"EUV放射ビームが発生されて低圧ガス雰囲気を通り仮想放射源点に合焦され、前記EUV放射ビームは、動作時に、前記雰囲気中にプラズマを生成する、EUV放射源装置であって、前記放射ビームの経路内または周りに位置付けられる第1の電極および第2の電極を含む汚染物質トラップと、前記電極に接続されて、前記放射ビームが前記仮想放射源点に近接する最中に前記放射ビームの前記経路を横断する電界を生成するバイアス源と、を含み、前記電界は、前記プラズマによって帯電された汚染物質粒子を前記ビーム経路外に偏向させるように向けられる、EUV放射源装置。前記第1および第2の電極は、それぞれ、前記ビーム経路を横断するのではなく前記ビーム経路に沿って延在し、前記ビームの軸について主に半径方向に向けられる、請求項1に記載の装置。前記汚染物質トラップは、前記ビーム経路について前記第1および第2の電極の前に位置決めされる第3の電極および第4の電極と、前記プラズマによる前記汚染物質粒子の前記帯電を増強するために前記プラズマの密度および/または継続時間を増加する交流電界を生成するさらなるバイアス源と、をさらに含む、請求項1または2に記載の装置。前記汚染物質トラップは、サイクルで動作するように構成され、前記バイアス源は、前記汚染物質トラップの各動作サイクル内の様々な時間において様々なバイアス信号を印加するように構成される、請求項1~3のいずれかに記載の装置。前記汚染物質トラップは、その動作サイクルを、EUV放射が動作サイクル毎に1以上のパルスで発生される、前記放射源装置の動作サイクルと同期させるように構成される、請求項4に記載の装置。前記バイアス源は、各動作サイクルの少なくとも大部分の間、前記電極にDCバイアスを印加するように構成される、請求項4または5に記載の装置。前記汚染物質トラップは、前記ビーム経路について前記第1および第2の電極の前に位置決めされるイオナイザをさらに含む、請求項1~6のいずれかに記載の装置。パターニングデバイスからのパターンを基板上に投影するように構成されたリソグラフィ投影装置であって、前記投影装置は放射源装置から受け取った極端紫外線EUVビームを用いて前記パターンを投影するように構成され、前記放射源装置はEUV源と、前記投影装置の光学システム内への送出のために前記EUV源からの放射を仮想放射源点に合焦させる光学コレクタとを含み、前記放射源装置は、請求項1~7のいずれかに記載の装置を含み、かつ、前記汚染物質トラップは前記コレクタと前記仮想放射源点との間に位置決めされている、リソグラフィ投影装置。EUV光学システムにおいて使用するためのEUV放射ビームを発生させ、かつ送出する方法であって、低圧ガス雰囲気内の放射源点においてEUV放射を発生させて前記EUV放射を光学コレクタを用いて仮想放射源点に向けてビームに集束する工程であって、前記EUV放射の発生には汚染物質粒子の発生が伴う、工程と、空間におけるプラズマの存在下で前記粒子に負電荷を印加する工程であって、前記プラズマは略真空雰囲気への前記EUV放射の作用によって少なくとも部分的に形成される、工程と、電気バイアスを印加することによって、前記コレクタと前記仮想放射源点との間の空間において前記放射ビームの経路内または周りに位置付けられる第1の電極と第2の電極との間の前記プラズマを消失させる工程と、前記負電荷に作用する電界を発生させるように前記電極に電気バイアスを印加することによって前記電極間の前記粒子を偏向させる工程と、を含む方法。前記負電荷を印加する工程は前記プラズマを用いて行われる、請求項9に記載の方法。前記負電荷を印加する工程は、前記EUV放射によって自然に誘起されるものを超えて前記プラズマの密度および/または継続時間を増加する工程を含む、請求項10に記載の方法。前記プラズマの前記密度および/または継続時間を増加する工程は、前記ビーム経路について前記第1および第2の電極の前に、前記ビームの経路内に位置決めされる第3および第4の電極間に交流電気バイアスを印加する工程を含む、請求項11に記載の方法。前記プラズマの前記密度および/または継続時間を増加する工程は、前記プラズマを消失させる工程および前記粒子を偏向させる工程において前記バイアスを印加することの前の時間に、前記第1および第2の電極間に交流電気バイアスを印加する工程を含み、前記プラズマの前記密度および/または継続時間を増加する工程、前記プラズマを消失させる工程、および前記粒子を偏向させる工程のうち少なくとも2つは、時間的に分けられ、かつ、EUV放射源の動作サイクルと同期して繰り返し行われる、請求項11または12に記載の方法。前記プラズマの前記密度および/または継続時間を増加する工程は、前記プラズマを消失させる工程および前記粒子を偏向させる工程が行われる位置とは空間的に離れた位置において行われる、請求項13に記載の方法。請求項9から14のいずれかに記載の方法によって発生されたEUV放射を用いてパターニングデバイスからデバイス基板にパターンが投影される、デバイス製造方法。