"以下のa~eを含み、aエポキシ樹脂とフェノール樹脂とを含む熱硬化性樹脂、b架橋性官能基を含む重量平均分子量が10万~80万で、Tgが-50~50°Cであるアクリル系樹脂、c平均粒径0.05~5.0μmの無機フィラー、d硬化促進剤、e下記式Iで表されるシリコーン骨格を有する樹脂、式I中、R1、R2は直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アミノ基、アリール基又はハロゲン原子を示し、nは3~50の整数を示す。a100質量部に対しb15~40質量部、c30~100質量部、d0.05~0.20質量部、e0.05~1.00質量部含む接着剤から形成された半導体素子を支持部材に接着するためフィルム状接着剤。半導体素子を請求項1のフィルム状接着剤により支持部材に接着した半導体装置。前記フィルム状接着剤は、硬化前の80°Cにおけるずり粘度が100Pas以上5000Pas以下であり、有機基板への硬化後の接着力が2MPa以上である請求項2の半導体装置。最近、半導体装置の小型化、薄型化に伴い基板及びウェハの薄型化が進んでおり、各部材の熱膨張係数の差に由来する熱応力による素子の反りが問題となっている。特に、半導体装置の製造過程で発生する反りは半導体装置の接続信頼性に大きく影響する。例えば、基板上に実装する1段目のチップで発生する反りは、その上に実装するチップの圧着状態に影響を及ぼし、圧着時にトラップボイドを誘発しやすくする。そのため、より低温での実装が求められているが、上記特許文献1の接着フィルムなどでは、低温での圧着実装のみで配線に起因する凹凸を十分埋め込むことが難しい。一方、上記特許文献2の接着シートなどのように凹凸の埋込性が高いフィルム状接着剤を用いた場合には、凹凸の埋込性は良好ではあるものの、接着シートのタック力が高く、小片化した接着シート付きチップをダイシングテープから剥がしにくくなり、半導体素子作製工程の作業性の悪化と歩留まりが低下しやすい傾向にあった。なお、接着シートのタック力が低すぎるとダイシングテープから剥離しやすくなる一方、チップとの密着力も低下する傾向にある。その結果、小片化した接着シート付きチップをダイシングテープから剥がす工程にて接着シートとダイシングテープ間ではなく、チップと接着シート間で剥離が発生し、半導体素子作製工程での不具合へと繋がりやすい傾向にもある。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、十分な耐熱性、耐湿性及び耐リフロー性を有し、且つ、圧着による凹凸の埋込性に優れ、室温でのタック力が低いながらもチップとは十分な密着力を有し、小片化した接着シート付きチップをダイシングテープから容易に剥離させることができるフィルム状接着剤、及び、これを用いて製造される半導体装置を提供することを目的とする。本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討したところ、適切な構造をもつシリコーン樹脂を少量添加することにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、以下のa~eを含み、aエポキシ樹脂とフェノール樹脂とを含む熱硬化性樹脂、b架橋性官能基を含む重量平均分子量が10万~80万で、Tgが-50~50°Cであるアクリル系樹脂、c平均粒径0.05~5.0μmの無機フィラー、d硬化促進剤、e下記式Iで表されるシリコーン骨格を有する樹脂、式I中、R1、R2は直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アミノ基、アリール基又はハロゲン原子を示し、nは3~50の整数を示す。a100質量部に対しb15~40質量部、c30~100質量部、d0.05~0.20質量部、e0.05~1.00質量部含む接着剤から形成された半導体素子を支持部材に接着するためフィルム状接着剤に関する。また、本発明は、半導体素子を上記のフィルム状接着剤により支持部材に接着した半導体装置に関する。上記接着シートは、硬化前の80°Cにおけるずり粘度が100Pas以上5000Pas以下であり、有機基板への硬化後の接着力が2MPa以上であることが好ましい。なお、本発明のフィルム状接着剤は、硬化前の80°Cにおけるずり粘度が100Pas以上5000Pas以下であり、有機基板への硬化後の接着力が2MPa以上であることが好ましい。