"基板を処理する方法であって、処理領域内に基板を配置することと、酸化ガスで有機ケイ素化合物およびポロゲン提供前駆体をプラズマの存在下で反応させて、前記基板上にケイ素、酸素、および炭素を含むポロゲン含有低誘電率誘電体層を堆積させることと、前記ポロゲン含有低誘電率誘電体層上にケイ素、酸素、および炭素を含む多孔性誘電体キャッピング層を堆積させることと、前記ポロゲン含有低誘電率誘電体層および前記多孔性誘電体キャッピング層を紫外線UV硬化させて、前記多孔性誘電体キャッピング層を通じて前記ポロゲン含有低誘電率誘電体層から前記ポロゲンの少なくとも一部分を取り除き、前記ポロゲン含有低誘電率誘電体層を、空隙を有する多孔性低誘電率誘電体層に変換することと、を含む方法。前記多孔性誘電体キャッピング層が、同じ材料から形成された固体膜に対して約10~約20の多孔率を有し、前記空隙を有する多孔性低誘電率誘電体層が、同じ材料から形成された固体膜に対して約25~約40の多孔率を有する、請求項1に記載の方法。有機ケイ素化合物を反応させることと、多孔性誘電体キャッピング層を堆積させることが、同じ処理チャンバ内で連続して実行される、請求項1に記載の方法。前記多孔性誘電体キャッピング層が、ポロゲンのない誘電体キャッピング層である、請求項1に記載の方法。酸化ガスで有機ケイ素化合物およびポロゲンを反応させてポロゲン含有低誘電率誘電体層を堆積させることが、500~1,500mgmの流量で前記有機ケイ素化合物を前記処理領域内へ流すことと、1,000~2,000mgmの流量で前記ポロゲン提供前駆体を前記処理領域内へ流すことと、100~500sccmの流量で酸化ガスを前記処理領域内へ流すことと、1,500~2,200sccmの流量で希釈剤を前記処理領域内へ流すことと、を含む、請求項1に記載の方法。前記ポロゲン含有低誘電率誘電体層上にケイ素、酸素、および炭素を含む多孔性誘電体キャッピング層を堆積させることが、500~1,500mgmの流量で前記有機ケイ素化合物を前記処理領域内へ流すことと、100~500sccmの流量で前記酸化ガスを前記処理領域内へ流すことと、2,400~3,400sccmの流量で前記希釈剤を前記処理領域内へ流すことと、を含む、請求項5に記載の方法。前記多孔性誘電体キャッピング層にポロゲンがない、請求項6に記載の方法。前記空隙を有する多孔性低誘電率誘電体層が、UV硬化ステップ後に2.2以下の誘電率を有する、請求項1に記載の方法。前記空隙を有する多孔性低誘電率誘電体層が酸炭化ケイ素層である、請求項1に記載の方法。前記多孔性誘電体キャッピング層が酸炭化ケイ素層である、請求項9に記載の方法。前記多孔性誘電体キャッピング層が、約200Å~約600Åの厚さを有する、請求項1に記載の方法。前記ポロゲン提供前駆体がビニルシクロヘキサンであり、前記酸化剤が酸素であり、前記希釈剤がヘリウムである、請求項6に記載の方法。前記有機ケイ素化合物が、メチルシランCH3-SiH3、ジメチルシランCH32-SiH2、トリメチルシランCH33-SiH、エチルシランCH3-CH2-SiH3、ジシラノメタンSiH3-CH2-SiH3、ビスメチルシラノメタンCH3-SiH2-CH2-SiH2-CH3、1,2-ジシラノエタンSiH3-CH2-CH2-SiH3、1,2-ビスメチルシラノエタンCH3-SiH2-CH2-CH2-SiH2-CH3、2,2-ジシラノプロパンSiH3-CCH32-SiH3、ジエトキシメチルシランDEMSCH3-SiH-O-CH2-CH32、1,3-ジメチルジシロキサンCH3-SiH2-O-SiH2-CH3、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサンCH32-SiH-O-SiH-CH32、ヘキサメチルジシロキサンHMDSCH33-Si-O-Si-CH33、1,3-ビスシラノメチレンジシロキサンSiH3-CH2-SiH2-2-O、ビス1-メチルジシロキサニルメタンCH3-SiH2-O-SiH2-2-CH2、2,2-ビス1-メチルジシロキサニルプロパンCH3-SiH2-O-SiH2-2-CCH32、ヘキサメトキシジシロキサンHMDOSCH3O3-Si-O-Si-OCH33、ジメチルジメトキシシランDMDMOSCH3O2-Si-CH32、ジメトキシメチルビニルシランDMMVSCH3O2-Si-CH3-CH2-CH3を含む群から選択される、請求項12に記載の方法。