ダイが複数設けられたウェハを保持するウェハリングと、前記ウェハリングを前記基板と平行な平面で回転させる回転自由度を有する回転駆動機構を有するウェハユニットと、突き上げられた前記ダイをピックアップし、前記基板にボンディングするボンディングヘッドと、前記ボンディングヘッドを前記回転自由度及び前記平面を含む3次元に移動可能な3次元自由度を具備する4次元移動機構を有するボンディングヘッド部と、前記ウェハ上の前記ダイを突き上げ、3次元自由度を具備する3次元移動機構を有する突き上げユニットと、前記ダイをピックアップする領域を前記ウェハの中心から放射状に分割し、分割された前記領域のうち実際にピックアップするピックアップ領域を有する前記ウェハの正対半円領域を前記基板が存在するボンディング領域に正対させ、前記ウェハリングを回転させて前記ピックアップ領域を順次選び、前記ダイを前記ピックアップ領域からピックアップする制御部を有する制御手段と、を有することを特徴とするダイボンダ。前記制御手段は、前記ピックアップ領域を前記正対半円領域の底面に存在する中心点からの垂線に対して左右対称になるように設定し、前記垂線が前記ボンディング領域の中心点またはその近傍を通るように前記ウェハリングを制御することを特徴とする請求項1に記載のダイボンダ。前記突き上げユニットを有するピックアップ装置は列状に複数設けられ、前記制御手段は、各ピックアップ装置に前記正対半円領域を設定し、複数の前記ピックアップ装置のうち両側に配置された2台のピックアップ装置のそれぞれの前記ピックアップ領域を前記正対半円領域のうち前記2台のピックアップ装置が正対する正対1/4円領域に設定することを特徴とする請求項1に記載のダイボンダ。前記制御手段は、前記ピックアップ時の前記突き上げユニットのダイを突き上げる突き上げ部の回転姿勢を前記ピックアップ領域のダイの回転姿勢に基づいて制御することを特徴とする請求項1に記載のダイボンダ。前記制御手段は、前記ピックアップ時の前記ボンディングヘッドの回転姿勢を前記ピックアップ領域毎に規定されるダイの回転姿勢に基づいて制御し、前記ボンディング時のボンディングヘッドの回転姿勢を前記基板へのボンディングすべき姿勢に基づいて制御することを特徴とする請求項1に記載のダイボンダ。前記分割は等分割であることを特徴とする請求項1に記載のダイボンダ。ダイをピックアップする領域をウェハの中心から放射状に分割し、分割された前記領域のうち実際にピックアップするピックアップ領域を有する前記ウェハの正対半円領域を前記基板が存在するボンディング領域に正対させるステップと、前記ウェハリングを回転させて前記ピックアップ領域を順次選ぶステップと、前記ダイを前記ピックアップ領域からボンディングヘッドでピックアップするステップと、前記ダイを基板にボンディングするステップと、を有することを特徴とする半導体製造方法。前記ボンディングヘッドのピックアップする回転姿勢を前記ピックアップ領域における前記ダイの姿勢に基づいて制御するステップを有することを特徴とする請求項7に記載の半導体製造方法。前記ピックアップ時の前記ダイを突き上げる突き上げ部の回転姿勢を前記ピックアップ領域における前記ダイの回転姿勢に基づいて制御するステップを有することを特徴とする請求項7に記載の半導体製造方法。前記ピックアップ領域を前記正対半円領域の底面に存在する中心点からの垂線に対して左右対称になるように設定し、前記垂線が前記ボンディング領域の中心点またはその近傍を通るように前記ウェハリングを制御するステップを有することを特徴とする請求項7、8又は9のいずれかに記載の半導体製造方法。前記ウェハを載置するピックアップ装置は列状に複数設けられ、各ピックアップ装置に前記正対半円領域を設定し、複数の前記ピックアップ装置のうち両側に配置された2台のピックアップ装置のそれぞれの前記ピックアップ領域を前記正対半円領域のうち前記2台のピックアップ装置に正対する正対1/4円領域に設定するステップを有することを特徴とする請求項7、8又は9のいずれかに記載の半導体製造方法。