"厚さが10~200μmである鋼層と、前記鋼層上のAl含有金属層と、前記鋼層と前記Al含有金属層との界面に存在する複数の粒状合金と、を備える金属箔であって:前記金属箔を圧延方向と直交する板幅方向が観察面となるように板厚方向に沿って平面切断した切断面に表れる、前記Al含有金属層の表面の切断線を輪郭曲線とし、前記輪郭曲線を近似する直線を輪郭平均直線とするとき、前記輪郭平均直線からの距離が10μm超となる前記輪郭曲線の前記Al含有金属層の表面側に凸である極大点が存在せず;前記複数の粒状合金のそれぞれの球相当直径をxμm、前記Al含有金属層の厚さをTμmとしたとき、前記複数の粒状合金のうち、95以上が下記の式1を満たす;ことを特徴とする太陽電池及び有機エレクトロルミネセンスの基材用金属箔。x≦0.5T式1前記切断面に表れる、前記鋼層の界面の切断線を鋼層の界面曲線とし、前記界面曲線を近似する直線を界面平均直線とするとき、前記界面平均直線からの距離が0.5μm超となる前記界面曲線の極点の数が、前記界面平均直線上の基準長さ100μmあたり少なくとも1つ含まれることを特徴とする請求項1に記載の金属箔。球相当直径が1.5μm以上である前記粒状合金間の平均間隔をyμmとしたとき、前記平均間隔yが100μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の金属箔。前記複数の粒状合金の球相当直径の平均値をxaveμmとしたとき、前記平均直径xaveと前記平均間隔yとが、下記の式2及び式3を満たすことを特徴とする請求項1に記載の金属箔。0.06<xave2/y式2xave<y式3前記Al含有金属層の厚さが0.1~30μmであることを特徴とする請求項1に記載の金属箔。前記Al含有金属層上に、さらに、厚さ0.01~0.08μmのAlN層、又は、厚さ0.01~50μmのAl2O3層を有することを特徴とする請求項1に記載の金属箔。前記Al含有金属層上に、さらに、厚さ0.1~8μmのCr層、又は、厚さ0.1~8μmのNi層を有することを特徴とする請求項1に記載の金属箔。前記Al含有金属層上に、さらに、ゾルゲル層、及び、ラミネート層から選択される少なくとも1種の皮膜を有することを特徴とする請求項1に記載の金属箔。請求項1~5の何れか1項に記載の金属箔を製造する方法であって:鋼板を、200~500μmの厚さになるまで圧延する第1圧延処理と;前記圧延処理後の前記鋼鈑を、60~100質量のAl、0~15質量のSi、及び、0~40質量のCuを含有させためっき浴を用いてめっきするめっき処理と;前記めっき処理後の前記鋼鈑を、複数のバックアップロールを備えた圧延機を用いて、冷間で、合計圧下率が50以上となるように圧延する第2圧延処理と;を有することを特徴とする太陽電池及び有機エレクトロルミネセンスの基材用金属箔の製造方法。前記めっき処理の前記Al含有めっき浴が、Al:68.2質量、Si:4.7質量、Cu:27.1質量、又は、Al:68質量、Cu:32質量、という組成から各成分について±5質量以内の範囲の組成を有することを特徴とする請求項9に記載の金属箔の製造方法。前記第2圧延処理が、少なくとも3パス以上の冷間での圧延であって、第1パスより第2パスの圧下率を高く、前記第2パスより第3パスの圧下率を低く、前記第3パス以降の圧下率を前記第3パスの圧下率より低くすることを特徴とする請求項9に記載の金属箔の製造方法。前記第2圧延処理の圧延で、各パス間で鋼鈑の圧延方向を入れ替えるリバース圧延を行うことを特徴とする請求項9に記載の金属箔の製造方法。前記第2圧延処理の圧延で、表面粗さがRa200μm以下の鏡面状態である圧延ロールを用いることを特徴とする請求項9に記載の金属箔の製造方法。前記第2圧延処理後の前記鋼鈑に、表面粗さがRa1μm以下の鏡面状態である圧延ロールを用いてブライト仕上げ圧延するスキンパス圧延処理をさらに有することを特徴とする請求項9に記載の金属箔の製造方法。前記第2圧延処理後の前記鋼鈑に、アンモニア又はヒドラジンを10体積±2体積含有する不活性ガス雰囲気内で、500~600°Cの温度範囲にて、1~10時間の加熱を行う加熱処理をさらに有することを特徴とする請求項9に記載の金属箔の製造方法。前記第2圧延処理後の前記鋼鈑に、硫酸アルマイト、しゅう酸アルマイト、又は、クロム酸アルマイトから選択される少なくとも1種を用いて、陽極酸化を行う陽極酸化処理をさらに有することを特徴とする請求項9に記載の金属箔の製造方法。前記第2圧延処理後の前記鋼鈑に、Cr層、又は、Ni層を形成させる電解めっき処理をさらに有することを特徴とする請求項9に記載の金属箔の製造方法。前記第2圧延処理後の前記鋼鈑に、ゾルゲル層、及び、ラミネート層から選択される少なくとも1種の皮膜を形成させる成膜処理をさらに有することを特徴とする請求項9に記載の金属箔の製造方法。本発明の一実施態様は、上記事情に鑑みてなされたものであり、太陽電池や有機ELの基材用金属箔として要求される耐食性、表面平滑性、及び、弾塑性変形性を同時に満足する安価な基材用金属箔及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明の要旨は、以下のとおりである。