"吐出用溶液を供給する溶液保存装置と、前記溶液保存装置から供給された前記吐出用溶液を吐出するノズルと、前記ノズルに高電圧を印加する電圧印加装置と、前記ノズルから吐出されて形成された有機ワイヤがその上に整列される、偏平であって移動可能なコレクタと、前記コレクタの下に設置され、前記コレクタを、水平面内で、XY方向に動かすことができるロボットステージと、Z方向垂直方向に、前記ノズルと前記コレクタとの距離を調節するマイクロ距離調節器と、前記コレクタの平面度を維持し、前記ロボットステージの作動中に発生する振動を抑制するように、前記ロボットステージの下に位置した石定盤baseplateと、を含む電場補助ロボティックノズルプリンタ。前記溶液保存装置に連結され、前記溶液保存装置内の前記吐出用溶液を、一定速度で吐出させる吐出調節器をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の電場補助ロボティックノズルプリンタ。前記吐出調節器は、ポンプまたはガス圧力調節器を含み、前記吐出用溶液の吐出速度を、1.0nl/minないし50ml/minの範囲内で調節することを特徴とする請求項2に記載の電場補助ロボティックノズルプリンタ。前記溶液保存装置、前記ノズル、前記コレクタ、前記ロボットステージ、前記マイクロ距離調節器及び前記石定盤を含む全体システムを覆い包むハウジングをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の電場補助ロボティックノズルプリンタ。前記ハウジングは、密閉可能であり、前記ハウジングの内部が、ガス注入器を介して不活性ガスまたは乾燥空気で満たされることを特徴とする請求項4に記載の電場補助ロボティックノズルプリンタ。前記ハウジング内部のガスを外に送り出すベンチレータをさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の電場補助ロボティックノズルプリンタ。前記溶液保存装置は、複数個からなり、前記複数個の溶液保存装置に、別個の吐出調節器が独立して作動することを特徴とする請求項1に記載の電場補助ロボティックノズルプリンタ。前記溶液保存装置は、プラスチック、ガラスまたはステンレススチールからなることを特徴とする請求項1に記載の電場補助ロボティックノズルプリンタ。前記溶液保存装置の容量は、1μlないし5,000mlの範囲を有することを特徴とする請求項1に記載の電場補助ロボティックノズルプリンタ。前記ノズルは、単一ノズル、二重ノズル、三重ノズル、分割ノズルまたはマルチノズルであることを特徴とする請求項1に記載の電場補助ロボティックノズルプリンタ。前記二重ノズルまたは前記三重ノズルは、それぞれ、前記複数個の溶液保存装置から吐出用溶液を供給されることを特徴とする請求項10に記載の電場補助ロボティックノズルプリンタ。前記分割ノズルは、2個ないし30個のノズルが、一定間隔を有して一列に配置されており、1つの溶液保存装置から吐出用溶液を供給されることを特徴とする請求項10に記載の電場補助ロボティックノズルプリンタ。前記マルチノズルは、2個ないし30個のノズルが、一定間隔を有して一列に配置されており、それぞれ、前記複数個の溶液保存装置から吐出用溶液を供給されることを特徴とする請求項10に記載の電場補助ロボティックノズルプリンタ。前記ノズルの直径は、100nmないし1.5mmの範囲を有することを特徴とする請求項1に記載の電場補助ロボティックノズルプリンタ。前記電圧印加装置の印加電圧は、0.1kVないし50kVの範囲を有することを特徴とする請求項1に記載の電場補助ロボティックノズルプリンタ。前記コレクタは、接地されており、0.5μmないし10μm範囲の平面度を有することを特徴とする請求項1に記載の電場補助ロボティックノズルプリンタ。前記ロボットステージは、10nmないし100cmの範囲で移動可能であることを特徴とする請求項1に記載の電場補助ロボティックノズルプリンタ。前記ロボットステージは、1mm/minないし60,000mm/minの範囲で移動速度を調節可能であることを特徴とする請求項1に記載の電場補助ロボティックノズルプリンタ。前記マイクロ距離調節器は、ジョグと微細調節器とを含み、前記ノズルと前記コレクタとの距離を、10μmないし20mmの範囲で調節することを特徴とする請求項1に記載の電場補助ロボティックノズルプリンタ。前記石定盤は、0.1μmないし5μmの範囲の平面度を有することを特徴とする請求項1に記載の電場補助ロボティックノズルプリンタ。有機材料または有機/無機ハイブリッド材料を、蒸溜水または有機溶媒の中に混合させた有機溶液を、請求項1ないし20のうちいずれか1項に記載の電場補助ロボティックノズルプリンタの前記溶液保存装置内に込める段階と、前記電場補助ロボティックノズルプリンタの前記電圧印加装置によって、前記ノズルに高電圧を印加しながら、前記ノズルから前記有機溶液を吐出させる段階と、前記ノズルから吐出される前記有機溶液から形成される有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤを、前記コレクタを移動させながら、前記コレクタの上に置かれた基板の上に整列させる段階と、を含む有機ワイヤパターンの製造方法。