"肉薄部および肉厚部が設けられたベース基板と、前記ベース基板の前記肉薄部の上方に配置され、前記ベース基板の方向に揺動可能であるセンサー部と、を有し、前記ベース基板には、前記センサー部の端部と平面視で重複する前記肉薄部の少なくとも一部に導電膜が設けられ、前記導電膜は、前記肉厚部の表面の少なくとも一部まで延びていることを特徴とする物理量センサー。前記ベース基板には、ガラスが用いられ、前記センサー部には、半導体材料が用いられたことを特徴とする請求項1に記載の物理量センサー。前記センサー部は、第1軸上に設けられたビーム部によって前記ベース基板に支持され、前記センサー部を前記第1軸で第1部分と第2部分とに区分けしたときに、前記第1部分は、前記第2部分よりも重いことを特徴とする請求項1または2に記載の物理量センサー。前記センサー部には、可動電極部が設けられ、前記ベース基板の前記肉薄部には、前記可動電極部と対向する位置に固定電極部が設けられたことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の物理量センサー。前記ベース基板上には、前記センサー部を覆う蓋体が設けられ、前記蓋体と前記ベース基板との間には、前記導電膜が介在していることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の物理量センサー。請求項1ないし5のいずれか一項に記載の物理量センサーを用いたことを特徴とする電子機器。肉薄部および肉厚部を有しているガラス基板を用意する工程と、前記肉薄部と前記肉厚部の表面とに跨るように導電膜を形成する工程と、前記ガラス基板の前記肉厚部上に半導体基板を載置する工程と、前記ガラス基板と前記半導体基板とを陽極接合により接合する工程と、前記半導体基板をパターニングしてセンサー部を形成する工程と、を備え、前記半導体基板を載置する工程では、前記ガラス基板の前記肉厚部の表面に形成した前記導電膜と前記半導体基板とが接していることを特徴とする物理量センサーの製造方法。しかしながら、特許文献2の構造のように、可動部にストッパーとなる突起部を設ける場合には、製造上、静電容量型センサーの基本機能を製造する工程とは別に、突起を設けるという工程が増え、コストアップにつながる構造であるという問題がある。更に、この突起部は、可動部の衝突時の破損を防ぐことのみに限定された機能であり、コストに見合った機能を有していない。そこで、本発明は、上述した実情に鑑みて提案されたものであり、コストアップを招く事なく可動電極の破損を防止し、更に付加機能として製造時、あるいは取り扱い時の帯電による可動部の貼り付きを防止する機能も備えた物理量センサー、電子機器、および物理量センサーの製造方法を提供することを目的とする。本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例に係る物理量センサーは、肉薄部および肉厚部が設けられたベース基板と、前記ベース基板の前記肉薄部の上方に配置され、前記ベース基板の方向に揺動可能であるセンサー部と、を有し、前記ベース基板には、前記センサー部の端部と平面視で重複する前記肉薄部の少なくとも一部に導電膜が設けられ、前記導電膜は、前記肉厚部の表面の少なくとも一部まで延びていることを特徴とする。本適用例によれば、物理量センサーは、センサー部の下方のベース基板上に導電膜が形成されているため、これが保護膜として機能し、センサー部がベース基板に衝突した際にセンサー部やベース基板が損傷することを抑制できる。また、物理量センサーは、ベース基板の肉厚部に導電膜が形成されていることから、物理量センサーの製造過程で、ベース基板と、センサー部となるセンサー基板とを、例えば、陽極接合する場合において、陽極接合時に発生する電荷を導電膜により逃がし、ベース基板とセンサー基板とが貼り付くことを回避できる。[適用例2]上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記ベース基板には、ガラスが用いられ、前記センサー部には、半導体材料が用いられたことが好ましい。本適用例によれば、物理量センサーは、ベース基板が絶縁性を有することから、ベース基板とセンサー部との間の絶縁分離を容易に行うことができる。