しかしながら、ウェハのサイズの大型化に伴い、ウェハを保持するウェハユニットからダイを取出しボンディングする時間が長くなる課題がある。また、特に、特許文献に示す第1のタイプでは、ウェハユニットが移動スペースが必要であり、装置が大型化する課題がある。本発明は、上記の課題を鑑みてなされたもので、本発明の第1の目的は、ダイのボンディング時間をより一層短縮でき、タクトタイムの短いダイボンダ及び半導体製造方法を提供することである。また、本発明の第2の目的は、ボンディング装置を小型にできるダイボンダ及び半導体製造方法を提供することである。本発明は、上記目的を達成するために、少なくとも以下の特徴を有する。本発明は、ダイボンダまたは半導体を製造する半導体製造方法において、前記ダイをピックアップする領域を前記ウェハの中心から放射状に分割し、分割された前記領域のうち実際にピックアップするピックアップ領域を有する前記ウェハの正対半円領域を前記基板が存在するボンディング領域に正対させ、前記ウェハリングを回転させて前記ピックアップ領域を順次選び、前記ダイを前記ピックアップ領域からボンディングヘッドでピックアップし、前記ダイを基板にボンディングすることを第1の特徴とする。また、本発明は、前記ボンディングヘッドのピックアップする回転姿勢を前記ピックアップ領域における前記ダイの姿勢に基づいて制御する第2の特徴とする。さらに、本発明は、前記ピックアップ時の前記ダイを突き上げる突き上げ部の回転姿勢を前記ピックアップ領域における前記ダイの回転姿勢に基づいて制御することを第3の特徴とする。また、本発明は、前記ピックアップ領域を前記正対半円領域の底面に存在する中心点からの垂線に対して左右対称になるように設定し、前記垂線が前記ボンディング領域の中心点またはその近傍を通るように前記ウェハリングを制御することを第4の特徴とする。さらに、前記ウェハを載置するピックアップ装置は列状に複数設けられ、各ピックアップ装置に前記正対半円領域を設定し、複数の前記ピックアップ装置のうち両側に配置された2台のピックアップ装置のそれぞれの前記ピックアップ領域を前記正対半円領域のうち前記2台のピックアップ装置に正対する正対1/4円領域に設定することを第5の特徴とする。また、本発明は、前記分割は等分割であることを第6の特徴とする。本発明によれば、ダイのボンディング時間をより一層短縮でき、タクトタイムの短いダイボンダ及び半導体製造方法を提供できる。また、本発明によれば、ボンディング装置を小型にできるダイボンダ及び半導体製造方法を提供できる。以下、図面に基づき、本発明の実施形態を説明する。図1は、本発明の第1の実施形態であるダイボンダ10を上から見た概念図である。ダイボンダ10は大別してウェハ供給部1と、基板供給搬送部2と、ダイボンディング部3と、これ等を制御する制御部4とを有する。ウェハ供給部1は、ウェハカセットリフタ11とピックアップ装置12とを有する。ウェハカセットリフタ11は、ウェハリングが充填されたウェハカセット44とを有する。なお、22はリードフレーム45を搬送する基板供給搬送部2を形成するフレームフィーダである。本実施形態の特徴を構成するボンディングヘッド41は、先端にダイDを吸着保持しているコレット41cと、コレット41cを昇降させ、コレット41cを固定台43に対してX、Y方向に移動させ、さらに、コレット41cを基板と平行な面でθ回転させる4次元移動機構41mとを有する。図3は、本発明の実施形態の特徴を構成するピックアップ装置12の概略構成と、ダイDをピックアップする領域におけるピックアップ装置12とボンディングヘッド41との関係を示す図である。ピックアップ装置12は、ウェハユニット51と、ウェハのダイDを突き上げてコレット41cに吸着し易くする突き上げユニット52と、これらを固定する基台53とを有する。ウェハユニット51は、ウェハUを保持するウェハリング51aと、ウェハリング51aを基板と平行な面でθ回転させる回転駆動機構51bとを有する。突き上げユニット52は、ダイDを突き上げる突き上げ部54aを昇降させる突き上げ機構乃至図4は、ウェハリング51aに保持されたウェハUから、図2に示す基板供給搬送部2で搬送されてくる基板であるボンディング領域BPまでの間を上からみた状態を模式的に示した図である。