上記の特定の条件を満たすフィルム状接着剤は、十分な耐熱性、耐湿性及び耐リフロー性を有し、且つ、低温での圧着実装により配線に起因する凹凸を十分埋め込むことができるとともに、半導体装置の製造過程において小片化したフィルム状接着剤付きチップをダイシングテープから従来よりも容易に剥離させることができる。このようなフィルム状接着剤を用いることで接続信頼性に優れた半導体装置の効率の良い製造を可能にする。なお、硬化前の80°Cにおけるずり粘度が100Pas以上であると、圧着時のはみ出しを大幅に抑えることができ、5000Pas以下であると、非常に優れた凹凸埋込性が得られる。さらに、有機基板への硬化後の接着力が2MPa以上であると非常に優れた耐熱性耐湿性が得られ、半導体装置の接着信頼性が非常に高くなる。本発明によれば、十分な耐熱性、耐湿性及び耐リフロー性を有し、且つ、圧着による凹凸の埋込性に優れ、室温でのタック力が低いながらもチップとは十分な密着力を有し、小片化した接着シート付きチップをダイシングテープから容易に剥離させることができるフィルム状接着剤、及び、これを用いて製造される半導体装置を提供することができる。以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、本明細書におけるメタアクリル酸とはアクリル酸及びそれに対応するメタクリル酸を意味し、メタアクリレートとはアクリレート及びそれに対応するメタクリレートを意味する。本実施形態のフィルム状接着剤は、半導体素子を該半導体素子を搭載する支持部材に接着するために用いられる熱硬化性のフィルム状接着剤であって、下記aと、該a100質量部に対し下記b15~40質量部と、c30~100質量部と、d0.05~0.20質量部と、e0.05~1.00質量部を含有する接着剤組成物をフィルム状に成形することにより作製することができる。aエポキシ樹脂とフェノール樹脂とを含む熱硬化性樹脂b架橋性官能基を含む重量平均分子量が10万~80万で、Tgが-50~50°Cであるアクリル系樹脂c平均粒径0.05~5.0μmの無機フィラーd硬化促進剤e下記式Iで表されるシリコーン骨格を有する樹脂式I中、R1、R2は直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アミノ基、アリール基又はハロゲン原子を示し、nは3~50の整数を示す。エポキシ樹脂としては、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されず、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを用いることができる。また、複数の種類のエポキシ樹脂を組み合わせて使用することもできる。ずり粘度を低くし、高い流動性を発現させるという観点から、70°Cで液状または軟化点が70°C以下であるエポキシ樹脂を、高い接着特性を実現する観点から、多官能のエポキシ樹脂を含有することが好ましい。70°Cで液状のエポキシ樹脂としては、ビスフェノールF型エポキシ樹脂などが挙げられる。一方、フェノール樹脂についても特に制限はないが、加熱時の溶融性の観点から、軟化点が低いものが好ましい。具体的には、軟化点が80°C以下であることが好ましい。また同様に、Bステージ状態では架橋度が低い方が溶融性に優れるため、フェノール当量の高いものが好ましい。具体的にはフェノール当量が150以上であることが好ましい。このような条件を満たすフェノール樹脂として代表的なものに、三井化学株式会社製のミレックスXLC-シリーズとXLシリーズ例えば、ミレックスXLC-LL及びエアウォーター株式会社製のHEシリーズ例えば、HE-200C-10などがある。エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の配合量は、それぞれエポキシ当量と水酸基当量の当量比で0.70/0.30~0.30/0.70となるのが好ましく、0.65/0.35~0.35/0.65となるのがより好ましく、0.60/0.40~0.40/0.60となるのがさらに好ましい。b架橋性官能基を含む重量平均分子量が10万~80万で、Tgが-50~50°Cであるアクリル系樹脂としては、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートなどの官能性モノマを重合して得たエポキシ基含有メタアクリル共重合体などのアクリル系樹脂が好ましい。