"カソード電極と発光層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該カソード電極が該発光層の遠い側から透明導電性層と金属酸化物半導体を有する層と周期表第1族または第2族に属する元素がドープされている層と金属層とをこの順で積層された4層構成になっており、かつ該周期表第1族または第2族に属する元素は金属イオンMn/金属M系の標準電極電位が-3.00Vvs.SHEよりも貴な元素の金属または金属化合物であり、かつ該発光層は燐光発光性化合物を含有していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。前記金属酸化物半導体がモリブデン酸化物、レニウム酸化物またはニッケル酸化物であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記周期表第1族または第2族に属する元素がカリウムであることを特徴とする請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記金属酸化物半導体を有する層と前記周期表第1族または第2族に属する元素がドープされている層の膜厚の総和が100nm以上、200nm以下であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記金属酸化物半導体を有する層の膜厚と前記周期表第1族または第2族に属する元素がドープされている層の膜厚との比が1:10~1:20の範囲にあることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記周期表第1族または第2族に属する元素がドープされている層の主要成分が下記一般式1で表される化合物を有することを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。一般式1Ar1n1-Y1式中、n1は1以上の整数を表し、Y1はn1が1の場合は置換基を表し、n1が2以上の場合は単なる結合手またはn1価の連結基を表す。Ar1は下記一般式Aで表される基を表し、n1が2以上の場合、複数のAr1は同一でも異なっていてもよい。但し、前記一般式1で表される化合物は分子内に3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環を少なくとも2つ有する。式中、Xは、-NR-、-O-、-S-または-SiRR’-を表し、E1~E8は、-CR1=または-N=を表し、R、R’及びR1は水素原子、置換基またはY1との連結部位を表す。はY1との連結部位を表す。Y2は単なる結合手または2価の連結基を表す。Y3及びY4は、各々5員または6員の芳香族環から導出される基を表し、少なくとも一方は環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。n2は1~4の整数を表す。前記一般式1で表される化合物が下記一般式2で表される化合物であることを特徴とする請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、Y5は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる2価の連結基を表す。E51~E66は、各々-CR3=または-N=を表し、R3は水素原子または置換基を表す。Y6~Y9は、各々芳香族炭化水素環から導出される基または芳香族複素環から導出される基を表し、Y6またはY7の少なくとも一方、及びY8またはY9の少なくとも一方は、N原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。n3及びn4は0~4の整数を表すが、n3n4は2以上の整数である。前記一般式1で表される化合物が下記一般式3で表される化合物であることを特徴とする請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、Y5は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる2価の連結基を表す。E51~E66、E71~E88は、各々-CR3=または-N=を表し、R3は水素原子または置換基を表す。但し、E71~E79の少なくとも1つ及びE80~E88の少なくとも1つは-N=を表す。n3及びn4は0~4の整数を表すが、n3n4は2以上の整数である。前記燐光発光性化合物が下記一般式4で表される化合物であることを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、P、Qは、各々炭素原子または窒素原子を表し、A1はP-Cと共に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する原子群を表す。A2はQ-Nと共に芳香族複素環を形成する原子群を表す。P1-L1-P2は2座の配位子を表し、P1、P2は各々独立に炭素原子、窒素原子または酸素原子を表す。L1はP1、P2と共に2座の配位子を形成する原子群を表す。j1は1~3の整数を表し、j2は0~2の整数を表すが、j1j2は2または3である。M1は元素周期表における8族~10族の遷移金属元素を表す。前記一般式4で表される化合物が下記一般式5で表される化合物であることを特徴とする請求項9に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、Zは、炭化水素環基または複素環基を表す。P、Qは、各々炭素原子または窒素原子を表し、A1はP-Cと共に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する原子群を表す。A3は-CR01=CR02-、-N=CR02-、-CR01=N-または-N=N-を表し、R01、R02は、各々水素原子または置換基を表す。P1-L1-P2は2座の配位子を表し、P1、P2は各々独立に炭素原子、窒素原子、または酸素原子を表す。L1はP1、P2と共に2座の配位子を形成する原子群を表す。j1は1~3の整数を表し、j2は0~2の整数を表すが、j1j2は2または3である。M1は元素周期表における8族~10族の遷移金属元素を表す。前記M1がイリジウムを表すことを特徴とする請求項9または10に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記透明導電性層上に補助電極を有することを特徴とする請求項1~11のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記有機エレクトロルミネッセンス素子が両面エミッション型であることを特徴とする請求項1~12のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。請求項1~13のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、発光効率が高く、低駆動電圧の有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置を提供することにある。本発明の上記目的は、以下の構成により達成される。1.カソード電極と発光層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該カソード電極が該発光層の遠い側から透明導電性層と金属酸化物半導体を有する層と周期表第1族または第2族に属する元素がドープされている層と金属層とをこの順で積層された4層構成になっており、かつ該周期表第1族または第2族に属する元素は金属イオンMn/金属M系の標準電極電位が-3.00Vvs.SHEよりも貴な元素の金属または金属化合物であり、かつ該発光層は燐光発光性化合物を含有していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。2.前記金属酸化物半導体がモリブデン酸化物、レニウム酸化物またはニッケル酸化物であることを特徴とする前記1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。3.前記周期表第1族または第2族に属する元素がカリウムであることを特徴とする前記1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。4.前記金属酸化物半導体を有する層と前記周期表第1族または第2族に属する元素がドープされている層の膜厚の総和が100nm以上、200nm以下であることを特徴とする前記1~3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。5.前記金属酸化物半導体を有する層の膜厚と前記周期表第1族または第2族に属する元素がドープされている層の膜厚との比が1:10~1:20の範囲にあることを特徴とする前記1~4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。6.前記周期表第1族または第2族に属する元素がドープされている層の主要成分が下記一般式1で表される化合物を有することを特徴とする前記1~5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。一般式1Ar1n1-Y1式中、n1は1以上の整数を表し、Y1はn1が1の場合は置換基を表し、n1が2以上の場合は単なる結合手またはn1価の連結基を表す。Ar1は下記一般式Aで表される基を表し、n1が2以上の場合、複数のAr1は同一でも異なっていてもよい。但し、前記一般式1で表される化合物は分子内に3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環を少なくとも2つ有する。式中、Xは、-NR-、-O-、-S-または-SiRR’-を表し、E1~E8は、-CR1=または-N=を表し、R、R’及びR1は水素原子、置換基またはY1との連結部位を表す。はY1との連結部位を表す。Y2は単なる結合手または2価の連結基を表す。Y3及びY4は、各々5員または6員の芳香族環から導出される基を表し、少なくとも一方は環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。n2は1~4の整数を表す。7.前記一般式1で表される化合物が下記一般式2で表される化合物であることを特徴とする前記6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、Y5は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる2価の連結基を表す。E51~E66は、各々-CR3=または-N=を表し、R3は水素原子または置換基を表す。Y6~Y9は、各々芳香族炭化水素環から導出される基または芳香族複素環から導出される基を表し、Y6またはY7の少なくとも一方、及びY8またはY9の少なくとも一方は、N原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。