"ウェハ処理反応装置用のその場パイロメーター較正の方法であって、a較正パイロメーターを、該較正パイロメーターがウェハ支持要素の回転軸から第1の半径距離において前記ウェハ支持要素の第1の部分からの放射を受けるように、第1の較正位置に位置決めするステップと、b前記反応装置がパイロメーター較正温度に達するまで、前記反応装置を加熱するステップと、c前記回転軸を中心として前記支持要素を回転させるステップと、d前記回転軸を中心として前記支持要素が回転している間に、第1の作動位置に設置された第1の作動パイロメーターから第1の作動温度測定値を得るステップであって、前記第1の作動パイロメーターは、前記ウェハ支持要素の前記回転軸から前記第1の半径距離において前記ウェハ支持要素の前記第1の部分からの放射を受けている、ステップと、e前記回転軸を中心として前記支持要素が回転している間に、前記較正パイロメーターから第1の較正温度測定値を得るステップとを含んでなる方法。前記ステップdおよび前記ステップeは、同時に行われるものである請求項1に記載の方法。前記ステップa~eは、前記第1の作動パイロメーターを前記反応装置から取り外すことなく行われるものである請求項1に記載の方法。前記ステップdおよび前記ステップeは、ウェハを処理するための前記反応装置の稼働中に行われるものである請求項1に記載の方法。前記ウェハ支持要素は、ウェハ保持ポケットを有していないかまたはウェハが載置されていないブランクウェハキャリアである請求項1に記載の方法。ウェハを処理するための前記反応装置の前記稼働は、化学蒸着を含んでいる請求項1に記載の方法。前記第1の作動パイロメーターおよび前記較正パイロメーターから得られた温度測定値に基づいて、前記第1の作動パイロメーターの較正パラメータを調整することをさらに含む請求項1に記載の方法。前記ウェハ処理反応装置のメモリーに参照テーブルを記憶することをさらに含んでおり、該参照テーブルは、前記第1の作動温度測定値の少なくともいくつかと共に前記第1の較正温度測定値の対応するもののマッピングを含む請求項1に記載の方法。前記パイロメーター較正温度は、第1のパイロメーター較正温度であり、前記方法は、f前記反応装置が第2のパイロメーター較正温度に達するまで、前記反応装置を加熱するステップと、g前記回転軸を中心として前記支持要素が回転している間に、前記第1の作動パイロメーターから第2の作動温度測定値を得るステップと、h前記回転軸を中心として前記支持要素が回転している間に、前記較正パイロメーターから第2の較正温度測定値を得るステップとをさらに含む請求項1に記載の方法。f前記較正パイロメーターが前記ウェハ支持要素の前記回転軸から第2の半径距離において前記支持要素の第2の部分からの放射を受けるように、前記較正パイロメーターを第2の較正位置に移動させるステップと、g前記回転軸を中心として前記支持要素が回転している間に、第2の作動位置に設置された第2の作動パイロメーターから第2の作動温度測定値を得るステップであって、前記第2の作動パイロメーターは、前記ウェハ支持要素の前記回転軸から前記第2の半径距離において前記ウェハ支持要素の前記第2の部分からの放射を受けている、ステップと、h前記回転軸を中心として前記支持要素が回転している間に、前記較正パイロメーターから第2の較正温度測定値を得るステップとをさらに含む請求項1に記載の方法。前記ステップgの前に、前記第1の作動温度測定値および前記第1の較正温度測定値に基づいて、前記第1の作動パイロメーターの較正パラメータを調整するステップと、前記ステップhの後、前記第2の作動温度測定値および前記第2の較正温度測定値に基づいて、前記第2の作動パイロメーターの較正パラメータを調整するステップとをさらに含む請求項10に記載の方法。前記ステップhの後、前記作動パイロメーターおよび前記較正パイロメーターから得られた前記温度測定値に基づいて、前記第1および第2の作動パイロメーターの較正パラメータを調整するステップをさらに含む請求項10に記載の方法。前記第1および第2の作動パイロメーターは、前記反応装置の第1および第2の作動用光学的ビューポート内にそれぞれ係合されている請求項10に記載の方法。前記位置決めステップは、前記較正パイロメーターが前記反応装置の第1の較正用光学的ビューポート内に係合されるように行われるものである請求項13に記載の方法。前記移動ステップは、前記較正パイロメーターが前記反応装置の第2の較正用光学的ビューポート内に係合されるように行われるものである請求項14に記載の方法。前記位置決めステップは、前記較正パイロメーターが半径方向拡張較正用光学的ビューポート内に係合されるように行われるものであり、前記移動ステップは、前記較正パイロメーターが前記半径方向拡張較正用光学的ビューポートに沿って前記第1の較正位置から前記第2の較正位置に移動されるように行われるものである請求項13に記載の方法。前記加熱ステップは、前記ウェハ支持要素用の多区域加熱システムによって行われるものである請求項1に記載の方法。ウェハ処理反応装置用のその場パイロメーター較正システムであって、a回転軸を有するウェハ支持要素と、b前記ウェハ支持要素用の加熱要素と、c第1の作動位置に設置された第1の作動パイロメーターであって、前記ウェハ支持要素の前記回転軸から第1の半径距離において前記ウェハ支持要素の第1の部分からの放射を受けている、第1の作動パイロメーターと、d第1の較正位置に位置決めされた較正パイロメーターであって、前記ウェハ支持要素の前記回転軸から前記第1の半径距離において前記ウェハ支持要素の前記第1の部分からの放射を受けている、較正パイロメーターとを備えてなるシステム。前記第1の作動パイロメーターおよび前記較正パイロメーターは、前記ウェハ支持要素の前記回転軸から前記第1の半径距離において前記ウェハ支持要素の前記第1の部分から温度測定値を同時に得ている請求項18に記載のシステム。第2の作動位置に設置された第2の作動パイロメーターであって、前記ウェハ支持要素の前記回転軸から第2の半径距離において前記ウェハ支持要素の第2の部分からの放射を受けている、第2の作動パイロメーターをさらに備えており、前記較正パイロメーターは、第2の較正位置に位置決めされており、前記第2の較正位置における前記較正パイロメーターは、前記ウェハ支持要素の前記回転軸から前記第2の半径距離において前記ウェハ支持要素の前記第2の部分からの放射を受けている請求項18に記載のシステム。