"ポリマー支持体上に第1の材料からなる膜を形成する方法であって、-第1のウェハ1,1’,21,41,61と第2のウェハ2,2’,22,42,62との間に接合界面3,3’,23,43,63を有し、かつこれらのウェハの少なくとも1つが、前記界面に近接して、少なくとも1つの前記第1の材料の層を有するように、これらのウェハを接合し、-前記第1及び第2のウェハ間の界面と平行な底5,25,45,65であって、前記第2のウェハから設計された距離を有する底部6,6’A,6’B,26,46,66を定める底を有する少なくとも1つの凹部4,4’A,4’A,24,44,64を、前記第1のウェハに形成し、-前記底から定めた厚さを有するポリマー層8,8’A,8’B,28,48,68を前記凹部に形成して、前記底部上のポリマー層及び側部により形成されたゾーンを有する一体化されたウェハ部分を形成し、-前記第2のウェハを、少なくとも、その厚さ方向における大部分に亘って除去し、前記ポリマー層の下側に、前記第1の材料からなる層を含む膜を形成する工程を有することを特徴とする膜形成方法。前記両ウェハのうち上側のウェハは、前記凹部より浅く形成され、かつ前記ポリマー層により境界が設定された島状部、又は壁を形成しているゾーン9’を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。異なる深さを有する少なくとも2つの凹部4’A,4’Bを設けることを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。前記両ウェハのうち少なくとも1つは、前記接合界面に極めて近接する処理層21Aを有し、前記処理層は、電気的,光学的又は機械的なマイクロ要素、又はナノ要素の形成工程を経ていることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の方法。前記第2のウェハの除去前に、前記ポリマー層、及び/又は第1のウェハを研磨することを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の方法。前記第2のウェハの除去を、前記接合界面の剥離により行うことを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の方法。前記第2のウェハの除去を、前記両ウェハのうちの1つに前記界面に近接して設けられた犠牲層49を選択的にエッチングすることにより行うことを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の方法。前記第2のウェハの除去を、前記底部及び前記第2のウェハの表面層62A,62Bが保存されるように、部分的に行うことを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の方法。前記接合工程の前工程において、前記第2のウェハに埋め込み型層を形成し、前記第2のウェハの部分的除去を、前記埋め込み型層の高さ位置に機械的応力を加えることにより行うことを特徴とする請求項8に記載の方法。前記凹設工程の後で、かつ前記凹部への充填工程の前において、応力除去処理を行うことを特徴とする請求項1~9のいずれか1項に記載の方法。前記凹部は、前記ポリマー層48により、その厚さ分のみ充填されることを特徴とする請求項1~10のいずれか1項に記載の方法。前記ポリマー支持体で保持されている膜の厚さは、100μm以下であり、その断面の長さは、少なくとも1cmであることを特徴とする請求項1~11のいずれか1項に記載の方法。前記底部の厚さは、5μm~100μmの範囲であることを特徴とする請求項1~12のいずれか1項に記載の方法。各凹部は、少なくとも約10μmの幅を有するリム7’,27,47,67で包囲されていることを特徴とする請求項1~13のいずれか1項に記載の方法。少なくとも1つの処理工程を前記膜に行った後、一体化したウェハの一部を前記側部から分離することを特徴とする請求項1~14のいずれか1項に記載の方法。