"基板本体にリード接続用の導電ランドが形成された回路基板と、前記導電ランドに接続されたニッケルブロックと、当該ニッケルブロックに溶接されたリード板とを備えるリード付基板であって、前記基板本体には、溶接棒通過用の孔または切り欠きが当該基板本体を貫通して形成され、前記導電ランドは、前記基板本体の表面における前記孔または切り欠きの周囲に形成され、前記ニッケルブロックは、前記回路基板の表面上に、前記孔または切り欠きをまたいで配されて、前記導電ランドに半田接合され、前記リード板は、前記ニッケルブロックの上面に溶接されていることを特徴とするリード板付回路基板。前記導電ランドは、前記基板本体の表面における前記孔または切り欠きを挟んで対向する位置にまたがって形成されていることを特徴とする請求項1記載のリード板付基板。前記リード板は、前記ニッケルブロックの上面における前記孔または切り欠きと対応する箇所に溶接されていることを特徴とする請求項1または2記載のリード付基板。前記孔または切り欠きは、直径が0.5mmの丸棒が挿通可能な形状を有していることを特徴とする請求項1~3のいずれか記載のリード付基板。請求項1~4のいずれか記載のリード付基板が素電池の外面上に配設され、前記リード付基板のリード板が、前記素電池の端子に接続されてなるパック電池。上記のようにNiブロックの上にリード板をスポット溶接する際に発生する熱で、導電ランドとNiブロックとを接合している半田が溶融して、球状の半田ボールが発生することがある。この半田ボールが発生すると、回路基板において短絡が発生する原因となる。そこで、このような溶接に伴う半田ボールの発生を抑えるために、Niブロックとして、エンボス仕様のものを用いることも行われている。しかし、エンボス仕様のNiブロックは、厚みが0.4mm程度と大きく、高価であるため、これを用いると製造コストが上がることになる。本発明は、上記課題に鑑み、回路基板における導電ランドにニッケルブロックが半田接続され、当該ニッケルブロックにリード板が溶接されたリード付基板において、Niブロックの上にリード板をスポット溶接する際に、薄いNiブロックを使っても半田ボールが発生するのを抑えられるようにすることを目的とする。上記目的を達成するため、本発明にかかるリード付基板は、回路基板の基板本体に、溶接棒通過用の孔または切り欠きを貫通して形成し、リード接続用の導電ランドを、基板本体の表面における孔または切り欠きの周囲に形成し、ニッケルブロックを、回路基板の表面上に、孔または切り欠きをまたいで配し、導電ランドに半田接合し、リード板を、そのニッケルブロックの上面に溶接することとした。導電ランドは、基板本体の表面における孔または切り欠きを挟んで対向する位置にまたがるよう形成することが好ましい。リード板は、ニッケルブロックの上面における孔または切り欠きと対応する箇所に溶接することが好ましい。上記孔または切り欠きは、直径が0.5mmの丸棒を挿通可能な形状を有することが好ましい。本発明のリード付基板は、素電池の外面上に配設して、リード付基板のリード板を素電池の端子に接続してパック電池を構成するのに適している。上記本発明にかかるリード付基板は、回路基板の基板本体に、溶接棒通過用の孔または切り欠きを貫通して形成し、リード接続用の導電ランドを、基板本体の表面における孔または切り欠きの周囲に形成し、ニッケルブロックを、回路基板の表面上に、孔または切り欠きをまたいで配し、導電ランドに半田接合しているので、そのニッケルブロックの上面にリード板を溶接する際に、1対の溶接棒の中、1方の溶接棒をリードの表面側に当てると共に、他方の溶接棒を孔または切り欠きから挿入してニッケルブロックの裏側に当てて、Niブロック及びリードを1対の溶接棒で挟み込んだ状態でダイレクト溶接することができる。そして、このようにしてダイレクト溶接を行うと、溶接時における電流経路の位置は、孔または切り欠きの中央部に対応する位置となる。すなわち電流経路の位置が導電ランドから比較的離れた位置となる。従って、溶接に伴って導電ランド上の半田が受ける熱量は比較的少ないので、薄いNiブロックを使っても半田ボールが発生しにくい。そして、Niブロックの厚みが小さいものを用いる場合には、テープキャリアの形態でNiブロックを供給できるので、リード付基板を効率よく製造することができる。上記本発明にかかるリード付基板において、導電ランドを、基板本体の表面における孔または切り欠きを挟んで対向する位置にまたがるように形成すれば、Niブロックと導電ランドとの半田接続を安定して行うことができる。