0039図1は、本発明の一実施形態による放射源コレクタモジュールSOを含むリソグラフィ装置100を概略的に示す。リソグラフィ装置は、放射ビームB例えばEUV放射を調整するように構成された照明システムイルミネータILと、パターニングデバイス例えばマスクまたはレチクルMAを支持するように構成され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続されたパターニングデバイスサポートまたはサポート構造例えばマスクテーブルMTと、基板例えばレジストコートウェーハWを保持するように構成され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル例えばウェーハテーブルWTと、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば1つ以上のダイを含む上に投影するように構成された投影システム例えば反射投影システムPSとを含む。0040照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合せ等の様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。0041パターニングデバイスサポートMTは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否か等の他の条件に応じた態様でパターニングデバイスを保持する。パターニングデバイスサポートは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。パターニングデバイスサポートは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスを、例えば投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。0042用語パターニングデバイスは、基板のターゲット部分内にパターンを作るように放射ビームの断面にパターンを付与するために使用することのできる任意のデバイスを指していると広く解釈されるべきである。放射ビームに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応しうる。0043パターニングデバイスは、透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、レべンソン型alternating位相シフト、およびハーフトーン型attenuated位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられ、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように各小型ミラーを個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付与する。0044照明システムのような投影システムは、用いられる露光放射に、または真空の使用といった他の要因に適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、静電型、または他の型の光学コンポーネント、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の光学コンポーネントを含みうる。EUV放射には、他のガスは放射を吸収しすぎることがあるので、真空を用いることが望ましい。したがって、真空環境を、真空壁および真空ポンプを用いてビーム経路全体に提供しうる。0045本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は反射型装置であってよい例えば反射型マスクを採用する。0046リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ以上の基板テーブルおよび/または2つ以上のマスクテーブルを有する型のものであってもよい。そのようなマルチステージ機械では、追加のテーブルを並行して使うことができ、すなわち予備工程を1つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の1つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。0047図1を参照すると、イルミネータILは、放射源コレクタモジュールSOから極端紫外線ビームを受け取る。EUV光を生成する方法には、次に必ずしも限定されないが、EUV範囲内の1本以上の輝線を有する例えばキセノン、リチウム、またはスズである少なくとも1つの元素を有する物質をプラズマ状態に変換することが含まれる。多くの場合、レーザ生成プラズマLPPと呼ばれるこのような方法の1つでは、必要とされるプラズマは、必要な輝線放出元素を有する物質の液滴、ストリーム、またはクラスタをレーザビームによって照射することによって生成することができる。