"赤色を呈する第1のカラーフィルターと、緑色を呈する第2のカラーフィルターと、青色を呈する第3のカラーフィルターと、前記第1のカラーフィルターに対応して設けられた、赤色を呈する第1の発光素子と、前記第2のカラーフィルターに対応して設けられた、緑色を呈する第2の発光素子と、前記第3のカラーフィルターに対応して設けられた、青色を呈する第3の発光素子とを有し、前記第1の発光素子乃至前記第3の発光素子の膜厚が、前記第1のカラーフィルター乃至前記第3のカラーフィルターごとに異なっていることを特徴とする発光装置。請求項1において、前記第3の発光素子の膜厚は前記第2の発光素子の膜厚よりも厚く、前記第2の発光素子の膜厚は前記第1の発光素子の膜厚よりも厚いことを特徴とする発光装置。赤色を呈する第1のカラーフィルターと、緑色を呈する第2のカラーフィルターと、青色を呈する第3のカラーフィルターと、前記第1のカラーフィルターに対応して設けられた、赤色を呈する第1の発光素子と、前記第2のカラーフィルターに対応して設けられた、緑色を呈する第2の発光素子と、前記第3のカラーフィルターに対応して設けられた、青色を呈する第3の発光素子とを有し、前記第1の発光素子乃至前記第3の発光素子はそれぞれ、発光層を含む層と、反射性を有する電極とを有し、前記発光層を含む層と、前記反射性を有する電極との光学距離が、前記第1のカラーフィルター乃至前記第3のカラーフィルターごとに異なっていることを特徴とする発光装置。請求項3において、前記反射性を有する電極は、アルミニウムを有することを特徴とする発光装置。請求項1乃至請求項4のいずれか一において、前記第1の発光素子乃至前記第3の発光素子はそれぞれ、第1の層乃至第3の層を有し、前記第1の層乃至前記第3の層は、前記第1の発光素子乃至前記第3の発光素子において、同一材料を用いられたことを特徴とする発光装置。請求項1乃至請求項5のいずれか一において、前記第1の発光素子乃至前記第3の発光素子はそれぞれ、前記反射性を有する電極と対向する側に第2の電極を有し、前記第2の電極は、インジウム錫酸化物であることを特徴とする発光装置。請求項1乃至請求項5のいずれか一において、前記第1の発光素子乃至前記第3の発光素子はそれぞれ、前記反射性を有する電極と対向する側に第2の電極を有し、前記第2の電極は、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物であることを特徴とする発光装置。請求項1乃至請求項5のいずれか一において、前記第1の発光素子乃至前記第3の発光素子はそれぞれ、前記反射性を有する電極と対向する側に第2の電極を有し、前記第2の電極は、半透明性を有するように薄膜化された金属材料と、前記薄膜化された金属材料上に設けられた透光性材料とが積層した構造を有し、前記金属材料は、金、白金、ニッケルタングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、及びパラジウムの一を有することを特徴とする発光装置。請求項1乃至請求項8のいずれか一において、前記第1の電極にはトランジスタが電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。請求項9において、前記トランジスタはp型の薄膜トランジスタであることを特徴とする発光装置。請求項9において、前記トランジスタはn型の薄膜トランジスタであることを特徴とする発光装置。そこで本発明は、上記特許文献と異なる方法により、発光素子の光取り出し効率を高めることを課題とする。上記課題を鑑み本発明は、発光素子の一部を構成する層の膜厚を、各発光色で異ならせることを特徴とする。本発明の一形態は、第1の電極、及び第2の電極と、第1の電極と、第2の電極との間に、順に第1の層、第2の層、第3の層を有し、第1の層は正孔を発生する層であり、第2の層は各発光色の発光層を含む層であり、第3の層は電子を発生する層であり、第1の層の膜厚は、発光層を含む層ごとに異なっている発光素子であって、当該発光素子を複数有する発光装置である。本発明の別形態は、非透光性を有する第1の電極、及び透光性を有する第2の電極と、第1の電極と、第2の電極との間に、順に第1の層、第2の層、第3の層を有し、第1の層は正孔を発生する層であり、第2の層は各発光色の発光層を含む層であり、第3の層は電子を発生する層であり、第1の層の膜厚は、発光層からの光と、発光層からの光が、第1の電極で反射した反射光とが強め合うことができるように、発光色ごとに異なっていることを特徴とする発光素子であって、当該発光素子を複数有する発光装置である。本発明において、第1の層は有機化合物と、無機化合物である金属酸化物とが混在する層であることを特徴とする。また本発明は、上記の発光素子と、発光素子への電流の供給を制御するトランジスタを有する発光装置を提供することができる。また本発明は、発光素子の一部を構成する層の膜厚を、各カラーフィルター等の色ごとに、異ならせることを特徴とする。カラーフィルター等には、カラーフィルターと色変換層とを重ねて用いる場合も含まれる。本発明の具体的な形態は、光学特性の異なる複数種のカラーフィルターと、第1の電極、及び第2の電極と、第1の電極と、第2の電極との間に、順に設けられた第1の層、第2の層、第3の層とを有し、第1の層乃至第3の層のいずれかは、有機材料と、金属酸化物とを有し、有機材料と金属酸化物とを有する層の膜厚は、光学特性ごとに異なっていることを特徴とする発光装置である。また本発明の別の形態は、半導体膜と、半導体膜上に設けられた第1の電極、及び第2の電極と、第1の電極と、第2の電極との間に、順に設けられた第1の層、第2の層、第3の層と、第1の電極側発光側近くに設けられた光学特性の異なる複数種のカラーフィルターとを有し、第1の電極は透光性を有し、第1の層は正孔を発生する層であり、第2の層は発光層を含む層であり、第3の層は電子を発生する層であり、第1の層は、有機材料と、金属酸化物とを有し、第1の層の膜厚は、光学特性ごとに異なっていることを特徴とする発光装置である。光学特性の異なる複数種のカラーフィルターとは、例えば赤R、緑G、青Bに示すような光学特性を有するカラーフィルターである。またカラーフィルターと色変換層とを重ねて用いる場合も、赤R、緑G、青Bに示すような光学特性を有することができる。これら複数種のカラーフィルター等を有して、表示装置に設けられるカラーフィルター等としての機能を奏する。そのため、光学特性ごとに発光素子の膜厚を異ならせるとは、各カラーフィルター等に応じた領域の発光素子の膜厚を異ならせることであり、以下カラーフィルター毎に発光素子の膜厚を異ならせるとも表記する。なお本発明において、金属酸化物は、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、又はレニウム酸化物である。また金属酸化物の代わりに、上記金属の窒化物、又は酸化窒化物であってもよい。このように、少なくとも一つ第1の層から第3の層の膜厚を、各発光色で異ならせることにより、光の取り出し効率の低下を防止することができる。その結果、光の取り出し効率を最大とすることができる。このとき、電子と正孔が再結合する層つまり発光層から反射電極との間となる層の膜厚を、各発光色で異ならせるとよい。さらに厚膜化する必要のある層には、有機化合物と、無機化合物である金属酸化物とが混在した層とすると、所定の電流を得るために印加する電圧駆動電圧とも表記するが高くならず好ましい。その結果、発光装置の低消費電力化を図ることができる。また本発明は、少なくとも第1の層乃至第3の層のいずれかの膜厚を、カラーフィルター等ごとで異ならせることを特徴とする。このとき、電子と正孔が再結合する層つまり発光層と、反射電極との間にある層の膜厚を、各カラーフィルターで異ならせるとよい。その結果、光の取り出し効率の低下を防止することができる。さらに厚膜化する必要のある層には、有機化合物と無機化合物である金属酸化物とが混在した層とすると、駆動電圧が高くならず好ましく、低消費電力化を図ることができる。以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。実施の形態1本実施の形態では、発光素子の構造について説明する。図1に示すように、本発明の発光素子は、対向する第1の電極101、第2の電極102を有し、第1電極101から順に、第1の層111、第2の層112、第3の層113が積層されている。このような発光素子は、第2の電極102の電位よりも第1の電極101の電位が高くなるように電圧を印加すると、第1の層111から第2の層112へ正孔が注入され、第3の層113から第2の層112へ電子が注入される。正孔と、電子とが、第2の層112において再結合し、発光物質を励起状態にする。そして、励起状態の発光物質は、基底状態に戻るときに発光する。このような発光素子において、各発光色を発する発光素子ごとに、少なくとも第1の電極及び第2の電極を除く各層のいずれか一つの膜厚を異ならせることを特徴とする。その結果、発光色毎に、各層のいずれかからの光と、当該光が第1の電極で反射した反射光とが干渉することによる光の取り出し効率を高めることができる。例えば、図2に示すように、赤系色R、緑系色G、青系色Bを発光する発光素子は、非透光性であって高反射性を有する第1の電極101、及び透光性を有する第2の電極102を共有しており、それぞれ第1の層111R、111G、111B、第2の層112R、112G、112B、第3の層113R、113G、113Bを有する。そして、第1の層111R、111G、111Bの厚さを発光色毎に異ならせる。その結果、直接第2の電極を介して認識する場合と、第1の電極で反射して第2の電極を介して認識する場合とで光路が異なることによる、光の取り出し効率の低下を防止することができる。具体的には、第1の電極に光が入射した場合、反射光には位相の反転が生じ、これによって光の干渉効果が生じる。