"絶縁性基体上に電極およびこの電極と接合する芳香族化合物からなる有機分子結晶層を形成する場合に、上記電極の側面の上記絶縁性基体の主面に対する傾斜角度を制御することにより上記有機分子結晶層の上記電極に対する配向を制御するようにした有機素子の製造方法。上記電極の側面の上記傾斜角度θは0°<θ<90°である請求項1記載の有機素子の製造方法。上記電極の側面を上記傾斜角度が互いに異なる複数の面により形成するようにした請求項2記載の有機素子の製造方法。上記電極の側面を上部の面および下部の面により形成し、上記下部の面の上記傾斜角度を上記上部の面の上記傾斜角度よりも小さくするようにした請求項3記載の有機素子の製造方法。上記芳香族化合物は縮合環化合物である請求項1記載の有機素子の製造方法。上記縮合環化合物はアセン類である請求項5記載の有機素子の製造方法。上記絶縁性基体は平坦な主面を有する請求項1記載の有機素子の製造方法。上記絶縁性基体はファイバー状絶縁体であり、このファイバー状絶縁体の外周面上に上記電極および上記有機分子結晶層をこのファイバー状絶縁体の中心軸方向またはこの中心軸方向に対して傾斜した方向に細線状に形成する請求項1記載の有機素子の製造方法。上記絶縁性基体の主面に溝を形成し、この溝の内部に上記電極および上記有機分子結晶層を形成する請求項1記載の有機素子の製造方法。上記有機素子は有機トランジスタであり、上記電極はソース電極またはドレイン電極である請求項1記載の有機素子の製造方法。上記有機分子結晶層の少なくとも一部が超伝導体である請求項1記載の有機素子の製造方法。絶縁性基体上に形成された電極に芳香族化合物からなる有機分子結晶層を接合する場合に、上記電極の側面の上記絶縁性基体の主面に対する傾斜角度を制御することにより上記有機分子結晶層の上記電極に対する配向を制御するようにした有機分子結晶層の接合方法。絶縁性基体上に細線状の電極およびこの電極と接合する芳香族化合物からなる細線状の有機分子結晶層を形成する場合に、上記電極の側面の上記絶縁性基体の主面に対する傾斜角度を制御することにより上記有機分子結晶層の上記電極に対する配向を制御するようにした細線状導電体の製造方法。絶縁性基体上に形成された電極およびこの電極と接合する芳香族化合物からなる有機分子結晶層を有し、上記電極の側面が上記絶縁性基体の主面に対する傾斜角度が互いに異なる複数の面を有し、これらの複数の面において上記有機分子結晶層の上記電極に対する配向が互いに異なる有機素子。絶縁性基体上に形成された細線状の電極およびこの電極と接合する芳香族化合物からなる細線状の有機分子結晶層を有し、上記電極の側面が上記絶縁性基体の主面に対する傾斜角度が互いに異なる複数の面を有し、これらの複数の面において上記有機分子結晶層の上記電極に対する配向が互いに異なる細線状導電体。そこで、本開示が解決しようとする課題は、電極に対して有機分子結晶層を配向制御して接合することができ、良好な特性を有する有機素子の製造方法およびこの製造方法を用いて製造することができる有機素子を提供することである。本開示が解決しようとする他の課題は、電極に対して有機分子結晶層を配向制御して接合することができる有機分子結晶層の接合方法を提供することである。本開示が解決しようとするさらに他の課題は、細線状電極に対して細線状有機分子結晶層を配向制御して接合することができ、良好な特性を有する細線状導電体の製造方法およびこの製造方法を用いて製造することができる細線状導電体を提供することである。本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意研究を行った。この研究の過程で偶然に、絶縁体上に電極を形成し、その後に芳香族化合物からなる有機分子結晶層を形成して電極と接合させたとき、絶縁体表面に対する電極の側面の傾斜角度が変わると、電極に対する有機分子結晶層の配向が変わることを見い出した。そして、この独自に得た知見に基づいて鋭意検討を行った結果、本開示に至ったものである。