n3及びn4は0~4の整数を表すが、n3n4は2以上の整数である。8.前記一般式1で表される化合物が下記一般式3で表される化合物であることを特徴とする前記6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、Y5は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる2価の連結基を表す。E51~E66、E71~E88は、各々-CR3=または-N=を表し、R3は水素原子または置換基を表す。但し、E71~E79の少なくとも1つ及びE80~E88の少なくとも1つは-N=を表す。n3及びn4は0~4の整数を表すが、n3n4は2以上の整数である。9.前記燐光発光性化合物が下記一般式4で表される化合物であることを特徴とする前記1~8のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、P、Qは、各々炭素原子または窒素原子を表し、A1はP-Cと共に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する原子群を表す。A2はQ-Nと共に芳香族複素環を形成する原子群を表す。P1-L1-P2は2座の配位子を表し、P1、P2は各々独立に炭素原子、窒素原子または酸素原子を表す。L1はP1、P2と共に2座の配位子を形成する原子群を表す。j1は1~3の整数を表し、j2は0~2の整数を表すが、j1j2は2または3である。M1は元素周期表における8族~10族の遷移金属元素を表す。10.前記一般式4で表される化合物が下記一般式5で表される化合物であることを特徴とする前記9に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、Zは、炭化水素環基または複素環基を表す。P、Qは、各々炭素原子または窒素原子を表し、A1はP-Cと共に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する原子群を表す。A3は-CR01=CR02-、-N=CR02-、-CR01=N-または-N=N-を表し、R01、R02は、各々水素原子または置換基を表す。P1-L1-P2は2座の配位子を表し、P1、P2は各々独立に炭素原子、窒素原子、または酸素原子を表す。L1はP1、P2と共に2座の配位子を形成する原子群を表す。j1は1~3の整数を表し、j2は0~2の整数を表すが、j1j2は2または3である。M1は元素周期表における8族~10族の遷移金属元素を表す。11.前記M1がイリジウムを表すことを特徴とする前記9または10に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。12.前記透明導電性層上に補助電極を有することを特徴とする前記1~11のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。13.前記有機エレクトロルミネッセンス素子が両面エミッション型であることを特徴とする前記1~12のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。14.前記1~13のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。本発明により、発光効率が高く、低駆動電圧の有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置を提供することができた。以下本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、4層積層されたカソード電極と燐光発光性化合物を含有した発光層を有している。カソード電極の4層は発光層を遠い側から透明導電性層、金属酸化物半導体を有する層、周期表第1族または第2族に属する元素がドープされている層、金属層とをこの順で積層されており、該周期表第1族または第2族に属する元素は金属イオンMn/金属M系の標準電極電位が-3.00Vvs.SHEよりも貴な元素の金属または金属化合物である。本発明の4層積層されたカソード電極は、透明導電性層で導電性を確保することで金属層を薄膜化し、素子の透過率を高める、スパッタ法等の生産性が高いプロセスで透明導電性層を成膜する場合に課題となるターゲット粒子の打ち込みに対しては周期表第1族または第2族に属する元素がドープされている層を厚膜化することで防止し、スパッタ等のプロセスで酸素ラジカルに対しては金属酸化物半導体を有する層で抑制することで、燐光発光性化合物を含有した発光層を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の作成において、有機層へのダメージを与えることなく、透過率が高いカソード電極を形成することができる。以下、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子について説明する。《有機エレクトロルミネッセンス素子》まず、面発光体の一例である本発明の有機EL素子の実施形態を詳細に説明するが、以下に記載する内容は、本発明の実施態様の代表例であり、本発明はその要旨を超えない限り、これらの内容に限定されない。はじめに、有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示す。iアノード電極/発光層/電子輸送層/電子注入層/カソード電極金属層/周期表第1族または第2族に属する元素がドープされている層/金属酸化物半導体を有する層/透明導電性層iiアノード電極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/カソード電極金属層/周期表第1族または第2族に属する元素がドープされている層/金属酸化物半導体を有する層/透明導電性層iiiアノード電極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/電子注入層/カソード電極金属層/周期表第1族または第2族に属する元素がドープされている層/金属酸化物半導体を有する層/透明導電性層本発明の有機EL素子はカソード電極が透明であることが好ましく、対向する電極はアプリケーションによって透明、不透明のどちらも選択することができる。本発明の有機EL素子はトップエミッション型または両面エミッション型の構成を取ることが好ましい。発光層は、少なくとも発光色の異なる2種以上の発光材料を含有していることが好ましく、単層でも複数の発光層からなる発光層ユニットを形成していてもよい。また、正孔輸送層には正孔注入層、電子阻止層も含まれる。《カソード電極》本発明のカソード電極以下カソードともいうは発光層の遠い側から透明導電性層、金属酸化物半導体を有する層、周期表第1族または第2族に属する元素がドープされている層、金属層の順に4層積層されており、該周期表第1族または第2族に属する元素は金属イオンMn/金属M系の標準電極電位が-3.00Vvs.SHEよりも貴な元素の金属または金属化合物であることを特徴とする。以下、本発明のカソードを構成する積層された4層構成の各層について説明する。なお、本発明のカソードは必要に応じて、透明導電性層、金属層の外側にさらに層を設けても良いし、透明導電性層、金属酸化物半導体を有する層、周期表第1族または第2族に属する元素がドープされている層、金属層の各々の層は複数層から構成されていても良い。《透明導電性層》本発明のカソードを構成する透明導電性層としては、インジウムチンオキシドITO、SnO2、ZnO等の導電性光透過性材料が好ましく用いられる。また、IDIXOIn2O3-ZnO等非晶質で光透過性の導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。本発明の透明導電性層の形成方法としては生産性の観点から、スパッタリング法が好ましい。本発明の透明導電性層は必要に応じて、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は100μm以上程度、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。本発明の透明導電性層のシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常10~1000nm、好ましくは50~200nmの範囲で選ばれる。《金属酸化物半導体を有する層》本発明のカソードを構成する金属酸化物半導体を有する層は蒸着法で成膜することが好ましい。金属酸化物としては特に制限はないが遷移金属或いは希土類金属から選択された金属から成る金属酸化物を用いることができる。本発明の金属酸化物として好ましい化合物はモリブデン酸化物、レニウム酸化物またはニッケル酸化物である。本発明の金属酸化物は酸素欠陥状態であることがより好ましい。本発明の酸素欠陥状態は、酸素不足型の非化学量論組成となっている状態を言う。本発明の金属酸化物半導体を有する層の膜厚と後述する周期表第1族または第2族に属する元素がドープされている層の膜厚との比は1:10~1:20の範囲にあることが好ましい。本発明の金属酸化物半導体を有する層は透明導電性層の成膜時に発生する酸素ラジカルによる周期表第1族または第2族に属する元素の酸化を抑制することを主な目的とするため、膜厚は必要最低限でよい。周期表第1族または第2族に属する元素が酸化されてしまうと、周期表第1族または第2族に属する元素がドープされている層の電子輸送性が悪くなり電圧が上昇するため、透明導電性層と周期表第1族または第2族に属する元素がドープされている層の間に本発明の金属酸化物半導体を有する層を設けることは本発明の効果を発現させる上で極めて重要である。《周期表第1族または第2族に属する元素がドープされている層》本発明のカソードを構成する周期表第1族または第2族に属する元素がドープされている層は蒸着法で成膜することが好ましい。本発明の周期表第1族または第2族に属する元素は金属イオンMn/金属M系の標準電極電位が-3.00Vvs.SHEよりも貴な元素の金属または金属化合物であることを特徴とする。ここで、本発明に係るMn/M系の標準電極電位E°は、温度25°C、溶質の活量がすべて1の水溶液中における、標準水素電極に対する電極電位であり、例えば改定第3版化学便覧基礎編II日本化学会編のII-474ページ、表1246の値を参考にできる。本発明に係る、周期表の第1族または第2族に属する元素であり、該元素の金属イオンMn/金属M系の標準電極電位が-3.00Vvs.SHEよりも貴な元素の金属または金属化合物を構成する元素としては、具体的には、カリウム-2.925V、カルシウム-2.840V、ナトリウム-2.714V、マグネシウム-2.356V等を挙げることができる。本発明の周期表の第1族または第2族に属する元素として好ましい元素はカリウムである。