紫外線UV硬化させることが、約2トル~約12トルのチャンバ圧力を提供することと、約50°C~約600°Cのチャンバ温度を提供することと、約200nm~約300nmのUV源波長を提供することと、ヘリウムガスを約100sccm~約20,000sccmの流量で流すことと、を含む、請求項1に記載の方法。基板を処理する方法であって、処理チャンバの処理領域内に位置決めされた基板上にケイ素、酸素、および炭素を含むポロゲン含有低誘電率誘電体層を堆積させることであり、500~1,500mgmの流量で有機ケイ素化合物を前記処理領域内へ流すこと、1,000~2,000mgmの流量でポロゲン提供前駆体を前記処理領域内へ流すこと、100~500sccmの流量で酸化ガスを前記処理領域内へ流すこと、および1,500~2,200sccmの流量で希釈剤を前記処理領域内へ流すことを含む方法によって行われ、前記有機ケイ素化合物、前記ポロゲン提供前駆体、前記酸化ガス、および前記希釈剤をプラズマの存在下で反応させる、堆積させることと、前記ポロゲン含有低誘電率誘電体層上にケイ素、酸素、および炭素を含む多孔性誘電体キャッピング層を堆積させることであり、500~1,500mgmの流量で前記有機ケイ素化合物を流すこと、100~500sccmの流量で前記酸化ガスを流すこと、および2,400~3,400sccmの流量で前記希釈剤を流すこと、を含むポロゲンのない方法によって行われ、前記有機ケイ素化合物、前記酸化ガス、および前記希釈剤をプラズマの存在下で反応させる、堆積させることと、前記ポロゲン含有低誘電率誘電体層および前記多孔性誘電体キャッピング層を紫外線UV硬化させて、前記多孔性誘電体キャッピング層を通じて前記ポロゲン含有低誘電率誘電体層から前記ポロゲンの少なくとも一部分を取り除き、前記ポロゲン含有低誘電率誘電体層を、空隙を有する多孔性低誘電率誘電体層に変換することと、を含む方法。理解を容易にするために、複数の図に共通の同一の要素を指すには、可能な場合は必ず、同一の参照番号を使用した。一実施形態の要素および/またはプロセスステップは、さらなる記述がなくても、他の実施形態で有益に組み込むことができることが企図される。本発明の実施形態について、ポロゲン含有低誘電率誘電体層の上に多孔性誘電体キャッピング層を堆積させる方法および装置を参照することによって説明する。次いで、誘電体キャッピング層およびポロゲン含有低誘電率誘電体層をUV処理プロセスに露出させて、多孔性誘電体キャッピング層を通じてポロゲン含有低誘電率誘電体層からポロゲンを遊離および除去し、ポロゲン含有低誘電率誘電体層を、空隙を有する低誘電率誘電体層に変換することができる。プラズマ化学気相堆積PECVD方法によって形成されたSiCOH材料に基づく低誘電率誘電体材料が開発されてきた。しかし、すでに論じたように、電子装置の寸法が低減されるにつれて、マイクロデバイスには2.5未満の低い誘電率低誘電率を有する材料が必要とされている。超低誘電率材料に対する1つの手法は、有機官能基がケイ素原子に化学的に付着したケイ素前駆体を使用して有機-無機混合膜を製造することである。その後、これらの膜をアニールし、混合膜内の弱有機分子を劣化させる。しかし、そのような低誘電率膜k<2.2の多孔性は、さらなる集積ステップ後に望ましくない損傷を引き起こす。