光電変換素子を準備する工程と、前記光電変換素子の表面に絶縁層を形成する工程と、支持基体上にワイヤグリッド偏光子を形成する工程と、前記光電変換素子の表面の前記絶縁層上に、前記支持基体の前記ワイヤグリッド偏光子形成面を接合する工程と、前記ワイヤグリッド偏光子から前記支持基体を除去する工程と、を有する固体撮像装置の製造方法。前記光電変換素子の表面にケイ素化合物からなる前記絶縁層を形成し、前記支持基体上の前記ワイヤグリッド偏光子の表面にケイ素化合物を含むパッシベーション層を形成し、前記絶縁層と前記パッシベーション層を活性化することにより、前記光電変換素子と前記支持基体とを接合する請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法。前記ワイヤグリッド偏光子を形成した後、前記ワイヤグリッド偏光子の格子間に絶縁層を形成する工程を備える請求項2に記載の固体撮像装置の製造方法。前記ワイヤグリッド偏光子の格子間に絶縁層をする工程において、前記絶縁層を前記ワイヤグリッド偏光子よりも低い高さで形成し、格子間の前記絶縁層上に前記ワイヤグリッド偏光子による凸形状を形成し、前記光電変換素子の表面の前記絶縁層を形成する工程において、前記ワイヤグリッド偏光子による凸部に相対する凹部を形成し、前記ワイヤグリッド偏光子による凸形状と、前記光電変換素子の表面の前記絶縁層の前記凹部とを合わせて接合する請求項3に記載の固体撮像装置の製造方法。前記支持基体に透明な基体を使用し、前記光電変換素子に前記支持基体を接合する際に、前記支持基体を透過して前記光電変換素子側の基体に形成されているアライメントマークを用いて位置合わせを行う請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法。前記ワイヤグリッド偏光子を形成する工程が、前記支持基体の全面に金属層を形成する工程と、前記金属層をグリッドアレイ状に加工する工程とからなる請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法。前記ワイヤグリッド偏光子を形成する工程が、前記支持基体上に島状の吸収層を形成する工程と、前記吸収層上を覆って前記支持基体の全面に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に金属層を形成する工程と、前記金属層及び前記絶縁層をグリッドアレイ状に加工する工程とからなる請求1に記載の固体撮像装置の製造方法。光電変換素子と、前記光電変換素子上に形成されている絶縁層と、前記絶縁層上に形成されているワイヤグリッド偏光子と、を備え、前記絶縁層に凹部が形成され、前記ワイヤグリッド偏光子の側壁が、前記絶縁層に形成されている前記凹部の内壁と接して形成されている固体撮像装置。上述の吸収型のWGPをCCD光電変換素子やCMOS光電変換素子に適用する場合には、画素部の上面マイクロレンズの上に、半導体プロセスで形成する方法が考えられる。しかし、光電変換素子上のマイクロレンズやカラーフィルタは、一般的に、耐熱性や膜強度が低い有機系の樹脂材料から形成されている。例えば、一般的な半導体装置の層間絶縁膜の形成方法である、プラズマCVDを適用してSiO2層を形成する場合、形成温度は350~400°Cである。しかし、この温度では樹脂材料が昇華又は分解してしまう。このため、WGPの下地となる絶縁層や、WGPの反射層と吸収層との間に形成される絶縁層は、樹脂の耐用温度以下、例えば、220°C以下で形成しなければならない。このように、偏光子を形成する工程において、金属膜を形成する温度の低温化や、膜ストレスの低下が必要となる。しかし、上述のような低温プロセスにより形成された絶縁層では、密度低下による吸湿性の増加が問題となる。例えば、膜吸湿による腐食等が、デバイスの長期信頼性の低下の原因となる。このように、上述の製造方法では製造工程における制限、特に温度範囲の制限があり、製造された固体撮像装置の信頼性の低化が問題となる。上述した問題の解決のため、本発明においては、ワイヤグリッド偏光子を備えた信頼性に優れる固体撮像装置を提供するものである。本発明の固体撮像装置の製造方法は、光電変換素子を準備する工程と、光電変換素子の表面に絶縁層を形成する工程とを有する。また、支持基体上にワイヤグリッド偏光子を形成する工程を有する。そして、光電変換素子の表面の絶縁層上に、支持基体のワイヤグリッド偏光子形成面を接合する工程と、ワイヤグリッド偏光子から支持基体を除去する工程とを有する。また、本発明の固体撮像装置は、光電変換素子と、光電変換素子上に形成されている絶縁層と、絶縁層上に形成されているワイヤグリッド偏光子とを備える。そして、絶縁層に凹部が形成され、ワイヤグリッド偏光子の側壁が、絶縁層に形成されている凹部の内壁と接して形成されている。