を含む第1の成分系で形成された第1の相と、この第1の相に対して相分離し、かつ1又は複数の成分を含む第2の成分系で形成された第2の相とを含んでおり、第1の相及び第2の相のうち少なくとも一方の相がπ共役系の3次元架橋構造を有する有機半導体相を形成している。このような相分離構造体において、第1の相及び第2の相のうち一方の相は、絶縁体、半導体又は導電体を形成していてもよい。また、第1の相及び第2の相のうち一方の相は、低分子化合物、線状高分子及び3次元架橋構造の高分子から選択された少なくとも1つの物質で形成してもよい。さらに、第1の相と第2の相のうち、一方の相がn型半導体三次元架橋構造を有するn型半導体などを形成し、他方の相がp型半導体三次元架橋構造を有するp型半導体などを形成してもよい。さらには、第1の相と第2の相のうち、一方の相を薄膜状に形成し、この薄膜状の一方の相の上に、他方の相を薄膜状又は所定のパターンの形態で形成してもよい。本発明は、前記相分離構造体を備えた電子デバイス、前記組成物を含む膜を加熱処理し、第1の相と第2の相との相分離構造を形成し、相分離構造体を製造する方法も包含する。この方法において、前記第1及び第2の成分系の組成物光酸発生剤などの感光剤を含む組成物を含む膜を、a光照射した後、加熱処理し、第1の相と第2の相との相分離構造を形成してもよく、b前記組成物を含む膜を加熱処理した後、光照射して加熱し、第1の相と第2の相との相分離構造二層状に第1の相と第2の相とが積層された形態の相分離構造、層状の一方の相上に所定のパターンで他方の相が形成された相分離構造などを形成してもよく、c加熱しつつ光照射し、第1の相と第2の相との相分離構造を形成してもよい。また、パターン露光し、ネガ型又はポジ型のパターンを有する相分離構造体を形成してもよい。さらには、光照射した後、ポストエクスボージャーベークし、現像することによりパターンを形成してもよい。なお、本明細書において、ポリカルボニル化合物、ポリアミン化合物、ポリアルデヒド化合物を、単にカルボニル化合物、アミン化合物、アルデヒド化合物という場合がある。本発明では、π電子系の三次元架橋構造を有するとともに相分離構造を有するため、熱安定性耐熱性、耐溶剤性及び耐久性に優れた有機半導体を形成できる。また、相分離構造の界面でもπ電子共役系を形成できるため、相分離構造を有していても、熱安定性が高く、界面抵抗の小さな有機半導体を形成できる。さらに、ミクロ相分離構造の有機半導体バルクへテロジャンクション相など、積層構造の有機半導体も形成できる。しかも、2層分離構造からミクロ相分離に至るまで相分離構造を制御できる。そのため、光電変換素子からダイオード素子に至るまで、種々の半導体デバイスを形成できる。さらには、2層に相分離した構造を有していても、界面を大気に暴露することなく、上相に有機半導体膜を所定のパターンで形成でき、界面の汚染を防止できると共に、半導体素子又は電子デバイスMOSトランジスタなどを製造するのに有用である。[相分離構造体及びその構造体を形成するための組成物]本発明の組成物は、互いに相分離した複数の相を形成するために利用され、複数の相のうち少なくとも1つの相が有機半導体相を形成している。すなわち、本発明の相分離構造体は、互いに相分離した第1の相と第2の相とを含む複数の相で構成され、第1の相及び第2の相のうち少なくとも一方の相が有機半導体相を含んでいる。前記第1の相は、単一の成分又は複数の成分を含む第1の成分系で形成でき、第2の相は、前記第1の相に対して相分離可能であり、かつ1又は複数の成分を含む第2の成分系で形成できる。特に、第1の相と第2の相とは、少なくとも一方の成分系の反応に伴って相分離可能である。例えば、第1の成分系及び第2の成分系のうち少なくとも一方の成分系例えば、第2の成分系は、反応によりポリマー化して、第1の相と第2の相との相分離構造を形成する。また、第1の成分系及び第2の成分系のうち少なくとも一方の成分系は、π共役系の3次元架橋構造を有する有機半導体相を形成するため、反応成分、特に複数の反応成分を含んでいる。第1の相及び第2の相のうち一方の相例えば、第1の相は、有機相有機成分又は無機相無機成分であってもよく、低分子化合物、線状高分子及び3次元架橋構造の高分子から選択された少なくとも1つの物質で形成してもよい。また、一方の相例えば、第1の相は、電気絶縁体、半導体又は導電体を形成していてもよい。例えば、電気絶縁体を形成する低分子化合物としては、例えば、粉粒状電気絶縁性無機化合物[金属酸化物アルミナ、酸化チタン、ジルコニアなど、金属水酸化物など]、電気絶縁性有機化合物高級脂肪酸又はその塩、高級脂肪酸エステルなどなどが例示できる。半導体を成形する低分子化合物としては、例えば、フラーレン修飾されたフラーレン、未修飾のフラーレンを含む、縮合多環式芳香族化合物ベンゼン環がオルソ縮合した3~10員縮合多環式炭化水素ナフタセン、ピセン、ペンタセン、ヘキサセンなど、ベンゼン環がオルソ縮合又はペリ縮合した3~10員縮合多環式炭化水素ピレン、ペリレン、コロネンなど、置換基例えば、直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルキル基、ヒドロキシル基、C1-6アルコキシ基、カルボキシル基、C1-6アルコキシ-カルボニル基、C1-6アルキル-カルボニル基、アミノ基、スルフィニル基、スルファミド基、N-置換スルファミド基N-C1-6アルキル-カルボニルスルファミド基など、トリC1-6アルキルシリル基、トリC1-6アルキルシリルエチニル基などなどで修飾されたこれらの縮合多環式炭化水素などなどが例示でき、導電体を形成する低分子化合物としては、例えば、カーボンナノチューブ、カーボンブラック、グラフェン、金属ナノ粒子などが例示できる。修飾されたフラーレンとしては、例えば、直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルキル基、C4-10シクロアルキル基、フェニル基などのC6-12アリール基、カルボキシ-直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルキル基、C1-6アルコキシ-カルボニル-直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルキル基などで修飾されたフラーレンなどが例示できる。このようなフラーレン単位を有する化合物は、例えば、[6.6]-フェニル-C61-酪酸メチルPCBMなどとして市販されている。修飾された縮合多環式炭化水素としては、例えば、修飾されたペンタセン例えば、13,6-N-スルフィニルアセトアミドペンタセン、ペンタセン-N-スルフィニル-t-ブチルカルバミン酸、6,13-ビストリイソプロピルシリルエチニルペンタセンなど、これらの修飾されたペンタセンに対応する3~10員縮合多環式炭化水素などが例示できる。また、電気絶縁体を形成する高分子としては、非共役系脂肪鎖を有する高分子、例えば、ポリエステル、ポリアミド、ポリアゾメチンなどが例示できる。半導体を形成する高分子としては、共役系高分子又はπ電子系高分子、例えば、ポリアゾメチン、ポリフェニレン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェンなどが例示できる。さらに、導電体を形成できる高分子としては、ドーパントがドープされた上記共役系高分子などが例示できる。これらの高分子は、本発明の組成物中に含有される単一又は複数の成分の反応により形成するのが好ましい。例えば、線状高分子は、複数の反応成分が、2つの反応部位を有する複数の2官能性成分である反応系で形成でき、3次元架橋構造を有する高分子は、複数の反応成分のうち少なくとも1つの成分が、3以上の反応部位を有する多官能性成分である反応系により形成できる。特に、高分子電気絶縁性又は半導電性高分子は、下記成分系1及び/又は成分系2の反応により形成するのが有利である。1ポリカルボニル化合物又はポリアルデヒド化合物とポリアミン化合物とを含む第1の成分系2ポリアルデヒド化合物と複素環式化合物芳香族複素環式化合物などとを含む成分系。なお、成分系2は、成分系1に比べて、塗布液の安定性が高く、低温で有機半導体を形成できる。より詳細には、高分子電気絶縁体有機絶縁体は、1反応部位として複数のカルボニル基又はホルミル基を有するポリカルボニル化合物又はポリアルデヒド化合物及び反応部位として複数のアミノ基を有するポリアミン化合物とを含み、少なくとも一方の成分が、脂肪族又は非芳香族成分である成分系、2反応部位として複数のホルミル基を有するポリアルデヒド化合物と反応部位として複素環のヘテロ原子に隣接して複数の遊離のα-炭素位を有する複素環式化合物芳香族複素環式化合物などとを含み、少なくとも一方の成分が、脂肪族又は非芳香族成分である成分系により形成できる。成分系1の非芳香族カルボニル化合物としては、1分子中に複数のホルミル基を有する化合物、例えば、グリオキザール、アルカン-ジアルデヒドマロンアルデヒド、スクシンアルデヒド、グルタルアルデヒド、アジパアルデヒドなどのC1-10アルカン-ジアルデヒド、シクロアルカンジアルデヒドシクロヘキサンジアルデヒドなどなどが例示できる。成分系1の非芳香族アミン化合物としては、1分子中に複数のアミノ基を有する化合物、例えば、ジアミン類エチレンジアミン、プロピレンジアミン、テトラメチレンジアミンなどのC2-6アルキレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミンなどのポリアルキレンポリアミン、ポリアミン類アルカントリアミンペンタントリアミンなどなどのトリアミン類など、シクロアルカンポリアミンシクロヘキサンジアミンなど、アラルキルアミン類ベンジルアミンなどなどが例示できる。なお、脂肪族カルボニル化合物は、脂肪族アミン化合物と組み合わせてもよく、後述の芳香族アミン化合物と組み合わせて使用してもよい。また、脂肪族アミン化合物は、後述の芳香族カルボニル化合物と組み合わせて使用してもよい。成分系2のアルデヒド類のうち非芳香族アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、アルカナール類アセトアルデヒド、ブチルアルデヒドなどのC1-6アルキル-アルデヒドなど、アルケナール類クロトンアルデヒド、シクロアルキルアルデヒド類シクロヘキサンアルデヒドなどなどの1つのホルミル基を有する化合物;グリオキザール、アルカン-ジアルデヒドマロンアルデヒド、スクシンアルデヒド、グルタルアルデヒド、アジパアルデヒドなどのC1-10アルカン-ジアルデヒド、シクロアルカンジアルデヒドシクロヘキサンジアルデヒドなどなどの複数のホルミル基を有する化合物が例示できる。なお、複素環式化合物が非芳香族複素環化合物である場合、アルデヒド化合物としては、後述の芳香族アルデヒド化合物芳香族ポリアルデヒド化合物を用いてもよい。成分系2の複素環式化合物としては、芳香環のヘテロ原子として、硫黄原子、窒素原子及び酸素原子から選択された少なくとも1つのヘテロ原子を有する5員芳香族複素環化合物チオフェン、ピロール、フランなど、置換基を有するこれらの5員芳香族複素環化合物[3-カルボキシチオフェン、アルキルチオフェン3-オクチルチオフェン、3-2-エチルヘキシルチオフェンなどの直鎖状又は分岐鎖状C1-12アルキルチオフェン、フランカルボン酸など]、これらの5員芳香族複素環化合物の縮合物ビチオフェン、トリチオフェン、ターチオフェン、ポリチオフェン、ポリ3-2-エチルヘキシルチオフェン、ポリピロールなど、ベンゼン環などのアレーン環と5員芳香族複素環との縮合複素環化合物などが例示できる。第1の成分系及び第2の成分系は単一の成分で構成してもよいが、通常、少なくとも一方の成分系は複数の成分を含む場合が多い。少なくとも一方の成分系が複数の成分を含むとき、複数の成分は、互いに非反応性であってもよく、互いに反応性であってもよい。より具体的には、第1の成分系及び/又は第2の成分系は、フラーレンなどの非反応性成分と、成分系1又は成分系2などの複数の反応性成分とを含んでいてもよく;チオフェン環などの反応性基で修飾されたフラーレンなどの反応性成分と、成分系2などの複数の反応性成分とを含んでいてもよく;成分系1又は成分系2などの複数の反応性成分とを含んでいてもよく、成分系1及び成分系2の双方の反応系を構成する複数の反応性成分を含んでいてもよい。[有機半導体相]好ましい態様では、第1の相及び第2の相のうち少なくとも一方の相例えば、第1の相、特に、第1の相及び第2の相の双方の相は半導体相特に、有機半導体相を形成している。有機半導体半導体高分子は、前記成分系1又は成分系2のうち、下記成分系1a及び2aから選択された少なくとも一方の成分系で形成できる。1a反応部位として複数のカルボニル基又はホルミル基を有するπ電子共役系化合物芳香族カルボニル化合物又は芳香族アルデヒド化合物及び反応部位として複数のアミノ基を有するπ電子共役系化合物芳香族アミン化合物とを含む成分系π電子共役系芳香族反応成分系2a反応部位として少なくとも1つのホルミル基を有するπ電子共役系芳香族アルデヒド化合物と反応部位として複素環のヘテロ原子に隣接して複数の遊離のα-炭素位を有するπ電子共役系芳香族複素環式化合物とを含む成分系π電子共役系芳香族反応成分系。上記成分系1aにおいて、芳香族カルボニル化合物1分子中のカルボニル基又は芳香族アルデヒド化合物1分子中のホルミル基の数をW、芳香族アミン化合物1分子中のアミノ基の数をXとしたとき、W≧2,X≧2である。上記成分系2aにおいて、芳香族アルデヒド化合物1分子中のホルミル基の数をY、芳香族複素環式化合物1分子中の遊離のα-炭素位の数をZとしたとき、芳香族アルデヒド化合物及び芳香族複素環式化合物が、Y≧1及び/又はZ≧2である。