"交流信号が1次側に入力されるパルストランス、前記パルストランスの2次側に接続されたゲートドライブ回路、および前記ゲートドライブ回路によりオンオフ制御される半導体スイッチから構成される、第1の半導体スイッチ回路と、前記第1の半導体スイッチ回路に順次直列接続され,前記第1の半導体スイッチ回路と同様の構成の第2~第n但し、nは2以上の整数の半導体スイッチ回路と、を備え、前記第1~第n-1の半導体スイッチ回路のパルストランスの2次側はそれぞれ前記第2~第nの半導体スイッチ回路のパルストランスの1次側に接続され、前記第1の半導体スイッチ回路のパルストランスに入力される前記交流信号に基づいて、前記第1~第nの各半導体スイッチ回路における半導体スイッチがゲートドライブ回路によって同期的にオンオフ制御されることを特徴とする高電圧スイッチ回路。直流電源の直流電圧を交流電圧に変換するインバータと、前記インバータによって変換された交流電圧を昇圧して高電圧に変換する高電圧トランスと、前記高電圧トランスによって変換された高電圧をさらに昇圧するとともに整流して直流高電圧に変換する昇圧整流回路と、前記昇圧整流回路によって変換された直流高電圧が供給されることにより、アノードからX線を照射するX線管と、前記昇圧整流回路の出力部と前記アノードの間に配置され、スイッチの開閉によって、前記アノードに対する前記直流高電圧の供給状態を制御するスイッチ手段と、前記X線管からX線パルスを照射させるために、前記スイッチ手段を制御する制御部と、を備え、前記スイッチ手段が、前記昇圧整流回路の出力部と前記アノードの間に接続された、請求項1に記載の高電圧スイッチ回路を含み、前記制御部は、前記X線パルスの照射期間において前記高電圧スイッチ回路をオン状態とする一方、前記X線パルスの非照射期間において前記高電圧スイッチ回路をオフ状態とすることを特徴とするX線パルス発生装置。前記スイッチ手段が、スイッチの開閉によって、前記高電圧スイッチ回路の出力部と前記アノードの間の高電圧伝送路に対して少なくとも正のインパルス電圧を重畳させるインパルス電圧重畳回路をさらに含み、前記制御部は、前記X線パルスの照射開始における前記高電圧スイッチ回路がオン状態となる直前に、前記高電圧伝送路に対して前記インパルス電圧重畳回路から正のインパルス電圧を重畳させ、前記正のインパルス電圧が最大値となるタイミングにあわせて、前記高電圧スイッチ回路をオン状態とすることを特徴とする請求項2に記載のX線パルス発生装置。前記スイッチ手段が、スイッチの開閉によって、前記高電圧スイッチ回路の出力部と前記アノードの間の高電圧伝送路に対して少なくとも負のインパルス電圧を重畳させるインパルス電圧重畳回路をさらに含み、前記制御部は、前記X線パルスの照射終了における前記高電圧スイッチ回路がオフ状態となるタイミングにあわせて、前記高電圧伝送路に対して前記インパルス電圧供給回路から負のインパルス電圧を重畳させることを特徴とする請求項2に記載のX線パルス発生装置。前記昇圧整流回路がコッククロフトウォルトン回路からなることを特徴とする請求項2~4のいずれかに記載のX線パルス発生装置。しかしながら、上記の従来技術の、高電圧スイッチ回路およびこれを用いたX線パルス発生装置は、以下の課題を有していた。<1>高電圧ケーブルに付随する電荷を放電抵抗で短時間に放電させるため、アノードとカソードの間に印加された例えば100kV以上もの高電圧による過大な過渡電流に耐えられるだけの、高電圧スイッチ回路が必要になる。すなわち、この高電圧スイッチ回路においては、高電圧大電流に対応可能な半導体スイッチが必要になるため、その構成が大規模になる上、消費電力も大きい。また、FPDを用いたX線断層投影においては、例えば1つの断層投影画像をX線パルス照射による100枚の投影画像から再構成して作成するため、大電流が放電抵抗で繰り返し放電されることによる発熱も大きくなる。<2>X線パルスの照射終了後の管電圧の立下り時間以下、波尾長というは上記高電圧ケーブルに付随する数100~数1000pF程度の大きなコンデンサ静電容量と放電抵抗との時定数で決定されるため、その波尾長は改善されたといえども依然として長い。このため、軟X線による患者の被曝低減が十分なされたとは言い難い。