非冷却マイクロボロメータを製造する際に使用するシリコンオンインシュレーターSOI相補型金属酸化物半導体CMOSウェーハであって、前記SOI-CMOSウェーハは、基板層;前記基板層上に形成された絶縁層であって、ピクセル領域と、該ピクセル領域を囲む壁領域とを有する絶縁層;前記絶縁層の前記ピクセル領域上に形成されたピクセル構造体;前記ピクセル構造体に隣接して、かつ前記絶縁層の壁領域上に形成された壁構造体;前記ピクセル構造体と前記壁構造体を被覆する誘電体層;前記誘電体層内に形成されたピクセルマスクであって、およびドライエッチング工程の間に前記ピクセル構造体を保護するために形成されたピクセルマスク;および前記誘電体層内に形成された壁マスクであって、および前記ドライエッチング工程の間に前記壁構造体を保護するために形成され、それによって、前記ドライエッチング工程の後に前記壁構造体と前記ピクセル構造体の間に定義された空間を解放する壁マスクを備えてなるSOI-CMOSウェーハ。前記ピクセルマスクが、正方形形状を有する第1の金属層を含み、そして前記壁マスクは、前記第1の金属層を囲むが、前記第1の金属層と接触しない正方形のフレームを有する第2の金属層を含む請求項1記載のSOI-CMOSウェーハ。前記第1の金属層が、前記第2の金属層より前記基板層に接近している請求項2記載のSOI-CMOSウェーハ。前記誘電体層が、前記ピクセル構造体と前記ピクセルマスクの間に形成された傘層を含み、それによって前記傘層が、ドライエッチング工程の間に前記ピクセルマスクによって保護される請求項1記載のSOI-CMOSウェーハ。前記傘層が、前記壁構造体の一部を被覆するために延びる請求項4記載のSOI-CMOSウェーハ。前記傘層の下に、かつ前記ピクセル構造体に隣接して形成された犠牲層であって、前記ドライエッチング工程の前に、前記傘層を支持し、および前記ドライエッチング工程の間に前記傘構造体を保護する犠牲層をさらに含む請求項4記載のSOI-CMOSウェーハ。前記ピクセル構造体は、前記絶縁層の前記ピクセル領域上に形成された複数のダイオード、前記複数のダイオード上に形成され、前記複数のダイオードと直列接続しているピクセル内金属層、及び前記絶縁層の前記ピクセル領域上に形成され、前記複数のダイオードと前記ピクセル内金属層を実質的に封止するために前記絶縁層と協働する熱吸収層を含んでなる請求項1記載のSOI-CMOSウェーハ。前記誘電体層が、前記ピクセル構造体と前記壁構造体との間で定義される空間を充填してなる請求項1記載のSOI-CMOSウェーハ。前記絶縁層上に形成され、前記ピクセル構造体と前記壁構造体を接続する支持アーム構造体、および前記誘電体層内に形成された支持アームマスクであって、および前記ドライエッチング工程の間に前記支持アーム構造体を保護する支持アームマスクをさらに備える請求項1記載のSOI-CMOSウェーハ。前記支持アームマスクが、前記第ピクセルマスクより前記基板に接近している請求項1記載のSOI-CMOSウェーハ。ガラス工場において定義されたシリコンオンインシュレーターSOI相補型金属酸化物半導体CMOSウェーハから製造された赤外線検出器であって、前記赤外線検出器が、第1の開口と前記第1の開口に対向する第2の開口を定義するスルーウェルを形成する複数の壁、前記スルーウェルの前記第1の開口または前記第2の開口を通過する赤外線波を検知するように構成された赤外線検出器;および前記赤外線検出器を前記スルーウェルの内部で、かつ前記第1の開口に隣接して掛けるように前記複数の壁の少なくとも1つと前記センサーを接続する支持アームを備える赤外線検出器。前記スルーウェルが、前記赤外線検出器を囲むが、前記赤外線検出器と接触しない正方形フレーム断面を有する請求項11記載の赤外線検出器。複数の片が、前記複数の壁のうちの1つから、および前記スルーウェルの前記第2の開口を越えて各々延びる複数の片をさらに備える請求項11記載の赤外線検出器。前記赤外線検出器は、絶縁層、複数のダイオードであって、おのおのが前記絶縁層に対して実質的に垂直なpn接合を有している複数のダイオード、前記複数のダイオード上にあるピクセル内金属層であって、前記複数のダイオードと直列接続してダイオードチェーンを形成するピクセル内金属層、および前記ダイオードチェーンを実質的に封止するために前記絶縁層と協働する熱吸収層を含む請求項11記載の赤外線検出器。