本発明の固体撮像装置の製造方法によれば、光電変換素子とは、異なる基体上でワイヤグリッド偏光子を形成する。このため、ワイヤグリッド偏光子を形成する際に、プロセス温度の低温化、低ストレス化が不要となる。従って、より信頼度が高いプロセス条件でWGPを形成することが可能となる。また、本発明の固体撮像装置によれば、例えば上述の方法により、別の基体上に形成されたワイヤグリッド偏光子を光電変換素子の表面に接合する際、位置精度の向上が可能となる。本発明によれば、ワイヤグリッド偏光子を備えた信頼性に優れる固体撮像装置を提供することができる。以下、本発明を実施するための最良の形態の例を説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。なお、説明は以下の順序で行う。1.固体撮像装置の構成2.ワイヤグリッド偏光子の製造方法の第1実施形態3.ワイヤグリッド偏光子の製造方法の第2実施形態4.ワイヤグリッド偏光子の製造方法の第3実施形態5.ワイヤグリッド偏光子の製造方法の変形例1.固体撮像装置の構成[固体撮像装置の構成]以下、本発明の固体撮像装置の製造方法の具体的な実施の形態について説明する。図1に、本発明の製造方法に係わる固体撮像装置の一例として、CMOSComplementaryMetalOxideSemiconductor型の固体撮像装置の概略構成を示す。図1Aに示す固体撮像装置10は、半導体基体、例えば、シリコン基板に複数の光電変換部となるフォトダイオードを含む画素12が規則的に2次元的に配列された画素部いわゆる撮像領域13と、周辺回路部とから構成される。画素12は、フォトダイオードと、複数の画素トランジスタいわゆるMOSトランジスタを有する。複数の画素トランジスタは、例えば転送トランジスタ、リセットトランジスタ、増幅トランジスタの3つのトランジスタで構成することができる。その他、選択トランジスタを追加して4つのトランジスタで構成することもできる。周辺回路部は、垂直駆動回路14と、カラム信号処理回路15と、水平駆動回路16と、出力回路17と、制御回路18等から構成されている。制御回路18は、垂直同期信号、水平同期信号及びマスタクロックに基づいて、垂直駆動回路14、カラム信号処理回路15及び水平駆動回路16等の動作の基準となるクロック信号や制御信号を生成する。制御回路18は、これらの信号を垂直駆動回路14、カラム信号処理回路15及び水平駆動回路16等に入力する。垂直駆動回路14は、例えばシフトレジスタによって構成される。垂直駆動回路14は、画素部13の各画素12を行単位で順次垂直方向に選択走査し、垂直信号線19を通して各画素12の光電変換素子において受光量に応じて生成した信号電荷に基づく画素信号をカラム信号処理回路15に供給する。カラム信号処理回路15は、画素12の例えば列ごとに配置され、1行分の画素12から出力される信号を画素列ごとに黒基準画素有効画素領域の周囲に形成されるからの信号によってノイズ除去などの信号処理を行う。即ち、カラム信号処理回路15は、画素12固有の固定パターンノイズを除去するためのCDScorrelateddoublesamplingや、信号増幅等の信号処理を行う。カラム信号処理回路15の出力段には水平選択スイッチ図示せずが水平信号線11との間に接続されて設けられている。水平駆動回路16は、例えばシフトレジスタによって構成され、水平走査パルスを順次出力することによって、カラム信号処理回路15の各々を順番に選択し、カラム信号処理回路15の各々から画素信号を水平信号線11に出力する。出力回路17は、カラム信号処理回路15の各々から水平信号線11を通して順次に供給される信号に対し、信号処理を行って出力する。上記の固体撮像装置10を、裏面照射型の固体撮像装置に適用する場合は、光入射面いわゆる受光面側の裏面上には複数配線層が形成されず、複数配線層は受光面と反対側の表面側に形成される。[ワイヤグリッド偏光子WGPの構成]次に、図2にCMOS型の固体撮像装置の画素部に設けられるカラーフィルタ上の構成を示す。図2では、半導体基体に設けられる光電変換部、各種トランジスタ、CMOS回路及び上部配線層等を下地デバイス21として示している。そして、下地デバイス21上には、光学部を形成するためのデバイス平坦化層22、カラーフィルタ23、及び、カラーフィルタ23上に形成されているマイクロレンズ24を備える。さらに、マイクロレンズ24上にマイクロレンズ平坦化層25を備える。マイクロレンズ平坦化層25上には、ストッパ絶縁層26とワイヤグリッド偏光子WireGridPolarizer:WGP30が形成されている。WGP30は、ストッパ絶縁層26上に形成された反射層31と、反射層31上に形成された絶縁層32と、絶縁層32上に形成された吸収層33とからなる。