レーザ光を出射する半導体レーザと、上記レーザ光を集光して多光子吸収材料を含む媒体に照射する光照射部と、上記半導体レーザに対し、当該半導体レーザに緩和振動を生じさせる振動電流値でなりパルス状のレーザ駆動電流波を、当該レーザ駆動電流波を供給し始めてから上記レーザ光が出射されるまでの発光開始時間及び上記緩和振動の振動周期の1周期を加算した初振動時間以下に渡って供給するレーザ制御部とを有するレーザ光照射装置。上記レーザ制御部は、上記振動電流値を変化させることにより、上記レーザ光の出射光強度を増減させる請求項1に記載のレーザ光照射装置。上記レーザ制御部は、上記振動電流値の増減に伴って、上記レーザ駆動電流波の供給を開始する電流波供給開始時刻を変化させる請求項2に記載のレーザ光照射装置。上記レーザ制御部は、上記振動電流値でなるレーザ駆動電流波の供給を開始してから終了するまでの電流波供給時間を変化させることにより上記レーザ光の出射光強度を増減させる請求項1に記載のレーザ光照射装置。上記光照射部は、上記レーザ光の光量に対して非線形吸収を示す材料を含有してなる上記媒体に対し、上記レーザ光を照射する請求項1に記載のレーザ光照射装置。上記非線形吸収を示す材料は、上記レーザ光における2つの光子を同時に吸収する2光子吸収材料である請求項5に記載のレーザ光照射装置。上記光照射部は、上記レーザ光の照射に応じて空洞を形成することにより、上記レーザ光の焦点近傍に屈折率変調を生じさせる請求項6に記載のレーザ光照射装置。半導体レーザに対し、当該半導体レーザに緩和振動を生じさせる振動電流値でなりパルス状のレーザ駆動電流波を、当該レーザ駆動電流波を供給し始めてから上記レーザ光が出射されるまでの発光開始時間及び上記緩和振動の振動周期の1周期を加算した初振動時間以下に渡って供給するレーザ駆動電流波供給ステップと、上記緩和振動によるレーザ光を多光子吸収材料を含む媒体に照射する照射ステップとを有するレーザ光照射方法。ところで、この2光子吸収反応は、光強度の大きい光に応じてのみ生じる現象であるため、光源として出射光強度の大きい光源を用いる必要がある。この光源としては、レーザ光を短パルス出力するいわゆるピコ秒レーザやフェムト秒レーザなどの短パルス出力光源があり、例えばチタンサファイヤレーザやYAGレーザなどが知られている。ところがこの短パルス出力光源では、光発生器の外部に設けられた光学部品の作用より短パルス出力を実現している。このため短パルス出力光源は、一般的にサイズが大きく、また価格も高価であるため、光ディスク装置に搭載することは非現実的である。また汎用性及びコストの観点から、光源として光ディスク装置において一般的に使用される小型の半導体レーザが用いられることが好ましい。しかしながら、かかる半導体レーザを光源として用いるためには、出射光強度を増大させなくてはならないという問題があった。本発明は以上の点を考慮してなされたもので、半導体レーザの出射光強度を増大させ得るレーザ光照射装置及びレーザ光照射方法を提供しようとするものである。かかる課題を解決するため本発明のレーザ光照射装置においては、レーザ光を出射する半導体レーザと、レーザ光を集光して多光子吸収材料を含む媒体に照射する光照射部と、半導体レーザに対し、当該半導体レーザに緩和振動を生じさせる振動電流値でなりパルス状のレーザ駆動電流波を、当該レーザ駆動電流波を供給し始めてから上記レーザ光が出射されるまでの発光開始時間及び上記緩和振動の振動周期の1周期を加算した初振動時間以下に渡って供給するレーザ制御部とを設けるようにした。これにより本発明では、半導体レーザに緩和振動を生じさせることができ、出射光強度の大きいパルス状のレーザ光を媒体に照射することができる。また本発明のレーザ光照射方法においては、半導体レーザに対し、当該半導体レーザに緩和振動を生じさせる振動電流値でなりパルス状のレーザ駆動電流波を、当該レーザ駆動電流波を供給し始めてから上記レーザ光が出射されるまでの発光開始時間及び上記緩和振動の振動周期の1周期を加算した初振動時間以下に渡って供給するレーザ駆動電流波供給ステップと、緩和振動によるレーザ光を多光子吸収材料を含む媒体に照射する照射ステップとを設けるようにした。これにより本発明では、半導体レーザに緩和振動を生じさせることができ、出射光強度の大きいパルス状のレーザ光を媒体に照射することができる。本発明によれば、半導体レーザに緩和振動を生じさせることができ、出射光強度の大きいパルス状のレーザ光を媒体に照射することができ、かくして半導体レーザの出射光強度を増大させ得るレーザ光照射装置及びレーザ光照射方法を実現できる。以下、図面について、本発明の一実施の形態を詳述する。1第1の実施の形態1-1光ディスクの構成まず光ディスクの構成について説明する。本実施の形態では、光ディスク装置10から光ディスク100へ情報光ビームLMを照射することにより光ディスク100に情報を記録し、また当該情報光ビームLMが反射されてなる情報反射光ビームLMrを検出することにより当該光ディスク100から情報を読み出すようになされている。実際上光ディスク100は、全体として略円板状に構成され、中心にチャッキング用の孔部100Hが設けられている。また光ディスク100は、図1に断面図を示すように、情報を記録するための記録層101の両面を基板102及び103により挟んだような構成を有している。光ディスク装置10は、所定の光源から出射された情報光ビームLMを対物レンズ18により光ディスク100の記録層101内に集光する。この情報光ビームLMが比較的強い記録用の強度であった場合、記録層101内における焦点FMの位置には、記録マークRMが形成される。また光ディスク100は、さらに記録層101と基板102との間にサーボ層104が設けられている。サーボ層104には、サーボ用の案内溝が形成されており、具体的には、一般的なBDBlurayDisc、登録商標-RRecordableディスク等と同様のランド及びグルーブにより螺旋状のトラック以下、これをサーボトラックと呼ぶSTRを形成している。このサーボトラックSTRには、所定の記録単位ごとに一連の番号でなるアドレスが付されており、情報を記録又は再生する際にサーボ光ビームLSが照射されるべきサーボトラック以下、これを目標サーボトラックTSGと呼ぶを当該アドレスにより特定し得るようになされている。なおサーボ層104すなわち記録層101と基板102との境界面には、案内溝に代えてピット等が形成され、或いは案内溝とピット等とが組み合わされていても良い。またサーボ層104のトラックは、螺旋状でなく同心円状であっても良い。