第1および第2の作動用光学的ビューポートをさらに備えており、前記第1および第2の作動パイロメーターは、前記第1および第2の作動用光学的ビューポート内にそれぞれ係合されている請求項20に記載のシステム。第1および第2の較正用光学的ビューポートをさらに備えており、前記較正パイロメーターは、前記較正パイロメーターが前記第1の較正位置に位置決めされたとき、前記第1の較正用光学的ビューポート内に係合されるものであり、前記較正パイロメーターは、前記較正パイロメーターが前記第2の較正位置に位置決めされたとき、前記反応装置の前記第2の較正用光学的ビューポート内に係合されるものである請求項21に記載のシステム。半径方向拡張較正用光学的ビューポートをさらに備えており、前記較正パイロメーターは、前記半径方向拡張較正用光学的ビューポート内において、前記第1および第2の較正位置間で摺動している請求項21に記載のシステム。前記加熱要素は、多区域加熱システムである請求項18に記載のシステム。このようなシステムを最適化するために、当技術分野においてこれまで著しい努力が払われてきているが、さらに一層の改良が望まれている。特に、破壊的でない温度測定システムをもたらすことが望まれている。ウェハ処理反応装置用のその場パイロメーター較正の方法、およびウェハ処理反応装置用のその場パイロメーター較正システムが提供されている。本発明の一態様は、化学蒸着反応装置のようなウェハ処理反応装置用のその場パイロメーター較正の方法を提供している。本方法は、望ましくは、較正パイロメーターを第1の較正位置に位置決めするステップと、反応装置がパイロメーター較正温度に達するまで、反応装置を加熱するステップとを含んでいる。本方法は、望ましくは、回転軸を中心として支持要素を回転させるステップと、回転軸を中心として支持要素が回転している間に、第1の作動位置に設置された第1の作動パイロメーターから第1の作動温度測定値を得て、較正パイロメーターから第1の較正温度測定値を得るステップとをさらに含んでいる。較正パイロメーターおよび第1の作動パイロメーターのいずれも、望ましくは、ウェハ支持要素の回転軸から第1の半径距離においてウェハ支持要素の第1の部分から放射を受けるように適合されている。特定の実施形態では、第1の作動温度測定値を得るステップおよび第1の較正温度測定値を得るステップは同時に行われるようになっている。一例では、本方法の全てのステップは、第1の作動パイロメーターを反応装置から取り外すことなく行われるようになっている。例示的な実施形態では、第1の作動温度測定値を得るステップおよび第1の較正温度測定値を得るステップは、ウェハを処理するための反応装置の稼働中に行われるようになっている。特定の実施形態では、ウェハ支持要素は、ウェハ保持ポケットを有していないかまたはウェハが載置されていないブランクウェハキャリアである。一例では、ウェハを処理するための反応装置の稼働は化学蒸着を含んでいる。特定の例では、本方法は、第1の作動パイロメーターおよび較正パイロメーターから得られた温度測定値に基づいて、第1の作動パイロメーターの較正パラメータを調整するステップも含んでいる。例示的な実施形態では、本方法は、ウェハ処理反応装置のメモリーに参照テーブルを記憶するステップも含んでいる。参照テーブルは、第1の作動温度測定値の少なくともいくつかと共に第1の較正温度測定値の対応するもののマッピングを含みうる。一例では、パイロメーター較正温度は、第1のパイロメーター較正温度であり、本方法は、反応装置が第2のパイロメーター較正温度に達するまで、反応装置を加熱するステップと、回転軸を中心として支持要素が回転している間に、第1の作動パイロメーターから第2の作動温度測定値を得るステップと、回転軸を中心として支持要素が回転している間に、較正パイロメーターから第2の較正温度測定値を得るステップとを含んでいる。一例では、本方法は、較正パイロメーターがウェハ支持要素の回転軸から第2の半径距離においてウェハ支持要素の第2の部分からの放射を受けるように適合されるように、較正パイロメーターを第2の較正位置に移動させるステップも含んでいる。本方法は、回転軸を中心として支持要素が回転している間に、第2の作動位置に設置された第2の作動パイロメーターから第2の作動温度測定値を得るステップであって、第2の作動パイロメーターは、ウェハ支持要素の回転軸から第2の半径距離においてウェハ支持要素の第2の部分からの放射を受けるように適合されているステップを含みうる。本方法は、回転軸を中心として支持要素が回転している間に、較正パイロメーターから第2の較正温度測定値を得るステップを含みうる。特定の実施形態では、本方法は、第2の作動温度測定値を得るステップの前に、第1の作動温度測定値および第1の較正温度測定値に基づいて、第1の作動パイロメーターの較正パラメータを調整するステップを含んでいる。本方法は、第2の較正温度測定値を得るステップの後、第2の作動温度測定値および第2の較正温度測定値に基づいて、第2の作動パイロメーターの較正パラメータを調整するステップを含みうる。一例では、本方法は、第2の較正温度測定値を得るステップの後、作動パイロメーターおよび較正パイロメーターから得られた温度測定値に基づいて、第1および第2の作動パイロメーターの較正パラメータを調整するステップも含んでいる。例示的な実施形態では、第1および第2の作動パイロメーターは、反応装置の第1および第2の作動用光学的ビューポートにそれぞれ係合されている。特定の例では、位置決めステップは、較正パイロメーターが反応装置の第1の較正用光学的ビューポート内に係合されるように行われるようになっている。特定の実施形態では、移動ステップは、較正パイロメーターが反応装置の第2の較正用光学的ビューポート内に係合されるように行われるようなっている。