個片化された半導体チップが樹脂により封止された半導体装置であって、前記半導体装置は、主面と、前記主面に対向する裏面とを有し、前記裏面は、第1辺と、前記第1辺に対向する第2辺と、前記第1辺と前記第2辺との間に設けられた第3辺と、前記第3辺に対向する第4辺と、を有し、前記半導体装置は、前記裏面から露出する複数の電極を含み、前記複数の電極は、第1電極と、前記第1電極と異なる複数の第2電極を含み、前記第1電極は、前記第1辺と前記第3辺との交差する部分の近傍に設けられ、前記第1電極は、前記複数の第2電極と大きさ又は形状が異なることを特徴とする半導体装置。前記第1電極は、五角形であり、前記複数の第2電極は、四角形であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記第1電極は、六角形であり、前記複数の第2電極は、四角形であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記第1電極は、複数の電極からなることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記第1電極と前記複数の第2電極は、相似形であり、大きさが異なることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。さらに、前記半導体チップに接続されたワイヤを含み、前記ワイヤが前記樹脂により封止されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。個片化された複数の半導体チップが樹脂で封止された半導体装置であって、前記半導体装置は、主面と、前記主面に対向する裏面とを有し、前記裏面は、第1辺と、前記第1辺に対向する第2辺と、前記第1辺と前記第2辺との間に設けられた第3辺と、前記第3辺に対向する第4辺と、を有し、前記半導体装置は、前記裏面から露出する複数の電極を含み、前記複数の電極は、前記第1辺と前記第3辺との交差する部分の近傍及び前記第2辺と前記第4辺との交差する部分の近傍に設けられた第1電極と、前記第1電極と大きさ又は形状が異なる複数の第2電極とを含むことを特徴とする半導体装置。前記第1電極は、五角形であり、前記複数の第2電極は、四角形であることを特徴とする請求項7記載の半導体装置。さらに、前記複数の半導体チップに接続された複数のワイヤを含むことを特徴とする請求項7記載の半導体装置。個片化された複数の半導体チップと前記複数の半導体チップに接続された複数のワイヤとが樹脂により封止された半導体装置であって、前記半導体装置は、主面と、前記主面に対向する裏面とを有し、前記裏面は、第1辺と、前記第1辺に対向する第2辺と、前記第1辺と前記第2辺との間に設けられた第3辺と、前記第3辺に対向する第4辺と、を有し、前記半導体装置は、前記裏面から露出し、行列状に規則的に配置された複数の電極を含み、前記複数の電極は、前記第1辺と前記第3辺との交差する部分の近傍に設けられた第1電極と、前記第1電極と大きさ又は形状の異なる複数の第2電極とを含むことを特徴とする半導体装置。前記第1電極は、五角形であり、前記複数の第2電極は、四角形であることを特徴とする請求項10記載の半導体装置。前記第1電極は、六角形であり、前記複数の第2電極は、四角形であることを特徴とする請求項10記載の半導体装置。前記第1電極は、複数の電極からなることを特徴とする請求項10記載の半導体装置。前記第1電極と前記複数の第2電極は、相似形であり、大きさが異なることを特徴とする請求項10記載の半導体装置。個片化された複数の半導体チップを樹脂により一括して封止した後、おのおの1つの半導体チップを含むように前記樹脂をダイシングにより複数に個片化することによって得られた半導体装置であって、前記半導体装置は、主面と、前記主面に対向する裏面とを有し、前記裏面から露出する複数の電極を含み、前記複数の電極は、第1電極と、前記第1電極と異なる複数の第2電極とを有し、第1電極と前記複数の第2電極とは、大きさ又は形状が異なることを特徴とする半導体装置。