反射層31は、基体の主面と平行な一方向に延びた帯状の薄い層により、可視光域の波長よりも狭ピッチで一次元格子状に形成されている。反射層31が一次元格子状に延びる方向反射層31の延びる方向と平行な方向は、消光させる偏光方位と一致する。また、一次元格子状の繰り返し方向反射層31の延びる方向と直交する方向は、透過させる偏光方位と一致する。即ち、反射層31は、一般的なWGPの機能を有し、この反射層31の繰り返し単位に入射した光のうち、反射層31の延びる方向と平行な方向に電界成分を有する偏光波TE波/S波、又は、TM波/P波のいずれか一方を減衰させる。また、反射層31の延びる方向と直交する方向に電界成分を有する偏光波TE波/S波、又は、TM波/P波のいずれか他方を透過させる。反射層31には、通常のWGP用の格子材料を用いることができる。例えば、アルミニウムAl、銀Ag、金Au、銅Cu、白金Pt、モリブデンMo、クロムCr、チタンTi、ニッケルNi、タングステンW、鉄Fe、シリコンSi、ゲルマニウムGe、及び、テルルTe等の金属材料や半導体材料、並びに、これらを含む合金材料を用いることができる。また、例えば着色等により表面の反射率を高くした無機材料層や樹脂層から反射層31を構成することもできる。絶縁層32は、上述の反射層31上に形成される。絶縁層32は、可視光に透明な光学材料から形成される。例えば、SiO2、Al2O3、及びMgF2等の材料を用いて形成される。絶縁層32は、吸収層33の下地層となる。また、絶縁層32は、吸収層33で反射された偏光光と、吸収層33を透過して反射層31で反射された偏光光との位相を調整し、干渉効果により反射率を低減するために形成される。このため、絶縁層32は、反射層31で反射された偏光光の位相が、吸収層33で反射された偏光光と、半波長分ずれるような厚さに形成されることが好ましい。なお、吸収層33が、光吸収効果を有しているため、絶縁層32の厚さが、上記干渉効果のために最適化されていなくても、消光比の向上が可能である。また、絶縁層32の屈折率は、1.0より大きく、2.5以下とすることが好ましい。吸収層33の光学特性は、周囲の屈折率によっても影響を受けるため、絶縁層32の屈折率を調整することにより、WGP30の偏光子特性を制御することが可能である。吸収層33は、絶縁層32上において、反射層31の一次元格子方向に離間されて、断続的に形成される。つまり、絶縁層32上での吸収層33の平面形状は、長方形の島状パターンである。そして、吸収層33の平面形状は、吸収層33の長辺が、反射層31の延びる方向と平行な方向に形成される。また、吸収層33の短辺が、反射層31の延びる方向と直交する方向に形成される。そして、吸収層33の長辺方向が偏光子の光吸収軸となり、短辺方向が偏光子の光透過軸となる。吸収層33は、消衰係数が零でない、即ち、光吸収作用を有する金属材料や合金材料、半導体材料から構成される。また、吸収層33は、例えば、光吸収作用を有する無機微粒子を含んで形成されている。例えば、アルミニウムAl、銀Ag、金Au、銅Cu、モリブデンMo、クロムCr、チタンTi、ニッケルNi、タングステンW、鉄Fe、シリコンSi、ゲルマニウムGe、テルルTe、錫Sn等の金属材料や半導体材料、これらを含む合金材料を用いることができる。また、FeSi2特にβ-FeSi2、MgSi2、NiSi2、BaSi2、CrSi2、CoSi2等のシリサイド系材料を用いることができる。特に、吸収層33を構成する材料として、アルミニウム若しくはその合金、又は、β-FeSi2や、ゲルマニウム、テルルを含む半導体材料を用いることで、可視光域で高コントラスト高消光比を得ることができる。なお、可視光以外の波長帯域、例えば赤外域に偏光特性を持たせるためには、光吸収層を構成する材料として、共鳴波長が赤外域近辺にある銀Ag、銅Cu、金Au等を用いることが好ましい。なお、上述のWGPは、反射層のみから構成される単層偏光子とすることもできる。単層偏光子とした場合にも、上述の吸収型のWGPとは異なる作用であるが、通常のWGPとして機能する。WGPを備える固体撮像装置に適用される光電変換素子としては、上述のCMOS型の固体撮像装置以外にも、例えば、CCD素子、CISContactImageSensor、CMDChargeModulationDevice型の信号増幅型イメージセンサ等に適用可能である。また、光電変換素子として、表面照射型の光電変換素子又は裏面照射型の光電変換素子も適用可能である。2.ワイヤグリッド偏光子の製造方法の第1実施形態[ワイヤグリッド偏光子の製造方法:第1実施形態]次に、上述のワイヤグリッド偏光子を備える固体撮像装置の製造方法の第1実施形態について説明する。まず、図3Aに示すように、光電変換部を備える光電変換素子を準備する。光電変換素子は、画素単位でマイクロレンズ24が形成され、最表面にマイクロレンズ24の凹凸を有する。