その結果、発光層と反射電極との光学距離、つまり屈折率×距離が、発光波長の2m-1/4倍mは任意の正の整数、即ち、光学距離=1/4、3/4、5/4倍の時には、発光の外部取り出し効率が高くなる。一方、m/2倍mは任意の正の整数即ち、1/2、1、3/2倍の時には光の外部取り出し効率が低くなってしまう。したがって、本発明の発光素子において、発光領域と反射電極との光学距離、つまり屈折率×距離が、発光波長の2m-1/4倍mは任意の正の整数となるように、第1の層から第3の層の少なくとも一つ膜厚を各発光素子で異ならせる。特に、第1の層から第3の層において、電子と正孔が再結合する層発光層から反射電極との間の層の膜厚を異ならせるとよいが、電子と正孔が再結合する層から透光電極との間の膜厚を異ならせてもよい。さらに両者の膜厚を異ならせても構わない。その結果、発光を効率よく外部に取り出すことができる。特に、第1の層から第3の層を蒸着法で蒸着マスクを用いて形成し、いずれかの膜厚を異ならせる場合、同じ蒸着マスクをそのまま用いることができる。一方、特許文献1に記載のように、電極の膜厚を異ならせるには、その分のフォトリソグラフィー法工程、エッチング工程が必要と考えられ、工程数が増加してしまう。以上のようにして、本発明は、工程数を増加させることなく、光の取り出し効率の低下を防止することができる。なお図2をはじめとする本発明において、青色を呈する発光素子の膜厚が、最も厚くなっている。これは、青色を呈する発光素子ではm=2とし、赤色を呈する発光素子及び緑色を呈する発光素子ではm=1としたためである。青色を呈する発光素子において、m=1とすると、非常に膜厚が薄くなってしまうが、m=2とすることによって厚膜化でき、生産性を高めることができる。このように本発明は、各色でmの値を同一にする必要はなく、mを選択することによって、発光素子の膜厚設計の幅を広げることもできる。第1の層から第3の層のいずれかの膜厚を異ならせるので、層を厚膜化する必要がある。そこで本発明は、厚膜化する層に、有機化合物と、無機化合物である金属酸化物とが混在した層を用いることを特徴とする。一般に、発光素子の層を厚膜化すると、駆動電圧が増加してしまうため、好ましくなかった。しかし、以下の実施例でも示すように、本発明者らは、厚膜化する層に、有機化合物と無機化合物である金属酸化物とを有する層を用いると、駆動電圧自体を低くでき、それを高くすることがないことを見出した。第1の層から第3の層のいずれかを厚膜化することにより、第1の電極と第2の電極とが短絡することを防止でき、量産性を高めることもでき、非常に好ましい。このように本発明は、少なくとも第1の層から第3の層の膜厚を、各発光色で異ならせることを特徴とする。このとき、電子と正孔が再結合する層発光層から反射電極との間となる層の膜厚を、各発光色で異ならせるとよい。さらに厚膜化する必要のある層には、有機化合物と無機化合物である金属酸化物とが混在した層とすると、駆動電圧が高くならず好ましい。実施の形態2本実施の形態では、上記実施の形態と異なる発光素子の構造について説明する。本実施の形態に示す発光素子は、第4の層128を設けたことを特徴とする。図15に示すように、発光素子は、対向する第1の電極101、第2の電極102を有し、第1電極101から順に、第1の層111、第2の層112、第3の層113、第4の層128が積層されている。第4の層128は、第1の層111と同様の材料から形成することができる。その他の構成は、上記実施の形態と同様であるため、説明を省略する。このように第4の層128を設けると、第2の電極102を形成するときのダメージを低減することができる。そして各発光色を発光する発光素子に応じて、第4の層128を異ならせる。その結果、光の取り出し効率の低下を防止できる。また膜厚を異ならせる場合、第4の層128は、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物等の金属酸化物を用いるとよい。またこれら金属の窒化物であってもよいし、酸化窒化物であってもよい。これら金属酸化物等を用いて厚膜化しても、駆動電圧を高める必要がないからである。また第4の層128を厚膜化することにより、第2の電極102を形成するときのダメージのさらなる低減を期待できる。さらに第4の層128に加えて、第1の層111の膜厚を、各発光色を発光する発光素子に応じて異ならせることができる。その結果、光の取り出し効率の低下防止に加え、複数の層の膜厚を異ならせることにより、さらなる発光素子の厚膜化を図ることができ、作製時の不良を低減することができる。また第1の層111に上記モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物等の金属酸化物等を用いることにより、駆動電圧を高めることがない。このように各発光色を発光する発光素子に応じて層の膜厚を異ならせる本発明は、発光素子の構造に限定されることなく用いることができる。その結果、光の取り出し効率の低下を防止することができ、発光素子の厚膜化を図ることができる。さらに、厚膜化する層に金属酸化物等を用いることにより、駆動電圧を高めることがなく、好ましい。実施の形態3本実施の形態では、カラーフィルターを有する発光装置において、各層のいずれかの膜厚を異ならせる構成について説明する。図16に示すように、光学特性の異なる赤系色R、緑系色G、青系色Bを出現させたい領域毎に、カラーフィルター115R、115G、115Bを設ける。カラーフィルターは、公知の材料を用い、スクリーン印刷法、又は液滴吐出法等により形成することができる。なお、図16では、第2の電極102側発光側近くにカラーフィルター105R、105G、105Bを設ける場合を示し、この場合、第2の電極102は透光性を有することが必要となる。発光素子の構造は、第1の電極101から順に、第1の層111R、111G、111B、第2の層112R、112G、112B、第3の層113R、113G、113B、第2の電極102が設けられている。また、カラーフィルターにより各色を出現させるため、第1の層乃至第3の層は、同一材料を用いることができる。但し図中では、各カラーフィルターに対応させるため、第1の層111R、111G、111B、第2の層112R、112G、112B、第3の層113R、113G、113Bとしている。そして、カラーフィルター毎に、第1の層乃至第3の層のいずれかの膜厚を異ならせることを特徴とする。図16では、第2の層112R、112G、112Bの膜厚が、カラーフィルター毎に異なっている場合を例示している。このような構成により、直接第2の電極102を介して認識する場合と、第1の電極101で反射して第2の電極102を介して認識する場合とで、光路が異なることによる、光の取り出し効率の低下を防止することができる。具体的には、第1の電極101に光が入射した場合、反射光では位相の反転が生じ、反射光と、直接光とによって光の干渉効果が生じる。このような場合、発光層と反射電極との光学距離、つまり屈折率×距離が、発光波長の2m-1/4倍mは任意の正の整数、即ち、光学距離=1/4、3/4、5/4倍の時には、光の外部取り出し効率が高くなる。一方、m/2倍mは任意の正の整数即ち、1/2、1、3/2倍の時には光の外部取り出し効率が低くなってしまう。そこで本発明の発光素子では、電子と正孔が再結合する層発光層と、反射電極との光学距離、つまり屈折率×距離とが、発光波長の2m-1/4倍mは任意の正の整数となるように、カラーフィルター毎に、第1の層乃至第3の層のいずれかの膜厚を異ならせる。特に、第1の層乃至第3の層において、電子と正孔が再結合する層から反射電極となる第1の電極101との間の層の膜厚を異ならせるとよい。但しこれに限定されず、電子と正孔が再結合する層から透光電極となる第2の電極102との間の膜厚を異ならせてもよい。さらに両者の膜厚を異ならせても構わない。その結果、発光を効率よく外部に取り出すことができる。特に、第1の層乃至第3の層を蒸着法で蒸着マスクを用いて形成し、いずれかの膜厚を異ならせる場合、同じ蒸着マスクをそのまま用いることができるため好ましい。一方、特許文献1に記載のように、電極の膜厚を異ならせるには、その分のフォトリソグラフィー法工程、エッチング工程が必要と考えられ、工程数が増加してしまう。以上のようにして、本発明は、工程数を増加させることなく、光の取り出し効率の低下を防止することができる。本発明は、第1の層乃至第3の層のいずれかの膜厚を異ならせるので、層を厚膜化する必要がでてくる。そこで、厚膜化する層に、有機化合物と、無機化合物である金属酸化物とが混在した層を用いることを特徴とする。一般に、発光素子の層を厚膜化すると、駆動電圧が増加してしまうため、好ましくなかった。しかし、以下の実施例でも示すように、本発明者らは、厚膜化する層に、有機化合物と無機化合物である金属酸化物とを有する層を用いると、駆動電圧自体を低くでき、厚膜化しても駆動電圧が高くならないことを見出した。第1の層乃至第3の層のいずれかを厚膜化することにより、第1の電極101と第2の電極102とが短絡することを防止でき、量産性を高めることもでき、非常に好ましい。図17は、図16と異なり第1の電極側にカラーフィルターを設ける場合を示す。その他の構成は、図16と同様であるため説明を省略する。このように第1の電極側発光側近くにカラーフィルターを設ける場合、第1の電極下方には、薄膜トランジスタを構成する複数の絶縁膜等が積層して設けられている。そのため、これら絶縁膜等の間で反射する光を考慮して、各層の膜厚を異ならせると好ましい。また、光が通過する領域では、絶縁膜等を除去してもよい。以上示した、図16又は図17のように本発明は、少なくとも第1の層乃至第3の層のいずれかの膜厚を、カラーフィルター毎で異ならせることを特徴とする。このとき、電子と正孔が再結合する層発光層と、反射電極との間にある層の膜厚を、各カラーフィルターで異ならせると好ましい。