温度検知用のウェハと、前記温度検知用のウェハの一方の面に貼付される回路基板と、前記温度検知用のウェハの一方の面側に設けられており、温度に関するデータを検出する温度データ検出部と、前記回路基板に搭載されており、前記温度データ検出部によって検出された温度データから前記温度検知用のウェハの温度を検知する温度検知ユニットとを含み、前記回路基板の線膨張係数と、前記温度検知用のウェハの線膨張係数とは、同等である、ウェハ型温度検知センサ。前記回路基板は、熱圧着により前記温度検知用のウェハに貼付されている、請求項1に記載のウェハ型温度検知センサ。前記回路基板は、フレキシブル基板である、請求項1または2に記載のウェハ型温度検知センサ。前記温度データ検出部は、前記温度検知用のウェハの一方の面側において、複数設けられている、請求項1~3のいずれかに記載のウェハ型温度検知センサ。前記温度データ検出部は、前記回路基板上に設けられている、請求項1~4のいずれかに記載のウェハ型温度検知センサ。前記温度データ検出部と前記温度検知ユニットとを接続する導線は、前記回路基板上に設けられている、請求項5に記載のウェハ型温度検知センサ。前記温度検知ユニットにより検知した前記温度検知用のウェハの温度のデータを、前記温度検知用のウェハの外部に送信可能な送信部を含む、請求項1~6のいずれかに記載のウェハ型温度検知センサ。前記回路基板の材質は、ポリイミド系樹脂であり、前記温度検知用のウェハの材質は、シリコン、セラミックス、サファイヤ、およびガラスからなる群のうちの少なくとも一つの材質からなる、請求項1~7のいずれかに記載のウェハ型温度検知センサ。前記回路基板の線膨張係数と前記温度検知用のウェハの線膨張係数との差は、5ppm/°C以下である、請求項1~8のいずれかに記載のウェハ型温度検知センサ。温度検知用のウェハと、前記温度検知用のウェハの一方の面に貼付される回路基板と、前記温度検知用のウェハの一方の面側に設けられており、温度に関するデータを検出する温度データ検出部と、前記回路基板に搭載されており、前記温度データ検出部によって検出された温度データから前記温度検知用のウェハの温度を検知する温度検知ユニットとを含み、前記回路基板の線膨張係数と、前記温度検知用のウェハの線膨張係数とは、同等であるウェハ型温度検知センサの製造方法であって、前記回路基板を、ウェハの処理に要する温度で熱圧着することにより前記温度検知用のウェハに貼付する熱圧着工程を備える、ウェハ型温度検知センサの製造方法。特許文献1や特許文献2によると、ウェハ型温度検知センサとしての温度測定装置は、被測定物としてのウェハを対象として温度を検出する温度検出手段としての温度検出ユニットと、データ処理手段としての受光ユニットとを備える。温度検出ユニットは、フレキシブル基板に搭載された温度センサと制御部からなる。フレキシブル基板は、チャンバ、すなわち、処理容器内でプラズマ処理されるウェハに搭載されている。温度検出ユニットは、検出された温度データを光パルス信号に変換して発信する。温度測定装置に備えられる受光ユニットは、温度検出ユニットに対して離れた位置に配置されて光パルス信号を受光し、温度データに復号する。このように、ウェハ型温度検知センサにおいて、計測した温度データを通信により外部に送信する構成とするのは、ウェハの外部に配線を導出するのが困難であるためである。また、フレキシブル基板を用いたこのような構成とすると、測定位置の増加に伴うフレキシブル基板内の配線の多層化の観点からも有利である。なお、特許文献1においては、半導体ウェハの極一部の領域を占める制御部をポリイミド樹脂の防護層で被覆し、プラズマに対する耐久性を向上させている。ここで、温度検出ユニットに備えられるフレキシブル基板は、温度検知用のウェハに搭載されるようにして配置されている。このような構成においては、温度検知用のウェハの温度を変化させた場合に以下の問題が発生する。すなわち、例えば、実使用状況下においては、要求される処理内容に応じて、処理温度を変化させる場合がある。この場合を想定して、保持台の内部に設けられた温度調整器から実際にプロセス処理されるウェハを模している温度検知用のウェハに対して加熱等を行なうが、この時に温度変化に応じて温度検知用のウェハおよびフレキシブル基板がそれぞれ変形する。そうすると、フレキシブル基板は温度検知用のウェハに対してある程度の面積を有するため、フレキシブル基板を搭載した温度検知用のウェハが一方面側またはその逆側に反ってしまうおそれがある。