光を電気信号に変換する画素が形成された画素部を有する撮像素子と、前記撮像素子の前記画素部を有する面に対向して設けられ、光を透過させる対向基板とを備える撮像装置の製造方法であって、前記撮像素子及び前記対向基板が、加熱されて接合される接合段階を備え、前記接合段階において、前記撮像素子及び前記対向基板の熱膨張係数の違いに応じて、前記撮像素子及び前記対向基板の、それぞれの温度が制御される撮像装置の製造方法。前記接合段階において、前記撮像素子及び前記対向基板のうち、大きい熱膨張係数を有する方の温度を、他方の温度より低くする請求項1に記載の撮像装置の製造方法。前記接合段階における、前記撮像素子の温度T1と、前記対向基板の温度T2との間に、α2/α1≦T1-T3/T2-T3≦2×α2/α1ただし、前記撮像素子の熱膨張係数をα1、前記対向基板の熱膨張係数α2、前記撮像装置が使用される温度をT3とするが成り立つ請求項2に記載の撮像装置の製造方法。前記接合段階における、前記撮像素子の温度T1と、前記対向基板の温度T2との間に、α1×T1-T3=α2×T2―T3ただし、前記撮像素子の熱膨張係数をα1、前記対向基板の熱膨張係数α2、前記撮像装置が使用される温度をT3とするが成り立つ請求項2に記載の撮像装置の製造方法。熱で硬化して、前記撮像素子と前記対向基板とを接合する熱硬化性接着剤を、前記対向基板上に形成する接着剤形成段階をさらに備え、前記接合段階において、前記対向基板の温度は前記熱硬化性接着剤の硬化温度より低く、前記撮像素子の温度は前記熱硬化性接着剤の硬化温度より高い請求項2から4のいずれか一項に記載の撮像装置の製造方法。前記接合段階において、前記画素部における前記撮像素子の温度と、前記画素部以外の部分における前記撮像素子の温度とが異なる請求項5に記載の撮像装置の製造方法。前記接合段階において、前記画素部における前記撮像素子の温度が、前記熱硬化性接着剤が接する部分における前記撮像素子の温度より低い請求項6に記載の撮像装置の製造方法。前記接合段階の後に、前記熱硬化性接着剤を加熱して硬化させるベーキング段階をさらに備え、前記ベーキング段階において、前記撮像素子及び前記対向基板のうち、大きい熱膨張係数を有する方の温度を、他方の温度より低くする請求項5から7のいずれか一項に記載の撮像装置の製造方法。前記接合段階において、前記撮像素子と、前記対向基板に形成された導電性の導電パターンとが、バンプによって電気的に接続される請求項2から8のいずれか一項に記載の撮像装置の製造方法。前記対向基板の前記画素部に対向する画素領域の厚さは、前記対向基板の画素領域以外の領域の厚さより薄い請求項2から9のいずれか一項に記載の撮像装置の製造方法。前記対向基板は、前記撮像素子に対向する面の裏面に、凹部を有する請求項10に記載の撮像装置の製造方法。前記対向基板は、ローパスフィルタを有する請求項2から11のいずれか一項に記載の撮像装置の製造方法。固体撮像装置が備えるガラス基板及び固体撮像素子の熱膨張係数が、相互に異なることがある。これにより、ガラス基板及び固体撮像素子が接合されてから、加熱あるいは冷却されると、固体撮像装置に反りが発生する。これは、加熱あるいは冷却による膨張量あるいは収縮量が、ガラス基板と固体撮像素子とで異なることによる。すなわち、ガラス基板と固体撮像素子とを加熱して接合すると、接合後に冷却されたときに、ガラス基板及び固体撮像素子のうち、熱膨張係数の大きいものの収縮が大きく、熱膨張係数の小さいもの側に固体撮像装置が反る。固体撮像装置の反りが大きくなると、固体撮像素子の撮像面全体に均一に光を照射することが困難になる。例えば、反りの大きい固体撮像装置をデジタルカメラに用いると、固体撮像素子の撮像面の周辺部で、焦点ずれ及び撮像面のあおりが発生する。したがって、反りが抑えられた固体撮像装置が望まれる。本発明の第1の態様においては、光を電気信号に変換する画素が形成された画素部を有する撮像素子と、撮像素子の画素部を有する面に対向して設けられ、光を透過させる対向基板とを備える撮像装置の製造方法であって、撮像素子及び対向基板が、加熱されて接合される接合段階を備え、接合段階において、撮像素子及び対向基板の熱膨張係数の違いに応じて、撮像素子及び対向基板の、それぞれの温度が制御される撮像装置の製造方法を提供する。なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。図1は、本発明の実施形態に係る撮像装置100の模式的な上視図である。撮像装置100は、対向基板110、撮像素子150、接着剤104、及び、複数のバンプ102を備える。撮像装置100は、対向基板110と、撮像素子150とが、接着剤104により接合され、バンプ102で電気的に接続されたCOG構造を有する。