"絶縁基板と、前記絶縁基板に接合され、当該絶縁基板に接合された半導体チップと電気的に接続された制御端子と、前記制御端子が貫通するケースと、前記絶縁基板に対する方向への前記制御端子の移動を阻止する第1阻止部と、前記絶縁基板から離れる方向への前記制御端子の移動を阻止する第2阻止部と、を備えることを特徴とする半導体装置。前記制御端子は、前記ケースの蓋を貫通する貫通部と、前記貫通部に対しほぼ直角に連結され、当該貫通部とL字形状を形成し、前記ケースの前記蓋の裏面に接触するL字部材と、を備え、さらに、前記貫通部に設けられ、前記ケースの前記蓋のおもて面に接触する突起部を有し、前記第1阻止部は前記突起部であり、前記第2阻止部は前記L字部材であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記突起部は、前記ケースの前記蓋のおもて面で構成される突起受け部に接触し、前記L字部材は、前記ケースの前記蓋の裏面に形成された凸部に接触することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記制御端子は、前記L字部材の底面部に一端が連結され、かつ前記絶縁基板に他端が接合された接続部をさらに有し、前記L字部材の側面が前記貫通部の側面に対してほぼ直角であり、前記接続部の側面が前記L字部材の側面に対してほぼ直角であり、かつ、前記貫通部の側面とほぼ平行であり、前記突起部は、前記貫通部の側面に形成されることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記制御端子の前記貫通部、前記L字部材および前記接続部が1枚の金属平板から切り出された連続する部材であることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。前記制御端子は、前記ケースの蓋を貫通する貫通部を備え、さらに、前記貫通部に設けられ、前記ケースの前記蓋のおもて面に接触する第1突起部を有し、前記貫通部に前記第1突起部と離れて設けられ、前記ケースの前記蓋の裏面に接触する第2突起部を有し、前記第1阻止部は前記第1突起部であり、前記第2阻止部は前記第2突起部であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記制御端子は、前記ケースの蓋を貫通する貫通部を備え、さらに、前記貫通部に設けられ、前記ケースの前記蓋を挟みこみ、前記ケースの前記蓋のおもて面および裏面に接触する切り欠き部を有し、前記第1阻止部は、前記ケースの前記蓋のおもて面に接触する前記切り欠き部の側壁であり、前記第2阻止部は、前記ケースの前記蓋の裏面に接触する前記切り欠き部の側壁であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記制御端子は、前記貫通部に対しほぼ直角に連結され、当該貫通部とL字形状を形成するL字部材と、前記L字部材の底面部に一端が連結され、かつ前記絶縁基板に他端が接合された接続部と、をさらに有することを特徴とする請求項6または7に記載の半導体装置。絶縁基板と、前記絶縁基板を覆うケースと、前記絶縁基板に接合され、かつ前記ケースを貫通する制御端子と、前記制御端子の前記ケースの外側に露出する部分に設けられ、当該ケースの外側から当該ケースに接触する第1阻止部と、前記制御端子の前記ケースの内側の部分に設けられ、当該ケースの内側から当該ケースに接触する第2阻止部と、を備えることを特徴とする半導体装置。金属部材と、前記金属部材のおもて面に接合された絶縁基板と、前記絶縁基板の回路パターンに接合された半導体チップおよび主端子と、前記金属部材に接着され、当該金属部材のおもて面側を覆うケースと、前記ケースに設けられた貫通孔と、前記回路パターンに接合された接続部、前記貫通孔に支持される貫通部、当該貫通部に形成された第1阻止部、および、当該貫通部に形成された第2阻止部を有する制御端子と、前記貫通孔の側壁と前記ケースのおもて面とで構成され前記第1阻止部と接触し、当該第1阻止部を係止する第1係止部と、前記貫通孔の側壁と前記ケースの裏面とで構成され前記第2阻止部と接触し、当該第2阻止部を係止する第2係止部と、を備えることを特徴とする半導体装置。しかしながら、上述した特許文献1に示すパワーモジュールや図14,15に示すパワーモジュール500では、制御端子56を制御端子ブロック61に一体成形する工程およびこの制御端子ブロック61を樹脂ケース57に嵌合する工程が必要となり製造コストが増大する。