"Ptが5mol以上、残余がCoである組成の金属からなるスパッタリングターゲットであって、このターゲットの組織が、金属素地Aと、前記Aの中に、Ptを40~76mol含有するCo-Pt合金からなる相Bを有していることを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲット。Ptが5mol以上、Crが20mol以下、残余がCoである組成の金属からなるスパッタリングターゲットであって、このターゲットの組織が、金属素地Aと、前記Aの中に、Ptを40~76mol含有するCo-Pt合金からなる相Bを有していることを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲット。添加元素としてB、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W、Si、Alから選択した1元素以上を、0.5mol以上10mol以下含有することを特徴とする請求項1又は2のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲット。金属素地Aが、炭素、酸化物、窒化物、炭化物、炭窒化物から選択した1成分以上の無機物材料を該金属素地中に含有することを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲット。前記無機物材料がCr,Ta,Si,Ti,Zr,Al,Nb,B,Coから選択した1種以上の酸化物であり、当該無機物材料の体積比率が22~40であることを特徴とする請求項4記載の強磁性材スパッタリングターゲット。Co-Pt合金相Bの粒径が10μm以上150μm以下であることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲット。相対密度が97以上であることを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲット。一般に、マグネトロンスパッタ装置で強磁性材スパッタリングターゲットをスパッタしようとすると、磁石からの磁束の多くは強磁性体であるターゲット内部を通過してしまうため、漏洩磁束が少なくなり、スパッタ時に放電が立たない、あるいは放電しても放電が安定しないという大きな問題が生じる。この問題を解決するには、強磁性金属であるCoの含有割合を減らすことが考えられる。しかし、Coを減少させると、所望の磁気記録膜を得ることができないため本質的な解決策ではない。また、ターゲットの厚みを薄くすることで漏洩磁束を向上させることは可能だが、この場合ターゲットのライフが短くなり、頻繁にターゲットを交換する必要が生じるのでコストアップの要因になる。本発明は上記問題を鑑みて、漏洩磁束を増加させて、マグネトロンスパッタ装置で安定した放電が得られる非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、ターゲットの組成及び組織構造を調整することにより、漏洩磁束の大きいターゲットが得られることを見出した。このような知見に基づき、本発明は、1Ptが5mol以上、残余がCoである組成の金属からなるスパッタリングターゲットであって、このターゲットの組織が、金属素地Aと、前記Aの中に、Ptを40~76mol含有するCo-Pt合金からなる相Bを有していることを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。また、本発明は、2Ptが5mol以上、Crが20mol以下、残余がCoである組成の金属からなるスパッタリングターゲットであって、このターゲットの組織が、金属素地Aと、前記Aの中に、Ptを40~76mol含有するCo-Pt合金からなる相Bを有していることを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。さらに、本発明は、3添加元素としてB、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W、Si、Alから選択した1元素以上を、0.5mol以上10mol以下含有することを特徴とする1又は2のいずれかに記載の強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。さらに、本発明は、4金属素地Aが、炭素、酸化物、窒化物、炭化物、炭窒化物から選択した1成分以上の無機物材料を該金属素地中に含有することを特徴とする上記1~3のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。さらに、本発明は、5前記無機物材料がCr,Ta,Si,Ti,Zr,Al,Nb,B,Coから選択した1種以上の酸化物であり、当該無機物材料の体積比率が22vol~40volであることを特徴とする上記4記載の強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。さらに、本発明は、6Co-Pt合金からなる相Bの粒径が10μm以上150μm以下であることを特徴とする上記1~5のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。さらに、本発明は、7相対密度が97以上であることを特徴とする上記1~6のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。