バンプ102を介して、撮像素子150に形成された画素部152と、対向基板110上に形成された導電性パターン112とが、電気的に接続されてよい。これにより、画素部152を駆動する信号が導電性パターン112及びバンプ102を介して画素部152に入力される。また、画素部152で生成された信号が、バンプ102及び導電性パターン112を介して読み出されてよい。一例として、撮像装置100は、デジタルカメラ用の撮像装置である。撮像素子150は、光を電気信号に変換する画素が形成された画素部152を有する。画素部152は、撮像素子150の中央部に形成されてよい。すなわち、撮像素子150を上面から見たときに、撮像素子150及び画素部152の中心が相互に一致してよい。撮像素子150は、一例として、Si基板上に形成されたCCDである。他の例として、撮像素子150は、CMOSであってもよい。また、撮像素子150は、フォトダイオードに対して配線層と反対側の面から光が入射する裏面照射型のCCD又はCMOSであってもよい。撮像素子150の、画素部152の外側に、画素部152を駆動する駆動回路が形成されてもよい。画素部152の外側にバンプ102が形成されてよい。一例として、バンプ102は撮像素子150の二つの短辺に沿って形成される。また、バンプ102は、導電性パターン112に接して形成されてよい。これにより、バンプ102は導電性パターン112と撮像素子150とを電気的に接続する。バンプ102は、金属で形成されてよい。例えば、バンプ102は金で形成される。バンプ102は、接着剤104で覆われて形成されてよい。ただしこれに限られず、バンプ102は接着剤104の画素部152側に、接着剤104から離間して形成されてもよい。対向基板110は、光を透過させる基板で形成され、撮像素子150に対向して設けられる。一例として、対向基板110はガラスで形成される。対向基板110は、導電性を有する導電性パターン112を有してよい。導電性パターン112は、一例として金属で形成される。導電性パターン112は、対向基板110の、画素部152に対向する領域には形成されなくてよい。これにより、画素部152に入射する光を導電性パターン112が遮ることを防止できる。導電性パターン112は、接着剤104が形成された領域と、対向基板110の端部との間に、形成されてよい。接着剤104が形成された領域における導電性パターン112のピッチより、対向基板110の端部における導電性パターン112のピッチが広くてよい。図1に示した撮像装置100では、導電性パターン112及びバンプ102が、撮像装置100の二つの短辺にそれぞれ5つずつ形成されているが、これに限られず、導電性パターン112及びバンプ102は、必要に応じて、形成される位置及び数が変更されてよい。例えば、バンプ102及び導電性パターン112は、対向基板110のいずれか一つの辺に形成されてもよいし、対向基板110の3辺又は4辺すべてに形成されてもよい。接着剤104は、撮像素子150の4辺に形成される。接着剤104は、一例として、熱硬化性接着剤で形成される。接着剤104は、画素部152上には形成されず、画素部152の周囲に形成されてよい。接着剤104は遮光性を有する材料で形成されてもよい。これにより、画素部152に対して、撮像装置100の側面方向から入射する光を低減してもよい。図2は、図1のA-Aにおける断面を示し、撮像装置100の模式的な断面図である。対向基板110は、撮像素子150の画素部152を有する面に対向して設けられる。これにより、対向基板110が画素部152を保護してよい。撮像素子150と対向基板110との間隔は、接着剤104によって均一に保持されてよい。接着剤104は、画素部152の外側の領域で、撮像素子150と対向基板110との間に形成されてよい。接着剤104は、導電性パターン112と撮像素子150との間に形成されてよい。接着剤104の画素部152側における断面は、画素部152側に向かって凹型の形状を有してよい。また、接着剤104は、撮像素子150の端面の一部を覆ってよい。接着剤104と撮像素子150との接触面積が広くなるので、接着剤104、撮像素子150、及び、対向基板110で囲まれた空間内に、外部からゴミまたは水分などが進入することを防ぐことができる。図3は、撮像装置100の製造方法を示す模式的な断面図である。対向基板110の撮像素子150と対向する面に、接着剤104が形成されてよい。対向基板110上に形成される接着剤104に対応する領域である接着剤形成領域164は、撮像素子150に形成された画素部152に対応する領域である画素領域162から離間してよい。これにより、接着剤104が、画素部152上に形成されないので、画素部152に入射する光が接着剤104によって遮られることを防止できる。