ピンド層と、非磁性スペーサ層と、磁気異方性を有する自由層と、を含む磁気接合であって、前記非磁性スペーサ層が前記ピンド層と前記自由層との間に存在し、前記磁気異方性の少なくとも一部が二軸異方性であり、前記磁気接合を介して書き込み電流が流れる際に、前記自由層が複数の安定な磁気状態間を切り替え可能であるように前記磁気接合が構成されていることを特徴とする磁気デバイスで使用するために磁気接合。前記磁気異方性が一軸異方性及び前記二軸異方性を含むことを特徴とする請求項1に記載の磁気接合。前記一軸異方性が容易軸に対応し、前記磁気異方性が前記容易軸からの角度で少なくとも一つの極小値を有する磁気異方性エネルギーに対応することを特徴とする請求項2に記載の磁気接合。前記角度がゼロ以外であることを特徴とする請求項3に記載の磁気接合。前記角度が少なくとも10度且つ多くて45度であることを特徴とする請求項4に記載の磁気接合。前記角度が少なくとも20度且つ多くて40度であることを特徴とする請求項5に記載の磁気接合。前記一軸異方性の絶対値が前記二軸異方性の絶対値よりも大きいことを特徴とする請求項2に記載の磁気接合。前記二軸異方性が結晶性によって誘起されることを特徴とする請求項1に記載の磁気接合。前記自由層がLaSrMnO3、GaAs、MnAs、MnAl、Nd2Fe14B、Ho2Fe14B、NdFeB、Fe、FeCo、YCo5、CoOFe2O3、FeO-Fe2O3、MnO-Fe2O3、NiO-Fe2O3、MgO-Fe2O3のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項8に記載の磁気サブストラクチャ。前記二軸異方性が構造によって誘起されることを特徴とする請求項1に記載の磁気接合。前記自由層が飽和磁化及び結晶性異方性エネルギー係数を有し、前記飽和磁化が第一方向に増加し、前記結晶性異方性エネルギー係数が前記第一方向と反対の第二方向に増加することを特徴とする請求項10に記載の磁気接合。前記自由層が実質的に面内であり、且つ前記第一方向が実質的に前記面に垂直であることを特徴とする請求項11に記載の磁気接合。前記自由層が複数のサブ層を含み、前記複数のサブ層のそれぞれがサブ層飽和磁化及びサブ層結晶性異方性エネルギー係数を有し、前記飽和磁化が前記第一方向に増加するように前記サブ層飽和磁化が前記飽和磁化に寄与し、前記結晶性異方性エネルギー係数が前記第二方向に増加するように前記サブ層結晶性異方性エネルギー係数が前記結晶性異方性エネルギー係数に寄与することを特徴とする請求項12に記載の磁気接合。前記二軸異方性が磁歪によって誘起されることを特徴とする請求項1に記載の磁気接合。前記非磁性スペーサ層がトンネリング障壁層であることを特徴とする請求項1に記載の磁気接合。前記非磁性スペーサ層が導電性スペーサ層であることを特徴とする請求項1に記載の磁気接合。前記ピンド層が参照層、スペーサ層及び固定された磁性層を含み、前記スペーサ層が前記参照層と前記固定された磁性層との間に存在することを特徴とする請求項1に記載の磁気接合。前記自由層が垂直異方性エネルギー及び面外消磁エネルギーを含み、前記面外消磁エネルギーが前記垂直異方性エネルギー未満であることを特徴とする請求項1に記載の磁気接合。前記ピンド層がピンド層垂直異方性エネルギー及びピンド層面外消磁エネルギーを含み、前記ピンド層面外消磁エネルギーが前記ピンド層垂直異方性エネルギー未満であることを特徴とする請求項18に記載の磁気接合。前記自由層が垂直異方性エネルギー及び面外消磁エネルギーを含み、前記面外消磁エネルギーが前記垂直異方性エネルギー以上であることを特徴とする請求項1に記載の磁気接合。追加のピンド層と、追加の非磁性スペーサ層と、をさらに含み、前記追加の非磁性スペーサ層が前記自由層と前記追加のピンド層との間に存在することを特徴とする請求項1に記載の磁気接合。前記非磁性スペーサ層及び前記追加の非磁性スペーサ層のうち少なくとも一つが結晶性MgOを含むことを特徴とする請求項21に記載の磁気接合。ピンド層と、結晶性MgOを含む非磁性スペーサ層と、一軸異方性及び二軸異方性を含む磁気異方性を有する自由層と、と含む磁気接合であって、前記非磁性スペーサ層が前記ピンド層と前記自由層との間に存在し、前記一軸異方性が容易軸に対応し、前記磁気異方性が前記容易軸からの角度で少なくとも一つの極小値を有する磁気異方性エネルギーに対応し、前記角度が少なくとも10度且つ多くて20度であり、前記自由層が垂直異方性エネルギー及び面外消磁エネルギーを含み、前記面外消磁エネルギーが前記垂直異方性エネルギー未満であり、前記磁気接合を介して書き込み電流が流れる際に、前記自由層が複数の安定な磁気状態間で切り替え可能であるように前記磁気接合が構成されていることを特徴とする磁気デバイスで使用するための磁気接合。追加のピンド層と、追加の非磁性スペーサ層とをさらに含み、前記追加の非磁性スペーサ層が前記自由層と前記追加のピンド層との間に存在し、前記追加の非磁性スペーサ層がMgOを含むことを特徴とする請求項23に記載の磁気接合。複数の磁気ストレージセルを含み、前記複数の磁気ストレージセルのそれぞれが少なくとも一つの磁気接合を含み、前記少なくとも一つの磁気接合がピンド層を含み、非磁性スペーサ層及び自由層が磁気異方性を有し、前記非磁性スペーサ層が前記ピンド層と前記自由層との間に存在し、磁気異方性の少なくとも一部が二軸異方性であり、前記磁気接合を介して書き込み電流が流れる際に前記自由層が複数の安定な磁気状態間を切り替え可能であるように前記少なくとも一つの磁気接合が構成されている磁気メモリ。