基板上に複数の発光装置LEDセルを有する直列接続のLEDアレイであって、第1LEDセル、第2LEDセル、及び第1LEDセルと第2LEDセルとの間に挿入された少なくとも3つのLEDセルを有する直列接続LEDサブアレイであって、前記第1LEDセル及び前記第2LEDセルの各々は、前記LEDサブアレイに隣接する前記第1LEDセル及び/又は前記第2LEDセルの第1側面及び第2側面を有し、前記第1LEDセルの前記第2側面は前記第2LEDセルの第2側面に隣接している、第1側面及び第2側面を有する、第1LEDセル、第2LEDセル及びLEDサブアレイと、前記第1LEDセルの前記第2側面と前記第2LEDセルの前記第2側面との間のトレンチと、当該発光装置が当該発光装置の通常の動作電圧より高いサージ電圧により前記トレンチの近傍で破壊されないようにするように、前記トレンチに近接して形成された保護構造と、を有する、LEDアレイを有する発光装置。前記保護構造は、前記トレンチ内に形成された第1絶縁層と、前記第1絶縁層上の第2絶縁層と、を有する、請求項1に記載の発光装置。前記第1LEDセル及び前記第2LEDセルの各々は前記第2側面に近接する側壁を有し、前記第1絶縁層は、前記第1LEDセルの前記側壁及び前記第2LEDセルの前記側壁を整合的に覆っている、請求項2に記載の発光装置。前記第1LEDセル及び前記第2LEDセルの各々は上部面を有し、前記第2絶縁層は前記第1LEDセル及び前記第2LEDセルの前記上部面の殆どを覆っている、請求項2に記載の発光装置。前記第2絶縁層は複数の層を有する、請求項2に記載の発光装置。各々のLEDセルは、第1半導体層と第2半導体層との間に備えられた活性層と、前記第2半導体層上に備えられた導電金属とを有する、請求項1に記載の発光装置。前記トレンチにおける前記保護構造の厚さは、前記第1半導体層、前記活性層、前記第2半導体層及び前記導電金属の厚さの和より大きい、請求項6に記載の発光装置。前記トレンチにおける前記保護構造の前記厚さは、前記第1半導体層、前記活性層、前記第2半導体層及び前記導電金属の前記厚さの和の1.5倍より大きい、請求項6に記載の発光装置。前記第1LEDセルの前記第1半導体層と前記第2LEDセルの前記第1半導体層との間の距離は50μmより小さい、請求項6に記載の発光装置。前記第1LEDセルの前記第1半導体層と前記第2LEDセルの前記第1半導体層との間の前記距離は15μmより大きい、請求項9に記載の発光装置。前記第1LEDセルの前記第1半導体層と前記第2LEDセルの前記第1半導体層との間の前記距離は30μmより大きい、請求項9に記載の発光装置。前記第1LEDセルの前記導電金属と前記第2LEDセルの前記導電金属との間の最小距離は80μmより大きい、請求項7に記載の発光装置。前記第1LEDセルの前記導電金属と前記第2LEDセルの前記導電金属との間の最小距離は100μmより大きい、請求項7に記載の発光装置。前記導電金属は、少なくとも1つのフィンガーを有する拡張部を更に有し、前記少なくとも1つのフィンガーは拡大された端子を有する、請求項6に記載の発光装置。前記LEDセルの1つは、前記導電金属の下に形成された電流ブロック層を更に有する、請求項6に記載の発光装置。前記LEDセルの各々は、前記第2半導体層の上に形成された透明な導電層を更に有する、請求項6に記載の発光装置。前記直列接続されたLEDアレイは、2つのブランチを有する少なくとも8つのLEDセルを有する、請求項1に記載の発光装置。前記直列接続されたLEDアレイは少なくとも8つのLEDセルを有し、前記LEDアレイは2つの連続するLEDセル毎に配列方向を変える、請求項1に記載の発光装置。前記LEDセルの前記第1半導体層の各々は、15μmより小さくない曲率半径を有する丸みを帯びた角を有する、請求項6に記載の発光装置。前記丸みを帯びた角は前記第2側面に隣接している、請求項19に記載の発光装置。前記直列接続されたLEDアレイにおける1つのLEDセルの前記第1半導体層は、前記直列接続されたLEDアレイにおける前記隣接したLEDセルの前記第2半導体層に電気的に接続されている、請求項6に記載の発光装置。前記基板は上部面を有し、前記トレンチにおける前記第1絶縁層は前記基板の前記上部面に直接、接している、請求項2に記載の発光装置。前記基板は単結晶基板であり、一連の前記LEDアレイの前記LEDセルは前記単結晶基板上にエピタキシャル成長されている、請求項1に記載の発光装置。