接着剤104は、撮像素子150の端面を超えて形成されてよい。撮像素子150の画素部152が形成された面にバンプ102が形成されてよい。バンプ102は、対向基板110と撮像素子150が接合されたときに、対応する導電性パターン112に電気的に接続される位置に形成されてよい。バンプ102は、接着剤形成領域164に形成されてよい。バンプ102は、画素部152の外側に形成されてよい。次に、撮像素子150及び対向基板110が、加熱されて接合される。撮像素子150及び対向基板110の熱膨張係数の違いに応じて、接合時における撮像素子150及び対向基板110の、それぞれの温度が制御される。撮像素子150及び対向基板110のうち、大きい熱膨張係数を有する方の温度を、他方の温度より低くして接合してよい。これにより、撮像素子150及び対向基板110を、加熱された状態で接合してから冷却したときに、いわゆるバイメタル効果によって反りが発生することを抑えることができる。例えば、加熱されて接合されるときの、撮像素子150の温度T1と、対向基板110の温度T2との間に、α1×T1-T3=α2×T2―T3ただし、撮像素子150の熱膨張係数をα1、対向基板110の熱膨張係数α2、撮像装置100が使用される温度をT3とするという関係が成立してよい。ここで、T3は、画素部152に入射した光が電気信号に変換されて、導電性パターン112から外部に読み出されるときの温度をいう。一例として、T3は撮像装置100を搭載したデジタルカメラが使用される温度である。これにより、加熱されて接合される状態から、接合した後に撮像装置100が使用される温度まで冷却される状態までに、撮像素子150が収縮する量と、対向基板110が収縮する量とが等しくなる。したがって、撮像装置100の反りを小さくすることができる。一例として、撮像素子150がシリコンで形成され、対向基板110がシリコンよりも熱膨張係数が大きいガラスで形成される場合には、撮像素子150は対向基板110より高い温度に加熱されてよい。このとき、対向基板110は、接着剤104が硬化する硬化温度より低い温度に加熱され、撮像素子150は接着剤104の硬化温度より高い温度に加熱されてもよい。これにより、対向基板110上に形成された接着剤104が、対向基板110と撮像素子150とが接合されるまでの間に硬化することを抑制できる。撮像素子150及び対向基板110は、加熱された状態で位置合わせをして、張り合わされる。接着剤104が硬化されて、撮像素子150と対向基板110とが接合される。このときバンプ102は、撮像素子150と導電性パターン112とに接触する。これにより、撮像素子150と導電性パターン112とが、バンプ102を介して電気的に接続される。接着剤104は、例えば、熱硬化性の接着剤であるが、これに限られず、光と熱により硬化する接着剤であってもよい。また、別の例として、撮像素子150及び対向基板110の、一方又は双方は、接着剤形成領域164において、画素領域162より高い温度に加熱されて、撮像素子150及び対向基板110が接合されてもよい。一例として、撮像素子150及び対向基板110の、一方又は双方を加熱するステージの温度分布が制御される。撮像素子150及び対向基板110が加熱されたときに、接着剤形成領域164において、撮像素子150及び対向基板110のうち、大きい熱膨張係数を有する一方の温度が、他方の温度より低くてよい。次に、接合された撮像素子150と対向基板110とが加熱されて、プリベークされてもよい。これにより、接着剤104の硬化が進行されてよい。このとき、撮像素子150及び対向基板110の熱膨張係数の違いに応じて、撮像素子150及び対向基板110の、それぞれの温度が制御されてよい。例えば、撮像素子150及び対向基板110のうち、大きい熱膨張係数を有する方の温度を、他方の温度より低くする。さらに、接着剤形成領域164において、撮像素子150及び対向基板110のうち、大きい熱膨張係数を有する方の温度が、他方の温度より低くてよい。これにより、撮像装置100の反りを小さくすることができる。また、撮像素子150及び対向基板110の、一方又は双方は、接着剤形成領域164において、画素領域162より高い温度に加熱されてよい。次に、撮像装置100が冷却される。本例においては、加熱されたときの対向基板110及び撮像素子150の温度が制御されているので、対向基板110及び撮像素子150が接合されてから冷却されたときに生じる反りが小さくなる。撮像装置100の反り量が小さいので、画素部152に均一に光を照射することができる。例えば、撮像装置100をデジタルカメラに用いたときの、画素部152における焦点ずれ、及び、画素部152のあおりを抑制することができる。図4は、撮像装置100の反り量を示すグラフである。