AlもしくはAl合金からなる回路基板と半導体素子がはんだ層を介して接続されてなる半導体装置であって、Ni、Cu、Ag、Auもしくはそれらの合金からなる金属粉末が積層して形成された金属粉末層が回路基板とはんだ層の間に介在しており、前記金属粉末層は、そのはんだ層側となる表面において金属粉末層を横断する溝条を有している半導体装置。前記金属粉末層は長辺と短辺を有した平面視矩形を呈し、そのはんだ層側となる表面において前記溝条が該短辺に沿う方向に延びている請求項1に記載の半導体装置。前記溝条の溝高さが80μm以下である請求項1または2に記載の半導体装置。複数の前記溝条が併設しており、該溝条の断面形状は略三角形をなし、その底辺の幅をw、高さをh、隣接する溝条同士は一部でラップしていて双方の頂部間の距離をpとした際に、h2w<80μmの関係式を満たしている請求項1~3のいずれかに記載の半導体装置。前記金属粉末層が、前記金属粉末をコールドスプレーする方法で形成されている請求項1~4のいずれかに記載の半導体装置。本発明は上記する問題に鑑みてなされたものであり、回路基板と半導体素子がはんだ層を介して接続されてなる半導体装置に関し、回路基板とはんだ層の間に別途の層を介在させてはんだ濡れ性を良好なものとしながら、これらの層間にボイドが滞留するのを抑制でき、もって、はんだ層と別途の層の間の接続強度の高い半導体装置を提供することを目的とする。前記目的を達成すべく、本発明による半導体装置は、AlもしくはAl合金からなる回路基板と半導体素子がはんだ層を介して接続されてなる半導体装置であって、Ni、Cu、Agもしくはそれらの合金からなる金属粉末が積層して形成された金属粉末層が回路基板とはんだ層の間に介在しており、前記金属粉末層は、そのはんだ層側となる表面において金属粉末層を横断する溝条を有しているものである。本発明の半導体装置は、AlもしくはAl合金からなる回路基板に対してはんだ層を形成する際のはんだ濡れ性の問題を解消するべく、はんだ濡れ性の良好なNi、Cu、Ag、Auもしくはそれらの合金からなる金属粉末が積層してできた金属粉末層が回路基板の表面に配され、この金属粉末層がはんだ層を介して半導体素子と接続されるものである。そして、この金属粉末層はその形成方法に起因してはんだ層側となる表面に金属粉末層を横断する溝条を有するものである。ここで、金属粉末層を横断するとは、任意の平面形状円形、楕円形、正方形や長方形、これら以外の多角形などの金属粉末層に対し、その任意の端点から他の任意の端点に亘って連続した溝条が通っていることを意味しており、平面視正方形の金属粉末層に対して、いずれかの辺に平行な1つもしくは2以上の溝条が金属粉末層に配された形態、平面視円形の金属粉末層に対して、1つもしくは2つ以上で円形の中心を通る直径をなす溝条が金属粉末層に配された形態などを意味している。このように、任意の平面形状の金属粉末層の表面において、任意の端点から他の任意の端点に亘る溝条を設けたことにより、金属粉末層の表面とはんだ層の間に形成され得るボイドをこの溝条を介して外部に排出することが可能となる。すなわち、本発明の半導体装置は、その構成要素である金属粉末層のはんだ層側となる表面にボイド抜き用の溝条を設けたものであり、この溝条は、比較的大きな気泡からなるボイドを抜くことができるものの、一度抜けた気泡ボイドと同程度の大きさの気泡が外部から再度侵入できない程度の大きさ溝条の溝高さを有するものであり、より詳細には、溝条の溝高さと溝周囲の表面張力などが加味されて再度の侵入が阻止されることになる。このことは、既述する特許文献1に開示の技術が金属被膜の表面に単に凹凸を付したことと大きく相違している。また、Ni、Cu、Ag、Auもしくはそれらの合金からなる金属粉末とは、Ni、Cu、Ag、Auのうちのいずれか一種の単体金属粉末のほか、Ni合金、Cu合金、Ag合金、Au合金のうちのいずれか一種の合金粉末のことを意味している。なお、本発明の半導体装置は、少なくとも回路基板と金属粉末層、はんだ層、および半導体素子が積層した構成であること以外は、ヒートシンクや冷却器、AlN等の絶縁基板、応力緩和板など、任意の部材がさらに付加された多様な形態を包含するものである。また、半導体素子は、ICチップシリコンチップやトランジスタ、ダイオードなどの素子全般を示称している。上記する本発明の半導体装置によれば、はんだ濡れ性の良好なNi、Cu、Agもしくはそれらの合金からなる金属粉末が積層して形成された金属粉末層が回路基板とはんだ層の間に介在し、さらに、金属粉末層がそのはんだ層側となる表面に金属粉末層を横断する溝条を有していることにより、金属粉末層の表面にはんだ層を形成した際に生じるボイドを溝条を介して外部に排出することができ、金属粉末層とはんだ層の接続性に優れた半導体装置となる。