<3>高電圧スイッチ回路をオン状態としたときに高電圧ケーブルに付随するコンデンサの電荷が放電抵抗で放電されるので、X線パルスの照射毎に、該コンデンサの初期充電を繰り返す必要があり、効率が悪い。また、この初期充電に必要な励磁電流を高電圧トランスから逐次供給する必要があるため、例えばX線パルス照射による100枚の投影画像を取得する場合において、消費電力は大きくなる。したがって、本発明の課題は、大規模な構成の高電圧スイッチ回路が不要で、消費電力が低減され、被曝低減を十分になしうる高電圧スイッチ回路およびこれを用いたX線パルス発生装置を提供することにある。そこで、本発明者らは、誠意検討を重ねた結果、従来技術とは全く異なる原理および新規な構成で、上記の課題を解決できるとともに、波尾消去機能をも実現しうる、高電圧スイッチ回路およびこれを用いたX線パルス発生装置を完成させるに至った。上記の課題を解決するため、本発明に係る高電圧スイッチ回路は、1交流信号が1次側に入力されるパルストランス、前記パルストランスの2次側に接続されたゲートドライブ回路、および前記ゲートドライブ回路によりオンオフ制御される半導体スイッチから構成される、第1の半導体スイッチ回路と、前記第1の半導体スイッチ回路に順次直列接続され,前記第1の半導体スイッチ回路と同様の構成の第2~第n但し、nは2以上の整数の半導体スイッチ回路と、を備え、前記第1~第n-1の半導体スイッチ回路のパルストランスの2次側はそれぞれ前記第2~第nの半導体スイッチ回路のパルストランスの1次側に接続され、前記第1の半導体スイッチ回路のパルストランスに入力される前記交流信号に基づいて、前記第1~第nの各半導体スイッチ回路における半導体スイッチがゲートドライブ回路によって同期的にオンオフ制御されることを特徴とする。また、本発明に係るX線パルス発生装置は、2直流電源の直流電圧を交流電圧に変換するインバータと、前記インバータによって変換された交流電圧を昇圧して高電圧に変換する高電圧トランスと、前記高電圧トランスによって変換された高電圧をさらに昇圧するとともに整流して直流高電圧に変換する昇圧整流回路と、前記昇圧整流回路によって変換された直流高電圧が供給されることにより、アノードからX線を照射するX線管と、前記昇圧整流回路の出力部と前記アノードの間に配置され、スイッチの開閉によって、前記アノードに対する前記直流高電圧の供給状態を制御するスイッチ手段と、前記X線管からX線パルスを照射させるために、前記スイッチ手段を制御する制御部と、を備え、前記スイッチ手段が、前記昇圧整流回路の出力部と前記アノードの間に接続された、上記の構成1の高電圧スイッチ回路を含み、前記制御部は、前記X線パルスの照射期間において前記高電圧スイッチ回路をオン状態とする一方、前記X線パルスの非照射期間において前記高電圧スイッチ回路をオフ状態とすることを特徴とする。上記の構成2において、3前記スイッチ手段が、スイッチの開閉によって、前記高電圧スイッチ回路の出力部と前記アノードの間の高電圧伝送路に対して少なくとも正のインパルス電圧を重畳させるインパルス電圧重畳回路をさらに含み、前記制御部は、前記X線パルスの照射開始における前記高電圧スイッチ回路がオン状態となる直前に、前記高電圧伝送路に対して前記インパルス電圧重畳回路から正のインパルス電圧を重畳させ、前記正のインパルス電圧が最大値となるタイミングにあわせて、前記高電圧スイッチ回路をオン状態とすることが好ましい。上記の構成2において、4前記スイッチ手段が、スイッチの開閉によって、前記高電圧スイッチ回路の出力部と前記アノードの間の高電圧伝送路に対して少なくとも負のインパルス電圧を重畳させるインパルス電圧重畳回路をさらに含み、前記制御部は、前記X線パルスの照射終了における前記高電圧スイッチ回路がオフ状態となるタイミングにあわせて、前記高電圧伝送路に対して前記インパルス電圧供給回路から負のインパルス電圧を重畳させることが好ましい。上記の構成2~4のいずれかにおいて、5前記昇圧整流回路がコッククロフトウォルトン回路からなることが好ましい。本発明によれば、大規模な構成の高電圧スイッチ回路が不要で、消費電力が低減され、被曝低減を十分になしうる高電圧スイッチ回路およびこれを用いたX線パルス発生装置を提供することができる。以下、本発明の好ましい実施例について図面を参照しながら説明する。