前記第1の材料は単結晶であることを特徴とする請求項1~15のいずれか1項に記載の方法。従って、種々の処理工程構成要素の形成、他の層の蒸着等を可能にし、かつ膜の大きな面においても、高い膜均一性が得られるポリマー支持体を用いて、材料、好ましくは単結晶シリコンのような材料の薄膜を、ポリマー支持体上に安価に形成することができる方法に対するニーズが存在する。上記目的を達成するため、本発明は、ポリマー支持体上に第1の材料からなる膜を形成する方法であって、-第1のウェハと第2のウェハとの間に接合界面を有し、かつこれらのウェハの少なくとも1つが、前記界面に近接して、少なくとも1つの前記第1の材料の層を有するように、これらのウェハを接合し、-前記第1及び第2のウェハ間の界面と平行な底であって、前記第2のウェハから定められた距離を有する底部をなす底を有する少なくとも1つの凹部を、前記第1のウェハに形成し、-前記底から定められた厚さを有するポリマー層を前記凹部に形成し、-前記第2のウェハを、その厚さ方向の少なくとも大部分に亘って除去して、前記ポリマー層の下側に、前記第1の材料からなる層を含む膜を形成する工程を有することを特徴とする。凹部への充填の後、得られる一体化されたウェハは、下側ゾーン上にポリマー層で形成された少なくとも1つのゾーン及び側部を含む、実質的に平面の部分を有していることが分かると思う。上側ウェハは、側部の他に、前記凹部より浅く形成されて凹設処理されていないゾーンであってもよい、かつ前記凹部により境界が設定された島状部又は壁を形成している少なくとも1つのゾーンを有しているのが好ましい。ここで、島状部又は壁は、互いに接続されていてもよいし、されていなくてもよい、少なくとも2つの別個の凹部ゾーンにより境界が定められたゾーンを表わしている。好ましくは、第1のウェハに設けられた凹部は、凹部より浅く形成されるか、凹設処理されていない、第1のウェハ由来の島状部,柱状部又は壁等を形成している少なくとも1つのゾーンを有し、ポリマー層は、この島状部又はこの壁に境界を定めている島状部の場合は、壁の場合と異なり、前記凹部ゾーンは、原則として別個の複数の凹部が、互いに接続して形成されている。異なる深さを有する少なくとも2つの凹部を設けることも好ましいことである。ウェハの少なくとも1つは、接合界面に近接する処理層を有しているのが好ましい。前記第2のウェハの除去前に、前記ポリマー層、及び/又は第1のウェハを研磨するのが好ましい。このようにすると、底部上にポリマー層で形成された少なくとも1つのゾーン及び側部を有する、実質的に平面の一体化したウェハ部分が得られる。この研磨は、実際には上側ウェハのみ凹部を設ける前又は後、ポリマー層のみ例えば、設計値に鑑み、これが凹部の深さより厚い場合、又はこれらの両方に対して行うことができる。第2のウェハの除去を、接合界面の剥離により行うと有利である。第2のウェハの除去を、両ウェハのうちの1つに界面に近接して設けられた犠牲層を選択的にエッチングすることにより行うこともまた有利である。第2のウェハの除去を、上記底部及び第2のウェハの表面層が保存されるように、部分的に行うこともまた好ましいことである。さらに別の好ましい実施態様では、接合工程の前工程において、第2のウェハに埋め込み層を形成し、第2のウェハの部分的除去を、前記埋め込み層の高さ位置で分離することにより行うのが好ましい。上記埋め込みゾーンは、埋め込み型脆化ゾーンを形成する少なくとも1種のガス種を埋め込むことにより得られ、この場合、分離は、機械的応力、及び/又は熱応力を加えることにより得られる。一実施態様による上記埋め込みゾーンは、多孔質ゾーン例えば多孔質シリコンにより構成することができる。このような多孔質ゾーンも、脆化ゾーンと考え得る。この場合、分離は、この埋め込み層に機械的応力を加えることにより得られる。別の実施態様によれば、埋め込み型層は、選択的化学エッチング等の適当な方法によって分離時に除去される犠牲層である。凹設工程の後で、かつ凹部への充填工程の前に、応力除去処理を行うのが好ましい。