第1の面204および対向する第2の面206を有する熱伝導性金属202と、前記熱伝導性金属の前記第1の面に結合された第1の拡散障壁板208と、前記熱伝導性金属の前記第2の面に結合された第2の拡散障壁板210と、前記第1の拡散障壁板に結合された第1の熱抵抗低減層212と、前記第2の拡散障壁板に結合された第2の熱抵抗低減層214とを備え、前記熱伝導性金属、前記第1の拡散障壁板、および前記第2の拡散障壁板が前記第1の熱抵抗低減層と前記第2の熱抵抗低減層との間に配置される熱界面材料120。前記第1の熱抵抗低減層212および前記第2の熱抵抗低減層214が適合金属を含む請求項1記載の熱界面材料120。前記適合金属がインジウムである請求項2記載の熱界面材料120。前記熱伝導性金属が銅である請求項1記載の熱界面材料120。前記第1の拡散障壁板208および前記第2の拡散障壁板210のそれぞれがニッケルを含む請求項1記載の熱界面材料120。前記第1の熱抵抗低減層212および前記第2の熱抵抗低減層214のそれぞれが約25μmの厚さを有する請求項1記載の熱界面材料120。前記熱伝導性金属202が約25μmから約75μmまでの厚さを有する請求項1記載の熱界面材料120。前記第1の拡散障壁板208および前記第2の拡散障壁板210のそれぞれが約1μmから約3μmまでの厚さを有する請求項1記載の熱界面材料120。前記第1の熱抵抗低減層212および前記第2の熱抵抗低減層214のうちの一方に結合された接着層222をさらに含み、前記接着層が前記熱界面材料の外面224に配置される請求項1記載の熱界面材料120。前記接着層222が前記熱界面材料の外面224に、配列パターン、格子パターン、および縞パターンのうちの少なくとも1つで配置される請求項9記載の熱界面材料120。回路カードアセンブリCCAとシャーシとの間の熱抵抗を低減するための熱界面材料を提供する。一態様において、熱界面が提供される。この熱界面材料は、第1の面および対向する第2の面を有する熱伝導性金属と、熱伝導性金属の第1の面および熱伝導性金属の第2の面に結合された拡散障壁板diffusionbarrierplateと、拡散障壁板に結合された熱抵抗低減層thermalresistancereducinglayerとを含む。別の態様において、システムが提供される。このシステムは、回路カードアセンブリと、上面および下面を有するスロットを含むハウジングとを含む。スロットは、上面と下面との間で回路カードアセンブリを受けるように構成される。シムは、熱抵抗を低減するように構成される。シムは、回路カードアセンブリとスロットの上面との間に結合される。基板保持具は、シムを回路カードアセンブリとスロットの上面との間に固定する。さらに別の態様において、熱界面材料を形成する方法が提供される。この方法は、銅の層を設け、銅の層の上にニッケルの層を設け、ニッケルの層の上にインジウムの層を設けることを含む。添付の図面を参照して、本開示を以下で詳しく説明する。本開示は、回路カードアセンブリCCAとシャーシとの間の熱界面材料TIMについて説明するが、本開示の態様は、本明細書に示し、記載した機能を実施する任意の装置またはその均等物で動作する。それだけには限定されないが、例えば、本明細書に記載したTIMは、電源ユニットとベースプレートとの間、シャーシと冷却ファンとの間、シャーシとベースプレートとの間などに配置されてもよい。CCAとシャーシとの間の現在の熱界面は金属対金属であり、2つの金属間にTIMを含まない。しかし、上述したように、金属対金属の界面は、全体的なCCAワット数が低い場合は十分であり得る。より小型になり、かつ/または高速で動作する電子装置を使用する新しい設計のCCAは、より多くのエネルギーおよび熱を発し、金属対金属の界面が不適切になる。例えば、高性能伝導冷却型highperformanceconductioncooledCCAは、低温壁界面で85°Cの温度で連続的に稼働することが期待される通常、プロセッサ製造者は、105°Cという接合部温度の上限を指定する。これによって、プロセッサと低温壁の熱界面との間の20°Cの温度差ΔTが残ることになる。CCAの2つの金属対金属の界面のうちの一方に40ワットの負荷をかける従来のCCAの試行では、ΔTが金属対金属の界面にわたって7.9°Cとなった。これによって、界面にわたって約0.2°C/Wの熱抵抗が与えられる。