"Al2O3相及びAl2O3以外の酸化物結晶相が連続的にかつ三次元的に相互に絡み合った組織を有する凝固体の表面にCMPを行なう研磨工程を備え、CMPを行なう際の研磨液のpHを11~12に調整していることを特徴とする光変換用セラミック複合体の製造方法。前記酸化物結晶相が、蛍光を発する蛍光体であり、Ceを含有するYAGY、Ce3Al5O12相であることを特徴とする請求項1記載の光変換用セラミック複合体の製造方法。前記研磨液のpHを11.3~11.6に調整していることを特徴とする請求項1又は2記載の光変換用セラミック複合体の製造方法。前記研磨液がシリカ粒子を含有し、その含有量が0.1~5質量未満であることを特徴とする請求項1乃至3いずれか記載の光変換用セラミック複合体の製造方法。前記CMPの単位荷重が10~50kPaであることを特徴とする請求項1乃至4いずれか記載の光変換用セラミック複合体の製造方法。Al2O3相及びAl2O3以外の酸化物結晶相が連続的にかつ三次元的に相互に絡み合った組織を有する凝固体からなり、該凝固体の表面におけるAl2O3相及び前記酸化物結晶相の相間段差が0.010μm以下である光変換用セラミック複合体。しかしながら、複数の酸化物結晶相からなる多結晶体は、異なる結晶面方位を有する多数の結晶粒から構成され、研磨加工においてはその面方位によって加工速度が異なるため、その表面の平坦化には、限界があるという問題がある。そこで、本発明は、複数の酸化物結晶相が連続的にかつ三次元的に相互に絡み合って形成されている凝固体であっても、その表面が平坦な光変換用セラミック複合体及びその製造方法を提供することを目的とする。以上の目的を達成するために、本発明者らは、鋭意検討した結果、Al2O3相及び酸化物結晶相が連続的にかつ三次元的に相互に絡み合った組織を有する凝固体の表面を研磨液のpHを11~12に調整してCMPChemicalMechanicalPolishingを行なうことによって、前記Al2O3相及びAl2O3以外の酸化物結晶相からなる凝固体の表面を平坦に、具体的にはその段差を0.010μm以下に形成することができることを見出した。すなわち、本発明は、Al2O3相及びAl2O3以外の酸化物結晶相が連続的にかつ三次元的に相互に絡み合った組織を有する凝固体の表面にCMPを行なう研磨工程を備え、CMPを行なう際の研磨液のpHを11~12に調整していることを特徴とする光変換用セラミック複合体の製造方法である。また、本発明は、Al2O3相及びAl2O3以外の酸化物結晶相が連続的にかつ三次元的に相互に絡み合った組織を有する凝固体からなり、該凝固体の表面におけるAl2O3相及び前記酸化物結晶相の段差が0.010μm以下である光変換用セラミック複合体である。以上のように、本発明によれば、複数の酸化物結晶相が連続的にかつ三次元的に相互に絡み合って形成されている凝固体であっても、その表面が平坦な光変換用セラミック複合体及びその製造方法を提供することができる。次に、本発明に係る光変換用セラミック複合体及びその製造方法の実施形態について説明する。一般に、Al2O3相及びAl2O3以外の酸化物結晶相という材料物性硬度や結晶方位などが異なる二相が連続的にかつ三次元的に相互に絡み合って研磨される凝固体が構成されている場合、研磨工程における各相の研磨速度が異なってくる。しかしながら、本発明に係る光変換用セラミック複合体の製造方法によれば、CMPを行なう際の研磨液のpHを11~12に調整することによって、Al2O3相とAl2O3以外の酸化物結晶相の研磨速度を制御することができ、これによりAl2O3相とAl2O3以外の酸化物結晶相との表面における相間段差を0.010μm以下にすることができる。例えば、前記表面活性化接合法を用いる場合、前記段差が0.010μmを超えた場合でも接合することは可能であるが、前記段差が大きくなるほど接合強度が小さくなり、接合面にムラが生じることがあることから、前記段差を0.010μm以下にすることで、実用上問題のない接合強度を得ることが可能となる。