"MIM構造を有する薄膜素子を、支持基板から転写基板に転写する薄膜素子の転写方法であって、支持基板上に形成されたMIM膜の表面に、絶縁膜を形成する工程と、前記支持基板側の絶縁膜の表面と、前記転写基板側の表面の少なくとも一方の表面に、金属とSiからなる密着層を、10-6~10-7Paオーダーの超高真空中で形成する工程と、前記支持基板の前記MIM膜が形成された側の表面と、前記転写基板の表面を、前記密着層を挟むように接触させ、荷重を掛けて接合する工程と、前記支持基板と転写基板を離し、支持基板側から転写基板側へ前記MIM膜を転写する工程と、を含んでおり、前記密着層による密着力をFAとし、前記支持基板側とMIM構造膜の界面の密着力をFBとしたときに、FA>FBとすることで、前記剥離転写を可能としたことを特徴とする薄膜素子の転写方法。前記転写基板側にも密着層を形成する場合には、前記転写基板上にSi膜を形成した後に、該Si膜上に前記密着層を形成することを特徴とする請求項1記載の薄膜素子の転写方法。前記支持基板が耐熱性基板であり、前記転写基板が非耐熱性基板であるとともに、前記MIM膜が、高誘電率の誘電体薄膜を上部電極と下部電極で挟んだ構造であることを特徴とする請求項1又は2記載の薄膜素子の転写方法。前記FA>FBを満たすように、前記密着層の形成を制御することを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の薄膜素子の転写方法。前記MIM膜を、層間絶縁層を介して支持基板上に形成するとともに、前記FA>FBを満たすように、前記層間絶縁層による支持基板とMIM膜の密着力FBを低下させる工程を含むことを特徴とする請求項4記載の薄膜素子の転写方法。前記層間絶縁層上へのMIM膜の形成後に、前記層間絶縁層の密着性を低下させる処理を行うことを特徴とする請求項5記載の薄膜素子の転写方法。前記MIM膜を前記層間絶縁層上に形成した後に、これらMIM膜と層間絶縁層の界面に、機械的な剥離起点を形成することを特徴とする請求項5記載の薄膜素子の転写方法。前記MIM膜の形成後かつ前記絶縁膜の形成前,あるいは、前記MIM膜の転写基板への転写後に、前記MIM膜を加工してMIMキャパシタ構造を形成する工程,を含むことを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の薄膜素子の転写方法。転写基板上に、請求項1~8のいずれかの方法によって、前記密着層を介して転写された薄膜素子を有することを特徴とする回路基板。しかしながら、上述した背景技術には次のような不都合がある。まず、前記特許文献3に記載の技術では、剥離する界面SiO2/Ptの密着性を制御するために、下部Pt電極を厚膜化する必要があるとされており、作製コストの増大を引き起こすという不都合がある。また、前記特許文献4に記載の技術では、金属窒化物層を除去する工程において、素子へのダメージが懸念される。また、特許文献5では、レーザー照射により基板と薄膜層を分離するため、基板が、レーザーを透過する材料に限定され、従来のSi基板に形成するプロセスが適用できないという不都合がある。本発明は、以上のような点に着目したもので、支持基板上に形成されたMIM構造下部電極/誘電体層/上部電極膜を、均一かつ低ダメージで剥離して、転写基板へ転写する薄膜素子の転写方法と、該方法によって転写された薄膜素子を基板上に有する薄膜部品を提供することを、その目的とする。本発明は、MIM構造を有する薄膜素子を、支持基板から転写基板に転写する薄膜素子の転写方法であって、支持基板上に形成されたMIM膜の表面に、絶縁膜を形成する工程と、前記支持基板側の絶縁膜の表面と、前記転写基板側の表面の少なくとも一方の表面に、金属とSiからなる密着層を、10-6~10-7Paオーダーの超高真空中で形成する工程と、前記支持基板の前記MIM膜が形成された側の表面と、前記転写基板の表面を、前記密着層を挟むように接触させ、荷重を掛けて接合する工程と、前記支持基板と転写基板を離し、支持基板側から転写基板側へ前記MIM膜を転写する工程と、を含んでおり、前記密着層による密着力をFAとし、前記支持基板側とMIM構造膜の界面の密着力をFBとしたときに、FA>FBとすることで、前記剥離転写を可能としたことを特徴とする。