"永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトに互いに絶縁状態で交差した第1中心電極及び第2中心電極を配置し、第1中心電極の一端は、第1整合容量を介してグランドに接続されるとともに、不平衡第1ポート及び平衡第1ポートに接続され、第1中心電極の他端はグランドに接続され、第2中心電極の一端は、互いに並列に接続されている第2整合容量と終端抵抗を介してグランドに接続されるとともに、平衡第2ポートに接続され、第2中心電極の他端はグランドに接続され、さらに、グランドに接続された不平衡第2ポートを備えていること、を特徴とするアイソレータ。さらに、前記フェライトを搭載する回路基板を備えていること、を特徴とする請求項1に記載のアイソレータ。前記回路基板の一辺側に平衡第1及び第2ポートとして機能する端子電極を設け、該一辺と対向する他辺側に不平衡第1及び第2ポートとして機能する端子電極を設けたこと、を特徴とする請求項2に記載のアイソレータ。第1中心電極を前記フェライト上に前記一辺及び他辺と略平行に配置したこと、を特徴とする請求項3に記載のアイソレータ。第1及び第2整合容量を前記回路基板の内部電極にて形成したこと、を特徴とする請求項2に記載のアイソレータ。前記終端抵抗をチップタイプとして前記回路基板上に実装したこと、を特徴とする請求項2に記載のアイソレータ。そこで、本発明の目的は、部品の追加を抑制して簡単な構成で不平衡-平衡型とすることのできるアイソレータを提供することにある。本発明の一形態であるアイソレータは、永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトに互いに絶縁状態で交差した第1中心電極及び第2中心電極を配置し、第1中心電極の一端は、第1整合容量を介してグランドに接続されるとともに、不平衡第1ポート及び平衡第1ポートに接続され、第1中心電極の他端はグランドに接続され、第2中心電極の一端は、互いに並列に接続されている第2整合容量と終端抵抗を介してグランドに接続されるとともに、平衡第2ポートに接続され、第2中心電極の他端はグランドに接続され、さらに、グランドに接続された不平衡第2ポートを備えていること、を特徴とする。前記アイソレータにおいては、不平衡入出力に高周波信号が入力されると、第1中心電極に大きな高周波電流が流れ、第2中心電極にはほとんど高周波電流が流れず、平衡入出力に高周波信号が伝送される。一方、平衡入出力に高周波信号が入力されると、第2中心電極に大きな高周波電流が流れ、第1中心電極にはほとんど高周波電流が流れず、終端抵抗によって減衰される。なお、永久磁石による印加磁界を反転させることで入出力が変換される。本アイソレータでは、従来から備わっている整合容量や終端抵抗に他の部品を追加することなく、不平衡-平衡型とすることができ、サイズの大型化やコストアップを招来することがない。本発明によれば、部品の追加を抑制して簡単な構成で不平衡-平衡型とすることができる。以下、本発明に係るアイソレータの実施例について添付図面を参照して説明する。なお、各図において、同じ部材、部分については共通する符号を付し、重複する説明は省略する。また、図2及び図3において斜線を付した部分は導体部分である。アイソレータ1は、図1及び図2に示すように、集中定数型として構成され、永久磁石5よって直流磁界が印加されるフェライト10の表面には、互いに絶縁状態で交差した第1中心電極11及び第2中心電極12が配置されている。図1に示すように、第1中心電極11の一端11aは、第1整合容量C1を介してグランドに接続されるとともに、不平衡第1ポートP2a及び平衡第1ポートP1aに接続され、第1中心電極11の他端11bはグランドに接続されている。第2中心電極12の一端12aは、互いに並列に接続されている第2整合容量C2と終端抵抗Rを介してグランドに接続されるとともに、平衡第2ポートP1bに接続され、第2中心電極12の他端12bはグランドに接続されている。本アイソレータ1は、さらに、グランドに接続された不平衡第2ポートP2bを備えている。ポートP1a,P1bで平衡入出力部が構成され、ポートP2a,P2bで不平衡入出力部が構成されている。部品構成としては、図2に示すように、ケース20、回路基板30、電極11,12を備えたフェライト10、終端抵抗R、永久磁石5及びキャップ40にて構成されている。回路基板30上にフェライト10と終端抵抗Rを実装し、フェライト10上に永久磁石5を貼着し、この組立体をケース20に収容してキャップ40で閉止することにより組み立てられる。回路基板30は、多層基板であり、容量C1,C2を形成する電極やグランド電極などが内蔵されている。