"固定電極が形成される固定板と、前記固定電極との間に間隔を設けて対向配置される可動電極が形成され、前記固定板に接合される半導体基板を備え、前記固定板と半導体基板とを接合した際に、前記固定電極に形成された固定電極側金属接触部と、前記半導体基板に形成された半導体基板側金属接触部とが接触する静電容量式センサであって、前記半導体基板側金属接触部を金属材料を用いて形成し、当該半導体基板側金属接触部の前記半導体基板に接合される基部内に、前記金属材料よりも硬度の高い材料からなるバッファ層が設けられていることを特徴とする静電容量式センサ。前記バッファ層は、当該バッファ層の厚みをtとし、前記半導体基板の接合面と前記固定電極の接合面との間の距離をdとした場合、d/2<t<dとなるように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の静電容量式センサ。前記バッファ層は、二酸化珪素または窒化珪素などの絶縁性材料で形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の静電容量式センサ。前記バッファ層は、タングステン、シリコンカーバイドまたはダイヤモンドライクカーボンなどの導電性材料で形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の静電容量式センサ。前記バッファ層は、前記半導体基板の接合面に沿った方向に間隔を設けて複数設けられていることを特徴とする請求項1~4のうちいずれか1項に記載の静電容量式センサ。前記バッファ層は、前記半導体基板から一体に突設させた突出部であることを特徴とする請求項1に記載の静電容量式センサ。ところで、上記従来の構造では、半導体基板と絶縁板とが一般には陽極接合によって接合されるが、その際に半導体基板側金属接触部も半導体基板と固定電極との間で圧接される。このとき、半導体基板側金属接触部と固定電極側金属接触部とは、陽極接合時の圧力による金属どうしの圧接となる。しかしながら、単に金属どうしを圧接させるだけでは、金属どうしの圧接による接続部分の導通が不十分となってしまうおそれがある。そこで、本発明は、接続部分の導通が不十分となってしまうのを抑制することのできる静電容量式センサを得ることを目的とする。本発明の第1の特徴は、固定電極が形成される固定板と、前記固定電極との間に間隔を設けて対向配置される可動電極が形成され、前記固定板に接合される半導体基板を備え、前記固定板と半導体基板とを接合した際に、前記固定電極に形成された固定電極側金属接触部と、前記半導体基板に形成された半導体基板側金属接触部とが接触する静電容量式センサであって、前記半導体基板側金属接触部を金属材料を用いて形成し、当該半導体基板側金属接触部の前記半導体基板に接合される基部内に、前記金属材料よりも硬度の高い材料からなるバッファ層が設けられていることを要旨とする。本発明の第2の特徴は、前記バッファ層は、当該バッファ層の厚みをtとし、前記半導体基板の接合面と前記固定電極の接合面との間の距離をdとした場合、d/2<t<dとなるように形成されていることを要旨とする。本発明の第3の特徴は、前記バッファ層は、二酸化珪素または窒化珪素などの絶縁性材料で形成されていることを要旨とする。本発明の第4の特徴は、前記バッファ層は、タングステン、シリコンカーバイドまたはダイヤモンドライクカーボンなどの導電性材料で形成されていることを要旨とする。本発明の第5の特徴は、前記バッファ層は、前記半導体基板の接合面に沿った方向に間隔を設けて複数設けられていることを要旨とする。本発明の第6の特徴は、前記バッファ層は、前記半導体基板から一体に突設させた突出部であることを要旨とする。本発明によれば、金属材料を用いて形成した半導体基板側金属接触部の半導体基板に接合される基部内に、金属材料よりも硬度の高い材料からなるバッファ層を設けている。そのため、半導体基板側金属接触部の基部の剛性を増大させることができ、半導体基板側金属接触部と固定電極側金属接触部との接続部分の導通が不十分となってしまうのを抑制することができる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。