"被処理体を収容する処理容器と、前記処理容器の内部に配置され、前記被処理体を載置する載置面を有する載置台と、前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給機構と、前記処理容器内で前記処理ガスのプラズマを生成させるためのマイクロ波を発生させると共に、前記処理容器内に前記マイクロ波を導入するマイクロ波導入装置とを備え、前記マイクロ波導入装置は、前記処理容器の上部に配置され、複数の開口部を有する導電性部材と、前記複数の開口部に嵌合し、前記処理容器内にマイクロ波を透過させて導入させる複数のマイクロ波透過窓とを含み、前記複数のマイクロ波透過窓は、前記複数の開口部に嵌合した状態で、前記載置面に平行な1つの仮想の平面上に配置され、第1のマイクロ波透過窓と、前記第1のマイクロ波透過窓に隣接する第2および第3のマイクロ波透過窓とを含み、前記第1ないし第3のマイクロ波透過窓は、前記第1のマイクロ波透過窓の中心点と前記第2のマイクロ波透過窓の中心点との距離と、前記第1のマイクロ波透過窓の中心点と前記第3のマイクロ波透過窓の中心点との距離が、互いに等しいかほぼ等しくなるように設定されて配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。前記複数のマイクロ波透過窓は、前記導電性部材における中央部分に配置された1つの中心マイクロ波透過窓と、前記中心マイクロ波透過窓を囲むように、前記中央部分よりも外側に配置された少なくとも6つの外側マイクロ波透過窓とを有し、前記6つの外側マイクロ波透過窓と前記中心マイクロ波透過窓は、前記6つの外側マイクロ波透過窓の中心点と前記中心マイクロ波透過窓の中心点のうち、互いに隣接する3つの中心点を結ぶことによって平面状に6個の正三角形を形成し、これら6個の正三角形によって仮想の正六角形を形成するように配置されていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記被処理体の平面形状は円形であり、前記複数のマイクロ波透過窓から前記処理容器内に導入される各々のマイクロ波に基づいて生成される複数のマイクロ波プラズマの密度分布は全て同一であり、前記被処理体の平面形状の直径を1とし、隣接する任意の2つのマイクロ波透過窓の中心点間の距離をLpで表したときに、0.37×Lp0.26の値が前記複数のマイクロ波プラズマの密度分布の半値全幅以上であり、且つ3.80×Lp-1.04の値が前記複数のマイクロ波プラズマの密度分布の半値全幅以下であることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。前記仮想の正六角形の外縁は、前記被処理体の平面形状を前記仮想の平面に投影して形成された図形を包含していることを特徴とする請求項2または3に記載のプラズマ処理装置。前記第1ないし第3のマイクロ波透過窓は、前記第1ないし第3のマイクロ波透過窓の中心点を互いに結ぶことによって平面状に仮想の正三角形を形成するように配置されていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記被処理体の平面形状は円形であり、前記複数のマイクロ波透過窓から前記処理容器内に導入される各々のマイクロ波に基づいて生成される複数のマイクロ波プラズマの密度分布は全て同一であり、前記被処理体の平面形状の直径を1とし、隣接する任意の2つのマイクロ波透過窓の中心点間の距離をLpで表したときに、0.47×Lp0.56の値が前記複数のマイクロ波プラズマの密度分布の半値全幅以上であり、且つ-19×Lp21の値が前記複数のマイクロ波プラズマの密度分布の半値全幅以上であることを特徴とする請求項5に記載のプラズマ処理装置。前記仮想の正三角形の外縁は、前記被処理体の平面形状を前記仮想の平面に投影して形成された図形を包含していることを特徴とする請求項5または6に記載のプラズマ処理装置。前記マイクロ波導入装置は、マイクロ波を生成すると共に、マイクロ波を複数の経路に分配して出力するマイクロ波出力部と、それぞれ1つのマイクロ波透過窓を含み、前記マイクロ波出力部から出力されたマイクロ波を前記処理容器内に導入する複数のマイクロ波導入モジュールとを有し、前記複数のマイクロ波導入モジュールの構成は、全て同一であることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。被処理体を収容する処理容器内で処理ガスのプラズマを生成させるためのマイクロ波を発生させると共に、前記処理容器内に前記マイクロ波を導入するマイクロ波導入装置であって、前記処理容器の上部に配置され、複数の開口部を有する導電性部材と、前記複数の開口部に嵌合し、前記処理容器内にマイクロ波を透過させて導入させる複数のマイクロ波透過窓とを含み、前記複数のマイクロ波透過窓は、前記複数の開口部に嵌合した状態で、1つの仮想の平面上に配置され、第1のマイクロ波透過窓と、前記第1のマイクロ波透過窓に隣接する第2および第3のマイクロ波透過窓とを含み、前記第1ないし第3のマイクロ波透過窓は、前記第1のマイクロ波透過窓の中心点と前記第2のマイクロ波透過窓の中心点との距離と、前記第1のマイクロ波透過窓の中心点と前記第3のマイクロ波透過窓の中心点との距離が、互いに等しいかほぼ等しくなるように設定されて配置されていることを特徴とするマイクロ波導入装置。前記複数のマイクロ波透過窓は、前記導電性部材における中央部分に配置された1つの中心マイクロ波透過窓と、前記中心マイクロ波透過窓を囲むように、前記中央部分よりも外側に配置された少なくとも6つの外側マイクロ波透過窓とを有し、前記6つの外側マイクロ波透過窓と前記中心マイクロ波透過窓は、前記6つの外側マイクロ波透過窓の中心点と前記中心マイクロ波透過窓の中心点とを互いに結ぶことによって平面状に6個の正三角形を形成し、これら6個の正三角形によって仮想の正六角形を形成するように配置されていることを特徴とする請求項9に記載のマイクロ波導入装置。前記被処理体の平面形状は円形であり、前記複数のマイクロ波透過窓から前記処理容器内に導入される各々のマイクロ波に基づいて生成される複数のマイクロ波プラズマの密度分布は全て同一であり、前記被処理体の平面形状の直径を1とし、隣接する任意の2つのマイクロ波透過窓の中心点間の距離をLpで表したときに、0.37×Lp0.26の値が前記複数のマイクロ波プラズマの密度分布の半値全幅以上であり、且つ3.80×Lp-1.04の値が前記複数のマイクロ波プラズマの密度分布の半値全幅以下であることを特徴とする請求項10に記載のマイクロ波導入装置。前記仮想の正六角形の外縁は、前記被処理体の平面形状を前記仮想の平面に投影して形成された図形を包含していることを特徴とする請求項10または11に記載のマイクロ波導入装置。前記第1ないし第3のマイクロ波透過窓は、前記第1ないし第3のマイクロ波透過窓の中心点を互いに結ぶことによって平面状に仮想の正三角形を形成するように配置されていることを特徴とする請求項9に記載のマイクロ波導入装置。前記被処理体の平面形状は円形であり、前記複数のマイクロ波透過窓から前記処理容器内に導入される各々のマイクロ波に基づいて生成される複数のマイクロ波プラズマの密度分布は全て同一であり、前記被処理体の平面形状の直径を1とし、隣接する任意の2つのマイクロ波透過窓の中心点間の距離をLpで表したときに、0.47×Lp0.56の値が前記複数のマイクロ波プラズマの密度分布の半値全幅以上であり、且つ-19×Lp21の値が前記複数のマイクロ波プラズマの密度分布の半値全幅以上であることを特徴とする請求項13に記載のマイクロ波導入装置。前記仮想の正三角形の外縁は、前記被処理体の平面形状を前記仮想の平面に投影して形成された図形を包含していることを特徴とする請求項13または14に記載のマイクロ波導入装置。マイクロ波を生成すると共に、マイクロ波を複数の経路に分配して出力するマイクロ波出力部と、それぞれ1つのマイクロ波透過窓を含み、前記マイクロ波出力部から出力されたマイクロ波を前記処理容器内に導入する複数のマイクロ波導入モジュールとを有し、前記複数のマイクロ波導入モジュールの構成は、全て同一であることを特徴とする請求項9ないし15のいずれか1項に記載のマイクロ波導入装置。処理容器内におけるプラズマの分布を均一化させるために、特許文献1および2に記載されたプラズマ処理装置のように、複数の部位からマイクロ波を処理容器内に導入し、これらのマイクロ波によって生成される複数のプラズマの分布を制御することが考えられる。しかしながら、特許文献1に記載された技術は、1つの被処理基板に対して1つの誘電体線路部材が設けられるものであり、複数のプラズマの分布を制御することは考慮されていない。また、特許文献2に記載された技術では、マイクロ波導入窓が延びる方向に直交する方向については、プラズマの分布を制御することができるものの、マイクロ波導入窓が延びる方向についてプラズマの分布を制御することは難しい。特許文献3および4には、マイクロ波を空間で合成することが記載されているが、プラズマの分布を制御する具体的な方法は記載されていない。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、処理容器内に複数の部位からマイクロ波が導入されるプラズマ処理装置であって、簡単な構成で、プラズマの分布を均一化することが可能になるプラズマ処理装置およびマイクロ波導入装置を提供することにある。本発明のプラズマ処理装置は、被処理体を収容する処理容器と、処理容器の内部に配置され、被処理体を載置する載置面を有する載置台と、処理容器内に処理ガスを供給するガス供給機構と、処理容器内で処理ガスのプラズマを生成させるためのマイクロ波を発生させると共に、処理容器内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入装置とを備えている。