銅箔基材、及び、前記銅箔基材上に設けられ、金属単体又は合金で形成された被覆層を備え、比重40度ボーメ且つ3.2mol/Lの塩化第二鉄水溶液を腐食液とし、前記腐食液中、液温50°Cで且つ前記腐食液の攪拌を行わずに、Ag/AgCl電極を用い、前記被覆層側から測定範囲1cm×1cmで測定したときに、測定開始時の自然電位が前記銅箔基材の自然電位より高く、且つ、測定開始から240秒以内で前記銅箔基材と同じ電位にまで低下するプリント配線板用銅箔。前記測定開始時の自然電位が前記銅箔基材の自然電位より50mV以上高い請求項1に記載のプリント配線板用銅箔。前記自然電位が測定開始から極大値を有さずに120秒以内で前記銅箔基材と同じ電位にまで低下する請求項1又は2に記載のプリント配線板用銅箔。前記被覆層は、Au、Pd、Pt、Co、Ni、Cr、Mo、Sn、V及びZnのいずれか1種以上を含む請求項1~3のいずれかに記載のプリント配線板用銅箔。前記被覆層の表面または前記銅箔基材との間に、Ni、Cr、Sn、V及びZnのいずれか1種以上を含む層を備えた請求項1~4のいずれかに記載のプリント配線板用銅箔。50μmピッチ以下でエッチングファクターが1.5以上の回路が前記銅箔の被覆層側に形成されている請求項1~5のいずれかに記載のプリント配線板用銅箔。前記エッチングファクターが2.5以上である請求項6に記載のプリント配線板用銅箔。前記回路の断面形状において、前記銅箔の前記被覆層形成側表面から1μmの深さの範囲で最も広い回路幅をW1とし、表面から1μmよりも深い位置で、回路断面全体で回路幅が最も狭くなるときの回路幅をW2としたとき、0.7≦W2/W1≦1.0を満たす請求項6又は7に記載のプリント配線板用銅箔。前記プリント配線板がフレキシブルプリント配線板である請求項1~8のいずれかに記載のプリント配線板用銅箔。請求項1~9のいずれかに記載の銅箔と樹脂基板との積層体。樹脂基板と、前記樹脂基板上に形成された銅層と、前記銅層上に形成された請求項1~9のいずれかに記載の被覆層とで構成された積層体であって、比重40度ボーメ且つ3.2mol/Lの塩化第二鉄水溶液を腐食液とし、前記腐食液中、液温50°Cで且つ前記腐食液の攪拌を行わずに、Ag/AgCl電極を用い、前記被覆層側から測定範囲1cm×1cmで測定したときに、測定開始時の自然電位が前記銅層の自然電位より高く、且つ、測定開始から240秒以内で前記銅層と同じ電位にまで低下する積層体。前記樹脂基板がポリイミド基板である請求項10又は11に記載の積層体。請求項10~12のいずれかに記載の積層体を材料としたプリント配線板。近年、回路の微細化、高密度化がさらに進行し、より急峻に傾斜する側面を有する回路が求められている。しかしながら、特許文献1に記載される技術ではこれらには対応できない。また、特許文献1に記載される表面処理層はソフトエッチングにより除去する必要がある。さらに、樹脂との非接着面表面処理銅箔は、積層体に加工される工程で、樹脂の貼付け等の高温処理が施される。これは表面処理層の酸化を引き起こし、結果として銅箔のエッチング性は劣化する。前者については、エッチング除去の時間をなるべく短縮し、きれいに除去するためには、表面処理層の厚さを極力薄くすることが必要であること、また後者の場合には、熱を受けるために、下地の銅層が酸化され変色するので、通称ヤケと言われている。、レジストの塗布性均一性、密着性の不良やエッチング時の界面酸化物の過剰エッチングなどにより、パターンエッチングでのエッチング性、ショート、回路パターンの幅の制御性などの不良が発生するという問題があるので、改良が必要か又は他の材料に置換することが要求されている。そこで、本発明は、回路パターンを良好なファインピッチで形成することができるプリント配線板用銅箔、それを用いた積層体及びプリント配線板を提供することを課題とする。本発明者らは、鋭意検討の結果、所定の条件で侵食を行うことで測定した銅箔の自然電位と、同条件で測定された銅箔基材の自然電位との関係が、当該銅箔に回路パターンを良好なファインピッチで形成し得ることと大きな影響を与えることを見出した。