前記裏面は、第1辺と、前記第1辺に対向する第2辺と、前記第1辺と前記第2辺との間に設けられた第3辺と、前記第3辺に対向する第4辺と、有し、前記第1電極、前記第1辺と前記第3辺との交差する部分の近傍に設けられ、前記ダイシングの時、前記第1電極がアライメントに利用されることを特徴とする請求項15記載の半導体装置。前記第1電極は、五角形であり、前記複数の第2電極は、四角形であることを特徴とする請求項15又は16記載の半導体装置。前記第1電極は、六角形であり、前記複数の第2電極は、四角形であることを特徴とする請求項15又は16記載の半導体装置。前記第1電極は、複数の電極からなることを特徴とする請求項15又は16記載の半導体装置。前記第1電極と前記複数の第2電極は、相似形であり、大きさが異なることを特徴とする請求項15又は16記載の半導体装置。本発明者は、一括モールド後にダイシングする多素子入りリードレスパッケージの製造において、以下の課題があることを見いだした。移動体通信関係は、携帯電話、無線LAN、ETC等を含むITC関連で、今後とも重要な分野である。かかる分野における半導体装置のパッケージングでは、実装面積の低減による小型化の要請のため、リードレスで多素子入りのパッケージに移行して行くことが予想される。かかる多素子入りリードレスパッケージは、電極上に複数の素子をペレットボンディングし、その後ワイヤボンディング、モールド、フレーム除去、ダイシングを行って製造される。モールド後のダイシングに際しては、電極周辺にアライメントマークを設けておき、それを用いてダイシング時の位置決め、ダイシング間隔等を設定していた。しかし、電極の周辺に設けたアライメントマークに基づきダイシングを行うと、ダイシング後にアライメントマークが入ったダミー品を除去する必要が生ずる。また、周辺に設けたアライメントマークは、フレームの除去に際して除去するフレーム側に残る場合がある。かかる場合には、アライメントマークが無くなったレジンをダイシングすることができず、パッケージの個辺化ができず製品の製造が不可能となる等の問題があった。一方、多素子入りリードレスパッケージでは、多数形成された電極が同じ形状、同じ大きさであるため、製品位置と製品のピッチ間隔を容易に特定することができなかった。すなわち、多素子入りの製品を作製した場合には、多素子を一まとめとする製品位置がどの間隔で作製されているかが容易に判断できなかった。そのため、例えば、反り等が出て、製品間のピッチが狭くなったり、あるいは広くなったりした場合等には深刻な問題が発生する。電極周辺のフレームに設けたアライメントマークを基準に製品ピッチを画一的に決めてダイシングを行うこれまでの方法では、途中の反りが発生した部分では、そのピッチ間隔が実際の反った製品間隔と合わなくなる。そのままずれた状態でダイシングが行われて個辺化されることとなり、当然に不良品が発生していた。かかる点は、製品位置が容易に判断できれば、例えば、反り等が発生した箇所でダイシング位置を実際の製品位置に再調整して解消できる筈である。このように、製品位置の確認が容易に行えれば、作業効率、作業精度等の観点から、相当の業務改善が期待できる筈である。しかし、これまでは、かかる視点からの発想はなかった。例えば、前記特許文献1に開示の構成では、認識マークを周辺に設ける構成であるため、本来的にはアライメントマークを周辺に設けていたこれまでの構成と同等である。また特許文献2に開示の構成は、一括モールド品の製造に際して、チップ搭載領域のコーナ部分にL字状の位置認識マークを形成し、搭載領域に不良がある場合にはその位置認識マークを消去するもので、ダイシング位置との関わりは何ら示されていない。さらに、特許文献3、4に開示の構成では、インデックスマーク付与の簡略化、マークの離脱防止等を目的としたものであり、例えば4隅近傍に設ける電極の形状を変えることで、その方向性を示している。しかし、かかる構成では、あくまで電極の形状を変えることはインデックスマークとして使用するための発想であり、ウエハレベルで絶縁膜上に形成した外部接続電極の形状を変えており、個々の半導体に分割する時はウエハのダイシンラインに沿ってダイシングするために、ダイシング時のアライメントマークとしての機能性については一切の考慮は必要なく、複数の半導体チップを一括モールドしてひとつの平坦な樹脂のかたまりとして、精度よくアライメントを行いダイシングにより個々に分割する方法についての記載はない。