基板を支持する第1の面と、熱制御板に選択的に結合するための接合面を提供する、前記第1の面の反対側の第2の面とを有するディスクと、前記ディスク内の前記第1の面の近傍に配置されて、前記基板を前記ディスクに静電的に結合する第1の電極と、前記ディスク内の前記ディスクの反対面の近傍に配置されて、前記ディスクを前記熱制御板に静電的に結合する第2の電極と、を備えることを特徴とする静電チャック。前記第2の電極が、前記ディスクを加熱するようにさらに構成される、ことを特徴とする請求項1に記載の静電チャック。前記ディスクの前記第2の面内、又は前記熱制御板内に形成されて、前記ディスクと前記熱制御板の間に伝熱流体を流す少なくとも1つの溝をさらに備える、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の静電チャック。前記伝熱流体が、アルゴン又はヘリウムガスを含む、ことを特徴とする請求項3に記載の静電チャック。前記ディスクの前記第1の面内に形成されて、前記ディスクと前記基板との間に伝熱流体を流す少なくとも1つの溝をさらに備える、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の静電チャック。前記ディスクが、ベースと、前記ベース上に配置されて、その上に前記第1の電極及び第2の電極が配置された第1の誘電材料の層と、前記第1の電極及び第2の電極上に配置された第2の誘電材料の層と、をさらに含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の静電チャック。前記ベースが、グラファイト、熱分解窒化ホウ素又はシリコンを含み、前記第1及び第2の誘電材料の層が、熱分解窒化ホウ素を含む、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の静電チャック。前記ディスクが、上部に前記第1の電極及び第2の電極が配置された誘電性のベースと、前記第1の電極及び第2の電極上に配置された誘電材料の層と、をさらに含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の静電チャック。前記ディスクの前記第2の面に結合された熱制御板をさらに備える、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の静電チャック。前記ディスクが、前記基板の熱膨張係数と実質的に等しい熱膨張係数を有する、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の静電チャック。前記ディスクが、前記基板の厚みの約3倍の厚みを有する、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の静電チャック。前記ディスクが、約1.0~約2.5mmの厚みを有する、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の静電チャック。基板の処理方法であって、プロセスチャンバ内に配置された静電チャックのディスクの第1の面の近傍に配置された第1の電極に電力を供給することにより、前記静電チャック内の前記第1の表面上に基板を固定するステップと、前記第1の面の反対側の前記ディスクの第2の面と、前記ディスクに結合された熱制御板との間に配置された接合面を通じる熱伝導率を選択的に増加又は減少させて、前記ディスクと前記熱制御板の間の伝熱速度を制御するステップと、を含むことを特徴とする方法。前記基板を加熱する時に、前記ディスクと前記熱制御板の間に配置された1又はそれ以上の溝を介して前記接合面に供給されるガスの圧力を減少させること、又は前記ディスクの前記第2の面の近傍に配置された第2の電極に供給される、前記ディスクを前記熱制御板に静電的に固定するための電圧を減少させること、のうちの少なくとも一方により、前記接合面を通じる熱伝導率を減少させるステップ、又は前記基板を冷却する時に、前記ディスクと前記熱制御板の間に配置された1又はそれ以上の溝を介して前記接合面に供給されるガスの圧力を増加させること、又は前記ディスクの前記第2の面の近傍に配置された第2の電極に供給される、前記ディスクを前記熱制御板に静電的に固定するための電圧を増加させること、のうちの少なくとも一方により、前記接合面を通じる熱伝導率を増加させるステップ、のうちの少なくとも一方をさらに含む、ことを特徴とする請求項13に記載の方法。前記ディスクの前記第2の面の近傍に配置された第2の電極にAC電流を供給して前記ディスク及び前記基板を加熱するステップ、又は前記ディスクの前記第1の面の近傍に配置された前記第1の電極にAC電流を供給して前記ディスク及び前記基板を加熱するステップ、のうちの少なくとも一方をさらに含む、ことを特徴とする請求項13に記載の方法。従って、本発明者らは、加熱及び冷却を素早く行うことができる改善された静電チャックを実現した。本明細書では、静電チャック及びその使用方法の実施形態を提供する。本明細書では、静電チャック及びその使用方法を提供する。いくつかの実施形態では、静電チャックが、基板を支持する第1の面と、熱制御板に選択的に結合するための接合面を提供する、第1の面の反対側の第2の面とを有するディスクと、ディスク内の第1の面の近傍に配置されて、基板をディスクに静電的に結合する第1の電極と、ディスク内のディスクの反対面の近傍に配置されて、ディスクを熱制御板に静電的に結合する第2の電極とを含むことができる。いくつかの実施形態では、第2の電極を、ディスクを加熱するように構成することもできる。いくつかの実施形態では、基板の処理方法が、プロセスチャンバ内に配置された静電チャックのディスクの第1の面の近傍に配置された第1の電極に電力を供給することにより、静電チャック内の第1の表面上に基板を固定するステップと、第1の面の反対側のディスクの第2の面と、ディスクに結合された熱制御板との間に配置された接合面を通じる熱伝導率を選択的に増加又は減少させて、ディスクと熱制御板の間の伝熱速度を制御するステップとを含むことができる。以下、本発明のその他の及びさらなる実施形態について説明する。添付図面に示す本発明の例示的な実施形態を参照することにより、上記で手短に要約し以下でより詳細に説明する本発明の実施形態を理解することができる。