さらに厚膜化する必要のある層には、有機化合物と無機化合物である金属酸化物とが混在した層とすると、駆動電圧が高くならず好ましい。実施の形態4本実施の形態では、カラーフィルター及び発光素子を有する画素の断面構造について、具体的に説明する。発光素子への電流の供給を制御するトランジスタ駆動用トランジスタがp型薄膜トランジスタTFTの場合における、画素の断面構造について、図18を用いて説明する。なお本実施の形態では、発光素子が有する第1の電極101と第2の電極102の2つの電極のうち、トランジスタによって電位を制御することができる一方の電極を陽極、他方の電極が陰極である場合について説明する。図18に、各TFT601R、601G、601Bがp型で、発光素子603から発せられる光を第2の電極102側から取り出す、いわゆる上方出射型の場合であって、各カラーフィルター105R、105G、105B有する画素の断面図を示す。図18では、発光素子603の第1の電極101と、TFT601R、601G、601Bがそれぞれ電気的に接続されている。TFT601R、601G、601Bは、厚さが10nm乃至200nmであって、島状に分離された半導体膜により、チャネル形成領域が形成されている。半導体膜は、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜、微結晶半導体膜のいずれを用いてもよい。例えば、非晶質半導体膜を形成する場合、まず非晶質半導体膜を形成し、加熱処理により結晶化された結晶性半導体膜を形成することができる。加熱処理とは、加熱炉、レーザー照射、若しくはレーザー光の代わりにランプから発する光の照射以下、ランプアニールと記す、又はそれらを組み合わせて用いることができる。レーザー照射を用いる場合、連続発振型のレーザーCWレーザーやパルス発振型のレーザーパルスレーザーを用いることができる。またさらにレーザーの入射角θを、半導体膜に対して0°<θ<90°となるようにしてもよい。その結果、レーザー光の干渉を防止することができる。なお連続発振の基本波のレーザー光と連続発振の高調波のレーザー光とを照射するようにしてもよいし、連続発振の基本波のレーザー光とパルス発振の高調波のレーザー光とを照射するようにしてもよい。複数のレーザー光を照射することにより、エネルギーを補うことができる。またパルス発振型のレーザーであって、半導体膜がレーザー光によって溶融してから固化するまでに、次のパルスのレーザー光を照射できるような繰り返し周波数でレーザー光を発振させることで、走査方向に向かって連続的に成長した結晶粒を得ることができる。すなわち、パルス発振の周期が、半導体膜が溶融してから完全に固化するまでの時間よりも短くなるように、繰り返し周波数の下限を定めたパルスビームを使用することができる。実際に用いることができるパルスビームの発振周波数は10MHz以上であって、通常用いられている数十Hz~数百Hzの周波数帯よりも著しく高い周波数帯を使用する。その他の加熱処理として、加熱炉を用いる場合、非晶質半導体膜を500~550°Cで2~20時間かけて加熱する。このとき、徐々に高温となるように温度を500~550°Cの範囲で多段階に設定するとよい。最初の低温加熱工程により、非晶質半導体膜の水素等が出てくるため、結晶化の際の膜荒れを低減する、いわゆる水素だしを行うことができる。さらに、結晶化を促進させる金属元素、例えばNiを非晶質半導体膜上に形成すると、加熱温度を低減することができ好ましい。このような金属元素を用いた結晶化であっても、600~950°Cに加熱しても構わない。但し、金属元素を形成する場合、半導体素子の電気特性に悪影響を及ぼすことが懸念されるので、該金属元素を低減又は除去するためのゲッタリング工程を施す必要が生じる。例えば、非晶質半導体膜をゲッタリングシンクとして金属元素を捕獲するよう工程を行えばよい。さらにTFT601R、601G、601Bは、該半導体膜を覆うゲート絶縁膜、第1の導電膜及び第2の導電膜が積層しているゲート電極、ゲート電極上に絶縁膜が設けられている。TFT601R、601G、601Bは、P型を有し、半導体膜は高濃度不純物領域のみを有するシングルドレイン構造とする。またTFT601R、601G、601Bは、半導体膜に低濃度不純物領域、及び高濃度不純物領域を有するLDD低濃度ドレイン構造としてもよい。TFT601R、601G、601Bは層間絶縁膜607で覆われており、層間絶縁膜607上には開口部を有する隔壁608が形成されている。隔壁608の開口部において第1の電極101が一部露出しており、該開口部において第1の電極101、各電界発光層605R、605G、605B、第2の電極102が順に積層されている。なお電界発光層は、同一材料から形成することができるが、図中では各カラーフィルターに対応させるため、電界発光層605R、605G、605Bとしている。電界発光層605R、605G、605Bは、第1の層111、第2の層112、及び第3の層113に相当し、カラーフィルター毎に、第1の層から第3の層のいずれかの膜厚が異なっている。本実施の形態では、電界発光層の膜厚の関係が、605R<605G<605Bとなっている。本実施の形態は、上方出射型であるため、第1の電極101に近い第1の層の膜厚を、各カラーフィルターで異ならせるとよい。その結果、光の取り出し効率の低下を防止できる。さらに好ましくは、第1の層に有機化合物と、金属酸化物とが混在する層を用いると、厚膜化による駆動電圧の上昇を防止できる。本実施の形態は上方出射型の場合であるため、第1の電極101は、非透光性材料、さらに好ましくは反射性の高い材料から形成する。具体的な材料は、上記実施の形態で示したとおりである。また、第2の電極102の材料は、透光性材料から形成し、さらに仕事関数の大きい物質で形成されていることが好ましい。具体的な材料は、上記実施の形態で示したとおりである。なお、駆動用トランジスタがp型であるため、TFT601R、601G、601Bに接続される配線をそのまま第1の電極101とすることもできる。なお、第1の電極101、又は第2の電極102は、スパッタ法や蒸着法等を用いて形成することができる。層間絶縁膜607は、有機樹脂材料、無機絶縁材料またはシロキサン系材料をから形成されたSi-O-Si結合を含む絶縁物以下、シロキサン系絶縁物と記すを用いて形成することができる。なおシロキサンとは、シリコンSiと酸素Oとの結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基例えばアルキル基、芳香族炭化水素が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。また層間絶縁膜607に、低誘電率材料low-k材料と呼ばれる材料を用いてもよい。隔壁608は、有機樹脂材料、無機絶縁材料またはシロキサン系絶縁物を用いて形成することができる。有機樹脂材料ならば、例えばアクリル、ポリイミド、ポリアミドなど、無機絶縁材料ならば酸化珪素、窒化酸化珪素などを用いることができる。特に感光性の有機樹脂材料を隔壁608に用いて、第1の電極101上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することで、第1の電極101と第2の電極102とが短絡してしまうのを防ぐことができる。このような画素の場合、発光素子603から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第2の電極102側から取り出すことができる。次に図19に、TFT601R、601G、601Bがp型で、発光素子603から発せられる光を第2の電極102側から取り出す、いわゆる下方出射型の場合の画素の断面図を示す。図19では、発光素子603の第1の電極101と、TFT601R、601G、601Bがそれぞれ電気的に接続されている。また第1の電極101上に各電界発光層605R、605G、605B、第2の電極102が順に積層されている。TFT601R、601G、601Bは図18と同様に形成することができる。また図19は下方出射型であるため、第1の電極101は透光性を有し、第2の電極102は非透光性であって、高反射性を有する。これらの材料は、図18の第1の電極及び第2の電極に関する説明を参照することができる。そしてカラーフィルター105R、105G、105Bは基板側近く発光側に設けられている。例えば、基板の裏面TFTが形成されていない面に、カラーフィルター105R、105G、105Bを形成することができる。各電界発光層605R、605G、605Bも、図18で示した電界発光層と同様に形成することができ、カラーフィルター毎に、第1の層から第3の層のいずれかの膜厚が異なっている。図19では、下方出射型の場合を示しているため、第2の電極102に近い第3の層の膜厚を、各カラーフィルターで異ならせるとよい。本実施の形態では、電界発光層の膜厚が、605R<605G<605Bとなっている。その結果、光の取り出し効率の低下を防止できる。さらに好ましくは、第3の層に有機化合物と、金属酸化物とが混在する層を用いると、厚膜化による駆動電圧の上昇を防止できる。図19に示した画素の場合、発光素子613から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第2の電極102側から取り出すことができ、カラーフィルター105R、105G、105Bは光の射出側に設けられている。本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。実施の形態5本実施の形態では、発光素子への電流の供給を制御する駆動用トランジスタがn型TFTの場合における、カラーフィルター及び発光素子を有する画素の断面構造について説明する。なお本実施の形態では、第1の電極が陽極、第2の電極が陰極の場合について説明する。