主要な形態の一つは、前記転写基板側にも密着層を形成する場合には、前記転写基板上にSi膜を形成した後に、該Si膜の表面上に、前記密着層を形成したことを特徴とする。他の形態は、前記支持基板が耐熱性基板であり、前記転写基板が非耐熱性基板であるとともに、前記MIM膜が、高誘電率の誘電体薄膜を上部電極と下部電極で挟んだ構造であることを特徴とする。更に他の形態は、前記FA>FBを満たすように、前記密着層の形成を制御することを特徴とする。更に他の形態は、前記MIM膜を、層間絶縁層を介して支持基板上に形成するとともに、前記FA>FBを満たすように、前記層間絶縁層による支持基板とMIM膜の密着力FBを低下させる工程を含むことを特徴とする。更に他の形態は、前記層間絶縁層上へのMIM膜の形成後に、前記層間絶縁層の密着性を低下させる処理を行うこと,あるいは、前記MIM膜を前記層間絶縁層上に形成した後に、これらMIM膜と層間絶縁層の界面に、機械的な剥離起点を形成することを特徴とする。更に他の形態は、前記MIM膜の形成後かつ前記絶縁膜の形成前,あるいは、前記MIM膜の転写基板への転写後に、前記MIM膜を加工してMIMキャパシタ構造を形成する工程,を含むことを特徴とする。本発明の回路基板は、前記いずれかに記載の方法によって、前記密着層を介して転写された薄膜素子を有することを特徴とする。本発明の前記及び他の目的,特徴,利点は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。本発明によれば、支持基板上に形成されたMIM膜側の表面と、転写基板側の表面の少なくとも一方の表面に、超高真空中で金属とSiからなる密着層を形成し、前記支持基板の前記MIM膜が形成された側の表面と前記転写基板側の表面とを、前記密着層を挟んで接触させ、荷重を掛けて接合し、前記支持基板側から転写基板側へ、前記MIM膜を剥離転写する。その際に、前記MIM膜と転写基板側との密着力FAを制御し、あるいは、必要に応じて、前記MIM膜と支持基板側との密着力FBも制御して、FA>FBとすることとしたので、均一かつ低ダメージでMIM構造を有する薄膜素子を下地基板側から剥離し、転写基板側へ転写することができる。また、転写基板上に前記転写手法によって転写された薄膜素子を備えることで、回路基板の低背化も可能となる。以下、本発明を実施するための形態を、実施例に基づいて詳細に説明する。最初に、図1及び図2を参照しながら本発明の実施例1を説明する。図1は、本実施例の回路基板の積層構造を示す断面図,図1は薄膜素子と支持基板の剥離界面と、薄膜素子と転写基板の接着界面を示す断面図である。図2は、本実施例による薄膜素子の転写工程を示す断面図である。図1に示すように、本実施例の回路基板10は、転写基板40上に、Si膜42及び密着層46を介して薄膜キャパシタ30が設けられた構造となっている。前記転写基板40は、例えば、ポリイミドなどの樹脂基板やTSVのような非耐熱性基板であり、密着層46としては、例えば、FeSiなどのように、金属とSiからなるものが用いられる。また、前記薄膜キャパシタ30は、電極層20,24の間に、高誘電率の誘電体層22が挟まれたMIM構造となっている。前記電極層20,24の材料としては、例えば、Ptや導電性薄膜RuOやIrOなどが用いられ、誘電体層22の材料としては、例えば、BaSrTiO3,BaTiO3,SrTiO3などが用いられる。また、図示の例では、前記薄膜キャパシタ30の表面は、絶縁性の保護膜48により覆われている。該保護膜48としては、例えば、SiO2,SiN,Al2O3などが用いられる。前記薄膜キャパシタ30は、耐熱性を有する支持基板上に高温プロセスにより形成され、その後、前記転写基板40上に転写される。次に、図2~を参照しながら、本実施例の転写工程を説明する。まず、図2に示すように、支持基板12としてSi下地基板を用意し、該Si下地基板上に、熱酸化などによりSiO2膜14を形成する。該SiO2膜14は、支持基板12からの絶縁を得られる膜厚例えば、200nm程度が必要であるが、SiO2膜14の表面の粗さが、後の工程で形成するMIM膜26の密着性に与える影響を考慮すると、表面粗さは小さいほうが望ましい。