寄生ダイオード及び外付けダイオードを有さず、且つダイオード動作が可能なスイッチング素子を上下アーム各々に用いて構成されるスイッチング回路と、前記スイッチング素子を駆動させスイッチング素子のソースとゲート電極間に負バイアス電圧を印加できる駆動回路と、前記駆動回路を制御しモータを駆動させる制御手段とを備え、前記制御手段は、前記負バイアスの電圧に応じて、デッドタイムの時間を切り換えることを特徴とするインバータ制御回路。スイッチング素子は、ダイヤモンド、GaN、SiC等のワイドギャップ半導体であることを特徴とする請求項1に記載のインバータ制御回路。ブラシレスファンモータの制御回路が、請求項1または2に記載のインバータ制御回路により構成されたことを特徴とする電気掃除機。しかしながら、前記従来の構成では、スイッチング素子として、寄生ダイオードを有さず、ゲートがオン状態の時は、双方向に電流を通電するFETとして動作し、ゲートがオフ状態の時はドレインがカソードで、ソースがアノードであるダイオードとして機能し、その順方向立ち上がり電圧がスイッチング素子の閾値電圧となる素子を使用した場合には、ダイオードとしての機能は、スイッチング素子の閾値電圧が順方向立ち上がり電圧となるため、駆動時のノイズ等により誤動作を防ぐのにゲート電圧に負バイアスを印加する構成とした場合には、損失が大きくなってしまうという課題があった。本発明は、前記従来の課題を解決するもので、負バイアスを印加する電圧に応じてデッドタイムを切り換えることにより、スイッチング素子の損失を低減することが可能なインバータ制御回路を提供することを目的とする。前記従来の課題を解決するために、本発明のインバータ制御回路は、寄生ダイオード及び外付けダイオードを有さず、且つダイオード動作が可能なスイッチング素子を上下アーム各々に用いて構成されるスイッチング回路と、スイッチング素子を駆動させスイッチング素子のソースとゲート電極間に負バイアス電圧を印加できる駆動回路と、駆動回路を制御しモータを駆動させる制御手段とを備え、負バイアスを印加する電圧に応じて、デッドタイムを切り換える構成とした。これにより、スイッチング素子を駆動させる際に印加する負バイアスの電圧に応じて、デッドタイムを切り換えることによって、スイッチング素子がダイオードとして機能している場合において、損失を低減させることができる。本発明のインバータ制御回路は、スイッチング素子が寄生ダイオードを有さず、ゲートがオン状態の時は、双方向に電流を通電するFETとして動作し、ゲートがオフ状態の時はドレインがカソードで、ソースがアノードであるダイオードとして機能し、その順方向立ち上がり電圧がスイッチング素子の閾値電圧となる素子を使用した場合において、スイッチング素子の損失を低減させるインバータ制御回路を提供することができる。第1の発明は、寄生ダイオード及び外付けダイオードを有さず、且つダイオード動作が可能なスイッチング素子を上下アーム各々に用いて構成されるスイッチング回路と、スイッチング素子を駆動させスイッチング素子のソースとゲート電極間に負バイアス電圧を印加できる駆動回路と、駆動回路を制御しモータを駆動させる制御手段とを備え、負バイアスの印加電圧に応じて、デッドタイムを切り換えることを特徴としている。これにより、スイッチング素子の損失を低減することができる。第2の発明は、スイッチング素子は、ダイヤモンド、GaN、SiC等のワイドギャップ半導体であることを特徴としている。これにより、スイッチングする際のスイッチング損失や、スイッチング素子が導通している際の導通損失を低減でき、インバータ制御回路の省エネを図ることができる。第3の発明は、電気掃除機のファンモータの駆動装置が、請求項1または2記載のインバータ制御回路により構成されたことを特徴としている。これにより、省エネで効率の良い電気掃除機を提供することが可能となる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、この実施の形態によって本発明が限定されるものではない。実施の形態1図1は、モータ駆動用インバータ装置を例とした本実施の形態1の主要回路構成を示すものであり、電力変換回路、インバータ回路を示す。100V商用電源20より整流回路力率改善回路などを包含するフィルタ回路部21、平滑回路22とのコンバータ回路を介して、所定のタイミングでオンオフするスイッチング素子23により所定の周波数の高周波電力を発生させるインバータ回路である。