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法GPCで標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。ガラス転移温度は、DSC熱示差走査熱量計例えば、リガク製ThermoPlus2を用いて測定したものをいう。上記アクリル系樹脂のTgが50°C以下、-50°C以上だと、フィルム状接着剤の柔軟性が適当であるので、ウェハダイシング時にフィルム状接着剤が切断し易く、バリの発生がなく、ダイシング性に優れる。また、上記アクリル系樹脂の重量平均分子量が10万以上であると、フィルム成膜性、フィルム状接着剤の接着力と耐熱性に優れ、重量平均分子量が80万以下だと未硬化フィルム状接着剤の流動性に優れる。これらの点で、アクリル系樹脂の重量平均分子量は、20万以上80万以下であることがより好ましい。更に、ウェハダイシング時にフィルム状接着剤を切断しやすく樹脂くずが発生し難い点、接着力と耐熱性が高い点、また未硬化フィルム状接着剤の高い流動性という点で、b架橋性官能基を含む重量平均分子量が10万~80万で、Tgが-50~50°Cであるアクリル系樹脂は、Tgが-20°C~40°Cで、重量平均分子量が10万~80万である高分子量成分が好ましく、Tgが-10°C~40°Cで、重量平均分子量が20万~80万である高分子量成分がより好ましい。また、b架橋性官能基を含むアクリル系樹脂は、熱硬化性樹脂100質量部に対して15~40質量部配合する。15質量部以上だと、フィルム成膜性に優れ、40質量部以下の場合には、未硬化フィルムの流動性に優れる。好ましくは、15~35質量部である。c無機フィラーとしては、Bステージ状態におけるフィルム状接着剤のダイシング性の向上、フィルム状接着剤の取扱い性の向上、熱伝導性の向上、ずり粘度の調整、チクソトロピック性の付与、接着力の向上などの観点から、シリカフィラーを配合することが好ましい。未硬化フィルム状接着剤の高い流動性と硬化後に高い接着力を発現させる観点から、a熱硬化性樹脂100質量部に対して、無機フィラーを30~100質量部配合する。上記上限値を超えるフィラーを配合した場合、未硬化フィルム状接着剤の流動性が低下することがある。好ましくは、35~100質量部である。無機フィラーは、異なる平均粒径のものを混合して使用することができるが、平均粒径が0.05~5.0μmである。平均粒径が0.05μm以上である無機フィラーを主たるフィラー成分として使用した場合、未硬化フィルム状接着剤の流動性が優れ、平均粒径が5.0μm以下のフィラーを主たるフィラー成分として使用した場合、接着力及びフィルム成膜性に優れる。d硬化促進剤としては、イミダゾール系の化合物が好ましく、a熱硬化性樹脂100質量部に対して、0.05~0.20質量部配合する。より好ましくは、0.07~0.17質量部である。イミダゾール系の硬化促進剤としては、特に限定しないが、反応性を考慮すると、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂100質量部に対して5質量部添加し、10°C/minの昇温速度でDSC測定を実施し、反応開始温度が120°C以上であるものが好ましい。上記の硬化促進剤は、未硬化のフィルム状接着剤の室温での安定性に優れ、半導体素子の製造工程内の熱履歴によりフィルム状接着剤が完全に硬化し、硬化した状態で製品内に搭載され、その後の素子不具合を誘発するのを防ぐことができる。硬化促進剤の配合量が0.20質量部以下だと、未硬化のフィルム状接着剤の室温での安定性に優れ、0.05質量部以上だと半導体素子の製造工程内の熱履歴ではフィルム状接着剤が完全に硬化し、その後の素子不具合が生じ難い。eシリコーン骨格を有する樹脂としては、下記Iで表される樹脂であり、未硬化のフィルム状接着剤のタック力を下げることができ、硬化後にフィルム状接着剤の接着力が十分に発揮される。式I中、R1、R2は直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アミノ基、アリール基又はハロゲン原子を示し、nは3~50の整数を示す。eシリコーン骨格を有する樹脂の配合量は、a熱硬化性樹脂100質量部に対して、0.05~1.00質量部配合する。0.05質量部以上だとタック力の低下に十分な効果が得られる。