"熱伝導率が10W/mK以上である熱伝導体と、前記熱伝導体の表面に積層されており、かつ半硬化物又は硬化物である第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層の前記熱伝導体側とは反対の表面に積層されており、かつ未硬化物又は半硬化物である第2の絶縁層とを備える積層体であって、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層とが、同一の硬化性組成物を用いて形成されており、前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層がそれぞれ、熱伝導率が10W/mK以上である無機フィラーを含み、前記第1の絶縁層の硬化率が50以上であり、前記第2の絶縁層の硬化率が80未満であり、前記硬化性組成物が、25°Cでの粘度が15000mPas以下である液状エポキシ化合物を含むか、又は融点が140°C未満である結晶性エポキシ化合物を含む積層体を用いて、前記積層体における前記第2の絶縁層の前記第1の絶縁層側とは反対の表面に導電層を積層する工程と、前記第1の絶縁層が半硬化物である場合に前記第1の絶縁層を硬化させ、かつ前記第2の絶縁層を硬化させる工程と、前記熱伝導体と前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層と前記導電層とをモールド樹脂内に埋め込む工程とを備える、パワー半導体モジュール用部品の製造方法。前記無機フィラーが板状フィラーを含む、請求項1に記載のパワー半導体モジュール用部品の製造方法。前記無機フィラーが、破砕フィラー又は球状フィラーと、前記板状フィラーとを含む、請求項2に記載のパワー半導体モジュール用部品の製造方法。前記第1の絶縁層100重量中、前記板状フィラーの含有量が10重量未満である、請求項2又は3に記載のパワー半導体モジュール用部品の製造方法。前記液状エポキシ化合物がビスフェノールF型エポキシ化合物である、請求項1~4のいずれか1項に記載のパワー半導体モジュール用部品の製造方法。前記結晶性エポキシ化合物がビフェニル型エポキシ化合物である、請求項1~5のいずれか1項に記載のパワー半導体モジュール用部品の製造方法。前記第1,第2の絶縁層全体100重量中、前記無機フィラーの含有量が85重量以上、95重量未満である、請求項1~6のいずれか1項に記載のパワー半導体モジュール用部品の製造方法。前記第2の絶縁層の厚みの前記第1の絶縁層の厚みに対する比が、0.3以上、1以下である、請求項1~7のいずれか1項に記載のパワー半導体モジュール用部品の製造方法。前記第1の絶縁層に含まれている前記無機フィラーの最大粒子径が50μm以下であり、かつ前記第2の絶縁層に含まれている前記無機フィラーの最大粒子径が50μm以下である、請求項1~8のいずれか1項に記載のパワー半導体モジュール用部品の製造方法。前記硬化性組成物が、下記式1又は下記式2で表されるリン化合物を含む、請求項1~9のいずれか1項に記載のパワー半導体モジュール用部品の製造方法。前記硬化性組成物が、融点が180°C以上であるアミン硬化剤を含む、請求項1~10のいずれか1項に記載のパワー半導体モジュール用部品の製造方法。前記積層体における硬化前の未硬化物又は半硬化物である前記第2の絶縁層の130°Cでの粘度が1000Pas以上、20000Pas以下である、請求項1~11のいずれか1項に記載のパワー半導体モジュール用部品の製造方法。前記熱伝導体の厚みが100μm以上、1mm以下である、請求項1~12のいずれか1項に記載のパワー半導体モジュール用部品の製造方法。前記熱伝導体が、アルミニウム又は銅である、請求項1~13のいずれか1項に記載のパワー半導体モジュール用部品の製造方法。上述したように、近年、電気機器の小型化及び高性能化が進行しており、電子部品から発生する熱を放散させる必要が高まっている。特に、特許文献1に記載の電力用半導体装置などのパワー半導体モジュールなどでは、発熱源からかなり大きな熱量が発生しやすい。しかしながら、特許文献1に記載のような従来の絶縁シートを用いた場合には、絶縁層の熱伝導率が低くなり、充分な放熱性が得られないことがある。さらに、熱伝導率が10W/mK以上である熱伝導体を絶縁層を介して、リードなどの導電層に接着したときに、絶縁層と導電層との接着性が低くなることがある。本発明の目的は、絶縁層の熱伝導性を高めることができ、かつ絶縁層と導電層との接着性を高めることができる積層体を提供することである。また、本発明の目的は、絶縁層の熱伝導性が高く、かつ絶縁層と導電層との接着性が高いパワー半導体モジュール用部品を得ることができるパワー半導体モジュール用部品の製造方法を提供することである。本発明の広い局面によれば、熱伝導率が10W/mK以上である熱伝導体と、該熱伝導体の表面に積層されており、かつ半硬化物又は硬化物である第1の絶縁層と、該第1の絶縁層の上記熱伝導体側とは反対の表面に積層されており、かつ未硬化物又は半硬化物である第2の絶縁層とを備え、上記第1の絶縁層と上記第2の絶縁層とが、同一の硬化性組成物を用いて形成されており、上記第1の絶縁層及び第2の絶縁層がそれぞれ、熱伝導率が10W/mK以上である無機フィラーを含み、上記第1の絶縁層の硬化率が50以上であり、上記第2の絶縁層の硬化率が80未満であり、上記硬化性組成物が、25°Cでの粘度が15000mPas以下である液状エポキシ化合物を含むか、又は融点が140°C未満である結晶性エポキシ化合物を含む、積層体が提供される。また、本発明の広い局面によれば、上述した積層体を用いたパワー半導体モジュール用部品の製造方法が提供される。すなわち、本発明の広い局面によれば、熱伝導率が10W/mK以上である熱伝導体と、上記熱伝導体の表面に積層されており、かつ半硬化物又は硬化物である第1の絶縁層と、上記第1の絶縁層の上記熱伝導体側とは反対の表面に積層されており、かつ未硬化物又は半硬化物である第2の絶縁層とを備える積層体であって、上記第1の絶縁層と上記第2の絶縁層とが、同一の硬化性組成物を用いて形成されており、上記第1の絶縁層及び第2の絶縁層がそれぞれ、熱伝導率が10W/mK以上である無機フィラーを含み、上記第1の絶縁層の硬化率が50以上であり、上記第2の絶縁層の硬化率が80未満であり、上記硬化性組成物が、25°Cでの粘度が15000mPas以下である液状エポキシ化合物を含むか、又は融点が140°C未満である結晶性エポキシ化合物を含む積層体を用いて、上記積層体における上記第2の絶縁層の上記第1の絶縁層側とは反対の表面に導電層を積層する工程と、上記第1の絶縁層が半硬化物である場合に上記第1の絶縁層を硬化させ、かつ上記第2の絶縁層を硬化させる工程と、上記熱伝導体と上記第1の絶縁層と上記第2の絶縁層と上記導電層とをモールド樹脂内に埋め込む工程とを備える、パワー半導体モジュール用部品の製造方法が提供される。本明細書では、上述した積層体に関する発明と、上述したパワー半導体装置用モジュール用部品の製造方法に関する発明との双方が開示される。上記無機フィラーは、板状フィラーを含むことが好ましい。上記無機フィラーは、破砕フィラー又は球状フィラーと、上記板状フィラーとを含むことが好ましい。上記第1の絶縁層100重量中、上記板状フィラーの含有量は、10重量未満であることが好ましい。上記液状エポキシ化合物は、ビスフェノールF型エポキシ化合物であることが好ましい。上記結晶性エポキシ化合物は、ビフェニル型エポキシ化合物であることが好ましい。上記第1,第2の絶縁層全体100重量中、上記無機フィラーの含有量が85重量以上、95重量未満であることが好ましい。上記第2の絶縁層の厚みの上記第1の絶縁層の厚みに対する比が、0.3以上、1以下であることが好ましい。上記第1の絶縁層に含まれている上記無機フィラーの最大粒子径が50μm以下であり、かつ上記第2の絶縁層に含まれている上記無機フィラーの最大粒子径が50μm以下であることが好ましい。上記硬化性組成物は、下記式1又は下記式2で表されるリン化合物を含むことが好ましい。上記硬化性組成物が、融点が180°C以上であるアミン硬化剤を含むことが好ましい。上記積層体における硬化前の未硬化物又は半硬化物である上記第2の絶縁層の130°Cでの粘度が1000Pas以上、20000Pas以下である。上記熱伝導体の厚みは100μm以上、1mm以下であることが好ましい。上記熱伝導体は、アルミニウム又は銅であることが好ましい。本発明に係る積層体は、熱伝導率が10W/mK以上である熱伝導体と、該熱伝導体の表面に積層されており、かつ半硬化物又は硬化物である第1の絶縁層と、該第1の絶縁層の上記熱伝導体側とは反対の表面に積層されており、かつ未硬化物又は半硬化物である第2の絶縁層とを備えており、上記第1の絶縁層と上記第2の絶縁層とが、同一の硬化性組成物を用いて形成されており、上記第1の絶縁層及び上記第2の絶縁層がそれぞれ、熱伝導率が10W/mK以上である無機フィラーを含み、上記第1の絶縁層の硬化率が50以上であり、上記第2の絶縁層の硬化率が80未満であり、上記硬化性組成物が、25°Cでの粘度が15000mPas以下である液状エポキシ化合物を含むか、又は融点が140°C未満である結晶性エポキシ化合物を含むので、絶縁層の熱伝導性を高めることができる。