このように調整した本発明の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットは、漏洩磁束の大きいターゲットとなり、マグネトロンスパッタ装置で使用したとき、不活性ガスの電離促進が効率的に進み、安定した放電が得られる。またターゲットの厚みを厚くすることができるため、ターゲットの交換頻度が小さくなり、低コストで磁性体薄膜を製造できるというメリットがある。本発明の強磁性材スパッタリングターゲットを構成する主要成分は、Ptが5mol以上、残余がCoである組成の金属からなる。これらは、磁気記録媒体として必要とされる成分であるが、Ptは45mol以下であるのが望ましい。Ptを過剰に添加した場合には、磁性材としての特性が低下すること、また、Ptは高価であることから、添加量をなるべく低減することが生産コストからみて望ましいと言える。前記Ptの添加に加え、さらに20mol以下のCr及び/又は0.5mol以上10mol以下の添加元素としてB、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W、Si、Alから選択した1元素以上を含有させることができる。配合割合は上記範囲内で様々に調整でき、いずれも有効な磁気記録媒体としての特性を維持することができる。すなわち、これらは磁気記録媒体としての特性を向上させるために、必要に応じて添加される元素である。この添加元素の中で、Crについては、他の添加元素に比べて、より多く配合することができる。なお、20mol以下のCr及び/又は0.5mol以上10mol以下の添加元素としてB、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W、Si、Alから選択した1元素以上は、基本的には金属素地A中に存在するものであるが、これらが後述するCo-Pt合金からなる相Bの界面を介して、該相B中に若干拡散する場合がある。本願発明は、これらを包含するものである。本願発明において重要なことは、ターゲットの組織が、金属素地Aと、前記Aの中に、Ptを40~76mol含有するCo-Pt合金相Bを有していることである。この相Bは、組成の異なる金属素地Aよりも最大透磁率が低く、金属素地Aからなる周囲の組織によって各々分離された構造になっている。このような組織を有するターゲットにおいて、漏洩磁束が向上する理由は現時点では、必ずしも明確ではないが、ターゲット内部の磁束に密な部分と疎な部分が生じ、均一な透磁率を有する組織と比較し静磁エネルギーが高くなるため、磁束がターゲット外部に漏れ出た方がエネルギー的に有利になるためと考えられる。相Bは、球形又は扁平状片状とすることができる。この球形又は扁平状の相Bは、それぞれ形状に応じた利害得失を備えている。この形状の選択は、ターゲットの使用目的に応じて選択することが望ましいと言える。例えば、球状にした場合には、直径が10~150μmとするのが望ましい。球形の方が、焼結法でターゲット素材を作製する際、金属素地Aと相Bの境界面に空孔が生じにくく、ターゲットの密度を高めることができる。また、同一体積では球形の方が、表面積が小さくなるので、ターゲット素材を焼結させる際に金属素地Aと相Bとの間で金属元素の拡散が進みにくい。その結果、組成の異なる金属素地Aと相Bが容易に生成され、Ptを40~76mol含有するCo-Pt合金相を有する素材を作製することができる。上記のように球形の方が、拡散が進みにくい有利性を備えているものの、拡散が全くないわけではない。図1に示すように、金属素地Aには細かい無機物粒子が存在している図1で微細に分散した黒い部分が無機物粒子であるが、相Bの直径が10μm未満の場合は、無機物粒子と混在している金属との粒サイズ差が小さくなるので、ターゲット素材を焼結させる際に、相Bと金属素地Aとの拡散が進む。この拡散が進むことにより、金属素地Aと相Bとの構成要素の違いが不明確になる傾向がある。このことから相Bの直径を10μm以上とするのが良い。好ましくは直径30μm以上である。一方、150μmを超える場合には、スパッタリングが進むにつれてターゲット表面の平滑性が低下し、パーティクルの問題が発生しやすくなることがある。従って相Bの大きさは10~150μm、好ましくは30~150μmとするのが望ましいと言える。なお、これらはいずれも漏洩磁束を増加させるための手段であるが、添加金属、無機物粒子の量と種類等により、漏洩磁束を調整することが可能なので、相Bのサイズを必ずこの条件にしなければならないというものではない。しかし、上記の通り、好ましい条件の一つであることは言うまでもない。なお、ここで使用する球形とは、真球、擬似真球、扁球回転楕円体、擬似扁球を含む立体形状を表す。いずれも、長軸と短軸の差が長軸を基準として0~50であるものを言う。すなわち、球形は、その重心から外周までの長さの最小値に対する最大値の比が2以下であると言い換えることもできる。この範囲であれば、外周部に多少の凹凸があっても、相Bを形成することができる。球形そのものを確認することが難しい場合は、相Bの断面の重心から外周までの長さの最小値に対する最大値の比が2以下であることを目安としてもよい。また、相Bが、ターゲットの全体積又はターゲットのエロージョン面に占める体積又は面積のわずかな量例えば1程度であっても、それなりの効果を有するものであるが、相Bの存在による効果を、十分に発揮させるためには、ターゲットの全体積又はターゲットのエロージョン面に占める体積又は面積の10以上であることが望ましい。