ポリマー層により、前記凹部の厚さ方向の一部分のみを充填するのが好ましい。ポリマー支持体で保持されている膜の厚さは、100μm以下であり、その断面の長さは、少なくとも1cmであるのが好ましい。実際には、そのような厚さ以下では、ポリマー層で構成される特定の支持体で保持しなければ、直径200mmのシリコン層を取り扱うのは困難である。底部の厚さは、5μm~100μmの範囲であるのが好ましい。実際には、上記厚さの膜を、底部の一部のみに形成してもよい。各凹部は、少なくとも約10μmの幅を有するリムで包囲されているのが好ましい。少なくとも1つの処理工程を前記膜に行った後、一体化したウェハの一部を前記側部から分離するのが好ましい。第1の材料は、単結晶であるのが好ましい。第1の材料は、多くの場合、半導体タイプであり、特に、シリコンあるいは元素周期表のIVA欄の他の化学元素、もしくはこれらの元素の合金例えばSiGe、あるいはIIIA-VA欄の元素の合金AsGa又はInP等,又はIIA-VIA欄の元素の合金で形成することができる。またこれらの材料の合金でもよい。この材料は、ドーピングされていてもよい。次に述べる第1の実施態様についての説明は、他の実施態様にも等しく適用しうるものである。第1の実施態様図1~図6は、本発明の特にシンプルな場合の実施態様を示す。図1は、界面3を介して互いに接合された2枚のウェハ1,2の一体化物を示す。使用されているウェハ1,2は、微細技術で使用される一般的なウェハである。これらは、一定の厚さを有している。しかし、本方法においては、研磨工程を設けてもよいので、このことは必須ではない。これらの厚さは等しくてもよい。上側ウェハ1は、ポリマー支持体上に薄膜を形成できるようになっており、下側ウェハは、主に支持体としてのみ機能する。ここで、ウェハに付している用語上側及び下側は、説明を分かり易くするために便宜上用いているだけであって、本発明は、ウェハの位置を反転する実施態様も含むことは言うまでもない。薄膜少なくとも部分的に形成される及びポリマー支持体を定めるのは、上側ウェハ1であるので、このウェハは、薄膜を少なくとも部分的に形成することができる少なくとも1つの材料からなっている。このウェハ1は、接合界面に近接するか、この界面に接するか、この界面から僅かに離間した位置に、少なくとも1つの前記材料の層を有しているこの層の厚さは、通常50μm未満であり、好ましくは10μm未満である。この例では、第1のウェハ1は、シリコン等の前記材料で全体が構成されている。ポリマー支持体上に単結晶シリコンが形成された実用的な層構造を得るために、ウェハ1を構成する材料は、単結晶であるのが好ましい。ウェハ2は、剛質の支持体として機能する。具体的には、例えば、ウェハ2は、少なくとも5μmの厚さを有し、25°Cでのヤング率が10Gpa超である材料からなっている。第2のウェハ2の構成は、任意に定めることができる。2枚のウェハの一体化物が、特に熱膨張性等において均一であることが要求される場合、このウェハは、第1のウェハ1と同じ材料単結晶である必要はないで構成することができる。しかし、ガラス等の多くの他の材料を用いることもできる。このウェハを基準として用いるために研磨工程を行う場合、全厚変動TTV:totalthicknessvariationが通常は1μm未満である、高均一な厚さを有する下側ウェハとするのが好ましい。ウェハは、通常、数10μm又は数百μmの厚さを有し、その横断面の長さは、数cm又は数10cmでよい。この例では、ウェハ1,2の厚さe1及びe2は、ともに725μmである。断面について、ディスク状ウェハの場合、その直径Dは、例えば200mmである。勿論ウェハの形状は、楕円形、矩形、多角形等他の形状でもよい。勿論ウェハの寸法についての限定はない。2枚のウェハの接合は、分子接合直接接合ともいうでよい。これは、分離可能であるのが好ましいこれは、直接接合が弱いことを意味する。別の例では、接合は接着接合又は溶融接合でもよい。図2は、第1のウェハ1に凹部4を設ける工程を示す。この凹部の底5により、第2のウェハ2このウェハ2の下面又は接合界面3から設計された距離を有する底部6が定められる。