以上の知見を基礎として完成した本発明は一側面において、銅箔基材、及び、銅箔基材上に設けられ、金属単体又は合金で形成された被覆層を備え、比重40度ボーメ且つ3.2mol/Lの塩化第二鉄水溶液を腐食液とし、腐食液中、液温50°Cで且つ腐食液の攪拌を行わずに、Ag/AgCl電極を用い、被覆層側から測定範囲1cm×1cmで測定したときに、測定開始時の自然電位が前記銅箔基材の自然電位より高く、且つ、測定開始から240秒以内で前記銅箔基材と同じ電位にまで低下するプリント配線板用銅箔である。本発明に係るプリント配線板用銅箔の一実施形態においては、前記測定開始時の自然電位が前記銅箔基材の自然電位より50mV以上高い。本発明に係るプリント配線板用銅箔の別の実施形態においては、自然電位が測定開始から極大値を有さずに120秒以内で前記銅箔基材と同じ電位にまで低下する。本発明に係るプリント配線板用銅箔の更に別の実施形態においては、被覆層は、Au、Pd、Pt、Co、Ni、Cr、Mo、Sn、V及びZnのいずれか1種以上を含む。本発明に係るプリント配線板用銅箔の更に別の実施形態においては、被覆層の表面または銅箔基材との間に、Ni、Cr、Sn、V及びZnのいずれか1種以上を含む層を備える。本発明に係るプリント配線板用銅箔の更に別の実施形態においては、50μmピッチ以下でエッチングファクターが1.5以上の回路が銅箔の被覆層側に形成されている。本発明に係るプリント配線板用銅箔の更に別の実施形態においては、エッチングファクターが2.5以上である。本発明に係るプリント配線板用銅箔の更に別の実施形態においては、回路の断面形状において、銅箔の被覆層形成側表面から1μmの深さの範囲で最も広い回路幅をW1とし、表面から1μmよりも深い位置で、回路断面全体で回路幅が最も狭くなるときの回路幅をW2としたとき、0.7≦W2/W1≦1.0を満たす。本発明に係るプリント配線板用銅箔の更に別の実施形態においては、プリント配線板がフレキシブルプリント配線板である。本発明は別の一側面において、本発明の銅箔と樹脂基板との積層体である。本発明は更に別の一側面において、樹脂基板と、前記樹脂基板上に形成された銅層と、前記銅層上に形成された本発明の被覆層とで構成された積層体であって、比重40度ボーメ且つ3.2mol/Lの塩化第二鉄水溶液を腐食液とし、前記腐食液中、液温50°Cで且つ前記腐食液の攪拌を行わずに、Ag/AgCl電極を用い、前記被覆層側から測定範囲1cm×1cmで測定したときに、測定開始時の自然電位が前記銅層の自然電位より高く、且つ、測定開始から240秒以内で前記銅層と同じ電位にまで低下する積層体である。本発明に係る積層体の一実施形態においては、樹脂基板がポリイミド基板である。本発明は更に別の一側面において、本発明の積層体を材料としたプリント配線板である。本発明によれば、回路パターンを良好なファインピッチで形成することができるプリント配線板用銅箔、それを用いた積層体及びプリント配線板を提供することができる。銅箔基材本発明に用いることのできる銅箔基材の形態に特に制限はないが、典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で用いることができる。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。屈曲性が要求される用途には圧延銅箔を適用することが多い。圧延銅箔基材の材料としてはプリント配線板の導体パターンとして通常使用されるタフピッチ銅や無酸素銅等の他、例えばSn入り銅、Ag入り銅、Cr、Zr又はMg等を添加した銅合金、Ni及びSi等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金の箔も使用可能である。なお、本明細書において用語銅箔を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。また、被覆層は樹脂との積層し、銅張積層体とした後に銅箔基材表面に形成してもよい。さらに、被覆層はメタライズドCCLの銅表面に形成することも可能である。本発明に用いることのできる銅箔基材の厚さについては特に制限はなく、プリント配線板用に適した厚さに適宜調節すればよい。例えば、5~100μm程度とすることができる。但し、ファインパターン形成を目的とする場合には30μm以下、好ましくは20μm以下であり、典型的には5~20μm程度である。本発明に使用する銅箔基材は、特に限定されないが、例えば、粗化処理をしないものを用いても良い。