"SOI基板の絶縁層が、炭素膜とマイクロ結晶ダイヤモンド膜のハイブリット構造を有することを特徴とするSOI基板。前記ハイブリット構造が、炭素膜/マイクロ結晶ダイヤモンド膜で構成されていることを特徴とする請求項1に記載のSOI基板。前記ハイブリット構造が、炭素膜/マイクロ結晶ダイヤモンド膜/炭素膜で構成されていることを特徴とする請求項1に記載のSOI基板。前記炭素膜が、表面波プラズマ気相成長法で形成された膜であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載のSOI基板。前記マイクロ結晶ダイヤモンド膜層が、熱フィラメント気相成長法で形成された膜であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のSOI基板。前記炭素膜上に、熱フィラメント気相成長法によりマイクロ結晶ダイヤモンド膜が形成されていることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載のSOI基板。前記炭素膜上に、熱フィラメント気相成長法で形成されたマイクロ結晶ダイヤモンド膜を張り合わせることにより形成されたことを特徴とする請求項5に記載のSOI基板。シリコン基板と炭素膜の界面にシリコン酸化膜を有することを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載のSOI基板。しかしながら、前述の熱フィラメント気相成長法により成膜したマイクロ結晶ダイヤモンド膜をSOI基板のI層とした場合、合成時にフィラメントとして用いるタングステンやタンタルがシリコン基板へ混入したり、シリコン/ダイヤモンド界面に欠陥を形成したり等、デバイス特性に影響があることが懸念される。さらに、高絶縁性かつ高熱伝導性が必要なパワーデバイス用途のためには、100μm以上の膜厚が必要なため、厚膜形成に起因したに熱応力による亀裂や破損が課題である。一方、前述の表面波プラズマ気相成長法により形成された炭素膜は高熱伝導性かつ高絶縁性という優れた特性を有するもの、該炭素膜をI層として用いたSOI基板上にパワー半導体デバイスを作製することで、レアメタルフリーで冷却機構を有しないデバイス実現する場合、表面波プラズマ気相成長法で合成した炭素膜の膜厚が数100nmと薄いために熱伝導度が数10W/mKであって充分なものとはいえず、パワー半導体デバイスへの応用は難しいという課題がある。本発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであって、I層に炭素系材料を用いた、レアメタルフリーで冷却機構を有しないSOI基板における従来の課題を解決して、パワー半導体デバイス用SOI基板への応用が可能な、高熱伝導性かつ高絶縁性なSOI基板を提供することを目的とするものである。本発明者らは、上記目的を達成すべく、鋭意検討を重ねた結果、I層として、炭素膜とマイクロ結晶ダイヤモンド膜のハイブリット構造とすることにより、従来のI層として炭素膜を用いたSOI基板の問題点と、HFCVD法でのダイヤモンド合成の問題点の両方を同時に解決して、高熱伝導および高絶縁性を有するSOI基板が得られることが判明した。本発明は、これらの知見に基づいて完成するに至ったものであり、以下のとおりのものである。[1]SOI基板の絶縁層が、炭素膜とマイクロ結晶ダイヤモンド膜のハイブリット構造を有することを特徴とするSOI基板。[2]前記ハイブリット構造が、炭素膜/マイクロ結晶ダイヤモンド膜で構成されていることを特徴とする前記[1]のSOI基板。