"回路基板上に複数の半導体発光素子をフリップチップ実装し、該複数の半導体発光素子を回路基板上に設けた接続電極により直列接続する半導体発光装置において、前記回路基板の裏面側に放熱用電極を備え、前記接続電極と前記放熱用電極とが導電性を有するビアで接続することを特徴とする半導体発光装置。複数の前記半導体発光素子は並列接続した半導体発光素子群を含み、前記半導体発光素子群同士又は前記半導体発光素子と他の前記半導体発光素子群とが前記接続電極により直列接続することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。前記ビアは1つの接続電極に複数個設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光装置。前記回路基板は、その上面に電源電極、裏面に電力を供給する電源端子電極を備え、前記電源電極と前記電源端子電極とが前記ビアにより接続していることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体発光装置。上記特許文献1に示すLED発光装置100は、LED101a,bの底面全体を導体パターン102c,102dに密着させ、サーマルビア104を介して回路基板102の裏面側に設けた金属板材103からマザー基板に強力に放熱することができる。しかしながらサファイア基板等の絶縁基板上に半導体層を積層した構造をとるLED101a,bは、絶縁基板の熱伝導性が低いことから半導体層が発生する熱を効率良く導体パターン102c,102dに伝えることができない。これに対し半導体層が突起電極などの接続部材を介して直接的に回路基板上の電極と接続するフリップチップ実装方式は、半導体層の発する熱を効率よく回路基板に伝えられることが知られている。ところが特許文献2に示すLED発光装置200のLED201a、201bは発熱量の多いP電極より正確にはP電極と接続する半導体層が接続電極202e、202f、回路基板202を介して放熱することから、回路基板202は熱伝導性の高い金属やセラミクスを選ばざるを得ず、基板材料として樹脂等の熱伝導率の低い材料が使えないという課題がある。そこで本発明の目的は、上記問題点を解決しようとするものであり、回路基板上でフリップチップ実装したLEDを直列接続しても各LEDの放熱特性が良好であるため強力な発光が得られながら、回路基板用の材料に対する選択範囲が広いLED発光装置を提供することである。上記目的を達成するための本発明におけるLED発光装置は、回路基板上に複数の半導体発光素子をフリップチップ実装し、該複数の半導体発光素子を回路基板上に設けた接続電極により直列接続する半導体発光装置において、前記回路基板の裏面側に放熱用電極を備え、前記接続電極と前記放熱用電極とが導電性を有するビアで接続することを特徴とする。上記構成によれば、直列接続用の接続電極に接続するP電極から伝わってくる熱が、電気伝導性を有するため熱伝導性も高くなっているビアを介して回路基板裏面の放熱用電極に達する。放熱用電極はマザー基板に準備しておく放熱用ダミー電極と接続するものであり、放熱用電極に達した熱は放熱用ダミー電極を通じてマザー基板に放出される。なおこの放熱用ダミー電極は電気的にはフローティングである。複数の前記半導体発光素子は並列接続した半導体発光素子群を含み、複数の半導体発光素子群同士又は前記半導体発光素子と他の前記半導体発光素子群とが前記接続電極により直列接続していても良い。前記ビアは1つの接続電極に複数個設けられていると良い。前記回路基板は、その上面に電源電極、裏面に電力を供給する電源端子電極を備え、前記電源電極と前記電源端子電極とが前記ビアにより接続していると良い。上記の如く、本発明のLED発光装置は、直列接続用の接続電極に接続するP電極から伝わってくる熱が、電気伝導性を有するため熱伝導性も高くなっているビアを介して回路基板裏面の放熱用電極に容易に達し、効率よくマザー基板に放出する。すなわち本発明のLED発光装置は各LEDを直列接続させる接続電極に電気的伝導性のあるビア及び放熱用電極を設けることによって放熱特性を改善し強力発光が得られるようにできるとともに、主たる熱伝導経路をビアとしたため回路基板の材料として熱伝導率の低いものが使えるようになるため材料選択幅が広がる。以下図面により、本発明の実施形態を説明する。図1は本発明の第1実施形態におけるLED発光装置の樹脂封止前の平面図、図2は図1に示す回路基板の裏面図、図3は図1に示す平面図に樹脂封止を行った完成LED発光装置のA-A断面図、図4は図3に示すLED発光装置をマザー基板に実装した断面図であり、基本的構成は図12に示すLED発光装置200と同じであり、LED発光装置200と同一部材には同一名称を付している。