従来は特殊めっきで表面にμmオーダーの凹凸を付けて表面粗化処理を施し、物理的なアンカー効果によって樹脂との接着性を持たせるケースが一般的であるが、一方でファインピッチや高周波電気特性は平滑な箔が良いとされ、粗化箔では不利な方向に働くことがある。また、粗化処理をしないものであると、粗化処理工程が省略されるので、経済性生産性向上の効果がある。被覆層の構成銅箔基材の絶縁基板との接着面の反対側回路形成予定面側の表面の少なくとも一部には、金属単体又は合金で形成された被覆層が形成されている。本発明の銅箔は、腐食液中の自然電位がCuより高いことが必要である。このため、被覆層は、本発明の所定の侵食条件におけるこのような自然電位を実現するためには、Au、Pd、Pt、Co、Ni、Cr、Mo、Sn、V及びZnのいずれか1種以上を含むことが好ましい。より具体的には、被覆層は、貴金属のAu、Pd、Pt、これらを含む合金、Cr、Ni及びNi合金Ni-Cr、Ni-Sn、Ni-V、Ni-Mn、Ni-Zn等で形成してもよい。また、被覆層の表面または銅箔基材との間に、Ni、Cr、Sn、V及びZnのいずれか1種以上を含む層を形成してもよい。このような層は、Cuが表面に拡散することによる銅箔基材表面の酸化変色を防止する防錆層としての効果と、Cuが表面に拡散することを防止し、エッチング途中のレジスト剥離によるエッチング不良を防止するための下地層としての効果を有する。被覆層の同定被覆層の同定はXPS、若しくはAES等表面分析装置にて表層からアルゴンスパッタし、深さ方向の化学分析を行い、夫々の検出ピークの存在によって同定することができる。自然電位本発明の銅箔は、比重40度ボーメ且つ3.2mol/Lの塩化第二鉄水溶液を腐食液とし、腐食液中、液温50°Cで且つ腐食液の攪拌を行わずに、Ag/AgCl電極を用い、被覆層側から測定範囲1cm×1cmで測定したときに、測定開始時の自然電位が銅箔基材の自然電位より高く、且つ、測定開始から240秒以内で銅箔基材と同じ電位にまで低下する。ここで、測定開始時の自然電位が高いということは腐食しにくいことを示す。銅箔または銅層の表面にCuよりも腐食しにくい層がある場合、エッチングするときに回路の底部が優先的にエッチングされやすくなるため、回路の上部トップ部の幅が表面処理を施さない場合よりも広く残り、矩形に近い回路を形成することができる。そのため、ファインピッチの回路を形成できると言える。また、測定開始から240秒以内で銅箔基材と同じ電位にまで低下するため、初期エッチング性が良好であり、より良好にファインピッチの回路を形成することができる。上述の測定開始時の自然電位は、銅箔基材の自然電位より50mV以上高いとより好ましい。このような構成によれば、基材の銅箔または銅層よりもより腐食されにくいということになり、このような表面処理を施した場合、回路の底部のエッチングが優先的に行われ、回路上部の幅が広く残り易くなり、よりエッチングファクターが高い回路を形成できる。上述の自然電位は、測定開始から極大値を有さずに120秒以内で銅箔基材と同じ電位にまで低下することが好ましい。自然電位が低下する際に極大値を有するということは、後述のポリイミドを硬化するときの熱履歴でCuが表面に拡散していることを示している。この拡散したCuの影響により、エッチング工程においてレジスト剥離によるエッチング不良が起こりやすくなる。また、一般に電位が低下するまでの時間が短いほど回路の直線性は良好になるが、本発明では120秒以内で表面処理が溶解するため、初期エッチング性がより良好となる。このため、上述のように自然電位が測定開始から極大値を有さずに120秒以内で銅箔基材と同じ電位にまで低下するように構成されていると、エッチング不良を良好に抑制することができる。銅箔の製造方法本発明に係るプリント配線板用銅箔は、スパッタリング法により形成することができる。すなわち、スパッタリング法によって銅箔基材の表面の少なくとも一部を、被覆層により被覆する。具体的には、スパッタリング法によって、銅箔のエッチング面側に銅よりもエッチングレートの低い単体金属又は合金からなる被覆層を形成する。被覆層は、スパッタリング法に限らず、例えば、電気めっき、無電解めっき等の湿式めっき法で形成してもよい。プリント配線板の製造方法本発明に係る銅箔を用いてプリント配線板PWBを常法に従って製造することができる。