"配線基板と、前記配線基板と間隔をあけて配置された保護部材と、前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、前記配線基板に電気的に接続された半導体素子と、前記半導体素子を囲うように前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、加熱時に高さ方向に熱膨張する第1の壁部材と、前記第1の壁部材を囲うように前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、加熱時に高さ方向に熱膨張する第2の壁部材と、を備え、前記第1の壁部材及び前記第2の壁部材のうち一方の壁部材であって、前記一方の壁部材の高さ方向の一端が、前記配線基板及び前記保護部材のうち一方に固定され、前記一方の壁部材の高さ方向の他端が、前記配線基板及び前記保護部材のうち他方に固定され、前記第1の壁部材及び前記第2の壁部材のうち他方の壁部材であって、前記他方の壁部材の高さ方向の一端が、常温時に前記配線基板及び前記保護部材のうち一方に接触するよう、前記他方の壁部材の高さ方向の他端が、前記配線基板及び前記保護部材のうち他方に固定され、前記一方の壁部材は、通気性のある多孔質層を有し、前記他方の壁部材は、前記一方の壁部材よりも線膨張係数が小さい材料で構成されていることを特徴とする半導体装置。開口部を有する第1の配線基板と、前記第1の配線基板と間隔をあけて配置された保護部材と、前記開口部を通じて前記保護部材に相対する位置に配置され、前記第1の配線基板と電気的に接続された第2の配線基板と、前記第2の配線基板において前記開口部に対応する位置に実装された半導体素子と、前記半導体素子を囲うように前記第1の配線基板と前記保護部材との間に配置され、加熱時に高さ方向に熱膨張する第1の壁部材と、前記第1の壁部材を囲うように前記第1の配線基板と前記保護部材との間に配置され、加熱時に高さ方向に熱膨張する第2の壁部材と、を備え、前記第1の壁部材及び前記第2の壁部材のうち一方の壁部材であって、前記一方の壁部材の高さ方向の一端が、前記第1の配線基板及び前記保護部材のうち一方に固定され、前記一方の壁部材の高さ方向の他端が、前記第1の配線基板及び前記保護部材のうち他方に固定され、前記第1の壁部材及び前記第2の壁部材のうち他方の壁部材であって、前記他方の壁部材の高さ方向の一端が、常温時に前記第1の配線基板及び前記保護部材のうち一方に接触するよう、前記他方の壁部材の高さ方向の他端が、前記第1の配線基板及び前記保護部材のうち他方に固定され、前記一方の壁部材は、通気性のある多孔質層を有し、前記他方の壁部材は、前記一方の壁部材よりも線膨張係数が小さい材料で構成されていることを特徴とする半導体装置。配線基板と、前記配線基板と間隔をあけて配置された保護部材と、前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、前記配線基板に電気的に接続された半導体素子と、前記半導体素子を囲うように前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、加熱時に高さ方向に熱膨張する第1の壁部材と、前記第1の壁部材を囲うように前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、加熱時に高さ方向に熱膨張する第2の壁部材と、を備え、前記第1の壁部材及び前記第2の壁部材のうち一方の壁部材であって、前記一方の壁部材の高さ方向の一端が、前記配線基板及び前記保護部材のうち一方に固定され、前記一方の壁部材の高さ方向の他端が、前記配線基板及び前記保護部材のうち他方に固定され、前記第1の壁部材及び前記第2の壁部材のうち他方の壁部材は、互いに対向する一対の壁部からなり、前記一対の壁部の高さ方向の一端が、常温時に互いに接触するよう、前記一対の壁部の高さ方向の他端のそれぞれが、前記配線基板及び前記保護部材のそれぞれに固定され、前記一方の壁部材は、通気性のある多孔質層を有し、前記他方の壁部材は、前記一方の壁部材よりも線膨張係数が小さい材料で構成されていることを特徴とする半導体装置。配線基板と、前記配線基板と間隔をあけて配置された保護部材と、前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、前記配線基板に電気的に接続された半導体素子と、前記半導体素子を囲うように前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、前記配線基板に固定された枠体と、前記半導体素子を囲うように前記枠体と前記保護部材との間に配置され、加熱時に高さ方向に熱膨張する第1の壁部材と、前記第1の壁部材を囲うように前記枠体と前記保護部材との間に配置され、加熱時に高さ方向に熱膨張する第2の壁部材と、を備え、前記第1の壁部材及び前記第2の壁部材のうち一方の壁部材であって、前記一方の壁部材の高さ方向の一端が、前記枠体及び前記保護部材のうち一方に固定され、前記一方の壁部材の高さ方向の他端が、前記枠体及び前記保護部材のうち他方に固定され、前記第1の壁部材及び前記第2の壁部材のうち他方の壁部材であって、前記他方の壁部材の高さ方向の一端が、常温時に前記枠体及び前記保護部材のうち一方に接触するよう、前記他方の壁部材の高さ方向の他端が、前記枠体及び前記保護部材のうち他方に固定され、前記一方の壁部材は、通気性のある多孔質層を有し、前記他方の壁部材は、前記一方の壁部材よりも線膨張係数が小さい材料で構成されていることを特徴とする半導体装置。しかしながら、上記特許文献1に記載の従来例では、半導体装置の加熱時以外の場合でも、常時通気孔が開いているため、中空部に気密性が無く、異物が中空部へ進入してしまう問題があった。