例示的な実施形態では、位置決めステップは、較正パイロメーターが半径方向拡張較正用光学的ビューポート内に係合されるように行われるようになっており、移動ステップは、較正パイロメーターが半径方向拡張較正用光学的ビューポートに沿って第1の較正位置から第2の較正位置に移動されるように行われるようになっている。例示的な実施形態では、加熱ステップは、ウェハ支持要素用の多区域加熱システムによって、行われるようになっている。本発明の他の態様は、化学蒸着反応装置などのウェハ処理反応装置用のその場パイロメーター較正システムを提供している。本システムは、好ましくは、回転軸を有するウェハ支持要素と、ウェハ支持要素用の加熱要素と、第1の作動位置に設置された第1の作動パイロメーターと、第1の較正位置に位置決めされた較正パイロメーターとを含んでいる。第1の作動パイロメーターは、ウェハ支持要素の回転軸から第1の半径距離においてウェハ支持要素の第1の部分からの放射を受けるように適合されているとよい。較正パイロメーターは、ウェハ支持要素の回転軸から第1の半径距離においてウェハ支持要素の第1の部分からの放射を受けるように適合されているとよい。特定の実施形態では、第1の作動パイロメーターおよび較正パイロメーターは、ウェハ支持要素の回転軸から第1の半径距離においてウェハ支持要素の第1の部分から温度測定値を同時に得るように適合されている。一例では、本システムは、第2の作動位置に設置された第2の作動パイロメーターであって、ウェハ支持要素の回転軸から第2の半径距離においてウェハ支持要素の第2の部分からの放射を受けるように適合されている、第2の作動パイロメーターをさらに備えている。較正パイロメーターは、第2の較正位置に位置決めされるように適合可能であり、第2の較正位置における較正パイロメーターは、ウェハ支持要素の回転軸から第2の半径距離においてウェハ支持要素の第2の部分から放射を受けるように適合可能になっている。例示的な実施形態では、本システムは、第1および第2の作動用光学的ビューポートを備えており、第1および第2の作動パイロメーターは、第1および第2の作動用光学的ビューポート内にそれぞれ係合されている。特定の例では、本システムは、第1および第2の較正用光学的ビューポートを備えており、較正パイロメーターは、較正パイロメーターが第1の較正位置に位置決めされたとき、第1の較正用光学的ビューポート内に係合されるように適合されており、較正パイロメーターが第2の較正位置に位置決めされたとき、反応装置の第2の較正用光学的ビューポート内に係合されるように適合されている。例示的な実施形態では、本システムは、半径方向拡張較正用光学的ビューポートも備えており、較正パイロメーターは、半径方向拡張較正用光学的ビューポート内において、第1および第2の較正位置間で摺動するように適合されている。特定の実施形態では、加熱要素は、多区域加熱システムである。図1を参照すると、本発明の一実施形態による化学蒸着装置10は、反応チャンバ12を有している。反応チャンバ12は、該チャンバ12の一端に配置されたガス注入マニホールド14を有している。ガス注入マニホールド14を有するチャンバ12の端は、本明細書では、チャンバの上端と呼ばれている。チャンバのこの端は、典型的には、必ずしも必要ではないが、通常の重力方向を基準とした座標系におけるチャンバの上端に対応している。本明細書に用いられる下向き方向は、ガス注入マニホールド14から離れる方向を指しており、上向き方向は、チャンバ内においてガス注入マニホールド14に向かう方向を指している。これは、これらの方向が重量による下向き方向および下向き方向と真っ直ぐに並んでいるかどうかとは無関係である。同様に、各要素の上面および底面は、本明細書では、チャンバ12およびマニホールド14の座標系に基づいて記載されている。チャンバ12は、円筒壁20を有している。円筒壁20は、チャンバの上端における上フランジ22とチャンバの底端におけるベースプレート24との間に延在している。壁20、フランジ22、およびベースプレート24は、ガス注入マニホールド14から放出されたガスを含むことができる気密封止された内部領域26をそれらの間に画定している。チャンバ12は、円筒形状として示されているが、他の実施形態は、他の形状、例えば、円錐または中心軸32を中心とする他の回転面、正方形、六角形、八角形、または任意の他の適切な形状を有するチャンバを備えていてもよい。ガス注入マニホールド14は、ウェハ処理プロセスに用いられるプロセスガス、例えば、キャリアガスおよび有機金属化合物およびV族金属の源のような反応ガスを供給するための供給源に接続されている。典型的な化学蒸着プロセスでは、キャリアガスは、窒素、水素、または窒素と水素の混合物とすることができる。従って、ウェハキャリアの上面におけるプロセスガスは、主に、ある量の反応ガス成分を含む窒素および/または水素から構成されている。ガス注入マニホールド14は、種々のガスを受容してプロセスガスの流れを略下向き方向に導くように構成されている。ガス注入マニホールド14は、冷媒システム図示せずに接続されていてもよい。冷媒システムは、操作中にガス分配要素の温度を所望の温度に維持するために、液体を該要素内に循環させるように構成されている。チャンバ12の壁を冷却するために、同様の冷媒装置図示せずが設けられていてもよい。チャンバ12は、前置チャンバ図示せずに通じる入口開口図示せず、および入口開口を開閉するための可動シャッタ図示せずを備えていてもよい。シャッタは、例えば、米国特許第7,276,124号明細書に開示されているように構成されていてもよい。この文献の開示内容は、引用することよって本明細書の一部をなすものとする。スピンドル30が、その中心軸32を上下方向に延在させて、チャンバ内に配置されている。スピンドルは、従来の回転貫通装置34によって、チャンバに取り付けられている。回転貫通装置34は、スピンドル30が、スピンドル30とチャンバ12のベースプレート24との間の密封を維持しながら、中心軸32を中心として回転することができるように、軸受およびシール図示せずを組み入れている。スピンドル30は、その上端、すなわち、ガス注入マニホールド14に最も近いスピンドルの端に、取付け部36を有している。スピンドル30は、電動モータ駆動装置のような回転駆動機構38に接続されている。