"ターゲットパターンの輪郭部における総露光量を設定するステップと、前記ターゲットパターンの露光に用いる第1の露光量を設定するステップと、前記総露光量及び前記第1の露光量を基に、前記ターゲットパターンの露光量を嵩上げするためのバックグラウンドパターンの露光に用いる第2の露光量を設定するステップと、前記第2の露光量に従って、複数回に分けて電子ビームの露光を繰り返し、前記バックグラウンドパターンを形成するステップと、前記バックグラウンドパターンの露光の後または前に、前記バックグラウンドパターンと重なる領域に、前記第1の露光量に従って、1度の電子ビームの露光により、前記ターゲットパターンを形成するステップと、を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。前記第2の露光量は、前記試料上のレジストが現像によって解像するドーズ量よりも小さな露光量であることを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム描画方法。前記バックグラウンドパターンは、前記ターゲットパターンが描画される全領域にわたって形成されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の荷電粒子ビーム描画方法。前記バックグラウンドパターンは、前記ターゲットパターンの輪郭部の全周にわたって予め定められている幅で囲まれる領域に形成されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の荷電粒子ビーム描画方法。荷電粒子ビームを偏向器を用いて偏向させ、移動可能なステージ上に載置される試料に図形パターンを描画する描画部と、前記試料へのターゲットパターン、バックグラウンドパターンの露光に当たり、前記試料に塗布されるレジスト種ごとにそれぞれ設定される、少なくとも許容最大露光量、近接効果係数に関する情報を記憶する記憶装置と、前記記憶装置に記憶される情報に基づいて前記ターゲットパターンの輪郭部における総露光量、前記ターゲットパターンの形成に必要な第1の露光量、及び、前記総露光量及び前記第1の露光量を基に、前記ターゲットパターンの土台となる前記バックグラウンドパターンの形成に必要な第2の露光量を設定する描画条件算出部と、前記第2の露光量に従って、1回または複数回に分けて電子ビームの露光を繰り返し、前記バックグラウンドパターンを形成し、形成された前記バックグラウンドパターンの上に、前記第1の露光量に従って、1度の電子ビームの露光により、前記ターゲットパターンを形成するべく前記描画部へ指示する偏向制御部と、前記試料を載置し、前記描画処理時に前記試料をX方向、Y方向に自在に移動させるステージの動きを制御するステージ制御部と、を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。しかしながら、特許文献1に記載の発明では、多重露光を用いるのは近接効果に起因するパターン寸法誤差の低減を図るためであり、以下に述べる本発明の内容については触れられていない。すなわち、一般に一度に閾値Dthを超える、解像に必要な量を大きく超える露光量をもって電子ビームの露光が行われると、その露光位置に図形パターンが形成されることになるため、この図形パターンの寸法精度を確保することができる。一方で上述したように、試料に塗布されるレジストの感度によっては、一度の電子ビームの露光ではレジストが熱により飛散等してしまうため複数回の露光である多重露光が必須となる場合がある。そこで複数回に分けて、しかもレジストが飛散しないように十分に低い露光量で電子ビームの露光を行う。ところで、荷電粒子ビーム描画装置を新規に起動する立ち上げる場合や定期点検等の前後に、図形パターンの設計位置と電子ビームの露光位置との間にズレが発生していないか確認するために振動ノイズの測定が行われる。多重描画では電子ビーム自体の振動や試料が載置される可動ステージの振動によって微妙にその露光位置がずれる。そのため露光ごとの露光量の分布が図形パターンの形成位置付近において平均化されるので、結果としてこれら露光ごとの電子ビームの位置を平均化した位置に図形パターンが形成される。図9で示す図形パターンD0は1つの実線で示されているが、実は、例えば4回の多重露光が行われた場合には、その4回の平均となる位置に形成され、その位置が示されている。当該振動ノイズの測定は、例えば、複数の同一パターンをあるピッチで描画するような設計データを入力し、一方、可動ステージは等速で移動させることで、電子ビームの位置を等間隔の時間でサンプリングしたような効果が得られる方法で行われる。