ここで、本発明に係る光変換用セラミック複合体及びその製造方法において、光変換用セラミック複合体を構成する凝固体の表面のAl2O3相とAl2O3以外の酸化物結晶相との相間段差は、凸形状を構成する一方の結晶相の表面の任意の点と、凹形状を構成する他方の結晶相の表面の任意の点、の2つの点と、被加工面に平行な任意の面を基準面として、前記2つの点の高さを求め、該2つの高さの差の絶対値として求められる。具体的には、そのような凸形状を構成する結晶相の表面の任意の点と、凹形状を構成する結晶相の表面の任意の点は、凸形状を構成する結晶相と凹形状を構成する結晶相の界面を挟んで近接した点が好ましく、さらには、そのような2つの点からなる測定点は、本発明では12カ所設定し、相間段差は、それらの測定結果の平均値とした。したがって、Al2O3相とAl2O3以外の酸化物結晶相との相間段差が0.010μm以下であるとは、前記の方法による、任意の12カ所における個々の相間段差の測定結果の平均値が0.010μm以下であることをいう。本発明に係る光変換用セラミック複合体の製造方法において、使用される研磨液は、スラリー状に調整されており、シリカ粒子を含有することが好ましく、その含有量が0.1~5質量未満であることが好ましく、0.4~4質量であることがさらに好ましい。この研磨液中のシリカ粒子の含有量が、0.1質量未満であると、研磨速度が低下することがあり、5質量以上の場合、研磨速度は向上するが、Al2O3相とAl2O3以外の酸化物結晶相との相間段差が大きくなる。本発明に係る光変換用セラミック複合体の製造方法において、使用される研磨液は、例えば市販のCMP用研磨液に水酸化ナトリウムなどのアルカリ溶液を添加してpHを調整することによって、得ることができる。市販のCMP用研磨液としては、例えば、株フジミインコーポレーテッド製コロイダルシリカ研磨スラリーのCOMPOL登録商標Type20、COMPOL登録商標Type50、COMPOL登録商標Type80、COMPOL登録商標Type120、また、扶桑化学工業株製コロイダルシリカ研磨スラリーのクォートロン登録商標PLシリーズ等を用いることができる。これらのスラリーを、必要に応じて純水を用いて希釈することでシリカ粒子の含有量を調整し、更にアルカリ溶液を添加することでpHを調整して、本発明に使用する研磨液を得ることができる。本発明に係る光変換用セラミック複合体の製造方法において、研磨液のpHは、CMP中に低下することがあるので、随時アルカリ溶液を添加することによって、11~12の範囲内に入るように調整する。CMPの際の研磨液のpHは、11~12に調整されており、11.3~11.6に調整されていることがさらに好ましい。この研磨液のpHは、CMPが行なわれるAl2O3相とAl2O3以外の酸化物結晶相との前記相間段差の他、研磨液の安定性などに基づいて設定される。研磨液のpHが12を超えると、研磨液中のシリカ粒子の凝集等の問題が発生し、研磨液を安定して供給することが難しいという問題が生じる。また、研磨液のpHが11未満になると、Al2O3相とAl2O3以外の酸化物結晶相との相間段差を解消することが難しくなる。本発明に係る光変換用セラミック複合体の製造方法において、CMPは、任意の研磨装置を使用して実施可能である。例えば、複合酸化物である凝固体を回転研磨ヘッドに取り付けてCMPが行なわれることが好ましく、約50rpm回転/分で回転する研磨ヘッドに取り付けた凝固体を約50rpmで回転する研磨パッドに押し当ててCMPを行なうことができる。さらに、本発明に係る光変換用セラミック複合体の製造方法において、CMPの単位荷重は、5~50kPaであることが好ましく、10~33kPaであることがさらに好ましい。CMPの単位荷重が5kPa未満であると、研磨速度が低くなり、50kPaを超えると、被研磨面と研磨パッド間に研磨液が入りこみ難くなり、研磨速度が低くなったり研磨傷の原因になることもあるので実用的ではない。本発明に係る光変換用セラミック複合体の製造方法は、原料酸化物を融解後、凝固した凝固体を所定の厚さに加工し、その表面を予め鏡面研磨などの研磨加工した後に、CMPを行なうことが好ましい。この鏡面研磨加工は、機械的研磨MechanicalPolishing:MPなどにより行なわれる。本発明に係る光変換用セラミック複合体の製造方法に用いられる凝固体は、原料酸化物を融解後、凝固させることによって作製される。