次に、図3Bに示すように、マイクロレンズ24上に、使用波長帯域内で透明な材料をスピンコート法等により塗布及び平坦化してマイクロレンズ平坦化層25を形成する。そして、図3Cに示すように、使用波長帯域内で透明、且つ、ドライエッチング耐性が充分あり、エッチングストッパ及び基板接合の際の接合面として機能する誘電体材料を用いてストッパ絶縁層26を形成する。誘電体材料としては、上述のWGPを構成する絶縁層と同様の材料を用いることができ、例えばSiO2等のケイ素化合物を用いる。ストッパ絶縁層26は、例えば、スパッタ法やゾルゲル法スピンコート法により溶液を塗布し、熱処理によりゲル化させる方法により形成する。次に、図4Aに示すように、支持基体34上に絶縁層35を形成する。絶縁層35は、例えばCVD法を用いて、SiO2等を150nm程度形成する。そして、絶縁層35上にレジスト層36を形成する。形成したレジスト層36に、リソグラフィーパターニングを行い、WGPの吸収層の形成位置を開口するレジストパターンを形成する。そして、図4Bに示すように、レジスト層36のパターンを用いて、絶縁層35にエッチングを行う。エッチングにより絶縁層35に、吸収層を形成する島状の凹部38を形成する。凹部38を形成した後、レジスト層36を除去する。次に、図4Cに示すように、凹部38を覆って、絶縁層35に吸収材料層33Aを形成する。吸収材料層33Aとしては、上述の吸収層に適用する材料、例えばWを用いて100nm形成する。また、吸収材料層33Aは、例えば、化学的気相成長CVD法、塗布法、スパッタ法等の物理的気相成長PVD法を用いて形成する。そして、図4Dに示すように、絶縁層35の凹部38上に、余剰に形成された吸収材料層33Aを、例えば、CMP法等を用いて除去して平坦化する。この工程により、絶縁層35に島状に埋めこまれた吸収層33を形成する。次に、図4Eに示すように、絶縁層35及び吸収層33上に、WGPの絶縁層となる絶縁材料層32Aを形成する。さらに、絶縁材料層32A上にWGPの反射層となる反射材料層31Aを形成する。絶縁材料層32Aは、例えば、CVD法、塗布法、PVD法、ゾルゲル法等を用いて形成する。また、絶縁材料層32Aは、上述の可視光に透明な光学材料、例えばSiO2を用いて10nmの厚さに形成する。反射材料層31Aは、例えば、CVD法、塗布法、PVD法等を用いて形成する。上述の一般的なWGP用の格子材料として用いられる材料、例えばAl又はAlを含む合金を用いて150nmの厚さに形成する。次に、図4Fに示すように、反射材料層31Aにパターニングされたレジスト層37を形成する。レジスト層37は、WGPを形成する位置に残存させるように、リソグラフィーパターニングを行う。この工程におけるリソグラフィは、ラインアンドスペースパターンからなるフォトマスクを用いて行うものであり、例えば、露光波長248nmのKrF露光、又は、露光波長193nmのArF露光を用いることが好ましい。次に、図5Gに示すように、レジスト層37を用いて、反射材料層31Aのエッチングを行う。エッチングにより、レジスト層37のパターンを反射材料層31Aに転写して、WGPの反射層31を形成する。エッチング後、レジスト層37を剥離する。さらに、パターンが転写された反射層31をマスクとして、絶縁層35及び絶縁層32をエッチングする。この工程により、支持基体34上に、吸収層33、絶縁層32及び反射層31とからなるWGP30を形成する。次に、図5Hに示すように、WGP30を覆うパッシベーション層39を形成する。パッシベーション層39は、WGP30の保護層として機能するとともに、上述の光電変換素子上のストッパ絶縁層26との接合面として機能する材料を用いて形成する。パッシベーション層39としては、例えば、上述のWGPを構成する絶縁層32と同様の材料を用いて形成することができ、例えばSiO2等のケイ素化合物を用いて形成する。また、パッシベーション層39は、CVD法やゾルゲル法等を用いて形成する。次に、図5Iに示すように、光電変換素子の上に、支持基体34を接合する。このとき、支持基体34を形成したWGP30上のパッシベーション層39が、光電変換素子の表面に形成したストッパ絶縁層26と接触するように、支持基体34を反転して接合する。光電変換素子と支持基体とは、互いの表面に形成されたシリコン酸化層SiO2を活性化させてシラノール基を形成し、脱水縮合反応により接合させる。つまり、光電変換素子のストッパ絶縁層26と、支持基体34上のWGP30の表面に形成したパッシベーション層39とをシリコン酸化層SiO2で形成することにより、上述の脱水縮合反応により接合することができる。シリコン酸化層の活性化方法は、一般的にSOISilicononInsulatorウエハを形成する際に用いる手法を適用する。