"フォトマスクパターンを形成するフォトマスクパターン形成装置において、該フォトマスクパターンの入力設計データから、微細化により膜べりが問題となる特定部分を含む所定パターンを抽出しかつ抽出した所定パターンの特定部分のサイズが規定値よりも小さいかどうかを判定するパターンチェック手段を有するフォトマスクパターン形成装置。前記パターンチェック手段は、前記入力設計データから前記所定パターンを抽出するパターン認識手段と、該抽出した所定パターンの特定部分のサイズが前記規定値よりも小さいかどうかを判定するサイズ判定手段とを有している請求項1に記載のフォトマスクパターン形成装置。前記サイズ判定手段が前記規定値よりも小さいと判定した前記所定パターンの特定部分のサイズを該規定値に操作入力により修正可能とする請求項2に記載のフォトマスクパターン形成装置。前記サイズ判定手段が前記規定値よりも小さいと判定した前記所定パターンの特定部分のサイズを該規定値に自動修正するサイズ修正手段を更に有する請求項2に記載のフォトマスクパターン形成装置。前記パターンチェック手段がパターンチェックを行う入力設計データの領域を入力領域指示により指定可能とするパターンチェック領域指定手段を更に有する請求項2~4のいずれかに記載のフォトマスクパターン形成装置。前記微細化により膜べりが問題となる特定部分を含む所定パターンは、H字、U字、h字、クランク形状および上下のずれたH字の少なくともいずれかである請求項1に記載のフォトマスクパターン形成装置。前記パターンチェック手段は、前記所定パターンの特定部分のブリッジ部の長さが規定値よりも短く、該所定パターンの特定部分の幅が規定値よりも細い場合に、OPC処理およびフォトリソ工程後にレジスト膜べりを起こすパターンとして、修正を必要とするNG部分と判定する請求項1に記載のフォトマスクパターン形成装置。前記所定パターンの特定部分のサイズとして、レジストマスクが膜べりしないサイズを前記規定値としている請求項1に記載のフォトマスクパターン形成装置。フォトマスクパターンを形成するフォトマスクパターン形成方法において、パターンチェック手段が、該フォトマスクパターンの入力設計データから、微細化により膜べりが問題となる特定部分を含む所定パターンを抽出しかつ抽出した所定パターンの特定部分のサイズが規定値よりも小さいかどうかを判定するパターンチェックステップを有するフォトマスクパターン形成方法。前記パターンチェックステップは、パターン認識手段が、前記入力設計データから前記所定パターンを抽出するパターン認識ステップと、サイズ判定手段が、該抽出した所定パターンの特定部分のサイズが前記規定値よりも小さいかどうかを判定するサイズ判定ステップとを有している請求項9に記載のフォトマスクパターン形成方法。前記サイズ判定ステップで前記規定値よりも小さいと判定した前記所定パターンの特定部分のサイズを該規定値に操作入力により修正可能とする請求項10に記載のフォトマスクパターン形成方法。前記サイズ判定ステップで、前記規定値よりも小さいと判定した前記所定パターンの特定部分のサイズを、サイズ修正手段が該規定値に自動修正するサイズ修正ステップを更に有する請求項10に記載のフォトマスクパターン形成方法。パターンチェック領域指定手段が、前記パターンチェックステップでパターンチェックを行う入力設計データの領域を入力領域指示により指定可能とするパターンチェック領域指定ステップを更に有する請求項10~12のいずれかに記載のフォトマスクパターン形成方法。前記微細化により膜べりが問題となる特定部分を含む所定パターンは、H字、U字、h字、クランク形状および上下のずれたH字の少なくともいずれかである請求項9に記載のフォトマスクパターン形成方法。前記パターンチェックステップは、前記パターンチェック手段が、前記所定パターンの特定部分のブリッジ部の長さが規定値よりも短く、該所定パターンの特定部分の幅が規定値よりも細い場合に、OPC処理およびフォトリソ工程後にレジスト膜べりを起こすパターンとして、修正を必要とするNG部分と判定する請求項9に記載のフォトマスクパターン形成方法。前記所定パターンの特定部分のサイズとして、レジストマスクが膜べりしないサイズを前記規定値としている請求項9に記載のフォトマスクパターン形成方法。請求項9~16のいずれかに記載のフォトマスクパターン形成方法を用いて、該フォトマスクパターンデータをOPC処理し、OPC処理したフォトマスクパターンデータに基づいてフォトマスクを作成するフォトマスクの製造方法。請求項17に記載のフォトマスクの製造方法により作成されたフォトマスクを用いて、フォトリソ工程によりレジストマスクを作成し、該レジストマスクをマスクとしてエッチング工程を実施することにより半導体集積回路を製造する半導体集積回路の製造方法。請求項9~16のいずれかに記載のフォトマスクパターン形成方法の各ステップをコンピュータに実行させるための処理手順が記述された制御プログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な可読記憶媒体。現在の半導体集積回路の更なる高集積化および微細化によりレジストマスクの膜べりによる3次元的形状が問題となってきている。つまり、本来垂直となるべきレジストマスクの側面壁があるテーパ状の傾きを持つことになり、レジストマスクの形状が、最下部のウエハと接する部分と最上部とでは形状が著しく異なる場合がある。また、レジストマスクの高さがフォト現像工程前に比べて著しく低くなるような場合がある。このような高さが低いレジストマスクを用いて、本来形状が欲しい被エッチング層に対してエッチング工程を行うと、エッチング工程中にレジストマスクの上面部がなくなっていき、所謂膜べりを起こし、所望のエッチング後のパターン形状をエッチング工程後に得ることができなくなる。このような現象は従来技術にて行っているレジストマスクの最下部のウエハと接する部分のパターン及びそのサイズをシミュレーションでパターン形状を予測し、検証する手法では予測が不可能である。