"複数の第1の電極配線と、前記第1の電極配線と交差する複数の第2の電極配線と、1本の前記第2の電極配線と、互いに隣接する2本の前記第1の電極配線との間に形成される1個のビアプラグであって、前記第1の電極配線に対向する底面の、前記第1の電極配線の伸長方向に垂直な方向の最大径が、前記第1の電極配線幅の2倍と前記第1の電極配線間の幅を加えた長さよりも小さい前記ビアプラグと、前記ビアプラグと前記2本の第1の電極配線の一方との間に形成される第1の記憶素子と、前記ビアプラグと前記2本の第1の電極配線の他方との間に形成される第2の記憶素子と、を有することを特徴とする記憶装置。前記第1および第2の記憶素子が抵抗変化型分子鎖を含む有機分子層であることを特徴とする請求項1記載の記憶装置。前記第1の電極配線と前記ビアプラグ間の距離が0.5nm以上5.0nm以下であることを特徴とする請求項2記載の記憶装置。前記抵抗変化型分子鎖の一端がチオール基である場合、前記第1の電極配線と前記ビアプラグのいずれか一方が金Au、銀Ag、銅Cu、タングステンW、窒化タングステンWN2、窒化タンタルTaN、または窒化チタンTiNであり、他方がタンタルTa、モリブデンMo、窒化モリブデンMoN、またはシリコンSiであり、前記抵抗変化型分子鎖の一端がアルコール基、またはカルボキシル基である場合、前記第1の電極配線と前記ビアプラグのいずれか一方がタングステンW、窒化タングステンWN2、タンタルTa、窒化タンタルTaN、モリブデンMo、窒化モリブデンMoN、または窒化チタンTiNであり、他方が金Au、銀Ag、銅Cu、またはシリコンSiであり、前記抵抗変化型分子鎖の一端がシラノール基である場合、前記第1の電極配線と前記ビアプラグのいずれか一方がシリコンSiまたは金属酸化物であり、他方が金Au、銀Ag、銅Cu、タングステンW、窒化タングステンWN2、タンタルTa、窒化タンタルTaN、モリブデンMo、窒化モリブデンMoN、または窒化チタンTiNであることを特徴とする請求項2または請求項3記載の記憶装置。基板上に第1の絶縁層で分離される複数の第1の電極配線を形成し、前記第1の電極配線上に第2の絶縁層を形成し、隣接する2本の前記第1の電極配線上に前記第2の絶縁層を介して1個のビアプラグを形成し、前記第2の絶縁層を、前記ビアプラグの縁辺部にアンダーカットが入るようエッチングし、前記第1の電極配線と前記ビアプラグとの間に有機分子層を形成し、前記第1の電極配線上および前記ビアプラグの周囲に第3の絶縁層を形成し、前記第3の絶縁層上に前記第1の電極配線と交差し、前記ビアプラグと接する第2の電極配線を形成することを特徴とする記憶装置の製造方法。前記ビアプラグの形成は、前記ビアプラグのパターンを、ブロック共重合体を塗布し、前記ブロック共重合体のドメインを形成し、前記ドメインをテンプレートとして形成することを特徴とする請求項5記載の記憶装置の製造方法。本発明が解決しようとする課題は、メモリセルの構造を最適化することにより、更なる微細化を可能にする記憶装置およびその製造方法を提供することにある。実施の形態の記憶装置は、複数の第1の電極配線と、第1の電極配線と交差する複数の第2の電極配線と、1本の第2の電極配線と、互いに隣接する2本の第1の電極配線との間に形成される1個のビアプラグであって、第1の電極配線に対向する底面の、第1の電極配線の伸長方向に垂直な方向の最大径が、第1の電極配線幅の2倍と第1の電極配線間の幅を加えた長さよりも小さいビアプラグと、ビアプラグと2本の第1の電極配線の一方との間に形成される第1の記憶素子と、ビアプラグと2本の第1の電極配線の他方との間に形成される第2の記憶素子と、を備える。以下、図面を参照しつつ実施の形態を説明する。なお、本明細書中抵抗変化型分子鎖とは、電場の有無や電荷の注入により抵抗が変化する機能を備える分子鎖を意味するものとする。また、本明細書中化学結合とは、共有結合、イオン結合、金属結合のいずれかを指す概念とし、水素結合やフォンデルワールス力による結合を除外する概念とする。第1の実施の形態本実施の形態の記憶装置は、複数の第1の電極配線と、第1の電極配線と交差する複数の第2の電極配線とを備える。そして、1本の第2の電極配線と、互いに隣接する2本の第1の電極配線との間に形成される1個のビアプラグを備える。このビアプラグは、第1の電極配線に対向する底面の第1の電極配線の伸長方向に垂直な方向の最大径が、第1の電極配線幅の2倍と第1の電極配線間の幅を加えた長さよりも小さい。