第1及び第2の分子構造を有する自己組織化可能な重合体であって、前記第1の分子構造は第2の分子構造よりも前記自己組織化可能な重合体のFloryHugginsパラメータが高く、前記自己組織化可能な重合体は刺激を加えることによって前記第1の分子構造から前記第2の分子構造に、前記第2の分子構造から前記第1の分子構造に、又はその両方に構成可能である、自己組織化可能な重合体。第1の単量体の1つ以上の第1のブロックと、第2の単量体の1つ以上の第2のブロックと、を有するブロック共重合体であって、前記第1の分子構造及び第2の分子構造は、第1及び第2の分子配列の前記第1の単量体をそれぞれ有するブロック共重合体である、請求項1に記載の自己組織化可能な重合体。前記第2の単量体は、前記第1及び第2の分子構造内で実質的に変化しない分子配列を有する、請求項2に記載の自己組織化可能な重合体。前記第1の単量体は、前記第1の分子配列にある場合、前記第2の分子配列にある場合の前記第1の単量体よりも前記第2の単量体に対する化学親和力が低い、請求項2又は3に記載の自己組織化可能な重合体。前記第1の単量体は、前記第1と第2の分子配列とで極性が異なる、請求項2から4のいずれか一項に記載の自己組織化可能な重合体。前記第1の単量体は、前記第1と第2の分子配列とで物理配座が異なる、請求項2から5のいずれか一項に記載の自己組織化可能な重合体。前記第1の単量体は、前記第1と第2の分子配列とで水和状態が異なる、請求項2から6のいずれか一項に記載の自己組織化可能な重合体。前記刺激は、可視光又は紫外線放射などの化学線放射を含む、請求項1から7のいずれか一項に記載の自己組織化可能な重合体。前記刺激は、温度を含む、請求項1から8のいずれか一項に記載の自己組織化可能な重合体。前記自己組織化可能な重合体は、前記第2の分子構造にある場合にガラス転移温度Tg及び秩序/無秩序転移温度To/dを有し、前記第1の分子構造の前記自己組織化可能な重合体の前記ガラス転移温度Tgでの前記FloryHugginsパラメータの値は、前記自己組織化可能な重合体が前記第2の分子構造にある場合の秩序/無秩序転移温度To/dでの自己組織化可能な重合体の前記FloryHugginsパラメータの少なくとも1.2倍である、請求項9に記載の自己組織化可能な重合体。第1の単量体の第1のブロックと、第2の単量体の第2のブロックと、を含み、第1及び第2の分子構造を有するブロック共重合体である自己組織化可能な重合体であって、前記第1の分子構造は第1の分子配列の前記第1の単量体を有し、前記第2の分子構造は第2の分子配列の前記第1の単量体を有し、前記自己組織化可能な重合体は、刺激を加えることによって前記第1の分子構造から前記第2の分子構造に、前記第2の分子構造から前記第1の分子構造に、又はその両方に構成可能であり、前記第1の単量体は、前記第1の分子構造にある場合、前記第2の分子配列にある場合の前記第1の単量体よりも前記第2の単量体に対する化学親和力が低い、自己組織化可能な重合体。基板上に自己組織化可能な重合体の秩序化層を形成する方法であって、前記自己組織化可能な重合体が前記秩序化層内に自己組織化されると第1の分子構造を有し、前記方法は、前記基板上に自己組織化可能な重合体層を形成するステップと、第2の分子構造に構成された前記自己組織化可能な重合体をそのガラス転移温度Tgよりも高い第1の温度T1に加熱するステップであって、前記第1の温度T1は前記自己組織化可能な重合体が前記第2の分子構造にある場合は秩序/無秩序転移温度To/d未満であり、前記自己組織化可能な重合体が自己組織化して前記秩序化重合体層を形成する、ステップと、前記自己組織化可能な重合体をその第1の分子構造に戻すステップと、前記自己組織化可能な重合体をそのガラス転移温度Tg未満の温度に冷却するステップと、を含み、前記第1の分子構造は、前記第2の分子構造よりも前記自己組織化可能な重合体のFloryHugginsパラメータが高い、方法。