"下部DBR層と、少なくとも一つの層及び変形された層を備える上部DBR層と、前記下部DBR層と上部DBR層との間に配置され、多重量子ウェルからなる活性層と、を備え、前記上部DBR層の前記少なくとも一つの層は、第1屈折率を有する第1屈折率層と前記第1屈折率と異なる第2屈折率を有する第2屈折率層との少なくとも一つの対を備え、前記第1及び第2屈折率層は、λを活性層での中心吸収波長としてλ/4またはその奇数倍である第1光学的厚さを有し、前記上部DBR層の前記変形された層は、第3屈折率を有する第3屈折率層と前記第3屈折率と異なる第4屈折率を有する第4屈折率層との少なくとも一つの対を備え、前記第3及び第4屈折率層のうち少なくとも一つは、λ/4またはその奇数倍とは異なる第2光学的厚さを有する、光変調器。前記第1屈折率層と第3屈折率層とは、同じ材料で形成され、光学的厚さが異なる、請求項1に記載の光変調器。前記第1及び第3屈折率層は、AlAsで形成される、請求項1または2に記載の光変調器。前記第2屈折率層と第4屈折率層とは、同じ材料で形成され、光学的厚さが異なる、請求項1~3のいずれか1項に記載の光変調器。前記第2及び第4屈折率層は、AlxGa1-xAs0<x<1で形成される、請求項1~4のいずれか1項に記載の光変調器。前記第1屈折率層と第3屈折率層とは、異なる材料で形成される、請求項1に記載の光変調器。前記第1屈折率層は、AlAsで形成され、第3屈折率層は、Al0.9Ga0.1Asで形成される、請求項1または6に記載の光変調器。前記第2屈折率層と第4屈折率層とは、異なる材料で形成される、請求項1に記載の光変調器。前記第2屈折率層は、Al0.5Ga0.5Asで形成され、第4屈折率層は、Al0.3Ga0.7Asで形成される、請求項1または8に記載の光変調器。前記上部DBR層の前記少なくとも一つの層は、第1層と第2層とを備え、前記第1層は、前記変形された層上に配置され、第1屈折率層及び第2屈折率層の少なくとも一つの第1対を備え、前記第2層は、前記変形された層下に配置され、前記第1屈折率層及び第2屈折率層の少なくとも一つの第2対を備える、請求項1に記載の光変調器。前記少なくとも一つの第1対の個数と前記少なくとも一つの第2対の個数とは異なる、請求項10に記載の光変調器。前記変形された層は、前記第3及び第4屈折率層の複数の対を備え、前記少なくとも一つの層は、前記変形された層上に配置され、前記第1及び第2屈折率層の対は、第1及び第2屈折率層の複数の対を備える、請求項1~9のいずれか1項に記載の光変調器。前記活性層は、厚さが異なる少なくとも二つの量子ウェル層を有する、請求項1~12のいずれか1項に記載の光変調器。前記活性層は、順次に積層された第1多重量子ウェルと第2多重量子ウェルとを有し、前記第1多重量子ウェルは、第1量子ウェル層と第1障壁層との複数の対を備え、前記第2多重量子ウェルは、第2量子ウェル層と第2障壁層との複数の対を備え、前記第1量子ウェル層と第2量子ウェル層とは、厚さが異なる、請求項1~12のいずれか1項に記載の光変調器。前記第1量子ウェル層と第2量子ウェル層とは、同じ材料で形成される、請求項14に記載の光変調器。前記第1量子ウェル層と第2量子ウェル層とは、GaAsで形成される、請求項14または15に記載の光変調器。前記活性層の全体的な厚さは、中心吸収波長の整数倍と同じである、請求項13~16のいずれか1項に記載の光変調器。前記活性層は、第1量子ウェル層と第1障壁層との対が第2量子ウェル層と第2障壁層との対と交互に積層される構造を有し、前記第1量子ウェル層と第2量子ウェル層とは、同じ材料で形成され、厚さが異なる、請求項1~12のいずれか1項に記載の光変調器。前記下部DBR層の下部に配置された第1コンタクト層と、前記第1コンタクト層の下部に配置された基板と、前記上部DBR層の上部に配置された第2コンタクト層と、をさらに備える請求項1~18のいずれか1項に記載の光変調器。前記第2コンタクト層上に形成された電極をさらに備え、前記電極は、格子の形態を有する、請求項19に記載の光変調器。前記基板の表面上に前記第1コンタクト層が部分的に形成されており、前記第1コンタクト層の表面上に、前記下部DBR層、活性層、上部DBR層及び第2コンタクト層が部分的に形成されている、請求項19に記載の光変調器。前記下部DBR層、活性層、上部DBR層及び第2コンタクト層の両側面で前記基板及び第1コンタクト層上に配置されている絶縁層をさらに備える、請求項21に記載の光変調器。前記下部DBR層、活性層、上部DBR層及び第2コンタクト層の両側の絶縁層のうちいずれか一つの絶縁層に、第1コンタクト層が露出されるようにトレンチが形成されている、請求項22に記載の光変調器。前記トレンチ内の第1コンタクト層上に形成された電極と、前記トレンチの内壁及び絶縁層の表面に沿って延びて、前記電極と連結される金属配線と、をさらに備える、請求項23に記載の光変調器。前記下部DBR層は、前記上部DBR層より高い反射度を有する、請求項1~24のいずれか1項に記載の光変調器。請求項1~25のいずれか1項に記載の光変調器を複数の光変調器セルのうちの一つの光変調器セルとして備え、前記複数の光変調器セルがアレイの形態に配列されている、光変調器装置。それぞれの光変調器セルは、隣接する他の光変調器セルとトレンチにより互いに分離されている、請求項26に記載の光変調器装置。