制御機器内に配置されるヒータ10を制御するヒータ制御回路であって、電源とグランドとの間に配置されて、前記ヒータに対して直列に接続されるMOSトランジスタ20と、前記電源とグランドとの間で前記ヒータおよび前記MOSトランジスタを通して駆動電流が流れるように前記MOSトランジスタを制御する第1の制御手段S100と、前記第1の制御手段により前記ヒータおよび前記MOSトランジスタに駆動電流を流したときの前記MOSトランジスタの電源側端子およびグランド側端子との間のON抵抗の値を記憶する記憶手段40と、前記第1の制御手段により前記ヒータおよび前記MOSトランジスタに駆動電流を流したときの前記MOSトランジスタのグランド側端子と電源側端子との間の電位差を検出する第1の電位差検出手段S110と、前記第1の電位差検出手段により算出される電位差と前記記憶手段に記憶されるON抵抗の値とを用いて前記MOSトランジスタのグランド側端子および電源側端子間に流れる電流を、前記ヒータに流れる駆動電流として算出する電流算出手段S130と、を備えることを特徴とするヒータ駆動回路。前記第1の電位差算出手段S130は、前記第1の制御手段により前記ヒータに駆動電流を流したときの前記MOSトランジスタの電源側端子とグランドとの間の第1の電位差VAを検出するとともに、前記第1の制御手段により前記ヒータに駆動電流を流したときの前記MOSトランジスタのグランド側端子とグランドとの間の第2の電位差VBを検出し、前記第1の電位差VAから前記第2の電位差VBを引いた差分を、前記MOSトランジスタの電源側端子と前記グランド側端子との間の電位差VA-VBとして求めることを特徴とする請求項1に記載のヒータ駆動回路。前記記憶手段に記憶される抵抗値、および前記第1、第2の電位差VA、VBに基づいて前記第1の制御手段により前記ヒータに前記駆動電流を流したときの前記ヒータの抵抗値を算出し、前記ヒータに前記駆動電流を流したときの前記ヒータの温度TRhを前記ヒータの抵抗値に基づいて求める温度算出手段S130Aを備えることを特徴とする請求項2に記載のヒータ駆動回路。前記第1の制御手段は、前記ヒータの目標温度に前記温度算出手段の算出温度を近づけるように前記駆動電流を調整するために、前記MOSトランジスタを制御することを特徴とする請求項3に記載のヒータ駆動回路。前記第1の電位差検出手段による前記電位差の検出に先だって、前記MOSトランジスタの電源側端子およびグランド側端子間に一定電流を流すための定電流源10Aが前記ヒータ10に代えて配置された場合に、前記MOSトランジスタの電源側端子およびグランド側端子間の電位差を検出する第2の電位差検出手段S210、S220と、前記第2の電位差検出手段により検出される電位差と前記定電流源によって前記MOSトランジスタの電源側端子およびグランド側端子間に流される電流値とに基づいて、前記MOSトランジスタの電源側端子およびグランド側端子間に一定電流が流れるときの前記MOSトランジスタの電源側端子およびグランド側端子間のON抵抗の値を算出する第1の抵抗値算出手段S260と、前記第1の抵抗値算出手段により算出されるON抵抗の値を前記記憶手段に保持させる第1の抵抗値保持手段S270と、を備えることを特徴とする請求項4に記載のヒータ駆動回路。前記第2の電位差検出手段S210、S220は、前記MOSトランジスタの電源側端子とグランド側端子との間の電位差を繰り返し検出するものであり、前記第2の電位差検出手段によって前回検出された電位差と前記第2の電位差検出手段によって今回検出された電位差との間の偏差が所定範囲内に入るか否かを判定することにより、前記MOSトランジスタの温度が飽和したか否かを判定する判定手段S250を備え、前記第1の抵抗値算出手段S260は、前記前回検出された電位差と前記今回検出された電位差との間の偏差が所定範囲内に入ると前記判定手段S250が判定した場合において前記今回検出された電位差を用いて前記ON抵抗の値を算出することを特徴とする請求項5に記載のヒータ駆動回路。前記制御機器は、車載制御機器であることを特徴とする請求項4に記載のヒータ駆動回路。前記第1の電位差検出手段による前記電位差の検出に先だって、前記MOSトランジスタを一定期間だけオンして前記電源とグランドとの間で前記ヒータおよび前記MOSトランジスタに電流を流す第2の制御手段S200Aと、前記第2の制御手段により前記MOSトランジスタを一定期間だけオンしたときの前記MOSトランジスタの電源側端子とグランドとの間の第1の電位差VA’’と、前記第2の制御手段により前記MOSトランジスタを一定期間だけオンしたときの前記MOSトランジスタのグランド側端子とグランドとの間の第2の電位差VB’’とを検出する第3の電位差検出手段S210、S220と、前記第2の制御手段により前記MOSトランジスタを一定期間だけオンしたときに、前記車載制御機器に隣接して配置されている他の車載機器に配置される温度センサ61、62によって、前記他の車載機器の温度を前記MOSトランジスタの雰囲気温度Taとして検出する第1の温度検出手段S300aと、前記第2の制御手段により前記MOSトランジスタを一定期間だけオンしたときの前記MOSトランジスタの電源側端子とグランド側端子との間のON抵抗の値Ron2Taを、前記第3の電位差検出手段により検出される第1、第2の電位差VA’’、VB’’、および前記第1の温度検出手段の検出温度Taに基づいて算出する第2の抵抗値算出手段S265と、前記第2の抵抗値算出手段S265により算出されるON抵抗の値に基づいて、前記第1の制御手段により前記ヒータの温度を制御するときの前記MOSトランジスタの電源側端子とグランド側端子との間のON抵抗の値RON2Tを算出する第3の抵抗値算出手段S267と、前記第3の抵抗値算出手段S267により算出されるON抵抗の値RON2Tを前記記憶手段に保持させる第2の保持手段S270と、を備えることを特徴とする請求項7に記載のヒータ駆動回路。前記第3の抵抗値算出手段S267は、前記第1の制御手段により前記ヒータの温度を制御するときの前記MOSトランジスタの温度を予め決められた一定温度Tとして、前記一定温度Tから前記第1の温度検出手段の検出温度Taを引いた差分T-Taに対応する前記第2の抵抗値算出手段の算出値の補正値を算出し、この算出した補正値を前記第2の抵抗値算出手段の算出値に加算した値RON3を、前記第1の制御手段により前記ヒータの温度を制御するときの前記MOSトランジスタのON抵抗の値として算出することを特徴とする請求項8に記載のヒータ駆動回路。前記制御機器は、自動車のエンジンルーム内に配置されており、前記第1の制御手段により前記ヒータの温度を制御するときの前記MOSトランジスタの推定温度Thを、前記エンジンルーム内の走行用エンジンの吸気温度を検出する吸気温センサ61の検出温度と前記走行用エンジンの冷却水温度を検出する水温センサ62の検出温度とに基づいて求める温度推定手段S300bを備えており、前記第3の抵抗値算出手段は、前記温度推定手段により求められる推定温度Thから前記MOSトランジスタの雰囲気温度Taを引いた差分Th-Taに対応する前記第2の抵抗値算出手段の算出値の補正値を算出し、この算出した補正値を前記第2の抵抗値算出手段の算出値に加算した値RON3を、前記第1の制御手段により前記ヒータの温度を制御するときの前記MOSトランジスタのON抵抗の値として算出することを特徴とする請求項8に記載のヒータ駆動回路。自動車のエンジンルーム内の制御機器内に配置されるヒータ10を制御するヒータ制御回路であって、電源とグランドとの間に配置されて、前記ヒータに対して直列に接続されるMOSトランジスタ20と、前記電源と前記グランドとの間で前記ヒータおよび前記MOSトランジスタを通して駆動電流が流れるように前記MOSトランジスタを制御する制御手段S100と、前記制御手段により前記ヒータに駆動電流を流したときの前記MOSトランジスタの電源側端子とグランドとの間の第1の電位差VAを求め、かつ前記制御手段により前記ヒータに駆動電流を流したときの前記MOSトランジスタのグランド側端子とグランドとの間の第2の電位差VBを求めるとともに、前記第1の電位差から前記第2の電位差を引いた差分VA-VBを求める電位差算出手段S110と、前記電位差算出手段により算出される差分VA-VBを前記第1の電位差VAを予め決められた一定値としたときの前記MOSトランジスタのオン電圧VAB16Vに変換する変換手段と、前記制御手段により前記ヒータに駆動電流を流したときの前記MOSトランジスタの推定温度Thを、前記エンジンルーム内の走行用エンジンの吸気温度を検出する吸気温センサ61の検出温度と前記走行用エンジンの冷却水温度を検出する水温センサ62の検出温度とに基づいて求める温度推定手段S300bと、前記オン電圧VAB16V、前記制御手段により前記ヒータに駆動電流を流したときの前記ヒータの温度、および前記MOSトランジスタの推定温度Thが1対1対1で特定されるように前記ヒータの温度、前記オン電圧VAB16V、および前記MOSトランジスタの推定温度Thの関係を記憶するための変換テーブルと、前記変換テーブルにおいて、前記オン電圧VAB16Vおよび前記温度推定手段により算出される推定温度Thに対応する前記ヒータの温度を特定するヒータ温度特定手段S269と、を備え、前記MOSトランジスタのオン電圧VAB16Vは、前記制御手段により前記MOSトランジスタの電源側端子とグランド側端子との間に前記駆動電流を流したときの前記電源側端子とグランド側端子との間の電位差であることを特徴とするヒータ駆動回路。前記第1の制御手段は、前記ヒータ温度特定手段により特定される前記ヒータの温度を前記ヒータの目標温度に近づけるように前記駆動電流を調整するために、前記MOSトランジスタを制御することを特徴とする請求項11に記載のヒータ駆動回路。前記温度推定手段S300bは、前記吸気温センサ61の検出温度Thaに第1の係数R1を掛けた第1の値Tha×R1と、前記水温センサ62の検出温度Thwに第2の係数R2を掛けた第2の値Thw×R2とを加算した値を前記MOSトランジスタの設置位置の温度として算出して、この算出した温度に温度補正値Tαを足した値を、前記MOSトランジスタの推定温度Thとして求めるものであり、前記MOSトランジスタの設置位置が前記エンジンルーム内のうち先頭に近いほど前記第1の係数を大きくし、かつ前記第2の係数を小さくし、前記MOSトランジスタの設置位置が前記エンジンに近いほど前記第1の係数を小さくし、かつ前記第2の係数を大きくすることを特徴とする請求項11または12に記載のヒータ駆動回路。前記制御機器は、エタノールおよびガソリンの混合物、或いはエタノールを燃料として使用するFFV用エンジンの燃料噴射装置であり、前記ヒータは、前記燃料噴射装置内において前記燃料に熱を加えることを特徴とする請求項1ないし13のうちいずれか1つに記載のヒータ駆動回路。前記ヒータ10は、セラミックヒータであることを特徴とする請求項1ないし14のいずれか1つに記載のヒータ駆動回路。