また、図16a,16bに示すパワーモジュール600では、コネクタ64の装着時、制御端子56に絶縁基板52に対する方向白抜き下向矢印Qに応力が加わる。このため、コネクタ64の装着時、制御端子56に加わる応力が制御端子56を介して絶縁基板52に伝達され、絶縁基板52に加圧力が加わる。このため、絶縁基板52の制御端子56に対応する部分Rで、絶縁基板52が割れて絶縁耐量が低下したり、絶縁基板52が沈み込んで制御端子56が変位し制御端子56と絶縁基板52とを接合するはんだ62が損傷したりすることで、パワーモジュール600の信頼性が低下する虞がある。また、上述した特許文献2に示すパワーモジュールには、コネクタを制御端子に装着するときに、制御端子を介して絶縁基板に加わる加圧力を制御端子に設けた突起部で阻止することについては記載されていない。このため、コネクタを制御端子に装着するときに絶縁基板に加わる加圧力を抑制することができない。この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、絶縁強度が高い半導体装置を提供することを目的とする。また、この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置は、次の特徴を有する。絶縁基板と、前記絶縁基板に接合され、当該絶縁基板に接合された半導体チップと電気的に接続された制御端子と、前記制御端子が貫通するケースと、前記絶縁基板に対する方向への前記制御端子の移動を阻止する第1阻止部と、前記絶縁基板から離れる方向への前記制御端子の移動を阻止する第2阻止部と、を備える。また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記制御端子は、前記ケースの蓋を貫通する貫通部と、前記貫通部に対しほぼ直角に連結され、当該貫通部とL字形状を形成し、前記ケースの前記蓋の裏面に接触するL字部材と、からなる。そして、前記貫通部に設けられ、前記ケースの前記蓋のおもて面に接触する突起部を有する。前記第1阻止部は前記突起部である。前記第2阻止部は前記L字部材であることを特徴とする。また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記突起部は、前記ケースの前記蓋のおもて面で構成される突起受け部に接触して前記第1阻止部を構成する。前記L字部材は、前記ケースの前記蓋の裏面に形成された凸部に接触し前記第2阻止部を構成することを特徴とする。また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記制御端子は、前記L字部材の底面部に一端が連結され、かつ前記絶縁基板に他端が接合された接続部をさらに有する。そして、前記L字部材の側面が前記貫通部の側面に対してほぼ直角である。前記接続部の側面が前記L字部材の側面に対してほぼ直角であり、かつ、前記貫通部の側面とほぼ平行である。そして、前記突起部は、前記貫通部の側面に形成されることを特徴とする。また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記制御端子の前記貫通部、前記L字部材および前記接続部が1枚の金属平板から切り出された連続する部材であることを特徴とする。また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記制御端子は、前記ケースの蓋を貫通する貫通部からなる。そして、前記貫通部に設けられ、前記ケースの前記蓋のおもて面に接触する第1突起部を有する。前記貫通部に前記第1突起部と離れて設けられ、前記ケースの前記蓋の裏面に接触する第2突起部を有する。前記第1阻止部は前記第1突起部である。前記第2阻止部は前記第2突起部であることを特徴とする。また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記制御端子は、前記ケースの蓋を貫通する貫通部からなる。そして、前記貫通部に設けられ、前記ケースの前記蓋を挟みこみ、前記ケースの前記蓋のおもて面および裏面に接触する切り欠き部を有する。前記第1阻止部は、前記ケースの前記蓋のおもて面に接触する前記切り欠き部の側壁である。前記第2阻止部は、前記ケースの前記蓋の裏面に接触する前記切り欠き部の側壁であることを特徴とする。