前記複数の光変調器セルにそれぞれ対応して配置されている複数の駆動器をさらに備える、請求項26または27に記載の光変調器装置。複数の量子ウェルを備える活性層と、前記活性層の一方に配置された第1DBR層と、前記活性層の他方に配置され、前記第1DBR層より低い反射度を有する第2DBR層と、を備え、前記第2DBR層は、互いに反復的に配置されている複数の第1屈折率層と複数の第2屈折率層とを備える第1層と、相異なる二層の対を備える変形された層と、互いに反復的に配置されている複数の第1屈折率層と複数の第2屈折率層とを備える第2層と、を備え、前記複数の第1屈折率層のそれぞれと前記複数の第2屈折率層のそれぞれとは、λを活性層での中心吸収波長としてλ/4またはその奇数倍である光学的厚さを有し、前記変形された層内のそれぞれの層は、λ/4またはその奇数倍とは異なる光学的厚さを有する、光変調器。本発明の目的は、広い帯域幅の光変調特性を有する光変調器を提供することである。本発明の一類型による光変調器は、下部DBR層と、少なくとも一つの層及び変形された層を備える上部DBR層と、前記下部DBR層と上部DBR層との間に配置され、多重量子ウェルからなる活性層と、を備え、前記上部DBR層の前記少なくとも一つの層は、第1屈折率を有する第1屈折率層と前記第1屈折率と異なる第2屈折率を有する第2屈折率層との少なくとも一つの対を備え、前記第1及び第2屈折率層は、λを活性層での中心吸収波長としてλ/4またはその奇数倍である第1光学的厚さを有し、前記上部DBR層の前記変形された層は、第3屈折率を有する第3屈折率層と第3屈折率と異なる第4屈折率を有する第4屈折率層との少なくとも一つの対を備え、前記第3及び第4屈折率層のうち少なくとも一つは、λ/4またはその奇数倍とは異なる第2光学的厚さを有する。前記第1屈折率層と第3屈折率層とは、同じ材料で形成され、光学的厚さが異なる。前記第1及び第3屈折率層は、AlAsで形成される。前記第2屈折率層と第4屈折率層とは、同じ材料で形成され、光学的厚さが異なる。前記第2及び第4屈折率層は、例えば、Al0.5Ga0.5Asで形成される。前記第1屈折率層と第3屈折率層とは、相異なる材料で形成される。例えば、前記第1屈折率層は、AlAsで形成され、第3屈折率層は、Al0.9Ga0.1Asで形成される。前記第2屈折率層と第4屈折率層とは、相異なる材料で形成される。例えば、前記第2屈折率層は、Al0.5Ga0.5Asで形成され、第4屈折率層は、Al0.3Ga0.7Asで形成される。一実施形態において、前記上部DBR層の前記少なくとも一つの層は、第1層と第2層とを備え、前記第1層は、前記変形された層上に配置され、第1屈折率層及び第2屈折率層の少なくとも一つの第1対を備え、前記第2層は、前記変形された層下に配置され、前記第1屈折率層及び第2屈折率層の少なくとも一つの第2対を備える。例えば、前記少なくとも一つの第1対の個数と前記少なくとも一つの第2対の個数とは異なる。また、前記変形された層は、前記第3及び第4屈折率層の複数の対を備え、前記少なくとも一つの層は、前記変形された層上に配置され、前記第1及び第2屈折率層の対は、第1及び第2屈折率層の複数の対を備える。前記活性層は、厚さが異なる少なくとも二つの量子ウェル層を有する。また、一実施形態において、前記活性層は、順次に積層された第1多重量子ウェルと第2多重量子ウェルとを有し、前記第1多重量子ウェルは、第1量子ウェル層と第1障壁層との複数の対を備え、前記第2多重量子ウェルは、第2量子ウェル層と第2障壁層との複数の対を備え、前記第1量子ウェル層と第2量子ウェル層とは、厚さが異なる。前記第1量子ウェル層と第2量子ウェル層とは、同じ材料で形成される。例えば、前記第1量子ウェル層と第2量子ウェル層とは、GaAsで形成される。前記活性層の全体的な厚さは、中心吸収波長の整数倍と同じである。前記活性層は、第1量子ウェル層と第1障壁層との対が第2量子ウェル層と第2障壁層との対と交互に積層される構造を有し、前記第1量子ウェル層と第2量子ウェル層とは、同じ材料で形成され、厚さが異なる。また、前記光変調器は、前記下部DBR層の下部に配置された第1コンタクト層と、前記第1コンタクト層の下部に配置された基板と、上部DBR層の上部に配置された第2コンタクト層と、をさらに備える。前記光変調器は、前記第2コンタクト層上に形成された電極をさらに備え、前記電極は、格子の形態を有する。前記光変調器において、前記基板の表面上に前記第1コンタクト層が部分的に形成されており、前記第1コンタクト層の表面上に、前記下部DBR層、活性層、上部DBR層及び第2コンタクト層が部分的に形成される。また、前記光変調器は、前記下部DBR層、活性層、上部DBR層及び第2コンタクト層の両側面で、前記基板及び第1コンタクト層上に配置されている絶縁層をさらに備える。また、前記光変調器において、前記下部DBR層、活性層、上部DBR層及び第2コンタクト層の両側の絶縁層のうちいずれか一方の絶縁層に、第1コンタクト層が露出されるようにトレンチが形成される。前記光変調器は、前記トレンチ内の第1コンタクト層上に形成された電極と、前記トレンチの内壁及び絶縁層の表面に沿って延びて、前記電極と連結される金属配線と、をさらに備える。