"磁場掃引する連続波電子スピン共鳴ElectronSpinResonance:ESRイメージング法によって、14Nニトロキシルラジカルの分布画像と15Nニトロキシルラジカルの分布画像とを1回の撮像で取得する画像取得方法であって、工程1:14Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークAまたは高磁場側吸収ピークCと中央吸収ピークBとの2つの吸収ピークと、15Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークXまたは高磁場側吸収ピークYとを含むESRスペクトルを、磁場勾配が印加されている状態および印加されていない状態で得る工程と、工程2:工程1で磁場勾配が印加されていない状態で得たESRスペクトルにおいて、14Nニトロキシルラジカル由来の中央吸収ピークBを、低磁場側または高磁場側に移動させて、フーリエ変換により低磁場側吸収ピークAまたは高磁場側吸収ピークCの、振幅を表すパラメータαとピーク位置を表すパラメータγとを特定する工程と、工程3:前記ESRスペクトルにおける14Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークAと15Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークXとを含むスペクトル領域から、工程2で特定したパラメータαおよびパラメータγと中央吸収ピークBとを用いて得た低磁場側吸収ピークAを減算して、15Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークXの情報を得る工程;または前記ESRスペクトルにおける14Nニトロキシルラジカル由来の高磁場側吸収ピークCと15Nニトロキシルラジカル由来の高磁場側吸収ピークYとを含むスペクトル領域から、工程2で特定したパラメータαおよびパラメータγと中央吸収ピークBとを用いて得た高磁場側吸収ピークCを減算して、15Nニトロキシルラジカル由来の高磁場側吸収ピークYの情報を得る工程と、工程4:前記ESRスペクトルにおける中央吸収ピークBの情報から、14Nニトロキシルラジカルの分布画像を作成する工程と、工程5:工程3で得られた低磁場側吸収ピークXまたは高磁場側吸収ピークYの情報から、15Nニトロキシルラジカルの分布画像を作成する工程と、を含む画像取得方法。測定試料のESRスペクトルを得る連続波ESR分光装置と、磁場の勾配を前記測定試料に印加する磁場勾配コイルと、前記磁場勾配コイルを駆動する電源装置と、前記連続波ESR分光装置から取得したESRスペクトルを用いて画像を再構成するコンピュータと、を含み、前記ESR分光装置は、14Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークAまたは高磁場側吸収ピークCと中央吸収ピークBとの2つの吸収ピークと、15Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークXまたは高磁場側吸収ピークYとを含むESRスペクトルを、前記磁場勾配コイルにより前記測定試料に磁場勾配が印加されている状態および印加されていない状態で得ることができ、前記コンピュータは、工程1:前記磁場勾配が印加されていない状態で得たESRスペクトルにおいて、14Nニトロキシルラジカル由来の中央吸収ピークBを、低磁場側または高磁場側に移動させて、フーリエ変換により低磁場側吸収ピークAまたは高磁場側吸収ピークCの、振幅を表すパラメータαとピーク位置を表すパラメータγとを特定する工程と、工程2:前記ESRスペクトルにおける14Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークAと15Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークXとを含むスペクトル領域から、工程1で特定したパラメータαおよびパラメータγと中央吸収ピークBとを用いて得た低磁場側吸収ピークAを減算して、15Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークXの情報を得る工程;または前記ESRスペクトルにおける14Nニトロキシルラジカル由来の高磁場側吸収ピークCと15Nニトロキシルラジカル由来の高磁場側吸収ピークYとを含むスペクトル領域から、工程1で特定したパラメータαおよびパラメータγと中央吸収ピークBとを用いて得た高磁場側吸収ピークCを減算して、15Nニトロキシルラジカル由来の高磁場側吸収ピークYの情報を得る工程と、工程3:前記ESRスペクトルにおける中央吸収ピークBの情報から、14Nニトロキシルラジカルの分布画像を作成する工程と、工程4:工程2で得られた低磁場側吸収ピークXまたは高磁場側吸収ピークYの情報から、15Nニトロキシルラジカルの分布画像を作成する工程と、を実行する、画像取得装置。