"記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、前記ライトシールド層または前記主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、前記主磁極層は、該主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層の前記磁極形成用凹部に組み込まれ、前記磁極形成用凹部を概ね取り囲むようにして前記磁極形成用凹部の外側に形成され、前記ベース絶縁層を被覆している残存絶縁膜を有する薄膜磁気ヘッド。前記ベース絶縁層の表面上の前記磁極形成用凹部と前記残存絶縁膜との間の部分に、Ta、Ru、W、Ti,Cr,NiCrなどからなる残存被膜が形成されている請求項1記載の薄膜磁気ヘッド。記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、前記ライトシールド層または前記主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、前記主磁極層は、該主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層の前記磁極形成用凹部に組み込まれ、前記磁極形成用凹部を概ね取り囲むようにして前記磁極形成用凹部の外側に形成され、前記ベース絶縁層を被覆している残存絶縁膜を有し、該残存絶縁膜の表面と、前記主磁極層の表面とが段差のない平面状に形成され、前記残存絶縁膜の表面および前記主磁極層の表面上に前記記録ギャップ層が形成されている薄膜磁気ヘッド。前記ベース絶縁層の表面上の前記磁極形成用凹部と前記残存絶縁膜との間の部分に、Ta、Ru、W、Ti,Cr,NiCrなどからなる残存被膜が形成され、該残存被膜の上に前記記録ギャップ層が形成されている請求項2記載の薄膜磁気ヘッド。前記磁極形成用凹部と、前記残存絶縁膜との間隔を示す外周距離が10~1000μmの範囲に設定されている請求項1記載の薄膜磁気ヘッド。前記磁極形成用凹部と、前記残存絶縁膜との間隔を示す外周距離が10~1000μmの範囲に設定されている請求項3記載の薄膜磁気ヘッド。記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、前記ライトシールド層または前記主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層を形成する工程と、前記磁極形成用凹部に入り込むようにして、CMPで研磨するときの停止膜を前記ベース絶縁層に形成した後、前記停止膜の上に磁性層を形成する工程と、前記磁極形成用凹部の外側に前記磁極形成用凹部を概ね取り囲む分離用溝部を形成することによって前記磁性層を分離する工程と、前記分離用溝部で分離された前記磁性層に上側全面をカバーし得るカバー絶縁膜を形成する工程と、前記停止膜が現われるまで表面をCMPで研磨して、前記磁性層のうちの前記磁極形成用凹部の内側に残された部分を前記主磁極層とする工程と、前記記録ギャップ層、前記ライトシールド層および前記薄膜コイルをそれぞれ形成する工程とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、前記ライトシールド層または前記主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層を形成する工程と、前記磁極形成用凹部に入り込むようにして、CMPで研磨するときの停止膜を前記ベース絶縁層に形成した後、前記停止膜の上に磁性層を形成する工程と、前記磁極形成用凹部の外側に前記磁極形成用凹部を概ね取り囲む分離用溝部を形成し、該分離用溝部で分離された前記磁性層のうちの前記分離用溝部の内側部分を残存磁性層とし、前記分離用溝部の外側部分を外郭磁性層とする工程と、前記外郭磁性層を除去して前記残存磁性層を残す工程と、前記残存磁性層および前記分離用溝部を含む上側全面をカバーし得るカバー絶縁膜を形成する工程と、前記停止膜が現われるまで表面をCMPで研磨して、前記残存磁性層のうちの前記磁極形成用凹部の内側に残された部分を前記主磁極層とする工程と、前記記録ギャップ層、前記ライトシールド層および前記薄膜コイルをそれぞれ形成する工程とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。前記磁性層のうちの前記磁極形成用凹部の内側に残された部分を前記主磁極層とするときに、前記カバー絶縁膜の前記分離用溝部の内側に残された部分を残存絶縁膜とする請求項7記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。前記残存磁性層のうちの前記磁極形成用凹部の内側に残された部分を前記主磁極層とするときに、前記カバー絶縁膜の前記分離用溝部の内側に残された部分を残存絶縁膜とする請求項8記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。前記磁性層のうちの前記磁極形成用凹部の内側に残された部分を前記主磁極層とするときに、IBEによって前記主磁極層の高さの微調整を行い、前記停止膜を除去する請求項7記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。