"酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜上にジルコニウムからなる密着層を形成する工程と、前記密着層上に第1電極を形成する工程と、前記第1電極上にビスマスを含む複合酸化物からなる圧電体層を形成する工程と、前記圧電体層上に第2電極を形成する工程と、を具備することを特徴とする圧電素子の製造方法。前記密着層は、10~20nmの厚さで形成することを特徴とする請求項1記載の圧電素子の製造方法。前記第1電極を、白金及びイリジウムの少なくとも一方で形成することを特徴とする請求項1又は2記載の圧電素子の製造方法。酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜と、前記絶縁体膜上に設けられたジルコニウムを含む密着層と、前記密着層上に設けられた第1電極と、前記第1電極上に設けられ、ビスマスを含む複合酸化物からなる圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた第2電極と、を具備することを特徴とする圧電素子。前記密着層が、ジルコニウム及び酸化ジルコニウムを含むことを特徴とする請求項4記載の圧電素子。前記密着層が、ジルコニウム及び酸化ジルコニウムと、ビスマスとを含むことを特徴とする請求項4記載の圧電素子。請求項4~6の何れか一項に記載の圧電素子を備えることを特徴とする液体噴射ヘッド。請求項7に記載の液体噴射ヘッドを備えることを特徴とする液体噴射装置。上述した鉛を含有しない圧電材料として、ビスマスを含有するビスマス系の圧電材料がPZTの代替材料として有望であるが、このような圧電材料を用いて圧電素子を形成すると、圧電材料中のビスマスが電極側に拡散することで、膜剥がれが生じてしまうという問題がある。具体的には、PZTを用いた圧電素子と同様に、酸化ジルコニウムなどの絶縁体層上に、密着層として酸化チタン膜を用いて白金などの第1電極を形成した後、ビスマス系の圧電材料からなる圧電体層を形成すると、ビスマスが第1電極中へ拡散し、さらに、その下の密着層との間の境界にビスマスが偏析し、これが膜剥がれの原因になるという問題がある。また、密着層としてチタンを用いると、ビスマスが第1電極中への拡散すると同時に、チタンが第1電極、さらには圧電体層中へ拡散し、圧電体層の特性を劣化させるという問題がある。何れにしても、鉛を含有しないビスマス系の圧電材料を用いて圧電素子を形成しようとすると、下地との密着性を維持し且つ圧電特性に優れた圧電素子を形成するのが困難であった。なお、このような問題は、インクジェット式記録ヘッドに限定されず、液体噴射ヘッド共通の問題である。また、液体噴射ヘッドに用いられる圧電素子だけではなく、例えば超音波デバイス等他のデバイスに用いられる圧電素子に共通の問題である。本発明はこのような事情に鑑み、鉛を含有せず、かつ膜剥がれ等の問題がなく、圧電特性の劣化のない圧電素子の製造方法、圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置を提供することを目的とする。上記課題を解決する本発明の態様は、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜上にジルコニウムからなる密着層を形成する工程と、前記密着層上に第1電極を形成する工程と、前記第1電極上にビスマスを含む複合酸化物からなる圧電体層を形成する工程と、前記圧電体層上に第2電極を形成する工程と、を具備することを特徴とする圧電素子の製造方法にある。かかる態様では、密着層としてジルコニウム層を設けることにより、絶縁体層と第1電極との密着性が確保できると共に圧電体層から拡散したビスマスの偏析の問題もなく、圧電体層への密着層からの拡散による圧電特性の低下もないので、膜剥がれ等の問題がなく、圧電特性の劣化のない圧電素子が製造できる。ここで、前記密着層は、10~20nmの厚さで形成するのが好ましい。これによれば、第1電極と絶縁体層との密着性が良好になる。また、前記第1電極を、白金及びイリジウムの少なくとも一方で形成するのが好ましい。これによれば、導電性の優れた第1電極とすることができると共に、圧電特性の優れたビスマス系の圧電体層とすることができる。本発明の他の態様は、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜と、前記絶縁体膜上に設けられたジルコニウムを含む密着層と、前記密着層上に設けられた第1電極と、前記第1電極上に設けられ、ビスマスを含む複合酸化物からなる圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた第2電極と、を具備することを特徴とする圧電素子にある。かかる態様では、密着層としてジルコニウムを含む層を設けることにより、絶縁体膜と第1電極との密着性が確保できると共に圧電体層から拡散したビスマスの偏析の問題もなく、圧電体層への密着層からの拡散による圧電特性の低下もないので、膜剥がれ等の問題がなく、圧電特性の劣化のない圧電素子が実現できる。