複数の画素がマトリクス状に配列された表示部を有する表示装置の駆動方法であって、前記複数の画素のそれぞれに第1の信号を入力し、前記表示部に第1の画像を表示する第1のステップと、前記複数の画素のそれぞれに第2の信号を入力し、前記第1のステップにおいて前記表示部に生じる残像を消去し、前記表示部に第2の画像を表示する第2のステップと、を有し、前記第1のステップの後に前記第2のステップを行うものである表示装置の駆動方法。複数の画素がマトリクス状に配列された表示部を有する表示装置の駆動方法であって、前記複数の画素のそれぞれに第1の信号を入力し、前記表示部に第1の画像を表示する第1のステップと、前記複数の画素のそれぞれに第2の信号を入力し、前記第1のステップにおいて前記表示部に生じる残像を消去し、前記表示部に第2の画像を表示する第2のステップと、前記複数の画素のそれぞれに第3の信号を入力し、前記第2の画像を保持する第3のステップと、を有し、前記第1のステップの後に前記第2のステップを行い、前記第2のステップの後に前記第3のステップを行うものである表示装置の駆動方法。請求項2において、前記第3の信号は、前記複数の画素のコモン電極の電位と等しいものである表示装置の駆動方法。請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、前記第1の信号の振幅電圧は、前記第2の信号の振幅電圧よりも大きいものである表示装置の駆動方法。請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、前記複数の画素のそれぞれに前記第1の信号が保持される時間は、前記複数の画素のそれぞれに前記第2の信号が保持される時間よりも長いものである表示装置の駆動方法。複数の画素がマトリクス状に配列された表示部と、駆動部と、を有する表示装置であって、前記駆動部は、前記複数の画素のそれぞれに第1の信号を入力し、前記表示部に第1の画像を表示する機能と、前記表示部に前記第1の画像を表示した後に、記複数の画素のそれぞれに第2の信号を入力し、前記第1の画像に生じる残像を消去し、前記表示部に第2の画像を表示する機能と、を有するものである表示装置。複数の画素がマトリクス状に配列された表示部と、駆動部と、を有する表示装置であって、前記駆動部は、前記複数の画素のそれぞれに第1の信号を入力し、前記表示部に第1の画像を表示する機能と、前記表示部に前記第1の画像を表示した後に、前記複数の画素のそれぞれに第2の信号を入力し、前記第1の画像に生じる残像を消去し、前記表示部に第2の画像を表示する機能と、前記表示部に前記第2の画像を表示した後に、前記複数の画素のそれぞれに第3の信号を入力し、前記第2の画像を保持する機能と、を有するものである表示装置。請求項7において、前記第3の信号は、前記複数の画素のコモン電極の電位と等しいものである表示装置。請求項6乃至請求項8のいずれか一項において、前記第1の信号の振幅電圧は、前記第2の信号の振幅電圧よりも大きいものである表示装置。請求項6乃至請求項9のいずれか一項において、前記複数の画素のそれぞれに前記第1の信号が保持される時間は、前記複数の画素のそれぞれに前記第2の信号が保持される時間よりも長いものである表示装置。請求項1乃至請求項10のいずれか一項に記載の表示装置と、通信機能とを有する電子機器。しかしながら、従来の技術では、画像を書き換える際、一旦画像の初期化を行った後、新たな画像を表示していたため、画像の書き換え時間が長くなっていた。また、画像を書き換える際、画像の初期化を行うため、画像が全体的に白色又は黒色になっていた。そのため、利用者には画像がちらついているように認識されていた。また、画像の初期化は、画像の初期化を行う前の各画素の階調が異なるにも係わらず、すべての画素電極を同じ電位に設定することにより行われるため、新たに表示する画像には、前の画像に起因する輝度のズレが生じていた。そのため、この輝度のズレは、使用者には残像として認識されていた。以上のことから、従来の技術では、表示品位が低下していた。上述の問題等に鑑み、開示する発明の一態様では、表示品位の向上を図ることを課題の一とする。また、画像の書き換え時間の短縮を図ることを課題とする。また、画像のちらつきを低減することを課題とする。また、残像の低減を図ることを課題とする。なお、本発明の一態様は、上記課題のすべてを解決する必要はない。本発明の一態様は、複数の画素がマトリクス状に配列された表示部を有する表示装置の駆動方法であって、第1のステップと第2のステップとを有する表示装置の駆動方法である。第1のステップでは、複数の画素のそれぞれに第1の信号を入力し、表示部に第1の画像を表示する。第2のステップでは、複数の画素のそれぞれに第2の信号を入力し、第1のステップにおいて表示部に生じる残像を消去し、表示部に第2の画像を表示する。第1のステップの後に第2のステップが行われる。本発明の一態様は、複数の画素がマトリクス状に配列された表示部を有する表示装置の駆動方法であって、第1のステップと第2のステップと第3のステップとを有する表示装置の駆動方法である。第1のステップでは、複数の画素のそれぞれに第1の信号を入力し、表示部に第1の画像を表示する。第2のステップでは、複数の画素のそれぞれに第2の信号を入力し、第1のステップにおいて表示部に生じる残像を消去し、表示部に第2の画像を表示する。第3のステップでは、複数の画素のそれぞれに第3の信号を入力し、第2の画像を保持する。第1のステップの後に第2のステップが行われ、第2のステップの後に第3のステップが行われる。本発明の一態様である表示装置の駆動方法において、第3の信号は、複数の画素のコモン電圧の電位と等しい又はおおむね等しくてもよい。本発明の一態様である表示装置の駆動方法において、第1の信号の振幅電圧は、第2の信号の振幅電圧よりも大きくてもよい。本発明の一態様である表示装置の駆動方法において、複数の画素のそれぞれに第1の信号が保持される時間は、複数の画素のそれぞれに第2の信号が保持される時間よりも長くてもよい。本発明の一態様は、複数の画素がマトリクス状に配列された表示部と、駆動部と、を有する表示装置である。駆動部は、複数の画素のそれぞれに第1の信号を入力し、表示部に第1の画像を表示する機能と、表示部に第1の画像を表示した後に、記複数の画素のそれぞれに第2の信号を入力し、第1の画像に生じる残像を消去し、表示部に第2の画像を表示する機能と、を有する表示装置である。本発明の一態様は、複数の画素がマトリクス状に配列された表示部と、駆動部と、を有する表示装置である。駆動部は、複数の画素のそれぞれに第1の信号を入力し、表示部に第1の画像を表示する機能と、表示部に第1の画像を表示した後に、複数の画素のそれぞれに第2の信号を入力し、第1の画像に生じる残像を消去し、表示部に第2の画像を表示する機能と、表示部に第2の画像を表示した後に、複数の画素のそれぞれに第3の信号を入力し、第2の画像を保持する機能と、を有する表示装置である。本発明の一態様である表示装置において、第3の信号は、複数の画素のコモン電圧の電位と等しい又はおおむね等しくてもよい。本発明の一態様である表示装置において、第1の信号の振幅電圧は、第2の信号の振幅電圧よりも大きくてもよい。本発明の一態様である表示装置において、複数の画素のそれぞれに第1の信号が保持される時間は、複数の画素のそれぞれに第2の信号が保持される時間よりも長くてもよい。なお、本明細書等において、明示的に単数として記載されているものについては、単数であることが望ましい。ただし、これに限定されず、複数であることも可能である。同様に、明示的に複数として記載されているものについては、複数であることが望ましい。ただし、これに限定されず、単数であることも可能である。なお、本明細書等において、各実施の形態の図面等において示す各構成の、大きさ、層の厚さ、信号波形、又は領域は、明瞭化のために誇張されて表記している場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお、本明細書等において、第1、第2、第3、乃至第NNは自然数という用語は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記する。本発明の一態様は、画像を書き換えた後、残像を消去するために各画素に信号を入力する。そのため、画像の書き換え時間の短縮を図ることができる。