相Bを多く存在させることにより、漏洩磁束を増加させることが可能である。ターゲット組成によっては、相Bをターゲットの全体積又はターゲットのエロージョン面に占める体積又は面積の50以上、さらには60以上とすることもでき、これらの体積率又は面積率は、ターゲットの組成に応じて、任意に調整が可能である。本発明はこれらを包含する。他方、相Bを扁平状とした場合、まさに楔の効果で、スパッタ時に周囲の金属素地Aから該相Bが脱離するのを防ぐ効果を有する。また、球形を破壊することによって、球形のときに生じ易いエロージョン速度の偏りを軽減することができ、エロージョン速度の異なる境界起因のパーティクル発生を抑制することができる効果を有する。前記相Bを扁平状とは、例えば、楔くさび、三日月、上弦の月のような形状、若しくは、このような形状のものが2以上連結してなる形状のものを言う。また、これらの形状を定量的に規定した場合、短径と長径の比以下、アスペクト比と称す。が、平均で1:2~1:10のものがこれに該当する。なお、扁平状とは、上から見たときの形状であり、凹凸がなく完全に平べったい状態を意味するものではない。すなわち、多少の起伏又は凹凸があるものも含まれる。扁平状にした場合の相Bは、平均粒径が10μm以上150μm以下、好ましくは15μm以上150μm以下とするのが望ましい。この場合の好ましい平均粒径の下限値は、球形の場合と若干異なるが、これは扁平状の方が若干拡散し易いために、粒径がやや大きい方が望ましいためである。図1に示すように、金属素地Aには、相Bと細かい無機物粒子が存在している図1において、微細に分散した黒い部分が無機物粒子であり、比較的大きな円形の部分が相Bである。が、相Bの直径が10μm未満の場合は、無機物粒子との粒サイズ差が小さくなるので、ターゲット素材を焼結させる際に、相Bと金属素地Aとの拡散は進み易くなる。この拡散が進むことにより、金属素地Aと相Bとの構成要素の違いが不明確になる傾向がある。このことから直径10μm以上とするのが好ましいが、より好ましくは直径15μm以上、さらに好ましくは直径30μm以上である。一方、150μmを超える場合には、スパッタリングが進むにつれてターゲット表面の平滑性が失われ、パーティクルの問題が発生しやすくなることがある。以上から、相Bの大きさは10μm以上150μm以下、好ましくは直径15μm以上150μm以下、さらに好ましくは直径30μm以上150μm以下であるとするのが望ましいと言える。また、本発明での相Bは、上記の通りPtを40~76mol含有するCo-Pt合金からなる相であるが、ここで相Bは球形でも扁平状でも、金属素地Aと組成が異なるので、焼結時の元素の拡散により、相Bの外周部は、前記相Bの組成から多少ずれてしまうことがある。しかしながら、相Bの径長径及び短径のそれぞれを2/3に縮小したと仮定した場合の相似形の相の範囲内において、Ptの濃度40~76molのCo-Pt合金であれば目的を達成することが可能である。本願発明は、これらのケースを含むものであり、このような条件でも本願発明の目的を達成できる。さらに本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、炭素、酸化物、窒化物、炭化物、炭窒化物から選択し一種以上の無機物材料を、金属素地中に分散した状態で含有することができる。この場合、グラニュラー構造をもつ磁気記録膜、特に垂直磁気記録方式を採用したハードディスクドライブの記録膜の材料に好適な特性を備える。さらに、前記無機物材料としては、Cr,Ta,Si,Ti,Zr,Al,Nb,B,Coから選択した1種以上の酸化物が有効であり、当該無機物材料の体積比率を22~40とすることができる。なお、上記Cr酸化物の場合は、金属として添加するCr量とは別であり、酸化クロムとしての体積比率である。非磁性材料粒子は金属素地Aに分散しているのが基本であるが、ターゲット作製中に相Bの周囲に固着する場合あるいは内部に含まれる場合もある。少量であれば、このような場合であっても、相Bの磁気特性に影響を及ぼさず、目的を阻害することはない。本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、相対密度を97以上とすることが望ましい。一般に、高密度のターゲットほどスパッタ時に発生するパーティクルの量を低減させることができることが知られている。本発明においても同様に、高密度とするのが良く、本願発明は、上記の相対密度を達成することができる。ここでの相対密度とは、ターゲットの実測密度を計算密度理論密度ともいうで割り返して求めた値である。計算密度とはターゲットの構成成分が互いに拡散あるいは反応せずに混在していると仮定したときの密度で、次式で計算される。式:計算密度=シグマΣ構成成分の分子量×構成成分のモル比/Σ構成成分の分子量×構成成分のモル比/構成成分の文献値密度ここでΣは、ターゲットの構成成分の全てについて、和をとることを意味する。このように調整したターゲットは、漏洩磁束の大きいターゲットとなり、マグネトロンスパッタ装置で使用したとき、不活性ガスの電離促進が効率的に進み、安定した放電が得られる。またターゲットの厚みを厚くすることができるため、ターゲットの交換頻度が小さくなり、低コストで磁性体薄膜を製造できるというメリットがある。さらに、高密度化により、歩留まり低下の原因となるパーティクルの発生量を低減させることができるというメリットもある。