半導体装置であって、半導体ダイと、前記半導体ダイの表面上に配置される複数の鉛フリーはんだバンプと、複数の金属層および複数の誘電体層を含む基板とを備え、前記複数の金属層のうちの1つは、前記複数の鉛フリーはんだバンプに対応する複数の接触バッドを含み、前記複数の誘電体層のうちの1つは、前記複数の接触パッドに対する複数のそれぞれの開口部を有する外側の誘電体層であり、前記半導体装置は、前記複数の接触パッド上に配置される複数のそれぞれの銅ポストをさらに備え、各接触パッドに対する前記それぞれの銅ポストは、前記接触パッドに対する前記それぞれの開口部を通して前記接触パッドから延在し、前記半導体ダイは、前記複数の鉛フリーはんだバンプと前記複数の銅ポストとの間における接続を用いて前記基板上に実装される、半導体装置。前記複数の鉛フリーはんだバンプは、スズおよび銀を含み、前記複数の接触パッドは、銅であり、前記外側の誘電体層は、前記複数の接触パッドの周囲で前記複数の接触パッドと接着するエポキシ複合材である、請求項1に記載の半導体装置。各接触パッドに対する前記それぞれの銅ポストは、前記接触パッドから遠くに位置する端部キャップを有するとともに、前記接触パッドと前記端部キャップとの間の部分を有し、前記端部キャップの幅は、前記部分の幅を超える、請求項1または2に記載の半導体装置。前記部分の高さは、前記端部キャップの高さを超える、請求項3に記載の半導体装置。各接触パッドに対する前記それぞれの銅ポストは、前記外側の誘電体層の厚みを超えるとともに、前記接触パッドに対する前記それぞれの開口部の幅を超えて、前記それぞれの開口部を通して延在する、請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体装置。各接触パッドに対する前記それぞれの銅ポストは、前記外側の誘電体層の厚みを超えて、前記それぞれの開口部を通して延在する、請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体装置。各接触パッドに対する前記それぞれの開口部は、前記外側の誘電体層の厚みに等しい高さを有するとともに、前記接触パッドの外周よりも内側になる直径を有する円筒状の開口部であり、前記接触パッドに対する前記それぞれの銅ポストは、前記それぞれの開口部の前記高さおよび前記直径を超えて、前記それぞれの開口部を通して前記接触パッドから延在する、請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体装置。前記複数の鉛フリーはんだバンプの各々は、前記鉛フリーはんだバンプに対応する前記接触パッド上の前記それぞれの銅ポストへリフローはんだ付けされる、請求項1~7のいずれか1項に記載の半導体装置。グリッド配置における前記複数のそれぞれの銅ポストへそれぞれリフローはんだ付けされる複数の鉛フリーはんだボールをさらに備え、各接触パッドに対する前記それぞれの銅ポストは、前記基板の前記複数の金属層を介して前記接触パッドが対応する前記鉛フリーはんだバンプへ電気的に結合される、請求項1~7のいずれか1項に記載の半導体装置。前記複数のそれぞれの銅ポスト上のスズおよび銅のコーティングをさらに備え、前記複数の鉛フリーはんだバンプの各々および前記それぞれの銅ポスト上の前記コーティングは、前記鉛フリーはんだバンプに対応する前記接触パッド上の前記それぞれの銅ポスト上に、ともにリフローはんだ付けされる、請求項1~7のいずれか1項に記載の半導体装置。半導体装置の製造方法であって、基板に接続するための複数の鉛フリーはんだバンプを有する半導体ダイを形成するステップと、外側の誘電体層および複数の接触パッドを含む基板を形成するステップとを含み、前記複数の接触パッドは、前記外側の誘電体層における複数のそれぞれの開口部を通して露出され、前記方法は、前記複数の接触パッド上に複数のそれぞれの銅ポストを形成するステップをさらに含み、各接触パッドに対する前記それぞれの銅ポストは、前記接触パッドに対する前記それぞれの開口部を通して前記接触パッドから延在し、前記方法は、前記半導体ダイの前記複数の鉛フリーはんだバンプ、および前記基板の前記複数の接触パッド上の前記複数のそれぞれの銅ポストを揃えるステップと、前記複数のそれぞれの銅ポストへ前記複数の鉛フリーはんだバンプをリフローはんだ付けするステップとをさらに含む、方法。