すなわち、特許文献1に示される半導体ウェハの極一部の領域を占める制御部をポリイミド樹脂の防護層で被覆したようなウェハについては、反りの問題が生じるおそれがある。このような状況は、実際にプロセス処理されるウェハを模している温度検知用のウェハにとって、好ましくない。すなわち、温度検知用のウェハの反りの影響で、保持台の表面と温度検知用のウェハの表面との間の距離が温度検知用のウェハの各位置において異なることになり、温度検知用のウェハの各位置における均等な加熱等を行うことができないおそれがある。このように、加熱時において保持台の上に保持される温度検知用のウェハに対し、的確な加熱を行なうことができなくなると、結果として、温度検知用のウェハの面内における的確な温度検知ができないおそれがある。すなわち、このようなウェハ型温度検知センサの結果に基づいて実際に半導体素子を形成するウェハにおける温度調整を行ない、処理を行えば、回路基板が設けられていない半導体素子を形成するウェハにおいて、面内において処理時における温度差が生じてしまうことになる。具体的には、実際には反りが発生しているにも関わらず、反りが発生していないものとして仮定しているウェハ型温度検知センサにおいて、中央部の領域が端部の領域に比べて温度が低い結果が出れば、保持台における温度調整において、中央部の領域よりも端部の領域の温度を高くするよう加熱してプロセス処理を行おうとする。しかし、半導体素子を形成するウェハにおいては、回路基板が設けられておらず、実際には反りが発生していないため、端部の領域において保持台から過剰に加熱され、温度が高くなってしまうことになる。そうすると、半導体素子を形成する際におけるウェハの処理の面内均一性を阻害してしまうおそれがある。このような観点から、温度検知用のウェハの面内における的確な温度検知が望まれる。この発明の目的は、温度検知用のウェハの面内における温度検知用のウェハの温度検知をより的確に行なうことができるウェハ型温度検知センサを提供することである。この発明の他の目的は、温度検知用のウェハの面内における温度検知用のウェハの温度検知をより的確に行なうことができるウェハ型温度検知センサの製造方法を提供することである。この発明に係るウェハ型温度検知センサは、温度検知用のウェハと、温度検知用のウェハの一方の面に貼付される回路基板と、温度検知用のウェハの一方の面側に設けられており、温度に関するデータを検出する温度データ検出部と、回路基板に搭載されており、温度データ検出部によって検出された温度に関するデータから温度検知用のウェハの温度を検知する温度検知ユニットとを含む。ここで、回路基板の線膨張係数と、温度検知用のウェハの線膨張係数とは、同等である。このようなウェハ型温度検知センサによると、回路基板の線膨張係数と温度検知用のウェハの線膨張係数とが同等であるため、温度検知用のウェハへの加熱等により温度検知用のウェハの温度変化があった場合でも、温度検知用のウェハの温度変化に起因する変形に追従して回路基板も同じように変形することができる。そうすると、温度変化時における温度検知用のウェハの反りを抑制することができ、実際に処理されるウェハと同様に、温度検知用のウェハの各位置における均等な加熱等を行うことが容易になる。したがって、温度検知用のウェハの温度検知をより的確に行なうことができる。好ましくは、回路基板は、熱圧着により温度検知用のウェハに貼付されている。こうすることにより、実際の処理温度に近い温度で熱圧着させて、温度検知用のウェハの反りの影響を低減することができる。したがって、温度検知用のウェハの面内における温度検知用のウェハの温度検知をさらに的確に行なうことができる。好ましい一実施形態として、回路基板の材質は、ポリイミド系樹脂であり、温度検知用のウェハの材質は、シリコン、セラミックス、サファイヤ、およびガラスからなる群のうちの少なくとも一つの材質からなる。なお、回路基板の線膨張係数と温度検知用のウェハの線膨張係数との差は、5ppmpartspermillion/°C以下であるように構成してもよい。さらに好ましい一実施形態として、回路基板は、フレキシブル基板である。さらに好ましくは、温度データ検出部は、温度検知用のウェハの一方の面側において、複数設けられている。また、温度データ検出部は、回路基板上に設けられていてもよい。また、温度データ検出部と温度検知ユニットとを接続する導線は、回路基板上に設けられていてもよい。また、温度検知ユニットにより検知した温度検知用のウェハの温度のデータを、温度検知用のウェハの外部に送信可能な送信部を含むよう構成してもよい。