X行Xは2以上の自然数Y列Yは自然数に配列された複数の表示回路と、前記複数の表示回路に重畳し、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、及び青色発光ダイオードを含む発光ダイオード群を複数備えるライトユニットと、を具備し、X個の表示選択信号のうち、各行の表示回路毎に異なる表示選択信号が入力され、前記表示選択信号のパルスに従って前記複数の表示回路のそれぞれに表示データ信号が入力され、前記表示回路が前記表示データ信号のデータに応じた表示状態になることにより、右眼用画像及び左眼用画像を切り替えて表示し、表示画像が前記左眼用画像のときに視認者の右眼への光の入射を遮断し、前記表示画像が前記右眼用画像のときに視認者の左眼への光の入射を遮断する液晶表示装置の駆動方法であって、複数のフレーム期間毎に、前記表示回路に入力される表示データ信号のデータのそれぞれを、左眼用画像データ又は右眼用画像データに交互に切り替え、前記フレーム期間毎に、前記複数の表示回路が1行以上の表示回路毎に分けられた複数のグループのそれぞれにおいて、各行の表示回路に前記表示選択信号のパルスをZ回Zは3以上の自然数順次入力し、K個目Kは2以上の自然数のフレーム期間に入力される表示データ信号のデータがK-1個目のフレーム期間に入力される表示データ信号のデータと同じ眼用のデータの場合、前記K個目のフレーム期間に、前記各行の表示回路に前記表示選択信号のパルスを入力する毎に、前記複数の発光ダイオード群において発光ダイオードを順次発光させ、前記ライトユニットを、前記複数の発光ダイオード群により設定される領域毎に順次点灯状態にし、前記ライトユニットから前記複数のグループ毎に異なる色であり、且つ前記表示選択信号のパルスを入力する毎に異なる色である光を前記表示選択信号のパルスを入力した前記各行の表示回路に順次照射してカラーの画像を表示し、K個目のフレーム期間に入力される表示データ信号のデータがK-1個目のフレーム期間に入力される表示データ信号のデータと異なる眼用のデータの場合、前記K個目のフレーム期間において黒の画像を表示することを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。請求項1において、前記K個目のフレーム期間に入力される画像データがK-1個目のフレーム期間と異なる眼用の画像データの場合、前記K個目のフレーム期間において、黒の画像のデータを含む表示データ信号を表示回路に入力することを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。請求項1又は請求項2において、前記K個目のフレーム期間に入力される画像データがK-1個目のフレーム期間と異なる眼用の画像データの場合、前記K個目のフレーム期間において、前記ライトユニットを消灯状態にすることを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、前記左眼用画像データ又は前記右眼用画像データを交互に切り替える毎に、前記ライトユニットを点灯させる際に、前記発光ダイオード群のうち、同時に発光させる発光ダイオードの色の数を1個と2個で交互に切り替えることを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。擬似的に三次元画像の視認が可能な従来の液晶表示装置では、画像の画質が低いといった問題があった。例えば、従来の液晶表示装置においてフィールドシーケンシャル方式を用いて画像を表示する場合、サブフレーム期間毎にライトユニットにおける光の色の切り替わりにより色割れ現象が発生し、画像の画質が低下してしまう。本発明では、画質の低下を抑制することを課題の一つとする。本発明の一態様は、X行Xは2以上の自然数Y列Yは自然数に配列された複数の表示回路と、複数の表示回路に重畳し、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、及び青色発光ダイオードを含む発光ダイオード群を複数備えるライトユニットと、を具備し、X個の表示選択信号のうち、各行の表示回路毎に異なる表示選択信号が入力され、表示選択信号のパルスに従って複数の表示回路のそれぞれに表示データ信号が入力され、表示回路が表示データ信号のデータに応じた表示状態になることにより、右眼用画像及び左眼用画像を切り替えて表示し、表示画像が左眼用画像のときに視認者の右眼への光の入射を遮断し、表示画像が右眼用画像のときに視認者の左眼への光の入射を遮断するものである。さらに、本発明の一態様では、複数のフレーム期間毎に、表示回路に入力される表示データ信号のデータのそれぞれを、左眼用画像データ又は右眼用画像データに交互に切り替え、フレーム期間毎に、複数の表示回路が1行以上の表示回路毎に分けられた複数のグループのそれぞれにおいて、各行の表示回路に表示選択信号のパルスをZ回Zは3以上の自然数順次入力する。これにより、各フレーム期間における表示回路への書き込み速度を速くし、フレーム周波数を高くしやすくする。さらに、本発明の一態様では、K個目Kは2以上の自然数のフレーム期間に入力される表示データ信号のデータがK-1個目のフレーム期間に入力される表示データ信号のデータと同じ眼用のデータの場合両方のデータが左眼用及び右眼用のいずれかである場合、K個目のフレーム期間に、各行の表示回路に表示選択信号のパルスを入力する毎に、複数の発光ダイオード群において発光ダイオードを順次発光させ、ライトユニットを、複数の発光ダイオード群により設定される領域毎に順次点灯状態にし、ライトユニットから複数のグループ毎に異なる色であり、且つ表示選択信号のパルスを入力する毎に異なる色である光を表示選択信号のパルスを入力した各行の表示回路に順次照射してカラーの画像を表示する。これにより、色割れ現象の低減を図る。また、本発明の一態様では、K個目のフレーム期間に入力される表示データ信号のデータがK-1個目のフレーム期間に入力される表示データ信号のデータと異なる眼用のデータの場合一方のデータが左眼用であり、他方のデータが右眼用である場合、K個目のフレーム期間において黒の画像を表示する。本発明の一態様により、例えば色割れ現象の発生を抑制することができるため、画質の低下を抑制することができる。本発明を説明するための実施の形態の一例について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は、以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではないとする。なお、各実施の形態の内容を互いに適宜組み合わせることができる。また、各実施の形態の内容を互いに置き換えることができる。実施の形態1本実施の形態では、右眼用画像及び左眼用画像を切り替えて表示する液晶表示装置の例について説明する。本実施の形態の液晶表示装置の例について、図1を用いて説明する。図1は、実施の形態1における液晶表示装置の例を説明するための図である。まず、本実施の形態における液晶表示装置の構成例について、図1Aを用いて説明する。図1Aは、実施の形態1における液晶表示装置の構成例を示す模式図である。図1Aに示す液晶表示装置は、表示選択信号出力回路DSELOUTともいう101と、表示データ信号出力回路DDOUTともいう102と、ライトユニット104と、複数の表示回路DISPともいう105と、を含む。表示選択信号出力回路101は、それぞれパルス信号であるX個Xは2以上の自然数の表示選択信号DSELともいうを出力する機能を有する。表示選択信号出力回路101は、例えばシフトレジスタを備える。このとき、表示選択信号出力回路101は、シフトレジスタからX個のパルス信号を出力させることにより、X個の表示選択信号を出力することができる。上記シフトレジスタは、スタートパルス信号のパルスが入力されることにより、X個のパルス信号のそれぞれで順次パルスの出力を開始する。表示選択信号出力回路101におけるシフトレジスタとしては、例えば一つの単位期間内に複数の出力信号においてパルスを出力するシフトレジスタを用いることにより、単位期間内に複数の表示選択信号においてパルスを出力することができる。また、表示選択信号出力回路101に複数のシフトレジスタを設け、それぞれのシフトレジスタからパルス信号を出力させることにより、複数の表示選択信号を出力することもできる。また、シフトレジスタの代わりにデコーダを用いて表示選択信号出力回路101を構成することもできる。表示データ信号出力回路102には、画像信号が入力される。表示データ信号出力回路102は、入力された画像信号を元に電圧信号であるY個Yは自然数の表示データ信号信号DDともいうを生成し、生成したY個の表示データ信号を出力する機能を有する。なお、表示データ信号の数は、必ずしもY個ではなくてもよい。なお、画像信号のデータは、時間に従って視認者の右眼用の画像データ又は視認者の左眼用の画像データに切り替わる。よって、複数の表示データ信号のデータも時間に従って右眼用の画像データ又は左眼用の画像データに切り替わる。表示データ信号出力回路102は、例えばトランジスタを備える。なお、液晶表示装置において、トランジスタは、2つの端子と、印加される電圧により該2つの端子の間に流れる電流を制御する電流制御端子と、を有する。なお、トランジスタに限らず、互いの間に流れる電流が制御される端子を電流端子ともいい、2つの電流端子のそれぞれを第1の電流端子及び第2の電流端子ともいう。なお、第1、第2などの序数を用いた用語は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではない。また、液晶表示装置において、トランジスタとしては、例えば電界効果トランジスタを用いることができる。電界効果トランジスタの場合、第1の電流端子は、ソース及びドレインの一方であり、第2の電流端子は、ソース及びドレインの他方であり、電流制御端子は、ゲートである。また、一般的に電圧とは、ある二点間における電位の差電位差ともいうのことをいう。しかし、電圧及び電位の値は、回路図などにおいていずれもボルトVで表されることがあるため、区別が困難である。そこで、本明細書では、特に指定する場合を除き、ある一点の電位と基準となる電位基準電位ともいうとの電位差を、該一点の電圧として用いる場合がある。表示データ信号出力回路102は、自身に備えられたトランジスタがオン状態のときに、画像信号のデータを表示データ信号として出力することができる。上記トランジスタは、電流制御端子にパルス信号である制御信号を入力することにより制御することができる。なお、表示回路105の列の数Yの数が2以上である場合には、表示データ信号出力回路102は、複数のトランジスタを選択的にオン状態又はオフ状態にすることにより、画像信号のデータを複数の表示データ信号として出力してもよい。このとき、例えば表示データ信号出力回路102にシフトレジスタを設け、該シフトレジスタからトランジスタの数以上の複数のパルス信号を出力させ、複数のトランジスタのそれぞれの電流制御端子に互いに異なるパルス信号を入力することにより、複数のトランジスタを選択的にオン状態又はオフ状態にすることができる。ライトユニット104は、発光ユニットであり、発光ダイオード群を複数備える。複数の発光ダイオード群のそれぞれは、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、及び青色発光ダイオードを含み、互いに異なる色である複数の発光ダイオード発光ダイオードCR_1乃至発光ダイオードCR_zzは3以上の自然数を備える。なお、例えば図1Aに示すように、複数の発光ダイオード群を行列方向に配列してもよい。行列方向に複数の発光ダイオード群を配列することにより、ライトユニット104の状態を複数の発光ダイオード群により設定される複数の領域毎に設定することができる。例えば、ライトユニット104の発光領域を複数の領域に分け、各領域のそれぞれを、互いに異なる色に点灯させることができる。なお、表示選択信号出力回路101、表示データ信号出力回路102、及びライトユニット104は、例えば制御回路により制御される。例えば液晶表示装置に制御回路を設けてもよい。制御回路により、例えば表示選択信号出力回路101の表示選択信号におけるパルスの出力タイミング、表示データ信号出力回路102の表示データ信号の出力タイミング、及びライトユニット104の複数の発光ダイオードの点灯タイミングを制御することができる。複数の表示回路105のそれぞれは、ライトユニット104に重畳する。また、複数の表示回路105は、画素部においてX行Y列に配列される。画素部は、画像を表示する。また、一個以上の表示回路105により一つの画素が構成される。また、複数の表示回路105のそれぞれには、行毎に異なる表示選択信号が入力され、複数の表示回路105のそれぞれには、入力された表示選択信号に従って表示データ信号が入力される。複数の表示回路105のそれぞれは、入力された表示データ信号のデータに応じた表示状態になる機能を有する。複数の表示回路105のそれぞれは、例えば表示選択トランジスタ及び液晶素子を備える。