またサーボ層104は、例えば波長約660[nm]の赤色光ビームを高い反射率で反射する一方、波長約405[nm]の青紫色光ビームを高透過率で透過するようになされている。光ディスク装置10は、光ディスク100に対して波長約660[nm]でなるサーボ光ビームLSを照射する。このときサーボ光ビームLSは、光ディスク100のサーボ層104により反射されサーボ反射光ビームLSrとなる。光ディスク装置10は、サーボ反射光ビームLSrを受光し、その受光結果を基に対物レンズ40を光ディスク100に近接又は離隔させるフォーカス方向へ位置制御することにより、サーボ光ビームLSの焦点FSをサーボ層104に合わせるようになされている。このとき光ディスク装置10は、サーボ光ビームLSと情報光ビームLMとの光軸XLを互いにほぼ一致させている。これにより光ディスク装置10は、情報光ビームLMの焦点FMを、記録層101内における目標サーボトラックTSGに対応した箇所に、すなわち目標サーボトラックTSGを通りサーボ層104に垂直な法線上に位置させる。記録層101は、405[nm]の光を2光子吸収する2光子吸収材料を含有している。この2光子吸収材料は、光強度の2乗に比例して2光子吸収を生じさせることが知られており、光強度の非常に大きい光に対してのみ2光子吸収を生じさせる。なおこの2光子吸収材料としては、ヘキサジイン化合物、シアニン色素、メロシアニン色素、オキソノール色素、フタロシアニン色素及びアゾ色素などを用いることができる。記録層101は、比較的強い強度でなる情報光ビームLMが当該記録層101内に照射されると、2光子吸収により例えば2光子吸収材料を気化させて気泡を形成することにより、焦点FMの位置に記録マークRMを記録する。なお記録層101は、例えば化学変化などによって局所的な屈折率を変化させることにより記録マークRMを形成するようにしても良い。またこのようにして形成された記録マークRMは、光ディスク100の第1面100A及びサーボ層104等の各面とほぼ平行な平面状に配置され、当該記録マークRMによるマーク層Yを形成する。因みに記録層101は、所定のマーク長の整数倍でなる複数種類の長さ例えば2T~11Tのマーク長でなる記録マークRMを形成するようになされている。一方、光ディスク装置10は、光ディスク100から情報を再生する際、例えば第1面100A側から目標位置PGに対して情報光ビームLMを集光する。ここで焦点FMの位置すなわち目標位置PGに記録マークRMが形成されている場合、当該情報光ビームLMが記録マークRMによって反射され、当該記録マークRMから情報反射光ビームLMrが出射される。光ディスク装置10は、情報反射光ビームLMrの検出結果に応じた検出信号を生成し、当該検出信号を基に記録マークRMが形成されているか否かを検出する。このように本実施の形態では、光ディスク装置10により光ディスク100に対して情報を記録及び再生する場合、サーボ光ビームLSを併用しながら情報光ビームLMを目標位置PGに照射することにより、所望の情報を記録及び再生するようになされている。1-2光ディスク装置1-2-1光ディスク装置の構成次に、具体的な光ディスク装置10の構成について説明する。図2に示すように、光ディスク装置10は制御部11を中心に構成されている。制御部11は、図示しないCPUと、各種プログラム等が格納されるROMと、当該CPUのワークメモリとして用いられるRAMとによって構成されている。制御部11は、光ディスク100に情報を記録する場合、駆動制御部12を介してスピンドルモータ15を回転駆動させ、ターンテーブル図示せずに載置された光ディスク100を所望の速度で回転させる。また制御部11は、駆動制御部12を介してスレッドモータ16を駆動させることにより、光ピックアップ17を移動軸G1及びG2に沿ってトラッキング方向、すなわち光ディスク100の内周側又は外周側へ向かう方向へ大きく移動させるようになされている。光ピックアップ17は、対物レンズ18等の複数の光学部品が取り付けられており、制御部11の制御に基づいて光ディスク100へ情報光ビームLM及びサーボ光ビームLSを照射し、サーボ光ビームLSが反射されてなるサーボ反射光ビームLSrを検出するようになされている。光ピックアップ17は、サーボ反射光ビームLSrの検出結果に基づいた複数の検出信号を生成し、これらを信号処理部13へ供給する。信号処理部13は、供給された検出信号を用いた所定の演算処理を行うことにより、フォーカスエラー信号SFE及びトラッキングエラー信号STEをそれぞれ生成し、これらを駆動制御部12へ供給する。なおフォーカスエラー信号SFEは、サーボ光ビームLSのサーボ層104に対するフォーカス方向のずれ量を表す信号である。またトラッキングエラー信号STEは、サーボ光ビームLSの目標とするサーボトラックSTR以下、これを目標サーボトラックSTGと呼ぶに対するトラッキング方向のずれ量を表す信号である。駆動制御部12は、供給されたフォーカスエラー信号SFE及びトラッキングエラー信号STEを基に、対物レンズ18を駆動するためのフォーカス駆動信号及びトラッキング駆動信号を生成し、これを光ピックアップ17の2軸アクチュエータ19へ供給する。光ピックアップ17の2軸アクチュエータ19は、このフォーカス駆動信号及びトラッキング駆動信号に基づいて対物レンズ18のフォーカス制御及びトラッキング制御を行い、当該対物レンズ18により集光されるサーボ光ビームLSの焦点FSを目標となるマーク層Y以下、これを目標マーク層YGと呼ぶの目標サーボトラックSTGに追従させる。このとき制御部11は、外部から供給される情報に基づき、情報光ビームLMの強度をレーザ制御部20によって変調することにより目標マーク層YGの目標トラックTGに記録マークRMを形成し、当該情報を記録し得るようになされている。また光ピックアップ17は、光ディスク100から情報を再生する場合、記録時と同様にサーボ光ビームLSの焦点FSを目標サーボトラックSTGに追従させると共に、比較的弱いほぼ一定強度の情報光ビームLMを目標マーク層YGの目標トラックTGへ照射し、記録マークRMが形成されている箇所において当該情報光ビームLMが反射されてなる情報反射光ビームLMrを検出する。光ピックアップ17は、情報反射光ビームLMrの検出結果に基づいた検出信号を生成し、これを信号処理部13へ供給する。信号処理部13は、検出信号に対し所定の演算処理、復調処理及び復号化処理等を施すことにより、目標マーク層YGの目標トラックTGに記録マークRMとして記録されている情報を再生し得るようになされている。