この場合、実際のエッチング工程でのみエッチング工程の加工の可否が判明するため、実際のエッチング工程で加工の可否をチェックした後に、加工に問題がある場合は設計データへの修正が行われているのが現状である。このように、ステップS103およびS104のOPC処理後チェックや、S109のフォト後チェックで修正が必要となった場合に、工程の手戻りが大きく、その修正に時間がかかり、工程全体の処理スピードが問題となっている。本発明は、上記従来の問題を解決するもので、設計データ時点でのパターンチェックにより、その後のOPC処理、マスク作成およびフォトリソ工程での問題発生を事前に防止することができて、手戻りと修正時間が大幅に少なくて済み、工程全体の時間短縮を図ることができるフォトマスクパターン形成装置およびフォトマスクパターン形成方法、これらのフォトマスクパターン形成装置およびフォトマスクパターン形成方法を用いてフォトマスクを製造するフォトマスクの製造方法、このフォトマスクを使用して半導体集積回路を製造するフォトマスクを使用する半導体集積回路の製造方法、方法の各工程をコンピュータに実行させるための処理手順が記述された制御プログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な可読記憶媒体を提供することを目的とする。本発明のフォトマスクパターン形成装置は、フォトマスクパターンを形成するフォトマスクパターン形成装置において、該フォトマスクパターンの入力設計データから、微細化により膜べりが問題となる特定部分を含む所定パターンを抽出しかつ抽出した所定パターンの特定部分のサイズが規定値よりも小さいかどうかを判定するパターンチェック手段を有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。また、好ましくは、本発明のフォトマスクパターン形成装置におけるパターンチェック手段は、前記入力設計データから前記所定パターンを抽出するパターン認識手段と、該抽出した所定パターンの特定部分のサイズが前記規定値よりも小さいかどうかを判定するサイズ判定手段とを有している。さらに、好ましくは、本発明のフォトマスクパターン形成装置におけるサイズ判定手段が前記規定値よりも小さいと判定した前記所定パターンの特定部分のサイズを該規定値に操作入力により修正可能とする。さらに、好ましくは、本発明のフォトマスクパターン形成装置におけるサイズ判定手段が前記規定値よりも小さいと判定した前記所定パターンの特定部分のサイズを該規定値に自動修正するサイズ修正手段を更に有する。さらに、好ましくは、本発明のフォトマスクパターン形成装置におけるパターンチェック手段がパターンチェックを行う入力設計データの領域を入力領域指示により指定可能とするパターンチェック領域指定手段を更に有する。さらに、好ましくは、本発明のフォトマスクパターン形成装置における微細化により膜べりが問題となる特定部分を含む所定パターンは、H字、U字、h字、クランク形状および上下のずれたH字の少なくともいずれかである。さらに、好ましくは、本発明のフォトマスクパターン形成装置におけるパターンチェック手段は、前記所定パターンの特定部分のブリッジ部の長さが規定値よりも短く、該所定パターンの特定部分の幅が規定値よりも細い場合に、OPC処理およびフォトリソ工程後にレジスト膜べりを起こすパターンとして、修正を必要とするNG部分と判定する。さらに、好ましくは、本発明のフォトマスクパターン形成装置における所定パターンの特定部分のサイズとして、レジストマスクが膜べりしないサイズを前記規定値としている。本発明のフォトマスクパターン形成方法は、フォトマスクパターンを形成するフォトマスクパターン形成方法において、パターンチェック手段が、該フォトマスクパターンの入力設計データから、微細化により膜べりが問題となる特定部分を含む所定パターンを抽出しかつ抽出した所定パターンの特定部分のサイズが規定値よりも小さいかどうかを判定するパターンチェックステップを有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。また、好ましくは、本発明のフォトマスクパターン形成方法におけるパターンチェックステップは、パターン認識手段が、前記入力設計データから前記所定パターンを抽出するパターン認識ステップと、サイズ判定手段が、該抽出した所定パターンの特定部分のサイズが前記規定値よりも小さいかどうかを判定するサイズ判定ステップとを有している。さらに、好ましくは、本発明のフォトマスクパターン形成方法におけるサイズ判定ステップで前記規定値よりも小さいと判定した前記所定パターンの特定部分のサイズを該規定値に操作入力により修正可能とする。さらに、好ましくは、本発明のフォトマスクパターン形成方法におけるサイズ判定ステップで、前記規定値よりも小さいと判定した前記所定パターンの特定部分のサイズを、サイズ修正手段が該規定値に自動修正するサイズ修正ステップを更に有する。さらに、好ましくは、本発明のフォトマスクパターン形成方法において、パターンチェック領域指定手段が、前記パターンチェックステップでパターンチェックを行う入力設計データの領域を入力領域指示により指定可能とするパターンチェック領域指定ステップを更に有する。さらに、好ましくは、本発明のフォトマスクパターン形成方法において、前記微細化により膜べりが問題となる特定部分を含む所定パターンは、H字、U字、h字、クランク形状および上下のずれたH字の少なくともいずれかである。さらに、好ましくは、本発明のフォトマスクパターン形成方法におけるパターンチェックステップは、前記パターンチェック手段が、前記所定パターンの特定部分のブリッジ部の長さが規定値よりも短く、該所定パターンの特定部分の幅が規定値よりも細い場合に、OPC処理およびフォトリソ工程後にレジスト膜べりを起こすパターンとして、修正を必要とするNG部分と判定する。