強化ガラスから形成されるタッチパネル用強化ガラス板の製造方法において、複数のタッチパネル用セルガラスを含む原板ガラスを強化させる第1段階と、原板ガラス単位で、透明電極形成工程を含む基板形成工程を行う第2段階と、前記基板形成工程及びハフエッチングを済ませた前記原板ガラスをセルガラス単位に切断し、しかる後に、切断面を研削する第3段階とを含んでなる、タッチパネル用強化ガラス板の製造方法。前記第1段階と前記第3段階との間に、前記原板ガラスの表面上にセルガラスサイズ単位で区画する縁部領域をハフエッチングする第4段階をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載のタッチパネル用強化ガラス板の製造方法。前記第4段階のハフエッチングは、前記原板ガラスの上下面の表面から、それぞれ前記第1段階で行われる強化処理によって形成される強化深さより深く、前記原板ガラスの総厚さTの1/2よりは浅く行われることを特徴とする、請求項2に記載のタッチパネル用強化ガラス板の製造方法。前記第4段階のハフエッチングは、残存領域の厚さTRが50μmより多く残るように行われることを特徴とする、請求項3に記載のタッチパネル用強化ガラス板の製造方法。前記第3段階の切断工程及び研削工程は、前記ハフエッチングされた領域のうち、強化処理されていない領域で行われることを特徴とする、請求項1または2に記載のタッチパネル用強化ガラス板の製造方法。前記第4段階の後、前記切断面をフッ酸含有ペースト溶液で塗布し、洗浄する第5段階をさらに含むことを特徴とする、請求項3に記載のタッチパネル用強化ガラス板の製造方法。強化ガラスから形成されるタッチパネル用強化ガラス板の製造方法において、複数のタッチパネル用セルガラスを含む原板ガラスの表面上にセルガラスサイズ単位で縁部領域をハフエッチングする第1段階と、前記第1段階によってハフエッチングが行われた領域の一部に、強化処理が施されないようにする強化処理妨害物質を塗布する第2段階と、前記強化処理妨害物質の塗布された原板ガラスを強化処理する第3段階と、前記第3段階によってハフエッチング及び強化処理された原板ガラス単位で、透明電極形成工程を含む基板形成工程を行う第4段階と、前記第4段階による基板形成工程済みの原板ガラスをタッチパネルサイズのセルガラス単位に切断し、しかる後に、切断面を研削する第5段階とを含んでなることを特徴とする、タッチパネル用強化ガラス板の製造方法。前記第1段階のハフエッチングは、前記原板ガラスの上下面の表面から、それぞれ前記第3段階で行われる強化処理によって形成される強化深さより深く、前記原板ガラスの総厚さTの1/2よりは浅く行われることを特徴とする、請求項7に記載のタッチパネル用強化ガラス板の製造方法。前記第1段階のハフエッチングは、残存領域の厚さTRが50μmより多く残るように行われることを特徴とする、請求項8に記載のタッチパネル用強化ガラス板の製造方法。前記第5段階の切断工程及び研削工程は、前記強化処理妨害物質の塗布された領域で行われることを特徴とする、請求項7または8に記載のタッチパネル用強化ガラス板の製造方法。前記第5段階の後、前記切断面をフッ酸含有ペースト溶液で塗布し、洗浄する第6段階をさらに含むことを特徴とする、請求項7または8に記載のタッチパネル用強化ガラス板の製造方法。タッチパネルに使用され、強化ガラスから形成されるタッチパネル用強化ガラス板であって、端面において、前記強化ガラスの厚さ中心線を基準に上面及び下面の表面から厚さ中心線領域までの領域は外方へ凹入した凹面形状を有し、前記厚さ中心線領域は前記凹面形状に連なって形成される、外方へ膨出した凸面形状を有することを特徴とする、タッチパネル用強化ガラス板。前記凹面形状の一部領域及び前記凸面形状の全体領域は、強化処理されていない領域であることを特徴とする、請求項12に記載のタッチパネル用強化ガラス板。前記凹面形状領域と前記凸面形状領域との境界面は、原板ガラスを強化処理するときに形成される強化深さより深く形成されることを特徴とする、請求項12または13に記載のタッチパネル用強化ガラス板。