前記磁気異方性が一軸異方性及び前記二軸異方性を含むことを特徴とする請求項25に記載の磁気メモリ。前記一軸異方性が容易軸に対応し、前記磁気異方性が容易軸からの角度で少なくとも一つの極小値を有する磁気異方性エネルギーに対応することを特徴とする請求項26に記載の磁気メモリ。前記角度が少なくとも10度且つ多くて45度であることを特徴とする請求項27に記載の磁気メモリ。前記角度が少なくとも20度且つ多くて40度であることを特徴とする請求項28に記載の磁気メモリ。前記一軸異方性の絶対値が前記二軸異方性の絶対値より大きいことを特徴とする請求項2に記載の磁気接合。前記二軸異方性が結晶性によって誘起される、構造によって誘起される及び磁歪によって誘起されるもののうち少なくとも一つであることを特徴とする請求項26に記載の磁気メモリ。前記自由層がLaSrMnO3、GaAs、MnAs、MnAl、Nd2Fe14B、Ho2Fe14B、NdFeB、Fe、FeCo、YCo5、CoOFe2O3、FeO-Fe2O3、MnO-Fe2O3、NiO-Fe2O3、MgO-Fe2O3のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項31に記載の磁気メモリ。前記自由層が飽和磁化及び結晶性異方性エネルギー係数を有し、前記飽和磁化が第一方向に増加し、前記結晶性異方性エネルギー係数が前記第一方向と反対の第二方向に増加することを特徴とする請求項31に記載の磁気メモリ。前記自由層が実質的に面内であり、且つ前記第一方向が実質的に前記面に垂直であることを特徴とする請求項33に記載の磁気メモリ。前記自由層が複数のサブ層を含み、それぞれの前記複数の層がサブ層飽和磁化及びサブ層結晶性異方性エネルギー係数を有し、前記飽和磁化が前記第一方向に増加するように前記サブ層飽和磁化が前記飽和磁化に寄与し、前記結晶性異方性エネルギー係数が前記第二方向に増加するように前記サブ層結晶性異方性エネルギー係数が前記結晶性異方性エネルギー係数に寄与することを特徴とする請求項34に記載の磁気メモリ。前記非磁性スペーサ層がトンネリング障壁層であることを特徴とする請求項25に記載の磁気メモリ。前記ピンド層が参照層、スペーサ層及び固定された磁性層を含み、前記スペーサ層が前記参照層と前記固定された磁性層との間に存在することを特徴とする請求項25に記載の磁気メモリ。前記自由層が垂直異方性エネルギー及び面外消磁エネルギーを含み、前記面外消磁エネルギーが前記垂直異方性エネルギー未満であることを特徴とする請求項25に記載の磁気メモリ。前記自由層が垂直異方性エネルギー及び面外消磁エネルギーを含み、前記面外消磁エネルギーが前記垂直異方性エネルギー以上であることを特徴とする請求項25に記載の磁気メモリ。前記磁気接合が、追加のピンド層と、追加の非磁性スペーサ層と、をさらに含み、前記追加の非磁性スペーサ層が前記自由層と前記追加のピンド層との間に存在することを特徴とする請求項25に記載の磁気メモリ。前記非磁性スペーサ層及び前記追加の非磁性スペーサ層のうち少なくとも一つが結晶性MgOを含むことを特徴とする請求項21に記載の磁気接合。その結果、必要とされるものは、スピントランスファートルクに基づいたメモリの性能を改善し得る方法及びシステムである。本願で説明される方法及びシステムは、このような必要性に取り組む。例示的な実施形態は、磁気デバイスで使用可能な磁気接合を提供するための方法及びシステムを提供する。磁気接合は、ピンド層、非磁性スペーサ層及び自由層を含む。非磁性スペーサ層は、ピンド層と自由層との間にある。自由層は、磁気異方性を有し、その少なくとも一部は二軸異方性である。磁気接合は、磁気接合を介して書き込み電流が流れる際に、自由層が複数の安定な磁気状態間を切り替え可能なように構成されている。例示的な実施形態は、磁気メモリなどの磁気デバイスで使用可能な磁気接合、及びそのような磁気接合を用いたデバイスに関する。以下の説明は、当業者が本発明を作製して利用できるようにするためのものであり、特許出願の文脈及びその要求において提供されるものである。本願で説明される例示的な実施形態及び一般原理及び特徴に対する様々な修正は容易に明らかになるものである。例示的な実施形態は、特定の実施において提供される特定の方法及びシステムに関して主に説明される。しかしながら、その方法及びシステムは、他の実施においても有効に動作する。例示的な実施形態、一実施形態、他の一つの実施形態などの用語は、同一の又は異なる実施形態を指称するものであり得て、また複数の実施形態を指称するものであり得る。実施形態は、特定の構成要素を有するシステム及び/又はデバイスに関して説明される。しかしながら、そのシステム及び/又はデバイスは、図示されるものよりも多い又は少ない構成要素を含み得て、配置及び構成要素の種類の変更が、本発明の範囲から逸脱することなく、為され得る。また、例示的な実施形態は、特定のステップを有する特定の方法の文脈において説明される。しかしながら、その方法及びシステムは、例示的な実施形態に調和する他のステップ及び/又は追加のステップ及び順番の異なるステップを有する他の方法に対して有効に動作する。従って、本発明は示される実施形態に限定されるものではなく、本願で説明される原理及び特徴に調和する最も広範な範囲によるものである。