一方、1.00質量部以下だと、他の樹脂との相溶性に優れ均一な未硬化フィルムが得られ、ウェハへの密着性が高く、半導体素子の製造工程内でウェハと当該接着シート間での剥離の発生を防ぐ。eシリコーン骨格を有する樹脂は、接着シートを構成する他の成分との相溶性を向上する観点から、シリコーン部位が短いnが小さいものが好ましく、また、a熱硬化性樹脂、b架橋性官能基を含むアクリル系樹脂と反応しうる官能基を有するものが好ましい。nは、具体的には、3~40が好ましい。官能基は、具体的には、水酸基、アミノ基、エポキシ基などが好ましい。本実施形態の接着剤組成物は、接着性向上の観点から、カップリング剤を含有することが好ましい。カップリング剤としては、γ-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、32アミノエチルアミノプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。フィルム状接着剤の硬化前の80°Cにおけるずり粘度が100Pas以上5000Pas以下が好ましい。フィルム状接着剤の硬化前の80°Cにおけるずり粘度は、本実施形態の接着剤組成物において、例えば、上述のエポキシ樹脂の種類の選定、bアクリル系樹脂の分子量分布の調整、bアクリル系樹脂とcフィラーとの配合比の調整などにより、上記数値範囲内に収めることができる。また、フィルム状接着剤の硬化後の有機基板に対する接着力は、半導体装置の高い接着信頼性を実現する観点から、2MPa以上であることが好ましい。ここで、有機基板とは、銅箔をエッチング処理で除去したものにレジストを塗布したものである。銅箔としては、例えば、日立化成工業社製の商品名E-697FGが、レジストとしては、例えば、太陽インキ社製の商品名AUS308が挙げられる。フィルム状接着剤の硬化後の有機基板に対する接着力は本実施形態の接着剤組成物において、例えば、上述のエポキシ樹脂の種類の選定、b高分子量成分の分子量分布の調整、b高分子量成分とcフィラーとの配合比の調整などにより、上記数値範囲内に収めることができる。フィルム状接着剤の膜厚は、基板の配線回路等の凹凸を十分に充填可能とするため、5~250μmであることが好ましい。膜厚が5μm以上であると、応力緩和効果や接着性に優れ、250μm以下であると、経済的であり、半導体装置の小型化の要求に応えることができる。なお、接着性が高く、また、半導体装置を薄型化できる点で、フィルム状接着剤の膜厚は10~100μmがより好ましく、10~60μmが更により好ましい。フィルム状接着剤は、上述した接着剤組成物のワニスから作製することができる。具体的には、まず、上記エポキシ樹脂及び上記フェノール樹脂を含む熱硬化性成分熱硬化性樹脂、上記アクリル系樹脂、上記フィラー、上記硬化促進剤、上記シリコーン骨格を有する樹脂、並びに必要に応じて上記カップリング剤などの他の添加成分を、有機溶媒中で混合、混練してワニスを調製する。次に、得られたワニスを基材フィルム上に塗布することによりワニスの層を形成する。次に、加熱乾燥によりワニス層から溶媒を除去した後、基材フィルムを除去することにより、フィルム状接着剤が得られる。上記の混合、混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を用い、これらを適宜組み合わせて行うことができる。上記の加熱乾燥は、使用した溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常60°C~200°Cで、0.1~90分間加熱して行うことができる。上記基材フィルムとしては、特に制限はなく、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム等が挙げられる。上記有機溶媒は、上記各成分を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができる。このような溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Nメチルピロリドン、トルエン、キシレン等が挙げられる。乾燥速度が速く、価格が安い点でメチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどを使用することが好ましい。