前記残存磁性層のうちの前記磁極形成用凹部の内側に残された部分を前記主磁極層とするときに、IBEによって前記主磁極層の高さの微調整を行い、前記停止膜を除去する請求項8記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。前記外郭磁性層を除去して前記残存磁性層を残す工程において、前記停止膜が残るようにする請求項8記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。前記磁極形成用凹部と、前記分離用溝部との間隔を示す外周距離を10~1000μmの範囲に設定して、前記分離用溝部を形成する請求項7記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。前記磁極形成用凹部と、前記分離用溝部との間隔を示す外周距離を10~1000μmの範囲に設定して、前記分離用溝部を形成する請求項8記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。前記磁極形成用凹部と、前記残存絶縁膜との間隔を示す外周距離を15~200μmの範囲に設定して、前記分離用溝部を形成する請求項7記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。前記磁極形成用凹部と、前記残存絶縁膜との間隔を示す外周距離を15~200μmの範囲に設定して、前記分離用溝部を形成する請求項8記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。前記分離用溝部の幅を5~20μmの範囲に設定して、前記分離用溝部を形成する請求項8記載の薄膜磁気ヘッド。基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、前記基台を固定するジンバルとを備え、前記薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、前記ライトシールド層または前記主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有し、前記主磁極層は、該主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層の前記磁極形成用凹部に組み込まれ、前記磁極形成用凹部を概ね取り囲むようにして前記磁極形成用凹部の外側に形成され、前記ベース絶縁層を被覆している残存絶縁膜を有し、該残存絶縁膜の表面と、前記主磁極層の表面とが段差のない平面状に形成され、前記残存絶縁膜の表面および前記主磁極層の表面上に前記記録ギャップ層が形成されているヘッドジンバルアセンブリ。薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、前記薄膜磁気ヘッドに対向する記録媒体とを備え、前記薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、前記ライトシールド層または前記主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有し、前記主磁極層は、該主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層の前記磁極形成用凹部に組み込まれ、前記磁極形成用凹部を概ね取り囲むようにして前記磁極形成用凹部の外側に形成され、前記ベース絶縁層を被覆している残存絶縁膜を有し、該残存絶縁膜の表面と、前記主磁極層の表面とが段差のない平面状に形成され、前記残存絶縁膜の表面および前記主磁極層の表面上に前記記録ギャップ層が形成されているハードディスク装置。上記のとおり、従来のPMRでは、磁極端部404がベベル形状に形成されているため、磁極端部404の高さやベベル角によって、トラック幅が変わる。したがって、トラック幅が想定した大きさになるように、磁極端部404の高さを化学機械研摩以下CMPというで決め、幅をフォトリゾグラフィで決めるようにしており、磁極端部404の高さや幅を適切な値に調節することが必要であった。しかし、従来の技術では、ウエハ内での磁性層403の厚さにばらつきがあるため、ウエハ内での各主磁極層における磁極端部404の高さがばらついて均一にならなかった。そのため、ウエハ全体を研磨して各磁極端部404の高さを均一にする必要があった。そのための手順は例えば次のとおりである。まず、図20に示すように、選択的ウェットエッチングを施して磁極端部404の両側に配置されているフィールドエリアfの磁性層403とシード層401を除去する。次に、アルミナ膜405を0.35μm程度の厚さで形成する。次に、CMPのストッパとしてのTa膜406を400~600Åで磁極端部404の両側に形成する。その後、さらに6000Å程度の厚さでアルミナ膜407を形成する。次に、ストッパとしてのTa膜406が現れるまでアルミナ膜407をCMPで研磨する。ところが、アルミナ膜405の厚さの均一性が良好でないため、図21に示すように、研磨が進みすぎて磁極端部404およびその周囲の高さがTa膜406から1500Å程度落ち込んでしまうことがあった。このような高さの落ち込みは、CMPの過度の研磨overpolishofCMPによって形成される。