"a光源と、b主導波路と、c近接場素子と、d第1の部分と、第2の部分とを有する第1の検出用導波路と、e光検出器と、f制御部とを備え、前記光源は、電力を用いて光を発し、その光を、前記主導波路を通じて磁気記録媒体と対向するエアベアリング面へ向けて伝達することにより、前記エアベアリング面と前記磁気記録媒体とのインターフェイスを形成するものであり、前記主導波路は、一端が前記エアベアリング面に露出すると共に他端が前記光源と近接するように前記エアベアリング面と直交する方向に延在し、前記近接場素子へ前記光を伝達するものであり、前記近接場素子は、前記主導波路からの光をプラズモン波に変換したのち、前記主導波路の一端において受光される前記エアベアリング面と前記磁気記録媒体とのインターフェイスでの反射光を生成する前記プラズモン波からのエネルギーを、前記磁気記録媒体の局所部分に伝達することで前記局所部分を加熱し、前記局所部分における保磁力および磁気異方性を減少させるものであり、前記第1の検出用導波路は、前記主導波路を通過する前記反射光の一部を検出し、前記エアベアリング面と反対側の前記光検出器と対向した面を有し、前記第1の部分は、前記主導波路と第1の距離を隔てて前記主導波路の長手方向に沿った結合長を有するように延在し、前記エアベアリング面から後退した位置にある第1の端部と、前記第2の部分と接する第2の端部とを有し、前記第2の部分は、前記第1の部分の第2の端部と接する第1の端部と、前記主導波路から前記第1の距離よりも大きな第2の距離を隔てた位置に延在する第2の端部とを有し、前記光検出器は、前記第1の検出用導波路からの反射光を受光し、光強度測定を行うことによって光強度データの生成を行うものであり、前記制御部は、前記光検出器からの光強度データを受信し、電力調整量を計算し、前記光源へ電力調整に関する命令を送信することで、TAMR書込処理の際に、前記エアベアリング面と前記磁気記録媒体とのインターフェイスでのエネルギーを一定に保つものである熱アシスト磁気記録ヘッド。前記第2の部分における第2の端部は、前記光検出器と接合され、または3μm以下のギャップを介して前記光検出器と対向しており、前記ギャップは、空間、反射防止膜、または誘電材料のうちの少なくとも1つによって形成される請求項1記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。前記第1の検出用導波路は、前記主導波路の長手方向に沿って延在する第3の部分をさらに有し、前記第3の部分は、前記第2の部分の前記第2の端部に隣接する第1の端部と、前記光検出器と接合され、または3μm以下のギャップを介して前記光検出器と対向しており、前記ギャップは、空間、反射防止膜、または誘電材料のうちの少なくとも1つによって形成される請求項1記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。前記主導波路と、前記第1の検出用導波路の前記第1の部分との間の前記第1の間隙距離は、100nm以上400nm以下である請求項1記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。前記第1の検出導波路において、前記第1の端部と前記第2の端部との間の距離は結合長であり、2μm以上10μm以下である請求項1記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。前記第1の検出導波路とは反対側に位置する第1および第2の端部をそれぞれ有する第1の部分および第2の部分を含む第2の検出用導波路をさらに備え、前記第1および第2の検出用導波路は、前記主導波路を中心として対称的に配置されており、前記第1の検出用導波路の第1の部分と前記主導波路との間隔は、前記第2の検出用導波路の第1の部分と前記主導波路との間隔と等しく、前記第1の検出用導波路における第1の部分の第1の端部と前記エアベアリング面との距離は、前記第2の検出用導波路における第1の部分の第1の端部と前記エアベアリング面との距離と等しく、前記第1の検出用導波路における第2の部分の第2の端部と前記主導波路との間隔は、前記第2の検出用導波路における第2の部分の第2の端部と前記主導波路との間隔と等しい請求項1記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。前記第1および第2の検出用導波路は、前記主導波路の長手方向に沿って延在する第3の部分をさらに有し、前記第3の部分は、前記第2の部分の前記第2の端部に隣接する第1の端部と、前記光検出器と接合され、または3μm以下のギャップを介して前記光検出器と対向しており、前記ギャップは、空間、反射防止膜、または誘電材料のうちの少なくとも1つによって形成される請求項1記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。前記近接場素子は、前記エアベアリング面と直交する方向へ延在し、前記エアベアリング面に露出した第1の端部と、前記エアベアリング面から1μm以上1.5μm以下の距離に位置する第2の端部とを有するエッジプラズモンジェネレータEPGである請求項1記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。前記第1の検出用導波路における前記第1の部分の第1の端部は、前記エアベアリング面から3μm以上10μm以下の距離だけ後退しており、前記EPGの前記第2の端部と、前記第1の検出用導波路における前記第1の部分の第1の端部との距離が1μm以上である請求項8記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。前記第1の検出導波路によって受光された前記反射光の一部は、前記エアベアリング面と前記磁気記録媒体とのインターフェイスにおいて前記主導波路によって受光された前記反射光の10未満である請求項1記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。前記第1の検出用導波路および前記第2の検出用導波路における各々の前記第3の部分の第2の端部と前記エアベアリング面との距離は、前記主導波路の第2の端部と前記エアベアリング面との距離と同等以下である請求項7記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。