処理室内に配され被処理基板が載置される電極と、前記電極に電力を供給する第1の電源回路と、前記処理室内における前記電極から隔てられた空間にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記プラズマ発生部に電力を供給する第2の電源回路とを有するプラズマ処理装置を制御する制御装置であって、前記第1の電源回路から出力されるパラメータを検知する検知部と、前記検知部により検知されたパラメータが目標値に一致するように、前記第1および前記第2の電源回路により供給される電力を制御する制御部とを備えることを特徴とする制御装置。前記検知部により検知されるパラメータは、電圧および電流を含むことを特徴とする請求項1に記載の制御装置。前記制御部は、前記検知部により検知された電圧が前記目標値より高い場合、前記第1の電源回路により供給される電力を下げ、前記検知部により検知された電圧が前記目標値より低い場合、前記第1の電源回路により供給される電力を上げ、前記検知部により検知された電流が前記目標値より高い場合、前記第2の電源回路により供給される電力を下げ、前記検知部により検知された電流が前記目標値より低い場合、前記第2の電源回路により供給される電力を上げることを特徴とする請求項2に記載の制御装置。前記検知部により検知されるパラメータは、電圧と電流の位相差をφとしたとき、電圧および電圧×電流×cosφを含むことを特徴とする請求項1に記載の制御装置。前記制御部は、前記検知部により検知された電圧が前記目標値より高い場合、前記第1の電源回路により供給される電力を下げ、前記検知部により検知された電圧が前記目標値より低い場合、前記第1の電源回路により供給される電力を上げ、前記検知部により検知された電圧×電流×cosφが前記目標値より高い場合、前記第2の電源回路により供給される電力を下げ、前記検知部により検知された電圧×電流×cosφが前記目標値より低い場合、前記第2の電源回路により供給される電力を上げることを特徴とする請求項4に記載の制御装置。処理室内に配され被処理基板が載置される電極と、前記電極に電力を供給する第1の電源回路と、前記処理室内における前記電極から隔てられた空間にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記プラズマ発生部に電力を供給する第2の電源回路と、前記第1の電源回路から出力されるパラメータを検知する検知部と、前記検知部により検知されたパラメータが目標値に一致するように、前記第1および前記第2の電源回路により供給される電力を制御する制御部とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。処理室内に配され被処理基板が載置される電極と、前記電極に電力を供給する第1の電源回路と、前記処理室内における前記電極から隔てられた空間にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記プラズマ発生部に電力を供給する第2の電源回路とを有するプラズマ処理装置を制御する制御方法であって、前記第1の電源回路から出力されるパラメータを検知し、前記検知されたパラメータが目標値に一致するように、前記第1および前記第2の電源回路により供給される電力を制御することを特徴とする制御方法。本発明が解決しようとする課題は、イオンのエネルギーおよびフラックスの装置間差を低減することが可能な制御装置、プラズマ処理装置、及び制御方法を提供することである。本実施形態の制御装置は、処理室内に配され被処理基板が載置される電極と、前記電極に電力を供給する第1の電源回路と、前記処理室内における前記電極から隔てられた空間にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記プラズマ発生部に電力を供給する第2の電源回路とを有するプラズマ処理装置を制御する制御装置であって、前記第1の電源回路から出力されるパラメータを検知する検知部と、前記検知部により検知されたパラメータが目標値に一致するように、前記第1および前記第2の電源回路により供給される電力を制御する制御部とを備える。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態にかかるプラズマ処理装置1の構成を示す図である。