図20に、TFT611R、611G、611Bがn型で、発光素子613から発せられる光を第2の電極102側から取り出す場合、いわゆる上方出射型の、画素の断面図を示す。図20では、発光素子613の第1の電極101と、TFT611R、611G、611Bがそれぞれ電気的に接続されている。また第1の電極101上に各電界発光層615R、615G、615B、第2の電極102が順に積層されている。TFT611R、611G、611Bは、上記実施の形態のTFT601R、601G、601Bと同様に形成することができる。上方出射型であるため、第1の電極101は、非透光性であって、高反射性を有する材料、第2の電極102は透光性を有する材料から形成する。これら材料は、上記実施の形態を参照することができる。なお、供給を制御するトランジスタがn型であるため、TFT611R、611G、611Bに接続される配線をそのまま第1の電極101とすることができる。また透光性を有する第2の電極102側に、カラーフィルター105R、105G、105Bが設けられている。電界発光層615R、615G、615Bは、上記実施の形態の電界発光層605R、605G、605Bと同様に形成することができる。ただし、電界発光層615が発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のいずれかを有している場合、第1の電極101が陽極であるため、第1の電極101から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の順に積層する。この電界発光層615R、615G、615Bは、第1の層111、第2の層112、第3の層113に相当し、カラーフィルター毎に、第1の層から第3の層のいずれかの膜厚が異なっている。本実施の形態は、上方出射型であるため、第1の電極101に近い第1の層の膜厚を、各カラーフィルターで異ならせるとよい。本実施の形態では、電界発光層の膜厚が、615R<615G<615Bとなっている。その結果、光の取り出し効率の低下を防止できる。さらに好ましくは、第1の層に有機化合物と、金属酸化物とが混在する層を用いると、厚膜化による駆動電圧の上昇を防止できる。図20に示した画素の場合、発光素子613から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第2の電極102側から取り出すことができ、カラーフィルター105R、105G、105Bは光の射出側に設けられている。次に図21に、TFT611R、611G、611Bがn型で、発光素子613から発せられる光を第1の電極101側から取り出す、いわゆる下方出射型の場合の、各発光色RGBを有する画素の断面図を示す。図21では、発光素子613の第1の電極101と、TFT611R、611G、611Bがそれぞれ電気的に接続されている。また第1の電極101上に各電界発光層615R、615G、615B、第2の電極102が順に積層されている。TFT611R、611G、611Bは、上記実施の形態と同様に形成することができる。また図21は下方出射型であるため、第1の電極101は透光性を有し、第2の電極102は非透光性であって、高反射性を有する。これら材料は、上記実施の形態を参照することができる。また透光性を有する第1の電極101側近くに、カラーフィルター105R、105G、105Bが設けられている。各電界発光層615R、615G、615Bも、上記実施の形態と同様に形成することができ、カラーフィルター毎に、第1の層から第3の層のいずれかの膜厚が異なっている。ただし、電界発光層615が発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のいずれかを有している場合、第1の電極101が陽極であるため、第1の電極101から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の順に積層する。図21では、下方出射型の場合を示しているため、第2の電極102に近い第3の層の膜厚を、各カラーフィルターで異ならせるとよい。本実施の形態では、電界発光層の膜厚が、615R<615G<615Bとなっている。その結果、光の取り出し効率の低下を防止できる。さらに好ましくは、第3の層に有機化合物と、金属酸化物とが混在する層を用いると、厚膜化による駆動電圧の上昇を防止できる。図21に示した画素の場合、発光素子613から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第1の電極101側から取り出すことができ、カラーフィルター105R、105G、105Bは光の射出側に設けられている。本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。実施の形態6本実施の形態では、第1の層から第3の層、及び電極の材料について説明する。第1の層111は、正孔を発生する層である。このような層としては、例えば、正孔輸送性物質と、その物質に対して電子受容性を示す物質正孔輸送性物質にとってアクセプターとなる物質とを含む層が挙げられる。また正孔輸送性物質に対して電子受容性を示す物質は、正孔輸送性物質に対して、モル比が0.5~2=正孔輸送性物質に対して電子受容性を示す物質/正孔輸送性物質と成るように含まれていることが好ましい。正孔輸送性物質とは、電子よりも正孔の輸送性が高い物質であり、例えば、4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:α-NPD、4,4’-ビス[N-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:TPD、4,4’,4’’-トリスN,N-ジフェニルアミノトリフェニルアミン略称:TDATA、4,4’,4’’-トリス[N-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン略称:MTDATA、4,4’-ビス{N-[4-N,N-ジ-m-トリルアミノフェニル]-N-フェニルアミノ}ビフェニル略称:DNTPD等の芳香族アミン化合物や、フタロシアニン略称:H2Pc、銅フタロシアニン略称:CuPc、バナジルフタロシアニン略称:VOPc等のフタロシアニン化合物等の有機化合物を用いることができる。正孔輸送性物質には、4,4’-ジN-カルバゾリルビフェニル略称:CBPのようなカルバゾール誘導体や9,10-ジ2-ナフチル-tert-ブチルアントラセン略称:t-BuDNAのような芳香族炭化水素化合物を適用することもできる。なお、正孔輸送性物質は、これらに限定されるものではない。また、正孔輸送性物質に対して電子受容性を示す物質は、例えば、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物等の金属酸化物を用いることができる。またこれら金属の窒化物であってもよいし、酸化窒化物であってもよい。なお正孔輸送性物質に対して電子受容性を示す物質は、これらに限定されるものではない。正孔輸送性物質と、その物質に対して電子受容性を示す物質とが混在した第1の層111は、共蒸着法により作製することができる。具体的に第1の層111は、抵抗加熱蒸着同士による共蒸着法、電子ビーム蒸着同士による共蒸着法、抵抗加熱蒸着と電子ビーム蒸着による共蒸着法、抵抗加熱蒸着とスパッタリング法による成膜、電子ビーム蒸着とスパッタリングによる成膜など、同種、異種方法を組み合わせて形成することができる。また、上記例は2種の材料を含む層を想定しているが、3種以上の材料を含む場合も同様に、同種、異種方法を組み合わせて形成することができる。なお第1の層111に、その他の有機化合物を含んでいてもよい。その他の有機化合物には、ルブレン等が挙げられる。ルブレンを加えることにより、信頼性を向上させることができる。この他、第1の層111は、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、コバルト酸化物、銅酸化物のような金属酸化物からなる層としてもよい。またこれら金属の窒化物であってもよいし、酸化窒化物であってもよい。但し、第1の層111は、上記のように有機化合物と金属酸化物とを有する層から形成する方が、導電性が高くなり好ましい。導電性が高いと、第1の層111を厚膜化することができる。第2の層112は、発光層を含む層である。第2の層112の層構造は、単層でも多層でも構わない。例えば、図1に示すように、第2の層112は、発光層122の他、正孔輸送層121、電子輸送層123、電子注入層124を含む多層でもよいし、または発光層122のみからなる単層であってもよい。なお、発光物質とは、発光効率が良好で、所望の発光波長の発光をし得る物質である。第2の層112は、発光物質が、発光物質の有するエネルギーギャップよりも大きいエネルギーギャップを有する物質からなる層中に、分散して含まれた層であることが好ましいが、これに限定されない。なお、エネルギーギャップとはLUMO準位とHOMO準位との間のエネルギーギャップをいう。また発光物質は、発光効率が良好で、所望の発光波長の発光をし得る物質を用いればよい。発光物質を分散状態にするために用いる物質は、例えば、9,10-ジ2-ナフチル-2-tert-ブチルアントラセン略称:t-BuDNA等のアントラセン誘導体、または4,4’-ジN-カルバゾリルビフェニル略称:CBP等のカルバゾール誘導体の他、ビス[2-2-ヒドロキシフェニルピリジナト]亜鉛略称:Znpp2、ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾオキサゾラト]亜鉛略称:ZnBOX等の金属錯体等を用いることができる。但し、発光物質を分散状態にするために用いる物質はこれらの材料に限定されない。