"交流電源から供給された交流電圧を整流して第1端子及び第2端子間から整流電圧を出力する第1の整流素子と、前記第1端子に一端が接続されたLED素子と、前記LED素子の他端と前記第2端子との間に接続され、前記LED素子に流れる電流を制御する電流制御部と、前記第1端子と前記第2端子との間に接続された第1の容量素子と、前記第1端子と前記第2端子との間で前記第1の容量素子に直列接続され、電流が流れる方向を制限可能な電流方向制限部と、前記電流方向制限部を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記整流電圧が予め定めた基準電圧より高くなった時に、電流が流れる方向を前記第1端子から前記第2端子の方向に制限するように前記電流方向制限部を制御し、その後、前記LED素子に流れる電流が所定値未満になった時に、電流が流れる方向の制限を解除するように前記電流方向制限部を制御し、前記基準電圧は、前記LED素子に流れる電流が前記所定値未満になる時の前記整流電圧より高いことを特徴とするLED点灯装置。前記電流方向制限部は、前記第1端子と前記第2端子との間で前記第1の容量素子に直列接続され、前記第1端子から前記第2端子の向きに電流を流す第2の整流素子と、前記第2の整流素子に並列接続されたスイッチ素子と、を有し、前記制御部は、前記整流電圧が前記基準電圧より高くなった時に、前記スイッチ素子をオフに制御し、前記LED素子に流れる電流が前記所定値未満になった時に、前記スイッチ素子をオンに制御することを特徴とする請求項1に記載のLED点灯装置。前記第1の容量素子の一端は、前記第1端子に接続され、前記第2の整流素子は、前記第1の容量素子の他端にアノードが接続され、前記第2端子にカソードが接続され、前記スイッチ素子は、前記第2の整流素子のカソードに一端が接続され、前記第2の整流素子のアノードに他端が接続されていることを特徴とする請求項2に記載のLED点灯装置。前記スイッチ素子は、前記第2の整流素子のカソードにソースが接続され、前記第2の整流素子のアノードにドレインが接続されたP型MOSトランジスタから構成されていることを特徴とする請求項3に記載のLED点灯装置。前記第2の整流素子は、前記P型MOSトランジスタのボディダイオードから構成されていることを特徴とする請求項4に記載のLED点灯装置。前記第1端子と、前記LED素子の一端および前記第1の容量素子の一端との間に接続され、前記第1端子から前記第2端子の向きに電流を流す第3の整流素子を備えることを特徴とする請求項5に記載のLED点灯装置。前記制御部は、前記LED素子に流れる電流が前記所定値未満になった時にセット信号を生成するセット信号生成回路と、前記整流電圧が前記基準電圧より高い期間にリセット信号を生成するリセット信号生成回路と、前記セット信号が入力された時に前記スイッチ素子をオンに制御して、前記リセット信号が入力された時に前記セット信号に拘らず前記スイッチ素子をオフに制御するセットリセット回路と、を有することを特徴とする請求項6に記載のLED点灯装置。前記電流制御部は、前記LED素子の他端に一端が接続された電流制御トランジスタと、前記電流制御トランジスタの他端と前記第2端子との間に接続された電流検出抵抗と、前記電流制御トランジスタの制御端子に基準電圧を供給する基準電圧回路と、を有し、前記制御部は、前記電流検出抵抗の電圧に基づいて、前記LED素子に流れる電流が前記所定値未満になったことを判定することを特徴とする請求項7に記載のLED点灯装置。前記基準電圧回路は、前記LED素子の一端に一端が接続された第1抵抗と、前記第1抵抗の他端に一端が接続され、前記第2端子に他端が接続され、前記一端及び前記他端間に前記基準電圧を生成する基準電圧生成素子と、を含むことを特徴とする請求項8に記載のLED点灯装置。前記セット信号生成回路は、前記電流制御トランジスタの他端にアノードが接続された第4の整流素子と、前記第4の整流素子のカソードと前記第2端子との間に接続された第2の容量素子と、前記電流制御トランジスタの他端にベースが接続され、前記第4の整流素子のカソードにエミッタが接続され、コレクタから前記セット信号を出力する、PNP型トランジスタと、を含むことを特徴とする請求項8又は請求項9に記載のLED点灯装置。前記セットリセット回路は、前記第4の整流素子のカソードにアノードが接続され、前記セット信号が制御端子に供給される、サイリスタと、前記リセット信号がベースに供給され、前記サイリスタのアノードにコレクタが接続され、前記第2端子にエミッタが接続された、第1のNPN型トランジスタと、前記サイリスタのアノード及びカソード間が導通状態の時に前記スイッチ素子をオンに制御して、非導通状態の時に前記スイッチ素子をオフに制御する、スイッチ素子制御回路と、を含むことを特徴とする請求項10に記載のLED点灯装置。前記セットリセット回路は、前記第4の整流素子のカソードと、前記サイリスタのアノードとの間に接続された第2抵抗を含むことを特徴とする請求項11に記載のLED点灯装置。