Ga2O3が1~20mol、残部SnO2及び不可避的不純物からなるスパッタリング用酸化物焼結体ターゲットであって、当該酸化物焼結体ターゲットの相対密度が97以上、バルク抵抗率が1000Ωcm以下であることを特徴とするスパッタリング用酸化物焼結体ターゲット。Zrが2000wtppm以下但し、0wtppmを除く含有することを特徴とする請求項1記載のスパッタリング用酸化物焼結体ターゲット。不純物であるClの含有量が5wtppm以下であることを特徴とする請求項1又は2記載のスパッタリング用酸化物焼結体ターゲット。FPDに使用する透明導電膜、薄膜トランジスタの半導体層、半導体のバッファ層に使用する薄膜を形成するためのターゲットであることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載のスパッタリング用酸化物焼結体ターゲット。酸化物焼結体ターゲットの組織に観察される相において、SnO2相からなるマトリックスの中に、アスペクト比が3~15である、矩形のSnとGaとOからなる化合物相を有することを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載のスパッタリング用酸化物焼結体ターゲット。SnO2相からなるマトリックスに対する、矩形のSnとGaとOからなる化合物相の面積率が、30~70であることを特徴とする請求項5記載のスパッタリング用酸化物焼結体ターゲット。焼結体ターゲット中に、平均粒径が10μm以上のGa2O3の粗大粒子が存在しないことを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載のスパッタリング用酸化物焼結体ターゲット。粒径が1.5μm以下、BET比表面積が4~7m2/gである酸化スズSnO2と粒径が3.0μm以下、BET比表面積が10~20m2/gである酸化ガリウムGa2O3の原料粉末を調整すると共に、これらの粉末を混合し、さらに粉砕した後、1450~1600°Cの温度範囲で焼結することを特徴とするスパッタリング用酸化物焼結体ターゲットの製造方法。請求項1~7記載の酸化物焼結体ターゲットを用いてスパッタリングし、基板上にGTO薄膜を形成することを特徴とする薄膜の形成方法。基板温度を室温以上200°C以下の温度に加熱してスパッタリングし、基板上にアモルファス構造のGTO薄膜を形成することを特徴とする請求項9記載の薄膜の形成方法。請求項1~7記載の酸化物焼結体ターゲットを用いてスパッタリングする際に、スパッタ雰囲気ガス中の酸素濃度を1~6に調節してスパッタリングし、GTO膜の抵抗率及び又はGTO膜の透過率若しくは屈折率を制御することを特徴とする薄膜の形成方法。請求項11記載の薄膜の形成方法により得られた薄膜。本発明は、ガリウムGa、錫Sn、酸素O及び不可避的不純物からなるスパッタリング用酸化物焼結体ターゲットにおいて、焼結体ターゲットの組織を改良し、ノジュールの発生源となる相の形成を最小限に押さえると共に、バルク抵抗値を下げ、高密度で、異常放電を抑制でき、かつDCスパッタリングが可能であるGTOターゲット及びその製造方法並びに前記ターゲットを用いた薄膜の形成方法及び薄膜を提供することを課題とする。上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、GTOターゲットにおいて、ターゲットの組織を改善することが、極めて有効であるとの知見を得た。この知見に基づき、下記の発明を提案する。1Ga2O3が1~20mol、残部SnO2及び不可避的不純物からなるスパッタリング用酸化物焼結体ターゲットであって、当該酸化物焼結体ターゲットの相対密度が97以上、バルク抵抗率が1000Ωcm以下であることを特徴とするスパッタリング用酸化物焼結体ターゲット。2Zrが2000wtppm以下但し、0wtppmを除く含有することを特徴とする上記1記載のスパッタリング用酸化物焼結体ターゲット。3不純物であるClの含有量が5wtppm以下であることを特徴とする上記1又は2記載のスパッタリング用酸化物焼結体ターゲット。4FPDに使用する透明導電膜、薄膜トランジスタの半導体層、半導体のバッファ層に使用する薄膜を形成するためのターゲットであることを特徴とする上記1~3のいずれか一項に記載のスパッタリング用酸化物焼結体ターゲット。5酸化物焼結体ターゲットの組織に観察される相において、SnO2相からなるマトリックスの中に、アスペクト比が3~15である、矩形のSnとGaとOからなる化合物相を有することを特徴とする上記1~3のいずれか一項に記載のスパッタリング用酸化物焼結体ターゲット。6SnO2相からなるマトリックスに対する、矩形のSnとGaとOからなる化合物相の面積率が、30~70であることを特徴とする上記5記載のスパッタリング用酸化物焼結体ターゲット。7焼結体ターゲット中に、平均粒径が10μm以上のGa2O3の粗大粒子が存在しないことを特徴とする上記1~6のいずれか一項に記載のスパッタリング用酸化物焼結体ターゲット。