少なくとも1つの導体領域と前記少なくとも1つの導体領域によって部分的に分離されている少なくとも2つの半導体領域とを含み、前記少なくとも1つの導体領域が、前記それぞれの導体領域によって部分的に分離されている前記半導体領域の間に延びる開口部を含む半導体構造であって、前記半導体領域の少なくとも1つが半導体材料としてジケトピロロピロールポリマーを含有し、前記半導体領域が、最高被占分子軌道エネルギーレベルEHを有する少なくとも1種の有機半導体材料を含み、EHが、5.0eV≦|EH|≦5.8eVによって定義され、ならびに前記導体領域が、|EH|-1.5eV≦|EC|≦|EH|-0.4eVによって定義される仕事関数ECを有する導体材料を含むことを特徴とする前記半導体構造。前記有機半導体材料が、Np≦1×1016cm3、Np≦8×1015cm3、Np≦6×1015cm3、Np≦5×1015cm3、Np≦1016cm3、Np≦4×1015cm3、Np≦2×1015cm3、もしくはNp≦1×1015cm3、好ましくはNp≦5.5×1015cm3、より好ましくはNp≦3.9×1015cm3、最も好ましくはNp≦2.3×1015cm3の、正電荷キャリア等価物のバルク濃度Npを有する、請求項1に記載の半導体構造。EH、EC、およびNpが、前記半導体領域内において、100nm超の、好ましくは少なくとも125nmの、より好ましくは少なくとも250nmの空乏幅Idが得られるように適合される、請求項2に記載の半導体構造。前記少なくとも1種の有機半導体材料が、繰り返しユニット中に、以下の式:[式中、R1およびR2は、互いに同じである、または異なっており、ならびに、水素;C1~C100アルキル基;-COOR3;1つ以上のハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、-CN、またはC6~C18アリール基によって置換されている、および/または-O-、-COO-、-OCO-、または-S-で中断されているC1~C100アルキル基;C7~C100アリールアルキル基;カルバモイル基;C1~C8アルキル基および/またはC1~C8アルコキシ基で1~3回置換されていてもよいC5~C12シクロアルキル基;C1~C8アルキル基、C1~C25チオアルコキシ基、および/またはC1~C25アルコキシ基で1~3回置換されていてもよいC6~C24アリール基、特に、フェニルまたは1-ナフチルもしくは2-ナフチル;およびペンタフルオロフェニルからなる群より選択され、R3は、C1~C50アルキル基、好ましくはC4~C25アルキル基である]によって表される1つ以上のDPP骨格を有するジケトピロロピロールDPPポリマーを含む、請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体構造。前記DPPポリマーが、式Ia:のポリマー、式Ib:のコポリマー、式Ic:のコポリマー、および式Id:のコポリマーからなる群より選択され、式Ibのポリマーが好ましく、ここで、x=0.995~0.005であり、y=0.005~0.995であり、好ましくはx=0.2~0.8であり、y=0.8~0.2であり、ただし、xy=1であり;r=0.985~0.005であり、s=0.005~0.985であり、t=0.005~0.985であり、u=0.005~0.985であり、ただし、rstu=1であり;n=4~1000、好ましくは4~200、より好ましくは5~100であり、Aは、式:[式中、a’=1、2、または3であり;a=0、1、2、または3であり;b=0、1、2、または3であり;b’=0、1、2、または3であり;c=0、1、2、または3であり;c’=0、1、2、または3であり;d=0、1、2、または3であり;d’=0、1、2、または3であり;ただし、aが0の場合、b’は0ではなく;Ar1、Ar1’、Ar2、Ar2’、Ar3、Ar3’、Ar4、およびAr4’は、互いに独立して、場合により、縮合および/または置換されていてもよいヘテロ芳香族環または芳香環であり、好ましくは、であり、式