"バインダー樹脂A、感放射線化合物B、フェノール化合物C、溶剤D、架橋剤Eを含有してなり、前記感放射線化合物Bとフェノール化合物Cの割合が、重量比で、感放射線化合物B/フェノール化合物C=1~10である永久膜用樹脂組成物であって、該樹脂組成物からなる樹脂膜を形成し、該樹脂膜のうち一部を除去し、残部をパターン化膜として残存させることにより得られる永久膜を形成するための永久膜用樹脂組成物。前記溶剤Dが、常圧下で180°C~240°Cの沸点を有する高沸点溶剤を含有することを特徴とする請求項1に記載の永久膜用樹脂組成物。前記バインダー樹脂Aは、酸価が50~70mgKOH/gであり、かつ、プロトン性極性基を含有する樹脂であることを特徴とする請求項1又は2に記載の永久膜用樹脂組成物。請求項1~3のいずれかに記載の永久膜用樹脂組成物からなる樹脂膜を形成し、該樹脂膜のうち一部を除去した後に、架橋反応させることにより得られる永久膜。請求項4に記載の永久膜を備える電子部品。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、各種電子部品に備えられる永久膜を形成するために用いられる永久膜用樹脂組成物において、放射線に対する感度が高く、アルカリ水溶液で現像が可能であり、現像によるパターン形成性に優れ、しかも、平坦性及び表面状態に優れた永久膜を与えることのできる永久膜用樹脂組成物、及びこのような永久膜用樹脂組成物を用いて得られる永久膜及び電子部品を提供することを目的とする。本発明者等は、上記目的を達成するために鋭意研究した結果、バインダー樹脂に、感放射線化合物、フェノール化合物、溶剤、及び架橋剤を配合するとともに、感放射線化合物にフェノール化合物との配合割合を所定の範囲に制御することにより、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。すなわち、本発明によれば、バインダー樹脂A、感放射線化合物B、フェノール化合物C、溶剤D、架橋剤Eを含有してなり、前記感放射線化合物Bとフェノール化合物Cの割合が、重量比で、感放射線化合物B/フェノール化合物C=1~10である永久膜用樹脂組成物であって、該樹脂組成物からなる樹脂膜を形成し、該樹脂膜のうち一部を除去し、残部をパターン化膜として残存させることにより得られる永久膜を形成するための永久膜用樹脂組成物が提供される。好ましくは、前記溶剤Dが、常圧下で180°C~240°Cの沸点を有する高沸点溶剤を含有するものである。好ましくは、前記バインダー樹脂Aは、酸価が50~70mgKOH/gであり、かつ、プロトン性極性基を含有する樹脂である。また、本発明によれば、上記いずれかの永久膜用樹脂組成物からなる樹脂膜を形成し、該樹脂膜のうち一部を除去した後に、架橋反応させることにより得られる永久膜が提供される。さらに、本発明によれば、上記永久膜を備える電子部品が提供される。本発明によれば、放射線に対する感度が高く、現像によるパターン形成性に優れ、しかも、平坦性及び表面状態に優れた永久膜を与えることのできる永久膜用樹脂組成物、及びこのような永久膜用樹脂組成物を用いて得られる永久膜及び電子部品を提供することができる。本発明の永久膜用樹脂組成物は、バインダー樹脂A、感放射線化合物B、フェノール化合物C、溶剤D、架橋剤Eを含有してなり、前記感放射線化合物Bとフェノール化合物Cの割合が、重量比で、感放射線化合物B/フェノール化合物C=1~10であり、永久膜を形成するための組成物である。バインダー樹脂A本発明で用いるバインダー樹脂Aとしては、特に限定されないが、プロトン性極性基を有する環状オレフィン重合体A1、アクリル樹脂A2、ポリイミドA3、ポリシロキサンA4であることが好ましく、これらの中でも、プロトン性極性基を有するものが好ましく、プロトン性極性基を有する環状オレフィン重合体A1が特に好ましい。これらのバインダー樹脂Aは、それぞれ単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。プロトン性極性基を有する環状オレフィン重合体A1以下、単に環状オレフィン重合体A1とする。としては、1又は2以上の環状オレフィン単量体の重合体、又は、1又は2以上の環状オレフィン単量体と、これと共重合可能な単量体との共重合体が挙げられるが、本発明においては、環状オレフィン重合体A1を形成するための単量体として、少なくともプロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体aを用いることが好ましい。ここで、プロトン性極性基とは、周期律表第15族又は第16族に属する原子に水素原子が直接結合している原子を含む基をいう。周期律表第15族又は第16族に属する原子のなかでも、周期律表第15族又は第16族の第1又は第2周期に属する原子が好ましく、より好ましくは酸素原子、窒素原子又は硫黄原子であり、特に好ましくは酸素原子である。このようなプロトン性極性基の具体例としては、水酸基、カルボキシ基ヒドロキシカルボニル基、スルホン酸基、リン酸基等の酸素原子を有する極性基;第一級アミノ基、第二級アミノ基、第一級アミド基、第二級アミド基イミド基等の窒素原子を有する極性基;チオール基等の硫黄原子を有する極性基;等が挙げられる。これらの中でも、酸素原子を有するものが好ましく、より好ましくはカルボキシ基である。本発明において、プロトン性極性基を有する環状オレフィン樹脂に結合しているプロトン性極性基の数に特に限定はなく、また、相異なる種類のプロトン性極性基が含まれていてもよい。プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体a以下、適宜、単量体aという。の具体例としては、2-ヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-メチル-2-ヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-カルボキシメチル-2-ヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-2-メトキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-2-エトキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-2-プロポキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-2-ブトキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-2-ペンチルオキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-2-ヘキシルオキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-2-シクロヘキシルオキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-2-フェノキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-2-ナフチルオキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-2-ビフェニルオキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-2-ベンジルオキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-2-ヒドロキシエトキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2,3-ジヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-3-メトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-3-エトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-3-プロポキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-3-ブトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-3-ペンチルオキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-3-ヘキシルオキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-3-シクロヘキシルオキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-3-フェノキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-3-ナフチルオキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-3-ビフェニルオキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-3-ベンジルオキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-3-ヒドロキシエトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-3-ヒドロキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、3-メチル-2-ヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、3-ヒドロキシメチル-2-ヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニルトリシクロ[5.2.1.02,6]デカ-3,8-ジエン、4-ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-メチル-4-ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4,5-ジヒドロキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-カルボキシメチル-4-ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、N-ヒドロキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ヒドロキシカルボニルエチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ヒドロキシカルボニルペンチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ジヒドロキシカルボニルエチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ジヒドロキシカルボニルプロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ヒドロキシカルボニルフェネチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-4-ヒドロキシフェニル-1-ヒドロキシカルボニルエチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ヒドロキシカルボニルフェニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド等のカルボキシ基含有環状オレフィン;2-4-ヒドロキシフェニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-メチル-2-4-ヒドロキシフェニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、4-4-ヒドロキシフェニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-メチル-4-4-ヒドロキシフェニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、2-ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシエチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-メチル-2-ヒドロキシメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2,3-ジヒドロキシメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシエトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-メチル-2-ヒドロキシエトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-1-ヒドロキシ-1-トリフルオロメチル-2,2,2-トリフルオロエチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-2-ヒドロキシ-2-トリフルオロメチル-3,3,3-トリフルオロプロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、3-ヒドロキシトリシクロ[5.2.1.02,6]デカ-4,8-ジエン、3-ヒドロキシメチルトリシクロ[5.2.1.02,6]デカ-4,8-ジエン、4-ヒドロキシテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-ヒドロキシメチルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4,5-ジヒドロキシメチルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-ヒドロキシエトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-メチル-4-ヒドロキシエトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、N-ヒドロキシエチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ヒドロキシフェニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、等の水酸基含有環状オレフィン等が挙げられる。これらのなかでも、得られる永久膜の密着性が高くなるという点より、カルボキシ基含有環状オレフィンが好ましく、4-ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エンが特に好ましい。これら単量体aは、それぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。環状オレフィン重合体A1中における、単量体aの単位の含有割合は、全単量体単位に対して、好ましくは10~90モル、より好ましくは40~70モル、さらに好ましくは50~60モルである。単量体aの単位の含有割合を上記範囲とすることにより、感放射線性を十分なものとすることができ、さらには、現像時における溶解残渣の発生を有効に抑制することができる。また、本発明で用いる環状オレフィン重合体A1は、プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体aと、これと共重合可能な単量体bとを共重合して得られる共重合体であってもよい。