磁気接合並びに磁気接合を用いる磁気メモリの提供方法及びシステムが説明される。例示的な実施形態は、磁気デバイスで使用可能な磁気接合を提供する方法及びシステムを提供する。磁気接合は、ピンド層、非磁性スペーサ層及び自由層を含む。非磁性スペーサ層は、ピンド層と自由層との間にある。自由層は、磁気異方性を有し、その少なくとも一部は二軸異方性である。磁気接合は、磁気接合を介して書き込み電流が流れる際に、自由層が複数の安定な磁気状態間で切り替え可能なように構成されている。例示的な実施形態は、特定の構成要素を有する特定の磁気接合及び磁気メモリの文脈で説明される。本発明が、本発明と調和する他の構成要素及び/又は追加の構成要素及び/又は他の特徴を有する磁気接合及び磁気メモリの使用と調和することは当業者には明らかである。また、本方法及びシステムは、スピントランスファー現象、磁気異方性及び他の物理現象の現状の理解の文脈で説明される。その結果として、本方法及びシステムの挙動の理論的説明が、スピントランスファー、磁気異方性及び他の物理現象のこの現状の理解に基づいて為されるものであることは当業者には明らかである。しかしながら、本願で説明される本方法及びシステムは、特定の物理的説明に依存するものではない。また、本方法及びシステムは、基板に対して特定の関係を有する構造体の文脈で説明されることは当業者には明らかである。しかしながら、本方法及びシステムが他の構造体と調和するものであることは当業者には明らかである。加えて、本方法及びシステムは、合成の及び/又は単一の特定の層の文脈で説明される。しかしながら、層が他の一つの構造体を有し得ることは当業者には明らかである。さらに、本方法及びシステムは、特定の層を有する磁気接合及び/又はサブストラクチャの文脈で説明される。しかしながら、本方法及びシステムと調和する追加の層及び/又は異なる層を有する磁気接合及び/又はサブストラクチャも用いられ得ることは当業者には明らかである。さらに、特定の構成要素は、磁性、強磁性及びフェリ磁性であるとして説明される。本願において、磁性という用語は、強磁性、フェリ磁性又はそのような構造体を含み得る。従って、本願において、磁性又は強磁性という用語は、強磁性体及びフェリ磁性体を含むが、それらに限定されるものではない。また、本方法及びシステムは、単一の磁気接合及びサブストラクチャの文脈で説明される。しかしながら、本方法及びシステムが、複数の磁気接合を有し且つ複数のサブストラクチャを用いる磁気メモリの使用と調和することは当業者には明らかである。さらに、本願において、面内とは磁気接合の一以上の層の実質的に面内にあるか、面に平行なことである。逆に、垂直は、磁気接合の一以上の層に実質的に垂直な方向に対応する。図2は、磁気デバイス、例えばSTT-RAMなどの磁気メモリで用いられる磁気接合100の例示的な実施形態を示す。明確にするために、図2は縮尺通りでない。磁気接合100は、ピンド層110、非磁性スペーサ層120及び自由層130を含む。ピニング層104も示され、ピンド層110の磁化図示せずを固定するために用いられ得る。一部実施形態では、ピニング層104は、交換バイアス相互作用によってピンド層110の磁化図示せずをピン止めするAFM層又は複数の層であり得る。しかしながら、他の実施形態では、ピニング層104は省略され得る、又は他の一つの構造体が用いられ得る。さらに、磁気接合100は、任意のシード層102及び/又は任意のキャッピング層140などの他の及び/又は追加の層を含み得る。また、磁気接合100は、磁気接合130を介して書き込み電流が流れる際に、自由層130が安定な磁気状態間で切り替え可能なように構成される。こうして、自由層130は、スピントランスファートルクを用いて切り替え可能である。ピンド層110は磁性であり、そのためNi、Fe及びCoのうち一以上を特に合金状で含み得る。単一の層として図示されているが、ピンド層110は、複数の層を含み得る。例えば、ピンド層110は、Ruなどの薄層を介して反強磁性的に又は強磁性的に結合された磁性層を含むSAFであり得る。このようなSAFでは、Ru又は他の材料の薄層と交互にされた複数の磁性層が用いられ得る。また、ピンド層110は、他の一つの複数の層であり得る。図2で磁化は示されていないが、自由層は面外消磁エネルギーを超える垂直異方性エネルギーを有し得る。スペーサ層120は非磁性である。一部実施形態では、スペーサ層120は、絶縁体であり、例えばトンネリング障壁である。このような実施形態では、スペーサ層120は、結晶性MgOを含み得、磁気接合のトンネリング磁気抵抗TMRを強化し得る。他の実施形態では、スペーサ層はCuなどの導体であり得る。代替実施形態では、スペーサ層120は、他の一つの構造体、例えば絶縁マトリクス内で導電性チャネルを含む粒状の層を有し得る。自由層130は磁性であり、そのためFe、Ni及び/又はCoのうち少なくとも一つを含み得る。自由層130は、スピントランスファーで切り替えられ得る変更可能な磁化図示せずを有する。自由層130は、単一の層として図示されている。他の実施形態では、自由層130は、他の層を含み得る。例えば、自由層は、非磁性層と交互にされた一以上の強磁性層を含むSAFであり得る。代わりに、自由層130は、強磁性又は他の複数の層を含み得る。加えて、自由層130は磁気異方性を有する。磁気異方性は、少なくとも二軸の構成要素を含む。また、磁気異方性は、一軸の構成要素を含み得る。