冷却器が一体となった半導体ユニットであり、2個の平板型のヒートシンクと、半導体素子を収めた平板型の筐体の表面に、半導体素子の端子と電気的に接続している放熱板が露出している複数の素子モジュールと、バスバーと、を備えており、2枚のヒートシンクの間に、バスバーと、放熱板を金属板側に向けた素子モジュールが挟持固定されていることを特徴とする半導体ユニット。複数の前記ヒートシンクと、複数の前記素子モジュールと、を備えており、前記バスバーは、複数の金属板が所定の距離を隔てて導電部材に接続している構造を有しており、複数のヒートシンクが平行に配置されているとともに、隣接するヒートシンクの間に、金属板と、放熱板を金属板側に向けた素子モジュールが配置されて積層体が形成されており、その積層体が両側から挟持固定されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体ユニット。前記導電部材は、隣接する金属板の間に屈曲部が設けられていることを特徴とする請求項2に記載の半導体ユニット。前記金属板は、相互に絶縁されている複数の導電領域を有しており、それぞれの導電領域が、素子モジュールの表面に露出した複数の放熱板のそれぞれに接しているとともに、複数の金属板の対応する導電領域が導電部材によって連結されていることを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体ユニット。それぞれのヒートシンクがその内部に冷媒が流れることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体ユニット。複数の平板型のヒートシンクと、半導体素子を収めた平板型の筐体の表面に半導体素子の端子と同電位の放熱板が露出している複数の素子モジュールと、複数の金属板が所定の距離を隔てて導電部材に接続しているバスバーを用意する工程と、複数のヒートシンクを平行に配置するとともに、隣接するヒートシンクの間に、バスバーの金属板と、表面の放熱板が金属板に面するように素子モジュールを配置する工程と、ヒートシンクと金属板と素子モジュールの積層体を両側から挟持固定する工程と、を備えることを特徴とする半導体ユニットの製造方法。従来の素子モジュールでは、モジュールの縁から電極端子が延設されていた。インバータやコンバータでは、素子モジュール内の素子と外部の回路とを接続するため、それぞれの電極端子に導電部材が接続される。なお、大電流を流す際の電気抵抗を小さくするため、複数のパワー素子に共通に接続される導電部材には細長金属板が用いられることがあり、これはバスバー母線と呼ばれることがある。バスバーを接続する際、電極端子の位置が正確でないことがある。これは、各々の電極端子の曲がりや、複数のヒートシンクと複数の素子モジュールを積層する際の位置誤差などが原因である。電極端子の位置が不正確であるとバスバーへの接続作業の効率が悪い。接続には、例えば、溶接や加締めなどの方法が用いられるが、その際、電極一本一本とバスバーとの位置合わせが必要になるからである。そのため、従来は半導体ユニットの組み立てに時間を要していた。本明細書が開示する技術は、組み立て性の良い構造を有する半導体ユニットを提供する。平板型の素子モジュールは、内部の熱を放熱するため、その表面に露出する放熱板を備えることが多い。放熱板には、熱伝導率の高い金属が用いられる。また、素子モジュール内の素子の熱を放熱板に伝える伝熱経路として、素子の端子電極端子が利用される。即ち、素子モジュールの表面に露出する放熱板は、素子の端子と同電位である。本明細書が開示する技術は、素子の端子と同電位の放熱板を、バスバーを接続するための電極として利用する。放熱板が露出する面を含む素子モジュールの両面は、ヒートシンクに挟まれる。本明細書が開示する技術は、バスバーが放熱板に対向するように両者を配置し、素子モジュールとバスバーを共にヒートシンクで挟持固定する。そのような構造を採用することによって、素子の電極の位置を正確に把握することなく電極とバスバーとの接続を可能にし、組み立て性が向上する。さらに、インバータやコンバータでは、複数の半導体素子に共通のバスバーが接続されることがよくある。例えば、複数のIGBTのドレインやソースに共通のバスバーが接続される。