8粒径が1.5μm以下、BET比表面積が4~7m2/gである酸化スズSnO2と粒径が3.0μm以下、BET比表面積が10~20m2/gである酸化ガリウムGa2O3の原料粉末を調整すると共に、これらの粉末を混合し、さらに粉砕した後、1450~1600°Cの温度範囲で焼結することを特徴とするスパッタリング用酸化物焼結体ターゲットの製造方法。9上記1~7記載の酸化物焼結体ターゲットを用いてスパッタリングし、基板上にGTO薄膜を形成することを特徴とする薄膜の形成方法。10基板温度を室温以上200°C以下の温度に加熱してスパッタリングし、基板上にアモルファス構造のGTO薄膜を形成することを特徴とする上記9記載の薄膜の形成方法。11上記1~7記載の酸化物焼結体ターゲットを用いてスパッタリングする際に、スパッタ雰囲気ガス中の酸素濃度を1~6に調節してスパッタリングし、GTO膜の抵抗率及び又はGTO膜の透過率若しくは屈折率を制御することを特徴とする薄膜の形成方法。12上記11記載の薄膜の形成方法により得られた、透過率が550nmで80以上、400nmで68~75であることを特徴とする薄膜。13上記11記載の薄膜の形成方法により得られた、薄膜の屈折率が可視光550nmで2.08以上であることを特徴とする薄膜。上記によって、ガリウムGa、錫Sn、酸素O及び不可避的不純物からなるスパッタリング用酸化物焼結体ターゲットにおいて、焼結体ターゲットの組織を改良し、ノジュールの発生源となる相の形成を最小限に押さえると共に、バルク抵抗値を下げ、高密度で、異常放電を抑制でき、かつDCスパッタリングが可能であるGTOターゲット及びその製造方法並びに前記ターゲットを用いた薄膜の形成方法及び薄膜を提供できるという優れた効果を有する。本発明のスパッタリング用酸化物焼結体ターゲットは、Ga2O3が1~20mol、残部SnO2及び不可避的不純物からなるスパッタリング用酸化物焼結体ターゲットである。問題は、このような成分組成を有するスパッタリングターゲットにおいて、異常放電の原因となるノジュールが発生することである。この異常放電は、スパッタ膜における異物発生の原因となり、膜特性を低下させる原因となる。したがって、GTOターゲットでのこのノジュールの発生原因を究明することが必要であった。本願発明は、導電性ターゲットを得ることを一つの目標にしており、そのためにはバルク抵抗値を下げる必要がある。Ga2O3の粗大粒子が多くなるとバルク抵抗値の増加する傾向にある。本願発明においては、バルク抵抗値が1000Ωcm以下が達成できる。これはDCスパッタリングができる条件でもあり、本願発明の有用性の、大きな特徴の一つである。さらに、安定なスパッタリングを可能とするためには、ターゲットの密度が高い方が望ましく、本願発明においては、相対密度97以上を達成することが可能である。本願発明は、GTO焼結体ターゲットであるが、後述する比較例に示すように、通常は均一な組織の中に、Ga2O3の粗大粒子が存在する。このGa2O3粗大粒子は、原料粉の粒径が大きかったり、BET比表面積が小さかったり、粉砕が不十分であったりすると、その粗大粒子の周囲でSnO2との反応が不十分となり、GaとSnとOの化合物Ga4SnO8を主とする複合酸化物が生成されずにGa2O3粗大粒子が残存する。GTO焼結体ターゲットでは、この残存するGa2O3粗大粒子が、大きな問題となる。図6に、粗大粒子が発生したGTO焼結体の表面を鏡面研磨し、電子顕微鏡500倍で表面を観察したSEM画像を示す。この図6に示すように、中心部分にGa2O3の粗大粒子があり、その周りはSnO2との反応が悪く、ポアが多い組織となっている。すなわち、Ga2O3の周囲は密度が低い、粗い組織となっている。このような粗大粒子が多い場合は、これを起点として、ノジュールの発生原因となり、異常放電が起こり易くなる。GTO焼結体の中で、このようなGa2O3粗大粒子が多く存在すると、全体的にターゲットの密度が低下すると共に、バルク抵抗値が大きくなることは必然と言える。換言すれば、ターゲットの密度を向上させ、バルク抵抗値を低下させることが重要であり、これにより従来技術の問題点を克服できるものと言える。本願発明は、このような観点からなされたもので、酸化物焼結体ターゲットの相対密度が97以上、バルク抵抗率が1000Ωcm以下であることが重要な要件であり、本願発明のGTOスパッタリング用酸化物焼結体ターゲットこれを達成したものである。このように、調節したスパッタリング用酸化物焼結体ターゲットは、ノジュールの発生を抑制し、ノジュールを起点とする異常放電を減少させることが可能となった。これは、最も効果的なノジュール抑制手段である。後述するように、スパッタリング用酸化物焼結体ターゲットを製造する段階で、焼結原料である酸化ガリウムGa2O3及び酸化錫SnO2を水に投入し分散させ、スラリー化させるが、そのスラリーを、湿式媒体攪拌ミルビーズミル等を用いて微粉砕する。この工程で、酸化ジルコニウムZrO2ビーズを用いることが多いが、Zrの混入量が2000wtppm以下であれば、GTOスパッタリング用酸化物焼結体ターゲット特に問題となることはない。また、不純物であるClの含有量が5wtppmを超えると密度が上がらないという現象が起きるので、特に不純物として注意すべきもので、Clの含有量が5wtppm以下とすることが必要である。