このような共重合可能な単量体としては、プロトン性極性基以外の極性基を有する環状オレフィン単量体b1、極性基を持たない環状オレフィン単量体b2、及び環状オレフィン以外の単量体b3以下、適宜、単量体b1、単量体b2、単量体b3という。が挙げられる。プロトン性極性基以外の極性基を有する環状オレフィン単量体b1としては、たとえば、N-置換イミド基、エステル基、シアノ基、酸無水物基又はハロゲン原子を有する環状オレフィンが挙げられる。N-置換イミド基を有する環状オレフィンとしては、たとえば、下記式1で表される単量体、又は下記式2で表される単量体が挙げられる。上記式1中、R1は水素原子もしくは炭素数1~16のアルキル基又はアリール基を表す。nは1ないし2の整数を表す。上記式2中、R2は炭素数1~3の2価のアルキレン基、R3は、炭素数1~10の1価のアルキル基、又は、炭素数1~10の1価のハロゲン化アルキル基を表す。上記式1中において、R1は炭素数1~16のアルキル基又はアリール基であり、アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基、n-トリデシル基、n-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、n-ヘキサデシル基等の直鎖アルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、シクロウンデシル基、シクロドデシル基、ノルボルニル基、ボルニル基、イソボルニル基、デカヒドロナフチル基、トリシクロデカニル基、アダマンチル基等の環状アルキル基;2-プロピル基、2-ブチル基、2-メチル-1-プロピル基、2-メチル-2-プロピル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、1-メチルペンチル基、1-エチルブチル基、2-メチルヘキシル基、2-エチルヘキシル基、4-メチルヘプチル基、1-メチルノニル基、1-メチルトリデシル基、1-メチルテトラデシル基などの分岐状アルキル基;などが挙げられる。また、アリール基の具体例としては、ベンジル基などが挙げられる。これらの中でも、耐熱性及び極性溶剤への溶解性により優れることから、炭素数6~14のアルキル基及びアリール基が好ましく、炭素数6~10のアルキル基及びアリール基がより好ましい。炭素数が4以下であると極性溶剤への溶解性に劣り、炭素数が17以上であると耐熱性に劣り、さらに樹脂膜をパターン化した場合に、熱により溶融しパターンを消失してしまうという問題がある。上記式1で表される単量体の具体例としては、ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-フェニル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ブチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-シクロヘキシルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-アダマンチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-1-メチルブチル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-メチルブチル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-1-メチルペンチル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-メチルペンチル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-1-エチルブチル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-エチルブチル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-1-メチルヘキシル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-メチルヘキシル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-3-メチルヘキシル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-1-ブチルペンチル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-ブチルペンチル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-23-ジカルボキシイミド、N-1-メチルヘプチル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-メチルヘプチル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-3-メチルヘプチル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-4-メチルヘプチル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-1-エチルヘキシル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-エチルヘキシル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-3-エチルヘキシル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-1-プロピルペンチル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-プロピルペンチル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-1-メチルオクチル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-メチルオクチル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-3-メチルオクチル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-4-メチルオクチル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-1-エチルヘプチル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-エチルヘプチル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-3-エチルヘプチル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-4-エチルヘプチル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-1-プロピルヘキシル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-プロピルヘキシル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-3-プロピルヘキシル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-1-メチルノニル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-メチルノニル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-3-メチルノニル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-4-メチルノニル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-5-メチルノニル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-1-エチルオクチル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-エチルオクチル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-3-エチルオクチル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-4-エチルオクチル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-1-メチルデシル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-1-メチルドデシル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-1-メチルウンデシル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-1-メチルドデシル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-1-メチルトリデシル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-1-メチルテトラデシル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-1-メチルペンタデシル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-フェニル-テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン-4,5-ジカルボキシイミド、N-2,4-ジメトキシフェニル-テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン-4,5-ジカルボキシイミド等が挙げられる。なお、これらはそれぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。一方、上記式2において、R2は炭素数1~3の2価のアルキレン基であり、炭素数1~3の2価のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基及びイソプロピレン基が挙げられる。これらの中でも、重合活性が良好であるため、メチレン基及びエチレン基が好ましい。また、上記式2において、R3は、炭素数1~10の1価のアルキル基、又は、炭素数1~10の1価のハロゲン化アルキル基である。炭素数1~10の1価のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ヘキシル基及びシクロヘキシル基などが挙げられる。炭素数1~10の1価のハロゲン化アルキル基としては、例えば、フルオロメチル基、クロロメチル基、ブロモメチル基、ジフルオロメチル基、ジクロロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基及びパーフルオロペンチル基などが挙げられる。これら中でも、極性溶剤への溶解性に優れるため、R3としては、メチル基及びエチル基が好ましい。なお、上記式1、2で表される単量体は、たとえば、対応するアミンと、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物とのアミド化反応により得ることができる。また、得られた単量体は、アミド化反応の反応液を公知の方法で分離精製することにより効率よく単離できる。エステル基を有する環状オレフィンとしては、例えば、2-アセトキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-アセトキシメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-メトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-エトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-プロポキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ブトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-シクロヘキシルオキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-メチル-2-メトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-メチル-2-エトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-メチル-2-プロポキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-メチル-2-ブトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-メチル-2-シクロヘキシルオキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-2,2,2-トリフルオロエトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-メチル-2-2,2,2-トリフルオロエトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-メトキシカルボニルトリシクロ[5.2.1.02,6]デカ-8-エン、2-エトキシカルボニルトリシクロ[5.2.1.02,6]デカ-8-エン、2-プロポキシカルボニルトリシクロ[5.2.1.02,6]デカ-8-エン、4-アセトキシテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-メトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-エトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-プロポキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-ブトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-メチル-4-メトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-メチル-4-エトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-メチル-4-プロポキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-メチル-4-ブトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-2,2,2-トリフルオロエトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-メチル-4-2,2,2-トリフルオロエトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン等が挙げられる。