"複数の光電変換部がアレイ状に配置された撮像領域と、前記撮像領域の周辺に配置された周辺回路領域とを含む固体撮像装置であって、前記撮像領域の配線層の層数が前記周辺回路領域の配線層の層数より少ない配線構造と、前記撮像領域における前記配線構造の上に配置された複数のマイクロレンズと、前記撮像領域における最上の配線層の上であって、隣接する前記光電変換部の間に配置された反射部と、を有する、ことを特徴とする固体撮像装置。前記撮像領域における前記配線構造と前記マイクロレンズの間にカラーフィルタ層を有する、ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記反射部は、Al、Mo、W、Ta、Ti、およびCuからなるグループのうち少なくとも一つで構成されている、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の固体撮像装置。前記反射部は、層間絶縁層よりも屈折率が小さい空間によって構成されている、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の固体撮像装置。前記光電変換部の受光面を含み、前記受光面に平行な面に対する正射影において、前記反射部は、前記マイクロレンズの光軸を取り囲むように配置されている、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。請求項1乃至5のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、を備えることを特徴とするカメラ。複数の光電変換部がアレイ状に配置された撮像領域と、前記撮像領域の周辺に配置された周辺回路領域とを含む固体撮像装置の製造方法であって、半導体基板の上に、少なくとも1層の配線層を含む構造を形成する工程と、前記構造の上に層間絶縁層を形成する工程と、前記周辺回路領域における前記層間絶縁層にコンタクトプラグを形成するための第1の開口を形成し、前記撮像領域における前記層間絶縁層に反射部を形成するための第2の開口を形成する工程と、前記第1の開口に前記金属材料を埋設することにより前記コンタクトプラグを形成し、前記第2の開口に前記金属材料を埋設することにより前記反射部を形成する工程と、前記撮像領域と前記周辺回路領域のうち前記周辺回路領域の前記層間絶縁層の上に配線層を形成する工程と、を含む、ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。複数の光電変換部がアレイ状に配置された撮像領域と、前記撮像領域の周辺に配置された周辺回路領域とを含む固体撮像装置の製造方法であって、半導体基板の上に、少なくとも1層の配線層を含む構造を形成する工程と、前記構造の上に層間絶縁層を形成する工程と、前記周辺回路領域における前記層間絶縁層にコンタクトプラグを形成するための第1の開口を形成する工程と、前記撮像領域における前記層間絶縁層に反射部を形成するための第2の開口を形成する工程と、前記第1の開口に前記金属材料を埋設して前記コンタクトプラグを形成する工程と、前記撮像領域と前記周辺回路領域のうち前記周辺回路領域の前記層間絶縁層の上に配線層を形成する工程と、前記配線層を形成した後に、前記撮像領域の前記第2の開口に空間が残るように保護膜を形成する堆積工程と、を含む、ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。前記開口形成工程において、前記第1の開口と前記第2の開口の幅は、前記第1の開口よりも前記第2の開口の方が小さい、ことを特徴とする請求項8に記載の固体撮像装置の製造方法。画素あるいは光電変換部の高集積化に伴って、個々の光電変換部で受光される光量が減少している。これにより、光電変換部に対して、その隣の光電変換部に入射すべき光が漏れ込んできたときの混色が大きくなる。本発明の目的は、この入射光の漏れ込みを低減し、固体撮像装置の集光効率を高めることである。本発明の一つの側面は固体撮像装置にかかり、複数の光電変換部がアレイ状に配置された撮像領域と、前記撮像領域の周辺に配置された周辺回路領域とを含む構成となっている。