"半導体検出器装置から検出された放射線データの処理方法であって、検出器でイベントを検出するステップ;パルスを生成するステップ;該パルスについて:パルス振幅を表すパルス高の測定値;パルス持続時間を表すパルス幅の測定値を決定するステップ;該パルスを、該決定したパルス高/パルス幅に基づき少なくとも2つのクラスのうちの1つに割り当てるステップ;各パルスにその特定のクラスに特有なアルゴリズムを適用し、出力パルス高/パルス幅プロファイルを生成するステップを含む、方法。こうして生成された前記出力パルス高および/または幅をさらなる処理に用いるステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記少なくとも2つのクラスが、パルス高/パルス幅空間における領域を囲むようにして境界条件を画定することにより定義される、請求項1または請求項2に記載の方法。請求項3に記載の方法であって、パルスが以下のように割り当てられ:iパルス高/パルス幅が、パルス高/パルス幅の値の第1の概念的な境界条件の閾値範囲内である場合、第1クラス;ii以下のiiiに応じて、パルス高/パルス幅が該閾値範囲外である場合、第2クラス;iii任意で、パルス高/パルス幅が上記iiに準じるものの許容基準を満たさない場合、第3クラス;その結果として:a該パルスが該第1クラスに割り当てられる場合、第1アルゴリズムを適用して出力パルス高/パルス幅プロファイルを生成し、こうして生成された該パルス高および/または幅をさらなる処理に用いる;b該パルスが該第2クラスに割り当てられる場合、第2アルゴリズムを適用して出力パルス高/パルス幅プロファイルを生成し、こうして生成された該パルス高および/または幅をさらなる処理に用いる;c該パルスが該第3クラスに割り当てられる場合、該パルスを廃棄する、ようにして該パルスを処理する、方法。パルスを異なる処理アルゴリズムが適用される複数のクラスのうちの1つに割り当てるステップを含み、またその少なくとも1つが該パルスのパルス高/パルス幅プロファイルを修正する修正アルゴリズムである、いずれかの前請求項に記載の方法。パルスを異なる処理アルゴリズムが適用される複数のクラスのうちの1つに割り当てるステップを含み、またその少なくとも1つが修正を行わず、それ故、前記生成された出力パルス高/パルス幅プロファイルが修正されずに、前記パルス高および/または幅を修正なしでさらなる処理に用いるステップを含む、いずれかの前請求項に記載の方法。パルスを少なくとも1つの第1クラスおよび少なくとも1つの第2クラスを含む複数のクラスのうちの1つに割り当てるステップならびに:a該パルスが該第1クラスに割り当てられる場合、パルス高および/または幅をさらなる補正なしでさらなる処理に用いる;b該パルスが該第2クラスに割り当てられる場合、補正を適用して該パルスのパルス高/パルス幅プロファイルを修正し、こうして修正されたパルス高および/または幅をさらなる処理に用いるように処理するステップを含む、いずれかの前請求項に記載の方法。多数のパルスからのデータを用いて、前記クラスの少なくともいくつかに割り当てられたパルスからのデータより累積スペクトルデータセットが生成される、いずれかの前請求項に記載の方法。前記スペクトルが、第1アルゴリズムが適用される第1クラスに割り当てられたパルスからのパルス高および第2アルゴリズムが適用される第2クラスに割り当てられたパルスからのパルス高より生成されたパルス高スペクトルである、請求項8に記載の方法。前記スペクトルが、第1クラスに割り当てられたパルスからの補正されていないパルス高および第2クラスに割り当てられたパルスからの修正されたパルス高より生成されたパルス高スペクトルである、請求項9に記載の方法。前記パルス高スペクトルが、複数のパルス高の値についての累積パルス高の格納されたヒストグラム型データセットからなり、前記処理ステップが:a前記イベントが第1クラスに割り当てられる場合、カウント数を測定されたパルス高に基づき前記パルス高スペクトルに加えるステップ;b前記イベントが第2クラスに割り当てられる場合、補正を適用し、前記パルスの前記パルス高/パルス幅プロファイルを修正した後、カウント数を修正されたパルス高に基づき前記パルス高スペクトルに加えるステップ;c前記イベントが第3クラスに割り当てられる場合、前記パルスを廃棄するステップを含む、請求項10に記載の方法。