"空洞部によって半導体基板とは熱的に分離された赤外線吸収膜と、赤外線吸収膜の温度変化を検出する温度センサーとを備えた熱型赤外線センサーにおいて、前記赤外線吸収膜は前記半導体基板と対向する面にサブ波長構造からなる赤外線反射防止構造を備えていることを特徴とする熱型赤外線センサー。前記半導体基板はSOI基板であり、前記赤外線吸収膜は前記SOI基板のBOX層によって形成されており、前記温度センサーは前記SOI基板の単結晶シリコン層に形成されている請求項1に記載の熱型赤外線センサー。前記半導体基板上にCMOS回路をさらに備えている請求項1又は2に記載の熱型赤外線センサー。空洞部によって半導体基板とは熱的に分離された赤外線吸収膜と、赤外線吸収膜の温度変化を検出する温度センサーとを備えた熱型赤外線センサーの製造方法において、以下の工程AからEをその順に含む熱型赤外線センサーの製造方法。A写真製版技術及びエッチング技術によって、熱型赤外線センサーのセンサー部の形成予定位置の前記半導体基板の表面にサブ波長構造形成用の凹部パターンを形成する工程、B熱酸化処理を施して、前記半導体基板の表面に、前記凹部パターンから形成されたサブ波長構造をもつ酸化シリコン膜からなる前記赤外線吸収膜を形成する工程、C前記赤外線吸収膜上に前記温度センサーを形成する工程、D前記温度センサーの電位をとるために、層間絶縁膜、配線及び保護膜を形成する工程、E前記赤外線吸収膜の直下の前記半導体基板を除去するために、写真製版技術及びエッチング技術によって前記保護膜及び前記層間絶縁膜に前記半導体基板に到達するエッチング用開口部を形成した後、ウェットエッチング技術によって前記エッチング用開口部を介して前記赤外線吸収膜の直下の前記半導体基板を除去して、前記赤外線吸収膜と前記半導体基板との間に前記空洞部を形成する工程。前記半導体基板はSOI基板の支持基板であり、前記工程Bにおける熱酸化処理は、前記支持基板表面に前記SOI基板のBOX層を形成する処理でもあり、前記工程Bと前記工程Cとの間に、前記BOX層の表面を研磨処理によって平坦化し、さらに前記BOX層上に単結晶シリコン層を貼り付けて前記SOI基板の単結晶シリコン層に形成する工程B’を含み、前記工程Cは前記工程B’で形成された単結晶シリコン層に前記温度センサーを形成する請求項4に記載の熱型赤外線センサー。空洞部によって半導体基板とは熱的に分離された赤外線吸収膜と、赤外線吸収膜の温度変化を検出する温度センサーとを備えた熱型赤外線センサーの製造方法において、以下の工程AからEをその順に含む熱型赤外線センサーの製造方法。A前記半導体基板上に絶縁膜を介して半導体層を形成した後、写真製版技術及びエッチング技術によって、熱型赤外線センサーのセンサー部の形成予定位置の前記半導体層の表面にサブ波長構造形成用の凹部パターンを形成する工程、B熱酸化処理を施して、前記半導体層の表面に、前記凹部パターンに対応するサブ波長構造をもつ酸化シリコン膜からなる前記赤外線吸収膜を形成する工程、C前記赤外線吸収膜上に前記温度センサーを形成する工程、D前記温度センサーの電位をとるために、層間絶縁膜、配線及び保護膜を形成する工程、E前記赤外線吸収膜の直下の前記半導体層を除去するために、写真製版技術及びエッチング技術によって前記保護膜及び前記層間絶縁膜に前記半導体層に到達するエッチング用開口部を形成した後、ウェットエッチング技術によって前記エッチング用開口部を介して前記赤外線吸収膜の直下の前記半導体層を除去して、前記赤外線吸収膜と前記半導体基板との間に前記空洞部を形成する工程。しかし、基板の裏面側から赤外線を受光するタイプの赤外線センサーにおいては、基板から熱的に分離された赤外線吸収膜の受光面基板と対向する面に反射防止構造や反射防止膜が形成されておらず、赤外線吸収膜の裏面側から入射してくる赤外線の一部は反射してしまい、センサー感度が低下するという問題があった。例えば、図17に示した赤外線センサーで、基板103の裏面側から赤外線が入射したとき、基板103の裏面、基板103と空洞部104との界面、空洞部104と赤外線吸収膜105との界面の三箇所で反射が生じる。基板103の裏面に関しては、反射防止膜等を形成することにより反射を抑制することができるが、基板103と空洞部104との界面、空洞部104と赤外線吸収膜105との界面に関しては反射防止膜等を形成することが難しく、反射を防止することができない。特に、図17に示した構成のように、センサー部101を基板103から熱分離するときに基板103の一部分をエッチング除去する方法を採用した場合には、基板103の一部分をエッチングで除去する工程はほとんど最終工程で行なわれるため、空間部104が形成された後の工程でこれらの界面に反射防止膜を形成することは不可能である。本発明は、赤外線吸収膜の裏面側から赤外線を受光するタイプの熱型赤外線センサーにおいて、赤外線吸収膜の裏面における赤外線の反射率を低減させることを目的とする。本発明にかかる熱型赤外線センサーは、空洞部によって半導体基板とは熱的に分離された赤外線吸収膜と、赤外線吸収膜の温度変化を検出する温度センサーとを備えたものであって、上記赤外線吸収膜は上記半導体基板と対向する面にサブ波長構造からなる赤外線反射防止構造を備えている。