また、上記本発明にかかるリード付基板において、孔または切り欠きは、直径0.5mmの棒を挿通可能な形状とすることが、溶接棒を、孔または切り欠きに容易に挿入できるようにする上で好ましい。図1は、実施の形態にかかるパック電池の外観を示す斜視図である。このパック電池1は、角形の素電池10の上部に沿って回路基板20及び基板ホルダ40が取付けられ、底部に底板102が装着されてなるコアパック2に対して、回路基板20を覆うように樹脂モールド101が形成され、素電池10の外側面全体を被覆するように外装ラベル103が貼り付けられて構成されている。素電池10のサイズは、例えば、横方向42mm×縦方向62mm×厚み4.5mmである。樹脂モールド101,底板102は、絶縁性の材料例えばポリカーボネート系樹脂などの樹脂材料で形成されている。図2は、コアパック2の斜視図であり、図3は、コアパック2の正面図及び断面図である。図4はコアパック2の分解斜視図である。図2~4に示すように、素電池10は、扁平な角形のリチウムイオン二次電池であって、Al合金からなる扁平な直方体形状の外装缶11に電極体および電解液が充填され、外装缶11の開口部が外装蓋12で封口されて形成されている。外装蓋12は長尺板状であって、外装蓋12の中央部には負極端子13が凸設され、その端部にクラッド板である正極端子14が設けられている。負極端子13は、外装蓋12の中央部に開設された孔を上下に貫通するように配設され、外装蓋12とはガスケットによって絶縁されている。回路基板20は、絶縁材料からなる長方形状の基板本体に、プリント配線不図示が形成され、保護回路などを形成する素子21が実装された板状部品であって、素電池10の外装蓋12の上に基板ホルダ40及び絶縁板41を介して装着されている。上記素電池10の負極端子13は、基板ホルダ40に開設された孔を上方に突き抜けている。回路基板20の上面側に、外部へ出力するための外部端子22が配設されている。この外部端子22は、樹脂モールド101の天面部に開設された窓から外部に露出されている。一方、回路基板20下面側には、上記の素子21の他に、正極側の導電ランド23及び負極側の導電ランド24が設けられている。なお、上記外部端子22、導電ランド23,24は、プリント配線の端部に形成され、上記素子21は、プリント配線上に実装されている。回路基板20と外装蓋12との間には、上記の基板ホルダ40の他に、接続リード31,リード付安全素子32、接続リード33なども介在している。図3の断面図C-C及びその部分Dの拡大図に示すように、接続リード31は断面U字状の導電板であって、素電池10の正極端子14と回路基板20の下面側にある導電ランド23とを接続している。リード付安全素子32は、PTC本体32aの上面側にリード32b、下面側にリード32cが接合されて構成され、リード32bは、PTC本体32aの上面から伸長して負極端子13に接続されている。一方、リード32cは、PTC本体32aの下面から伸長して、接続リード33に接続されている。図3の断面図A-A及びその部分Bの拡大図に示すように、接続リード33も断面U字状の導電板であって、上記リード付安全素子32のリード32cと、回路基板20の下面側にある導電ランド24とを接続している。回路基板20の導電ランド23,24と接続リード31,33との接続形態接続リード31と導電ランド23との接続は、Niブロック25を介してなされている。また、接続リード33と導電ランド24との接続も、Niブロック26を介してなされている。詳しくは、下記図5a~cを参照した製造工程に示されるが、回路基板20の基板本体には、これを貫通する切り欠き20aが形成され、上記導電ランド23は、回路基板20の基板本体の表面における切り欠き20aの周囲に形成され、Niブロック25が、回路基板20の表面上において切り欠き20aをまたいで配設され、Niブロック25の隅部分が導電ランド23上に半田接合されている。具体的には、回路基板20の表面上において、4つの導電ランド23が切り欠き20aを挟んで対向する位置に形成されている。そして、矩形状のNiブロック25の4隅部分が導電ランド23上に溶接されている。接続リード31は、このNiブロック25の上面に溶接されている。同様に、回路基板20の基板本体には、これを貫通する切り欠き20bが形成され、上記導電ランド24は、回路基板20の基板本体の表面において、切り欠き20bの周囲に形成され、特に、切り欠き20bを挟んで対向する位置にまたがって形成されている。