第1のウェハが、界面の近くに位置する層のみに、薄膜を少なくとも部分的に形成することができる上記の材料を含む場合、この層が底部6の中となるように厚さ方向において、底部6の少なくとも一部を構成するように、凹部の深さを選択する。底部の厚さhは、所望の膜の厚さ、及び以降の工程の両方において、所望の性能を満たすように選択される。それは、通常2~30μmである40μmの例も挙げられ、更に、例えば100μm,25μm,10μm,5μm等の他の値でも可である。凹部については、第1のウェハ1の側部7により境界が定められており、側部7の幅lは、通常数mm~数十mmである25mm,10mm等の例も挙げられる。取り扱いの際に、過剰な変形を起こすことのない十分な剛性を、図4に示す一体化ウェハに付与するリムディスク状ウェハの場合、リング状であるを構成するために、この幅は、ウェハ1の他の寸法及び凹部の深さについて所望される性能を満たすように選択される。凹部の形状は、ウェハの形状と同じであるのが好ましい例えば、ウェハ自体が円形の場合、円形であるのが好ましいが、ウェハ1の形状に関係なく選択することができる。更に、凹部はウェハと同心に設けられているが、これは必須ではない図7~図13の例を参照。凹部は、例えば、研磨,化学エッチングシリコンの場合、KOHをベースとする,ドライエッチング,ディーププラズマエッチング,レーザーアブレーション,超音波アブレーション等の適当な公知の方法により形成することができる。この凹設工程は、必要に応じて、当業者に知られている標準的な技術であるエッチングマスクを形成する工程であってもよい。株式会社ディスコにより開発されたTAIKO登録商標プロセスは、研磨による円形凹部の形成に特に適している。このプロセスにおいて、凹部を形成する構造体は、研磨中にそれを保持し、高均一な凹設を確保するために、真空ポンプにより多孔質セラミック上で吸引される。構造体に凹部を形成するために、凹部を形成する構造体の半径より小さい直径を有する研磨ホイールが使用される。例えば、200mmの直径を有する構造体に対し、直径98mmのTAIKO研磨ホイールを使用して、直径188~198mmのオーダーの凹部を形成することができる。研磨ホイールは、回転駆動されるスピンドルに設けられており、構造体自体も回転する。凹部の深さは、ウォームスクリュー機構により、スピンドルの降下をチェックすることによって検出される。この方法によると、必要に応じて、用いる研磨ホイールの直径を選択することにより、異なる直径の凹部を得ることができる。この方法ではまた、回転する構造体の中心に対して、研磨ホイールの中心をシフトさせることにより、リング状凹部を形成することができる図7~図13参照。この凹設工程において、凹部の形成に伴う第1のウェハ中のダメージ、及び内部歪を減らすために、例えばシリコンの場合、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH浴中70°Cで、1時間浸漬する等の処理を行ってもよい。凹部の底から底部6にアクセスする処理が必要な場合、様々な工程エッチング,イオン注入,熱処理,蒸着等を行ってもよい詳細は省略。これらの工程は、凹部の底の全て又は一部に対して行うことができる。図3は、薄膜を得るためのポリマー支持体を構成するポリマー8で、少なくとも部分的に凹部を満たす、次の工程を示す。ポリマー塊8は、凹部からオーバフローしてもよい一方、図8~図21の例は、図3に破線で示すように、ポリマー塊が凹部の全体積を占めなくてもよいことを示す。オーバフロー又は凹陥が生じた場合、図4に示すように、ポリマーの高さを、ウェハ1の凹設処理されていない側部の高さ位置に合わせるために、研磨を行ってもよい。しかし、このような研磨工程は、特に、ポリマー層の成形コンディションが、この層の厚さ特に均一性の制御を十分に確保できる限り、任意の作業である。使用するポリマーの性質に応じて、この充填工程は、乾燥又は細網化するサブ工程を有していてもよい。