本発明は、通常の連続波CWESRイメージング法によって、二種類のフリーラジカルの分布を同時に一回の撮像で可視化することを目的とする。一般的に、2種類以上のフリーラジカルのESRスペクトルを測定すると、互いの吸収ピークがスペクトル上で重なり、それらを分離できないため、それぞれのフリーラジカルの分布を可視化することができなかった。14Nニトロキシルラジカルと、窒素14Nが窒素同位体15Nに置換された15NニトロキシルラジカルのESRスペクトルを測定すると、14Nニトロキシルラジカル由来の3つの吸収ピーク低磁場側吸収ピークA、中央吸収ピークB、高磁場側吸収ピークCと、15Nニトロキシルラジカル由来の2つの吸収ピーク低磁場側吸収ピークX、高磁場側吸収ピークYとが観測される。低磁場側吸収ピークAと低磁場側吸収ピークXとは重なり合い、高磁場側吸収ピークCと高磁場側吸収ピークYとは重なり合うが、中央吸収ピークBは他の吸収ピークとは独立して測定可能であることに、本発明者は着目した。14Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークA、中央吸収ピークB、高磁場側吸収ピークCの波形は、互いに相似形である。そこで、中央吸収ピークBの波形から、低磁場側吸収ピークAおよび高磁場側吸収ピークCの波形を模擬することを検討した。前記模擬において、中央吸収ピークBをフーリエ変換を用いて低磁場側に移動することで、低磁場側吸収ピークAの位置と振幅とを特定できることを見出した。同様に、前記模擬において、中央吸収ピークBをフーリエ変換を用いて高磁場側に移動することで、高磁場側吸収ピークCの位置と振幅とを特定できることを見出した。すなわち、フーリエ変換の平行移動の性質を利用し、複素指数関数の指数部を連続的に変化させることにより、スペクトル線形の位置を離散データ点の間隔以下で調整することができる。一方、中央吸収ピークBの離散データのデータ点をそのまま移動する方法では、低磁場側吸収ピークAまたは高磁場側吸収ピークCの離散データを正確に表すことはできない。サンプリング点での値が同じではないからである。データ点が有限であり、なおかつ、吸収ピークのサンプリング点が多くても数十程度であるので、本発明では、低磁場側吸収ピークAまたは高磁場側吸収ピークCの線形を最も良く近似するために、スペクトル線形の位置を離散データ点以下の精度刻み幅で調整するパラメータγを探索する。このように、ESRスペクトルから、中央吸収ピークBから求めた低磁場側吸収ピークAまたは高磁場側吸収ピークCを減算すれば、15Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークXまたは高磁場側吸収ピークYの情報を得ることができる。それにより、15Nニトロキシラジカルの分布画像を作成することができる。さらには、重なりのない中央吸収ピークBの情報から、14Nニトロキシラジカルの分布画像を作成することができる。よって、14Nニトロキシラジカルの分布画像と、5Nニトロキシラジカルの分布画像とを、一度の撮像で簡便に得ることができる。すなわち本発明は、以下に示す、フリーラジカルの分布画像を取得するESRイメージング方法に関する。[1]磁場掃引する連続波電子スピン共鳴イメージング法によって、14Nニトロキシルラジカルの分布画像と15Nニトロキシルラジカルの分布画像とを、1回の撮像で取得する画像取得方法であって、工程1:14Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークAまたは高磁場側吸収ピークCと中央吸収ピークBとの2つの吸収ピークと、15Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークXまたは高磁場側吸収ピークYとを含むESRスペクトルを、磁場勾配が印加されている状態および印加されていない状態で得る工程と、工程2:工程1で磁場勾配が印加されていない状態で得たESRスペクトルにおいて、14Nニトロキシルラジカル由来の中央吸収ピークBを、低磁場側または高磁場側に移動させて、フーリエ変換により低磁場側吸収ピークAまたは高磁場側吸収ピークCの、振幅を表すパラメータαとピーク位置を表すパラメータγとを特定する工程と、工程3:前記ESRスペクトルにおける14Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークAと15Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークXとを含むスペクトル領域から、工程2で特定したパラメータαおよびパラメータγと中央吸収ピークBとを用いて得た低磁場側吸収ピークAを減算して、15Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークXの情報を得る工程;または前記ESRスペクトルにおける14Nニトロキシルラジカル由来の高磁場側吸収ピークCと15Nニトロキシルラジカル由来の高磁場側吸収ピークYとを含むスペクトル領域から、工程2で特定したパラメータαおよびパラメータγと中央吸収ピークBとを用いて得た高磁場側吸収ピークCを減算して、15Nニトロキシルラジカル由来の高磁場側吸収ピークYの情報を得る工程と、工程4:前記ESRスペクトルにおける中央吸収ピークBの情報から、14Nニトロキシルラジカルの分布画像を作成する工程と、工程5:工程3で得られた低磁場側吸収ピークXまたは高磁場側吸収ピークYの情報から、15Nニトロキシルラジカルの分布画像を作成する工程と、を含む画像取得方法。本発明の第二は、以下に示す、フリーラジカルの分布画像を取得するESRイメージング装置に関する。[2]測定試料のESRスペクトルを得る連続波ESR分光装置と、磁場の勾配を前記測定試料に印加する磁場勾配コイルと、前記磁場勾配コイルを駆動する電源装置と、前記連続波ESR分光装置から取得したESRスペクトルを用いて画像を再構成するコンピュータと、を含み、前記ESR分光装置は、14Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークAまたは高磁場側吸収ピークCと中央吸収ピークBとの2つの吸収ピークと、15Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークXまたは高磁場側吸収ピークYとを含むESRスペクトルを、前記磁場勾配コイルにより前記測定試料に磁場勾配が印加されている状態および印加されていない状態で得ることができ、前記コンピュータは、工程1:前記磁場勾配が印加されていない状態で得たESRスペクトルにおいて、14Nニトロキシルラジカル由来の中央吸収ピークBを、低磁場側または高磁場側に移動させて、フーリエ変換により低磁場側吸収ピークAまたは高磁場側吸収ピークCの、振幅を表すパラメータαとピーク位置を表すパラメータγとを特定する工程と、工程2:前記ESRスペクトルにおける14Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークAと15Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークXとを含むスペクトル領域から、工程1で特定したパラメータαおよびパラメータγと中央吸収ピークBとを用いて得た低磁場側吸収ピークAを減算して、15Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークXの情報を得る工程;または前記ESRスペクトルにおける14Nニトロキシルラジカル由来の高磁場側吸収ピークCと15Nニトロキシルラジカル由来の高磁場側吸収ピークYとを含むスペクトル領域から、工程1で特定したパラメータαおよびパラメータγと中央吸収ピークBとを用いて得た高磁場側吸収ピークCを減算して、15Nニトロキシルラジカル由来の高磁場側吸収ピークYの情報を得る工程と、工程3:前記ESRスペクトルにおける中央吸収ピークBの情報から、14Nニトロキシルラジカルの分布画像を作成する工程と、工程4:工程2で得られた低磁場側吸収ピークXまたは高磁場側吸収ピークYの情報から、15Nニトロキシルラジカルの分布画像を作成する工程と、を実行する、画像取得装置。本発明の画像取得方法によれば、一般的なESR装置である連続波電子スピン共鳴装置によって、2種類のフリーラジカルである14Nニトロキシルラジカルと15Nニトロキシルラジカルの分布画像を、1回の撮像で得ることができる。しかも、取得するプロジェクションの数も、従来の一般的な2次元ESRイメージングまたは3次元ESRイメージングと同程度の数でよいので、短時間での画像化が可能である。1.本発明の画像取得方法について本発明の画像取得方法は、磁場掃引する連続波電子スピン共鳴イメージング法によって、14Nニトロキシルラジカルの分布画像と15Nニトロキシルラジカルの分布画像とを、1回の撮像で取得する方法である。