本発明にかかる熱型赤外線センサーの製造方法の第1局面は、空洞部によって半導体基板とは熱的に分離された赤外線吸収膜と、赤外線吸収膜の温度変化を検出する温度センサーとを備えた熱型赤外線センサーの製造方法であって、以下の工程AからEをその順に含む。A写真製版技術及びエッチング技術によって、熱型赤外線センサーのセンサー部の形成予定位置の上記半導体基板の表面にサブ波長構造形成用の凹部パターンを形成する工程、B熱酸化処理を施して、上記半導体基板の表面に、上記凹部パターンから形成されたサブ波長構造をもつ酸化シリコン膜からなる上記赤外線吸収膜を形成する工程、C上記赤外線吸収膜上に上記温度センサーを形成する工程、D上記温度センサーの電位をとるために、層間絶縁膜、配線及び保護膜を形成する工程、E上記赤外線吸収膜の直下の上記半導体基板を除去するために、写真製版技術及びエッチング技術によって上記保護膜及び上記層間絶縁膜に上記半導体基板に到達するエッチング用開口部を形成した後、ウェットエッチング技術によって上記エッチング用開口部を介して上記赤外線吸収膜の直下の上記半導体基板を除去して、上記赤外線吸収膜と上記半導体基板との間に上記空洞部を形成する工程。本発明にかかる熱型赤外線センサーの製造方法の第2局面は、空洞部によって半導体基板とは熱的に分離された赤外線吸収膜と、赤外線吸収膜の温度変化を検出する温度センサーとを備えた熱型赤外線センサーの製造方法であって、以下の工程AからEをその順に含む熱型赤外線センサーの製造方法。A上記半導体基板上に絶縁膜を介して半導体層を形成した後、写真製版技術及びエッチング技術によって、熱型赤外線センサーのセンサー部の形成予定位置の上記半導体層の表面にサブ波長構造形成用の凹部パターンを形成する工程、B熱酸化処理を施して、上記半導体層の表面に、上記凹部パターンに対応するサブ波長構造をもつ酸化シリコン膜からなる上記赤外線吸収膜を形成する工程、C上記赤外線吸収膜上に上記温度センサーを形成する工程、D上記温度センサーの電位をとるために、層間絶縁膜、配線及び保護膜を形成する工程、E上記赤外線吸収膜の直下の上記半導体層を除去するために、写真製版技術及びエッチング技術によって上記保護膜及び上記層間絶縁膜に上記半導体層に到達するエッチング用開口部を形成した後、ウェットエッチング技術によって上記エッチング用開口部を介して上記赤外線吸収膜の直下の上記半導体層を除去して、上記赤外線吸収膜と上記半導体基板との間に上記空洞部を形成する工程。本発明の熱型赤外線センサーは、赤外線吸収膜の半導体基板と対向する面にサブ波長構造からなる赤外線反射防止構造を備えている。本発明の製造方法の第1局面及び第2局面は、赤外線吸収膜の半導体基板と対向する面にサブ波長構造からなる赤外線反射防止構造をもつ熱型赤外線センサーを形成する。サブ波長構造について説明する。光学素子表面にサブ波長構造利用する光の波長より短い周期の構造を形成した周期格子は、回折波を発生しないが、その構造によって光波の透過特性や反射特性に強く影響する。サブ波長構造の周期格子は、光波に対して光学素子の基材と周囲の媒質との平均的な屈折率を持った媒質とほぼ等価になる。以下、このような効果によって生じる平均的な屈折率を有効屈折率と称す。つまり、サブ波長構造がない場合には光学素子と周囲の媒質との界面で屈折率の変化が急峻であるのに対して、サブ波長構造を形成した場合には、光学素子と周囲の媒質との界面での屈折率の変化が緩やかになり、反射防止効果が得られる。このように、サブ波長構造をうまく設計することにより、反射防止構造が形成可能となる。非特許文献2には、2次元的に配列された凹凸が反射防止構造となることが開示されている。図18に示すように、表面に四角錐様の凹凸201を配列したサブ波長の周期構造202を形成すると、凹凸201が形成される部材203と、周囲の媒質との中間の有効屈折率をもつ薄膜層が存在することと等価となり、この表面での反射が減少する。また、非特許文献1には、サブ波長構造は赤外線に対しても反射防止効果が得られることが示されている。また、素子表面に形成するサブ波長構造は錐体形状に限らず、柱状形状でも反射防止効果が得られることが示されている。このように、素子表面にサブ波長構造を形成することにより、入射光の反射防止が可能となる。そして、本発明の熱型赤外線センサー及びその製造方法は、赤外線吸収膜の半導体基板と対向する面にサブ波長構造からなる赤外線反射防止構造を形成するので、赤外線吸収膜の裏面側から赤外線を受光するタイプの熱型赤外線センサーにおいて、赤外線吸収膜の裏面における赤外線の反射率を低減させることができ、熱型赤外線センサーの感度を向上させることができる。本発明の熱型赤外線センサーにおいて、上記半導体基板はSOI基板であり、上記赤外線吸収膜は上記SOI基板のBOX層によって形成されており、上記温度センサーは上記SOI基板の単結晶シリコン層に形成されている例を挙げることができる。また、本発明の製造方法の第1局面において、上記半導体基板はSOI基板の支持基板であり、上記工程Bにおける熱酸化処理は、上記支持基板表面に上記SOI基板のBOX層を形成する処理でもあり、上記工程Bと上記工程Cとの間に、上記BOX層の表面を研磨処理によって平坦化し、さらに上記BOX層上に単結晶シリコン層を貼り付けて上記SOI基板の活性層に形成する工程B’を含み、上記工程Cは上記工程B’で形成された単結晶シリコン層に上記温度センサーを形成する例を挙げることができる。