"支持体と、前記支持体上に設けられた機能層と、前記機能層上に設けられた有機化合物を含む発光体と、を有し、前記機能層は、ガリウム又はアルミニウムと、亜鉛と、酸素とを含む絶縁膜を有し、前記支持体及び前記機能層は、波長が400nm以上700nm以下の領域で透光性を有する有機光デバイス。支持体と、前記支持体上に設けられた機能層と、前記機能層上に設けられた第1の電極と、前記第1の電極上に設けられた発光性の有機化合物を含む層と、前記発光性の有機化合物を含む層上に設けられた第2の電極と、を有し、前記機能層は、ガリウム又はアルミニウムと、亜鉛と、酸素とを含む絶縁膜を有し、前記支持体、前記機能層、及び前記第1の電極は、波長が400nm以上700nm以下の領域で透光性を有する有機光デバイス。請求項2において、前記第2の電極を覆う封止膜を有し、前記封止膜は、前記機能層と接し、前記封止膜が、ガリウム又はアルミニウムと、亜鉛と、酸素とを含む有機光デバイス。請求項3において、前記封止膜が、窒素を含む有機光デバイス。請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、前記絶縁膜が、窒素を含む有機光デバイス。請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、前記絶縁膜は、ガリウム、アルミニウム、亜鉛、酸素、及び窒素以外の元素の総和が原子比0.1以下である有機光デバイス。請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、前記絶縁膜は、20°Cにおける固有抵抗が、1010Ωcm以上である有機光デバイス。ガリウム又はアルミニウムと、亜鉛と、酸素とを含む絶縁膜を有する機能層と、前記機能層の一方の面と接する、第1の膜と、前記機能層の他方の面と接する、第2の膜と、を有し、波長が400nm以上700nm以下の領域で透光性を有し、前記機能層が有する層の屈折率は、接する層の屈折率との差がそれぞれ0.2以下である有機光デバイスの保護部材。請求項8において、前記絶縁膜が、窒素を含む有機光デバイスの保護部材。請求項8又は請求項9において、前記絶縁膜は、ガリウム、アルミニウム、亜鉛、酸素、及び窒素以外の元素の総和が原子比0.1以下である有機光デバイスの保護部材。請求項8乃至請求項10のいずれか一項において、前記絶縁膜は、20°Cにおける固有抵抗が、1010Ωcm以上である有機光デバイスの保護部材。請求項8乃至請求項11のいずれか一項に記載の有機光デバイスの保護部材と、前記有機光デバイスの保護部材上に設けられた有機化合物を含む発光体と、を有する有機光デバイス。請求項8乃至請求項11のいずれか一項に記載の有機光デバイスの保護部材と、前記有機光デバイスの保護部材上に設けられた発光性の有機化合物を含む層と、前記発光性の有機化合物を含む層上に設けられた第2の電極と、を有し、前記第2の膜は、第1の電極として機能する有機光デバイス。請求項13において、前記第2の電極を覆う封止膜を有し、前記封止膜は、前記機能層と接し、前記封止膜が、ガリウム又はアルミニウムと、亜鉛と、酸素とを含む絶縁膜である有機光デバイス。請求項14において、前記封止膜が、窒素を含む有機光デバイス。請求項13乃至請求項15のいずれか一項において、前記機能層が備える層、前記第1の膜、及び前記第2の膜の屈折率は、前記発光性の有機化合物を含む層の屈折率以上である有機光デバイス。請求項13乃至請求項16のいずれか一項において、前記第1の膜と大気との界面に凹凸の構造を有する有機光デバイス。一方で、有機光デバイスは、外部から侵入する水分や不純物により信頼性が損なわれてしまうという課題がある。有機光デバイスを構成する有機化合物や金属材料に、外部から水分や不純物が侵入することで、有機光デバイスの寿命は大幅に低減されてしまう場合がある。有機光デバイスに用いる有機化合物、金属材料が水分や不純物と反応し、劣化してしまうためである。したがって、本発明の一態様は、水分や不純物による劣化を抑制できる有機光デバイスの保護部材又は有機光デバイスを提供することを目的の一とする。また、光の取り出し効率が高い有機光デバイスが望まれている。したがって、本発明の一態様は、光の取り出し効率が高い有機光デバイスの保護部材又は有機光デバイスを提供することを目的の一とする。本発明者らは、有機光デバイスの保護膜として、ガリウム又はアルミニウムと、亜鉛と、酸素とを含む絶縁膜を用いることに着眼した。この膜を有機光デバイスの保護膜として用いることで、水素、水分又は不純物等が有機光デバイスの外部から有機化合物や金属材料に侵入することを抑制することができる。ガリウム又はアルミニウムと、亜鉛と、酸素とを含む絶縁膜は、可視光に対する透光性を有する。よって、可視光を発する有機光デバイスの発光を取り出す側に設けても光の取り出しを阻害することがなく、好適に用いることができる。具体的には、本発明の一態様の有機光デバイス又は有機光デバイスの保護部材は、機能層として、ガリウム又はアルミニウムと、亜鉛と、酸素とを含む絶縁膜を少なくとも1層有する。このような機能層を備えることで、水分や不純物による有機光デバイスの劣化を抑制することができる。または、このような機能層を備えることで、光の取り出し効率が高い有機光デバイスを実現できる。したがって、本発明の一態様は、支持体と、支持体上に設けられた機能層と、機能層上に設けられた有機化合物を含む発光体とを有し、機能層は、ガリウム又はアルミニウムと、亜鉛と、酸素とを含む絶縁膜を有し、支持体及び機能層は、波長が400nm以上700nm以下の領域で透光性を有する有機光デバイスである。本発明は、有機光デバイスの一つである有機EL素子に好適である。よって、本発明の一態様は、支持体と、支持体上に設けられた機能層と、機能層上に設けられた第1の電極と、第1の電極上に設けられた発光性の有機化合物を含む層と、発光性の有機化合物を含む層上に設けられた第2の電極とを有し、機能層は、ガリウム又はアルミニウムと、亜鉛と、酸素とを含む絶縁膜を有し、支持体、機能層、及び第1の電極は、波長が400nm以上700nm以下の領域で透光性を有する有機光デバイスである。本発明において、ガリウム又はアルミニウムと、亜鉛と、酸素とを含む絶縁膜は、窒素を含んでいても良い。また、当該絶縁膜は、ガリウム、アルミニウム、亜鉛、酸素、及び窒素以外の元素の総和は原子比0.1以下であることが好ましい。また、当該絶縁膜は、20°Cにおける固有抵抗が1010Ωcm以上であることが好ましい。また、上記構成において、第2の電極を覆う封止膜を有し、封止膜は、機能層と接し、封止膜が、ガリウム又はアルミニウムと、亜鉛と、酸素とを含むことが好ましい。また、封止膜は、窒素を含んでいても良い。機能層と接する封止膜として、ガリウム又はアルミニウムと、亜鉛と、酸素とを含む膜を設けることによって、有機光デバイスの発光を取り出す側だけでなく、反対側においても、水素、水分又は不純物等が有機光デバイスの外部から有機化合物や金属材料に侵入することを抑制できる。ところで、有機光デバイスにおいて、発光体から、発光体の屈折率とは異なる屈折率の媒体に光が入射する際に、一部の光が反射される。2つの媒体の屈折率の差が大きいほど、光は反射されやすくなり、有機光デバイスの光の取り出し効率は低下する。本発明の一態様では、2つの媒体の屈折率の差による光の反射を抑制できるように、機能層の屈折率を設定する。具体的には、本発明の一態様は、ガリウム又はアルミニウムと、亜鉛と、酸素とを含む絶縁膜を有する機能層と、機能層の一方の面と接する、第1の膜と、機能層の他方の面と接する、第2の膜とを有し、波長が400nm以上700nm以下の領域で透光性を有し、機能層が有する層の屈折率は、接する層の屈折率との差がそれぞれ0.2以下である有機光デバイスの保護部材である。本発明の一態様の保護部材は、ガリウム又はアルミニウムと、亜鉛と、酸素とを含む絶縁膜を有するため、有機化合物への水分の侵入を抑制することができる。また、第1の膜と接する層機能層を構成する層であるの屈折率と、第1の膜の屈折率との差、及び第2の膜と接する層機能層を構成する層であるの屈折率と、第2の膜の屈折率との差が、それぞれ0.2以下であるため、屈折率の差による光の反射を抑制することができる。上記保護部材において、ガリウム又はアルミニウムと、亜鉛と、酸素とを含む絶縁膜は、窒素を含んでいても良い。また、当該膜は、ガリウム、アルミニウム、亜鉛、酸素、及び窒素以外の元素の総和が原子比0.1以下であることが好ましい。また、当該膜は、20°Cにおける固有抵抗が、1010Ωcm以上であることが好ましい。さらに、本発明の一態様は、上記保護部材を適用した有機光デバイスである。具体的には上記の有機光デバイスの保護部材と、有機光デバイスの保護部材上に設けられた有機化合物を含む発光体と、を有する有機光デバイスである。本発明は、有機光デバイスの一つである有機EL素子に好適である。よって、本発明の一態様は、上記の有機光デバイスの保護部材と、有機光デバイスの保護部材上に設けられた発光性の有機化合物を含む層と、発光性の有機化合物を含む層上に設けられた第2の電極とを有し、第2の膜は、第1の電極として機能する有機光デバイスである。上記有機光デバイスにおいて、第2の電極を覆う封止膜を有し、封止膜は、機能層と接し、封止膜が、ガリウム又はアルミニウムと、亜鉛と、酸素とを含むことが好ましい。また、封止膜は、窒素を含んでいても良い。機能層と接する封止膜として、ガリウム又はアルミニウムと、亜鉛と、酸素とを含む膜を設けることによって、有機光デバイスの発光を取り出す側だけでなく、反対側から電極等に用いる金属材料、又は有機化合物に水分や不純物が侵入することを抑制できる。また、有機光デバイスは、屈折率が大気より高い領域で発光するため、光を大気中に取り出すときに有機光デバイス内、又は有機光デバイスと大気との境界面で全反射が生じる条件があり、有機光デバイスの光取り出し効率は100より小さいという問題がある。具体的には、発光体又は発光性の有機化合物を含む層の屈折率よりも小さい屈折率を有する媒体Bへ、媒体Bよりも屈折率の高い媒体Aから光が入射する際に、入射する角度により全反射することがある。このとき、媒体Aと媒体Bとの界面に凹凸の構造を設けることが好ましい。このような構成とすることで、媒体Aから媒体Bに臨界角を超えて入射する光が全反射し、デバイス内を光が導波して光の取り出し効率が低下する現象を抑制することができる。有機EL素子の場合、保護部材の第2の膜に相当する第1の電極が凹凸を有すると、第1の電極上に形成される発光性の有機化合物を含む層等においてリーク電流が生じる恐れがある。したがって、上記有機光デバイスにおいて、機能層が備える層、第1の膜、及び第2の膜の屈折率は、発光体又は発光性の有機化合物を含む層の屈折率以上であることが好ましい。これによって、保護部材の内部で光が全反射することを抑制することができる。また、第2の膜と発光性の有機化合物を含む層との界面、第2の膜と機能層との界面、機能層と第1の膜との界面に光取り出し効率が低下する現象を抑制するための凹凸の構造を設ける必要が無いため、第2の膜を平坦な膜とすることができ、第2の膜の凹凸に起因する発光性の有機化合物を含む層等におけるリーク電流の発生を抑制することができる。また、上記有機光デバイスにおいて第1の膜が大気と接する場合は、第1の膜と大気との界面に凹凸の構造を有することが好ましい。第1の膜の屈折率は大気の屈折率よりも大きい。よって、大気と第1の膜の界面に凹凸の構造を設けることで、全反射の影響で大気に取り出せない光を低減し、有機光デバイスの光の取り出し効率を向上させることができる。本発明の一態様は、水分や不純物による劣化を抑制できる有機光デバイスの保護部材又は有機光デバイスを提供することができる。また、本発明の一態様は、光の取り出し効率が高い有機光デバイスの保護部材又は有機光デバイスを提供することができる。