以上に説明したスパッタリング用酸化物焼結体ターゲットは、FPDに使用する透明導電膜、薄膜トランジスタの半導体層、半導体のバッファ層に使用する薄膜を形成するためのターゲットとして、特に有効である。酸化物焼結体ターゲットの相対密度が97以上、バルク抵抗率が1000Ωcm以下を達成できる本願発明のGTOスパッタリング用酸化物焼結体ターゲットは、特有の組織を有する。図1は、XRDによる含有相を示す図であるが、一定温度以上図1では1500°Cで焼結したGTO焼結体では、マトリックスとなるSnO2相とGa4SnO8の酸化物相のピークが見られるが、1400°CではGa4SnO8の酸化物相のピークは見られない。図1で、1500°Cのスペクトルの○で囲んだ部分が、Ga4SnO8の酸化物相のピークである。この場合、Ga4SnO8の酸化物相以外にも、僅かではあるが他の酸化物相が存在するが、これらを含めてSnとGaとOからなる化合物相Ga4SnO8を主とする複合酸化物相と定義する。この相の存在が、相対密度の向上とバルク抵抗率の低減下に大きく影響している。図2は、1400°C、1450°C、1500°C、1550°Cで、焼結したGTO焼結体の表面を鏡面研磨し、電子顕微鏡2000倍で表面を観察したSEM画像である。この図2で、色のやや濃いところがSnとGaとOからなる化合物相である。この図から明らかなように、固有の組織が観察できる。1400°Cの焼結では、本願発明の酸化物焼結体ターゲットの相対密度が97以上、バルク抵抗率が1000Ωcm以下を達成できないが、1450°C、1500°C、1550°Cで、焼結したGTO焼結体は、この条件を達成できる。そして、図2のSEM組織が、ターゲットの相対密度及びバルク抵抗率と、相関があることである。すなわち、酸化物焼結体ターゲットの組織に観察される相において、SnO2相からなるマトリックスの中に、SnとGaとOからなる化合物相Ga4SnO8を主とする複合酸化物相を有するが、この相を観察すると、アスペクト比が3~15である矩形の相となっていることである。この相の形状は、GTO焼結体の表面を鏡面研磨面であるが、焼結体ターゲットの中では、直方体、柱状体、棒状体等の形状を有すると考えられる。これが、SnとGaとOからなる化合物相Ga4SnO8を主とする複合酸化物相であり、高温の焼結になるに従って、その形状は大きくなっているのが分かる。これが、SnとGaとOからなる化合物相Ga4SnO8を主とする複合酸化物相であり、高温の焼結になるに従って、その形状は大きくなっているのが分かる。SnO2相からなるマトリックスに対する、矩形のSnとGaとOからなる化合物相Ga4SnO8を主とする複合酸化物相の面積率が、およそ30~70である。これらが、本願発明のGTO酸化物焼結体ターゲットの相対密度の向上と、バルク抵抗率の低減化に影響していると考えられる。スパッタリング用酸化物焼結体ターゲットの製造に際しては、粒径が1.5μm以下、BET比表面積が4~7m2/gである酸化スズSnO2と粒径が3.0μm以下、BET比表面積が10~20m2/gである酸化ガリウムGa2O3の原料粉末を調整すると共に、これらの粉末を混合し、さらに粉砕した後、1450~1600°Cの温度範囲で焼結する。原料粉末の調整とその数値限定は、それぞれ条件を満たしていなければ、焼結体の密度低下を招く事や焼結体中の粗大粒子の存在確率が高まり、スパッタ時のアーキングの原因となり得る等の焼結体特性に悪影響を与えるという理由からである。上記の酸化物焼結体ターゲットを用いてスパッタリングし、基板上にGTO薄膜を形成することができる。この場合、基板温度を室温以上200°C以下の温度に加熱してスパッタリングすることにより、基板上にアモルファス構造のGTO薄膜を形成することができる。さらに、酸化物焼結体ターゲットを用いてスパッタリングする際に、スパッタ雰囲気ガス中の酸素濃度を1~6に調節してスパッタリングし、GTO膜の抵抗率及び又はGTO膜の透過率若しくは屈折率を制御することができる。図3に、スパッタ膜の抵抗率と酸素濃度の関係を示す。室温成膜Ts=RTと基板加熱成膜Ts=200°Cの場合であり、酸素濃度を調節することにより、抵抗率を100倍程度にコントロール可能である。図3に示すように、酸素濃度1で0.350Ωcm、2で0.094Ωcm、4で0.025Ωcm、6で0.037Ωcmである。基板を加熱して成膜した場合には、さらにスパッタリング膜の抵抗を上げることができる。図4に、可視光の波長とスパッタ膜の透過率との関係を示す。室温成膜と200°C基板加熱成膜の場合で、成膜中の酸素導入により、低波長側の透過率が改善される。図5に、可視光の波長とスパッタ膜の屈折率との関係を示す。この場合は、室温成膜であり、酸素濃度4とした場合のGTO膜の屈折率を示す。このように、スパッタリング時の酸素量により、GTO膜の抵抗率及び又はGTO膜の透過率若しくは屈折率を制御することができる。酸素量は、1~6の範囲で調節する。本願発明のGTO薄膜の透過率は550nmで80以上、400nmで68~75を達成でき、また薄膜の屈折率は可視光550nmで2.08以上を達成できる。