"第1の金属層と、半導体層と、第2の金属層と、が積層されて構成された光電変換層を含む光電変換素子であって、前記第1の金属層および前記第2の金属層の少なくとも一方の層が、複数の貫通口を有する金属薄膜、もしくは前記半導体層上に互いに離間した金属製のドットを複数個有する金属薄膜のいずれかであり、前記光電変換層内に、p層、n層を形成する不純物とは異なる不純物を含む層が、前記金属薄膜から5nm以内の位置に存在する光電変換素子。前記不純物とは異なる不純物を含む層が、前記光電変換層の極性とは反対の極性であることを特徴とする請求項1記載の光電変換素子。前記少なくとも一方の層が、貫通口を有する金属薄膜の場合には、前記貫通口1つあたりの面積の平均が、80nm2以上0.8μm2以下の範囲であり、前記金属薄膜の膜厚が、2nm以上200nm以下の範囲であり、前記少なくとも一方の層が、前記半導体層上に互いに離間した金属製のドットを有する金属薄膜の場合には、前記各ドットの体積の平均が4nm3以上0.52μm3以下の範囲であり、隣り合う2つの前記ドットの間隔の平均は、前記ドットの体積が4×10-3μm3未満である場合には1nm以上、前記ドットの体積が4×10-3μm3以上である場合には、100nm以上で、且つ、1μm以下である請求項1記載の光電変換素子。前記第1の金属層または前記第2の金属層の材料が、Al、Ag、Au、Cu、Pt、Ni、Co、Cr、Tiからなる群であることを特徴とする請求項1記載の光電変換素子。前記不純物層の原子がS、In、Se、Be、Cu、Li、Tl、Zn、Cd、O、Ga、Al、Mg、P、Sb、Bであり、前記の原子が少なくとも1つ以上含まれることを特徴とする請求項1記載の光電変換素子。前記不純物層の濃度が1E19cm-3以上1E22cm-3であり、前記不純物層の厚さが10nm以上1000nm以下であることを特徴とする請求項1記載の光電変換素子。前記半導体層が、p型またはn型のいずれかの層を有し、前記半導体層は、単結晶シリコン、あるいは多結晶シリコン、あるいはアモルファスシリコンからなる請求項1記載の光電変換素子。前記半導体層が、p型またはn型のいずれかの層を有し、前記半導体層は、化合物半導体である請求項1記載の光電変換素子。本発明が解決しようとする課題は、従来の光電変換素子では吸収できない長波長領域の光を吸収できる光電変換素子を提供することである。実施形態の光電変換素子は、第1の金属層と、半導体層と、第2の金属層と、が積層されて構成された光電変換層を含む光電変換素子であって、当該第1の金属層および当該第2の金属層の少なくとも一方の層が、複数の貫通口を有する金属薄膜、もしくは当該半導体層上に互いに離間した金属製のドットを複数個有する金属薄膜のいずれかである。また、当該光電変換層内に、p層、n層を形成する不純物とは異なる不純物を含む層が、当該金属薄膜から5nm以内の位置に存在している。以下、実施形態について図面を用いて説明する。以下、実施形態の光電変換素子について、図面を用いて説明する。なお、以下の図面の記載において、同一または類似の部分には同一または類似の符号が付してある。最初に、実施形態の光電変換素子の光電変換層内のバンドギャップ内へ不純物準位形成による長波長吸収の原理について、図1、図2を参照して説明する。図1は、従来の光電変換素子の太陽光のスペクトルAM1.5を示すグラフであり、図2は、従来の光電変換素子の単結晶Si太陽電池の分光感度特性を示すグラフである。図1の横軸は、光の波長を示し、図1の縦軸は、分光放射分布を示している。また、図2の横軸は、光の波長を示し、図2の縦軸は、量子効率を示している。まず、図1に示すように、太陽光のスペクトルは太陽の黒体放射に基づくものであるから、放射する光の波長範囲は、広く300nmから2500nmの長波長範囲にまで及ぶことが分かる。一方、図2に示すように、単結晶Siの光吸収スペクトルは、バンドギャップ1.12eVによって決まるため、300nmから1100nm付近の狭い範囲でしか光を吸収できないことが分かる。そのため、従来の光電変換素子では、光吸収電流は、太陽光の部分的にしか獲得できず、発電効率は20程度に留まっている。ここで、一般的に、光電変換素子にて、より長波長領域で光を吸収するためには、半導体のバンドギャップをGeのように小さいものを使用すれば良いように思われるが、バンドギャップが小さくなると、光の吸収波長範囲は広くなるが、バンドギャップが小さいため、開放電圧も小さくなってしまい、結果として発電効率自体は増加しない。それどころか、開放電圧が低いため、発電効率は下がってしまう。よって、光電変換素子のバンドギャップについては、それなりの大きさ1~2eVを保ったまま、光の長波長領域を吸収する必要がある。そこで、発明者らは、バンドギャップ内に、不純物準位を形成して、長波長の光を吸収することを見出した。具体的には、バンドギャップ内の不純物準位で光が吸収されて、電子と正孔が生成されるが、電子正孔が伝導帯価電子帯へ室温で熱励起されれば、光電流として取り出すことが可能であることを見出した。図3は、実施形態の光電変換素子のバンドギャップ準位を示した概略図である。図3に示すように、不純物準位と伝導帯価電子帯のギャップ差がΔE=0.1eVであれば、熱励起によって、電子正孔が伝導帯価電子帯を取り出され、光を吸収できることが分かる。ただし、必ずしも0.1eVにしか準位ができる必要はなく、熱励起によって、電子正孔が伝導帯価電子帯を取り出される不純物準位と伝導帯価電子帯のギャップ差であればよい。図4は、実施形態の光電変換素子のΔEと室温での熱励起の割合を示す表である。図4に示すように、ΔEが小さいと、不純物準位から伝導帯価電子帯への熱励起の割合が大きいことから、電子正孔を光電流として取り出すことは可能であるが、ΔEが大きくなると、熱励起の割合が小さくなることから、電子正孔を光電流として取り出すことが困難となる。よって、ΔEがあまりに大きいことは好ましくなく、ΔEが0.1eVより小さいことが好ましい。また、図5は、実施形態の光電変換素子の太陽光スペクトルを示すグラフである。図5に示すように、SiのEg=1.12eVで、ΔE=0.1eVであるとすると、太陽光スペクトルが、約100nmほど長波長領域に光の吸収が伸びていることが分かる。ここで、不純物準位としては、SiにおいてはS、In、Se、S-Oなどがあげられる。化合物系ではBe、Cu、Li、Tl、Zn、Cd、O、Zn-Oなどがあげられる。ただし、Siであろうと、化合物であろうと、前述した材料のみに限定されない。また、その他の手法として、電子、ホールとしてのドーパントの組み合わせ例えばGa、Al、Mgなどによっては、バンドギャップ以上の長波長領域での光の吸収も可能である。次に、実施形態の光電変換素子の構成について、図6、図7を参照して、説明する。図6aは、従来の光電変換素子の構成を示す概略図であり、図6bは、従来の光電変換素子の光の波長と量子効率の関係を示すグラフである。また、図7aは、実施形態の長波長吸収層を有する光電変換素子の構成を示す概略図であり、図7bは、実施形態の長波長吸収層を有する光電変換素子の構成における光の波長と量子効率の関係を示すグラフである。図6aに示すように、従来の光電変換素子は、p-Si層1上にn層2が積層されており、n層2の表面には、表電極4が設けられている。また、p-Si層1の裏面には、裏面電極3が設けられている。従来の光電変換素子では、外部の光がp-Si層2に入射されると、電子と正孔がバンドギャップの準位に応じて、伝導帯と価電子帯に分離し、光電流として、外部のVocに取り出される。この場合、図6bに示すように、従来の光電変換素子では、光の波長が長波長の場合には、量子効率が減少していることが分かる。よって、従来の光電変換素子では、光の波長が長波長の場合には、量子効率が減少し、光電流を外部に取り出せない。次に、図7aに示すように、実施形態の長波長吸収層を有する光電変換素子では、図6aと同様に、p-Si層1上にn層2が積層されており、n層2の表面には、表電極4が設けられている。また、p-Si層1の裏面には、裏面電極3が設けられている。さらに、長波長吸収層5が、裏面電極3とは接することがないよう、p-Si層1の裏面に設けられている。長波長吸収層5は、p-Si層1の裏面から、不純物をドーピングすることにより形成される。ここで、実施形態の長波長吸収層を有する光電変換素子では、1.12eVのように、バンドギャップに応じた電圧が得られる。この場合、図7bに示すように、実施形態の長波長吸収層を有する光電変換素子では、図6aの光電変換素子と比べて、長波長吸収層5があるため、光の長波長領域での吸収領域も現れる図7bの波線部分。しかしながら、図7bの波線部分に示すように、光の長波長領域での吸収領域の量子効率は小さい。これは、長波長吸収層5のドーピング濃度が大きくても、1E20cm-3から1E21cm-3であるため、光の吸収係数が大きくても、体積あたりの光の吸収量は小さくなり、実際の分光感度は低くなってしまうためである。よって、実施形態の長波長吸収層を有する光電変換素子では、体積あたりの光の吸収量を上げる方法が必要である。そこで、発明者らは、金属のナノ構造体によるプラズモン共鳴により増強電場を発生させることによりキャリア励起を増大させて、金属のナノ構造体の直下に数十nm内に、通常の数倍から数百倍の大きさの増強電場が発生することにより、その金属のナノ構造体の電場増強効果を用いて、光の吸収量をアシストする光電変換素子の構成を見出した。このような光電変換素子によって、長波長吸収層5での光の吸収量を大幅に上げることが可能となる。図8aは、実施形態の長波長吸収層とナノメッシュ電極を有する光電変換素子の構成を示す概略図であり、図8bは、実施形態の長波長吸収層とナノメッシュ電極を有する光電変換素子の波長と量子効率の関係を示すグラフである。図8aに示すように、実施形態の長波長吸収層とナノメッシュ電極を有する光電変換素子は、図7aと同様に、p-Si層1上にn層2が積層されており、n層2の表面には、表電極4が設けられている。また、p-Si層1の裏面には、裏面電極3が設けられている。さらに、長波長吸収層5が、裏面電極3とは接することがないよう、p-Si層1の裏面に設けられている。長波長吸収層5は、p-Si層1の裏面から、不純物をドーピングすることにより形成される。また、ナノメッシュ電極6が、長波長吸収層5と接して、裏面電極3の間に設けられている。ナノメッシュ電極6は、長波長吸収層5上に、金属の微小構造体を形成する。ここで、図8bに示すように、実施形態の長波長吸収層とナノメッシュ電極を有する光電変換素子は、図7aと同様に、長波長吸収層5は、裏面電極3とは接していないため、バンドギャップに応じた電圧が得られる。また、長波長吸収層5があるため、光の長波長領域での吸収領域も現れる図8の破線部分。また、ナノメッシュ電極6が長波長吸収層5上に存在するため、増強電場の効果により、光の吸収量が多くなり、図8bに示すように、量子効率が向上する図8bの破線太線。また、長波長吸収層5を形成する際に、長波長吸収層5に不純物をドーピングしているが、実際に不純物のドーピング量を多くしてしまうと1E22cm-3~、母体の半導体自体の物性バンドギャップ等が変わってしまい、光の長波長吸収領域図7b、図8bの破線部分が形成されない恐れがあるため、あまり多く、不純物をドーピングすることは好ましくない。さらに、ナノメッシュ電極6によって発生する増強電場は、数倍から数百倍の大きさであるため、長波長吸収層5の不純物のドーピング量が低いと、長波長領域での吸収量も小さくなることから、長波長吸収層5にドーピングされる不純物の濃度は、1E19cm-3程度が好ましい。また、長波長吸収層5は、ナノメッシュ電極6の近傍に存在する必要がある。ナノメッシュ電極6によって発生する電場増強の範囲は、ナノメッシュ電極6直下から数十nmの範囲であり、電場増強のピークは、ナノメッシュ電極6直下であるためである。よって、長波長吸収層5が電場増強の恩恵を受けるためには、長波長吸収層5は、ナノメッシュ電極6から5nm以内に存在することが好ましい。さらに、長波長吸収層5の厚さは、ナノメッシュ電極6によって発生する電場増強の範囲がナノメッシュ電極6直下から数十nmの範囲であり、かつ、電場増強のピークがナノメッシュ電極6直下であるため、少なくとも10nmあれば電場増強の恩恵を受けることが可能となる。また、長波長吸収層5は、不純物をドーピングすることにより形成されるため、1E19cm-3程度の高濃度を形成できるのは、せいぜい1000nm程度である。しかし、電場増強は、ナノメッシュ電極6直下から数十nmの範囲であることから、長波長吸収層5は、1000nmもあれば十分である。以上から、図8aに示す実施形態の光電変換素子では、長波長吸収層5とナノメッシュ電極6を形成することにより、従来の光電変換素子よりも、発電効率が向上する。次に、金属のナノ構造体によるプラズモン共鳴により増強電場が発生する原理について、図9を参照して、説明する。図9aは、金属のナノ構造体に光を照射した場合の自由電子の動きを示す概略図であり、図9bは、金属のナノ構造体に光を照射した場合の局在電場の発生を示す概略図である。図9aに示すように、金属のナノ構造体10に光12を照射した場合、そのナノ構造体10の寸法が、光12の波長もしくはそれよりも小さい構造であると、表面プラズモンの励起が起こることが知られている。光13がナノ構造体10へ照射されると、ナノ構造体10の自由電子11が光12の進行方向に対して垂直に振動する。その際、ナノ構造体10の端部の上面側光13が照射される側では、自由電子11の振動により、自由電子11が密な部分13と自由電子が疎な部分14が生じる。その結果、図9bに示すように、ナノ構造体10の端部近傍に、光12の進行方向と平行に振動する局在電場15が発生する。このとき生じる局在電場15は、光12により発生する電場の数百倍にも及び、この局在電場15は、電子正孔対の生成を促進させる。ここで、金属のナノ構造体であるナノメッシュ電極6とドット金属7の構造について、図10を参照して、説明する。図10aは、ナノメッシュ電極6の斜視図であり、図10bは、ドット金属7の斜視図である。図10に示すように、金属のナノ構造体とは、例えば、図10aに示すように、連続した金属薄膜に入射光の波長程度の開口を複数設けた、多孔質膜構造を有するナノメッシュ金属6を用いることができる。あるいは、金属のナノ構造体とは、例えば、図10bに示すように、p-Si層1上に入射光の波長程度の直径r、間隔lで設けられた複数の金属ドット7の集まりである金属構造体を用いることができる。次に、金属のナノ構造体による強い局在電場の様子を、図11を参照して、説明する。