すなわち、上記課題を解決するために、本開示は、絶縁性基体上に電極およびこの電極と接合する芳香族化合物からなる有機分子結晶層を形成する場合に、上記電極の側面の上記絶縁性基体の主面に対する傾斜角度を制御することにより上記有機分子結晶層の上記電極に対する配向を制御するようにした有機素子の製造方法である。上記の電極の側面の傾斜角度をθとすると、0°<θ<90°である。電極の側面はその全部が平面であってもよいし、その全部または一部が曲面凹面、凸面またはそれらが混在したものであってもよい。電極の側面の全部または一部が曲面である場合には、θとしてその曲面の平均的な傾斜角度を用いる。電極の側面は傾斜角度が互いに異なる複数の面により形成するようにしてもよい。例えば、電極の側面を上部の面および下部の面により形成し、その下部の面の傾斜角度を上部の面の傾斜角度よりも小さくするようにしてもよい。絶縁性基体は、典型的には平坦な主面を有し、この主面上に電極およびこの電極と接合した有機分子結晶層が形成されるが、絶縁性基体の主面に溝を形成し、この溝の内部に電極および有機分子結晶層を形成するようにしてもよい。必要に応じて、絶縁性基体としてファイバー状絶縁体を用いてもよい。この場合、例えば、このファイバー状絶縁体の外周面上に電極および有機分子結晶層をこのファイバー状絶縁体の中心軸方向またはこの中心軸方向に対して傾斜した方向に細線状に形成する。有機素子は、芳香族化合物からなる有機分子結晶層を電極と接合するものである限り、基本的にはどのようなものであってもよいが、例えば、有機トランジスタ、有機光電変換素子などである。有機トランジスタでは、有機分子結晶層はチャネルが形成される半導体層であり、この有機分子結晶層が接合する電極はソース電極またはドレイン電極である。有機光電変換素子では、有機分子結晶層は有機光電変換層であり、この有機分子結晶層が接合する電極はこの有機光電変換層からの電流の取り出しのためにその一端および他端に設けられる電極である。有機分子結晶層の少なくとも一部が超伝導体であってもよく、この場合には有機超伝導体素子を製造することができる。有機分子結晶層を構成する芳香族化合物は、ベンゼン系芳香族化合物、複素芳香族化合物、非ベンゼン系ベンゼン系芳香族化合物に分類される。ベンゼン系芳香族化合物は、縮合環芳香族化合物、例えば、ベンゾ縮合環化合物などである。複素芳香族化合物は、例えば、フラン、チオフェン、ピロール、イミダゾールなどである。非ベンゼン系芳香族化合物は、例えば、アヌレン、アズレン、シクロペンタジエニルアニオン、シクロヘプタトリエニルカチオントロピリウムイオン、トロポン、メタロセン、アセプレイアジレンなどである。上記の芳香族化合物のなかでも、好適には、縮合環化合物が用いられる。縮合環化合物としては、アセン類ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセンなど、フェナントレン、クリセン、トリフェニレン、テトラフェン、ピレン、ピセン、ペンタフェン、ペリレン、ヘリセン、コロネンなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。芳香族化合物としては、好適には、6,12-ジオキサアンタントレンいわゆるペリキサンテノキサンテン、612dioxaanthanthreneであり、PXXと略称される場合もある。などのジオキサアンタントレン系化合物も用いられる非特許文献10および特許文献2参照。。また、本開示は、絶縁性基体上に形成された電極に芳香族化合物からなる有機分子結晶層を接合する場合に、上記電極の側面の上記絶縁性基体の主面に対する傾斜角度を制御することにより上記有機分子結晶層の上記電極に対する配向を制御するようにした有機分子結晶層の接合方法である。この有機分子結晶層の接合方法においては、その性質に反しない限り、上記の有機素子の製造方法に関連して説明したことが成立する。また、本開示は、絶縁性基体上に細線状の電極およびこの電極と接合する芳香族化合物からなる細線状の有機分子結晶層を形成する場合に、上記電極の側面の上記絶縁性基体の主面に対する傾斜角度を制御することにより上記有機分子結晶層の上記電極に対する配向を制御するようにした細線状導電体の製造方法である。