また、本発明者は、製品の小型化の中で、周辺にダイシング用のアライメントマークを設けることで製品形成領域が狭くなっていることに気づいた。かかる周辺のアライメントマークをなくしてそこを製品形成領域とすれば、その分、相当数の製品形成ができる筈である。製品の歩留り改善にも繋がる筈である。本発明の目的は、電極の周辺に設けていたダイシング用のアライメントマークを用いなくても、ダイシングを可能にすることにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。すなわち、大きさ又は形状の異なる電極間を目安にすることで、ダイシング位置を容易に決定することができ、電極の周辺にアライメントマークを設ける必要がなくなった。本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。大きさ又は形状が異なる電極間でダイシングの位置決定を行えるので、これまでのように周辺にアライメントマークを設ける必要がなく、周辺にアライメントマークを設けた場合の不具合を解消することができる。周辺のアライメントマーク形成領域を廃して、その分を製品形成領域とすることができるため、製品の作り込み量を増加させることができる。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。実施の形態1図1a、bは本発明に係る半導体装置の構成を示す断面図で、cは平断面図である。図2は、半導体装置の製造方法の工程内容を示すフロー図およびその断面説明図である。本実施の形態の半導体装置10は、図1a、b、cに示すように、半導体チップ11が複数搭載されたパッケージ12に構成されている。かかるパッケージ12は、例えば、多素子入りリードレスパッケージ12aに構成されている。図1に示す構成では、半導体チップ11は、一つのパッケージ12に3個搭載される場合を例示している。かかるパッケージ12には、電極13が複数、例えば6個形成されている。形成された6個の電極13の内、その一部の3個の電極13上に半導体チップ11が搭載されている。電極13は、例えば、Auメッキにより薄膜を形成し、その上にNiメッキを形成し、さらにその上にAuメッキを行えばよい。すなわち、Ni電極の表面がAuメッキで覆われた構成になっている。かかる半導体チップ11は、対向位置に設けた電極13とワイヤボンディング14で接続されている。ワイヤボンディング14には、例えば、金線14aが用いられている。かかる構成が、樹脂15を用いたモールドにより封止されて、半導体装置10が形成されている。一方、かかる構成の半導体装置10では、一つのパッケージ12に設けられた複数の電極13の内、その一つは異形に形成されている。すなわち、図1cに示すように、例えば、紙面左上側の1個の電極13が異形電極13aに構成され、他の5個の電極13は通常形状に形成された通常形電極13bに構成されている。異形電極13aと通常形電極13bとは、一目瞭然に容易に区別できるように構成されている。図1cに示す場合には、異形電極13aは、角が切られた五角形の形状に形成され、通常形電極13bの四角形とは、容易に区別できるようになっている。かかる構成の半導体装置10は、次のようにして製造することができる。すなわち、図2のフローに示すように、ステップS110で、用意したフレーム20上にニッケルNiで電極13を形成する。フレーム20は、例えば、ステンレスSUSまたは銅Cu等で構成されている。電極13の形成には、例えば、かかるフレーム20上にレジストを形成し、かかるレジストをフォトリソグラフィー処理で所定の電極パターンに形成する。かかる電極パターンを用いて、電界メッキにより電極13を形成する。電極13は、フレーム20上にAu金メッキを薄く形成し、その後に層厚を厚くNiニッケルメッキを施す。さらにNiメッキ上に再度Auメッキで薄く覆う。このようにして電極形成後、レジストをエッチングで除去すればよい。かかる様子を、図2aに示した。