また、画像のちらつきを低減することができる。また、残像の低減を図ることができる。すなわち、表示品位の向上を図ることができる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じ物を指し示す符号は異なる図面間において共通とする。実施の形態1本実施の形態では、開示する発明の一態様である表示装置及びその駆動方法について説明する。まず、本実施の形態の表示装置の構成例について、図1を参照して説明する。図1に示す表示装置は、複数の画素100がマトリクス状に配列された表示部10画素部ともいうと、各画素を駆動するための走査線駆動回路11及び信号線駆動回路12等の駆動回路と、走査線駆動回路11及び信号線駆動回路12等の駆動回路を制御するためのコントローラ13とを有する。表示部10には、nnは自然数本のゲート信号線111ゲート信号線111_1乃至ゲート信号線111_nと示すが走査線駆動回路11からX方向に延伸して設けられ、mmは自然数本のソース信号線112ソース信号線112_1乃至ソース信号線112_mと示すが信号線駆動回路12からY方向に延伸して設けられる。そして、n本のゲート信号線111とm本のソース信号線112との交差領域には、各々、画素100が設けられる。つまり、複数の画素100は、n行×m列のマトリクス状に配列される。ゲート信号線111は、走査線駆動回路11の出力信号例えばゲート信号を伝達する機能を有する配線であり、配線又は信号線ともいう。ソース信号線112は、信号線駆動回路12の出力信号例えば映像信号を伝達する機能を有する配線であり、配線又は信号線ともいう。なお、表示部10には、画素100の構成に応じて、ゲート信号線111及びソース信号線112の他にも様々な配線を設けてもよい。表示部10に設けることが可能な配線としては、容量線、電源線、信号線又はゲート信号線111とは異なるゲート信号線などがある。なお、表示部10には、ダミー画素、ダミー配線例えばダミーのゲート信号線、ダミーのソース信号線などを設けてもよい。ダミー画素及びダミー配線は、複数の画素100がマトリクス状に配列される部分の周辺に設けるとよい。こうして、表示部10にダミー画素及びダミー配線を設けることにより、表示不良を低減することができる。走査線駆動回路11は、1行目の画素100からn行目の画素100までを順番に選択する機能を有する回路であり、駆動回路又はゲートドライバともいう。走査線駆動回路11は、シフトレジスタ回路又はデコーダ回路等を有する。画素100を選択するタイミングの制御は、走査線駆動回路11がn本のゲート信号線111にゲート信号走査信号ともいうを出力することにより行われる。例えば、iiは1乃至nのいずれか一行目の画素100を選択する場合、走査線駆動回路11は、i本目のゲート信号線111に出力するゲート信号を選択状態ハイレベルとロウレベルとの一方にする。このとき、i行目以外の行の画素100を選択しないのであれば、走査線駆動回路11は、i本目以外のゲート信号線111に出力するゲート信号を非選択状態ハイレベルとロウレベルとの他方にする。なお、走査線駆動回路11は、2行以上例えば2又は3の画素100を同時に選択してもよい。こうすれば、画素100を選択する回数を減らすことができ、消費電力の削減を図ることができる。なお、走査線駆動回路11は、n行の画素100を1行ずつ任意の順番で選択してもよい。この場合、走査線駆動回路11は、デコーダ回路を有するとよい。なお、走査線駆動回路11は、n行の画素100の中の一部の画素100のみを選択してもよい。いわゆる、パーシャル駆動部分駆動ともいうである。走査線駆動回路11がパーシャル駆動を行うことにより、消費電力の削減を図ることができる。信号線駆動回路12は、m本のソース信号線112に映像信号をそれぞれ出力する機能を有する回路であり、駆動回路又はソースドライバともいう。映像信号は、画像情報に応じた信号である。よって、各画素100に映像信号を入力することにより、各画素100の階調を制御し、画像情報に応じた画像を表示部10に表示することが可能になる。各画素100への映像信号の入力の制御は、走査線駆動回路11が各行の画素100を選択する毎に、信号線駆動回路12がm本のソース信号線112に映像信号を出力することにより行われる。なお、信号線駆動回路12は、m本のソース信号線112に同時又はおおむね同時に映像信号を出力する。こうして、画素100に映像信号を入力する時間を長くすることができるので、表示品位の向上を図ることができる。ただし、信号線駆動回路12は、m本のソース信号線112に1本又は複数本ずつ順番に出力してもよい。この場合、信号線駆動回路12は、デマルチプレクサ回路を有するとよい。信号線駆動回路12がデマルチプレクサ回路を有することにより、表示部10が形成される基板と、外部回路との接続点数を少なくすることができる。その結果、歩留まりの向上、コストの削減及び/又は信頼性の向上などを図ることができる。コントローラ13は、画像情報に応じて走査線駆動回路11及び信号線駆動回路12等の駆動回路を制御する機能を有する回路であり、制御回路又はタイミングコントローラともいう。走査線駆動回路11及び信号線駆動回路12等の駆動回路の制御は、コントローラ13が様々な制御信号を走査線駆動回路11及び信号線駆動回路12等の駆動回路に供給することにより行われる。例えば、コントローラ13は、垂直同期信号、クロック信号又はパルス幅制御信号等の制御信号を走査線駆動回路11に供給する。例えば、コントローラ13は、映像信号と、水平同期信号、クロック信号又はラッチ信号等の制御信号とを信号線駆動回路12に供給する。なお、コントローラ13は、走査線駆動回路11及び信号線駆動回路12等の駆動回路に信号を供給するだけでなく、これらの回路に電圧を供給してもよい。この場合、コントローラ13は、DCDCコンバータ及び/又はレギュレータ回路等の電源回路を有する。走査線駆動回路11及び信号線駆動回路12等の駆動回路に信号を供給する回路と電圧を供給する回路とを同じ基板に形成することワンチップ化することにより、部品点数の削減、コストの削減及び/又は歩留まりの向上を図ることができる。次に、画素100の回路構成の例について、図2Aを参照して説明する。画素100は、トランジスタ101と、表示素子102と、容量素子103とを有する。表示素子102は、コモン電極121と画素電極122電極ともいうとに挟持されている。トランジスタ101の第1の端子ソース電極とドレイン電極との一方は、ソース信号線112と電気的に接続される。トランジスタ101の第2の端子ソース電極とドレイン電極との他方は、画素電極122と電気的に接続される。トランジスタ101のゲートは、ゲート信号線111と電気的に接続される。容量素子103の第1の電極は、容量線113と電気的に接続される。容量素子103の第2の電極は、画素電極122と電気的に接続される。容量線113は、全ての画素100の容量素子103の第1の電極と電気的に接続されている。容量線113には所定の電圧が供給されており、容量線113のことを電源線ともいう。特に、容量線113には、コモン電極121に供給される電圧と同じ電圧、又はコモン電極121に供給される電圧と同じ値の電圧を供給することが好適である。こうして、表示装置に供給する電源電圧の種類を少なくすることができる。コモン電極121は、全ての画素100の表示素子102において共通であり、電極、対向電極、共通電極又は陰極ともいう。コモン電極121には所定の電圧コモン電圧ともいうが供給される。ただし、コモン電極121に供給される電圧を変動させてもよい。こうすれば、映像信号の振幅電圧を小さくすることができるので、消費電力の削減を図ることができる。また、メモリ性を有する表示素子は一般的なTN液晶などと比較して駆動電圧が大きいため、トランジスタに印加される電圧が大きくなる。そのため、トランジスタに劣化が生じてしまうことがある。しかし、前述したように、コモン電極121に供給する電圧を変動させ、映像信号の振幅電圧を小さくすることにより、トランジスタに印加される電圧を小さくすることができる。その結果、トランジスタの劣化を抑制することができる。なお、コモン電極121に供給される電圧を変動させる場合は、容量線113に供給される電圧も同時に変動させてもよい。つまり、コモン電極121と容量線113とを同じ又はおおむね同じ電位としてもよい。