放射源コレクタモジュールSOは、燃料を励起するためのレーザビームを提供する、図1には図示しないレーザを含むEUV放射システムの一部であってよい。結果として生じるプラズマは、例えばRUV放射である出力放射を放出し、この放射は、放射源コレクタモジュール内に配置される放射源コレクタを使って集められる。例えばCO2レーザを用いて燃料励起のためのレーザビームを提供する場合は、レーザと放射源コレクタモジュールは別個の構成要素であってよい。0048その場合、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームはレーザから放射源コレクタモジュールへ、例えば適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合、例えば放射源が多くの場合DPP源と呼ばれる放電生成プラズマEUVジェネレータである場合、放射源は放射源コレクタモジュールの一体部分とすることもできる。0049イルミネータILは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲通常、それぞれσouterおよびσinnerと呼ばれるを調節することができる。さらに、イルミネータは、ファセットフィールドデバイスおよび瞳ミラーデバイスといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布を持たせることができる。0050放射ビームBは、パターニングデバイスサポート例えばマスクテーブルMT上に保持されているパターニングデバイス例えばマスクMA上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス例えばマスクMAから反射された後、放射ビームBは投影システムPSを通過し、投影システムPSは、基板Wのターゲット部分C上にビームの焦点を合わせる。第2ポジショナPWおよび位置センサPS2例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサを使い、例えば、様々なターゲット部分Cを放射ビームBの経路内に位置決めするように、基板テーブルWTを正確に動かすことができる。同様に、第1ポジショナPMおよび別の位置センサPS1を使い、パターニングデバイス例えばマスクMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス例えばマスクMAおよび基板Wは、マスクアライメントマークM1、M2と、基板アライメントマークP1、P2を使って位置合わせされうる。0051例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも1つのモードで使用できる。1.ステップモードでは、パターニングデバイスサポート例えばマスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影するすなわち、単一静的露光。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それにより別のターゲット部分Cを露光することができる。2.スキャンモードでは、パターニングデバイスサポート例えばマスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影するすなわち、単一動的露光。パターニングデバイスサポート例えばマスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの縮小拡大率および像反転特性によって決めることができる。3.別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、パターニングデバイスサポート例えばマスクテーブルMTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードでは、通常、パルス放射源が採用され、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。0052上述の使用モードの組合せおよび/またはバリエーション、或いは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。0053図2は、放射源コレクタモジュールSO、照明システムIL、および投影システムPSを含むリソグラフィ装置100をより詳細に示す。放射源コレクタモジュールSOは、放射源コレクタモジュールSOの囲い構造220内に真空環境が維持可能であるように構成される。EUV放射放出プラズマ210が、放電生成プラズマ源によって形成されうる。EUV放射は、例えばXeガス、Li蒸気またはSn蒸気といったガスまたは蒸気によって生成されうる。ガスまたは蒸気内では、非常に高温のプラズマ210が生成されて電磁スペクトルのEUV範囲内の放射を放出する。非常に高温のプラズマ210は、例えば少なくとも部分的にイオン化されたプラズマをもたらす放電によって生成される。