以下では、静電容量式センサとして、加速度センサを例示する。また、錘部の可動電極が形成される側をシリコン基板の表面側と定義する。そして、シリコン基板の短手方向をX方向、シリコン基板の長手方向をY方向、シリコン基板の厚さ方向をZ方向として説明する。本実施形態にかかる加速度センサ静電容量式センサ1は、図1に示すように、半導体素子デバイスを形成したシリコン基板4と、このシリコン基板4の表面4aおよび裏面4bにそれぞれ接合されたガラス製の第1の絶縁性基板固定板2および第2の絶縁性基板3と、を備えている。本実施形態では、このシリコン基板4と第1の絶縁性基板2および第2の絶縁性基板3とを陽極接合によって接合している。そして、第1の絶縁性基板2の下面には、錘部5,6の設置領域に対応した固定電極21a,21bおよび22a,22bがそれぞれ設けられている。また、第2の絶縁性基板3の表面には、錘部5,6の設置領域に対応した領域に付着防止膜31,32がそれぞれ形成されている。付着防止膜31,32は、例えば、固定電極21a,21bおよび22a,22bと同じ材料で形成することができる。シリコン基板4は、2つの枠部40a,40bがY方向シリコン基板4の長手方向に並設されたフレーム部40と、枠部40a,40bの内周面に対して隙間43を空けた状態で枠部40a,40b内に配置された錘部5,6と、フレーム部40に対して錘部5,6をそれぞれ回動自在に支持する1対のビーム部7a,7bおよび8a,8bと、錘部5,6の表面一面に形成される可動電極5a,6aと、を備えている。本実施形態では、このシリコン基板4として、Siからなるシリコン活性層111とSiからなる支持基板113との間にSiO2からなる埋込絶縁層112が介在する矩形状のSOI基板を用いている。なお、シリコン基板4の長手方向辺は約2~4mmで、厚さは約0.4~0.6mmであり、シリコン活性層111の厚さは約10~20μm、埋込絶縁層112の厚さは、約0.5μmである。フレーム部40は、本実施形態では、Z方向シリコン基板4の厚さ方向から見て略矩形状の外側フレーム部41と、X方向シリコン基板4の短手方向に延在し、外側フレーム部41のY方向シリコン基板4の長手方向略中央部を連結する中央フレーム部42と、を備えている。錘部5,6は、図3および図4に示すように、一面裏面に開口する凹部55,65と、凹部55,65を除く充実部53,63とが一体に形成されている。すなわち、錘部5,6に一面裏面に開口する凹部55,65を形成することで、錘部5,6に、肉厚の充実部53,63と肉薄の薄肉部54,64とを形成している。充実部53,63は、図4に示すように、裏面側からみた状態で、矩形状に形成されており、それぞれの充実部53,63には、対角線状の溝部56,66が可動電極5a,6aに対して垂直に形成されている。また、凹部55,65は4辺に側壁を持つ矩形に形成されており、内部には、補強壁57,67が可動電極5a,6aに対して垂直に設けられている。本実施形態では、凹部55は、後述する回動軸A1よりもX方向一方側図1の奥側に形成されるとともに、凹部65は、後述する回動軸A2よりもX方向他方側図1の手前側に形成されている。ビーム部7a,7bおよび8a,8bは、SOI基板シリコン基板4のシリコン活性層111に形成されており、SOI基板の埋込絶縁層112をエッチングストップとして深堀エッチングし、更に埋込絶縁層112を選択的にエッチング除去することで形成される。ビーム部7a,7bは、錘部5の表面可動電極5aの対向する2辺上にそれぞれ位置し、ビーム部7a,7bがねじれることにより、可動電極5aは、ビーム部7a,7bを互いに結ぶ直線を回転軸軸A1として揺動する。同様に、ビーム部8a,8bは、錘部6の表面可動電極6aの対向する2辺上にそれぞれ位置し、可動電極6aは、ビーム部8a,8bを互いに結ぶ直線を回転軸軸A2として揺動する。また、ビーム部7a,7bおよび8a,8bは、錘部5,6の表面の2辺の、それぞれ中点に位置している。