"複数の光感知セルが撮像面に沿って配列された光感知セルアレイと、各々が偏光透過軸方向の異なるN個Nは2以上の整数の偏光子を含む複数の単位構造が2次元的に配列され、各光感知セルに1つの偏光子を透過した光が入射するように構成された偏光子アレイと、前記光感知セルアレイから画素信号を読み出す回路と、前記光感知セルアレイに対する前記偏光子アレイの位置を前記撮像面に平行な方向にシフトさせるシフト装置と、を備える撮像素子。撮像を行うとき、前記シフト装置は、前記単位構造のサイズを超えない距離だけ前記偏光子アレイをシフトさせる請求項1に記載の撮像素子。前記シフト装置は、前記光感知セルアレイの全体から蓄積電荷信号が読み出されるタイミングと同期して、前記偏光子アレイを画素単位でシフトさせ、各光感知セルに入射する光の偏光方向を変化させる、請求項1または2に記載の撮像素子。前記複数の光感知セルの各々に対して、前記N個の偏光子の1つを透過する光を入射させるステップと、前記偏光子アレイを画素単位でシフトさせた後、前記N個の偏光子の他の1つを透過する光を入射させるステップと、を実行する、請求項1から3のいずれかに記載の撮像素子。前記アクチュエータは、第1の方向に前記偏光子アレイを画素単位でシフトさせる第1アクチュエータ部分と、前記第1の方向に垂直な第2方向に前記偏光子アレイを画素単位でシフトさせる第2アクチュエータ部分とを含んでおり、前記撮像面に沿って前記偏光子アレイを周期的および2次元的に移動させる、請求項1から4のいずれかに記載の撮像素子。Nは3以上である、請求項1から5のいずれかに記載の撮像素子。前記シフト装置は、前記撮像面に沿って前記偏光子アレイを周期的および直線的に移動させる、請求項1から4のいずれかに記載の撮像素子。前記偏光子アレイにおける偏光子の配列ピッチは、前記光感知セルアレイにおける光感知セルの配列ピッチに一致している、請求項1から7のいずれかに記載の撮像素子。前記偏光子アレイにおける前記複数の単位構造の各々は、前記偏光透過軸方向が45°ずつ異なる4つの偏光子を含んでいる、請求項1から8のいずれかに記載の撮像素子。前記偏光子アレイにおける前記複数の単位構造の各々は、前記偏光透過軸方向が60°ずつ異なる3つの偏光子を含んでいる、請求項1から8のいずれかに記載の撮像素子。複数の光感知セルが撮像面に沿って配列された光感知セルアレイと、各々が偏光透過軸方向の異なるN個Nは2以上の整数の偏光子を含む複数の単位構造が2次元的に配列され、各光感知セルに1つの偏光子を透過した光が入射するように構成された偏光子アレイと、前記光感知セルアレイに対する前記偏光子アレイの位置を前記撮像面に平行な方向にシフトさせるシフト装置とを備える撮像素子と、前記シフト装置を駆動する駆動回路と、前記撮像素子上に像を形成するための撮影レンズと、を備える撮像装置。前記シフト装置は、前記光感知セルアレイの全体から蓄積電荷信号が読み出されるタイミングと同期して、前記偏光子アレイを画素単位でシフトさせ、各光感知セルに入射する光の偏光方向を変化させ、個々の光感知セルに入射した偏光方向が異なる光の輝度値を得る、請求項11に記載の撮像装置。特許文献1に記載の従来技術によれば、偏光子が固定されており、画素ズレの問題が生じず、偏光板を回転させるための機構も不要である。しかし、個々の画素からは一定方向の偏光透過軸を透過した光しか入射しないため、偏光度や偏光位相角度などの偏光情報を獲得するには、複数の画素から信号を用いる必要があり、解像度が低下する。特許文献2に記載の従来技術によれば、回転偏光板による画素ズレの問題があり、解像度やSN比が低下する。また、偏光板を回転させるための装置は小型化が困難である。特許文献3に記載の従来技術によれば、偏光板の移動距離が大きく、偏光板の位置を変えるための装置の小型化が困難である。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その主な目的は、偏光板を回転または大きく移動させるための装置が不要であり、かつ、各画素から偏光情報を取得できる撮像素子を提供することにある。本発明の他の目的は、上記の撮像素子を備え、偏光情報を出力することができるカメラなどの撮像装置を提供することにある。本発明の撮像素子は、複数の光感知セルが撮像面に沿って配列された光感知セルアレイと、各々が偏光透過軸方向の異なるN個Nは2以上の整数の偏光子を含む複数の単位構造が2次元的に配列され、各光感知セルに1つの偏光子を透過した光が入射するように構成された偏光子アレイと、前記光感知セルアレイから画素信号を読み出す回路と、前記光感知セルアレイに対する前記偏光子アレイの位置を前記撮像面に平行な方向にシフトさせるシフト装置とを備える。ある実施形態において、撮像を行うとき、前記シフト装置は、前記単位構造のサイズを超えない距離だけ前記偏光子アレイをシフトさせる。ある実施形態において、前記シフト装置は、前記光感知セルアレイの全体から蓄積電荷信号が読み出されるタイミングと同期して、前記偏光子アレイを画素単位でシフトさせ、各光感知セルに入射する光の偏光方向を変化させる。ある実施形態において、前記複数の光感知セルの各々に対して、前記N個の偏光子の1つを透過する光を入射させるステップと、前記偏光子アレイを画素単位でシフトさせた後、前記N個の偏光子の他の1つを透過する光を入射させるステップとを実行する。