[3]前記ハイブリット構造が、炭素膜/マイクロ結晶ダイヤモンド膜/炭素膜で構成されていることを特徴とする前記[1]のSOI基板。[4]前記炭素膜が、表面波プラズマ気相成長法で形成された膜であることを特徴とする前記[1]~[3]のいずれかのSOI基板。[5]前記マイクロ結晶ダイヤモンド膜が、熱フィラメント気相成長法で形成された膜であることを特徴とする前記[1]~[4]のいずれかのSOI基板。[6]前記炭素膜上に、熱フィラメント気相成長法によりマイクロ結晶ダイヤモンド膜が形成されていることを特徴とする前記[1]~[5]のいずれかのSOI基板。[7]前記炭素膜上に、熱フィラメント気相成長法で形成されたマイクロ結晶ダイヤモンド膜を張り合わせることにより形成されたことを特徴とする前記[5]のSOI基板。[8]シリコン基板と炭素膜の界面にシリコン酸化膜を有することを特徴とする前記[1]~[7]のいずれかのSOI基板。本発明によれば、従来のSOI基板の課題である、高熱伝導性かつ高絶縁性を有したSOI基板を得ることができ、パワー半導体デバイス用基板として用いることが可能となる。本願発明のSOI基板は、I層が、炭素膜とマイクロ結晶ダイヤモンド膜からなるハイブリット構造を有することを特徴とするものである。図1~図4は、本発明のSOI基板の実施形態の幾つかを模式的に示すものであって、図中、1は、シリコン基板、2は、炭素膜、3は、マイクロ結晶ダイヤモンド膜、4は、シリコン酸化膜、をそれぞれ示している。すなわち、図1は、I層が、炭素膜2及びマイクロ結晶ダイヤモンド膜3からなるSOI基板を示しており、図2は、図1に示すSOI基板において、シリコン基板1と炭素膜2の間に、シリコン酸化膜4を有するものを示している。また、図3は、I層が、炭素膜2、マイクロ結晶ダイヤモンド膜3及び炭素膜2からなるSOI基板を示しており、図4は、図3に示すSOI基板において、シリコン基板1と炭素膜2の間に、シリコン酸化膜4を有するものを示している。パワー半導体デバイス用SOI基板開発において、既存シリコン半導体デバイスの製造工程に適応させるためには、直径30cm以上のシリコン基板上に均質の炭素膜を気相成長法で形成することが必要である。一般的に大面積なダイヤモンド合成に利用されている熱フィラメント気相成長法では、ダイヤモンド成長前に基板表面への傷つけ処理を施す必要があり、デバイスを作製するシリコンに欠陥が生じてしまい、デバイス動作が困難である。そのため、パワー半導体デバイス用SOI基板の炭素膜層の形成には、シリコン基板と炭素膜の界面に欠陥を形成しない、表面波プラズマ気相成長法を用いる必要がある。表面波プラズマ気相成長法による炭素膜の製造方法や表面波プラズマ気相成長装置は、既に特許文献1に開示されている。そして、パワー半導体デバイス用SOI基板開発において、既存シリコン半導体デバイスの製造工程に適応させるためには、前記の表面波プラズマ気相成長法を用いて、直径30cm以上のシリコン基板上に炭素膜が形成された基板以下、炭素膜/シリコン基板ということもある。上に、直径30cm以上の均質のマイクロ結晶ダイヤモンド膜を、熱フィラメント気相成長法で形成することで、高熱伝導性を得ることが可能となる。この場合、熱フィラメント気相成長装置のフィラメントであるタングステンやタンタルTaのシリコン基板への混入や拡散を防ぐことが必要であるが、本発明においては、シリコン基板には前記炭素膜が形成されているため、該炭素膜が、デバイス作製層であるシリコンへの欠陥形成等を防ぎ、リーク電流の低減が可能となる。