前記各接触パッドに対する前記それぞれの銅ポストを形成するステップは、前記接触パッドから遠くに位置する端部キャップを有するとともに、前記接触パッドと前記端部キャップとの間の部分を有する前記それぞれの銅ポストを形成するステップを含み、前記端部キャップは、前記接触パッドと前記端部キャップとの間の前記銅ポストの前記部分の幅を超える幅を有する、請求項11に記載の方法。前記各接触パッドに対する前記それぞれの銅ポストを形成するステップは、前記接触パッドと前記端部キャップとの間の前記それぞれの銅ポストの前記部分を、前記端部キャップの厚みを超える厚みに形成するステップをさらに含む、請求項12に記載の方法。前記半導体ダイを形成するステップは、前記複数の鉛フリーはんだバンプにおいて複数のそれぞれのシリコン金属パッドを有する前記半導体ダイを形成するステップを含み、前記リフローはんだ付けするステップは、前記それぞれのシリコン金属パッドの第1の領域および前記それぞれの銅ポストの第2の領域へ各鉛フリーはんだバンプをリフローはんだ付けするステップを含み、前記第1および第2の領域は、同じ大きさであり、各大きさは、前記接触パッドと前記端部キャップとの間における前記それぞれの銅ポストの前記部分を通る断面積を超える、請求項13に記載の方法。スズおよび銅の共晶を用いて前記複数のそれぞれの銅ポストをコーティングするステップをさらに含み、前記リフローはんだ付けするステップは、前記複数の鉛フリーはんだバンプの各々および前記それぞれの銅ポスト上の前記コーティングを、前記鉛フリーはんだバンプに対応する前記接触パッド上の前記それぞれの銅ポスト上へリフローはんだ付けするステップをさらに含む、請求項11~14のいずれか1項に記載の方法。要約1つの実施の形態においては、半導体装置が提供される。半導体装置は、半導体ダイと、半導体ダイの表面上に配置される複数の鉛フリーはんだバンプとを含み得る。基板は、複数の金属層と、複数の誘電体層とを含み得る。複数の金属層のうちの1つは、複数の鉛フリーはんだバンプに対応する複数の接触バッドを含み得る。複数の誘電体層のうちの1つは、複数の接触パッドに対する複数のそれぞれの開口部を有する外側の誘電体層とされ得る。複数のそれぞれの銅ポストは、複数の接触パッド上に配置され得る。各接触パッドに対するそれぞれの銅ポストは、接触パッドに対するそれぞれの開口部を通して接触パッドから延在し得る。半導体ダイは、複数の鉛フリーはんだバンプと複数の銅ポストとの間における接続を用いて基板上に実装され得る。この実施の形態においては、複数の鉛フリーはんだバンプは、スズおよび銀を含み得る。複数の接触パッドは、銅とされ得る。外側の誘電体層は、複数の接触パッドの周囲で複数の接触パッドと接着するエポキシ複合材とされ得る。各接触パッドに対するそれぞれの銅ポストは、接触パッドから遠くに位置する端部キャップを有し得し、接触パッドと端部キャップとの間の部分を有し得る。端部キャップの幅は、上記部分の幅を超え得る。上記部分の高さは、端部キャップの高さを超え得る。各接触パッドに対するそれぞれの銅ポストは、外側の誘電体層の厚みを超えるとともに、接触パッドに対するそれぞれの開口部の幅を超えて、それぞれの開口部を通して延在し得る。各接触パッドに対するそれぞれの銅ポストは、外側の誘電体層の厚みを超えて、それぞれの開口部を通して延在し得る。各接触パッドに対するそれぞれの開口部は、外側の誘電体層の厚みに等しい高さを有するとともに、接触パッドの外周の内側になる直径を有する円筒状の開口部とされ得る。接触パッドに対するそれぞれの銅ポストは、それぞれの開口部の高さおよび直径を超えて、それぞれの開口部を通して接触パッドから延在し得る。この実施の形態においては、複数の鉛フリーはんだバンプの各々は、鉛フリーはんだバンプに対応する接触パッド上のそれぞれの銅ポストへリフローはんだ付けされ得る。