実施の形態及び実施例について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態及び実施例の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様の有機光デバイスについて図1を用いて説明する。図1Aに示す有機光デバイスは、支持体101、機能層201、及び有機化合物を含む発光体301を備える。具体的には、支持体101上に機能層201を有し、機能層201上に発光体301を有する。支持体101及び機能層201は、有機化合物を含む発光体301の光を取り出す側に設けられている。支持体101及び機能層201は波長が450nm以上650nm以下の領域で透光性を有する。好ましくは、波長が400nm以上700nm以下の領域で透光性を有する。<機能層>機能層201は、ガリウムGa又はアルミニウムAlと、亜鉛Znと、酸素Oとを含む絶縁膜を有する。該絶縁膜は、窒素Nを含んでいても良い。該絶縁膜を有機光デバイスの保護膜として用いることで、有機化合物や金属材料への水分や不純物の侵入を抑制することができる。Ga又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜は、Ga、Al、Zn、O及びNの総和が原子比0.90以上であることが好ましく、原子比0.97以上であることが特に好ましい。言い換えると、Ga、Al、Zn、O及びN以外の元素の総和は、原子比0.10以下であることが好ましく、原子比0.03以下であることが特に好ましい。このような組成の膜を有機光デバイスの保護膜として用いることで、有機光デバイスの外部から水素、水分又は不純物等が有機化合物や金属材料に侵入することを抑制できる。例えば、Ga又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜に用いる材料としては、Ga-Zn-O系の材料、Al-Zn-O系の材料、Ga-Zn-O-N系の材料、Al-Zn-O-N系の材料、Ga-Al-Zn-O系の材料、Ga-Al-Zn-O-N系の材料が挙げられる。ここで、例えば、Ga-Zn-O系の材料とは、ガリウム、亜鉛、及び酸素を主成分とする材料という意味である。Ga又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜は、例えば、Ga-Zn-O系金属酸化物ターゲットGa2O3:ZnO=1:5~5:1[mol数比]を用い、酸素雰囲気下やアルゴン及び酸素流量比率は、一例として、アルゴン:酸素=7:3混合雰囲気下で成膜することで得られる。また、Al-Zn-O系金属酸化物ターゲットAl2O3:ZnO=1:5~5:1[mol数比]を用い、同様の雰囲気下で成膜することで得られる。また、同様のターゲットを、アルゴン、酸素及び窒素流量比率は、一例として、アルゴン:酸素:窒素=3:6:1混合雰囲気下で成膜することで、窒素を含むGa又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜を得ることができる。機能層201が有する絶縁膜の20°Cにおける固有抵抗は1010Ωcm以上であると、機能層201は十分な絶縁性を備えることができるため好ましい。なお、機能層201は単層であっても、複数の層からなっていても良い。また、Ga又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜以外の層を含んでいても良い。<支持体>支持体101は、例えばガラス、石英、又はプラスチックなどを用いることができる。また可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができるフレキシブル基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォンからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、フィルムポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニルなどからなる、無機蒸着フィルムを用いることもできる。<発光体>発光体301は、有機化合物を含む。発光体301には、LEDLightEmittingDiode、有機EL素子、無機EL素子等の発光物を用いることができる。また、発光体301が含む有機化合物としては、前述の有機EL素子や、有機トランジスタ等に含まれる有機化合物が挙げられる。その他、発光体301は、シリコンや酸化物半導体を用いたトランジスタを含んでいても良い。図1Bに、発光体としてEL層102を備える有機光デバイス有機EL素子を示す。図1Bに示す有機光デバイスは、支持体101、機能層201、第1の電極103、EL層102、及び第2の電極108を備える。具体的には、支持体101上に機能層201を有し、機能層201上に第1の電極103を有し、第1の電極103上にEL層102を有し、EL層102上に第2の電極108を有する。支持体101及び機能層201は、図1Aに示した有機光デバイスと同様の構成を適用することができる。<EL層>EL層102は、少なくとも発光性の有機化合物を含む層を有する。そのほか、電子輸送性の高い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性の物質電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質を含む層等を適宜組み合わせた積層構造を構成することができる。EL層102の構成例は実施の形態4で詳細に説明する。<第1の電極>第1の電極103は、支持体101及び機能層201と同様に、EL層102の発光を取り出す側に設けられている。第1の電極103は波長が450nm以上650nm以下の領域で透光性を有する。好ましくは、波長が400nm以上700nm以下の領域で透光性を有する。透光性を有する材料としては、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物ITO、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、グラフェンなどを用いることができる。また、第1の電極103として、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又はチタン等の金属材料を用いることができる。または、それら金属材料の窒化物例えば、窒化チタン等を用いてもよい。なお、金属材料又はその窒化物を用いる場合、透光性を有する程度に薄くすればよい。<第2の電極>第2の電極108は、光を取り出す側と反対側に設けられ、反射性を有する材料を用いて形成される。反射性を有する材料としては、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料を用いることができる。そのほか、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金などのアルミニウムを含む合金アルミニウム合金や銀と銅の合金などの銀を含む合金を用いることもできる。銀と銅の合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜、又は金属酸化物膜を積層することでアルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。図1Cに、発光体としてEL層102を備える有機光デバイスの別の例を示す。図1Cに示す有機光デバイスは、支持体101、機能層201、第1の電極103、EL層102、第2の電極108、封止膜202を備える。具体的には、支持体101上に機能層201を有し、機能層201上に第1の電極103を有し、第1の電極103上にEL層102を有し、EL層102上に第2の電極108を有し、第2の電極108を覆う封止膜202を有する。支持体101、機能層201、第1の電極103、EL層102、及び第2の電極108は、図1ABに示した有機光デバイスと同様の構成を適用することができる。<封止膜>封止膜202は、Ga又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜からなる。Ga又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜としては、機能層201に用いることができるGa又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜と同様の構成を適用することができる。封止膜202は、単層であっても複数の層からなっていても良い。図1Cに示す有機光デバイスでは、封止膜202は、第2の電極108を覆っている。さらに、機能層201と封止膜202は接している。図1Cにおいて、第1の電極103、EL層102、及び第2の電極108は、機能層201及び封止膜202に囲まれている。第1の電極103、EL層102、及び第2の電極108を囲うように、Ga又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜を設けることで、EL層102に含まれる有機化合物や、電極に含まれる金属材料に、水分や不純物が侵入することを抑制できる。本実施の形態で示した有機光デバイスは、保護膜として、Ga又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜を備えるため、水素、水分又は不純物等が有機光デバイスの外部から有機化合物や金属材料に侵入することを抑制することができる。Ga又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜は、可視光に対する透光性を有するため、有機光デバイスの発光を取り出す側に設けても光の取り出しを阻害することがなく、好適に用いることができる。以上のように、本発明の一態様を適用することで、水分や不純物による劣化が抑制された有機光デバイスを提供することができる。実施の形態2本発明の一態様の保護部材及び該保護部材を適用した有機光デバイスについて図2及び図5を用いて説明する。本発明の一態様の保護部材は、有機光デバイスに適用することができる。該保護部材は、実施の形態1に示した有機光デバイスにも適用可能である。本発明の一態様の保護部材は、可視光に対する透光性を有し、少なくとも3層から形成される。本発明の一態様の保護部材は、波長が450nm以上650nm以下の領域で透光性を有していれば良く、波長が400nm以上700nm以下の領域で透光性を有していることが好ましい。図2Aに示す保護部材10は、機能層211と、機能層211の一方の面に接する第1の膜212と、機能層211の他方の面に接する第2の膜213とからなる。つまり、第1の膜212上に機能層211を有し、機能層211上に第2の膜213を有する。<機能層>機能層211は、ガリウムGa又はアルミニウムAlと、亜鉛Znと、酸素Oを含む絶縁膜を有する。該絶縁膜を有機光デバイスの保護膜として用いることで、水素、水分又は不純物等が有機光デバイスの外部から有機化合物や金属材料に侵入することを抑制することができる。Ga又はAlと、Znと、Oを含む絶縁膜は、窒素Nを含んでいても良い。これらの元素を組み合わせて作製することで、可視光に対する透光性を維持したまま、該絶縁膜の屈折率を所望の値とすることができる。Ga又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜は、Ga、Al、Zn、O及びNの総和が原子比0.90以上であることが好ましく、原子比0.97以上であることが特に好ましい。