そして、上記ビアプラグと上記2本の第1の電極配線の一方との間に形成される第1の記憶素子と、上記ビアプラグと2本の第1の電極配線の他方との間に形成される第2の記憶素子と、を備える。上記構成を備えることにより、本実施の形態の記憶装置は、第1の電極配線と、第2の電極配線との配線間容量を小さくすることができる。したがって、配線間容量の増大に起因する、読み込み、書き込みエラーの発生を抑制することが可能となる。図2は、本実施の形態の記憶装置の模式図である。図2aが上面図、図2bが図2aのAA断面図である。図1は、メモリセル部の模式断面図である。本実施の形態の記憶装置は、クロスポイント型の有機分子メモリである。図1、図2に示すように、基板10の上部に複数のワード線第1の電極配線12が設けられている。そして、ワード線12に交差、図2では直交、するように複数のビット線第2の電極配線14が設けられている。ワード線およびビット線のデザインルールは例えば、5~20nm程度である。そして、1本のビット線14と、互いに隣接する2本のワード線12a、12bとの間に形成される1個のビアプラグ16を備える。このビアプラグ16は、第1の電極配線12に対向する底面の、第1の電極配線12の伸長方向に垂直な方向の最大径図1中d、いいかえれば、ワード線の伸長方向に垂直な方向のワード線側ビアプラグ底部の最大径が、ワード線幅の2倍とワード線間の幅を加えた長さ図1中aよりも小さい。すなわち、ビアプラグ16はワード線12a、および、ワード線12bのそれぞれに対して一部分のみが重なっている。そして、ビアプラグ16とワード線12aとの間に第1の記憶素子18aが形成されている。また、ビアプラグ16とワード線12bとの間には、第2の記憶素子18bが形成されている。このように、本実施の形態の記憶装置は、2個の記憶素子に対して、1個の共通ビアプラグが形成される構造を備える。本実施の形態において、第1および第2の記憶素子18a、18bは、抵抗変化型分子鎖を含む有機分子層である。複数の抵抗変化型分子鎖20が、有機分子層を構成する。そして、有機分子層18a、18bを構成する抵抗変化型分子鎖20の一端がワード線12と化学結合し、他端はビアプラグ16とは化学結合していない。隣接するワード線12の間には、第1の絶縁層22が設けられている。第1の絶縁層22は、例えばシリコン窒化膜である。また、有機分子層18a、18bの間には、第2の絶縁層24が設けられている。第2の絶縁層24は、例えばシリコン酸化膜である。そして、ビアプラグ16の間には、第3の絶縁層26が設けられている。第3の絶縁層26は、例えばシリコン酸化膜である。基板10は、例えば、110面を表面とするシリコンである。また、ワード線12は、例えば、金属材料である金Auである。ワード線12の有機分子層18a、18bに接する面は、例えば111面である。また、ビット線14は、例えば、金属材料であるモリブデンMoである。図3は、抵抗変化型分子鎖の分子構造を示す図である。有機分子層18a、18bを構成する抵抗変化型分子鎖20は、例えば、図3に示すような、4-[2-amino-5-nitro-4-phenylethynylphenylethynyl]benzenethiolである。図3の抵抗変化型分子鎖20の場合は、一端にチオール基が存在し、硫黄原子Sと、ワード線12表面の金原子Auとが化学結合している。一方、抵抗変化型分子鎖20の他端のベンゼン環は、ビット線14表面のモリブデンMo原子と化学結合していない。抵抗変化型分子鎖20は、電場の有無や電荷の注入により抵抗が変化する機能を備える分子鎖である。例えば、図3に示す分子構造を備える抵抗変化型分子鎖は、両端部の間に電圧を印加することで低抵抗状態と高抵抗状態とを切り替えることが可能である。この抵抗状態の変化を利用することでメモリセルが実現される。なお、本実施の形態において、有機分子層18a、18b中の抵抗変化型分子鎖20のうち、メモリ機能を発現するのは、ワード線12とビアプラグ16との間に挟まれる抵抗変化型分子鎖20のみである。ワード線12と第3の絶縁層26との間に挟まれる抵抗変化型分子鎖20は、メモリ機能を発現しない。クロスポイント型メモリセルの場合、メモリセルが微細化すると、その微細化に伴い上下の電極配線であるワード線とビット線との間の距離も短くなる。例えば、メモリセルに有機分子を用いると、有機分子の大きさは例えば0.5nm~5nm程度である。そうすると、ワード線とビット線との間の距離も同程度となる。ワード線とビット線との間の距離が短くなると、ワード線とビット線との配線間容量が増加し、配線間容量の増大に起因する、読み込み、書き込みエラーの発生が問題になる。