この中空部に異物が進入すると電気接続端子間のショートの原因となる。また半導体素子に光素子を用いた半導体装置では、光素子の受光部あるいは発光部に異物が付着すると光学特性不良の原因になる。そこで、本発明は、常温時は中空部の気密性を保ち、異物進入を防止し、加熱時には中空部の水蒸気圧を逃がすことができる半導体装置を提供することを目的とするものである。本発明は、配線基板と、前記配線基板と間隔をあけて配置された保護部材と、前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、前記配線基板に電気的に接続された半導体素子と、前記半導体素子を囲うように前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、加熱時に高さ方向に熱膨張する第1の壁部材と、前記第1の壁部材を囲うように前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、加熱時に高さ方向に熱膨張する第2の壁部材と、を備え、前記第1の壁部材及び前記第2の壁部材のうち一方の壁部材であって、前記一方の壁部材の高さ方向の一端が、前記配線基板及び前記保護部材のうち一方に固定され、前記一方の壁部材の高さ方向の他端が、前記配線基板及び前記保護部材のうち他方に固定され、前記第1の壁部材及び前記第2の壁部材のうち他方の壁部材であって、前記他方の壁部材の高さ方向の一端が、常温時に前記配線基板及び前記保護部材のうち一方に接触するよう、前記他方の壁部材の高さ方向の他端が、前記配線基板及び前記保護部材のうち他方に固定され、前記一方の壁部材は、通気性のある多孔質層を有し、前記他方の壁部材は、前記一方の壁部材よりも線膨張係数が小さい材料で構成されていることを特徴とする。本発明によれば、常温時は、配線基板、保護部材及び第1の壁部材により囲まれて形成される中空部の気密性を保ち、中空部に異物が進入するのを防止することができる。また、加熱時は、一方の壁部材によって配線基板に対して保護部材が押されることにより、他方の壁部材に対応する部分に通気間隙が生じる。これにより、中空部の水蒸気が、多孔質層及び通気間隙を通じて外部に放出され、加熱時に発生した水蒸気による中空部の圧力の上昇を抑制することができる。したがって、保護部材の剥離を防止することができる。以下、本発明を実施するための形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。[第1実施形態]図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す説明図である。図1aは半導体装置の平面図であり、図1bは図1aのA-A線に沿う、常温の状態の半導体装置の断面図である。また、図1cは図1aのA-A線に沿う、加熱された状態の半導体装置の断面図である。図1a~図1cに示すように、半導体装置100は、配線基板1と、配線基板1と間隔をあけて配置された保護部材4と、配線基板1と保護部材4との間に配置され、配線基板1に電気的に接続された半導体素子3と、を備えている。半導体素子3は配線基板1にフェースアップ実装され、金属ワイヤ9で配線基板1と電気的に接続されている。また、半導体装置100は、半導体素子3を囲うように配線基板1と保護部材4との間に配置され、加熱時に高さ方向矢印Z方向に熱膨張する第1の壁部材5を備えている。更に、半導体装置100は、第1の壁部材5を囲うように配線基板1と保護部材4との間に配置され、加熱時に高さ方向に熱膨張する第2の壁部材6を備えている。つまり、第1の壁部材5の外周側に第2の壁部材6が配置されている。これら第1の壁部材5及び第2の壁部材6は、枠形状に形成されている。第1の壁部材5及び第2の壁部材6のうちの一方の壁部材本第1実施形態では第1の壁部材5は、通気性のある多孔質層5cを有している。より具体的には、第1の壁部材5は、多孔質層5cの高さ方向の両端を配線基板1及び保護部材4に固定するために、高さ方向の一端を構成する接着層5aと、高さ方向の他端を構成する接着層5bとを有している。つまり、第1の壁部材5の高さ方向の一端が接着層5aで構成され、第1の壁部材5の高さ方向の他端が接着層5bで構成されている。このように、第1の壁部材5は、接着層5a,5bで通気性を有する多孔質層5cを挟んだ3層で構成されている。本第1実施形態では、第1の壁部材5の接着層5aが、配線基板1及び保護部材4のうちの一方保護部材4に接着固定され、第1の壁部材5の高さ方向の接着層5bが、配線基板1及び保護部材4のうち他方配線基板1に接着固定されている。一方、第1の壁部材5及び第2の壁部材6のうちの他方の壁部材本第1実施形態では第2の壁部材6は、第1の壁部材5よりも線膨張係数が小さい材料で構成されている。そして、第2の壁部材6の高さ方向の一端6aが、図1bに示すように、常温時に配線基板1及び保護部材4のうち保護部材4に接触するよう、第2の壁部材6の高さ方向の他端6bが、配線基板1及び保護部材4のうち配線基板1に固定されている。このように枠状に第2の壁部材6を配置することで、保護部材4と配線基板1との間隔を正確に制御して保護部材4を搭載することができる。これら配線基板1、保護部材4及び第1の壁部材5により囲まれて中空部7が形成される。つまり、半導体素子3は、中空部7に配置されたことになる。ここで、常温には、半導体素子3の動作時の発熱温度70°C程度も含まれる。したがって、半導体素子3の動作により中空部7の空気の温度が上昇しても、第2の壁部材6の一端6aと保護部材4とは接触状態を保っている。本第1実施形態の第1の壁部材5を構成する材料としては、線膨張係数の大きい樹脂材料を含むことが好ましい。例えば接着層5a,5bに20μm厚の熱硬化性エポキシ樹脂シートを、通気性を有する多孔質層5cに150μm厚の多孔質PTFEを使用する。