基板上に自己組織化可能な重合体の秩序化層を形成する方法であって、前記自己組織化可能な重合体は、第1の単量体の第1のブロックと、第2の単量体の第2のブロックと、を含むブロック共重合体であり、該ブロック共重合体は第1及び第2の分子構造を有し、前記第1の分子構造は第1の分子配列の前記第1の単量体を有し、前記第2の分子構造は第2の分子配列の前記第1の単量体を有し、前記第1の単量体は、前記第1の分子構造にある場合、前記第2の分子配列にある場合の前記第1の単量体よりも前記第2の単量体に対する化学親和力が低く、前記自己組織化可能な重合体は、前記秩序化層内に前記第1の分子構造を有し、前記方法は、前記基板上に前記自己組織化可能な重合体層を形成するステップと、前記第2の分子構造に構成された前記自己組織化可能な重合体をそのガラス転移温度Tgよりも高い第1の温度T1に加熱するステップであって、前記第1の温度T1は前記自己組織化可能な重合体が前記第2の分子構造にある場合は秩序/無秩序転移温度To/d未満であり、前記自己組織化可能な重合体が自己組織化して前記秩序化重合体層を形成する、ステップと、前記自己組織化可能な重合体をその第1の分子構造に戻すステップと、前記自己組織化可能な重合体をそのガラス転移温度Tg未満の温度に冷却するステップと、を含む、方法。前記自己組織化可能な重合体は、刺激を加えることによって前記第1の分子構造から前記第2の分子構造に、前記第2の分子構造から前記第1の分子構造に、又はその両方に構成可能である、請求項12又は請求項13に記載の方法。前記刺激は、可視光又は紫外線放射などの化学線放射を含む、請求項14に記載の方法。前記刺激は、温度を含む、請求項14に記載の方法。前記自己組織化可能な重合体が前記第2の分子構造にある間に前記自己組織化可能な重合体を第2の温度T2に加熱するステップをさらに含み、前記第2の温度T2は前記重合体が前記第2の分子構造にある場合は、前記秩序/無秩序転移温度To/dよりも高い、請求項12から16のいずれか一項に記載の方法。前記自己組織化可能な重合体層は、前記自己組織化可能な重合体をその第1の分子構造に戻す前に、及び前記自己組織化可能な重合体をそのガラス転移温度Tg未満の温度に冷却する前に、前記自己組織化可能な重合体層の温度を前記第1の温度T1と前記第2の温度T2の間の範囲の温度に変更することによってアニールされる、請求項17に記載の方法。前記自己組織化可能な重合体は、第1の分子構造にある前記自己組織化可能な重合体をそのガラス転移温度Tg未満の温度に冷却する前に、前記第2の温度T2にある前記自己組織化可能な重合体を第2の分子構造から第1の分子構造に変更するための刺激を加えることによってアニールされ、T2は前記第1の分子構造にある場合の前記自己組織化可能な重合体のTo/dより低い、請求項17に記載の方法。レジストエッチングによって基板の表面をパターニングするリソグラフィ方法であって、請求項12から19の何れか一項に記載の方法によって表前記面に自己組織化可能な重合体の秩序化層を形成するステップを含み、前記秩序化重合体層はレジスト層としての機能を果たす、リソグラフィ方法。0041したがって、例えば自己組織化重合体から形成されたパターン層のライン幅ラフネス及び/又はラインエッジラフネスの改善と組み合わせて、自己組織化重合体層の高い欠陥レベル及び/又は短い持続長に関する当技術分野の1つ以上の問題点に取り組む方法及び化合物を提供することが望ましい。例えば、ライン幅又はラインエッジラフネスを実質的に増加させず、又はライン幅又はラインエッジラフネスを低減しつつ、欠陥レベル及び/又は持続長の改善を可能にし、及び/又はより短時間で欠陥レベルの低減、及び/又は持続長の向上を可能にする方法及び化合物を提供することが望ましい。また、例えば欠陥レベルを実質的に増加させず、又は持続長を短縮させずにライン幅/エッジラフネスを改善低減することが望ましい。0042したがって、例えば、ライン幅/エッジラフネスを実質的に低減することなく欠陥レベルを低減し、及び/又は持続長を改善するデバイスリソグラフィで使用するのに適する自己組織化層のブロック共重合体を提供するために有用な方法及び化合物が提供される。したがって、例えば、自己組織化層の欠陥レベルを実質的に増加させず、及び/又は持続長を実質的に短縮させずにライン幅/エッジラフネスを低減する方法及び組成物が提供される。