本願発明は、導電性ターゲットを得ることを一つの目標にしており、そのためにはバルク抵抗値を下げる必要がある。Ga2O3の粗大粒子が多くなるとバルク抵抗値の増加する傾向にある。本願発明においては、バルク抵抗値が1000Ωcm以下が達成できる。これはDCスパッタリングができる条件でもあり、本願発明の有用性の、大きな特徴の一つである。さらに、安定なスパッタリングを可能とするためには、ターゲットの密度が高い方が望ましく、本願発明においては、相対密度97以上を達成することが可能である。上記の本発明に係る酸化物焼結体の製造工程の代表例を示すと、次のようになる。原料としては、酸化ガリウムGa2O3及び酸化錫SnO2を使用することができる。不純物による電気特性への悪影響を避けるために、純度4N以上の原料を用いることが望ましい。各々の原料粉を所望の組成比となるように秤量する。なお、上記の通り、これらに不可避的に含有される不純物は含まれるものである。次に、混合と粉砕を行う。粉砕が不十分であると、製造したターゲット中に各成分が偏析して、高抵抗率領域と低抵抗率領域が存在することになり、スパッタ成膜時に高抵抗率領域での帯電等によるアーキングなどの異常放電の原因となってしまうので、充分な混合と粉砕が必要である。酸化ガリウムGa2O3及び酸化錫SnO2を水に投入し分散させ、スラリー化させる。そのスラリーを、湿式媒体攪拌ミルビーズミル等を用いて微粉砕する。次に、微粉砕後のスラリーを熱風乾燥機で、100~150°C×5~48hr乾燥して、目開き250μm篩で篩別して粉を回収する。なお、微粉砕の前後で、それぞれの粉末の比表面積を測定する。1000gのGTO粉にPVA水溶液を125cc混合し、目開き500μm篩で篩別する。次に、φ210mmの金型に、粉末1000gを充填し、面圧400~1000kgfcm2でプレスして成型体を得る。そして、所定の温度で焼結を行ない、焼結体を得る。ターゲットの製作に際しては、上記によって得られた酸化物焼結体の外周の円筒研削、面側の平面研削をすることによって、例えば152.4φ×5tmmのターゲットに加工する。これをさらに、例えば銅製のバッキングプレートに、インジウム系合金などをボンディングメタルとして、貼り合わせることでスパッタリングターゲットとする。以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。実施例及び比較例の概要説明実施例及び比較例に使用した原料粉の性状は、次の通りである。原料粉の粉砕は、アトライターによる粉砕、φ3mmジルコニアビーズを使用。Ga2O3原料:平均粒径2.60μm、比表面積11.60m2/gSnO2原料:平均粒径1.25μm、比表面積5.46m2/gこれらの原料について、GTOをモル比で、例えばGa2O3:SnO2=10:90となるよう原料を調合し、これらの原料組合せと製造条件を変えて、ターゲットを作製し、各種の試験を行った。これらの詳細を、実施例及び比較例に示す。なお、上記配合比10:90は、GTOターゲットの代表的なものである。本発明の目的とするターゲットのノジュール発生を防止するためには、GTOの配合比は特に問題とはならないが、Ga2O3が1~20mol、残部SnO2及び不可避的不純物からなるように原料を調合して実施した。下記に示す実施例及び比較例において、各種の測定や評価が必要となるが、その条件を以下に示す。粒径の測定粒径の測定は、エタノールを分散媒とし1分間の超音波分散後、レーザー回折散乱法粒度測定装置を用いて行った。本発明における、粒径もしくは平均粒径とはメジアン径体積基準、D50とも表すを指している。比表面積の測定BET比表面積の測定は、自動表面積計ベータソープで行なった。ここで言うBET比表面積は、BET法一点法を用いた測定結果である。バルク抵抗の測定バルク抵抗の測定については、直流四探針法を用いた抵抗率測定器エヌピーエス株式会社製、Σ―5を使用した。画像解析と組織評価作製したターゲットの試験片については、研磨機により鏡面まで研磨した。そして、この試験片について、FE-EPMA日本電子株式会社製、JXA8500F電子プローブマイクロアナライザーにて、電子銃の加速電圧15kV、照射電流約2.0×10-8Aの条件で組織観察を行った。観察後の組織写真SEM像は、画像処理ソフトにてGaとSnとOの化合物相のアスペクト比を測定した。画像処理ソフトはanalySISver5を使用した。アスペクト比はSEM像で見られる、長軸方向サイズ/短軸方向サイズをあらわす。スパッタリング条件作製したターゲットの試験片については、表1に示すスパッタリング条件でスパッタリングし、ノジュールの発生を目視観察した。スパッタリング装置には、φ8スパッタリング装置を使用、背圧:0.1mPa、ターゲットサイズ:φ8×5mmt、ガス圧:0.5Pa、スパッタガス:ArO2ガス、DC電力密度:735W2.3W/cm2、ガラス基板:150mmSq.、膜厚:~55nm、成膜中の基板温度:無加熱、200°C加熱の2種で成膜した。実施例1本実施例1では、Ga2O3原料として、平均粒径2.60μm、比表面積11.60m2/gの粉末を用い、またSnO2原料として、平均粒径1.25μm、比表面積5.46m2/gの粉末を用いた。