標準電極電位が-3Vよりも卑な元素、例えば、セシウム-3.027Vやリチウム-3.045Vなどは電子輸送性を高める効果は有するものの、そのもの自身が酸化され易いため、生産適合性が低い欠点を有している。本発明の周期表第1族または第2族に属する元素のドープ量は周期表第1族または第2族に属する元素がドープされている層の総質量に対して1~50の質量比にあることが好ましい。本発明の周期表第1族または第2族に属する元素のドープ量のより好ましい範囲は5~20である。本発明の周期表第1族または第2族に属する元素がドープされている層の主要成分は下記一般式1~3で表される化合物であることが好ましい。主要成分とは層の総質量に対して、50質量以上含まれている成分をいう。より好ましくは、周期表第1族または第2族に属する元素のドープ量がドープされている層の総質量に対して5~20で残りが、下記一般式1~3で表される化合物であることである。《一般式1で表される化合物》本発明に係る一般式1で表される化合物について説明する。一般式1において、Y1で表される置換基の例としては、アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等、シクロアルキル基例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等、アルケニル基例えば、ビニル基、アリル基等、アルキニル基例えば、エチニル基、プロパルギル基等、芳香族炭化水素基芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、p-クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基、芳香族複素環基例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す、フタラジニル基等、複素環基例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等、アルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等、シクロアルコキシ基例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等、アリールオキシ基例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等、アルキルチオ基例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等、シクロアルキルチオ基例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等、アリールチオ基例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等、アルコキシカルボニル基例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等、アリールオキシカルボニル基例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等、スルファモイル基例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2-ピリジルアミノスルホニル基等、アシル基例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2-エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等、アシルオキシ基例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等、アミド基例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2-エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等、カルバモイル基例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2-エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2-ピリジルアミノカルボニル基等、ウレイド基例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2-ピリジルアミノウレイド基等、スルフィニル基例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2-エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2-ピリジルスルフィニル基等、アルキルスルホニル基例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2-エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2-ピリジルスルホニル基等、アミノ基例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2-エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2-ピリジルアミノ基、ピペリジル基ピペリジニル基ともいう、2,2,6,6-テトラメチルピペリジニル基等、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等、フッ化炭化水素基例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等、リン酸エステル基例えば、ジヘキシルホスホリル基等、亜リン酸エステル基例えばジフェニルホスフィニル基等、ホスホノ基等が挙げられる。これらの置換基は、上記の置換基によって更に置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。一般式1において、Y1で表されるn1価の連結基としては、具体的には、2価の連結基、3価の連結基、4価の連結基等が挙げられる。一般式1において、Y1で表される2価の連結基としては、アルキレン基例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、プロピレン基、エチルエチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、2,2,4-トリメチルヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、シクロヘキシレン基例えば、1,6-シクロヘキサンジイル基等、シクロペンチレン基例えば、1,5-シクロペンタンジイル基など等、アルケニレン基例えば、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、ペンテニレン基、1-メチルビニレン基、1-メチルプロペニレン基、2-メチルプロペニレン基、1-メチルペンテニレン基、3-メチルペンテニレン基、1-エチルビニレン基、1-エチルプロペニレン基、1-エチルブテニレン基、3-エチルブテニレン基等、アルキニレン基例えば、エチニレン基、1-プロピニレン基、1-ブチニレン基、1-ペンチニレン基、1-ヘキシニレン基、2-ブチニレン基、2-ペンチニレン基、1-メチルエチニレン基、3-メチル-1-プロピニレン基、3-メチル-1-ブチニレン基等、アリーレン基例えば、o-フェニレン基、p-フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、ナフタセンジイル基、ピレンジイル基、ナフチルナフタレンジイル基、ビフェニルジイル基例えば、[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジイル基、3,3’-ビフェニルジイル基、3,6-ビフェニルジイル基等、テルフェニルジイル基、クアテルフェニルジイル基、キンクフェニルジイル基、セキシフェニルジイル基、セプチフェニルジイル基、オクチフェニルジイル基、ノビフェニルジイル基、デシフェニルジイル基等、ヘテロアリーレン基例えば、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環モノアザカルボリン環ともいい、カルボリン環を構成する炭素原子のひとつが窒素原子で置き換わった構成の環構成を示す、トリアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、キノキサリン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環からなる群から導出される2価の基等、酸素や硫黄などのカルコゲン原子、3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基等ここで、3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環としては、好ましくはN、O及びSから選択されたヘテロ原子を、縮合環を構成する元素として含有する芳香族複素縮合環であることが好ましく、具体的には、アクリジン環、ベンゾキノリン環、カルバゾール環、フェナジン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、カルボリン環、サイクラジン環、キンドリン環、テペニジン環、キニンドリン環、トリフェノジチアジン環、トリフェノジオキサジン環、フェナントラジン環、アントラジン環、ペリミジン環、ジアザカルバゾール環カルボリン環を構成する炭素原子の任意の一つが窒素原子で置き換わったものを表す、フェナントロリン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ナフトフラン環、ナフトチオフェン環、ベンゾジフラン環、ベンゾジチオフェン環、ナフトジフラン環、ナフトジチオフェン環、アントラフラン環、アントラジフラン環、アントラチオフェン環、アントラジチオフェン環、チアントレン環、フェノキサチイン環、チオファントレン環ナフトチオフェン環等が挙げられる。一般式1において、Y1で表される3価の連結基としては、例えば、エタントリイル基、プロパントリイル基、ブタントリイル基、ペンタントリイル基、ヘキサントリイル基、ヘプタントリイル基、オクタントリイル基、ノナントリイル基、デカントリイル基、ウンデカントリイル基、ドデカントリイル基、シクロヘキサントリイル基、シクロペンタントリイル基、ベンゼントリイル基、ナフタレントリイル基、ピリジントリイル基、カルバゾールトリイル基等が挙げられる。