第1実施形態におけるLED発光装置の説明以下図1~4で本発明の第1実施形態におけるLED発光装置の構成及びマザー基板への実装状況を説明する。図1示すようにLED発光装置10に含まれる回路基板2の上面側には、2個の電源電極2a、2b、2個の接続電極2e、2f、ビア4a~d、3個のLED1a、1b、1cがある。ビア4a~dはそれぞれ電源電極2a、2b、接続電極2e,2fが占める領域内で且つLED1a~cとは重ならない領域にある。LED1a~cは回路基板2に対しフリップチップ実装されている。LED1a~cのP電極は、それぞれ電源電極2a、接続電極2e,2fと接続している。これに対しLED1a~cのN電極は、それぞれ接続電極2e,2f、電源電極2bと接続している。各LED1a~cの平面形状は矩形であり、この矩形のひとつの角部にN電極が存在し、そのN電を囲むように大きなL字形状のP電極が設けられている。電源電極2aは、LED1aのP電極を取り囲むようにして広い面積を占めながら、LED1aのN電極と絶縁させるため切り欠いた部分がある。接続電極2eは、LED1bのP電極を取り囲むようにして広い面積を占めながら、LED1bのN電極と絶縁させるため切り欠いた部分があるのに加え、LED1aのN電極と接続するための凸部がある。接続電極2fは接続電極2eと同じ形状である。電源電極2bは長方形の領域にLED1cのN電極と接続するための凸部がある。なおビア4a,4c,4dは複数個である一方、ビア4bは単個である。大きな面積をもつLED1a~cのP電極はメッキ法によって形成されるため、平面形状を任意に設計できる。そこでP電極は、放熱特性を向上させるため発光層とほぼ重なり合うようしたうえでN電極周辺部を避けるようにした。これに呼応してP電極と接続する電源電極2aと2個の接続電極2e、2fは放熱特性を向上させるために大きな面積を有している。さらに電源電極2a、接続電極2e、2fは回路基板2の裏面側に放熱するためのビア4a、4c、4dを複数個有している。なおビア4a~dは電気伝導性があるので熱伝導性も良いが、さらに熱伝導性を向上させるためにはビア中に銅等の金属ペーストを充填すると良い。図2は図1に示す回路基板2の裏面図であり、回路基板2の上面側の2個の電源電極2a、2bに対応する位置に電源端子電極3a、3b、2個の接続電極2e、2fに対応する位置に放熱用電極3c、3dがある。各々の電極3a~dは大きな面積であるが、マザー基板の実装性以外に、電源端子電極3a、放熱用電極3c、3dは放熱性にも配慮している。電源電極2aと電源端子電極3a、電源電極2bと電源端子電極3b、接続電極2eと放熱用電極3c、接続電極2fと放熱用電極3dはそれぞれビア4a、4b、4c、4dによって接続している。なお参考のためLED1a~cを点線で示した。図3は図1のA-A断面図である。先ず回路基板2から説明する。図1、図2で説明した如くLED発光装置10の回路基板2の上面側には2個の電源電極2a、2bと2個の接続電極2e、2fがあり、裏面側には電源電極2a、2bに対応する位置に電源端子電極3a、3b、2個の接続電極2e、2fに対応する位置に放熱用電極3c、3dがある。電源電極2aと電源端子電極3a、電源電極2bと電源端子電極3b、接続電極2eと放熱用電極3c、接続電極2fと放熱用電極3dはビア4a、4b、4c、4dによって接続している。次にLED1a~cに係わる事項を説明する。回路基板2の上面側においてLED1aは、P電極が電源電極2aに、N電極が接続電極2eに接続するようにしてフリップチップ実装されている。同様にLED1bは、P電極が接続電極2eに、N電極が接続電極2fに接続するようフリップチップ実装され、さらにLED1cは、P電極が接続電極2fに、N電極が電源電極2bに接続するようフリップチップ実装されている。なお封止樹脂6は透明樹脂または蛍光樹脂からなる保護樹脂層である。以上のように3個のLED1a、1b、1cは電源端子電極3a、電源電極2a、接続電極2e、2f、電源電極2b、電源端子電極3bを通じて直列接続する。次に図1から図3により上記LED発光装置10の動作を説明する。基本的な動作は図12に示すLED発光装置200と同じである。電源端子電極3aから電源端子電極3bに向かって図示しない電源装置から電流を供給すると、直列接続されたLED1a、1b、1cは電源電極2a、接続電極2e、2f、電源電極2bを通して電流が流れ発光と同時に発熱する。次にLED発光装置10と図12に示す従来のLED発光装置200との違いを説明する。図12に対し図3は、LED発光装置10において回路基板2の上面側に設けた接続電極2e、2fに対応するように回路基板2の裏面側に放熱用電極3c、3dを設けたことと、接続電極2eと放熱用電極3c並びに接続電極2fと放熱用電極3dとをそれぞれビア4c、4dによって接続していることが相違している。