"193nmリソグラフィのための上面反射防止コーティング層として用いるのに適した組成物であって、芳香族部分をペンダント基に含むモノマー単位と、フッ素含有部分とを有し、193nmの放射波長に対して1.5未満の屈折率値nを有する、塩基水溶液に可溶なポリマーを含む、組成物。前記芳香族部分は、独立に、置換又は非置換型の、縮合芳香族部分、複素環芳香族部分及びそれらの組合せから成る群から選択される、請求項1に記載の組成物。前記芳香族部分は、ナフタレン、チオフェン及びそれらの組合せから成る群から選択される、請求項2に記載の組成物。前記ポリマーは、塩基水溶液中への前記組成物の溶解を促進する部分をさらに含み、前記溶解を促進する部分は、ヒドロキシル基、スルホンアミジル基、N-ヒドロキシジカルボキシイミジル基、その他のジカルボキシイミジル基、その他のアミノ基及びその他のイミジル基から成る群から選択される、請求項2に記載の組成物。前記ポリマーは、さらに、硫黄含有酸性部分をペンダント基に含むモノマー単位を有する、請求項1に記載の組成物。前記ポリマーは、エチレン型主鎖を有し、前記芳香族部分は、前記エチレン型主鎖からのペンダント基であり、前記フッ素含有部分は、前記エチレン型主鎖からのペンダント基である、請求項1に記載の組成物。前記ポリマーは、前記フッ素含有部分として、以下に示す構造から成る群から選択される構造を有する少なくとも1つのモノマー単位を含む、請求項1に記載の組成物。前記ポリマーは、前記硫黄含有酸性部分をペンダント基に含むモノマー単位として、以下に示す構造から成る群から選択される構造を有する少なくとも1つのモノマー単位を含む、請求項5に記載の組成物。前記ポリマーは、以下に示すモノマー単位を含有し、以下に示すモノマー単位のうちフッ素含有のモノマー単位の量は、30~90モルである、請求項1に記載の組成物。基板上にパターン付けされた材料フィーチャを形成する方法であって、a基板上に材料表面を設けるステップと、b前記材料表面上に放射感応性レジスト層を形成するステップと、c前記レジスト層上に上面反射防止コーティングを形成するステップであって、前記反射防止コーティングは、芳香族部分をペンダント基に含むモノマー単位と、フッ素含有部分とを有し、193nmの放射波長に対して1.5未満の屈折率値nを有する、塩基水溶液に可溶なポリマーを含む、ステップと、d前記レジスト層をパターン様式で放射に露光して、前記レジスト層内に放射露光領域のパターンを作製するステップと、e前記レジスト層及び反射防止コーティングの部分を選択的に除去して、前記材料表面の部分を露出させるステップと、f前記材料の前記露出部分をエッチング又はイオン注入して、前記パターン付けされた材料フィーチャを形成するステップとを含む方法。従って、特に下層の基板の地形上での画像形成に関連して、高解像度のリソグラフィを可能にするドライ193nmリソグラフィ工程に用いるのに適したTARC組成物が必要とされている。本発明は、ドライ193nmリソグラフィ工程における上面反射防止コーティング組成物として有用である新規な反射防止コーティング組成物を包含する。これらの組成物は、193nmにおける上面反射の制御を可能にすると共に、アルカリ性水溶液現像液に対するそれらの溶解性によって使用を容易にする、際立った光学的、物理的及び化学的性能特性を備える。反射防止組成物は、193nm波長の放射に対して約1.5又はそれ以下の屈折率nを有し、芳香族部分をペンダント基に含むモノマー単位と、フッ素含有部分とを有し、フォトリソグラフィ画像を現像するのに通常使用されるアルカリ性水溶液現像液に可溶であるポリマーの存在とによって特徴付けられる。本発明はまた、こうしたリソグラフィ構造体を用いて基板上の下層材料層をパターン付けする方法を包含する。1つの態様において、本発明は、193nmリソグラフィのための上面反射防止コーティング層として使用するのに適した組成物を包含し、この組成物は、芳香族部分をペンダント基に含むモノマー単位と、フッ素含有部分とを有し、193nmの放射波長に対して約1.5未満の屈折率値nを有する、塩基水溶液に可溶なポリマーを含む。