[適用例3]上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記センサー部は、第1軸上に設けられたビーム部によって前記ベース基板に支持され、前記センサー部を前記第1軸で第1部分と第2部分とに区分けしたときに、前記第1部分は、前記第2部分よりも重いことが好ましい。本適用例によれば、物理量センサーは、センサー部の第1部分が第2部分よりも重いことから、センサー部が第1部分と第2部分とでつり合うことなく、例えば、センサー部に印加される物理量としての加速度に応じてセンサー部を効率的に回転させることができる。この結果、物理量センサーは、例えば、加速度印加時の検出感度を向上させることができる。[適用例4]上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記センサー部には、可動電極部が設けられ、前記ベース基板の前記肉薄部には、前記可動電極部と対向する位置に固定電極部が設けられたことが好ましい。本適用例によれば、物理量センサーは、例えば、平板状のセンサー部の主面に、垂直な方向厚さ方向の物理量例えば、加速度が印加されたときに、センサー部が揺動ビーム部を支点にしたシーソー状の動きする。そして、物理量センサーは、この揺動によって可動電極部と固定電極部との間のギャップ間隙が変位することで生じる静電容量の変化から、当該物理量例えば、加速度を検出することが可能となる。[適用例5]上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記ベース基板上には、前記センサー部を覆う蓋体が設けられ、前記蓋体と前記ベース基板との間には、前記導電膜が介在していることが好ましい。本適用例によれば、物理量センサーは、蓋体とベース基板との間に導電膜が介在していることから、例えば、蓋体とベース基板とを陽極接合などで接合する際に発生する電荷を、導電膜により逃がすことができ、センサー部が蓋体に貼り付くことを防止できる。[適用例6]本適用例に係る電子機器は、上記適用例1ないし5のいずれか一例に記載の物理量センサーを用いたことを特徴とする。本適用例によれば、本構成の電子機器は、上記適用例1ないし5のいずれか一例に記載の物理量センサーを用いたことから、信頼性に優れた電子機器を提供できる。[適用例7]本適用例に係る物理量センサーの製造方法は、肉薄部および肉厚部を有しているガラス基板を用意する工程と、前記肉薄部と前記肉厚部の表面とに跨るように導電膜を形成する工程と、前記ガラス基板の前記肉厚部上に半導体基板を載置する工程と、前記ガラス基板と前記半導体基板とを陽極接合により接合する工程と、前記半導体基板をパターニングしてセンサー部を形成する工程と、を備え、前記半導体基板を載置する工程では、前記ガラス基板の前記肉厚部の表面に形成した前記導電膜と前記半導体基板とが接していることを特徴とする。本適用例によれば、物理量センサーの製造方法は、ガラス基板上に固定電極部と衝突防止用の保護膜として機能する導電膜とを同時に形成できる。また、物理量センサーの製造方法は、ガラス基板と半導体基板とを陽極接合した際に生じる電荷を、ガラス基板の肉厚部に設けた導電膜により逃がすことができ、センサー部とベース基板とが静電気などにより貼り付くことを防止できる。以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。実施形態1[物理量センサーの構成]まず、実施形態1に係る物理量センサーの構成について説明する。この物理量センサーは、Z軸方向厚さ方向の加速度や角速度など、種々の物理量を検出することができる。図1は、実施形態1に係る物理量センサーの斜視図である。図2は、図1の物理量センサーの平断面図であり、aは平面図、bはaのA-A線での断面図である。なお、図1~3、図8、図9においては、便宜的に蓋体を省略してある。図1、図2に示すように、物理量センサー1は、ベース基板6と、センサー部4とを備えている。ベース基板6は、中央部分に肉薄部6a、外周部分に肉厚部6bを備えている。肉薄部6aの内底には、例えば、半導体プロセスの成膜プロセスにより固定電極部7,8と導電膜9,10とが形成されている。導電膜9,10は、肉薄部6aから肉厚部6bの表面の少なくとも一部まで延び、肉薄部6aと肉厚部6bとに跨るように形成されている。なお、斜視図、平面図中で、固定電極部7,8、導電膜9,10および配線には、便宜的にハッチングを施してある。