本発明者等は、FFV用エンジンに燃料を噴出する燃料噴射装置内のヒータを制御するために、電流検出用抵抗素子を用いてヒータの駆動電流を検出することを検討したところ、ヒータに大きな駆動電流が流れる場合には、電流検出用抵抗素子の許容電力を大きくすることが必要になる。このため、電流検出用抵抗素子の体格の大型化、および高コスト化を招くといった問題が生じる。このような問題は、燃料噴射装置以外の各種の制御装置内のヒータを制御するヒータ駆動回路にも生じる。本発明は上記点に鑑みて、電流検出用抵抗素子を用いることなく、ヒータに流れる駆動電流の値を求めることを第1の目的とし、電流検出用抵抗素子を用いることなく、ヒータの温度を求めることを第2の目的とし、電流検出用抵抗素子を用いることなく、ヒータの温度を制御することを第3の目的とする。上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、制御機器内に配置されるヒータ10を制御するヒータ制御回路であって、電源とグランドとの間に配置されて、前記ヒータに対して直列に接続されるMOSトランジスタ20と、前記電源とグランドとの間で前記ヒータおよび前記MOSトランジスタを通して駆動電流が流れるように前記MOSトランジスタを制御する第1の制御手段S100と、前記第1の制御手段により前記ヒータおよび前記MOSトランジスタに駆動電流を流したときの前記MOSトランジスタの電源側端子およびグランド側端子との間のON抵抗の値を記憶する記憶手段40と、前記第1の制御手段により前記ヒータおよび前記MOSトランジスタに駆動電流を流したときの前記MOSトランジスタのグランド側端子と電源側端子との間の電位差を検出する第1の電位差検出手段S110と、前記第1の電位差検出手段により算出される電位差と前記記憶手段に記憶されるON抵抗の値とを用いて前記MOSトランジスタのグランド側端子および電源側端子間に流れる電流を、前記ヒータに流れる駆動電流として算出する電流算出手段S130と、を備えることを特徴とする。請求項1に係る発明によれば、記憶手段に記憶されるON抵抗、および電位差算出手段により算出される電位差を用いることにより、電流検出用抵抗素子を用いることなく、ヒータに流れる駆動電流の値を求めることができる。請求項2に記載の発明では、前記第1の電位差算出手段S130は、前記第1の制御手段により前記ヒータに駆動電流を流したときの前記MOSトランジスタの電源側端子とグランドとの間の第1の電位差VAを検出するとともに、前記第1の制御手段により前記ヒータに駆動電流を流したときの前記MOSトランジスタのグランド側端子とグランドとの間の第2の電位差VBを検出し、前記第1の電位差VAから前記第2の電位差VBを引いた差分を、前記MOSトランジスタの電源側端子と前記グランド側端子との間の電位差VA-VBとして求めることを特徴とする。請求項3に記載の発明では、前記記憶手段に記憶される抵抗値、および前記第1、第2の電位差VA、VBに基づいて前記第1の制御手段により前記ヒータに前記駆動電流を流したときの前記ヒータの抵抗値を算出し、前記ヒータに前記駆動電流を流したときの前記ヒータの温度TRhを前記ヒータの抵抗値に基づいて求める温度算出手段S130Aを備えることを特徴とする。請求項3に記載の発明によれば、ヒータの抵抗値と駆動電流とを用いることにより、電流検出用抵抗素子を用いることなく、ヒータの温度TRhを算出することができる。具体的には、温度算出手段S130Aは、記憶手段に記憶される抵抗値をRONとし、第1の電位差をVAとし、第2の電位差をVBとし、ヒータの抵抗値をRhとしたときに、RON、VA、VBをRh={VA-VB/VB}×RONに代入してヒータの抵抗値を算出し、基準温度をT0とし、ヒータの温度が基準温度であるときのヒータの抵抗値をR0とし、ヒータにおいて温度変化による抵抗値の変化を示す温度係数[Ω/°Cをσhtとし、ヒータの温度をTRhとし、Rh、およびT0、R0、σhtをTRh=Rh/R0-1/σhtT0に代入してヒータの温度を算出する。請求項4に記載の発明では、前記第1の制御手段は、前記ヒータの目標温度に前記温度算出手段の算出温度を近づけるように前記駆動電流を調整するために、前記MOSトランジスタを制御することを特徴とする。請求項4に係る発明によれば、電流検出用抵抗素子を用いることなく、温度算出手段の算出温度を用いることにより、ヒータの温度を制御することができる。請求項5に記載の発明では、前記第1の電位差検出手段による前記電位差の検出に先だって、前記MOSトランジスタの電源側端子およびグランド側端子間に一定電流を流すための定電流源10Aが前記ヒータ10に代えて配置された場合に、前記MOSトランジスタの電源側端子およびグランド側端子間の電位差を検出する第2の電位差検出手段S210、S220と、前記第2の電位差検出手段により検出される電位差と前記定電流源によって前記MOSトランジスタの電源側端子およびグランド側端子間に流される電流値とに基づいて、前記MOSトランジスタの電源側端子およびグランド側端子間に一定電流が流れるときの前記MOSトランジスタの電源側端子およびグランド側端子間のON抵抗の値を算出する第1の抵抗値算出手段S260と、前記第1の抵抗値算出手段により算出されるON抵抗の値を前記記憶手段に保持させる第1の抵抗値保持手段S270と、を備えることを特徴とする。請求項6に記載の発明では、前記第2の電位差検出手段S210、S220は、前記MOSトランジスタの電源側端子とグランド側端子との間の電位差を繰り返し検出するものであり、前記第2の電位差検出手段によって前回検出された電位差と前記第2の電位差検出手段によって今回検出された電位差との間の偏差が所定範囲内に入るか否かを判定することにより、前記MOSトランジスタの温度が飽和したか否かを判定する判定手段S250を備え、前記第1の抵抗値算出手段S260は、前記前回検出された電位差と前記今回検出された電位差との間の偏差が所定範囲内に入ると前記判定手段S250が判定した場合において前記今回検出された電位差を用いて前記ON抵抗の値を算出することを特徴とする。具体的には、第1の抵抗値算出手段は、MOSトランジスタの電源側端子とグランド側端子との間に一定電流が流れるときのMOSトランジスタの電源側端子とグランド側端子との間の抵抗値をRONとし、第2の電位差検出手段により検出される電位差をVA’-VB’とし、定電流源によりMOSトランジスタのグランド側端子および電源側端子間に流れる一定電流をIconstとし、VA’-VB’、およびIconstを、RON=VA’-VB’/Iconstに代入することにより、RONを算出する。請求項7に記載の発明では、前記制御機器は、車載制御機器であることを特徴とする。請求項8に記載の発明では、前記第1の電位差検出手段による前記電位差の検出に先だって、前記MOSトランジスタを一定期間だけオンして前記電源とグランドとの間で前記ヒータおよび前記MOSトランジスタに電流を流す第2の制御手段S200Aと、前記第2の制御手段により前記MOSトランジスタを一定期間だけオンしたときの前記MOSトランジスタの電源側端子とグランドとの間の第1の電位差VA’’と、前記第2の制御手段により前記MOSトランジスタを一定期間だけオンしたときの前記MOSトランジスタのグランド側端子とグランドとの間の第2の電位差VB’’とを検出する第3の電位差検出手段S210、S220と、前記第2の制御手段により前記MOSトランジスタを一定期間だけオンしたときに、前記車載制御機器に隣接して配置されている他の車載機器に配置される温度センサ61、62によって、前記他の車載機器の温度を前記MOSトランジスタの雰囲気温度Taとして検出する第1の温度検出手段S300aと、前記第2の制御手段により前記MOSトランジスタを一定期間だけオンしたときの前記MOSトランジスタの電源側端子とグランド側端子との間のON抵抗の値Ron2Taを、前記第3の電位差検出手段により検出される第1、第2の電位差VA’’、VB’’、および前記第1の温度検出手段の検出温度Taに基づいて算出する第2の抵抗値算出手段S265と、前記第2の抵抗値算出手段S265により算出されるON抵抗の値に基づいて、前記第1の制御手段により前記ヒータの温度を制御するときの前記MOSトランジスタの電源側端子とグランド側端子との間のON抵抗の値RON2Tを算出する第3の抵抗値算出手段S267と、前記第3の抵抗値算出手段S267により算出されるON抵抗の値RON2Tを前記記憶手段に保持させる第2の保持手段S270と、を備えることを特徴とする。請求項9に記載の発明では、前記第3の抵抗値算出手段S267は、前記第1の制御手段により前記ヒータの温度を制御するときの前記MOSトランジスタの温度を予め決められた一定温度Tとして、前記一定温度Tから前記第1の温度検出手段の検出温度Taを引いた差分T-Taに対応する前記第2の抵抗値算出手段の算出値の補正値を算出し、この算出した補正値を前記第2の抵抗値算出手段の算出値に加算した値RON3を、前記第1の制御手段により前記ヒータの温度を制御するときの前記MOSトランジスタのON抵抗の値として算出することを特徴とする。請求項10に記載の発明では、前記制御機器は、自動車のエンジンルーム内に配置されており、前記第1の制御手段により前記ヒータの温度を制御するときの前記MOSトランジスタの推定温度Thを、前記エンジンルーム内の走行用エンジンの吸気温度を検出する吸気温センサ61の検出温度と前記走行用エンジンの冷却水温度を検出する水温センサ62の検出温度とに基づいて求める温度推定手段S300bを備えており、前記第3の抵抗値算出手段は、前記温度推定手段により求められる推定温度Thから前記MOSトランジスタの雰囲気温度Taを引いた差分Th-Taに対応する前記第2の抵抗値算出手段の算出値の補正値を算出し、この算出した補正値を前記第2の抵抗値算出手段の算出値に加算した値RON3を、前記第1の制御手段により前記ヒータの温度を制御するときの前記MOSトランジスタのON抵抗の値として算出することを特徴とする。