一実施形態において、前記下部DBR層は、前記上部DBR層より高い反射度を有する。本発明の他の類型によれば、前述した光変調器を複数の光変調器セルのうち一つの光変調器セルとして備え、前記複数の光変調器セルがアレイの形態に配列されている光変調器装置が提供される。それぞれの光変調器セルは、隣接する他の光変調器セルとトレンチにより互いに分離される。前記光変調装置は、複数の光変調器セルにそれぞれ対応して配置されている複数の駆動器をさらに備える。一方、本発明のさらに他の類型による光変調器は、複数の量子ウェルを備える活性層と、前記活性層の一方に配置された第1DBR層と、前記活性層の他方に配置され、前記第1DBR層より低い反射度を有する第2DBR層と、を備え、ここで、前記第2DBR層は、互いに反復的に配置されている複数の第1屈折率層と複数の第2屈折率層とを備える第1層と、相異なる二層の対を備える変形された層と、互いに反復的に配置されている複数の第1屈折率層と複数の第2屈折率層とを備える第2層と、を備え、前記複数の第1屈折率層のそれぞれと前記複数の第2屈折率層のそれぞれとは、λを活性層での中心吸収波長としてλ/4またはその奇数倍である光学的厚さを有し、前記変形された層内のそれぞれの層は、λ/4またはその奇数倍とは異なる光学的厚さを有する。本発明によれば、ファブリーペロー共振反射に基づいた広帯域を有する光変調器において、上部DBR層内に備えられた複数の屈折率層の一部の厚さ、または活性層内に備えられた量子ウェル層の一部の厚さを変形することによって、所定の光波長帯域に対して反射度が均一に維持される。したがって、光変調器は、温度及び製造工程による波長変化時にも安定した光変調特性を維持できる。以下、添付された図面を参照して、光変調器及びその製造方法について詳細に説明する。以下の図面において、同じ参照符号は同じ構成要素を指し、各構成要素の大きさは、説明の明瞭性及び便宜上、誇張されうる。図1は、一類型による光変調器100の概略的な構造を示す断面図である。図1を参照すれば、光変調器100は、基板101上に順次に配置された、第1コンタクト層102、下部DBRDistributedBraggReflector層110、多重量子ウェルからなる活性層120、上部DBR層130及び第2コンタクト層105を備える。ここで、第1コンタクト層102は、例えば、N型にドーピングされたN型コンタクト層であり、第2コンタクト層105は、P型にドーピングされたP型コンタクト層である。この場合、下部DBR層110はN型にドーピングされ、上部DBR層130はP型にドーピングされる。便宜上、電極、配線のような光変調器100の他の構成は、図1に示していない。かかる構造で逆方向のバイアス電圧を光変調器100に印加すれば、光電吸収により入射光が活性層120内で吸収される。そして、下部DBR層110と上部DBR層130とは、ファブリーペロー共振器を形成する。かかる点から、図1に示した光変調器100は、光電吸収に基づいた非対称型ファブリーペロー変調器AsymmetricFabryPerotModulator:AFPMといえる。光変調器100は、反射型に構成されることもある。反射型に構成される場合、光変調器100は、垂直に入射する光を変調して、再び垂直方向に出力する。ここで、下部及び上部DBR層110,130は、高い反射率を有するミラーの役割を担い、屈折率が異なる二つの物質層の対から構成される。すなわち、下部DBR層110と上部DBR層130とは、屈折率が相対的に低い低屈折率層と、屈折率が相対的に高い高屈折率層とが反復的に交互に積層された構造を有する。例えば、下部及び上部DBR層110,130は、反復的に交互に積層されたAlAs/Al0.5Ga0.5As構造またはAl0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7As構造で構成される。他の実施形態では、Al0.5Ga0.5AsやAl0.3Ga0.7Asの代わりに、AlxGa1-xAsが使われ、ここで、0<x<1である。かかる構造の下部及び上部DBR層110,130に特定の波長を有する光が入射する場合、下部及び上部DBR層110,130の二つの物質の境界面で反射が起こるが、この時、反射されるあらゆる光の位相差を同一にすることで、高い反射率が得られる。このため、下部及び上部DBR層110,130の二つの物質層の光学的厚さ物理的厚さに物質の屈折率を乗じた値をそれぞれλ/4λは、入射される光の波長の奇数倍に形成する。下部及び上部DBR層110,130は、二つの物質層の対が反復される回数が増えるほど、高い反射率を有する。活性層120の全体的な光学的厚さは、入射する光の波長の整数倍になるように構成される。これにより、特定の波長を有する入射光のみが下部DBR層110と上部DBR層130との間で共振しつつ、活性層120内に吸収される。前記活性層120領域での吸収が最大になるように、下部DBR層110は、例えば、99以上の高い反射率を有する。一方、上部DBR層130は、光が活性層120内に最大限多く入るようにすると共に、活性層120内で共振できるように相対的に低い反射率例えば、30ないし60を有する。一方、逆方向電圧が印加されていない時の反射率と、逆方向電圧が印加された時の反射率との差が、広い波長領域で平坦化されるようにすなわち、広い帯域幅を有するように、図1に示した光変調器100では、上部DBR層130の一部が変形されている。