本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製することができる。まず、金属元素又は合金の粉末なお、相Bを形成するためには、Co-Ptの合金粉末は必須となる、さらに必要に応じて添加金属元素の粉末又は無機物材料の粉末を用意する。各金属元素の粉末の作製方法は特に制限はないが、これらの粉末は最大粒径が20μm以下のものを用いることが望ましい。一方、小さ過ぎると、酸化が促進されて成分組成が範囲内に入らないなどの問題があるため、0.1μm以上とすることが、さらに望ましい。そして、これらの金属粉末及び合金粉末を所望の組成になるように秤量し、ボールミル等の公知の手法を用いて粉砕を兼ねて混合する。無機物粉末を添加する場合は、この段階で金属粉末及び合金粉末と混合すればよい。無機物粉末としては炭素粉末、酸化物粉末、窒化物粉末、炭化物粉末または炭窒化物粉末を用意するが、無機物粉末は最大粒径が5μm以下のものを用いることが望ましい。一方、小さ過ぎると凝集しやすくなるため、0.1μm以上のものを用いることがさらに望ましい。相Bを球形とする場合、例えば直径が30~150μmの範囲にあるCo-45molPt球形粉末を用い、予め準備した金属粉末必要に応じて、選択した無機物粉末とを、ミキサーで混合する。ここで使用するCo-Pt球形粉末は、ガスアトマイズ法で作製したものを篩別することで得ることが出来る。また、ミキサーとしては、遊星運動型ミキサーあるいは遊星運動型攪拌混合機であることが好ましい。さらに、混合中の酸化の問題を考慮すると、不活性ガス雰囲気中あるいは真空中で混合することが好ましい。一方、相Bが扁平状片状の場合、例えば直径が50~300μmの範囲にあるCo-45molPt球形粉末を用意し、高エネルギーボールミルを用いて、Co-Pt粉末を粉砕する。粉砕とともにCo-Pt粉末は扁平状になり、粒径が150μm以下になるまで粉砕する。ここで使用するCo-Pt球形粉末は、ガスアトマイズ法で作製したものを篩別することで得ることが出来る。使用する高エネルギーボールミルは、ボールミルや振動ミルに比べて、短時間で原料粉末の粉砕混合をすることができる。その後、この扁平状Co-Pt粉末と上記のように、予め準備した金属粉末、必要に応じて選択した無機物粉末とを、混合粉末とミキサーで混合する。ミキサーとしては、遊星運動型ミキサーあるいは遊星運動型攪拌混合機であることが好ましい。さらに、混合中の酸化の問題を考慮すると、不活性ガス雰囲気中あるいは真空中で混合することが好ましい。また、用意した直径が50~300μmの範囲にあるCo-Pt球形粉末と予め準備した金属粉末必要に応じて、選択した無機物粉末とを、高エネルギーボールミルを用いて粉砕混合することができる。この場合は、Co-Pt粉末は扁平状となり、150μm以下になるまで粉砕混合する。また、混合中の金属成分の酸化の問題を考慮すると、不活性ガス雰囲気中あるいは真空中で混合することが好ましい。このようにして得られた粉末を、真空ホットプレス装置を用いて成型焼結し、所望の形状へ切削加工することで、本発明の強磁性材スパッタリングターゲットが作製される。なお、上記のCo-Pt球形粉末、あるいは上記の粉砕により形状が扁平状になったCo-Pt粉末は、ターゲットの組織において観察される球形の相Bに対応するものである。また、成型焼結は、ホットプレスに限らず、プラズマ放電焼結法、熱間静水圧焼結法を使用することもできる。焼結時の保持温度はターゲットが十分緻密化する温度域のうち最も低い温度に設定するのが好ましい。ターゲットの組成にもよるが、多くの場合、800~1300°Cの温度範囲にある。また、焼結時の圧力は300~500kg/cm2であることが好ましい。以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。実施例1、比較例1実施例1では、原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒径1μmのSiO2粉末、直径が50~100μmの範囲にあるCo-45Ptmol球形粉末を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が74Co-19Pt-7SiO2molとなるように、Co粉末40.08wt、Pt粉末13.06wt、SiO2粉末4.96wt、Co-Pt球形粉末41.91wtの重量比率で秤量した。次に、Co粉末とPt粉末とSiO2粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とCo-Pt球形粉末をボール容量約7リットルの遊星運動型ミキサーで10分間混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1100°C、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを、平面研削盤を用いて研削加工して直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットを得た。漏洩磁束の測定はASTMF2086-01StandardTestMethodforPassThroughFluxofCircularMagneticSputteringTargetsMethod2に則して実施した。ターゲットの中心を固定し、0度、30度、60度、90度、120度と回転させて測定した漏洩磁束密度を、ASTMで定義されているreferencefieldの値で割り返し、100を掛けてパーセントで表した。