マイクロ波導入装置は、処理容器の上部に配置され、複数の開口部を有する導電性部材と、複数の開口部に嵌合し、処理容器内にマイクロ波を透過させて導入させる複数のマイクロ波透過窓とを含んでいる。複数のマイクロ波透過窓は、複数の開口部に嵌合した状態で、載置面に平行な1つの仮想の平面上に配置され、第1のマイクロ波透過窓と、第1のマイクロ波透過窓に隣接する第2および第3のマイクロ波透過窓とを含んでいる。第1ないし第3のマイクロ波透過窓は、第1のマイクロ波透過窓の中心点と第2のマイクロ波透過窓の中心点との距離と、第1のマイクロ波透過窓の中心点と第3のマイクロ波透過窓の中心点との距離が、互いに等しいかほぼ等しくなるように設定されて配置されている。本発明のマイクロ波導入装置は、被処理体を収容する処理容器内で処理ガスのプラズマを生成させるためのマイクロ波を発生させると共に、処理容器内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入装置であって、処理容器の上部に配置され、複数の開口部を有する導電性部材と、複数の開口部に嵌合し、処理容器内にマイクロ波を透過させて導入させる複数のマイクロ波透過窓とを含んでいる。複数のマイクロ波透過窓は、複数の開口部に嵌合した状態で、1つの仮想の平面上に配置され、第1のマイクロ波透過窓と、第1のマイクロ波透過窓に隣接する第2および第3のマイクロ波透過窓とを含んでいる。第1ないし第3のマイクロ波透過窓は、第1のマイクロ波透過窓の中心点と第2のマイクロ波透過窓の中心点との距離と、第1のマイクロ波透過窓の中心点と第3のマイクロ波透過窓の中心点との距離が、互いに等しいかほぼ等しくなるように設定されて配置されている。本発明のプラズマ処理装置およびマイクロ波導入装置では、複数のマイクロ波透過窓に基づくプラズマの分布は、各マイクロ波透過窓から導入されるマイクロ波に基づいて生成されるプラズマの分布を合成した分布になる。なお、本発明において、平面形状とは、載置面に垂直な方向から見たときの形状を意味する。また、本発明において、マイクロ波透過窓の中心点とは、マイクロ波透過窓の平面形状における中心点を意味する。本発明のプラズマ処理装置またはマイクロ波導入装置において、複数のマイクロ波透過窓は、導電性部材における中央部分に配置された1つの中心マイクロ波透過窓と、中心マイクロ波透過窓を囲むように、中央部分よりも外側に配置された少なくとも6つの外側マイクロ波透過窓とを有していてもよい。また、6つの外側マイクロ波透過窓と中心マイクロ波透過窓は、6つの外側マイクロ波透過窓の中心点と中心マイクロ波透過窓の中心点のうち、互いに隣接する3つの中心点を結ぶことによって平面状に6個の正三角形を形成し、これら6個の正三角形によって仮想の正六角形を形成するように配置されていてもよい。この場合、被処理体の平面形状は円形であってもよく、複数のマイクロ波透過窓から処理容器内に導入される各々のマイクロ波に基づいて生成される複数のマイクロ波プラズマの密度分布は全て同一であってもよい。また、被処理体の平面形状の直径を1とし、隣接する任意の2つのマイクロ波透過窓の中心点間の距離をLpで表したときに、0.37×Lp0.26の値が複数のマイクロ波プラズマの密度分布の半値全幅以上であり、且つ3.80×Lp-1.04の値が複数のマイクロ波プラズマの密度分布の半値全幅以下であってもよい。また、この場合、上記仮想の正六角形の外縁は、被処理体の平面形状を仮想の平面に投影して形成された図形を包含していてもよい。また、本発明のプラズマ処理装置またはマイクロ波導入装置において、第1ないし第3のマイクロ波透過窓は、第1ないし第3のマイクロ波透過窓の中心点を互いに結ぶことによって平面状に仮想の正三角形を形成するように配置されていてもよい。この場合、被処理体の平面形状は円形であってもよく、複数のマイクロ波透過窓から処理容器内に導入される各々のマイクロ波に基づいて生成される複数のマイクロ波プラズマの密度分布は全て同一であってもよい。また、被処理体の平面形状の直径を1とし、隣接する任意の2つのマイクロ波透過窓の中心点間の距離をLpで表したときに、0.474×Lp0.560の値が複数のマイクロ波プラズマの密度分布の半値全幅以上であり、且つ-19×Lp21の値が複数のマイクロ波プラズマの密度分布の半値全幅以上であってもよい。また、この場合、上記仮想の正三角形の外縁は、被処理体の平面形状を仮想の平面に投影して形成された図形を包含していてもよい。また、本発明のプラズマ処理装置におけるマイクロ波導入装置または本発明のマイクロ波導入装置は、マイクロ波を生成すると共に、マイクロ波を複数の経路に分配して出力するマイクロ波出力部と、それぞれ1つのマイクロ波透過窓を含み、マイクロ波出力部から出力されたマイクロ波を処理容器内に導入する複数のマイクロ波導入モジュールとを有していてもよく、複数のマイクロ波導入モジュールの構成は、全て同一であってもよい。本発明のプラズマ処理装置またはマイクロ波導入装置では、第1のマイクロ波透過窓の中心点と第2のマイクロ波透過窓の中心点との距離第1および第2のマイクロ波透過窓の中心点間距離と、第1のマイクロ波透過窓の中心点と第3のマイクロ波透過窓の中心点との距離第1および第3のマイクロ波透過窓の中心点間距離は、互いに等しいかほぼ等しくなるように設定される。本発明では、前述のように、複数のマイクロ波透過窓に基づくプラズマの分布は、各マイクロ波透過窓から導入されるマイクロ波に基づいて生成されるプラズマの分布を合成した分布になる。これにより、本発明によれば、複数の部位からマイクロ波が導入されるプラズマ処理装置において、簡単な構成で、プラズマの分布を均一化することが可能になる。[第1の実施の形態]以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図1および図2を参照して、本発明の第1の実施の形態に係るプラズマ処理装置の概略の構成について説明する。図1は、本実施の形態に係るプラズマ処理装置の概略の構成を示す断面図である。図2は、図1に示した制御部の構成を示す説明図である。本実施の形態に係るプラズマ処理装置1は、連続する複数の動作を伴って、例えば半導体デバイス製造用の半導体ウエハ以下、単にウエハと記す。Wに対して、成膜処理、拡散処理、エッチング処理、アッシング処理等の所定の処理を施す装置である。プラズマ処理装置1は、被処理体であるウエハWを収容する処理容器2と、処理容器2の内部に配置され、ウエハWを載置する載置面21aを有する載置台21と、処理容器2内にガスを供給するガス供給機構3と、処理容器2内を減圧排気する排気装置4と、処理容器2内にプラズマを生成させるためのマイクロ波を発生させると共に、処理容器2内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入装置5と、これらプラズマ処理装置1の各構成部を制御する制御部8とを備えている。なお、処理容器2内にガスを供給する手段としては、ガス供給機構3の代りに、プラズマ処理装置1の構成には含まれない外部のガス供給機構を使用してもよい。処理容器2は、例えば略円筒形状をなしている。処理容器2は、例えばアルミニウムおよびその合金等の金属材料によって形成されている。マイクロ波導入装置5は、処理容器2の上部に設けられ、処理容器2内に電磁波マイクロ波を導入してプラズマを生成するプラズマ生成手段として機能する。マイクロ波導入装置5の構成については、後で詳しく説明する。処理容器2は、板状の天井部11および底部13と、天井部11と底部13とを連結する側壁部12とを有している。天井部11は、複数の開口部を有している。側壁部12は、処理容器2に隣接する図示しない搬送室との間でウエハWの搬入出を行うための搬入出口12aを有している。処理容器2と図示しない搬送室との間には、ゲートバルブGが配置されている。ゲートバルブGは、搬入出口12aを開閉する機能を有している。ゲートバルブGは、閉状態で処理容器2を気密にシールすると共に、開状態で処理容器2と図示しない搬送室との間でウエハWの移送を可能にする。底部13は、複数図1では2つの排気口13aを有している。プラズマ処理装置1は、更に、排気口13aと排気装置4とを接続する排気管14を備えている。排気装置4は、APCバルブと、処理容器2の内部空間を所定の真空度まで高速に減圧することが可能な高速真空ポンプとを有している。このような高速真空ポンプとしては、例えばターボ分子ポンプ等がある。排気装置4の高速真空ポンプを作動させることによって、処理容器2は、その内部空間が所定の真空度、例えば0.133Paまで減圧される。プラズマ処理装置1は、更に、処理容器2内において載置台21を支持する支持部材22と、支持部材22と処理容器2の底部13との間に設けられた絶縁材料よりなる絶縁部材23とを備えている。載置台21は、被処理体であるウエハWを水平に載置するためのものである。支持部材22は、底部13の中央から処理容器2の内部空間に向かって延びる円筒状の形状を有している。載置台21および支持部材22は、例えば表面にアルマイト処理陽極酸化処理が施されたアルミニウム等によって形成されている。プラズマ処理装置1は、更に、載置台21に高周波電力を供給する高周波バイアス電源25と、載置台21と高周波バイアス電源25との間に設けられた整合器24とを備えている。高周波バイアス電極25は、ウエハWにイオンを引き込むために、載置台21に高周波電力を供給する。図示しないが、プラズマ処理装置1は、更に、載置台21を加熱または冷却する温度制御機構を備えている。