"真空状態の中、ターゲットのスパッタリングとプラズマの曝露とを独立して制御しながら移動している基板上に炭化珪素の薄膜を成膜する方法であって、不活性ガスの雰囲気下で、材質が異なる複数のターゲットを別々にスパッタリングし、珪素と炭素を含む中間薄膜を基板上に形成した後、前記中間薄膜に対して、不活性ガスと水素の混合ガスの雰囲気下で発生させたプラズマを曝露し、超薄膜に膜変換させ、その後、該超薄膜に対して、前記中間薄膜の形成と前記超薄膜への膜変換を繰り返すことを特徴とする炭化珪素薄膜の成膜方法。請求項1記載の成膜方法において、単一の真空容器内で反応プロセス領域と複数の成膜プロセス領域とがそれぞれ空間的に分離して配置され、各領域での処理が独立して制御可能に構成された成膜装置を用い、移動している基板上に炭化珪素の薄膜を成膜する方法であって、不活性ガスの雰囲気の下、各成膜プロセス領域のそれぞれで、前記複数のターゲットのうちのいずれかをスパッタリングし、珪素と炭素を含む中間薄膜を基板上に形成した後、前記反応プロセス領域で、前記中間薄膜に対して、不活性ガスと水素の混合ガスの雰囲気下で発生させたプラズマを曝露し、超薄膜に膜変換させ、その後、該超薄膜に対して、前記中間薄膜の形成と前記超薄膜への膜変換を繰り返すことを特徴とする炭化珪素薄膜の成膜方法。請求項1又は2記載の成膜方法において、前記混合ガスは水素を3~20の濃度で含有する成膜方法。請求項1~3の何れか一項記載の成膜方法において、珪素ターゲット、炭素ターゲット及び炭化珪素ターゲットから選ばれる2つのターゲットを用いる成膜方法。請求項4記載の成膜方法において、珪素ターゲットと炭素ターゲットを用いる場合に、前記珪素ターゲットをスパッタリングするパワー密度の5倍前後のパワー密度で前記炭素ターゲットをスパッタリングすることを特徴とする成膜方法。請求項5記載の成膜方法において、1.7W/cm2前後のパワー密度で前記珪素ターゲットをスパッタリングすることを特徴とする成膜方法。請求項4記載の成膜方法において、珪素ターゲットと炭化珪素ターゲットを用いる場合に、前記珪素ターゲットをスパッタリングするパワー密度の2.5倍前後のパワー密度で前記炭化珪素ターゲットをスパッタリングすることを特徴とする成膜方法。請求項7記載の成膜方法において、3.5W/cm2前後のパワー密度で前記珪素ターゲットをスパッタリングすることを特徴とする成膜方法。請求項4記載の成膜方法において、炭素ターゲットと炭化珪素ターゲットを用いる場合に、前記炭素ターゲットをスパッタリングするパワー密度の0.8倍前後のパワー密度で前記炭化珪素ターゲットをスパッタリングすることを特徴とする成膜方法。請求項9記載の成膜方法において、14W/cm2前後のパワー密度で前記炭素ターゲットをスパッタリングすることを特徴とする成膜方法。基板上に炭化珪素の薄膜を有する光学基板において、前記炭化珪素の薄膜は、請求項1~10の何れかの方法で基板上に形成され、波長650nm~700nmでの透過率が70以上であり、薄膜側のビッカーズ硬度HVが1300以上である光学基板。しかしながら、特許文献1の背景技術による反応性スパッタリング法では、スパッタ効率が極めて悪いため、薄膜生成の時間が長くかかり、製造コストが高くなるとの欠点があった。特許文献2によるCVD法では、Si原料として用いるSiH4が自己発火性であり、製造工程上、極めて危険であるとの欠点がある。またCVD法では、基板温度を例えば1400°Cなどと高温に設定した上でプロセスを実行する必要があり、プラスチック基板などの耐熱性の低い基板への処理には適していない。特許文献3による方法で得られる半導体膜は透過率が低く、透明性が要求される用途に使用することはできなかった。本発明の一側面では、透過率と膜強度が高く、光学用途に使用可能な炭化珪素薄膜を、短時間で、かつ安全に、しかも耐熱性の低い基板に対しても効率よく形成することができる成膜方法を提供する。本発明によれば、真空状態の中、ターゲットのスパッタリングとプラズマの曝露とを独立して制御しながら移動している基板上に炭化珪素の薄膜を成膜する方法であって、不活性ガスの雰囲気下で、材質が異なる複数のターゲットを別々にスパッタリングし、珪素と炭素を含む中間薄膜を基板上に形成した後、前記中間薄膜に対して、不活性ガスと水素の混合ガスの雰囲気下で発生させたプラズマを曝露しまたは接触させ、超薄膜に膜変換させ、その後、該超薄膜に対して、前記中間薄膜の形成と前記超薄膜への膜変換を繰り返すことを特徴とする炭化珪素薄膜の成膜方法が提供される。