電子部品の接続パッドに形成されるスタッドバンプであって、前記電子部品を搭載するセラミックパッケージに形成される配線パターンの隣同士の間隔が0.2mm~0.6mmであり、前記配線パターンの隣同士の高さばらつきが10μm~15μmである場合に、前記配線パターンに接合するバンプとして、前記電子部品の接続パッド上に1段目のバンプと2段目のバンプが重ねて形成され、前記1段目のバンプが、当該接続パッドに形成された場合の最大部分の直径が50μm~70μmであり、本体部分の厚みが10μm~20μmであり、前記2段目のバンプが、前記1段目のバンプの上に形成された場合の最大部分の直径が80μm~100μmであり、本体部分の厚みが35μm~50μmとしたことを特徴とするスタッドバンプ。電子部品の接続パッドに形成されるスタッドバンプであって、前記電子部品を搭載するセラミックパッケージに形成される配線パターンの隣同士の間隔が0.2mm~0.6mmであり、前記配線パターンの隣同士の高さばらつきが10μm~15μmである場合に、前記配線パターンに接合するバンプとして、前記電子部品の接続パッド上に1段目のバンプと2段目のバンプが重ねて形成され、前記1段目のバンプが、当該接続パッドに形成された場合の最大部分の直径が50μm~70μmであり、本体部分の厚みが10μm~20μmであり、前記2段目のバンプが、前記1段目のバンプの上に形成された場合の最大部分の直径が90μm~100μmであり、本体部分の厚みが35μm~40μmとしたことを特徴とするスタッドバンプ。電子部品の接続パッドに形成されるスタッドバンプの形成方法であって、前記電子部品を搭載するセラミックパッケージに形成される配線パターンの隣同士の間隔が0.2mm~0.6mmであり、前記配線パターンの隣同士の高さばらつきが10μm~15μmである場合に、前記配線パターンに接合するバンプとして形成するものであり、前記電子部品の接続パッド上に、最大部分の直径が50μm~70μmで、本体部分の厚みが10μm~20μmとなる1段目のバンプを形成し、前記1段目のバンプの上に、最大部分の直径が80μm~100μmで、本体部分の厚みが35μm~50μmとなる2段目のバンプを形成することを特徴とするスタッドバンプの形成方法。電子部品の接続パッドに形成されるスタッドバンプの形成方法であって、前記電子部品を搭載するセラミックパッケージに形成される配線パターンの隣同士の間隔が0.2mm~0.6mmであり、前記配線パターンの隣同士の高さばらつきが10μm~15μmである場合に、前記配線パターンに接合するバンプとして形成するものであり、前記電子部品の接続パッド上に、最大部分の直径が50μm~70μmで、本体部分の厚みが10μm~20μmとなる1段目のバンプを形成し、前記1段目のバンプの上に、最大部分の直径が90μm~100μmで、本体部分の厚みが35μm~40μmとなる2段目のバンプを形成することを特徴とするスタッドバンプの形成方法。しかしながら、従来のスタッドバンプでは、小型化の要求に応じて小径のバンプとした場合、厚みも薄くなり、セラミックパッケージに形成された各配線の高さのばらつきを吸収できないことがある。そうなると、配線パターンとの接合に必要な荷重が加わらず、超音波が伝わらなくなる端子が発生し易くなり、バンプの金Auが十分に塑性変形できない場合がある。その結果、Auバンプと基板配線のAuパターンとの間で、固相拡散が起こりにくくなる端子が生じ、十分な接合の信頼性を得ることができないという問題点があった。また、特許文献1、特許文献2では、ICチップの基板のランド上又は半導体素子の電極上に形成する第1のバンプの大きさが、その上に形成される第2のバンプより小さくしたことが記載されているが、セラミックパッケージのゆがみによる配線の高さのばらつきを吸収するのに配線ピッチを考慮して十分な適正なサイズとしたバンプを示していないものである。本発明は上記実情に鑑みて為されたもので、配線パターンの間隔、隣接する配線パターンの高さばらつき考慮して、十分な接合を実現し、信頼性を向上させることができるスタッドバンプ及びその形成方法を提供することを目的とする。