詳しくは、図3に示すように、誘電体シート31a,31b,31cを積層したものである。なお、1層目及び2層目のシート31a,31bには表面に各種電極が形成され、3層目のシート31cには裏面に各種電極が形成されている。シート31aにはグランド電極32a、中継電極34a,34bとビアホール導体36a,36b,36cが形成されている。シート31bにはコンデンサ電極35a,35bとビアホール導体37a,37b,37c,37dが形成されている。シート31cにはグランド電極32b、端子電極41,42,43とビアホール導体38a,38b,38c,38dが形成されている。前記シート31a,31b,31cを積層し、かつ、前記フェライト10及び終端抵抗Rを搭載することにより、図1に示した等価回路を有するアイソレータ1が形成される。即ち、第1中心電極11の一端11aはフェライト10の裏面に回り込んだ部分が中継電極34aに接続され、該中継電極34aはビアホール導体36bを介してコンデンサ電極35aに接続される。コンデンサ電極35aはグランド電極32a,32bとの間で第1整合容量C1を形成する。また、コンデンサ電極35aは、ビアホール導体37a,38aを介して端子電極43不平衡第1ポートP2aに接続されるとともに、ビアホール導体37b,38bを介して端子電極41平衡第1ポートP1aに接続される。第1中心電極11の他端11bはフェライト10の裏面に回り込んだ部分がグランド電極32aに接続され、該グランド電極32aはビアホール導体36a,37d,38dを介してグランド導体32bに接続される。このグランド導体32bの一隅部が端子電極44不平衡第2ポートP2bとして機能する。第2中心電極12の一端12aはフェライト10の裏面に回り込んだ部分が中継電極34bに接続され、該中継電極34bはビアホール導体36cを介してコンデンサ電極35bに接続される。コンデンサ電極35bはグランド電極32a,32bとの間で第2整合容量C2を形成する。また、コンデンサ電極35bは、ビアホール導体37c,38cを介して端子電極42平衡第2ポートP1bに接続される。第2中心電極12の他端12bはフェライト10の裏面に回り込んだ部分がグランド電極32aに接続される。該グランド電極32aは前述のようにグランド導体32bに接続されている。図2に戻ると、ケース20は金属製の筺体25斜線を付した部分に樹脂材をインサートモールドしたものであり、平衡入出力端子21,22が回路基板30の裏面に配置した端子電極41,42と接続され、不平衡入出力端子23が端子電極43と接続され、金属製筺体25自体がグランド電極32bと接続される。以上の構成からなるアイソレータ1においては、不平衡入出力に高周波信号が入力されると、第1中心電極11に大きな高周波電流が流れ、第2中心電極12にはほとんど高周波電流が流れず、平衡入出力に高周波信号が伝送される。一方、平衡入出力に高周波信号が入力されると、第2中心電極12に大きな高周波電流が流れ、第1中心電極11にはほとんど高周波電流が流れず、終端抵抗Rによって減衰される。なお、永久磁石5による印加磁界を反転させることで入出力が変換される。本アイソレータ1では、従来から備わっている整合容量C1,C2や終端抵抗Rに他の部品を追加することなく、不平衡-平衡型とすることができ、サイズの大型化やコストアップを招来することがない。また、図3の最下段に示されているように、回路基板30の一辺30a側に平衡第1及び第2ポートとして機能する端子電極41,42を設け、該一辺30aと対向する他辺30bに不平衡第1及び第2ポートとして機能する端子電極43,44を設け、さらに、第1中心電極11を一辺30a及び他辺30bと略平行に配置しているため、第1中心電極11の配線が簡略化される。具体的には、図3の中段に示すコンデンサ電極35aをシンプルな形状として、端子電極41,43へ配線できる。次に、前記アイソレータ1の諸特性を図4~図7を参照して説明する。ここで使用したアイソレータ1は、以下の構成からなる。フェライト10のサイズは、2×2mm角で厚みが0.2mmである。第1及び第2中心電極11,12はともに0.5mm幅である。第1整合容量C1は3.4pF、第2整合容量C2は3.3pFである。終端抵抗Rは100Ωである。平衡入力は100Ω、不平衡入力は50Ωである。以上の構成において、入力リターンロス平衡は図4に示すとおりである。アイソレーションは図5に示し、1920~1980MHzで-20.5dBである。挿入損失は図6に示し、1920~1980MHzで-0.69dBである。出力リターンロス不平衡は図7に示すとおりである。なお、本発明に係るアイソレータは前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更できることは勿論である。"