この細線状導電体の製造方法においては、その性質に反しない限り、上記の有機素子の製造方法に関連して説明したことが成立する。また、本開示は、絶縁性基体上に形成された電極およびこの電極と接合する芳香族化合物からなる有機分子結晶層を有し、上記電極の側面が上記絶縁性基体の主面に対する傾斜角度が互いに異なる複数の面を有し、これらの複数の面において上記有機分子結晶層の上記電極に対する配向が互いに異なる有機素子である。この有機素子においては、その性質に反しない限り、上記の有機素子の製造方法に関連して説明したことが成立する。また、本開示は、絶縁性基体上に形成された細線状の電極およびこの電極と接合する芳香族化合物からなる細線状の有機分子結晶層を有し、上記電極の側面が上記絶縁性基体の主面に対する傾斜角度が互いに異なる複数の面を有し、これらの複数の面において上記有機分子結晶層の上記電極に対する配向が互いに異なる細線状導電体である。上述の本開示においては、有機分子結晶層の層状構造をほぼ維持したまま、電極に対する有機分子結晶層の配向を制御することができるので、有機分子結晶層本来の特性を生かしつつ、有機分子結晶層を電極に対して最適な配向で形成することができる。あるいは、有機分子結晶層に互いに配向が異なる複数の部位を形成することができる。本開示によれば、電極に対して有機分子結晶層を配向制御して接合することができ、良好な特性を有する有機素子を得ることができる。また、本開示によれば、細線状電極に対して細線状有機分子結晶層を配向制御して接合することができ、良好な特性を有する細線状導電体を得ることができる。以下、発明を実施するための形態以下実施の形態とするについて説明する。なお、説明は以下の順序で行う。1.第1の実施の形態有機分子結晶層の接合方法2.第2の実施の形態有機分子結晶層の接合方法3.第3の実施の形態有機分子結晶層の接合方法4.第4の実施の形態有機分子結晶層の接合方法5.第5の実施の形態トップゲート型有機トランジスタおよびその製造方法6.第6の実施の形態ボトムゲート型有機トランジスタおよびその製造方法7.第7の実施の形態細線状導電体およびその製造方法8.第8の実施の形態細線状導電体およびその製造方法9.第9の実施の形態細線状導電体およびその製造方法1.第1の実施の形態[有機分子結晶層の接合方法]図1は第1の実施の形態による有機分子結晶層の接合方法を示す。この有機分子結晶層は芳香族化合物からなる。図1に示すように、第1の実施の形態による有機分子結晶層の接合方法においては、例えば平坦な主面を有する絶縁性基体11上に電極12を形成する。絶縁性基体11としては、従来公知のものを用いることができ、必要に応じて選ばれるが、例えば、表面に絶縁膜、例えば二酸化シリコンSiO2膜が形成されたシリコン基板やガラス基板などを用いることができる。電極12の材料としては、従来公知のものを用いることができ、必要に応じて選ばれるが、例えば、金Au、クロムCr、タングステンW、アルミニウムAl、アルミニウム合金、白金Pt、銅Cu、銅合金などを用いることができる。電極12の形成方法としては従来公知の方法を用いることができ、必要に応じて選ばれるが、例えば、所定のマスクシャドーマスクなどを用いた真空蒸着法などを用いることができる。絶縁性基体11の主面に対する電極12の側面12aの傾斜角度θは0°<θ<90°である。電極12の側面12aは平面であってもよいし、凸面または凹面またはそれらが混在した曲面であってもよく、後者の場合は側面12a全体の平均傾斜角度をθとする。次に、この電極12が形成された絶縁性基体11上にこの電極12の側面12aと接合するように、芳香族化合物からなる有機分子結晶層13を形成する。この有機分子結晶層13を構成する芳香族化合物としては、すでに述べたものを用いることができ、必要に応じて選ばれる。有機分子結晶層13の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、塗布法、浸漬法などを用いることができ、必要に応じて選ばれる。