この場合、放熱用電極3c、3dは電源電極2a、2bや電源端子電極3a、3bとは電気的に絶縁されている必要がある。次に上記構成におけるLED発光装置10の放熱に係わる動作を説明する。LED1aはP電極側から流出する熱を電源電極2a、ビア4a、電源端子電極3aを通して回路基板2の裏面側の電源端子電極3aに伝え、マザー基板図4参照側に放出する。N電極側から流出する熱はもともと小さいが、接続電極2e、ビア4c、放熱用電極3cを通して回路基板2の裏面から放出する。同様にLED1bはP電極側から流出する熱を接続電極2e、ビア4c、放熱用電極3cを通して回路基板2の裏面側の放熱用電極3cに伝え、マザー基板側に放出する。LED1bのN電極側から流出する熱は、接続電極2f、ビア4d、放熱用電極3dを通してマザー基板に放熱する。さらにLED1cは、P電極側から流出する熱を接続電極2f、ビア4d、放熱用電極3dを通してマザー基板側に放出する。N電極側から流出する熱は、電源電極2b、ビア4b、電源端子電極3bを通してマザー基板側に放熱する。すなわち、フリップチップ実装したLED1a、1b、1cは、P電極からビア4a,4c,4dを経て回路基板2の裏面側の電極3a、3c、3dに至るまで低い熱抵抗で接続しているため、マザー基板に効率的に放熱できる。図4においてLED発光装置10をマザー基板40に実装した状況を説明する。図4は図3に示すLED発光装置10をマザー基板40に実装した状態の断面図である。マザー基板40の上面には電源供給電極40a電極,40b-電極と放熱用ダミー電極40c、40dが設けられている。LED発光装置10の電源端子電極3a、3bはマザー基板40の電源供給電極40a、40bに、LED発光装置10の放熱用電極3c、3dはマザー基板40の放熱用ダミー電極40c、40dに接続している。LED発光装置10の動作時には、電源供給電極40aからLED発光装置10に電流が流れ込み、LED発光装置10から電源供給電極40bに電流が流れ出す。放熱用ダミー電極40c、40dは電気的にはフローティングであり熱伝導のみに寄与する。次にLED発光素子10とマザー基板40との間の放熱過程を説明する。LED発光装置10の電源端子電極3aに達した熱は電源供給電極40aを介してマザー基板40に伝えられる。放熱用電極3c、3dに達した熱も同様に放熱用ダミー電極40c、40dを通じてマザー基板40に伝わる。放熱効果は小さいが電源端子電極3bに達した熱も電源供給電極40bを通じてマザー基板40に伝達される。マザー基板40は大型であるため熱容量が大きく、ヒートシンクとして機能し、ときには放熱部材を備えることもある。また放熱効率を上げるためには、電源供給電極40a、40bや放熱用ダミー電極40c、40dの面積を大きくすることが好ましい。第2実施形態におけるLED発光装置の説明第1実施形態ではLED発光装置10に含まれる複数のLED1a~cが単純に直列接続していた。しかしながら本発明のLED素子は、複数のLEDの一部が並列接続したLED群を構成し、このLED群同士又は一個のLEDと他のLED群とが接続電極により直列接続してもよい。そこでこの場合に対応するLED発光装置として、図5、図6により本発明の第2実施形態を説明する。図5はLED発光装置20を構成する回路基板22の上面側の平面図、図6は回路基板22の裏面図であり、図1に示すLED発光装置10と基本的構成は同じなので同一部材には同一名称を付し重複する説明は省略する。なお図5は水平方向の中心線図示せずについて対称になっており、図の上側が図1にほぼ等しい。図5のLED発光装置20と図1に示すLED発光装置10との間の注視すべき構成上の差違は、図5において回路基板22が図1の回路基板2の約2倍の面積を有し、実装するLED1a~fの数も図1に示すLED発光装置10の2倍6個となっているところである。この結果、図1に示す電源電極2a、2b、接続電極2e、2fに対し、図5では電源電極22a、22b、接続電極22e、22fが図の縦方向において2倍の長さとなっている。同様に図6に示す回路基板22の裏面側の電源端子電極23a、23b、放熱用電極23c、23dのいずれも、図1に示したLED発光装置10における電源端子電極3a、3b、放熱用電極3c、3dの約2倍の長さになっている。回路基板22の上面側の電極22a,22b,22e,22fと裏面側の電極23a,23b,23c,23dは、それぞれLED発光装置10におけるビア4a~dの2倍の個数を有するビア群24a~dで接続している。