その場合、第1の壁部材5のガラス転移点80°C程度であり、線膨張係数α1は0.55~0.65×10-4/K、α2は1.1~1.3×10-4/K程度である。また第1の壁部材5の接着幅は水蒸気圧が発生する中空部7の体積に応じて設定することが望ましい。例えば、中空部7の体積が40mm3程度ならば0.8mm程度、60mm3程度ならば1.0mm、80mm3程度ならば1.3mmである。また第1の壁部材5の接着層5aにより第2の壁部材6が保護部材4に固定されないように、第1の壁部材5と第2の壁部材6とは間隔をあけて設置することが望ましい。例えば接着層5aが20μm程の厚さの熱硬化性エポキシ樹脂シートならば、第1の壁部材5による接着時の接着層5aの広がりは接着層5aの厚さと同じ20μm程度になる。そのため第1の壁部材5と第2の壁部材6とは20μm以上離して設置する。また第2の壁部材6の表面にフッ素樹脂などの接着層5aとの接着性が低い皮膜層を設けておけば、接着層5aと第2の壁部材6の接着を抑制でき、第1の壁部材5と第2の壁部材6との間に間隔を設ける必要はない。本第1実施形態の第2の壁部材6を構成する材料としては、例えば金属やセラミック等の線膨張係数が小さい無機材料であることが好ましい。例えば金属のAuは線膨張係数0.14×10-4/K程度であり、Cuは0.17×10-4/K程度である。またセラミックのアルミナは0.07~0.08×10-4/K程度の線膨張係数である。また第2の壁部材6の幅は、中空部7の十分な機密性を確保するために第1の壁部材5の接着幅と同程度以上であることが望ましい。本第1実施形態の配線基板1としては、ガラスエポキシ系基板、セラミック系基板、絶縁性アルミ基板などのハード基板もしくはFPC、TABなどのフレキシブル基板もしくはガラス基板などの透光基板などを用いることができる。本第1実施形態の配線基板1として半導体素子3を収容するための枠部を別体として形成した配線基板1を用いることもできる。半導体素子3を収容する枠部を有する配線基板1を製造する場合、配線基板1を加工するのではなく、配線基板1の材料よりも安価な材料で枠体を形成し、設置することで配線基板1の製造コストをさげることができる。本第1実施形態の保護部材4としては、例えば金属板やセラミック板、ガラス板を用いることができる。また本第1実施形態の保護部材4は配線層を有していてもよい。本第1実施形態の保護部材4として半導体素子3を収容する枠部を別体として形成した保護部材4を用いることもできる。半導体素子3を収容する枠部を有する保護部材4を製造する場合、保護部材4を加工するのではなく、保護部材4の材料よりも安価な材料で枠体を形成し設置することで保護部材4の製造コストをさげることができる。また第2の壁部材6の形成方法としては、配線基板1の基材を一層ないし複数積層してもよいし、配線基板1の金属配線作成時に金属配線作製と同一の製造方法で同時作製してもよいし、配線基板1の作製時に機械加工又はエッチングによって作製してもよい。この場合、配線基板1の製造時に第2の壁部材6の形成も同時に行うことができるため、別途第2の壁部材6を配置する工程が不要となる。次に、半導体装置100の作用について説明する。図1cに示すように、第2の壁部材6が保護部材4と非接着である場合、第1の壁部材5は、加熱により膨張し、保護部材4を押し上げる。また加熱により膨張する第1の壁部材5は、線膨張係数の差により、第2の壁部材6よりも大きくなる。そのため、第2の壁部材6の一端6aと保護部材4との間には、通気間隙8が形成される。したがって、加熱により中空部7に発生した水蒸気圧を、多孔質層5cを介して通気間隙8から外部に逃がすことができるため、保護部材4の剥がれや損傷を防止できる。例えば接着層5a,5bに熱硬化性エポキシ樹脂シートを、多孔質層5cに多孔質PTFEを使用した、常温時25°Cで190μm厚高さの第1の壁部材5を使用する。その場合、第1の壁部材5のガラス転移点80°C程度であり、線膨張係数α1は0.60×10-4/K、α2は1.2×10-4/K程度である。また第2の壁部材5には線膨張係数0.07×10-4/Kのアルミナを使用する。第1の壁部材5は半導体素子3の動作時の発熱により、例えば70°Cに加熱され状態で高さが190.5μm程度となる。そのため、第2の壁部材6は半導体素子3の動作時に半導体装置100全体が加熱されても通気間隙8が形成されないように、常温時で高さが190.5μmとなるように形成し、保護部材4は配線基板1に熱圧着する。熱圧着は200°C以上で行うため、第1の壁部材5の高さは193μm以上となる。そのため熱圧着時は第1の壁部材5の接着層5a,5bは安定して配線基板1と保護部材4とを接着できる。また常温時は収縮するため保護部材4と第2の壁部材6の一端6aとは密着する。このように第1の壁部材5及び第2の壁部材6の高さを設置すれば半導体素子3の動作時には通気間隙8が形成されることはない。また本第1実施形態の半導体装置100が、水の沸点である100°Cに加熱された場合、0.4μm程度の通気間隙8が形成される。またマザーボードへのリフロー実装時は、そのリフロー加熱温度が220°の場合、保護部材4と第2の壁部材6の一端6aとの間隔が約3.0μm程度の通気間隙8が形成されるため、中空部7の水蒸気を、通気間隙8を通じて外部に十分に抜くことができる。また常温時は、第1の壁部材5及び第2の壁部材6はもとの高さに戻り、図1bに示す状態に戻るため、通気間隙8は閉じ、中空部7の気密性は保たれる。また例えばマザーボードへのリフロー実装時、そのリフロー加熱温度が250°の場合、その温度において通気間隙8が0μmになるように常温時の第1の壁部材5及び第2の壁部材6の高さを設定する。その場合でも第1の壁部材5がガラス転移点以上の温度領域であり、かつ多孔質層5cが100°C以上で50MPa以下の低弾性率を有するため、中空部7の内圧上昇により保護部材4は持ち上がり、通気間隙8は形成される。