"二次電池の過充電、過放電又は過電流を検出して、これら過充電、過放電又は過電流から前記二次電池を保護する二次電池の保護用半導体装置であって、前記二次電池の正電源端子と負電源端子とに接続され、前記二次電池の電圧値又は電流値を検出するセル状態検出回路と、一つの制御用入力端子と接続され、当該制御用入力端子から印加される電圧とスレッショルド電圧とを比較して少なくとも2種類のテストモード信号と通常保護モード信号とを含む複数の動作モード信号を生成する入力判定回路と、前記セル状態検出回路と接続され、その検出信号を受けるとともに、前記入力判定回路とも接続され、前記複数の動作モード信号も受けて、制御信号を生成する制御信号生成回路と、前記制御信号生成回路の前記制御信号を受けて制御される保護制御部とを備えていることを特徴とする二次電池の保護用半導体装置。前記入力判定回路は、前記複数の動作モード信号は4つ以上であることを特徴とする請求項1に記載の二次電池の保護用半導体装置。前記入力判定回路は、前記複数の動作モード信号の電圧間の前記スレッショルド電圧を生成するスレッショルド電圧生成用回路と、前記スレッショルド電圧から前記複数の動作モード信号を生成する動作モード信号生成用論理回路とから成ることを特徴とする請求項1又は2に記載の二次電池の保護用半導体装置。前記スレッショルド電圧生成用回路は、複数のMOSトランジスタを用いて成ることを特徴とする請求項3に記載の二次電池の保護用半導体装置。前記スレッショルド電圧生成用回路は、複数の抵抗も用いており、これらの抵抗比を利用して前記スレッショルド電圧を前記動作モード信号生成用論理回路中に論理的に作ることを特徴とする請求項4に記載の二次電池の保護用半導体装置。前記スレッショルド電圧生成用回路は、複数のコンパレータを用いて成ることを特徴とする請求項3に記載の二次電池の保護用半導体装置。前記スレッショルド電圧生成用回路は、複数の抵抗も用いており、これらの抵抗比を利用して前記スレッショルド電圧を前記動作モード信号生成用論理回路中に論理的に作ることを特徴とする請求項6に記載の二次電池の保護用半導体装置。充電制御出力端子及び放電制御出力端子を備え、複数個の二次電池の保護用半導体装置における隣り合う前記充電制御出力端子又は前記放電制御出力端子と前記制御用入力端子とをそれぞれ接続した際に、前記テストモード信号又は前記通常保護モード信号を前記入力判定回路で生成するカスケード伝送を可能としていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の二次電池の保護用半導体装置。請求項1乃至8のいずれか1項に記載の二次電池の保護用半導体装置を備えていることを特徴とする二次電池パック。しかしながら、特許文献1のような従来の二次電池の保護用半導体装置では、モードを切り替える際、内部に設けられたヒューズが切断されるため、両テストモード間の切り替えは、不可逆である。そのため、例えば、二次電池の保護用半導体装置の簡易なメンテナンスなどを行うのにヒューズを切断する前のテストモードによってテストを行おうとしても、わざわざ新しいヒューズに交換しなければならない。そこで、本発明は、少なくとも2種類のテストモードを含む動作モードの切り替えが可逆である二次電池の保護用半導体装置、及びこの保護用半導体装置を備えた二次電池パックを提供することを目的としている。前記目的を達成するために、本発明の二次電池の保護用半導体装置は、二次電池の過充電、過放電又は過電流を検出して、これら過充電、過放電又は過電流から前記二次電池を保護する二次電池の保護用半導体装置であって、前記二次電池の正電源端子と負電源端子とに接続され、前記二次電池の電圧値又は電流値を検出するセル状態検出回路と、一つの制御用入力端子と接続され、当該制御用入力端子から印加される電圧とスレッショルド電圧とを比較して少なくとも2種類のテストモード信号と通常保護モード信号とを含む複数の動作モード信号を生成する入力判定回路と、前記セル状態検出回路と接続され、その検出信号を受けるとともに、前記入力判定回路とも接続され、前記複数の動作モード信号も受けて、制御信号を生成する制御信号生成回路と、前記制御信号生成回路の前記制御信号を受けて制御される保護制御部とを備えていることを特徴とする。本発明の二次電池パックは、本発明の二次電池の保護用半導体装置を備えていることを特徴とする。このような本発明の二次電池の保護用半導体装置は、二次電池の過充電、過放電又は過電流を検出して、これら過充電、過放電又は過電流から前記二次電池を保護する二次電池の保護用半導体装置である。