本明細書に記載の実施形態では、多孔性低誘電率膜をキャッピングする新しい方式を使用して、そのような望ましくない損傷を低減させる。本明細書に記載の特定の実施形態では、空隙の形成前に、ポロゲン含有低誘電率誘電体層の上に多孔性インシトゥキャッピング層を堆積させる。この多孔性誘電体キャッピング層は、下にある低誘電率膜に対してより低い多孔率を有するより高密度の低誘電率膜とすることができ、その結果、下にある誘電体膜の多孔率を増大させてk値を低下させるためにポロゲンを除去するのに十分な透過性を有しながら、バリア堆積およびCMPプロセス中のプラズマ処理などの集積損傷に対してより良好な耐性を得ることができる。本明細書では、有機ケイ素化合物という用語は、有機基内に炭素原子を含有する化合物を指すものとし、環式または直鎖式とすることができる。有機基は、アルキル基、アルケニル基、シクロヘキセニル基、およびアリール基、加えてそれらの官能誘導体を含むことができる。好ましくは、有機ケイ素化合物は、ケイ素原子に付着した1つまたは複数の炭素原子を含み、それによって炭素原子は、適した処理条件の酸化によって容易に取り除かれなくなる。有機ケイ素化合物はまた、1つまたは複数の酸素原子を含むことができることが好ましい。特定の実施形態では、好ましい有機ケイ素化合物は、少なくとも1:1、より好ましくは少なくとも2:1、たとえば約4:1の酸素対ケイ素の原子比を有する。適した環式有機ケイ素化合物は、3つ以上のケイ素原子および任意選択で1つまたは複数の酸素原子を有する環状構造を含む。市販の環式有機ケイ素化合物は、ケイ素原子と酸素原子を交互に有する環を含み、1つまたは2つのアルキル基がケイ素原子に結合される。いくつかの例示的な環式有機ケイ素化合物には、1,3,5-トリシラノ-2,4,6-トリメチレンSiH2CH2-3-環式、1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサンTMCTSSiHCH3-O-4-環式、オクタメチルシクロテトラシロキサンOMCTSSiCH32-O-4-環式、1,3,5,7,9-ペンタメチルシクロペンタシロキサンSiHCH3-O-5-環式、1,3,5,7-テトラシラノ-2,6-ジオキシ-4,8-ジメチレンSiH2-CH2-SiH2-O-2-環式、およびヘキサメチルシクロトリシロキサンSiCH32-O-3-環式が含まれる。適した直鎖式有機ケイ素化合物は、1つまたは複数のケイ素原子および1つまたは複数の炭素原子を有する直鎖式、分岐式構造、または環式側基を有する有機ケイ素化合物を含む。有機ケイ素化合物は、1つまたは複数の酸素原子をさらに含むことができる。いくつかの例示的な直鎖式有機ケイ素化合物には、メチルシランCH3-SiH3、ジメチルシランCH32-SiH2、トリメチルシランCH33-SiH、エチルシランCH3-CH2-SiH3、ジシラノメタンSiH3-CH2-SiH3、ビスメチルシラノメタンCH3-SiH2-CH2-SiH2-CH3、1,2-ジシラノエタンSiH3-CH2-CH2-SiH3、1,2-ビスメチルシラノエタンCH3-SiH2-CH2-CH2-SiH2-CH3、2,2-ジシラノプロパンSiH3-CCH32-SiH3、ジエトキシメチルシランDEMSCH3-SiH-O-CH2-CH32、1,3-ジメチルジシロキサンCH3-SiH2-O-SiH2-CH3、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサンCH32-SiH-O-SiH-CH32、ヘキサメチルジシロキサンHMDSCH33-Si-O-Si-CH33、1,3-ビスシラノメチレンジシロキサンSiH3-CH2-SiH2-2-O、ビス1-メチルジシロキサニルメタンCH3-SiH2-O-SiH2-2-CH2、2,2-ビス1-メチルジシロキサニルプロパンCH3-SiH2-O-SiH2-2-CCH32、ヘキサメトキシジシロキサンHMDOSCH3O3-Si-O-Si-OCH33、ジメチルジメトキシシランDMDMOSCH3O2-Si-CH32、ジメトキシメチルビニルシランDMMVSCH3O2-Si-CH3-CH2-CH3が含まれる。