"コアと、前記コアを埋設するクラッド層を備えた平面状の光導波路であって、前記クラッド層の先端に設けられた、光導波路の主面と45°±5°をなす45°ミラーと、前記45°ミラーの長手方向に光入射点が整列した複数の前記コアを備えた光導波路。前記光入射点近傍が凸レンズの前記コアを備えた請求項1に記載の光導波路。コアと、前記コアを埋設するクラッド層を備えた平面状の光導波路であって、前記クラッド層の先端に設けられた、光導波路の主面と45°±5°をなす45°ミラーと、前記クラッド層の、前記45°ミラーと前記コアの間に設けられた、光導波路の主面と8°±3°をなす8°ミラーと、前記45°ミラーの長手方向に光入射点が整列した複数の前記コアを備えた光導波路。前記光入射点近傍が凸レンズの前記コアを備えた請求項3に記載の光導波路。請求項1または2に記載の複数の光導波路を受光側光導波路として備えた3次元光学式タッチパネル。請求項3または4に記載の複数の光導波路を受光側光導波路として備えた3次元光学式タッチパネル。従来の光導波路を用いた光学式タッチパネルにおいて、Z座標を検出しようとすると、複数の光導波路を積層する必要がある。そのためには、複数の光導波路が必要であり、更にそれらの光導波路を精度よく積層する困難さがある。本発明の目的は、1層の光導波路でありながら、XYZ座標を検出できる光導波路と、それを備えた単純な構造の3次元光学式タッチパネルを実現することである。1本発明は、コアと、コアを埋設するクラッド層を備えた平面状の光導波路である。本発明の光導波路は、クラッド層の先端に設けられた、光導波路の主面と45°±5°をなす45°ミラーと、45°ミラーの長手方向に光入射点が整列した複数のコアを備える。2本発明の光導波路は、コアの光入射点近傍が凸レンズである。3本発明は、コアと、コアを埋設するクラッド層を備えた平面状の光導波路である。本発明の光導波路は、クラッド層の先端に設けられた、光導波路の主面と45°±5°をなす45°ミラーと、クラッド層の、45°ミラーとコアの間に設けられた、光導波路の主面と8°±3°をなす8°ミラーと、45°ミラーの長手方向に光入射点が整列した複数のコアを備える。4本発明の光導波路は、コアの光入射点近傍が凸レンズである。5本発明の3次元光学式タッチパネルは、複数の、上記1または2に記載の光導波路を受光側光導波路として備える。6本発明の3次元光学式タッチパネルは、複数の、上記3または4に記載の光導波路を受光側光導波路として備える。本発明の光導波路は受光側に用いた場合、1層の光導波路でありながら、XYZ座標を検出できる。また、本発明の3次元光学式タッチパネルは、本発明の光導波路を備えたため、受光側光導波路が1層の単純な構造でありながら、XYZ座標を検知できる。本発明の光導波路は、クラッド層の先端の光入射部に、主面YZ面に対して45°±5°傾斜した、45°ミラーを備え、Z方向に複数の光反射点を有し、各光反射点に対応する複数のコアを備え、各コアに対応する複数の光センサ要素を備える。Z方向は45°ミラーの長手方向である。また、本発明の光導波路は、クラッド層の先端の光入射部に、主面YZ面に対して45°±5°傾斜した、45°ミラーを備え、Z方向に複数の光反射点を有し、光反射点とコアの間のクラッド層に主面YZ面に対して8°±3°傾斜した、8°ミラーを備え、各光反射点に対応する複数のコアを備え、各コアに対応する複数の光センサ要素を備える。本発明の光導波路は受光側に用いたとき、Z方向に1層でありながら、Z座標を検知することができる。図1は本発明の光導波路10の第1例である。図1aは本発明の光導波路10の平面図、図1bは本発明の光導波路10の側面図である。本発明の光導波路10は、コア11と、アンダークラッド層およびオーバークラッド層からなるクラッド層12を備える。コア11はクラッド層12に埋設されている。コア11の出射端は光センサ13と光結合する。クラッド層12の先端の光入射部12aは、主面YZ面に対して45°傾斜した、45°ミラーを形成している。