シアノ基を有する環状オレフィンとしては、例えば、4-シアノテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-メチル-4-シアノテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4,5-ジシアノテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、2-シアノビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-メチル-2-シアノビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2,3-ジシアノビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、等が挙げられる。酸無水物基を有する環状オレフィンとしては、例えば、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン-4,5-ジカルボン酸無水物、ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボン酸無水物、2-カルボキシメチル-2-ヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン無水物、等が挙げられる。ハロゲン原子を有する環状オレフィンとしては、例えば、2-クロロビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-クロロメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-クロロフェニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、4-クロロテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-メチル-4-クロロテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン等が挙げられる。これら単量体b1は、それぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。極性基を持たない環状オレフィン単量体b2としては、ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-エンノルボルネンともいう。、5-エチル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-エン、5-ブチル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-エン、5-エチリデン-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-エン、5-メチリデン-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-エン、5-ビニル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-エン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカ-3,8-ジエン慣用名:ジシクロペンタジエン、テトラシクロ[10.2.1.02,11.04,9]ペンタデカ-4,6,8,13-テトラエン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-4-エンテトラシクロドデセンともいう。、9-メチル-テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-4-エン、9-エチル-テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-4-エン、9-メチリデン-テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-4-エン、9-エチリデン-テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-4-エン、9-ビニル-テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-4-エン、9-プロペニル-テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-4-エン、ペンタシクロ[9.2.1.13,9.02,10.04,8]ペンタデカ-5,12-ジエン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロペンタジエン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロオクタジエン、インデン、3a,5,6,7a-テトラヒドロ-4,7-メタノ-1H-インデン、9-フェニル-テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-4-エン、テトラシクロ[9.2.1.02,10.03,8]テトラデカ-3,5,7,12-テトラエン、ペンタシクロ[9.2.1.13,9.02,10.04,8]ペンタデカ-12-エン等が挙げられる。これら単量体b2は、それぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。環状オレフィン以外の単量体b3の具体例としては、エチレン;プロピレン、1-ブテン、1-ペンテン、1-ヘキセン、3-メチル-1-ブテン、3-メチル-1-ペンテン、3-エチル-1-ペンテン、4-メチル-1-ペンテン、4-メチル-1-ヘキセン、4,4-ジメチル-1-ヘキセン、4,4-ジメチル-1-ペンテン、4-エチル-1-ヘキセン、3-エチル-1-ヘキセン、1-オクテン、1-デセン、1-ドデセン、1-テトラデセン、1-ヘキサデセン、1-オクタデセン、1-エイコセン等の炭素数2~20のα-オレフィン;1,4-ヘキサジエン、4-メチル-1,4-ヘキサジエン、5-メチル-1,4-ヘキサジエン、1,7-オクタジエン等の非共役ジエン、及びこれらの誘導体;等が挙げられる。これらの中でも、α-オレフィン、特にエチレンが好ましい。これら単量体b3は、それぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。これら単量体b1~b3のなかでも、本発明の効果がより一層顕著となるという観点より、プロトン性極性基以外の極性基を有する環状オレフィン単量体b1が好ましく、N-置換イミド基を有する環状オレフィンが特に好ましい。環状オレフィン重合体A1中における、共重合可能な単量体bの単位の含有割合は、全単量体単位に対して、好ましくは10~90モル、より好ましくは30~60モル、さらに好ましくは40~50モルである。共重合可能な単量体bの単位の含有割合を上記範囲とすることで、環状オレフィン重合体A1の極性溶剤への溶解性を十分なものとしながら、感放射線性を向上させることができ、さらには、現像時における溶解残渣の発生を有効に抑制することができる。なお、本発明においては、プロトン性極性基を有しない環状オレフィン系重合体に、公知の変性剤を利用してプロトン性極性基を導入することで、環状オレフィン重合体A1としてもよい。プロトン性極性基を有しない重合体は、上述した単量体b1及びb2のうち少なくとも一種と、必要に応じて単量体b3とを任意に組み合わせて重合することによって得ることができる。プロトン性極性基を導入するための変性剤としては、通常、一分子内にプロトン性極性基と反応性の炭素-炭素不飽和結合とを有する化合物が用いられる。このような化合物の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、アンゲリカ酸、チグリン酸、オレイン酸、エライジン酸、エルカ酸、ブラシジン酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸、アトロパ酸、ケイ皮酸等の不飽和カルボン酸;アリルアルコール、メチルビニルメタノール、クロチルアルコール、メタリルアルコール、1-フェニルエテン-1-オール、2-プロペン-1-オール、3-ブテン-1-オール、3-ブテン-2-オール、3-メチル-3-ブテン-1-オール、3-メチル-2-ブテン-1-オール、2-メチル-3-ブテン-2-オール、2-メチル-3-ブテン-1-オール、4-ペンテン-1-オール、4-メチル-4-ぺンテン-1-オール、2-ヘキセン-1-オール等の不飽和アルコール;等が挙げられる。これら変性剤を用いた重合体の変性反応は、常法に従えばよく、通常、ラジカル発生剤の存在下で行われる。なお、本発明で用いる環状オレフィン重合体A1は、上述した単量体を開環重合させた開環重合体であってもよいし、あるいは、上述した単量体を付加重合させた付加重合体であってもよいが、本発明の効果がより一層顕著になるという点より、開環重合体であることが好ましい。開環重合体は、プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体a及び必要に応じて用いられる共重合可能な単量体bを、メタセシス反応触媒の存在下に開環メタセシス重合することにより製造することができる。製造方法としては、たとえば、国際公開第2010/110323号の[0039]~[0079]に記載されている方法等を用いることができる。本発明で用いる環状オレフィン重合体A1は、プロトン性極性基を有するものであるため、プロトン性極性基の作用により、エッチング工程の後に硬化反応を行うことにより得られる永久膜の各種特性たとえば、電気特性及び機械特性を良好なものとすることができる。特に、本発明においては、硬化反応後の永久膜の特性を特に良好なものとすることができるという点より、プロトン性極性基として水酸基、カルボキシ基ヒドロキシカルボニル基、又はスルホン酸基を有する環状オレフィン重合体A1を、エポキシ系、又はメラミン系の架橋剤Eと組み合わせて用いることが好ましい。本発明で使用するアクリル樹脂A2は、特に限定されないが、アクリル基を有するカルボン酸、アクリル基を有するカルボン酸無水物、又はエポキシ基含有アクリレート化合物及びオキセタン基含有アクリレート化合物から選ばれる少なくとも1つを必須成分とする単独重合体又は共重合体が好ましい。アクリル基を有するカルボン酸の具体例としては、メタアクリル酸アクリル酸及び/又はメタクリル酸の意。以下、メチルメタアクリレートなども同様。、クロトン酸、マイレン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、グルタコン酸、フタル酸モノ-2-メタアクリロイルオキシエチル、N-カルボキシフェニルマレイミド、N-カルボキシフェニルメタアクリルアミド等が挙げられる。アクリル基を有するカルボン酸無水物の具体例としては、無水マレイン酸、シトラコン酸無水物等が挙げられる。エポキシ基含有アクリレート化合物の具体例としては、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、α-エチルアクリル酸グリシジル、α-n-プロピルアクリル酸グリシジル、α-n-ブチルアクリル酸グリシジル、アクリル酸-3,4-エポキシブチル、メタクリル酸-3,4-エポキシブチル、アクリル酸-6,7-エポキシヘプチル、メタクリル酸-6,7-エポキシヘプチル、α-エチルアクリル酸-6,7-エポキシヘプチル、アクリル酸-3,4-エポキシシクロヘキシルメチル、メタクリル酸-3,4-エポキシシクロヘキシルメチル等が挙げられる。オキセタン基含有アクリレート化合物の具体例としては、メタアクリル酸3-メチルオキセタン-3-イルメチル、メタアクリル酸3-エチルオキセタン-3-イルメチル、メタアクリル酸3-メチルオキセタン-3-イルエチル、メタアクリル酸3-エチルオキセタン-3-イルエチル、メタアクリル酸3-クロロメチルオキセタン-3-イルメチル、メタアクリル酸オキセタン-2-イルメチル、メタアクリル酸2-メチルオキセタン-2-イルメチル、メタアクリル酸2-エチルオキセタン-2-イルメチル、1-メチル-1-オキセタニル-2-フェニル-3-メタアクリレート、1-メチル-1-オキセタニル-2-トリフロロメチル-3-メタアクリレート、及び1-メチル-1-オキセタニル-4-トリフロロメチル-2-メタアクリレート等が挙げられる。これらのうち、メタアクリル酸、無水マレイン酸、メタアクリル酸グリシジル、メタクリル酸-6,7-エポキシヘプチル等が好ましい。アクリル樹脂A2は、不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物及びエポキシ基含有不飽和化合物から選ばれる少なくとも一つと、その他のアクリレート系単量体又はアクリレート以外の共重合可能な単量体との共重合体であってもよい。その他のアクリレート系単量体としては、メチルメタアクリレート、エチルメタアクリレート、プロピルメタアクリレート、イソプロピルメタアクリレート、ブチルメタアクリレート、イソブチルメタアクリレート、t-ブチルメタアクリレート、アミルメタアクリレート、イソアミルメタアクリレート、ヘキシルメタアクリレート、ヘプチルメタアクリレート、オクチルメタアクリレート、イソオクチルメタアクリレート、エチルヘキシルメタアクリレート、ノニルメタアクリレート、デシルメタアクリレート、イソデシルメタアクリレート、ウンデシルメタアクリレート、ドデシルメタアクリレート、ラウリルメタアクリレート、ステアリルメタアクリレート、イソステアリルメタアクリレート等のアルキルメタアクリレート;ヒドロキシエチルメタアクリレート、2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、3-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、2-ヒドロキシブチルメタアクリレート、3-ヒドロキシブチルメタアクリレート、4-ヒドロキシブチルメタアクリレート等のヒドロキシアルキルメタアクリレート;フェノキシエチルメタアクリレート、2-ヒドロキシ-3-フェノキシプロピルメタアクリレート等のフェノキシアルキルメタアクリレート;2-メトキシエチルメタアクリレート、2-エトキシエチルメタアクリレート、2-プロポキシエチルメタアクリレート、2-ブトキシエチルメタアクリレート、2-メトキシブチルメタアクリレート等のアルコキシアルキルメタアクリレート;ポリエチレングリコールモノメタアクリレート、エトキシジエチレングリコールメタアクリレート、メトキシポリエチレングリコールメタアクリレート、フェノキシポリエチレングリコールメタアクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコールメタアクリレート、ポリプロピレングリコールモノメタアクリレート、メトキシポリプロピレングリコールメタアクリレート、エトキシポリプロピレングリコールメタアクリレート、ノニルフェノキシポリプロピレングリコールメタアクリレート等のポリアルキレングリコールメタアクリレート;シクロヘキシルメタアクリレート、2-メチルシクロヘキシルメタアクリレート、4-ブチルシクロヘキシルメタアクリレート、1-アダマンチルメタアクリレート、2-メチル-2-アダマンチルメタアクリレート、2-エチル-2-アダマンチルメタアクリレート、トリシクロ[5.2.1.026]デカン-8-イルメタアクリレート、トリシクロ[5.2.1.026]-3-デセン-8-イルメタアクリレート、トリシクロ[5.2.1.026]-3-デセン-9-イルメタアクリレート、ボルニルメタアクリレート、イソボルニルメタアクリレート等のシクロアルキルメタアクリレート;フェニルメタアクリレート、ナフチルメタアクリレート、ビフェニルメタアクリレート、ベンジルメタアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタアクリレート、5-テトラヒドロフルフリルオキシカルボニルペンチルメタアクリレート、メタアクリル酸ビニル、メタアクリル酸アリル、メタアクリル酸2-2-ビニルオキシエトキシエチル、2-[トリシクロ[5.2.1.026]デカン-8-イルオキシ]エチルメタアクリレート、2-[トリシクロ[5.2.1.026]-3-デセン-8-イルオキシ]エチルメタアクリレート、2-[トリシクロ[5.2.1.026]-3-デセン-9-イルオキシ]エチルメタアクリレート、γ-ブチロラクトンメタアクリレート、マレイミド、N-メチルマレイミド、N-エチルマレイミド、N-ブチルマレイミド、N-シクロヘキシルマレイミド、N-ベンジルマレイミド、N-フェニルマレイミド、N-2,6-ジエチルフェニルマレイミド、N-4-アセチルフェニルマレイミド、N-4-ヒドロキシフェニルマレイミド、N-4-アセトキシフェニルマレイミド、N-4-ジメチルアミノ-3,5-ジニトロフェニルマレイミド、N-1-アニリノナフチル-4マレイミド、N-[4-2-ベンズオキサゾリルフェニル]マレイミド、N-9-アクリジニルマレイミド等;が挙げられる。