TAMR書込処理の際、エアベアリング面に入射するプラズモン波エネルギーの強度をモニタリングしてそれを制御する統合光強度測定素子であって、a光源と、b主導波路と、c近接場素子と、d第1の部分と、第2の部分とを有する第1の検出用導波路と、e光検出器と、f制御部とを備え、前記光源は、電力を用いて強度IAを有する光を発し、その光を、前記主導波路を通じて磁気記録媒体と対向するエアベアリング面へ向けて伝達することにより、前記エアベアリング面と前記磁気記録媒体とのインターフェイスを形成するものであり、前記主導波路は、一端が前記エアベアリング面に露出すると共に他端が前記光源と近接するように前記エアベアリング面と直交する方向に延在し、前記近接場素子へ前記光を伝達するものであり、前記近接場素子は、前記主導波路からの光をプラズモン波に変換したのち、前記主導波路の一端において受光される反射光を前記エアベアリング面と前記磁気記録媒体とのインターフェイスで生成する前記プラズモン波からのエネルギーを、前記磁気記録媒体の局所部分に伝達するものであり、前記第1の検出用導波路は、前記主導波路を通過する前記反射光の一部を検出し、前記エアベアリング面と反対側の前記光検出器と対向した面を有し、前記第1の部分は、前記主導波路と第1の距離を隔てて前記主導波路の長手方向に沿って延在し、前記エアベアリング面から後退した位置にある第1の端部と、前記第1の端部と反対側に位置し前記第2の部分と接する第2の端部とを有し、前記第2の部分は、前記第1の部分の第2の端部と接する第1の端部と、前記主導波路から前記第1の距離よりも大きな第2の距離を隔てた位置に延在する第2の端部とを有し、前記光検出器は、前記第1の検出用導波路からの反射光を受光し、その光強度IBを測定し、光強度データの生成を行うものであり、前記制御部は、前記光検出器からの光強度データを受信し、前記aからeの構成要素と共に閉ループシステムを構成し、電力調整量を計算し、前記電力調整量を前記光源へ伝達することによって、複数の前記磁気記録媒体を含むTAMR書込処理の際に、前記エアベアリング面と前記磁気記録媒体とのインターフェイスでのプラズモン波エネルギーを一定に保つものである統合光強度測定素子。前記光検出器へ送られた前記反射光の強度IBは、前記エアベアリング面と磁気記録媒体とのインターフェイスにおいて前記主導波路によって受光された前記反射光の10未満である請求項12記載の統合光強度測定素子。前記強度IAは、TAMR書込処理の実行中において非書込状態よりも大きい請求項12記載の統合光強度測定素子。磁界を印加しない状態で、書き込み済みのデータトラックを含む前記磁気記録媒体を用い、前記反射光の前記強度IBの測定を行い、スライダがロード状態であるかアンロード状態であるかを調べる請求項12記載の統合光強度測定素子。前記主導波路、および前記第1の検出用導波路はそれぞれ、同一平面上に形成された底面を有し、ダウントラック方向において同じ厚さを有する請求項12記載の統合光強度測定素子。非書込状態において第1の磁気記録媒体を用いて測定した第1の強度IBと、非書込状態において第2の磁気記録媒体を用いて測定した第2の強度IBとの差を、前記制御部によって計算されて前記第2の磁気記録媒体に対するTAMR書込処理の電力を決定するために用い、前記電力によって、前記第1の磁気記録媒体に対するTAMR書込処理の際と同じ強度のプラズモン波エネルギーを前記エアベアリング面と前記第2の磁気記録媒体との界面において生成する請求項12記載の統合光強度測定素子。前記主導波路の、前記第1の検出導波路とは反対側に、対称的に配置された第2の検出導波路をさらに備えた請求項12記載の統合光強度測定素子。前記主導波路は、クロストラック方向において、前記第1の検出用導波路および前記第2の検出用導波路とは異なる寸法を有する請求項18記載の統合光強度測定素子。前記第1の距離および前記結合長のうちの少なくとも一方を変更することによって、前記第1の検出用導波路によって受光された前記反射光の前記強度を調整する請求項12記載の統合光強度測定素子。熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、エアベアリング面と磁気記録媒体とのインターフェイスに伝達されるプラズモン波エネルギー強度をモニタリングし、制御する方法であって、a光源と、主導波路と、近接場素子と、検出用導波路と、光検出器と、制御部とを備えた統合光強度測定システムを用意するステップと、b前記主導波路において、非書込状態で第1の磁気記録媒体を用いて、前記光検出器において強度IB1が検出されるような反射光を生じさせる光強度IA1の光を生成するステップと、c第1のプラズモン波強度が前記エアベアリング面と前記第1の磁気記録媒体とのインターフェイスにおいて形成されるように、前記第1の磁気記録媒体を用いてTAMR書込処理を行うステップと、d前記主導波路において、非書込状態で第2の磁気記録媒体を用いて、前記光検出器において強度IB2が検出されるような反射光を生じさせる光強度IA2の光を生成するステップと、e前記制御部において、差IB2-IB1を計算し、前記差を用いて、前記第2の磁気記録媒体を用いた書込処理の際に必要な光強度を決定する工程と、f前記第2の磁気記録媒体を用いてTAMR書込処理を行い、前記エアベアリング面と前記第2の磁気記録媒体とのインターフェイスにおいて前記第1のプラズモン波強度を生成する工程とを含み、前記光源は、電力を用いて光を発し、その光を、前記主導波路を通じて磁気記録媒体と対向するエアベアリング面へ向けて伝達することにより、前記エアベアリング面と前記磁気記録媒体とのインターフェイスを形成するものであり、前記主導波路は、一端が前記エアベアリング面に露出すると共に他端が前記光源と近接するように前記エアベアリング面と直交する方向に延在し、前記近接場素子へ前記光を伝達するものであり、前記近接場素子は、前記主導波路からの光をプラズモン波に変換したのち、前記主導波路の一端において受光される前記エアベアリング面と前記磁気記録媒体とのインターフェイスでの反射光を生成する前記プラズモン波からのエネルギーを、前記磁気記録媒体の局所部分に伝達するものであり、前記第1の検出用導波路は、前記主導波路における前記反射光の一部を検出し、前記エアベアリング面と反対側の前記光検出器と対向した面を有し、前記光検出器は、前記第1の検出用導波路からの反射光を受光し、その光強度IBの測定を行うことによって光強度データの生成を行うものであり、前記制御部は、前記光検出器からの光強度データを受信し、前記aからeの構成要素と共に閉ループシステムを構成するものである熱アシスト磁気記録ヘッドにおけるプラズモン波強度の調整方法。TAMR方式における記録において、ABS、および媒体の近接場において得られる光強度を正確に把握することは重要である。この小さな要素が、媒体に書き込まれるデータの質を決定するからである。媒体における光強度、およびそれに伴うエネルギー密度は、光源LDの電力、ヘッドと媒体との間隔、媒体速度、および素子の性能の変化によって変化する。これらの変化状態をモニタリングするために、統合光強度測定素子integratedlightintensitymeasurementdeviceが必要である。光強度測定は、光エネルギーの使用にあたり、非常に有効である。光源の電力を増加させる必要がないからである。さらに、磁界が印加されていない場合に、既存のデータトラックにおける光強度測定値を得て、スライダがロード状態であるかどうかを調べることを可能とすることが望ましい。ABSに到達する光のおおよその強度を測定するために現在用いられている方法の1つは、光源の後方に光検出器を配置し、ABSとは反対方向に伝播する光の強度を測定するという方法である。