例えば、過酸化水素水等の薬液を用いて、シリコン酸化層の親水化処理を行い、表面活性化処理を行う。あるいは、酸素プラズマ処理等により、表面活性化処理を行う。次に、図6に示すように、光電変換素子上から支持基体34を除去する。支持基体34の除去は、裏面WGP30の形成面と反対の面側から例えばウェーハグラインダー等の研削機を用いて行う。そして、WGP30上に形成されている絶縁層35と、パッシベーション層39とを、例えばフッ素系の薬液を用いて除去し、反射層31の上面を露出する。これにより、光電変換素子上にストッパ絶縁層26を介してWGP30を形成することができる。以上の工程により、WGP30が形成された固体撮像装置を製造することができる。なお、上述の工程により、光電変換素子上にWGP30を形成した後、WGP30の全面にシリコン酸化物又はシリコン窒化物を、例えば50nm形成して保護層とすることにより、偏光子の信頼性を向上することができる。上述の本実施形態の製造方法では、マイクロレンズカラーフィルターが形成されている基体とは、異なる基体上でWGPを形成する。このため、WGP形成の際に、プロセス温度の低温化や、低ストレス化が不要となる。従って、より信頼度が高いプロセス条件でWGPを形成することが可能となる。特に、ストッパ絶縁層等で用いるシリコン窒化物等の絶縁層を、より高い密度で形成することができる。このため、吸湿性の悪化を抑制し、膜吸湿によるデバイスの長期信頼性の劣化を改善することができ、より信頼性の高い偏光子を備える固体撮像装置を提供できる。なお、上述の実施の形態では、WGP30を反射層31、絶縁層32及び吸収層33からなる積層体で形成したが、反射層のみから構成される単層偏光子としてもよい。WGP30を反射層のみから構成する場合には、支持基体34上に絶縁層35を形成した後、絶縁層35上に直接反射材料層31Aを形成し、リソグラフィを用いて反射層31を形成する。そして、反射層31上にパッシベーション層39を形成する。この後、上述の方法と同様に、光電変換素子上のストッパ絶縁層26とパッシベーション層39とを接合する。そして、支持基体34等を除去して反射層31を露出することで、光電変換素子上にWGP30を形成することができる。また、WGP30のグリッドパターンの寸法も上述の実施の形態に限定されるものではない。上述の実施の形態では、偏光子の形成方法として、KrFあるいはArF露光によるレジスト加工を示したが、より微細ピッチ名偏光子を適用する必要がある場合は、他の方法を用いる。例えば、ITRSTechnologyRoadmapforSemiconductorsに示される、側壁転写方式サイドウォール方式、スペーサー方式や、ダブルパターニング法等の加工プロセスを用いてもよい。また、上述の実施形態では、WGP30上に形成するパッシベーション層としてシリコン酸化膜を用いたが、親水化処理、活性化処理によりシラノール基を形成できるケイ素化合物であれば、限定することなく使用可能である。例えば、SiN、SiON、SiOC、SiC、及び、SiCN等のケイ素化合物からなる絶縁層を形成することもできる。3.ワイヤグリッド偏光子の製造方法の第2実施形態[ワイヤグリッド偏光子の製造方法:第2実施形態]上述の第1実施形態では、ワイヤグリッド偏光子WireGridPolarizer:WGPを構成する格子間が空洞であり、WGPが形成された支持基体を光電変換素子側の基体に接合する際の接合面が小さい。このため、余剰基板除去の際等の工程で、接合の際に隙間の発生や接合強度の低下した場合に、WGPが接合面から剥離する可能性が考えられる。また、上記のような空洞があると、接合後の製造プロセス中で、引加される熱ストレスにより、空洞が肥大化してWGPが接合面から剥離する可能性が考えられる。上述の対策として、第2実施形態では、偏光子間を例えば有機系絶縁膜で埋めて表面を平坦化する工程を備える。以下、ワイヤグリッド偏光子を備える固体撮像装置の製造方法の第2実施形態について説明する。なお、第2実施形態では、上述の第1実施形態と同様の構成には、同じ符号を付して詳細な説明を省略する。まず、上述の第1実施形態の図3A~Cに示す工程と同様に、光電変換素子上にストッパ絶縁層26を形成する。次に、図7Aに示すように、支持基体34上に、偏光子形成の為の下地および加工プロセスのエッチングストッパとなる絶縁層41を形成する。絶縁層41は、例えばCVD法を用いて、SiO2等を形成する。また、絶縁層41上にWGPの反射層となる反射材料層31Aを形成する。次に、図7Bに示すように、反射材料層31A上に、パターニングされたレジスト層37を形成する。反射材料層31Aは、例えば、CVD法、塗布法、PVD法等を用いて形成する。上述の一般的なWGP用の格子材料として用いられる材料、例えばAl又はAlを含む合金を用いて150nmの厚さに形成する。