表示選択トランジスタは、液晶素子に表示データ信号のデータを入力させるか否かを選択する機能を有する。液晶素子は、表示選択トランジスタに従って表示データ信号のデータが入力されることにより、光の透過率が制御され、表示データ信号のデータに応じた表示状態になる機能を有する。また、液晶表示装置の表示方式としては、TNTwistedNematicモード、IPSInPlaneSwitchingモード、STNSuperTwistedNematicモード、VAVerticalAlignmentモード、ASMAxiallySymmetricalignedMicro-cellモード、OCBOpticallyCompensatedBirefringenceモード、FLCFerroelectricLiquidCrystalモード、AFLCAntiFerroelectricLiquidCrystalモード、MVAMulti-DomainVerticalAlignmentモード、PVAPatternedVerticalAlignmentモード、ASVAdvancedSuperViewモード、又はFFSFringeFieldSwitchingモードなどを用いてもよい。次に、本実施の形態における液晶表示装置の駆動方法例として、図1Aに示す液晶表示装置の駆動方法例について、図1B及び図1Cを用いて説明する。図1B及び図1Cは、図1Aに示す液晶表示装置の駆動方法例を説明するためのタイミングチャートである。図1Aに示す液晶表示装置では、複数のフレーム期間毎に表示データ信号のデータを、左眼用画像データ又は右眼用画像データに交互に切り替え、連続する複数のフレーム期間において、同じ眼用の画像を表示する。このとき、K個目Kは2以上の自然数のフレーム期間に表示回路105に入力される表示データ信号のデータがK-1個目のフレーム期間に表示回路105に入力される表示データ信号のデータと同じ眼用のデータである場合、複数の表示回路105によりカラーの画像を表示する。ここではフルカラーの画像とする。また、このとき、K個目のフレーム期間に表示回路105に入力される表示データ信号のデータがK-1個目のフレーム期間に表示回路105に入力される表示データ信号のデータと異なる眼用のデータである場合、複数の表示回路105により黒の画像を表示する。例えば、表示データ信号のデータを黒のデータにする方法又はライトユニット104を消灯状態にする方法により、黒の画像を表示することができる。なお、黒の画像とは視認者により黒の画像と判断される画像も含まれる。例えば、図1Bに示すように、連続する複数のフレーム期間フレーム期間FLM1乃至フレーム期間FLM4において、フレーム期間FLM1に、左眼用及び右眼用の一方のデータEYE1_1である表示データ信号のデータPIXDATAともいうを表示回路105に入力する。このとき、データEYE1_1が1つ前のフレーム期間に入力される表示データ信号のデータと異なる眼用のデータであるため、表示画像IMGともいうとして黒の画像BLKともいうを表示する。次に、フレーム期間FLM2に、左眼用及び右眼用の一方のデータEYE1_2である表示データ信号のデータを表示回路105に入力する。このとき、データEYE1_2がフレーム期間FLM1のデータEYE1_1と同じ眼用のデータであるため、表示画像としてフルカラーの画像FULLCLRともいうを表示する。次に、フレーム期間FLM3に、左眼用及び右眼用の他方のデータEYE2_1である表示データ信号のデータを表示回路105に入力する。このとき、データEYE2_1がフレーム期間FLM2のデータEYE1_2と異なる眼用のデータであるため、表示画像として黒の画像を表示する。次に、フレーム期間FLM4に、左眼用及び右眼用の他方のデータEYE2_2である表示データ信号のデータを表示回路105に入力する。このとき、データEYE2_2がフレーム期間FLM3のデータEYE2_1と同じ眼用のデータであるため、表示画像としてフルカラーの画像を表示する。表示画像が左眼用画像のときには、視認者の右眼への光の入射を遮断し、表示画像が右眼用画像のときには、視認者の左眼への光の入射を遮断する。例えば、視認者の両目に対応する偏光シャッターが設けられたメガネを視認者がかけ、表示画像の種類に応じて偏光シャッターの偏光状態を設定することにより視認者の右眼又は左眼への光の入射を遮断することができる。例えば、表示画像が左眼用画像のときには、視認者の右眼への光の入射を遮断し、表示画像が右眼用画像のときには、視認者の左眼への光の入射を遮断することにより、視認者は、擬似的に三次元の画像を視認することができる。さらに、各フレーム期間における液晶表示装置の駆動方法例について説明する。各フレーム期間において、図1Aに示す液晶表示装置では、複数の表示回路105を、1行以上の表示回路毎に複数のグループに分け、複数のグループのそれぞれにおいて、各行の表示回路105に表示選択信号のパルスを、Z回Zは3以上の自然数入力する。例えば、表示選択信号出力回路101がシフトレジスタを備える場合、該シフトレジスタにスタートパルス信号のパルスを入力し、該シフトレジスタの複数のパルス信号において順次パルスを出力させる。さらに、該シフトレジスタの複数のパルス信号において順次パルスを出力されている間に、再度スタートパルス信号のパルスを入力することにより、複数のグループにおいて、各行の表示回路105に表示選択信号のパルスを、Z回入力することができる。K個目のフレーム期間に表示回路105に入力される表示データ信号のデータがK-1個目のフレーム期間に表示回路105に入力される表示データ信号のデータと同じ眼用のデータである場合、K個目のフレーム期間において、各行の表示回路105に表示選択信号のパルスを入力する毎に、複数の発光ダイオード群において発光ダイオードを順次発光させ、ライトユニット104を、複数の発光ダイオード群により設定される領域毎に順次点灯状態にし、ライトユニット104から複数のグループ毎に異なる色であり、且つ表示選択信号のパルスを入力する毎に異なる色である光を表示選択信号のパルスを入力した各行の表示回路105に順次照射してフルカラーの画像を表示する。例えば、フルカラー画像を表示するフレーム期間において、図1Cに示すように、1行目の表示回路105表示回路PIX_L1ともいう乃至p行目pは3以上の自然数の表示回路105表示回路PIX_Lpともいうを第1のグループとし、p1行目の表示回路105表示回路PIX_Lp1ともいう乃至q行目qはp3以上の自然数の表示回路105表示回路PIX_Lqともいうを第2のグループとし、q1行目の表示回路105表示回路PIX_Lq1ともいう乃至r行目rはq3以上の自然数の表示回路105表示回路PIX_Lrともいうを第3のグループとする。さらに、第1のグループ乃至第3のグループのそれぞれにおいて、最初の行の表示回路1051行目の表示回路105、p1行目の表示回路105、及びq1行目の表示回路105から各行の表示回路105に、それぞれの行の表示回路105に対応する表示選択信号1行目の表示回路105に対応する表示選択信号信号DSEL_1ともいう乃至r行目の表示回路105に対応する表示選択信号信号DSEL_rともいうのパルスplともいうをZ回入力する。このとき、r個の表示選択信号におけるパルスのタイミングは、r個の表示選択信号のそれぞれにおいて互いに異なる。表示選択信号のパルスを入力する毎に、表示回路105には、表示データ信号が入力され、表示回路105は、書き込み状態状態wtともいうになる。その後、発光ダイオード群における発光ダイオードの一つ又は複数を発光させ、ライトユニット104の一部の領域を点灯状態にし、書き込み状態になった表示回路105にライトユニット104から光を照射し、表示回路は、書き込まれた表示データ信号のデータ及び照射される光に応じた表示状態になる。なお、表示選択信号のパルスを入力した複数行の表示回路105毎に、同じタイミングでライトユニット104から光を照射してもよい。なお、同じ行の表示回路105において、表示選択信号のパルスが入力された後に照射するライトユニット104の各領域の光の色は、表示選択信号のパルスが入力される毎に異なり、さらに、複数のグループの間で、一部の期間に、入力される表示選択信号のパルスが重畳する表示回路105に照射するライトユニット104の各領域の光の色は、複数のグループ毎に異なる。さらに、それぞれのグループにおいて、ある表示回路105にライトユニット104の光が照射されている間に、該ある表示回路105に隣接する表示回路105にライトユニット104の光を照射する場合には、互いの表示回路105に照射されるライトユニット104の光の色は、同じである。これにより、表示回路105に書き込まれた表示データ信号のデータが特定の色に対応するデータであった場合に、該データが対応する色とは異なる色の光がライトユニット104から表示回路105に照射されることを抑制することができる。例えば、第1のグループでは、最初に表示選択信号のパルスを入力した後には、表示選択信号のパルスが入力された表示回路105に照射するライトユニット104の一部の領域の光の色を第1の色にして表示回路105を第1の色に応じた表示状態状態C1ともいうにし、続けて表示選択信号のパルスを入力する毎に、表示回路105を第2の色に応じた表示状態から順に、第Z-1の色に応じた表示状態状態CZ-1ともいうまで変化させ、さらには第Zの色に応じた表示状態状態CZともいうへと順次変化させる。また、第2のグループでは、最初に表示選択信号のパルスを入力した後には、表示選択信号のパルスが入力された表示回路105に照射するライトユニット104の一部の領域の光の色を第2の色にして表示回路105を第2の色に応じた表示状態状態C2ともいうにし、続けて表示選択信号のパルスを入力する毎に、表示回路105を第3の色に応じた表示状態から順に、第Zの色に応じた表示状態まで変化させ、さらには第1の色に応じた表示状態へと順次変化させる。また、第3のグループでは、最初に表示選択信号のパルスを入力した後には、表示選択信号のパルスが入力された表示回路105に照射するライトユニット104の一部の領域の光の色を第3の色にして表示回路105を第3の色に応じた表示状態状態C3ともいうにし、続けて表示選択信号のパルスを入力する毎に、表示回路105を第4の色に応じた表示状態状態C4ともいうから順に、第Zの色に応じた表示状態間で変化させ、さらには第1の色に応じた表示状態、第2の色に応じた表示状態へと順次変化させる。なお、上記第1の色乃至第Zの色としては、例えば赤色、緑色、及び青色、又は赤色、緑色、青色、シアン、マゼンタ、及びイエローなどの組み合わせが挙げられる。シアンは、例えば緑色及び青色の発光ダイオードを発光させることにより表現することができる。また、マゼンタは、例えば赤色及び青色の発光ダイオードを発光させることにより表現することができる。また、イエローは、赤色及び緑色の発光ダイオードを発光させることにより表現することができる。なお、上記第1の色乃至第Zの色の点灯順は、特に限定されない。また、データを切り替えて左眼用画像データ及び右眼用画像データを表示回路105に入力する毎に、ライトユニット104を点灯させる際に、発光ダイオード群のうち、同時に発光させる発光ダイオードの色の数を1個又は2個に交互に切り替えてもよい。例えば、右眼用及び左眼用の一方のフルカラー画像を表示するあるフレーム期間にライトユニット104を点灯させる際に、発光ダイオード群のうち、同時に発光させる発光ダイオードの数を1個とし、ライトユニット104の光の色を赤色、緑色、及び青色とする。次に、右眼用及び左眼用の他方のフルカラー画像を表示するフレーム期間に、ライトユニット104を点灯させる際に、発光ダイオード群のうち、同時に発光させる発光ダイオードの数を1個とし、ライトユニット104の光の色を赤色、緑色、及び青色とする。次に、右眼用及び左眼用の一方のフルカラー画像を表示するフレーム期間に、ライトユニット104を点灯させる際に、発光ダイオード群のうち、同時に発光させる発光ダイオードの数を2個とし、ライトユニット104の光の色をシアン、マゼンタ、及びイエローとする。次に、右眼用及び左眼用の他方のフルカラー画像を表示するフレーム期間に、ライトユニット104を点灯させる際に、発光ダイオード群のうち、同時に発光させる発光ダイオードの数を2個とし、ライトユニット104の光の色をシアン、マゼンタ、及びイエローとする。上記のように、左眼用画像データ又は右眼用画像データを交互に切り替える毎に、ライトユニット104を点灯させる際に、発光ダイオード群のうち、同時に発光させる発光ダイオードの色の数を1個又は2個に交互に切り替えることにより、赤色、緑色、青色で表現可能な色の範囲を保ちつつ、表示画像の輝度を向上させることができる。また、K個目のフレーム期間に表示回路105に入力される表示データ信号のデータがK-1個目のフレーム期間に表示回路105に入力される表示データ信号のデータと異なる眼用のデータである場合、黒の画像を表示するためには、例えばK個目のフレーム期間において黒の画像のデータを含む表示データ信号を複数の表示回路105に入力すればよい。