基板上に、下地膜を形成する第1工程と、前記下地膜上に、遷移金属酸化物からなる金属酸化物膜を形成する第2工程と、前記金属酸化物膜上に、感光性レジスト膜を塗布する第3工程と、前記感光性レジスト膜をパターンマスクを介して露光する第4工程と、前記露光後に、酸化合物を含むアルカリ性水溶液を用いて前記露光後の感光性レジスト膜を現像し、且つ、前記現像により前記感光性レジスト膜下から露出した前記金属酸化物膜を前記酸化合物で除去する第5工程と、前記第5工程で前記金属酸化物膜の下から露出した前記下地膜をエッチングする第6工程と、を有する、薄膜付基板の製造方法。前記第5工程では、前記水溶液のアルカリ成分で前記露光後の感光性レジスト膜を現像し、前記酸化合物で現像により前記感光性レジスト膜下から露出した前記金属酸化物膜を除去する請求項1に記載の薄膜付基板の製造方法。前記第5工程では、工程時間を制御することにより、前記金属酸化物膜の後退幅を、前記下地膜のサイドエッチング量よりも多くなるように調整する請求項1または2に記載の薄膜付基板の製造方法。前記下地膜は、前記基板上に、金属膜と透明導電膜とを同順に積層して形成する請求項1~3のいずれかに記載の薄膜付基板の製造方法。前記アルカリ水溶液がテトラメチルアンモニウムハイドライドを含む、請求項1~4のいずれかに記載の薄膜付基板の製造方法。前記酸化合物が、過硫酸化物を含む請求項1~5のいずれかに記載の薄膜付基板の製造方法。前記酸化物膜が、タングステン酸化物を主成分とする、請求項1~6のいずれかに記載の薄膜付基板の製造方法。請求項1~7のいずれかに記載の製造方法を用いて製造された薄膜付基板。基板準備工程と、前記基板上にTFT層を形成するTFT層形成工程と、前記TFT層の上方に、金属材料層を形成する金属材料層形成工程と、前記金属材料層の表面に透明導電膜を形成する透明導電膜形成工程と、前記透明導電膜の表面に遷移金属酸化物からなる金属酸化物層を形成する金属酸化物層形成工程と、前記金属酸化物層の表面に感光性レジスト膜を配設するレジスト配設工程と、前記感光性レジスト膜をパターンマスクを介して露光するレジスト露光工程と、前記露光後に、酸化合物を含むアルカリ性水溶液で前記露光後の感光性レジスト膜を現像し、且つ、前記現像により感光性レジスト膜下から露出した前記金属酸化物膜を除去することでホール注入層を形成する現像工程と、前記現像工程後に前記金属材料層及び前記透明導電膜を一括してエッチングすることにより、前記金属材料層から第1電極、前記透明導電膜から透明電極層をそれぞれ形成するエッチング工程と、前記感光性レジスト膜を剥離するレジスト剥離工程と、前記ホール注入層の上方に有機発光材料を含む有機発光層を形成する工程と、有機発光層の上方に第2電極を形成する第2電極形成工程とを有する、有機EL素子の製造方法。前記現像工程では、前記水溶液のアルカリ成分で前記露光後の感光性レジスト膜を現像し、前記酸化合物で現像により前記感光性レジスト膜下から露出した前記金属酸化物膜を除去する請求項9に記載の有機EL素子の製造方法。前記現像工程では、工程時間を制御することにより、前記金属酸化物膜の後退幅を、前記金属材料層及び前記透明導電膜のサイドエッチング量よりも多くなるように調整する請求項9または10に記載の有機EL素子の製造方法。前記アルカリ水溶液がテトラメチルアンモニウムハイドライドを含む、請求項9~11のいずれかに記載の有機EL素子の製造方法。前記酸化合物が、過硫酸化物を含む請求項9~12のいずれかに記載の有機EL素子の製造方法。前記酸化物膜が、タングステン酸化物を主成分とする、請求項9~13のいずれかに記載の有機EL素子の製造方法。請求項9~14のいずれかに記載の製造方法を用いて製造された、有機EL素子。請求項15に記載の有機EL素子が、互いに交差する第1方向及び第2方向に沿って平面状に配設され、前記各有機EL素子における有機発光層を個別または一群毎に区画するように設けられた隔壁と、各有機発光層の上方にわたって形成された前記第2電極とを有し、前記各有機EL素子における前記第1電極、前記透明電極、前記ホール注入層は、前記隔壁の直下の領域においてそれぞれ端面を有し、前記各端面の積層形状が上方に向かって先細りになっている有機EL表示パネル。前記ホール注入層の端面が、前記第1電極及び前記透明電極の各端面よりも前記ホール注入層の層内部側に後退していることにより、前記ホール注入層の前記端面と、前記透明電極の端面が階段状になっている請求項16に記載の有機EL表示パネル。