磁気異方性の二軸の構成要素は、臨界切り替え電流Jcoなどの特徴に実質的に悪影響を及ぼすことなく、ソフトエラー率の改善をもたらし得る。留意すべきことは、自由層130全体として、自由層130の一部例えば一以上の層、又は自由層130の一部の他の構成物質が二軸異方性を有し得ることである。二軸異方性の効果は、図3及び図4それぞれで示されるグラフ150及び150’の文脈で理解され得る。グラフ150及び150’は、説明の目的のためのみであり、且つ特定の磁気接合を反映するものではない。さらに、曲線160、170及び180は、明確にするためにオフセットされている。図2から図4を参照すると、例えば、自由層130の磁気異方性エネルギーは、以下の式によって、特定の方向からの角度の関数として与えられ得る。Eθ=Kunisin2θKbisin22θKunisin2θの項一軸の項は、一軸磁気異方性に対応する。Kbisin22θの項二軸の項は、二軸異方性に対応する。二軸の項がゼロならば、自由層130は一軸異方性を有するであろう。これは、図3の一軸エネルギー曲線160に対応する。エネルギー曲線160は、容易軸方向に沿って極小値162を有する。そのため、一軸エネルギー曲線160は、θ=-π、0、πで極小値162を有する。一般的に、これらの方向は、ピンド層110の磁化図示せずと平行及び反平行である。0度付近の自由層130の初期状態は点164によって示される。それは、これらの方向例えば、θ=0が、スピントランスファートルクに関する及びフィールドトルクに関するよどみ点に対応するように起こる。スピントランスファートルクよどみ点では、スピン偏極電流は、自由層130の磁化にほとんど又は全くトルクを与えない。一軸異方性に関して、スピントランスファートルクよどみ点は、自由層130の磁化が平衡位置で、且つ容易軸θ=0及びπと揃っている配置に対応する。本願において、容易軸は、自由層130磁化が一軸異方性のみに関して安定な方向に対応する。一軸の項は自由層130磁化がよどみ点であることに対応するので、自由層が印加された臨界電流に応答して切り替わらない確率がより高い。こうして、ソフトエラー率は、このような接合でより高くなり得る。一軸の項がゼロならば、そのとき上記の例における自由層130の異方性エネルギーは、二軸の項となる。自由層130は、二軸異方性を有するであろう。結果として、エネルギー極小値自由層130の安定状態は、一軸の容易軸方向θ=0、π/2及びπに沿ったもの、及び垂直なものどちらにもなるであろう。一般的に、これらの方向は、ピンド層110の磁化図示せずに平行、垂直及び反平行である。それは、これらの方向例えば、θ=π/2の一つがスピントランスファートルクに関するよどみ点から離れるように起こる。しかしながら、残りの二つの方向θ=0、πは、スピントランスファートルクに関するよどみ点に近い。一軸異方性に加えて一部の二軸異方性があるならば、一軸エネルギー曲線160は、二軸の項Kbisin22θによって摂動を与えられる。エネルギー曲線170は、小さな二軸異方性に関するエネルギー対角度を示す。別の言い方をすれば、二軸異方性の絶対値又は大きさは、一軸異方性のそれ未満である。しかしながら、二軸及び一軸異方性のサインは、同一又は異なり得る。小さな二軸の項の導入により、曲線170は、-π、0及びπでの極小値172付近で平らになる。0付近の自由層130の安定状態は、点174によって示される。エネルギー曲線が平らになるため、磁化が反対の状態に切り替わるために乗り越える必要があるエネルギー障壁が変化しない、自由層130の初期状態における大きな広がりがあり得る。こうして、熱的安定性は、影響されなくなり得る。自由層130の安定状態における大きな広がりは、自由層130の磁化が、容易軸から一部の角度である可能性が高い。言い換えると、自由層130の磁化は、図3において0度以外の角度である可能性が高い。従って、自由層の磁化は、スピントランスファートルクに関するよどみ点から離れている可能性が高い。結果として、自由層130の磁化は、臨界切り替え電流の印加によってより容易に切り替えられ得る。磁気異方性エネルギーにおける二軸の項Kbisin22θの大きさがさらに増加する際、一軸エネルギー曲線160はさらに摂動を与えられる。エネルギー曲線180は、より大きな二軸異方性に関するエネルギー対角度を示す。曲線180に関する二軸異方性は、まだ一軸異方性未満である。別の言い方をすれば、二軸異方性の絶対値は、まだ一軸異方性の絶対値未満である。様々な実施形態では、しかしながら、一軸及び二軸異方性の符号は、同一又は異なり得る。より大きな二軸の項の導入により、曲線はもはや-π、0及びπで極小値を有さない。代わりに、極小値182は-π、0及びπからの角度である。極大値184は、0、-π及びπである、並びにそれらの角度の付近である。容易軸と極小値182との間のこの角度は、0より大きい且つπ/2未満であり得る。一部実施形態では、角度は少なくともπ/18且つ多くてπ/410°から45°である。一部このような実施形態では、角度は少なくともπ/9且つ多くてπ/620°から30°である。こうして、自由層130の磁化の安定状態は、その角度で例えば、曲線180のエネルギー極小値で、又はその角度付近であり得る。0付近の自由層130の安定状態は、点186によって示される。エネルギー曲線180が、0で極大値184を有するので、点186は極小値182で又はその付近である。