請求項11に記載の発明では、自動車のエンジンルーム内の制御機器内に配置されるヒータ10を制御するヒータ制御回路であって、電源とグランドとの間に配置されて、前記ヒータに対して直列に接続されるMOSトランジスタ20と、前記電源と前記グランドとの間で前記ヒータおよび前記MOSトランジスタを通して駆動電流が流れるように前記MOSトランジスタを制御する制御手段S100と、前記制御手段により前記ヒータに駆動電流を流したときの前記MOSトランジスタの電源側端子とグランドとの間の第1の電位差VAを求め、かつ前記制御手段により前記ヒータに駆動電流を流したときの前記MOSトランジスタのグランド側端子とグランドとの間の第2の電位差VBを求めるとともに、前記第1の電位差から前記第2の電位差を引いた差分VA-VBを求める電位差算出手段S110と、前記電位差算出手段により算出される差分VA-VBを前記第1の電位差VAを予め決められた一定値としたときの前記MOSトランジスタのオン電圧VAB16Vに変換する変換手段と、前記制御手段により前記ヒータに駆動電流を流したときの前記MOSトランジスタの推定温度Thを、前記エンジンルーム内の走行用エンジンの吸気温度を検出する吸気温センサ61の検出温度と前記走行用エンジンの冷却水温度を検出する水温センサ62の検出温度とに基づいて求める温度推定手段S300bと、前記オン電圧VAB16V、前記制御手段により前記ヒータに駆動電流を流したときの前記ヒータの温度、および前記MOSトランジスタの推定温度Thが1対1対1で特定されるように前記ヒータの温度、前記オン電圧VAB16V、および前記MOSトランジスタの推定温度Thの関係を記憶するための変換テーブルと、前記変換テーブルにおいて、前記オン電圧VAB16Vおよび前記温度推定手段により算出される推定温度Thに対応する前記ヒータの温度を特定するヒータ温度特定手段S269と、を備え、前記MOSトランジスタのオン電圧VAB16Vは、前記制御手段により前記MOSトランジスタの電源側端子とグランド側端子との間に前記駆動電流を流したときの前記電源側端子とグランド側端子との間の電位差であることを特徴とする。請求項11に記載の発明によれば、変換テーブル、変換手段の算出値、および温度推定手段の算出温度を用いることにより、電流検出用抵抗素子を用いることなく、ヒータの温度を算出することができる。請求項12に記載の発明では、前記第1の制御手段は、前記ヒータ温度特定手段により特定される前記ヒータの温度を前記ヒータの目標温度に近づけるように前記駆動電流を調整するために、前記MOSトランジスタを制御することを特徴とする。請求項12に係る発明によれば、電流検出用抵抗素子を用いることなく、ヒータ温度特定手段により特定される前記ヒータの温度を用いることにより、ヒータの温度を制御することができる。請求項13に記載の発明では、前記温度推定手段S300bは、前記吸気温センサ61の検出温度Thaに第1の係数R1を掛けた第1の値Tha×R1と、前記水温センサ62の検出温度Thwに第2の係数R2を掛けた第2の値Thw×R2とを加算した値を前記MOSトランジスタの設置位置の温度として算出して、この算出した温度に温度補正値Tαを足した値を、前記MOSトランジスタの推定温度Thとして求めるものであり、前記MOSトランジスタの設置位置が前記エンジンルーム内のうち先頭に近いほど前記第1の係数を大きくし、かつ前記第2の係数を小さくし、前記MOSトランジスタの設置位置が前記エンジンに近いほど前記第1の係数を小さくし、かつ前記第2の係数を大きくすることを特徴とする。具体的には、第2の抵抗値算出手段S265は、第3の電位差検出手段により検出される第1、第2の電位差をVA’’、VB’’とし、第1の温度検出手段の検出温度をTaとし、MOSトランジスタの温度が温度TaであるときのON抵抗をRON2Taとし、ヒータの抵抗値をR0とし、RON2Ta=Ta-T0×σht1×R0/VA’’-VB’’/VB’’に、VA’’、VB’’、Ta、T0、σht、R0を代入してRON2Taを算出する。第3の抵抗値算出手段S267は、温度変化に対するMOSトランジスタのON抵抗の値の変化を示す温度係数をσMOS[Ω/°Cとし、第1の制御手段によりヒータの温度を制御するときのMOSトランジスタの温度をTとし、第1の制御手段によりヒータを制御する際のMOSトランジスタON抵抗をRON2Tとし、RON2Ta、T、Ta、およびσMOSをRON2T=RON2TaT-Ta×σMOSに代入してRON2Tを算出する。請求項14に記載の発明では、前記制御機器は、エタノールおよびガソリンの混合物、或いはエタノールを燃料として使用するFFV用エンジンの燃料噴射装置であり、前記ヒータは、前記燃料噴射装置内において前記燃料に熱を加えることを特徴とする。請求項15に記載の発明では、前記ヒータ10は、セラミックヒータであることを特徴とする。なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。第1実施形態図1に、本発明に係る車載ヒータ駆動回路1の第1実施形態の回路構成を示す。車載ヒータ駆動回路1は、FFV用エンジン用の燃料噴射装置内のヒータ10の温度を制御するものである。FFV用エンジンとは、ガソリンおよびエタノール等の混合燃料、或いはエタノールを燃料として使用するエンジンのことである。ヒータ10は、PCTヒータ等のセラミックヒータからなるヒータ負荷である。本実施形態のヒータ10は、電源Vddとグランド50との間に配置されて、燃料噴射装置制御機器内の燃料を加熱するものである。電源Vddは、ヒータ10に電力を供給するためのヒータ用電源である。具体的には、車載ヒータ駆動回路1は、nMOSトランジスタ20、マイクロコンピュータ30、および不揮発メモリ40を備える。nMOSトランジスタ20は、電源Vddとヒータ10との間に配置されて、電源Vddとヒータ10との間を接続、或いは開放する。マイクロコンピュータ30は、CPU、メモリ以外に、PWM出力ポート31、A/D入力ポート32、33、メモリ通信ポート34a、34bを有する周知のものであって、後述するように、ヒータ10に流れる駆動電流を算出する電流算出処理を実行する。本実施形態のPWM出力ポート31は、所望のDuty比のPWM駆動信号をnMOSトランジスタ20に出力するポートである。Duty比とは、nMOSトランジスタ20のオン期間とオフ期間とからなる一定周期においてオン期間が占める割合のことである。A/D入力ポート32は、電源VddとnMOSトランジスタ20のドレイン端子との間のA点21とグランド50との間の電圧VAをサンプリングするために、A点から電圧VAを取り込むポートである。A/D入力ポート33は、nMOSトランジスタ20のソース端子とヒータ10の間のB点22とグランド50との間の電圧VBをサンプリングするために、B点から電圧VBを取り込むポートである。不揮発メモリ40には、電力供給を停止しても記憶データが消えないフラッシュメモリなどの半導体メモリであって、ヒータ10に通電する際のnMOSトランジスタ20のON抵抗の値が予め記憶されている。不揮発メモリ40は、マイクロコンピュータのメモリ通信ポート34a、34bに接続されている。なお、図中符号Vssは、マイクロコンピュータ30や不揮発メモリ40に電力を供給する電源である。次に、本実施形態の車載ヒータ駆動回路1の作動について説明する。図2は、マイクロコンピュータ30によるヒータ10の電流算出処理の詳細を示すフローチャートである。マイクロコンピュータ30は、イグニッションスイッチIGがオンされたときに、電流算出処理の実行を開始する。電流算出処理は、繰り返し実行される。まず、ステップS100において、予め決められたDuty比を、例えば50とするPWM駆動信号をnMOSトランジスタ20のゲート端子に出力する。このことにより、一周期のうちの半分の期間でnMOSトランジスタ20がオンし、残りの半分の期間でnMOSトランジスタ20がオフする。ここで、nMOSトランジスタ20がオンすることに伴って、電源Vddとグランド50との間でnMOSトランジスタ20およびヒータ10を通して駆動電流が流れる。次に、ステップS110において、A点21からA/D入力ポート32に与えられる電圧VAをアナログ/デジタル変換して第1のデジタルデータを取得する。これに加えて、B点22からA/D入力ポート33に与えられる電圧VBをアナログ/デジタル変換して第2のデジタルデータを取得する。次に、ステップS120において、第2のデジタルデータに基づいてnMOSトランジスタ20がオンしているか否かを判定する。例えば、nMOSトランジスタ20がオフしているときには、電圧VBが零すなわち、グランド電圧に等しい値或いは、近い値になる一方、nMOSトランジスタ20がオンしているときには、電圧VBが零よりも大きな値になる。そこで、ステップS120において、電圧VBが所定値以上であるか否かを判定することにより、nMOSトランジスタ20がオンしているか否かについて判定する。本実施形態の所定値としては、零以上の値が設定されている。このとき、電圧VBが所定値未満であるときにはnMOSトランジスタ20がオフしているとして、ステップS120においてNOと判定する。これに伴い、ステップS110に戻り、電圧VA、VBをそれぞれアナログ/デジタル変換する。その後、ステップS120においてYESと判定するまで、ステップS120のNO判定処理、およびステップS110のA/D変換処理を繰り返す。その後、電圧VBが所定値以上になると、ステップS120においてnMOSトランジスタ20がオンしているとしてYESと判定する。すると、次のステップS130において、上記ステップS120でYESと判定した直前のステップS110で取得した第1、第2のデジタルデータに基づいて、ヒータ10すなわち、nMOSトランジスタ20のソース-ドレイン間に流れる駆動電流Ihを次の数式1により算出する。Ih=VA-VB/RON数式1ここで、VAは、nMOSトランジスタ20のソース-ドレイン間に駆動電流が流れているときの第1の電圧である。VBは、nMOSトランジスタ20のソース-ドレイン間に駆動電流が流れているときの第2の電圧である。RONは、不揮発メモリ40に記憶されているON抵抗値である。次に、本実施形態における車載ヒータ駆動回路の具体的な作動について説明する。図3は、本実施形態における車載ヒータ駆動回路1の作動を示すタイミングチャートである。図3においてaはnMOSトランジスタ20のON/OFFのタイミング、bはA点21とグランド50との間での電圧VA、cはB点とグランド50との間での電圧VB、d電圧VA、VBの検出タイミングサンプリングタイミング、eはA点とB点との間の電位差VA-VB、fはヒータ10の駆動電流の算出値図中ヒータ電流の算出値と記すである。図3中のT1、T2、T3、T4、T5はそれぞれ一周期を四分割した期間である。まず、期間T1では、nMOSトランジスタ20をオフしている。このとき、電源Vddからヒータ10に電流が流れていない。次の期間T2では、マイクロコンピュータ30がnMOSトランジスタ20をオンする。このため、電源VddからnMOSトランジスタ20およびヒータ10を通してグランド50に駆動電流が流れる。これに伴い、ヒータ10に駆動電流が流れることでA点21とB点22との電位差が小さくなる図3e参照。このとき、マイクロコンピュータ30がA/D入力ポート32、33より電圧VA、VBを取り込み、この取り込んだVA、VBに基づいて上述の如く数式1により駆動電流ヒータ電流Ihを算出する。次の期間T3では、期間T2と同様、マイクロコンピュータ30がnMOSトランジスタ20をオンする。このため、マイクロコンピュータ30がA/D入力ポート32、33より電圧VA、VBを取り込み、この取り込んだVA、VBに基づいて上述の如く数式1により駆動電流Ihを算出する。次の期間T4では、マイクロコンピュータ30がnMOSトランジスタ20をオフする。このため、電源VddからnMOSトランジスタ20およびヒータ10を通してグランド50に電流が流れない。