"スイッチング素子の異常状態を検出し前記スイッチング素子を遮断する信号を出力する遮断回路を有する半導体装置において、前記遮断回路は前記スイッチング素子を遮断する信号の遷移特性を決める抵抗回路を有し、該抵抗回路は1つまたは複数の回路素子を有し、該1つまたは複数の回路素子の接続を変更することにより前記スイッチング素子を遮断する信号の遷移特性を変更できることを特徴とする半導体装置。前記スイッチング素子をソフト遮断するために、緩やかな立下りの前記信号を選択できることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の半導体装置。前記遮断回路が、第1のnチャネル型MOSFETと該第1のnチャネル型MOSFETに直列接続する前記抵抗回路を有することを特徴とする請求の範囲第1項に記載の半導体装置。前記抵抗回路が非線形素子と線形素子で構成され、これらのいずれか一方または双方を選択できることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の半導体装置。前記非線形素子が、ゲートとドレインが接続された第2のnチャネル型MOSFET、または1つもしくは直列接続された複数のpnダイオードであり、線形素子が抵抗器もしくは短絡配線であることを特徴とする請求の範囲第4項に記載の半導体装置。前記非線形素子が複数設けられ、そのうちのいずれかを選択できることを特徴とする請求の範囲第4項または第5項に記載の半導体装置。前記抵抗回路を構成する前記回路素子の接続の変更を切替用導体で行うことを特徴とする請求の範囲第1項または第4項に記載の半導体装置。前記切替用導体がアルミニウムもしくは金もしくは銅のボンディングワイヤまたは半導体基板上にパターンニングされたアルミ配線もしくはポリシリコン配線であることを特徴とする請求の範囲第7項に記載の半導体装置。しかし、従来はシステムごとに使用するスイッチング素子であるIGBT61の定格が異なるため、遮断回路52の遮断特性出力端子OUTの電圧-電流特性や出力端子OUTの電圧波形に対する要求が異なる。そのため、システムごとに遮断回路52を構成するp-MOSFET57または図示しないn-MOSFETの設計を見直す必要があり、駆動IC500の製造コストが増大する。尚、遮断特性はp-MOSFETの特性で一義的に決まる。これはn-MOSFETの場合も同じである。また、特許文献1~5には、システムに応じてソフト遮断特性を任意に選定できる半導体装置駆動ICについては記載されていない。この発明の目的は、前記の課題を解決して、遮断回路の遮断特性をシステムに合わせて容易に選定できる低コストの半導体装置を提供することである。前記の目的を達成するために、請求の範囲の第1項に記載の発明によれば、スイッチング素子の異常状態を検出し前記スイッチング素子を遮断する信号を出力する遮断回路を有する半導体装置において、前記遮断回路は前記スイッチング素子を遮断する信号の遷移特性を決める抵抗回路を有し、該抵抗回路は1つまたは複数の回路素子を有し、該1つまたは複数の回路素子の接続を変更することにより前記スイッチング素子を遮断する信号の遷移特性を変更できる構成とする。また、請求の範囲の第2項記載の発明によれば、第1項に記載の発明において、前記スイッチング素子をソフト遮断するために、緩やかな立下りの前記信号を選択できるようにするとよい。また、請求の範囲の第3項記載の発明によれば、第1項に記載の発明において、前記遮断回路が、第1のnチャネル型MOSFETと該第1のnチャネル型MOSFETに直列接続する前記抵抗回路を有するものである。また、請求の範囲の第4項に記載の発明によれば、第1項に記載の発明において、前記抵抗回路が非線形素子と線形素子で構成され、これらのいずれか一方または双方を選択できるようにするとよい。また、請求の範囲の第5項に記載の発明によれば、第4項に記載の発明において、前記非線形素子が、ゲートとドレインが接続された第2のnチャネル型MOSFET、または1つもしくは直列接続された複数のpnダイオードであり、線形素子が抵抗器もしくは短絡配線である。また、請求の範囲の第6項に記載の発明によれば、第4項または第5項に記載の発明において、前記非線形素子が複数設けられ、そのうちのいずれかを選択できるようにするとよい。また、請求の範囲の第7項に記載の発明によれば、第1項または第4項に記載の発明において、前記抵抗回路を構成する前記回路素子の接続の変更を切替用導体で行なうとよい。また、請求の範囲の第8項に記載の発明によれば、第7項に記載の発明において、前記切替用導体がアルミニウムもしくは金もしくは銅のボンディングワイヤまたは半導体基板上にパターンニングされたアルミ配線もしくはポリシリコン配線であるとよい。