ただし、本発明の熱型赤外線センサー及びその製造方法において、半導体基板は、SOI基板に限定されるものではなく、バルク半導体基板であってもよい。また、本発明の熱型赤外線センサーにおいて、赤外線吸収膜は、BOX層からなるものに限定されるものではなく、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜、窒化シリコン膜と酸化シリコン膜の積層膜など、赤外線を吸収して温度変化を生じる膜であれば、どのような膜であってもよい。また、本発明の熱型赤外線センサー及びその製造方法において、温度センサーは、単結晶シリコン層に形成されたものに限定されるものではなく、PNダイオード、MOSFET、サーミスタ、ボロメータ、サーモパイル、焦電体など、赤外線吸収膜の温度変化を検出できるセンサーであれば、どのような方式のものであってもよい。本発明の熱型赤外線センサーにおいて、上記半導体基板上にCMOS回路をさらに備えているようにしてもよい。赤外線センサーとCMOSComplementaryMetalOxideSemiconductor回路のモノシリック化を考慮すると、赤外線センサー部とCMOS回路部は同時に形成されなければならないため、赤外線センサー部の下層に通常のCMOSプロセスで使用される材料以外の材料で反射防止膜を形成することは好ましくない。また、このような構成の赤外線センサーでは、赤外線吸収膜として酸化シリコン膜や窒化シリコン膜を使用することが多く、これらの材料に対して有効な反射防止膜となる材料は通常のCMOSプロセスで使用される材料の中にはない。本発明の熱型赤外線センサーは、赤外線吸収膜の半導体基板と対向する面にサブ波長構造からなる赤外線反射防止構造を備え、CMOSプロセスで使用される材料以外の材料で赤外線吸収膜の裏面半導体基板と対向する面に反射防止膜を形成する必要はないので、CMOS回路のモノシリック化が容易である。本発明の熱型赤外線センサーは、赤外線吸収膜の半導体基板と対向する面にサブ波長構造からなる赤外線反射防止構造を備え、本発明の製造方法の第1局面及び第2局面は、赤外線吸収膜の半導体基板と対向する面にサブ波長構造からなる赤外線反射防止構造をもつ熱型赤外線センサーを形成するようにしたので、赤外線吸収膜の裏面側から赤外線を受光するタイプの熱型赤外線センサーにおいて、赤外線吸収膜の裏面における赤外線の反射率を低減させることができ、熱型赤外線センサーの感度を向上させることができる。本発明の熱型赤外線センサーにおいて、半導体基板はSOI基板であり、赤外線吸収膜はSOI基板のBOX層によって形成されており、温度センサーはSOI基板の単結晶シリコン層に形成されているようにしてもよい。また、本発明の製造方法の第1局面において、半導体基板はSOI基板の支持基板であり、工程Bにおける熱酸化処理は、支持基板表面にSOI基板のBOX層を形成する処理でもあり、工程Bと工程Cとの間に、BOX層上に単結晶シリコン層を貼り付けてSOI基板の活性層に形成する工程B’を含み、工程Cは工程B’で形成された単結晶シリコン層に温度センサーを形成するようにしてもよい。これにより、温度センサーをポリシリコンに形成する場合に比べて、熱型赤外線センサーのS/N比信号量と雑音量の比の改善や安定性、均一性の向上を図ることができる。また、本発明の熱型赤外線センサーは、赤外線吸収膜の半導体基板と対向する面にサブ波長構造からなる赤外線反射防止構造を備えているので、CMOSプロセスで使用される材料以外の材料で赤外線吸収膜の裏面に反射防止膜を形成する必要はなく、CMOS回路のモノシリック化が容易である。図1は、熱型赤外線センサーの一実施例を説明するための概略的な断面図である。図2は図1の実施例の概略的な平面図である。図1は図2のA-A’位置での断面に対応している。センサー部1は梁部3によってシリコン基板半導体基板5に対して空洞部7を介して支持されている。センサー部1に赤外線吸収膜9、温度センサー11、配線13、層間絶縁膜15、保護膜17が形成されている。梁部3には、赤外線吸収膜9、配線13、層間絶縁膜15、保護膜17が形成されている。赤外線吸収膜9は酸化シリコン膜によって形成されている。赤外線吸収膜9は空洞部7によってシリコン基板5とは熱的に分離されている。赤外線吸収膜9はシリコン基板5と対向する面にサブ波長構造9aからなる赤外線反射防止構造を備えている。梁部3の赤外線吸収膜9にもサブ波長構造9aが形成されている。ただし、梁部3においては赤外線吸収膜9酸化シリコン膜にはサブ波長構造9aは形成されていなくてもよい。温度センサー11は赤外線吸収膜9上に形成されている。本発明において、温度センサーとしては、例えばPNダイオード、MOSFET、サーミスタ、ボロメータ、サーモパイル、焦電体等の方式が使用できる。この実施例では、温度センサー11は赤外線吸収膜9上に形成されたポリシリコン膜に形成されたPN接合ダイオードによって形成されている。センサー部1及び梁部3とは異なる位置でシリコン基板5表面に酸化シリコン膜19が形成されている。酸化シリコン膜19は、赤外線吸収膜9と同時に形成されたものであるが、サブ波長構造9aを備えていない。