A点21とB点22との電位差が大きくなる図3e参照。このとき、マイクロコンピュータ30がA/D入力ポート32、33より電圧VA、VBを取り込み、この取り込んだVBが零GND電圧と等しい或いは近い値となるため、nMOSトランジスタ20がオフの状態であるとして図2中のステップS120でNOと判定する。この場合、再び、ステップS110のA/D変換処理を実施する。次の期間T5では、期間T4と同様に、マイクロコンピュータ30がnMOSトランジスタ20をオフする。このとき、マイクロコンピュータ30がA/D入力ポート32、33より取り込んだVBが零GND電圧と等しい或いは近い値となるため、ステップS120でNOと判定する。この場合、再び、ステップS110のA/D変換処理を実施する。以上説明した本実施形態によれば、FFV用エンジン用の燃料噴射装置内に設けられるヒータ10を制御する車載ヒータ制御回路1において、電源Vddとヒータ10との間に配置されるnMOSトランジスタ20と、電源Vddとグランド50との間でヒータ10およびnMOSトランジスタ20を通して駆動電流が流れるようにnMOSトランジスタ20を制御するマイクロコンピュータ30と、マイクロコンピュータ30によりヒータ10およびnMOSトランジスタ20を通して電流を流したときのnMOSトランジスタ20のON抵抗の値を記憶するための不揮発メモリ40を備える。マイクロコンピュータ30は、A点21とB点22との間の電位差VA-VBを求めるとともに、この求められる電位差VA-VBと不揮発メモリ40に記憶されるON抵抗の値とを用いて、nMOSトランジスタ20のドレイン-ソース間に流れる電流をヒータ10に流れる駆動電流として算出することを特徴とする。したがって、不揮発メモリ40に予めに記憶されるON抵抗の値、およびA点21とB点22との間の電位差VA-VBを用いることにより、電流検出用抵抗素子を用いることなく、ヒータ10に流れる駆動電流を精度よく求めることができる。本実施形態では、ヒータ10として、セラミックヒータを用いている。一般的に、セラミックヒータは、抵抗値が低い。このため、例えば、電流検出用抵抗素子を用いた場合には、セラミックヒータに流れる駆動電流が小さくなることを抑制するために、電流検出用抵抗素子の抵抗値を小さくすることが必要になる。このため、電流検出用抵抗素子には、大きな電流が流れる。これにより、電流検出用抵抗素子から大きな熱が発生して、電流検出用抵抗素子の周囲に配置される回路装置等に悪影響を与える可能性がある。これに対して、本実施形態では、電流検出用抵抗素子を用いていないので、電流検出用抵抗素子から発生する熱により、電流検出用抵抗素子の周囲の回路装置等に悪影響を与えることを未然に避けることができる。第2実施形態本実施形態では、車載ヒータ駆動回路1において、ヒータ10の温度制御を実施する例について説明する。本実施形態の車載ヒータ駆動回路1は、不揮発メモリ40以外の構成は、上述の第1実施形態の車載ヒータ駆動回路1と同様であるので、不揮発メモリ40以外の構成の説明を省略する。本実施形態の不揮発メモリ40には、nMOSトランジスタ20のON抵抗RONに加えて、ヒータ10の温度係数σht[Ω/°C]が記憶されている。温度係数σhtは、ヒータ10において温度変化に対する抵抗値の変化の割合を示す値である。次に、本実施形態の車載ヒータ駆動回路1の作動について説明する。図4は、マイクロコンピュータ30によるヒータ10の温度制御処理の詳細を示すフローチャートである。図4において、図2と同一符号は同一ステップを示す。マイクロコンピュータ30は、イグニッションスイッチIGがオンされたときに、温度制御処理の実行を開始する。まず、ステップS100において、予め決められたDuty比例えば、100のPWM駆動信号をnMOSトランジスタ20のゲート端子に出力する。ここで、nMOSトランジスタ20がオンすることに伴って、電源Vddとグランド50との間でnMOSトランジスタ20およびヒータ10を通して駆動電流が流れる。次に、ステップS110において、A点21からA/D入力ポート32に与えられる電圧VAをアナログ/デジタル変換して第1のデジタルデータを取得する。これに加えて、B点22からA/D入力ポート33に与えられる電圧VBをアナログ/デジタル変換して第2のデジタルデータを取得する。次に、ステップS120において、第2のデジタルデータに基づいて、電圧VBが所定値以上であるか否かを判定することにより、nMOSトランジスタ20がオンしているか否かを判定する。このとき、電圧VBが所定値以上であるときにはnMOSトランジスタ20がオンしているとして、ステップS120においてYESと判定する。次に、ステップS130Aにおいて、上記ステップS120でYESと判定した直前のステップS110で取得した第1、第2のデジタルデータに基づいて、ヒータ10の温度図中ヒータ温度と記すを算出する。すなわち、nMOSトランジスタ20がオンしているときのヒータ10の温度TRhを算出する。具体的には、数式2にVA、VB、RONを代入してヒータ10の通電時のヒータ10の抵抗値Rhを算出する。Rh={VA-VB/VB}×RON数式2ここで、RONは、不揮発メモリ40に予め記憶されている抵抗値であって、nMOSトランジスタ20がオンしているときのnMOSトランジスタ20のドレイン端子とソース端子との間のON抵抗の値である。σhtは、上述の如く、ヒータ10において温度変化に対する抵抗値の変化の割合を示す温度係数である。次に、基準温度をT0とし、ヒータ10の温度が基準温度T0であるときのヒータ10の抵抗値をR0として、Rh、σht、T0、R0を数式3に代入してヒータ10の温度TRhを算出する。TRh=[{Rh/R0-1}/σht]T0数式3次のステップS140において、ヒータ10の温度TRhに基づいてヒータ10の加熱要求値を調整する。加熱要求値とは、nMOSトランジスタ20のゲート端子に出力されるPWM駆動信号のDuty比のことである。ここで、Duty比をα[]とすると、ヒータ10の目標温度すなわち、狙い値から温度TRhを引いた差分ΔTが小さくなるほどαが小さくなる。具体的には、ΔT≧100°Cのときα=100[]、80°C≦ΔT<100°Cのときα=80[]、60°C≦ΔT<80°Cのときα=60[]、40°C≦ΔT<60°Cのときα=40[]、20°C≦ΔT<40°Cのときα=20[]、10°C≦ΔT<20°Cのときα=10[]、0<ΔT=目標温度-TRh<10°Cのときα=0[]となる。このように、ヒータ10の温度TRhがヒータ10の目標温度に近づくほどDuty比αを小さくして、ヒータ10の温度TRhがヒータ10の目標温度に収束することになる。すなわち、ヒータ10の温度TRhを用いてヒータ10の温度をフィードバック制御することになる。次のステップS150において、上記ステップS140にて算出されたDuty比が零であるか否かを判定する。このとき、Duty比が零よりも大きいときには、ステップS150においてNOと判定する。これに伴い、次のステップS160において、上述のステップS140で調整されたDuty比のPWM駆動信号をnMOSトランジスタ20のゲート端子に出力する。その後、ステップS110において、A点21から出力される電圧VAをアナログ/デジタル変換して第1のデジタルデータを取得し、B点22から出力される電圧VBをアナログ/デジタル変換して第2のデジタルデータを取得する。この取得された第2のデジタルデータに基づいてnMOSトランジスタ20がオンしているとして次のステップS120でYESと判定し、ステップS130A、S140の処理を実行して、次のステップS150において、PWM駆動信号のDuty比が0であるか否かを判定する。このとき、PWM駆動信号のDuty比が0よりも大きいときには、ステップS150でNOと判定してステップS110に戻る。一方、PWM駆動信号のDuty比が0であるときには、ステップS150でYESと判定して温度制御処理の実行を終了する。次に、本実施形態における車載ヒータ駆動回路1の温度制御の具体的な作動について説明する。図5は、本実施形態における車載ヒータ駆動回路1の作動を示すタイミングチャートである。図5aはPWM駆動信号の周期図中PWM周期と記すである。図中のT1、T2、T3、T4、T5T8はそれぞれ周期を示している。図5bはnMOSトランジスタ20のオン/オフのタイミング、図5cはA点21とグランド50との間での電圧VA、図5dはB点とグランド50との間での電圧VB、図5eはA点21とB点22との間の電位差VA-VB、図5fはヒータ10の駆動電流の算出値図中ヒータ電流の算出値と記すである。図5b~fの横軸は時間を示し、図5c~eの縦軸は電圧を示し、図5fの縦軸は電流を示している。まず、周期T1では、nMOSトランジスタ20をオフしている。このとき、電源Vddからヒータ10に電流が流れていない。次の期間T2において、マイクロコンピュータ30は、Duty比を100とするPWM駆動信号をPWM出力ポート31からnMOSトランジスタ20のゲート端子に出力するステップS110。これに伴って、nMOSトランジスタ20がオンすると、電源Vddからグランド50との間でnMOSトランジスタ20のドレイン-ソース間およびヒータ10を通して電流が流れる。これにより、A点とB点との間の電位差VA-VBが小さくなる図5e参照。このとき、ステップS110において、A点21、B点22からA/D入力ポート32、33に与えられる電圧VA、VBをそれぞれアナログ/デジタル変換して第1、第2のデジタルデータを取得する。そして、この取得される第2のデジタルデータに基づいてnMOSトランジスタ20がオンしているとしてステップS120にてYESと判定する。次に、ステップS130Aにおいて、上記ステップS110で取得した第1、第2のデジタルデータおよび上記数式2、上記数式3に基づいてヒータ10の温度図中ヒータ温度と記すを算出する。次のステップS140において、ヒータ10の温度TRhに基づいてヒータ10の加熱要求値としてDuty比を算出する。例えば、Duty比として100を算出したときには、Duty比が零ではないとして、ステップS150にてNOと判定する。そして、次の期間T3において、Duty比を100とするPWM駆動信号をPWM出力ポート31からnMOSトランジスタ20のゲート端子に出力するステップS160。これに伴って、nMOSトランジスタ20のオン状態が継続する。このため、引き続き、電源Vddからグランド50との間でnMOSトランジスタ20のドレイン-ソース間およびヒータ10を通して電流が流れる。これにより、電位差VA-VBが徐々に小さくなる図5e参照。ここで、ヒータ10は通電により温度上昇してヒータ10の抵抗値が上がる。このとき、ステップS110において、電圧VA、VBをそれぞれアナログ/デジタル変換して第1、第2のデジタルデータを取得する。そして、この取得される第2のデジタルデータに基づいてnMOSトランジスタ20がオンしているとしてステップS120にてYESと判定する。