本発明は、基板上に下地膜、金属酸化物膜を順次形成し、ウェットエッチングにて前記下地膜と金属酸化物膜をパターニングする際において、良好なパターニングが可能な薄膜基板とその製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の一態様における薄膜付基板の製造方法は、基板上に、下地膜を形成する第1工程と、前記下地膜上に、遷移金属酸化物からなる金属酸化物膜を形成する第2工程と、前記金属酸化物膜上に、感光性レジスト膜を塗布する第3工程と、前記感光性レジスト膜をパターンマスクを介して露光する第4工程と、前記露光後に、酸化合物を含むアルカリ性水溶液を用いて前記露光後の感光性レジスト膜を現像し、且つ、前記現像により前記感光性レジスト膜下から露出した前記金属酸化物膜を前記酸化合物で除去する第5工程と、前記第5工程で前記金属酸化物膜の下から露出した前記下地膜をエッチングする第6工程とを有するものとする。本発明の一態様における薄膜付基板の製造方法では、第5工程において、酸化合物を含むアルカリ性水溶液を用い、感光性レジスト膜を現像するとともに、当該レジスト膜を除去して露出した金属酸化物膜を除去してパターニングする。その後、前記除去した金属酸化物膜より露出した下地膜をエッチングしている。このため、下地膜と金属酸化物膜の双方のパターニングを良好に実施できる。<発明の態様>本発明の一態様における薄膜付基板の製造方法は、基板上に、下地膜を形成する第1工程と、前記下地膜上に、遷移金属酸化物からなる金属酸化物膜を形成する第2工程と、前記金属酸化物膜上に、感光性レジスト膜を塗布する第3工程と、前記感光性レジスト膜をパターンマスクを介して露光する第4工程と、前記露光後に、酸化合物を含むアルカリ性水溶液を用いて前記露光後の感光性レジスト膜を現像し、且つ、前記現像により前記感光性レジスト膜下から露出した前記金属酸化物膜を前記酸化合物で除去する第5工程と、前記第5工程で前記金属酸化物膜の下から露出した前記下地膜をエッチングする第6工程とを有するものとする。ここで本発明の別の態様として、前記第5工程では、前記水溶液のアルカリ成分で前記露光後の感光性レジスト膜を現像し、前記酸化合物で現像により前記感光性レジスト膜下から露出した前記金属酸化物膜を除去することもできる。また、本発明の別の態様として、前記第5工程では、工程時間を制御することにより、前記金属酸化物膜の後退幅を、前記下地膜のサイドエッチング量よりも多くなるように調整することもできる。また、本発明の別の態様として、前記下地膜は、前記基板上に、金属膜と透明導電膜とを同順に積層して形成することもできる。また、本発明の別の態様として、前記アルカリ水溶液がテトラメチルアンモニウムハイドライドを含む構成とすることもできる。また、本発明の別の態様として、前記酸化合物が、過硫酸化物を含む構成とすることもできる。また、本発明の別の態様として、前記酸化物膜が、タングステン酸化物を主成分とする構成とすることもできる。また、本発明の別の態様として、前記いずれかの本発明の製造方法を用いて製造された薄膜付基板とすることもできる。また、本発明の一態様における有機EL素子の製造方法は、基板準備工程と、前記基板上にTFT層を形成するTFT層形成工程と、前記TFT層の上方に、金属材料層を形成する金属材料層形成工程と、前記金属材料層の表面に透明導電膜を形成する透明導電膜形成工程と、前記透明導電膜の表面に遷移金属酸化物からなる金属酸化物層を形成する金属酸化物層形成工程と、前記金属酸化物層の表面に感光性レジスト膜を配設するレジスト配設工程と、前記感光性レジスト膜をパターンマスクを介して露光するレジスト露光工程と、前記露光後に、酸化合物を含むアルカリ性水溶液で前記露光後の感光性レジスト膜を現像し、且つ、前記現像により感光性レジスト膜下から露出した前記金属酸化物膜を除去することでホール注入層を形成する現像工程と、前記現像工程後に前記金属材料層及び前記透明導電膜を一括してエッチングすることにより、前記金属材料層から第1電極、前記透明導電膜から透明電極層をそれぞれ形成するエッチング工程と、前記感光性レジスト膜を剥離するレジスト剥離工程と、前記ホール注入層の上方に有機発光材料を含む有機発光層を形成する工程と、有機発光層の上方に第2電極を形成する第2電極形成工程とを有するものとする。ここで本発明の別の態様として、前記現像工程では、前記水溶液のアルカリ成分で前記露光後の感光性レジスト膜を現像し、前記酸化合物で現像により前記感光性レジスト膜下から露出した前記金属酸化物膜を除去することもできる。また、本発明の別の態様として、前記現像工程では、工程時間を制御することにより、前記金属酸化物膜の後退幅を、前記金属材料層及び前記透明導電膜のサイドエッチング量よりも多くなるように調整することもできる。また、本発明の別の態様として、前記アルカリ水溶液がテトラメチルアンモニウムハイドライドを含むものとすることもできる。また、本発明の別の態様として、前記酸化合物が、過硫酸化物を含むものとすることもできる。