有機分子結晶層13を細線状に形成することにより、細線状導電体を形成することができる。この場合、電極12の側面12aの傾斜角度θを制御することにより、電極12に対する有機分子結晶層13の配向を制御することができる。例えば、図2Aに示すように、電極12の側面12aを比較的急峻に形成すると、具体的には傾斜角度θを例えば60°以上80°以下に設定すると、有機分子結晶層13を電極12の側面12aに平行に配向させることができる。また、図2Bに示すように、電極12の側面12aの傾斜角度θを例えば5°以上20°以下に設定すると、有機分子結晶層13を電極12の側面12aに対して傾斜した方向に配向させることができる。図2Aに示す場合および図2Bに示す場合のいずれも、有機分子結晶層13のうちの絶縁性基体11上に形成された部分はこの絶縁性基体11の主面に平行に配向させることができる。絶縁性基体11上に形成する電極12および有機分子結晶層13のパターン形状および配置は必要に応じて選ばれる。図3A~Dに、電極12および有機分子結晶層13のパターン形状および配置の例を示す。この第1の実施の形態によれば、電極12の側面12aの傾斜角度θの制御により、有機分子結晶層13の層状構造をほぼ維持したまま、電極12との接合部の有機分子結晶層13の配向を制御することができる。このため、有機分子結晶層13本来の特性を生かしつつ、有機分子結晶層13を最適な配向で電極12に接合することができ、電極12との接合部の有機分子結晶層13の結晶粒界の性状の向上を図ることができ、良好な接合特性を得ることができる。特に、電極12と有機分子結晶層13との間のキャリアーの移動を良好に行うことができ、送電損失の低減を図ることができる。また、電極12および有機分子結晶層13は低温プロセスあるいは常温プロセスにより形成することができるため、有機分子結晶層13として非特許文献2のような超伝導体を用いることにより、これまでは困難であった、低温プロセスあるいは常温プロセスによる超伝導体の形成が可能となり、有機超伝導素子を実現することができる。さらに、電極12および有機分子結晶層13は低温プロセスあるいは常温プロセスにより形成することができるため、例えば、電極12の一部に、分子素子あるいはバイオ素子を組み合わせることで、超伝導体と分子素子あるいはバイオ素子とを連結することができ、あるいは、これらの素子を集積化することができる。2.第2の実施の形態[有機分子結晶層の接合方法]図4に示すように、第2の実施の形態による有機分子結晶層の接合方法においては、例えば平坦な主面を有する絶縁性基体11上に電極12を形成する。この場合、この電極12の側面は上部側面12bとこれに連続した下部側面12cとにより形成する。上部側面12bは、図2Aと同様に、傾斜角度θを例えば60°以上80°以下に設定する。下部側面12cは、図2Bと同様に、傾斜角度θを例えば5°以上20°以下に設定する。次に、第1の実施の形態と同様にして、この電極12が形成された絶縁性基体11上にこの電極12の上部側面12bと下部側面12cとに接合するように有機分子結晶層13を形成する。この場合、この有機分子結晶層13のうちの上部側面12bと接合した部分は、この上部側面12bに平行に配向させることができる。また、この有機分子結晶層13のうちの下部側面12cと接合した部分は、この下部側面12cに対して傾斜した方向に配向させることができる。実施例図5Aに示すように、Si基板21上に熱酸化法により厚さが約150nmのSiO2膜22を形成し、これを絶縁性基体11として用いた。次に、図5Bに示すように、シャドーマスクメタルマスクを用いた真空蒸着法により、SiO2膜22上にAuを堆積させ、上部側面および下部側面を有するAu電極23を形成した。次に、図5Cに示すように、真空蒸着法により、水晶振動子による膜厚制御を行いながら、有機分子結晶層13として厚さが約40nmのペンタセン膜24を形成し、Au電極23の上部側面、下部側面および上面に接合した。引き続いて、Au電極23とペンタセン膜24との接合特性の向上を図るために、真空蒸着に用いた真空チャンバー内で温度約100°Cで約2時間アニールを行った。