すなわち、芳香族アルデヒド化合物と芳香族複素環化合物との反応において、一つのホルミル基は、2つの反応部位2官能性反応性基として作用する。なお、カルボニル基又はホルミル基及びアミノ基は、それぞれ共役系例えば、エチレン結合を介して芳香環に結合していてもよく、芳香環に直接結合していてもよい。好ましい態様では、本発明の組成物は、反応部位としてのカルボニル基を有する芳香族カルボニル化合物と、芳香族アミン化合物と、反応部位としてのホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物と、芳香族複素環化合物とを含んでおり、芳香族アミン化合物は反応部位としてのアミノ基を有し、芳香族複素環化合物は複素環のヘテロ原子に隣接し、かつ反応部位としての未修飾又は未置換のα-炭素位を有している。なお、成分系1aにおいて芳香族カルボニル化合物として芳香族アルデヒド化合物を使用できる。そのため、本発明は、芳香族アルデヒド化合物と、芳香族アミン化合物と、芳香族複素環化合物とを含む態様を包含する。このような組成物において、各成分系1a及び2aの反応成分は、π電子共役系結合を生成可能な2以上例えば2~8、好ましくは2~6、さらに好ましくは2~4程度の官能基反応部位を有している。特に、第1の相及び第2の相のうち少なくとも一方の相例えば、第2の相の有機半導体相は、耐性を向上させるため、三次元架橋構造π電子系又はπ共役系三次元架橋構造を有するのが好ましい。特に、第1の相及び第2の相の双方が、π電子系又はπ共役系三次元架橋構造を有する有機半導体相を形成するのが好ましい。このような有機半導体高分子半導体は、下記成分系1b及び2bから選択された少なくとも一方の成分系で形成でき、双方の相がπ電子系又はπ共役系三次元架橋構造を有する相分離構造体は、下記成分系1b及び成分系2bを組み合わせた成分系で形成できる。1b前記成分系1aにおいて、芳香族カルボニル化合物又は芳香族アルデヒド化合物及び芳香族アミン化合物のうち少なくとも一方の成分が3以上の反応部位を有する成分である反応系芳香族カルボニル化合物1分子中のカルボニル基の数をW、芳香族アミン化合物1分子中のアミノ基の数をXとしたとき、W≧2,X≧2であり、かつW及びXのうち少なくとも一方が3以上である複数の成分を含む成分系芳香族反応成分系2b前記成分系2aにおいて、芳香族アルデヒド化合物1分子中のホルミル基の数をY、芳香族複素環式化合物1分子中の遊離のα-炭素位の数をZとしたとき、芳香族アルデヒド化合物及び芳香族複素環式化合物が、Y≧2及び/又はZ≧3但し、Y=2であるとき、Z≧2であるである複数の成分を含む成分系芳香族反応成分系三次元架橋構造を形成するための架橋性組成物は、前記各成分系1b及び2bの複数の反応成分は2以上の官能基反応部位を有していると共に、各成分系1b及び2bの複数の成分うち少なくとも一つの反応成分が3以上例えば3~8、好ましくは3~6、さらに好ましくは3~4程度の官能基反応部位を有している。このような組成物は、三次元的にπ共役系又はπ電子系を形成でき、三次元的にあらゆる方向に導電性が向上した重合体を形成できる。なお、前記のように、一つのホルミル基は、芳香族複素環化合物との反応において、2つの反応部位として計算できる。そのため、線状高分子を形成するためには、成分系1a及び成分系2aの各成分として、それぞれ、2つの反応部位を有する成分が使用でき、三次元的に架橋構造を形成するためには、成分系1b及び成分系2bの各成分系において、少なくとも一方の成分が、1分子中に3以上の反応部位を有するのが好ましい。三次元的に架橋構造を形成するための成分系2bの架橋性組成物は、a1分子中に複数のホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物及び/又はb1分子中に3以上のα-炭素部位を有する芳香族複素環化合物を含み、c1分子中に複数のホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物と1分子中に複数2以上のα-炭素部位を有する芳香族複素環化合物とを含んでいてもよい。なお、芳香族アルデヒド化合物1分子中のホルミル基の数Yは、2以上好ましくは2~6、さらに好ましくは2~4であってもよく、芳香族複素環化合物1分子中のα-炭素部位の数Zは、2以上好ましくは2~8、さらに好ましくは2~6であってもよい。なお、芳香族アルデヒド化合物及び芳香族複素環化合物のうち、少なくとも一方の成分が上記式を満足すればよく、芳香族複素環化合物のα-炭素部位の数Zが2である場合、芳香族アルデヒド化合物のホルミル基の数Yが複数例えば、2~4程度であればよく、芳香族複素環化合物のα-炭素部位の数Zが3以上である場合、芳香族アルデヒド化合物のホルミル基の数Yは1以上例えば、1~4、特に2~4程度であってもよい。これらの成分は単独で又は二以上組み合わせて各相を形成してもよい。例えば、第1の相第1の成分系及び第2の相第2の成分系は、それぞれ、単一の相一次相の形態で形成してもよく、複数の二次相で構成された複合相混合相、複数のサブサイダリ相又は微細相の形態で形成してもよい。第1の相及び第2の相のうち少なくとも一方の相が複合相又は混合相を形成している場合、この複合相又は混合相のうち少なくとも1つの相は少なくとも半導体相特に、有機半導体相、中でもπ共役系又はπ電子系の3次元架橋構造を有する有機半導体相を形成しているのが好ましい。また、複合相又は混合相は、π共役系又はπ電子系の3次元架橋構造を有する有機半導体相以外の相を含有していてもよい。このような有機半導体相以外の相は、低分子化合物、線状高分子で形成された電気絶縁体相、半導体相又は導電体相であってもよく、三次元架橋構造を有する電気絶縁体相及び導電体相であってもよい。例えば、第1の相及び/又は第2の相が、混合相で形成されているとき、この混合相の少なくとも1つの相は、電気絶縁体;フラーレンで形成された半導体;前記成分系1a及び成分系2aから選択された少なくとも1つの成分系で形成された線状構造を有する有機半導体;線状構造を有する有機半導体とフラーレンとを含む複合半導体などで形成してもよい。より具体的には、前記成分系11a1bを第1の反応系、成分系22a2bを第2の反応系、これら第1及び第2の反応系を反応系と総称すると、相分離構造での第1の相と第2の相との界面スラッシュ/で示すは、例えば、低分子化合物低分子有機半導体など/反応系第1又は第2の反応系、線状高分子高分子有機半導体/反応系第1又は第2の反応系、線状高分子高分子絶縁体/反応系第1又は第2の反応系、3次元架橋構造を有する高分子高分子絶縁体/反応系第1又は第2の反応系、第1の反応系/第2の反応系、低分子化合物第1の反応系/低分子化合物第2の反応系などで表すことができる。シンプルな相構造では、一方の相がπ共役系又はπ電子系の3次元架橋構造を有していない有機又は無機半導体相例えば、フラーレンで形成された半導体相、有機絶縁体相などを形成し、他方の相がπ共役系又はπ電子系の3次元架橋構造を有する有機半導体相を形成している。なお、第1の成分系と第2の成分系は、第1の相と第2の相とを化学結合の形態で接合するため、互いに反応する成分特に、共通成分を含んでいていてもよい。例えば、第1の相と第2の相との相間抵抗を低減するとともに熱安定性を高めるためには、第1の成分系1及び第2の成分系2が、それぞれ共通成分としてポリアルデヒド化合物芳香族アルデヒド化合物を含むのが有利である。すなわち、第1の成分系のポリカルボニル化合物として芳香族アルデヒド化合物を用いると、芳香族アルデヒド化合物が、成分系1a及び成分系1bの芳香族アミン化合物と反応すると共に、成分系2a及び成分系2bの芳香族複素環化合物とも反応する。そのため、第1の相と第2の相とをビニル結合などのπ共役系結合で結合でき、熱安定性を向上できるとともに、第1の相と第2の相との相間抵抗を大きく低減できる。さらに、反応に伴って複数の相有機半導体相などが相分離した構造を形成するため、第1の相及び第2の相は、互いに反応機構が異なる反応系で形成できる。なお、ポリマー化に伴って複数の有機半導体相が相分離した構造を形成するには、前記第1の成分系として、第2の成分系とは異なる成分系、特に反応機構が異なる成分系例えば、前記成分系1a及び成分系2aの組合せ、前記成分系1b及び成分系2bの組合せを利用するのが有利である。例えば、第1の成分系は、加熱により反応する複数の成分例えば、芳香族カルボニル化合物と芳香族アミン化合物とを含む成分系1a又は1bを含んでいてもよく、第2の成分系は、触媒の存在下、加熱により反応する複数の成分例えば、芳香族アルデヒド化合物と複素環のヘテロ原子に隣接して複数の遊離のα-炭素位を有する芳香族複素環式化合物とを含む成分系2a又は2bに加えて酸触媒又は酸成分を含む系を含んでいてもよい。以下に、各成分について詳細に説明する。[芳香族カルボニル化合物又は芳香族アルデヒド化合物]前記成分系1a及び1bの芳香族カルボニル化合物又は芳香族アルデヒド化合物は、下記式Iで表すことができる。式中、A1は芳香族性環、Lはリンカー、R1はカルボニル基含有基、R2aは非反応性基を示し、nは0又は1、k1は1又は2以上の整数であり、k2は0又は1以上の整数であり、pは1以上の整数である。なお、k1×pは、通常、2以上の整数である前記式Iにおいて、A1で表される芳香族性環以下、単に芳香環という場合があるは、芳香環であってもよく、芳香環の環集合体であってもよい。芳香環としては、芳香族炭化水素環[例えば、単環式芳香族炭化水素環ベンゼン環など、縮合多環式芳香族炭化水素環インデン環、ナフタレン環などの縮合二環式炭化水素環;アセナフチレン環、フルオレン環、フェナレン環、アントラセン環、フェナントレン環などの縮合三環式炭化水素環;ピレン環、ナフタセン環などの縮合四環式炭化水素環;ペンタセン環、ピセン環などの縮合五環式炭化水素環;ヘキサフェン環、ヘキサセン環などの縮合六環式炭化水素環;コロネン環などの縮合七環式炭化水素環など]、芳香族複素環[例えば、単環式複素環チオフェン環などの硫黄原子を含む5員複素環;ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環などの窒素原子を含む5員複素環;フラン環などの酸素原子を含む5員複素環;オキサゾール環、オキサジアゾール環などの窒素原子及び酸素原子を含む5員複素環;チアゾール環、チアジアゾール環などの窒素原子及び硫黄原子を含む5員複素環など、多環式複素環キノリン環などの縮合二環式複素環;キサンテン環、カルバゾール環、アクリジン環、フェナントリジン環、フェナジン環、フェノチアジン環、フェノキサジン環などの縮合三環式複素環;ポルフィリン;フタロシアニンなど]、又はこれらの誘導体アントラキノンなどの炭化水素環式ケトン、ピラゾロンなどの複素環式ケトンなどなどが例示できる。環集合体を構成する芳香環は、前記例示の芳香環単独で構成してもよく、二種以上組み合わせて構成してもよい。芳香環の環集合体としては、例えば、直接結合により複数の芳香環が互いに連結した環集合体[例えば、ビフェニル、ビピリジンなどの二環系集合体、ターフェニルp-ターフェニルなど、ターピリジンなどの三環系集合体、1,3,5-トリフェニルベンゼンなどの四環系集合体など]、リンカー又はユニット又は連結基を介して複数の芳香環が互いに連結した環集合体{例えば、二環系集合体[例えば、酸素原子をリンカーとする環集合体フェノキシベンゼンなどのジアリールエーテルなど、硫黄原子をリンカーとする環集合体フェニルチオベンゼンなどのジアリールチオエーテルなど、ビニレン基をリンカーとする環集合体スチルベンなどの1,2-ジアリールエテンなど、アゾ基をリンカーとする環集合体アゾベンゼンなどのアゾアレーン1,2-ジアリールジアゼンなどなど]、三環系集合体[例えば、窒素原子をリンカーとする環集合体トリフェニルアミンなどのトリアリールアミンなどなど]など}が例示できる。芳香族性環A1のうち、単環又は縮合2乃至20環式芳香環例えば、縮合2乃至10環式芳香環が好ましい。特に、単環又は縮合二乃至七環式アレーン環ベンゼン環、ナフタレン環などの単環又は縮合二乃至四環式アレーン環など、縮合二乃至七環式窒素原子含有複素環カルバゾール環などの縮合二乃至四環式窒素原子含有複素環などが好ましく、中でもベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環例えば、C6-14アレーン環、特にC6-10アレーン環が好ましい。なお、pが2以上の整数である場合、各々の環A1の種類は係数pに応じて互いに同一又は異なっていてもよく、通常、同一である。Lで表されるリンカー又はユニット又は連結基としては、例えば、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、ホウ素原子、リン原子などのヘテロ原子;複数のヘテロ原子で構成されたリンカーアゾ基、ジスルフィド基など;エチレンに対応するリンカービニレン基など;アセチレンに対応するリンカーエチニレン基;芳香環に対応するリンカー又は2以上の多価基;これらの組合せで構成されたリンカー[例えば、下記式Iaで表される基など]が挙げられる。なお、芳香環に対応するリンカーにおいて、芳香環は環Aと同様の芳香環が例示できる。これらの芳香環のうち、単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環などの単環又は縮合二乃至四環式アレーン環など、酸素原子及び窒素原子を含有する複素環オキサゾール環、オキサジアゾール環などの5員複素環など、及びポルフィリン環から選択された一種が好ましい。