以上、本第1実施形態によれば、第2の壁部材6は、第1の壁部材5よりも線膨張係数が小さいので、リフロー等のマザー基板への実装時の加熱時に第1の壁部材5よりも膨張量が小さい。逆に、第1の壁部材5は、第2の壁部材6よりも線膨張係数が大きいので、加熱時に第2の壁部材6よりも膨張量が大きい。そのため、第1の壁部材5によって押し上げられた保護部材4と第2の壁部材6との間に通気間隙8が生じる。これにより、中空部7の水蒸気が多孔質層5c及び通気間隙8を通じて外部に放出され、加熱時に発生した水蒸気による中空部7の圧力の上昇を抑制することができる。したがって、保護部材4の剥離を防止することができる。また、通気間隙8の形成時でも、中空部7と外部との間に多孔質層5cが存在するため、多孔質層5cがフィルターとなり、外部から中空部7への異物の進入を抑制することができる。一方、常温時は第1の壁部材5の収縮により通気間隙8が閉じ、外部と中空部7は隔絶されるため、多孔質層5cを通じて外部の水蒸気を含んだ外気が中空部7に進入するのを抑制することができる。このように、常温時は中空部7の気密性を保つことで中空部7への異物の進入を防止することができ、加熱時には中空部7の水蒸気圧を逃がすことができる。なお、上記第1実施形態では、一方の壁部材が第1の壁部材5であり、他方の壁部材が第2の壁部材6である場合について説明したが、これに限定するものではない。一方の壁部材が第2の壁部材6であり、他方の壁部材が第1の壁部材5であってもよい。つまり、外側の壁部材6が多孔質層のある壁部材であってもよい。この場合でも上記第1実施形態と同様の作用効果を奏する。また、上記第1実施形態では、第2の壁部材6の一端6aが常温時に保護部材4に接触するように、他端6bが配線基板1に固定される場合について説明したが、これに限定するものではない。第2の壁部材6の一端が常温時に配線基板1に接触するように、他端が保護部材4に固定される場合であってもよい。この場合、第1の壁部材5において、配線基板1に固定される側の端部が一端となり、保護部材4に固定される側の端部が他端ということになる。この場合でも上記第1実施形態と同様の作用効果を奏する。また、一方の壁部材である第1の壁部材5が3層構造の場合について説明したが、これに限定するものではない。多孔質層を形成する際に、この多孔質層の両端のそれぞれが配線基板1及び保護部材4のそれぞれに接着固定される場合には、多孔質層の1層で一方の壁部材を構成することも可能である。[第2実施形態]次に、本発明の第2実施形態に係る半導体装置について説明する。図2は、本発明の第2実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す説明図である。図2aは常温の状態の半導体装置の断面図である。また、図2bは加熱された状態の半導体装置の断面図である。図2a及び図2bに示すように、半導体装置200は、開口部21aを有する第1の配線基板21と、第1の配線基板21と間隔をあけて配置された保護部材24と、を備えている。また、半導体装置200は、第1の配線基板21の開口部21aを通じて保護部材24に相対する位置に配置され、第1の配線基板21と電気的に接続された第2の配線基板22を備えている。また、半導体装置200は、第2の配線基板22において第1の配線基板21の開口部21aに対応する位置に実装された半導体素子23を備えている。つまり、第2の配線基板22は、第1の配線基板21の保護部材24側とは反対側に配置されており、半導体素子23は、開口部21aを通じて保護部材24に対向している。これら半導体素子23及び第2の配線基板22で半導体チップが構成されている。半導体素子23は、受光部若しくは発光部又はその両方の機能を有する光素子であり、保護部材24は透光性を有している。半導体素子23は、第2の配線基板22にフェースアップ実装されている。また、第2の配線基板22は、第1の配線基板21にフェースダウン実装されている。第1の配線基板21と第2の配線基板22とは、バンプ29により電気的に接続されている。またバンプ29の周囲をアンダーフィル樹脂30によって覆うことにより、第1の配線基板21と第2の配線基板22との間が封止されている。更に、半導体装置200は、半導体素子23を囲うように第1の配線基板21と保護部材24との間に配置され、加熱時に高さ方向矢印Z方向に熱膨張する第1の壁部材25を備えている。更にまた、半導体装置200は、第1の壁部材25を囲うように第1の配線基板21と保護部材24との間に配置され、加熱時に高さ方向に熱膨張する第2の壁部材26を備えている。つまり、第1の壁部材25の外周側に第2の壁部材26が配置されている。これら第1の壁部材25及び第2の壁部材26は、枠形状に形成されている。第1の壁部材25及び第2の壁部材26のうち一方の壁部材本第2実施形態では、第1の壁部材25は、通気性のある多孔質層25cを有している。より具体的には、第1の壁部材25は、多孔質層25cの高さ方向の両端を第1の配線基板21及び保護部材24に固定するために、高さ方向の一端を構成する接着層25aと、高さ方向の他端を構成する接着層25bとを有している。つまり、第1の壁部材25の高さ方向の一端が接着層25aで構成され、第1の壁部材25の高さ方向の他端が接着層25bで構成されている。このように、第1の壁部材25は、接着層25a,25bで通気性を有する多孔質層25cを挟んだ3層で構成されている。本第2実施形態では、第1の壁部材25の接着層25aが、第1の配線基板21及び保護部材24のうちの一方第1の配線基板21に接着固定されている。また、第1の壁部材25の高さ方向の接着層25bが、第1の配線基板21及び保護部材24のうち他方保護部材24に接着固定されている。