この値は、通常、媒体に向けられた光の強度の約10であるからである。しかしながら、この測定は比較的正確でない。光源からABSとは反対方向に伝播する光の割合は時間とともに変化するおそれがあるからである。さらに、他の要因が導波路を通って媒体へと伝播する光の量に影響をおよぼすことによって、導波路の後端部付近の光源から出射される光の強度が、ABS付近の光の強度と、必ずしも相関しなくなるおそれがある。したがって、TAMRデザインにおいて、十分に光を制御するためには、より正確な測定技術が必要である。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第1の目的は、TAMR方式において、ABSと磁気記録媒体との界面からの反射戻り光の強度を測定することによって、ABSおよび磁気記録媒体における光強度をより正確に読み取ることを可能とする、向上した導波路構造を提供することにある。本発明の第2の目的は、反射戻り光の強度をデータと照らし合わせることによって、磁界が印加されていない場合に、LD電力が固定された状態において、ヘッドと媒体との間隔の変化を検出可能とする導波路デザインを提供することにある。上述の目的は、本発明によって達成される。本発明のTAMR書込ヘッドは、主導波路を有する。主導波路は、光源からの光を受光し、その入力光エネルギーの大部分を、エッジプラズモンジェネレータEPG:edgeplasmongenerator等の近接場素子へと送る。EPGは、光をプラズモン波へと変換し、ABS、および記録媒体において、近接場を生成する。EPGから空気中、および媒体へと移動する際、インピーダンスの変化が起こり、その結果、入射する伝播光の一部が反射する。反射光は、主導波路の端部へと戻り、光源に向かって送り返される。その反射光のわずかな部分は、分離して単一の検出導波路detectionwaveguideに入るか、主導波路の両側に、クロストラック方向に対称的に形成された2つの隣接検出導波路に入る。各検出導波路は、ABSとは反対側に、検出器に極めて近接した端部を有する。検出器は、ABSおよび媒体における光吸収と強い相関関係にある光強度を測定するためのものである。閉ループ方式において、光検出器から得た光強度データは、制御部に供給される。それから、制御部は、そのデータを分析し、必要に応じて、光源に対して、光の射出量を増加、または減少させるように命令を送る。それにより、ABSおよび媒体における光強度が安定的に維持される。本発明のTAMRヘッドを上方から眺めると、主導波路は、ABSからスライダーの後端部まで、媒体の面に対して垂直な方向に延在している。各検出導波路は、第1の距離をもってABSから後退しており、少なくとも2つの部分を有する。ABSに最も近い第1の部分は、主導波路に対して平行に形成され、ABSに対して垂直方向に延在する。この縦方向の長さは結合長と呼ばれ、約2μm~10μmである。第2の部分は第1の部分の端部に接続された第1の端部を有し、主導波路から離れる方向へ広がっている。一実施の形態において、第2の部分の第2の端部は、主導波路に対して実質的に平行に向けられた第3の部分に接続している。第3の部分の、第2の部分とは反対側の端部は、スライダの端部において終了していなくてもよく、光検出器に接続されていてもよいし、導波路と光検出器との間における光屈折率RI:refractiveindexを有する反射防止膜等の間隙材料によって、光検出器から分離されていてもよい。他の実施の形態において、第3の部分は設けられず、第2の部分の第2の端部が、光検出器に接続されるか、間隙材料によって光検出器から分離されている。また、本発明は、上述の光源、導波路、EPG、および光検出器によって構成された統合光測定素子である。光源からの入射光の光路は、主導波路を通り、EPG内へと至る。EPGでは、光路は、プラズモン波へと変換され、そのプラズモン波によって、ABSおよび磁気記録媒体において近接場が生成される。ABSと媒体との界面におけるインピーダンスの変化に起因した反射戻り光は、主導波路によって受光される。その反射戻り光の一部は、少なくとも1つの検出導波路内へと進路変更し、検出導波路によって、光検出器へと方向づけられる。光検出器は光強度の測定を行い、そのデータは制御部へと送られる。制御部は、光源に接続されている。それによって、光源から射出される光の強度は調整され、媒体における近接場の強度が基本的に一定の値に維持されるようになる。反射戻り光は、ある媒体と、その次の媒体とで異なるABSと媒体との間隔と強く相関している。各媒体における、非書込状態での光強度測定値を用いれば、後続のTAMR書込処理の際、ABSにおいて一定の強度の光を生成するために、光源において必要な電力を計算することができる。本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドは、a光源と、b主導波路と、c近接場素子と、d第1の部分と、第2の部分とを有する第1の検出用導波路と、e光検出器と、f制御部とを備える。光源は、電力を用いて光を発し、その光を、主導波路を通じて磁気記録媒体と対向するエアベアリング面へ向けて伝達することにより、エアベアリング面と磁気記録媒体とのインターフェイスを形成するものである。主導波路は、一端がエアベアリング面に露出すると共に他端が光源と近接するようにエアベアリング面と直交する方向に延在し、近接場素子へ光を伝達するものである。近接場素子は、主導波路からの光をプラズモン波に変換したのち、主導波路の一端において受光されるエアベアリング面と磁気記録媒体とのインターフェイスでの反射光を生成するプラズモン波からのエネルギーを、磁気記録媒体の局所部分に伝達することで局所部分を加熱し、局所部分における保磁力および磁気異方性を減少させるものである。第1の検出用導波路は、主導波路を通過する反射光の一部を検出し、エアベアリング面と反対側の光検出器と対向した面を有する。第1の部分は、主導波路と第1の距離を隔てて主導波路の長手方向に沿った結合長を有するように延在し、エアベアリング面から後退した位置にある第1の端部と、第2の部分と接する第2の端部とを有する。第2の部分は、第1の部分の第2の端部と接する第1の端部と、主導波路から第1の距離よりも大きな第2の距離を隔てた位置に延在する第2の端部とを有する。光検出器は、第1の検出用導波路からの反射光を受光し、光強度測定を行うことによって光強度データの生成を行うものである。制御部は、光検出器からの光強度データを受信し、電力調整量を計算し、光源へ電力調整に関する命令を送信することで、TAMR書込処理の際に、エアベアリング面と磁気記録媒体とのインターフェイスでのエネルギーを一定に保つものである。本発明の統合光強度測定素子は、TAMR書込処理の際、エアベアリング面に入射するプラズモン波エネルギーの強度をモニタリングしてそれを制御するものであって、a光源と、b主導波路と、c近接場素子と、d第1の部分と第2の部分とを有する第1の検出用導波路と、e光検出器と、f制御部とを備える。