回転駆動機構38は、中心軸32を中心としてスピンドルを回転させるように構成されている。スピンドル30は、ガス通路内においてスピンドルの略軸方向に延在する内部冷媒通路を備えていてもよい。内部冷媒通路は、冷媒源に接続され、この冷媒源によって、流体冷媒が冷媒通路を通って冷媒源に戻るように循環されるようになっている。ウェハキャリアまたはウェハ支持要素40は、上面41および中心軸42を有する実質的に円形のディスクの形態にある。図1に示されている作動位置では、支持要素40の中心軸42は、スピンドルの軸32と一致している。支持要素40は、単一片として形成されていてもよいし、複数片の複合材料として形成されていてもよい。例えば、米国特許出願公開第2009/0155028号明細書に開示されているように、支持要素40は、中心軸42を囲む支持要素の小さい領域を画定するハブおよびディスク状本体の残りを画定する大きい部分を備えていてもよい。他の実施形態図示せずでは、支持要素40は、他の形状、例えば、正方形、六角形、または八角形を有していてもよい。支持要素40は、CVDプロセスを汚染させず、かつCVDプロセスにおいて受ける温度に耐えることができる材料から形成することができる。例えば、支持要素40の大きい部分は、黒鉛、炭化ケイ素、窒化ボロン、窒化アルミニウム、または他の耐火材料のような材料から殆どまたは完全に形成されているとよい。支持要素40は、略平坦な上下面を有しており、これらの上下面は、互いに略平行に延在しており、支持要素の垂直回転軸42と略直交している。一例では、支持要素40は、約300mm~約700mmの直径を有することがある。支持要素40は、該支持要素の周りに周方向に配置された多数の凹部またはプラットフォームを備えることができる。このような凹部またはプラットフォームは、各々、ディスク状ウェハ図示せずを取り外し可能に受け入れ、このようなウェハを以下に述べるようなMOCVDプロセス中に保持するように構成されている。各ウェハは、サファイア基板、炭化ケイ素基板、珪素基板、または他の結晶性基板から形成されている。典型的には、各ウェハは、その主面の寸法と比較して小さい厚みを有している。例えば、約2インチ約50mm径の円形ウェハは、約430μm以下の厚みを有している。各ウェハは、その上面を支持要素の上面に露出させるように上に向けて、支持要素40の上または支持要素40に隣接して配置されるようになっている。加熱要素50が、取付け部36の下方でスピンドル30を包囲するように、チャンバ12内に取り付けられている。加熱要素50は、主に放射熱伝達によって、熱を支持要素40の底面に伝達させることができる。支持要素40の底面に供給された熱は、支持要素の本体を通ってその上面41に向かって上方に流れるようになっている。熱は、支持要素40によって保持された各ウェハの底面に向かって上方に流れ、そして、ウェハを通ってその上面に向かって上方に流れる。熱は、ウェハの上面からプロセスチャンバ12の冷却要素、例えば、プロセスチャンバの壁20およびガス注入マニホールド14に放射されることになる。熱は、ウェハの上面からこれらの上面の上を通るプロセスガスにも伝達されることになる。特定の実施形態では、加熱要素50は多区域加熱要素でありうる。この場合、支持要素40の種々の部分例えば、スピンドル30の中心軸32から第1の半径距離に位置する第1の環状部分、および中心軸から第2の半径距離に位置する第2の環状部分が、別個に加熱可能である。例示的な実施形態では、熱シールド図示せずが、加熱要素50の下方に、例えば、支持要素40と平行に設けられており、これによって、加熱要素から支持要素への上向きの直接加熱を助長させ、チャンバ12の底端のベースプレート24への下向きの加熱が阻止されことになる。チャンバ12は、使用済みガスをチャンバの内部領域26から除去するように構成された排気システム52も備えている。排気システム52は、チャンバ12の底またはその近くに排気マニホールド図示せずを備えていてもよい。排気マニホールドは、使用済みガスを反応チャンバ12から排出するように構成されたポンプ55または他の真空源に接続されていてもよい。複数の光学的ビューポート60L,60R総称的に、光学的ビューポート60が、チャンバ12の上フランジ22に配置されている。各ビューポート60は、温度を測定するためのパイロメーター例えば、パイロメーター70または80、または他の非接触式測定装置、例えば、湾曲を測定するための撓み計、成長率を測定するための反射計、楕円偏光計、または支持要素40の全半径にわたる温度を測定することができる走査装置を受け入れるように適合されている。各ビューポート60は、スピンドル30の中心軸32から任意の半径距離に配置可能になっており、各ビューポートは、チャンバ12の上フランジ22の周囲に沿った任意の角位置に配置可能になっている。図1に示されている例示的な実施形態では、ビューポート1L-7Lを含む7つのビューポート60Lが、図1の左側に設けられており、各ビューポート60Lは、中心軸32から互いに異なる半径距離に位置している。また、ビューポート1R-7Rを含む7つのビューポート60Rが、図1の右側に設けられており、各ビューポート60Rは、中心軸32から互いに異なる半径距離に位置している。各左側ビューポート1L-7Lは、対応する右側ビューポート1R-7Rと、中心軸32から同一の半径距離に位置している。7つのビューポート60L,60Rが図1に示されているが、他の実施形態では、任意の数のビューポート60L,60Rが設けられていてもよい。例えば、特定の実施形態では、単一のビューポート60Lおよび単一のビューポート60Rが設けられていてもよい。他の例では、図2に示されている実施形態において、以下に説明するように、1つ以上の半径方向拡張ビューポート60L’が設けられていてもよい。複数の作動パイロメーター70が、複数のビューポート60の対応するものに設置可能になっている。各作動パイロメーター70は、支持要素40および/または支持要素上に支持されたウェハの温度を測定するように適合されている。このような温度測定値は、ウェハの処理中に加熱要素60の制御を決定するのに役立つ制御システム例えば、制御システム90への入力値として用いられることになる。