前記有機材料は、低分子有機半導体、高分子有機半導体、伝導性高分子、絶縁性高分子、またはそれらの混合物を含むことを特徴とする請求項21に記載の有機ワイヤパターンの製造方法。前記有機材料は、6,13-ビストリイソプロピルシリルエチニルペンタセンTIPSペンタセン、トリエチルシリルエチニルアントラジチオフェンTESADTまたは[6,6]-フェニルC61ブチル酸メチルエステルPCBMを含む群から選択される低分子有機半導体材料;ポリ3-ヘキシルチオフェンP3HT、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンPEDOT、ポリ9-ビニルカルバゾールPVK、ポリp-フェニレンビニレンpolyp-phenylenevinylene、ポリフルオレンpolyfluorene、ポリアニリンpolyaniline、ポリピロールpolypyrrole、またはそれらの誘導体を含む群から選択される高分子有機半導体または伝導性高分子材料;ポリエチレンオキシドPEO、ポリスチレンPS、ポリカプロラクトンPCL、ポリアクリロニトリルPAN、ポリメチルメタクリレートPMMA、ポリイミドpolyimide、ポリフッ化ビニリデンPVDFまたはポリ塩化ビニルPVCを含む群から選択される絶縁性高分子材料;を含むことを特徴とする請求項21に記載の有機ワイヤパターンの製造方法。前記有機/無機ハイブリッド材料は、ナノサイズの粒子;ワイヤリボンロッド形態を有する半導体、金属、金属酸化物、金属または金属酸化物の前駆体;炭素ナノチューブCNT;還元されたグラフェン酸化物;グラフェン;グラフェン量子点;グラフェンナノリボン;グラファイト;及びナノサイズのII-VI半導体粒子CdSe、CdTe、CdSが中心をなす量子点有機材料のうち少なくとも一つ以上を含むことを特徴とする請求項21に記載の有機ワイヤパターンの製造方法。前記基板は、アルミニウム、銅、ニッケル、鉄、クロム、チタン、亜鉛、鉛、金及び銀を含む群から選択される伝導体材料;シリコンSi、ゲルマニウムGeまたはヒ化ガリウムGaAsを含む群から選択される半導体材料;またはガラス、プラスチックフィルムまたは紙を含む群から選択されるアイソレータ材料;を含むことを特徴とする請求項21に記載の有機ワイヤパターンの製造方法。前記有機ワイヤの間隔は、10nmないし20cmであることを特徴とする請求項21に記載の有機ワイヤパターンの製造方法。本発明の目的は、高解像度の整列された有機ワイヤパターンを形成することができる装置を提供するところにある。本発明の他の目的は、前記装置を利用して、大面積上に高解像度の整列された有機ワイヤパターンを形成する方法を提供するところにある。本発明の一側面によって、吐出用溶液を供給する溶液保存装置と、前記溶液保存装置から供給された前記吐出用溶液を吐出するノズルと、前記ノズルに高電圧を印加する電圧印加装置と、前記ノズルから吐出されて形成された有機ワイヤがその上に整列される、偏平であって移動可能なコレクタと、前記コレクタの下に設置され、前記コレクタを、水平面内で、xy方向水平方向に動かすことができるロボットステージと、z方向垂直方向に、前記ノズルと前記コレクタとの距離を調節するマイクロ距離調節器と、前記コレクタの平面度を維持し、前記ロボットステージの作動中に発生する振動を抑制するように、前記ロボットステージの下に位置した石定盤と、を含む電場補助ロボティックノズルプリンタが提供される。前記溶液保存装置に連結され、前記溶液保存装置内の前記吐出用溶液を、一定速度で吐出させる吐出調節器をさらに含んでもよい。前記吐出調節器は、ポンプまたはガス圧力調節器などを含んでもよいが、それらに制限されるものではない。前記吐出用溶液の吐出速度を、1.0nl/minないし50ml/minの範囲内で調節することができる。前記溶液保存装置は、複数個からなり、前記複数個の溶液保存装置に、別個の吐出調節器が独立して作動することができる。前記溶液保存装置の素材は、プラスチック、ガラスまたはステンレススチールを含んでもよいが、それらに制限されるものではない。また、前記溶液保存装置の容量は、1μlないし5,000mlの範囲を有することができる。前記ノズルは、単一ノズル、二重ノズルdualconcentricnozzle、三重ノズルtripleconcentricnozzle、分割ノズルsplitnozzleまたはマルチノズルmultinozzleであってもよい。このとき、前記二重ノズルまたは前記三重ノズルは、それぞれ、前記複数個の溶液保存装置から、吐出用溶液を供給される。前記分割ノズルは、2個ないし30個のノズルが、一定間隔を有して一列に配置されており、1つの溶液保存装置から吐出用溶液を供給される。前記マルチノズルは、2個ないし30個のノズルが、一定間隔を有して一列に配置されており、それぞれ、前記複数個の溶液保存装置から吐出用溶液を供給される。前記ノズルの直径は100nmないし1.5mmの範囲を有することができる。前記電圧印加装置の印加電圧は、0.1kVないし50kVの範囲を有することができる。前記コレクタは、接地されており、0.5μmないし10μm以内の平面度flatnessを有することができる。前記石定盤の平面度は、0.1μmないし5μmの範囲で選択される。