一般式1において、Y1で表される4価の連結基としては、上記の3価の基に更にひとつ結合基がついたものであり、例えば、プロパンジイリデン基、1,3-プロパンジイル-2-イリデン基、ブタンジイリデン基、ペンタンジイリデン基、ヘキサンジイリデン基、ヘプタンジイリデン基、オクタンジイリデン基、ノナンジイリデン基、デカンジイリデン基、ウンデカンジイリデン基、ドデカンジイリデン基、シクロヘキサンジイリデン基、シクロペンタンジイリデン基、ベンゼンテトライル基、ナフタレンテトライル基、ピリジンテトライル基、カルバゾールテトライル基等が挙げられる。尚、上記の2価の連結基、3価の連結基、4価の連結基は、各々更に、一般式1において、Y1で表される置換基を有していても良い。一般式1で表される化合物の好ましい態様としては、Y1が3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を表すことが好ましく、該3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環としては、ジベンゾフラン環またはジベンゾチオフェン環が好ましい。また、n1が2以上であることが好ましい。更に、一般式1で表される化合物は、分子内に上記の3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環を少なくとも2つ有する。また、Y1がn1価の連結基を表す場合、一般式1で表される化合物の三重項励起エネルギーを高く保つために、Y1は非共役であることが好ましく、更に、Tgガラス転移点、ガラス転移温度ともいうを向上させる点から、芳香環芳香族炭化水素環芳香族複素環で構成されていることが好ましい。ここで、非共役とは、連結基が単結合一重結合ともいうと二重結合の繰り返しによって表記できないか、または連結基を構成する芳香環同士の共役が立体的に切断されている場合を意味する。一般式Aで表される基一般式1において、Ar1は、上記一般式Aで表される基を表す。一般式AのXで表される-NR-または-SiRR’-において、更に、E1~E8で表される-CR1=において、R、R’及びR1で各々表される置換基は、一般式1において、Y1で表される置換基と同義である。一般式Aにおいて、Y2で表される2価の連結基としては、一般式1において、Y1で表される2価の連結基と同義である。一般式Aにおいて、Y3及びY4で各々表される5員または6員の芳香族環から導出される基の形成に用いられる5員または6員の芳香族環としては、ベンゼン環、オキサゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ジアジン環、トリアジン環、イミダゾール環、イソオキサゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。更に、Y3及びY4で各々表される5員または6員の芳香族環から導出される基の少なくとも一方は、環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環から導出される基を表すが、該環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環としては、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ジアジン環、トリアジン環、イミダゾール環、イソオキサゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。Y3で表される基の好ましい態様一般式Aにおいて、Y3で表される基としては、上記6員の芳香族環から導出される基であることが好ましく、更に好ましくは、ベンゼン環から導出される基である。Y4で表される基の好ましい態様一般式Aにおいて、Y4で表される基としては、上記6員の芳香族環から導出される基であることが好ましく、更に好ましくは、窒素原子を環構成原子と含む芳香族複素環から導出される基であり、特に好ましくは、Y4がピリジン環から導出される基であることである。一般式Aで表される基の好ましい態様一般式Aで表される基の好ましい態様としては、下記一般式A-1、A-2、A-3またはA-4のいずれかで表される基が挙げられる。式中、Xは-NR-、-O-、-S-または-SiRR’-を表し、E1~E8は-CR1=または-N=を表し、R、R’及びR1は水素原子、置換基またはY1との連結部位を表す。Y2は単なる結合手または2価の連結基を表す。E11~E20は、-CR2=または-N=を表し、少なくとも1つは-N=を表す。R2は、水素原子、置換基または連結部位を表す。但し、E11、E12の少なくとも1つは-CR2=を表し、R2は連結部位を表す。n2は1~4の整数を表す。は、上記一般式1のY1との連結部位を表す。式中、Xは-NR-、-O-、-S-または-SiRR’-を表し、E1~E8は-CR1=または-N=を表し、R、R’及びR1は水素原子、置換基またはY1との連結部位を表す。Y2は単なる結合手または2価の連結基を表す。E21~E25は-CR2=または-N=を表し、E26~E30は-CR2=、-N=、-O-、-S-または-SiR3R4-を表し、E21~E30の少なくとも1つは-N=を表す。R2は、水素原子、置換基または連結部位を表し、R3及びR4は水素原子または置換基を表す。但し、E21またはE22の少なくとも1つは-CR2=を表し、R2は連結部位を表す。n2は1~4の整数を表す。は、上記一般式1のY1との連結部位を表す。式中、Xは-NR-、-O-、-S-または-SiRR’-を表し、E1~E8は-CR1=または-N=を表し、R、R’及びR1は水素原子、置換基またはY1との連結部位を表す。Y2は単なる結合手または2価の連結基を表す。E31~E35は-CR2=、-N=、-O-、-S-または-SiR3R4-を表し、E36~E40は-CR2=または-N=を表し、E31~E40の少なくとも1つは-N=を表す。R2は、水素原子、置換基または連結部位を表し、R3及びR4は水素原子または置換基を表す。但し、E32またはE33の少なくとも1つは-CR2=で表され、R2は連結部位を表す。n2は1~4の整数を表す。は、上記一般式1のY1との連結部位を表す。式中、Xは-NR-、-O-、-S-または-SiRR’-を表し、E1~E8は-CR1=または-N=を表し、R、R’及びR1は水素原子、置換基またはY1との連結部位を表す。Y2は単なる結合手または2価の連結基を表す。E41~E50は-CR2=、-N=、-O-、-S-または-SiR3R4-を表し、少なくとも1つは-N=を表す。R2は、水素原子、置換基または連結部位を表し、R3及びR4は水素原子または置換基を表す。但し、E42またはE43の少なくとも1つは-CR2=で表され、R2は連結部位を表す。n2は1~4の整数を表す。は、上記一般式1のY1との連結部位を表す。以下、一般式A-1~A-4のいずれかで表される基について説明する。一般式A-1~A-4で表される基のいずれかのXで表される-NR-または-SiRR’-において、更に、E1~E8で表される-CR1=において、R、R’及びR1で各々表される置換基は、一般式1において、Y1で表される置換基と同義である。一般式A-1~A-4で表される基のいずれかにおいて、Y2で表される2価の連結基としては、一般式1において、Y1で表される2価の連結基と同義である。一般式A-1のE11~E20、一般式A-2のE21~E30、一般式A-3のE31~E40、一般式A-4のE41~E50で、各々表される-CR2=のR2で表される置換基は、一般式1において、Y1で表される置換基と同義である。次に、本発明に係る一般式1で表される化合物の更に好ましい態様について説明する。《一般式2で表される化合物》本発明では、上記一般式1で表される化合物の中でも、上記一般式2で表される化合物が好ましい。以下、一般式2で表される化合物について説明する。一般式2において、Y5で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基は、一般式1において、Y1で表される2価の連結基の一例として記載されているアリーレン基、ヘテロアリーレン基と各々同義である。Y5で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる2価の連結基の好ましい態様としては、ヘテロアリーレン基の中でも、3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を含むことが好ましく、また、該3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基としては、ジベンゾフラン環から導出される基またはジベンゾチオフェン環から導出される基が好ましい。一般式2において、E51~E66で各々表される-CR3=のR3で表される置換基は、一般式1において、Y1で表される置換基と同義である。一般式2において、E51~E66で各々表される基としては、E51~E58のうちの6つ以上及びE59~E66のうちの6つ以上が、各々-CR3=で表されることが好ましい。一般式2において、Y6~Y9は、各々芳香族炭化水素環から導出される基の形成に用いられる芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、o-テルフェニル環、m-テルフェニル環、p-テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。更に、前記芳香族炭化水素環は、一般式1において、Y1で表される置換基を有してもよい。一般式2において、Y6~Y9は、各々芳香族複素環から導出される基の形成に用いられる芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環カルボリン環を構成する炭素原子の一つが更に窒素原子で置換されている環を示す等が挙げられる。更に、前記芳香族炭化水素環は、一般式1において、Y1で表される置換基を有してもよい。一般式2において、Y6またはY7の少なくとも一方、及びY8またはY9の少なくとも一方で表されるN原子を含む芳香族複素環から導出される基の形成に用いられるN原子を含む芳香族複素環としては、例えば、例えば、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環カルボリン環を構成する炭素原子の一つが更に窒素原子で置換されている環を示す等が挙げられる。一般式2において、Y7、Y9で表される基としては、各々ピリジン環から導出される基を表すことが好ましい。また、一般式2において、Y6及びY8で表される基としては、各々ベンゼン環から導出される基を表すことが好ましい。更に、本発明に係る一般式2で表される化合物の中でも更に好ましい態様について説明する。《一般式3で表される化合物》本発明では、上記一般式2で表される化合物の中でも、更に上記一般式3で表される化合物が好ましい。以下、一般式2で表される化合物について説明する。