また、本実施形態では、錘部5と錘部6、ビーム部7aとビーム部8a、およびビーム部7bとビーム部8bがそれぞれシリコン基板4の一点ビーム部7bとビーム部8bとを結ぶ線分の中点に対して点対称となるように配置されている。ところで、本実施形態では、図4に示すように、錘部5の裏側における回転軸軸A1の一方側に凹部55が形成されており、錘部5の重心が他方側に片寄るようにしている。同様に、錘部6の裏側における一方の錘部5に凹部55を設けた一方側とは反対となる他方側回転軸軸A2の他方側に、凹部65が形成されており、錘部6の重心が一方側に片寄るようにしている。そして、X方向もしくはZ方向に加速度が印加されると、図5に示すように動作し、X方向およびZ方向に印加される加速度aを検出できるようにしている図7および図8参照。このとき、双方の錘部5,6は、例えば図4によって一方の錘部5を例にとって述べると、凹部55が形成されない側の重心Gから表面可動電極5aに下ろした垂線と、その重心Gと回転軸軸A1とを結ぶ直線とでなす角度θがほぼ45度となるように設定されている。なお、他方の錘部6にあっても同様であるが、この場合は上述したように重心位置が回転軸軸A2を挟んで錘部5の重心Gとは反対側に存在することになる。このように重心Gを配置すれば、X方向とZ方向の検出感度が等価になるため、それぞれの方向の検出感度をほぼ同一とすることができる。また、シリコン基板4と第1の絶縁性基板2および第2の絶縁性基板3との接合面には比較的浅いギャップG1,G2がそれぞれ形成されており、シリコン基板4各部の絶縁性や錘部可動電極5a,6a5,6の動作性の確保が図られている。なお、シリコン基板4の裏面側のギャップG2は、アルカリ性湿式異方性エッチング液例えば、KOH水酸化カリウム水溶液、TMAHテトラメチル水酸化アンモニウム水溶液等を用いたシリコン異方性エッチングによりシリコン基板4の一部を除去することで形成することができる。このとき、上述した凹部55,65も同時に形成するのが好適である。また、隙間43および隙間44は、反応性イオンエッチングRIE:ReactiveIonEtchingなどにより垂直エッチング加工をすることで形成している。反応性イオンエッチングとしては、例えば、誘導結合型プラズマICP:InductivelyCoupledPlasmaを備えたエッチング装置によるICP加工を利用することができる。また、錘部5,6の表面の4隅には、錘部5,6が第1の絶縁性基板2の固定電極21a,21b,22a,22bに直接衝突するのを防止するための突起部51,61が突設されている。同様に、錘部5,6の裏面の4隅には、錘部5,6が第2の絶縁性基板3の付着防止膜31,32に直接衝突するのを防止するための突起部52,62が突設されている。また、本実施形態では、外側フレーム部41は、X方向一端側図2の下側が幅広に形成されており、この外側フレーム部41のX方向一端側には、錘部5,6が配置される隙間43,43とそれぞれ連続するように隙間44,44が形成されている。そして、隙間44を空けた状態で電極台9がそれぞれ2つずつ配置されている。この電極台9の表面には、金属膜からなる検出電極10a,10b,11a,11bがそれぞれ設けられている。電極台9は、それぞれフレーム部40および錘部5,6から離間して配置されており、第1の絶縁性基板2および第2の絶縁性基板3により上下面を固定されている。また、外側フレーム部41の表面のY方向中央部には、加速度センサ1の外部に配線される共通電極12が設けられており、フレーム部40は共通電極12により共通電位をとっている。第1の絶縁性基板2の下面には、上述したように、錘部5,6の設置領域に対応した固定電極21a,21bおよび22a,22bがそれぞれ設けられている。これら各固定電極21a,21bおよび22a,22bは、略同一形状で面積が略同一となるように形成されている。固定電極21a,21bは、ビーム部7a,7bを互いに結ぶ直線回動軸A1を境界線として、互いに離間して配置されている。同様に、固定電極22a,22bは、ビーム部8a,8bを互いに結ぶ直線回動軸A2を境界線として、互いに離間して配置されている。