さらに、好ましくは、本発明のフォトマスクパターン形成方法における所定パターンの特定部分のサイズとして、レジストマスクが膜べりしないサイズを前記規定値としている。本発明のフォトマスクの製造方法は、本発明の上記フォトマスクパターン形成方法を用いて、結果的にレジストマスクが膜べりしないフォトマスクパターンデータを得、該フォトマスクパターンデータをOPC処理し、OPC処理したフォトマスクパターンデータに基づいてフォトマスクを作成するものであり、そのことにより上記目的が達成される。即ち、この本発明のフォトマスクの製造方法は、フォトマスクパターン形成方法を用いて、該フォトマスクパターンデータをOPC処理し、OPC処理したフォトマスクパターンデータに基づいてフォトマスクを作成するものであり、そのことにより上記目的が達成される。本発明の半導体集積回路の製造方法は、本発明の上記フォトマスクの製造方法により作成されたフォトマスクを用いて、フォトリソ工程によりレジストマスクを作成し、該レジストマスクをマスクとしてエッチング工程を実施することにより半導体集積回路を製造するものであり、そのことにより上記目的が達成される。本発明の制御プログラムは、本発明の上記フォトマスクパターン形成方法の各ステップをコンピュータに実行させるための処理手順が記述されたものであり、そのことにより上記目的が達成される。本発明の可読記憶媒体は、本発明の上記制御プログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能なものであり、そのことにより上記目的が達成される。即ち、本発明の可読記憶媒体は、本発明の上記フォトマスクパターン形成方法の各ステップをコンピュータに実行させるための処理手順が記述された制御プログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能なものであり、そのことにより上記目的が達成される。上記構成により、以下、本発明の作用を説明する。本発明においては、フォトマスクパターンを形成するフォトマスクパターン形成装置において、フォトマスクパターンの入力設計データから、微細化により膜べりが問題となる特定部分を含む所定パターンを抽出しかつ抽出した所定パターンの特定部分のサイズが規定値よりも小さいかどうかを判定するパターンチェック手段を有している。このパターンチェック手段によるパターンチェックの検証後に問題NGがあった場合に、工程の最初の設計データに対して、問題が無い状態へ設計データを変更する作業を手動または自動的に行う。これによって、設計データ時点でのパターンチェックにより、その後のOPC処理、フォトマスク作成、フォトリソ工程およびエッチング工程での問題発生を事前に防止することができて、手戻りと修正時間が大幅に少なくて済み、工程全体の時間短縮を図ることが可能となる。以上により、本発明によれば、設計データ時点でのパターンチェックにより、その後のOPC処理、フォトマスク作成、フォトリソ工程およびエッチング工程での問題発生を事前に防止することができて、手戻りと修正時間が大幅に少なくて済み、工程全体の時間短縮を図ることができる。以下に、本発明のフォトマスクパターン形成装置およびこれを用いたフォトマスクパターン形成方法、これらを用いたフォトマスクの製造方法、このフォトマスクの製造方法が用いられた半導体集積回路の製造方法の実施形態1~3について図面を参照しながら詳細に説明する。実施形態1図1は、本発明の実施形態1におけるフォトマスクパターン形成装置の要部ハード構成例を示すブロック図である。図1において、本実施形態1のフォトマスクパターン形成装置10は、全体の制御を行う制御手段としてのCPU1中央演算処理装置と、CPU1に対して入力指令を行うためのキーボード、マウス、タッチパネルおよびペン入力装置、さらには通信ネットワーク例えばインターネットやイントラネットを介して受信入力する入力装置などの操作部2と、表示画面上に、初期画面、選択画面、CPU1による制御結果画面および操作入力画面などを表示する表示部3と、制御プログラムおよびそのデータなどが記憶されたコンピュータ読み出し可能な可読記録媒体としてのROM4と、起動時に制御プログラムおよびそのデータなどが読み出されて、CPU1による制御毎にデータを読み出し記憶するワークメモリとして働く記憶部としてのRAM5と、各種データおよび基準の規定値が記憶されているデータベース6とを有している。CPU1制御手段は、操作部2からの入力指令の他、ROM4内からRAM5内に読み出された制御プログラムおよびこれに用いる各種データに基づいて、微細化により膜べりが問題となる所定のパターンを入力配線パターンから抽出するパターン認識手段11と、抽出した所定のパターンの特定部分のサイズが基準値閾値;規定値Aよりも小さいかどうかを判定するサイズ判定手段12とを有している。パターン認識手段11は、OPC処理前の入力配線パターン中から、微細化により膜べりが問題となる所定のパターンとして、図2のH字、図3のU字、図4のh字、図5のクランクおよび、図6の上下のずれたH字パターンの各パターン形状かどうかをパターン判定し、所定のパターンと判定したパターンを入力配線パターンから抽出する。サイズ判定手段12は、微細化により膜べりが問題となる図2~図6の所定のパターンにおいて、サイズ判定箇所の幅Wおよび間隔Lの各サイズを所定の閾値と比較して小さいかどうかを判定する。サイズ判定箇所の幅Wおよび間隔Lの各サイズを所定の閾値よりも小さい場合にNG部分と判定する。このサイズ判定箇所とは、図2のH字では、H字の真中の横方向の繋がり部分の幅WおよびH字の縦ラインの間隔Lとし、図3のU字では、U字の横方向の繋がり部分の幅WおよびU字の縦ラインの間隔Lとし、図4のh字では、h字の真中の横方向の繋がり部分の幅Wおよびh字の縦ラインの間隔Lとし、図5のクランクでは、クランクの真中の横方向の繋がり部分の幅Wおよびのクランクの縦ラインの間隔Lとし、さらに、図6の上下のずれたH字では、上下のずれたH字の真中の横方向の繋がり部分の幅Wおよび、上下のずれたH字の内側の縦ラインの間隔Lとしている。