前記直列接続されたLEDアレイは、前記基板の角に備えられた2つのボンディングパッドを更に有する、請求項1に記載の発光装置。本発明は、単独の基板上の複数のLEDセルを有する直列接続されたLEDアレイと;第1LEDセル、第2LEDセル、及び第1LEDセルと第2LEDセルとの間に挿入された少なくとも3つのLEDセルを有する直列接続LEDサブアレイであって、第1LEDセル及び第2LEDセルの各々は、第1LEDセル及び/又は第2LEDセルの第1側面がLEDサブアレイに隣接し、第1LEDセルの第2側面が第2LEDセルの第2側面に隣接している、第1側面及び第2側面を有する、第1LEDセル、第2LEDセル及び直列接続LEDアレイと;第1LEDセルの第2側面と第2LEDセルの第2側面との間のトレンチと;発光装置の通常の動作電圧より高いサージ電圧によりトレンチの近傍で発光装置が損傷を受けないようにするように、トレンチに近接して形成された保護構造と;を有する発光装置を提供する。本発明の他の実施形態に従った発光装置においては、保護構造は、側壁及びLEDセルの上部面の一部を覆い、空気に晒されている第1絶縁層と、第1LEDセルと第2LEDセルとの間の第1絶縁層の晒されている一部を覆っている第2絶縁層とを更に有する。本発明の他の実施形態に従った発光装置においては、第2絶縁層は、第1LEDセル及び第2LEDセルの上部面の殆どの部分を更に覆っている。本発明の他の実施形態に従った発光装置においては、各々のLEDセルは、第1半導体層と第2半導体層との間に備えられた活性層と、各々のLEDセルの第2半導体層上に備えられた導電金属とを有する。本発明の他の実施形態に従った発光装置においては、第1LEDセルと第2LEDセルとの間の保護構造の厚さは、第1半導体層、活性層、第2半導体層及び導電金属の厚さの和より大きい。複数の実施形態が、以下、図を伴って詳述されている。開示内容を適切に且つ簡明に説明するように、本明細書における異なる段落又は図に与えられる又は現れる同じ名称又は同じ参照番号は、同じ又は同等な意味を有する必要があり、それらは本明細書のどこかで一度、定義されている。ESD破壊の問題を解決するように、図3は、本発明の一実施形態に従った発光装置20を示している。発光装置20は、単独の基板15上の導電金属13により直列に接続された複数のLEDセル11A、B、C、C1、C2、C3を有し、各々のLEDセル11は、基板15上の第1半導体層17と、第1半導体層上の第2半導体層19と、第1半導体層17と第2半導体層19との間に備えられた活性層47図3には図示していないと、第2半導体層19上に備えられた導電金属13とを有する。図3において理解できるように、各々の導電金属13は、少なくとも2つの分割された金属線を有する引き出し部を更に有する。各々の引き出し部から引き出された分割された金属線の数は、本明細書で開示しているものに限定されるものではない。直接、接続されたLEDアレイを有するためには、LEDAの第1半導体層17は、隣接するLEDセル、例えば、LEDC1の第2半導体層19に、電気的に接続されている。AC入力の一の極性が導電領域αから導電領域βに渡るとき、電流が、A→C1→C2→C3→C→Bの順序で複数のLEDセル11を通って流れる。LEDセル11の最大電位差は、LEDセルAとLEDセルBとの間に存在する。図3に示しているように、直列接続されているLEDアレイは、その直列接続において端子LEDセルAと端子LEDセルBとの間に4つのLEDセル11C1、C2、C3、Cを有する直列接続サブアレイを更に有する。図3に示しているように、LEDA及びLEDBは、第1側面A1、B1及び第2側面A2、B2のそれぞれを更に有する。LEDA及びLEDBの第1側面A1、B1はサブアレイに隣接し、LEDA及びLEDBの第2側面A2、B2は互いに隣接している。更に、トレンチTがLEDAとLEDBとの間に形成されている。即ち、トレンチTがLEDAの第2側面とLEDBの第2側面との間に形成されている。ESD破壊を回避するように、通常の動作電圧より高いサージ電圧によりトレンチ近傍の領域で発光装置が破壊されないようにトレンチに近接して保護構造が形成されている。この実施形態においては、第1絶縁層23が複数のLEDセル間で形成され、第2絶縁層21が、高い電界強度を有する2つのLEDセル11間の領域、例えば、トレンチTにおいて第1絶縁層23の上に更に形成されている。第2絶縁層21は任意に第1絶縁層23より厚いことが可能である。