図4は、3次元でのエネルギー曲線180’を示す。示された実施形態では、曲線180/180’は、容易軸角度が0の周りで対称である。一部実施形態では、自由層130磁化は、一軸の容易軸から少なくとも10度且つ多くて45度であり得る。一部このような実施形態では、自由層130磁化は、一軸の容易軸から少なくとも10度多くて45度での方向で安定であり得る。自由層130の磁気異方性は、円錐異方性と呼べれ得、且つ一軸異方性及び二軸異方性の組み合わせである。自由層130の初期状態におけるより大きな広がりは、自由層130の磁化が容易軸から小さな角度である、又は傾いている可能性が高いことを意味し得る。言い換えると、自由層130の磁化は、図3において0度以外の角度である可能性が高い。従って、自由層130の磁化は、スピントランスファートルクに関するよどみ点から離れる可能性が高い。自由層130での二軸異方性の導入は、自由層130の切り替え特性を改善し得る。0付近で、エネルギー曲線の極小値は、平らになり得るエネルギー曲線170、又は0から遠ざけられ得るエネルギー曲線180。こうして、自由層130磁化は、容易軸に沿った配列から傾いた安定状態を有し得る。こうして、自由層130の磁化は、スピントランスファートルク又は磁場誘起トルクによって、より容易に切り替えられると考えられ得る。この特徴は、より低いソフトエラー率に対応する。このことは、遷移時間10マイクロ秒未満の高データレートでさえ確かであり得る。一部実施形態では、臨界切り替え電流の大きさに実質的に悪影響を与えることなくこの改善が達成され得ることもわかる。さらに、磁気接合100の熱的安定性及び対称性は、悪影響を受けなくなり得る。磁気接合100を切り替えるために外部磁場が必要とされることがなくなり得るので、磁気接合100は、より高いメモリ密度へさらに拡張でき得る。磁気接合100及びその磁気接合100を用いるメモリの性能及び順応性はこうして改善され得る。二軸異方性の導入は、自由層130の特徴を改善し得る。このような異方性を得るための複数の方法がある。図5は、二軸異方性を有する自由層130’の例示的な実施形態を示す。非磁性層120’も示される。図示された実施形態では、自由層130’は、構造的に誘起された、テクスチャによって誘起された及び/又は磁歪によって誘起された二軸異方性を有し得る。二軸異方性に加えて、自由層130は、一軸異方性を有し得る。例えば、自由層130’が構造的に誘起された二軸異方性を有することになるならば、結晶エネルギー係数K1=Kbiは一方向に増加し、一方、飽和磁化Msは、第一方向と反対の第二方向に増加する。これを達するためのあるメカニズムが図6に示される。図6は、二軸異方性を有する自由層130’’の例示的な実施形態を示す。自由層130’’は、一軸異方性も有し得る。自由層130’’は複数の層を含む。図示された実施形態では、4つの層132、134、136及び138が示される。他の実施形態では、他の一つの数の層が用いられ得る。層132、134、136及び138は、飽和磁化Ms1、Ms2、Ms3及びMs4をそれぞれ有する。同様に、層132、134、136及び138は、二軸の結晶性エネルギー係数Kbi1、Kbi12、Kbi13及びKbi14それぞれを有する。図6で見られるように、Msは非磁性スペーサ層図6で図示せずに近づくにつれて増加する。同様に、Kbは非磁性スペーサに近づくにつれて減少する。このような複数の層は、二軸異方性を有し得る。上記のメカニズムの代わりに又は加えて、二軸異方性は、他の方法で構造的に誘起され得る。他の実施形態では、特定の材料の濃度勾配が、類似の効果を達成するために用いられ得る。例えば、負のKbiが、二軸異方性を提供するために用いられ得る。さらに、一部材料は二軸異方性を生成する可能性が高いことがあり得る。例えば、自由層は、LaSrMnO3、GaAs、MnAs、MnAl、Nd2Fe14B、Ho2Fe14B、NdFeB、Fe、FeCo、YCo5、Ni、Coをほとんど又は全く含まないフェライト、CoOFe2O3、FeO-Fe2O3、MnO-Fe2O3、NiO-Fe2O3、MgO-Fe2O3の一以上を含み得る。こうして、自由層130’/130’’の構造体は、所望の二軸異方性を達成するために調整され得る。他の実施形態では、二軸異方性はテクスチャによって誘起されたものであり得る。例えば、仮に、立方異方性を有する磁性層が提供されたとする。加えて、自由層130’は、面内異方性を有する薄膜であり得る。その組み合わせは、Asin2θBsin22θCsin2θによって与えられるエネルギーを有し得、ここでA、B及びCは係数である。このような実施形態では、自由層130’’は、一軸異方性と組み合わされた二軸異方性を有する。加えて、二軸異方性は、自由層130’において磁歪で誘起され得る。こうして、自由層130’/130’’は、二軸異方性を有する。結果として、自由層130/130’は、磁気接合に組み込まれる際、本願で説明される一以上の恩恵を提供し得る。図7は、二軸異方性を有する自由層を含む磁気接合200の例示的な実施形態を示す。明確にするために、図7は縮尺通りでない。磁気接合200は、STT-RAMなどの磁気メモリで用いられ得る。磁気接合200は、磁気接合100に類似しており、そのため同様の構造体を含む。