しかし、Ta膜406が磁極端部404から離れて配置され、Ta膜406同士の間隔が大きくなっていると、高さの落ち込みを調整することが難しくなってしまう。そのため、従来のPMRは、図22Aに示す状態からCMPによる研磨が行われたときに、図22Bに示すように、過度の研磨が行われたために磁極端部404の高さが想定していた高さよりも低くなったり、逆に、図22Cに示すように研磨が不足して高くなることもあり、磁極端部404の高さにばらつきを生じやすかった。そうすると、磁極端部404の幅も、W1図22Bの場合になったり、W2図22Cの場合になったりしてばらつきが発生してしまう。図22B、Cに示すように、磁極端部404の高さが高ければ磁極端部404の幅が広くなり、トラック幅も大きくなるが、磁極端部404の高さが低くなると磁極端部404の幅が狭まり、トラック幅が小さくなってしまう。以上のように、従来の技術では、上記のように、磁極端部404の高さを均一にしようとCMPによる研磨を行っても、磁極端部404の高さにばらつきが出やすいという問題があった。磁極端部404の高さにばらつきが出ると、磁極端部404の幅もばらつき、トラック幅もばらついてしまう。したがって、従来のPMRは、ばらつきを生じないように磁極端部404を均一の寸法で形成するのが難しく、結果として歩留まりが非常に悪いという問題があった。上記のような磁極端部の寸法の不均一性を解消するためには、例えば次のような製造方法が考えられる。すなわち、磁性層を形成するのに先立って、主磁極層の寸法に適合した凹部を予め絶縁層に形成しておき、その凹部の中に磁性材が埋め込まれるようにして、絶縁層の上側全面にめっきによる磁性層を形成するという製造方法である。ところが、この製造方法によりPMRを形成するときは、凹部の外側にも必要のない余分な磁性層が形成されるので、その余分な磁性層をCMPによる研磨などによって除去する必要がある。しかし、CMPによる研磨を行うときは、磁性層が絶縁層の上側全面に残ったままなので、CMPによる研磨の対象となる磁性層の面積が大きい。そのため、磁性層がCMPによる研磨で除去される速度が遅く、研磨量を細かく調整することが難しくなり、余分な磁性層を均一に除去することがほぼ不可能であった。したがって、ウエハ上に形成される各PMRについて、研磨量の多少が発生し得るため、磁極端部の寸法均一性を得ることができなかった。よって、この製造方法でも、想定した寸法どおりに、しかもばらつきを生じることのない均一な寸法で磁極端部を形成する、という課題を解決することができなかった。本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、垂直記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置において、主磁極層がばらつきを生じることなく均一の寸法で形成され、歩留まりが良好になるようにすることを目的とする。上記課題を解決するため、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、ライトシールド層または主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、主磁極層は、その主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層の磁極形成用凹部に組み込まれ、磁極形成用凹部を概ね取り囲むようにして磁極形成用凹部の外側に形成され、ベース絶縁層を被覆している残存絶縁膜を有する薄膜磁気ヘッドを特徴とする。ベース絶縁層の表面上の磁極形成用凹部と残存絶縁膜との間の部分に、Ta、Ru、W、Ti,Cr,NiCrなどからなる残存被膜が形成されているようにしてもよい。また、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、ライトシールド層または主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、主磁極層は、その主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層の磁極形成用凹部に組み込まれ、磁極形成用凹部を概ね取り囲むようにして磁極形成用凹部の外側に形成され、ベース絶縁層を被覆している残存絶縁膜を有し、その残存絶縁膜の表面と、主磁極層の表面とが段差のない平面状に形成され、残存絶縁膜の表面および主磁極層の表面上に記録ギャップ層が形成されている薄膜磁気ヘッドを提供する。この薄膜磁気ヘッドも、ベース絶縁層の表面上の磁極形成用凹部と残存絶縁膜との間の部分に、Ta、Ru、W、Ti,Cr,NiCrなどからなる残存被膜が形成され、その残存被膜の上に記録ギャップ層が形成されていてもよい。さらに、磁極形成用凹部と、残存絶縁膜との間隔を示す外周距離が10~1000μmの範囲に設定されていることが好ましい。