一般式3において、Y5で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基は、一般式1において、Y1で表される2価の連結基の一例として記載されているアリーレン基、ヘテロアリーレン基と各々同義である。Y5で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる2価の連結基の好ましい態様としては、ヘテロアリーレン基の中でも、3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を含むことが好ましく、また、該3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基としては、ジベンゾフラン環から導出される基またはジベンゾチオフェン環から導出される基が好ましい。一般式3において、E51~E66、E71~E78で各々表される-CR3=のR3で表される置換基は、一般式1において、Y1で表される置換基と同義である。一般式3において、E51~E58のうちの6つ以上及びE59~E66のうちの6つ以上が、各々-CR3=で表されることが好ましい。一般式3において、E75~E79の少なくとも1つ及びE84~E88の少なくとも1つが-N=を表すことが好ましい。更には、一般式3において、E75~E79のいずれか1つ及びE84~E88のいずれか1つが-N=を表すことが好ましい。また、一般式3において、E71~E74及びE80~E83が、各々-CR3=で表されることが好ましい態様として挙げられる。更に、一般式2または一般式3で表される化合物において、E53が-CR3=で表され、且つ、R3が連結部位を表すことが好ましく、更に、E61も同時に-CR3=で表され、且つ、R3が連結部位を表すことが好ましい。更に、E75及びE84が-N=で表されることが好ましく、E71~E74及びE80~E83が、各々-CR3=で表されることが好ましい。以下、本発明に係る一般式1、2または3で表される化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。以下に代表的な化合物の合成例を示すが、本発明はこれらに限定されない。《化合物5の合成例》工程1:中間体1の合成窒素雰囲気下、3,6-ジブロモジベンゾフラン1.0モル、カルバゾール2.0モル、銅粉末3.0モル、炭酸カリウム1.5モルをDMAcジメチルアセトアミド300ml中に混合し、130°Cで24時間撹拌した。反応液を室温まで冷却後、トルエン1lを加え、蒸留水で3回洗浄し、有機層を減圧下に溶媒を留去し、残渣をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィーn-ヘプタン:トルエン=4:1~3:1にて精製し、中間体1を収率85で得た。工程2:中間体2の合成室温、大気下で中間体10.5モルをDMF100mlに溶解し、NBS2.0モルを加え、一晩室温で撹拌した。得られた沈殿を濾過し、メタノールで洗浄し、中間体2を収率92で得た。工程3:化合物5の合成窒素雰囲気下、中間体20.25モル、2-フェニルピリジン1.0モル、ルテニウム錯体[η6-C6H6RuCl2]20.05モル、トリフェニルホスフィン0.2モル、炭酸カリウム12モルをNMPN-メチル-2-ピロリドン3l中で混合し、140°Cで一晩撹拌した。反応液を室温まで冷却後、ジクロロメタン5lを加え、反応液を濾過した。濾液は減圧下に溶媒を留去し800Pa、80°C、N-メチル-2-ピロリドン残渣をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィーCH2Cl2:Et3N=20:1~10:1にて精製した。各フラクションを集めて溶媒を減圧下に留去後、残渣をジクロロメタンに再び溶解し、水で3回洗浄後した。有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去して化合物5を収率68で得た。本発明の金属酸化物半導体を有する層と周期表第1族または第2族に属する元素がドープされている層の膜厚の総和は100nm以上、200nm以下であることが好ましい。膜厚を100nm以上に厚くすることで、透明導電性層を形成する際の課題の一つであるITO粒子等のターゲット成分の打ち込みによるショート等の課題に対しての抑制効果が高くなる。特に周期表第1族または第2族に属する元素がドープされている層は電子輸送性が高いため、厚膜化しても電圧上昇が少ないので、上述の膜厚の総和を満足する場合は、金属酸化物半導体を有する層の膜厚を薄くし、周期表第1族または第2族に属する元素がドープされている層の膜厚を厚くすることが好ましい。《金属層》本発明のカソードを構成する金属層は蒸着法で成膜することが好ましい。金属層を形成する材料としては特に限定はないが、アルミニウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、銀、金またはその合金の1種以上から選択することが好ましい。本発明の金属層の膜厚はカソードの透過率を高める観点から、1nm~10nmの範囲にあることが好ましく、より好ましい膜厚の範囲は1nm~5nmである。《補助電極》本発明の有機EL素子は、透明導電性層上に抵抗を下げる目的で補助電極を設けることができる。補助電極を形成する材料としては、金、白金、銀、銅、アルミ等の抵抗が低い金属が好ましい。補助電極の形成方法としては、蒸着法、スパッタリング法、印刷法、インクジェット法、エアロゾルジェット法などが挙げられる。本発明の補助電極の線幅は透明導電性層の開口率の観点から50μm以下であることが好ましく、補助電極の厚さは導電性の観点から、1μ以上であることが好ましい。発光層本発明の発光層は発光材料として燐光発光化合物が含有されていることを特徴とする。発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子および正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。発光層としては、含まれる発光材料が発光要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。また、各発光層間には非発光性の中間層を有していることが好ましい。発光層の膜厚の総和は1~100nmの範囲にあることが好ましく、更に好ましくは、より低い駆動電圧を得ることができることから1nm以上、30nm以下である。なお、発光層の膜厚の総和とは、発光層間に非発光性の中間層が存在する場合には、当該中間層も含む膜厚である。個々の発光層の膜厚としては、1~50nmの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは1~20nmの範囲に調整することである。青、緑、赤の各発光層の膜厚の関係については、特に制限はない。発光層の作製には、後述する発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法、インクジェット法等の公知の薄膜形成方法により製膜して形成することができる。各発光層は複数の発光材料を混合してもよく、また燐光発光材料と蛍光発光材料を同一発光層中に混合して用いてもよい。発光層の構成として、ホスト化合物、発光材料発光ドーパント化合物ともいうを含有し、発光材料より発光させることが好ましい。ホスト化合物有機EL素子の発光層に含有されるホスト化合物としては、室温25°Cにおける燐光発光の燐光量子収率が0.1未満の化合物が好ましい。更に好ましくは燐光量子収率が0.01未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での体積比が50以上であることが好ましい。ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物蒸着重合性発光ホストでもいい。公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、発光の長波長化を防ぎ、かつ高Tgガラス転移温度化合物が好ましい。ここでいうガラス転移点Tgとは、DSCDifferentialScanningColorimetry:示差走査熱量法を用いて、JIS-K-7121に準拠した方法により求められる値である。公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。例えば、特開2001-257076号公報、同2002-308855号公報、同2001-313179号公報、同2002-319491号公報、同2001-357977号公報、同2002-334786号公報、同2002-8860号公報、同2002-334787号公報、同2002-15871号公報、同2002-334788号公報、同2002-43056号公報、同2002-334789号公報、同2002-75645号公報、同2002-338579号公報、同2002-105445号公報、同2002-343568号公報、同2002-141173号公報、同2002-352957号公報、同2002-203683号公報、同2002-363227号公報、同2002-231453号公報、同2003-3165号公報、同2002-234888号公報、同2003-27048号公報、同2002-255934号公報、同2002-260861号公報、同2002-280183号公報、同2002-299060号公報、同2002-302516号公報、同2002-305083号公報、同2002-305084号公報、同2002-308837号公報等が挙げられる。発光材料次に、発光材料について説明する。本発明において、発光材料として燐光発光性化合物燐光性化合物、燐光発光材料ともいうを用いる。燐光発光性化合物とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温25°Cにて燐光発光する化合物であり、燐光量子収率が25°Cにおいて0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましい燐光量子収率は0.1以上である。上記燐光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁1992年版、丸善に記載の方法により測定できる。溶液中での燐光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明において燐光発光性化合物を用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて上記燐光量子収率0.01以上が達成されればよい。燐光発光性化合物の発光の原理としては2種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーを燐光発光性化合物に移動させることで燐光発光性化合物からの発光を得るというエネルギー移動型であり、もう一つは燐光発光性化合物がキャリアトラップとなり、燐光発光性化合物上でキャリアの再結合が起こり燐光発光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、燐光発光性化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。