前述したように、下部及び上部DBR層110,130は、光学的厚さがそれぞれλ/4またはその奇数倍である二つの物質層の対を有する。ここで、上部DBR層130は、その一部の層の光学的厚さがλ/4またはその奇数倍とは異なるように構成される。これにより、設計上、特定の波長以外の他の波長を有する光が活性層120に入ることができる。その結果、さらに広いスペクトル領域の光が活性層120で吸収される。図2は、かかる上部DBR層130の構造を例示的に示す断面図である。図2を参照すれば、上部DBR層130は、第1屈折率層135と第2屈折率層136との対を有する第1上部DBR層131、第3屈折率層137と第4屈折率層138との対を有する変形DBR層132、及び第1屈折率層135と第2屈折率層136との対を有する第2上部DBR層133を備える。第1上部DBR層131及び第2上部DBR層133内の第1屈折率層135及び第2屈折率層136の個数は、必要に応じて変わりうる。同様に、変形DBR層132内の第3屈折率層137及び第4屈折率層138の個数も、必要に応じて変わりうる。ここで、第1屈折率層135は、例えば、屈折率が比較的低いAlAsで構成され、第2屈折率層136は、屈折率が相対的に高いAl0.5Ga0.5Asで構成される。第1屈折率層135及び第2屈折率層136の光学的厚さは、いずれも入射させようとする波長の1/4すなわち、λ/4またはその奇数倍である。また、前記変形DBR層132の一部である第3屈折率層137は、第1屈折率層135と同じ材料すなわち、AlAsで形成され、第4屈折率層138は、第2屈折率層136と同じ材料すなわち、Al0.5Ga0.5Asで形成される。しかし、第3屈折率層137及び第4屈折率層138のうち少なくとも一つの光学的厚さは、λ/4またはその奇数倍でない他の厚さを有する。例えば、第3屈折率層137のみがλ/4またはその奇数倍と異なる光学的厚さを有してもよく、第4屈折率層138のみがλ/4またはその奇数倍と異なる光学的厚さを有してもよく、または第3屈折率層137と第4屈折率層138とがいずれもλ/4またはその奇数倍と異なる光学的厚さを有してもよい。また、光学的厚さを変形させるために、第1屈折率層135または第2屈折率層136と異なる屈折率を有する他の材料を使用することも可能である。例えば、第3屈折率層137としては、AlAsの代わりにAl0.9Ga0.1Asを使用でき、第4屈折率層138としては、Al0.5Ga0.5Asの代わりにAl0.3Ga0.7Asを使用することもできる。かかる材料の変更も、第3屈折率層137及び第4屈折率層138のうちいずれか一つにのみ適用されてもよく、または二つの屈折率層137,138にいずれも適用されてもよい。ここで、第3屈折率層137と第4屈折率層138との光学的厚さは、吸収しようとする波長及び帯域幅によって選択される。一方、図2には、上部DBR層130の中間に変形DBR層132がはさみ込まれているものとして示されているが、実施形態によって、第1上部DBR層131が省略されてもよく、第2上部DBR層133が省略されてもよい。図3は、光変調器100についての例示的な実施形態による層構造及び層厚を示している。図3に示した構造は、例示的にGaAs化合物半導体を利用して、約850nmの中心吸収波長を有するように設計されている。図3を参照すれば、p-コンタクト層の役割を担う第2コンタクト層105は、p-GaAsで形成されている。GaAs物質は、表面の酸化率が低く、バンドギャップが小さいので、電極を形成する時、オミックコンタクトの形成に有利である。第2コンタクト層105の厚さは、入射光の吸収損失を考慮して10nmとした。第2コンタクト層105の下部には、上部DBR層130が配置されている。上部DBR層130は、屈折率が異なるAl0.5Ga0.5As/AlAs物質の対から構成される。少ない層数で入射光を吸収せずに高い反射率を得るためには、DBR層に使われる物質のバンドギャップが大きく、相異なる二つの物質間の屈折率差が大きい方が良い。一般的に、GaAsにAlを添加すれば、バンドギャップが上昇し、屈折率が低下する特性がある。例えば、Al0.5Ga0.5Asの屈折率は、約3.316であり、AlAsの屈折率は、約3.00である。図3に示したように、上部DBR層130において、第2上部DBR層133は、単に一つの第1屈折率層135と第2屈折率層136との対P=1から構成されている。AlAsで形成された第1屈折率層135の光学的厚さ70.5nm×3.00は、λ/4850nm/4=212.5nmを満足する。Al0.5Ga0.5Asで形成された第2屈折率層136の光学的厚さ64nm×3.316も、λ/4212.5nmを満足する。第2上部DBR層133の下部の変形DBR層132は、単に一つの第3屈折率層137と第4屈折率層138との対から構成されている。第3屈折率層137は、第1屈折率層135と同様にAlAsで形成されるが、その光学的厚さ77.55nm×3.00=232.65nmは、λ/4の約1.1倍である。第4屈折率層138は、第2屈折率層136と同様にAl0.5Ga0.5Asで形成されるが、その光学的厚さ51.2nm×3.316=169.78nmは、λ/4の約0.8倍である。