次に、前記SiO2膜14上に、TiOX層15,電極層16,層間絶縁層18,電極層20,誘電体層22,電極層24の順で積層するように、スパッタリングにより各層を成膜する。前記電極層20,誘電体層22,電極層24により、MIM膜26が形成されている。本実施例では、前記電極層16,20,22としては、例えば、Ptが用いられ、層間絶縁層18としては、例えば、BSTが用いられ、誘電体層22としては、例えば、Mn-BSTが用いられる。更に、前記MIM膜26上に、絶縁層28として、SiN膜をCVDなどによって形成する。そして、前記絶縁層28の表面側から、水素プラズマ処理を行うか、あるいは、支持基板12の裏面側から水素インプランテーション水素注入処理を行うことで、図2に矢印で示すPt/BST界面,すなわち、層間絶縁層18と電極層20の界面の密着性を低下させる。これは、本実施例において層間絶縁層層18として用いるBSTが水素に弱い性質を有することを利用したものであり、上記処理以外にも支持基板12側とMIM膜26側の界面の密着性を低下させることができる手法であれば、利用可能である。前記処理を施した後の図2に示す構造に対して、テープ剥離試験を実施し、剥離後の支持基板12側の表面をXPSにより組成分析したところ、BST膜層間絶縁膜18表面であることが確認された。一方、前記支持基板12側とは別に、転写基板例えば、Si基板,ガラス基板,サファイア基板40上に、あらかじめスパッタなどによりSi膜42を形成しておき、該Si膜42表面と、前記支持基板12側の絶縁層28の表面のそれぞれに、図2に示すように、密着層46A,46Bを形成する。これら密着層46A,46Bは、例えば、10-6~10-7Paオーダーの超高真空中で、イオンビームを照射してFeSiのナノ密着層を形成することにより形成される。該密着層46A,46Bは、MIM膜26と転写基板40との密着性が高い状態を形成するためのもので、イオンビームの照射条件により、MIM膜26側の絶縁層28と、転写基板40側のSi膜42の密着力FA図1参照の制御が可能である。例えば、前記支持基板12側の層間絶縁膜18と電極層20ないしMIM膜26との界面の密着力をFB図1参照としたときに、FA>FBとなるように、イオンビームの照射条件を変更することにより、支持基板12側からMIM膜26が剥離し、転写基板40側へ転写される。次に、図2に示すように、支持基板12側の密着層46Bと、転写基板40側の密着層46Aが接触するように、両基板を合わせて、真空中で荷重を掛けて接合する。上述したように、FA>FBを満たすように層間の密着力が制御されているため、転写基板40と支持基板12を離すと、MIM膜26は、支持基板12から剥離し、転写基板40側へ転写される図2。図2は、図2までと上下を反転して示している。転写後の転写基板40とMIM膜26は、Si化合物/Si層中間層であるSi膜42と密着層46で接合されていると考えられる。このとき、剥離されたMIM膜26の電極層20上に、層間絶縁層18が残っている場合には、必要に応じて適宜手段で除去する。そして、前記MIM膜26の電極層20上部電極,誘電体層22,電極層24を、例えば、RIEなどのドライエッチングにより加工することによって、図2に示すようなMIMキャパシタ30が形成される。該MIMキャパシタ30は、転写基板40上に、Si膜42及び密着層46を介して接合された状態である。そして、必要に応じてMIMキャパシタ30の上部に図示しない配線を形成して回路と接続し、前記保護膜48を適宜形成することで、本実施例の回路基板10が得られる。このように、実施例1によれば、支持基板12のMIM膜26上の絶縁層28の表面と、転写基板40上に形成されたSi膜42の表面のそれぞれに、超高真空中で金属とSiからなる密着層46A、46Bを形成し、前記支持基板12と転写基板40とを、それぞれの密着層46A,46Bを接触させて荷重を掛けて接合し、前記支持基板12側から転写基板40側へ、前記MIM膜26を剥離転写する。