"下記一般式1で表される部分構造を、フラーレン骨格内に1箇所又は2箇所有するフラーレン誘導体A、酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する基材成分B、露光により酸を発生する酸発生剤C、含窒素有機化合物D及び有機溶媒Eを含有することを特徴とするEUV極紫外線光露光用レジスト組成物。[一般式1中、C1~C10は、フラーレン骨格を構成する炭素原子を表し、C1は水素原子又は任意の基と結合しており、C6~C10は、各々独立に、下記一般式2で表される基と結合している。一般式2中、Arは炭素数6~18の芳香族性を有する炭化水素基を表し、R1は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、又は置換基を有してもよいアリール基を表し、nは1~3の整数を表す。]前記フラーレン誘導体Aの含有量が、前記基材成分Bの50重量以下であることを特徴とする請求項1に記載のEUV極紫外線光露光用レジスト組成物。前記基材成分Bとして、酸解離性基で保護されたアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性の樹脂であって、該酸解離性基の解離によりアルカリ可溶性となる樹脂を含むEUV極紫外線光露光用ポジ型レジスト組成物であることを特徴とする請求項1又は2に記載のEUV極紫外線光露光用レジスト組成物。前記基材成分Bが、ポリヒドロキシスチレン樹脂であることを特徴とする請求項3に記載のEUV極紫外線光露光用レジスト組成物。前記基材成分Bがメタクリル樹脂であることを特徴とする請求項3に記載のEUV極紫外線光露光用レジスト組成物。さらに架橋剤成分Fを含有する、EUV極紫外線光露光用ネガ型レジスト組成物であることを特徴とする請求項1又は2に記載のEUV極紫外線光露光用レジスト組成物。前記酸発生剤Cがオニウム塩系酸発生剤であることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載のEUV極紫外線光露光用レジスト組成物。前記オニウム塩系酸発生剤が、下記一般式3で表されるスルホニウム塩系酸発生剤及び/又は下記一般式4で表されるヨードニウム塩系酸発生剤あることを特徴とする請求項7に記載のEUV極紫外線光露光用レジスト組成物。[一般式3、4中、R2~R4は、それぞれ独立に炭素数1~20の有機基を表し、R5は直鎖、分岐又は環状の、アルキル基又はフッ素化アルキル基を表す。]前記含窒素有機化合物Dが第3級脂肪族アミンであることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1項に記載のEUV極紫外線光露光用レジスト組成物。請求項1ないし9のいずれか1項に記載のEUV極紫外線光露光用レジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程、形成されたレジスト膜を加熱処理する工程、加熱処理後のレジスト膜を選択的にEUV露光する工程、及びEUV露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。本発明は、極微細パターンを形成可能なEUVリソグラフィーにおいて、エッチング耐性が高く、LWRとアウトガスを低減したレジスト膜を与えるレジスト組成物、及びこれを用いたレジストパターン形成方法を提供することを目的とする。本発明者らは、上記課題を解決するべく鋭意検討した結果、特定の置換基を特定の箇所に有するフラーレン誘導体を含有した化学増幅型レジスト組成物を用いれば、エッチング耐性が極めて高く、またLWRとアウトガスの低減が可能であることを見出し、本発明を完成させた。即ち、本発明の要旨は、下記[1]~[10]に存する。[1]下記一般式1で表される部分構造を、フラーレン骨格内に1箇所又は2箇所有するフラーレン誘導体A、酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する基材成分B、露光により酸を発生する酸発生剤C、含窒素有機化合物D及び有機溶媒Eを含有することを特徴とするEUV極紫外線光露光用レジスト組成物。[一般式1中、C1~C10は、フラーレン骨格を構成する炭素原子を表し、C1は水素原子又は任意の基と結合しており、C6~C10は、各々独立に、下記一般式2で表される基と結合している。一般式2中、Arは炭素数6~18の芳香族性を有する炭化水素基を表し、R1は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、又は置換基を有してもよいアリール基を表し、nは1~3の整数を表す。][2]前記フラーレン誘導体Aの含有量が、前記基材成分Bの50重量以下であることを特徴とする[1]に記載のEUV極紫外線光露光用レジスト組成物。[3]前記基材成分Bとして、酸解離性基で保護されたアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性の樹脂であって、該酸解離性基の解離によりアルカリ可溶性となる樹脂を含むEUV極紫外線光露光用ポジ型レジスト組成物であることを特徴とする[1]又は[2]に記載のEUV極紫外線光露光用レジスト組成物。[4]前記基材成分Bが、ポリヒドロキシスチレン樹脂であることを特徴とする[3]に記載のEUV極紫外線光露光用レジスト組成物。[5]前記基材成分Bがメタクリル樹脂であることを特徴とする[3]に記載のEUV極紫外線光露光用レジスト組成物。[6]さらに架橋剤成分Fを含有する、EUV極紫外線光露光用ネガ型レジスト組成物であることを特徴とする[1]又は[2]に記載のEUV極紫外線光露光用レジスト組成物。[7]前記酸発生剤Cがオニウム塩系酸発生剤であることを特徴とする[1]ないし[6]のいずれかに記載のEUV極紫外線光露光用レジスト組成物。[8]前記オニウム塩系酸発生剤が、下記一般式3で表されるスルホニウム塩系酸発生剤及び/又は下記一般式4で表されるヨードニウム塩系酸発生剤あることを特徴とする[7]に記載のEUV極紫外線光露光用レジスト組成物。[一般式3、4中、R2~R4は、それぞれ独立に炭素数1~20の有機基を表し、R5は直鎖、分岐又は環状の、アルキル基又はフッ素化アルキル基を表す。][9]前記含窒素有機化合物Dが第3級脂肪族アミンであることを特徴とする[1]ないし[8]のいずれかに記載のEUV極紫外線光露光用レジスト組成物。[10][1]ないし[9]のいずれかに記載のEUV極紫外線光露光用レジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程、形成されたレジスト膜を加熱処理する工程、加熱処理後のレジスト膜を選択的にEUV露光する工程、及びEUV露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。本発明によれば、エッチング耐性が極めて高く、またLWRの低減が可能で、アウトガスの発生量も少ない、フラーレン誘導体を含むEUV光露光用レジスト組成物、並びにレジストパターン形成方法を提供できる。以下、本発明の実施の形態について詳細に説明するが、本発明は以下の内容に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内で任意に変更して実施することができる。[1.レジスト組成物]本発明のEUV光露光用レジスト組成物以下、本発明のレジスト組成物と称す場合がある。は、下記一般式1で表される部分構造を、フラーレン骨格内に1箇所又は2箇所有するフラーレン誘導体A、酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する基材成分B、露光により酸を発生する酸発生剤C、含窒素有機化合物D及び有機溶媒Eを含有する。[一般式1中、C1~C10は、フラーレン骨格を構成する炭素原子を表し、C1は水素原子又は任意の基と結合しており、C6~C10は、各々独立に、下記一般式2で表される基と結合している。一般式2中、Arは炭素数6~18の芳香族性を有する炭化水素基を表し、R1は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、又は置換基を有してもよいアリール基を表し、nは1~3の整数を表す。]酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する基材成分Bは、露光時に発生した酸の作用によりアルカリ現像液溶解性が増大するものであってもよく、また低減するものであってもよい。本発明のレジスト組成物は、酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する基材成分Bが前者の場合はポジ型レジスト組成物となり、後者の場合はネガ型レジスト組成物となる。本発明のレジスト組成物は、ポジ型レジスト組成物であってもよく、ネガ型レジスト組成物であってもよい。本発明のレジスト組成物が、ポジ型レジスト組成物である場合は、通常酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する基材成分Bに酸不安定基、即ち酸解離性基を有するものが用いられる。ポジ型レジスト組成物は、レジストパターン形成時にEUV露光により酸が発生すると、基材成分Bに当該酸が作用して酸解離性基が反応し、これが解離することによって、レジスト組成物がEUV露光部においてアルカリ現像液不溶性から可溶性へと変化し、アルカリ現像が可能となる。本発明のレジスト組成物が、ネガ型レジスト組成物である場合、通常フラーレン誘導体A、酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する基材成分B、露光により酸を発生する酸発生剤C、含窒素有機化合物D及び有機溶媒Eに加えて、更に架橋剤成分Fを含有している。ネガ型レジスト組成物は、レジストパターン形成時にEUV露光により酸が発生すると、当該酸が作用して、酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する基材成分Bと架橋剤成分Fとの間で架橋が起こり、レジスト組成物がEUV露光部においてアルカリ現像液可溶性から不溶性へと変化し、アルカリ現像工程が可能となる。この際、フラーレン誘導体Aと架橋剤成分Fとの間で架橋反応が進むものであってもよい。[2.フラーレン誘導体A]本発明で用いるフラーレン誘導体Aは、特定の部分構造を有するフラーレン誘導体である。ここで、フラーレンとは、閉殻構造を有する炭素クラスターであり、フラーレンの炭素原子数は、通常60~130の偶数である。フラーレンの具体例としては、C60、C70、C76、C78、C82、C84、C90、C94、C96及びこれらよりも多くの炭素原子を有する高次の炭素クラスター等が挙げられる。なお、本明細書では、炭素原子数iここでiは任意の自然数を表す。のフラーレン骨格を適宜、一般式Ciで表す。また、フラーレン誘導体とは、フラーレン骨格を有する化合物又は組成物の総称である。