例えば、所定温度に保持したルツボに仕込んだ溶融物を、冷却温度を制御しながら冷却凝結させる簡単な方法で凝固体を得ることができるが、最も好ましいのは、一方向凝固法により作製されたものである。一方向凝固を行なうことにより、含まれる結晶相が単結晶状態で連続的に成長し、部材内での光の減衰が減少するためである。このような凝固体としては、蛍光を発する酸化物結晶相が含まれていることを除き、本出願人が先に出願した特開平7-149597号公報、特開平7-187893号公報、特開平8-81257号公報、特開平8-253389号公報、特開平8-253390号公報および特開平9-67194号公報並びにこれらに対応する米国出願米国特許第5,569,547号、同第5,484,752号、同第5,902,963号等に開示されたセラミック複合材料と同様のものを用いることができ、これらの出願特許に開示された製造方法によって製造できるものを用いることができる。また、本発明に係る光変換用セラミック複合体の製造方法に用いられる凝固体において、前記Al2O3以外の酸化物結晶相は、蛍光を発するYAG:Ce相、または、CeおよびGdを含有するYAG相以下、YAG:Gd,Ce相と記す。であることが好ましい。この場合、前記YAG:Ce相または前記YAG:Gd,Ce相の硬度が、前記Al2O3相の硬度より小さいので、研磨時は、前記YAG:Ce相または前記YAG:Gd,Ce相に対する機械的作用力が相対的に大きくなり、前記YAG:Ce相または前記YAG:Gd,Ce相が前記Al2O3相に対して凹むことになる。しかし、前記YAG:Ce相または前記YAG:Gd,Ce相は、前記Al2O3相に比べて耐アルカリ性が高いので、pHが11~12に調整された研磨液を用いることによって、前記Al2O3相と、前記YAG:Ce相または前記YAG:Gd,Ce相の研磨速度を制御することができるからである。例えば、CMPの際の研磨液のpHを高くすることによって、前記Al2O3相の研磨速度を上げることができ、逆にCMPの際の研磨液のpHを低くすることによって、前記YAG:Ce相または前記YAG:Gd,Ce相の研磨速度を上げることができる。このようにCMPの際の研磨液のpHを11~12に調整することによって、前記Al2O3相と前記YAG:Ce相または前記YAG:Gd,Ce相との相間段差を0.010μm以下にすることができる。さらに、Al2O3以外の前記酸化物結晶相が、YAG:Ce相またはYAG:Gd,Ce相である場合、青色光を光変換用セラミック複合体が受光した際に、Al2O3相が青色光の一部を透過し、Al2O3以外の前記酸化物結晶相が青色光の一部を吸収して黄色蛍光を発することにより、前記青色光および黄色光が混合されて白色発光が得られるため好ましい。Al2O3以外の前記酸化物結晶相が、蛍光を発する蛍光体であり、YAG:Ce相またはYAG:Gd,Ce相である前記光変換用セラミック複合体は公知であり、本出願人が先に出願した、WO2008-041566等に開示される。YAG:Ce相は、400~500nmの紫~青色励起光で、ピーク波長530~560nmの蛍光を発し、YAG:Gd,Ce相は、ピーク波長540~580nmの蛍光を発することから、Al2O3以外の前記酸化物結晶相が、YAG:Ce相またはYAG:Gd,Ce相である前記凝固体は、青色光または紫色光の発光素子と組み合わせて使用される白色発光装置用の光変換用部材として好適である。凝固体の各相の境界は、アモルファス等の境界層が存在せず、酸化物結晶相同士が直接接している。このため光変換用セラミック複合体内での光の損失が少なく、光透過率も高い。また、蛍光を発する酸化物結晶相蛍光相が連続的にかつ三次元的に相互に絡み合った構造をとり、全体として各酸化物結晶相が光変換用セラミック複合体内に均一に分布するため、部分的な偏りのない均質な蛍光を得ることができる。さらに、光変換用セラミック複合体に青色の励起光を入射することにより、蛍光体相からの蛍光および透過光相からの透過光を同時に得ることができる。