また、本発明の別の態様として、前記酸化物膜が、タングステン酸化物を主成分とするものとすることもできる。また、本発明の別の態様として、前記いずれかの本発明の製造方法を用いて製造された、有機EL素子とすることもできる。また、本発明の別の態様として、前記本発明の有機EL素子が、互いに交差する第1方向及び第2方向に沿って平面状に配設され、前記各有機EL素子における有機発光層を個別または一群毎に区画するように設けられた隔壁と、各有機発光層の上方にわたって形成された前記第2電極とを有し、前記各有機EL素子における前記第1電極、前記透明電極、前記ホール注入層は、前記隔壁の直下の領域においてそれぞれ端面を有し、前記各端面の積層形状が上方に向かって先細りになっている構成とすることもできる。また、本発明の別の態様として、前記ホール注入層の端面が、前記第1電極及び前記透明電極の各端面よりも前記ホール注入層の層内部側に後退していることにより、前記ホール注入層の前記端面と、前記透明電極の端面が階段状になっている構成とすることもできる。<本発明の一実施形態に至る経緯>本願発明者は、前述した背景技術について以下の実験を行った。すなわち、基板上に下地膜としての金属膜、金属酸化物膜としての酸化タングステン膜、感光性レジストを順次形成し、フォトリソグラフィー法に基づいたウェットエッチングを行い、前記下地膜と金属酸化物膜をパターニングした。図7、8を使ってこのときのパターニング方法の概略を説明する。まず、不図示の基板上に平坦化膜2を形成し、その上に金属材料層3X及び透明導電膜4X、金属酸化物膜5Xをスパッタリングまたは真空蒸着法でそれぞれ順次形成した図7a。金属酸化物膜5X上に感光性レジスト膜Rを塗布し、プリベーク焼成した後、パターンマスクを介して露光処理した。その後、現像処理を行った図7b。現像処理後、ウェットエッチングの手法により、金属材料層3X、透明導電膜4X、金属酸化物膜5Xを一括パターニングした。図7c、図8ab。これにより金属材料層3X、透明導電膜4X、金属酸化物膜5Xを同順に陽極3、透明電極4、ホール注入層5とした図1参照。このパターニングの実施の際において、本願発明者は、以下の課題があることを見出した。酸化タングステン膜、透明導電層、金属材料層の各端面形状が不規則なエッチング不良を引き起こし、正常なパターニングができないというものである。そこで本願発明者は、前記課題を検討した結果、前記課題を発生させるメカニズムを見い出した。すなわち感光性レジストを露光処理し、その後、アルカリ性水溶液からなる現像液を用いて感光性レジストを現像する際に、感光性レジスト近傍に存在する酸化タングステン膜が現像液と反応し、その一部が難溶性酸化物膜に変質する。この難溶性酸化物は、酸化タングステン膜のエッチング液に対しても溶解しない。このことにより、透明導電層と金属材料層をエッチングする際、酸化タングステン膜、透明導電層、金属材料層の各端面形状が不規則なエッチング不良を引き起こし、正常なパターニングができないという課題が発生するというものである。本願発明者は、上記知見を得るに至ったことにより、以下に述べる本実施形態の技術的特徴に辿り着くことができたのである。すなわち、本実施形態の技術的特徴とは、酸化合物を含むアルカリ性水溶液を用い、感光性レジスト膜を現像するとともに、当該レジスト膜を除去して露出した金属酸化物膜を除去してパターニングし、その後、前記除去した金属酸化物膜より露出した下地膜をエッチングするというものである。上記した本実施形態の技術的特徴によれば、前記酸化合物を含むアルカリ水溶液を用いた現像処理により、現像処理の際に金属酸化物膜を構成する前記遷移金属酸化物由来の難溶性酸化物が残渣となって金属酸化物膜の表面に残存する問題を解決できる。このため、現像処理後のエッチングで障害となる難溶性酸化物が生じず、適切な寸法制御で下地膜と金属酸化物膜の双方のパターニングを良好に実施できる。<実施の形態>図1は、実施の形態に係る表示パネル100の構成を模式的に示す断面図である。表示パネル100は、これに接続された駆動制御部不図示とで表示装置を構成することができる。表示パネル100の構成表示パネル100の構成について、図1を参照しながら説明する。表示パネル100では、画素ピクセルがTFT基板1の上面に沿ってマトリクス状に配列されている。各画素は隣接するRGB3色のサブピクセルの有機EL素子を1組として構成される。図1に示す有機EL素子20a、20b、20cは、TFT基板上に配列されたトップエミッション型であって、有機EL素子20aは青色のサブピクセル、有機EL素子20bは緑色のサブピクセル、有機EL素子20cは赤色のサブピクセルにそれぞれ相当する。TFT基板は、基板1の上面に、パネル全体の各有機EL素子20a~20cをアクティブマトリクス方式で駆動するためのTFT層不図示が形成され、その上を平坦化膜2で被覆されて構成されている。