図11aは、金属のナノ構造体の概略図であり、図11bは、金属のナノ構造体のFiniteDiffrenceTimeDomainFDTD法によるシミュレーション結果を示すグラフである。図11aに示すように、Si20/Al21/空気22の構造を構成し、Alの厚さは、30nmとし、Al21には開口23を用意した。そのAl21の開口30の径lを100nm、開口30のピッチrを200nmとした。次に、図11bは、図10aの構造に、FiniteDiffrenceTimeDomainFDTD法によって、入射光24λ=1000nm、進行方向を与えた時の電場強度をシミュレーションにて計算した結果である。シミュレーションの結果から、電場がAl21の端部近傍で増強され、局在電場25が発生していることがわかる。また、金属のナノ構造体であるナノメッシュ電極6の開口径と電場増強の関係について、図12を参照して、説明する。図12は、ナノメッシュ電極の間隔と電場増強の関係を示すグラフである。縦軸は、電場の強さを示し、横軸は、ナノメッシュ電極6の間隔を示している。図12に示すように、光の波長1000nm程度以上の領域で、Al21の端部が電場増強を発生するためには、開口23のピッチlは、1μm以下であれば良い。これは、開口23の1個あたりの面積に換算すると、0.8μm2以下であれば良いこととなる。なお、開口23のピッチlは、開口23のピッチlの加工精度から、数十nm程度あれば良く、開口23の1個あたりの面積に換算すると、80nm2以上であれば良い。また、前述したシミュレーションの結果から、Al21の膜厚が2nm以上あれば、十分に電場増強を発生させられることが分かっている。なお、Al21の膜厚が200nmよりも厚くなると、それよりも厚い膜厚では、電場増強は飽和してしまう。さらに、金属のナノ構造体であるドット金属7についても、ナノメッシュ電極6の場合と同様にシミュレーションを行った。図13は、ドット金属7の半径と局在電場の広がりの関係を示すグラフである。縦軸は、ドット金属直下の局在電場の広がりを示し、横軸は、ドット金属の半径を示している。図13に示すように、ドット金属7の半径が1nmから1000nmの範囲を示しており、これは、ドット金属7を球と仮定した場合、ドット金属7の体積が4nm3以上0.52μm3以下の範囲に相当する。すなわち、ドット金属7の平均の体積が、4nm3以上0.52μm3以下の範囲であれば、十分に電場増強効果が発生することが分かった。また、1000nm程度以上の領域で電場増強を発生するには、ドット金属7の間隔があまりにも狭い場合には、ドット金属7間に、エネルギー移動が起こってしまい、電場増強の効果が弱まってしまうことが分かっている。図13に示すように、ドット金属7の寸法が小さい場合には、局在電場の広がりは、その寸法の1/2程度である。具体的には、ドット金属7の半径が1nm体積4nm3のドット金属である場合、局在電場の広がりは1nm半径程度である。しかし、ドット金属7の寸法が大きければ、局在電場の広がりも大きいというわけではなく、ドット金属7の寸法が一定値以上になると、局在電場は100nm程度あるいはそれ以下にしか広がらない。具体的には、ドット金属7の半径が100nm体積4×10-3μm以上の球である場合には、局在電場は100nm程度あるいはそれ以下である。よって、ドット金属7の体積が4×10-3μm3未満である場合には、隣り合う2つのドット金属7の間隔の平均が1nm以上であれば、ドット金属7の間でエネルギー移動は起こらない。また、ドット金属7の体積が4×10-3μm3以上である場合には、隣り合う2つのドット金属7の間隔の平均は100nm以上であれば、ドット金属7の間のエネルギー移動は起こらない。しかし、ドット金属7の間隔が大きすぎると、ドット金属7の占有率が低くなり、電場増強が弱くなることが分かっているため、隣り合う2つのドット金属7の間隔の平均は、1μm以下であることが好ましい。次に、長波長吸収層5から発生したキャリアの様子について、説明する。図7aに示すような長波長吸収層5から発生したキャリアの電子はp層基板を拡散してp-Si層1表面のn層2の近傍の空乏層図示せずにまで到達する必要がある。そのため、キャリアの寿命が非常に長いか、p-Si層1を薄くする必要がある。p-Si層1を薄くするとSiの吸収波長の量子効率を下げてしまう恐れがあり薄くすることはあまり好ましくない。キャリアの寿命に問題が無い場合には、発生したキャリアの電子はp-Si層を拡散してp-Si層1表面のn層2の近傍の空乏層図示せずにまで十分に到達することができる。そのため、キャリアの寿命が問題なければ量子効率は維持されたままである。これに対し、キャリアの寿命が短いなどの問題を有している場合には、発生したキャリアの電子はp-Si層1を拡散してp-Si層1表面のn層2の近傍の空乏層図示せずにまで十分に到達することはできない、そのため、量子効率は下がってしまう恐れがある。そのため、実施形態のより好ましい形態として、上記の長波長吸収層5の極性を、光電変換層、すなわちp-Si層1とは反対のn層にするのが良い。この構成とすることにより、n層の長波長吸収層5とp-Si層1基板との間にpn接合ができ、内蔵電位が発生する。この長波長吸収層5のn層で発生した長波長吸収による少数キャリアの正孔が、n層の長波長吸収層5とp-Si層1のpn接合で形成される空乏層に到達すれば、内蔵電位によってp-Si層1基板へ掃引される。長波長吸収層5のn層は数μm以下と薄いため、正孔は裏面側の電極へ容易に到達できる。そのため、基板を薄くする必要も無く、キャリアの寿命もそれほど気にする必要も無く、効率よく長波長吸収層5で発生した光電流を取り出すことが出来る。これら長波長吸収層5の極性を、光電変換層、すなわちp-Si層1とは反対のn層にするための原子は、例えばP、Sb、B等を使用することができる。次に、実施形態の光電変換素子の製造方法について、図14~図16を参照して、説明する。図14~図16は、実施形態の光電変換素子の製造方法を示す断面図である。なお、200~300nm以下の開口を有する金属電極パターンを形成するには、半導体集積回路で用いられている最新の露光装置や、EB描画装置を用いる必要がある。しかし、最新の露光装置やEB描画装置を用いると、大面積でかつ低コストで形成することは不可能である。大面積でかつ低コストで形成可能な方法の一つとして、ナノインプリントを用いる方法がある。以下、ナノメッシュ型金属の形成方法についてはナノインプリント法を用いて説明する。まず、図14aに示すように、基板として、1E16cm-3のドーピング濃度を有するp型Si単結晶基板30を用意し、そのp型Si単結晶基板30の表面を熱酸化により、SiO2膜31を150nm形成した。次に、図14bに示すように、フォトリソグラフィー法を用いて、SiO2膜31を幅100ミクロン、間隔1mmの格子状にパターニングした。さらに、図14cに示すように、SiO2マスク32をマスクとして、長波長吸収層33となるSをイオン注入した。また、図14dに示すように、SiO2マスク32を除去し、Sの活性化アニールを行って、長波長吸収層33を形成した。長波長吸収層33は、Si表面から100nm内に、1E20cm-3の濃度でドープピングされている。次に、図14eに示すように、Sをドープしたのとは反対側の面に、Pをイオン注入した。イオン注入後、活性化アニールを行い、Si表面から200nm内に、1E20cm-3の濃度のn層34が得られた。さらに、図14fに示すように、Sがドープされた面に、Agを蒸着法により30nm形成して、Ag層35を形成した。また、図15aに示すように、p型Si単結晶基板30の裏面に形成したAg層35上に、レジスト36を形成した。さらに、図15bに示すように、200nmの大きさを持つ凸形状が形成された石英スタンパー37形状は9cm2内に形成されているを用意し、レジスト36が形成されているp型Si単結晶基板30を加熱した状態で、石英スタンパー37の凸形状がある側をレジスト36に押し付けて、インプリントを行った。さらに、図15cに示すように、インプリント後、p型Si単結晶基板30を冷却して、石英スタンパー37をリリースする。その結果、レジスト36上に、200nmの大きさの凹形状が形成された。また、図15dに示すように、凹形状が形成されたレジスト36を、CF4のリアクティブイオンエッチングRIEによりエッチングし、レジスト36の底出しを行う。さらに、図15eに示すように、レジスト36の底出しを行なった後、イオンミリング法により、Ag層35のエッチングを行う。Ag層35のエッチングした後、残留したレジスト36を取り除くことにより、Ag層35中に、開口を持つナノメッシュ金属38を形成した。また、図16aに示すように、ナノメッシュ金属38及びp-Si層1上にレジスト39を形成した。フォトリソグラフィー法により、長波長吸収層33以外のSがドープされていない部分を露光現像して、レジストパターンを形成した。さらに、図16bに示すように、そのレジストパターンをマスクとして、イオンミリング法により、ナノメッシュ金属38のエッチングを行い、ナノメッシュ金属38を除去した。その後、残留したレジストを取り除いた。よって、長波長吸収層33上以外のナノメッシュ電極38が、除去される。また、図16cに示すように、ナノメッシュ金属38を除去した部分に、リフトオフ法により、裏面電極40を形成した。最後に、図16dに示すように、n層34に、櫛型電極41を形成し、光電変換素子を完成させた。なお、上記では、Si単結晶光電変換素子について説明したが、それ以外にも、他結晶、アモルファスSi光電変換素子、または、化合物半導体においても上記と似たような方法で、長波長吸収層33を有し、その層上へナノメッシュ金属38を有する光電変換素子を形成できる。なお、化合物半導体として、GaAs、CdTe、CIS系などがあげられる。実施例実施形態の光電変換素子を、実施例によって、さらに詳細に説明する。光電変換素子は、9cm2の大きさで作製して、特性を評価した。なお、実施例では、ナノメッシュ金属及びドット金属の作製方法は、ナノインプリント法に関して記述してあるが、それ以外の方法例えば自己組織化を利用するでも同様に作製できる。まず、実施例1~17について、表形式にて、概要を説明する。ここで、実施例1~17のうち、実施例14が光電変換効率14であり、最も良い結果であった。実施例1単Si、S、Ag、ナノメッシュ電極実施例1の光電変換素子の製造方法について、図14~図16を参照して説明する。図41~図16は、実施形態の光電変換素子の製造方法を示す断面図である。まず、図14aに示すように、基板として、厚さが500ミクロン、1E16cm-3のドーピング濃度を有するp型Si単結晶基板30を用意した。そのp型Si単結晶基板30の表面を熱酸化により、SiO2膜31を150nm形成した。次に、図14bに示すように、SiO2膜31上に、レジストTHMRIP3250、株東京応化工業溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行った後、ホットプレート上において110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジストの膜厚は1ミクロンであった。その後、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のマスクを用いて、フォトリソグラフィー法にて、レジストへ幅100ミクロン、間隔1mmの格子状にパターニングした。そのレジストをマスクに用いて、CF4:30sccm、10mTorr、RFパワー100Wの条件で10分間エッチングを行った。CF4RIE後、残留したレジストを有機溶媒で除去して、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のSiO2マスク32を形成した。さらに、図14cに示すように、SiO2マスク32をマスクとして、Sを注入エネルギー20keV、ドーズ量1E15cm-2の条件で、イオン注入した。その後、図14dに示すように、SiO2マスク32をフッ酸で除去した後、1000°C、30分の条件で活性化アニールを行い、長波長吸収層33を形成した。長波長吸収層33は、Si表面から100nm内に、1E20cm-3の濃度が得られた。次に、図14eに示すように、Sをドープしたのとは反対側の面に、Pを注入エネルギー20keV、ドーズ量5E15cm-2の条件で、イオン注入した。イオン注入後、800°C、30分の条件で活性化アニールを行い、Si表面から200nm内に1E20cm-3の濃度のn層34が得られた。次に、図14fで示すように、Sがドープされた面に、蒸着法により、Ag層35を30nm形成した。さらに、図15aに示すように、p型Si単結晶基板30の表面に形成したAg層35上に、レジストTHMRIP3250、株東京応化工業を乳酸エチルELで1:2に希釈した溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行った後、ホットプレート上において、110°Cで90秒間加熱して、溶媒を蒸発させた。レジスト36の膜厚は150nmであった。次いで、図15bに示すように、200nmのピッチ、大きさ100nm、高さ150nmの高さを持つ凸形状が形成された石英スタンパー37形状は9cm2内に形成されているを用意し、レジスト36を形成したp型Si単結晶基板30を120°Cに加熱した状態で、石英スタンパー37の凸形状がある側を、レジスト36に10MPaの圧力で押し付けて、インプリントを行った。また、図15cに示すように、インプリント後、p型Si単結晶基板30を室温まで冷却し、石英スタンパー37をリリースした。インプリント後、レジスト36上に、200nmのピッチ大きさ100nm、深さ100nmの凹形状が形成された。次に、図15dに示すように、凹パターンが形成されたレジストパターンを、CF4:30sccm、10mTorr、RFパワー100Wの条件で30秒間エッチングを行った。CF4RIE後、レジスト36の底出しが行われ、Ag層35が露出した。次いで、図15eに示すように、イオンミリング装置を用いて、加速電圧500V、イオン電流40mAの条件で、80秒間、Ag層35のエッチングを行って、開口部を有するナノメッシュ電極38を形成した。イオンミリングにより、Ag層35に、200nmピッチ、100nmの開口を有するパターンが形成された。ここで、残留したレジスト36を有機溶媒により取り除いた。次に、図16aに示すように、ナノメッシュ電極38及びp-Si層1上に、レジストTHMRIP3250、株東京応化工業溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行った後、ホットプレート上において、110°Cで90秒間加熱して、溶媒を蒸発させた。