そして、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、ライトシールド層または主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層を形成する工程と、磁極形成用凹部に入り込むようにして、CMPで研磨するときの停止膜をベース絶縁層に形成した後、停止膜の上に磁性層を形成する工程と、磁極形成用凹部の外側に磁極形成用凹部を概ね取り囲む分離用溝部を形成することによって磁性層を分離する工程と、分離用溝部で分離された磁性層に上側全面をカバーし得るカバー絶縁膜を形成する工程と、停止膜が現われるまで表面をCMPで研磨して、磁性層のうちの磁極形成用凹部の内側に残された部分を主磁極層とする工程と、記録ギャップ層、ライトシールド層および薄膜コイルをそれぞれ形成する工程とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。この製造方法では、磁性層をCMPで研磨する前に、その磁性層が分離用溝部を形成することによって分離されている。また、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、ライトシールド層または主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層を形成する工程と、磁極形成用凹部に入り込むようにして、CMPで研磨するときの停止膜をベース絶縁層に形成した後、停止膜の上に磁性層を形成する工程と、磁極形成用凹部の外側に磁極形成用凹部を概ね取り囲む分離用溝部を形成し、その分離用溝部で分離された磁性層のうちの分離用溝部の内側部分を残存磁性層とし、分離用溝部の外側部分を外郭磁性層とする工程と、外郭磁性層を除去して残存磁性層を残す工程と、残存磁性層および分離用溝部を含む上側全面をカバーし得るカバー絶縁膜を形成する工程と、停止膜が現われるまで表面をCMPで研磨して、残存磁性層のうちの磁極形成用凹部の内側に残された部分を主磁極層とする工程と、記録ギャップ層、ライトシールド層および薄膜コイルをそれぞれ形成する工程とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。この製造方法では、磁性層をCMPで研磨する前に、その磁性層が分離用溝部を形成することによって分離され、さらに、その分離された磁性層のうちの分離用溝部の外側部分が除去されている。また、上記製造方法では、残存磁性層のうちの磁極形成用凹部の内側に残された部分を主磁極層とするときに、カバー絶縁膜の分離用溝部の内側に残された部分を残存絶縁膜とすることができる。さらに、磁性層のうちの磁極形成用凹部の内側に残された部分を主磁極層とするときに、IBEによって主磁極層の高さの微調整を行い、停止膜を除去することもできる。そして、外郭磁性層を除去して残存磁性層を残す工程において、停止膜が残るようにすることもできる。磁極形成用凹部と、分離用溝部との間隔を示す外周距離を10~1000μmの範囲に設定して、分離用溝部を形成することが好ましい。また、磁極形成用凹部と、残存絶縁膜との間隔を示す外周距離を15~200μmの範囲に設定して、分離用溝部を形成することがより好ましい。さらに、分離用溝部の幅を5~20μmの範囲に設定して、分離用溝部を形成することもできる。そして、本発明は基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、基台を固定するジンバルとを備え、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、ライトシールド層または主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有し、主磁極層は、その主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層の磁極形成用凹部に組み込まれ、磁極形成用凹部を概ね取り囲むようにして磁極形成用凹部の外側に形成され、ベース絶縁層を被覆している残存絶縁膜を有し、その残存絶縁膜の表面と、主磁極層の表面とが段差のない平面状に形成され、残存絶縁膜の表面および主磁極層の表面上に記録ギャップ層が形成されているヘッドジンバルアセンブリを提供する。さらに、本発明は、薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、薄膜磁気ヘッドに対向する記録媒体とを備え、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、ライトシールド層または主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有し、主磁極層は、その主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層の磁極形成用凹部に組み込まれ、磁極形成用凹部を概ね取り囲むようにして磁極形成用凹部の外側に形成され、ベース絶縁層を被覆している残存絶縁膜を有し、その残存絶縁膜の表面と、主磁極層の表面とが段差のない平面状に形成され、残存絶縁膜の表面および主磁極層の表面上に記録ギャップ層が形成されているハードディスク装置を提供する。以上詳述したように、本発明によれば、垂直記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置において、主磁極層がばらつきを生じることなく均一の寸法で形成され、歩留まりが良好になるようにすることができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。