また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記制御端子は、前記貫通部に対しほぼ直角に連結され、当該貫通部とL字形状を形成するL字部材と、前記L字部材の底面部に一端が連結され、かつ前記絶縁基板に他端が接合された接続部と、をさらに有することを特徴とする。また、上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置は、次の特徴を有する。絶縁基板と、前記絶縁基板を覆うケースと、前記絶縁基板に接合され、かつ前記ケースを貫通する制御端子と、前記制御端子の前記ケースの外側に露出する部分に設けられ、当該ケースの外側から当該ケースに接触する第1阻止部と、前記制御端子の前記ケースの内側の部分に設けられ、当該ケースの内側から当該ケースに接触する第2阻止部と、を備える。また、上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置は、次の特徴を有する。金属部材と、前記金属部材のおもて面に接合された絶縁基板と、前記絶縁基板の回路パターンに接合された半導体チップおよび主端子と、前記金属部材に接着され、当該金属部材のおもて面側を覆うケースと、前記ケースに設けられた貫通孔と、前記回路パターンに接合された接続部、前記貫通孔に支持される貫通部、当該貫通部に形成された第1阻止部、および、当該貫通部に形成された第2阻止部を有する制御端子と、前記貫通孔の側壁と前記ケースのおもて面とで構成され前記第1阻止部と接触し、当該第1阻止部を係止する第1係止部と、前記貫通孔の側壁と前記ケースの裏面とで構成され前記第2阻止部と接触し、当該第2阻止部を係止する第2係止部と、を備える。上述した発明によれば、制御端子の突起部およびL字部材を備えることで、制御端子の突起部およびL字部材がそれぞれケースの蓋のおもて面および裏面と接触し、制御端子が固定される。このため、コネクタの脱着時に制御端子にかかる応力は制御端子を介して絶縁基板に伝達されない。これにより、コネクタの脱着時に、絶縁基板が割れて絶縁耐量が低下したり、絶縁基板が沈み込んで制御端子が変位し、制御端子と絶縁基板とを接合するはんだが損傷したりすることを防止することができる。また、上述した発明によれば、制御端子のケースを貫通する部分に樹脂ケースの蓋を挟み込む2つの突起部を設けることで、2つの突起部がそれぞれケースの蓋のおもて面および裏面と接触し、制御端子が固定される。このため、コネクタの脱着時に制御端子にかかる応力は制御端子を介して絶縁基板に伝達されない。これにより、コネクタの脱着時に、絶縁基板が割れて絶縁耐量が低下したり、絶縁基板が沈み込んで制御端子が変位し、制御端子と絶縁基板とを接合するはんだが損傷したりすることを防止することができる。また、上述した発明によれば、制御端子のケースを貫通する部分に切り欠き部を設けることで、切り欠き部の上部側壁および下部側壁がそれぞれケースの蓋のおもて面および裏面と接触し、制御端子が固定される。このため、コネクタの脱着時に制御端子にかかる応力は制御端子を介して絶縁基板に伝達されない。これにより、コネクタの脱着時に、絶縁基板が割れて絶縁耐量が低下したり、絶縁基板が沈み込んで制御端子が変位し、制御端子と絶縁基板とを接合するはんだが損傷したりすることを防止することができる。本発明にかかる半導体装置によれば、絶縁強度が高い半導体装置を提供することができるという効果を奏する。また、本発明にかかる半導体装置によれば、信頼性の高い半導体装置を提供することができるという効果を奏する。以下に添付図面を参照して、この発明にかかる半導体装置の好適な実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の実施の形態の説明および添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。実施の形態1図1は、この発明の実施の形態1にかかる半導体装置について示す説明図である。図1aには、パワーモジュール100のパッケージ101の要部平面図を示す。図1bには、図1aの切断線X-X’における断面図を示す。図1cには、図1aの切断線Y-Y’における断面図を示す。図1b,1cには、図1aの各切断線近傍に示す白抜き矢印の方向から見たパワーモジュール100を示す。図1dには、図1bの絶縁基板2近傍Aを拡大して示す。