光源は、電力を用いて強度IAを有する光を発し、その光を、主導波路を通じて磁気記録媒体と対向するエアベアリング面へ向けて伝達することにより、エアベアリング面と磁気記録媒体とのインターフェイスを形成するものである。主導波路は、一端が前記エアベアリング面に露出すると共に他端が光源と近接するようにエアベアリング面と直交する方向に延在し、近接場素子へ光を伝達するものである。近接場素子は、主導波路からの光をプラズモン波に変換したのち、主導波路の一端において受光される反射光をエアベアリング面と磁気記録媒体とのインターフェイスで生成するプラズモン波からのエネルギーを、磁気記録媒体の局所部分に伝達するものである。第1の検出用導波路は、主導波路を通過する反射光の一部を検出し、エアベアリング面と反対側の光検出器と対向した面を有する。第1の部分は、主導波路と第1の距離を隔てて主導波路の長手方向に沿って延在し、エアベアリング面から後退した位置にある第1の端部と、第1の端部と反対側に位置し第2の部分と接する第2の端部とを有する。第2の部分は、第1の部分の第2の端部と接する第1の端部と、主導波路から第1の距離よりも大きな第2の距離を隔てた位置に延在する第2の端部とを有する。光検出器は、第1の検出用導波路からの反射光を受光し、その光強度IBを測定し、光強度データの生成を行うものである。制御部は、光検出器からの光強度データを受信し、aからeの構成要素と共に閉ループシステムを構成し、電力調整量を計算し、電力調整量を光源へ伝達することによって、複数の磁気記録媒体を含むTAMR書込処理の際に、エアベアリング面と磁気記録媒体とのインターフェイスでのプラズモン波エネルギーを一定に保つものである。本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドにおけるプラズモン波強度の調整方法は、熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、エアベアリング面と磁気記録媒体とのインターフェイスに伝達されるプラズモン波エネルギー強度をモニタリングし、制御する方法であって、a光源と、主導波路と、近接場素子と、検出用導波路と、光検出器と、制御部とを備えた統合光強度測定システムを用意するステップと、b主導波路において、非書込状態で第1の磁気記録媒体を用いて、光検出器において強度IB1が検出されるような反射光を生じさせる光強度IA1の光を生成するステップと、c第1のプラズモン波強度がエアベアリング面と第1の磁気記録媒体とのインターフェイスにおいて形成されるように、第1の磁気記録媒体を用いてTAMR書込処理を行うステップと、d主導波路において、非書込状態で第2の磁気記録媒体を用いて、光検出器において強度IB2が検出されるような反射光を生じさせる光強度IA2の光を生成するステップと、e制御部において、差IB2-IB1を計算し、その差を用いて、第2の磁気記録媒体を用いた書込処理の際に必要な光強度を決定する工程と、f第2の磁気記録媒体を用いてTAMR書込処理を行い、エアベアリング面と第2の磁気記録媒体とのインターフェイスにおいて第1のプラズモン波強度を生成する工程とを含む。光源は、電力を用いて光を発し、その光を、主導波路を通じて磁気記録媒体と対向するエアベアリング面へ向けて伝達することにより、エアベアリング面と前記磁気記録媒体とのインターフェイスを形成するものである。主導波路は、一端がエアベアリング面に露出すると共に他端が光源と近接するようにエアベアリング面と直交する方向に延在し、近接場素子へ光を伝達するものであり、近接場素子は、主導波路からの光をプラズモン波に変換したのち、主導波路の一端において受光されるエアベアリング面と磁気記録媒体とのインターフェイスでの反射光を生成するプラズモン波からのエネルギーを、磁気記録媒体の局所部分に伝達するものである。第1の検出用導波路は、主導波路における反射光の一部を検出し、エアベアリング面と反対側の光検出器と対向した面を有する。光検出器は、第1の検出用導波路からの反射光を受光し、その光強度IBの測定を行うことによって光強度データの生成を行うものである。制御部は、光検出器からの光強度データを受信し、aからeの構成要素と共に閉ループシステムを構成するものである。本発明では、光源から発せられ、主導波路を通過した光は近接場素子によってプラズモン波に変換されたのち、磁気記録媒体へ向かう。その際に生じる反射戻り光は主導波路によって受光されたのち、その一部が検出用導波路へ進入し、光検出器に達する。その際に光検出器で測定される光強度は、磁気記録媒体とエアベアリング面とのインターフェイスにおけるプラズモン波強度と強い相関がある。よって、この関係を用いて光源に投入する電力を調整することで、プラズモン波強度を一定に保持することができる。本発明は、TAMR書込ヘッドにおいてEPGとともに用いる導波路構造であり、ABSと媒体との界面におけるエネルギー吸収量をより正確に測定することを可能とするものである。本発明によれば、TAMR処理をモニタリングし、制御するよりよい手段を提供することができる。実施の形態の記載において、EPG、およびプラズモンアンテナPAは、近接場素子nearfielddeviceと相互に置き換え可能な語句として用いられる。さらに、書込ヘッドは、読取/書込複合ヘッドデザインの一部を構成するものであってもよい。実施の形態においては、三角形状の断面を有するEPGについて説明するが、本発明において、PAまたはPG構造は、エッジプラズモンモードを生成するものであれば、他の形状であってもよい。また、本発明は、TAMR方式において、ABSにおける光強度を測定する方法であって、閉ループ構成内に配置された光検出器、制御部、光源、および導波路からなる統合光測定素子を含む。本発明によれば、光源の出力を、リアルタイムで調整することができる。図2に、本発明者らが先に出願したEPGデザインを表す。このEPGデザインは、断面が三角形状をなし、エッジプラズモンモード27と導波路23からの入力光26とを結合させるものである。導波路23はABSから後退していてもよい。EPG22は、磁性コア21と、厚さcを有し、導波路23に面する先端部24tにおいて収束する2つの側面を含むプラズモン層24を有する。磁性コア21および主磁極層図示せずは、Co,Fe,Ni,およびBのうちの1以上の物質、またはこれらの合金によって構成されてもよい。ある態様において、主磁極と磁性コア21とは、同じ構成であってもよい。プラズモン層24は、厚さcが約10nm~100nmであるAu、Ag、またはAuおよびAgからなることが好ましく、ABSに対して垂直であるZ軸縦方向に延在する。ある実施の形態において、プラズモン層24は、2つの側面を含み、それら2つの側面は、頂点または先端部24tにおいて収束してV字型を形成し、EPG22の第3の側面を形成する磁性コア21の上を覆う。なお、第3の側面21sは、主磁極に隣接することが好ましく、主磁極層のリーディングサイドの一部としてもよい。当然ながら、書込処理の際、主磁極およびTAMRヘッドは、Y方向、すなわちダウントラック方向とは反対方向に動く。