外側シールド層65と、外側絶縁層64と、高電圧プレート62と、内側絶縁層63と、高電圧供給パッド61と、を順に含むラミネートを含み、前記パッドは、前記プレートより小さく、また、前記ラミネートの平面に垂直な方向に見た場合に、前記プレート内に実質的に全体的に位置する、高電圧電気コネクタ60。前記ラミネートの平面に垂直な方向に見た場合に、前記プレートの周囲と前記パッドの周囲との間の最小距離dは、少なくともhであり、好適には少なくとも2hであり、好適には少なくとも3hであり、より好適には少なくとも4hであり、またはさらにより好適には少なくとも5hであり、ただし、hは、前記ラミネートの前記平面に垂直な方向における前記プレートと前記パッド間の最小距離である、請求項1に記載の電気コネクタ。前記プレートは、前記ラミネートの平面に垂直な方向に見た場合に、前記パッドが実質的に円形のセクション内に実質的に全体的に位置するように、前記パッドより大きい前記実質的に円形のセクションと、細長い高電圧トレースを形成する伸ばされたテーパセクションとを有する涙滴形状を有する、請求項1または2に記載の電気コネクタ。前記プレートが、前記ラミネートの断面において、固体材料によって完全に囲まれるように、前記プレートは、前記プレートの平面において、誘電体69によって囲まれる、請求項1から3のいずれかに記載の電気コネクタ。前記高電圧供給パッド61の小さい方の縁の実質的に全体が、電気絶縁体によって覆われる、請求項1から4のいずれかに記載の電気コネクタ。前記高電圧プレート62はグリッドパターンを有する部分またはハッチパターンを有する部分またはスポークホイールの形状の部分を含む、請求項1から5のいずれかに記載の電気コネクタ。前記パッドは、前記パッドの平面において、電気的接地に接続されるパッド接地シールド66によって囲まれ、任意選択的に前記プレートは、前記プレートの平面において、電気的接地に接続されるプレート接地シールド67によって囲まれる、請求項1から6のいずれかに記載の電気コネクタ。前記パッド接地シールド66の内縁131は、前記ラミネートの平面に垂直な方向に見た場合に、前記高電圧プレート62内に実質的に全体的に位置する、請求項7に記載の電気コネクタ。前記ラミネートの平面に垂直な方向に見た場合に、前記高電圧プレート62の縁132、202が、前記パッド接地シールド66の縁131を交差し、前記高電圧プレート62の前記縁132、202と前記パッド接地シールド66の前記縁131との交差角は約45°未満である、請求項7または8に記載の電気コネクタ。前記コネクタは、前記パッド接地シールドを覆うように配置された接地絶縁層72をさらに含む、請求項7から9のいずれかに記載の電気コネクタ。前記コネクタの前記パッドの前記周囲と前記パッド接地シールドとの間の最小距離は、約3hから約7hの範囲内、好適には約4hから約6hの範囲内、またはより好適には約5hである、請求項7から10のいずれかに記載の電気コネクタ。前記外側絶縁層および/または前記内側絶縁層および/または前記接地絶縁層は、ポリイミドで作られる、請求項1から11のいずれかに記載の電気コネクタ。基板上にパターンを転写するリソグラフィ装置であって、基板を構造体に対してクランプする静電クランプ80を含み、前記クランプは、前記クランプの外部のコンポーネント60に電気的に接続する高電圧受電パッド81と、前記パッドと実質的に平行な高電圧プレート82と、を含み、前記パッドは、前記プレートより小さく、また、前記プレートの平面に垂直な方向に見た場合に、前記プレート内に実質的に全体的に位置する、リソグラフィ装置。高電圧供給パッド61を有する高電圧供給電気コネクタ60と、前記供給パッドと電気的に接続する高電圧受電パッド81を有する高電圧受電電気コンポーネント80と、を含み、前記供給パッドおよび前記受電パッドの両方の周囲は、前記供給パッドおよび前記受電パッドが高電圧にある場合に実質的に等電位の領域内に位置決めされる、高電圧電気接続システム90。前記コネクタおよび前記コンポーネントは、それぞれ、対応のパッドに実質的に平行な高電圧プレート62、82をさらに含み、各パッドは、前記対応するプレートより小さく、また、前記対応プレートの平面に垂直な方向に見た場合に、前記対応するプレート内に実質的に全体的に位置する、請求項14に記載の電気接続システム。請求項1から12のいずれかに記載される第1の電気コネクタと、請求項1から12のいずれかに記載される第2の電気コネクタと、を含み、前記第1の電気コネクタの前記供給パッドは、前記第2の電気コネクタの前記供給パッドと電気的に接触する、高電圧電気接続システム。請求項1から12のいずれかに記載される前記電気コネクタと、請求項13に記載される前記静電クランプと、を含み、前記第1の電気コネクタの前記供給パッドは、前記静電クランプの前記受電パッドと電気的に接触する、高電圧電気接続システム。前記パッドの少なくとも一方の周囲の少なくとも一部分は、ガスと絶縁体の両方に接触する、請求項14から17のいずれかに記載の電気接続システム。絶縁シート73が前記パッド間に挿入され、電気コンタクト74が前記シートの中を延在して前記パッドに電気的に接続し、前記コンタクトは、前記パッドの平面に垂直な方向に見た場合に前記パッド内に実質的に全体的に位置し、好適には前記コンタクトはリーフバネであり、および/または、任意選択的に前記シートはエラストマーで作られる、請求項14から18のいずれかに記載の電気接続システム。外側シールド層と、外側絶縁層と、高電圧プレートと、内側絶縁層と、高電圧供給パッドと、を順に含むラミネートを含み、前記パッドは、前記プレートより小さく、また、前記ラミネートの平面に実質的に垂直な方向に見た場合に、前記プレート内に実質的に全体的に位置する、高電圧電気コネクタ。前記ラミネートの平面に垂直な方向に見た場合に、前記プレートの周囲と前記パッドの周囲との間の最小距離dは、少なくともhであり、好適には少なくとも2hであり、好適には少なくとも3hであり、より好適には少なくとも4hであり、またはさらにより好適には少なくとも5hであり、ただし、hは、前記ラミネートの前記平面に垂直な方向における前記プレートと前記パッド間の最小距離である、請求項20に記載の電気コネクタ。前記プレートは、前記ラミネートの平面に垂直な方向に見た場合に、前記パッドが実質的に円形のセクション内に実質的に全体的に位置するように、前記パッドより大きい前記実質的に円形のセクションと、細長い高電圧トレースを形成する伸ばされたテーパセクションとを有する涙滴形状を有する、請求項20に記載の電気コネクタ。前記プレートが、前記ラミネートの断面において、固体材料によって完全に囲まれるように、前記プレートは、前記プレートの平面において、誘電体によって囲まれる、請求項22に記載の電気コネクタ。前記パッドは、前記パッドの平面において、電気的接地に接続されるパッド接地シールドによって囲まれ、前記プレートは、前記プレートの平面において、電気的接地に接続されるプレート接地シールドによって囲まれる、請求項22に記載の電気コネクタ。前記コネクタは、前記パッド接地シールドを覆うように配置された接地絶縁層をさらに含む、請求項24に記載の電気コネクタ。前記コネクタの前記パッドの前記周囲と前記パッド接地シールドとの間の最小距離は、約3hから約7hの範囲内、好適には約4hから約6hの範囲内、またはより好適には約5hであり、ただし、hは、前記ラミネートの前記平面に垂直な方向における前記プレートと前記パッド間の最小距離である、請求項24に記載の電気コネクタ。前記外側絶縁層、前記内側絶縁層、および前記接地絶縁層の少なくとも1つはポリイミドを含む、請求項20に記載の電気コネクタ。第1の電気コネクタおよび第2の電気コネクタを含み、それぞれ、外側シールド層、外側絶縁層、高電圧プレート、内側絶縁層、および高電圧供給パッドを順に有し、前記パッドは、前記プレートより小さく、また、前記ラミネートの平面に垂直な方向に見た場合に前記プレート内に実質的に全体的に位置し、前記第1の電気コネクタの前記供給パッドは、前記第2の電気コネクタの前記供給パッドと電気的に接触する、高電圧電気接続システム。外側シールド層、外側絶縁層、高電圧プレート、内側絶縁層、および高電圧供給パッドを順に有する電気コネクタであって、前記パッドは、前記プレートより小さく、また、前記ラミネートの平面に垂直な方向に見た場合に前記プレート内に実質的に全体的に位置する、電気コネクタと、静電クランプの外部のコンポーネントに電気的に接続する高電圧受電パッドと、前記パッドと実質的に平行な高電圧プレートとを有する静電クランプであって、前記パッドは、前記プレートより小さく、また、前記プレートの平面に垂直な方向に見た場合に前記プレート内に実質的に全体的に位置する、静電クランプと、を含み、前記電気コネクタの前記供給パッドは、前記静電クランプの前記受電パッドに電気的に接触する、高電圧電気接続システム。