本発明の第1の実施形態における基本的な考え方を説明する。第1に、図4から図4に示すように、ウェハUのダイをピックアップする領域をウェハの中心から放射状に等分割に分け、分割された領域のうち実際にピックアップする斜線で示すピックアップ領域PRを、ウェハUを構成する2つの半円のうち基板であるボンディング領域BRに正対する図4に格子線で示す正対半円領域60の中に設ける。そして、処理中のピックアップ領域PRの全てのダイをピックアップしボンディングを終了した後、次にウェハを等分割した角度分回転させ、隣接する領域を次のピックアップ領域PRとして、ダイDをボンディング処理する。正対半円領域はウェハU上固定ではなく、ピックアップ領域PRの回転に伴い角度変化分変化し、ボンディング領域BRに正対する半円が新たな正対半円領域となる。この構成によって、ボンディングヘッド41のY方向の動作範囲を、図4に示すY方向占有スペースYSから図4乃至図4に示すボンディング領域BRと正対半円領域60を結ぶ動作範囲YDへと、ウェハ径の半径分低減できる。第2に、第1のタイプである第1の実施形態においては、ピックアップ領域PRを正対半円領域60の底面に存在する中心点Ucからの垂線61に対して左右対称になるように設け、垂線61がボンディング領域BRの中心点62またはその近傍を通るようにウェハUを配置する。この構成によって、ボンディングヘッド41のX方向の動作範囲XDをウェハの直径に相当する長さからピックアップ領域PRのX方向の長さへと低減または同一にできる図4はピックアップ領域PRを正対半円領域60とするウェハを2分割する例を、図4はウェハUを4分割の例を、図4はリードフレーム45の幅サイズまで分割した最小分割の例を示す。ボンディングヘッド41は、リードフレーム45である基板とピックアップ領域PRとの間を行ったり来たりするので、各分割においてY軸動作範囲は変わらないが、X軸動作範囲は各図に示すように、分割数が多いほど狭くなる。しかしながら、分割数が小さいと1ピックアップ領域PRにおけるダイ数が少なくなり、後述するようにダイDの姿勢も変わるので、その変化に対応してボンディングヘッド41及び駒54のピックアップ姿勢を変える必要がある。従って、両者のトレードオフを考慮して分割数を決定する。ダイDの姿勢も変化に対応してボンディングヘッド41及び駒54のピックアップ姿勢を変えることが第1の実施形態の第3の基本的な考え方である。なお、2分割の場合は駒の突き上げ部54aの形状によってはその姿勢を変えなくてもよい場合がある。なお、上記分割ではピックアップ領域PRを等分割にしたが、ダイDの姿勢はピックアップ領域毎に基本的には変える必要がある。また、各ピックアップ領域におけるダイDのピックアップのし易さ等から、等分割あるいは分割線も直線にならない場合もある。また、第1の実施形態におけるダイDをピックアップし、リードフレーム45にボンディングするのに必要なX及びY方向の占有スペースを図4に示す。ボンディングヘッド41の移動範囲及び占有スペースを図7に示す第1のタイプの従来の場合と比べれば、それぞれ大幅に低減していることが分かる。次に、図5に示す4分割の場合を例にとって詳細に説明する。図5、図5は、図4と同様に、ウェハリング51aに保持されたウェハUから図2に示す基板供給搬送部2のボンディング領域BRまでの間を上からみた状態を模式的に示した図である。図5は、図5に示す状態から図3に示すウェハリング51aを矢印Gに示すように反時計回りに回転させることによって、ウェハUを90度回転させた状態を示している。図5、図5における斜線で示す領域は、ウェハUからダイDをピックウップするピックウップ領域PRである。また、図5bにおける点領域は、図5におけるピックアップ領域PRの全てのダイDがピックアップされたピックアップ済み領域PSを示す。図5、図5においては、4連のリードフレームのボンディング領域BRを○丸印で示す。