この励起光を発する青色発光素子と光変換用セラミック複合体を直接接合することで、励起光を光変換用セラミック複合体に効率良く入射することができ、強度の強い白色光を得ることができる。そこで、光変換用セラミック複合体と青色発光素子との接合面を非常に平滑にすることで、例えば、表面活性化接合法などにより光変換用セラミック複合体と青色発光素子との直接接合を適用することができる。また、凝固体は、全て無機酸化物セラミックで構成されているため耐熱性耐久性に優れると共に、光による劣化等もない。このため青色発光素子と組み合わせて信頼性の高い高効率の白色発光装置を構成するに好適な光変換用セラミック複合体を提供することができる。本発明に係る光変換用セラミック複合体は、Al2O3相と、Al2O3以外の酸化物結晶相とが連続的にかつ三次元的に相互に絡み合った組織を有する凝固体からなり、前記Al2O3相とAl2O3以外の酸化物結晶相との相間段差が0.010μm以下であることを特徴とする。Al2O3相とAl2O3以外の酸化物結晶相は、連続的にかつ三次元的に相互に絡み合った構造をとり、全体としてAl2O3相とAl2O3以外の酸化物結晶相が光変換用セラミック複合体内に均一に分布している。また、光変換用セラミック複合体の表面は、Al2O3相とAl2O3以外の酸化物結晶相とからなり、Al2O3相とAl2O3以外の酸化物結晶相との前記相間段差が0.010μm以下である極めて平坦な表面を形成していることが好ましい。このような段差の調整は、上述のCMP用研磨液がシリカ粒子を含有し、その含有量や、CMP用研磨液のpH及びCMPの単位荷重などを適宜変更することによって行なうことができる。本発明に係る光変換用セラミック複合体の製造方法により製造された光変換用セラミック複合体を用いた発光装置の模式的断面図を図1に示す。この光発光装置は、波長400~500nmにピークを有する光を発する発光素子2と、波長550~560nmにピークを有する黄色蛍光を発する酸化物結晶相を含む光変換用セラミック複合体1とからなり、発光素子2から発する光を光変換用セラミック複合体1に照射し、光変換用セラミック複合体1を透過した光及び発光素子2から発する光を光変換用セラミック複合体1に含まれる蛍光体相により波長変換された蛍光を利用することを特徴とする。図中、符合3は、フリップチップ電極端子であり、符合4は、アノード電極であり、符合5は、カソード電極である。波長400~500nmにピークを有する光を発する発光素子は、紫色~青色の光を発光する素子であり、例えば、発光ダイオード素子やレーザー光を発生する素子から発する紫色~青色光を、その波長に合わせて白色が得られるように色度の調整を行なった光変換用セラミック複合体に入射する。それによって励起された蛍光体相からの黄色の蛍光と非蛍光体相からの紫色~青色の透過光が、酸化物結晶相が連続的にかつ三次元的に相互に絡み合い均一に分布する構造により、均質に混合されることで、色むらが小さい白色光を得ることができる。発光素子として発光ダイオード素子を用いた場合の白色発光装置を白色発光ダイオードという。次に、本発明に係る光変換用セラミック複合体及びその製造方法の実施例について説明するが、本発明は、これら実施例に限定されるものではない。[参考例]先ず、実施例に用いられる凝固体を製造した。α-Al2O3粉末純度99.99をAlO3/2換算で0.82モル、Y2O3粉末純度99.9をYO3/2換算で0.175モル、CeO2粉末純度99.9を0.005モルとなるよう秤量した。これらの粉末をエタノール中、ボールミルによって16時間湿式混合した後、エバポレーターを用いてエタノールを脱媒して原料粉末を得た。原料粉末は、真空炉中で予備溶解し一方向凝固の原料とした。次に、この原料をそのままモリブデンルツボに仕込み、一方向凝固装置にセットし、1.33×10-3Pa10-5Torrの圧力下で原料を融解した。次に同一の雰囲気においてルツボを5mm/時間の速度で下降させ、Al2O3サファイア相と、蛍光を発する酸化物結晶相YAG相とが連続的にかつ三次元的に相互に絡み合った組織を有する凝固体を得た。得られた凝固体について一般的な鏡面研磨加工を行い、この凝固体の表面形状及び相間段差についてAFM原子間力顕微鏡を用いて形状測定を行った。