半導体装置は、グリッド配置における複数のそれぞれの銅ポストへそれぞれリフローはんだ付けされる複数の鉛フリーはんだボールをさらに備えることができ、各接触パッドに対するそれぞれの銅ポストは、基板の複数の金属層を介して接触パッドが対応する鉛フリーはんだバンプへ電気的に結合され得る。半導体装置は、複数のそれぞれの銅ポスト上のスズおよび銅のコーティングをさらに備えることができ、複数の鉛フリーはんだバンプの各々、およびそれぞれの銅ポスト上のコーティングは、鉛フリーはんだバンプに対応する接触パッド上のそれぞれの銅ポスト上に、ともにリフローはんだ付けされる。この実施の形態においては、複数のそれぞれの銅ポストは、鉛フリーはんだバンプに対応する接触パッド上のそれぞれの銅ポスト上への、複数の鉛フリーはんだバンプの各々のリフローはんだ付けを強化するための粗い表面仕上げを有し得る。半導体ダイの表面は、複数の鉛フリーはんだバンプの各々に配置されるそれぞれのシリコン金属パッドを有し得る。各鉛フリーはんだバンプは、それぞれのシリコン金属パッドの第1の領域およびそれぞれの銅ポストの第2の領域へリフローはんだ付けされ得る。第1および第2の領域は、同じ大きさとされ得る。各大きさは、それぞれの銅ポストの内側の部分を通過する断面積を超え得る。内側の部分は、接触パッドと第2の領域との間である。外側の誘電体層は、複数の誘電体層の他のものよりも柔軟であるとされ得る。もう1つの実施の形態においては、半導体装置の製造方法は、基板に接続するための複数の鉛フリーはんだバンプを有する半導体ダイを形成するステップを含み得る。インターポーザ基板は、形成され、外側の誘電体層および複数の接触パッドを含み得る。複数の接触パッドは、外側の誘電体層における複数のそれぞれの開口部を通して露出され得る。複数のそれぞれの銅ポストは、複数の接触パッド上に形成され得る。各接触パッドに対するそれぞれの銅ポストは、接触パッドに対するそれぞれの開口部を通して接触パッドから延在し得る。半導体ダイの複数の鉛フリーはんだバンプ、およびインターポーザ基板の複数の接触パッド上の複数のそれぞれの銅ポストは、揃えられ得る。複数の鉛フリーはんだバンプは、複数のそれぞれの銅ポストへリフローはんだ付けされ得る。上記方法のこの実施の形態においては、各接触パッドに対するそれぞれの銅ポストを形成するステップは、接触パッドから遠くに位置する端部キャップを有するとともに、接触パッドと端部キャップとの間の部分を有するそれぞれの銅ポストを形成するステップを含み得る。端部キャップは、接触パッドと端部キャップとの間の銅ポストの部分の幅を超える幅を有し得る。各接触パッドに対するそれぞれの銅ポストを形成するステップは、接触パッドと端部キャップとの間のそれぞれの銅ポストの部分を、端部キャップの厚みを超える厚みに形成するステップを含み得る。半導体ダイを形成するステップは、複数の鉛フリーはんだバンプにおいて複数のそれぞれのシリコン金属パッドを有する半導体ダイを形成するステップを含み得る。リフローはんだ付けするステップは、それぞれのシリコン金属パッドの第1の領域およびそれぞれの銅ポストの第2の領域へ各鉛フリーはんだバンプをリフローはんだ付けするステップを含み得る。第1および第2の領域は、同じ大きさとされ得る。各大きさは、接触パッドと端部キャップとの間におけるそれぞれの銅ポストの部分を通る断面積を超え得る。上記方法のこの実施の形態は、スズおよび銅の共晶を用いて複数のそれぞれの銅ポストをコーティングするステップをさらに含み得る。リフローはんだ付けするステップは、複数の鉛フリーはんだバンプの各々、およびそれぞれの銅ポスト上のコーティングを、鉛フリーはんだバンプに対応し得る接触パッド上のそれぞれの銅ポスト上へリフローはんだ付けするステップを含み得る。半導体装置のもう1つの製造方法は、基板に接続するための複数の鉛フリーはんだバンプを有する半導体ダイを形成するステップを含み得る。インターポーザ基板は、形成され、外側の誘電体層および複数の接触パッドを含み得る。複数の接触パッドは、外側の誘電体層における複数のそれぞれの開口部を通して露出され得る。複数の接触パッドは、複数のそれぞれのプレはんだパッドを用いて複数のそれぞれの開口部を通してカバーされ得る。半導体ダイの複数の鉛フリーはんだバンプは、インターポーザ基板上の複数のそれぞれのプレはんだパッドに揃えられ得る。