前記スイッチ素子制御回路は、前記サイリスタのカソードと前記第2端子との間に接続された第3抵抗と、前記サイリスタのカソードにベースが接続され、前記第2端子にエミッタが接続され、前記第4の整流素子のカソードにコレクタが接続された第2のNPN型トランジスタと、前記第2のNPN型トランジスタのコレクタに一端が接続された第3の容量素子と、前記第3の容量素子の他端および前記P型MOSトランジスタのゲートにアノードが接続され、前記第2端子にカソードが接続された第5の整流素子と、を含むことを特徴とする請求項11または請求項12の何れかに記載のLED点灯装置。前記スイッチ素子制御回路は、前記第4の整流素子のカソードと、前記第2のNPN型トランジスタのコレクタとの間に接続された第4抵抗を含むことを特徴とする請求項13に記載のLED点灯装置。前記リセット信号生成回路は、前記第1端子と前記第2端子との間に接続され、前記整流電圧を分圧する分圧回路と、前記分圧回路で分圧された電圧が一端に供給され、前記整流電圧が前記基準電圧より高い期間に導通して前記リセット信号を他端から出力する電圧検出素子と、前記電圧検出素子の他端と前記第2端子との間に接続された第5抵抗と、を含むことを特徴とする請求項7から請求項14の何れかに記載のLED点灯装置。前記電圧検出素子は、ツェナーダイオードであることを特徴とする請求項15に記載のLED点灯装置。前記LED素子は、前記第1端子と前記電流制御部との間に直列接続された複数のLEDで構成されていることを特徴とする請求項1から請求項16の何れかに記載のLED点灯装置。前記第1の容量素子の両端に並列接続された放電抵抗を備えることを特徴とする請求項1から請求項17の何れかに記載のLED点灯装置。交流電源から供給された交流電圧を整流して第1端子及び第2端子間から整流電圧を出力する第1の整流素子と、前記第1端子に一端が接続されたLED素子と、前記LED素子の他端と前記第2端子との間に接続され、前記LED素子に流れる電流を制御する電流制御部と、前記第1端子と前記第2端子との間に接続された第1の容量素子と、前記第1端子と前記第2端子との間で前記第1の容量素子に直列接続され、電流が流れる方向を制限可能な電流方向制限部と、前記電流方向制限部を制御する制御部と、を備えるLED点灯装置の制御方法であって、前記制御部により、前記整流電圧が予め定めた基準電圧より高くなった時に、電流が流れる方向を前記第1端子から前記第2端子の方向に制限するように前記電流方向制限部を制御し、その後、前記LED素子に流れる電流が所定値未満になった時に、電流が流れる方向の制限を解除するように前記電流方向制限部を制御し、前記基準電圧は、前記LED素子に流れる電流が前記所定値未満になる時の前記整流電圧より高いことを特徴とするLED点灯装置の制御方法。前記電流方向制限部は、前記第1端子と前記第2端子との間で前記第1の容量素子に直列接続され、前記第1端子から前記第2端子の向きに電流を流す第2の整流素子と、前記第2の整流素子に並列接続されたスイッチ素子と、を有し、前記制御部により、前記整流電圧が前記基準電圧より高くなった時に、前記スイッチ素子をオフに制御し、前記LED素子に流れる電流が前記所定値未満になった時に、前記スイッチ素子をオンに制御することを特徴とする請求項19に記載のLED点灯装置の制御方法。上述したスイッチング電源を用いないLED電球において、N個のLEDを点灯させるには順方向電圧Vf×N以上の電圧が必要である。整流電圧は、例えば、0Vから140Vの間で周期的に変化するため、LED素子が点灯する期間つまり、LED素子が導通する導通幅は、整流電圧がVf×N以上になっている期間に限られる。この導通幅は、整流電圧の最大値やN等に依存するが、例えば、交流電圧が供給されている期間の50程度である。即ち、LED素子が点灯と消灯を交互に繰り返すフリッカちらつきとよばれる現象が生じる。フリッカは、スイッチング電源を用いるLED電球には現れない。このフリッカは、LED電球の使用者に悪影響を及ぼすという問題がある。このようなLED電球において、図5に示すように、整流素子B1の出力端子間に例えば約1.5μFのコンデンサC1を接続することで、フリッカを減少させることができる。しかし、フリッカを無くすことはできない。つまり、図6に示すように、LED素子11に流れる電流は、交流電圧が供給されている期間の約15程度の期間、一定電流以下になるので、この期間でLED素子11は消灯する。即ち、導通幅は約85である。このコンデンサを4~5μFの大容量のものにすることで、フリッカを無くすことができる。しかしながら、このような4~5μFの大容量のコンデンサは大型であるため、LED電球のケースに収まらないという問題がある。そこで、本発明は、スイッチング電源および大容量のコンデンサを用いることなく、フリッカを減少させることができるか無くすことができるLED点灯装置及びLED点灯装置の制御方法を提供することを目的とする。