次に、ステップS130Aにおいて、第1、第2のデジタルデータおよび上記数式2、上記数式3に基づいてヒータ10の温度TRhを算出すると、この算出された温度TRhに基づいてヒータ10の加熱要求値としてDuty比を算出するステップS140。ここで、ヒータ10は、上述の如く、通電により温度上昇するので、今回のステップS130Aで算出される温度TRhは、前回のステップS130Aで算出される温度TRhに比べて高くなる。このため、今回のステップS140で算出されるDuty比は、前回のステップS140で算出されるDuty比に比べて小さくなる。このように算出されるDuty比が零よりも大きいときにはステップS150においてNOと判定する。その後、ステップS120でYESと判定し、かつステップS150でNOと判定する限り、ステップS110のA/D変換処理、ステップS120のYES処理、ステップS130Aのヒータ温度算出処理、ステップS140のヒータ加熱要求値算出処理、ステップS150の加熱要求判定処理、およびステップS160のPWM出力処理を繰り返す。このため、ステップS130Aで算出される温度TRhはその算出毎に徐々に上昇して目標値に近づくことになる。これにより、ステップS140で算出されるDuty比がその算出毎に徐々に小さくなる。よって、周期がT3→T4→T5→T6→T7の順に移行すると、Duty比が80→60→40→20の順に低下する図5b参照。その後、次の周期T8において、差分ΔT=目標温度-温度TRhが零になると、ステップS140でDuty比として0を算出する。よって、ステップS150においてDuty比が0であるとしてYESと判定する。以上説明した本実施形態によれば、不揮発メモリ40に記憶されるON抵抗の値をRONとし、電源VddとnMOSトランジスタ20のドレイン端子との間のA点21とグランド50との間の電圧をVAとし、nMOSトランジスタ20のソース端子とヒータ10の間のB点22とグランド50との間の電圧をVBとし、ヒータ10の抵抗値をRhとしたときに、上記数式2にRON、VA、VBを代入してヒータ10の抵抗値Rhを算出する。これに加えて、ヒータ10の抵抗値を計測する際の予め決められた基準温度をT0とし、ヒータ10の温度が基準温度T0であるときのヒータ10の抵抗値をR0とし、ヒータ10において温度変化による抵抗値の変化を示す温度係数[Ω/°Cをσhtとし、ヒータ10の温度をTRhとしたときに、に上記数式2で算出されるRh、およびT0、R0、σhtを上記数式3に代入してヒータ10の温度TRhを算出する。したがって、RON、VA、VB、T0、R0、およびσhtを用いることにより、電流検出用抵抗素子を用いることなく、ヒータ10の温度Rhを精度よく算出することができる。本実施形態では、マイクロコンピュータ30は、ヒータ10の目標温度からヒータ10の温度TRhを引いた差分Δ=目標温度-温度TRhが小さくなるほど、nMOSトランジスタ20をPWM制御する際のPWM駆動信号のDuty比を小さくして、ヒータ10の温度を目標温度に近づける。したがって、電流検出用抵抗素子を用いることなく、ヒータ10の温度を精度よく制御することができる。第3実施形態本第3実施形態では、上述の第1、第2の実施形態にて駆動電流Ihの算出に用いるnMOSトランジスタ20のON抵抗の値を、計測して不揮発メモリ40に記憶させる例について説明する。図6に本実施形態の車載ヒータ駆動回路1の回路構成を示す。本実施形態では、ヒータ10に代えて定電流源10Aを用いる。定電流源10Aは、電源VddからnMOSトランジスタ20を通してグランド50に一定値Iconstの電流を流す定電流電源である。一定電流値Iconstは、実際にヒータ10を制御する際にヒータ10に流れると想定されている駆動電流と同等の電流値である。本実施形態のマイクロコンピュータ30は、車載ヒータ駆動回路1の製品出荷前の検査時に、nMOSトランジスタ20のON抵抗値を計測して不揮発メモリ40に記憶させるON抵抗計測処理を実行する。本実施形態の不揮発メモリ40には、上述の一定電流値Iconstが予め記憶されている。次に、本実施形態のマイクロコンピュータ30のON抵抗計測処理について説明する。図7はON抵抗計測処理を示すフローチャートである。ON抵抗計測処理は、車載ヒータ駆動回路1の製品出荷前の検査時にて実施される。マイクロコンピュータ30は、検査治具からから計測要求を受けると、ON抵抗計測処理の実行を開始する。まず、ステップS200において、Duty比を100とするPWM駆動信号をnMOSトランジスタ20のゲート端子に出力する。したがって、nMOSトランジスタ20がオンする。これに伴って、定電流源10Aによって、電源VssからnMOSトランジスタ20および定電流源10Aを通してグランド50に一定値Iconstの電流を流す。次に、ステップS210において、A点21からA/D入力ポート32に与えられる電圧VA’をアナログ/デジタル変換して第1のデジタルデータを取得する。これに加えて、B点22からA/D入力ポート33に与えられる電圧VB’をアナログ/デジタル変換して第2のデジタルデータを取得する。これに伴い、ステップS220において、第1、第2のデジタルデータに基づいて電圧VA’から電圧VB’を引いた電位差VA’-VB’を算出する。次に、ステップS230において、上記ステップS210の電圧VA’、VB’のアナログ/デジタル変換は1回目であるか否かを判定する。上記ステップS210の電圧VA’、VB’のアナログ/デジタル変換は一回目であるときには、ステップS230でYESと判定する。次のステップS240において、1回目のステップS220で算出される電位差VA’-VB’を不揮発メモリ40に保持する。その後、ステップS200に戻り、Duty比を100とするPWM駆動信号をnMOSトランジスタ20のゲート端子に出力すると、次のステップS210において、電圧VA’、VB’をアナログ/デジタル変換して、2回目の第1、第2のデジタルデータを取得する。この取得した2回目の第1、第2のデジタルデータに基づいてVA’-VB’を算出するステップS220。次に、ステップS230において、今回のステップS210のアナログ/デジタル変換は2回目であるとして、NOと判定する。次に、ステップS250において、前回のステップS220で算出された電位差VA’-VB’から不揮発メモリ40から読み出して、この読み出した前回の電位差VA’-VB’と今回のステップS220で算出される電位差VA’-VB’とが同一かを判定する。具体的には、ノイズによる検出誤差などを考慮して、前回のステップS220で算出される電位差VA’-VB’と今回のステップS220で算出される算出された電位差VA’-VB’との間の偏差が一定値範囲内例えば、±1であるか否かを判定することにより、前回の電位差VA’-VB’と今回の電位差VA’-VB’が同一であるか否かを判定する。つまり、今回の電位差VA’-VB’をVABnとし、前回の電位差VA’-VB’をVABn-1とし、今回の電位差VA’-VB’から前回の電位差VA’-VB’を引いた偏差VABn-VABn-1をdVABとしたとき、VABn×0.09≦dVAB≦VABn×1.01ときに、偏差が一定値範囲内に入っているとして、前回の電位差VA’-VB’と今回の電位差VA’-VB’が同一であるとする。一方、VABn×0.09>dVAB、或いはdVAB>VABn×1.01ときに、偏差が一定値範囲から外れているとして、前回の電位差VA’-VB’と今回の電位差VA’-VB’が相違すると判定する。このように電位差VA’-VB’の変化に応じてnMOSトランジスタ20の温度が飽和したか否かを判定することになる。ここで、今回の電位差VA’-VB’が前回の電位差VA’-VB’と相違するとしてステップS250でNOと判定した場合には、次のステップS240において、2回目のステップS220で算出される電位差VA’-VB’を不揮発メモリ40に保持する。その後、今回のステップS220で算出される電位差VA’-VB’が、前回のステップS220で算出される電位差VA’-VB’と相違するとしてステップS250でNOと判定する限り、ステップS200のPWM出力処理、ステップS210のA/D変換処理、ステップS220の電位差算出処理、ステップS230のNO判定、ステップS250のNO判定、ステップS240のデータ保持処理を繰り返す。その後、実際の電位差VA’-VB’が一定値に近づいて、今回のステップS220で算出される電位差VA’-VB’が、前回のステップS220で算出される電位差VA’-VB’と同一になると、ステップS250でYESと判定する。すると、次のステップS260において、数式4を用いてnMOSトランジスタ20の固有のON抵抗値RON1を算出する。RON1=VA’-VB’/Iconst...数式4一定電流値Iconstは、上述の如く、実際にヒータ10を制御する際にヒータ10に流れると想定されている駆動電流と同等の電流値である。VA’は、上記ステップS250でYESと判定された電位差VA’-VB’の算出に用いられるA点21およびグランド50間の電位差である。VB’は、上記ステップS250でYESと判定された電位差VA’-VB’の算出に用いられるB点22およびグランド50間の電位差である。次に、ステップS270において、上記ステップS260で算出されるON抵抗値RON1を不揮発メモリ40に記憶させる。その後、ステップ280において、Duty比を0とするPWM駆動信号をnMOSトランジスタ20のゲート端子に出力する。したがって、nMOSトランジスタ20がオフして、コンピュータプログラムを終了する。次に、本実施形態における車載ヒータ駆動回路1のON抵抗計測の具体的な作動について説明する。図8は、本実施形態における車載ヒータ駆動回路1の作動を示すタイミングチャートである。図8aはPWM駆動信号の周期図中PWM周期と記すである。図中のT1、T2、T3、T4、T5、T6はそれぞれ周期を示している。図8bはnMOSトランジスタ20のオン/オフのタイミング、図8cはA点21とグランド50との間での電圧VA、図8dはB点とグランド50との間での電圧VB、図8eはA点21とB点22との間の電位差VA-VBである。図8c~eの横軸は時間を示し、図5c~eの縦軸は電圧を示している。まず、周期T1では、nMOSトランジスタ20をオフしている。このとき、電源Vddからヒータ10に電流が流れていない。次の周期T2において、マイクロコンピュータ30は、Duty比を100とするPWM駆動信号をnMOSトランジスタ20に出力するステップS200。これに伴って、定電流源10Aによって、電源VddからnMOSトランジスタ20および定電流源10Aを通してグランド50に一定値Iconstの電流を流す。このようにnMOSトランジスタ20のドレイン-ソース間に一定電流が流れることにより、nMOSトランジスタ20の温度が上昇する。このため、nMOSトランジスタ20のON抵抗値が上昇する。これに伴い、A点21とB点22との間の電位差が上昇する。