上記のような構造であると、発光物質からの発光が、発光物質の濃度に起因して消光してしまうことを防ぐことができる。赤色系の発光を得たいときには、4-ジシアノメチレン-2-イソプロピル-6-[2-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン略称:DCJTI、4-ジシアノメチレン-2-メチル-6-[2-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン略称:DCJT、4-ジシアノメチレン-2-tert-ブチル-6-[2-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン略称:DCJTBやペリフランテン、2,5-ジシアノ-1,4-ビス[2-10-メトキシ-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-イルエテニル]ベンゼン、ビス[2,3-ビス4-フルオロフェニルキノキサリナト]イリジウムアセチルアセトナート略称:Ir[Fdpq]2acac等を用いることができる。但しこれらの材料に限定されず、600nmから680nmに発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。緑色系の発光を得たいときは、N,N’-ジメチルキナクリドン略称:DMQd、クマリン6やクマリン545T、トリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq3等を用いることができる。但しこれらの材料に限定されず、500nmから550nmに発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。青色系の発光を得たいときは、9,10-ビス2-ナフチル-tert-ブチルアントラセン略称:t-BuDNA、9,9’-ビアントリル、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPA、9,10-ビス2-ナフチルアントラセン略称:DNA、ビス2-メチル-8-キノリノラト-4-フェニルフェノラト-ガリウム略称:BGaq、ビス2-メチル-8-キノリノラト-4-フェニルフェノラト-アルミニウム略称:BAlq等を用いることができる。但しこれらの材料に限定されず、420nmから500nmに発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。第3の層113は、電子を発生する層である。このような層としては、例えば、電子輸送性物質と、その物質に対して電子供与性を示す物質とを含む層が挙げられる。なお電子輸送性物質とは、正孔よりも電子の輸送性が高い物質であり、例えば、トリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq3、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウム略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]-キノリナトベリリウム略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト-4-フェニルフェノラト-アルミニウム略称:BAlq、ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾオキサゾラト]亜鉛略称:ZnBOX2、ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾチアゾラト]亜鉛略称:ZnBTZ2等の金属錯体の他、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBD、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-tert-ブチルフェニル-4-フェニル-5-4-ビフェニリル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、3-4-tert-ブチルフェニル-4-4-エチルフェニル-5-4-ビフェニリル-1,2,4-トリアゾール略称:p-EtTAZ、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCP、4,4’-ビス5-メチル-ベンズオキサゾール-2-イルスチルベン略称:BzOS等を用いることができる。但し、電子輸送性物質はこれらに限定されない。また、電子輸送性物質に対して電子供与性を示す物質は、例えば、リチウム、セシウム等のアルカリ金属、マグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属、エルビウム、イッテルビウム等の希土類金属等を用いることができる。但し、電子輸送物質に対して電子供与性を示す物質は、これらに限定されない。なお、電子輸送性物質に対して電子供与性を示す物質は、電子輸送性物質に対して、モル比が0.5~2=電子輸送性物質に対して電子供与性を示す物質/電子輸送性物質と成るように第3の層113には含まれていることが好ましい。また、第3の層113は、酸化亜鉛、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、酸化スズ、酸化チタンのような物質からなる層であってもよい。以上のような、発光素子において、第3の層113に含まれる電子輸送性物質の電子親和力と、第2の層112に含まれる層のうち第3の層113と接する層に含まれる物質の電子親和力との差は、好ましくは2eV以下、より好ましくは1.5eV以下である。また、第3の層113がn型の半導体からなるとき、n型の半導体の仕事関数と、第2の層112に含まれる層のうち第3の層113と接する層に含まれる物質の電子親和力との差は、好ましくは2eV以下、より好ましくは1.5eV以下である。なお、第2の層112に含まれる層のうち第3の層113と接する層は、第2の層112が積層構造を有する場合、電子注入層124に相当する。また、第2の層112が発光層のみの単層構造からなる場合があったり、又は電子注入層124等を有しない場合もある。このように、第3の層113が第2の層112と第2の電極102を接合することによって、第2の電極102から第2の層112への電子の注入が容易になる。次に電極について説明する。第1の電極101と第2の電極102とは、いずれか一方が可視光を透過でき、導電性を有する物質で形成する。これによって、第1の電極101と第2の電極102のいずれか一方の電極を介して発光を外部に取り出すことができる。第1の電極101の材料は、アルミニウムAlや、インジウム錫酸化物ITO、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物以下、ITSOとも記す、2~20の酸化亜鉛を含む酸化インジウム等の透光性材料の他、金Au、白金Pt、ニッケルNi、タングステンW、クロムCr、モリブデンMo、鉄Fe、コバルトCo、銅Cu、若しくはパラジウムPd等の金属材料、又はこれらの積層構造を用いることができる。例えば、第1の電極に透光性が必要な場合、上記の金属材料を薄くし、半透明性を有するように形成し、その上に透光性材料を積層する構成がある。勿論、半透明性を有する金属材料を単層で用いてもよい。但し、第1の電極の材料は、これらに限定されない。また、第2の電極102の材料は、インジウム錫酸化物ITO、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物ITSO、2~20の酸化亜鉛を含む酸化インジウム等の透光性材料の他、金Au、白金Pt、ニッケルNi、タングステンW、クロムCr、モリブデンMo、鉄Fe、コバルトCo、銅Cu、若しくはパラジウムPd等の金属材料、又はこれらの積層構造を用いることができる。例えば、第2の電極に透光性が必要な場合、上記の金属材料を薄くし、半透明性を有するように形成し、その上に透光性材料を積層する構成がある。勿論、半透明性を有する金属材料を単層で用いてもよい。但し、第2の電極の材料はこれらに限定されない。なお、第1の電極101、又は第2の電極102は、スパッタリング法や蒸着法等を用いて形成することができる。なお、前述のように、第3の層113と発光層122との間に電子輸送層123を有することができる。このように、電子輸送層123を設けたことにより、第2の電極102や第3の層113と、発光層122との距離を長くすることができ、発光が金属に起因して消光することを防ぐことができる。なお、電子輸送層123とは、注入された電子を発光層122へ輸送する機能を有する層である。電子輸送層123の材料は、上述したAlq3、Almq3、BeBq2、BAlq、ZnBOX2、ZnBTZ2、PBD、OXD-7、TAZ、p-EtTAZ、BPhen、BCP等を用いて形成することができる。但し、電子輸送層はこれらに限定されず、正孔の移動度よりも、電子の移動度が高い電子輸送性物質を用いて形成すればよい。具体的には10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質を用いて、電子輸送層123を形成すると好ましい。また電子輸送層123は、上記に記載の物質からなる層を二以上組み合わせて形成した多層構造の層であってもよい。さらに、第2の電極102と電子輸送層123との間には、上記実施の形態に示すように、電子注入層124を有していてもよい。なお、電子注入層124とは、第2の電極102から電子輸送層123へ正孔の注入を補助する機能を有する層である。なお、第3の層113があるため、電子注入層124を不要とすることができる。すなわち、第3の層113が電子の注入を補助する機能を奏することができる。