ある実施形態において、前記アクチュエータは、第1の方向に前記偏光子アレイを画素単位でシフトさせる第1アクチュエータ部分と、前記第1の方向に垂直な第2方向に前記偏光子アレイを画素単位でシフトさせる第2アクチュエータ部分とを含んでおり、前記撮像面に沿って前記偏光子アレイを周期的および2次元的に移動させる。ある実施形態において、Nは3以上である。ある実施形態において、前記シフト装置は、前記撮像面に沿って前記偏光子アレイを周期的および直線的に移動させる。ある実施形態において、前記偏光子アレイにおける偏光子の配列ピッチは、前記光感知セルアレイにおける光感知セルの配列ピッチに一致している。ある実施形態において、前記偏光子アレイにおける前記複数の単位構造の各々は、前記偏光透過軸方向が45°ずつ異なる4つの偏光子を含んでいる。ある実施形態において、前記偏光子アレイにおける前記複数の単位構造の各々は、前記偏光透過軸方向が60°ずつ異なる3つの偏光子を含んでいる。本発明の撮像装置は、複数の光感知セルが撮像面に沿って配列された光感知セルアレイと、各々が偏光透過軸方向の異なるN個Nは2以上の整数の偏光子を含む複数の単位構造が2次元的に配列され、各光感知セルに1つの偏光子を透過した光が入射するように構成された偏光子アレイと、前記光感知セルアレイに対する前記偏光子アレイの位置を前記撮像面に平行な方向にシフトさせるシフト装置とを備える撮像素子と、前記シフト装置を駆動する駆動回路と、前記撮像素子上に像を形成するための撮影レンズとを備える。ある実施形態において、前記シフト装置は、前記光感知セルアレイの全体から蓄積電荷信号が読み出されるタイミングと同期して、前記偏光子アレイを画素単位でシフトさせ、それによって各光感知セルに入射する光の偏光方向を変化させ、個々の光感知セルに入射した偏光方向が異なる光の輝度値を得る。本発明によれば、偏光子アレイを画素の配列ピッチの距離だけ撮像面に平行な方向にシフトさせるシフト装置を備えているため、偏光板を回転させたり、交替させるための大型の装置が不要である。そして、各画素に偏光主軸の異なる光を入射させることができるため、高い解像度の偏光画像を取得することが可能になる。実施形態1まず、図1を参照する。図1は、本発明による撮像装置の第1の実施形態における撮像部の概略構成を示す図である。この撮像部100は、撮像素子イメージセンサ10と、撮像素子10の撮像面に像を形成するための撮影レンズ20とを有している。撮像素子10は、複数の光感知セル光電変換素子が撮像面に沿って配列された光感知セルアレイ12と、偏光子アレイ偏光モザイクアレイ板14と、光感知セルアレイ12に対する偏光子アレイ14の位置を撮像面に平行な方向にシフトさせるシフト装置16とを備えている。個々の光感知セルは、画素に相当するため、光感知セルアレイ12は画素アレイ12と称しても良い。偏光子アレイ14は、後に詳しく説明するように、各々が偏光透過軸方向の異なるN個Nは2以上の整数の偏光子を含む複数の単位構造が2次元的に配列され、各偏光子を透過した光が、対応する光感知セルに入射するように構成されている。撮影レンズ20は、図1において単一レンズとして模式的に記載されているが、通常は、複数のレンズが組み合わせられた光学系であり、公知の構成を備えている。この撮像部100は、シフト装置16が有するアクチュエータを駆動するアクチュエータ駆動回路40を備えている。アクチュエータ駆動回路40は、撮像素子10に組み込まれていても良いし、他の部品として搭載されていてもよい。次に、図2を参照する。図2aは、偏光子アレイ14の平面構成を模式的に示し、図2bは、光感知セルアレイ12の構成を模式的に示している。図2aの偏光子アレイ14においては、各々が偏光透過軸方向の異なる4個の偏光子14A、14B、14C、14Dを含む4個の単位構造が2次元的に配列されている。実際の偏光子アレイ14では、より多数の単位構造が配列されているが、図2aでは、簡単のため、4個の単位構造が示されている。図2aの各偏光子14A、14B、14C、14D上には、方向が異なる4種類の矢印が記載されている。この矢印は、偏光子の偏光透過軸の方向主軸方向を示している。偏光子に入射した光のうち、電場ベクトルの振動方向が偏光透過軸に一致する光は、その偏光子を透過することができる。偏光子を透過した光は、その偏光子が有する偏光透過軸の方向に偏光した直線偏光である。図2bでは、簡単のため、3行×3列=9個の光感知セル12a、12b、、12iが図示されているが、現実の光感知セルアレイ12では、たとえば100万を超える数の光感知セルが配列される。光感知セルアレイ12における光感知セルの配列ピッチは、偏光子アレイ14における偏光子の配列ピッチと一致している。これらの配列ピッチを画素ピッチと称する場合がある。実際の光感知セルアレイ12は、上述したように偏光子アレイ14の各偏光子を透過した光を受ける位置に配置される。光感知セルアレイ12は、行および列状に配列された光感知セルから構成されている。図28は、図2bに示される光感知セルアレイ12の回路構成の一例を示す図である。図28には、3×3個の光感知セル12a~12iと、これらの光感知セル12a~12iに接続された制御信号線122、124および出力信号線132などが図示されている。