なお、ベース基板6は、ガラスなどの絶縁材料、もしくはシリコンなどの半導体材料から形成される。センサー部4は、アンカー部2、ビーム部3、スリット部5を含む。アンカー部2、およびビーム部3は、センサー部4に一体的に形成されている。アンカー部2は、前述したベース基板6の肉厚部6bに接合されている。これにより、アンカー部2は、ベース基板6に対して固定的に設けられている。また、センサー部4は、X軸方向に延びる略矩形形状長方形をなしている。なお、センサー部4の形状は、センサー部4を構成する各部の形状、大きさなどに応じて決められるものであり、上述した形状に限定されない。なお、図示していないが、センサー部4の主面Z軸と直交する面のうち、ベース基板6側を向く主面には、後述する固定電極部に対向して可動電極部が設けられている。このようなセンサー部4は、ベース基板6の肉厚部6bに対してY軸方向に延びる一対のビーム部3を介して連結支持されている。より具体的には、センサー部4の一方Y方向側の長辺がビーム部3を介してY方向側の肉厚部6bに連結されるとともに、センサー部4の他方-Y方向側の長辺がビーム部3を介して-Y方向側の肉厚部6bに連結されている。このビーム部3は、センサー部4を肉厚部6bに対して回転可能に連結している。本実施形態では、ビーム部3は、Y軸方向に延びる第1軸としての軸線B回りにセンサー部4を回転し得るように構成されている。具体的に説明すると、ビーム部3は、それぞれ、Y軸方向に延びる梁で構成されている。また、ビーム部3は、例えば、同一線上に沿って1対設けられている。このようなビーム部3は、それぞれ、Y軸方向に延びる軸線B回りに弾性的に捩れ変形し得る。なお、ビーム部3は、センサー部4を軸線B回りに回転可能とするものであれば、これに限定されず、例えば、2本の梁で構成されていてもよいし、折れ曲がった形状をなす梁で構成されていてもよい。このように、ベース基板6に対して回転可能に支持されたセンサー部4は、Z軸方向からみたときすなわち、センサー部4の主面に垂直な方向からみたとき、換言すれば平面視で、ビーム部3を結ぶ軸線Bに対して、一方側-X方向側に位置する第1部分4Aと、他方側X方向側に位置する第2部分4Bとで構成されている。そして、第1部分4Aの質量は、第2部分4Bの質量よりも重くなっている。そして、図2bに示すように、センサー部4の第1部分4A可動電極部は、固定電極部7に対して間隙12を介して対向している。また、センサー部4の第2部分4B可動電極部は、固定電極部8に対して間隙13を介して対向している。ここで、第1軸としての軸線Bは、センサー部4を第1部分4Aと第2部分4Bとに、区分けしていることになる。また、本実施形態では、固定電極部7,8の平面視形状は、それぞれ、略矩形をなしている。より具体的には、固定電極部7,8の平面視形状は、それぞれ、Y軸方向に長い長方形をなしている。また、固定電極部7,8は、互いに面積が等しくなっている。固定電極部7,8および導電膜9,10の構成材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができる。具体的には、例えば、ITOIndiumTinOxide、IZOIndiumZincOxide、In3O3、SnO2、Sb含有SnO2、Al含有ZnO等の酸化物透明電極材料、Au、Pt、Ag、Cu、Al、またはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。固定電極部7,8および導電膜9,10の形成方法成膜方法としては、特に限定されないが、例えば、真空蒸着、スパッタリング低温スパッタリング、イオンプレーティングなどの乾式メッキ法、電解メッキ、無電解メッキなどの湿式メッキ法、溶射法、薄膜の接合などが挙げられる。また、センサー部4には、その厚さ方向に貫通する複数のスリット部5が形成されている。具体的には、前述した第1部分4Aおよび第2部分4Bの各々に、Y軸方向に延びる複数のスリット部5がX軸方向に並んで形成されている。複数のスリット部5の内部空間は、それぞれ、センサー部4の回動に際し、間隙12または間隙13に存在する気体例えば空気を下側から上側へ向けて流通させる流路となる。このようにして、物理量センサー1は、センサー部4の回動に際し、間隙12または間隙13に存在する気体を複数のスリット部5を通じて逃すことができる。