一方、第1の壁部材25及び第2の壁部材26のうちの他方の壁部材本第2実施形態では第2の壁部材26は、第1の壁部材25よりも線膨張係数が小さい材料で構成されている。そして、第2の壁部材26の高さ方向の一端26aが、図2aに示すように、常温時に第1の配線基板21及び保護部材24のうち第1の配線基板21に接触する。そして、第2の壁部材26の高さ方向の他端26bが、第1の配線基板21及び保護部材24のうち保護部材24に固定されている。これら配線基板21,22、保護部材24及び第1の壁部材25により囲まれて中空部27が形成される。つまり、半導体素子23は、中空部27に配置されたことになる。ここで、常温には、半導体素子23の動作時の発熱温度70°C程度も含まれる。したがって、半導体素子23の動作により中空部27の空気の温度が上昇しても、第2の壁部材26の一端26aと保護部材24とは接触状態を保っている。また本第2実施形態の第2の壁部材26の形成方法としては、保護部材24の作製時に機械加工もしくはエッチングによって第2の壁部材26を作製してもよい。この場合、保護部材24の製造時に第2の壁部材26の形成も同時に行うことができるため、別途、第2の壁部材26を配置する工程が不要となる。次に、半導体装置200の作用について説明する。第2の壁部材26は、保護部材24に固定され、常温で第1の配線基板21と接している。したがって、第1の壁部材25は、図2bに示すように、加熱により膨張し、保護部材24を押し上げる。また加熱により膨張する第1の壁部材25は、線膨張係数の差により、第2の壁部材26よりも大きくなる。そのため、第2の壁部材26の一端26aと第1の配線基板21との間には、通気間隙28が形成される。したがって、加熱により中空部27に発生した水蒸気圧を、多孔質層25cを介して通気間隙28から外部に逃がすことができるため、保護部材24及び第2の配線基板22の剥がれや損傷を防止できる。また常温時は、第1の壁部材25と第2の壁部材26はもとの大きさに戻り図2aに示す状態に戻るため、通気間隙28は閉じ、中空部27の気密性は保たれる。例えば接着層25a,25bに熱硬化性エポキシ樹脂シートを、多孔質層25cに多孔質PTFEを使用した、常温25°Cでの高さが200μmの第1の壁部材25を使用する。その場合、第1の壁部材25のガラス転移点80°C程度であり、線膨張係数α1は0.65×10-4/K、α2は1.3×10-4/K程度である。また第2の壁部材26には高さ、200.6μm、線膨張係数0.17×10-4/Kの銅を使用する。第1の壁部材25は半導体素子23の動作時の発熱により、例えば70°Cに加熱され状態で200.6μm程度となるため、半導体素子23の動作時には通気間隙28は形成されない。また本第2実施形態の半導体装置200が、水の沸点である100°Cに加熱された場合、0.5μm程度の通気間隙28が形成される。またマザーボードへのリフロー実装時は、そのリフロー加熱温度が220°の場合、第1の配線基板21と第2の壁部材26の間隔が約3.2μm程度の通気間隙28が形成されるため、中空部27の水蒸気を、通気間隙28を通じて外部に十分に抜くことができる。以上、本第2実施形態によれば、第2の壁部材26は、第1の壁部材25よりも線膨張係数が小さいので、リフロー等のマザー基板への実装時の加熱時に第1の壁部材25よりも膨張量が小さい。逆に、第1の壁部材25は、第2の壁部材26よりも線膨張係数が大きいので、加熱時に第2の壁部材26よりも膨張量が大きい。そのため、第1の壁部材25によって保護部材24が押し上げられることにより、第1の配線基板21と第2の壁部材26の一端26aとの間に通気間隙28が生じる。これにより、中空部27の水蒸気が多孔質層25c及び通気間隙28を通じて外部に放出され、加熱時に発生した水蒸気による中空部27の圧力の上昇を抑制することができる。したがって、半導体素子23を実装した第2の配線基板22と保護部材24の剥離を防止することができる。また、通気間隙28の形成時でも、中空部27と外部との間に多孔質層25cが存在するため、多孔質層25cがフィルターとなり、外部から中空部27への異物の進入を抑制することができる。一方、常温時は第1の壁部材25の収縮により通気間隙28が閉じ、外部と中空部27は隔絶されるため、多孔質層25cを通じて外部の水蒸気を含んだ外気が中空部27に進入するのを抑制することができる。このように、常温時は中空部27の気密性を保つことで中空部27への異物の進入を防止することができ、加熱時には中空部27の水蒸気圧を逃がすことができる。なお、上記第2実施形態では、一方の壁部材が第1の壁部材25であり、他方の壁部材が第2の壁部材26である場合について説明したが、これに限定するものではない。一方の壁部材が第2の壁部材26であり、他方の壁部材が第1の壁部材25であってもよい。つまり、外側の壁部材26が多孔質層のある壁部材であってもよい。この場合でも上記第2実施形態と同様の作用効果を奏する。また、上記第2実施形態では、第2の壁部材26の一端26aが常温時に第1の配線基板21に接触するように、他端26bが保護部材24に固定される場合について説明したが、これに限定するものではない。第2の壁部材26の一端が常温時に保護部材24に接触するように、他端が第1の配線基板21に固定される場合であってもよい。この場合、第1の壁部材25において、保護部材24に固定される側の端部が一端となり、第1の配線基板21に固定される側の端部が他端ということになる。この場合でも上記第2実施形態と同様の作用効果を奏する。また、一方の壁部材である第1の壁部材25が3層構造の場合について説明したが、これに限定するものではない。多孔質層を形成する際に、この多孔質層の両端のそれぞれが配線基板21及び保護部材24のそれぞれに接着固定される場合には、多孔質層の1層で一方の壁部材を構成することも可能である。