少なくとも1つの環式基を有する1つまたは複数の有機化合物を含むポロゲン提供前駆体を、ポロゲンまたはポロゲン材料と呼ぶ。本明細書では、環式基という用語は、環状構造を指すものとする。環状構造は、わずか3つの原子を含むこともある。これらの原子は、たとえば、炭素、ケイ素、窒素、酸素、フッ素、およびこれらの組合せを含むことができる。環式基は、1つまたは複数の単結合、2重結合、3重結合、およびこれらの任意の組合せを含むことができる。たとえば、環式基は、1つまたは複数の芳香族、アリール、フェニル、シクロヘキサン、シクロヘキサジエン、シクロヘプタジエン、およびこれらの組合せを含むことができる。環式基はまた、2環式または3環式とすることができる。さらに、環式基は、直鎖式または分岐式官能基に結合されることが好ましい。直鎖式または分岐式官能基は、アルキルまたはビニルアルキル基を含み、1~20個の炭素原子を有することが好ましい。直鎖式または分岐式官能基はまた、ケトン、エーテル、およびエステルなどの酸素原子を含むことができる。少なくとも1つの環式基を有するいくつかの例示的な化合物には、ほんの一例を挙げると、α-テルピネンATP、ビニルシクロヘキサンVCH、およびフェニル酢酸が含まれる。適した酸化ガスには、酸素O2、オゾンO3、一酸化炭素CO、二酸化炭素CO2、水H2O、2,3-ブタンジオン、またはこれらの組合せが含まれる。堆積チャンバに入れる前に、マイクロ波チャンバ内で酸素または酸素含有化合物の解離を行って、ケイ素含有化合物の過度の解離を低減させることができる。好ましくは、反応区間に無線周波数RF電力を印加して、解離を増大させる。適した希釈剤には、非反応性ガスおよび/または不活性ガス、たとえばヘリウムまたはアルゴンが含まれる。図1は、本発明の実施形態による層を堆積させる化学気相堆積CVDチャンバ100の横断面概略図である。そのようなチャンバの一例は、カリフォルニア州サンタクララのAppliedMaterials,Inc.から入手可能なPRODUCER登録商標システムのデュアルまたはツインチャンバである。ツインチャンバは、2つの分離された処理領域2つの基板、すなわち1つの処理領域につき1つの基板を処理するを有し、したがって各領域内を流れる流量がチャンバ全体に入る流量の約2分の1になる。以下の例および本明細書全体で説明する流量は、300mmの基板当たりの流量である。2つの分離された処理領域を有するチャンバは、参照により本明細書に組み込まれている米国特許第5,855,681号にさらに記載されている。使用できるチャンバの別の例は、CENTURA登録商標システムのDxZ登録商標チャンバであり、どちらもAppliedMaterials,Inc.から入手可能である。CVDチャンバ100は、別個の処理領域118、120を画定するチャンバ本体102を有する。各処理領域118、120は、CVDチャンバ100内で基板図示せずを支持するペデスタル128を有する。各ペデスタル128は通常、加熱要素図示せずを含む。好ましくは、各ペデスタル128は、チャンバ本体102の底部を通って延びるステム126によって処理領域118、120のうちの1つの中に移動可能に配置され、各ペデスタル128は、底部内で駆動システム103に接続される。また、処理領域118、120はそれぞれ、処理領域118、120内へガスを供給するために、チャンバリッド104を貫通するように配置されたガス分配アセンブリ108を含むことが好ましい。各処理領域のガス分配アセンブリ108は通常、ガス流コントローラ119からガス分配マニホルド142内へガスを供給するガス入り口通路140を含み、これはシャワーヘッドアセンブリとしても知られている。