しかしながら、添付図面には、本発明の代表的な実施形態しか示しておらず、本発明は、他の同等に効果的な実施形態も認めることができるので、これらの添付図面が本発明の範囲を限定すると見なすべきではない。理解を容易にするために、可能な場合、図に共通する同一の要素は同じ参照数字を用いて示している。図は縮尺通りではなく、明確にするために単純化していることがある。1つの実施形態の要素及び特徴を、さらなる詳述を行わずに他の実施形態に有利に組み入れることもできる。本明細書では、静電チャック及びその使用方法の実施形態を提供する。本発明の装置は、配置した基板の急速な加熱及び冷却と同時に素早く加熱及び冷却できる静電チャックを有利に提供することにより、基板処理における処理の柔軟性及びスループットの増加を実現することができる。本発明の静電チャックは、処理中の基板と静電チャックの熱膨張差に起因する摩擦によって生じる基板への損傷をさらに有利に低減又は排除することができる。図1は、本発明のいくつかの実施形態によるプラズマ処理チャンバの概略断面図である。いくつかの実施形態では、このプラズマ処理チャンバが、物理蒸着PVD処理チャンバである。しかしながら、静電チャックを利用する他の種類の処理チャンバを本発明の装置とともに使用することもできる。チャンバ100は、基板処理中にチャンバ内部容積120内の準大気圧を維持するように好適に適合された真空チャンバである。チャンバ100は、チャンバ内部容積120の上半分に位置する処理容積119を取り囲むドーム104によって覆われたチャンバ本体106を含む。チャンバ100は、様々なチャンバ構成部品とイオン化した処理材料の間の好ましくない反応を防ぐようにこのような構成部品を囲む1又はそれ以上のシールド105を含むこともできる。チャンバ本体106及びドーム104は、アルミニウムなどの金属で作製することができる。チャンバ本体106は、結合器を介してアース115に接地することができる。チャンバ内部容積120内には、半導体ウェハ又はその他の静電的に保持できる基板などの基板Sを支持してチャッキングするための基板支持体124を配置することができる。一般に、基板支持体124は、以下でより詳細に説明する静電チャック150と、この静電チャック150を支持するための中空の支持軸112とを含むことができる。中空支持軸112は、静電チャック150にプロセスガス、流体、伝熱流体又は電力などを供給するための導管を構成する。いくつかの実施形態では、中空支持軸112が、静電チャック150を図1に示す上側の処理位置と下側の転送位置図示せずとの間で垂直移動できるようにするリフト機構113に結合される。中空支持軸112の周囲には蛇腹アセンブリ110が配置され、これを静電チャック150とチャンバ100の底面126との間に結合して、静電チャック150の垂直移動を可能にしながらチャンバ100内からの真空の消失を防ぐ可撓性シール部を提供する。蛇腹アセンブリ110は、底面126に接触してチャンバ真空の消失を防ぐ役に立つOリング165と接する下側蛇腹フランジ164も含む。中空支持軸112は、流体源142、ガス供給源141、チャッキング電源140、及び1又はそれ以上のRF電源117RFプラズマ電源及び/又はRFバイアス電源などを静電チャック150に結合するための導管を形成する。いくつかの実施形態では、RF電源117を、RF整合回路116を介して静電チャックに結合することができる。基板リフト130は、シャフト111に連結されたプラットホーム108上に装着されたリフトピン109を含むことができ、シャフト111は、基板Sを静電チャック150上に配置し、又はここから取り外すことができるように基板リフト130を昇降させるための第2のリフト機構132に結合される。静電チャック150は、このリフトピン109を受け入れる貫通孔後述を含む。基板リフト130と底面126の間には蛇腹アセンブリ131が結合されて、基板リフト130の垂直移動中にチャンバの真空を維持する可撓性シール部を構成する。チャンバ100は、真空システム114に結合されてこれと流体連通し、この真空システム114は、チャンバ100を排気するために使用する絞り弁図示せず及び真空ポンプ図示せずを含むことができる。この絞り弁及び/又は真空ポンプを調整することにより、チャンバ100内の圧力を制御することができる。チャンバ100は、内部に配置された基板を処理するための1又はそれ以上のプロセスガスをチャンバ100に供給できるプロセスガス供給源118にも結合されてこれと流体連通する。動作時には、チャンバ内部容積120内で、例えばプラズマ102を生成して1又はそれ以上の処理を行うことができる。プラズマ102は、プラズマ電源RF電源117などからの電力をチャンバ内部容積120内の1又はそれ以上の電極後述を介してプロセスガスに結合し、プロセスガスに点火してプラズマ102を生成することにより生成することができる。これとは別に、又はこれと組み合わせて、他の方法によってチャンバ内部容積120内にプラズマを生成することもできる。いくつかの実施形態では、基板支持体又は静電チャック150内に配置された1又はそれ以上の電極後述にバイアス電源RF電源117などからのバイアス電力を供給して、プラズマから基板Sに向けてイオンを引き付けることができる。例えば、チャンバ100がPVDチャンバであるいくつかの実施形態では、基板の上方のチャンバ内部容積内に、基板S上に堆積されるソース材料を含むターゲット166を配置することができる。ターゲット166は、例えば誘電体アイソレータを介したアルミニウムアダプタなどの、チャンバ100の接地された導電性部分によって支持することができる。チャンバ100には、制御可能なDC電源168を結合して、ターゲット166に負の電圧又はバイアスを印加することができる。基板150上に負のDCバイアスを誘起するために、基板支持体124にRF電源117A~Bを結合することができる。また、いくつかの実施形態では、処理中に基板S上に負のDC自己バイアスを形成することができる。その他の用途では、基板支持体124を接地させてもよく、又は電気的に浮遊させたままにしてもよい。いくつかの実施形態では、チャンバ100にRF電源170を結合し、ターゲット166にRF電力を印加して、基板S上の堆積速度の径方向分布の制御を容易にすることができる。動作時には、チャンバ100内で生成されたプラズマ102中のイオンが、ターゲット166からのソース材料と反応する。この反応により、ターゲット166がソース材料の原子を放出し、これらが基板100の方に導かれて材料を堆積させる。