抵抗変化型分子鎖を用いる場合は、抵抗状態の変化による効果を、ワード線とビット線間のキャパシタによる効果が上回り、読み込みや書き込みができなくなる恐れがある。本実施の形態によれば、ワード線12とビット線14との間にビアプラグ16を設けることにより、ワード線12とビット線14との間の距離が大きくなる。したがって、ワード線12とビット線14の配線間容量が低減する。さらに、ワード線12とビット線14との交点において、ビアプラグ16とワード線12が全部重ならず、一部でのみ重なるようにする。このため、ワード線12とビアブラグ16間の容量も低減する。この点から見ても、ワード線12とビット線14の配線間容量が低減する。よって、配線間容量の増大に起因する、読み込み、書き込みエラーの発生を抑制することが可能となる。また、一般に、ビアプラグ形成のためのホールパターンは、ラインスペースパターンよりも微細化が困難である。本実施の形態によれば、ワード線12とビット線14との交点に1個ずつビアプラグを設けるよりも、ホールパターンのサイズおよび間隔が緩和できる。したがって、製造が容易になるとともに製品の歩留まりが向上することが期待できる。メモリセル記憶素子として、極めて小さい体積で必要なメモリ機能を発現できる有機分子を用いる場合、ビアプラグ16とワード線12を一部でのみ重ねても、十分にメモリ機能が発現できる。例えば、ワード線幅が10nm程度の場合であっても、ワード線上の3nm~5nm□程度の面積の有機分子があればメモリ機能を発現できると考えられる。よって、ワード線12とビアブラグ16を一部のみで重ねる本実施の形態の構造は、本実施の形態のようにメモリセルとして有機分子を用いる場合に特に有用である。以上、抵抗変化型分子鎖20として、図3に示す、4-[2-amino-5-nitro-4-phenylethynylphenylethynyl]benzenethiolを例に説明したが、抵抗変化型分子鎖20は、抵抗が変化する機能を備える分子鎖であれば、図3の分子鎖に限られるものではない。抵抗変化型分子鎖としては、1次元方向にπ共役系が伸びた分子、例えば、図3に示す4-[2-amino-5-nitro-4-phenylethynylphenylethynyl]benzenethiolおよびその誘導体、パラフェニレン誘導体やオリゴチオフェン誘導体オリゴピロール誘導体オリゴフラン誘導体パラフェニレンビニレン誘導体等を用いることも可能である。図4は、1次元方向にπ共役系が伸びた分子を構成し得る分子ユニットの例示である。図4aはパラフェニレン、図4bはチオフェン、図4cはピロール、図4dはフラン、図4eはエテニレンビニレン、図4fはエチニレンである。もっとも、π共役系の長さが、短い場合には、電極から注入された電子が分子上に留まることなく抜けてゆくため、電荷を蓄積させるために有る程度の長さの分子が好ましく、一次元方向の-CH=CH-のユニットで計算して、5つ以上で有ることが望ましい。これはベンゼン環の場合、3個以上に相当する。また、π共役系の長さが長い場合には分子内での電荷の伝導による電圧降下などが問題になる。このため、一元方向の-CH=CH-のユニットで計算して20パラフェニレンの場合ベンゼン環10個=π共役系のキャリアであるポーラロンの拡がり幅の倍以下であることが望ましい。なお、ワード線12とビアプラグ16との間の距離は0.5nm以上5.0nm以下であることが望ましい。0.5nm以下となると、メモリセルとして機能する適切な有機分子が存在しないおそれがある。また、5.0nmを超えると、有機分子層での電圧降下が大きくなりメモリセルの特性が劣化する恐れがあるからである。なお、ワード線12とビアプラグ16との間の距離は、例えば、TEMTransmissionElectronMicroscopeを用いて測定することが可能である。なお、図3に示す抵抗変化型分子鎖は、電圧-電流特性が非対称なダイオード特性を備える。非選択セルとなるメモリセルにおけるリーク電流を低減する観点からは、抵抗変化型分子鎖20がダイオード特性を備えることが望ましい。また、メモリセルが抵抗変化型分子鎖20に加えて別のダイオード素子を備える構成とすることも可能である。有機分子メモリを構成する電極の材料は、上記、金とモリブデンに特に限定されるものではない。もっとも、抵抗変化型分子鎖20の一端のリンカーが化学結合する側の電極本実施の形態ではワード線12は、自己組織化膜を形成するために、抵抗変化型分子鎖20の一端が化学結合を形成しやすい材料であることが望ましい。