前述したように、現実の光感知セルアレイ12は、図示されていない多数の光感知セルを含んでいる。光感知セル12a~12iが配列されている領域の外側には、垂直走査回路120および水平走査回路130光感知セルアレイ12から信号を読み出す回路が設けられている。垂直走査回路120には、第1制御信号線122および第2制御信号線124が接続されている。垂直走査回路120からは、電荷蓄積開始のタイミングを規定する制御信号1000aが第1制御信号線122に出力され、蓄積電荷信号を読み出すタイミングを規定する制御信号1000bが第2制御信号線124に出力される。垂直走査回路120から第1制御信号線122に出力された制御信号1000aは、各光感知セル12a~12iのリセット素子不図示に与えられる。制御信号1000aがリセット素子に与えられると、そのリセット素子に関連づけられた光感知セルに蓄積されていた電荷がクリアされ、光感知セルの電荷蓄積状態がリセットされる。リセットにより、電荷蓄積期間が開始する。一方、垂直走査回路120から制御信号線124に出力された制御信号1000bは、各光感知セル12a~12iの読み出しトランジスタのゲートに与えられ、このトランジスタの導通/非導通を制御する。制御信号1000bがトランジスタのゲートに与えられると、そのトランジスタは導通し、光感知セル12a~12iに蓄積されていた電荷の量に応じた電気信号が出力信号線132に与えられる。出力信号線132上の電気信号は、水平走査回路130からの制御信号1000cにより、順次、画素ごとに読み出される。特定の行に属する光感知セル、例えば、図28における第1行目に属する光感知セル12a、12b、12cに蓄積された電荷の読み出しが行われ後、次の行に属する光感知セル、例えば、図28における第2行目に属する光感知セル12d、12e、12fに蓄積された電荷の読み出しが行われる。ある実施形態では、同一の行に属する各光感知セルに対して略同時に制御信号1000aが与えられ、それらの光感知セルのリセットが実行される。リセット後、所定の電荷蓄積期間が経過したとき、その行に属する各光感知セルに対して略同時に制御信号1000bが与えられる。その結果、その行に属する光感知セルから蓄積電荷信号が信号線132上に与えられる。その後、この行に属する光感知セルからの蓄積電荷信号が制御信号1000cによって順次読み出される。各行について、上述の読み出し動作が順次行われることにより、光感知セルアレイ12内のすべての光感知セルから蓄積電荷信号を得ることができる。全ての光感知セルの電荷蓄積期間を略等しくするには、制御信号リセット信号1000aの印加から制御信号読み出し信号1000bの印加までの期間を各行で等しくすればよい。図29は、光感知セルアレイ12の第1行~最終行の代表的な行について、電荷蓄積期間を模式的に示す図である。各々の行において、制御信号1000aの印加時から制御信号1000bの印加時までの期間が電荷蓄積期間に相当する。行ごとに制御信号1000bの印加タイミングが異なるため、各行の光感知セルから読み出された信号が出力信号線上でバッティングすることはない。図29の最下部には、全ての行の電荷蓄積期間を重ね合わせた、光感知セルアレイ12の全体の電荷蓄積期間が示されている。後述するように、光感知セルアレイ12の全体から蓄積電荷信号が読み出されるタイミングに同期して、偏光子アレイ14の2次元的な移動が実行される。すなわち、典型的には、光感知セルアレイ12の全体から蓄積電荷信号が読み出された後、光感知セルアレイ12で次の電荷蓄積期間が開始するまでの間に、偏光子アレイ14の2次元的な移動が実行される。厳密に言えば、いずれの光感知セルについても、その電荷蓄積期間の途中で偏光子アレイ14が移動しなければ良く、偏光子アレイ14は光感知セルアレイ12で電荷蓄積が行われてないときに移動すればよい。再び図2aを参照する。偏光子アレイ14は、シフト装置16により、図2の紙面に平行な方向、すなわち、XY座標のX軸方向およびY軸方向が形成する平面に平行な方向にシフトする。シフト装置16は、偏光子アレイ14の各偏光子を透過した光が、対応する光感知セルに入射するように偏光子アレイ14の位置決めを行う。図2aでは、簡単のため、シフト装置16は、偏光子アレイ14の右側のみに位置しているが、現実のシフト装置16は、この例に限定されない。シフト装置16の構成および動作は、後に詳しく説明する。次に、図3Aから図3Eを参照しながら、光感知セルアレイ12に対する偏光子アレイ14の位置変化を説明する。まず、図3Aを参照する。図3Aは、最初の位置にある偏光子アレイ14に含まれる1つの単位構造と、光感知セルアレイ12との配置関係を示している。最初の位置では、4個の偏光子14A、14B、14C、14Dを透過した光が、それぞれ、光感知セル12e、12f、12i、12h、に入射する。こうして、光感知セル12e、12f、12i、12hには、それぞれ、偏光方向の異なる光が同時に入射する。偏光子アレイ14が最初の位置にある間に、光感知セル12e、12f、12i、12hでは、光電変換により、入射光量に応じた電荷が生成され、蓄積される。所定の電荷蓄積期間が経過したとき、光感知セル12e、12f、12i、12hの各々で蓄積された電荷が画素信号蓄積電荷信号として読み出される。