この鏡面研磨加工された光変換用セラミック複合体に用いられる凝固体の表面を図2に示す。光変換用セラミック複合体に用いられる凝固体は、一般的な鏡面研磨加工を行うと、材料物性の違いからAl2O3相の表面形状が凸状となり、Al2O3相と蛍光を発する酸化物結晶相YAG相との相間段差が0.020μm程度である表面が形成されている。[実施例1]次に、本発明に係る光変換用セラミック複合体の実施例1について説明する。先ず、参考例において製造された凝固体から直径2インチ、厚さ0.4mmの円板状試料を切り出した。円板状試料は、あらかじめ鏡面研磨加工により鏡面状態とし、前記円板状試料の表面形状及び相間段差を、AFM原子間力顕微鏡を用いて形状測定を行ったところ、Al2O3相と蛍光を発する酸化物結晶相YAG相との相間段差が0.020μmであった。この円板状試料について、下記の条件にてCMPを行い、実施例1に係る光変換用セラミック複合体を得た。CMP用研磨液は、シリカ粒子の含有量が、0.4質量になるように純水で希釈した株フジミインコーポレーテッド製コロイダルシリカ研磨スラリーのCOMPOL登録商標Type120に1mol/LのNaOH水溶液を添加し、pHが11.5になるように調整した。そして、このCMP用研磨液を、格子状溝間隔が15mmのニッタハース株製IC1000登録商標研磨パッドに供給し、その研磨パッドを、単位荷重10kPaで前記光変換用セラミック複合体の板状試料に押し当てて、加工時間を150分間とすることでCMPを行った。加工中、1mol/LのNaOH水溶液を随時添加し、CMP用研磨液のpHが11~12の範囲内になるように調整した。CMP後に実施例1に係る光変換用セラミック複合体の表面形状及び相間段差を、AFM原子間力顕微鏡を用いて形状測定を行ったところ、Al2O3相と蛍光を発する酸化物結晶相YAG相との相間段差が0.003μm以下である極めて平坦な表面を得ることができた。結果を表1に示す。また、実施例1に係る光変換用セラミック複合体の表面形状を図3に示す。[実施例2]次に、本発明に係る光変換用セラミック複合体の実施例2について説明する。CMP用研磨液中のシリカ粒子の含有量を4質量、CMPの加工時間を60分間とした以外は実施例1と同様にして実施例2に係る光変換用セラミック複合体を作製した。CMP後に実施例2に係る光変換用セラミック複合体の表面形状及び相間段差を、AFM原子間力顕微鏡を用いて形状測定を行ったところ、Al2O3相と蛍光を発する酸化物結晶相YAG相との相間段差が0.005μm以下である極めて平坦な表面を得ることができた。結果を表1に示す。また、実施例2に係る光変換用セラミック複合体の表面形状を図4に示す。[実施例3]次に、本発明に係る光変換用セラミック複合体の実施例3について説明する。先ず、参考例において製造された凝固体から実施例1と同様の円板状試料を切り出した。円板状試料は、あらかじめ鏡面研磨加工により鏡面状態とし、前記円板状試料の表面形状及び相間段差を、AFM原子間力顕微鏡を用いて形状測定を行ったところ、Al2O3相と蛍光を発する酸化物結晶相YAG相との相間段差が0.015μmであった。この円板状試料から正方形:15mm×15mmの四角板状試料を切り出し、下記の条件にてCMPを行い、実施例3に係る光変換用セラミック複合体を得た。CMP用研磨液は、シリカ粒子の含有量が、2質量になるように純水で希釈した扶桑化学工業株製コロイダルシリカ研磨スラリーのクォートロン登録商標PL-2Lに1mol/LのNaOH水溶液を添加し、pHを11.5になるように調整した。そして、このCMP用研磨液を、格子状溝間隔が15mmのニッタハース株製IC1000登録商標研磨パッドに供給し、その研磨パッドを、単位荷重10kPaで前記光変換用セラミック複合体の板状試料に押し当てて、加工時間を270分間とすることでCMPを行った。加工中、1mol/LのNaOH水溶液を随時添加し、CMP用研磨液のpHが11~12の範囲内になるように調整した。CMP後に実施例3に係る光変換用セラミック複合体四角板状試料の表面形状及び相間段差を、AFM原子間力顕微鏡を用いて形状測定を行ったところ、Al2O3相と蛍光を発する酸化物結晶相YAG相との相間段差が0.003μm以下である極めて平坦な表面を得ることができた。