即ち、フラーレン誘導体には、フラーレン骨格上に置換基を有したものの他、フラーレン骨格の内部に金属や化合物等を内包するもの及び他の金属原子や化合物と錯体を形成したもの等も含まれる。本発明のレジスト組成物に含有されるフラーレン誘導体が有するフラーレン骨格は制限されないが、中でもC60又はC70が好ましく、C60がより好ましい。C60及びC70はフラーレンの製造時に主生成物として得られるので、入手が容易であるという利点がある。即ち、本発明のフラーレン誘導体は、C60又はC70の誘導体であることが好ましく、C60の誘導体であることがより好ましい。また、コストの観点ではC60誘導体とC70の誘導体の混合物であることが好ましい。この場合、C60誘導体とC70の誘導体の混合比は任意であり、レジスト組成物の特徴によって好ましい範囲を決定すればよい。本発明におけるフラーレン誘導体Aは、下記一般式で表される部分構造をフラーレン骨格内に1箇所又は2箇所含有する。ここで、C1は水素原子又は任意の置換基と結合しており、C6~C10は、各々独立に、下記一般式2で表される基と結合している。なお、以下の説明において、C1に結合する水素原子及び置換基を総称して、適宜R10という。また、下記一般式で表される基を、適宜R20という。[一般式1中、C1~C10は、フラーレン骨格を構成する炭素原子を表す。][一般式2中、Arは炭素数6~18の芳香族性を有する炭化水素基を表し、R1は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、又は置換基を有してもよいアリール基を表し、nは1~3の整数を表す。]以下、まずC1と結合している基即ち、R10について、詳細に説明する。一般式中、C1は水素原子又は任意の置換基即ち、R10と結合している。置換基R10は、本発明で用いるフラーレン誘導体Aとして優れた物性を大幅に損ねるものでなければ、その種類に制限は無い。R10の例としては、ハロゲン原子、有機基、その他の置換基などが挙げられる。R10がハロゲン原子である場合、その具体例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。なかでも、製造の容易さから塩素原子及び臭素原子が好ましい。R10が有機基である場合、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、イソプロピル基、sec-ブチル基、iso-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基等の直鎖又は分岐状の鎖状アルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の環状アルキル基;アリル基、クロチル基、シンナミル基等のアルケニル基;ベンジル基、p-メトキシベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基;フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、トルイル基等のアリール基;メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基;フェノキシ基等のアリーロキシ基;モノメチルアミノ基、ジメチルアミノ基、モノジエチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の置換アミノ基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;アリーロキシカルボニル基;チエニル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、フリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基等の5員複素環基;ピリジル基、ピリダジル基、ピリミジル基、ピラジル基、ピペリジル基、ピペラジル基、モルホリル基等の6員複素環基;チオホルミル基、チオアセチル基、チオベンゾイル基等のチオカルボニル基;トリメチルシリル基、ジメチルシリル基、モノメチルシリル基、トリエチルシリル基、ジエチルシリル基、モノエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジイソプロピルシリル基、モノイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、ジフェニルシリル基、モノフェニルシリル基等の置換シリル基等が挙げられる。また、R10が有機基である場合には、本発明で用いるフラーレン誘導体Aとしての優れた物性を大幅に損なわない限り、前記有機基は更に別の置換基を有していてもよい。R10の有機基が有していてもよい置換基の例としては、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、水酸基ヒドロキシ基、アミノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子等が挙げられる。また、これらの置換基が更に一以上の置換基によって多重に置換されていてもよい。さらに、R10が有機基である場合、その炭素数は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常1以上、また、通常30以下である。R10が置換基を有する場合には、置換基を含めた炭素数が、上記規定の範囲を満たすことが好ましい。また、R10が上記のハロゲン原子、有機基以外のその他の置換基である場合、その具体例としては、水酸基ヒドロキシ基、アミノ基、メルカプト基、カルボキシル基、シアノ基、シリル基、ニトロ基等が挙げられる。上記のうち、R10として好ましい基としては、水素原子;ハロゲン原子;メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基;アリル基、クロチル基、シンナミル基等のアルケニル基等が挙げられる。中でも、R10としては、合成の容易さ及び耐酸化性の観点から炭素数1~6のアルキル基がより好ましく、EUVアウトガス低減の観点から安定性の高いメチル基が特に好ましい。続いて、一般式で表される基即ち、R20について、詳細に説明する。R20は、炭素数6~18の芳香族性を有する炭化水素基であるArに1~3個のOR1基R1は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、又は置換基を有してもよいアリール基が結合した基である。上記、OR1基が結合している炭素数6~18の芳香族性を有する炭化水素基Arの具体的な例としては、フェニル基;ビニルフェニル基、ジビニルフェニル基、トリビニルフェニル基等のビニルフェニル基;ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、ビフェニレニル基、as-インダセニル基、s-インダセニル基、アセナフチレニル基、フルオレニル基、フェナレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオラセニル基、アセフェナンチレニル基、アセアンチレニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、テトラセニル基等の環状炭化水素基が挙げられる。これらの中で、原料調達の観点からフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナレニル基、ピレニル基が好ましく、合成の容易さからフェニル基、ナフチル基が特に好ましい。上記、炭素数6~18の芳香族性を有する1価の炭化水素基Arがフラーレン骨格のC6~C10と結合する位置は限定されず任意であるが、例えばナフタレン骨格を有する基の場合、原料調達の観点や合成の容易さからβ位で結合していることが好ましい。他の炭化水素基Arに関しても、上記観点で好ましい結合位置を各々決めることができる。一般式において、炭素数6~18の芳香族性を有する炭化水素基Arと結合しているOR1基R1は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、又は置換基を有してもよいアリール基の数は1~3個である。通常、合成が容易である観点からはOR1基の数、即ちnは1個であることが好ましく、また現像液溶解性やEUV光が照射された際のプロトン源の増大という観点では、OR1基の数、即ちnは2個もしくは3個が好ましい。なお、OR1基が芳香族性を有する炭化水素基Arに結合する位置は限定されず任意であり、複数のOR1基がある場合はその相対的な位置関係も、制限されず任意である。本発明に用いられるフラーレン誘導体Aにおいて、一般式で表される基即ち、R20は、合成上の観点から-C6H4-4-OR1、-C6H4-3-OR1、-C6H3-3,4-OR12、-C6H3-3,5-OR12、-C6H2-3,4,5-OR13、-β-C10H6-6-OR1等のフェノール類、カテコール類、ピロガロール類、ナフトール類が特に好ましい。本発明のフラーレン誘導体Aでは、一般式のC6~C10は、各々独立に、一般式で表される基即ち、R20と結合している。なお、R20は互いに同じ構造の基であってもよく、異なる構造の基であってもよいが、合成が容易である点から、C6~C10に結合するR20は全て同じ構造の基であることが好ましい。本明細書では、一般式のC1が水素原子又は任意の置換基即ち、R10と結合し、C6~C8が各々独立に一般式で表される基即ち、R20と結合した部分構造を、3重付加部分構造という場合がある。また、一般式のC1が水素原子又は任意の置換基即ち、R10と結合し、C6~C10が各々独立に一般式で表される基即ち、R20と結合した部分構造を、5重付加部分構造という場合がある。本発明で用いるフラーレン誘導体Aの例を以下に挙げる。ただし、本発明で用いるフラーレン誘導体Aは、以下に挙げる例に制限されるものではない。フラーレン骨格上に5重付加部分構造を1つ有する、一般式CiR205R10で表される5重付加フラーレン誘導体。フラーレン骨格上に3重付加部分構造を1つ、5重付加部分構造を1つ有する、一般式CiR208R102で表される8重付加フラーレン誘導体。フラーレン骨格上に5重付加部分構造を2つ有する、一般式CiR2010R102で表される10重付加フラーレン誘導体。これらの中でも、本発明で用いるフラーレン誘導体Aとしては、製造が容易であり、単一化合物が製造できるため、分布の幅を狭められる観点からはフラーレン骨格上に5重付加部分構造を1つ有する、一般式CiR205R10で表される5重付加フラーレン誘導体が好ましく、また、シリコン基板との密着性やEUV露光時のプロトン源増大、アルカリ現像液への溶解性の観点からはCiR2010R102で表される10重付加フラーレン誘導体が好ましい。なお、上記5重付加フラーレン誘導体、8重付加フラーレン誘導体及び10重付加フラーレン誘導体の構造は中村らによって明らかにされている。