この信号は、ある特定方向に偏光した光の輝度値を示している。電荷の読み出しが完了した後、蓄積電荷はリセットされる。一般に、電荷蓄積期間は、信号読み出しのフレームレートfps:フレーム毎秒の逆数によって規定される。次に、図3Bを参照する。図3Bは、次の位置にある偏光子アレイ14に含まれる1つの単位構造と、光感知セルアレイ12との配置関係を示している。この位置では、4個の偏光子14A、14B、14C、14Dを透過した光が、それぞれ、光感知セル12d、12e、12h、12gに入射する。図3Bにおける偏光子アレイ14は、図2aに示すシフト装置16の働きにより、最初の位置図3Aから1画素分だけX軸の負方向に移動してきた。偏光子アレイ14が、図3Bの位置にある間に、光感知セル12d、12e、12h、12gでは、光電変換により、入射光量に応じた電荷が生成され、蓄積される。所定の電荷蓄積期間が経過したとき、光感知セル12d、12e、12h、12gの各々で蓄積された電荷が画素信号として読み出される。電荷の読み出しが完了した後、蓄積電荷はリセットされる。ここで、光感知セル12hに着目すると、偏光子アレイ14が図3Aに示す位置にあるときは、偏光子14Dを透過した光が光感知セル12hに入射していた。そして、偏光子アレイ14が図3Bに示す位置にあるときは、偏光子14Cを透過した光が光感知セル12hに入射することになる。偏光子アレイ14のシフト1画素の平行移動は、光感知セルアレイ12の全体から画素信号蓄積電荷信号が読み出されるタイミングに同期して行われるため、各々の光感知セルに入射する光の偏光方向は、電荷蓄積期間の途中では変化しない。その結果、読み出される画素信号に基づいて、その光感知セルに入射する光の偏光情報を得ることが可能になる。画素単位での偏光情報の取得については、後に詳しく説明する。次に、図3Cを参照する。図3Cは、更に次の位置にある偏光子アレイ14に含まれる1つの単位構造と、光感知セルアレイ12との配置関係を示している。この位置では、4個の偏光子14A、14B、14C、14Dを透過した光が、それぞれ、光感知セル12a、12b、12e、12dに入射する。図3Cにおける偏光子アレイ14は、図2に示すシフト装置16の働きにより、図3Bの位置から1画素分だけY軸の正方向に移動してきた。偏光子アレイ14が、図3Cの位置にある間に、光感知セル12a、12b、12e、12dでは、光電変換により、入射光量に応じた電荷が生成され、蓄積される。所定の電荷蓄積期間が経過したとき、光感知セル12a、12b、12e、12dの各々で蓄積された電荷が画素信号として読み出される。電荷の読み出しが完了した後、蓄積電荷はリセットされる。次に、図3Dを参照する。図3Dは、更に次の位置にある偏光子アレイ14に含まれる1つの単位構造と、光感知セルアレイ12との配置関係を示している。この位置では、4個の偏光子14A、14B、14C、14Dを透過した光が、それぞれ、光感知セル12b、12c、12f、12eに入射する。図3Dにおける偏光子アレイ14は、図2に示すシフト装置16の働きにより、図3Cの位置から1画素分だけ移動してきた。偏光子アレイ14が、図3Dの位置にある間に、光感知セル12b、12c、12f、12eでは、光電変換により、入射光量に応じた電荷が生成され、蓄積される。所定の電荷蓄積期間が経過したとき、光感知セル12b、12c、12f、12eの各々で蓄積された電荷が画素信号として読み出される。電荷の読み出しが完了した後、蓄積電荷はリセットされる。次に、図3Eを参照する。図3Eは、更に次の位置にある偏光子アレイ14に含まれる1つの単位構造と、光感知セルアレイ12との配置関係を示している。この位置は、図3Aに示す配置と同一であり、図3Aを参照しながら説明した動作が繰り返される。このように本実施形態では、偏光子アレイ14が、図3Aの位置から、図3Bの位置、図3Cの位置、および図3Dの位置を経て、図3Eの位置図3Aの位置に戻る。この周期的な動作が繰り返されるとき、各光感知セルには、1周期の間において、偏光透過軸が異なる4つの偏光子を透過してきた光が順次入射することになる。画素信号の読み出しが、偏光子アレイ14の2次元的な運動と同期して行われるため、偏光情報を取得することが可能になる。なお、図3Aから図3Eに示す偏光子および光感知セルの平面形状は、いずれも円形である。偏光子および光感知セル受光領域の平面形状は、円形に限定されない。偏光子および光感知セルの平面形状およびサイズは、偏光子を透過した光が効率よく各光感知セルに入射し、かつ、対応する偏光子を透過していない光が各光感知セルに入射しないように設計される。図4では、光感知セルのサイズが偏光子のサイズよりも小さく記載されている。偏光子アレイ14の位置合わせズレの大きさを考慮して、光感知セルのサイズは、偏光子のサイズよりも小さく設計されることが好ましい。光感知セルの全体が偏光子によって覆われる限り、光感知セルの平面形状は円形である必要はなく、楕円や多角形であっても良い。また、偏光子の平面形状も円形である必要はなく、楕円や多角形であっても良い。たとえば、偏光透過軸の方向が直交する2種類の偏光子を配列する場合は、各偏光子の平面形状は正方形や8角形であってもよい。