こうすれば、コモン電極121に供給される電圧が変動しても、表示素子102に印加される電圧を保つことができる。その結果、表示素子102の階調を維持することができ、表示品位の低下を防止することができる。トランジスタ101は、ソース信号線112と画素電極122との導通状態を制御する機能を有するスイッチであり、選択用トランジスタともいう。トランジスタ101としては、Nチャネル型トランジスタを用いてもよいし、Pチャネル型トランジスタを用いてもよい。トランジスタ101としてNチャネル型トランジスタが用いられる場合、ゲート信号がハイレベルになることにより、トランジスタ101がオンになり、画素100が選択される。また、ゲート信号がロウレベルになることにより、トランジスタ101がオフになり、画素100は非選択になる。一方、トランジスタ101としてPチャネル型トランジスタが用いられる場合、ゲート信号がロウレベルになることにより、トランジスタ101がオンになり、画素100が選択される。また、ゲート信号がハイレベルになることにより、トランジスタ101がオフになり、画素100は非選択になる。なお、トランジスタ101としてNチャネル型トランジスタを用いる場合、トランジスタ101としては、非晶質シリコン、微結晶シリコン若しくは酸化物半導体を有するトランジスタ、又は有機トランジスタなどを用いることができる。特に、トランジスタ101として、酸化物半導体を有するトランジスタを用いることによって、トランジスタ101のオフ電流を小さくすることができる。その結果、容量素子103を省略又は縮小することができる。また、トランジスタ101の耐圧の向上を図ることができる。電気泳動素子等のメモリ性を有する表示素子は駆動電圧が大きいため、トランジスタ101の耐圧を大きくすることは好適である。なお、トランジスタ101として、非晶質シリコン、微結晶シリコン又は酸化物半導体を有するトランジスタを用いる場合、多結晶シリコンを有するトランジスタを用いた場合と比較して、製造工程の削減を図ることができる。したがって、製造コストの削減、歩留まりの向上及び/又は信頼性の向上を図ることができる。容量素子103は、画素電極122の電位を一定に保つ機能を有する容量素子であり、保持容量ともいう。具体的には、容量素子103は、容量線113と画素電極122との電位差、又はこの電位差に応じた電荷を保存する。こうして、画素電極122の電位を一定に保つことができ、表示品位の向上を図ることができる。あるいは、画像を保持することが可能な時間を長くすることができる。なお、容量素子103の第1の電極を別の行例えば1つ前の行のゲート信号線111と接続してもよい。こうすれば、容量線113を省略することができ、開口率の向上を図ることができる。表示素子102は、メモリ性を有する表示素子である。表示素子102又は表示素子102の駆動方式としては、マイクロカプセル型電気泳動方式、マイクロカップ型電気泳動方式、水平移動型電気泳動方式、垂直移動型電気泳動方式、ツイストボール方式、粉体移動方式、電子粉流体方式、コレステリック液晶素子、カイラルネマチック液晶、反強誘電性液晶、高分子分散型液晶、帯電トナー、エレクトロウェッティング方式、エレクトロクロミズム方式、エレクトロデポジション方式などがある。次に、表示素子102としてマイクロカプセル型電気泳動方式を用いた表示素子を用いた場合の画素100の断面構造の例について、図2Bを参照して説明する。表示素子102は、コモン電極121と画素電極122との間に、複数のマイクロカプセル123が配置された構成である。マイクロカプセル123は、樹脂124により固定される。樹脂124は、バインダとしての機能を有し、透光性を有する。ただし、コモン電極121と画素電極122とマイクロカプセル123とによって形成される空間には、空気又は不活性ガスなどの気体を充填してもよい。この場合、コモン電極121と画素電極122の一方又は双方に、粘着剤又は接着剤等含む層を形成して、マイクロカプセル123を固定するとよい。マイクロカプセル123は、膜125と、正と負の一方に帯電した白色粒子126と、正と負の他方に帯電した黒色粒子127と、透光性を有する分散液128と、を有する。白色粒子126と黒色粒子127と分散液128とは、膜125の中に封入される。なお、膜125に封入される粒子を、青、緑又は赤などに着色してもよい。あるいは、分散液128を、青、緑又は赤などに着色してもよい。あるいは、膜125に封入される粒子と、分散液128との双方を、青、緑又は赤などに着色してもよい。こうすれば、カラー表示を行うことができる。なお、膜125の中には、3種類以上の粒子を封入してもよい。これらの粒子は、互いに異なる電荷密度であるとよい。上記のような表示素子102では、コモン電極121と画素電極122との間に電位差を生じさせることにより、白色粒子126及び黒色粒子127が移動する。この粒子の移動を利用して、表示素子102の階調を制御する。例えば、コモン電極121の方から見た場合、コモン電極121の付近に白色粒子126が移動すると、表示素子102の階調は高く例えば白なる。逆に、コモン電極121の付近に黒色粒子127が移動すると、表示素子102の階調は低く例えば黒なる。一方で、コモン電極121と画素電極122とを同じ電位、又はコモン電極121と画素電極122との電位差を表示素子102の閾値電圧以下とすることにより、白色粒子126と黒色粒子127との移動は止まる。これを利用して、表示素子102の階調を維持することができる。例えば、コモン電極121の方から見た場合、コモン電極121の付近に白色粒子126が集まっている状態のときに、白色粒子126と黒色粒子127との移動を止めることにより、表示素子102を高い階調に維持することができる。逆に、コモン電極121の付近に黒色粒子127が集まっている状態のときに、白色粒子126と黒色粒子127との移動を止めることにより、表示素子102を低い階調に維持することができる。次に、本実施の形態の表示装置の動作の概略について以下に説明する。表示素子102の階調の制御は、コモン電極121の電位と画素電極122の電位とを制御し、表示素子102に電圧を印加することにより行われる。コモン電極121の電位の制御は、コモン電極121にコモン電圧を供給することにより行われる。画素電極122の電位の制御は、ソース信号線112に入力される信号信号線駆動回路12の出力信号を制御することにより行われる。なお、トランジスタ101がオンになることにより、ソース信号線112の信号が画素100に入力される。なお、表示素子102に印加する電圧の大きさ、表示素子102にその閾値電圧の絶対値よりも大きい電圧を印加する時間、及び表示素子102に印加する電圧の正負などの中の1つ以上を制御することにより、表示素子102の階調を制御することができる。なお、表示素子102の階調の保持は、コモン電極121の電位と画素電極122の電位とを、同じ値又は表示素子102の閾値電圧以下にすることにより行われる。ここで、本実施の形態の表示装置の詳細な動作について説明する前に、比較例の表示装置の動作について、図3A乃至Dを参照して説明する。図3Aは、比較例の表示装置において画像を書き換える場合の動作を説明するためのフローチャートの例を示す。比較例の表示装置は、画像を初期化するステップと、画像を書き換えるステップと、画像を保持するステップとに分けて説明することができる。図3B乃至Dは、比較例の表示装置において画像を書き換える場合の表示部10に表示される画像の例を示す。なお、表示部10に既に表示している画像を旧画像と示し、表示部10に新たに表示する画像を新画像と示す。なお、表示部10を領域Aと領域Bと領域Cとに分割して説明する。領域Aは、旧画像から新画像に書き換わっても、白色第1の階調ともいうのままの領域である。領域Bは、旧画像から新画像に書き換わると、黒色第2の階調ともいうから白色に変化する領域である。領域Cは、旧画像から新画像に書き換わると、白色から黒色に変化する領域である。なお、便宜上、使用者は、表示装置をコモン電極121側から見ているものとする。よって、白色粒子126がコモン電極121側に集まると、使用者には白色に見えるものとし、黒色粒子127がコモン電極121側に集まると、使用者には黒色に見えるものとする。なお、便宜上、画素電極122の電位がコモン電極121の電位よりも高い場合に、白色粒子126は画素電極122側に移動し、黒色粒子127はコモン電極121側に移動するものとする。