本発明の一態様に係る実施例に従ったLED点灯装置は、交流電源から供給された交流電圧を整流して第1端子及び第2端子間から整流電圧を出力する第1の整流素子と、前記第1端子に一端が接続されたLED素子と、前記LED素子の他端と前記第2端子との間に接続され、前記LED素子に流れる電流を制御する電流制御部と、前記第1端子と前記第2端子との間に接続された第1の容量素子と、前記第1端子と前記第2端子との間で前記第1の容量素子に直列接続され、電流が流れる方向を制限可能な電流方向制限部と、前記電流方向制限部を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記整流電圧が予め定めた基準電圧より高くなった時に、電流が流れる方向を前記第1端子から前記第2端子の方向に制限するように前記電流方向制限部を制御し、その後、前記LED素子に流れる電流が所定値未満になった時に、電流が流れる方向の制限を解除するように前記電流方向制限部を制御し、前記基準電圧は、前記LED素子に流れる電流が前記所定値未満になる時の前記整流電圧より高いことを特徴とする。上記LED点灯装置において、前記電流方向制限部は、前記第1端子と前記第2端子との間で前記第1の容量素子に直列接続され、前記第1端子から前記第2端子の向きに電流を流す第2の整流素子と、前記第2の整流素子に並列接続されたスイッチ素子と、を有し、前記制御部は、前記整流電圧が前記基準電圧より高くなった時に、前記スイッチ素子をオフに制御し、前記LED素子に流れる電流が前記所定値未満になった時に、前記スイッチ素子をオンに制御してもよい。上記LED点灯装置において、前記第1の容量素子の一端は、前記第1端子に接続され、前記第2の整流素子は、前記第1の容量素子の他端にアノードが接続され、前記第2端子にカソードが接続され、前記スイッチ素子は、前記第2の整流素子のカソードに一端が接続され、前記第2の整流素子のアノードに他端が接続されていてもよい。上記LED点灯装置において、前記スイッチ素子は、前記第2の整流素子のカソードにソースが接続され、前記第2の整流素子のアノードにドレインが接続されたP型MOSトランジスタから構成されていてもよい。上記LED点灯装置において、前記第2の整流素子は、前記P型MOSトランジスタのボディダイオードから構成されていてもよい。上記LED点灯装置において、前記第1端子と、前記LED素子の一端および前記第1の容量素子の一端との間に接続され、前記第1端子から前記第2端子の向きに電流を流す第3の整流素子を備えてもよい。上記LED点灯装置において、前記制御部は、前記LED素子に流れる電流が前記所定値未満になった時にセット信号を生成するセット信号生成回路と、前記整流電圧が前記基準電圧より高い期間にリセット信号を生成するリセット信号生成回路と、前記セット信号が入力された時に前記スイッチ素子をオンに制御して、前記リセット信号が入力された時に前記セット信号に拘らず前記スイッチ素子をオフに制御するセットリセット回路と、を有してもよい。上記LED点灯装置において、前記電流制御部は、前記LED素子の他端に一端が接続された電流制御トランジスタと、前記電流制御トランジスタの他端と前記第2端子との間に接続された電流検出抵抗と、前記電流制御トランジスタの制御端子に基準電圧を供給する基準電圧回路と、を有し、前記制御部は、前記電流検出抵抗の電圧に基づいて、前記LED素子に流れる電流が前記所定値未満になったことを判定してもよい。上記LED点灯装置において、前記基準電圧回路は、前記LED素子の一端に一端が接続された第1抵抗と、前記第1抵抗の他端に一端が接続され、前記第2端子に他端が接続され、前記一端及び前記他端間に前記基準電圧を生成する基準電圧生成素子と、を含んでもよい。上記LED点灯装置において、前記セット信号生成回路は、前記電流制御トランジスタの他端にアノードが接続された第4の整流素子と、前記第4の整流素子のカソードと前記第2端子との間に接続された第2の容量素子と、前記電流制御トランジスタの他端にベースが接続され、前記第4の整流素子のカソードにエミッタが接続され、コレクタから前記セット信号を出力する、PNP型トランジスタと、を含んでもよい。上記LED点灯装置において、前記セットリセット回路は、前記第4の整流素子のカソードにアノードが接続され、前記セット信号が制御端子に供給される、サイリスタと、前記リセット信号がベースに供給され、前記サイリスタのアノードにコレクタが接続され、前記第2端子にエミッタが接続された、第1のNPN型トランジスタと、前記サイリスタのアノード及びカソード間が導通状態の時に前記スイッチ素子をオンに制御して、非導通状態の時に前記スイッチ素子をオフに制御する、スイッチ素子制御回路と、を含んでもよい。上記LED点灯装置において、前記セットリセット回路は、前記第4の整流素子のカソードと、前記サイリスタのアノードとの間に接続された第2抵抗を含んでもよい。上記LED点灯装置において、前記スイッチ素子制御回路は、前記サイリスタのカソードと前記第2端子との間に接続された第3抵抗と、前記サイリスタのカソードにベースが接続され、前記第2端子にエミッタが接続され、前記第4の整流素子のカソードにコレクタが接続された第2のNPN型トランジスタと、前記第2のNPN型トランジスタのコレクタに一端が接続された第3の容量素子と、前記第3の容量素子の他端および前記P型MOSトランジスタのゲートにアノードが接続され、前記第2端子にカソードが接続された第5の整流素子と、を含んでもよい。上記LED点灯装置において、前記スイッチ素子制御回路は、前記第4の整流素子のカソードと、前記第2のNPN型トランジスタのコレクタとの間に接続された第4抵抗を含んでもよい。