ESRスペクトルプロジェクションを得るために掃印する磁場の範囲は、測定対象である14Nニトロキシルラジカルの2つのピーク低磁場側吸収ピークAと中央吸収ピークBとの2つ、または高磁場側吸収ピークCと中央吸収ピークBとの2つが含まれるように設定される。具体的な範囲は、14Nニトロキシルラジカルの種類に応じて適宜設定される。本発明の画像取得方法は、工程1~5を含む。工程1は、14Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークAおよび中央吸収ピークBの2つの吸収ピークと、15Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークXとを含むESRスペクトル、または、14Nニトロキシルラジカル由来の中央吸収ピークBおよび高磁場側吸収ピークCの2つの吸収ピークと、15Nニトロキシルラジカル由来の高磁場側吸収ピークYとを含むESRスペクトルを、磁場勾配が印加されている状態および印加されていない状態で得る工程である。取得するESRスペクトルは、少なくとも、磁場勾配が印加されていない状態で測定されるESRスペクトルと、磁場勾配が印加された状態で測定されるESRスペクトルとを含む。磁場勾配の向きを系統的に変化させながら取得するESRスペクトルを、プロジェクションデータともいう。上記の通り、得られたESRスペクトルプロジェクションデータを含むは、それぞれ、14Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークAおよび中央吸収ピークBと、15Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークXとを含むか、または、14Nニトロキシルラジカル由来の中央吸収ピークBおよび高磁場側吸収ピークCと、15Nニトロキシルラジカル由来の高磁場側吸収ピークYとを含む。図1Aは、14Nニトロキシルラジカルのスペクトルの吸収ピークAおよび吸収ピークBと、15Nニトロキシルラジカルのスペクトルの吸収ピークXとが混在したスペクトルプロジェクションの例を示す。図1Bは、14Nニトロキシルラジカルおよび15Nニトロキシルラジカルのそれぞれのスペクトルを別個に示している。図1Bからわかるように、14Nニトロキシルラジカル由来の吸収ピークのうちの中央吸収ピークBは、他の吸収ピークと重ならずに独立している。一方で、低磁場側吸収ピークAおよび低磁場側吸収ピークXは、近接して重なり合い、高磁場側吸収ピークCおよび高磁場側吸収ピークYも、近接して重なりあう。特に、磁場勾配を印加した状態で測定したESRスペクトルプロジェクションデータでは、電子スピンの空間分布を反映してスペクトルの線形が変化するため、重なり度合いが大きくなる。したがって、このままでは14Nニトロキシルラジカルおよび15Nニトロキシルラジカルのそれぞれの分布画像を別々に得ることはできない。そこで、14Nニトロキシルラジカルと15Nニトロキシルラジカルとのスペクトルを分離する操作を行う。分離操作は、測定したスペクトルプロジェクションを高磁場側のスペクトル領域と、低磁場側のスペクトル領域とに分けた後に行う。つまり、スペクトルプロジェクションに低磁場側吸収ピークA、中央吸収ピークBおよび低磁場側吸収ピークXが含まれる場合には、中央吸収ピークBを含むスペクトル領域と、低磁場側吸収ピークAおよび低磁場側吸収ピークXを含むスペクトル領域とに分けた後、分離操作を行う。一方、スペクトルプロジェクションに高磁場側吸収ピークC、中央吸収ピークBおよび高磁場側吸収ピークYが含まれる場合には、中央吸収ピークBを含むスペクトル領域と、高磁場側吸収ピークCおよび高磁場側吸収ピークYを含むスペクトル領域とに分けた後、分離操作を行う。工程2は、工程1で磁場勾配が印加されていない状態で得たESRスペクトルにおいて、14Nニトロキシルラジカル由来の中央吸収ピークBを、高磁場側または低磁場側に移動させて、フーリエ変換により低磁場側吸収ピークAまたは高磁場側吸収ピークCの、振幅を表すパラメータαとピーク位置を表すパラメータγとを特定する工程である。具体的には、まず、磁場勾配を印加しない状態で測定したESRスペクトルにおいて、中央吸収ピークBの波形fを高磁場側または低磁場側に移動させる。低磁場側に移動した場合には、低磁場側吸収ピークAと最も一致する位置および強度振幅を特定する。同様に、高磁場側に移動した場合には、高磁場側吸収ピークCと最も一致する位置および強度振幅を特定する。この際、振幅を表すパラメータαと、スペクトルの位置を表すパラメータγの2つを求める。中央吸収ピークBの波形fを移動した波形fshiftedは、磁束密度Bの関数として、下記式で示される。