ただし、酸化シリコン膜19は、シリコン基板5との接合面に赤外線吸収膜9と同様にサブ波長構造9aを備えていてもよい。酸化シリコン膜19上にも層間絶縁膜15及び保護膜17が形成されている。保護膜17、層間絶縁膜15、赤外線吸収膜9及び酸化シリコン膜19にエッチング用開口部21が形成されている。エッチング開口部21によってセンサー部1及び梁部3の形成位置が画定されている。梁部3に関しては、少なくとも配線13とセンサー部1を支持しうるだけの構造部があればよい。この実施例の熱型赤外線センサーには、シリコン基板5の裏面側から赤外線が入射される。この実施例の熱型赤外線センサーは、赤外線吸収膜9のシリコン基板5と対向する面にサブ波長構造9aからなる赤外線反射防止構造を備えているので、赤外線吸収膜9の裏面における赤外線の反射率を低減させることができる。これにより、熱型赤外線センサーの感度を向上させることができる。図3は、製造方法の第1局面の一実施例であって図1の製造工程を説明するための工程断面図である。図4~図7は、この実施例の工程1で形成されるサブ波長構造形成用の凹部パターン、及びこの実施例の工程2で形成される赤外線吸収膜となる酸化シリコン膜の例をそれぞれ示す図である。図4~図7で、Aはサブ波長構造形成用の凹部パターンの平面図、BはそのX-X’位置での断面図、Cは赤外線吸収膜となる酸化シリコン膜の断面図を示す。1写真製版技術及びエッチング技術により、熱型赤外線センサーのセンサー部1の形成予定位置のシリコン基板5の表面に、後記工程2での熱酸化処理を考慮してサブ波長構造形成用の凹部パターン9bを形成する。この実施例では、梁部3の形成予定位置にも凹部パターン9bを形成する。凹部パターン9bの一例を図4~図7を参照して説明する。図4A,Bでは、正四角錐の凹部パターン9bが格子状に配置されている。図5A,Bでは、正四角錐台の凹部パターン9bが格子状に配置されている。図6A,Bでは、底面が正方形の直方体の凹部パターン9bが千鳥状に配置されている。図7A,Bでは、円錐の凹部パターン9bが千鳥状に配置されている。凹部パターン9bのピッチAは、対象とする赤外線の波長以下にする必要がある。例えば、人体から放出される赤外線を対象とする場合には、その波長は7~15μmマイクロメートル程度なので、凹部のピッチAは少なくとも7μm以下にする必要がある。これらの凹部パターン9bの形状は異方性ドライエッチングで形成することができ、エッチングの条件を変えることにより錐形状の凹部や垂直形状の凹部を形成することが可能である。なお、凹部パターン9bの形状及び配置は図4~図7のものに限定されない。例えば、凹部パターン9bは円錐台や、底面が四角形以外の角錐や角錐台であってもよい。図3に戻って製造工程の説明を続ける。2熱酸化処理を施して、シリコン基板5の表面に酸化シリコン膜19を形成する。酸化シリコン膜19とシリコン基板5の界面には、凹部パターン9bからサブ波長構造9aが形成される。この実施例では、センサー部1及び梁部3の酸化シリコン膜19は赤外線吸収膜9を構成する図4C、図5C、図6C及び図7Cも参照。。3赤外線吸収膜9上に温度センサー11を形成する。温度センサー11としては、PNダイオード、MOSFET、サーミスタ、ボロメータ、サーモパイル、焦電体等の方式が使用できる。一例としては、ポリシリコン膜を堆積し、そのポリシリコン膜にイオン注入処理や不純物拡散処理を行なって、PN接合ダイオードからなる温度センサー11を形成する。これにより、温度センサー11を容易に形成できる。4温度センサー11の電位をとるために、通常の半導体装置製造プロセスに沿って、層間絶縁膜15の形成、コンタクトホールの形成、配線13の形成及び保護膜17を形成する。層間絶縁膜15及び保護膜17はBPSGBorophosphosilicateglass、NSGNonedopedSilicateGlass、PSGphosphosilicateglass、TEOStetraethylorthosilicate等の一般的な半導体装置製造プロセスで使用されるCVDChemicalVaporDeposition酸化膜でよい。保護膜17はCVD窒化膜やCVD酸化膜とCVD窒化膜の積層膜であってもよい。5写真製版技術及びエッチング技術によって、保護膜17及び層間絶縁膜15に、赤外線吸収膜9の直下のシリコン基板5を除去する際に用いるエッチング用開口部21を形成する。エッチング用開口部21はシリコン基板5に到達している。エッチング用開口部21はセンサー部1と梁部3の形成位置を画定する。6図1を参照して説明する。ウェットエッチング技術によってエッチング用開口部21を介して赤外線吸収膜9の直下のシリコン基板5を除去する。これにより、赤外線吸収膜9とシリコン基板5との間に空洞部7が形成される。シリコン基板5のエッチングは、シリコンと酸化シリコン膜との選択比が大きい方式であることが好ましい。例えば、KOH水酸化カリウム水溶液やTMAH水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液のようなアルカリ溶液を用いた結晶異方性ウェットエッチングや、XeF2二フッ化キセノン、CF4四フッ化炭素、SF6六フッ化硫黄等を用いた等方性ドライエッチングなどが使用できる。