単相交流電源電圧を整流して直流電圧を得る交流-直流変換回路において、前記単相交流電源と第1のダイオードブリッジ回路の交流入力との間に接続したリアクトルと、前記第1のダイオードブリッジ回路の直流出力の正極と負極との間に接続した2個のコンデンサを直列接続したコンデンサ直列回路と、交流入力が前記第1のダイオードブリッジ回路の交流入力に接続された第2のダイオードブリッジ回路と、前記第2のダイオードブリッジ回路の直流出力の正極と負極間に接続したスイッチ素子を2個直列接続したスイッチ素子直列回路と、を備え、前記コンデンサ直列回路内部の直列接続点と前記スイッチ素子直列回路内部の直列接続点とを接続し、前記コンデンサ直列回路の両端を直流出力としたことを特徴とする交流-直流変換回路。前記第1のダイオードブリッジ回路の交流入力端子間に交流スイッチを接続したことを特徴とする請求項1に記載の交流-直流変換回路。単相交流電源電圧を整流して直流電圧を得る交流-直流変換回路において、前記単相交流電源とダイオードブリッジ回路の交流入力との間に接続したリアクトルと、前記ダイオードブリッジ回路の交流入力端子間に接続した交流スイッチと、前記ダイオードブリッジ回路の直流出力の正極と負極との間に接続したスイッチ素子を2個直列接続したスイッチ素子直列回路と、前記ダイオードブリッジ回路の直流出力の正極と負極との間に接続したアノードが前記正極に接続された第1のダイオードと、第1のコンデンサと、第2のコンデンサと、カソードが前記負極に接続された第2のダイオードと、をこの順に直列接続したダイオードコンデンサ直列回路と、を備え、前記スイッチ素子直列回路内部の直列接続点と前記第1のコンデンサと前記第2のコンデンサとの接続点とを接続し、前記第1のダイオードと前記第1のコンデンサとの接続点及び前記第2のコンデンサと前記第2のダイオードとの接続点とを直流出力としたことを特徴とする交流-直流変換回路。単相交流電源電圧を整流して直流電圧を得る交流-直流変換回路において、前記単相交流電源とダイオードブリッジ回路の交流入力との間に接続したリアクトルと、前記ダイオードブリッジ回路の交流入力端子間に接続した第1の交流スイッチと、前記ダイオードブリッジ回路の直流出力の正極と負極との間に接続した2個のコンデンサを直列接続したコンデンサ直列回路と、前記ダイオードブリッジ回路の交流入力端子の各々と前記コンデンサ直列回路内部の接続点との間に各々接続した第2及び第3の交流スイッチと、を備え、前記コンデンサ直列回路の両端を直流出力としたことを特徴とする交流-直流変換回路。上述のように、図5に示す従来の交流-直流変換回路において、MOSFET11とMOSFET12が同時にオンしている期間では電流が通過する半導体素子数は4個となる。即ち、交流電源電圧vin>0の時は、ダイオード23、26、MOSFET11、12の4個で、交流電源電圧vin<0の時は、ダイオード24、25、MOSFET11、12の4個で、ある。また、MOSFET11がオフしている期間は同様に4個である。即ち、交流電源電圧vin>0の時は、ダイオード23、26、21、MOSFET12の4個で、交流電源電圧vin<0の時は、ダイオード24、25、21、MOSFET12の4個である。また、MOSFET12がオフしている期間は同様に4個である。即ち、交流電源電圧vin>0の時は、ダイオード23、26、22、MOSFET11の4個で、交流電源電圧vin<0の時は、ダイオード24、25、22、MOSFET11の4個である。さらに、MOSFET11と12が同時にオフしている期間も同様に4個である。即ち、交流電源電圧vin>0の時は、ダイオード23、26、21、22の4個で、交流電源電圧vin<0の時は、ダイオード24、25、21、22の4個である。このように、図5に示す従来回路においては、電流が通過する半導体素子数は常に4個となり、大きな導通損失が発生してしまう。この結果、変換装置の変換効率が低下し、冷却部品の大形化とコストの増加を招くという問題がある。図7に示す従来の整流回路においては、交流スイッチ15と16が同時にオンしている期間では、電流が通過する半導体素子数は2個交流スイッチ15と16となる。同様に、交流スイッチ15又は16がオフしている期間では、ダイオード1個と交流スイッチ1個となる。また、交流スイッチ15と16が同時にオフしている期間では、ダイオード2個となる。リアクトル2の電流を増加させる時の電流の通過素子は交流スイッチ2個であり、交流スイッチをスイッチ素子とダイオードを組合せて実現する場合、発生損失が増加する。この結果、変換装置の変換効率が低下し、冷却部品の大形化とコストの増加を招くという問題がある。