そして、画素電極122の電位がコモン電極121の電位よりも低い場合に、白色粒子126はコモン電極121側に移動し、黒色粒子127は画素電極122側に移動するものとする。まず、表示部10には、旧画像が表示されている。よって、図3Bに示すように、領域Aは白色であり、領域Bは黒色であり、領域Cは白色である。つまり、領域A及び領域Cでは、白色粒子126がコモン電極121側に集まっており、領域Bでは、黒色粒子127がコモン電極121側に集まっている。その後、画像情報が表示装置に入力される。すると、ステップ1において、表示部10は、全体的に白色になるように初期化され、旧画像が消去される。よって、図3Cに示すように、領域Aは白色のままになり、領域Bは黒色から白色に変化し、領域Cは白色のままになる。表示部10の初期化は、全ての画素100において、画素電極122の電位をコモン電極121の電位よりも低く設定し、白色粒子126をコモン電極121側に移動させることにより行われる。しかしながら、図3Cにおいて、領域A及び領域Cと、領域Bとでは、階調に差が生じる。これは、初期化を行う前の領域A及び領域Cと領域Bとでは、白色粒子126及び黒色粒子127の分布状態が異なるにもかかわらず、全ての画素100において、表示素子102に同じように電圧を印加することにより生じる。その後、ステップ2において、表示部10に新画像が表示される。よって、図3Dに示すように、領域Aは白色のままになり、領域Bは白色のままになり、領域Cは白色から黒色に変化する。領域A及び領域Bの階調の制御は、領域A及び領域Bの画素100において、画素電極122の電位をコモン電極121の電位と等しい値に設定し、粒子を移動させない又は粒子の移動を止めることにより行われる。領域Cの階調の制御は、領域Cの画素100において、画素電極122の電位をコモン電極121の電位よりも高く設定し、黒色粒子127をコモン電極121側に移動させることにより行われる。しかしながら、領域A及び領域Bの画素100において、粒子は移動しないため、図3Cと同様に、領域Aの階調と領域Bの階調とには差が生じたままとなる。その後、ステップ3において、表示部10の画像が保持される。よって、領域Aは白色のままとなり、領域Bは白色のままとなり、領域Cは黒色のままになる。画像の保持は、全ての画素100において、画素電極122の電位をコモン電極121の電位と等しい値に設定し、粒子を移動させない又は粒子の移動を止めることにより行われる。当然ながら、全ての画素100において、粒子は移動しないため、図3Dと同様に、領域Aの階調と領域Bの階調とには差が生じたままとなる。以上のように、比較例の表示装置では、表示部を初期化した後に、表示部に新画像を表示していた。そのため、表示部10に新画像を表示するまでの時間が長くなっていた。また、表示部10の初期化を行うため、旧画像から新画像に変化する間に、画像が全体的に白色又は黒色になる。そのため、使用者には画像がちらついているように認識されるため、表示品位が低下していた。また、表示部10の初期化を行っても、新画像において、旧画像に応じた階調ずれが生じていた。そのため、使用者には残像として認識され、表示品位が低下していた。次に、本実施の形態の表示装置の詳細な動作について、従来の技術と比較した有利な点等を、図4A乃至D及び図5を参照して説明する。図4Aは、本実施の形態の表示装置において画像を書き換える場合の動作を説明するためのフローチャートの例を示す。本実施の形態の表示装置の動作は、画像を書き換えるステップと、残像を消去するステップと、画像を保持するステップとに分けて説明することができる。図4B乃至Dは、本実施の形態の表示装置において画像を書き換える場合の表示部10に表示される画像の例を示す。図5は、本実施の形態の表示装置において画像を書き換える場合の動作を説明するためのタイミングチャートの例を示す。本実施の形態の表示装置は、画像の書き換えを行う期間T1書き換え期間と、残像の消去を行う期間T2消去期間と、画像の保持を行う期間T3保持期間とに分けて説明することができる。期間T1は、図4Aに示すステップ201を行う期間であり、期間T2は図4Aに示すステップ202を行う期間であり、期間T3は図4Aに示すステップ203を行う期間である。なお、便宜上、コモン電極121の電位は、所定の値V0と示すとする。また、図5では、領域Aの画素100の画素電極122の電位を電位211Aと示し、領域Bの画素100の画素電極122の電位を電位211Bと示し、領域Cの画素100の画素電極122の電位を電位211Cと示す。まず、表示部10には、旧画像が表示されている。よって、図4Bに示すように、領域Aは白色であり、領域Bは黒色であり、領域Cは白色である。つまり、領域A及び領域Cでは、白色粒子126がコモン電極121側に集まっており、領域Bでは、黒色粒子127がコモン電極121側に集まっている。その後、新画像の画像情報が表示装置に入力される。すると、図4Aに示すステップ201又は図5に示す期間T1において、新画像の画像情報に応じた信号である映像信号第1の信号ともいうが各画素100に入力されることにより、表示部10に新画像が表示される。よって、図4Cに示すように、領域Aは白色のままになり、領域Bは黒色から白色に変化し、領域Cは白色から黒色に変化する。領域Aの階調の制御は、図5に示すように、電位V0と等しい値の映像信号を領域Aの画素100に入力し、画素電極122の電位を電位V0と等しい値に設定することにより行われる。こうして、領域Aにおいて、粒子の移動を止めることができるので、領域Aを白色に維持することができる。なお、領域Aの階調の制御は、電位V0よりも低い値の映像信号を領域Aの画素100に入力し、画素電極122の電位を電位V0よりも低い値に設定することにより行われてもよい。領域Bの階調の制御は、図5に示すように、電位V0よりも低い値の映像信号を領域Bの画素100に入力し、画素電極122の電位を電位V0よりも低い値に設定することにより行われる。こうして、領域Bにおいて、白色粒子126をコモン電極121側に移動させることができ、領域Bを白色に近づけることができる。領域Cの階調の制御は、図5に示すように、電位V0よりも高い値の映像信号を領域Cの画素100に入力し、画素電極122の電位を電位V0よりも高い値に設定することにより行われる。こうして、領域Cにおいて、黒色粒子127をコモン電極121側に移動させることができ、領域Cを黒色に近づけることができる。上記ステップ201又は期間T1の動作により、表示部10に新画像を表示することができる。しかしながら、ステップ201の終了時点期間T1の終了時点では、図4Cに示すように、領域Aと領域Bとでは、階調に差が生じている。つまり、表示部10には、旧画像が残像として表示されている。なお、ステップ201又は期間T1において表示される画像を第1の画像ともいう。なお、領域A、領域B又は領域Cの階調を中間調とする場合には、表示素子102に印加する電圧の大きさを制御するとよい。その後、図4Aに示すステップ202又は図5に示す期間T2において、残像を消去するための信号である消去信号第2の信号ともいうが各画素100に入力されることにより、表示部10が表示する画像から残像が消去される。具体的には、領域Bの階調を変化させ、領域Aと領域Bとの階調の差を無くす又は小さくする。領域Aの階調の制御は、図5に示すように、電位V0と等しい値の消去信号を領域Aの画素100に入力し、画素電極122の電位を電位V0と等しい値に設定することにより行われる。こうして、領域Aにおいて、粒子の移動を止めることができるので、領域Aの階調を維持することができる。領域Bの階調の制御は、図5に示すように、電位V0よりも低い値の消去信号実線で示すと電位V0よりも高い値の消去信号破線で示すの一方を領域Bの画素100に入力し、画素電極122の電位を制御することにより行われる。具体的には、ステップ201の終了時点又は期間T1の終了時点において、領域Bの階調が領域Aの階調よりも低い場合、領域Bの階調の制御は、電位V0よりも低い値の消去信号を領域Bの画素100に入力し、画素電極122の電位を電位V0よりも低い値に設定することにより行われる。これにより、領域Bにおいて、白色粒子126をコモン電極121側に移動させ、領域Bの階調をステップ201の終了時点よりも高くする。こうして、領域Aと領域Bとの階調の差を無くす又は小さくすることができる。