式中、Yは酸素原子、硫黄原子、又はアゾ基を示し、Zは芳香族性環を示し、q1、q2、及びq3は、それぞれ0又は1であり、q4は1以上の整数である。但し、q1q2q3は1以上の整数、q1q2q3×q4は2以上の整数である。なお、式中、下記化学結合は、二重結合又は三重結合であることを示す。前記式Iaにおいて、環Zで表される芳香族性環としては、前記環A1と同様の芳香族性環が例示できる。環Zは、ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環例えば、C6-10アレーン環が好ましい。なお、環Zは置換基後述の非反応性基R2aなどを有していてもよい。また、q4が2以上の整数である場合、各々のZ若しくはYの種類、又はq1又はq2若しくはq3の数は、互いに同一又は異なっていてもよい。Y、Z、及びビニレン基又はエチニレン基から選択された少なくとも1種以上で構成された単位の繰り返しの数q4は、1以上であれば特に限定されず、例えば、1~10、好ましくは1~8、さらに好ましくは1~5程度であってもよい。前記単位におけるq1、q2、及びq3の合計q1q2q3は、1以上であれば特に限定されず、1~3、好ましくは1~2程度であってもよい。前記式Iaにおけるq1、q2、及びq3の合計[q1q2q3×q4]は、2以上であれば特に限定されず、例えば、2~10、好ましくは2~8、さらに好ましくは2~6例えば3~5程度であってもよい。具体的には、前記式Iaで表される基としては、アリーレン基の両末端にアゾ基が結合したアレーンジアゾ基[下記式Ia1など]、ビニレン基の両末端にアリーレン基を介してアゾ基が結合したジアリールエテンジアゾ基[下記式Ia2など]、アリールアレーン-ジイル基の両末端に酸素原子が結合したアリールアレーンジオキシ基[下記式Ia3など]、アレーン環に複数のエチニレン基が結合した基[下記式Ia4などのアレーンジエチニレン基など]などが挙げられる。これらのリンカーのうち、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、ジスルフィド基、ビニレン基、2~4価の芳香族炭化水素環又は複素環基[2価の炭化水素環基例えば、フェニレン基、9,9-フルオレン-ジイル基など、2価の複素環基例えば、2,5-オキサゾール-ジイル基などのオキサゾール-ジイル基、2,5-オキサジアゾール-ジイル基などのオキサジアゾール-ジイル基など、3価の炭化水素環基例えば、1,3,5-ベンゼン-トリイル基などのC6-24アレーン-トリイル基など、4価の複素環基5,10,15,20-ポルフィリン-テトライル基などのポルフィリン-テトライル基などなど]、アリーレン基フェニレン基などのC6-24アリーレン基の両末端にアゾ基が結合した基、ビニレン基の両末端にアリーレン基フェニレン基などのC6-24アリーレン基を介してアゾ基が結合した基、又はアリールアレーン-ジイル基ビフェニル-ジイル基などのビC6-24アリール-ジイル基などの両末端に酸素原子が結合した基が好ましい。係数pリンカーLの価数に対応する数は、リンカーLの種類に応じて適宜選択され、1以上[例えば、1~10、好ましくは1~8、さらに好ましくは1~6例えば1~4、特に1~3程度]であってもよい。なお、n=0かつp=1とは、前記式Iの化合物において、環A1が複数のカルボニル基含有基を有することを意味し、n=0かつp=2とは、直接結合により、2個の環A1が互いに連結した化合物であることを意味する。R1で表されるカルボニル基含有基としては、基-CH=CHm-CHOmは0以上の整数で、例えば0~10、好ましくは0~5、さらに好ましくは0~2で表されるホルミル基含有基例えば、ホルミル基アルデヒド基;2-ホルミルビニル基などのホルミルC2-4アルケニル基など;アシル基アセチル基などのC2-5アシル基などなどのケトン基含有基;カルボキシル基;低級アルコキシカルボニル基C1-2アルコキシ-カルボニル基;ハロカルボニル基クロロカルボニル基などなどが例示できる。なお、k1が2以上の整数である場合、カルボニル基含有基R1の種類は、互いに異なっていてもよく、通常、同一である。カルボニル基含有基R1としては、ホルミル基、2-ホルミルビニル基などのホルミル基含有基、カルボキシル基、特に、ホルミル基が好ましい。基R1の置換数k1は、少なくとも1以上であり、かつ分子中の基R1の合計k1×pが1又は2以上特に、2以上となる整数であれば、特に限定されず、例えば、2~10、好ましくは2~8、さらに好ましくは2~6例えば2~4、特に3又は4程度であってもよい。例えば、p=1の場合、k1は1以上特に、2以上であればよく、例えば、2~10、好ましくは2~8、さらに好ましくは2~6例えば2~4、特に3程度であってもよい。pが2以上の整数である場合、k1は、1以上であればよく、例えば、1~10、好ましくは1~5、さらに好ましくは1~3例えば1~2、特に1程度であってもよい。なお、pが2以上の整数である場合、各々の芳香族性環A1のk1の数は互いに異なっていてもよく、通常、同一である。基R1の置換位置は、特に限定されず、1つの芳香環A1に置換する複数の基R1は、通常、互いに非オルト位で置換している。基R2aで表される非反応性基とは、カルボニル基含有基とアミノ基及び複素環化合物のヘテロ原子に隣接する未置換のα-炭素位との反応に対して非反応性又は不活性の基を意味する。非反応性基としては、ハロゲン原子、炭化水素基、ハロゲン化炭化水素基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルキルチオ基、ハロアルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、N,N-二置換アミノ基、スルホ基又はスルホニル基、スルホナート基スルホン酸ナトリウム基など、スルフィニル基、ニトロ基などが挙げられる。なお、芳香族アルデヒド化合物と芳香族複素環化合物との反応においては、アミノ基に対して反応性のカルボキシル基は非反応性基R2aに分類できる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子が例示できる。前記炭化水素基としては、アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基などの直鎖状又は分岐鎖状C1-12アルキル基、好ましくは直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルキル基など、アルケニル基ビニル基などのC2-6アルケニル基など、シクロアルキル基シクロへキシル基などのC5-8シクロアルキル基など、アリール基[例えば、フェニル基、アルキルフェニル基モノ又はジメチルフェニル基トリル基、2-メチルフェニル基、キシリル基などなどのC1-4アルキルフェニル基、ナフチル基などのC6-10アリール基など]、アラルキル基ベンジル基などのC6-10アリール-C1-4アルキル基などなどが例示できる。前記ハロゲン化炭化水素基としては、前記炭化水素基の水素原子がハロゲン原子フッ素、塩素、臭素などに置換された基例えば、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、テトラフルオロエチル基などのハロC1-6アルキル基フッ素化メチル基などなどが例示できる。前記アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、n-ブトキシ基、t-ブトキシ基などの直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルコキシ基好ましくはC1-6アルコキシ基などが例示でき、ハロアルコキシ基としては、クロロメトキシ基、トリクロロメトキシ基、トルフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基などの直鎖状又は分岐鎖状ハロC1-10アルコキシ基好ましくはハロC1-6アルコキシ基などが例示できる。前記シクロアルコキシ基としては、シクロへキシルオキシ基などのC5-8シクロアルキルオキシ基などが例示でき、前記アリールオキシ基としては、フェノキシ基などのC6-10アリールオキシ基などが例示でき、前記アラルキルオキシ基としては、ベンジルオキシ基などのC6-10アリール-C1-4アルキルオキシ基などが例示できる。前記アルキルチオ基、ハロアルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基としては、それぞれ上記アルコキシ基、ハロアルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基に対応する基などが例示できる。アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基などの直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルコキシ-カルボニル基などが例示でき、アルキルカルボニル基としては、例えば、アセチル基、ブロピオニル基、ブチリル基などの直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルキル-カルボニル基などが例示でき、アルキルカルボニルオキシ基としては、例えば、アセチルオキシ基、ブロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基などの直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルキル-カルボニルオキシ基などが例示できる。前記N,N-二置換アミノ基としては、N,N-ジアルキルアミノ基N,N-ジメチルアミノ基などのN,N-ジC1-6アルキルアミノ基、N,N-ジアシルアミノ基などが挙げられる。なお、基R2aの置換位置は特に限定されない。分子中に含まれるR2aの総数k2×pが2以上の整数である場合、各々の基R2の種類は互いに異なっていてもよく、通常、同一である。係数k2は、0以上であれば特に限定されず、例えば、0~5、好ましくは0~3、さらに好ましくは0~2例えば0又は1、特に0程度であってもよい。なお、pが2以上の整数である場合、各々のk2は互いに異なっていてもよく、通常、同一である。k2×pは、例えば、0~10、好ましくは0~6、さらに好ましくは0~4特に0~2程度であってもよい。これらの化合物は、単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。前記式Iで表される化合物のうち、例えば、下記化合物a1~a4が好ましい。a1環A1が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環などのC6-24アレーン環など、又は単環又は縮合二乃至七環式芳香族複素環カルバゾール環などの窒素原子含有複素環などであり、R1がホルミル基であり、nが0であり、k1が1以上[特に、2~4例えば、2又は3]であり、pが1である化合物。このような化合物は、1つのホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物、例えば、モノホルミルアレーンベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド、アニスアルデヒド、ハロベンズアルデヒド、ニトロベンズアルデヒド、スルホベンズアルデビなどのベンズアルデヒド類、シンナムアルデヒドなどの置換基を有していてもよいホルミルC6-14アレーン、特にホルミルC6-10アレーンなど、モノホルミルヘテロアレーンニコチンアルデヒドなどの窒素原子、酸素原子、硫黄原子から選択された少なくとも1つのヘテロ原子を有し、かつホルミル基を有する5員又は6員ヘテロアレーンなどなどであってもよい。好ましい化合物は、1分子中に複数のホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物である。このような複数のホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物としては、ジ乃至テトラホルミルアレーン類及びジ乃至テトラホルミルヘテロアレーン類などが例示でき、ジ乃至テトラホルミルアレーン類としては、例えば、ジホルミルベンゼンフタルアルデヒド、イソフタルアルデヒド、テレフタルアルデヒド、ジホルミルナフタレン、ジホルミルアントラセンなどのジホルミルアレーン例えば、ジホルミルC6-20アレーンなど、1,3,5-トリホルミルベンゼンなどのトリホルミルアレーン例えば、トリホルミルC6-20アレーンなど、テトラホルミルピレンなどのテトラホルミルアレーン例えば、テトラホルミルC6-20アレーンなどなどが例示できる。ジ乃至テトラホルミルヘテロアレーン類としては、例えば、2,6-ジホルミルピリジン、2,4-ジホルミルピリジン、9-2-エチルヘキシルカルバゾール-3,6-ジカルバルデヒドなどの置換基C1-12アルキル基などのアルキル基などを有していてもよい複素環式ジアルデヒド5又は6員複素環式ジアルデヒド、又は5又は6員複素環とベンゼン環との縮合複素環式ジアルデヒドなど、2,4,6-トリホルミルピリジンなどの複素環式トリアルデヒドなどが例示できる。a2環A1が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環など、又は単環又は縮合二乃至七環式芳香族複素環であり、R1がホルミル基であり、nが0であり、k1が1又は2であり、pが2以上の整数例えば、2~10である化合物環集合化合物。