図2aには、説明を簡単にするために電極13を2個しか示していないが、電極13は、例えば図3に示すように、フレーム20上に多数形成されている。電極13を形成するに際して、例えば、図1cに示すように、6個の電極13を一つのグループとして、その内の隅にある電極13の形状を、他の5個の電極13とは異なる形状に形成する。図1cに示す場合には、紙面左上の電極13の角を落とした五角形の異形電極13aに形成し、その他の5個の電極13は四角形の通常形電極13bに形成すればよい。このようにして、ステップS110でフレーム20上に異形電極13aと通常形電極13bとからなる電極13を形成する。ステップS120で、電極13上に半導体チップ11をペレットボンディングにより搭載する。かかる様子を、図2bに示した。半導体チップ11は、図3に示すように、異形電極13a、通常形電極13b上に互い違いに搭載されている。因みに、図3は、かかる状況を上からみた様子を示す平断面図である。その後、ステップS130で、半導体チップ11と、半導体チップ11を搭載せずに半導体チップ11と対向位置にある電極13とを金Au線14a等のワイヤボンディング14で接続する。かかる様子を、図2cに示した。ステップS140で、ワイヤボンディング14で接続した半導体チップ11、電極13を樹脂15で一括モールドして封止する。かかる様子を、図2dに示した。その後、ステップS150で、フレーム20を除去する。フレーム20の除去に際しては、例えば、薄いフレーム20を引き剥がすようにして除去すればよい。このようにしてフレーム20が除かれた状態では、樹脂15でモールドされている側とは反対側が、電極13がAu薄膜側を外側に向けた状態にされている。かかる様子を、図2e、図3、図4に示した。尚、図3の裏面側からみた様子が図4である。ステップS150の状態では、図3、4に示すように、多数の半導体チップ11が電極13上に形成され、かかる半導体チップ11と電極13とがワイヤボンディング14で接続され、樹脂15で封止された状態で、その裏面側に電極13が見えている。図4に示す構成では、横3列、縦2列の計6個の電極13を一つのグループとして、かかるグループが多数形成されていることが容易に分かる。グループは、図4の紙面右上に当たる位置の電極13が、他の5個の電極13の四角形状とは異なり五角形状の異形電極13aに形成されている。かかる五角形の異形電極13aと四角形の通常形電極13bとが隣接する箇所は、縦方向には一つ置きに、横方向には二つ置きに、それぞれ規則的に縦横に形成されている。ステップS160で、四角形の通常形電極13bと五角形の異形電極13aとが隣接す箇所を目安にして、ダイシングする。すなわち、かかる隣接箇所の間にダイシング位置を決めることで、容易に電極が6個取りの半導体装置10が形成されることとなる。モールド後に、一つのパッケージに6個の電極13が含まれた半導体装置10を個辺化することができる。このように四角形と五角形の異なる形状の電極13同士が隣接する箇所が、縦方向、横方向にそれぞれ規則的に形成されているため、ダイシング位置の確認が容易に行える。従って、ダイシングの位置決めを周辺の四角形と五角形の電極13同士が隣接する箇所で行った後でも、ダイシング途中で、再度四角形と五角形の電極13同士が隣接する箇所で位置確認して、より精度の高いダイシングを行うことができる。周辺にアライメントマークがある場合とは異なり、反ったりして途中の製品間のピッチが異なる場合でも、その位置でダイシング位置を確認することができ、精度の高いダイシングが可能となる。図3、4に示す場合は、一つのパッケージに電極13が6個含まれるようにグループ分けした場合を示したが、一つのパッケージに含む電極13の個数は自由に設定することができる。要は、グループ毎の境界が分かるように、左端あるいは右端の電極13の形状が、異形電極13aに形成されて、他の通常形電極13bと区別がつくように形成されていればよい。尚、上記構成では、異形電極13aと通常形電極13bとは異なる形状に形成した場合について説明したが、異形電極13a、通常形電極13bとは相似形であって、その大きさが明瞭に異なるように形成しても構わない。要は、異形電極13aと通常形電極13bとが、容易に区別できるものであればよい。