温度制御機構は、例えば、ウエハWの温度を、25°C室温~900°Cの範囲内で制御する。また、載置台21は、載置面21aに対して突没可能に設けられた複数の支持ピンを有している。複数の支持ピンは、任意の昇降機構により上下に変位し、上昇位置において、図示しない搬送室との間でウエハWの受け渡しを行うことができるように構成されている。プラズマ処理装置1は、更に、処理容器2の天井部11に設けられたガス導入部15を備えている。ガス導入部15は、円筒形状をなす複数のノズル16を有している。ノズル16は、その下面に形成されたガス孔16aを有している。ノズル16の配置については、後で説明する。ガス供給機構3は、ガス供給源31を含むガス供給装置3aと、ガス供給源31とガス導入部15とを接続する配管32とを有している。なお、図1では、1つのガス供給源31を図示しているが、ガス供給装置3aは、使用されるガスの種類に応じて複数のガス供給源を含んでいてもよい。ガス供給源31は、例えば、プラズマ生成用の希ガスや、酸化処理、窒化処理、成膜処理、エッチング処理およびアッシング処理に使用される処理ガス等のガス供給源として用いられる。なお、プラズマ生成用の希ガスとしては、例えば、Ar、Kr、Xe、He等が使用される。酸化処理に使用される処理ガスとしては、例えば、酸素ガス、オゾン、NO2ガス等の酸化性ガスが使用される。窒化処理に使用される処理ガスとしては、窒化ガス、NH3ガス、N2Oガス等が使用される。また、処理容器2においてCVD処理が行われる場合には、ガス供給源31は、成膜原料ガス、処理容器2内の雰囲気を置換する際に使用されるパージガス、処理容器2内をクリーニングする際に使用されるクリーニングガス等の供給源として用いられる。なお、成膜原料ガスとしては、例えば、TiCl4ガスとNH3ガスが使用される。パージガスとしては、例えば、N2、Ar等が使用される。クリーニングガスとしては、例えば、ClF3、NF3等が使用される。エッチングガスとしては、CF4ガス、HBrガス等が使用される。アッシングガスとしては、酸素ガス等が使用される。図示しないが、ガス供給装置3aは、更に、配管32の途中に設けられたマスフローコントローラおよび開閉バルブを含んでいる。処理容器2内に供給されるガスの種類や、これらのガスの流量等は、マスフローコントローラおよび開閉バルブによって制御される。プラズマ処理装置1の各構成部は、それぞれ制御部8に接続されて、制御部8によって制御される。制御部8は、典型的にはコンピュータである。図2に示した例では、制御部8は、CPUを備えたプロセスコントローラ81と、このプロセスコントローラ81に接続されたユーザーインターフェース82および記憶部83とを備えている。プロセスコントローラ81は、プラズマ処理装置1において、例えば温度、圧力、ガス流量、バイアス印加用の高周波電力、マイクロ波出力等のプロセス条件に関係する各構成部例えば、高周波バイアス電源25、ガス供給装置3a、排気装置4、マイクロ波導入装置5等を統括して制御する制御手段である。ユーザーインターフェース82は、工程管理者がプラズマ処理装置1を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードやタッチパネル、プラズマ処理装置1の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等を有している。記憶部83には、プラズマ処理装置1で実行される各種処理をプロセスコントローラ81の制御によって実現するための制御プログラムソフトウエアや、処理条件データ等が記録されたレシピ等が保存されている。プロセスコントローラ81は、ユーザーインターフェース82からの指示等、必要に応じて、任意の制御プログラムやレシピを記憶部83から呼び出して実行する。これにより、プロセスコントローラ81による制御下で、プラズマ処理装置1の処理容器2内において所望の処理が行われる。上記の制御プログラムおよびレシピは、例えば、CD-ROM、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリ、DVD、ブルーレイディスク等のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に格納された状態のものを利用することができる。また、上記のレシピは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用することも可能である。次に、図1、図3ないし図6を参照して、マイクロ波導入装置5の構成について詳しく説明する。図3は、マイクロ波導入装置5の構成を示す説明図である。図4は、図3に示したマイクロ波導入機構を示す断面図である。図5は、図4に示したマイクロ波導入機構のアンテナ部を示す斜視図である。図6は、図4に示したマイクロ波導入機構の平面アンテナを示す平面図である。前述のように、マイクロ波導入装置5は、処理容器2の上部に設けられ、処理容器2内に電磁波マイクロ波を導入してプラズマを生成するプラズマ生成手段として機能する。図1および図3に示したように、マイクロ波導入装置5は、処理容器2の上部に配置され、複数の開口部を有する導電性部材である天井部11と、マイクロ波を生成すると共に、マイクロ波を複数の経路に分配して出力するマイクロ波出力部50と、マイクロ波出力部50から出力されたマイクロ波を処理容器2に導入するアンテナユニット60とを有している。本実施の形態では、処理容器2の天井部11は、マイクロ波導入装置5の導電性部材を兼ねている。マイクロ波出力部50は、電源部51と、マイクロ波発振器52と、マイクロ波発振器52によって発振されたマイクロ波を増幅するアンプ53と、アンプ53によって増幅されたマイクロ波を複数の経路に分配する分配器54とを有している。マイクロ波発振器52は、所定の周波数例えば、2.45GHzでマイクロ波を発振例えば、PLL発振させる。なお、マイクロ波の周波数は、2.45GHzに限らず、8.35GHz、5.8GHz、1.98GHz等であってもよい。また、このようなマイクロ波出力部50は、マイクロ波の周波数を800MHzから1GHzの範囲内とする場合にも適用することが可能である。分配器54は、入力側と出力側のインピーダンスを整合させながらマイクロ波を分配する。アンテナユニット60は、複数のアンテナモジュール61を含んでいる。複数のアンテナモジュール61は、それぞれ、分配器54によって分配されたマイクロ波を処理容器2内に導入する。本実施の形態では、複数のアンテナモジュール61の構成は全て同一である。各アンテナモジュール61は、分配されたマイクロ波を主に増幅して出力するアンプ部62と、アンプ部62から出力されたマイクロ波を処理容器2内に導入するマイクロ波導入機構63とを有している。アンテナモジュール61は、本発明におけるマイクロ波導入モジュールに対応する。アンプ部62は、マイクロ波の位相を変化させる位相器62Aと、メインアンプ62Cに入力されるマイクロ波の電力レベルを調整する可変ゲインアンプ62Bと、ソリッドステートアンプとして構成されたメインアンプ62Cと、後述するマイクロ波導入機構63のアンテナ部で反射されてメインアンプ62Cに向かう反射マイクロ波を分離するアイソレータ62Dとを含んでいる。位相器62Aは、マイクロ波の位相を変化させて、マイクロ波の放射特性を変化させることができるように構成されている。位相器62Aは、例えば、アンテナモジュール61毎にマイクロ波の位相を調整することによって、マイクロ波の指向性を制御してプラズマの分布を変化させることに用いられる。なお、このような放射特性の調整を行わない場合には、位相器62Aを設けなくてもよい。可変ゲインアンプ62Bは、個々のアンテナモジュール61のばらつきの調整や、プラズマ強度の調整のために用いられる。例えば、可変ゲインアンプ62Bをアンテナモジュール61毎に変化させることによって、処理容器2内全体のプラズマの分布を調整することができる。図示しないが、メインアンプ62Cは、例えば、入力整合回路、半導体増幅素子、出力整合回路および高Q共振回路を含んでいる。半導体増幅素子としては、例えば、E級動作が可能なGaAsHEMT、GaNHEMT、LDLaterallyDiffused-MOSが用いられる。アイソレータ62Dは、サーキュレータとダミーロード同軸終端器とを有している。サーキュレータは、後述するマイクロ波導入機構63のアンテナ部で反射された反射マイクロ波をダミーロードへ導くものである。ダミーロードは、サーキュレータによって導かれた反射マイクロ波を熱に変換するものである。なお、前述のように、本実施の形態では、複数のアンテナモジュール61が設けられており、複数のアンテナモジュール61の各々のマイクロ波導入機構63によって処理容器2内に導入された複数のマイクロ波は、処理容器2内において合成される。そのため、個々のアイソレータ62Dは小型のものでもよく、アイソレータ62Dをメインアンプ62Cに隣接して設けることができる。図1に示したように、複数のマイクロ波導入機構63は、天井部11に設けられている。図4に示したように、マイクロ波導入機構63は、インピーダンスを整合させるチューナ64と、増幅されたマイクロ波を処理容器2内に放射するアンテナ部65と、金属材料よりなり、図4における上下方向に延びる円筒状の形状を有する本体容器66と、本体容器66内において本体容器66が延びる方向と同じ方向に延びる内側導体67とを有している。本体容器66および内側導体67は、同軸管を構成している。本体容器66は、この同軸管の外側導体を構成している。内側導体67は、棒状または筒状の形状を有している。本体容器66の内周面と内側導体67の外周面との間の空間は、マイクロ波伝送路68を形成する。