言い換えると、Ga、Al、Zn、O及びN以外の元素の総和は、原子比0.10以下であることが好ましく、原子比0.03以下であることが特に好ましい。このような組成の膜を有機光デバイスの保護膜として用いることで、有機化合物や金属材料への水分や不純物の侵入を抑制することができる。例えば、Ga又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜に用いる材料としては、Ga-Zn-O系の材料、Al-Zn-O系の材料、Ga-Zn-O-N系の材料、Al-Zn-O-N系の材料、Ga-Al-Zn-O系の材料、Ga-Al-Zn-O-N系の材料が挙げられる。Ga又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜は、例えば、Ga-Zn-O系金属酸化物ターゲットGa2O3:ZnO=1:5~5:1[mol数比]を用いて成膜することができる。20°Cにおいて、機能層211が有する絶縁膜の固有抵抗は、1010Ωcm以上であると機能層211が十分な絶縁性を備えるため好ましい。機能層211は単層であっても、複数の層からなっていても良い。また、Ga又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜以外の層を含んでいても良い。有機光デバイスにおいて、発光体から、発光体の屈折率とは異なる屈折率の媒体に光が入射する際に、一部の光が反射される。2つの媒体の屈折率の差が大きいほど、光は反射されやすくなり、有機光デバイスの光の取り出し効率は低下する。本発明の一態様では、2つの媒体の屈折率の差による光の反射を抑制できるように、機能層の屈折率を設定する。具体的には、機能層211が有する層の屈折率は、接する層の屈折率との差がそれぞれ0.2以下とする。さらに、接する層との屈折率の差が0.15以下であると、屈折率の差による光の反射を1以下に抑制することができ、好ましい。屈折率の差が小さいほど、屈折率の差による光の反射を抑制することができる。上記構成が適用された保護部材は、第1の膜212と接する層機能層211を構成する層であると、第1の膜212との屈折率の差、及び第2の膜213と接する層機能層211を構成する層であると、第2の膜213との屈折率の差がそれぞれ小さいため、屈折率の差による光の反射を抑制することができる。ところで、保護部材を構成する層機能層が有する層、第1の膜、及び第2の膜の屈折率が、発光体の屈折率より小さいと、保護部材の内部で全反射が生じる条件がある。したがって、保護部材を構成する層機能層が有する層、第1の膜、及び第2の膜の屈折率は、発光体の屈折率以上であることが好ましい。このような構成とすることで、保護部材の内部で光が全反射することを抑制することができる。本実施の形態の保護部材は、Ga又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜を備えるため、水素、水分又は不純物等が有機光デバイスの外部から有機化合物や金属材料に侵入することを抑制することができる。Ga又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜は、可視光に対する透光性を有するため、有機光デバイスの発光を取り出す側に設けても光の取り出しを阻害することがなく、好適に用いることができる。また、本実施の形態の保護部材を構成する層はそれぞれ、接する層の屈折率との差が0.2以下であるため、有機光デバイス内で生じる屈折率の差による光の反射を抑制することができる。以上のように、本発明の一態様の保護部材を適用することで、水分や不純物による劣化が抑制された有機光デバイスを提供することができる。また、光の取り出し効率が高い有機光デバイスを提供することができる。次に、図2Aに示す保護部材10を用いた有機光デバイスについて、図2B乃至図2Dを用いて説明する。図2Bに示す有機光デバイスは、発光体301の光を取り出す側に保護部材10を有する。具体的には、第1の膜212上に機能層211を有し、機能層211上に第2の膜213を有し、第2の膜213上に発光体301を有する。<発光体>発光体301は、有機化合物を含む。発光体301は、実施の形態1と同様の構成、材料を適用することができる。図2Bに示す有機光デバイスは、機能層211として、Ga又はAlと、Znと、Oを含む絶縁膜を有するため、水素、水分又は不純物等が有機光デバイスの外部から有機化合物や金属材料に侵入することを抑制することができる。加えて、保護部材10を構成する層は、接する層との屈折率の差がそれぞれ0.2以下であるため、屈折率の差による光の反射を抑制することができる。図2CDに、発光体としてEL層102を備える有機光デバイスの一例を示す。図2CDに示す有機光デバイスは、支持体101、機能層211、第1の電極103、EL層102、及び第2の電極108を備える。図2Cに示す有機光デバイスは、支持体101上に機能層211を有し、機能層211上に第1の電極103を有し、第1の電極103上にEL層102を有し、EL層102上に第2の電極108を備える。図2Cに示す有機光デバイスは、保護部材12を備える。支持体101は、保護部材12の第1の膜に相当し、第1の電極103は、保護部材12の第2の膜に相当する。図2Dに示す有機光デバイスは、支持体101上に平坦化膜230を有し、平坦化膜230上に機能層211を有し、機能層211上に第1の電極103を有し、第1の電極103上にEL層102を有し、EL層102上に第2の電極108を備える。図2Dに示す有機光デバイスは、保護部材14を備える。平坦化膜230は、保護部材14の第1の膜に相当し、第1の電極103は、保護部材14の第2の膜に相当する。図2CDにおいて、第1の電極103、EL層102、及び第2の電極108は、実施の形態1と同様の構成を適用することができる。<保護部材>ここで、本発明の一態様を適用した保護部材を構成するそれぞれ層の屈折率について説明する。[具体例1]具体例1は、図2Cに示す保護部材12を用いて説明する。図2Cに示す保護部材12は、機能層211が単層で構成されている。具体例1では、支持体101として、屈折率1.6のガラス基板を用い、第1の電極103として、屈折率2.0のITOを用いる。前述の通り、機能層211が有する層の屈折率は、接する層の屈折率との差がそれぞれ0.2以下である。機能層211は屈折率1.6の支持体101と接するため、機能層211の屈折率は1.4以上1.8以下である必要がある。加えて、機能層211は屈折率2.0の第1の電極103と接するため、機能層211の屈折率は1.8以上2.2以下である必要がある。したがって、機能層211として、屈折率1.8の層を用いる。本実施の形態は、Ga-Zn-O系の材料からなる屈折率1.8の層を用いる。このような構成を適用することで、機能層211の屈折率と、接する層第1の電極103及び支持体101の屈折率との差をそれぞれ0.2以下とすることができ、有機光デバイス内で生じる屈折率の差による光の反射を抑制することができる。また、機能層211は、Gaと、Znと、Oと、を含む絶縁膜を備えるため、外部から水素、水分又は不純物等が有機化合物や金属材料に侵入することを抑制することができる。なお、大気と支持体101の界面に凹凸の構造を有することが好ましい。支持体101の屈折率は大気の屈折率よりも大きい。よって、大気と支持体101の界面に凹凸の構造を設けることで、全反射の影響で大気に取り出せない光を低減し、有機光デバイスの光の取り出し効率を向上させることができる。凹凸の構造を備えた支持体101の具体的な例は、実施の形態3で説明する。[具体例2]具体例2は、図2Dに示す保護部材14を用いて説明する。図2Dに示す保護部材14は、機能層211が2層で構成されている。具体例2では、第1の電極103として、屈折率2.0のITOを用い、平坦化膜230として、屈折率1.6の樹脂を用いる。また、支持体101として、屈折率1.5のガラス基板の表裏に屈折率1.5のマイクロレンズアレイを設けた構成を用いる。前述の通り、機能層211が有する層の屈折率は、接する層の屈折率との差がそれぞれ0.2以下である。よって、機能層211のうち、平坦化膜230と接する第1機能層221の屈折率は、1.4以上1.8以下である。ここでは、第1機能層221として、Ga-Zn-O系の材料からなる屈折率1.7の層を用いる。また、第1の電極103及び第1機能層221と接する第2機能層222の屈折率は、1.8以上1.9以下である。ここでは、第2機能層222として、Ga-Zn-O系の材料からなる屈折率1.9の層を用いる。このような構成を適用することで、機能層211が有する層の屈折率について、接する層の屈折率との差をそれぞれ0.2以下とすることができ、有機光デバイス内で生じる屈折率の差による光の反射を抑制することができる。また、機能層211は、Gaと、Znと、Oと、を含む絶縁膜を備えるため、水素、水分又は不純物等が有機光デバイスの外部から有機化合物や金属材料に侵入することを抑制することができる。<平坦化膜>一般に、発光性の有機化合物を含む層を備えるEL層102発光体に相当は、屈折率が1.6以上である。前述の通り、発光体又は発光性の有機化合物を含む層の屈折率よりも小さい屈折率を有する媒体Bへ、媒体Bよりも屈折率の高い媒体Aから光が入射する際に、光は全反射することがある。図2Dにおいて、屈折率が1.6の平坦化膜230から屈折率が1.5の支持体101に光が入射する際、光が全反射する条件がある。よって、具体例2では、支持体101の平坦化膜230と接する面にマイクロレンズアレイを用いて、凹凸の構造を形成している。平坦化膜230と支持体101の界面に凹凸の構造を設けることで、平坦化膜230から支持体101に臨界角を超えて入射する光が全反射し、デバイス内を光が導波して光の取り出し効率が低下する現象を抑制することができる。図2Dに示すように、平坦化膜230は、支持体101と接する面よりも、第1機能層221と接する面のほうが平坦である。したがって、第1機能層221及び第1の電極103を平坦な膜とすることができる。その結果、第1の電極103の凹凸に起因するEL層102のリーク電流を抑制することができる。平坦化膜230の材料としては、高屈折率の液体や樹脂等を用いることができる。平坦化膜230は、透光性を有する。高屈折率の樹脂としては、臭素が含まれる樹脂、硫黄が含まれる樹脂などが挙げられ、例えば、含硫黄ポリイミド樹脂、エピスルフィド樹脂、チオウレタン樹脂、又は臭素化芳香族樹脂などを用いることができる。また、PETポリエチレンテレフタラート、TACトリアセチルセルロースなども用いることができる。高屈折率の液体としては、硫黄及びヨウ化メチレンを含む接触液屈折液などを用いることができる。成膜方法としては、材料にあった種々の方法を適用すれば良い。例えば、前述の樹脂を、スピンコート法を用いて成膜し、熱または光によって硬化させることで形成することができる。接着強度や加工のしやすさなどを考慮し適宜選択することができる。本実施の形態において、平坦化膜230とEL層102の間には、Gaと、Znと、Oと、を含む絶縁膜を備えるため、水素、水分又は不純物等が有機光デバイスの外部から有機化合物や金属材料に侵入することを抑制することができる。本実施の形態では、機能層211が単層又は2層からなる例を示したが、本発明はこれに限られず、機能層211が3層以上で構成されていても良い。図5に、有機EL現象を利用した有機光デバイスの別の例を示す。図5Aは、図5BのA-B間の断面図である。図5ABに示す有機光デバイスは、支持体101、機能層211、第1の電極103、EL層102、第2の電極108、封止膜202を備える。