複数の鉛フリーはんだバンプおよび複数のプレはんだパッドは、複数の接触パッド上にリフローはんだ付けされ得る。この実施の形態においては、複数の鉛フリーはんだバンプは、スズおよび銀を含み得る。複数の接触パッドは、銅とされ得る。複数のプレはんだパッドは、スズおよび銅を含み得る。様々な他の実施の形態が以下の詳細な説明および特許請求の範囲に記載されていることが理解されるであろう。開示された実施の形態の様々な局面および利点は、以下の詳細な説明の検討および図面への参照によって明らかになるであろう。図面の詳細な説明図1は、たとえばフリップチップパッケージのような半導体装置用の集積回路基板100の上部平面図である。フリップチップパッケージは、基板100に面する半導体ダイの有効表面を有する熱的に改良されたボールグリッドアレイBGAである。これらのレイアウトのために、フリップチップパッケージは、半導体ダイの背面に結合される外部ヒートシンクの用途に役立つ。ヒートシンクは、受動的または能動的であって、熱除去効率を改善する。集積回路基板100は、銅ポスト、および/またはフリップチップダイを取り付けるための銅およびスズのコーティングを持つ接触パッド104を有する領域102と、チップキャパシタのような他の要素を取り付けるための接触パッド108とを含む。図2は、フリップチップパッケージをともに形成する集積回路ダイ210およびリッド201を含む、図1の2-2線における基板の断面図である。リッド201は、基板202へ結合されるとともに、凹部206を形成する内側の表面203および内側の壁部204を備える。リッドは、接着剤のような結合剤209によって基板202へ結合される脚部208をさらに備える。集積回路ダイ210は、シリコン金属接触パッド212と、対応するはんだバンプ214とを有し、これらは、基板の接触パッド216と接触する。1つ以上の実施の形態においては、接触パッド216は、関連する銅ポストおよび/またははんだバンプ214に結合するためのコーティングを有する。基板202の外側の誘電体層222は、接触パッド216に対する開口部を有する。接着剤218は、集積回路ダイ210の上方に用いられ得る。アンダーフィルunderfill220は、集積回路ダイの下方に用いられ得る。また、図示されるように、基板202は、誘電体層によって離間される複数の金属層上に形成される導体を有する多層基板である。基板の表面上のキャパシタ224は、基板の金属層上の導体226および基板の底部の対応する電力接点238によって集積回路ダイへ結合される。キャパシタは、接地平面228および対応する接触パッド230へも結合される。他の導体232は、基板の上部の接触パッドから基板の底部の接触パッド234へ直接延在し得る。多層基板の様々な層における導体236も示される。基板のアートワークは、集積回路ダイの接触パッドからはんだバンプおよび基板の上部の接触パッドを経由して基板の底部の接点へ適切な接続が作られるように様々な導体を規定する。1つの実施の形態においては、基板の底部は、グリッド配置にて配置されるはんだボール240と、関連する銅ポストおよび/またははんだボール240に結合するためのコーティングを有する接触パッド234とを有する。図3は、フリップチップパッケージの一部の断面図である。フリップチップパッケージの構造は、基板パッド側部上の誘電体開口部のエッジ352での応力集中点を取り除くポスト302とのはんだ接合を含み、それによって、フリップチップパッケージに信頼性が増大する。1つ以上の実施の形態においては、半導体ダイ306の表面は、シリコン金属パッド308を含み、はんだバンプ304は、最初は、シリコン金属パッド308上に配置される。多層基板310は、基板の金属層内に接触パッド312を含む。接触パッド312は、金属ビア314、金属層318、およびパッド319を通して、フリップチップパッケージのはんだボールたとえば、図2、240へ、またはフリップチップパッケージ内のもう1つの要素へ結合される。代替的な実施の形態においては、図3に示される金属ビア314は、傾斜した側壁部を有するようにテーパ状にされ得る。他の実施の形態においては、金属ビア314は、他の公知の形状を有し得る。