また、本実施の形態では、第1の電極101と発光層122との間には、上記実施の形態に示すように、正孔輸送層121を有することができる。このように、正孔輸送層121を設けたことにより、第1の電極101や第1の層111と、発光層122との距離を長くすることができ、発光が金属に起因して消光することを防ぐことができる。なお、正孔輸送層121とは、第1の電極101から注入された正孔を発光層122へ輸送する機能を有する層である。正孔輸送層121について、上述したα-NPD、TPD、TDATA、MTDATA、DNTPDなどを用いることができる。但し、正孔輸送層121は、これらに限定されず、前述のような電子の移動度よりも正孔の移動度が高い正孔輸送性物質を用いて形成することができる。具体的には10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質を用いて、正孔輸送層121を形成すると好ましい。また、正孔輸送層121は、上記に記載の物質からなる層を二以上組み合わせて形成した多層構造の層であってもよい。正孔輸送層121は、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物によって形成されたものを用いることができる。この他、上述したH2Pc、CuPC、VOPc等のフタロシアニン系の化合物、DNTPD等の芳香族アミン系の化合物、或いはポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸混合物PEDOT/PSS等の高分子によっても正孔輸送層121を形成することができる。また、上述した正孔輸送性物質と、その物質に対して電子受容性を示す物質とを含む層により、正孔輸送層121を形成してもよい。但し、正孔輸送層121は、これらに限定されるものではない。また、正孔輸送層121は、第1の層111によってその機能を兼ねることもできる。実施の形態7本実施の形態では、発光素子を有する画素の断面構造について、具体的に説明する。発光素子への電流の供給を制御する駆動用トランジスタがp型薄膜トランジスタTFTの場合における、画素の断面構造について、図3を用いて説明する。なお本実施の形態では、発光素子が有する第1の電極101と第2の電極102の2つの電極のうち、トランジスタによって電位を制御することができる一方の電極を陽極、他方の電極が陰極である場合について説明する。図3に、各TFT601R、601G、601Bがp型で、発光素子603から発せられる光を第2の電極102側から取り出す、いわゆる上方出射型の場合であって、各発光色RGBを有する画素の断面図を示す。図3では、発光素子603の第1の電極101と、TFT601R、601G、601Bがそれぞれ電気的に接続されている。TFT601R、601G、601Bは、厚さが10nm乃至200nmであって、島状に分離された半導体膜により、チャネル形成領域が形成されている。上記実施の形態と同様に、半導体膜は、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜、微結晶半導体膜のいずれを用いてもよい。例えば、非晶質半導体膜を形成する場合、まず非晶質半導体膜を形成し、加熱処理により結晶化された結晶性半導体膜を形成することができる。加熱処理とは、加熱炉、レーザー照射、若しくはランプアニール、又はそれらを組み合わせて用いることができる。レーザー照射を用いる場合、CWレーザーやパルスレーザーを用いることができる。その他の結晶化条件は、上記実施の形態と同様である。またさらにレーザーの入射角を、半導体膜に対してθ0°<θ<90°となるようにしてもよい。その結果、レーザー光の干渉を防止することができる。なお連続発振の基本波のレーザー光と連続発振の高調波のレーザー光とを照射するようにしてもよいし、連続発振の基本波のレーザー光とパルス発振の高調波のレーザー光とを照射するようにしてもよい。複数のレーザー光を照射することにより、エネルギーを補うことができる。またパルス発振型のレーザーであって、半導体膜がレーザー光によって溶融してから固化するまでに、次のパルスのレーザー光を照射できるような発振周波数でレーザー光を発振させることで、走査方向に向かって連続的に成長した結晶粒を得ることができる。すなわち、パルス発振の周期が、半導体膜が溶融してから完全に固化するまでの時間よりも短くなるように、発振の周波数の下限を定めたパルスビームを使用することができる。実際に用いることができるパルスビームの発振周波数は10MHz以上であって、通常用いられている数十Hz~数百Hzの周波数帯よりも著しく高い周波数帯を使用する。その他の加熱処理として、加熱炉を用いる場合、非晶質半導体膜を500~550°Cで2~20時間かけて加熱する。このとき、徐々に高温となるように温度を500~550°Cの範囲で多段階に設定するとよい。最初の低温加熱工程により、非晶質半導体膜の水素等が出てくるため、結晶化の際の膜荒れを低減する、いわゆる水素だしを行うことができる。さらに、結晶化を促進させる金属元素、例えばNiを非晶質半導体膜上に形成すると、加熱温度を低減することができ好ましい。このような金属元素を用いた結晶化であっても、600~950°Cに加熱しても構わない。但し、金属元素を形成する場合、半導体素子の電気特性に悪影響を及ぼすことが懸念されるので、該金属元素を低減又は除去するためのゲッタリング工程を施す必要が生じる。例えば、非晶質半導体膜をゲッタリングシンクとして金属元素を捕獲するよう工程を行えばよい。さらにTFT601R、601G、601Bは、該半導体膜を覆うゲート絶縁膜、第1の導電膜及び第2の導電膜が積層しているゲート電極、ゲート電極上に絶縁膜が設けられている。TFT601R、601G、601Bは、P型を有し、半導体膜は高濃度不純物領域のみを有するシングルドレイン構造とする。またTFT601R、601G、601Bは、半導体膜に低濃度不純物領域、及び高濃度不純物領域を有するLDD低濃度ドレイン構造としてもよい。TFT601R、601G、601Bは層間絶縁膜607で覆われており、層間絶縁膜607上には開口部を有する隔壁608が形成されている。隔壁608の開口部において第1の電極101が一部露出しており、該開口部において第1の電極101、各電界発光層605R、605G、605B、第2の電極102が順に積層されている。電界発光層605R、605G、605Bは、第1の層111、第2の層112、第3の層113に相当し、発光色毎に、第1の層から第3の層のいずれかの膜厚が異なっている。本実施の形態は、上方出射型であるため、第1の電極101に近い第1の層の膜厚を、各発光色で異ならせるとよい。その結果、光の取り出し効率の低下を防止できる。さらに好ましくは、第1の層に有機化合物と、金属酸化物とが混在する層を用いると、厚膜化による駆動電圧の上昇を防止できる。なお、第3の層の膜厚を、各発光色で異ならせることもできる。本実施の形態は上方出射型の場合であるため、第1の電極101は、非透光性材料、さらに好ましくは反射性の高い材料から形成する。具体的な材料は、アルミニウムAl、金Au、白金Pt、ニッケルNi、タングステンW、クロムCr、モリブデンMo、鉄Fe、コバルトCo、銅Cu、若しくはパラジウムPd等の金属材料を用いることができる。また、透光性材料であるインジウム錫酸化物ITO、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物ITSO、2~20の酸化亜鉛を含む酸化インジウムを積層した構造を用いてもよい。なお、第1の電極材料は、これらに限定されない。また、第2の電極102の材料は、透光性材料から形成し、さらに仕事関数の大きい物質で形成されていることが好ましい。具体的には、インジウム錫酸化物ITO、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物ITSO、2~20の酸化亜鉛を含む酸化インジウムを用いることができる。また非透光性材料である、金Au、白金Pt、ニッケルNi、タングステンW、クロムCr、モリブデンMo、鉄Fe、コバルトCo、銅Cu、若しくはパラジウムPd等であっても、透光性を有する程度に薄膜化して用いることができる。またこれらの材料の積層構造を用いることができる。但し、第2の電極材料はこれらに限定されない。なお、駆動用トランジスタがp型であるため、TFT601R、601G、601Bに接続される配線をそのまま第1の電極101とすることもできる。なお、第1の電極101、又は第2の電極102は、スパッタ法や蒸着法等を用いて形成することができる。層間絶縁膜607は、有機樹脂材料、無機絶縁材料またはシロキサン系絶縁物を用いて形成することができる。また層間絶縁膜607に、低誘電率材料low-k材料と呼ばれる材料を用いてもよい。隔壁608は、有機樹脂材料、無機絶縁材料またはシロキサン系絶縁物を用いて形成することができる。有機樹脂材料ならば、例えばアクリル、ポリイミド、ポリアミドなど、無機絶縁材料ならば酸化珪素、窒化酸化珪素などを用いることができる。特に感光性の有機樹脂材料を隔壁608に用いて、第1の電極101上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することで、第1の電極101と第2の電極102とが短絡してしまうのを防ぐことができる。このような画素の場合、発光素子603から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第2の電極102側から取り出すことができる。次に図4に、TFT601R、601G、601Bがp型で、発光素子603から発せられる光を第2の電極102側から取り出す、いわゆる下方出射型の場合の、各発光色RGBを有する画素の断面図を示す。図4では、発光素子603の第1の電極101と、TFT601R、601G、601Bがそれぞれ電気的に接続されている。