サイズ判定手段12がNG部分と判定した場合、そのNG部分のサイズを適正サイズ例えば規定値Aに操作部2からの修正入力や、複数の値を表示画面上に表示させて操作部2から選択入力することにより修正することができる。上記従来技術の問題判明から、配線などの設計データの修正までの後戻りの工程が多く無駄が多い。この後戻りの工程を少なくするためには、エッチング工程よりも以前にエッチング工程での問題をチェック検証する必要がある。OPC処理前の設計データで、微細化により膜べりが問題となる特定部分を含む所定パターンとして、図2のH字、図3のU字、図4のh字、図5のクランク形状および、図6の上下のずれたH字の各パターン形状で特定部分のサイズ規定値A以下のものがあった場合にこれを問題NGとしてチェックする。この特定部分の規定値Aは実際のフォトマスクを用いて膜べりの有無から予め決定しておき、この決定した特定部分の規定値Aをデータベース6に格納しておく。これにつては詳細に後述する。ROM4は、ハードディスク、光ディスク、磁気ディスクおよびICメモリなどの可読記録媒体記憶手段で構成されている。この制御プログラムおよびこれに用いる各種データは、携帯自在な光ディスク、磁気ディスクおよびICメモリなどからROM6にダウンロードされてもよいし、コンピュータのハードディスクからROM4にダウンロードされてもよいし、無線または有線、インターネットなどを介してROM4にダウンロードされてもよい。後述する図2のフォトマスク形成方法をコンピュータに実行させるための処理手順が記述された制御プログラムをコンピュータ読み取り可能な可読記憶媒体に格納して、コンピュータCPU1によりフォトマスク形成処理を行うものである。データベース6は、設計データにおける所定パターンの特定部分における規定値Aを格納する他に、CPU1によるフォトマスク形成処理中の中間データなどの各種データを、その都度格納すると共に、必要に応じてこれらを参照可能としている。なお、データベース6はRAM5と一体で同じ記憶手段として構成されていてもよい。上記構成により、以下その動作を説明する。図7は、図1のフォトマスクパターン形成装置10を用いたフォトマスクの製造方法およびこのフォトマスクを用いた半導体集積回路の製造方法を説明するためのフローチャートである。図7に示すように、まず、ステップS1で設計配線データを入力し、ステップS2で入力設計配線データから、微細化により膜べりが問題となる所定パターン図2~図6を抽出しかつ抽出した所定のパターンの特定部分のサイズ寸法が基準値閾値;規定値Aよりも小さいかどうかを判定するパターンチェックを行って、このパターンチェックで、所定のパターンの特定部分のサイズが基準値閾値;規定値Aよりも小さい場合NGに、ステップS3でNGの所定パターンの特定部分のサイズをデータベース6内の規定値Aに対応させて手入力で修正し、このパターンチェックでOKであれば、ステップS4で所定パターンの特定部分にOPC処理を行い、ステップS5でマスクパターンのマスクデータを完成させる。そのマスクデータに基づいてステップS6でフォトマスクを作成する。このステップS1~ステップS6がフォトマスクの製造方法である。次に、ステップS6で作成したステップS7のフォトマスクを用いて、半導体集積回路の製造方法として、ステップS8でフォトリソ工程を行ってレジストマスクを所定形状にパターニングする。さらに、ステップS9でそのフォトリソ工程によって所定形状に形成したレジストマスクをマスクとして用いてエッチング工程を行う。半導体基板の所定領域へのイオン注入工程、絶縁膜やゲート膜などの成膜工程および、ゲート膜などの膜を所定形状に形成するためのエッチング工程を含む膜形成工程を繰り返してトランジスタ回路などの半導体集積回路LSIを製造することができる。即ち、パターン認識手段11およびサイズ判定手段12を備えたフォトマスクパターン形成装置10を用いて実行する図7のパターンチェックにおいて、サイズ判定手段12が、図2~図6のLengthおよびWidthに当たる部分のサイズを求め、求めたLengthのサイズが規定されたサイズ以下であり、かつWidthのサイズが規定されたサイズ規定値A以下であるかどうかを判断する。このフォトマスクパターン形成装置10を用いて実行する図7のパターンチェックは、コンピュータに上記入出力部および判断部パターン認識手段11およびサイズ判定手段12として機能する制御プログラムをROM4にインストールすることができる。パターンチェックを行う判断部パターン認識手段11およびサイズ判定手段12を用いてパターンがチェックされてNG部分が修正された配線パターンデータによりフォトマスクを作成することができる。このフォトマスクを用いて半導体装置およびこれを用いたLSIを精度よくかつ素早く作成することができる。図8は、図7のパターンチェックおよびサイズが小さい特定部分の修正処理の各ステップを用いたフォトマスクパターン形成方法を説明するためのフローチャートである。図8に示すように、まず、ステップS1で設計配線データを入力し、次に、入力設計配線データに対して、ステップS21でパターン認識手段11が所定パターンに該当するかどうかを判定する。この場合の所定パターンとは、微細化により膜べりが問題となる特定部分を持つパターンであって、例えば図2のH字、図3のU字、図4のh字、図5のクランクおよび、図6の上下のずれたH字パターンなどの各パターン形状である。これらの所定パターンを、入力設計配線データに対してパターンマッチングを行うことにより、入力設計配線データから抽出する。続いて、ステップS22で、パターン認識手段11により抽出され、微細化により膜べりが問題となる特定部分を持つ図2~図6の所定配線パターンにおいて、サイズ判定手段12がその特定箇所の幅Wおよび間隔Lに当たる部分のサイズを求める。