また、ボンディング領域BRとピックアップ領域PRに間に存在する矢印は、ボンディングヘッド41がダイDをピックアップし基板にボンディングするために、或いはボンディングをした後次のダイDをピックアップするために移動するボンディングヘッド軌跡を示している。ボンディングヘッド軌跡Ra、Rbはボンディング領域BRから最もX軸上で離れた位置A、BにあるダイDに対する軌跡であり、ボンディングヘッド軌跡Rcはボンディング領域BRから最もY軸上で離れた位置CにあるダイDに対する軌跡である。その結果、ボンディングヘッド41のX軸及びY軸方向の動作範囲並びにボンディングのするための占有スペースは図5、図5に示す通りである。一方、図5、図5は、それぞれ図5、図5おいてウェハU上のダイDの姿勢を示す図で、黒く塗られたダイDpはピックアップ領域PRに存在するダイDを示す。ダイDは図5に示すように、縦横方向に規則正しく配置されている。また、図5、図5に示すように、それぞれのピックアップ領域PRにおけるダイDの配置パターン及び向きが異なる。ここで、図5示す第1のピックアップ領域PRをPR1、図5に示す第2のピックアップ領域PRをPR2、同様に次とその次の次々のピックアップ領域PRをPR3、PR4とする。基本的にはピックアップ領域PR1とPR3、PR2とPR4の配置パターンは同じであるか、殆ど同じである。一方、ピックアップ領域PR2、PR3、PR4におけるダイD姿勢は、ピックアップ領域PR1の姿勢に対しウェハUの回転に伴い、90度、180度、270度回転した姿勢となる。従って、ピックアップ時には、ダイDの回転、即ち姿勢の変化に伴い、ダイボンダヘッド41及び駒54の姿勢もピックアップ領域毎に変える必要がある。但し、ダイDは一般的には長方形を有するのでピックアップという観点からすれば、ピックアップ領域PR1とPR3、PR2とPR4では同一姿勢になる。また、コレット41cを用いず、ただ単に吸着する場合にはボンディングヘッドの姿勢は変える必要はない。一方、ボンディング時には、リードフレーム45に所定の姿勢でボンディングするために、ダイボンダヘッド41の姿勢を図5の矢印Hの如く回転させなければならない。そこで、まず、ピックアップ領域PR1、PR3に存在するダイDでは16個に対し、ピックアップする。ボンディング領域BRに搬送されてくるリードフレームには、ボンディングするボンディングパターンを予め作成しておく。ボンディングパターンには、それぞれのダイDに対するボンディングヘッド及び駒54のX、Y位置が含まれる。次に、ピックアップ領域PR2、PR4に対しても同様にボンディングパターンを予め作成する。ボンディングヘッド及び駒54のピックアップの回転姿勢を、ピックアップ領域PR1の回転姿勢を基準に、反時計周りに90度、0度、-90度の姿勢になるよう制御する。特に、駒54の回転姿勢はボンディングには関係がないので、ピックアップ領域PRを変えるときに一度変更すればよい。基準となるピックアップ領域PR1の回転姿勢は、ピックアップした姿勢そのままで、Y軸方向に移動してボンディングできる姿勢が好ましい。図2に示すようにリードフレーム45のボンディング領域BRはY方向に長辺を有するので、このような場合には、図5に示すように、ダイDもY方向に長辺を有するようにウェハをセットする。その為に、ウェハが替わった時は、例えば図2に示す位置検出カメラ42でウェハUの設けられたアライメントマークMを検出しウェハの姿勢を初期設定する。次に、図6を用いて、図4、図5に示す4分割の場合を例にとって、第1の実施形態におけるダイDをピックアップし基板にボンディングする処理フローを説明する。まず、ウェハUをウェハユニット51にセットする。アライメントマークMを撮像し、ウェハリング51aを回転させウェハUを正対半円領域60で所定の姿勢になるように初期設定する。次に、ボンディングヘッド51と駒54のピックアップ姿勢を初期設定する。その後、予め作成したピックアップ領域PR1及びPR3用のボンディングパターンで、ピックアップ領域PR1の全てのダイDをボンディングする。