基板1は、パネルのベース部分となる基板であって、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料で形成されている。平坦化膜2は、TFT基板1の表面を平坦にし、且つTFTを外部より絶縁するために設ける膜であって、絶縁性に優れる有機材料、例えばポリイミド、ポリアミド、アクリル系樹脂材料からなる。次に、有機EL素子20a~20cの素子の構成について説明する。平坦化膜2上に、陽極第1電極3、透明電極4、ホール注入層5が順次積層形成されている。陽極3は、ここではアルミニウム又はアルミニウム合金で形成され、膜厚が400nm程度の反射陽極として形成されている。アルミニウムやアルミニウム合金は、高反射性であって比較的安価であり、好適である。アルミニウム合金の例としては、ACLAl-Co-Ge-La合金、ACXAl-Ni-B合金が好ましく、その他に、アルミニウム-ネオジウムAl-Nd合金、アルミニウム-ジルコニウムAl-Zr合金、アルミニウム-銅Al-Cu合金、アルミニウム-シリコンAl-Si合金、アルミニウム-シリコン-銅Al-Si-Cu合金などが挙げられる。透明電極4は、IZO酸化インジウム亜鉛からなる膜厚が約16nm程度の膜であり、陽極3の上面を被覆している。なお陽極反射陽極3と透明電極4とを併せて陽極とすることもある。陽極3及び透明電極4は、各サブピクセル有機EL素子20a、20b、20cごとに分離された形状にパターニングされている。ホール注入層5は、有機発光層8に対して陽極3側からホールを効率よく注入するための層であり、モリブデンやタングステンの遷移金属酸化物膜で形成されている。ここでは酸化タングステン膜で構成する。酸化タングステン膜は、タングステン原子に対して酸素原子が部分的に結合した膜構造を有する。ホール注入層5の膜厚としては、0.1~20nm程度の範囲内が好ましい。なお、ホール注入層5は、基板側に対して一様に形成されることもあるが、バンク6を陽極3と良好に密着させる観点において、ホール注入層5をパターニングすることが望ましい。このホール注入層5の上には、少なくとも異なる発光色で隣り合うサブピクセル同士の間を仕切るように、絶縁材料からなるバンク6が設けられている。バンク6は、絶縁性を有する樹脂等の有機材料で形成される。この有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等が挙げられるが、製造工程を考慮すると有機溶剤耐性を有することが好ましい。また、バンク6は形成工程においてエッチング処理、ベーク処理などが施されるので、前記有機材料にはそれらの処理に対して高い耐性を持つことが好適である。バンク6の表面には撥水性を持たせるためにフッ素処理を施してもよい。バンク6で仕切られた領域内には、ホール輸送層7、有機発光層8が積層形成されている。さらに有機発光層8の上には、電子注入層9、陰極第2電極10および封止層11が、バンク6の上部を超えてパネル全体の有機EL素子20a、20b、20cにわたり、連続して形成されている。なお、バンク6の下方部分によって、陽極3、透明電極4、ホール注入層5のエッジ端面が隠れるように覆われている。バンク6は、個々の有機EL素子20a、20b、20cを区画するいわゆるピクセルバンク構造としてもよいし、同発光色の有機EL素子20a、20b、20cをストライプ状に区画する、ラインバンク構造としてもよい。ホール輸送層7は、陽極3側からホールを輸送し、有機発光層8に注入する役目を持つ。その材料の具体例としては、4、4’-ビス[N-ナフチル-N-フェニル-アミノ]ビフェニルα-NPBまたはα-NPD、N、N’-ビス3-メチルフェニル-1、1’-ビフェニル-4、4’-ジアミンTPDなどのトリアリールアミン系化合物を挙げることができる。これらの材料を含む溶液を用いたウェットプロセスで作製できる。ホール輸送層7は必須の構成ではないので省略することもできる。有機発光層8は、ホールと電子とが注入されて再結合されることにより励起状態が生成され、これにより発光する機能を有する。有機発光層8もウェット法で形成できる。その材料は、例えば、特許公開公報特開平5-163488号公報に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、8-ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、2-ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とIII族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。