前記ロボットステージは、サーボモータによって駆動され、水平面で、互いに垂直である2方向に移動することができる。前記ロボットステージは、10nmないし100cmの範囲で移動することができる。また、前記ロボットステージの移動速度は、1mm/minないし60,000mm/minの範囲で調節される。前記マイクロ距離調節器は、ジョグjogと微細調節器micrometerとを含み、前記ノズルと前記コレクタとの距離を、10μmないし20mmの範囲で調節することができる。前記電場補助ノズルプリンタは、溶液保存装置、ノズル、コレクタ、ロボットステージ、マイクロ距離調節器及び石定盤を含むシステムを覆い包むハウジングhousingをさらに含んでもよい。該ハウジングは、外部空気を遮断し、全体システム内の内部気体雰囲気を調節することができる。前記ハウジングは、密閉可能であり、ガス注入器を介して、ハウジングの内部が、不活性ガスまたは乾燥空気で満たされる。ハウジングは、内部のガスを外に送り出すベンチレータventilatorをさらに含んでもよい。本発明の他の一側面によって、有機ワイヤパターンの製造方法が提供される。前記有機ワイヤパターンの製造方法は、有機材料または有機/無機ハイブリッド材料を、蒸溜水または有機溶媒の中に混合させた有機溶液を、電場補助ロボティックノズルプリンタの前記溶液保存装置内に込める段階と、前記電場補助ロボティックノズルプリンタの前記電圧印加装置によって、前記ノズルに高電圧を印加しながら、前記ノズルから前記有機溶液を吐出させる段階と、前記ノズルから吐出される前記有機溶液から形成される有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤを、前記コレクタを移動させながら、前記コレクタの上に置かれた基板の上に整列させる段階と、を含む。前記有機材料は、低分子有機半導体、高分子有機半導体、伝導性高分子、絶縁性高分子、またはそれらの混合物を含んでもよい。前記低分子有機半導体材料は、6,13-ビストリイソプロピルシリルエチニルペンタセンTIPSペンタセン、トリエチルシリルエチニルアントラジチオフェンTESADTまたは[6,6]-フェニルC61ブチル酸メチルエステルPCBMであってもよいが、それらに制限されるものではない。高分子有機半導体または伝導性高分子材料は、ポリ3-ヘキシルチオフェンP3HT、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンPEDOTを含むポリチオフェンpolythiophene誘導体;ポリ9-ビニルカルバゾールPVK、ポリp-フェニレンビニレンpolypphenylenevinylene、ポリフルオレンpolyfluorene、ポリアニリンpolyaniline、ポリピロールpolypyrrole、またはそれらの誘導体;でもあるが、それらに制限されるものではない。絶縁性高分子材料は、ポリエチレンオキシドPEO、ポリスチレンPS、ポリカプロラクトンPCL、ポリアクリロニトリルPAN、ポリメチルメタクリレートPMMA、ポリイミドpolyimide、ポリフッ化ビニリデンPVDFまたはポリ塩化ビニルPVCを含んでもよいが、それらに限定されるものではない。また、それら有機材料に、ナノサイズの粒子;ワイヤリボンribbonロッド形態を有する半導体、金属、金属酸化物、金属または金属酸化物の前駆体、炭素ナノチューブCNT、還元されたグラフェン酸化物reducedgraphemeoxide、グラフェンgrapheneまたはグラファイトgraphite;ナノサイズのII-VI半導体粒子CdSe、CdTe、CdSなどが中心coreをなす量子点などの材料が選択的に含まれてもよい。従って、本発明による電場補助ロボティックノズルプリンタを使用して有機ワイヤまたは有機/無機ハイブリッドワイヤを形成することができる。本明細書で、有機ワイヤは、有機ワイヤと有機/無機ハイブリッドワイヤとをいずれも含む用語として使用される。前記有機ワイヤの間隔linespacingは、10nmないし20cmであってもよい。原子間力顕微鏡atomicforcemicroscopeに使用される微細xyロボットステージを使用すれば、10nmまで有機ワイヤの間隔を縮めることができる。前記有機溶媒としては、有機材料を溶かすことができる溶媒であり、例えば、ジクロロエチレン、トリクロロエチレン、クロロホルム、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、スチレン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、キシレン、トルエン、シクロヘキセン、イソプロピルアルコール、エタノール、アセトン、またはそれらの混合溶媒などが使用されるが、それらに制限されるものではない。前記基板は、約50μmないし50mm範囲の厚さを有することができる。前記基板は、アルミニウム、銅、ニッケル、鉄、クロム、チタン、亜鉛、鉛、金、銀などの伝導体材料;シリコンSi、ゲルマニウムGe、ヒ化ガリウムGaAsなどの半導体材料;ガラス、プラスチックフィルム、紙などのアイソレータ材料を含んでもよいが、それらに制限されるものではない。