この発明の他の局面において、ウェハ型温度検知センサの製造方法は、温度検知用のウェハと、温度検知用のウェハの一方の面に貼付される回路基板と、温度検知用のウェハの一方の面側に設けられており、温度に関するデータを検出する温度データ検出部と、回路基板に搭載されており、温度データ検出部によって検出された温度データから温度検知用のウェハの温度を検知する温度検知ユニットとを含み、回路基板の線膨張係数と、温度検知用のウェハの線膨張係数とは、同等であるウェハ型温度検知センサの製造方法である。ここで、ウェハ型温度検知センサの製造方法は、回路基板を、ウェハの処理に要する温度で熱圧着することにより温度検知用のウェハに貼付する熱圧着工程を備える。このようなウェハ型温度検知センサの製造方法によると、製造されたウェハ型温度検知センサにおいて、回路基板と温度検知用のウェハとが、実際の処理に要する温度で熱圧着されているため、実際の処理に要する温度状況下において、線膨張係数の差による反りの影響を極めて小さくすることができ、保持台の表面とウェハ型温度検知センサの表面との平行度合いを高くした状態で、温度検知を行うことができる。したがって、実際の処理時における温度検知をより的確に行うことができる。このようなウェハ型温度検知センサによると、回路基板の線膨張係数と温度検知用のウェハの線膨張係数とが同等であるため、温度検知用のウェハへの加熱等により温度検知用のウェハの温度変化があった場合でも、温度検知用のウェハの温度変化に起因する変形に追従して回路基板も同じように変形することができる。そうすると、温度変化時における温度検知用のウェハの反りを抑制することができ、実際に処理されるウェハと同様に、温度検知用のウェハの各位置における均等な加熱等を行うことが容易になる。したがって、温度検知用のウェハの温度検知をより的確に行なうことができる。また、このようなウェハ型温度検知センサの製造方法によると、製造されたウェハ型温度検知センサにおいて、回路基板と温度検知用のウェハとが、実際の処理に要する温度で熱圧着されているため、実際の処理に要する温度状況下において、線膨張係数の差による反りの影響を極めて小さくすることができ、保持台の表面とウェハ型温度検知センサの表面との平行度合いを高くした状態で、温度検知を行うことができる。したがって、実際の処理時における温度検知をより的確に行うことができる。以下、この発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。まず、ウェハのプラズマ処理を行うプラズマ処理装置の構成について、簡単に説明する。図1は、ウェハのプラズマ処理を行うプラズマ処理装置の一例を示す概略断面図である。図1を参照して、プラズマ処理装置11は、マイクロ波をプラズマ源とするマイクロ波プラズマ処理装置である。プラズマ処理装置11は、実際に処理を行うウェハ、すなわち、実際にその上に半導体素子等を形成するウェハを収容可能であり、その内部で収容したウェハのプラズマ処理を行う処理容器12と、処理容器12内においてウェハを保持する保持台13とを備える。ウェハは、保持台13上において、真空チャックや静電チャック、メカニカルクランプ等を用いて載置されるようにして保持されている。ウェハとしては、例えば、φ300mm程度のものが用いられる。なお、図1においては、理解の容易の観点から、実際に処理を行うウェハと同等の温度検知用のウェハ16を、保持台13上に載置している。実際に処理を行うウェハと同等とは、例えば、その材質や、大きさ、厚み等の形状が同等であることをいう。実際の処理時においては、処理容器12内を所定の圧力に減圧した後、処理容器12内にプラズマ処理用のガスを供給し、保持台13上に保持されたウェハに対して、処理容器12内で生成したプラズマによりエッチング処理やCVD処理等を行う。ここで、処理においては、保持台13の内部に設けられた温度調整器15により、ウェハの温度を処理に適した温度に調整した上で行なう。温度調節器15は、具体的には、例えば、保持台13の内部の中央領域および端部領域に設けられた冷媒やヒータ等であり、保持台13の中央領域および端部領域をそれぞれ別個に調整することが可能である。具体的には、処理を行う前に、温度調整器15により保持台13の加熱または冷却等を行い、保持台13上のウェハの温度を調整する。こうすることにより、プロセス処理における面内均一性の確保等、より効率的な処理を行うことができる。