X線パルス発生装置の構成図1は、本発明に係るX線パルス発生装置の概略構成を示すブロック図である。図1に示すように、本発明に係るX線パルス発生装置1は、インバータ2と、高電圧トランス3と、昇圧整流回路4A、4Bと、スイッチ手段5と、X線管10と、制御部11とを備える。インバータ2は、直流電源16の直流電圧を交流電圧に変換するものであり、例えば公知の共振型インバータからなる。高電圧トランス3は、その1次側がインバータ2に接続され、インバータ2によって変換された交流電圧を昇圧して高電圧に変換するものであり、例えば同心円筒巻きのパルストランスからなる。昇圧整流回路4A、4Bは、いずれも高電圧トランス3の2次側に接続され、高電圧トランス3によって変換された高電圧をさらに昇圧するとともに整流して、それぞれ正および負の直流高電圧に変換するものである。スイッチ手段5は、昇圧整流回路4Aの出力部とアノードAの間に配置され、スイッチの開閉によって、アノードAに対する直流高電圧の供給状態を制御するものである。スイッチ手段5は、後述するような、いずれも外部からのスイッチ制御信号に基づいて、該スイッチ手段5内部のスイッチの開閉が制御される、高電圧スイッチ回路6とインパルス電圧重畳回路7を備える。X線管10は、アノードAとカソードKを有する2極管のものからなる。アノードAは、スイッチ手段5を介して昇圧整流回路4Aに接続されている。カソードKは、昇圧整流回路4Bに接続されるとともに、そのフィラメント部分がヒータ回路17に接続されている。ヒータ回路17は、制御部11からのヒータ回路制御信号に基づいて駆動され、カソードKのフィラメントを所定の温度に加熱することによって、該フィラメントから熱電子を発生させるように構成されている。X線管10は、アノードAおよびカソードKに対してそれぞれ正および負の直流高電圧が供給されて、フィラメントの熱電子がアノードAのターゲットに衝突することにより、アノードAからX線を照射する。制御部11は、このX線管10からX線パルスの照射非照射の制御を行うためのものである。制御部11は、後述するように、スイッチ手段5を駆動する第1~3のスイッチ駆動回路12~14、およびインバータ2を駆動するインバータ駆動回路15に対し、それぞれ、第1~3のスイッチ制御信号Sig1t~Sig3t、およびインバータ制御信号Sig4tを出力し、インバータ2、およびスイッチ手段5を制御するように構成されている。図2は、図1のX線パルス発生装置1の具体的な回路図である。なお、図2においては、説明を簡略化するために、直流電源16およびヒータ回路17が省略されている。図2に示すように、昇圧整流回路4A、4Bは、コッククロフトウォルトン回路4A、4Bからなる。コッククロフトウォルトン回路4A、4Bは、所定の直流高電圧を出力できるように、ともに複数段接続されたコンデンサおよびダイオードから構成される。コッククロフトウォルトン回路4Aは、その最後段の出力部から正の直流高電圧を出力する。コッククロフトウォルトン回路4Bは、その最後段の出力部から負の直流高電圧を出力する。高電圧スイッチ回路6は、交流信号印加部HFVと、第1~第nただし、nは2以上の整数の半導体スイッチ回路S1~Snと、を備える。交流信号印加部HFVは、制御部11からの第1のスイッチ制御信号Sig1tに基づいて第1のスイッチ駆動回路12から駆動信号を受けて、例えば高周波パルス信号等の交流信号を第1の半導体スイッチ回路S1に出力するものである。第1の半導体スイッチ回路S1は、パルストランスPTR1、ゲートドライブ回路GD1、および半導体スイッチSw1から構成される。パルストランスPTR1の1次側は、交流信号印加部HFVと接続され、交流信号が入力される。パルストランスPTR1の2次側は、ゲートドライブ回路GD1、および図示しない第2の半導体スイッチ回路S2のパルストランスPTR2の1次側と接続されている。ゲートドライブ回路GD1は、整流回路ダイオードD1~D4から構成と、定電圧回路抵抗R1、R2、ツェナーダイオードZD、およびNPNトランジスタTr1から構成と、放電回路抵抗R3、R4、およびPNPトランジスタTr2から構成とからなる。半導体スイッチSw1は、例えばIGBTからなり、ゲートドライブ回路GD1によりオンオフ制御される。