横軸は、撮像素子150及び対向基板110が接合されるときの、撮像素子150の温度T1と、対向基板110の温度T2との差T1-T2°Cである。縦軸は、撮像装置100が使用される温度T3での、撮像装置100の画素部152が形成された面の反り量a.u.任意単位を示す。縦軸のプラス方向は撮像装置100が撮像素子150側に凸に反ることを示し、マイナス方向は撮像装置100が対向基板110側に凸に反ることを示す。すなわち、縦軸のマイナス方向は、図2の状態で上に凸の状態に対応する。図4に示した一点鎖線は、対向基板110が熱膨張率α2=5.5×10-6/Kの硼珪酸ガラスで形成された場合のシミュレーション結果を示す。点線は、対向基板110が熱膨張係数α2=3.4×10-6/Kの無アルカリガラスで形成された場合のシミュレーション結果を示す。一点鎖線、及び、点線で示したシミュレーションにおいて、撮像素子150はシリコン基板で形成され、熱膨張係数α1は3.1×10-6/Kとした。これは、シリコンの293Kにおける熱膨張係数2.6×10-6/Kと、500Kにおける熱膨張係数3.5×10-6/Kの平均値である。一点鎖線で示したシミュレーション結果によると、対向基板110が硼珪酸ガラスで形成された場合には、撮像素子150及び対向基板110が接合されるときの撮像素子150と対向基板110との温度差T1-T2を95°Cとすると、撮像装置100が使用される温度T3での、撮像装置100の画素部152が形成された面の反り量が0a.u.になる。また、対向基板110が硼珪酸ガラスで形成された場合には、撮像素子150及び対向基板110が接合されるときの撮像素子150と対向基板110との温度差T1-T2を60°C~130°Cとすると、撮像装置100が使用される温度T3での、撮像装置100の画素部152が形成された面の反り量が30a.u.以下になる。点線で示したシミュレーション結果によると、対向基板110が無アルカリガラスで形成された場合には、撮像素子150及び対向基板110が接合されるときの撮像素子150と対向基板110との温度差T1-T2を10°Cとすると、撮像装置100が使用される温度T3での、撮像装置100の画素部152が形成された面の反り量が0a.u.になる。また、対向基板110が無アルカリガラスで形成された場合には、撮像素子150及び対向基板110が接合されるときの撮像素子150と対向基板110との温度差T1-T2を0°C~50°Cとすると、撮像装置100が使用される温度T3での、撮像装置100の画素部152が形成された面の反り量が30a.u.以下になる。図4の実線は、撮像素子150がシリコン基板で形成され、対向基板110が熱膨張率α2=3.4×10-6/Kの無アルカリガラスで形成された場合の実測結果を示す。実線で示した実測結果においては、一点鎖線及び点線で示したシミュレーション結果に比べて、グラフにおける傾きが小さい。これは、実測においては、対向基板110と撮像素子150とが接合された後に、接着剤104、接着剤104と対向基板110との界面、及び、接着剤104と撮像素子150との界面で、クリープ現象による応力緩和が起こり、反り量が小さくなることによると考えられる。直線で示した実測結果によると、対向基板110が無アルカリガラスで形成された場合には、撮像素子150及び対向基板110が接合されるときの撮像素子150と対向基板110との温度差T1-T2を30°Cとすると、撮像装置100が使用される温度T3での、撮像装置100の画素部152が形成された面の反り量が0a.u.になる。また、対向基板110が無アルカリガラスで形成された場合には、撮像素子150及び対向基板110が接合されるときの撮像素子150と対向基板110との温度差T1-T2を0°C~95°Cとすると、撮像装置100が使用される温度T3での、撮像装置100の画素部152が形成された面の反り量が30a.u.以下になる。一点鎖線で示した結果において、T1=200°C、かつ、T2=70°C、T3=20°Cのときに、T1-T3/T2-T3=3.6であり、α2/α1=1.7であり、反り量は上述のように30a.u.となる。また、点線で示した結果において、T1=130°C、T2=80°C、T3=20°Cのときに、T1-T3/T2-T3=1.8であり、α2/α1=1.1であり、反り量は上述のように30a.u.となる。したがって、一点鎖線及び破線で示したシミュレーション結果によると、α2/α1≦T1-T3/T2-T3≦2×α2/α1が成立すれば、撮像装置100が使用される温度T3での、撮像装置100の画素部152が形成された面の反り量は、30a.u.以下となる。