レジスト39の膜厚は1ミクロンであった。その後、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のマスクを用いて、フォトリソグラフィー法にて、レジスト39に幅100ミクロン、間隔1mmの格子状にパターニングして、長波長吸収層33以外のSがドープされていない部分を露出させた。また、図16bに示すように、そのレジストパターンをマスクとして、イオンミリング法により、加速電圧500V、イオン電流40mAの条件で80秒間、ナノメッシュ金電極38のエッチングを行い、ナノメッシュ金属38を除去した。その後、残留したレジスト39を取り除いた。よって、長波長吸収層33上以外のナノメッシュ電極38が、除去される。次に、図16cに示すように、ナノメッシュ金属38を除去した部分に、リフトオフ法により、裏面電極40を形成した。最後に、図16dに示すように、n層34に、エポキシ系熱硬化型のAgペーストを用いたスクリーン印刷法により、櫛型電極41を作製し、長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi光電変換素子を完成させた。太陽電池セルの特性上記のようにして作製した光電変換素子に、AM1.5の擬似太陽光を照射し、室温における光電変換効率を評価した。その結果、Sドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi単結晶高変換素子の光電変換効率は、12と良好な値を示した。一方、Sドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有していない従来のSi単結晶光電変換素子の光電変換効率は、10.0であった。また、分光感度特性を行うと、従来のSi単結晶光電変換素子では、1100nm周辺までしか光の吸収が起きていなかったが、Sドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi単結晶光電変換素子は、分光感度の強度はそれほど強くは無いが、1100nm~1500nmにも、光吸収のスペクトルが観測された。この結果から、Sドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38により、光の長波長領域で、光の吸収が起きたため、光電変換率が上昇したことが示された。実施例2単Si、S、Au、ナノメッシュ電極実施例2の光電変換素子の製造方法について、図17~図19を参照して説明する。図17~図19は、実施例2の光電変換素子の製造方法を示す断面図である。まず、図17aに示すように、基板として、厚さが500ミクロン、1E16cm-3のドーピング濃度を有するp型Si単結晶基板30を用意した。そのp型Si単結晶基板30の表面を、熱酸化により、SiO2膜31を150nm形成した。次に、図17bに示すように、SiO2膜31上に、レジストTHMRIP3250、株東京応化工業溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において、110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジストの膜厚は1ミクロンであった。その後、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のマスクを用いて、フォトリソグラフィー法にて、レジストへ幅100ミクロン、間隔1mmの格子状にパターニングした。そのレジストをマスクに用いて、CF4:30sccm、10mTorr、RFパワー100Wの条件で、10分間エッチングを行った。CF4RIE後、残留したレジストを有機溶媒で除去して、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のSiO2パターン32を形成した。さらに、図17cに示すように、SiO2マスク32をマスクとして、Sを注入エネルギー20keV、ドーズ量1E15cm-2の条件でイオン注入した。その後、図17dに示すように、SiO2マスク32をフッ酸で除去した後、1000°C、30分の条件で活性化アニールを行って、長波長吸収層33を形成した。長波長吸収層33は、Si表面から100nm内に、1E20cm-3の濃度が得られた。次に、図17eに示すように、Sをドープしたのとは反対側の面に、Pを注入エネルギー20keV、ドーズ量5E15cm-2の条件でイオン注入した。イオン注入後、800°C、30分の条件で活性化アニールを行い、Si表面から200nm内に1E20cm-3の濃度のn層34が得られた。次に、図17fに示すように、Sがドープされた面に、Auを蒸着法により30nm形成して、Au層50を形成した。さらに、図18aに示すように、p型Si単結晶基板30に形成したAu50層上に、レジスト36THMRIP3250、株東京応化工業を乳酸エチルELで1:2に希釈した溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジスト36の膜厚は150nmであった。次いで、図18bに示すように、300nmのピッチ、大きさ150nm、高さ150nmの高さを持つ凸形状が形成された石英スタンパー37形状は9cm2内に形成されているを用意し、レジスト36が形成されたp型Si単結晶基板30を120°Cに加熱した状態で、石英スタンパー37の凸形状がある側をレジスト36に10MPaの圧力で押し付けて、インプリントを行った。さらに、図18cに示すように、インプリント後、p型Si単結晶基板30を室温まで冷却し、石英スタンパー37をリリースした。インプリント後、レジスト36上に、300nmのピッチ大きさ150nm、深さ100nmの凹形状が形成された。次に、図18dに示すように、凹パターンが形成されたレジストパターンを、CF4:30sccm、10mTorr、RFパワー100Wの条件で、30秒間エッチングを行った。CF4RIE後、レジスト36の底出しが行われ、Au層50が露出した。次いで、図18eに示すように、イオンミリング装置を用いて、加速電圧500V、イオン電流40mAの条件で90秒間、Au層50のエッチングを行って、開口部を有するナノメッシュ電極38を形成した。イオンミリングにより、Au層50に300nmピッチ、150nmの開口を有するパターンが形成された。また、残留したレジスト36を、有機溶媒により取り除いた。次に、図19aに示すように、ナノメッシュ電極38及びp-Si層1上に、レジスト39THMRIP3250、株東京応化工業溶液を、2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジスト39の膜厚は1ミクロンであった。その後、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のマスクを用いて、フォトリソグラフィー法にて、レジストへ幅100ミクロン、間隔1mmの格子状にパターニングして、長波長吸収層33以外のSがドープされていない部分を露出させた。また、図19bに示すように、そのレジストパターンをマスクとして、イオンミリング法により、加速電圧500V、イオン電流40mAの条件で90秒間、ナノメッシュ電極38のエッチングを行い、ナノメッシュ電極38を除去した。その後、残留したレジスト39を取り除いた。よって、長波長吸収層33上以外のナノメッシュ電極38が、除去される。次に、図19cに示すように、ナノメッシュ電極38を除去した部分に、リフトオフ法により、裏面電極40を形成した。最後に、図16dに示すように、n層34に、エポキシ系熱硬化型のAgペーストを用いたスクリーン印刷法により、櫛型電極41を作製し、長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi光電変換素子を完成させた。太陽電池セルの特性上記のようにして作製した光電変換素子に、AM1.5の擬似太陽光を照射し、室温における光電変換効率を評価した。その結果、Sドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi単結晶光電変換素子の光電変換効率は11.8と良好な値を示した。一方、Sドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有していない従来のSi単結晶光電変換素子の光電変換効率は、10.0であった。また、分光感度特性を行うと、従来のSi単結晶光電変換素子では、1100nm周辺までしか光の吸収が起きていなかったが、Sドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi単結晶光電変換素子は、分光感度の強度はそれほど強くは無いが、1100nm~1500nmにも、光の吸収のスペクトルが観測された。この結果から、Sドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38により、光の長波長領域で、光の吸収が起きたため、光電変換率が上昇したことを示された。実施例3単Si、S-O、Cu、ナノメッシュ電極実施例3の光電変換素子の製造方法について、図20~図22を参照して説明する。図20~図22は、実施例2の光電変換素子の製造方法を示す断面図である。まず、図20aに示すように、基板として、厚さが500ミクロン、1E16cm-3のドーピング濃度を有するp型Si単結晶基板30を用意した。そのp型Si単結晶基板30の表面を熱酸化により、SiO2膜31を150nm形成した。次に、図20bに示すように、SiO2膜31上に、レジストTHMRIP3250、株東京応化工業溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において、110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジストの膜厚は1ミクロンであった。その後、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のマスクを用いて、フォトリソグラフィー法にて、レジストへ幅100ミクロン、間隔1mmの格子状にパターニングした。そのレジストをマスクに用いて、CF4:30sccm、10mTorr、RFパワー100Wの条件で10分間エッチングを行った。CF4RIE後、残留したレジストを有機溶媒で除去して、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のSiO2マスク32を形成した。さらに、図20cに示すように、そのSiO2マスク32をマスクとして、S、Oを同時に注入エネルギー20keV、ドーズ量1E15cm-2の条件でイオン注入した。その後、図20dに示すように、SiO2マスク32をフッ酸で除去した後、1000°C、30分の条件で活性化アニールを行い、長波長吸収層33を形成した。長波長吸収層33は、Si表面から100nm内に1E20cm-3の濃度が得られた。次に、図20eに示すように、S、Oをドープしたのとは反対側の面に、Pを注入エネルギー20keV、ドーズ量5E15cm-2の条件でイオン注入した。イオン注入後、800°C、30分の条件で活性化アニールを行い、Si表面から200nm内に、1E20cm-3の濃度のn層34が得られた。次に、図20fに示すように、Sがドープされた面に、Cuを蒸着法により、30nm形成して、Cu層51を形成した。さらに、図21aに示すように、p型Si単結晶基板30に形成したCu層51上に、レジスト36THMRIP3250、株東京応化工業を乳酸エチルELで1:2に希釈した溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において、110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジスト36の膜厚は150nmであった。次いで、図21bに示すように、400nmのピッチ、大きさ200nm、高さ150nmの高さを持つ凸形状が形成された石英スタンパー37形状は9cm2内に形成されているを用意し、レジスト36が形成されたp型Si単結晶基板30を120°Cに加熱した状態で、石英スタンパー37の凸形状がある側をレジスト36に10MPaの圧力で押し付けて、インプリントを行った。さらに、図21cに示すように、インプリント後、p型Si単結晶基板30を室温まで冷却し、石英スタンパー37をリリースした。インプリント後、レジスト36上に、400nmのピッチ大きさ200nm、深さ100nmの凹形状が形成された。次に、図21dに示すように、凹パターンが形成されたレジストパターンを、CF4:30sccm、10mTorr、RFパワー100Wの条件で30秒間エッチングを行った。CF4RIE後、レジスト36の底出しが行われ、Cu層51が露出した。次いで、図21eに示すように、イオンミリング装置を用いて、加速電圧500V、イオン電流40mAの条件で90秒間、Cu層51のエッチングを行って、開口部を有するナノメッシュ電極38を形成した。イオンミリングにより、Cu層51に400nmピッチ、200nmの開口を有するパターンが形成された。残留したレジスト36を、有機溶媒により取り除いた。次に、図22aに示すように、ナノメッシュ電極38及びp-Si層1上に、レジスト39THMRIP3250、株東京応化工業溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において、110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジスト39の膜厚は1ミクロンであった。その後、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のマスクを用いて、フォトリソグラフィー法にて、レジスト39に、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状にパターニングしてSがドープされていない部分を露出させた。また、図22bに示すように、そのレジストパターンをマスクとして、イオンミリング法により、加速電圧500V、イオン電流40mAの条件で90秒間、ナノメッシュ電極38のエッチングを行い、ナノメッシュ電極38を除去した。その後、残留したレジスト39を取り除いた。よって、長波長吸収層33上以外のナノメッシュ電極38が、除去される。次に、図22cに示すように、ナノメッシュ電極38を除去した部分に、リフトオフ法により、裏面電極40を形成した。