そして、二次電池の正電源端子と負電源端子とに接続され、二次電池の電圧値又は電流値を検出するセル状態検出回路と、一つの制御用入力端子と接続され、制御用入力端子から印加される電圧とスレッショルド電圧とを比較して少なくとも2種類のテストモード信号と通常保護モード信号とを含む複数の動作モード信号を生成する入力判定回路と、セル状態検出回路と接続され、その検出信号を受けるとともに、入力判定回路とも接続され、複数の動作モード信号も受けて、制御信号を生成する制御信号生成回路と、制御信号生成回路の制御信号を受けて制御される保護制御部とを備えた構成とされている。こうした構成なので、少なくとも2種類のテストモードを含む動作モードの切り替えが可逆である。よって、二次電池の保護用半導体装置の簡易なメンテナンスなどを容易に行うことができる。このような本発明の二次電池パックは、本発明の二次電池の保護用半導体装置を備えた構成とされている。こうした構成なので、上記した本発明の二次電池の保護用半導体装置の効果を奏する二次電池パックとすることができる。以下、本発明を実施するための形態を、図面に示す実施例1~4に基づいて説明する。先ず、実施例1の構成について説明する。図1は、実施例1の二次電池パック20の概略構成を示している。まず、この二次電池パック20は、二次電池の保護用半導体装置1と、二次電池21とから主に構成されている。ここで、二次電池パック20のプラス端子22とマイナス端子23とには、負荷装置30が接続されている。この負荷装置30は、二次電池パック20を充電するときは、充電器であり、二次電池パック20から放電するときは、携帯電子機器などである。次に、二次電池の保護用半導体装置1について説明する。この二次電池の保護用半導体装置1は、二次電池21の正電源端子VDD21aと負電源端子VSS21bとに接続されるセル状態検出回路11と、一つの制御用入力端子40と接続された入力判定回路10と、セル状態検出回路11及び入力判定回路10と接続される制御信号生成回路12と、制御信号生成回路12と充電制御出力端子41及び放電制御出力端子42を有する出力回路13を介して接続される保護制御部14とから主に構成されている。ここで、このセル状態検出回路11は、二次電池21の電圧値や電流値を検出して管理するものであり、異常値を検出した際に、制御信号生成回路12を構成する動作判定用論理回路121にその異常値検出信号を送る。また、この入力判定回路10は、制御用入力端子INPUT40から印加される電圧とスレッショルド電圧とを比較してテストモード信号と通常保護モード信号を含む動作モード信号を生成するものであり、その詳細については後述する。また、この制御信号生成回路12は、動作判定用論理回路121と、カウンター回路122と、オシレータ回路123とから成る。ここで、カウンター回路122及びオシレータ回路123は、遅延時間生成用の回路として働き、動作判定用論理回路121は、セル状態検出回路11から受けた異常値検出信号を受けた際に、入力判定回路10からの動作モード信号も受けて、制御信号を生成する。また、この出力回路13は、動作判定用論理回路121で生成された制御信号を受けた際に、充電制御出力端子COUT41又は放電制御出力端子DOUT42からその制御信号を出力する。さらに、この保護制御部14は、スイッチング回路などから構成されており、出力回路13からの制御信号を受けて制御される。例えば、負荷装置30が充電器であり、二次電池21が過充電になっているときは、スイッチOFFにしてそれ以上の充電を禁止する。或いは、負荷装置30が携帯電子機器などであり、二次電池21が過放電しているときは、スイッチOFFにしてそれ以上の放電を禁止する。次に、入力判定回路10の詳細について説明する。図2は、入力判定回路10のより詳細な構成を示している。この入力判定回路10は、スレッショルド電圧生成用回路101と、動作モード信号生成用論理回路102とから構成されている。このスレッショルド電圧生成用回路101は、複数のMOSトランジスタMN1,MN2,MP1,MP2,MP3,MP4を用いて成る。より具体的には、N型デプレッショントランジスタMN1とN型エンハンストランジスタMN2によってスレッショルド電圧TH1を、P型エンハンストランジスタMP1とP型デプレッショントランジスタMP2によってスレッショルド電圧TH2を、P型デプレッショントランジスタMP3,MP4によってスレッショルド電圧TH3を動作モード信号生成用論理回路102中に論理的に作っている。