前記パッドの少なくとも一方の周囲の少なくとも一部分は、ガスと絶縁体の両方に接触する、請求項29に記載の電気接続システム。絶縁シートが前記パッド間に挿入され、電気コンタクトが前記シートの中を延在して前記パッドに電気的に接触し、前記コンタクトは、前記パッドの平面に垂直な方向に見た場合に前記パッド内に実質的に全体的に位置し、好適には前記コンタクトはリーフバネであり、および/または、任意選択的に前記シートはエラストマーで作られる、請求項30に記載の電気接続システム。0033図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。このリソグラフィ装置は、0034放射ビームB例えばUV放射またはEUV放射を調整するように構成された照明システムイルミネータILと、0035パターニングデバイス例えばマスクMAを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1ポジショナPMに接続されたサポート構造例えばマスクテーブルMTと、0036基板例えばレジストコートウェーハWを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに接続された基板テーブル例えばウェーハテーブルWTと、0037パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば1つ以上のダイを含む上に投影するように構成された投影システム例えば屈折投影レンズシステムPSを含む。0038照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、或いはそれらの任意の組み合せ等の様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。0039サポート構造は、パターニングデバイスを支持する、すなわち、パターニングデバイスの重量を支える。サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否か等の他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用されるレチクルまたはマスクという用語はすべて、より一般的なパターニングデバイスという用語と同義であると考えるとよい。0040本明細書において使用されるパターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。放射ビームに付与されたパターンは、例えばそのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しなくてもよいことに留意すべきである。放射ビームに付与されたパターンは、集積回路等のターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応しうる。0041パターニングデバイスは、透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、レべンソン型alternating位相シフト、およびハーフトーン型attenuated位相シフト等のマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられ、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように各小型ミラーを個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付与する。0042本明細書において使用される投影システムという用語は、使われている露光放射に、或いは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因に適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学システム、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含すると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される投影レンズという用語はすべて、より一般的な用語投影システムと同義であると考えてよい。0043本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの例えば反射型マスクを採用しているものである。或いは、リソグラフィ装置は、透過型のもの例えば透過型マスクを採用しているものであってもよい。0044リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ以上の基板テーブルおよび/または2つ以上のマスクテーブルを有するタイプのものであってもよい。そのようなマルチステージ機械では、追加のテーブルを並行して使うことができ、すなわち予備工程を1つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の1つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。0045また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、例えば水といった比較的高い屈折率を有する液体によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、例えばマスクと投影システムの間といったリソグラフィ装置内の別の空間に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させることで当技術分野において周知である。本明細書にて使用される液浸という用語は、基板のような構造体を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。0046図1を参照すると、イルミネータILは、放射源SOから放射ビームを受ける。例えば放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。その場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームは放射源SOからイルミネータILへ、例えば適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムBDを使って送られる。その他の場合、例えば放射源が水銀ランプである場合、放射源はリソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源SOおよびイルミネータILは、必要ならばビームデリバリシステムBDとともに、放射システムと呼んでもよい。0047イルミネータILは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタADを含んでもよい。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲通常、それぞれσouterおよびσinnerと呼ばれるを調節することができる。さらに、イルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCOといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布を持たせることができる。0048イルミネータIL内に、照射されるパターニング手段上の領域を画定するマスキングデバイスが含まれてもよい。マスキングデバイスは、例えば4つである複数のブレードを含み、それらの位置は例えばステッパモータといったアクチュエータによって制御可能であり、それによりビームの横断面が画定されうる。マスキングデバイスは、パターニング手段に近接して位置決めされる必要はないが、一般にパターニング手段上に結像される平面パターニング手段の共役面内にある。マスキング手段の開いた領域は、照射されたパターニング手段上の領域を画定するが、例えば介在する光学部品が1以外の倍率を有する場合は当該領域とは厳密に同じではないことがある。