この環集合化合物では、nが0であり、pが3以上であるとき、両末端の環A1を除き、中間の環A1ではk1が0R1が置換していないである場合が多い。このような化合物としては、2~10好ましくは2~5、さらに好ましくは2~4、特に2又は3程度の複数のアレーン環が結合した環集合化合物、例えば、2,2’-ジホルミルビフェニル、4,4’-ジホルミルビフェニルなどのジホルミルビアリールジホルミルビC6-12アリールなど、4,4-ジホルミルターフェニルなどのジホルミルターアリールジホルミルターC6-12アリールなどの複数のC6-12アレーン環が直接結合し、両末端のアレーン環にホルミル基を有するアレーン集合体;2,2’-ビチオフェン-5,5’-ジカルバルデヒドなどのジホルミルビチオフェン、2,2’:5’,2-ターチオフェン-5,5-ジカルバルデヒドなどのジホルミルターチオフェンなどの複数の5員又は6員ヘテロアレーン環が直接結合し、両末端のヘテロアレーン環にホルミル基を有するヘテロアレーン集合体が例示できる。a3環A1が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環など、又は単環又は縮合二乃至七環式芳香族複素環であり、リンカーLが窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基、2~4価の芳香族炭化水素環又は複素環基[例えば、アリーレン基フェニレン基などのC6-24アリーレン基など、アレーン-トリイル基ベンゼン-トリイル基などのC6-24アレーン-トリイル基など、ポルフィリン-テトライル基などのアレーン環例えば、ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環及びポルフィリン環から選択された一種の芳香環に対応する2~4価基]であり、R1がホルミル基であり、nが1であり、k1が1又は2であり、pが2~4である化合物。このような化合物としては、例えば、ビス2-ホルミルフェニルエーテルなどのビスホルミルアリールエーテルビスホルミルC6-12アリールエーテルなど;4,4’-ジホルミルスチルベンなどの1,2-ジホルミルアリールエテン1,2-ビスホルミルC6-12アリールエテンなど;トリス4-ホルミルフェニルアミンなどのトリホルミルアリールアミントリスホルミルC6-12アリールアミンなど;1,3,5-トリス4-ホルミルフェニルベンゼンなどのトリホルミルアリールアレーントリスホルミルC6-12アリールC6-12アレーンなど、5,10,15,20-テトラキス4-ホルミルフェニルポルフィリンなどのテトラホルミルアリールポルフィリンテトラキスホルミルC6-12アリールポルフィリンなどなどが例示できる。a4環A1がポルフィリン又はフタロシアニン環であり、R1がホルミル基であり、nが0であり、k1が2~4であり、pが1である化合物[例えば、2,9,16,23-テトラホルミルフタロシアニン、3,10,17,24-テトラホルミルフタロシアニンなど]。これらの芳香族アルデヒド化合物は単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。芳香族アルデヒド化合物としては、1分子中に複数例えば、2~4個、特に3~4個の反応部位ホルミル基などを有するのが好ましい。上記化合物a1~a4において、複数のホルミル基を有する化合物としては、例えば、表1~3に示す化合物が好ましい。[芳香族アミン化合物]前記成分系1a及び1bの芳香族アミン化合物は、下記式IIで表すことができる。式中、A2は芳香族性環、R2bは非反応性基、R3は、水素原子、アミノ基、メルカプト基又はヒドロキシル基を示し、k2は0又は1以上の整数、k3は1以上の整数を示し、L、n、及びpは前記に同じ。但し、k3×pは2以上の整数である。前記式IIにおいて、芳香族性環A2は、前記環A1と同様の芳香族性環が例示できる。これらの芳香族性環のうち、単環又は縮合2乃至20環式芳香環例えば、縮合2乃至10環式芳香環が好ましい。特に、単環又は縮合二乃至七環式炭化水素環ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、ピレン環、アントラキノン環などの単環又は縮合二乃至四環式炭化水素環、縮合二乃至七環式窒素含有複素環カルバゾール環、フェナントリジン環などの縮合二乃至四環式窒素含有複素環が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環例えば、C6-14アレーン環、特にC6-10アレーン環が特に好ましい。リンカーLも前記式Iと同様のリンカーが例示できる。非反応性基R2bとしては、前記非反応性基R2aと同様の非反応性基に加えて、カルボニル基なども含まれる。互いにオルト位で接するアミノ基-NH2とR3との一対の基の置換数k3は、1以上であり、かつ分子中に含まれるアミノ基-NH2の総数k3×pが2以上となる整数であれば、特に限定されない。k3×pは、2以上の整数例えば、2~8、好ましくは2~6、さらに好ましくは2~4、特に2である場合が多い。例えば、R3が、水素原子、アミノ基、メルカプト基又はヒドロキシル基であり、p=1であるとき、k3は2以上であればよく、例えば、2~10、好ましくは2~8、さらに好ましくは2~6例えば2~4、特に2程度であってもよい。pが2以上の整数である場合、k3は1以上であればよく、例えば、1~10、好ましくは1~5、さらに好ましくは1~3例えば1~2、特に1程度であってもよい。なお、pが2以上の整数である場合、各々のk3は互いに異なっていてもよく、通常、同一である。基R3は、k3×pが2以上の整数である場合、互いに異なっていてもよく、通常、同一である。アミノ基-NH2と基R3は、オルト位の位置関係で環A2に置換している。アミノ基-NH2の置換位置は特に限定されず、1つの芳香環A2に置換する複数のアミノ基-NH2は、互いに非オルト位で置換しているのが好ましい。これらの化合物は、単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。前記式IIで表される化合物のうち、例えば、下記化合物b1~b4が好ましい。なお、非反応性基R2bは、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルキルチオ基、ハロアルキルチオ基、カルボニル基、スルホニル基、スルフィニル基などであってもよく、k2は0又は1であってもよい。b1環A2が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、ピレン環、アントラキノン環、コロネン環など、又は縮合二乃至七環式芳香族複素環カルバゾール環、フェナントリジン環などの窒素原子含有複素環などであり、nが0であり、k3が2~4例えば、2又は3であり、pが1である化合物。このような化合物としては、例えば、m-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、ジアミノナフタレン、ジアミノフルオレン、ジアミノピレン、2,5-ジアミノ-1,4-ベンゼンジチオール、ジアミノカルバゾール、ジアミノアントラキノン、ジアミノ-6-フェニルフェナントリジンなどの置換基を有していてもよいジ乃至トリアミノアレーンジ乃至トリアミノC6-20アレーンなどなどが例示でき、上記置換基としては、C1-10アルキル基、C6-10アリール基、C1-10アルコキシ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、カルボニル基などが例示できる。b2環A2が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環などであり、nが0であり、k3が1又は2であり、pが2である化合物。このような化合物としては、例えば、2,2’-ビストリフルオロメチルベンジジン、3,3’-ジアミノベンジジン、3,5’-ジヒドロキシベンジジン、3,5’-ジメルカプトベンジジンなどの置換基を有していてもよいベンジジン類;3,3’-ジメチルナフチジンなどの置換基を有していてもよいナフチジン類などが例示でき、上記置換基としては、C1-10アルキル基、ハロC1-10アルキル基、C1-10アルコキシ基、ハロC1-10アルコキシ基、C1-10アルキルチオ基、ハロC1-10アルキルチオ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基などが例示できる。b3環A2が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環であり、リンカーLが窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ジスルフィド基、ビニレン基、2~4価の芳香族炭化水素環又は複素環基[例えば、アリーレン基フェニレン基、9,9-フルオレン-ジイル基など、アレーン-トリイル基ベンゼン-トリイル基など、オキサゾール-ジイル基、オキサジアゾール-ジイル基、ポルフィリン-テトライル基などのアレーン環例えば、ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環、酸素原子及び窒素原子を含有する複素環例えば、5員複素環などの単環式複素環、及びポルフィリン環から選択された一種の芳香環に対応する2~4価基]、アリーレン基の両末端にアゾ基が結合した基、ビニレン基の両末端にアリーレン基を介してアゾ基が結合した基、又はアリールアレーン-ジイル基の両末端に酸素原子が結合した基であり、nが1であり、k3が1又は2であり、pが2~4である化合物。このような化合物としては、例えば、トリス4-アミノフェニルアミンなどのトリアミノアリールアミン[トリアミノC6-10アリールアミンなど];ビス2-アミノフェニルスルフィドなどのビスアミノアリールスルフィド[ビスアミノC6-10アリールスルフィドなど];ジ2-アミノフェニルジスルフィドなどのジアミノアリールジスルフィド[ジアミノC6-10アリールジスルフィドなど];4,4’-ジアミノスチルベンなどの1,2-ジアミノアリールエテン[ジアミノC6-10アリールエテンなど];4,4’-ジアミノビフェニルなどのジアミノビアリール[ジアミノビC6-10アリールなど];4,4-ジアミノ-p-ターフェニルなどのジアミノターアリール[ジアミノターC6-10アリールなど];9,9-ビス4-アミノフェニルフルオレンなどの9,9-ビスアミノアリールフルオレン[9,9-ビスアミノC6-10アリールフルオレンなど];2,5-ビス4-アミノフェニル-1,3,4-オキサジアゾールなどのジアミノアリールオキサジアゾール[ジアミノC6-10アリールオキサジアゾールなど];1,3-ビス3,5-ジアミノ-フェニルアゾベンゼンなどのビスモノ乃至ジアミノアリールアゾアレーン[ビスモノ乃至ジアミノC6-10アリールアゾC6-10アレーンなど];4,4’-ビス4-アミノ-1-ナフチルアゾ-スチルベン、4,4’-ビス4-アミノ-1-ナフチルアゾスチルベン-2,2’-ジスルホン酸などの置換基C1-10アルキル基、ヒドロキシル基、C1-10アルコキシ基、メルカプト基、C1-10アルキルチオ基、スルホニル基、スルフィニル基などを有していてもよいビスアミノアリールアゾスチルベン[ビスアミノC6-10アリールアゾスチルベンなど];4,4’-ビス4-アミノフェノキシビフェニルなどのビスアミノアリールオキシビアリール[ビスアミノC6-10アリールオキシビC6-10アリールなど];5,10,15,20-テトラキス4-アミノフェニルポルフィリンなどのテトラアミノアリールポルフィリン[テトラアミノC6-10アリールポルフィリンなど]などが例示できる。b4環A2がポルフィリン又はフタロシアニン環であり、nが0であり、k3が2~4であり、pが1である化合物。このような化合物としては、例えば、2,9,16,23-テトラアミノフタロシアニン、3,10,17,24-テトラアミノフタロシアニンなどが例示できる。これらの芳香族アミン化合物は単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。芳香族アミン化合物は、1分子中に複数例えば、2~4個、好ましくは2~3個の反応部位アミノ基を有するのが好ましい。このような芳香族アミン化合物は、通常、1分子中に複数例えば、2~4個、特に3~4個の反応部位ホルミル基などを有する芳香族カルボニル化合物特に、芳香族アルデヒド化合物と組み合わせて使用される。特に、前記式IIで表される化合物のうち、取扱性の点から、毒性の少ない又は毒性のない化合物例えば、表4~11に示す化合物などが好ましい。なお、これらの化合物のうち、基R3が水素原子である化合物は、芳香族カルボニル化合物との反応において、アミノ基-NH2がカルボニル基含有基と反応して、炭素-窒素二重結合-C=N-、アミド結合-NHCO-を生成する。一方、基R3がアミノ基、ヒドロキシル基、又はメルカプト基である化合物環生成型アミン化合物は、芳香族カルボニル化合物特に、芳香族アルデヒド化合物との反応において、隣接するアミノ基-NH2及び基R3とカルボニル基含有基とが反応に関与して、環を形成する場合が多い。例えば、基R3が、iアミノ基であるとイミダゾール環を形成し、iiヒドロキシル基であるとオキサゾール環を形成し、iiiメルカプト基であるとチアゾール環を形成する。