本実施形態では、各固定電極21a,21bおよび22a,22bは、アルミニウムAlをスパッタ法やCVD法等により第1の絶縁性基板2に蒸着することで形成している。固定電極21a,21bは、検出電極10a,10bにそれぞれ電気的に接続されており、固定電極22a,22bは、検出電極11a,11bにそれぞれ電気的に接続されている。具体的には、固定電極21a,21bおよび22a,22bには、それぞれが接続される検出電極10a,10bおよび11a,11bが形成された固定電極台9に向けて引出線固定電極側金属接触部25がそれぞれ設けられている。また、各固定電極台9には、引出線固定電極側金属接触部25が接触するアルミニウム製の導電層半導体基板側金属接触部13が形成されている。本実施液体では、各固定電極台9のX方向他端側図2の上側:錘部側に段差9aが設けられており、当該段差9aの下面、すなわち、検出電極10a,10bおよび11a,11bが形成される面よりも低い位置に導電層半導体基板側金属接触部13を形成している図4参照。そして、この引出線固定電極側金属接触部25および導電層半導体基板側金属接触部13は、シリコン基板4と第1の絶縁性基板2とを陽極接合する際に、互いに踏みつぶされて接触する。こうして、固定電極21a,21bおよび22a,22bが、検出電極10a,10bおよび11a,11bに電気的に接続される。なお、検出電極10a,10bおよび11a,11bは、互いに離間し、それぞれフレーム部40、錘部5,6から離間しているので、各検出電極が互いに絶縁され、各検出電極の寄生容量や、各検出電極間のクロストークを低減し、高精度な容量検出を行うことができる。また、第1の絶縁性基板2の電極台9と対応する部位には、サンドブラスト加工等によってスルーホール23がそれぞれ形成されており、第1の絶縁性基板2の共通電極12に対応する部位には、サンドブラスト加工等によってスルーホール24がそれぞれ形成されている。そして、検出電極10a,10b,11a,11bは、それぞれスルーホール23を介して外部に露出、配線され、共通電極12は、それぞれスルーホール24を介して、外部に露出、配線される。こうして、固定電極21a,21b,22a,22bや可動電極5a、6aの電位を外部に取り出せるようにしている。このように構成された加速度センサ1は、図5の矢印aで示す加速度が印加されると、双方の錘部5,6がそれぞれ揺動運動し、錘部5,6の両端側と固定電極21a,21bおよび22a,22bとの間のギャップdが変化し、それらのギャップd間の静電容量C1、C2、C3、C4が変化する。なお、図5では一方の錘部5を例示している。このときの静電容量Cは、C=ε×S/dとなることが知られておりε:誘電率、S:電極面積、d:ギャップ、この式からギャップdが大きくなると静電容量Cは減少し、ギャップdが小さくなると静電容量Cは増加することになる。そして、加速度センサ1は、図6のシステム構成に示すように、検出された静電容量C1、C2、C3、C4が、例えば、ASICで構成される演算回路100に送られてX方向の加速度およびZ方向の加速度が求められ、当該加速度を示すデータが出力されるようになっている。このとき、演算回路100で実行される演算式は図9に示すものであり、図7に示すX方向の加速度aの印加と、図8に示すZ方向の加速度aの印加とによって得られるC1、C2、C3、C4の差分から加速度aの方向を決定している。なお、以下に示す式中のパラメータC0は、加速度aが印加されていない状態での錘部5,6と固定電極21a,21bおよび22a,22bとの間の静電容量を示している。そして、X方向に加速度aが印加された場合図7参照は、双方の錘部5,6が同方向に揺動するため、C1=C0ΔC、C2=C0-ΔC、C3=C0ΔC、C4=C0-ΔCとなる。また、-X方向に加速度aが印加された場合は、双方の錘部5,6の揺動方向が方向とは逆となるため、C1=C0-ΔC、C2=C0ΔC、C3=C0-ΔC、C4=C0ΔCとなる。一方、Z方向に加速度aが印加された場合図8参照は、双方の錘部5,6が互いに逆方向に揺動するため、C1=C0-ΔC、C2=C0ΔC、C3=C0ΔC、C4=C0-ΔCとなる。