また、熱フィラメント気相成長装置のフィラメントであるタングステンやタンタルTaがダイヤモンド中に取り込まれるため、高耐圧化のためには、マイクロ結晶ダイヤモンド膜を100μm以上の厚膜構造とする必要があるが、本発明では、表面波プラズマ気相成長法により形成した高熱伝導性かつ高耐圧の機能を有する炭素膜上に、熱フィラメント気相成長法でマイクロ結晶ダイヤモンド膜を形成することにより、SOI基板の薄膜化を可能とした、高熱伝導性かつ高耐圧の機能を有する炭素膜とマイクロ結晶ダイヤモンドハイブリット膜のハイブリッド構造を有するSOI基板が作成できる。フィラメント材料のシリコンへの混入防止および高耐圧性および高熱伝導性の機能を有する膜として、前記炭素膜は、平坦な表面を形成し、且つ高耐圧性および高熱伝導性の機能をも有しており、最もふさわしい膜であるが、炭素膜以外に、シリコン酸化膜、窒化アルミニウム膜、窒化シリコン膜なども同様に機能を有するものとして用いることができる。したがって、本発明のSOI基板の作製方法の1つは、シリコン基板に、原子レベルで平坦な表面を有し、かつシリコンへの混入防止、高耐圧性および高熱伝導性の機能を有する炭素膜を成膜する工程と、次に、熱フィラメント気相成長法で、前工程で得られた前記の炭素膜/シリコン基板上にマイクロ結晶ダイヤモンドを成膜する工程とからなる方法である。図1参照。該方法において、デバイス作製層であるシリコンへの欠陥導入をより完全に防ぐには、シリコン基板の表面にシリコン酸化膜を形成した後に、原子レベルで平坦な表面を有しかつシリコンへの混入防止、高耐圧性および高熱伝導性の機能を有する炭素膜を形成することが好ましい図2、図4参照。該シリコン酸化膜の形成方法は、熱酸化法による形成や、気相成長法やスパッタリング法等の既知の成膜方法から選択することができる。また、絶縁性のさらなる向上には、前記したマイクロ結晶ダイヤモンド成膜の工程の後に、原子レベルで平坦な表面を有しかつ高耐圧性および高熱伝導性の機能を有する炭素膜をマイクロ結晶ダイヤモンド表面上に成膜することで、高耐圧かつ高熱伝導性の炭素膜とマイクロ結晶ダイヤモンド膜のハイブリット構造炭素膜/マイクロ結晶ダイヤモンド膜/炭素膜を有するSOI基板が作成できる図3、図4参照。パワー半導体デバイス用SOI基板開発において、既存シリコン半導体デバイスの製造工程に適応させるためには、前記の直径30cm以上のシリコン/炭素膜基板上に、直径30cm以上の均質のマイクロ結晶ダイヤモンド膜を張り合わせる方法によっても可能である。炭素膜とマイクロ結晶ダイヤモンド膜を張り合わせるためには、両膜の張り合わせ面が、原子レベルで平坦であることが必要条件である。一般的に、ダイヤモンド表面の平坦化には、機械的な研磨方法が用いられている。この機械的研磨を、シリコン/炭素膜基板の炭素膜表面に用いた場合、デバイスを作製するシリコン基板に欠陥やひずみが生じてしまう。このため、原子レベルで平坦な表面が自己組織化的に形成できる表面波プラズマ気相成長法により成膜された炭素膜を、シリコン基板上に形成する必要がある。一方、マイクロ結晶ダイヤモンド膜は、直径30cm以上の面積が必要なため、熱フィラメント気相成長法での合成を用いることができる。この時、原子レベルで平坦な基板表面にマイクロ結晶ダイヤモンドを合成し、基板を除去することで、該マイクロ結晶ダイヤモンド膜の基板との界面側を張り合わせ面として利用することができる。このような方法で、高耐圧かつ高熱伝導性の炭素膜/マイクロ結晶ダイヤモンド膜のハイブリット構造を有するSOI基板が作成できる。以下、上記の張り合わせ法による、炭素膜/マイクロ結晶ダイヤモンド膜のハイブリット構造を有するSOI基板の作成について、具体的に記載する。