ポリマーは、塩基水溶液への組成物の溶解を促進する部分をさらに含むことが好ましい。ポリマーは、エチレン型主鎖を有することが好ましい。ポリマーは、さらに酸性硫黄部分を含むことが好ましい。別の態様において、本発明は、基板上にパターン付けされた材料フィーチャを形成する方法を包含し、この方法は、a基板上に材料表面を設けるステップと、b材料表面上に放射感応性レジスト層を形成するステップと、cレジスト層上に本発明の上面反射防止コーティングを形成するステップと、dレジスト層をパターン様式で放射に露光して、レジスト層内に放射露光領域のパターンを作成するステップと、eレジスト層及び反射防止コーティングの部分を選択的に除去して材料表面の部分を露出させるステップと、f材料の露出部分をエッチング又はイオン注入して、パターン付けされた材料フィーチャを形成するステップとを含む。画像形成用放射は193nm放射であることが好ましく、リソグラフィ工程はドライリソグラフィ工程であることが好ましい。本発明のこれら及びその他の態様は、以下でさらに詳細に論ずる。本発明は、ドライ193nmリソグラフィ工程における上面反射防止コーティング組成物として有用である新規な反射防止コーティング組成物を包含する。これらの組成物は、193nmにおける上面反射の制御を可能にすると共に、アルカリ性水溶液現像液に対するそれらの溶解性によって使用を容易にする、際立った光学的、物理的及び化学的性能特性を備える。反射防止組成物は、193nmの波長放射に対して約1.5又はそれ以下の屈折率nと、芳香族部分を含有し、リソグラフィ画像を現像するのに通常使用されるアルカリ性水溶液現像液に可溶であるポリマーの存在とによって特徴付けられる。TARCのポリマーは、エチレン型主鎖を有することが好ましい。ポリマーは、ビニル、アクリレート及び/又はメタクリレートのモノマー単位を含有することがより好ましい。ポリマーの主鎖は、不飽和炭素結合を含まないことが好ましい。芳香族部分は、好ましくは独立に、置換又は非置換の芳香族部分又はそれらの組合せから成る群から選択される。芳香族部分は、置換又は非置換型の縮合芳香族部分、複素環芳香族部分及びそれらの組み合わせから成る群から選択されることがより好ましい。置換型において、芳香族部分は、結合した環状構造を含有してもよい。幾つかの好ましい芳香族部分は、ナフタレン及びチオフェンである。環状構造を含有する置換されたナフタレンの例は、アセナフテン即ち、アセナフチル基及びヘキサヒドロピレン即ち、ヘキサヒドロピレニル基である。芳香族部分は、ペンダント基として存在することが好ましい。ポリマー中の芳香族部分の量は、屈折率nを1.5未満、より好ましくは約1.4未満、及び最も好ましくは1.3と1.4の間のn値に低下させるのに十分であることが好ましい。通常、上面反射防止コーティングは非常に薄く塗布されるが、193nmにおいて過大な吸収を引き起こす芳香族基を過剰量用いないことがさらに好ましい。本発明の組成物は、193nmの放射波長に対して約0.05から0.25までの吸光係数kを有することが好ましい。ポリマーは、好ましくは約10モルから80モルまで、より好ましくは約20モルから70モルまで、最も好ましくは25モルから65モルまでの、芳香族部分を有するモノマー単位を含有する。ポリマーはさらに、塩基水溶液への組成物の溶解を促進する部分を含むことが好ましい。好ましい溶解促進部分は、ヒドロキシル基、スルホンアミジル基、N-ヒドロキシジカルボキシイミジル基、その他のジカルボキシイミジル基、その他のアミノ基及びその他のイミジル基から成る群から選択される。溶解促進部分は、TARCポリマーを構成する幾つかのモノマー単位に含まれることが好ましい。溶解促進部分は、芳香族部分に直接連結させることができ、又はポリマーのその他の部分に結合させることがきる。