また、-Z方向に加速度aが印加された場合は、双方の錘部5,6の揺動方向が方向とは逆となるため、C1=C0ΔC、C2=C0-ΔC、C3=C0-ΔC、C4=C0ΔCとなる。したがって、一方の錘部5と固定電極21a、21bとの間の静電容量の差分CA=C1-C2は、X方向で2ΔC、-X方向で-2ΔC、Z方向で-2ΔC、-Z方向で2ΔCとなる。また、他方の錘部6と固定電極22a、22bとの間の静電容量の差分CB=C3-C4は、X方向で2ΔC、-X方向で-2ΔC、Z方向で2ΔC、-Z方向で-2ΔCとなる。ここで、X方向の出力は両方の差分CA、CBの和として求めることができ、Z方向の出力は両方の差分CA、CBの差として求めることができる。これにより、X方向の出力は、X方向の加速度aが印加された場合は4ΔCとなり、-X方向の加速度aが印加された場合は-4ΔCとなる。また、Z方向の出力は、Z方向の加速度aが印加された場合は-4ΔCとなり、-Z方向の加速度aが印加された場合は4ΔCとなる。ところで、本実施形態の加速度センサ1は、図1に示すように、一方の錘部5を備えた第1の加速度センサ単体と、他方の錘部6を備えた第2の加速度センサ単体とが同一チップ面内に配置されるとともに、それぞれの加速度センサ単体が相対的に180度回転した状態で配置されている。このように、第1の加速度センサ単体における一方の錘部5と、第2の加速度センサ単体における他方の錘部6との重心位置が、回転軸軸A1,A2に対して互いに反対側に位置するように配置することで、X方向およびZ方向の加速度aを検出できるようにしている。ここで、本実施形態では、第1の絶縁性基板固定板2とシリコン基板4のシリコン活性層111との間で引出線固定電極側金属接触部25と接触する導電層半導体基板側金属接触部13を、半導体プロセスに親和性が高く、かつコストの低い金属材料であるアルミ化合物例えば、アルミ合金を用いて形成している。そして、図10に示すように、導電層半導体基板側金属接触部13が引出線固定電極側金属接触部25と接合する基部13a内に、導電層半導体基板側金属接触部13を形成するアルミ化合物金属材料よりも硬度の高い材料からなるバッファ層14を設けている。本実施形態では、バッファ層14を基部13a内に埋設状態で挿入している。具体的には、バッファ層14は1つのブロック体として形成されており、このブロック体を導電層半導体基板側金属接触部13の基部13a内部に埋設している。このとき、導電層半導体基板側金属接触部13の頂部には圧接時の潰れ代13bが一体に突設されている。この潰れ代13bは、導電層半導体基板側金属接触部13の一般部分の断面積よりも小さな断面積となっている。そして、図10に示すように、バッファ層14の厚みをtとし、導電層半導体基板側金属接触部13が配置される部分に形成されるギャップの距離第1の絶縁性基板2とシリコン基板4とを陽極接合した状態における第1の絶縁性基板2の下面と段差9aの下面との距離をdとした場合、バッファ層14の厚みtがd/2<t<dの関係を満足するようにしている。なお、図10には、第1の絶縁性基板2とシリコン基板4とを陽極接合させる前の状態が示されているが、第1の絶縁性基板2とシリコン基板4とを陽極接合させると図11のようになる。すなわち、導電層半導体基板側金属接触部13が圧接されて引出線固定電極側金属接触部25と接触する。このように、第1の絶縁性基板2とシリコン基板4とを陽極接合させた際には、図11に示すように、導電層半導体基板側金属接触部13が押し潰されることとなる。このとき、バッファ層14が導電層半導体基板側金属接触部13の基部13aをしっかりと保持するため、潰れ代13bが第1の絶縁性基板2に形成された引出線固定電極側金属接触部25によって積極的に押し潰されて圧延されることとなる。すなわち、バッファ層14が導電層半導体基板側金属接触部13の基部13aを保持した状態で、潰れ代13bが圧延されるため、導電層半導体基板側金属接触部13の引出線固定電極側金属接触部25側の面積が拡大する。