1まずシリコン基板に表面波プラズマ気相成長法で、原子レベルで平坦な表面を有する炭素膜を成膜し、炭素膜/シリコン基板を製造する。2次に、熱フィラメント気相成長法で、別のシリコン基板上にマイクロ結晶ダイヤモンド膜を成膜し、シリコン基板を除去することで、シリコンとマイクロ結晶ダイヤモンドの界面に形成された、原子レベルで平坦なマイクロ結晶ダイヤモンド表面を得る。3次いで、得られた原子レベルで平坦な表面を、前記炭素膜/シリコン基板の炭素膜表面に張り合わせる。張り合わせには、イオンビームやプラズマを用いて該炭素膜表面およびマイクロ結晶ダイヤモンド表面洗浄を行い、真空加圧貼付け方式で、炭素膜表面とマイクロ結晶ダイヤモンド表面とを張り合わせることができる。また、マイクロ結晶ダイヤモンド膜は直径30cm以上の面積が必要なため、熱フィラメント気相成長法での合成を用いることができるが、この時、原子レベルで平坦な基板表面形成には、機械的研磨を用いることができる。したがって、本発明のSOI基板の作製方法のさらにもう1つは、1まずシリコン基板に表面波プラズマ気相成長法で、原子レベルで平坦な表面を有する炭素膜を成膜する工程と、2熱フィラメント気相成長法で、シリコン基板上にマイクロ結晶ダイヤモンド膜を成膜し、機械的研磨方法で、マイクロ結晶ダイヤモンド表面を原子レベルでの平坦化とシリコンの除去を行う工程と、3の原子レベルで平坦な表面を、前記炭素膜表面に張り合わせる工程とからなる方法であり、該方法により、高耐圧かつ高熱伝導性の炭素膜/マイクロ結晶ダイヤモンド膜のハイブリット構造を有するSOI基板が作成できる。以上のとおり、本発明においては、炭素膜/シリコン基板に、熱フィラメント気相成長法により、或いは、熱フィラメント気相成長法で形成されたマイクロ結晶ダイヤモンド膜を張り合わせることにより、シリコン基板と炭素膜の界面には電気的活性な欠陥や不純物がなく、放熱特性の優れたパワー半導体用SOI基板が作製される。また、本発明のSOI基板は、炭素膜とマイクロ結晶ダイヤモンド膜のハイブリッド構造を有するものであるが、この炭素膜とマイクロ結晶ダイヤモンド膜のハイブリッド構造は、タングステン、タンタル等の、CVD法でダイヤモンド薄膜の形成が可能な全ての金属上に作成可能であるため、シリコン半導体以外のパワー半導体デバイスシリコンカーバイト、窒化ガリウム、アルミニウム窒化ガリウムと組み合わせることも可能である。シリコン半導体以外のパワー半導体デバイスとの組み合わせは、シリコンカーバイト、窒化ガリウムなどの半導体材料上に直接、炭素膜とマイクロ結晶ダイヤモンド膜のハイブリッド構造を形成することも可能であるが、前記のシリコン基板の場合と同様に、半導体プロセスで利用される張り合わせ技術で実現できる。以下、本発明を実施例等によりさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例等によっては何ら限定されるものではない。なお、実施例における炭素膜の製造方法は、特許文献1および特許文献2で開示されている方法を用いた。まず、実施例に用いや評価方法を記載する。《不純物評価》本発明のSOI基板のシリコン基板中のタングステンの評価は、二次イオン質量分析法により行った。測定は、一次イオンにO2を用い、加速電圧を3kVとした。測定時の真空度は3×10-9Torrである。《電気絶縁性》電気絶縁性の評価に用いた試料として、本発明のSOI基板のマイクロ結晶ダイヤモンド膜上に直径30μmの電極を形成したものを用いた。SOI基板のシリコンは導電性の銀ペーストを用いて銅製の試料ホルダーに設置した。測定は、5×10-7Torrの真空中で、電流-電圧特性を測定した。