例えば、図3において発光装置20を参照するに、LEDA及びLEDBは、それらの間に接続された4つの4つ以上のLEDセル11を電気的に直列に接続され、従って、特定の値を上回る高い電界強度の影響下に置かれ、故に、第2絶縁層21が、LEDセル11をESD破壊から隔絶するようにLEDA及びLEDBの上部面の一部並びに第1絶縁層23の上部面の一部を覆うように形成されている。更に、第1絶縁層23を伴わずに、第2絶縁層21のみが、高電界強度を有する2つのLEDセル11間の領域を、例えば、基板15の晒されている表面と、第1半導体層17の側面と、LEDセルAとLEDセルBとの間の第2半導体層19の側面とを覆う保護層であることも可能である。更に、絶縁層21及び/23の材料は、例えば、AlOX1、SiOX2、SiNX3等の絶縁材料であることが可能であり、絶縁層21及び/又は23は、異なる材料により形成される複数層を有する複合構造であることが可能である。例えば、第2絶縁層21は、2100Åの厚さを有するSiOX4の一層と2000Åの厚さを有するAlOX5の一層との組み合わせにより形成されることが可能であり、第1絶縁層23は、2100Åの厚さを有するSiOX4の一層のみにより形成されることが可能であるここで用いている化学式の下付きの小文字X1乃至X5は、整数又は小数であり、同じであり得る又は異なり得る。図4は、本発明の他の実施形態に従った発光装置を示している.図から分かるように、第2絶縁層21は、LEDA及びLEDBの上部面の殆どの部分を覆っている。上記と同じ理由で、絶縁層21及び23は、異なる材料により形成された複数層の複合構造又は厚い単独層であることも可能であり、LEDA及びLEDBの覆われた上部面上の第2絶縁層21の数又は厚さは、他の領域の数より多い又は他の領域の厚さより厚いことが可能である。図5は、本発明の他の実施形態に従った発光装置40を示している。この実施形態においては、電界強度を減少させることがESD破壊を回避させる他の方法である。図5に示しているように、絶縁壁41がLEDAとLEDBとの間電気的に直列に接続され且つそれらの間に接続された4つ以上のLEDセル11を有する2つの隣接するLEDセル11の間の又は高電界を有する領域に形成されている。絶縁壁41は絶縁材料により形成されているため、LEDAから発せられる電気力線は、絶縁壁41を直接貫通することによりLEDBの方に方向付けられることはできず、それに代えて、絶縁壁41の輪郭に沿って延伸される必要がある。電気力線の長さは延伸され、故に、LEDAとLEDBとの間の電界強度B=V/D、V=電位差、D=距離は減少される。LEDAとLEDBとの間の電気力線の長さを延伸するように、LEDAとLEDBとの間に位置付けられている絶縁壁41は、LEDA又はLEDBからもたらされる電気力線を遮断するように、LEDAからLEDBへの最短径路で形成される必要がある。換言すれば、図5に示すように、トレンチにおける絶縁壁41の厚さは、第1半導体層17、活性層47、第2半導体層19及び導電金属13の厚さの和より実質的に大きい必要がある。好適には、トレンチにおける絶縁壁41の厚さは、第1半導体層17、活性層47、第2半導体層19及び導電金属13の厚さの和の1.5倍より大きい必要がある。図6は、図5に示している6-6′線の断面図である。図6においては、第1絶縁層23は、LEDA及びLEDB第1半導体層17、第2半導体層19及び活性層47を含むの側壁、LEDA及びLEDBの上部面の一部、並びにトレンチTにおける基板の上部面の一部に沿って整合的に覆っている。更に、絶縁壁41は第1絶縁層23上に形成されることが可能であり、LEDA及びLEDBよりレベルが高く、故に、LEDAからLEDBへの電気力線は絶縁壁41により隔絶されることが可能である。しかしながら、絶縁壁41の正確な位置は変更されることが可能であり、それに限定されるものではない。例えば、絶縁壁41は、基板15の上部面に直接、形成されることも可能であり、又は、絶縁壁41は、従来のCVD法及びフォトリソグラフィ法により形成される特定のパターンを有することが可能である。図7は、本発明の他の実施形態に従った発光装置50の電気回路を示している。実験結果が示しているが、最高電位と最低電位との間の電位レベルを有するLEDセル11に電気的に接続され、最高電位を有するLEDセル11と最低電位を有するLEDセルとの間に位置している浮遊導電線55は、ESD破壊を低減することが可能である。