1本発明の一態様にかかる基材用金属箔は、厚さが10~200μmである鋼層と、前記鋼層上のAl含有金属層と、前記鋼層と前記Al含有金属層との界面に存在する複数の粒状合金と、を備える金属箔であって:前記金属箔を圧延方向と直交する板幅方向が観察面となるように板厚方向に沿って平面切断した切断面に表れる、前記Al含有金属層の表面の切断線を輪郭曲線とし、前記輪郭曲線を近似する直線を輪郭平均直線とするとき、前記輪郭平均直線からの距離が10μm超となる前記輪郭曲線の前記Al含有金属層の表面側に凸である極大点が存在せず;前記複数の粒状合金のそれぞれの球相当直径をxμm、前記Al含有金属層の厚さをTμmとしたとき、前記複数の粒状合金のうち、95以上が下記の式1を満たす。x≦0.5T式12上記1に記載の基材用金属箔であって、前記切断面に表れる、前記鋼層の界面の切断線を鋼層の界面曲線とし、前記界面曲線を近似する直線を界面平均直線とするとき、前記界面平均直線からの距離が0.5μm超となる前記界面曲線の極点の数が、前記界面平均直線上の基準長さ100μmあたり少なくとも1つ含まれてもよい。3上記1又は2に記載の基材用金属箔であって、球相当直径が1.5μm以上である前記粒状合金間の平均間隔をyμmとしたとき、前記平均間隔yが100μm以下であってもよい。4上記1~3のいずれか一項に記載の基材用金属箔であって、前記複数の粒状合金の球相当直径の平均値をxaveμmとしたとき、前記平均直径xaveと前記平均間隔yとが、下記の式2及び式3を満たしてもよい。0.06<xave2/y式2xave<y式35上記1~4のいずれか一項に記載の基材用金属箔であって、前記Al含有金属層の厚さが0.1~30μmであってもよい。6上記1~5のいずれか一項に記載の基材用金属箔であって、前記Al含有金属層上に、さらに、厚さ0.01~0.08μmのAlN層、又は、厚さ0.01~50μmのAl2O3層を有してもよい。7上記1~5のいずれか一項に記載の基材用金属箔であって、前記Al含有金属層上に、さらに、厚さ0.1~8μmのCr層、又は、厚さ0.1~8μmのNi層を有してもよい。8上記1~5のいずれか一項に記載の基材用金属箔であって、前記Al含有金属層上に、さらに、ゾルゲル層、及び、ラミネート層から選択される少なくとも1種の皮膜を有してもよい。9本発明の一態様にかかる基材用金属箔の製造方法は、上記1~5のいずれか一項に記載の金属箔を製造する方法であって:鋼板を、200~500μmの厚さになるまで圧延する第1圧延処理と;前記圧延処理後の前記鋼鈑を、60~100質量のAl、0~15質量のSi、及び、0~40質量のCuを含有させためっき浴を用いてめっきするめっき処理と;前記めっき処理後の前記鋼鈑を、複数のバックアップロールを備えた圧延機を用いて、冷間で、合計圧下率が50以上となるように圧延する第2圧延処理とを有する。10上記9に記載の基材用金属箔の製造方法であって、前記めっき処理の前記Al含有めっき浴が、Al:68.2質量、Si:4.7質量、Cu:27.1質量、又は、Al:68質量、Cu:32質量、という組成から各成分について±5質量以内の範囲の組成を有してもよい。11上記9又は10に記載の基材用金属箔の製造方法であって、前記第2圧延処理が、少なくとも3パス以上の冷間での圧延であって、第1パスより第2パスの圧下率を高く、前記第2パスより第3パスの圧下率を低く、前記第3パス以降の圧下率を前記第3パスの圧下率より低くしてもよい。12上記9~11のいずれか一項に記載の基材用金属箔の製造方法であって、前記第2圧延処理の圧延で、各パス間で鋼鈑の圧延方向を入れ替えるリバース圧延を行ってもよい。13上記9~12のいずれか一項に記載の基材用金属箔の製造方法であって、前記第2圧延処理の圧延で、表面粗さがRa200μm以下の鏡面状態である圧延ロールを用いてもよい。14上記9~13のいずれか一項に記載の基材用金属箔の製造方法であって、前記第2圧延処理後の前記鋼鈑に、表面粗さがRa1μm以下の鏡面状態である圧延ロールを用いてブライト仕上げ圧延するスキンパス圧延処理をさらに有してもよい。15上記9~14のいずれか一項に記載の基材用金属箔の製造方法であって、前記第2圧延処理後の前記鋼鈑に、アンモニア又はヒドラジンを10体積±2体積含有する不活性ガス雰囲気内で、500~600°Cの温度範囲にて、1~10時間の加熱を行う加熱処理をさらに有してもよい。16上記9~14のいずれか一項に記載の基材用金属箔の製造方法であって、前記第2圧延処理後の前記鋼鈑に、硫酸アルマイト、しゅう酸アルマイト、又は、クロム酸アルマイトから選択される少なくとも1種を用いて、陽極酸化を行う陽極酸化処理をさらに有してもよい。17上記9~14のいずれか一項に記載の基材用金属箔の製造方法であって、前記第2圧延処理後の前記鋼鈑に、Cr層、又は、Ni層を形成させる電解めっき処理をさらに有してもよい。18上記9~14のいずれか一項に記載の基材用金属箔の製造方法であって、前記第2圧延処理後の前記鋼鈑に、ゾルゲル層、及び、ラミネート層から選択される少なくとも1種の皮膜を形成させる成膜処理をさらに有してもよい。