また、抵抗変化型分子鎖20の他端側の電極本実施の形態ではビアプラグ16は、抵抗変化型分子鎖20の一端と化学結合を形成しにくい材料であることが、電極形成後に自己組織化を用いて有機分子層を形成する観点からは望ましい。抵抗変化型分子鎖20の一端のリンカーの構造によって望ましい材料が異なることが、実験により明らかになっている。例えば、一端が図3のようにチオール基である場合は、化学結合する側の電極は金Au、銀Ag、銅Cu、タングステンW、窒化タングステンWN2、窒化タンタルTaN、または窒化チタンTiNであることが望ましく、この中でも特に化学結合を形成しやすい金Au、銀Ag、またはタングステンWであることが特に望ましい。一方、他端の電極はタンタルTa、モリブデンMo、窒化モリブデンMoN、またはシリコンSiであることが望ましい。また、例えば、一端がアルコール基、またはカルボキシル基である場合は、化学結合する側の電極はタングステンW、窒化タングステンWN2、タンタルTa、窒化タンタルTaN、モリブデンMo、窒化モリブデンMoN、または窒化チタンTiNであることが望ましく、この中でも特に化学結合を形成しやすいタンタルTa、窒化タンタルTaN、窒化モリブデンMoN、または窒化チタンTiNであることが特に望ましい。一方、他端の電極は金Au、銀Ag、銅Cu、またはシリコンSiであることが望ましい。また、例えば、一端がシラノール基である場合は、化学結合する側の電極はシリコンSiまたは金属酸化物であることが望ましい。一方、他端の電極は金Au、銀Ag、銅Cu、タングステンW、窒化タングステンWN2、タンタルTa、窒化タンタルTaN、モリブデンMo、窒化モリブデンMoN、または窒化チタンTiNであることが望ましい。また、電極材料として例えば、グラフェンやカーボンナノチューブを適用することも可能である。メモリセルとして有機分子を用いる有機分子メモリに限らず、その他の記憶装置、例えば、メモリセルに金属酸化物またはシリコン等を用いるReRAMResistiveRandomAccessMemory等にも本実施の形態の構造を適用することは可能である。また、基板10の材料としてシリコンを用いる場合を例に説明したが、基板10の材料はこれに限られることなく、基板10上に形成される電極材料の配向性や、プロセス整合性等を考慮し半導体材料、絶縁性材料等の中から適宜適切な材料を選択すればよい。そして、第1の絶縁層22、第2の絶縁層24、第3の絶縁層26についても、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜以外の絶縁性材料を適宜選択することが可能である。図5~図9は、図1、図2、図3に示す本実施の形態の記憶装置の製造方法を示す模式図である。図5a~図9aは上面図、図5b~図9bは、図2のAA断面に相当する断面図である。以下、図5~図9を参照しつつ本実施の形態の製造方法について説明する。本実施の形態の記憶装置の製造方法は、基板上に第1の絶縁層で分離される複数の第1の電極配線を形成し、第1の電極配線上に第2の絶縁層を形成し、隣接する2本の第1の電極配線上に第2の絶縁層を介して1個のビアプラグを形成し、第2の絶縁層を、ビアプラグの縁辺部にアンダーカットが入るようエッチングし、第1の電極配線上に抵抗変化型分子鎖を選択的に化学結合させて、第1の電極配線とビアプラグとの間に有機分子層を形成し、第1の電極配線上およびビアプラグの周囲に第3の絶縁層を形成し、第3の絶縁層上に第1の電極配線と交差し、ビアプラグと接する第2の電極配線を形成する。まず、シリコンの基板10上に第1の絶縁層22として、シリコン窒化膜を例えばCVD法により堆積する。次に、ワード線第1の電極配線の形成のために、第1のパターニング層30を形成する図5。この第1のパターニング層30のパターニングには、例えば酸化膜とカーボン膜を使ったパターントランス法を用いる。具体的には、第1の絶縁層22の上にカーボン膜、SOGSpinOnGlass膜、レジスト層を形成する。その後、まずレジストをリソグラフィーによりパターニングする。形成されたレジストパターンを、RIEReactiveIonEtching法により、SOG膜、カーボン膜に転写することで第1のパターニング層30が形成される。次に、第1のパターニング層30をマスクに、第1の絶縁層22を、例えばRIE法によりエッチングする。そして、第1のパターニング層30を、第1の絶縁層22に対し選択的に除去する。その後、ワード線第1の電極配線12の電極材料として金Auを、例えば蒸着により形成する。