一方で、ステップ201の終了時点又は期間T1の終了時点において、領域Bの階調が領域Aの階調よりも高い場合、領域Bの階調の制御は、電位V0よりも高い値の消去信号を領域Bの画素100に入力し、画素電極122の電位を電位V0よりも高い値に設定することにより行われる。これにより、領域Bにおいて、黒色粒子127をコモン電極121側に移動させ、領域Bの階調をステップ201の終了時点よりも低くする。こうして、領域Aと領域Bとの階調の差を無くす又は小さくすることができる。領域Cの階調の制御は、図5に示すように、電位V0と等しい値の消去信号を領域Aの画素100に入力し、画素電極122の電位を電位V0と等しい値に設定することにより行われる。こうして、領域Cにおいて、粒子の移動を止めることができるので、領域Cの階調を維持することができる。上記ステップ202又は期間T2の動作により、ステップ201において表示部10に表示された画像第1の画像に生じる残像を消去することができる。なお、ステップ202又は期間T2において表示部10に表示される画像を第2の画像ともいう。なお、ステップ202又は期間T2では、階調の差を無くす又は小さくするだけなので、ステップ201又は期間T1と比較すると、粒子の移動量は小さい。そのため、ステップ202を行う時間又は期間T2の長さは、ステップ201を行う時間又は期間T1よりも短いとよい。つまり、画素が消去信号を保持する時間は、画素が映像信号を保持する時間よりも短いとよい。なお、ステップ202又は期間T2において表示素子102に印加される電圧の絶対値は、ステップ201又は期間T1において表示素子102に印加される電圧の絶対値よりも小さいとよい。つまり、消去信号の振幅電圧は、映像信号の振幅電圧よりも小さいとよい。これにより、消費電力の削減を図ることができる。なお、ステップ202又は期間T2において、領域Aの階調を領域Bの階調に近づけることにより、領域Aと領域Bとの階調の差を無くす又は小さくしてもよい。この場合、電位V0よりも低い値の消去信号と電位V0よりも高い値の消去信号の一方を領域Aの画素100に入力し、領域Aの階調を制御するとよい。その後、図4Aに示すステップ203又は図5に示す期間T3において、画像を保持するための信号である保持信号第3の信号ともいうが各画素100に入力されることにより、表示部10に表示されている画像図4Dに示す画像を保持することができる。よって、領域Aは白色のままとなり、領域Bは白色のままとなり、領域Cは黒色のままになる。各領域の階調の制御は、図5に示すように、電位V0と等しい値の保持信号を各領域の画素100に入力し、画素電極122の電位を電位V0と等しい値に設定することにより行われる。こうして、各領域において、粒子の移動を止めることができるので、各領域の階調を維持することができる。したがって、ステップ203又は期間T3において、ステップ203において表示部10に表示した画像第2の画像を、表示部10に表示し続けることができる。以上のように、本実施の形態の表示装置は、表示部10に新画像を表示した後に、残像の消去を行う。そのため、本実施の形態の表示装置は、比較例の表示装置よりも、新画像に応じた画像情報が入力されてから表示部10に新画像が表示されるまでの時間を短くすることができる。すなわち、画像の書き換え速度を速くすることができる。また、本実施の形態の表示装置では、表示部10に新画像を表示する前に、初期化を行わない。そのため、比較例の表示装置のように、画像のちらつきにより、表示品位の低下を生じるといったことがない。すなわち、表示品位の向上を図ることができる。次に、図5を参照して説明した表示装置の駆動方法とは異なる表示装置の駆動方法について、図6に示すタイミングチャートを参照して説明する。図6を用いて説明する表示装置の駆動方法は、表示素子102に電圧を印加する時間を制御することにより、各領域の階調を制御するところが、図5を参照して説明した表示装置の駆動方法と異なる。図6に示すタイミングチャートでは、期間T1は、複数のサブ期間期間T1-1乃至T1-NNは自然数と示すに分割され、期間T2は、複数のサブ期間期間T2-1乃至T2-MMは自然数と示すに分割される。期間T1では、各画素100の階調の制御は、各サブ期間期間T1-1乃至T1-Nにおいて、電位V0と等しい値の映像信号と、電位V0よりも高い値の映像信号と、電位V0よりも低い値の映像信号のいずれか1つを各画素100に入力することにより行われる。これらの信号の組み合わせにより、画素100を様々な階調にすることができる。具体的には、画素100の階調を高く設定するほど、電位V0よりも低い値の映像信号を画素100に入力するサブ期間の数を多くする。これにより、画素電極122の電位が電位V0よりも低く設定される時間が長くなるので、コモン電極121側に移動する白色粒子126の数が多くなる。一方で、画素100の階調を低く設定するほど、電位V0よりも高い値の映像信号を画素100に入力するサブ期間の数を多くする。これにより、画素電極122の電位が電位V0よりも高く設定される時間が長くなるので、コモン電極121側に移動する黒色粒子127の数が多くなる。期間T2では、各画素100の階調の制御は、各サブ期間期間T2-1乃至T2-Mにおいて、電位V0と等しい値の消去信号と、電位V0よりも高い値の消去信号と、電位V0よりも低い値の消去信号のいずれか1つを各画素100に入力することにより行われる。これらの信号の組み合わせにより、残像を消去することができる。期間T3では、図5を用いて説明した表示装置の駆動方法と同様に、各画素100に保持信号を入力し、各画素100の階調を保持する。以上のように、映像信号の値を3つ、消去信号の値を3つにすることができる。よって、信号線駆動回路12の構成を単純にすることができる。なお、期間T2における粒子の移動量は、期間T1における粒子の移動量よりも小さい。よって、期間T2が有するサブ期間の数を、期間T1が有するサブ期間の数よりも少なくすることができる。これにより、画像の書き換えを開始してから画像の保持を行うまでの時間を短くすることができ、消費電力の削減を図ることができる。あるいは、消去信号の振幅電圧電位V0よりも高い値と低い値との差を、映像信号の振幅電圧電位V0よりも高い値と低い値との差よりも小さくすることができる。これにより、消費電力の削減を図ることができる。なお、期間T1が有するサブ期間期間T1―1乃至T1-Nを重み付けすることができる。例えば、期間T1-1の長さをtとすると、期間T1-2の長さを2×tとし、期間T1-3の長さを4×tとする。これにより、画素100に信号を入力する回数を減らすことができる。よって、消費電力の削減を図ることができる。同様に、期間T2が有するサブ期間期間T2-1乃至T2-Mを重み付けすることができる。次に、コントローラ13の具体例について説明する。図7は、本実施の形態の表示装置のブロック図の一例である。図7に示す表示装置は、コントローラ300と駆動回路304と表示部305とを有する。コントローラ300は、図1のコントローラ13に対応する。駆動回路304は、図1の走査線駆動回路11及び信号線駆動回路12などに対応する。表示部305は、図1の表示部10に対応する。図7に示すコントローラ300は、比較部301と遅延部302とパネルコントローラ303とを有する。コントローラ300には、画像情報が入力される。コントローラ300に入力される画像情報は、比較部301に入力され、さらに遅延部302を介して比較部301に入力される。遅延部302は、画像情報を保存し、次の画像情報がコントローラ300に入力されるときに、保存した画像情報を比較部301に出力する。よって、比較部301には、コントローラ300に入力されている画像情報新画像情報と示すと、新画像情報よりも前に入力された画像情報旧画像情報と示すとの2つの画像情報が入力される。比較部301は、新画像情報と旧画像情報との比較を行い、その比較結果をパネルコントローラ303に出力する。パネルコントローラ303は、比較結果を参照して、駆動回路304を制御する。そして、駆動回路304は、表示部305が有する複数の画素に、それぞれ信号を入力することにより、表示部305に画像を表示する。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態2本実施の形態では、開示する発明の一態様である表示装置に用いることができるトランジスタの例について説明する。