芳香族カルボニル化合物と芳香族アミン化合物との割合は、カルボニル基とアミノ基[詳細には、カルボニル基との反応性基例えば、前記式IIにおいて、基R3がアミノ基、ヒドロキシル基、又はメルカプト基である場合、アミノ基-NH2及び基R3を一つの反応性基とみなす]との当量比換算反応部位の当量比換算で、例えば、前者/後者=70/30~30/70、好ましくは60/40~40/60、さらに好ましくは55/45~45/55程度であってもよい。[芳香族アルデヒド化合物]芳香族アルデヒド化合物としては、前記のように、前記式Iにおいて、R1で表されるカルボニル基含有基がホルミル基である化合物が例示できる。なお、成分系2a2bでは、1つのホルミル基が2官能性反応基として機能するため、1分子中に1つのホルミル基を有する芳香族化合物も使用できる。好ましい化合物は、1分子中に複数のホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物である。このような芳香族アルデヒド化合物は、前記の通りである。[芳香族複素環式化合物]芳香族複素環化合物は、芳香族アルデヒド化合物との複数の反応部位複素環のヘテロ原子に隣接するα-炭素部位を有していればよく、芳香族複素環化合物は、単環式化合物、縮合環式化合物、環集合化合物のいずれであってもよい。複素環化合物の複素環は、5~8員環、好ましくは5~7員環、さらに好ましくは5又は6員環である。複素環は、通常、芳香族5員環を含む場合が多い。さらに、複素環は、通常、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、セレン原子、テルル原子から選択された少なくとも1つのヘテロ原子を有している。複素環のヘテロ原子が窒素原子であるとき、窒素原子はイミノ基を形成してもよい。これらの複素環化合物は単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。前記成分系2a2bの芳香族複素環式化合物としては、下記式IIIa又はIIIbで表される化合物が使用できる。式中、環Het、Het1~Het2は、それぞれ、芳香族複素環を示し、X、X1~X2は、それぞれ、ヘテロ原子を示し、R2c、R2d~R2eは、それぞれ、非反応性基を示し、r、r1~r2は0~3の整数を示し、p1は1以上の整数を示し、L、n及びpは前記に同じ複素環のヘテロ原子X、X1~X2としては、例えば、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、セレン原子、テルル原子などが例示でき、ヘテロ原子Xが窒素原子であるとき、Xはイミノ基NH基を形成してもよく、複素環化合物の複素環は、単一のヘテロ原子を含んでいてもよく、同一又は異なる種類の複数のヘテロ原子を含んでいてもよい。複素環のヘテロ原子は、通常、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、特に硫黄原子である場合が多い。芳香族複素環Het、Het1~Het2は、1分子中に前記複数のα-炭素部位を有する化合物であればよく、代表的な単環式複素環としては、例えば、1又は2のヘテロ原子を有する5員複素環、1~3例えば、1又は2のヘテロ原子を有する6員複素環などが例示できる。また、代表的な縮合環式複素環としては、例えば、同種又は異種の複素環が縮合した縮合複素環、ベンゼン環と複素環とが縮合した縮合複素環などが例示できる。複素環化合物は、通常、複素環のヘテロ原子として、硫黄原子、酸素原子、窒素原子から選択された少なくとも1つのヘテロ原子を有する5員芳香族複素環を含んでいる。非反応性基R2c、R2d~R2eとしては、前記非反応性基R2aと同様の非反応性基に加えて、ヒドロキシアルキル基例えば、ヒドロキシメチル基、2-ヒドロキシエチル基、2-ヒドロキシプロピル基、3-ヒドロキシプロピル基、4-ヒドロキシブチル基などのヒドロキシC1-10アルキル基など、シアノアルキル基例えば、シアノメチル基、2-シアノエチル基、3-シアノプロピル基などのシアノC1-10アルキル基など、カルボキシアルキル基例えば、カルボキシメチル基、2-カルボキシエチル基などのカルボキシ-C1-6アルキル基、ジカルボキシメチル基、2,2-ジカルボキシエチル基などのジカルボキシC1-6アルキル基など、アルコキシカルボニルアルキル基例えば、直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルコキシ-カルボニル-C1-6アルキル基など、複素環基ピリジル基、オキソラン-イル基などの窒素原子、硫黄原子、酸素原子から選択されたヘテロ原子を有する5又は6員複素環基など、連結基を介して複素環化合物に結合した、置換基を有していてもよいフラーレン又はフラーレン単位などが例示できる。非反応性基は、ハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、s-ブチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基などの直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルキル基、シクロヘキシル基などのC5-10シクロアルキル基、フェニル基などのC6-10アリール基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などの直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルコキシ基、直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルコキシ-カルボニル基、ヒドロキシC1-4アルキル基、シアノC1-4アルキル基、カルボキシC1-4アルキル基、連結基を介して結合したフラーレン単位などである場合が多い。r、r1~r2は、0~3の整数を示し、通常、0~2例えば、0又は1である。リンカーLとしては、前記と同様のリンカー、例えば、エチレンに対応するリンカービニレン基など、アリーレン基例えば、フェニレン基などなどが例示できる。リンカーLは、ビニレン基である場合が多い。リンカーLの係数nは0又は1である。前記式IIIaにおいて、リンカーLはフラーレン又はフラーレン単位であってもよく、リンカーL及び/又は芳香族複素環Hetには、フラーレン又はフラーレン単位が置換していてもよい。係数p及びp1は1以上の整数を示し、係数pは、前記非反応性置換基R2cの有無や種類などに応じて、例えば、1~4好ましくは1~3、さらに好ましくは1又は2であってもよい。係数p1は、前記非反応性置換基R2d~R2eの有無や種類などに応じて、例えば、1~1000、好ましくは1~500例えば、2~250、さらに好ましくは1~200例えば、2~150程度であってもよい。より具体的には、低沸点の複素環化合物例えば、式IIIaで表される単環式複素環化合物、特に単環式5員複素環化合物は成膜性が低下し、室温例えば、20~25°Cで液体の複素環化合物は、成膜後の熱処理により形成された架橋塗膜の性能が低下しやすい。そのため、フランなどの低沸点の化合物又は単環式複素環化合物は、前記非反応性置換基R2cを導入して沸点を高めるのが好ましく、複素環化合物は、室温で固体であり、かつ溶媒に対して溶解性の高い複素環化合物であるのが好ましい。このような観点から、複素環化合物例えば、式IIIaにおいて、rが0及びnが0である単環式複素環化合物の沸点は、50°C以上例えば、75~350°C、好ましくは100~300°C、さらに好ましくは120~250°Cであるのが好ましい。また、式IIIaにおいて、rが0である化合物又はrが1~3、例えば、1であっても非反応性置換基R2Cが置換していても溶媒に対する溶解性の劣る化合物例えば、炭素数の少ない非反応性置換基R2C、例えば、ハロゲン原子、アリール基などが置換した化合物では、係数pは、例えば、1~10、好ましくは1~6、さらに好ましくは2~4程度であってもよい。また、rが1~3であるとき、非反応性置換基R2Cは、溶媒に対する溶解性を改善するための置換基例えば、アルキル基ヘキシル基などの直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルキル基など、アルコキシ基直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルコキシ基などを有していてもよい。また、式IIIbにおいて、r1及びr2が0である化合物又はr1及びr2が1~3、例えば、1であっても、溶媒に対する溶解性の劣る化合物例えば、炭素数の少ない非反応性置換基R2d~R2e、例えば、ハロゲン原子、アリール基などが置換した化合物では、係数p1は、例えば、1~10、好ましくは1~6、さらに好ましくは2~4程度であってもよい。また、r1及びr2が1~3、例えば、1であり、かつ溶媒に対する溶解性を改善するための置換基R2d~R2e例えば、前記R2Cと同様の置換基を有する複素環化合物では、係数p1は、例えば、上記のように、1~1000程度の範囲から選択できる。なお、係数p1が大きくなると、緩やかな三次元架橋構造となりやすく、有機溶媒に対する耐性も低下しやすい。このような観点から、係数p1は、通常、1~10、好ましくは1~8、さらに好ましくは1~6例えば、2~5程度である。前記芳香族複素環化合物としては、例えば、下記化合物c1~c3が例示できる。c1式IIIaにおいて、環Hetが5員複素環を含む単環式又は縮合環式芳香族複素環であり、Xが、硫黄原子、酸素原子、窒素原子この窒素原子はイミノ基NH基を形成してもよいであり、rが0~2の整数非反応性基R2Cが未置換又は置換であり、nが0でありリンカーLがなく、pが1である化合物。このような化合物のうち、未置換の単環式化合物としては、例えば、5員複素環化合物チオフェン、フラン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、イソチアゾール、イソオキサゾールなど、6員複素環化合物トリアジン、ピリジン、ピラジン、ピリミジンなどなどが例示でき、縮合環式化合物としては、例えば、チエノ[3,2-b]チオフェン、ジチエノ[3,2-b:2’,3’-d]チオフェン、ナフチリジンなどの同種の複素環5員又は6員複素環が縮合した化合物、チエノ[2,3-b]フランなどの異種の複素環5員又は6員複素環が縮合した化合物、イソベンゾフラン、イソインドール、イソキノリン、フタラジンなどのベンゼン環と複素環とが縮合した化合物などが例示できる。非反応性基R2Cを有する単環式化合物のうち、チオフェン誘導体としては、例えば、3-ハロチオフェン3-クロロチオフェン、3-ブロモチオフェンなど、3,4-ジハロチオフェン3,4-ジクロロチオフェン、3,4-ジブロモチオフェンなど、3-アルキルチオフェン3-メチルチオフェン、3-エチルチオフェン、3-プロピルチオフェン、3-ブチルチオフェン、3-ヘキシルチオフェン、3-オクチルチオフェン、3-2-エチルヘキシルチオフェン、3-デシルチオフェンなどの3-C1-12アルキルチオフェンなど、3,4-ジアルキルチオフェン3,4-ジメチルチオフェン、3,4-ジエチルチオフェン、3,4-ジブチルチオフェンなどの3,4-ジC1-10アルキルチオフェンなど、3-ヒドロキシチオフェン、3-アルコキシチオフェン3-メトキシチオフェン、3-エトキシチオフェン、3-ブトキシチオフェン、3-ヘキシルオキシチオフェン、3-ヘプチルオキシチオフェン、3-オクチルオキシチオフェン、3-デシルオキシチオフェンなどの3-C1-12アルコキシチオフェンなど、3-アリールチオフェン3-フェニルチオフェンなど、3-カルボキシチオフェン、3-アルコキシカルボニルチオフェン3-メトキシカルボニルチオフェン、3-エトキシカルボニルチオフェンなどの3-C1-6アルコキシ-カルボニルチオフェンなど、3-シアノチオフェン、3-シアノアルキルチオフェンチオフェン-3-アセトニトリルなどの3-シアノC1-6アルキルチオフェン、3-ヒドロキシアルキルチオフェン3-ヒドロキシメチルチオフェン、3-2-ヒドロキシエチルチオフェンなどの3-ヒドロキシC1-6アルキルチオフェン、3-チオフェンマロン酸、2-3-チエニル-1,3-ジオキソランなどが例示できる。縮合環式チオフェン誘導体としては、例えば、チエノ[3,2-b]チオフェン、ジチエノチオフェン、ハロジチエノチオフェン3,5-ジブロモジチエノ[3,2-b:2’,3’-d]チオフェンなど、アルキルジチエノチオフェン3,5-ジC1-10アルキルジチエノ[3,2-b:2’,3’-d]チオフェンなどなどが例示できる。フラン誘導体としては、例えば、ハロフラン3-クロロフラン、3-ブロモフランなど、3-アルキルフラン3-メチルフランなどの3-C1-10アルキルフランなど、3-ヒドロキシアルキルフラン3-フランメタノールなどの3-ヒドロキシ-C1-6アルキルフランなどなどが例示できる。ピロール誘導体としては、例えば、3-アルキルピロール3-メチルピロール、3-エチルピロール、3-n-プロピルピロール、3-ブチルピロール、3-オクチルピロール、3-デシルピロール、3-ドデシルピロールなどの3-C1-10アルキルピロールなど、3,4-ジアルキルピロール3,4-ジメチルピロール、3,4-ジブチルピロールなどの3,4-ジC1-10アルキルピロールなど、N-アルキルピロールN-メチルピロールなどのN-C1-10アルキルピロールなど、3-カルボキシピロール、3-アルコキシカルボニルピロール3-エトキシカルボニルピロールなどの3-C1-6アルコキシ-カルボニルピロールなど、3-ヒドロキシピロール、3-アルコキシピロール3-メトキシピロール、3-エトキシピロール、3-ブトキシピロールなどの3-C1-6アルコキシピロールなどなどが例示できる。