上記LED点灯装置において、前記リセット信号生成回路は、前記第1端子と前記第2端子との間に接続され、前記整流電圧を分圧する分圧回路と、前記分圧回路で分圧された電圧が一端に供給され、前記整流電圧が前記基準電圧より高い期間に導通して前記リセット信号を他端から出力する電圧検出素子と、前記電圧検出素子の他端と前記第2端子との間に接続された第5抵抗と、を含んでもよい。上記LED点灯装置において、前記電圧検出素子は、ツェナーダイオードであってもよい。上記LED点灯装置において、前記LED素子は、前記第1端子と前記電流制御部との間に直列接続された複数のLEDで構成されていてもよい。上記LED点灯装置において、前記第1の容量素子の両端に並列接続された放電抵抗を備えてもよい。本発明の一態様に係る実施例に従ったLED点灯装置の制御方法は、交流電源から供給された交流電圧を整流して第1端子及び第2端子間から整流電圧を出力する第1の整流素子と、前記第1端子に一端が接続されたLED素子と、前記LED素子の他端と前記第2端子との間に接続され、前記LED素子に流れる電流を制御する電流制御部と、前記第1端子と前記第2端子との間に接続された第1の容量素子と、前記第1端子と前記第2端子との間で前記第1の容量素子に直列接続され、電流が流れる方向を制限可能な電流方向制限部と、前記電流方向制限部を制御する制御部と、を備えるLED点灯装置の制御方法であって、前記制御部により、前記整流電圧が予め定めた基準電圧より高くなった時に、電流が流れる方向を前記第1端子から前記第2端子の方向に制限するように前記電流方向制限部を制御し、その後、前記LED素子に流れる電流が所定値未満になった時に、電流が流れる方向の制限を解除するように前記電流方向制限部を制御し、前記基準電圧は、前記LED素子に流れる電流が前記所定値未満になる時の前記整流電圧より高いことを特徴とする。上記LED点灯装置の制御方法において、前記電流方向制限部は、前記第1端子と前記第2端子との間で前記第1の容量素子に直列接続され、前記第1端子から前記第2端子の向きに電流を流す第2の整流素子と、前記第2の整流素子に並列接続されたスイッチ素子と、を有し、前記制御部により、前記整流電圧が前記基準電圧より高くなった時に、前記スイッチ素子をオフに制御し、前記LED素子に流れる電流が前記所定値未満になった時に、前記スイッチ素子をオンに制御してもよい。本発明の一態様に係るLED点灯装置及びLED点灯装置の制御方法によれば、供給された交流電圧を整流する第1の整流素子の第1端子と第2端子との間に第1の容量素子及び電流方向制限部を直列接続している。その上で、第1の整流素子からの整流電圧が基準電圧より高くなった時に、電流が流れる方向を第1端子から第2端子の方向に制限するように電流方向制限部を制御している。これにより、整流電圧が基準電圧より高くなって最大値まで増加している間、整流電圧で第1の容量素子を充電できる。また、その後、整流電圧が低下してLED素子に流れる電流が所定値未満になった時、電流が流れる方向の制限を解除するように電流方向制限部を制御している。これにより、整流電圧が最大値から低下しても、LED素子の電流が減少するまでは、電流方向制限部は電流が流れる方向を制限しているので、第1の容量素子の充電電圧はほぼ整流電圧の最大値を保持できる。そして、LED素子の電流が減少したタイミングで、低下した整流電圧よりも高い充電電圧を、第1の容量素子からLED素子に供給できる。従って、LED素子の電流が減少したタイミングで、充電電圧によってその電流を所定値以上に戻して、LED素子を点灯させ続けることができる。このように、第1の容量素子に充電された電荷を必要なタイミングまで放電しないようにしているため、小容量の第1の容量素子でもLED素子に効率的に電荷を供給できる。すなわち、スイッチング電源および大容量のコンデンサを用いることなく、フリッカを減少させることができるか無くすことができる。以下、本発明に係る各実施例について図面に基づいて説明する。図1は、本発明の実施例1に係るLED点灯装置の概略的な構成を示すブロック図である。図1に示すように、LED点灯装置は、第1の整流素子B1と、LED素子11と、電流制御部12と、電流方向制限部13と、制御部14と、第1の容量素子C1と、抵抗放電抵抗R1と、ダイオード第3の整流素子D2と、を備える。LED点灯装置は、例えば、照明用や情報表示用等のLED電球である。第1の整流素子B1は、4つのダイオードで構成されたブリッジダイオードであり、交流電源から供給された交流電圧を全波整流して第1端子T1及び第2端子T2間から整流電圧Vrを出力する。ダイオードD2のアノードは、第1端子T1に接続されている。LED素子11のアノードは、ダイオードD2のカソードに接続されている。つまり、LED素子11は、ダイオードD2を介して第1の整流素子B1の第1端子T1にアノード一端が接続され、整流電圧Vrが供給される。ダイオードD2は、安定動作のために用いられる。電流制御部12は、LED素子11のカソード他端と第1の整流素子B1の第2端子T2との間に接続され、LED素子11に流れる電流を制御する。