本発明の上記態様によれば、ガラス基材と比較して、割れにくく、そして、薄膜化に適しており、加えて、基材用金属箔として要求される耐食性、表面平滑性、及び、弾塑性変形性を同時に満足する安価な基材用金属箔及びその製造方法の提供が可能となる。したがって、低コストで薄型軽量のCIGS、CIS、CdTe等の化合物系太陽電池、アモルファスSi等の薄膜系太陽電池、それらを複数層積層させたハイブリッド型太陽電池、及び、有機EL照明の製造が可能となる。以下に本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。初めに、基材用金属箔の技術構成と数値限定理由とについて詳細に説明する。普通鋼炭素鋼の耐食性を向上させるために、普通鋼にAl含有めっきを施す。このAl含有めっきにより、鋼層上にAl含有金属層が配される。このAl含有金属層により、基材用金属箔として要求される耐食性が向上する。上記Al含有金属層は、60~100質量のAl、0~15質量のSi、0~40質量のCuを含有させた組成であると好ましい。これは、この組成でめっき浴の融点が低下するためにめっき工程が簡便となるからである。より好ましくは、上記Al含有金属層を、68.2質量Al-4.7質量Si-27.1質量Cu、又は、68質量Al-32質量Cuという組成から各成分について±5質量以内の範囲の組成とする。この組成では、めっき浴の融点がさらに低下する。また、上記Al含有金属層の厚さは、0.1~30μmであることが好ましい。0.1μm未満では、好適な耐食効果は得られず、30μm超では、Alを大量にめっきする必要があり、生産コストが高くなるためである。好ましくは、上記Al含有金属層の厚さを、1~30μmとする。より好ましくは、上記Al含有金属層の厚さを、3~30μmとする。最も好ましくは、上記Al含有金属層の厚さを、8~30μmとする。上記Al含有金属層の厚さの下限値は、0.5μm以上であることが好ましい。上記めっきの際、鋼層とAl含有金属層との界面には、Fe-Al系合金相例えば、FeAl3,Fe2Al8Si、FeAl5Siなどの金属間化合物が層状に形成される。この合金層は非常に硬くて脆い。Al含有めっきを施した金属箔がハンドリングなどの際に弾塑性変形すると、この合金層は、金属箔の変形に追随できず、最終的に、鋼層とAl含有金属層との剥離、及び、Al含有金属層の割れを誘発する。つまり、普通鋼箔にAl含有めっきを施せば、基材用金属箔として要求される耐食性を満足することができるが、弾塑性変形性は満足されない。基材用金属箔として要求される弾塑性変形性を満足するためには、鋼層とAl含有金属層との界面に存在する上記合金層を粒状に分散させて、複数の粒状合金とすることが必要である。図1に本発明の一実施形態に係る鋼層とAl含有金属層との界面に存在する粒状合金の金属組織写真を示す。この図1のように、合金層が粒状に分散することで、従来の割れやめっき層の剥離などが抑制され、鋼層とAl含有金属層とが強固に結合される。この効果は、上記界面に存在する合金相が、従来の層状ではなく、粒状に分散して、鋼層及びAl含有金属層に食い込むことによって得られる。この効果を得るためには、上記複数の粒状合金のそれぞれの球相当直径をxμm、上記Al含有金属層の厚さをTμmとするとき、上記複数の粒状合金のうち、95以上が、下記の式1x≦0.5T式1を満たす必要がある。これは、球相当直径が0.5Tを超えると、粒状合金がAl含有金属層を突き破る可能性が大きくなるからである。粒状合金がAl含有金属層を突き破りAl含有金属層表面に露出すると、耐食性が低下するとともに、基材用金属箔として要求される表面平滑性も損なわれる。好ましくは、x≦0.35T、さらに好ましくは、x≦0.2Tとする。球相当直径xの下限は、特に限定されるものではないが、球相当直径が、0.1μm以上であることが好ましい。さらに好ましくは、球相当直径が、0.5μm以上である。最も好ましくは、球相当直径が、1.5μm以上である。また、充分な耐食性を保つために、金属箔中に含まれる上記粒状合金の100が、上記の式1を満足する必要はない。95以上100以下の粒状合金が上記条件を満足すればよい。なお、粒状合金のサイズと個数は、金属箔の板厚方向断面の金属組織を観察することで得られる。また、粒状合金の球相当直径は、画像解析により求めることができる。粒状合金がAl含有金属層を突き破る可能性をより低減するためには、上記粒状合金の球相当直径の最大値をxmaxμmとするとき、この最大直径xmaxが10μm以下であることが好ましい。基材用金属箔として要求される弾塑性変形性をさらに確実に満足させるためには、鋼層とAl含有金属層との上記界面が、一定度合いの粗面であることが好ましい。このような界面とすることで、太陽電池や有機ELの製造を、RolltoRoll処理による連続的な製造へ変更することを可能とする弾塑性変形性を得ることができる。