プラズマ処理装置1は、処理室50、電極10、電源回路第1の電源回路20、プラズマ発生部30、電源回路第2の電源回路40、及び制御装置60を備える。処理室50は、その内部でプラズマPLが発生されるための室であり、処理容器2により形成されている。処理容器2は、供給源図示せずから処理室50へ処理ガスが供給可能なように構成されているとともに、処理室50から排気装置図示せずへ処理済の処理ガスが排気可能なように構成されている。電極10は、絶縁材図示せずを介して処理容器2から絶縁されるように、処理室50内の底面側に配されている。電極10には、被処理基板例えば、半導体基板WFが載置される。電極10は、例えば、金属で形成されている。電源回路20は、高周波電力を発生させて、電極10に高周波電力を供給する。この高周波電力は、処理室50内にプラズマPLが発生された際に処理ガスからラジカルとともに生成されたイオン例えば、F、CF3などを電極10側被処理基板WF側へ加速させるための電力である。高周波電力の周波数は、例えば、13.56MHzである。電源回路20は、高周波電源22及びマッチング回路21を有する。高周波電源22は、高周波電力Pbを発生させる。マッチング回路21は、例えば、可変コンデンサ及び可変コイルを有している。マッチング回路21は、マッチング回路21に対する高周波電源22側のインピーダンスと、マッチング回路21に対する電極10側のインピーダンスとが均等になるように、可変コンデンサ及び可変コイルを用いてインピーダンスの調整インピーダンスマッチングを行なう。プラズマ発生部30は、処理室50内における電極10から隔てられた空間51にプラズマPLを発生させる。具体的には、プラズマ発生部30は、アンテナコイル31、及び誘電体壁32を有する。アンテナコイル31は、電源回路40から供給された高周波電力を用いて電磁波高周波磁界を発生させる。アンテナコイル31により発生された電磁波は、誘電体壁32を透過して処理室50内の空間51に導入される。処理室50内の空間51では、処理ガスの放電が起こりプラズマPLが生成され、処理ガスからラジカルとともにイオン例えば、F、CF3などが生成される。なお、誘電体壁32は、上記の処理容器2の上壁部も兼ねている。電源回路40は、高周波電力を発生させて、プラズマ発生部30に高周波電力を供給する。この高周波電力は、プラズマ発生部30が処理室50内にプラズマPLを発生させるための電力である。高周波電力の周波数は、例えば、13.56MHzである。電源回路40は、マッチング回路41及び高周波電源42を有する。高周波電源42は、高周波電力Piを発生させてアンテナコイル31へ供給する。マッチング回路41は、例えば、可変コンデンサ及び可変コイルを有している。マッチング回路41は、マッチング回路41に対する高周波電源42側のインピーダンスと、マッチング回路41に対するアンテナコイル31側のインピーダンスとが均等になるように、可変コンデンサ及び可変コイルを用いてインピーダンスの調整インピーダンスマッチングを行なう。制御装置60は、プラズマ処理装置1を制御する。具体的には、制御装置60は、入力部65、プローブ検知部63、及び制御回路制御部64を有する。制御装置60における入力部65には、設定電圧Vbset及び設定電流Ibsetがユーザから入力される。あるいは、入力部65は、通信回線を介して、設定電圧Vbset及び設定電流Ibsetをホストコンピュータ又は他のプラズマ処理装置から受信する。設定電圧Vbset及び設定電流Ibsetは、異なるプラズマ処理装置との間で共通の値として予め決定されている。入力部65は、設定電圧Vbset及び設定電流Ibsetの値を制御回路64へ供給する。制御装置60におけるプローブ63は、電極10と電源回路20との間のノードN1における電圧Vb及び電流Ibを検知する。プローブ63は、検知された電圧Vb及び電流Ibの値を制御回路64へ供給する。制御装置60における制御回路64は、設定電圧Vbsetの値を入力部65から受け目標値として保持している。制御回路64は、検知された電圧Vbの値をプローブ63から受けると、電圧Vbを設定電圧Vbsetと比較し、プローブ63により検知される電圧Vbが設定電圧Vbsetに一致するように、電源回路20により供給される電力を制御する。具体的には、制御回路64は、検知された電圧Vbが設定電圧Vbsetより高い場合、発生させる電力を下げるように電源回路20における高周波電源22を制御する。