第1の容量素子C1は、第1端子T1と第2端子T2との間に接続されている。本実施例では、第1の容量素子C1の一端は、ダイオードD2のカソードに接続されている。つまり、第1の容量素子C1の一端は、ダイオードD2を介して第1端子T1に接続されている。抵抗R1は、第1の容量素子C1の両端に並列接続されている。抵抗R1は、交流電源がオフ時に第1の容量素子C1の電荷を放電させるためのものであり、例えば、数MΩの抵抗値を有している。電流方向制限部13は、第1端子T1と第2端子T2との間で第1の容量素子C1に直列接続されている。本実施例では、電流方向制限部13は、第1の容量素子C1の他端と第2端子T2との間に接続されている。電流方向制限部13は、電流が流れる方向を、第1端子T1から第2端子T2の方向即ち、第1端子T1から第1の容量素子C1及び電流方向制限部13を介して第2端子T2に向かう方向に制限可能に構成されている。本実施例では、電流方向制限部13は、ダイオード第2の整流素子D1と、スイッチ素子SW1と、を有する。ダイオードD1は、第1端子T1と第2端子T2との間で第1の容量素子C1に直列接続され、第1端子T1から第2端子T2の向きに電流を流す。本実施例では、ダイオードD1は、第1の容量素子C1の他端にアノードが接続され、第2端子T2にカソードが接続されている。スイッチ素子SW1は、ダイオードD1に並列接続されている。本実施例では、スイッチ素子SW1は、ダイオードD1のカソードに一端が接続され、ダイオードD1のアノードに他端が接続されている。制御部14は、電流方向制限部13を制御する。具体的には、制御部14は、整流電圧Vrが予め定めた基準電圧より高くなった時、即ち第1条件になった時に、電流が流れる方向を第1端子T1から第2端子T2の方向に制限するように電流方向制限部13を制御する。また、制御部14は、その後、LED素子11に流れる電流が所定値未満になった時、即ち第2条件になった時に、電流が流れる方向の制限を解除するように電流方向制限部13を制御する。より具体的には、制御部14は、第1条件になった時にスイッチ素子SW1をオフに制御し、第2条件になった時にスイッチ素子SW1をオンに制御する。基準電圧は、LED素子11に流れる電流が所定値未満になる時の整流電圧Vrより高い。次に、図2を参照して、図1のLED点灯装置の具体的な回路構成の一例について説明する。図2は、本発明の実施例1に係るLED点灯装置の回路図である。図2に示すように、LED素子11は、直列接続されたNNは正の整数個のLEDLED1~LEDNで構成されている。なお、1番目のLEDLED1のアノードをLED素子11のアノードと称し、N番目のLEDLEDNのカソードをLED素子11のカソードと称する。電流制御部12は、N型MOSトランジスタ電流制御トランジスタQ1と、電流検出抵抗R2と、抵抗第1抵抗R3と、ツェナーダイオード基準電圧生成素子ZD1と、を有する。N型MOSトランジスタQ1は、LED素子11のカソード他端にドレイン一端が接続されている。電流検出抵抗R2は、N型MOSトランジスタQ1のソース他端と第2端子T2との間に接続されている。抵抗R3は、LED素子11のアノードに一端が接続されている。つまり、抵抗R3の一端は、ダイオードD2のカソードに接続されている。ツェナーダイオードZD1は、抵抗R3の他端にカソード一端が接続され、第2端子T2にアノード他端が接続され、そのカソード及びアノード間に基準電圧を生成する。ツェナーダイオードZD1のカソードは、N型MOSトランジスタQ1のゲート制御端子にも接続されている。抵抗R3と、ツェナーダイオードZD1は、基準電圧回路として機能する。つまり、基準電圧回路は、N型MOSトランジスタQ1のゲートに基準電圧を供給する。電流方向制限部13のスイッチ素子SW1は、P型MOSトランジスタQ5から構成されている。P型MOSトランジスタQ5は、ダイオードD1のカソードおよび第2端子T2にソースが接続され、ダイオードD1のアノードおよび第1の容量素子C1の他端にドレインが接続されている。ダイオードD1は、P型MOSトランジスタQ5のボディダイオードから構成されている制御部14は、セット信号生成回路21と、リセット信号生成回路22と、セットリセット回路23と、を有する。セット信号生成回路21は、電流検出抵抗R2の両端の電圧に基づいて、LED素子11に流れる電流が所定値未満になった時にセット信号Sを生成する。リセット信号生成回路22は、整流電圧Vrが基準電圧より高い期間にリセット信号Rを生成する。セットリセット回路23は、セット信号Sが入力された時にスイッチ素子SW1をオンに制御して、リセット信号Rが入力された時にセット信号Sに拘らずスイッチ素子SW1をオフに制御する。セット信号生成回路21は、ダイオード第4の整流素子D3と、第2の容量素子C2と、PNP型トランジスタQ2と、抵抗R4,R5と、を含む。ダイオードD3は、N型MOSトランジスタQ1のソース及び抵抗R2の接続点にアノードが接続されている。第2の容量素子C2は、ダイオードD3のカソードと第2端子T2との間に接続されている。PNP型トランジスタQ2は、N型MOSトランジスタQ1のソースに抵抗R4を介してベースが接続され、ダイオードD3のカソードにエミッタが接続され、コレクタから抵抗R5を介してセット信号Sを出力する。