前記パルスを前記決定されたパルス高/パルス幅に基づき3つのクラスのうちの1つに、以下のように割り当てるステップを含む、請求項11に記載の方法。i前記パルス高/パルス幅が、概念的なパルス高/パルス幅プロット上における第1境界曲線の閾値範囲内である場合、第1クラス;ii前記パルス高/パルス幅が、該閾値範囲の上限より上だが、概念的なパルス高/パルス幅プロット上における第2境界曲線より下である場合、第2クラス;iii前記パルス高/パルス幅が上記iまたはiiに準じない場合、第3クラス。パルスに修正を適用する前記ステップが、少なくとも、所定の測定されたパルス高/パルス幅プロファイルに、修正されたパルスエネルギーの読み取り値を割り当て、こうして修正されたパルスエネルギーの読み取り値を、該測定されたパルス高に対応する、またはこれから導出できる同等の読み取り値で置き換えるステップ、および該置き換えられた読み取り値を、前記パルス高スペクトルを更新するための基礎として用いるステップを含む、いずれかの前請求項に記載の方法。修正を適用する前記ステップが、伝達関数を所定の測定されたパルス高/パルス幅プロファイルに適用し、そこから少なくとも修正されたパルス高の読み取り値を導出するステップを含む、請求項13に記載の方法。それぞれ対応する測定されたパルス高/パルス幅プロファイルにリンクした、複数の修正されたパルス高が格納される参照データレジスタが提供され、修正を適用する前記ステップが、そこから所定の測定されたパルス高/パルス幅プロファイルについて前記修正されたパルス高を得るステップ、およびこうして修正された高さを同等の測定された読み取り値で置き換えるステップを含む、請求項13または14に記載の方法。放射線を半導体検出器装置の表面に、例えば放射線源から直接、または例えば透過、散乱、後方散乱、吸収等を含む対象物との相互作用後に衝突させるステップ;半導体装置に入射する放射線からのパルスおよび好適な場合では複数のパルスを測定するステップ;前請求項のいずれかの方法を適用して該パルスを処理するステップを含む、放射線の検出方法。前請求項のいずれかの方法を実施するように構成された放射線の検出のための装置。半導体放射線検出器;例えば該検出器の応答をサンプリングすることにより、該検出器でイベントを検出し、パルス振幅を表すパルス高の測定値およびパルス持続時間を表すパルス幅の測定値を有するパルスを生成する、パルスイベント検出モジュール;各パルスについて該パルス高/パルス幅を分析し;各パルスを該決定されたパルス高/パルス幅に基づき少なくとも2つのクラスのうちの1つに割り当て;各パルスにその特定のクラスに特有なアルゴリズムを適用して出力パルス高/パルス幅プロファイルを生成するように構成されたデータ処理モジュールを備える、放射線の検出のための装置。前記データ処理モジュールは、少なくとも1つのアルゴリズムが前記パルスの前記パルス高/パルス幅プロファイルを修正し、こうして修正された前記パルス高および/または幅をさらなる処理のために出力することを提供する、請求項18に記載の装置。前記データ処理モジュールは、少なくとも1つのアルゴリズムが修正を行わず、前記処理モジュールが前記パルス高および/または幅を修正なしでさらなる処理のために出力するように構成されることを提供する、請求項19に記載の装置。パルス高の読み取り値および/またはそこから導出したデータを格納するためのデータ格納モジュールをさらに備える、請求項18~20の1項に記載の装置。前記データ格納モジュールが、前記クラスの少なくともいくつかに割り当てられたパルスから導出した累積スペクトルデータセットとして、多数のパルスから導出したデータを格納するように構成される、請求項21に記載の装置。前記スペクトルが、第1アルゴリズムが適用される第1クラスに割り当てられたパルスからのパルス高および第2アルゴリズムが適用される第2クラスに割り当てられたパルスからのパルス高より生成されたパルス高スペクトルである、請求項22に記載の装置。前記スペクトルが、第1クラスに割り当てられたパルスからの補正されていないパルス高および第2クラスに割り当てられたパルスからの修正されたパルス高より生成されたパルス高スペクトルである、請求項23に記載の装置。