具体的には、支持体101上に機能層211を有し、機能層211上に第1の電極103を有し、第1の電極103上にEL層102を有し、EL層102上に第2の電極108を有し、第2の電極108を覆う封止膜202を有する。また、第1の電極103と同様の材料で作成された導電層411は、接続端子として機能する。図5に示す有機光デバイスにおいて、支持体101は、保護部材の第1の膜に相当し、第1の電極103は、保護部材の第2の膜に相当する。機能層211は、図2Cに示した有機光デバイスと同様の構成を適用することができる。封止膜202、支持体101、第1の電極103、EL層102、及び第2の電極108は、実施の形態1と同様の構成を適用することができる。機能層211は、Ga又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜を有する。また、封止膜202は、Ga又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜からなる。図5Aに示す有機光デバイスでは、封止膜202が、第2の電極108を覆っている。さらに、機能層211と封止膜202が接している。図5Aにおいて、第1の電極103、EL層102、及び第2の電極108は、機能層211及び封止膜202に囲まれている。特に、機能層211が有するGa又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜と、封止膜202とが接していることが好ましい。第1の電極103、EL層102、及び第2の電極108を囲うように、Ga又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜を設けることで、EL層102に含まれる有機化合物や電極に含まれる金属材料に水分や不純物等が侵入することを抑制することができる。本実施の形態で示した有機光デバイスは、保護部材の1層として、Ga又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜を備えるため、有機化合物や金属材料への水分や不純物の侵入を抑制することができる。Ga又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜は、可視光に対する透光性を有するため、有機光デバイスの発光を取り出す側に設けても光の取り出しを阻害することがなく、好適に用いることができる。さらに、本実施の形態で示した有機光デバイスは、保護部材を構成する全ての層において、接する層との屈折率の差がそれぞれ0.2以下であるため、屈折率の差による光の反射を抑制することができる。また、本発明の一態様では、保護部材の屈折率を発光体の屈折率以上とすることで保護部材の内部で光の全反射が生じることを抑制する。そして、屈折率が発光体の屈折率以上の保護部材から発光体よりも屈折率の小さい支持体へ光が入射される場合、機能層と支持体の間に、屈折率が発光体の屈折率以上である平坦化膜を設ける。そして、平坦化膜と支持体との界面に凹凸の構造を設ける。このような構成とすることで、有機光デバイスにおいて、光の全反射が生じ、デバイス内を光が導波して光の取り出し効率が低下することを抑制することができる。加えて、第1の電極に凹凸が形成され、EL層のリーク電流が生じることを抑制できる。以上のように、本発明の一態様を適用することで、水分や不純物による劣化が抑制された有機光デバイスを提供することができる。また、光取り出し効率の高い有機光デバイスを提供することができる。本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。実施の形態3本実施の形態では、本発明の一態様に適用できる表裏にそれぞれ凹凸構造を備えた支持体について、図3を用いて説明する。支持体の表裏に、それぞれ独立に、凹凸構造を設けることで、光の取り出し効率の高い有機光デバイスを実現することができる。凹凸構造は、ストライプ状であっても効果を奏するが、マトリクス状の凹凸構造が好ましい。図3A乃至図3Fに、本発明の一態様の有機光デバイスが備える支持体101の一例を示す。図3A乃至図3Fに示す支持体101は、表裏に、それぞれ独立に、凹凸構造のパターンを有する。支持体101が有する凹凸構造のパターンは、特に限定されず、例えば、半球状図3A乃至図3D、及び図3Fや、円錐、角錐三角錐、四角錐等などの頂点を有する形状とすることができる図3E。支持体101が有する凹凸の大きさ、高さについては、0.1μm以上1000μm以下程度とすることが好ましい。特に、1μm以上であると、光の干渉による影響を抑制することができるため、好ましい。パターンは、隣り合う部分において隙間が生じないように設けられていることが好ましい。支持体101は、図3Aに示すように、一種類の材料で構成されていても良いし、図3B乃至図3Fにそれぞれ示すように、複数の材料の積層で構成されていても良い。複数の層で構成する場合、支持体101の屈折率は層によって異なっていても良い。支持体101の屈折率が層によって異なる場合、全ての層において、接する層との屈折率の差がそれぞれ0.2以下であると、屈折率の差による光の反射を抑制することができるため好ましい。さらに、全ての層において、接する層との屈折率の差が0.15以下であると、屈折率の差による光の反射を1以下に抑制することができ、好ましい。支持体101を形成する層の屈折率の差が小さいほど、屈折率の差による光の反射を抑制することができる。支持体が、屈折率の異なる複数の層からなる場合、隣り合う2層において、発光体から近い側の層の屈折率が、逆側の層の屈折率よりも高い場合は、2層の界面に凹凸構造を設けることが好ましい。また、支持体101に含まれる隣り合う2層において、発光体から近い側の層の屈折率が、逆側の層の屈折率以下の場合、上記凹凸構造を設ける工程が不要となり便宜である。図3Aに示す支持体101は、第1の材料層111のみからなる。第1の材料層111に用いることができる材料としては、例えば、ガラスや樹脂などが挙げられる。樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、またはポリ塩化ビニル樹脂などを用いることができる。上述の材料に、凹凸構造を作製するための方法としては、例えば、エッチング法、砥粒加工法サンドブラスト法、マイクロブラスト加工法、液滴吐出法や、印刷法スクリーン印刷やオフセット印刷などパターンが形成される方法、スピンコート法などの塗布法、ディッピング法、ディスペンサ法、インプリント法、ナノインプリント法等を適宜用いることができる。図3B乃至図3Eに示す支持体101は、第1の材料層111と、第2の材料層112からなる。第1の材料層111は、第2の材料層112と接する面とは逆側の面に凹凸構造を有する。第2の材料層112は、第1の材料層111と接する面とは逆側の面に凹凸構造を有する。図3C乃至図3Eに示す支持体101において、第1の材料層111は前述の材料方法を用いて形成することができる。また、第2の材料層112は、第1の材料層111に用いることができる材料方法を用いることができるほか、半球レンズ、マイクロレンズアレイや、凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を用いることもできる。例えば、第1の材料層111又は第2の材料層112と同程度の屈折率を有する接着剤等を用いて第1の材料層111に上記レンズやフィルムを接着することで第2の材料層112を形成することができる。図3Bに示す支持体101において、第1の材料層111は、図3C乃至図3Eの第2の材料層112と同様の材料方法を用いて形成することができ、第2の材料層112は、図3C乃至図3Eの第1の材料層111と同様の材料方法を用いて形成することができる。図3B乃至図3Eに示す支持体101のように、支持体が2層からなる場合は、第1の材料層111の屈折率と、第2の材料層112の屈折率の差は0.2以下であることが好ましく、0.15以下であることがより好ましい。支持体101を形成する層の屈折率の差が小さいほど、屈折率の差による光の反射を抑制することができる。また、第1の材料層111の屈折率が、第2の材料層112の屈折率よりも低いと、第1の材料層111と第2の材料層112の界面における全反射等による光の損失を抑制することができ、光取り出し効率が向上するため好ましい。図3Fに示す支持体101は、第1の材料層111、第2の材料層112、及び第3の材料層113からなる。第1の材料層111は、第3の材料層113と接する面とは逆側の面に凹凸構造を有する。第2の材料層112は、第3の材料層113と接する面とは逆側の面に凹凸構造を有する。第1の材料層111及び第2の材料層112は、それぞれ図3C乃至図3Eと同様の材料方法を用いて形成することができる。図3Fに示す支持体101において、支持体としての機能は、第3の材料層113が備えていれば良い。したがって、第1の材料層111及び第2の材料層112は、薄く形成されていれば良く、必要な光学特性を有する材料を適宜選択して形成することができる。第1の材料層111及び第2の材料層112の膜厚は、それぞれ数十μm程度で形成すれば良く、必要によってはそれ以上の厚さで形成しても良い。第3の材料層113は凹凸加工が不要であるため、前述のガラスや樹脂の中でも、加工性の良さなどにこだわらず、安価な材料や入手が容易な材料を適宜用いることができる。例えば、樹脂は、軽くて割れにくいだけでなく、再利用が容易であるため好ましい。図3Fに示す支持体101のように、支持体が3層からなる場合、3層の屈折率の差は、0.2以下であることが好ましく、0.15以下であることがより好ましい。3層の屈折率の差が小さいほど、屈折率の差による光の反射を抑制することができる。また、第1の材料層111の屈折率が最も低く、第3の材料層113の屈折率は、第1の材料層111の屈折率以上であり、第2の材料層112の屈折率は、第3の材料層113の屈折率以上であることが好ましい。第1の材料層111と第3の材料層113の界面、及び第2の材料層112と第3の材料層113の界面においても、全反射等による光の損失を抑制することができ、光取り出し効率が向上するためである。なお、支持体101において、大気との界面に設ける凹凸構造は、形成時期に限定は無く、機能層や発光体を設ける前に形成しても、支持体101上に機能層や発光体等を設けた後に形成しても良い。機能層や発光体等を形成する工程中や搬送中に、凹凸構造が壊れることを防ぐことができるため、有機光デバイスを構成する層を形成した後または、発光体等を封止した後に、大気との界面に凹凸構造を形成することが好ましい。本実施の形態の支持体は、大気との界面に、凹凸構造が施されているため、支持体と大気との界面で全反射が生じても、支持体内を導波する基板モード光を外部に取り出しやすい構成である。よって、光取り出し効率を向上させることができる。さらに、本実施の形態の支持体は、大気との界面とは逆側の界面にも凹凸構造が施されているため、該界面でも全反射が生じた際、発光体内を導波する薄膜モード光を外部に取り出しやすい構成である。よって、光取り出し効率を向上させることができる。本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。実施の形態4本実施の形態では、本発明の一態様に適用できるEL層の一例について、図4を用いて説明する。図4Aに示すEL層102は、第1の電極103と第2の電極108の間に設けられている。第1の電極103及び第2の電極108は、実施の形態1と同様の構成を適用することができる。本実施の形態において、EL層102は、第1の電極103側から、正孔注入層701、正孔輸送層702、発光性の有機化合物を含む層703、電子輸送層704、及び電子注入層705の順で積層されている。図4Aに示す発光素子の作製方法について説明する。