本発明の一形態による電場補助ロボティックノズルプリンタは、ノズルとコレクタとの距離を非常に近い範囲まで調節することができ、高速ロボットステージによって、コレクタを移動させることができ、分離された有機ワイヤが、整列された高解像度の微細有機ワイヤパターンを形成することができる。本発明の他の一形態による有機ワイヤパターンの製造方法は、前記電場補助ロボティックノズルプリンタを使用することにより、高解像度の整列された有機ワイヤパターンを形成することができる。高解像度の整列された有機ワイヤパターンを使用して、ナノワイヤトランジスタ及び高感度バイオセンサのようなナノ素子を製造することができる。以下、添付された図面を参照し、本発明の望ましい実施例について詳細に説明する。しかし、本発明は、ここで説明される実施例に限定されるものではなく、他の形態に具体化されもする。むしろここで紹介される実施例は、開示された内容が徹底したものであり、完全なものになるように、そして当業者に本発明の思想を十分に伝達させるために提供されるものである。図2A及び図2Bは、それぞれ本発明の一実施例による電場補助ロボティックノズルプリンタ100を概略的に示した斜視図及び側面図である。図2A及び図2Bを参照すれば、本発明による電場補助ロボティックノズルプリンタ100は、溶液保存装置10、吐出調節器20、ノズル30、電圧印加装置40、コレクタ50、ロボットステージ60、石定盤61、マイクロ距離調節器70を含む。溶液保存装置10は、有機溶液を込め、ノズル30が有機溶液を吐出することができるように、ノズル30に、前記有機溶液を供給する部分である。溶液保存装置10は、シリンジsyringe形態であってもよい。溶液保存装置10は、プラスチック、ガラスまたはステンレススチールなどが使用可能であるが、それらに制限されるものではない。溶液保存装置10の保存容量は、約1μlないし約5,000mlの範囲内で選択可能であるが、それに制限されるものではない。望ましくは、溶液保存装置10の保存容量は、約10μlないし約50mlの範囲内で選択される。ステンレススチール材質の溶液保存装置10の場合には、溶液保存装置10にガスを注入することができるガス注入器図示せずがあって、ガスの圧力を利用して、有機溶液を溶液保存装置外に吐出させることができる。一方、コアシェル構造の有機ワイヤを形成するために、溶液保存装置10は、複数個からなってもよい。吐出調節器20は、溶液保存装置10内の有機溶液を、ノズル30を介して一定速度で吐出させるために、溶液保存装置10内の有機溶液に、圧力を加える部分である。吐出調節器20として、ポンプまたはガス圧力調節器が使用される。吐出調節器20は、有機溶液の吐出速度を、1nl/minないし50ml/minの範囲内で調節することができる。複数個の溶液保存装置10を使用する場合、それぞれの溶液保存装置10に、別個の吐出調節器20が具備され、独立して作動することができる。ステンレススチール材質の溶液保存装置10の場合、吐出調節器20としてガス圧力調節器図示せずが使用される。ノズル30は、溶液保存装置10から、有機溶液を供給され、有機溶液が吐出される部分であり、吐出される有機溶液は、ノズル30端で液滴dropを形成することができる。ノズル30の直径は、約100nmないし約1.5mmの範囲を有することができるが、それに制限されるものではない。ノズル30は、単一ノズル、二重dualconcentricノズル、三重tripleconcentricノズル、分割splitノズルまたはマルチmultiノズルを含んでもよい。コアシェル構造の有機ワイヤを形成する場合、二重ノズルまたは三重ノズルを使用して、2種類以上の有機溶液を吐出させることができる。その場合、二重ノズルまたは三重ノズルに、2個または3個の溶液保存装置10が連結される。図3Aは、二重ノズル部分を概略的に図示した断面図であり、図3Bは、三重ノズル部分を概略的に図示した断面図である。図3Aを参照すれば、二重ノズル30a,30bが溶液保存装置から有機溶液を供給される2個の溶液注入口31a,31bと連結されている。図3Bを参照すれば、三重ノズル30a,30b,30cが、溶液保存装置から有機溶液を供給される3個の溶液注入口31a,31b,31cと連結されている。図3A及び図3Bを参照すれば、溶液注入口31a,31b,31cの方向は、それぞれ異なり、溶液保存装置から注入された溶液は、同心を有するconcentricシリンダからなる本体を通過する。それぞれのノズル30a,30b,30cは、それぞれのシリンダの端に連結されている。二重ノズルの場合、内側ノズル30aから、有機ワイヤ1のコア部分1aを、外側ノズル30bから、有機ワイヤのシェル部分1bを形成することができる。三重ノズルの場合、内側ノズル30aから、有機ワイヤのコア部分2aを、外側ノズル30bから、有機ワイヤのシェル部分2bを、中間ノズル30cから、コア2aとシェル2bとの間の緩衝層2cを形成し、さらに安定したコアシェル構造の有機ワイヤ2を形成することができる。いくつかの有機ワイヤを同時に一直線に形成する場合、分割ノズルまたはマルチノズルを使用して、2個以上の有機溶液を同時に吐出させることができる。分割ノズルの場合、1個の溶液保存装置10が連結され、マルチノズルの場合、2個ないし30個の溶液保存装置10が連結される。図3Cは、分割ノズル部分を概略的に図示した断面図である。