また、図2は、図1に示す半導体装置の要部について示す断面図である。また、図3は、図1に示す半導体装置の要部について示す説明図である。図2には、図1に示すパワーモジュール100の制御端子6近傍Bを拡大して示す。図3には、制御端子6の構成を詳細に示す。図3aは、図2に示す制御端子6を樹脂ケース7の蓋側白抜き下向矢印Cで示す方向から見た平面図である。図3bは、図3aに示す制御端子6を突起部10が設けられていない側面側白抜き上向矢印Dで示す方向から見た断面図である。図3cは、図3aに示す制御端子6を突起部10が設けられた側面側白抜き左向矢印Eで示す方向から見た断面図である。図4は、この発明の実施の形態1にかかる半導体装置について示す平面図である。図4には、絶縁基板2の回路パターン2aにはんだ3を介して複数の半導体チップ4および制御端子6を接合したパワーモジュール100を示す。半導体チップ4は、例えばIGBTInsulatedGateBipolarTransistor:絶縁ゲート型バイポーラトランジスタチップ、FWDFreeWheelingDiode:還流ダイオードチップなどである。図1~4に示すような、複数の半導体チップ4が同一パッケージ101に集積されたパワーモジュール100を実施の形態1にかかる半導体装置の一例として、実施の形態1にかかる半導体装置の構成について説明する。パワーモジュール100のパッケージ101は、金属ベース金属部材1と、金属ベース1に接合された絶縁基板2と、絶縁基板2の回路パターン2aに接合された主端子5および制御端子6と、金属ベース1の周縁に接着された樹脂ケース7と、で構成される。パワーモジュール100は、パッケージ101の絶縁基板2の回路パターン2aに、IGBTやFWDなどの複数の半導体チップ4が接合されてなる。絶縁基板2は、絶縁層2bのおもて面側に回路パターン2aが設けられ、裏面側に裏銅箔2cが設けられている。金属ベース1のおもて面は、はんだ不図示を介して絶縁基板2の裏銅箔2cと接合している。半導体チップ4の裏面、主端子5の一端および制御端子6の端部は、それぞれはんだ3を介して絶縁基板2の回路パターン2aと接合している。半導体チップ4のおもて面に設けられた図示省略した半導体素子の電極と回路パターン2aの間、および回路パターン2a同士はアルミワイヤなどのボンディングワイヤ13によって電気的に接続されている。金属ベース1の周縁には、樹脂ケース7が接着されている。樹脂ケース7は、側壁8と蓋9とが一体成形された構成となっており、樹脂ケース7の側壁8の端部が金属ベース1の周縁に接着されている。主端子5および制御端子6の回路パターン2aに接合された端部に対して反対側の端部は、それぞれ樹脂ケース7の蓋9を貫通して樹脂ケース7の外側に露出している。つぎに、パワーモジュール100の制御端子6近傍Bの構成について詳細に説明する。制御端子6は、樹脂ケース7の蓋9を貫通する貫通部6aと、貫通部6aに連結され貫通部6aに対しほぼ直角に設けられ、貫通部6aとL字形状を形成するL字加工部L字部材6bと、L字加工部6bの底面部に一端が連結され、かつ他端がはんだ3を介して絶縁基板2に接着された接続部6cとからなる。接続部6cの他端は直角に曲げられ、この直角に曲げられた接続部6cの端部がはんだ3を介して絶縁基板2と接合している。L字加工部6bのL字状の断面形状は、貫通部6aからなる突出部と、底面部とで形成される。このため、L字加工部6bの底面部の側面6bbは、貫通部6aの側面6aaに対してほぼ直角になっている。接続部6cの側面6ccは、L字加工部6bの底面部の、貫通部6aが連結された側の側面6bbに対して反対側の側面6bbにL字加工部6bの底面部とほぼ直角に、かつ貫通部6aの側面6aaとほぼ平行になっている。貫通部6aの側面6aaは、突起部10が設けられた部分を除いて平坦な面となっている。L字加工部6bの底面部および接続部6cの側面6bb,6ccは、それぞれ平坦な面となっている。樹脂ケース7の蓋9には制御端子6が貫通する貫通孔9aが設けられている。そして、制御端子6には、貫通孔9aを貫通する部分に突起部フック10が設けられている。具体的には、パワーモジュール100の組み立て完了後に、制御端子6の貫通部6aの、樹脂ケース7の外側に露出する部分に、突起部10が設けられている。突起部10は、樹脂ケース7の蓋9のおもて面に接触するように例えば、貫通部6aの、樹脂ケース7の側壁8と対向する側面に設けられる。