正孔注入層701は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物を用いることができる。また、フタロシアニン略称:H2Pc、銅IIフタロシアニン略称:CuPc等のフタロシアニン系の化合物を用いることができる。また、低分子の有機化合物である4,4’,4’’-トリスN,N-ジフェニルアミノトリフェニルアミン略称:TDATA、4,4’,4’’-トリス[N-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン略称:MTDATA、4,4’-ビス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DPAB、4,4’-ビスN-{4-[N’-3-メチルフェニル-N’-フェニルアミノ]フェニル}-N-フェニルアミノビフェニル略称:DNTPD、1,3,5-トリス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ベンゼン略称:DPA3B、3-[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA1、3,6-ビス[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA2、3-[N-1-ナフチル-N-9-フェニルカルバゾール-3-イルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCN1等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。さらに、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等を用いることもできる。例えば、ポリN-ビニルカルバゾール略称:PVK、ポリ4-ビニルトリフェニルアミン略称:PVTPA、ポリ[N-4-{N’-[4-4-ジフェニルアミノフェニル]フェニル-N’-フェニルアミノ}フェニルメタクリルアミド]略称:PTPDMA、ポリ[N,N’-ビス4-ブチルフェニル-N,N’-ビスフェニルベンジジン]略称:Poly-TPDなどの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸PEDOT/PSS、ポリアニリン/ポリスチレンスルホン酸PAni/PSS等の酸を添加した高分子化合物を用いることができる。特に、正孔注入層701として、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることが好ましい。正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることにより、第1の電極103からの正孔注入性を良好にし、発光素子の駆動電圧を低減することができる。これらの複合材料は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター物質とを共蒸着することにより形成することができる。該複合材料を用いて正孔注入層701を形成することにより、第1の電極103からEL層102への正孔注入が容易となる。複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等など、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。複合材料に用いることのできる有機化合物としては、例えば、TDATA、MTDATA、DPAB、DNTPD、DPA3B、PCzPCA1、PCzPCA2、PCzPCN1、4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:NPB又はα-NPD、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:TPD、4-フェニル-4’-9-フェニルフルオレン-9-イルトリフェニルアミン略称:BPAFLP等の芳香族アミン化合物や、4,4’-ジN-カルバゾリルビフェニル略称:CBP、1,3,5-トリス[4-N-カルバゾリルフェニル]ベンゼン略称:TCPB、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPA、9-フェニル-3-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:PCzPA、1,4-ビス[4-N-カルバゾリルフェニル]-2,3,5,6-テトラフェニルベンゼン等のカルバゾール誘導体を用いることができる。また、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、2-tert-ブチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、2-tert-ブチル-9,10-ビス4-フェニルフェニルアントラセン略称:t-BuDBA、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、2-tert-ブチルアントラセン略称:t-BuAnth、9,10-ビス4-メチル-1-ナフチルアントラセン略称:DMNA、9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]-2-tert-ブチルアントラセン、9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]アントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン等の芳香族炭化水素化合物を用いることができる。さらに、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン、9,9’-ビアントリル、10,10’-ジフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス2-フェニルフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス[2,3,4,5,6-ペンタフェニルフェニル]-9,9’-ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11-テトラtert-ブチルペリレン、ペンタセン、コロネン、4,4’-ビス2,2-ジフェニルビニルビフェニル略称:DPVBi、9,10-ビス[4-2,2-ジフェニルビニルフェニル]アントラセン略称:DPVPA等の芳香族炭化水素化合物を用いることができる。また、電子受容体としては、7,7,8,8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン略称:F4-TCNQ、クロラニル等の有機化合物や、遷移金属酸化物を挙げることができる。また、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。なお、上述したPVK、PVTPA、PTPDMA、Poly-TPD等の高分子化合物と、上述した電子受容体を用いて複合材料を形成し、正孔注入層701に用いてもよい。正孔輸送層702は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、例えば、NPB、TPD、BPAFLP、4,4’-ビス[N-9,9-ジメチルフルオレン-2-イル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DFLDPBi、4,4’-ビス[N-スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル-N―フェニルアミノ]ビフェニル略称:BSPB等の芳香族アミン化合物を用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。また、正孔輸送層702には、CBP、CzPA、PCzPAのようなカルバゾール誘導体や、t-BuDNA、DNA、DPAnthのようなアントラセン誘導体を用いても良い。また、正孔輸送層702には、PVK、PVTPA、PTPDMA、Poly-TPDなどの高分子化合物を用いることもできる。発光性の有機化合物を含む層703は、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。発光性の有機化合物を含む層703に用いることができる蛍光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、N,N’-ビス[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N,N’-ジフェニルスチルベン-4,4’-ジアミン略称:YGA2S、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:YGAPA、4-10-フェニル-9-アントリル-4’-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルトリフェニルアミン略称:PCBAPAなどが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCABPhA、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPABPhA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル]-N-[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N-フェニルアントラセン-2-アミン略称:2YGABPhA、N,N,9-トリフェニルアントラセン-9-アミン略称:DPhAPhAなどが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、5,12-ビス1,1’-ビフェニル-4-イル-6,11-ジフェニルテトラセン略称:BPTなどが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルテトラセン-5,11-ジアミン略称:p-mPhTD、7,14-ジフェニル-N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルアセナフト[1,2-a]フルオランテン-3,10-ジアミン略称:p-mPhAFDなどが挙げられる。