例えば10Paの分圧のXe、Li、Sn蒸気または任意の他の適切なガスまたは蒸気が、効率のよい放射の発生に必要となりうる。一実施形態では、励起されたスズSnのプラズマが提供されてEUV放射が生成される。0054高温プラズマ210によって放出された放射は、放射源チャンバ211からコレクタチャンバ212内へと、放射源チャンバ211の開口の中または背後に位置決めされる光学ガスバリアまたは汚染物質トラップ230場合によっては汚染物質バリアまたはフォイルトラップとも呼ばれるを介して渡される。汚染物質トラップ230はチャネル構造を含みうる。汚染物質トラップ230はさらに、ガスバリア、または、ガスバリアとチャネル構造の組み合わせを含みうる。本明細書に示す汚染物質トラップまたは汚染物質バリア230はさらに、当技術分野において知られているように少なくともチャネル構造を含む。0055コレクタチャンバ212は、いわゆるかすめ入射コレクタでありうる放射源コレクタCOを含みうる。放射源コレクタCOは、上流放射コレクタ側251および下流放射コレクタ側252を有する。コレクタCOを通過する放射は、仮想放射源点IFに合焦するように格子スペクトルフィルタ240を反射しうる。仮想放射源点IFは、通常、中間焦点と呼ばれ、放射源コレクタモジュールは、中間焦点IFが囲い構造220内の開口221にまたは付近に位置付けられるように構成される。仮想放射源点IFは、放射放出プラズマ210の像である。0056次に、放射は、パターニングデバイスMAにおいて放射ビーム21の所望の角分布を、かつ、パターニングデバイスMAにおいて所望の放射強度均一性を与えるように構成されたファセットフィールドミラーデバイス22およびファセット瞳ミラーデバイス24を含みうる照明システムILを通過する。パターニングデバイスサポートMTによって保持されたパターニングデバイスMAにおいて放射ビーム21が反射すると、パターン付きビーム26が形成され、このパターン付きビーム26は、投影システムPSによって、反射素子28、30を介して、ウェーハステージまたは基板テーブルWTによって保持される基板W上に結像される。0057通常、図示されるよりも多くの素子が、照明光学ユニットILおよび投影システムPS内にあってよい。格子スペクトルフィルタ240は、リソグラフィ装置の型に応じて任意選択的にあってよい。さらに、図に示すものよりも多くのミラーが存在してよく、例えば、図2に示すものよりも1~6個多い追加の反射素子が投影システムPS内にあってよい。0058図2に示すような放射コレクタまたはコレクタ光学系COは、コレクタまたはコレクタミラーのほんの一例として、かすめ入射リフレクタ253、254、および255を有するネスト型コレクタとして示される。かすめ入射リフレクタ253、254、および255は、光軸Oの周りに軸対称に配置され、この型のコレクタ光学系COは、多くの場合DPP源と呼ばれる放電生成プラズマ源と組み合わせて用いられることが好適である。0059あるいは、放射源コレクタモジュールSOは、図3に示すようなLPP放射システムの一部であってもよい。レーザLAは、キセノンXe、スズSn、またはリチウムLiといった燃料にレーザエネルギーを堆積するように構成され、それにより、数十eVの電子温度を有する、高度にイオン化されたプラズマ210が生成される。脱励起およびこれらのイオンの再結合時に発生されたエネルギー放射は、プラズマから放出され、近法線入射コレクタ光学系COによって集められ、囲い構造220にある開口221へと合焦される。0060図4は、スペクトル純度フィルタSPFが、反射型格子ではなく透過型フィルタであるEUVリソグラフィ装置の代替の配置を示す。この場合、放射源コレクタモジュールSOからの放射は、コレクタから中間焦点IF仮想放射源点への直線路に従う。図示しない代替の実施形態では、スペクトル純度フィルタは、仮想放射源点、または、コレクタと仮想放射源点との間の任意の位置に位置決めされうる。フィルタは、例えば仮想放射源点の下流の放射路における他の位置に配置されてよい。多数のフィルタを配置してよい。先の実施例におけるように、コレクタCOは、かすめ入射型図2であっても、直接リフレクタ型図3であってもよい。0061上述したように、ガスバリアを含む汚染物質トラップ230は、放射源コンパートメント内に設けられている。ガスバリアは、例えば本願に参考として組み込まれる米国特許第6,614,505号および米国特許第6,359,969号に詳述されるようなチャネル構造を含む。この汚染物質トラップは、光学系の素子に燃料物質または副生成物が衝突して、時間の経過と共に素子の性能を下げることを防止するまたは少なくとも減少することを目的とする。ガスバリアは、汚染物質との化学的な相互作用によって、および/または、帯電された粒子の静電または電磁偏向によって、流体の向流による物理バリアとして機能しうる。実際には、これらの方法の組み合わせが用いられて、放射の照明システム内への伝達が可能にされ、同時にプラズマ物質を最大限に遮断する。