図8A乃至Dにトランジスタの断面構造の一例を示す。図8Aに示すトランジスタ1210は、ボトムゲート構造のトランジスタの一つであり、逆スタガ型トランジスタともいう。トランジスタ1210は、絶縁表面を有する基板1200上に、ゲート電極層1201、ゲート絶縁層1202、半導体層1203、ソース電極層1205a、及びドレイン電極層1205bを含む。また、トランジスタ1210を覆い、半導体層1203に接する絶縁層1207が設けられている。絶縁層1207上にはさらに保護絶縁層1209が形成されている。図8Bに示すトランジスタ1220は、チャネル保護型チャネルストップ型ともいうと呼ばれるボトムゲート構造の一つであり逆スタガ型トランジスタともいう。トランジスタ1220は、絶縁表面を有する基板1200上に、ゲート電極層1201、ゲート絶縁層1202、半導体層1203、半導体層1203のチャネル形成領域上に設けられたチャネル保護層として機能する絶縁層1227、ソース電極層1205a、及びドレイン電極層1205bを含む。また、トランジスタ1220を覆い、保護絶縁層1209が形成されている。図8C示すトランジスタ1230はボトムゲート型のトランジスタであり、絶縁表面を有する基板である基板1200上に、ゲート電極層1201、ゲート絶縁層1202、ソース電極層1205a、ドレイン電極層1205b、及び半導体層1203を含む。また、トランジスタ1230を覆い、半導体層1203に接する絶縁層1207が設けられている。絶縁層1207上にはさらに保護絶縁層1209が形成されている。トランジスタ1230においては、ゲート絶縁層1202は基板1200及びゲート電極層1201上に接して設けられ、ゲート絶縁層1202上にソース電極層1205a、ドレイン電極層1205bが接して設けられている。そして、ゲート絶縁層1202、及びソース電極層1205a、ドレイン電極層1205b上に半導体層1203が設けられている。図8Dに示すトランジスタ1240は、トップゲート構造のトランジスタの一つである。トランジスタ1240は、絶縁表面を有する基板1200上に、絶縁層1247、半導体層1203、ソース電極層1205a、及びドレイン電極層1205b、ゲート絶縁層1202、ゲート電極層1201を含む。そして、ソース電極層1205a、ドレイン電極層1205bにそれぞれ配線層1246a、配線層1246bが接して設けられ電気的に接続している。本実施の形態では、半導体層1203として酸化物半導体層を用いる。酸化物半導体層としては、少なくともIn、Ga、Sn及びZnから選ばれた一種以上の元素を含有する。例えば、四元系金属の酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn-O系酸化物半導体や、三元系金属の酸化物であるIn-Ga-Zn-O系酸化物半導体、In-Sn-Zn-O系酸化物半導体、In-Al-Zn-O系酸化物半導体、Sn-Ga-Zn-O系酸化物半導体、Al-Ga-Zn-O系酸化物半導体、Sn-Al-Zn-O系酸化物半導体や、二元系金属の酸化物であるIn-Zn-O系酸化物半導体、Sn-Zn-O系酸化物半導体、Al-Zn-O系酸化物半導体、Zn-Mg-O系酸化物半導体、Sn-Mg-O系酸化物半導体、In-Mg-O系酸化物半導体や、In-Ga-O系の材料、一元系金属の酸化物であるIn-O系酸化物半導体、Sn-O系酸化物半導体、Zn-O系酸化物半導体などを用いることができる。また、上記酸化物半導体にInとGaとSnとZn以外の元素、例えばSiO2を含ませてもよい。例えば、In-Ga-Zn-O系酸化物半導体とは、インジウムIn、ガリウムGa、亜鉛Znを有する酸化物半導体、という意味であり、その組成比は問わない。また、酸化物半導体層は、化学式InMO3ZnOmm>0で表記される薄膜を用いることができる。ここで、Mは、Zn、Ga、Al、Mn及びCoから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えばMとして、Ga、Ga及びAl、Ga及びMn、またはGa及びCoなどがある。また、酸化物半導体としてIn-Zn-O系の材料を用いる場合、用いるターゲットの組成比は、原子数比で、In:Zn=50:1~1:2モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=25:1~1:4、好ましくはIn:Zn=20:1~1:1モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=10:1~1:2、さらに好ましくはIn:Zn=15:1~1.5:1モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=15:2~3:4とする。例えば、In-Zn-O系酸化物半導体の形成に用いるターゲットは、原子数比がIn:Zn:O=X:Y:Zのとき、Z>1.5XYとする。また、酸化物半導体膜には、化学式InMO3ZnOmm>0、且つmは自然数でないで表記される薄膜を用いることができる。ここで、Mは、Ga、Al、MnおよびCoから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えばMとして、Ga、Ga及びAl、Ga及びMn、またはGa及びCoなどがある。なお本実施の形態の構成において酸化物半導体は、n型不純物である水素を酸化物半導体から除去し、酸化物半導体の主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化することにより真性i型とし、又は真性型としたものである。すなわち、不純物を添加してi型化するのでなく、水素や水等の不純物を極力除去したことにより、高純度化されたi型真性半導体又はそれに近づけたものである。加えて、酸化物半導体は、2.0eV以上、好ましくは2.5eV以上、より好ましくは3.0eV以上のバンドギャップを有する。そのため、酸化物半導体は、熱励起に起因するキャリアの発生を抑制することができる。その結果、酸化物半導体によってチャネル形成領域が構成されたトランジスタの動作温度の上昇に伴うオフ電流の増加を低減することができる。また、高純度化された酸化物半導体中にはキャリアが極めて少なくゼロに近い、キャリア濃度は1×1014/cm3未満、好ましくは1×1012/cm3未満、さらに好ましくは1×1011/cm3未満である。酸化物半導体中にキャリアが極めて少ないため、トランジスタでは、オフ電流を少なくすることができる。具体的には、上述の酸化物半導体を半導体層に用いたトランジスタは、チャネル幅1μmあたりのオフ電流を10aA/μm1×10-17A/μm以下にすること、さらには1aA/μm1×10-18A/μm以下、さらには10zA/μm1×10-20A/μmにすることが可能である。つまりトランジスタの非導通状態において、酸化物半導体は絶縁体とみなして回路設計を行うことができる。一方で、酸化物半導体は、トランジスタの導通状態においては、非晶質シリコンで形成される半導体層よりも高い電流供給能力を見込むことができる。酸化物半導体を半導体層1203に用いたトランジスタ1210、1220、1230、1240は、オフ状態における電流値オフ電流値を低くすることができる。よって、画像を保持することが可能な時間を長くすることができ、消費電力の削減を図ることができる。あるいは、保持容量の省略又は縮小を図ることができるので、画素を小さくすることができる。よって、解像度の向上を図ることができる。また、酸化物半導体を半導体層1203に用いたトランジスタ1210、1220、1230、1240は、耐圧を大きくすることができる。よって、電気泳動素子等は駆動電圧が大きいため、酸化物半導体を用いたトランジスタは有用である。絶縁表面を有する基板1200に使用することができる基板に大きな制限はないが、少なくとも、後の加熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有していることが必要となる。バリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板を用いることができる。また、ガラス基板としては、後の加熱処理の温度が高い場合には、歪み点が730°C以上のものを用いると良い。