さらに、上記第2の絶縁層の上記第1の絶縁層側とは反対の表面に導電層を積層することにより、絶縁層と導電層との接着性を高めることができる。本発明に係るパワー半導体モジュール用部品の製造方法は、熱伝導率が10W/mK以上である熱伝導体と、該熱伝導体の表面に積層されており、かつ半硬化物又は硬化物である第1の絶縁層と、該第1の絶縁層の上記熱伝導体側とは反対の表面に積層されており、かつ未硬化物又は半硬化物である第2の絶縁層とを備える積層体であって、上記第1の絶縁層と上記第2の絶縁層とが、同一の硬化性組成物を用いて形成されており、上記第1の絶縁層及び上記第2の絶縁層がそれぞれ、熱伝導率が10W/mK以上である無機フィラーを含み、上記第1の絶縁層の硬化率が50以上であり、上記第2の絶縁層の硬化率が80未満であり、上記硬化性組成物が、25°Cでの粘度が15000mPas以下である液状エポキシ化合物を含むか、又は融点が140°C未満である結晶性エポキシ化合物を含む積層体を用いて、上記積層体における上記第2の絶縁層の上記第1の絶縁層側とは反対の表面に導電層を積層する工程と、上記第1の絶縁層が半硬化物である場合に上記第1の絶縁層を硬化させ、かつ上記第2の絶縁層を硬化させる工程と、上記熱伝導体と上記第1の絶縁層と上記第2の絶縁層と上記導電層とをモールド樹脂内に埋め込む工程とを備えるので、絶縁層の熱伝導性が高く、かつ絶縁層と導電層との接着性が高いパワー半導体モジュール用部品を得ることができる。本発明に係る積層体は、熱伝導率が10W/mK以上である熱伝導体と、該熱伝導体の表面に積層されており、かつ半硬化物又は硬化物である第1の絶縁層と、該第1の絶縁層の上記熱伝導体側とは反対の表面に積層されており、かつ未硬化物又は半硬化物である第2の絶縁層とを備える。上記第1の絶縁層と上記第2の絶縁層とは、同一の硬化性組成物を用いて形成されている。上記第1の絶縁層及び上記第2の絶縁層がそれぞれ、熱伝導率が10W/mK以上である無機フィラーを含む。上記第1の絶縁層の硬化率は50以上であり、上記第2の絶縁層の硬化率は80未満である。上記硬化性組成物は、25°Cでの粘度が15000mPas以下である液状エポキシ化合物を含むか、又は融点が140°C未満である結晶性エポキシ化合物を含む。上記硬化性組成物は、25°Cでの粘度が15000mPas以下である液状エポキシ化合物を含むか、又は融点が140°C未満である結晶性エポキシ化合物を含むので、第2の絶縁層は、25°Cでの粘度が15000mPas以下である液状エポキシ化合物を用いて形成されているか、又は融点が140°C未満である結晶性エポキシ化合物を用いて形成されている。本発明に係る積層体における上記構成の採用により、絶縁層の熱伝導性を高めることができる。さらに、上記第2の絶縁層の上記第1の絶縁層側とは反対の表面に導電層を積層することにより、絶縁層と導電層との接着性を高めることができる。本発明に係るパワー半導体モジュール用部品の製造方法では、上述した積層体が用いられる。本発明に係るパワー半導体モジュール用部品の製造方法は、上述した積層体を用いて、上記積層体における上記第2の絶縁層の上記第1の絶縁層側とは反対の表面に導電層を積層する工程と、上記第1の絶縁層が半硬化物である場合に上記第1の絶縁層を硬化させ、かつ上記第2の絶縁層を硬化させる工程と、上記熱伝導体と上記第1の絶縁層と上記第2の絶縁層と上記導電層とをモールド樹脂内に埋め込む工程とを備える。本発明に係るパワー半導体モジュール用部品の製造方法における上記構成の採用により、絶縁層の熱伝導性が高く、かつ絶縁層と導電層との接着性が高いパワー半導体モジュール用部品を得ることができる。特に、上記第1の絶縁層及び上記第2の絶縁層がそれぞれ、熱伝導率が10W/mK以上である無機フィラーを含むことによって、硬化物である第2の絶縁層と導電層との接着性を高く維持しつつ、絶縁層全体での熱伝導性を高めることができる。さらに、上記第1の絶縁層の硬化率が50以上であり、上記第2の絶縁層の硬化率が80未満であることによって、絶縁層全体での熱伝導性を高く維持しつつ、硬化物である第2の絶縁層と導電層との接着性を効果的に高めることができる。さらに、上記硬化性組成物が、25°Cでの粘度が15000mPas以下である液状エポキシ化合物を含むか、又は融点が140°C未満である結晶性エポキシ化合物を含むので、絶縁層全体での熱伝導性と、硬化物である第2の絶縁層と導電層との接着性との双方をバランスよく高めることができる。上記硬化性組成物は、硬化性化合物として上記液状エポキシ化合物のみを含んでいてもよく、硬化性化合物として上記結晶性エポキシ化合物のみを含んでいてもよく、硬化性化合物として上記液状エポキシ化合物と上記結晶性エポキシ化合物との双方を含んでいてもよい。上記第1の絶縁層は、硬化が進行されておりかつ更に硬化可能である半硬化物であってもよく、硬化を終えた硬化物であってもよい。上記第2の絶縁層は、全く硬化されておらずかつ硬化可能である未硬化物であってもよく、硬化が進行されておりかつ更に硬化可能である半硬化物であってもよい。上記積層体における硬化前の半硬化物又は硬化物である上記第1の絶縁層の硬化率は、50以上であり、より好ましくは60以上、更に好ましくは70以上である。上記第1の絶縁層の硬化率は、80以上であってもよく、90以上であってもよく、95以上であってもよく、100であってもよい。上記積層体における硬化前の未硬化物又は半硬化物である上記第2の絶縁層の硬化率は80未満である。上記第2の絶縁層の硬化率は、1以上であることが好ましく、10以上であってもよく、20以上であってもよい。上記第2の絶縁層の硬化率は、70未満であってもよく、60未満であってもよく、50未満であってもよい。絶縁層全体での熱伝導性と、硬化物である第2の絶縁層と導電層との接着性との双方をバランスよく高める観点からは、上記第1の絶縁層の硬化率は、上記第2の絶縁層の硬化率よりも大きいことが好ましく、1以上大きいことがより好ましく、5以上大きいことが更に好ましく、10以上大きいことが特に好ましい。上記第1の絶縁層の硬化率は、上記第2の絶縁層の硬化率よりも20以上大きくてもよく、30以上大きくてもよい。上記第1,第2の絶縁層の硬化率は、未硬化の絶縁層を加熱する際の硬化発熱を測定することにより求められる。硬化率を測定する際には、例えば、示差走査型熱量分析DSC装置SIIナノテクノロジー社製DSC7020等が用いられる。上記第1,第2の絶縁層の硬化率は、具体的には、以下のようにして測定される。測定開始温度30°C及び昇温速度8°C/分で、第1の絶縁層又は第2の絶縁層を180°Cまで昇温し1時間保持する。この昇温で第1の絶縁層又は第2の絶縁層を硬化させた時に発生する熱量以下熱量Aとするを測定する。また、厚み50μmの離型PETポリエチレンテレフタレートシートに、第1の絶縁層及び第2の絶縁層を形成するための硬化性組成物を厚み80μmとなるように塗工し、23°C及び0.01気圧の常温真空下において1時間乾燥すること以外は上記積層体における第1の絶縁層又は第2の絶縁層と同様にして、非加熱で乾燥された未硬化状態の絶縁層を用意する。この絶縁層を用いて、上記の熱量Aの測定と同様にして、昇温硬化させたときに発生する熱量以下、熱量Bとするを測定する。得られた熱量A及び熱量Bから、下記の式により上記第1,第2の絶縁層の硬化率を求める。硬化率=[1-熱量A/熱量B]×100上記積層体における硬化前の未硬化物又は半硬化物である上記第2の絶縁層の130°Cにおける粘度ηは、好ましくは1000Pas以上、より好ましくは5000Pas以上、更に好ましくは6000Pas以上、好ましくは20000Pas以下、より好ましくは15000Pas以下である。上記粘度ηが上記下限以上及び上記上限以下であると、導電層の接着時に第2の絶縁層の厚みが変化し難くなって硬化物の耐電圧性が安定化し、かつある程度の変形で硬化物である第2の絶縁層と導電層との接着性がより一層高くなる。上記粘度ηは、硬化前の未硬化物又は半硬化物である第2の絶縁層を、23°Cから昇温速度8°C/分で加熱したときの130°Cでの粘度を示す。なお、上記粘度ηを規定した温度を130°Cとしたのは、導電層との接着に好適な温度が130°C付近であるためである。上記粘度ηを測定する際には、例えば、動的粘弾性測定装置レオロジカインスツルメンツ社製VAR-100等が用いられる。熱伝導体と第1の絶縁層との剥離をより一層抑制し、かつ積層体における絶縁層を硬化させた後に反りの発生をより一層抑制する観点からは、上記第1の絶縁層が硬化物である場合に硬化物である上記第1の絶縁層の熱線膨張率が20ppm/°C以下であり、上記第1の絶縁層が半硬化物である場合に硬化後の硬化物である上記第1の絶縁層の熱線膨張率が20ppm/°C以下であることが好ましい。