上述した米国特許に説明されるように、特に水素ラジカルがSnまたは他のプラズマ物質を化学的に修飾するために注入されうる。水素ラジカルは、光学面上に既に堆積しているSnまたは他の物質を洗浄するために適用されてもよい。0062水素または他のガスを、リソグラフィ装置における他の場所における汚染物質粒子に対するバリアまたはバッファとして提供してもよい。特に、放射源コレクタモジュールSOの略真空環境内への水素の流れを、投影システム内へと中間焦点開口221を通過しようとする粒子を防止するように構成してよい。さらに、水素ガスは、iパターニングデバイス例えばレチクルサポートMTの付近において、レチクルを汚染する、システムからの汚染物質に対するバッファとして、かつ、iiウェーハサポートWTの付近において、システム内のより大きい真空空間にウェーハからの汚染物質が進入することに対するバッファとして配置されうる。0063これらのすべての目的のために、水素源HS幾つかを概略的に示すが、図示しないものもあるを配置して各汚染物質トラップ配置に水素ガスを供給する。ある水素源は、単純なバッファとして分子状水素ガスH2を供給しうるが、その他の水素源はHラジカルを発生する。水素源HSは図4のみに示すが、水素源は図2および図3の実施例にも同様に存在する。本発明は、水素雰囲気を有する実施形態に限定されない。汚染物質トラップに用いうる別のガスとしてはヘリウムが知られている。0064図5は、IF開口を、ひいては照明システムチャンバおよび投影システムチャンバを、スズ粒子一般に放射源燃料物質の粒子および同様の汚染物質から保護するための第1の例示的な配置を示す。この状況において、1対の電極キャパシタプレートと見なせるを用いて電界を発生させ、電界は到来する高速粒子を静電偏向によって逸らし、それにより高速粒子が電極の1つに当たり照明システムIL内を通過しないようにする。0065静電偏向を生じさせるためには、汚染物質粒子図中、黒点で示すは、電極間の空間内にある場合に帯電されている必要がある。しかし、上述したように、水素または他のガス雰囲気中に形成されるプラズマを完全にまたは少なくとも十分に排除することも望ましく、そうでなければ、電極間の電界の所望の偏向効果が遮断されてしまう。記載される配置の幾つかでは、EUV放射によって誘起される水素プラズマが、実際には、偏向のために粒子を帯電させる手段としても使用される。代替のおよび/または補完的な帯電機構を用いてもよい。0066電極の形状は、どの部分が保護されているのかに応じて異なる。IF開口の例については、図は、負電位に接続される中心電極500を示す。接地された円錐型壁電極502がバリアを形成し、その中に偏向された粒子が衝突し、同時に所望のEUV放射はIFへと進み続ける。中心電極500は、EUVビームの光軸O内これはオブスキュレーション領域と呼ばれるに位置決めされる、図示するよりも細いロッドまたはワイヤであってよく、また、負バイアスが印加される例えば約-400V。壁電極502は、厳密に円錐形である必要はなく、装置のハウジングの既存の壁であってもよく、または、壁電極は、ハウジング図示せず内に特別に設けられかつ取り付けられてもよい。0067保護プロセスは一般に次の通りに行われる。H2環境であるので、プラズマは、EUV放射パルスが横断する全ボリュームに亘って生成される。プラズマは、当該ボリューム内の任意の粒子帯電済み、非帯電、導電性、および絶縁性を、プラズマ浮遊電位にまで負に帯電させる。プラズマは数十マイクロ秒μmをかけて自然に消失する。しかし、典型的な放射源装置ではEUVパルスは50kHzの繰り返し率を有するので、プラズマは20μsの期間で新たに生成され、それにより半連続的なプラズマがもたらされる。しかし、電圧が電極500、502の両端に印加されると、電極間に存在する電界が、より高速に約1μsプラズマを消失させることになる。電荷は粒子に残り、そして、ここでは壁電極502である比較的正の電極に向かうかつ捕捉される。0068粒子が跳ねてIFから漏れる可能性を最小限にするために、電極502のIF付近の表面に溝を形成して粒子を捕捉させるかまたはH2の向流が粒子をIFから離れるように運ぶように後ろ方向に跳ねさせる。一実施形態では、これらの溝504を図6に示す。0069幾つかの場合では、故障またはプラズマ放電が持続することまたは他の電気的なコンフリクトといった問題によってバイアスが十分ではない、および/または、さらに増加することができない場合があり、図7に示すようにバイアスを減少するように別の実施形態を用いてもよい。ここでは、追加の円錐型電極506が中心電極500と外側の円錐型壁電極502との間に挿入される。この中間円錐型電極506にはバイアスが印加されてよく、一方で中心電極500と壁電極502は接地される。この場合、負の粒子は、壁電極502ではなく中間円錐型電極506に衝突する。0070本実施形態では、電極間の距離は事実上半分にされて、それにより電界強度が2倍となる。