[第3実施形態]次に、本発明の第3実施形態に係る半導体装置について説明する。図3は、本発明の第3実施形態に係る半導体装置であって、常温の状態の半導体装置の断面図である。図3に示すように、半導体装置300は、配線基板31と、配線基板31と間隔をあけて配置された保護部材34と、配線基板31と保護部材34との間に配置され、配線基板31に電気的に接続された半導体素子33と、を備えている。半導体素子33は配線基板31にフェースアップ実装され、金属ワイヤ39で配線基板31と電気的に接続されている。また、半導体装置300は、半導体素子33を囲うように配線基板31と保護部材34との間に配置され、加熱時に高さ方向矢印Z方向に熱膨張する第1の壁部材35を備えている。更に、半導体装置300は、第1の壁部材35を囲うように配線基板31と保護部材34との間に配置され、加熱時に高さ方向に熱膨張する第2の壁部材36を備えている。つまり、第1の壁部材35の外周側に第2の壁部材36が配置されている。これら第1の壁部材35及び第2の壁部材36は、枠形状に形成されている。第1の壁部材35及び第2の壁部材36のうちの一方の壁部材本第3実施形態では第2の壁部材36は、通気性のある多孔質層36cを有している。より具体的には、第2の壁部材36は、多孔質層36cの高さ方向の両端を配線基板31及び保護部材34に固定するために、高さ方向の一端を構成する接着層36aと、高さ方向の他端を構成する接着層36bとを有している。つまり、第2の壁部材36の高さ方向の一端が接着層36aで構成され、第2の壁部材36の高さ方向の他端が接着層36bで構成されている。このように、第2の壁部材36は、接着層36a,36bで通気性を有する多孔質層36cを挟んだ3層で構成されている。本第3実施形態では、第2の壁部材36の接着層36aが、配線基板31及び保護部材34のうちの一方保護部材34に接着固定されている。また、第2の壁部材36の高さ方向の接着層36bが、配線基板31及び保護部材34のうち他方配線基板31に接着固定されている。一方、第1の壁部材35及び第2の壁部材36のうち他方の壁部材本第3実施形態では第1の壁部材35は、第2の壁部材36よりも線膨張係数が小さい材料で構成されている。そして、第1の壁部材35は、互いに対向する一対の壁部351,352で構成されている。これら一対の壁部351,352の高さ方向の一端351a,352aが、常温時に互いに接触している。そして、一対の壁部351,352の高さ方向の他端351b,352bのそれぞれが、配線基板31及び保護部材34のそれぞれに固定されている。つまり、一方の壁部351の他端351bが保護部材34に固定され、他方の壁部352の他端352bが配線基板31に固定されている。これら配線基板31、保護部材34及び第1の壁部材35により囲まれて中空部37が形成される。つまり、半導体素子33は、中空部37に配置されたことになる。ここで、常温には、半導体素子33の動作時の発熱温度70°C程度も含まれる。したがって、半導体素子33の動作により中空部37の空気の温度が上昇しても、第2の壁部材36の一端36aと保護部材34とは接触状態を保っている。壁部351の高さ厚さは、接着層36aの高さ厚さよりも大きく、壁部352の高さ厚さは、接着層36bの高さ厚さよりも大きく設定されている。このように壁部351,352を設けたことにより、接着層36a,36bで壁部351,352同士が接している部分一端351a,352aが覆われることは無い。したがって、壁部351,352と第2の壁部材36との間に間隔を設ける必要が無くなる。またこのように壁部351,352を設けておけば接着層36a,36bが中空部37へはみ出すことを防止できる。以上、本第3実施形態によれば、第1の壁部材35は、第2の壁部材36よりも線膨張係数が小さいので、リフロー等のマザー基板への実装時の加熱時に第2の壁部材36よりも膨張量が小さい。逆に、第2の壁部材36は、第1の壁部材35よりも線膨張係数が大きいので、加熱時に第1の壁部材35よりも膨張量が大きい。そのため、第2の壁部材36によって保護部材34が押し上げられることにより、壁部351の一端351aと壁部352の一端352aとの間に通気間隙が生じる。これにより、中空部37の水蒸気が通気間隙及び多孔質層36cを通じて外部に放出され、加熱時に発生した水蒸気による中空部37の圧力の上昇を抑制することができる。したがって、保護部材34の剥離を防止することができる。また、通気間隙の形成時でも、中空部37と外部との間に多孔質層36cが存在するため、多孔質層36cがフィルターとなり、外部から中空部37への異物の進入を抑制することができる。一方、常温時は第2の壁部材36の収縮により通気間隙が閉じ、外部と中空部37は隔絶されるため、多孔質層36cを通じて外部の水蒸気を含んだ外気が中空部37に進入するのを抑制することができる。このように、常温時は中空部37の気密性を保つことで中空部37への異物の進入を防止することができ、加熱時には中空部37の水蒸気圧を逃がすことができる。なお、上記第3実施形態では、一方の壁部材が第2の壁部材36であり、他方の壁部材が第1の壁部材35である場合について説明したが、これに限定するものではない。一方の壁部材が第1の壁部材35であり、他方の壁部材が第2の壁部材36であってもよい。つまり、内側の壁部材35が多孔質層のある壁部材であってもよい。この場合でも上記第3実施形態と同様の作用効果を奏する。また、一方の壁部材である第2の壁部材36が3層構造の場合について説明したが、これに限定するものではない。多孔質層を形成する際に、この多孔質層の両端のそれぞれが配線基板31及び保護部材34のそれぞれに接着固定される場合には、多孔質層の1層で一方の壁部材を構成することも可能である。[第4実施形態]次に、本発明の第4実施形態に係る半導体装置について説明する。