光14は、X軸に平行に光入射部12aに入射し、光入射部12aの45°ミラーで反射され、クラッド層12の内部をY軸方向に進行し、コア11の先端11aに入射する。コア11の先端11a光入射点は、45°ミラーの長手方向に整列している。コア11の先端11aは、扇型の平面凸レンズを形成している。この平面凸レンズは、YZ平面上で、入射光14をコア11の中心に収束させる機能をもつ。この機能により、入射光14をコア11に導く効率が高くなる。図1aの×印1~6は光14の反射点を示す。反射点1に到達した光14は、対応するコア11を通り、光センサ13の1の要素13aに入射する。同様にして、反射点2に到達した光14は、光センサ13の2の要素13aに入射する。反射点3に到達した光14は、光センサ13の3の要素13aに入射する。反射点4に到達した光14は、光センサ13の4の要素13aに入射する。反射点5に到達した光14は、光センサ13の5の要素13aに入射する。反射点6に到達した光14は、光センサ13の6の要素13aに入射する。反射点1~6は、XY座標は等しく、Z座標が異なる。従って、図1の構成によると、XY座標が同一の点において、Z座標が6段階に検知される。必要に応じて、コア11の数および光センサ13の要素13aの数を変更することにより、Z座標の検知段階数を増減させることができる。図2は、本発明の光導波路10を備えた3次元光学式タッチパネル20である。本発明の3次元光学式タッチパネル20においては、本発明の光導波路10をX軸方向に直列に3個備え、Y軸方向に直列に3個備える。光導波路10は、3次元光学式タッチパネル20の受光側に用いられる。3次元光学式タッチパネル20において、右側の発光側光導波路21から、3Y軸方向×6Z軸方向=18本のX軸方向の光14が出射され、左側の3個の光導波路10に入射する。また、上側の発光側光導波路22から、3X軸方向×6Z軸方向=18本のY軸方向の光14が出射され、下側の3個の光導波路10に入射する。図2の3次元光学式タッチパネル20においては、X座標が3段階に、Y座標が3段階に、Z座標が6段階に検知される。本発明の3次元光学式タッチパネル20は、受光側の光導波路が1層でありながら、Z座標が6段階に検知できる。X軸方向に直列に結合された光導波路10の数を増減することにより、X座標の検知段階数を増減することができる。Y軸方向に直列に結合された光導波路10の数を増減することにより、Y座標の検知段階数を増減することができる。図3は本発明の光導波路30の第2例である。図3aは本発明の光導波路30の平面図、図3bは本発明の光導波路30の側面図である。本発明の光導波路30は、コア31と、アンダークラッド層およびオーバークラッド層からなるクラッド層32を備える。コア31はクラッド層32に埋設されている。コア31の出射端は光センサ33と光結合する。クラッド層32の先端の光入射部32aは、表面が主面に対して45°傾斜した、45°ミラーを形成している。光入射部32aとコア31の間のクラッド層32bコア31を含まない部分は、表面が主面に対して8°傾斜した、8°ミラーを形成している。光34は、X軸に平行に光入射部32aに入射し、光入射部32aの45°ミラーで反射され、クラッド層32の内部をY軸の方向に進行し、クラッド層32bの8°ミラーで反射され、コア31の先端31aに入射する。コア31の先端31aは、扇型の平面凸レンズを形成している。この平面凸レンズは、YZ平面上で、入射光34をコア31の中心に収束させる機能をもつ。この機能により、入射光34をコア31に導く効率が高くなる。図3aの×印1~6は光34の反射点を示す。反射点1に到達した光34は、その下の反射点でもう一度反射した後、対応するコア31を通り、光センサ33の1の要素33aに入射する。同様にして、反射点2に到達した光34は、光センサ33の2の要素33aに入射する。反射点3に到達した光34は、光センサ33の3の要素33aに入射する。