その際、あらかじめ前記MIM膜26と転写基板側との密着力FAを制御するとともに、前記MIM膜26と支持基板12側との密着力FBを低下させる処理を行うことで、FA>FBを満たすこととしたため、次のような効果が得られる。均一かつ低ダメージで、転写基板40へMIM構造を有する薄膜素子薄膜キャパシタ30を転写することができる。非耐熱性基板である転写基板40上に、高温プロセスを用いることなく、高容量な薄膜キャパシタ30を転写することができるため、回路の小型化,低背化を図ることができる。支持基板12上に形成された素子の特性を保持したまま、非耐熱性基板である転写基板40上へMIM膜26を転写できる。MIM膜26を剥離した後の支持基板12の再利用が可能となるため、省資源化及び低コスト化につながる。次に、図3及び図4を参照しながら本発明の実施例2を説明する。図3は、本実施例の転写工程を示す断面図,図4は、本実施例におけるFeの表面組成と密着強度の関係を示す図である。なお、上述した実施例1と同一ないし対応する構成要素には同一の符号を用いることとする以下の実施例についても同様。本実施例の回路基板50は、図3に示すように、前記実施例1の回路基板10と構造は同じであり、転写工程のみが異なっている。上述した実施例1では、MIM膜26と転写基板40側との密着力FAと、MIM膜26と下地基板12側との密着力FBの双方を制御することで、MIM膜26の剥離及び転写を均一かつ低ダメージで行うこととしたが、本実施例は、主に、前記密着力FAの制御によりMIM膜26の剥離転写を行うこととした例である。まず、図3に示すように、支持基板12として下地Si基板を用意し、該Si下地基板上に、熱酸化などにより、絶縁層14としてSiO2膜を形成するまでは、前記実施例1と同様である。次に、図3に示すように、前記絶縁層14の表面を、フッ素系プラズマによって処理することで、絶縁層14の表面に、SiO2膜よりも低誘電率なSiOF層層間絶縁層52を形成する。条件によっては、前記フッ素系プラズマでは、SiO2がエッチングされるため、化学的に活性なラジカル種を形成できるプラズマ処理条件とする。なお、本実施例は、上述した通り、主に密着力FAの制御を行うものであるが、前記フッ素系プラズマ処理は、支持基板12とMIM膜26との剥離をしやすくする処理も兼ねている。次に、図3に示すように、前記層間絶縁層52上に、電極層20,誘電体層22,電極層24を、スパッタリングなどによって形成する。更に、前記電極層24上に、絶縁層28として、SiN膜をCVDなどによって形成する。そして、あらかじめSi膜42を形成しておいた転写基板40側の表面と、前記支持基板12側の絶縁層28の上面に、イオンビームを照射して、FeSiの密着層46A,46Bを形成し図3、両基板表面の密着性が高い状態を形成する。次に、図3に示すように、前記密着層46A,46Bが接触するように、支持基板12と転写基板40を合わせ、荷重を掛けて接合する。ここで、MIM膜26側の絶縁層28と転写基板40側のSi膜42との密着力FAが、MIM膜26と層間絶縁層52との密着力FBよりも高い状態が形成されていると、後述する図3の工程において、MIM膜26が転写基板40側へ転写可能となる。この密着力FAの制御は、前記図3に示した工程で行う。Si-SiN基板Si基板と、該Si基板上に形成したSiN膜絶縁層28の密着力ないし結合力については、支持基板12側に形成する密着層46Aの組成,結合状態によって制御することができる。なお、本実施例では、転写基板40側にも密着層46Bを設けることとした。図4には、XPSによるSi表面表面から約5mm程度の深さの部分のFeの表面組成と密着強度の関係が示されている。同図において、横軸は、Feのシグナル強度,縦軸は、結合エネルギーJ/m2を表している。同図に示すように、表面でのFeの存在量が多くなるにつれて、密着強度が高くなることから、Si-SiN間の密着性の向上が期待できる。すなわち、Feの存在量の調整により、前記密着力FAの調整が可能となる。接合後、支持基板12と転写基板40を離すと、前記MIM膜26は、FA>FBにより支持基板12側から剥離し、転写基板40側へ転写されている。図3には、転写後の反転状態が示されている。