制御端子6の突起部10は、制御端子6が絶縁基板2に対する方向に移動することを阻止する第1阻止部11である。具体的には、突起部10は、樹脂ケース7の蓋9のおもて面に接触することで、例えば制御端子6の貫通部6aにコネクタを装着したときに、制御端子6が絶縁基板2に押し付けられる方向に移動することを阻止する。制御端子6のL字加工部6bの底面部は、制御端子6が絶縁基板2から離れる方向に移動することを阻止する第2阻止部12である。具体的には、L字加工部6bの底面部は、樹脂ケース7の蓋9の裏面に接触することで、例えば制御端子6の貫通部6aにコネクタを装着したときに、制御端子6が樹脂ケース7から外側へ抜け出ることを阻止する。つぎに、制御端子6の突起部10および制御端子6のL字加工部6bの底面部が接触する樹脂ケース7の蓋9の構成について詳細に説明する。樹脂ケース7の蓋9のおもて面側には、制御端子6の突起部10と接触する突起受け部9bが設けられている。具体的には、突起受け部9bは、樹脂ケース7の貫通孔9aの側壁と蓋9のおもて面とを含む部材で構成され、貫通孔9aの側壁で貫通部6aの側面6aaと接触し、蓋9のおもて面で突起部10と接触する。突起受け部9bは、貫通孔9aの側壁と、金属ベース1に対して反対側を向く面を備え、金属ベース1に対して反対側を向く面に第1阻止部11を係止固定する第1係止部である。具体的には、突起受け部9bは、樹脂ケース7の蓋9に貫通孔9aが設けられることにより樹脂ケース7の側壁8側に残る蓋9によって構成される。そして、突起受け部9bの上面、すなわち樹脂ケース7の蓋9のおもて面に突起部10が接触することにより、制御端子6が係止される。樹脂ケース7の蓋9の裏面側には、制御端子6のL字加工部6bの底面部と接触する凸部9cが設けられている。凸部9cは、蓋9の裏から絶縁基板2側に突出している。そして、凸部9cの絶縁基板2に対向する面とL字加工部6bの底面部の側面6bbとが接触していることにより、制御端子6が係止される。凸部9cは、貫通孔9aの、突起受け部9bを構成する側壁に対向する側壁と、金属ベース1側を向く面とを備え、金属ベース1側を向く面によって第2阻止部12を係止する第2係止部である。具体的には、凸部9cは、樹脂ケース7の蓋9の裏面の、L字加工部6bの底面部の側面6bbに対応する位置に、L字加工部6bの底面部に接触する高さで金属ベース1側に突出するように設けられている。そして、凸部9cの金属ベース1に対抗する面にL字加工部6bの底面部が接触することにより、制御端子6が係止される。制御端子6と樹脂ケース7とは互いに独立した個別の部品である。図5は、実施の形態1にかかる製造途中の半導体装置の要部を示す断面図である。図5には、製造途中の制御端子6を示す。図5に示すように、制御端子6は、貫通部6a、L字加工部6bおよび接続部6cが連続した1つの部品として、1枚の金属平板14から切り出される。L字加工部6bの底面部の側面6bbとなる部分は、貫通部6aの側面6aaに対してほぼ直角に金属平板14を折り曲げることによって形成される。接続部6cの側面6ccとなる部分は、L字加工部6bの底面部の側面6bbに対して貫通部6aと反対側にほぼ直角に金属平板14を折り曲げ、かつ貫通部6aの側面6aaとほぼ平行にすることによって形成される。そして、貫通部6aの樹脂ケース7の蓋9を貫通する位置には突起部10が形成される。このような断面形状を有する制御端子6を形成することで、貫通部6aに加わる応力によってL字加工部6bが撓むようになるばね効果。このため、貫通部6aに応力が加わったときにL字加工部6bが撓むので、はんだ3へのダメージを小さくすることができる。つぎに、制御端子6の突起部10について詳細に説明する。図6は、実施の形態1にかかる半導体装置の要部について示す斜視図である。図6には、パワーモジュール100の制御端子6の貫通部6aに設けられた突起部10の立体形状を示す。制御端子6に形成される突起部10の断面形状は、制御端子6の上方側が狭く下方側に向って広がる三角形状である。突起部10の下端面10aと制御端子6の長手方向15との角度θは60°~90°程度にする。突起部10の下端面10aと制御端子6の長手方向15との角度θが鋭角になると、樹脂ケース7に突き刺さる状態となるので、突起部10の下端面10aと突起受け部9bとの接触性が向上する。上述した制御端子6および樹脂ケース7を備えるパワーモジュール100は、次のように組み立てられる。