この際、電子ビームの位置情報とともに、パターンの位置を計測する測定器の測定誤差等を考慮する。但し多重露光が行われると、上述したように、図形パターンの形成される位置は平均化されてしまうことから、振動ノイズの測定の観点からはそのズレが平均化されて減衰してしまうことにつながる。また、特に近年の荷電粒子ビーム描画装置はその性能が向上しており、電子ビームの振動ノイズの振幅と、測定器の測定ノイズとの関係をも考慮すると、振動ノイズの測定精度の劣化は避けられない。そして振動ノイズが発生すると、図形パターンの設計位置と電子ビームの照射露光位置との間にズレが生じ、描画精度の劣化につながる。一方で、ノイズ測定にはレジストパターンを高い形状精度で形成できる高性能なレジストを使用する必要があるが、そのようなレジストは複数回の露光が必要な感度のものが多い。本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、多重露光が必要なレジストを用いて振動ノイズの測定を行うに当たって、複数回の露光に起因する図形パターンの位置のノイズ成分を減衰させることなく、簡易かつ確実に定量的に振動ノイズの測定を行うことが可能な荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置を提供することにある。本発明の実施の形態に係る特徴は、荷電粒子ビーム描画方法において、ターゲットパターンの輪郭部における総露光量を設定するステップと、ターゲットパターンの露光に用いる第1の露光量を設定するステップと、総露光量及び第1の露光量を基に、ターゲットパターンの露光量分布の土台となるバックグラウンドパターンの露光に用いる第2の露光量を設定するステップと、第2の露光量に従って、複数回に分けて電子ビームの露光を繰り返し、バックグラウンドパターンを露光するステップと、バックグラウンドパターンの上に、第1の露光量に従って、1度の電子ビームの露光により、ターゲットパターンを露光するステップとを備える。また、荷電粒子ビーム描画方法において、第2の露光量は、試料上のレジストが現像によって解像するドーズ量よりも小さな露光量であることが必要である。また、荷電粒子ビーム描画方法において、バックグラウンドパターンは、ターゲットパターンが描画される全領域にわたって形成されるまたは荷電粒子ビーム描画方法において、バックグラウンドパターンは、ターゲットパターンの輪郭部の全周にわたって予め定められている幅で囲まれる領域に形成されることが望ましい。本発明の実施の形態に係る特徴は、荷電粒子ビーム描画装置において、荷電粒子ビームを偏向器を用いて偏向させ、移動可能なステージ上に載置される試料に図形パターンを描画する描画部と、試料へのターゲットパターン、バックグラウンドパターンの露光に当たり、試料に塗布されるレジスト種ごとにそれぞれ設定される、少なくとも許容最大露光量、近接効果係数に関する情報を記憶する記憶装置と、この記憶装置に記憶される情報に基づいて、ターゲットパターンの輪郭部における総露光量、ターゲットパターンの形成に必要な第1の露光量、及び、総露光量及び第1の露光量を基に、ターゲットパターンの土台となるバックグラウンドパターンの形成に必要な第2の露光量を設定する描画条件算出部と、第2の露光量に従って、複数回に分けて電子ビームの露光を繰り返し、バックグラウンドパターンを形成し、形成されたバックグラウンドパターンの上に、第1の露光量に従って、1度の電子ビームの露光により、ターゲットパターンを形成するべく描画部へ指示する偏向制御部と、試料を載置し、描画処理時に試料をX方向、Y方向に自在に移動させるステージの動きを制御するステージ制御部とを備える。本発明によれば、多重露光が必要なレジストを用いて振動ノイズの測定を行うに当たって、複数回の露光に起因する図形パターンの位置のノイズ成分を減衰させることなく、簡易かつ確実に定量的に振動ノイズの測定を行うことが可能な荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の実施の形態における荷電粒子ビーム描画装置1の全体構成を示すブロック図である。なお、以下の実施の形態においては、荷電粒子ビームの一例として電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは電子ビームに限られるものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームであっても良い。