電子注入層9は、陰極10側から注入される電子を有機発光層8へ輸送する機能を有し、例えば、バリウム、フタロシアニン、フッ化リチウム、あるいはこれらの組み合わせで形成される。陰極10は、例えばITO、IZO酸化インジウム亜鉛などの光透過性の材料で形成される。この他に、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらのハロゲン化物を含む層と銀を含む層とをこの順で積層した構造とすることもできる。封止層11は、有機発光層8などが水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、SiN窒化シリコン、SiON酸窒化シリコンなどの光透過性の材料で形成することが好ましい。以上の構成を有する有機EL表示パネル100では、後述する陽極3、透明電極4、ホール注入層5のウェットエッチングを利用したパターニング方法の工夫により、ホール注入層5を構成する前記遷移金属酸化物由来の難溶性酸化物が残渣となってホール注入層5の表面に残存する問題を解決している。このため、陽極3、透明電極4、ホール注入層5が所望の寸法制御を行ったパターンで適切に形成されている。また、前記残渣が膜となって陽極3、透明電極4、ホール注入層5のエッジ端面に被着する場合、前記残渣膜とエッジ端面の間で空隙を形成することも防止されるため、当該空隙が製造時の加熱によって膨張し、積層構造が破壊される問題も回避されている。このような諸効果によって、有機EL表示パネル100では良好な発光特性及び画像表示性能を期待できる。また、陽極3、透明電極4、ホール注入層5のパターニングにウェットエッチングを利用することで、パネルを大型化しても生産コストの上昇を効果的に抑制することもできる。有機EL表示パネル100の製造方法ここでは有機EL表示パネル100の全体的な製造方法を説明する。基板1を準備し、反応性スパッタ法に基づき、表面にTFT層を形成する。上記TFT層を覆うように、基板1上に厚み約4μmで平坦化膜2を形成する。この平坦化膜2は、公知の感光性有機材料例えばシロキサン共重合型感光性ポリイミドをスピンコートして形成できる。平坦化膜2の上TFT基板の上に、金属材料アルミニウムまたはアルミニウム合金を薄膜成形する。この金属膜の表面上に、IZOからなる透明導電膜を製膜する。次に製膜した金属膜と透明導電膜の積層体をマトリクス状にパターニングすることによって陽極を形成する。なお、この陽極作製プロセスについては、後で詳述する。陽極の上面に、モリブデンやタングステン等の金属材料を反応性スパッタ法で成膜することによってホール注入層5を形成する。次にバンク材料として、感光性のレジスト材料、もしくはフッ素系やアクリル系材料を含有するレジスト材料を用意する。この材料をスピンコート法で塗布し、フォトレジスト法でパターニングして熱キュアすることによってバンク6を形成する。次に、バンク6間の領域内に、例えば、インクジェット法によりホール輸送層材料を含むインクを滴下する。インクを乾燥させることでホール輸送層7を形成する。さらにホール輸送層7の上面に、有機EL材料を含むインクを滴下し、そのインクを乾燥させて有機発光層8を形成する。なお、インクの塗布方法は、ディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等によって塗布しても良い。インクの乾燥は、真空乾燥を行い、引き続き、窒素雰囲気中においてベークを行う。有機発光層8の平均膜厚は、例えば70nmである。次に、有機発光層8およびバンク6を覆うように、真空蒸着法により、バリウムを製膜し、引き続き、バリウムを混合した化合物Alqの膜を、共蒸着法により所定の膜厚例えば20nmで製膜することにより、電子注入層9を製膜する。次に、電子注入層9の上に、例えばプラズマコーティング法で陰極10となるIZO薄膜膜厚は例えば100nmを製膜する。次に、陰極10の上に封止層11を製膜する。これにより有機EL表示パネル100が完成する。陽極3、透明電極4、ホール注入層5等の製造工程について実施の形態の有機EL表示パネル100では、例えば図9に示すフローの順に基づき、陽極3、透明電極4、ホール注入層5、バンク6を順次製造することができる。当該フローの特徴の一つとして、フォトリソグラフィー工程では、感光性レジストの現像処理とホール注入層5のエッチング処理を併せて行う。図2、3は、図9のフローのうち金属材料層成膜からレジスト剥離までの各工程を示す模式断面図である。図2のa~c、図3のa、bは、それぞれ図1の有機EL表示パネル100の領域Aの各工程での断面図を示している。なお、このような断面構造はTEM等を用いて実際に確認することができる。