これにより、物理量センサー1は、センサー部4の回動に際し、間隙12,13に存在する気体の流動抵抗を低減することができる。したがって、物理量センサー1は、センサー部4に設けた可動電極部と固定電極部7,8との間の距離を小さく設定しても、センサー部4を物理量に応じた所望量で変位回動させることができる。この結果、物理量センサー1は、物理量検出の高感度化を図ることができる。図1、図2に示す物理量センサー1は、半導体材料からなるセンサー部4と、ガラスからなるベース基板6とを、陽極接合することで形成されることが好ましい。ベース基板6には、肉薄部6a、肉厚部6bからなる凹部が形成されており、センサー部4との絶縁性や動作性の確保が図られている。また、ベース基板6の凹部の内底には、固定電極部7,8と導電膜9,10とが形成されている。固定電極部7,8と導電膜9,10とは、互いに電気的に独立して形成されている。センサー部4は、図2aに示すように、全体として平面視で略長方形にパターニング形成されている。ベース基板6およびセンサー部4のパターニングは、反応性イオンエッチングRIE:ReactiveIonEtchingなどにより垂直エッチング加工をすることで、例えば、ベース基板6の凹部の内壁面や、センサー部4の側面、スリット部5の内面が、センサー部4の主面と垂直になるように形成される。反応性イオンエッチングとしては、例えば、誘導結合型プラズマICP:InductivelyCoupledPlasmaを備えたエッチング装置による加工方法を用いることができる。センサー部4は、ビーム部3を介してアンカー部2でベース基板6側に固定されており、ベース基板6側に設けられている電極配線15と電気的に接続される。また、固定電極部7は、ベース基板6側に設けられている電極配線14aと電気的に接続され、固定電極部8は、ベース基板6側に設けられている電極配線14bと電気的に接続される。なお、導電膜9,10は、島状に形成されているが、電極配線14a,14b,15とは別の電極配線により外部に引き出されて、例えば接地されてもよい。ベース基板6は、例えば、ウェットエッチングにより肉薄部6a、肉厚部6bが形成された後、例えば、スパッタリングで肉薄部6a、肉厚部6bに金属膜が成膜され、ウェットエッチングによりパターニングが行われることで固定電極部7,8および導電膜9,10が形成される。なお、導電膜9,10は、平面視で、センサー部4のX軸方向の両端部の少なくとも一部と重複する位置に設けられる。[物理量検出の原理]図3は、物理量センサーの駆動時の断面図であり、Z軸方向に物理量例えば、加速度を受けた状態を表している。図3に示すように、物理量センサー1は、例えば、センサー部4の主面と直交するZ方向に加速度Gを受けると、慣性力によって、センサー部4が軸線B回りにシーソー状に回転し、ベース基板6に対して傾斜する。詳述すると、物理量センサー1は、センサー部4の第1部分4Aが固定電極部7に近づくとともに、センサー部4の第2部分4Bが固定電極部8から離れる。このとき、間隙12は小さくなり、間隙13は大きくなることから、第1部分4Aと固定電極部7との間の静電容量は大きくなり、第2部分4Bと固定電極部8との間の静電容量は小さくなる。したがって、物理量センサー1は、第1部分4Aと固定電極部7との間の間隙12で発生する静電容量と、第2部分4Bと固定電極部8との間の間隙13で発生する静電容量との違いから、C-V変換することで得られる電圧波形を求めることにより、物理量センサー1に加わる加速度などの種々の物理量を検出することができる。このような静電容量は、センサー部4に形成された可動電極部及び固定電極部7,8の電位から取得することができる。図1、図2に示すように、センサー部4からは、アンカー部2がベース基板6に形成された電極配線15と接合されていることで、電位を取り出すことができる。一方、固定電極部7,8からは、ベース基板6に形成された電極配線14a,14bを介して電位を取り出すことができる。[物理量センサーの製造方法]ここで、本実施形態の物理量センサー1の製造方法を、物理量センサーの製造方法を説明する断面図である図4~6のa~mを用いて説明する。まず、図4aに示すように、ベース基板としてのガラス基板21を用意する。次に、図4bに示すように、ガラス基板21にレジスト22を塗布して、後に肉薄部となる箇所をエッチングするためのレジストパターニングする工程を行う。