荷電粒子ビーム描画装置1は、試料に所定のパターンを描画する装置であり、特に可変成形型の描画装置の一例である。図1に示すように、荷電粒子ビーム描画装置1は、大きく描画部2と制御部3を備えている。描画部2は、電子鏡筒4と描画室6を備えている。電子鏡筒4内には、電子銃41と、この電子銃41から照射される電子ビームBの光路に沿って、照明レンズ42と、ブランキング偏向器43と、ブランキングアパーチャ44と、第1の成形アパーチャ45と、投影レンズ46と、成形偏向器47と、第2の成形アパーチャ48と、対物レンズ49と、位置偏向器50とが順に配置されている。ブランキング偏向器43は、例えば、2極、或いは、4極等の複数の電極によって構成される。また、成形偏向器47、位置偏向器50は、例えば、4極、或いは、8極等の複数の電極によって構成される。図1では、成形偏向器47、位置偏向器50、それぞれの偏向器ごとに1つのDACアンプしか記載していないが、各電極にそれぞれ少なくとも1つのDACアンプが接続される。なお、DACアンプにいうDACは、DigitaltoAnalogConverterの頭文字である。描画室6の中には、XYステージ61が配置される。XYステージ61上には、描画時には試料となるマスク等の試料Mが配置される。XYステージ61は、描画処理時に試料MをX方向、Y方向に自在に移動させる。但し試料Mは、実際にはXYステージ61上に直接載置されるわけではなくXYステージ61と試料Mとの間に設けられる保持部材によって保持されるが、図1においては図示を省略する。制御部3は、制御計算機31と、偏向制御部32と、ブランキングアンプ33と、偏向アンプDACアンプ34,35と、ステージ制御部36と、メモリ37と、磁気ディスク装置等の記憶装置38と、及び荷電粒子ビーム描画装置1と外部とを接続するための外部インターフェイスI/F回路39とを備えている。制御計算機31、偏向制御部32、ステージ制御部36、メモリ37、記憶装置38、及び外部I/F回路39は、図示しないバスを介して互いに接続されている。また、偏向制御部32、ブランキングアンプ33、DACアンプ34,35は、図示しないバスを介して互いに接続されている。ブランキングアンプ33は、ブランキング偏向器43に接続される。また、DACアンプ34は、成形偏向器47に接続される。DACアンプ35は、位置偏向器50に接続される。ブランキングアンプ33、DACアンプ34,35に対しては、偏向制御部32から、それぞれ独立した制御用のデジタル信号が出力される。デジタル信号が入力されたブランキングアンプ33、DACアンプ34,35は、それぞれのデジタル信号をアナログ電圧信号に変換し、増幅させて偏向電圧として接続された各偏向器に出力する。このようにして、各偏向器には、それぞれ接続されるDACアンプから偏向電圧が印加される。かかる偏向電圧によって電子ビームBが偏向させられる。なお、荷電粒子ビーム描画装置1には、上述したように電子ビームを取り囲むように成形偏向器47、位置偏向器50が4極、或いは、8極設けられており、電子ビームを挟んで各々一対4極の場合は2対、8極の場合は4対配置されている。そして成形偏向器47、位置偏向器50ごとにそれぞれDACアンプが接続されている。但し、図1には成形偏向器47、位置偏向器50に接続されているDACアンプそれぞれ1つずつのみを示し、その他のDACアンプを示していない。ステージ制御部36は、XYステージ61と制御計算機31とに接続し、XYステージ61の動きを検出するとともに、XYステージ61の上に載置される試料Mが所望の位置となるように描画処理に合わせてXYステージ61を移動させる。制御計算機31内には、データ処理部31aと、設定部31bと、演算部31cと、描画条件算出部31dの各部が設けられている。データ処理部31aと、設定部31bと、演算部31cと、描画条件算出部31dは、プログラムといったソフトウェアで構成されても良く、ハードウェアで構成されても良い。また、ソフトウェアとハードウェアとの組み合わせで構成されても良い。データ処理部31aと、設定部31bと、演算部31cと、描画条件算出部31dとが、上述したようにソフトウェアを含んで構成される場合、制御計算機31に入力される入力データ、或いは、演算された結果は、都度メモリ37に記憶される。記憶装置38には、試料へのターゲットパターン、バックグラウンドパターンの露光に当たり、この試料に塗布されるレジスト種ごとにそれぞれ設定される、少なくとも許容最大露光量、近接効果係数に関する情報が記憶される。