0049本発明の一実施形態では、マスキングデバイスは、図8に示すように放射ビームBの一部を捕捉するように配置された不透明ブレード211、212、213、214を含むビームインタセプタ210を含む。ブレード211、212、213、214は、マスクMA、したがってターゲット部分C上に露光される投影ビームBのサイズおよび形状を操る。ブレード211、212、213、214の動作および位置決めは制御システム220によって制御される。投影されたターゲット部分Cが基板W上に十分に位置決めされていない場合、制御システム200はこの特定のターゲット部分Cに対して新しいサイズを決め、それに応じてインタセプタ210を作動させるように構成される。0050パターニングデバイス例えばマスクMAはサポート構造例えばマスクテーブルMT上に保持されてパターニングデバイスによってパターン形成される。マスクMAは、マスクテーブルMTに対してマスクの両面でクランプされうる。両面でマスクMAをクランプすることによって、マスクは滑ることなくまたは変形することなく大きい加速度を受けることができる。クランプ力または保持力が薄膜を用いて加えられてよく、この薄膜がマスクの変形をさらに防ぐ。クランプによって、マスクとマスクテーブルMTの隣接面間に垂直力が発生し、その結果、マスクとマスクテーブルの接触面間に摩擦が生じる。マスクMAの面に対するクランプ力は、静電または機械式クランプ技術を用いて発生されうる。0051EUVリソグラフィプロセスでは、静電クランプを用いて、マスクMAをマスクテーブルMTに対して、および/または、基板Wを基板テーブルWTに対してクランプしうる。図7は、本発明の一実施形態による電気コネクタ60を介して電源20に接続された例示的な静電クランプを示す。図7に示す例示的な静電クランプ80では、チャック84が、埋め込み電極83を有する誘電性または僅かに導電性の本体を含む。電源20を用いて、マスクMAまたは基板Wとチャック84との間に、かつ、チャック84とテーブルMT、WTとの間に電位差を印加し、それにより静電力が、マスクMAまたは基板Wおよびチャック84をテーブルMT、WTに対してクランプする。埋め込み電極83は電源20に接続される。0052放射ビームBは、パターニングデバイス例えばマスクMA上に入射する。マスクMAを横断した後、放射ビームBは投影システムPSを通過し、投影システムPSは、基板Wのターゲット部分C上にビームの焦点を合わせる。第2ポジショナPWおよび位置センサIF2例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサを使い、例えば、様々なターゲット部分Cを放射ビームBの経路内に位置決めするように、基板テーブルWTを正確に動かすことができる。同様に、第1ポジショナPMおよび別の位置センサIF1を使い、マスクMAを放射ビームBの経路に対して、例えばマスクライブラリからの機械的な取り出しの後またはスキャン中に、正確に位置決めすることもできる。通常、マスクテーブルMTの移動は、第1の位置決めデバイスPMの一部を形成するロングストロークモジュール粗動位置決めおよびショートストロークモジュール微動位置決めを使って実現することができる。同様に、基板テーブルWTの移動も、第2のポジショナPWの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って実現することができる。ステッパの場合スキャナとは対照的に、マスクテーブルMTは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクMAおよび基板Wは、マスクアライメントマークM1、M2と、基板アライメントマークP1、P2を使って位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできるこれらはスクライブラインアライメントマークとして公知である。同様に、複数のダイがパターニングデバイス例えばマスクMA上に設けられている場合、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。0053例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも1つのモードで使用できる。0054ステップモードでは、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影するすなわち、単一静的露光。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それにより別のターゲット部分Cを露光することができる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Cのサイズが限定される。0055スキャンモードでは、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影するすなわち、単一動的露光。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの縮小拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅非スキャン方向が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さスキャン方向が決まる。0056別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルMTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードでは、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。0057本発明のリソグラフィ投影装置では、第1オブジェクトテーブルMTパターニング手段、マスクを支持するためのサポート構造および第2オブジェクトテーブルWT基板テーブルの少なくとも1つが真空チャンバVC内に設けられる。真空チャンバVC内の真空は例えばポンプである排気手段VEによって生成される。0058上述の使用モードの組合せおよび/またはバリエーション、或いは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。0059リソグラフィ投影装置内に含まれうる、第1ポジショナPM、第2ポジショナPW、マスキングデバイスに含まれうる任意のブレードを制御するモータ、および任意のクランプは、高電圧電源によって電力が供給される。具体的には、近真空条件において基板Wを基板テーブルWに対してまたはマスクMをマスクテーブルMTに対してクランプするために用いられる静電クランプの電極は、バイポーラ高電圧供給源に接続される。0060極端紫外光を放射源として使用するリソグラフィ装置では、リソグラフィ装置を通るEUV放射ビームの経路は真空環境内に閉じ込められる。ここでは、真空とは、100Pa未満またはさらには例えば10Pa未満の非常に低い圧力を意味すると解釈される。非常に低い圧力を用いることによって、用いなければガス粒子によって吸収されてしまうEUV放射量を低減する。0061このようなEUVリソグラフィ装置では、基板および基板テーブルは真空環境内に閉じ込められる。基板を基板テーブルに対してクランプするために、真空クランプの代わりに静電クランプが用いられる。真空クランプは、基板を基板テーブルに対してクランプするのに十分な力を与えるには周囲圧力が低すぎることによって効果的ではない。静電クランプは、リソグラフィ装置内で他の目的、例えばレチクルをレチクルステージに対してクランプするために用いられうる。静電クランプは十分なクランプ力を与えるために高電圧を必要とする。0062高電圧が用いられる場合、低電圧にて動作する電気コンポーネントの電気的破壊の可能性が増加する。ここでは、高電圧とは1kVより大きい、2kVより大きい、3kVより大きい、5kVより大きい、またはさらには10kVより大きい電圧を意味すると解釈される。高電圧での電気破壊は、電気コンポーネントの少なくとも故障の原因となり、また大抵の場合は破壊する。0063電気的破壊は健康被害をもたらす。具体的には、電気的破壊は、配線またはコンポーネントの高電圧で少なくとも部分的にガスに晒されている箇所において高まる危険性である。これは例えば配線またはコンポーネントの端子terminalの場合に当てはまりうる。