制御回路64は、検知された電圧Vbが設定電圧Vbsetより低い場合、発生させる電力を上げるように電源回路20における高周波電源22を制御する。また、制御装置60における制御回路64は、設定電流Ibsetの値を入力部65から受け目標値として保持している。制御回路64は、検知された電流Ibの値をプローブ63から受けると、電流Ibを設定電流Ibsetと比較し、プローブ63により検知される電流Ibが設定電流Ibsetに一致するように、電源回路40により供給される電力を制御する。具体的には、制御回路64は、検知された電流Ibが設定電流Ibsetより高い場合、発生させる電力を下げるように電源回路40における高周波電源42を制御する。制御回路64は、検知された電流Ibが設定電流Ibsetより低い場合、発生させる電力を上げるように電源回路40における高周波電源42を制御する。なお、本実施形態では、プラズマ処理装置1がICPInductiveCouplingPlasma型RIE装置である場合について例示的に説明しているが、プラズマ処理装置はICP型RIE装置に限定されない。例えば、プラズマ処理装置はECRElectronCycrotronResonance型RIE装置であってもよいし、二周波型の平行平板型容量結合型RIE装置であっても良い。プラズマ処理装置1が二周波型の平行平板型容量結合型RIE装置である場合、図2に示すように、プラズマ発生部130は、アンテナコイル31及び誘電体壁32に代えて、処理室50内で電極10と対向するように配される電極33を有する。図2は、第1の実施形態に係るプラズマ処理装置1の別の構成を示す図である。図2に示すように、高周波電源22からマッチング回路21及びプローブ63を介して、被処理基板例えば、半導体基板WFが搭載される電極10に高周波電力が供給される。また、高周波電源42から、マッチング回路41を介して、プラズマ生成用の電極33に電力が供給される。電源回路20における高周波電力の周波数は、例えば、2MHzである。また、電源回路40における高周波電力の周波数は、例えば、60MHzである。次に、制御装置60の動作について図3を用いて説明する。図3は、制御装置60の動作を示すフローチャートである。ステップS1では、処理室50内の電極10に被処理基板例えば、半導体基板WFを載置する。そして、電源回路20は、高周波電力を発生させて、電極10に高周波電力を供給する。それとともに、電源回路40は、高周波電力を発生させて、プラズマ発生部30に高周波電力を供給する。プラズマ発生部30は、処理室50内における電極10から隔てられた空間51にプラズマPLを発生させる。具体的には、高周波電源42は、高周波電力を発生させてアンテナコイル31へ供給する。アンテナコイル31は、供給された高周波電力を用いて電磁波高周波磁界を発生させる。アンテナコイル31により発生された電磁波は、誘電体壁32を透過して処理室50内の空間51に導入される。処理室50内の空間51では、処理ガスの放電が起こりプラズマPLが生成され、処理ガスからラジカルとともにイオン例えば、F、CF3などが生成される。ステップS2では、プローブ63が、電極10と電源回路20との間のノードN1における電圧Vbを検知する。プローブ63は、検知された電圧バイアス側の電圧Vbの値を制御回路64へ供給する。ステップS3では、制御回路64が、設定電圧Vbsetの値を入力部65から受け目標値として保持している。制御回路64は、検知された電圧Vbの値をプローブ63から受けると、電圧バイアス側の電圧Vbを設定電圧目標値Vbsetと比較する。制御回路64は、検知された電圧Vbが設定電圧Vbsetより高い場合、処理をステップS4へ進め、検知された電圧Vbが設定電圧Vbsetより低い場合、処理をステップS5へ進め、検知された電圧Vbが設定電圧Vbsetに一致している場合、処理をステップS6へ進める。ステップS4では、制御回路64が、発生させる電力を下げるように電源回路20における高周波電源22を制御する。ステップS5では、制御回路64が、発生させる電力を上げるように電源回路20における高周波電源22を制御する。このように、バイアス側の電圧Vbが設定電圧目標値Vbsetに一致するまで、ステップS2~S5の処理電圧Vbのプローブ63による検知及び制御回路64による制御動作が繰り返し行なわれる。ステップS3においてバイアス側の電圧Vbが設定電圧目標値Vbsetに一致すると、制御回路64は処理をステップS6へ進める。