上記発明は、単一の真空容器内で反応プロセス領域と複数の成膜プロセス領域とがそれぞれ空間的に分離して配置され、各領域での処理が独立して制御可能に構成された成膜装置ラジカルアシストスパッタリング装置を用いることで実現することができる。具体的には、一例としての前記成膜装置を用い、移動している基板上に炭化珪素の薄膜を成膜する方法であって、不活性ガスの雰囲気の下、各成膜プロセス領域のそれぞれで、前記複数のターゲットのうちのいずれかをスパッタリングし、珪素と炭素を含む中間薄膜を基板上に形成した後、前記反応プロセス領域で、前記中間薄膜に対して、不活性ガスと水素の混合ガスの雰囲気下で発生させたプラズマを曝露し、超薄膜に膜変換させ、その後、該超薄膜に対して、前記中間薄膜の形成と前記超薄膜への膜変換を繰り返すことを特徴とする炭化珪素薄膜の成膜方法が提供される。上記発明によれば、不活性ガスの雰囲気下でスパッタされ、基板上に形成された、珪素と炭素を含む中間薄膜に対して、不活性ガスと水素の混合ガスの雰囲気下で発生させたプラズマを曝露して超薄膜に膜変換させ、その後これを繰り返すことにより、短時間かつ安全に、しかも低耐熱性基板に対しても効率よく炭化珪素薄膜を成膜することができる。本発明方法により成膜された炭化珪素薄膜は、透過率と膜強度が高く、光学用途への使用に適したものである。すなわち、本発明方法によると、基板上に炭化珪素の薄膜を有し、波長650nm~700nmでの透過率が70以上であり、薄膜側のビッカーズ硬度HVが1300以上である光学基板を得ることができる。以下、添付図面に従って本発明方法の一実施の形態について詳説する。まず、本発明方法を実現することができる成膜装置の一構成例を説明する。図1及び図2に示すように、本例の成膜装置1以下単にスパッタ装置1と略記する。は、ラジカルアシストスパッタリングRAS法を実現可能な装置であり、略直方体状の中空体である真空容器11を有する。真空容器11には排気用の配管15aが接続され、この配管には容器11内排気のための真空ポンプ15が接続されている。真空ポンプ15は、例えば、ロータリポンプやターボ分子ポンプTMPなどで構成される。真空容器11内には基板ホルダ13が配設されている。基板ホルダ13は、その外周面に成膜対象としての基板Sを真空容器11内で保持可能な筒状部材で構成されている。本例の基板ホルダ13は、筒方向に延びる回転軸線Zが真空容器11の鉛直方向Y方向へ向くように真空容器11内に配設される。基板ホルダ13は、モータ17を駆動させることにより軸線Zを中心に回転する。本例では、真空容器11内に配置される基板ホルダ13の周りには、2つのスパッタ源と、1つのプラズマ源80とが配設されている。各スパッタ源の前面には、それぞれ成膜プロセス領域20,40が形成されている。各領域20,40は、真空容器11の内壁面から基板ホルダ13に向けて突出する仕切壁12,14により四方が取り囲まれており、それぞれが真空容器11の内部で独立した空間を確保できるように区画されている。同じく、プラズマ源80の前面には、反応プロセス領域60が形成されている。該領域60も領域20,40と同様に、真空容器11の内壁面から基板ホルダ13に向けて突出する仕切壁16により四方が取り囲まれており、これにより領域60についても真空容器11の内部で領域20,40とは独立した空間が確保される。本例において、各領域20,40,60での処理は、それぞれが独立して制御可能となるように構成されている。本例の各スパッタ源は、2つのマグネトロンスパッタ電極21a,21b又は41a,41bを備えたデュアルカソードタイプで構成されている。成膜の際後述に、各電極21a,21b又は41a,41bの一端側表面には、それぞれ、ターゲット29a,29b又は49a,49bが着脱自在に保持される。各電極21a,21b又は41a,41bの他端側には、電力量を調整する電力制御手段としてのトランス24又は44を介して、電力供給手段としての交流電源23又は43が接続されており、各電極21a,21b又は41a,41bに例えば1k~100kHz程度の交流電圧が印加されるように構成されている。各スパッタ源には、スパッタ用ガス供給手段が接続されている。本例のスパッタ用ガス供給手段は、スパッタ用ガスを貯蔵するガスボンベ26又は46と、該ボンベ26又は46より供給されるスパッタ用ガスの流量を調整するマスフローコントローラ25又は45とを含む。スパッタ用ガスは、配管を通じてそれぞれ領域20又は40に導入される。マスフローコントローラ25又は45はスパッタ用ガスの流量を調節する装置である。ボンベ26又は46からのスパッタ用ガスは、マスフローコントローラ25又は45により流量を調節されて領域20又は40に導入される。