また、K個目のフレーム期間に表示回路105に入力される表示データ信号のデータがK-1個目のフレーム期間に表示回路105に入力される表示データ信号のデータと異なる眼用のデータである場合、K個目のフレーム期間において、ライトユニット104を消灯状態にして黒の画像を表示してもよい。また、K個目のフレーム期間に表示回路105に入力される表示データ信号のデータがK-1個目のフレーム期間に表示回路105に入力される表示データ信号のデータと異なる眼用のデータである場合、K個目のフレーム期間において、黒の画像のデータを含む表示データ信号を複数の表示回路105に入力し、ライトユニット104を消灯状態にして黒の画像を表示してもよい。また、W行目Wは2以上X以下の自然数の表示回路105において、K-1個目のフレーム期間における表示回路105への表示データ信号のデータの書き込み動作を行っている間に、W-1行目の表示回路105において、K個目のフレーム期間における表示回路105への表示データ信号のデータの書き込み動作を開始してもよい。これにより、液晶表示装置のフレーム周波数を高くすることができる。図1を用いて説明したように、本実施の形態における液晶表示装置の一例は、連続する複数のフレーム期間毎に、表示データ信号のデータを、左眼用画像データ又は右眼用画像データに交互に切り替えて左眼用画像又は右眼用画像を表示し、表示画像が左眼用画像のときには視認者の右眼への光の入射を遮断し、表示画像が右眼用画像のときには視認者の左眼への光の入射を遮断する構成である。さらに、本実施の形態における液晶表示装置の一例は、K個目のフレーム期間に入力される表示データ信号のデータがK-1個目のフレーム期間に入力される表示データ信号のデータと同じ眼用のデータの場合、カラー画像を表示し、K個目のフレーム期間に入力される表示データ信号のデータがK-1個目のフレーム期間に入力される表示データ信号のデータと異なる眼用のデータの場合、黒の画像を表示する構成である。上記構成にすることにより、左眼用画像及び右眼画像の切り替わりにおける画像のちらつきを低減することができるため、画質を向上させることができる。さらに、本実施の形態における液晶表示装置の一例は、各フレーム期間に、複数の表示回路が行方向に分けられた複数のグループのそれぞれにおいて、各行の表示回路に表示選択信号のパルスを、Z回順次入力する構成である。さらに、本実施の形態における液晶表示装置の一例は、K個目Kは2以上の自然数のフレーム期間に入力される表示データ信号のデータがK-1個目のフレーム期間に入力される表示データ信号のデータと同じ眼用のデータの場合、K個目のフレーム期間に、各行の表示回路に表示選択信号のパルスを入力する毎に、複数の発光ダイオード群において発光ダイオードを順次発光させ、ライトユニットを、複数の発光ダイオード群により設定される領域毎に順次点灯状態にし、ライトユニットから複数のグループ毎に異なる色であり、且つ表示選択信号のパルスを入力する毎に異なる色である光を表示選択信号のパルスを入力した各行の表示回路に順次照射してカラー画像を表示する構成である。上記構成にすることにより、複数のグループ毎に、表示回路への表示データ信号のデータの書き込み動作を並列に行うため、全ての表示回路におけるデータ書き込み時間を短縮することができる。よって、フレーム周波数を高くすることができ、色割れ現象を低減することができる。また、上記構成にすることにより、各グループにおいて、ある行の表示回路にライトユニットから光を照射している間に、他の行の表示回路に表示データ信号のデータを書き込むことができるため、全ての表示回路におけるデータ書き込み時間を短縮することができる。よって、フレーム周波数を高くすることができ、色割れ現象を低減することができる。また、上記構成にすることにより、複数のグループ毎に異なる色の画像を表示するため、色割れ現象が発生する領域を少なくすることができ、全体として色割れ現象を低減することができる。以上により、表示画像の画質を向上させることができる。実施の形態2本実施の形態では、上記実施の形態の液晶表示装置における表示選択信号出力回路を構成するシフトレジスタの一例について説明する。なお、本実施の形態において説明するシフトレジスタは、一例であり、上記実施の形態の液晶表示装置における表示選択信号出力回路に適用することができるシフトレジスタの構成はこれに限定されない。他の構成のシフトレジスタ又はシフレジスタ以外の回路例えばデコーダなどを上記実施の形態の液晶表示装置における表示選択信号出力回路に適用することもできる。本実施の形態のシフトレジスタの一例は、複数の順序回路FFともいうを用いて構成される複数段の順序回路を備える。複数の順序回路のそれぞれについて、図2を用いて説明する。図2は、本実施の形態のシフトレジスタにおける順序回路を説明するための図である。まず、順序回路の回路構成例について、図2Aを用いて説明する。図2Aは、順序回路の回路構成例を示す回路図である。図2Aに示す順序回路には、セット信号ST信号STともいう、リセット信号RE1信号RE1ともいう、リセット信号RE2信号RE2ともいう、クロック信号CK1信号CK1ともいう、クロック信号CK2信号CK2ともいう、及びパルス幅制御信号PWC信号PWCともいうが入力される。また、順序回路は、信号OUT1及び信号OUT2を出力する。なお、パルス幅制御信号PWCのパルス幅は、クロック信号CK1又はクロック信号CK2におけるパルス幅より短い。また、リセット信号RE2は、例えばフレーム期間毎に各出力信号においてパルス信号を出力する前に順序回路をリセット状態にするための信号である。また、図2Aに示す順序回路は、トランジスタ301aと、トランジスタ301bと、トランジスタ301cと、トランジスタ301dと、トランジスタ301eと、トランジスタ301fと、トランジスタ301gと、トランジスタ301hと、トランジスタ301iと、トランジスタ301jと、トランジスタ301kと、トランジスタ301lと、を備える。なお、図2Aに示す順序回路において、トランジスタ301a乃至トランジスタ301lのそれぞれは、電界効果トランジスタである。トランジスタ301aのソース及びドレインの一方には、電圧Vaが入力され、トランジスタ301aのゲートには、信号STが入力される。トランジスタ301bのソース及びドレインの一方は、トランジスタ301aのソース及びドレインの他方に接続され、トランジスタ301bのソース及びドレインの他方には、電圧Vbが入力される。トランジスタ301cのソース及びドレインの一方は、トランジスタ301aのソース及びドレインの他方に接続され、トランジスタ301cのゲートには、電圧Vaが入力される。トランジスタ301dのソース及びドレインの一方は、トランジスタ301aのソース及びドレインの他方に接続され、トランジスタ301dのゲートには、電圧Vaが入力される。トランジスタ301eのソース及びドレインの一方には、電圧Vaが入力され、トランジスタ301eのソース及びドレインの他方は、トランジスタ301bのゲートに接続され、トランジスタ301eのゲートには、信号RE2が入力される。トランジスタ301fのソース及びドレインの一方には、電圧Vaが入力され、トランジスタ301fのソース及びドレインの他方は、トランジスタ301bのゲートに接続され、トランジスタ301fのゲートには、信号CK2が入力される。トランジスタ301gのソース及びドレインの一方には、電圧Vaが入力され、トランジスタ301gのソース及びドレインの他方は、トランジスタ301bのゲートに接続され、トランジスタ301gのゲートには、信号RE1が入力される。トランジスタ301hのソース及びドレインの一方は、トランジスタ301gのソース及びドレインの他方に接続され、トランジスタ301hのソース及びドレインの他方には、電圧Vbが入力され、トランジスタ301hのゲートには、信号STが入力される。トランジスタ301iのソース及びドレインの一方には、信号PWCが入力され、トランジスタ301iのゲートは、トランジスタ301cのソース及びドレインの他方に接続される。トランジスタ301jのソース及びドレインの一方は、トランジスタ301iのソース及びドレインの他方に接続され、トランジスタ301jのソース及びドレインの他方には、電圧Vbが入力される。トランジスタ301kのソース及びドレインの一方には、信号CK1が入力され、トランジスタ301kのゲートは、トランジスタ301dのソース及びドレインの他方に接続される。トランジスタ301lのソース及びドレインの一方は、トランジスタ301kのソース及びドレインの他方に接続され、トランジスタ301lのソース及びドレインの他方には、電圧Vbが入力され、トランジスタ301lのゲートは、トランジスタ301bのゲートに接続される。なお、電圧Va及び電圧Vbの一方は、高電源電圧Vddであり、電圧Va及び電圧Vbの他方は、低電源電圧Vssである。高電源電圧Vddは、相対的に低電源電圧Vssより高い値の電圧であり、低電源電圧Vssは、相対的に高電源電圧Vddより低い値の電圧である。電圧Va及び電圧Vbの値は、例えばトランジスタの極性などにより互いに入れ替わる場合がある。また、電圧Va及び電圧Vbの差が電源電圧となる。また、図2Aにおいて、トランジスタ301bのゲートと、トランジスタ301hのソース及びドレインの一方と、トランジスタ301jのゲートと、トランジスタ301lのゲートとの接続箇所をノードNAともいう。また、トランジスタ301aのソース及びドレインの他方と、トランジスタ301bのソース及びドレインの一方と、トランジスタ301cのソース及びドレインの一方との接続箇所をノードNBともいう。また、トランジスタ301cのソース及びドレインの他方と、トランジスタ301iのゲートとの接続箇所をノードNCともいう。また、トランジスタ301dのソース及びドレインの他方と、トランジスタ301kのゲートとの接続箇所をノードNDともいう。また、トランジスタ301iのソース及びドレインの他方と、トランジスタ301jのソース及びドレインの一方との接続箇所をノードNEともいう。また、トランジスタ301kのソース及びドレインの他方と、トランジスタ301lのソース及びドレインの一方との接続箇所をノードNFともいう。なお、本実施の形態のシフトレジスタにおける順序回路では、必ずしもトランジスタ301cを設けなくてもよいが、トランジスタ301cを設けることにより、ノードNBの電圧における、高電源電圧Vddより高い電圧への上昇を抑制することができる。また、本実施の形態のシフトレジスタにおける順序回路では、必ずしもトランジスタ301dを設けなくてもよいが、トランジスタ301dを設けることにより、ノードNBの電圧における、高電源電圧Vddより高い電圧への上昇を抑制することができる。さらに、図2Aに示す順序回路の動作例について、図2Bを用いて説明する。図2Bは、図2Aに示す順序回路の動作例を説明するためのタイミングチャートである。なお、一例として図2Aに示す順序回路におけるトランジスタ301a乃至トランジスタ301lのそれぞれを全てN型の導電型とし、トランジスタ301i及びトランジスタ301kの閾値電圧を同じ電圧Vthとし、電圧Vaとして高電源電圧Vddが入力され、電圧Vbとして低電源電圧Vssが入力されるものとする。また、信号CK1及び信号CK2のデューティ比を25とし、信号PWCのデューティ比を33とし、信号CK1及び信号CK2のパルス幅は、信号PWCの1.5倍とする。図2Aに示す順序回路は、まず期間T31乃至期間T33の間に信号STのパルスが入力されることによりセット状態になる。例えば、期間T31においてトランジスタ301hがオン状態になり、ノードNAの電圧VNAが電圧Vbと同等の値になり、トランジスタ301j及びトランジスタ301lがオフ状態になる。また、期間T31にトランジスタ301a、トランジスタ301c、及びトランジスタ301dがオン状態になり、トランジスタ301bがオフ状態になり、ノードNBの電圧VNBが電圧Vaと同等の値まで上昇し、その後トランジスタ301aがオフ状態になる。さらに、期間T33及び期間T34の間に、信号PWCのパルスが入力され、期間T33に、トランジスタ301iのゲートとソース及びドレインの他方との間に生じる寄生容量による容量結合により、ノードNCの電圧VNCが電圧Vaと電圧Vthの和よりもさらに大きい値、すなわち、VaVthVxVxは任意の値まで上昇し、トランジスタ301iがオン状態になる。これにより、図2Aに示す順序回路は、期間T33及び期間T34の間、ノードNEの電圧に従って信号OUT1においてパルスを出力する。また、期間T34乃至期間T36において、信号CK1がハイレベルになり、期間T34に、トランジスタ301kのゲートとソース及びドレインの他方との間に生じる寄生容量による容量結合により、ノードNDの電圧が電圧Vaと電圧Vthの和よりもさらに大きい値、すなわち、VaVthVxまで上昇し、トランジスタ301kがオン状態になる。これにより、図2Aに示す順序回路は、期間T34乃至期間T36の間、ノードNFの電圧に従って信号OUT2においてパルスを出力する。