磁気接合200は、任意のシード層102、任意のピニング層104、ピンド層110、非磁性スペーサ層120、自由層130及び任意のキャッピング層140それぞれに類似している任意のシード層202、任意のピニング層204、ピンド層210、非磁性スペーサ層220、自由層230及び任意のキャッピング層240を含む。層210、220、230及び240は、層110、120、130及び140それぞれの構造体及び機能に類似している構造体及び機能を有する。上記のように、自由層230は二軸異方性を有する。その結果として、上で説明された恩恵は達成され得る。加えて、自由層230は、実質的に面内に横合わるその容易軸232を有する。こうして、垂直異方性エネルギーは、自由層230に関する面外消磁エネルギーを超えない。二軸異方性のため、自由層磁化234の安定状態は、容易軸232から角度θである。角度θは、エネルギー曲線180のエネルギー極小値に対応する。また、ピンド層210は、面内に固定されたその磁化212を有するとして示される。こうして、垂直異方性エネルギーは、ピンド層210に関する面外消磁エネルギーを超えない。しかしながら、他の一つの実施形態では、磁化212は他の一つの方向であり得る。図8は、二軸異方性を有する自由層を含む磁気接合200’の例示的な実施形態を示す。明確にするために、図8は縮尺通りでない。磁気接合200’は、STT-RAMなどの磁気メモリで用いられ得る。磁気接合200’は、磁気接合100及び200に類似しており、そのため、同様の構造体を含む。磁気接合200’は、任意のシード層102/202、任意のピニング層104/204、ピンド層110/210、非磁性スペーサ層120/220、自由層130/230及び任意のキャッピング層140/240それぞれに類似している任意のシード層202’、任意のピニング層204’、ピンド層210’、非磁性スペーサ層220’、自由層230’及び任意のキャッピング層240’を含む。層210’、220’、230’及び240’は、層110、120、130及び140それぞれの構造体及び機能に類似している構造体及び機能を有する。加えて、少なくとも一部実施形態では、ピニング層204’は省略され得る。上記のように、自由層230’は二軸異方性を有する。その結果として、上で説明された恩恵は達成され得る。加えて、自由層230’は、実質的に面に垂直に横たわるその容易軸232’を有する。こうして、自由層230’の面外消磁エネルギーは、垂直異方性エネルギー未満である。二軸異方性のため、自由層磁化234’の安定状態は、容易軸232から角度θ’である。角度θ’は、エネルギー曲線180のエネルギー極小値に対応する。また、ピンド層210’は、面に垂直に固定されたその磁化を有するとして示される。こうして、ピンド層210’の面外消磁エネルギーは、垂直異方性エネルギー未満である。しかしながら、他の一つの実施形態では、磁化212’は、他の一つの方向であり得る。図9は、二軸異方性を有する自由層を含む磁気接合200’’の例示的な実施形態を示す。明確にするため、図9は縮尺通りでない。磁気接合200’’は、STT-RAMなどの磁気メモリで用いられ得る。磁気接合200’’は、磁気接合100/200/200’に類似しており、そのため、同様の構造体を含む。磁気接合200’’は、任意のシード層102/202/202’、任意のピニング層104/204/204’、ピンド層110/210/210’、非磁性スペーサ層120/220/220’、自由層130/230’230’及び任意のキャッピング層140/240/240’それぞれに類似している任意のシード層202’’、任意のピニング層204’’、ピンド層210’’、非磁性スペーサ層220’’、自由層230’’及び任意のキャッピング層240’’を含む。層210’’、220’’、230’’及び240’’は、層110/210/210’、120/220/220’、130/230/230’及び140/240/240’それぞれの構造体及び機能に類似している構造体及び機能を有する。上記のように、自由層230’’は二軸異方性を有する。その結果として、上で説明された恩恵は、達成され得る。自由層230’’の容易軸は図示されず、そのため、面に垂直又は面内を含む所望の方向であり得る。加えて、ピンド層210’’は、強磁性層212及び216並びに非磁性スペーサ214を含むSAFである。他の実施形態では、ピンド層210’’は、追加の及び/又は異なる層を含み得る。強磁性層212は、ピニング層204’への交換カップリングで又は他の一つのメカニズムで固定されたその磁化を有する。参照層216は、固定された磁性層212に磁気的に結合されている。図10は、二軸異方性を有する自由層を含む磁気接合200’’’の例示的な実施形態を示す。明確にするために、図10は縮尺通りでない。磁気接合200’’’は、STT-RAMなどの磁気メモリで用いられ得る。磁気接合200’’’は、磁気接合100/200/200’/200’’に類似しており、そのため、同様の構造体を含む。磁気接合200’’’は、任意のシード層102/202/202’/202’’、任意のピニング層104/204/204’/204’’、ピンド層110/210/210’/210’’、非磁性スペーサ層120/220/220’/220’’、自由層130/230/230’/230’’及び任意のキャッピング層140/240/240’/240’’それぞれに類似している任意のシード層202’’’、任意のピニング層204’’’、ピンド層210’’’、非磁性スペーサ層220’’’、自由層230’’’及び任意のキャッピング層240’’’を含む。