レジスト層37は、WGPを形成する位置に残存させるように、リソグラフィーパターニングを行う。次に、図7Cに示すように、レジスト層37を用いて、反射材料層31Aのエッチングを行う。エッチングにより、レジスト層37のパターンを反射材料層31Aに転写して、WGPの反射層31を形成する。エッチング後、レジスト層37を剥離する。次に、図8Aに示すように、反射層31を覆うパッシベーション層39と、反射層31の格子間を埋める絶縁層42を形成する。パッシベーション層39は、反射層31の保護層として機能するとともに、上述の光電変換素子上のストッパ絶縁層26との接合面として機能する材料を用いて形成する。絶縁層42は、ポリアリレン等の有機絶縁材料を用いることが好ましい。絶縁層42は、形成工程や後述の除去工程における簡易性のため、例えば、スピンコーティング等の塗布法を適用可能な有機系材料を用いることが好ましい。また、絶縁層42は、反射層31上に形成したパッシベーション層39の上面が露出するように形成する。つまり、パッシベーション層39の上面が、絶縁層42よりも高い位置となるように、又は、パッシベーション層39の上面と絶縁層42とが同じ高さとなるように形成する。次に、図8Eに示すように、光電変換素子の上に、支持基体34を接合する。このとき、支持基体34に形成したパッシベーション層39が、光電変換素子の表面に形成したストッパ絶縁層26と接触するように、支持基体34の上下を反転して接合する。光電変換素子と支持基体とは、ストッパ絶縁層26とパッシベーション層39を活性化させてシラノール基を形成し、脱水縮合反応により接合させる。次に、図8Fに示すように、光電変換素子上から支持基体34を、ウェーハグラインダー等の研削機を用いて除去する。そして、反射層31の上面に形成されている絶縁層41、及び、絶縁層42上に形成されているパッシベーション層39を、例えばフッ素系の薬液を用いて除去し、反射層31の正面を露出する。さらに、反射層31間に形成されている絶縁層42を除去する。絶縁層42の除去は、例えば、酸素プラズマによるエッチング等を用いて行う。以上の工程により、WGPとして反射層31が形成された固体撮像装置を製造することができる。上述の第2実施形態では、第1実施形態と比較して、基体接合の際に、WGPの各反射層間に絶縁層が形成されている。このため、基体剥離の原因となる空洞が形成されない。従って、信頼性の高い偏光子を備える固体撮像装置を提供できる。なお、本実施形態では、WGPとしては反射層31のみからなる単層偏光子を用いたが、偏光子の形状としては特に限定するものではなく、例えば、第1実施形態のように、吸収層、絶縁層及び反射層からなる吸収型の偏光子としてもよい。この場合には、第1実施形態と同様に、支持基体上に吸収層から反射層までの積層構造のWGPを形成した後、WGPの格子間に絶縁層を形成すればよい。4.ワイヤグリッド偏光子の製造方法の第3実施形態[ワイヤグリッド偏光子の製造方法:第3実施形態]上述の第1実施形態及び第2実施形態では、偏光子が形成されている支持基体を光電変換素子が形成されている基体に接合する際、支持基体上に一様に形成されている偏光子を、光電変換素子上の平坦面に接合している。偏光子を高性能なオンチップ偏光子として機能させるためには、マイクロレンズ上に、位置精度よく偏光子を形成する必要がある。このため、偏光子の接合の際に、位置合わせの高い精度が要求される。このような要求に応じて、第3実施形態では、基板接合の位置精度の向上が可能な製造方法を提供する。以下、上述のワイヤグリッド偏光子を備える固体撮像装置の製造方法の第3実施形態について説明する。なお、第3実施形態では、上述の第1実施形態及び第2実施形態と同様の構成には、同じ符号を付して詳細な説明を省略する。まず、図9Aに示すように、光電変換部を備え、画素単位でマイクロレンズ24が形成され、最表面にマイクロレンズ24の凹凸が残っている光電変換素子を準備する。そして、図9Bに示すように、マイクロレンズ24上に、使用波長帯域内で透明な材料を塗布及び平坦化してマイクロレンズ平坦化層25を形成する。次に、図9Cに示すように、使用波長帯域内で透明、且つ、ドライエッチング耐性が充分あり、エッチングストッパ及び基板接合の際の接合面として機能する誘電体材料を用いてストッパ絶縁層26を形成する。次に、図10Dに示すように、ストッパ絶縁層26上にレジスト層43を形成する。そして、レジスト層43を、リソグラフィーパターニングを行い、偏光子を接合する位置を開口するレジストパターンを形成する。そして、図10Eに示すように、レジスト層43のパターンを用いてストッパ絶縁層26上にエッチングを行い、素子接合面に凹部44を形成する。凹部44を形成した後、レジスト層36を除去する。