その後、図2Aに示す順序回路は、期間T37乃至期間T39の間に、信号RE1のパルスが入力されることによりリセット状態になり、期間T37に、例えばトランジスタ301gがオン状態になることにより、ノードNAの電圧VNAが電圧Vaと同等の値になり、トランジスタ301j及びトランジスタ301lがオン状態になる。また、期間T37乃至期間T39において、信号CK2がハイレベルになり、期間T37に、トランジスタ301fがオン状態になることにより、ノードNC及びノードNDの電圧が電圧Vbと同等の値になり、トランジスタ301i及びトランジスタ301jがオフ状態になる。よって、期間T37乃至期間T39の間、信号OUT1及び信号OUT2がローレベルになる。以上が図2Aに示す順序回路の動作例である。図2Bを用いて説明したように、図2Aに示す順序回路は、セット信号が入力されることにより、セット状態になり、信号OUT1及び信号OUT2においてパルスを出力し、その後リセット信号が入力されることにより、リセット状態になり、信号OUT1及び信号OUT2がローレベルになる。さらに、図2Aに示す順序回路を用いて構成されるシフトレジスタの例について、図3を用いて説明する。図3は、本実施の形態におけるシフトレジスタを説明するための図である。まず、図2Aに示す順序回路を用いて構成されるシフトレジスタの構成例について、図3Aを用いて説明する。図3Aは、本実施の形態におけるシフトレジスタの構成例を示すブロック図である。図3Aに示すシフトレジスタは、r個の図2Aに示す順序回路順序回路300_1乃至順序回路300_rを用いて構成されるr段の順序回路を備える。また、図3Aに示すシフトレジスタには、スタートパルス信号SP信号SPともいう、クロック信号CLK1信号CLK1ともいう乃至クロック信号CLK4信号CLK4ともいう、パルス幅制御信号PWC1信号PWC1ともいう乃至パルス幅制御信号PWC6信号PWC6ともいう、及びリセットパルス信号RP1信号RP1ともいうが入力される。信号CLK1乃至信号CLK4のそれぞれのデューティ比は、25であり、信号CLK1乃至信号CLK4は、順に4分の1周期ずつ遅れている。なお、各順序回路における信号CK1及び信号CK2としては、信号CLK1乃至信号CLK4のうち、いずれか2つのクロック信号を用いることができる。なお、互いに隣り合う段の順序回路に入力されるクロック信号の組み合わせは異なり、入力される2つのクロック信号は、4分の1周期ずつずれている。複数のクロック信号を用いることにより、シフトレジスタにおける信号の出力動作の速度を向上させることができる。パルス幅制御信号PWC1乃至パルス幅制御信号PWC6のそれぞれは、パルス信号であり、デューティ比が33である。また、パルス幅制御信号PWC1乃至パルス幅制御信号PWC6は、順次6分の1周期ずつ遅れている。なお、各順序回路における信号PWCとしては、信号PWC1乃至信号PWC6のうち、いずれか1つのパルス幅制御信号を用いることができる。なお、互いに隣り合う段の順序回路に入力されるパルス幅制御信号は異なる。また、r個の順序回路が、連続する複数段の順序回路を有する複数のグループに分けられ、複数の順序回路を有するグループ毎に、入力されるパルス幅制御信号が異なる。複数のパルス幅制御信号を用いることにより、連続する複数段の順序回路を有するグループ毎に出力信号のパルスを制御することができる。例えば、1段目の順序回路300_1乃至p段目の順序回路300_pにおいて、奇数段の順序回路には、信号PWC1が入力され、偶数段の順序回路には、信号PWC2が入力される。また、p1段目の順序回路300_p1乃至q段目の順序回路300_qにおいて、奇数段の順序回路には、信号PWC3が入力され、偶数段の順序回路には、信号PWC4が入力される。また、q1段目の順序回路300_q1乃至r段目の順序回路300_rにおいて、奇数段の順序回路には、信号PWC5が入力され、偶数段の順序回路には、信号PWC6が入力される。また、1段目の順序回路300_1におけるトランジスタ301aのゲート及びトランジスタ301hのゲートには、信号STとして信号SPが入力される。また、H1段目Hはr-2以下の自然数の順序回路300_H1におけるトランジスタ301aのゲート及びトランジスタ301hのゲートは、H段目の順序回路300_Hにおけるトランジスタ301kのソース及びドレインの他方に接続される。このとき、順序回路300_Hにおける信号OUT2が順序回路300_H1における信号STになる。また、順序回路300_H1におけるトランジスタ301kのソース及びドレインの他方は、順序回路300_Hにおけるトランジスタ301gのゲートに接続される。このとき、順序回路300_H1における信号OUT2が順序回路300_Hの信号RE1になる。また、r段目の順序回路300_rにおけるトランジスタ301gのゲートには、信号RE1としてリセットパルス信号RP2信号RP2ともいうが入力される。例えば図2Aに示す構成の順序回路からなるダミーの順序回路を設け、該順序回路の信号OUT1を信号RP2として用いることができる。さらに、図3Aに示すシフトレジスタの駆動方法例について、図3Bを用いて説明する。図3Bは、図3Aに示すシフトレジスタの駆動方法例を説明するためのタイミングチャートである。なお、ここでは、一例として信号CLK1乃至信号CLK6のパルス幅は、信号PWC1乃至信号PWC6のパルス幅の1.5倍とする。図3Aに示すシフトレジスタの動作は、信号CLK1乃至信号CLK4、信号PWC1乃至信号PWC6、及び信号SPに従って、各順序回路順序回路300_1乃至順序回路300_rにおける信号OUT1及び信号OUT2において、順次パルスを出力する。例えば、時刻t41乃至時刻t43の期間において信号SPのパルスが順序回路300_1に入力され、時刻t42乃至時刻t44の期間において信号PWC1のパルスが発生し、時刻t43乃至時刻t45の期間において、信号CLK1のパルスが発生することにより、時刻t42乃至時刻t44の期間に、順序回路300_1は、信号OUT1においてパルスを出力する。なお、信号SPのパルスが入力される前に、信号RP1においてパルスを各順序回路に入力することにより、各順序回路をリセット状態にしてもよい。図2及び図3を用いて説明したように、本実施の形態のシフトレジスタは、複数段の順序回路を用いて構成され、複数の順序回路のそれぞれは、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、を有し、第1のトランジスタは、ゲートにセット信号が入力され、セット信号に従って第2のトランジスタをオン状態にするか否かを制御する機能を有し、第2のトランジスタは、ソース及びドレインの一方にパルス制御信号が入力され、順序回路の出力信号の電圧をパルス制御信号の電圧に応じた値にするか否かを制御する機能を有し、第3のトランジスタは、ゲートにリセット信号が入力され、リセット信号に従って第2のトランジスタをオフ状態にするか否かを制御する機能を有する構成である。また、本実施の形態のシフトレジスタを用いて、上記実施の形態の液晶表示装置における表示選択信号出力回路を構成することができる。上記構成にすることにより、例えば1フレーム期間に複数回信号SPにおいてパルスを発生させることにより、画素部を複数行の表示回路によるグループに分け、グループ毎に表示選択信号のパルスを順次出力することができる。これにより、グループ毎に表示選択信号のパルスを出力する場合であってもグループの境界における分割縞の発生を抑制することができるため、表示画像の画質をさらに向上させることができる。また、1フレーム期間に複数回信号SPにおいてパルスを発生させることに限定されず、例えば上記構成のシフトレジスタを表示選択信号出力回路に複数設け、複数行の表示回路による複数のグループ毎に異なるシフトレジスタにより信号SPにおいてパルスを発生させることにより、複数行の表示回路による複数のグループ毎に表示選択信号のパルスを順次出力することもできる。また、上記実施の形態の液晶表示装置における表示選択信号出力回路がシフトレジスタを備える場合、本実施の形態のシフトレジスタを用いて、上記実施の形態の液晶表示装置における表示選択信号出力回路を構成することもできる。実施の形態3本実施の形態では、上記実施の形態の液晶表示装置における表示回路の例について説明する。本実施の形態における表示回路の例について、図4を用いて説明する。図4は、本実施の形態における表示回路の例を説明するための図である。まず、本実施の形態の表示回路の構成例について、図4Aを用いて説明する。図4Aは、本実施の形態における表示回路の構成例を示す図である。図4Aに示す表示回路は、トランジスタ151と、液晶素子152と、容量素子153と、を備える。なお、図4Aに示す表示回路において、トランジスタ151は、電界効果トランジスタである。また、液晶表示装置において、液晶素子は、第1の表示電極、第2の表示電極、及び液晶層により構成される。液晶層は、第1の表示電極及び第2の表示電極の間に印加される電圧に応じて光の透過率が変化する。また、液晶表示装置において、容量素子は、第1の容量電極、第2の容量電極、並びに第1の容量電極及び第2の容量電極に重畳する誘電体層を含む。容量素子は、第1の容量電極及び第2の容量電極の間に印加される電圧に応じて電荷が蓄積される。トランジスタ151のソース及びドレインの一方には、信号DDが入力され、トランジスタ151のゲートには、信号DSELが入力される。液晶素子152の第1の表示電極は、トランジスタ151のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、液晶素子152の第2の表示電極には、電圧Vcが入力される。電圧Vcの値は、適宜設定することができる。容量素子153の第1の容量電極は、トランジスタ151のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、容量素子153の第2の容量電極には、電圧Vcが入力される。さらに、図4Aに示す表示回路の各構成要素について説明する。トランジスタ151は、表示選択トランジスタとしての機能を有する。液晶素子152における液晶層としては、第1の表示電極及び第2の表示電極に印加される電圧が0Vのときに光を透過する液晶層を用いることができ、例えば電気制御複屈折型液晶ECB型液晶ともいう、二色性色素を添加した液晶GH液晶ともいう、高分子分散型液晶、又はディスコチック液晶を含む液晶層などを用いることができる。また、液晶層としては、ブルー相を示す液晶層を用いてもよい。ブルー相を示す液晶層は、例えばブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物により構成される。ブルー相を示す液晶は、応答速度が1msec以下と短く、光学的等方性であるため、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。よって、ブルー相を示す液晶を用いることにより、動作速度を向上させることができる。例えば、上記実施の形態におけるフィールドシーケンシャル方式の表示装置では、カラーフィルタを用いた表示装置に比べて速い動作速度が要求されるため、上記実施の形態におけるフィールドシーケンシャル方式の表示装置における液晶素子に上記ブルー相を示す液晶を用いることが好ましい。容量素子153は、トランジスタ151に従って第1の容量電極及び第2の容量電極の間に信号DDに応じた値の電圧が印加される保持容量としての機能を有する。容量素子153を必ずしも設けなくてもよいが、容量素子153を設けることにより、表示選択トランジスタのリーク電流に起因する液晶素子に印加された電圧の変動を抑制することができる。なお、トランジスタ151としては、例えばチャネルが形成され、元素周期表における第14族の半導体シリコンなどを含有する半導体層又は酸化物半導体層を含むトランジスタを用いることができる。次に、図4Aに示す表示回路の駆動方法例について説明する。まず、図4Aに示す表示回路の駆動方法例について、図4Bを用いて説明する。図4Bは、図4Aに示す表示回路の駆動方法例を説明するためのタイミングチャートであり、信号DD及び信号DSELのそれぞれの状態を示す。図4Aに示す表示回路の駆動方法例では、信号DSELのパルスが入力されると、トランジスタ151がオン状態になる。トランジスタ151がオン状態になると、表示回路に信号DDが入力され、液晶素子152の第1の表示電極及び容量素子153の第1の容量電極の電圧が信号DDの電圧と同等の値になる。このとき、液晶素子152は、書き込み状態状態wteともいうになり、信号DDに応じた光の透過率になることにより、表示回路は信号DDのデータデータD11乃至データDQQは2以上の自然数のそれぞれに応じた表示状態になる。その後、トランジスタ151がオフ状態になり、液晶素子152は、保持状態状態hldともいうになり、第1の表示電極及び第2の表示電極の間に印加される電圧を、次に信号DSELのパルスが入力されるまで、初期値からの変動量が基準値より大きくならないように保持する。