燐光発光性化合物は、有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で8~10族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物白金錯体系化合物、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。本発明においては、少なくとも一つの発光層に2種以上の燐光発光性化合物を含有していてもよく、発光層における燐光発光性化合物の濃度比が発光層の厚さ方向で変化していてもよい。燐光発光性化合物は好ましくは発光層の総量に対し0.1体積以上30体積未満である。本発明の燐光発光性化合物は下記一般式4で表わされる化合物であることが好ましい。《一般式4で表される化合物》本発明の有機EL素子に係るリン光発光性化合物としては、上記一般式4で表される化合物が好ましい。以下、一般式4で表される化合物について説明する。尚、一般式4で表されるリン光発光性化合物リン光発光性の金属錯体ともいうは、本発明の有機EL素子の発光層に発光ドーパントとして含有されることが好ましい態様であるが、発光層以外の構成層本発明の有機EL素子の構成層については後に詳細に説明する。に含有されていても良い。一般式4において、A1がP-Cと共に形成する芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、o-テルフェニル環、m-テルフェニル環、p-テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。これらの環は更に、一般式1において、Y1で表される置換基を有してもよい。一般式4において、A1が、P-Cと共に形成する芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環等が挙げられる。ここで、アザカルバゾール環とは、前記カルバゾール環を構成するベンゼン環の炭素原子が1つ以上窒素原子で置き換わったものを示す。これらの環は更に、一般式1において、Y1で表される置換基を有してもよい。一般式4において、A2が、Q-Nと共に形成する芳香族複素環としては、オキサゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。これらの環は更に、一般式1において、Y1で表される置換基を有してもよい。一般式4において、P1-L1-P2で表される2座の配位子としては、フェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、アセチルアセトン、ピコリン酸等が挙げられる。一般式4において、j1は1~3の整数を表し、j2は0~2の整数を表すが、j1j2は2または3を表す、中でも、j2は0である場合が好ましい。一般式4において、M1は元素周期表における8族~10族の遷移金属元素単に遷移金属ともいうが用いられるが、中でも、イリジウム好ましい。本発明の燐光発光性化合物は下記一般式5で表わされる化合物であることがさらに好ましい。《一般式5で表される化合物》本発明に係る一般式4で表される化合物の中でも、一般式5で表される化合物が好ましい。一般式5において、Zで表される炭化水素環基としては、非芳香族炭化水素環基、芳香族炭化水素環基が挙げられ、非芳香族炭化水素環基としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。これらの基は、無置換でも後述する置換基を有していてもよい。また、芳香族炭化水素環基芳香族炭化水素基、アリール基等ともいうとしては、例えば、フェニル基、p-クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。これらの基は、無置換でもよく、一般式1において、Y1で表される置換基を有してもよい。一般式5において、Zで表される複素環基としては、非芳香族複素環基、芳香族複素環基等が挙げられ、非芳香族複素環基としては、例えば、エポキシ環、アジリジン環、チイラン環、オキセタン環、アゼチジン環、チエタン環、テトラヒドロフラン環、ジオキソラン環、ピロリジン環、ピラゾリジン環、イミダゾリジン環、オキサゾリジン環、テトラヒドロチオフェン環、スルホラン環、チアゾリジン環、ε-カプロラクトン環、ε-カプロラクタム環、ピペリジン環、ヘキサヒドロピリダジン環、ヘキサヒドロピリミジン環、ピペラジン環、モルホリン環、テトラヒドロピラン環、1,3-ジオキサン環、1,4-ジオキサン環、トリオキサン環、テトラヒドロチオピラン環、チオモルホリン環、チオモルホリン-1、1-ジオキシド環、ピラノース環、ジアザビシクロ[2,2,2]-オクタン環等から導出される基を挙げられる。これらの基は、無置換でもよく、一般式1において、Y1で表される置換基を有してもよい。芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基例えば、1,2,4-トリアゾール-1-イル基、1,2,3-トリアゾール-1-イル基等、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げられる。これらの基は、無置換でもよく、一般式1において、Y1で表される置換基を有してもよい。好ましくは、Zで表される基は芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基である。一般式5において、A1が、P-Cと共に形成する芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、o-テルフェニル環、m-テルフェニル環、p-テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。これらの環は更に、一般式1において、Y1で表される置換基を有してもよい。一般式5において、A1がP-Cと共に形成する芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、カルボリン環、アザカルバゾール環等が挙げられる。ここで、アザカルバゾール環とは、前記カルバゾール環を構成するベンゼン環の炭素原子が1つ以上窒素原子で置き換わったものを示す。これらの環は更に、一般式1において、Y1で表される置換基を有してもよい。一般式5のA3で表される、-CR01=CR02-、-N=CR02-、-CR01=N-において、R01、R02で各々表される置換基は、一般式1において、Y1で表される置換基と同義である。一般式5において、P1-L1-P2で表される2座の配位子としては、フェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、アセチルアセトン、ピコリン酸等が挙げられる。また、j1は1~3の整数を表し、j2は0~2の整数を表すが、j1j2は2または3を表す、中でも、j2は0である場合が好ましい。一般式5において、M1で表される元素周期表における8族~10族の遷移金属元素単に遷移金属ともいうは、一般式4において、M1で表される元素周期表における8族~10族の遷移金属元素と同義である。本発明に係るリン光発光性化合物の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。上記のリン光発光性化合物は、例えば、OrganicLetter誌、vol3、No.16、2579~2581頁2001、InorganicChemistry,第30巻、第8号、1685~1687頁1991年、J.Am.Chem.Soc.,123巻、4304頁2001年、InorganicChemistry,第40巻、第7号、1704~1711頁2001年、InorganicChemistry,第41巻、第12号、3055~3066頁2002年、NewJournalofChemistry.,第26巻、1171頁2002年、EuropeanJournalofOrganicChemistry,第4巻、695~709頁2004年、更にこれらの文献中に記載の参考文献等の方法を適用することにより合成できる。中間層各発光層間に非発光性の中間層非ドープ領域等ともいうを設ける場合について説明する。非発光性の中間層とは、複数の発光層を有する場合、その発光層間に設けられる層である。非発光性の中間層の膜厚としては1~20nmの範囲にあるのが好ましく、更には3~10nmの範囲にあることが隣接発光層間のエネルギー移動等相互作用を抑制し、且つ素子の電流電圧特性に大きな負荷を与えないということから好ましい。この非発光性の中間層に用いられる材料としては、発光層のホスト化合物と同一でも異なっていてもよいが、隣接する2つの発光層の少なくとも一方の発光層のホスト材料と同一であることが好ましい。非発光性の中間層は非発光層、各発光層と共通の化合物例えば、ホスト化合物等を含有していてもよく、各々共通ホスト材料ここで、共通ホスト材料が用いられるとは、燐光発光エネルギー、ガラス転移点等の物理化学的特性が同一である場合やホスト化合物の分子構造が同一である場合等を示す。を含有することにより、発光層-非発光層間の層間の注入障壁が低減され、電圧電流を変化させても正孔と電子の注入バランスが保ちやすいという効果を得ることができる。更に、非ドープ発光層に各発光層に含まれるホスト化合物と同一の物理的特性または同一の分子構造を有するホスト材料を用いることにより、従来の有機EL素子作製の大きな問題点である素子作製の煩雑さをも併せて解消することができる。ホスト材料はキャリアの輸送を担うため、キャリア輸送能を有する材料が好ましい。キャリア輸送能を表す物性としてキャリア移動度が用いられるが、有機材料のキャリア移動度は一般的に電界強度に依存性が見られる。電界強度依存性の高い材料は正孔と電子注入輸送バランスを崩しやすいため、中間層材料、ホスト材料は移動度の電界強度依存性の少ない材料を用いることが好ましい。また、一方では、正孔や電子の注入バランスを最適に調整するためには、非発光性の中間層は後述する阻止層、即ち正孔阻止層、電子阻止層として機能することも好ましい態様として挙げられる。阻止層:正孔阻止層、電子阻止層阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平11-204258号公報、同11-204359号公報、および有機EL素子とその工業化最前線1998年11月30日エヌティーエス社発行の237頁等に記載されている正孔阻止ホールブロック層がある。正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係る正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層の膜厚としては好ましくは3~100nmであり、更に好ましくは5~30nmである。