したがって、例えば、ラインエッジ/ライン幅ラフネスを低減しつつ、パターン構造の欠陥を除去し、持続長を改善するようにより容易にアニーリングされる自己組織化可能な重合体を提供する化合物及び方法が提供される。したがって、例えば、秩序化パターンで自己組織化される際の低いラインエッジラフネス/ライン幅ラフネスも示す、秩序/無秩序転移温度To/dの値が低い自己組織化可能な重合体が提供される。0043本明細書全体を通して、備えている含んでいる又は備える含むという用語は、特定される構成成分1つ以上を含むが、その他の構成成分を除外することを意味しない。本質的に~から構成されている、又は本質的に~から構成されるという用語は、特定される構成成分を含むが、不純物として存在する物質、構成成分を提供するために使用されるプロセスの結果として生じる不可避の物質、及び本発明の技術効果を達成すること以外の目的のために追加される構成成分を除き、その他の構成成分を除外することを意味する。通常は、本質的に構成成分の集合から構成される組成物は、特定されない構成成分の重量比で5未満、通常は重量比で1未満から構成される。0044適切である限り、備える又は備えているという用語の使用は、本質的に~から構成される又は本質的に~から構成されているという意味を含むものと見なしてよい。0045本発明の一態様は、第1及び第2の分子構造を有する自己組織化可能な重合体であって、第1の分子構造は第2の分子構造よりも自己組織化可能な重合体のFloryHugginsパラメータが高く、自己組織化可能な重合体は刺激を加えることによって第1の分子構造から第2の分子構造に、第2の分子構造から第1の分子構造に、又はその両方に構成可能である自己組織化可能な重合体を提供する。0046以下の特徴は、適切な場合は、本明細書に記載の化合物及び方法の様々な態様のすべてに適用できる。適切な場合は、以下の特徴の組合せを、本明細書に記載の、例えば特許請求の範囲に記載の方法及び組成物の一部として使用してもよい。本明細書に記載の方法及び組成物は、デバイスリソグラフィに使用するのに特に適している。例えば、方法及び組成物は、デバイスの基板のパターニングに直接使用し、又はインプリントリソグラフィ用のインプリントテンプレートをパターニングに使用するために自己組織化重合体のレジスト層の処理又は形成のために使用してもよい。0047上述のように、自己組織化可能な重合体は、第1及び第2のタイプのドメインに関連付けされる異なるタイプのブロックの秩序化重合体層に自己組織化可能である少なくとも2つの異なるタイプのブロックから構成されるブロック共重合体であってもよい。ブロック共重合体は、ジブロック共重合体、又はトリブロック共重合体、又はマルチブロック共重合体でよい。交互の、又は周期的なブロック共重合体を自己組織化可能な重合体として使用してもよい。0048自己組織化可能な重合体は、第1の単量体の1つ以上の第1のブロックと、第2の単量体の1つ以上の第2のブロックと、を有するブロック共重合体であって、第1の分子構造及び第2の分子構造は、第1及び第2の分子配列の第1の単量体をそれぞれ有するブロック共重合体であってもよい。0049第2の単量体は、第1及び第2の分子構造で実質的に変わらない分子配列を有してもよい。あるいは、第2の単量体は、第1及び第2の分子構造で異なる分子配列を有してもよい。0050第1の単量体は、第1の分子配列にある場合は、第1の単量体が第2の分子配列にある場合よりも第2の単量体に対する化学親和力が低いことが望ましい。本明細書では、化学親和力は2つの異なる化学種が互いに結合する傾向を意味する。例えば、性質が親液性例えば親水性の化学種は特定の液体例えば水に対する化学親和力が高いのに対して、疎液性例えば疎水性の化合物は特定の液体例えば水に対する化学親和力は低いが、例えばアルカンに対する化学親和力は高い。性質が極性である化学種は別の極性化合物及び水に対する化学親和力が高いのに対して、無極性、非極性又は疎水性の化合物は水及び極性種に対する化学親和力は低いが、アルカンなどのその他の非極性種に対する高い化学親和力を示すことがある。化学親和力は2つの化学種間の界面に関連する自由エネルギーに関係がある。