また、液晶素子152が保持状態のとき、上記実施の形態の液晶表示装置におけるライトユニットは、点灯状態になる。図4Aを用いて説明したように、本実施の形態の表示回路の一例は、表示選択トランジスタ及び液晶素子を備える構成である。上記構成にすることにより、表示回路を表示データ信号に応じた表示状態にすることができる。実施の形態4本実施の形態では、上記実施の形態を用いて説明した液晶表示装置におけるトランジスタに適用可能なトランジスタについて説明する。上記実施の形態を用いて説明した液晶表示装置において、トランジスタとしては、例えばチャネルが形成され、元素周期表における第14族の半導体シリコンなどを含有する半導体層又は酸化物半導体層を含むトランジスタを用いることができる。なお、チャネルが形成される層としての機能を有する層をチャネル形成層ともいう。なお、上記半導体層は、単結晶半導体層、多結晶半導体層、微結晶半導体層、又は非晶質半導体層でもよい。さらに、上記実施の形態を用いて説明した液晶表示装置において、トランジスタとして適用可能な酸化物半導体層を含むトランジスタとしては、例えば高純度化させた酸化物半導体層を有するトランジスタを用いることができる。高純度化とは、酸化物半導体層中の水素又は水を極力排除すること、及び酸化物半導体層に酸素を供給して酸化物半導体層中の酸素欠乏に起因する欠陥を低減することを含む概念である。上記酸化物半導体層を含むトランジスタの構造例について、図5を用いて説明する。図5は、本実施の形態におけるトランジスタの構造例を示す断面模式図である。図5Aに示すトランジスタは、ボトムゲート構造のトランジスタの一つであり、逆スタガ型トランジスタともいう。図5Aに示すトランジスタは、導電層401aと、絶縁層402aと、酸化物半導体層403aと、導電層405aと、導電層406aと、を含む。導電層401aは、基板400aの上に設けられる。絶縁層402aは、導電層401aの上に設けられる。酸化物半導体層403aは、絶縁層402aを介して導電層401aに重畳する。導電層405a及び導電層406aは、酸化物半導体層403aの一部の上にそれぞれ設けられる。さらに、図5Aにおいて、トランジスタの酸化物半導体層403aの上面の一部上面に導電層405a及び導電層406aが設けられていない部分は、絶縁層407aに接する。また、絶縁層407aと絶縁層402aは一部が接し、導電層405a、導電層406a、及び酸化物半導体層403aは、絶縁層407aと絶縁層402aに挟まれている。図5Bに示すトランジスタは、図5Aに示す構造に加え、導電層408aを含む。導電層408aは、絶縁層407aを介して酸化物半導体層403aに重畳する。図5Cに示すトランジスタは、ボトムゲート構造のトランジスタの一つである。図5Cに示すトランジスタは、導電層401bと、絶縁層402bと、酸化物半導体層403bと、導電層405bと、導電層406bと、を含む。導電層401bは、基板400bの上に設けられる。絶縁層402bは、導電層401bの上に設けられる。導電層405b及び導電層406bは、絶縁層402bの一部の上にそれぞれ設けられる。酸化物半導体層403bは、絶縁層402bを介して導電層401bに重畳する。さらに、図5Cにおいて、トランジスタにおける酸化物半導体層403bの上面及び側面は、絶縁層407bに接する。また、絶縁層407bと絶縁層402bは一部が接し、導電層405b、導電層406b、及び酸化物半導体層403bは、絶縁層407bと絶縁層402bに挟まれている。なお、図5A及び図5Cにおいて、絶縁層の上に保護絶縁層を設けてもよい。図5Dに示すトランジスタは、図5Cに示す構造に加え、導電層408bを含む。導電層408bは、絶縁層407bを介して酸化物半導体層403bに重畳する。図5Eに示すトランジスタは、トップゲート構造のトランジスタの一つである。図5Eに示すトランジスタは、導電層401cと、絶縁層402cと、酸化物半導体層403cと、導電層405c及び導電層406cと、を含む。酸化物半導体層403cは、絶縁層447を介して基板400cの上に設けられる。導電層405c及び導電層406cは、それぞれ酸化物半導体層403cの一部の上に設けられる。絶縁層402cは、酸化物半導体層403c、導電層405c、及び導電層406cの上に設けられる。導電層401cは、絶縁層402cを介して酸化物半導体層403cに重畳する。さらに、図5A乃至図5Eに示す各構成要素について説明する。基板400a乃至基板400cとしては、例えば透光性を有する基板を用いることができ、透光性を有する基板としては、例えばガラス基板又はプラスチック基板を用いることができる。導電層401a乃至導電層401cのそれぞれは、トランジスタのゲートとしての機能を有する。なお、トランジスタのゲートとしての機能を有する層をゲート電極又はゲート配線ともいう。導電層401a乃至導電層401cとしては、例えばモリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、若しくはスカンジウムなどの金属材料、又はこれらを主成分とする合金材料の層を用いることができる。また、導電層401a乃至導電層401cに適用可能な材料の積層により、導電層401a乃至導電層401cを構成することもできる。絶縁層402a乃至絶縁層402cのそれぞれは、トランジスタのゲート絶縁層としての機能を有する。なお、トランジスタのゲート絶縁層としての機能を有する層をゲート絶縁層ともいう。絶縁層402a乃至絶縁層402cとしては、例えば酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、酸化アルミニウム層、窒化アルミニウム層、酸化窒化アルミニウム層、窒化酸化アルミニウム層、又は酸化ハフニウム層を用いることができる。また、絶縁層402a乃至絶縁層402cに適用可能な材料の積層により絶縁層402a乃至絶縁層402cを構成することもできる。また、絶縁層402a乃至絶縁層402cとしては、例えば元素周期表における第13族元素及び酸素元素を含む材料の絶縁層を用いることもできる。酸化物半導体層403a乃至酸化物半導体層403cが第13族元素を含む場合に、酸化物半導体層403a乃至酸化物半導体層403cに接する絶縁層として第13族元素を含む絶縁層を用いることにより、該絶縁層と酸化物半導体層との界面の状態を良好にすることができる。第13族元素を含む材料としては、例えば酸化ガリウム、酸化アルミニウム、酸化アルミニウムガリウム、酸化ガリウムアルミニウムなどが挙げられる。なお、酸化アルミニウムガリウムとは、ガリウムの含有量原子よりアルミニウムの含有量原子が多い物質のことをいい、酸化ガリウムアルミニウムとは、ガリウムの含有量原子がアルミニウムの含有量原子以上の物質のことをいう。例えば、絶縁層402a乃至絶縁層402cとして、酸化ガリウムを含む絶縁層を用いることにより、絶縁層402a乃至絶縁層402cと、酸化物半導体層403a乃至酸化物半導体層403cとの界面における水素又は水素イオンの蓄積を低減することができる。また、例えば、絶縁層402a乃至絶縁層402cとして、酸化アルミニウムを含む絶縁層を用いることにより、絶縁層402a乃至絶縁層402cと、酸化物半導体層403a乃至酸化物半導体層403cとの界面における水素又は水素イオンの蓄積を低減することができる。また、酸化アルミニウムを含む絶縁層は、水が通りにくいため、酸化アルミニウムを含む絶縁層を用いることにより、該絶縁層を介して酸化物半導体層への水の侵入を抑制することができる。また、絶縁層402a乃至絶縁層402cとして、例えば、Al2Oxx=3α、αは0より大きく1より小さい値、Ga2Oxx=3α、αは0より大きく1より小さい値、又はGaxAl2-xO3αxは0より大きく2より小さい値、αは0より大きく1より小さい値で表記される材料を用いることもできる。また、絶縁層402a乃至絶縁層402cに適用可能な材料の積層により絶縁層402a乃至絶縁層402cを構成することもできる。例えば、複数のGa2Oxで表記される酸化ガリウムを含む層の積層により絶縁層402a乃至絶縁層402cを構成してもよい。また、Ga2Oxで表記される酸化ガリウムを含む絶縁層及びAl2Oxで表記される酸化アルミニウムを含む絶縁層の積層により絶縁層402a乃至絶縁層402cを構成してもよい。絶縁層447は、基板400cからの不純物元素の拡散を防止する下地層としての機能を有する。絶縁層447としては、例えば絶縁層402a乃至絶縁層402cに適用可能な材料の層を用いることができる。また、絶縁層402a乃至絶縁層402cに適用可能な材料の層の積層により絶縁層447を構成してもよい。酸化物半導体層403a乃至酸化物半導体層403cのそれぞれは、トランジスタのチャネルが形成される層としての機能を有する。なお、トランジスタのチャネルが形成される層としての機能を有する層をチャネル形成層ともいう。酸化物半導体層403a乃至酸化物半導体層403cに適用可能な酸化物半導体としては、例えば四元系金属酸化物、三元系金属酸化物、又は二元系金属酸化物などを用いることができる。四元系金属酸化物としては、例えばIn-Sn-Ga-Zn-O系金属酸化物などを用いることができる。三元系金属酸化物としては、例えばIn-Ga-Zn-O系金属酸化物、In-Sn-Zn-O系金属酸化物、In-Al-Zn-O系金属酸化物、Sn-Ga-Zn-O系金属酸化物、Al-Ga-Zn-O系金属酸化物、又はSn-Al-Zn-O系金属酸化物などを用いることができる。二元系金属酸化物としては、例えばIn-Zn-O系金属酸化物、Sn-Zn-O系金属酸化物、Al-Zn-O系金属酸化物、Zn-Mg-O系金属酸化物、Sn-Mg-O系金属酸化物、In-Mg-O系金属酸化物、In-Sn-O系金属酸化物、又はIn-Ga-O系金属酸化物などを用いることができる。また、酸化物半導体としては、例えばIn-O系金属酸化物、Sn-O系金属酸化物、又はZn-O系金属酸化物などを用いることもできる。また、上記酸化物半導体として適用可能な金属酸化物は、酸化シリコンを含んでいてもよい。In-Zn-O系金属酸化物を用いる場合、例えば、In:Zn=50:1乃至In:Zn=1:2モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=25:1乃至In2O3:ZnO=1:4、好ましくはIn:Zn=20:1乃至In:Zn=1:1モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=10:1乃至In2O3:ZnO=1:2、さらに好ましくはIn:Zn=15:1乃至In:Zn=1.5:1モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=15:2乃至In2O3:ZnO=3:4の組成比である酸化物ターゲットを用いてIn-Zn-O系金属酸化物の半導体層を形成することができる。例えば、In-Zn-O系酸化物半導体の形成に用いるターゲットは、原子数比がIn:Zn:O=P:U:Rのとき、R>1.5PUとする。Inの量を多くすることにより、トランジスタの移動度を向上させることができる。また、酸化物半導体としては、InMO3ZnOmmは0より大きい数で表記される材料を用いることもできる。InMO3ZnOmのMは、Ga、Al、Mn、及びCoから選ばれた一つ又は複数の金属元素を示す。導電層405a乃至導電層405c及び導電層406a乃至導電層406cのそれぞれは、トランジスタのソース又はドレインとしての機能を有する。なお、トランジスタのソースとしての機能を有する層をソース電極又はソース配線ともいい、トランジスタのドレインとしての機能を有する層をドレイン電極又はドレイン配線ともいう。導電層405a乃至導電層405c及び導電層406a乃至導電層406cとしては、例えばアルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、若しくはタングステンなどの金属材料、又はこれらの金属材料を主成分とする合金材料の層を用いることができる。また、導電層405a乃至導電層405c、及び導電層406a乃至導電層406cに適用可能な材料の積層により、導電層405a乃至導電層405c、及び導電層406a乃至導電層406cを構成することもできる。また、導電層405a乃至導電層405c及び導電層406a乃至導電層406cとしては、導電性の金属酸化物を含む層を用いることもできる。導電性の金属酸化物としては、例えば酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム酸化スズ合金、又は酸化インジウム酸化亜鉛合金を用いることができる。なお、導電層405a乃至導電層405c及び導電層406a乃至導電層406cに適用可能な導電性の金属酸化物は、酸化シリコンを含んでいてもよい。絶縁層407a及び絶縁層407bとしては、絶縁層402a乃至絶縁層402cと同様に、例えば元素周期表における第13族元素及び酸素元素を含む材料の絶縁層を用いることができる。