本発明の接着シートは、それ自体で用いても構わないが、一実施態様として、本発明の接着シートを従来公知のダイシングテープ上に積層したダイシングダイボンディング一体型接着シートとして用いることもできる。この場合、ウェハへのラミネート工程が一回で済む点で、作業の効率化が可能である。ダイシングテープとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。また、ダイシングテープは、必要に応じて、プライマー塗布、UV処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理が行われていてもよい。更に、ダイシングテープは粘着性を有するものが好ましく、上述のプラスチックフィルムに粘着性を付与したものを用いてもよいし、上述のプラスチックフィルムの片面に粘着剤層を設けてもよい。ダイシングダイボンディング一体型接着シートが半導体装置の製造に用いられる場合、ダイシング時には半導体素子が飛散しない粘着力を有し、その後のピックアップ時にはダイシングテープから容易に剥離できることが必要である。係る特性は、上述したように粘着剤層のタック強度の調整、光反応などによるタック強度を変化させることによって得ることができる。ダイシングテープ上に本発明のフィルム状接着剤を積層する方法としては、上述した接着剤組成物のワニスを全面に塗布し乾燥する、または印刷により部分的に塗工する方法のほか、予め作製した本発明のフィルム状接着剤をダイシングテープ上に、プレス、ホットロールラミネートにより積層する方法が挙げられる。本実施形態においては、連続的に製造でき、効率がよい点で、ホットロールラミネートによる方法が好ましい。ダイシングテープの膜厚は、特に制限はなく、フィルム状接着剤の膜厚やダイシングテープ一体型接着シートの用途によって適宜、当業者の知識に基づいて定めることができる。経済性がよく、フィルムの取扱い性が良い点で、ダイシングテープの膜厚は60~150μmが好ましく、70~130μmがより好ましい。本発明の接着シートは、好ましくは半導体装置の製造に用いられ、より好ましくはウェハ或いは既に小片化されているチップに、接着シート及びダイシングテープを0°C~90°Cで貼り合わせた後、回転刃、レーザーあるいは伸張による分断で接着剤付きチップを得た後、当該接着剤付きチップを、凹凸を有する基板に荷重0.001~1MPaで接着し、凹凸を充てんする工程を含む半導体装置の製造に用いられる。荷重は0.01~0.5MPaであることが好ましく、0.02~0.3MPaであることがより好ましい。荷重が0.001MPa以上であると未充填部位が非常に少なく、結果として耐熱性が高くなる傾向がある。一方、圧着荷重が1MPa以下だとチップの破損が非常に少ない傾向がある。また、接着剤付きチップを、凹凸を有する基板に接着する際には、被着体あるいは接着剤付きチップ、又はその両方を加熱することが望ましい。加熱温度は、60~180°Cであることが好ましく、80~160°Cであることがより好ましい。60°C以上であると凹凸の埋込性が非常に少ない傾向があり、180°C以下だと基板の変形がなく、反りが非常に少ない傾向がある。加熱方法としては、基板を加熱した熱板に接触させる、赤外線又はマイクロ波を照射する、熱風を吹きかける等の方法が挙げられる。ウェハとしては、単結晶シリコンの他、多結晶シリコン、各種セラミック、ガリウム砒素などの化合物半導体などが挙げられる。本発明のフィルム状接着剤を単体で用いる場合には、ウェハにフィルム状接着剤を貼り合わせ、次いで、フィルム状接着剤面にダイシングテープを貼り合わせればよい。フィルム状接着剤をウェハに貼り付ける温度、即ちラミネート温度は、通常、0~90°Cであり、好ましくは15~80°Cであり、さらに好ましくは40~80°Cである。90°C以下だとフィルム状接着剤の過度な溶融がなく厚みの変化が少ない。ダイシングテープ又はダイシングダイボンディング一体型接着シートを貼り付ける際にも、上記温度で行うことが好ましい。本発明のフィルム状接着剤及び接着剤シートは、IC、LSI等の半導体素子と、42アロイリードフレーム、銅リードフレーム等のリードフレーム;ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等のプラスチックフィルム;ガラス不織布等基材にポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等のプラスチックを含浸、硬化させたもの;アルミナ等のセラミックス等の半導体搭載用支持部材等の被着体とを貼り合せるためのダイボンディング用接着材料として用いることができる。