図3に示した実施形態の場合には、第1上部DBR層131がないので、第1屈折率層135と第2屈折率層136との対の個数は0Q=0である。すなわち、上部DBR層130は、変形DBR層132、及びその上の第2上部DBR層133のみを有する。活性層120は、光吸収が起こる量子ウェル層123と、前記量子ウェル層123間の電子移動を防止する障壁層124とを備える。図3の例において、量子ウェル層123として9nm厚さのGaAsを使用し、障壁層124として3nm厚さのAlAsを使用した。活性層120は、34対の量子ウェル層123と障壁層124との対を有する多重量子ウェル構造である。この場合、活性層120の全体的な厚さは、中心吸収波長の2倍2λである。一般的に、活性層120の厚さは、中心波長の整数倍mλに構成され、厚さが薄ければm=1、電圧降下は減少するが、光吸収が減少し、逆に厚ければm=3、高い逆方向バイアス電圧が要求され、吸収率が向上する。図3の実施形態では、かかる特性を考慮して、活性層120の厚さを波長の2倍m=2とした。活性層120と上部DBR層130との間には、AlAs層125とAl0.5Ga0.5As層126とからなる上部クラッド層が挿入されており、活性層120と下部DBR層110との間には、Al0.5Ga0.5As層121とAlAs層122とからなる下部クラッド層が挿入されている。一般的に、上部DBR層130を形成する場合には、反射率を高めるため、光の入射方向で見た時、高い屈折率を有するAl0.5Ga0.5Asが先に配置され、低い屈折率を有するAlAsが後に配置される。しかし、活性層120内で光が共振を行う時は、光損失を最小化するために、光が上部DBR層130と下部DBR層110との間で、低い屈折率を有する層AlAs、屈折率:3.00から高い屈折率を有する層GaAs、屈折率:3.702の順に進む。下部DBR層110は、99以上の高反射率が得られるように、21対の第1屈折率層112と第2屈折率層113とから構成されている。下部DBR層110の第1屈折率層112は、Al0.5Ga0.5Asで構成され、第2屈折率層113は、AlAsで構成される。前記二つの屈折率層112,113の光学的厚さは、いずれもλ/4である。下部DBR層110と第1コンタクト層102との間には、位相マッチング層111が挟まれる。下部DBR層110の最下層には、屈折率の高いAl0.5Ga0.5Asが位置するが、その下にも屈折率の高いGaAs基板屈折率:3.702101が位置するので、屈折率の順序を考慮して、屈折率の低いAlAsを位相マッチング層111として挿入したのである。位相マッチング層111下には、n-GaAsからなる第1コンタクト層102とGaAs基板101とが位置する。一方、上部及び下部DBR層110,130は、ミラーの役割以外にも、電流が流れる通路の役割も担う。このため、前記DBR層110,130をなすAl0.5Ga0.5As/AlAs物質が導電性を有さねばならない。導電性は、一般的にDBR層110,130をドーパント物質でドーピングすれば、そのドーピング濃度に比例して上昇するが、ドーピング濃度が上昇するほど、光学的特性は低下する。例えば、P型に対しては、Beをドーパントとして使用し、N型に対しては、Siをドーパントとして使用でき、ドーピング濃度は、約1ないし3×1018cm-2とすることができる。図4は、光変調器100の特性を示すグラフである。図4を参照すれば、逆方向電圧の印加時に、約847ないし856nm領域で反射率が比較的平坦な区間が形成されるということが分かる。したがって、製造工程の影響または温度のような外部環境の影響下でも、比較的安定的な動作が得られる。また、逆方向電圧が印加された時及び逆方向電圧が印加されていない時の反射度の差が30以上である帯域幅は、図4のグラフから約13nmであるということが分かる。図5は、他の類型による光変調器200の概略的な構造を示す断面図である。図5に示した光変調器200は、基板101上に第1コンタクト層102、下部DBR層110、活性層140、上部DBR層130及び第2コンタクト層105が順次に配置された構造を有する。図1に示した光変調器100の構造と比較すると、図5に示した光変調器200は、活性層140の構造のみが異なり、残りは図1に示した光変調器100と同一である。すなわち、図5の光変調器200の上部DBR層130も、光学的厚さが異なる複数の屈折率層を有する。これに加えて、光変調器200は、活性層140で光学的厚さが異なる複数の量子ウェル層を有する。したがって、図5に示した光変調器200は、図1の光変調器100において、活性層120内の量子ウェル層の光学的厚さをさらに変更したものであるといえる。図6は、図5に示した光変調器200についての例示的な実施形態による層構造及び層厚を示している。図6に示した構造も、例示的にGaAs化合物半導体を利用して、約850nmの中心吸収波長を有するように設計されている。図6を参照すれば、上部DBR層130上にp-コンタクト層の役割を担うように、p-GaAsからなる第2コンタクト層105が配置されている。第2コンタクト層105の厚さは、10nmである。第2コンタクト層105の下部には、上部DBR層130が配置されている。