多層基板310は、ポスト302が満たす接触パッド312に対する開口部を持つ外側の誘電体層316を有する。1つの実施の形態においては、はんだバンプ304は、スズ、スズ-銀、スズ-銀-銅、スズ-銅、または金のような鉛フリー合金から構成される。そのような鉛フリー合金はRoHS適合性を提供するが、非常に脆いので、ポスト302がないと、はんだバンプ304は、フリップチップパッケージの繰り返される熱サイクルの間に砕けてしまう。そのような熱サイクルは、集積回路306のパワー動作の間における加熱、およびパワーが除かれた後の周囲温度への冷却によって引き起こされ得る。そのような破砕は、基板310の大きさに対するダイ306の大きさの割合が大きい場合に、特に問題である。大きいダイ/基板割合は、パッケージにおける高応力を引き起こす。ポスト302は、鉛フリーはんだバンプ304よりも柔軟である銅から構成される。したがって、統合されたポストを有するはんだバンプ構造は、高い熱機械的応力に耐えて、鉛フリーはんだバンプ304の破砕を防止するとともに、フリップチップパッケージの信頼性を増大し得る。1つの実施の形態においては、外側の誘電体層316は、味の素株式会社AjinomotoIncから利用可能であるアジノモトビルドアップフィルムAjinomotoBuildupFilm:ABFである。このエポキシ複合材は、基板の表面上に用いられるいくつかのはんだマスク材料よりも柔軟である。この柔軟性は、ポスト302が誘電体層における開口部を完全に満たす場合であっても、ポスト302が熱機械的応力下において曲がることを可能とする。外側の誘電体層316は、他の複数の誘電体層、たとえば、誘電体層317よりも柔軟である。外側の誘電体層316は、接触パッド312の周囲において接触パッド312に完全に接着する。1つの実施の形態においては、ポスト302は、端部キャップ320および内側の部分322を有する。ポスト302の端部キャップ320は、接触パッド312から遠くに位置し、ポスト302の内側の部分322は、接触パッド312と端部キャップ320との間にある。端部キャップ320は、内側の部分322の幅328を超える幅326を有する。より大きいポストの端部キャップは、バンプに対する接触領域を増大させるとともに、バンプ全体の応力レベルを低減する。1つの実施の形態においては、外側の誘電体層316における開口部は、円筒状であるとともに、接触パッド312に亘る外側の誘電体層316の厚みに等しい高さ324を有する。開口部は、接触パッド312の外周の内側になる直径も有し、この直径は、ポストが開口部を満たす場合に、円筒状のポスト302の幅328に等しい。ポスト302は、開口部を通して接触パッド312から、その高さおよび直径を超えて延在する。1つの実施の形態においては、これは、メッキされた銅が誘電体層316内の開口部を満たして溢れるまで、銅接触パッド312上に銅をメッキすることによって得られる。フリップチップパッケージは、シリコン金属パッド308およびポスト302上にはんだバンプ304をリフローはんだ付けすることによって作製される。これは、はんだバンプ304を溶かして、半導体ダイ306と基板310との間における機械的および電気的接続を形成する。1つの実施の形態においては、リフローはんだ付けは、はんだバンプ304とポスト302の端部キャップ320との間における接触領域にほぼ等しい、はんだバンプ304とシリコン金属パッド308との間における接触領域をもたらす。接触領域がほぼ等しいところでは、接触領域間の応力がバランスされる。接触領域の大きさ間の大きな違いは、接触領域間に発生する応力のアンバランスを引き起こして、失敗に対する脆弱性の増大をもたらす。したがって、接触領域は、大きさが正確に等しい必要はない。しかし、接触領域の大きさがより近いほど、応力がよりバランスされる。1つの実施の形態においては、シリコン金属パッド308およびポスト302とはんだバンプ304との接触領域の双方は、ポスト302の内側の部分322を通る断面領域を超える。誘電体開口部のエッジ352における応力集中点を取り除いて、はんだ接合の接触領域を増大することによって、はんだ接合の疲労寿命が増大する。