熱伝導体と第1の絶縁層との剥離をより一層抑制し、かつ積層体における絶縁層を硬化させた後に反りの発生をより一層抑制する観点からは、硬化物である第1の絶縁層の熱線膨張率は、好ましくは3ppm/°C以上、より好ましくは18ppm/°C以下である。上記熱線膨張率を測定する際には、例えば、熱機械分析装置SIIナノテクノロジー社製TMA/SS7000等が用いられる。なお、上記積層体における上記第1の絶縁層が半硬化物である場合に、熱線膨張率を測定するための硬化物である上記第1の絶縁層は、半硬化物である第1の絶縁層を、200°Cで1時間硬化させることにより得られることが好ましい。上記第2の絶縁層の厚みの上記第1の絶縁層の厚みに対する比第2の絶縁層の厚み/第1の絶縁層の厚みは、好ましくは0.03以上、より好ましくは0.1以上、更に好ましくは0.3以上、好ましくは10以下、より好ましくは3以下、更に好ましくは1以下である。絶縁層全体での熱伝導性と、硬化物である第2の絶縁層と導電層との接着性との双方をバランスよく高める観点からは、上記第2の絶縁層の厚みの上記第1の絶縁層の厚みに対する比は、0.3以上、1以下であることが特に好ましい。第1,第2の絶縁層の合計の厚みは特に限定されない。第1,第2の絶縁層の合計の厚みは、好ましくは80μm以上、より好ましくは100μm以上、好ましくは200μm以下、より好ましくは170μm以下である。第1,第2の絶縁層の合計の厚みが上記下限以上であると、絶縁層全体での放熱性と、硬化物である第2の絶縁層と導電層との接着性及び絶縁層全体での耐電圧性がバランスよく高くなる。上記第1の絶縁層と上記第2の絶縁層とは、同一の硬化性組成物を用いて形成されている。上記第1の絶縁層と上記第2の絶縁層とはそれぞれ、熱伝導率が10W/mK以上である無機フィラーCを含む。上記硬化性組成物は、熱伝導率が10W/mK以上である無機フィラーCを含むことが好ましい。上記第1の絶縁層と上記第2の絶縁層とはそれぞれ、硬化性化合物Aと硬化剤Bとを用いて形成されていることが好ましい。上記硬化性組成物は、硬化性化合物Aと硬化剤Bとを含むことが好ましい。以下、先ず、本発明に係る第1,第2の絶縁層に用いられる各成分の詳細を説明する。硬化性化合物A上記硬化性組成物は、25°Cでの粘度が15000mPas以下である液状エポキシ化合物を含むか、又は融点が140°C未満である結晶性エポキシ化合物を含む。25°Cでの粘度が15000mPas以下である液状エポキシ化合物、又は融点が140°C未満である結晶性エポキシ化合物は、硬化性化合物Aの一部又は全部として用いられている。上記硬化性組成物を用いて第2の絶縁層を形成しているので、上記第2の絶縁層は、25°Cでの粘度が15000mPas以下である液状エポキシ化合物を用いて形成されているか、又は融点が140°C未満である結晶性エポキシ化合物を用いて形成されている。上記粘度が15000mPasを超えるか又は融点が140°C以上であると、硬化物である絶縁層以下、単に硬化物と記載することがあるの第2の絶縁層と導電層との接着性が悪くなる。上記硬化性化合物Aは、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記硬化性化合物Aとして、25°Cでの粘度が15000mPas以下である液状エポキシ化合物、又は融点が140°C未満である結晶性エポキシ化合物と、これら以外の硬化性化合物とを用いてもよい。上記液状エポキシ化合物の粘度を測定する際には、例えば動的粘弾性測定装置レオロジカインスツルメンツ社製VAR-100等が用いられる。硬化物の熱伝導性を高く維持して、硬化物と導電層との接着性をより一層高める観点からは、上記液状エポキシ化合物は、ビスフェノールF型エポキシ化合物であることが好ましい。硬化物の熱伝導性を高く維持して、硬化物と導電層との接着性をより一層高める観点からは、上記結晶性エポキシ化合物は、ビフェニル型エポキシ化合物であることが好ましい。従って、上記硬化性組成物は、25°Cでの粘度が15000mPas以下である液状ビスフェノールF型エポキシ化合物を含むか、又は融点が140°C未満である結晶性ビフェニル型エポキシ化合物を含むことが好ましい。上記硬化性化合物Aは、熱硬化性化合物であることが好ましい。硬化性化合物Aは、環状エーテル基を有する硬化性化合物A1を含むこと好ましい。該環状エーテル基としては、エポキシ基及びオキセタニル基等が挙げられる。環状エーテル基を有する硬化性化合物A1は、エポキシ基又はオキセタニル基を有する硬化性化合物であることが好ましい。硬化性化合物Aは、硬化剤Bの作用により硬化する。硬化性化合物Aはそれぞれ、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。硬化性化合物A1は、エポキシ基を有するエポキシ化合物A1aを含んでいてもよく、オキセタニル基を有するオキセタン化合物A1bを含んでいてもよい。硬化物である絶縁層の耐熱性及び耐電圧性をより高める観点からは、硬化性化合物Aは芳香族骨格を有することが好ましい。硬化物の熱伝導性及び耐電圧性をより一層高める観点からは、上記第1の絶縁層に用いる硬化性化合物Aは、多環式芳香族骨格を有する硬化性化合物を含むことが好ましく、環状エーテル基及び多環式芳香族骨格を有する硬化性化合物を含むことがより好ましい。多環式芳香族骨格としては、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、キサンテン骨格、フルオレン骨格及びビフェニル骨格等が挙げられる。硬化物の熱伝導性及び耐電圧性をより一層高める観点からは、上記多環式芳香族骨格は、ビフェニル骨格であることが好ましい。硬化性化合物Aの合計100重量中、多環式芳香族骨格を有する硬化性化合物の含有量は、好ましくは30重量以上、より好ましくは50重量以上、更に好ましくは60重量以上である。硬化性化合物Aの全量が多環式芳香族骨格を有する硬化性化合物であってもよい。エポキシ基を有するエポキシ化合物A1aの具体例としては、ビスフェノール骨格を有するエポキシモノマー、ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシモノマー、ナフタレン骨格を有するエポキシモノマー、アダマンタン骨格を有するエポキシモノマー、フルオレン骨格を有するエポキシモノマー、ビフェニル骨格を有するエポキシモノマー、バイグリシジルオキシフェニルメタン骨格を有するエポキシモノマー、キサンテン骨格を有するエポキシモノマー、アントラセン骨格を有するエポキシモノマー、及びピレン骨格を有するエポキシモノマー等が挙げられる。これらの水素添加物又は変性物を用いてもよい。エポキシ化合物A1aは、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記ビスフェノール骨格を有するエポキシモノマーとしては、例えば、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型又はビスフェノールS型のビスフェノール骨格を有するエポキシモノマー等が挙げられる。上記ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシモノマーとしては、ジシクロペンタジエンジオキシド、及びジシクロペンタジエン骨格を有するフェノールノボラックエポキシモノマー等が挙げられる。上記ナフタレン骨格を有するエポキシモノマーとしては、1-グリシジルナフタレン、2-グリシジルナフタレン、1,2-ジグリシジルナフタレン、1,5-ジグリシジルナフタレン、1,6-ジグリシジルナフタレン、1,7-ジグリシジルナフタレン、2,7-ジグリシジルナフタレン、トリグリシジルナフタレン、及び1,2,5,6-テトラグリシジルナフタレン等が挙げられる。上記アダマンタン骨格を有するエポキシモノマーとしては、1,3-ビス4-グリシジルオキシフェニルアダマンタン、及び2,2-ビス4-グリシジルオキシフェニルアダマンタン等が挙げられる。上記フルオレン骨格を有するエポキシモノマーとしては、9,9-ビス4-グリシジルオキシフェニルフルオレン、9,9-ビス4-グリシジルオキシ-3-メチルフェニルフルオレン、9,9-ビス4-グリシジルオキシ-3-クロロフェニルフルオレン、9,9-ビス4-グリシジルオキシ-3-ブロモフェニルフルオレン、9,9-ビス4-グリシジルオキシ-3-フルオロフェニルフルオレン、9,9-ビス4-グリシジルオキシ-3-メトキシフェニルフルオレン、9,9-ビス4-グリシジルオキシ-3,5-ジメチルフェニルフルオレン、9,9-ビス4-グリシジルオキシ-3,5-ジクロロフェニルフルオレン、及び9,9-ビス4-グリシジルオキシ-3,5-ジブロモフェニルフルオレン等が挙げられる。