樹脂封止されたパッケージ内の中央に、素子搭載部に搭載された半導体素子が設けられ、該半導体素子の電極部のそれぞれに電気的に接続されて、該パッケージの裏面から露出する複数の接続端子を備える半導体装置において、1前記パッケージは平面視して長方形で、前記接続端子は該パッケージの長辺の内側に並べて設けられていること、2前記各接続端子に連結されるインナーリードは直線状となって、接続される前記半導体素子の前記電極部に向かって前記各接続端子から斜めに形成されていること、3前記インナーリードは、接続される前記接続端子と前記半導体素子の距離に応じて長短を有していること、4前記インナーリードの内側端部と対応する前記電極部との間に中継端子が設けられていること、5前記電極部と前記中継端子とを第1のボンディングワイヤで、前記中継端子と前記インナーリードの内側端部とを第2のボンディングワイヤでそれぞれ連結したことを特徴とする半導体装置。請求項1記載の半導体装置において、平面視して長方形状の前記パッケージの長辺の長さは前記半導体素子の一辺の長さの5~10倍となってかつ前記長方形の短辺の長さが前記長辺の長さの0.3~0.6倍の範囲にあることを特徴とする半導体装置。請求項1又は2記載の半導体装置において、前記素子搭載部、及び前記中継端子は、前記パッケージの裏面から露出し、しかも前記接続端子の厚みは前記インナーリード、前記中継端子、及び前記素子搭載部の厚みの倍程度となっていることを特徴とする半導体装置。請求項1~3のいずれか1に記載の半導体装置において、前記素子搭載部と前記接続端子の一部がサポートリードで連結され、しかも、該サポートリードは前記パッケージの裏面から露出していることを特徴とする半導体装置。請求項1~4のいずれか1に記載の半導体装置であって、前記インナーリード及び前記中継端子は、その表面のみめっき処理されていることを特徴とする半導体装置。請求項1~4のいずれか1に記載の半導体装置において、前記接続端子及び前記素子搭載部は、前記パッケージの裏面から突出していることを特徴とする半導体装置。パッケージの中央にある素子搭載部の上に搭載された半導体素子と、前記パッケージの側辺の内側に並べて配置され、該パッケージの裏面側に露出している複数の接続端子と、該接続端子から前記半導体素子側に延長して形成されたインナーリードと、該インナーリードの内側端部と前記半導体素子の中間位置に配置される中継端子と、前記半導体素子の各電極部と対応する前記中継端子を連結する第1のボンディングワイヤと、前記中継端子と対応する前記接続端子とを連結する第2のボンディングワイヤと、前記半導体素子及び前記第1、第2のボンディングワイヤを密封する封止樹脂とを有する半導体装置の製造方法であって、シート状のリードフレーム材の表裏面に、前記接続端子、前記接続端子に連結された前記インナーリード、及び前記中継端子を形成する第1のめっきパターンと、前記中継端子及び前記インナーリードを除く前記接続端子及び前記素子搭載部を形成する第2のめっきパターンを形成する第1、第2のレジスト膜を形成する第1工程と、前記第1、第2のレジスト膜が形成さた前記リードフレーム材に、下地めっきと貴金属めっきによる表側金属めっき層と裏側金属めっき層を形成する第2工程と、前記第1、第2のレジスト膜を除去し、前記リードフレーム材の裏面側にはカバーテープを貼着し、前記表側金属めっき層をレジスト材として前記リードフレーム材の表側をハーフエッチングする第3工程と、前記リードフレーム材の表側に前記半導体素子を搭載し、前記第1、第2のボンディングワイヤによるワイヤボンディングを行う第4工程と、前記リードフレーム材の表側を樹脂封止する第5工程と、予め前記カバーテープが除去され、前記第5工程の処理が終了した前記リードフレーム材を裏側からハーフエッチングする第6工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項7記載の半導体装置の製造方法において、前記カバーシートを除去する処理は、前記第3工程と前記第4工程の間で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。しかしながら、特許文献2記載の技術においても、接続端子と半導体素子との間が長くなる場合は、長いボンディングワイヤを使用する必要があり、ボンディングワイヤに金線を用いる場合はコスト高となり、更に、樹脂封止時の樹脂流れによってボンディングワイヤが押されショートを起こす恐れがあるという問題があった。本発明は、かかる事情に鑑みてなされたもので、ボンディングワイヤの長さを短くすると共に、インナーリードの長さを短くし、隣り合う接続端子及びこれに接続するインナーリード間の間隔を広くすることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。