なお、スレッショルド電圧生成用回路101のN型デプレッショントランジスタMN1、P型デプレッショントランジスタMP2,MP4は定電流源や抵抗に置き換えても、同様に実施できる。そして、図3は、制御用入力端子INPUT40に印加される電圧と動作モード信号との関係を示しており、この動作モード信号生成用論理回路102は、スレッショルド電圧生成用回路101の出力信号MD1,MD2,MD3から入力電圧がどの範囲にあるか判定し、動作モード信号Mode1~4のいずれかを生成して出力する。なお、図3に示したように、制御用入力端子INPUT40に印加される電圧は、二次電池21の正電源端子VDD21aの電圧と負電源端子VSS21bの電圧を含んでおり、極力余計な素子などを追加しないで済むように動作モード信号Mode1~4には適切なモードが割り当てられる。ここで、図4では、動作モード信号Mode1~4の割り当て例を3パターン示している。まず、パターン1では、動作モード信号Mode1に充電又は放電禁止モードを、動作モード信号Mode2にテストモード1カウンタースルー方式を、動作モード信号Mode3に通常保護モードオートリリース型を、動作モード信号Mode4にテストモード2オシレータ高速化方式をそれぞれ割り当てている。ここで、テストモード1カウンタースルー方式とは、図1から分かるように、オシレータ回路123を介さずにカウンター回路122からテストモード信号である動作モード信号Mode2が入力されるので、二次測定や客先などでより正確な評価を行うために若干テストモード信号の検出遅延時間が長いテストモードのことをいう。また、テストモード2オシレータ高速化方式とは、図1から分かるように、オシレータ回路123及びカウンター回路122を介してテストモード信号である動作モード信号Mode4が入力されるので、工場で大量生産する際に生産性を向上させるために検出遅延時間が極力短いテストモードのことをいう。また、充電又は放電禁止モードとは、充電又は放電若しくはその両方を強制的に禁止するモードのことをいう。さらに、通常保護モードオートリリース型とは、負荷装置30が充電器であり、高電圧検出をした場合を例にとって説明すると、二次電池21の電圧が高電圧検出電圧を超えると高電圧検出状態となり充電を禁止し、高電圧復帰電圧を下回ると、高電圧検出状態から復帰し充電可能となるモードのことをいう。次に、パターン2では、動作モード信号Mode1に通常保護モードラッチ型を、動作モード信号Mode2にテストモード1カウンタースルー方式を、動作モード信号Mode3に通常保護モードオートリリース型を、動作モード信号Mode4にテストモード2オシレータ高速化方式をそれぞれ割り当てている。ここで、通常保護モードラッチ型とは、負荷装置30が充電器であり、高電圧検出をした場合を例にとって説明すると、二次電池21の電圧が高電圧検出電圧を超えると高電圧検出状態となり充電を禁止するが、高電圧復帰電圧を下回るだけでは高電圧検出状態から復帰せず、負荷を接続するなどの復帰処理をしなければ充電可能とはならないモードのことをいう。次に、パターン3では、動作モード信号Mode1にテストモード2オシレータ高速化方式を、動作モード信号Mode2にテストモード1カウンタースルー方式を、動作モード信号Mode3に通常保護モードオートリリース型を、動作モード信号Mode4にカスケード伝送モードをそれぞれ割り当てている。ここで、カスケード伝送モードとは、図5に示したように複数個の二次電池21を直列に組んだときに、それぞれに二次電池の保護用半導体装置1を設け、隣り合う二次電池の保護用半導体装置1,1の充電制御出力端子Cout41と制御用入力端子INPUT40とを接続するようにし、一度に複数個の二次電池21の保護又はテストを行えるようにするモードのことをいう。すなわち、テストモード1カウンタースルー方式、テストモード2オシレータ高速化方式、通常保護モードオートリリース型又は通常保護モードラッチ型の動作モード信号Mode4を入力判定回路10で生成するカスケード伝送を可能としている。但し、この場合、二次電池の保護用半導体装置1の出力が同じになるように、図1に示した出力回路13の出力信号は反転させて出力するようにする。なお、このカスケード伝送モードは、充電制御出力端子Coutに代えて、放電制御出力端子Dout42を用いて実施してもよい。次に、実施例1の作用効果について説明する。このような実施例1の二次電池の保護用半導体装置1は、二次電池の過充電、過放電又は過電流を検出して、これら過充電、過放電又は過電流から前記二次電池を保護する二次電池の保護用半導体装置である。