上記ビフェニル骨格を有するエポキシモノマーとしては、4,4’-ジグリシジルビフェニル、及び4,4’-ジグリシジル-3,3’,5,5’-テトラメチルビフェニル等が挙げられる。上記バイグリシジルオキシフェニルメタン骨格を有するエポキシモノマーとしては、1,1’-バイ2,7-グリシジルオキシナフチルメタン、1,8’-バイ2,7-グリシジルオキシナフチルメタン、1,1’-バイ3,7-グリシジルオキシナフチルメタン、1,8’-バイ3,7-グリシジルオキシナフチルメタン、1,1’-バイ3,5-グリシジルオキシナフチルメタン、1,8’-バイ3,5-グリシジルオキシナフチルメタン、1,2’-バイ2,7-グリシジルオキシナフチルメタン、1,2’-バイ3,7-グリシジルオキシナフチルメタン、及び1,2’-バイ3,5-グリシジルオキシナフチルメタン等が挙げられる。上記キサンテン骨格を有するエポキシモノマーとしては、1,3,4,5,6,8-ヘキサメチル-2,7-ビス-オキシラニルメトキシ-9-フェニル-9H-キサンテン等が挙げられる。オキセタニル基を有するオキセタン化合物A1bの具体例としては、例えば、4,4’-ビス[3-エチル-3-オキセタニルメトキシメチル]ビフェニル、1,4-ベンゼンジカルボン酸ビス[3-エチル-3-オキセタニルメチル]エステル、1,4-ビス[3-エチル-3-オキセタニルメトキシメチル]ベンゼン、及びオキセタン変性フェノールノボラック等が挙げられる。オキセタン化合物A1bは、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。硬化物である絶縁層の耐熱性をより一層良好にする観点からは、硬化性化合物Aは、環状エーテル基を2つ以上有することが好ましい。硬化物の耐熱性をより一層良好にする観点からは、硬化性化合物Aの合計100重量中、環状エーテル基を2つ以上有する硬化性化合物の含有量は、好ましくは70重量以上、より好ましくは80重量以上、100重量以下である。硬化性化合物Aの合計100重量中、環状エーテル基を2つ以上有する硬化性化合物の含有量は10重量以上、100重量以下であってもよい。また、硬化性化合物Aの全体が、環状エーテル基を2つ以上有する硬化性化合物であってもよい。硬化性化合物Aの分子量は、10000未満であることが好ましい。硬化性化合物Aの分子量は、好ましくは200以上、より好ましくは1200以下、更に好ましくは600以下、特に好ましくは550以下である。硬化性化合物Aの分子量が上記下限以上であると、硬絶縁層の表面の粘着性が低くなり、積層体の取扱い性がより一層高くなる。硬化性化合物Aの分子量が上記上限以下であると、硬化物の接着性がより一層高くなる。さらに、硬化物が固くかつ脆くなり難く、硬化物の接着性がより一層高くなる。なお、本明細書において、硬化性化合物Aにおける分子量とは、重合体ではない場合、及び構造式が特定できる場合は、当該構造式から算出できる分子量を意味し、重合体である場合は、重量平均分子量を意味する。第1,第2の絶縁層を形成するための上記硬化性組成物に含まれている全樹脂成分以下、全樹脂成分Xと略記することがあるの合計100重量中、硬化性化合物Aの含有量は好ましくは50重量以上、より好ましくは60重量以上、好ましくは99.5重量以下、より好ましくは99重量以下、更に好ましくは98重量以下である。また、上記全樹脂成分Xの合計100重量中、25°Cでの粘度が15000mPas以下である液状エポキシ化合物と融点が140°C未満である結晶性エポキシ化合物との合計の含有量は好ましくは50重量以上、より好ましくは60重量以上、好ましくは99.5重量以下、より好ましくは99重量以下、更に好ましくは98重量以下である。硬化性化合物A又は特定の上記エポキシ化合物の含有量が上記下限以上であると、硬化物の接着性及び耐熱性がより一層高くなる。硬化性化合物A又は特定の上記エポキシ化合物の含有量が上記上限以下であると、上記硬化性組成物の塗工性がより一層高くなる。なお、全樹脂成分Xとは、硬化性化合物A、硬化剤B及び必要に応じて添加される他の樹脂成分の総和をいう。全樹脂成分Xに、無機フィラーCは含まれない。硬化剤B上記第1,第2の絶縁層は、硬化剤Bを用いて形成されていることが好ましい。上記硬化性組成物は、硬化剤Bを含むことが好ましい。硬化剤Bは、上記硬化性化合物Aを硬化させることが可能であれば特に限定されない。硬化剤Bは、熱硬化剤であることが好ましい。上記硬化剤Bは、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。硬化物の耐熱性をより一層高める観点からは、硬化剤Bは、芳香族骨格又は脂環式骨格を有することが好ましい。硬化剤Bは、アミン硬化剤アミン化合物、イミダゾール硬化剤、フェノール硬化剤フェノール化合物又は酸無水物硬化剤酸無水物を含むことが好ましく、アミン硬化剤を含むことがより好ましい。上記酸無水物硬化剤は、芳香族骨格を有する酸無水物、該酸無水物の水添加物もしくは該酸無水物の変性物を含むか、又は、脂環式骨格を有する酸無水物、該酸無水物の水添加物もしくは該酸無水物の変性物を含むことが好ましい。無機フィラーCの分散性を良好にし、更に硬化物の絶縁破壊電特性及び熱伝導性をより一層高める観点からは、硬化剤Bは塩基性の硬化剤を含むことが好ましい。また、無機フィラーCの分散性をより一層良好にし、更に硬化物の絶縁破壊電特性及び熱伝導性をより一層高める観点からは、硬化剤Bは、アミン硬化剤又はイミダゾール硬化剤を含むことがより好ましく、アミン硬化剤を含むことがより好ましく、ジシアンジアミドを含むことが特に好ましい。また、硬化剤Bは、ジシアンジアミドとイミダゾール硬化剤との双方を含むことも好ましい。これらの好ましい硬化剤の使用により、無機フィラーCの上記硬化性組成物中での分散性が高くなり、更に耐熱性、耐湿性及び電気物性のバランスに優れた硬化物が得られる。この結果、無機フィラーCの含有量が多くても、熱伝導性がかなり高くなる。特にジシアンジアミドを用いた場合、硬化物と熱伝導体及び導電層との接着性がかなり高くなる。上記アミン硬化剤としては、ジシアンジアミド、イミダゾール化合物及びジアミノジフェニルメタン及びジアミノジフェニルスルフォン等が挙げられる。硬化物と熱伝導体及び導電層との接着性をより一層高める観点からは、上記アミン硬化剤は、ジシアンジアミド又はイミダゾール化合物を含むことがより一層好ましい。硬化前の絶縁層の貯蔵安定性をより一層高める観点からは、上記硬化剤Bは、融点が180°C以上である硬化剤を含むことが好ましく、融点が180°C以上であるアミン硬化剤を含むことがより好ましい。上記イミダゾール硬化剤としては、2-ウンデシルイミダゾール、2-ヘプタデシルイミダゾール、2-メチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール、1,2-ジメチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-1’]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-ウンデシルイミダゾリル-1’]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-エチル-4’-メチルイミダゾリル-1’]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-1’]-エチル-s-トリアジンイソシアヌル酸付加物、2-フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2-メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール及び2-フェニル-4-メチル-5-ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。上記フェノール硬化剤としては、フェノールノボラック、o-クレゾールノボラック、p-クレゾールノボラック、t-ブチルフェノールノボラック、ジシクロペンタジエンクレゾール、ポリパラビニルフェノール、ビスフェノールA型ノボラック、キシリレン変性ノボラック、デカリン変性ノボラック、ポリジ-o-ヒドロキシフェニルメタン、ポリジ-m-ヒドロキシフェニルメタン、及びポリジ-p-ヒドロキシフェニルメタン等が挙げられる。硬化物の柔軟性及び硬化物の難燃性をより一層高める観点からは、メラミン骨格を有するフェノール樹脂、トリアジン骨格を有するフェノール樹脂、又はアリル基を有するフェノール樹脂が好ましい。上記フェノール硬化剤の市販品としては、MEH-8005、MEH-8010及びMEH-8015以上いずれも明和化成社製、YLH903三菱化学社製、LA-7052、LA-7054、LA-7751、LA-1356及びLA-3018-50P以上いずれもDIC社製、並びにPS6313及びPS6492以上いずれも群栄化学社製等が挙げられる。