また、前記金属粉末層が長辺と短辺を有した平面視矩形を呈している場合には、そのはんだ層側となる表面において前記溝条が該短辺に沿う方向に延びている形態が好ましい。短辺に沿う方向に溝条が延びていることで、ボイドが外部に排出され易くなるからである。また、本発明者等による検証の結果、溝条の溝高さが80μmを越えた段階でボイド率金属粉末層の平面積に占めるボイド面積の割合が大きくなることが確認されており、このことから、溝条の溝高さは80μm以下の範囲とするのが好ましい。また、複数の前記溝条が併設し、溝条の断面形状が略三角形をなしている形態においては、その底辺の幅をw、高さをh、隣接する溝条同士は一部でラップしていて双方の頂部間の距離をpとした際に、h2w<80μmの関係式を満たしているのが好ましい。ここで、断面形状が略三角形とは、断面形状が三角形のもののほか、隅角を具備せずに角が丸まっていて全体として三角形に近い形状などを含む意味である。さらに、前記金属粉末層は、前記金属粉末をコールドスプレーする方法で形成されているのが好ましい。金属粉末が積層して形成された金属粉末層を実現する形成方法としては、金属粉末を溶融もしくはガス化させることなく、超音速流で固相状態のまま回路基板に衝突させるのがよく、これを実現する方法としてコールドスプレーを挙げることができ、広義には、コールドスプレーを包含する概念として溶射を挙げることができる金属粉末を溶融させる溶射は除く。コールドスプレー加工において、ロボットハンド等のマニピュレーターが把持するスプレーガンをたとえば回路基板の表面に連続的に蛇行させるようにして金属粉末をスプレーする際に、自動的に溝条を形成することができる。たとえば平面視矩形の短辺に平行にスプレーガンを移動させてスプレー塗布することによって、略三角形の断面スプレー塗布によってなりゆきでこのような断面形状のものが形成できるの金属粉末の列を形成し、次いで逆向きにスプレーガンを移動させて既に形成されている金属粉末の列に間隔を置いて短辺に平行にスプレーガンを移動させてスプレー塗布することにより、2列の平行した略三角形の断面が所定の間隔上記するように略三角形の頂部間に設けられた間隔をもって形成できる。そして、この加工を回路基板の表面の全面、もしくは所望のエリアに亘って繰り返すことで断面が略三角形の金属粉末の列が所定の間隔をもって配列された金属粉末層を形成することができる。上記する半導体装置によれば、回路基板と半導体素子が金属粉末層を介して間接的に、はんだ層にて高い接続強度で接続された半導体装置となることから、その車載機器に高性能かつ高耐久が要求される、近時のハイブリッド車や電気自動車に車載されるインバータ等への適用に最適である。以上の説明から理解できるように、本発明の半導体装置によれば、はんだ濡れ性の良好な金属粉末が積層して形成された金属粉末層が回路基板とはんだ層の間に介在し、さらに、金属粉末層がそのはんだ層側となる表面に金属粉末層を横断する溝条を有していることにより、金属粉末層の表面にはんだ層を形成した際に生じ得るボイドを溝条を介して外部に効果的に排出することができ、金属粉末層とはんだ層の接続性に優れた半導体装置を提供することができる。以下、図面を参照して本発明の半導体装置の実施の形態を説明する。なお、図示する半導体装置の積層構成は一例にすぎず、他の構成要素、たとえば、絶縁基板や応力緩和板、冷却器などがさらに付加された半導体装置であってもよく、これらの積層体がケース内に収容され、封止樹脂体で封止された半導体装置であってもよい。半導体装置の実施の形態図1は半導体装置の実施の形態の縦断面図であり、図2a、bはともに、図1のII-II矢視図である。図示する半導体装置10は、AlもしくはAl合金からなるヒートシンク5の表面にAlもしくはAl合金からなる回路基板4がロウ付けされ、回路基板4の表面に複数の溝条2bをはんだ層側の表面2aに有する金属粉末層2が形成され、金属粉末層2と半導体素子1ICチップやトランジスタ、ダイオードなどがはんだ層3を介して接続されてその全体が構成されている。はんだ層3は、Pb系はんだ、Pbフリーはんだのいずれであってもよいが、環境影響負荷低減を図るべく、Sn-Ag系はんだ、Sn-Cu系はんだ、Sn-Ag-Cu系はんだ、Sn-Zn系はんだ、Sn-Sb系はんだなどのPbフリーはんだからなるものが好ましい。