図3Cを参照すれば、分割ノズル30dが、1個の溶液保存装置から有機溶液を供給される1個の溶液注入口31dと連結されている。1個の溶液保存装置から注入された溶液は、一定間隔を有し、一列に配列されたシリンダからなる本体を通過する。それぞれのノズル30dは、それぞれのシリンダの端に連結され、一定間隔を有して一列に配置されている。ノズルの数は、2個ないし30個の範囲で調節することができる。ノズルの間隔は、500nmないし10cmの範囲で調節することができる。分割ノズルを使用して、一定間隔を有し、同じ方向に整列された有機ワイヤを同時に製造することができる。図3Dは、マルチノズル部分を概略的に図示した断面図である。図3Dを参照すれば、マルチノズル30eが、それぞれ複数個の溶液保存装置から有機溶液を供給される複数個の溶液注入口31eと連結されている。複数個の溶液保存装置から注入されたそれぞれの溶液は、シリンダからなる本体を通過する。それぞれのノズル30eは、それぞれのシリンダの端に連結されている。それぞれのシリンダとノズルは、一定間隔を有し、一列に配置されている。シリンダ及びノズルの数は、2個ないし30個の範囲で調節することができる。ノズルの間隔は、500nmないし10cmの範囲で調節することができる。マルチノズルを使用して、一定間隔を有し、同じ方向に整列された互いに異なる種類の有機ワイヤを同時に製造することができる。電圧印加装置40は、ノズル30に高電圧を印加するためのものであり、高電圧発生装置を含んでもよい。電圧印加装置40は、例えば、溶液保存装置10を介して、ノズル30に電気的に連結される。電圧印加装置40は、約0.1kVないし約50kVの電圧を印加することができるが、これに制限されるものではない。電圧印加装置40によって、高電圧が印加されたノズル30と、接地されたコレクタ50との間に電場が存在することになり、前記電場によって、ノズル30端で形成された液滴が、テイラコーンtaylorconeを形成することになり、その端から連続的に有機ワイヤが形成される。コレクタ50は、ノズル30から吐出された有機溶液から形成された有機ワイヤが整列されて付く部分である。コレクタ50は、偏平な形態であり、その下のロボットステージ60によって、水平面の上で移動可能である。コレクタ50は、ノズル30に加えられた高電圧に対して、相対的に接地特性を有するように接地されている。参照番号51は、コレクタ50が接地されていることを示す。コレクタ50は、伝導性材質、例えば、金属からなり、0.5μmないし10μm範囲の平面度flatnessを有することができる平面度は、完全に水平である面の平面度が0の値を有するとき、完全な水平面からの実際面の最大誤差値を示す。例えば、1つの面の平面度は、その面の最低点と最高点との距離である。ロボットステージ60は、コレクタ50を移動させる手段である。ロボットステージ60は、サーボモータservomotorによって駆動され、精密な速度で移動することができる。ロボットステージ60は、例えば、水平面上で、x軸とy軸との2方向に移動するように制御される。ロボットステージ60は、例えば、x軸方向に移動するx軸ロボットステージ60aと、y軸方向に移動するy軸ロボットステージ60bとからなってもよい。ロボットステージ60は、距離を、10nm以上100cm以内の範囲の間隔で移動することができるが、それに制限されるものではない。望ましくは、10μm以上20cm以内の範囲である。ロボットステージ60の移動速度は、1mm/minないし60,000mm/minの範囲で調節することができるが、それに制限されるものではない。ロボットステージ60は、石定盤baseplate61上に設置されており、石定盤61は、0.1μmないし5μmの範囲の平面度を有することができる。石定盤61の平面度によって、ノズル30とコレクタ50との距離が一定間隔を有するように調節される。石定盤61は、ロボットステージ60の作動によって発生する振動を抑制することにより、有機ワイヤパターンの精度を調節することができる。マイクロ距離調節器70は、ノズル30とコレクタ50との距離を調節するための手段である。マイクロ距離調節器70が、溶液保存装置10とノズル30とを垂直に移動させることにより、ノズル30とコレクタ50との距離を調節することができる。マイクロ距離調節器70は、ジョグjog71と微細調節器micrometer72とからなってもよい。ジョグ71は、mm単位またはcm単位の距離を大体調節するのに使用され、微細調節器72は、最小10μmの微細な距離を調整するのに使用される。ジョグ71で、ノズル30をコレクタ50に接近させた後、微細調節器72で、ノズル30とコレクタ50との距離を正確に調節することができる。マイクロ距離調節器70によって、ノズル30とコレクタ50との距離は、10μmないし20mmの範囲で調節される。例えば、水平面であるXY平面に一直線なコレクタ50を、ロボットステージ60によってXY平面上で移動することができるし、マイクロ距離調節器70によって、Z軸方向に、ノズル30とコレクタ50との距離を調節することができる。