そして、Niブロック26は、回路基板20の上で、切り欠き20bをまたいで導電ランド24に半田接合され、接続リード33は、Niブロック26の上面に溶接されている。Niブロック25、26は、ニッケル板が成形されたものであって、切り欠き20bをまたいで各導電ランド24に接触できる形状に成形されている。ここではNiブロック25、26の形状は、矩形状とするが、必ずしも矩形状である必要はなく、多角形、あるいは丸みをもった形状であってもよい。コアパック2の組み立て接続リード31,33は、U字形に曲折する前のL字形状のものを用いる。1回路基板20の導電ランド2324に、L字形状の接続リード31,33を接続する。2L字形状の接続リード33と、リード付安全素子32のリード32cとを溶接接続する。また、基板ホルダ40、絶縁板41を外装蓋12の上に装着して、リード付安全素子32のリード32bと負極端子13とを溶接接続する。また、L字形状の接続リード31と外装蓋12とを、正極端子14を介して溶接接続する。3素電池10に底板102を装着する。なお、上記1~3の工程は、この順序に行ってもよいし、順序を入れ換えてもよい。1工程と2工程の順序を入れ換えた場合、L字形状の接続リード31,33が素電池10に取付けられた状態で、この接続リード31,33と回路基板20の溶接工程を行うことになる。図8は、このように組み立てられたコアパック2である。ただし、接続リード31,33はL字状の状態であるので、接続リード31,33をU字状に折り曲げることによって、コアパック2が出来上がる。回路基板20への接続リード31,33の接続工程図5は、回路基板20の導電ランド23,24に接続リード31,33を接続する工程を示す図である。図5aに示すように、導電ランド23は、切り欠き20aの周囲に複数分散して配置され、導電ランド24は、切り欠き20bの周囲に複数分散して配置されている。導電ランド23、24に、リフロー方式で、Niブロック25,26を半田付けする。すなわち、各導電ランド23,24の上に、半田ペーストを印刷し、Niブロック25を、切り欠き20aをまたいで各導電ランド23を覆うように配置し、Niブロック26を、切り欠き20bをまたいで各導電ランド24を覆うように配置する。そして、赤外線あるいは熱風で半田に熱を加えて溶融することによって、半田付けする。ここで、複数の導電ランド23は、上記のように回路基板20の表面における切り欠き20aを挟んで対向する位置にまたがるように形成されているので、Niブロック25と導電ランド23との半田接続が安定してなされる。また、複数の導電ランド24も、回路基板20の表面における切り欠き20bを挟んで対向する位置にまたがるように形成されているので、Niブロック26と導電ランド24との半田接続が安定してなされる。図5bに示すように、U字形に曲げる前のL字形の接続リード31,33を準備し、これらL字形の接続リード31,33を、Niブロック25,26の上に重ねて載置する。そして、接続リード31とNiブロック25をダイレクト溶接すると共に、接続リード33とNiブロック26をダイレクト溶接する。図5c及び図6a,bは、接続リード33とNiブロック26を、溶接棒51,52で挟み込んでダイレクト溶接する様子を示す図であって、図6a,bは、回路基板20上で接続リード33とNiブロック26が重ねられた部分を、回路基板20の長手方向に切断した断面を示している。これらの図に示すように、溶接棒51で上から接続リード33の上面を押さえ、溶接棒52で、下から切り欠き20bを挿通して、Niブロック26の下面を押さえて、接続リード33とNiブロック26を押圧する。この状態で、溶接棒51と溶接棒52の間に電力を供給する。図7は接続リードとNiブロックを溶接する際の電流経路を示す図であって、aが比較例、bが実施形態を示している。図7bに示すように、軸が一致するように縦に並んだ溶接棒51と溶接棒52との間に電流が流れ、その電流によって発生する熱で接続リード33とNiブロック26とが溶接されるが、このときの電流経路E2は切り欠き20bの中央付近で縦方向に流れるので、半田24aが存在する箇所から離れている。従って、溶接に伴って半田24aに加わる熱が少なく、半田24aは溶融しにくい。また、ダイレクト溶接なので、比較的小さな電流でも良好に溶接することができ、この点からも、溶接に伴って半田24aに加わる熱は比較的が少なくなる。