すなわち、界面自由エネルギーが高い場合は、2つの種の相互の化学親和力は低いのに対して、界面自由エネルギーが低い場合は、2つの種の相互の化学親和力は高い。0051本明細書では化学種とは、分子、オリゴマー、又は重合体などの化合物、又は両親媒性分子すなわち化学親和力が異なる少なくとも2つの相互結合された部分を有する分子などのいずれかの化合物を意味し、化学種という用語はこのような分子の異なる部分を指すことがある。例えば、二元ブロック共重合体の場合は、ブロック共重合体分子を構成する2つの異なる重合体ブロックは、異なる化学親和力を有する2つの異なる化学種であると見なされる。0052本明細書で用いる分子構造及び分子配列という用語は、同義であり異なる用語を用いる理由は明瞭にするためだけである、化学種の物理的、空間的、異性体、及び/又は電子配列を意味する。例えば、双性イオン性又は両性イオン性化学種は、極性である1つの分子構造又は配列と、実質的に無極性である別の配列と、を示すことがある。例えば、ポリオキシエチレン又はポリオキシプロピレンなどの化学種は、水和状態、又は実質的に無水状態にあるか否かによって異なる分子構造を示すことがある。0053第1の単量体は、第1と第2の分子配列とで異なる極性を有してもよい。例えば、第1の単量体は、性質がニュートラル、非イオン性、又は非極性の1つの第1の、又は第2の分子配列と、単量体内で電荷分離すなわち双性イオン性の挙動を示す別の第2の、又は第1の分子配列と、を有してもよい。0054追加的に又は代替的に、第1の単量体は、第1と第2の分子配列とで異なる物理配座を有してもよい。例えば、周期部分がある場合は、1つの分子配列は舟型構造を有し、別の分子配列は椅子型構造を有してもよい。例えば、1つの分子配列は炭素-炭素二重結合の周囲にシス配列を有し、別の分子配列は同じ結合の周囲にトランス配列を有してもよい。0055追加的に又は代替的に、第1の単量体は、第1と第2の分子配列とで異なる水和状態を有してもよい。例えば、酸化ポリエチレン又は酸化ポリプロピレンなどのある種の単量体は、水の存在下で下限臨界溶液温度LCSTを示し、単量体がLCST未満では水和され、又は水溶性であるが、LCST以上では脱水分子構造を示すようにしてもよい。0056第1の分子構造から第2の分子構造に、第2の分子構造から第1の分子構造に、又はその両方に自己組織化可能な重合体を構成するために加えられる刺激は可視光放射又は紫外線放射などの化学線放射であってよい。0057追加的に又は代替的に、刺激は温度であってもよい。追加的に又は代替的に、例えば湿気又はpHなどの化学的刺激などのその他の適切な刺激を用いてもよい。00581つの分子構造から別の分子構造への転移は、さらに別の刺激を加えずに、又は秩序化層の形成後に自己組織化可能な重合体の温度を低下させる以外の刺激を加えずに反転可能であってもよく、又は、重合体を第1の分子構造から第2の分子構造にするために、第1の刺激が用いられた後に自己組織化可能な重合体を第1の分子構造に戻すために第2の刺激を加えなければならないこともある。0059分子構造を変更するために用いられる刺激が温度である場合は、構造転移温度Tcがあり、自己組織化可能な重合体はTc未満の温度で第1の分子構造を示し、Tc以上の温度で第2の分子構造を示すことがある。このような場合は、温度Tcは、適切には例えばTg以上、To/d未満であるため、重合体の分子構造は温度が異なると異なるので、自己組織化可能な重合体は、To/dではTgでの値よりも実質的に低い値のFloryHugginsパラメータを示す。あるいは、第1の分子構造から第2の分子構造への変更は、転移温度ではなく温度範囲全体にわたって行われてもよい。その効果は、分子構造が第1の分子構造を保った場合よりも第2の分子構造の場合の方がTo/dが低いことである。0060自己組織化可能な重合体は、ガラス転移温度Tg及び秩序/無秩序転移温度To/dを有してもよく、第1の分子構造の自己組織化可能な重合体のガラス転移温度TgでのFloryHugginsパラメータの値は、自己組織化可能な重合体が第2の分子構造にある場合の秩序/無秩序転移温度To/dでの第2の分子構造の自己組織化可能な重合体のFloryHugginsパラメータの少なくとも1.2倍、少なくとも2倍、又は少なくとも3倍である。