本例のプラズマ源80は、真空容器11の壁面に形成された開口を塞ぐように固定されたケース体81と、このケース体81に固定された誘電体板83とを有する。そして、誘電体板83がケース体81に固定されることで、ケース体81と誘電体板83により囲まれる領域にアンテナ収容室が形成されるように構成されている。アンテナ収容室は配管15aを介して真空ポンプ15に連通しており、真空ポンプ15で真空引きすることでアンテナ収容室内部を排気して真空状態にすることができる。プラズマ源80は、また、ケース体81及び誘電体板83の他に、アンテナ85a,85bを含む。アンテナ85a,85bは、マッチング回路を収容するマッチングボックス87を介して高周波電源89に接続されている。アンテナ85a,85bは、高周波電源89から電力の供給を受けて真空容器11の内部領域60に誘導電界を発生させ、領域60にプラズマを発生させる。本例では、高周波電源89からアンテナ85a,85bに周波数1~27MHzの交流電圧を印加して、領域60に反応処理用ガスのプラズマを発生させるように構成されている。マッチングボックス87内には、可変コンデンサが設けられており、高周波電源89からアンテナ85a,85bに供給される電力を変更できるようになっている。プラズマ源80には、反応処理用ガス供給手段が接続されている。本例の反応処理用ガス供給手段は、反応処理用ガスを貯蔵するガスボンベ68と、該ボンベ68より供給される反応処理用ガスの流量を調整するマスフローコントローラ67とを含む。反応処理用ガスは、配管を通じて領域60に導入される。マスフローコントローラ67は反応処理用ガスの流量を調節する装置である。ボンベ68からの反応処理用ガスは、マスフローコントローラ67により流量を調節されて領域60に導入される。なお、反応処理用ガス供給手段は、上記構成つまり、1つのボンベと1つのマスフローコントローラを含む構成に限らず、複数のボンベとマスフローコントローラを含む構成後述する本例を例に取ると、不活性ガスと水素を別々に貯蔵する2つのガスボンベと、各ボンベから供給される各ガスの流量を調整する2つのマスフローコントローラを含む構成とすることもできる。次に、スパッタ装置1を用いた本発明方法の一例を説明する図3のフローチャート参照。1まず、成膜の前準備をする。具体的には、まず電極21a,21b又は41a,41bの上にターゲット29a,29b又は49a,49bをセットする。これとともに、真空容器11の外で基板ホルダ13に成膜対象としての基板Sをセットし、真空容器11のロードロック室内に収容する。基板Sとしては、プラスチック基板有機ガラス基板や無機基板無機ガラス基板の他、ステンレスなどの金属基板が適用可能であり、その厚みは、例えば0.1~5mmである。なお、基板Sの一例である無機ガラス基板としては、例えば、ソーダライムガラス6H~7H、硼珪酸ガラス6H~7Hなどが挙げられる。なお、無機ガラス基板の括弧内の数字は、JIS-K5600-5-4に準拠した方法で測定された鉛筆硬度の値である。基板Sは、基板ホルダ13の外周面に、基板ホルダ13の回転方向横方向に沿って断続的に複数配列され、かつ基板ホルダ13の軸線Zと平行な方向縦方向、Y方向に沿って断続的に複数配列される。ターゲット29a,29b又は49a,49bは、膜原料物質を平板状に形成したものであり、その長手方向が基板ホルダ13の回転軸線Zと平行になり、しかもその平行方向の面が基板ホルダ13の側面に対向するように、各電極21a,21b又は41a,41bの表面に保持させる。本例では、ターゲット29a,29bとして、珪素Siで構成されたものを用い、またターゲット49a,49bとして、炭素Cで構成されたものを用いる。なお、ターゲット49a,49bとして、炭素Cで構成されたものに代え、複数元素の化合物である炭化珪素SiCで構成されたものを用いることもある。また、ターゲット29a,29bとして、珪素Siで構成されたものに代え、同様に、炭化珪素SiCで構成されたものを用いることもある。炭化珪素ターゲットとしては、例えば以下の方法で得られるものを用いることができる。まず、炭化珪素粉末に、分散剤、結合剤例えば有機質バインダ、水を添加して撹拌して調製したSiCのスラリーを成形例えば鋳込み成形、プレス成形、押出成形などして成形体を得る。次に、得られた成形体を、例えば真空中又は非酸化性雰囲気中で1450~2300°C程度好ましくは1500~2200°C、より好ましくは1600~1800°Cの温度で焼成して焼結させる。次に、得られた焼結体に、溶融したSiを、真空中又は減圧非酸化性雰囲気中、1450~2200°C程度好ましくは1500~2200°C、より好ましくは1500~1800°Cで含浸させ、焼結体の気孔をSiで満たすようにする。