以下に、プリント配線板の製造方法の例を示す。まず、銅箔と絶縁基板とを貼り合わせて積層体を製造する。銅箔が積層される絶縁基板はプリント配線板に適用可能な特性を有するものであれば特に制限を受けないが、例えば、リジッドPWB用に紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂等を使用し、FPC用にポリエステルフィルムやポリイミドフィルム等を使用する事ができる。貼り合わせの方法は、リジッドPWB用の場合、ガラス布などの基材に樹脂を含浸させ、樹脂を半硬化状態まで硬化させたプリプレグを用意する。銅箔を被覆層の反対側の面からプリプレグに重ねて加熱加圧させることにより行うことができる。フレキシブルプリント配線板FPC用の場合、ポリイミドフィルム又はポリエステルフィルムと銅箔とをエポキシ系やアクリル系の接着剤を使って接着することができる3層構造。また、接着剤を使用しない方法2層構造としては、ポリイミドの前駆体であるポリイミドワニスポリアミック酸ワニスを銅箔に塗布し、加熱することでイミド化するキャスティング法や、ポリイミドフィルム上に熱可塑性のポリイミドを塗布し、その上に銅箔を重ね合わせ、加熱加圧するラミネート法が挙げられる。キャスティング法においては、ポリイミドワニスを塗布する前に熱可塑性ポリイミド等のアンカーコート材を予め塗布しておくことも有効である。本発明に係る積層体は各種のプリント配線板PWBに使用可能であり、特に制限されるものではないが、例えば、導体パターンの層数の観点からは片面PWB、両面PWB、多層PWB3層以上に適用可能であり、絶縁基板材料の種類の観点からはリジッドPWB、フレキシブルPWBFPC、リジッドフレックスPWBに適用可能である。また、本発明に係る積層体は、銅箔を樹脂に貼り付けてなる上述のような銅張積層板に限定されず、樹脂上にスパッタリング、めっきで銅層を形成したメタライジング材であってもよい。上述のように作製した積層体の銅箔上に形成された被覆層表面にレジストを塗布し、マスクによりパターンを露光し、現像することによりレジストパターンを形成する。続いて、積層体にエッチング液を噴霧、またはエッチング液に浸漬する。このとき、自然電位が高い被覆層側より、腐食されやすい回路の底部が優先的にエッチングされ、回路の上部トップ部の幅が表面処理を施さない場合よりも広く残り、エッチングファクターが高い回路を形成することができる。これにより銅の不必要部分が除去されて、次いでエッチングレジストを剥離除去して回路パターンを露出することができる。積層体に回路パターンを形成するために用いるエッチング液に対しては、被覆層のエッチング速度は、銅よりも十分に小さいためエッチングファクターを改善する効果を有する。エッチング液は、塩化第二銅水溶液、又は、塩化第二鉄水溶液等を用いることができる。また、被覆層を形成する前に、あらかじめ銅箔基材表面に耐熱層を形成しておいてもよい。プリント配線板の銅箔表面の回路形状上述のように被覆層側からエッチングされて形成されたプリント配線板の銅箔表面の回路は、レジスト及び銅箔の界面近傍のサイドエッチングが抑制されている。したがって、配線回路の被覆層形成側表面から1μmの深さの範囲では最も回路幅が広くなるのは回路トップとなる。このため、相対的にそれよりも下側では回路幅が回路トップと比べて狭くなる。従って、配線回路は回路トップにおける回路幅が回路の厚み方向において最も狭くなることは無い。また、最も狭い幅が回路トップの回路幅の50を下回ると、回路の厚み方向において中細の回路となり、電気特性に悪影響を及ぼす可能性がある。以上により、回路の断面形態において、該銅箔又は銅層の被覆層形成側表面から1μmの深さの範囲で最も広い回路幅をW1とし、回路断面全体で回路幅が最も狭くなる位置が表面から1μmよりも深く、このときの回路幅をW2としたとき、0.7≦W2/W1≦1.0を満たすのが好ましい。また、W1及びW2は、0.8≦W2/W1≦1.0を満たすのが更に好ましい。また、上記銅箔表面の回路は、良好なファインピッチ回路に形成することができ、50μmピッチ以下でエッチングファクターが1.5以上の回路、好ましくはエッチングファクターが2.5以上の回路とすることができる。