上記従来例の問題点を解決するための本発明は、電子部品の接続パッドに形成されるスタッドバンプであって、電子部品を搭載するセラミックパッケージに形成される配線パターンの隣同士の間隔が0.2mm~0.6mmであり、配線パターンの隣同士の高さばらつきが10μm~15μmである場合に、配線パターンに接合するバンプとして、電子部品の接続パッド上に1段目のバンプと2段目のバンプが重ねて形成され、1段目のバンプが、当該接続パッドに形成された場合の最大部分の直径が50μm~70μmであり、本体部分の厚みが10μm~20μmであり、2段目のバンプが、1段目のバンプの上に形成された場合の最大部分の直径が80μm~100μmであり、本体部分の厚みが35μm~50μmとしたことを特徴とする。本発明は、電子部品の接続パッドに形成されるスタッドバンプであって、電子部品を搭載するセラミックパッケージに形成される配線パターンの隣同士の間隔が0.2mm~0.6mmであり、配線パターンの隣同士の高さばらつきが10μm~15μmである場合に、配線パターンに接合するバンプとして、電子部品の接続パッド上に1段目のバンプと2段目のバンプが重ねて形成され、1段目のバンプが、当該接続パッドに形成された場合の最大部分の直径が50μm~70μmであり、本体部分の厚みが10μm~20μmであり、2段目のバンプが、1段目のバンプの上に形成された場合の最大部分の直径が90μm~100μmであり、本体部分の厚みが35μm~40μmとしたことを特徴とする。本発明は、電子部品の接続パッドに形成されるスタッドバンプの形成方法であって、電子部品を搭載するセラミックパッケージに形成される配線パターンの隣同士の間隔が0.2mm~0.6mmであり、配線パターンの隣同士の高さばらつきが10μm~15μmである場合に、配線パターンに接合するバンプとして形成するものであり、電子部品の接続パッド上に、最大部分の直径が50μm~70μmで、本体部分の厚みが10μm~20μmとなる1段目のバンプを形成し、1段目のバンプの上に、最大部分の直径が80μm~100μmで、本体部分の厚みが35μm~50μmとなる2段目のバンプを形成することを特徴とする。本発明は、電子部品の接続パッドに形成されるスタッドバンプの形成方法であって、電子部品を搭載するセラミックパッケージに形成される配線パターンの隣同士の間隔が0.2mm~0.6mmであり、配線パターンの隣同士の高さばらつきが10μm~15μmである場合に、配線パターンに接合するバンプとして形成するものであり、電子部品の接続パッド上に、最大部分の直径が50μm~70μmで、本体部分の厚みが10μm~20μmとなる1段目のバンプを形成し、1段目のバンプの上に、最大部分の直径が90μm~100μmで、本体部分の厚みが35μm~40μmとなる2段目のバンプを形成することを特徴とする。本発明によれば、電子部品を搭載するセラミックパッケージに形成される配線パターンの隣同士の間隔が0.2mm~0.6mmであり、配線パターンの隣同士の高さばらつきが10μm~15μmである場合に、配線パターンに接合するバンプとして、電子部品の接続パッド上に1段目のバンプと2段目のバンプが重ねて形成され、1段目のバンプが、当該接続パッドに形成された場合の最大部分の直径が50μm~70μmであり、本体部分の厚みが10μm~20μmであり、2段目のバンプが、1段目のバンプの上に形成された場合の最大部分の直径が80μm~100μmであり、本体部分の厚みが35μm~50μmとしたスタッドバンプとしているので、配線パターンの間隔、隣接する配線パターンの高さばらつき考慮して、十分な接合を実現し、信頼性を向上させることができる効果がある。本発明によれば、電子部品を搭載するセラミックパッケージに形成される配線パターンの隣同士の間隔が0.2mm~0.6mmであり、配線パターンの隣同士の高さばらつきが10μm~15μmである場合に、配線パターンに接合するバンプとして、電子部品の接続パッド上に1段目のバンプと2段目のバンプが重ねて形成され、1段目のバンプが、当該接続パッドに形成された場合の最大部分の直径が50μm~70μmであり、本体部分の厚みが10μm~20μmであり、2段目のバンプが、1段目のバンプの上に形成された場合の最大部分の直径が90μm~100μmであり、本体部分の厚みが35μm~40μmとしたスタッドバンプとしているので、配線パターンの間隔、隣接する配線パターンの高さばらつき考慮して、十分な接合を実現し、信頼性を向上させることができる効果がある。