1-2-2光ピックアップの構成次に、光ピックアップ17の構成について説明する。この光ピックアップ17では、図3に示すように、サーボ制御のためのサーボ光学系30と、情報の再生又は記録のための情報光学系50を有している。光ピックアップ17は、レーザダイオード31から出射したサーボ光としてのサーボ光ビームLS及び半導体レーザ51から出射した情報光ビームLMをそれぞれサーボ光学系30及び情報光学系50を介して同一の対物レンズ18へ入射し、光ディスク100にそれぞれ照射するようになされている。1-2-2-1サーボ光ビームの光路図4に示すように、サーボ光学系30では、対物レンズ18を介してサーボ光ビームLSを光ディスク100に照射すると共に、当該光ディスク100によって反射されてなるサーボ反射光ビームLSrをフォトディテクタ43で受光するようになされている。すなわちレーザダイオード31は、制御部11図2の制御に基づいて発散光でなる所定光量のサーボ光ビームLSを発射し、コリメータレンズ33へ入射させる。コリメータレンズ33は、サーボ光ビームLSを発散光から平行光に変換し、偏光ビームスプリッタ34へ入射させる。偏光ビームスプリッタ34は、P偏光でなるサーボ光ビームLSのほぼ全てをその偏光方向により透過させ、1/4波長板36へ入射する。1/4波長板36は、P偏光でなるサーボ光ビームLSを円偏光に変換し、ダイクロイックプリズム37へ入射する。ダイクロイックプリズム37は、反射透過面37Sによって光ビームの波長に応じてサーボ光ビームLSを反射して対物レンズ18へ入射する。対物レンズ18は、サーボ光ビームLSを集光し、光ディスク100のサーボ層104へ向けて照射する。このときサーボ光ビームLSは、図1に示したように、基板102を透過しサーボ層104において反射されて、サーボ光ビームLSと反対方向へ向かうサーボ反射光ビームLSrとなる。この後、サーボ反射光ビームLSrは、対物レンズ18によって平行光に変換された後、ダイクロイックプリズム37へ入射される。ダイクロイックプリズム37は、サーボ反射光ビームLSrを波長に応じて反射し、これを1/4波長板36へ入射する。1/4波長板36は、円偏光でなるサーボ反射光ビームLSrをS偏光に変換し、偏光ビームスプリッタ34へ入射する。偏光ビームスプリッタ34は、S偏光でなるサーボ反射光ビームLSrを反射させ、集光レンズ41へ入射する。集光レンズ41は、サーボ反射光ビームLSrを収束させ、シリンドリカルレンズ42により非点収差を持たせた上で当該サーボ反射光ビームLSrをフォトディテクタ43へ照射する。ところで光ディスク装置10では、回転する光ディスク100における面ブレ等が発生する可能性があるため、対物レンズ18に対する目標サーボトラックTSGの相対的な位置が変動する可能性がある。このため、サーボ光ビームLSの焦点FS図1を目標サーボトラックTSGに追従させるには、当該焦点FSを光ディスク100に対する近接方向又は離隔方向であるフォーカス方向及び光ディスク100の内周側又は外周側であるトラッキング方向へ移動させる必要がある。そこで対物レンズ18は、2軸アクチュエータ19により、フォーカス方向及びトラッキング方向の2軸方向へ駆動され得るようになされている。またサーボ光学系30では、対物レンズ18によりサーボ光ビームLSが集光され光ディスク100のサーボ層104へ照射されるときの合焦状態が、集光レンズ41によりサーボ反射光ビームLSrが集光されフォトディテクタ43に照射されるときの合焦状態に反映されるよう、各種光学部品の光学的位置が調整されている。フォトディテクタ43は、サーボ反射光ビームLSrの光量に応じた検出信号を生成し、信号処理部13図2へ送出する。すなわちフォトディテクタ43は、サーボ反射光ビームLSrを受光するための複数の検出領域図示せずが設けられている。フォトディテクタ43は、当該複数の検出領域によりサーボ反射光ビームLSrの一部をそれぞれ検出し、このとき検出した光量に応じて検出信号をそれぞれ生成して、これらを信号処理部13図2へ送出する。信号処理部13は、いわゆる非点収差法によるフォーカス制御を行うようになされており、サーボ光ビームLSの焦点FSと光ディスク100のサーボ層104とのずれ量を表すフォーカスエラー信号SFEを算出し、これを駆動制御部12へ供給する。また信号処理部13は、フォーカスエラー信号SFE及び焦点FSと光ディスク100のサーボ層104における目標サーボトラックTSGとのずれ量を表すトラッキングエラー信号STEを算出し、これを駆動制御部12へ供給する。駆動制御部12は、フォーカスエラー信号SFEを基にフォーカス駆動信号を生成し、当該フォーカス駆動信号を2軸アクチュエータ19へ供給することにより、サーボ光ビームLSが光ディスク100のサーボ層104に合焦するよう、対物レンズ18をフィードバック制御すなわちフォーカス制御する。また駆動制御部12は、いわゆるプッシュプル法によって生成されたトラッキングエラー信号を基にトラッキング駆動信号を生成し、当該トラッキング駆動信号を2軸アクチュエータ19へ供給する。これにより駆動制御部12は、サーボ光ビームLSが光ディスク100のサーボ層104における目標サーボトラックTSGに合焦するよう、対物レンズ18をフィードバック制御すなわちトラッキング制御する。このようにサーボ光学系30は、サーボ光ビームLSを光ディスク100のサーボ層104に照射し、その反射光であるサーボ反射光ビームLSrの受光結果を信号処理部13へ供給するようになされている。これに応じて駆動制御部12は、当該サーボ光ビームLSを当該サーボ層104の目標サーボトラックTSGに合焦させるよう、対物レンズ18のフォーカス制御及びトラッキング制御を行うようになされている。1-2-2-2情報光ビームの光路一方情報光学系50では、図3と対応する図5に示すように、対物レンズ18を介して半導体レーザ51から出射した情報光ビームLMを光ディスク100に照射すると共に、当該光ディスク100に反射されてなる情報反射光ビームLMrをフォトディテクタ62で受光するようになされている。すなわち半導体レーザ51は、制御部11図2の制御に基づいて発散光でなる所定光量の情報光ビームLMを発射し、コリメータレンズ52へ入射する。コリメータレンズ52は、情報光ビームLMを発散光から平行光に変換し、偏光ビームスプリッタ54へ入射する。偏光ビームスプリッタ54は、P偏光でなる情報光ビームLMをその偏光方向により透過させ、球面収差などを補正するLCPLiquidCrystalPanel56を介して1/4波長板57へ入射する。