上記芳香族骨格を有する酸無水物、該酸無水物の水添加物又は該酸無水物の変性物としては、例えば、スチレン/無水マレイン酸コポリマー、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、ピロメリット酸無水物、トリメリット酸無水物、4,4’-オキシジフタル酸無水物、フェニルエチニルフタル酸無水物、グリセロールビスアンヒドロトリメリテートモノアセテート、エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、及びトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。上記芳香族骨格を有する酸無水物、該酸無水物の水添加物又は該酸無水物の変性物の市販品としては、SMAレジンEF30、SMAレジンEF40、SMAレジンEF60及びSMAレジンEF80以上いずれもサートマージャパン社製、ODPA-M及びPEPA以上いずれもマナック社製、リカシッドMTA-10、リカシッドMTA-15、リカシッドTMTA、リカシッドTMEG-100、リカシッドTMEG-200、リカシッドTMEG-300、リカシッドTMEG-500、リカシッドTMEG-S、リカシッドTH、リカシッドHT-1A、リカシッドHH、リカシッドMH-700、リカシッドMT-500、リカシッドDSDA及びリカシッドTDA-100以上いずれも新日本理化社製、並びにEPICLONB4400、EPICLONB650、及びEPICLONB570以上いずれもDIC社製等が挙げられる。上記脂環式骨格を有する酸無水物、該酸無水物の水添加物又は該酸無水物の変性物は、多脂環式骨格を有する酸無水物、該酸無水物の水添加物もしくは該酸無水物の変性物、又はテルペン系化合物と無水マレイン酸との付加反応により得られる脂環式骨格を有する酸無水物、該酸無水物の水添加物又は該酸無水物の変性物であることが好ましい。これらの硬化剤の使用により、硬化物の柔軟性、並びに硬化物の耐湿性及び接着性がより一層高くなる。上記脂環式骨格を有する酸無水物、該酸無水物の水添加物又は該酸無水物の変性物としては、メチルナジック酸無水物、ジシクロペンタジエン骨格を有する酸無水物又は該酸無水物の変性物等も挙げられる。上記脂環式骨格を有する酸無水物、該酸無水物の水添加物又は該酸無水物の変性物の市販品としては、リカシッドHNA及びリカシッドHNA-100以上いずれも新日本理化社製、並びにエピキュアYH306、エピキュアYH307、エピキュアYH308H及びエピキュアYH309以上いずれも三菱化学社製等が挙げられる。硬化剤Bは、メチルナジック酸無水物又はトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸であることも好ましい。メチルナジック酸無水物又はトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸の使用により、硬化物の耐水性が高くなる。上記全樹脂成分Xの合計100重量中、硬化剤Bの含有量は好ましくは0.5重量以上、より好ましくは1重量以上、好ましくは50重量以下、より好ましくは40重量以下である。硬化剤Bの含有量が上記下限以上であると、上記硬化性組成物を充分に硬化させることが容易である。硬化剤Bの含有量が上記上限以下であると、硬化に関与しない余剰な硬化剤Bが発生し難くなる。このため、硬化物の耐熱性及び接着性がより一層高くなる。無機フィラーC上記第1,第2の絶縁層はそれぞれ、熱伝導率が10W/mK以上である無機フィラーCを含む。上記硬化性組成物は、無機フィラーCを含むことが好ましい。上記硬化性組成物は、熱伝導率が10W/mK以上である無機フィラーCを含むことが好ましい。無機フィラーCの使用により、硬化物の熱伝導性が高くなる。この結果、硬化物の熱伝導性が高くなる。上記第1,第2の絶縁層に用いる無機フィラーCはそれぞれ、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。硬化物の熱伝導性をより一層高める観点からは、第1,第2の絶縁層及び上記硬化性組成物に含まれている無機フィラーCの熱伝導率は好ましくは15W/mK以上、より好ましくは20W/mK以上である。無機フィラーCの熱伝導率の上限は特に限定されない。熱伝導率が300W/mK程度である無機フィラーは広く知られており、また熱伝導率が200W/mK程度である無機フィラーは容易に入手できる。無機フィラーCは、アルミナ、合成マグネサイト、結晶性シリカ、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化亜鉛及び酸化マグネシウムからなる群から選択された少なくとも1種であることが好ましく、アルミナ、結晶性シリカ、窒化ホウ素及び窒化アルミニウムからなる群から選択された少なくとも1種であることがより好ましい。これらの好ましい無機フィラーの使用により、硬化物の熱伝導性がより一層高くなる。無機フィラーCは、球状アルミナ、破砕アルミナ、結晶性シリカ、窒化ホウ素、凝集粒子及び球状窒化アルミニウムからなる群から選択された少なくとも1種であることがより好ましい。これらの好ましいフィラーの使用により、硬化物の熱伝導性がより一層高くなる。上記窒化ホウ素と上記凝集粒子とは、凝集粒子ではない窒化ホウ素と窒化ホウ素凝集粒子とであることが好ましい。無機フィラーCは、新モース硬度が12以下である無機フィラーを含むことが好ましい。上記新モース硬度が12以下である無機フィラーの新モース硬度は、より好ましくは9以下である。新モース硬度が上記上限以下である無機フィラーの使用により、硬化物の加工性がより一層高くなる。硬化物の加工性をより一層高める観点からは、無機フィラーCは、合成マグネサイト、結晶シリカ、酸化亜鉛、及び酸化マグネシウムからなる群から選択された少なくとも1種であることが好ましい。これらの無機フィラーの新モース硬度は9以下である。無機フィラーCは、球状のフィラー球状フィラーを含んでいてもよく、破砕されたフィラー破砕フィラーを含んでいてもよく、板状のフィラー板状フィラーを含んでいてもよい。無機フィラーCは、球状フィラーを含むことが特に好ましい。球状フィラーは高密度で充填可能であるため、球状フィラーの使用により硬化物の熱伝導性がより一層高くなる。上記破砕フィラーとしては、破砕アルミナ等が挙げられる。破砕フィラーは、例えば、一軸破砕機、二軸破砕機、ハンマークラッシャー又はボールミル等を用いて、塊状の無機物質を破砕することにより得られる。破砕フィラーの使用により、絶縁層中のフィラーが、橋掛け又は効率的に近接された構造となりやすい。従って、硬化物の熱伝導性がより一層高くなる。また、破砕フィラーは、一般的に、通常のフィラーに比べて安価である。このため、破砕フィラーの使用により、積層体のコストが低くなる。上記破砕フィラーの平均粒子径は、好ましくは12μm以下、より好ましくは10μm以下、好ましくは1μm以上である。破砕フィラーの平均粒子径が上記上限以下であると、上記硬化性組成物中に、破砕フィラーを高密度に分散させることが可能であり、硬化物の耐電圧性がより一層高くなる。破砕フィラーの平均粒子径が上記下限以上であると、破砕フィラーを高密度に充填させることが容易になる。破砕フィラーのアスペクト比は特に限定されない。破砕フィラーのアスペクト比は、好ましくは1.5以上、好ましくは20以下である。アスペクト比が1.5未満のフィラーは、比較的高価であり、積層体のコストが高くなる。上記アスペクト比が20以下であると、破砕フィラーの充填が容易である。上記破砕フィラーのアスペクト比は、例えば、デジタル画像解析方式粒度分布測定装置日本ルフト社製FPAを用いて、フィラーの破砕面を測定することにより求めることが可能である。無機フィラーCが球状フィラーである場合には、球状フィラーの平均粒子径は、好ましくは0.1μm以上、好ましくは40μm以下である。平均粒子径が0.1μm以上であると、無機フィラーCを高密度で容易に充填できる。平均粒子径が40μm以下であると、硬化物の耐電圧性がより一層高くなる。上記平均粒子径とは、レーザー回折式粒度分布測定装置により測定した体積平均での粒度分布測定結果から求められる平均粒子径である。上記板状フィラーの平均長径は、好ましくは0.1μm以上、より好ましくは0.5μm以上、更に好ましくは1μm以上、好ましくは10μm以下、より好ましくは9μm以下である。板状フィラーの平均長径が上記下限以上及び上記上限以下であると、複数の無機フィラーが接触しやすくなる。このため、硬化物の熱伝導性がより一層高くなる。また、板状フィラーの平均長径が上記下限以上であると、板状フィラーの充填が容易である。板状フィラーの平均長径が上記上限以下であると、硬化物の絶縁性が高くなる。上記板状フィラーの平均厚みは、100nm以上であることが好ましい。