以上のようにしてペンタセン膜24を形成した試料の断面透過型電子顕微鏡写真を図6に示す。図6から明らかなように、絶縁体であるSiO2膜22上に、このSiO2膜22の表面に対して約70~75°傾斜した上部側面およびこのSiO2膜22の表面に対して約10°傾斜した下部側面を有するAu電極23が形成されている。ペンタセン膜24のうちのこのAu電極23の上部側面と接合した部分はこの上部側面と平行な方向に配向している配向A。ペンタセン膜24のうちのこのAu電極23の下部側面と接合した部分は、上部側面とほぼ垂直な方向に配向している配向B。ペンタセン膜24のうちのこのAu電極23の外側の部分のSiO2膜22上に直接形成された部分はこのSiO2膜22の表面に平行な方向に配向している配向C。ペンタセン膜24のうちの配向Bの部分は配向Cの部分と緩やかに整合してゆき、配向Bの部分と配向Cとの部分との境界には小傾角粒界が形成されている。このペンタセン膜24のうちの配向Cの部分を拡大して図7に示す。以上のように、第2の実施の形態によれば、絶縁性基体11の主面に対する傾斜角度が互いに異なる上部側面12bおよび下部側面12cを有する電極12を形成し、この電極12と接合するように有機分子結晶層13を形成している。このため、有機分子結晶層13の層状構造をほぼ維持したまま、有機分子結晶層13のうちの電極12の上部側面12bとの接合部はこの上部側面12bに平行に配向し、下部側面12cとの接合部はこの下部側面12cと傾斜した方向に配向するようにすることができる。これによって、例えば、この有機分子結晶層13本来の特性を生かしつつ、電極12と有機分子結晶層13との接合部では良好な接合特性を得ることができる。この接合構造は各種の有機素子、例えば有機トランジスタに適用して好適なものである。3.第3の実施の形態[有機分子結晶層の接合方法]図8に示すように、第3の実施の形態による有機分子結晶層の接合方法においては、絶縁性基体11の主面に溝11aを形成した後、この溝11aの内部に電極12を形成し、この電極12の側面12aと接合するように有機分子結晶層13を形成する。この第3の実施の形態の上記以外のことは第1の実施の形態と同様である。この第3の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様な利点を得ることができる。4.第4の実施の形態[有機分子結晶層の接合方法]図9に示すように、第4の実施の形態による有機分子結晶層の接合方法においては、絶縁性基体11の主面に溝11aを形成した後、この溝11aの内部に上部側面12bおよび下部側面12cを有する電極12を形成し、この電極12の上部側面12bおよび下部側面12cと接合するように有機分子結晶層13を形成する。この第4の実施の形態の上記以外のことは第2の実施の形態と同様である。この第4の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様な利点を得ることができる。5.第5の実施の形態[有機トランジスタ]図10は第5の実施の形態による有機トランジスタを示す。この有機トランジスタはトップゲート型である。図10に示すように、この有機トランジスタにおいては、例えば平坦な主面を有する絶縁性基体31上にソース電極32およびドレイン電極33が設けられ、これらのソース電極32およびドレイン電極33の間の部分の絶縁性基体31上に有機分子結晶層34が設けられている。ソース電極32およびドレイン電極33の材料としては、電極12と同様な材料を用いることができる。ソース電極32は上部側面32aおよび下部側面32bを有し、ドレイン電極33は上部側面33aおよび下部側面33bを有する。有機分子結晶層34の一端はソース電極32の上部側面32aおよび下部側面32bと接合し、他端はドレイン電極33の上部側面33aおよび下部側面33bと接合している。第1の実施の形態と同様に、この有機分子結晶層34のうちのソース電極32の上部側面32aおよびドレイン電極33の上部側面33aと接合した部分はそれぞれ上部側面32aおよび上部側面33aと平行な方向に配向している。