薄膜磁気ヘッドの製造方法図1~図16を参照して、本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法によって製造される薄膜磁気ヘッドは薄膜コイルが主磁極層の周りに巻回されているタイプタイプ1と、ライトシールド層の周りに巻回されているタイプタイプ2とがある。以下の説明では、図1に示す前者タイプ1の薄膜磁気ヘッド300を例にとって、その製造方法について説明する。薄膜磁気ヘッド300は、図1に示すように、記録媒体に対向する媒体対向面としてのABS15の側に磁極端部11を有する主磁極層10と、記録ギャップ層12を有し、ABS15の側において、記録ギャップ層12を形成するようにして磁極端部11に対向するライトシールド層13と、主磁極層10および主磁極層10の上側に接続された上部磁極層14の周りに巻回された薄膜コイル100とが積層された構成を有している。この薄膜磁気ヘッド300を本発明に係る製造方法によって製造するときは、まず、例えばアルミニウムオキサイドチタニウムカーバイドAl2O3TiCよりなる図示しない基板の上に、MR素子磁気抵抗効果素子等の再生ヘッドと、複数のシールド層等を備えた積層構造部60図1参照を形成する。その上に、アルミナからなる絶縁層61を形成し、絶縁層61の上側に、薄膜コイル100のうちの主磁極層10の下側部分を形成する。次に、アルミナAl2O3や非磁性材を用いて絶縁層1を形成する。この絶縁層1を形成した後の工程が図2~図9に示されている。ただし、図2~図9では、絶縁層1よりも下側の構成積層構造部60などが省略されている。ここで、図1は、薄膜磁気ヘッド300の薄膜コイルに交差する方向の断面図である。また、図2~図9は、薄膜磁気ヘッド300を製造する途中におけるABS15で切断した状態を想定した断面図を示している。図10は薄膜磁気ヘッド300を製造する途中における図4に対応した平面図、図11は同じく図5に対応した平面図である。さらに、図12は図2に対応した絶縁層を示す図で、Aは平面図、BはAにおけるBB線断面図、図13は図12の要部を寸法の比率を変更の上、拡大して示す図で、Aは平面図、BはAにおけるABS15で切断した状態を想定した断面図、CはBにおける要部を拡大して示す断面図である。次に、絶縁層1にTaまたはRuからなる被膜2を厚さ200~1000Åで形成する被膜2は、Ta、Ruのほか、W、Ti,Cr,NiCrなどで形成してもよい。さらに、フォトレジストを全面に塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、絶縁層1の表面を後述するキャビティ20に対応した形状に露出させるレジストパターン3を形成する。そして、そのレジストパターン3をマスクにして、IBEまたは反応性イオンエッチング以下RIEというを行って、被膜2のレジストパターン3で被覆されない部分を除去し、さらに、絶縁層1についてもレジストパターン3で被覆されない部分を除去する。こうすることによって、絶縁層1に図12、図13に示すキャビティ20が形成される。この場合、被膜2がTaからなる場合はRIEのみを行い、被膜2がRuからなる場合は、被膜2をIBEで除去し、絶縁層1をRIEで除去する。RIEを行う場合は、Cl2、BCL3およびCF4の混合ガスを用い、キャビティ20における磁極端部11に対応した部分を7~10度程度のベベル角を有するテーパ状に形成する。こうして、キャビティ20が形成されることによって、絶縁層1は本発明におけるベース絶縁層となる。キャビティ20は本発明における磁極形成用凹部であって、図12、図13に示すように、主磁極層10を設定通りの寸法および形状で形成するため、絶縁層1の一部を主磁極層10の外形形状に対応する形状に窪ませたものである図12のA,図13のAにおける斜線部分がキャビティ20を示している。すなわち、キャビティ20は、詳しくは後述するが主磁極層10よりも先に形成されていて、深さがd1約025~0.35μm、好ましくは0.3μmで、幅、奥行きを含む寸法および形状が想定している主磁極層10の厚さ、幅、奥行きに一致するように形成されている。キャビティ20は薄膜磁気ヘッド300のトラック幅が決まるように形成された極細溝部23と、極細溝部23に接続され、幅方向の溝幅が漸次広がっている可変幅凹部24と、可変幅凹部24に接続され、幅方向の溝幅が一定の定幅凹部25と、極細溝部23の可変幅凹部24と反対側の端部に接続されている張出凹部26とを有している。このキャビティ20は、中に埋め込まれる後述の残存磁性層31によって、主磁極層10が形成されるようになっている。次に、図3に示すように、トラック幅調整のため、キャビティ20に入り込むようにして、アルミナAl2O3からなるCVD膜4をアトミックレイヤー法により形成するCVD膜4の代わりにTa,Ru,W,TiW,TiN等の導電膜をアトミックレイヤー法で形成することもできる。なお、CVD膜4または導電膜の厚さはトラック幅に応じた厚みで通常は約200~500Åとする。さらに、CVD膜4または導電膜の上側に、後にCMPで研磨するときの停止膜として用いられるストッパ5をTaまたはRuなどで形成する厚さは約300~600Å。