0061ガラス転移温度は、秩序/無秩序転移温度To/dの場合のように示差走査熱量測定DSCによって適切に測定される。0062本発明の一態様では、自己組織化可能な重合体は、第1の単量体の第1のブロックと、第2の単量体の第2のブロックと、から構成され、第1の分子構造と第2の分子構造とを有するブロック共重合体であってよく、第1の分子構造は第1の分子配列の第1の単量体を有し、第2の分子構造は第2の分子配列の第2の単量体を有し、自己組織化可能な重合体は刺激を加えることによって第1の分子構造から第2の分子構造に、第2の分子構造から第1の分子構造に、又はその両方に構成可能であり、第1の単量体が第1の分子配列にある場合は、第1の単量体が第2の分子配列にある場合よりも第2の単量体に対する化学親和力が低い。0063言い換えると、自己組織化可能な重合体が第2の分子構造にある場合は、第1及び第2のブロックの第1及び第2の単量体のそれぞれの化学親和力は、第2の分子構造にある自己組織化可能な重合体の温度はTo/d未満であるが、欠陥をなくするための重合体分子の再秩序化が完全に妨げられるほど化学親和力の差が大きくはない場合に自己組織化が行われるような化学親和力である。自己組織化可能な重合体が、例えばちょうどTg以上である温度で第1の分子構造にある場合は、第1及び第2のブロックの第1及び第2の単量体のそれぞれの化学親和力は、化学親和力の差が大きいために秩序化層内の第1及び第2の単量体のドメイン間に良好に秩序化された境界が存在し、境界のエッジラフネスが低い秩序化層が生じるような化学親和力である。0064本発明の一態様は、基板上に自己組織化可能な重合体の秩序化層を形成する方法であって、自己組織化可能な重合体が秩序化層内に自己組織化されると第1の分子構造を有し、該方法は、基板上に自己組織化可能な重合体層を形成するステップと、第2の分子構造に構成された自己組織化可能な重合体をそのガラス転移温度Tgよりも高い第1の温度T1に加熱するステップであって、第1の温度T1は自己組織化可能な重合体が第2の分子構造にある場合は秩序/無秩序転移温度To/d未満であり、自己組織化可能な重合体が自己組織化して秩序化重合体層を形成する、ステップと、自己組織化可能な重合体をその第1の分子構造に戻すステップと、自己組織化可能な重合体をそのガラス転移温度Tg未満の温度に冷却するステップと、を含み、第1の分子構造は、第2の分子構造よりも自己組織化可能な重合体のFloryHugginsパラメータが高い方法を提供する。0065本発明の一態様は、基板上に自己組織化可能な重合体の秩序化層を形成する方法であって、自己組織化可能な重合体は、第1の単量体の第1のブロックと、第2の単量体の第2のブロックと、を含むブロック共重合体であり、該ブロック共重合体は第1及び第2の分子構造を有し、第1の分子構造は第1の分子配列の第1の単量体を有し、第2の分子構造は第2の分子配列の第1の単量体を有し、第1の単量体は、第1の分子構造にある場合、第2の分子配列にある場合の第1の単量体よりも第2の単量体に対する化学親和力が低く、自己組織化可能な重合体は、秩序化層内に第1の分子構造を有し、該方法は、基板上に自己組織化可能な重合体層を形成するステップと、第2の分子構造に構成された自己組織化可能な重合体をそのガラス転移温度Tgよりも高い第1の温度T1に加熱するステップであって、第1の温度T1は自己組織化可能な重合体が第2の分子構造にある場合は秩序/無秩序転移温度To/d未満であり、自己組織化可能な重合体が自己組織化して秩序化重合体層を形成する、ステップと、自己組織化可能な重合体をその第1の分子構造に戻すステップと、自己組織化可能な重合体をそのガラス転移温度Tg未満の温度に冷却するステップと、を含む方法を提供する。0066自己組織化可能な重合体は、刺激を加えることによって、第1の分子構造から第2の分子構造に、第2の分子構造から第1の分子構造に、又はその両方に適切に構成可能である。上述のように、刺激は、可視光放射又は紫外線放射などの化学線放射及び/又は温度であってよい。追加的に又は代替的に、例えば湿気又はpHなどの化学的刺激などのその他の適切な刺激を用いてもよい。