前記上部DBR層130の構造は、図3を参照して説明したものと類似しているが、第1上部DBR層131と第2上部DBR層133とにおける積層された対の個数と、変形DBR層132の第3屈折率層137と第4屈折率層138との厚さが異なる。すなわち、図3の実施形態では、第1上部DBR層131がなく、第2上部DBR層133が、第1屈折率層135と第2屈折率層136との一対からなっているが、図6の実施形態では、第1上部DBR層131は、第1屈折率層135と第2屈折率層136との10対からなっている。一方、第2上部DBR層133は、これと異なり、第1屈折率層135と第2屈折率層136との2対からなっている。また、図3の実施形態では、変形DBR層132の第3屈折率層137の厚さが77.55nmであり、第4屈折率層138の厚さが51.2nmであるが、図6の実施形態では、変形DBR層132の第3屈折率層137の厚さが42.2nmであり、第4屈折率層138の厚さが25.6nmである。一方、活性層140は、量子ウェルの厚さが異なる第1多重量子ウェル140aと第2多重量子ウェル140bとを備える。例えば、第1多重量子ウェル140aは、9nm厚さのGaAsからなる量子ウェル層147と、3nm厚さのAlAsからなる障壁層146とから構成された17対を有する。一方、第2多重量子ウェル140bは、8nm厚さのGaAsからなる量子ウェル層145と、3nm厚さのAlAsからなる障壁層144とから構成された17対を有する。また、第2多重量子ウェル140bは、8nm厚さのGaAsからなる量子ウェル層143をさらに有する。かかる第1多重量子ウェル140aと第2多重量子ウェル140bとを有する活性層140の全体的な厚さは、中心吸収波長の2倍2λである。一般的に、光変調器に入射した光は、活性層をなす量子ウェル層で吸収され、吸収波長は、量子ウェル層の厚さによって決定される。量子ウェル層の厚さによって、量子ウェル層での電子-正孔遷移エネルギーが変わる。これは、吸収波長が変化することを意味する。図3で提案された構造の場合、活性層120は、同じ厚さ9nmを有する量子ウェル層123のみで構成されるが、図6で提案された構造の場合、活性層140は、9nmの厚さを有する量子ウェル層147と、8nmの厚さを有する量子ウェル層143,145とが互いに重なって構成される。図6には、厚さが異なる量子ウェル層143,145,147が二つの部分に分けられて、すなわち、第1多重量子ウェル140aと第2多重量子ウェル140bとに分けられて、別々に配置されている。しかし、9nmの厚さを有する量子ウェル層147と8nmの厚さを有する量子ウェル層143,145とが交互に積層されることも可能である。すなわち、最初は、9nmの厚さを有する量子ウェル層147と障壁層146との対が積層され、その次には、8nmの厚さを有する量子ウェル層145と障壁層144との対が積層される方式を反復して、活性層140を形成できる。上部DBR層130と活性層140との間には、AlAs層148とAl0.5Ga0.5As層149とからなる上部クラッド層が挿入されており、活性層140と下部DBR層120との間には、Al0.5Ga0.5As層141とAlAs層142とからなる下部クラッド層が挿入されている。また、下部クラッド層の下部には、下部DBR層120、位相マッチング層111、第1コンタクト層102及び基板101が配置されている。かかる上部及び下部クラッド層、下部DBR層120、位相マッチング層111、第1コンタクト層102及び基板101の構成と役割は、図3を参照して既に説明したものと同一であるので、ここでは、それについての詳細な説明を省略する。図7は、厚さが異なる二つの量子ウェル層の電界変化による吸収係数の変化を示すグラフである。図7において、垂直軸の[a.u.]は、arbitraryunitの略字である。arbitraryunitは、グラフ内の絶対値は重要でなく、単に相対的な値のみが意味を有する時に一般的に使われる。図7から分かるように、量子ウェル層の厚さによって、吸収される波長の領域も変わり、電界印加時に吸収率の長波長移動の程度も変わる。例えば、8nmの厚さを有する量子ウェル層の場合、13V/μmの電界印加時に中心吸収波長が約840nmに移動するのに対し、9nmの厚さを有する量子ウェル層の場合には、中心吸収波長が約850nmに移動する。したがって、8nmの厚さを有する量子ウェル層と9nmの厚さを有する量子ウェル層とを一つの活性層内で共に使用する場合、図8に示したように、さらに広い帯域幅で入力光を吸収できる。図9は、9nmの厚さを有する量子ウェル層のみを使用した場合太い実線、及び8nmの厚さを有する量子ウェル層と9nmの厚さを有する量子ウェル層とを共に使用した場合細い実線について、実際に光発光PL:Photoluminescenseの帯域幅を測定した結果を示すグラフである。図9のグラフから分かるように、8nmの厚さを有する量子ウェル層と9nmの厚さを有する量子ウェル層とを共に使用した場合に、帯域幅がさらに広くなるということが分かる。図7及び図8において、電界印加時に吸収波長が長波長に移動する時、吸収係数が低減する。しかし、長波長に対する吸収係数が小さくなっても、活性層140の共振波長が前記長波長と一致するならば、長波長に対する吸収自体は上昇する。