本発明は、上述した問題点を解決するためになされたもので、その目的は、厚さ1.8mm以下の強化ガラス基板を使用しながらも、原板ガラス単位で基板形成工程を行うことが可能なタッチパネル用強化ガラス板及びその製造方法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、原板ガラス単位で強化ガラス処理及び基板加工を行った後、タッチパネルサイズのセルガラス単位に切断しても、切断面をある程度強化処理することが可能なタッチパネル用強化ガラス板の製造方法を提供することにある。上記目的は、強化ガラスから形成されるタッチパネル用強化ガラス板の製造方法において、複数のタッチパネル用セルガラスを含む原板ガラスを強化させる第1段階と、原板ガラス単位で、透明電極形成工程を含む基板形成工程を行う第2段階と、基板形成工程及びハフエッチングを済ませた前記原板ガラスをセルガラス単位に切断し、しかる後に、切断面を研削する第3段階とを含んでなる、タッチパネル用強化ガラス板の製造方法によって達成可能である。上記他の目的は、端面において、強化ガラスの厚さ中心線を基準として上下面の表面から厚さ中心線領域までの領域には外方へ凹入した凹面形状を有し、前記厚さ中心線領域は前記凹面形状に連なって形成される、外方へ凸状に膨出した凸面形状を有することを特徴とする、タッチパネル用強化ガラス板によって達成可能である。本発明のタッチパネル用強化ガラス板及びその製造方法を適用すると、大きいサイズの原板ガラス単位で基板形成工程を行うことができるから、基板形成工程が容易になるうえ、生産収率を向上させることができる。また、本発明で提案されたタッチパネル用強化ガラス板の製造方法は、厚さ1.8mm以下の強化された原板ガラス状態で基板形成工程を行った後、強化処理されていない領域を切断し、研削するので、従来の技術と比較してチップの発生を抑制させることができるという利点がある。以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施例、利点及び特徴について詳細に説明する。まず、図2を用いて、本発明の一実施例に係る厚さ1.8mm以下のタッチパネルに用いられる強化ガラス板を製造する工程について簡略に説明する。原板ガラスを強化処理するST200。本発明で使用するガラス基板は、1.8mm以下の厚さを有するため、化学的強化方式を適用することが好ましい。背景技術で説明したように、化学的強化方式は、ガラスに含まれているNaイオンを除去し、K物質を代替注入してガラスを強化させる方式である。その後、原板ガラスの上面及び下面から厚さ方向にセルガラスサイズに切断するための前段階として、セルガラスを形成するための縁部を化学エッチングするST210。この際、行われる化学エッチングは、原板ガラスをセルガラス単位に完全に切断せず、厚さ方向を基準に中心の一部を残存させる方式で行い、これを本発明ではハフエッチングと称する。ハフエッチングによって原板ガラスの上下面は厚さを基準として中心方向に化学エッチングが行われ、原板ガラスの中央部はエッチングされずに残っている領域が存在する。図3は本発明に係る一実施例として原板ガラスにハフエッチングが行われる縁部を示し、図4は図3に示したa-a’線に沿った断面を拡大して示す。図3は一つの原板ガラスを9つのセルガラスに形成する例であって、セルガラス単位に切断されるべき縁部20に化学ハフエッチングを行う状態の斜視図である。図4はC1セルガラスとC2セルガラスとの間に行われるハフエッチング断面を拡大して示す断面図である。図3では一枚の原板ガラスに9つのセルガラスが含まれるものを示したが、これは例示に過ぎず、実際は一層さらに多いセルガラス、或いはさらに少ないセルガラスが、一枚の原板ガラスから形成できる。図4に示すように、原板ガラスの上面と下面の縁部20で化学エッチングが行われる。原板ガラスはST200段階で強化処理された。このような強化処理の結果、上下面の表面からそれぞれTD深さだけ化学的強化領域10が形成される。このような化学的強化深さDOL、DepthofLayerは、現在広く販売されているiPhoneに使用されるゴリラガラスの場合には、50~60μm程度であると知られている。