図4は、本発明の第4実施形態に係る半導体装置であって、常温の状態の半導体装置の断面図である。図4に示すように、半導体装置400は、配線基板41と、配線基板41と間隔をあけて配置された保護部材44と、配線基板41と保護部材44との間に配置され、配線基板41に電気的に接続された半導体素子43と、を備えている。半導体素子43は配線基板41にフェースアップ実装され、金属ワイヤ49で配線基板41と電気的に接続されている。また、半導体装置400は、半導体素子43を囲うように配線基板41と保護部材44との間に配置され、配線基板41に固定された枠体42を備えている。更に、半導体装置400は、半導体素子43を囲うように枠体42と保護部材44との間に配置され、加熱時に高さ方向矢印Z方向に熱膨張する第1の壁部材45を備えている。更にまた、半導体装置400は、第1の壁部材45を囲うように枠体42と保護部材44との間に配置され、加熱時に高さ方向に熱膨張する第2の壁部材46を備えている。つまり、枠体42と保護部材44との間に、枠形状の第1の壁部材45と、第1の壁部材45の外周側に枠形状の第2の壁部材46とが配置されている。第1の壁部材45及び第2の壁部材46のうち一方の壁部材本第4実施形態では、第1の壁部材45は、通気性のある多孔質層45cを有している。より具体的には、第1の壁部材45は、多孔質層45cの高さ方向の両端を枠体42及び保護部材44に固定するために、高さ方向の一端を構成する接着層45aと、高さ方向の他端を構成する接着層45bとを有している。つまり、第1の壁部材45の高さ方向の一端が接着層45aで構成され、第1の壁部材45の高さ方向の他端が接着層45bで構成されている。このように、第1の壁部材45は、接着層45a,45bで通気性を有する多孔質層45cを挟んだ3層で構成されている。本第4実施形態では、第1の壁部材45の接着層45aが、枠体42及び保護部材44のうちの一方保護部材44に接着固定されている。また、第1の壁部材45の高さ方向の接着層45bが、枠体42及び保護部材24のうち他方枠体42に接着固定されている。一方、第1の壁部材45及び第2の壁部材46のうちの他方の壁部材本第4実施形態では第2の壁部材46は、第1の壁部材45よりも線膨張係数が小さい材料で構成されている。そして、第2の壁部材46の高さ方向の一端46aが、常温時に枠体42及び保護部材44のうち保護部材44に接触する。そして、第2の壁部材46の高さ方向の他端46bが、枠体42及び保護部材44のうち保護部材44に固定されている。これら配線基板41、枠体42、保護部材44及び第1の壁部材45により囲まれて中空部47が形成される。つまり、半導体素子43は、中空部47に配置されたことになる。ここで、常温には、半導体素子43の動作時の発熱温度70°C程度も含まれる。したがって、半導体素子43の動作により中空部47の空気の温度が上昇しても、第2の壁部材46の一端46aと保護部材44とは接触状態を保っている。ここで、配線基板41が例えばセラミック基板の場合、半導体素子43を収容する枠部をセラミックではなく、枠体42としてエポキシ樹脂等の樹脂材料で形成すれば、枠部をセラミックで形成する場合よりも安価に配線基板41を製造できる。以上、本第4実施形態によれば、第2の壁部材46は、第1の壁部材45よりも線膨張係数が小さいので、リフロー等のマザー基板への実装時の加熱時に第1の壁部材45よりも膨張量が小さい。逆に、第1の壁部材45は、第2の壁部材46よりも線膨張係数が大きいので、加熱時に第2の壁部材46よりも膨張量が大きい。そのため、第1の壁部材45によって押し上げられた保護部材44と第2の壁部材46の一端46aとの間に通気間隙が生じる。これにより、中空部47の水蒸気が多孔質層45c及び通気間隙を通じて外部に放出され、加熱時に発生した水蒸気による中空部47の圧力の上昇を抑制することができる。したがって、保護部材44の剥離を防止することができる。また、通気間隙の形成時でも、中空部47と外部との間に多孔質層45cが存在するため、多孔質層45cがフィルターとなり、外部から中空部47への異物の進入を抑制することができる。一方、常温時は第1の壁部材45の収縮により通気間隙が閉じ、外部と中空部47は隔絶されるため、多孔質層45cを通じて外部の水蒸気を含んだ外気が中空部47に進入するのを抑制することができる。このように、常温時は中空部47の気密性を保つことで中空部47への異物の進入を防止することができ、加熱時には中空部47の水蒸気圧を逃がすことができる。なお、上記第4実施形態では、一方の壁部材が第1の壁部材45であり、他方の壁部材が第2の壁部材46である場合について説明したが、これに限定するものではない。一方の壁部材が第2の壁部材46であり、他方の壁部材が第1の壁部材45であってもよい。つまり、外側の壁部材26が多孔質層のある壁部材であってもよい。この場合でも上記第4実施形態と同様の作用効果を奏する。また、上記第4実施形態では、第2の壁部材46の一端46aが常温時に保護部材44に接触するように、他端46bが枠体42に固定される場合について説明したが、これに限定するものではない。第2の壁部材46の一端46aが常温時に枠体42に接触するように、他端46bが保護部材44に固定される場合であってもよい。この場合、第1の壁部材45において、枠体42に固定される側の端部が一端となり、保護部材44に固定される側の端部が他端ということになる。この場合でも上記第4実施形態と同様の作用効果を奏する。また、一方の壁部材である第1の壁部材45が3層構造の場合について説明したが、これに限定するものではない。多孔質層を形成する際に、この多孔質層の両端のそれぞれが枠体42及び保護部材44のそれぞれに接着固定される場合には、多孔質層の1層で一方の壁部材を構成することも可能である。