また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料が用いられている。なお、実用的な耐熱ガラスである、酸化ホウ素B2O33より酸化バリウムBaOを多く含むガラス基板を用いてもよい。なお、上記のガラス基板に代えて、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などの絶縁体でなる基板を用いても良い。他にも、結晶化ガラスなどを用いることができる。また、プラスチック基板等も適宜用いることができる。ボトムゲート構造のトランジスタ1210、1220、1230において、下地膜となる絶縁膜を基板とゲート電極層の間に設けてもよい。下地膜は、基板からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜による積層構造により形成することができる。ゲート電極層1201の材料は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料またはこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層でまたは積層して形成することができる。例えば、ゲート電極層1201の2層の積層構造としては、アルミニウム層上にモリブデン層が積層された2層の積層構造、または銅層上にモリブデン層を積層した2層構造、または銅層上に窒化チタン層若しくは窒化タンタル層を積層した2層構造、窒化チタン層とモリブデン層とを積層した2層構造とすることが好ましい。3層の積層構造としては、タングステン層または窒化タングステン層と、アルミニウムとシリコンの合金層またはアルミニウムとチタンの合金層と、窒化チタン層またはチタン層とを積層した積層とすることが好ましい。なお、透光性を有する導電膜を用いてゲート電極層を形成することもできる。透光性を有する導電膜としては、透光性導電性酸化物等をその例に挙げることができる。ゲート絶縁層1202は、プラズマCVD法又はスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、酸化アルミニウム層、窒化アルミニウム層、酸化窒化アルミニウム層、窒化酸化アルミニウム層、又は酸化ハフニウム層を単層で又は積層して形成することができる。ゲート絶縁層1202は、ゲート電極層側から窒化シリコン層と酸化シリコン層を積層した構造とすることもできる。例えば、第1のゲート絶縁層としてスパッタリング法により膜厚50nm以上200nm以下の窒化シリコン層SiNyy>0を形成し、第1のゲート絶縁層上に第2のゲート絶縁層として膜厚5nm以上300nm以下の酸化シリコン層SiOxx>0を積層して、膜厚100nmのゲート絶縁層とする。ゲート絶縁層1202の膜厚は、トランジスタに要求される特性によって適宜設定すればよく350nm乃至400nm程度でもよい。ソース電極層1205a、ドレイン電極層1205bに用いる導電膜としては、例えば、Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、Wから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金膜等を用いることができる。また、Al、Cuなどの金属層の下側又は上側の一方または双方にCr、Ta、Ti、Mo、Wなどの高融点金属層を積層させた構成としても良い。また、Si、Ti、Ta、W、Mo、Cr、Nd、Sc、YなどAl膜に生ずるヒロックやウィスカーの発生を防止する元素が添加されているAl材料を用いることで耐熱性を向上させることが可能となる。ソース電極層1205a、ドレイン電極層1205bに接続する配線層1246a、配線層1246bのような導電膜も、ソース電極層1205a、ドレイン電極層1205bと同様な材料を用いることができる。また、ソース電極層1205a、ドレイン電極層1205bは、単層構造でも、2層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する2層構造、Ti膜と、そのTi膜上に重ねてアルミニウム膜を積層し、さらにその上にTi膜を成膜する3層構造などが挙げられる。また、ソース電極層1205a、ドレイン電極層1205bこれと同じ層で形成される配線層を含むとなる導電膜を導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウムIn2O3、酸化スズSnO2、酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム酸化スズ合金In2O3―SnO2、ITOと略記する、酸化インジウム酸化亜鉛合金In2O3―ZnOまたは前記金属酸化物材料にシリコン若しくは酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。絶縁層1207、1227、1247、保護絶縁層1209としては、酸化絶縁膜、又は窒化絶縁膜などの無機絶縁膜を好適に用いることができる。絶縁層1207、1227、1247には、代表的には酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、または酸化窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。保護絶縁層1209には、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、保護絶縁層1209上にトランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化絶縁膜を形成してもよい。平坦化絶縁膜としては、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料low-k材料、シロキサン系樹脂、PSGリンガラス、BPSGリンボロンガラス等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、平坦化絶縁膜を形成してもよい。なお、半導体層1203としては、酸化物半導体だけでなく、非晶質シリコン、微結晶シリコン、多結晶シリコンを用いることができる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態3本実施の形態では、開示する発明の一態様である表示装置が有する画素のレイアウトの例について、図9を参照して説明する。トランジスタ、容量素子、又は配線などは、導電層401、半導体層402、導電層403、導電層404、及びコンタクトホール405などによって構成される。ただし、これらの層以外にも、絶縁層、別の導電層、又は別のコンタクトホールなどを形成することが可能である。導電層401は、トランジスタのゲート電極、容量素子の電極及び/又は配線としての機能を有する部分を含む。半導体層402は、トランジスタのチャネル領域、トランジスタのソース及び/又はトランジスタのドレインとしての機能を有する部分を含む。導電層403は、トランジスタのソース、トランジスタのドレイン、容量素子の電極及び/又は配線などとしての機能を有する部分を含む。導電層404は、画素電極としての機能を有する部分を含む。コンタクトホール405は、導電層401と導電層404とを接続する機能及び/又は導電層403と導電層404とを接続する機能を有する。導電層404は、ゲート信号線111及びソース信号線112と重なるように配置される。そのため、ある画素の画素電極例えば導電層404の一部と、該画素に隣接する画素の画素電極と、の間の隙間を小さくすることができる。こうして、光学開口率を高くすることができるため、表示品位を高くすることができる。なお、導電層404とソース信号線112とが重なると、導電層404の電位が変動しやすくなる。このため、容量素子103の容量値を大きくすることによって、導電層404の電位の変動を小さくすることができる。そのため、容量素子103の面積は、導電層404のうち、画素電極としての機能を有する部分の面積の30以上90以下であることが好ましい。より好ましくは、40以上80以下である。さらに好ましくは、50以上70以下である。なお、容量素子103の面積とは、容量素子103の一方の電極としての機能を有する導電層401と、容量素子103の他方の電極としての機能を有する導電層403とが重なる面積とする。