必要とされる溶解促進官能基の量は、芳香族成分の疎水性の程度及び用いる芳香族成分の量に依存する可能性がある。1つの実施例においては、溶解促進官能基は、カルボン酸部分を有するアクリレート又はメタクリレートモノマーの形態で供給することができる。ポリマーは、さらにフッ素含有部分を含むことが好ましい。フッ素含有部分はトリフルオロメチル基であることが好ましい。フッ素部分はまた、芳香族部分の1つ又は複数の水素原子に対するフッ素原子置換として存在してもよい。フッ素部分はまた、芳香族部分から又はポリマーのその他の部分からのペンダント基とすることができる。幾つかの好適なフッ素含有モノマー単位の実施例は、次の構造体のうちの1つを有する。構造iはトリフルオロメチルメタクリル酸であり、より好ましいフッ素含有モノマー単位である。その他のフッ素含有構造体を用いることもできる。フッ素含有モノマー単位の量は、好ましくは約10~90モル、より好ましくは約20~70モル、最も好ましくは約30~60モルである。ポリマーは好ましくは酸性部分、より好ましくは酸性硫黄部分、最も好ましくはスルホン酸部分をさらに含む。酸性部分は、芳香族部分に直接連結させることができ、又はポリマーのその他の部分からのペンダント基とすることができる。スルホン酸部分を有するモノマー単位の実施例は次の構造体である。ここで構造体iがより好ましい。硫黄含有モノマー単位の量は好ましくは約3モルから40モルまで、より好ましくは約5~30モルである。幾つかの特定のポリマーの実施形態の例を以下に説明する。第1の実施形態においては、ポリマーは次のモノマー単位を含有する。ここで、x、y及びzは0よりも大きい。好ましくは、xは約30~65であり、yは約20~65であり、zは約5~30である。好ましくは、この実施形態のポリマーは、本質的にこれらのモノマー単位から成ることになる。第2の実施形態においては、ポリマーは次のモノマー単位を含有する。ここで、x、y及びzは0よりも大きい。好ましくは、xは約25~60であり、yは約30~70であり、zは約5~25である。好ましくは、この実施形態のポリマーは、本質的にこれらのモノマー単位から成ることになる。一般に、第2の実施形態は第1の実施形態よりも好ましい。本発明のポリマーは、好ましくは少なくとも約1000の重量平均分子量、より好ましくは約1500~50000の重量平均分子量を有する。本発明のポリマーは、市販のモノマー及び/又は容易に合成されるモノマーを用いて、従来の重合技術によって製造することができる。所望により、本発明の異なるポリマーの混合物を用いることができるが、或いは組成物はその他のポリマー成分を含有してもよい。しかし、一般に、本発明のTARC組成物のポリマー成分は本質的に本発明のポリマーから成ることが好ましい。本発明の組成物はさらに、下層のレジスト材料と非混和性であることが好ましい少なくとも1つの溶媒を含むことができる。好適な溶媒としては、水、1-ブタノール、メタノール、エタノール、1-プロパノール、エチレングリコール、1,2-ブタンジオール、1,3-ブタンジオール、1,4-ブタンジオール、1,2-プロパンジオール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、3-ペンタノール、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、3-ヘキサノール、1-ヘプタノール、2-ヘプタノール、3-ヘプタノール、4-ヘプタノール、2-メチル-1-ペンタノール、2-メチル-2-ペンタノール、2-メチル-3-ペンタノール、3-メチル-1-ペンタノール、3-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、4-メチル-1-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、2,4-ジメチル-3-ペンタノール、3-エチル-2-ペンタノール、1-メチルシクロペンタノール、2-メチル-1-ヘキサノール、2-メチル-2-ヘキサノール、2-メチル-3-ヘキサノール、3-メチル-3-ヘキサノール、4-メチル-3-ヘキサノール、5-メチル-1-ヘキサノール、5-メチル-2-ヘキサノール、5-メチル-3-ヘキサノール、4-メチルシクロヘキサノール、1,3-プロパンジオール、オクタノール、及びデカンが挙げられるが、これらに限定されない。