リードフレームに実装されたLEDチップを樹脂封止して得られるLEDパッケージ用基板の製造方法であって、第一の幅を有する第一のランナを備えた一次成形用の金型を用いて、前記リードフレームのLEDチップ実装領域を取り囲むように該リードフレームの上に第一の樹脂を成形するステップと、前記LEDチップ実装領域に前記LEDチップを実装するステップと、前記第一の幅よりも広い第二の幅を有する第二のランナを備えた二次成形用の金型を用いて、前記LEDチップを封止するように第二の樹脂を成形するステップと、を有することを特徴とするLEDパッケージ用基板の製造方法。前記第二の樹脂を成形するステップは、前記第一の樹脂を成形するステップにおいて前記第一のランナが前記リードフレームの上に配置された領域を包含するように、前記第二のランナを配置して行われることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ用基板の製造方法。前記第二のランナは、前記第一の幅よりも広くて前記第二の幅よりも狭い縮径部を備え、前記第二の樹脂を成形するステップにおけるディゲート時に、前記縮径部を基点として前記第二のランナの部位に成形された前記第二の樹脂が切断されることを特徴とする請求項1又は2に記載のLEDパッケージ用基板の製造方法。前記第一の樹脂を成形するステップは、前記リードフレームに設けられたガイド孔に、前記一次成形用の金型に設けられたガイドピンを挿入して行われ、前記第二の樹脂を成形するステップは、前記リードフレームに設けられた前記ガイド孔に、前記二次成形用の金型に設けられたガイドピンを挿入して行われることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のLEDパッケージ用基板の製造方法。前記第一の樹脂を成形するステップは、第三の幅を有する第一のエアベントを備えた前記一次成形用の金型を用いて前記第一の樹脂を成形し、前記第二の樹脂を成形するステップは、前記第三の幅よりも広い第四の幅を有する第二のエアベントを備えた前記二次成形用の金型を用いて前記第二の樹脂を成形することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のLEDパッケージ用基板の製造方法。特許文献1に開示されているLEDパッケージにおいて、トランスファ成形によりリードフレームに一次成形樹脂及び二次成形樹脂を成形した場合、それぞれの樹脂を成形した直後に金型のランナ及びゲートの部分に成形された余分な樹脂を除去するディゲート工程が必要となる。ところが、一次成形時のディゲート工程にてランナ及びゲートの部分に成形された余分な樹脂を除去しようとしても、この余分な樹脂を完全に除去することは困難であり、樹脂バリが生じてしまう。また、リードフレームは一次成形用の金型でクランプされることにより、ランナ及びゲートの当接部位にて僅かに変形する。このため、二次成形時の金型でリードフレームをクランプすると、樹脂バリやリードフレームの段差により、金型とリードフレームとの間に隙間が生じてしまい樹脂漏れが生じてしまう。この結果、二次成形時に成形不良を招くおそれがあった。そこで本発明は、二次成形時の成形不良を低減させるLEDパッケージ用基板の製造方法を提供する。本発明の一側面としてのLEDパッケージ用基板の製造方法は、リードフレームに実装されたLEDチップを樹脂封止して得られるLEDパッケージ用基板の製造方法であって、第一の幅を有する第一のランナを備えた一次成形用の金型を用いて、前記リードフレームのLEDチップ実装領域を取り囲むように該リードフレームの上に第一の樹脂を成形するステップと、前記LEDチップ実装領域に前記LEDチップを実装するステップと、前記第一の幅よりも広い第二の幅を有する第二のランナを備えた二次成形用の金型を用いて、前記LEDチップを封止するように第二の樹脂を成形するステップとを有する。本発明の他の目的及び特徴は、以下の実施例において説明される。本発明によれば、二次成形時の成形不良を低減させるLEDパッケージ用基板の製造方法を提供することができる。以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら詳細に説明する。各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。まず、図1を参照して、本発明の実施例におけるリードフレーム及びLEDパッケージ用基板について説明する。図1は、本実施例におけるリードフレーム10の平面図であり、図1aは一次成形前の状態、図1bは一次成形後の状態をそれぞれ示す。後述のように、リフレクタ用の樹脂封止後一次成形後のリードフレーム10にLEDチップを実装してレンズ用の樹脂封止二次成形を行うことにより、LEDパッケージ用基板が得られる。