高電圧に耐えうる電気コンポーネントを有する電気コネクタ、電気接続システム、およびリソグラフィ装置を提供することが望ましい。0064リソグラフィ装置は、図7に示すような静電クランプ80を含みうる。静電クランプ80は、少なくとも1つの電気コネクタ60によって高電圧電源20に接続される。電気コネクタ60と静電クランプ80との相互接続は、図2に示すような電気接続システム90である。複数の電気コネクタ60が用いられる場合、2つの電気コネクタ60間の相互接続が電気接続システム90である。電気コネクタ60および電気接続システム90は、リソグラフィ装置以外の適用にも用いられうる。電気接続システム90は、任意の2つの電気コンポーネント、すなわち必ずしも本発明の電気コネクタ60または静電クランプ80ではない任意の2つの電気コンポーネントを接続しうる。0065具体的に、図2は、本発明の電気接続システム90を示す。電気接続システム90は、高電圧供給パッド61と高電圧受電パッド81を含む。供給パッド61と受電パッド81は互いに電気的に接続されている。供給パッド61は、電気コネクタ60の一部である。受電パッド81は、電気コネクタ60以外の電気コンポーネントの一部である。この電気コンポーネントは、リソグラフィ装置の静電クランプ80であってよい。電気コンポーネントは、電気コネクタ60に相当する別の電気コネクタであってもよい。0066供給パッド61および受電パッド18は、実質的に等電位である領域内に位置決めされる。パッド61、82の付近では電圧はあまり変化しない。パッドが配置された領域における電界は、電気接続システム90が高電圧に接続されていても低い。本発明では、低電界とは約1kV/mm未満、約0.5kV/mm未満、または好適には約0.3kV/mm以下の電界でありうる。電界の強度は、許容公差内であるように確実にされるべきである。電界の許容可能な値は、電気コネクタ60と、電気接続システム90の電気コンポーネントを形成するために用いられる材料の誘電強度に依存する。0067パッド61、81を実質的に等電位の領域内に位置決めすることによって、電気的破壊の可能性が減少される。供給パッド61は、雰囲気に少なくとも部分的に露出された電気コネクタ60の一部である。受電パッド81は、雰囲気に少なくとも部分的に露出された電気コンポーネントの一部である。供給パッド61と受電パッド81とが互いに電気的に接触するようにされる場合、供給パッド61および受電パッド81は固体材料のみと接触することが望ましい。具体的には、パッド61、81は、電気コネクタ60または電気コンポーネントの一部を形成する導体、および、固体の絶縁材料で互いに接触することが望ましい。この絶縁材料はポッティング材と呼びうる。0068実際には、供給パッド61と受電パッド81の表面全体を完全に覆うことは非常に困難である。ガスが供給パッド61および受電パッド81の少なくとも一方の表面に接触するガスポケット75がありうる。供給パッド61および受電パッド81は固体材料と接触しうる。具体的には供給パッド61の小さい方の表面は供給パッド絶縁体68によって覆われうる。供給パッド61の、受電パッド81に面する表面とは反対の大きい方の表面は、内側絶縁層63によって覆われうる。受電パッド81の小さい方の表面は、受電パッド絶縁体88によって覆われうる。受電パッド81の、供給パッド61に面する表面とは反対の大きい方の表面は、コンポーネント絶縁体89によって覆われうる。0069供給パッド61の表面の一部および受電パッド81の表面の一部は、ガス例えばガスポケット75と固体絶縁体例えば供給パッド絶縁体68および受電パッド絶縁体88の両方に接触する。導体例えばパッド61、81、ガス例えばガスポケット75、および固体絶縁体例えば絶縁体68、88が接触する点を三重点と呼ぶ。0070このような三重点において、電界の大きさが増加される。これは、導体例えばパッド61、81の表面に垂直な電界の成分が増幅されることによる。増幅係数は、ガスおよび絶縁体の誘電定数に依存する。例えばガスが約1の誘電定数を有する空気であり、固体絶縁体が約3の誘電定数を有するポリイミドである場合、電界の増幅係数や約3倍である。したがって、電気的破壊は、三重点における特に関連のある危険であり、三重点は、望ましくはないが、電気コンポーネントの端子において生じる可能性が最も高い。0071電子の電界放出は三重点において生じる可能性が最も高い。これは、三重点においてガスのイオン化をもたらしうる。ガスは例えば空気であっても水素であってもよい。コロナ放電が生じて絶縁体が加熱されうる。固体絶縁体は過剰加熱によって破壊されうる。絶縁体としてすなわち供給パッド絶縁体68および/または受電パッド絶縁体88として用いられるポリマー誘電体は、この条件下では分解しうる。絶縁材として用いられるガラスは、結果として生じる機械的応力によってひび割れが入ってしまいうる。0072部分的な放電が、例えば絶縁体内に存在しうる気泡において生じうる。これらの気泡は、導電面がガスおよび絶縁体と接触しないので三重点ではない。これらの気泡は問題ではあるが、三重点の方がより問題である。0073電気的破壊の可能性を減少する1つの方法は、電気システムの電圧を下げることである。しかし、本発明では、電気接続システム90における端子は、電界が低いように等電位に位置決めされる。これにより電気的破壊の可能性が減少される一方で、高電圧を用いることが可能にされる。0074供給パッド61と受電パッド81が等電位の位置にあることを確実にする1つの方法は、パッド61、81の両側に高電圧プレートを設けることである。電気接続システム90では、電気コネクタ60は高電圧供給プレート62を含みうる。電気コンポーネント80は、高電圧受電プレート82を含みうる。高電圧プレート62、82は対応の高電圧パッド61、81よりも大きい。好適には高電圧プレート62、82は対応の高電圧パッド61、81に実質的に平行である。0075供給パッド61は、供給パッド61の面に垂直な方向から見た場合に供給プレート62内に実質的に全体的に位置する。受電パッド81は、本断面図で見た場合に例えば受電パッド81の面に垂直な方向に見た場合に、受電プレート82内に実質的に全体的に位置する。プレート62、82は、パッド61、81と実質的に同じ電圧にある。プレート62、82は、電圧がその全体で高い領域を生成することを目的とする。パッド61、81はこの領域内に位置決めされる。0076パッド61、81は、その端としてプレート62、82と、プレート62、82の周囲間に延在する表面とを有する体積内に実質的に全体的に位置決めされる。0077プレートが実質的に等電位の領域を生成するならば、電気接続システム90の高電圧パッド61、81の一部が、対応の高電圧プレート62、82内に位置しないことが可能である。例えば高電圧プレート62、82の少なくとも一方が、プレート内に孔またはスリットを有してよく、その位置では、対応の高電圧パッド61、81は対応のプレート62、82とは重ならない。しかし、実質的に高電圧パッド61、81全体が対応の高電圧プレート62、82と重なる。0078電気コネクタ60の内側絶縁層63は、電気コネクタ60の供給パッド61と高電圧供給プレート62との間に挿入される。コンポーネント絶縁体89は、電気コンポーネントの受電パッド81と高電圧受電プレート82との間に挿入される。高電圧プレート62、82は固体材料によって実質的に囲まれる。具体的には、電気コネクタの高電圧供給プレート62は、内側絶縁層63と外側絶縁層64との間に挟まれる。プレート62、82を固体材料によって囲む目的は、プレート62、82の表面における三重点の発生を防ぐことである。0079上述の通り、高電圧プレート62、82は、対応の高電圧パッド61、81より大きく、実質的に高電圧パッド61、81全体に重なるように位置決めされる。好適には重なりの最小距離dは少なくともhであり、ここでhは高電圧パッド61、81と対応の高電圧プレート62、82との間の距離である。距離hは、パッド61、81および対応のプレート62、82の面に垂直な方向に測定される。距離hは、パッド61、81と対応のプレート62、82との間の最小距離である。距離hは、内側絶縁層63の厚さか、または、コンポーネント絶縁体89の厚さである。好適にはプレート62、82は、少なくとも距離h分、パッド61、81の全周囲に重なる。d=hである場合、パッド61、81の表面における電界強度は、最大値すなわち、プレート62、82が設けられない場合の約10~15である。d=0である場合、電界強度は、その最大値の約50である。