基板に塗布するための組成物中の溶媒の量は、約0.5~5重量の固形分含量を達成するのに十分であることが好ましい。組成物は、当該技術分野において既知の界面活性剤又はその他の適切な薬剤を含むことができる。本発明は、基板上にパターン付けされた材料フィーチャを形成する方法を包含し、この方法は、a基板上に材料表面を設けるステップと、b材料表面上に放射感応性レジスト層を形成するステップと、cレジスト層上に本発明の上面反射防止コーティングを形成するステップと、dレジスト層をパターン様式で放射に露光して、レジスト層上に放射露光領域のパターンを作成するステップと、eレジスト層及び反射防止コーティングの部分を選択的に除去して材料表面の部分を露出させるステップと、f材料の露出部分をエッチング又はイオン注入して、パターン付けされた材料フィーチャを形成するステップとを含む。半導体基板の材料層は、製造工程の段階及び最終製品の所望の材料の組に応じて、金属導電体層、セラミック絶縁体層、半導体層又はその他の材料とすることができる。本発明の組成物は、半導体基板上に集積回路を製造する際に用いられるリソグラフィ工程に対して特に有用である。本発明の組成物は、集積回路デバイス内に用いることができるような、金属配線ライン、コンタクト又はビアのための孔、絶縁区域例えば、ダマシントレンチ又は浅いトレンチ分離、コンデンサ構造体のトレンチ、トランジスタのイオン注入Si構造体、などのパターン付けされた材料層構造体を作製するためのリソグラフィ工程中で用いることができる。本発明のTARC組成物は、193nm放射に対する基板の反射率を実質的に減少させることになることが好ましい。所望により、底面反射防止コーティングを、レジスト層の形成前に基板に塗布することができる。レジストは、193nmの紫外放射により画像形成可能であることが好ましい。好適なレジスト材料の例は、特許文献2、特許文献3、特許文献4、特許文献5、特許文献6、特許文献7、及び特許文献8に記載されており、それらの開示は引用により本明細書に組み入れられる。通常、溶媒含有レジスト組成物は、スピンコーティング又はその他の方法を用いて塗布される。レジストコーティングを有する基板は、次いで加熱露光前ベークして溶媒を除去し、レジスト層の密着性を向上させることが好ましい。露光前ベークのステップは、好ましくは約10秒から15分まで、より好ましくは約15秒から1分まで実施する。露光前ベークの温度は、レジストのガラス転移温度に応じて変えることができる。本発明のTARC組成物は、スピンコーティングによってレジスト層上に直接塗布することが好ましい。次いでTARC組成物中の溶媒を除去する。TARC層の厚さは、典型的には20~60nmの程度である。次にレジスト層は、所望の放射例えば、193nm紫外放射にパターン様式で露光させる。パターン様式の露光は、レジスト層の上に配置されたマスクを通して行われる。193nmUV放射に対して、全露光エネルギーは、好ましくは約100ミリジュール/cm2又はそれ以下、より好ましくは約50ミリジュール/cm2又はそれ以下例えば、15~30ミリジュール/cm2である。所望のパターン様式の露光後、レジスト層は通常、ベークして酸触媒反応をさらに完全にし、露光されたパターンのコントラストを向上させる。露光後ベークは、好ましくは約60~175°Cにおいて、より好ましくは約90~160°Cにおいて実施する。露光後ベークは、約30秒から5分までの間実施することが好ましい。