リセット信号生成回路22は、抵抗R6と、抵抗R7と、抵抗第5抵抗R8と、ツェナーダイオード電圧検出素子ZD2と、を含む。抵抗R6は、第1端子T1に一端が接続されている。抵抗R7は、抵抗R6の他端と第2端子T2との間に接続されている。抵抗R6と抵抗R7は、分圧回路として機能する。つまり、この分圧回路は、第1端子T1と第2端子T2との間に接続され、整流電圧Vrを分圧するように構成されている。ツェナーダイオードZD2は、分圧回路で分圧された電圧がカソード一端に供給され、整流電圧Vrが基準電圧より高い期間に導通してリセット信号Rをアノード他端から出力するように、ツェナー電圧が設定されている。抵抗R8は、ツェナーダイオードZD2のアノードと第2端子T2との間に接続されている。セットリセット回路23は、NPN型トランジスタ第1のNPN型トランジスタQ3と、NPN型トランジスタ第2のNPN型トランジスタQ4と、サイリスタTH1と、抵抗第2抵抗R9と、抵抗第3抵抗R10と、抵抗第4抵抗R11と、第3の容量素子C3と、ダイオード第5の整流素子D4と、を含む。サイリスタTH1は、抵抗R9を介してダイオードD3のカソードにアノードが接続され、セット信号Sが制御端子に供給される。つまり、抵抗R9は、ダイオードD3のカソードと、サイリスタTH1のアノードとの間に接続されている。NPN型トランジスタQ3は、リセット信号Rがベースに供給され、サイリスタTH1のアノードにコレクタが接続され、第2端子T2にエミッタが接続されている。抵抗R10は、サイリスタTH1のカソードと第2端子T2との間に接続されている。NPN型トランジスタQ4は、サイリスタTH1のカソードにベースが接続され、第2端子T2にエミッタが接続され、抵抗R11を介してダイオードD3のカソードにコレクタが接続されている。つまり、抵抗R11は、ダイオードD3のカソードと、NPN型トランジスタQ4のコレクタとの間に接続されている。第3の容量素子C3は、NPN型トランジスタQ4のコレクタに一端が接続されている。ダイオードD4は、第3の容量素子C3の他端およびP型MOSトランジスタQ5のゲートにアノードが接続され、第2端子T2にカソードが接続されている。抵抗R10と、抵抗R11と、NPN型トランジスタQ4と、第3の容量素子C3と、ダイオードD4とは、スイッチ素子制御回路として機能する。スイッチ素子制御回路は、サイリスタTH1のアノード及びカソード間が導通状態の時にP型MOSトランジスタQ5スイッチ素子SW1をオンに制御して、非導通状態の時にスイッチ素子SW1をオフに制御するように構成されている。次に、図3の波形図を参照して、LED点灯装置の動作を説明する。図3は、本発明の実施例1に係るLED点灯装置の波形図である。この波形図は、第1の容量素子C1が約1.47μF、交流電圧の周波数が約50Hz、交流電圧の実効値が約100Vの場合のものである。また、LED素子11に流れる一定電流は、約20mAである。以下、図3における時刻t1からt6の交流電圧の半周期について説明する。まず、図3の時刻t1からt2において、交流電圧の増加に伴って整流電圧Vr図示せず及びV点の電圧が増加する。V点は、ダイオードD2のカソードと、抵抗R3及びLED素子11等と、の接続点である。時刻t1からt5においては、V点の電圧は、整流電圧VrからダイオードD2の順方向電圧を減算した値となる。後述するように、この時刻t1からt2の期間では、制御部14はP型MOSトランジスタQ5をオンに制御している。時刻t2において、整流電圧Vrが基準電圧より高くなった時に、制御部14はP型MOSトランジスタQ5をオフに制御する。時刻t2から時刻t3までの整流電圧Vrが最大値まで増加している間、ダイオードD1を介して第1端子T1から第2端子T2の方向に電流が流れるので、整流電圧Vrで第1の容量素子C1を充電できる。この時の制御部14の回路レベルの動作を説明する。整流電圧Vrが基準電圧より高くなると、整流電圧Vrが抵抗R6,R7で分圧された電圧は、ツェナーダイオードZD2のツェナー電圧より高くなる。従って、ツェナーダイオードZD2は導通して、ハイレベル例えば0.5Vのリセット信号Rを生成する。これにより、NPN型トランジスタQ3がオンして、抵抗R9を介して第2の容量素子C2の電荷が放電される。また、サイリスタTH1のアノードと第2端子T2との間の電圧VA-Gは、例えば、約0.2Vになると共に、サイリスタTH1のアノード及びカソード間は非導通状態になる。これにより、NPN型トランジスタQ4のベース電圧は抵抗R10を介して第2端子T2の電圧とほぼ等しくなるので、NPN型トランジスタQ4はオフする。すると、P型MOSトランジスタQ5のゲートソース間電圧は、ダイオードD4の順方向電圧例えば、0.6Vとなり、P型MOSトランジスタQ5はオフする。時刻t3において整流電圧Vrが最大値に達した時、即ちV点の電圧が最大値例えば、140Vに達した時、第1の容量素子C1の充電電圧Vcも最大値に達する。つまり、第1の容量素子C1はピーク充電される。この時の充電電圧Vcの最大値は、整流電圧Vrの最大値からダイオードD1とダイオードD2の順方向電圧を減算した値にほぼ等しくなっている。