また、層間絶縁膜15又は保護膜17とシリコン基板5とのエッチング選択比が小さい場合は、エッチング用開口部21の側面と保護膜17の表面にエッチング保護用のハードマスク窒化シリコン膜を形成する必要がある。図1では結晶異方性ウェットエッチングによってシリコン基板5をエッチングした場合を示した。結晶異方性ウェットエッチングの場合は、シリコンの111面でエッチングがストップするため、シリコン基板5には図1のような形状の空洞部7が形成される。さらに、このとき同時にサブ波長構造9aが空洞部7に露出する。サブ波長構造9aは酸化シリコン膜で形成されているため、シリコンと比較してエッチングされる量が少ないので、予め形成しておいた凹凸形状のサブ波長構造9aが赤外線吸収膜9の表面に現れる。このように、本発明の製造方法の第1局面によれば、赤外線吸収膜9のシリコン基板5と対向する面にサブ波長構造9aからなる赤外線反射防止構造をもつ熱型赤外線センサーを形成することができる。図8は、熱型赤外線センサーの他の実施例を説明するための概略的な断面図である。図1と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付す。この実施例では、エッチング用開口部21がセンサー部1の中央に形成されている。温度センサー11はエッチング用開口部21に露出しないようにパターニングされている。空洞部7はエッチング用開口部21を用いて等方性ドライエッチングによって形成されたものである。空洞部7の平面形状は略円形である。梁部3は空洞部7の周縁部の赤外線吸収膜9、層間絶縁膜15及び保護膜17によって形成されている。この実施例でも、赤外線吸収膜9の裏面にサブ波長構造9aが形成されている。図3を参照して説明した製造方法において、工程1でのサブ波長構造9aの形成位置、工程3での温度センサー11の形成位置、工程4での配線13の形成位置、工程5でのエッチング用開口部21の形成位置を図8に示した各位置に変更し、等方性ドライエッチングによってエッチング用開口部21を介してシリコン基板5を除去して空洞部7を形成すれば、図8に示した構造が得られる。図1に示した実施例の構成においては、温度センサー11の方式がダイオードやMOSFETの場合に、単結晶シリコンを使用することができない。図1に示した実施例では温度センサー11としてポリシリコン膜にダイオード等を形成した例を示したが、単結晶シリコンに形成したデバイスはポリシリコンに形成したデバイスと比較するとリーク電流が少ないことや、均一性が良いなどの長所がある。したがって、温度センサーを単結晶シリコンに形成できれば、赤外線センサーのS/N比の改善や安定性、均一性の向上が得られる。図9は、熱型赤外線センサーのさらに他の実施例を説明するための概略的な断面図である。図1と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付す。この実施例では、シリコン基板からなる支持基板23、酸化シリコン膜からなるBOX層25、及び単結晶シリコン層をもつSOI基板27が用いられている。温度センサー29はSOI基板の単結晶シリコン層に形成されている。温度センサー29は、SOI基板の単結晶シリコン層に形成されたPN接合ダイオードによって形成されている。温度センサー29の形成位置とは異なる位置のSOI基板の単結晶シリコン層は、素子分離のために例えばLOCOSLocalOxidationofSilicon法によって酸化されて、素子分離酸化膜31が形成されている。センサー部1及び梁部3の形成位置のBOX層25は赤外線吸収膜9を構成する。赤外線吸収膜9の裏面支持基板23に対向する面にサブ波長構造9aが形成されている。図10は、製造方法の第1局面の他の実施例であって図9の製造工程を説明するための工程断面図である。1写真製版技術及びエッチング技術により、熱型赤外線センサーのセンサー部1の形成予定位置の支持基板23の表面に、後記工程2での熱酸化処理を考慮してサブ波長構造形成用の凹部パターン9bを形成する。この実施例では、梁部3の形成予定位置にも凹部パターン9bを形成する。2熱酸化処理を施して、支持基板23の表面にBOX層25を形成する。このとき、支持基板23の裏面も酸化されて酸化シリコン膜35が形成される。BOX層25と支持基板23の界面には、凹部パターン9bからサブ波長構造9aが形成される。この実施例では、センサー部1及び梁部3のBOX層25は赤外線吸収膜9を構成する。BOX層25の表面に研磨処理を施して、凹部パターン9bに起因してBOX層25の表面に形成された凹凸を除去してBOX層25の表面を平坦化する。3BOX層25上に単結晶シリコン層33を貼り付け、単結晶シリコン層33は所望の厚みに研磨する。支持基板23の裏面の酸化シリコン膜35を除去する。これにより、支持基板23、BOX層25及び単結晶シリコン層33からなるSOI基板27が形成される。4温度センサー29の形成位置を画定するために、例えばLOCOS法によって単結晶シリコン層33に素子分離酸化膜31を形成する。センサー部1の形成予定位置の単結晶シリコン層33にイオン注入処理や不純物拡散処理を行なって温度センサー29を形成する。ここではPN接合ダイオードからなる温度センサー29を形成する。