このポリマーは、好ましくは室温において熱硬化性の樹脂であるのが好ましいが、他のタイプのポリマー又は材料でもよい。その他のポリマーとして、例えばPDMSポリジメチルシロキサン、すなわちシリコンポリマーが挙げられる。図4は、第1のウェハの厚さを一定にするための研磨作業上記参照の結果を示す。これにより、第2のウェハ2の下面を、基準として扱うことができる。ポリマーがウェハ1の側部に対して陥凹している場合図18~図21の例を参照、特に、ウェハ1の凹設処理されていない側部が一般的な把持手段により把持される場合、この工程は必要ではない。図4はまた、第2のウェハを除去した状態を示している。適当な公知の手段によるこの研磨により、後に形成される膜を支持するポリマーに必要な厚さに応じて、ポリマー塊8研磨後のものは符号8Aで示す及びリム7研磨後のものは符号7Aで示すの両方の厚さを減少させることができる。第2のウェハの除去は、第2のウェハ全体をエッチングすることにより行うことができる。しかし、2枚のウェハ間の接合は、可逆的に行われているのが好ましい。すなわち、接合は、分離可能に行われているのが好ましい。分離は、接合界面に、くさび型工具もしくはワイヤーを挿入したり、加圧液体を噴入したりすることにより行うことができるこのことは、図3における左方の矢印により示されている。このような場合、第2のウェハは、本発明の新規な実施サイクルにおいて再利用することができる。また、第2のウェハを、以下詳細に説明する目的層を、例えば埋め込み,多孔質化又は犠牲層の形成により脆化する目的のために設ける埋め込み型層の高さ位置での分離により除去する場合に効果的である。図4に示すように、構造体は、ポリマー支持体8Aに一体化した膜底部6を有している。側部リム7Aの存在により、接合した第1のウェハ初期のウェハ1及びポリマーの両材料により形成されているは十分な剛性を有しており、過大な曲げを起こすことなく、取り扱ったり、技術的処理を受けたりすることができる。この優位性は、研磨を行わない場合にも有効である。必要に応じて、図4の構造体に対して、例えば、ドライ又はウェットプロセスによる化学エッチングにより、底部の厚さを減少させて、膜厚を適切なものとする。図4の構造体には、第2のウェハを除去する間、露出した面に対する種々の処理工程を行ってもよい層の付着もしくは接合、及び/又はセンサータイプの要素もしくは類似物の全部又は一部の成形。勿論、これらの工程は、使用するポリマーに適合している必要があるもし適合していないのであれば、ポリマーを過剰に高い温度で処理してしまう恐れのある工程については、接合前に行えばよい。図14~図17参照。図5に示す次の工程、すなわち、ポリマー支持体上に薄膜を得る図5を反転すると示されているために、リムを切り離す工程は、膜を処理する全ての工程を行った後に行うのが好ましい。次の段階での種々の処理操作を行う前に、まず図4の構造体を製造するので、最初の段階でそのような種々の処理操作を行っていなければ、図1~図4の工程と、図5の工程の間で相当な時間が経過する。別の例として、必要に応じて、この切り離し工程を、ポリマー上の膜における複数箇所に、局所的に行うように、置換するか又は補足することができる図13も参照。図6は、ポリマーに支持された膜膜厚を減少させた後の薄膜を符号6Aで示すの厚さ垂直方向の2本の矢印で示すを改良する新しい処理における任意の工程を示す。この追加の膜厚減少工程は、80°Cで1時間TMAH浴に浸漬することにより行うことができるシリコンの場合、15~20μmのオーダーでの膜厚減少に相当する。シリカウェハの場合、この膜厚減少は、HFエッチングにより行うことができる。しかし、他の技術も用いることができる。例えばドライ-プラズマエッチング,化学エッチングシリコンの場合、KOHを用いる,イオンエッチング,遠心分離を伴う化学エッチングスピンエッチング,化学機械研磨CMP,ドライ研磨等を挙げることができる。この任意の工程は、一例として、図5に示す切り離し工程の前に、表面6が露出したらすぐに、全面的に行うことができる。第2の実施態様図7~図13は、第1の実施態様とは異なり、より複雑な凹部構造を設ける実施例を示す。