金属粉末層2は、Ni、Cu、Ag、Auのうちのいずれか一種の単体金属粉末のほか、Ni合金、Cu合金、Ag合金、Au合金のうちのいずれか一種の合金粉末をコールドスプレー法を用いて回路基板4の表面に形成したものである。Ni、Cu、Ag、Auもしくはそれらの合金からなる金属粉末が積層して形成された金属粉末層2をAlもしくはAl合金からなる回路基板4の表面に形成し、この金属粉末層2と半導体素子1をはんだ層3を介して繋ぐ構成としたことによって、はんだの濡れ性が良好となり、回路基板4と半導体素子1を金属粉末層2およびはんだ層3を介して間接的に高い接続強度で接続することができる。そして、金属粉末層2の平面視形状は多様なものが存在し得るが、図2aで示すように長辺長さt2と短辺長さt1を有する矩形の形態、図2bで示す金属粉末層2Aのように平面視円形の形態などがあり、その他にも、平面視正方形、平面視が矩形および正方形以外の多角形、平面視楕円形など、回路基板の平面形状や半導体素子の平面形状などに応じて多様な形状のものが存在する。さらに、金属粉末層2が回路基板4の表面全域に設けられてもよい。いずれの平面形状のものであれ、金属粉末層2はそのはんだ層側となる表面に該金属粉末層2を横断する1つ、もしくは2以上の溝条2bを有している。金属粉末層2がその表面を横断する溝条2bを有していることで、はんだ濡れ性の良好な金属粉末層を設けることによってこれとはんだ層の間に滞留し得るボイドを効果的にこれらの界面の外部に排出することができる。すなわち、金属粉末層2の表面を横断する溝条は、金属粉末層2の表面の中央領域から外部に通じる端部に延びたボイド抜き用の溝である。ここで、図3を参照して金属粉末層2の好ましい形成方法を概説する。図3aは図2aの矢視図で示す形態の金属粉末層の形成方法を説明した模式図であり、図3bは回路基板とこの表面に形成された金属粉末層の縦断面図である。長辺長さt2、短辺長さt1を有する平面視矩形の金属粉末層2を形成するに当たっては、コールドスプレー加工の際に適用される不図示のスプレーガンを図3aで示すように短辺に平行でかつ連続的に蛇行するようにして移動させることによりX方向、図3bで示すように、短辺に沿う方向に延設する複数の溝条2bを画成するように、金属粉末が積層した複数の金属粉末列からなる金属粉末層2が形成される。図3bで示す金属粉末の列は、断面形状が略三角形頂部が丸まっているとなっており、隣接する列同士がその一部でラップすることでラップ領域の上方に溝条2bが形成されている。溝条2bが短辺に沿う方向に延設するようにして金属粉末層2を形成することで、金属粉末層2とはんだ層3の間に介在するボイドの排出距離が可及的に短くなりたとえば平面視で金属粉末層2の中央位置からその端辺までの排出距離が短くなる、ボイドが排出され易くなる。ここで、図4を用いて、溝条2bの溝高さの最適値を規定する。同図で示す三角形は金属粉末列の断面形状を三角形と仮定し、その底辺をw、高さをh、各列の頂部間の距離をpとした際に、溝条2bの溝高さdをこれらのファクターから規定したものである。図示するように、dh2wの関係式が成立するが、本発明者等によれば、この溝高さdが80μm以下となるようにして金属粉末層2を形成するのがよいとの知見が得られている。溝条の溝高さが80μmを越えた段階で、ボイド率金属粉末層の平面積に占めるボイド面積の割合が大きくなることがその理由である。溝条の延設方向の相異による、溝条の溝高さとボイド率の関係を求めた実験とその結果本発明者等は、図3aで示す平面視矩形の金属粉末層において、短辺方向に列を成すように金属粉末層を形成した場合と、長辺方向に列を成すように金属粉末層を形成した場合の2つのケースに関し、それぞれ、以下の表1で示すように溝条の高さを種々変化させて金属粉末層を形成し、その表面にはんだ層を形成した際のボイド率金属粉末層の平面積に占めるボイド面積の割合を求めた。その結果を表1および図5に示す。表1および図5より、長辺方向に沿う列から構成される金属粉末層に対して、短辺方向に沿う列から構成される金属粉末層が格段にボイド率が低くなっていることが実証されている。既述するように、溝条の溝高さの上限値は80μmに規定するのが好ましく、下限値に関しては、図5の短辺方向に関するグラフより、ボイド率が最も低い値でサチュレートする40~50μmを下限値として規定することができる。以上、本発明の実施の形態を図面を用いて詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲における設計変更等があっても、それらは本発明に含まれるものである。