また、記憶装置38には、試料上の座標測定用のレイアウトデータも登録記憶されている。これら許容最大露光量や近接効果係数等の情報は、例えば、荷電粒子ビーム描画装置1の立ち上げや保守点検時に、例えば、荷電粒子ビーム描画装置1の製造メーカーの技術者等によって予め記憶される。なお、図1に示す本発明の実施の形態における荷電粒子ビーム描画装置1には、本発明の実施の形態を説明する上で必要な構成のみを示している。従って、その他の構成、例えば、各レンズを制御する制御回路等が付加されていても良い。また、ここでは電子ビームの位置偏向に1段の偏向器を用いるが、これに限られるものではなく、例えば、主副2段の多段偏向器によって位置偏向を行うようにされていても良い。荷電粒子ビーム描画装置1は、以下のように動作して対象へ描画を行う。電子銃41放出部から放出された電子ビームBは、ブランキング偏向器43内を通過する際、ブランキング偏向器43によってONの状態にされている場合に電子ビームBがブランキングアパーチャ44を通過するように制御される。一方、OFFの状態では、電子ビームB全体がブランキングアパーチャ44で遮蔽されるように偏向される図1において破線で示している。ブランキングアンプ33からの偏向電圧がOFFからONとなり、その後再度OFFになるまでにブランキングアパーチャ44を通過した電子ビームBが1回の電子ビームのショットとなる。かかる電子ビームBがブランキングアパーチャ44を通過する状態、ブランキングアパーチャ44によって遮蔽される状態を交互に生成する偏向電圧がブランキングアンプ33から出力される。そしてブランキング偏向器43は、ブランキングアンプ33から出力された偏向電圧によって、通過する電子ビームBの向きを制御して、電子ビームBがブランキングアパーチャ44を通過する状態、ブランキングアパーチャ44によって遮蔽される状態を交互に生成する。以上のようにブランキング偏向器43とブランキングアパーチャ44とを通過することによって生成された各ショットの電子ビームBは、照明レンズ42により矩形、例えば、長方形の孔を持つ第1の成形アパーチャ45全体を照明する。ここで電子ビームBをまず矩形、例えば長方形に成形する。そして、第1の成形アパーチャ45を通過した第1のアパーチャ像の電子ビームBは、投影レンズ46により第2の成形アパーチャ48上に投影される。第1の成形アパーチャ45を通過した電子ビームBの向きを制御するための偏向電圧がDACアンプ34から印加された成形偏向器47によって、かかる第2の成形アパーチャ48上での第1のアパーチャ像は偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。第2の成形アパーチャ48を通過した電子ビームBの照射位置を制御するための偏向電圧がDACアンプ35から位置偏向器50に対して出力される。第2の成形アパーチャ48を通過し第2のアパーチャ像とされた電子ビームBは、対物レンズ49により焦点を合わせられ、連続的に移動するXYステージ61に配置された試料の所望する位置に照射される。図2は、本発明の実施の形態における露光による露光量分布をレジストの断面について示した模式図である。図2に示す模式図では、縦軸に電子ビームBによって試料に露光される量、具体的には、ビームボケや近接効果を考慮した実効露光量が示されている。また、横軸は、図形パターンが形成される位置、より詳しくは、ラインパターン横軸に垂直な線上の実効露光量の一次元分布を示しており、その線上での位置を示している。縦軸にはEthという閾値が示されており、その閾値の位置が破線で示されている。ここで、試料Mに塗布されたレジストに図形パターンが形成されるということは、電子ビームBをパターン面に露光してそのレジストの性質を変化させることによって、解像処理における現像液に対して不溶、或いは、可溶にすることで図形パターンを残す形成するということである。この閾値Ethは、露光量が破線を超えている場合に限って解像が可能となる値である。従って、当該閾値以下の露光量では解像処理を行っても解像されないため、たとえ電子ビームBを露光したとしても図形パターンとして形成されることはない。この閾値Ethは、図形パターンが形成されるレジストの性質や、露光時間等の様々な要因を基に設定されるが、いわゆる閾値ドーズモデルが当て嵌まる。なお、本発明の実施の形態において使用されるレジストは、電子ビーム照射時の加熱によるレジスト飛散を防ぐ目的のため、例えば、2回、或いは、4回に分けた露光を行う必要があるレジストである。