板状フィラーの厚みが上記下限以上であると、硬化物の熱伝導性が更に一層高くなる。また、上記板状フィラーのアスペクト比は、好ましくは2以上、より好ましくは3以上、好ましくは50以下、より好ましくは45以下である。板状フィラーのアスペクト比が上記上限以下であると、板状フィラーの充填が容易になる。板状フィラーのアスペクト比は、3~45の範囲内にあることがより好ましい。上記板状フィラーは、アルミナ及び窒化ホウ素の内の少なくとも一方であることが好ましい。この場合には、硬化物の熱伝導性がより一層高くなる。硬化物の熱伝導性をより一層高める観点からは、上記第1の絶縁層に含まれている上記無機フィラーCは、板状フィラーを含むことが好ましい。上記無機フィラーCは、板状フィラーを含むことが好ましい。硬化物の熱伝導性をより一層高める観点からは、上記第1の絶縁層に含まれている上記無機フィラーCは、破砕フィラー又は球状フィラーと、板状フィラーとを含むことが好ましい。上記無機フィラーCは、破砕フィラー又は球状フィラーと、板状フィラーとを含むことが好ましい。無機フィラーC全体の充填性を高め、絶縁層全体での熱伝導性と、硬化物である第2の絶縁層と導電層との接着性との双方をバランスよく高める観点からは、上記第1の絶縁層100重量中、板状フィラーの含有量は好ましくは50重量未満、より好ましくは30重量未満、更に好ましくは10重量未満である。上記無機フィラーCが、破砕フィラー又は球状フィラーと、板状フィラーとを含む場合に、上記第1の絶縁層は、破砕フィラーと球状フィラーと板状フィラーとを重量比で、9.9:0.1~5:5で含むことが好ましく、9.8:0.2~7:3で含むことがより好ましい。上記第1,第2の絶縁層は全体で、破砕フィラーと球状フィラーと板状フィラーとを重量比で、9.9:0.1~5:5で含むことが好ましく、9.8:0.2~7:3で含むことがより好ましい。硬化物の厚みばらつきを抑制し、硬化物の熱伝導性を効果的に高める観点からは、無機フィラーCの最大粒子径は、好ましくは70μm以下、より好ましくは50μm以下である。なお、上記破砕フィラー及び上記板状フィラーの最大粒子径は、最大粒子の長径を意味する。上記第1,第2の絶縁層100重量中及び上記硬化性組成物100重量中、無機フィラーCの含有量は好ましくは85重量以上、より好ましくは86重量以上、好ましくは97重量未満、より好ましくは95重量未満である。第1,第2の絶縁層及び上記硬化性組成物における無機フィラーCの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化物である第1,第2の絶縁層の硬化状態が良好になり、かつ熱伝導性がかなり高くなる。難燃剤上記硬化性組成物は、難燃剤を含むことが好ましい。該難燃剤は、リン化合物を含むことが好ましい。リン化合物の使用により、硬化物の難燃性がより一層良好になる。上記リン化合物は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。硬化物の難燃性を更に一層良好にする観点からは、上記リン化合物は、下記式1又は下記式2で表されるリン化合物であることが好ましい。従って、上記硬化性組成物は、下記式1又は下記式2で表されるリン化合物を含むことが好ましい。上記硬化性組成物は、トリフェニルホスフィン又はトリスクロロエチルホスフェートを含むことが好ましい。上記第1,第2の絶縁層100重量中及び上記硬化性組成物100重量中、上記難燃剤又は上記リン化合物の含有量は好ましくは0.5重量以上、より好ましくは1重量以上、好ましくは20重量以下、より好ましくは15重量以下である。上記難燃剤又は上記リン化合物の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化物の絶縁性を高く維持して難燃性をより一層良好にすることができる。他の成分上記第1,第2の絶縁層及び上記硬化性組成物は、重量平均分子量が10000以上であるポリマーを含んでいてもよい。該ポリマーは、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記ポリマーとして、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂などの硬化性樹脂等が使用可能である。上記ポリマーは硬化性樹脂であることが好ましい。上記熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂は、特に限定されない。上記熱可塑性樹脂としては特に限定されず、スチレン樹脂、フェノキシ樹脂、フタレート樹脂、熱可塑性ウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ケトン樹脂及びノルボルネン樹脂等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては特に限定されず、アミノ樹脂、フェノール樹脂、熱硬化性ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂及びアミノアルキド樹脂等が挙げられる。上記アミノ樹脂としては、尿素樹脂及びメラミン樹脂等が挙げられる。硬化物の酸化劣化を抑え、硬化物の耐冷熱サイクル特性及び耐熱性をより一層高め、更に硬化物の吸水率をより一層低くする観点からは、ポリマーは、スチレン樹脂、フェノキシ樹脂又はエポキシ樹脂であることが好ましく、フェノキシ樹脂又はエポキシ樹脂であることがより好ましく、フェノキシ樹脂であることが更に好ましい。特に、フェノキシ樹脂又はエポキシ樹脂の使用により、硬化物の耐熱性がより一層高くなる。また、フェノキシ樹脂の使用により、硬化物の弾性率がより一層低くなり、かつ硬化物の耐冷熱サイクル特性がより一層高くなる。なお、ポリマーはエポキシ基などの環状エーテル基を有していなくてもよい。上記スチレン樹脂として、具体的には、スチレン系モノマーの単独重合体、及びスチレン系モノマーとアクリル系モノマーとの共重合体等が使用可能である。中でも、スチレン-メタクリル酸グリシジルの構造を有するスチレン重合体が好ましい。上記スチレン系モノマーとしては、例えば、スチレン、o-メチルスチレン、m-メチルスチレン、p-メチルスチレン、p-メトキシスチレン、p-フェニルスチレン、p-クロロスチレン、p-エチルスチレン、p-n-ブチルスチレン、p-tert-ブチルスチレン、p-n-ヘキシルスチレン、p-n-オクチルスチレン、p-n-ノニルスチレン、p-n-デシルスチレン、p-n-ドデシルスチレン、2,4-ジメチルスチレン及び3,4-ジクロロスチレン等が挙げられる。上記フェノキシ樹脂は、具体的には、例えばエピハロヒドリンと2価のフェノール化合物とを反応させて得られる樹脂、又は2価のエポキシ化合物と2価のフェノール化合物とを反応させて得られる樹脂である。上記フェノキシ樹脂は、ビスフェノールA型骨格、ビスフェノールF型骨格、ビスフェノールA/F混合型骨格、ナフタレン骨格、フルオレン骨格、ビフェニル骨格、アントラセン骨格、ピレン骨格、キサンテン骨格、アダマンタン骨格及びジシクロペンタジエン骨格からなる群から選択された少なくとも1つの骨格を有することが好ましい。中でも、上記フェノキシ樹脂は、ビスフェノールA型骨格、ビスフェノールF型骨格、ビスフェノールA/F混合型骨格、ナフタレン骨格、フルオレン骨格及びビフェニル骨格からなる群から選択された少なくとも1種の骨格を有することがより好ましく、フルオレン骨格及びビフェニル骨格の内の少なくとも1種の骨格を有することが更に好ましい。これらの好ましい骨格を有するフェノキシ樹脂の使用により、硬化物の耐熱性が更に一層高くなる。上記エポキシ樹脂は、上記フェノキシ樹脂以外のエポキシ樹脂である。上記エポキシ樹脂としては、スチレン骨格含有エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、アダマンタン骨格を有するエポキシ樹脂、トリシクロデカン骨格を有するエポキシ樹脂、及びトリアジン核を骨格に有するエポキシ樹脂等が挙げられる。上記第1,第2の絶縁層及び上記硬化性組成物は、ゴム粒子を含んでいてもよい。該ゴム粒子の使用により、硬化物の応力緩和性及び柔軟性が高くなる。上記第1,第2の絶縁層及び上記硬化性組成物は、分散剤を含んでいてもよい。該分散剤の使用により、硬化物の熱伝導性及び耐電圧性がより一層高くなる。上記分散剤は、水素結合性を有する水素原子を含む官能基を有することが好ましい。上記分散剤が水素結合性を有する水素原子を含む官能基を有することで、硬化物の熱伝導性及び耐電圧性がより一層高くなる。上記水素結合性を有する水素原子を含む官能基としては、例えば、カルボキシル基pKa=4、リン酸基pKa=7、及びフェノール基pKa=10等が挙げられる。上記水素結合性を有する水素原子を含む官能基のpKaは、好ましくは2以上、より好ましくは3以上、好ましくは10以下、より好ましくは9以下である。