また、さらにゲート酸化膜及びゲート電極を形成する工程を加えて、MOSFETからなる温度センサーを形成してもよい。その後、温度センサー29の電位をとるために、通常の半導体装置製造プロセスに沿って、層間絶縁膜15の形成、コンタクトホールの形成、配線13の形成及び保護膜17を形成する。5図3を参照して説明した上記工程5と同様にして、エッチング用開口部21を形成する。6図9を参照して説明する。図3を参照して説明した上記工程6と同様にして、結晶異方性ウェットエッチング技術によってエッチング用開口部21を介して赤外線吸収膜9の直下の支持基板23を除去して、赤外線吸収膜9と支持基板23との間に空洞部7を形成する。なお、図8を参照して説明した等方性ドライエッチングによる空洞部7の形成も、この実施例に適用できる。このように、この実施例によれば、図9に示した、赤外線吸収膜9の支持基板23と対向する面にサブ波長構造9aからなる赤外線反射防止構造をもち、かつ温度センサー29が単結晶シリコン層に形成された熱型赤外線センサーを形成することができる。図11は、熱型赤外線センサーのさらに他の実施例を説明するための概略的な断面図である。この実施例におけるセンサー部1及び梁部3の構造は図1に示したものと同じである。この実施例は、シリコン基板5にCMOS回路部37をさらに備えている。CMOS回路部37はPチャネルMOSFET39とNチャネルMOSFET41を備えている。例えばシリコン基板5がP型シリコン基板の場合、PチャネルMOSFET39はシリコン基板5に形成されたN型ウエル43に形成され、NチャネルMOSFET41はシリコン基板5又はシリコン基板5に形成されたP型ウエル図示は省略に形成される。MOSFET39,41の形成位置は例えばLOCOS酸化膜からなる素子分離用の酸化シリコン膜19によって画定されている。PチャネルMOSFET39は、N型ウエル43に形成された、ソース及びドレインを構成する2つのP型不純物拡散層45,45と、P型不純物拡散層45,45の間のN型ウエル43上にゲート酸化膜図示は省略を介して形成されたポリシリコンゲート電極47を備えている。NチャネルMOSFET41は、シリコン基板5に形成された、ソース及びドレインを構成する2つのN型不純物拡散層49,49と、N型不純物拡散層49,49の間のシリコン基板5上にゲート酸化膜図示は省略を介して形成されたポリシリコンゲート電極51を備えている。不純物拡散層45,49及びゲート電極47,51の電位をとるための配線13が形成されている。層間絶縁膜15上及び配線13上に形成された保護膜17は第2層間絶縁膜を構成する。保護膜17上に第2層目の配線53が形成されている。配線53は、保護膜17に形成されたビアホールを介して、MOSFET39,41に接続された配線13に接続されている。センサー部1及び梁部3には配線53は形成されていない。保護膜17上及び配線53上に最終保護膜55が形成されている。最終保護膜55はCVD窒化膜やCVD酸化膜とCVD窒化膜の積層膜によって形成されている。センサー部1及び梁部3には最終保護膜55は形成されていない。MOSFET39,41の形成領域を画定するためにLOCOS法によって素子分離用の酸化シリコン膜19を形成する時に、センサー部1及び梁部3の赤外線吸収膜9及びサブ波長構造9aを形成することができる。このとき、LOCOS酸化の処理時間や膜厚はCMOS回路部37の製造プロセスによって決まるので、大幅な変更は難しい。よって、LOCOS酸化の条件で、センサー部1及び梁部3のサブ波長構造9aが問題なく形成できるように、シリコン基板5に形成する凹凸構造のサイズやピッチを考慮しなければならない。特に、赤外線吸収膜9の表面サブ波長構造9a形成面とは反対側の面の凹凸が大きい場合は、その後に形成される温度センサー11を形成するためのポリシリコンの堆積時に不具合が生じる可能性がある。つまり、LOCOS工程の酸化時間で赤外線吸収膜9の表面がある程度平坦となるように凹凸構造のサイズとピッチを小さくしておくことが好ましい。LOCOS酸化で酸化シリコン膜19及び赤外線吸収膜9を形成した後は、MOSFET39,41のゲート酸化膜図示は省略を形成し、さらにポリシリコンを堆積する。センサー部1の温度センサー11を形成するためのポリシリコンと、MOSFET39,41のポリシリコンゲート電極47,51を形成するためのポリシリコンは同じ工程で形成することができる。この後、ポリシリコンゲート電極47,51には、イオン注入処理や不純物拡散処理が行なわれるが、温度センサー11の形成もこれらの工程を兼用して形成することも可能である。また、センサー部1は応答速度を向上させるために熱容量を低減させることが好ましい。そこで、この実施例では、センサー部1の形成位置では、最終保護膜55を除去し、CMOS回路部37よりも薄膜化して、熱容量を低減させる構成なっている。CMOS回路部37では層間絶縁膜として機能する保護膜17がセンサー部1の保護膜として機能する。このように、熱酸化によりサブ波長構造の基礎を形成する工程は、CMOSプロセスのLOCOS工程と兼用することが可能であるため、特別にCMOSプロセスへの影響を考慮する必要がなく、シリコン基板に凹凸形状サブ波長構造を形成するための凹部パターンを形成する工程のみを追加することで比較的容易にサブ波長構造9aを形成することができる。