一般に、偏光透過軸がN個の異なる方向を向くとき、偏光子の平面形状は、中心軸の回りに360/N度の回転で対称な形状を有することが好ましい。光感知セルは、マイクロレンズによって覆われていても良い。光感知セルアレイ14は、裏面照射型のイメージセンサによって実現されていても良い。光感知セルアレイ14が通常の表面照射型のイメージセンサによって実現されている場合、図4に示す光感知セルの間には不図示の配線が存在する。次に、図5を参照する。図5に示すように、偏光子の偏光透過軸の方向に応じて各偏光子に符号A、B、C、Dを割り当てることにする。このような符号を用いると、図6の左に示す偏光子アレイ14は、その右側に示すように簡略的に図示される。以下、図7を参照しながら、偏光子アレイ14の移動パターンを説明する。図3Aから図3Eには、1つの単位構造に含まれる4つの偏光子だけを記載していたが、図7では、1つの偏光子アレイ14に含まれる多数の偏光子を記載している。もちろん、現実の偏光子アレイ14に含まれる偏光子の数は、図示されている偏光子の数よりも遥かに多い。図7の例では、線の太い長方形が、光感知セルアレイ12を示し、破線の長方形が偏光子アレイ14を示している。光感知セルアレイ12に対して、偏光子アレイ14が4つの異なる位置の間を周期的に移動する。個々の光感知セルは、偏光子アレイ14がどの位置にあるときも、偏光子によってカバーされている。図7の例では、偏光子アレイ14のサイズは撮像エリアよりも広く、偏光子アレイ14に含まれる偏光子の個数は光感知セルアレイ12に含まれる光感知セルの個数よりも多い。なお、偏光子アレイ14のサイズは、必ずも撮像エリアのサイズより大きく設定される必要はない。偏光子アレイ14のサイズが撮像エリアのサイズよりに等しいか、または小さい場合、偏光子アレイ14によって覆われていない光感知セルが存在することになる。そのような光感知セルからは偏光情報を得ることができない。しかし、被写体の全ての領域から偏光情報を必要としない場合もある。そのような場合は、光感知セルアレイ12の一部の領域を相対的な小さな偏光子アレイ14で覆うようにしてもよい。したがって、偏光子アレイ14のサイズが光感知セルアレイ12のサイズより小さいことも許容され得る。次に、シフト装置16を説明する。偏光子アレイ14を図7に示すように平行移動させるには、シフト装置16は、X軸方向およびY軸方向の2軸に沿って作用点を移動させる構造を備える必要がある。図8は、このような構造が、光感知セルアレイ12のシリコン基板と一体化された撮像素子10の一例を示している。図8aは、その上面図であり、図8bは、図8aに示す撮像素子10のB-B’線断面図である。図8の撮像素子10は、偏光子アレイ14をY軸方向に押し出す圧電変換素子160a、160cと、偏光子アレイ14をX軸方向に押し出す圧電変換素子160b、160dとを有している。Y軸方向に押し出す一対の圧電変換素子160a、160cにより、Y軸の正方向および負方向のいずれにも1画素単位で偏光子アレイ14を移動させることができる。同様に、偏光子アレイ14をX軸方向に押し出す一対の圧電変換素子160b、160dにより、X軸の正方向および負方向のいずれにも1画素単位で偏光子アレイ14を移動させることができる。圧電変換素子160a、160b、160c、160dは、たとえばチタン酸ジルコン酸鉛PZT:PiezoelectricZirconateTitanateなどの圧電体から形成され得る。圧電変換素子160a、160b、160c、160dの各々に印加する電圧を調整することにより、たとえば図7に示すように偏光子アレイ14の位置をXY面内で周期的に変化させることができる。圧電変換素子160a、160b、160c、160dが、全体として、シフト装置16を形成している。次に、図9aから図9dを参照しながら、この例におけるシフト装置16の動作を説明する。最初に偏光子アレイ14は図9aに示す位置にあったとする。このとき、圧電変換素子160a、160dには電圧を印加するが160b、160cに電圧は印加されていない。次に図9bのとき、圧電変換素子160a、160bには電圧を印加するが、圧電変換素子160c、160dに電圧は印加されていない。次に図9cのとき、圧電変換素子160b、160cには電圧を印加するが、圧電変換素子160a、160dに電圧は印加されていない。次に図9dのとき、圧電変換素子160c、160dには電圧を印加するが、圧電変換素子160a、160bに電圧は印加されていない。圧電変換素子160a、160b、160c、160dに図10のタイミングチャートのように電圧を印加すると、それぞれ図9a→図9b→図9c→図9dの順に示すように偏光子14の位置がX軸及びY軸方向に画素毎に制御することができる。1画素分の移動を実現するには、使用する圧電体の軸方向サイズおよび印加電圧を調整すればよい。たとえば、1画素のサイズが25μm×25μmの場合、X方向およびY方向の画素ピッチは、それぞれ、25μmおよび25μmである。この場合において、PZTを用いて1画素分25μmのシフトを実現するには、PZTの軸方向サイズをたとえば5mm程度に設定すればよい。なお、1画素のサイズが25μm×25μmの場合、その中の負音ダイオードのサイズは、たとえば直径5μm程度に設定され得る。