いくつかの実施形態では、ターゲット166の背面付近に回転式マグネトロン図示せずを配置することができる。このマグネトロンは、チャンバ100内に磁場を生じるように構成された複数の磁石を含むことができ、この磁場は、ターゲット166の表面に概ね平行かつ接近して生じ、電子を捕捉して局所的なプラズマ密度を高め、これがさらにスパッタリング速度を高める。これらの磁石は、チャンバ100の上部周囲に電磁場を生じるとともに回転してこの電磁場を回転させ、これにより処理のプラズマ密度に影響を与えてターゲット166をより均一にスパッタする。図1Aは、本発明のいくつかの実施形態による静電チャック150の概略側面図である。一般に、静電チャック150は、基板Sを支持するための第1の表面と、反対側の第2の表面とを有するディスク122を含む。第1の表面近傍には第1の電極128が配置され、例えば導体154を介してこの電極をチャッキング電源140に結合して、基板Sを第1の表面上に選択的に静電的に保持することができる。第2の表面近傍には第2の電極138が配置され、例えば導体152を介してこの電極をチャッキング電源140に結合して、ディスク122に隣接して配置された熱制御板134に対してディスク122を選択的に静電的に保持することができる。チャッキング電源140は、例えば約500~約4000ボルトなどの最大約4000ボルトを好適な電力で供給できる1又はそれ以上のDC電源とすることができる。他の構成の静電チャックでは、他の強度のDC電力を使用して、例えばより小型の又はより大型の基板を保持することができる。以下でより詳細に説明するように、ガス供給源141を静電チャックに結合するために導管148を設けることができる。熱制御板134内又は別の好適な場所には、真空フィードスルー146を設けて、処理容積119内部の雰囲気と処理容積外部の雰囲気例えば、中空シャフト112の内部とチャンバ100の外部の間の分離を維持しながら、導体152、154及び導管148を熱制御板134内に容易に通せるようにすることができる。熱制御板134は、少なくとも部分的に熱伝導性材料で作製することができ、例えば流体源142に結合された導管158を介して伝熱流体が流れるようにするための1又はそれ以上のチャンネルを内部に配置して、使用中のディスク122への及び/又はディスク122からの熱伝導の速度制御を容易にすることができる。熱制御板134は、少なくとも部分的に導電材料で作製することができ、例えば導体156を介してRF電源117に結合して、使用中に処理容積119内のプラズマにRF電力を結合するための電極として機能することができる。RF電源117は、例えば最大約2000ワットの電力を、例えば約2MHz~約60MHzなどの好適な周波数で供給することができる。熱制御板134は、アイソレータ136上に配置することにより、基板支持体124内の他の導電性構成部品から電気的に絶縁することができる。静電チャック150又は基板支持体124の周囲に接地シェル144を設け、これを接地に結合して、処理容積119から接地へのRF戻り経路を提供することができる。静電チャックは、本明細書に示す教示による様々な構成を有することができる。例えば、図2は、本発明のいくつかの実施形態による静電チャックの側断面図である。図2を参照して分かるように、静電チャック150は、一般に熱制御板204上に配置されたディスク202を備える。ディスク202は、熱制御板204とは反対側に、基板Sを支持するための基板支持面を有する。いくつかの実施形態では、熱制御板204を、中空シャフト112に結合されてこれに支持される中空基部212上に配置することができる。いくつかの実施形態では、熱制御板204を、支持ハウジング210内に配置された絶縁層208上に置くことができる。このような実施形態では、支持ハウジング210が、絶縁層208及び熱制御板204を機械的に支持することができる。絶縁層208は、熱制御板204と支持ハウジング210の間を電気絶縁又は高周波RF絶縁することができる。いくつかの実施形態では、熱制御板204が、製造中に結合された2又はそれ以上のプレートで構成される。考えられる第2の連結部品としてプレート217を示している。プレート217は、存在する場合には、中空支持シャフト112を静電チャック150に結合するための接合面を提供する。いくつかの実施形態では、中空支持シャフト112内に、ハウジング224に結合された導管229が配置される。ハウジング224は、十分な結合を行うのに適したあらゆる手段によって熱制御板204に結合することができる。例えば、いくつかの実施形態では、ハウジング224が、ハウジング224を熱制御板204に結合するための締結具ネジ、ボルト又はピンなどを受け入れるように構成された貫通孔221を有するフランジ223を備える。1つの実施形態では、導管229を、ハウジング224とともに、熱制御板204に適当なRF電力を伝える導体156として利用することができる。ハウジング224は、導管229とともに、熱制御板204にRFバイアス電力又はその他のユーティリティを送るための空間も提供する。ハウジング224は、設けられた場合、プロセスガス、伝熱流体又は電力をディスク202及び熱制御板204の諸領域に容易に選択的に分配するように構成された複数の貫通孔後述又は接合点図示せずを有するマニホールド235後述を収容することができる。いくつかの実施形態では、プロセスガス、伝熱流体又は電力を、それぞれの導管ガス供給ライン236、234、及び電線管232などに結合された供給源図1に関連して上述したRFプラズマ供給源117、117A、チャッキング電源140、ガス供給源141、流体源142などによって供給することができる。いくつかの実施形態では、ガス供給源141が、単一のガスを供給することができ、又はいくつかの実施形態では、2種類以上のガスを供給することができる。いくつかの実施形態では、ガス供給源141を、例えばディスク202と基板Sの間の接合面216、又はディスク202と熱制御板204の間の接合面204などの、静電チャック150の別個の区域に選択的にガスを供給するように構成することができる。いくつかの実施形態では、基板支持体124上の基板Sの周囲に、例えば図2に示す堆積リング206などの処理キットを配置して、基板支持体124の露出されるはずの部分を覆うことができる。