ここで、前記密着層が、ジルコニウム及び酸化ジルコニウムを含むのが好ましい。これによれば、膜剥がれ等の問題がなく、圧電特性の劣化のない圧電素子となる。また、前記密着層が、ジルコニウム及び酸化ジルコニウムと、ビスマスとを含むことを特徴とする。これによれば、圧電体層から拡散したビスマスが密着層中に存在するが、偏析せずに膜剥がれの原因となることはない。本発明のさらに他の態様は、上記態様の圧電素子を備えることを特徴とする液体噴射ヘッドにある。かかる態様では、密着層としてジルコニウムを含む層を設けることにより、絶縁体膜と第1電極との密着性が確保できると共に圧電体層から拡散したビスマスの偏析の問題もなく、圧電体層への密着層からの拡散による圧電特性の低下もないので、膜剥がれ等の問題がなく、圧電特性の劣化のない圧電素子を具備する液体噴射ヘッドが実現できる。また、他の態様は、上記液体噴射ヘッドを備えることを特徴とする液体噴射装置にある。かかる態様では、膜剥がれ等の問題がなく、圧電特性の劣化のない圧電素子を具備する液体噴射ヘッドを備える液体噴射装置が実現できる。実施形態1図1は、本発明の実施形態1に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図2は、図1の平面図であり、図3は図2のA-A′線断面図及びその要部拡大図である。図1~図3に示すように、本実施形態の流路形成基板10は、シリコン単結晶基板からなり、その一方の面には二酸化シリコンからなる弾性膜50が形成されている。流路形成基板10には、複数の圧力発生室12が並設されている。この方向を並設方向又は第1の方向という。また、流路形成基板10の圧力発生室12の前記並設方向とは交差する方向である第2の方向外側の領域には連通部13が形成され、連通部13と各圧力発生室12とが、各圧力発生室12毎に設けられたインク供給路14及び連通路15を介して連通されている。連通部13は、後述する保護基板のマニホールド部31と連通して各圧力発生室12の共通のインク室となるマニホールドの一部を構成する。インク供給路14は、圧力発生室12よりも狭い幅で形成されており、連通部13から圧力発生室12に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。なお、本実施形態では、流路の幅を片側から絞ることでインク供給路14を形成したが、流路の幅を両側から絞ることでインク供給路を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向から絞ることでインク供給路を形成してもよい。本実施形態では、流路形成基板10には、圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及び連通路15からなる液体流路が設けられていることになる。また、流路形成基板10の開口面側には、各圧力発生室12のインク供給路14とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口21が穿設されたノズルプレート20が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート20は、例えば、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板、ステンレス鋼等からなる。一方、このような流路形成基板10の開口面とは反対側には、上述したように弾性膜50が形成されている。弾性膜50としては、例えば二酸化シリコン膜が挙げられる。この弾性膜50上には、厚さが100~400nmの酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜55が形成されている。また、絶縁体膜55上には、厚さが10~20nmの密着層56が形成されている。さらに密着層56上には、第1電極60と、第1電極60の上方に設けられて厚さが2μm以下、好ましくは1~0.3μmの薄膜である圧電体層70と、圧電体層70の上方に設けられた第2電極80とが、積層形成されて、圧電素子300を構成している。なお、ここで言う上方とは、直上も、間に他の部材が介在した状態も含むものである。ここで、圧電素子300は、第1電極60、圧電体層70及び第2電極80を含む部分をいう。一般的には、圧電素子300の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層70を各圧力発生室12毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体層70から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部320という。本実施形態では、第1電極60を圧電素子300の共通電極とし、第2電極80を圧電素子300の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。また、ここでは、変位可能に設けられた圧電素子300をアクチュエーター装置と称する。