ガス流コントローラ119は通常、チャンバ内への異なるプロセスガスの流量を制御および調節するために使用される。他の流れ制御構成要素は、液体の前駆体が使用される場合、液体流噴射弁および液体流コントローラ図示せずを含むことができる。ガス分配マニホルド142は、円環状の基礎板148、面板146、および基礎板148と面板146との間の遮蔽板144を備える。ガス分配マニホルド142は複数のノズル図示せずを含み、それらのノズルを通って、処理中にガス混合物が噴射される。シャワーヘッドアセンブリとペデスタル128との間でプラズマの生成を容易にするように、RF無線周波数電源125がガス分配マニホルド142にバイアス電位を提供する。プラズマ化学気相堆積プロセス中、ペデスタル128は、チャンバ本体102内にRFバイアスを生成するカソードとして働くことができる。カソードは、電極電源に電気的に結合され、CVDチャンバ100内に容量性電界を生成する。通常、チャンバ本体102が電気的に接地されている間に、カソードにRF電圧が印加される。ペデスタル128に電力を印加することで、基板の上面に負電圧の形で基板バイアスが生じる。この負電圧を使用して、CVDチャンバ100内に形成されたプラズマからのイオンを基板の上面へ引き付ける。処理中は、基板表面全体にわたってプロセスガスが放射状に均一に分散される。プラズマは、電力供給された電極として作用するガス分配マニホルド142へRF電源125からのRFエネルギーを印加することによって、1つもしくは複数のプロセスガスまたは混合ガスから形成される。基板がプラズマに露出されると膜の堆積が行われ、反応性ガスが中に提供される。チャンバ壁112は通常、接地されている。RF電源125は、ガス分配マニホルド142に単一周波数または混合周波数のRF信号を供給して、処理領域118、120内へ導入されたあらゆるガスの分解を高めることができる。システムコントローラ134は、RF電源125、駆動システム103、ガス流コントローラ119、および他の関連するチャンバなどの様々な構成要素の機能、ならびに/または処理機能を制御する。システムコントローラ134は、メモリ138内に記憶されているシステム制御ソフトウェアを実行し、好ましい実施形態では、ハードディスクドライブであり、アナログおよびデジタル入出力基板、インターフェース基板、ならびにステッパモータコントローラ基板を含むことができる。通常、光および/または磁気センサを使用して、移動可能な機械アセンブリの位置を移動および決定する。上記のCVDシステムの説明は例示を主な目的としており、他のプラズマ処理チャンバを用いて本発明の実施形態を実施することもできる。300mmの基板上に堆積中は通常、図1に示すRF電源125を使用してシャワーヘッドにRFエネルギーを印加することによって、基板に隣接するチャンバ内に制御されたプラズマが形成される。別法として、RF電力を基板支持体に提供することもできる。プラズマは、高周波RFHFRF電力ならびに低周波RFLFRF電力たとえば、デュアル周波RF、一定のRF、パルスRF、または任意の他の周知もしくは未知のプラズマ生成技法を使用して生成することができる。RF電源125は、約5MHz~約300MHzの単周波RFを供給することができる。さらに、RF電源125はまた、約300Hz~約1,000kHzの単周波LFRFを供給して混合周波数を供給し、プロセスチャンバ内へ導入されたプロセスガスの反応種の分解を高めることができる。RF電力をサイクル化またはパルス化して基板の加熱を低減させ、堆積させた膜内の多孔率をより大きくすることができる。適したRF電力は、約10W~約5,000Wの範囲内、好ましくは約200W~約1,000Wの範囲内の電力とすることができる。適したLFRF電力は、約0W~約5,000Wの範囲内、好ましくは約0W~約200Wの範囲内の電力とすることができる。