図1~図6に示した各要素と対応する各要素は、図1~図6におけるのと同じ要素にダッシュを付して示してある。図7は、2枚のウェハ1’,2’の一体化物を示し、上側ウェハは、例えばシリコン例えば単結晶シリコンからなっている。図8は、凹設工程を示す。この工程は、複数の凹部を設ける点で、図2に示す場合と異なっている。左側凹部4’A及び右側凹部4’B図12も参照の2つの凹部が設けられている。凹部4’Aは、図2の凹部4と異なり、元のウェハに対して、島状又は柱状の部分9’の周囲に1つ設けられており、リング状を呈している。例えば、この凹部及びこの島状部は、円状の外形を有し、島状部は、凹部の中央に位置している。しかし、凹部及び島状部の形状及びこれらの位置は、それぞれ別個に選択することができ、例えば多角形,矩形,正方形,楕円形等であってもよい。島状部の幅又は直径dは、凹部4’Aにより構成されるリングの幅と同程度である。別の例では、この島状部の幅は、非常に小さくてもよく、凹部4’Aの最大断面の長さの10より小さく、また1より小さくてもよい。島状部は、以降の工程で形成するポリマー塊を係合させるための部分として機能する。図示していない別の例として、剛性材料上側ウェハの材料からなる複数の柱状部を設けるとともに、ウェハ1のほぼ全表面を占める中核的な凹部を、ほぼ均一に設けることができる。これらの柱状部により、ポリマー塊に垂直方向の高い剛性が付与され、ポリマー塊の面方向の屈曲性が失われる。これらは、以降の工程の間、支持体として機能することができるポリマー塊に対する圧縮応力を最小限にすることができる。島状部の高さは、隣接する凹部の深さより小さくてよいこのことは、例えば図8~図11に破線で示してある。凹部4’Bは、大寸とされている図2の凹部と同様が、その深さは、第1の凹部4’Aのものとは異なっている。全ての凹部の周囲に、あらゆる個処で、少なくとも値l’の幅を有する枠が残っているのが好ましい値l’は、例えば図2の値lと同じである。本発明の方法の種々の処理工程は、既に述べたようにこの段階において、凹部の内側を始め、いくつかの凹部の底の全て又は一部に対して行うことができる。図9は、充填、並びに第1のウェハ1’、及び/又はポリマーの上面の研磨任意後の状態を示す。凹部4’Aに充填されたポリマー塊は符号8’Aで示され、凹部4’Bに充填されたポリマー塊は、符号8’Bで示されている。第2のウェハ2’の除去後図10参照、一体化したウェハは、複数のポリマー支持体すなわち、種々のポリマー塊に一体化された複数の膜すなわち、各凹部の底部を含む複数の部分で形成された状態として認識されることが分かる。図を見易くするために、各図で示す幅は、厚さに比べて非常に小さく示してある各図は、厚さ方向を拡大して示してあることを補記しておく。実際には、多くの場合、凹部,中間のリム、又は隣接する凹部間の壁の断面を小さくすることができる。これらの壁は、複数の凹部を互いに分離するために、以後分離用ラインとして用いることができる。この場合、これらの寸法は、分離工程切削又はレーザーによるを補助するように定められる。分離用ラインは、図13に矢印で示されている。一実施態様における第1の例として、第2のウェハの分離後の処理操作により、膜厚を改良する図11参照。図13に示すように、凹部の数、すなわちポリマー塊の数は、2より遥かに多くてもよい。この図に示す例では、8’’で示される一体化ゾーンを分離するために、上記分離操作を促進するように整列された同じ形状の凹部のネットワークが設けられている。別の例では、底部の厚さのバリエーションは、図2の凹部4の底に対して局所的なエッチング操作を行うことにより得られる。さらに別の例として上記例と組合せてもよい、図2の凹部内に、適宜の高さを有する複数の島状部又は柱状部を設けてもよい。第3の実施態様図14~図17は、第1の実施態様とは異なり、第1のウェハの下面を予め処理する実施態様を示す。