そして、余剰の金を、CMPChemicalMechanicalPolishing法を用いて除去してワード線12が形成される図6。ここで、ワード線12の表面は111面の金となる。次に、ワード線12上に、例えばシリコン酸化膜の第2の絶縁層24を形成する。第2の絶縁層24の厚さは、後に、有機分子層の厚さを規定することになる。したがって、精度の高い制御がされることが望ましい。そのために、例えば、ALDAtomicLayerDeposition法など膜厚制御性の高いプロセスを採用することが望ましい。次に、ビアプラグ16用のホールパターン形成を行う。ワード線12形成の場合と同様の方法で、パターントランス法を用いて第2のパターニング層32を形成する。その後、モリブデンMoを、例えばスパッタ法により堆積した後、余剰のモリブデンをCMP法により除去する。このようにして、隣接する2本のワード線上に第2の絶縁層24を介してビアプラグ16が形成される図7。次に、第2のパターニング層32を第2の絶縁層24に対し選択的に除去する。第2の絶縁層24を、ビアプラグ16の縁辺部にアンダーカット34が入るようエッチングする図8。第1の絶縁層22がシリコン窒化膜、第2の絶縁層24がシリコン酸化膜である場合、例えば、エッチングに希弗酸を用いることが可能である。このようにして、ワード線12とビアプラグ16との間に空隙が形成される。次に、ワード線12上に抵抗変化型分子鎖を選択的に化学結合させて、有機分子層18a、18bを形成する。例えば、図3に示す構造の抵抗変化型分子鎖20を、例えばトルエン溶液に分散させた溶液を準備する。そして、この溶液中に、基板10上に形成された構造を浸漬する。その後、リンスおよび乾燥を行う。この際、抵抗変化型分子鎖20のチオール基は、モリブデンで形成されるプラグ部16よりも、金で形成されるワード線12と選択的に化学結合する。このプロセスにより、少なくともワード線12とビアプラグ16との間に、自己整合単分子膜Self-assembledmonolayer:SAMである有機分子層18a、18bが形成される図9。次に、ビアプラグ16間のスペースを、例えばシリコン酸化膜で埋め込みCMP法により平坦化し、第3の絶縁層26を形成する。次に、ビット線14の材料としてモリブデンを、第3の絶縁層26上にスパッタ法により堆積する。その後、モリブデン層34を、ワード線12形成時と同様のリソグラフィー技術とRIE法等のエッチング技術により、ビアプラグ部16と接続され、ワード線12と交差する複数のラインとなるようパターニングして、ビット線14を形成する図10。以上の製造方法により、図1、図2、図3に示す本実施の形態の記憶装置が形成される。第2の実施の形態本実施の形態の記憶装置は、有機分子層中の抵抗変化型分子鎖が、ワード線第1の電極配線ではなく、ビアプラグに化学結合していること以外は、第1の実施の形態と同様である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については記述を省略する。図11は、本実施の形態の記憶装置の模式図であり、メモリセル部の模式断面図である。本実施の形態においては、有機分子層18a、18b中の抵抗変化型分子鎖20の一端が図11に示すように、ビアプラグ18に化学結合している。このような構造は、ビアプラグ18の材料を、抵抗変化型分子鎖20が化学結合しやすい材料とすることで実現が可能である。例えば、抵抗変化型分子鎖20として、図3に示す分子鎖を適用する場合、ビアプラグ16の材料を金Au、ワード線12の材料をモリブデンMoとすることで実現が可能である。この構造は、有機分子が横方向の導電性がない場合に、有効である。本実施の形態においても、第1の実施の形態と同様の効果を実現することが可能である。第3の実施の形態本実施の形態の記憶装置の製造方法は、ワード線およびビアプラグの形成が、それぞれのパターンを、ブロック共重合体を塗布し、このブロック共重合体のドメインを形成し、このドメインをテンプレートとして形成することによること以外は、第1の実施の形態と同様である。すなわち、リソグラフィーに自己組織化を用いるリソグラフィーを適用すること以外は、第1の実施の形態と同様である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については記述を省略する。図12~図18は、図1、図2、図3に示す有機分子メモリの別の製造方法を示す模式図である。図12a~図18aは上面図、図12b~図18bは図2のAA断面に相当する断面図である。