まず、公知の方法によって、金属ベース1のおもて面に、絶縁基板2、半導体チップ4、制御端子6などを接合する。つぎに、蓋9に形成された貫通孔9aの側壁に沿って、蓋9の裏面側から貫通孔9aに制御端子6の貫通部6aを挿入する。このとき、貫通部6aに設けられた突起部10が貫通孔9aを通過するまで貫通部6aを挿入する。そして、突起部10の下端面10aを蓋9のおもて面、すなわち突起受け部9bの上面に接触させて制御端子6を配置し、制御端子6のL字加工部6bの底面部の側面上面6bbを蓋9の裏面側に形成した凸部9cに接触させる。その後、金属ベース1の周縁と樹脂ケース7の下端との位置合わせを行い、金属ベース1の周縁と樹脂ケース7の下端とを接着剤で接着する。これにより、パワーモジュール100が完成する。図7は、実施の形態1にかかる半導体装置の要部の別の一例について示す斜視図である。図7に示すように、突起部20の断面形状は四角形状であってもよい。すなわち、突起部20は、四角柱状であってもよい。図7に示す制御端子6の突起部20以外の構成は、図6に示す制御端子6と同様である。このような制御端子6を用いる場合、パワーモジュール100は、次のように組み立てられる。図8は、図7に示す組み立て途中の半導体装置の要部を示す斜視図である。図8には、制御端子6の突起部20部分が貫通孔9aを通過している状態を示す。まず、図8に示すように、制御端子6の突起部20が設けられた側面に対して反対側の側面21を貫通孔9aの凸部9c側の側壁22に押しあてて、制御端子6に樹脂ケース7を被せるように、蓋9の裏面側からおもて面側へ向う方向白抜き上向矢印Fで制御端子6を貫通孔9aに挿入する。突起部20が貫通孔9aを通過した後、突起受け部9bに突起部20の下端面23が接触するように、蓋9のおもて面に水平な方向白抜き左向矢印Gに樹脂ケース7を移動させる。その後、金属ベース1の周縁と樹脂ケース7の下端との位置合わせを行い、金属ベース1の周縁と樹脂ケース7の下端とを接着剤で接着する。これにより、パワーモジュール100が完成する。また、図7に示す四角柱状の突起部20を有する制御端子6を用いる場合、パワーモジュール100は、次のように組み立てられてもよい。まず、制御端子6のばね効果を利用して、制御端子6の突起部20が設けられた側面に対して反対側の側面21を貫通孔9aの凸部9c側の側壁22に押しあてて、蓋9の裏面側からおもて面側へ向う方向Fで制御端子6を貫通孔9aに挿入する。そして、突起部20が貫通孔9aを通過した時点で貫通孔9aの凸部9c側の側壁22への押しあてを止め、制御端子6のL字加工部6bへの負荷を解除することでバネ効果を解除し、突起部20を突起受け部9bに接触させる。つぎに、コネクタ16を制御端子6に脱着させたときの力の方向について説明する。図9は、図1に示す半導体装置のコネクタ着脱時にかかる力の方向を示す断面図である。図9では、コネクタ16の移動方向をコネクタ16の左側に図示した白抜き矢印で示す。コネクタ16の左側に図示した白抜き下向矢印は、コネクタ16を制御端子6に装着するときのコネクタ16の移動方向である。また、コネクタ16の左側に図示した白抜き上向矢印は、コネクタ16を制御端子6から取りはずすときのコネクタ16の移動方向である。まず、コネクタ16を制御端子6に装着する場合、制御端子6には制御端子6を絶縁基板2側に移動させようとする応力が加わる。すなわち、制御端子6には、絶縁基板2に圧縮応力が加わる方向白抜き下向矢印Hに応力が加わる。このとき、制御端子6の突起部10が蓋9の突起受け部9bに接触していることより、制御端子6の移動は阻止される。一方、コネクタ16を制御端子6から取りはずす場合、制御端子6には制御端子6を絶縁基板2から離れる方向白抜き上向矢印Jに移動させようとする応力が加わる。このとき、制御端子6のL字加工部6bの底面部が蓋9の裏面の凸部9cに接触していることより、制御端子6の移動は阻止される。したがって、制御端子6は、突起部10が蓋9の突起受け部9bに引っかかり、かつL字加工部6bの底面部が蓋9の凸部9cに引っかかることで係止される。このように、コネクタ16の脱着時、突起受け部9bと凸部9cとが制御端子6にかかる応力を受け止めるので、制御端子6は移動しない。このため、制御端子6に加わる応力ははんだ3を介して絶縁基板2に伝達されない。したがって、コネクタ16の脱着時に絶縁基板2に加わる応力は抑制されて、絶縁基板2の割れや制御端子6の沈み変位が発生しなくなる。