それぞれ対応する測定されたパルス高/パルス幅プロファイルにリンクした、複数の修正されたパルス高が格納される参照データレジスタが提供され、前記データ処理モジュールが、該参照データレジスタを読み取り、そこから所定の測定されたパルス高/パルス幅プロファイルについて修正されたパルス高を得て、こうして修正されたパルス高を同等の測定された値で置き換えるように構成される、請求項18~24の1項に記載の装置。前記半導体検出器が、用いられる放射線スペクトルの少なくとも実質的な部分にかけて分光学的に可変の応答を示すように構成される、請求項18~25の1項に記載の装置。前記半導体検出器が、本質的に直接的な材料の特性として、用いられる放射線スペクトルの異なる部分に対して直接可変な光電応答を示す材料から製造される、請求項26に記載の装置。前記半導体検出器が、テルル化カドミウム、テルル化カドミウム亜鉛CZT、テルル化カドミウムマンガンCMT、およびそれらの合金から選択される材料から製造される、請求項27に記載の装置。前記半導体検出器が、本質的に、ab<1であり、aおよび/またはbがゼロであってもよい、結晶Cd1-abMnaZnbTeからなる材料より製造される、請求項28に記載の装置。本発明の例の実施形態によると、平面CdTe/CdZnTe検出器から達成される、優れたスペクトルの分解能を可能にする方法が開発された。これは、パイルアップによる高さ/幅プロット上の後述するひし形lozengeおよびその他の場所の両方に顕著な信号がある、高カウント率および高エネルギー用途にとくに有用である。必ずしも高カウント率でないが非常に厚い検出器での高エネルギー用途にも、潜在的にとくに有用である。こうした場合、多数の積み重なったパルスがあるかどうかに関わらず、大きなひし形がある。本方法は、正孔信号が部分的にのみ読み出されるイベントを除去することにより、機能する。これらのイベントは、次にアルゴリズムによりエネルギーを補正され、分解能およびカウント率の両方を維持することが可能なスペクトルに戻される。図1は、本発明を行うことができる、考えられる装置の実施形態を示す。図1は、X線を用いてボトル中の液体および同様の対象をスキャンするためのボトルスキャナを示す。ボトルスキャナ10は、ボトルホルダ12を動かす線形スライドシャフト11を備え、ボトルホルダ12は、ともに動かすために線形スライドシャフト11に固定するように連結している。線形スライドシャフト11は、ボトルホルダ12を2つの方向に動かすことができる。ボトルホルダ12は、ボトル16がよりかかる背もたれ部材13、およびその上にボトル16が載る上面15を有するベース部材14を備える。ボトル16は、ホルダおよび線形スライドシャフトが角度αで傾いていることによって、ボトルホルダ12に対しておよびその中に置かれる。例として、これは垂直から15°の角度であってもよい。ボトルについては、5°~30°の角度が便利であり得る。他の形状の対象物または容器であれば、異なる最適角度で保持されてもよい。ボトルホルダの背もたれ部材13は、好適には、ボトルから検出器へと通るX線ビームの明確な経路を持たせるための開口部図示せずを備える。背もたれ部材13における開口部は、背もたれ部材の頂部から底部まで続くスロット形状の開口とすることができる。スロット開口は、ビームを妨げずに通過させるには十分だが、いずれの散乱放射線も検出器22に到達するのを制限できる程度に狭い幅を有する、いくつかのビームコリメーションビーム視準を提供する狭いスロットとすることもできる。透過側のビームにおける追加のまたは他の代替的なコリメーション視準を提供することができる。線形スライドシャフト11に沿ったボトルホルダ12およびボトル16の動きは、電動ステッピングモータ23の回転により生じる。モータはプーリ24を回転させ、これはベルト25を駆動し、これは次にプーリ26を回転させる。プーリ26の回転運動は、線形スライドシャフト11におけるスクリュー駆動装置図示せずのような適切な駆動装置の回転に変換され、これがボトルホルダ12の直線的な動きをもたらす。モータはいずれの方向にも回転可能であり、モータの回転方向を制御することにより、ボトルホルダ12およびボトル16の移動方向を決定することができる。