本例では、こうして得られる密度3g/cm3以上のSiCターゲットを用いることができる。このような高密度かつ均一なSiCターゲットであれば、スパッタリング成膜時に高入力で安定した放電をおこなうことができ、成膜速度を高めることに寄与しうる。次に、基板ホルダ13を真空容器11の成膜室に移動させた後、ロードロック室との間の扉を閉じた状態で真空容器11内を密閉し、真空ポンプ15を用いて真空容器11内を10-5~0.1Pa程度の高真空状態にする。このとき、バルブが開放され、プラズマ源80のアンテナ収容室も同時に排気される。次に、モータ17の駆動を開始し、軸線Zを中心に基板ホルダ13を回転させる。すると、基板ホルダ13の外周面に保持される基板Sは、基板ホルダ13の自転軸である軸線Zを中心に公転し、領域20,40に面する位置と領域60に面する位置との間を繰り返し移動する。本例において基板ホルダ13の回転速度は、10rpm以上であればよいが、好ましくは50rpm以上、より好ましくは80rpm以上とする。50rpm以上とすることで、プラズマ曝露時に水素を導入する効果を好適に発揮させることができ、基板S上に形成される炭化珪素薄膜の透過率と膜強度の向上を促進することが容易となる。なお、本例では、基板ホルダ13の回転速度の上限を、例えば150rpm程度、好ましくは100rpmとする。以上が、図3のステップ以下Sと略記する。1での成膜の前準備である。そして、領域20,40で行われるスパッタリング処理と、領域60で行われるプラズマ曝露処理とが順次繰り返され、基板Sの表面に所定膜厚の最終薄膜としての炭化珪素からなる薄膜を生成させる。本例では、連続した2つのスパッタリング処理で基板Sの表面に中間薄膜が形成され、その後のプラズマ曝露処理でこの中間薄膜が膜変換して超薄膜とされる。そして、2つのスパッタリング処理とプラズマ曝露処理とが繰り返し行われることで、超薄膜の上に次の超薄膜が堆積していき、最終的な薄膜となるまでこの操作が繰り返される。なお、本例において、中間薄膜とは、領域20及び領域40の両領域を通過することで形成される薄膜のことである。超薄膜とは、超薄膜が複数回堆積されて最終的な薄膜目標膜厚の薄膜となることから、この最終的な薄膜との混同を防止するために用いる用語であり、最終的な薄膜より十分薄いという意味で用いる。2次に、図3のS2にて、成膜を開始する。本例のスパッタリング処理は、次のようにして行われる。まず、真空容器11内の圧力の安定を確認した後、領域20内の圧力を例えば0.05~0.2Paに調整し、その後、マスフローコントローラ25を介してガスボンベ26から所定流量のスパッタ用ガスを領域20に導入する。本例では、スパッタ用ガスとして不活性ガスを単独で使用し、窒素や酸素などの反応性ガスを併用しない。従って、こうした反応性ガスを同時に導入する反応性スパッタ法の場合と比較して成膜速度が低下することはない。本例での不活性ガスの導入流量は、例えば100~600sccm、好ましくは150~500sccm程度とする。すると、ターゲット29a,29bの周辺が不活性ガス雰囲気になる。この状態で、交流電源23からトランス22を介して、各電極21a,21bに交流電圧を印加し、ターゲット29a,29bに交番電界が掛かるようにする。本例では、ターゲット29a,29bに対して、スパッタリングパワー密度が1.5W/cm2~2.0W/cm2、好ましくは1.6W/cm2~1.8W/cm2、特に好ましくは1.7W/cm2前後となるように電力スパッタ電力を供給する。パワー密度とは、ターゲット29a,29b又は49a,49bの単位面積cm2当たりに供給する電力Wを意味する以下、同様。ターゲット29a,29bに電力を供給することにより、ある時点においてはターゲット29aがカソードマイナス極となり、その時ターゲット29bは必ずアノードプラス極となる。次の時点において交流の向きが変化すると、今度はターゲット29bがカソードマイナス極となり、ターゲット29aがアノードプラス極となる。このように一対のターゲット29a,29bが交互にアノードとカソードとなることにより、各ターゲット29a,29b周辺のスパッタ用ガス不活性ガスの一部は電子を放出してイオン化する。各電極21a,21bに配置された磁石により各ターゲット29a,29bの表面に漏洩磁界が形成されるため、この電子は各ターゲット29a,29bの表面近傍に発生した磁界中を、トロイダル曲線を描きながら周回する。