具体的には、金属箔を圧延方向と直交する板幅方向が観察面となるように板厚方向に沿って平面切断した切断面に表れる、鋼層の界面切断線を鋼層の界面曲線とし、界面曲線を近似する直線を界面平均直線とするとき、この界面平均直線からの距離が0.5μm超となる上記界面曲線の極点の数が、界面平均直線上の基準長さ100μmあたり少なくとも1つ含まれることが好ましい。ここで、上記極点とは、上記界面曲線のAl含有金属層側に凸である極大点、及び、上記界面曲線の鋼層側に凹である極小点のことである。また、上記界面曲線は、上記切断面の金属組織写真から、画像処理によりその軌跡を求めても良いし、人手によりその軌跡を求めても良い。画像処理により界面曲線を求めた場合、同様に、画像処理により位相補償型フィルタを適用して、界面平均直線を求めれば良い。人手により界面曲線を求めた場合、各極点の座標から最小二乗法により界面平均直線を求めることができる。図2に、界面平均直線からの距離が0.5μm超となる極点の個数と、弾塑性変形性を示す180度曲げ試験結果との関係を示す。この図に示されるように、鋼層の界面が、界面平均直線からの距離が0.5μm超となる極点を、界面平均直線上の基準長さ100μmあたり1つ以上含むような、平滑な界面でないときに、鋼層とAl含有金属層とが強固に結合する効果が好ましく得られる。界面平均直線からの距離が0.5μm超となる極点は、鋼層とAl含有金属層とを結合する効果が大きい。また、この極点を含まない領域が界面平均直線上で100μm以上になると、その領域では鋼層とAl含有金属層とを強固に結合する効果が得られにくくなる。より好ましくは、界面平均直線からの距離が0.7μm超である極点の数が、界面平均直線上の基準長さ100μmあたり少なくとも1つ含まれることである。なお、上記極点は、粒状合金に起因するものでも、又は、鋼層とAl含有金属層との界面の起伏に起因するものでも、どちらでも良い。上記極点の上限は、上記Al含有金属層の厚さであるTμm以下であることが好ましい。また、上記複数の粒状合金において、球相当直径の平均値をxaveμm、また球相当直径が1.5μm以上である粒状合金間の平均間隔をyμmとするとき、この平均間隔yが100μm以下であることがさらに好ましい。これは、上記平均間隔yが100μmを超えると、鋼層とAl含有金属層とを強固に結合する機能が低下し、めっき層の剥離や割れを導き、耐食性も低下するからである。より好ましくは、平均間隔yが80μm以下である。また、球相当直径が1.5μm以上である粒状合金は、鋼層とAl含有金属層とを結合する効果が大きい。さらに、上記平均直径xaveと、上記平均間隔yとの関係が、下記の式2及び式3を満たすことが好ましい。0.06<xave2/y式2xave<y式3この式2と式3とを満足するとき、基材用金属箔の弾塑性変形性がさらに確実に確保される。よって、粒状合金は、上記条件を満足することが好ましい。より好ましくは、平均直径xaveと平均間隔yとの関係が、0.1<xave2/y、及び、2xave<yを満たす場合である。上記条件は、定性的に、平均直径xaveが小さい場合、鋼層への粒状合金の食い込みも小さくなるため、平均間隔yも小さいほうが好ましく、平均直径xaveが大きい場合、平均間隔yが大きくなっても上記効果が得られることを意味する。なお、上記の式2の上限は、特に限定されるものではないが、3未満であることが好ましい。上述のように、Al含有金属層の厚さ、粒状合金の球相当直径、粒状合金の間隔を同時に制御することが、上記効果を得るために重要となる。上記制御は、めっき処理、及び、その後に施される高圧下率の冷間圧延である第2圧延処理によって行われる。本発明の実施形態に係る製造方法については、詳しく後述する。太陽電池や有機ELの基材用金属箔は、上記した耐食性、及び、弾塑性変形性に加えて、表面平滑性も同時に満足することが重要である。基材用金属箔として要求される表面平滑性を満足させるためには、Al含有金属層の表面が、一定度合の平滑面である必要がある。具体的には、金属箔を圧延方向と直交する板幅方向が観察面となるように板厚方向に沿って平面切断した切断面に表れる、Al含有金属層の表面の切断線を輪郭曲線とし、輪郭曲線を近似する直線を輪郭平均直線とするとき、この輪郭平均直線からの距離が10μm超となる上記輪郭曲線の極大点が存在しない必要がある。ここで、上記極大点とは、上記輪郭曲線のAl含有金属層の表面側に凸である極点である。なお、輪郭曲線の極小点上記輪郭曲線のAl含有金属層の表面上で凹状の極点は、基材用金属箔の上に積層される太陽電池層や有機EL層に物理的な損傷を与えることはないので、存在していても問題ではない。また、上記輪郭曲線と輪郭平均直線との求め方は、上記界面曲線と界面平均直線との求め方と同じで良い。Al含有金属層表面に10μm超であるような突起状欠陥が存在すると、基材用金属箔の上に積層される太陽電池層や有機EL層に物理的な損傷を与える可能性がある。例えば、太陽電池では、基材上の太陽電池層が上記の損傷を受けると、その領域の光電変換効率が低下する恐れがある。また、充分な光電変換効率を得るためには、輪郭平均直線からの距離が5μm超である極大点が存在しないことが好ましい。さらに好ましくは1μm超である極大点が存在しないことである。