時刻t3以降、時刻t5まで、交流電圧の減少に伴って整流電圧Vr及びV点の電圧は減少していく。しかし、P型MOSトランジスタQ5がオフしていると共にダイオードD1が存在することによって、第1の容量素子C1の電荷はLED素子11側に放電されないため、充電電圧Vcはほぼ最大値を維持する。なお、前述のように、抵抗R1は数MΩ例えば、3MΩの抵抗値を有するため、交流電圧の半周期程度の期間では、抵抗R1を介しては充電電圧Vcがほとんど低下しないようになっている。このように、時刻t3以降、時刻t5までは、第1の容量素子C1の充電電圧Vcは維持されるため、V点の電圧の減少に応じて、P型MOSトランジスタQ5のドレインソース間電圧VDSは負電圧になり、その絶対値は増加していく。時刻t4において、整流電圧Vrが低下して基準電圧以下になると、ツェナーダイオードZD2は非導通となる。これにより、抵抗R8によってリセット信号Rはローレベル例えば0Vになる。よって、NPN型トランジスタQ3はオフする。従って、LED素子11を流れる電流で抵抗R2に生じる電圧によって、ダイオードD3を介して第2の容量素子C2が充電される。このとき、サイリスタTH1の電圧VA-Gは、例えば、約6Vになる。このように、リセット信号Rがハイレベルとなっている期間、即ちリセット信号Rが生成されている期間は、時刻t2から時刻t4までである。時刻t5において、整流電圧Vrが更に低下してLED素子11が点灯するために必要な電圧未満となると、LED素子11に流れる電流が所定値未満になる。この時、制御部14はP型MOSトランジスタQ5をオンに制御する。これにより、低下した整流電圧Vrよりも高い充電電圧Vcを、第1の容量素子C1からLED素子11に、オンしたP型MOSトランジスタQ5を介して供給できる。即ち、V点の電圧は、充電電圧Vcによって上昇する。従って、LED素子11の電流が減少したタイミングで、充電電圧Vcによってその電流を所定値以上に戻して、LED素子11を点灯させ続けることができる。即ち、LED素子11が消灯する期間が無くなる。この時の制御部14の回路レベルの動作を説明する。LED素子11に流れる電流が所定値未満になると、抵抗R2の両端の電圧が低下して、PNP型トランジスタQ2のベース電圧が低下する。一方、PNP型トランジスタQ2のエミッタ電圧は、第2の容量素子C2に充電された電圧によってベース電圧より高くなる。従って、PNP型トランジスタQ2がオンして、セット信号Sは第2の容量素子C2に充電された電圧とほぼ等しくなる例えば、約6V。これにより、サイリスタTH1のアノード及びカソード間が導通する。すると、NPN型トランジスタQ4は、ベース電圧が高くなるので、オンする。よって、第3の容量素子C3の正電荷が蓄えられている一端が、オンしたNPN型トランジスタQ4を介して第2端子T2に電気的に接続される。従って、この第3の容量素子C3の負電荷が蓄えられている他端に接続されているP型MOSトランジスタQ5のゲート電圧は、第2端子T2の電圧、即ちP型MOSトランジスタQ5のソース電圧より低下する。即ち、図3に示すように、P型MOSトランジスタQ5のゲートソース間電圧VGSは負電圧例えば-6Vとなり、P型MOSトランジスタQ5はオンする。このとき、サイリスタTH1の電圧VA-Gは、例えば、約1.4Vになる。時刻t5以降、充電電圧VcによってLED素子11が点灯するため、時間の経過に伴って充電電圧Vcは低下していく。即ち、V点の電圧も低下していく。これに対して、交流電圧の絶対値が減少から増加に転じた後、時刻t6において、整流電圧VrはV点の電圧充電電圧Vcより高くなる。よって、前述した時刻t1と同様の状態となる。これにより、整流電圧Vrが最大値まで増加している間、整流電圧VrによってLED素子11が点灯すると共に、整流電圧Vrで第1の容量素子C1を充電できる。時刻t6以降、以上の時刻t1からt6までと同様に動作する。このようにして、フリッカが無くなる。このように、時刻t1からt6までの交流電圧の半周期においては、時刻t2からt5までの期間に、P型MOSトランジスタQ5はオフしていて、それ以外の期間に、P型MOSトランジスタQ5はオンしている。なお、充電電圧Vcは、第1の容量素子C1からLED素子11に、オンしたP型MOSトランジスタQ5を介して供給されるので、P型MOSトランジスタQ5のソースドレイン間には、充電電圧VcからLED素子11の順方向電圧等を減算した電圧が加えられる。従って、P型MOSトランジスタQ5の耐圧は、充電電圧Vcの最大値より低くてよい。一例として、交流電圧の実効値が約100Vである場合には、耐圧は100V程度でよい。次に、図5の従来のLED点灯装置と比較して、実施例1のLED点灯装置の効果について説明する。なお、図5の従来のLED点灯装置は、図2の実施例1のLED点灯装置から、電流方向制限部13、制御部14、ダイオードD2、第1の容量素子C1および抵抗R1を除いた構成を有している。図3を用いて説明したように、実施例1のLED点灯装置では、例えば、第1の容量素子C1が1.47μF程度で、日本の家庭用の商用交流の電圧及び周波数において、LED素子11に電流を連続的に流すことができる。