図示されている例示的な実施形態では、3つの作動パイロメーター70が、ビューポート60Rの3つの対応するものに設置されている。例えば、作動パイロメーター70は、ビューポート1R,3R,5R内に設置されたそれぞれの作動パイロメーター71,73,75を含んでいる。他の実施形態では、任意の数の作動パイロメーター70が設けられていてもよく、各作動パイロメーターが、ビューポート60のいずれかに設置可能になっているとよい。図示されているように、作動パイロメーター70の各々は、支持要素40の垂直回転軸42から対応する半径距離において、支持要素40および/または支持要素上に支持されたウェハの温度を測定することができるように配向されている。加熱要素50が多区域加熱要素である特定の実施形態では、作動パイロメーター70の各々は、支持要素40の対応する区域または部分の下に位置する加熱要素50の部分の加熱を制御することができるようになっている。例えば、各作動パイロメーター70を用いて、中心軸42から特定の半径距離における支持要素40の環状部分の温度を制御することができる。例えば、パイロメーター71,73,75の各々は、垂直回転軸42から対応する半径距離D1,D3,D5において、支持要素40の温度を測定することができる。特定の例では、スピンドル30が回転している間に、パイロメーター70の各々は、対応する半径距離において支持要素40の環状部分の温度を測定することができる。このように測定された温度は、支持要素の少なくとも一回転中のその環状部分の全体の測定温度の平均値である。図1に示されている実施形態では、較正パイロメーター80は、ビューポート60の1つに取外し可能に設置可能になっている。較正パイロメーターは、支持要素40および支持要素上に支持されたウェハの温度を測定するように適合されている。このような温度測定値は、1つ以上の作動パイロメーター70の正確度を決定するのに役立つ入力値として用いられることになる。較正パイロメーター80は、ビューポートの1つに取外し可能に設置されるように適合されたどのような形式のパイロメーターであってもよい。特定の例では、較正パイロメーター80は、高精度パイロメーターとすることができる。例えば、このような較正パイロメーター80は、略±1.5°C以内の精度および略±0.25°C以内の1つの較正パイロメーターと他の較正パイロメーターとの間の再現性を有している。このような較正パイロメーター80は、一年当たり略0.05°C以下のドリフトを有している。このような較正パイロメーター80は、チャンバ12から取り外され、周知の標準器、例えば、NIST追跡可能な黒体標準などの国内標準または国際標準にまで追跡可能になっている標準装置に対して周期的に較正されることが可能になっている。較正パイロメーター80は、ビューポート60Lの3つ、例えば、ビューポート1L,3L,5Lに順次取外し可能に設置されるようになっている。図1に示されているように、較正パイロメーター80は、対応するビューポート1L,3L,5L内に設置された位置A,B,Cに順次配置されることになる。較正パイロメーター80がビューポート1L内に設置された位置Aに配置されると、この較正パイロメーターは、支持要素40の垂直回転軸42から半径距離D1において支持要素40の温度を測定することができる。この半径距離D1は、ビューポート1R内に設置された作動パイロメーター71が支持要素40の温度を測定するように適合されているときの半径距離と同一である。その結果、スピンドル30が回転している間に、ビューポート1L内に設置された較正パイロメーター80およびビューポート1R内に設置された作動パイロメーター71は、半径距離D1において支持要素40の特定の環状部分の温度を測定することができる。このように測定された温度は、支持要素の少なくとも一回転中のその環状部分の全体の測定温度の平均値である。同様に、較正パイロメーター80がビューポート3Lまたは5L内に設定された位置BまたはCに配置されると、この較正パイロメーターは、支持要素の垂直回転軸42から半径距離D3またはD5において支持要素40の温度を測定することができる。半径距離D3およびD5は、それぞれ、ビューポート3Rおよび5R内に設置された作動パイロメーター73および75が支持要素40の温度を測定するように適合されているときの半径距離と同一である。装置10の操作中、作動パイロメーター70から温度測定読取値を受信するように適合された制御システム90が設けられている。この制御システムは、このような温度測定読取値をメモリー92に記憶することができる。一実施形態では、制御システム90は、作動パイロメーター70によって記録された温度測定値に応じて、加熱要素50の1つ以上の区域の加熱を調整することができる。特定の例では、制御システム90は、作動パイロメーター70の較正中、作動パイロメーター70および較正パイロメーター80から温度測定読取値を受信するように適合されており、このような温度測定読取値をメモリー92に記憶することができる。操作時に、本発明の実施形態による温度測定プロセスでは、較正パイロメーター80が、光学的ビューポート1Lに係合された第1の較正位置Aに取外し可能に設置されることになる。較正パイロメーター80が第1の較正位置Aに設置されると、この較正パイロメーターは、支持要素の回転軸42から第1の半径距離D1において支持要素40の第1の部分から放射を受けるように適合されることになる。前述したように、第1の作動パイロメーター71は、光学的ビューポート1Rに係合された第1の作動位置に設置されており、回転軸42から第1の半径距離D1において支持要素40の第1の部分から放射を受けるように適合されている。例示的な実施形態では、作動パイロメーター71,73,75は、全温度測定プロセス中、対応するビューポート60Rに設置されたままになっていてもよいすなわち、これらの作動パイロメーターは、反応装置12から取り外されないようになっていてもよい。そして、反応装置12は、該反応装置がパイロメーター較正温度、例えば、500°C~1100°Cの間の温度に達するまで、加熱要素50によって加熱されるようになっている。