前述したように、図5に示した構造を有する光変調器200の場合、λ/4でない光学的厚さを部分的に有する上部DBR層130の層構造により、さらに広いスペクトル領域の光を活性層140に提供できる。また、活性層140では、厚さが異なる二種類の量子ウェル層により、さらに広い帯域幅で吸収が起こるようにする。したがって、前述した変形された上部DBR層130を利用する場合、厚さが異なる二種類の量子ウェル層からなる活性層での帯域幅が、同じ厚さの量子ウェル層からなる活性層での帯域幅より広くなる。さらに、吸収帯域幅は増加する一方で、駆動電圧と静電容量とが増加する逆効果はほとんど発生しない。図10は、単に一種類の量子ウェル層を有する活性層120と、変形された上部DBR層132との組み合わせからなる光変調器、及び二種類の量子ウェル層を有する活性層140と変形された上部DBR層132との組み合わせからなる光変調器において、電界印加時と電界非印加時との反射度の差△Rをそれぞれ示すグラフである。図10において、太い実線は、図3に示した光変調器100のように一種類の量子ウェル9nmの厚さを有し、図6に示した光変調器200のような上部DBR層の構成を有する光変調器の場合に関するものである。また、図10において、細い実線は、図6に示した光変調器200に関するものである。これまでは、活性層140内に厚さが異なる二種類の量子ウェル層があることを例として説明したが、実施形態によっては、厚さが異なる少なくとも三種類の量子ウェル層が存在してもよい。一方、前述した非対称型のファブリーペロー光変調器100,200を3Dカメラに適用するためには、前述した広い吸収帯域幅特性以外に大面積の製作が要求される。しかし、光変調器の大面積化は、光変調器の静電容量を増加させる要因となる。光変調器の静電容量の増加は、光変調器のRC時定数の増加をもたらすため、光変調器が20ないし40MHzの超高速で動作するにあたって制約を引き起こす。したがって、光変調器の面積を増大させると共に、静電容量と面抵抗を減らすことができる電極構造が要求される。図11Aないし図11Fは、光変調器100を、静電容量と面抵抗を減らすように製造する過程を例示的に説明するための断面図である。まず、図11Aを参照すれば、GaAs基板101上に第1コンタクト層102、下部DBR層110、活性層120、上部DBR層130及び第2コンタクト層105を順次に積層する。ここで、GaAs基板101、第1コンタクト層102、下部DBR層110、活性層120、上部DBR層130及び第2コンタクト層105の詳細な構造、材料及び厚さは、例えば、図3に示した構成による。しかし、図3に示した構成は、単に例示的なものであり、本発明を限定するものではないので、中心吸収波長及び吸収帯域幅の選択によって構成を異ならせることも可能である。前記第1コンタクト層102、下部DBR層110、活性層120、上部DBR層130及び第2コンタクト層105は、例えば、多様な種類のエピタキシャル成長法によって形成される。ここで、第1コンタクト層102は、例えば、N-ドーピングされたN-コンタクト層となり、第2コンタクト層105は、P-ドーピングされたP-コンタクト層となる。次いで、図11Bを参照すれば、第1コンタクト層102の表面が露出されるまで、メサエッチング方式で前記第2コンタクト層105、上部DBR層130、活性層120及び下部DBR層110の両側を連続してエッチングする。これによって、第1コンタクト層102の上部面の中心領域にのみ、部分的に下部DBR層110、活性層120、上部DBR層130及び第2コンタクト層105が残る。次いで、図11Cに示したように、再び2次メサエッチングにより、基板101の表面が露出されるまで第1コンタクト層102の両側をエッチングする。この過程で、基板101の両側表面が露出され、基板101の両側表面も部分的にエッチングされる。次いで、図11Dに示したように、エッチングされて除去された両側面部分を全体的に絶縁層107で満たす。この時、絶縁層107の上部表面は、一定の高さを有するようにし、第2コンタクト層105上に絶縁層107が残りうる。かかる絶縁層107としては、例えば、ベンゾシクロブテンBCBのような材料を使用できる。次いで、図11Eを参照すれば、CMPChemical-MechanicalPlanarizationのような平坦化過程を通じて、第2コンタクト層105が露出されるまで絶縁層107を部分的に除去する。次いで、下部DBR層110、活性層120、上部DBR層130及び第2コンタクト層105を備える構造物の両側にある絶縁層107のうち、いずれか一方の絶縁層107にトレンチ108を形成する。トレンチ108を形成する時、第1コンタクト層102の表面を露出させる。したがって、結果的なトレンチ108の底面は、第1コンタクト層102となる。最後に、図11Fに示したように、トレンチ108内に露出された第1コンタクト層102の表面上に全体的に第1電極153を形成し、第2コンタクト層105の表面上に部分的に第2電極151を形成する。第1コンタクト層102がN型コンタクト層である場合に、第1電極153には、N型電極材料を使用し、第2電極151には、P型電極材料を使用できる。絶縁層107の表面上には、第2電極151と連結される第2金属配線152がさらに形成される。また、第1電極153は、トレンチ108の内壁と絶縁層107の表面を通じて延びた第1金属配線154に連結される。