LEDパッケージ用基板は、所定のダイシング個片化工程を経ることにより、最終製品であるLEDパッケージが製造される。リードフレーム10は、例えば、銅系フレーム材の表面に、ニッケル、パラジウム、銀、又は金などで構成されるメッキ層例えばNi-Agメッキを形成して構成される。リードフレーム10の板厚は、例えば0.5mmであり、板厚0.2mmや0.3mm程度のリードフレームを用いてもよい。リードフレーム10は、後述のLEDチップの第1の電極アノード電極に電気的接続されるように構成されたダイパッド12ベース側リードを備える。またリードフレーム10は、LEDチップの第1の電極とは異なる第2の電極カソード電極に電気的接続されるように構成されたリード13端子側リードを備える。LEDチップは、ダイパッド12の上に実装される。ダイパッド12及びリード13の周囲ダイパッド12とリード13との間には抜き孔16が設けられており、ダイパッド12とリード13は互いに分離されている。本実施例では、ダイパッド12及びリード13によりパッド部14が構成される。なお、本実施例はこれに限定されるものではなく、上述の構成とは逆に、LEDチップのカソード電極をダイパッド12に接続し、アノード電極をリード13に接続するように構成してもよい。またリードフレーム10には、その四隅において長孔状のガイド孔20が形成されており、また、対向する二辺において丸孔状のガイド孔22、23が形成されている。後述のように、ガイド孔20、22は、一次成形用の金型の位置合わせを行うために用いられ、ガイド孔20、23は、二次成形用の金型の位置合わせを行うために用いられる。このように、長孔状のガイド孔20は、一次成形用の金型と二次成形用の金型と別の位置にガイドピンが挿入されることで共有されてランナの奥行き方向の位置を案内するガイド孔である。一方、丸孔状のガイド孔は、一次成形用の金型に用いられるガイド孔22と二次成形用の金型に用いられるガイド孔23のように別々に設けられている。図1aにおいて、一次成形に用いられる金型のランナ54及びその金型で成形されることになる樹脂71を、それぞれ二点鎖線を示している。また、一次成形用の上金型50に設けられたエアベント160も二点鎖線で示している。本実施例のリードフレーム10は、複数のパッド部14単位要素から構成されており、図1aに示されるリードフレーム10の範囲において、縦5個及び横6個の合計30個のLEDパッケージが製造される。図1bに示されるように、リードフレーム10に対して一次成形樹脂としての樹脂71第一の樹脂をトランスファ成形することにより、パッド部14を形成する抜き孔16を一括して封止する矩形状のパッケージがリードフレーム10上に形成される。樹脂71は、LEDチップ実装領域18の周囲を取り囲むようにリードフレーム10の表面上にリフレクタ72を形成する。このように本実施例によれば、リードフレーム10における全てのLEDチップ実装領域18のリフレクタ72を一体的に樹脂71で形成したマップタイプのLEDパッケージ用基板が製造される。ただし本発明はこれに限定されるものではなく、マトリックスタイプのLEDパッケージ用基板にも適用可能である。一次成形用の下金型には複数のガイドピン30、32が設けられている。一次成形時において、ガイドピン30、32はリードフレーム10に形成されたガイド孔20、22にそれぞれ挿入されることにより、リードフレーム10と下金型との位置合わせを行うことができる。なお本実施例において、ガイド孔はランナ54側及びエアベント160側の両方に設けられているが、これに限定されるものではなく、いずれか一方に設けられていればよい。次に、図2を参照して、本実施例におけるリードフレーム10を一次成形樹脂で樹脂封止する際に用いられる金型について説明する。図2は、本実施例における一次成形に用いられる金型の概略断面図であり、金型でリードフレームをクランプした状態を示す。図2aは、樹脂封止前の状態であり、図1aの線A-Aで切断した断面を示す。また図2bは、樹脂封止後の状態であり、図1bの線B-Bで切断した断面を示す。なお、これらの図において、一点鎖線を挟んだ左側には同様の構成が配置されることにより、一度の成形で2枚のリードフレーム10が樹脂封止される。図2a、bに示されるように、本実施例において、一次成形時に用いられる金型は、上金型50と下金型60を備えて構成されている。上金型50は、上型インサート51a、51b、及び、センターインサート53を備えて構成されている。上型インサート51aには、パッド部14と同じ間隔で設けられて突出する複数の凸部52が設けられている。複数の凸部52は、矩形状のキャビティ57により囲まれている。