電気放射でノズルから放射されるナノファイバの三次元経路を計算したDHReneker,ALYarin,HFong,SKoombhongse,Bendinginstabilityofelectricallychargedliquidjetsofpolymersolutionsinelectrospinning,J.Appl.Phys.,87,9,4531-45462000の論文に、コレクタとノズルとの距離が長いほど、ナノファイバの撹乱perturbationが大きくなるということが開示されている。前記論文によれば、ここでx,yは、コレクタと水平である面で、x軸とy軸との方向の位置であり、Lは、長さスケールを示す定数であり、λは、撹乱波長perturbationwavelengthであり、zは、有機ワイヤのコレクタz=0に係わる垂直位置であり、hは、ノズルとコレクタとの距離である。上述の数式1A及び数式1Bから、等しいz値について、コレクタとノズルとの距離hが大きいほど、有機ワイヤの撹乱を示すx,y値が大きくなるということが分かる。実際、ノズル端の液滴から生成され、伸張していく有機ワイヤは、有機ワイヤが生成されるノズルの近くでは、コレクタに垂直であるZ方向にほぼ直線形態である。しかし、ノズルから遠くなるほど、有機ワイヤの水平方向の速度lateralvelocityが増加し、有機ワイヤが反る。本発明の一実施例による電場補助ロボティックノズルプリンタ100は、ノズル30とコレクタ50との距離を、十ないし数十μm単位に、十分に狭めることができ、有機ワイヤが撹乱される前に、コレクタ50上に直線に落ちることができる。従って、コレクタ50の移動によって、有機ワイヤのパターンが形成される。コレクタの移動によって、有機ワイヤのパターンを形成することは、ノズルの移動に比べ、有機ワイヤパターンの撹乱変数を減らすことにより、さらに精密な有機ワイヤパターンを形成することができる。一方、電場補助ロボティックノズルプリンタ100は、ハウジング80中に置かれる。前記ハウジング80は、透明な材質から形成される。ハウジング80は、密閉可能であり、ガス注入口図示せずを介して、ハウジング80内にガスを注入することができる。注入されるガスは、窒素、乾燥空気などであってもよく、前記ガスの注入によって、水気によって酸化されやすい有機溶液が安定して維持される。また、ハウジング80には、ベンチレータventilator81と電灯82とが設置される。ベンチレータ81と電灯82は、適切な位置に設置される。ベンチレータ81は、ハウジング80内の溶媒から発生する蒸気圧を調節し、有機ワイヤ形成時に、溶媒の蒸発速度を調節することができる。溶媒の早い蒸発を要するロボティックノズルプリンティングでは、ベンチレータ81の速度を調節し、溶媒の蒸発をサポートすることができる。溶媒の蒸発速度は、有機ワイヤの形態と電気的特性とに影響を与えることができる。溶媒の蒸発速度が過度に速い場合、有機ワイヤが形成される前に、ノズル終端で溶液が乾いてしまってノズルが詰まり、溶媒の蒸発速度が過度に遅い場合、固体の有機ワイヤが形成されず、液体状態でコレクタに置かれてしまう。液体状態の有機溶液ラインは、電気的特性が良好ではないので、これを素子製作に使用することができない。このように、溶媒の蒸発速度が有機ワイヤの形成及び特性に影響を与えるので、ベンチレータ81は、有機ワイヤの形成に重要な役割が行う。図4は、本発明の一実施例による有機ワイヤパターンの形成方法を説明するためのフローチャートである。図4を参照すれば、まず、有機材料を、蒸溜水または有機溶媒の中に混合させ、有機溶液を準備するS110。有機材料としては、低分子有機半導体または高分子有機半導体、伝導性高分子、絶縁性高分子、またはそれらの混合物などを使用することができる。前記低分子有機半導体材料は、6,13-ビストリイソプロピルシリルエチニルペンタセンTIPSペンタセン、トリエチルシリルエチニルアントラジチオフェンTESADT、または[6,6]-フェニルC61ブチル酸メチルエステルPCBMであってもよいが、それらに制限されるものではない。高分子有機半導体または伝導性高分子材料は、ポリ3-ヘキシルチオフェンP3HT、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンPEDOTを含むポリチオフェンpolythiophene誘導体;ポリ9-ビニルカルバゾールPVK、ポリp-フェニレンビニレンpolypphenylenevinylene、ポリフルオレンpolyfluorene、ポリアニリンpolyaniline、ポリピロールpolypyrrole、またはそれらの誘導体でもあるが、それらに制限されるものではない。絶縁性高分子材料は、ポリエチレンオキシドPEO、ポリスチレンPS、ポリカプロラクトンPCL、ポリアクリロニトリルPAN、ポリメチルメタクリレートPMMA、ポリイミドpolyimide、ポリフッ化ビニリデンPVDFまたはポリ塩化ビニルPVCを含んでもよいが、それらに限定されるものではない。また、それら有機材料に、ナノサイズの粒子;ワイヤリボンロッド形態を有する半導体、金属、金属酸化物、金属または金属酸化物の前駆体;炭素ナノチューブ;還元されたグラフェン酸化物;グラフェン;グラファイト;またはナノサイズのII-VI半導体粒子CdSe、CdTe、CdSなどが中心coreをなす量子点などの材料が選択的に含まれてもよい。