その結果、両者間の導通状態を向上させることができるようになる。また、本実施形態では、導電層半導体基板側金属接触部13を形成するアルミ化合物よりも硬度の高い材料として、二酸化珪素SiO2または窒化珪素SiNなどの絶縁性材料を用い、この絶縁性材料でバッファ層14を形成している。以上説明したように、本実施形態では、導電層半導体基板側金属接触部13のシリコン基板4側の基部13aに、導電層半導体基板側金属接触部13を形成するアルミ化合物金属材料よりも硬度の高いバッファ層14を設けている。そのため、導電層半導体基板側金属接触部13のシリコン基板4に接合される側の剛性を増大させることができる。その結果、第1の絶縁性基板2とシリコン基板4とを陽極接合させる際に、導電層半導体基板側金属接触部13の基部13aをバッファ層14でしっかりと保持した状態で、導電層半導体基板側金属接触部13の頂部潰れ代13bを引出線固定電極側金属接触部25に接合させることができるようになる。こうすることで、導電層半導体基板側金属接触部13と引出線固定電極側金属接触部25とをより強固に接触させることができるようになり、両者間の接続部の導通不良を抑制して、より安定した信号を取り出すことができるようになる。また、本実施形態では、導電層半導体基板側金属接触部13を、半導体プロセスに親和性が高く、コストの低いアルミ化合物を用いて形成しているため、加速度センサ1の経済性を高めつつ、導電層半導体基板側金属接触部13と引出線固定電極側金属接触部25との金属どうしの接合をより確実に行うことができるようになる。また、本実施形態によれば、バッファ層14の厚みtを、d/2<t<dの関係を満足するようにしている。このような厚さとすることで、バッファ層14が薄くなりすぎず、厚くなりすぎないようにしている。厚さが薄すぎる場合はバッファ層14としての効果が減少してしまい、厚さが厚すぎる場合は、接合時にボイド等の不具合が生じてしまうことになるが、本実施形態のように、バッファ層14の厚みtをより最適な範囲の厚さとすることで、導電層半導体基板側金属接触部13の基部13aがバッファ層14によってより適切な状態で保持されるようになる。また、本実施形態によれば、導電層半導体基板側金属接触部13を形成するアルミ化合物よりも硬度の高い材料として、SiO2またはSiNなどの絶縁性材料を用いている。このように、絶縁性材料を用いることで、導電層半導体基板側金属接触部13の保持性を確保することができる上、一般的な半導体製造プロセスによって安価に形成することができるようになる。ところで、本実施形態では、バッファ層14を、SiO2またはSiNを用いて形成した場合を例示したが、これらに替えてタングステンW、シリコンカーバイドSiCまたはダイヤモンドライクカーボンDLCなどの導電性材料を用いて形成してもよい。このように、バッファ層14を、W、SiC、DLCなどの導電性材料で形成すれば、バッファ層14の硬度を更に高めることができるため、導電層半導体基板側金属接触部13をより確実に保持することができる。さらに、導電性材料で形成することで、導電層半導体基板側金属接触部13と引出線固定電極側金属接触部25との接続部の導通不良をより一層抑制することができるようになる。次に、本実施形態にかかる加速度センサの変形例について説明する。なお、以下では、上記実施形態と同一構成部分には同一符号を付し、重複する説明を省略して述べるものとする。第1変形例本変形例では、図12に示すように、バッファ層14を、シリコン基板半導体基板4の接合面に沿った方向に間隔δ1を設けて複数設けている点が上記実施形態と主に異なっている。具体的には、本変形例では、バッファ層14として、2つの分割片14a、14bを用い、それら分割片14a、14bを所定間隔δ1を隔てて導電層半導体基板側金属接触部13の基部13a内に埋設している。これにより、導電層半導体基板側金属接触部13を形成するアルミ化合物が、分割片14a、14bの間の間隔δ1内にも充填されることになる。なお、間隔δ1は、分割片14a、14b全体が導電層半導体基板側金属接触部13の断面内に収まるような寸法とするのが好ましい。