本発明のレジスト組成物におけるフラーレン誘導体Aの含有量は、後述する酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する基材成分Bに対して通常0.01~50重量が好ましく、0.05~30重量が更に好ましく、0.1~20重量が最も好ましい。レジスト組成物中のフラーレン誘導体Aが多すぎると感度の悪化等を引き起こす可能性が有り、少なすぎると十分なエッチング耐性向上効果が得られない可能性がある。[3.酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する基材成分B]本発明のEUV光露光用レジスト組成物が、EUV光露光用ポジ型レジスト組成物である場合、酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する基材成分Bは、酸解離性基で保護されたアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性の樹脂であって、該酸解離性基が解離した時にアルカリ可溶性となる樹脂以下、酸解離性基含有樹脂という。であり、レジストパターン形成時にEUV露光により酸が発生すると、基材成分Bに当該酸が作用して酸解離性基が反応し、解離することによって、レジスト組成物がEUV露光部においてアルカリ現像液不溶性から可溶性へと変化し、アルカリ現像が可能となる。酸解離性基含有樹脂は、フェノール性水酸基、カルボキシル基等の1種以上の酸性官能基を含有する樹脂、例えば後述する式5~8で表される繰返し単位を有するアルカリ可溶性樹脂中の酸性官能基の水素原子を、酸の存在下で解離することができる1種以上の酸解離性基で置換した、それ自体としてはアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性の樹脂である。ここで言うアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性とは、酸解離性基含有樹脂を含有するレジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜からレジストパターンを形成する際に採用されるアルカリ現像条件下で、当該レジスト膜の代わりに酸解離性基含有樹脂のみを用いて形成した膜を現像した場合に、当該膜の初期膜厚の50以上が現像後に残存する性質を意味する。酸解離性基含有樹脂における前記酸解離性基としては、例えば、置換メチル基、1-置換エチル基、1-分岐アルキル基、シリル基、ゲルミル基、アルコキシカルボニル基、アシル基、環式酸解離性基等を挙げることができる。前記置換メチル基としては、例えば、メトキシメチル基、メチルチオメチル基、エトキシメチル基、エチルチオメチル基、メトキシエトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ベンジルチオメチル基、フェナシル基、ブロモフェナシル基、メトキシフェナシル基、メチルチオフェナシル基、α-メチルフェナシル基、シクロプロピルメチル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメチル基、ブロモベンジル基、ニトロベンジル基、メトキシベンジル基、メチルチオベンジル基、エトキシベンジル基、エチルチオベンジル基、ピペロニル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、n-プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルメチル基、n-ブトキシカルボニルメチル基、t-ブトキシカルボニルメチル基等を挙げることができる。また、前記1-置換エチル基としては、例えば、1-メトキシエチル基、1-メチルチオエチル基、1,1-ジメトキシエチル基、1-エトキシエチル基、1-エチルチオエチル基、1,1-ジエトキシエチル基、1-フェノキシエチル基、1-フェニルチオエチル基、1,1-ジフェノキシエチル基、1-ベンジルオキシエチル基、1-ベンジルチオエチル基、1-シクロプロピルエチル基、1-フェニルエチル基、1,1-ジフェニルエチル基、1-メトキシカルボニルエチル基、1-エトキシカルボニルエチル基、1-n-プロポキシカルボニルエチル基、1-イソプロポキシカルボニルエチル基、1-n-ブトキシカルボニルエチル基、1-t-ブトキシカルボニルエチル基等を挙げることができる。また、前記1-分岐アルキル基としては、例えば、イソプロピル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、1,1-ジメチルプロピル基、1-メチルブチル基、1,1-ジメチルブチル基等を挙げることができる。また、前記シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、メチルジエチルシリル基、トリエチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、メチルジイソプロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、t-ブチルジメチルシリル基、メチルジ-t-ブチルシリル基、トリ-t-ブチルシリル基、フェニルジメチルシリル基、メチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリル基等を挙げることができる。また、前記ゲルミル基としては、例えば、トリメチルゲルミル基、エチルジメチルゲルミル基、メチルジエチルゲルミル基、トリエチルゲルミル基、イソプロピルジメチルゲルミル基、メチルジイソプロピルゲルミル基、トリイソプロピルゲルミル基、t-ブチルジメチルゲルミル基、メチルジ-t-ブチルゲルミル基、トリ-t-ブチルゲルミル基、フェニルジメチルゲルミル基、メチルジフェニルゲルミル基、トリフェニルゲルミル基等を挙げることができる。また、前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基等を挙げることができる。また、前記アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピバロイル基、イソバレリル基、ラウリロイル基、ミリストイル基、パルミトイル基、ステアロイル基、オキサリル基、マロニル基、スクシニル基、グルタリル基、アジポイル基、ピペロイル基、スベロイル基、アゼラオイル基、セバコイル基、アクリロイル基、プロピオロイル基、メタクリロイル基、クロトノイル基、オレオイル基、マレオイル基、フマロイル基、メサコノイル基、カンホロイル基、ベンゾイル基、フタロイル基、イソフタロイル基、テレフタロイル基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒドロアトロポイル基、アトロポイル基、シンナモイル基、フロイル基、テノイル基、ニコチノイル基、イソニコチノイル基、p-トルエンスルホニル基、メシル基等を挙げることができる。さらに、前記環式酸解離性基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、4-メトキシシクロヘキシル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、3-ブロモテトラヒドロピラニル基、4-メトキシテトラヒドロピラニル基、4-メトキシテトラヒドロチオピラニル基、3-テトラヒドロチオフェン-1,1-ジオキシド基、ノルボルニル基、イソボルニル基、トリシクロデカニル基、アダマンチル基、メチルアダマンチル基等を挙げることができる。これらの酸解離性基のうち、t-ブチル基、ベンジル基、1-メトキシエチル基、1-エトキシエチル基、トリメチルシリル基、t-ブトキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニルメチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、ノルボルニル基、メチルアダマンチル基等が好ましい。酸解離性基含有樹脂中における酸解離性基の導入率酸解離性基含有樹脂中の酸性官能基と酸解離性基との合計数に対する酸解離性基の数の割合は、酸解離性基や該基が導入されるアルカリ可溶性樹脂の種類により一概には規定できないが、好ましくは10~100、さらに好ましくは15~100である。また、酸解離性基含有樹脂のゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定したポリスチレン換算重量分子量以下、Mwという。は、好ましくは1,000~150,000、さらに好ましくは3,000~100,000である。酸解離性基含有樹脂は、例えば、予め製造したアルカリ可溶性樹脂に1種以上の酸解離性基を導入することによって製造することができ、また酸解離性基を有する1種以上の単量体の共重合、酸解離性基を有する1種以上の重縮合成分の共重縮合等によって製造することができるなお、ここで、共重合とは重合又は共重合を意味する。後述の共重縮合についても同様である。。本発明のEUV光露光用ポジ型レジスト組成物において、基材成分B、即ち、酸解離性基含有樹脂としては、好ましくは、ポリヒドロキシスチレン樹脂中の水酸基の水素原子の一部を前記酸解離性基で置換した樹脂、ヒドロキシスチレン及び/又はヒドロキシ-α-メチルスチレンとメタアクリル酸との共重合体中の水酸基の水素原子及び/又はカルボキシル基の水素原子の一部あるいは全部を前記酸解離性基で置換したメタアクリル樹脂、好ましくはメタクリル樹脂等が挙げられるここで、メタアクリルとはアクリル又はメタクリルを意味する。後述のメタアクリロについても同様である。。本発明のEUV光露光用ポジ型レジスト組成物において、基材成分Bとしての酸解離性基含有樹脂は、1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができる。本発明のEUV光露光用ネガ型レジスト組成物において、酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する基材成分Bは、レジストパターン形成時にEUV露光により酸が発生すると、当該酸が作用して、基材成分Bと後述の架橋剤成分Fとの間で架橋が起こり、レジスト組成物がEUV露光部においてアルカリ現像液可溶性から不溶性へと変化し、アルカリ現像が可能となるものであり、従って、当該基材成分Bは、アルカリ現像液と親和性を示す官能基、例えば、フェノール性水酸基、カルボキシル基等の酸性官能基を1種以上有する、アルカリ現像液に可溶なアルカリ可溶性樹脂である。ここで言うアルカリ可溶性とは、アルカリ可溶性樹脂を含有するレジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜からレジストパターンを形成する際に採用されるアルカリ現像条件下で、当該レジスト膜の代わりにアルカリ可溶性樹脂のみを用いて形成した膜を現像した場合に、当該膜の初期膜厚の50以上が現像後に残存しない性質を意味する。