図7に示しているように、浮遊導電線55は、LEDC2とLEDC3との間の導電金属13に接続されることが可能である図7と類似するに、図8は、本発明の他の実施形態に従った発光装置60の電気回路を示している。導電金属13に接続される浮遊導電性55を形成することに代えて、1つの接地導電線65が、最高電位を有するLEDセル11と最低電位を有するLEDセル11との間に形成され、接地導電線65は外部に接続されることにより接地されている。図9は、図7及び図8に示している実施形態の断面図である。浮遊接地導電線5565は、2つのLEDセル11間に直接、絶縁層23又は基板15上に形成されることが可能である。図10Aは、本発明の他の実施形態に従った発光装置70を示している。ESD破壊は通常、LEDの故障をもたらし、回避することは容易ではないため、更なるESD破壊領域が、特定の領域に生じるESD破壊を閉じ込めるように形成される。図10Aに示しているように、導電金属13から延びている2つの更なるESD破壊領域が存在する。2つの更なるESD破壊領域75は、互いに近接して対向しているため、それらの間に高い電界強度がもたらされ、それら2つの更なるESD破壊領域75間でより容易にESD破壊が起こり得る。更なるESD破壊領域75は、LEDセル11と共に機能できない2つの更なる金属プレートであり、故に、それらの更なるESD破壊領域は、LEDセル11の仕事関数を維持するように支援することが可能である。更に、他の更なるESD破壊領域に対向している一の更なるESD破壊領域のエッジは、粗くされて複数のチップtipが形成され、それらのチップは、所定領域に生じたESD現象の確率を高くする。図10Bは、図10Aに示す実施形態の断面図である。2つの更なるESD破壊領域75は、絶縁層23上に、又は2つのLEDセル11間の基板上に直接、形成される。図11は、本発明の他の実施形態に従った発光装置80を示している。ESD破壊は高電界強度によりもたらされ、2つのオブジェクト間の電界強度は、2つのオブジェクトの電位差及び距離に依存する。図11に示され、実験結果により明らかになっているように、2つのLEDセル11間に接続されている4つ以上のLEDセル11を有する隣接する2つのLEDセル11間の距離Dは15μmより大きい必要がある。好適には、接続された4つ以上のLEDセルを有する2つの隣接する2つのLEDセル11間の距離Dは30μmより大きい必要がある。距離Dは、本明細書においては、2つの隣接するLEDセル11の2つの第1半導体層17間の最短距離として特定されるものである。更に、本明細書においては、隣接するLEDセルとは、LEDセルの第1半導体層17から他のLEDセルの第1半導体層までの最短距離を有する何れかの2つのLEDセル11のことをいい、好適には、距離Dは50μmより小さい。図12は、本発明の他の実施形態に従った発光装置90を示している。図11に示す実施形態と類似するに、2つの隣接するLEDセル11の導電金属13間でESD破壊が生じないように、2つの隣接するLEDセル11の導電金属13の距離は100μmより大きい必要がある。このような設計は、2つの隣接するLEDセルの間で大きい電位差を有する及び/又はそれらの間に接続された4つ以上のLEDセルを有する、2つの隣接するLEDセル11のために適切である。好適には、2つの隣接するLEDセル11の導電金属13の距離dは80μmより大きい必要がある。導電金属の距離は、本明細書においては、LEDセル11の導電金属13から隣接するLEDセル11の導電金属13までの距離であると定義されている。更に、隣接している発光ダイオードセルとは、本明細書においては、LEDセル11の第1半導体層17から他のLEDセル11の第1半導体層17までの最短距離を有する何れかの2つのLEDセル11のことをいい、距離dは、好適には50μmより小さい。図13に示しているように、高電界強度はしばしば、図12に示しているLEDセルA及びBのように、それらの間に接続された4つ以上のLEDセル11を有する2つの隣接するLEDセル大きい電位差を有するの間に生じる。大きい電位差を有するLEDセル11が近づき過ぎないように、一連のLEDセル11が基板15上に形成される場合、一連のLEDセル11は、特定の数のLEDセル、例えば、4つ以上のLEDセルが一方向に並べられるときに、その並べられる方向を変える必要がある。