次に、図3に示すように、電極層20,誘電体層22,電極層24を、RIEなどのドライエッチングにより加工し、MIMキャパシタ30を転写基板40上に形成する。また、必要に応じて、素子上部に配線を形成し、回路と接続することで、図3に示す本実施例の回路基板50が形成される。本実施例によれば、支持基板12側の表面をフッ素系プラズマ処理し、低誘電率層層間絶縁層52を形成することで、支持基板12側と電極材料電極層20との鏡像係合力を高められるほかは、上述した実施例1と同様の効果が得られる。次に、図5を参照しながら本発明の実施例3を説明する。本実施例は、上述した実施例2の変形例であって、転写基板40側へMIM膜26を転写する前に、MIMキャパシタ30を形成する例である。図5~は、本実施例の転写工程の一例を示す図である。まず、上述した実施例2の図3及びと同様の手順により、下地Si基板上に絶縁層14を形成し、更に、SiOF層層間絶縁層52を形成する。次に、前記図5に示すように、前記層間絶縁層52上に、電極層20,誘電体層22,電極層24を、スパッタリングなどによって形成し、これら電極層20及び24と誘電体層24をエッチングなどにより加工し、図5に示すMIM構造のMIMキャパシタ30を得る。この上に、図5に示すように、パッシベーション膜62として、SiN膜を形成する。次に、支持基板12上に形成されたMIMキャパシタ30の上部から、イオンビームを照射することで、SiO2-SiOF層絶縁層14-層間絶縁層52と電極層20の界面をエッチングすることで、図5に矢印Pで示す剥離起点を機械的に形成する。これと同時に、前記パッシベーション膜62上に、転写基板40と密着性のよい接合中間層であるFeSiの密着層46Bを形成する。そして、図5に示すように、あらかじめSi膜42を形成しておいた転写基板40側の表面に、イオンビームを照射して、FeSiの密着層46Aを形成し、支持基板12上のMIMキャパシタ30側と密着性の高い状態を作成する。次に、図5に示すように、支持基板12側の接合中間層密着層46Bと、転写基板40側の密着層46Aを接触させて密着させ、Si膜42,密着層46A及び46Bが接合するように荷重を掛ける。前記図5で示した工程により、層間絶縁層52と電極層20の界面に剥離起点を設けているため、これらの界面における密着力FBは、密着層46の密着力FAよりも小さくなるため、下地基板12と転写基板40を離すと、MIMキャパシタ30が下地基板12側から剥離し、転写基板40側へ転写される。その状態が、図5に反転状態で示されている。次に、図5に示すように、転写基板40側の加工を行うことで、前記MIMキャパシタ30の電極層24と接続する導体66をビアホール64に充填することで、本実施例の回路基板60が形成される。本実施例によれば、イオンビーム照射によって、電極材料と支持基板12側に剥離が容易になるような物理的な起点を形成しているため、MIMキャパシタ30の剥離転写をスムーズに行うことができる。他の基本的な効果は、上述した実施例1と同様である。なお、本発明は、上述した実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることができる。例えば、以下のものも含まれる。前記実施例で示した形状,寸法は一例であり、必要に応じて適宜変更してよい。前記実施例で示した材質も一例であり、同様の効果を奏する範囲内であれば、適宜変更可能である。例えば、前記実施例では、密着層46としてFeSiを用いたが、AuSiやAlSiなどのように、基板の性質に応じて使用する金属を変更してよい。前記実施例3で示したビアホール接続も一例であり、公知の各種の接続方法を適用してよい。前記実施例1では、真空中で基板同士の接合を行うこととしたが、真空度は使用材料によって変更してよく、大気中での接合も可能である。前記実施例では、転写基板40上にSi膜42を形成することとしたが、Si膜42は、転写基板40や転写するMIM膜26の材料によって、必要に応じて設ければよい。前記実施例では、MIM構造を有するMIMキャパシタを例に挙げて説明したが、本発明は、MIM構造を有する他の公知の各種の薄膜素子の転写技術全般に適用可能である。"