この発明によれば、抵抗回路を構成する非線形素子や線形素子を切替用導体ボンディングワイヤやアルミ配線もしくはポリシリコン配線の接続状態を変更するだけで、各種システムを構成するスイッチング素子IGBTに合うソフト遮断特性を容易に得ることができる。各種システムに合うソフト遮断特性を得るために、その都度最適な駆動ICを新たに用意する必要がなく、同一の駆動ICの抵抗回路内の切替用導体の接続状態を変えるだけで、各種システムを構成するスイッチング素子に合うソフト遮断特性を得ることができるので、駆動ICの製造コストを低減することができる。本発明の上記および他の目的、特徴および利点は本発明の例として好ましい実施の形態を表す添付の図面と関連した以下の説明により明らかになるであろう。実施の形態を以下の実施例で説明する。図1は、この発明の第1実施例の半導体装置の要部構成図である。この半導体装置はモータ70を制御するIGBT61nチャネル型を駆動する駆動IC100である。この駆動IC100は、出力段回路1、遮断回路2、ロジック回路3およびアラーム信号処理回路4で構成され、これらの回路は半導体基板101に形成される。出力段回路1は、ソースが電源端子VCCと接続するp-MOSFET6とp-MOSFET6のドレインとドレインが接続しソースがグランド端子PGNDと接続するn-MOSFET7で構成される。また、遮断回路2は、抵抗回路5とn-MOSFET8で構成され、抵抗回路5はn-MOSFET9、抵抗10および切替用導体11からなる。このn-MOSFET9はダイオード接続されていてダイオードに類似したV-I電圧-電流特性となる。また、抵抗回路5は切替用導体11を切り替えてAの状態にするとn-MOSFET8となり、Bの状態にすると抵抗10となり、Cの状態にすると短絡状態になる。このCの状態は切替用導体11が短絡導体となる。尚、n-MOSFET9のゲートとドレインは接続されて非線形素子となる。このn-MOSFET9の代わりに図示しない1つまたは直列接続された複数のpnダイオードで置き換えても構わない。また、線形素子としてここでは抵抗10を示した。さらに、ここでは線形素子の中に短絡配線Cの状態も含めた。また、切替用導体は、アルミニウム、金もしくは銅のボンディングワイヤまたは半導体基板上にパターンニングされたアルミ配線もしくはポリシリコン配線などである。この駆動IC100の出力端子OUTからの信号はIGBT61を駆動するメインドライバ69に入力され、メインドライバ69からの信号はIGBT61のゲートに入力される。このIGBT61はモータ制御用素子であり、モータ70を制御する。尚、メインドライバ69を削除して出力端子OUTからの信号を直接IGBT61のゲートに入力する場合もある。前記の駆動IC100において、正常動作時には通常の動作信号が入力端子INに入力され、ロジック回路3を介して出力段回路1のp-MOSFET6とn-MOSFET7にゲート信号が印加される。出力端子OUTからオンオフ信号がIGBTのゲートに伝送され、IGBT61は正常動作を行う。メインドライバ69は、図12のものと同様に、入力部の動きを増幅してIGBT61のゲートに蓄積した電荷を引き抜く、一種の電流増幅器として機能する。図2は、出力端子OUTの電圧-電流特性を示す図である。図2には、n-MOSFET9と抵抗10の電圧-電流特性も合せて示した。n-MOSFET9の電圧-電流特性はダイオードの順方向特性と類似している。切替用導体11がAの状態はn-MOSFET8とn-MOSFET9が直列接続した場合の電圧-電流特性である。切替用導体11がBの状態はn-MOSFET8と抵抗10が直列接続した場合の電圧-電流特性である。また、切替用導体11がCの状態はn-MOSFET8の電圧-電流特性である。切替用導体11を切替えることで、出力端子OUTの電圧-電流特性を容易に変えることができる。図3は、出力端子OUTの電圧波形図である。図2で示すように、切替用導体11を切り替えることで、出力端子OUTの電圧がHレベルからLレベルに変わるときの電圧の立下がり波形を容易に変えることができる。この立下り波形が緩やかな程、IGBT61はソフト遮断して、IGBT61が破壊するのを防止できる。過電圧や過熱などの異常には、アラーム信号処理回路4とロジック回路3を介して、p-MOSFET6およびn-MOSFET7をオフさせると共に、n-MOSFET8をオンさせることによって、IGBT61のゲートに蓄積した電荷がメインドライバ69とn-MOSFET8を経由して引き抜かれる厳密にいうと、メインドライバ69を用いる場合は図12の場合と同様に、遮断回路2はメインドライバ69の入力部から電流を引き抜き、メインドライバ69はその入力部の動きを増幅してIGBT61のゲートに蓄積した電荷を引き抜く。。