第2~第nの半導体スイッチ回路Sn但し、nは2以上の整数は、いずれも第1の半導体スイッチ回路S1と同様の構成のものであり、第1の半導体スイッチ回路S1に順次直列接続されている。また、第1~第n-1の半導体スイッチ回路のパルストランスの2次側はそれぞれ第2~第nの半導体スイッチ回路のパルストランスの1次側に接続されている。ここで、半導体スイッチ回路の個数nは、第1~第nの各半導体スイッチの耐電圧の和が、高電圧スイッチ回路6の入力部第nの半導体スイッチ回路Snの半導体スイッチSwnの入力端と出力部第1の半導体スイッチ回路S1の半導体スイッチSw1の出力端の電位差よりも大きくなるように、決定される。次に、高電圧スイッチ回路6の動作について簡単に説明する。制御部11からの第1のスイッチ制御信号Sig1tがLレベルのとき、交流信号印加部HFVからの交流信号は高電圧スイッチ回路6に入力されないので、第1~第nの各半導体スイッチ回路S1~Snはいずれもオフしたままである。すなわち、高電圧スイッチ回路6はオフ状態である。次に、このオフ状態で、第1のスイッチ制御信号Sig1tがHレベルとなると、交流信号印加部HFVからの交流信号がパルストランスPTR1の1次側に入力される。このパルストランスPTR1の2次側に出力された交流信号は、ゲートドライブ回路GD1の整流回路に入力されて整流される。この整流された交流信号は、さらに定電圧回路に入力されてNPNトランジスタTr1をオンさせ、ツェナーダイオードZDで定められる所定の大きさのオン信号に変換される。このオン信号が第1の半導体スイッチSw1のゲートに入力され、該第1の半導体スイッチSw1がオンする。これと同様にして、第1の半導体スイッチ回路S1のパルストランスPTR1の2次側から出力された交流信号が第2~第nの各半導体スイッチ回路S2~Snにそれぞれ伝送されていき、第2~第nの各半導体スイッチSw2~Swnがゲートドライブ回路GD2~GDnによって同期的にオンする。これにより、高電圧スイッチ回路6はオン状態となる。最後に、高電圧スイッチ回路6がオン状態で、第1のスイッチ制御信号Sig1tがLレベルとなると、各第1~第nの各半導体スイッチ回路S1~SnのパルストランスPTR1~PTRnには交流信号が伝送されなくなくなる。これによって、各ゲートドライブ回路GD1~GDnにおいて、定電圧回路のNPNトランジスタTr1がオフするとともに放電回路のPNPトランジスタTr2がオンする。これによって、第1~第nの各半導体スイッチSw1~Swnのゲートのオン信号が放電回路によってリセットされ、全ての第1~第nの半導体スイッチSw1~Swnがオフする。これにより、高電圧スイッチ回路6はオフ状態となる。インパルス電圧重畳回路7は、高電圧スイッチ回路6の出力部とアノードAの間の高電圧伝送路SLに接続され、スイッチの開閉によって該高電圧伝送路SLに対して正負のインパルス電圧を重畳させるものである。インパルス電圧重畳回路7は、インパルス電圧印加用スイッチ回路8とインパルス電圧極性切り替え回路9を備える。インパルス電圧印加用スイッチ回路8は、高電圧スイッチ回路6の半導体スイッチ回路を2段構成としたものである。インパルス電圧印加用スイッチ回路8は、該高電圧スイッチ回路6と同様に、制御部11からの第2のスイッチ制御信号Sig2tに基づいて第2のスイッチ駆動回路13から駆動信号を受けて、オンオフ制御される。インパルス電圧印加用スイッチ回路8の入力部には、例えば、コッククロフトウォルトン回路4Aから得た所定の大きさの直流電圧VIが、抵抗RIおよびコンデンサCIからなるRC回路を介して入力される。この直流電圧VIは、コッククロフトウォルトン回路4Aが後述するような電圧保持機能を有しているため、当該コッククロフトウォルトン回路4Aから常に供給されるようになっている。なお、インパルス電圧印加用スイッチ回路8の半導体スイッチ回路が2段構成でよいのは、インパルス電圧印加用スイッチ回路8に入力される直流電圧VIはコッククロフトウォルトン回路4Aから出力される直流高電圧に比べて小さいためである。インパルス電圧極性切り替え回路9は、インパルス電圧印加用スイッチ回路8の出力部に接続され、公知のスイッチ素子9a、9bを有する。