従って、本発明の課題は、電流が通過する素子数を減らすことができ、発生損失の低下により変換効率を向上させ、冷却部品の小型化と低コスト化を図れる交流-直流変換回路を提供することである。上述の課題を解決するために、第1の発明においては、単相交流電源電圧を整流して直流電圧を得る交流-直流変換回路において、前記単相交流電源と第1のダイオードブリッジ回路の交流入力との間に接続したリアクトルと、前記第1のダイオードブリッジ回路の直流出力の正極と負極との間に接続した2個のコンデンサを直列接続したコンデンサ直列回路と、交流入力が前記第1のダイオードブリッジ回路の交流入力に接続された第2のダイオードブリッジ回路と、前記第2のダイオードブリッジ回路の直流出力の正極と負極間に接続したスイッチ素子を2個直列接続したスイッチ素子直列回路と、を備え、前記コンデンサ直列回路内部の直列接続点と前記スイッチ素子直列回路内部の直列接続点とを接続し、前記コンデンサ直列回路の両端を直流出力とする。第2の発明においては、第1の発明における前記第1のダイオードブリッジ回路の交流入力端子間に交流スイッチを接続する。第3の発明においては、単相交流電源電圧を整流して直流電圧を得る交流-直流変換回路において、前記単相交流電源とダイオードブリッジ回路の交流入力との間に接続したリアクトルと、前記ダイオードブリッジ回路の交流入力端子間に接続した交流スイッチと、前記ダイオードブリッジ回路の直流出力の正極と負極との間に接続したスイッチ素子を2個直列接続したスイッチ素子直列回路と、前記ダイオードブリッジ回路の直流出力の正極と負極との間に接続したアノードが前記正極に接続された第1のダイオードと、第1のコンデンサと、第2のコンデンサと、カソードが前記負極に接続された第2のダイオードと、をこの順に直列接続したダイオードコンデンサ直列回路と、を備え、前記スイッチ素子直列回路内部の直列接続点と前記第1のコンデンサと前記第2のコンデンサとの接続点とを接続し、前記第1のダイオードと前記第1のコンデンサとの接続点及び前記第2のコンデンサと前記第2のダイオードとの接続点とを直流出力とする。第4の発明においては、単相交流電源電圧を整流して直流電圧を得る交流-直流変換回路において、前記単相交流電源とダイオードブリッジ回路の交流入力との間に接続したリアクトルと、前記ダイオードブリッジ回路の交流入力端子間に接続した第1の交流スイッチと、前記ダイオードブリッジ回路の直流出力の正極と負極との間に接続した2個のコンデンサを直列接続したコンデンサ直列回路と、前記ダイオードブリッジ回路の交流入力端子の各々と前記コンデンサ直列回路内部の接続点との間に各々接続した第2及び第3の交流スイッチと、を備え、前記コンデンサ直列回路の両端を直流出力とする。本発明では、リアクトルの電流を増加させるための回路と、リアクトルの電流をコンデンサに充電させるための回路の共通部分を減少させた回路構成としているため、各モードにおける電流が通過する半導体素子数を減少させている。その結果、発生損失の低減による変換効率向上と、冷却装置の小型化による装置の小型化と低コスト化が可能となる。本発明の要点は、単相交流電源電圧を整流して交流電源電圧のピーク値より高い直流電圧に変換する交流-直流変換回路において、交流電源と変換回路との間に接続されたリアクトルの電流を増加させるための回路と、リアクトルの電流を直流出力コンデンサに充電させるための回路の共通部分を減少させた回路構成としているため、各モードにおける電流が通過する半導体素子数を減少させている点である。図1に、本発明の第1の実施例を示す。スイッチ素子としてMOSFETを用いた時の実施例である。回路は、単相交流電源1とダイオード27~30で構成された第1のダイオードブリッジ回路の交流入力との間に接続したリアクトル2と、前記第1のダイオードブリッジ回路の直流出力の正極と負極との間に接続した2個のコンデンサ3、4を直列接続したコンデンサ直列回路と、交流入力が前記第1のダイオードブリッジ回路の交流入力に接続されたダイオード23~26で構成した第2のダイオードブリッジ回路と、前記第2のダイオードブリッジ回路の直流出力の正極と負極間に接続したMOSFET11、12を2個直列接続したMOSFET直列回路と、を備えた構成である。また、前記コンデンサ直列回路内部の直列接続点と前記MOSFET直列回路内部の直列接続点とを接続し、前記コンデンサ直列回路の両端には、負荷5を接続する。このような構成において、交流電源電圧vinが矢印の極性に正である時、リアクトル2の電流を増加させる時には、MOSFET11と12を同時にオンさせる。