中でも、表面に有機レジスト層を具備してなる有機基板、表面に配線有する有機基板等の表面に凹凸を有する有機基板と、半導体素子とを接着するためのダイボンディング用接着材料として好適に用いられる。また、本発明のフィルム状接着剤及び接着剤シートは、複数の半導体素子を積み重ねた構造のStacked-PKGにおいて、半導体素子と半導体素子とを接着するための接着材料としても好適に用いられる。この場合、一方の半導体素子が、半導体素子を搭載する支持部材となる。以下、実施例を挙げて本発明についてより具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。実施例1~4及び比較例1~4表1又は表2に示す品名及び組成比単位:質量部のエポキシ樹脂、フェノール樹脂及びフィラーからなる組成物にシクロヘキサノンを加え、撹拌混合した。これに、表1又は表2に同様に示すアクリルゴムを加えて撹拌し、更に表1又は表2に同様に示すカップリング剤、硬化促進剤及びシリコーン骨格を有する樹脂を加えて各成分が均一になるまで撹拌してワニスを得た。なお、表1及び表2中の各成分の記号は下記のものを意味する。YDF-8170C:東都化成株式会社製商品名、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、エポキシ当量159、常温で液体。YDCN-700-10:東都化成株式会社製商品名、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量210、軟化点75~85°C。ミレックスXLC-LL:三井化学株式会社製商品名、フェノール樹脂、水酸基当量175、軟化点77°C。HE-200C-10:エアウォーター株式会社製商品名、フェノール樹脂、水酸基当量200。SC2050-HLG:アドマテックス株式会社製商品名、シリカフィラー分散液、平均粒径0.500μm。アエロジルR972:日本アエロジル株式会社製商品名、シリカ、平均粒径0.016μm。アクリルゴムHTR-860P:帝国化学産業株式会社製商品名、重量平均分子量80万、グリシジル官能基3、Tg:-9°C。アクリルゴムHTR-860P-230k-10:帝国化学産業株式会社製サンプル名、重量平均分子量23万、グリシジル官能基10、Tg:-7°C。A-1160:GE東芝株式会社製商品名、γ-ウレイドプロピルトリエトキシシラン。A-189:GE東芝株式会社製商品名、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン。キュアゾール2PZ-CN:四国化成工業株式会社製商品名、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール。BY16-799:東レダウ株式会社製商品名、末端官能基:フェノール、R1:メチル、n:平均16。BY16-853U:東レダウ株式会社製商品名、末端官能基:アミン、R1:メチル、n:平均10。BY16-752A:東レダウ株式会社製商品名、末端官能基:フェノール、R1:メチル、n:平均36。ダイシングテープA:日立化成製ダイシングダイボンディング一体型接着シートFH-9017に使用しているダイシングテープ。次に、得られたワニスを100メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡した。真空脱泡後のワニスを、厚さ38μmの離型処理を施したポリエチレンテレフタレートPETフィルム上に塗布した。塗布したワニスを、90°Cで5分間、続いて140°Cで5分間の2段階で加熱乾燥した。こうして支持フィルムとしてのPETフィルム上に、Bステージ状態にある厚み40μmのフィルム状接着剤を備えた接着シートを得た。なお、得られた接着シートの接着剤面をポリエチレンPEフィルムと貼り合わせて3層構造とすることで、接着剤面への異物付着を防止した。なお、比較例4の配合品では、シリコーン骨格を有する樹脂の添加量が多いため得られたフィルム状接着剤の表面に当該樹脂が液滴として染み出しており、均一なフィルム状接着剤を得ることができなかった。