そして、二次電池21の正電源端子VDD21aと負電源端子VSS21bとに接続され、二次電池21の電圧値又は電流値を検出するセル状態検出回路11と、一つの制御用入力端子INPUT40と接続され、制御用入力端子INPUT40から印加される電圧とスレッショルド電圧TH1,TH2,TH3とを比較して2種類のテストモード信号と通常保護モード信号とを含む複数の動作モード信号Mode1~4のいずれかを生成する入力判定回路10と、セル状態検出回路11と接続され、その検出信号を受けるとともに、入力判定回路10とも接続され、複数の動作モード信号Mode1~4のいずれかも受けて、制御信号を生成する制御信号生成回路12と、制御信号生成回路12の制御信号を受けて制御される保護制御部14とを備えた構成とされている。但し、テストモード1,2の際は、セル状態検出回路11からの検出信号は0でもよい。こうした構成なので、2種類のテストモード1,2を含む動作モードの切り替えが可逆である。よって、二次電池の保護用半導体装置1の簡易なメンテナンスなどを容易に行うことができる。ここで、入力判定回路10は、複数の動作モード信号Mode1~4は4つである。このため、適用対象となる携帯電子機器に必要な動作モード信号を追加して設けることができる。また、入力判定回路10は、複数の動作モード信号Mode1~4の電圧間のスレッショルド電圧TH1,TH2,TH3を生成するスレッショルド電圧生成用回路101と、スレッショルド電圧TH1,TH2,TH3から複数の動作モード信号Mode1~4を生成する動作モード信号生成用論理回路102とから成る。このため、入力判定回路10を簡易な構成で実施することができる。さらに、スレッショルド電圧生成用回路101は、複数のMOSトランジスタMN1,MN2,MP1,MP2,MP3,MP4を用いて成る。このため、スレッショルド電圧生成用回路101を簡易な構成で実施することができる。また、充電制御出力端子Cout41及び放電制御出力端子Dout42を備え、複数個の二次電池の保護用半導体装置1,における隣り合う充電制御出力端子Cout41又は放電制御出力端子Dout42と制御用入力端子INPUT40とをそれぞれ接続した際に、テストモード1カウンタースルー方式、テストモード2オシレータ高速化方式、通常保護モードオートリリース型又は通常保護モードラッチ型の動作モード信号Mode4を入力判定回路10で生成するカスケード伝送を可能としている。このため、特に、このカスケード伝送において、テストモード2オシレータ高速化方式を行えるように設定したときには、一度に複数個の二次電池の保護用半導体装置1,の品質管理が短時間で行えるので、工場で大量生産する際に生産性をさらに向上させることができる。このような実施例1の二次電池パック20は、上記した実施例1の二次電池の保護用半導体装置1を備えた構成とされている。こうした構成なので、上記した実施例1の二次電池の保護用半導体装置1の作用効果を奏する二次電池パックとすることができる。次に、実施例2について説明する。なお、実施例1で説明した内容と同一乃至均等な部分の説明については同一符号を付して説明する。図6は、実施例2の二次電池の保護用半導体装置1における入力判定回路10のより詳細な構成を示している。この入力判定回路10も、スレッショルド電圧生成用回路101と、動作モード信号生成用論理回路102とから構成されている。但し、このスレッショルド電圧生成用回路101は、より多くのMOSトランジスタMN1,MN2,MN3,MN4,MN5,MP1,MP2,MP3,MP4を用いて成る。より具体的には、N型デプレッショントランジスタMN1とN型エンハンストランジスタMN2によってスレッショルド電圧TH1を、N型デプレッショントランジスタMN3とN型エンハンストランジスタMN4とN型エンハンストランジスタMN5によってスレッショルド電圧TH2を、P型エンハンストランジスタMP1とP型デプレッショントランジスタMP2によってスレッショルド電圧TH3を、P型デプレッショントランジスタMP3,MP4によってスレッショルド電圧TH4を動作モード信号生成用論理回路102中に論理的に作っている。そして、図7は、制御用入力端子INPUT40に印加される電圧と動作モード信号との関係を示しており、この動作モード信号生成用論理回路102は、スレッショルド電圧生成用回路101の出力信号MD1,MD2,MD3,MD4から入力電圧がどの範囲にあるか判定し、動作モード信号Mode1~5のいずれかを生成して出力する。すなわち、スレッショルド電圧TH1,TH2,TH3,TH4が1つ多い分、1つ多い動作モード信号Mode1~5を生成することができる。