このとき出力端子OUTの電圧の低下が緩やかになるように切替用導体11の状態を選定することで、蓄積した電荷を緩やかに引き抜くようにすることで、IGBT61をソフト遮断させることができる。しかし、出力端子OUTの電圧の立下りが緩やか過ぎるとIGBT61のターンオフ損失が大きくなるなどの不都合が生じるので、IGBT61に合った抵抗回路5を構成するように切替用導体11の接続状態を選定する必要がある。また、出力端子OUTの電圧が十分低くなった段階シンク切替電圧で出力段回路1のn-MOSFET7をオンさせて、IGBT61を停止させる。切替用導体11の接続状態A,B,Cを選定するだけで、遮断回路2の遮断特性スイッチング素子IGBTを遮断する信号の遷移特性を任意に変更できる。また、切替用導体11の接続状態をAまたはBの状態にすることで遮断回路2の遮断特性をソフト遮断特性にすることができる。従来はシステムに合わせて最適な駆動IC100を新たに選定、もしくは再設計していたが、本発明により、同一の駆動IC100の抵抗回路5内の切替用導体11の接続状態を変えるだけで、各種システムに対応出来るようになった。その結果、駆動IC100の製造コストを低減することができた。また、遮断回路2を5V程度の低い電圧で駆動できるNチャネル型MOSFETn-MOSFET8を用いて構成するので、従来のように0V~バッテリーVB電圧まで可変できるゲート信号を遮断回路2のために用意することは不要となる。また、遮断回路2を構成するするMOSFET9や抵抗10の占有面積は小さく、n型のMOSFET8は従来のp型のMOSFET47より小さくすることができるので、コストアップの要因にならず、従来のp-MOSFET47を用いる遮断回路57に比べて低コスト化することができる。図4は、この発明の第2実施例の半導体装置の要部構成図である。この半導体装置はモータ70を制御するIGBT61を駆動する駆動IC200である。各回路は半導体基板201に形成される。図1との違いは、抵抗回路5を複数のn-MOSFETで構成し、切替用導体11で切り替えるようにした点である。ここではn-MOSFET9a,n-MOSFET9bの2個の場合を示したが、さらに多数設けても構わない。図5は、出力端子OUTの電圧-電流特性を示す図である。切替用導体11の接続状態を替えることでn-MOSFET9a,9bの切り替えを行い、図6に示すように、出力端子OUTの電圧の立ち下がり特性スイッチング素子IGBTを遮断する信号の遷移特性を変えて、IGBT61がソフト遮断できる最適な状態にすることができる。この切り替えは切替用導体11の接続状態を変えるだけでよいので、容易に実施することができる。図7は、この発明の第3実施例の半導体装置の要部構成図である。この半導体装置はモータ70を制御するIGBT61を駆動する駆動IC300である。各回路は半導体基板301に形成される。図1との違いは、抵抗回路5を構成するn-MOSFET9と抵抗10を切替用導体11で並列接続した点である。図8は、出力端子OUTの電圧-電流特性を示す図である。n-MOSFET9のみの場合に比べて、電圧の低い領域での電流が増大する方向に電圧-電流特性が変化する。このように、n-MOSFET9と抵抗10を切替用導体11を用いて組み合わせることでも、図9に示すように、出力端子OUTの電圧の立下り特性スイッチング素子IGBTを遮断する信号の遷移特性を変えることができる。前記したように、抵抗回路5として複数のn-MOSFETや抵抗を予め形成しておき、それらの接続を切替用導体11を用いて行うことで、容易にシステムを構成するIGBTに合った抵抗回路5にすることができる。また、同一の駆動ICで各種システムに対応できるので、製造コストの低減を図ることができる。尚、図7では、n-MOSFET9と抵抗10を各1個形成した場合を示したが、それぞれ複数個形成して、システムに合うソフト遮断特性が得られるようにその組み合わせを選定してもよい。また、実施例1,3において、抵抗10を複数の直列抵抗で構成し、切替用導体11を直列抵抗間の任意の接続点にも接続できるようにして、抵抗10の抵抗値を選択できるようにしてもよい。上記については単に本発明の原理を示すものである。さらに、多数の変形、変更が当業者にとって可能であり、本発明は上記に示し、説明した正確な構成および応用例に限定されるものではなく、対応するすべての変形例および均等物は、添付の請求項およびその均等物による本発明の範囲とみなされる。"