層210’’’、220’’’、230’’’及び240’’’は、層110/210/210’/210’’、120/220/220’/220’’、130/230/230’/230’’及び140/240/240’/240’’それぞれの構造体及び機能に類似している構造体及び機能を有する。上記のように、自由層230’’’は、二軸異方性を有する。その結果として、上で説明された恩恵は、達成され得る。自由層230’’’の容易軸は図示されない、そのため、面に垂直又は面内を含む所望の方向であり得る。加えて、自由層230’’’は、強磁性層232及び236並びに非磁性スペーサ234を含むSAFである。強磁性層232及び236は磁気的に結合されている。一部実施形態では、層232及び236は、反強磁性的に配列されている。他方、層232及び236は強磁性的に配列されている。また、自由層230’’’は、追加の及び/又は異なる層を含み得る。様々な実施形態では、強磁性層232及び236の片方又は両方が、二軸異方性を含む。こうして、本願で説明される恩恵は達成され得る。図11は、二軸異方性を有する自由層を含む磁気接合200’’’’の例示的な実施形態を示す。明確にするために、図11は縮尺通りでない。磁気接合200’’’’は、STT-RAMなどの磁気メモリで用いられ得る。磁気接合200’’’’は、磁気接合100/200/200’/200’’/200’’に類似しており、そのため、同様の構造体を有する。磁気接合200’’’’は、任意のシード層102/202/202’/202’’/202’’’、任意のピニング層104/204/204’/204’’/204’’’、ピンド層110/210/210’/210’’/210’’’、非磁性スペーサ層120/220/220’/220’’/220’’’、自由層130/230/230’/230’’/230’’’及び任意のキャッピング層140/240/240’/240’’/240’’’それぞれに類似しているシード層202’’’’、任意のピニング層204’’’’、ピンド層210’’’’、非磁性スペーサ層220’’’’、自由層230’’’’及び任意のキャッピング層240’’’’を含む。層210’’’’、220’’’’、230’’’’及び240’’’’は、層110/210/210’/210’’/210’’’、120/220/220’/220’’/220’’’、130/230/230’/230’’/230’’’及び140/240/240’/240’’/240’’’それぞれの構造体及び機能に類似している構造体及び機能を有する。上記のように、自由層230’’’’は、二軸異方性を有する。その結果として、上で説明された恩恵は、達成され得る。自由層230’’’’の容易軸は、図示されず、そのため、面に垂直又は面内を含む所望の方向であり得る。図示された実施形態では、自由層230’’’’及びピンド層210’’’’はそれぞれSAFである。ピンド層210’’’’は、強磁性層212’及び216’並びに非磁性スペーサ214’を含む。強磁性層212’は、ピニング層204’’’’に交換カップリングで、又は他の一つのメカニズムで固定されたその磁化を有する。参照層216’は、固定された磁性層214’に磁気的に結合されている。こうして、自由層230’’’’は、強磁性層232’及び236’並びに非磁性スペーサ234’を含む。強磁性層232’及び236’は磁気的に結合されている。一部実施形態では、層232’及び236’は反強磁性的に配列されている。他方、層232’及び236’は、強磁性的に配列されている。様々な実施形態では、強磁性層232’及び236’の片方又は両方が、二軸異方性を含む。こうして、本願で説明された恩恵は、達成され得る。図12は、二軸異方性を有する自由層を含む磁気接合300の例示的な実施形態を示す。明確にするために、図12は縮尺通りでない。磁気接合300は、STT-RAMなどの磁気メモリで用いられ得る。磁気接合300は、磁気接合100/200/200’/200’’/200’’’/200’’’’に類似しており、そのため、同様の構造体を含む。磁気接合300は、任意のシード層102/202/202’/202’’/202’’’/202’’’’、任意のピニング層104/204/204’/204’’/204’’’/204’’’’、ピンド層110/210/210’/210’’/210’’’/210’’’’、非磁性スペーサ層120/220/220’/220’’/220’’’/220’’’’、自由層130/230/230’/230’’/230’’’/230’’’’及び任意のキャッピング層140/240/240’/240’’/240’’’/240’’’’それぞれに類似している任意のシード層302、任意のピニング層304、ピンド層310、非磁性スペーサ層320、自由層330及び任意のキャッピング層370を含む。層310、320、330及び370は、層110/210/210’/210’’/210’’’/210’’’’、120/220/220’/220’’/220’’’/220’’’’、130/230/230’/230’’/230’’’/230’’’’及び140/240/240’/240’’/240’’’/240’’’’それぞれの構造体及び機能に類似している構造体及び機能を有する。自由層330の容易軸は図示されず、そのため、面に垂直又は面内を含む所望の方向であり得る。