このようなアルカリ可溶性樹脂としては、例えば、下記一般式5~7で表される繰返し単位を1種以上有する付加重合系樹脂、下記一般式8で表される繰返し単位を1種以上有する重縮合系樹脂等を挙げることができる。[一般式5において、R11は水素原子又はメチル基を示し、R12は-OH、-COOH、-R13COOH、-OR13COOH又はOCOR13COOH但し、R13は-CH2g-を示し、gは1~4の整数である。を示す。][一般式6において、R11は水素原子又はメチル基を示す。][一般式8において、R14、R15、R16、R17及びR18は、相互に同一でも異なってもよく、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を示す。]アルカリ可溶性樹脂が付加重合系樹脂の場合、前記一般式5~7で表される繰返し単位のみから構成されていてもよいが、生成した樹脂がアルカリ現像液に可溶である限りでは、他の繰返し単位をさらに有することもできる。このような他の繰返し単位としては、例えば、スチレン、α-メチルスチレン、無水マレイン酸、メタアクリロニトリル、クロトンニトリル、マレインニトリル、フマロニトリル、メサコンニトリル、シトラコンニトリル、イタコンニトリル、メタアクリルアミド、クロトンアミド、マレインアミド、フマルアミド、メサコンアミド、シトラコンアミド、イタコンアミド、ビニルアニリン、ビニルピリジン、ビニル-ε-カプロラクタム、ビニルピロリドン、ビニルイミダゾール等の重合性二重結合を有する単量体の重合性二重結合部分が開裂した単位を挙げることができる。前記付加重合系樹脂は、例えば、一般式5~7で表される繰返し単位に対応する単量体の1種以上を、場合により前記他の繰返し単位に対応する単量体とともに、共重合することにより製造することができる。これらの共重合は、単量体、反応媒質の種類等に応じて、ラジカル重合開始剤、アニオン重合触媒、配位アニオン重合触媒、カチオン重合触媒等の重合開始剤あるいは重合触媒を適宜に選定し、塊状重合、溶液重合、沈澱重合、乳化重合、懸濁重合、塊状-懸濁重合等の適宜の重合方法により実施することができる。また、アルカリ可溶性樹脂が重縮合系樹脂の場合、前記式8で表される繰返し単位のみから構成されていてもよいが、生成した樹脂がアルカリ現像液に可溶である限りでは、他の繰返し単位をさらに有することもできる。このような重縮合系樹脂は、式8で表される繰返し単位に対応する1種以上のフェノール類と、1種以上のアルデヒド類とを、場合により他の繰返し単位を形成しうる重縮合成分とともに、酸性触媒の存在下、水媒質中又は水と親水性溶媒との混合媒質中で共重縮合することによって製造することができる。前記フェノール類としては、例えば、o-クレゾール、p-クレゾール、2,3-キシレノール、2,4-キシレノール、2,5-キシレノール、3,4-キシレノール、3,5-キシレノール、2,3,5-トリメチルフェノール、3,4,5-トリメチルフェノール等を挙げることができ、また前記アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、トリオキサン、パラホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド等を挙げることができる。アルカリ可溶性樹脂中の一般式5~8で表される繰返し単位の含有率は、場合により含有される前記他の繰返し単位の種類により一概に規定できないが、好ましくは10~100モル、さらに好ましくは20~100モルである。アルカリ可溶性樹脂のMwは、EUV光露光用ネガ型レジスト組成物の要求特性に応じて変わるが、好ましくは1,000~150,000、さらに好ましくは3,000~100,000である。アルカリ可溶性樹脂は、一般式5、8等で表されるような炭素-炭素不飽和結合を含有する繰返し単位を有する場合、水素添加物として用いることもできる。この場合の水素添加率は、一般式5、8等で表される繰返し単位中に含まれる炭素-炭素不飽和結合の、通常70以下、好ましくは50以下、さらに好ましくは40以下である。水素添加率が70を超えると、アルカリ可溶性樹脂のアルカリ現像液による現像特性が低下するおそれがある。EUV光露光用ネガ型レジスト組成物において、基材成分Bを構成するアルカリ可溶性樹脂としては、特に、ポリヒドロキシスチレン樹脂、ヒドロキシスチレンとヒドロキシ-α-メチルスチレンとの共重合体、ヒドロキシスチレンとスチレンとの共重合体等を主成分とする樹脂が好ましい。本発明のEUV光露光用ネガ型レジスト組成物において、基材成分Bとしてのアルカリ可溶性樹脂は、1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができる。本発明のレジスト組成物において、酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する基材成分Bの含有量は、フラーレン誘導体A、酸発生剤C、含窒素有機化合物D、更に、ネガ型レジスト組成物の場合に含まれる架橋剤成分Fが、それぞれ、基材成分Bに対する好適範囲でレジスト組成物中に含有され、かつ有機溶媒Eにより、後述の好適な固形分濃度に調整される範囲において任意であるが、レジスト組成物の塗布性と、感度やパターン形成性等のレジストとしての性能とのバランスの点において、レジスト組成物中の全固形分の合計に対して40~98重量、特に50~90重量であることが好ましい。なお、ここで固形分とは、レジスト組成物中の有機溶媒E以外の成分をさす。[4.酸発生剤C]酸発生剤Cは、EUV露光により酸を発生させて、酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する基材成分Bのアルカリ溶解性を変化させるものである。本発明で用いる酸発生剤Cとしては特に限定されず、従来、化学増幅型レジスト組成物用の酸発生剤として提案されているものを使用することができる。このような酸発生剤としては、ヨードニウム塩やスルホニウム塩等のオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、グリオキシム系酸発生剤、ジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤等が挙げられる。これらの中でも、オニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤が好ましく、またオニウム塩系酸発生剤が特に好ましく、スルホニウム塩系の酸発生剤が最も好ましい。オニウム塩系酸発生剤の具体例としては、下記一般式3で表されるスルホニウム塩系酸発生剤、下記一般式4で表されるヨードニウム塩系酸発生剤が好ましく、特に下記一般式3で表されるスルホニウム塩系酸発生剤が好ましい。[一般式3、4中、R2~R4は、それぞれ独立に炭素数1~20の有機基を表し、R5は直鎖、分岐又は環状の、アルキル基又はフッ素化アルキル基を表す。]一般式3中のR2~R4、一般式4のR2,R3の炭素数1~20の有機基としては、例えば、直鎖状、分岐状又は環状の、アルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基又はオキソアルケニル基や、アリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基が挙げられる。これらの水素原子の一部又は全部がアルコキシ基等によって置換されていてもよい。また、R2とR3とは互いに結合して環を形成していてもよく、環を形成する場合は炭素数1~10のアルキレン基を示す。また、R2~R4は互いに同一であっても異なっていてもよい。一般式3中のR2~R4の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デカニル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロプロピルメチル基、4-メチルシクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等のアルキル基;ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等のアルケニル基;2-オキソシクロペンチル基、2-オキソシクロヘキシル基、2-オキソプロピル基、2-シクロペンチル-2-オキソエチル基、2-シクロヘキシル-2-オキソエチル基、2-4-メチルシクロヘキシル-2-オキソエチル基等のオキソアルキル基;フェニル基、ナフチル基等のアリール基;p-メトキシフェニル基、m-メトキシフェニル基、o-メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、p-tert―ブトキシフェニル基、m-tert―ブトキシフェニル基等のアルコキシフェニル基;2-メチルフェニル基、3-メチルフェニル基、4-メチルフェニル基、エチルフェニル基、4-tert―ブチルフェニル基、4-ブチルフェニル基、ジメチルフェニル基等のアルキルフェニル基;メチルナフチル基、エチルナフチル基、ジメチルナフル基、ジエチルナフチル基等のアルキルナフチル基;メトキシナフチル基、エトキシナフチル、ジメトキシナフチル基、ジエトキシナフチル基等のアルコキシナフチル基;ベンジル基、フェニルエチル基、フェネチル基等のアラルキル基、2-フェニル-2-オキソエチル基、2-1-ナフチル-2-オキソエチル基、2-2-ナフチル-2-オキソエチル基等の2-アリール-2-オキソアルキル基等が挙げられる。これらの中でも、アリール基が好ましく、特にフェニル基やナフチル基が好ましい。一般式3、一般式4中のR5は直鎖、分岐又は環状の、アルキル基又はフッ素化アルキル基を表す。直鎖又は分岐状のアルキル基としては、通常炭素数1~12であることが好ましく、また炭素数1~8であることが更に好ましく、炭素数1~4であることが最も好ましい。また、環状のアルキル基としては、炭素数4~12であることが好ましく、また炭素数5~10であることが更に好ましく、炭素数6~10であることが最も好ましい。これら直鎖、分岐又は環状のアルキル基の水素原子の少なくとも一部はフッ素原子によって置換されていることが好ましい。フッ素原子への置換率は、通常10~100であり、好ましくは50~100である。特に水素原子をすべてフッ素原子で置換したフッ素化アルキル基が、酸の強度pKaが強くなる観点で好ましい。酸発生剤Cとしては、これらの酸発生剤の1種を単独で用いてもよいし、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。2種類以上組み合わせる場合は、その種類と比率は任意である。本発明においては、酸発生剤Cとして、特にフッ素化アルキルスルホン酸イオンを有するオニウム塩系酸発生剤を用いることが好ましい。本発明のレジスト組成物における酸発生剤Cの含有量は、前述の酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する基材成分Bに対して通常1~50重量が好ましく、3~40重量が更に好ましく、5~30重量が最も好ましい。