24はゲートドライブ回路と負バイアス用電源変換回路であり、駆動信号を供給する制御手段25からの信号を受けて、スイッチング素子を駆動する。また制御手段25で負バイアスの印加電圧に応じて、スイッチング素子を駆動するための信号のデッドタイムを切り換える。26はブラシレスモータであり、27はファンである。現在、スイッチング素子としては、シリコンを半導体材料とする半導体デバイスが主流となっている。これらの半導体デバイスを用途に応じて適切に選択し使用している。例えば、MOSFET金属/酸化膜/半導体電界効果トランジスタやIGBT絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、サイリスタなどが主に使用されている。しかしながら近年、炭化珪素SiC、窒化ガリウムGaNなどのワイドギャップ半導体材料が、シリコンよりも高耐圧かつ低損失、高出力で高周波動作などの優れたパワー半導体デバイスを実現可能な半導体材料として注目されており、実用レベルに到達しているものも存在してきている。スイッチング速度においては、シリコン系パワー半導体の3倍以上の高速スイッチングも可能である。本実施の形態1では、スイッチング素子23として、寄生ダイオードを有さず、ゲートがオン状態の時は、双方向に電流を通電するFETとして動作し、ゲートがオフ状態の時はドレインがカソードで、ソースがアノードであるダイオードとして機能し、その順方向立ち上がり電圧がスイッチング素子の閾値電圧となるスイッチング素子であればどの半導体材料を使用しても良い。またブラシレスモータ26は、中性点を中心に結線された3つの相巻線を有する固定子、および永久磁石を有する回転子で構成され、相巻線に電流が流れることにより生じる磁界と永久磁石が作る磁界との相互作用により、回転子が回転する。また、制御手段25は主な機能として位相角が異なる複数の変調信号を生成し、各変調信号と一定周波数の三角波信号との電圧比較により、スイッチング素子23を駆動させる駆動信号を発生させる。以上のように構成されたモータ駆動装置において、以下その動作、作用を説明する。交流電源20から入力された電源は、フィルタ回路部21により整流された後、平滑コンデンサ22を通して平滑化された直流電力として、制御手段25によりスイッチング素子23を所定のタイミングでオンオフさせることにより所望の交流に変換され、ファン27を負荷とするブラシレスモータ26を回転駆動する。次にブラシレスモータ26を回転駆動する際の電流の流れを図2、図3を参照して説明する。図2は、スイッチング素子23a、23cがオン状態、23bがオフ状態である場合を示している。スイッチング素子23aからブラシレスモータ26に流れた電流は、スイッチング素子23cを介して電源に帰還する。この時、ブラシレスモータ26の巻き線には磁気エネルギーが蓄積される。図3は、スイッチング素子23aとスイッチング素子23bの駆動信号を示しており、T1の期間が図2で示す動作となる。図4は、スイッチング素子23a、23bがオフ状態、23cがオン状態である場合を示しており、図3のT2の期間デッドタイムを示している。ブラシレスモータ26の巻き線に蓄積された磁気エネルギーにより、スイッチング素子23bとモータ6、スイッチング素子23cを介して還流する。この時、23bはドレインがカソードで、ソースがアノードのダイオードとして機能し、その順方向立ち上がり電圧がスイッチング素子23cの閾値電圧となっている。次に図3のT3期間となり、スイッチング素子23aがオフ状態、23b、23cがオン状態となる。この期間は、23bは、ゲートがオン状態であるため、双方向に電流を通電するFETとして動作して還流している。ここでT2の期間は、スイッチング素子23bはドレインがカソードで、ソースがアノードのダイオードとして機能し、その順方向立ち上がり電圧がスイッチング素子23cの閾値電圧となっているため、負バイアスを印加している状態であれば、電流が流れにくくスイッチング素子の損失も非常に大きいものとなる。そのため、制御手段25で負バイアスの印加電圧に応じて、スイッチング素子を駆動するための信号のデッドタイムを切り換えることにより、スイッチング素子がダイオードとして機能している期間を短くすることができ、スイッチング素子の損失を低減させることが可能となる。