例えば、構成要素又は層を形成したり、SOI型構造例えば、絶縁層によりウェハの他の部分から分離された単結晶層からなる表面層を有するを形成したり、あるいは金属層によりウェハの他の部分から分離された表面層を形成したりすることを目的として、第1のウェハの下面に対して、予め1回又は複数回の処理操作が行われている。図1~図6に示す各要素と対応する各要素には、図1~図6に示す各符号に、数20を追加して示してある。図14は、界面23を形成するように、互いに接合した2枚のウェハ21,22の一体化物を示す。図1の場合とは異なり、上側ウェハ21には、接合工程の前に、少なくとも1つの処理操作が行われる上記参照。この処理したゾーンは、ライン21Aで示してある。この処理したゾーンは、例えば符号21Aで示すラインと界面との間に配置された単結晶シリコン等の有効な材料の層を有する。第1の実施態様のように、底25が底部26を規定している凹部24が、上側ウェハに設けられている。この底部は、処理したゾーンを備えている。上記の通り、この段階において、このゾーンを凹部の底側から処理してもよい。また不特定数の凹部を設けてもよい。この凹部は、ポリマー塊28で充填される図15。必要に応じて、研磨により図16、リム27及び中央の一体化した部分ポリマー塊及び底部により形成されるの高さを均等にしてもよい。下側ウェハ22の除去後図17、例えば接合界面を剥がすことにより、ポリマー支持体と一体化した薄膜処理ゾーン21Aを含む底部により形成されているを有し、全体がリム27で強化された構造体が得られる。第4の実施態様図18~図21は、図1~図6の態様とは異なり、凹部の部分充填を行い、かつ分離による下側ウェハの除去を行わない実施態様を示す。図1~図6に示す各要素に該当する各要素は、図1~図6に記載の符号に、数40を追加して示してある。具体的には、図18は、2枚のウェハ41,42が、界面43を介して互いに接合されている一体化物を示す。第1のウェハ41は、その表面にその下面に沿って、犠牲層49、すなわち隣接するウェハ41の少なくとも1つの層に応じて選択的に除去することができる層を有する。例えば、ウェハのその他の部分が、シリコン、例えば単結晶シリコンウェハの他の部分と異なる性質を有する隣接層を含むからなる場合、犠牲層を、酸化けい素で形成することができる。この層41は、補強層又は保護層等の他の機能を有する層を有していてもよい。この層の厚さは、数μmでもよい。この層49は、単層として示してある。しかし、積層化してもよいことを付記しておく。一例として、直接接合の代わりに、犠牲層及び下側ウェハ42間の接合は、接合層を介したものであってもよい。この接合層は、選択的除去工程において、第1のウェハ41のその他の部分から除去することができる場合、犠牲層の一部を形成することとなる。この上側ウェハ41には、凹部44が設けられている図19。この凹部は、リム47により境界が定められており、その底45は、犠牲層を含む底部46をなしている。以下で示すように、底45と犠牲層との間の材料の厚さは、以降の工程において、ポリマーにより支持される膜の厚さを決定する。上述のように、この段階において、凹部の底には、この凹部の内側から始める技術的処理工程を行うことができる。この凹部44の中に、ポリマー塊48が成膜される。この例では、このポリマー塊は、凹部の一部のみを占めている。しかし、この塊48の厚さは、以降で形成されるポリマー支持体の厚さと少なくとも等しい。研磨工程任意により図20、ウェハのリム47研磨後は47Aで示されるの高さを、塊48研磨後は48Aで示されるの高さと同じにすることができる。厚いリムは、特に技術的処理工程を行うために、古典的な把持工具をこのリムに用いて、一体化物を取り扱う必要がある場合に備えて、残しておくのが好ましい。第1の実施態様とは異なり、第2のウェハの除去は、第1のウェハの犠牲層49図19の選択的除去により行われる。この除去により、第2のウェハの上面が露出するので、本発明の新規な実施サイクルにおいて第2のウェハを再利用することができる。犠牲層49は、例えば、シリコンに対して選択的にエッチングすることができる酸化けい素等で形成することができる。