この求めた特定箇所の幅Wおよび間隔Lに当たる部分のサイズが所定の閾値基準値よりも小さいかどうか、即ち、NGサイズかどうかを判定する。特定箇所の幅Wおよび間隔Lのサイズが所定の閾値基準値よりも小さくなく大きければNO、ステップS21の所定配線パターン抽出処理に戻り、特定箇所の幅Wおよび間隔Lのサイズが所定の閾値よりも小さければYES;NGサイズ、次のステップS3のNGサイズ部分サイズが小さい特定箇所の修正を操作者がフォトマスクパターン形成装置10の操作部2を用いて行う。即ち、求めた図2~図6のLength間隔Lのサイズが規定されたサイズ以下であり、かつ求めた図2~図6のWidth幅Wのサイズが規定されたサイズ以下の場合に、パターンチェック結果をNGサイズとして設計配線データの特定箇所の修正を手入力により線幅を太くする。実験データに基づいて予め求めておいた基準となる規定値Aに一致するように線幅を太くする。ここで、パターン認識手段11により抽出され、微細化により膜べりが問題となる特定部分を持つ図2~図6の所定配線パターンについて、実際に、設計データからOPC処理を行ってマスクデータを完成させ、そのマスクデータに基づいて作成したフォトマスクを用いてフォトリソ工程を行ってウエハ上にフォトレジスト膜をパターニングしてフォトレジスト膜の膜べりチェックを行うことにより、微細化により膜べりが問題となる特定部分を持つ所定配線パターンの特定部分のサイズ寸法に関して基準となる規定値Aを求めることができる。所定配線パターンの特定部分の基準となる規定値Aをデータをデータベース6に格納する場合について詳細に説明する。図9~図13は、微細化により膜べりが問題となる特定部分を持つフォトマスクの所定パターン形状を拡大して示す平面図である。図14は、膜べりが起こらないフォトマスクの所定パターン形状のサイズ規定値Aを決定するサイズ決定手法を模式的に示したフローチャートである。なお、設計データとフォトマスクの各所定パターン形状は基本的に同じであるが、微細化により膜べりが問題となる特定部分についてOPC処理を介すると所定パターン形状が異なることになる。この場合に、実験段階でOPC処理を介さずにフォトマスクの所定パターン形状を示したのが図9~図13のフォトマスクの所定パターン形状である。まず、図9~図13のフォトマスクの所定パターン形状において、図14に示すように、微細化により膜べりが問題となる特定部分の間隔であるLengthと、特定部分の幅であるWidthの各サイズが順次異なったパターンをフォトマスクとしステップS11、この各フォトマスクをそれぞれ用いて形成された各レジストマスクの膜べりを実際にチェックするステップS12、S13。次に、このフォトマスクとレジストマスク間において、レジストマスクの実際の膜べりチェックにより、レジストマスクが膜べりしていると判断されたパターン形状/そのサイズをデータベース6の膜べりマスクパターンデータベース61に登録する。要するに、このフォトマスクのパターン形状でこのサイズであればレジストマスクが膜べりするというデータの他、このフォトマスクのパターン形状でこのサイズであればレジストマスクが膜べりしないというサイズのデータをマスクパターンデータベース61に登録する。続いて、図9~図13のフォトマスクの所定パターン形状に対して設計配線データにOPC処理を施す。OPC処理されたフォトマスクデータの所定パターン形状/サイズを、上記膜べりマスクパターンデータベース61に登録された配線パターン形状/サイズと比較し、同等のパターン形状/サイズである場合は、フォト後のレジストマスクが膜べりする形状であるとして、データベース6の膜べり設計データパターンデータベース62に登録する。要するに、この設計データのこのパターン形状でこのサイズであればレジストマスクが膜べりするというデータの他、この設計データのこのパターン形状でこのサイズであればレジストマスクが膜べりしないというサイズ規定値Aのデータを膜べり設計データパターンデータベース62に登録する。その後、この膜べり設計データパターンデータベース62に登録されたものをNGかどうかのパターンチェックに用いる配線パターン及びその特定部分のLengthおよびWidthの各サイズ規定値Aとして用いる。以上により、本実施形態1によれば、設計配線データの入力後、パターン認識手段11が、微細化により膜べりが問題となる特定部分を持つ所定パターン図2~図6を抽出しかつ、サイズ判定手段12が、抽出した所定配線パターンの特定部分のサイズ寸法が基準値閾値;規定値Aよりも小さい場合にこれを検出して、所定パターンの特定部分のサイズ寸法が基準値閾値;規定値Aになるように修正している。要するに、微細化により膜べりが問題となる特定部分を持つ所定パターンの特定部分のサイズ寸法が規定値Aよりも小さければ、即ち、膜べりの問題を起こすのであれば、設計データの段階でそれを検出して修正する。これによって、OPC処理、マスク作成およびフォトリソ工程での膜べりの問題発生を事前に防止することができて、手戻りと修正時間が大幅に少なくて済み、工程全体の時間短縮を図ることができる。実施形態2上記実施形態1では、パターンチェック結果がNGの場合に、微細化により膜べりが問題となる設計配線データの特定箇所の修正を手入力により行う場合について説明したが、本実施形態2では、パターンチェック結果がNGの場合に、微細化により膜べりが問題となる設計配線データの特定箇所の修正を自動修正により行う場合について説明する。図15は、本発明の実施形態2におけるフォトマスクパターン形成装置の要部ハード構成例を示すブロック図である。