印加電圧をマイクロ結晶ダイヤモンドの膜厚と炭素膜の膜厚の合計膜厚で割った値を電界とし、電流-電界特性を用いて、電気絶縁性を評価した。電流が観測される電界が大きい程電気絶縁性が高いことを意味する。《熱伝導度》熱伝導度の測定は、サーモリフレクタンス法で評価した。試料は、SOI基板のシリコン基板をフッ酸と硝酸の混合液で除去し、マイクロ結晶ダイヤモンド膜/炭素膜の自立体構造を作製した。このマイクロ結晶ダイヤモンド/炭素膜自立体構造マイクロ結晶ダイヤモンド面と炭素膜面にスパッタリング法で厚さ100nmのモリブデン薄膜を形成した。熱伝導度は、積層体の積層方向および積層方向に対して垂直方向面内方向の熱伝導度を評価した。実施例1基板として4インチ径のウェハ状のシリコン基板を用いた。炭素粒子の核形成密度を高め均一な成膜とするために、成膜前の基板に前処理ナノクリスタルダイヤモンド粒子付着処理を行った。この前処理には平均粒径5nmのナノクリスタルダイヤモンド粒子を純水中に分散させたコロイド溶液有限会社ナノ炭素研究所製製品名ナノアマンドまたは平均粒径30nm又は40nmのナノクリスタルダイヤモンド粒子トーメイダイヤ株式会社製製品名各々MD30およびMD40を純水中に分散させた溶液、あるいはクラスターダイヤモンド粒子またはグラファイトクラスターダイヤモンド粒子東京ダイヤモンド工具製作所製製品名各々CDおよびGCDを分散させたエタノール、あるいはアダマンタンまたはその誘導体あるいはそれらの誘導体各々出光興産株式会社製溶液を用い,これに基板を浸して超音波洗浄器にかけた。その後、基板をエタノール中に浸して超音波洗浄を行い、乾燥させるか、またはこれらの溶液をスピンコートによって基板上に均一に塗布し、乾燥させる。この前処理の均一性が成膜後の炭素膜の均一性に影響する。この場合、基板上に付着するダイヤモンド粒子は、1cm2当たり、1010~1011個であった。原料ガスは、CH4、CO2及びH2の混合ガスを用い、CH4及びCO2の濃度をそれぞれ1モルとした。反応容器内ガス圧力は、通常ダイヤモンドのCVD合成で用いられる圧力103~104Paより低い10~12×102Pa10~12mbarとし、トータル20~24kWのマイクロ波を投入して基板面積より広い領域に大面積かつ均一なプラズマを発生させた。その際、Mo試料台と冷却ステージを密着させ、基板とアンテナの距離を調節することによって、成膜中の基板温度を450°C以下に保つことが可能となった。以上の成膜条件の下、6時間成膜を行った。成膜後のガラス基板上には、均一かつ透明な炭素膜が形成された。この膜の膜厚は、200nmであった。次に、熱フィラメント気相成長法により、前記の炭素膜表面上に、マイクロ結晶ダイヤモンド膜MCDを成膜した。熱フィラメント気相成長装置は、大面積HFCVD装置sp3社製Model650を用いた。フィラメントにはタングステンWを用い、フィラメント温度2000°C、基板温度800°Cで、6時間の成膜をおこなった。この膜の膜厚は、約10μmであった。実施例1で得られたSOI基板は図1の構造を有する。図5に、実施例1で得られたSOI基板のシリコン中の不純物の評価結果を示す。タングステンは、炭素膜、シリコン基板中には観測されず、炭素膜が、マイクロ結晶ダイヤモンド膜の成膜中のタングステンの混入を防ぐ役割を持つことがわかった。次に、実施例1で得られたSOI基板の電流-電界特性を図6に示す。電流が急激に増加する電界を閾電界と仮定すると、閾電界は、85V/μmであった。この値は、単結晶ダイヤモンドの絶縁破壊電界1MV/cmとほぼ同じである。実施例1で得られたSOI基板の熱伝導度は、積層方向は250W/mK、積層方向と垂直方向では110W/mKであった。