<各種物性の評価>得られた接着シートのフィルム状接着剤について、80°Cでのずり粘度、基板凹凸の埋込性、接着強度の測定、30°Cのタック力の測定、ピックアップ高さの評価を行った。[ずり粘度の測定]フィルム状接着剤のずり粘度は下記の方法により評価した。上記接着シート4枚から、支持フィルムを剥離除去した後、4枚のフィルム状接着剤を60°Cで貼り合わせて厚み160μmの積層体を得た。次いで、その積層体を、厚み方向に直径25mmの円形状に切り出し、直径25mm、厚み160μmの円形状の積層体を得た。粘弾性測定装置ARESレオメトリックサイエンティフィック社製に直径25mmの円形アルミプレート治具をセットし、更にここに打ち抜いた円板状の積層体をセットした。その後、15の歪みを与えつつ、35°Cから5°C/分の昇温速度で昇温しながらずり粘度を8秒ごとに測定し、80°Cでの測定値を記録した。結果を表5及び6に示す。[基板凹凸の埋込性]フィルム状接着剤の基板凹凸埋込性は下記の方法により評価した。フィルム状接着剤を厚み75μmの半導体ウェハに60°Cで貼り付けた。次に、それらを7.5mm角にダイシングしてチップを得た。個片化したチップの接着剤側をレジスト商品名AUS308、太陽インキ社製を塗布した基板日立化成工業社製、商品名E-697FG、基板段差6μm表面上に、120°C、0.10MPa、1秒間の条件で熱圧着してサンプルを得た。その後、超音波映像装置SAT日立建機製、品番FS200II、プローブ:120MHzにてサンプルを検査し、未充填部位の面積比が15以下であるものを埋込性良好○とした。結果を表5及び6に示す。[接着強度の測定]フィルム状接着剤のダイシェア強度接着強度を下記の方法により測定した。まず、接着シートのフィルム状接着剤を厚み400μmの半導体ウェハに60°Cで貼り付けた。次に、それらを5.0mm角にダイシングしてチップを得た。個片化したチップの接着剤側をレジスト商品名AUS308、太陽インキ社製を塗布した基板日立化成工業社製、商品名E-697FG表面上に、120°C、250gf/cm2、1秒間の条件で熱圧着してサンプルを得た。その後、得られたサンプルの接着剤を110°Cで1時間、120°Cで1時間、170°Cで3時間の順のステップキュアにより硬化した。更に、接着剤硬化後のサンプルを85°C、60RH条件の下、168時間放置した。放置後即座に250°Cでダイシェア強度を測定し、これを接着強度とした。結果を表5及び6に示す。[30°Cのタック力の測定]フィルム状接着剤の30°Cのタック力を下記の方法により測定した。両面テープを貼り付けた硝子板厚み約4mmを用意し、2cmx5cmに切り出した接着シートのフィルム状接着剤から支持フィルムPETフィルムを剥離し、接着剤面と両面テープが密着するように貼り合せた。その後、異物付着防止用のPEフィルムを剥離することで、ガラス板で支持されたフィルム状接着剤を得た。タック強度試験機レスカ製、品番TAC-2、2kgプローブのプローブとヒートステージを30°Cに加熱し、ヒートステージ上に上記試験片を配置した。20秒放置した後、タック強度を測定した。10回測定した平均値を30°Cのタック力として記録した。結果を表5及び6に示す。[ピックアップ高さ]ピックアップ高さは下記の方法により評価した。フィルム状接着剤からPEフィルムを剥離し、ダイシングテープAと貼り合せた。その後、フィルム状接着剤由来のPETフィルムを剥離し、厚み50μmの半導体ウェハドライポリッシュ処理品に60°Cで貼り付けた。次に、表3に記載の条件で10mm角にダイシングし、UV照射50mW/cm2,100mJ/cm2することで評価用サンプルを得た。これをキャノンマシナリー製ダイボンダBestemD02にて図1の突き上げピン配置で表4に記載の条件で突き上げることで接着剤付チップをダイシングテープから剥離させ、ピックアップ性を評価した。40個のチップを100の確率でピックアップできたピン高さをピックアップ高さとして記録した。結果を表5及び6に示す。表5及び6に示した結果から明らかなように、実施例1~4のフィルム状接着剤は、接着強度、基板上の凹凸の埋込性及び接着強度に優れるとともに、比較例1及び2の接着シートと比較してピックアップ高さを低くし、より容易にダイシングテープから剥離することが可能であることが明らかとなった。一方、比較例3のフィルム状接着剤は、ピックアップ高さは低いものの、ずり粘度が高く、基板凹凸の埋込性が不十分であり、接着強度も低い。"