以下、図12~図18を参照しつつ本実施の形態の製造方法について説明する。本実施の形態の記憶装置の製造方法は、ブロック共重合体の自己組織化現象を用いる。ことにより、微細な記憶装置を容易に製造することを可能にする。まず、110面のシリコンの基板10上に第1の絶縁層22として、シリコン窒化膜を例えばCVD法により堆積する。次に、ワード線第1の電極配線の形成のために、第1のパターニング層30を形成する。この第1のパターニング層30は、例えば酸化膜とその上のカーボン膜である。第1のパターニング層30上に、例えば、1H,1H,2H,2H-ペルフルオロデシルトリエトキシシラン1H,1H,2H,2H-Perfluorodecyltriethoxysilaneを塗布する。その後、例えば、ArF露光装置を用いて、ワード線12の形成のために、所望のワード線12ピッチの倍のピッチのラインスペースパターンとなるよう露光する。本工程に用いる材料は、極性、中性、非極性と表面エネルギーの差をつけることにより、上のブロック共重合体を並ばせるのが目的である。このため、上記に上げた材料のほか、シランカップリング剤やオルガノシラン誘導体や、ブロック共重合体に使用されるポリマーのランダム共重合体例えば、PSとPMMAのランダム共重合体などを用いてもよい。この露光により光が照射された領域が親水性領域40a、光が照射されない領域が疎水性領域40bとなる図12。次に、例えば、第2のポリマー42として、ブロック共重合体であるPS-b-PMMAのレジスト溶液Propyleneglycolmonomethyletheracetate:PGMEAに溶解したレジストを塗布する。この際、下地の第1のパリマー40の親水性、疎水性のパターンにならって、第2のポリマー42は、PSのライン42aとPMMAのライン42bの縞状のドメインが形成される。縞状のドメインはワード線12と同一のピッチで形成される図13。このドメインをテンプレートに用いてワード線12のパターンを形成する。すなわち、このドメインのパターンを、ワード線12のパターンとして転写する。PSとPMMAは、PSの方がRIE法によるエッチング耐性がある。このため、選択的にPMMAをエッチングすることが可能である。そこで、PMMAのライン42bを選択的にRIE法で除去する図14。さらに、このパターンを用いて、下地の第1のパターニング層30をRIEによりエッチングする図15。その後、第1の絶縁層22をエッチングした後ワード線12を形成し、第2の絶縁層24を形成するプロセスまでは第1の実施の形態と同様である。そして、第2の絶縁層24の上に、第2のパターニング層32を形成する。そして、ワード線12のパターニングと同様、第1のポリマー40、例えば、1H,1H,2H,2H-ペルフルオロデシルトリエトキシシランを塗布する。その後、例えば、ArF露光装置を用いて、ビアプラグ形成のために、図16aに示すようなパターンとなるよう露光する。この露光により光が照射された領域が親水性領域40a、光が照射されない領域が疎水性領域40bとなる。次に、例えば、第2のポリマー42として、ブロック共重合体であるPS-b-PMMAのレジスト溶液Propyleneglycolmonomethyletheracetate:PGMEAに溶解したレジストを塗布する。この際、下地の第1のパリマー40の親水性、疎水性のパターンにならって、第2のポリマー42に、図17aに示すような、PSの領域42aとPMMAの領域42bの千鳥格子状の、ドメインのパターンが形成される。この千鳥格子状パターンがビアプラグ用のホールパターンとなる。次に、上記ドメインをテンプレートに用いてビアプラグ16のパターンを形成する。すなわち、このドメインのパターンを、ビアプラグ16のパターンとして転写する。まず、PMMAの領域42bを選択的にRIE法で除去する。さらに、下地の第1のパターニング層30をRIEによりエッチングする図18。その後の、ビアプラグ16の形成からビット線14の形成については、第1の実施の形態と同様である。本実施の形態によれば、自己組織化を用いたパターニングにより、光リソグラフィーよりも微細なパターンが低コストで容易に実現される。特に、自己組織化を用いたパターニングは、ビアプラグ形成のためのホールパターンのように、ラインスペースよりも微細化が困難なパターンに好適である。また、自己組織化材料には、それぞれの材料が形成する大きさが決まっているため、位置や大きさなどのパターン自己修復機能があるという利点がある。