正孔輸送層正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物およびスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。芳香族第3級アミン化合物およびスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′-テトラフェニル-4,4′-ジアミノフェニル;N,N′-ジフェニル-N,N′-ビス3-メチルフェニル-1,1′-ビフェニル-4,4′-ジアミンTPD;2,2-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルプロパン;1,1-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルシクロヘキサン;N,N,N′,N′-テトラ-p-トリル-4,4′-ジアミノビフェニル;1,1-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニル-4-フェニルシクロヘキサン;ビス4-ジメチルアミノ-2-メチルフェニルフェニルメタン;ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルフェニルメタン;N,N′-ジフェニル-N,N′-ジ4-メトキシフェニル-4,4′-ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′-テトラフェニル-4,4′-ジアミノジフェニルエーテル;4,4′-ビスジフェニルアミノクオードリフェニル;N,N,N-トリp-トリルアミン;4-ジ-p-トリルアミノ-4′-4-ジ-p-トリルアミノスチリルスチルベン;4-N,N-ジフェニルアミノ-2-ジフェニルビニルベンゼン;3-メトキシ-4′-N,N-ジフェニルアミノスチルベンゼン;N-フェニルカルバゾール、更には米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4′-ビスN-1-ナフチル-N-フェニルアミノビフェニルNPD、特開平4-308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4′′-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノトリフェニルアミンMTDATA等が挙げられる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、p型-Si、p型-SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。また、特開平11-251067号公報、J.Huanget.al.著文献AppliedPhysicsLetters802002,p.139に記載されているような所謂、p型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm~5μm程度、好ましくは5~200nmである。この正孔輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。また、不純物をドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4-297076号公報、特開2000-196140号公報、同2001-102175号公報、J.Appl.Phys.,95,57732004等に記載されたものが挙げられる。このようなp型性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。電子輸送層電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。従来、単層の電子輸送層、および複数層とする場合は発光層に対してカソード側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料正孔阻止材料を兼ねるとしては、カソードより注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタンおよびアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、8-キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス8-キノリノールアルミニウムAlq3、トリス5,7-ジクロロ-8-キノリノールアルミニウム、トリス5,7-ジブロモ-8-キノリノールアルミニウム、トリス2-メチル-8-キノリノールアルミニウム、トリス5-メチル-8-キノリノールアルミニウム、ビス8-キノリノール亜鉛Znq等、およびこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にn型-Si、n型-SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。電子輸送層は、上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm~5μm程度、好ましくは5~200nmである。電子輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。また、不純物をドープしたn性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4-297076号公報、同10-270172号公報、特開2000-196140号公報、同2001-102175号公報、J.Appl.Phys.,95,57732004等に記載されたものが挙げられる。本発明においては、このようなn型性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。注入層:電子注入層、正孔注入層注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如くアノード電極以下陽極ともいうと発光層または正孔輸送層の間、およびカソード電極以下陰極ともいうと発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、有機EL素子とその工業化最前線1998年11月30日エヌティーエス社発行の第2編第2章電極材料123~166頁に詳細に記載されており、正孔注入層と電子注入層とがある。正孔注入層は、特開平9-45479号公報、同9-260062号公報、同8-288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン層、酸化バナジウムに代表される酸化物層、アモルファスカーボン層、ポリアニリンエメラルディンやポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子層等が挙げられる。電子注入層は、特開平6-325871号公報、同9-17574号公報、同10-74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属層、フッ化カリウムに代表されるアルカリ金属ハライド層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物層、酸化モリブデンに代表される酸化物層等が挙げられる。本発明に係わる電子注入層は金属層とアルカリ金属ハライド層との積層構成か酸化物層と金属層とアルカリ金属ハライド層との積層構成が好ましく、金属酸化物にアルカリ金属がドープされていても良い。金属酸化物にドープするアルカリ金属の量は1~10質量が好ましい。上記電子注入層はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は1nm~10μmの範囲が好ましい。アノード電極カソード電極と対になる、アノード電極対向電極としては、前述の透明導電性を構成する材料を用いても良いし、金属、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電極物質とするものが用いることもできる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。対向電極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、対向電極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm~5μm、好ましくは50nm~200nmの範囲で選ばれる。《用途》本発明の有機EL素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特にカラーフィルターと組み合わせた液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において部あるいはの表示を用いるが、特に断りがない限り質量部あるいは質量を表す。実施例1《両面エミッション型有機EL素子の作製》有機EL素子1~29は発光面積が5cm×5cmとなるように作製した。以下に図を用いて説明する。図1は4層積層されたカソード電極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の構成を示す一例である。有機EL素子1の作製陽極の形成透明なガラスの基板1の上に厚さ100nmとなる条件でITOをスパッタ法で成膜、パターニングして、ITO層から成るアノード電極2陽極を形成した。次いで、ITO層を設けた基板を、イソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。正孔注入層~電子輸送層の形成このITO層を設けた基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、タンタル製抵抗加熱ボードにα-NPD、H4、Ir-4、BAlq、Alq3、銅フタロシアニンをそれぞれ入れ、真空蒸着装置の第1真空槽に取り付けた。更に、タングステン製抵抗加熱ボードにアルミニウムを入れ、真空蒸着装置の第2真空槽に取り付けた。まず、第1真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、α-NPDの入った前記加熱ボードに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒~0.2nm/秒でITO層上に膜厚20nmの正孔注入兼正孔輸送層3を設けた。更に、H4の入った前記加熱ボードとIr-4の入ったボードをそれぞれ独立に通電して、発光ホストであるH4と発光ドーパントであるIr-4の蒸着速度が100:6になるように調節し、膜厚30nmの発光層4を設けた。