あるいは、複数の還流ダイオードのアノードやカソードにも共通のバスバーが接続される。従来は、素子モジュールの電極端子が同じ方向で平行となるように素子モジュールを積層し、複数の同種の電極端子に共通のバスバーを接続していた。このとき、平行に伸びている複数の電極端子の先端が正確に一直線に揃わなかったり、隣接する電極端子間の間隔が一定にならなかったりすると、共通のバスバーの接続作業が非常に煩雑となる。そこで、本明細書が開示する技術の他の態様では、複数の金属板が所定の距離を隔てて一本の導電部材に接続しているバスバーを予め用意する。金属板は、その一端で導通部材に接続している。そして、複数のヒートシンクを平行に配置するとともに、隣接するヒートシンクの間に、バスバーの金属板と、表面の放熱板が金属板に面するように素子モジュールを配置し、それらの積層体を両側から挟持固定する。本明細書が開示する技術は、上記の新規な構造のバスバーを導入することによって、素子モジュールから延設された電極端子とバスバーとの溶接などによる接続加工を不要とする。上記の構造によって、半導体ユニットの組み立て性が向上する。積層体は、例えば、コの字状のブラケットクリップに挟まれて両側から荷重を受けつつ固定される。バスバーの導電部材には、隣接する金属板の間に屈曲部が設けられていると好ましい。上記した積層体は、組み立ての容易さのため、複数の部材をそれらの間に間隙を空けて配置し、全体の配置が終了した後に両側から荷重を加えて密着させる。そのため、バスバーの金属板間は、組み立て前には所定の間隔第1間隔で並んでいるが、積層体全体に荷重を加えた状態では金属板の間隔が第1間隔よりも狭くなる。隣接する金属板の間に設けられた屈曲部は、金属板の間隔の調整部分として機能する。即ち、金属板の間隔が狭くなるときに屈曲部がさらに屈曲することによって、導電部材の想定外の他の部分に皺ができたり湾曲したりすることを防止する。素子モジュールは複数の端子例えばトランジスタのソース電極とドレイン電極などを有する場合がある。そこで、複数の端子に応じて素子モジュールの表面に、複数の端子のそれぞれと電気的に接続している複数の放熱板を設けるとよい。さらに、バスバーの金属板は、相互に絶縁されている複数の導電領域を有しており、それぞれの導電領域が、素子モジュールの表面に露出した複数の放熱板のそれぞれに接しているとともに、複数の金属板の対応する導電領域が導電部材によって連結されているとよい。そのような構造を有している半導体ユニットは、複数の端子を有する素子モジュールに対して積層する金属板の数を減らすことができるので、組み立て性がさらに向上する。まず、半導体ユニットの適用例を説明する。図1は、半導体ユニット10を含むモータコントローラ90の分解斜視図である。このモータコントローラ90は、例えば、電気自動車に搭載され、バッテリに蓄積された直流電力を走行用モータの駆動に適した交流電力に変換する。モータコントローラ90は、機能的には、バッテリの出力電圧をモータ駆動に適した電圧に変換する電圧コンバータと、直流電力を交流電力に変換するインバータを含む。モータコントローラ90は、物理的なユニットとして、主に、半導体ユニット10と、リアクトル4と、複数の平滑化コンデンサ8と、スイッチング素子を制御するための回路3を搭載した基板2を備える。半導体ユニット10は、電圧コンバータとインバータのスイッチング素子IGBTと還流ダイオードを内蔵した素子モジュール14と冷却器ヒートシンク16が一体化したものである。ケース6の中に、半導体ユニット10とリアクトル4と平滑化コンデンサ8が水平方向に並んで配置され、半導体ユニット10とリアクトル4の上に基板2が配置される。半導体ユニット10の上部には2本のバスバー20が露出しており、バスバー20は基板2の下部にて制御回路に接続される。ケース6の側面には、半導体ユニット10の冷却器に冷媒を通す供給口6aと排出口6bが設けられている。図2に実施例の半導体ユニット10の斜視図を示し、図3に、半導体ユニット10の分解斜視図を示す。図4は半導体ユニット10の組み立て前の各部材の配置を示す側面図であり、図5は組み立て後の半導体ユニット10の側面図である。半導体ユニット10は、主として、複数の平板型のヒートシンク16、スイッチング素子を内蔵した複数の素子モジュール14、2本のバスバー20、絶縁シート29、ブラケット18、及び、板バネ21で構成される。