また、絶縁層407a及び絶縁層407bとしては、例えば、Al2Ox、Ga2Ox、又はGaxAl2-xO3αで表記される材料を用いることもできる。例えば、絶縁層402a乃至絶縁層402c並びに絶縁層407a及び絶縁層407bを、Ga2Oxで表記される酸化ガリウムを含む絶縁層により構成してもよい。また、絶縁層402a乃至絶縁層402c、並びに絶縁層407a及び絶縁層407bの一方を、Ga2Oxで表記される酸化ガリウムを含む絶縁層により構成し、絶縁層402a乃至絶縁層402c、並びに絶縁層407a及び絶縁層407bの他方を、Al2Oxで表記される酸化アルミニウムを含む絶縁層により構成してもよい。導電層408a及び導電層408bのそれぞれは、トランジスタのゲートとしての機能を有する。なお、トランジスタが導電層408a及び導電層408bを有する構造である場合、導電層401a及び導電層408aの一方、又は導電層401b及び導電層408bの一方を、バックゲート、バックゲート電極、又はバックゲート配線ともいう。ゲートとしての機能を有する層を、チャネル形成層を介して複数設けることにより、トランジスタの閾値電圧を制御することができる。導電層408a及び導電層408bとしては、例えばアルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、若しくはタングステンなどの金属材料、又はこれらの金属材料を主成分とする合金材料の層を用いることができる。また、導電層408a及び導電層408bに適用可能な材料の積層により導電層408a及び導電層408bのそれぞれを構成することもできる。また、導電層408a及び導電層408bとしては、導電性の金属酸化物を含む層を用いることもできる。導電性の金属酸化物としては、例えば酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム酸化スズ合金、又は酸化インジウム酸化亜鉛合金を用いることができる。なお、導電層408a及び導電層408bに適用可能な導電性の金属酸化物は、酸化シリコンを含んでいてもよい。なお、本実施の形態のトランジスタを、チャネル形成層としての機能を有する酸化物半導体層の一部の上に絶縁層を含み、該絶縁層を介して酸化物半導体層に重畳するように、ソース又はドレインとしての機能を有する導電層を含む構造としてもよい。上記構造である場合、絶縁層は、トランジスタのチャネル形成層を保護する層チャネル保護層ともいうとしての機能を有する。チャネル保護層としての機能を有する絶縁層としては、例えば絶縁層402a乃至絶縁層402cに適用可能な材料の層を用いることができる。また、絶縁層402a乃至絶縁層402cに適用可能な材料の積層によりチャネル保護層としての機能を有する絶縁層を構成してもよい。なお、図5A乃至図5Eに示すように、本実施の形態のトランジスタを、必ずしも酸化物半導体層の全てがゲート電極としての機能を有する導電層に重畳する構造にしなくてもよいが、酸化物半導体層の全てがゲート電極としての機能を有する導電層に重畳する構造にすることにより、酸化物半導体層への光の入射を抑制することができる。さらに、本実施の形態のトランジスタの作製方法例として、図5Aに示すトランジスタの作製方法例について、図6A乃至図6Eを用いて説明する。図6A乃至図6Eは、図5Aに示すトランジスタの作製方法例を説明するための断面模式図である。まず、図6Aに示すように、基板400aを準備し、基板400aの上に第1の導電膜を形成し、第1の導電膜の一部をエッチングすることにより導電層401aを形成する。例えば、スパッタリング法を用いて導電層401aに適用可能な材料の膜を形成することにより第1の導電膜を形成することができる。また、第1の導電膜に適用可能な材料の膜を積層させ、第1の導電膜を形成することもできる。なお、スパッタリングガスとして、例えば水素、水、水酸基、又は水素化物などの不純物が除去された高純度ガスを用いることにより、形成される膜の上記不純物濃度を低減することができる。なお、スパッタリング法を用いて膜を形成する前に、スパッタリング装置の予備加熱室にて予備加熱処理を行ってもよい。上記予備加熱処理を行うことにより、水素、水分などの不純物を脱離することができる。また、スパッタリング法を用いて膜を形成する前に、例えばアルゴン、窒素、ヘリウム、又は酸素雰囲気下で、ターゲット側に電圧を印加せずに、基板側にRF電源を用いて電圧を印加し、プラズマを形成して被形成面を改質する処理逆スパッタともいうを行ってもよい。逆スパッタを行うことにより、被形成面に付着している粉状物質パーティクル、ごみともいうを除去することができる。また、スパッタリング法を用いて膜を形成する場合、吸着型の真空ポンプなどを用いて、膜を形成する成膜室内の残留水分を除去することができる。吸着型の真空ポンプとしては、例えばクライオポンプ、イオンポンプ、又はチタンサブリメーションポンプなどを用いることができる。また、コールドトラップを設けたターボ分子ポンプを用いて成膜室内の残留水分を除去することもできる。また、上記導電層401aの形成方法のように、本実施の形態のトランジスタの作製方法例において、膜の一部をエッチングして層を形成する場合、例えば、フォトリソグラフィ工程により膜の一部の上にレジストマスクを形成し、レジストマスクを用いて膜をエッチングすることにより、層を形成することができる。なお、この場合、層の形成後にレジストマスクを除去する。また、インクジェット法を用いてレジストマスクを形成してもよい。インクジェット法を用いることにより、フォトマスクが不要になるため、製造コストを低減することができる。また、透過率の異なる複数の領域を有する露光マスク多階調マスクともいうを用いてレジストマスクを形成してもよい。多階調マスクを用いることにより、異なる厚さの領域を有するレジストマスクを形成することができ、トランジスタの作製に使用するレジストマスクの数を低減することができる。次に、図6Bに示すように、導電層401aの上に第1の絶縁膜を形成することにより絶縁層402aを形成する。例えば、スパッタリング法やプラズマCVD法などを用いて絶縁層402aに適用可能な材料の膜を形成することにより第1の絶縁膜を形成することができる。また、絶縁層402aに適用可能な材料の膜を積層させることにより第1の絶縁膜を形成することもできる。また、高密度プラズマCVD法例えばμ波例えば、周波数2.45GHzのμ波を用いた高密度プラズマCVD法を用いて絶縁層402aに適用可能な材料の膜を形成することにより、絶縁層402aを緻密にすることができ、絶縁層402aの絶縁耐圧を向上させることができる。次に、図6Cに示すように、絶縁層402aの上に酸化物半導体膜を形成し、その後酸化物半導体膜の一部をエッチングすることにより酸化物半導体層403aを形成する。例えば、スパッタリング法を用いて酸化物半導体層403aに適用可能な酸化物半導体材料の膜を形成することにより酸化物半導体膜を形成することができる。なお、希ガス雰囲気下、酸素雰囲気下、又は希ガスと酸素の混合雰囲気下で酸化物半導体膜を形成してもよい。また、スパッタリングターゲットとして、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol数比]の組成比である酸化物ターゲットを用いて酸化物半導体膜を形成することができる。また、例えば、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比]の組成比である酸化物ターゲットを用いて酸化物半導体膜を形成してもよい。また、スパッタリング法を用いて酸化物半導体膜を形成する際に、基板400aを減圧状態にし、基板400aを100°C以上600°C以下、好ましくは200°C以上400°C以下に加熱してもよい。基板400aを加熱することにより、酸化物半導体膜の上記不純物濃度を低減することができ、また、スパッタリング法による酸化物半導体膜の損傷を軽減することができる。次に、図6Dに示すように、絶縁層402a及び酸化物半導体層403aの上に第2の導電膜を形成し、第2の導電膜の一部をエッチングすることにより導電層405a及び導電層406aを形成する。例えば、スパッタリング法などを用いて導電層405a及び導電層406aに適用可能な材料の膜を形成することにより第2の導電膜を形成することができる。また、導電層405a及び導電層406aに適用可能な材料の膜を積層させることにより第2の導電膜を形成することもできる。次に、図6Eに示すように、酸化物半導体層403aに接するように絶縁層407aを形成する。例えば、希ガス代表的にはアルゴン雰囲気下、酸素雰囲気下、又は希ガスと酸素の混合雰囲気下で、スパッタリング法を用いて絶縁層407aに適用可能な膜を形成することにより、絶縁層407aを形成することができる。スパッタリング法を用いて絶縁層407aを形成することにより、トランジスタのバックチャネルとしての機能を有する酸化物半導体層403aの部分の抵抗の低下を抑制することができる。また、絶縁層407aを形成する際の基板温度は、室温以上300°C以下であることが好ましい。また、絶縁層407aを形成する前にN2O、N2、又はArなどのガスを用いたプラズマ処理を行い、露出している酸化物半導体層403aの表面に付着した吸着水などを除去してもよい。プラズマ処理を行った場合、その後、大気に触れることなく、絶縁層407aを形成することが好ましい。さらに、図5Aに示すトランジスタの作製方法の一例では、例えば400°C以上750°C以下、又は400°C以上基板の歪み点未満の温度で加熱処理を行う。例えば、酸化物半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜の一部をエッチングした後、第2の導電膜を形成した後、第2の導電膜の一部をエッチングした後、又は絶縁層407aを形成した後に上記加熱処理を行う。なお、上記加熱処理を行う加熱処理装置としては、電気炉、又は抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導又は熱輻射により被処理物を加熱する装置を用いることができ、例えばGRTAGasRapidThermalAnneal装置又はLRTALampRapidThermalAnneal装置などのRTARapidThermalAnneal装置を用いることができる。LRTA装置は、例えばハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、又は高圧水銀ランプなどのランプから発する光電磁波の輻射により、被処理物を加熱する装置である。また、GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。高温のガスとしては、例えば希ガス、又は加熱処理によって被処理物と反応しない不活性気体例えば窒素を用いることができる。また、上記加熱処理を行った後、その加熱温度を維持しながら又はその加熱温度から降温する過程で該加熱処理を行った炉と同じ炉に高純度の酸素ガス、高純度のN2Oガス、又は超乾燥エア露点が-40°C以下、好ましくは-60°C以下の雰囲気を導入してもよい。このとき、酸素ガス又はN2Oガスは、水、水素などを含まないことが好ましい。また、加熱処理装置に導入する酸素ガス又はN2Oガスの純度を、6N以上、好ましくは7N以上、すなわち、酸素ガス又はN2Oガス中の不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とすることが好ましい。酸素ガス又はN2Oガスの作用により、酸化物半導体層403aに酸素が供給され、酸化物半導体層403a中の酸素欠乏に起因する欠陥を低減することができる。さらに、上記加熱処理とは別に、絶縁層407aを形成した後に、不活性ガス雰囲気下、又は酸素ガス雰囲気下で加熱処理好ましくは200°C以上400°C以下、例えば250°C以上350°C以下を行ってもよい。また、絶縁層402a形成後、酸化物半導体膜形成後、ソース電極又はドレイン電極となる導電層形成後、絶縁層形成後、又は加熱処理後に酸素プラズマによる酸素ドーピング処理を行ってもよい。例えば2.45GHzの高密度プラズマにより酸素ドーピング処理を行ってもよい。また、イオン注入法又はイオンドーピングを用いて酸素ドーピング処理を行ってもよい。酸素ドーピング処理を行うことにより、作製されるトランジスタの電気特性のばらつきを低減することができる。例えば、酸素ドーピング処理を行い、絶縁層402a及び絶縁層407aの一方又は両方を、化学量論的組成比より酸素が多い状態にする。これにより、絶縁層中の過剰な酸素が酸化物半導体層403aに供給されやすくなる。よって、酸化物半導体層403a中、又は絶縁層402a及び絶縁層407aの一方又は両方と、酸化物半導体層403aとの界面における酸素不足欠陥を低減することができるため、酸化物半導体層403aのキャリア濃度をより低減することができる。例えば、絶縁層402a及び絶縁層407aの一方又は両方として、酸化ガリウムを含む絶縁層を形成する場合、該絶縁層に酸素を供給し、酸化ガリウムの組成をGa2Oxにすることができる。