このとき、対応する偏光子のサイズは、フォトダイオードよりも大きく設定されることが好ましい。なお、偏光子の配列ピッチは、個々の偏光子のサイズによらず、光感知セルアレイにおける画素の配列ピッチに等しく設定される。図10は、上記の一連の動作を実行するときに、圧電変換素子160aおよび圧電変換素子160bおよび圧電変換素子160cおよび圧電変換素子160dに印加される電圧波形の一例を示すグラフである。図10には、図28を参照しながら説明した、光感知セルアレイ12における全体の電荷蓄積期間も模式的に示されている。圧電変換素子160a~160dによる偏光子アレイ14の2次元的移動は、電荷蓄積期間以外の期間内に行われる。図10に示すように、最初、圧電変換素子160bおよび圧電変換素子160cに印加される電圧は、いずれも、0Vであるが、圧電変換素子160aおよび圧電変換素子160dに印加され電圧は、いずれも、例えば数百Vである時刻T0。1画素だけX軸方向にシフトさせるとき時刻T1、圧電変換素子160cおよび圧電変換素子160dに印加される電圧は0Vであり、圧電変換素子160aおよび圧電変換素子160bに高電圧例えば100Vが印加される。その後時刻T2、圧電変換素子160aおよび圧電変換素子160dに印加される電圧は0Vであり、圧電変換素子160bおよび圧電変換素子160cにも高電圧例えば100Vが印加される。次に、圧電変換素子160aおよび圧電変換素子160bに印加される電圧は0Vであり、圧電変換素子160cおよび圧電変換素子160dに印加される電圧が数百Vに変化する時刻T3。この後時刻T4、圧電変換素子160a、160b、160c、160dに印加される電圧をT0の時と同じレベルに復帰させることにより、1周期後の最初の状態に戻る。なお、圧電変換素子は、一般にヒステリシスを有するため、伸びるときに印加した電圧をゼロボルトに戻しても、もとの状態に復帰しない場合がある。したがって、もとの位置に正確に戻すためには、ヒステリシスを考慮して補正され大きさの電圧を付与する必要がある。図11は、シフト装置16と偏光子アレイ14とが一体化された可動偏光子ユニット1000を示す上面図である。この可動偏光子ユニット1000は、偏光子アレイ14をX軸方向に移動させるリニアアクチュエータ1004aが設けられたベース1002と、このベース1002をY軸方向に移動させるリニアアクチュエータ1004bが設けられたベース1001とを備えている。リニアアクチュエータ1004aは、スイッチ1005aを介して高電圧源1006aに接続される。一方、リニアアクチュエータ1004bは、スイッチ1005bを介して高電圧源1006bに接続される。スイッチ1005a、1005bの開閉により、リニアアクチュエータ1004a、1004bに印加する電圧を制御し、偏光子アレイ14の位置をXY面内でシフトさせることができる。図12a、図12b、および図12cは、それぞれ、ベース1002、偏光子アレイ14、およびリニアアクチュエータ1004aの上面図である。ベース1002は、凹部1002aおよび開口部1002bを有している。ベース1002は、好適にはシリコン基板を加工することによって得られる。凹部1002aは、偏光子アレイ14を収容し、かつ、X方向に移動可能にする形状および大きさを備えている。開口部1002bは、たとえば約25mm×約25mmのサイズを有する。これらを組み合わせることにより、図12dに示すX方向移動ステージ1010が得られる。図12eは、図12dに示すX方向移動ステージ1010のE-E’線断面図である。偏光子アレイ14の個々の偏光子は、たとえばフォトニック結晶またはナノワイヤグリッドを用いて形成することができる。上記のX方向移動ステージ1010を図13に示すベース1001およびリニアアクチュエータ1004aと組み合わせることにより、シフト装置16が実現する。ベース1001は、凹部1001aおよび開口部1001bを有している。この凹部1001aは、X方向移動ステージ1010を収容し、かつ、Y方向に移動可能にする形状および大きさを備えている。ベース1001も、好適にはシリコン基板を加工することによって得られる。ベース1001の開口部1001bおよびベース1002の開口部1002bは、偏光子アレイ14を透過した光を不図示の光感知セルアレイ21に入射させるためのものである。個々の光感知セルに対応する偏光子を透過した光のみを入射させるためには、光感知セルアレイ12と偏光子アレイ14との間隔を1mm以下に設定することが好ましい。図14は、シフト装置16の更に他の構成例を示す上面図である。このシフト装置16が図11に示すシフト装置16と異なる点は、リニアアクチュエータ1004a、1004bの代わりに、櫛形MEMSMicroElectroMechanicalSystemsアクチュエータ4004a、4004bが用いられていることにある。櫛形MEMSアクチュエータ4004a、4004bは、一対の対向する櫛形電極に電圧を与えることにより、静電力によって偏光子アレイ14を移動させることができる。偏光子アレイを撮像エリアに平行な面内で移動させるための機構は、上述の例に限定されず、画素単位で偏光子アレイを正確に移動させることができれば、他の原理に基づく機構であってもよい。