前記目的に沿う第1の発明に係る半導体装置は、樹脂封止されたパッケージ内の中央に、素子搭載部に搭載された半導体素子が設けられ、該半導体素子の電極部のそれぞれに電気的に接続されて、該パッケージの裏面から露出する複数の接続端子を備える半導体装置において、1前記パッケージは平面視して長方形で、前記接続端子は該パッケージの長辺の内側に並べて設けられていること、2前記各接続端子に連結されるインナーリードは直線状となって、接続される前記半導体素子の前記電極部に向かって前記各接続端子から斜めに形成されていること、3前記インナーリードは、接続される前記接続端子と前記半導体素子の距離に応じて長短を有していること、4前記インナーリードの内側端部と対応する前記電極部との間に中継端子が設けられていること、5前記電極部と前記中継端子とを第1のボンディングワイヤで、前記中継端子と前記インナーリードの内側端部とを第2のボンディングワイヤでそれぞれ連結したことを特徴としている。これによって、第1、第2のボンディングワイヤの全長が短くなる。また、インナーリードの内側端部は半導体素子にまで近接させる必要がないので、インナーリード間の隙間を大きくすることができる。第1の発明に係る半導体装置において、平面視して長方形状の前記パッケージの長辺の長さは前記半導体素子の一辺の長さの5~10倍となってかつ前記長方形の短辺の長さが前記長辺の長さの0.3~0.6倍の範囲にあるのが好ましい。第1の発明に係る半導体装置において、前記素子搭載部、及び前記中継端子は、前記パッケージの裏面から露出し、しかも前記接続端子の厚みは前記インナーリード、前記中継端子、及び前記素子搭載部の厚みの倍程度即ち、1.8~2.2倍となっているのが好ましい。第1の発明に係る半導体装置において、前記素子搭載部と前記接続端子の一部がサポートリードで連結され、しかも、該サポートリードは前記パッケージの裏面から露出させてもよい。第1の発明に係る半導体装置において、前記インナーリード及び前記中継端子はその表面のみめっき処理することも可能である。第1の発明に係る半導体装置において、前記接続端子及び前記素子搭載部は、前記パッケージの裏面から突出することも可能である。また、第2の発明に係る半導体装置の製造方法は、パッケージの中央にある素子搭載部の上に搭載された半導体素子と、前記パッケージの側辺の内側に並べて配置され、該パッケージの裏面側に露出している複数の接続端子と、該接続端子から前記半導体素子側に延長して形成されたインナーリードと、該インナーリードの内側端部と前記半導体素子の中間位置に配置される中継端子と、前記半導体素子の各電極部と対応する前記中継端子を連結する第1のボンディングワイヤと、前記中継端子と対応する前記接続端子とを連結する第2のボンディングワイヤと、前記半導体素子及び前記第1、第2のボンディングワイヤを密封する封止樹脂とを有する半導体装置の製造方法であって、シート状のリードフレーム材の表裏面に、前記接続端子、前記接続端子に連結された前記インナーリード、及び前記中継端子を形成する第1のめっきパターンと、前記中継端子及び前記インナーリードを除く前記接続端子及び前記素子搭載部を形成する第2のめっきパターンを形成する第1、第2のレジスト膜を形成する第1工程と、前記第1、第2のレジスト膜が形成さた前記リードフレーム材に、下地めっきと貴金属めっきによる表側金属めっき層と裏側金属めっき層を形成する第2工程と、前記第1、第2のレジスト膜を除去し、前記リードフレーム材の裏面側にはカバーテープを貼着し、前記表側金属めっき層をレジスト材として前記リードフレーム材の表側をハーフエッチングする第3工程と、前記リードフレーム材の表側に前記半導体素子を搭載し、前記第1、第2のボンディングワイヤによるワイヤボンディングを行う第4工程と、前記リードフレーム材の表側を樹脂封止する第5工程と、予め前記カバーテープが除去され、前記第5工程の処理が終了した前記リードフレーム材を裏側からハーフエッチングする第6工程とを有する。そして、第2の発明に係る半導体装置の製造方法において、前記カバーシートを除去する処理は、前記第3工程と前記第4工程の間で行われるのが好ましい。本発明に係る半導体装置及びその製造方法は以下のような効果を有する。1接続端子にインナーリードを連接し、中継端子を設けることで、ボンディングワイヤの弛みが無くなり、隣接するボンディングワイヤ間のショートを防止できる。2接続端子にインナーリードを連接し、中継端子を設けることで、モールド樹脂封止時のボンディングワイヤの流れを防止できる。3接続端子にインナーリードを連接し、中継端子を設けることで、ワイヤ長を短くすることができ、コスト低減に繋がる。4接続端子にインナーリードを連接し、中継端子を設けることで、長方形PKG半導体パッケージの製造が容易となる他、PKGデザインの自由度が上がる。5中継端子を設けることで、多列端子化や狭ピッチ化を回避でき、実装不良が改善する。6中継端子を設けることで、インナーリードが短くなり、ハーフエッチング部が最小化されるので、腐食等のリスクを最小化できる。7中継端子を設けることで多列端子化を回避でき、ソケット実装が可能となる。