ステップS6では、プローブ63が、電極10と電源回路20との間のノードN1における電流Ibを検知する。プローブ63は、検知された電流バイアス側の電流Ibの値を制御回路64へ供給する。ステップS7では、制御回路64が、設定電流Ibsetの値を入力部65から受け目標値として保持している。制御回路64は、検知された電流Ibの値をプローブ63から受けると、電流バイアス側の電流Ibを設定電流目標値Ibsetと比較する。制御回路64は、検知された電流Ibが設定電流Ibsetより高い場合、処理をステップS8へ進め、検知された電流Ibが設定電流Ibsetより低い場合、処理をステップS9へ進め、検知された電流Ibが設定電流Ibsetに一致している場合、処理を終了する。ステップS8では、制御回路64が、発生させる電力を下げるように電源回路40における高周波電源42を制御する。ステップS9では、制御回路64が、発生させる電力を上げるように電源回路40における高周波電源42を制御する。このように、バイアス側の電流Ibが設定電流目標値Ibsetに一致するまで、ステップS6~S9の処理電流Ibのプローブ63による検知及び制御回路64による制御動作が繰り返し行なわれる。ステップS7においてバイアス側の電流Ibが設定電流目標値Ibsetに一致すると、制御回路64は処理を終了する。なお、ステップ7においてバイアス側の電流Ibが設定電流目標値Ibsetに一致した後、ステップS2に戻り、電圧に基づく制御ステップS2~S5の処理を再度実行しても良い。つまり、制御回路64は、電圧と電流の双方が所望の値になるまで、電圧に基づく制御ステップS2~S5の処理及び電流に基づく制御ステップS6~S9の処理を繰り返してもよい。なお、本実施形態では、制御回路64が電圧に基づく制御ステップS2~S5の処理を行った後に、電流に基づく制御ステップS6~S9の処理を行っているが、図4に示すように、制御回路64は電流に基づく制御ステップS6~S9の処理を行った後に、電圧に基づく制御ステップS2~S5の処理を行ってもよい。また、制御回路64による制御動作は、加工処理エッチング処理を行なう前の初期設定時に行われてもよいし、初期設定時に加えて加工処理エッチング処理中に、初期設定時からある時間継続して、あるいは、常時、行なわれてもよい。この場合、異なるプラズマ処理装置との間における加工寸法やエッチング量の、初期設定時から径時的に発生するばらつきを低減することができる。また、制御回路64による制御動作は、ハードウェア回路的に実現される代わりに、ソフトウェア的に実現されても良い。第1の実施形態によれば、制御回路64は、プローブ63により検知される電圧パラメータVbが設定電圧目標値Vbsetに一致するように、電源回路20により供給される電力を制御する。これにより、電源回路20から出力される電圧バイアス側の電圧を、異なるプラズマ処理装置との間で共通の値として予め決定された設定電圧Vbsetに一致させることができる。また、制御回路64は、プローブ63により検知される電流パラメータIbが設定電流目標値Ibsetに一致するように、電源回路40により供給される電力を制御する。これにより、N1に流れる電流バイアス側の電流を、異なるプラズマ処理装置との間で共通の値として予め決定された設定電流Ibsetに一致させることができる。この結果、ユーザの要求に従ったエッチングレート、すなわち設定電圧目標値Vbset及び設定電流目標値Ibsetに対応したエッチングレートで加工を行なうことができるので、各プラズマ処理装置の加工精度を向上できる。それとともに、バイアス側の電圧及びバイアス側の電流の両方を異なるプラズマ処理装置間で揃えることができるので、異なるプラズマ処理装置との間における加工寸法やエッチング量のばらつきを低減できる。また、第1の実施形態では、制御回路64が、プローブ63により検知された電圧Vbが設定電圧Vbsetより低い場合、発生させる電力を上げるように電源回路20における高周波電源22を制御する。また、制御回路64が、プローブ63により検知された電流Ibが設定電流Ibsetより低い場合、発生させる電力を上げるように電源回路40における高周波電源42を制御する。これにより、処理室50内に発生するプラズマ密度を増加させることができ、イオンフラックス加速されるイオンの密度を目標値に近づけることができる。