有機溶媒としては、有機材料を溶かすことができる溶媒として、例えば、ジクロロエチレン、トリクロロエチレン、クロロホルム、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、スチレン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、キシレン、トルエン、シクロヘキセン、イソプロピルアルコール、エタノール、アセトン、及びそれらの混合溶媒などが使用されるが、それらに制限されるものではない。有機溶液の濃度と粘度は、使用されるノズル30の大きさを考慮し、ノズル30から吐出されるのに適する濃度と粘度とに調節される。有機溶液内に、粘度調節のための物質が添加されもする。粘度を調節するための物質は、例えば、ポリエチレンオキシドPEO、ポリ9-ビニルカルバゾールPVK、ポリカプロラクトンPCL、ポリスチレンPSを含んでもよいが、それらに制限されるものではない。次に、図2A及び図2Bで説明した電場補助ロボティックノズルプリンタを利用して、有機溶液をノズルから吐出させるS120。有機材料が、蒸溜水または有機溶媒の中に混合された前記有機溶液を、溶液保存装置10に込めた後、吐出調節器20によって、ノズル30から吐出させれば、ノズル30の端の部分に液滴が形成される。このノズル30に、電圧印加装置40を利用して、0.1kVないし50kV範囲の電圧を印加すれば、液滴に形成された電荷と、接地されたコレクタ50との間の静電気力electrostaticforceによって、液滴が散らばらずに、電場の方向に大きくなりながら、コレクタ50上に置かれた基板図示せずに付着する。このとき、液滴が大きくなることによって、液滴から一方向の長さが、他の方向より長い有機ワイヤが形成される。この有機ワイヤの幅diameterは、印加電圧及びノズルサイズを調節することによって、10nmないし100μmの範囲で調節することができる。本明細書で、1μm未満のワイヤをナノワイヤと言い、それ以上の幅を有するワイヤをマイクロワイヤと言う。ノズル30の荷電された吐出物から形成された有機ワイヤを、コレクタ50上に置かれた基板図示せず上に整列させるS130。このとき、ノズル30とコレクタ50との距離を、10μmないし20mmの間で調節することにより、有機ワイヤを、図1に示したような絡み合っている形態ではなく、分離された形態で、コレクタ50上に置かれた基板図示せず上に形成することができる。このとき、ノズル30とコレクタ50との距離は、マイクロ距離調節器70を利用して調節することができる。基板図示せずは、有機ワイヤパターンをコレクタから分離して得るために使用する。基板図示せずは、50μmないし50mm範囲の厚さを有することができる。基板図示せずは、アルミニウム、銅、ニッケル、鉄、クロム、チタン、亜鉛、鉛、金、銀などの伝導体材料;シリコンSi、ゲルマニウムGe、ヒ化ガリウムGaAsなどの半導体材料;ガラス、プラスチックフィルム、紙などのアイソレータ材料などを選択することができるが、それらに制限されるものではない。また、コレクタ50を移動させることによって、有機ワイヤを所望の位置に所望の方向、所望の個数ほど整列させることにより、コレクタ50上に置かれた基板図示せず上に有機ワイヤパターンを形成することができる。整列された有機ワイヤを形成するとき、サーボモータによって駆動されるロボットステージ60によって、コレクタ50を10nmないし100cmの範囲で精密に移動させることができる。有機半導体物質を使用して、本発明の方法によって整列した有機ナノワイヤパターンを、電子素子に適用することができる。例えば、有機ナノワイヤトランジスタ素子organicnanowiretransistorの活性層、及びバイオセンサの検出素材として、有機ナノパターンを使用することにより、高性能有機ナノワイヤトランジスタ、及び高感度バイオセンサの製作が可能である。実施例1本発明の有機ワイヤパターンの形成方法によって、ポリ9-ビニルカルバゾールPVKナノワイヤパターンを形成した。まず、PVK分子量~1,000,000をスチレンに溶解させ、PVK溶液を製造した。PVKの濃度は、有機溶液全体重量に対して、4重量wtだあり、粘度は、6.3±5.8cp23°Cであった。製造されたPVK溶液を、電場補助ロボティックノズルプリンタのシリンジに込め、ノズルに4kVの電圧を印加しながら、PVK溶液をノズルから吐出させた。ロボットステージによって移動するコレクタの基板の上に、PVKナノワイヤパターンを形成した。このとき、使用したノズルの直径は、100μmであり、ノズルとコレクタとの距離は、2.5mmであった。ロボットステージのY軸方向の移動間隔は、50μmであり、X軸方向の移動距離は、15cmであった。コレクタの大きさは、20cm×20cmであり、コレクタ上の基板の大きさは、2cm×10cmであった。図5A及び図5Bは、それぞれ本発明の実施例1によって形成したPVKナノワイヤパターンの光学顕微鏡写真及びSEMscanningelectronmicroscopy写真である。図5Aの光学顕微鏡写真から、PVKナノワイヤパターンが、Y軸方向に50μm間隔を有し、X軸方向に伸びる直線として形成されていることを確認することができる。PVKナノワイヤパターンの間隔は、コレクタのY軸方向の移動間隔と一致する。