なお、トラック幅調整のため、Ta,Ru等のストッパ5と同じ種類の導電膜を形成するときは、その導電膜がストッパ5の代わりになるので、新たにストッパ5を形成しなくてもよい。この場合はその導電膜が停止膜として用いられる。また、ストッパ5の上に、スパッタリングにより、CoFe24T、CoNiFe、NiFeを用いてめっきのシード層6を形成する。その上で、基板の全面にCoNiFeまたはCoFe等の磁性材を用いて電解めっきを施し、厚さ0.5~1.2μm程度のめっき磁性層7を形成する。電解めっきを全面に施すことによって、キャビティ20内の先端部分までめっき磁性層7の組成コントロールを正確に行える。続いて、めっき磁性層7の上側全面にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、図3に示すようにめっき磁性層7の表面が後述する分離用溝部30に対応した形状に露出するようにしてレジストパターン8を形成する。次に、レジストパターン8をマスクにしてIBEを行い、めっき磁性層7から被膜2までの各層被膜2、CVD膜4、ストッパ5、シード層6およびめっき磁性層7のレジストパターン8で被覆されない部分を除去する。すると、図4および図10に示すように、めっき磁性層7から被膜2までの各層被膜2、CVD膜4、ストッパ5、シード層6およびめっき磁性層7のうちの、後に形成される分離用溝部30に沿った部分が除去され、そのめっき磁性層7から被膜2までの各層が除去された箇所に分離用溝部30が形成される。この分離用溝部30はキャビティ20の外側にキャビティ20の外形に沿って、キャビティ20の周囲を概ね取り囲むようにして形成され、幅W30例えば、5~20μm程度の帯状に形成されている。この分離用溝部30の幅W30を5~20μm程度にすると、ストッパ5の間隔が大きくならないようにすることができる。この分離用溝部30は、キャビティ20の外形に沿って形成されているので、極細溝部23に対応している部分の間隔W5が、他の部分の間隔W6よりも狭くなっているW5<W6。こうして分離用溝部30を形成することにより、めっき磁性層7がキャビティ20に近い内側部分と、キャビティ20の外側部分とに分離される図10の斜線部分がめっき磁性層7、それ以外は分離用溝部30によって露出している絶縁層1の表面を示している。分離されためっき磁性層7のうちの前者が本発明における残存磁性層31となり、後者が本発明における外郭磁性層32となる。また、分離用溝部30は、めっき磁性層7から被膜2までの各層を除去することによって形成されているので、分離用溝部30の形状に対応した形で絶縁層1の表面が露出している。さらに、残存磁性層31が残存していることによって、残存磁性層31の下側に被膜2の一部が残存被膜22として残されている。この残存被膜22は、絶縁層1の表面上におけるキャビティ20と分離用溝部30との間の部分に形成されている。なお、残存磁性層31は主磁極層10を形成するために必要な磁性層であるが、外郭磁性層32は主磁極層10を形成するのに必要のない磁性層である。そして、分離用溝部30を形成する場合は、キャビティ20と、分離用溝部30との間隔を示す外周距離d1~d4図10参照が必要十分な大きさで確保されるように位置決めして、レジストパターン8を形成する必要がある。外周距離d1~d4が短くなるとそれに応じて残存磁性層31の面積が小さくなる。そうすると、後の工程において、CMPで研磨したときに残存磁性層31の除去される時間が速くなって、研磨により単位時間あたりに除去される大きさ以下研磨スピードというが残存磁性層31については、めっき磁性層7の全体よりも速くなりすぎるおそれがある。この場合、例えば、図14A,Bに示すように残存磁性層31における研磨スピードが速くなり、残存磁性層31の下に形成されていたストッパ5が早めに露出してしまう。ところが、外郭磁性層32についてはまだ残っているので、更なる研磨が行われ、外郭磁性層32の除去が完了しないうちに、残存磁性層31が消失するおそれがある。そのため、残存磁性層31についてのCMPによる研磨が進み過ぎてしまい、キャビティ20内の落ち込みが大きくなりやすくなる。したがって、ウエハ内での磁極端部11の高さ調整がうまく行えなくなり、トラック幅の不均一な箇所が生じる。逆に外周距離d1~d4が大きくなると残存磁性層31が大きくなるため、残存磁性層31についてCMPによる研磨が遅れて部分的に研磨残りが発生し、研磨量のばらつきが生じる。この場合も、研磨量を調整することが難しくなる。したがって、磁極端部11をばらつきのない均一な寸法で形成するためには、外周距離d1~d4を適切な範囲に調節する必要がある。この点を考慮し、本実施の形態では、外周距離d1~d4を40~50μm程度の範囲に設定している。外周距離d1~d4は200μm程度あるいは15μm程度であっても、実用上問題ないことが確認されている。しかし、1000μm程度を越えると、研磨スピードを調節することが難しくなるため、1000μm程度が上限と考えられる。また、外周距離d1~d4が10μm程度を下回ると、ストッパ5が早く露出してしまうことがあるため、10μm程度が下限と考えられる。これらの点から、外周距離d1~d4は、10μm程度~1000μm程度の範囲に設定するのがよい。外周距離d1~d4は、この範囲のうち、特に15μm程度から200μm程度の範囲に設定するのがよく、さらに、40~50μm程度の範囲に設定するのが一層好ましい。