以下、本発明の実施例を示すが、これらは本発明をより良く理解するために提供するものであり、本発明が限定されることを意図するものではない。例1:実施例1~44銅箔又は銅層への被覆層の形成実施例1~28の銅箔基材として、厚さ8μmの圧延銅箔JX日鉱日石金属製C1100を用意した。圧延銅箔の表面粗さRzは0.7μmであった。また、実施例29~37の銅箔基材として、厚さ9又は18μmのSn添加圧延銅箔JX日鉱日石金属製HS1200を用意した。また、実施例38~44の銅箔基材として、厚さ8μmのメタライジングCCLJX日鉱日石金属製マキナス、銅層側Ra0.01μm、タイコート層の金属付着量Ni1780μgdm2、Cr360μgdm2を用意した。銅箔の表面に付着している薄い酸化膜を逆スパッタにより取り除き、Au、Pd、Pt、Co、Ni、Cr、Mo、Sn、V、Zn又はこれらの合金のターゲットを以下の装置及び条件でスパッタリングすることにより、銅箔基材表面に第1層、銅箔基材表面又は第1層上に第2層被覆層、第2層上に第3層をそれぞれ形成した。第1~第3層の厚さは成膜時間を調整することにより変化させた。スパッタリングに使用した各種金属の単体は純度が3Nのものを用いた。また合金ターゲットは、Au-50wtCu、Pd-50wtCu、Pd-50wtNi、Ni-20wtCr、Ni-7wtV、Ni-25wtZn、Ni-20wtSnを用いた。装置:バッチ式スパッタリング装置アルバック社、型式MNS-6000到達真空度:1.0×105Paスパッタリング圧:0.2Pa逆スパッタ電力:100Wスパッタリング電力:50W成膜速度:各ターゲットについて一定時間約0.2μm成膜し、3次元測定器で厚さを測定し、単位時間当たりのスパッタレートを算出した。ロールtoロール式を採用する場合、銅箔表面の薄い酸化膜をイオンガンにより取り除いた後、被覆層を形成してもよい。第1~第3層の厚さはスパッタリング電力を調整することにより変化させた。装置:ロールtoロール式スパッタリング装置神港精機社到達真空度:1.0×105Paスパッタリング圧:0.25Pa搬送速度:15m/minイオンガン電力:225Wスパッタリング電力:200~3000W上述の第1~第3層が形成された表面の反対側の銅箔基材表面に対して、以下の条件であらかじめ銅箔基材表面に付着している薄い酸化膜を逆スパッタにより取り除き、Ni及びCr単層のターゲットをスパッタリングすることにより、Ni層及びCr層を順に成膜した。Ni層及びCr層の厚さは成膜時間を調整することにより変化させた。装置:バッチ式スパッタリング装置アルバック社、型式MNS-6000到達真空度:1.0×105Paスパッタリング圧:0.2Pa逆スパッタ電力:100Wターゲット:Ni層用=Ni純度3NCr層用=Cr純度3Nスパッタリング電力:50W成膜速度:各ターゲットについて一定時間約0.2μm成膜し、3次元測定器で厚さを測定し、単位時間当たりのスパッタレートを算出した。銅箔基材のNi層及びCr層形成側表面に以下の手順により、ポリイミドフィルムを接着した。17cm×7cmの銅箔に対しアプリケーターを用い、宇部興産製Uワニス-Aポリイミドワニスを乾燥体で25μmになるよう塗布。21で得られた樹脂付き銅箔を空気下乾燥機で130°C30分で乾燥。3窒素流量を10L/minに設定した高温加熱炉において、350°C120分でイミド化。<付着量の測定>被覆層のAu、Pd、Pt、Co、Ni、Cr、Mo、Sn、V及びZnの付着量測定は、王水で表面処理銅箔サンプルを溶解させ、その溶解液を希釈し、原子吸光分析法で行った。自然電位の測定表面処理銅箔および積層体の自然電位は、1cm×1cmの範囲の測定部を除いて全てマスキングし、下記条件の腐食液中に浸漬して測定した。自然電位はガルバノポテンショスタットを用いて測定し、その変化を経過時間で追った。塩化第二鉄水溶液濃度:3.2mol/L、ボーメ度:40度液温:50°C攪拌:なし測定電極:Ag/AgCl電極エッチングによる回路形状銅箔の被覆層が形成された面に感光性レジスト塗布及び露光工程により10本の33μm幅および25μm幅の回路を印刷し、銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を以下の条件で実施した。<エッチング条件>エッチングは、下記の条件でスプレーエッチング装置を用いて行った。