図15において、本実施形態1のフォトマスクパターン形成装置10Aは、全体の制御を行う制御手段としてのCPU1A中央演算処理装置と、CPU1Aに対して入力指令を行うためのキーボード、マウス、タッチパネルおよびペン入力装置、さらには通信ネットワーク例えばインターネットやイントラネットを介して受信入力する入力装置などの操作部2と、表示画面上に、初期画面、選択場面、CPU1Aによる制御結果画面および操作入力画面などを表示する表示部3と、制御プログラムおよびそのデータなどが記憶されたコンピュータ読み出し可能な可読記録媒体としてのROM4と、起動時に制御プログラムおよびそのデータなどが読み出されて、CPU1Aによる制御毎にデータを読み出し記憶するワークメモリとして働く記憶部としてのRAM5と、各種データが記憶されているデータベース6とを有している。CPU1A制御手段は、操作部2からの入力指令の他、ROM4内からRAM5内に読み出された制御プログラムおよびこれに用いる各種データに基づいて、微細化により膜べりが問題となる所定のパターンを入力配線パターンから抽出するパターン認識手段11と、抽出した所定のパターンの特定部分のサイズが基準値閾値;規定値Aよりも小さいかどうかを判定するサイズ判定手段12と、NG部分のサイズを規定値Aに自動修正するサイズ修正手段13との各機能を実行する。パターン認識手段11は、OPC処理前の配線パターン中から、微細化により膜べりが問題となる所定の配線パターンとして、図2のH字、図3のU字、図4のh字、図5のクランクおよび、図6の上下のずれたH字パターンの各パターン形状かどうかをパターン判定し、所定のパターンと判定したパターンを入力配線パターンから抽出する。サイズ判定手段12は、図2~図6の配線パターンにおいて、特定箇所の幅Wおよび間隔Lのサイズを所定の閾値と比較して小さいかどうかを判定する。サイズ判定箇所の幅Wおよび間隔Lの各サイズを所定の閾値よりも小さい場合にNG部分と判定する。このサイズ判定箇所とは、図2のH字では、H字の真中の横方向の繋がり部分の幅WおよびH字の縦ラインの間隔Lとし、図3のU字では、U字の横方向の繋がり部分の幅WおよびU字の縦ラインの間隔Lとし、図4のh字では、h字の真中の横方向の繋がり部分の幅Wおよびh字の縦ラインの間隔Lとし、図5のクランクでは、クランクの真中の横方向の繋がり部分の幅Wおよびのクランクの縦ラインの間隔Lとし、さらに、図6の上下のずれたH字では、上下のずれたH字の真中の横方向の繋がり部分の幅Wおよび、上下のずれたH字の内側の縦ラインの間隔Lとしている。サイズ判定手段12がNG部分と判定した場合、そのNG部分のサイズを適正サイズに修正すればよい。サイズ修正手段13は、所定のパターンのサイズ判定箇所の幅Wおよび間隔Lの各サイズが所定の閾値基準の規定値Aよりも小さいNG部分のサイズを規定値Aに自動修正する。図16および図17はそれぞれ、図2のH字のサイズ判定箇所の幅Wのサイズを自動修正する各手法例1,2を模式的に示す配線パターンの平面図である。パターンチェックの結果がNGとなった設計配線データに対して、H字のサイズ判定箇所である該当箇所横方向線幅の元のwidth=Xと、規定されたwidth=Aとの差を修正値Bとして自動的に求め、その差の修正値Bの分だけ、該当箇所の元のwidthを大きくすることを自動で行うことにより、所定のパターンのサイズ判定箇所の幅Wおよび間隔Lの各サイズが所定の閾値よりも小さいNG部分の設計配線データの修正を自動で行う。図16では、H字のサイズ判定箇所である横方向線幅を元のwidth=Xから下方にのみ太くなるように修正値Bを加えて太い横方向線幅Aの規定された幅width=Aとしている。また、図17では、H字のサイズ判定箇所である横方向線幅を元のwidth=Xから上下の両方向にみ太くなるように上側の修正値B1と下側の修正値B2をそれぞれ加えて太い横方向線幅Aの規定された幅width=Aとしている。このように、膜べりが問題となるNG部分を太らせるのに、センター振り分けでセンターが移動しないように太らせる場合図17と、センターの上側または下側だけの方向に太らせる場合図16とがある。通常はセンター振り分けでNG部分を太らせるが、周りとの関係で、平面視ですぐ下側に配線がある場合には、センターの上側だけの方向に太らせたりする。また、平面視ですぐ上側が詰まっている場合は、センターの下側だけの方向に太らせたりする。ROM4は、ハードディスク、光ディスク、磁気ディスクおよびICメモリなどの可読記録媒体記憶手段で構成されている。この制御プログラムおよびこれに用いる各種データは、携帯自在な光ディスク、磁気ディスクおよびICメモリなどからROM6にダウンロードされてもよいし、コンピュータのハードディスクからROM4にダウンロードされてもよいし、無線または有線、インターネットなどを介してROM4にダウンロードされてもよい。後述する図2のフォトマスク形成方法をコンピュータに実行させるための処理手順が記述された制御プログラムをコンピュータ読み取り可能な可読記憶媒体に格納して、コンピュータCPU1Aによりフォトマスク形成処理を行うものである。データベース6は、CPU1Aによるフォトマスク形成処理中の中間データなどの各種データを、その都度格納すると共に、必要に応じてこれらを参照可能としている。なお、データベース6はRAM5と一体で同じ記憶手段として構成されていてもよい。上記構成により、以下その動作を説明する。図18は、図15のフォトマスクパターン形成装置を用いた半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。図18に示すように、まず、ステップS1で設計配線データを入力し、ステップS2で入力設計配線データのパターンチェック所定配線パターンの抽出とその特定箇所の寸法チェックを行って、このパターンチェックでNGであればその特定箇所の寸法が基準値よりも小さい場合、ステップS3Aで自動的に配線パターンをデータベース6内の規定値Aに対応させて修正し、このパターンチェックでOKであればステップS4でOPC処理を行ってステップS5でマスクパターンのマスクデータを完成させる。次に、そのマスクデータに基づいてステップS6でフォトマスクを作成する。