図示しないが、アンテナモジュール61は、更に、本体容器66の基端側上端側に設けられた給電変換部を有している。給電変換部は、同軸ケーブルを介してメインアンプ62Cに接続されている。アイソレータ62Dは、同軸ケーブルの途中に設けられている。アンテナ部65は、本体容器66における給電変換部とは反対側に設けられている。後で説明するように、本体容器66におけるアンテナ部65よりも基端側の部分は、チューナ64によるインピーダンス調整範囲となっている。図4および図5に示したように、アンテナ部65は、内側導体67の下端部に接続された平面アンテナ71と、平面アンテナ71の上面側に配置されたマイクロ波遅波材72と、平面アンテナ71の下面側に配置されたマイクロ波透過板73とを有している。マイクロ波透過板73の下面は、処理容器2の内部空間に露出している。マイクロ波透過板73は、本体容器66を介して、マイクロ波導入装置5の導電性部材である天井部11の開口部に嵌合している。マイクロ波透過板73は、本発明におけるマイクロ波透過窓に対応する。平面アンテナ71は、円板形状を有している。また、平面アンテナ71は、平面アンテナ71を貫通するように形成されたスロット71aを有している。図5および図6に示した例では、4つのスロット71aが設けられており、各スロット71aは、4つに均等に分割された円弧形状を有している。なお、スロット71aの数は、4つに限らず、5つ以上であってもよいし、1つ以上3つ以下であってもよい。マイクロ波遅波材72は、真空よりも大きい誘電率を有する材料によって形成されている。マイクロ波遅波材72を形成する材料としては、例えば、石英、セラミックス、ポリテトラフルオロエチレン樹脂等のフッ素系樹脂、ポリイミド樹脂等を用いることができる。マイクロ波は、真空中ではその波長が長くなる。マイクロ波遅波材72は、マイクロ波の波長を短くしてプラズマを調整する機能を有している。また、マイクロ波の位相は、マイクロ波遅波材72の厚みによって変化する。そのため、マイクロ波遅波材72の厚みによってマイクロ波の位相を調整することにより、平面アンテナ71が定在波の腹の位置になるように調整することができる。これにより、平面アンテナ71における反射波を抑制することができると共に、平面アンテナ71から放射されるマイクロ波の放射エネルギーを大きくすることができる。つまり、これにより、マイクロ波のパワーを効率よく処理容器2内に導入することができる。マイクロ波透過板73は、誘電体材料によって形成されている。マイクロ波透過板73を形成する誘電体材料としては、例えば石英やセラミックス等が用いられる。マイクロ波透過板73は、マイクロ波をTEモードで効率的に放射することができるような形状をなしている。図5に示した例では、マイクロ波透過板73は、直方体形状を有している。なお、マイクロ波透過板73の形状は、直方体形状に限らず、例えば円柱形状、五角形柱形状、六角形柱形状、八角形柱形状であってもよい。上記のように構成されたマイクロ波導入機構63では、メインアンプ62Cで増幅されたマイクロ波は、本体容器66の内周面と内側導体67の外周面との間マイクロ波伝送路68を通って平面アンテナ71に達し、平面アンテナ71のスロット71aからマイクロ波透過板73を透過して処理容器2の内部空間に放射される。チューナ64は、スラグチューナを構成している。具体的には、図4に示したように、チューナ64は、本体容器66のアンテナ部65よりも基端部側上端部側の部分に配置された2つのスラグ74A,74Bと、2つのスラグ74A,74Bを動作させるアクチュエータ75と、このアクチュエータ75を制御するチューナコントローラ76とを有している。スラグ74A,74Bは、板状且つ環状の形状を有し、本体容器66の内周面と内側導体67の外周面との間に配置されている。また、スラグ74A,74Bは、誘電体材料によって形成されている。スラグ74A,74Bを形成する誘電体材料としては、例えば、比誘電率が10の高純度アルミナを用いることができる。高純度アルミナは、通常、スラグを形成する材料として用いられている石英比誘電率3.88やテフロン登録商標比誘電率2.03よりも比誘電率が大きいため、スラグ74A,74Bの厚みを小さくすることができる。また、高純度アルミナは、石英やテフロン登録商標に比べて、誘電正接tanδが小さく、マイクロ波の損失を小さくすることができるという特徴を有している。高純度アルミナは、更に、歪みが小さいという特徴と、熱に強いという特徴も有している。高純度アルミナとしては、純度99.9以上のアルミナ焼結体であることが好ましい。また、高純度アルミナとして、単結晶アルミナサファイアを用いてもよい。チューナ64は、チューナコントローラ76からの指令に基づいて、アクチュエータ75によって、スラグ74A,74Bを上下方向に移動させる。これにより、チューナ64は、インピーダンスを調整する。例えば、チューナコントローラ76は、終端部のインピーダンスが50Ωになるように、スラグ74A,74Bの位置を調整する。本実施の形態では、メインアンプ62C、チューナ64および平面アンテナ71は、互いに近接して配置されている。特に、チューナ64および平面アンテナ71は、集中定数回路を構成し、且つ共振器として機能する。平面アンテナ71の取り付け部分には、インピーダンス不整合が存在する。本実施の形態では、チューナ64によって、プラズマを含めて高精度でチューニングすることができ、平面アンテナ71における反射の影響を解消することができる。また、チューナ64によって、平面アンテナ71に至るまでのインピーダンス不整合を高精度で解消することができ、実質的に不整合部分をプラズマ空間とすることができる。これにより、チューナ64によって、高精度のプラズマ制御が可能になる。次に、図7および図8を参照して、マイクロ波透過板73の配置について説明する。図7は、図1に示した処理容器2の天井部11の底面図である。図8は、本実施の形態における複数のマイクロ波透過板73の配置を示す説明図である。なお、図7では、本体容器66の図示を省略している。また、以下の説明では、マイクロ波透過板73は、円柱形状を有するものとする。マイクロ波導入装置5は、複数のマイクロ波透過板73を含んでいる。前述のように、マイクロ波透過板73は、本発明におけるマイクロ波透過窓に対応する。複数のマイクロ波透過板73は、マイクロ波導入装置5の導電性部材である天井部11の複数の開口部に嵌合した状態で、載置台21の載置面21aに平行な1つの仮想の平面上に配置されている。また、複数のマイクロ波透過板73は、上記仮想の平面において、その中心点間の距離が互いに等しいか、ほぼ等しい3つのマイクロ波透過板73を含んでいる。なお、中心点間の距離がほぼ等しいというのは、マイクロ波透過板73の形状精度やアンテナモジュール61マイクロ波導入機構63の組み立て精度等の観点から、マイクロ波透過板73の位置は、所望の位置からわずかにずれていてもよいことを意味する。本実施の形態では、複数のマイクロ波透過板73は、六方最密配置になるように配置された7つのマイクロ波透過板73からなるものである。具体的には、複数のマイクロ波透過板73は、その中心点がそれぞれ正六角形の頂点に一致またはほぼ一致するように配置された6つのマイクロ波透過板73A~73Fと、その中心点が正六角形の中心に一致またはほぼ一致するように配置された1つのマイクロ波透過板73Gからなるものである。図8において、符号PA~PGは、それぞれ、マイクロ波透過板73A~73Gの中心点を示している。なお、頂点または中心点にほぼ一致するというのは、マイクロ波透過板73の形状精度やアンテナモジュール61マイクロ波導入機構63の組み立て精度等の観点から、マイクロ波透過板73の中心点は、上記の頂点または中心からわずかにずれていてもよいことを意味する。図7に示したように、マイクロ波透過板73Gは、天井部11における中央部分に配置されている。6つのマイクロ波透過板73A~73Fは、マイクロ波透過板73Gを囲むように、天井部11の中央部分よりも外側に配置されている。従って、マイクロ波透過板73Gは、本発明における中心マイクロ波透過窓に対応し、マイクロ波透過板73A~73Fは、本発明における外側マイクロ波透過窓に対応する。なお、本実施の形態において、天井部11における中央部分というのは、天井部11の平面形状における中央部分を意味する。マイクロ波透過板73A~73Gは、以下の第1および第2の条件を満たしながら配置されている。第1の条件は、マイクロ波透過板73A~73Gの中心点PA~PGのうち、互いに隣接する3つの中心点を結ぶことによって平面状に6個の正三角形が形成されるというものである。第2の条件は、これら6個の正三角形によって仮想の正六角形が形成されるというものである。図8に示したように、マイクロ波透過板73A~73Fの中心点PA~PFを、マイクロ波透過板73Gを囲むように結ぶと、上記の仮想の正六角形が形成される。なお、図8において、符号Wは、ウエハWの平面形状を、複数のマイクロ波透過板73が配置された仮想の平面に投影して形成された図形以下、単にウエハWの平面形状と記す。を示している。図8に示した例では、ウエハWの平面形状は円形である。本実施の形態では、マイクロ波透過板73A~73Fの中心点PA~PFの基準となる正六角形の外縁は、ウエハWの平面形状を包含している。マイクロ波透過板73Gの中心点PGは、ウエハWの平面形状円の中心点に一致またはほぼ一致している。マイクロ波透過板73A~73Fの中心点PA~PFは、ウエハWの平面形状に対する同心円の円周上において、均等またはほぼ均等の間隔で配置されている。本実施の形態では、全てのマイクロ波透過板73において、互いに隣接する任意の3つのマイクロ波透過板73の中心点間の距離は、互いに等しいか、ほぼ等しくなる。