さらに、粒子を停止するために必要となる初期軌道からの偏差量も半分にされる。また、プラズマ消失時間が減少される。本実施形態では、追加の円錐型電極506によるオブスキュレーションによってある程度のEUV放射の損失がありうる。中間電極506は図7のみに示すが、中間電極は、図8、図9、および図10に示した実施形態を含む、説明したあらゆる実施形態の改良点として適用されうる。同様に、EUV透過が低くなることを引き換えに、1電極あたりのバイアスを低くしかつ効率を上げるために多数の中間電極を用いてもよい。バイアスの極性は、各電極とその次の電極では交互となるべきである。0071上述した米国特許第6,781,673号の教示内容と比較して、本実施例は、EUV誘起プラズマによってもたらされる粒子の負の帯電を利用することを理解されたい。したがって、負に帯電された電極を用いて粒子を反発させるまたは正に帯電された電極を用いて粒子を引き寄せる。さらに、プラズマを消失させる電圧を電極に与える。光電効果による正帯電は依然として生じるが、より強い負の帯電によって打ち消される。米国特許出願公開第2007/0001126号にも、導入部において、静電界に依存して、コレクタCOの付近に配置されたフォイルトラップのブレード間のプラズマを消失させることについて述べられている。0072EUVパルスがバーストで到来する実施形態において、バーストの最後のパルスによって生成される汚染物質粒子は、円錐体に到達する際にEUV放射がない状態で進行し、したがって確実に帯電されない場合がある。換言すると、プラズマを発生させるEUVがない場合、粒子は帯電されない。パルスの強度および頻度と、雰囲気の特性とに依存して、プラズマは、パルスのバーストが発生している間であっても一時的に停止するかまたは弱くなることがある。この問題に対処し、かつ、静電偏向によって捕捉される汚染物質粒子の割合を増加するために、装置の特定部分にこの粒子の一部が到達しないようにアクティブ特徴を設けることが提案される。問題を2つの別個の段階、すなわち、1帯電、および2除去に分ける、代替の実施形態が可能である。プラズマを消失させる中間段階は、それ自体別個の段階とみなしても、または、上述したこれらの2つの段階のいずれか1つの段階の一部とみなしてもよい。0073図8は、このための1つの可能な実施形態を示し、この実施形態は、ビーム経路このビーム経路は汚染物質粒子の経路でもあるに沿って分けられた2つの段階として構成される。最初の段階では、2つのメッシュ520および522がビーム経路に配置される。1つのメッシュは接地され、もう1つのメッシュには無線周波数RFバイアスが印加される。この構成では、点線の楕円によって表す永久定常状態プラズマP1が生成され、この領域を通過する粒子は、EUV放射の有無に関わらず帯電されうる。図示するように、プラズマP1は、EUV放射源‐コレクタモジュールのメインチャンバ内に位置付けられたメッシュ520および522間に形成される。あるいは、プラズマは、一般にIFコーンと呼ばれるハウジングの円錐状部分の入口に位置付けられるメッシュ520’および522’の間の位置P2に発生されてもよい。0074第2の段階は、円錐体内に位置付けられ、先の例において説明したように単純DCが中心電極500に印加される。中心電極500の機能は、まず、円錐体内のEUV生成プラズマを消失させ、次にIF開口を通過する前に粒子が壁電極502に衝突するように粒子を静電的に反発させることである。したがって、この配置には3段階あると見なされてよく、そのうちの2段階は、同じ電極対によって実施されうる。0075電界振幅は、電極からの半径方向距離Rに反比例するので、プラズマは、ワイヤの付近では比較的容易に消失されるが、壁の付近では消失されない。説明した手法が所与の環境においてうまくいくかどうかを確認するために計算を行ってよい。必要であれば、1以上の図7に示すような中間円錐型電極506を用いて当技術の効率を向上させることもできる。0076この配置の潜在的な利点は、メッシュ、さらには追加の円錐型電極でさえも、所望のEUV放射の透過に対して最小限の影響しか有さないことである。帯電と除去とが空間的に切り離されることになるので、永久プラズマはデバイスの設計を単純化しうる。この切り離しは、以下にさらに説明するように空間的および/または時間的に行われることが可能である。0077動作時、粒子は、IF開口に向かって誘導される。EUVビームは光電効果によって粒子をある程度まで正に帯電させ、また、光電離によってH2プラズマを生成しうる。プラズマ電子は、次に、粒子を負に帯電させる。電極間に配置された電界によってプラズマが消失される。この観点から、電界は帯電粒子に作用し、粒子をレチクルから逸らし、粒子をプレートに衝突させる。0078ある条件下では、電極500、502への単純DCバイアスは、プラズマを放電させ、かつ、所望の割合の進行粒子を停止させるのに十分であるように粒子を偏向させるのに十分でないことが予測される。次に説明する改良点は、多段階バイアス印加である。