リード部と、前記リード部を接続するフレーム部とを備え、前記リード部は、半導体素子が搭載可能に平面形状に形成された平坦部を有するリードフレームと、前記リードフレームの平坦部が配置される部分のキャビティの厚さが、前記平坦部の厚さより薄く形成され成形用金型とを用意し、前記リードフレームを前記成形用金型に狭持させて型締めし、前記成形用金型のキャビティに樹脂を充填し、前記樹脂を固化させることにより、前記リードフレームと前記樹脂を一体成形することを特徴とするパッケージ部品の製造方法。しかしながら、上記従来の構成では、内部リード102bと突出部との綿密な密着が要求されると共に、密着力は内部リード102bが変形する事に対して反発する弾性力のみである。したがって、必ずしも内部リード102bと突出部112との密着が充分では無く、依然としてリードフレームに樹脂のフラッシュバリが生じる場合がある。また、射出成形の際に内部リード102bに弾性変形を伴うのでリードフレームに残留応力が生じたまま樹脂と接着される。したがって、後に半導体装置として組み立てられる際の加熱を伴うボンディング工程等で、熱膨張などにより、リードフレーム102に応力がかかり、リードフレーム102と樹脂103との剥離が起こり、気密性低下等の品質が低下する場合がある。本発明は、上記従来の課題を解決するもので、樹脂によるフラッシュバリが発生することが無いリードフレーム、パッケージ部品、半導体装置およびそれらの製造方法を提供することを目的とする。また、本発明のパッケージ部品の製造方法は、リード部と、前記リード部を接続するフレーム部とを備え、前記リード部は、半導体素子が搭載可能に平面形状に形成された平坦部を有するリードフレームと、前記リードフレームの平坦部が配置される部分のキャビティの厚さが、前記平坦部の厚さより薄く形成され成形用金型とを用意し、前記リードフレームを前記成形用金型に狭持させて型締めし、前記成形用金型のキャビティに樹脂を充填し、前記樹脂を固化させることにより、前記リードフレームと前記樹脂を一体成形することを特徴とする。本発明によれば、成形用金型によりつぶし代がつぶされることにより、樹脂によるフラッシュバリが発生することが無いリードフレーム、パッケージ部品、半導体装置およびそれらの製造方法を提供することができる。実施の形態図1は、本発明の実施の形態に係る半導体装置1aの構成を示す断面図である。半導体装置1aは、リード部2を有するパッケージ部品4に、半導体素子5が配置され、ポッティング樹脂7により封止されている。なお、リード部2において、搭載部8を形成する側の面を第一主面、第一主面の裏面を第二主面とする。パッケージ部品4は、リブ13を有する樹脂枠3と第一リード部2aおよび第二リード部2bが一体成形されている。第一リード部2a、および第二リード部2bは、第二主面側が突出した厚板部12a、12bを有している。厚板部12a、12bにおける第一主面には、それぞれ削り代9a、9b、搭載部8が形成されている。搭載部8は、リード部2と樹脂枠3により、平坦に形成されている。搭載部8の第一リード部2aにより形成された領域には、半導体素子5が配置され、ワイヤ6により第二リード部2bに電気的に接続されている。削り代9a、9bは、第一リード部2a、および第二リード部2bの搭載部8の端部に形成されている。第一リード部2aおよび第二リード部2bそれぞれの搭載部8が形成された面に隣接する面には、つぶし代10a、10bが位置している。樹脂枠3は、リード部2上に、削り代9a、9bから連続して形成されたリブ13を有する。リブ13と搭載部8により囲まれた領域には、ポッティング樹脂7が充填されており、半導体素子5の劣化を防ぎ、外部からの衝撃に対して半導体素子5への衝撃を緩和することができる。図2は、パッケージ部品4の構成を示す、aは上面図、bはA-A断面図、cはB-B断面図である。削り代9a、9bは、リブ13に連続するように形成されている。図3は、パッケージ部品4に加工される前のリード部2の構成を示すaは上面図、bはC-C断面図である。第一リード部2aと第二リード部2bは、隙間を隔てて配置されている。実際には、第一リード部2aと第二リード部2bは、フレーム枠図示せずで繋がっており、これが連続した連続帯として、リード部2が形成されている。平坦部11a、11bは、図2に示すパッケージ部品4に加工されると、搭載部8となる平面を構成している。削り代9aとつぶし代10aおよび削り代9bとつぶし代10bは、それぞれリード部2の第一主面に平坦部11a、11bを囲むように形成されている。