以下、これについて、マイクロ波透過板73A,73B,73Gを例にとって説明する。図8に示したように、マイクロ波透過板73A,73Bの中心点PA,PBは、正六角形の隣接する2つの頂点に一致している。また、マイクロ波透過板73Gの中心点PGは、正六角形の中心点に一致している。図8に示したように、中心点PA,PB,PGを結んで描いた図形は、正三角形になる。従って、中心点PA,PB,PG間の距離は互いに等しくなる。上記のマイクロ波透過板73A,73B,73Gについての説明は、互いに隣接する3つのマイクロ波透過板73の組み合わせのいずれについても当てはまる。従って、本実施の形態では、全てのマイクロ波透過板73において、互いに隣接する任意の3つのマイクロ波透過板73の中心点間の距離は、互いに等しいか、ほぼ等しくなる。なお、本発明において、隣接する2つのマイクロ波透過板73は、これら2つのマイクロ波透過板73の中心点間を結ぶ第1の線分上に他のマイクロ波透過板73が配置されていないという条件と、第1の線分が、他の2つのマイクロ波透過板73の中心点間を結び、第1の線分よりも短い第2の線分と交わっていないという条件を満たしている。ここで、本発明における第1ないし第3のマイクロ波透過窓について説明する。上記のマイクロ波透過板73A,73B,73Gについての説明において、例えば、マイクロ波透過板73Gは、本発明における第1のマイクロ波透過窓に対応し、マイクロ波透過板73A,73Bは、第1のマイクロ波透過窓に隣接する第2および第3のマイクロ波透過窓に対応する。上記の説明から明らかなように、マイクロ波透過板73Gの中心点PGとマイクロ波透過板73Aの中心点PAとの距離マイクロ波透過板73G,73Aの中心点PG,PA間距離と、マイクロ波透過板73Gの中心点PGとマイクロ波透過板73Bの中心点PBとの距離マイクロ波透過板73G,73Bの中心点PG,PB間距離は、互いに等しいかほぼ等しくなる。なお、マイクロ波透過板73Gが本発明における第1のマイクロ波透過窓に対応している場合、マイクロ波透過板73A,73Bに限らず、マイクロ波透過板73A~73Fのうちの任意の2つのマイクロ波透過板が本発明における第2および第3のマイクロ波透過窓に対応する。また、マイクロ波透過板73Aが本発明における第1のマイクロ波透過窓に対応してもよい。この場合、マイクロ波透過板73B,73F,73Gのうちの任意の2つのマイクロ波透過板が本発明における第2および第3のマイクロ波透過窓に対応する。同様に、マイクロ波透過板73B~73Fのうちのいずれか1つのマイクロ波透過板が本発明における第1のマイクロ波透過窓に対応してもよい。ところで、第1ないし第3のマイクロ波透過窓に対応するマイクロ波透過板73の組み合わせが73A,73B,73G、73B,73C,73G、73C,73D,73G、73D,73E,73G、73E,73F,73G、73F,73A,73Gのうちのいずれかである場合であって、マイクロ波透過板73Gが本発明における第1のマイクロ波透過窓に対応する場合、第1ないし第3のマイクロ波透過窓は、互いに隣接する。この場合、第1および第2のマイクロ波透過窓の中心点間距離と、第1および第3のマイクロ波透過窓の中心点間距離と、第2および第3のマイクロ波透過窓の中心点間距離は、互いに等しいかほぼ等しくなる。上記のマイクロ波透過板73A,73B,73Gについての説明では、マイクロ波透過板73G,73Aの中心点PG,PA間距離と、マイクロ波透過板73G,73Bの中心点PG,PB間距離と、マイクロ波透過板73A,73Bの中心点PA,PB間距離は、互いに等しいかほぼ等しくなる。図4に示したように、マイクロ波導入機構63は、マイクロ波透過板73を含んだ一体構造をなしている。本実施の形態では、複数のマイクロ波導入機構63は、7つのマイクロ波導入機構63からなるものである。各マイクロ波導入機構63は、図7および図8に示したマイクロ波透過板73が配置された位置に対応して配置されている。また、図7に示したように、ガス導入部15の複数のノズル16は、マイクロ波透過板73A~73Fとマイクロ波透過板73Gとの間において、マイクロ波透過板73Gの周囲を囲むように配置されている。次に、隣接する任意の2つのマイクロ波透過板73の中心点間の距離の好ましい範囲について説明する。始めに、図8ないし図10を参照して、載置台21の載置面21aにおける任意の測定点のプラズマ密度について説明する。図9は、プラズマ源と測定点の関係を模式的に示す説明図である。図10は、プラズマの密度分布を模式的に示す説明図である。なお、プラズマ源とは、本実施の形態におけるマイクロ波透過板73に対応するものである。図9において、符号201,202,203は、任意の3つのプラズマ源を示している。また、符号204は、載置面21a上の測定点を示している。また、符号201a,202a,203aを付した矢印は、それぞれ、プラズマ源201,202,203から測定点204に向かうプラズマを模式的に示すものである。図10において、符号200を付した曲線は、任意のプラズマ源によって発生されるプラズマの密度分布を示している。また、記号FWHMは、このプラズマの密度分布の半値全幅を表している。ここで、x方向、y方向、z方向を以下のように定義する。x方向とy方向は、図1に示した載置台21の載置面21aに平行な方向であって、互いに直交する2つの方向である。z方向は、載置面21aに垂直な方向であって、載置面21aから離れる方向である。載置面21aでは、z=0であるものとする。図9には、このように定義されたx,y,zの各方向を図示している。複数のプラズマ源は、載置面21aに平行な1つの仮想の平面複数のマイクロ波透過板73が配置される仮想の平面と同じに配置されている。ここで、この仮想の平面と載置面21aとの間の距離をZで表す。また、任意のプラズマ源の座標をxn,yn,Zで表し、測定点204の座標をX,Y,0で表す。測定点204における任意の1つのプラズマ源に基づくプラズマ密度Nenは、下記の式1で表される。NenX,Y=anexp[-{X-xn2Y-yn2}/2σ2]/2πσ2...1なお、式1は、経験的に得られる近似式である。σ2は、下記の式2で表される。σ2=FWHM2/8ln2...2なお、anとσ2はプラズマ強度に関する係数であり、プラズマ源に投入するパワーと、プラズマ源が配置された仮想の平面から載置面21aまでの距離Zに依存する。図9に示したように、測定点204には、複数のプラズマ源に基づくプラズマが到達する。測定点204における全てのプラズマ源に基づくプラズマ密度Netotalは、式1によって表される1つのプラズマ源に基づくプラズマ密度Nenの和で表すことができる。測定点204にNp個のプラズマ源に基づくプラズマが到達する場合、プラズマ密度Netotalは下記の式3で表される。Netotal=Σn=1~NpNen...3次に、隣接する任意の2つのマイクロ波透過板73の中心点間の距離の好ましい範囲について求めた第1のシミュレーションの結果について説明する。第1のシミュレーションでは、図8に示したように、平面形状が円形であり、直径Dwが1であるウエハW上のプラズマ密度を、上記の式1~3を用いて計算した。また、プラズマ源、すなわちマイクロ波透過板73の配置は、図8に示した配置とした。なお、図8において、記号Lpは、隣接する任意の2つのマイクロ波透過板73の中心点間の距離を表している。また、複数のマイクロ波透過板73に基づく複数のマイクロ波プラズマの密度分布は、全て同一であるものとした。なお、実際に、処理容器2内におけるマイクロ波プラズマの密度分布を均一化する場合には、例えば、マイクロ波透過板73G中心マイクロ波透過窓に基づくマイクロ波プラズマの密度分布のみを変化させて、処理容器2内におけるプラズマの密度分布を最適化することが行われる。第1のシミュレーションでは、LpとFWHMを、いずれも、0.1から2.0の範囲内で変化させて、ウエハW上のマイクロ波プラズマの密度分布を求め、この密度分布に基づいて、マイクロ波プラズマの密度分布の均一性を求めた。マイクロ波プラズマの密度分布の均一性を表す指標としては、ウエハW上のプラズマ密度の最大値と最小値の差の1/2を、ウエハW上のプラズマ密度の平均値で割った値を百分率で示したものを用いた。図11に、第1のシミュレーションの結果を示す。図11において、横軸はLpを示し、縦軸はFWHMを示している。図11では、上記のマイクロ波プラズマの密度分布の均一性を表す指標の値を記載すると共に、この値が等しい点を結んで曲線を描いている。図11から、LpとFWHMが共に大きくなるに従って、マイクロ波プラズマの密度分布の均一性が向上することが分かる。なお、上記のマイクロ波プラズマの密度分布の均一性を表す指標の値は、例えば10以下であることが好ましい。これを実現するために、LpおよびFWHMは、例えば、下記の式4を満たすことが好ましい。0.37×Lp0.26≦FWHM≦3.80×Lp-1.04...4なお、図11において、符号205は、FWHM=0.37×Lp0.26で表される直線を示し、符号206は、FWHM=3.80×Lp-1.04で表される直線を示している。第1のシミュレーションの結果から理解されるように、複数のマイクロ波透過板73が図8に示したように配置されている場合、隣接する任意の2つのマイクロ波透過板73の中心点間の距離Lpは、上記の式4を満たすことが好ましい。次に、プラズマ処理装置1におけるプラズマ処理の一例について説明する。ここでは、処理ガスとして窒素を含有するガスを使用して、ウエハWの表面に対してプラズマ窒化処理を施す場合を例に挙げて、プラズマ処理の手順について説明する。まず、例えばユーザーインターフェース82から、プラズマ処理装置1においてプラズマ窒化処理を行うように、プロセスコントローラ81に指令が入力される。