較正温度は、望ましくは、反応装置12内において行われるウェハ処理プロセス中の作動温度に近い温度である。そして、支持要素40が、回転軸42を中心として回転される。一実施形態では、支持要素40は、50~1500回転/分の速度で回転可能になっているが、他の実施形態では、支持要素は、他の速度で回転されてもよい。支持要素40がその回転軸42を中心として回転している間、オペレータまたは任意選択的な制御システム90は、ビューポート1Rに設置された作動パイロメーター71から第1の作動温度測定値を得ることができ、ビューポート1Lに設置された較正パイロメーター80から第1の較正温度測定値を得ることができる。特定の実施形態では、作動パイロメーター71および第1の較正位置Aに配置された較正パイロメーター80からの温度測定値は、同時に得られるようになっていてもよい。支持要素40が回転すると、中心軸42から同一の半径距離に位置しているが、該軸回りの異なる角位置にある支持要素上の各点が、較正パイロメーター80および第1の作動パイロメーター71によって監視されている位置を通過することになる。図示されている装置では、ビューポート1Lは、ビューポート1Rから180°、すなわち、半回転分ずれており、パイロメーター71,80によって監視されるそれぞれの位置は、同様に、互いに半回転分ずれている。好ましくは、反応チャンバ12が温度が、経時的に変化せず、または許容される温度公差内で変動する安定状態にある間に、温度測定値が採取されとよい。支持要素40の周方向における互いに離間した位置間の温度差は、パイロメーター71,80からの温度読取値にそれほど大きな影響を与えない。何故なら、温度読取値は、支持要素の数回転にわたって平均化されているからである。好ましい実施形態では、パイロメーター較正は、ウェハ保持ポケットを有していないかまたはウェハが載置されていないブランクウェハキャリアである支持要素、または空の支持要素すなわち、ウェハを支持していない支持要素を用いて行われるようになっている。代替的な実施形態では、ウェハを有する支持要素が、較正プロセスに用いられてもよい。このような実施形態の一例では、較正パイロメーター80は、ウェハと支持要素との間の反射率または温度の差を用いて、支持要素温度データからウェハ温度データを分離する能力を有するようになっている。ウェハまたは支持要素40のいずれかの平均温度を用いて、作動パイロメーター70を較正することができる。特定の実施形態では、ウェハ温度データを支持要素温度データから分離する能力は、1つ以上の作動パイロメーター70に予め備わっているとよい。そして、較正パイロメーター80が、ビューポート3Lに係合された第2の較正位置Bに取外し可能に設置されることになる。較正パイロメーター80が第2の較正位置Bに設置されると、この較正パイロメーターは、支持要素の回転軸42から第2の半径距離D3において支持要素40の第2の部分から放射を受けるように適合されることになる。前述したように、第2の作動パイロメーター73は、ビューポート3Rに係合した第2の作動位置に設置されており、回転軸42から第2の半径距離D3における支持要素40の第2の部分から放射を受けるように適合されている。支持要素40がその回転軸42を中心として回転している間に、オペレータまたは制御システム90は、ビューポート3Rに設置された作動パイロメーター73から第2の作動温度測定値を得ることができ、ビューポート3Lに設置された較正パイロメーター80から第2の較正温度測定値を得ることができる。特定の実施形態では、作動パイロメーター73および第2の較正位置Bに配置された較正パイロメーター80からの温度測定値は、制御システムによって同時に得られるようになっている。そして、較正パイロメーター80は、ビューポート5Lに係合された第3の較正位置Cに取外し可能に設置されることになる。較正パイロメーター80が第3の較正位置Cに設置されると、この較正パイロメーターは、支持要素40の回転軸42から第3の半径距離D5において支持要素40の第3の部分から放射を受けるように適合されることになる。前述したように、第3の作動パイロメーター75は、ビューポート5Rに係合された第3の作動位置に設置されており、回転軸42から第3の半径距離D5において支持要素40の第3の部分から放射を受けるように適合されている。支持要素40がその回転軸を中心として回転している間、オペレータまたは制御システム90は、ビューポート5Rに設置された作動パイロメーター75から第3の作動温度測定値を得ることができ、ビューポート5Lに設置された較正パイロメーター80から第3の較正温度測定値を得ることができる。特定の実施形態では、作動パイロメーター75および第3の較正位置Cに配置された較正パイロメーター80からの温度測定値は、制御システムによって、同時に得られるようになっている。第1、第2、および第3の較正温度測定値および作動温度測定値が得られた後、較正パイロメーター80は、ビューポート5Lおよびチャンバ12から取り外されることになる。例示的な実施形態では、前述の温度測定プロセスは、例えば、以下に説明するように、反応装置の化学蒸着作業中に行われてもよい。好ましい実施形態では、作動パイロメーター71,73,75の各々の較正は、装置10が、温度制御モード装置が作動パイロメーター70からの温度読取値に基づいて加熱要素50へ電流を調整するモードで作動されている間に行うことができる。一例では、作動パイロメーター70の各々に対する較正温度測定値の記録は、作動パイロメーター70のいずれかの較正の調整の前に行われてもよい。代替的に、各パイロメーターに対する較正温度測定値の記録および較正の調整が、順次、すなわち、次の作動パイロメーターの較正温度測定値の記録の前に行われてもよい。いずれの手順においても、各パイロメーター70の較正を調整した後、オペレータは、反応装置の温度が安定するのを待ち、その後、どの手順が用いられているかによって、較正温度測定値を記録するか、または次のパイロメーターの較正を調整するようになっていると好ましい。代替的な実施形態では、作動パイロメーター71,73,75の各々の較正は、装置10が電流制御モード加熱フィラメントへの電流が特定値に制御され、作動パイロメーターが制御ループにない制御モードにある間に行われてもよい。