次に、この発明の一実施形態に係るウェハ型温度検知センサの構成について説明する。図2は、この発明の一実施形態に係るウェハ型温度検知センサを概略的に示す外観図である。図2は、図1中の矢印IIの方向から見た図に相当し、温度検知用のウェハ16の板厚方向のうち、後述する回路基板が配置された側から見た図である。図1および図2を参照して、この発明の一実施形態に係るウェハ型温度検知センサ21は、円板状の温度検知用のウェハ16と、温度検知用のウェハ16の板厚方向の一方の面となる上面18に配置される円板状の回路基板22と、回路基板22に搭載されており、温度検知用のウェハ16における上面18内の各所の温度を検知する温度検知機構としての温度検知ユニット23と、回路基板22に搭載されており、温度検知用のウェハ16の外部との通信を行うウェハデータ通信ユニット24と、温度検知用のウェハ16の外部において温度検知用のウェハ16に離隔して設けられ、ウェハデータ通信ユニット24との通信を行う外部データ通信ユニット25とを備える。外部データ通信ユニット25は、図1において、処理容器12の外部に設けられている。ウェハデータ通信ユニット24と外部データ通信ユニット25の間で、データの送受信を行なうことができる。すなわち、ウェハデータ通信ユニット24と外部データ通信ユニット25の間では、無線で通信を行うことができ、ここでは、ウェハデータ通信ユニット24は、温度検知ユニット23により検知した温度検知用のウェハ16の温度のデータを、温度検知用のウェハ16の外部に送信可能な送信部として作動する。回路基板22上には、温度検知ユニット23とウェハデータ通信ユニット24とをその一部に含む回路が形成されており、この回路全体を制御する制御ユニット26についても、回路基板22上に設けられている。回路基板22は、柔軟性が良好なフレキシブル基板である。回路基板22には、回路を構成するアンプやプロセッサ、メモリ、電源等がさらに設けられているが、理解の容易の観点から、それらの図示は省略している。回路基板22は、円板状の温度検知用のウェハ16の中央領域に設けられている。なお、図2による開示等から明らかであるが、回路基板22についても円板状であって、回路基板22の径については、ウェハの径のおおよそ三分の一程度である。回路基板22は、温度検知用のウェハ16の上に貼付するようにして設けられている。具体的には、回路基板22のうち、温度検知用のウェハ16に対向する側の面となる下面27と、温度検知用のウェハ16のうち、回路基板22に対向する側の上面18とが熱圧着されている。熱圧着の温度としては、実際の処理温度に近い温度の一つである約120°Cが選択される。温度検知ユニット23には、温度検知用のウェハ16の上面18内における複数の異なる個所に埋め込まれるようにして設けられ、埋め込まれた各位置における温度に関するデータを検出する温度データ検出部28が、導線29を介して取り付けられている。なお、図2による開示等から明らかであるが、温度データ検出部28については、複数設けられている。温度データ検出部28により検知した温度検知用のウェハ16の各位置における温度のデータが導線29を介して温度検知ユニット23に入力される。入力された各位置における温度のデータは、ウェハデータ通信ユニット24により、外部データ通信ユニット25に送信される。このようにして、通信により、温度検知用のウェハ16の面内における各位置の温度を正確に温度検知用のウェハ16の外部に取り出すことができる。ここで、上記した温度検知用のウェハ16の線膨張係数、いわゆる熱膨張係数と、回路基板22の線膨張係数とは、同等となるように構成されている。ここで、回路基板22の線膨張係数とは、回路基板22の全体としての線膨張係数をいう。具体的には、温度検知用のウェハ16の材質は、線膨張係数が2.6~3.5ppm/°CのシリコンSiである。そして、回路基板22の材質は、線膨張係数が3.5ppm/°Cのポリイミド系樹脂である。このようなウェハ型温度検知センサは、回路基板22の線膨張係数と温度検知用のウェハ16の線膨張係数とが同等であるため、温度検知用のウェハ16への加熱等により温度検知用のウェハ16の温度変化があった場合でも、温度検知用のウェハ16の温度変化に起因する変形に追従して回路基板も同じように変形することができる。そうすると、温度変化時における温度検知用のウェハ16の反りを抑制することができ、実際に処理されるウェハと同様に、温度検知用のウェハ16の各位置における均等な加熱等を行うことが容易になる。