そしてこれら5点について平均した結果を、平均漏洩磁束密度PTFとして表1に記載した。比較例1では、原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径3μmのPt粉、平均粒径1μmのSiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が74Co-19Pt-7SiO2molとなるように、Co粉末51.38wt、Pt粉末43.67wt、SiO2粉末4.96wtの重量比率で秤量した。そしてこれらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1100°C、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを平面研削盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表1に示す。表1に示すとおり、実施例1のターゲットの平均漏洩磁束密度は41.5であり、比較例1の39.1より大きく向上していることが確認された。また、実施例1の相対密度は97.4となり、97を超える高密度なターゲットが得られた。実施例1のターゲット研磨面を、光学顕微鏡で観察したときの組織画像を図1に示す。図1において黒っぽくみえている箇所がとSiO2粒子に対応する。この図1の組織画像に示すように、上記実施例1において極めて特徴的なのは、SiO2粒子が微細分散したマトリックスの中に、SiO2粒子を含まない大きな球形の相が分散していることである。この相は、本願発明の相Bに相当するものであり、Ptを45mol含有するCo-Pt合金からなる相で、重心から外周までの長さの最小値に対する最大値の比は1.2程度であり、ほぼ球形を呈していた。これに対して、図2に示す比較例1によって得られたターゲット研磨面の組織画像には、SiO2粒子が分散したマトリックスの中に球形の相は一切観察されなかった。実施例2、比較例2、3、4実施例2では、原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉末、平均粒径5μmのCr粉末、平均粒径1μmのTiO2粉末、平均粒径1μmのSiO2粉末、平均粒径3μmのCr2O3粉、直径が50~100μmの範囲にあるCo-53Ptmol球形粉末を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が59Co-11Cr-21Pt-5TiO2-2SiO2-2Cr2O3molとなるように、Co粉末26.53wt、Cr粉末6.38wt、TiO2粉末4.45wt、SiO2粉末1.34wt、Cr2O3粉末3.39wt、Co-Pt球形粉末57.91wtの重量比率でそれぞれ秤量した。次に、Co粉末とCr粉末とTiO2粉末とSiO2粉末とCr2O3粉末とを、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とCo-Pt球形粉末を高エネルギーボールミルに投入して、2時間粉砕混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1050°C、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを平面研削盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表2に示す。比較例2では、原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉末、平均粒径5μmのCr粉末、平均粒径1μmのTiO2粉末、平均粒径1μmのSiO2粉末、平均粒径3μmのCr2O3粉、直径が50~100μmの範囲にあるCo-37Ptmol球形粉末を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が59Co-11Cr-21Pt-5TiO2-2SiO2-2Cr2O3molとなるように、Co粉末15.27wt、Cr粉末6.38wt、TiO2粉末4.45wt、SiO2粉末1.34wt、Cr2O3粉末3.39wt、Co-Pt球形粉末69.17wtの重量比率でそれぞれ秤量した。次に、Co粉末とCr粉末とTiO2粉末とSiO2粉末とCr2O3粉末とを、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とCo-Pt球形粉末を高エネルギーボールミルに投入して、2時間粉砕混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1050°C、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを平面研削盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表2に示す。比較例3では、原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉末、平均粒径5μmのCr粉末、平均粒径1μmのTiO2粉末、平均粒径1μmのSiO2粉末、平均粒径3μmのCr2O3粉末、直径が50~100μmの範囲にあるCo-79Ptmol球形粉末を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が59Co-11Cr-21Pt-5TiO2-2SiO2-2Cr2O3molとなるように、Co粉末35.10wt、Cr粉末6.38wt、TiO2粉末4.45wt、SiO2粉末1.34wt、Cr2O3粉末3.39wt、Co-Pt球形粉末49.34wtの重量比率でそれぞれ秤量した。