0080一実施形態では、重なりの距離、すなわち、プレート62、82の周囲と対応のパッド61、81の周囲との間の最小距離は少なくとも2hであり、好適には少なくとも3hであり、より好適には少なくとも4hであり、さらにより好適には少なくとも5hである。dが少なくとも5hである場合、電界強度は無視できるほど小さい。0081図3、図4、および図5は、本発明の電気コネクタ60を示す。電気コネクタ60はラミネートを含み、このラミネートは、シールド層65、外側絶縁層64、高電圧供給プレート62、内側絶縁層63、および高電圧供給パッド61を順に含む。ラミネートは弾性でありうる。絶縁層63、64は絶縁材料で作られる。ポリイミド等といったように絶縁材料は弾性でありうる。フロートガラスまたは無アルカリガラス等といったように絶縁材料は非弾性であってもよい。シールド65、プレート62、およびパッド61は、銅等といった導電性材料で作られる。絶縁層がラミネートの外側に位置決めされて、それによりシールド層65を挟んでもよい。0082高電圧供給パッド61は、電気コネクタ60の端子である。供給パッド61は、別の電気コネクタ60の高電圧供給パッド61または例えばリソグラフィ装置の静電クランプ80の高電圧受電パッド81に電気的に接続されうる。高電圧供給プレート62は、上述したように、電気コネクタ60が使用中である場合に、供給パッド61が位置決めされる等電位の領域の形成に貢献する。0083供給プレート62と供給パッド61の寸法間の関係は、本発明の電気接続システム90に関連して上述したとおりである。具体的には、本説明の様々な部分においてコンポーネントに同じ参照番号を用いる場合、本発明の1つの実施形態に関連して説明したコンポーネントの特性は、それが固有のものであろうと別のコンポーネントに関連するものであろうと、本発明の別の実施形態におけるコンポーネントに同等に適用することができる。0084プレート62は、電気コネクタ60が使用中である場合に、供給パッド61と同じ電圧にある。好適には高電圧供給プレート62は、ラミネートの同じ層内の高電圧トレースと一体である。0085図3は、横断面で見た電気コネクタ60を示す。この横断面は電気コネクタ60の高電圧トレースの長手方向に垂直である。供給パッド61は、供給パッド61の平面において供給パッド絶縁体68によって囲まれる。供給パッド絶縁体68は、供給パッド61の小さい方の表面を覆うように配置される。実際には、供給パッド61と、電気接続がなされる電気コンポーネントとの間の電気的接触を防ぐことなくして、絶縁材料で供給パッド61の小さい方の表面全体を覆うことは困難である。したがって、供給パッド61と供給パッド絶縁体68との間には気泡75がありうる。電気的破壊が生じると、供給パッド絶縁体68が損傷されうる。しかし、プレート62に垂直な方向に見た場合に供給パッド61がプレート62内に実質的に全体的に位置するようにプレート62が供給パッド61より大きいことによって、電気的破壊の可能性は減少する。0086好適には電気コネクタ60は、供給パッド61と同じラミネートの層内に供給パッドシールド66を含む。供給パッド絶縁体68は、供給パッド61と供給パッドシールド66との間に挿入される。シールド層65および供給パッドシールド66は電気的に接地される。0087シールド層65と供給パッドシールド66は、高電圧プレート62とトレースとシールド層65、66間で電界を閉じ込めることによって電気的破壊を防止することを目的とする。高電圧プレート62とトレースとシールド層65、55間の領域は、内側絶縁層63および外側絶縁層64によって充填される。0088好適には高電圧供給パッド61は、少なくとも1つの高電圧ビア70によって高電圧供給プレート62に電気的に接続される。これにより、電流が、高電圧供給パッド61まで、高電圧トレース、高電圧供給プレート62、高電圧ビア70を通る。0089図4は、断面で見た電気コネクタ60を示す。この断面は電気コネクタ60の高電圧トレースの延長の方向に平行である。高電圧供給プレート62が位置決めされているラミネートの層において、プレート62はプレート絶縁体69によって囲まれうる。プレートは、プレートがラミネートの断面において固体材料によって完全に囲まれるように誘電体69によってプレートの平面において囲まれる。プレート絶縁体69は、プレート62の高電圧トレースとの一体接続を形成するように延長されたセクションを除いて、プレート62の小さい方の表面を覆う。プレート絶縁体69は、プレート62と、電気的に接地されるように構成されたプレートシールド67との間に挿入される。プレートシールド67は、プレート62と同じラミネート層内にある。0090好適には供給パッドシールド66は、少なくとも1つの接地ビア71によってプレートシールド67に接続される。好適にはプレートシールド67は、少なくとも1つの接地ビア71によって接地シールド層65に接続される。好適には供給パッドシールド66は、少なくとも1つの接地ビア71によって接地シールド層65に接続される。0091代替の実施形態では、プレート62は高電圧トレースと一体ではなく、ラミネートの異なる層内にある。この場合、プレート62は、ビアによって高電圧トレースに電気的に接続されるか、または、プレート62は、プレート62が高電圧供給パッド61と実質的に同じ電圧にあるように別の高電圧供給源に接続されうる。0092絶縁層または電気コネクタの絶縁のセクションのいずれにも用いられる絶縁材料は、例えばポリイミドまたはフロートガラスで作られうるが、他の公知の絶縁体を用いてもよい。ラミネートの層は、例えばエポキシ接着剤、アクリル接着剤またはポリウレタン接着剤を用いて互いに接着されうる。0093好適にはラミネートは、供給パッドシールド66を覆うように構成された、接地シールド絶縁体と呼ばれうる三重点絶縁体72を含む。三重点絶縁体72は、供給パッドシールド66の表面に上述したような三重点の形成を防ぐことを目的とする。三重点絶縁体は、供給パッドシールド66の外側に面する表面の実質的に全体を覆いうる。三重点絶縁体72は、高電圧供給パッド61における孔を含み、それにより供給パッド61が別の電気コンポーネントに電気的に接続される。0094図5は、電気コネクタ60を平面図で示し、紙面がラミネートと同じ平面にある。供給パッド絶縁体68、供給パッドシールド66、内側絶縁層63、および三重点絶縁体72は説明の便宜上の理由からのみ図示していない。図9に示すように、供給パッド61は供給プレート62より小さく、供給プレート62内に実質的に全体的に位置する。0095図9は、プレート62が涙滴形状を取る本発明の一実施形態を示す。この涙滴形状は主に2つの部分から形成されると説明することができる。1つの部分62aは例えば実質的に円形または長円形である。実質的に円形の部分62aは、供給パッド61の実質的に全体に重なる。涙滴形状のもう1つの部分はテーパ部分62bである。このテーパ部分は引き伸ばされて高電圧トレース62cを形成する。プレート62は部分的に円形または楕円形である必要はない。図9における等高線は、プレート62周りの任意単位での領域における電界強度を示す。電界は、高電圧トレースの端部および高電圧トレースから最も遠い円形部分の縁部において最強である。0096図10は、プレート62が実質的に円形の形状62aを有し、高電圧トレース62cは、円形状から半径方向に延在する実施形態を示す。図10における等高線は、任意単位でプレートを囲む領域における電界強度を示す。図10から分かるように、プレート62は円形部分62aと高電圧トレース部分62cとの間に稜角62dを含み、この急な角における電界は低い。図9に示すプレートの形状と同様に、電界はプレート62の先端、すなわち、高電圧トレースの端部および高電圧トレースから最も離れた円形部分の縁部において最強である。0097他の形状、さらには角度のある形状も可能である。丸みの帯びた形状は、電界値のスパイクを回避するために好ましい。図10に示すプレート62の形状の稜角62dは、内部の角すなわち、角は形状の凹部点である。外部形状の角を有する形状は、稜角において高い電界をもたらす。供給パッド61についても同様に、パッド61は実質的に円形であってよいが、形状は特に限定されない。0098コネクタのパッド61の周囲とパッド接地シールド66との間の最小距離は、約3hから約7hの範囲内にあり、好適には約4hから約6hの範囲内にあり、または、より好適には約5hである。0099図6は、本発明の電気接続システム90を示す。電気接続システム90は、本発明の2つの電気コネクタ60間に形成される。