画素のサイズ程度の移動距離を実現するために使用され得るアクチュエータの位置決め精度は、その移動距離の5程度以下にすることができる。このような位置決め精度を考慮して、光感知セルの全体が偏光子にカバーされるように光感知セルのサイズが設定される。偏光子アレイにおける単位構造の形状は、正方形に限定されない。また、単位構造に含まれる偏光子の個数も、3個または4個に限定されず、2個であってもよいし、5個以上であってもよい。<撮像装置>以下、本実施形態における撮像装置の構成を説明する。図15は、本実施形態における撮像装置の概略構成を示すブロック図である。本実施形態の撮像装置は、撮像部100と、各種信号処理を行う信号処理部200と、撮像によって取得した画像を表示する撮像表示部300と、画像のデータを記録する記録部400と、各部を制御するシステム制御部500とを備える。本実施形態における撮像部100は、偏光子アレイ14およびシフト装置16を有する撮像素子イメージセンサ10と、撮像素子10の撮像面上に像を形成するため撮影レンズ20とを有している。本実施形態における撮影レンズ20は、公知の構成を有しており、現実には複数のレンズから構成されたレンズユニットである。撮影レンズ20は、不図示の機構によって駆動され、必要に応じて、光学ズーミング、自動露光AE:AutoExposure,自動焦点AF:AutoFocusに必要な動作が実行される。更に、撮像部100は、撮像素子10を駆動する撮像素子駆動部30およびアクチュエータ駆動部40を備えている。撮像素子駆動部30は、たとえばドライバLSIから構成されている。撮像素子駆動部30は、撮像素子10を駆動することにより、撮像素子10からアナログ信号を読み出してデジタル信号に変換する。アクチュエータ駆動部40は、前述のシフト装置16を駆動することにより、偏光子アレイ14の位置を撮像エリアに平行な面内で周期的にシフトさせる。本実施形態における信号処理部200は、画像処理部イメージプロセッサ220、メモリ240、インターフェースIF部260を備えている。信号処理部200は、液晶表示パネルなどの表示部300、および、メモリカードなどの記録媒体400に接続されている。画像処理部220は、色調補正、解像度変更、自動露光,自動焦点、データ圧縮などの動作に必要な各種信号処理を行うほか、本発明による偏光情報の取得処理を実行する。画像処理部220は、公知のデジタル信号処理プロセッサDSPなどハードウェアと、本発明に係る偏光情報処理を含む画像処理を実行するソフトウェアとの組合せによって好適に実現される。メモリ240は、DRAMなどによって構成される。このメモリ240は、撮像部100から得られた画像データを記録するとともに、画像処理部220によって各種の画像処理を受けた画像データを一時的に記録する。これらの画像データは、アナログ信号に変換された後、表示部300によって表示されたり、デジタル信号のままインターフェース部260を介して記録媒体400に記録される。上記の構成要素は、不図示の中央演算処理ユニットCPUおよびフラッシュメモリを含むシステム制御部500によって制御される。なお、本実施形態の撮像装置は、ビューファインダ、電源電池、フラッシュライトなどの公知の構成要素を備え得るが、それらの説明は本発明の理解に特に必要でないため省略する。図16は、本実施形態における信号処理部200の主要な構成要素の一例を示すブロック図である。本実施形態では、被写体から偏光画像情報を取得し、2種類の偏光画像偏光度画像ρおよび偏光位相画像φとして出力することができる。撮像部100から出力された信号は、画像処理部220に送られ、画像処理部220で処理された後、偏光度画像フレームメモリ222および偏光位相画像フレームメモリ224に格納される。偏光度画像フレームメモリ222からは偏光度画像ρのデータが出力され、偏光位相画像フレームメモリ224から偏光位相画像φのデータが出力される。<偏光情報>図17は、方向が異なる偏光透過軸Ψi=0°、45°、90°、135°を有する4種類の偏光子を透過した光の強さ画素値または輝度I1~I4を示している。ここで、偏光透過軸の回転角ψがψiのときに観測される輝度をIiとする。ただし、iは、1以上N以下の整数、Nはサンプル数とする。本実施形態では、N=4であるため、i=1、2、3、4となる。図17には、1つの画素から得られる4個のサンプルψi、Iiに対応する輝度I1~I4が示されている。偏光透過軸の角度Ψiと輝度Iiとの関係は、周期=π180°の正弦関数によって表現される。周期が固定された正弦関数が有する未知数は、振幅、位相、および平均値の3種しかなく、異なる角度Ψにおける少なくとも3つの輝度Iiの観測により、1本の正弦関数カーブが完全に決定される。偏光子単位の偏光主軸の角ψに対する観測輝度は、以下の式で表される。ここで図18に示すようにA、B、Cは未知定数であり、それぞれ、偏光輝度の変動カーブの振幅、位相、平均値を表現している。なお、本明細書における偏光情報とは、輝度の偏光主軸角度に対する依存性を示す正弦関数カーブにおける振幅変調度ρおよび位相情報φを意味する。以上の処理により、画素ごとに正弦関数のA、B、Cの3パラメータが確定すると、各画素における偏光度ρを示す偏光度画像と各画素における偏光位相φを示す偏光位相画像が求められる。