結果を表1に示す。また、実施例3に係る光変換用セラミック複合体の表面形状を図5に示す。[実施例4]次に、本発明に係る光変換用セラミック複合体の実施例4について説明する。先ず、参考例において製造された凝固体から実施例1と同様の円板状試料を切り出した。円板状試料は、あらかじめ鏡面研磨加工により鏡面状態とし、前記円板状試料の表面形状及び相間段差を、AFM原子間力顕微鏡を用いて形状測定を行ったところ、Al2O3相と蛍光を発する酸化物結晶相YAG相との相間段差が0.015μmであった。この円板状試料について、下記の条件にてCMPを行い、実施例4に係る光変換用セラミック複合体を得た。CMP用研磨液は、シリカ粒子の含有量が、2質量になるように純水で希釈した扶桑化学工業株製コロイダルシリカ研磨スラリーのクォートロン登録商標PL-2Lに1mol/LのNaOH水溶液を添加し、pHを11.5になるように調整した。そして、このCMP用研磨液を、格子状溝間隔が15mmのニッタハース株製IC1000登録商標研磨パッドに供給し、その研磨パッドを、単位荷重13kPaで前記光変換用セラミック複合体の板状試料に押し当てて、加工時間を270分間とすることでCMPを行った。加工中、1mol/LのNaOH水溶液を随時添加し、CMP用研磨液のpHが11~12の範囲内になるように調整した。CMP後に実施例4に係る光変換用セラミック複合体の表面形状及び相間段差を、AFM原子間力顕微鏡を用いて形状測定を行ったところ、Al2O3相と蛍光を発する酸化物結晶相YAG相との相間段差が0.003μm以下である極めて平坦な表面を得ることができた。結果を表1に示す。[実施例5]次に、本発明に係る光変換用セラミック複合体の実施例5について説明する。研磨パッドの単位荷重を33kPa、CMPの加工時間を180分間とした以外は実施例4と同様にして実施例5に係る光変換用セラミック複合体を作製した。また、実施例5について、加工中のpHの状態を図6に示す。CMP後に実施例5に係る光変換用セラミック複合体の表面形状及び相間段差を、AFM原子間力顕微鏡を用いて形状測定を行ったところ、Al2O3相と蛍光を発する酸化物結晶相YAG相との相間段差が0.004μm以下である極めて平坦な表面を得ることができた。結果を表1に示す。[実施例6]次に、本発明に係る光変換用セラミック複合体の実施例6について説明する。研磨パッドの単位荷重を50kPa、CMPの加工時間を120分間とした以外は実施例4と同様にして実施例6に係る光変換用セラミック複合体を作製した。CMP後に実施例6に係る光変換用セラミック複合体の表面形状及び相間段差を、AFM原子間力顕微鏡を用いて形状測定を行ったところ、Al2O3相と蛍光を発する酸化物結晶相YAG相との相間段差が、120分間の加工時間で0.007μm程度の相間段差である表面を得た。結果を表1に示す。[実施例7]次に、本発明に係る光変換用セラミック複合体の実施例7について説明する。研磨パッドの格子状溝間隔を7mm、研磨パッドの単位荷重を33kPa、CMPの加工時間を90分間とした以外は実施例4と同様にして実施例7に係る光変換用セラミック複合体を作製した。CMP後に実施例7に係る光変換用セラミック複合体の表面形状及び相間段差を、AFM原子間力顕微鏡を用いて形状測定を行ったところ、Al2O3相と蛍光を発する酸化物結晶相YAG相との相間段差が0.004μm以下である極めて平坦な表面を得ることができた。結果を表1に示す。[比較例1]比較として、参考例において製造された凝固体から実施例1及び実施例2と同様の円板状試料を切り出し、あらかじめ鏡面研磨加工により鏡面状態とし、次のようにして比較例1に係る光変換用セラミック複合体を得た。純水で希釈せずにCMP用研磨液中のシリカ粒子の含有量が40質量であるCOMPOL-120株フジミインコーポレーテッド製の原液を研磨パッドIC-1000、格子状溝間隔15mm:NittaHass社製に供給し、その研磨パッドを、単位荷重10kPaで前記光変換用セラミック複合体の板状試料に押し当てて、60分間の加工時間でCMPを行ったところ、Al2O3相の表面形状が凸状となり、Al2O3相と蛍光を発する酸化物結晶相YAG相との相間段差が0.05μm程度であった。