フラーレン単位を有する複素環化合物としては、例えば、下記式IIIcで表される化合物が例示できる。式中、R6はアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を示し、R7及びR8はそれぞれ独立してアルキレン基を示し、L1は連結基を示し、X4はヘテロ原子を示すR6で表されるアルキル基としては、前記と同様のアルキル基直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルキル基、シクロアルキル基としては、前記と同様のシクロアルキル基シクロヘキシル基などのC5-10シクロアルキル基、アリール基としては、前記と同様のアリール基フェニル基などのC6-10アリール基が例示できる。R7及びR8で表されるアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基などのC1-10アルキレン基が例示できる。連結基L1としては、例えば、-COO-カルボニルオキシ基、-OCO-オキシカルボニル基、酸素原子、硫黄原子などが例示でき、連結基L1は、直接結合であってもよい。ヘテロ原子X4としては、前記と同様に、硫黄原子、酸素原子、窒素原子などが例示できる。フラーレン単位を有する化合物は、R6がフェニル基、R7及びR8がそれぞれ独立してC2-6アルキレン基、連結基L1が-COO-カルボニルオキシ基、ヘテロ原子X4が硫黄原子である化合物であってもよい。このようなフラーレン単位を有する化合物は、例えば、[6,6]-フェニル-C61酪酸3-エチルチオフェンエステルなどとして市販されている。c2式IIIaにおいて、環Hetは5員芳香族複素環を示し、Xが、硫黄原子、酸素原子、窒素原子であり、rは0~2の整数非反応性基R2Cが未置換又は置換を示し、nが1であり、リンカーLが、ビニレン基である化合物。このような化合物としては、例えば、1,2-ジ2-チエニルエチレン、フリル、フロインなどが例示できる。c3式IIIbにおいて、環Het1~Het2が、独立して、5員又は6員芳香族複素環であり、X1~X2が、独立して、硫黄原子、酸素原子、窒素原子であり、2d~R2eが独立して非反応性基であり、r1~r2が0~3の整数非反応性基R2d~R2eが未置換又は置換であり、pが1以上の整数である環集合化合物。5員又は6員芳香族複素環としては、前記芳香族複素環Hetの項で例示の単環式複素環例えば、フラン環、チオフェン環、ピロール環、ピリジン環などが例示できる。好ましい芳香族複素環は、チオフェン環、フラン環、ピロール環、特にチオフェン環である。式IIIbで表される環集合化合物の溶解性を高めるためには、アルキル基例えば、直鎖状又は分岐鎖状C4-10アルキル基などなどの非反応性基R2d~R2eを有しているのが好ましい。r1~r2はそれぞれ0~3の範囲から選択でき、通常、0~2、特に0又は1である場合が多い。なお、式IIIbで表される環集合化合物が溶解性を高める非反応性基R2d~R2eを有している場合には、p1は、前記のように、広い範囲p=1~1000となる範囲から選択でき、p1は、通常、1~250、好ましくは1~100例えば、1~75、さらに好ましくは1~50例えば、1~10程度の範囲から選択できる。なお、r1~r2がそれぞれ0である場合、p1は、通常、1~3、好ましくは1又は2である。このような化合物としては、5員又は6員複素環の環集合化合物、例えば、ビフラン、ビチオフェン2,2’-ビチオフェンなど、ターチオフェン2,2’:5’,2-ターチオフェンなど、クウォーターチオフェン2,2’:5’,2:5,2’-クウォーターチオフェンなど、ビピリジン2,2’-ビピリジンなど、クウォーターピリジン、3,4’-ジアルキル-2,2’-ビチオフェン3,4’-ジヘキシル-2,2’-ビチオフェンなどの3,4’-ジC4-10アルキル-2,2’-ビチオフェン、ポリ3-アルキル-チオフェンX1~X2が硫黄原子、芳香族複素環Het1~Het3が2,5-チオフェン-ジイル基であり、R2d~R2eが3-位又は4-位のC4-10アルキル基、スルホC1-6アルキル基であり、r1~r2はそれぞれ1であり、p1が1~25程度のポリチオフェン化合物、ビピロール、ターピロール、クフォーターピロール、ポリピロール、2,5-ジ2-チエニル-1H-ピロール、2-3-チエニルピリジンなど;X1~X2が硫黄原子、芳香族複素環Het1~Het3が同種又は異種の複素環がチオフェン環に縮合した縮合複素環であり、r1及びr2がそれぞれ0又は1であり、R2d~R2eが3-位又は4-位のC4-10アルキル基、スルホC1-6アルキル基などであってもよく、p1が1~100例えば、1~25程度のポリ縮合チオフェン化合物例えば、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンなどのポリアルキレンジオキシチオフェンなどが例示できる。さらに、環集合化合物は、複素環の間に、アリールメチレン基又はアリールビニレン基が介在する化合物であってもよい。このような代表的な化合物は、例えば、下記式IIId1又はIIId2で表すことができる。式中、A3は芳香族性環を示し、p2及びp3はそれぞれ1以上の整数を示し、Het、X、R2c、rは前記に同じ芳香族性環A3としては、前記と同様の芳香族性環ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-10アレーン環などが例示できる。Hetは前記と同様の芳香族複素環チオフェン環などの5員芳香族複素環など、Xは前記と同様のヘテロ原子硫黄原子など、R2cは前記と同様の非反応性基ヘキシル基などのC1-10アルキル基など、rは前記と同様の0~3の整数例えば、0又は1であり、係数p2は1以上の整数、例えば、1~10例えば、1~8、好ましくは1~5例えば、2~4、さらに好ましくは1~4例えば、2~3程度の整数を示す。係数p3は1以上の整数、例えば、1~10、好ましくは1~7例えば、1~5、さらに好ましくは1~4例えば、1~3程度の整数を示す。式IIId1で表される化合物は、前記と同様の芳香族複素環化合物と芳香族モノアルデヒド化合物前記ベンズアルデヒド類などのアリールモノアルデヒド類、ヘテロアリールモノアルデヒド類などとの反応により、上記α-炭素部位において、炭素-炭素単結合-C-C-を生成させることにより得ることができ、式IIId2で表される化合物は、式IIId1で表される化合物を脱水素反応に供して炭素-炭素二重結合-C=C-を生成させることにより得ることができる。なお、式IIId1で表される化合物としては、例えば、ビス2-チエニルベンジリデン、α-5,5-ターチオフェンジイルベンジリデンなどが例示でき、式IIId2で表される化合物としては、例えば、ビス2-チエニルベンジリジン、α-5,5-ターチオフェンジイルベンジリジンなどが例示できる。これらの芳香族複素環化合物は単独で又は組み合わせて使用できる。芳香族複素環化合物は、複素環のヘテロ原子に隣接して、1分子中に2~8個例えば、2~6個、好ましくは2~5個、さらに好ましくは2~4、例えば、2又は3個の反応部位未修飾又は未置換のα-炭素位を有するのが好ましい。このような芳香族複素環化合物は、1分子中に少なくとも1つ、通常、複数例えば、2~4個、特に3~4個のホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物と組み合わせて使用される。芳香族複素環化合物は、例えば、下記表12~表16に示すことができる。芳香族複素環化合物において、複素環のヘテロ原子に隣接するα-炭素部位未修飾又は未置換のα-炭素位は、通常、単環式5員複素環では2,5-位、単環式6員複素環では2,6-位に位置する。また、5員複素環が縮合した複素環化合物例えば、チエノ[3,2-b]チオフェン、ジチエノ[3,2-b:2’,3’-d]チオフェンなどでは、α-炭素部位は2-位及び/又は5-位に位置し、6員複素環が縮合した複素環化合物では、α-炭素部位は2-位及び/又は6-位に位置している。なお、1分子中に2つのα-炭素部位を有する複素環化合物は、1分子中に複数例えば、3以上のホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物と組み合わせて使用される。芳香族アルデヒド化合物と芳香族複素環化合物との割合は、反応部位の当量比換算で、例えば、前者/後者=70/30~30/70、好ましくは60/40~40/60、さらに好ましくは55/45~45/55程度であってもよい。なお、反応部位の当量比に関し、1つのホルミル基は2つの反応部位を有するものとして計算される。芳香族アルデヒド化合物と芳香族複素環化合物との割合は、芳香族アルデヒド化合物のホルミル基1当量に対して、芳香族複素環化合物のα-炭素部位の割合は、0.5~5当量程度の範囲から選択でき、通常、0.75~4当量、好ましくは1~3当量、さらに好ましくは1.5~2.5当量例えば、1.7~2.3当量程度であってもよい。[酸触媒]第2の成分系において、芳香族アルデヒド化合物と芳香族複素環化合物との反応は、酸触媒により触媒される。そのため、第2の成分系は、酸触媒を含むのが好ましい。酸触媒は、プロトン酸、ルイス酸のいずれであってもよい。プロトン酸としては、例えば、無機酸塩酸、臭化水素酸、硫酸、リン酸、過塩素酸、フッ酸など、有機酸酢酸、プロピオン酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸などの有機カルボン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸、スチレンスルホン酸などのスルホン酸などが例示できる。また、ルイス酸としては、例えば、塩化アルミニウム、塩化錫、塩化亜鉛、塩化チタン、フッ化ホウ素、フッ化ホウ素エーテル錯塩などが例示できる。これらの酸触媒は単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。酸触媒の使用量は、芳香族アルデヒド化合物及び芳香族複素環式化合物の総量1重量部に対して、例えば、0.001~1重量部例えば、0.01~1重量部程度の範囲から選択でき、通常、0.005~0.3重量部、好ましくは0.01~0.2重量部、さらに好ましくは0.02~0.1重量部程度であってもよい。酸触媒として、熱酸発生剤及び光酸発生剤から選択された酸発生剤を含む組成物を用いると、光硬化性組成物を形成でき、所定のパターンを形成できる。酸発生剤としては、熱により酸を発生する熱酸発生剤[例えば、スルホン酸系熱酸発生剤例えば、アレーンスルホン酸エステル例えば、ベンゾイントシラート、ニトロベンジルトシラートなどなどのスルホン酸エステル、カルボン酸系熱酸発生剤例えば、脂肪酸例えば、クエン酸、酢酸、マレイン酸など又はその塩、芳香族カルボン酸例えば、安息香酸、フタル酸など又はその塩など、リン酸系熱酸発生剤例えば、リン酸、有機リン酸エステルなどなど]、光酸発生剤などが挙げられる。酸発生剤は単独で又は2種以上組み合わせてもよい。好ましい酸発生剤は、光酸発生剤である。光酸発生剤を用いると、露光により硬化させ、現像非露光部を洗浄することにより所定のパターンを形成できる。光酸発生剤は、熱によっても酸を発生する酸発生剤であってもよいが、代表的には、活性光線例えば、可視光線、紫外線、電子線、X線などの照射により酸を発生する酸発生剤である。代表的な活性光線としては、可視光線、紫外線などが挙げられる。代表的な光酸発生剤としては、例えば、キノンジアジド化合物、オニウム塩例えば、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ヨードニウム塩、セレニウム塩、フェノール類、スルホン酸又はそのエステル、カルボン酸又はそのエステルなどが例示できる。なお、オニウム塩の対イオンとしては、例えば、ボレート例えば、BF4-、BC6F54-など、ホスフェート例えば、PF6-など、スルホネート例えば、CF3SO3-など、アンチモネート例えば、SbF6-などなどのアニオンが挙げられる。具体的な光酸発生剤としては、例えば、キノンジアジド化合物例えば、ナフトキノンジアジド化合物など、スルホニウム塩[例えば、アルキルスルホニウム塩例えば、トリアルキルスルホニウム塩など、アリールスルホニウム塩例えば、ジアリールスルホニウム塩、トリアリールスルホニウム塩など]、ホスホニウム塩[例えば、アリールホスホニウム塩例えば、トリアリールホスホニウム塩などなど]、ジアゾニウム塩例えば、アリールジアゾニウム塩、ヨードニウム塩[例えば、アリールヨードニウム塩例えば、ジアリールヨードニウム塩など]、セレニウム塩[例えば、アリールセレニウム塩例えば、トリアリールセレニウム塩など]、フェノール類例えば、フェノール、レゾルシノール、ピロガロール、1,2-ジヒドロキシナフタレン、1,3-ジヒドロキシナフタレンなど、スルホン酸例えば、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸などのアルカンスルホン酸;ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸などのアレーンスルホン酸;カンファースルホン酸など又はそのエステル例えば、アレーンスルホン酸エステルなどが挙げられる。光酸発生剤は、単独で又は2種以上組み合わせてもよい。酸発生剤の割合は、芳香族アルデヒド化合物及び芳香族複素環化合物の総量1重量部に対して、例えば、0.001~1重量部例えば、0.01~1重量部程度の範囲から選択でき、通常、0.005~0.3重量部、好ましくは0.01~0.2重量部、さらに好ましくは0.02~0.1重量部程度であってもよい。