ステップS6で作成したステップS7のフォトマスクを用いて、ステップS8でフォトリソ工程を行ってレジストマスクを所定形状にパターニングする。続いて、ステップS9でそのフォトリソ工程によるレジストマスクを用いてエッチング工程を行う。イオン注入工程、成膜工程およびエッチング工程による膜形成工程を繰り返してトランジスタなどの半導体装置を製造する。また同様、前述したように、フォトマスクパターン形成装置10Aにより、回路情報に基づいてフォトマスクパターンを設計し、この設計情報によりフォトマスクを作成し、フォトマスクを用いてパターニングしたレジストパターンを使用してエッチング処理を行って半導体集積回路LSIを製造することができる。即ち、パターン認識手段11、サイズ判定手段12およびサイズ修正手段13を備えたフォトマスクパターン形成装置10Aを用いて実行する図7のパターンチェックおよびNG部分の自動修正において、サイズ判定手段12が、図2~図6のLengthおよびWidthに当たる部分のサイズを求め、求めたLengthのサイズが規定されたサイズ以下であり、かつWidthのサイズが規定されたサイズ規定値A以下であるかどうかを判断する。サイズ修正手段13が行う修正方法は、NG部分となった設計データに対して、該当箇所のwidthと、規定されたwidth規定値Aとの差を求め、その差の分だけ該当箇所の幅を大きくまたは太くすることを自動で行う修正部を備えたパターン修正装置を用いて実行することができる。このフォトマスクパターン形成装置10Aは、コンピュータに上記入出力部および判断部パターン認識手段11およびサイズ判定手段12および修正部サイズ修正手段13として機能する制御プログラムをROM4にインストールすることができる。パターンチェックを行う判断部パターン認識手段11およびサイズ判定手段12および修正部サイズ修正手段13を用いてパターンがチェックされてNG部分が修正された配線パターンデータによりフォトマスクを作成することができる。このフォトマスクを用いて半導体装置およびこれを用いたLSIを精度よくかつ素早く作成することができる。図19は、図18のパターンチェックおよび自動修正の各ステップを用いたフォトマスク形成方法を説明するためのフローチャートである。図19に示すように、まず、ステップS1で設計配線データを入力し、次に、入力設計配線データに対して、ステップS21でパターン認識手段11が所定パターンに該当するかどうかを判定する。この場合の所定パターンとは、微細化により膜べりが問題となる特定部分を持つパターンであって、例えば図2のH字、図3のU字、図4のh字、図5のクランクおよび、図6の上下のずれたH字パターンなどの各パターン形状である。これらの所定パターンを、入力設計配線データに対してパターンマッチングを行うことにより、入力設計配線データから抽出する。続いて、ステップS22で、抽出された図2~図6の配線パターンにおいて、サイズ判定手段12が特定箇所の幅Wおよび間隔Lに当たる部分のサイズを求める。この求めた特定箇所の幅Wおよび間隔Lに当たる部分のサイズが所定の閾値よりも小さいかどうかを判定する。特定箇所の幅Wおよび間隔Lのサイズが所定の閾値よりも大きければステップS21の処理に戻り、特定箇所の幅Wおよび間隔Lのサイズが所定の閾値よりも小さければ次のステップS3のNG部分小さい部分の自動修正を行う。即ち、求めた図2~図6のLengthのサイズが規定されたサイズ以下であり、かつ求めた図2~図6のWidthのサイズが規定されたサイズ以下の場合に、サイズ修正手段13がチェック結果をNGとし、設計配線データの自動修正を行う。以上により、本実施形態2によれば、設計配線データの入力後、微細化により膜べりが問題となる特定部分を持つ所定配線パターン例えば図2~図6を抽出しかつ抽出した所定配線パターンの特定部分のサイズ寸法が基準値閾値;規定値Aよりも小さい場合にこれを抽出して、所定配線パターンの特定部分のサイズ寸法が基準値閾値;規定値Aになるように自動修正している。要するに、微細化により膜べりが問題となる特定部分を持つ所定配線パターンの特定部分のサイズ寸法が規定値Aよりも小さければ、即ち、膜べりの問題を起こすのであれば、設計配線データの段階でそれを検出して修正しておけば、OPC処理、マスク作成およびフォトリソ工程での膜べりの問題発生を事前に防止すると共に、NG部分のサイズを規定値Aに自動修正することができて、手戻りと修正時間が大幅に更に少なくて済み、工程全体の更なる時間短縮を図ることができるものである。実施形態3上記実施形態1、2では、パターンチェックの領域指定をしない場合について説明したが、本実施形態3では、パターンチェックの領域指定をする場合について説明する。図20は、本発明の実施形態3におけるフォトマスクパターン形成装置の要部ハード構成例を示すブロック図である。なお、図20では、図1の構成部材と同一の作用効果を奏する構成部材には同一の部材番号を付けて説明する。図20において、本実施形態3のフォトマスクパターン形成装置10Bは、全体の制御を行う制御手段としてのCPU1B中央演算処理装置と、CPU1Bに対して入力指令を行うためのキーボード、マウス、タッチパネルおよびペン入力装置、さらには通信ネットワーク例えばインターネットやイントラネットを介して受信入力する入力装置などの操作部2と、表示画面上に、初期画面、選択画面、CPU1による制御結果画面および操作入力画面などを表示する表示部3と、制御プログラムおよびそのデータなどが記憶されたコンピュータ読み出し可能な可読記録媒体としてのROM4と、起動時に制御プログラムおよびそのデータなどが読み出されて、CPU1による制御毎にデータを読み出し記憶するワークメモリとして働く記憶部としてのRAM5と、各種データが記憶されているデータベース6とを有している。