上記凹部44は、後述する凸状に形成される偏光子に相対する位置に形成されるストッパ絶縁層26の段差である。ストッパ絶縁層26のエッチングは、例えば、矩形状パターンを用いてパターニングされたレジスト層43を用いて、ストッパ絶縁層26に、例えば深さ30nmの凹部44を形成する。以上の工程により、光電変換素子上に、凹状の段差が形成されたストッパ絶縁層26を形成する。次に、図11Aに示すように、支持基体34上に偏光子形成の為の下地および加工プロセスのエッチングストッパとなる絶縁層41を形成する。絶縁層41は、例えばCVD法を用いて、SiO2等を形成する。また、絶縁層41上にWGPの反射層となる反射材料層31Aを形成する。そして、図11Bに示すように、反射材料層31A上にパターニングされたレジスト層45を形成する。レジスト層45は、ワイヤグリッド偏光子WireGridPolarizer:WGPとなる反射層31を形成する位置に残存させるように、リソグラフィーパターニングを行う。この工程におけるリソグラフィは、ラインアンドスペースパターンからなるフォトマスクを用いて行うものであり、例えば、露光波長248nmのKrF露光、又は、露光波長193nmのArF露光を用いることが好ましい。次に、図11Cに示すように、レジスト層45を用いて、反射材料層31Aのエッチングを行う。エッチングにより、レジスト層45のパターンを反射材料層31Aに転写して、WGPの反射層31を形成する。エッチング後、レジスト層45を剥離する。次に、図11Dに示すように、反射層31を覆うパッシベーション層39を形成する。パッシベーション層39は、反射層31の保護層として機能するとともに、上述の光電変換素子上のストッパ絶縁層26との接合面として機能する材料を用いて形成する。次に、図11Eに示すように、反射層31の格子間を埋める絶縁層46を形成する。絶縁層46は、反射層31が凸形状となるように、反射層31の上面よりも低い位置まで形成する。例えば、絶縁層46に用いる有機絶縁材料を、反射層31と同じ高さまで塗工する。そして、酸素プラズマによるエッチングを行い、反射層31よりも50nm程度低くなる位置まで絶縁層46を除去する。この工程により、反射層31は、絶縁層46との間に凸状の段差が設けられる、反射層31とパッシベーション層39とからなる凸部が形成される。次に、図12Aに示すように、光電変換素子の上に、支持基体34を接合する。このとき、支持基体34に形成したパッシベーション層39が、光電変換素子の表面に形成したストッパ絶縁層26と接触するように、支持基体34の上下を反転して接合する。光電変換素子と支持基体とは、ストッパ絶縁層26とパッシベーション層39を活性化させてシラノール基を形成し、脱水縮合反応により接合させる。また、光電変換素子の上への支持基体34の接合は、図12Bに示すように、絶縁層46表面から凸状に形成されている反射層31を、光電変換素子表面に形成されたストッパ絶縁層26の凹部44内にはめ込むように接合する。つまり、反射層31とパッシベーション層39とからなる凸部の側面と、ストッパ絶縁層26の凹部の内壁とを接触させるように接合する。このように、反射層31を含んで構成される凸部をほぞとし、また、ストッパ絶縁層26の凹部をほぞ穴とした、ほぞ接合形状することにより、正確な位置合わせが可能となる。この位置合わせ精度は、ストッパ絶縁層26に凹部44の形成に用いるリソグラフィーパターニングの精度に依存する。反射層31が接合される部分に精度良くパターニングを行うことにより、凹部44を適切な位置、及び、形状に形成することができる。そして、凹部44が精度良く形成されていることにより、凹部44の凸状の段差を利用した正確な位置合わせが可能となる。このようなほぞ接合形状とすることにより、光電変換素子上への支持基体の接合において、物理的な基板接合時の位置ずれを最小化することができる。次に、図12Cに示すように、光電変換素子上から支持基体34を、ウェーハグラインダー等の研削機を用いて除去する。そして、反射層31の上面に形成されている絶縁層41、及び、絶縁層46上に形成されているパッシベーション層39を、例えばフッ素系の薬液を用いて除去し、反射層31の正面を露出する。さらに、反射層31の格子間に形成されている絶縁層46を除去する。絶縁層46の除去は、例えば、酸素プラズマによるエッチング等を用いて行う。以上の工程により、WGPとして反射層31が形成された固体撮像装置を製造することができる。上述の第3実施形態では、偏光子側に凸状の段差を形成し、光電変換素子の表面の相対する位置に凹部を形成し、ほぞ接合形状として接合の際の位置精度を向上させている。この方法により、物理的な基板接合時の位置ずれを最小化することが可能となる。このため、偏光子を透過してマイクロレンズに入射した光が、光電変換部へと効率よく集光される構成となる。