ボトルを線形スライドシャフトの方向に沿って動かしながら、X線ビーム19を通過させる。入射ビーム19は線源18より発生する。X線ビーム19は水平に配列される。ボトルは垂直としてもよい。あるいは、ビームがボトルの表面に対して垂直にボトルに当たらないように、垂直から角度αで傾かせてもよい。この配置は、ボトルおよびその内容物を通過する際、ビームの吸収経路の増加をもたらす。入射ビーム19はボトル16およびボトル内容物17を通過するが、この際、透過ビーム22がボトルから発生し、検出器20により検出される前に、吸収および散乱がビーム経路21に沿って起こることになる。実施形態におけるX線ビームは、開口43を備え、放射線源18の近くに配置された一次コリメータ41によりコリメートされ、またこれは、好適には1次元構造を有するペンシルビームである。実施形態における透過X線ビーム20は、検出器22に到達する前に、二次コリメータ42における適切な開口44によってコリメートされる。考えられ得る動作モードでは、ボトルはクレイドルに置かれ、またz位置は、液体がX線ビームと交差することを確実にするために自動的に調整される。透過されたX線ビームは次に検出器により測定される。ボトルは、次にクレイドルによってビームの外に動かされ、IOの測定を行う。このプロセスには約12秒かかり、20秒以内に合格または不合格のメッセージがユーザーに返信される。検出器22は、透過X線ビーム20からの光子との相互作用の強度およびエネルギーを表す信号を発生させる。これらの信号は、次に以下の図2において詳述するように処理される。例の実施形態について選択された検出器は、5×5×1mmのCdTeダイオード検出器である。この例では、検出器はCo57線源で照射される。よって、この実施形態では、検出器は、入射X線の分光的な分解能を有する材料からなり、特定の例ではテルル化カドミウムCdTeからなるが、代替材料を用いることができることは理解されるであろう。検出器からの信号は、前置増幅器により読み出される。前置増幅器は、電流分割フィードバックを有する電荷有感型前置増幅器である。信号は整形増幅器に入り、フィールドプログラマブルゲートアレイFPGAによりエネルギースペクトルに変換される。図2の概要における各要素は、これにより適切な検出器に固有の分解能を個別にまたは集合的に他の適切な要素とともに用いることができるエネルギースペクトルに変換することができる、適切な要素のただの一例であることが理解されるであろう。本発明の方法を行う適切なアルゴリズムは、フィールドプログラマブルゲートアレイFPGAを用いて便利に行われ、X線用途で一般的な高入力カウント率でのリアルタイム処理が可能である。アルゴリズムは、整形増幅器パルスを2つのパラメータ、つまりパルス高および幅に基づいてフィルタリングすることにより作動するが、パルス幅は、予め定義された閾値電圧実施形態では63mVで設定されるよりも上となる時間によって定義される。これは図3に示す。記載したとおり、パルスは3つの一般的なクラスに分割することができる:クラス1:完全に収集されたパルス;クラス2:検出器内での相互作用深さ効果のため十分に収集されなかったパルスまたは積み重なったパルスとの間隔が非常に近いパルス;クラス3:積み重なったパルス。本発明の基本となるアルゴリズムは、クラス1パルスを、例えば標準MCAと同様の方法により、特定の新規の修正なしでパルス高スペクトルにビニングする。クラス2パルスは識別され、相互作用深さの補正が行われた後、パルス高スペクトルにビニングされる。クラス3パルスは廃棄される。クラス2パルスの補正およびビニングは望ましい。というのは、これらのイベントの単純な除去では、カウントのスループットを低減させるだけでなく、スペクトル全体に均一に適用されないフィルタをもたらすからである。アノードからの平均相互作用距離は光子エネルギーによって決まり、従って高エネルギーイベントの優先的廃棄をもたらすこととなる。これに加えて、IおよびIOスペクトルの両方は、X線ビームハードニングの差異のため、異なる形で影響を受けることとなる。この理由で、パルスを正しいエネルギービンに再度割り当てるため、エネルギー補正方法を適用しなければならない。クラス2パルスの補正は、本発明の本質的な特徴である。検出器は平面装置であるので、信号は電子および正孔の両方からの誘導電荷で構成される。