X軸はクロストラック方向を表し、Z方向は素子の後端部に向かう方向を示している。他の実施の形態として、側面21sと主磁極との間に、分離層を含んでもよい。プラズモンモードは、光レーザ等によって生成される光周波数の電磁放射との放射結合によって生成され、プラズモン層24の内部をABSへ向かって送られる。一方、磁性コア21は、磁束をEPGの加熱点近くに集中させ、書込の際に、磁気記録媒体の加熱箇所における磁界図示せずを増強する。このようにして、EPG22は、効果的に磁極の延長となり、最大勾配が、プラズモン層24内で生成されたエッジプラズモンによって加熱された磁気記録媒体領域にオーバーラップする磁界を生成する。接近したオーバーラップによって、書込磁極からの磁界は、より効果的に磁気記録媒体の局所的磁化を変化させることができるようになる。それにより、磁気的書き込みは大幅に増強され、微小な表面領域に磁気的書き込みを限定することができる。先端部24tと導波路23との間隙の距離vは、例えば20nm~50nmである。また、その間隙を、酸化ケイ素、アルミナ、酸窒化ケイ素、またはMgF2によって満たすことによって、導波路23とEPG22との間の光透過率を最適化することが好ましい。図3は、図2に示したEPG22の尖端部近傍を表す拡大図である。図3に示したように、EPG22の尖端部24tは、通常、製造処理に起因して湾曲しており、半径rr≒20nmの曲面となっている。半径rの値が小さい尖端部24tを製造することは、現実の製造方法では難しい。ここに、TAMRデザインにおけるさらなる改良点を開示する。これらの改良点によれば、ABSにおける光強度を、より正確に測定することが可能となるとともに、TAMRヘッドの書込性能をさらに向上させるさらなる利点を得ることができる。具体的には、以下に説明する各種の実施の形態は、光デカップラーlightdecouplerとも呼ばれる、主導波路に対して平行に形成された縦方向の長さを有する検出用導波路detectionwaveguideを少なくとも1つ有する。検出用導波路によって、ABSおよび磁気記録媒体からの反射戻り光backreflectedlightの一部は、主導波路によって受光され、測定のために進路変更される。具体的には、検出用導波路の、ABSとは反対方向に面した端部は、光検出器に隣接するか、または、反射防止膜ARC:antireflectioncoating等の間隙材料によって光検出器から分離しており、光強度測定を容易にしている。1または2つの検出用導波路へと結合した反射戻り光の強度は、主導波路内をABSに向かって伝播する光のごく一部である。そのため、主導波路内の単一モードシングルモードは妨げられない。[第1の実施の形態]図4Aは、本発明の第1の実施の形態としての導波路構造を表す上面図である。導波路構造の特徴に注目するために、誘電体層、EPG近接場素子、および主磁極は図示しない。この導波路構造は、磁気記録媒体以下、単に媒体という。40の平面およびABS38に対して垂直であるZ軸方向に縦方向の長さを有する主導波路32を備える。主導波路32は、光源30からの光31aをABS38へ向かって方向づける。光31aの大部分は、近接場素子図示せずと結合し、近接場素子によってプラズモン波31cに変換される。プラズモン波31cは、最終的にABS38へと送られ、ABS38および媒体40において近接場光を生成する。本実施の形態では、プラズモン層を有する近接場素子として、EPG22図4Bを用いる。EPG22は、一端がABS38に露出し、Z軸方向に約1μm~1.5μmの長さを有する。主導波路32は、例えばABS38まで延在している。プラズモン波31cがEPG22から空気中および媒体40への移動することによって、いくつかのインピーダンスの変化が生じる。その結果、入射する伝播光が部分的に反射される。インピーダンスにおける最大の変化は、ABS38と媒体40との界面において生じる。反射戻り光31bとも呼ばれる反射光の一部は、ABS38において、主導波路32によって受光され、光源30に向かって逆戻りする。本実施の形態における重要な特徴は、主導波路32に近接して、少なくとも1つの検出用導波路34が配置されていることである。検出用導波路34は、光デカップラーとも呼ばれる。検出用導波路34には、反射戻り光31bのうちのわずかな割合好ましくは10未満の光が進路変更により進入する。検出用導波路34は、その光を光検出器33に送り、強度の測定を可能とする。光31bのうち検出用導波路34へと進路変更させる光の割合は最小限にし、主導波路32内の単一の光移動モードlighttransitionmodeの妨げとならないようにする。光源の後端部に設置された光検出器によって光強度を測定する従来の技術とは異なり、光検出器30に到達する反射戻り光31bの強度は、媒体40およびABS38における反射戻り光31cの吸収量と強い相関関係にある。検出用導波路34は、約100nm~400nmである第1の距離としての間隙距離aを隔てるように主導波路32から離間している。一実施の形態によれば、検出用導波路34は、第1から第3の部分34a,34b,34cによって構成される。第1の部分34aは、Z軸方向に延在する、おおよそ矩形状の部分であり、主導波路32に対して平行に形成される。Z軸方向の寸法dは、第1の部分34aの結合長と呼ばれる。寸法dは約2μm~10μmであり、間隙距離aとともに、結合効率、または、検出導波路34によって受光される反射戻り光31bの量を決定する。第1の部分34aにおける第1の端部34eは、ABS38に面するとともに、ABS38から3μm~10μmほど後退し、EPG22との距離が少なくとも1μmとなるようになっている。これにより、検出用導波路34が、主導波路32からEPG22へと送られる単一モードの妨げにならないようになっている。光源30から出射され、主導波路32によって受光された光31aのうち、約90~95の光がEPG22と結合し、約5の光だけが、主導波路32を通ってABS38へと向かうと考えられる。また、光31aのうちのごく一部が検出導波路34第1の部分34aへと進路変更し、この進路変更した光のうちのほんのわずかな部分が、検出用導波路34の反対側の端部にある光検出器33に到達すると考えられる。検出用導波路34と結合し、端部34eから反射されて光検出器33へと戻るおそれのある入射光31aを最小化するために、端部34eは、ABS38に対して平行ではなく、進路変更した光31aが第2の部分34bに入らないような角度で傾斜していてもよい。図4Cは、本実施の形態における第1の変形例としての導波路構造を表す。本変形例は、ABS38に対して傾斜した端部34e1を含むものである。第1の部分34aでは、主導波路32と対向する側面が、主導波路32とは反対側の側面よりもZ軸方向において長くなっている。その結果、第1の部分34aに進入した光31aの大部分は、反射して主導波路32へと戻り、第2の部分34bから離れるように進行する。なお、主導波路32、および検出導波路34内において光31aがABS38へと伝播する様子を明確に示すため、図4Cでは、反射戻り光31bは示していない。