偏光度ρは、該当画素の光が偏光している程度を表し、偏光位相φは、正弦関数の最大値をとる角度位置を表す。なお、偏光主軸の角度は、0°と180°πは同一である。値ρ、φ0≦φ≦πは、それぞれ、以下の式2および式3によって算出される。こうして、本実施形態では、偏光子アレイ14を移動させながら読み出される画素値に基づいて、すべての画素から偏光情報を取得することができる。実施形態2次に、本発明による撮像素子の第2の実施形態を説明する。本実施形態の撮像素子が実施形態1における撮像素子と異なる点は、偏光子アレイにおける偏光子の配列パターンと、偏光子アレイの移動の仕方とにある。以下、この異なる点のみを詳述し、実施形態1と共通する構成および動作については説明をここでは繰り返さない。図19は、本実施形態における偏光子アレイの構成を示す上面図である。この偏光子アレイでは、偏光透過軸の向きが異なる4種類の偏光子が直線状に配列されている。図20aは、図19の偏光子アレイの一部を示す図であり、図20bは、偏光子の配列パターンの他の例を示す図である。図20aおよび図20bのいずれの配列パターンであってもよいが、ここでは、図20aの配列パターンを有する場合について、その動作を説明する。本実施形態では、図21に示すように、各行に4種類の偏光子14A、14B、14C、14Dが配列された偏光アレイ14をシフト装置16によって1画素単位でシフトすることができる。まず、この偏光子アレイ14が、図22aに示す位置にあったとする。次に、シフト装置16により、偏光子アレイをX軸方向にシフトし、図22bに示す位置に偏光子アレイ14を移動させる。次に、シフト装置16により、偏光子アレイ14を更にX軸方向にシフトし、図23aに示す位置に偏光子アレイ14を移動させる。この後、シフト装置16により、偏光子アレイ14を更にX軸方向にシフトし、図23bに示す位置に偏光子アレイ14を移動させる。続いて、偏光子アレイ14は、逆方向に3画素分だけシフトさせられ、再び、図22aに示す位置に復帰する。このような周期的動作を繰り返すことにより、偏光情報を取得することが可能になる。本実施形態によれば、偏光子アレイ14をXY面内の一方向のみに移動させればよいため、シフト装置16の構成が簡略化される。上記の例では、偏光子アレイ14をX軸方向に移動したが、Y軸方向に移動してもよい。また、X軸およびY軸の両方に対して斜めになる方向に直線的に移動させても、同様の効果を得ることが可能である。図24は、上記の一連の動作を実行するときに、アクチュエータに印加される電圧波形の一例を示すグラフである。図24に示すように、最初、アクチュエータに印加される電圧は、いずれも、0Vであるが、1画素だけX軸方向にシフトさせるとき時刻T1、アクチュエータに電圧V1例えば100Vが印加される。初期位置から2画素だけX軸方向にシフトさせるとき時刻T2、アクチュエータに電圧V2例えば200Vが印加される。次に、初期位置から3画素だけX軸方向にシフトさせるとき時刻T3は、アクチュエータに電圧V3例えば300Vが印加される。その後時刻T4、アクチュエータに印加する電圧を0Vに戻すことにより、アクチュエータを初期状態に復帰することができる。上記の各実施形態では、1つの偏光子アレイ14に偏光透過軸が異なる4方向を向くように4種類の偏光子14A、14B、14C、14Dを配列しているが、本発明は、このような例に限定されない。図17を参照して説明したように、偏光情報を規定する正弦波を得るためには、偏光透過軸を少なくとも3つの異なる角度に設定すればよい。図25は、偏光透過軸方向が60°ずつ異なる3種類の偏光子14A、14B、14Cが配列された偏光子アレイ14上の移動を示している。この偏光子アレイには、偏光子が設けられてない領域か存在するが、移動のパターンは、図7に示される移動のパターンと同様である。その結果、各画素には、偏光子が設けられていない領域を透過する光も入射する。偏光子が設けられてない領域を透過する光が入射するとき、その画素からは偏光の無い光に関する輝度信号が得られる。図26aから図26cは、3種類の偏光子14A、14B、14Cが配列された偏光子アレイ14を用いて、X軸方向のみに沿ったシフトを行う例を示している。この場合に使用する偏光子アレイ14には、偏光子が設けられていない画素領域は存在しない。このため、各画素には、偏光子を透過する光が入射することになる。このような偏光アレイを用いる場合、画素シフトの1周期のストロークを短くすることができるため、アクチュエータを小型しやすい利点がある。図26aから図26cに示す動作を実行するとき、アクチュエータに印加させる電圧の波形例は図27に示すとおりである。上記の各実施形態では、各画素から偏光情報を得るため、偏光透過軸が3つまたは4つの異なる方向を向いた偏光子を各光感知セル上に順次配置し、画素信号サンプル値を読み出しているが、本発明は、このような例に限定されない。本発明の効果は、たとえば、偏光透過軸が2つの異なる方向を有する2種類の偏光子を透過した光を各光感知セルに入射する構成を採用しても得ることが可能である。この場合、図18に示すような輝度の変動カーブを決定する3つのパラメータを特定することはできない。しかし、たとえば、直交する偏光成分を検出することが可能であり、これも内視鏡などの技術分野で有益である。"