被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物に対して透過性を有する波長のレーザビームを照射するレーザビーム照射手段と、該チャックテーブルと該レーザビーム照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段とを備えたレーザ加工装置であって、該レーザビーム照射手段は、レーザ発振器と、該レーザ発振器が発振したレーザビームを集光し被加工物の内部に集光点を位置付けて被加工物の内部に改質層を形成する集光器とを含み、該集光器に隣接して配設され、該チャックテーブルに保持された被加工物のレーザビームが照射される領域に向けてガスを噴射するノズルを有するガス噴射手段を具備したことを特徴とするレーザ加工装置。該ノズルの噴射口の直径は0.4~0.6mmであり、ガスの噴射量は20~30リットル/分である請求項1記載のレーザ加工装置。しかし、ウエーハの外周は表面から裏面に渡り円弧状の面取り加工が施されており、ウエーハの内部に位置付けたレーザビームの集光点が面取り加工された領域に照射されると、レーザビームはウエーハに対して完全な透過性は有していないため、面取り加工された領域に吸収されてアブレーション加工によって煙が発生し、発生した煙により集光器の対物レンズが汚染されるという問題がある。同様な問題は、分割予定ラインに対応するウエーハの表面にゴミ等の異物が付着している場合にも、レーザビームにより異物が瞬間的に加熱されて燃焼して煙が発生し、その煙により対物レンズが汚染されても起こる。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、レーザビームの照射によって煙が発生しても集光器の対物レンズが汚染されることのないレーザ加工装置を提供することである。本発明によると、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物に対して透過性を有する波長のレーザビームを照射するレーザビーム照射手段と、該チャックテーブルと該レーザビーム照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段とを備えたレーザ加工装置であって、該レーザビーム照射手段は、レーザ発振器と、該レーザ発振器が発振したレーザビームを集光し被加工物の内部に集光点を位置付けて被加工物の内部に改質層を形成する集光器とを含み、該集光器に隣接して配設され、該チャックテーブルに保持された被加工物のレーザビームが照射される領域に向けてガスを噴射するノズルを有するガス噴射手段を具備したことを特徴とするレーザ加工装置が提供される。本発明のレーザ加工装置は、チャックテーブルに保持された被加工物のレーザビームが照射される領域に向けてガスを噴射するノズルを有するガス噴射手段が集光器に隣接して配設されているので、レーザビームの照射によって煙が発生してもガス噴射手段によって煙が直ちに除去されるため、集光器の対物レンズが汚染されることがない。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明実施形態のレーザ加工装置の外観斜視図が示されている。レーザ加工装置2は、静止基台4上にX軸方向に移動可能に搭載された第1スライドブロック6を含んでいる。第1スライドブロック6は、ボールねじ8及びパルスモータ10から構成される加工送り手段12により一対のガイドレール14に沿って加工送り方向、即ちX軸方向に移動される。第1スライドブロック6上には第2スライドブロック16がY軸方向に移動可能に搭載されている。即ち、第2スライドブロック16はボールねじ18及びパルスモータ20から構成される割り出し送り手段22により一対のガイドレール24に沿って割り出し送り方向、即ちY軸方向に移動される。第2スライドブロック16上には円筒支持部材26を介してチャックテーブル28が搭載されており、チャックテーブル28は加工送り手段12及び割り出し送り手段22によりX軸方向及びY軸方向に移動可能であるとともに、円筒支持部材26中に収容されたモータにより回転される。チャックテーブル28には、チャックテーブル28に吸引保持された半導体ウエーハを支持するフレームをクランプするクランプ30が設けられている。32はカバーであり、図示を省略した蛇腹がカバー32に連結されて加工送り手段12及び割り出し送り手段22を塵埃等から保護する。静止基台4にはコラム34が立設されており、このコラム34にレーザビーム照射機構レーザビーム照射手段36が取り付けられている。レーザビーム照射機構36は、ケーシング40中に収容されたレーザビーム発生ユニット38と、ケーシング40の先端に取り付けられた集光器42とから構成される。ケーシング40の先端には集光器42とX軸方向に整列して撮像ユニット52が取り付けられている。レーザビーム発生ユニット38は、図2に示すように、YAGレーザ又はYVO4レーザを発振するレーザ発振器44と、繰り返し周波数設定手段46と、パルス幅調整手段48と、パワー調整手段50とを含んでいる。特に図示しないが、レーザ発振器44はブリュースター窓を有しており、レーザ発振器44から出射されるレーザビームは直線偏光のレーザビームである。