まず基板不図示の表面にTFT層を形成し、TFT基板1とする。TFT基板1の表面を覆うように平坦化膜2を形成する。図2のaに示すように、平坦化膜2の表面に、ACLアルミ合金からなる金属材料層3X、IZOからなる透明導電膜4X、遷移金属化合物ここでは酸化タングステンからなる金属酸化物膜5Xを、真空成膜法に基づき、同順に積層して成膜する。金属酸化物膜5Xは反応性スパッタリング法で形成することもできる。当該各成膜を終了したら、金属材料層3Xについて加熱温度約200~230°Cで15分間以上焼成プリベークを行う。これにより金属材料層3Xの膜密度を向上させる。また、この焼成で透明導電膜4Xの膜密度も向上する。その後、フォトリソグラフィー法を実施する。金属酸化物膜5Xの上面に感光性レジスト膜Rを配設し、パターンマスクの上から露光を行う。感光性レジスト膜Rにポジ型レジストを用いる場合、パターンマスクは陽極3を形成すべき部分を遮光し、それ以外の部分を露光するように開口部を形成する。ポジ型レジストの市販品として、例えば東京応化工業製OFPR-5000を用いることができる。次に図2bに示すように、アルカリ水溶液からなる現像液レジスト現像液を用いてレジスト現像を行うとともに、金属酸化物膜5Xのパターニングを行う。本実施の形態の現像液としては、一例としてTMAHテトラメチルアンモニウムハイドライドの2.38wt水溶液に、0.5wtの酸化合物ここでは過硫酸化合物の例として過硫酸カリウムKPSを添加したものを用いる。現像液におけるKPSの添加量としては、0.1wt以上1.0wt以下であればよく、0.3wt以上0.4wt以下であればなお好適である。KPSの濃度が低すぎると現像時間が長くなり、感光性レジスト膜Rの現像が不安定になって金属酸化物膜5Xのパターニング制御が困難となる。逆にKPSの濃度が高すぎると、金属材料層3Xや透明導電膜4Xのサイドエッチングが入りすぎてしまう。現像条件としては、常温25°C~30°C程度、現像時間1分程度とするのが目安である。酸化合物としては、過硫酸カリウムの他、過硫酸アンモニウムAPSなどの過硫酸化合物でもよい。TMAHとの組み合わせを考えると、TMAHと同じアンモニウムの成分を含まないという理由から、KPS過硫酸カリウムがより好ましい。なお、本発明のいずれの現像液でも強アルカリ成分と強酸成分が共存することになるため、成分安定性が比較的低い。従って、現像液を作製した後は速やかに使用することが望ましい。上記組成の現像液を用いることで、まずアルカリ成分によって、露光部分の感光性レジスト膜Rが溶解し、当該レジスト膜Rの現像がなされる。一方、この感光性レジスト膜Rの溶解により、当該感光性レジスト膜R下から露出した金属酸化物膜5Xが、酸化合物ここではKPSによって溶解し、取り除かれる。取り除かれた金属酸化物膜5Xの下からは透明導電膜4Xが外部露出する。現像時間の経過とともに、マスク露光した部分の金属酸化物膜5Xがすべて溶解する。このときKPSの作用によって、従来のように金属酸化物膜5Xの表面に難溶性酸化物が生じることはない。このため、本実施の形態では難溶性酸化物が残渣となり、エッチング不良やデバイス不良を誘発する問題を効果的に防止できる。さらに、露光されず溶解しない感光性レジスト膜Rの下層にもわずかに現像液が入り込み、この部分の金属酸化物膜5Xも若干溶解する。これにより、いわゆるオーバーエッチングの状態となる。この状態で現像を終了し、純水を用いてリンスを行う。このように現像エッチング工程を実施することで、実施の形態では金属酸化物膜5Xの上面に難溶性酸化物が生成されるのを防止し、且つ、金属酸化物膜5Xをきれいにパターニングして、ホール注入層5の安定した寸法制御を図れる。このため、有機EL表示パネル100を微細なサブピクセルからなる高精細型とする場合でも、ホール注入層5の形成方法にドライエッチングを採用することなく比較的低コストで良好な製造を期待できる。次にウェットエッチングを実施する。図2cに示すように、金属材料層3Xおよび透明導電膜4Xをエッチング液エッチャントを用いて一括エッチングする。このエッチング液としては、例えばリン硝酸系の混酸を用いることができる。ここで当図に示すように、金属材料層3Xおよび透明導電膜4Xの端面が揃うようにエッチング条件を設定することが望ましい。ウェットエッチングを行う方式は、エッチング液を満たした容器内で浸食させるディップ式が望ましいが、エッチング液を吹き付けるスプレー式、回転台に基板を取り付けてエッチング液を滴下するスピン式等があり、いずれを採用してもよい。エッチング後は基板を水洗し、乾燥させる。このようなエッチングを行うと、図3aに示すように、金属材料層3Xおよび透明導電膜4Xの各端面が揃ったテーパー状となり、同順に陽極3、透明電極4が形成される。