外周距離d1~d4を少なくとも10μm程度~1000μm程度の範囲に設定することによって、主磁極層10をばらつきのない均一な寸法で形成し得る大きさの残存磁性層31が得られる。こうして、分離用溝部30を形成することによって、めっき磁性層7を残存磁性層31と外郭磁性層32とに分離した後は、CMPによる研磨で主磁極層10を形成するのに先立ち、予め硝酸を用いたウェットエッチングを行い、主磁極層10を形成するのに必要のない外郭磁性層32をその下のシード層6とともに除去する。すると、図5および図11に示すように、外郭磁性層32が除去され、残存磁性層31とストッパ5とが残された状態となる。外郭磁性層32が除去されると、CMPによる研磨の対象となる磁性層が残存磁性層31だけになって小さくなるため、CMPによる研磨スピードが増す。前述したように、外郭磁性層32が存在すると、外郭磁性層32の除去が完了しないうちに残存磁性層31が消失するおそれがあったり、CMPによる研磨が遅れて部分的な研磨残りが発生するおそれがあるが、外郭磁性層32が除去されると、そのようなおそれがなくなるため、研磨量を正確に調整することが可能となる。また、外郭磁性層32は主磁極層10を形成するには不要であるが、CMPによる研磨スピードに大きな影響を与える。このような外郭磁性層32をCMPによる研磨の前に除去することによって、CMPによる研磨スピードが安定する。後述するように、外郭磁性層32を残したまま製造する方法でもよいが、外郭磁性層32を残すと、CMPによる研磨の対象となる磁性層が大きくなるためCMPによる研磨スピードが低下する。すると、研磨量を正確に調整することが難しくなるため、部分的に研磨残りが発生してキャビティ20の周囲が不均一に研磨されるおそれがある。したがって、CMPによる研磨の前に、ウェットエッチングを行うなどして外郭磁性層32を除去することが望ましい。さらに、分離用溝部30で分離されためっき磁性層7残存磁性層31、外郭磁性層32に対し、上側全面をカバーし得るアルミナからなるカバー絶縁膜16を0.5~1.2μm程度の厚さで形成すると、図6に示す状態となる。その上で、基板表面の全体をストッパ5が現われるまでCMPで研磨して残存磁性層31のうちのキャビティ20の外側部分をその下のシード層6とともに除去すると、図7に示す状態となる。その後、IBEにて微調整を行い、さらに、ストッパ5を除去すると、残存磁性層31のうちのキャビティ20の内側に残された部分によって、主磁極層10が形成され、図8に示す状態となる。このとき、分離用溝部30の内側にカバー絶縁膜16の一部が残る。カバー絶縁膜16のうちの分離用溝部30の内側に残された部分が本発明における残存絶縁膜17となる。しかも、基板表面の全体をストッパ5が現れるまでCMPで研磨したことによって、残存絶縁膜17の表面と、主磁極層10の表面とが段差のない平面状になっている。こうして形成される主磁極層10は、キャビティ20が事前に想定した寸法どおりに形成されているから、正確な寸法で形成される。しかも、上述のようにして、分離用溝部30を形成してめっき磁性層7を残存磁性層31と外郭磁性層32とに分離しておき、主磁極層10の形成に要しない外郭磁性層32を予め除去してから、基板表面全体をCMPで研磨することによって、主磁極層10を形成している。外郭磁性層32を予め除去したことで、CMPによる研磨の対象となる磁性層が小さくなるため、CMPによる研磨量を正確に調整することが可能となる。また、分離用溝部30を形成する際に、上述のようにして外周距離が規定されていることにより、残存磁性層31が主磁極層10の寸法均一性を阻害しない範囲の大きさで形成されている。これらにより、CMPによる研磨スピードのばらつきが発生しないようになっている。したがって残存磁性層31がCMPで研磨されすぎたり、逆に研磨不足によって残存磁性層31の研磨残りが発生するようなことがなくなるため、主磁極層10の高さ調整を正確に行える。よって、磁極端部11のトラック幅を正確でばらつきのない均一な寸法にすることができ、主磁極層10がばらつきのない均一な寸法で形成されるようになる。続いて、図9に示すようにして、主磁極層10の上に記録ギャップ層12を形成したのち、図1に示すようにして、主磁極層10の上に重ねてCoNiFeまたはCoFeを磁性材に用いてシールド部13aとともに上部磁極層14を形成する。その上で、薄膜コイル100のうちの主磁極層10の上側部分を形成し、CoNiFeまたはCoFeを磁性材に用いてシールド部13bを形成してシールド部13a、13bによってライトシールド層13を形成する。さらに、上部絶縁層18を形成すると、図1に示す薄膜磁気ヘッド300が得られる。変形例1上記の製造方法では、主磁極層10の形成に要しない外郭磁性層32を除去する工程を実行して図5のようにし、次にカバー絶縁膜16を形成した後、基板表面全体をCMPで研磨しているが、外郭磁性層32を除去する工程を実行しないで薄膜磁気ヘッド300を製造してもよい。すなわち、分離用溝部30を形成することによってめっき磁性層7を分離する工程を実行して、図4、図10の状態とした後、図16に示すようにしてもよい。図16では、外郭磁性層32を除去せずに残したまま、分離用溝部30で分離されためっき磁性層7残存磁性層31と外郭磁性層32にカバー絶縁膜16を形成している。