これらのなかでも、メチルメタアクリレート、ブチルメタアクリレート、シクロヘキシルメタアクリレート、2-メチルシクロヘキシルメタアクリレート、ベンジルメタアクリレート、トリシクロ[5.2.1.026]デカン-8-イルメタアクリレート、N-フェニルマレイミド及びN-シクロヘキシルマレイミド等が好ましい。アクリレート以外の共重合可能な単量体としては、上記アクリル基を有するカルボン酸、アクリル基を有するカルボン酸無水物又はエポキシ基含有アクリレート化合物と共重合可能な化合物ならば特に制限はないが、例えば、ビニルベンジルメチルエーテル、ビニルグリシジルエーテル、スチレン、α-メチルスチレン、ビニルトルエン、インデン、ビニルナフタレン、ビニルビフェニル、クロロスチレン、ブロモスチレン、クロロメチルスチレン、p-tert-ブトキシスチレン、p-ヒドロキシスチレン、p-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、p-アセトキシスチレン、p-カルボキシスチレン、4-ヒドロキシフェニルビニルケトン、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、メタアクリルアミド、1,2-エポキシ-4-ビニルシクロヘキサン、イソブテン、ノルボルネン、ブタジエン、イソプレン等のラジカル重合性化合物が挙げられる。これらの化合物は、それぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。上記単量体の重合方法は、常法に従えばよく、例えば、懸濁重合法,乳化重合法,溶液重合法等が採用される。本発明で用いるアクリル樹脂A2としては、エッチング工程の後に硬化反応を行うことにより得られる永久膜の各種特性たとえば、電気特性及び機械特性を良好なものとすることができるという点より、アクリル基を有するカルボン酸、又はアクリル基を有するカルボン酸無水物を必須成分とする重合体が好ましく、なかでも、硬化反応後の永久膜の特性を特に良好なものとすることができるという点より、アクリル樹脂A2として、メタアクリル酸、無水マレイン酸、メタアクリル酸グリシジル、メタクリル酸-6,7-エポキシヘプチルを必須成分とする重合体を、エポキシ系、又はメラミン系の架橋剤Eと組み合わせて用いることが好ましい。本発明で用いるポリイミドA3は、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを反応させて得たポリイミド前駆体を熱処理することで得ることができる。ポリイミドを得るための前駆体としては、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリイソイミド、ポリアミド酸スルホンアミド等が挙げられる。ポリイミドA3を得るための原料として使用できるテトラカルボン酸二無水物としては、具体的には、ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス3,4-ジカルボキシフェニルプロパン二無水物、2,2-ビス2,3-ジカルボキシフェニルプロパン二無水物、2,2-ビス[3-[3,4-ジカルボキシベンゾイルアミノ]-4-ヒドロキシフェニル]ヘキサフルオロプロパン二無水物、1,1-ビス3,4-ジカルボキシフェニルエタン二無水物、1,1-ビス2,3-ジカルボキシフェニルエタン二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルメタン二無水物、ビス2,3-ジカルボキシフェニルメタン二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルスルホン二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルエーテル二無水物、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,5,6-ピリジンテトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス3,4-ジカルボキシフェニルヘキサフルオロプロパン二無水物等の芳香族テトラカルボン酸二無水物や、1,2,3,4-ブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4-シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物等の脂肪族のテトラカルボン酸二無水物等を挙げることができる。これらのテトラカルボン酸二無水物は、単独又は2種以上を組み合わせて使用できる。ポリイミドA3を得るための原料として使用できるジアミンの具体的な例としては、3,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、3,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,4’-ジアミノジフェニルスルホン、4,4’-ジアミノジフェニルスルホン、3,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、1,4-ビス4-アミノフェノキシベンゼン、m-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、1,5-ナフタレンジアミン、2,6-ナフタレンジアミン、ビス4-アミノフェノキシフェニルスルホン、ビス3-アミノフェノキシフェニルスルホン、ビス4-アミノフェノキシビフェニル、ビス{4-4-アミノフェノキシフェニル}エーテル、1,4-ビス4-アミノフェノキシベンゼン、2,2’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、2,2’-ジエチル-4,4’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジエチル-4,4’-ジアミノビフェニル、2,2’,3,3’-テトラメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、3,3’,4,4’-テトラメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、2,2’-ジトリフルオロメチル-4,4’-ジアミノビフェニル;あるいはこれらの化合物の芳香族環にアルキル基やハロゲン原子で置換した化合物;脂肪族のシクロヘキシルジアミン、メチレンビスシクロヘキシルアミン、ビス[3-アミノプロピルジメチルシリル]エーテル;2,4-ジアミノ安息香酸、2,5-ジアミノ安息香酸、3,5-ジアミノ安息香酸、4,6-ジアミノ-1,3-ベンゼンジカルボン酸、2,5-ジアミノ-1,4-ベンゼンジカルボン酸、ビス4-アミノ-3-カルボキシフェニルエーテル、ビス4-アミノ-3,5-ジカルボキシフェニルエーテル、ビス4-アミノ-3-カルボキシフェニルスルホン、ビス4-アミノ-3,5-ジカルボキシフェニルスルホン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジカルボキシビフェニル、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジカルボキシ-5,5’-ジメチルビフェニル、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジカルボキシ-5,5’-ジメトキシビフェニル、1,4-ビス4-アミノ-3-カルボキシフェノキシベンゼン、1,3-ビス4-アミノ-3-カルボキシフェノキシベンゼン、ビス[4-4-アミノ-3-カルボキシフェノキシフェニル]スルホン、ビス[4-4-アミノ-3-カルボキシフェノキシフェニル]プロパン、2,2-ビス[4-4-アミノ-3-カルボキシフェノキシフェニル]ヘキサフルオロプロパン等のカルボキシル基を有するジアミン化合物;2,4-ジアミノフェノール、3,5-ジアミノフェノール、2,5-ジアミノフェノール、4,6-ジアミノレゾルシノール、2,5-ジアミノハイドロキノン、ビス3-アミノ-4-ヒドロキシフェニルエーテル、ビス4-アミノ-3-ヒドロキシフェニルエーテル、ビス4-アミノ-3,5-ジヒドロキシフェニルエーテル、ビス3-アミノ-4-ヒドロキシフェニルメタン、ビス4-アミノ-3-ヒドロキシフェニルメタン、ビス4-アミノ-3,5-ジヒドロキシフェニルメタン、ビス3-アミノ-4-ヒドロキシフェニルスルホン、ビス4-アミノ-3-ヒドロキシフェニルスルホン、ビス4-アミノ-3,5-ジヒドロキシフェニルスルホン、イソフタル酸ビス2-ヒドロキシ-5-アミノアニリド、2-4-アミノベンゾイルアミノ-4-アミノフェノール、2,2-ビス3-アミノ-4-ヒドロキシフェニルヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス4-アミノ-3-ヒドロキシフェニルヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス4-アミノ-3,5-ジヒドロキシフェニルヘキサフルオロプロパン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジヒドロキシビフェニル、4,4’-ジアミノ-3,3-ジヒドロキシ-5,5’-ジメチルビフェニル、4,4’-ジアミノ-3,3-ジヒドロキシ-5,5’-ジメトキシビフェニル、1,4-ビス3-アミノ-4-ヒドロキシフェノキシベンゼン、1,3-ビス3-アミノ-4-ヒドロキシフェノキシベンゼン、1,4-ビス4-アミノ-3-ヒドロキシフェノキシベンゼン、1,3-ビス4-アミノ-3-ヒドロキシフェノキシベンゼン、ビス[4-3-アミノ-4-ヒドロキシフェノキシフェニル]スルホン、ビス[4-3-アミノ-4-ヒドロキシフェノキシフェニル]プロパン、2,2-ビス[4-3-アミノ-4-ヒドロキシフェノキシフェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス[N-2-ヒドロキシ-5-アミノフェニルベンズアミド-4-イル]ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス[3-[3-アミノベンゾイルアミノ]-4-ヒドロキシフェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス[3-[4-アミノベンゾイルアミノ]-4-ヒドロキシフェニル]ヘキサフルオロプロパン等のフェノール性ヒドロキシ基を有するジアミン化合物;1,3-ジアミノ-4-メルカプトベンゼン、1,3-ジアミノ-5-メルカプトベンゼン、1,4-ジアミノ-2-メルカプトベンゼン、ビス4-アミノ-3-メルカプトフェニルエーテル、2,2-ビス3-アミノ-4-メルカプトフェニルヘキサフルオロプロパン等のチオフェノール基を有するジアミン化合物;1,3-ジアミノベンゼン-4-スルホン酸、1,3-ジアミノベンゼン-5-スルホン酸、1,4-ジアミノベンゼン-2-スルホン酸、ビス4-アミノベンゼン-3-スルホン酸エーテル、4,4’-ジアミノビフェニル3,3’-ジスルホン酸、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルビフェニル-6,6’-ジスルホン酸等のスルホン酸基を有するジアミン化合物;等が挙げられる。これらのジアミンは、単独又は2種以上を組み合わせて使用できる。本発明で用いるポリイミドA3は公知の方法によって合成される。すなわち、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを選択的に組み合わせ、これらをN-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホロトリアミド、γ-ブチロラクトン、シクロペンタノン等の極性溶媒中で反応させる等、公知の方法によって合成される。ジアミンを過剰に用いて重合した際、生成したポリイミドA3の末端アミノ基にカルボン酸無水物を反応させ、末端アミノ基を保護することができる。また、テトラカルボン酸無水物を過剰に用いて重合した際、生成したポリイミドA3の末端酸無水物基にアミン化合物を反応させ、末端酸無水物基を保護することもできる。このようなカルボン酸無水物の例としてはフタル酸無水物、トリメリット酸無水物、無水マレイン酸、ナフタル酸無水物、水素化フタル酸無水物、メチル-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物、無水イタコン酸、テトラヒドロフタル酸無水物等を、アミン化合物の例としてはアニリン、2-ヒドロキシアニリン、3-ヒドロキシアニリン、4-ヒドロキシアニリン、2-エチニルアニリン、3-エチニルアニリン、4-エチニルアニリン等を挙げることができる。本発明で用いるポリイミドA3としては、エッチング工程の後に硬化反応を行うことにより得られる永久膜の各種特性たとえば、電気特性及び機械特性を特に良好なものとすることができるという点より、ピロメリット酸二無水物とカルボキシル基を有するジアミン化合物とを反応させて得られるポリアミド酸を前駆体とし、これを熱処理したものを、エポキシ系、又はメラミン系の架橋剤Eと組み合わせて用いることが好ましい。本発明で用いるポリシロキサンA4としては、特に限定されないが、好ましくは下記式3で表されるオルガノシランの1種又は2種以上を混合、反応させることによって得られる重合体が挙げられる。R4m-Si-OR54-m3上記式3中、R4は水素原子、炭素数1~10のアルキル基、炭素数2~10のアルケニル基、又は炭素数6~15のアリール基であり、複数のR4はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。なお、これらのアルキル基、アルケニル基、アリール基はいずれも置換基を有していてもよく、また置換基を有していない無置換体であってもよく、組成物の特性に応じて選択できる。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基、n-ヘキシル基、n-デシル基、トリフルオロメチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、3,3,3-トリフルオロプロピル基、3-グリシドキシプロピル基、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチル基、3-アミノプロピル基、3-メルカプトプロピル基、3-イソシアネートプロピル基が挙げられる。アルケニル基の具体例としては、ビニル基、3-アクリロキシプロピル基、3-メタクリロキシプロピル基が挙げられる。アリール基の具体例としては、フェニル基、トリル基、p-ヒドロキシフェニル基、1-p-ヒドロキシフェニルエチル基、2-p-ヒドロキシフェニルエチル基、4-ヒドロキシ-5-p-ヒドロキシフェニルカルボニルオキシペンチル基、ナフチル基が挙げられる。また、上記式3中、R5は水素原子、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアシル基、又は炭素数6~15のアリール基であり、複数のR7はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。なお、これらのアルキル基、アシル基はいずれも置換基を有していてもよく、また置換基を有していない無置換体であってもよく、組成物の特性に応じて選択できる。