次のステップS210においてアナログ/デジタル変換処理を実施してステップS220において電位差VA’-VB’を算出する。次に、ステップS230において上記ステップS210のアナログ/デジタル変換は一回目であるとしてYES判定すると、次のステップS240において、1回目の電位差VA’-VB’を不揮発メモリ40に保持する。次の周期T3において、Duty比を100とするPWM駆動信号をnMOSトランジスタ20に出力するステップS200。これに伴って、定電流源10Aによって、電源VssからnMOSトランジスタ20および定電流源10Aを通してグランド50に一定値Iconstの電流を流す。次のステップS210においてアナログ/デジタル変換処理を実施してステップS220において電位差VA’-VB’を算出する。次に、ステップS230においてNOと判定すると、前回のステップS220で算出される電位差VA’-VB’から不揮発メモリ40を読み出して、この読み出した前回の電位差VA’-VB’と今回のステップS220で算出される電位差VA’-VB’とが同じであるか否かを判定するステップS250。このとき、前回のステップS220で算出される電位差VA’-VB’と今回のステップS220で算出される電位差VA’-VB’との間の偏差が一定範囲から外れていると、前回のステップS220で算出される電位差VA’-VB’と今回のステップS220で算出される電位差VA’-VB’が相違するとして、ステップS250でNOと判定する。すなわち、nMOSトランジスタ20の温度が飽和していないとして、次のステップS240において、今回の電位差VA’-VB’を不揮発メモリ40に保持する。その後、周期T3、周期T4において、周期T2と同様に、ステップS250のNO判定、ステップS200のPWM出力処理、ステップS210のA/D変換処理、ステップS220の電位差算出処理、ステップS230のNO判定、ステップS250のNO判定、ステップS240のデータ保持処理を実施する。次に、周期T5において、Duty比を100とするPWM駆動信号をnMOSトランジスタ20に出力するステップS200。このように、周期T2、T3、T4、T5に亘って、定電流源10AがnMOSトランジスタ20のドレイン-ソース間に一定値Iconstの電流を流すことにより、nMOSトランジスタ20の温度が飽和温度に到達する。このため、nMOSトランジスタ20のON抵抗値が一定になる。これに伴い、A点21とB点22との間の電位差が一定値になる。このため、次のステップS210においてアナログ/デジタル変換処理を実施して、今回すなわち、5回目のステップS220において電位差VA’-VB’を算出すると、この算出される電位差VA’-VB’と、前回すなわち、4回目のステップS220で算出される電位差VA’-VB’との間の偏差が一定範囲内に入る。このため、今回算出される電位差と前回算出される電位差とが同じであるとしてステップS250でYESと判定する。すなわち、nMOSトランジスタ20の温度が飽和した判定する。この場合、ステップS250でYESと判定された直前のステップS220すなわち、5回目のステップS220において算出される電位差VA’-VB’と上記数式4とを用いてnMOSトランジスタ20の固有のON抵抗値RON1を算出するステップS260。次に、ステップS270において、上記ステップS260で算出されるON抵抗値RON1を不揮発メモリ40に記憶させる。その後、Duty比を0とするPWM駆動信号をnMOSトランジスタ20のゲート端子に出力してステップ280、コンピュータプログラムの実行を終了する。以上説明した本実施形態によれば、ヒータ10に代えて定電流源10Aを用いて、nMOSトランジスタ20のドレイン-ソース間に予め決められた一定値Iconstの電流を流すことにより、電位差VA’、VB’を検出する。そして、電位差VA’、VB’により求められる電位差VA’-VB’と一定電流値Iconstを用いてnMOSトランジスタ20のON抵抗値を算出する。このため、nMOSトランジスタ20固有のON抵抗値RON1を精度よく算出することができる。本実施形態では、電位差VA’、VB’を繰り返しサンプリングして、今回のステップS220で算出した電位差VA’-VB’と前回のステップS220で算出した電位差VA’-VB’が同じになったと判定したときの電位差VA’-VB’を用いてnMOSトランジスタ20のON抵抗値RON1を算出する。したがって、定電流源10AによりnMOSトランジスタ20のドレイン-ソース間に電流を流し始めてから、nMOSトランジスタ20の温度が飽和温度に到達してON抵抗値が一定になったときのON抵抗値RON1を算出できる。よって、nMOSトランジスタ20の温度によるON抵抗値RON1のバラツキを小さくすることができる。以上により、nMOSトランジスタ20のON抵抗値の温度公差、nMOSトランジスタ20の製造バラツキによるON抵抗値の測定誤差を小さくすることができる。これに伴い、実際に車載ヒータ駆動回路1を作動した場合のnMOSトランジスタ20のON抵抗値に、ON抵抗値RON1を精度よく近づけることができる。第4実施形態本第4実施形態では、車載ヒータ駆動回路1を自動車のエンジンルーム内に搭載した状態でエンジンルーム内の温度センサの検出温度を用いてnMOSトランジスタ20のON抵抗値を算出する例について説明する。図9に本実施形態の車載ヒータ駆動回路1の回路構成を示す。本実施形態の車載ヒータ駆動回路1は、図1の車載ヒータ駆動回路1に対して、周辺機器センサ系統60が追加されたものである。周辺機器センサ系統60は、エンジンルーム内に搭載されたものである。周辺機器センサ系統60は、吸気温センサ61、水温センサ62、および抵抗素子63、64から構成されている。吸気温センサ61は、自動車のエンジンに吸入される空気温度を検出するための温度センサである。吸気温センサ61は、その抵抗値が温度によって変化するものである。吸気温センサ61は、センサ用電源Vaaとグランド50との間で抵抗素子63と直列接続されている。吸気温センサ61と抵抗素子63との間の共通接続端子65は、マイクロコンピュータ30のA/D入力ポート35aに接続されている。水温センサ62は、自動車のエンジンの冷却水温度を検出するための水温センサである。水温センサ62は、その抵抗値が温度によって変化するものである。水温センサ62は、センサ用電源Vaaとグランド50との間で抵抗素子64と直列接続されている。水温センサ62と抵抗素子63との間の共通接続端子66は、マイクロコンピュータ30のA/D入力ポート35bに接続されている。本実施形態のセンサ61、62は、MOSトランジスタ20すなわち、車載ヒータ駆動回路1の雰囲気温度を計測するためのもので、サーミスタ等の各種のセンサが用いられている。電源Vaaは、周辺機器センサ系統60のセンサ61、62に電力を供給するための電源である。マイクロコンピュータ30は、共通接続端子65から出力される電圧VCを周期的に繰り返しサンプリングするとともに、共通接続端子66から出力される電圧VDを周期的に繰り返しサンプリングする。電圧VCは、吸気温センサ61の検出温度を示す電圧であって、センサ用電源Vaaから出力される電源電圧を吸気温センサ61および抵抗素子63により分圧した電圧である。電圧VDは、水温センサ62の検出温度を示す電圧であって、センサ用電源Vaaから出力される電源電圧を水温センサ62および抵抗素子64により分圧した電圧である。次に、本実施形態の車載ヒータ駆動回路1の作動について説明する。本実施形態のマイクロコンピュータ30は、ON抵抗計測処理と雰囲気温度計測処理とを実行する。ON抵抗計測処理と雰囲気温度計測処理とは、例えば、車載ヒータ駆動回路1を車両に組み付ける製造工程において、実施されるものである。ON抵抗計測処理は、MOSトランジスタ20のON抵抗値RON1を算出するための処理である。雰囲気温度計測処理は、ON抵抗計測処理で用いるMOSトランジスタ20の雰囲気温度を計測するための処理である。以下、ON抵抗計測処理と雰囲気温度計測処理とを別々に説明する。ON抵抗計測処理図10aはマイクロコンピュータ30のON抵抗計測処理を示すフローチャートである。マイクロコンピュータ30は、検査装置から計測要求を受けると、ON抵抗計測処理の実行を開始する。ON抵抗計測処理は、車載ヒータ駆動回路1を自動車のエンジンルーム内に搭載した状態で最終確認検査を実施時に実行される。計測要求は、エンジンが停止しているときに検査装置からマイクロコンピュータ30に出力される。まず、ステップS200Aにおいて、Duty比を所定比例えば、20とするPWM駆動信号をnMOSトランジスタ20のゲート端子に出力する。ここで、Duty比により定まるnMOSトランジスタ20のON期間は、通電によるnMOSトランジスタ20の温度上昇する温度幅を最小値にしつつ、A/D入力ポート32、33から取り込んだ電圧VA、VBを確実に識別することができる最短時間である。本実施形態において、Duty比を所定比とするPWM駆動信号としてのパルス出力をnMOSトランジスタ20のゲート端子に出力した際に、nMOSトランジスタ20が実質的に温度上昇しないと想定している。電圧VA、VBのサンプリング周期をTSとすると、nMOSトランジスタ20のON期間は、3×TS程度となる期間である。このようなON期間=3×TSの間にてnMOSトランジスタ20がオンする。これに伴って、電源VddからnMOSトランジスタ20およびヒータ10を通してグランド50に電流が流れる。次に、ステップS210において、A点21からA/D入力ポート32に与えられる電圧VAをアナログ/デジタル変換して第1のデジタルデータを取得する。これに加えて、B点22からA/D入力ポート33に与えられる電圧VBをアナログ/デジタル変換して第2のデジタルデータを取得する。すなわち、電圧VAおよび電圧VBをサンプリングする。これに伴い、ステップS220において、第1、第2のデジタルデータに基づいて電圧VAから電圧VBを引いた電位差VA-VBを算出する。次に、ステップS265において、電圧VA、VBを測定したときのnMOSトランジスタ20のON抵抗値Ron2Taを数式5により算出する。数式5は、数式2及び数式3を変形して求めることができる。Ron2Ta=Ta-T0×σht1×R0/VA’’-VB’’/VB’’数式5ここで、Taは、後述する雰囲気温度計測処理により求められる雰囲気温度である。Ron2Taは、nMOSトランジスタ20が温度TaであるときのnMOSトランジスタ20固有のON抵抗値である。VA’’はA点21とグランド50との間の電圧である。VB’’はB点22とグランド50との間の電圧である。T0は基準温度であり、R0はnMOSトランジスタ20の温度が基準温度T0であるときのnMOSトランジスタ20のON抵抗値である。σhtはヒータ10の温度係数[Ω/°C]である。温度係数σhtはヒータ10の温度変化に対する抵抗値の変化の割合を示す値である。ここで、実際にヒータ10の温度を制御する際には、nMOSトランジスタ20にも電流が流れる。