このときの端面のテーパー角度としては特に限定がないが、目安として30°~60°の範囲に設定することができる。一方、金属酸化物膜5Xは陽極3、透明電極4よりも層内部側に若干後退した形状のホール注入層5となる。このように複数の層を積層する場合、上層から下層に従って積層構造を順に裾広がりの形状とすることで、端面がオーバーハング状となるのを防止できる。本実施の形態ではホール注入層5の形成時に難溶性酸化物膜の発生を防止しているので、上層に膜を形成した場合の段切れや、オーバーハング部分にエアや水分が残留することによる悪影響を防止できる。なお、有機EL表示パネル100では、陽極3、透明電極4、ホール注入層5の端面は、後に形成するバンク6の直下に位置するため、バンク6に覆われる。しかしながら陽極3、透明電極4、ホール注入層5の端面に難溶性酸化物膜が付着すると、前記端面と難溶性酸化合物膜との間に空隙が発生し、後の加熱工程において空隙が体積膨張して積層構造を破壊するおそれがある。この点、難溶性酸化物膜や空隙の発生を防止している本実施の形態においては、上記問題を良好に回避することができる。次に図3bに示すように、残った感光性レジスト膜Rを剥離する。以上で陽極、透明電極、ホール注入層のパターニング形成が終了する。本実施の形態におけるフォトリソグラフィー法は、厳密な寸法精度を得るために矩形レジストを使う必要がなく、通常の感光性レジストを用いてテーパー状レジストを形成したまま処理が可能である。この点において生産コストの上昇を抑制する効果もある。これらの構成要素を形成した後、前述した方法にてバンク6を形成する。<レジスト現像液による性能確認試験>次に、レジスト現像直後の製造中基板について、図2bの構成を実施例、図7bの構成を比較例としてそれぞれ作製した。各基板の表面をXPS測定し、表面に存在する各原子の量を調べた。XPSスペクトル結果を図4、5に示す。また、測定した各基板の表面の各原子の存在比率atmを表1に示す。図4は、基板表面における、タングステン難溶性酸化物を構成するタングステン原子の電子軌道W4fの検出ピークを示している。太線が比較例、細線が実施例を示す。当図及び表1に示すように、比較例では変質層難溶性酸化物膜5‘Xに由来するタングステン原子が存在することを確認できる。一方、実施例では、このようなタングステン原子が存在しないことを確認できる。一方、図5は、基板表面における、インジウムIn3d5の検出ピークを示す。太線が比較例、細線が実施例を示す。当図及び表1に示すように、実施例では基板表面に透明導電膜IZO由来のIn原子が存在しているので、これによって金属酸化物膜は除去されたものと考えられる。一方、比較例ではIn原子はほとんど存在していないことから、基板表面にIn以外の原子この場合は金属酸化物膜及び難溶性酸化物が存在するものと推測できる。この図4、5、表1の結果により、比較例ではアルカリ性水溶液のみからなる現像液を用いてレジスト現像を行うことで、金属酸化物膜表面に難溶性酸化物膜5’Xが形成されていると考えられる。一方、実施例では酸化合物を含むアルカリ性水溶液を用いてレジスト現像することで、難溶性酸化物の発生を防ぎ、適切に金属酸化物膜をパターニングできていると考えられる。<ホール注入層の後退量について>図6は、本願発明者が実験により測定して得た、レジスト現像工程の経過時間に対する、ホール注入層の幅の減少量HIL後退量と、ホール注入層直下の反射陽極及び透明電極のサイドエッチング量の関係を示すグラフである。当図に示すように、レジスト現像時間の経過に伴い、ホール注入層の後退量とサイドエッチング量は増加する。一方、単位時間当たりのホール注入層の後退量は、反射陽極、透明電極のサイドエッチング量よりも多いという関係がある。そこで本願発明者は、レジスト現像時間を制御することで、図6のようにサイドエッチング量を抑制しつつ、所望のホール注入層幅を調節できる適正範囲が存在することを見出した。例えば、上記実施の形態に挙げた方法では、レジスト現像時間を約60秒とすることでサイドエッチング量を極力抑制し、ホール注入層の後退量を500nm~600nm程度に制御することができる。これにより、サイドエッチング量よりもホール注入層の後退量を適量だけ増やし、狙い通りの陽極3、透明電極4、ホール注入層5の各端面形状を調整することが可能である。図3cの例では、ホール注入層5の後退量は100nm程度に制御されている。このようにホール注入層5を後退させることで、ホール注入層5形成後に陽極3、透明電極4をエッチングにてパターニングする際、ホール注入層5の端面が陽極3、透明電極4の端面に対して庇状に突出するのを防止でき、端面形状を良好にできる。ホール注入層5の後退量を陽極3と透明電極4の端面よりも奥まった位置に調節することで、これら3層の上を被覆するようにバンク6等の新たな層を設ける場合、空隙の発生を防いでカバレッジを良好にする効果を期待できる。