したがって、温度検知用のウェハ16の温度検知をより的確に行なうことができる。なお、この場合、回路基板と温度検知用のウェハとは熱圧着により貼付されているが、熱圧着の温度を起点として反りの凹凸が分かれるため、実際の処理温度に近い温度で熱圧着させて、温度検知用のウェハの反りの影響を低減することができる。すなわち、この発明の一実施形態に係るウェハ型温度検知センサの製造方法は、温度検知用のウェハと、温度検知用のウェハの一方の面に貼付される回路基板と、温度検知用のウェハの一方の面側に設けられており、温度に関するデータを検出する温度データ検出部と、回路基板に搭載されており、温度データ検出部によって検出された温度データから温度検知用のウェハの温度を検知する温度検知ユニットとを含み、回路基板の線膨張係数と、温度検知用のウェハの線膨張係数とは、同等であるウェハ型温度検知センサの製造方法であって、回路基板を、ウェハの処理に要する温度で熱圧着することにより温度検知用のウェハに貼付する熱圧着工程を備える。このようなウェハ型温度検知センサの製造方法によると、製造されたウェハ型温度検知センサにおいて、回路基板と温度検知用のウェハとが、実際の処理に要する温度で熱圧着されているため、実際の処理に要する温度状況下において、線膨張係数の差による反りの影響を極めて小さくすることができ、保持台の表面とウェハ型温度検知センサの表面との平行度合いを高くした状態で、温度検知を行うことができる。したがって、実際の処理時における温度検知をより的確に行うことができる。すなわち、常温下において多少反っていたとしても、実際の処理温度に近い温度においては、温度検知用のウェハの表面、例えば、温度検知用のウェハのうち、保持台に対向する側の面である下面が保持台の平面、具体的には温度検知用のウェハが載置される側である保持台の上面に対して平行になるようにすることができる。熱圧着工程を行う際に用いられる処理台は、実際の処理時にウェハが搭載される保持台と同等の平行度フラットネスを持っていることが、各位置における的確な温度検知の観点から望ましい。したがって、温度検知用のウェハの面内における温度検知用のウェハの温度検知をさらに的確に行なうことができる。すなわち、回路基板の線膨張係数と温度検知用のウェハの線膨張係数とを同等とし、さらに回路基板と温度検知用のウェハとの熱圧着を実際の処理温度に近い温度とすることにより、微小な線膨張係数の差に起因した反りの発生を極力抑制した状態で、温度検知用のウェハの各位置における加熱等を行い、温度検知用のウェハの各位置における温度検知を行なって、温度検知用のウェハの各位置における温度検知の精度を上げるものである。具体的には、実際に半導体素子を形成するウェハにおいて、実際に半導体素子を形成するプロセス処理の一工程であるエッチング処理等において適用される温度、例えば、120°Cで熱圧着する。この発明の一実施形態に係るウェハ型温度検知センサにおいて、備えられる温度検知用のウェハの反り量を測定した。図3は、温度検知用のウェハの反りを誇張して表現した温度検知用のウェハの断面図である。図3を参照して、温度検知用のウェハ16としては、φ6インチであって、その材質をシリコンとする温度検知用のウェハを用いた。温度検知用のウェハ16の厚みは、625μmであった。また、温度検知用のウェハ16と回路基板22との間には、熱圧着用の接着シート31を介在させ、熱圧着により温度検知用のウェハ16と回路基板22とを貼付した。回路基板22は、約85mm×85mmのサイズのものを用いた。そして、回路基板22を温度検知用のウェハ16に熱圧着した後、定盤32上で室温から200°Cまで温度を上昇させた場合の反り量を測定した。反り量については、図3に示すように、定盤32の上面33から温度検知用のウェハ16の端部34における下面35までの板厚方向の長さL1を測定し、これを反り量とした。ここで、比較例1として、回路基板22を厚み1mmの汎用ガラスエポキシ系樹脂のリジッド基板としたもの、比較例2として、回路基板22を厚み0.1mmの汎用ガラスエポキシ系樹脂のフレキシブル基板としたもの、比較例3として、回路基板22を厚み50μm以下の液晶ポリマー系フレキシブル基板としたもの、実施例1として、回路基板22を厚み50μm以下のポリイミド系樹脂フレキシブル基板としたものを用いた。各例における線膨張係数は、表1に示す通りである。ここで、Kは、絶対温度、すなわち、ケルビンである。表1を参照して、シリコンの線膨張係数は、293Kで2.6程度であり、500Kで、3.5程度である。