例えば、いくつかの実施形態では、熱制御板204の棚部228上に堆積リング206を配置することができる。堆積リング206は、基板Sの形状に概ね一致するものの典型的には基板Sの下方に広がって基板Sと直接接触しない中央開口部を有する。堆積リング206は、一般にディスク202も取り囲み、堆積リング206の内縁とディスク202の外縁の間に狭い間隙を定めることができる。堆積リング206は、基板支持体124の被覆部分を、処理によるプラズマ又はスパッタリング又は基板Sからのその他の処理副産物などによる損傷から保護する。堆積リング206は、あらゆる処理適合性電気絶縁材料で作製することができる。例えば、いくつかの実施形態では、堆積リング206を、セラミック、窒化アルミニウムAlN又は窒化シリコンSiNなどの誘電性材料で作製することができる。いくつかの実施形態では、図2~図7に関連してより完全に説明するディスク202が、一般に基板対向面220と、概ね逆向きの熱制御板対向面222とを有する本体245を備える。いくつかの実施形態では、基板対向面220が、1又はそれ以上の第1の貫通孔239に結合された1又はそれ以上の第1の溝238を備えて、例えばヘリウムHe又はアルゴンArのようなイナートガスなどのガス、又はその他の伝熱流体がディスク209と基板Sの間の接合面216を流れやすくすることにより、ディスク202と基板Sの間の熱伝達を促進することができる。この伝熱ガスを、1又はそれ以上の第1の溝238と流体連通するディスク202内の1又はそれ以上の第1の孔239を通じて1又はそれ以上の第1の溝238に送出することができる。また、いくつかの実施形態では、熱制御板対向面222が、1又はそれ以上の第2の貫通孔241に結合された1又はそれ以上の第2の溝240を備えて、ガス又はその他の伝熱流体がディスク202と熱制御板204の間の接合面218を容易に流れるようにすることができる。ディスク202は、適切な支持及び十分な伝熱特性を提供するのに適したいずれかの寸法及び形状を有するように作製することができる。例えば、いくつかの実施形態では、ディスク202が、例えば基板Sの厚みの最大約3倍などの、ほぼ基板Sの厚みと同程度の厚みを有することができる。基板Sが半導体ウェハであるいくつかの実施形態では、ディスク202が、約1.0mm~約3mm、又は約1.5mmの厚みを有することができる。いくつかの実施形態では、ディスク202が、基板対向面220及び熱制御板204対向面222に対して実質的に垂直な外縁221を有することができる。或いは、いくつかの実施形態では、外縁221が、堆積リング206の対応する傾斜縁227に整合するように構成された傾斜縁226を有して、処理容積から堆積リング206とディスク202の間のギャップを通って基板支持体124の構成部品に至る垂直方向の見通し線を排除することにより、処理中における基板支持体124の構成部品へのプラズマ誘起損傷を低減又は防止することができる。ディスク202は、処理中にディスク202に十分な結合を与えてその動きを防ぐのに適したいずれかの手段によって熱制御板204に結合することができる。いくつかの実施形態では、ディスク202が、静電引力によって着脱自在に結合される。このような実施形態では、ディスク202が、本体245内の熱制御板対向面222の近傍に配置された1又はそれ以上の電極後述を備える。例えばDC電圧などのチャッキング電力を、電源図1に示すチャッキング電源140などから中空支持軸112内に配置された1又はそれ以上の電線管232を介して電極に供給することにより、ディスク202を熱制御板204に結合するのに十分な静電引力を生成することができる。これとは別に、又はこれと組み合わせて、いくつかの実施形態では、例えば、ボルト、ネジ、カム、クランプ又はバネなどの機械的締結具によって、ディスク202を熱制御板204に機械的に結合することもできる。いくつかの実施形態では、例えば図6に関連して後述するように、ディスク202内に複数の貫通孔1つを示す230を設けて、それぞれの締結具ボルト、ネジ又はカムなどと整合させることができる。熱制御板204は、ディスク202から熱制御板204への十分な熱伝達を行うのに適したあらゆる材料を含むことができる。例えば、いくつかの実施形態では、熱制御板204を、アルミニウム又はニッケルなどの金属で作製することができる。いくつかの実施形態では、熱制御板204内に、伝熱流体を循環させるための1又はそれ以上のチャンネル240を形成して、ディスク202から熱制御板204への熱伝達をさらに促進することができる。いくつかの実施形態では、熱制御板204プレート217とともに示すが、約10~約30mmの厚みを有することができる。絶縁層208は、処理中に十分かつ安定した支持を行いながら電気絶縁性を提供するのに適したあらゆる電気絶縁材料を含むことができる。例えば、いくつかの実施形態では、絶縁層208が、例えば、セラミック、窒化アルミニウムAlN又は窒化シリコンSiNなどの誘電性材料を含むことができる。絶縁層208は、支持ハウジング210内に配置される。支持ハウジング210は、絶縁層208を機械的に支持し、例えばアルミニウムなどの金属で作製することができる。支持ハウジング210を導電性金属で作製した実施形態では、支持ハウジング210を、例えばチャンバ100の接地部分上述への導電性接続を介して接地することができる。図3を参照して分かるように、ディスク202は、使用する特定のプロセスチャンバ、行う処理、又は処理する基板に適したあらゆる寸法を有することができる。例えば、300mmの半導体ウェハを処理する実施形態では、ディスク202が、約270~約320mmの、又は実施形態によっては約290mmの直径306を有することができる。いくつかの実施形態では、ディスク202が、例えば、ディスク202を熱制御板に装着すること、ディスク202上に配置された基板にガスを供給すること、又はリフトピンが基板をディスク202の表面から昇降させること、を容易にするための複数の貫通孔を有することができる。例えば、いくつかの実施形態では、ディスク202が、ディスク202を熱制御板204に容易に結合できるようにするための複数の取り付け穴310A~Cを有することができる。このような実施形態では、図6に関連して後述するような一連のクランプネジ又はボルトによってディスク202を熱制御板204に結合することができる。いくつかの実施形態では、取り付け穴310A~Cをグループ化し、ディスク202の表面全体にわたって等間隔に配置することができる。