あるいは、制御回路64は、プローブ63により検知された電圧Vbが設定電圧Vbsetより高い場合、発生させる電力を下げるように電源回路20における高周波電源22を制御する。また、制御回路64が、プローブ63により検知された電流Ibが設定電流Ibsetより高い場合、発生させる電力を下げるように電源回路40における高周波電源42を制御する。これにより、処理室50内に発生するプラズマ密度を減少させることができ、イオンフラックス加速されるイオンの密度を目標値に近づけることができる。すなわち、処理室50内でイオンを加速させるための電圧を目標値に一致させながら、処理室50内で加速されるイオンの密度を目標値に一致させることができる。一般にイオンの加速エネルギーの平均値は電圧の振幅とほぼ等しくなるため、電圧を目標値と一致させることで、イオンエネルギーに装置間差をなくすることができる。一方、電流値は、プラズマやシースのインピーダンスをZとしたとき、電流=電圧/|Z|となる。電圧と電流を目標値に一致させることは、|Z|について、装置間差をなくすることができる。|Z|は電子密度などのプラズマ状態で決まる値であり、イオンフラックスは電子密度に比例するため、電圧及び電流を目標値に一致させることにより、イオンのエネルギーおよびフラックスの装置間差をなくすことが可能である。第2の実施形態第2の実施の形態にかかるプラズマ処理装置100について説明する。以下では、第1の実施形態と異なる点を中心に説明する。第1の実施形態にかかるプラズマ処理装置1は、プローブ63において電圧および電流を検知したが、第2の実施形態にかかるプラズマ処理装置100は、プローブ63において電圧および電圧×電流×cosφφは電圧、電流の位相差を検知する。ここでは便宜上、電圧×電流×cosφを実効電力と呼ぶ。図5は、第2の実施形態にかかるプラズマ処理装置100の構成を示す図である。第2の実施形態にかかるプラズマ処理装置100は、制御装置60が第1の実施形態にかかるプラズマ処理装置1と異なる。第2の実施形態にかかるプラズマ処理装置100における処理室50、電極10、電源回路第1の電源回路20、プラズマ発生部30、及び電源回路第2の電源回路40は、第1の実施形態にかかるプラズマ処理装置1と同様であるため、説明を省略する。制御装置60は、プラズマ処理装置100を制御する。具体的には、制御装置60は、入力部65、プローブ検知部63、及び制御回路制御部64を有する。制御装置60における入力部65には、設定電圧Vbset及び設定実効電力電圧×電流×cosφがユーザから入力される。あるいは、入力部65は、通信回線を介して、設定電圧Vbset及び設定実効電力電圧×電流×cosφをホストコンピュータ又は他のプラズマ処理装置から受信する。設定電圧Vbset及び設定実効電力電圧×電流×cosφは、異なるプラズマ処理装置との間で共通の値として予め決定されている。入力部65は、設定電圧Vbset及び設定実効電力電圧×電流×cosφの値を制御回路64へ供給する。制御装置60におけるプローブ63は、電極10と電源回路20との間のノードN1におけるVb及び実効電力電圧×電流×cosφを検知する。プローブ63は、検知された電圧Vb及び実効電力電圧×電流×cosφの値を制御回路64へ供給する。制御装置60における制御回路64は、設定電圧Vbsetの値を入力部65から受け目標値として保持している。制御回路64は、検知された電圧Vbの値をプローブ63から受けると、電圧Vbを設定電圧Vbsetと比較し、プローブ63により検知される電圧Vbが設定電圧Vbsetに一致するように、電源回路20により供給される電力を制御する。具体的には、制御回路64は、検知された電圧Vbが設定電圧Vbsetより高い場合、発生させる電力を下げるように電源回路20における高周波電源22を制御する。制御回路64は、検知された電圧Vbが設定電圧Vbsetより低い場合、発生させる電力を上げるように電源回路20における高周波電源22を制御する。また、制御装置60における制御回路64は、設定実効電力電圧×電流×cosφの値を入力部65から受け目標値として保持している。制御回路64は、検知された実効電力電圧×電流×cosφの値をプローブ63から受けると、実効電力電圧×電流×cosφを設定実効電力電圧×電流×cosφと比較し、プローブ63により検知される実効電力電圧×電流×cosφが設定実効電力電圧×電流×cosφに一致するように、電源回路40により供給される電力を制御する。