上記範囲とすることで、EUV露光によるパターン形成が充分に行われる。また、均一な溶液が得られ、保存安定性が良好となるため好ましい。[5.含窒素有機化合物D]本発明のレジスト組成物は、ポジ型及びネガ型のいずれの場合においても、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等を向上させるために、含窒素有機化合物Dを含有する。この含窒素有機化合物Dはこれまでに報告されている任意のものを使用すれば良いが、環状アミン、脂肪族アミンが好ましい。特に、第2級脂肪族アミン、第3級脂肪族アミンが好ましく、第3級脂肪族アミンが最も好ましい。ここで脂肪族アミンとは、1つ以上の脂肪族基を有するアミンであり、炭素数は1~15が好ましい。含窒素有機化合物Dの具体例としては、n-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン等の第1級脂肪族アルキルアミン;ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、ジ-n-ブチルアミン、ジ-n-ペンチルアミン、ジ-n-ヘキシルアミン、ジ-n-ヘプチルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等の第2級脂肪族アルキルアミン;トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-ノニルアミン、トリ-n-デカニルアミン、トリ-n-ドデシルアミン等の第3級脂肪族アルキルアミン;ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ-n-オクタノールアミン、トリ-n-オクタノールアミン等のアルキルアルコールアミン等が挙げられる。また、他の具体例としては、ピペリジン、ピペラジン等の脂肪族単環式アミン;1,5-ジアザビシクロ430-5-ノネン、1,8-ジアザビシクロ540-7-ウンデセン、1,4-ジアザビシクロ222-オクタン、ヘキサメチレンテトラミン等の脂肪族多環式アミンが挙げられる。これらの中でも、炭素数5~10の第3級脂肪族アミンが好ましく、特に炭素数8のトリ-n-オクチルアミンが好ましい。含窒素有機化合物Dとしては、これらの含窒素有機化合物を1種類単独で用いてもよいし、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。2種類以上組み合わせる場合は、その種類と比率は任意である。本発明のレジスト組成物における含窒素有機化合物Dの含有量は、前述の酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する基材成分Bに対して通常0.01~20重量が好ましく、0.1~10重量が更に好ましく、1~5重量が最も好ましい。含窒素有機化合物Dの含有量が多すぎる場合はレジスト組成物中の酸を過剰に捕捉しEUV感度が低くなるという問題があり、少なすぎる場合はレジスト組成物中の酸を充分に捕捉できずLER、解像度が悪化する場合があるという問題がある。[6.有機溶媒E]本発明のレジスト組成物は、ポジ型及びネガ型のいずれの場合においても、有機溶媒Eを含有する。この有機溶媒Eは使用する各成分を溶解させ、均一な溶液になればよく、従来の化学増幅型レジスト組成物の有機溶媒としてこれまでに報告されている任意のものを使用することができる。有機溶媒Eの具体例としては、γ-ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル-n-アミルケトン、メチルイソアミルケトン、2-ヘプタノン等のケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル化合物;前記多価アルコール類又は前記エステル化合物のモノメチルエーテル体、モノエチルエーテル体、モノプロピルエーテル体、モノブチルエーテル体等のモノアルキルエーテル体が挙げられる。また、ジオキサン等の環状エーテル類;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、メトキシプロピオン酸エチル、エトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、アミルベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン等の芳香族系有機溶媒;N,N-ジメチルアセトアミド等のアミン類などが挙げられる。これらの中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、シクロヘキサノン、γ-ブチロラクトンが好ましい。有機溶媒Eとしては、これらの有機溶媒を1種類単独で用いてもよいし、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。2種類以上組み合わせる場合は、その種類と比率は任意である。有機溶媒Eの使用量は特に制限はないが、本発明のレジスト組成物を基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定すればよい。有機溶媒Eは、本発明のレジスト組成物の固形分濃度が通常0.5~20重量、好ましくは1~10重量の範囲になるように用いられる。[7.架橋剤成分F]本発明のレジスト組成物は、ネガ型レジスト組成物として用いる場合には、架橋剤成分Fを含有することが好ましい。この架橋剤成分Fは特に限定されず、従来の化学増幅型ネガレジスト組成物に用いられている架橋剤の中から任意のものを使用することができる。架橋剤成分Fの具体例としては、2,3-ジヒドロキシ-5-ヒドロキシメチルノルボルナン、2-ヒドロキシ-5,6-ビスヒドロキシメチルノルボルナン、シクロヘキサンジメタノール、3,4,8-トリヒドロキシトリシクロデカン、3,4,9-トリヒドロキシトリシクロデカン、2-メチル-2-アダマンタノール、1,4-ジオキサン-2,3-ジオール、1,3,5-トリヒドロキシシクロヘキサン等のヒドロキシル基又はヒドロキシアルキル基を有する脂肪族環状炭化水素、又はその含酸素誘導体が挙げられる。また、メラミン、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン、尿素、エチレン尿素、プロピレン尿素、グリコールウリル等のアミノ基含有化合物にホルムアルデヒド、又はホルムアルデヒドと低級アルコールを反応させ、該アミノ基の水素原子をヒドロキシメチル基、又は低級アルコキシメチル基等で置換した化合物が挙げられる。これらのうち、アミノ基含有化合物としてメラミンを用いたものをメラミン系架橋剤、尿素、エチレン尿素、プロピレン尿素等を用いたものを尿素系架橋剤、グリコールウリルを用いたものをグリコールウリル系架橋剤という。これらのうち、メラミン系架橋剤が特に好ましい。メラミン系架橋剤としては、メラミンとホルムアルデヒドを反応させて、アミノ基の水素原子をヒドロキシメチル基で置換した化合物、メラミンとホルムアルデヒドと低級アルコールとを反応させて、アミノ基の水素原子を低級アルコキシメチル基で置換した化合物等が挙げられる。具体例としては、ヘキサメトキシメチルメラニン、ヘキサエトキシメチルメラニン、ヘキサプロポキシメチルメラニン、ヘキサブトキシメチルメラニン等が挙げられ、なかでもヘキサメトキシメチルメラニンが好ましい。架橋剤成分Fとしては、これらの架橋剤成分を1種類単独で用いてもよいし、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。2種類以上組み合わせる場合は、その種類と比率は任意である。本発明のネガ型レジスト組成物における架橋剤成分Fの含有量は、酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する基材成分Bに対して通常1~50重量が好ましく、3~40重量が更に好ましく、5~30重量が最も好ましい。上記範囲とすることで、上記基材成分Bとの架橋反応が十分進行し、良好なレジストパターンが形成される上、レジスト組成物の保存安定性が良好であり、EUV感度の経時的劣化が抑制される。[8.レジスト組成物の作製方法]本発明のレジスト組成物の作製方法に制限はないが、通常フラーレン誘導体A、酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する基材成分B、露光により酸を発生する酸発生剤C、含窒素有機化合物D及び有機溶媒E、更に、ネガ型レジスト組成物の場合には架橋剤成分Fを所定の装置で攪拌しながら溶解させる手法、超音波を照射する手法等により調製することができる。なお、本発明のレジスト組成物には、本発明の目的を損なわない範囲において、通常フラーレン誘導体A、酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する基材成分B、露光により酸を発生する酸発生剤C、含窒素有機化合物D及び有機溶媒E、更に、ネガ型レジスト組成物に用いられる架橋剤成分F以外の他の成分、例えば界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料等が含まれていてもよい。[9.EUVレジストパターン形成方法]本発明のEUVレジストパターン形成方法は、上記本発明のレジスト組成物を基板上に塗布しレジスト膜を形成する工程、形成されたレジスト膜を加熱処理する工程、加熱処理後のレジスト膜を選択的にEUV露光する工程、及びEUV露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含む。なお、EUV露光後のレジスト膜は、現像前に必要に応じて再度加熱処理してもよい。[9-1.EUVレジスト膜を形成する工程]本発明のレジスト組成物を、基板上に、スプレー法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法などの任意の塗布方法を用いてレジスト膜を形成することができるが、均一な薄膜が形成できる観点でスピンコート法が好ましい。塗布対象となる基板に制限はなく、その寸法、形状は任意である。また、基板の材質にも制限はないが、例えば半導体集積回路の製造プロセスにおいては、通常シリコン基板、さらにSiC,窒化物半導体,ダイヤモンド等のワイドギャップ半導体、GaAsやAlGaAsなどの化合物半導体基板が用いられる。また、レジスト膜が形成される基板で、ドライエッチングなどにより所望のパターンに加工したい薄膜材料としては、ポリシリコン薄膜、又はポリシリコン薄膜と金属薄膜との積層膜、Al、W、Cu、Moなどの金属薄膜、Si酸化膜、Si窒化膜、Si酸窒化膜などの絶縁体薄膜などが挙げられる。また上記所望のパターンに加工したい薄膜材料上に有機膜を5nm以上、30nm以下、好ましくは10nm以上、25nm以下、最も好ましくは10nm以上、20nm以下に形成し、その上層に本発明のレジスト組成物のレジスト膜を形成することもある。