この電子の軌道に沿って強いプラズマが発生し、このプラズマ中のスパッタ用ガスのイオンが負電位状態カソード側のターゲットに向けて加速され、各ターゲット29a,29bに衝突することで各ターゲット29a,29b表面の原子や粒子Si原子やSi粒子が叩き出されるスパッタ。この原子や粒子は薄膜の原料である膜原料物質であり、これが基板Sの表面に付着する。以上が、図3のS21における、領域20での珪素ターゲットまたは炭素ターゲットのスパッタリングである。なお、スパッタを行っている最中に、アノード上には非導電性あるいは導電性の低い不完全反応物などが付着することもあるが、このアノードが交番電界によりカソードに変換されると、これら不完全反応物などがスパッタされ、ターゲット表面は元の清浄な状態となる。そして、一対のターゲット29a、29bが、交互にアノードとカソードとなることを繰り返すことにより、常に安定なアノード電位状態が得られ、プラズマ電位通常アノード電位とほぼ等しいの変化が防止され、基板Sの表面に安定して膜原料物質が付着する。本例では、領域20の作動スパッタ用ガスの供給、交流電源23からの電力の供給とともに、領域40も作動させる。具体的には、領域40内の圧力を例えば0.05~0.2Paに調整し、その後、マスフローコントローラ45を介してガスボンベ46から所定流量のスパッタ用ガスを領域40に導入する。本例では、上記同様、スパッタ用ガスとして不活性ガスを単独で使用し、不活性ガスの導入流量は、例えば100~600sccm、好ましくは150~500程度とする。すると、ターゲット49a,49bの周辺も同様に不活性ガス雰囲気になる。この状態で、交流電源43からトランス42を介して、各電極41a,41bに交流電圧を印加し、ターゲット49a,49bに交番電界が掛かるようにする。本例では、ターゲット49a,49bに対して、ターゲット29a,29bをスパッタリングするパワー密度の所定倍例えば4.5倍~5.5倍、好ましくは4.8倍~5.2倍、特に好ましくは5倍前後のスパッタリングパワー密度となる電力を供給することが重要である。こうすることで、透過率と膜強度が高い炭化珪素薄膜を効率よく形成することが可能となるメリットがある。ターゲット49a,49bに対するパワー密度は、上記ターゲット29a,29bに対するパワー密度が1.5W/cm2~2.0W/cm2の場合、例えば8.5W/cm2~9.0W/cm2、好ましくは8.5W/cm2~8.7W/cm2、特に好ましくは8.6W/cm2前後とする。なお、ターゲット29a,29bとして珪素Siで構成されたものを用い、かつターゲット49a,49bとして炭化珪素SiCで構成されたものを用いる場合、ターゲット49a,49bに対して、ターゲット29a,29bをスパッタリングするパワー密度の所定倍例えば2~3倍、好ましくは2.3~2.8倍、特に好ましくは2.5倍前後のスパッタリングパワー密度となる電力を供給することができる。この場合、ターゲット49a,49bに対するパワー密度は、上記ターゲット29a,29bに対するパワー密度が3.0~4.0W/cm2好ましくは3.3~3.7W/cm2、特に好ましくは3.5W/cm2前後の場合、例えば7.5~10W/cm2、好ましくは8.2~9.3W/cm2、特に好ましくは8.8W/cm2前後とすることができる。一方で、ターゲット29a,29bとして炭化珪素SiCで構成されたものを用い、かつターゲット49a,49bとして炭素Cで構成されたものを用いる場合、ターゲット29a,29bに対して、ターゲット49a,49bをスパッタリングするパワー密度の所定倍例えば0.5~1.2倍、好ましくは0.7~1.0倍、特に好ましくは0.8倍前後のスパッタリングパワー密度となる電力を供給することができる。この場合、ターゲット29a,29bに対するパワー密度は、上記ターゲット49a,49bに対するパワー密度が10~18W/cm2好ましくは13~15W/cm2、特に好ましくは14W/cm2前後の場合、例えば7~15W/cm2、好ましくは9~13W/cm2、特に好ましくは11W/cm2前後とすることができる。ターゲット49a,49bに電力を供給することで、上記同様に、ある時点においてはターゲット49aがカソードマイナス極となり、その時ターゲット49bは必ずアノードプラス極となる。次の時点において交流の向きが変化すると、今度はターゲット49bがカソードとなり、ターゲット49aがアノードとなる。このように一対のターゲット49a,49bが交互にアノードとカソードとなることにより、各ターゲット49a,49b周辺のスパッタ用ガス不活性ガスの一部は電子を放出してイオン化する。各電極41a,41bに配置された磁石により各ターゲット49a,49bの表面に漏洩磁界が形成されるため、この電子は各ターゲット49a,49bの表面近傍に発生した磁界中を、トロイダル曲線を描きながら周回する。