偏光子と光電変換部との位置合わせ精度が低下した場合には、偏光した光が隣接する光電変換部に入射するため、感度劣化、偏光特性劣化、混色悪化等の特性悪化が発生する。上述の方法により、偏光子の位置を精度良く光電変換部上に形成することにより、上記の特性を改善することができ、高性能な偏光子を有する固体撮像装置を提供することができる。なお、上述の第3実施形態では、反射層の形成部に段差を形成する場合について説明したが、支持基体側偏光子作製側と光電変換素子側のいずれか一方に凸状の段差凸部を形成し、他方に凸状の段差に相対する凹状の段差凹部を形成すればよい。このため、上述の反射層を形成する領域以外にも、例えばチップ間のスクライブライン上において、支持基体と光電変換素子とに、それぞれ凸部と凹部とを形成してもよい。この場合にも、精度よく支持基体と光電変換素子とを接合することが可能である。また、本実施形態では、WGPとしては反射層31のみからなる単層偏光子を用いたが、偏光子の形状としては特に限定するものではなく、例えば、第1実施形態のように、吸収層、絶縁層及び反射層からなる吸収型の偏光子としてもよい。この場合には、第1実施形態と同様に、支持基体上に吸収層から反射層までの積層構造のWGPを形成した後、WGP間に、絶縁層を形成すればよい。4.ワイヤグリッド偏光子の製造方法の変形例[変形例:透明支持基体]上述の第3実施形態では、接合を行うそれぞれの基板に対して段差を形成し、ほぞ接合することにより物理的な位置合わせ精度を向上させている。一般的に、半導体装置等の製造方法における基体接合では、それぞれの基体の位置座標を元に、機械的な位置合わせアライメントが行われている。これら基体接合方法において、位置合わせの精度を高める場合には、基体上に形成されたアライメントマークを直接読みとり、位置補正を行いながら基体を接合する方法が用いられる。上述の第1実施形態、第2実施形態、及び、第3実施形態において、上述のアライメントマークによる位置補正を用いた基体接合を適用する場合には、ワイヤグリッド偏光子WGPを形成する支持基体として、透明な基体、例えば透明なガラス基板を用いる。WGP形成用の支持基体として、透明なガラス基板を用いることにより、基体を接合する際に支持基体を透過して、光電変換素子側の基体の表面を視認することが可能になる。そして、光電変換素子側の基体に形成した位置合わせ用のアライメントマークを、直接読み取り、支持基体の位置を補正しながら、基体の接合を行うことができる。このため、接合の際のWGPと光電変換素子との位置ずれをさらに小さくすることができる。この結果、感度劣化、偏光特性劣化、混色悪化を抑制した高性能な偏光子を有する固体撮像装置を提供することができる。また、固体撮像素側の基体に形成されるアライメントマークの視認性をより向上させるため、WGPを形成する際に支持基体上に形成する絶縁層として、透明性の高い材料を適切な厚さに形成することが好ましい。例えば、絶縁層としてシリコン酸化膜を100nm以下に形成することで、位置合わせずれ量をさらに最小化することが可能となる。上述の第1~3実施形態の製造方法によれば、ワイヤグリッド偏光子WireGridPolarizer:WGPの形成を、マイクロレンズやカラーフィルタが形成された基体と異なる基体上で行う。このため、WGP形成の際のプロセス温度が、マイクロレンズやカラーフィルタの耐熱温度以下に限定されない。従って、プロセス温度の低温化、低ストレス化が不要となり、より信頼度の高いプロセス条件により、WGPを備える固体撮像装置を製造することが可能となる。特にエッチングストッパ膜等で用いるシリコン窒化膜等からなる絶縁層を、より密度の高い状態で形成することが可能となる。このため、膜吸湿性の抑制が可能となり、膜吸湿によるデバイスの長期信頼性の劣化を改善させ、より信頼性の高い固体撮像装置を提供できる。また、上述の第2実施形態によれば、基体を接合する際、WGPの各格子間に絶縁層を形成するため、WGP内に空洞が形成されない。このため、固体撮像装置の製造工程において、WGP接合後の熱ストレス等による剥離発生を抑制することができる。従って、より信頼性の高い固体撮像装置を提供できる。また、上述の第3実施形態では、支持基体上に凸状のWGPを形成し、光電変換素子側の表面にWGPの凸状の段差凸部に相対する凹状の段差凹部を形成することにより、ほぞ接合形状として、支持基体と光電変換素子とを接合する。この接合方法を用いることにより、物理的な基体接合時の位置ずれを最小化することができる。偏光子の位置を精度良く光電変換部上に形成することにより、偏光子を透過した光がマイクロレンズで集光され、効率よく光電変換部へと入射する。このため、偏光した光の隣接光電変換部への入射を抑制し、感度劣化、偏光特性劣化、混色悪化等の特性を改善した、高性能な偏光子を有する固体撮像装置を提供することができる。