また、絶縁層402a及び絶縁層407aの一方又は両方として、酸化アルミニウムを含む絶縁層を形成する場合、該絶縁層に酸素を供給し、酸化アルミニウムの組成をAl2Oxにすることができる。また、絶縁層402a及び絶縁層407aの一方又は両方として、酸化ガリウムアルミニウム又は酸化アルミニウムガリウムを含む絶縁層を形成する場合、該絶縁層に酸素を供給し、酸化ガリウムアルミニウム又は酸化アルミニウムガリウムの組成をGaxAl2-xO3αとすることができる。以上の工程により、酸化物半導体層403aから、水素、水、水酸基、又は水素化物水素化合物ともいうなどの不純物を排除し、且つ酸化物半導体層403aに酸素を供給することにより、酸化物半導体層を高純度化させることができる。なお、図5Aに示すトランジスタの作製方法例を示したが、これに限定されず、例えば図5B乃至図5Eに示す各構成要素において、名称が図5Aに示す各構成要素と同じであり且つ機能の少なくとも一部が図5Aに示す各構成要素と同じであれば、図5Aに示すトランジスタの作製方法例の説明を適宜援用することができる。図5及び図6を用いて説明したように、本実施の形態におけるトランジスタの一例は、ゲートとしての機能を有する導電層と、ゲート絶縁層としての機能を有する絶縁層と、ゲート絶縁層としての機能を有する絶縁層を介してゲートとしての機能を有する導電層に重畳し、チャネルが形成される酸化物半導体層と、酸化物半導体層に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方としての機能を有する導電層と、酸化物半導体層に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方としての機能を有する導電層と、を含む構造である。また、本実施の形態におけるトランジスタの一例は、酸化物半導体層、ソース及びドレインの一方としての機能を有する導電層、並びにソース及びドレインの他方としての機能を有する導電層を介して酸化物半導体層に接する絶縁層がゲート絶縁層としての機能を有する絶縁層に接する構造である。上記構造にすることにより、酸化物半導体層、ソース及びドレインの一方としての機能を有する導電層、並びにソース及びドレインの他方としての機能を有する導電層が酸化物半導体層に接する絶縁層及びゲート絶縁層としての機能を有する絶縁層に囲まれるため、酸化物半導体層、ソース及びドレインの一方としての機能を有する導電層、並びにソース及びドレインの他方としての機能を有する導電層への不純物の侵入を抑制することができる。また、チャネルが形成される酸化物半導体層は、高純度化させた酸化物半導体層である。酸化物半導体層を高純度化させることにより、酸化物半導体層のキャリア濃度を1×1014/cm3未満、好ましくは1×1012/cm3未満、さらに好ましくは1×1011/cm3未満にすることができ、温度変化による特性変化を抑制することができる。また、上記構造にすることにより、チャネル幅1μmあたりのオフ電流を10aA1×10-17A以下にすること、さらにはチャネル幅1μmあたりのオフ電流を1aA1×10-18A以下、さらにはチャネル幅1μmあたりのオフ電流を10zA1×10-20A以下、さらにはチャネル幅1μmあたりのオフ電流を1zA1×10-21A/μm以下、さらにはチャネル幅1μmあたりのオフ電流を100yA1×10-22A以下にすることができる。トランジスタのオフ電流は、低ければ低いほどよいが、本実施の形態のトランジスタのオフ電流の下限値は、約10-30A/μmであると見積もられる。本実施の形態の酸化物半導体層を含むトランジスタを、例えば上記実施の形態の液晶表示装置の表示回路、表示選択信号出力回路、又は表示データ信号出力回路のトランジスタに用いることにより、液晶表示装置の信頼性を向上させることができる。実施の形態5本実施の形態では、上記実施の形態における液晶表示装置の構造例について説明する。本実施の形態における液晶表示装置は、トランジスタなどの半導体素子が設けられた第1の基板アクティブマトリクス基板と、第2の基板と、第1の基板及び第2の基板の間に設けられた液晶層と、を含む。まず、本実施の形態の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の構造例について、図7を用いて説明する。図7は、本実施の形態の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の構造例を示す図であり、図7Aは、平面模式図であり、図7Bは、図7Aにおける線分A-Bの断面模式図である。なお、図7では、トランジスタの一例として図5Aを用いて説明した構造のトランジスタを用いる場合を示す。図7に示すアクティブマトリクス基板は、基板500と、導電層501aと、導電層501bと、絶縁層502と、半導体層503と、導電層504aと、導電層504bと、絶縁層505と、絶縁層509と、導電層510と、を含む。導電層501a及び導電層501bのそれぞれは、基板500の一平面に設けられる。導電層501aは、表示回路における表示選択トランジスタのゲートとしての機能を有する。導電層501bは、表示回路における保持容量の第2の容量電極としての機能を有する。なお、容量素子保持容量の第2の容量電極としての機能を有する層を第2の容量電極ともいう。絶縁層502は、導電層501a及び導電層501bを介して基板500の一平面に設けられる。絶縁層502は、表示回路における表示選択トランジスタのゲート絶縁層及び表示回路における保持容量の誘電体層としての機能を有する。半導体層503は、絶縁層502を介して導電層501aに重畳する。半導体層503は、表示回路における表示選択トランジスタのチャネル形成層としての機能を有する。導電層504aは、半導体層503に電気的に接続される。導電層504aは、表示回路における表示選択トランジスタのソース及びドレインの一方としての機能を有する。導電層504bは、半導体層503に電気的に接続され、絶縁層502を介して導電層501bに重畳する。導電層504bは、表示回路における表示選択トランジスタのソース及びドレインの他方、及び表示回路における保持容量の第1の容量電極としての機能を有する。絶縁層505と半導体層503は一部が接し、導電層504a及び導電層504bは、絶縁層505と半導体層503に挟まれている。絶縁層509は、絶縁層505に重畳する。絶縁層509は、表示回路における平坦化絶縁層としての機能を有する。なお、必ずしも絶縁層509を設けなくてもよい。導電層510は、絶縁層505及び絶縁層509を貫通する開口部において導電層504bに電気的に接続される。導電層510は、表示回路における表示素子の画素電極としての機能を有する。なお、画素電極としての機能を有する層を画素電極ともいう。また、本実施の形態の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の構造の他の例について、図8を用いて説明する。図8は、本実施の形態の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の構造例を示す図であり、図8Aは、平面模式図であり、図8Bは、図8Aにおける線分A-Bの断面模式図である。なお、図8では、トランジスタの一例として図5Aを用いて説明した構造のトランジスタを用いる場合を示す。図8に示すアクティブマトリクス基板の構造は、図7に示すアクティブマトリクス基板と比較して、基板500の代わりに基板521を含み、さらに接着層522と、補強材523と、を含む部分が異なる。なお、図8に示すアクティブマトリクス基板において、図7に示すアクティブマトリクス基板と構成が同じ部分については、図7に示すアクティブマトリクス基板の説明を適宜援用する。導電層501a及び導電層501bのそれぞれは、接着層522を介して基板521の第1の平面に設けられる。補強材523は、基板521の第1の平面に対向する第2の平面のうち、光を透過する部分以外の部分に設けられる。なお、接着層522と、導電層501a及び導電層501bの間に下地層を設け、該下地層と、接着層522の間に補強材523を設けてもよい。本実施の形態の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板において、必ずしも補強材523を設けなくてもよいが、補強材523を設けることにより、外力による衝撃に対する耐性を向上させることができるため、液晶表示装置の破損を抑制することができる。図8に示すアクティブマトリクス基板の作製方法例としては、まず剥離層を介して基板521とは別の素子作製用基板の第1の平面に被剥離層導電層501a、導電層501b、絶縁層502、半導体層503、導電層504a、導電層504b、絶縁層505、絶縁層509、及び導電層510を含むを形成する。素子作製用基板としては、例えば図5Aに示す基板400aに適用可能な基板を用いることができる。素子作製用基板に形成された剥離層としては、例えばモリブデン、チタン、クロム、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコン、若しくはタングステンなどの金属材料、又はこれらを主成分とする合金材料の層を用いることができる。また、素子作製用基板に形成された剥離層に適用可能な材料の積層により、素子作製用基板に形成された剥離層を構成することもできる。次に、被剥離層が形成された素子作製用基板と、接着層が設けられた支持基板を被剥離層と接着層が接するように貼り合わせた後、剥離層と被剥離層の間から素子作製用基板を剥離する。支持基板としては、例えば素子作製用基板に適用可能な基板を用いることができる。なお、例えばレーザ光の照射、エッチング処理、及び機械的手法ナイフなどの使用による手法の一つ又は複数を組み合わせることにより、剥離層と被剥離層の間から素子作製用基板を剥離することができる。次に、剥離層から剥離された被剥離層の面に接着層522が形成された基板521を貼り合わせる。次に、基板521の第2の平面に補強材523を形成する。次に、被剥離層と、支持基板側の接着層の間から支持基板を剥離する。以上が図8に示すアクティブマトリクス基板の作製方法例である。さらに、本実施の形態における液晶表示装置の構造例について、図9を用いて説明する。図9は、図7に示すアクティブマトリクス基板を用いた液晶表示装置の構造例を示す図であり、図9Aは、平面模式図であり、図9Bは、図9Aにおける線分A-Bの断面模式図である。なお、一例として表示素子を液晶素子とする。図9に示す液晶表示装置は、図7に示すアクティブマトリクス基板に加え、基板512と、遮光層513と、絶縁層516と、導電層517と、液晶層518と、を含む。なお、図9Aでは、便宜のため、導電層517を省略する。遮光層513は、基板512の一平面の一部に設けられる。例えば、遮光層513は、トランジスタが形成された部分を除く基板512の一平面に設けられる。絶縁層516は、遮光層513を介して基板512の一平面に設けられる。導電層517は、基板512の一平面に設けられる。導電層517は、表示回路における共通電極としての機能を有する。液晶層518は、導電層510及び導電層517の間に設けられる。なお、導電層510、液晶層518、及び導電層517は、表示回路における表示素子としての機能を有する。さらに、図7乃至図9に示す液晶表示装置の各構成要素について説明する。基板500及び基板512としては、図5Aにおける基板400aに適用可能な基板を用いることができる。導電層501a及び導電層501bとしては、図5Aに示す導電層401aに適用可能な材料の層を用いることができる。また、導電層401aに適用可能な材料の層を積層して導電層501a及び導電層501bを構成してもよい。絶縁層502としては、図5Aにおける絶縁層402aに適用可能な材料の層を用いることができる。また、絶縁層402aに適用可能な材料の層を積層して絶縁層502を構成してもよい。半導体層503としては、図5Aに示す酸化物半導体層403aに適用可能な材料の層又は、元素周期表における第14族の半導体シリコンなどを用いた半導体層を用いることができる。導電層504a及び導電層504bとしては、図5Aにおける導電層405a又は導電層406aに適用可能な材料の層を用いることができる。また、導電層405a又は導電層406aに適用可能な材料の層を積層して導電層504a及び導電層504bを構成してもよい。絶縁層505としては、図5Aにおける絶縁層407aに適用可能な材料の層を用いることができる。また、絶縁層407aに適用可能な材料の層を積層して絶縁層505を構成してもよい。絶縁層509及び絶縁層516としては、例えばポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、などの有機材料の層を用いることができる。また、絶縁層509としては、低誘電率材料low-k材料ともいうの層を用いることもできる。