1/4波長板57は、情報光ビームLMをP偏光から円偏光に変換してリレーレンズ58へ入射する。リレーレンズ58は、可動レンズ58Aにより情報光ビームLMを平行光から収束光に変換し、収束後に発散光となった当該情報光ビームLMを固定レンズ58Bにより再度収束光に変換し、ミラー59へ入射させる。ミラー59は、情報光ビームLMを反射することによりその進行方向を偏向させ、ダイクロイックプリズム37へ入射する。ダイクロイックプリズム37は、反射透過面37Sにより当該情報光ビームLMを透過させ、これを対物レンズ18へ入射する。対物レンズ18は、情報光ビームLMを集光し、光ディスク100へ照射する。このとき情報光ビームLMは、図1に示したように、基板102を透過し、記録層101内に合焦する。ここで当該情報光ビームLMの焦点FMの位置は、リレーレンズ58の固定レンズ58Bから出射される際の収束状態により定められることになる。すなわち焦点FMは、可動レンズ58Aの位置に応じて記録層101内をフォーカス方向に移動することになる。実際上、情報光学系50は、制御部11図2により可動レンズ58Aの位置が制御されることにより、光ディスク100の記録層101内における情報光ビームLMの焦点FM図1の深さdすなわちサーボ層104からの距離を調整し、目標位置PGに焦点FMを合致させるようになされている。このように情報光学系50は、サーボ光学系30によるサーボ制御された対物レンズ18を介して情報光ビームLMを照射することにより、情報光ビームLMの焦点FMのトラッキング方向を目標位置PGに合致させるようになされている。そして情報光ビームLMは、対物レンズ18によって焦点FMに集光され、目標位置PGに対して記録マークRMを形成し得るようになされている。一方情報光ビームLMは、光ディスク100に記録された情報を読み出す再生処理の際、目標位置PGに記録マークRMが記録されていた場合には、焦点FMに集光した情報光ビームLMが当該記録マークRMによって情報反射光ビームLMrとして反射され、対物レンズ18へ入射される。他方情報光ビームLMは、目標位置PGに記録マークRMが記録されていない場合には、光ディスク100を透過するため、情報反射光ビームLMrが生成されない。対物レンズ18は、情報反射光ビームLMrをある程度収束させ、ダイクロイックプリズム37、ミラー59を介してリレーレンズ58へ入射する。リレーレンズ58は、情報反射光ビームLMrを平行光に変換し、1/4波長板57へ入射する。1/4波長板57は、円偏光でなる情報反射光ビームLMrをS偏光に変換し、LCP56を介して偏光ビームスプリッタ54に入射する。偏光ビームスプリッタ54は、S偏光でなる情報反射光ビームLMrを偏光面54Sによって反射し、マルチレンズ60へ入射させる。マルチレンズ60は、情報反射光ビームLMrを集光し、ピンホール板61を介してフォトディテクタ62へ照射させる。ピンホール板61は、マルチレンズ60により集光される情報反射光ビームLMrの焦点を孔部図示せず内に位置させるよう配置されており、当該情報反射光ビームLMrをそのまま通過させる。この結果、フォトディテク62は、迷光の影響を受けることなく、情報反射光ビームLMrの光量に応じた検出信号SDbを生成し、これを信号処理部13図2へ供給する。信号処理部13は、再生検出信号SDbに対して所定の復調処理や復号化処理等を施すことにより再生情報を生成し、この再生情報を制御部11へ供給するようになされている。このように情報光学系50は、光ディスク100から対物レンズ18へ入射される情報反射光ビームLMrを受光し、その受光結果を信号処理部13へ供給するようになされている。1-3レーザの特性次式にレーザの特性を表すいわゆるレート方程式を示している。なお、Γは閉込め係数、τphは光子寿命、τsはキャリア寿命、Csは自然放出結合係数、dは活性層厚、qは電荷素量、gmaxは最大利得、Nはキャリア密度、Sは光子密度、Jは注入キャリア密度、cは光速、N0は透明化キャリア密度、ngは群屈折率を示している。図6及び図7に、1式から導かれるキャリア密度Nと注入キャリア密度Jと、光子密度Sとの関係を示している。なお図6及び図7では、Γ=0.3、Ag=3e-16[cm2]、τph=1e-12[s]、τs=1e-9[s]、Cs=0.03、d=0.1[μm]、q=1.6e-19[C]として計算を行った。図7に示すように、一般的な半導体レーザは、注入キャリア密度Jすなわちレーザ駆動電流DJの増大に応じてキャリア密度Nが飽和状態となる少し手前となる飽和前点Slにおいて、発光を開始する。そして図6に示すように、半導体レーザは、注入キャリア密度Jの増大に伴って光子密度Sすなわち出射光強度を増大させる。また図6と対応する図8に示すように、注入キャリア密度Jのさらなる増大に伴って、光子密度Sはさらに増大することがわかる。図9、図10及び図12では、図8に示されたポイントPT1、PT2及びPT3の注入キャリア密度Jでなるレーザ駆動電流DJを供給し始めた時間を横軸として、光子密度Sを縦軸として示している。図9に示すように、最も大きなレーザ駆動電流DJを供給した場合を表すポイントPT1において、光子密度Sは、緩和振動により大きく振動してその振幅が大きくなり、かつ振幅の周期すなわち極小値から極小値までとなる振動周期taが約50[ps]と小さいことが確認された。光子密度Sの値は、発光開始直後に出現する第1波の振幅が最も大きく、第2波、第3波と徐々に減衰し、やがて安定する。このポイントPT1の光子密度Sにおける第1波の最大値は約3×1016と、光子密度Sが安定したときの値である安定値約1×1016の約3倍であった。またポイントPT1では、レーザ駆動電流DJを供給し始めてから発光を開始するまでの発光開始時間τdも約200[ps]と非常に短くなる。図10に示すように、ポイントPT1よりも供給したレーザ駆動電流DJの値が小さいポイントPT2では、明確な緩和振動を生じているものの、ポイントPT1と比して振動の振幅が小さくなり、かつ振動周期taが約100[ps]と大きくなった。またポイントPT2では、発光開始時間τdも約400[ps]とポイントPT1と比較して大きくなった。このポイントPT2の光子密度Sにおける第1波の最大値は約8×1015と、安定値約4×1015の約2倍であった。図11に示すように、ポイントPT2よりも供給したレーザ駆動電流DJの値がさらに小さいポイントPT3では、緩和振動が殆どみられず、また発光開始時間τdが約1[ns]と比較的長いことが確認された。