次に、図4cに示すように、ガラス基板21をエッチングし、図4dに示すように、レジスト22を剥離して、ガラス基板21に肉薄部6aおよび肉厚部6bを形成する。次に、図4eに示すように、ガラス基板21の表面全域に、スパッタリングにより導電膜23を成膜する。次に、図5fに示すように、レジスト24をガラス基板21の肉薄部6aおよび肉厚部6bに塗布し、後に固定電極部、導電膜となる箇所を残すためにレジストパターニングする工程を行う。次に、図5gに示すように、導電膜23をエッチングし、図5hに示すように、レジスト24を剥離して、肉薄部6aに固定電極部7,8および導電膜9,10を形成し、導電膜9,10を肉薄部6aと肉厚部6bとに跨るように肉厚部6b上にも形成する。次に図5iに示すように、ガラス基板21の肉厚部6b上に、後工程でセンサー部を形成する半導体基板25を載置し、ガラス基板21と半導体基板25とを陽極接合する。ここで、センサー部の貼り付きについて説明する。図7は、センサー部の貼り付きについて説明する断面図であり、aは従来例を示し、bは本実施形態例を示す。図7aに示すように、従来例では、ガラス基板21相当の肉厚部6b相当上に導電膜がない状態で半導体基板25相当を陽極接合すると、陽極接合時にガラス基板21側に電荷が溜まる。その後、従来例では、センサー部4相当を形成したときに、センサー部4とガラス基板21との間に電位差例えば、センサー部4が電位、ガラス基板21が-電位が生じる。これにより、従来例では、センサー部4の可動部分がガラス基板21に貼り付いてしまうという問題があった。これに対し、図7bに示すように、本実施形態では、肉厚部6b上に形成した導電膜9,10と半導体基板25とを、互いに接した状態でガラス基板21と半導体基板25とを陽極接合する。これにより、本実施形態では、陽極接合時に発生した電荷が導電膜9,10を介して半導体基板25側に逃げる。この結果、本実施形態では、陽極接合時に電荷が溜まるのを低減することができ、センサー部4を形成したときに、センサー部4とガラス基板21とが同電位となり、センサー部4の可動部分が、ガラス基板21に貼り付くことを回避できる。図5に戻って、次に、図5jに示すように、半導体基板25上にレジスト26を塗布してパターニングし、図6kに示すように半導体基板25をエッチングし、図6lに示すように、レジスト26を剥離することによりセンサー部4を形成する。最後に、図6mに示すように、センサー部4を覆うようにガラス基板21以降、ベース基板6ともいうの肉厚部6b上に蓋体28を接合することにより、物理量センサー1が得られる。なお、蓋体28は、例えば、シリコンなどの半導体基板により形成され、ベース基板6と陽極接合することにより互いに接合される。このとき、蓋体28とベース基板6との間に導電膜9,10を介在させることにより、蓋体28の接合時に発生した電荷を導電膜9,10を介して逃がすことができる。これにより、本実施形態では、陽極接合時に電荷が溜まるのを低減できることから、蓋体28の帯電を防止でき、例えば、帯電による蓋体28への異物付着などの問題を回避できる。図2bに戻って、ベース基板6に設けた凹部は、静電容量を検知するギャップであるセンサー部4の第1部分4A可動電極部と固定電極部7との間隙12、およびセンサー部4の第2部分4B可動電極部と固定電極部8との間隙13を規定することになる。静電容量をC、対向面積をS、検知ギャップ間隙12、間隙13の距離をd、誘電率をεとした場合、静電容量Cは、次式で求められる。C=εS/d1式1からわかるように、静電容量Cを大きくする、つまり検出感度を高くするためには、検知ギャップの距離を相当程度短くする必要がある。これにより、センサー部4は、加わる物理量例えば、加速度の大きさによっては、固定電極部7,8に衝突接触してしまう虞を常に有している。そこで、上述したように、本実施形態の物理量センサー1においては、固定電極部7,8の隣に導電膜9,10が設けられており、過大な物理量が加えられた場合において、センサー部4とベース基板6との間に導電膜9,10が介在することで、導電膜9,10が保護膜として機能し、両者が直接衝突して互いに損傷することを抑制可能となっている図3参照。さらに、物理量センサー1は、導電膜9,10がベース基板6の肉厚部6b上にも設けられ、ベース基板6と、センサー部4となる半導体基板25とを接合するときに生じる電荷を逃がす機能も有している。