中、X3およびX4のうちの1つはNであり、かつもう一方はCR99であり;R99、R104、R104’、R123、およびR123’は、互いに独立して、水素、ハロゲン、とりわけ、F、または場合により1つ以上の酸素原子または硫黄原子で中断されていてもよいC1~C25アルキル基、とりわけ、C4~C25アルキル、C7~C25アリールアルキル、またはC1~C25アルコキシ基であり;R105、R105’、R106、およびR106’は、互いに独立して、水素、ハロゲン、場合により、1つ以上の酸素または硫黄原子で中断されていてもよいC1~C25アルキル;C7~C25アリールアルキル、またはC1~C18アルコキシであり;R107は、C7~C25アリールアルキル、C6~C18アリール;C1~C18アルキル、C1~C18ペルフルオロアルキル、またはC1~C18アルコキシで置換されているC6~C18アリール;C1~C18アルキル;-O-または-S-によって中断されているC1~C18アルキル;または-COOR124であり;R124は、場合により、1つ以上の酸素または硫黄原子によって中断されているC1~C25アルキル基、とりわけ、C4~C25アルキル、C7~C25アリールアルキルであり;R108およびR109は、互いに独立して、H、C1~C25アルキル、Eで置換されている、および/またはDで中断されているC1~C25アルキル、C7~C25アリールアルキル、C6~C24アリール、Gで置換されているC6~C24アリール、C2~C20ヘテロアリール、Gで置換されているC2~C20ヘテロアリール、C2~C18アルケニル、C2~C18アルキニル、C1~C18アルコキシ、Eで置換されている、および/またはDで中断されているC1~C18アルコキシ、またはC7~C25アラルキルであり;またはR108およびR109が一緒に、式=CR110R111の基を形成し、R110およびR111は、互いに独立して、H、C1~C18アルキル、Eで置換されている、および/またはDで中断されているC1~C18アルキル、C6~C24アリール、Gで置換されているC6~C24アリール、またはC2~C20ヘテロアリール、もしくはGで置換されているC2~C20ヘテロアリールであり;または、R108およびR109は一緒に、5または6員環を形成し、これらは、場合により、C1~C18アルキル、Eで置換されている、および/またはDで中断されているC1~C18アルキル、C6~C24アリール、Gで置換されているC6~C24アリール、C2~C20ヘテロアリール、Gで置換されているC2~C20ヘテロアリール、C2~C18アルケニル、C2~C18アルキニル、C1~C18アルコキシ、Eで置換されている、および/またはDで中断されているC1~C18アルコキシ、またはC7~C25アラルキルで置換されていてもよく;Dは、-CO-、-COO-、-S-、-O-、または-NR112-であり;Eは、C1~C8チオアルコキシ、C1-C8アルコキシ、CN、-NR112R113、-CONR112R113、またはハロゲンであり、Gは、EまたはC1~C18アルキルであり、ならびにR112およびR113は、互いに独立して、H;C6~C18アリール;C1~C18アルキルまたはC1~C18アルコキシで置換されているC6~C18アリール;C1~C18アルキル;または-O-で中断されているC1~C18アルキルであり、ならびにB、D、およびEは、互いに独立して、式:または式Xの基であり、ただし、B、D、およびEが式Xの基である場合、それらはAとは異なっており、式中、k=1であり;l=0または1であり;r=0または1であり;z=0または1であり;ならびにAr4、Ar5、Ar6、およびAr7は、互いに独立して、式:の基であり、X5およびX6のうちの1つはNであり、もう一方はCR14であり、R14、R14’、R17、およびR17’は、互いに独立して、H、または場合により、1つ以上の酸素原子によって中断されていてよいC1~C25アルキル基、とりわけ、C6~C25アルキルである]の基である、請求項4に記載の半導体構造。