なお、上述した例では、弾性膜50、絶縁体膜55、密着層56及び第1電極60が振動板として作用するが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、弾性膜50や密着層56を設けなくてもよい。また、圧電素子300自体が実質的に振動板を兼ねるようにしてもよい。密着層56は、詳しくは後述するが、スパッタリング法により形成されたジルコニウムを含む層からなる。密着層56を設けることで、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜55と第1電極60との密着性を向上することができ、また、膜剥がれを防止できる。第1電極60は、白金Pt及びイリジウムIrから選択される少なくとも一種の材料からなる。また、第1電極60は、上述した少なくとも2つの材料からなる層が積層されたものを用いることもできる。第1電極60上に形成される圧電体層70は、鉛を含有せず、ビスマスを含有するペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電セラミックスであり、鉄酸ビスマスBiFeO3、以下BFOと称す、鉄酸マンガン酸ビスマスBiFe,MnO3、以下BFMOと称す、チタン酸ビスマスナトリウム例えば、Bi,NaTiO3、以下BNTと称す、チタン酸ビスマスカリウム例えば、Bi,KTiO3、以下BKTと称すなど、あるいはこれらに各種元素が添加されたもの、さらにはこれらとチタン酸バリウム例えば、BaTiO3、以下BTと称すとの混晶などを挙げることができる。第1電極60は、後述する製造方法において詳細に説明するが、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜55上にスパッタリング法によりジルコニウムからなる密着層56を形成し、その後、密着層56上に白金等からなる第1電極60を形成することで、圧電体層70に含まれるビスマスが第1電極60中に拡散し、さらには密着層56中に拡散しても、ビスマスの偏析が生じず、膜剥がれなどの問題が生じることがない。また、密着層56中のジルコニウムは圧電体層70内に拡散することがなく、圧電特性を低下させることがない。このような圧電素子300の個別電極である各第2電極80には、インク供給路14側の端部近傍から引き出され、絶縁体膜55上にまで延設される、例えば、金Au等からなるリード電極90が接続されている。このような圧電素子300が形成された流路形成基板10上、すなわち、絶縁体膜55及びリード電極90上には、マニホールド100の少なくとも一部を構成するマニホールド部31を有する保護基板30が接着剤35を介して接合されている。このマニホールド部31は、本実施形態では、保護基板30を厚さ方向に貫通して圧力発生室12の幅方向に亘って形成されており、上述のように流路形成基板10の連通部13と連通されて各圧力発生室12の共通のインク室となるマニホールド100を構成している。また、流路形成基板10の連通部13を圧力発生室12毎に複数に分割して、マニホールド部31のみをマニホールドとしてもよい。さらに、例えば、流路形成基板10に圧力発生室12のみを設け、流路形成基板10と保護基板30との間に介在する部材例えば、弾性膜50、絶縁体膜55等にマニホールド100と各圧力発生室12とを連通するインク供給路14を設けるようにしてもよい。また、保護基板30の圧電素子300に対向する領域には、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部32が設けられている。圧電素子保持部32は、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。このような保護基板30としては、流路形成基板10の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板10と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。また、保護基板30には、保護基板30を厚さ方向に貫通する貫通孔33が設けられている。そして、各圧電素子300から引き出されたリード電極90の端部近傍は、貫通孔33内に露出するように設けられている。また、保護基板30上には、並設された圧電素子300を駆動するための駆動回路120が固定されている。この駆動回路120としては、例えば、回路基板や半導体集積回路IC等を用いることができる。そして、駆動回路120とリード電極90とは、ボンディングワイヤー等の導電性ワイヤーからなる接続配線121を介して電気的に接続されている。また、このような保護基板30上には、封止膜41及び固定板42とからなるコンプライアンス基板40が接合されている。ここで、封止膜41は、剛性が低く可撓性を有する材料からなり、この封止膜41によってマニホールド部31の一方面が封止されている。また、固定板42は、比較的硬質の材料で形成されている。