これらの粉末を、モル比で、Ga2O3:SnO2=10:90となるよう原料を調合した。次に、これらの粉末を混合し粉砕した。粉砕後の平均粒径は0.84μm、比表面積は7.55m2/gとなった。その他、粉末の混合、粉砕、焼結、ターゲット製造は、上記段落[0047]、段落[0048]に示す条件で実施した。ここでは、条件の主なものを記載する。また、各種の測定や評価は、上記段落[0049]、段落[0050]に記載する方法により実施した。塩素Clの含有量は、1wtppm未満、ジルコニウムZrの含有量は680wtppmで、いずれも問題となるレベルの含有量ではなかった。焼結は1500°Cで実施した。以上の結果、相対密度:98.5と高密度であり、バルク抵抗値は17.1Ωcmで、DCスパッタリングが可能である低バルク抵抗値を有していた。組織のSEM像の代表例を図2に示す。矩形のSnとGaとOからなる化合物相Ga4SnO8を主とする複合酸化物相のアスペクト比の平均は9であった。また、平均粒径が10μm以上のGa2O3の粗大粒子は存在しなかった。次に、DCスパッタリングを上記条件段落[0051]で行った結果、ノジュール数は54個であり、後述する比較例に比べ、1/4以下であった。スパッタリング中のアーキング回数は201回と、後述する比較例に比べて少なかった。以上の結果を、表2に示す。実施例2本実施例2では、Ga2O3原料として、平均粒径2.60μm、比表面積11.60m2/gの粉末を用い、またSnO2原料として、平均粒径1.25μm、比表面積5.46m2/gの粉末を用いた。これらの粉末を、モル比で、Ga2O3:SnO2=10:90となるよう原料を調合した。次に、これらの粉末を混合し粉砕した。粉砕後の平均粒径は0.84μm、比表面積は7.55m2/gとなった。その他、粉末の混合、粉砕、焼結、ターゲット製造は、上記段落[0047]、段落[0048]に示す条件で実施した。ここでは、条件の主なものを記載する。また、各種の測定や評価は、上記段落[0049]、段落[0050]に記載する方法により実施した。塩素Clの含有量は、1wtppm未満、ジルコニウムZrの含有量は680wtppmで、いずれも問題となるレベルの含有量ではなかった。焼結は1450°Cで実施した。以上の結果、相対密度:98.1と高密度であり、バルク抵抗値は850Ωcmで、DCスパッタリングが可能である低バルク抵抗値を有していた。組織のSEM像の代表例を図2に示す。矩形のSnとGaとOからなる化合物相Ga4SnO8を主とする複合酸化物相のアスペクト比の平均は4であった。また、平均粒径が10μm以上のGa2O3の粗大粒子は存在しなかった。次に、DCスパッタリングを上記条件段落[0051]で行った結果、ノジュール数は314個であり、後述する比較例に比べ、1/2以下であった。スパッタリング中のアーキング回数は314回と、後述する比較例に比べて少なかった。以上の結果を、同様に表2に示す。実施例3本実施例3では、Ga2O3原料として、平均粒径2.60μm、比表面積11.60m2/gの粉末を用い、またSnO2原料として、平均粒径1.25μm、比表面積5.46m2/gの粉末を用いた。これらの粉末を、モル比で、Ga2O3:SnO2=10:90となるよう原料を調合した。次に、これらの粉末を混合し粉砕した。粉砕後の平均粒径は0.84μm、比表面積は7.55m2/gとなった。その他、粉末の混合、粉砕、焼結、ターゲット製造は、上記段落[0047]、段落[0048]に示す条件で実施した。ここでは、条件の主なものを記載する。また、各種の測定や評価は、上記段落[0049]、段落[0050]に記載する方法により実施した。塩素Clの含有量は、1wtppm未満、ジルコニウムZrの含有量は710wtppmで、いずれも問題となるレベルの含有量ではなかった。焼結は1550°Cで実施した。以上の結果、相対密度:98.0と高密度であり、バルク抵抗値は9.2Ωcmで、DCスパッタリングが可能である低バルク抵抗値を有していた。組織のSEM像の代表例を図2に示す。矩形のSnとGaとOからなる化合物相Ga4SnO8を主とする複合酸化物相のアスペクト比の平均は11であった。また、平均粒径が10μm以上のGa2O3の粗大粒子は存在しなかった。次に、DCスパッタリングを上記条件段落[0051]で行った結果、ノジュール数は60個であり、後述する比較例に比べ、1/4以下であった。スパッタリング中のアーキング回数は233回と、後述する比較例に比べて少なかった。以上の結果を、同様に表2に示す。実施例4本実施例4では、Ga2O3原料として、平均粒径2.60μm、比表面積11.60m2/gの粉末を用い、またSnO2原料として、平均粒径1.25μm、比表面積5.46m2/gの粉末を用いた。これらの粉末を、モル比で、Ga2O3:SnO2=10:90となるよう原料を調合した。次に、これらの粉末を混合し粉砕した。粉砕後の平均粒径は0.84μm、比表面積は7.55m2/gとなった。その他、粉末の混合、粉砕、焼結、ターゲット製造は、上記段落[0047]、段落[0048]に示す条件で実施した。