また第1の電極101上に各電界発光層605R、605G、605B、第2の電極102が順に積層されている。TFT601R、601G、601Bは図3と同様に形成することができる。また図4は下方出射型であるため、第1の電極101は透光性を有し、第2の電極102は非透光性であって高反射性を有する。これらの材料は、図3の第1の電極及び第2の電極に関する説明を参照することができる。各電界発光層605R、605G、605Bも、図3で示した電界発光層と同様に形成することができ、RGB毎に、第1の層から第3の層のいずれかの膜厚が異なっている。図4では、下方出射型の場合を示しているため、第2の電極102に近い第3の層の膜厚を、各発光色で異ならせるとよい。その結果、光の取り出し効率の低下を防止できる。さらに好ましくは、第3の層に有機化合物と、金属酸化物とが混在する層を用いると、厚膜化による駆動電圧の上昇を防止できる。なお、第1の層の膜厚を、各発光色で異ならせることもできる。図4に示した画素の場合、発光素子613から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第2の電極102側から取り出すことができる。本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。実施の形態8本実施の形態では、発光素子への電流の供給を制御する駆動用トランジスタがn型TFTの場合における、画素の断面構造について説明する。なお本実施の形態では、第1の電極が陰極、第2の電極が陽極の場合について説明する。図5に、TFT611R、611G、611Bがn型で、発光素子613から発せられる光を第2の電極102側から取り出す場合、いわゆる上方出射型の、画素の断面図を示す。図5では、発光素子613の第1の電極101と、TFT611R、611G、611Bがそれぞれ電気的に接続されている。また第1の電極101上に各電界発光層615R、615G、615B、第2の電極102が順に積層されている。TFT611R、611G、611Bは、上記実施の形態のTFT601R、601G、601Bと同様に形成することができる。図5は上方出射型であるため、第1の電極101は、非透光性であって、更に好ましくは高反射性を有し、第2の電極102は透光性を有する材料から形成する。これら材料は、上記実施の形態を参照することができる。なお、電流の供給を制御するトランジスタがn型であるため、TFT611R、611G、611Bに接続される配線をそのまま第1の電極101とすることができる。電界発光層615R、615G、615Bは、上記実施の形態の電界発光層605R、605G、605Bと同様に形成することができる。ただし、電界発光層615が発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のいずれかを有している場合、第1の電極101が陽極であるため、第1の電極101から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の順に積層する。この電界発光層615R、615G、615Bは、第1の層111、第2の層112、第3の層113に相当し、発光色毎に、第1の層から第3の層のいずれかの膜厚が異なっている。本実施の形態は、上方出射型であるため、第1の電極101に近い第1の層の膜厚を、各発光色で異ならせるとよい。その結果、光の取り出し効率の低下を防止できる。さらに好ましくは、第1の層に有機化合物と、金属酸化物とが混在する層を用いると、厚膜化による駆動電圧の上昇を防止できる。なお、第3の層の膜厚を、各発光色で異ならせることもできる。図5に示した画素の場合、発光素子613から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第2の電極102側から取り出すことができる。次に図6に、TFT611R、611G、611Bがn型で、発光素子613から発せられる光を第1の電極101側から取り出す、いわゆる下方出射型の場合の、各発光色RGBを有する画素の断面図を示す。図6では、発光素子613の第1の電極101と、TFT611R、611G、611Bがそれぞれ電気的に接続されている。また第1の電極101上に各電界発光層615R、615G、615B、第2の電極102が順に積層されている。TFT611R、611G、611Bは、上記実施の形態と同様に形成することができる。また図6は下方出射型であるため、第1の電極101は透光性を有し、第2の電極102は非透光性であって高反射性を有する。これら材料は、上記実施の形態を参照することができる。各電界発光層615R、615G、615Bも、上記実施の形態と同様に形成することができ、RGB毎に、第1の層から第3の層のいずれかの膜厚が異なっている。ただし、電界発光層615が発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のいずれかを有している場合、第1の電極101が陽極であるため、第1の電極101から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の順に積層する。図6では、下方出射型の場合を示しているため、第2の電極102に近い第3の層の膜厚を、各発光色で異ならせるとよい。その結果、光の取り出し効率の低下を防止できる。さらに好ましくは、第3の層に有機化合物と、金属酸化物とが混在する層を用いると、厚膜化による駆動電圧の上昇を防止できる。なお、第1の層の膜厚を、各発光色で異ならせることもできる。図6に示した画素の場合、発光素子613から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第1の電極101側から取り出すことができる。本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。実施の形態9本実施の形態では、発光素子を有する画素の等価回路図について、図7を用いて説明する。図7Aは、画素の等価回路図の一例を示したものであり、信号線6114、電源線6115、走査線6116、信号線6114、電源線6115、走査線6116の交差部に、発光素子6113、トランジスタ6110、6111、容量素子6112を有する。信号線6114には信号線駆動回路によって映像信号が入力される。トランジスタ6110は、走査線6116に入力される選択信号に従って、トランジスタ6111のゲートへの、該映像信号の供給を制御することができる。トランジスタ6111は、該映像信号の電位に従って、発光素子6113への電流の供給を制御することができる駆動用トランジスタである。容量素子6112は、トランジスタ6111のゲートソース間の電圧を保持することができる。なお、図7Aでは、容量素子6112を図示したが、トランジスタ6111のゲート容量や他の寄生容量で賄うことが可能な場合には、設けなくてもよい。図7Bは、図7Aに示した画素に、トランジスタ6118と走査線6119を新たに設けた画素の等価回路図である。トランジスタ6118により、トランジスタ6111のゲートとソースを同電位とし、強制的に発光素子6113に電流が流れない状態を作ることができるため、全ての画素に映像信号が入力される期間よりも、サブフレーム期間の長さを短くすることができる。また駆動方法によって、図7Aに示す画素であっても、強制的に発光素子6113に電流が流れない状態を作ることができる。図7Cは、図7Bに示した画素に、新たにトランジスタ6125と、配線6126を設けた画素の等価回路図である。トランジスタ6125は、そのゲートの電位が、配線6126によって固定されている。そして、トランジスタ6111とトランジスタ6125は、電源線6115と発光素子6113との間に直列に接続されている。よって図7Cでは、トランジスタ6125により発光素子6113に供給される電流の値が制御され、トランジスタ6111により発光素子6113への該電流の供給の有無が制御できる。なお、本発明の画素回路は、本実施の形態で示した構成に限定されない。また本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。実施の形態10本発明の発光装置を備えた電子機器として、テレビジョン装置単にテレビ、又はテレビジョン受信機ともよぶ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯電話装置単に携帯電話機、携帯電話ともよぶ、PDA等の携帯情報端末、携帯型ゲーム機、コンピュータ用のモニター、コンピュータ、カーオーディオ等の音響再生装置、家庭用ゲーム機等の記録媒体を備えた画像再生装置等が挙げられる。その具体例について、図8を参照して説明する。図8Aに示す携帯情報端末機器は、本体9201、表示部9202等を含んでいる。表示部9202は、本発明の発光装置を適用することができる。その結果、光取り出し効率が最大となり、低消費電力化が達成された携帯情報端末機器を提供することができる。図8Bに示すデジタルビデオカメラは、表示部9701、表示部9702等を含んでいる。表示部9701、9702には本発明の発光装置を適用することができる。その結果、光取り出し効率が最大となり、低消費電力化が達成されたデジタルビデオカメラを提供することができる。図8Cに示す携帯電話機は、本体9101、表示部9102等を含んでいる。表示部9102には、本発明の発光装置適用することができる。その結果、光取り出し効率が最大となり、低消費電力化が達成された携帯電話機を提供することができる。図8Dに示す携帯型のテレビジョン装置は、本体9301、表示部9302等を含んでいる。表示部9302には、本発明の発光装置を適用することができる。その結果、光取り出し効率が最大となり、低消費電力化が達成された携帯型のテレビジョン装置を提供することができる。