最後に、図22dに示すように、n層34に、エポキシ系熱硬化型のAgペーストを用いたスクリーン印刷法により、櫛型電極41を作製し、長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi光電変換素子を完成させた。太陽電池セルの特性上記のようにして作製した光電変換素子に、AM1.5の擬似太陽光を照射し、室温における光電変換効率を評価した。その結果、S、Oドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi単結晶光電変換素子の光電変換効率は、12.5と良好な値を示した。一方、S、Oドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有していない従来のSi単結晶光電変換素子の光電変換効率は、10.0であった。また、分光感度特性を行うと、通常のSi単結晶光電変換素子では、1100nm周辺までしか光の吸収が起きていなかったが、S、Oドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi単結晶光電変換素子は、分光感度の強度はそれほど強くは無いが、1100nm~1500nmにも光の吸収のスペクトルが観測された。SとOは、S-Oの吸収のペアを作ることができて、その効果で吸収量が多くなり、Sのみよりも変換効率が大きくなった。この結果から、S、Oドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38により、光の長波長領域で、光の吸収が起きたため、光電変換率が上昇したことを示された。実施例4単Si、Se、Ag、ナノメッシュ電極実施例4の光電変換素子の製造方法について、図23~図25を参照して説明する。図23~図25は、実施例4の光電変換素子の製造方法を示す断面図である。まず、図23aに示すように、基板として、厚さが500ミクロン、1E16cm-3のドーピング濃度を有するp型Si単結晶基板30を用意した。そのp型Si単結晶基板30の表面を、熱酸化により、SiO2膜31を150nm形成した。次に、図23bに示すように、SiO2膜31上に、レジストTHMRIP3250、株東京応化工業溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において110°Cで90秒間加熱して、溶媒を蒸発させた。レジストの膜厚は1ミクロンであった。その後、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のマスクを用いて、フォトリソグラフィー法にて、レジストに、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状にパターニングした。そのレジストをマスクに用いて、CF4:30sccm、10mTorr、RFパワー100Wの条件で10分間エッチングを行った。CF4RIE後、残留したレジストを有機溶媒で除去して、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のSiO2マスク32を形成した。さらに、図23cに示すように、そのSiO2マスク32をマスクとして、Seを注入エネルギー20keV、ドーズ量1E15cm-2の条件でイオン注入した。その後、図23dに示すように、SiO2マスク32をフッ酸で除去した後、1000°C、30分の条件で活性化アニールを行って、長波長吸収層33を形成した。長波長吸収層33は、Si表面から100nm内に1E20cm-3の濃度が得られた。次に、図23dに示すように、Seをドープしたのとは反対側の面に、Pを注入エネルギー20keV、ドーズ量5E15cm-2の条件でイオン注入した。イオン注入後、800°C、30分の条件で活性化アニールを行い、Si表面から200nm内に、1E20cm-3の濃度のn層34が得られた。次に、図23eに示すように、Sがドープされた面に、Agを蒸着法により30nm形成して、Ag層35を形成した。さらに、図24aに示すように、p型Si単結晶基板30表面に形成したAg層35上に、レジスト36THMRIP3250、株東京応化工業を乳酸エチルELで1:2に希釈した溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において、110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジスト36の膜厚は150nmであった。次いで、図24bに示すように、200nmのピッチ、大きさ100nm、高さ150nmの高さを持つ凸形状が形成された石英スタンパー37形状は9cm2内に形成されているを用意し、レジスト36が形成されたp型Si単結晶基板30を120°Cに加熱した状態で、石英スタンパー37の凸形状がある側をレジスト36に、10MPaの圧力で押し付けて、インプリントを行った。さらに、図24cに示すように、インプリント後、p型Si単結晶基板30を室温まで冷却し、石英スタンパー37をリリースした。インプリント後、レジスト36上に、200nmのピッチ大きさ100nm、深さ100nmの凹形状が形成された。次に、図24dに示すように、凹パターンが形成されたレジストパターンを、CF4:30sccm、10mTorr、RFパワー100Wの条件で、30秒間エッチングを行った。CF4RIE後、レジスト36の底出しが行われ、Ag層35が露出した。次いで、図24eに示すように、イオンミリング装置を用いて、加速電圧500V、イオン電流40mAの条件で80秒間、Ag層のエッチングを行って、開口部を有する金ナノメッシュ電極38を形成した。イオンミリングにより、Ag層35に200nmピッチ、100nmの開口を有するパターンが形成された。残留したレジストを有機溶媒により取り除いた。次に、図25aに示すように、ナノメッシュ電極38上及びp-Si層1上に、レジスト39THMRIP3250、株東京応化工業溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジスト39の膜厚は1ミクロンであった。その後、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のマスクを用いて、フォトリソグラフィー法にて、レジスト39に、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状にパターニングして、長波長吸収層33以外のSeがドープされていない部分を露出させた。また、図25bに示すように、そのレジストパターンをマスクとして、イオンミリング法により、加速電圧500V、イオン電流40mAの条件で80秒間、ナノメッシュ電極38のエッチングを行い、ナノメッシュ電極38を除去した。その後、残留したレジスト39を取り除いた。よって、長波長吸収層33上以外のナノメッシュ電極38が、除去される。次に、図25cに示すように、ナノメッシュ電極38を除去した部分に、リフトオフ法により、裏面電極40を形成した。最後に、図25dに示すように、n層34に、エポキシ系熱硬化型のAgペーストを用いたスクリーン印刷法により、櫛型電極41を作製し、長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi光電変換素子を完成させた。太陽電池セルの特性上記のようにして作製した光電変換素子に、AM1.5の擬似太陽光を照射し、室温における光電変換効率を評価した。その結果、Seドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi単結晶光電変換素子の光電変換効率は、13と良好な値を示した。一方、Seドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有していない従来のSi単結晶光電変換素子の光電変換効率は、10.0であった。また、分光感度特性を行うと、従来のSi単結晶光電変換素子では、1100nm周辺までしか光の吸収が起きていなかったが、Seドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi単結晶光電変換素子は、分光感度の強度はそれほど強くは無いが、1100nm~1500nmにも光吸収のスペクトルが観測された。この結果から、Seドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38により、光の長波長領域で、光の吸収が起きたため、光電変換率が上昇したことが示された。実施例5単Si、In、Au、ナノメッシュ電極実施例5の光電変換素子の製造方法について、図26~図28を参照して説明する。図26~図28は、実施例5の光電変換素子の製造方法を示す断面図である。まず、図26aに示すように、基板として、厚さが500ミクロン、1E16cm-3のドーピング濃度を有するp型Si単結晶基板30を用意した。そのpp型Si単結晶基板30の表面を熱酸化により、SiO2膜31を150nm形成した。次に、図26bに示すように、SiO2膜31上に、レジストTHMRIP3250、株東京応化工業溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において、110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジストの膜厚は1ミクロンであった。その後、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のマスクを用いて、フォトリソグラフィー法にて、レジストに、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状にパターニングした。そのレジストをマスクに用いて、CF4:30sccm、10mTorr、RFパワー100Wの条件で10分間エッチングを行った。CF4RIE後、残留したレジストを有機溶媒で除去して、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のSiO2マスク32を形成した。さらに、図26cに示すように、そのSiO2マスク32をマスクとして、Inを注入エネルギー20keV、ドーズ量1E15cm-2の条件でイオン注入した。その後、図26dに示すように、SiO2マスク32をフッ酸で除去した後、1000°C、30分の条件で活性化アニールを行って、長波長吸収層33を形成した。長波長吸収層33は、Si表面から100nm内に1E20cm-3の濃度が得られた。次に、図26eに示すように、Inをドープしたのとは反対側の面に、Pを注入エネルギー20keV、ドーズ量5E15cm-2の条件でイオン注入した。イオン注入後、800°C、30分の条件で活性化アニールを行って、Si表面から200nm内に、1E20cm-3の濃度のn層34が得られた。次に、図26fに示すように、Inがドープされた面に、Auを蒸着法により30nm形成して、Au層50を形成した。さらに、図27aに示すように、p型Si単結晶基板30表面に形成したAu層50上に、レジスト36THMRIP3250、株東京応化工業を乳酸エチルELで1:2に希釈した溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジスト36の膜厚は150nmであった。次いで、図27bに示すように、300nmのピッチ、大きさ150nm、高さ150nmの高さを持つ凸形状が形成された石英スタンパー37形状は9cm2内に形成されているを用意し、レジスト36が形成されたp型Si単結晶基板30を120°Cに加熱した状態で、石英スタンパー37の凸形状がある側をレジスト36に、10MPaの圧力で押し付けて、インプリントを行った。さらに、図27cに示すように、インプリント後、p型Si単結晶基板30を室温まで冷却し、石英スタンパー37をリリースした。インプリント後、レジスト36上に、300nmのピッチ大きさ150nm、深さ100nmの凹形状が形成された。次に、図27dに示すように、凹パターンが形成されたレジストパターンを、CF4:30sccm、10mTorr、RFパワー100Wの条件で、30秒間エッチングを行った。CF4RIE後、レジストの底出しが行われ、Au層50が露出した。次いで、図27eに示すように、イオンミリング装置を用いて、加速電圧500V、イオン電流40mAの条件で90秒間、Au層50のエッチングを行って、開口部を有するナノメッシュ電極38を形成した。イオンミリングにより、Au層50に300nmピッチ、150nmの開口を有するパターンが形成された。残留したレジストを、有機溶媒により取り除いた。次に、図28aに示すように、ナノメッシュ電極38上及びp-Si層1上に、レジスト39THMRIP3250、株東京応化工業溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジスト39の膜厚は1ミクロンであった。その後、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のマスクを用いて、フォトリソグラフィー法にて、レジスト39に、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状にパターニングして、長波長吸収層33以外のInがドープされていない部分を露出させた。また、図28bに示すように、そのレジストパターンをマスクとして、イオンミリング法により、加速電圧500V、イオン電流40mAの条件で90秒間、ナノメッシュ電極38のエッチングを行い、ナノメッシュ電極38を除去した。その後、残留したレジストを取り除いた。よって、長波長吸収層33上以外のナノメッシュ電極38が、除去される。次に、図28cに示すように、ナノメッシュ電極38を除去した部分に、リフトオフ法により、裏面電極40を形成した。最後に、図28dに示すように、n層34に、エポキシ系熱硬化型のAgペーストを用いたスクリーン印刷法により、櫛型電極41を作製し、長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi光電変換素子を完成させた。太陽電池セルの特性上記のようにして作製した光電変換素子に、AM1.5の擬似太陽光を照射し、室温における光電変換効率を評価した。その結果、Inドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi単結晶光電変換素子の光電変換効率は、11.5と良好な値を示した。