また、図5a、bに比較するように、例えばフレーム20の周辺にダイシング位置のアライメントマークを設定した場合と、上記説明のようにダイシング位置の目安を電極形状だけから判断する場合とでは、半導体装置10の面積当たりの作り込み量が大幅に異なる。図5aに示す場合は、これまでは周辺にアライメントマークが形成されていたので、アライメントマークの形成領域分、製品の作り込み面積が少なくなっている。しかし、図5bに示すように、異形電極13aをダイシングの見当位置とすることで、周辺にアライメントマークを形成する必要がなくなり、その分製品の作り込み領域が増加する。尚、図5に示す場合には、一つのパッケージ12に、半導体チップ11が3個搭載されている電極13の6個取りの例を示した。このように、周辺のアライメントマークを無くすことで、一回のダイシングにより形成される個辺化されたパッケージの数を多くすることができる。いわゆる、これまでの場合に比べて、一括モールドあたりの取得数を多くすることができるのである。さらに、電極13をアライメントマークの代わりに利用しているので、ダイシングに際してこれまでのアライメントマークの形成領域を取り除く手間がなくなり、その分、生産効率の向上に繋がる。また、前記ペレットボンディングでは、半導体チップ11をボンディングする際に、異形電極13aを基準にして位置決定を行うこともできる。また異なる電極を配置することで多数個のパッケージの中から一つのパッケージ構成を容易に判断することができ、ペレットボンディング、ワイヤボンディングなどの工程から発生した不良品を容易に除去することができる。また異なる電極を配置することで電極側からでも1ピンの位置及びペレット搭載位置を明確に判断できる。実施の形態2前記実施の形態では、電極13の6個取りの例を挙げて説明したが、かかる構成では、図6aに示すように、角が落ちた形状の五角形の異形電極13aと、四角形に形成した残り5個の通常形電極13bとで、6個取りのダイシング位置が分かるように構成した。しかし、電極13の形状は、どのようなものでも構わなく、例えば図6bに示すように、異形電極13aを六角形状に形成しても構わない。また、図6cに示すように、6個取りの対角線状の二隅に、五角形状等の異形電極13aを2個形成しても構わない。さらには、図6dに示すように、異形電極13aを二つ等に分割構成しても構わない。また、図6a等に示すように、アライメントマークの代わりをさせる異形電極13aは、他の通常形電極13bより少し大きめに形成しておいても構わない。あるいは、他の通常形電極13bの大きさを踏襲して、その角を切り欠いたような形状にしておいても構わない。実施の形態3本実施の形態では、前記実施の形態1とは異なり、フレーム20をバックエッチングで除去し製造した半導体装置10について説明する。その他の構成は、前記実施の形態1で説明した場合と略同様である。かかる構成の半導体装置10は、次のようにして製造される。すなわち、図7のフローに示すように、ステップS210で、用意したフレーム20上に電極13を前記実施の形態1で説明したように形成する。フレーム20は、例えば、ステンレスまたは銅等で構成されている。フレーム20上に形成される電極13は、フレーム20上に層厚を厚くNiメッキを形成し、その後にNiメッキ上にAuメッキで薄膜を形成すればよい。かかる様子を、図7aに示した。図7aには、説明を簡単にするため電極13を2個しか示していないが、電極13は、例えば前掲の図3の如く、フレーム20上に多数形成されている。電極13を形成するに際しては、複数個の電極13を一つのグループとして、その内の隅にある電極13の形状を、残りの他の通常形電極13bとは異なる異形形状に形成しておけばよい。例えば、図1cに示すように、紙面左上の異形電極13aを角を落とした五角形状に形成し、その他の5個の通常形電極13bは四角形に形成しておけばよい。ステップS210でフレーム20上に複数の電極13を形成した後、ステップS220で、電極13上に半導体チップ11をペレットボンディングにより搭載する。かかる様子を、図7bに示した。