塩化第二鉄水溶液ボーメ度:40度スプレー圧:0.25MPa液温:50°C50μmピッチ回路形成レジストL/S=33μm/17μm仕上がり回路ボトム底部幅:25μmエッチング時間:10~130秒30μmピッチ回路形成レジストL/S=25μm/5μm仕上がり回路ボトム底部幅:15μmエッチング時間:20~70秒エッチング終点の確認:時間を変えてエッチングを数水準行い、光学顕微鏡で回路間に銅が残存しなくなるのを確認し、これをエッチング時間とした。エッチング後、45°CのNaOH水溶液100g/Lに1分間浸漬させてレジストを剥離した。<エッチングファクターの測定条件>エッチングファクターは、末広がりにエッチングされた場合ダレが発生した場合、回路が垂直にエッチングされたと仮定した場合の、銅箔上面からの垂線と樹脂基板との交点からのダレの長さの距離をaとした場合において、このaと銅箔の厚さbとの比:b/aを示すものであり、この数値が大きいほど、傾斜角は大きくなり、エッチング残渣が残らず、ダレが小さくなることを意味する。図1に、回路パターンの一部の表面写真と、当該部分における回路パターンの幅方向の横断面の模式図と、該模式図を用いたエッチングファクターの計算方法の概略とを示す。このaは回路上方からのSEM観察により測定し、エッチングファクターEF=b/aを算出した。このエッチングファクターを用いることにより、エッチング性の良否を簡単に判定できる。さらに、傾斜角θは上記手順で測定したa及び銅箔の厚さbを用いてアークタンジェントを計算することにより算出した。これらの測定範囲は回路長600μmで、12点のエッチングファクター、その標準偏差及び傾斜角θの平均値を結果として採用した。上記手順で形成した回路の断面を、日本電子株式会社製の断面試料作製装置SM-09010で加工した。この回路断面のSEM写真から、任意に選択した3本の回路の被覆層形成側表面から1μmの深さの範囲で最も広い回路幅W1μm、回路断面全体で最も狭い回路幅W2μmを測定し、これらの平均値を算出した。また、当該平均値を用いてW2/W1を算出した。例2:比較例45~50比較例45及び46ブランク材として、8μm厚又は17μm厚の圧延銅箔JX日鉱日石金属製C1100を準備した。また、比較例47及び48ブランク材として、9μm厚又は18μm厚のSn添加圧延銅箔JX日鉱日石金属製HS1200を準備した。さらに、比較例49及び50として、3μm厚又は8μm厚のメタライジングCCLJX日鉱日石金属製マキナス、銅層側Ra0.01μm、タイコート層の金属付着量Ni1780μgdm2、Cr360μgdm2を準備した。次に、それぞれの銅箔に例1と同じ手順でポリイミドフィルムを接着した。次に反対面に感光性レジスト塗布及び露光工程により10本の回路を印刷し、さらに銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を実施した。例3:比較例51~578μm厚の圧延銅箔JX日鉱日石金属製C1100を準備し、例1と同じ手順でポリイミドフィルムを接着した。次に、銅箔表面に例1と同様に種々の金属で構成された第2層被覆層をスパッタリングで形成し、エッチングで回路を形成した。例1~3の各測定条件及び測定結果を表1~6に示す。なお、表4~6の電位低下時間は、それぞれの実施例及び比較例の自然電位が、対応するブランク材比較例45~50の測定開始時電位まで低下するまでに経過した時間を示している。なお、回路の断面形状は、正確には斜辺が直線である台形ではない。表には実施例及び比較例の回路の傾斜角が記載されているが、これはあくまで図1に示した定義式によって算出した値である。評価実施例1~44は、いずれもエッチングファクターが大きく且つバラツキもなく、矩形方に近い断面の回路を形成することができた。比較例45~50は、ブランク材であり、良好な形状の回路が形成できなかった。比較例51~56は、測定開始時の電位は高いが、電位が240秒以内に低下しなかったために、良好な形状の回路が形成できなかった。比較例57は、被覆層を形成しているものの、測定開始の電位が低いために、良好な形状の回路が形成できなかった。図3に、1実施例2の腐食液中の自然電位、2比較例46の自然電位、3比較例52の自然電位を測定した結果のグラフをそれぞれ示す。