図4Dは、本実施の形態における第2の変形例としての導波路構造を表す。本変形例は、ABS38に対して傾斜した非平行の端部34e2を含むものである。第1の部分34aでは、主導波路32と対向する側面が、主導波路32とは反対側の側面よりもZ軸方向において短くなっている。その結果、第1の部分34aに進入した光31aの大部分は、反射して主導波路32および第2の部分34bから離れるように進行する。図4Dにおいても、光31aがABS38に伝播する様子を明確に示すため、反射戻り光31bは示していない。このように、図4Cおよび図4Dに示したデザインでは、ABSと対向する端部が傾斜していることで、光源からの入力光が反射したのち、光検出器に入ることを防ぐようになっている。再び図4Aを参照する。検出用導波路34において、第1の部分34aは、端部34eとは反対側に、第2の部分34bの第1の端部と接合された第2の端部を有する。第2の部分34bは、Z軸方向に対して0~90°である角度σの方向に延在すると共に、X軸方向において第1の部分34aと基本的に同じ幅を有することが好ましい。さらに、第1の部分34aと第2の部分34bとの界面の2つの側面によって形成される角は、図示するようにシャープなものでなくてもよく、EPG22について前述した、丸みのある先端部24tと同様に、一定量湾曲した形状であってもよい。本実施の形態において、第2の部分34bは、第1の端部とは反対側に、第3の部分34cの第1の端部に隣接する第2の端部を有する。第2の部分34bと第3の部分34cとの接合部は、主導波路32から第2の距離としての分離距離sだけ離れた位置に設けられている。ここで、sはaより大きい。第3の部分34cは、主導波路32の長手方向に沿って、実質的に主導波路32と平行に延在しており、ABS38とは反対側に位置する端部34fを有する。端部34fは光検出器33と接していてもよい。その場合、ギャップ39の長さeは0となる。あるいは、端部34fは、3μm以下の長さeを有するギャップ39を介して光検出器33と離間して対向していてもよい。その場合、ギャップ39には、屈折率が約1.5である樹脂、または空気屈折率RI=1が充填されていてもよい。ギャップ39が空気によって満たされている場合、端部34fを覆うように反射防止膜図示せずをさらに設けるようにしてもよい。この場合、反射防止膜の厚さは、反射戻り光31bの間隙に対する透過を最大化するに適切な厚さとされ、その屈折率は、空気または樹脂の屈折率と検出用導波路34の屈折率との中間の値に設定される。検出用導波路34は、例えばTaOからなり、その場合の屈折率は約2.1~2.2である。よって、反射防止膜の屈折率は1~2の間であることが望ましい。他の変形例では、屈折率は、検出用導波路34における約2から、反射防止膜における1~1.5へと変化し、さらに、空気における1へと変化する。これにより、検出用導波路34の端部34fとギャップ39との界面における反射に起因する透過損失を最小化する。さらに他の変形例図示せずとして、第3の部分34cが省略され、光検出器33が部分34bの第2の端部に合わせられていてもよい。光検出器33は、主導波路32から距離sを隔てるように離間し、第2の部分34bの第2の端部に接していてもよい。あるいは、第2の部分34bの第2の端部は、空気、または反射防止膜によって構成されたギャップを介して光検出器33から離間していてもよい。[第2の実施の形態]図5は、本発明の第2の実施の形態としてのTAMR導波路構造を表す。この導波路構造では、主導波路32の両側に、対称的な構成となるように、検出用導波路34、35が配置されている。検出用導波路34の特徴は、端部34fにおける光検出器を、光検出器33aとして現している点を除き、上述の第1の実施の形態の特徴と同様である。上述の第1の実施の形態における単一の検出導波路デザインにおいて懸念されるのは、主導波路のモードの対称性がわずかに崩れてしまうことである。しかしながら、対称性は、主導波路32の反対側に第2の検出用導波路を追加することによって確実に維持される。本実施の形態において、検出用導波路34,35は、ABS38から等距離の位置に各々の一端を有している。さらに、第2の検出用導波路35は、第1から第3の部分35a~35cを有する。第1~第3の部分35a~35cは、それぞれ主導波路32を中心軸として第1~第3の部分34a~34cと対称となる位置に、主導波路32の反対側に配置される。検出用導波路35の第1の部分35aは、検出用導波路34の第1の部分34aと基本的に同じ結合長d、および幅を有することが好ましい。当業者であれば理解できるように、これによって主導波路32のモードの対称性が最適化されるからである。したがって、第1の部分35aの端部35eは、ABS38に対向し、端部34eと同様に距離bを隔てるようにABS38から後退している。第1の部分35aの第2の端部は、第2の部分35bの第1の端部と接し、第2の部分35bは、Z軸方向に0~90°である角度σを形成している。第2の部分35bの第2の端部は、第3の部分35cの第1の端部に隣接し、主導波路32から、距離sだけ離れた位置にある。ここでs>aである。第3の部分35cは、Z軸に対して実質的に平行に向けられ、端部35fまで延在している。端部35fはABS38とは反対側に面しており、反射戻り光を光検出器33bへと方向づける。光検出器33bは、端部35fと接していてもよいし、長さeをもって端部35fから離間していてもよい。長さeは、例えば空気、反射防止膜、または誘電体材料のうちの1以上の材料によって満たされている。当然ながら、光検出器33a,33bのうちの1つはダミーの検出器であってもよい。検出用導波路34または検出用導波路35のいずれかにおける光強度によって、ABS38と媒体40とのインターフェイスからの反射戻り光の必要な測定値は、十分に得られるからである。主導波路32と検出用導波路34,35との間の間隙距離aを増加させる、あるいは、結合長dを減少させることによって、主導波路32から進路変更された反射戻り光31bの量を減少させてもよい。他方、間隙距離aを減少させる、または、結合長dを増加させる、またはその両方を行うことによって、検出用導波路34,35によって受光される反射戻り光31bの強度を増加させてもよい。主導波路32における単一の光透過モードを妨げないために、検出導波路34,35へと進路変更される光は、反射戻り光31bの10未満であることが好ましい。上述の実施の形態において説明したように、光31aは、半導体レーザLD等の光源30によって生成され、ABS38に向かって送られる。光31aの大部分は、EPG図示せずに沿って、プラズモン波31cに変換される。そして、ABS38および媒体40において近接場光を生成する。重要な特徴は、光検出器33a、または33bによって測定された反射戻り光31bの強度は、ABS38と媒体40とのインターフェイスにおける光強度31cと強い相関関係にあるということである。本実施の形態における変形例として、検出用導波路34,35が、平面60-60の位置に端部34f,35fを有するようにしてもよい。