その後、ステップS230で、半導体チップ11と、半導体チップ11を搭載せずに半導体チップ11と対向位置にある電極13とを金線14a等のワイヤボンディング14で接続する。かかる様子を、図7cに示した。ステップS240で、ワイヤボンディング14で接続した半導体チップ11、電極13を樹脂15で一括モールドして封止する。かかる様子を、図7dに示した。その後、ステップS250で、フレーム20を除去する。フレーム20の除去に際しては、バックエッチングで処理する。このようにしてフレーム20が除かれた状態では、樹脂15でモールドされている側とは反対側には、電極13が外側に向けた状態に形成されている。かかる様子を、図7eに示した。ステップS260で、フレーム20のバックエッチングにより電極13が裏面に露出しているので、電極13上にAuメッキを施す。その後に、かかるAuメッキを施した四角形と五角形の異形電極13aと通常形電極13bとが隣接する箇所で、ダイシングして6個取りの半導体装置10が形成される。かかる構成では、横3列、縦2列の計6個の電極13を一つのグループとして、図4に示すように、かかるグループが多数形成されている。かかるグループでは、隅には異形電極13aが、他の5個の通常形電極13bの四角形状とは異なる五角形状に形成されている。かかる四角形と五角形の電極13同士が隣接する箇所は、縦方向、横方向にそれぞれ規則的に形成され、パッケージの個辺化に際してのダイシング位置の目安とすることができる。かかる様子を、図7fに示した。このようにして、モールド後に、一つのパッケージに6個の電極13が含まれた多素子入りリードレスパッケージ12aの半導体装置10を個辺化して製造することができる。かかる方法で製造された半導体装置10の構成は、図8aに示すように、電極13の下方のAuメッキが、樹脂15の外側に形成されている点を除いては、図2に示す製造方法で製造された半導体装置10と同様の構成を有する。実施の形態4前記実施の形態では、電極13の形状を五角形等の異形形状とし、他の四角形の電極13と区別できるようにして、ダイシング時のアライメントマークの代わりとする場合について説明したが、ダイオード等のようにフレームに直接接続する場合についても同様に考えることができる。例えば、図9に示すように、ステップS310で異極に構成したリードフレーム30a、30b等のフレーム30を準備する。すなわち、銅Cu等に形成されたリードフレームカソード側30a30と、リードフレームアノード側30b30とを相対して設ける。かかる構成で、リードフレーム30a、30bの形状は容易に分かるように異なった形状をしている。かかる様子を、図9aに示した。その後ステップS320で、カソード側として形成したリードフレーム30a上に、ダイオード11a等に形成された半導体チップ11を、ペレットボンディングにより接続する。かかるリードフレーム30a上には、例えば、銀Agメッキが薄く施され、金AuテープあるいはAuペーストを接着材として、所定温度で半導体チップ11が接着されている。半導体チップ11は、Au-Si共晶で接合されている。かかる様子は、図9bに示した。その後に、ステップS330で、ダイオード11aとアノード側に構成したリードフレーム30bとを、金線14a等を用いてワイヤボンディング14で接続する。かかる様子を、図9cに示した。ステップS340で、樹脂15を用いて上記構成をモールド封止する。かかる様子を、図9dに示した。モールド後に、ステップS350で、リードフレーム30aを目安にして、図9eに示すように、ダイシングして個辺化することで半導体装置10を製造することができる。かかる方法で製造された半導体装置10の構成を、図10に模式的に示した。以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。本発明の適用は、前記実施の形態からも明らかなように、ダイオード、トランジスタ等のリードレスで多素子入りに構成したパッケージのダイシングに適用することができる。MAPMoldArrayPackage方式で生産する半導体装置、液晶等の電子部品の製造に使用することができる。前記説明では、半導体装置を例に挙げて説明したが、液晶等の分野でも同様に使用することができる。