なお、光酸発生剤を含む組成物を用い、かつパターン形成を行う場合、露光後のポストエクスポージャーベークにより非露光部が硬化するのを防止するため、ホルミル基と複素環化合物の遊離のα-炭素部位との反応を触媒する酸性基例えば、スルホニル基、ジヒドロキシボリル基などを有する化合物を含まない場合が多い。本発明の組成物は、必要に応じて、慣用の添加剤、例えば、安定剤酸化防止剤、熱安定剤など、着色剤顔料など、増粘剤、消泡剤、界面活性剤、帯電防止剤、難燃剤、充填剤、増感剤などを含んでいてもよい。これらの添加剤は、単独で又は2種以上組み合わせてもよい。[有機溶媒]本発明の組成物は、さらに有機溶媒又は溶剤を含んでいてもよい。有機溶媒としては、前記反応成分芳香族アルデヒド化合物、芳香族アミン化合物、芳香族複素環化合物を可溶であるとともに、反応を阻害しない限り、特に限定されず、例えば、炭化水素類例えば、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類ジクロロメタン、クロロホルム、クロロベンゼンなど、ケトン類アセトン、メチルエチルケトンなど、アルコール類エタノール、イソプロパノールなど、エステル類酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなど、エーテル類例えば、ジメチルエーテル、ジエチルエーテルなどの鎖状エーテル類、ジオキサン、テトラヒドロフランなどの環状エーテル類、カルビトール類例えば、メチルカルビトール、エチルカルビトール、プロピルカルビトール、ブチルカルビトールなどのC1-4アルキルカルビトール類など、アミド類例えば、ホルムアミド;N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミドなどのN-モノ又はジC1-4アルキルホルムアミド;N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミドなどのN-モノ又はジC1-4アルキルアセトアミドなど、ニトリル類例えば、アセトニトリル、プロピオニトリルなど、スルホキシド類例えば、ジメチルスルホキシドなど、ピロリドン類例えば、2-ピロリドン、3-ピロリドン、N-メチル-2-ピロリドン、N-メチル-3-ピロリドンなどなどであってもよい。必要であれば、水性溶媒、例えば、水と水溶性有機溶媒との混合溶媒を用いてもよい。これらの有機溶媒は、単独で又は混合溶媒として使用できる。有機溶媒の割合は、前記第1及び第2の成分系の総量1重量部に対して、0.1~200重量部程度の範囲から選択でき、例えば、1~40重量部、好ましくは3~20重量部、さらに好ましくは5~10重量部程度であってもよい。本発明の組成物は、慣用の方法、例えば、必要により有機溶媒溶剤と共に、第1の成分系及び第2の成分系の成分を混合することにより調製できる。得られた組成物コーティング組成物は、必要に応じてろ過して調製してもよい。[相分離構造体]有機半導体相を含む相分離構造体は、基材又は基板ガラス板、シリコンウエハー、耐熱プラスチックフィルムなどに前記組成物を積層又は塗布する工程と、この組成物を少なくとも熱処理して重合する工程とを経て製造してもよい。なお、有機半導体は、必要に応じて、基材から剥離してもよい。前記組成物を積層又は塗布する方法としては、例えば、化学的気相法CVD法などなどの蒸着方法であってもよいが、通常、塗布方法が利用できる。塗布方法としては、慣用の塗布方法、例えば、エアーナイフコート法、ロールコート法、グラビアコート法、ブレードコート法、ディップコート法、スプレー法、スピンコート法、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法などが例示できる。塗布した後、通常、乾燥して塗膜から溶媒が除去される。有機半導体相を含む相分離構造体の厚みは、用途に応じて適宜選択され、例えば、1~5000nm、好ましくは30~1000nm、さらに好ましくは50~500nm程度であってもよい。本発明の相分離構造体の構造は特に制限されず、種々の相分離構造、例えば、ミクロ相分離構造海島構造の相分離構造、共連続相bicontinuousphase分離構造、これらの相分離構造が混在した構造などを有していてもよく、二層状などの積層形態で相分離した構造を有していてもよい。本発明の組成物において、例えば、前記第1の成分系11a1bは加熱により反応が進行してポリマー化して、第2の成分系22a2bは、酸触媒の存在下、加熱によりポリマー化し、それぞれ化学構造の異なるポリマーを生成する。そのため、前記第1の成分系と第2の成分系とを含む組成物を用いると、1つの組成物で、反応の進行に伴って各成分系で形成されたポリマー相が相分離した構造を形成できる。特に、本発明では、熱処理条件及び酸発生条件を制御することにより、1つの組成物でミクロ相分離から2層分離に至るまで相分離状態を制御できる。そのため、第1の相と第2の相のうち、一方の相を薄膜状に形成し、この薄膜状の一方の相の上に、他方の相を薄膜状又は所定のパターンの形態で形成することもできる。より詳細には、前記成分系1a2aは、反応に伴って、π電子共役系結合[例えば、炭素-窒素二重結合-C=N-、アミド結合-NHCO-、イミダゾール環、オキサゾール環、又はチアゾール環など]を生成し、これらのπ電子共役系結合を介して、芳香族カルボニル化合物由来の単位芳香族性環と芳香族反応成分由来の単位芳香族性環とが連結した構造を有する重合体を生成する。このような重合体は、通常、下記式IV1又はIV2で表される単位繰り返し単位又は架橋単位を含む。式中、A5、A6、A7は芳香族性環又は環集合体を示し、Xは窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子を示す。A5で表される芳香族性環芳香族カルボニル化合物に由来する芳香族性環、及びA6及びA7で表される芳香族性環芳香族アミンに由来する芳香族性環としては、前記環Aと同様の芳香族性環が例示できる。好ましい環A5は前記環A1と同様の芳香環であり、好ましい環A6又は環A7は前記環A2と同様の芳香環である。なお、式IV1又はIV2では、便宜上、環A5と、環A6及び/又は環A7とからそれぞれ外方向に延びた1つの結合手を示しているが、三次元架橋構造を有する高分子では、環A5及び環A6又は環A7から選択された少なくとも1つの環からは、複数の結合手が延びている。一方、前記成分系1b2bは、酸触媒又は酸成分の存在下、反応に伴って、炭素-炭素一重結合-C-C-、炭素-炭素二重結合-C=C-を生成し、これらの結合を介して、芳香族アルデヒド化合物由来の単位芳香族性環と芳香族複素環化合物由来の単位芳香族性環とが連結した構造を有する重合体を生成する。このような重合体は、通常、下記式IV3又はIV4で表される単位繰り返し単位又は架橋単位を含んでいる。好ましい繰り返し単位は、少なくとも式IV4で表される単位を含む。なお、この例では、1分子中に3つのホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物を用いた架橋単位を模式的に示している。式中、p4は1以上の整数を示し、A5、Het、X、R2C、r、p2は前記に同じ係数p4は高分子の重合度架橋度も含むに対応しており、芳香族性環A5芳香族アルデヒド化合物に由来する芳香族性環としては、前記環Aと同様の芳香族性環前記環A1と同様の芳香環が例示でき、Hetで表される芳香族複素環としては、前記複素環Hetと同様の芳香族複素環Xが硫黄原子、酸素原子又は窒素原子である5員環を含む単環式、縮合環式又は環集合複素環などが例示できる。なお、前記IIId1で表される化合物とIIId2で表される化合物との関係と同様に、式IV3で表される化合物を脱水素反応に供することにより式IV4で表される化合物を得ることができる。ミクロ相分離構造そして、成分系1a2aを含む組成物又は成分系1b2bを含む組成物は、ポリマー化に伴って、成分系1a1bで生成した重合体と、成分系2a2bで生成した重合体とが相分離し、微細なミクロ相分離構造を形成する。すなわち、前記組成物を含む膜を加熱処理することにより、第1の相と第2の相とがミクロ相分離した相分離構造体を形成できる。そのため、前記成分系1a2aを含む組成物、中でも成分系1b2bを含む組成物を、基材に塗布し、必要により乾燥して被膜を形成し、加熱又は熱処理することにより、一度の成膜操作で、n型半導体とp型半導体とがミクロ相分離した構造pn接合構造体を効率よく形成できる。さらに、第2の成分系2a2bに光酸発生剤を含有させると、光露光又は光照射により酸が生成し、この酸が第2の成分系2a2bの反応を触媒する。このことを利用して、ミクロ相分離構造体を形成することもできる。すなわち、前記組成物を含む膜を、a光照射した後、加熱処理したり、c加熱しつつ又は加熱下で光照射することにより、第1の相と第2の相とが相分離した相分離構造体全体に亘り形成された第1の相と、光照射部位に形成された第2の相とが相分離した形態の相分離構造体を形成できる。そのため、成分系1a2aを含む組成物又は成分系1b2bを含む組成物を、基材に塗布し、必要により乾燥して被膜を形成し、前記組成物の膜を全面露光して加熱処理する方法、又は加熱下で光照射さらに必要であれば、光照射後にさらに加熱処理する方法では、成分系1a1bは加熱に伴って第1の相を生成し、成分系2a2bでも露光と加熱により第2の相が生成し、ミクロ相分離構造を形成できる。このようにミクロ相分離構造体では、第1の相と第2の相のうち、一方の相がn型半導体三次元架橋構造を有するn型半導体などであり、他方の相がp型半導体三次元架橋構造を有するp型半導体などである相分離構造を形成できる。なお、前記n型半導体又はp型有機半導体は成分系1又は成分系2で形成できる。このような相分離構造半導体/半導体は、バルクへテロジャンクション層相を形成し、太陽電池素子などの光電素子の半導体として利用できる。加熱は、不活性ガス窒素など雰囲気下で行ってもよい。また、熱処理温度は、例えば、50~500°C例えば、75~400°C、好ましくは100~350°C例えば、120~300°C、さらに好ましくは150~300°C程度であってもよい。また、熱処理時間は、例えば、1分~2.5時間、好ましくは10分~2.0時間、さらに好ましくは20分~1.5時間程度であってもよい。二層の相分離構造さらに、第2の成分系2a2bに光酸発生剤を含有させ、前記組成物を含む膜を、b加熱処理した後、光照射して加熱すると、一方の相が薄膜状に形成され、この薄膜状の一方の相の上に、他方の相が薄膜状で積層された形態の相分離構造体を形成できる。すなわち、第1の成分系1a1bの成分は加熱により反応するものの、第2の成分系2a2bの成分は加熱に対して比較的不活性であり、光照射とその後の加熱により反応する。そのため、成分系1a2aを含む組成物又は成分系1b2bを含む組成物を、基材に塗布し、必要により乾燥して被膜を形成し、前記組成物の膜を、b加熱処理した後、光照射全面露光して加熱すると、第1の成分系1a1bによる第1の相が層状薄膜状に生成した後、第2の成分系2a2bによる第2の相が層状薄膜状に生成し、相分離構造第1の相と第2の相とが二層状に積層された形態の相分離構造体を形成できる。このような2層分離構造の半導体は、例えば、ダイオード素子などとして利用できる。なお、加熱条件は前記と同様の範囲から選択でき、露光条件は、下記パターン形成での条件が採用できる。所定のパターンを有する二層の相分離構造さらに、有機半導体相は所定のパターンに形成できる。例えば、前記組成物を基材又は基板に塗布し、必要により乾燥して被膜を形成し、前記組成物を含む膜を加熱処理した後、光照射すると、第1の相と第2の相とが相分離し、第2の相が所定のパターンを有する相分離構造体を形成できる。すなわち、成分系1a2aを含む組成物又は成分系1b2bを含む組成物を、基材に塗布し、必要により乾燥して被膜を形成し、加熱した後、光露光又は光照射特に、パターン露光すると、成分系1a1bでは加熱に伴って第1の相が層状薄膜状に形成され、成分系2a2bでは酸の発生領域で、層状薄膜状の第1の相上に第2の相の潜像が所定のパターンで形成され、現像することにより、層状の第1の相上に所定のパターンの第2の相を形成できる。なお、パターン露光により、ネガ型又はポジ型のパターンを形成してもよい。第2の相は、通常、ネガ型のパターンで形成する場合が多い。このように、第1の相と第2の相のうち一方の相を薄膜状に形成し、この薄膜状の一方の相の上に、他方の相を所定のパターンの形態で形成した相分離構造体を得ることができる。しかも、一方の相を絶縁体絶縁膜として形成することにより、トランジスタMOSトランジスタなどとして利用できる。この方法でエネルギー線としてレーザー光などを使用する場合、エネルギー線の照射と熱処理とを同時に行うことができるため、必ずしも熱処理工程は必要ではない。そのため、前記と同様の条件で加熱処理した後、レーザー光に代表される収束性の高い熱線を、前記基材上に形成された組成物の被膜に所定のパターンで照射し、現像することにより所定のパターンの半導体相を形成してもよい。好ましい方法では、光酸発生剤を含む組成物を基材に塗布し、必要により乾燥及び50~150°C程度でプリベークして被膜を形成し、加熱処理した後、所定のマスクパターンを通してパターン露光し、熱処理ポストエクスポージャーベークPEBし、現像し、所定のパターンの有機半導体相を形成してもよい。所定のパターンに有機半導体を形成する場合、活性エネルギー線は、熱線、活性光線のいずれであってもよく、双方であってもよい。