さらにいわゆる多層レジスト構造における上層レジストとして本発明のレジスト組成物のレジスト膜が表面に形成されることもある。典型的な多層レジスト構造は、表面から上層レジスト、中間層、下層構造となる。又は、必要に応じてさらに層数が増えることもある。たとえば上記所望の加工対象薄膜上に、下層として塗布型カーボン膜、中間層として有機Si系膜、その上層に有機膜、最上層にレジスト膜といった順に形成される。下層としては塗布型カーボン膜の他に、スパッタにより形成されたカーボン膜、スピンコートにより形成され、熱処理を施した有機膜なども用いられる。また、中間層としては有機Si系膜の他にSi酸化膜、Si窒化膜、Si酸窒化膜、スピンオングラスSOG膜、TiN膜なども用いられる。通常、EUV光を用いる場合のレジスト膜厚は、10nm以上、200nm以下、好ましくは20nm以上、100nm以下、最も好ましくは30nm以上、80nm以下である。また、所望のパターンの最小加工寸法に応じても膜厚が決定される。レジスト膜厚が、薄すぎるとレジストパターンの寸法が所望の寸法から大きく変動する傾向があり、厚すぎると解像不良となる傾向がある。[9-2.EUVレジスト膜を加熱する工程:プレベーク工程]上記の本発明のレジスト組成物により形成した膜は、加熱することによりレジスト膜に含まれる有機溶媒を除去する。加熱温度は、通常70~250°Cで、好ましくは90~150°Cの範囲で、10~300秒間、好ましくは30~150秒間、更に好ましくは60~100秒間加熱する。加熱時間が長すぎると製造時の生産性が低下する傾向にあり、短すぎると熱が十分に伝わらず、加熱効果にばらつきが生じる虞がある。[9-3.選択的にEUV露光する工程]該レジスト膜に対して、LPPと呼ばれる、レーザー光をSnやその化合物、Xeなどのターゲットに照射し発生したプラズマからEUV光を取り出すEUV露光源;DPPと呼ばれる、WやSiCなどからなる電極に、Snやその化合物、Xeをその電極近傍に存在させて、高電圧をかけて放電により発生したプラズマからEUV光を取り出すEUV露光源;レーザー光をターゲットに照射しかつ放電させて生したプラズマからEUV光を取り出すEUV露光源;又は、放射光光源からEUV光を取り出すEUV露光源;を用いて、所望のマスクパターンを介して露光する。上記各EUV露光源の発生もとからEUV光を取り出すには反射型又は透過型のフィルターが使用される。この際、露光量により、現像後形成されるレジストパターンの寸法が変動する。露光量は所望の寸法となる露光量が望ましいが、所望の寸法に対してプラスマイナス10以内にする露光量が好ましく、プラスマイナス5以内にする露光量が特に好ましい。このとき、所望の寸法となる露光量を、各パターン寸法における感度と称することがある。[9-4.加熱する工程:ポストエクスポージャーベーク]選択的EUV露光後の膜に対して、必要に応じて露光により発生した酸をレジスト膜中に効果的に拡散させるために加熱してもよい。この場合の加熱温度は、通常70~200°C、好ましくは80~150°Cの範囲で、10~300秒間、好ましくは30~150秒間、更に好ましくは60~100秒間加熱する。加熱時間が長すぎると製造時の生産性が低下する傾向にあり、短すぎると熱が十分に伝わらず、加熱効果にばらつきが生じる虞がある。[9-5.現像工程]上記工程を施した膜に対して、アルカリ現像液を用いて現像処理することにより、レジストパターンを形成することができる。アルカリ現像液としては、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAHの水溶液が挙げられ、通常TMAH濃度0.1~10重量、好ましくは1~5重量、更に好ましくは2~3重量の水溶液を用い、10~180秒間、好ましくは20~120秒間、浸漬法、パドル法、スプレー法等の定法により現像する。本発明のレジストパターン形成方法が有する優れた特性を大幅に損ねるものでなければ、現像液の中に界面活性剤などの他の任意の化合物が含有されていてもかまわない。なお、本発明はEUV露光することが特徴であり、現在開発されている他の露光源を用いるよりも、解像度が小さい微細パターニングが可能である。以下、実施例を示して本発明を更に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら制限されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において任意に変形して実施することができる。なお、以下において、THFはテトラヒドロフランを表し、ODCBはオルトジクロロベンゼンを表し、DMSOはジメチルスルホキシドを表し、PGMEAはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを表し、CHNはシクロヘキサノンを表し、ELは乳酸エチルを表し、TMAHはテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを表す。さらに、Meはメチル基、Buはブトキシ基を表し、Npはナフチル基、THPはテトラヒドロピラニル基を従って、OTHPはオキシテトラヒドロピラニル基を表す。[フラーレン誘導体Aの合成]<合成例1:フラーレン誘導体A1C604-OH-C6H410-CH32の製造>上記フラーレン誘導体A1中のR20は、前記式2において、Arがp-フェニレン基で、OR1が水酸基で、n=1のものである。臭化銅Iジメチルスルフィド錯体17.28g、84.1mmolのTHF懸濁液88mLを5°Cまで冷却した後、グリニャール試薬の4-OTHP-C6H4MgBr/THF溶液1mol/L;90mLを加え、25°Cまで昇温した。そして、脱水ピリジン68mLを加え、さらに20分攪拌した。次に、C602.0g、2.78mmolのODCB溶液80mLを加え、25°Cで1時間攪拌し、さらに40°Cで24時間攪拌した。ここに、ヨウ化メチルMeI;15mL、240mmolを加え、さらに12時間攪拌した。反応液を濾過し、THFを除去した後、トルエンで希釈し、アルミナカラムクロマトグラフィー展開液:トルエンを行った。溶出液を濃縮し、メタノール800mLで晶析を行い、50°Cで真空乾燥を行なうことで、C604-OTHP-C6H410-CH32を黄色固体5.02g;収率71.6の生成物として得た。次に、C604-OTHP-C6H410-CH322.00g、0.79mmolの塩化メチレン30mL、メタノール30mL混合溶液を調製し、メタンスルホン酸14μLを加え、室温下で5時間攪拌した。反応液にヘキサン400mLを添加し晶析を行った。その後、50°Cで真空乾燥を3時間行ない、表題化合物C604-OH-C6H410-CH32を黄緑色固体1.32g、0.79mmol、収率99.1の生成物として得た。得られた生成物を1H-NMR及びHPLCにて測定した。なお、1H-NMRはDMSO-d6を溶媒とし、400MHzにて測定した。また、HPLCは、0.5mg/mLのメタノール溶液を調製し、以下の測定条件で測定した。カラム種類:オクタデシルシリルODSカラムカラムサイズ:150mm×4.6mmφ溶離液:トルエン/メタノール=5/95検出器:UV290nmHPLC測定の結果、2つのピークが保持時間1.57分に28.4Area、1.90分に71.6Areaで観測された。LC-MS高速液体クロマトグラフ-質量分析測定の結果、これら2つのピークはいずれも1680であり、表題化合物の異性体混合物であることが確認された。また、1H-NMRの測定結果は、以下の通りであった。1H-NMRDMSO-d6,400MHz:9.20~7.80ppmbrs,OH,10H,7.80~6.0ppmm,Np,40H,1.82ppms,C60Me2,6H以上の結果から、得られた生成物が表題化合物C604-OH-C6H410-CH32の位置異性体混合物、即ち、一般式1で表される部分構造をフラーレン骨格内に2箇所有し、C1に結合するR10がメチル基で、C6~C10に結合する置換基R20が4-ヒドロキシフェニル基である10重付加フラーレン誘導体であることが確認された。<合成例2:フラーレン誘導体A2C604-OH-C6H45-CH3の製造>上記フラーレン誘導体A2中のR20は、前記式2において、Arがp-フェニレン基で、OR1が水酸基で、n=1のものである。Nature,419,702-705,2002のSupplementalyInformation記載の方法で、C604-OTHP-C6H45-Hを合成した。この水素化体に対して、特開2005-15470号明細書実施例8に記載の方法THF溶液で、t-BuOKを作用させた後、MeIを添加でメチル基を導入し、上記Nature誌に記載の方法で脱保護反応を行ない、上記表題化合物を合成した。HPLC測定サンプルの溶媒をTHFに変え、HPLCの溶離液をトルエン/メタノール=2/8に変更した以外は、合成例1と同様にして、得られた生成物をHPLC及び1H-NMRにて測定した。HPLC測定の結果、ピークが保持時間4.11分に99.00Areaで観測された。更に、1H-NMRの測定結果は、以下の通りであった。1H-NMRDMSO-d6,270MHz:9.60ppms,OH,4H,9.48ppms,OH,1H,7.58ppmm,Ph,8H,6.96ppmd,Ph,2H,6.77ppmm,Ph,8H,6.49ppmd,Ph,2H,1.47ppms,Me,3H以上の結果から、得られた生成物が表題化合物C604-OH-C6H45-CH3、即ち、一般式1で表される部分構造をフラーレン骨格内に1箇所有し、C1に結合するR10がメチル基で、C6~C10に結合する置換基R20が4-ヒドロキシフェニル基である5重付加フラーレン誘導体であることが確認された。[酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する基材成分B193nmレジスト用ポリマーの合成]以下の合成例中、部とあるのは、特に断りのない限り重量部を示す。<合成例3:重合体B1の合成>窒素導入口、攪拌機、コンデンサー、滴下漏斗2個、及び温度計を備えたフラスコに、窒素雰囲気下で、乳酸エチル243.6部を入れた。このフラスコを湯浴に入れ、フラスコ内を攪拌しながら湯浴の温度を80°Cに上げた。その後、下記混合物1を滴下漏斗より4時間かけてフラスコ内に滴下し、さらに80°Cの温度を3時間保持した。また、混合物1の滴下開始と同時に、下記混合物2を別の滴下漏斗より0.1時間かけてフラスコ内に滴下した。なお、ジメチル-2,2’-アゾビスイソブチレートとしては和光純薬工業株製商品名V601を用いた。混合物1以下に示すα-メタクリロイルオキシ-γ-ブチロラクトンの単量体:95.20部以下に示す2-メタクリロイルオキシ-2-メチルアダマンタンの単量体:131.04部以下に示す3-メタクリロイルオキシ-1-ヒドロキシアダマンタンの単量体:66.08部乳酸エチル:430.5部ジメチル-2,2’-アゾビスイソブチレート:2.14部混合物2乳酸エチル:8.0部ジメチル-2,2’-アゾビスイソブチレート:4.30部各単量体の仕込み割合は、GBLMA/MAdMA/HAdMA=40/40/20モル比であった。