スイッチ素子9a、9bは、インパルス電圧の正負極性を切り替えるために、出力ラインの切り替えを行うためのものである。各スイッチ素子9a、9bは、制御部11からの第3のスイッチ制御信号Sig3tに基づいて第3のスイッチ駆動回路14から駆動信号を受けて、オンオフ制御される。インパルス電圧極性切り替え回路9の出力部は昇圧パルストランスCPTRの1次巻線に接続され、該昇圧パルストランスCPTRの2次巻線の一方は、コンデンサCI2を介して高電圧伝送路SLと接続され、他方は、直列接続された抵抗RX2およびCX2と接続されている。この構成によって、インパルス電圧極性切り替え回路9から出力された直流電圧VIは、昇圧パルストランスCPTRによって適切な増幅率で昇圧され、後述するような直流高電圧コッククロフトウォルトン回路4Aから出力される直流高電圧と同じ電圧に変換され、コンデンサCI2のコンデンサ結合によって高電圧伝送路SLに供給される。X線パルス発生装置の動作図3は、図1のX線パルス発生装置1の動作を説明するための各信号の時間波形を示す図である。図2および図3を参照して、このX線パルス発生装置1の動作について、制御部11、インバータ2、高電圧スイッチ回路6およびインパルス電圧重畳回路7の各動作と関連付けながら説明する。なお、図3A~Gにおいて、縦軸は各信号の大きさ、横軸は時間tただし、t1~t9は時刻であり、t1<t2<t3<t4<t5<t6<t7<t8<t9とするを表している。まず、コッククロフトウォルトン回路4Aの電圧保持機能について簡単に説明する。インバータ2が停止している期間X線パルスの非照射期間において、これ以前のインバータ2の駆動によって昇圧整流されたコッククロフトウォルトン回路4Aの出力部の直流高電圧出力部に付随する電荷は、高電圧スイッチ回路6がオフ状態となっているため、低下しない電荷が放電されない。このため、コッククロフトウォルトン回路4Aは、インバータ2の停止時や駆動時に関係なく、その出力部において常に一定の直流高電圧を保持することができる以下、これを電圧保持機能という。さて、X線パルス発生装置1の動作について説明すると、まず、制御部11は、インバータ2を駆動する前X線パルスの照射開始前に、インパルス電圧重畳回路7を駆動させる。すなわち、制御部11は、図3Eに示すように、時刻t1のタイミングで、Hレベルの第3の制御信号Sig3tを第3のスイッチ駆動回路14に出力する。これによって、インパルス電圧極性切り替え回路9のスイッチ素子9a、9bを制御して、高電圧伝送路SLに正のインパルス電圧が供給されうるように出力ラインを切り替える。そして、制御部11は、図3Dに示すように、時刻t2のタイミングで、Hレベルの第2の制御信号Sig2tを第2のスイッチ駆動回路13に出力する。これによって、インパルス電圧印加用スイッチ回路8をオン状態とする。このとき、図3Fに示すように、インパルス電圧重畳回路7から正のインパルス電圧が高電圧伝送路SLに供給されるようになる。したがって、この正のインパルス電圧によって、図3Gに示すように、高電圧スイッチ回路6がオン状態となる直前に、X線管10の管電圧が上昇し、X線管10がX線照射を可能な程度の励起状態にせしめられる。次に、X線パルス照射を開始させるために、制御部11は、図3AおよびCに示すように、正のインパルス電圧が最大値となるタイミング、すなわち時刻t3のタイミングで、Hレベルのインバータ制御信号Sig4tをインバータ駆動回路15に出力するとともに、Hレベルの第1の制御信号Sig1tを第1のスイッチ駆動回路12に出力する。これによって、インバータ駆動回路15が図3Bに示すような高周波のインバータドライブ信号Sig5tをインバータ2に出力し、該インバータ2の駆動が開始されるとともに、第1のスイッチ駆動回路12が高電圧スイッチ回路6をオン状態にする。さらに、X線管10のカソードKにはコッククロフトウォルトン回路4Bから負の直流高電圧が供給される一方、アノードAに至る高電圧伝送路SLには、コッククロフトウォルトン回路4Aから供給された正の直流高電圧に対して、インパルス電圧重畳回路7から供給された正のインパルス電圧が重畳される。なお、正のインパルス電圧の最大値は、コッククロフトウォルトン回路4Aから出力される直流高電圧の大きさとほぼ等しいことが好ましい。