上記式において、IFTは逆フーリエ変換、cnは波形fのn次の複素フーリエ係数、iは複素単位、ωnはn次の空間角周波数を表す。工程3は、前記ESRスペクトルにおける14Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークAと15Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークXとを含むスペクトル領域から、工程2で特定したパラメータαおよびパラメータγと磁場勾配下での中央吸収ピークBから得た低磁場側吸収ピークAを減算して、15Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークXの情報を得る工程であるか、または、前記ESRスペクトルにおける14Nニトロキシルラジカル由来の高磁場側吸収ピークCと15Nニトロキシルラジカル由来の高磁場側吸収ピークYとを含むスペクトル領域から、工程2で特定したパラメータαおよびパラメータγと磁場勾配下での中央吸収ピークBから得た高磁場側吸収ピークCを減算して、15Nニトロキシルラジカル由来の高磁場側吸収ピークYの情報を得る工程である。具体的には、工程1で得たESRスペクトルのそれぞれ磁場勾配を印加した状態で測定したもの、および印加していない状態で測定したものについて、工程2で求めた振幅を表すパラメータαとスペクトルの位置を表すパラメータγとを用いて、中央吸収ピークBの波形fを低磁場側に移動させたデータスペクトル線形を得るか、または中央吸収ピークBの波形fを高磁場側に移動させたデータスペクトル線形を得る。得られたデータが、中央吸収ピークBの波形fを低磁場側に移動させたデータである場合には、ESRスペクトルの低磁場側吸収ピークAと低磁場側吸収ピークXとを含むスペクトル領域から、そのデータを減算することで低磁場側吸収ピークXの情報を得る。一方、得られたデータが、中央吸収ピークBの波形fを高磁場側に移動させたデータである場合には、ESRスペクトルの高磁場側吸収ピークCと高磁場側吸収ピークYとを含むスペクトル領域から、そのデータを減算することで高磁場側吸収ピークYの情報を得る。工程4は、前記ESRスペクトルにおける中央吸収ピークBの情報から、14Nニトロキシルラジカルの分布画像を作成する工程である。工程5は、工程3で得られた低磁場側吸収ピークXまたは高磁場側吸収ピークYの情報から、15Nニトロキシルラジカルの分布画像を作成する工程である。低磁場側吸収ピークXと高磁場側吸収ピークYは同一の波形であるから、何れか一方から画像を再構成できる。このようにして、14Nニトロキシルラジカルの分布画像と、15Nニトロキシルラジカルの分布画像との両方を、一回の撮像で得ることができる。以上の測定フローを、図2にまとめた。図2に示すフローでは、14Nニトロキシルラジカル由来の中央吸収ピークBを低磁場側に移動させているが、高磁場側に移動させても同様の結果が得られる。まず、S10において、磁場勾配を印加していない状態で測定したESRスペクトルと、プロジェクションデータとを得る。プロジェクションデータは、磁場勾配を印加した状態で測定したESRスペクトルを含む。ここでは、14Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークAおよび中央吸収ピークBと、15Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークXとを含む領域を測定する。したがって、14Nニトロキシルラジカル由来の高磁場側吸収ピークCと、15Nニトロキシルラジカル由来の高磁場側吸収ピークYとは測定されない。S11において、磁場勾配を印加していないESRスペクトルについて、高磁場側のスペクトル領域と低磁場側のスペクトル領域とに分割する。分割された高磁場側のスペクトル領域には、14Nニトロキシルラジカル由来の中央吸収ピークBが含まれる。一方、低磁場側のスペクトル領域には、14Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークAと15Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークXとが含まれる。S12において、14Nニトロキシルラジカル由来の中央吸収ピークBを、低磁場側に移動させる。14Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークAと15Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークXとの混合スペクトルから、移動させたピークを減算する。