また、この有機分子結晶層34のうちのソース電極32の下部側面32bおよびドレイン電極33の下部側面33bと接合した部分はそれぞれ下部側面32bおよび下部側面33bと傾斜した方向に配向している。また、この有機分子結晶層34のうちの絶縁性基体31上にある部分は絶縁性基体31の主面に平行に配向している。有機分子結晶層34、ソース電極32およびドレイン電極33上にはゲート絶縁膜35が形成されている。このゲート絶縁膜35は、例えば、絶縁性の高分子により形成することができる。このような高分子は、例えば、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリジメチルシロキサン、ナイロン、ポリイミド、環状オレフィンコポリマー、エポキシポリマー、セルロース、ポリオキシメチレン、ポリオレフィン系ポリマー、ポリビニル系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、ポリエーテル系ポリマー、ポリアミド系ポリマー、フッ素系ポリマー、生分解性プラスチック、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、各種ポリマーユニットを組み合わせたコポリマーなどである。この高分子の具体例を挙げると、ポリα-メチルスチレン、シクロオレフィンコポリマーなどである。このゲート絶縁膜35としては、必要に応じて、SiO2膜などの無機絶縁膜を用いてもよい。このゲート絶縁膜35の厚さは必要に応じて選ばれる。ゲート絶縁膜35上にゲート電極36が設けられている。このゲート電極36の材料としては従来公知の各種のものを用いることができ、必要に応じて選ばれる。[有機トランジスタの製造方法]図10に示すように、第1の実施の形態と同様にして、絶縁性基体31上にソース電極32およびドレイン電極33を形成する。次に、第1の実施の形態と同様にして、有機分子結晶層34を形成する。次に、有機分子結晶層34、ソース電極32およびドレイン電極33上に真空蒸着法、塗布法、浸漬法などにより絶縁体を形成することによりゲート絶縁膜35を形成する。次に、ゲート絶縁膜35上に真空蒸着法などにより導電材料からなる膜を形成した後、この膜をエッチングによりパターニングしてゲート電極36を形成する。以上のようにして、目的とするトップゲート型有機トランジスタが製造される。この第5の実施の形態によれば、ソース電極32の上部側面32aおよび下部側面32bならびにドレイン電極33の上部側面33aおよび下部側面33bの傾斜角度の制御により、ソース電極32およびドレイン電極33に対する有機分子結晶層34の配向を制御することができ、このため有機分子結晶層34を最適な配向でソース電極32およびドレイン電極33に接合することができ、良好な接合特性を得ることができる。これによって、有機分子結晶層34本来の特性を十分に発揮させることができ、特性の良好なトップゲート型有機トランジスタを得ることができる。6.第6の実施の形態[有機トランジスタ]図11は第6の実施の形態による有機トランジスタを示す。この有機トランジスタはボトムゲート型である。図11に示すように、この有機トランジスタにおいては、例えば平坦な主面を有する絶縁性基体31上にゲート電極36が設けられ、このゲート電極36を覆うようにゲート絶縁膜35が設けられている。このゲート絶縁膜35上にソース電極32およびドレイン電極33が設けられ、これらのソース電極32およびドレイン電極33の間の部分のゲート絶縁膜35上に有機分子結晶層34が設けられている。この有機トランジスタの上記以外の構成については、第5の実施の形態による有機トランジスタと同様である。[有機トランジスタの製造方法]図11に示すように、第5の実施の形態と同様にして、絶縁性基体31上にゲート電極36を形成した後、このゲート電極36を覆うようにゲート絶縁膜35を形成する。次に、第1の実施の形態と同様にして、ゲート絶縁膜35上にソース電極32およびドレイン電極33を形成する。