この値は、マイクロ結晶ダイヤモンドの報告値とほぼ同様であり、既に報告されている炭素膜より1桁高い値である。以上の結果、炭素膜とマイクロ結晶ダイヤモンド膜のハイブリッド構造を形成することで、半導体デバイス作製層であるシリコンへの不純物の混入を防ぐことが可能となったことがわかる。さらに、絶縁性および熱伝導度が向上することがわかった。したがって、本発明の炭素膜とマイクロ結晶ダイヤモンド膜のハイブリッド構造をI層絶縁層とするSOI基板を用いることにより、電気絶縁性、放熱性の優れたパワー半導体デバイス用SOI基板が作製できる。実施例2基板として、シリコン酸化膜SiO2膜厚さ20nmを形成したシリコン基板を用いた以外は、実施例1と同様にしてSOI基板を作製した。実施例2で得られたSOI基板の構造を図2に示す。実施例2で得られたSOI基板のシリコン中の不純物評価の結果を図7に示す。タングステンは、炭素膜、シリコン酸化膜SiO2膜、シリコン基板中には観測されず、炭素膜がマイクロ結晶ダイヤモンド膜の成膜中のタングステンの混入を防ぐ役割を持つことがわかった。次に、実施例2で得られたSOI基板の電流-電界特性を図8に示す。電流が急激に増加する電界を閾電界と仮定すると、閾電界は、92V/μmであった。この値は、単結晶ダイヤモンドの絶縁破壊電界1MV/cmとほぼ同じである。したがって、本発明の炭素膜とマイクロ結晶ダイヤモンドハイブリット膜のハイブリッド構造をI層絶縁層としたシリコン酸化膜付きシリコン基板を用いて作製したSOI基板を用いることにより、電気絶縁性、放熱性の優れたパワー半導体デバイス用SOI基板が作製できる。比較例1マイクロ結晶ダイヤモンドのみをI層絶縁層としたSOI基板を作製した。基板には、シリコン基板を用いた。マイクロ結晶ダイヤモンド膜の成膜の前処理として、ダイヤモンド粒子でシリコン基板に傷付け処理をおこなった。熱フィラメント気相成長装置は、大面積HFCVD装置sp3社製Model650を用いた。フィラメントにはタングステンWを用い、フィラメント温度2000°C、基板温度800°Cで、6時間の成膜をおこなった。この膜の膜厚は、約10μmであった。比較例1で得られたSOI基板のシリコン中の不純物評価の結果を図9に示す。タングステンは、マイクロ結晶ダイヤモンド膜とシリコン基板の界面に観測され、シリコン基板中にも界面から05μmの深さまで検出された。比較例1で得られたSOI基板の電流-電界特性を図10に示す。電流が急激に増加する電界を閾電界と仮定すると、閾電界は、40V/μmであった。この値は、単結晶ダイヤモンドの絶縁破壊電界100V/μmの2分の1であった。実施例1と比較例1を比べると、実施例1のSOI基板のリーク電流が観測される電界は、炭素膜とマイクロ結晶ダイヤモンドハイブリット膜のハイブリッド構造をI層とするSOI基板は、比較例1のマイクロ結晶ダイヤモンド膜のみを絶縁層とするSOIに比べて、リーク電流が観測された電界が2倍増加した。したがって、炭素膜とマイクロ結晶ダイヤモンド膜のハイブリッド構造をI層とするSOI基板は、マイクロ結晶ダイヤモンド膜のみの場合の2分の1の厚さで絶縁性を確保することが可能であることがわかる。実施例1及び実施例2において、マイクロ結晶ダイヤモンド膜に、さらに同様の200nmの炭素膜を形成することで、リーク電流が観測される電界が2倍となった。つまり、図3および図4の構造を形成することで、リーク電界が約120V/μmおよび約130V/μmのSOI基板が作製できることがわかる。また、熱伝導性は、炭素膜の値の成膜方向は8倍、成膜方向と垂直方向面内方向は3倍と改善された。"