堆積中、基板は、約-20°C~約500°C、好ましくは約100°C~約450°Cの温度で維持することができる。基板とマニホルドとの間の間隔は、約200ミル~約1,200ミルとすることができる。堆積圧力は、約1トル~約20トル、好ましくは約4トル~約10トルとすることができる。堆積速度は、約2,000Å/分~約20,000Å/分とすることができる。多孔性誘電体キャッピング層の堆積図2は、本明細書に記載の実施形態による多孔性誘電体キャッピング層で空隙を有する多孔性低誘電率誘電体層を形成するプロセス200を示す流れ図である。ブロック202で、処理チャンバの処理領域内へ基板を位置決めすることができる。処理チャンバは、図1に示すPECVDチャンバなどのPECVDチャンバとすることができる。処理領域は、図1に示す処理領域118または120などの処理領域とすることができる。ブロック204で、基板の上にライニング層を堆積させることができる。ライニング層は、反応性ケイ素含有化合物を含むプラズマからのPECVDプロセスによって堆積させたバリア層とすることができる。バリア層に対する堆積プロセスは、本明細書に記載の実施形態によって容量結合プラズマまたは容量結合および誘導結合プラズマを処理領域内に形成することを含むことができる。プラズマ形成中には、ヘリウムまたはアルゴンなどの不活性ガスを使用することができる。ブロック206で、基板の上にポロゲン含有低誘電率誘電体層が堆積される。ライニング層が存在する実施形態では、ポロゲン含有低誘電率誘電体層は、ライニング層の上に堆積させることができる。ポロゲン含有低誘電率誘電体層は、熱不安定性の有機基またはポロゲンをさらに含有するケイ素/酸素含有材料を堆積させることによって堆積させることができる。次いで、ブロック208で、ポロゲン含有低誘電率誘電体層の上に本発明の多孔性誘電体キャッピング層を堆積させることができる。多孔性誘電体キャッピング層は、ポロゲン含有低誘電率誘電体層と同じ処理領域および/または処理チャンバ内で堆積させることができる。多孔性誘電体キャッピング層は、連続プラズマプロセスを使用して堆積させることができる。多孔性誘電体キャッピング層は、多孔性誘電体キャッピング層にポロゲンがほぼないことを除いて、ブロック206で堆積させたポロゲン含有低誘電率誘電体層と同じ前駆体を使用して堆積させることができる。多孔性誘電体キャッピング層はまた、ポロゲン含有低誘電率誘電体層に使用される処理条件に類似の処理条件を使用して堆積させることができる。基板は、処理チャンバから取り出してUV処理チャンバへ伝達することができる。多孔性誘電体キャッピング層は、多孔性誘電体低誘電率キャッピング層とすることができる。特定の実施形態では、多孔性誘電体キャッピング層は、多孔性酸化物誘電体キャッピング層である。1つの例示的な多孔性酸化物誘電体キャッピング層は、米国特許出願第2003/0224591号に記載されている。ブロック210で、ポロゲン含有低誘電率誘電体層および多孔性誘電体キャッピング層は、UV処理または硬化プロセスに露出される。ポロゲン含有低誘電率誘電体層および多孔性誘電体キャッピング層をUV硬化プロセスへ露出させる結果、ポロゲン含有低誘電率誘電体層からポロゲン含有化合物が遊離され、誘電体層内に空気ポケットまたは空隙が形成される。多孔性誘電体キャッピング層は通常、空隙を有する低誘電率誘電体層より低い多孔率を有する。UV硬化プロセス中、ガス状のポロゲン含有化合物は、多孔性誘電体キャッピング層を通って逃げる。したがって、多孔性誘電体キャッピング層は、多孔性低誘電率誘電体層が後の集積ステップ中に崩壊しないように十分な構造上の完全性を維持しながら、ガス状のポロゲン含有化合物を逃がすのに十分な透過性を有することが重要である。図3A~3Eを参照すると、下にある基板304の表面上に、ライニング層300を堆積させることができる。