結果を表1に示す。また、比較例1に係る光変換用セラミック複合体の表面形状を図7に示す。[比較例2]次に、比較として、参考例において製造された凝固体から実施例3と同様の四角板状試料を切り出し、あらかじめ鏡面研磨加工により鏡面状態とし、次のようにして比較例2に係る光変換用セラミック複合体を得た。CMP用研磨液中のシリカ粒子の含有量が、0.4質量になるように純水で希釈したCOMPOL-120株フジミインコーポレーテッド製に1mol/LのNaOH水溶液を添加し、加工中のpHを10.0~10.9の範囲になるようにCMP用研磨液を調整した。このCMP用研磨液を研磨パッドIC-1000、格子状溝間隔15mm:NittaHass社製に供給し、その研磨パッドを、単位荷重10kPaで前記光変換用セラミック複合体の板状試料に押し当てて、加工時間を60分間とすることでCMPを行い、比較例2に係る光変換用セラミック複合体を得た。CMP後に比較例2に係る光変換用セラミック複合体四角板状試料の表面形状及び相間段差を、AFM原子間力顕微鏡を用いて形状測定を行ったところ、Al2O3相と蛍光を発する酸化物結晶相YAG相との相間段差が0.100μm程度である表面を得た。結果を表1に示す。また、比較例2に係る光変換用セラミック複合体の表面形状を図8に示す。[比較例3]また、比較として、参考例において製造された凝固体から実施例3と同様の四角板状試料を切り出し、あらかじめ鏡面研磨加工により鏡面状態とし、次のようにして比較例3に係る光変換用セラミック複合体を得た。CMP用研磨液中のシリカ粒子の含有量が、2質量になるように純水で希釈したPL-2L扶桑化学工業株製を作製した。このCMP用研磨液を研磨パッドIC-1000、格子状溝間隔15mm:NittaHass社製に供給し、その研磨パッドを、単位荷重10kPaで前記光変換用セラミック複合体の板状試料に押し当てて、加工時間を60分間とすることでCMPを行い、比較例3に係る光変換用セラミック複合体を得た。CMP後に比較例3に係る光変換用セラミック複合体四角板状試料の表面形状及び相間段差を、AFM原子間力顕微鏡を用いて形状測定を行ったところ、Al2O3相と蛍光を発する酸化物結晶相YAG相との相間段差が0.050μm程度である表面を得た。結果を表1に示す。また、比較例3に係る光変換用セラミック複合体の表面形状を図9に示す。[比較例4]次に、比較として、参考例において製造された凝固体から実施例4と同様の円板状試料を切り出し、研磨パッドの単位荷重を13kPa、CMPの加工時間を270分間とした以外は比較例3と同様にして比較例4に係る光変換用セラミック複合体を作製した。CMP後に比較例4に係る光変換用セラミック複合体の表面形状及び相間段差を、AFM原子間力顕微鏡を用いて形状測定を行ったところ、Al2O3相と蛍光を発する酸化物結晶相YAG相との相間段差が0.020μm程度であり、加工前と同程度の相間段差である表面を得た。結果を表1に示す。[比較例5]次に、比較として、CMP用研磨液として、シリカ粒子の含有量が、0.4質量になるように純水で希釈した株フジミインコーポレーテッド製コロイダルシリカ研磨スラリーのCOMPOL登録商標Type120に1mol/LのNaOH水溶液を添加し、pHが12を超えるように調整した。その結果、研磨液中のシリカ粒子の凝集等の問題が発生した。以上より、加工中のCMP用研磨液のpHが11~12に調整され、CMP用研磨液中のシリカ粒子の含有量が小さいほど、Al2O3相と蛍光を発する酸化物結晶相YAG相との相間段差が小さくなっている。本発明は、鏡面研磨加工された表面を有する凝固体に対して、CMPを行うことにより、Al2O3相と蛍光を発する酸化物結晶相YAG相との相間段差が極めて小さい表面を形成することができる。このときのAl2O3相と蛍光を発する酸化物結晶相YAG相との相間段差は、アルカリ性のCMP用研磨液がシリカ粒子を含有し、その含有量や、CMP用研磨液のpH及びCMPの単位荷重および研磨パッド表面に加工されている研磨パッド溝間隔などにより制御されたCMPにより解消することができる。"