温度制御に関する前述の手順と同様、作動パイロメーター70の各々に対する較正温度測定値の記録は、パイロメーターのいずれかの較正の調整の前に行われてもよいし、または代替的に、各パイロメーターに対する較正温度測定値の記録および較正の調整が、順次行われてもよい。他の代替的な実施形態では、作動パイロメーター70の較正パラメータは、調整されないようになっている。むしろ、制御システム90は、メモリー92に、較正パイロメーター80から得られたより正確な第1、第2、および第3の較正温度測定値に対するそれぞれの作動パイロメーター71、72、73から得られたより不正確な第1、第2、第3の作動温度測定値の1つ以上のマッピングまたは参照テーブルを記憶することができる。このようにして、温度マッピングによって、制御システム90は、いかに述べるようなウェハ処理プロセス中に1つ以上の作動パイロメーター70によって得られた温度測定値を修正することができる。一実施形態では、第1、第2、第3の作動温度測定値の各々および第1、第2、第3の較正温度測定値の各々は、ウェハ処理プロセスにとって重要な単一温度における単一温度読取値とすることができる。他の実施形態では、第1、第2、第3の作動温度測定値の各々および第1、第2、第3の較正温度測定値の各々は、単一温度における複数の温度読取値の平均値であってもよい。特定の例では、較正プロセスは、略800°Cで行われるようになっている。さらに他の実施形態では、第1、第2、第3の作動温度測定値の各々および第1、第2、第3の較正温度測定値の各々は、ある温度範囲に拡がる複数の温度読取値とすることができ、これによって、較正パイロメーター80に対する各作動パイロメーター70の精度のマッピングが、チャンバ12の典型的なウェハ処理プロセス作動温度範囲にわたって得られることになる。前述のステップは、反応装置がウェハ処理の一連の過程にある間に行われてもよい。具体的には、入口開口図示せずが、シャッタ図示せずを下降させることによって、開放される。次いで、ウェハを支持する支持要素が、前置チャンバ図示せずからチャンバ12内に装填され、スピンドル30上の作動位置に載置される。この状態で、ウェハの上面は、ガス注入マニホールド14に向かって上方を向いている。次いで、入口開口が閉鎖される。加熱要素50が作動され、回転駆動装置38が、スピンドル30、従って、支持要素40を中心軸32を中心として回転させるように、作動される。典型的には、スピンドル30は、約500-1500回転/分の回転速度で回転される。プロセスガス供給ユニット図示せずが、ガス注入マニホールド14を通してガスを供給するように、作動される。ガスは、支持要素40に向かって下方に流れ、ウェハの上面を横切って、支持要素の周囲に沿って下方に流れ、排気システム52に至る。従って、ウェハの上面は、種々のプロセスガス供給ユニットによって供給された種々のガスの混合物を含むプロセスガスに晒されることになる。最も典型的には、上面におけるプロセスガスは、主に、キャリアガス供給ユニット図示せずによって供給されるキャリアガスから構成されている。このウェハ処理プロセス中、作動パイロメーター70は、加熱要素50を制御するための入力値として役立つ温度測定値を記録することができる。多区域加熱要素50を有する実施形態では、複数のパイロメーター70の各々は、垂直回転軸42から特定の半径距離における温度測定値を記録することができ、これらの温度測定値は、多区域加熱要素の対応する区域を制御することができる。プロセスは、ウェハの所望の処理が完了するまで継続されることになる。いったんプロセスが完了したなら、入口開口が開けられ、ウェハが支持要素40から取り外される。最終的に、処理されたウェハは、次の操作サイクルのために新しいウェハと取り換えられることになる。図示されている実施形態では、各パイロメーター70,80は、支持要素40の垂直回転軸42からある半径距離において、支持要素40および/または支持要素上に支持されたウェハの温度を測定するように適合されており、該半径距離は、スピンドル30の中心軸32と対応するビューポート60との間の半径距離と同一である。従って、この場合、パイロメーター70または80は、略直角略90°である角度αで進む放射を受けるように適合されている。他の実施形態では、各パイロメーター70または80は、支持要素40の回転軸42からある半径距離において、支持要素40および/または支持要素に支持されたウェハの温度を測定するように適合されており、該半径距離は、スピンドル30の中心軸32と対応するビューポート60との間の半径距離と異なっている。すなわち、この場合、パイロメーター70または80は、略直角でない角度α、例えば、30°、45°、60°、75°、または任意の他の角度で進む放射を受けるように適合されていることになる。特定の実施形態では、較正パイロメーター80および対応するパイロメーター70のいずれかまたは両方が、略直角である角度αで進む放射を受けるようになっていてもよいし、または較正パイロメーター80および対応するパイロメーター70の両方が、略直角である角度αで進む放射を受けないようになっていてもよい。角度αが略直角でないこのような実施形態では、較正パイロメーター80は、較正パイロメーターおよび対応する作動パイローの両方が垂直回転軸から同一の半径距離例えば、D1において支持要素から放出される放射を受けることができる限り、対応する作動パイロメーター70と異なる支持要素40の垂直回転軸42からの半径距離に配置されていてもよい。図示されているように、作動パイロメーター70は、右側ビューポート60R内に設置されており、較正パイロメーター80は、左側ビューポート60Lの対応するものに取外し可能に設置可能になっている。他の実施形態では、各作動パイロメーター70は、ビューポート60のいずれに設置されてもよく、較正パイロメーター80は、該作動パイロメーター70と同一の垂直回転軸42からの半径距離において支持要素から放出される放射を受けることができるビューポート60の任意の対応する1つに取外し可能に設置されてもよい。