つまり、LED素子11は連続的に点灯するので、フリッカを無くすことができる。これに対して、図6に示すように、従来のLED点灯装置では、例えば、第1の容量素子C1が1.47μF程度では、日本の家庭用の商用交流の電圧及び周波数において、LED素子11に電流を連続的に流すことができない。つまり、LED素子11は点灯と消灯を繰り返すので、フリッカを無くすことができない。即ち、実施例1のLED点灯装置では、従来のLED点灯装置と比較して、交流電圧の周波数及び実効値が等しい条件であれば、小容量値の第1の容量素子C1でフリッカを無くすことができる。換言すると、実施例1のLED点灯装置では、第1の容量素子C1が小容量の条件で、従来のLED点灯装置よりも低電圧でLED素子11に電流が連続的に流れる。このように、本実施例によれば、供給された交流電圧を整流する第1の整流素子B1の第1端子T1と第2端子T2との間に第1の容量素子C1及び電流方向制限部13を直列接続している。その上で、第1の整流素子B1からの整流電圧Vrが基準電圧より高くなった時に、電流が流れる方向を第1端子T1から第2端子T2の方向に制限するように電流方向制限部13を制御している。これにより、整流電圧Vrが基準電圧より高くなって最大値まで増加している間、整流電圧Vrで第1の容量素子C1を充電できる。また、その後、整流電圧Vrが低下してLED素子11に流れる電流が所定値未満になった時に、電流が流れる方向の制限を解除するように電流方向制限部13を制御している。これにより、整流電圧Vrが最大値から低下しても、LED素子11の電流が減少するまでは、電流方向制限部13は電流が流れる方向を制限しているので、第1の容量素子C1の充電電圧Vcはほぼ整流電圧Vrの最大値を保持できる。そして、LED素子11の電流が減少したタイミングで、低下した整流電圧Vrよりも高い充電電圧Vcを、第1の容量素子C1からLED素子11に供給できる。従って、LED素子11の電流が減少したタイミングで、充電電圧Vcによってその電流を所定値以上に戻して、LED素子11を点灯させ続けることができる。このように、第1の容量素子C1に充電された電荷を必要なタイミングまで放電しないようにしているため、小容量の第1の容量素子C1でもLED素子11に効率的に電荷を供給できる。すなわち、スイッチング電源および大容量のコンデンサを用いることなく、フリッカを減少させることができる。さらには、第1の容量素子C1の容量値を調整すれば、フリッカを無くすこともできる。また、第1の容量素子C1は、充放電できればよく、且つ、小容量でよいため、寿命の短い電解コンデンサを用いる必要がない。例えば、電解コンデンサよりも寿命が長いセラミックコンデンサを用いることができる。従って、従来のLED点灯装置よりも高温で動作可能となると共に、LED点灯装置の寿命を長くすることもできる。このような効果は、LED点灯装置をLED電球として用いる場合に、特に有用である。さらに、本実施例のLED点灯装置では、部品数が比較的少ない。また、高価格な高耐圧例えば140V以上のN型MOSトランジスタを用いていない。つまり、P型MOSトランジスタQ5以外は、耐圧が15V程度であり、定格電流が50mA程度のトランジスタを用いることができる。これらのことにより、LED点灯装置を低価格で構成できる。さらには、制御部14を集積回路化することも容易であり、その際、高耐圧プロセスを用いることなく、安価な汎用のプロセスを用いることができる。実施例2では、電流方向制限部13の接続位置が実施例1と異なっている。図4は、本発明の実施例2に係るLED点灯装置の概略的な構成を示すブロック図である。図4に示すように、LED点灯装置において、電流方向制限部13は、ダイオードD2のカソードと第1の容量素子C1の一端との間に接続され、第1の容量素子C1の他端は第2端子T2に接続されている。実施例1と同様に、電流方向制限部13は、電流が流れる方向を第1端子T1から第2端子T2の方向に制限可能に構成されている。電流方向制限部13の具体的な構成は以下のようになっている。ダイオードD1は、ダイオードD2のカソードにアノードが接続され、第1の容量素子C1の一端にカソードが接続されている。スイッチ素子SW1は、ダイオードD1のアノードに一端が接続され、ダイオードD1のカソードに他端が接続されている。スイッチ素子SW1は、例えば、P型MOSトランジスタで構成することができる。その他の回路構成は、図1の実施例1と同一であるため、同一の要素に同一の符号を付して説明を省略する。また、動作も実施例1と同様であるため、説明を省略する。このような構成の実施例2によっても、実施例1と同様の効果が得られる。以上、本発明の実施例を詳述してきたが、具体的な構成は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々に変形して実施することができる。例えば、各実施例において、ダイオードD2を用いなくてもよい。この場合、LED素子11は、第1の整流素子B1の第1端子T1にアノードが直接接続される。また、実施例1において、スイッチ素子SW1をN型MOSトランジスタで構成してもよい。"