また、発光性の有機化合物を含む層703に用いることができる燐光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、ビス[2-4’,6’-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIテトラキス1-ピラゾリルボラート略称:FIr6、ビス[2-4’,6’-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIピコリナート略称:FIrpic、ビス{2-[3’,5’-ビストリフルオロメチルフェニル]ピリジナト-N,C2’}イリジウムIIIピコリナート略称:IrCF3ppy2pic、ビス[2-4’,6’-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:FIracacなどが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irppy3、ビス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irppy2acac、ビス1,2-ジフェニル-1H-ベンゾイミダゾラトイリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpbi2acac、ビスベンゾ[h]キノリナトイリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbzq2acac、トリスベンゾ[h]キノリナトイリジウムIII略称:Irbzq3などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ビス2,4-ジフェニル-1,3-オキサゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irdpo2acac、ビス[2-4’-パーフルオロフェニルフェニルピリジナト]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irp-PF-ph2acac、ビス2-フェニルベンゾチアゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbt2acac、アセチルアセトナトビス[2,3-ビス4-フルオロフェニル-5-メチルピラジナト]イリジウムIII略称:IrFdppr-Me2acac、アセチルアセトナトビス{2-4-メトキシフェニル-3,5-ジメチルピラジナト}イリジウムIII略称:Irdmmoppr2acacなどが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス2-フェニルキノリナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irpq3、ビス2-フェニルキノリナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpq2acac、アセチルアセトナトビス3,5-ジメチル-2-フェニルピラジナトイリジウムIII略称:Irmppr-Me2acac、アセチルアセトナトビス5-イソプロピル-3-メチル-2-フェニルピラジナトイリジウムIII略称:Irmppr-iPr2acacなどが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス[2-2’-ベンゾ[4,5-α]チエニルピリジナト-N,C3’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbtp2acac、ビス1-フェニルイソキノリナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpiq2acac、アセチルアセトナトビス[2,3-ビス4-フルオロフェニルキノキサリナト]イリジウムIII略称:IrFdpq2acac、アセチルアセトナトビス2,3,5-トリフェニルピラジナトイリジウムIII略称:Irtppr2acac、ジピバロイルメタナトビス2,3,5-トリフェニルピラジナトイリジウムIII略称:Irtppr2dpm、2,3,7,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィリン白金II略称:PtOEP等の有機金属錯体が挙げられる。また、トリスアセチルアセトナトモノフェナントロリンテルビウムIII略称:Tbacac3Phen、トリス1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオナトモノフェナントロリンユーロピウムIII略称:EuDBM3Phen、トリス[1-2-テノイル-3,3,3-トリフルオロアセトナト]モノフェナントロリンユーロピウムIII略称:EuTTA3Phen等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光異なる多重度間の電子遷移であるため、燐光性化合物として用いることができる。なお、発光性の有機化合物を含む層703としては、上述した発光性の有機化合物ゲスト材料を他の物質ホスト材料に分散させた構成としてもよい。ホスト材料としては、各種のものを用いることができ、発光性の有機化合物よりも最低空軌道準位LUMO準位が高く、最高被占有軌道準位HOMO準位が低い物質を用いることが好ましい。ホスト材料としては、具体的には、トリス8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウムII略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウムIII略称:BAlq、ビス8-キノリノラト亜鉛II略称:Znq、ビス[2-2-ベンゾオキサゾリルフェノラト]亜鉛II略称:ZnPBO、ビス[2-2-ベンゾチアゾリルフェノラト]亜鉛II略称:ZnBTZなどの金属錯体、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBD、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、2,2’,2’’-1,3,5-ベンゼントリイルトリス1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:TPBI、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCPなどの複素環化合物や、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPA、3,6-ジフェニル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DPCzPA、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、9,9’-ビアントリル略称:BANT、9,9’-スチルベン-3,3’-ジイルジフェナントレン略称:DPNS、9,9’-スチルベン-4,4’-ジイルジフェナントレン略称:DPNS2、3,3’,3’’-ベンゼン-1,3,5-トリイルトリピレン略称:TPB3、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、6,12-ジメトキシ-5,11-ジフェニルクリセンなどの縮合芳香族化合物、N,N-ジフェニル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:CzA1PA、4-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:DPhPA、N,9-ジフェニル-N-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPA、N,9-ジフェニル-N-{4-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]フェニル}-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPBA、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPA、NPBまたはα-NPD、TPD、DFLDPBi、BSPBなどの芳香族アミン化合物などを用いることができる。また、ホスト材料は複数種用いることができる。例えば、結晶化を抑制するためにルブレン等の結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、ゲスト材料へのエネルギー移動をより効率良く行うためにNPB、あるいはAlq等をさらに添加してもよい。ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることにより、発光性の有機化合物を含む層703の結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。また、発光性の有機化合物を含む層703として高分子化合物を用いることができる。具体的には、青色系の発光材料として、ポリ9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイル略称:PFO、ポリ[9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイル-co-2,5-ジメトキシベンゼン-1,4-ジイル]略称:PF-DMOP、ポリ{9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイル-co-[N,N’-ジ-p-ブチルフェニル-1,4-ジアミノベンゼン]}略称:TAB-PFHなどが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、ポリp-フェニレンビニレン略称:PPV、ポリ[9,9-ジヘキシルフルオレン-2,7-ジイル-alt-co-ベンゾ[2,1,3]チアジアゾール-4,7-ジイル]略称:PFBT、ポリ[9,9-ジオクチル-2,7-ジビニレンフルオレニレン-alt-co-2-メトキシ-5-2-エチルヘキシロキシ-1,4-フェニレン]などが挙げられる。また、橙色~赤色系の発光材料として、ポリ[2-メトキシ-5-2’-エチルヘキソキシ-1,4-フェニレンビニレン]略称:MEH-PPV、ポリ3-ブチルチオフェン-2,5-ジイル略称:R4-PAT、ポリ{[9,9-ジヘキシル-2,7-ビス1-シアノビニレンフルオレニレン]-alt-co-[2,5-ビスN,N’-ジフェニルアミノ-1,4-フェニレン]}、ポリ{[2-メトキシ-5-2-エチルヘキシロキシ-1,4-ビス1-シアノビニレンフェニレン]-alt-co-[2,5-ビスN,N’-ジフェニルアミノ-1,4-フェニレン]}略称:CN-PPV-DPDなどが挙げられる。また、発光性の有機化合物を含む層を複数設け、それぞれの層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、発光性の有機化合物を含む層を2つ有する発光素子において、第1の発光性の有機化合物を含む層の発光色と第2の発光性の有機化合物を含む層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、発光性の有機化合物を含む層を3つ以上有する発光素子の場合でも同様である。電子輸送層704は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質としては、例えば、トリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウム略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウム略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウム略称:BAlqなど、キノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また、この他ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾオキサゾラト]亜鉛略称:ZnBOX2、ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾチアゾラト]亜鉛略称:ZnBTZ2などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBDや、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCPなども用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。