本発明では、後続の切断及び研削工程が強化領域を除いた領域で行われなければならないので、ST210段階で行われるハフエッチングの深さは、少なくとも強化深さDOLを超えなければならず、一般に等方性化学エッチングを採用する。例えば、図4に示した原板ガラスの厚さTが1.8mm、強化深さTDが60μmであると仮定すると、ハフエッチングの深さは強化深さTDよりは大きく、原板ガラスの厚さTの1/2よりは小さくする。後続の切断工程及び研削工程を円滑に行うためには、強化処理されていない領域が十分露出するように、ハフエッチングを行わなければならない。好ましくは、ハフエッチングの後に厚さ方向に残っている残存領域の厚さTRは、少なくとも5μmよりは大きくすることがよい。残存領域の厚さTRを5μm以下にすると、後で行われる基板形成工程でハフエッチングされた部分が切断されてしまう問題が発生する。また、ハフエッチングの後、隣り合うセルガラス同士の間に強化処理されていない水平距離Lは、後続工程で行われる切断工程の技法及びセルガラスのサイズによって異なるように設定しなければならない。例えば、サンドブラスト工法によって切断工程を行う場合は、レーザー光によって切断工程を行う場合より、水平距離Lを大きく持たなければならない。次に、ハフエッチングされた状態の原板ガラス単位で基板形成工程を行うST220。基板形成工程は、形成しようとする基板構造によって様々な方式で行われる。例えば、セルガラス毎にブラックインクでウィンドウの縁部と製造社のロゴを形成するデコレーション領域形成工程、及びオーバーコーティング層またはアンカーコーティング層の上部に透明電極を形成する透明電極形成工程が行われる。図2に示した製造工程では、強化処理された原板ガラスをセルガラス単位でハフエッチングした後ST210段階、基板形成工程を行うST220段階と説明した。本発明の主な要旨は原板ガラス単位で基板形成工程を行うことであるから、ST210段階及びST220段階の順序を変えても、本発明の目的を達成することができる。その後、基板形成工程済みの原板アラスをセルガラス単位で切断し、研削を行うST230。この際、切断工程及び研削工程は、ハフエッチングによって強化処理が露出した領域Lで行われる。よって、強化処理された部分にエッチングを行うと、表面応力によりチップが発生し、激しい場合にはクラックが発生する。ところが、本発明に係る切断工程及び研削工程は、強化処理されていない部分で行われるので、すなわちストレスが集中していない領域で行われるので、チップの発生を減らすことができるという利点がある。切断は、レーザー光を用いた切断、ダイヤモンドホイールカッティング、ウォータージェットカッティング、サンドブラストなどの物理的切断方法によって行うことが好ましいが、フッ素による化学的切断によっても可能であるのはもとよりである。この際、切断された面は強化処理されていない領域であるから、外部の衝撃に弱くなるおそれがある。本発明では、切断の後、強化処理されていない側面にフッ酸含有ペーストを塗布し、洗浄すれば、ある程度強化処理を施すことができるようになった。[第1変形例]図5は強化ガラス基板を使用する本発明に係る別の実施例のタッチパネル用ガラス板の製造工程流れ図である。複数のセルガラスが含まれた原板ガラスの上面及び下面に対して、セルガラス単位で切断されるべき縁部領域をハフエッチングするST500。その後、ハフエッチングされた領域の一部に、強化処理を防止するための強化処理妨害物質を塗布するST510。強化処理妨害物質の一例としては、シリカSiO2と酸化アルミニウムAl2O3から構成された化合物を挙げることができる。その後、原板ガラスを強化処理するST520。次に、原板ガラス単位で基板形成工程を行いST530、基板形成工程が完了すると、強化処理妨害物質の塗布されたハフエッチング領域を切断し、切断面を研削するST540。ST520段階の強化処理を完了した後にも、強化処理妨害物質は縁部領域に残っているが、残存する強化処理妨害物質は、ST540段階で行われる切断工程及び研削工程で面取りされることにより除去される。この際、面取りされた面は強化処理されていない領域であるから、外部の衝撃に弱くなるおそれがある。本発明では、切断の後、強化処理されていない面取り面にフッ酸含有ペーストを塗布し、洗浄すれば、ある程度は強化処理を施すことができるようになった。