この固定板42のマニホールド100に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部43となっているため、マニホールド100の一方面は可撓性を有する封止膜41のみで封止されている。このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドIでは、図示しない外部のインク供給手段と接続したインク導入口からインクを取り込み、マニホールド100からノズル開口21に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路120からの記録信号に従い、圧力発生室12に対応するそれぞれの第1電極60と第2電極80との間に電圧を印加し、弾性膜50、絶縁体膜55、密着層56、第1電極60及び圧電体層70をたわみ変形させることにより、各圧力発生室12内の圧力が高まりノズル開口21からインク滴が吐出する。このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドの製造方法について、図4~図8を参照して説明する。なお、図4~図8は、圧力発生室の第2の方向の断面図である。まず、図4aに示すように、シリコンウェハーである流路形成基板用ウェハー110の表面に弾性膜50を構成する二酸化シリコンSiO2等からなる二酸化シリコン膜51を熱酸化等で形成する。次いで、図4bに示すように、弾性膜50上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜55を形成する。絶縁体膜55は、ジルコニウムをスパッタリング法等により形成後、加熱することで熱酸化して形成してもよく、酸化ジルコニウムを反応性スパッタリング法により形成するようにしてもよい。次に、図5aに示すように、絶縁体膜55上に、本実施形態では、DCスパッタリング法によりジルコニウムからなる密着層56を形成する。密着層56は、10~20nmの厚さで形成すればよい。これは本発明の作用効果を奏するための十分な膜厚であるが、これ以上厚くてもよい。次いで、図5bに示すように、密着層56上に白金Ptからなる第1電極60を形成する。第1電極60は、スパッタリング法や蒸着法により形成することができる。次に、図5cに示すように、第1電極60上に所定形状のレジスト図示無しをマスクとして例えば第1電極60及び密着層56を同時にパターニングする。次いで、第1電極60上に、ビスマスを含有する複合酸化物からなるビスマス系圧電セラミックスとして、本実施形態では、鉄酸マンガン酸ビスマスBiFe,MnO3とチタン酸バリウムBaTiO3との混晶である圧電体層70を形成する。本実施形態では、圧電体層70の製造方法は、例えば、ゾル-ゲル法、MODMetalOrganicDecomposition法などの化学溶液法やスパッタリング法等が挙げられる。本実施形態ではMOD法を用いて圧電体層70を形成している。本実施形態の圧電体層70をMOD法などの溶液塗布法で形成しても、圧電体層70からビスマスが拡散し絶縁体膜55と第1電極60との間にビスマスの偏析などが生じず、両者の密着性を良好に保つことができる。また、密着層56をジルコニウム層としたので、圧電体層70への拡散も防止され、圧電体層70の圧電特性を低下させることがない。具体的な方法について以下説明する。図6aに示すように、第1電極60が形成された流路形成基板10上に鉄酸マンガン酸ビスマスBFMOとチタン酸バリウムBTとを含む塗布溶液を塗布し、圧電体前駆体膜71をスピンコートにより形成する塗布工程。次いで、この圧電体前駆体膜71を所定温度に加熱して一定時間乾燥させる乾燥工程。例えば、実施形態では、150~180°Cで2~10分間保持することで乾燥させる。次に、乾燥した圧電体前駆体膜71を所定温度に加熱して一定時間保持することによって脱脂する脱脂工程。例えば、本実施形態では、圧電体前駆体膜71を300~450°C程度の温度に加熱して約2~10分保持することで脱脂した。なお、ここで言う脱脂とは、圧電体前駆体膜71に含まれる有機成分を、例えば、NO2、CO2、H2O等として離脱させることである。次に、図6bに示すように、圧電体前駆体膜71を所定温度、例えば750~850°C程度に加熱して一定時間保持することによって結晶化させ、圧電体膜72を形成する焼成工程。この焼成工程においても、雰囲気は限定されず、大気中でも不活性ガス中でもよい。なお、乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程で用いられる加熱装置としては、例えば、赤外線ランプの照射により加熱するRTARapidThermalAnnealing装置やホットプレート等が挙げられる。次いで、上述した塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程や、塗布工程、乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程を所望の膜厚等に応じて複数回繰り返して複数の圧電体膜72からなる圧電体層70を形成することで、図6cに示すように複数層の圧電体膜72からなる所定厚さの圧電体層70を形成する。