例えば、いくつかの例示的かつ非限定的な実施形態では、図3に示すように、3つの取り付け穴310A~Cからなる6つのグループ308A~Fの各々を、ディスク202の周囲に60度間隔で配置することができる。ディスク202と熱制御板204の間の接続部の数及び分布については、他の構成も同様に利用することができる。いくつかの実施形態では、ディスク202が、ディスク202上に配置された基板の背面に接する、ディスク202と基板Sの間の基板接合面に上述した第1の溝などを介してガス供給源141上述からのガス流を供給するための1又はそれ以上のガス穴302を有することができる。基板接合面に供給されるガス圧を制御することにより、基板の加熱及び冷却を容易に制御できるようになる。いくつかの実施形態では、図3に示すように、ガス穴302をディスク202の中心に配置することができる。図3には1つのガス穴302しか示していないが、あらゆる数のガス穴302を設けて、ガスを望むように分散させることができる。いくつかの実施形態では、ディスク202が、リフトピン図1において上述した、チャンバ100の基板リフトピン130に結合されたリフトピン109などの自由な移動を可能にするように構成された複数のリフトピン穴304A~Cをさらに有することができる。これにより、リフトピンが、ディスク202上に配置された基板の表面と制御可能に整合して、基板の配置及び除去を容易にすることができる。リフトピン穴304A~Cは、基板を均等に支持するのに適したあらゆる構成で配置することができる。例えば、いくつかの実施形態では、図3に示すように、リフトピン穴304A~Cの各々を、ディスクの周囲に約120度間隔で配置することができる。また、いくつかの実施形態では、ディスク202の中心からの距離を、処理中の基板のサイズ又はディスク202のサイズに適応するように変化させることもできる。例えば、300mmの半導体ウェハを処理する実施形態では、リフトピン穴304A~Cを、230~280mmのボルト円の周囲に配置することができる。いくつかの実施形態では、図9に示すように、リフトピンガイド902を設けて、リフトピン図示せずを基板Sの背面に容易に誘導して基板Sを昇降させることができる。いくつかの実施形態では、リフトピンガイド902を、一般に熱制御板204及び存在する場合にはプレート217内に配置することができる。リフトピンガイドは、リフトピンを受け入れるための開口部904を含む。絶縁層208及び他のいずれかの介在する層内に対応する開口部906を設けて、リフトピンがこの中を容易に移動できるようにすることができる。ディスク202内に開口部910を設けて、リフトピンがこの中を容易に移動して基板Sの背面に接するようにすることができる。いくつかの実施形態では、ディスク202内の開口部910を、リフトピンガイド902の上部から延びる隆起リップ部912を収容するのに十分な大きさにすることができる。隆起リップ部912は、開口部910内に延びて、例えば組み立て中又はディスク202が熱制御板204に静電的に又は他の方法で固定されていない時に、ディスク202を容易に位置合わせしてディスク202の望ましくない動きを防ぐための位置決め及び保持機能を提供することができる。いくつかの実施形態では、リフトピンガイド902の上部付近にフランジ908を設けて、リフトピンガイドを熱制御板204内に容易に保持し、及び/又はプロセスチャンバの処理領域からディスク202内の開口部910を通じて処理中にRFホットとなり得る熱制御板204に至る長い経路を提供することにより、生じ得るあらゆるアーキングを防止又は制限することができる。熱制御板204上には、熱制御板204とディスク202の外縁との間に、堆積リング206に隣接してその径方向内側に絶縁リング914を設けることができる。絶縁リング914は、好適な誘電材料で作製できるとともに、処理容積と熱制御板又はその他のRFホットな構成部品との間に長い及び/又は不連続な経路を提供して、生じ得るあらゆるアーキングを防止又は制限することができる。堆積リング206上には、堆積シールド916を設けて、プロセスチャンバの一部及び/又はその構成部品を処理中の好ましくない堆積からさらに保護することができる。図4A~図4Bのディスク202の断面図を参照すると、いくつかの実施形態では、ディスク202が、一般にベース層402、及び2つの誘電体層404、410例えば、第1の誘電体層404及び第2の誘電体層410間に配置された2又はそれ以上の電極2つを図示406、408を備えることができる。いくつかの実施形態では、ベース層402が、ディスク202の形状及び特徴部上述した貫通孔又は溝などを形成するのに十分なテンプレートを提供するのに適したあらゆる材料又は形状を有することができる。例えば、いくつかの実施形態では、ベース層402が、例えばグラファイトなどの炭素系材料を含むことができる。いくつかの実施形態では、ベース層402が、熱分解窒化ホウ素PBN、ポリイミド又はシリコンウェハなどのシリコンなどの、その他の処理適合性誘電材料を含むことができる。ベース層402は、所望の寸法のディスク202を形成するのに適したあらゆる寸法を有することができる。例えば、いくつかの実施形態では、ベース層402の厚みを約0.5~約2.5mmに、又は実施形態によっては約1.8mmにすることができる。いくつかの実施形態では、ベース層402と第1の誘電体層404を同じ層にすることができ、例えば、いずれかの層を任意と考え、1つの誘電体層をベース層402及び誘電体層404として設けることができる。このような実施形態に適した誘電材料としては、熱分解窒化ホウ素及びポリイミドなどが挙げられる。ベース層402は、所望の寸法及び特徴部を有するベース層402を形成するのに適したあらゆる手段によって作製することができる。例えば、物理処理粉末プレス、押出成形などを通じてベース層402を形成し、機械加工して特徴部を形成することができる。或いは、堆積処理を通じてベース層402を作製し、その後エッチングして特徴部を形成することができる。いくつかの実施形態では、ベース層402上に第1の誘電体層404を配置することができる。第1の誘電体層404は、ディスク202に機械的支持及び高い熱伝導率を与えて熱伝達を容易にするのに適したあらゆる誘電材料とすることができる。