露光後ベークを行った場合、その後、ポジ型レジストの場合には放射に露光されたレジスト領域又はネガ型レジストの場合は露光されていない領域を選択的に溶解するアルカリ性水溶液にレジスト層を接触させることによって所望のパターンを有するレジスト構造体が得られる現像される。好ましいアルカリ性水溶液現像液は、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液である。基板上に得られたリソグラフィ構造体は、次いで通常は乾燥して全ての残留現像液を除去する。本発明のTARCはまた、このステップで現像液により溶解させる。レジスト構造体からのパターンは、次に、当該技術分野において既知の方法を用いて、好適なエッチング液を用いてエッチングすることにより、下層の基板材料の露出部分に転写することができる。転写は、反応性イオンエッチング又は湿式エッチングによって行うことが好ましい。一旦所望のパターン転写が行われたら、あらゆる残留レジストを従来の剥離法により除去することができる。或いは、パターンはイオン注入により転写して、イオン注入材料のパターンを形成することができる。本発明の組成物が有用であり得る一般的なリソグラフィ工程の例は、特許文献9、特許文献10、特許文献11、特許文献12、特許文献13、特許文献14、特許文献15、特許文献16、及び特許文献17に開示されており、それら特許の開示は引用により本明細書に組み入れられる。パターン転写工程の他の例は、非特許文献1に記載されており、その開示は引用により本明細書に組み入れられる。本発明は、いずれの特定のリソグラフィ法又はデバイス構造体に限定されないことを理解されたい。本発明は、以下の実施例によってさらに説明する。本発明は実施例の具体的な詳細には限定されない。2-ビニルナフタレンとアクリル酸t-ブチルのコポリマーPVNTBA110/90の合成。077gの2ビニルナフタレン、577gのアクリル酸t-ブチル及び041gの22’アゾビス2メチルプロピオニトリルAIBN開始剤を、30gのテトラヒドロフランTHFに溶解し、3つ口フラスコに充填した。次にこの系をN2で30分間パージした後、温度を70°Cに上昇させた。反応は、N2下において70°Cで一晩行った。次いで溶液を1000mlの脱イオンDI水中で沈殿させた。沈殿した固体を約35gのアセトンに溶解させ、1000mlのDI水中に再沈殿させた。ポリマーを回収し、真空オーブン中65°Cで一晩乾燥させた。収率は以下に示す構造を有するPVNTBA110/90が81であった。2ビニルナフタレンとアクリル酸t-ブチルのコポリマーPVNTBA22080及びPVNTBA340/60の合成。異なる割合の2ビニルナフタレンとアクリル酸t-ブチルを有する2つのコポリマーを、反応混合物中に加える反応物の量を除いて実施例1に記載されたのと同じ手順を用いて合成した。PVNTBA220/80の合成に対しては、154gの2ビニルナフタレン、513gのアクリル酸t-ブチル及び041gのAIBN開始剤を30gのTHF中に溶解し、一方、PVNTBA340/60に対しては、308gの2ビニルナフタレン、385gのアクリル酸t-ブチル及び041gのAIBN開始剤を30gのTHFに溶解した。PVNTBA220/80の収率は84であり、一方PVNTBA340/60の収率は65であった。これらのポリマーの構造を以下に示す。2ビニルナフタレンとアクリル酸t-ブチルアクリレートのコポリマーの光学特性。実施例1及び2で合成したポリマーのそれぞれをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセタートPGMEAに溶解させて固形分が5重量の溶液を得た。それぞれの調製した溶液をシリコンウェハ上にスピンコーティングし、次いで110°Cのホットプレート上で60秒間ベークした。次に、n及びkの値を、J.A.WoollamCo.Inc.製のVB-250型VASEエリプソメータで測定した。