得られた反応溶液を約10倍量のメタノール及び水の混合溶媒メタノール/水=80/20容量比に撹拌しながら滴下し、白色の析出物重合体B1の沈殿を得た。沈殿を濾別し、再度、前記と同じ量のメタノール及び水の混合溶媒メタノール/水=90/10容量比へ投入し、撹拌しながら沈殿の洗浄を行った。そして、洗浄後の沈殿を濾別し、重合体湿粉をPGMEAの88000部へ投入し、完全に溶解させた後、孔径0.04μmのナイロン製フィルター日本ポール株製P-NYLONN66FILTER0.04M商品名へ通液して、重合体溶液を濾過した。濾液を減圧下で加熱してメタノール及び水を留去し、さらにPGMEAを留去し、重合体の濃度が25重量の重合体B1溶液を得た。この際、最高到達真空度は0.7kPa、最高溶液温度は65°C、留去時間は8時間であった。得られた生成物をGPCにて測定した。重量平均分子量測定重合体の重量平均分子量Mwは、下記の条件GPC条件でゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより、ポリスチレン換算で求めた。GPC条件装置:東ソー株製、東ソー高速GPC装置HLC-8220GPC商品名分離カラム:昭和電工株製、ShodexGPCK-805L商品名を3本直列に連結測定温度:40°C溶離液:THF試料:重合体の約20mgを5mLのTHFに溶解し、0.5μmメンブレンフィルターで濾過した溶液流量:1mL/分注入量:0.1mL検出器:示差屈折計検量線:標準ポリスチレンの約20mgを5mLのTHFに溶解し、0.5μmメンブレンフィルターで濾過した溶液を用いて、上記の条件で分離カラムに注入し、溶出時間と分子量の関係を求めた。標準ポリスチレンは、下記の東ソー株製の標準ポリスチレンいずれも商品名を用いた。F-80Mw=706,000F-20Mw=190,000F-4Mw=37,900F-1Mw=10,200A-2500Mw=2,630A-500Mw=682、578、474、370、260の混合物得られた重合体B1の重量平均分子量Mwは10,000、分子量分布Mw/Mnは1.63であった。[レジスト組成物のパターニング評価]<実施例1:フラーレン誘導体A1を添加成分1重量として含有するポジ型レジスト組成物のパターニング評価>193nmレジスト用ポリマーの重合体B1、該重合体B1に対して、上記合成例1で製造したフラーレン誘導体A1を1重量、光酸発生剤Cとして以下に示すトリフェニルスルフォニウムノナフレートみどり化学株製TPS-109を10重量、含窒素有機化合物Dとしてトリ-n-オクチルアミンを1.25重量、界面活性剤としてDIC株製メガファックR-30パーフルオロ基含有アクリルオリゴマーを0.1重量混合したポジ型レジスト感光組成物を、有機溶媒Eである混合溶媒PGMEA/CHN/EL重量比85/5/10に対して、合計2.40重量溶解し、0.1μmのフィルターを通すことでポジ型レジスト組成物を作成した。次に、半導体先端テクノロジーズ所有の、小フィールドEUV露光装置SFETにインライン中にて接続してあるスピンコーターデベロッパー装置東京エレクトロン株製アクト12に12インチシリコンウエハセットをセットし、ヘキサメチルジシラザンによる表面処理を行い、続けて、該表面処理を行った12インチシリコンウエハ上に、該ポジ型レジスト組成物溶液を3ml滴下し、1200rpmにてスピンコートした。次に、110°Cで90秒のプリベークを行い、冷却し、膜厚50nmの該レジスト薄膜を形成した。引き続き、該レジスト薄膜が形成されたウエハを、DPP光源イクストリーム社製から発せられた光を、集光ミラーおよび照明光学系およびSiZrフィルターを介してEUV光波長13.5nmを選択的に露光可能な光源として使用した、該小フィールドEUV露光装置SFETにインライン中でセットし、該レジスト薄膜へ微細パターンの露光を行った。露光はステップアンドリピート方式で9ショット実施し、露光量は12~20mJ/cm2であった。次に露光後、インラインにて露光され該レジスト薄膜が形成されたウエハを、スピンコーターデベロッパー装置東京エレクトロン株製アクト12に送り、110°Cで90秒の露光後ベークを行い、冷却した後、TMAH0.26N2.38重量水溶液により現像した。現像時間は30秒であった。引き続き30秒間超純水でリンスした後、乾燥させた。次に、株日立ハイテクノロジーズ製測長SEMS9380IIに、該現像したレジスト薄膜付ウエハをセットし、微細パターンを観察したところ、露光量12mJ/cm2で60nm-hpのポジ型パターンラインの線幅が56.0nm、露光量13mJ/cm2で45nm-hpのポジ型パターンラインの線幅が44.8nm、露光量15mJ/cm2で32nm-hpのポジ型パターンラインの線幅が32.3nm、が形成できていることを確認し、これらの露光量を各パターン寸法における本レジスト組成物の感度とした。このラインパターンのラインウィドゥスラフネスLWRは60nm-hp、45nm-hp、32nm-hpそれぞれ4.6nm、4.8nm、5.3nm3σ値であった。また、ターゲット寸法に対する寸法変動±10を補償する露光マージンは60nm-hp、45nm-hp、32nm-hpでそれぞれ29、16.4、14.8であった。さらに、JapaneseJournalofAppliedPhysics482009106504に記載されている通り、EUVレジストパターンでは、LWRと感度のルート√の数値は反比例することが報告されている。そこで各レジストの代表的な線幅において、K=LWREUV感度^0.5という指標を導入し、上記測定値を用いてK値での評価を行った。K値が低いほど、同じ感度におけるLWRが小さくなり、即ちレジスト性能が優れていることになる。K値ならびにK値算出に用いた感度とLWRの数値一覧結果を表1に記す。<実施例2:フラーレン誘導体A1を添加成分5重量として含有するポジ型レジスト組成物のパターニング評価>フラーレン誘導体A1の添加量を重合体B1に対して5重量としたこと以外は実施例1と同じ条件でレジスト組成物を作成し、微細パターンの露光、露光後ベーク、現像、リンス、乾燥を行った。露光はステップアンドリピート方式で9ショット実施し、露光量は13~21mJ/cm2であった。次に、株日立ハイテクノロジーズ製測長SEMS9380IIに、該現像したレジスト薄膜付ウエハをセットし、微細パターンを観察したところ、露光量14mJ/cm2で60nm-hpのポジ型パターンラインの線幅が54.4nm、露光量14mJ/cm2で45nm-hpのポジ型パターンラインの線幅が46.3nm、露光量17mJ/cm2で32nm-hpのポジ型パターンラインの線幅が30.3nm、が形成できていることを確認し、実施例1と同様、これらの露光量を各パターン寸法における本レジスト組成物の感度とした。このラインパターンのラインウィドゥスラフネスは60nm-hp、45nm-hp、32nm-hpそれぞれ4.1nm、5.4nm、6.3nm3σ値であった。また、ターゲット寸法に対する寸法変動±10を補償する露光マージンは60nm-hp、45nm-hp、32nm-hpでそれぞれ34.1、19.5、9.4であった。<実施例3:フラーレン誘導体A1を添加成分10重量として含有するポジ型レジスト組成物のパターニング評価>フラーレン誘導体A1の添加量を重合体B1に対して10重量としたこと以外は実施例1と同じ条件でレジスト組成物を作成し、微細パターンの露光、露光後ベーク、現像、リンス、乾燥を行った。露光はステップアンドリピート方式で9ショット実施し、露光量は12~20mJ/cm2であった。次に、株日立ハイテクノロジーズ製測長SEMS9380IIに、該現像したレジスト薄膜付ウエハをセットし、微細パターンを観察したところ、露光量16mJ/cm2で60nm-hpのポジ型パターンラインの線幅が54.4nm、露光量18mJ/cm2で45nm-hpのポジ型パターンラインの線幅が46.3nm、露光量18mJ/cm2で32nm-hpのポジ型パターンラインの線幅が30.3nm、が形成できていることを確認し、実施例1と同様、これらの露光量を各パターン寸法における本レジスト組成物の感度とした。このラインパターンのラインウィドゥスラフネスは60nm-hp、45nm-hpでそれぞれ4.2nm、5.1nm3σ値であった。また、ターゲット寸法に対する寸法変動±10を補償する露光マージンは60nm-hp、45nm-hp、32nm-hpでそれぞれ30.7、21.2、6.3であった。<実施例4:フラーレン誘導体A2を添加成分1重量として含有するポジ型レジスト組成物のパターニング評価>フラーレン誘導体をA2とし、混合溶媒をPGMEA/CHN=60/40重量比としたこと以外は実施例1と同じ条件でレジスト組成物を作成し、微細パターンの露光、露光後ベーク、現像、リンス、乾燥を行った。露光はステップアンドリピート方式で9ショット実施し、露光量は9.8~16.2mJ/cm2であった。次に、株日立ハイテクノロジーズ製測長SEMS9380IIに、該現像したレジスト薄膜付ウエハをセットし、微細パターンを観察したところ、露光量11.4mJ/cm2で60nm-hpのポジ型パターンラインの線幅が61.5nm、露光量13.8mJ/cm2で45nm-hpのポジ型パターンラインの線幅が44.6nm、露光量15.4mJ/cm2で32nm-hpのポジ型パターンラインの線幅が33.3nm、が形成できていることを確認し、実施例1と同様、これらの露光量を各パターン寸法における本レジスト組成物の感度とした。このラインパターンのラインウィドゥスラフネスは60nm-hp、45nm-hpでそれぞれ4.4nm、4.7nm3σ値であった。また、ターゲット寸法に対する寸法変動±10を補償する露光マージンは60nm-hp、45nm-hp、32nm-hpでそれぞれ21.1、14.2、8.9であった。<比較例1:フラーレン誘導体を含有しないポジ型レジスト組成物のパターニング評価>フラーレン誘導体A1を添加しなかったこと以外は実施例1と同じ条件でレジスト組成物を作成し、微細パターンの露光、露光後ベーク、現像、リンス、乾燥を行った。露光はステップアンドリピート方式で9ショット実施し、露光量は11~16mJ/cm2であった。次に、株日立ハイテクノロジーズ製測長SEMS9380IIに、該現像したレジスト薄膜付ウエハをセットし、微細パターンを観察したところ、露光量11mJ/cm2で60nm-hpのポジ型パターンラインの線幅が54.8nm、露光量11.5mJ/cm2で45nm-hpのポジ型パターンラインの線幅が45.7nm、露光量13.5mJ/cm2で32nm-hpのポジ型パターンラインの線幅が32.4nm、が形成できていることを確認し、実施例1と同様、これらの露光量を各パターン寸法における本レジスト組成物の感度とした。このラインパターンのラインウィドゥスラフネスは60nm-hp、45nm-hp、32nm-hpでそれぞれ5.3nm、5.2nm、5.6nm3σ値であった。