ABS38から延在する長さが、2つの検出用導波路34,35と主導波路32とで異なっていてもよいからである。この場合、検出用導波路34,35の端部と光検出器33a,33bとの長さeは維持され、Z軸に沿った主導波路32の長さもそのまま維持される。本実施の形態における他の変形例によれば、第3の部分34c,35cを完全に取り除き、検出用導波路が、端部34e,35eから、第2の部分34b,35bと交わる平面50-50に沿った位置に至るまでとしてもよい。それにより、光検出器33aは、第2の部分34bの第2の端部から長さeをもって離間したところに構成され、光検出器33bは、部分35bの第2の端部から長さeをもって離間したところに構成される。ここで、直接接触する場合には、e=0であり、検出導波路34,35と最も近い光検出器との間に、空気による空間、反射防止膜、または誘電体材料のうち1以上の材料が充填される場合には、e>0である。図6は、平面45-45図5における導波路構造の断面図である。ある態様において、主導波路32、および検出用導波路34,35の、クロストラックX軸方向における幅は400nm~800nmであり、ダウントラックY軸方向における厚さhは300nm~600nmである。主導波路32の幅gが、検出用導波路34,35の幅fよりも大きいように示しているが、本発明は、他の実施の形態において、f≧gである場合も含む。間隙距離aは、100nm~400nmであり、アルミナ、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、またはMgF2等の低屈折率層37によって満たされていることが好ましい。主導波路32の底面32n、および検出導波路34,35の底面34n,35nとは同一平面図示せずに沿って形成されることが好ましい。[第3の実施の形態]図7は、本発明の第3の実施の形態としての統合光測定素子の全体構成を表す概念図である。この統合光測定素子は、TAMRヘッドにおいて、ABS38と媒体40との界面においてEPGによって生成された光の強度を検出するものである。前述のように、熱アシスト書込処理を十分に制御するためには、TAMR方式において、ABSにおける光強度を知ることは重要である。図7では、図の簡略化のために、前述したように、単一の検出用導波路34を備えた場合を示す。しかしながら、本実施の形態では、2つの検出用導波路を有するシステム図5にも対応する。この場合、一方の検出用導波路34または35が、反射戻り光31bを光検出器33aまたは33bへ向かうように促す。そして、他方の光検出器は、光強度の測定には必要ないものである。図7に示した統合光測定素子は、閉ループシステムを有する。ここで、光源30からの光31aは、主導波路32を通って送られ、EPG22においてプラズモン波31cに変換される。光31cのうち、媒体40およびABS38に対して作用する部分は、反射され、主導波路32によって受光される。そして、この反射戻り光31bは、光源30に向かって進む。光31bのごく一部は、検出用導波路34へと進路変更し、それによって、光検出器33へ向かうこととなる。光検出器33では、光強度の読み取りが行われ、出力データ90が制御部70へと送られる。制御部70は、光強度データ90と、ABS38と媒体40との界面における光31cの強度とを相互に関係づけるように、事前にプログラミングされている。制御部70は、必要に応じて、光源30に信号91を送り、LD電力および出力光強度31aを増加、あるいは減少させる。それにより、ABS38および媒体40における光31cの強度を基本的に一定に維持する。例えば、制御部70に対する事前のプログラミングは、LD電力を固定した場合における一連の既知の出力光強度31a1,31a2等を生成するとともに、ABS38と媒体40との既知の間隔を用い、光検出器33において、それに対応する反射戻り光強度31b1,31b2を測定することによって得たデータを用いて行なってもよい。このようにして、LD電力を固定したときの出力光強度31aiおよびセットアップ段階におけるABS38と媒体40との間隔の各々に応じて、反射戻り光の強度31biを測定することができる。このように、本実施の形態の統合光測定素子によれば、ABS38および媒体40からの反射戻り光の強度を測定し、リアルタイムで制御することが可能となる。他の態様として、ABS38と媒体40との間隔は何度も変更されてもよく、異なる出力光強度を含む、前述した一連の測定は、LD電力を固定した状態で繰り返し行われてもよい。当然ながら、ABSにおけるプラズモン波31cの強度の、出力光31aの強度に対する割合は基本的に固定されており、この関係によって、プラズモン波31cの強度と、光検出器33によって受光された反射戻り光の強度との間に強い相関関係が成立している。ここで説明する統合光測定システムのさらなる利点は、磁界が印加されていない場合に、LD電力が固定された状態において、ABS38と媒体40との間隔を測定することができることにある。これにより、スライダがロード状態であるかどうかを簡単に検出することができる。例えば、ABS38と媒体40との間隔が増加すれば、反射戻り光31bの強度は減少する。さらに、本発明に係る光強度測定は、書き込み済みのデータトラックに対して行うことができる。磁界が印加されなくても、統合光測定素子を機能させることができるからである。したがって、非記録状態においては、実際にTAMR書込処理が行われている間よりも、低い強度の光31aを用いて光強度を測定することができる。第1の実施の形態において単一の検出導波路構造に関して説明したように、出力光31aのうちのわずかな割合の光は、検出用導波路34へと進路変更する結合して出ていく。同様に、反射戻り光31bのうちの約10未満の光が、検出用導波路34へと進路変更されることが好ましい。主導波路32から検出用導波路34へと進路変更される光31aの、いわゆる結合効率は、戻り方向の光31bの結合効率と同じでなくてもよい。検出用導波路は、伝播方向に対して非対称であるからである。すなわち、端部34e図4AおよびABSに向かって、検出導波路内通して送られる光は、端部34eから光検出器33へと反射された光と同じ経路を通らなくてもよい。以下で説明するように、本測定技術は、実際には、2つの測定値の差に基づいている。どの測定値も、IB=fABSと媒体との間隔fIAfCEAfCEBによって表される。ここで、IBは、光検出器33における反射戻り光31bの強度であり、この値は、ABSと媒体との間隔、光31aの強度IA、光31aの検出用導波路34に対する結合効率CEA、および反射戻り光31bの検出用導波路34に対する結合効率CEBの関数である。CEAおよびCEBは基本的に一定であり、IAはLD電力が固定されている場合においては一定に保たれる。このため、LD電力が固定された場合における光強度31b1と光強度31b2との2つの測定値の差は、主に、ABSと媒体との間隔における変化に起因する。