このため、nMOSトランジスタ20は、その温度上昇と共にON抵抗値が上昇する。そこで、上記数式5では、nMOSトランジスタ20の温度上昇に伴うON抵抗値の変化は、Ta-T0に温度係数σhtを乗ずることにより算出される。温度係数σhtは、マイクロコンピュータ30のコンピュータプログラムの一部として不揮発メモリ40に記憶されている。次に、ステップS267において、実際にヒータ10の温度を制御する時図中ヒータ10実使用時と記すのnMOSトランジスタ20のON抵抗値Ron2Tを数式6により算出する。Ron2T=Ron2TaT-Ta×σMOS数式6ここで、Taは雰囲気温度である。Tは、実際にヒータ10の温度を制御する際のnMOSトランジスタ20の温度として、予め想定された一定温度である。σMOSは温度係数[Ω/°C]であって、nMOSトランジスタ20の温度変化に対するON抵抗値の変化の割合を示す値である。このため、T-Ta×σMOSは、T-Taに対応するRon2Taの補正値となる。ここで、nMOSトランジスタ20のオン時に取得される第1、第2のデジタルデータを用いてON抵抗値Ron2Tが算出された場合にはON抵抗値Ron2Tが正常値になるものの、nMOSトランジスタ20のオフ時に取得される第1、第2のデジタルデータを用いてON抵抗値Ron2Tが算出された場合にはON抵抗値Ron2Tが異常値になる。そこで、ステップS268において、ON抵抗値Ron2Tが所定値以上であるか否かを判定することにより、ON抵抗値Ron2Tが正常値であるか否かを判定する。ここで、ON抵抗値Ron2Tが所定値未満であるとき、ON抵抗値Ron2Tが異常値であるとしてステップS268においてNOと判定して、次のステップS280に移行する。一方、ON抵抗値Ron2Tが所定値以上であるとき、ON抵抗値Ron2Tが正常値であるとして、ステップS268においてYESと判定して、ステップS270に進んで、上記ステップS267で算出されるON抵抗値Ron2T、上記ステップS265で算出されるON抵抗値Ron2Ta、および上記ステップS300aで算出される雰囲気温度Taを不揮発メモリ40に記憶させる。その後、ステップ280に進んで、電圧VA、VBをサンプリングしたか回数以下、サンプリング回数というはN回であるか否かを判定する。ここで、サンプリング回数がN回未満であるときには、ステップ280においてNOと判定して、ステップS220に移行する。このため、不揮発メモリ40に保持されるON抵抗値Ron2Tの個数がN個未満である限り、ステップS210のA/D変換処理、ステップS220の電位差A-B算出処理、ステップS265のON抵抗算出処理、ステップS267のヒータ実使用時のON抵抗算出処理、およびステップS270の算出値保持処理を繰り返す。その後、サンプリング回数がN回以上になると、ステップS280においてYESと判定して、ステップS290に進んで、Duty比を0とするPWM駆動信号をnMOSトランジスタ20のゲート端子に出力する。したがって、nMOSトランジスタ20がオフすることになる。雰囲気温度計測処理マイクロコンピュータ30による雰囲気温度計測処理について図10bを参照して説明する。図10bはマイクロコンピュータ30による雰囲気温度計測処理の詳細を示すフローチャートである。マイクロコンピュータ30は、エンジン制御用電子制御装置から計測要求を受けると、雰囲気温度計測処理の実行を開始する。雰囲気温度計測処理は繰り返し実行される。まず、ステップS290において、共通接続端子65からA/D入力ポート35aに与えられる電圧VCをアナログ/デジタル変換して第3のデジタルデータ吸気温センサ61の検出温度を取得する。これに加えて、共通接続端子66からA/D入力ポート35bに与えられる電圧VDをアナログ/デジタル変換して第4のデジタルデータ水温センサ62の検出温度を取得する。次に、ステップS300aにおいて、第3、第4のデジタルデータに基づいて、吸気温センサ61の検出温度Thaと水温センサ62の検出温度Thwとの平均値{=ThaThw/2}を雰囲気温度Taとして算出する。このようなステップS290の第3、第4のデジタルデータの取得と、ステップS300の雰囲気温度Taの算出処理とは繰り返される。次に、本実施形態における車載ヒータ駆動回路1のON抵抗計測の具体的な作動について説明する。図11は、本実施形態における車載ヒータ駆動回路1の作動を示すタイミングチャートである。図11aはPWM駆動信号の周期図中PWM周期と記す、図11bA点21とグランド50との間での電圧VA、図11cはB点とグランド50との間での電圧VB、図11dはA点21とB点22との間の電位差VA-VBである。図11eは電圧VC、VDのサンプリングタイミングである。図中の上向きの矢印がサンプリングタイミングを示す。図11c~eの横軸は時間を示し、図11c~eの縦軸は電圧を示し、図11a中のT1、T2、T3は周期である。まず、周期T1では、nMOSトランジスタ20はオフしている。このとき、電源Vddからヒータ10に電流が流れていない。次の周期T2において、マイクロコンピュータ30がDuty比を20とするPWM駆動信号をnMOSトランジスタ20に出力するステップS200。これに伴って、nMOSトランジスタ20が瞬時オンする。これにより、電源VssからnMOSトランジスタ20およびヒータ10を通してグランド50に電流が流れる。さらに、マイクロコンピュータ30は、A点21およびB点22から出力される電圧VAおよび電圧VBをアナログ/デジタル変換して第1、第2のデジタルデータを取得するとともに、この取得される第1、第2のデジタルデータに基づいて電位差VA-VBを算出するステップS210、S220。一方、マイクロコンピュータ30が共通接続端子65、66から出力される電圧VC、VDをアナログ/デジタル変換して第3、第4のデジタルデータを取得するステップS290。ステップS300において、第3、第4のデジタルデータに基づいて雰囲気温度Ta{=ThaThw/2}として算出する。その後、電位差VA-VBと雰囲気温度Taとを上記数式5に代入してON抵抗値Ron2Taを算出するステップS265。そして、ON抵抗値Ron2Taを上記数式6に代入してON抵抗値Ron2Tを算出するステップS270。ON抵抗値Ron2Tが正常値であるときには、ON抵抗値Ron2T、ON抵抗値Ron2Ta、および雰囲気温度Taを不揮発メモリ40に保持させるステップS270。このようなステップS210~ステップS268或いは、ステップS270、およびステップS290、S300aの処理がN回繰り返し実行される。このため、ステップS268でYESと判定される毎に、ON抵抗値Ron2T、ON抵抗値Ron2Ta、および雰囲気温度Taを不揮発メモリ40に保持させるステップS270。このため、その後ステップS280でNOと判定されると、ステップS290に進んで、nMOSトランジスタ20をオフさせる。その後、周期T3でおいては、nMOSトランジスタ20はオフしている。このとき、電源Vddからヒータ10に電流が流れていない。以上により、N個のON抵抗値Ron2Tが不揮発メモリ40に保持される。このため、N個のON抵抗値Ron2Tのうちいずれか1つの値或いは、N個のON抵抗値Ron2Tの平均値をON抵抗値RONとして上記数式1、上記数式2、上記数式3のそれぞれに代入して、駆動電流Ih、ヒータ10の抵抗値Rh、温度TRhを算出することになる。以上説明した本実施形態によれば、Duty比が通電によるnMOSトランジスタ20の温度上昇する温度幅を最小値にするように設定されている。このため、通電によってnMOSトランジスタ20の温度が実質的に上昇しない。よって、車載ヒータ駆動回路1の外部に配置されるセンサ61、62を用いてnMOSトランジスタ20或いは、ヒータ10の雰囲気温度Taを求める。これに加えて、nMOSトランジスタ20が温度TaであるときのnMOSトランジスタ20のON抵抗値Ron2Taを算出する。さらに、ON抵抗値Ron2Taに対して補正値{T-Ta×σMOS}を加算して、実際にヒータ10の温度を制御する時のnMOSトランジスタ20のON抵抗値Ron2Tを算出する。これにより、電流検出用抵抗素子を用いることなく、実際にヒータ10の温度を制御した時のnMOSトランジスタ20のON抵抗値Ron2Tを精度よく算出することができる。以上により、nMOSトランジスタ20が実質的に温度上昇しない範囲で、PWM駆動信号としてのパルス出力をnMOSトランジスタ20のゲート端子に出力するので、定電流源10AによりnMOSトランジスタ20に大電流を流す必要もない。さらに、ヒータ10を使用してnMOSトランジスタ20のON抵抗値を測定するので、余分な装置を必要とせずに、nMOSトランジスタ20の初期公差に対応してnMOSトランジスタ20の固有のON抵抗値Ron2Tを求めることができる。これにより、車載ヒータ駆動回路1を車両に組み付ける製造工程の最終確認検査において初期バラツキの合わせこみを実施することが可能になる。第5実施形態上述の第4実施形態では、車両生産工程にて車載ヒータ駆動回路1を車両に組み付けて最終確認検査を実施する際に実際にヒータ10に通電した時のnMOSトランジスタ20のON抵抗値Ron2Tを算出した例について説明したが、これに代えて、本第5実施形態では、車載ヒータ駆動回路1およびヒータ10が車両に搭載された状態で車載ヒータ駆動回路1によりヒータ10の温度制御する例について説明する。本実施形態の車載ヒータ駆動回路1は、自動車のエンジンルーム内に搭載されたもので、上述の第4実施形態と同様の回路構成を有している図12参照。本実施形態のマイクロコンピュータ30は、図13a、bのフローチャートにしたがって、コンピュータプログラムを実行する。図13aにおいて、図2と同一符号は同一ステップを示している。図13bにおいて、図10bと同一符号は同一ステップを示している。次に、本実施形態の車載ヒータ駆動回路1の作動について図13、図14を参照して説明する。図13aはマイクロコンピュータ30による温度制御処理を示すフローチャートである。図13bは、マイクロコンピュータ30によるMOS温度計測処理を示すフローチャートである。マイクロコンピュータ30は、ヒータ温度制御処理とMOS温度計測処理とを交互に繰り返し実施する。以下、ヒータ温度制御処理とMOS温度計測処理とについて別々に説明する。MOS温度計測処理まず、車載ヒータ駆動回路1によりnMOSトランジスタ20に駆動電流が流れると、nMOSトランジスタ20の温度が上昇する。そこで、本実施形態のMOS温度計測処理では、車載ヒータ駆動回路1によりヒータ10の温度制御する際のnMOSトランジスタ20の温度を推定する。具体的には、ステップS290において、共通接続端子65からA/D入力ポート35aに与えられる電圧VCをアナログ/デジタル変換して第3のデジタルデータ吸気温センサ61の検出温度を取得する。これに加えて、共通接続端子66からA/D入力ポート35bに与えられる電圧VDをアナログ/デジタル変換して第4のデジタルデータ水温センサ62の検出温度を取得する。