一方、Inドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有していない従来のSi単結晶光電変換素子の光電変換効率は、10.0であった。また、分光感度特性を行うと、従来のSi単結晶光電変換素子では、1100nm周辺までしか光の吸収が起きていなかったが、Inドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi単結晶光電変換素子は、分光感度の強度はそれほど強くは無いが、1100nm~1500nmにも光の吸収のスペクトルが観測された。この結果から、Inドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38により、光の長波長領域で、光の吸収が起きたため、光電変換率が上昇したことが示された。実施例6単Si、Mg、Ga、Cu、ナノメッシュ電極実施例6の光電変換素子の製造方法について、図29~図31を参照して説明する。図29~図31は、実施例6の光電変換素子の製造方法を示す断面図である。まず、図29aに示すように、基板として、厚さが500ミクロン、1E16cm-3のドーピング濃度を有するp型Si単結晶基板30を用意した。そのp型Si単結晶基板30の表面を、熱酸化により、SiO2膜31を150nm形成した。次に、図29bに示すように、SiO2膜31上に、レジストTHMRIP3250、株東京応化工業溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジストの膜厚は1ミクロンであった。その後、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のマスクを用いて、フォトリソグラフィー法にて、レジストに、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状にパターニングした。そのレジストをマスクに用いて、CF4:30sccm、10mTorr、RFパワー100Wの条件で10分間エッチングを行った。CF4RIE後、残留したレジストを有機溶媒で除去して、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のSiO2マスク32を形成した。さらに、図29cに示すように、そのSiO2マスクをマスクとして、Mg、Gaを同時に注入エネルギー20keV、ドーズ量1E15cm-2の条件でイオン注入した。その後、図29dに示すように、SiO2マスク32をフッ酸で除去した後、1000°C、30分の条件で活性化アニールを行って、長波長吸収層33を形成した。長波長吸収層33は、Si表面から100nm内に1E20cm-3の濃度が得られた。次に、図29eに示すように、Mg、Gaをドープしたのとは反対側の面に、Pを注入エネルギー20keV、ドーズ量5E15cm-2の条件でイオン注入した。イオン注入後、800°C、30分の条件で活性化アニールを行って、Si表面から200nm内に、1E20cm-3の濃度のn層34が得られた。次に、図29fに示すように、Mg、Gaがドープされた面に、Cuを蒸着法により30nm形成して、Cu層51を形成した。さらに、図30aに示すように、p型Si単結晶基板30表面に形成したCu層51上に、レジスト36THMRIP3250、株東京応化工業を乳酸エチルELで1:2に希釈した溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において、110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジスト36の膜厚は150nmであった。次いで、図30bに示すように、400nmのピッチ、大きさ200nm、高さ150nmの高さを持つ凸形状が形成された石英スタンパー37形状は9cm2内に形成されているを用意し、レジスト36が形成されたp型Si単結晶基板30を120°Cに加熱した状態で、石英スタンパー37の凸形状がある側をレジスト36に、10MPaの圧力で押し付けて、インプリントを行った。さらに、図30cに示すように、インプリント後、p型Si単結晶基板30を室温まで冷却し、石英スタンパー37をリリースした。インプリント後、レジスト36上に、400nmのピッチ大きさ200nm、深さ100nmの凹形状が形成された。次に、図30dに示すように、凹パターンが形成されたレジストパターンを、CF4:30sccm、10mTorr、RFパワー100Wの条件で、30秒間エッチングを行った。CF4RIE後、レジストの底出しが行われ、Cu層51が露出した。次いで、図30eに示すように、イオンミリング装置を用いて、加速電圧500V、イオン電流40mAの条件で90秒間、Cu層51のエッチングを行って、開口部を有するナノメッシュ電極38を形成した。イオンミリングにより、Cu層51に400nmピッチ、200nmの開口を有するパターンが形成された。残留したレジストを、有機溶媒により取り除いた。次に、図31aに示すように、ナノメッシュ電極38上及びp-Si層1上に、レジスト39THMRIP3250、株東京応化工業溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において、110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジスト39の膜厚は1ミクロンであった。その後、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のマスクを用いて、フォトリソグラフィー法にて、レジスト39に、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状にパターニングして、長波長吸収層33以外のMg、Gaがドープされていない部分を露出させた。また、図31bに示すように、そのレジストパターンをマスクとして、イオンミリング法により、加速電圧500V、イオン電流40mAの条件で90秒間、ナノメッシュ電極38のエッチングを行い、ナノメッシュ電極38を除去した。その後、残留したレジスト39を取り除いた。よって、長波長吸収層33上以外のナノメッシュ電極38が、除去される。次に、図31cに示すように、ナノメッシュ電極38を除去した部分に、リフトオフ法により、裏面電極40を形成した。最後に、図31dに示すように、n層34に、エポキシ系熱硬化型のAgペーストを用いたスクリーン印刷法により、櫛型電極41を作製し、長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi光電変換素子を完成させた。太陽電池セルの特性上記のようにして作製した光電変換素子に、AM1.5の擬似太陽光を照射し、室温における光電変換効率を評価した。その結果、Mg、Gaドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi単結晶光電変換素子の光電変換効率は、11.5と良好な値を示した。一方、Mg、Gaドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有していない従来のSi単結晶光電変換素子の光電変換効率は、10.0であった。また、分光感度特性を行うと、従来のSi単結晶光電変換素子では、1100nm周辺までしか光の吸収が起きていなかったが、Mg、Gaドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi単結晶光電変換素子は、分光感度の強度はそれほど強くは無いが、1100nm~1400nmにも、光の吸収のスペクトルが観測された。この結果から、Mg、Gaドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38により、光の長波長領域で、光の吸収が起きたため、光電変換率が上昇したことが示された。さらに、Mgは伝道帯側、Gaは価電子帯側に準位を有し、その二つの準位間の吸収により、光の長波長領域に、光の吸収帯が発生した。このように、一つの不純物準位では光の長波長に吸収帯域が少し現れないが、2つもしくは2つ以上の不純物準位を選択することにより、光の長波長領域で、光の吸収を起こすことが可能である。実施例7単Si膜厚小、S、Ag、ナノメッシュ電極実施例7の光電変換素子の製造方法について、図14~図16を参照して説明する。図14~図16は、実施形態の光電変換素子の製造方法を示す断面図である。実施例1と異なるのは、Si基板の膜厚である。まず、図14aに示すように、基板として、厚さが100ミクロン、1E16cm-3のドーピング濃度を有するp型Si単結晶基板30を用意した。そのp型Si単結晶基板30の表面を、熱酸化によりSiO2膜31を150nm形成した。次に、図14bに示すように、SiO2膜31上に、レジストTHMRIP3250、株東京応化工業溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジストの膜厚は1ミクロンであった。その後、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のマスクを用いて、フォトリソグラフィー法にて、レジストに、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状にパターニングした。そのレジストをマスクに用いて、CF4:30sccm、10mTorr、RFパワー100Wの条件で10分間エッチングを行った。CF4RIE後、残留したレジストを有機溶媒で除去して、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のSiO2マスク32を形成した。さらに、図14cに示すように、そのSiO2マスク32をマスクとして、Sを注入エネルギー20keV、ドーズ量1E15cm-2の条件でイオン注入した。その後、図14dに示すように、SiO2マスク32をフッ酸で除去した後、1000°C、30分の条件で活性化アニールを行って、長波長吸収層33を形成した。長波長吸収層33は、Si表面から100nm内に1E20cm-3の濃度が得られた。次に、図14eに示すように、Sをドープしたのとは反対側の面に、Pを注入エネルギー20keV、ドーズ量5E15cm-2の条件でイオン注入した。イオン注入後、800°C、30分の条件で活性化アニールを行って、Si表面から200nm内に、1E20cm-3の濃度のn層34が得られた。次に、図14fに示すように、Sがドープされた面に、Agを蒸着法により30nm形成して、Ag層35を形成した。さらに、図15aに示すように、p型Si単結晶基板30に形成したAg層35上に、レジスト36THMRIP3250、株東京応化工業を乳酸エチルELで1:2に希釈した溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において、110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジスト36の膜厚は150nmであった。次いで、図15bに示すように、200nmのピッチ、大きさ100nm、高さ150nmの高さを持つ凸形状が形成された石英スタンパー37形状は9cm2内に形成されているを用意し、レジスト36が形成されたp型Si単結晶基板30を120°Cに加熱した状態で、石英のスタンパー37の凸形状がある側を、レジスト36に10MPaの圧力で押し付けて、インプリントを行った。また、図15cに示すように、インプリント後、p型Si単結晶基板30を室温まで冷却し、石英スタンパー37をリリースした。インプリント後、レジスト36上に、200nmのピッチ大きさ100nm、深さ100nmの凹形状が形成された。次に、図15dに示すように、凹パターンが形成されたレジストパターンを、CF4:30sccm、10mTorr、RFパワー100Wの条件で、30秒間エッチングを行った。CF4RIE後、レジスト36の底出しが行われ、Ag35層が露出した。次いで、図15eに示すように、イオンミリング装置を用いて、加速電圧500V、イオン電流40mAの条件で80秒間、Ag層35のエッチングを行って、開口部を有するナノメッシュ電極38を形成した。イオンミリングにより、Ag層35に200nmピッチ、100nmの開口を有するパターンが形成された。残留したレジスト36を、有機溶媒により取り除いた。次に、図16aに示すように、ナノメッシュ電極38上及びp-Si層1上に、レジスト39THMRIP3250、株東京応化工業溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において110°Cで90秒間加熱して、溶媒を蒸発させた。レジスト39の膜厚は1ミクロンであった。その後、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のマスクを用いて、フォトリソグラフィー法にて、レジスト39に、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状にパターニングして、長波長吸収層33以外のSがドープされていない部分を露出させた。また、図16bに示すように、そのレジストパターンをマスクとして、イオンミリング法により、加速電圧500V、イオン電流40mAの条件で80秒間、ナノメッシュ電極38のエッチングを行い、ナノメッシュ電極38を除去した。その後、残留したレジスト39を取り除いた。よって、長波長吸収層33上以外のナノメッシュ電極38が、除去される。次に、図16cに示すように、ナノメッシュ電極38を除去した部分に、リフトオフ法により、裏面電極40を形成した。最後に、図16dに示すように、n層34に、エポキシ系熱硬化型のAgペーストを用いたスクリーン印刷法により、櫛型電極41を作製し、長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi光電変換素子を完成させた。太陽電池セルの特性上記のようにして作製した光電変換素子に、AM1.5の擬似太陽光を照射し、室温における光電変換効率を評価した。その結果、Sドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi単結晶光電変換素子の光電変換効率は、13.6と良好な値を示した。一方、Sドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有していない従来のSi単結晶光電変換素子の光電変換効率は、10.0であった。