これにより、物理量センサー1は、製造過程または製造後においてベース基板6とセンサー部4とが貼り付くことを回避できる。なお、導電膜9,10は、比較的柔らかい材料を用いることによって、センサー部4やベース基板6の損傷をより抑制することができる。また、物理量センサー1は、ベース基板6がガラスからなり絶縁性を有することから、ベース基板6とセンサー部4との間の絶縁分離を容易に行うことができる。また、物理量センサー1は、センサー部4の第1部分4Aが第2部分4Bよりも重いことから、センサー部4が第1部分4Aと第2部分4Bとでつり合うことなく、例えば、センサー部4に印加される物理量としての加速度に応じてセンサー部4を効率的に回転させることができる。この結果、物理量センサー1は、例えば、加速度印加時の検出感度を向上させることができる。また、上述したように、物理量センサー1の製造方法は、ガラス基板21上に固定電極部7,8と衝突防止用の保護膜として機能する導電膜9,10とを同時に一括して形成することができる。これにより、物理量センサー1の製造方法は、固定電極部7,8と導電膜9,10とを別々に形成する場合と比較して、物理量センサー1の生産性を向上させることができる。また、物理量センサー1の製造方法は、ガラス基板21と半導体基板25とを陽極接合した際に生じる電荷を、ガラス基板21の肉厚部6bに設けた導電膜9,10により逃がすことができ、センサー部4半導体基板25とベース基板6ガラス基板21とが静電気などにより貼り付くことを回避できる。また、物理量センサー1の製造方法は、蓋体28とベース基板6との間に導電膜9,10を介在させることにより、蓋体28の陽極接合時に発生した電荷を導電膜9,10を介して逃がすことができる。これにより、物理量センサー1の製造方法は、蓋体28とベース基板6との陽極接合時に、蓋体28に電荷が溜まるのを低減できることから、蓋体28の帯電を防止でき、例えば、帯電による蓋体28への異物付着などの問題を回避できる。実施形態2次に、図8、図9を用いて実施形態2の物理量センサーの構成について説明する。実施形態2の物理量センサーは、上述した実施形態1の物理量センサーの導電膜が、センサー部と電気的に接続されるように構成されたものである。図8は、実施形態2の物理量センサーの平面図であり、図9は、実施形態2の物理量センサーの斜視図である。なお、実施形態1との共通部分については、同一符号を付して詳細な説明を省略し、実施形態1と異なる部分を中心に説明する。図8、図9に示すように、実施形態2の物理量センサー101は、ベース基板6の肉薄部6aと肉厚部6bとに跨るように設けられた導電膜109,110が、ベース基板6の肉厚部6b上でセンサー部4と物理的に接続されている。なお、導電膜109,110の形成方法、パターニング方法は、実施形態1と同一であるため詳細な説明は省略する。導電膜109,110は、ベース基板6の肉薄部6aに設けられた固定電極部7,8と同時に一括して成膜、パターニングされ、固定電極部7,8とは電気的に独立している。導電膜109,110は、センサー部4と物理的に接続されることにより、センサー部4と電気的に接続される。具体的には、導電膜109は、配線109aを介してセンサー部4の一方-Y方向側のアンカー部2に接続され、導電膜110は、配線110aを介してセンサー部4の他方Y方向側のアンカー部2に接続される。なお、導電膜109,110とセンサー部4との接続は、配線109a,110aを形成する際に、実施形態1の電極配線15の形成と同様な構成のマスクパターンを用いることで容易に行える。上述したように、本実施形態に係る物理量センサー101は、導電膜109,110とセンサー部4とが電気的に接続されたことから、導電膜109,110とセンサー部4とを同電位とすることができる。これにより、物理量センサー101は、実施形態1の効果に加えて、製造時や、取り扱い時の帯電によるセンサー部4のベース基板6への貼り付きを、確実に回避することができる。電子機器次に、上記各実施形態の物理量センサーを用いた電子機器を説明する。図10は、物理量センサーを用いた電子機器としてのモバイル型またはノート型のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。