したがって、高電圧スイッチ回路6は、該高電圧スイッチ回路6の入力部と出力部の電位が実質的に同じ電位となった状態で、オン状態となる。次に、制御部11は、図3Dに示すように、時刻t4のタイミングで、Lレベルの第2の制御信号Sig2tを第2のスイッチ駆動回路13に出力する。これによって、インパルス電圧印加用スイッチ回路8をオフ状態とする。このとき、図3Fに示すように、インパルス電圧重畳回路7から高電圧伝送路SLに出力されるインパルス電圧はゼロなる。また、このとき、X線管10のアノードAにはコッククロフトウォルトン回路4Aからの直流高電圧が供給され続けている。次に、制御部11は、図3Eに示すように、時刻t5のタイミングで、Lレベルの第3の制御信号Sig3tを第3のスイッチ駆動回路14に出力する。これによって、インパルス電圧極性切り替え回路9のスイッチ素子9a、9bをオフとする。したがって、インパルス電圧重畳回路7は完全に停止状態となる。次に、制御部11は、インバータ2を停止する前X線パルスの照射終了前に、インパルス電圧重畳回路7を再度駆動させる。すなわち、制御部11は、図3Eに示すように、時刻t6のタイミングで、Hレベルの第3の制御信号Sig3tを第3のスイッチ駆動回路14に出力する。これによって、インパルス電圧極性切り替え回路9のスイッチ素子9a、9bを制御して、高電圧伝送路SLに負のインパルス電圧が供給されうるように出力ラインを切り替える。次に、X線パルス照射を終了させるために、制御部11は、図3AおよびCに示すように、時刻t7のタイミングで、Lレベルのインバータ制御信号Sig4tをインバータ駆動回路15に出力し、Lレベルの第1の制御信号Sig1tを第1のスイッチ駆動回路12に出力する。これによって、インバータ駆動回路15からのインバータドライブ信号Sig5tがインバータ2に出力されなくなるとともに、交流信号印加部HFVからの交流信号が高電圧スイッチ回路6に出力されなくなる。したがって、該インバータ2が停止するとともに、高電圧スイッチ回路6がオフ状態となる。また、制御部11は、図3Dに示すように、時刻t7のタイミングで、Hレベルの第2の制御信号Sig2tを第2のスイッチ駆動回路13に出力する。これによって、インパルス電圧印加用スイッチ回路8をオン状態とする。このとき、図3Fに示すように、インパルス電圧重畳回路7から負のインパルス電圧が高電圧伝送路SLに供給されるようになる。これによって、高電圧伝送路SLにおいて、高電圧スイッチ回路6の出力部の直流高電圧に対して、インパルス電圧重畳回路7から供給された負のインパルス電圧が重畳されて、該直流高電圧が瞬時にゼロレベルまで降下する。すなわち、高電圧伝送路SLに付随する電荷が負のインパルス電圧によって放電され、管電圧の波尾が瞬時に消去され、波尾長が大変短くなる。その後、制御部11は、図3Dに示すように、時刻t8のタイミングで、Lレベルの第2の制御信号Sig2tを第2のスイッチ駆動回路13に出力する。これによって、インパルス電圧印加用スイッチ回路8をオフ状態とする。このとき、図3Fに示すように、インパルス電圧重畳回路7から高電圧伝送路SLに重畳されるインパルス電圧はゼロなる。最後に、制御部11は、図3Eに示すように、時刻t9のタイミングで、Lレベルの第3の制御信号Sig3tを第3のスイッチ駆動回路14に出力する。これによって、インパルス電圧極性切り替え回路9のスイッチ素子9a、9bをオフとする。したがって、インパルス電圧重畳回路7は再び完全に停止状態となる。この動作を繰り返すことで、X線パルス発生装置1からX線パルスが所定のパルスレートで照射される。本発明の効果本発明に係る高電圧スイッチ回路およびこれを用いたX線パルス発生装置は、以下の効果を有している。<1>この高電圧スイッチ回路6は、昇圧整流回路4AとアノードAの間に直列接続されてオンオフ制御され、特に、オフ状態からオン状態となるときには、該高電圧スイッチ回路6の入力部と出力部が実質的に同じ電位とされる。したがって、高電圧スイッチ回路6がオン状態となるときに、当該回路6を流れる電流は極めて小さく、従来技術のような、大電流に対応させた半導体スイッチ半導体スイッチ回路は不要となる。