上記Al含有金属層表面は、光沢度が銀鏡比75以上であることが好ましい。例えば、太陽電池では、入射時に光電変換に寄与せず、基材である金属箔まで到達する太陽光が存在する。この透過光が、金属箔によって反射されることで、再度、光電変換に供用される。光沢度が銀鏡比75以上であると、高効率で透過光が再度、光電変換に供用されるので好ましい。より好ましくは、光沢度が銀鏡比80以上である。上記した金属箔の表面平滑性及び光沢度は、上記第2圧延処理時に鏡面状態の圧延ロールを用いること、又は、第2圧延処理後の金属箔にスキンパス圧延を施すことで達成される。本発明の実施形態に係る製造方法については、詳しく後述する。金属箔の鋼層の厚さは、10~200μmとする。厚さが10μm未満の箔を製造するには、高精度な装置を慎重に制御する必要が生じ、高コストとなってしまう。また、厚さが200μm超では、金属箔の重量が重くなってしまい、箔を使用するメリットが充分には得られない。基材の重量を軽減するためには、厚さが10~150μmであると好ましい。また、基材上に重量物を載置するためには、厚さが100~200μmであると好適である。上記鋼層の厚さを100~150μmとすると、両効果が同時に得られるので、最も好ましい。上記Al含有金属層の表面に、さらに、厚さ0.01~0.08μmのAlN層又は厚さ0.01~50μmのAl2O3層を有することが好ましい。鋼層から太陽電池層や有機EL層等にFe原子が拡散すると、これらの層の機能を損なう恐れがある。例えば、鋼層から太陽電池のCIGS層やCIS層等にFe原子が拡散すると、バンドギャップを狭めることで、太陽電池の変換効率が低下するという不具合が生じる。上記AlN層又は上記Al2O3層は、バリア膜として作用することで、鋼層を構成するFe原子が拡散して、CIGS層やCIS層等にまで到達することを防ぐことができる。但し、これらの層の厚さが0.01μm未満では、上述の効果が得られない。厚さ0.08μm超のAlN層や厚さ50μm超のAl2O3層を生成することは、生産コストが上昇するので、好ましくない。また、AlN層又はAl2O3層は自然に形成される層では上述の拡散防止効果は得られないので、意図的に緻密に形成させる必要がある。上記AlN層及びAl2O3層の代わりに、上記Al含有金属層の表面に、厚さ0.1~8μmのCr層、又は、厚さ0.1~8μmのNi層を有してもよい。Cr層又はNi層を有することで、AlN層及びAl2O3層と同様の効果を得ることができる。Cr層又はNi層の厚さが0.1μm未満では、上述の効果が得られない。厚さが8μm超では、生産コストが上昇する。上記AlN層及びAl2O3層の代わりに、上記Al含有金属層の表面に、厚さ0.001~8μmの三次元網目構造状に発達したシロキサン結合を主骨格とした無機骨格を有し、この骨格の架橋酸素の少なくとも1個が有機基および/または水素原子で置換されたゾルゲル層を有してもよい。ゾルゲル層を有することで、AlN層及びAl2O3層と同様の効果を得ることができる。より好ましくは、0.1μm以上の厚さとすると上述の効果がより増すので良い。ゾルゲル層の厚さが0.001μm未満では、上述の効果が得られない。厚さが8μm超では、生産コストが上昇する。上記AlN層及びAl2O3層の代わりに、上記Al含有金属層の表面に、厚さ0.1~8μmのポリオレフィン、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミドから選ばれるプラスティックフィルムなどから構成されるラミネート層を有してもよい。ラミネート層を有することで、AlN層及びAl2O3層と同様の効果を得ることができる。ラミネート層の厚さが0.1μm未満では、上述の効果が得られない。厚さが8μm超では、生産コストが上昇する。上記の構造とすることで、例えばCIGSの太陽電池セルが直列に接続されたモジュール回路において、500V以上の耐電圧が確保でき、絶縁破壊を回避できる。また、絶縁破壊に至らずとも、漏れ電流が存在すると太陽電池モジュールの光電変換効率低下の要因となるが、上記の構造とすることでそのような漏れを防止できる。上述の各層の厚さ及び組成を測定する方法は、スパッタ法により金属箔の表面から膜厚方向に掘り下げながら分析する手法や、金属箔の膜厚方向の切断面にて線分析又は点分析を行う手法が有効である。前者手法では、測定深さが大きくなると測定時間が掛かり過ぎるが、後者手法では、断面全体での濃度分布の測定や再現性の確認等を行うのが比較的容易である。線分析又は点分析で、分析の精度を向上させたい場合には、線分析にて分析間隔を狭くして分析したり、点分析にて分析領域を拡大して分析したりすることも有効である。各層の同定は、標準試料即ち濃度100の値をあらかじめ測定しておき、上記組成分析でその濃度が50以上となる領域を判別することで行う。これらの分析に用いる分析装置として、EPMA電子線マイクロ分析、ElectronProbeMicroAnalysis、EDXエネルギー分散型X線分析、EnergyDispersiveX-RayAnalysis、AESオージェ電子分光法、AugerElectronSpectroscopy、TEM透過型電子顕微鏡、TransmissionElectronMicroscope等が利用できる。