またテレビジョン装置としては、携帯電話機などの携帯端末に搭載する小型のものから、持ち運びをすることができる中型のもの、また、大型のもの例えば40インチ以上まで、幅広いものに、本発明の発光装置を適用することができる。図8Eに示す携帯型のコンピュータは、本体9401、表示部9402等を含んでいる。表示部9402には、本発明の発光装置を適用することができる。その結果、光取り出し効率が最大となり、低消費電力化が達成された携帯型のコンピュータを提供することができる。図8Fに示すテレビジョン装置は、本体9501、表示部9502等を含んでいる。表示部9502には、本発明の発光装置を適用することができる。その結果、光取り出し効率が最大となり、低消費電力化が達成されたテレビジョン装置を提供することができる。このように、本発明の発光装置により、光取り出し効率が最大となり、低消費電力化が達成された電子機器を提供することができる。本実施例では、各発光色を発する素子の発光強度を多重干渉数値計算から求めた結果を示す。まず図14には、各発光色において同様となる第2の層、つまり発光層をガラス基板に蒸着し、紫外光を使って励起し、発光スペクトルを測定したフォトルミネッセンススペクトルの結果を示す。なお、図14において、各発光強度は規格化されている。次いで図13には、発光強度を多重干渉数値計算から求めた結果を示す。図13及ぶ図14における赤色系を発光する素子の構造は、Al\ITSO\α-NPD:モリブデン酸化物:ルブレン\α-NPD\Alq3Ir[Fdpq]2acac\Alq3\BzOS:Li\ITSOであり、図13におけるそれぞれの膜厚は100\10\20\10\40\20\20\20\110単位はすべてnmである。なお:は、複数の材料を抵抗加熱蒸着同士による共蒸着法により形成し、各物質が混在した層になっていることを示し、\は各層が積層していることを示し、左から順に積層した構造となり、以下同様である。この素子構造において、第1の電極101にはAl及びITSOが相当し、第1の層111にはα-NPD:モリブデン酸化物:ルブレン及びα-NPDが相当し、第2の層112にはAlq3Ir[Fdpq]2acacが相当し、第3の層113にはAlq3及びBzOS:Liが相当し、第2の電極102にはITSOが相当する。なおこれら素子構造において、AlやITSOはスパッタリング法により作製し、その他の層は蒸着法により作製した。また図13及ぶ図14における緑色系を発光する素子の構造は、Al\ITSO\α-NPD:モリブデン酸化物:ルブレン\α-NPD\Alq3DMQd\Alq3\BzOS:Li\ITSOであり、図13におけるそれぞれの膜厚は100\10\120\10\40\20\20\110単位はすべてnmである。なおこれら素子構造において、AlやITSOはスパッタリング法により作製し、その他の層は蒸着法により作製した。この素子構造において、第1の電極101にはAl及びITSOが相当し、第1の層111にはα-NPD:モリブデン酸化物:ルブレン及びα-NPDが相当し、第2の層112にはAlq3DMQdが相当し、第3の層113にはAlq3及びBzOS:Liが相当し、第2の電極102にはITSOが相当する。また図13及ぶ図14における青色系を発光する素子の構造は、Al\ITSO\α―NPD:モリブデン酸化物:ルブレン\α-NPD\tBuDNA\Alq3\BzOS:Li\ITSOであり、図13におけるそれぞれの膜厚は100\10\220\10\40\20\20\110単位はすべてnmである。なおこれら素子構造において、AlやITSOはスパッタリング法により作製し、その他の層は蒸着法により作製した。この素子構造において、第1の電極101にはAl及びITSOが相当し、第1の層111にはα-NPD:モリブデン酸化物:ルブレン及びα-NPDが相当し、第2の層112にはtBuDNAが相当し、第3の層113にはAlq3及びBzOS:Liが相当し、第2の電極102にはITSOが相当する。これら素子構造は、上方出射型であり、図13では第1の電極101に近い層である、α-NPD:モリブデン酸化物:ルブレンの膜厚が、各発光色を発する素子で異なっていることを特徴とする。図13では、図14と比べると、各発光色の素子の発光強度が高くなっていることがわかる。すなわち、α―NPD:モリブデン酸化物:ルブレンの膜厚を異ならせたことにより、発光強度を高めることができた。その結果、各発光色の素子からの光を効率よく取り出すことができる。上記実施例1では、α―NPD:モリブデン酸化物:ルブレンの膜厚が厚くなっていることは、本発明の特徴との一つである。そこで本実施例では、発光素子の膜厚と駆動電圧の関係について説明する。図9には、ITO\CuPc20nm\α-NPBXnm\Alq3:DMQd37.5nm\Alq337.5nm\フッ化カルシウムCaF21nm\Al200nmを有する素子構造において、α-NPBの膜厚をX=60nm試料1、80nm試料2、100nm試料3、120nm試料4、140nm試料5、160nm試料6としたときの電流密度mA/cm2対電圧V特性のグラフを示す。また表1には、上記電流密度mA/cm2対電圧V特性の結果を示す。図9より、α-NPBの膜厚が増すにつれ、電圧が高くなっていくことがわかる。従って、所定の電流密度を得るための、駆動電圧も、α-NPBの膜厚が増すにつれて、高くなってしまう。また図10には、ITO\モリブデン酸化物Xnm\CuPc20nm\α-NPB40nm\Alq3:DMQd37.5nm\Alq337.5nm\フッ化カルシウムCaF21nm\Al200nmを有する素子構造において、モリブデン酸化物の膜厚をX=20nm試料7、50nm試料8、100nm試料9としたときの電流密度mA/cm2対電圧V特性のグラフ示す。また表2には、上記電流密度mA/cm2対電圧V特性の結果を示す。図10より、モリブデン酸化物の膜厚が増すにつれ、電圧が高くなっていくことがわかる。従って、所定の電流密度を得るための駆動電圧も、モリブデン酸化物の膜厚が増すにつれて、高くなってしまう。このように発光素子の膜厚を厚くすると、駆動電圧が高くなることがわかる。しかし本発明者らは、有機化合物と、無機化合物である金属酸化物とを有する層を形成すると、膜厚が増しても駆動電圧が高くならないことを見出した。図11には、有機化合物にDNTPDを用い、金属酸化物にモリブデン酸化物を用い、抵抗加熱蒸着同士による共蒸着法により、これらが混在した層を形成した素子構造の電流密度mA/cm2対電圧V特性のグラフを示す。なお具体的な素子構造は、ITSO\DNTPD:モリブデン酸化物:ルブレンXnm\α-NPB10nm\Alq3:クマリン637.5nm\Alq337.5nm\LiF1nm\Al200nmであって、DNTPD:モリブデン酸化物:ルブレンXnmの膜厚をX=40nm試料10、80nm試料11、120nm試料12、160nm試料13としている。なおルブレンを共蒸着することにより、信頼性を高めることができる。また表3には、上記電流密度mA/cm2対電圧V特性の結果を示す。図11より、DNTPD:モリブデン酸化物:ルブレンXnmの膜厚が増しても、電圧が高くならず、程一定値を維持していることがわかる。さらに図11に示す素子では、電圧自体が低下していることがわかる。なお図9から図11では、有機化合物と、金属酸化物とを有する層の膜厚と、駆動電圧との関係を見出すための実験であるため、実施例1の素子構造とは異なっている。しかし、上記実施例の素子であっても、α-NPD:モリブデン酸化物:ルブレンの膜厚を厚くしても、駆動電圧を高くする必要がないことがわかる。このように膜厚を厚くしても、駆動電圧を高める必要がない発光素子を用いた発光装置は、低消費電力化を図ることができる。またさらに、α-NPD:モリブデン酸化物:ルブレンの膜厚を厚くすることにより、第1の電極と第2の電極との短絡を防止することができる。その結果、本発明の素子構造を有する発光装置は、量産性を高めることができる。本実施例では、金属酸化物としてモリブデン酸化物、正孔輸送性の高い有機化合物であるα-NPD、及びモリブデン酸化物:α-NPDの特性を調べた。これらの膜はそれぞれ蒸着法により作製し、モリブデン酸化物:α-NPDは抵抗加熱蒸着同士による共蒸着法により作製した。表4に示すように、モリブデン酸化物及びα-NPDと比較して、その両者を混在したモリブデン酸化物:α-NPDのイオン化ポテンシャルは約0.1~0.2eV小さくなっている。すなわちホール注入性が向上していることが分かる。図12には、これらの膜の吸収スペクトルを示す。モリブデン酸化物:α-NPDOMOxと表記するでは、モリブデン酸化物のみの場合より吸収が低下している。このことより、モリブデン酸化物に比べ、モリブデン酸化物:α-NPDを用いて発光素子を形成した方が、光の吸収損失を低減することができるとわかる。また、図12をみると、モリブデン酸化物及びα-NPDは可視光領域に特徴的なピークを有しないが、モリブデン酸化物:α-NPDは、500nm付近に新しい吸収ピークが現れている。これは、モリブデン酸化物とα-NPDの間で電荷移動錯体が形成されるためであると考えられる。モリブデン酸化物はアクセプターであり、α-NPDはドナーである。電荷移動錯体が形成されたことにより、導電性が高くなり、実施例2で述べたような駆動電圧の上昇を防ぐ効果が得られる。なお、α-NPDだけでなくDNTPDのようなアミン系の化合物は、ドナーとして機能することを確認している。CBPのようなカルバゾール誘導体やt-BuDNAのような芳香族炭化水素化合物を適用することもできる。このような実験結果により、有機化合物と、特定の無機化合物とを混在させることで、それぞれの単体では得られない相乗効果を発現させることができる。無機化合物として金属酸化物であるモリブデン酸化物を用いると好ましいことがわかった。"