ステップ3、4の処理を以下のようにピックアップ領域PR2、PR3、PR4に対して行う。ピックアップ領域PR2では、駒54の姿勢を90度反時計回りに回転させ、ボンディングヘッド41のピックアップ姿勢も90度反時計回りの回転姿勢に設定する。その後、予め作成したピックアップ領域PR2及びPR4用のボンディングパターンで、ピックアップ領域PR2の全てのダイDをボンディングする。次に、ピックアップ領域PR3では、駒54の姿勢を90度時計回りに回転させて元の姿勢に戻し、ボンディングヘッド41のピックアップ姿勢の設定を0度の元の回転姿勢に戻す。その後、予め作成したピックアップ領域PR1及びPR3用のボンディングパターンでピックアップ領域PR3の全てのダイDをボンディングする。次に、ピックアップ領域PR4では、駒54の姿勢を90度反時計回りに回転させ、ボンディングヘッドのピックアップ姿勢も90度反時計回りの回転姿勢に設定する。その後、予め作成したピックアップ領域PR2及びPR4用のボンディングパターンでピックアップ領域PR4の全てのダイDをボンディングする。さらに、他のウェハを使用してボンディングする基板があるならば、ステップ1に戻りステップ2からステップ5の処理繰り返す。なお、上記においては省略したが、4連のリードフレームのそれぞれにダイDがボンディングされた後、リードフレーム分割されて、モールドされて半導体が製造される。また、例えば、ピックアップ領域PR1、PR3ではボンディングヘッド41及び駒54の回転姿勢は同じであるが、ボンディング時にはボンディングヘッド41の姿勢は異なる。ピックアップ領域PR1ではボンディングヘッド41のピックアップ時の姿勢を維持してボンディングできるが、ピックアップ領域PR3では180度回転してボンディングする必要がある。以上、図5に示す4分割の場合を例にとって説明したが、2分割や6分割といった偶数分割の他の例においても、基本的には4分割の例と同様である。これは、配置パターンが同じになる反転姿勢のピックアップ領域対が必ずあるので、その対の数が異なるだけで、4分割の例と同様にボンディング処理を行うことができる。また、奇数分割の場合はピックアップ領域対が存在しないので、個々のピックアップ領域に対して予めボンディングパターンを作成する必要がある。ピックアップ領域の変わる度にピックアップ時のボンディングヘッド41及び駒の回転姿勢を分割数に応じた角度変化させて行くことは、偶数の場合と同じである。以上説明した第1のタイプに対する本発明の第1の実施形態によれば、ダイをボンディング時間をより一層短縮でき、タクトタイムの短いダイボンダ及び半導体製造方法を提供できる。また、本発明の第1の実施形態によれば、ボンディング装置を小型化できるダイボンダ及び半導体製造方法を提供できる。次に、本発明を第2のタイプに適用した第2の実施形態を説明する。図7は、ダイDを基板75やリードフレーム45等に実装する電子部品実装装置100の概略平面図である。電子部品実装装置100は、大別して、基板75を搬送する搬送装置80と、ダイを基板75に実装する部品実装装置本体70と、実装するウェハUを部品実装装置本体70に供給するウェハ供給部90とを有する。搬送部80は、上流装置から基板75を搬送する搬入搬送装置81と、搬入搬送装置81によって基板75を載置された搬送用治具84A、84Bあるいは84Cを部品実装装置本体70内で移動させる実装搬送装置82と、実装された基板を搬出する搬出搬送装置83とを有する。搬入搬送装置81及び搬出搬送装置83には基板75を搬送用治具84A、84B、84Cのいずれか搬送用治具84に載置し或いは取り出す移動装置81a、83aを有する。実装搬送装置82は、基板75上に接着剤を塗布するプリフォーム部77を有する塗布ステージ上で搬送用治具84A、84B、84Cを搬送させる塗布ステージ搬送装置82L、塗布ステージ搬送装置82Lから選択的に連結され実装ステージに設けられた実装ステージ搬送装置82Mと、実装ステージ搬送装置82Mから接続され搬出ステージ参照を撮像する位置検出カメラ76A、76Bをそれぞれ搭載している。