前記DPPポリマーが、式Ib-1、Ib-9、Ib-10:[式中、R1およびR2は、互いに独立して、C8~C36アルキル基であり、n=4~1000、好ましくは4~200、より好ましくは5~100である]によるポリマーである、請求項5に記載の半導体構造。前記有機半導体材料、好ましくはDPPポリマーが、1.01~10、好ましくは1.1~3.0、より好ましくは1.5~2.5の範囲の多分散度を有する、請求項1~6のいずれか一項に記載の半導体材料。前記導体領域に含まれる前記開口部が、200nm超の、好ましくは250nm超の、より好ましくは500nm超の内側幅を有し、ならびに前記開口部が、好ましくは、エンボス加工された開口部、機械的に切断された開口部、またはレーザーカットされた開口部である、請求項1~7のいずれか一項に記載の半導体構造。前記導体領域の前記導体材料が、金属、合金、または導電性ポリマー、好ましくは金属、より好ましくは、Al、Cr、Cu、Fe、In、Sb、Si、Sn、およびZnからなる群より選択される金属を含む、好ましくはそれらからなり、前記金属は特にAlである、請求項1~8のいずれか一項に記載の半導体構造。さらに、前記半導体領域の端面に少なくとも2つの電極を備え、好ましくは前記半導体領域の両端面のそれぞれに1つの電極を備え、前記電極および前記導体領域が、それぞれ、接触領域を含む、または外部接触に適した導体を備える、請求項1~9のいずれか一項に記載の半導体構造。前記それぞれの導体領域によって部分的に分離されている前記半導体領域が、前記導体領域の前記開口部を介して互いに直接接触しており、前記半導体領域が、前記それぞれの導体領域のセクションによる前記それぞれの導体領域によって分離されており、前記セクションが前記開口部の側方に位置している、請求項1~10のいずれか一項に記載の半導体構造。2つの半導体領域を部分的に分離している導体領域を含む半導体構造であって、前記導体領域および前記2つの半導体領域が縦型トランジスタ構造を提供し、かつ前記導体領域が、前記半導体領域間の導電率制御のために適合されたゲートを提供し、前記2つの半導体領域が、好ましくは同じ有機半導体材料、とりわけ同じDPPポリマーを含む、請求項1~11のいずれか一項に記載の半導体構造。少なくとも1つの導体領域および前記少なくとも1つの導体領域によって部分的に分離されている少なくとも2つの半導体領域を含む半導体構造であって、前記少なくとも1つの導体領域が、前記それぞれの導体領域によって部分的に分離されている前記半導体領域間に延びる開口部を含み、前記半導体領域が、DPPポリマー、とりわけ請求項4~7において説明したようなDPPポリマー、から選択される少なくとも1種の有機半導体材料を含み、前記導体領域が、Al、Cr、Cu、Fe、In、Sb、Si、Sn、およびZnからなる群より選択される金属を含み、好ましくは実質的に前記金属からなる、半導体構造。請求項1~13のいずれか一項に記載の半導体構造を製造する方法であって、a少なくとも1種の有機半導体材料を含む少なくとも2つの半導体領域を提供する工程;b前記少なくとも2つの半導体領域間に少なくとも1つの導体領域を提供する工程;c導体領域全体にわたって広がる前記少なくとも1つの導体領域に開口部を提供する工程;およびd前記少なくとも1つの導体領域の前記開口部を介して前記少なくとも2つの半導体領域を部分的に接触させる工程;を含み、工程aの前記有機半導体材料が、HOMO最高被占分子軌道エネルギーレベルEHを有し、EHが、5.0eV≦|EH|≦5.8eVによって定義され、ならびに工程bにおいて提供される前記少なくとも1つの導体領域が、|EH|-1.5eV≦|EC|≦|EH|-0.4eVによって定義される仕事関数ECを有する導体材料を含む前記方法。工程bが、前記導体材料の連続層として前記少なくとも1つの導体領域を提供する工程を含み、工程cが、前記連続層を通る、200nm超の、好ましくは250nm超の、より好ましくは500nm超の内側幅の開口部を、エンボス加工、機械的切断、またはレーザーカットする工程を含む、請求項14に記載の方法。