これは、2以上の段階が空間的にではなく時間的に分けられるように変更された、上述したタイプの2または3段階配置と見なしてよい。0079図9は、図5の実施形態にほぼ基づく別の実施形態を示し、この実施形態では、単純DC供給源の代わりに信号ジェネレータ540が配置されて電極500にバイアスをかける。信号ジェネレータ540はシーケンサ542によって制御され、シーケンサは、例えばレーザ源自体から得られるタイミング信号SYNCを参照して同期される様々なバイアス信号の複合シーケンスを発生させるマイクロコントローラまたは専用論理回路を含みうる。信号ジェネレータを用いて、本実施例におけるシーケンサ542は、放射源のEUVパルスと同期された3段階バイアス印加スキームを実施する。これにより、同じ電極500、502が、別個のメッシュ520、522を用いることなく追加のプラズマを発生させる機能を実行することを可能にする。しかし、図9を参照してここに記載した手段は、必要に応じて、図8および/または図10の手段と組み合わせて用いることもできる。0080単に一例として、全EUVパルス周期が約20μs50kHzの繰り返し率であり、EUV放射パルスが各周期の始まりにおいて約1μsの間、強力であるEUV放射源装置を想定されたい。この実施例ではさらに、問題の汚染物質粒子は、20nmから1000nmの範囲にあるサイズのスズ粒子でありうる。150nmから300nmの範囲内、および、400ms-1から500ms-1の範囲内の速度にある粒子は、公知の技術では捕捉するのが困難である。ある従来の装置が汚染物質の個々のイオンを偏向させかつ捕捉するように設計されうる場合には、本実施例における大きい粒子は、多くの原子を含む。したがって、質量に対する電荷の比は個々のイオンよりも小さくなり、粒子を偏向させることの困難度が比例して大きくなる。上述した速度では、粒子は、1μs間に0.5mm進行し、または、20μs間に10mm進行する。コレクタCOから開口IFへの距離は数十センチメートルであってよい。0081本実施形態では、シーケンサ542は、以下のスキームを22μsのサイクルで実施するようにプログラムされうる:ステップ1:バイアスRF100MHz、40V、2μs間ステップ2:バイアスRF0.25MHz、400V、6μs間ステップ3:バイアスDC400V、14μs間0082機能は以下の通りである。ステップ1では、EUV放射パルスの開始と同期されて、適度な電圧で高RF周波数を有するバイアス信号を用いてプラズマ密度を増加する。あるプラズマは自然に存在するが、この増加されてかつ一定のプラズマは、粒子をより効率よく帯電させる。プラズマ密度がより高くなるので、ステップ2では、ACフィールドの、具体的には低周波の高電圧RFバイアス信号を用いて、上述したDCバイアスよりも効率よくプラズマを消失させる。プラズマが消去された後、ステップ3では、高DC電圧を印加して帯電粒子を偏向させかつ停止させる。なお、粒子の電荷はパルス毎に少しずつ蓄積するので、粒子はより低速になりまたはプレートはより長くなり、停止効率が良くなることに留意されたい。0083この場合のシミュレーションは、あらゆる粒子サイズ20nmから1000nmに対してほぼ~100の停止効率を、レチクルの保護に適用される同様の保護セットアップにおいて達成可能であることを示した。これらのシミュレーションにおいて、各粒子は、約150のパルスに晒される。電極形状、各ステップの継続時間、周波数、および電圧のパラメータは、所与の状況において性能を最適化するために調整することができる。特定の割合の粒子を停止することと同様に、特定のサイズ範囲の粒子を特に停止することも望ましく、捕捉デバイスのパラメータを適宜適応させてよい。0084ステップ1からステップ3へのシーケンスは、単一の電極組を用いて時系列に好都合に実施されるが、これらのステップを空間的に分けることが望ましい場合もありうる。例えば、円錐型電極は、ビーム経路に沿って異なるセグメントに分けられてもよく、1つのセグメントがプラズマを消失させるためのACバイアスを有し、次のセグメントが粒子をビーム経路外に逸らすためのDCバイアスを有する。異なるバイアスを永久的に印加しても、または、なんらかの方法で依然として放射源の動作と同期させてもよい。0085各個別の放射パルスを参照して計時される動作のシーケンスに加えて、信号発生も、または、あるいは、導入部および請求項において動作周期と呼ばれるパルスサイクルのバーストの始まりまたは終わりにおいて特別な方法で異なるように制御されてよい。0086増加されたプラズマを発生させること以外に、汚染物質の粒子を帯電させる他の手段も可能である。図10では、IFに向かって移動する粒子900は、イオナイザ902によってイオン化される例えばHV破壊によって、しかし潜在的には他の方法で。スズまたは他の汚染物質の発生されたイオン904は、電界によって捕捉ユニット906に向けて偏向される。ユニット906は、上述した電極500、502に機能的に類似する電極908および910を含んでよい。