ここでは、条件の主なものを記載する。また、各種の測定や評価は、上記段落[0049]、段落[0050]に記載する方法により実施した。塩素Clの含有量は、1wtppm未満、ジルコニウムZrの含有量は680wtppmで、いずれも問題となるレベルの含有量ではなかった。焼結は1580°Cで実施した。以上の結果、相対密度:97.9と高密度であり、バルク抵抗値は4.5Ωcmで、DCスパッタリングが可能である低バルク抵抗値を有していた。組織のSEM像からの、矩形のSnとGaとOからなる化合物相Ga4SnO8を主とする複合酸化物相のアスペクト比の平均は13であった。また、平均粒径が10μm以上のGa2O3の粗大粒子は存在しなかった。次に、DCスパッタリングを上記条件段落[0051]で行った結果、ノジュール数は71個であり、後述する比較例に比べ、1/4程度であった。スパッタリング中のアーキング回数は251回と、後述する比較例に比べて少なかった。以上の結果を、同様に表2に示す。実施例5本実施例5では、Ga2O3原料として、平均粒径2.60μm、比表面積11.60m2/gの粉末を用い、またSnO2原料として、平均粒径1.25μm、比表面積5.46m2/gの粉末を用いた。これらの粉末を、モル比で、Ga2O3:SnO2=5:95となるよう原料を調合した。次に、これらの粉末を混合し粉砕した。粉砕後の平均粒径は0.77μm、比表面積は7.25m2/gとなった。その他、粉末の混合、粉砕、焼結、ターゲット製造は、上記段落[0047]、段落[0048]に示す条件で実施した。ここでは、条件の主なものを記載する。また、各種の測定や評価は、上記段落[0049]、段落[0050]に記載する方法により実施した。塩素Clの含有量は、1wtppm未満、ジルコニウムZrの含有量は1220wtppmで、いずれも問題となるレベルの含有量ではなかった。焼結は1500°Cで実施した。以上の結果、相対密度:98.3と高密度であり、バルク抵抗値は20.3Ωcmで、DCスパッタリングが可能である低バルク抵抗値を有していた。組織のSEM像からの、矩形のSnとGaとOからなる化合物相Ga4SnO8を主とする複合酸化物相のアスペクト比の平均は5であった。また、平均粒径が10μm以上のGa2O3の粗大粒子は存在しなかった。次に、DCスパッタリングを上記条件段落[0051]で行った結果、ノジュール数は51個であり、後述する比較例に比べ、1/4以下であった。スパッタリング中のアーキング回数は209回と、後述する比較例に比べて少なかった。以上の結果を、同様に表2に示す。実施例6本実施例6では、Ga2O3原料として、平均粒径2.60μm、比表面積11.60m2/gの粉末を用い、またSnO2原料として、平均粒径1.25μm、比表面積5.46m2/gの粉末を用いた。これらの粉末を、モル比で、Ga2O3:SnO2=20:80となるよう原料を調合した。次に、これらの粉末を混合し粉砕した。粉砕後の平均粒径は0.92μm、比表面積は7.95m2/gとなった。その他、粉末の混合、粉砕、焼結、ターゲット製造は、上記段落[0047]、段落[0048]に示す条件で実施した。ここでは、条件の主なものを記載する。また、各種の測定や評価は、上記段落[0049]、段落[0050]に記載する方法により実施した。塩素Clの含有量は、1wtppm未満、ジルコニウムZrの含有量は530wtppmで、いずれも問題となるレベルの含有量ではなかった。焼結は1500°Cで実施した。以上の結果、相対密度:97.8と高密度であり、バルク抵抗値は940Ωcmで、DCスパッタリングが可能である低バルク抵抗値を有していた。組織のSEM像からの、矩形のSnとGaとOからなる化合物相Ga4SnO8を主とする複合酸化物相のアスペクト比の平均は10であった。また、平均粒径が10μm以上のGa2O3の粗大粒子は存在しなかった。次に、DCスパッタリングを上記条件段落[0051]で行った結果、ノジュール数は86個であり、後述する比較例に比べ、1/3程度であった。スパッタリング中のアーキング回数は274回と、後述する比較例に比べて少なかった。以上の結果を、同様に表2に示す。比較例1本比較例1では、Ga2O3原料として、平均粒径2.60μm、比表面積11.60m2/gの粉末を用い、またSnO2原料として、平均粒径1.25μm、比表面積5.46m2/gの粉末を用いた。これらの粉末を、モル比で、Ga2O3:SnO2=10:90となるよう原料を調合した。次に、これらの粉末を混合し粉砕した。粉砕後の平均粒径は0.84μm、比表面積は7.55m2/gとなった。その他、粉末の混合、粉砕、焼結、ターゲット製造は、上記段落[0047]、段落[0048]に示す条件で実施した。ここでは、条件の主なものを記載する。また、各種の測定や評価は、上記段落[0049]、段落[0050]に記載する方法により実施した。塩素Clの含有量は、1wtppm未満、ジルコニウムZrの含有量は680wtppmで、いずれも問題となるレベルの含有量ではなかった。焼結は1400°Cで実施した。以上の結果、相対密度:96.5と密度が低下し、バルク抵抗値は測定不能であった。DCスパッタリングも不能であった。