ライニング層300は、後のポロゲン含有低誘電率誘電体層302と下にある基板304の表面との間の分離層として作用し、基板304の表面上には金属線306、308、310が形成される。ポロゲン含有低誘電率誘電体層302は、本明細書に記載の多孔性誘電体キャッピング層312によって覆われる。図3Aを参照すると、ライニング層300は、処理領域118、120内で、反応性ケイ素含有化合物および酸化ガスを導入することによって堆積させることができる。プロセスガスは、プラズマ強化環境内で反応して、基板304の表面および金属線306、308、310上に共形の酸化ケイ素層を形成する。図3Bを参照すると、ポロゲン含有低誘電率誘電体層302は、ケイ素含有前駆体、たとえば有機ケイ素含有前駆体、ポロゲン提供前駆体、任意選択の酸化ガス、および希釈剤からなる処理ガスから堆積される。ポロゲン含有低誘電率誘電体層302は、酸炭化ケイ素層とすることができる。ケイ素含有前駆体ガスは、約100~約3,000mgmの流量で流れることができる。ポロゲン提供前駆体ガスは、約100~約3,000mgmの流量で流れることができる。任意選択の酸化ガスは、約0~約5,000sccmの流量で流れることができる。希釈剤ガスは、約500~約5,000sccmの流量で流れることができる。好ましいガス流量は、ケイ素含有前駆体に対して約200~約1,000mgm、ポロゲン提供前駆体に対して約200~約1,000mgm、酸化ガスに対して約100~約1,000sccm、希釈剤に対して約1,500sccm~約2,200sccmの範囲である。好ましくは、処理領域はポロゲン含有低誘電率誘電体層302の堆積中に約2~約15トルの圧力で維持される。より好ましくは、処理領域は約5トル~約10トルの圧力で維持される。基板は約0°C~約400°Cの温度で維持することができる。好ましくは、基板は約200°C~約350°Cの温度で維持することができる。ポロゲン含有低誘電率誘電体層302は、約10Å~20,000Åの厚さを有することができる。好ましくは、ポロゲン含有低誘電率誘電体層302は、約500Å~10,000Åの厚さを有することができる。図3Cを参照すると、好ましくはポロゲン含有低誘電率誘電体層302の堆積に使用されるものと類似の材料および方法を使用して、ポロゲン含有低誘電率誘電体層302上に多孔性誘電体キャッピング層312が堆積される。多孔性誘電体キャッピング層312は、酸炭化ケイ素層とすることができる。多孔性誘電体キャッピング層312の多孔率は、ケイ素含有前駆体、酸化ガス、および/または希釈剤ガスの流量を含む前述の処理条件のいずれかを変動させることによって制御することができる。多孔性誘電体キャッピング層312は、表1に記載の処理条件を使用して堆積させることができる。多孔性誘電体キャッピング層312は、約100Å~1,000Åの厚さを有することができる。好ましくは、多孔性誘電体キャッピング層312は、約200Å~600Åの厚さを有することができる。図3Dおよび図3Eに示すように、ポロゲン含有低誘電率誘電体層302および多孔性誘電体キャッピング層312は、UV硬化プロセスを使用して硬化される。UV硬化プロセスでは、ポロゲン含有化合物を揮発させ、多孔性誘電体キャッピング層312の孔を通じて除去し、ポロゲン含有低誘電率誘電体層302を、空隙316を有する多孔性低誘電率誘電体層314に変換する。紫外線硬化プロセスの一例は、約2トル~約12トルのチャンバ圧力、約50°C~約600°Cのチャンバ温度、約200nm~約300nmのUV源波長、約100sccm~20,000sccmのヘリウムガス流量を提供することを含み、任意選択で、アルゴン、窒素、および酸素、またはこれらの任意の組合せなどの追加のガスをUVプロセスに提供することができる。UV電力は、約25~約100とすることができ、処理期間は、約0分~約200分とすることができる。