以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。上記、実施の形態はあくまで、例として挙げられているだけであり、本発明を限定するものではない。また、実施の形態の説明においては、記憶装置、記憶装置の製造方法等で、本発明の説明に直接必要としない部分等については記載を省略したが、必要とされる記憶装置、記憶装置の製造方法等に関わる要素を適宜選択して用いることができる。例えば、実施の形態においては、有機分子層を構成する有機分子として、抵抗変化型分子鎖についてのみ言及しているが、抵抗変化型分子鎖に加えて、その他の有機分子が有機分子層中に含まれることを排除するものではない。その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての記憶装置およびその製造方法が、本発明の範囲に包含される。本発明の範囲は、特許請求の範囲およびその均等物の範囲によって定義されるものである。以下、実施例について説明する。実施例1第1の実施の形態で説明した製造方法を用いて記憶装置を製造した。図5~図9を参照して説明する。シリコンウエハーに化学気相成長法CVD法を用いて、50nm厚にシリコン窒化膜第1の絶縁層22を堆積した。次にArFエキシマレーザーを用いた光リソグラフィーを用いて、50nmのラインスペースパターンを解像した。なお、ArFレジストのみではエッチングマスクとしてのレジストのアスペクト比が十分でないので、第1のパターニング層30として、酸化膜とカーボン膜を使ったパターントランスファー法を用いて十分なアスペクト比のレジストパターンを得た。カーボン膜は、ノボラック樹脂をレジスト溶媒Propyleneglycolmonomethyletheracetate:PGMEAに溶解させたものを用いた。膜厚200nmにスピンコートし、ホットプレート上で180°C、60秒ベークした後、さらに別のホットプレート上で、300°Cで60秒ベークし、熱硬化させた。次に、SOGSpinonGlassを回転塗布したのち、ホットプレート上で200°C、60秒ベークした後、さらに別のホットプレート上で、300°Cで60秒ベークし、ガラス化させた。膜厚は30nmである。次に、化学増幅型ArFレジストAR2395JSRを回転塗布し、ホットプレート上で120°C、60秒間ベークをした。露光にはArFエキシマレーザー露光機NA:095、ドライを用いた。25mJ/cm2の露光量で露光したのち、ホットプレート上で、125°Cで60秒ベークし、テトラメチルアンモニウムヒドキシキシドTMAH2.38水溶液レジスト現像液で現像をおこなった。さらに、RIEを用いてCF4ガスにより10mTorr、100Wでエッチングを行いガラス化したSOGを取り除いた。次に、酸素RIEにより10mTorr、100Wでエッチングを行い、カーボン膜からなるマスクパターンを作成した図5。本マスクパターンをマスクに用いて、CF4によるRIE法によりシリコン窒化膜第1の絶縁層22をエッチングし、ラインスペース状に加工した。次に、金を蒸着法により蒸着した。CMPを用いて余分な金を除去すると同時に、平坦化をおこなった。このようにして作成された50nmラインスペース状の金配線がワード線12として機能する図6。次にアトミックレイヤーデポジションALD法によりシリコン酸化膜第2の絶縁層24を2nm形成した。さらにArFリソグラフィーとカーボン、酸化膜への転写を用いて、金配線のスペース部分に合わせて、直径70nmのホールパターンを作成した。モリブデンをスパッタによりデポしたのち、CMPにより余分なモリブデンを除去した。さらに酸素アッシングによりレジストを除去してモリブデンのビアプラグ16を作成した図7。次に、希フッ酸を用いてALDで作成した酸化膜第2の絶縁層24を削り、ビアプラグ16とワード線12の間にある酸化膜もエッジから数nmほど除去した。すなわち、アンダーカットが入るようにエッチングした図8次に、SAM分子4-[2-amino-5-nitro-4-phenylethynylphenylethynyl]benzenethiolをトルエン溶液に溶解したものに浸漬し、金配線にSAM分子のチオール基を吸着させた。本SAM分子は、ダイオード特性とメモリ性があることが報告されている。このときモリブデン側には、SAM分子のチオール基は吸着せず、金に選択的に吸着した図9。次にSOGを塗布し平坦化した。SOGを300°Cで焼成したが、本発明で用いたSAM分子の耐熱性は400°C近くあり、このプロセスで分解することはない。