また、磁気接合300は、追加の非磁性スペーサ層340、追加のピンド層350及び任意の追加のピニング層360を含む。非磁性スペーサ層340は、非磁性スペーサ層320に類似している。追加のピンド層350及び任意の追加のピニング層360は、層310及び304それぞれに類似している。そのため、磁気接合300は、二重接合である。例えば、非磁性スペーサ層320及び340が、結晶性MgOなどの絶縁トンネリング障壁層ならば、磁気接合300は二重MTJである。非磁性スペーサ層320及び340が導電性ならば、磁気接合300は二重スピン値である。また、非磁性スペーサ層320及び340について他の構造体も考えられる。さらに、非磁性スペーサ層320及び340が同一であることを必要としない。自由層330は二軸異方性を有する。さらに、自由層330は、自由層130、230、230’、230’’、230’’’及び/又は230’’’’のいずれかに類似し得る。その結果として、上で説明された恩恵は、二重磁気トンネリング接合で達成され得る。例えば、磁気接合300は、熱的安定性、拡張性又は低い臨界切り替え電流を犠牲にすることなく、より低いソフトエラー率を有し得る。様々な磁気接合100、200、200’、200’’、200’’’、200’’’’及び300が開示されてきた。留意すべきことは、磁気接合100、200、200’、200’’、200’’’、200’’’’及び300の様々な特徴は組み合され得るということである。そのため、低減されたソフトエラー率、垂直異方性、熱的安定性及び/又は拡張性などの磁気接合100、200、200’、200’’、200’’’、200’’’’及び300の一以上の恩恵が、達成され得る。さらに、磁気接合100、200、200’、200’’、200’’’、200’’’’及び300は、磁気メモリで用いられ得る。図13は、一つのこのようなメモリ400の例示的な実施形態を示す。磁気メモリ400は、読み込み/書き込みコラム選択ドライバ402及び406並びにワードライン選択ドライバ404を含む。留意すべきことは、他の及び/又は異なる構成要素が提供され得ることである。メモリ400のストレージ領域は、磁気ストレージセル410を含む。磁気ストレージセルそれぞれは、少なくとも一つの磁気接合412及び少なくとも一つの選択デバイス414を含む。一部実施形態では、選択デバイス414は、トランジスタである。磁気接合412は、磁気接合100、200、200’、200’’、200’’’、200’’’’及び300のうちの一つであり得る。セル410ごとに一つの磁気接合412が示されているが、他の実施形態では、他の一つの数の磁気接合412がセルごとに提供され得る。このようにして、磁気メモリ400は、より低いソフトエラー率及び低い臨界切り替え電流などの、上で説明された恩恵を享受し得る。図14は、磁気サブストラクチャの製造方法500の例示的な実施形態を示す。明確にするために、一部段階は省略又は組み合され得る。方法500は、磁気接合100の文脈で説明される。しかしながら、方法500は、接合200、200’、200’’、200’’’、200’’’’及び/又は300などの他の磁気接合で用いられ得る。さらに、方法500は、磁気メモリ400などの磁気メモリの製造に組み込まれ得る。そのため、方法500は、STT-RAM又は他の磁気メモリの製造で用いられ得る。方法500は、シード層102及び任意のピニング層104が提供された後に開始し得る。ピンド層110は、段階502で提供される。段階502は、ピンド層110の所望の厚さで、所望の材料を堆積することを含み得る。さらに、段階502は、SAFを提供することを含み得る。非磁性層120は、段階504で提供される。段階504は、結晶性MgOを含むがこれに限定されない、所望の非磁性材料を堆積することを含み得る。加えて、材料の所望の厚さは、段階502で堆積され得る。二軸異方性を有する自由層130は、段階506で提供される。一部実施形態では、段階506は、複数の層、SAF及び/又は他の構造体を堆積することによって完成され得る。その後、段階508で製造が完了する。例えば、キャッピング層140が提供され得る。他の実施形態では、追加のスペーサ層340、追加のピンド層350及び任意の追加のピニング層360が提供され得る。一部実施形態では、磁気接合の層が多層体として堆積され、その後画定形成され、段階508は、磁気接合100の画定、アニールの実行、又は別の方法で磁気接合100の製造を完了することを含み得る。さらに、磁気接合100がSTT-RAM400などのメモリに取り込まれるならば、段階508はコンタクト、バイアス構造体及びメモリ400の他の部位を提供することを含み得る。こうして、磁気接合100、200、200’、200’’、200’’’、200’’’’及び/又は300は形成される。その結果として、磁気接合の恩恵は、達成され得る。磁気接合、及び磁気メモリ素子/磁気サブストラクチャを用いて製造されるメモリの提供方法及びシステムが説明されてきた。本方法及びシステムは、図示された例示的な実施形態に従って説明されているが、当業者は、それらの実施形態にはバリエーションが存在し得て、あらゆるバリエーションが本方法及びシステムの精神及び範囲内にあることを容易に認識するものである。従って、多様な修正が、添付の特許請求の範囲の精神及び範囲から逸脱することなく、当業者によって為され得る。