例えば、いくつかの実施形態では、第1の誘電体層404が、窒化ホウ素BNを含むことができ、又は実施形態によっては、熱分解窒化ホウ素PBNを含むことができる。第1の誘電体層404は、所望の厚みの共形層を提供するのに適したあらゆる手段を通じて形成することができる。例えば、第1の誘電体層404を、化学蒸着処理などの堆積処理を通じて、約0.05~約0.40mmの厚みに形成することができる。いくつかの実施形態では、第1の誘電体層404上に、2又はそれ以上の電極406、408を配置することができる。第1の電極406は、基板対向面220付近に配置することができ、第2の電極408は、熱制御板対向面222付近に配置することができる。これらの2又はそれ以上の電極406、408の各々を、各電極406、408に結合された412、414などの導体及び図7~図8に関連して後述するような端子を介して、AC電源又はDC電源図1の電源140などの一方に個別に電気的に結合することができる。いくつかの実施形態では、2又はそれ以上の電極406、408の各々を、例えば、図7に関連して後述する端子702又は図8に関連して後述する端子814などの、ディスク202に配置された貫通孔図示せず内に配置された端子を介してそれぞれの電源に結合することができる。例えば、いくつかの実施形態では、図4Bにより明確に示すように、電極406、408を、ベース402又は存在する場合には誘電体層404上に配置されたパターン化電極とすることができる。ディスク202の基板対向面220付近の電極406は、ベース402を貫いて配置された導体を介して電源に結合することができる。例えば、ベース402を貫く開口部を形成することができる。この開口部を導電材料でコーティングし及び/又は満たして、例えばロウ付けにより、ベース402の反対側に配置された接点に結合することができる。2又はそれ以上の電極406、408は、例えば金属又は金属合金などのあらゆる好適な導電材料で作製することができる。また、2又はそれ以上の電極406、408は、例えばディスク形、リング形、くさび形、ストリップ形又はパターン化電気トレース形などのいずれの形状であってもよい。2又はそれ以上の電極406、408は、堆積、めっき又は印刷などのあらゆる好適な方法で作製することができる。いくつかの実施形態では、2又はそれ以上の電極406、408の一方又は両方が、基板対向面220及び/又は熱制御板対向面222付近に配置された、例えば2つなどの複数の電極を有することができる。例えば、バイポーラチャックを実現するいくつかの実施形態では、第1の電極406が、各々が電源の1つの端子に取り付けられた2つの半円形又はD字形のプレート電極を含むことができる。いくつかの実施形態では、第2の電極408も2つの電極を含むことができる。同様に、他の電極構成を利用することもできる。2又はそれ以上の電極406、408の一方又は両方を、加熱電極及び/又はチャック電極として選択的に機能するように構成することもできる。例えば、いくつかの実施形態では、第1の電極406にDC電力を印加して、基板対向面220上に帯電を生じさせ、逆帯電した基板Sへの吸引力を生じさせることにより、基板Sのディスク202への静電チャッキングを容易にすることができる。いくつかの実施形態では、第2の電極408にAC電力を印加して、第2の電極408の抵抗に起因して熱を生じさせることにより、ディスク202の加熱を容易にすることができる。このAC電力は、静電チャックを最大600°Cに加熱するのに十分なものとすることができる。例えば、このAC電源は、第2の電極408に約110~約208VACを供給することができる。いくつかの実施形態では、使用中、抵抗加熱素子の抵抗値をモニタし、素子の温度に比例して抵抗値が変化するという抵抗素子の物理的特性に起因して結果的な温度を計算することにより、静電チャックの温度をモニタすることができる。また、いくつかの実施形態では、2又はそれ以上の電極406、408の一方又は両方にRF電力を印加して、基板S上にバイアスを生じさせ、及び/又はチャンバすなわち、上述したチャンバ100にRF電力を供給してプラズマを形成することができる。例えば、図1に関連して上述したRF電源117又は同様のRF電源を使用して、電極406、408のいずれにもRF電力を供給することができる。いくつかの実施形態では、2又はそれ以上の電極406、408の一方又は両方にDC電力及びAC電力の両方を同時に印加して、第1の電極406、第2の電極408、又はこれらの両方を、加熱電極及びチャッキング電極として容易に同時利用することができる。例えば、このような実施形態では、第1の電極406にDC電力を印加して、基板の基板対向面220への静電チャッキングを容易にし、第2の電極408にDC電力及びAC電力を同時に印加して、ディスク202を加熱するとともに熱制御板204に静電チャッキングすることができる。いくつかの実施形態では、2又はそれ以上の電極406、408上に第2の誘電体層410を配置することができる。第2の誘電体層410は、ディスク202を機械的に支持するとともに高い熱伝導率を与えて熱伝達を容易にするのに適したいずれの誘電材料であってもよい。いくつかの実施形態では、第2の誘電体層410が、第1の誘電体層402と同じ材料を、又は実施形態によっては異なる材料を含むことができる。例えば、いくつかの実施形態では、第2の誘電体層410が、窒化ホウ素BNを含むことができ、又は実施形態によっては熱分解窒化ホウ素PBNを含むことができる。いくつかの実施形態では、第2の誘電体層410を、所望の厚みの共形層を提供するのに適したあらゆる手段を通じて形成することができる。例えば、第2の誘電体層410を、化学蒸着処理などの堆積処理を通じて、約0.02~約0.30mmの厚みに形成することができる。いくつかの実施形態では、クーロン型静電チャック又はJohnson-Rebeck型静電チャックとしての使用目的に基づいて誘電体層410の厚みを選択することができる。例えば、クーロン型静電チャックが望ましいいくつかの実施形態では、誘電体層410の厚みを、セラミック材料の場合には約0.050~約0.300mmに、又はポリイミド材料の場合には約0.005~約0.003インチ約0.0127~約0.0762mmにすることができる。Johnson-Rebeck型静電チャックが望ましいいくつかの実施形態では、誘電体層410の厚みを、セラミック材料の場合に最大約1mmとすることができる。