なお、他の構成及び作用効果については、実施例1と略同様であるので説明を省略する。次に、実施例3について説明する。なお、実施例1で説明した内容と同一乃至均等な部分の説明については同一符号を付して説明する。図8は、実施例3の二次電池の保護用半導体装置1における入力判定回路10のより詳細な構成を示している。この入力判定回路10も、スレッショルド電圧生成用回路101と、動作モード信号生成用論理回路102とから構成されている。但し、このスレッショルド電圧生成用回路101は、複数のMOSトランジスタMN1,MN2,MN3,MN4,MN5,MN6に加え、抵抗R1,R2,R3,R4を用いて成る。より具体的には、N型デプレッショントランジスタMN1とN型エンハンストランジスタMN2によってスレッショルド電圧TH1を、N型デプレッショントランジスタMN3とN型エンハンストランジスタMN4によってスレッショルド電圧TH2を、N型デプレッショントランジスタM5とN型エンハンストランジスタMN6によってスレッショルド電圧TH3を動作モード信号生成用論理回路102中に論理的に作っている。そして、抵抗R1,R2,R3,R4の抵抗比によってスレッショルド電圧TH1,TH2,TH3が決定される。すなわち、抵抗R1,R2,R3,R4の抵抗比を利用することにより、動作モード信号生成用論理回路102中の複雑な処理を必要とせずに、容易にスレッショルド電圧TH1,TH2,TH3を生成することができる。なお、他の構成及び作用効果については、実施例1と略同様であるので説明を省略する。次に、実施例4について説明する。なお、実施例1で説明した内容と同一乃至均等な部分の説明については同一符号を付して説明する。図9は、実施例4の二次電池の保護用半導体装置1における入力判定回路10のより詳細な構成を示している。この入力判定回路10も、スレッショルド電圧生成用回路101と、動作モード信号生成用論理回路102とから構成されている。但し、このスレッショルド電圧生成用回路101は、複数のコンパレータComp1,Comp2,Comp3を用いて成る。より具体的には、コンパレータComp1,Comp2,Comp3の他に、参照電源Vrefと、抵抗R1,R2,R3,R4とが用いられており、これらの抵抗比を利用してスレッショルド電圧TH1,TH2,TH3を動作モード信号生成用論理回路102中に論理的に作っている。よって、スレッショルド電圧生成用回路101は、複数のコンパレータComp1,Comp2,Comp3を用いて成るため、簡易な構成で実施することができる。また、抵抗R1,R2,R3,R4の抵抗比を利用することにより、動作モード信号生成用論理回路102中の複雑な処理を必要とせずに、容易にスレッショルド電圧TH1,TH2,TH3を生成することができる。なお、他の構成及び作用効果については、実施例1と略同様であるので説明を省略する。以上、図面を参照して、本発明を実施するための形態を実施例1~4に基づいて詳述してきたが、具体的な構成は、これら実施例1~4に限らず、本発明の要旨を逸脱しない程度の設計的変更は、本発明に含まれる。例えば、上記した実施例1~4では、本発明を理解しやすいように、1つの二次電池パック20につき二次電池21を1個のみ用いて実施したが、これに限定されず、二次電池21を複数個用いて実施してもよい。また、上記した実施例1~4では、制御用入力端子INPUT40への印加電圧の下限値を、二次電池21の負電源端子VSS21bとして実施したが、これに限定されず、例えば、制御用入力端子INPUT40を正電源端子VDD21a側に設ける場合などには、図10に示したように、スレッショルド電圧TH1,TH2,TH3の数は同じだが、二次電池21の正電源端子VDD21aを上限値として実施してもよい。さらに、上記した実施例1,2,4では、入力判定回路10に3つのスレッショルド電圧TH1,TH2,TH3を設けて実施し、上記した実施例3では、入力判定回路10に4つのスレッショルド電圧TH1,TH2,TH3,TH4を設けて実施したが、これに限定されない。例えば、2つのスレッショルド電圧にして、2つのテストモードと1つの通常保護モードの合計3つの動作モードとなるように実施してもよい。或いは、図11に示したように、7つのスレッショルド電圧TH1,TH2,TH3,TH4,TH5,TH6,TH7にして、例えば、3つのテストモードと5つの動作モードの合計8つの動作モードとなるように実施してもよい。すなわち、適用する携帯電子機器などの機能により適合するように、動作モードの数を設定して実施することができる。"