前記固体撮像装置は、前記撮像領域の配線層の層数が前記周辺回路領域の配線層の層数より少ない配線構造と、前記撮像領域における前記配線構造の上に配置された複数のマイクロレンズと、前記撮像領域における最上の配線層の上であって、隣接する前記光電変換部の間に、反射部と、を有することを特徴とする。本発明によれば、隣接する光電変換部への入射光の漏れ込みを低減し、固体撮像装置の集光効率を高めることができる。以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。<第1の実施形態>図1を参照しながら第1の実施形態の固体撮像装置1について説明する。固体撮像装置は、例えば、CMOSイメージセンサとして、または、CCDイメージセンサとして構成されうる。固体撮像装置1は、例えばフォトダイオードのような光電変換部20がアレイ状に配置された撮像領域500と、前記撮像領域の周辺に配置された周辺回路領域600とを含む。撮像領域500には、半導体基板10に複数の光電変換部20と、フローティングディフュージョンFDと、転送トランジスタTXのゲートTXGが配置され、画素30が形成されうる。また、それぞれの画素30の間には、素子分離領域40が配置されうる。ここで、画素30は、増幅トランジスタと、選択トランジスタと、リセットトランジスタを含んでもよい不図示。また、周辺回路領域600には、垂直走査回路や水平走査回路等の周辺回路が配置されうる不図示。ここでは、周辺回路領域600には、一例としてトランジスタ50を1つ示す。半導体基板10の上には第1の絶縁層70が配置される。第1の絶縁層70は、トランジスタ50の一方の拡散層51やフローティングディフュージョンFDの上に開口を有し、この開口に金属材料が埋設されることによりコンタクトプラグ60が形成される。第1の絶縁層70の上には第1の配線層80が配置され、第1の配線層80は、コンタクトプラグ60により、拡散層51やフローティングディフュージョンFDと接続されうる。ここで、撮像領域500において、第1の配線層80の近傍に、入射光をマイクロレンズ200の光軸210方向へ反射するための遮光体80’を配置することも可能である。さらに、第1の絶縁層70と第1の配線層80の上には第2の絶縁層100が配置されうる。第2の絶縁層100は、第1の配線層80と後述の第2の配線層110を接続するべき箇所に開口を有し、この開口に金属材料が埋設されることによりコンタクトプラグ90が形成される。第2の絶縁層100の上には、第2の配線層110が配置され、コンタクトプラグ90を介して第1の配線層80と接続されうる。さらに、第2の絶縁層100と第2の配線層110の上には第3の絶縁層130が配置されうる。以下、同様にして、コンタクトプラグ120、第3の配線層140、第4の絶縁層160、コンタクトプラグ150a、反射部150bが配置されうる。周辺回路領域600における第4の絶縁層160の上には、第4の配線層170が配置されうる。これにより、撮像領域500の配線層の層数が周辺回路領域600の配線層の層数より少ない配線構造WSが形成される。また、周辺回路領域600の配線層の層数は、さらに多いものであってもよい。この配線構造WSを覆うように、第4の絶縁層160と第4の配線層170の上には保護膜180が配置され、撮像領域500における保護膜180の上にはカラーフィルタ層190と、マイクロレンズ200とが配置されうる。ここで、コンタクトプラグ90とコンタクトプラグ120は、撮像領域500については不図示としているが、これらは第1の配線層80、第2の配線層110の上にそれぞれ配置してもよい。第1の絶縁層70、第2の絶縁層100、第3の絶縁層130、および第4の絶縁層160は、例えばSiO等の絶縁素材で構成され、層間絶縁膜として機能しうる。第1の配線層80、第2の配線層110、第3の配線層140、第4の配線層170、コンタクトプラグ90、コンタクトプラグ120、コンタクトプラグ150aは、Al、Mo、W、Ta、Ti、およびCuからなるグループのうち少なくとも一つで構成されてもよい。また、反射部150bは、コンタクトプラグ150aと同様に第3の配線層140の上に形成され、Al、Mo、W、Ta、Ti、およびCuからなるグループのうち少なくとも一つで構成されてもよい。