その結果、絶縁基板2の絶縁強度の低下やはんだ3へのダメージの導入が防止され、信頼性の高いパワーモジュール100を提供することができる。さらに、貫通孔9aの突起受け部9b側の側壁は、貫通部6aに接触し貫通部6aを支持する形状を有するのが好ましい。貫通部6aに接触し支持する形状とは、例えば突起受け部9bよりも絶縁基板2に近い位置で貫通部6aを支持する形状などである。貫通孔9aの突起受け部9b側の側壁が貫通部6aに接触し支持する形状になっていることで、突起受け部9bを支点とする回転方向の力が制御端子6に作用しないため、より信頼性の高いパワーモジュール100を提供することができる。以上、説明したように、実施の形態1にかかる半導体装置によれば、制御端子6の突起部10およびL字部材6bを備えることで、制御端子6の突起部10およびL字部材6bがそれぞれ蓋9の突起受け部9bおよび凸部9cと接触し、制御端子6が固定される。このため、コネクタ16の脱着時に制御端子6にかかる応力は制御端子6を介して絶縁基板2に伝達されない。これにより、コネクタ16の脱着時に、絶縁基板2が割れて絶縁耐量が低下したり、絶縁基板2が沈み込んで制御端子6が変位し、制御端子6と絶縁基板2とを接合するはんだ3が損傷したりすることを防止することができる。したがって、絶縁強度が高く、かつ信頼性の高い半導体装置を提供することができる。実施の形態2図10は、この発明の実施の形態2にかかる半導体装置の要部について示す断面図である。また、図11は、図10に示す半導体装置の要部について示す断面図である。図10には、パワーモジュール200を構成する制御端子6を樹脂ケース7に挿入したときの要部断面図を示す。図11aは、図10のパワーモジュール200のパッケージ101を構成する制御端子6を突起部10が設けられていない側面側から見た断面図である。図11bは、図11aに示す制御端子6を突起部10が設けられた側面側白抜き左向矢印Kで示す方向から見た断面図である。実施の形態2にかかるパワーモジュール200が実施の形態1と異なるのは、制御端子6の貫通部6a、L字加工部6bの底面部および接続部6cのそれぞれの側面6aa,6bb,6ccが同一平面内にあることである。実施の形態2にかかるパワーモジュール200の制御端子6の連結位置以外の構成は、実施の形態1にかかるパワーモジュールと同様である。この場合、L字加工部6bの底面部の側面6bbと貫通部6aの側面6aaとが同一平面上にあり、折り曲げられていないので、L字加工部6bの撓みばね効果が少なく実施の形態1に比べると、はんだ3へダメージが導入されやすくなる。しかし、実施の形態1にかかるパワーモジュールと同様に、コネクタ不図示を脱着するときに制御端子6の突起部10と制御端子6のL字加工部6bの底面部とがそれぞれ蓋9の突起受け部9bと凸部9cとに接触する。このため、パワーモジュール200においても、制御端子6に加わる応力は絶縁基板2に伝達されない。したがって、パワーモジュール200においても、突起部10は第1阻止部11であり、L字加工部6bの底面部は第2阻止部12である。以上、説明したように、実施の形態2によれば、実施の形態1にかかる半導体装置と同様の効果を得ることができる。実施の形態3図12は、この発明の実施の形態3にかかる半導体装置の要部について示す断面図である。図12には、パワーモジュール300を構成する制御端子6を樹脂ケース7に挿入したときの要部断面図を示す。実施の形態3にかかるパワーモジュール300が実施の形態1と異なるのは、制御端子6の貫通部6aに蓋9を挟むように2つの突起部以下、第1,2突起部とする10,30を設けたことである。第1突起部10は、実施の形態1にかかるパワーモジュールの制御端子6の貫通部6aに設けられた突起部と同様の構成を有する。第2突起部30は、制御端子6の第1突起部10が設けられた側面に設けられる。また、第2突起部30は、例えば、第1突起部10と対称的に、制御端子6の下方側が狭く上方側に向って広がる逆三角形状の断面形状を有する。そして、突起受け部9bは、金属ベース1に対抗する面を備え、この突起受け部9bの金属ベース1に対抗する面に第2突起部30が接触する。具体的には、突起受け部9bは四角柱状であり、突起受け部9bの下端面に第2突起部30が接触する。このように第2突起部30を設けることにより、コネクタを制御端子6から取りはずすときに、制御端子6が金属ベース1から離れる方向に移動することを阻止することができる。