また、分光感度特性を行うと、通常のSi単結晶光電変換素子では、1100nm周辺までしか光の吸収が起きていなかったが、Sドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi単結晶光電変換素子は、分光感度の強度はそれほど強くは無いが、1100nm~1500nmにも、光の吸収のスペクトルが観測された。この結果から、Sドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38により、光の長波長領域で、光の吸収が起きたため、光電変換率が上昇したことを示した。なお、実施例1と異なるのは、Si基板の膜厚であり、Si基板の膜厚を薄くすることにより、Sドープの長波長吸収層33で発生したキャリアが、空乏層に到達する割合が多くなり、光電変換効率が向上したと考えられる。Si基板自体の厚さを薄くすることも効果があることが分かった。実施例8単Si、S、Ag、ドット金属実施例8の光電変換素子の製造方法について、図32~図34を参照して説明する。図32~図34は、実施例8の光電変換素子の製造方法を示す断面図である。まず、図32aに示すように、基板として、厚さが500ミクロン、1E16cm-3のドーピング濃度を有するp型Si単結晶基板30を用意した。そのp型Si単結晶基板30の表面を、熱酸化によりSiO2膜を150nm形成した。次に、図32bに示すように、SiO2膜31に、レジストTHMRIP3250、株東京応化工業溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において、110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジストの膜厚は1ミクロンであった。その後、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のマスクを用いて、フォトリソグラフィー法にて、レジストに、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状にパターニングした。そのレジストをマスクに用いて、CF4:30sccm、10mTorr、RFパワー100Wの条件で10分間エッチングを行った。CF4RIE後、残留したレジストを有機溶媒で除去して、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のSiO2マスク32を形成した。さらに、図32cに示すように、そのSiO2マスク32をマスクとして、Sを注入エネルギー20keV、ドーズ量1E15cm-2の条件でイオン注入した。その後、図32dに示すように、SiO2マスク32をフッ酸で除去した後、1000°C、30分の条件で活性化アニールを行って、長波長吸収層33を形成した。長波長吸収層33は、Si表面から100nm内に1E20cm-3の濃度が得られた。次に、図32eに示すように、Sをドープしたのとは反対側の面に、Pを注入エネルギー20keV、ドーズ量5E15cm-2の条件でイオン注入した。イオン注入後、800°C、30分の条件で活性化アニールを行って、Si表面から200nm内に、1E20cm-3の濃度のn層34が得られた。次に、図32fに示すように、Sがドープされた面に、Agを蒸着法により30nm形成して、Ag層35を形成した。さらに、図33aに示すように、p型Si単結晶基板30表面に形成したAg層35上に、レジスト36THMRIP3250、株東京応化工業を乳酸エチルELで1:2に希釈した溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において、110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジスト36の膜厚は150nmであった。次いで、図33bに示すように、大きさ150nm、高さ100nmの高さを持つ凹形状が形成された石英スタンパー37形状は9cm2内に形成されているを用意し、レジスト36が形成されたp型Si単結晶基板30を120°Cに加熱した状態で、石英スタンパー37の凸形状がある側を、レジスト36に10MPaの圧力で押し付けて、インプリントを行った。さらに、図33cに示すように、インプリント後、p型Si単結晶基板30を室温まで冷却し、石英スタンパー37をリリースした。インプリント後、レジスト36上に、大きさ150nm、深さ80nmの凹形状が形成された。次に、図33dに示すように、凹パターンが形成されたレジストパターンを、CF4:30sccm、10mTorr、RFパワー100Wの条件で、30秒間エッチングを行った。CF4RIE後、レジストの底出しが行われ、Ag層35が露出した。次いで、図33eに示すように、イオンミリング装置を用いて、加速電圧500V、イオン電流40mAの条件で80秒間、Ag層35のエッチングを行って、p-Si層1上にドット金属52を形成した。イオンミリングにより、Ag層にドット状で、大きさ150nmのパターンが形成した。残留したレジスト36を、有機溶媒により取り除いた。次に、図34aに示すように、ドット金属52上及びp-Si層1上に、レジスト39THMRIP3250、株東京応化工業溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において、110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジスト39の膜厚は1ミクロンであった。その後、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のマスクを用いて、フォトリソグラフィー法にて、レジスト39に、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状にパターニングして、長波長吸収層33以外のSがドープされていない部分を露出させた。また、図34bに示すように、そのレジストパターンをマスクとして、イオンミリング法により、加速電圧500V、イオン電流40mAの条件で80秒間、ドット金属52のエッチングを行い、ドット金属52を除去した。その後、残留したレジスト39を取り除いた。よって、長波長吸収層33上以外のドット金属52が、除去される。次に、図34cに示すように、ドット金属52を除去した部分に、リフトオフ法により、裏面電極40を形成した。最後に、図34dに示すように、n層34に、エポキシ系熱硬化型のAgペーストを用いたスクリーン印刷法により、櫛型電極41を作製し、長波長吸収層33とドット金属52を有するSi光電変換素子を完成させた。太陽電池セルの特性上記のようにして作製した光電変換素子に、AM1.5の擬似太陽光を照射し、室温における光電変換効率を評価した。その結果、Sドープの長波長吸収層とドット金属52を有するSi単結晶光電変換素子の光電変換効率は、11と良好な値を示した。一方、Sドープの長波長吸収層33とドット金属52を有していない従来のSi単結晶光電変換素子の光電変換効率は、10.0であった。また、分光感度特性を行うと、従来のSi単結晶光電変換素子では、1100nm周辺までしか光の吸収が起きていなかったが、Sドープの長波長吸収層33とドット金属52を有するSi単結晶光電変換素子は、分光感度の強度はそれほど強くは無いが、1100nm~1500nmにも、光の吸収のスペクトルが観測された。この結果から、Sドープの長波長吸収層とドット金属52により、光の長波長領域で、光の吸収が起きたため、光電変換率が上昇したことが示された。実施例9単Si、Se、Au、ドット金属実施例9の光電変換素子の製造方法について、図35~図37を参照して説明する。図35~図37は、実施例9の光電変換素子の製造方法を示す断面図である。まず、図35aに示すように、基板として、厚さが500ミクロン、1E16cm-3のドーピング濃度を有するp型Si単結晶基板30を用意した。そのp型Si単結晶基板30の表面を熱酸化により、SiO2膜31を150nm形成した。次に、図35bに示すように、SiO2膜31上に、レジストTHMRIP3250、株東京応化工業溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において、110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジストの膜厚は1ミクロンであった。その後、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のマスクを用いて、フォトリソグラフィー法にて、レジストに、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状にパターニングした。そのレジストをマスクに用いて、CF4:30sccm、10mTorr、RFパワー100Wの条件で10分間エッチングを行った。CF4RIE後、残留したレジストを有機溶媒で除去して、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のSiO2マスク32を形成した。さらに、図35cに示すように、そのSiO2マスク32をマスクとして、Seを注入エネルギー20keV、ドーズ量1E15cm-2の条件でイオン注入した。その後、図35dに示すように、SiO2マスク32をフッ酸で除去した後、1000°C、30分の条件で活性化アニールを行って、長波長吸収層33を形成した。長波長吸収層33は、Si表面から100nm内に1E20cm-3の濃度が得られた。次に、図35eに示すように、Sをドープしたのとは反対側の面に、Pを注入エネルギー20keV、ドーズ量5E15cm-2の条件でイオン注入した。イオン注入後、800°C、30分の条件で活性化アニールを行って、Si表面から200nm内に、1E20cm-3の濃度のn層34が得られた。次に、図35fに示すように、Seがドープされた面に、Auを蒸着法により30nm形成して、Au層50を形成した。さらに、図36aに示すように、p型Si単結晶基板30表面に形成したAu層50上に、レジスト36THMRIP3250、株東京応化工業を乳酸エチルELで1:2に希釈した溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において、110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジスト36の膜厚は150nmであった。次いで、図36bに示すように、大きさ200nm、高さ100nmの高さを持つ凹形状が形成された石英スタンパー37形状は9cm2内に形成されているを用意し、レジスト36が形成されたp型Si単結晶基板30を120°Cに加熱した状態で、石英スタンパー37の凸形状がある側を、レジスト36に10MPaの圧力で押し付けて、インプリントを行った。さらに、図36cに示すように、インプリント後、p型Si単結晶基板30を室温まで冷却し、石英スタンパー37をリリースした。インプリント後、レジスト36上に、大きさ200nm、深さ80nmの凹形状が形成された。次に、図36dに示すように、凹パターンが形成されたレジストパターンを、CF4:30sccm、10mTorr、RFパワー100Wの条件で30秒間エッチングを行った。CF4RIE後、レジスト36の底出しが行われ、Au層50が露出した。次いで、図36eに示すように、イオンミリング装置を用いて、加速電圧500V、イオン電流40mAの条件で80秒間、Au層のエッチングを行って、p-Si層1上にドット金属52を形成した。イオンミリングによりAu層50に、ドット状で、大きさ200nmのパターンが形成された。残留したレジスト39を、有機溶媒により取り除いた。次に、図37aに示すように、ドット金属52及びp-Si層1上に、レジスト39THMRIP3250、株東京応化工業溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において、110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジスト39の膜厚は1ミクロンであった。その後、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のマスクを用いて、フォトリソグラフィー法にて、レジスト39に、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状にパターニングして、長波長吸収層33以外のSeがドープされていない部分を露出させた。また、図37bに示すように、そのレジストパターンをマスクとして、イオンミリング法により、加速電圧500V、イオン電流40mAの条件で80秒間、ドット金属52のエッチングを行い、ドット金属52を除去した。その後、残留したレジスト39を取り除いた。よって、長波長吸収層33上以外のドット金属52が、除去される。次に、図37cに示すように、ドット金属52を除去した部分に、リフトオフ法により、裏面電極40を形成した。最後に、図37dに示すように、n層34に、エポキシ系熱硬化型のAgペーストを用いたスクリーン印刷法により、櫛型電極41を作製し、長波長吸収層33とドット金属52を有するSi光電変換素子を完成させた。太陽電池セルの特性上記のようにして作製した光電変換素子に、AM1.5の擬似太陽光を照射し、室温における光電変換効率を評価した。その結果、Seドープの長波長吸収層33とドット金属52を有するSi単結晶光電変換素子の光電変換効率は、11.2と良好な値を示した。一方、Seドープの長波長吸収層33とドット金属52を有していない従来のSi単結晶光電変換素子の光電変換効率は、10.0であった。また、分光感度特性を行うと、従来のSi単結晶光電変換素子では、1100nm周辺までしか光の吸収が起きていなかったが、Seドープの長波長吸収層33とドット金属52を有するSi単結晶光電変換素子は、分光感度の強度はそれほど強くは無いが、1100nm~1500nmにも、光の吸収のスペクトルが観測された。この結果から、Seドープの長波長吸収層33とドット金属52により、光の長波長領域で、光の吸収が起きたため、光電変換率が上昇したことが示された。実施例10単Si、In、Cu、ドット金属実施例10の光電変換素子の製造方法について、図38~図40を参照して説明する。図38~図40は、実施例10の光電変換素子の製造方法を示す断面図である。まず、図38aに示すように、基板として、厚さが500ミクロン、1E16cm-3のドーピング濃度を有するp型Si単結晶基板30を用意した。そのp型Si単結晶基板30の表面を熱酸化により、SiO2膜31を150nm形成した。