さらにCMPで平坦化した。再度モリブデンをスパッタで堆積した。次にワード線12形成と同様の条件を用いたArFリソグラフィーを用いて、ビアプラグ16に合わせて、ワード線と直交する形でラインスペースパターンを作成した。次にアルゴンイオンミリングを行い、ビット線14を形成した。最後に保護膜を形成した。以上のようにして、記憶装置が形成された。実施例2第3の実施の形態で説明した製造方法を用いて記憶装置を製造した。図12~図18を参照して説明する。なお、リソグラフィーに自己組織化を用いるリソグラフィーを適用すること、デザインルールが異なること以外は、実施例1と同様である。シリコンウエハーに化学気相成長法CVD法を用いて、50nm厚に窒化膜第一の絶縁層22を堆積した。次に自己組織化レジストを用いたリソグラフィーでパターニングした。ここでは、ポリスチレンPSとポリメチルメタクリレートPMMAのブロック共重合体PS-b-PMMAを用いた。なお、ブロック共重合体を用いたパターニング方法については、例えば、特許文献2に記載がある。また、ブロック共重合体を、化学ガイドを用いて並べる方法は、例えば、特許文献3に記載がある。実施例1と同様の方法で、ワード線12を形成した。カーボン膜は、ノボラック樹脂をPGMEAに溶解させたものを用いた。膜厚100nmにスピンコートし、ホットプレート上で180°C、60秒ベークした後、さらに別のホットプレート上で、300°Cで60秒ベークし、熱硬化させた。次に、SOGSpinonGlassを回転塗布したのち、ホットプレート上で200°C、60秒ベークした、その後、さらに別のホットプレート上で300°Cで60秒ベークし、ガラス化させた。膜厚は15nmであった。このカーボン膜とSOGが第1のパターニング層30となる。次に、第1のポリマー40として、1H,1H,2H,2H-ペルフルオロデシルトリエトキシシランを塗布した。ArF露光機を用いて96nmピッチで30nm程度の幅で露光をおこなった図12。次に、第2のポリマー42として、PS-b-PMMAのレジスト溶液Propyleneglycolmonomethyletheracetate:PGMEAに溶解したレジストの回転塗布を行った。そうすると、24nmラインスペースのPSとPMMAの縞状構造ができた図13。これをRIEによりPMMAを除去し、さらに下の酸化膜、カーボン膜を順次RIEによってエッチングすることで、24nmラインスペースパターンを解像した図14、図15。本パターンをマスクに用いて、RIE法により窒化膜第1の絶縁層22をエッチングし、ラインスペース状に加工した。次に、金を蒸着法により蒸着した。CMPを用いて余分な金を除去すると同時に、平坦化をおこなった。このようにして作成された24nmラインスペース状の金配線がワード線12として機能する。次に、アトミックレイヤーデポジションALD法により酸化膜第2の絶縁層24を2nm形成した。さらに、第2のパターニング層32を形成した。次に、第1のポリマー40として、1H,1H,2H,2H-ペルフルオロデシルトリエトキシシランを塗布した。さらにArFリソグラフィーによって、スペース部分を図16のように露光した。次に、ピッチが55nmのドットパターンができる第2のポリマー42として、PS-b-PMMAをPGMEAに溶解したレジストを回転塗布した。そうすると、図17のような千鳥格子状のビアプラグ用パターンが形成された。第2のパターニング層32への転写を用いて、ワード線12のスペース部分に合わせて、図18に示すような直径30nmのホールパターンを作成した。モリブデンをスパッタにより堆積したのち、CMPにより余分なモリブデンを除去した。さらに酸素アッシングによりレジスト等を除去してモリブデンのビアプラグ16を作成した。次に希フッ酸を用いてALDで作成した酸化膜第2の絶縁層24を削り、ビアプラグ16とワード線12の間にある酸化膜第2の絶縁層24もエッジから数nmほど除去した。次に、SAM分子をトルエン溶液に溶解したものに浸漬し、金配線にSAM分子のチオール基を吸着させた。このときモリブデン側には、SAM分子のチオール基は吸着せず、ワード線12の金に選択的に吸着する。次にSOGを塗布し平坦化した。再度モリブデンをスパッタで堆積した。次にArFリソグラフィーを用いて、ビアプラグ16に合わせて、ワード線12と直交する形で28nmラインスペースパターンを作成した。次にアルゴンイオンミリングを行い、ビット線14を形成した。最後に保護膜を形成した。以上のようにして、記憶装置が形成された。"