上記に加えて、本発明にとっては、ディスク202を作製するために選択する材料の他の又はさらなる特性が有利となり得る。例えば、いくつかの実施形態では、ディスク202の全体的な熱膨張係数を、この上に配置する基板図1で説明した基板Sなどの熱膨張係数と実質的に同様にすることができる。実質的に同様の熱膨張係数を実現することにより、基板及びディスク202が、いずれも加熱時に実質的に同様の割合で膨張することによって基板との間の摩擦力が低下し、従って加熱時の損傷が低減する。図5を参照すると、いくつかの実施形態では、マニホールド235を、複数のポートACポート508及びDCポート510など及び入口/出口ウェハガス入口514、ディスクガス入口502、冷却流体入口506及び出口509などを介してディスク上述及び熱制御板上述にプロセスガス、電力又は伝熱流体などを選択的に供給するように構成することができる。例えば、いくつかの実施形態では、冷却流体入口506と、伝熱流体水などの流れを熱制御板上述に送出するための冷却流体出口509とを有するプレート516に、2又はそれ以上の送水管2つを図示507を結合することができる。これらの入口506及び出口509の各々の周囲にOリング518を配置して、伝熱流体の漏れを防ぐことができる。また、プレート516の端部付近にOリングを配置して、静電チャック105の他の区域への伝熱流体の漏れをさらに防ぐことができる。また、いくつかの実施形態では、プレート516に水漏れ用ベント509を結合して、漏れた伝熱流体を除去することができる。いくつかの実施形態では、マニホールド235の中心付近にガス入口514を配置して、接合面220又は接合面222上述に伝熱ガスを供給することができる。いくつかの実施形態では、マニホールド235が、ディスクに電力RF電力、AC電力、又はDC電力などを供給するように構成された2又はそれ以上の4つを図示電気ポート508、510をさらに有することができる。例えば、いくつかの実施形態では、マニホールド235が、ディスク内に配置された1又はそれ以上の電極上述にAC電力を供給するための2つのAC電力ポート508を有して、ディスク及びその上に配置された基板の加熱を容易にすることができる。これとは別に、又はこれと組み合わせて、いくつかの実施形態では、マニホールド235が、ディスク内に配置された1又はそれ以上の電極にDC電力を供給するための2つのDC電力ポートを有して、ディスクの熱制御板へのチャッキング上述及び/又は基板のディスクへのチャッキング上述を容易にすることができる。いくつかの実施形態では、マニホールド235が、ディスクへのアクセスを提供するための1又はそれ以上1つを図示のポート504をさらに有して温度モニタリングを容易にすることができる。例えば、いくつかの実施形態では、1又はそれ以上のポート504を設け、ディスクに実質的に接近又は接触して熱電対505を容易に配置して温度モニタリングを容易にすることができる。これとは別に、又はこれと組み合わせて、ディスクに電力を供給する電源すなわち、上述した電源140の電圧及び電流の計測を通じて抵抗率の変化を測定することにより、ディスクの温度をモニタすることもできる。いくつかの実施形態では、マニホールド235、ハウジング224及び真空プレート217の間にOリング、絶縁体又はガスケットなどを配置して、流体又は電気の漏れを防ぐことができる。例えば、いくつかの実施形態では、ハウジング224上にRFガスケット522を配置して、真空プレート217に結合したときの高周波RF干渉を低減又は防止することができる。また、熱制御板202にRF電力をより効率的に送出するために、ハウジング224を熱制御板202に電気的に結合する。マニホールド235は、ディスク及び熱制御板にプロセスガス、電力又は伝熱流体などを供給するのに適したあらゆる材料で作製することができる。例えば、いくつかの実施形態では、マニホールド235をセラミックで作製することができ、又は実施形態によっては、アルミニウム、ステンレス鋼又はチタンなどの金属で作製することができる。マニホールド235は、十分な結合を提供するのに適したあらゆる手段を通じて真空プレート217に結合することができる。例えば、いくつかの実施形態では、溶接又はロウ付けを通じてマニホールド235を真空プレート217に結合することができる。いくつかの実施形態では、真空プレート217上にOリング512を配置して、真空プレート217と、この上に配置される場合には熱制御板図示せずとの間に真空シールを形成することができる。図6を参照すると、いくつかの実施形態では、可撓性のネジとナットの構成608を通じてディスク202を熱制御板に結合することができる。このような実施形態では、熱制御板204及びディスク202が、ネジ606と整合するのに適した寸法の貫通孔610を有する。いくつかの実施形態では、貫通孔610が、ネジ606の寸法よりも大きな寸法を有して、熱制御板204及びディスク202が各々互いに独立して移動できるようにすることにより、熱膨張差によって生じる熱制御板204及び/又はディスク202への損傷を低減することができる。ネジ606は、例えば、機械ネジ、蝶ネジ又はクランプネジなどのあらゆる好適な種類のネジとすることができる。いくつかの実施形態では、ネジ606が、貫通孔610の先細の端部612に整合するように構成された先細の頭部614を有することにより、ネジ606を締め付けてディスク202の上面と同じ又はそれよりも低い高さに配置した時に、先細の頭部614がディスク202を締め付けるようにすることができる。ネジ606は、例えば、アルミニウム、チタン又はステンレス鋼のような金属などの、熱制御板204とディスク202を十分に結合させるのに適したあらゆる材料で作製することができる。いくつかの実施形態では、熱制御板204の下側にナット602が配置され、ネジ606のネジ山付き端部616に整合するように構成された一連のネジ山618を有する。ナット602は、例えば、アルミニウム、チタン又はステンレス鋼のような金属などの、熱制御板204をディスク202に確実に結合するのに適したあらゆる材料で作製することができる。いくつかの実施形態では、ナット602を、ネジ606の材料と同じ又は異なる材料で作製することができる。いくつかの実施形態では、熱制御板204とナット602の間に付勢部材604を配置して、熱制御板204及びディスク202に対する所望の締め付け圧を維持しながら、熱制御板204及び/又はディスク202の熱膨張を可能にすることができる。