具体的には、制御回路64は、検知された実効電力電圧×電流×cosφが設定実効電力電圧×電流×cosφより高い場合、発生させる電力を下げるように電源回路40における高周波電源42を制御する。制御回路64は、検知された実効電力電圧×電流×cosφが設定実効電力電圧×電流×cosφより低い場合、発生させる電力を上げるように電源回路40における高周波電源42を制御する。なお、本実施形態では、プラズマ処理装置1がICPInductiveCouplingPlasma型RIE装置である場合について例示的に説明しているが、プラズマ処理装置はICP型RIE装置に限定されない。例えば、プラズマ処理装置はECRElectronCycrotronResonance型RIE装置であってもよいし、二周波型の平行平板型容量結合型RIE装置であっても良い。プラズマ処理装置1が二周波型の平行平板型容量結合型RIE装置である場合、図6に示すように、プラズマ発生部130は、アンテナコイル31及び誘電体壁32に代えて、処理室50内で電極10と対向するように配される電極33を有する。図6は、第1の実施形態に係るプラズマ処理装置1の別の構成を示す図である。図6に示すように、高周波電源22からマッチング回路21及びプローブ63を介して、被処理基板例えば、半導体基板WFが搭載される電極10に高周波電力が供給される。また、高周波電源42から、マッチング回路41を介して、プラズマ生成用の電極33に電力が供給される。電源回路20における高周波電力の周波数は、例えば、2MHzである。また、電源回路40における高周波電力の周波数は、例えば、60MHzである。次に、制御装置60の動作について図7を用いて説明する。図7は、制御装置60の動作を示すフローチャートである。ステップS1~S5の処理は、第1の実施形態における図3のステップS1~S5の処理と同様である。すなわち、バイアス側の電圧Vbが設定電圧目標値Vbsetに一致するまで、ステップS2~S5の処理電源回路20から出力される電圧Vbのプローブ63による検知及び制御回路64による制御動作が繰り返し行なわれる。ステップS3においてバイアス側の電圧Vbが設定電圧目標値Vbsetに一致すると、制御回路64は処理をステップS12へ進める。ステップS12では、プローブ63が電極10と電源回路20との間のノードN1における実効電力電圧×電流×cosφを検知する。プローブ63は、検知された実効電力電圧×電流×cosφの値を制御回路64へ供給する。ステップS13では、制御回路64が、設定実効電力電圧×電流×cosφの値を入力部65から受け目標値として保持している。制御回路64は、検知された実効電力電圧×電流×cosφの値をプローブ63から受けると、実効電力電圧×電流×cosφを設定実効電力電圧×電流×cosφと比較する。制御回路64は、検知された実効電力電圧×電流×cosφが設定実効電力電圧×電流×cosφより高い場合、処理をステップS14へ進め、検知された実効電力電圧×電流×cosφが設定実効電力電圧×電流×cosφより低い場合、処理をステップS15へ進め、検知された実効電力電圧×電流×cosφが設定実効電力電圧×電流×cosφに一致している場合、処理を終了する。ステップS14では、制御回路64が、発生させる電力を下げるように電源回路40における高周波電源42を制御する。ステップS15では、制御回路64が、発生させる電力を上げるように電源回路40における高周波電源42を制御する。このように、実効電力電圧×電流×cosφが設定実効電力目標値電圧×電流×cosφに一致するまで、ステップS12~S15の処理実効電力電圧×電流×cosφのプローブ63による検知及び制御回路64による制御動作が繰り返し行なわれる。ステップS13において実効電力電圧×電流×cosφが設定実効電力目標値電圧×電流×cosφに一致すると、制御回路64は処理を終了する。なお、ステップ13においてバイアス側の実効電力電圧×電流×cosφが設定実効電力目標値電圧×電流×cosφに一致した後、ステップS2に戻り、電圧に基づく制御ステップS2~S5の処理を再度実行しても良い。つまり、制御回路64は、電圧と実効電力の双方が所望の値になるまで、電圧に基づく制御ステップS2~S5の処理及び実効電力に基づく制御ステップS12~S15の処理を繰り返してもよい。