反射点4に到達した光34は、光センサ33の4の要素33aに入射する。反射点5に到達した光34は、光センサ33の5の要素33aに入射する。反射点6に到達した光34は、光センサ33の6の要素33aに入射する。反射点1~6は、XY座標は等しく、Z座標が異なる。従って、図3の構成によれば、XY座標が同一の点において、Z座標が6段階に検知される。必要に応じてコア31の数および光センサ33の要素33aの数を変更することにより、Z座標の検知段階数を増減させることができる。図3の光導波路30は、図1の光導波路10に、8°ミラーを追加したものである。図3の光導波路30は、8°ミラーを追加したため、光34の入射効率が、図1の光導波路10より高い。図1の光導波路10は、45°ミラーのみ有する8°ミラーを備えていない。光導波路10では、入射した光14の一部は、45°ミラーで反射した後、クラッド層12内で拡散し、コア11に入射しない傾向がある。図1の光導波路10に8°ミラーを追加し、図3の光導波路30とすると、クラッド層32内で拡散した光34を、8°ミラーで反射させてコア31に入射させることができる。その結果、光導波路30の方が光導波路10より、光の入射効率が高くなる。図4は、本発明の光導波路30を備えた3次元光学式タッチパネル40である。本発明の3次元光学式タッチパネル40においては、本発明の光導波路30をX軸方向に直列に3個備え、本発明の光導波路30をY軸方向に直列に3個備える。光導波路30は、3次元光学式タッチパネル40の受光側に用いられる。3次元光学式タッチパネル40において、右側の発光側光導波路41から、3Y軸方向×6Z軸方向=18本のX軸方向の光34が出射され、左側の3個の光導波路30に入射する。また、上側の発光側光導波路42から、3X軸方向×6Z軸方向=18本のY軸方向の光34が出射され、下側の3個の光導波路30に入射する。図4の3次元光学式タッチパネル40においては、X座標が3段階に、Y座標が3段階に、Z座標が6段階に検知される。本発明の3次元光学式タッチパネル40は、受光側の光導波路が1層でありながら、Z座標が6段階に検知できる。X軸方向に直列に結合される光導波路30を増減することにより、X座標の検知段階数を増減することができる。Y軸方向に直列に結合される光導波路30を増減することにより、Y座標の検知段階数を増減することができる。[材料組成]アンダークラッド層材料成分A:脂環骨格を含むエポキシ樹脂ダイセル化学工業社製EHPE3150100重量部と、成分B:光酸発生剤サンアプロ社製CPI-200K2重量部をシクロヘキサンに溶解して、アンダークラッド層の材料とした。コア層材料成分B:光酸発生剤サンアプロ社製CPI-200K1重量部と、成分C:フルオレン骨格を含むエポキシ樹脂大阪ガスケミカル社製オグソールEG40重量部と、成分D:フルオレン骨格を含むエポキシ樹脂ナガセケムテックス社製EX-104030重量部と、成分E:1,3,3-トリス4-2-3-オキセタニルブトキシフェニルブタン30重量部を乳酸エチルに溶解して、コア層の材料とした。オーバークラッド層材料成分B:光酸発生剤サンアプロ社製CPI-200K2重量部と、成分F:脂環骨格を含むエポキシ樹脂アデカ社製EP4080E50重量部と、成分G:オキセタン樹脂東亜合成社製OXT-22110重量部と、成分H:エポキシ樹脂アデカ社製EP4085S20重量部と、成分I:シリコーン樹脂信越シリコーン社製X-22-16320重量部を混合して、オーバークラッド層の材料とした。[光導波路作製]アンダークラッド層作製基板フロートガラス、300mm×300mm×1.1mmの表面に、アンダークラッド層の材料を、スピンコータにより塗布した。引き続き、100°C、5分間の乾燥処理を行なった。次に、全面に、2,000mJ/cm2の紫外線を照射した。引き続き、100°C、5分間の加熱処理を行なった。以上のようにして、アンダークラッド層を形成した。アンダークラッド層の膜厚は10μmであった。