導電層510及び導電層517としては、例えば透光性を有する導電材料の層を用いることができ、透光性を有する導電材料としては、例えばインジウム錫酸化物、酸化インジウムに酸化亜鉛を混合した金属酸化物IZO:indiumzincoxideともいう、酸化インジウムに酸化珪素SiO2を混合した導電材料、有機インジウム、有機スズ、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、又は酸化チタンを含むインジウム錫酸化物などを用いることができる。また、導電層510は、導電性高分子導電性ポリマーともいうを含む導電性組成物を用いて形成することもできる。導電性組成物を用いて形成した導電層は、シート抵抗が10000Ω/□以下、波長550nmにおける透光率が70以上であることが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗率は、0.1Ωcm以下であることが好ましい。導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子が用いることができる。π電子共役系導電性高分子としては、例えばポリアニリン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、又はアニリン、ピロール及びチオフェンの2種以上の共重合体若しくはその誘導体などがあげられる。遮光層513としては、例えば金属材料の層を用いることができる。液晶層518としては、例えばTN液晶、OCB液晶、STN液晶、VA液晶、ECB型液晶、GH液晶、高分子分散型液晶、又はディスコチック液晶などを含む層を用いることができる。基板521としては、じん性が高く、且つ可視光に対する透光性を有する基板を用いることができる。例えば基板521としては、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂PC、ポリエーテルスルフォン樹脂PES、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、又はポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などからなる基板を用いることができる。上記有機樹脂からなる基板を用いることにより、液晶表示装置の重さを軽くすることができ、外力による衝撃に対する耐性を向上させることができるため、液晶表示装置の破損を抑制することができる。接着層522としては、例えば光硬化型樹脂、反応硬化型樹脂、又は熱硬化型樹脂などの樹脂の層を用いることができる。補強材523としては、例えば金属板などを用いることができる。図7乃至図9を用いて説明したように、本実施の形態の液晶表示装置の構造例は、トランジスタと画素電極を含むアクティブマトリクス基板と、対向基板と、アクティブマトリクス基板及び対向基板の間に液晶を有する液晶層と、を含む構造である。また、図7乃至図9を用いて説明したように、本実施の形態の液晶表示装置の構造例は、光を透過させる部分を除き、遮光層が設けられた構造である。上記構造にすることにより、例えばアクティブマトリクス基板に設けられたトランジスタへの光の入射を抑制することができるため、光によるトランジスタの電気特性例えば閾値電圧などの変動を抑制することができる。また、本実施の形態の液晶表示装置の構造にすることにより、表示回路と同一基板上に表示選択信号出力回路などの回路を設けることもできる。このとき、表示選択信号出力回路などの回路のトランジスタの構造を、表示回路におけるトランジスタの構造と同じにしてもよい。上記構造にすることにより、同一工程により同一基板上に表示回路及び表示選択信号出力回路を作製することができるため、表示回路及び表示選択信号出力回路の間の接続不良を低減することができる。また、本実施の形態の液晶表示装置の構造例は、トランジスタなどの素子を形成する基板として、軽量であり、衝撃に対する耐性の高い基板を用いることができる。よって、液晶表示装置の破損を抑制することができる。実施の形態6本実施の形態では、上記実施の形態における液晶表示装置を備えた電子機器の例について説明する。本実施の形態の電子機器の構成例について、図10A乃至図10Dを用いて説明する。図10A乃至図10Dは、本実施の形態の電子機器の構成例を説明するための模式図である。図10Aに示す電子機器は、携帯型情報端末の例である。図10Aに示す情報端末は、筐体1001aと、筐体1001aに設けられた表示部1002aと、を具備する。なお、筐体1001aの側面1003aに外部機器に接続させるための接続端子、及び図10Aに示す携帯型情報端末を操作するためのボタンの一つ又は複数を設けてもよい。図10Aに示す携帯型情報端末は、筐体1001aの中に、CPUと、メインメモリと、外部機器とCPU及びメインメモリとの信号の送受信を行うインターフェースと、外部機器との信号の送受信を行うアンテナと、を備える。なお、筐体1001aの中に、特定の機能を有する集積回路を一つ又は複数設けてもよい。また、図10Aに示すように、偏光シャッター付きのメガネ1011aを用いて表示部1002aの画像を視認することにより、擬似的に三次元の画像を視認することができる。メガネ1011aは、液晶を用いて構成される左眼用偏光シャッター1012a及び右眼用偏光シャッター1013aを備える。例えば、表示部1002aの画像が左眼用の画像のときには、右眼用偏光シャッター1013aにより視認者の右眼への光の入射を遮断し、表示部1002aの画像が右眼用の画像のときには、左眼用偏光シャッター1012aにより視認者の左眼への光の入射を遮断することにより、視認者は、擬似的に三次元の画像を視認することができる。なお、メガネ1011aにアンテナを設け、無線通信により制御信号を含む搬送波を受信することにより、左眼用偏光シャッター1012a及び右眼用偏光シャッター1013aの光の透過率を制御してもよい。図10Aに示す携帯型情報端末は、例えば電話機、電子書籍、パーソナルコンピュータ、及び遊技機の一つ又は複数としての機能を有する。図10Bに示す電子機器は、折り畳み式の携帯型情報端末の例である。図10Bに示す携帯型情報端末は、筐体1001bと、筐体1001bに設けられた表示部1002bと、筐体1004と、筐体1004に設けられた表示部1005と、筐体1001b及び筐体1004を接続する軸部1006と、を具備する。また、図10Bに示す携帯型情報端末では、軸部1006により筐体1001b又は筐体1004を動かすことにより、筐体1001bを筐体1004に重畳させることができる。なお、筐体1001bの側面1003b又は筐体1004の側面1007に外部機器に接続させるための接続端子、及び図10Bに示す携帯型情報端末を操作するためのボタンの一つ又は複数を設けてもよい。また、表示部1002b及び表示部1005に、互いに異なる画像又は一続きの画像を表示させてもよい。なお、表示部1005を必ずしも設けなくてもよく、表示部1005の代わりに、入力装置であるキーボードを設けてもよい。図10Bに示す携帯型情報端末は、筐体1001b又は筐体1004の中に、CPUと、メインメモリと、外部機器とCPU及びメインメモリとの信号の送受信を行うインターフェースと、を備える。また、筐体1001b又は筐体1004の中に、特定の機能を有する集積回路を1つ又は複数設けてもよい。また、図10Bに示す携帯型情報端末に、外部との信号の送受信を行うアンテナを設けてもよい。また、図10Bに示すように、偏光シャッター付きのメガネ1011bを用いて表示部1002b又は表示部1005の画像を視認することにより、擬似的に三次元の画像を視認することができる。メガネ1011bは、液晶を用いて構成される左眼用偏光シャッター1012b及び右眼用偏光シャッター1013bを備える。例えば、表示部1002b又は表示部1005の画像が左眼用の画像のときには、右眼用偏光シャッター1013bにより視認者の右眼への光の入射を遮断し、表示部1002b又は表示部1005の画像が右眼用の画像のときには、左眼用偏光シャッター1012bにより視認者の左眼への光の入射を遮断することにより、視認者は、擬似的に三次元の画像を視認することができる。なお、メガネ1011bにアンテナを設け、無線通信により制御信号を含む搬送波を受信することにより、左眼用偏光シャッター1012b及び右眼用偏光シャッター1013bの光の透過率を制御してもよい。図10Bに示す携帯型情報端末は、例えば電話機、電子書籍、パーソナルコンピュータ、及び遊技機の一つ又は複数としての機能を有する。図10Cに示す電子機器は、設置型情報端末の例である。図10Cに示す設置型情報端末は、筐体1001cと、筐体1001cに設けられた表示部1002cと、を具備する。なお、表示部1002cを、筐体1001cにおける甲板部1008に設けることもできる。また、図10Cに示す設置型情報端末は、筐体1001cの中に、CPUと、メインメモリと、外部機器とCPU及びメインメモリとの信号の送受信を行うインターフェースと、を備える。なお、筐体1001cの中に、特定の機能を有する集積回路を一つ又は複数設けてもよい。また、図10Cに示す設置型情報端末に、外部との信号の送受信を行うアンテナを設けてもよい。さらに、図10Cに示す設置型情報端末における筐体1001cの側面1003cに券などを出力する券出力部、硬貨投入部、及び紙幣挿入部の一つ又は複数を設けてもよい。また、図10Cに示すように、偏光シャッター付きのメガネ1011cを用いて表示部1002cの画像を視認することにより、擬似的に三次元の画像を視認することができる。メガネ1011cは、液晶を用いて構成される左眼用偏光シャッター1012c及び右眼用偏光シャッター1013cを備える。例えば、表示部1002cの画像が左眼用の画像のときには、右眼用偏光シャッター1013cにより視認者の右眼への光の入射を遮断し、表示部1002cの画像が右眼用の画像のときには、左眼用偏光シャッター1012cにより視認者の左眼への光の入射を遮断することにより、視認者は、擬似的に三次元の画像を視認することができる。なお、メガネ1011cにアンテナを設け、無線通信により制御信号を含む搬送波を受信することにより、左眼用偏光シャッター1012c及び右眼用偏光シャッター1013cの光の透過率を制御してもよい。図10Cに示す設置型情報端末は、例えば現金自動預け払い機、券などの注文をするための情報通信端末マルチメディアステーションともいう、又は遊技機としての機能を有する。図10Dに示す電子機器は、設置型情報端末の例である。図10Dに示す設置型情報端末は、筐体1001dと、筐体1001dに設けられた表示部1002dと、を具備する。なお、筐体1001dを支持する支持台を設けてもよい。なお、筐体1001dの側面1003dに外部機器に接続させるための接続端子、及び図10Dに示す設置型情報端末を操作するためのボタンの一つ又は複数を設けてもよい。また、図10Dに示す設置型情報端末は、筐体1001dの中に、CPUと、メインメモリと、外部機器とCPU及びメインメモリとの信号の送受信を行うインターフェースと、を備えてもよい。また、筐体1001dの中に、特定の機能を有する集積回路を一つ又は複数設けてもよい。また、図10Dに示す設置型情報端末に、外部との信号の送受信を行うアンテナを設けてもよい。また、図10Dに示すように、偏光シャッター付きのメガネ1011dを用いて表示部1002dの画像を視認することにより、擬似的に三次元の画像を視認することができる。メガネ1011dは、液晶を用いて構成される左眼用偏光シャッター1012d及び右眼用偏光シャッター1013dを備える。例えば、表示部1002dの画像が左眼用の画像のときには、右眼用偏光シャッター1013dにより視認者の右眼への光の入射を遮断し、表示部1002dの画像が右眼用の画像のときには、左眼用偏光シャッター1012dにより視認者の左眼への光の入射を遮断することにより、視認者は、擬似的に三次元の画像を視認することができる。なお、メガネ1011dにアンテナを設け、無線通信により制御信号を含む搬送波を受信することにより、左眼用偏光シャッター1012d及び右眼用偏光シャッター1013dの光の透過率を制御してもよい。図10Dに示す設置型情報端末は、例えばデジタルフォトフレーム、出力モニタ、又はテレビジョン装置としての機能を有する。上記実施の形態の液晶表示装置は、例えば電子機器の表示部として用いられ、例えば図10A乃至図10Dに示す表示部1002a乃至表示部1002dとして用いられる。また、図10Bに示す表示部1005として上記実施の形態の液晶表示装置を用いてもよい。図10を用いて説明したように、本実施の形態の電子機器の一例は、上記実施の形態における液晶表示装置が用いられた表示部を具備する構成である。上記構成にすることにより、表示部の画像を、擬似的に三次元の画像として視認することができる。また、本実施の形態の電子機器の一例では、筐体に、入射する照度に応じて電源電圧を生成する光電変換部、及び液晶表示装置を操作する操作部のいずれか一つ又は複数を設けてもよい。例えば光電変換部を設けることにより、外部電源が不要となるため、外部電源が無い場所であっても、該電子機器を長時間使用することができる。