電子注入層705は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層705には、リチウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、リチウム酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送層704を構成する物質を用いることもできる。なお、上述した正孔注入層701、正孔輸送層702、発光性の有機化合物を含む層703、電子輸送層704、電子注入層705は、それぞれ、蒸着法真空蒸着法を含む、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。EL層102は、図4Bに示すように、第1の電極103と第2の電極108との間に複数積層されていても良い。この場合、積層された第1のEL層800と第2のEL層801との間には、電荷発生層803を設けることが好ましい。電荷発生層803は上述の複合材料で形成することができる。また、電荷発生層803は複合材料からなる層と他の材料からなる層との積層構造でもよい。この場合、他の材料からなる層としては、電子供与性物質と電子輸送性の高い物質とを含む層や、透明導電膜からなる層などを用いることができる。このような構成を有する発光素子は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易である。また、一方のEL層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である。この構造は上述のEL層の構造と組み合わせて用いることができる。また、それぞれのEL層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、2つのEL層を有する発光素子において、第1のEL層の発光色と第2のEL層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。また、3つ以上のEL層を有する発光素子の場合でも同様である。EL層102は、図4Cに示すように、第1の電極103と第2の電極108との間に、正孔注入層701、正孔輸送層702、発光性の有機化合物を含む層703、電子輸送層704、電子注入バッファー層706、電子リレー層707、及び第2の電極108と接する複合材料層708を有していても良い。第2の電極108と接する複合材料層708を設けることで、特にスパッタリング法を用いて第2の電極108を形成する際に、EL層102が受けるダメージを低減することができるため、好ましい。複合材料層708は、前述の、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることができる。さらに、電子注入バッファー層706を設けることで、複合材料層708と電子輸送層704との間の注入障壁を緩和することができるため、複合材料層708で生じた電子を電子輸送層704に容易に注入することができる。電子注入バッファー層706には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物アルカリ金属化合物酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む、アルカリ土類金属化合物酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む、または希土類金属の化合物酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。また、電子注入バッファー層706が、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで形成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、0.001以上0.1以下の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物アルカリ金属化合物酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む、アルカリ土類金属化合物酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む、または希土類金属の化合物酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含むの他、テトラチアナフタセン略称:TTN、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した電子輸送層704の材料と同様の材料を用いて形成することができる。さらに、電子注入バッファー層706と複合材料層708との間に、電子リレー層707を形成することが好ましい。電子リレー層707は、必ずしも設ける必要は無いが、電子輸送性の高い電子リレー層707を設けることで、電子注入バッファー層706へ電子を速やかに送ることが可能となる。複合材料層708と電子注入バッファー層706との間に電子リレー層707が挟まれた構造は、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質と、電子注入バッファー層706に含まれるドナー性物質とが相互作用を受けにくく、互いの機能を阻害しにくい構造である。したがって、駆動電圧の上昇を抑制することができる。電子リレー層707は、電子輸送性の高い物質を含み、該電子輸送性の高い物質のLUMO準位は、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のLUMO準位と、電子輸送層704に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位との間となるように形成する。また、電子リレー層707がドナー性物質を含む場合には、当該ドナー性物質のドナー準位も複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のLUMO準位と、電子輸送層704に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位との間となるようにする。具体的なエネルギー準位の数値としては、電子リレー層707に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位は-5.0eV以上、好ましくは-5.0eV以上-3.0eV以下とするとよい。電子リレー層707に含まれる電子輸送性の高い物質としてはフタロシアニン系の材料又は金属-酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。電子リレー層707に含まれるフタロシアニン系材料としては、具体的にはCuPc、SnPcPhthalocyaninetinIIcomplex、ZnPcPhthalocyaninezinccomplex、CoPcCobaltIIphthalocyanine,β-form、FePcPhthalocyanineIron及びPhO-VOPcVanadyl2,9,16,23-tetraphenoxy-29H,31H-phthalocyanineのいずれかを用いることが好ましい。電子リレー層707に含まれる金属-酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としては、金属-酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることが好ましい。金属-酸素の二重結合はアクセプター性電子を受容しやすい性質を有するため、電子の移動授受がより容易になる。また、金属-酸素の二重結合を有する金属錯体は安定であると考えられる。したがって、金属-酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることにより発光素子を低電圧でより安定に駆動することが可能になる。金属-酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としてはフタロシアニン系材料が好ましい。具体的には、VOPcVanadylphthalocyanine、SnOPcPhthalocyaninetinIVoxidecomplex及びTiOPcPhthalocyaninetitaniumoxidecomplexのいずれかは、分子構造的に金属-酸素の二重結合が他の分子に対して作用しやすく、アクセプター性が高いため好ましい。なお、上述したフタロシアニン系材料としては、フェノキシ基を有するものが好ましい。具体的にはPhO-VOPcのような、フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体が好ましい。フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体は、溶媒に可溶である。そのため、発光素子を形成する上で扱いやすいという利点を有する。また、溶媒に可溶であるため、成膜に用いる装置のメンテナンスが容易になるという利点を有する。電子リレー層707はさらにドナー性物質を含んでいても良い。ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属及びこれらの化合物アルカリ金属化合物酸化リチウムなどの酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウムなどの炭酸塩を含む、アルカリ土類金属化合物酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む、又は希土類金属の化合物酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含むの他、テトラチアナフタセン略称:TTN、ニッケロセン、デカメチルニッケロセンなどの有機化合物を用いることができる。電子リレー層707にこれらドナー性物質を含ませることによって、電子の移動が容易となり、発光素子をより低電圧で駆動することが可能になる。電子リレー層707にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質としては上記した材料の他、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のアクセプター準位より高いLUMO準位を有する物質を用いることができる。具体的なエネルギー準位としては、-5.0eV以上、好ましくは-5.0eV以上-3.0eV以下の範囲にLUMO準位を有する物質を用いることが好ましい。このような物質としては例えば、ペリレン誘導体や、含窒素縮合芳香族化合物などが挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安定であるため、電子リレー層707を形成する為に用いる材料として、好ましい材料である。