このように図形パターンを形成するに当たって複数回の電子ビームBの照射露光を必要とするレジストを多重露光が必要なレジストである。また、本発明の実施の形態においては、電子ビームBの露光量が閾値Ethを超えずに解像されない図形パターンをバックグラウンドパターンBGPと表わす。また当該バックグラウンドパターンBGPの上に載り、すなわち、バックグラウンドパターンBGPの露光の後又は前に露光され、解像処理によって解像される程度に露光されて形成される図形パターンをターゲットパターンTPと表わす。このターゲットパターンTPの形状については、例えば図4に示すようにI型であっても、或いは十字型等、様々な形状が考えられる。また、バックグラウンドパターンBGPの露光量分布は1回または複数回の電子ビームBの露光によって形成され、ターゲットパターンTPの露光量分布は、1回の電子ビームBの露光によって形成される。従って、電子ビームBによって総じて複数回の露光が行われることになるため、露光量分布D1全体としては、いわゆる多重露光がなされることで形成される。次に振動ノイズの測定の流れについて図3に示すフローチャートを基に説明する。また、どのような露光量をもってターゲットパターンTP及びバックグラウンドパターンBGPを形成するかについては、適宜図2を用いて説明する。ここで振動ノイズとは、荷電粒子ビーム描画装置1で試料Mを描画する際、試料上に形成される図形パターンの位置の精度に影響するノイズのことを示している。この振動ノイズとして以下の3つを挙げることができる。1つ目は、電磁場による電子ビームの振動である。これは、例えば、商用電源等の環境ノイズ、或いは、偏向アンプDACアンプの出力ノイズである。この振動があると、電子ビームBの軌道に影響し、試料M上の着地点露光位置にずれが生じる。2つ目は、試料Mを搭載するXYステージ61等の機械的振動である。この機械的振動としては,例えば、荷電粒子ビーム描画装置1の設置場所における地面の振動、起因、真空ポンプやXYステージ61の駆動モータといった荷電粒子ビーム描画装置1を構成するパーツによる加振やXYステージ61固有の振動を挙げることができる。このような機械的振動が発生すると、上述した通り、電子ビームBの露光位置のずれやそもそもの電子ビームBの発射位置にもずれが生じうる。そして3つ目は、レーザ測長系を構成する素子等、光学部品の振動によるXYステージ測定座標のみかけの振動等、である。荷電粒子ビーム描画装置1では、図1では図示しないレーザ干渉計で測定したXYステージの座標を制御部3にフィードバックしてXYステージの駆動を行っている。そのため、光学部品の揺れで光路長が揺らぐとXYステージが揺らいで駆動されることになり、結果として、試料M上の露光位置にずれが生ずることになる。このように電子ビームBの露光位置が図形パターンの設計位置からずれてしまうと、パターン寸法の均一性やパターンの位置ずれ量といった試料Mの精度を劣化させることになる。そこで、ある時点で振動ノイズを測定しそのずれを把握し、必要があれば補正することで、試料Mに形成される図形パターンの精度劣化を防止する。なお、以下に説明する振動ノイズの測定の流れにおけるターゲットパターンTPとバックグラウンドパターンBGPの露光量の設定に当たっては、事前に近接効果補正を掛けないことを前提としている。これは、特に振動ノイズの測定が荷電粒子ビーム描画装置1の起動に際して行われる場合、事前に近接効果補正を掛けるためのパラメータを把握しておくことは困難であることも多いと考えられるからである。但し、近接効果補正をかけて描画する場合も以下と同様な考え方で露光量を決めることができる。まず図形パターンを形成する試料に塗布されるレジスト及び形成のプロセスによって設定されるドーズ量の閾値Ethを確認するST1。具体的には、図4のフローチャートに示されている流れに従って確認が行われる。いわば図4に示す手順は、試料への描画条件を設定するに当たって前提となる情報を揃える手順であると言える。すなわち、まずターゲットパターンTP等の形成のために描画室6内のXYステージ61上に設置される試料に塗布されているレジストに関する情報が入力される。実際には、当該情報は荷電粒子ビーム描画装置1のオペレータによって図1には図示していない入力部を介して入力されることになるため、当該情報を制御計算機31内において受信したことをもって確認するST11。さらに同じようにオペレータによって入力される情報として、ノイズ測定用レイアウトについての試料への描画ジョブの登録信号を受信するST12。