また、ターゲット寸法に対する寸法変動±10を補償する露光マージンは60nm-hp、45nm-hp、32nm-hpでそれぞれ23.4、14.8、11.9であった。[レジスト組成物のエッチング耐性評価]実施例1~3、比較例1のレジスト組成物を用いて以下の手順でレジストパターンを形成した後、以下の方法でエッチング耐性の評価を行った。<パターン形成>1実施例1~3、比較例1のレジスト組成物を、それぞれSi基板上に厚さ80nmとなるように600rpmで4秒間、2000rpmで30秒間回転塗布し塗布工程、110°Cで90秒間、加熱処理を行ったプレベーク。2EB露光装置:JBX-6000FS日本電子株製を用い、加速電圧50kVで80μC/cm2の露光を行った露光工程。3EB露光した膜を110°Cで90秒間、加熱処理を行ったポストエクスポージャーベーク。4現像液として、アルカリ現像液のMF622シプレイ製を用い、30秒間浸漬した現像工程。その後、リンス液として純水を用い、これに30秒間浸漬して現像液をすすぎ落とした洗浄工程。<エッチング耐性評価>iパターン形成後、パターンとSi基板との段差を測定した。測定された段差の大きさを膜厚Aレジスト膜厚とした。なお、以下において、膜減り量の測定はKLAテンコール社製アルファステップ500を用いて行った。ii以下の要領で、それぞれの所要時間ごとにサンプルを準備して、各々エッチング処理を行ない、エッチング後のパターンとSi基板との段差を測定した。測定された段差の大きさを膜厚Bとした。装置:サムコインターナショナル製RIE-10NRエッチング条件:CF4、50W、70sccm、20Paエッチング時間:0秒、60秒、120秒、180秒、240秒、300秒、360秒iii次に、以下の条件でO2アッシングによるレジスト剥離を行い、アッシング後にパターン形成されていたSi基板と無パターン部のSi基板の段差を測定した。測定された段差の大きさを膜厚Cとした。なお、アッシングは以下の要領で行なった。装置:サムコインターナショナル製RIE-10NRアッシング条件:O2=20sccm、50W、20Pa、5分iv以下の計算式により、レジスト膜及びSi基板の膜減り量を求めた。レジスト膜の膜減り量=膜厚A膜厚C-膜厚BSi基板の膜減り量=膜厚Cvエッチング時間と膜減り量のグラフの傾きからレジスト膜とSi基板のエッチング速度を算出した。viレジスト膜のエッチング速度をSi基板のエッチング速度で除し、規格化したこの値を規格化エッチング速度と称す。。また、規格化エッチング速度について、フラーレン誘導体無添加の比較例1に対する比を求めたこの値を規格化エッチング速度比と称す。。以上の結果を、表2に示す。表2から明らかなように、規格化したエッチング速度比が、比較例1に比べて実施例1,2で14、実施例3では22小さくなっている。このことは、レジスト膜のエッチング速度が遅いこと、即ちレジスト膜のエッチングが抑制されていることを示している。従って、本発明のレジスト組成物を用いる事により、大幅なエッチング耐性の向上が認められる。さらに、前掲の表1より、実施例1の全てのパターン寸法において比較例1よりもK値が低く、フラーレン誘導体の添加量を最適化することでK値を低減すること、すなわちLWRの改善が可能であることが分かる。このLWR改善効果は、フラーレン誘導体の電子受容性によって、EUV露光時の電子の拡散が制御されることが、その要因の一つと考えられる。[レジスト組成物のGC-MS法によるアウトガス測定評価]実施例3と比較例1のレジスト組成物を用いて形成したレジストパターンについて、以下の方法でアウトガス発生量の評価を行った。<概要>半導体先端テクノロジーズ所有の、アウトガス捕集装置を使用して、上記ポジ型レジスト組成物の、EUV光照射で発生するレジストアウトガスを捕集し、市販のガスクロマトグラフィ―質量分析装置GC-MS法にてアウトガスに含まれる成分の定量分析を行った。このアウトガス捕集装置は、ターボ分子ポンプで排気されている、ロードロックチャンバ、露光チャンバ、加熱チャンバの3のチャンバから構成されている。<装置のコンディショニング>サンプルの装入に先立って、アウトガス捕集装置を、常にターボ分子ポンプで真空排気をしながら、200°Cで48時間ベーキングを行い、さらに36時間以上冷却した。冷却後、露光チャンバの試料台に備えられているクライオスタットを動作させ、試料台をあらかじめ冷却した。このクライオスタットはHeガスの断熱膨張によって-200°Cまで冷却可能である。<アウトガスの採取>1ブランク測定新品のシリコンウエハを使用して、EUV光で発生するアウトガスのバックグランド成分の捕集を行った。新品のシリコンウエハをアウトガス捕集装置のロードロックチャンバに設置し、真空度が3×10-5Pa以下になるまで排気を行なった。次いで、真空排気を行いながら、真空をブレークすることなく、シリコンウエハを露光チャンバの試料台に移動させた。露光チャンバの真空度が6×108Pa以下になったら、加熱チャンバから露光チャンバ内の試料台へ、無酸素銅で形成されたトラップボックスを移動させた。トラップボックスの上部には開口部があり、この開口部からEUV光がシリコンウエハに照射できる構造になっている。次に、露光チャンバを60分以上真空排気した後、真空排気しているターボ分子ポンプとの間のゲートバルブを閉止して、露光チャンバの真空排気を停止し、その直後からDPP光源エナジージェティック社製によるXeガスプラズマから発生したバンド光を、SiおよびZrフィルター、45度Mo/Si多層膜ミラーを介することにより、選択的に波長13.5nm近傍のEUVとなった光を、該トラップボックスの上部からシリコンウエハに照射した。EUV光の強度は0.025mWcm2、照射面積1.0385cm2である。EUV光照射により発生したアウトガス成分は、クライオスタットで冷却されているトラップボックスに吸着される。積算露光量が30mJcm2になったら、シリコンウエハを2cm動かして、同様にEUV光を積算露光量が30mJcm2になるまで照射した。これを合計4回繰り返し、シリコンウエハの合計面積4.154cm2にEUV光を照射した。照射終了後、トラップボックスを加熱チャンバに移動させ、加熱チャンバを高純度窒素ガスを用いて大気圧まで復圧した。大気圧になったら加熱チャンバおよびトラップボックスを150°Cに加熱し、加熱チャンバからその下部に設置された捕集管捕集管1とする。に窒素ガスを60分間送った。これによりトラップボックスに吸着されていた、EUV光照射によりシリコンウエハから発生したアウトガス成分が窒素ガスに同伴されて捕集管1に捕集される。2実施例のレジスト組成物が塗布されたサンプルの測定ブランク測定後、ロードロックチャンバ、露光チャンバ、加熱チャンバを再度、12時間以上真空排気した。また加熱チャンバ下部には別の捕集管捕集管2とする。を設置した。実施例3のレジスト組成物を、直前にヘキサメチルジシラザンによる表面処理を行った12インチシリコンウエハ上に3cc滴下し、850rpmにてスピンコートした。スピンコーターデベロッパー装置はアクト12である。次に110°C×90秒のプリベークを行った後冷却し、シリコンウエハ上に膜厚60nmのレジスト薄膜を形成した。次にレジスト薄膜が形成されたシリコンウエハを前記のアウトガス捕集装置のロードロックチャンバに設置し、上記手順と全く同様にして、真空排気-EUV照射-復圧-加熱-窒素パージを行い、EUV光照射により発生した該レジスト薄膜のアウトガス成分を捕集管2に捕集した。3比較例のレジスト組成物が塗布されたサンプルの測定上記と同様にしてブランク及び比較例1のレジスト組成物のアウトガスをそれぞれ別の捕集管それぞれ、捕集管3、捕集管4とする。に捕集した。<実施例3のレジスト組成物のアウトガス成分の分析>市販の加熱脱離式ガスクロマトグラフィ―質量分析装置GC-MSを用いて、捕集管1および2に捕集されているアウトガス成分の定量分析を行ったところ、以下のような成分が検出された但し、トルエン換算値。iブランクの捕集管1ヘキサメチルシクロトリシロキサン:8.5×1011分子/cm2オクタメチルシクロテトラシロキサン:1.9×1012分子/cm2、iiアウトガス成分を吸着した捕集管2ベンゼン:8.9×1013分子/cm2ヘキサメチルシクロトリシロキサン:7.2×1011分子/cm2オクタメチルシクロテトラシロキサン:1.2×1012分子/cm2メチレンアダマンタン:5.3×1013分子/cm22-メチルアダマンタン:2.0×1012分子/cm2ビフェニル:7.2×1012分子/cm2ジフェニルスルフィド:5.9×1012分子/cm2iii実施例3のレジスト組成物から発生したアウトガス上記成分の内、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサンは捕集管1と2の双方即ちバックグラウンドおよびレジストの両方から同量程度検出されているので、レジストから発生した主なアウトガスではないと考えられる。したがって、EUV光照射により実施例3のレジスト組成物から発生したアウトガスの主成分は、ベンゼン、メチレンアダマンタン、2-メチルアダマンタン、ビフェニル、ジフェニルスルフィドであると考えられる。<比較例1のレジスト組成物のアウトガス成分の分析>市販の加熱脱離式ガスクロマトグラフィ―質量分析装置GC-MSを用いて、捕集管3および4に捕集されているアウトガス成分の定量分析を行ったところ、以下のような成分が検出された但し、トルエン換算値。iブランクの捕集管3イソブテン:4.5×1012分子/cm2ヘキサメチルシクロトリシロキサン:1.1×1012分子/cm2オクタメチルシクロテトラシロキサン:5.5×1012分子/cm2ii比較例1の捕集管4イソブテン:5.5×1012分子/cm2ベンゼン:1.3×1014分子/cm2オクタメチルシクロテトラシロキサン:1.7×1012分子/cm2γ-ブチルラクトン:1.7×1012分子/cm2メチレンアダマンタン:6.6×1013分子/cm22-メチルアダマンタン:3.4×1012分子/cm2ビフェニル:7.9×1012分子/cm2ジフェニルスルフィド:7.7×1012分子/cm2iii比較例1のレジスト組成物から発生したアウトガスヘキサメチルシクロトリシロキサンは捕集管3のみから、またイソブテン、オクタメチルシクロテトラシロキサンは捕集管3および4、即ちバックグラウンドおよびレジストの両方から同量程度検出されているので、レジストから発生した主なアウトガスではない。したがって、EUV光照射により比較例1のレジスト組成物から発生したアウトガスの主成分は、ベンゼン、γ-ブチルラクトン、メチレンアダマンタン、2-メチルアダマンタン、ビフェニル、ジフェニルスルフィドであると考えられる。<結果のまとめ>以上の結果をまとめて表3に示す。表3から明らかなように、アウトガスの発生量が、比較例1のレジスト組成物に比べて、実施例3のレジスト組成物では全てのガス種において少なくなっている。従って、本発明のレジスト組成物を用いるとアウトガス発生を抑制することが期待できることが分かる。"