これに対し、ガラスエポキシ系樹脂では、方向に依存するが、15~320程度であり、1~2桁異なる。液晶ポリマー系フレキシブル基板では、18であり、1桁異なる。一方、ポリイミド系樹脂フレキシブル基板では、3.5程度であり、シリコンと同等である。反り量については、比較例1においては、反り量は、5mmであり、比較例2においては、反り量は、2mmであり、比較例3においては、反り量は、1mmであった。これらに対し、実施例1においては、反り量は、20μm以下であった。このように、温度検知用のウェハ16の線膨張係数と回路基板22の線膨張係数とを同等とすることにより、反り量を大きく低減することができる。次に、この反りにより生ずるギャップと、温度検知用のウェハの温度特性との関係について説明する。図4は、温度検知用のウェハ16の温度を測定する測定位置を概略的に示す図である。なお、図4は、温度検知用のウェハ16の一部を板厚方向に切断した拡大断面図に相当する。図4を参照して、定盤32の上方には、シリコン製の温度検知用のウェハ16が配置されており、温度検知用のウェハ16の上方には、形成されたシリコン酸化膜36を介して、回路基板22が圧着されている。温度検知用のウェハ16の厚みは、775μmであり、温度検知用のウェハ16の下面35から板厚方向上方に775μmの位置を、温度の測定位置37とした。すなわち、図4中の長さ寸法L2で示される長さは、775μmである。熱を供給する定盤32と温度検知用のウェハ16との間には、ギャップ38が設けられており、ギャップ38の物性は、大気を想定した。このギャップ38の間隔、すなわち、図4中の長さ寸法L3で示される定盤32の上面33と温度検知用のウェハ16の下面35との間の長さをそれぞれ100μm、500μmとした場合の測定位置37における温度を解析した。定盤32の温度は、130°Cとしている。図5は、到達温度と時間との関係を示すグラフである。図5において、縦軸は、測定位置における温度°Cを示し、横軸は経過時間秒を示す。図5を参照して、ギャップが100μmの場合、15秒経過後において、既に120°Cに達しているのに対し、ギャップが500μmの場合、15秒経過後においても、未だ115°C程度である。すなわち、15秒経過後においては、ギャップが100μmの場合とギャップが500μmの場合との間で、5°C程度の温度差が生じることになる。このような大きな温度差は、例えば、プロセス処理における処理の内容によっては、面内均一性を大きく損ねることになる。図6は、最終的な測定位置における到達温度とギャップとの関係を示すグラフである。図6において、縦軸は、測定位置における到達温度°Cを示し、横軸はギャップμmを示す。図7は、ギャップ100μmの場合との到達温度の差とギャップとの関係を示すグラフである。図7において、縦軸は、測定位置における到達温度の差°Cを示し、横軸はギャップμmを示す。図6および図7を参照して、上記した実施例1における反り量である20μmでは、定盤の温度が130°Cの場合に、0.42°C程度の低下である。しかし、上記した比較例1における反り量である5mmでは、到達温度は、80°Cを下回り、実施例1における場合と比較して、51°C程度低下してしまうことになる。このように、最終的な到達温度においても、大きく差が出てしまうことになる。実使用上、要求されるプロセス条件では、その温度差は0.1°C以下と厳しく、比較的温度差が緩和される条件においても、2°C以下とすることが好ましいため、この数百μmのギャップの差は、到達温度の観点から非常に大きい影響を与えるものである。なお、上記の実施の形態においては、温度検知用のウェハの材質をシリコンとしたが、温度検知用のウェハの材質がシリコンと異なる場合について説明する。温度検知用のウェハの材質として挙げられるセラミックスアルミナ99.6、サファイヤ、石英等に代表されるガラスのそれぞれの線膨張係数は、8.2ppm/°C、7.7ppm/°C、0.6ppm/°Cであり、各温度検知用のウェハの材質の線膨張係数に応じて、同等の線膨張係数を有する材質を回路基板の材質として選択するとよい。この場合、もちろん回路基板の材質を温度検知用のウェハの材質と全く同じ材質とするのがよいが、上記したセラミックスアルミナ99.6、サファイヤ、ガラスの線膨張係数は、おおよそ1桁オーダーであるため、同様に1桁オーダーであるポリイミド系樹脂を用いることにしてもよい。