つまり、反射部150bは、光電変換部20の間の最上配線層の上に配置されている。また、反射部150bは光軸を囲むように配置されている。従って図1に示すように、光がマイクロレンズに対して大きい入射角で入射した場合は、光が反射部150bによって、遮断されることにより隣接する光電変換部20への漏れ込みを防止し、光軸210方向に反射されることにより集光効率を高めることができる。これにより、特に、カラーフィルタを有する固体撮像装置の場合は混色を防止することが可能である。また、反射部150bは、マイクロレンズ200の光軸210を全周的に取り囲む構造としてもよい。以上のように、第1の実施形態によれば、隣接する光電変換部20への入射光の漏れ込みを低減し、固体撮像装置1の集光効率を高めることができる。以下、添付図面の図2から図5を参照しながら、第1の実施形態の固体撮像装置1の製造方法を説明する。図2は、第4の絶縁層160を形成した後の固体撮像装置1の断面構造である。シリコンウエハ等であるP型半導体基板10が用意され、STIShallowTrenchIsolation等の素子分離領域40が形成される。その後、各トランジスタのゲート電極が形成され、光電変換部20やFDのN型拡散層や拡散層がイオン注入法や熱処理などにより形成される。このとき、光電変換部20の表面には自然酸化膜や、ゲート絶縁膜が形成されていてもよく、その膜厚は入射光の波長より十分に小さいため、光の反射には影響はない。次に、周辺回路領域600のトランジスタ50や撮像領域500のトランジスタTX等の各トランジスタのゲート、および素子分離領域40の上に、CVD化学的気相成長法などにより、第1の絶縁層70が形成される。ここで、CMP化学的機械研磨法などにより第1の絶縁層70を平坦化することにより、第1の絶縁層70の上に配置される第1の配線層80のパターニング精度を向上させることができる。その後、フォトリソグラフィ工程とエッチング工程等により、コンタクトプラグ60を形成するための開口が形成され、この開口に金属材料をスパッタリング法やCMP法等で埋設することで、コンタクトプラグ60が形成される。次に、スパッタリング法等により、第1の配線層80となるべき層が形成され、フォトリソグラフィ工程とエッチング工程等により、第1の配線層80を除く領域を選択的にエッチングして、第1の配線層80が形成される。さらに、同様の手順で、第2の絶縁層100と、コンタクトプラグ90と、第2の配線層110と、第3の絶縁層130と、コンタクトプラグ120と、第3の配線層140と、第4の絶縁層160が形成される。その結果、図2の断面図の状態となる。このとき、CMP法などにより各絶縁層100、130、160を平坦化しておくとよい。また、この第1の実施形態においては、配線層の層数を3層80,110、140とした構造STが一例と形成されているが、構造STは少なくとも1層の配線層を含む構造であればよい。次に、図3に示すように、フォトリソグラフィ工程とエッチング工程等により、コンタクトプラグ150aを形成するための第1の開口149aと、反射部150bを形成するための第2の開口149bが形成される。この工程において、第1の開口149aと第2の開口149bは、同時に形成されてもよい。次に、スパッタリング法やCMP法等を経て、第1の開口149aと第2の開口149bに金属の部材が埋設され、コンタクトプラグ150aと反射部150bが形成される。さらに、スパッタリング法、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等を経て、周辺回路領域600と撮像領域500のうち周辺回路領域600に第4の配線層170が形成される。その後、プラズマCVD法等により保護膜180が形成される。保護膜180は例えば、窒化シリコン、酸窒化シリコンからなる。そして、保護膜180の上には、有機材料からなる第1の平坦化層が塗布法により形成され不図示、第1の平坦化層の上にはカラーフィルタ層190が、塗布法、露光処理、現像処理を経て形成される。カラーフィルタ層190は、例えば、Red層、Green層、Blue層である。カラーフィルタ層190の上には、第2の平坦化層が塗布法により形成され不図示、第2の平坦化層の上にはマイクロレンズ200が、塗布法、露光処理、現像処理の後、リフロー処理を経て形成され、図4の断面図の状態となる。