なお、多重露光が必要なレジストに対して1回の露光で図形パターンを形成する描画方法は、振動ノイズの測定のみならず、描画パターン位置精度の測定に際しても使用することができる。従って、図4においては、ノイズ測定用レイアウトと示しているが、描画パターン位置精度の測定に使用可能な座標測定レイアウトでもあると言える。これらオペレータによる入力情報を受信した制御計算機31は、これらの情報を基に。記憶装置38から該当するレジストに関する許容最大露光量や近接効果係数を読み出すとともに、併せてノイズ測定用レイアウトに関するデータも読み出すST13、14。その上で、これら読み出された情報を基にして、描画条件算出部31dがターゲットパターンTPの端S図2参照での総露光量Etarget[μC/cm2]を算出し、閾値Ethに合わせて設定するST2。この端Sは、図形パターンであるターゲットパターンTPが形成された場合にその輪郭部となる部分である。また、ターゲットパターンTPの端Sと端Sとの間の距離Lが、ターゲットパターンTPの露光領域の幅であり設計寸法である。この設計寸法に従って、解像処理の際に距離Lを確保する必要があることから、ターゲットパターンTPの端Sでの総露光量Etargetを閾値Ethと設定する。次に、ターゲットパターンTPの露光量Dtを設定するST3。ターゲットパターンTPは、振動ノイズの測定に当たってその位置を測定するための指標として用いられる。従って、1度の電子ビームBの露光によってレジストが飛散せず、一方で確実にターゲットパターンTPを形成する必要がある。そこでレジストが飛散することがない範囲内で最大限の露光量をもって電子ビームBを露光するよう露光量Dtを設定する。図2に示すように、設定される露光量Dtは、ターゲットパターンTPの露光量分布の高さを表わす。簡単のためここではターゲットパターンTPの幅が小さくターゲットパターンTPを露光する際の近接効果による露光量が無視できるとしている。なお、以下、このターゲットパターンTPの露光量Dtを適宜第1の露光量Dtと表わす。以上で第1の露光量Dtが設定されたので、次にバックグラウンドパターンBGPの露光量Dbgを設定するST4。このバックグラウンドパターンBGPは、振動ノイズの測定を行う際に測定の対象となるターゲットパターンTPの露光量を嵩上げすることが目的である。また、振動ノイズの測定は、ターゲットパターンTPの位置のずれを基に測定されることになるため、バックグラウンドパターンBGPが解像処理によって解像されてしまっては測定を行うことができない。従って、バックグラウンドパターンBGPの露光量Dbgは、ターゲットパターンTPの露光量Dt及び総露光量Etargetを基に、閾値Ethに達しない露光量に設定される。なお、以下、このバックグラウンドパターンBGPの露光量Dbgを適宜第2の露光量Dbgと表わす。ここで、上述したように閾値Eth=総露光量Etargetである。また、ターゲットパターンTPの端SがバックグラウンドパターンBGPの端のビームボケ部分に重ならないようにすることを考慮すると、総露光量Etargetは以下の式で与えられる。すなわち、となる。この式の中でηUtは、ターゲットパターンTPの近接効果密度Utに近接効果計数ηを乗じたものである。また、ηUbgは、バックグラウンドパターンBGPの近接効果密度Ubgに近接効果計数ηを乗じたものである。また、Dは、試料Mのレジストに打ち込む電子の量としての露光量を示し、Eは近接効果等を加味した総露光量を示している単位はいずれも[μC/cm2]。先に述べたように図2では簡単のためUt~0と仮定しているが以下の議論はこの条件に限るものではない。1式を基にすると、バックグラウンドパターンBGPの露光量Dbgである第2の露光量Dbgは、次の式、すなわち、によって求められる。これら1式、或いは、2式に示されている1/2の値は、電子ビームBのビームボケによって、ショット端、すなわちターゲットパターンTPで示せば端Sの位置で電子ビームBの露光量が半減する効果を示しており、ターゲットパターンTP端Sの位置での総露光量Etargetを基準にバックグラウンドパターンBGPの露光量を決めることを表している。なおここで、ビームボケとは、電子ビームBがレジスト上に露光される際にぼけるぼやけることを指す。ビームボケ量として把握されるのは、電子ビームBがレジスト面上で結像する際電子光学系の性能限界のためにボケる量と露光によりレジスト中で生成された反応基酸が拡散する効果の量との2種類の量である。このように1/2と設定されるのは、設計寸法とレジストパターンの幅とが略同じとなるようにするためである。