なお、導電層404は、ゲート信号線111とソース信号線112の一方のみと、重なるように配置されることが可能である。これにより、導電層404に生じるノイズを小さくすることができるため、表示品位の向上を図ることができる。なお、導電層404は、1行前のゲート信号線111と重なるように配置されることが好ましい。これにより、ゲート信号線111の電位の変化により、導電層404の電位が変化することを低減することができるため、表示品位の向上を図ることができる。トランジスタ101は、デュアルゲート構造2つのトランジスタが直列に電気的に接続されるような構造とする。こうして、トランジスタ101のオフ電流を小さくすることができる。メモリ性を有する表示素子は、駆動電圧が大きい場合が多いので、特に好ましい。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態4本実施の形態では、上記実施の形態で示す表示装置において、タッチパネル機能を付加した表示装置の構成について、図10A、Bを用いて説明する。図10Aは、本実施の形態の表示装置の概略図である。図10Aには、上記実施の形態の表示装置である表示パネル1501にタッチパネルユニット1502を重畳して設け、筐体1503ケースにて合着させる構成について示している。タッチパネルユニット1502は、抵抗膜方式、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等を適宜用いることができる。図10Aに示すように、表示パネル1501とタッチパネルユニット1502とを別々に作製し重畳することにより、タッチパネル機能を付加した表示装置の作製に係るコストの削減を図ることができる。図10Aとは異なるタッチパネル機能を付加した表示装置の構成について、図10Bに示す。図10Bに示す表示装置1504は、複数設けられる画素1505に光センサ1506、表示素子1507例えば電気泳動素子、液晶素子などを有する。そのため、図10Aとは異なり、タッチパネルユニット1502を重畳して作製する必要がなく、表示装置の薄型化を図ることができる。なお、画素1505とともにゲート線側駆動回路1508、信号線側駆動回路1509、光センサ用駆動回路1510を画素1505と同じ基板上に作製することで、表示装置の小型化を図ることができる。なお光センサ1506は、アモルファスシリコン等で形成し、酸化物半導体を用いたトランジスタと重畳して形成する構成としてもよい。本実施の形態により、タッチパネルの機能を付加した液晶表示装置において、酸化物半導体膜を用いたトランジスタを用いることで、静止画の表示の際の、画像の保持特性を向上させることができる。そしてリフレッシュレートを低減して静止画表示を行う際、階調が変化することによる画質の劣化を小さくすることができる。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。実施の形態5本実施の形態においては、上記実施の形態で説明した表示装置を具備する電子機器の例について説明する。図11Aは携帯型遊技機であり、筐体9630、表示部9631、スピーカ9633、操作キー9635、接続端子9636、記録媒体読込部9672、等を有する。図11Aに示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能、等を有する。なお、図11Aに示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有する。図11Bはデジタルカメラであり、筐体9630、表示部9631、スピーカ9633、操作キー9635、接続端子9636、シャッターボタン9676、受像部9677、等を有する。図11Bに示すデジタルカメラは、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正する機能、アンテナから様々な情報を取得する機能、撮影した画像、又はアンテナから取得した情報を保存する機能、撮影した画像、又はアンテナから取得した情報を表示部に表示する機能、等を有する。なお、図11Bに示すデジタルカメラが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有する。図11Cはテレビ受像器であり、筐体9630、表示部9631、スピーカ9633、操作キー9635、接続端子9636、等を有する。図11Cに示すテレビ受像機は、テレビ用電波を処理して画像信号に変換する機能、画像信号を処理して表示に適した信号に変換する機能、画像信号のフレーム周波数を変換する機能、等を有する。なお、図11Cに示すテレビ受像機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有する。図11Dは、電子計算機パーソナルコンピュータ用途のモニターPCモニターともいうであり、筐体9630、表示部9631等を有する。図11Dに示すモニターは、ウインドウ型表示部9653が表示部9631にある例について示している。なお説明のために表示部9631にウインドウ型表示部9653を示したが、他のシンボル、例えばアイコン、画像等であってもよい。パーソナルコンピュータ用途のモニターでは、入力時にのみ画像信号が書き換えられる場合が多く、上記実施の形態における表示装置の駆動方法を適用する際に好適である。なお、図11Dに示すモニターが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有する。図12Aはコンピュータであり、筐体9630、表示部9631、スピーカ9633、操作キー9635、接続端子9636、ポインティングデバイス9681、外部接続ポート9680等を有する。図12Aに示すコンピュータは、様々な情報静止画、動画、テキスト画像などを表示部に表示する機能、様々なソフトウェアプログラムによって処理を制御する機能、無線通信又は有線通信などの通信機能、通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、等を有する。なお、図12Aに示すコンピュータが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有する。次に、図12Bは携帯電話であり、筐体9630、表示部9631、スピーカ9633、操作キー9635、マイクロフォン9638等を有する。図12Bに示した携帯電話は、様々な情報静止画、動画、テキスト画像などを表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報を操作又は編集する機能、様々なソフトウェアプログラムによって処理を制御する機能、等を有する。なお、図12Bに示した携帯電話が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有する。次に、図12Cは電子ペーパーE-bookともいうであり、筐体9630、表示部9631、操作キー9632等を有する。図12Cに示した電子ペーパーは、様々な情報静止画、動画、テキスト画像などを表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報を操作又は編集する機能、様々なソフトウェアプログラムによって処理を制御する機能、等を有する。なお、図12Cに示した電子ペーパーが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有する。別の電子ペーパーの構成について図12Dに示す。図12Dに示す電子ペーパーは、図12Cの電子ペーパーに太陽電池9651、及びバッテリー9652を付加した構成について示している。表示部9631として反射型の表示装置を用いる場合、比較的明るい状況下での使用が予想され、太陽電池9651による発電、及びバッテリー9652での充電を効率よく行うことができ、好適である。なおバッテリー9652としては、リチウムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。本実施の形態において述べた電子機器は、実施の形態1の表示装置を有するため、表示品位の向上を図ることができる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。