正孔の移動度は一般的には電子の移動度より約10倍低く、よって、正孔電荷の速度により制限される掃引時間がもたらされる。これによって、増幅器の収集時間整形増幅器の場合、整形時間に下限が設定され、この上では相互作用深さ効果が顕著となるであろう。この効果の影響を受けるイベントは、カソードからの光子相互作用位置zが、整形増幅器のピーキングタイムの間に正孔が移動できる距離よりも大きいことを示す。これは、検出器上でカソードのコンタクト部から測定される最大相互作用深さzを与える。検出器の性能が電荷収集効率によってではなく、電荷の掃引時間よってのみ制限されると仮定すると、z=0とz=zとの間の相互作用は、tp内での電子および正孔信号全体の収集をもたらすであろう。z=zとz=dとの間の相互作用は、正孔信号にいくらかの損失をもたらすであろう。これは図4に示す。図4はカソードからの距離zでの電子-正孔ペアの生成を示す。z>zでの相互作用は、正孔信号のより長い収集時間のため、弾道欠損効果の影響を受ける。カソードに対する最大相互作用深さzは、整形増幅器の正孔速度およびピーキング時間の観点から表すことができる:Z=vhtp従って、上記式は、zより大きな深さにおけるいずれの相互作用も時間tpでは完全に収集されないことを示している。上記を正孔の移動度の観点から書き直すと、最大相互作用位置のバイアス依存が示される。Z=μhV/dtpより高いバイアス電圧は、より大きな正孔速度のため、より大きなzの値をもたらす。しかしながら、バイアス電圧は漏洩電流により、およびこの例ではショットキーダイオードのブレークダウンにより制限される。弾道欠損と同様に、電荷トラップはパルス高/エネルギーの比例を失わせ、コンタクト部に到達するために電子および正孔信号が移動しなければならない経路長さとともに、電荷トラップの可能性が増加する。この理由で、弾道欠損および電荷トラップ効果によるパルス高の歪みが畳み込まれて、パルス高の歪みの連続体を形成するのに集合的に寄与し、そして、これは、標準的なパルス高分析技術により観測されるテーリング効果をもたらす。zより小さい深さでの相互作用を有するイベントだけでなく、相互作用深さ効果の影響を受けるものも用いることが望ましい。こうした効果を補正できることが示される。相互作用深さ効果によってパルス高/幅が歪んだパルスを再度割り当てるため、それらはまずパルスパイルアップのためにより大きく歪んだ底幅を有するものと区別しなければならない。積み重なったパルスをスペクトルに再度割り当てることは望ましくない。というのは、こうしたパルスのエネルギーおよび数の両方を正確に決定できないことが明らかだからである。区別方法の本質は、クラス2およびクラス3パルスがほとんどの部分について高さ-幅HW散布図上に異なって位置する傾向があるという事実を活用することにある。歪んだパルスの各クラスの処理はそれぞれ、積み重なったパルスがスペクトルに戻されないことを確実にする。これは以下のデータにより示される。適切なHW収集ソフトウェアを用い、このセクションに記載されるHWプロットを作成した。イベントは63mVのトリガレベルで200MHzのサンプリング周波数に設定されたオシロスコープにより捕捉される。ソフトウェアは、閾値より上の時間を測定するタイマーとともに、パルスの最大高さを測定するサンプル/ホールドステージを含有する。このプログラムからの出力は、各パルスについてのHおよびWパラメータであり、次にこれを用いてHW散布図を作成することができる。妥当な計数統計を達成するため、ここで示すすべての実験データについて100,000のイベントを収集した。図5は、X線発生器により放射された制動放射線スペクトルからの0~160keVのX線での照射からのHW散布図を示す。ここで検出器バイアスは600Vであり、整形時間は50nsであった。図5から、プロットの下端が所定の高さのパルスの最小幅を表し、理想的な場合を指すことがわかる。この線に沿って位置する、またはこれに非常に近いパルスは、電子および正孔信号の両方の完全な収集、すなわちzより小さな深さ内での相互作用を示すHW関係を有するクラス1パルス。この深さは、これ以内では相互作用信号がより低い正孔移動度に起因する相互作用深さ効果によって本質的に影響を受けないと見なせる、閾値範囲を設定する。