次に、ステップS300bにおいて、第3のデジタルデータ吸気温センサ61の検出温度と第4のデジタルデータ水温センサ62の検出温度とに基づいて、nMOSトランジスタ20の推定温度Thを算出する。具体的には、吸気温センサ61の検出温度をThaとし、水温センサ62の検出温度をThwとし、ThaおよびThwを次の数式7に代入してnMOSトランジスタ20の推定温度Thを求める。Th=Tha×R1Thw×R2Tα数式7ここで、R1はThaエンジン水温に乗ぜられる第1の係数であり、R2はTha吸気温度に乗ぜられる第2の係数である。R1、R2は、車載ヒータ駆動回路1の搭載位置によって設定されるものであって、R1R2=1、0≦R1≦1、0≦R2≦1とする。ここで、nMOSトランジスタ20の設置場所がエンジンルーム内で車両の先頭に近いほど、補正係数R2を大きくし、かつ補正係数R1を小さくする。これは、車両の先頭は、外気に触れやすい位置であるからである。一方、エンジン側に近いほど、補正係数R2を小さくし、かつ補正係数R1を大きくする。これは、エンジンに近いほど、エンジンの廃熱の影響を受けやすいからである。なお、車載ヒータ駆動回路1内部にサーミスタ等の温度センサ配置されている場合には、この温度センサの検出温度を用いてnMOSトランジスタ20の推定温度Thを求めてもよい。また、雰囲気温度補正定数Tαは、水温センサ62の検出温度Thaおよび水温センサ62の検出温度Thaによって求められるnMOSトランジスタ20の設置位置の温度=Tha×R1Thw×R2とnMOSトランジスタ20の実際の温度との間の乖離幅温度差を示す値である。雰囲気温度補正定数Tαは、nMOSトランジスタ20に駆動電流が流れることにより、nMOSトランジスタ20から生じる熱に対応する温度変化を示す温度補正値であって、nMOSトランジスタ20の通電時間、および通電電力量によって変更される。雰囲気温度補正定数Tαとしては、コンピュータプログラムの一部として不揮発メモリ40に予め記憶されている。ヒータ温度制御処理まず、ステップS100において、予め決められたDuty比のPWM駆動信号をnMOSトランジスタ20のゲート端子に出力する。ここで、nMOSトランジスタ20がオンすることに伴って、電源Vddとグランド50との間でnMOSトランジスタ20およびヒータ10を通して駆動電流が流れる。このため、nMOSトランジスタ20の温度が上昇する。次に、ステップS110において、A点21からA/D入力ポート32に与えられる電圧VAをアナログ/デジタル変換して第1のデジタルデータを取得する。これに加えて、B点22からA/D入力ポート33に与えられる電圧VBをアナログ/デジタル変換して第2のデジタルデータを取得する。次に、ステップS120において、電圧VBが所定値以上であるか否かを判定することにより、nMOSトランジスタ20がオンしているか否かを判定する。このことにより、第1、第2のデジタルデータがnMOSトランジスタ20がオンしているときに取得されたものであるか否かを判定することになる。ここで、電圧VBが所定値未満であるときにはnMOSトランジスタ20がオフしているとして、ステップS120においてNOと判定する。これに伴い、ステップS110に戻り、電圧VA、VBをそれぞれアナログ/デジタル変換する。その後、ステップS120においてYESと判定するまで、ステップS120のNO判定処理、およびステップS110のA/D変換処理を繰り返す。その後、電圧VBが所定値以上になると、ステップS120においてnMOSトランジスタ20がオンしているとしてYESと判定する。つまり、nMOSトランジスタ20がオンしているときの第1、第2のデジタルデータを取得したと判定する。ここで、nMOSトランジスタ20はそのON抵抗値Ron3が温度に対して所定の傾きにて線形に変化する温度特性を有しており、その温度特性の傾き係数の個体差は十分に小さいため、nMOSトランジスタ20の温度の推定により、ON抵抗値を精度良く算出できる。そこで、次のステップS267において、上述のステップS300bで算出される推定温度Th、上述の第4実施形態で算出される雰囲気温度Ta、およびON抵抗値Ron2Taを次の数式8に代入して、nMOSトランジスタ20を使用してヒータ10を制御しているときのnMOSトランジスタ20のON抵抗値Ron3を算出する。Ron3=Th-Ta×σMOSRon2Ta数式8σMOS[°C/Ω]は、温度係数であって、nMOSトランジスタ20の温度変化に対する抵抗値の変化の割合を示す値である。[Th-Ta×σMOS]は、Th-Taに対応するRon2Taの補正値となる。次に、ステップS268において、上記ステップS120でYESと判定される直前のステップS110で取得される第1、第2のデジタルデータVA、VBを上述の数式1に代入して駆動電流Ihを算出する。ここで、数式1を再記すると、Ih=VA-VB/RON数式1ここで、数式1中のRONに代わるRon3を用いて駆動電流Ihを算出することになる。次に、ステップS269において、上記ステップS120でYESと判定される直前のステップS110で取得される第1、第2のデジタルデータVA、VB、上記数式7で求められるnMOSトランジスタ20の推定温度Th、および図14の変換テーブルを用いて、ヒータ10の温度TRhを算出する。まず、上記ステップS120でYESと判定される直前のステップS110で取得される第1、第2のデジタルデータVA、VBに基づいて、A点21とB点22との間の電位差VA-VBを差分として求める。そして、変換手段として、電位差VA-VBを、ヒータ電源=VAを16VとしたときのnMOSトランジスタ20のON電圧VAB16Vに変換する。ON電圧VAB16Vは、nMOSトランジスタ20のドレイン端子-ソース端子間に駆動電流Ihが流れているときのnMOSトランジスタ20のドレイン端子およびソース端子との間の電位差である。具体的には、nMOSトランジスタ20のON電圧VAB16Vは、次の数式9にVA、VBを代入して求められる。VAB16V=VA-VB/VA×16数式9図14の変換テーブルは、ON電圧VAB16V、ヒータ10の温度TRh、およびnMOSトランジスタ20の推定温度Thといった三者の関係を記憶するためのものである。具体的には、図14の変換テーブルは、縦方向に並べられるON電圧VAB16V電源16V時MOSトランジスタON電圧Vと記すと、横方向に並べられる推定温度Th図中MOSトランジスタ推定温度と記すと、ON電圧VAB16Vと推定温度Thとに対応するヒータ10の温度TRhの複数の候補値とを備える。変換テーブルを構成するヒータ10の温度TRhの複数の候補値は、上記数式2中に、RONに代わる上記数式8のON抵抗値Ron3を代入してヒータ10の抵抗値Rhを算出し、この算出した抵抗値Rhを上記数式3に代入して算出した温度である。そこで、ON電圧VAB16Vが、例えば0.20Vであり、推定温度Thが例えば、5°Cであるときには、図14の変換テーブルによって、230°Cをヒータ10の温度TRhとして特定する。次のステップS140において、上述の第2実施形態と同様に、ヒータ10の温度TRhに基づいてヒータ10の加熱要求値としてのPWM駆動信号のDuty比を算出する。次のステップS150において、上記ステップS140にて算出されたDuty比が零であるか否かを判定する。このとき、Duty比が零よりも大きいときには、ステップS150においてNOと判定する。これに伴い、次のステップS160において、上述のステップS140で調整されたDuty比のPWM駆動信号をnMOSトランジスタ20のゲート端子に出力する。その後、Duty比が零よりも大きいときには、ステップS110のA/D変換処理、ステップS120のON判定処理、ステップS267のON抵抗算出処理、ステップS268のヒータ電流値算出処理、ステップS269のヒータ温度算出処理、ステップS140のヒータ加熱要求値算出処理、およびステップS150のNO判定処理、およびステップS160のPWM出力処理を繰り返す。その後、ヒータ10の温度TRhが目標温度に近づくと、Duty比が零になり、ステップS150でYESと判定してコンピュータプログラムを終了する。以上説明した本実施形態によれば、nMOSトランジスタ20によりヒータ10の温度制御を実施しているときのnMOSトランジスタ20の推定温度Thを水温センサ62の検出温度と水温センサ62の検出温度とに基づいて求める。この推定温度Thにより、ON電圧VAB16V、推定温度Th、および変換テーブルからヒータ10の温度TRhを求める。したがって、電流検出用抵抗素子を用いることなく、ヒータ10の温度TRhを精度良く算出することができる。これに伴い、電流検出用抵抗素子を用いることなく、ヒータ10の温度を精度良く制御することができる。本実施形態では、ThaにR1を掛けた値と、ThaにR2を掛けた値と、雰囲気温度補正定数Tαとをそれぞれ加算した値をnMOSトランジスタ20の推定温度Thとしている。そして、nMOSトランジスタ20の設置場所がエンジンルーム内で車両の先頭側に近いほど、補正係数R2を大きくし、かつ補正係数R1を小さくする一方、エンジン側に近いほど、補正係数R2を小さくし、かつ補正係数R1を大きくする。このため、nMOSトランジスタ20の温度を精度良く推定することができる。他の実施形態上述の第1~第5の実施形態では、制御機器としては、ヒータ10を内蔵するFFV用エンジン用燃料噴射装置を用いた例を示したが、これに代えて、制御機器としては、各種のアクチュエータやセンサを備える機器にヒータ10を内蔵したものを用いてもよい。上述の第5の実施形態では、ヒータ10の温度TRhを変換テーブルによって求めるために、ヒータ電源=VAを16VとしたときのnMOSトランジスタ20のON電圧VAB16Vを用いた例について説明したが、これに代えて、ヒータ電源=VAを16V以外の一定の電圧値としたときのnMOSトランジスタ20のON電圧を用いて、ヒータ10の温度TRhを求めるための変換テーブルを構成してもよい。つまり、nMOSトランジスタ20のON電圧VAB16Vを求めるための16Vは任意の値であって、16V以外の値を用いてもよい。上述の第5の実施形態では、変換テーブルにおいて、nMOSトランジスタ20のON電圧VAB16V、およびnMOSトランジスタ20の推定温度Thに対応するヒータ10の温度TRhを特定して、この特定される温度TRhをヒータ10の目標温度に近づけるようにMOSトランジスタ20に流れる駆動電流を制御する例について説明したが、これに代えて、上記数式2中に、RONに代わる上記数式8のON抵抗値Ron3を代入してヒータ10の抵抗値Rhを算出し、この算出した抵抗値Rhを上記数式3に代入してヒータ10の温度TRhを算出してもよい。上述の各実施形態では、本発明に係るMOSトランジスタ20としてnMOSトランジスタを用いた例について説明したが、これに代えて、MOSトランジスタ20としてpMOSトランジスタを用いてもよい。