プロセスは、カリフォルニア州サンタクララのAppliedMaterials,Inc.製のUVシステム、たとえばNanoCureシステムを使用して実施することができる。本明細書に一致する範囲に対する参照により本明細書に組み込まれている、米国特許出願公開第2006/0251827号として公開された、2005年5月9日出願のTANDEMUVCHAMBERFORCURINGDIELECTRICMATERIALSという名称の米国特許出願第11/124,908号に記載されているシステムなどの他のUVシステムを使用することもできる。このプロセスは、静的またはデュアル掃引源を使用して実施することができる。多孔性誘電体キャッピング層は、同じ材料から形成された固体膜に対して約10~約20の多孔率を有することができ、空隙を有する多孔性低誘電率誘電体層は、同じ材料から形成された固体膜に対して約25~約40の多孔率を有することができる。本明細書に記載の実施形態の目的および利点について、以下の例によってさらに示す。これらの実施例に示す特定の材料およびそれらの量、ならびに他の条件および詳細を使用して、本明細書に記載の実施形態を限定するべきではない。以下の実施例は、空隙を有する多孔性低誘電率誘電体層を堆積させ、その上に多孔性誘電体キャッピング層の堆積をさせることを実証する。この実施例は、カリフォルニア州サンタクララのAppliedMaterials,Inc.から入手可能なPRODUCER登録商標システムを使用して行われる。空隙を有する多孔性低誘電率誘電体層および多孔性誘電体キャッピング層を、表2に示す処理条件を使用してバックツーバックプロセスで堆積させた。表2に示すように、多孔性誘電体キャッピング層は、ポロゲンのない堆積プロセスを使用して堆積させた。ポロゲン含有低誘電率誘電体層は約5,000Åの厚さまで堆積させ、多孔性誘電体キャッピング層は約400Åの厚さまで堆積させた。ポロゲン含有低誘電率誘電体層および多孔性誘電体キャッピング層の堆積には、同一のケイ素含有前駆体を使用した。図4は、多孔性誘電体キャッピング層の存在および不在下で堆積させた様々な低誘電率誘電体膜内に存在する炭素の割合を示すグラフ400である。図4に示すデータは、フーリエ変換赤外FT_IR分光法を使用して得られた。線402は、多孔性誘電体キャッピング層を使用しなかったUV処理前の制御を表す。線404は、キャッピング層を使用しなかったUV処理後の制御を表す。線406は、約2の多孔率を有する多孔性誘電体キャッピング層Aを表す。線408は、約7の多孔率を有する多孔性誘電体キャッピング層Bを表す。線410は、約17の多孔率を有する多孔性誘電体キャッピング層Cを表す。線412は、約21の多孔率を有する多孔性誘電体キャッピング層Dを表す。グラフ400に実証したように、キャップCおよびキャップDを有する場合、硬化後にポロゲンがポロゲン含有低誘電率誘電体層から完全に取り除かれたが、キャップAおよびキャップBはポロゲンの除去を阻止し、その結果、2900cm-1付近でC-Hピークの残留が高くなった。グラフ400に示した結果から、約15以上の多孔率を有する多孔性誘電体キャッピング層は、ポロゲンの除去に十分な透過性を有すると考えられる。本明細書に記載の特定の実施形態は、多孔性低誘電率誘電体膜に対するインシトゥキャッピングの新しいプロセスを提供する。キャッピング層は、低い多孔率を有するより高密度のSiCOH材料を含むことで、ポロゲンを除去して下に低誘電率膜を作るのに十分な透過性を有する一方、後の集積ステップに対する耐損傷性が改善される。上記は本発明の実施形態を対象とするが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本発明の他のさらなる実施形態を考案することができ、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。"