素子モジュール14は、内部にIGBTや還流ダイオードなどのスイッチング素子が収められている。例えば、インバータの上アームや下アームを構成するスイッチング回路は、IGBTのドレインとソースにダイオード還流ダイオードが並列に接続された回路構造を有している。一つの素子モジュール14には、IGBTと還流ダイオードの回路が組み込まれている。回路には、ゲート、ソースダイオードのカソード、及び、ゲートダイオードのアノードの端子がある。素子モジュール14は平板型カード型の筐体を有しており、その表面平板の表面に複数の放熱板14aが露出している。放熱板14aは、素子モジュール14の内部の素子の端子に電気的に接続している。例えば、2個の放熱板14aの一方がソースに通じており、他方がドレインに通じている。なお、ゲートの端子に通じる電極は図示を省略している。ヒートシンク16は、平板型であり、内部を冷媒典型的には水が流れる。図3に示すように、各ヒートシンク16の両側に冷媒を通すパイプ17が延設されている。なお、図4~図6では、理解を助けるためにパイプ17の図示は省略している。半導体ユニット10は2本のバスバー20を有している。バスバー20は、1本の細長金属板である導電部材12に複数の金属板13が一定の間隔を隔ててぶら下がっている接続している構造を有している。隣接する2枚の金属板13の間で導電部材12に屈曲部12aが設けられている。後述するように、組み立て後には屈曲部12aがさらに屈曲し、金属板の間隔が狭まる。なお、図1と図2では屈曲部12aの図示を省略している。符号29は絶縁シートであり、熱伝導率の高い材料、例えばシリコンで作られている。絶縁シート29は、素子モジュール14とヒートシンク16の間を絶縁するとともに、素子モジュール14の熱をヒートシンク16へ伝える伝熱材の役目も果たす。素子モジュール14の表面に露出した放熱板14aは、熱伝導率の高い金属製であるので、素子モジュール14内部の素子IGBTやダイオードの熱を素子モジュール14の筐体外側へ伝える。本実施例においては、放熱板14aは同時に、素子モジュール14内の素子の電極としても機能する。半導体ユニット10の製造工程を説明する。まず、夫々の部品、即ち、複数の素子モジュール14、複数のヒートシンク16、バスバー20、及び、ブラケット18と板バネ21を準備する。次に、図3、図4に示されているように、ヒートシンク16を所定の間隔を隔てて平行に配置し、その間に素子モジュール14を配置する。さらに、金属板13が素子モジュール14の表面の放熱板14aと対向するようにバスバー20を配置する。次に、夫々のヒートシンク16の両側に絶縁シート29を配置する。最後に、ヒートシンク16、素子モジュール14、金属板13、絶縁シート29で構成される積層体を両側から荷重し夫々の部材を密接させてコの字状のブラケット18に嵌め込む。このとき、ブラケット18の一端と積層体との間に板バネ21を嵌挿する図3、図5参照。板バネ21が積層体に荷重を加えるので、ヒートシンク16と素子モジュール14と金属板13バスバー20の密着状態が保持される。こうして、複数の素子モジュール14と冷却器ヒートシンク16が交互に積層して一体化した半導体ユニット10が完成する。なお、図5に示すように、部材同士を密着させて積層状態を密にすると、バスバー20の屈曲部12aが組み立て前よりも強く屈曲する。屈曲部12aが金属板間の間隔の短縮分を吸収するので、隣接する金属板13の間隔が狭くなっても、バスバー20の導電部材12に不規則な皺や屈曲部が現出することがない。屈曲部12aの長さ屈曲部分の両端間の長さは、積層体がブラケット18に挟持されたときに、上に凸に折れ曲がった部分の両側がちょうど密着するように定められる。そうすると、図5に示すように、積層体の各部材を密着させるとバスバー20の一部が凸状に折れ曲がった密着部12bが形成される。この密着部12bを直角に倒すとバスバー20の上部を平坦にすることができる。バスバー20の上部を平坦にすれば基板2図1参照への接続が容易になる。上記説明したように、素子モジュール14の放熱板14a素子モジュール14内部の素子の電極に相当するが素子モジュール14の筐体表面に露出しており、その上にバスバー20の導電部材12に接続している金属板13が密着する。