なお、各層厚さが上述した数値限定を満たすかどうかの判定は、各層の平均厚さによって評価される。局所的に各層厚さが数値限定を満たさない場合があったとしても、上記判定に考慮しない。金属箔を上述した技術構成とすることで、基材用金属箔として要求される耐食性、表面平滑性、及び、弾塑性変形性を同時に満足することが可能となり、太陽電池や有機ELの基材用として使用することが可能となる。基材上に形成する光電変換層としては、CIGS、CIS、CdTe等の化合物系太陽電池、アモルファスSi等の薄膜系太陽電池、それらを複数層積層させたハイブリッド型太陽電池が使用でき、または、基材上には有機EL照明回路を形成することができる。特に、上記のCIGS、CISの主成分は特に制限されず、少なくとも1種のカルコパイライト構造の化合物半導体であることが好ましく、また、光電変換層の主成分は、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含む少なくとも1種の化合物半導体であることが好ましい。さらに、光吸収率が高く、高い光電変換効率が得られることから、上記光電変換層の主成分は、Cu及びAg等より選択された少なくとも1種のIb族元素と、Al、Ga及びIn等より選択された少なくとも1種のIIIb族元素と、S、Se、及びTe等から選択された少なくとも1種のVIb族元素とを含む少なくとも1種の化合物半導体であることが好ましい。具体的には、上記化合物半導体としては、CuAlS2、CuGaS2、CuInS2、CuAlSe2、CuGaSe2、CuInSe2CIS、AgAlS2、AgGaS2、AgInS2、AgAlSe2、AgGaSe2、AgInSe2、AgAlTe2、AgGaTe2、AgInTe2、CuIn1-xGaxSe2CIGS、CuIn1-xAlxSe2、CuIn1-xGaxS,Se2、AgIn1-xGaxSe2及びAgIn1-xGaxS,Se2等が使用できる。次に、本発明の実施形態に係る基材用金属箔の製造方法について詳細に説明する。任意成分の普通鋼炭素鋼板を、第1圧延処理として、200~500μmの厚さになるまで圧延を行う。この圧延方法は、熱間及び冷間のどちらであっても良い。鋼鈑の厚さが200μm未満では、薄すぎて後工程時のハンドリングが困難である。また、鋼鈑の厚さが500μm超では、厚すぎて後工程に負荷がかかりすぎる。後工程での生産性を考慮すると、第1圧延処理として、250~350μmの厚さになるまで圧延を行うことが好ましい。上記第1圧延処理後の鋼鈑を、めっき処理として、60~100質量のAl、0~15質量のSi、及び、0~40質量のCuを含有させためっき浴を用いてめっきする。このめっき方法として、電解めっき法及び無電解めっき法を用いることができる。0~15質量のSi、及び、0~40質量のCuを含有させることで、めっき浴の融点を低減させることができる。よって、上記組成のめっき浴とする。さらに、めっき浴の融点を低下させて、めっき工程を簡便とするためには、68.2質量Al-4.7質量Si-27.1質量Cu、又は、68質量Al-32質量Cuという組成から各成分について±5質量以内の範囲の組成であるAl含有めっき浴を用いることが好ましい。上記めっき処理後の鋼鈑を、第2圧延処理として、10~250μmの厚さになるように、複数のバックアップロールを備えた圧延機を用いて、冷間で、合計圧下率が50以上の圧延を行う。合計圧下率が50未満では、Fe-Al系合金層が分断されず粒状合金にすることができない。粒状合金の球相当直径や、平均間隔を目的の状態に制御するためには、合計圧下率が65以上であることが好ましい。設備能力の制約上、合計圧下率の上限は99となる。また、金属箔の厚さが10μm未満では、基材用金属箔として薄すぎて、強度が不足する。また、金属箔の厚さが250μm超では、基材用金属箔として厚すぎて、重たすぎる。粒状合金のサイズ及び分散状態をさらに制御するには、この第2圧延処理が、少なくとも3パス以上の冷間での圧延であって、第1パスより第2パスの圧下率を高く、この第2パスより第3パスの圧下率を低く、第3パス以降の圧下率を上記第3パスの圧下率より低くすることが好ましい。また、粒状合金のサイズ及び分散状態をより精密に制御するには、各パス間で鋼鈑の圧延方向を入れ替えるリバース圧延を行うことがより好ましい。加えて、金属箔のAl含有金属層表面の突起状欠陥、及び、Al含有金属層表面の光沢度を制御するためには、この第2圧延処理で、上記圧延機に表面粗さがRa200μm以下の鏡面状態である圧延ロールを用いることが好ましい。上記圧延ロールの表面粗さをRa200μm以下とする理由は、Al含有金属層表面を好適に制御するためである。さらに、Al含有金属層表面の突起状欠陥、及び、Al含有金属層表面の光沢度を制御するために、必要に応じて、上記第2圧延処理後の金属箔を、スキンパス圧延処理として、ブライト仕上げ圧延を行うことが好ましい。