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基が挙げられる。アシル基の具体例としては、アセチル基が挙げられる。アリール基の具体例としてはフェニル基が挙げられる。さらに、上記式3中、mは0~3の整数であり、m=0の場合は4官能性シラン、m=1の場合は3官能性シラン、m=2の場合は2官能性シラン、m=3の場合は1官能性シランとなる。上記式3で表されるオルガノシランの具体例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラアセトキシシラン、テトラフェノキシシランなどの4官能性シラン;メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、メチルトリn-ブトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリn-ブトキシシラン、n-プロピルトリメトキシシラン、n-プロピルトリエトキシシラン、n-ブチルトリメトキシシラン、n-ブチルトリエトキシシラン、n-へキシルトリメトキシシラン、n-へキシルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3-アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、p-ヒドロキシフェニルトリメトキシシラン、1-p-ヒドロキシフェニルエチルトリメトキシシラン、2-p-ヒドロキシフェニルエチルトリメトキシシラン、4-ヒドロキシ-5-p-ヒドロキシフェニルカルボニルオキシペンチルトリメトキシシラン、トリフルオロメチルトリメトキシシラン、トリフルオロメチルトリエトキシシラン、3,3,3-トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシランなどの3官能性シラン;ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジアセトキシシラン、ジn-ブチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシランなどの2官能性シラン;トリメチルメトキシシラン、トリn-ブチルエトキシシランなどの1官能性シラン;が挙げられる。これらのオルガノシランのうち、得られる樹脂膜の耐クラック性や硬度の点から3官能性シランが好ましく用いられる。これらのオルガノシランは単独で使用しても、2種以上を組み合わせて使用してもよい。本発明で用いるポリシロキサンA4は、上述のオルガノシランを加水分解及び部分縮合させることにより得られる。加水分解及び部分縮合には一般的な方法を用いることができる。例えば、混合物に溶媒、水、必要に応じて触媒を添加し、加熱攪拌する。攪拌中、必要に応じて蒸留によって加水分解副生物メタノールなどのアルコールや縮合副生物水を留去してもよい。本発明で用いるポリシロキサンA4としては、エッチング工程の後に硬化反応を行うことにより得られる永久膜の各種特性たとえば、電気特性及び機械特性を特に良好なものとすることができるという点より、R6、R7がメチル基、エチル基又はビニル基であるものを、エポキシ系、又はメラミン系の架橋剤Eと組み合わせて用いることが好ましい。本発明で使用されるバインダー樹脂Aの重量平均分子量Mwは、通常、1,000~1,000,000、好ましくは1,500~100,000、より好ましくは2,000~10,000の範囲である。また、バインダー樹脂Aの分子量分布は、重量平均分子量/数平均分子量Mw/Mn比で、通常、4以下、好ましくは3以下、より好ましくは2.5以下である。バインダー樹脂Aの重量平均分子量Mwや分子量分布Mw/Mnは、テトラヒドロフラン等の溶媒を溶離液としたゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCにより、ポリスチレン換算値として求められる値である。また、バインダー樹脂Aとしては、酸価が、50~70mgKOH/gのものが好ましく、55~65mgKOH/gのものがより好ましい。ここで、酸価とはバインダー樹脂A中の酸性成分の全量の含有割合を意味する。酸価が低すぎると、アルカリ水溶液からなる現像液に溶解しにくくなり、現像によるパターン形成が困難となる場合がある。一方、酸価が高すぎると、アルカリ水溶液からなる現像液に溶解しすぎるため、現像後のパターンが細くなりすぎてしまい、正常なパターン形成が困難となる場合がある。また、露光部と未露光部の区別なく現像液によりパターンが溶解したり剥離してしまうおそれもある。感放射線化合物B本発明で用いる感放射線化合物Bは、紫外線や電子線等の放射線の照射により、化学反応を引き起こすことのできる化合物である。本発明において感放射線化合物Bは、本発明の永久膜用樹脂組成物により形成される樹脂膜のアルカリ溶解性を制御できるものが好ましく、特に、光酸発生剤を使用することが好ましい。このような感放射線化合物Bとしては、例えば、アセトフェノン化合物、トリアリールスルホニウム塩、キノンジアジド化合物等のアジド化合物等が挙げられるが、アジド化合物が好ましく、キノンジアジド化合物が特に好ましい。キノンジアジド化合物としては、たとえば、キノンジアジドスルホン酸ハライドとフェノール性水酸基を有する化合物とのエステル化合物を用いることができる。キノンジアジドスルホン酸ハライドの具体例としては、1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸クロライド別名:6-ジアゾ-5,6-ジヒドロ-5-オキソ-ナフタレン-1-スルホン酸クロライド、1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸クロライド、1,2-ベンゾキノンジアジド-5-スルホン酸クロライド等が挙げられる。フェノール性水酸基を有する化合物の代表例としては、1,1,3-トリス2,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル-3-フェニルプロパン、4,4’-[1-[4-[1-[4-ヒドロキシフェニル]-1-メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール等が挙げられる。これら以外のフェノール性水酸基を有する化合物としては、2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、2-ビス4-ヒドロキシフェニルプロパン、トリス4-ヒドロキシフェニルメタン、1,1,1-トリス4-ヒドロキシ-3-メチルフェニルエタン、1,1,2,2-テトラキス4-ヒドロキシフェニルエタン、ノボラック樹脂のオリゴマー、フェノール性水酸基を1つ以上有する化合物とジシクロペンタジエンとを共重合して得られるオリゴマー等が挙げられる。また、光酸発生剤としては、キノンジアジド化合物の他、オニウム塩、ハロゲン化有機化合物、α,α’-ビススルホニルジアゾメタン系化合物、α-カルボニル-α’-スルホニルジアゾメタン系化合物、スルホン化合物、有機酸エステル化合物、有機酸アミド化合物、有機酸イミド化合物等、公知のものを用いることができる。これらの感放射線化合物は、それぞれ単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。本発明の永久膜用樹脂組成物中における感放射線化合物Bの含有量は、バインダー樹脂A100重量部に対して、好ましくは20~100重量部であり、より好ましくは25~70重量部、さらに好ましくは30~50重量部である。感放射線化合物Bの含有量がこの範囲にあれば、永久膜用樹脂組成物からなる樹脂膜の放射線感度を高くすることでき、これにより、該樹脂膜をパターン化する際に、放射線照射部露光部と放射線未照射部未露光部との現像液への溶解度差溶解性のコントラストを大きくすることができ、現像によるパターン化を容易にすることができる。フェノール化合物C本発明で用いるフェノール化合物Cは、フォトレジスト用の現像液として一般的に用いられる水酸化テトラメチルアンモニウムTMAHなどのアルカリ性水溶液により容易に溶解可能であり、かつ、本発明の永久膜用樹脂組成物を用いて樹脂膜を形成し、これに放射線照射により露光した際に、露光部の現像液に対する溶解力を増大させる作用を奏する化合物である。そのため、本発明においては、本発明の永久膜用樹脂組成物に、フェノール化合物Cを含有させることにより、放射線照射による露光部と未露光部との溶解度差溶解性のコントラストを効率的に大きくすることが可能となる。本発明においては、フェノール化合物Cを含有させることにより、露光部と未露光部との溶解度差を大きなものとすることにより、露光部は現像液に溶解し易くなる一方で、未露光部は現像液に溶解し難くなるため、露光及び現像による、パターニング性を良好なものとすることができ、得られるパターンの精度を向上させることができる。特に、本発明においては、フェノール化合物Cを含有させることにより、パターン形成のための放射線照射による露光により、露光部において発生した酸が、現像時に、フェノール化合物Cの脱アセタール化脱保護反応に作用することで、露光部の現像液への溶解力が増大することとなる。その一方で、非露光部においては、酸が発生しないため、フェノール化合物Cによる溶解力の増大は発現しないこととなり、そのため、本発明においては、これらの結果として、露光部と未露光部との溶解度差が大きなものとなる。加えて、フェノール化合物Cを含有させることにより、フェノール化合物Cを用いない場合と比較して、現像液に対する溶解速度を約1.1~2倍程度速くすることができるため、現像工程に係る時間を短縮することも可能となる。また、現像工程に係る時間を短縮できることにより、生産性の向上が可能となる他、未露光部の現像液との接触時間を短くすることができるため、これにより、得られるパターンの精度のさらなる向上が可能となる。本発明で用いるフェノール化合物Cとしては、フェノール基を分子中に含有する化合物であればよく、特に限定されないが、たとえば、4-ヒドロキシ-γ-4-ヒドロキシフェニル-γ-メチルベンゼンブタン酸、4,4‘-[1-[4-[1-4-ヒドロキシフェニル-1-メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール、ポリビニルフェノール、フェノール樹脂等が挙げられる。また、フェノール樹脂としては、フェノールとホルムアルデヒドとを酸性触媒を用いて脱水縮合することにより得られるものなどが挙げられ、好ましくは、重量平均分子量Mwが、1000以下である。フェノール化合物Cの含有量は、感放射線化合物Bの含有量に対して、感放射線化合物B/フェノール化合物Cの重量比で、1~10の範囲となるような量であり、好ましくは1.5~9の範囲、より好ましくは2~8の範囲である。本発明においては、樹脂組成物に、上述した感放射線化合物Bと、フェノール化合物Cとを配合し、これらの割合を上記範囲とすることにより、現像時の溶解速度や溶解量等を精密に制御することができ、これにより、放射線に対する感度が高く、アルカリ水溶液で現像が可能であり、現像によるパターン形成性に優れたものとすることができ、さらに、得られる永久膜を、平坦性が高く、かつ、表面状態が良好なものとすることが可能となる。感放射線化合物B/フェノール化合物Cの重量比が1未満であると、すなわち、フェノール化合物Cの含有量が少な過ぎると、フェノール化合物Cの添加による露光部の溶解力の増大効果が不十分となり、現像残渣が生じてしまう。一方、感放射線化合物B/フェノール化合物Cの重量比が10を超えると、すなわち、フェノール化合物Cの含有量が多過ぎると、現像時に溶解しすぎてしまい、現像前の樹脂膜に対する現像後の樹脂膜の厚みの比率、すなわち、残膜率が悪化してしまう。また、露光、現像後のパターン形状が矩形性に劣るものとなったり、露光後や現像時、現像後の乾燥時、ポストベーク時等にクラック、しわ、表面割れ等が生じてしまう場合もある。溶剤D本発明で用いる溶剤Dとしては、特に限定されず、樹脂組成物の溶剤として公知のもの、例えばアセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、2-ヘキサノン、3-ヘキサノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、2-オクタノン、3-オクタノン、4-オクタノンなどの直鎖のケトン類;n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、シクロヘキサノールなどのアルコール類;エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジオキサンなどのエーテル類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどのアルコールエーテル類;ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、酪酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチルなどのエステル類;セロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテートなどのセロソルブエステル類;プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルなどのプロピレングリコール類;ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテルなどのジエチレングリコール類;γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、γ-カプロラクトン、γ-カプリロラクトンなどの飽和γ-ラクトン類;トリクロロエチレンなどのハロゲン化炭化水素類;トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類;ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、N-メチルアセトアミドなどの極性溶媒などが挙げられる。これらの溶剤Dは、単独でも2種以上を組み合わせて用いてもよい。溶剤の含有量は、バインダー樹脂A100重量部に対して、好ましくは10~10,000重量部、より好ましくは50~5,000重量部、さらに好ましくは100~1,000重量部の範囲である。なお、溶剤Dは、通常、樹脂膜形成後に除去されることとなる。また、本発明に用いられる有機溶剤Dとしては、永久膜用樹脂組成物における各構成成分前記及び後述が溶解し易く、該樹脂組成物が塗布性に優れるという観点より、上述した溶剤に、常圧下における沸点が180°C~240°Cの範囲の高沸点溶剤を組み合わせてなる複合溶剤が好ましく、なかでも、ジエチレングリコールモノメチルエーテルと、このような高沸点溶剤とを組み合わせなるものが特に好ましい。なお、このような高沸点溶剤としては、バインダー樹脂A及び感放射線化合物Bを溶解する溶剤であれば特に制限はなく、たとえば、アルキレングリコール系溶剤、エステル系溶剤、炭化水素系溶剤、アミド系溶剤などを挙げることができる。以下、高沸点溶剤の具体例を挙げるが、以下においては、各化合物の常圧下における沸点をカッコ内に示した。アルキレングリコール系溶剤としては、例えば、ジエチレングリコールモノエチルエーテル202°C、ジエチレングリコールモノブチルエーテル230°Cなどのジエチレングリコールモノアルキルエーテル;ジエチレングリコールジエチルエーテル189°C、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル212°Cなどのジエチレングリコールジアルキルエーテル;ジプロピレングリコールモノメチルエーテル190°Cなどのプロピレングリコールアルキルエーテル;エチレングリコール197.3°Cエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート188°Cなどのエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート;エチレングリコール197.3°C;などを挙げることができる。