続いて、添付した図面を参照しながら、本発明を具体化した実施の形態について説明する。図1A~Cに示すように、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置10は、樹脂封止されたパッケージ11内の中央に、素子搭載部12に搭載された半導体素子13が設けられ、パッケージ11の側辺の内側に並べて配置されて裏面から露出する複数の接続端子15を備えている。平面視して長方形のパッケージ11の長辺16の長さは平面視して正方形の半導体素子13の一辺の長さの例えば5~10倍の範囲にあって、パッケージ11の短辺17の長さは長辺16の長さの例えば0.3~0.6倍となっている。各接続端子15からインナーリード19が半導体素子13がある側を内にして、内側斜め方向約45~60度に即ち、半導体素子13の電極部に向かって延ばして形成されている。直線状となったインナーリード19の幅は接続端子15の幅の0.3~0.6倍程度となって、インナーリード19の間の隙間を確保すると共に、各インナーリード19の幅を確保している。直線状となったインナーリード19の内側端部20と対応する即ち、最終的に電気的に接続される半導体素子13の電極部との中間位置に中継端子21がそれぞれ設けられている。インナーリード19は、接続される接続端子15と半導体素子13の距離に応じて長短を有している。複数の接続端子15の表裏面、及び素子搭載部12の裏面は、下地にニッケルめっき37、表面上層に貴金属めっき例えば、金、金パラジウム、銀、銀金38が形成された金属めっき層23、23a、24がそれぞれ形成されている図2参照。素子搭載部12の表面はハーフエッチングによって形成されめっきはされていない。また、インナーリード19及び中継端子21の表面側は、下地にニッケルめっき、表面に貴金属めっき例えば、金、金パラジウムが形成された金属めっき層25、26が形成されているが、これらの裏面側は金属めっき層は形成されていない。なお、インナーリード19、中継端子21の裏面には防錆コーティングがなされているのが好ましい。半導体素子13の電極部と対応する中継端子21とは第1のボンディングワイヤ28で連結され、中継端子21とインナーリード19の内側端部20とは第2のボンディングワイヤ29で連結されている。接続端子15に連続するインナーリード19はパッケージ11の長辺側から中央に向かって徐々にパッケージ11の内方に延出し、これに対応する中継端子21は対応するインナーリード19の内側端部20と半導体素子13の電極部との中間位置にあって、パッケージ11の長辺16と平行になるように配列される。なお、接続端子15と半導体素子13の電極部との距離が近い長手方向中央部分の配線は、中継端子を用いずダイレクトで配線している。この半導体装置10のパッケージ11は表側から、半導体素子13及び第1、第2のボンディングワイヤ28、29を覆った封止樹脂40によって形成され、接続端子15、素子搭載部12、インナーリード19及び中継端子21はパッケージ11の裏側から露出している。なお、この半導体装置10においては、中央の素子搭載部12と接続端子15の一部がサポートリード30、30aによって連結されている。このサポートリード30、30aは素子搭載部12の支持を行うと共に、素子搭載部12をアースに接続するのに使用されている。このサポートリード30、30aはインナーリード19と同じように、パッケージ11の裏面から露出する。サポートリード30、30aの裏面は金属めっき層が形成されているが、表側は素子搭載部12と同様金属めっき層は形成されていない。このように半導体装置10を構成することによって、ボンディングワイヤの量を減らし、更にインナーリード19が腐食等によってショートすることのない、半導体素子13に対して大型のパッケージ11を有する半導体装置10を提供できる。続いて、この半導体装置10の製造方法について、図2を参照しながら説明する。まず、図2Aに示すように、例えば、銅板又は銅合金板からなるシート状のリードフレーム材32を用意し、表面に光感光性のシート状のレジスト膜33、34を塗布し、このレジスト膜33、34を周知の光学的方法によって、第1のめっきパターンと第2のめっきパターンをそれぞれ形成した第1、第2のレジスト膜35、36とする図2B参照、第1工程。ここで、第1のめっきパターンを構成する第1のレジスト膜35には、中央の素子搭載部12の周囲に形成される中継端子21、インナーリード19及びこれに連接する接続端子15の表面にめっきを行うパターンが形成され、第2のめっきパターンを構成する第2のレジスト膜36には、中央の素子搭載部12及び周囲の接続端子15の裏面にめっきを行うパターンが形成されている。この状態で、図2Cに示すように、下地めっきとしてニッケルめっき37を、表面層には貴金属めっき38からなる表側金属めっき層23、25、26、裏側金属めっき層23a、24を形成する。