図3を参照すると、本発明のレーザ加工装置の加工対象となる光デバイスウエーハ11の表面側斜視図が示されている。光デバイスウエーハ11は、サファイア基板13上に窒化ガリウムGaN等のエピタキシャル層半導体層15が積層されて構成されている。光デバイスウエーハ11は、エピタキシャル層15が積層された表面11aと、サファイア基板13が露出した裏面11bとを有している。サファイア基板13は例えば100μmの厚みを有しており、エピタキシャル層15は例えば5μmの厚みを有している、エピタキシャル層15にLED等の複数の光デバイス19が格子状に形成された分割予定ラインストリート17によって区画されて形成されている。光デバイスウエーハ11にレーザ加工を施すに当たり、図4に示すように、光デバイスウエーハ11の裏面11bが粘着テープであるダイシングテープTに貼着され、ダイシングテープTの外周部は環状フレームFに貼着される。これにより、光デバイスウエーハ11はダイシングテープTを介して環状フレームFに支持された状態となり、レーザ加工時には、光デバイスウエーハ11がダイシングテープTを介してチャックテーブル28に吸引保持され、クランプ30により環状フレームFがクランプされて固定される。光デバイスウエーハ11をチャックテーブル28で吸引保持した後、光デバイスウエーハ11の撮像すべき領域を撮像ユニット52の直下に位置付けて撮像し、よく知られたパターンマッチング等によりターゲットパターンを検出する。このターゲットパターンの検出を同一の分割予定ライン17に沿ったX軸方向に離れた二点で実施して、この二点を結ぶ直線がX軸方向と平行となる様にチャックテーブル28をθ回転し、分割予定ライン17の中心とターゲットパターンのY座標の距離分だけチャックテーブル28をY軸方向に移動して、分割予定ライン17を集光器42と整列させるアライメントを実施する。次いで、チャックテーブル28を90度回転してから、第1の方向に伸長する分割予定ライン17と直交する第2の方向に伸長する分割予定ライン17についても同様なアライメントを実施する。アライメント実施後、集光器42で光デバイスウエーハ11に対して透過性を有する波長のレーザビームを分割予定ライン17に対応する光デバイスウエーハ11の内部に集光点を位置付けて照射しつつ、チャックテーブル28をX軸方向に加工送りしながら分割予定ライン17に沿って光デバイスウエーハ11の内部に改質層を形成する。改質層は、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域をいう。改質層は溶融再硬化層として形成される。この改質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。光源:LD励起QスイッチNd:YVO4パルスレーザ波長:1064nmパルスエネルギー:40μJ集光スポット径:φ1μmパルス幅:25ms繰り返し周波数:100kHz加工送り速度:100mm/sこの改質層形成工程を、第1の方向に伸長する全ての分割予定ライン17に沿って実施した後、チャックテーブル28を90度回転してから、第1の方向と直交する第2の方向に伸長する全ての分割予定ライン17に沿って実施する。ところで、パルスレーザビームを分割予定ライン17に沿って照射すると、図5に示すように、光デバイスウエーハ11の外周に形成された面取り部21の一点Pにレーザビームの集光点が一致することがある。すると、この点Pにレーザビームのウエーハ11に対する吸収成分によりアブレーション加工が施され、煙が発生する。このアブレーション加工は、全ての分割予定ライン17に沿ったレーザビームの集光点軌跡23とウエーハ11の外周との交点Pで発生する。本実施形態のレーザ加工装置2では、図6に示すように、面取り部21のアブレーション加工により発生した煙を吹き飛ばすためのガス噴射手段54が集光器42に隣接して配設されている。ガス噴射手段54は、集光器42に取り付けられた噴射ノズル56と、噴射ノズル56に接続された高圧エア源58とから構成される。好ましくは、噴射ノズル56の噴出口の直径は0.4~0.6mm、より好ましくは0.5mm程度であり、ガスの噴射量は20~30リットル/分が好ましい。ガスとしては、一般的に高圧空気が利用されるが、空気に限定されるものではない。本発明のレーザ加工装置2によると、光デバイスウエーハ11のレーザビームが照射される領域に向けて高圧エアを噴射する噴射ノズル56が設けられているため、レーザビームの照射によってアブレーション加工により煙が発生しても、発生した煙が噴射ノズル56からの高圧エアによって直ちに除去されるので、集光器42の対物レンズが煙によって汚染されることが防止される。この煙は光デバイスウエーハ11の表面に付着したゴミ等の異物にレーザビームが照射されても発生するが、この煙も噴射ノズル56から噴射される高圧エアによって直ちに除去されるので、集光器42の対物レンズが煙によって汚染されることがない。上述した実施形態では、被加工物として光デバイスウエーハ11について本発明のレーザ加工装置2を適用した例について説明したが、被加工物は光デバイスウエーハ11に限定されるものではなく、通常の半導体ウエーハ等のウエーハにも同様に適用することができる。