また、本実施形態では、制御回路64が電圧に基づく制御ステップS2~S5の処理を行った後に、実効電力に基づく制御ステップS12~S15の処理を行っているが、図8に示すように、制御回路64は実効電力に基づく制御ステップS12~S15の処理を行った後に、電圧に基づく制御ステップS2~S5の処理を行ってもよい。また、制御回路64による制御動作は、加工処理エッチング処理を行なう前の初期設定時に行われてもよいし、初期設定時に加えて加工処理エッチング処理中に、初期設定時からある時間継続して、あるいは、常時、行なわれてもよい。この場合、異なるプラズマ処理装置との間における加工寸法やエッチング量の、初期設定時から径時的に発生するばらつきを低減することができる。また、制御回路64による制御動作は、ハードウェア回路的に実現される代わりに、ソフトウェア的に実現されても良い。第2の実施形態によれば、制御回路64は、プローブ63により検知される電圧パラメータVbが設定電圧目標値Vbsetに一致するように、電源回路20により供給される電力を制御する。これにより、電源回路20から出力される電圧バイアス側の電圧を、異なるプラズマ処理装置との間で共通の値として予め決定された設定電圧Vbsetに一致させることができる。また、制御回路64は、プローブ63により検知される実効電力電圧×電流×cosφが設定実効電力電圧×電流×cosφに一致するように、電源回路40により供給される電力を制御する。これにより、N1における実効電力電圧×電流×cosφを、異なるプラズマ処理装置との間で共通の値として予め決定された設定実効電力電圧×電流×cosφに一致させることができる。この結果、ユーザの要求に従ったエッチングレート、すなわち設定電圧目標値Vbset及び設定実効電力目標値電圧×電流×cosφに対応したエッチングレートで加工を行なうことができるので、各プラズマ処理装置の加工精度を向上できる。それとともに、バイアス側の電圧及びバイアス側の実効電力の両方を異なるプラズマ処理装置間で揃えることができるので、異なるプラズマ処理装置との間における加工寸法やエッチング量のばらつきを低減できる。また、第2の実施形態では、制御回路64が、プローブ63により検知された電圧Vbが設定電圧Vbsetより低い場合、発生させる電力を上げるように電源回路20における高周波電源22を制御する。また、制御回路64が、プローブ63により検知された実効電力電圧×電流×cosφが設定実効電力電圧×電流×cosφより低い場合、発生させる電力を上げるように電源回路40における高周波電源42を制御する。これにより、処理室50内に発生するプラズマ密度を増加させることができ、イオンフラックス加速されるイオンの密度を目標値に近づけることができる。あるいは、制御回路64は、プローブ63により検知された電圧Vbが設定電圧Vbsetより高い場合、発生させる電力を下げるように電源回路20における高周波電源22を制御する。また、制御回路64が、プローブ63により検知された実効電力電圧×電流×cosφが設定実効電力電圧×電流×cosφより高い場合、発生させる電力を下げるように電源回路40における高周波電源42を制御する。これにより、処理室50内に発生するプラズマ密度を減少させることができ、イオンフラックス加速されるイオンの密度を目標値に近づけることができる。すなわち、処理室50内でイオンを加速させるための電圧を目標値に一致させながら、処理室50内で加速されるイオンの密度を目標値に一致させることができる。一般にイオンの加速エネルギーの平均値は電圧の振幅とほぼ等しくなるため、電圧を目標値と一致させることで、イオンエネルギーに装置間差をなくすることができる。一方、電圧×電流×cosφは被処理基板が載置される電極で消費される電力と等しくなる。載置される電極で消費される電力は、電極の電圧よってイオンや電子を加速するのに要する電力である。この電力は、イオン、電子の密度と加速エネルギーで決定される。電圧を目標値に制御することは、加速エネルギーを目標値に制御することと等価であり、電力が目標値に制御されていれば、イオン、電子も密度も一定となるように制御されることになる。イオンフラックスは電子密度に比例するため、電圧、及び、電圧×電流×cosφを目標値に一致させることにより、イオンのエネルギーおよびフラックスの装置間差をなくすことが可能である。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。