本発明によれば、電子部品を搭載するセラミックパッケージに形成される配線パターンの隣同士の間隔が0.2mm~0.6mmであり、配線パターンの隣同士の高さばらつきが10μm~15μmである場合に、配線パターンに接合するバンプとして形成するものであり、電子部品の接続パッド上に、最大部分の直径が50μm~70μmで、本体部分の厚みが10μm~20μmとなる1段目のバンプを形成し、1段目のバンプの上に、最大部分の直径が80μm~100μmで、本体部分の厚みが35μm~50μmとなる2段目のバンプを形成するスタッドバンプの形成方法としているので、配線パターンの間隔、隣接する配線パターンの高さばらつき考慮して、十分な接合を実現し、信頼性を向上させることができる効果がある。本発明によれば、電子部品を搭載するセラミックパッケージに形成される配線パターンの隣同士の間隔が0.2mm~0.6mmであり、配線パターンの隣同士の高さばらつきが10μm~15μmである場合に、配線パターンに接合するバンプとして形成するものであり、電子部品の接続パッド上に、最大部分の直径が50μm~70μmで、本体部分の厚みが10μm~20μmとなる1段目のバンプを形成し、1段目のバンプの上に、最大部分の直径が90μm~100μmで、本体部分の厚みが35μm~40μmとなる2段目のバンプを形成するスタッドバンプの形成方法としているので、配線パターンの間隔、隣接する配線パターンの高さばらつき考慮して、十分な接合を実現し、信頼性を向上させることができる効果がある。本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。[実施の形態の概要]本発明の実施の形態に係るスタッドバンプは、セラミックパッケージに形成されるパッケージ配線パターンの隣同士の間隔が0.2mm~0.6mmであり、隣同士のパッケージ配線パターンの高さばらつきが10μm~15μmである場合に、そのパッケージ配線パターンに接合するバンプとして、電子部品のパッド上に1段目のバンプと2段目のバンプが重ねて形成され、1段目のバンプが、当該パッドに形成された場合の最大部分の直径が50μm~70μmであり、とんがり部分を除いた実質的な厚みが10μm~20μmであり、2段目のバンプが、1段目のバンプの上に形成された場合の最大部分の直径が80μm~100μmであり、とんがり部分を除いた実質的な厚みが35μm~50μmとしたものであり、配線パターンの間隔、隣接する配線パターンの高さのばらつき考慮して、最適な接合を実現し、信頼性を向上させることができるものである。[本スタッドバンプ1段目:図1]本発明の実施の形態に係るスタッドバンプについて図1を参照しながら説明する。図1は、本発明の実施の形態に係るスタッドバンプ1段目の断面説明図である。本発明の実施の形態に係るスタッドバンプ本スタッドバンプは、図1に示すように、LSI1の表面にLSI回路部分2が形成され、バンプが搭載される部分にパッドが形成され、パッド上に1段目の金Auのバンプ32が形成されるようになっている。図1では、本スタッドバンプをLSIの電子部品に用いているが、LSI以外の電子部品であっても用いることができる。1段目のバンプ32は、パッド周辺の回路とのショートを避けるために、パッドの径より小さいバンプとする。具体的には、1段目のバンプ32の形状は、パッドに形成された場合の最大部分の直径が50μm~70μm50μm以上70μm以下であり、とんがり部分を除いた本体部分の実質的な厚みが10μm~20μm10μm以上20μm以下である。1段目のバンプ32の形状を上記のようにしたことにより、LSIとパッドの小型化に対して小型のバンプを提供することができる。[本スタッドバンプ2段目:図2]更に、本スタッドバンプの完成形について図2を参照にしながら説明する。図2は、本発明の実施の形態に係るスタッドバンプ2段目の断面説明図である。本スタッドバンプは、図2に示すように、1段目のバンプ32の上に、2段目の金Auのバンプ33が形成されている。