組織のSEM像からの、矩形のSnとGaとOからなる化合物相Ga4SnO8を主とする複合酸化物相のアスペクト比の平均は2であった。また、焼結体中に多数のポア及び平均粒径が10μm以上のGa2O3の粗大粒子散見された。スパッタリングは実施していない。GTO焼結体のこれらの悪い結果は、焼結温度が低いため、未反応の平均粒径が10μm以上のGa2O3の粗大粒子が発生して、密度低下を引き起こしたのが原因と考えられる。以上の結果を、同様に表2に示す。比較例2本比較例2では、Ga2O3原料として、平均粒径2.60μm、比表面積11.60m2/gの粉末を用い、またSnO2原料として、平均粒径2.64μm、比表面積3.67m2/gの粉末を用いた。これらの粉末を、モル比で、Ga2O3:SnO2=10:90となるよう原料を調合した。次に、これらの粉末を混合し粉砕した。粉砕後の平均粒径は1.32μm、比表面積は5.57m2/gとなった。その他、粉末の混合、粉砕、焼結、ターゲット製造は、上記段落[0047]、段落[0048]に示す条件で実施した。ここでは、条件の主なものを記載する。また、各種の測定や評価は、上記段落[0049]、段落[0050]に記載する方法により実施した。塩素Clの含有量は、1wtppm未満、ジルコニウムZrの含有量は1510wtppmで、いずれも問題となるレベルの含有量ではなかった。焼結は1500°Cで実施した。以上の結果、相対密度:95.4と密度が低下し、バルク抵抗値は53.8Ωcmであった。DCスパッタリングは可能であった。組織のSEM像からの、矩形のSnとGaとOからなる化合物相Ga4SnO8を主とする複合酸化物相のアスペクト比の平均は9であった。また、焼結体中に、SnO2の平均粒径が大きかったため、SnO2とGa2O3の反応性が悪く、平均粒径が10μm以上のGa2O3の粗大粒子が散見された。次に、DCスパッタリングを上記条件段落[0051]で行った結果、ノジュール数は244個と実施例に比べて大きく増加した。スパッタリング中のアーキング回数は689回と、これも実施例に比べて大きく増加した。GTO焼結体の、これらの悪い結果は、SnO2原料粉末の平均粒径2.64μmと大きく、同粉末の比表面積3.67m2/gと小さいことが原因と考えられる。以上の結果を、同様に表2に示す。比較例3本比較例3では、Ga2O3原料として、平均粒径3.50μm、比表面積7.43m2/gの粉末を用い、またSnO2原料として、平均粒径1.25μm、比表面積5.46m2/gの粉末を用いた。これらの粉末を、モル比で、Ga2O3:SnO2=10:90となるよう原料を調合した。次に、これらの粉末を混合し粉砕した。粉砕後の平均粒径は1.08μm、比表面積は7.12m2/gとなった。その他、粉末の混合、粉砕、焼結、ターゲット製造は、上記段落[0047]、段落[0048]に示す条件で実施した。ここでは、条件の主なものを記載する。また、各種の測定や評価は、上記段落[0049]、段落[0050]に記載する方法により実施した。塩素Clの含有量は、1wtppm未満、ジルコニウムZrの含有量は860wtppmで、いずれも問題となるレベルの含有量ではなかった。焼結は1500°Cで実施した。以上の結果、相対密度:94.3と密度が低下し、バルク抵抗値は70.7Ωcmであった。DCスパッタリングは可能であった。組織のSEM像からの、矩形のSnとGaとOからなる化合物相Ga4SnO8を主とする複合酸化物相のアスペクト比の平均は8であった。また、焼結体中に、平均粒径が10μm以上のGa2O3の粗大粒子が多く観察された。次に、DCスパッタリングを上記条件段落[0051]で行った結果、ノジュール数は390個と実施例に比べて大きく増加した。スパッタリング中のアーキング回数は871回と、これも実施例に比べて大きく増加した。GTO焼結体の、これらの悪い結果は、Ga2O3原料粉末の平均粒径3.50μmと大きく、同粉末の比表面積7.43m2/gと小さく、さらに図6に示すような、平均粒径が10μm以上のGa2O3の粗大粒子の存在が原因と考えられる。以上の結果を、同様に表2に示す。比較例4本比較例4では、Ga2O3原料として、平均粒径2.60μm、比表面積11.60m2/gの粉末を用い、またSnO2原料として、平均粒径1.25μm、比表面積5.46m2/gの粉末を用いた。これらの粉末を、モル比で、Ga2O3:SnO2=30:70となるよう原料を調合した。次に、これらの粉末を混合し粉砕した。粉砕後の平均粒径は1.11μm、比表面積は8.31m2/gとなった。その他、粉末の混合、粉砕、焼結、ターゲット製造は、上記段落[0047]、段落[0048]に示す条件で実施した。ここでは、条件の主なものを記載する。また、各種の測定や評価は、上記段落[0049]、段落[0050]に記載する方法により実施した。塩素Clの含有量は、1wtppm未満、ジルコニウムZrの含有量は420wtppmで、いずれも問題となるレベルの含有量ではなかった。焼結は1500°Cで実施した。以上の結果、相対密度:93.0と密度が低下し、バルク抵抗値は測定不能であった。DCスパッタリングは不能であった。