図5は、マイクロレンズ200の光軸210を反射部150bが全周的に取り囲むように配置した場合の固体撮像装置1の上面図である。図5は、光電変換部の受光面を含み、受光面に平行な面に対する正射影ともいえる。図5において、第3の配線層140の平面形状は格子状であり、反射部150bの平面形状も格子状である。図5にあるように、第3の配線層140よりも反射部150bは一回り小さい形状を有している。なお、マイクロレンズの形成はリフロー処理を行う方法に限定せず、面積諧調露光やエッチバックを用いて形成してもよい。<第2の実施形態>図6を参照しながら第2の実施形態の固体撮像装置2について説明する。第1の実施形態と異なる点は、第3の配線層140の上に配置される反射部150b’が、金属の部材ではなく、層間絶縁層よりも屈折率が小さい空間によって構成されることである。これにより第2の実施形態においても、隣接する光電変換部20への入射光の漏れ込みを低減し、固体撮像装置2の集光効率を高めることができる。以下、添付図面の図7から図10を参照しながら、第2の実施形態の固体撮像装置2の製造方法を説明する。前述の通り、第1の実施形態とは、第3の配線層140の上に配置される反射部150b’が、金属の部材ではなく、層間絶縁層よりも屈折率が小さい空間によって構成されるという点で異なる。従って、第4の絶縁層160を形成する工程までは、第1の実施形態と同様である図2。その後、周辺回路領域600における第3の配線層140の上に、フォトリソグラフィ工程とエッチング工程等により、コンタクトプラグ150aを形成するための第1の開口149aが形成され、図7の断面図の状態となる。さらに、スパッタリング法やCMP法等を経て、第1の開口149aに金属の部材が埋設され、コンタクトプラグ150aが形成される。さらに、スパッタリング法、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等を経て、周辺回路領域600と撮像領域500のうち、周辺回路領域600に第4の配線層170が形成され、図8の断面図の状態となる。次に、撮像領域500における第3の配線層140の上に、フォトリソグラフィ工程とエッチング工程等により、反射部150b’を形成するための第2の開口149b’が形成され、図9の断面図の状態となる。ここで、第1の開口149aと第2の開口149b’の幅は、第1の開口149aより第2の開口149b’の方が小さいことが望ましい。第1の開口149aは電気的接続をするプラグのための開口であり、抵抗を低くする必要があるためである。この開口形成工程の後、第2の開口149b’に空間が残るように、CVD法等により保護膜180が形成され、同時に反射部150b’が形成される。この保護膜180の堆積工程の結果、図10の断面図の状態となる。反射部150b’の空間は、空気、低圧空間、もしくは真空で構成されてもよい。また、これらの工程においては、開口149aと開口149b’はそれぞれ独立した工程で形成されたが、一工程において同時に形成されることも可能である。その後、第1の実施形態と同様の手順で、第1の平坦化層不図示、カラーフィルタ層190、第2の平坦化層不図示、およびマイクロレンズ200が形成され、図6の断面図の状態となる。以上において2つの実施形態を述べたが、本発明はこれらに限られるものではなく、デバイス、構成もしくは仕様の変更、またはこれらに伴うレイアウトもしくは製造工程の変更が適宜可能であり、他の実施形態によっても実施されうることは言うまでもない。以下、上記の各実施形態に係る固体撮像装置の応用例として、該固体撮像装置が組み込まれたカメラについて例示的に説明する。カメラの概念には、撮影を主目的とする装置のみならず、撮影機能を補助的に備える装置例えば、パーソナルコンピュータ、携帯端末も含まれる。カメラは、上記の実施形態として例示された本発明に係る固体撮像装置と、該固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部とを含む。該処理部は、例えば、A/D変換器、および、該A/D変換器から出力されるデジタルデータを処理するプロセッサを含みうる。"