したがって、最大負荷160ワット界面当たり80ワットのCCAは、ΔTを約16°Cまで増加させることになり、これは問題となり得る。しかし、例えば、CCAとシャーシとの間に金属対金属の界面を含み、CCAワット数が限定されている場合にのみ十分な従来のシステムとは異なり、本明細書に記載したTIMは、界面における熱抵抗を少なくとも10分の1に低減し、したがって、負荷が20ワット未満のCCAに適用され得ると共に、負荷が160ワットを超えるCCAに適用され得る。次に図1を参照すると、CCAのハウジング例えばシャーシ102の端面図が示されている。シャーシ102は、低温壁104および106の長さに沿って延びるスロット108を形成する低温壁104および106を含む。スロット108は、上面110例えば低温壁104の底面および下面112例えば低温壁106の上面を有する。基板保持具、または任意の他の適した固定機構、例えばウェッジロックwedgelock114が低温壁104と106との間に結合され、下面112と接する。CCA116、およびより詳細には、CCA116の熱界面表面117がウェッジロック114の上面118とスロット108の上面110との間に配置される。熱抵抗を低減するように構成されたTIM120例えばシムが熱界面表面117とスロット108の上面110との間に結合される。熱界面表面117およびTIM120は、スロット108の上面110とウェッジロック114の上面118との間で圧縮される。以下でさらに詳しく記載するように、TIM120は、複数の層を含む。いくつかの実施形態において、複数の層の各層は、2つ以上の層を含み得る。いくつかの実施形態において、ウェッジロック114は、複数の個々のウェッジ図示せずを拡大し、それらを介してCCA116と低温壁106の上面110との間に接触圧力を付加することによってCCA116およびTIM120をスロット108に固定するように設計された機械式留め具である。例えば、ウェッジロック114は、拡大ネジ図示せずを使用して複数のウェッジを拡大し、CCA116とスロット108の上面110との間に圧力を加えることによって、CCA116およびTIM120をスロット108に機械的に固定する。TIM120は、2つの接合面、すなわち熱界面表面117とスロット108の上面110との間に適合し、低いバルク熱抵抗および低い接触抵抗を有する。以下でより詳しく説明するように、熱性能を最適化するために、TIM120は、界面材料および/または界面層例えばインジウムを含み、非平面の面に適合し、それによって接触抵抗を下げることができる。また、TIM120は、熱伝導性および機械的コンプライアンスが高く、TIM120に力が加えられると、弾力的に曲がる。次に図2を参照すると、TIM例えばTIM120の例の断面図が示されている。TIM120は、第1の面204および対向する第2の面206を有する熱伝導性金属202と、熱伝導性金属202を囲む包む拡散障壁板208と、拡散障壁板208を囲む熱抵抗低減層212とを含む。上述したように、適したTIMは、2つの接合面の間に適合し、低いバルク熱抵抗および低い接触抵抗を有するものとする。したがって、熱抵抗低減層212は、インジウムなどの適合金属confirmingmetalを含む。しかし、インジウムは軟性であるため、TIM120は、他の金属により重層化されて、伝導性を維持しながら、より緻密なTIMを提供する。例えば、銅などの熱伝導性金属202は、補強材として設けられ、これによってTIM120は、より緻密な形態を維持することができる。しかし、銅およびインジウムは拡散性があるため、拡散障壁として働くニッケルメッキ例えば拡散障壁板208が熱伝導性金属202例えば銅層と熱抵抗低減層212例えばインジウムの層との間に設けられる。いくつかの実施形態において、熱抵抗低減層212は、約25ミクロンμmの厚さを有し、熱伝導性金属は、約25μmから約75μmまでの厚さを有し、拡散障壁板208は、約1μmから約3μmまでの厚さを有する。次に図3を参照すると、代替のTIM320が示されている。TIM320は、第1の拡散障壁板308に結合された第1の熱抵抗低減層312、および第2の拡散障壁板310に結合された第2の熱抵抗低減層314を含む。この実施形態において、第1の熱抵抗低減層312および第2の熱抵抗低減層314は、熱伝導性金属202、第1の拡散障壁板308、および第2の拡散障壁板310によって分離されている。いくつかの実施形態において、接着層222は、TIM120の少なくとも1つの外面224に塗布される。