1つの実施の形態においては、ポスト302は、50~85マイクロメートルの内側の部分322を通る幅328、50~115マイクロメートルの端部キャップ320の幅326、および30マイクロメートルよりも低い高さ324を有する。幅328aよりも大きい幅326b、および高さ324c有するポスト構造302について、幅328に対する高さ324の割合は、一般に、1よりも小さいc/a<1。1つの実施の形態においては、パッド308の幅340fおよびポスト302の幅326bに対して、割合f/bは、およそ1に等しい。他の実施の形態においては、割合は、0.50≦f/b≦1.50の範囲内とされ得る。当業者は、技術が進歩するにつれて、より小さいバンプピッチ、およびより小さい誘電体開口部が実現可能であることを認識するであろう。図4は、1つの実施の形態に従うポスト402を説明する断面図である。ポスト402は、外側の誘電体層316における幅406の開口部を通して接触パッド312から延在する。しかしながら、ポスト402は開口部を完全に満たさず、ポスト402と開口部の側壁部との間にギャップが形成される。なぜなら、ポストの幅410は、開口部の幅406よりも狭いからである。したがって、ポスト402が開口部を通して接触パッド312から延在しても、ポスト402は、外側の誘電体層316における開口部の幅406を超えて延在しない。実施の形態の一例においては、接触パッド312上の誘電体層316の高さ420cに対するポストの高さ412dの割合は、1.1よりも大きいd/c≧1.1。特定の例においては、dは2μmだけcよりも大きくてもよい。図5は、もう1つの実施の形態に従うポスト502を説明する断面図である。ポスト502は、外側の誘電体層316の開口部を完全に満たす。ポスト502は、開口部の高さ508を超えることなく、かつ、開口部の幅510を超えることなく、開口部を通して接触パッド312から延在する。1つの実施の形態においては、ポスト502は、ポスト502上への鉛フリーバンプのリフローはんだ付けを強化するための粗い表面仕上げを有する。図6は、コーティング604を有するポスト602を説明する断面図である。コーティング604は、ポスト602上への鉛フリーはんだバンプ606のリフローはんだ付けを強化する。1つの実施の形態においては、プレはんだコーティング604は、ポスト602上にプリントされ、スズおよび銅から構成される一方、はんだバンプ606は、スズおよび銀を含む鉛フリー合金から構成される。リフローはんだ付けの間に、はんだバンプ606およびコーティング604は、完全に溶けてはんだ接合を形成する。リフローはんだ付けの間に、コーティング604は、はんだバンプ606がポスト602の近傍において低減された銀含有量を有するようにする。これは、はんだバンプ606の延性を増し、高い熱機械的応力を受ける箇所において失敗しにくくする。したがって、はんだバンプ606は、ポスト602によって吸収されないいかなる熱機械的応力からもより破砕されにくい。図7は、1つの実施の形態に従うフリップチップ構造を作製するためのプロセスのフローチャートである。ステップ702において、基板へ接続するための鉛フリーはんだバンプを有する半導体ダイが作られる。ステップ704において、外側の誘電体層と、外側の誘電体層における開口部を通して露出する接触パッドとを含むインターポーザ基板が作られる。ステップ706において、接触パッド上に銅ポストが作られる。各接触パッドに対する銅ポストは、接触パッドに対する開口部を通して接触パッドから延在する。1つの実施の形態においては、各接触パッドに対する銅ポストは、接触パッドから遠くに位置する端部キャップを伴って作られ、ポストは、接触パッドと端部キャップとの間の内側の部分を有する。端部キャップの幅は、内側の部分の幅を超え、内側の部分の高さは、端部キャップの高さを超える。基板上に銅ポストを形成する方法の一例は、基板の外側の層にドライフィルムレジスト材料または誘電体層を適用することである。それから、基板における銅接触パッドを露出させるように開口部が形成される。接触パッド上にポストを形成するように銅がめっきされる。