次に、プロセスコントローラ81は、この指令を受けて、記憶部83またはコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に保存されたレシピを読み出す。次に、レシピに基づく条件によってプラズマ窒化処理が実行されるように、プロセスコントローラ81からプラズマ処理装置1の各エンドデバイス例えば、高周波バイアス電源25、ガス供給装置3a、排気装置4、マイクロ波導入装置5等に制御信号が送出される。次に、ゲートバルブGが開状態にされて、図示しない搬送装置によって、ウエハWが、ゲートバルブGおよび搬入出口12aを通って処理容器2内に搬入される。ウエハWは、載置台21の載置面21aに載置される。次に、ゲートバルブGが閉状態にされて、排気装置4によって、処理容器2内が減圧排気される。次に、ガス供給機構3によって、所定の流量の希ガスおよび窒素含有ガスが、ガス導入部15を介して処理容器2内に導入される。処理容器2の内部空間は、排気量およびガス供給量を調整することによって、所定の圧力に調整される。次に、マイクロ波出力部50において、処理容器2内に導入するマイクロ波を発生させる。マイクロ波出力部50の分配器54から出力された複数のマイクロ波は、アンテナユニット60の複数のアンテナモジュール61に入力され、各アンテナモジュール61によって、処理容器2内に導入される。各アンテナモジュール61では、マイクロ波は、アンプ部62およびマイクロ波導入機構63を伝搬する。マイクロ波導入機構63のアンテナ部65に到達したマイクロ波は、平面アンテナ71のスロット71aから、マイクロ波透過板73を透過して、処理容器2内におけるウエハWの上方の空間に放射される。このようにして、各アンテナモジュール61から、それぞれ別々にマイクロ波が処理容器2内に導入される。上記のように複数の部位から処理容器2内に導入されたマイクロ波は、それぞれ処理容器2内に電磁界を形成する。これにより、処理容器2内に導入された不活性ガスや窒素含有ガス等の処理ガスをプラズマ化する。そして、プラズマ中の活性種、例えばラジカルやイオンの作用によって、ウエハWのシリコン表面が窒化されてシリコン窒化膜SiNの薄膜が形成される。プロセスコントローラ81からプラズマ処理装置1の各エンドデバイスにプラズマ処理を終了させる制御信号が送出されると、マイクロ波の発生が停止されると共に、希ガスおよび窒素含有ガスの供給が停止されて、ウエハWに対するプラズマ処理が終了する。次に、ゲートバルブGが開状態にされて、図示しない搬送装置によって、ウエハWが搬出される。なお、窒素含有ガスの代りに酸素含有ガスを使用することにより、ウエハWに対して酸化処理を施すことができる。また、成膜原料ガスを使用することにより、プラズマCVD法によって、ウエハWに対して成膜処理を施すことができる。次に、本実施の形態に係るプラズマ処理装置1の効果について説明する。本実施の形態では、本発明の第1のマイクロ波透過窓に対応するマイクロ波透過板73の中心点と第2のマイクロ波透過窓に対応するマイクロ波透過板73の中心点との距離第1および第2のマイクロ波透過窓の中心点間距離と、本発明の第1のマイクロ波透過窓に対応するマイクロ波透過板73の中心点と第3のマイクロ波透過窓に対応するマイクロ波透過板73の中心点との距離第1および第3のマイクロ波透過窓の中心点間距離は、互いに等しいかほぼ等しくなるように設定される。ウエハW上の任意の点のプラズマ密度は、式1ないし3を参照して説明したように、複数のマイクロ波透過板73に基づく複数のプラズマ密度の和で表される。ところで、隣接する複数のマイクロ波透過板の中心点間距離が異なるように配置されていると、以下のような問題が生じる。ここでは、ある1つのマイクロ波透過板以下、第4のマイクロ波透過板と呼ぶ。が、他の2つのマイクロ波透過板以下、第5および第6のマイクロ波透過板と呼ぶ。から離れて配置されている場合について考える。第4ないし第6のマイクロ波透過板に基づくマイクロ波プラズマの密度分布は、各マイクロ波透過板に基づくマイクロ波プラズマの密度分布を合成した分布になる。従って、各マイクロ波透過板に基づくマイクロ波プラズマの密度分布が全て同一の場合、第4のマイクロ波透過板の近傍ではプラズマ密度が小さくなり、第4および第5のマイクロ波透過板の近傍ではプラズマ密度が大きくなる。また、このようにプラズマ密度に偏りがある場合、例えば第4のマイクロ波透過板に基づくマイクロ波プラズマの密度分布を調整するために、第4のマイクロ波透過板を含むアンテナモジュールの平面アンテナを交換することが考えられるが、このような平面アンテナの交換は、手間と時間を要する大掛かりな作業となってしまう。あるいは、第4のマイクロ波透過板に基づくマイクロ波プラズマの密度分布を調整するために、例えばマイクロ波のパワー等を変えることによって微調整することも考えられるが、マイクロ波のパワーを変化させうる範囲でのマイクロ波プラズマの密度分布の変化幅が小さく、その効果には限界がある。これに対し、本実施の形態では、第1および第2のマイクロ波透過窓の中心点間距離と第1および第3のマイクロ波透過窓の中心点間距離が、互いに等しいかほぼ等しくなるように設定されることから、マイクロ波プラズマの密度分布を均一化することが容易になる。例えば、マイクロ波透過板73を含む複数のアンテナモジュール61の構成を全て同一にすること等によって、3つのマイクロ波透過板73の各々に基づく3つのマイクロ波プラズマの密度分布を全て同一にした場合には、少なくとも、第2のマイクロ波透過窓に対応するマイクロ波透過板73の近傍におけるマイクロ波プラズマの密度分布と、第3のマイクロ波透過窓に対応するマイクロ波透過板73の近傍におけるマイクロ波プラズマの密度分布は等しくなる。このように、本実施の形態によれば、簡単な構成で、マイクロ波プラズマの密度分布を均一化することが可能になる。また、本実施の形態では、第1および第2のマイクロ波透過窓の中心点間距離と、第1および第3のマイクロ波透過窓の中心点間距離と、第2および第3のマイクロ波透過窓の中心点間距離を互いに等しくすることによって、マイクロ波プラズマの密度分布を均一化することが容易になる。この場合、第1ないし第3のマイクロ波透過窓に対応する3つのマイクロ波透過板73の中心点間の距離が、互いに等しいかほぼ等しいことから、3つのマイクロ波透過板73の各々に基づく3つのマイクロ波プラズマの密度分布を全て同一にすることができる。この場合には、3つのマイクロ波透過板73の各々の近傍でのプラズマ密度には偏りが生じない。このように、本実施の形態では、プラズマ密度に偏りが生じることによる上記のような平面アンテナの交換等によるマイクロ波プラズマの密度分布の調整は不要である。そのため、本実施の形態によれば、簡単な構成で、マイクロ波プラズマの密度分布を均一化することが可能になる。また、本実施の形態では、マイクロ波透過板73Gは、天井部11における中央部分に配置され、6つのマイクロ波透過板73A~73Fは、マイクロ波透過板73Gを囲むように、天井部11の中央部分よりも外側に配置されている。これにより、本実施の形態によれば、広い領域にわたって、マイクロ波プラズマの密度分布を均一化することが可能になる。また、本実施の形態では、複数のアンテナモジュール61の構成は全て同一である。これにより、本実施の形態によれば、各アンテナモジュール61において同様のプラズマ発生条件を用いることができ、マイクロ波プラズマの密度分布の調整が容易になる。なお、正六角形の内側に対応する領域の下方におけるプラズマ密度は、正六角形の外側に対応する領域の下方におけるプラズマ密度よりも大きくなる。本実施の形態では、図8を参照して説明したように、マイクロ波透過板73A~73Fの中心点の基準となる正六角形の外縁は、ウエハWの平面形状を包含している。これにより、本実施の形態によれば、プラズマ密度が大きい領域にウエハWを配置することができる。ところで、マイクロ波プラズマの密度分布を均一化するために、可能な限り多くのマイクロ波透過板を設けることも考えられる。以下、このような構成を有するプラズマ処理装置を、第1の比較例のプラズマ処理装置と呼ぶ。第1の比較例のプラズマ処理装置におけるその他の構成は、本実施の形態に係るプラズマ処理装置1と同じであるものとする。このような構成の第1の比較例のプラズマ処理装置では、マイクロ波透過板を含むアンテナモジュール61の数も多くなるため、初期コストおよびメンテナンスコストが高くなってしまう。また、アンテナモジュール61の数が多くなるに従って、作業性も悪化する。また、第1の比較例のプラズマ処理装置では、マイクロ波透過板が密集しているため、処理容器2の天井部11におけるマイクロ波透過板の間隔が狭く、ガス導入部15の複数のノズル16を自由に配置することができなくなる。また、誘電体材料よりなるマイクロ波透過板が配置されることによって、相対的に、金属材料よりなる処理容器2の内側の表面積、特に本発明における導電性部材に対応する天井部11の表面積が少なくなり、高周波バイアス電源25に基づくバイアス印加効率が低下するおそれがある。また、マイクロ波透過板の設置面積が多くなり、天井部11を含む処理容器2が大型化する。これに対し、本実施の形態によれば、多くのマイクロ波透過板を設けることなく、マイクロ波プラズマの密度分布を均一化することが可能になる。そのため、本実施の形態によれば、第1の比較例のプラズマ処理装置における上記の問題は生じない。[第2の実施の形態]次に、図12を参照して、本発明の第2の実施の形態に係るプラズマ処理装置について説明する。図12は、本実施の形態における複数のマイクロ波透過板の配置を示す説明図である。本実施の形態に係るプラズマ処理装置の構成は、基本的には、第1の実施の形態に係るプラズマ処理装置1と同じである。