但し、この1/20.5は、例えば0.3であっても良い。本発明の実施の形態における振動ノイズの測定は、設計寸法の問題ではなくパターン位置のずれ量に関する問題の解決のためになされるものである。つまりここでのターゲットパターンTPの役割は、上述したように、振動ノイズの測定に当たってその位置ずれを計測する際に使用される指標たり得ることである。従って、ビームボケでターゲットパターンTPの端Sで照射量が半減するとしないことも可能である。図形パターンがきちんと形成されていれば輪郭部が試料M上に明確に現われていれば、露光量によってその位置が変化する高さは問題としなくても足りると考えられる。また、バックグラウンドパターンBGPの形成に当たっては、1度の露光でも良いが、バックグラウンドパターンBGPの露光量Dbgを満たすように複数回の露光を行うことがより好ましい。なお、バックグラウンドパターンBGPのうち、ターゲットパターンTPと重複しない領域の露光量Ebg図2参照は、次式で与えられる。すなわち、となる。ここでターゲットパターンTPの幅L、または図2で図示した領域の幅に比べ近接効果分布半径は十分広いとして近接効果による露光量を位置に依存しない量ηUbgで近似している。また、図2におけるバックグラウンドパターンBGPでは、ターゲットパターンTPの周囲とその外側とではその露光量が相違する。外側における露光量については、ターゲットパターンTPと重複しない領域の露光量Ebgから露光量Dbgを引いた値で示すことができる。具体的には3式から2式を引くことで、ηDbgUbgとの値が算出される。以上説明したように、第1の露光量Dtと第2の露光量Dbgとが設定された後、まず、バックグラウンドパターンBGPについて電子ビームBの露光が行われるST5。バックグラウンドパターンBGP及びターゲットパターンTPが露光されるレジストは、電子ビームBの複数回の露光が必要なレジストである。そこで、第2の露光量Dbgを充足するように、バックグラウンドパターンBGPの露光に当たって、例えば、上述したステップST4において規定された回数に分けて電子ビームBの露光が行われる。当該露光が規定された回数行われなければST6のNO、その回数に該当するまで何度も露光が行われる。ここで規定の回数露光が行われたか否かの確認は、例えば、制御計算機31、或いは、偏向制御部32において行われても良い。規定回数の露光が終了した場合にはST6のYES、次に、ターゲットパターンTPの形成のために電子ビームBの露光を行うST7。ターゲットパターンTPの露光に際しては、上述したように多重露光によるビーム位置の平均化を避けるべく、1度のみ露光を行う。また、レジストが飛散することがない範囲内で最大限の露光量をもって電子ビームBを露光するよう設定された第1の露光量Dtで露光を行う。以上で、荷電粒子ビーム描画装置1におけるノイズ測定のためのターゲットパターンTP及びバックグラウンドパターンBGPの描画露光は終了する。なお、この後、描画が終わった試料マスクが描画装置1から取り出され解像処理が行われる。解像処理はPEBPostExposureBakingと呼ばれるマスクの加熱処理、現像による工程であるが一般には更にCr層の剥離工程エッチングが行われる。ここまでの処理によりターゲットパターンTPが形成される。その後、このターゲットパターンTPの位置を、例えば、マスク用パターン位置測定器を用いて測定する。以下、バックグラウンドパターンBGPの形成について、2つの例を挙げて説明する。まず、図5は、本発明の実施の形態における露光による露光量分布をレジストの断面について示した模式図である。また、図6は、本発明の実施の形態において露光される領域を平面で示す平面図である。図5に示す電子ビームBの露光の方法は、バックグラウンドパターンBGP1をターゲットパターンTP1が形成される領域を取り囲むように配置する方法である。簡単のため図5、6ではバックグラウンドパターン1の中に1つだけターゲットパターンTPが配置されていることとする。但し、複数のターゲットパターンTPが配置されることを想定することも可能である。この方法で電子ビームBを露光すると、図2に示すバックグラウンドパターンBGPと比較しても明らかなように、バックグラウンドパターンBGP1による露光量分布はターゲットパターンTP1の下で均一に形成される。このバックグラウンドパターンBGP1をターゲットパターンTP1とともに平面的に示すと、図6に示されるように、ターゲットパターンTP1が形成される領域の全てに亘ってバックグラウンドパターンBGP1が配置され、その略中央にターゲットパターンTP1が配置されている。