これらの電極に印加されるバイアス電圧の極性は、停止する必要のあるイオンの極性に依存する。電極によって消失されるべきプラズマの量は本実施例では少なく、静電偏向プロセスを促進する。0087図11では、イオナイザ902は、非常に効率の良い3ステップイオン化プロセスを介して、非共鳴多光子イオン化または共鳴増強多光子イオン化によってカチオン化を実現するためにレーザビーム902bを供給するように構成されたレーザ902aを含みうる。例えば巨視的スズ粒子、すなわち、液滴では、280nm以下の波長での光イオン化がイオン化を達成するために十分である。0088形状に関して、説明した円錐形状は、EUV放射がスポットに合焦されるIF開口の付近に適している。典型的なスキャン型リソグラフィ装置内のレチクルの付近では、放射ビームは、照明システムの下流にあるラインまたは矩形スリット形状に合焦される。レチクルの保護は、同時係属出願第61/348,521号の主題である。この状況における電極は、くさびの側面のように、スリットに向かって集束する2つのプレートの形状を有する可能性が高い。中央電極500および908といった電極は中身が詰まっている必要はなく、ワイヤのグリッドまたはロッドであってもよい。その場合、汚染物質粒子の大部分は、グリッドの背後にある任意の面によって捕捉されることになる。0089所望の機能を得るための適切な周波数、電圧、および時間間隔の組み合わせは、特定の電極形状、ガス組成、および密度といった特定の装置のパラメータに従って異なりうる。ある程度の実験を行うことによって、最適なDC電圧および/またはシーケンスに到達することが期待される。RE、すなわち、無線周波数と言う用語は、幅広く解釈されるように本明細書において用いられる。例えば50から800MHzの範囲内の1MHzより大きいRF周波数を想定してよい。同様に、様々な形状配置および様々なプラズマ密度において特定の電界強度を達成するために広範囲の電圧レベルが適切でありうる。上述したように、様々な周波数を、プラズマ発生のために例えば50~500MHzの範囲内、プラズマ消失のために例えば100~1000MHzの範囲内、かつ、静電偏向のために例えばDC0Hz適用しうる。009010~1000Vの範囲内、特に100~1000Vの範囲内の電圧を想定してよい。様々な電圧を、プラズマ発生のために例えば10~200Vの範囲内、プラズマ消失のために例えば100~1000Vの範囲内、かつ、静電偏向のために例えば100~1000Vの範囲内適用しうる。様々な電圧を装置の空間的に分けられた様々な段階において、また、時間的に分けられた様々な動作段階において適用しうる。0091本明細書において、IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者には当然のことであるがそのような別の用途においては、本明細書で使用されるウェーハまたはダイという用語はすべて、それぞれより一般的な基板またはターゲット部分という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール、メトロロジーツール、および/またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ICを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。0092光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明の実施形態は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。0093レンズという用語は、文脈によって、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか1つまたはこれらの組合せを指すことができる。0094本願は、放射源燃料の粒子が放射源コンパートメントSOから、装置の照明システムおよび投影システムコンパートメント内へと進行することを防止する技術に特に関する。これは、ミラー22等およびレチクルMAを含むシステム内の光学コンポーネントの劣化を低減する。EUVレチクルはペリクルなしで操作される必要があるので、EUVレチクルは有機および無機粒子汚染物質に晒される可能性が高い。レチクル上に堆積する~20nmほどの小ささの粒子は、ウェーハ上の各ダイに決定的な欠陥をもたらしてしまう。ミラー面上では、汚染物質の影響はそれほど壊滅的ではないが、汚染が生じることを許してしまうと時間の経過と共にミラーの性能は劣化する。0095以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す1つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスクの形態であってもよい。上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。"