本実施の形態では、マイクロ波導入装置5は、第1の実施の形態における複数のマイクロ波透過板73の代りに、複数のマイクロ波透過板273を含んでいる。複数のマイクロ波透過板273は、載置台21の載置面21aに平行な1つの仮想の平面上に配置されている。また、複数のマイクロ波透過板273は、上記仮想の平面において、その平面形状における中心点間の距離が互いに等しいか、ほぼ等しい3つのマイクロ波透過板273を含んでいる。本実施の形態では、複数のマイクロ波透過板273は、中心点がそれぞれ正三角形の頂点に一致またはほぼ一致するように配置された3つのマイクロ波透過板273A,273B,273Cからなるものである。図12において、符号PA,PB,PCは、それぞれ、マイクロ波透過板273A,273B,273Cの中心点を示している。3つのマイクロ波透過板273A,273B,273Cの中心点PA,PB,PC間の距離Lpは互いに等しいか、ほぼ等しい。マイクロ波透過板273A,273B,273Cは、マイクロ波透過板273A,273B,273Cの中心点PA,PB,PCを結ぶことによって仮想の正三角形が形成されるという条件を満たしながら配置されている。図12に示したように、マイクロ波透過板273A,273B,273Cの中心点PA,PB,PCを結ぶことによって、上記の仮想の正三角形が形成される。なお、図12に示した例では、ウエハWの平面形状は円形である。本実施の形態では、マイクロ波透過板273A~273Cの中心点の基準となる正三角形の外縁は、ウエハWの平面形状を包含している。マイクロ波透過板273A~273Cの中心点PA~PCは、ウエハWの平面形状に対する同心円の円周上において、均等またはほぼ均等の間隔で配置されている。次に、第1のシミュレーションと同様に、隣接する任意の2つのマイクロ波透過板273の中心点間の距離、すなわち、3つのマイクロ波透過板273A,273B,273Cの中心点PA,PB,PC間の距離Lpの好ましい範囲について求めた第2のシミュレーションの結果について説明する。第2のシミュレーションでは、プラズマ源、すなわちマイクロ波透過板273A,273B,273Cの配置は、図12に示した配置とした。第2のシミュレーションにおけるその他の条件は、第1のシミュレーションと同じである。図13に、第2のシミュレーションの結果を示す。図13において、横軸はLpを示し、縦軸はFWHMを示している。図13では、第1のシミュレーションと同じマイクロ波プラズマの密度分布の均一性の指標の値を記載すると共に、この値が等しい点を結んで曲線を描いている。図13から、LpとFWHMが共に大きくなるに従って、マイクロ波プラズマの密度分布の均一性が向上することが分かる。なお、第1のシミュレーションと同様に、上記のマイクロ波プラズマの密度分布の均一性を示す指標の値は、例えば10以下であることが好ましい。これを実現するために、LpおよびFWHMは、例えば、下記の式5、6を満たすことが好ましい。FWHM≧0.47×Lp0.56...5FWHM≧-19×Lp21...6なお、図13において、符号207は、FWHM=0.47×Lp0.56で表される直線を示し、符号208は、FWHM=-19×Lp21で表される直線を示している。第2のシミュレーションの結果から理解されるように、3つのマイクロ波透過板273A,273B,273Cが図12に示したように配置されている場合、3つのマイクロ波透過板273A,273B,273Cの中心点PA,PB,PC間の距離Lpは、上記の式5、6を満たすことが好ましい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第1の実施の形態と同様である。ところで、第1の実施の形態におけるマイクロ波透過板73の数は7個であり、第2の実施の形態におけるマイクロ波透過板273の数3個よりも多い。しかしながら、第1の実施の形態における図8に示したマイクロ波透過板73の配置によれば、第2の実施の形態における図12に示したマイクロ波透過板273の配置に比べて、天井部11の直径を小さくすることができる。以下、これについて詳しく説明する。ここでは、複数のマイクロ波透過板373を、その中心点が多角形の頂点に一致するように配置する場合について考える。図14は、複数のマイクロ波透過板373の配置を簡略化して示す説明図である。図14において、aは、マイクロ波透過板373の数が3~6の場合の配置を示している。図14において、eは、マイクロ波透過板373の数が無限の場合の配置を示している。a示したマイクロ波透過板373は、第2の実施の形態におけるマイクロ波透過板273A~273Cに対応する。bに示したマイクロ波透過板373は、第1の実施の形態におけるマイクロ波透過板73A~73Fに対応する。図14では、二点鎖線で示された多角形の外縁は、ウエハWの平面形状を包含すると共に、ウエハWの平面形状の外縁に接している。この場合、図14において一点鎖線で示された天井部11の最小の直径は、マイクロ波透過板373の中心点を全て通る円多角形の外接円の直径に、マイクロ波透過板373の直径を加えたものと等しくなる。上記の円の半径Rは、下記の式7で表される。R=Dw/{2cosπ/Np}...7なお、式7において、DwはウエハWの直径を表し、Npはマイクロ波透過板373の数を表す。上記の式7と、マイクロ波透過板373の直径から、天井部11の最小の直径が得られる。図15に、マイクロ波透過板373の数Npと上記の円の半径Rとの関係を示す。図15において、横軸はマイクロ波透過板373の数Npを示し、縦軸は上記円の半径Rを示している。図15から理解されるように、マイクロ波透過板373の数Npが大きくなるに従って、天井部の半径が小さくなる。この結果から理解されるように、マイクロ波透過板73の数が7個の第1の実施の形態によれば、マイクロ波透過板273の数が3個の第2の実施の形態に比べて、天井部11の直径を小さくすることができる。このように、第1の実施の形態によれば、第2の実施の形態に比べて、天井部11の直径を小さくして、処理容器2を小型化することができる。一方、第2の実施の形態によれば、第1の実施の形態に比べて、マイクロ波透過板273を少なくして、アンテナモジュール61の数を少なくすることができる。マイクロ波透過板の配置を、第1の実施の形態における図8に示した配置とするか、第2の実施の形態における図12に示した配置とするかは、プラズマ処理装置1の要求仕様に従って、適宜定めることができる。次に、上記各実施の形態におけるその他の効果について説明する。前述のように、上記各実施の形態に係るプラズマ処理装置1では、処理容器2内に複数の部位からマイクロ波が導入される。ここで、処理容器内に1つの部位からマイクロ波を導入するプラズマ処理装置を、第2の比較例のプラズマ処理装置と呼ぶ。以下、第2の比較例のプラズマ処理装置と比較しながら、上記各実施の形態の効果について説明する。図16は、第2の比較例のプラズマ処理装置の構成を模式的に示す断面図である。第2の比較例のプラズマ処理装置501は、処理容器502、載置台521および支持部材522を備えている。処理容器502、載置台521および支持部材522の構成は、図1に示した処理容器2、載置台21および支持部材22の構成と同じである。プラズマ処理装置501は、図1および図3に示したマイクロ波導入装置5の代りに、マイクロ波導入装置505を備えている。マイクロ波導入装置505は、処理容器2の上部に設けられる。マイクロ波導入装置505としては、マイクロ波透過板573を1個だけ含む既知の構成のマイクロ波導入装置を用いることができる。マイクロ波透過板573は、例えば円板形状を有している。マイクロ波透過板573の平面形状の直径は、ウエハWの直径よりも大きく、例えば460mmである。プラズマ処理装置501は、更に、板状の形状を有し、且つ複数の貫通孔を有するシャワープレート510を備えている。シャワープレート510は、処理容器502内の空間を上下に隔てるように、載置台521とマイクロ波導入装置505との間に配置される。シャワープレート510を形成する材料としては、例えば石英が用いられる。シャワープレート510は、プラズマ処理装置501におけるプラズマ処理の内容に応じて設けられるものである。具体的には、例えば、シャワープレート510は、プラズマ処理装置501において低密度のプラズマを用いたプラズマ処理が行われる際に設けられる。プラズマ処理装置501におけるその他の構成は、第1または第2の実施の形態に係るプラズマ処理装置1と同じである。プラズマ処理装置501では、マイクロ波透過板573の数が1個であることから、マイクロ波透過板573の平面形状をウエハWの平面形状よりも大きくする必要がある。マイクロ波透過板573の面積が大きくなると、プラズマを安定的に着火および放電させるために必要なマイクロ波のパワーも大きくなる。例えば、マイクロ波透過板573が円板形状を有し、マイクロ波透過板573の平面形状の直径が460mmの場合、プラズマを安定的に着火および放電させるために必要なマイクロ波のパワーの最小値は1000Wである。上述のようにマイクロ波のパワーが大きくなると、比較的高密度のプラズマが生成される。ここで、プラズマ処理装置501において低密度のプラズマを用いたプラズマ処理を行う場合には、プラズマ処理装置501の構成を変更する必要がある。例えば、上記のシャワープレート510を用いて、マイクロ波透過板573とウエハWとを隔てることによって、ウエハWの近傍のプラズマ密度を小さくすることができる。これに対し、上記各実施の形態では、複数のマイクロ波透過板73または273が設けられることから、プラズマ処理装置501のマイクロ波透過板573に比べて、マイクロ波透過板73または273の面積を小さくすることができる。