層と液体、蒸気又は気体とを接触させることによって化学的刺激を加えてもよい。0067上記方法はさらに、自己組織化可能な重合体が第2の分子構造にある間に自己組織化可能な重合体層を第2の温度T2に加熱するステップを含み、第2の温度T2は第2の分子構造では秩序/無秩序転移温度To/dよりも高い。0068自己組織化可能な重合体層は、自己組織化可能な重合体を第1の分子構造に戻す前に、及び、自己組織化可能な重合体をそのガラス転移温度Tg未満の温度に冷却する前に、自己組織化可能な重合体層の温度を第1の温度T1と第2の温度T2との間の範囲の温度に変更することによってアニールされてもよい。0069自己組織化可能な重合体は、第1の分子構造にある自己組織化可能な重合体をそのガラス転移温度Tg未満の温度に冷却する前に、第2の温度T2すなわち第2の分子構造にある自己組織化可能な重合体のTo/d以上の温度にある自己組織化可能な重合体を第2の分子構造と第1の分子構造との間で変更するための刺激を加えることによってアニールされてもよく、T2は第1の分子構造にある場合の重合体のTo/dより低い。0070温度T2では、重合体は第2の分子構造の場合はTo/d以上であるが、第1の分子構造の場合はTo/d未満であり、したがって、重合体を1つの分子構造から別の分子構造に変更するために刺激を加えると、欠陥のあるアニール効果が生じる。例えば、重合体を第1の分子構造にある間にT2に加熱して第1の分子構造のTo/d未満になるようにし、次に、重合体を第2の分子構造に切り換えるために、T2が第2の分子構造のTo/d以上になるように刺激を加えてもよい。適切に刺激を加えることによって、T2にある間に重合体を2つの構造間で往復して切り換えてもよい。0071本発明の一態様は、レジストエッチングによって基板の表面をパターニングするリソグラフィ方法を提供し、この方法は、本明細書に記載の方法によって表面に自己組織化可能な重合体の秩序化層を形成するステップを含み、秩序化層はレジスト層としての機能を果たす。0072例えば、秩序化重合体の異なるブロックは各々異なる腐食抵抗性を示してもよい。あるいは、例えば光劣化によりブロックの1つを選択的に除去してもよく、残りのブロックをエッチレジストとして作用させてもよい。0077図1Aは、内部に1つ以上の側壁3と底面4とによって境界付けられたトレンチ2が形成された基板1を示す。図1Bでは、親液性のAブロックと疎液性のBブロックとを有する自己組織化可能なA-Bブロック共重合体がトレンチ内に堆積され、ブロック共重合体の堆積中にミクロ相分離された個別の周期的ドメインへと分離されたラメラ相として堆積されたA及びBドメインの交互のストライプを有する層5を形成している。これはグラフォエピタキシと呼ばれる。タイプAのドメインはこれも親液性である側壁3の近傍で核を形成している。図1Cでは、タイプAのドメインがタイプBのドメインを残して選択的化学エッチングにより除去され、トレンチ内にレリーフパターンを形成し、そこでこれらのドメインは、例えば化学エッチングによる底面4のその後のパターニング用のテンプレートの役割を果たし得る。選択的な除去は、例えば共重合体のブロック間の架橋剤の選択的な光劣化又は光開裂、及びそれに続く1つのブロックの可溶化によって達成されてもよい。自己組織化重合体構造5のピッチ又は波長、及びトレンチ4の幅は、ドメインの幾つかの交互のストライプがトレンチに適合でき、タイプAのドメインが側壁の各々に接するように配置される。0078図2Aは、重合体のタイプAのブロックへの親和力がより高い領域を提供するために表面13上に化学的に形成されたピニングストライプ11の形態の化学パターンを有する基板10を示す。図2Bでは、親液性のAブロックと疎液性のBブロックとを有する自己組織化可能なA-Bブロック共重合体が基板10の表面13上に堆積され、ブロック共重合体の堆積中にミクロ相分離された個別の周期的ドメインへと相分離されたA及びBドメインの交互のストライプを有するラメラ相の層12を形成している。これは化学プレパターニングと呼ばれる。タイプAの親液性のドメインは、これも親液性であるピニングストライプ11の上に核を形成している。