なお、図5においては、閾値Eth以下の露光量のため通常であれば解像されないバックグラウンドパターンBGP1についても説明の都合上、解像処理されたかのように示している。なお、ここではバックグラウンドパターンBGP1をターゲットパターンTP1が形成される領域の全てに形成しているが、バックグラウンドパターンBGPの端が、最低限ターゲットパターンTP1の端Sから所定の幅離れて形成されれば足りる。ここでの所定の幅とは、例えば、バックグラウンドパターンBGPは、ターゲットパターンTPのある領域を近接効果半径の、例えば3倍以上の幅、である。このように所定の幅を設定するのは、ターゲットパターンTPの端SがバックグラウンドパターンBGPの端のビームボケ部分に重ならないようにするためである。すなわち、バックグラウンドパターンBGPの端近傍においては、バックグラウンドパターンBGPからの近接効果によるドーズ量が一定ではない。従って、このような領域にターゲットパターンTPを配置すると、バックグラウンドパターンBGPの端に近いターゲットパターンTPは、総ドーズ量が少なくなりその寸法が細くなってしまったり、或いは、解像処理を行っても解像されないことも考えられる。前者の理由に関しては、ターゲットパターンTPが露光位置のずれを把握するための指標として用いられることを考えれば特に考慮しなくても足りるとも考えられるが、念のためにターゲットパターンTPの露光量が一様となるように設定することが好ましい。また、バックグラウンドパターンBGPの端近傍においてバックグラウンドパターンBGPからの近接効果によるドーズ量が一定ではない領域の幅は、近接効果半径に依存することから、上述した所定の幅の設定も近接効果半径のX倍という設定の仕方になる。2つ目の方法は、ターゲットパターンTPの周囲に予め定められている必要最小限の範囲にのみバックグラウンドパターンBGPを形成する方法である。図7は、本発明の実施の形態における電子ビームBの露光量と形成される図形パターンとの関係を示す模式図である。また、図8は、本発明の実施の形態において露光される図形パターンを平面で示す平面図である。図7に示すバックグラウンドパターンBGP2は、図5で示すバックグラウンドパターンBGP1とは異なり、もともとターゲットパターンTP2を中心にあるその輪郭部から所定の幅となるように配置される。すなわち、図8に示すように、ターゲットパターンTP2の輪郭部の周囲に所定の幅でバックグラウンドパターンBGP2が配置される。ここでの所定の幅とは、理論的には、ビームボケ幅の3倍以上の幅である。このビームボケ幅の3倍以上の幅とは、例えば、ターゲットパターンTPの端SからバックグラウンドパターンBGPの端までの距離が500nm程度である。以上説明した方法で図形パターンを形成することで、多重露光が必要なレジストを用いて振動ノイズの測定を行うに当たって、複数回の露光に起因する図形パターンの位置のノイズ成分を減衰させることなく、簡易かつ確実に定量的に振動ノイズの測定を行うことが可能な荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置を提供することが可能となる。また、例えば、振動ノイズの測定の指標として使用されるターゲットパターンの形成に当たっては、本発明の実施の形態においては、1回の電子ビームの露光によって形成することを前提として説明した。但し、レジストの性質等によっては、ターゲットパターンの形成のために電子ビームを2回露光することを妨げるものではない。さらには、上記本発明の実施の形態における振動ノイズの測定を行う場合、ターゲットパターンやバックグラウンドパターンに対して近接効果補正を事前に掛けないことを前提にしている。但し、近接効果補正を掛けるに当たって必要なパラメータを把握した上で、近接効果補正を掛けた後に振動ノイズの測定を行うことも可能である。この場合、バックグラウンドパターンへの近接効果補正として、ターゲットパターンの輪郭部における幅は、例えば、ビームボケ幅の3倍程度を見込んで行えば足りると考えられる。本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図していない。この実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。この実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"