ここで、2段目のバンプ33は、1段目のバンプ32の直径より大きい径で、1段目のバンプ32の厚みより厚い形状となっている。具体的には、2段目のバンプ33の形状は、1段目のバンプ32の上に形成された場合の最大部分の直径が80μm~100μm80μm以上100μm以下、好ましくは、90μm~100μm90μm以上100μm以下であり、とんがり部分を除いた本体部分の実質的な厚みが35μm~50μm35μm以上50μm以下、好ましくは、35μm~40μm35μm以上40μm以下である。尚、1段目のバンプ32で形成されたとんがり部分の形状は、2段目のバンプ33が搭載されたことにより2段目のバンプ33に吸収されたものである。このように、2段目のバンプ33は、1段目のバンプ32が土台の役割を果たすため、バンプの径が1段目に比べて大きくなっても、パッド周辺の回路とショートすることがない。1段目のバンプ32を小さく、2段目のバンプ33を大きくした2段構成のバンプとすることで、回路のショートを防ぎながらバンプの厚みを確保することができ、セラミックパッケージの各配線パターンの高さばらつきを本スッタドバンプが吸収して、スタッドバンプとセラミックパッケージに十分な超音波と荷重を伝えることができるようになる。その結果、バンプが接合する各端子で、十分な固相拡散が得られるようになり、接合の信頼性を向上させることができる効果がある。[セラミックパッケージへのLSI接合:図3]次に、本実施の形態においてセラミックパッケージにLSIを接合した状況について図3を参照しながら説明する。図3は、本実施の形態においてセラミックパッケージにLSIを接合した断面説明図である。図3に示すように、セラミックパッケージ5上にパッケージ配線パターン4が形成され、1段目のバンプ32と2段目のバンプ331段目のバンプと2段目のバンプを一体でバンプ3とするがパッドに重ねて形成されたLSI1を逆さまにしてバンプ3部分をパッケージ配線パターン4に接合する。ここで、セラミックパッケージ5に形成されるパッケージ配線パターン4の隣同士の間隔は、0.2mm~0.6mm0.2mm以上0.6mm以下であり、隣同士のパッケージ配線パターン4の高さばらつきは、10μm~15μm10μm以上15μm以下である。上記のパターン間隔と高さばらつきの比率を算出すると、1.6~7.51.6以上7.5以下となる。特に、上記のパターン間隔と高さばらつきのあるセラミックパッケージにおいて、1段目のバンプと2段目のバンプを上記したサイズで形成することにより、LSI1の回路部分にショートすることを回避できると共に、セラミックパッケージ5のパッケージ配線パターン4に最適な厚みを確保して接合できるので、接合の信頼性を高めることができる。つまり、1段目のバンプ32と2段目のバンプ33が重ねられて得られた厚みは、安定した接合を実現するのに十分な厚みであり、かつ、パッケージ配線パターン4に対して配線パターンからはみ出してしまうような過剰な量となるものではなく、適正な厚みといえる。尚、本実施の形態において、LSI1に代えて、水晶振動子をセラミックパッケージに搭載するために、本スタッドバンプを用いるようにしてもよい。更に、水晶振動子の代わりに、発振器をセラミックパッケージに搭載するために、本スタッドバンプを用いるようにしてもよい。[実施の形態の効果]本スタッドバンプによれば、セラミックパッケージ5に形成されるパッケージ配線パターン4の隣同士の間隔が0.2mm~0.6mmであり、隣同士のパッケージ配線パターン4の高さばらつきが10μm~15μmである場合に、そのパッケージ配線パターン4に接合するバンプとして、LSI1のパッド上に1段目のバンプと2段目のバンプが重ねて形成され、1段目のバンプは、当該パッドに形成された場合の最大部分の直径が50μm~70μmであり、とんがり部分を除いて厚みが10μm~20μmであり、2段目のバンプは、1段目のバンプの上に形成された場合の最大部分の直径が80μm~100μmであり、とんがり部分を除いて厚みが35μm~50μmとしたものであり、配線パターンの間隔、隣接する配線パターンの高さのばらつき考慮して、最適な接合を実現し、信頼性を向上させることができる効果がある。