CPU1B制御手段は、操作部2からの入力指令の他、ROM4内からRAM5内に読み出された制御プログラムおよびこれに用いる各種データに基づいて、パターンチェックを行う領域を操作部2からの入力指示により指定するパターンチェック領域指定手段14と、微細化により膜べりが問題となる所定のパターンを入力配線パターンから抽出するパターン認識手段11と、抽出した所定のパターンの特定部分のサイズが基準値閾値よりも小さいかどうかを判定するサイズ判定手段12とを有している。本実施形態3が上記実施形態1の場合と異なるのは、上記パターンチェック領域指定手段14の有無である。パターンチェック領域指定手段14において、例えば微細化により膜べりが問題となる図2~図6のような所定の配線パターンは例えばメモリ領域の配線パターンにしか出て来ない場合にはメモリ領域がある領域だけ上記パターンチェックの領域を狭く指定してやればよい。このように、チェックが必要な領域だけを上記パターンチェックすることによって、上記パターンチェックの速さを格段に早くすることができる。図21は、図20のフォトマスクパターン形成装置において、設計データのチェック領域指定例を示す表示画面図である。図22は、図20のフォトマスクパターン形成装置のパターンチェック領域指定手段14によるチェック領域指定時のパターンチェック処理を示すフローチャートである。微細化により膜べりが問題となる図2~図6のサイズ判定箇所の幅Wおよび間隔Lの各サイズ、即ち、Lengthおよびwidthに当たる特定部分のサイズチェックを行うに際して、図21に示すように、パターンチェック領域指定手段14において、表示部3の表示画面上の設計データ内に事前に、操作部2によってチェック必要箇所/不要箇所を領域指定しておき、その領域指定に応じて図22のフローチャートのステップS31~S33のように、OPC処理前の設計データの配線パターンステップS31を入力し、例えば図2~図6の所定の配線パターンが存在する必要領域のみをパターンチェックステップS32、S33することにより、パターンチェックを短時間で素早く処理することができる。上記パターンチェックを事前のパターン分類により特定の位置およびパターンのみをチェックしてNG部分を修正することにより処理を高速化することができる。以上により、本実施形態3によれば、微細化により膜べりが問題となる特定部分を持つ所定配線パターンの特定部分のサイズ寸法が規定値Aよりも小さければ、即ち、膜べりの問題を起こすのであれば、設計配線データの段階でそれを予め検出して修正しておけば、OPC処理、マスク作成およびフォトリソ工程での膜べりの問題発生を事前に防止すると共に、パターンチェックを行う領域を指定して狭めることができて、手戻りと修正時間が大幅に更に少なくて済み、工程全体の更なる時間短縮をいっそう図ることができるものである。なお、本実施形態3では、パターンチェックの領域指定をする場合を図1のフォトマスクパターン形成装置10に適用した場合について説明したが、これに限らず、パターンチェックの領域指定をする場合を図15のフォトマスクパターン形成装置10Aにも適用することができる。これを図23に示している。図23は、図20のフォトマスクパターン形成装置の要部ハード構成の変形例を示すブロック図である。なお、図23では、図15の構成部材と同一の作用効果を奏する構成部材には同一の部材番号を付けて説明する。図23において、本実施形態3の変形例であるフォトマスクパターン形成装置10Cは、全体の制御を行う制御手段としてのCPU1C中央演算処理装置と、CPU1Cに対して入力指令を行うためのキーボード、マウス、タッチパネルおよびペン入力装置、さらには通信ネットワーク例えばインターネットやイントラネットを介して受信入力する入力装置などの操作部2と、表示画面上に、初期画面、選択場面、CPU1Aによる制御結果画面および操作入力画面などを表示する表示部3と、制御プログラムおよびそのデータなどが記憶されたコンピュータ読み出し可能な可読記録媒体としてのROM4と、起動時に制御プログラムおよびそのデータなどが読み出されて、CPU1Cによる制御毎にデータを読み出し記憶するワークメモリとして働く記憶部としてのRAM5と、各種データが記憶されているデータベース6とを有している。CPU1C制御手段は、操作部2からの入力指令の他、ROM4内からRAM5内に読み出された制御プログラムおよびこれに用いる各種データに基づいて、パターンチェックを行う領域を指定するパターンチェック領域指定手段14と、微細化により膜べりが問題となる所定のパターンを入力配線パターンから抽出するパターン認識手段11と、抽出した所定のパターンの特定部分のサイズが基準値閾値;規定値Aよりも小さいかどうかを判定するサイズ判定手段12と、NG部分のサイズを規定値Aに自動修正するサイズ修正手段13との各機能を実行する。したがって、本実施形態1~3によれば、従来においては、OPC処理後、および、フォトリソ工程およびエッチング工程を行ってから問題膜べりによる異常エッチング箇所が発見されていたが、OPC処理前に、膜べりが問題となる当該箇所をパターンチェックし、そのパターンチェック結果でNGだった場合にそのNG部分を規定値Aに修正することにより、チェック-修正工程の短縮および、試作回数の削減と試作費の削減をも実現することができる。なお、上記実施形態1~3では、制御プログラムおよび可読記録媒体ROM4を用いたフォトマスクパターン形成装置10、10A~10Cをソフトウェア構成としたが、これに限らず、ソフトウェア構成に代えて回路構成からなるハードウェア構成とすることもできる。以上のように、本発明の好ましい実施形態1~3を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態1~3に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態1~3の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。"