このような構成により、上金型50は、リードフレーム10に充填する樹脂71一次成形樹脂の形状を決定する。上型インサート51のキャビティ57の内部には、リードフレーム10に対してトランスファ成形により樹脂封止される際に樹脂が充填される。キャビティ57の内部に充填された樹脂は、後述のLEDチップからの光を反射させるリフレクタを形成する。また、複数の凸部52は、リードフレーム10のパッド部14をクランプするクランプ面LEDチップ実装領域18となる。センターインサート53にはカル55とランナ54の一部が形成されており、これらは上型インサート51に形成されたランナ54の他の一部とゲート56に連通している。上金型50は、樹脂封止時において、パッド部14ダイパッド12及びリード13とキャビティ57とが重なるようにリードフレーム10を上面側から押さえ付ける。下金型60は下型インサート61を備えて構成され、リードフレーム10は平面状の下型インサート61の上に配置される。下金型60は、樹脂封止時において、リードフレーム10を下面側から押さえ付ける。このように本実施例の金型は、上金型50と下金型60とを主体として構成されている。樹脂封止時樹脂モールド時には、上金型50と下金型60とでリードフレーム10をクランプし挟み、キャビティ57及び抜き孔16の内部に一次成形樹脂としての樹脂71リフレクタ用の樹脂を充填する。70は、熱硬化性樹脂等をタブレット円柱状に成形した樹脂タブレットである。樹脂封止時には、図2aに示されるように、下金型60のポットインサート62に挿入されたポット63を予熱し、その中に樹脂タブレット70を投入して溶融させる。そして、トランスファ機構不図示によってポット63に沿って上下に摺動可能に構成されたプランジャ64を上動させて溶融した樹脂71を圧送することにより、図2bに示されるように、上金型50と下金型60との間が樹脂71で充填される。なお、樹脂タブレット70に代えて液状の熱硬化性樹脂をディスペンサ不図示で供給することもできる。また、粒状、顆粒状やゲル状の樹脂を用いることもできる。プランジャ64によって樹脂71が圧送されることにより、溶融した樹脂71は、カル55、ランナ54、及び、ゲート56を介して、抜き孔16、及び、キャビティ57へ供給される。すなわち樹脂71は、ゲート56に近い抜き孔16及びキャビティ57から、ゲート56から離れた遠い抜き孔16及びキャビティ57に向けて順次供給されていく。このようにして、樹脂タブレット70が溶融して樹脂71となり、上金型50と下金型60で形成された空間に注入される。この結果、図2bに示されるように、上金型50と下金型60の間の空間具体的には、キャビティ57及び抜き孔16は、樹脂71により充填された状態となる。樹脂71の充填後、樹脂71を硬化させるために所定時間だけ待機し、上金型50及び下金型60の型閉状態を開放する。次いで、樹脂モールドされたLEDパッケージ用基板が搬出された後に金型のパーティング面等をクリーニングし、1回の樹脂モールド工程が終了する。上記工程を経ると、図1bに示されるように、リードフレーム10上に一次成形樹脂としての樹脂71が形成される。樹脂71白樹脂は、例えば酸化チタンやアルミナ等の白色粉末及びシリカなどを含有したシリコーン樹脂やエポキシ樹脂からなる熱硬化性樹脂である。前述のように、樹脂71は、トランスファ成形により樹脂を流し込んで硬化させることにより、リードフレーム10上に一体的に上パッケージが形成される。また、樹脂71は、後述のLEDチップから発せられた光を上方に反射させるリフレクタ72を形成する。また、樹脂71は、LEDパッケージの強度を向上させるという機能も有する。ただし樹脂71は、凸部52によってクランプされることで複数の領域においてLEDチップが搭載されることになるリードフレーム10上の所定の領域LEDチップ実装領域18には形成されない。LEDチップ実装領域18は、一次成形後において、リードフレーム10の表面が露出した領域である。最終的に、ランナ54及びゲート56に充填された余分な樹脂71を切断ツイストして、リードフレーム10から除去するディゲート工程。ただし、このディゲート工程では、樹脂71を完全に除去することは困難である。すなわち、リードフレーム10の表面の微細な凹凸に充填されて密着力の強い薄い樹脂71の層が少なからず樹脂バリとして残留してしまう。また、リードフレーム10は一次成形用の金型でクランプされているため、この際にはリードフレーム10はランナ54の当接部位にて僅かに変形している段差を有する。次に、図3及び図4を参照して、本実施例におけるリードフレーム10を二次成形樹脂で樹脂封止する際に用いられる金型、及び、LEDパッケージ用基板について説明する。