通常、熱酸発生剤では、少なくとも熱線レーザー光などが付与され、光酸発生剤では、少なくとも活性光線が照射される。熱線による加熱温度は、前記熱処理温度と同様である。活性光線活性エネルギー光線としては、放射線、紫外線、可視光線などが利用でき、通常、紫外線であってもよい。光源としては、例えば、紫外線の場合は、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、レーザー光源などを用いることができる。なお、照射光量照射エネルギーは、例えば、1~10000mJ/cm2、好ましくは5~7000mJ/cm2、さらに好ましくは10~5000mJ/cm2程度であってもよい。照射時間は、特に限定されず、例えば、0.1秒以上例えば、0.5秒~10分、好ましくは1秒以上例えば、2秒~5分程度であってもよい。活性エネルギー光線を照射すると、酸発生剤から酸が発生し、発生した酸が芳香族アルデヒド化合物と芳香族複素環化合物との縮合反応を触媒する。特に、活性光線の照射後に加熱ポストエクスポージャーベークPEB、アフターキュア又はポストベークして上記反応を促進してもよい。加熱処理は、不活性ガス窒素など雰囲気下で行ってもよい。熱処理温度は、例えば、50~500°C例えば、75~400°C程度の範囲から選択でき、通常、70~300°C例えば、75~250°C、好ましくは80~200°C例えば、80~150°C、さらに好ましくは100~150°C程度であってもよい。また、熱処理PEB時間は、例えば、0.01~2.5時間、好ましくは0.05~2.0時間、さらに好ましくは0.1~1.5時間程度であってもよい。なお、第2の成分系の反応では、前記のように、式IV3で表される単位又は架橋単位が生成し、この式III3で表される単位は、脱水素反応により、式IV4で表される単位又は架橋単位に変換できる。脱水素反応としては、例えば、水銀ランプ、キセノンランプなどの活性光線を照射する光脱水素法などを利用してもよいが、加熱脱水素法、例えば、上記熱処理温度で処理する方法を利用する場合が多い。現像は、慣用の方法で行うことができる。特に、非露光部が、比較的低分子化合物の成分芳香族アルデヒド化合物、芳香族アミン化合物及び芳香族複素環化合物などを含んでいるため、これらの成分を溶媒に容易に溶解させて除去し、現像できる。そのため、高分子量の感光性レジストを用いる方法に比べて、極めて簡単に、しかも高い精度で現像できる。現像剤としては、前記成分系の成分を可溶な溶媒、例えば、前記有機溶媒や水性溶媒水単独、水と水溶性有機溶媒との混合溶媒が使用できる。現像の後、必要により、前記重合工程と同様に熱処理ハードベークし架橋度を高めてもよい。このような工程により、所定のパターンの有機半導体を高い精度で形成できる。このような方法では、パターン露光を利用して任意のパターンを形成でき、パターニングにより、トランジスタ群を一度に作製できる。しかも、薄膜状の相とパターンの相との界面が大気に暴露されることがないため、界面が汚染されることがなく、安定した品質の半導体を製造できる。また、フォトリソグラフィとエッチングとを組み合わせた従来のパターニングと異なり、エッチング処理が必要ではなく、少ない工程で所定のパターンの有機半導体膜を形成できるとともに、エッチング処理に伴う有機半導体膜の損傷を防止できる。特に、三次元架橋構造を形成するため、有機半導体膜の損傷を有効に防止できるとともに、フォトリソグラフィを利用してナノメーターオーダーのパターニングが可能である。また、転写法と異なり、欠損が生じることがなく、所定のパターンの有機半導体膜を精度よく形成でき、有機半導体の歩留まりも向上できる。なお、相分離構造体において、有機半導体は、三次元架橋構造を有するため、耐熱性、耐溶剤性、耐久性に優れている。すなわち、外部からエネルギーが付与されても、膜質の変化結晶化を抑制して、デバイス寿命の低下を防止できる。また、外部から透過する水分を加熱により蒸発させることにより、半導体の性能を回復することができる。さらに、この有機半導体に対して、有機溶媒を含むコーティング液を直接塗布でき、積層構造を容易に形成できる。なお、三次元網目構造を有しているか否かは、有機溶媒に対する溶解性により判別でき、三次元網目構造を有する有機半導体は、有機溶媒に不溶又は難溶である。[有機無機複合半導体]本発明では、必要により、基材として無機半導体を用い、無機半導体の表面の少なくとも一部例えば、シート状の場合、無機半導体の少なくとも一方の面に、有機半導体相を有する前記相分離構造体を積層することにより有機無機複合半導体を形成してもよい。[デバイス]本発明は、前記半導体有機半導体、有機無機複合半導体などを含むデバイス電子デバイスも包含する。このようなデバイスとしては、整流素子ダイオード、トランジスタ[トップゲート型、ボトムゲート型トップコンタクト型、ボトムコンタクト型など]、光電変換素子太陽電池素子、有機EL素子などであってもよい。代表的なデバイスとして、太陽電池は、pn接合型半導体に表面電極が積層された構造を有している。例えば、前記pn接合型半導体の相分離構造体の膜に透明電極ITO電極などを積層することにより、太陽電池を形成できる。このような太陽電池では、高い開放電圧及び短絡電流を得ることができる。また、有機EL素子は、透明電極ITO電極などに、正孔輸送層と電子輸送層アルミニウム-キノリノール錯体膜、ベリリウム-ベンゾキノリノール錯体膜などとが順次積層され、この電子輸送層に金属電極が積層された構造を有している。例えば、透明電極に、有機半導体相を含む相分離構造体の膜と、必要に応じて、ホール輸送層、発光層、電子輸送層などと、金属電極とを順次積層することにより、有機EL素子を形成できる。さらに、有機薄膜トランジスタは、ゲート電極層と、ゲート絶縁層と、ソース/ドレイン電極層と、前記有機半導体相を含む相分離構造体の層とで構成されている。これらの層の積層構造によって、有機薄膜トランジスタは、トップゲート型、ボトムゲート型トップコンタクト型、ボトムコンタクト型に分類できる。例えば、ゲート電極p型シリコンウエハーなどに相分離構造体膜を形成して、この相分離構造体膜上にソースドレイン電極金電極を形成することにより、トップコンタクト型電界効果トランジスタを製造できる。以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。実施例12層分離構造体の形成とダイオード素子1組成物コーティング組成物の調製6mlサンプル瓶に1,3,5-トリホルミルベンゼンBTA、株ナード研究所製4.9mgと3,3’-ジブロモ-2,2’-ビチオフェン2TBr9.7mgとトリス4-アミノフェニルアミンTAPA5.8mgとトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート0.5mgとを入れ、シクロヘキサノン680mgに溶解した。この溶液を孔径0.2μmのフィルターでろ過することにより、組成物コーティング組成物を調製した。22層分離有機半導体膜の作製上記工程1で得られた組成物を、ガラス基板にスピンコートし、薄膜を作製した後、窒素雰囲気下、100°Cで30分熱処理した。その後、全面に亘り紫外線露光波長365nm、ウシオ電機株製UIS-25102を行った後、窒素雰囲気下、200°Cで30分熱処理し、2層に分離した有機半導体膜以下、BTA-TAPA/BTA-2TBr膜というを得た。3相分離状態の確認上記工程2で得られた有機半導体膜の膜厚を、分光エリプソメータ堀場製作所株製UVISEL/M200VISFGMSで測定したところ、35nmであった。有機半導体膜について、ESCAアルバックファイ製PH15800により深さ方向の元素分析を行った。その結果、臭素原子が表面から14nmまでの深さでは検出されなかった。そのため、得られた膜は上部表面側がBTA-2TBr膜厚14nm、下部がBTA-TAPA膜厚21nmの2層に分離していることが確認された。実施例2ミクロ相分離構造体の形成1組成物コーティング組成物の調製実施例1の工程1と同様にして、組成物コーティング組成物を調製した。2ミクロ分離有機半導体膜の作製上記工程1で得られた組成物を、ガラス基板にスピンコートして薄膜を作製した後、実施例1と同様にして全面に亘り紫外線露光した。その後、窒素雰囲気下、200°Cで1時間熱処理し、有機半導体膜以下、BTA-TAPA-2TBr膜というを得た。3相分離状態の確認上記工程2で得られた有機半導体膜の膜厚を、実施例1と同様にして測定したところ、33nmであった。有機半導体膜について、ESCAにより深さ方向の元素分析を行ったところ、数nmの間隔で臭素原子の比率が増減したことから、得られた膜はナノオーダーでBTA-TAPAとBTA-2TBrとの2成分に相分離していることが確認された。実施例3ミクロ相分離構造体の形成1組成物コーティング組成物の調製6mlサンプル瓶に1,3,5-トリホルミルベンゼンBTA、株ナード研究所製9.7mgと2,2’:5’,2-ターチオフェン3T14.9mgとトリス4-アミノフェニルアミンTAPA11.6mgとトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート0.5mgとを入れ、シクロヘキサノン1200mgに溶解した。この溶液を孔径0.2μmのフィルターでろ過することにより、組成物コーティング組成物を調製した。2ミクロ分離有機半導体膜の作製上記工程1で得られた組成物を、ITO基板にスピンコートし、薄膜を作製した後、実施例1と同様にして全面に亘り紫外線露光を行った。その後、窒素雰囲気下、200°Cで1時間熱処理し、膜厚70nmの有機半導体膜以下、BTA-TAPA-3T膜というを得た。3太陽電池の作製、評価上記工程2で得られたBTA-TAPA-3T膜上に真空蒸着により厚み300nmのアルミニウム電極を形成し、太陽電池素子を得た。得られた太陽電池の出力特性を、ソーラーシミュレーター三永電機製作所株製XES301SEL100を用いて評価した。同様にBTA-TAPA単膜膜厚70nmおよびBTA-TAPA/BTA-3T積層膜膜厚:40nm/30nmの太陽電池素子を作製し、出力特性を評価した。なお、BTA-TAPA単膜およびBTA-TAPA/BTA-3T積層膜は、それぞれ、以下の方法で形成した。BTA-TAPA単膜6mlサンプル瓶に1,3,5-トリホルミルベンゼンBTA16.2mgとトリス4-アミノフェニルアミンTAPA29.0mgを入れ、シクロヘキサノン860mgに溶解した。この溶液を孔径0.2μmのフィルターでろ過することにより、組成物コーティング組成物を調製した。得られた組成物を、ITO基板にスピンコートし、薄膜を作製した後、窒素雰囲気下、300°Cで1時間熱処理し、有機半導体膜BTA-TAPA単層膜を得た。BTA-TAPA/BTA-3T積層膜6mlサンプル瓶に1,3,5-トリホルミルベンゼンBTA8.1mgと2,2’:5’,2-ターチオフェン3T37.3mgおよびスチレンスルホン酸0.5mgとを入れ、シクロヘキサノン900mgに溶解した。この溶液を孔径0.2μmのフィルターでろ過することにより、組成物コーティング組成物を調製した。得られた組成物を、ITO基板のBTA-TAPA膜の上にスピンコートし、薄膜を作製した後、窒素雰囲気下、300°Cで1時間熱処理し、有機半導体膜BTA-TAPA/BTA-3T積層膜を得た。BTA-TAPA-3T膜を用いた太陽電池素子の出力特性を図1に示し、比較対照としてBTA-TAPA単膜およびBTA-TAPA/BTA-3T積層膜を用いた太陽電池素子の出力特性を図2に示す。実施例4ミクロ相分離構造体の形成低分子/反応系1組成物コーティング組成物の調製6mlサンプル瓶に1,3,5-トリホルミルベンゼンBTA、株ナード研究所製4.1mgとトリス4-アミノフェニルアミンTAPA7.1mgと[6.6]-フェニル-C61-酪酸メチルPCBM8.0mgを入れ、シクロヘキサノン960mgに溶解した。この液を孔径0.2μmのフィルターでろ過することにより、組成物コーティング組成物を調製した。2ミクロ分離有機半導体膜の作製上記工程1で得られた組成物を、ITO基板にスピンコートし、薄膜を作製した後、窒素雰囲気下、300°Cで1時間熱処理し、有機半導体膜以下、BTA-TAPA/PCBM膜というを得た。3太陽電池の作製、評価上記工程2で得られたBTA-TAPA/PCBM膜の上に真空蒸着により厚み700nmのアルミニウム電極を形成し、太陽電池素子を得た。得られた太陽電池の出力特性を、前記ソーラーシミュレーターを用いて評価した。出力特性を図3に示す。実施例5上部層がパターンニングされた2層分離構造体の形成1組成物コーティング組成物の調製6mlサンプル瓶に1,3,5-トリホルミルベンゼンBTA、株ナード研究所製9.7mgと2,2’:5’,2-ターチオフェン3T14.9mgとトリス4-アミノフェニルアミンTAPA11.6mg及びトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート0.5mgを入れ、シクロヘキサノン1200mgに溶解した。この液を孔径0.2μmのフィルターでろ過することにより、組成物コーティング組成物を調製した。2上部層がパターンニングされた2層分離有機半導体膜の作製上記工程1で得られた組成物を、アルミニウム基材にスピンコートし、薄膜を作製した後、窒素雰囲気下、100°Cで30分熱処理した。その後、マスクパターンを通じて紫外線露光波長365nmした後、窒素雰囲気下、200°Cで30分熱処理を行った。得られた膜をシクロヘキサノンで洗浄することで、上部層がパターンニングされ、2層に分離した有機半導体膜以下、BTA-TAPA/BTA-3T膜というを得た。"