次に、図38bに示すように、SiO2膜31上に、レジストTHMRIP3250、株東京応化工業溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において、110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジストの膜厚は1ミクロンであった。その後、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のマスクを用いて、フォトリソグラフィー法にて、レジストに、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状にパターニングした。そのレジストをマスクに用いて、CF4:30sccm、10mTorr、RFパワー100Wの条件で10分間エッチングを行った。CF4RIE後、残留したレジストを有機溶媒で除去して、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のSiO2マスク32を形成した。さらに、図38cに示すように、そのSiO2マスク32をマスクとして、Inを注入エネルギー20keV、ドーズ量1E15cm-2の条件でイオン注入した。その後、図38dに示すように、SiO2マスク32をフッ酸で除去した後、1000°C、30分の条件で活性化アニールを行って、長波長吸収層33を形成した。長波長吸収層33は、Si表面から100nm内に1E20cm-3の濃度が得られた。次に、図38eに示すように、Inをドープしたのとは反対側の面に、Pを注入エネルギー20keV、ドーズ量5E15cm-2の条件でイオン注入した。イオン注入後、800°C、30分の条件で活性化アニールを行って、Si表面から200nm内に、1E20cm-3の濃度のn層34が得られた。次に、図38fに示すように、Inがドープされた面に、Cuを蒸着法により30nm形成して、Cu層51を形成した。さらに、図39aに示すように、p型Si単結晶基板30表面に形成したCu層51上に、レジスト36THMRIP3250、株東京応化工業を乳酸エチルELで1:2に希釈した溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において、110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジスト36の膜厚は150nmであった。次いで、図39bに示すように、大きさ100nm、高さ100nmの高さを持つ凹形状が形成された石英スタンパー37形状は9cm2内に形成されているを用意し、レジスト36が形成されたp型Si単結晶基板30を120°Cに加熱した状態で、石英スタンパー37の凸形状がある側を、レジストに10MPaの圧力で押し付けて、インプリントを行った。さらに、図39cに示すように、インプリント後、p型Si単結晶基板30を室温まで冷却し、石英スタンパー37をリリースした。インプリント後、レジスト36上に、大きさ100nm、深さ80nmの凹形状が形成された。次に、図39dに示すように、凹パターンが形成されたレジストパターンを、CF4:30sccm、10mTorr、RFパワー100Wの条件で30秒間エッチングを行った。CF4RIE後、レジストの底出しが行われ、Cu層51が露出した。次いで、図39eに示すように、イオンミリング装置を用いて、加速電圧500V、イオン電流40mAの条件で80秒間、Cu層51のエッチングを行って、p-Si層1上にドット金属52を形成した。イオンミリングにより、Cu層51にドット状で、大きさ200nmのパターンが形成された。残留したレジストを有機溶媒により取り除いた。次に、図40aに示すように、ドット金属52上及びp-Si層1上に、レジスト39THMRIP3250、株東京応化工業溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において、110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジスト39の膜厚は1ミクロンであった。その後、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のマスクを用いて、フォトリソグラフィー法にて、レジスト39に、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状にパターニングして、長波長吸収層33以外のInがドープされていない部分を露出させた。また、図40bに示すように、そのレジストパターンをマスクとして、イオンミリング法により、加速電圧500V、イオン電流40mAの条件で80秒間、ドット金属52のエッチングを行い、ドット金属52を除去した。その後、残留したレジスト39を取り除いた。よって、長波長吸収層33上以外のドット金属38が、除去される。次に、図40cに示すように、ドット金属52を除去した部分に、リフトオフ法により、裏面電極40を形成した。最後に、図40dに示すように、n層34に、エポキシ系熱硬化型のAgペーストを用いたスクリーン印刷法により、櫛型電極41を作製し、長波長吸収層33とドット金属52を有するSi光電変換素子を完成させた。太陽電池セルの特性上記のようにして作製した光電変換素子に、AM1.5の擬似太陽光を照射し、室温における光電変換効率を評価した。その結果、Inドープの長波長吸収層33とドット金属52を有するSi単結晶光電変換素子の光電変換効率は、11.2と良好な値を示した。一方、Inドープの長波長吸収層33とドット金属52を有していない従来のSi単結晶光電変換素子の光電変換効率は、10.0であった。また、分光感度特性を行うと、従来のSi単結晶光電変換素子では、1100nm周辺までしか光の吸収が起きていなかったが、Inドープの長波長吸収層33とドット金属52を有するSi単結晶光電変換素子は、分光感度の強度はそれほど強くは無いが、1100nm~1500nmにも、光の吸収のスペクトルが観測された。この結果から、Inドープの長波長吸収層33とドット金属52により、光の長波長領域で、光の吸収が起きたため、光電変換率が上昇したことが示された。実施例11多結晶Si、S、Ag、ナノメッシュ電極実施例11の光電変換素子の製造方法について、図41~図43を参照して説明する。図41~図43は、実施例11の光電変換素子の製造方法を示す断面図である。まず、図41aに示すように、基板として、厚さが400ミクロン、1E17cm-3のドーピング濃度を有するp型Si多結晶基板53を用意した。そのp型Si多結晶基板53の表面を熱酸化により、SiO2膜31を150nm形成した。次に、図41bに示すように、SiO2膜31上に、レジストTHMRIP3250、株東京応化工業溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において、110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジストの膜厚は1ミクロンであった。その後、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のマスクを用いて、フォトリソグラフィー法にて、レジストに、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状にパターニングした。そのレジストをマスクに用いて、CF4:30sccm、10mTorr、RFパワー100Wの条件で10分間エッチングを行った。CF4RIE後、残留したレジストを有機溶媒で除去して、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のSiO2マスク32を形成した。さらに、図41cに示すように、そのSiO2マスク32をマスクとして、Sを注入エネルギー20keV、ドーズ量1E15cm-2の条件でイオン注入した。その後、図41dに示すように、SiO2マスク32をフッ酸で除去した後、1000°C、30分の条件で活性化アニールを行って、長波長吸収層33を形成した。長波長吸収層33は、Si表面から100nm内に1E20cm-3の濃度が得られた。次に、図41eに示すように、Sをドープしたのとは反対側の面に、Pを注入エネルギー20keV、ドーズ量5E15cm-2の条件でイオン注入した。イオン注入後、800°C、30分の条件で活性化アニールを行って、Si表面から200nm内に、1E20cm-3の濃度のn層34が得られた。次に、図41fに示すように、Sがドープされた面に、Agを蒸着法により30nm形成して、Ag層35を形成した。さらに、図42aに示すように、p型Si多結晶基板53表面に形成したAg層35上に、レジスト36THMRIP3250、株東京応化工業を乳酸エチルELで1:2に希釈した溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において、110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジスト36の膜厚は150nmであった。次いで、図42bに示すように、200nmのピッチ、大きさ100nm、高さ150nmの高さを持つ凸形状が形成された石英スタンパー37形状は9cm2内に形成されているを用意し、レジスト36が形成されたp型Si多結晶基板53を120°Cに加熱した状態で、石英のスタンパー37の凸形状がある側を、レジスト36に10MPaの圧力で押し付けて、インプリントを行った。また、図42cに示すように、インプリント後、p型Si多結晶基板53を室温まで冷却し、石英スタンパー37をリリースした。インプリント後、レジスト36上に、200nmのピッチ大きさ100nm、深さ100nmの凹形状が形成された。次に、図42dに示すように、凹パターンが形成されたレジストパターンを、CF4:30sccm、10mTorr、RFパワー100Wの条件で30秒間エッチングを行った。CF4RIE後、レジストの底出しが行われ、Ag層35が露出した。次いで、図42eに示すように、イオンミリング装置を用いて、加速電圧500V、イオン電流40mAの条件で80秒間、Ag層35のエッチングを行って、p-Si層1上に、開口部を有するナノメッシュ電極38を形成した。イオンミリングにより、Ag層35に、200nmピッチ、100nmの開口を有するパターンが形成された。残留したレジスト39を、有機溶媒により取り除いた。次に、図43aに示すように、ナノメッシュ電極38上及びp-Si層1上に、レジスト39THMRIP3250、株東京応化工業溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において、110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジスト39の膜厚は1ミクロンであった。その後、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のマスクを用いて、フォトリソグラフィー法にて、レジスト39に、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状にパターニングして、長波長吸収層33以外のSがドープされていない部分を露出させた。さらに、図43bに示すように、そのレジストパターンをマスクとして、イオンミリング法により、加速電圧500V、イオン電流40mAの条件で80秒間、ナノメッシュ電極38のエッチングを行い、ナノメッシュ電極38を除去した。その後、残留したレジスト39を取り除いた。よって、長波長吸収層33上以外のナノメッシュ電極38が、除去される。次に、図43cに示すように、ナノメッシュ電極38を除去した部分に、リフトオフ法により、裏面電極40を形成した。最後に、図43dに示すように、n層34に、エポキシ系熱硬化型のAgペーストを用いたスクリーン印刷法により、櫛型電極41を作製し、長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi光電変換素子を完成させた。太陽電池セルの特性上記のようにして作製した光電変換素子に、AM1.5の擬似太陽光を照射し、室温における光電変換効率を評価した。その結果、Sドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi多結晶光電変換素子の光電変換効率は、10.5と良好な値を示した。一方、Sドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有していない従来のSi多結晶光電変換素子の光電変換効率は、8.0であった。また、分光感度特性を行うと、従来のSi多結晶光電変換素子では、1100nm周辺までしか光の吸収が起きていなかったが、Sドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi多結晶光電変換素子は、分光感度の強度はそれほど強くは無いが、1100nm~1500nmにも、光の吸収のスペクトルが観測された。この結果から、Sドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38により、光の長波長領域で、光の吸収が起きたため、光電変換率が上昇したことが示された。実施例12多結晶Si、S、Ag、ドット金属実施例12の光電変換素子の製造方法について、図44~図46を参照して説明する。図44~図46は、実施例12の光電変換素子の製造方法を示す断面図である。まず、図44aに示すように、基板として、厚さが500ミクロン、1E17cm-3のドーピング濃度を有するp型Si多結晶基板53を用意した。そのp型Si多結晶基板53の表面を熱酸化により、SiO2膜31を150nm形成した。次に、図44bに示すように、SiO2膜31上に、レジストTHMRIP3250、株東京応化工業溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において、110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジストの膜厚は1ミクロンであった。その後、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のマスクを用いて、フォトリソグラフィー法にて、レジストに、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状にパターニングした。