アンダークラッド層の、波長830nmにおける屈折率は、1.509であった。コア層作製アンダークラッド層の表面に、コア層の材料を、スピンコータにより塗布した。引き続き、100°C、5分間の乾燥処理を行なった。次にフォトマスクを載せ、紫外線によるプロキシミティ露光を行なって、コア層の材料にパターンを転写した。フォトマスクは、合成石英系のクロムマスクであり、複数のレンズのパターンを有する。プロキシミティ露光のギャップは50μmであった。紫外線は、i線バンドパスフィルタを通し、強度は1,600mJ/cm2であった。引き続き、100°C、10分間の加熱処理を行なった。次にγ-ブチルラクトン水溶液を用いて現像を行ない、未露光部分を溶解除去した。引き続き、120°C、5分間の加熱処理を行なった。以上のようにして、コア層を形成した。コア層の幅レンズ部、合流部を除くは15μmであった。コア層の高さは50μmであった。コア層の、波長830nmにおける屈折率は、1.592であった。オーバークラッド層作製コア層およびアンダークラッド層の全面を覆うように、オーバークラッド層材料を塗布し、ウェット厚み60μmの樹脂層を形成した。引き続き、80°C、5分間の加熱処理を行ない、コア周辺の樹脂層内気泡を取り除いた。次に、ミラーのネガ型を有する凹型モールド金属製に、オーバークラッド層材料を充填し、このオーバークラッド層材料の表面に、上記の樹脂層を押圧し、密着させた。次に、基板側から、2,000mJ/cm2の紫外線を照射した。引き続き、80°C、5分間の加熱処理を行なった。凹型モールドを剥離して、異なる角度の2種類のミラーを備えたオーバークラッド層を得た。オーバークラッド層の厚みは300μmであった。オーバークラッド層の、波長830nmにおける屈折率は、1.497であった。以上のようにして、多数の光導波路の2次元集合体を作製した。次に、光導波路の2次元集合体を、刃型を用いて個々の光導波路に裁断した。引き続き、受光素子CMOSセンサと光結合する端面を、ダイシングにより仕上げ切断した。次に、光導波路の端面に受光素子CMOSセンサを光結合させた。[評価]図3に示す光導波路30について、光源VCSELおよびマルチモード光ファイバからの光が、設計通り45°ミラーおよび8°ミラーで反射し、コア31へ導かれ、光センサ33CMOSセンサで検出されることを確認した。また、CMOSセンサの受光箇所が、光源の位置と連動して変化することも確認した。図5に、光源をY方向に移動させたときの、光センサ33の信号強度の変化を示す。図5aは光源がVCSELのとき、図5bは光源がマルチモード光ファイバのときである。光源がVCSELのときとマルチモード光ファイバのときで、信号強度の変化の状況にほとんど差は無い。図6に、光源をVCSELとし、光源をY方向に移動させたときの、光センサ33の信号強度の変化を示す。図6aは入射光の反射点が図3の6のとき、図6bは入射光の反射点が図3の3のとき、図6cは入射光の反射点が図3の1のときである。すなわち図6a~cでは、Z座標が異なる。光源のZ座標が異なっても、光センサ33の信号強度の変化は予想通りである。入射光の反射点が6→3→1と変わるにつれて、図6a→b→cのように信号強度が低下する。これは、入射光の反射点が6→3→1と変わるにつれて、コア31の長さが長くなるためである。このばらつきは、光センサ33の各要素33aの増幅度を調整することにより、なくすことができる。図7は、光源をマルチモード光ファイバに代えて、図6と同じ測定をしたものである。図7a→b→cに従って生じる信号強度の低下が図6よりも少ないが、それ以外は図6と差はない。[測定方法][屈折率]アンダークラッド層、コア、オーバークラッド層の屈折率は、プリズムカプラSAIRONTECNOLOGY社製SPA-4000を用いて測定した。[断面観察]アンダークラッド層、コア、オーバークラッド層の断面は、マイクロスコープキーエンス社製VHX-200を用いて測定した。"