例えば、塗布溶液の1回あたりの膜厚が0.1μm程度の場合には、例えば、10層の圧電体膜72からなる圧電体層70全体の膜厚は約1.1μm程度となる。なお、本実施形態では、圧電体膜72を積層して設けたが、1層のみでもよい。ここで、圧電体層70の形成の熱処理により、後述するように、圧電体層70からビスマスが第1電極60から密着層56との界面又は一部密着層56まで拡散し、一方、密着層56からのジルコニウムの拡散は第1電極60中に多少拡散しているが、圧電体層70までは拡散しないことが確認されている。この結果、密着層56は、最終的には、ジルコニウムの一部が酸化されて、ジルコニウム及び酸化ジルコニウムを含む層となり、又は、ジルコニウム及び酸化ジルコニウムにさらにビスマスを含む層となると推測される。なお、ビスマスは、ビスマスとして存在するか、少なくともその一部が酸化ビスマスとして存在すると推定される。このように圧電体層70を形成した後は、図7aに示すように、圧電体層70上に白金等からなる第2電極80をスパッタリング法等で形成し、各圧力発生室12に対向する領域に圧電体層70及び第2電極80を同時にパターニングして、第1電極60と圧電体層70と第2電極80からなる圧電素子300を形成する。なお、圧電体層70と第2電極80とのパターニングでは、所定形状に形成したレジスト図示なしを介してドライエッチングすることにより一括して行うことができる。第2電極80を形成する前後で、必要に応じて、600~800°Cの温度域でポストアニールを行ってもよい。これにより、圧電体層70と第1電極60や第2電極80との良好な界面を形成することができ、かつ、圧電体層70の結晶性を改善することができる。次に、図7bに示すように、流路形成基板用ウェハー110の全面に亘って、例えば、金Au等からなるリード電極90を形成後、例えば、レジスト等からなるマスクパターン図示なしを介して各圧電素子300毎にパターニングする。次に、図7cに示すように、流路形成基板用ウェハー110の圧電素子300側に、シリコンウェハーであり複数の保護基板30となる保護基板用ウェハー130を接着剤35を介して接合した後に、流路形成基板用ウェハー110を所定の厚さに薄くする。次に、図8aに示すように、流路形成基板用ウェハー110上に、マスク膜52を新たに形成し、所定形状にパターニングする。そして、図8bに示すように、流路形成基板用ウェハー110をマスク膜52を介してKOH等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチングウェットエッチングすることにより、圧電素子300に対応する圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及び連通路15等を形成する。その後は、流路形成基板用ウェハー110及び保護基板用ウェハー130の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハー110の保護基板用ウェハー130とは反対側の面のマスク膜52を除去した後にノズル開口21が穿設されたノズルプレート20を接合すると共に、保護基板用ウェハー130にコンプライアンス基板40を接合し、流路形成基板用ウェハー110等を図1に示すような一つのチップサイズの流路形成基板10等に分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドIとする。実施例面方位110の単結晶シリコン基板を熱酸化して二酸化シリコンからなる弾性膜50を厚さ1300nmで形成した。次いで、弾性膜50上にジルコニウムZrをスパッタリング法により形成した後、ジルコニウムを約900°Cで加熱することで熱酸化して厚さが400nmの酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜55を形成した。次に、絶縁体膜55上にDCスパッタ法でZrからなる密着層56を20nmの厚さで形成し、その上にDCスパッタ法で130nmのPtからなる第1電極60を成膜した。次に、圧電体層70を作製した。本実施例では、圧電体層70膜はX=BiFe,MnO3-Y=BaTiO3膜以下、BFMO-BT膜と記述する。となる前躯体溶液塗布溶液をスピンコート法で成膜した。それぞれの組成比はX:Y=75:25である。所定の膜厚のサンプルを作製するため、最初は500rpm5sec、2500rpmで20secのスピンコートを行った。180°Cで2分間乾燥を行った後、その後、350°Cで3分間脱脂を行った上記工程を3回繰り返し行った。その後、炉内を100ccmの酸素でフローしたRapidThermalAnnealingRTA装置で750°C、5分間焼成を行った。上記工程を4回繰り返し、BFMO-BT薄膜を作製した。比較例1実施例と同様に、単結晶シリコン基板上に、弾性膜及び絶縁体膜を形成した。次に、絶縁体膜55上に、DCスパッタ法でTiからなる膜を20nmの厚さで形成し、その上にDCスパッタ法で130nmのPtからなる第1電極を成膜した。次に、実施例と同様の方法で圧電薄層を作製した。