193nm放射に対して測定した膜の光学特性を次の表に示す。2ビニルナフタレン、2トリフルオロメチルアクリル酸及び2スルホエチルメタクリレートPVNTFASM45/40/15のターポリマーの合成。冷却器、温度計、窒素注入口及び磁性攪拌棒を備えた丸底フラスコに、2ビニルナフタレンモノマー1237g、000803モル、2トリフルオロメチルアクリル酸モノマー10g、000719モル、2スルホエチルメタクリレート0519g、0002678モル、AIBN0176g、モノマーの総モルの6、1ドデカンチオール0108g、モノマーの総モルの3、及び約10gのTHFを加えた。反応混合物を室温で攪拌し、45分間Ar気流でバブリングした後、加熱マントルのスイッチを入れた。反応は、不活性アルゴン雰囲気下において70°Cで一晩行った。次いで、反応溶液を室温に冷却し、ヘキサン中に沈殿させた。固体を回収し、真空オーブン中60°Cで一晩乾燥させた。収率は89であった。このポリマーを4-メチル-2-ペンタノール溶液によりスピンコーティングし、そしてホットプレート上90°Cで60秒間ベークした。得られた膜は、1377のn値及び0155のk値を示した。ポリマーの構造を以下に示す。1.5未満のn値を有する合成された幾つかの他のポリマー。異なる量の種々のモノマーを組み合わせた幾つかの選択されたポリマーを実施例1又は実施例4に記載された方法により合成し、次いで実施例3に記載された方法により測定した。それらは、以下に示すように、1.5未満のn値の光学特性を示した。レジスト画像プロファイルに対する酸性部分の影響。JSR社から市販の1つの193nmレジストAR1570Jを、AR40を含有する3つの300mmシリコンウェハの上にスピンコーティングし、130°Cで60秒間ベークした。得られたレジスト膜は約240nmの厚さであった。上記の実施例5において合成したTARC-P3及びTARC-P5ポリマーを1-ブタノールに溶解させて2つの11重量のTARC溶液を調製した。次いで、各溶液を1つのレジストコーティングされたウェハ上にスピン塗布し、ホットプレート上90°Cで60秒間ベークした。対照として1つのウェハをTARCのないままに残した。2つのコーティングされたウェハ上のTARC膜は約30nm厚であった。リソグラフィ露光は、減衰位相シフトマスクattPSMを用いて、0.75のNAを有するASMLPAS55001200型193nmリソグラフィツール上で行った。露光後、レジストを125°Cで90秒間ベークし、次に0263NのTMAHを用いて60秒間現像した。SEM写真は、TARC-P3ウェハのレジスト画像上にいくつかの表皮を示した。TARC-P5ウェハのレジスト画像は、対照ウェハと比較するとより丸みのある頂部を有していた。TARC-P5のレジスト画像のライン幅は、同じ線量でプリントされたわずかに緩和した245nmピッチパターンCr上の118L245Pにおける目標とする80nmラインに関して、対照の77.01nmに比較して9148nmであった。スウィング縮小の評価。実施例4で合成したPVNTFASM45/40/15ポリマーを4メチル2ペンタノールに溶解させて1.2重量の固形分含量を得た。次に、溶液をレジストの上にスピンコーティングし、TARCとしてホットプレート上90°Cで60秒間ベークして限界寸法CDのスウィングを縮小した。TARCを有していないHMDS下塗りのSiウェハの上にスピンコーティングした実験用193nmレジストに関して、CDスウィング曲線を得た。50未満のスウィング振幅が観測された。次いで、レジスト上のTARCとして27nm厚のPVNFASM45/40/15ポリマー膜を用いて同じ厚さ範囲150nm~240nmにおいて同じレジストについてCDスウィング曲線を生成した。8未満のスウィング振幅が得られた。このスウィング振幅の縮小は、本発明の組成物によってもたらされる顕著な反射防止性能を示すものである。"