組織のSEM像からの、矩形のSnとGaとOからなる化合物相Ga4SnO8を主とする複合酸化物相のアスペクト比の平均は10であった。また、焼結体中に、平均粒径が10μm以上のGa2O3の粗大粒子が多く観察された。GTO焼結体の、これらの悪い結果は、Ga2O3原料粉末の混合量が多いため、結果として図6に示すような、平均粒径が10μm以上のGa2O3の粗大粒子が多く存在したことが原因と考えられる。以上の結果を、同様に表2に示す。比較例5本比較例5では、Ga2O3原料として、平均粒径2.60μm、比表面積11.60m2/gの粉末を用い、またSnO2原料として、平均粒径1.25μm、比表面積5.46m2/gの粉末を用いた。これらの粉末を、モル比で、Ga2O3:SnO2=90:10となるよう原料を調合した。次に、これらの粉末を混合し粉砕した。粉砕後の平均粒径は1.59μm、比表面積は12.03m2/gとなった。その他、粉末の混合、粉砕、焼結、ターゲット製造は、上記段落[0047]、段落[0048]に示す条件で実施した。ここでは、条件の主なものを記載する。また、各種の測定や評価は、上記段落[0049]、段落[0050]に記載する方法により実施した。塩素Clの含有量は、1wtppm未満、ジルコニウムZrの含有量は200wtppmで、いずれも問題となるレベルの含有量ではなかった。焼結は1500°Cで実施した。以上の結果、相対密度:93.5と密度が低下し、バルク抵抗値は測定不能であった。DCスパッタリングは不能であった。組織のSEM像からの、矩形のSnとGaとOからなる化合物相Ga4SnO8を主とする複合酸化物相のアスペクト比の平均は12であった。また、焼結体中に、平均粒径が10μm以上のGa2O3の粗大粒子が多く観察された。GTO焼結体の、これらの悪い結果は、実施例4と同様にGa2O3原料粉末の混合量が多いため、結果として図6に示すような、平均粒径が10μm以上のGa2O3の粗大粒子が多く存在したことが原因と考えられる。以上の結果を、同様に表2に示す。比較例6本比較例6では、Ga2O3原料として、平均粒径2.60μm、比表面積11.60m2/gの粉末を用い、またSnO2原料として、平均粒径1.25μm、比表面積5.46m2/gの粉末を用いた。これらの粉末を、モル比で、Ga2O3:SnO2=10:90となるよう原料を調合した。次に、これらの粉末を混合し粉砕した。粉砕後の平均粒径は0.84μm、比表面積は7.55m2/gとなった。その他、粉末の混合、粉砕、焼結、ターゲット製造は、上記段落[0047]、段落[0048]に示す条件で実施した。ここでは、条件の主なものを記載する。また、各種の測定や評価は、上記段落[0049]、段落[0050]に記載する方法により実施した。塩素Clの含有量は8wtppmと多量に含有されていた。一方、ジルコニウムZrの含有量は680wtppmで、問題となるレベルの含有量ではなかった。焼結は1500°Cで実施した。以上の結果、相対密度:94.8と密度が低下し、バルク抵抗値は測定不能であった。DCスパッタリングは不能であった。組織のSEM像からの、矩形のSnとGaとOからなる化合物相Ga4SnO8を主とする複合酸化物相のアスペクト比の平均は7であった。また、焼結体中にはポアが多数存在していた。GTO焼結体の、これらの悪い結果は、原料粉末にClが8wtppmと多量に混入しており、焼結中にClが蒸発しそれがポアとなり、低密度な焼結体となってしまう事が原因と考えられる。以上の結果を、同様に表2に示す。比較例7本比較例7では、Ga2O3原料として、平均粒径2.60μm、比表面積11.60m2/gの粉末を用い、またSnO2原料として、平均粒径1.25μm、比表面積5.46m2/gの粉末を用いた。これらの粉末を、モル比で、Ga2O3:SnO2=10:90となるよう原料を調合した。次に、これらの粉末を混合し粉砕した。粉砕後の平均粒径は0.55μm、比表面積は8.85m2/gとなった。その他、粉末の混合、粉砕、焼結、ターゲット製造は、上記段落[0047]、段落[0048]に示す条件で実施した。ここでは、条件の主なものを記載する。また、各種の測定や評価は、上記段落[0049]、段落[0050]に記載する方法により実施した。塩素Clの含有量は、1wtppm未満であり、特に問題となるレベルではなかった。しかし、ジルコニウムZrの含有量は2500wtppmと、多量に含有されていた。焼結は1500°Cで実施した。以上の結果、相対密度:97.5、バルク抵抗値は60.8Ωcmで、DCスパッタリングが可能である低バルク抵抗値を有していた。組織のSEM像からの、矩形のSnとGaとOからなる化合物相Ga4SnO8を主とする複合酸化物相のアスペクト比の平均は9であった。次に、DCスパッタリングを上記条件段落[0051]で行った結果、ノジュール数は250個と実施例に比べて大きく増加した。スパッタリング中のアーキング回数は759回と、これも実施例に比べて大きく増加した。GTO焼結体の、これらの悪い結果は、粉砕で使用するメディアであるZrO2ビーズからのZrコンタミが2500wtppmと多いため、スパッタリング中のアーキングの原因になったためと考えられる。以上の結果を、同様に表2に示す。