それから、ドライフィルムレジスト材料が取り除かれて、表面処理またはプレはんだが銅ポストの上部に適用され得る。銅ポスト構造を有することの利点は、ポストの幅が誘電体またははんだマスク開口部の幅と無関係であるということである。したがって、銅ポストの上部の幅の割合は、シリコン金属パッド図3、308の幅により合わせられて、はんだ接合のためのより均一な形状を形成し、全体のバンプ応力を低減し得る。ステップ708において、銅ポストは、開口部を通して鉛フリープレはんだからなるコーティングでカバーされる。ステップ710において、半導体ダイの鉛フリーはんだバンプは、インターポーザ基板の接触パッド上の銅ポストに揃えられる。ステップ712において、鉛フリーはんだバンプおよびコーティングは、銅ポスト上へリフローはんだ付けされる。1つの実施の形態においては、各鉛フリーはんだバンプは、シリコン金属パッドの領域へ、およびコーティングされた銅ポストの等しい領域へリフローはんだ付けされ、これらの各領域は、銅ポストの内側の部分を通る断面領域を超える。図8は、1つの実施の形態に従う半導体ダイ802の一部および基板804の一部の断面図である。鉛フリーはんだバンプ806は、スズおよび銀を含む合金たとえばSnAg2.3またはSnAg1.8から構成される。接触パッド312は、銅から構成される。プレはんだパッド810は、スズおよび銅の合金たとえばSnCu0.7から構成される。1つの実施の形態においては、はんだペーストは、はんだ付け用フラックスと、スズ-銅合金の粉末とを含む。プレはんだパッド810を生成するために、外側の誘電体層812における開口部を通して外側の誘電体層812および接触パッド312上へ、はんだペーストがシルクスクリーンされ得る。プレはんだペーストは、外側の誘電体層812における開口部を満たし、開口部の幅814および高さ816を通しておよび超えて接触パッド312から延在し、それによって、プレはんだパッド810を形成する。1つの実施の形態においては、シリコン金属パッド308の幅820gに対する誘電体開口部の幅814fの割合は、およそ1に等しくてもよいf/g=1。もう1つの実施の形態においては、誘電体開口部の幅814は、シリコン金属パッド308の幅820よりもわずかに大きくてもよいたとえばf/g≧1.1。図9は、1つの実施の形態に従うリフローはんだ付け後の図8の半導体ダイ802および基板804を示す。はんだ接合902は、リフローはんだ付けの間に図8のはんだバンプ806およびプレはんだパッド810から形成される。1つの実施の形態においては、リフローは、はんだフラックスを放出しながら、はんだバンプ806、およびプレはんだパッド810のはんだペーストを溶かす。はんだバンプ806およびプレはんだパッド810の異なる合金は、リフローはんだ付けの間に部分的に互いに拡散する。図10は、図9の構造を作製するためのプロセスのフローチャートである。ステップ1002において、基板へ接続するための鉛フリーはんだバンプを有する半導体ダイが作られる。ステップ1004において、外側の誘電体層と、外側の誘電体層における開口部を通して露出される接触パッドとを含むインターポーザ基板が作られる。開口部は、基板へはんだマスクを適用し、マスクされていない誘電体材料を取り除いて接触パッドを露出することによって形成され得る。ステップ1006において、接触パッドは、開口部を通してスズおよび銅の共晶からなるコーティングでカバーされる。プレはんだパッド図8、810は、まず、表面仕上げを適用し、それから、接触パッドに亘って開口部にはんだペーストをプリントすることによって形成され得る。ステップ1008において、半導体ダイの鉛フリーはんだバンプは、インターポーザ基板のコーティングされた接触パッドに揃えられる。ステップ1010において、鉛フリーはんだバンプおよびコーティングがリフローはんだ付けされる。1つ以上の実施の形態は、様々なフリップチップ構造に適用可能であると考えられる。他の局面および実施の形態は、ここに開示された発明の明細書および実践の考慮から当業者に明らかになるであろう。明細書および説明された実施の形態は、単なる例として考慮されることが意図され、発明の本当の範囲および精神は、後続の特許請求の範囲によって示される。