MOSFET11と12がオンすると、電流は交流電源1→リアクトル2→ダイオード23→MOSFET11→MOSFET12→ダイオード26→交流電源1の経路で増加する。次にMOSFET12をオフすると、リアクトル2の電流は、ダイオード23→MOSFET11→コンデンサ4→ダイオード30→交流電源1→リアクトル2の経路となり、コンデンサ4を充電する経路に転流し、減少する。また、MOSFET11と12がオンの状態から、MOSFET11をオフすると、リアクトルの電流は、ダイオード27→コンデンサ3→MOSFET12→ダイオード26→交流電源1→リアクトル2の経路となり、コンデンサ3を充電する経路に転流し、減少する。また、MOSFET11と12がオンの状態から、MOSFET11と12を同時にオフすると、リアクトル2の電流は、ダイオード27→コンデンサ3→コンデンサ4→ダイオード30→交流電源1→リアクトル2の経路となり、コンデンサ3と4の直列回路を充電して、減少する。このような動作を組合せることにより、交流電源1の電流が正弦波状になるようにしつつ、コンデンサ3と4の電圧が均等になるように、制御する。このように、リアクトル2の電流を増加させる時に電流が通過する素子数はダイオード2個とMOSFET2個、リアクトル2の電流でコンデンサ3又は4を充電する時はダイオード2個とMOSFET1個、リアクトル2の電流でコンデンサ3及び4を充電する時はダイオード2個となる。また、交流入力電圧の極性が負である時には、ダイオード27の動作がダイオード29に、ダイオード30の動作がダイオード28に、ダイオード23の動作がダイオード25に、ダイオード26の動作がダイオード24に、各々置き換わることになる。以上の説明から判るように、従来技術で説明した図5の回路構成に比べると、リアクトル2の電流を増加させる時の電流の通過素子数は同じであるが、リアクトル2の電流でコンデンサ3、4を充電する時の電流の通過素子数は減少する。図2に、本発明の第2の実施例を示す。図1に示した第1の実施例の第1及び第2のダイオードブリッジ整流回路の交流入力端子間に交流スイッチ17を接続した構成である。リアクトル2の電流を増加させる時にはこの交流スイッチ17をオンさせる。また、リアクトル2の電流でコンデンサ3、4を充電する時には、実施例1と同様にMOSFET11、12を制御する。この結果、第1の実施例に比べて、リアクトル2の電流を増加させる時の電流の通過素子数を減少させることができる。即ち、実施例1がダイオード2個とMOSFET2個であるのに対して、本実施例では交流スイッチ1個となる。図3に、本発明の第3の実施例を示す。図5に示した従来例の回路に交流スイッチ17を追加した構成である。即ち、ダイオード23~26で構成されたダイオードブリッジ回路の交流入力端子間に交流スイッチ17が接続される。この構成においては、リアクトル2の電流を増加させる時には交流スイッチ17をオンさせる。コンデンサ3、4を充電する時の動作は従来例図5と同じである。この結果、リアクトル2の電流を増加させる時に電流が通過する半導体素子数は交流スイッチ17だけとなり、従来例の図5に比べて減少する。即ち、従来例の図5がダイオード2個とMOSFET2個であるのに対し、本実施例では交流スイッチ1個となる。図4に、本発明の第4の実施例を示す。図7に示した従来例の回路に交流スイッチ17を追加した構成である。即ち、ダイオード23~26で構成されたダイオードブリッジ回路の交流入力端子間に交流スイッチ17が接続される。この構成においては、リアクトル2の電流を増加させる時には交流スイッチ17をオンさせる。コンデンサ3、4を充電する時の動作は、交流スイッチ17をオフすると共に交流スイッチ15、16を制御するがこの動作は従来例図7と同じである。この結果、リアクトル2の電流を増加させる時に電流が通過する半導体素子数は交流スイッチ17だけとなり、従来例の図7に比べて減少する。即ち、従来例の図7が交流スイッチ2個であるのに対し、本実施例では交流スイッチ1個となる。尚、上記実施例には、交流電源1の一方とダイオードブリッジ回路の交流入力端子の一方との間に、リアクトル2が接続された例を示したが、交流入力電源1の他方の端子とダイオードブリッジ回路の交流入力端子の他方との間にリアクトルを追加接続しても同様の動作と効果が得られる。また、交流スイッチとしては、逆阻止形のスイッチ素子を逆並列接続する構成や、ダイオードと逆阻止能力の無いスイッチ素子を組合せる構成があることは周知である。さらに、直流出力の正極と負極との間に負荷を接続する構成を示したが、直流出力の中間点を用いて、正電圧出力や負電圧出力としても使用可能である。