エステル系溶剤としては、例えば、γブチロラクトン204°Cなどを挙げることができる。炭化水素系溶剤としては、例えば、デカリン194°C、1-クロロオクタン182°C、4-エチルシクロヘキサン194°C、ブチルベンゼン183°Cなどの芳香族炭化水素などを挙げることができる。アミド系溶剤としては、例えば、N-メチルピロリドン202°Cなどを挙げることができる。また、上記以外に、ジメチルスルホキシド189°C等も挙げることができる。これら高沸点溶剤は、単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。有機溶剤Dとして、ジエチレングリコールモノメチルエーテルと、高沸点溶剤とを組み合わせて用いる場合における、これらの比率は、ジエチレングリコールモノメチルエーテル:高沸点溶剤の重量比で、6:4~9.5:0.5とすることが好ましい。これらの比率を上記範囲とすることで、各種特性を良好に保ちながら、永久膜用樹脂組成物の塗布性を向上させることができる。架橋剤E本発明で用いる架橋剤Eは、加熱により架橋剤分子間に架橋構造を形成するものや、バインダー樹脂Aと反応して樹脂分子間に架橋構造を形成するものであり、具体的には、2以上の反応性基を有する化合物が挙げられる。このような反応性基としては、例えば、アミノ基、カルボキシ基、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基が挙げられ、より好ましくはアミノ基、エポキシ基及びイソシアネート基であり、アミノ基及びエポキシ基が特に好ましい。架橋剤Eの分子量は、特に限定されないが、通常、100~100,000、好ましくは300~50,000、より好ましくは500~10,000である。架橋剤は、それぞれ単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。架橋剤Eの具体例としては、ヘキサメチレンジアミン等の脂肪族ポリアミン類;4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、ジアミノジフェニルスルフォン等の芳香族ポリアミン類;2,6-ビス4’-アジドベンザルシクロヘキサノン、4,4’-ジアジドジフェニルスルフォン等のアジド類;ナイロン、ポリヘキサメチレンジアミンテレレフタルアミド、ポリヘキサメチレンイソフタルアミド等のポリアミド類;N,N,N’,N’,N’’,N’’-ヘキサアルコキシアルキルメラミン等のメチロール基やイミノ基等を有していてもよいメラミン類商品名サイメル303、サイメル325、サイメル370、サイメル232、サイメル235、サイメル272、サイメル212、マイコート506{以上、サイテックインダストリーズ社製}等のサイメルシリーズ、マイコートシリーズ;N,N’,N’’,N’’’-テトラアルコキシアルキルグリコールウリル等のメチロール基やイミノ基等を有していてもよいグリコールウリル類商品名サイメル1170{以上、サイテックインダストリーズ社製}等のサイメルシリーズ;エチレングリコールジメタアクリレート等のアクリレート化合物;ヘキサメチレンジイソシアネート系ポリイソシアネート、イソホロンジイソシアネート系ポリイソシアネート、トリレンジイソシアネート系ポリイソシアネート、水添ジフェニルメタンジイソシアネート等のイソシアネート系化合物;1,4-ジ-ヒドロキシメチルシクロヘキサン、1,4-ジ-ヒドロキシメチルノルボルナン;1,3,4-トリヒドロキシシクロヘキサン;ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ポリフェノール型エポキシ樹脂、環状脂肪族エポキシ樹脂、脂肪族グリシジルエーテル、エポキシアクリレート重合体等のエポキシ化合物;を挙げることができる。エポキシ化合物の具体例としては、ジシクロペンタジエンを骨格とする3官能性のエポキシ化合物商品名XD-1000、日本化薬社製、2,2-ビスヒドロキシメチル1-ブタノールの1,2-エポキシ-4-2-オキシラニルシクロヘキサン付加物シクロヘキサン骨格及び末端エポキシ基を有する15官能性の脂環式エポキシ樹脂、商品名EHPE3150、ダイセル化学工業社製、エポキシ化3-シクロヘキセン-1,2-ジカルボン酸ビス3-シクロヘキセニルメチル修飾ε-カプロラクトン脂肪族環状3官能性のエポキシ樹脂、商品名エポリードGT301、ダイセル化学工業社製、エポキシ化ブタンテトラカルボン酸テトラキス3-シクロヘキセニルメチル修飾ε-カプロラクトン脂肪族環状4官能性のエポキシ樹脂、商品名エポリードGT401、ダイセル化学工業社製、3,4-エポキシシクロヘキセニルメチル-3’,4’-エポキシシクロヘキセンカルボキシレート商品名セロキサイド2021、ダイセル化学工業社製、1,2:8,9-ジエポキシリモネン商品名セロキサイド3000、ダイセル化学工業社製、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン商品名Z-6043、東レダウコーニング社製等の脂環構造を有するエポキシ化合物;芳香族アミン型多官能エポキシ化合物商品名H-434、東都化成工業社製、イソシアヌル酸トリス2,3-エポキシプロピルトリアジン骨格を有する多官能エポキシ化合物、商品名TEPIC、日産化学工業社製、クレゾールノボラック型多官能エポキシ化合物商品名EOCN-1020、日本化薬社製、フェノールノボラック型多官能エポキシ化合物エピコート152、154、ジャパンエポキシレジン社製、ナフタレン骨格を有する多官能エポキシ化合物商品名EXA-4700、DIC株式会社製、鎖状アルキル多官能エポキシ化合物商品名SR-TMP、阪本薬品工業株式会社製、多官能エポキシポリブタジエン商品名エポリードPB3600、ダイセル化学工業社製、グリセリンのグリシジルポリエーテル化合物商品名SR-GLG、阪本薬品工業株式会社製、ジグリセリンポリグリシジルエーテル化合物商品名SR-DGE、阪本薬品工業株式会社製、ポリグリセリンポリグリシジルエーテル化合物商品名SR-4GL、阪本薬品工業株式会社製、グリシドキシプロピルトリメチルシラン商品名Z-6040、東レダウコーニング社製等の脂環構造を有さないエポキシ化合物;を挙げることができる。本発明の永久膜用樹脂組成物中における架橋剤Eの含有量は、特に限定されないが、本発明の永久膜用樹脂組成物を用いて得られる永久膜に求められる耐熱性の程度を考慮して任意に設定すればよいが、バインダー樹脂A100重量部に対して、通常、5~80重量部、好ましくは20~75重量部、より好ましくは25~70重量部である。架橋剤Eの含有量を上記範囲とすることにより、得られる永久膜の耐熱性を良好なものとすることができる。その他の配合剤また、本発明の樹脂組成物は、本発明の効果が阻害されない範囲であれば、所望により、界面活性剤、酸性基を有する化合物、カップリング剤又はその誘導体、増感剤、酸化防止剤、光安定剤、消泡剤、顔料、染料、フィラー等のその他の配合剤;等を含有していてもよい。界面活性剤は、ストリエーション塗布筋あとの防止、現像性の向上等の目的で使用される。界面活性剤の具体例としては、たとえば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類;ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアリールエーテル類;ポリオキシエチレンジラウレート、ポリオキシエチレンジステアレート等のポリオキシエチレンジアルキルエステル類等のノニオン系界面活性剤;フッ素系界面活性剤;シリコーン系界面活性剤;メタクリル酸共重合体系界面活性剤;アクリル酸共重合体系界面活性剤;等が挙げられる。酸性基を有する化合物は、酸性基を有するものであればよく、特に限定されないが、酸性基を有する脂肪族化合物、芳香族化合物、複素環化合物が好ましく、酸性基を有する芳香族化合物、複素環化合物がより好ましい。なお、酸性基を有する化合物としては、たとえば、特開2011-75610号公報の[0099]~[0105]に記載されているもの等を用いることができる。また、酸性基を有する化合物としては、同様な効果が得られることから、潜在的酸発生剤を用いることができる。潜在的酸発生剤としては、加熱により酸を発生するカチオン重合触媒である、スルホニウム塩、ベンゾチアゾリウム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩、ブロックカルボン酸等が挙げられる。これらの中でも、ブロックカルボン酸が好ましい。カップリング剤又はその誘導体は、永久膜用樹脂組成物からなる永久膜と、電子部品を構成する半導体層などの各層との密着性をより高める効果を有する。カップリング剤又はその誘導体としては、ケイ素原子、チタン原子、アルミニウム原子、ジルコニウム原子から選ばれる1つの原子を有し、該原子に結合したヒドロカルビルオキシ基又はヒドロキシ基を有する化合物等が使用できる。カップリング剤又はその誘導体としては、たとえば、特開2011-75609号公報の[0104]~[0106]に記載されているもの等を用いることができる。増感剤の具体例としては、2H-ピリド-3,2-b-1,4-オキサジン-34H-オン類、10H-ピリド-3,2-b-1,4-ベンゾチアジン類、ウラゾール類、ヒダントイン類、バルビツール酸類、グリシン無水物類、1-ヒドロキシベンゾトリアゾール類、アロキサン類、マレイミド類等が挙げられる。酸化防止剤としては、特に限定されないが、例えば、通常の重合体に使用されている、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、ラクトン系酸化防止剤等が使用できる。フェノール系酸化防止剤としては、従来公知のものが使用でき、例えば、2-t-ブチル-6-3-t-ブチル-2-ヒドロキシ-5-メチルベンジル-4-メチルフェニルアクリレート、2,4-ジ-t-アミル-6-[1-3,5-ジ-t-アミル-2-ヒドロキシフェニルエチル]フェニルアクリレートなどの特開昭63-179953号公報や特開平1-168643号公報に記載されているアクリレート系化合物;2,6-ジ-t-ブチル-4-メチルフェノール、p-メトキシフェノール、スチレン化フェノール、n-オクタデシル-3-3’,5’-ジ-t-ブチル-4’-ヒドロキシフェニルプロピオネート、2,2’-メチレン-ビス4-メチル-6-t-ブチルフェノール、2-t-ブチル-6-3’-t-ブチル-5’-メチル-2’-ヒドロキシベンジル-4-メチルフェニルアクリレート、4,4’-ブチリデン-ビス-3-メチル-6-t-ブチルフェノール、4,4’-チオ-ビス3-メチル-6-t-ブチルフェノール、ペンタエリスリトールテトラキス[3-3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロピオネート]、アルキル化ビスフェノール等を挙げることができる。リン系酸化防止剤としては、亜リン酸トリフェニル、亜リン酸トリスノニルフェニル、イオウ系酸化防止剤としては、チオジプロピオン酸ジラウリル等が挙げられる。光安定剤としては、ベンゾフェノン系、サリチル酸エステル系、ベンゾトリアゾール系、シアノアクリレート系、金属錯塩系等の紫外線吸収剤、ヒンダードアミン系HALS等、光により発生するラジカルを捕捉するもの等のいずれでもよい。これらのなかでも、HALSはピペリジン構造を有する化合物で、永久膜用樹脂組成物に対し着色が少なく、安定性がよいため好ましい。具体的な化合物としては、ビス2,2,6,6-テトラメチル-4-ピペリジルセバケート、1,2,2,6,6-ペンタメチル-4-ピペリジル/トリデシル1,2,3,4-ブタンテトラカルボキシレート、ビス1-オクチロキシ-2,2,6,6-テトラメチル-4-ピペリジルセバケート等が挙げられる。本発明の永久膜用樹脂組成物の調製方法は、特に限定されず、永久膜用樹脂組成物を構成する各成分を公知の方法により混合すればよい。混合の方法は特に限定されないが、永久膜用樹脂組成物を構成する各成分を溶剤に溶解又は分散して得られる溶液又は分散液を混合するのが好ましい。これにより、永久膜用樹脂組成物は、溶液又は分散液の形態で得られる。永久膜用樹脂組成物を構成する各成分を溶剤に溶解又は分散する方法は、常法に従えばよい。具体的には、攪拌子とマグネティックスターラーを使用した攪拌、高速ホモジナイザー、ディスパー、遊星攪拌機、二軸攪拌機、ボールミル、三本ロール等を使用して行なうことができる。また、各成分を溶剤に溶解又は分散した後に、例えば、孔径が0.5μm程度のフィルター等を用いて濾過してもよい。本発明の永久膜用樹脂組成物の固形分濃度は、通常、1~70重量、好ましくは5~60重量、より好ましくは10~50重量である。固形分濃度がこの範囲にあれば、溶解安定性、塗布性や形成される永久膜の膜厚均一性、平坦性等が高度にバランスされ得る。永久膜本発明の永久膜は、上述した本発明の永久膜用樹脂組成物を用いて得られ、本発明の永久膜用樹脂組成物からなるパターン化前の樹脂膜を形成し、該パターン化前の樹脂膜のうち一部を除去し、これを架橋反応させることにより得られる膜であり、最終製品となる電子部品内部に残存し、機能性パターン化膜として作用するものである。特に、本発明の永久膜は、最終製品となる電子部品内部に残存させて用いられるものであり、本発明の永久膜用樹脂組成物に含有される架橋剤Eの作用により架橋反応させてなるものであるため、永久膜を形成した後の後工程に用いられるアルカリ現像液及びアミド系溶剤、グリコール系溶剤等のレジスト剥離液などの各種現像液及び剥離液等の電子部品の製造に用いられる各種溶液に対する耐性を有し、これらに溶解しないという性質を有するものである。本発明の永久膜は、各種電子部品の保護膜、平坦化膜、電気絶縁膜の他、有機EL素子の画素分離膜などとして用いられる。次いで、本発明の永久膜を形成する方法について説明する。まず、基板上に、塗布法又はフィルム積層法により、製膜した後、加熱乾燥プリベークすることにより、パターン化前の樹脂膜を形成する。塗布法は、例えば、永久膜用樹脂組成物を、塗布した後、加熱乾燥プリベークして溶剤を除去する方法である。永久膜用樹脂組成物を塗布する方法としては、例えば、スプレー法、スピンコート法、ロールコート法、ダイコート法、ドクターブレード法、回転塗布法、バー塗布法、スクリーン印刷法等の各種の方法を採用することができる。加熱乾燥条件は、各成分の種類や配合割合に応じて異なるが、通常、30~150°C、好ましくは60~120°Cで、通常、0.5~90分間、好ましくは1~60分間、より好ましくは1~30分間で行なえばよい。フィルム積層法は、永久膜用樹脂組成物を、樹脂フィルムや金属フィルム等のBステージフィルム形成用基材上に塗布した後に加熱乾燥プリベークにより溶剤を除去してBステージフィルムを得、次いで、このBステージフィルムを、積層する方法である。加熱乾燥条件は、各成分の種類や配合割合に応じて適宜選択することができるが、加熱温度は、通常、30~150°Cであり、加熱時間は、通常、0.5~90分間である。フィルム積層は、加圧ラミネータ、プレス、真空ラミネータ、真空プレス、ロールラミネータ等の圧着機を用いて行なうことができる。樹脂膜の厚さとしては、特に限定されず、用途に応じて適宜設定すればよいが、樹脂膜が、アクティブマトリックス基板用の保護膜、又は有機EL素子基板用の封止膜である場合には、樹脂膜の厚さは、好ましくは0.1~100μm、より好ましくは0.5~50μm、さらに好ましくは0.5~30μmである。また、本発明の永久膜用樹脂組成物は、架橋剤Eを含むものであるので、上記した塗布法又はフィルム積層法により形成した樹脂膜について、架橋反応を行なうことができる。このような架橋は、架橋剤Eの種類に応じて適宜方法を選択すればよいが、通常、加熱により行なう。加熱方法は、例えば、ホットプレート、オーブン等を用いて行なうことができる。加熱温度は、通常、180~250°Cであり、加熱時間は、樹脂膜の面積や厚さ、使用機器等により適宜選択され、例えばホットプレートを用いる場合は、通常、5~60分間、オーブンを用いる場合は、通常、30~90分間の範囲である。