このように、パワーモジュール300においては、2つの第1,2突起部10,30を設けることで、コネクタ不図示の脱着時に、制御端子6の移動が阻止され、制御端子6を介して絶縁基板2に応力が伝達されるのを防止することができる。実施の形態3にかかるパワーモジュール300の突起部30以外の構成は、実施の形態1にかかるパワーモジュールと同様である。したがって、パワーモジュール300おいては、2つの第1,2突起部10,30のうち蓋9のおもて面側に形成された第1突起部10が第1阻止部11であり、蓋9の裏面側に形成された突起部30が第2阻止部12である。また、蓋9の金属ベース1側を向く面に対して反対側を向く面おもて面が第1係止部であり、蓋9の金属ベース1側を向く面、すなわち金属ベース1のおもて面に対抗する面裏面が第2係止部である。また、パワーモジュール300においては、制御端子6のL字加工部6bは設けなくてもよい。このため、実施の形態2にかかるパワーモジュールと同様に、制御端子6の貫通部6aと接続部6cとを直線上に並ぶように連結してもよい。以上、説明したように、実施の形態3にかかる半導体装置によれば、制御端子6の貫通部6aに樹脂ケース7の蓋9を挟み込む2つの第1突起部10,30を設けることで、2つの第1,2突起部10,30がそれぞれ樹脂ケース7の蓋9のおもて面および裏面と接触し、制御端子6が固定される。これにより、実施の形態1にかかる半導体装置と同様の効果を得ることができる。実施の形態4図13は、この発明の実施の形態4にかかる半導体装置の要部について示す断面図である。図13には、パワーモジュール400を構成する制御端子6を樹脂ケース7に挿入したときの要部断面図を示す。実施の形態4にかかるパワーモジュール400が実施の形態3と異なるのは、実施の形態3にかかるパワーモジュールの第1,2突起部に代えて、第1,2突起部で挟まれた箇所に切り欠き部41を設けたことである。この切り欠き部41には、蓋9に形成した貫通孔9aの側壁42が嵌合される。具体的には、蓋9の貫通孔9aの側壁42が、切り欠き部41の、貫通部6aの側面6aaに平行な底面と接触する。そして、蓋9のおもて面および裏面が、切り欠き部41の上部側壁43および下部側壁44にそれぞれ接触する。切り欠き部41の上部側壁43は、切り欠き部41の底面にほぼ垂直な面である。切り欠き部41の下部側壁44は、切り欠き部41の底面にほぼ垂直な面であり、かつ切り欠き部41の上部側壁43に対向する面である。このように切り欠き部41を設けることで、コネクタ不図示の脱着時に、制御端子6の移動が阻止され、制御端子6を介して絶縁基板2に応力が伝達されるのを防止することができる。パワーモジュール400においては、切り欠き部41の上部側壁43が第1阻止部11であり、切り欠き部41の下部側壁44が第2阻止部12である。また、蓋9の金属ベース1側を向く面に対して反対側を向く面おもて面が第1係止部である。蓋9の金属ベース1側を向く面、すなわち金属ベース1のおもて面に対抗する面裏面が第2係止部である。また、パワーモジュール400においては、制御端子6のL字加工部6bは設けなくてもよい。このため、実施の形態2にかかるパワーモジュールと同様に制御端子6の貫通部6aと接続部6cとを直線上に並ぶように連結してもよい。以上、説明したように、実施の形態4にかかる半導体装置によれば、制御端子6の貫通部6aに切り欠き部41を設けることで、切り欠き部41の上部側壁43および下部側壁44がそれぞれ樹脂ケース7の蓋9のおもて面および裏面と接触し、制御端子6が固定される。これにより、実施の形態1にかかる半導体装置と同様の効果を得ることができる。以上において本発明では、IGBTチップおよびFWDチップなどの複数の半導体チップが絶縁基板の回路パターンにはんだを介して接合されたパワーモジュールを例に説明しているが、上述した実施の形態に限らず、さまざまな構成のモジュールのパッケージに適用することが可能である。また、上述した実施の形態では、貫通部とL字形状を形成するL字加工部を有する制御端子を例に説明しているが、これに限らず、制御端子は、ケースの蓋の裏面側に設けられた凸部に接触し、制御端子を係止することができる構成であればよい。具体的には、例えば、制御端子は、L字加工部に代えて、貫通部とT字形状を形成するT字加工部や、貫通部とのなす角度が鋭角となる加工部を有する構成であってもよい。"