かかる電極構造によれば、第1電極153と第2電極151とが垂直に配置されず、平行に配置されているため、寄生静電容量の発生が抑制される。図12は、図11Aないし図11Fの方式を若干変形して製造された光変調器100’の電極連結構造を示す平面図である。図12を参照すれば、最上にある第2コンタクト層105’の側面周りに沿って絶縁層107’が形成されている。また、絶縁層107’内には、第2コンタクト層105’の側面周りに沿ってトレンチ108’が形成されている一方、図11Fの場合には、第2コンタクト層105の一側にのみトレンチ108が形成されている。前記トレンチ108’は、約20μmの幅に狭く形成できる。絶縁層107’の一側表面上には、トレンチ108’内の第1電極図示せずと連結される第1金属配線154’、及び第2電極151’と連結される第2金属配線152’が配置されている。第2コンタクト層105’の上部表面上には、第2電極151’が格子の形態に形成されている。一般的に、上部の第2コンタクト層105’では、ホールの移動度が電子の移動度より非常に低いため、下部のN-電極構造に比べて面抵抗が約10倍高い。したがって、第2コンタクト層105’上に全体的に第2電極151’を格子の形態に配列することによって、面抵抗を減らすことができる。第2電極151’による格子の数が増加すれば、面抵抗は減るが、格子の数が増加するほど、光損失が増加し、静電容量が増加することもある。したがって、格子の数を決定するにあたっては、面抵抗が減少する程度と、光損失及び静電容量が増加する程度とを考慮する。また、静電容量をさらに減少させるために、図12に示した光変調器100’を一つの光変調器セルとして、複数の光変調器セルのアレイが一つの大面積の光変調器装置を構成するようにすることもできる。図13は、複数の光変調器セルから構成された大面積の光変調器装置300を概略的に示している。図13は、複数の光変調器セルが2×3に配列された例を示す。しかし、光変調器セルのアレイは、2×3アレイに限定されず、設計によって任意のn×mn,mは、1より大きい自然数アレイを選択することが可能である。図13を参照すれば、それぞれの光変調器100’は、隣接する他の光変調器とトレンチ108’により互いに分離されている。トレンチ108’の幅は、例えば、約5ないし10μmでありうる。それぞれの光変調器には、電極151’及び配線152’,154’が個別的に配置されており、また、光変調器を駆動するための駆動器165も個別的に配置されている。駆動器165は、図示していない制御部の制御によって、光変調器の動作を制御する。例えば、駆動部165は、電源ライン161から提供される電流を制御部の制御によって光変調器に印加できる。電源ライン161は、絶縁層107’の表面に沿って光変調器装置300の外郭枠に沿って形成される。これまで、ファブリーペロー共振反射に基づいた広帯域を有する光変調器を詳細に説明した。例示された実施形態において、光変調器は、850nmの中心吸収波長を有する。しかし、開示された光変調器は、これに限定されない。例えば、GaAs系化合物半導体を使用する場合、750ないし1000nmの範囲の中心吸収波長を有するように光変調器が設計される。他の実施形態では、光変調器は、800ないし950nmの範囲の中心吸収波長を有してもよい。また、前記では光変調器が反射型光変調器である場合について説明したが、前述した説明に基づいて透過型光変調器を具現することも可能である。例えば、反射型光変調器において、下部DBR層の反射度は、約90ないし99であり、上部DBR層の反射度は、約40ないし50でありうる。しかし、透過型光変調器の場合には、下部と上部DBR層の反射度をいずれも約40ないし50に構成してもよい。すなわち、反射型光変調器の上部DBR層と透過型光変調器の上部DBR層とは、同じ反射度及び同じ構成を有する。したがって、透過型光変調器も、第1上部DBR層131、変形されたDBR層132及び第2上部DBR層133を備える。透過型光変調器は、下部DBR層110が約40ないし50の反射度を有するように変更されており、また、GaAs基板101が750ないし1000nmの波長に対して透過性があるガラスのような透明基板に代替されているという点でのみ、反射型光変調器と差がある。ファブリーペロー共振反射に基づいた広帯域を有する前記開示された光変調器において、上部DBR層内に備えられた複数の屈折率層の一部の厚さ、または活性層内に備えられた量子ウェル層の一部の厚さを変形することによって、所定の光波長帯域に対して反射度が均一に維持される。したがって、光変調器は、温度及び製造工程による波長変化時にも安定した光変調特性を維持できる。かかる光変調器は、例えば、約15nmないし20nmの広い波長帯域を要求する3Dカメラで被写体の距離を測定するための部分の部品として使われる。これまで、本発明の理解を助けるために、光変調器及びその製造方法についての例示的な実施形態が説明され、添付された図面に示された。しかし、かかる実施形態は、単に本発明を例示するためのものであり、これを制限しないという点が理解されねばならない。そして、本発明は、図示されて説明された説明に限定されないという点が理解されねばならない。これは、多様な他の変形が当業者に行われるためである。"