図5BのSEM写真から、PVKナノワイヤパターンの直線ラインが、約350nmの均一な幅diameterに形成されており、直線ライン間の間隔linespacingも、50μmの均一な間隔に形成されていることが分かる。本実施例のPVKナノワイヤパターンの全長は、約15mであり、これを形成するのに、約2分の時間が必要であった。従って、本発明の有機ワイヤパターンの形成方法は、大面積の有機ワイヤパターンを効率的に形成するのに使用することが可能であるということが分かる。実施例2本発明の有機ワイヤパターンの形成方法を使用して、ポリ3-ヘキシルチオフェンP3HTナノワイヤFETfieldeffecttransistorの配列を製作した。ゲート電極として、ドーピングされたシリコンdopedSi、及びその上のゲート絶縁膜として、シリコン酸化膜SiO2が100nm厚にコーティングされたシリコンSiウェーハの上に、活性層としてP3HTナノワイヤパターンを形成し、その上に熱蒸着を介して、100nm厚の金を蒸着して電極を形成した。P3HTとポリエチレンオキシドPEO分子量~400,000とを7:3重量比で交ぜた粉末を、クロロベンゼン:トリクロロエチレン=2:1重量比の混合溶液に溶解させ、P3HT溶液を製造した。P3HT溶液で、全体溶液に対してP3HTの濃度は、2.6重量であり、PEOの濃度は、1.1重量であった。このとき、使用したP3HT、PEO、クロロベンゼン、トリクロロエチレンの質量は、それぞれ9.0mg、3.9mg、223mg、111.5mgであった。P3HT溶液を、電場補助ロボティックノズルプリンタのシリンジに込め、ノズルに1.5kVの電圧を印加しながら、P3HT溶液をノズルから吐出させた。ロボットステージによって移動するコレクタ上の、シリコン酸化膜がコーティングされたシリコンウェーハ上に、P3HTナノワイヤパターンが形成された。このとき、使用したノズルの直径は、100μmであり、ノズルとコレクタとの距離は、5.5mmであり、印加電圧は、1.5kVであり、溶液の吐出速度は、200nl/minであった。ロボットステージのY軸方向の移動間隔は、5.5mmであり、X軸方向の移動距離は、15cmであった。ロボットステージのY軸方向移動速度は、1,000mm/minであり、X軸方向移動速度は、30,000mm/minであった。コレクタの大きさは、20cm×20cmであり、コレクタ上の基板の大きさは、8cm×8cmであった。図6Aは、本実施例によって形成した有機ナノワイヤトランジスタの配列を示す写真である。前記トランジスタ配列の活性層のP3HTナノワイヤパターンは、1つの工程過程で形成された。図6Bは、図6Aの有機ナノワイヤトランジスタの配列のうち1つのトランジスタのSEM写真である。図6BのSEM写真で、金電極の下に、P3HTナノワイヤが形成されている。これにより、P3HTナノワイヤが所望する位置で、所望する個数に形成されているということが分かる。SEMを介して測定したP3HTの幅diameterは、約346.7nmであった。図7Aは、図6A及び図6Bのトランジスタのドレイン電流対ドレイン電圧を測定したグラフである。図7Aのグラフは、ゲート電圧VGの絶対値が増加するにつれ、ドレイン電圧VDの絶対値の増加によるドレイン電流IDの増加を示す。図7Bは、図6A及び図6Bのトランジスタのドレイン電流対ゲート電圧を測定したグラフである。図7Bのグラフで、-20V以上絶対値20V以下の低いゲート電圧では、0.1nA以下の低いドレイン電流値を有するが、-30V以下絶対値30V以上で、ゲート電圧の絶対値が増加する場合、最大4nAの高いドレイン電流が流れる様子を示している。図7A及び図7Bのグラフは、いずれも典型的なp-タイプトランジスタの作動特性と一致し、これにより、実施例2のトランジスタが正常に作動しているということを確認することができる。実施例3P3HTとPEOとを7:3とする代わりに、8:2で混合したことを除いて、実施例3と同一の方法を使用して、P3HTナノワイヤトランジスタを製作した。図8は、実施例3のP3HTナノワイヤトランジスタを示す写真である。図8を参照すれば、777nmの幅diameterを有するP3HTナノワイヤが、電極間に整列されている。図9は、実施例3のトランジスタのドレイン電流対ゲート電圧を測定したグラフである。図9の電流対電圧グラフは、-50Vのドレイン電圧VDを印加し、ゲート電圧VGを、15Vで-60Vまで変化させ、ドレイン電流IDを測定した。図9のグラフから、実施例3のP3HTナノワイヤトランジスタが、p型FETトランジスタとして正常に作動しているということが分かる。一方、実施例3のP3HTナノワイヤトランジスタで、電荷正孔の移動度が0.0148cm2/Vsと測定された。実施例4FETトランジスタ内のP3HTナノワイヤの数を、1本、3本、5本及び9本に変化させたことを除き、実施例2と同一の方法を使用して、P3HTナノワイヤトランジスタを製作した。図10は、実施例4のトランジスタのドレイン電流対ゲート電圧を測定したグラフである。図10のグラフから、P3HTナノワイヤの個数が増加するほど、全電流の大きさが増加するということが分かる。これにより、P3HTナノワイヤの個数を調節するによって、トランジスタの電気的な特性を調節することができるということが分かる。"