図3は、本実施例における二次成形に用いられる金型の概略断面図であり、金型でLEDパッケージ用基板をクランプした状態を示す。図3aは、樹脂封止前の状態であり、図3bは、樹脂封止後の状態である。なお、これらの図において、一点鎖線を挟んだ左側には同様の構成が配置されることにより、一度の成形で2枚のLEDパッケージ用基板が樹脂封止される。また図4は、二次成形後のLEDパッケージ用基板の平面図である。図4の線B-Bで切断した断面は図3bに相当する。図3及び図4に示されるように、一次成形後のリードフレーム10の上には、LEDチップ実装領域18において、LEDチップ40半導体チップが実装される。本実施例における二次成形は、リードフレーム10上にLEDチップ40を実装した後に行われる。図3a、bに示されるように、本実施例において、二次成形時に用いられる金型は、上金型80と下金型90を備えて構成されている。上金型80は、上型インサート81a、81b、及び、センターインサート83を備えて構成されている。上型インサート81a、81bには、矩形状のキャビティ87が設けられている。またキャビティ87の内部には、半球状の複数の凹部89がパッド部14と同じ間隔で設けられている。このような構成により、上金型80は、リードフレーム10に充填する樹脂76二次成形樹脂の形状を決定する。上型インサート81のキャビティ87凹部89の内部には、トランスファ成形により二次成形樹脂としての樹脂76第二の樹脂が充填される。凹部89の内部に樹脂76が充填されることにより、LEDパッケージのレンズ部79が形成される。センターインサート83には、一次成形時に用いられる上金型50と同様に、カル85とランナ84の一部が形成されており、これらは上型インサート81に形成されたランナ84の他の一部とゲート86に連通している。上金型80は、樹脂封止時において、凹部89とLEDチップ40LEDチップ実装領域18とが重なるようにリードフレーム10を上面側から押さえ付ける。図4において、一次成形用の金型のランナ54を破線で示し、二次成形用の金型のランナ84を実線で示している。また、一次成形用の金型に形成されたエアベント160を二点鎖線で示し、二次成形用の金型に形成されたエアベント162を破線で示している。下金型90は、一次成形時に用いられる下金型60と同様に、下型インサート91を備えて構成され、リードフレーム10は平面状の下型インサート91の上に配置される。下金型90は、樹脂封止時において、リードフレーム10を下面側から押さえ付ける。このように本実施例の金型は、上金型80と下金型90とを主体として構成されている。樹脂封止時樹脂モールド時には、上金型80と下金型90とでリードフレーム10をクランプし挟み、キャビティ87及び複数の凹部89の内部に二次成形樹脂としての樹脂76レンズ用の樹脂をトランスファ成形により充填する。この結果、LEDチップ40は樹脂76で充填される。二次成形用の下金型90には、複数のガイドピン34、36が設けられている。二次成形時において、ガイドピン34、36はリードフレーム10に形成されたガイド孔20、23にそれぞれ挿入されることにより、リードフレーム10と下金型90との位置合わせを行うことができる。ガイドピン34は、一次成形と同様に長孔状のガイド孔20に挿入されるが、一次成形用の金型に設けられたガイドピン30の位置とは少しずれた位置に配置されている。このため、一次成形の際にガイドピン30、32が挿入された状態でクランプされることでガイド孔20、22が変形してしまったとしても、二次成形の際にはガイドピン34、36は変形していない部分で位置合わせすることができる。このように、変形していないガイド孔30、36でガイドすることができ、レンズ成形位置とリフレクタ成形位置とを精度よく位置合わせすることができる。また、一次成形用金型のランナ54の位置に残る樹脂バリに対して二次成形用のランナ84を精度よく位置合わせすることもできる。なお本実施例において、ガイド孔はランナ84側及びエアベント162側のいずれか一方に設けられていればよい。ただし、残留する樹脂バリに対するランナ84の位置合わせのためには、ランナ84側に設けられているほうが好ましい。図3aにおいて、75は熱硬化性樹脂等をタブレット円柱状に成形した樹脂タブレットである。上述の樹脂タブレット70の場合と同様に、下金型90のポットインサート92に挿入されたポット93を予熱し、その中に樹脂タブレット75を投入して溶融させる。そして、トランスファ機構不図示によってポット93に沿って上下に摺動可能に構成されたプランジャ94を上動させて溶融した樹脂76を圧送することにより、図3bに示されるように、上金型80と下金型90との間が樹脂76で充填される。