このスキンパス圧延処理では、表面粗さがRa1μm以下の鏡面状態である圧延ロールを用いることが好ましい。上記圧延ロールの表面粗さをRa1μm以下とする理由は、Al含有金属層表面を好適に制御するためである。第2圧延処理又はスキンパス圧延処理後の上記金属箔のAl含有金属層の厚さは、0.1~30μmであることが好ましい。0.1μm未満では、充分な耐食効果は得られず、30μm超では、Alを大量にめっきする必要があり、生産コストが高くなるためである。好ましくは、上記Al含有金属層の厚さが、1~30μmである。より好ましくは、上記Al含有金属層の厚さが、3~30μmである。最も好ましくは、上記Al含有金属層の厚さが、8~30μmである。また必要に応じて、第2圧延処理又はスキンパス圧延処理後の上記金属箔のAl含有金属層表面に、AlN層を緻密な状態で形成させるため、加熱処理を行うことが好ましい。これは、上記金属箔を、アンモニア又はヒドラジンを10体積±2体積含有する不活性ガスアルゴン、窒素、窒素水素等中に配置して、500~600°Cの温度範囲で、1~10時間の加熱を行う処理である。同様に、第2圧延処理又はスキンパス圧延処理後の上記金属箔のAl含有金属層表面に、Al2O3層を緻密な状態で形成させるため、陽極酸化処理として、陽極酸化法によりAl含有金属層表面を酸化させることが好ましい。処理条件は、従来から知られている硫酸アルマイト、しゅう酸アルマイト、又は、クロム酸アルマイト等が利用できるが、中でも硫酸アルマイトがもっとも経済的で工業的に適している。但し、上記金属箔が薄く、陽極酸化処理中に上記金属箔が変形する危険性があるため、陽極酸化処理が終了後、すみやかに水冷するのが上記金属箔の平たん度を維持する上で重要である。また、Al含有金属層の表面に、Cr層又はNi層を形成させるためには、スパッタ法や、蒸着法で比較的簡便に成膜することができる。しかし、緻密で均質なCr層又はNi層を形成させるには、電解めっき法を用いることが好ましい。よって、第2圧延処理又はスキンパス圧延処理後の上記金属箔のAl含有金属層表面に、Cr層又はNi層を緻密な状態で形成させるため、電解めっき処理として、めっきを施すことが好ましい。同様に、第2圧延処理又はスキンパス圧延処理後の上記金属箔のAl含有金属層表面に、ゾルゲル層を形成させるため、ゾルゲル層の成膜処理を行うことが好ましい。まず、最終的な焼き付け工程で得られる被膜中の水素濃度[H]mol/lとシリコン濃度[Si]mol/lとの比が、0.1≦[H]/[Si]≦10となるようなゾルを調製する。次いで、調製したゾルを上記金属箔のAl含有金属層表面に塗布し、乾燥する。最後に乾燥した後に焼付けを行うことによって、無機有機ハイブリッド膜被覆を備える金属箔を製造することができる。同様に、第2圧延処理又はスキンパス圧延処理後の上記金属箔のAl含有金属層表面に、ラミネート層を形成させるため、ラミネート層の成膜処理を行うことが好ましい。ポリオレフィン、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミドから選ばれるプラスティックフィルムなどから構成されるラミネートを用いてナイロン系接着剤で上記金属箔のAl含有金属層表面と接するようにした後に加熱し、1MPa程度の圧力で熱圧着する熱ラミネート法で成膜することができる。尚、ポリイミドから選ばれるプラスティックフィルムなどから構成されるラミネートの代わりに、ポリイミドから成る耐熱樹脂を使うこともできる。実施例により本発明の一態様の効果を更に具体的に説明するが、実施例での条件は、本発明の実施可能性及び効果を確認するために採用した一条件例であり、本発明は、この一条件例に限定されない。本発明は、本発明の要旨を逸脱せず、本発明の目的を達成する限り、種々の条件を採用し得る。[実験例1]実験例1では、第一圧延処理として、軟鋼を熱間及び冷間で圧延し、めっき処理として、この圧延鋼鈑に溶融Alめっきを行い、第二圧延処理として、この溶融Alめっき鋼板を冷間圧延して、金属箔を製造した。一部の金属箔は必要に応じて、第二圧延処理でリバース圧延を実施した。同様に、一部の金属箔は必要に応じて、第二圧延処理後にスキンパス圧延処理を実施した。表1に、第一圧延処理、めっき処理、第二圧延処理、及び、スキンパス圧延処理の製造条件を記す。表中、下線で示す数値は、本発明の範囲外であることを示す。上記製造した金属箔の、表面および界面の状態や、粒状合金の状態を、金属箔の圧延方向と直交する板幅方向が観察面となるように板厚方向に沿って平面切断した切断面の金属組織を観察することで確認した。金属組織観察は、観察視野が板幅方向で20μm以内となる倍率で行い、板幅方向の合計視野が300μm以上となるように、少なくとも15視野以上を観察した。輪郭曲線、界面曲線、それらの平均直線、及び、粒状合金の球相当直径は、画像解析により求めた。また、上記製造した金属箔を用いて、耐食試験、180度密着曲げ試験、及び、光沢度測定試験を行った。表2に、金属箔の表面、界面、粒状合金の状態、及び、耐食試験、180度曲げ試験、光沢度測定試験の結果を記す。