このような材質を選択して、例えば、セラミックスの線膨張係数とポリイミド系樹脂の線膨張係数との差である5ppm/°C以下とすることが好ましい。さらに、上記においては、回路基板の材質を具体的にポリイミド系樹脂としたが、これに限らず、線膨張係数が同等な他の材質を用いることとしてもよい。なお、上記の実施の形態においては、熱圧着により回路基板とウェハとを貼付することにしたが、これに限らず、他の貼付方法、例えば、接着剤によって回路基板と温度検知用のウェハとを貼付するようにしてもよい。なお、上記の実施の形態においては、円板状の回路基板の径は、温度検知用のウェハの三分の一程度とし、温度検知用のウェハの各位置において、温度データ検出部が取り付けられている構成としたが、これに限らず、回路基板の大きさを温度検知用のウェハの大きさとほぼ同じとし、回路基板上に温度データ検出部を設ける構成としてもよい。図8は、この場合のウェハ型温度検知センサを示す図であり、図2に相当するものである。図8に示すこの発明の他の実施形態に係るウェハ型温度検知センサについて、図2に開示のウェハ型温度検知センサと同等の構成のものについては、同一の符号を付してその説明を省略する。図8を参照して、この発明の他の実施形態に係るウェハ型温度検知センサ41は、円板状の回路基板42を備える。回路基板42については、温度検知用のウェハ16よりもやや小さい径で構成されるものである。また、回路基板42に、温度データ検出部28および導線29が取り付けられるものである。このような構成においては、回路基板42上に温度検知ユニット23、温度データ検出部28、導線29等が取り付けられており、ウェハ型温度検知センサ41を構成する各部材をまとめて一つの回路基板42上に設けることができるので、比較的容易に製造することができる。したがって、製造時におけるコストダウンを図る観点からすれば、このような構成としてもよい。なお、回路基板42の大きさを図8に示すように比較的大きくすれば、回路基板42と温度検知用のウェハ16との接触面積が大きくなることになる。ここで、接触面積が大きくなると、いわゆる線膨張係数の差に起因する反りの影響が大きくなるが、本願発明によると、このような線膨張係数の差に起因する反りの影響を非常に小さくすることができる。すなわち、図8に示すような構成であれば、本願発明の効果を多く享受することができるものである。また、上記した図2および図8に示す構成において、複数設けられる温度データ検出部28については、その一部が回路基板22、42の上に取り付けられており、他が回路基板22、42ではなく、温度検知用のウェハ16の上に取り付けられる構成であってもよい。もちろん、温度データ検出部28が一つだけ設けられている構成であってもよい。また、上記の実施の形態においては、回路基板をフレキシブル基板としたが、これに限らず、例えば、リジッド基板を用いることにしてもよい。この場合、リジッド基板については、温度検知用のウェハの変形への追随の観点から、できるだけ薄い方が望ましく、例えば、その厚みとして100μm以下のものが好適である。なお、上記の実施の形態においては、ウェハデータ通信ユニットと外部データ通信ユニットの間で、無線で通信を行うこととしたが、これに限らず、ウェハデータ通信ユニットと外部データ通信ユニットの間で有線で通信を行うように構成してもよい。また、温度検知ユニットにより検知された温度検知用のウェハの温度をメモリ等に記憶し、温度検知用のウェハを処理容器の外部に取り出した際に、メモリから温度検知用のウェハの温度を得るように構成してもよい。なお、上記のようなウェハ型温度検知センサは、上記したようなマイクロ波をプラズマ源としたプラズマ処理装置に用いられるのみでなく、例えば、用いるプラズマを平行平板型プラズマ、ICPInductively-CoupledPlasma、ECRElectronCyclotronResonanceプラズマ等としたプラズマ処理装置にも適用される。さらに、プラズマを用いない他の半導体プロセス、例えば、フォトリソグラフィ工程や熱酸化炉における熱酸化工程、さらには、ウェハの搬送工程等において、十分に適用される。すなわち、フォトリソグラフィ工程等におけるウェハの温度管理において、上記した構成のウェハ型温度検知センサを用い、的確な温度検知を行なうことができる。以上、図面を参照してこの発明の実施形態を説明したが、この発明は、図示した実施形態のものに限定されない。図示した実施形態に対して、この発明と同一の範囲内において、あるいは均等の範囲内において、種々の修正や変形を加えることが可能である。