すなわち、小電流に対応可能な半導体スイッチ半導体スイッチ回路で代用できるため、その構成が小規模になる上、消費電力も極めて小さくなる。また、従来技術のような、大電流が放電抵抗で繰り返し放電されることによる発熱もない。<2>X線パルスの照射終了後の管電圧の波尾は、インパルス電圧重畳回路7による高電圧伝送路SLへの急峻な負のインパルス電圧の供給によって瞬時に消去される。したがって、波尾長を従来と比べて短くすることができる。これにより、軟X線による患者の被曝低減が十分に実現されうる。ところで、図4AおよびBは、スイッチ手段5を使用しない場合と使用した場合の、管電圧の波形を比較したシミュレーション結果である。図4A’およびB’は、それぞれ図4AおよびBの波形の立ち上がり部分の拡大図である。図4のA’とB’を比較して明らかなように、スイッチ手段5を使用したX線パルス発生装置1では、それを使用しないものと比べて、管電圧の立ち上がりが緩やかになっている。これは、高電圧スイッチ回路6がオン状態となる直前に、高電圧伝送路SLにおいてスイッチ手段5のインパルス電圧重畳回路7から正のインパルス電圧が重畳されるからである。これによって、高電圧スイッチ回路6の各半導体スイッチSw1~Swnに流れる電流は小さなものなり、当該各半導体スイッチSw1~Swnが保護される。また、図4のAとBを比較して明らかなように、スイッチ手段5を使用したX線パルス発生装置1では、それを使用しないものと比べて、波尾長が大きく短縮されていることがわかる。これは、高電圧スイッチ回路6がオフ状態となると同時に、高電圧伝送路SLにおいてスイッチ手段5のインパルス電圧重畳回路7から負のインパルス電圧が重畳されるからである。このように、本発明のX線パルス発生装置1においても、従来技術とは全く異なる原理および構成の高電圧スイッチ回路で、波尾消去機能を実現することができる。<3>このX線パルス発生装置1では、高電圧スイッチ回路6がオフ状態となっても、コッククロフトウォルトン回路4Aが上記の電圧保持機能を有する。したがって、従来技術のように、X線パルスの照射毎に高電圧ケーブルのコンデンサの初期充電を繰り返す必要はなく、非常に効率が良い。また、従来技術のような、初期充電に必要な励磁電流を高電圧トランスから逐次供給する必要もないため、例えばX線パルス照射による100枚の投影画像を取得する場合においては、極めて省電力化の効果は大きくなる。以上、本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明の構成はこれらの実施形態に限定されるものではない。上記実施例で説明した、インバータ2、高電圧トランス3、昇圧整流回路4A、4B、およびスイッチ手段5等の各構成はいずれも一例にすぎない。コッククロフトウォルトン回路4A、4Bは3段構成としたが、これに限定されるものではなく、所定の直流高電圧が得られるように任意の段数構成としてもよい。インパルス電圧印加用スイッチ回路8に入力される直流電圧VIは、コッククロフトウォルトン回路4Aからではなく公知の直流電源から得るようにしてもよい。また、インパルス電圧印加用スイッチ回路8における半導体スイッチ回路の段数や昇圧パルストランスCPTRの増幅率は、適宜決定されうる。例えば、直流電圧VIとしてコッククロフトウォルトン回路4Aの最終段から得られるような直流高電圧を扱う場合には、耐圧を考慮して半導体スイッチ回路の段数を増加させ、昇圧パルストランスCPTRの増幅率を減らすようにすればよい。さらに、インパルス電圧印加用スイッチ回路8において、2段構成の半導体スイッチ回路からなる高電圧スイッチ回路を使用したが、これに限定されるものではなく、インパルス電圧を印加制御可能な公知のスイッチ回路が使用されても良い。インパルス電圧極性切り替え回路9は、2つのスイッチ素子9a、9bから構成されているが、これに限定されるものではなく、例えば、昇圧パルストランスCPTRに中間タップを設けて1つのスイッチで正および負の極性を切り替えられるような回路や、その他の公知の極性切り替え回路が使用されてもよい。また、インパルス電圧極性切り替え回路9の出力は、コンデンサ結合によって高電圧伝送路SLに供給される構成としたが、これに限定されるものではなく、トランス結合によって高電圧伝送路SLに供給されるように構成されてもよい。"