1つのネジとナットの構成608しか図示していないが、あらゆる数のネジとナットの構成608を利用してディスク202を熱制御板204に結合することができる。図7を参照すると、いくつかの実施形態では、端子702を通じて、ディスク202内の電極710に電力を送出することができる。端子702は、バネ要素708を介して導体706に電気的に結合して、端子702のあらゆる垂直移動中に十分な電気的接続を維持することができる。端子702を電極710に向けて付勢する好適なバネ707により、ディスク202の電極710に印加される力を制御することができる。要素703、704及び705は、端子702のためのハウジングを提供することができ、熱制御板204、又は電力フィードスルー711近くの他のあらゆる導電素子から電気素子端子702及び導体706などを電気的に絶縁するのに適した絶縁材料で作製することができる。電力フィードスルー711を、溶接、ロウ付け又はその他の同様の接合技術を使用してマニホールド235に結合し、領域713例えば、処理チャンバ内の処理容積と領域714例えば、処理容積から隔離された領域の間に真空気密接続を形成することができる。図8を参照すると、いくつかの実施形態では、ディスク202に形成された貫通孔806内に配置された1又はそれ以上の端子8141つを図示を介して、ディスク202を電源810に電気的に結合することができる。貫通孔806は、ディスク202内に配置された電極802と電源810の間を接続することができる、ディスク202上のあらゆる位置に形成することができる。いくつかの実施形態では、貫通孔806を、ディスク202の外縁812付近に、或いはディスク202の本体と一体的に形成された外向きに延びるタブ内に形成することができる。いくつかの実施形態では、端子814が、貫通孔806内に収まるのに適した寸法のシャフト816、及び端子814を貫通孔806内の静止位置に固定する幅広の頭部804を有することができる。端子814は、ディスク202を電源810に結合するのに適したあらゆる材料を含むことができる。例えば、端子814は、アルミニウム、チタン又はステンレス鋼などの金属を含むことができる。いくつかの実施形態では、幅広の頭部804とディスク202の間にワッシャ808を配置して、端子814とディスク202の摩擦に起因するディスク202への損傷を低減することができる。1つの端子814しか図示していないが、あらゆる数の端子を利用することができる。例えば、ディスクが複数の電極上述を備える実施形態では、各電極を1又はそれ以上の端子814にそれぞれ結合して、容易に各電極に個別に電力を送出することができる。静電チャック105の動作時には、ディスク202と基板Sの間の接合面216、及びディスク202と熱制御板204の間の接合面218にガス及び/又はチャッキング電力を選択的に供給することにより、基板Sの急速な加熱又は冷却を容易にすることができる。いくつかの実施形態では、ディスク202を最大約50°C/秒の速度で加熱又は冷却することができ、又は実施形態によっては、最大約150°C/秒の加熱速度で加熱し、最大約20°C/秒の冷却速度で冷却することができる。例えば、いくつかの実施形態では、基板Sを素早く加熱するために、ディスク202と基板Sの間の接合面216に熱伝導性ガスアルゴン又はヘリウムなどを供給しながら、ディスク202の1又はそれ以上の電極にAC電力を供給してディスクを加熱することができる。このガスが存在することで、基板Sとディスク202の間の熱伝達が向上し、これにより加熱速度が高まる。また、ディスク202の電極406にチャッキング電力を供給し、基板Sをディスク202にチャッキングして基板Sとディスク202の間の熱伝達をさらに向上させることにより、基板Sの素早い加熱を容易にすることができる。また、ディスクを熱制御板に不完全に熱結合して、基板の加熱速度をさらに高めることもできる。例えば、ディスクと熱制御板の間に背面ガス溝を設けた実施形態では、ガスの流れを低減又は解除して、ディスクから熱制御板への伝熱速度を下げることができる。これとは別に、又はこれと組み合わせて、熱制御板付近にチャッキング電極を設けた実施形態では、電極への電力を低減又は解除し、ディスクと熱制御板の間の締め付け圧を低下させて、ディスクから熱制御板への伝熱速度を下げることができる。いくつかの実施形態では、基板Sを素早く冷却するために、ディスク202と熱制御板204の間の接合面218に熱伝導性ガスアルゴン又はヘリウムなどを供給することができる。例えば、いくつかの実施形態では、チャンバ内の動作圧を約30mTorr未満にすることができる。熱伝導性ガスを供給することにより、ディスク202と熱制御板204の間の圧力を約2~約20Torrに維持することができる。ガスが存在することで、ディスク202と熱制御板204の間の熱伝達が向上し、これにより冷却速度が高まる。また、ディスク202の電極408にチャッキング電力を供給し又はこれを増加させ、熱制御板204に対するディスク202の締め付け圧を高めてディスク202と熱制御板204の間の伝熱速度をさらに高めることにより、ディスク202と基板Sの素早い冷却をさらに容易にすることができる。ディスクと基板Sの間に強固な締め付け力を提供し、加熱及び冷却を素早く行うことができるディスクを提供することにより、ディスク202及び基板Sが、実質的に同様の速度で加熱及び冷却されるようになる。ディスク202は、基板Sの熱膨張係数と同様の熱膨張係数を有しているので、異なる熱膨張又は熱収縮速度に起因する基板Sと静電チャック150の間の摩擦が低減又は排除され、これにより基板Sへの損傷を低減又は排除することができる。以上、静電チャック及びその使用方法を示したが、これにより、配置した基板の急速な加熱及び冷却と同時に素早く加熱及び冷却できる静電チャックを有利に提供することができる。本発明の静電チャックは、基板処理における処理の柔軟性及びスループットの増加を実現することができる。本発明の静電チャックは、処理中の基板と静電チャックの熱膨張の速度差に起因する摩擦によって生じる基板への損傷をさらに有利に低減又は排除することができる。上述した内容は、本発明の実施形態を対象とするものであるが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本発明の他の及びさらなる実施形態を考案することができる。