これらの金属めっき層23、23a、24、25、26は、耐エッチング膜として作用する第2工程。次に、図2Dに示すように、表裏面の第1、第2のレジスト膜35、36を完全に除去し、リードフレーム材32の裏面にカバーテープ39を貼着し、裏面を完全にシールする。そして、図2Eに示すように、表側金属めっき層23、25、26をレジスト材としてリードフレーム材32のハーフエッチングを行う。この場合のエッチング液としては、例えば、塩化第II鉄又は塩化テトラミン銅等のアルカリエッチング液を使用する。なお、リードフレーム材32の裏側はカバーテープ39で覆われているので、全くエッチングされない第3工程。この後、図2Fに示すようにカバーテープ39を除去する。なお、このカバーテープ39の除去は、以下の工程で裏面側からハーフエッチングを行う前であればいつでもよい。そして、図2Gに示すように、半導体素子13を素子搭載部12に搭載し、半導体素子13の電極部と対応する中継端子21とを第1のボンディングワイヤ28によって電気的に連結し、中継端子21と対応するインナーリード19の内側端部20とを第2のボンディングワイヤ29で連結する第4工程。図2Hに示すように、リードフレーム材32の表面側の樹脂封止を行う。これによって、半導体素子13、第1、第2のボンディングワイヤ28、29は封止樹脂40によって覆われる第5工程。次に、図2Iに示すように、裏側の金属めっき層23a、24をレジスト材としてリードフレーム材32の下側のハーフエッチングを行う。これによって、素子搭載部12、中継端子21、インナーリード19及びこれに連結された接続端子15は独立したアイランドとなる第6工程。これによって、接続端子15及び素子搭載部12が裏面から突出した半導体装置10が完成する。接続端子15の厚みはインナーリード19、中継端子21、素子搭載部12の厚みの倍程度となっている。なお、サポートリード30、30aは素子搭載部12と同様に形成してもよいし、場合によっては省略してもよい。続いて、図3A、Bに示す本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置42について、半導体装置10との相違点について説明する。なお、第1の実施の形態に係る半導体装置10と同一の構成要素については同一の番号を付してその詳しい説明を省略する。この半導体装置42は、中継端子43が2つ複数の第1、第2の中継端子44、45を有し、半導体素子12の一部の電極部と対応する第1の中継端子44が第1のボンディングワイヤ47で連結され、第1、第2の中継端子44、45が第2のボンディングワイヤ48で連結され、第2の中継端子45と接続端子15に繋がるインナーリード19の内側端部20が第3のボンディングワイヤ49で連結されている。接続端子15、インナーリード19、第1、第2の中継端子44、45の表面にはニッケル下地の貴金属めっきがなされ、接続端子15及び素子搭載部12の裏面側にもニッケル下地の貴金属めっきがなされている。インナーリード19、第1、第2の中継端子44、45の裏面にはめっき処理がなされていない。インナーリード19、第1、第2の中継端子44、45の露出面には、例えば錆止め等の樹脂を塗布することもできる。なお、製造方法については、上記した半導体装置10の製造方法をそのまま使用できる。次に、図4に示す本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置51について説明する。この半導体装置51は平面視して正方形となって、パッケージ52の側辺の内側に複数の接続端子53が設けられている。接続端子53の内側にはインナーリード54が中央の素子搭載部55に向かって延設されている。インナーリード54の内側端部56と電気的に接続する半導体素子57の電極部との間には中継端子58が設けられている。半導体素子57の電極部と対応する中継端子58は第1のボンディングワイヤ59で連結され、中継端子58とインナーリード54の内側端部56とは第2のボンディングワイヤ60で連結されている。接続端子53、インナーリード54、中継端子58の表面にはニッケル下地の貴金属めっきがなされ、接続端子53及び素子搭載部55の裏面側にもニッケル下地の貴金属めっきがなされている。インナーリード54、中継端子58の裏面にはめっき処理がなされていない。なお、製造方法については、上記した半導体装置10の製造方法をそのまま適用できる。なお、以上の実施の形態において、インナーリード及び中継端子の裏面にもニッケル下地の貴金属めっきを行う場合も本発明は適用される。また、素子搭載部と接続端子を繋ぐリード例えば、サポートリードを設ければ、素子搭載部のアースとして使用できる。本発明は以上の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を変更しない範囲で半導体装置及びその製造方法にも適用できる。例えば、第1~第3の実施の形態に係る半導体装置の一部を使用して別の半導体装置を構成することもできる。