次いで、BAlqの入った前記加熱ボードに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒~0.2nm/秒で膜厚10nmの正孔阻止層5を設けた。更に、Alq3の入った前記加熱ボードを通電して加熱し蒸着速度0.1nm/秒~0.2nm/秒で膜厚20nmの電子輸送層6を設けた。電子注入層の形成次に、フッ化カリウムの入った前記加熱ボードに通電して加熱し、蒸着速度0.01nm/秒~0.02nm/秒で膜厚1nmのフッ化カリウム層を形成し、電子注入層7を設けた。透明導電性層陰極の形成次に、電子注入層まで成膜した素子を予めITOターゲットを装着した市販の平行平板スパッタリング装置に移し、スパッタリング装置のチャンバー内を5×10-3Paまで減圧した後、窒素ガスと酸素ガスを流しながら、DC出力500Wで放電し、成膜速度10nm/秒で膜厚100nmのITO導電層の透明導電性層陰極を形成した。素子の封止最後に、上記で得られた素子をガラスケースで覆い、厚み300μmのガラス基板を封止用基板として用い、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤東亞合成社製ラックストラックLC0629Bを適用し、これを前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化封止して、両面エミッション型有機EL素子1を得た。有機EL素子2の作製陽極~電子注入層の形成陽極~電子注入層までは有機EL素子1と同様な方法で成膜した。スパッタバッファ層の形成次に、銅フタロシアニンの入った前記加熱ボードに通電して加熱し、蒸着速度1nm/秒~2nm/秒で膜厚150nmのスパッタバッファ層を設けた。陰極の形成有機EL素子1と同様にして陰極を成膜した。素子の封止有機EL素子1と同様な方法で硬化封止して、両面エミッション型有機EL素子2を得た。有機EL素子3~4の作製スパッタバッファ層の材料を銅フタロシアニンから表1、表2に記載の材料に変更した以外は有機EL素子2と同様な方法で、有機EL素子3~4を作製した。有機EL素子5の作製陽極~電子注入層の形成陽極~電子注入層までは有機EL素子2と同様な方法で成膜した。スパッタバッファ層の形成次に、リチウムの入った加熱ボードとAlq3の入った前記加熱ボードとをそれぞれ独立に通電して、リチウムとAlq3との蒸着速度が1:10になるように調節し、膜厚150nmのスパッタバッファ層を設けた。陰極の形成有機EL素子2と同様にして陰極を成膜した。素子の封止有機EL素子2と同様な方法で硬化封止して、両面エミッション型有機EL素子5を得た。有機EL素子6の作製陽極~電子注入層の形成陽極~電子注入層までは有機EL素子1と同様な方法で成膜した。4層積層されたカソード電極陰極の形成次に、電子注入層まで成膜した素子を真空のまま第2真空槽に移し、第2真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、アルミニウムの入った前記加熱ボードに通電して、蒸着速度0.1~0.1nm/秒~0.2nm/秒で膜厚5nmのアルミニウムからなる金属層8を形成した。次に、アルミニウムからなる金属層まで成膜した素子を真空のまま第1真空槽に戻し、第2真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、セシウムの入った加熱ボードとAlq3の入った前記加熱ボードとをそれぞれ独立に通電して、セシウムとAlq3との蒸着速度が1:25になるように調節し、膜厚78nmのセシウムがドープされたAlq3層を設けた。更に、二酸化チタンの入った加熱ボードに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒~0.2nm/秒で膜厚2nmの二酸化チタンからなる金属酸化物半導体を有する層10を設けた。最後に、二酸化チタン層金属酸化物半導体を有する層まで成膜した素子を真空のまま、予めITOターゲットを装着した市販の平行平板スパッタリング装置に移し、スパッタリング装置のチャンバー内を5×10-3Paまで減圧した後、窒素ガスと酸素ガスを流しながら、DC出力500Wで放電し、成膜速度10nm/秒で膜厚100nmのITOからなる透明導電層11を設け、比較の4層積層されたカソード電極陰極を形成した。素子の封止最後に、上記で得られた素子をガラスケースで覆い、厚み300μmのガラス基板を封止用基板として用い、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤東亞合成社製ラックストラックLC0629Bを適用し、これを前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化封止して、両面エミッション型有機EL素子6を得た。有機EL素子7の作製4層積層されたカソード電極を構成する上記Alq3層にドープする材料を比較のセシウムから本発明に係るナトリウムに変更して周期表第1族または第2族に属する元素がドープされている層9を作製した以外は有機EL素子6と同様な方法で、本発明に係るカソード電極12を具備した本発明の両面エミッション型有機EL素子7を得た。有機EL素子8の作製4層積層されたカソード電極を構成する金属酸化物半導体を有する層である二酸化チタン層の材料を二酸化チタンから三酸化モリブデンに変更した以外は有機EL素子7と同様な方法で両面エミッション型有機EL素子8を得た。有機EL素子9の作製4層積層されたカソード電極を構成するAlq3層周期表第1族または第2族に属する元素がドープされている層にドープする材料をナトリウムからカリウムに変更した以外は有機EL素子8と同様な方法で両面エミッション型有機EL素子9を得た。有機EL素子10~16の作製4層積層されたカソード電極を構成する酸化モリブデン層とカリウムがドープされたAlq3層の膜厚を、表2に記載の膜厚に変更した以外は有機EL素子9と同様な方法で、有機EL素子10~16を作製した。有機EL素子17~19の作製4層積層されたカソード電極を構成するAlq3層の材料をAlq3から表1、表2に記載の一般式1で表される例示化合物に変更した以外は有機EL素子15と同様な方法で、有機EL素子17~19を作製した。有機EL素子20~22の作製発光層に含有する材料をIr-4から表1、表2に記載の燐光発光性化合物に変更した以外は有機EL素子19と同様な方法で、有機EL素子20~22を作製した。有機EL素子23~24の作製4層積層されたカソード電極を構成する化合物10から成る層にドープする材料をカリウムから表1、表2に記載の材料に変更した以外は有機EL素子19と同様な方法で、有機EL素子23~24を作製した。有機EL素子25~26の作製4層積層されたカソード電極を構成する三酸化モリブデン層金属酸化物半導体を有する層の材料を酸化モリブデンから表1、表2に記載の二酸化レニウム、酸化ニッケルに変更した以外は有機EL素子22と同様な方法で、有機EL素子25~26を作製した。有機EL素子27の作製陽極~陰極の形成陽極~陰極までは有機EL素子22と同様な方法で成膜した。補助電極の作製陰極上に、シャドーマスクを用いてスパッタ法で線幅50μm、厚み1μm、ピッチ1,000μmの間隔でライン状の銀パターンから成る補助電極を作製した。素子の封止有機EL素子22と同様な方法で硬化封止して、両面エミッション型有機EL素子27を得た。有機EL素子28~29の作製4層積層されたカソード電極を構成する三酸化モリブデン層金属酸化物半導体を有する層の材料を三酸化モリブデンから表1、表2に記載の材料に変更した以外は有機EL素子27と同様な方法で、有機EL素子28~29を作製した。有機EL素子30~33の作製4層積層されたカソード電極を構成する金属酸化物半導体を有する層と周期表第1族または第2族に属する元素がドープされている層の膜厚を表1、表2に記載のように変更した以外は有機EL素子19と同様な方法で、有機EL素子30~33を作製した。なお、上記有機EL素子の作製に用いた化合物の詳細は以下のとおりである。《有機EL素子の評価》上記作製した各有機EL素子について、下記の方法に従って電圧の測定を行った。駆動電圧の測定上記で作製した各有機EL素子に対し、陽極側と陰極側の両側の正面輝度の和が1000cd/m2となるときの電圧を各素子の電圧とした。なお、輝度の測定には分光放射輝度計CS-1000コニカミノルタセンシング製を用いた。得られた電圧の数値が小さいほど、好ましい結果であることを表わす。発光効率の測定上記作製した各有機EL素子に対し、2.5mA/cm2定電流を流したときの外部取り出し量子効率を測定した。なお、測定には分光放射輝度計CS-1000コニカミノルタセンシング製を用いた。このとき、外部取り出し量子効率は有機EL素子の両側から測定した輝度の合計値から算出した。得られた外部取り出し量子効率の測定結果を基に、比較の有機EL素子1の外部取り出し量子効率を1としたときの相対値を求め、これを発光効率の尺度とした。尚、外部量子効率の相対値が大きいほど発光効率が高く、好ましい結果であることを表す。以上により得られた結果を、表1、表2に示す。なお表1、表2では、金属酸化物半導体を有する層を金属酸化物半導体層、周期表第1族または第2族に属する元素がドープされている層をドープ層、アルミニウムはアルミと、それぞれ略記した。表1、表2に記載の結果より明らかな様に、本発明に係る有機EL素子は、比較例に対し、発光効率が優れ及び駆動電圧が低いことが分かる。実施例2《照明装置の作製の作製》本発明の有機EL素子を具備した、照明装置を作成した。本発明の有機EL素子5~33のそれぞれについて、硬化封止した面をガラスケースで覆い、厚み300μmのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤東亞合成社製ラックストラックLC0629Bを適用し、これを陰極上に重ねて透明基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化させて、封止し、図2、図3に示すような照明装置を形成した。図2は、本発明の有機EL素子を用いた照明装置の一例を示す概略斜視図である。本発明の有機EL素子101はガラスカバー102で覆われている尚、ガラスカバーでの封止作業は、有機EL素子101を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス純度99.999以上の高純度窒素ガスの雰囲気下で行った。。図3は、本発明の有機EL素子を用いた照明装置の一例を示す概略断面図である。図3において、105は陰極、106は有機EL層、107は透明電極付きガラス基板を示す。尚、ガラスカバー102内には窒素ガス108が充填され、捕水剤109が設けられている。発光した光110は図では下方向に照射される。図2、図3に示すような平面ランプを作製し、この平面ランプに通電したところ有機EL素子5~33のそれぞれについて照明光が得られ、照明装置として使用できることが分かった。"