図2Cでは、タイプAのドメインがタイプBのドメインを残して選択的化学エッチングにより除去され、表面13上にレリーフパターンを形成し、そこでこれらのドメインは、例えば化学エッチングによる表面13のその後のパターニング用のテンプレートの役割を果たし得る。自己組織化重合体構造12のピッチ又は波長、及びピニングストライプ11の間隔は、ドメインの幾つかの交互のストライプがピニングストライプ11の間に適合でき、タイプAのドメインが各ピニングストライプ11の上にあるように配置される。0079次に図3A~図3Dを参照すると、これらの図は本発明のある実施形態による方法を概略的に示している。図3Aは、無秩序状態すなわち、未だ重合体が自己組織化して周期的にパターニングされた秩序化層を与える秩序化層ではない状態でA-Bブロックの共重合体である自己組織化可能な重合体層23がその上に堆積されるプライマー層22を備える基板21を示す。0080この実施形態のプライマー層22は、基板表面の酸素に対するヒドロキシル末端基又はその他の反応性末端基の反応によって共有結合されるランダム共重合体ブラシのプライマー層である。これは、基板表面と自己組織化可能な重合体層との間の中間層として機能することによって、Aに対する、又はBに対する表面の化学親和力をニュートラルにする。プライマー層には、1つのブロックタイプの自己組織化可能な層がプライマー層22の下にある基板21と直に接触できるようにギャップ図示せずが設けられている。これは、特定のブロックタイプの自己組織化可能な重合体層23のドメインを基板21に対して固着するか、又は整列させるために役立つことがある。0081Aブロックの共重合体は、低エネルギーのトランス異性状態又は高エネルギーのシス異性状態を有するアゾベンゼン部分を備える単量体である。トランス異性体は適切な第1の放射波長での照射によってシス異性体に変換され、異なる第2の放射波長での照明によってトランス異性体に再変換されてもよい。図3Bでは、重合体層23は、Aブロックの単量体がシス型に変換されるように放射24を受ける。Bの単量体は、Aの単量体がシス型の場合、トランス型にある場合よりもBの単量体に対する化学親和力が高く、したがって、A単量体がトランス配列第1の分子配列ではなくシス配列第2の分子配列にある場合は、自己組織化可能な重合体のFloryHugginsパラメータが大幅に低減するような単量体である。0082A単量体がシス配列にある場合は、重合体層23がタイプA25及びタイプB26のドメイン内に自己組織化されて周期的なパターニング層を形成し得るように、自己組織化可能な重合体はそのガラス転移温度Tg以上であるが秩序/無秩序転移温度To/d未満の温度に加熱される。これは図3Cに示されている。0083重合体層23は、A単量体がシス構造にある間に、温度を例えば第1の温度T1と第2の温度T2の間の範囲で変更することによって、欠陥を除去し、持続長を向上させるためにアニールされてもよく、ここで、T1はTo/dよりも数°C低い温度であり、T2はTo/dよりも数°C高い温度である。0084図3Dでは、自己組織化可能な重合体層23は、シスからトランスへと転移させるのに適する第2の波長の放射27で照明することによって、A単量体をトランス配列第1の分子配列に戻すことにより第1の分子構造に戻される。これによって、この時点でA及びB単量体が互いに対する化学親和力がより少なくなることが確実にされ、したがって、自己組織化可能な重合体層23がそのガラス転移温度Tg未満の温度に冷却される前に、AドメインとBドメイン25、26の間に明確な境界が形成され、それによってパターンが自己組織化可能な重合体層23へと固定される。0085この実施形態の秩序化層は、第2の分子構造の重合体層23でアニーリングが行われた結果、重合体分子の互いの相互拡散及び移動能力が高まると共に、欠陥レベルが低く、持続長が長くなる。しかし、第1の分子構造にある重合体の温度をTg未満にする前に、重合体層23を第1の分子構造に変換することによって、FloryHugginsパラメータがこのように低いことに関連する硬化した秩序化層の大きいライン幅/エッジラフネスが避けられる。