これは、PECVD法により蒸着したアモルファスシリコンの膜であってもよい。この種の蒸着膜は、かなりの量の水素を含むことが知られている。低温での熱処理通常400°Cは、接合界面でのブリスター又は接合欠陥の高密度化をもたらす。凹部にポリマーを充填した後、構造体を、この界面で、容易に分離することができる。以上のようにして、図21に示すように、ポリマー支持体と一体化した膜犠牲層除去後の底部の残りは46Aで示されるを有し、全体が側部リムで強化された一体化物が得られる。第5の実施態様図22~図25は、第1の実施態様とは異なり、第2のウェハの除去が部分的にのみ行われる実施態様を示す。図1~図6に示す各要素と対応する各要素には、図1~図6で使用した符号に、数60を加えて示してある。図22は、例えば直接接合により、互いに接合された2枚のウェハ61,62の一体化物を示す。第1の実施態様とは異なり、第2のウェハ62は、上部に有効な層、すなわち、以降の工程でポリマー支持体に一体化される膜の一部その面上で少なくとも部分的に形成されるを形成する層を有する。この有効な層は、62Aで示されている。第1のウェハには、凹部64が形成されている図23。底65は、界面63が設けられた底部66を画定している。この凹部は、リム67で包囲されている。底は、前述の例で説明したように、必要に応じて処理することができる。この凹部に、ポリマー塊68を充填する図24。この工程の後、必要に応じて、研磨を行ってもよい図示せず。図25は、第2のウェハを部分的に除去した結果を概略的に示す。有効な層62A及びその下の層62Bが、第1のウェハに残っている。適当な公知の技術を用いて、第2のウェハ62を薄くすることにより、一組の層62A,62Bが得られる。例えば、この一組の層62A,62Bを、第2のウェハの上面と、埋め込み型脆化層例えば、第1のウェハの露出面の下側で、第2のウェハを脆化させる欠陥を発生させる水素,ヘリウム又は類似物等のうちの少なくとも1つの種を、制御されたレベルで導入することにより、得られるとの間に画定するのが好ましい。この埋め込み型脆化層の形成は、2枚のウェハを接合する工程の前に行う。低温で熱処理するすなわち、ポリマー塊が存在できる温度での熱処理か、好ましくはこの種の熱処理に加えて、又はその代わりに機械的応力を加えることにより、一組の層62A,62Bと第2のウェハのその他の部分との間の分離が促進される。ここで、機械的応力とは、局所的な液体噴射、又は超音波処理のみならず、伸張,切断、及びねじり等の各応力も含む広い意味のものとして理解するべきである。別の例では、層62A及び、必要に応じて、サブの層62Bの下側の第2の層の除去は、機械粉砕,化学エッチング層62A又は62Bの下面に設計されるバリア層まで行うによっても行うことができる。このようなバリア層を有する構造体の例として、バリア層として機能する埋め込み型酸化物層を有するSOIが挙げられる。このようなSOI構造では、接合前に、シリコンの表面膜に、複数の技術的処理工程例えばCMO要素を形成するためのを行うのが好ましい。別の例として、第2のウェハを、複数層のスタックにより形成することができ、分離は、第2のウェハの構成スタックの層間の界面で促進することができる。図25に示すように、得られる構造体は、膜第1のウェハ及び少なくとも有効な層62Aにより形成された積層底部により形成されているを含み,この膜第1のウェハ又は第2のウェハのいずれかから形成されるの少なくとも一部は、所望の材料で容易に形成することができる。上記各実施態様は、いずれも、シリコンを例にあげたが、本発明は、他の材料、特に他の半導体材料を用いても実施可能である。これらは、元素周期表のIVA欄の他の化学元素、又はこれらの元素の合金例えばSiGeのみならず、IIIA-VA欄の元素の合金AsGa又はInPを勿論含む,又はIIA-VIA欄の元素の合金例えばCdTeからなる材料であってもよい。本発明の特徴は、ポリマーで支持される層に、単結晶材料の膜を含ませることができる点にある。しかし本発明は、単結晶材料を用いる実施態様のみに限定されないことに留意されたい。"