ペリレン誘導体の具体例としては、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物略称:PTCDA、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボキシリックビスベンゾイミダゾール略称:PTCBI、N,N’-ジオクチル-3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸ジイミド略称:PTCDI-C8H、N,N’-ジヘキシル-3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸ジイミド略称:HexPTC等が挙げられる。また、含窒素縮合芳香族化合物の具体例としては、ピラジノ[2,3-f][1,10]フェナントロリン-2,3-ジカルボニトリル略称:PPDN、2,3,6,7,10,11-ヘキサシアノ-1,4,5,8,9,12-ヘキサアザトリフェニレン略称:HATCN6、2,3-ジフェニルピリド[2,3-b]ピラジン略称:2PYPR、2,3-ビス4-フルオロフェニルピリド[2,3-b]ピラジン略称:F2PYPR等が挙げられる。その他にも、7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン略称:TCNQ、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物略称:NTCDA、パーフルオロペンタセン、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン略称:F16CuPc、N,N’-ビス2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-ペンタデカフルオロオクチル-1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド略称:NTCDI-C8F、3’,4’-ジブチル-5,5’’-ビスジシアノメチレン-5,5’’-ジヒドロ-2,2’:5’,2’’-テルチオフェン略称:DCMT、メタノフラーレン例えば、[6,6]-フェニルC61酪酸メチルエステル等を用いることができる。なお、電子リレー層707にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質とドナー性物質との共蒸着などの方法によって電子リレー層707を形成すれば良い。正孔注入層701、正孔輸送層702、発光性の有機化合物を含む層703、及び電子輸送層704は前述の材料を用いてそれぞれ形成すれば良い。以上により、本実施の形態のEL層102を作製することができる。本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。実施の形態5本実施の形態では、本発明の一態様を適用した有機光デバイスの一例を、図11を用いて説明する。図11に示す有機光デバイスは、支持体101、機能層211、第1の電極103、EL層102、第2の電極108、封止膜202、シール材207、乾燥剤208、封止基板209を備える。具体的には、支持体101上に機能層211を有し、機能層211上に第1の電極103を有し、第1の電極103上にEL層102を有し、EL層102上に第2の電極108を有し、第2の電極108を覆う封止膜202を有する。乾燥剤208は、封止基板209に接して設けられている。図11に示す有機光デバイスは、支持体101上に形成された第1の電極103、EL層102、及び第2の電極108を、封止基板209との間にシール材207によって封止した構成である。シール材207で囲まれた内側は、空間となっており、不活性気体アルゴンや窒素等の充填剤が充填されている。支持体101、機能層211、第1の電極103、EL層102、第2の電極108、及び封止膜202は実施の形態2図5と同様の構成を適用することができる。図11に示す有機光デバイスは、機能層211及び封止膜202として、Ga又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜をそれぞれ備える。シール材207としては、エポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、乾燥剤入りのシール材を用いることもできる。乾燥剤208は、アルカリ土類金属の酸化物酸化カルシウムや酸化バリウム等のように、化学吸着によって水分を吸収する物質を用いることが可能である。その他の乾燥剤として、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。封止基板209としては、ガラス基板や石英基板、ステンレス基板の他、FRPFiberglass-ReinforcedPlastics、PVFポリビニルフロライド、ポリエステル又はアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。特に、防水性の高い基板を用いることが好ましい。本実施の形態で示した有機光デバイスは、第1の電極103、EL層102、及び第2の電極108を囲うように、Ga又はAlと、Znと、Oとを含む絶縁膜を備えるため、有機化合物や金属材料への水分や不純物の侵入を抑制することができる。本実施例では、本発明の一態様に適用できるガリウムGaと、亜鉛Znと、酸素Oを含む膜以下、GZO膜の例について図6及び図7を用いて説明する。≪試料の作製≫まず、本実施例で作製したGZO膜について説明する。本実施例で作製したGZO膜は表1に示す3種類である。本実施例のすべての構成例において、基板とターゲットとの間の距離は110mmであり、圧力0.8Pa、直流DC電源200W、酸素雰囲気下、基板加熱温度200°Cの条件でスパッタリング法による成膜を行った。[構成例1]構成例1として、Ga-Zn-O系金属酸化物ターゲットGa2O3:ZnO=1:5[mol数比]を用いて、厚さ100nmのGZO膜を形成した。[構成例2]構成例2として、Ga-Zn-O系金属酸化物ターゲットGa2O3:ZnO=1:1[mol数比]を用いて、厚さ100nmのGZO膜を形成した。[構成例3]構成例3として、Ga-Zn-O系金属酸化物ターゲットGa2O3:ZnO=5:1[mol数比]を用いて、厚さ100nmのGZO膜を形成した。≪屈折率の測定≫次に、構成例1乃至構成例3の屈折率をそれぞれ測定した。本実施例では、エリプソメトリ法を用いて屈折率を求めた。構成例1乃至構成例3の屈折率を図6に示す。図6において、横軸は波長nmを示し、縦軸は屈折率を示す。構成例1乃至構成例3の屈折率は、波長が400nm以上800nm以下の領域以下、可視光領域と記すにおいて、波長依存性がほとんど見られなかった。図6からわかるように、可視光領域において、構成例1ZnOの含まれる割合が大きいターゲットは、構成例3Ga2O3の含まれる割合が大きいターゲットに比べて、屈折率が高い。以上の結果から、Ga-Zn-O系金属酸化物ターゲットに含まれるGa2O3とZnOの割合を変えることによって、得られるGZO膜の屈折率が変化することが示唆された。≪透過率の測定≫次に、構成例1乃至構成例3の透過率をそれぞれ測定した。本実施例では、分光光度計を用いて透過率の値を得た。構成例1乃至構成例3の透過率を図7に示す。図7において、横軸は波長nmを示し、縦軸は、透過率を示す。構成例1乃至構成例3の透過率は、波長が400nm以上の領域で75以上と非常に高かった。以上の結果から、GZO膜は、可視光に対する透光性が非常に高いことがわかった。本実施例からわかるように、Gaと、Znと、Oを含む膜は、可視光に対する透光性が非常に高い。さらに、GaとZnの割合を変えることで、得られる膜の屈折率が大きく変化する。したがって、本発明において、機能層として好適に用いることができることがわかった。本実施例では、本発明の一態様に適用できるGaと、Znと、Oを含む膜以下、GZO膜の別の例について図8乃至図10を用いて説明する。≪試料の作製≫まず、本実施例で作製したGZO膜について説明する。本実施例で作製したGZO膜は表2に示す12種類である。本実施例の全ての構成例において、基板とターゲットとの間の距離は110mmであり、圧力0.8Pa、直流DC電源200Wの条件でスパッタリング法による成膜を行った。[構成例A-1]構成例A-1として、Ga-Zn-O系金属酸化物ターゲットGa2O3:ZnO=1:5[mol数比]を用いて、アルゴン及び酸素流量比率は、アルゴン:酸素=7:3混合雰囲気下、室温で厚さ250nmのGZO膜を形成した。[構成例A-2]構成例A-2として、Ga-Zn-O系金属酸化物ターゲットGa2O3:ZnO=1:5[mol数比]を用いて、酸素雰囲気下、室温で厚さ90nmのGZO膜を形成した。[構成例A-3]構成例A-3として、Ga-Zn-O系金属酸化物ターゲットGa2O3:ZnO=1:5[mol数比]を用いて、アルゴン及び酸素流量比率は、アルゴン:酸素=7:3混合雰囲気下、基板加熱温度200°Cの条件で厚さ200nmのGZO膜を形成した。[構成例A-4]構成例A-4として、Ga-Zn-O系金属酸化物ターゲットGa2O3:ZnO=1:5[mol数比]を用いて、酸素雰囲気下、基板加熱温度200°Cの条件で厚さ150nmのGZO膜を形成した。[構成例B-1]構成例B-1として、Ga-Zn-O系金属酸化物ターゲットGa2O3:ZnO=1:1[mol数比]を用いて、アルゴン及び酸素流量比率は、アルゴン:酸素=7:3混合雰囲気下、室温で厚さ180nmのGZO膜を形成した。[構成例B-2]構成例B-2として、Ga-Zn-O系金属酸化物ターゲットGa2O3:ZnO=1:1[mol数比]を用いて、酸素雰囲気下、室温で厚さ50nmのGZO膜を形成した。[構成例B-3]構成例B-3では、Ga-Zn-O系金属酸化物ターゲットGa2O3:ZnO=1:1[mol数比]を用いて、アルゴン及び酸素流量比率は、アルゴン:酸素=7:3混合雰囲気下、基板加熱温度200°Cの条件で厚さ150nmのGZO膜を形成した。[構成例B-4]構成例B-4として、Ga-Zn-O系金属酸化物ターゲットGa2O3:ZnO=1:1[mol数比]を用いて、酸素雰囲気下、基板加熱温度200°Cの条件で厚さ90nmのGZO膜を形成した。[構成例C-1]構成例C-1として、Ga-Zn-O系金属酸化物ターゲットGa2O3:ZnO=5:1[mol数比]を用いて、アルゴン及び酸素流量比率は、アルゴン:酸素=7:3混合雰囲気下、室温で厚さ160nmのGZO膜を形成した。[構成例C-2]構成例C-2として、Ga-Zn-O系金属酸化物ターゲットGa2O3:ZnO=5:1[mol数比]を用いて、酸素雰囲気下、室温で厚さ50nmのGZO膜を形成した。[構成例C-3]構成例C-3として、Ga-Zn-O系金属酸化物ターゲットGa2O3:ZnO=5:1[mol数比]を用いて、アルゴン及び酸素流量比率は、アルゴン:酸素=7:3混合雰囲気下、基板加熱温度200°Cの条件で厚さ160nmのGZO膜を形成した。[構成例C-4]構成例C-4として、Ga-Zn-O系金属酸化物ターゲットGa2O3:ZnO=5:1[mol数比]を用いて、酸素雰囲気下、基板加熱温度200°Cの条件で厚さ90nmのGZO膜を形成した。≪屈折率の測定≫次に、構成例A-1乃至構成例A-4、構成例B-1乃至構成例B-4、及び構成例C-1乃至構成例C-4の屈折率をそれぞれ測定した。屈折率は、実施例1と同様の方法を用いて測定した。構成例A-1乃至構成例A-4の屈折率を図8に示す。構成例B-1乃至構成例B-4の屈折率を図9に示す。構成例C-1乃至構成例C-4の屈折率を図10に示す。図8乃至図10において、横軸は波長nmを示し、縦軸は屈折率を示す。本実施例で作製した構成例の屈折率は、可視光領域において、波長依存性がほとんど見られなかった。本実施例の結果から、GaとZnの割合や、成膜雰囲気等の条件を変えることによって、得られるGZO膜の屈折率が変化することがわかった。例えば、可視光領域において、屈折率が1.7以上2.0以下の範囲の値を示すGZO膜を成膜できることが示唆された。"