プランジャ94によって樹脂76が圧送されることにより、溶融した樹脂76は、図3に示されるようにカル85、ランナ84、及び、ゲート86を介して、キャビティ87凹部89へ供給される。この結果、図3bに示されるように、上金型80と下金型90の間の空間は、樹脂76により充填された状態となる。二次成形樹脂としての樹脂76は透明樹脂であり、例えば、透光性を有するシリコーン樹脂が用いられる。シリコーン樹脂は、LEDチップ40の発光波長が青色光等の短波長である場合や、LEDチップが高輝度LEDであり多量の熱を発生する場合に、その光や熱による変色や劣化に対する耐久性に優れている。ただし、二次成形樹脂としての樹脂76はシリコーン樹脂に限定されるものではなく、例えばエポキシ樹脂、ウレタン樹脂またはアクリル樹脂等の透光性を有する熱硬化性樹脂を採用してもよい。二次成形樹脂樹脂76に関しても、一次成形樹脂樹脂71と同様に、最終的に、ランナ84及びゲート86に充填された余分な樹脂76を切断ツイストして、リードフレーム10から除去するディゲート工程。本実施例のランナ84には、縮径部84aが設けられている。このため、ディゲート工程の際に、縮径部84aを基点としてランナ84の部分に成形された樹脂が切断される。続いて、図5を参照して、本実施例における一次成形用の金型のランナ54と二次成形用の金型のランナ84との関係について説明する。図5は、本実施例における二次成形時のリードフレームの要部拡大図であり、図5aはリードフレームの拡大平面図、図5bは一次成形後のリードフレームの拡大断面図、図5cは二次成形後のリードフレームの拡大断面図をそれぞれ示す。図5aに示されるように、一次成形用の金型のランナ54第一のランナは幅W1第一の幅を有し、一次成形樹脂である樹脂71をリードフレーム10上に成形する。また図5bに示されるように、一次成形の完了後、金型でクランプされたことにより、リードフレーム10の表面は幅W1を有するランナ54の押圧力によって変形する凹む。この凹みは、幅W1を有する隣接するランナ54の間に周期的に形成される。前述のように、一次成形におけるディゲート工程の際には、余分な樹脂71をリードフレーム10から完全に除去することは困難であり、少なからずの樹脂バリが生じている。また、リードフレーム10は一次成形用の金型でクランプされているため、リードフレーム10はランナ54の当接部位において凹んでいる。このため本実施例において、図5aに示されるように、二次成形用の金型のランナ84第二のランナは幅W1第一の幅よりも広い幅W2第二の幅を有し、このようなランナ84を用いて二次成形樹脂である樹脂76をリードフレーム10上に成形する。このため、図5cに示されるように、二次成形の完了後、金型でクランプされたことにより、リードフレーム10の表面は幅W2を有するランナ84の押圧力によって変形する凹む。この凹みは、幅W2を有する隣接するランナ54の間に周期的に形成される。このように、本実施例では、幅W1よりも広い幅W2を有するランナ84を備えた二次成形用の金型を用いて、LEDチップを封止するように樹脂76を成形する。すなわち二次成形は、一次成形用の金型のランナ54がリードフレーム10上に配置された領域を包含するように、二次成形用の金型のランナ84を配置して行われる。このため、二次成形時においてランナ84とリードフレーム10との間に、一次成形時に生じた樹脂バリやリードフレームの段差により隙間ができることを効果的に防ぐことができる。従って、本実施例の構成によれば、樹脂漏れを抑制した二次成形を行うことが可能であり、結果として二次成形時の成形不良を低減させるLEDパッケージ用基板の製造方法を提供することができる。また、本実施例のランナ84には、幅W1よりも広くて幅W2よりも狭い縮径部84aが設けられている。このため、二次成形のディゲート時に、縮径部84aを基点としてランナ84の部位に成形された樹脂76を切断することができる。縮径部84aの幅は幅W1よりも広いため、二次成形時における樹脂漏れを抑制することが可能である。また本実施例では、図4に示されるように、一次成形樹脂である樹脂71は、所定幅第三の幅を有するエアベント160第一のエアベントを備えた一次成形用の金型を用いて成形され、二次成形樹脂である樹脂76は、第三の幅よりも広い第四の幅を有するエアベント162第二のエアベントを備えた二次成形用の金型を用いて成形される。このような構成によれば、上述と同様に、樹脂漏れを抑制した二次成形を行うことが可能となり、二次成形時の成形不良を低減させることができる。以上、本発明の実施例について具体的に説明した。ただし、本発明は上記実施例として記載された事項に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。