このように構成された電子部品実装装置において、例えば装着ヘッド73Aは複数の吸着ノズルの左右に設けられた2台のピックアップ装置12A、12Bから複数のダイを順次吸着してピックアップし、基板75上に順次装着する。図8を用いて、本発明の第2の実施形態における基本的な考え方を説明する。図8乃至図8に示すように、ウェハリング51a上のウェハUからダイをピックアップする領域をウェハの中心から放射状に等分割に分け。分割された領域のうち実際にピックアップする斜線で示すピックアップ領域PRを、第1の実施形態同様に、ウェハUを構成する2つの半円にうち装着対象である基板75に正対する図8に格子線で示す正対半円領域60の中に設ける。そして、処理中のピックアップ領域PRの全てのダイをピックアップしボンディングを終了した後、次にウェハを等分割した角度分回転させ、隣接する領域を次のピックアップ領域PRとして、ダイDをボンディング処理する。この構成によって、装着ヘッド73のY方向の動作範囲YDを、図8に示すY方向占有スペースYSから図4乃至図4に示す基板からの正対半円領域60への動作範囲YDへと、ウェハ径の半径分低減できる第2に、第2のタイプの第2の実施形態においては、ピックアップ領域PRを設ける正対半円領域60のうち2台のピックアップ装置12A、12Bが正対する正対1/4円領域にピックアップ領域PRを限定し、そのような配置になるようにウェハUをセットする。この構成によって、装着ヘッド73のX方向の動作範囲XDを、図8に示すX方向占有スペースXSから2枚のウェハの正対する半円を含む領域の長さへと、ウェハUの直径部の長さを低減できる。図8は、正対半円領域60をピックアップ領域PRに2分割の例を示す。図8は、正対半円領域60そのものとする例を示す。図8は4分割の例を示す。装着ヘッド41は、基板75である基板とピックアップ領域PRとの間を行ったり来たりするので、第2の実施形態では、第1の考え方を考慮しない図8の例を除いて、第1の実施形態とは異なり、分割数によって動作範囲XDは変わらない。しかしながら、例えば、図8に示す4分割と図8に示す8分割とを比較すると、図8に示す8分割では、図8に示す4分割に存在するY方向の移動距離が長くなる、点で示す点領域BRtに存在するダイDがピックアップ対象から外れるので、処理時間が短くなる可能性がある。この効果は、基板75のX方向の長さが短くなるほど小さくなり、基板への装着位置の分布によっても異なる。また、第2の実施形態でも、分割数が小さいと1ピックアップ領域PRにおけるダイ数が少なくなり、図5、図5で示したようにダイDの姿勢も変わるので、その変化に対応してボンディングヘッド41及び駒54のピックアップ領域PR毎にピックアップ姿勢が変わる。従って、これ等の点を考慮して分割数を決定する。また、第2の実施形態で基板2の搬送方向に沿って、ピックアップ装置12を3つ以上並設した場合には、左右の両外方のピックアップ装置12の間に位置するピックアップ装置12においても、図8に示すようにピックアップ領域PRを正対半円領域60そのものとする、あるいは第1の実施形態における図4の領域とし、当該ピックアップ領域のダイのボンディング終了後、2つの場合と同様にウェハを回転させる。第2の実施形態でも、第1の実施形態同様にダイDの姿勢も変化に対応して装着ヘッド41及び駒54のピックアップ姿勢を変えることが第2の実施形態の第3の基本的な考え方である。第2の実施形態における図6に対応するダイDをピックアップし基板に装着する処理フローは、装着ヘッド73が複数のダイDを一度にピックアップし、それらを一度に基板に装着する以外は基本的には同じである。以上説明した、第2のタイプに対する本発明の第2の実施形態よれば、ダイを実装する時間をより一層短縮でき、タクトタイムの短い電子部品実装装置及び半導体製造方法を提供できる。以上のように本発明の実施形態について説明したが、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で種々の代替例、修正又は変形を包含するものである。