換言すれば、一連のLEDセル11が並べられる方向はしばしば、何れかの2つのLEDセルが、大きい電位差を、又は互いに隣接してそれらの間に位置して接続されている4つ以上のLEDセル11を有しないように変えられる必要がある。図13は、本発明の実施形態に従った単独の基板15上の一連の複数のLEDセル11の異なる配置構成の3つの図を示している。各々の図においては、一連の複数のLEDセルの2つの端部に形成されたボンディングパッド105を有する単結晶基板15上に一連の複数のLEDセルが備えられている基板上に金属ボンディングによりエピタキシャル形成されている又は接着剤ボンディングにより取り付けられている。矢印は、ここでは、複数のLEDセル11の拡張される方向113接続方向を示している。各々の配置においては、何れか2つの隣接するLEDは大きい電位差を有しない。詳細には、図13に示しているように、各々の直列接続されたLEDアレイは、少なくとも8つのLEDセル及び少なくとも3つ以上のブランチを有する。2つの隣接するLEDセルがそれらの間に大き過ぎる電位差を有することのないように、図示している各々のLEDアレイは、2つの連続的なLEDセル毎にその配置方向を変えている。図14は、本発明の他の実施形態に従った発光装置110を示している。オブジェクトの表面電荷分布に従って、オブジェクトの単位面積当たりの表面放電密度は、オブジェクトが小さい曲率半径を有するときには、大きい。点放電と呼ばれるLEDセルの破壊の他の原因がしばしば、単位面積当たりの高い表面放電密度を有する位置で生じる。従って、点放電現象を回避するように、本実施形態においてはLEDセル11の輪郭が変更される。図14に示しているように、LEDセルAとLEDセルBとの間の第1半導体層17の上部の角はパターニングされて、例えば、丸みを帯びている。上記のような変更は、それらの特定化された位置に限定されるものではなく、第1半導体層17ばかりでなく第2半導体層19も、特に、隣接するLEDセルからより小さい距離を有する第2側面に近接するLEDセル毎にその配置方向セルのエッジについて、丸みを帯びることが可能である。好適には、パターニングされる角の曲率半径は15μmより小さくない。図14に示す実施形態と類似する概念により、点放電を回避するように、図15においては、LEDセル11の各々の分割された金属線の端子123は、丸みを帯びた金属プレート123を形成することによりパターニングされることが可能である。端子金属123の形状は丸みを帯びた形状に限定されるものではない。実験結果が示しているが、導電金属13の線幅より大きい半径又は拡大部分を有する端子に形成される端子金属123の何れかの形状が、点放電破壊を低減するように形成されることが可能である。図16は、本発明の他の実施形態に従った発光装置の断面図である。不所望の放電を低減するためには、電流の流れを容易化する、より平滑な経路が助けとなる。図16に示しているように、電流が導電金属から広く広がるように、電流ブロック層133は、SiOy1又はSiNy2等の絶縁体である誘電体材料から成る。しかしながら、電流ブロック層は、電流が流れる殆どの経路をブロックする。通常の経路に沿って電流が分散されない場合、ESD又は点放電等の他の様式で電流はリークする。従って、本実施形態においては、電流ブロック層133は、導電金属13の下に形成されているが、導電金属13の端子の下には形成されていない。このような設計は、放電が最も容易にもたらされる導電金属13の端子において電流がよりスムーズに流れ、且つ放電経路に沿ってリークする電流の確率を低減するようにする。更に、ITO、IZO、ZnO、AZO、薄い金属層又はそれらの組み合わせ等の透明な導電層135が、電流拡散の助けとなるように、第2半導体層において任意に形成されることも可能である。上記の実施形態は、技術的な考え方及び本発明の特徴について詳述されていて、当業者が本発明の内容を理解するようにしていて、本発明の特許請求の範囲を限定するように用いられるものではない。即ち、本発明の主旨に従った修正又は変形も、本発明の特許請求の範囲内に包含される必要がある。例えば、電気的な接続方法は直列接続に限定されるものではない。上記実施形態に示しているESD保護方法は、特定の値を上回る高い電界強度を有する、若しくは並列に又は直列及び並列の組み合わせで電気的に隣接する発光ダイオードセルの間に接続された3つ以上のLEDセルを有する、何れかの2つの隣接する発光ダイオードセルに適用されることが可能である。