次に、第1の実施の形態と同様にして、有機分子結晶層34を形成する。以上のようにして、目的とするボトムゲート型有機トランジスタが製造される。この第6の実施の形態によれば、ボトムゲート型有機トランジスタにおいて第5の実施の形態と同様な利点を得ることができる。7.第7の実施の形態[細線状導電体]図12は第7の実施の形態による細線状導電体を示す。図12に示すように、この細線状導電体においては、円柱状のファイバー状絶縁体41の外周面上に、このファイバー状絶縁体41の中心軸方向に延在する一対の線状電極42が設けられ、この一対の線状電極42とそれぞれ接合するように線状の有機分子結晶層43が設けられている。[細線状導電体の製造方法]図12に示すように、ファイバー状絶縁体41の外周面上に、第1の実施の形態と同様にして、このファイバー状絶縁体41の中心軸方向に延在する一対の線状電極42を形成する。次に、第1の実施の形態と同様にして、この一対の線状電極42とそれぞれ接合するように線状の有機分子結晶層43を形成する。この第7の実施の形態の上記以外のことは第1の実施の形態と同様である。この第7の実施の形態によれば、絶縁性基体としてファイバー状絶縁体41を用いた場合において第1の実施の形態と同様な利点を得ることができる。また、線状電極42と電導線である線状の有機分子結晶層43との間でキャリアー移動を良好に行うことができ、送電損失の低減を図ることができる。さらに、有機分子結晶層43として例えば非特許文献2の超伝導体を用いることにより、有機超伝導素子を実現することができる。この有機超伝導素子によれば、超伝導体からなる有機分子結晶層43の臨界電流などの特性の向上を図ることができる。8.第8の実施の形態[細線状導電体]図13は第8の実施の形態による細線状導電体を示す。図13に示すように、この細線状導電体においては、円柱状のファイバー状絶縁体51の外周面上の、このファイバー状絶縁体51の中心軸方向の一端および他端に一対の電極52が設けられ、この一対の電極52とそれぞれ接合するように、このファイバー状絶縁体51の中心軸方向に延在する線状の有機分子結晶層53が設けられている。[細線状導電体の製造方法]図13に示すように、ファイバー状絶縁体51の外周面上に、第1の実施の形態と同様にして、このファイバー状絶縁体51の中心軸方向の一端および他端に一対の電極52を形成し、この一対の電極52とそれぞれ接合するように、このファイバー状絶縁体51の中心軸方向に延在する線状の有機分子結晶層53を形成する。この第8の実施の形態の上記以外のことは第1の実施の形態と同様である。この第8の実施の形態によれば、第7の実施の形態と同様な利点を得ることができる。9.第9の実施の形態[細線状導電体]図14は第9の実施の形態による細線状導電体を示す。図14に示すように、この細線状導電体においては、円柱状のファイバー状絶縁体61の外周面上に、このファイバー状絶縁体61を取り巻くように二重らせん状に線状電極62が設けられ、これらの線状電極62とそれぞれ接合するように、同じく二重らせん状に線状の有機分子結晶層63が設けられている。[細線状導電体の製造方法]図14に示すように、円柱状のファイバー状絶縁体61の外周面上に、このファイバー状絶縁体61を取り巻くように線状電極62を形成し、これらの線状電極62とそれぞれ接合するように、線状の有機分子結晶層63を形成する。この第9の実施の形態の上記以外のことは第1の実施の形態と同様である。この第9の実施の形態によれば、第7の実施の形態と同様な利点を得ることができる。以上、実施の形態および実施例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施の形態および実施例に限定されるものではなく、各種の変形が可能である。例えば、上述の実施の形態および実施例において挙げた数値、構造、プロセス、形状、材料などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれらと異なる数値、構造、プロセス、形状、材料などを用いてもよい。"