さらに、本変形例では、導電層半導体基板側金属接触部13の頂部に設けた潰れ代13bの分割片14a、14b間の間隔δ1に対応した位置に、所定幅の切れ込み13cが形成されている。また、本変形例においても、バッファ層14を形成する材料は、導電層半導体基板側金属接触部13を形成するアルミ化合物よりも硬度の高い材料である。このアルミ化合物よりも硬度の高い材料としては、上記実施形態で述べたSiO2またはSiNなどの絶縁性材料やW、SiC、DLCなどの導電性材料を用いることができる。以上の本変形例によっても、上記実施形態と同様の作用、効果を奏することができる。また、本変形例によれば、バッファ層14を、シリコン基板半導体基板4の接合面に沿った方向に間隔δ1を設けて複数設けている。そのため、バッファ層14を形成するアルミ化合物を分割片14a、14bの間の間隔δ1内にも充填させることができる。その結果、バッファ層14のシリコン基板半導体基板4に対する圧接面積を分散させることができるため、導電層半導体基板側金属接触部13とシリコン基板半導体基板4との接合力を高めつことができ、シリコン基板半導体基板4との接合をより確実に行うことができ導通性をより一層高めることができる。なお、本変形例では、バッファ層14を2つの分割片で形成したものを例示したが、3つ以上の分割片でバッファ層14を形成してもよい。第2変形例本変形例では、図13に示すように、バッファ層14を、シリコン基板半導体基板4から突設させた突出部111a,111bで形成した点が上記実施形態と主に異なっている。具体的には、本変形例では、バッファ層14を、シリコン基板半導体基板4から一体に所定間隔δ2を設けて突設させることで形成した2本複数の突出部111a,111bで形成している。なお、2本の突出部111a,111bは、エッチングによりシリコン基板2から段差9aを形成する際に、同時に形成することもできるし、別工程でエッチングすることにより形成することもできる。また、本変形例では、導電層半導体基板側金属接触部13の頂部に設けた潰れ代13bの突出部111a,111b間の間隔δ2に対応した位置に、所定幅の切れ込み13cが形成されている。以上の本変形例によっても、上記実施形態と同様の作用、効果を奏することができる。また、本変形例によれば、バッファ層14を、シリコン基板半導体基板4から突設させた突出部111a,111bで形成したので、バッファ層14を別部材で形成する必要がなくなる。その結果、バッファ層14の形成工程の簡素化を図ることができるようになり、コスト的に有利となる。また、本変形例によれば、バッファ層14を、シリコン基板半導体基板4から一体に所定間隔δ2を設けて突設させることで形成した2本複数の突出部111a,111bで形成している。そのため、突出部111a,111b間の間隔δ2内にバッファ層14を形成するアルミ化合物を充填させることができる。その結果、バッファ層14のシリコン基板半導体基板4に対する圧接面積を分散させることができるため、導電層半導体基板側金属接触部13とシリコン基板半導体基板4との接合力を高めつことができ、シリコン基板半導体基板4との接合をより確実に行うことができ導通性をより一層高めることができる。なお、本変形例では、バッファ層14を2つの突出部で形成したものを例示したが、1つもしくは3つ以上の突出部でバッファ層14を形成してもよい。以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態には限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、X方向とZ方向の2方向の加速度を検出する加速度センサを例示したが、錘部の1つをXY平面内で90度回転させて配置し、Y方向を加えた3方向の加速度を検出する加速度センサとしてもよい。また、上記実施形態では、静電容量式センサとして加速度センサを例示したが、これに限ることなく、その他の静電容量式センサであっても本発明を適用することができる。また、錘部や固定電極その他細部のスペック形状、大きさ、レイアウト等も適宜に変更可能である。"