しかし、表面全体の接着剤の層では、TIM120を通過する熱の流れを妨げ、したがってTIM120の熱抵抗を増やす可能性がある。したがって、接着層222を、図4に示すように縞パターンで、または図5に示すように配列/格子パターンでTIM120に塗布することができる。さらに、接着層が厚すぎると、TIM120がCCA116の熱界面表面117または低温壁106の上面110に正常に適合するのを妨げる可能性がある。したがって、いくつかの実施形態において、接着層222は、約5μmから約25μmまでの厚さを有する接着層を含む。いくつかの実施形態において、接着層222は、TIM120がウェッジロック114を介してCCA116と低温壁106の上面110との間に固定される前に、TIM120を熱界面表面117に一時的に取り付けるために使用される。さらに、接着層222は、犠牲的なものであるため、TIM120をCCA116および低温壁106の上面110から容易に取り除くことができ、熱界面表面117を交換用TIMのためにきれいに残しておくことができる微粘着の接着剤を含む。次に図6を参照すると、TIMを形成するプロセス例の流れ図が示されており、これを全体的にプロセス500と呼ぶ。プロセス500は、502で銅の層を設け、504で銅の層の上にニッケルのメッキ層を設け、506でニッケルのメッキ層の上にインジウムのメッキ層を設けることを含む。いくつかの実施形態において、ニッケルのメッキ層は、ニッケルのメッキ層が銅の層を囲むように設けられる。さらにいくつかの実施形態において、インジウムのメッキ層は、インジウムのメッキ層がニッケルのメッキ層を囲むように設けられる。他の実施形態において、ニッケルの第1のメッキ層が銅の層の第1の面の上に設けられ、ニッケルの第2のメッキ層が銅の層の対向する第2の側の上に設けられる。他の実施形態において、インジウムの第1のメッキ層がニッケルの第1のメッキ層の上に設けられ、インジウムの第2のメッキ層がニッケルの第2のメッキ層の上に設けられ、インジウムの第1のメッキ層およびインジウムの第2のメッキ層のそれぞれが、ニッケルの第1のメッキ層、銅の層、およびニッケルの第2のメッキ層によって分離されている。いくつかの実施形態において、複数のシム602は、例えば37.5μmの銅箔から化学的にエッチングされ、タブ606によってフレーム604に保持される図7参照。したがって、形状、サイズ、および穴は、単にフォトワークを変えることによって容易に対応させることができる。シム602はレーザーカットすることもでき、それによってソフトウェアを介して形状、サイズ、および穴を変えることができる。シム602がエッチングされた後、フレーム604は、メッキのために予め調整される。インジウムが容易に銅の中に拡散し、硬質な脆性合金をもたらすため、ニッケルの層例えば約3μmの厚さが、銅とインジウムとの間で障壁として働くように、シム602上の表面全体にメッキされる。次に、インジウムの層例えば、約25μmから約30μmまでの厚さがニッケル障壁上にメッキされる。次に、接着層222を、複数のシム602の少なくとも片側に塗布することができる。微粘着の接着剤は、リール状で裏紙上に提供されてもよく、したがって、接着剤は、レーザーカットして縞パターンを生成する、または配列/格子パターンにするそれぞれ図4および図5に示されるようにことができ、または薄いマスクをカットし、それを微粘着の接着剤のリール上に敷いて配列/格子パターンまたは縞パターンを露出させることができる。接着層は、複数のシム602のそれぞれの上に手作業で敷かれ、微粘着の接着剤を保護するために、裏紙がその場に残される。当業者であれば、このプロセスは、量が許せば、自動化することができることを理解されよう。最後に、複数の602を、フレーム604上に残すか、必要に応じて取り除くことができる。本書では、いくつかの例を使用し、最良の形態を含めて本発明を開示し、また、任意の装置またはシステムを作成し、使用すること、および任意の組み込まれた方法を実施することを含めて、当業者が本発明を実施できるようにしている。本発明の特許性のある範囲は、特許請求の範囲によって規定され、当業者が思いつく他の例を含み得る。こうした他の例は、言葉通りの特許請求の範囲と異ならない構造的な要素を有する場合、または言葉通りの特許請求の範囲とのわずかしか異ならない均等の構造的要素を含む場合、特許請求の範囲内にあるものとする。