図12は、熱型赤外線センサーのさらに他の実施例を説明するための概略的な断面図である。この実施例におけるセンサー部1及び梁部3の構造は図9に示したものと同じである。この実施例は、SOI基板27にCMOS回路部37をさらに備えている。CMOS回路部37はPチャネルMOSFET39とNチャネルMOSFET41を備えている。PチャネルMOSFET39はSOI基板27の単結晶シリコン層に形成されたN型単結晶シリコン層57に形成され、NチャネルMOSFET41はSOI基板27の単結晶シリコン層に形成されたP型単結晶シリコン層59に形成されている。MOSFET39,41の形成位置は、SOI基板27の単結晶シリコン層に形成された、例えばLOCOS酸化膜からなる素子分離用の酸化シリコン膜31によって画定されている。PチャネルMOSFET39は、N型単結晶シリコン層57に形成された、ソース及びドレインを構成する2つのP型不純物拡散層45,45と、P型不純物拡散層45,45の間のN型単結晶シリコン層57上にゲート酸化膜図示は省略を介して形成されたポリシリコンゲート電極47を備えている。NチャネルMOSFET41は、P型単結晶シリコン層59に形成された、ソース及びドレインを構成する2つのN型不純物拡散層49,49と、N型不純物拡散層49,49の間のP型単結晶シリコン層59上にゲート酸化膜図示は省略を介して形成されたポリシリコンゲート電極51を備えている。配線13、層間絶縁膜15、保護膜17、第2層目の配線53及び最終保護膜55の構成は図11に示したものと同様である。この実施例でもセンサー部1及び梁部3には最終保護膜55は形成されていない。この実施例のように、SOI基板27を使用する場合は、SOI基板27の形成時にサブ波長構造9aを形成しているため、CMOS回路37の形成時に特に注意する点はない。図11に示したようにシリコン基板5を使用する場合は、LOCOS酸化膜厚とセンサー部1の赤外線吸収膜9のサブ波長構造9aの形状等を考慮する必要があったが、SOI基板27を使用する場合はこの心配もない。SOI基板27を使用すると、センサー部1とCMOS回路部37のモノシリック化が非常に容易となる。また、温度センサー29を形成する際のイオン注入処理や不純物拡散処理と、MOSFET39,41のソースやドレイン、ポリシリコンゲート電極を形成するときのイオン注入処理や不純物拡散処理を共用してもよい。図11に示した実施例及び図12に示した実施例では、空洞部7は結晶異方性ウェットエッチングによって形成されているが、これらの実施例で空洞部7を等方性ドライエッチングや等方性ウェットエッチングで形成できることは言うまでもない。図13は、熱型赤外線センサーのさらに他の実施例を説明するための概略的な断面図である。図1と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付す。シリコン基板5の表面に、例えばLOCOS酸化膜からなる素子分離用の酸化シリコン膜絶縁膜61が形成されている。酸化シリコン膜61上にセンサー部1及び梁部3が形成されている。センサー部1は梁部3によってシリコン基板5に対して空洞部7を介して支持されている。センサー部1に赤外線吸収膜9、温度センサー11、配線13、層間絶縁膜15、保護膜17が形成されている。梁部3には、赤外線吸収膜9、配線13、層間絶縁膜15、保護膜17が形成されている。赤外線吸収膜9は酸化シリコン膜によって形成されている。赤外線吸収膜9は空洞部7によって酸化シリコン膜61及びシリコン基板5とは熱的に分離されている。赤外線吸収膜9はシリコン基板5と対向する面にサブ波長構造9aからなる赤外線反射防止構造を備えている。温度センサー11は赤外線吸収膜9上に形成されている。この実施例では、温度センサー11は赤外線吸収膜9上に形成されたポリシリコン膜に形成されたPN接合ダイオードによって形成されている。保護膜17、層間絶縁膜15及び赤外線吸収膜9にエッチング用開口部21が形成されている。エッチング開口部21によってセンサー部1及び梁部3の形成位置が画定されている。梁部3に関しては、少なくとも配線13とセンサー部1を支持しうるだけの構造部があればよい。この実施例の熱型赤外線センサーには、シリコン基板5の裏面側から赤外線が入射される。この実施例でも、図1に示した実施例と同様に、赤外線吸収膜9のシリコン基板5と対向する面にサブ波長構造9aからなる赤外線反射防止構造を備えているので、赤外線吸収膜9の裏面における赤外線の反射率を低減させることができる。これにより、熱型赤外線センサーの感度を向上させることができる。図14は、製造方法の第2局面の一実施例であって図13の製造工程を説明するための工程断面図である。1例えばLOCOS法により、シリコン基板5表面に素子分離用の酸化シリコン膜61を形成する。CVD法により、酸化シリコン膜61上にポリシリコン膜を形成する。そのポリシリコン膜を写真製版技術及びエッチング技術によりパターニングして、熱型赤外線センサーのセンサー部1の形成予定位置の酸化シリコン膜61上にポリシリコン膜パターン半導体層63を形成する。2写真製版技術及びエッチング技術によりポリシリコン膜パターン63の表面に、後記工程3での熱酸化処理を考慮してサブ波長構造形成用の凹部パターン9bを形成する。