この第1の分子構造での異なるドメインタイプA25とB26との間の化学親和力が低い結果、異なるドメイン間に良好に画定された境界が生じる。0086記載し、図示した実施形態は、例示的なものであって限定的なものではないと見なされるべきであり、好ましい実施形態だけを図示し記載したこと、及び定義する本発明の範囲内の全ての変更及び修正が保護される必要があることが理解されよう。例えば、自己組織化可能な重合体23をトランス構造に戻すために、第2の波長の放射27の照明を用いる代わりに、自己組織化可能な重合体層23がTgの温度に冷却される際に簡単にトランス構造に戻ってもよい。0087例えば、重合体は刺激が加えられる間は第2の分子配列に留まり、刺激が加えられなくなると第1の分子配列に戻ってもよい。別のシステムは非可逆性であり、したがって第1の分子配列に戻すには第2の刺激が必要になることがある。0088刺激を受けると異なる分子配列をもたらすために使用してもよいその他の有用な化学的部分には、アゾベンゼンの他に、スピロピラン、スピロオキサジン、フルギド、ビナフチル、及びジアリールエテンが含まれる。これらは例えば、自己組織化可能な重合体の単量体上の置換基として含まれてもよい。0089別の有用な化学的部分には、ポリオキシエチレンポリエチレングリコール又はポリオキシプロピレンポリプロピレングリコールなどのポリアルコキシ基が含まれる。これらの化学的部分は、臨界温度での水和状態の変化に起因する異なる分子構造を示すことがある。0090別の有用な化学的部分は、例えばDai他の論文、Thermoandphotoresponsivepolymericsystems、SoftMatter、2009年5月、2513~2533ページに記載されている。0091本発明のある実施形態では、第1の分子構造から第2の分子構造への変更は、熱活性化の結果としてのみ起こるすなわち、温度によってのみ制御される。したがって、構造転移温度Tcが存在し、自己組織化可能な重合体はTc未満の温度で第1の分子構造を示し、Tc以上の温度で第2の分子構造を示すことがある。このような場合は、温度Tcは例えば第2の分子構造では適切にTg以上、To/d未満であるため、自己組織化可能な重合体は、異なる温度では重合体の分子構造が異なる結果、Tgでの値よりも高いTo/dでの値を有するFloryHugginsパラメータを示す。0092本発明の実施形態はリソグラフィ方法に関するものである。この方法は、電子デバイス及び集積回路などのデバイスの製造、又は集積光学系、磁気ドメインメモリ用のガイダンス及び検知パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド、有機発光ダイオードなどの製造などのその他の用途に使用してもよい。また、本発明は、ビットパターン媒体又は磁気記憶デバイス用例えばハードディスク用の離散型トラック媒体の製造用に表面上に規則的ナノ構造を製造するためにも使用される。0093特に、本発明は、基板上のパターニングされたフィーチャの幅又はクリティカルディメンションが約1μm以下、通常は100nm以下、さらには10nm以下である高解像度のリソグラフィ用に使用される。0094リソグラフィは幾つかのパターンを基板上に与えるステップを含んでおり、パターンは集積回路などのデバイスを共に形成するように互いの上に積層される。先行して与えられた各パターンとのアライメントは重要な要件である。パターンが互いに十分に正確に位置合わせされないと、層どうしの電気的接続がなされない結果になることがある。ひいてはそれによってデバイスの機能不良が生じることがある。したがって、リソグラフィ装置は通常は、各パターンを先行して与えられたパターンと、及び/又は基板上に備えられたアライメントマークと位置合わせするために使用されるアライメント装置を含んでいる。0095本明細書では、基板という用語は、基板の一部を形成する、又は基板上に備えられる平坦化層又は反射防止コーティング層などのいずれかの表面層を含むことを意味する。本明細書に記載するプライマー層は、基板の一部とは見なされず、基板上に備えられる。プライマー層上に直に備えられる自己組織化可能な重合体層も基板の一部とは見なされない。