そのレジストをマスクに用いて、CF4:30sccm、10mTorr、RFパワー100Wの条件で10分間エッチングを行った。CF4RIE後、残留したレジストを有機溶媒で除去して、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のSiO2マスク32を形成した。さらに、図44cに示すように、そのSiO2マスク32をマスクとして、Sを注入エネルギー20keV、ドーズ量1E15cm-2の条件でイオン注入した。その後、図44dに示すように、SiO2マスク32をフッ酸で除去した後、1000°C、30分の条件で活性化アニールを行って、長波長吸収層33を形成した。長波長吸収層33は、Si表面から100nm内に1E20cm-3の濃度が得られた。次に、図44eに示すように、Sをドープしたのとは反対側の面に、Pを注入エネルギー20keV、ドーズ量5E15cm-2の条件でイオン注入した。イオン注入後、800°C、30分の条件で活性化アニールを行って、Si表面から200nm内に、1E20cm-3の濃度のn層34が得られた。次に、図44fに示すように、Sがドープされた面に、Agを蒸着法により30nm形成して、Ag層35を形成した。さらに、図45aに示すように、p型Si多結晶基板53表面に形成したAg層上に、レジスト36THMRIP3250、株東京応化工業を乳酸エチルELで1:2に希釈した溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において、110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジスト36の膜厚は150nmであった。次いで、図45bに示すように、大きさ150nm、高さ100nmの高さを持つ凹形状が形成された石英スタンパー37形状は9cm2内に形成されているを用意し、レジスト36が形成されたp型Si多結晶基板53を120°Cに加熱した状態で、石英スタンパー37の凸形状がある側を、レジスト36に10MPaの圧力で押し付けて、インプリントを行った。また、図45cに示すように、インプリント後、p型Si多結晶基板53を室温まで冷却し、石英スタンパー37をリリースした。インプリント後、レジスト36上に、大きさ150nm、深さ80nmの凹形状が形成された。次に、図45dに示すように、凹パターンが形成されたレジストパターンを、CF4:30sccm、10mTorr、RFパワー100Wの条件で30秒間エッチングを行った。CF4RIE後、レジストの底出しが行われ、Ag層35が露出した。次いで、図45fに示すように、イオンミリング装置を用いて、加速電圧500V、イオン電流40mAの条件で80秒間、Ag層35のエッチングを行って、p-Si層1上にドット金属52を形成した。イオンミリングにより、Ag層35にドット状で、大きさ150nmのパターンが形成された。残留したレジスト36を、有機溶媒により取り除いた。次に、図46aに示すように、ドット金属52上及びp-Si層1上に、レジスト39THMRIP3250、株東京応化工業溶液を2000rpm、30秒でスピンコートを行ったのち、ホットプレート上において、110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させた。レジスト39の膜厚は1ミクロンであった。その後、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状のマスクを用いて、フォトリソグラフィー法にて、レジスト39に、幅100ミクロン、間隔1mmの格子状にパターニングして、長波長吸収層33以外のSがドープされていない部分を露出させた。また、図46bに示すように、そのレジストパターンをマスクとして、イオンミリング法により、加速電圧500V、イオン電流40mAの条件で80秒間、ドット金属52のエッチングを行い、ドット金属52を除去した。その後、残留したレジスト39を取り除いた。よって、長波長吸収層33上以外のドット金属52が、除去される。次に、図46cに示すように、ドット金属52を除去した部分に、リフトオフ法により、裏面電極40を形成した。最後に、図46dに示すように、n層43に、エポキシ系熱硬化型のAgペーストを用いたスクリーン印刷法により、櫛型電極41を作製し、長波長吸収層33とドット金属52を有するSi光電変換素子を完成させた。太陽電池セルの特性上記のようにして作製した光電変換素子に、AM1.5の擬似太陽光を照射し、室温における光電変換効率を評価した。その結果、Sドープの長波長吸収層33とドット金属52を有するSi多結晶光電変換素子の光電変換効率は、9.5と良好な値を示した。一方、Sドープの長波長吸収層33とドット金属52を有していない従来のSi多結晶光電変換素子の光電変換効率は、8.0であった。また、分光感度特性を行うと、従来のSi多結晶光電変換素子では、1100nm周辺までしか光の吸収が起きていなかったが、Sドープの長波長吸収層33とドット金属52を有するSi多結晶光電変換素子は、分光感度の強度はそれほど強くは無いが、1100nm~1500nmにも、光の吸収のスペクトルが観測された。この結果から、Sドープの長波長吸収層33とドット金属52により、光の長波長領域で、光の吸収が起きたため、光電変換率が上昇したことが示された。以上説明した少なくとも一つの実施形態の光電変換素子によれば、光電変換素子の光電変換層のバンドギャップ内にドーピングにより不純物準位を形成し、その不純物準位を形成した層の上に金属ナノ構造体を形成した構造を採用することにより変換効率の高い光電変換素子が提供される。実施例13単Si、S、P、Ag、ナノメッシュ電極実施例13は、実施例1の図14cにおいて、SiO2マスク32をマスクとして、SおよびPを注入エネルギー20keV、ドーズ量1E15cm-2の条件で、イオン注入すること以外は、実施例1と同様の工程によりSi光電変換素子を完成させた。太陽電池セルの特性上記のようにして作製した光電変換素子に、AM1.5の擬似太陽光を照射し、室温における光電変換効率を評価した。その結果、S、Pドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi単結晶高変換素子の光電変換効率は、13.5と良好な値を示した。一方、Sドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有していない従来のSi単結晶光電変換素子の光電変換効率は、実施例1で示した通り10.0であった。また、分光感度特性を行うと、従来のSi単結晶光電変換素子では、1100nm周辺までしか光の吸収が起きていなかったが、S、Pドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi単結晶光電変換素子は、分光感度の強度はSドープのみの長波長吸収層の場合よりも強くなり、1100nm~1500nmにも、光吸収のスペクトルが観測された。この結果から、S、Pドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38により、光の長波長領域で、光の吸収が起きたため、光電変換率が上昇したことが示された。実施例14単Si、S-O、P、Cu、ナノメッシュ電極実施例14は、実施例3の図20cにおいて、SiO2マスク32をマスクとして、S、OおよびPを注入エネルギー20keV、ドーズ量1E15cm-2の条件で、イオン注入すること以外は、実施例3と同様の工程によりSi光電変換素子を完成させた。太陽電池セルの特性上記のようにして作製した光電変換素子に、AM1.5の擬似太陽光を照射し、室温における光電変換効率を評価した。その結果、S、O,Pドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi単結晶光電変換素子の光電変換効率は、14と良好な値を示した。一方、S、Oドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有していない従来のSi単結晶光電変換素子の光電変換効率は、実施例3で示した通り10.0であった。また、分光感度特性を行うと、通常のSi単結晶光電変換素子では、1100nm周辺までしか光の吸収が起きていなかったが、S、O、Pドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi単結晶光電変換素子は、分光感度の強度はS、Oドープのみの長波長吸収層の場合よりも強くなり、1100nm~1500nmにも光の吸収のスペクトルが観測された。SとOは、S-Oの吸収のペアを作ることができて、その効果で吸収量が多くなり、Sのみよりも変換効率が大きくなった。この結果から、S、O、Pドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38により、光の長波長領域で、光の吸収が起きたため、光電変換率が上昇したことを示された。実施例15単Si、Mg、Ga、P、Cu、ナノメッシュ電極実施例15は、実施例6において、図29cのSiO2マスク32をマスクとして、Mg、GaおよびPを注入エネルギー20keV、ドーズ量1E15cm-2の条件で、イオン注入すること以外は、実施例6と同様の工程によりSi光電変換素子を完成させた。太陽電池セルの特性上記のようにして作製した光電変換素子に、AM1.5の擬似太陽光を照射し、室温における光電変換効率を評価した。その結果、Mg、Ga、Pドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi単結晶光電変換素子の光電変換効率は、13と良好な値を示した。一方、Mg、Ga、Pドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有していない従来のSi単結晶光電変換素子の光電変換効率は、実施例6で示した通り10.0であった。また、分光感度特性を行うと、従来のSi単結晶光電変換素子では、1100nm周辺までしか光の吸収が起きていなかったが、Mg、Ga、Pドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi単結晶光電変換素子は、分光感度の強度はMg、Gaドープのみの長波長吸収層の場合よりも強くなり、1100nm~1400nmにも、光の吸収のスペクトルが観測された。この結果から、Mg、Ga、Pドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38により、光の長波長領域で、光の吸収が起きたため、光電変換率が上昇したことが示された。さらに、Mgは伝道帯側、Gaは価電子帯側に準位を有し、その二つの準位間の吸収により、光の長波長領域に、光の吸収帯が発生した。このように、一つの不純物準位では光の長波長に吸収帯域が少し現れないが、2つもしくは2つ以上の不純物準位を選択することにより、光の長波長領域で、光の吸収を起こすことが可能である。実施例16単Si、Se、P、Au、ドット金属実施例16は、実施例9において、図35cに示すように、そのSiO2マスク32をマスクとして、Se、Pを注入エネルギー20keV、ドーズ量1E15cm-2の条件でイオン注入すること以外は、実施例6と同様の工程によりSi光電変換素子を完成させた。太陽電池セルの特性上記のようにして作製した光電変換素子に、AM1.5の擬似太陽光を照射し、室温における光電変換効率を評価した。その結果、Se、Pドープの長波長吸収層33とドット金属52を有するSi単結晶光電変換素子の光電変換効率は、13と良好な値を示した。一方、Se、Pドープの長波長吸収層33とドット金属52を有していない従来のSi単結晶光電変換素子の光電変換効率は、実子理恵9で示した通り10.0であった。また、分光感度特性を行うと、従来のSi単結晶光電変換素子では、1100nm周辺までしか光の吸収が起きていなかったが、Se、Pドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi単結晶光電変換素子は、分光感度の強度はSeドープのみの長波長吸収層の場合よりも強くなり、1100nm~1500nmにも、光の吸収のスペクトルが観測された。この結果から、Se、Pドープの長波長吸収層33とドット金属52により、光の長波長領域で、光の吸収が起きたため、光電変換率が上昇したことが示された。実施例17多結晶Si、S、P、Ag、ナノメッシュ電極実施例17は、実施例11において、図41cのそのSiO2マスク32をマスクとして、Sを注入エネルギー20keV、ドーズ量1E15cm-2の条件でイオン注入すること以外は、実施例11と同様の工程によりSi光電変換素子を完成させた。太陽電池セルの特性上記のようにして作製した光電変換素子に、AM1.5の擬似太陽光を照射し、室温における光電変換効率を評価した。その結果、S、Pドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi多結晶光電変換素子の光電変換効率は、12と良好な値を示した。一方、S、Pドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有していない従来のSi多結晶光電変換素子の光電変換効率は、実施例11で示した通り8.0であった。また、分光感度特性を行うと、従来のSi多結晶光電変換素子では、1100nm周辺までしか光の吸収が起きていなかったが、S、Pドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38を有するSi多結晶光電変換素子は、分光感度の強度はSドープのみの長波長吸収層の場合よりも強くなり、分光感度の強度はそれほど強くは無いが、1100nm~1500nmにも、光の吸収のスペクトルが観測された。この結果から、S、Pドープの長波長吸収層33とナノメッシュ電極38により、光の長波長領域で、光の吸収が起きたため、光電変換率が上昇したことが示された。なお、本発明は、上記した各実施の形態には限定されず、種々変形して実施できることは言うまでもない。要するに、本発明は上記各実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記各実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組合せにより、種々の形態を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を省略してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。"