この領域より上に、パルスの2つのさらなるクラスがある。最小HW曲線のすぐ上に位置する第1クラスは、zより大きな位置での相互作用から生成されたパルスである。この領域の密度は、こうしたパルスの幅と高さとの間に特殊な関係がある、すなわち最小幅より大きな幅を有するパルスが相関して最小高さより小さな高さを有するであろうということに起因する。その領域は、ひし形を形成する。このひし形のパラメータは、モンテカルロシミュレーションにより、または適当なエネルギースペクトル、例えばタングステンX線管からの0~160keVのX線スペクトルを有する低カウント率線源を用いる実験により決定することができる。このひし形を越えた領域はより密度が低く、パルスパイルアップに起因する。こうした積み重なったパルスは、完全にランダムな2つのパルスの相互作用に起因する、不正確な高さおよび幅を有する。こうしたパルスの高さおよび幅は完全に補正されていない。結果として、この領域における散らばりはランダムであり、密度の揺らぎはポアソン統計に従うことが予測される。これらの2つの領域における最小HW曲線からの偏差が異なるメカニズムによるものであるという証拠は、より低い入力カウント率での測定を繰り返すことにより見ることができる。これはCo57線源を用いることにより行われた。こうした実験は、ひし形は残るものの、外側に位置する散らばりがかなり少なくなることを示す。これは図6に示す。対照的に、パルスパイルアップのモデリングは、かなりの数のこうした信号が最小HW曲線からの大きな偏差とこのひし形領域におけるカウント数の実質的な非存在を表すことを、示している。最小HW曲線からの大きな偏差は、積み重なったパルスが十分密接に連続して相互作用し、HWプロットのひし形領域内でパルスを生成する可能性が低いことに起因する。反対に、弾道欠損および/または不十分な正孔収集により影響されるパルスは、HおよびWにおいてわずかな偏差しか示さない。この結果は重要である。というのは、パルスパイルアップおよび相互作用の深さ領域が大部分においてHW空間で区別されることを可能にし、そして、積み重なったイベントの大部分を除去すること、およびひし形領域内に残ったイベントに対して相互作用深さの補正を行うことの両方を可能にするからである。本発明は、これによりパルスを不完全に補正し得る特定のメカニズムを特徴づけるいずれの必要性によっても限定されないが、ここである程度、パルスは以下の3つのクラスに分類することができることが示される:整形増幅器のCR-RCモデルからの理論的な最小値に一致する高さおよび幅の両方を有するクラス1パルスパルスの高さおよび幅が、補正可能な効果、例えば主に相互作用深さまたは弾道欠損効果により歪んだクラス2パルスパルスの高さおよび幅が、か容易には補正できない程度に歪み、顕著なパルスパイルアップ効果が支配的となるクラス3パルス。クラス2パルスの場合におけるパルス幅とパルス高の相関は、次に、パルスを最小HW曲線上に再マッピングするために補正方法が適用されることを可能にする。HWの相関は、3次元でプロットすることにより、より明確に見ることができる。図7は、第3軸が特定のHW範囲内のイベント数を表す、図6からのCo-57線源からの100,000のイベントのHWプロットを示す。図7からわかるように、122keVピークはより大きな幅および低減した高さのイベントに関連するテールを示す。これらは明らかに、通常のパルス高分光法では、低いビンに誤って割り当てられ、よって周知の低エネルギーのテーリング効果を生成する、122keVのイベントである。122keVのピークにおけるテールの傾度を取り、誤って割り当てられたパルスを最小HW曲線上に再マッピングすることができる。これは、それぞれ測定された幅および高さH’、W’図3参照のパルスについて、実際の高さHを計算することにより行われる。基本的なパルス検出アルゴリズムについては図3を参照して記載される。パルス高H’の測定に加えて、底幅W’は、パルスによる閾値の交差時間を測定することにより計算することができる。ここで、パルス高および幅はそれぞれH’およびW’と称されるが、これは、パルスの測定された高さおよび幅が補正された高さおよび幅H、Wとは異なり得る可能性を反映していることに留意されたい。