一例では、作動パイロメーター70は、左側のビューポート60Lのいくつかに設置されてもよく、較正パイロメーター80は、右側のビューポート60Rの対応するものに取外し可能に設置されてもよい。他の例では、作動パイロメーター70のいくつか例えば、作動パイロメーター71,73が右側ビューポート60Rのいくつかに設置されてもよく、作動パイロメーターの他のもの例えば、作動パイロメーター75が左側ビューポート60Lに設置されてもよい。この場合、較正パイロメーター80は、該作動パイロメーター70と同一の垂直回転軸42からの半径距離において支持要素から放出される放射を受けることができるビューポート60の対応する1つに取外し可能に設置されることになる。較正パイロメーター80が設置されることになるビューポート60の各々例えば、左側ビューポート1L、3L,5Lは、その上に著しい寄生堆積が生じないことが望ましい。較正パイロメーター80が特定のビューポート60内に設置される前に、該特定のビューポートは、このような寄生堆積を除去するために洗浄されることが望ましい。特定の実施形態では、作動パイロメーター70および較正パイロメーター80は、垂直回転軸42から同一の半径距離にある別々の位置から放出される放射を受けるのに代わって、支持要素の同一の単一位置から放出される放射を受けるように意図されている。このような実施形態では、作動パイロメーター70および較正パイロメーター80が互いに異なるビューポート60内に設置されるのに代わって、作動パイロメーター70および較正パイロメーター80は、同一のビューポート内に設置されることになる。このような実施形態は、作動パイロメーター70および較正パイロメーター80の両方の設置に適応するのに十分大きいビューポートを備えるように、チャンバ12を修正する必要がある。また、このような実施形態は、作動パイロメーター70および較正パイロメーター80を垂直回転軸42に対して傾斜させる必要があるが、これは、温度測定の不確実さを増大させる可能性がある。以下、図2を参照すると、図1に示されている化学蒸着装置10の代替的なビューポートの実施形態が示されている。この実施形態では、較正パイロメーター80は、個別のビューポート1L,3L,5L内に順次設置されるのに代わって、1つ以上の半径方向拡張光学的ビューポート60L’内に取外し可能に設置されるようになっている。ここで用いられる半径方向拡張ビューポートは、パイロメーターをビューポートから取り外すことなく、設置されたパイロメーターの半径位置を変化させる能力を有するビューポートである。このような半径方向拡張ビューポートは、半径方向に延在するレールを備えていてもよい。このレールによって、パイロメーターは、ビューポートから取り外されることなく、1つの半径位置から他の半径位置に摺動することが可能になる。図2に示されている実施形態では、較正パイロメーター80は、支持要素40の半径の少なくとも一部に沿って支持要素40の上面41と実質的に平行に延在するレール図示せず上に載置されるように、半径方向拡張ビューポート60L’内に設置されるようになっている。従って、較正パイロメーターは、マイクロメータマウントを用いて、制御可能になっている。一例では、較正パイロメーター80は、支持要素40の半径の少なくとも一部に沿ってレール上を迅速に移動し、支持要素の半径方向拡張部分の温度測定記録のマップを形成することができる。他の例では、半径方向拡張ビューポート60L’は、支持要素の全半径に沿って延在しており、これによって、較正パイロメーター80は、支持要素40の全半径に沿ってレール上を移動し、支持要素の上面41の任意の半径位置の温度測定記録を得ることができる。特定の実施形態では、支持要素40の同一の半径に沿って、または支持要素の互いに異なる角位置における互いに異なる半径に沿って、2つ以上の半径方向拡張ビューポート60L’が設けられてもよい。この場合、支持要素の2つ以上の半径方向拡張部分に沿って温度測定値を記録するために、較正パイロメーター80は、各半径方向拡張ビューポート内に順次設置されることになる。代替例では、較正パイロメーター80は、半径方向拡張ビューポート60L’内においてレールに沿って離間位置A,B,Cに移動することが可能になっている。この場合、較正パイロメーターは、それぞれの作動パイロメーター71,73,75が温度測定値を記録するように適合されている半径距離D1,D3,D5において、支持要素40の特定部分の温度を測定することができる。較正パイロメーター80は、ユーザーが作動パイロメーター70を再較正したいときのみにビューポート60L’内に取外し可能に設置されてもよいし、またはウェハ処理サイクル中、ビューポート60L’内に設置されたままにされ、周知の標準器に対して再較正するために周期的に取り外されるようになっていてもよい。本発明によるその場パイロメーター較正システムおよび方法は、前述したように、従来のパイロメーター較正方法と比較して、いくつかの有力な利点を有している。例えば、従来のパイロメーター再較正プロセスと比較して、作動パイロメーター70は、再較正のためにチャンバ12から取り外される必要がない。また、前述したように、本発明による温度測定プロセスは、チャンバ12におけるパイロメーター設置に関するエラーを補償することができると共に、前述のように、ビューポート60への寄生堆積のようなチャンバ内の条件を補償することができる。本発明は、回転ディスク反応装置を用いる種々のウェハ処理プロセス、例えば、ウェハの化学蒸着や化学エッチングなどに適用可能である。本明細書において、本発明を特定の実施形態を参照して説明してきたが、これらの実施形態は、本発明の原理と応用の単なる例示にすぎないことを理解されたい。従って、例示的な実施形態に対して多くの修正がなされてもよいこと、および添付の請求項に記載されている本発明の精神および範囲から逸脱することなく、他の構成が考案されてもよいことを理解されたい。種々の従属請求項およびそこに記載されている特徴は、元の請求項に記載されているのと異なる方法によって組み合わされてもよいことは明らかであろう。また、個々の実施形態に関連して記載されている特徴は、記載されている実施形態の他の特徴と共有されてもよいことも明らかであろう。"