このポイントPT3の光子密度Sにおける最大値はほぼ安定値と同一であり、約1.2×1015であった。一般的な光ディスク装置では、半導体レーザに対してポイントPT3のように緩和振動の殆どみられない条件電流値となる比較的小さいレーザ駆動電流を供給することにより、敢えて出射開始直後の出射光強度の差異を小さくし、レーザ光の出力を安定させている。しかしながら本実施の形態による光ディスク装置10では、ポイントPT1及びPT2のように緩和振動を生じさせることにより、レーザ光の瞬間的な出射光強度の最大値を安定値よりも増大例えば1.5倍以上させるようになされている。また、緩和振動を生じさせるための電流値以下、これを振動電流値αと呼ぶとして、大きな値を選択することができるため、大きな振動電流値αに応じた大きな出射光強度でなるレーザ光を出射させ得るようになされている。すなわち同一の半導体レーザに対して振動電流値αでなるレーザ駆動電流DJを供給することにより、従来と比してレーザ光の出射光強度を大幅に増大させることが可能となる。例えばポイントPT1では、緩和振動の第1波による光子密度Sが約3×1016であり、従来の電流値を供給した場合を示すポイントPT3約1.2×1015と比して、半導体レーザ51の出射光強度を20倍以上に増大させることが可能となる。実際上、一般的な半導体レーザ51ソニー株式会社製、SLD3233VFに対して、比較的大きなレーザ駆動電流DJを供給した時に測定された出射光強度を、図12に示している。図から、図9及び図10で光子密度Sにみられた緩和振動が出射光強度にそのまま表われ、同様の緩和振動が出射光強度として実際に生じていることが確認された。なお図12では、レーザ駆動電流DJを半導体レーザ51に対して矩形のパルス状に供給した場合に得られた発光波形WLを示している。なお以下、レーザ駆動電流DJのうち、パルス状に供給される部分をレーザ駆動電流波DJwと呼ぶ。このように光ディスク装置10では、半導体レーザ51に対し大きな振動電流値αでなるレーザ駆動電流DJを供給し、緩和振動を敢えて生じさせることにより、半導体レーザに出射光強度の大きいレーザ光を情報光ビームLMとして出射させるようになされている。1-4情報光ビームの出射図13Aは、図10に対応する図である。例えば図13Bに示すように、光ディスク装置10のレーザ制御部20は、半導体レーザ51に対し、緩和振動を生じさせるのに十分な振動電流値α1でなるレーザ駆動電流DJをレーザ駆動電流波DJwとして供給する。このときレーザ制御部20は、レーザ駆動電流波DJwとして、発光開始時間τdと振動周期taとを加算τdtaした時間以下、これを電流波供給時間βと呼ぶに亘り、矩形状のパルスでなるレーザ駆動電流DJを供給する。これによりレーザ制御部20は、図13Cに示すように、半導体レーザ51に緩和振動による第1波のみを出射させ、当該半導体レーザ51に出射光強度の大きいパルス状のレーザ光以下、これをパルスレーザ出力光LMpと呼ぶを情報光ビームLMとして出射させることができる。またレーザ制御部20は、パルス状でなるレーザ駆動電流波DJwを供給することにより、大きな電流値でなるレーザ駆動電流DJを供給する時間を短縮することができ、半導体レーザ51の過発熱などにより生じる当該半導体レーザ51の不具合を抑制するようになされている。一方レーザ制御部20は、図13Dに示すように、緩和振動を生じさせるのに十分でかつ振動電流値α1よりも小さい振動電流値α2でなるレーザ駆動電流波DJwを半導体レーザ51に供給することにより、半導体レーザ51に出射光強度の比較的小さいパルスレーザ出力光LMpを出射させることができる。図14に示すように、光ディスク装置10は、1Tを基準周期としたとき、複数のマーク長例えば2T~11Tでなる記録マークRMを形成する。光ディスク装置10では、1Tに相当する記録マークRMを1つのパルスレーザ出力光LMpによって形成するようになされている。このとき光ディスク装置10は、先頭部分で大きな出力となる第1の出射光強度でパルスレーザ出力光LMpを出射する一方、当該先頭部分を除く後部分では比較的小さな出力となる第2の出射光強度でパルスレーザ出力光LMpを出射するようになされている。これにより光ディスク装置10は、パルスレーザ出力光LMpが重複して照射されることにより後部分の吸収反応が先頭部分よりも大きくなってしまうことを防止し得、記録マークRMの形状フォーカス方向及びトラッキング方向の幅をほぼ均一にし得るようになされている。ここで図15に示すように、発光開始時間τdは、レーザ駆動電流DJの振動電流値αに応じて変化する。このため半導体レーザ51は、比較的小さい振動電流値α2でなるレーザ駆動電流波DJwが供給された場合図13D及びE、大きい振動電流値α1でなるレーザ駆動電流波DJwが供給された場合図13B及びCと比較して、電流が供給され始めた電流波供給開始時刻TSから発光を開始する時刻までの発光開始時間τdが長くなる。すなわち図13B及びDに示したように、レーザ制御部20は、異なる振動電流値αでなるレーザ駆動電流波DJwを半導体レーザ51に対して同一タイミングで供給すると、パルスレーザ出力光LMpの出力タイミングがずれてしまい、記録マークRMの間隔が1Tを基準とする周期からずれてしまうことになる。そこでレーザ制御部20は、振動電流値αに応じてレーザ駆動電流波DJwの供給タイミングを調整するようにした。図16に示すように、第1の振動電流値α1に応じた第1の出射光強度と、第2の振動電流値α2に応じた第2の出射光強度でパルスレーザ出力光LMpを出力する場合について説明する。なお便宜上、パルスレーザ出力光LMpの発光波形WLを矩形状で示している。光ディスク装置10のレーザ制御部20は、基準クロックCKの立ち上がりに応じて第2の振動電流値α2でなるレーザ駆動電流波DJwの供給を開始する。すなわちレーザ制御部20は、第2の振動電流値α2を基準としてパルスレーザ出力光LMpの出力を実行する。このとき半導体レーザ51は、電流波供給開始時刻TSから所定の発光開始時間τdbだけ遅れてパルスレーザ出力光LMpを出力することになる。一方レーザ制御部20は、基準クロックCKの立ち上がりから任意の遅延時間Δτdだけ遅れたタイミングで第1の振動電流値α1でなるレーザ駆動電流DJの供給を開始する。この遅延時間Δτdは、第2の振動電流値α2における発光開始時間τdbと第1の振動電流値αにおける発光開始時間τdaとの差分時間となる。