[第5実施形態]次に、本発明の第5実施形態に係る半導体装置について説明する。図5は、本発明の第5実施形態に係る半導体装置であって、常温の状態の半導体装置の断面図である。図5に示すように、半導体装置500は、配線基板51と、配線基板51と間隔をあけて配置された保護部材54と、配線基板51と保護部材54との間に配置され、配線基板51に電気的に接続された半導体素子53と、を備えている。半導体素子53は受光部若しくは発光部又はその両方の機能を有する光素子である。また保護部材54は透光性を有している。半導体素子53は第2の配線基板52にフェースアップ実装されており、半導体素子53及び配線基板52で半導体チップが構成されている。保護部材54には、配線層62が設けられ、配線基板52が保護部材54にフェースダウン実装され、配線基板52と配線層62とがバンプ61で電気的に接続されている。そして、配線層62と配線基板51の配線層65とが、バンプ63及びビアホール64で電気的に接続されている。これにより、半導体素子53は、配線基板51に電気的に接続されている。このように、光素子である半導体素子53を保護部材54にフェースダウン実装する場合でも、半導体装置500の外形を小さくすることができる。また、半導体装置500は、半導体素子53を囲うように配線基板51と保護部材54との間に配置され、加熱時に高さ方向矢印Z方向に熱膨張する第1の壁部材55を備えている。更に、半導体装置500は、第1の壁部材55を囲うように配線基板51と保護部材54との間に配置され、加熱時に高さ方向に熱膨張する第2の壁部材56を備えている。つまり、第1の壁部材55の外周側に第2の壁部材56が配置されている。これら第1の壁部材55及び第2の壁部材56は、枠形状に形成されている。第1の壁部材55及び第2の壁部材56のうちの一方の壁部材本第5実施形態では第1の壁部材55は、通気性のある多孔質層55cを有している。より具体的には、第1の壁部材55は、多孔質層55cの高さ方向の両端を配線基板51及び保護部材54に固定するために、高さ方向の一端を構成する接着層55aと、高さ方向の他端を構成する接着層55bとを有している。つまり、第1の壁部材55の高さ方向の一端が接着層55aで構成され、第1の壁部材55の高さ方向の他端が接着層55bで構成されている。このように、第1の壁部材55は、接着層55a,55bで通気性を有する多孔質層55cを挟んだ3層で構成されている。本第5実施形態では、第1の壁部材55の接着層55aが、配線基板51及び保護部材54のうちの一方保護部材54に接着固定されている。また、第1の壁部材55の高さ方向の接着層55bが、配線基板51及び保護部材54のうち他方配線基板51に接着固定されている。一方、第1の壁部材55及び第2の壁部材56のうちの他方の壁部材本第5実施形態では第2の壁部材56は、第1の壁部材55よりも線膨張係数が小さい材料で構成されている。そして、第2の壁部材56の高さ方向の一端56aが、常温時に配線基板51及び保護部材54のうち保護部材54に接触している。また、第2の壁部材56の高さ方向の他端56bが、配線基板51及び保護部材54のうち配線基板51に固定されている。これら配線基板51、保護部材54及び第1の壁部材55により囲まれて中空部57が形成される。つまり、半導体素子53は、中空部57に配置されたことになる。ここで、常温には、半導体素子53の動作時の発熱温度70°C程度も含まれる。したがって、半導体素子53の動作により中空部57の空気の温度が上昇しても、第2の壁部材56の一端56aと保護部材54とは接触状態を保っている。以上、本第5実施形態によれば、第2の壁部材56は、第1の壁部材55よりも線膨張係数が小さいので、リフロー等のマザー基板への実装時の加熱時に第1の壁部材55よりも膨張量が小さい。逆に、第1の壁部材55は、第2の壁部材56よりも線膨張係数が大きいので、加熱時に第2の壁部材56よりも膨張量が大きい。そのため、第1の壁部材55によって押し上げられた保護部材54と第2の壁部材56との間に通気間隙が生じる。これにより、中空部57の水蒸気が多孔質層55c及び通気間隙を通じて外部に放出され、加熱時に発生した水蒸気による中空部57の圧力の上昇を抑制することができる。したがって、保護部材54の剥離を防止することができる。また、通気間隙の形成時でも、中空部57と外部との間に多孔質層55cが存在するため、多孔質層55cがフィルターとなり、外部から中空部57への異物の進入を抑制することができる。一方、常温時は第1の壁部材55の収縮により通気間隙が閉じ、外部と中空部57は隔絶されるため、多孔質層55cを通じて外部の水蒸気を含んだ外気が中空部57に進入するのを抑制することができる。このように、常温時は中空部57の気密性を保つことで中空部57への異物の進入を防止することができ、加熱時には中空部57の水蒸気圧を逃がすことができる。なお、上記第5実施形態では、一方の壁部材が第1の壁部材55であり、他方の壁部材が第2の壁部材56である場合について説明したが、これに限定するものではない。一方の壁部材が第2の壁部材56であり、他方の壁部材が第1の壁部材55であってもよい。つまり、外側の壁部材56が多孔質層のある壁部材であってもよい。この場合でも上記第5実施形態と同様の作用効果を奏する。また、上記第5実施形態では、第2の壁部材56の一端56aが常温時に保護部材54に接触するように、他端56bが配線基板51に固定される場合について説明したが、これに限定するものではない。第2の壁部材56の一端が常温時に配線基板51に接触するように、他端が保護部材54に固定される場合であってもよい。この場合、第1の壁部材55において、配線基板51に固定される側の端部が一端となり、保護部材54に固定される側の端部が他端ということになる。この場合でも上記第5実施形態と同様の作用効果を奏する。"