この電子の軌道に沿って強いプラズマが発生し、このプラズマ中のスパッタ用ガスのイオンが負電位状態カソード側のターゲットに向けて加速され、各ターゲット49a,49bに衝突することで各ターゲット49a,49b表面の原子や粒子C原子やC粒子などが叩き出される。この原子や粒子は薄膜の原料である膜原料物質であり、本例ではこれが、基板S上に既に付着してあるSi原子やSi粒子に対して付着し、中間薄膜を形成する。以上が、図3のS22における、領域40での炭素ターゲットまたは炭化珪素ターゲットのスパッタリングである。本例の中間薄膜は、各元素Si原子またはSi粒子と、C原子またはC粒子の混合物で構成され、強固な化学結合状態にはなっていないものと推測する。プラズマ処理は次のようにして行われる。本例では、領域20,40の作動とともに、領域60の作動も開始させる。具体的には、マスフローコントローラ67を介してガスボンベ68から所定流量の反応処理用ガスを領域60に導入し、アンテナ85a,85bの周辺を所定ガス雰囲気にする。領域60の圧力は、例えば0.07~1Paに維持される。また、少なくとも領域60にプラズマを発生させている際中は、アンテナ収容室の内部圧力を0.001Pa以下に保持する。ボンベ68から反応処理用ガスを導入した状態で、アンテナ85a,85bに高周波電源89から周波数100k~50MHz好ましくは1M~27MHzの電圧が印加されると、領域60内のアンテナ85a,85bに面した領域にプラズマが発生する。高周波電源89から供給する電力プラズマ処理電力は、基板Sがガラス材料で構成される場合には、例えば3kW以上、好ましくは4kW以上、より好ましくは4.5kW以上の大きな電力とし、基板Sが樹脂材料で構成される場合には、例えば1kW以下、好ましくは0.8kW以下、より好ましくは0.5kW以下の小さな電力とすることができる。本例では、反応処理用ガスとして、不活性ガスと水素の混合ガスを用いる点が重要である。その結果、本例において発生したプラズマ中には、水素分子H2のイオンH2及び/又は水素の活性種が存在することとなり、これらは領域60に導かれる。そして、基板ホルダ13が回転して基板Sが領域60に導入されると、領域20,40で基板Sの表面に形成された、SiとCの混合物で構成される中間薄膜はプラズマ曝露処理され、化学的に強固な結合状態にあるSiとCの化合物に膜変換して超薄膜を形成する。以上が、図3のS23における、領域60での中間薄膜へのプラズマ曝露である。本例では、基板Sの表面に形成される超薄膜が所定の膜厚例えば3μm程度以上、好ましくは3~7μm程度となるまで、図3のS21~S23の各工程つまり、2つのスパッタリング処理とプラズマ曝露処理を繰り返すS3にてNoの場合。薄膜堆積工程。これにより、目的とする膜厚の最終的な薄膜SiC薄膜を基板S上に生成させる。本発明者らは、不活性ガスと水素の混合ガスの雰囲気下で発生させたプラズマを、前記中間薄膜に接触させ超薄膜に膜変換し、その後、超薄膜を所定膜厚まで積み重ねることで、透過率と膜強度が高い炭化珪素薄膜を基板S上に形成することが可能である、との事実を実験により突き止めた。こうした処理を施すことで優れた膜質の炭化珪素薄膜が得られる理由は必ずしも明らかではない。本例では、中間薄膜の堆積とプラズマへの曝露とをそれぞれ時間的に独立させ、しかもこれを周期的に繰り返す点が通常の連続成膜真空蒸着法などと比較して構成が大きく異なる。しかも本例では、堆積させた中間薄膜に対し、不活性ガスに水素を含めた混合ガス雰囲気下で発生させた特定のプラズマを曝露する。思うに、このような特定のプラズマを中間薄膜に接触させることで、該中間薄膜が超薄膜へ膜変換する際に、該中間薄膜が、プラズマ中の水素分子のイオンH2や水素の活性種からエネルギーを効率よく取り込み、その結果、高強度の原子間結合が達成されることによって、最終薄膜としての炭化珪素薄膜の透過率と膜強度が高くなるものと推測される。本発明者らは、特に、プラズマ中の水素分子のイオンH2が、中間薄膜中の原子の結合を促進する働きがあるものと推測している。本例において、不活性ガスと水素の混合比は、体積換算で、好ましくは97:3~80:20つまり水素濃度3~20、より好ましくは97:3~90:10水素濃度3~10、さらに好ましくは97:3~94:6水素濃度3~6、特に好ましくは95:5前後水素濃度5前後である。水素濃度が高くなるにつれて得られる炭化珪素薄膜の透過率が高くなる傾向があるものの、あまりに高濃度になりすぎると例えば20を超えると、製造工程上、安全管理に支障がでてくることがあり得るとともに、形成される炭化珪素薄膜の透過率と膜強度のバランスが悪くなる傾向がある。