減算の結果、指定したデータ領域の二乗誤差の総和が最小となるように、中央吸収ピークBを移動させるS13。指定したデータ領域の二乗誤差の総和が最小となるときの、振幅を表すパラメータαと、スペクトルの位置を表すパラメータγの2つを求める。ここで、二乗誤差の総和ERMSは、以下の式で表される。ここで、flowはS14で分割された低磁場側のESRスペクトルの中で指定されたデータ領域データ点数mを表している。S14では、S10で測定したプロジェクションデータ各ESRスペクトルについて、低磁場側のスペクトル領域と高磁場側のスペクトル領域とに分割する。低磁場側のスペクトルは、S15~S17で使用される。一方、高磁場側のスペクトルは、S18で使用される。S15では、振幅を表すパラメータαと、スペクトルの位置を表すパラメータγと、中央吸収ピークBとに基づいて、14Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークAを算出する。S16では、算出された低磁場側吸収ピークAを、低磁場側で重なりあっているスペクトルから減算して、低磁場側の15Nニトロキシルラジカルのプロジェクションデータを得る。得られたプロジェクションデータに含まれる低磁場側吸収ピークXの情報を用いて画像を再構成してS17、15Nニトロキシルラジカルの分布画像を得る。S18では、14Nニトロキシルラジカル由来の中央吸収ピークBの情報を用いて画像を再構成し、14Nニトロキシルラジカルの分布画像を得る。2.本発明の画像取得装置について本発明の画像取得装置は、以下の構成部材を有する。1連続波ESR分光装置2磁場の勾配を測定試料に印加する磁場勾配コイルと、前記磁場勾配コイルを駆動する電源装置3スペクトルデータを取得して画像を再構成するコンピュータ図3は、本発明の画像取得装置の概念図である。連続波ESR分光装置は、一対の主磁場用マグネット10A,10Bと、一対の変調コイル11A,11Bと、共振器プローブ13とを主要部材として有する。もちろん、連続波ESR分光装置は、磁場掃引用および主磁場用の電源14や、変調コイル11A,11Bに接続された増幅器15および変調用発振器16、共振器プローブ13に接続されたブリッジ17、ブリッジ17に接続された高周波発振器18などを有する。磁場の勾配を測定試料に印加する一対の磁場勾配コイル20A,20Bは、それぞれ、主磁場用マグネット10Aと変調コイル11Aとの間と、主磁場用マグネット10Bと変調コイル11Bとの間とに配置される。本発明の画像取得装置は、磁場勾配コイル20Aを駆動するための電源装置21も有する。スペクトルデータを取得して画像を再構成するコンピュータは、位相検波回路30と、位相検波回路30に接続されたデータ取り込み制御用計算機31とを有する。データ取り込み制御用計算機31は、電源14および電源装置21も制御する。連続波ESR分光装置は、14Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークA、中央吸収ピークBおよび高磁場側吸収ピークCの3つの吸収ピークと、15Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークXおよび高磁場側吸収ピークYとを含むESRスペクトルを、測定試料に磁場勾配が印加されている状態および印加されていない状態で得る。連続波ESR分光装置は、装置自体としては公知の測定装置であってよい。図3における位相検波回路30は、連続波ESR分光装置で得られたESRスペクトルを出力する。スペクトルデータを取得して画像を再構成するコンピュータは、前述の工程2~4に従って、連続波ESR分光装置で得られたESRスペクトルを処理するプログラムを、データ取り込み制御用計算機31に格納している。このプログラムは、コンピュータに以下の工程1~4を実行させる。工程1:前記磁場勾配が印加されていない状態で得たESRスペクトルにおいて、14Nニトロキシルラジカル由来の中央吸収ピークBを、低磁場側または高磁場側に移動させて、フーリエ変換により低磁場側吸収ピークAまたは高磁場側吸収ピークCの、振幅を表すパラメータαとピーク位置を表すパラメータγとを特定する工程。