比較例2実施例と同様に、単結晶シリコン基板上に、弾性膜及び絶縁体膜を形成した。次に、絶縁体膜55上に、DCスパッタ法でTiからなる膜を20nmの厚さで形成し、700°Cの熱酸化処理にて厚さ40nmのTiOx膜を作製した。その上にDCスパッタ法で130nmのPtからなる第1電極を成膜した。次に、実施例と同様の方法で圧電薄層を作製した。SIMS観察結果実施例及び各比較例について、二次イオン質量分析計SIMS:カメカインスツルメンツ株社製IMS-7fを用いて、深さ組成プロファイルを測定した。結果を図9~図11に示す。なお、この深さ組成プロファイルは133Csにより規格化したものである。この結果、比較例1では、チタンが白金からなる第1電極中、さらには圧電体層中まで拡散し、一方、圧電体層からのビスマスが第1電極中にかなり拡散していることがわかった。チタンの拡散は、圧電体層の特性劣化の原因と考えられる。また、比較例2では、酸化チタン層からのチタンの拡散はみられないが、圧電体層からのビスマスが第1電極から酸化チタン層との界面まで多く拡散していることがわかった。これが膜剥がれの原因となる変質層の原因と考えられる。一方、実施例では、圧電体層からのビスマスが第1電極から密着層との界面又は一部密着層まで拡散しているが、その量は比較例より少ないことがわかった。また、密着層であるジルコニウム層からのジルコニウムの拡散は白金からなる第1電極中に多少拡散しているが、圧電体層まで拡散していないことがわかった。膜剥がれ実施例と比較例2について、膜剥がれを走査型電子顕微鏡SEMで観察した結果を図12及び図13に示す。この結果、比較例2では、膜剥がれが観察され、膜剥がれが生じた箇所の酸化チタン層と第1電極層との境界に変質層が観察されたが、実施例のものでは膜剥がれや変質層は観察されなかった。他の実施形態以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明の基本的構成は上述したものに限定されるものではない。例えば、上述した実施形態では、流路形成基板10として、シリコン単結晶基板を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、SOI基板、ガラス等の材料を用いるようにしてもよい。また、これら実施形態のインクジェット式記録ヘッドは、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録装置に搭載される。図14は、そのインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。図14に示すインクジェット式記録装置IIにおいて、インクジェット式記録ヘッドIを有する記録ヘッドユニット1A及び1Bは、インク供給手段を構成するカートリッジ2A及び2Bが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3は、装置本体4に取り付けられたキャリッジ軸5に軸方向移動自在に設けられている。この記録ヘッドユニット1A及び1Bは、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとしている。そして、駆動モーター6の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト7を介してキャリッジ3に伝達されることで、記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3はキャリッジ軸5に沿って移動される。一方、装置本体4にはキャリッジ軸5に沿ってプラテン8が設けられており、図示しない給紙ローラーなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートSがプラテン8に巻き掛けられて搬送されるようになっている。また、上述したインクジェット式記録装置IIでは、インクジェット式記録ヘッドIヘッドユニット1A、1Bがキャリッジ3に搭載されて主走査方向に移動するものを例示したが、特にこれに限定されず、例えば、インクジェット式記録ヘッドIが固定されて、紙等の記録シートSを副走査方向に移動させるだけで印刷を行う、所謂ライン式記録装置にも本発明を適用することができる。また、上述した実施形態では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELディスプレイ、FED電界放出ディスプレイ等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオchip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。さらに、本発明は、インクジェット式記録ヘッドに代表される液体噴射ヘッドに搭載される圧電素子に限られず、超音波発信機等の超音波デバイス、超音波モーター、圧力センサー、焦電センサー等他の装置に搭載される圧電素子にも適用することができる。また、本発明は強誘電体メモリー等の強誘電体素子にも同様に適用することができる。"