次に、Co粉末とCr粉末とTiO2粉末とSiO2粉末とCr2O3粉末とを、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とCo-Pt球形粉末を高エネルギーボールミルに投入して、2時間粉砕混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1050°C、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを平面研削盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表2に示す。比較例4では、原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉末、平均粒径5μmのCr粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒径1μmのTiO2粉末、平均粒径1μmのSiO2粉末、平均粒径3μmのCr2O3粉末を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が59Co-11Cr-21Pt-5TiO2-2SiO2-2Cr2O3molとなるように、Co粉末38.77wt、Cr粉末6.38wt、Pt粉末45.67wt、TiO2粉末4.45wt、SiO2粉末1.34wt、Cr2O3粉末3.39wtの重量比率でそれぞれ秤量した。次に、Co粉末とCr粉末とPt粉末とTiO2粉末とSiO2粉末とCr2O3粉末とを、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末を高エネルギーボールミルに投入して、2時間粉砕混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1050°C、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを平面研削盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表2に示す。表2に示す通り、実施例2のターゲットの平均漏洩磁束密度は52.2であり、比較例2の46.7、比較例3の46.0、比較例4の45.7より大きく向上していることが確認された。また、実施例2の相対密度は98.5となり、98を超える高密度なターゲットが得られた。実施例2のターゲット研磨面を、光学顕微鏡で観察したときの組織画像を図3に示す。図3において黒っぽくみえている箇所がTiO2粒子とSiO2粒子とCr2O3粒子に対応する。この図3の組織画像に示すように、上記実施例2において極めて特徴的なのは、TiO2粒子とSiO2粒子とCr2O3粒子が微細分散したマトリックスの中に、TiO2粒子とSiO2粒子とCr2O3粒子をともに含まない大きな扁平状の相が存在することである。この相は、本願発明の相Bに相当するものであり、Ptを53mol含有するCo-Pt合金からなる相で、任意の5点の短径と長径の比は1:5~1:10程度であり、扁平状を呈していた。これに対して、図4に示す比較例2によって得られたターゲット研磨面には扁平状の相は観察されたが、Ptを37mol含有するCo-Pt合金からなる相で、平均漏洩磁束密度があまり向上しなかった。図5に示す比較例3によって得られたターゲット研磨面には扁平状の相は観察されたが、Ptを79mol含有するCo-Pt合金からなる相で、平均漏洩磁束密度があまり向上しなかった。また、図6に示す比較例4によって得られたターゲットの研磨面の組織画像には、扁平状の相は一切観察されなかった。実施例1、2のいずれにおいても、金属素地Aと該金属素地Aに包囲された、直径が50~100μm組織写真確認の範囲にある相Bの存在が認められた。そして相BはPtを40~76mol含むCo-Pt合金からなる相であることが確認された。こうした組織構造が漏洩磁束を向上させるために非常に重要な役割を有することが分かる。上記実施例は、ターゲットの組成が、74Co-19Pt-7SiO2molの例と、59Co-11Cr-21Pt-5TiO2-2SiO2-2Cr2O3molの例を示しているが、これらの組成比を、本願発明の範囲内で変更した場合でも、同様の効果を確認している。また、添加元素としてB、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W、Si、Alから選択した1元素以上を含有させることができ、いずれも有効な磁気記録媒体としての特性を維持することができる。すなわち、これらは磁気記録媒体としての特性を向上させるために、必要に応じて添加される元素であり、特に実施例に示さないが、本願実施例と同等の効果を確認している。さらに、上記実施例では、Cr、Si、Tiの酸化物を添加した例を示しているが、この他Ta,Zr,Al,Nb,B,Coの酸化物も同等の効果を有する。さらに、これらについては、酸化物を添加した場合を示しているが、これらの窒化物、炭化物、炭窒化物、さらには炭素を添加した場合も、酸化物添加と同等の効果を得ることができることを確認している。"