一方で水素濃度が低すぎると、得られる炭化珪素薄膜の透過率が低下する。本例において、混合ガスの導入流量は、例えば300~1000sccm、好ましくは400~600sccm程度とする。混合ガスの導入流量が少ないと、形成される炭化珪素薄膜の透過率と膜強度がともに低下する傾向にある。逆に導入流量が多すぎると、安全上の問題がある。なお、上述したスパッタリング処理及びプラズマ曝露処理ともに、一般的に、不活性ガスとしては、例えばアルゴン、ヘリウムなどが考えられる。本例では、不活性ガスとしてアルゴンを用いる場合を例示する。3図3のS3にてYesの場合、以上の工程を終了するS4。具体的には、基板ホルダ13の再回転を停止し、真空容器11の内部の真空状態を解除して、基板ホルダ13を真空容器11から取り出し、基板ホルダ13から処理後の基板Sを回収する。本例で基板S上に形成された炭化珪素薄膜は、透過率と膜強度が高い。具体的には、基板S上に炭化珪素薄膜を有した状態で、波長650nm~700nmでの透過率が70以上、好ましくは75以上であり、薄膜側のビッカーズ硬度HVが1300以上、好ましくは1500以上、より好ましくは1700以上、さらに好ましくは1800以上である。また、動摩擦係数μkを0.5以下とすることもできる。こうした炭化珪素薄膜が基板S上に成膜された光学基板は、例えばサンドブラスト装置の窓材などに用いることができる。ビッカーズ硬度HVは、押込み硬さの1種であり、物の硬さを表す数値の1つとして一般的に用いられる。測定方法は、対面角136°のダイヤモンドの正四角錐を圧子として用い、この圧子を一定の荷重で試料に押し込んだときに生じる四角形のくぼみの対角線の長さを求める。この対角線の長さからくぼみの表面積が求められ、荷重を表面積で除した値がビッカーズ硬度として得られる。このビッカーズ硬度は、単位をつけず数値のみで表す。4以上説明した実施形態は、上記発明の理解を容易にするために記載されたものであって、上記発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、上記発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。上述した実施形態では、目的膜厚の最終的な薄膜炭化珪素薄膜を基板S上に生成させた後、さらにプラズマ後処理を施してもよい。具体的には、まず基板ホルダ13の回転を一旦停止し、領域20,40内の作動スパッタ用ガスの供給、交流電源23,43からの電力の供給を停止する。一方で、領域60の作動はそのまま持続させる。すなわち領域60では、反応処理用ガスの供給と、高周波電源89からの電力の供給を継続して、プラズマを発生させ続けておく。この状態で、基板ホルダ13を再回転させ、基板Sを領域60に搬送すると、基板Sに生成した炭化珪素薄膜は、領域60を通過する間にプラズマ処理される後処理。プラズマ後処理を施すことで、最終的な薄膜に対して透過率の向上が期待できる。本例にて、プラズマ後処理を施す場合において、炭化珪素薄膜を形成する際のプラズマ曝露処理と、炭化珪素薄膜の形成後のプラズマ後処理とを同一の条件で行ってもよいし、異なる条件で行うこともできる。プラズマ後処理を施す場合において、例えば混合ガス中の水素ガス濃度を変動させても良い。例えば、不活性ガスと水素の混合比を、炭化珪素薄膜を形成する際のプラズマ曝露処理において95:5とした場合に、プラズマ後処理において93:7とし、前者より後者の方の水素濃度を高めてもよく、またその逆を行ってもよい。前者より後者の方の水素濃度を高めることで、透過率のさらなる向上が期待できる。またプラズマ後処理を施す場合において、炭化珪素薄膜を形成する際のプラズマ曝露処理に対して、プラズマ処理電力高周波電源89から供給される電力を変動させてもよい。この場合、マッチングボックス87で調整することができる。プラズマ後処理の時間は、例えば1~60分程度の範囲内で適切な時間とする。上述した実施形態では、炭化珪素薄膜を、スパッタリングの一例であるマグネトロンスパッタを行うラジカルアシストスパッタリング法を実現可能なスパッタ装置1を用いて成膜する場合を例示したが、これに限定されず、マグネトロン放電を用いない2極スパッタ等、他の公知のスパッタを行う成膜装置を用いた他のスパッタリング法で成膜することもできる。ただし、スパッタ時の雰囲気は、いずれの場合も不活性ガス雰囲気とする。次に、上記発明の実施形態をより具体化した実施例を挙げ、発明をさらに詳細に説明する。