パルス検出状態は、パルスが閾値レベルより下に落ちるまで再度有効にされず、従って第1パルスとともに畳み込まれるいずれの第2パルスについても記録されることを防止する。H’およびW’の値は次にアルゴリズムにより返される。ルックアップテーブルを用いて、パルスがビンに適宜割り当てられる。ルックアップテーブルにおける位置はそれぞれ測定されたパルス高H’および幅W’によりアドレス指定される。これらが用いられ、ルックアップテーブルからパルスの真の高さが表示される。ルックアップテーブルは、H’W’空間をそれぞれH値が割り当てられた複数の領域に、離散的におよび2次元的にマッピングする。ルックアップテーブルにおけるクラス1パルスに対応する位置は、パルスの高さに相当するビンの値を含有する。すなわち、H’=Hである場合、ルックアップテーブルにおける位置H’W’での値はH’と同じである。これは、最小HW曲線の理想的な場合すなわち、本質的に完全に収集され、本質的に高さ-幅空間における下方の境界曲線上に位置するクラス1のパルスに対応する。補正されていない値はさらなる処理に、例えば、Hのその値についてカウントレジスタの値を増加させることによりパルス高スペクトルを更新するのに用いられる。H’がHと等しくない場合、ルックアップテーブルにおける位置H’W’での値は補正された高さの値またはゼロのいずれかである。ルックアップテーブルにおける位置H’W’での値がゼロではない場合、これはHの補正された値である。これは、HW曲線のひし形領域すなわち、高さ-幅空間における上下の境界曲線の間に位置し、パイルアップではなく深さ効果により影響を受けると考えられる、クラス2のパルスに対応する。H’から補正されたHの値はさらなる処理に、例えばHのその値についてカウントレジスタの値を増加させることによりパルス高スペクトルを更新するのに用いられる。よって、クラス2パルスに対応する位置は、パルス高とは同等ではなく、代わりにその高さ幅関係に基づき誤ったパルスを適切なビンに再度割り当てる補正された値となるビンの値を含む。ルックアップテーブルにおけるゼロは、H’およびW’が実際のパルスを定義すると考えられるいずれのH、W座標にも相関しないという事実を反映する。すなわち、これらはクラス3のパルスである。とくに、こうしたパルスは積み重なっているとみなされ、従って廃棄される。よって、H’W’=0であるパルスは、パルス高スペクトルには加えられない。しかしながら、任意の追加ステップにおいて、こうしたイベントのW’値は、累積廃棄カウンタに加えられる。所定の廃棄周期におけるパルスの数またはこうしたパルスの実際のエネルギーさえ知られていないが、この特徴は、所定の収集を行うためのデッドタイムの割合を評価するのに用いることができる有用なデッドタイムカウンタを提供する。所定のH’W’についてのHの計算は、FPGA上でリアルタイムに行うには複雑すぎる場合があり、本明細書において記載された例ではオフラインで行っている。所定のH’およびW’について再度割り当てられたビンの値を含有するルックアップテーブルが生成される。これは、いずれかの必要なサイズとすることができ、用いられるサンプルレートおよびADCの関数である。H’,W’→Hの変換式を適用することにより相互作用深さ効果を補正するのに用いられた例となる128×32個の要素のルックアップテーブルを図8に示す。省略されたセルはゼロを含み、H’およびW’はパルスパイルアップのため相関していない位置を指すことに留意されたい。例の実施形態では、128×32個の値のルックアップテーブルが用いられる。高さフィールドの分解能は31mVと同等である1ビンに等しく、幅フィールドの分解能は5nsのサンプリング周期で0~128のサンプルである。クラス3に対応するセルはゼロを含み、H’、W’とH、Wの相関がない位置を表す。こうした位置をルックアップするいずれかのパルスはゼロとして返され、これが廃棄されることを意味する。クラス2ひし形領域に対応するセルは、H’、W’を、補正されたHと相関づける。ルックアップテーブルが用いられ、ひし形領域におけるイベントが最小HW曲線上にマッピングされる。クラス1に対応するセルは、H’、W’がH、Wと直接相関するものである。図9は、相互作用深さの補正の前後における両方のスペクトルを示す。補正されたスペクトルは分解能において顕著な向上を示している。"