なお、マイクロ波透過板73,273が円柱形状を有している場合、マイクロ波透過板73,273の平面形状の直径は、例えば90~200mmの範囲内である。その結果、上記各実施の形態によれば、プラズマ処理装置501に比べて、プラズマを安定的に着火および放電させるために必要なマイクロ波のパワーを小さくすることができる。これにより、上記各実施の形態によれば、プラズマ処理装置1の構成を変更することなく、単一の構成で、プラズマ処理装置1において、高密度のプラズマを用いたプラズマ処理に加え、低密度のプラズマを用いたプラズマ処理も行うことができる。つまり、上記各実施の形態によれば、比較例のプラズマ処理装置501に比べて、プラズマ密度の制御の自由度が大きいため、単一の装置構成で低密度から高密度のプラズマによる処理を行うことができる。ここで、上記の効果を示す実験の結果について説明する。実験では、まず、プラズマ処理装置501において、第1の実施の形態で説明したプラズマ窒化処理を行った。ここでは、載置台521に載置されたウエハWに対して、高密度のプラズマを用いたプラズマ窒化処理以下、高密度プラズマ窒化処理と記す。と、低密度のプラズマを用いたプラズマ窒化処理以下、低密度プラズマ窒化処理と記す。を行った。プラズマ処理装置501における高密度プラズマ窒化処理の条件は以下の通りである。マイクロ波透過板573とウエハWとの間の間隔ギャップを79mmとし、マイクロ波のパワーを1500Wとし、処理容器502内の圧力を20Paとした。また、プラズマ生成用の希ガスとして1000sccmのArを用い、窒化処理ガスとして200sccmのN2を用いた。また、ウエハWの温度を500°Cとした。なお、図16に示したシャワープレート510を設けずにプラズマ窒化処理を行った。プラズマ処理装置501における低密度プラズマ窒化処理の条件は以下の通りである。マイクロ波透過板573とウエハWとの間の間隔ギャップを134mmとし、マイクロ波のパワーを1500Wとし、処理容器502内の圧力を7Paとした。また、プラズマ生成用の希ガスとして1000sccmのArを用い、窒化処理ガスとして40sccmのN2を用いた。また、ウエハWの温度を500°Cとした。なお、図16に示したシャワープレート510を設けてプラズマ窒化処理を行った。実験では、次に、上記各実施の形態に係るプラズマ処理装置1として、第1の実施の形態に係るプラズマ処理装置1のように、7個のマイクロ波透過板73を含むプラズマ処理装置以下、実施例のプラズマ処理装置と記す。を用いて、載置台21に載置されたウエハWに対して、高密度プラズマ窒化処理と低密度プラズマ窒化処理を行った。実験では、マイクロ波透過板73とウエハWとの間の間隔ギャップを85mmに固定した。また、処理容器2内にシャワープレートを設けなかった。実施例のプラズマ処理装置における高密度プラズマ窒化処理では、1つのマイクロ波透過板73から導入されるマイクロ波のパワーを400Wとした。実施例のプラズマ処理装置における高密度プラズマ窒化処理のその他の条件は、マイクロ波透過板73とウエハWとの間の間隔ギャップを除いて、プラズマ処理装置501の高密度プラズマ窒化処理の条件と同じである。実施例のプラズマ処理装置における低密度プラズマ窒化処理では、1つのマイクロ波透過板73から導入されるマイクロ波のパワーを50Wとした。実施例のプラズマ処理装置における低密度プラズマ窒化処理のその他の条件は、マイクロ波透過板73とウエハWとの間の間隔ギャップ、およびシャワープレートの有無を除いて、プラズマ処理装置501の低密度プラズマ窒化処理の条件と同じである。図17は、高密度プラズマ窒化処理における窒化膜厚と低密度プラズマ窒化処理における窒化膜厚を示す特性図である。図17において、横軸は窒化時間を示し、縦軸は窒化膜厚を示している。図17から、実施例のプラズマ処理装置では、高密度プラズマ窒化処理と低密度プラズマ窒化処理のいずれにおいても、窒化時間と窒化膜厚との関係が、第2の比較例のプラズマ処理装置501の結果とほぼ同じになることが分かる。この結果から理解されるように、第2の比較例のプラズマ処理装置501では、高密度のプラズマを用いたプラズマ処理と低密度のプラズマを用いたプラズマ処理の両方を行うためには、プラズマ処理装置501の構成を変更する必要がある。これに対し、上記各実施の形態によれば、プラズマ処理装置1の構成を変更することなく、単一の構成で、高密度のプラズマを用いたプラズマ処理と低密度のプラズマを用いたプラズマ処理の両方を行うことができる。また、上記各実施の形態によれば、プラズマ処理装置501に比べて、ウエハWに対して均一なプラズマ処理を行うことが可能になる。図18は、図17に示したプラズマ窒化処理における窒化膜厚の均一性を示す特性図である。図18において、横軸は窒化膜厚を示し、縦軸は、均一性の指標であるR2avgを示している。なお、R2avgは、窒化膜厚の最大値と最小値の差の1/2を、窒化膜厚の平均値で割った値を百分率で示したものである。図18から、実施例のプラズマ処理装置では、プラズマ処理装置501に比べて、高密度プラズマ窒化処理におけるR2avgの値が小さくなることがわかる。この結果は、実施例のプラズマ処理装置では、プラズマ処理装置501に比べてウエハWの面内で均一な膜厚の窒化膜が形成されることを示している。その理由は、以下のように考えられる。プラズマ処理装置501では、マイクロ波透過板573の面積が大きいことから、プラズマの密度分布が均一になりにくい。これに対し、実施例のプラズマ処理装置では、個々のマイクロ波透過窓73の面積は、マイクロ波透過板573に比べて小さい。そのため、実施例のプラズマ処理装置では、個々のマイクロ波透過窓73から導入されるマイクロ波によって生成されるプラズマの密度分布は、プラズマ処理装置501におけるプラズマの密度分布に比べて均一になる。更に、実施例のプラズマ処理装置では、第1の実施の形態で説明したように、ウエハWの近傍におけるプラズマの密度分布が均一になるように、複数のマイクロ波透過窓73が配置される。これにより、実施例のプラズマ処理装置では、プラズマ処理装置501に比べて、ウエハWの近傍におけるプラズマの密度分布が均一になる。その結果、実施例のプラズマ処理装置では、プラズマ処理装置501に比べて均一な窒化膜が形成される。なお、上記各実施の形態によれば、上記のように窒化膜厚を変えるだけでなく、被窒化膜の窒素濃度を変えることもできる。また、上記各実施の形態によれば、1つのプラズマ処理装置1において、処理容器2内からウエハWを搬出せずに、プラズマの密度を変えながら連続してプラズマ処理を行うことが可能になる。例えば、以下の1~4のような処理が可能である。1高密度のプラズマを用いてウエハWに膜厚の大きな酸化膜を成膜し、低密度のプラズマを用いて酸化膜の上面をわずかに窒化する処理を行うことができる。2積層膜をエッチングする際に、被エッチング膜の種類に応じてプラズマの密度を変えながらエッチング処理を行うことができる。この場合、プラズマの生成を中断せずに、プラズマの密度を連続的に変化させることが可能であり、その場合でも、プラズマのモードジャンプの発生を抑制することができる。3プラズマ窒化処理によってエッチングマスクを改質する際に、プラズマの密度を変えながら改質処理を行うことができる。これにより、エッチング処理におけるエッチングマスクと被エッチング膜との選択比を向上させることができる。4高密度のプラズマを用いてエッチング処理を行った後、エッチングマスクを除去するために、低密度の酸素プラズマを用いてアッシング処理を行うことができる。また、上記各実施の形態によれば、プラズマ処理装置501のようにシャワープレート510を設ける必要がないことから、プラズマ中の活性種の輸送効率が低下することを防止することができる。これにより、上記各実施の形態によれば、例えば成膜処理において膜質が劣化することを防止することができる。また、上記各実施の形態によれば、シャワープレート510を設ける必要がないことから、プラズマ処理装置501に比べてギャップを小さくすることができるため、処理容器2を小型化することが可能である。従って、上記各実施の形態によれば、処理容器2の内部空間の容積やギャップが大きい場合には難しい処理、例えばPE-ALD法による成膜処理を行うことが可能になる。また、上記各実施の形態によれば、プラズマ中のイオンを失活させる原因となるシャワープレート510を設ける必要がないことから、プラズマ処理装置501に比べて、プラズマのイオン性を高めることができる。この特長は、特に、載置台21に高周波バイアスを印加するプロセスにおいて有効である。これにより、上記各実施の形態によれば、例えば酸素プラズマを用いた改質処理等において、イオン性の強いプラズマによる改質効果を高めることができる。なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明のプラズマ処理装置またはマイクロ波導入装置は、プラズマ窒化処理装置以外にも、例えばプラズマ酸化処理装置やプラズマCVD処理装置、プラズマエッチング処理装置、プラズマアッシング処理装置などに適用できる。さらに、本発明のプラズマ処理装置またはマイクロ波導入装置は、被処理体として半導体ウエハを被処理体とする場合に限らず、例えば太陽電池パネルの基板やフラットパネルディスプレイ用基板を被処理体とするプラズマ処理装置にも適用できる。また、上記各実施の形態では、マイクロ波プラズマ処理装置を用いたが、例えばICPプラズマ方式、ECRプラズマ方式、表面波プラズマ方式、マグネトロンプラズマ方式等の他の方式のプラズマ処理装置を用いることもできる。また、真空処理に限らず、大気圧プラズマを利用することもできる。"