すなわち図15に示したように、例えば第1の振動電流値α1に対応する注入キャリア密度Jが2×104であり、第2の振動電流値α2に対応する注入キャリア密度Jが1×104である場合、発光開始時間τda及びτdbはそれぞれ200[ps]及び400[ps]となる。このため遅延時間Δτdは、400[ps]-200[ps]となり、200[ps]となる。この結果図16Cに示すように、レーザ制御部20は、基準クロックCKよりもΔτdだけ遅れた電流波供給開始時刻TSから発光開始時間τdaだけ遅延させたタイミングすなわち基準クロックCKからΔτdτda=τdbだけ遅れたタイミングでパルスレーザ出力光LMpを出力することができる。換言するとレーザ制御部20は、第1の振動電流値α1及び第2の振動電流値α2における基準クロックCKからパルスレーザ出力光LMpが出力されるまでのクロック遅延時間CPをほぼ同一にすることができ、常にほぼ同一間隔でパルスレーザ出力光LMpを出力し得るようになされている。なお図15に示したように第1の振動電流値α1及び第2の振動電流値α2における振動周期taa及びtabの差異は僅かであり、振動周期taの差異を考慮しなくても殆どクロック遅延時間CPに大きな影響を及ぼすことはない。もちろん、振動周期taa及びtabの差異に応じて電流波供給開始時刻TSを調整することも可能である。実際上光ディスク装置10のレーザ制御部20は、信号処理部13から供給される記録信号に応じて、半導体レーザ51から出力すべき発光波形WLに対応する記録パルス信号図示しないを生成する。そしてレーザ制御部20は、記録パルス信号におけるピーク強度が第1の出射光強度に対応する第1のパルス強度であった場合には、レーザ駆動電流波DJwの振動電流値αを第1の振動電流値α1に設定すると共に、当該振動電流値α1の電流波供給開始時刻TSを基準クロックCKからΔτdだけ遅延させる。またレーザ制御部20は、記録パルス信号におけるピーク強度が第2の出射光強度に対応する第2のパルス強度であった場合には、レーザ駆動電流波DJwの振動電流値αを第2の振動電流値α2に設定すると共に、当該第2の電流値α2の電流波供給開始時刻TSを基準クロックCKの立ち上がりに合致させる。このように光ディスク装置10では、レーザ駆動電流波DJwの振動電流値αを適宜調整することにより、パルスレーザ出力光LMpでなる情報光ビームLMの出射光強度を任意の値に調整し得るようになされている。また光ディスク装置10では、振動電流値αに応じて電流波供給開始時刻TSを調整することにより、振動電流値αに拘らず基準クロックCKから同一のクロック遅延時間CPだけ遅延したタイミングでパルスレーザ出力光LMpを出射させ得る。この結果光ディスク装置10は、記録マークRMを1Tを基準とする任意の周期に合わせて形成し得るようになされている。1-5動作及び効果以上の構成において、光ディスク装置10では、半導体レーザ51からレーザ光である情報光ビームLMを出射し、情報光ビームLMを集光して光情報記録媒体としての光ディスク100に照射する。このとき光ディスク装置10は、半導体レーザ51に緩和振動を生じさせる振動電流値αでなりパルス状のレーザ駆動電流波DJwを半導体レーザ51に対して供給するようにした。これにより光ディスク装置10では、従来の光ディスク装置と比して大きな値でなる振動電流値αでなるレーザ駆動電流波DJwを供給することができるため、半導体レーザ51全体としての出力を増大させると共に、緩和振動により大きな出射光強度でなるパルスレーザ出力光LMpを出射させることができる。また光ディスク装置10は、振動電流値αでなるレーザ駆動電流波DJwの供給を開始してから終了するまでの電流波供給時間βを、当該レーザ駆動電流波DJwが供給され始めてから情報光ビームLMが出射されるまでの発光開始時間τd及び緩和振動の振動周期taを加算した初振動時間以下に設定する。これにより光ディスク装置10は、最も出射光強度の大きくなる第1波のみを使用できるため、情報光ビームLMの出射光強度を一段と増大させることができる。さらに光ディスク装置10は、振動電流値αを変化させることにより、情報光ビームLMの出射光強度を増減させるようにした。これにより光ディスク装置10は、振動電流値αを変化させるだけで情報光ビームLMの出射光強度を自由に設定することができる。また光ディスク装置10は、振動電流値αの増減に伴って、レーザ駆動電流波DJwの供給を開始する電流波供給開始時刻TSを変化させるようにした。これにより光ディスク装置10は、振動電流値αに応じて発光開始時間τdが変化する時間を電流波供給開始時刻TSの変化によって相殺することができる。この結果光ディスク装置10は、振動電流値αに拘らず同一間隔でパルスレーザ出力光LMpを出射することができ、記録マークRMを高い位置精度で形成することができる。さらに光ディスク装置10は、光ディスク100における一様でなる記録層101に対する情報光ビームLMの照射に応じて当該情報光ビームLMの焦点FM近傍に空洞を形成して屈折率変調を生じさせることにより、情報を表す記録マークRMを形成する。ここで光ディスク100は、DVDDigitalVersatileDiscやBDなどの従来型の光ディスクと異なり信号記録面を有しないため、情報光ビームLMの光エネルギーが3次元方向に拡散し易く、記録マークRMが形成されるまでに時間を要する傾向がある。光ディスク装置10では、大きな出射光強度でなる情報光ビームLMを短時間に照射するため、光エネルギーを大きく拡散させる前に記録マークRMを形成することができ、光エネルギーを効率良く利用することができる。また光ディスク装置10は、複数のレーザ駆動電流波DJwに応じた情報光ビームLMにより記録マークRMを形成し、記録マークRMの幅がほぼ一定になるように複数のレーザ駆動電流波DJwにおける振動電流値αを変化させる。これにより光ディスク装置10は、記録マークRMが一定の幅でなるため、トラッキング方向及びフォーカス方向に隣接する記録マークRMとのマーク間干渉を抑制して、情報再生時における再生信号のS/NSignaltoNoise比を向上させ得る。光ディスク装置10は、情報光ビームLMの光量に対して非線形吸収を示す2光子吸収材料を含有してなる記録層101に対し、情報光ビームLMを照射する。これにより光ディスク装置10は、出射光強度が大きいパルスレーザ出力光LMpの特性を十分に活用して、効率良く2光子吸収を生じさせることができる。以上の構成によれば、光ディスク装置10は、半導体レーザ51に対して大きな振動電流値αでなるレーザ駆動電流波DJwを供給することにより、半導体レーザ51に出射光強度が大きく振動する緩和振動を生じさせることができる。