図10に示すように、パーソナルコンピューター1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部100を有する表示ユニット1106とにより構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター1100には、物理量センサー1が内蔵されている。なお、パーソナルコンピューター1100には、物理量センサー1に代えて物理量センサー101が内蔵されていてもよい。図11は、物理量センサーを用いた電子機器としての携帯電話機PHSも含むの構成を示す斜視図である。図11に示すように、携帯電話機1200は、複数の操作ボタン1202、受話口1204および送話口1206を備え、操作ボタン1202と受話口1204との間には、表示部100が配置されている。このような携帯電話機1200には、物理量センサー1が内蔵されている。なお、携帯電話機1200には、物理量センサー1に代えて物理量センサー101が内蔵されていてもよい。図12は、物理量センサーを用いた電子機器としてのディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図12には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ1300は、被写体の光像をCCDChargeCoupledDeviceなどの撮像素子により光電変換して撮像信号画像信号を生成する。ディジタルスチルカメラ1300におけるケースボディー1302の背面には、表示部1310が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部1310は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース1302の正面側図中裏面側には、光学レンズ撮像光学系やCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。撮影者が表示部1310に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン1306を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が、メモリー1308に転送格納される。また、このディジタルスチルカメラ1300においては、ケース1302の側面に、ビデオ信号出力端子1312と、データ通信用の入出力端子1314とが設けられている。そして、ビデオ信号出力端子1312には、テレビモニター1430が、データ通信用の入出力端子1314には、パーソナルコンピューター1440が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー1308に格納された撮像信号が、テレビモニター1430や、パーソナルコンピューター1440に出力される構成になっている。このようなディジタルスチルカメラ1300には、物理量センサー1が内蔵されている。なお、ディジタルスチルカメラ1300には、物理量センサー1に代えて物理量センサー101が内蔵されていてもよい。このような電子機器は、高感度および耐衝撃性に優れた物理量センサー1または物理量センサー101を備えるので、優れた信頼性を有する。なお、上記物理量センサーを用いた電子機器は、図10のパーソナルコンピューターモバイル型パーソナルコンピューター、図11の携帯電話機、図12のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置例えばインクジェットプリンター、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳通信機能付も含む、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、医療機器例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡、魚群探知機、各種測定機器、計器類例えば、車両、航空機、船舶の計器類、フライトシュミレーターなどに適用することができる。以上、本発明の物理量センサー、物理量センサーを用いた電子機器、および物理量センサーの製造方法について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。"