また各LED1a~fの実装構成は、図4のA-A断面図およびB-B断面図が図3に示すLED発光装置10の断面図と同じになるので図示は省略した。すなわち、LED発光装置20は図5に示す如く、LED1aとLED1dが並列接続、同様にLED1bとLED1eが並列接続、さらにLED1cとLED1fが並列接続しており、この3組の並列接続グループ半導体発光素子群が直列に接続している。そして各LED1a~fのP電極およびN電極はいずれも個数を多くしたサーマルビア群24aから24dを通して回路基板22の裏面側に設けられた電源端子電極23a、23b及び放熱用電極23c、23dと低い熱抵抗で接続する。また、図5、図6に示すLED発光装置20は並列接続グループに含まれるLEDの個数が2であった。しかしながらこの個数は2に限られず、回路基板を大きくして電源電極および接続電極の長さを長くすれば、LEDの並列個数を増加させることが出来る。また接続電極の数を多くすれば直列接続される並列接続グループの数を増加させることもできる。つまり必要に応じて並列接続グループに含まれるLEDの数を変えたり、直列段数を調整したりできる。また各並列接続グループに含まれるLEDの数は異なって良く、たとえば一個のLEDと並列接続グループが直列接続しても良い。一個のLEDが赤色LEDであり、並列接続グループを構成するLEDが青色LEDであるような場合に有効である。第3実施形態におけるLED発光装置の説明第1実施形態におけるLED発光装置10及び第2実施形態におけるLED発光装置20においては、図1及び図5に示すようにビア4a~d、ビア群24a~dは平面的にLED1a~fと重なることがないようにしていた。しかしながらビアの数が多い方が放熱効率が向上するのでビアをLED1a~fと重なる位置に配置しても良い。そこでこのようなLED発光装置として図7から図9により本発明の第3実施形態を説明する。図7は本発明の第3実施形態におけるLED発光装置30の樹脂封止前の平面図、図8は図7に示す回路基板の裏面図、図9は図7に示す平面図に樹脂封止を行った完成LED発光装置30のA-A断面図である。LED発光装置30の基本的構成は図1から図3に示す第1実施形態におけるLED発光装置10と同じであり、図7から図9においてLED発光装置10と同一部材には同一名称を付し、重複する説明を省略する。図7から図9における第3実施形態のLED発光装置30の回路基板2、電源電極2a、2b、接続電極2e、2f、電源端子電極3a,3b、及び放熱用電極3c、3dは、すべて第1実施形態のLED発光装置10と同じである。一方、LED発光装置30がLED発光装置10と異なる部分は、LED発光装置30において電源電極2a、接続電極2e、2fに設けたビアの数を多くしたことである。すなわち図7、図8に示す如くLED発光装置30の特徴は、電源電極2aにはLED発光装置10のビア4aに対応する第1のビア群4a1に加え第2のビア群4a2を設け、この第2のビア群4a2に含まれるビアの一部をLED1aの下面にも配置したことである。同様に接続電極2eにも第1のビア群4c1に加え第2のビア群4c2を設け、さらに接続電極2eにも第1のビア群4d1に加え第2のビア群4d2を設けており、図9に示す如く、第2のビア群4a2、4c2、4d2に含まれるビアの一部をLED1a、1b、1cの下面にも配置している。LED発光装置30では、第1実施形態のLED発光装置10において電源電極2aと電源端子電極3aを接続するビア4a及び、接続電極2e、2fと放熱用電極3c、3dとを接続するビア4c、4dに対しの数を各々2倍に増加して、LED1a、1b、1cからさらに強力に放熱できるようにしている。以上の如く、本発明においては回路基板の上面にフリップチップ実装したLEDが接続電極を介して直列接続しているとき、そのLEDの接続電極に対応する回路基板の裏面側に放熱用電極を設け、電気伝導性を有するビアで接続することにより各LEDの放熱性を良くするものである。すなわち、図12に示したように従来から初段のLEDLED201cはアノード用電極電源端子電極203bがスルーホールスルーホール204bを介してのP電極と接続していたので放熱効率はよかった。しかしながら次段以降のLEDLED201b,201aは、P電極が接続する回路基板の電極接続電極202f,202eにスルーホールがなかったため放熱を回路基板の熱伝導に頼らざるを得なかった。これに対し本発明のLED発光装置では、直列接続のためP電極が接続する回路基板の電極接続電極2e,2f等がスルーホールスルーホール4c、4d等で回路基板裏面の放熱用金属パターン放熱用電極3c、3d等と接続し、熱伝導の主要部をスルーホールとしたことが大きな特徴となっている。この構成はLEDに限定されず発熱を伴う半導体素子には全て適用できるものである。"