こうして、素子モジュール14内の素子と基板2との間にバスバーによる導電経路が確保される。上記の半導体ユニット10は、素子モジュールの表面に露出している放熱板14aを電極として利用し、半導体ユニット10を組み上げる際にバスバー20と放熱板14aとの間に溶接や加締めなどの特別な接続加工を必要としない。次に、上記した半導体ユニット10の変形例を説明する。図6は、第1の変形例における半導体ユニット110の組み立て前の各部材の配置を示す側面図である。図6の変形例では、素子モジュール114はその両面に放熱板114a、114bが露出している。半導体ユニット110は、一方の放熱板114aに金属板13が密着するバスバー120と、他方の放熱板114bに金属板13が密着するバスバー121を備える。バスバー120は図6において上側から積層体の間に差し込まれ、バスバー121は積層体の下側から積層体の間に差し込まれている。別言すれば、半導体ユニット110では、2本のバスバー120、121の金属板13が異なる方向から積層体に差し込まれている。図7は、別の変形例における半導体ユニット210の部分組立斜視図である。この変形例では、物理的には一個のバスバー220が、電気的には2本のバスバーとして機能する。バスバー220は2本の導電部材212a、212bと複数の金属板213を備える。夫々の金属板213は、厳密には1枚の金属板ではなく、2枚の金属板213aと213b複数の導電領域が絶縁体213cを介して連結している。即ち、金属板213aと213bは、一つの部材を構成するが電気的には隔離されている。夫々の金属板213a、213bは、上方に伸びており、導電部材212a、212bにそれぞれ接続している。バスバー220は、2本の導電部材212a、212bを有しているが、それらは1枚の金属板213にて繋がっている。即ち、バスバー220は、電気的には2個のバスバーを構成するが、物理的には一個の部品である。素子モジュール14の表面には2個の放熱板14a、14bが露出している。放熱板14a、14bは、素子モジュール14内部の素子の端子と電気的に接続している。2個の放熱板14a、14bは、金属板213a、213bに対応する配置にて露出している。半導体ユニット210を組み上げる場合、2個の放熱板14a、14bに金属板213a、213bがそれぞれ対向するようにバスバー220を配置し、ヒートシンク16と素子モジュール14の積層体を両側から挟持する。この変形例では、電気的には2個のバスバーを物理的には一つの部品で構成しているので半導体ユニット210の組み立て性がさらに向上する。実施例の半導体ユニットに関する留意点を述べる。図3-図5では、理解しやすいように屈曲部12aを大きく描いてある。上述したように、屈曲部12aの長さは、積層体がブラケット18に挟持されたときに、上に凸に折れ曲がった部分の両側がちょうど密着するように定められる。別言すれば、屈曲部の長さは、積層体を密着させたときにバスバーの隣接する金属板の間隔が縮まる分に定められる。例えば、夫々の部品が平行配置されたときの隣接した金属板13の間の距離が1.0cmであり、積層体を両側から荷重し夫々の部品を密着させたときの隣接した金属板13の間の距離が0.8cmである場合、屈曲部12aの長さは0.2cm程度でよい。また、一つの素子モジュールに複数のスイッチング回路が内蔵されていてもよい。また、素子モジュールの電極例えばトランジスタのゲート、ドレイン、ソースの全てが、素子モジュールの表面に露出している放熱板と電気的に接続しているとともに上記したバスバーで接続されている必要はない。例えば、比較的に小さい電流が流れる電極であり、インバータではそれぞれのアームごとに異なる信号が印加されるゲートの電極は、従来の結線スタイルで接続され、大電流が流れるソースとドレインに関して、複数の素子モジュールの電極を上記した放熱板とバスバーで繋ぐことも好適である。上記実施例では、複数の素子モジュールに共通のバスバーが接続されていた。単一の素子モジュールにのみ接続されるバスバーが存在してもよい。以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。