かくして本発明は、半導体レーザ51の出射光強度を増大させることができる光情報記録装置、光ピックアップ及びレーザ光出射方法を実現できる。2第2の実施の形態図17~図19は、第2の実施の形態を示すものであり、図1~図16に示した第1の実施の形態と対応する部分に同一符号を附して示している。第2の実施の形態の光ディスク装置110では、レーザ駆動電流DJの生成方法が第1の実施の形態と異なっている。なお光ディスク装置110図2としての構成は光ディスク装置10と同様なため、説明を省略する。2-1レーザ駆動電流の生成方法図13と対応する図17に示すように、半導体レーザ51に同一の振動電流値αα3を供給した場合であっても、緩和振動における第1波すなわち発光開始時間τdの経過時点から1つ目の振動周期taが経過するまでの途中でレーザ駆動電流DJの供給を中止することにより、パルスレーザ出力光LMpの出射光強度を低下させることができる。因みに、第1波における極大値に到達する前にレーザ駆動電流DJの供給を中止することにより、パルスレーザ出力光LMpの出力光強度を効果的に低下させることが可能である。実際上図18に示すように、一般的な半導体レーザソニー株式会社製、SLD3233VFに対して、電流波供給時間βが380[ps]及び450[ps]となる矩形のレーザ駆動電流波DJwを供給したときのパルスレーザ出力光LMpの発光波形WLを示している。なお横軸に示す時間Tは各パルスレーザ出力光LMpの幅を比較するための値であり絶対値ではなく、1目盛りが0.5[ns]に相当している。また比較のため各パルスレーザ出力光LMpの波形を敢えて横軸方向にずらして示している。図からわかるように、450[ps]に亘ってレーザ駆動電流波DJwを供給した場合には、出射光強度が188[mW]であったのに対し、380[ps]に亘ってレーザ駆動電流波DJwを供給した場合には、出射光強度が130[mW]と小さくなることが確認された。実際上図19に示すように、光ディスク装置110のレーザ制御部120図2は、基準クロックCKの立ち上がりに応じて振動電流値α3でなるレーザ駆動電流波DJwの供給を開始する。そしてレーザ制御部120は、例えば発光開始時間τd振動周期taでなる第1の電流波供給時間β1に亘って振動電流値α3を維持することにより、第1の出射光強度でなるパルスレーザ出力光LMpを出力することができる。一方レーザ制御部120は、発光開始時間τd振動周期ta未満となる第2の電流波供給時間β2が経過するとレーザ駆動電流波DJwの供給を終了することより、第2の出射光強度でなるパルスレーザ出力光LMpを出力することができる。すなわちレーザ制御部120は、第2の電流波供給時間β2を第1の電流波供給時間β1よりもΔβだけ小さく設定している。この結果図19Cに示すように、レーザ制御部20は、第1の電流波供給時間β1及び第2の電流波供給時間β2のいずれの場合であってもパルスレーザ出力光LMpが出力されるまでのクロック遅延時間CPをほぼ同一に維持したまま、パルスレーザ出力光LMpを第1及び第2の出射光強度に変更し得るようになされている。すなわちレーザ制御部20は、記録マークRMの先頭に対応するレーザ駆動電流波DJwに対し、電流波供給時間βを第1の電流波供給時間β1に設定する。そしてレーザ制御部20は、基準クロックCKの立ち上がりに応じて、第1の電流波供給時間β1に亘って振動電流値α3を維持するレーザ駆動電流波DJwを半導体レーザ51に供給する。またレーザ制御部20は、記録マークRMの先頭を除く後部分に対応するレーザ駆動電流波DJwに対し、電流波供給時間βを第2の電流波供給時間β2に設定する。そしてレーザ制御部20は、基準クロックCKの立ち上がりに応じて、第2の電流波供給時間β2に亘って振動電流値α3を維持するレーザ駆動電流波DJwを半導体レーザ51に供給する。このように光ディスク装置10では、レーザ駆動電流波DJwの電流波供給時間βを適宜調整することにより、パルスレーザ出力光LMpの出射光強度を任意の値に調整し得るようになされている。2-2動作及び効果以上の構成において、光ディスク装置10は、電流波供給時間βを変化させることにより情報光ビームLMの出射光強度を増減させるようにした。これにより光ディスク装置10は、常に基準クロックCKに合わせたタイミングで半導体レーザ51に対してレーザ駆動電流波DJwを供給すれば、出射光強度に拘らず基準クロックCKを基準としたほぼ同一タイミングでパルスレーザ出力光LMpを出射することができる。以上の構成によれば、光ディスク装置10は、レーザ駆動電流波DJwの電流波供給時間βを発光開始時間τdと振動周期taを加算した初振動時間未満に設定することにより、振動電流値αを変化させることなくレーザ駆動電流波DJwの出射光強度を小さくすることができる。この結果光ディスク装置10は、振動電流値α及びレーザ駆動電流波DJwの立ち上がりタイミングを変化させることなく、電流波供給時間βを変化させるだけの簡易な処理によりレーザ駆動電流DJを生成することができる。3他の実施の形態なお上述した第1及び第2の実施の形態においては、緩和振動における第1波のみを情報光ビームLMとして使用するようにした場合について述べた。本発明はこれに限らず、第2波及び第3波以降をも使用するようにしても良い。また上述した第1及び第2の実施の形態においては、記録層101が非線形吸収を示す2光子吸収材料を含有するようにした場合について述べた。本発明はこれに限らず、非線形吸収を示す材料として、例えばプラズモン共鳴を生じさせる銀や金のナノ粒子を用いるようにしても良い。また光エネルギーの積算量に応じて記録マークRMを形成する記録層に対して情報光ビームLMを照射するようにしても良い。この場合図20に示すように、レーザ制御部20は、振動電流値αでなるレーザ駆動電流波DJwの供給を開始してから終了するまでの電流波供給時間βを、当該レーザ駆動電流波DJwが供給され始めてからレーザ光が出射されるまでの発光開始時間τd及び緩和振動の振動周期taの倍数を加算すなわち発光開始時間τdn×振動周期ta、ただしnは自然数した振動周期時間に設定する。これにより図21に示すように、光ディスク装置10は、光エネルギーの積算量の増加がなだらかになる部分でレーザ駆動電流波DJwの供給を終了することができる。これにより光ディスク装置10は、電流波供給時間βがずれた場合であっても、レーザ駆動電流波DJwごとの光エネルギー積算量の変化を小さくすることができ、レーザ駆動制御の負荷を軽減することができる。