上記官能基のpKaが上記下限以上であると、上記分散剤の酸性度が高くなりすぎない。従って、上記硬化性組成物及び硬化前の第1,第2の絶縁層の貯蔵安定性がより一層高くなる。上記官能基のpKaが上記上限以下であると、上記分散剤としての機能が充分に果たされ、硬化物の熱伝導性及び耐電圧性がより一層高くなる。上記水素結合性を有する水素原子を含む官能基は、カルボキシル基又はリン酸基であることが好ましい。この場合には、硬化物の熱伝導性及び耐電圧性がさらに一層高くなる。上記分散剤としては、具体的には、例えば、ポリエステル系カルボン酸、ポリエーテル系カルボン酸、ポリアクリル系カルボン酸、脂肪族系カルボン酸、ポリシロキサン系カルボン酸、ポリエステル系リン酸、ポリエーテル系リン酸、ポリアクリル系リン酸、脂肪族系リン酸、ポリシロキサン系リン酸、ポリエステル系フェノール、ポリエーテル系フェノール、ポリアクリル系フェノール、脂肪族系フェノール、及びポリシロキサン系フェノール等が挙げられる。上記分散剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記全樹脂成分Xの合計100重量中、上記分散剤の含有量は、好ましくは0.01重量以上、より好ましくは0.1重量以上、好ましくは20重量以下、より好ましくは10重量以下である。上記分散剤の含有量が上記下限以上及び上限以下であると、無機フィラーCの凝集が抑えられ、かつ硬化物の熱伝導性及び耐電圧性がより一層高くなる。上記第1,第2の絶縁層及び上記硬化性組成物は、ガラスクロス、ガラス不織布、アラミド不織布等の基材物質を含んでいてもよい。上記第1,第2の絶縁層及び上記硬化性組成物は、基材物質を含まないことが好ましく、特にガラスクロスを含まないことが好ましい。上記第1,第2の絶縁層及び上記硬化性組成物が上記基材物質を含まない場合には、絶縁層全体の厚みが薄くなり、硬化物の熱伝導性がより一層高くなり、更に必要に応じて絶縁層にレーザー加工又はドリル穴開け加工等の各種加工を容易に行うことができる。さらに、上記第1,第2の絶縁層及び上記硬化性組成物は、必要に応じて、酸化防止剤、イオン捕捉剤、粘着性付与剤、可塑剤、チキソ性付与剤、難燃剤、光増感剤及び着色剤などを含んでいてもよい。第1,第2の絶縁層の他の詳細上記積層体の製造方法は特に限定されない。この製造方法として、例えば、熱伝導体上に、上記硬化性組成物を溶剤キャスト法等で塗工して、上記硬化性組成物の硬化を進行させて第1の絶縁層を形成した後、該第1の絶縁層上に、上記硬化性組成物を溶剤キャスト法等で塗工して、必要に応じて上記硬化性組成物の硬化を進行させて第2の絶縁層を形成する方法、並びに離型フィルム上に、上記硬化性組成物を溶剤キャスト法等で塗工して、上記硬化性組成物の硬化を進行させて第1の絶縁層を形成した後、該第1の絶縁層上に、上記硬化性組成物を溶剤キャスト法等で塗工して、必要に応じて上記硬化性組成物の硬化を進行させて第2の絶縁層を形成して積層フィルムを得た後、離型フィルムを剥離して、第1,第2の絶縁層を第1の絶縁層側から熱伝導体上に積層する方法等が挙げられる。また、第1の絶縁層を形成するための上記硬化性組成物の硬化は、第1の絶縁層を形成するための上記硬化性組成物の塗工の後に行われてもよい。第1の絶縁層を形成するための上記硬化性組成物の硬化は、第1の絶縁層が熱伝導体に積層される前に行われてもよく、積層された後に行われてもよい。また、第1,第2の絶縁層を、押出成形法により形成してもよい。また上記積層体の製造方法は、これらの方法に限定されない。第1,第2の絶縁層の熱伝導率は、好ましくは3W/mK以上、より好ましくは4W/mK以上、更に好ましくは5W/mK以上である。第1,第2の絶縁層の熱伝導率が高いほど、絶縁層全体での熱伝導性が十分に高くなる。硬化物である第1,第2の絶縁層全体での絶縁破壊電圧は、好ましくは30kV以上、より好ましくは40kV以上、更に好ましくは50kV以上、特に好ましくは80kV以上、最も好ましくは100kV以上である。絶縁破壊電圧が高いほど、積層体が例えば電力素子用のような大電流用途に用いられた場合に、絶縁性を十分に確保できる。積層体図1に、本発明の一実施形態に係る積層体の一例を断面図で示す。図1に示す積層体1は、熱伝導率が10W/mK以上である熱伝導体2と、半硬化物又は硬化物である第1の絶縁層3と、未硬化物又は半硬化物である第2の絶縁層4とを備える。第1の絶縁層3は、熱伝導体2の表面に積層されている。第1の絶縁層3は、熱伝導体2の少なくとも一方の表面に積層されていればよく、2つの第1の絶縁層が、上記熱伝導体の両側の表面に1つずつ積層されていてもよい。第2の絶縁層4は、第1の絶縁層3の熱伝導体2側とは反対の表面に積層されている。第1の絶縁層3と第2の絶縁層4とは同一の硬化性組成物を用いて形成されている。第1の絶縁層3及び第2の絶縁層4はそれぞれ、熱伝導率が10W/mK以上である無機フィラーを含む。第1の絶縁層3の硬化率は50以上であり、第2の絶縁層4の硬化率は80未満である。上記硬化性組成物は、25°Cでの粘度が15000mPas以下である液状エポキシ化合物を含むか、又は融点が140°C未満である結晶性エポキシ化合物を含む。第1の絶縁層3及び第2の絶縁層4は、25°Cでの粘度が15000mPas以下である液状エポキシ化合物を用いて形成されているか、又は融点が140°C未満である結晶性エポキシ化合物を用いて形成されている。図2に、本発明の一実施形態に係るパワー半導体モジュール用部品の製造方法により得られるパワー半導体モジュール用部品の一例を断面図で示す。図2に示すパワー半導体モジュール用部品11は、上述した積層体1を用いて形成されている。但し、積層体1における第1の絶縁層3が半硬化物である場合には、パワー半導体モジュール用部品11では、第1の絶縁層3は硬化されている。積層体1における第2の絶縁層4は未硬化物又は半硬化物であるのに対して、パワー半導体モジュール用部品11では、第2の絶縁層4は硬化されている。パワー半導体モジュール用部品11は、熱伝導率が10W/mK以上である熱伝導体2と、硬化物である第1の絶縁層3と、硬化物である第2の絶縁層4と、導電層12と、モールド樹脂13とを備える。導電層12は、第2の絶縁層4の第1の絶縁層3側とは反対の表面に積層されている。熱伝導体2と第1の絶縁層3と第2の絶縁層4と導電層12とは、モールド樹脂13内に埋め込まれている。導電層12の一部は、モールド樹脂13から露出していることが好ましい。パワー半導体モジュール用部品11は、積層体1における第2の絶縁層4の第1の絶縁層3側とは反対の表面に導電層12を積層し、次に第1の絶縁層3が半硬化物である場合に第1の絶縁層3を硬化させ、かつ第2の絶縁層4を硬化させ、更に熱伝導体2と第1の絶縁層3と第2の絶縁層4と導電層12とをモールド樹脂13内に埋め込むことにより得られる。このとき、導電層12の一部が露出するように、熱伝導体2と第1の絶縁層3と第2の絶縁層4と導電層12とをモールド樹脂13内に埋め込むことが好ましい。また、熱伝導体2と第1の絶縁層3と第2の絶縁層4と導電層12とをモールド樹脂13内に埋め込んだ後に、第1,第2の絶縁層3,4を硬化させてもよい。例えば、モールド樹脂13の硬化時に、第1,第2の絶縁層3,4を硬化させてもよい。また、上記積層体の用途は、上述したパワー半導体モジュール用部品に限定されない。上記積層体を用いて、例えば、両面に銅回路が設けられた積層板又は多層配線板、銅箔、銅板、半導体素子又は半導体パッケージ等の各導電層に、第1,第2の絶縁層を介して金属体が接着されている各種の電気部品を得てもよい。上記積層体は、基板上に半導体素子が実装されている半導体装置の導電層に、熱伝導体を接着するために好適に用いられる。さらに、上記積層体は、半導体素子以外の電子部品素子が基板上に搭載されている電子部品装置の導電層に、熱伝導率が10W/mK以上である熱伝導体を接着するためにも好適に用いられる。上記熱伝導率が10W/mK以上である熱伝導体は特に限定されない。上記熱伝導率が10W/mK以上である熱伝導体としては、例えば、アルミニウム、銅、アルミナ、ベリリア、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム及びグラファイトシート等が挙げられる。中でも、上記熱伝導率が10W/mK以上である熱伝導体は、銅又はアルミニウムであることが好ましい。銅又はアルミニウムは、放熱性に優れている。以下、本発明の具体的な実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を明らかにする。なお、本発明は以下の実施例に限定されない。以下の材料を用意した。