なお、上記の等式において、値が一定であるものは、IB2-IB2という計算において相殺されるIB1は第1の測定で得られた光31b1の強度を表し、IB2は第2の測定で得られた光31b2の強度を表す。したがって、LD電力が固定され、IAが一定である場合、IB2-IB1という計算は、差を表す関数[ABSと第2の媒体との間隔-ABSと第1の媒体との間隔]と簡略化できる。これを省略して、ABS2-AMS1とする。一実施の形態において、ABS1を有する第1の媒体に対して光強度31b1が測定され、ABS2を有する第2の媒体に対して光強度31b2が測定される。非書込状態の時間の光強度測定によって、ある媒体から次の媒体へと移行する際にABSと媒体との間隔が変化した場合AMS2-AMS1>0の状態、制御部70は、次のTAMR書込処理の際に、光源30からのLD電力を調整し、IBを一定に維持し、それにより、媒体40における光31cの強度を一定に維持する。例えば、第1の媒体を含むセットアップ段階において、LD電力P1によって生成された光強度IA1を用いて光検出器33において光強度IB1が検出され、続く、第2の媒体を含む測定において、光強度IAを用いてAMS2-AMS1という値が光検出器33において検出された場合、第2の媒体に対する書込処理の際、LD電力を調整して、光検出器33において測定される光強度が、第1の媒体に対する書込処理の際に検出されたものと同じ値となるようにする。光強度IBは、ABSおよび媒体における光31cの強度と強い相関関係にあるため、結果として、複数の媒体40に対する一連のTAMR書込処理において、ABSと媒体との界面におけるプラズモン波の強度は基本的に一定となると考えられる。図8は、一連の書込処理の際、媒体40における光31cの強度を一定に保つために行われる一連の工程を表す流れ図である。一連のTAMR書込処理にあたって光31cの強度を制御することは、従来のように、プラズモン波の強度をモニタリングできない、または一定の強度の範囲に維持できない場合と比べて、書き込み済みのデータの質を向上させることができる点で有利である。ステップ100において、スライダ図示せずがロードされ、磁界が印加されていない状態で、一定のLD電力P1を用いて、前述のようなセットアップ処理が行われる。光検出器33によって、反射戻り光31b1の光強度IB1に対する第1の測定が行われ、そのデータが制御部70に送られる。この測定を複数回繰り返し、光31aの強度IAとIB1との相関関係における平均値を求めてもよい。さらに、セットアップ処理において、異なるABS38と媒体40との間隔を含むことによって、等式IB=fABSと媒体との間隔においてIAとIBとの相関関係を求めてもよい。第1の光強度IA1は、非書込処理状態において、第1の磁気記録媒体媒体1を用いて、光強度IB1を所定値とするよう定められている。次に、ステップ101において、IW1=IA1IFとなるようにLD電力を増加させることによって、媒体1に対する書込処理が行われる。ここで、IW1は、第1の媒体媒体1に対する書込電力であり、IFは、TAMR書込処理の際、媒体1においてエネルギー強度の量を追加するために必要な固定の値である。ステップ102において、スライダがアンロードされ、第2の媒体媒体2がロードされる。ステップ103で、非書込状態において、LD電力P1、および光31aの強度IAを用いて、光強度測定値IB2が測定される。IB2=IB1である場合、媒体2を含む次の書込処理のために、電力を調整するステップ104必要はなく、ステップ102と同様の電力IW2=IW1=IA1IFを用いて、書込処理ステップ105が行われる。しかしながら、IB2>IB1、またはIB2<IB1である場合、制御部70によって、LD電力の調整量が計算され、IB2=IB1を満たすような光強度測定値をもたらす新たな光強度IA2が生成される。この場合、媒体2に対する書込処理ステップ105が電力IW2=IA2IFを用いて行われ、それにより、媒体1に対する書込処理の際と同じエネルギー強度が媒体2に対する書込処理の際に生成される。ステップ106において、スライダはアンロードされ、必要に応じて第3の媒体がロードされる。ステップ102~105を複数回繰り返して行い、全ての媒体に対して書き込みを行ってもよい。したがって、ある媒体に対する書込処理と次の媒体に対する書込処理との間で、ABSと媒体との間隔が変化しても、熱アシスト書込処理の際に各媒体に送られるエネルギーは基本的に一定であると考えられる。図9は、図5に示した対称的な構成を有する導波路構造において、結合長dおよび間隙距離aの、結合効率に対する影響を示したモデリングデータのグラフである。すなわち、図9は、主導波路からの反射戻り光を検出用導波路へと進路変更させる際、主導波路と検出用導波路とのさまざまな間隙距離aにおいて、結合効率と、検出導波路の結合長dとがどのように関連しているかを示す特性図である。全体として、間隙距離aが0.1μmから0.5μmへと増加するにしたがって、結合効率は低下する。ただし、結合長が7μmから8μmの場合は例外である。この場合、間隙距離が0.2μmであるとき、間隙距離が0.1μmと小さいときよりも、結合効率が高くなる。図10は、図5に示した対称的な構成を有する導波路構造において、主導波路の端部で反射が生じない場合における、結合長dおよび間隙距離aの、主導波路の透過効率に対する影響を表す、図9と同様のグラフである。すなわち、図10は、主導波路の端部における反射が起こらなかった場合に、主導波路と検出用導波路との間のさまざまな間隙距離aにおいて、透過光が、検出導波路の結合長dからどのような影響を受けるかを表す特性図である。間隙距離が0.1μmであるときと、0.2μmであるときとで、主導波路に対する透過効率は基本的に同じであるが、間隙距離が0.3μmから0.5μmへと変化すると、透過効率は大幅に減少する。本発明が従来技術よりも有利である点は、本発明独自の導波路構造によれば、製造工程において、一連の媒体に対して書き込みを行う際、ABSと媒体との界面に送るプラズモン波エネルギーをより一定に保つことが可能となる点である。本発明の統合光強度測定素子を用いれば、LD電力を固定した場合において、光源への反射戻り光の強度をモニタリングすることによって、従来の方法よりも、ABSと媒体との間隔を、より正確に測定することができる。非書込状態においても、書込処理中においても、反射戻り光強度をモニタリングすることができるので、本測定方法は大変柔軟性がある。セットアップ処理によれば、異なる光強度、および、異なるABSと界面との間隔を用いた計算をすることが可能である。それにより、制御部に対して、一連のTAMR書込処理の際、実時間に即した調整を行うようにプログラムすることができる。検出導波路は、主導波路の製造に用いられるのと同じ処理工程において形成可能であるので、新しい導波路構造の製造において、費用面で大きなインパクトはないと考えられる。本発明を、その好適な実施の形態を挙げて具体的に示し、説明したが、当業者によって理解されるように、本発明においては、その精神と範囲とを外れない限りにおいて、様式や細部について種々の変更を加えてもよい。"