<従来の製造方法例について>次に示す図10、図11は、それぞれ異なる従来比較例の有機EL素子における陽極、透明電極、ホール注入層、バンクを順次製造するフローである。図10に示すフローでは、金属材料層、透明導電膜、金属酸化物膜をそれぞれ個別に成膜、焼成し、フォトリソグラフィー法にてパターニングを繰り返す工程としている。この従来例では工程数が多く、歩留まりおよび生産コストの面で改善の余地がある。これに対し、前述した実施の形態の製造方法では、金属材料層、透明導電膜、金属酸化物膜のパターニングについてはフォトリソグラフィー工程を1回のみ実施すればよい。図11に示すフローでは、本実施の形態と同様に、金属材料層、透明電極膜、金属酸化物膜を順次積層し、プリベーク金属材料層焼成を経てフォトリソグラフィー、ウェットエッチングを順次行っている。ここで図7、8は、図11のフローに基づく従来の製造工程を示す模式的な断面図である。図7、8の製造工程が実施の形態と異なるのは、主としてアルカリ性水溶液からなる現像液に過硫酸化合物を含まないTMAHテトラメチルアンモニウムハイドライドの2.38wt水溶液を用いた点である。以下、具体的に説明する。まず、図2aの工程と同様に、平坦化膜2の表面に金属材料層3X、透明導電膜4X、遷移金属化合物ここでは酸化タングステンからなる金属酸化物膜5Xを、真空成膜法に基づき同順に積層して成膜する。金属酸化物膜5Xの上面にポジ型の感光性レジスト膜Rを配設する。この状態でフォトリソグラフィーを実施する。次に、図7bに示すように、アルカリ性水溶液からなる現像液を用いて現像を行う。ここでは従来の現像液として過硫酸化合物を含まないTMAHの2.38水溶液を用いる。当該現像液により、感光性レジストを溶解させる。感光性レジストが無くなって露出した金属酸化物膜5Xが一定程度、当該現像液により溶解する。このとき金属酸化物膜5Xの表面には、前記現像液と反応することで、当図に示すように難溶性酸化物膜5’Xが形成される。難溶性酸化物膜5’Xは、現像前は3に近い価であったタングステン原子の価数が2に近い価に変化して生成したものと推測される。この難溶性酸化物膜5’Xの存在によって、当該5’Xが形成された部分の下の金属酸化物膜5Xは溶解しにくくなる。また、残存する感光性レジスト膜Rの下層にアルカリ現像液が入り込まず、オーバーエッチングの状態とはならない。この状態で、純水による水洗リンスを行う。次に図7cに示すように、エッチング液を用いて金属材料層3Xおよび透明導電膜4Xを一括エッチングする。エッチング液としては混酸を用いることができる。このとき、図7bの工程で金属酸化物膜5Xが一定程度溶解していることにより、エッチング液が金属酸化物膜5Xを浸透して金属材料層3Xおよび透明導電膜4Xに到達し、これらをエッチングできる。しかし、図2cのように金属材料層3Xおよび透明導電膜4Xの端面を揃えるようにエッチング条件を設定しても、難溶性酸化物膜5’Xは上記エッチング液では溶解しない。このため図7cのように、難溶性酸化物膜5’Xはエッチング後も依然として金属材料層3Xおよび透明導電膜4X、金属酸化物膜5Xの端面付近に庇状に突出して残存する。次に、図8aに示すように感光性レジスト膜Rを剥離するが、レジスト剥離後も難溶性酸化物膜5’Xが残る。庇状の難溶性酸化物膜5’Xは自重により垂れ下がり、或いは前記水洗等の衝撃で金属材料層3Xおよび透明導電膜4X、金属酸化物膜5Xの端面を被覆したり、平坦化膜2上に落下することもある図8b、c。残渣となった難溶性酸化物膜5’Xはパターニング異常の原因となるだけでなく、難溶性酸化物がパーティクルいわゆるゴミとなり、デバイス不良の原因にもなる。さらに、ホール注入層5の上に成膜する際に、当該膜が難溶性酸化物膜5’X段切れを起すという不具合を生じる。また、難溶性酸化物膜5’Xと前記エッジ部分との間に空隙が生じると、後の各加熱工程において空隙が膨張し、基板の積層構造が破壊されるおそれもある。一方、本実施の形態における工程では、前述の酸化合物を含むアルカリ水溶液からなる現像液を用いることで、このような難溶性酸化物膜5’Xの発生を防止し、良好なテーパー角度で陽極3及び透明電極4、ホール注入層5を形成している。この点において、本実施の形態における優位性を確認することができる。<その他の事項>上記実施の形態では、有機EL素子の製造方法を例示したが、本発明はこれに限定されない。薄膜トランジスタ、太陽電池等の製造工程において、金属膜上に遷移金属化合物からなる酸化物膜を形成し、感光性レジストを用いたフォトリソグラフィー法で前記金属膜をパターニングする工程を含む場合は、本発明の製造方法を適用することができる。