[硬化性化合物A]1ビスフェノールA型液状エポキシ樹脂三菱化学社製エピコート828US、Mw=370、25°Cでの粘度9500Pas2ビスフェノールF型液状エポキシ樹脂三菱化学社製エピコート806L、Mw=370、25°Cでの粘度3500Pas3ビフェニル骨格結晶性エポキシ樹脂三菱化学社製エピコートYX4000、Mw=368、融点108°C4高融点結晶性エポキシ樹脂新日鉄化学社製YDC-1312、M=375、融点145°C5ビスフェノールA型固体状エポキシ樹脂三菱化学社製1003、Mw=1300[ポリマー]1ビスフェノールA型フェノキシ樹脂三菱化学社製E1256、Mw=510002ポリスチレン東洋スチレン社製HRM26、Mw=30万[硬化剤B]1脂環式骨格酸無水物新日本理化社製MH-7002ビフェニル骨格フェノール樹脂明和化成社製MEH-7851-S3ジアミノジフェニルメタン融点90°C4ジシアンジアミド融点208°C5イソシアヌル変性固体分散型イミダゾール四国化成社製2MZA-PW、融点253°C[無機フィラーC:熱伝導率が10W/mK以上]15μm破砕アルミナ破砕フィラー、日本軽金属社製LT300C、平均粒子径5μm、最大粒子径15μm、熱伝導率36W/mK、新モース硬度1222μm破砕アルミナ破砕フィラー、日本軽金属社製LS-242C、平均粒子径2μm、最大粒子径20μm、熱伝導率36W/mK、新モース硬度123球状アルミナデンカ社製DAM-10、平均粒子径10μm、最大粒子径30μm、熱伝導率36W/mK、新モース硬度124窒化アルミニウム東洋アルミニウム社製TOYALNITE―FLX、平均粒子径14μm、最大粒子径30μm、熱伝導率200W/mK、新モース硬度115結晶性シリカ龍森社製クリスタライトCMC-12、平均粒子径5μm、最大粒子径20μm、熱伝導率10W/mK、新モース硬度96板状窒化ホウ素昭和電工社製UHP-1、平均粒子径8μm、最大粒子径50μm、熱伝導率60W/mK、新モース硬度27窒化ホウ素凝集粒子モーメンティブ社製TPX25、平均粒子径25μm、最大粒子径100μm、熱伝導率60W/mK、新モース硬度2[無機フィラー:熱伝導率が10W/mk未満]1溶融シリカトクヤマ社製SE15、平均粒子径15μm、最大粒子径60μm、熱伝導率2W/mK、新モース硬度7[難燃剤]1トリフェニルホスフィンTPP2トリスクロロエチルホスフェートTCEP[添加剤]1エポキシシランカップリング剤信越化学工業社製KBE403[溶剤]1メチルエチルケトン実施例1ホモディスパー型攪拌機を用い、下記の表1に示す割合配合単位は重量部で各成分を配合し、混練し、第1,第2の絶縁層を形成するための硬化性組成物を調製した。上記硬化性組成物を厚み50μmの離型PETシート上に塗工し、90°Cオーブン内で30分乾燥して、PETシート上に厚み80μmの第1の絶縁層を作製した。また、上記硬化性組成物を厚み50μmの離型PETシート上に塗工し、90°Cオーブン内で30分乾燥して、PETシート上に厚み80μmの第2の絶縁層を作製した。得られた第1の絶縁層を厚さ0.5mmの銅板上に熱ラミネーターを用いて貼り合せた後に200°Cで1時間第1の絶縁層を形成するための硬化性組成物の硬化条件硬化させた。その後、第1の絶縁層上に第2の絶縁層を熱ラミネーターを用いて貼り合せた後に、130°Cで3分間硬化第2の絶縁層を形成するための硬化性組成物の硬化条件させて、積層体を作製した。また、得られた積層体を用いて、積層体の第2の絶縁層側に、厚み35μmの電解銅箔を、1MPaの圧力で押し付けながら、200°Cで1時間加熱して、積層構造体を得た。実施例2~49及び比較例1~5上記硬化性組成物に用いた各成分の種類及び配合量、第1,第2の絶縁層を形成するための上記硬化性組成物の硬化条件、第1,第2の絶縁層の厚み、積層体を得る際に用いた銅板の厚みを下記の表1~8に示すようにしたこと以外は、実施例1と同様にして硬化性組成物を調製し、積層体及び積層構造体を作製した。評価1積層体における硬化前の未硬化物又は半硬化物である第2の絶縁層の130°Cでの粘度積層体の第2の絶縁層を、直径2cmの円板状に加工した。回転型動的粘弾性測定装置レオロジカインスツルメンツ社製VAR-100を用いて、第2の絶縁層の130°Cでの粘度を、直径2cmのパラレル型プレートにより、オシレーション歪み制御モード、開始応力10Pa、周波数1Hz及び歪み1の条件で、23°Cから昇温速度8°C/分の条件で加熱しながら測定した。2熱伝導率積層体の第1の絶縁層及び第2の絶縁層を取り出した。熱伝導率計京都電子工業社製迅速熱伝導率計QTM-500を用いて、第1の絶縁層の熱伝導率及び第2の絶縁層の熱伝導率を測定した。3硬化物である第2の絶縁層に対する導電層の剥離強度得られた積層構造体の電解銅箔を10mm幅にエッチングした。その後、第2の絶縁層から電解銅箔を90度の角度で50mm/分の引っ張り速度で剥離した際の引き剥がし強さを測定した。4第1の絶縁層の熱線膨張率積層体における第1の絶縁層を3mm×25mmの大きさに切り出した。第1の絶縁層が硬化物である場合には、その硬化物をテストサンプルとした。第1の絶縁層が半硬化物である場合に、第1の絶縁層を200°Cのオーブン内で1時間硬化させ、硬化物であるテストサンプルを作製した。TMA装置SIIナノテクノロジー社製TMA/SS7000を用いて、得られたテストサンプルを10°C/分の昇温速度で320°Cまで1回昇温した後、-45°Cまで冷却し、次に-45°Cから130°Cまで10°C/分で昇温した時の温度-TMA直線の傾きを測定し、その逆数を-45~130°Cでの熱線膨張率として算出した。5絶縁破壊電圧耐電圧性積層体の第1,第2の絶縁層を取り出した。第1,第2の絶縁層を100mm×100mmの大きさに切り出して、テストサンプルを得た。得られたテストサンプルを200°Cのオーブン内で1時間硬化させ、硬化物である絶縁層を得た。耐電圧試験器EXTECHElectronics社製MODEL7473を用いて、絶縁層間に1kV/秒の速度で電圧が上昇するように、交流電圧を印加した。絶縁層が破壊した電圧を、絶縁破壊電圧とした。6積層体の反り積層体を10mm×500mmの大きさに加工して、銅板側を下に向けて水平な台の上に置いて、積層体の上面の高さの最大値と最小値との差を積層体の反りとして評価した。積層体の反りを下記の基準で判定した。[積層体の反りの判定基準]○:反りが0.1mm未満△:反りが0.1mm以上、0.5mm未満×:反りが0.5mm以上7絶縁層の貯蔵安定性得られた積層構造体の電解銅箔を10mm幅にエッチングした。その後、積層構造体を40°Cのオーブン内で1ヶ月放置した。次に、第2の絶縁層から電解銅箔を90°Cの角度で50mm/分の引っ張り速度で剥離した際の引き剥がし強さを測定した。上記3硬化物である第2の絶縁層に対する導電層の剥離強度での測定値初期値に対して、40°Cで1ヶ月放置した後の剥離強度の測定値がどの程度保持されているかを評価した。絶縁層の貯蔵安定性を下記の基準で判定した。[絶縁層の貯蔵安定性の判定基準]○:剥離強度が初期値の70以上△:剥離強度が初期値の50以上、70未満×:剥離強度が初期値の50未満8加工性積層体を直径2.0mmのドリルユニオンツール社製RAseriesを用いて、回転数30000及びテーブル送り速度0.5m/分の条件でルーター加工した。ばりが発生するまでの加工距離を測定した。加工性を以下の基準で評価した。[加工性の判定基準]○:ばりが発生することなく5m以上加工可能△:ばりが発生することなく1m以上、5m未満加工可能×:1m未満の加工によりばりが発生9難燃性積層体を200°Cオーブン内で1時間硬化させた。硬化物である第1,第2の絶縁層を13cm×12.5cmの大きさに切り出し、試験片を得た。UL94規格に準拠して、長さ方向が上下方向となるように垂直に保持した試験片の下端にガスバーナーの炎を10秒接炎させて、燃焼が止まったら更に10秒接炎させ、試験片の燃焼の程度を調べた。難燃性を下記の基準で判定した。[難燃性の判定基準]◎:試験片長さの5未満が燃焼○:試験片長さの5以上、10未満が燃焼△:試験片長さの10以上、50未満が燃焼×:試験片長さの50以上が燃焼10放熱性積層体を200°Cのオーブン内で1時間硬化させた。硬化後の積層体を硬化物である第2の絶縁層側から、同じサイズの60°Cに制御された表面平滑な発熱体に196N/cm2の圧力で押し付けた。銅板の表面の温度を熱伝対により測定した。放熱性を下記の基準で判定した。[放熱性の判定基準]○:発熱体と銅板の表面の温度差が3°Cを超え、6°C以内△:発熱体と銅板の表面の温度差が6°Cを超え、10°C以内×:発熱体を銅板の表面の温度差が10°Cを超える結果を下記の表1~8に示す。なお、下記の表1~8において、1は、第1の絶縁層又は第2の絶縁層中での破砕フィラーと球状フィラーとの合計の含有量:板状フィラーの含有量を示す。2は、第1の絶縁層中での硬化性化合物A100重量中の多環式芳香族骨格を有する硬化性化合物の含有量重量を示す。また、下記の表1~8において、用いた銅板の厚みの欄に○を付した。"