表中、下線で示す数値は、本発明の範囲外であることを示す。また、表中、xave<yを満足する場合をGGood、満足しない場合をNGNotGoodで示す。耐食試験は、塩水噴霧試験SSTによって評価した。35°Cに保持された5NaCl水を噴霧し、400時間以上目視で腐食を確認できない場合をVGVeryGood、300時間以上をGGood、100時間以上をNGNotGood、100時間未満をBBadとした。そして、NGとBとを、不合格とした。180度密着曲げ試験は、金属箔に、内側半径が零で、曲げ角度が180°となる180度密着曲げ加工を繰り返して実施し、皮膜の剥離または亀裂が生じる加工回数を調査することで実施した。皮膜の剥離または亀裂の観察は、180度密着曲げ加工の1サイクル毎に、金属箔の曲げ外周部を光学顕微鏡で観察することで行った。皮膜の剥離または亀裂が、光学顕微鏡で観察された時点の加工回数を皮膜破壊回数とした。皮膜破壊回数は、3回以上で、弾塑性変形性が良好であると判断した。光沢度測定試験は、光沢度計を用いて、金属箔に、入射角60°で光を入射させ、銀鏡面の反射率に対する比率を測定することで実施した。光沢度は、75以上で光沢が良好であると判断した。表1及び表2に示すように、実施例1~28は、金属箔の製造条件、金属箔の表面、界面、粒状合金の状態が、いずれも目標を達成しており、その結果、優れた耐食性、弾塑性変形性、表面平滑性、光沢度を示している。これに対し、比較例1~12は、金属箔の製造条件、金属箔の表面、界面、粒状合金の状態のいずれかが目標を達成しておらず、その結果、耐食性、弾塑性変形性、表面平滑性、光沢度のいずれかが不十分となっている。比較例1と2とは、輪郭平均直線からの距離が10μm超となる極大点が存在し、表面平滑性が優れなかった例である。そして、光沢度も不十分となった。比較例3は、輪郭平均直線からの距離が10μm超となる極大点が存在し、そして、x≦0.5Tを満足する粒状合金が95未満となった例である。そのため、耐食性と180°密着曲げ性とが不十分となった。比較例4~10は、x≦0.5Tを満足する粒状合金が95未満となった例である。そのため、180度密着曲げ性が不十分となった。比較例11は、第1圧延処理後の板厚が190μmのサンプルであるため、板厚が薄くて、その後のめっき処理に進める事ができなかった例である。比較例12は、第1圧延処理後の板厚が510μmのサンプルであるため、めっき処理は実施できたものの、その後の第2圧延処理において、狙った圧下率でサンプルを作製することができなかった例である。[実験例2]実験例2では、実験例1の実施例1で作製した金属箔に、AlN層、Al2O3層、Cr層、Ni層、ゾルゲル層、及び、ラミネート層を形成させ、その膜厚を変化させることでCIGS光電変換効率を調べた。CIGS光電変換効率は、8未満をNGNotGood、8以上10未満をGGood、10以上12未満をVGVeryGood、12以上をGGGreatlyGoodとして評価した。そして、NGを不合格とした。AlN層は、アンモニア含有する不活性ガスを用いた加熱処理により作製した。Al2O3層は硫酸アルマイト処理により作製した。Cr層およびNi層はスパッタ法により作製した。ゾルゲル層の形成では、ゾル調製の出発原料として10モルのメチルトリエトキシシランと10モルのテトラエトキシシランの混合物を用い、この混合物に20モルのエタノールを加えて良く撹拌した。その後、撹拌しながら、2モルの酢酸と100モルの水を混合した酢酸水溶液を滴下し加水分解を行った。この様にして得たゾルに100モルのエタノールを加えて最終的なゾルを得た。ディップコーティング法によってめっき普通鋼箔の両面にこのゾルを塗布した後、空気中で100°C、1分間の乾燥を行った。その後、窒素雰囲気中で昇温速度10°C/分として室温から400°Cまで昇温し、400°Cで30分間焼き付けてゾルゲル層を得た。ラミネート層の形成では、ナイロン系接着剤をクレゾールとキシレンの質量比70:30の混合溶剤に15質量の濃度で溶解し、その溶解物を樹脂に塗布した後、その樹脂を300°Cに加熱されためっき普通鋼箔に1MPaの圧力で熱圧着することで熱ラミネートした。表3にその結果を示す。表3に示すように、実施例29~52は、いずれも優れた光電変換効率を示している。特に、AlN層、Al2O3層、Cr層、Ni層、ゾルゲル層、及び、ラミネート層の厚さが最適に制御されている実施例は、さらに優れた光電変換効率を示している。実施例30~32は、AlN層の厚さが最適に制御されているため、さらに優れた光電変換効率を示す。実施例34~36は、Al2O3層の厚さが最適に制御されているため、さらに優れた光電変換効率を示す。実施例38~40は、Cr層の厚さが最適に制御されているため、さらに優れた光電変換効率を示す。実施例42~44は、Ni層の厚さが最適に制御されているため、さらに優れた光電変換効率を示す。実施例46~48は、ゾルゲル層の厚さが最適に制御されているため、さらに優れた光電変換効率を示す。実施例50~52は、ラミネート層の厚さが最適に制御されているため、さらに優れた光電変換効率を示す。"