この場合であっても、半導体レーザ51に対する負荷の観点から、レーザ駆動電流波DJwはパルス状でなり、電流波供給時間βは短時間例えば2000[ps]以下、より好ましくは1000[ps]以下に設定されることが好ましい。さらに上述した第1及び第2の実施の形態においては、レーザ駆動電流波DJwとして矩形状のパルス電流を供給するようにした場合について述べた。本発明はこれに限らず、要は短時間に亘って大きな振動電流値αでなるパルス電流を供給すれば良く、例えば正弦波状でなるレーザ駆動電流波DJwを供給するようにしても良い。さらに上述した第1及び第2の実施の形態においては、半導体レーザ51として一般的な半導体レーザソニー株式会社製、SLD3233VFなどを用いるようにした場合について述べた。本発明はこれに限らず、要は、p型とn型の半導体を用いてレーザ発振を行ういわゆる半導体レーザであれば良い。また敢えて緩和振動を大きく生じさせやすくした半導体レーザを用いることがさらに好ましい。さらに上述した第1の実施の形態においては、緩和振動により第1波の出射光強度が安定値の約2~3倍になるようにした場合について述べた。本発明はこれに限らず、安定値の1.5倍以上となるものを任意に選択して使用することができる。さらに上述した第1及び第2の実施の形態においては、一の記録マークRMを形成する際、2回目以降のパルスレーザ出力光LMpを1回目よりも低下させるようにした場合について述べた。本発明はこれに限らず、例えば同一レベルに設定しても良い。またパルスレーザ出力光LMpの出力を3段階以上に設定することも可能である。この場合、振動電流値αを3段階以上に設定又は電流波供給時間βを3段階以上に設定すれば良い。また第1及び第2の実施の形態の構成を適宜組み合わせることも可能である。例えば、振動電流値αの設定及び電流波供給時間βの設定を適宜組み合わせるようにしても良い。この場合、例えばレーザ制御部20に予めテーブルが記憶されており、記録する記録マークRMのマーク長に応じて対応する振動電流値α及び電流波供給時間βを設定する。さらに上述した第1及び第2の実施の形態においては、2T~11Tのマーク長を有する記録マークRMを形成するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、記録マークRMのマーク長に制限はない。例えば1Tマークに対して1と0を割り当て、記録マークRMの有無によって情報を記録するようにしても良い。また1つの記録マークRMすなわち1Tに対して1つのパルスレーザ出力光LMpである必要はなく、2以上のパルスレーザ出力光LMpによって記録マークRMを形成しても良い。さらに上述した第1の実施の形態においては、振動電流値αの増減に伴って電流波供給開始時刻TSを変化させるようにした場合について述べた。本発明はこれに限らず、必ずしも振動電流値αの増減に伴って電流波供給開始時刻TSを変化させる必要はない。さらに上述した第1の実施の形態においては、第2の振動電流値α2を基準クロックCKに合わせ、第1の振動電流値α1のときに電流波供給開始時刻TSを基準クロックCKから遅らせるようにした場合について述べた。本発明はこれに限らず、例えば第1の振動電流値α1を基準クロックCKに合わせ、第2の振動電流値α2のときに電流波供給開始時刻TSを基準クロックCKから早めるようにしても良い。なお基準クロックCKに対し、立ち上がり及び立ち下がりタイミングのいずれに合わせるようにしても良い。さらに上述した第1及び第2の実施の形態においては、サーボ層104を用いてサーボ制御を実行するようにした場合について述べた。本発明はこれに限らず、例えば記録層101内に予めサーボ制御用のサーボ用マークが形成されており、当該サーボ用マークを用いてサーボ制御が実行されるようにしても良い。この場合、光ディスク100においてサーボ層104は不要となる。さらに上述した第1及び第2の実施の形態においては、空洞でなる記録マークRMを形成するようにした場合について述べた。本発明はこれに限らず、例えば化学変化によって屈折率を局所的に変化させることにより記録マークRMを形成するようにしても良い。さらに上述した第1及び第2の実施の形態においては、光ピックアップ17の外部にレーザ制御部20が設けられるようにした場合について述べた。本発明はこれに限らず、光ピックアップ17の内部にレーザ制御部20が設けられるようにしても良い。さらに上述した第1及び第2の実施の形態においては、光ディスク100の基板102側の面から情報光ビームLMを照射するようにした場合について述べた。本発明はこれに限らず、例えば情報光ビームLMを基板103側の面から照射するようにする等、情報光ビームLMをそれぞれいずれの面、もしくは両面から照射するようにしても良い。なお情報光ビームLMを両面から照射する手法については、例えば特許文献2に記載されている。特開2008-71433公報さらに上述した第1及び第2の実施の形態においては、情報の記録及び再生の際、同一波長でなる情報光ビームLMを使用するようにした場合について述べた。本発明はこれに限らず、情報の再生の際、情報の記録時よりも短い波長でなる情報光ビームLMを用いるようにしても良い。さらに上述した第1及び第2の実施の形態においては、光ディスク100が円盤状に形成されており、回転させながら情報光ビームLMを照射するようにした場合について述べた。本発明はこれに限らず、例えば矩形状に形成された光情報記録媒体に対し、対物レンズを一定速度で移動させながら情報を記録するようにした場合に適用しても良い。さらに上述した第1及び第2の実施の形態においては、半導体レーザ51から出射される情報光ビームLMの波長を波長405[nm]とする以外にも、他の波長とするようにしても良く、要は記録層101内における目標位置PGの近傍に記録マークRMを適切に形成できれば良い。さらに上述した第1及び第2の実施の形態においては、光ディスク装置10及び110が光ディスク100から情報を記録及び再生する光情報記録再生装置でなるようにした場合について述べた。本発明はこれに限らず、光ディスク装置が光ディスク100に対して情報の記録のみを行う光情報記録装置であっても良い。さらに上述した第1の実施の形態においては、半導体レーザとしての半導体レーザ51と、光照射部としての対物レンズ18と、レーザ制御部としてのレーザ制御部20とによって光情報記録装置としての光ディスク装置10を構成するようにした場合について述べた。本発明はこれに限らず、その他種々の構成による半導体レーザ、光照射部及びレーザ制御部によって本発明の光情報記録装置を構成するようにしても良い。