よって、実施形態の場合は、用いるNiブロック26の厚みが0.1mm、0.15mm程度と薄くても、溶接に伴って半田ボールは発生しにくい。なお、コアパック2の組み立て時に、上記1工程と2工程の順序を入れ換えた場合、すなわち、L字形状の接続リード31,33が素電池10に取付けられた状態で、この接続リード31,33と回路基板20の溶接工程を行う場合も、接続リード31,33をNiブロック25、26にダイレクト溶接することができ、同様の効果を奏する。一方、比較例では、図7aに示すように、回路基板120には溶接棒が挿通できる切り欠きは形成されていない。従って、導電ランド124上に半田124aを印刷してNiブロック26を溶接するときに、溶接棒をNiブロック26の下面に当てることができないので、図7aに示すように、溶接棒61及び溶接棒62をNiブロック26の上に並べて押し当ててシリーズ溶接を行うことになる。このシリーズ溶接において、溶接棒61と溶接棒62との間に電流が流れ、発生する熱で接続リード33とNiブロック26が溶接されるが、溶接棒61と溶接棒62が横に並んだ状態で溶接されるため、その電流経路E1は半田124aが存在する箇所に近いところを通るので、半田124aは溶融しやすい。従って、比較例では、Niブロック26として0.4mm程度の厚いものを用いれば半田ボールの発生を抑えることができるが、Niブロック26として、厚みが0.1mm程度の薄いものを用いると半田ボールは発生しやすい。以上のように、実施形態にかかるリード付基板によれば、Niブロック25,26の厚みが0.1mm、0.15mm程度と薄くても、接続リード31,33とNiブロック25,26を溶接する際に半田ボールが発生しにくいのに対して、比較例にかかるリード付基板によれば、半田ボールの発生を抑えるために厚みが0.1mm、あるいは0.15mm程度の薄いNiブロックを用いると、半田ボールが発生しやすい。そして、実施形態にかかるリード付基板では、上記のように厚みの小さいNiブロック26を用いることができるので、テープにNiブロックを貼り付けたテープキャリアの形態でNiブロック26を供給でき、リード付基板を効率よく製造することができる。一方、比較例のリード付基板でも、Niブロックの厚みが大きいものを用いれば、半田ボールの発生を抑えることができるが、Niブロックの厚みが大きいと、テープキャリアの形態で供給しにくくなるので、その分、リード付基板を製造する効率が低下する。切り欠き20a,20bのサイズ、形状について切り欠き20a,20bの形状は、特に限定されないが、切り欠き20a,20bにおける溶接棒52が通過する箇所の間隙幅は、溶接棒52が通過できるように、スポット溶接に用いる溶接棒52の太さに合わせて設定する。通常、スポット溶接に用いる溶接棒の径は0.5mm以上なので、切り欠き20a,20bの間隔Wは、径Φ0.5mmの丸棒が通過できるだけの大きさとする。ところで、スポット溶接に用いる溶接棒52の径Φは、小さい方が回路基板20に開ける切り欠き20a,20bのサイズが小さくて済むが、溶接棒52の径Φが小さいと電極棒の消耗が早くなる。従って、このような点を考慮して、スポット溶接に用いる溶接棒52の径Φを選択する。そして、切り欠き20a,20bの間隙幅Wは、スポット溶接に用いる溶接棒52の径Φに合わせて、溶接棒52の径Φ0.5mm程度に設定することが好ましい。例えば、スポット溶接に用いる溶接棒52の径φが1.0mmの場合は、切り欠き20a,20bの間隙幅Wを1.5mm程度とし、溶接棒52の径φが1.3mmの場合は切り欠き20a,20bの間隙幅Wを1.8mm程度、溶接棒52の径が1.7mmの場合は切り欠き20a,20bの間隙幅Wを2.2mm程度とする。本実施形態では、回路基板20に切り欠き20a,20bを形成したが、回路基板に、切り欠きの代わりに、溶接棒が通過できる孔を形成しても、同様に実施することができる。変形例など上記実施の形態では、パック電池に内蔵される素電池がリチウムイオン電池である場合を例にとって説明したが、パック電池に内蔵される素電池のタイプは特に限定されず、角形のアルカリ電池などであってもよい。また上記実施の形態では、角形の素電池にリード付基板が接続されたパック電池について説明したが、円筒形の素電池にリード付基板が接続されたパック電池においても適用できる。また、上記実施の形態では、リード付基板を内蔵するパック電池について説明したが、本発明にかかるリード付基板は、パック電池用に限らず、携帯用電子機器などに広く適用できる。"