凹部パターン9bの例は例えば図4~図7に示したとおりである。3熱酸化処理を施して、ポリシリコン膜パターン63の表面に酸化シリコン膜からなる赤外線吸収膜9を形成する。このとき、ポリシリコン膜パターン63で覆われていない位置の酸化シリコン膜61は厚膜化する。赤外線吸収膜9とポリシリコン膜パターン63の界面には、凹部パターン9bからサブ波長構造9aが形成される。4図3を参照して説明した上記工程3と同様にして、赤外線吸収膜9上に温度センサー11を形成する。さらに、図3を参照して説明した上記工程4と同様にして、層間絶縁膜15の形成、コンタクトホールの形成、配線13の形成及び保護膜17を形成する。5写真製版技術及びエッチング技術によって、保護膜17及び層間絶縁膜15に、ポリシリコン膜パターン63を除去する際に用いるエッチング用開口部21を形成する。エッチング用開口部21はポリシリコン膜パターン63に到達している。エッチング用開口部21はセンサー部1の形成位置を画定する。6図13を参照して説明する。ウェットエッチング技術又は等方性ドライエッチング技術によってエッチング用開口部21を介してポリシリコン膜パターン63を除去する。このとき、酸化シリコン膜61はエッチングストップ層として機能する。これにより、赤外線吸収膜9とシリコン基板5及び酸化シリコン膜61との間に空洞部7が形成される。サブ波長構造9aは空洞部7に露出する。サブ波長構造9aは酸化シリコン膜で形成されているため、ポリシリコン膜パターン63と比較してエッチングされる量が少ないので、予め形成しておいた凹凸形状のサブ波長構造9aが赤外線吸収膜9の表面に現れる。ポリシリコン膜パターン63のエッチングは、シリコンと酸化シリコン膜との選択比が大きい方式であることが好ましい。また、層間絶縁膜15又は保護膜17とポリシリコン膜パターン63とのエッチング選択比が小さい場合は、エッチング用開口部21の側面と保護膜17の表面にエッチング保護用のハードマスク窒化シリコン膜を形成する必要がある。このように、本発明の製造方法の第2局面によれば、赤外線吸収膜9のシリコン基板5と対向する面にサブ波長構造9aからなる赤外線反射防止構造をもつ熱型赤外線センサーを形成することができる。図15は、熱型赤外線センサーのさらに他の実施例を説明するための概略的な断面図である。図16は図15の実施例の概略的な平面図である。図15は図16のB-B’位置での断面に対応している。図1と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付す。図15では層間絶縁膜15及び保護膜17の図示が省略されている。この実施例は、温度センサーとしてサーモパイルを備えている。サーモパイルは、N型不純物が導入されたNポリシリコン11a、P型不純物が導入されたPポリシリコン11b、冷接点を構成する金属配線13a,13b、温接点を構成する金属配線13cを備えている。ポリシリコン11a,11bは赤外線吸収膜9上及び酸化シリコン膜19上に形成されている。ポリシリコン11a,11bはセンサー部1から梁部3を介して酸化シリコン膜19上にわたって配置されている。ポリシリコン11a,11bの温接点側の端部はセンサー部1に配置されている。ポリシリコン11a,11bの冷接点側の端部は酸化シリコン膜19上に配置されている。金属配線13a,13b,13cは層間絶縁膜15上に形成されている。金属配線13a,13bは酸化シリコン膜19の上方に配置されている。金属配線13cはセンサー部1に配置されている。金属配線13aは酸化シリコン膜19の上方でNポリシリコン11aの冷接点側の端部と電気的に接続されている。金属配線13bはPポリシリコン11bの冷接点側の端部と酸化シリコン膜19の上方で電気的に接続されている。金属配線13cはセンサー部1上でNポリシリコン11aの温接点側の端部とPポリシリコン11bの温接点側の端部を電気的に接続している。このように、温度センサーはサーモパイルであってもよい。温度センサーとしてサーモパイルを備えた構成は他の実施例にも適用できる。また、サーモパイルは複数本のNポリシリコンと複数本のPポリシリコンを備えていてもよい。この場合、各ポリシリコンはセンサー部1から梁部3を介して酸化シリコン膜19上にわたって配置される。さらに、金属配線13a,13b,13cによって、NポリシリコンとPポリシリコンが交互に直列に接続される。以上、本発明の実施例を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内で種々の変更が可能である。例えば、上記実施例では、単体の赤外線センサーの形状に関して説明したが、赤外線センサーを一次元アレイ状に形成した赤外線ラインセンサーや、二次元アレイ状に形成した赤外線二次元アレイセンサー、赤外線イメージセンサーにも本発明を適用可能である。また、上記実施例は温度センサーとしてPNダイオード又はサーモパイルを備えているが、本発明の熱型赤外線センサーにおける温度センサーはこれらに限定されない。本発明の熱型赤外線センサーにおける温度センサーは、例えばMOSFET、ボロメータ、サーモパイル、焦電体など、赤外線吸収膜の温度変化を検出できるものであればどのようなものであってもよい。"