加熱は、必要に応じて不活性ガス雰囲気下で行ってもよい。不活性ガスとしては、酸素を含まず、かつ、樹脂膜を酸化させないものであればよく、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン等が挙げられる。これらの中でも窒素とアルゴンが好ましく、特に窒素が好ましい。特に、酸素含有量が0.1体積以下、好ましくは0.01体積以下の不活性ガス、特に窒素が好適である。これらの不活性ガスは、それぞれ単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。次いで、このようにして得られたパターン化前の樹脂膜について、フォトリソグラフィ法により、パターン化することで永久膜を得る。具体的には、パターン化前の樹脂膜に活性放射線を照射して潜像パターンを形成し、次いで潜像パターンを有する樹脂膜に現像液を接触させることによりパターンを顕在化させることにより、パターン化された永久膜を得る。活性放射線としては、永久膜用樹脂組成物に含有される感放射線化合物Bを活性化させ、感放射線化合物Bを含む永久膜用樹脂組成物のアルカリ可溶性を変化させることができるものであれば特に限定されない。具体的には、紫外線、g線やi線等の単一波長の紫外線、KrFエキシマレーザー光、ArFエキシマレーザー光等の光線;電子線のような粒子線;等を用いることができる。これらの活性放射線を選択的にパターン状に照射して潜像パターンを形成する方法としては、常法に従えばよく、例えば、縮小投影露光装置等により、紫外線、g線、i線、KrFエキシマレーザー光、ArFエキシマレーザー光等の光線を所望のマスクパターンを介して照射する方法、又は電子線等の粒子線により描画する方法等を用いることができる。活性放射線として光線を用いる場合は、単一波長光であっても、混合波長光であってもよい。照射条件は、使用する活性放射線に応じて適宜選択されるが、たとえば、波長200~450nmの光線を使用する場合、照射量は、通常10~1,000mJ/cm2、好ましくは50~500mJ/cm2の範囲であり、照射時間と照度に応じて決まる。このようにして活性放射線を照射した後、必要に応じ、樹脂膜を60~130°C程度の温度で1~2分間程度加熱処理する。次に、パターン化前の樹脂膜に形成された潜像パターンを現像して顕在化させる。現像液としては、通常、アルカリ性化合物の水性溶液が用いられる。アルカリ性化合物としては、例えば、アルカリ金属塩、アミン、アンモニウム塩を使用することができる。アルカリ性化合物は、無機化合物であっても有機化合物であってもよい。これらの化合物の具体例としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム等のアルカリ金属塩;アンモニア水;エチルアミン、n-プロピルアミン等の第一級アミン;ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン等の第二級アミン;トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三級アミン;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第四級アンモニウム塩;ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン;ピロール、ピペリジン、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン、N-メチルピロリドン等の環状アミン類;等が挙げられる。これらアルカリ性化合物は、それぞれ単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。アルカリ水性溶液の水性媒体としては、水;メタノール、エタノール等の水溶性有機溶剤を使用することができる。アルカリ水性溶液は、界面活性剤等を適当量添加したものであってもよい。潜像パターンを有する樹脂膜に現像液を接触させる方法としては、例えば、パドル法、スプレー法、ディッピング法等の方法が用いられる。現像は、通常、0~100°C、好ましくは5~55°C、より好ましくは10~30°Cの範囲で、通常、30~180秒間の範囲で適宜選択される。このようにして目的とするパターンが形成された永久膜は、必要に応じて、現像残渣を除去するために、リンス液でリンスすることができる。リンス処理の後、残存しているリンス液を圧縮空気や圧縮窒素により除去する。さらに、必要に応じて、感放射線化合物Bを失活させるために、基板全面に、活性放射線を照射することもできる。活性放射線の照射には、上記潜像パターンの形成に例示した方法を利用できる。照射と同時に、又は照射後に樹脂膜を加熱してもよい。加熱方法としては、例えば、基板をホットプレートやオーブン内で加熱する方法が挙げられる。温度は、通常、100~300°C、好ましくは120~200°Cの範囲である。このようにして得られた永久膜は、必要に応じて、架橋反応させてもよい。架橋は、上述した方法にしたがって行なえばよい。そして、本発明の永久膜が、有機EL素子の画素分離膜として用いられる場合を例示すると、本発明の永久膜用樹脂組成物を、透明電極層陽極を有する透明基板上に塗布し、加熱乾燥プリベークして樹脂膜を形成し、フォトリソグラフィ法により、樹脂膜を画素分離膜に対応するパターンに成形することで、焼成ポストベークすることにより、裾広がり型形状テーパ形状の画素分離膜永久膜を形成することができる。あるいは、別の例として、本発明の永久膜が、基板を平坦化させるための平坦化層として用いられる場合を例示すると、本発明の永久膜用樹脂組成物を、透明電極層陽極を有する透明基板上に塗布し、加熱乾燥プリベークして樹脂膜を形成し、フォトリソグラフィ法により、たとえば、コンタクトホールに対応するパターンを成形し、焼成ポストベークすることにより、平坦化層永久膜を形成することができる。電子部品本発明の電子部品は、上述した本発明の永久膜用樹脂組成物からなる永久膜を備えてなる。本発明の電子部品としては、特に限定されないが、各種半導体デバイスが挙げられ、具体的には、アクティブマトリックス基板、有機EL素子基板、集積回路素子基板、及び固体撮像素子基板などが挙げられ、これらのなかでも、上述した本発明の永久膜用樹脂組成物からなる永久膜による、特性向上効果が特に顕著であるという観点より、アクティブマトリックス基板、及び有機EL素子基板が好ましい。本発明の電子部品の一例としてのアクティブマトリックス基板としては、特に限定されないが、基板上に、薄膜トランジスタTFTなどのスイッチング素子がマトリックス状に配置されると共に、該スイッチング素子を駆動するためのゲート信号を供給するゲート信号線、及び該スイッチング素子に表示信号を供給するためのソース信号線が互いに交差するよう設けられている構成を有するものなどが例示される。また、スイッチング素子の一例としての薄膜トランジスタとしては、基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極、及びドレイン電極を有する構成などが例示される。さらに、本発明の電子部品の一例としての有機EL素子基板としては、たとえば、基板上に、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、半導体層としての有機発光層、電子輸送層、電子注入層、及び陰極などから構成される発光体部と、該発光体部を分離するために画素分離膜とを有する構成を有するものなどが例示される。また、有機EL素子基板としては、有機EL素子の表示発光を制御するためのスイッチング素子TFTが形成されていることが好ましい。さらに、スイッチング素子を覆うようにして基板を平坦化させるための平坦化層が形成されていることが好ましく、この平坦化層にはスイッチング素子と透明電極層陽極とを接続させるためのコンタクトホールがさらに形成されていることが好ましい。そして、本発明の電子部品が、アクティブマトリックス基板である場合には、上述した本発明の永久膜用樹脂組成物からなる永久膜は、アクティブマトリックス基板の表面に形成される保護膜や、アクティブマトリックス基板を構成する薄膜トランジスタの半導体層たとえば、アモルファスシリコン層と接触して形成されるゲート絶縁膜とすることができる。あるいは、本発明の電子部品が、有機EL素子基板である場合には、有機EL素子基板の表面に形成される封止膜や、有機EL素子基板に含まれる発光体部通常、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、半導体層としての有機発光層、電子輸送層、電子注入層、及び陰極から構成される。を分離するための画素分離膜とすることができる。次いで、本発明の電子部品の一例としての有機EL素子の一般的な作製手順について説明する。まず、基板上にスイッチング素子TFTを形成し、その上に、絶縁膜及び平坦化膜からなる絶縁層を積層形成する。平坦化膜は、スイッチング素子TFT形成時に生じた表面の凹凸段差を緩和し、表面を平坦化するために用いられる。また、絶縁膜及び平坦化膜には、スイッチング素子TFTと電極を電気的に繋ぐためのコンタクトホールを形成する。そして、さらにこの上に画素単位で透明電極陽極を形成し、各画素を分離するために各画素の周囲を覆うように画素分離膜を形成する。画素分離膜は、電極間陽極と陰極間の短絡を防ぐ目的と、有機EL層を蒸着で形成する時に用いるマスクが、蒸着した有機EL層に接触するのを防ぐ目的で設けられる。次いで、画素分離膜上に、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層等の薄膜層を順次積層し、画素領域の各々に対応する有機EL層を形成する。有機EL層は、透明電極陽極を覆うように形成される。そして、これらの上側を覆うように、対向電極である透明電極陰極を形成する。さらに、電極陰極、有機EL層、画素分離膜、平坦化膜を完全に覆うようにパッシベーション膜を形成する。そしてパッシベーション膜の上部をカバーガラスで覆い、カバーガラスの周辺をシール材で封止する。本発明の電子部品の一例としての有機EL素子は一般的にこのような手順で作製される。ここで、本発明の電子部品の一例としての有機EL素子の各層を形成する方法について具体的に説明する。まず、絶縁膜及び平坦化膜からなる絶縁層は、たとえば、本発明の永久膜用樹脂組成物を塗布し、加熱乾燥プリベークして樹脂膜を形成し、フォトリソグラフィ法により、たとえば、コンタクトホールに対応するパターンを成形し、焼成ポストベークすることにより、形成することができ、この絶縁膜及び平坦化膜からなる絶縁層は、本発明の永久膜により構成することができる。また、透明電極陽極は、たとえば、スパッタリングによりITO薄膜を形成し、形成したITO薄膜を、たとえば、フォトリソグラフィ露光、現像及びエッチングにより、マトリックス状にパターニングすることにより形成できる。また、画素分離膜は、本発明の永久膜用樹脂組成物を用いて、上述した絶縁膜及び平坦化膜からなる絶縁層と同様に形成することができ、本発明の永久膜により構成することができる。正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層等の有機EL層は、例えば、所望の画素に対応する開口部を有する蒸着マスクを画素分離膜上に載せて保持しながら真空蒸着することにより形成することができる。有機EL層は、蒸着マスクの上面も含めて全域に形成されるが、蒸着マスクを画素分離膜上から取り去ると、所望の画素に対応する部分にのみEL層が形成できる。有機EL層は、成膜する部分の下地面が十分に平坦でないと、均一な膜厚に成膜することが困難である。これに対し、画素分離膜を、上述した本発明の永久膜用樹脂組成物からなる永久膜で構成することで、本発明の永久膜は平坦性に優れたものであるため、好適である。電極陰極は、たとえば、真空蒸着によりAl薄膜を形成し、当該Al薄膜を、たとえばフォトリソグラフィ露光、現像及びエッチングして、パターニングすることにより形成できる。次いで、上述した絶縁膜及び平坦化膜からなる絶縁層、ならびに画素分離膜を、本発明の永久膜用樹脂組成物からなる永久膜で形成した場合における、これらの永久膜形成後の主な後工程について説明する。すなわち、このような後工程としては、上述したように、たとえば、絶縁膜及び平坦化膜からなる絶縁層や、画素分離膜の上に、ITO等の金属薄膜をスパッタリング等で成膜し、その上に通常のフォトレジストを塗布して、露光、現像により加工してパターニングするフォトリソグラフィ工程が行われる。その後、エッチング液により上記でパターニングされたレジスト除去部の不要な金属薄膜を除去するエッチング工程が行われる。そして、エッチング後にパターン上の不要なレジストを剥離液によって除去する工程、及び基板の洗浄工程が行われる。ここで、通常のフォトレジストは、上述したような後工程で不要部分を剥離除去する必要があるため、架橋を行なう必要がないことから、架橋剤として作用する化合物を使用しないことが一般的である。あるいは、架橋剤として作用する化合物が含有されていたとしても、ごく少量である。これに対し、本発明の永久膜用樹脂組成物は、上述したように架橋剤Eを含むものであり、そのため、得られる永久膜絶縁膜及び平坦化膜からなる絶縁層や画素分離膜も架橋剤Eを含み、架橋剤Eの作用により、焼成後は架橋反応が十分行われているものであるため、通常のフォトレジストとは異なり、これらの後工程で使用される現像液、剥離液に対する耐性を有するものであり、後工程で剥離除去されず最終製品中である電子部品に残存し、機能性パターン膜として機能するものである。本発明の永久膜用樹脂組成物は、バインダー樹脂A、感放射線化合物B、フェノール化合物C、溶剤D、架橋剤Eを含有してなり、前記感放射線化合物Bとフェノール化合物Cとの配合割合を所定の範囲に制御してなるものであるため、本発明の永久膜用樹脂組成物は、放射線に対する感度が高く、アルカリ水溶液で現像が可能であり、現像によるパターン形成性に優れるものであり、また、本発明の永久膜用樹脂組成物を用いて得られる永久膜は、平坦性及び表面状態に優れたものである。そして、本発明によれば、このような永久膜を、各種電子部品、たとえば、アクティブマトリックス基板や有機EL素子基板などの半導体素子基板に適用することにより、電子部品に含まれる樹脂膜永久膜を高精度にパターン化されたものとすることができるため、これにより、電子部品の高性能化が可能となる。なお、アクティブマトリックス基板用の保護膜、又は有機EL素子基板用の画素分離膜、平坦化膜、封止膜などの永久膜としての樹脂膜には、後工程でも使用される現像液、剥離液等に対する耐性が求められることとなる。具体的には、これら保護膜、画素分離膜、平坦化膜、封止膜などにおいては、後工程でも現像が行われることがあるため、アルカリ現像液に対する耐性が求められ、さらには、金属メッキ又はエッチング加工後にフォトレジスト及び残渣を除去することがあるため、そのクリーニング液であるレジスト剥離液等に対する耐性も求められる。これに対し、本発明の永久膜用樹脂組成物からなる永久膜は、架橋剤Eを含有し、架橋後には現像液、剥離液等に溶解しないものとなるため、アルカリ現像液及びアミド系溶剤、グリコール系溶剤等のレジスト剥離液などの各種現像液及び剥離液等の電子部品の製造に用いられる各種溶液に対する耐性を有し、永久膜として良好に機能するものである。以下に、実施例及び比較例を挙げて、本発明についてより具体的に説明する。各例中の部及びは、特に断りのない限り、重量基準である。なお、各特性の定義及び評価方法は、以下のとおりである。<樹脂膜の表面状態>4インチシリコンウェハ上に、樹脂組成物をスピンコートした後、ホットプレートを用いて110°Cで2分間プリベークして、膜厚2.5μmの樹脂膜を形成した。次いで、この樹脂膜について、2.38重量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、23°Cで60秒間浸漬処理を行ったのち、超純水で30秒間洗浄を行い、次いで、365nmにおける光強度が5mW/cm2である紫外線を、20秒間、空気中で照射した。