供給パッド61は、互いに電気的に接触している。絶縁シート73が2つの電気コネクタ60間に挿入されうる。シート73は、例えばフルオロポリマーエラストマーで作られうる。他のタイプの絶縁材料をシート73に用いてもよい。電気コネクタ60が互いにきつく押されることを可能にして電気接続システム90におけるガスポケット75の存在を最小にするために弾性材料を有する材料が好適である。シート73は、2つの電気コネクタ60間のガスポケットを埋めることを目的とする。00100シート73には電気コンタクト74が刺し通される。コンタクト74は、ステンレス鋼または銅といった導電性材料で作られる。コンタクト74はシート73を通り延在する。コンタクト74は、2つの電気コネクタ60が互いに押し付けられるとコンタクト74が圧縮状態となるようにリーフバネの形態でありうる。これはしっかりとした接続をもたらす助けとなる。図10に示すようにガスポケットがシート73とラミネートの対向する表面との間に存在しうる。ガスポケット75が供給パッド61の一部に接触している場合、三重点が形成される。パッド61と同じ電圧にあるプレート62はパッド61を囲む等電位の領域を生成する。001012つの電気コネクタ60は、例えばネジまたは機械式クランプによって電気接続システム90内に一緒に保持されうる。これらは図6には図示しない。00102図7は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置のセクションを示す。このリソグラフィ装置は、電気コンポーネント80を含む。コンポーネント80は、高電圧受電パッド81と高電圧受電プレート82を含む。コンポーネント80の原理は、本発明の電気接続システム90および電気コネクタ60に関連して説明した原理と同じである。受電プレート82は、受電パッド81が電気コネクタ60に電気的に接続されて電気接続システム90を形成すると、等電位の領域の形成に貢献する。コンポーネント80は、高電圧電源20に接続される。00103コンポーネントは、図7に示すように静電クランプ80であってよい。クランプ80は、受電パッド81および受電プレート82を含む。クランプ80はチャック84をさらに含み、チャック内には、少なくとも1つのクランプ電極83が位置決めされる。クランプ電極は、受電パッド81に電気的に接続される。クランプ80は、例えば基板Wをリソグラフィ装置の基板テーブルWTに対してクランプするように用いられる。受電パッド81および受電プレート82は、電気コネクタ60の供給パッド61および受電プレート62に関連して説明した特性と同じ特性を有しうる。一実施形態では、電極83は受電プレート82として作用する。00104供給パッド61は、導電性銀色ペイントによって受電パッド81に接着されうる。供給パッド61と受電81との間の接続の付近は、エポキシ、アクリル、またはポリウレタン接着剤によってポッティングされうる。ポッティング内に気泡が生じる可能性がある。その結果、供給パッド61の表面および/または受電パッド81の表面において三重点がありうる。パッド61、81を実質的に等電位にある領域内に位置決めすることによって、電気的破壊の可能性が減少される。00105図8は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の一部を示す。リソグラフィ装置の電気コンポーネント80は、ブレードの制御システム220である。この制御システムが高電圧受電パッド81および高電圧受電プレート82を含む。00106図7および図8では、電気コンポーネント80は、本発明による電気コネクタ60を介して高電圧電源20に接続される。図7および図8は概略図であって縮尺が取られているわけではない。電気コネクタ60の相対的サイズは、説明の目的のために大きくされている。00107本明細書において、IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者には当然のことであるがそのような別の用途においては、本明細書で使用されるウェーハまたはダイという用語はすべて、それぞれより一般的な基板またはターゲット部分という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール、メトロロジーツール、および/またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ICを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。00108光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明の実施形態は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。00109本明細書において使用される放射およびビームという用語は、紫外線UV例えば、365nm、355nm、248nm、193nm、157nm、または126nmの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する、および極端紫外線EUV5~20nmの範囲内の波長を有する、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。00110レンズという用語は、文脈によって、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか1つまたはこれらの組合せを指すことができる。00111上記の説明は、限定ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。00112図11および図12は、細長い電気コネクタ112に電気的に接続された、本発明の一実施形態による電気コネクタ60を示す。電気コネクタ60は、本発明の任意の実施形態による電気コネクタ60であってよい。細長い電気コネクタ112は電気ワイヤを含んでもよい。細長い電気コネクタ112は電気ケーブルを含んでもよい。一実施形態では、細長い電気コネクタ112は同軸ケーブルを含む。00113図11および図12では、電気コネクタ60に電気的に接続された細長い電気コネクタ112の断面図を示す。電気コネクタ60は平面的で弾性でありうる。細長い電気コネクタ112は、細長い導電体を含む。細長い導電体は、電気コネクタ60の高電圧供給パッド61に電気的に接続する。このことは図11および図12に示される。00114細長い導電体は、断面において、電気絶縁体114、115によって囲まれうる。電気絶縁体114、115は、細長い導電体と外側シールドスリーブ116との間に配置されうる。細長い導電体は、シールドスリーブ116と実質的に同軸でありうる。シールドスリーブ116の直径は、供給パッド61を囲む供給パッドシールド66の内径と実質的に同じであってよい。00115図11は、細長い導電体の断面積が、細長い電気コネクタ112の末端に向かって増加する実施形態を示す。細長い導電体の断面積は、電気コネクタ60の供給パッド61の面積と実質的に同じでありうる。細長い導電体は、トランペット形状の末端を含みうる。この末端をトランペット端111と呼びうる。トランペット端111は細長い導電体と一体でありうる。トランペット端111は、電気コネクタ60の供給パッド61に電気的に接続するように構成される。トランペット端111の始まりにおいて細長い導電体の断面積に階段状の変化があってもよい。00116細長い導電体は、断面において、内側絶縁体114によって囲まれうる。内側絶縁体114はフルオロカーボン固体を含みうる。一実施形態では、内側絶縁体114はPTFEを含む。内側絶縁体114は、図12に示すように細長い電気コネクタ112の長さの実質的に全体に沿って、断面において、細長い導電体を囲みうる。一実施形態では、内側絶縁体114は、図11に示すようにトランペット端111を除いて細長い導電体の長さ全体を実質的に囲む。00117細長い導電体は、断面において、外側絶縁体115によって囲まれうる。外側絶縁体115は合成ゴムを含みうる。一実施形態では、外側絶縁体115はフルオロエラストマーを含む。図11に示すように、外側絶縁体115は細長い導電体のトランペット端111の外面に直接接触しうる。00118シールドスリーブ116は、外側絶縁体115の外面に直接接触しうる。一実施形態では、トランペット端111の末端は、外側絶縁体115または任意選択的に内側絶縁体114の末端と実質的に同一平面である。