工程2:前記ESRスペクトルにおける14Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークAと15Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークXとを含むスペクトル領域から、工程1で特定したパラメータαおよびパラメータγと中央吸収ピークBとを用いて得た低磁場側吸収ピークAを減算して、15Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークXの情報を得る工程;または前記ESRスペクトルにおける14Nニトロキシルラジカル由来の高磁場側吸収ピークCと15Nニトロキシルラジカル由来の高磁場側吸収ピークYとを含むスペクトル領域から、工程1で特定したパラメータαおよびパラメータγと中央吸収ピークBとを用いて得た高磁場側吸収ピークCを減算して、15Nニトロキシルラジカル由来の高磁場側吸収ピークYの情報を得る工程。工程3:前記ESRスペクトルにおける中央吸収ピークBの情報から、14Nニトロキシルラジカルの分布画像を作成する工程。工程4:工程2で得られた低磁場側吸収ピークXまたは高磁場側吸収ピークYの情報から、15Nニトロキシルラジカルの分布画像を作成する工程。14Nニトロキシルラジカルおよび/または15Nニトロキシルラジカルの水溶液を調製した。ニトロキシルラジカルの具体的な構造は、以下の通りである。図4Aに示される測定セルを用意した。図4Aに示される測定セルには、6本のガラス管第1~第6のガラス管がセットされている。図4Bに示されるように、各ガラス管は、正六角形の頂点に位置するように配置されている。各ガラス管に収容される水溶液の量は01mlとした。各ガラス管に収容された水溶液中のニトロキシルラジカルの濃度は、以下の通りである。[第1のガラス管]14Nニトロキシルラジカル10mM、15Nニトロキシルラジカル00mM[第2のガラス管]14Nニトロキシルラジカル08mM、15Nニトロキシルラジカル02mM[第3のガラス管]14Nニトロキシルラジカル06mM、15Nニトロキシルラジカル04mM[第4のガラス管]14Nニトロキシルラジカル04mM、15Nニトロキシルラジカル06mM[第5のガラス管]14Nニトロキシルラジカル02mM、15Nニトロキシルラジカル08mM[第6のガラス管]14Nニトロキシルラジカル00mM、15Nニトロキシルラジカル10mM測定セルの各ガラス管に収容された水溶液について、同時に、連続波ESR分光装置を用いて、本発明の方法により、14Nニトロキシルラジカルおよび15Nニトロキシルラジカルの分布画像を得た。具体的なスペクトル測定条件を以下に示す。下記条件では、14Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークAおよび中央吸収ピークBと、15Nニトロキシルラジカル由来の低磁場側吸収ピークXとが測定される。磁場掃引幅:3mT磁場掃引時間:2秒磁場変調振幅:003mT磁場勾配:40mT/m位相検波回路の時定数:3msプロジェクション数:64積算回数:8マイクロ波電力:25mW図4Cは14Nニトロキシルラジカルの分布画像であり、図4Dは15Nニトロキシルラジカルの分布画像である。図4Cおよび図4Dに示されるように、1回の測定で、14Nニトロキシルラジカルの分布と15Nニトロキシルラジカルの分布とを、別個に画像化可視化できることがわかる。フリーラジカルの分布をESRイメージング法により可視化する場合、解像度δは、ESRスペクトルの線幅ΔBを磁場勾配Gで除することで求められるδ=ΔB/G。たとえば、ESRスペクトルの線幅ΔBが01mTであり、磁場勾配Gが50mT/mである場合、解像度δは、2mm=01mT/50mT/mとなる。しかしながら、画像再構成のプロセスにおいて、逆畳み込み積分デコンボリューションの効果により、解像度を約2倍改善することができる。したがって、最終的にはδ’=ΔB/2Gの解像度を実現することができる。上記の例では、1mmの解像度が実現されることになる。したがって、解像度は、主として、測定されるフリーラジカルのESRスペクトルの線形により制限される。解像度を改善するために磁場勾配を増加すると、励起される電子スピンが少なくなる。その結果、スペクトルの信号強度が小さくなり、可視化が困難な状態となる。そのため、最終的には検出感度が解像度を決める要因になるが、信号を十分に検出できる条件下では、解像度は、線幅と印加される磁場勾配によって決定される。本実施例で用いたESRイメージング装置では、01mMの4-ヒドロキシル-2,2,6,6-テトラメチルピペリジン-1-オキシル4hydroxyl2266tetramethylpiperidine1oxyl;TEMPOL水溶液を01秒の磁場掃引で計測した場合、ESRスペクトルの信号対雑音比は40であった。計測時間積算時間を長く取れば、その平方根に従って信号対雑音比は改善される。本出願は、2010年7月26日出願の特願2010-167238に基づく優先権を主張する。当該出願明細書および図面に記載された内容は、すべて本願明細書に援用される。"