その後、基板表面全体をCMPで研磨すればよい。この場合も、上記の製造方法と同様に分離用溝部30を形成することによって、めっき磁性層7が残存磁性層31と外郭磁性層32とに分離されている。そのため、基板表面全体をCMPで研磨したときに、キャビティ20の端部20aと、分離用溝部30の端部30aの両側からCMPによる研磨が進行するため、CMPの研磨によってめっき磁性層7の除去される速度が安定し、残存磁性層31をCMPで研磨しすぎたり、研磨不足で研磨残りが発生し難くすることができる。したがって、この製造方法でも、磁極端部11の高さ調整を正確に行え、磁極端部11のトラック幅を正確で、ばらつきのない均一な寸法にすることができる。変形例2上記の分離用溝部30はキャビティ20の外形に沿って形成されているため、キャビティ20の極細溝部23に対応している部分の間隔W5が、他の部分の間隔W6よりも狭くなっている。分離用溝部は、このような形状で形成する他に、図15に示すように、極細溝部23に対応している部分の間隔が間隔W6とほぼ等しい間隔W7になっている形状の分離用溝部40として形成してもよい。分離用溝部40を形成することによってめっき磁性層7を分離すると、残存磁性層31のうちの極細溝部23付近に配置される部分の大きさが分離用溝部30を形成した場合よりも大きくなる。そのため、めっき磁性層7をCMPで研磨するときに、磁極端部11となる部分を保護することができるという効果がある。薄膜磁気ヘッド300の構造の特徴薄膜磁気ヘッド300は、以上の製造方法によって製造されているので、以下のような特徴がある。すなわち、薄膜磁気ヘッド300は、以上の製造方法において、残存磁性層31のうちのキャビティ20の内側に残された部分によって、主磁極層10が形成されるため、主磁極層10が正確な寸法で形成されている。しかも、分離用溝部30を形成することによって、めっき磁性層7を残存磁性層31と、外郭磁性層32とに分離し、外郭磁性層32を予め除去するか、または外郭磁性層32を残したままカバー絶縁膜16を形成した後、基板表面全体をCMPで研磨することによって、主磁極層10が形成されている。そのため、磁極端部11のトラック幅が正確でばらつきのない均一な寸法であり、主磁極層10がばらつきを生じることなく均一の寸法で形成されている。そして、薄膜磁気ヘッド300は、絶縁層1の表面を露出させるようにして分離用溝部30を形成した後にカバー絶縁膜16を形成し、分離用溝部30にカバー絶縁膜16の一部が入り込むような工程を経て形成されている。そのため、薄膜磁気ヘッド300は上記の残存絶縁膜17を有している。この残存絶縁膜17は、製造途中の工程で分離用溝部30が形成されていた箇所に形成されるため、分離用溝部30と同様にキャビティ20の外側の外周距離を置いた箇所に、キャビティ20の外形に沿ってキャビティ20の周囲を取り囲むように配置されている。また、残存絶縁膜17の幅は、分離用溝部30の幅W30と同様になっている。さらに、薄膜磁気ヘッド300は、残存磁性層31が残存するような工程を経て形成されている。そのため、薄膜磁気ヘッド300は上記の残存被膜22も有している。さらにまた、主磁極層10を形成するときに、基板表面の全体をCMPで研磨する工程を経て形成されているため、残存絶縁膜17の表面と、主磁極層10の表面とが段差のない平面状になっている。こうして形成された主磁極層10と、残存絶縁膜17および残存被膜22の上に記録ギャップ層24が形成されている。ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態次に、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態について説明する。図17は、上述の薄膜磁気ヘッド300を備えたハードディスク装置201を示す斜視図である。ハードディスク装置201は、高速回転するハードディスク記録媒体202と、ヘッドジンバルアセンブリHGA:HeadGimbalsAssembly215とを有している。ハードディスク装置201は、HGA215を作動させて、ハードディスク202の記録面に、磁気情報の記録および再生を行う装置である。ハードディスク202は、複数枚図では3枚のディスクを有している。各ディスクは、それぞれの記録面が薄膜磁気ヘッド300に対向している。HGA215は、薄膜磁気ヘッド300が形成された基台を有するヘッドスライダ211を搭載したジンバル212と、ジンバル212を支えるサスペンションアーム213とがディスクの各記録面に配置され、支軸214の回りに図示しない例えばボイスコイルモータによって回転可能になっている。そして、HGA215を回転させると、ヘッドスライダ211がハードディスク202の半径方向、すなわち、トラックラインを横切る方向に移動する。このようなHGA215およびハードディスク装置201はいずれも薄膜磁気ヘッド300を有するから、主磁極層10が正確な寸法で形成されており、しかも、主磁極層10の高さが正確で均一な値になっている。なお、上記の実施の形態では、薄膜コイルが主磁極層の周りに巻回されているタイプタイプ1を例にとって説明しているが、本発明は、ライトシールド層の周りに巻回されているタイプタイプ2の薄膜磁気ヘッドについても適用がある。"