図6は本発明に係る変形例のST500及びST510段階を行った後の原板ガラスの斜視図であり、図7は図6に示したb-b’線に沿った切断面を拡大して示す図である。図7に示すように、強化処理されていない原板ガラスの縁部領域20にハフエッチングを行い、ハフエッチングされた領域の一部に強化処理妨害物質30が塗布されている状態を確認することができる。図7の状態で強化処理を完了すると、図8に示した断面形状のように、原板ガラスの上下面の表面から強化処理妨害物質30が塗布されていない領域には、一定の深さまで強化処理領域10が形成される。図7及び図8において、Lは隣り合うセルガラス間の縁部領域中における、強化処理が発生していない水平距離を示す。ST500で行われるハフエッチングの深さは、図2の実施例で提示した深さと同様に行われるようにする。[第2変形例]図9は強化ガラス基板を使用する本発明に係る別の実施例のタッチパネル用ガラス基板の製造工程流れ図である。原板ガラスを強化処理しST900、原板ガラス単位で基板形成工程を行うST910。原板ガラス単位で基板形成工程を行うという意味は、セルガラス単位に切断した後、切断されたセルガラス単位でそれぞれ基板形成工程を行う工程と対比される工程処理流れを説明するために使用された用語であって、複数のセルガラスが含まれている原板ガラス単位で透明電極形成などの基板形成工程を行うことを意味する。よって、セルガラス単位で基板形成工程を行うときと比較して、同時に多数のセルガラスに同一の工程を適用することができるので、生産時間が短縮されるうえ、工程が単純になるという利点がある。基板形成工程が完了すると、セルガラス単位に切断するためにマスクを適用し、フッ素エッチングを行って原板ガラスをセルガラス単位に切断するST920。その後、切断面を研削処理すると、タッチパネル用ガラス板の製造が完成される。第2変形例に提示された工程は、透明電極形成工程などが完了した後、フッ素Fを用いた化学エッチングが行われるので、エッチング液が、既に行われた基板形成工程によって積層された構造物を汚染させるおそれがあるという欠点があるので、これに適したマスクの開発が必要である。図10は図2の工程によって生産されたセルガラスの切断面を示す拡大図である。セルガラス切断領域20は、ハフエッチングによってガラス厚さの中心線を基準に上下面の表面から中心線領域までの領域には外方へ凹入した凹面形状に形成され、前記中心線領域はハフエッチングによって発生した凹面形状に連なって研削処理により外方へ膨出した凸面形状に形成される、特異な形状を有することが分る。図10では、等方性ハフエッチングによってガラス厚さの中心線を基準に上下面の表面から中心線領域までの領域には外方へ凹入した単一R凹面形状に形成され、前記中心線領域は研削処理により外方へ膨出した単一r凸面形状に形成されるガラス切断面を例示した。すなわち、本発明によって生産されたタッチパネル用強化ガラスの上板は、切断面がガラス厚さの中心線を基準に上下面の表面から中心線領域までの領域には外方へ凹入した凹面形状に形成され、前記中心線領域は凹面形状に連なって研削処理により外方へ膨出した凸面形状に形成されることが分る。図11は図2の工程によって生産されたセルガラスの別の切断形態を示す切断面の拡大図である。図11の実施例では、セルガラス切断領域20の中央部分を面取り加工した。セルガラス切断領域20は、ハフエッチングによりガラス厚さの中心線を基準に上下面の表面から中心線領域までの領域には凹面形状に形成され、前記中心線領域は面取りした形状を呈する特異な形状を有することが分る。図12は図2の工程によって生産されたセルガラスの別の切断形態を示す切断面の拡大図である。図12の実施例では、図11において凹面形状と垂直に面取りされた部分との間に45°方向の面取りを追加することができることを示す。以上、本発明の好適な実施例を特定の用語を用いて説明及び図示したが、そのような用語は本発明を明確に説明するためのものに過ぎず、本発明の実施例は添付された請求の範囲の技術的思想及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変化を加え得るのは自明である。