00119図11に示すように、細長い導電体の残りの部分に一体に接続されたトランペット端111の端部にガス間隙がありうる。このガス間隙は、細長い導電体の断面積において階段状の変化がある細長い導電体に沿った位置にありうる。このガス間隙は、トランペット端111と内側絶縁体114との間に配置されうる。00120このガス間隙は、ガス、絶縁体114、115、および細長い導電体が接触する三重点119をもたらす。具体的には、三重点119は導電体のトランペット端111の外縁において形成されてよく、その位置で、トランペット端111の外縁は外側絶縁体115とガス間隙内のガスと接触する。外側絶縁体115があることにより、三重点119における電界が増幅される。三重点119における電界は、約10倍増幅されうる。00121したがって、三重点119における電界によって電気的破壊が生じうる危険がある。一実施形態では、外側絶縁体115は十分に高い絶縁特性を有し、また、細長い導電体が高電圧にある場合にトランペット端111の縁とシールドスリーブ116の内面との間の電気的破壊を防ぐように十分な厚さを有する。シールドスリーブ116は電気的に接地されうる。一実施形態では、外側絶縁体115は、約1mmから約6mmの範囲内、より好適には約2.0mmから約2.9mmの範囲内、好適には約2.4mmのトランペット端111の外縁とシールドスリーブ116の内面との間の厚さを有しうる。00122図11に示されるように、三重点113が供給パッド61の外縁に形成されうる。これは、一実施形態において、三重点絶縁体72が供給パッド61の縁に接触しないことがあるからである。その結果、電気コネクタ60が別の電気コネクタに供給パッド61を介して電気的に接続されている場合でも、供給パッド61の外縁と供給パッド61を囲む三重点絶縁体72の内面との間にガス間隙がありうる。三重点113は、間隙内のガスと外側絶縁体115と接触する供給パッド61の外縁に形成される。ガス間隙は、実際には真空、または、実質的に真空であると考えられるように十分に低圧力でありうる。同様に、トランペット端111の内面におけるガス間隙も真空圧力にあってよい。00123供給プレート62は、細長い電気コネクタ112の長手方向から見た場合に、供給プレート62の領域内に三重点113が入るような領域を有する。供給プレート62があることによって、三重点113における電界の減少がもたらされる。したがって、供給プレート62は三重点113における電気的破壊の可能性を減少する。当然ながら、三重点113は真の無電界ゾーンにはない。これは、図2に関連して説明したように、真の無電界ゾーンは一対のプレートを必要とするところ、図11に示す電気接続は単一の高電圧供給プレート62を有するからである。00124図12は、細長い導電体がトランペット端を有さない実施形態を示す。図12に示す細長い電気コネクタ112は、図11に示す三重点119を有さない。これは、三重点119による電気的破壊の可能性を減少する。00125しかし、供給パッド61の外縁において三重点が形成されることは依然として可能である。上述したように、供給プレート62があることによって、そのような三重点113における電界を減少することができる。しかし、弾性平面電気コネクタ60と細長い電気コネクタ112との電気接続の場合、三重点113は無電界ゾーン内には位置決めされない。00126一実施形態では、三重点絶縁体72は、供給パッド61の外縁を覆う。三重点絶縁体72があることによって、三重点113の存在が除去される。これにより三重点113による電気的破壊の可能性が減少される。三重点絶縁体72は、供給パッド61の外側に面している領域の周辺部分上を延在しうる。三重点絶縁体72は、供給パッド61の外側の小さい方の縁に直接接触する。三重点絶縁体72は、供給パッド61の小さい方の縁全体を実質的に覆う。00127図11に示すトランペット端111を有さない図12に示す実施形態では、供給パッド61の外縁における任意の三重点113における電界は特に高いことがある。これは、三重点113がありうる供給パッド61の外縁における特に急な縁をもたらす細長い電気コネクタ112の形状によるものである。したがって、細長い電気コネクタ112の細長い導電体にトランペット端111が含まれない場合に、三重点絶縁体72が供給パッド61の外縁を覆うことが特に有利である。00128図13は、本発明の一実施形態による電気コネクタ60を平面図で示す。図14は、図13に示す電気コネクタ60の断面図を示す。図13では、破線は供給プレート62とプレート絶縁体69との境界を表す。供給プレート62およびプレート絶縁体69は、電気コネクタ60の中間層内に配置される。高電圧供給パッド61と供給パッド絶縁体68との境界は実線で示す。供給パッド絶縁体68と供給パッドシールド66との境界は実線で示す。00129供給パッド絶縁体68は、高電圧供給パッド61の外縁と供給パッドシールド66の内縁131との間の領域内に配置される。供給パッドシールド66の内縁131は、平面図において高電圧供給パッド61を囲む。平面図とは、電気コネクタ60を形成するラミネート層の平面に垂直な方向における図である。00130供給パッドシールド66の内縁131は、実質的に円形状を有しうる。楕円または四辺形といった他の形状も可能である。00131供給プレート62は、供給プレート62の例えば実質的に円形または長円形である部分62aから細長く伸びる高電圧トレース62cを含む。高電圧トレース62cは、供給パッドシールド66の下で供給プレート62の部分62aから伸びる。高電圧トレース62cの外縁132は、平面図において高電圧トレース62cが供給パッドシールド66の内縁131を交差する位置において、供給パッドシールド66の内縁131に実質的に垂直でありうる。図13はこのような配置を示す。00132図6に示したように、絶縁シート73は、絶縁シートがなければ存在する表面放電路を遮断するように2つの電気コネクタ60間に挿入されうる。これにより、導電例えば炭化路が形成されることで絶縁体の故障に繋がる表面放電が減少される。表面放電路は少なくとも減少されるかまたは場合により無効化されるが、ガスポケット75は残ることがある。これは絶縁シート73の弾性が限られているからである。その結果、三重点がガスポケット75において生じうる。00133高電界における三重点はガスポケットにおける部分放電につながり、それによりガスポケットが機械的におよび化学的に腐食してしまう。これは、特にシステムが例えば静電クランプシステム80において交流電流の影響下にある場合に言えることである。交流電流の影響下にある場合、化学反応によって導電性残留物が形成され、それにより固体絶縁体が破壊されうる。このことは翻って高圧力および高温によって構造が破壊されうる。00134したがって、このような三重点は依然として電気コネクタ60間の電気接続における望ましくない電気的破壊に繋がりうる。潜在的に問題となる部分放電は、比較的高い電界がある場合にのみ生じる。電気接続システムにおける電界の強度は、電気コネクタ60の鋭い縁において最大である。ポッティングを用いてガスポケット75を除去しうる。しかし、ポッティングを用いる場合でも、電界強度が高い鋭い縁における部分放電を完全に回避するためには絶縁は不十分でありうる。電界強度が十分に大きければ、部分放電はポッティング絶縁の破壊をもたらしうる。00135上述したように、高電圧供給パッド61より寸法的に大きい供給プレート62が、電気接続システムにおける三重点の影響を減少することができる。しかし、供給プレート62の高電圧トレース62cが供給パッドシールド66の下に延在する位置にて比較的高い電界が生じることは依然として可能である。00136図15は、電気コネクタ60を平面図で示す。図16は、図15に示す電気コネクタ60を断面図で示す。図15および図16に示す電気コネクタは、高電圧トレース62cの縁132と供給パッドシールド66の縁131との交差点における高い電界強度による部分電気的破壊の問題に対処する。00137図15では、破線は、供給プレート62とプレート絶縁体69との境界を表す。供給プレート62およびプレート絶縁体69は、電気コネクタ60の中間層内に配置される。高電圧供給パッド61と供給パッド絶縁体68との境界を実線で示す。供給パッド絶縁体68と供給パッドシールド66との境界を実線で示す。00138図15および図16に示す電気コネクタ60は、供給パッドシールド66の内縁131が供給プレート62の外縁132を垂直に交差しない点で図13および図14に示す電気コネクタ60とは異なる。