そして、紫外線を照射した樹脂膜について、オーブンを用いて、230°Cで60分間加熱するポストベークを行うことで、樹脂膜が形成されたシリコンウエハからなる試験用試料を得た。そして、得られた試験用試料について、光学顕微鏡を用いて、樹脂膜の表面状態を観察し、下記の基準で評価した。○:クラック、しわのいずれも観察されなかった。×:クラック、しわが観察された。<平坦性>上記表面状態の評価と同様にして得られた樹脂膜について、原子間力顕微鏡AFMを用いて、樹脂膜の平坦性を測定し、下記の基準で評価した。○:表面粗さRaが3nm未満であった。×:表面粗さRaが3nm以上であった。<現像時残渣>4インチシリコンウェハ上に、樹脂組成物をスピンコートした後、ホットプレートを用いて110°Cで2分間プリベークして、2.5μm厚の樹脂膜を形成した。次いで、この樹脂膜に、5μm×5μmのホールパターンのマスクを介して、365nmにおける光強度が5mW/cm2である紫外線を、20秒間、空気中で照射した。次いで、2.38重量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、23°C、60秒間現像処理を行った後、超純水で30秒間リンスしてコンタクトホールのパターンを形成した。そして、このようにして得られたコンタクトホールのパターンを有する樹脂膜について、走査型電子顕微鏡SEMを用いて、コンタクトホール内における、溶解残渣の有無を確認し、以下の基準で評価した。溶解残渣が観測されない方が、現像によるパターン形成性に優れるため、好ましい。○:現像残渣が観測されなかった。×:現像残渣が観測された。<放射線に対する感度>4インチシリコンウェハ上に、樹脂組成物をスピンコートした後、ホットプレートを用いて110°Cで2分間プリベークして、2.5μm厚の樹脂膜を形成した。次いで、この樹脂膜に、10μmのラインアンドスペースのマスクを介して、超高圧水銀ランプで露光した。次いで、2.38重量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、23°C、60秒間現像処理を行った後、超純水で30秒間リンスして、パターンを形成した。形成されたパターンのライン幅をデジタルマイクロスコープで測長し、マスク設計と同様の10μmの長さになっている露光量を求め、放射線に対する感度とし、以下の基準で評価した。この値が小さいほど、露光工程に要する時間が短縮され、エネルギーの削減が可能となるとともに、永久膜としてのパターン形成性が向上するため好ましい。○:露光量が100mJ/cm2未満であった。×:露光量が100mJ/cm2以上であった。《合成例1》<環状オレフィン重合体A-1の調製>N-フェニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド40モル、及び4-ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン60モルからなる単量体混合物100部、1,5-ヘキサジエン2部、1,3-ジメシチルイミダゾリン-2-イリデントリシクロヘキシルホスフィンベンジリデンルテニウムジクロリドOrg.Lett.,第1巻,953頁,1999年に記載された方法で合成した0.02部、及びジエチレングリコールエチルメチルエーテル200部を、窒素置換したガラス製耐圧反応器に仕込み、攪拌しつつ80°Cにて4時間反応させて重合反応液を得た。そして、得られた重合反応液をオートクレーブに入れて、150°C、水素圧4MPaで、5時間攪拌して水素化反応を行い、環状オレフィン重合体を含む重合体A-1溶液を得た。得られた重合体の重合転化率は99.7、ポリスチレン換算重量平均分子量は7,150、数平均分子量は4,690、分子量分布は1.52、水素添加率は、99.7であった。また、得られた環状オレフィン重合体溶液の固形分濃度は34.4重量であった。《合成例2》<アクリル重合体A-2の調製>冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビス-2,4-ジメチルバレロニトリル7部とジエチレングリコールエチルメチルエーテル200部とを仕込んだ。引き続き、メタクリル酸16部、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イルメタクリレート16部、2-メチルシクロヘキシルアクリレート20部、メタクリル酸グリシジル40部、スチレン10部及びα-メチルスチレンダイマー3部を仕込んで窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。次いで、溶液の温度を70°Cに上昇させ、この温度を4時間保持することによってアクリル重合体A-2を含む重合体溶液を得た。アクリル重合体A-2のポリスチレン換算重量平均分子量Mwは8,000、分子量分布Mw/Mnは2.3であった。また、得られたアクリル重合体A-2溶液の固形分濃度は34.4重量であった。《合成例3》<感光性ポリイミド前駆体A-3の調製>反応器に2,2’-ジp-アミノフェニル-6,6’-ビスベンゾオキサゾール28.11g0.0672モル、溶剤200gジメチルアセトアミドDMAc100g及びN-メチル-2-ピロリドンNMP100gを投入し、混合溶液を調製した。この溶液に、氷冷攪拌下、ピロメリット酸二無水物15.26g0.07モルを粉体のまま添加し、溶剤20gDMAc10g及びNMP10gで洗浄添加した。次いで、氷冷下で2時間攪拌した後、反応温度を30°Cに昇温し、2時間反応させた。反応液がほぼ均一になった時点で、反応液を10°Cに冷却し、次いで、p-アミノ安息香酸トリスメタクリロイルペンタエリスリトールエステル2.57g0.0056モルを添加し、溶剤20gDMAc10g及びNMP10gを洗浄添加した。10°Cで2時間、次いで、25°Cで12時間反応させ、感光性ポリイミド前駆体ポリアミック酸A-3を樹脂濃度16重量で合成した。この感光性ポリイミド前駆体の末端変性率は8であった。《合成例4》<アルカリ可溶性フェノール樹脂の調製>シュウ酸を触媒としてフェノールとホルムアルデヒドとを脱水縮合して、重量平均分子量620、分子量分布が1.21であるアルカリ可溶性フェノール樹脂を得た。《実施例1》<樹脂組成物の調製>バインダー樹脂Aとして、合成例1で得られた環状オレフィン重合体A-1100部、感放射線化合物Bとして、2,3,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン1モルと6-ジアゾ-5,6-ジヒドロ-5-オキソ-ナフタレン-1-スルホン酸クロライド2モルとの縮合物B-130部、フェノール化合物Cとして、4-ヒドロキシ-γ-4-ヒドロキシフェニル-γ-メチルベンゼンブタン酸C-14部、溶剤Dとして、ジエチレングリコールエチルメチルエーテルD-1550部、架橋剤Eとして、エポキシ化ブタンテトラカルボン酸テトラキス3-シクロヘキセニルメチル修飾ε-カプロラクトン50部を混合し、溶解させた後、孔径0.45μmのポリテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過して樹脂組成物を調製した。そして、上記にて得られた樹脂組成物を用いて、樹脂膜の表面状態、平坦性、現像時残渣、及び感度の各評価を行った。結果を表1に示す。《実施例2~4》フェノール化合物Cとして、4-ヒドロキシ-γ-4-ヒドロキシフェニル-γ-メチルベンゼンブタン酸C-14部に代えて、それぞれ、4,4’-[1-[4-[1-4-ヒドロキシフェニル-1-メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノールC-25部実施例2、ポリビニルフェノールC-310部実施例3、合成例4で得られたフェノール樹脂C-410部実施例4を使用した以外は、実施例1と同様にして、樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。《実施例5》感放射線化合物Bとして、2,3,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン1モルと6-ジアゾ-5,6-ジヒドロ-5-オキソ-ナフタレン-1-スルホン酸クロライド2モルとの縮合物B-1に代えて、4,4’-[1[4-1--1-メチルエチルフェニル]エチリデン]ビスフェノール1モルと1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸クロライド2モルとの縮合物B-2を使用するとともに、フェノール化合物Cとしての4-ヒドロキシ-γ-4-ヒドロキシフェニル-γ-メチルベンゼンブタン酸C-1の配合量を4部から5部に変更した以外は、実施例1と同様にして、樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。《実施例6~8》フェノール化合物Cとして、4-ヒドロキシ-γ-4-ヒドロキシフェニル-γ-メチルベンゼンブタン酸C-15部に代えて、それぞれ、4,4’-[1-[4-[1-4-ヒドロキシフェニル-1-メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノールC-210部実施例6、ポリビニルフェノールC-310部実施例7、合成例4で得られたフェノール樹脂C-415部実施例8を使用した以外は、実施例5と同様にして、樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。《実施例9》感放射線化合物Bとしての2,3,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン1モルと6-ジアゾ-5,6-ジヒドロ-5-オキソ-ナフタレン-1-スルホン酸クロライド2モルとの縮合物B-1の配合量を30部から40部に変更し、フェノール化合物Cとしての4-ヒドロキシ-γ-4-ヒドロキシフェニル-γ-メチルベンゼンブタン酸C-1の配合量を4部から5部に変更するとともに、溶剤Dとして、ジエチレングリコールモノメチルエーテルD-190及びN-メチルピロリドンD-210からなる溶剤を使用した以外は、実施例1と同様にして、樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。《実施例10》フェノール化合物Cとして、4-ヒドロキシ-γ-4-ヒドロキシフェニル-γ-メチルベンゼンブタン酸C-15部に代えて、4,4’-[1-[4-[1-4-ヒドロキシフェニル-1-メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノールC-210部を使用した以外は、実施例9と同様にして、樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。《実施例11》感放射線化合物Bとしての4,4’-[1[4-1--1-メチルエチルフェニル]エチリデン]ビスフェノール1モルと1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸クロライド2モルとの縮合物B-2の配合量を30部から40部に変更し、フェノール化合物CとしてのポリビニルフェノールC-3の配合量を10部から15部に変更するとともに、溶剤Dとして、ジエチレングリコールモノメチルエーテルD-190及びジプロピレングリコールモノメチルエーテルD-310からなる溶剤を使用した以外は、実施例7と同様にして、樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。《実施例12》フェノール化合物Cとして、ポリビニルフェノールC-315部に代えて、合成例4で得られたフェノール樹脂C-420部を使用した以外は、実施例11と同様にして、樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。《実施例13》バインダー樹脂Aとして、環状オレフィン重合体A-1の代わりに、合成例2で得られたアクリル重合体A-2を使用した以外は、実施例3と同様にして、樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。《実施例14》バインダー樹脂Aとして、環状オレフィン重合体A-1の代わりに、合成例3で得られた感光性ポリイミド前駆体A-3を使用した以外は、実施例6と同様にして、樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。《比較例1》フェノール化合物Cとしての4-ヒドロキシ-γ-4-ヒドロキシフェニル-γ-メチルベンゼンブタン酸C-1を配合しなかった以外は、実施例1と同様にして、樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。《比較例2》感放射線化合物Bとしての4,4’-[1[4-1--1-メチルエチルフェニル]エチリデン]ビスフェノール1モルと1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸クロライド2モルとの縮合物B-2の配合量を30部から60部に変更した以外は、実施例5と同様にして、樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。《比較例3》フェノール化合物CとしてのポリビニルフェノールC-3の配合量を10部から40部に変更した以外は、実施例3と同様にして、樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。《比較例4》感放射線化合物Bとしての2,3,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン1モルと6-ジアゾ-5,6-ジヒドロ-5-オキソ-ナフタレン-1-スルホン酸クロライド2モルとの縮合物B-1の配合量を30部から5部に変更した以外は、実施例13と同様にして、樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。《比較例5》フェノール化合物Cとしての4,4‘-[1-[4-[1-4-ヒドロキシフェニル-1-メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノールC-2の配合量を10部から2部に変更した以外は、実施例14と同様にして、樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。バインダー樹脂A、感放射線化合物B、フェノール化合物C、溶剤D、架橋剤Eを含有してなり、感放射線化合物Bとフェノール化合物Cの割合が、重量比で、感放射線化合物B/フェノール化合物C=1~10とした樹脂組成物は、現像時残渣が発生せず、現像によるパターン形成性に優れ、放射線に対する感度が高く、また、該樹脂組成物を用いて得られた樹脂膜は、平坦性が高く、かつ、表面状態が良好であり、永久膜として好適なものであった実施例1~14。一方、フェノール化合物Cを配合しなかった場合には、放射線に対する感度が低く、そのため、永久膜として用いるのに適さないものであった比較例1。また、感放射線化合物Bの配合量が多過ぎる場合及び少な過ぎる場合には、得られる樹脂膜は、表面状態に劣るものであり、現像時残渣が発生し、平坦性も不十分であり、さらには、放射線に対する感度が低く、そのため、永久膜として用いるのに適さないものであった比較例2,4。また、フェノール化合物Cの配合量が多過ぎる場合には、現像液に対する溶解性が高くなりすぎる傾向にあり、得られる樹脂膜は、しわ等の表面荒れがみられ、表面状態に劣るものであり、現像時残渣が発生し、平坦性も不十分であり、さらには、放射線に対する感度が低く、そのため、永久膜として用いるのに適さないものであった比較例3。さらに、フェノール化合物Cの配合量が少な過ぎる場合には、現像液に対する溶解性が低くなりすぎる傾向にあり、現像時残渣が発生し、また、放射線に対する感度が低く、そのため、永久膜として用いるのに適さないものであった比較例5。"