<実験例1~5>図1及び図2に示すスパッタ装置1を用い、基板Sとしてガラス性基板であるBK7を基板ホルダ13に複数枚セットし、下記の条件で、領域20でのスパッタリング、領域40でのスパッタリング、及び領域60でのプラズマ曝露を繰り返し薄膜堆積工程、厚み4μmの炭化珪素薄膜を基板S上に成膜した各実験例サンプルを得た。成膜レート:0.1nm/s、基板温度:室温。<<領域20でのスパッタリング>>スパッタ用ガス:Ar、スパッタ用ガス圧:0.1Pa、スパッタ用ガスの導入流量:150sccm、ターゲット29a,29b:珪素Si、スパッタリングパワー密度:1.7W/cm2、電極21a,21bに印加する交流電圧の周波数:40kHz。<<領域40でのスパッタリング>>スパッタ用ガス:Ar、スパッタ用ガス圧:0.1Pa、スパッタ用ガスの導入流量:150sccm、ターゲット49a,49b:炭素C、スパッタリングパワー密度:8.6W/cm2、珪素Siで構成されるターゲット29a,29bをスパッタリングするパワー密度の約5倍に相当電極41a,41bに印加する交流電圧の周波数:40kHz。<<領域60でのプラズマ曝露>>反応処理用ガス:ArH2、反応処理用ガス中の水素濃度:表1を参照、反応処理得用ガス圧:0.3Pa、反応処理用ガスの導入流量:500sccm、高周波電源89からアンテナ85a,85bに供給される電力プラズマ処理電力:2kW、アンテナ85a,85bに印加する交流電圧の周波数:13.56MHz。<<評価>>得られた各サンプルについて、下記の方法で物性の評価をし、その結果を表1に示した。1膜強度の評価微小硬さ試験機MMT-X7、マツザワ社製を用い、下記の測定条件で、実験例サンプルの炭化珪素薄膜表面の硬さを測定した。圧子形状:ビッカース圧子a=136°、測定環境:温度20°C相対湿度60、試験荷重:25gf、荷重速度:10μ/s、最大荷重クリープ時間:15秒。2透過率の評価分光光度計商品名:U-4000、日立社製を用いて波長650nm~700nmにおける透過率を測定した。3摺動性の評価水平直線往復摺動方式による自動摩擦摩耗解析装置TribosterTS501:協和界面科学社製を用い、荷重:50g、速度:60mm/分、測定回数:10往復の条件で、サンプルの炭化珪素薄膜側の動摩擦係数μkを測定した。表1から以下のことが理解できる。まず、炭化珪素薄膜表面のビッカーズ硬度HVについては、混合ガス中の水素濃度が0から10までの間はその値が高くなるにつれて、上昇する傾向が見られる。水素濃度が10を超えると、その値が高くなるほど低下する傾向が見られる。次に、実験例サンプルの透過率についてであるが、これは、混合ガス中の水素濃度が高くなるにつれて、上昇する傾向が見られる。特に実験例2~5水素濃度が3~20では、HVが1300以上、透過率が70以上と、良好な結果が得られることが確認できた。中でも、実験例3のサンプルが、透過率と膜強度のバランスに優れていることが確認できた。これに対し、実験例1水素濃度がゼロでは、HVが1200と硬度が不足し、しかも透過率が50と十分ではなかった。なお、薄膜側の動摩擦係数μkについては、混合ガス中の水素濃度が高くなるにつれて、その値が大きくなる傾向にあり、つまり摺動性が向上することが確認できた。<実験例6~10>領域40でのターゲット49a,49bを炭化珪素SiCで構成したものに変更した。また、領域20での珪素Siで構成されるターゲット29a,29bに対するスパッタリングパワー密度を3.5W/cm2に変更した。さらに、ターゲット49a,49bに対するスパッタリングパワー密度を8.8W/cm2ターゲット29a,29bをスパッタリングするパワー密度の約2.5倍に相当に変更した。これら以外は、実験例1~5と同じ条件で成膜し、厚み4μmの炭化珪素薄膜を基板S上に成膜した各実験例サンプルを得た。得られた各サンプルについて、実験例1~5と同じ評価を行ったところ、同様の傾向が見られることを確認した。<実験例11~15>領域40での炭素Cで構成されるターゲット49a,49bに対するスパッタリングパワー密度を14W/cm2に変更した。また、ターゲット29a,29bを炭化珪素SiCで構成したものに変更した。さらに、このターゲット29a,29bに対するスパッタリングパワー密度を11W/cm2炭素Cで構成されるターゲット49a,49bをスパッタリングするパワー密度の約0.8倍に相当に変更した。これら以外は、実験例1~5と同じ条件で成膜し、厚み4μmの炭化珪素薄膜を基板S上に成膜した各実験例サンプルを得た。そして得られた各サンプルについて、実験例1~5と同じ評価を行ったところ、同様の傾向が見られることを確認した。"