実際に、図15および図16に示すように、供給パッドシールド66の内縁131は、供給プレート62の外縁132を交差しない。これは、供給パッドシールド66の内縁131は、ラミネートの平面に垂直な方向に見た場合に供給プレート62内に実質的に全体的に位置するからである。供給プレート62は、供給パッドシールド66の内縁131によって画定される形状より寸法的に大きい。00139図15および図16に示す電気コネクタ60の構造の結果、電気接続システムのピーク電界強度は減少される。具体的には、供給パッドシールド66の内縁131における電界強度が減少される。00140これは、そうしなければ電気的破壊は高電圧トレース62cの外縁132と接地された供給パッドシールド66の内縁131との交差点において生じうるからである。これは、縁131、132は共に比較的高い電界強度を示すからである。00141図15および図16に示す構造では、高電圧トレース62cの外縁132における電界強度は高いことがある。これは、電界強度は、高電圧の導体の縁において不可避的に高いからである。しかし、図15の電気コネクタ60では、高電圧トレース62cの外縁132は、供給パッドシールド66の平面供給パッドシールド66の内縁131ではなくに対向する。したがって、高電圧トレース62cの外縁132に対向する供給パッドシールド66における電界強度は比較的低い。00142したがって、電気的破壊の可能性は減少される。これは、電気的破壊は、1つの導体の縁が別の導体の平面に近接することに比べて2つの導体の縁が近接する場合に電気接続システム内の位置で生じる可能性がより高いからである。00143図17は、本発明の一実施形態による電気コネクタ60を平面図で示す。具体的には、図17に示す電気コネクタの供給プレート62の形状は、上述したものとは異なる。00144図17に示す供給プレート62はグリッドパターンを有する部分を含む。供給プレート62は、供給プレート62は幾つかの絶縁部分171を囲む点で不連続的である。したがって、図17に示す供給プレート62は、上述した供給プレート62に比べて密度が低い。00145図17の低密度供給プレート62は、供給プレート62が高電圧供給源に接続された場合に比較的疎な電界を生成することを目的とする。図17に示す構造では、電界は、大きい面積に亘って広がるので、その集中は減少する。00146図17の疎な電界構造は、供給プレート62の高電圧トレース62cの縁132が、供給パッドシールド66といった接地面の縁195を遮断する位置における電界の強度を減少することを目的とする。図17に示す高電圧トレース62cは、複数の細いトレース62eを含む。細いトレース62eの数は特に限定されない。00147一実施形態では、細いトレース62eと絶縁部分171の総幅に等しい、高電圧トレース62cのグリッドパターンの幅は、高電圧トレース62eと供給パッドシールド66といった接地面との間の垂直距離よりも約5倍大きい。00148図18は、細いトレース62eがハッチパターンの形態を取る本発明の供給プレート62の一実施形態を示す。供給プレート62は、ハッチパターンを有する部分を含みうる。これにより、供給プレート62と、供給パッドシールド66といった接地面との間の電気的破壊の可能性を減少する疎な電界の効果が生成される。00149図19は、電気コネクタ60の一実施形態を平面図で示す。図19に示す電気コネクタ60の供給プレート62の形状は、上述したものとは異なる。供給プレート62は、スポークホイール形状の部分を含む。一実施形態では、スポークホイール部は、平面図において、電気コネクタ60の高電圧供給パッド61と実質的に同軸である。00150図19および図20では、破線は、高電圧供給パッド61と供給パッド絶縁体68との境界と、供給パッド絶縁体68と供給パッドシールド66との境界を表す。実線は、供給プレート62の縁、すなわち、供給プレート62とプレート絶縁体69との境界を表す。00151スポークホイールは、供給パッドシールド66の内縁131と供給プレート62の縁132との交差点における電界の強度を減少する。供給プレート62のスポークホイール部は、複数のスポーク191と外側リム192を含みうる。供給プレート62は高電圧トレース62cをさらに含む。00152高電圧トレース62cの幅は、約1mmから約4mmの範囲内、好適には約1.5mmから約3mmの範囲内、好適には約2mmでありうる。各スポーク191の幅は、約0.05mmから約0.2mmの範囲内、好適には約0.075mmから約0.15mmの範囲内、好適には約0.1mmでありうる。外側リム192の幅は、約0.5mmから約2mmの範囲内、好適には約0.75mmから約1.5mmの範囲内、好適には約1mmでありうる。00153一実施形態では、高電圧供給パッド62の直径は、約1mmから約4mmの範囲内、好適には約1.5mmから約3mmの範囲内、好適には約2mmでありうる。一実施形態では、スポークホイール部は中心ハブ193を含む。好適には中心ハブ193は高電圧供給パッド61と同軸である。好適には高電圧供給パッド61は供給プレート62の中心ハブ193内に実質的に全体的に位置する。一実施形態では、中心ハブ193の直径は約2mmから約4mmの範囲内、および好適には約3mmである。00154一実施形態では、供給パッドシールド66の内縁131によって画定される領域の直径は、約2mmから約6mmの範囲内、好適には約3mmから約5mmの範囲内、好適には約4mmである。一実施形態では、供給プレート62の外側リム192の直径は約3mmから約9mmの範囲内、好適には約4mmから約7mmの範囲内、好適には約5mmである。00155図20は、電気コネクタ60の一実施形態を平面図で示す。図20に示す電気コネクタ60の供給プレート62の設計は、上述したものとは異なる。00156供給プレート62は、スパイラルスポークを有するホイール部分を含む。供給プレート62のホイール部分は、中心ハブ193、外側リム192、および複数のスポーク201を含みうる。中心ハブおよび外側リム192は、図19に関連して上述したとおりでありうる。スパイラルスポーク201は、図19に関連して説明したスポーク191と同じ幅を有しうる。00157図20のスパイラルスポーク201は、斜角で供給パッドシールド66の内縁131を遮断する縁202を有する。ここでは、斜角とは90°ではない角度を意味すると解釈される。したがって、スパイラルスポーク201の縁202と供給パッドシールド66の内縁131との交差点における角度は、図19の垂直角よりも小さい。00158これは、供給プレート62の縁と供給パッドシールド66の内縁131との交差点における電気的破壊の可能性を減少することを目的とする。低い角度において電気的破壊が生じる可能性が低いことが観察されている。一実施形態では、供給プレート62の縁132、202と、供給パッドシールド66の交差する縁131との間の平面図における角度は約70°未満であり、好適には45°未満であり、より好適には約30°未満であり、さらに一層好適には約20°未満である。00159図21は、電気コネクタ60を平面図で示す。供給プレート62の形状は、細いトレース62dが斜角で延在することを除いて図17に示す供給プレートの形状と同様である。したがって、供給プレートの縁132と、供給パッドシールド66といった接地面の縁195との間の遮断角は斜めである。00160好適には交差角は70°未満であり、より好適には45°未満であり、さらに好適には約30°未満であり、さらに一層好適には約20°未満である。したがって、供給プレート62は、グリッドパターンを有する部分を含み、平面図における供給パッドシールド66といった接地面の縁195と交差する供給プレートの縁は互いに斜めの角度にある。00161図22は電気コネクタ60を平面図で示す。供給プレート62はミアンダを含む。このミアンダは、供給プレート62が、供給パッドシールド66といった接地面の縁195を交差する場所と一致する。供給プレート62の縁132は、縁195を斜角で交差する。一実施形態ではこの角度は70°以下、好適には約45°である。00162一実施形態では、図17、図18、図21、および/または図22に示すような供給プレート62の高電圧トレース62cは高電圧供給パッド61に接続される。一実施形態では、電気コネクタ60は静電クランプ80に接続される。電気コネクタ60が静電クランプ80に接続する場合、供給パッドシールド66に途切れがある。供給パッドシールド66といった接地面の縁195は、高電圧トレース62cを交差する。