削り代9a、9bは、例えば矩形形状に形成され、図2に示したように、リブ13に連続するように、側面が傾斜に形成されてはいない。つぶし代10a、10bは、それぞれ第一リード部2a、および第二リード部2bにおける平坦部11a、11b上の端部に形成されており、図2に示すように、第一リード部2aおよび第二リード部2bが対向する面には形成されていない。削り代9a、9bとつぶし代10a、10bは、後述する成形用金型に狭持された際に、完全につぶされるか、一部がつぶされる削られるかの違いであり、本質的な違いはない。次に、本実施の形態にかかる半導体装置1aの製造方法について説明する。図4は、半導体装置の製造工程を示す断面図である。まず、図4aに示すように、第二主面に、厚板部12a、12bとなる凸部が形成されるように金属板をプレス加工し、リード部2を形成する。つぎに、リード部2をパンチ型21と対向するように配置する。パンチ型21は、プレス加工して転写させる凹凸を反転させた形状の加工面を有する。パンチ型21を用いて、厚板部12a、12bの第一主面をプレス加工することにより、図3に示す削り代9a、9b、つぶし代10a、10b、平坦部11a、11bが形成されたリード部2が形成される。つぎに、リード部2を成形用金型22で挟持して型締めする。図4bは、プレス工程を終えたリード部2を成形用金型22で挟持して型締めした状態を示す断面図である。成形用金型22は、リード部2の第一主面を狭持する第一成形用金型22aと、第二主面を狭持する第二成形用金型22bを有している。第一成形用金型22aには、凸状頂上部が平面形状である突出部23が形成されている。成形用金型22の型締め時において、突出部23と第二成形用金型22bとの間の距離は、平坦部11a、11bと第二主面の間の距離よりも短く形成されている。第一成形用金型22aと第二成形用金型22bに囲まれたキャビティ24にリード部2を配置し、型締めすると、突出部23がつぶし代10a、10bをつぶし、削り代9a、9bを削る。つぶし代10a、10bの一部および、削り代9a、9bの削られた部分が、突出部23とリード部2の間を埋めて、突出部23とリード部2が密着する。つぶし代10a、10bは、それぞれ第一リード部2a、第二リード部2bの端部から押し出される。第一リード部2aと第二リード部2bは、距離をおいて配置されているので、つぶし代10aとつぶし代10bは接触しない。型締めされることにより、つぶし代10a、10bが形成されていた領域および平坦部11a、11bが面一になる。つぎに、図4cに示すように、キャビティ24へ樹脂3を注入し、固化させる。突出部23とリード部2は、密着していて、間に樹脂3は入り込まない。樹脂3が固化することにより、平坦部11a、11bと樹脂3により搭載部8が形成される。樹脂3が固化すると、図2に示すパッケージ部品4が完成し、成形用金型22から取り出される。つぎに、搭載部8の第一リード部2aに、1つの電極が接続されるように半導体素子5を配置する。そして、半導体素子5の他の電極にワイヤ6を接続し、ワイヤの他端を搭載部8の第二リード部2bに接続する。つぎに、半導体素子5が配置された搭載部8上にポッティング樹脂7を注入して固化させる。以上の工程により図1に示す半導体装置1aを製造することができる。本実施の形態にかかるパッケージ部品は、上記のように形成されることにより、搭載部8において樹脂3のフラッシュバリが発生することが無い。また、このパッケージ部品を用いた半導体装置1aにおいて、樹脂のフラッシュバリを除去する工程を経ずに、搭載部8に半導体素子5を配置し、ワイヤ6を接続することができ、電気的接続が確実で信頼性の高いものとする事が可能である。なお、リード部2における厚板部12a、12bの第2主面を絶縁層で覆う構成としても良い。この構成により、半導体装置1aが金属などに配置された場合においても、第一リード部2aと第二リード部2bがショートしない。また、半導体装置1aの変形例として、図5に示す半導体装置1bとすることもできる。図5は、半導体装置1bの構成を示す断面図である。半導体装置1bは、半導体装置1aとは、ポッティング樹脂に代えて、リブ13の上端に蓋体14が設けられている点が異なり、他の構成は、半導体装置1aと同様である。蓋体14が設けられることにより、半導体素子5に外部からの力が加わらないようにすることができる。このように構成しても、半導体装置1aと同様の効果を得ることができる。また、半導体素子5を、発光素子あるいは受光素子とした光半導体装置を構成する場合は、光透過性のポッティング樹脂7あるいは蓋体14を用いる。