さらに、図4の結果によれば、対向基板110と撮像素子150とが接合された後に、接着剤104、接着剤104と対向基板110との界面、及び、接着剤104と撮像素子150との界面で、クリープ現象による応力緩和が起こると、反り量はシミュレーション結果の半分以下になる。したがって、α2/α1≦T1-T3/T2-T3≦2×α2/α1が成立すれば、撮像装置100が使用される温度T3での、撮像装置100の画素部152が形成された面の反り量は、15a.u.以下となる。以上、対向基板110がガラスで形成された場合について説明したが、これに限られない。一例として、対向基板110は、ローパスフィルタを有してもよい。このとき、対向基板110は、垂直方向のローパスフィルタ、位相板、及び、水平方向のローパスフィルタが積層されて形成されてもよい。あるいは、対向基板110は、垂直方向のローパスフィルタ、及び、水平方向のローパスフィルタのいずれか一方で形成されて、他の一方の方向のローパスフィルタ、及び、位相板が対向基板110に積層されてもよい。ローパスフィルタは、水晶またはニオブ酸リチウムで形成されてよい。図5は、撮像装置100の構成の他の一例を、図1のA-Aにおける断面で、説明する図である。図5において、図1または図2と同一の符号を付した要素は、図1及び図2において説明した要素と同一の機能および構成を有してよい。図5に示した撮像装置100において、対向基板110は、画素部152に対向する面の裏面に開口212を有する。開口212が形成された領域で、対向基板110は、他の領域より薄い。開口212は、撮像素子150に形成された画素部152と同じ大きさであってもよいし、画素部152より大きくてもよい。ここで、画素部152及び開口212の大きさとは、画素部152及び開口212を図5の上面から見たときの大きさをいう。このとき、開口212と、画素部152とは、図5の上側から見たときに中心がそろって、画素部152と対向する領域の対向基板110は、他の領域の対向基板110より薄くてよい。これにより、画素部152に入射する光は、対向基板110が、他の一部より薄い部分を透過するので、画像が対向基板110の影響を受けにくい。また、画素部152と対向する領域で対向基板110が薄いので、対向基板110の傷、あるいは、対向基板110上の粒子と、画素部152との距離が近い。これにより、対向基板110の傷、あるいは、対向基板110上の粒子によって画素部152に生じる影響を、撮像装置100から出力される信号を電子的に処理して除去することができる。開口212は、対向基板110に接着剤104が設けられる部分に形成されなくてよい。開口212が形成されていない領域では対向基板110が、開口212が形成された領域より厚いので、接着剤104による撮像装置100の反りが抑えられる。これは、接着剤104が撮像素子150の端面にも形成されているときには、より効果が大きい。図6は、撮像装置100の構成のさらに他の一例を、図1のA-Aにおける断面で、説明する図である。図6において、図1または図2と同一の符号を付した要素は、図1及び図2において説明した要素と同一の機能および構成を有してよい。図6に示した撮像装置100において、対向基板110は、画素部152に対向する面に開口312を有する。開口312が形成された領域で、対向基板110は、他の領域より薄い。開口312は、撮像素子150に形成された画素部152と同じ大きさであってもよいし、画素部152より大きくてもよい。ここで、画素部152及び開口312の大きさとは、画素部152及び開口312を図6の上面から見たときの大きさをいう。このとき、開口312と、画素部152とは、図5の上面から見たときに中心がそろって、画素部152と対向する領域の対向基板110は、他の領域の対向基板110より薄くてよい。これにより、画素部152に入射する光は、対向基板110が、他の一部より薄い一部を透過するので、画像が対向基板110の影響を受けにくい。対向基板110は、画素部152に対向する面に開口312を有するので、対向基板110と撮像素子150とを接合するときに、対向基板110が撮像素子150に向かって凸に反っていても、画素部152と対向基板110が接することを防止することができる。開口312は、対向基板110に接着剤104が設けられる部分に形成されなくてよい。開口312が形成されていない領域では対向基板110が、開口312が形成された領域より厚いので、接着剤104による撮像装置100の反りが抑えられる。以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段より前に、先立って等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上まず、、次に、等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。