前記支持アームが、前記赤外線検出器に電気的に接続されたポリシリコン配線、及び前記ポリシリコン配線を封止し、前記掛けられた赤外線検出器を物理的に支持する熱抵抗層を含む請求項11記載の赤外線検出器。前記複数の壁の少なくとも1つが読出し配線を含み、および前記支持アームは、前記赤外線検出器と前記読出し配線を電気的に接続しているポリシリコン配線を含んでなる請求項11記載の赤外線検出器。前記赤外線センサー上で形成され、前記赤外線検出器の断面を超えて、前記スルーウェルに接触せずに実質的に前記開口を被覆するように延びる傘層をさらに備える請求項11記載の赤外線検出器。前記赤外線センサー上で形成され、前記赤外線検出器と前記第1の開口の断面を超えて、前記複数の壁の一部を被覆するように延びる傘層をさらに備える請求項11記載の赤外線検出器。基板層と、前記基板層上に形成され、ピクセル領域と、前記ピクセル領域を囲む壁領域を有する絶縁層と、前記絶縁層の前記ピクセル領域上に形成されたピクセル構造体と、前記ピクセル構造体に隣接し、かつ前記絶縁層の壁領域上に形成された壁構造体と、前記ピクセル構造体と前記壁構造体を被覆する誘電体層、前記誘電体層内に形成され、かつ前記ピクセル構造体を被覆するピクセルマスクと、および前記誘電体層内に形成され、かつ前記壁構造体を被覆する壁マスクとを有するガラス工場において定義されたシリコンオンインシュレーターSOI相補型金属酸化物半導体CMOSウェーハから非冷却赤外線検知器を製造する方法であって、前記方法が、前記絶縁層の前記ピクセル領域によって終了した背面部ピクセル空間を定義するために基板層の一部を貫通する第1の垂直エッチングを行なう工程;前記壁構造体から前記ピクセル構造体を分離するために正面部ピクセル空間を定義するように、前記ピクセルマスクと前記壁マスクに被覆されていない前記誘電体層の一部を貫通し、前記ピクセルマスクと前記壁マスクによって被覆されていない絶縁層の一部を貫通する第2の垂直エッチングを行う工程;および前記ピクセルマスクおよび前記壁マスクを除去する工程を含んでなるガラス工場において定義されたシリコンオンインシュレーターSOI相補型金属酸化物半導体CMOSウェーハから非冷却赤外線検知器を製造する方法。前記正面部ピクセル空間が前記背面部ピクセル空間と連結し、これによって、前記SOI-CMOSウェーハを貫いて延びるスルー空間を定義する請求項19記載の方法。前記第2の垂直エッチングの前に前記SOI-CMOSウェーハの入出力パッド構造体を被覆するためにホトレジスト層を堆積する工程;および前記第2の垂直エッチングの後に前記ホトレジスト層を除去する工程をさらに含む請求項19記載の方法。前記SOI-CMOSウェーハが正面部および背面部を有し、前記正面部は、前記誘電体層上に位置づけられ、前記絶縁層から離れて対向し、前記背面部は、前記基板層上に位置し、かつ前記絶縁層から離れて対向し、第1の垂直エッチングは前記SOI-CMOSウェーハの前記背面部で行なわれ、前記第2の垂直エッチングは前記SOI-CMOSウェーハの前記正面部で行なわれてなる請求項19記載の方法。前記基板層の前記背面部を被覆するために背面部マスクを堆積する工程と、前記背面部マスク上に開口部を定義するためにリソグラフィーを行なう工程とを含み、前記開口部が前記基板層のピクセル領域と垂直に重なり、前記開口部を通って前記基板層の垂直部をエッチングする工程と、及び前記背面部マスクを除去する工程をさらに含む請求項22記載の方法。前記SOI-CMOSウェーハの犠牲層に達するためのトンネルを定義するために、前記第1の垂直のエッチングを行なう前に、前記SOI-CMOSウェーハの背面で、かつシリコン層の一部、前記絶縁層の一部、前記誘電体層の一部を貫いて行う第3の垂直エッチング工程;および前記犠牲層を除去するために前記トンネルを介して行うウェットエッチング工程をさらに含む請求項22記載の方法。前記第2の垂直エッチングが前記第1の垂直エッチングの前に行なわれる請求項24記載の方法。前記第1の垂直のエッチングがディープドライシリコンエッチングプロセスを含む請求項19記載の方法。前記第1の垂直エッチングがディープ反応性イオンエッチングDRIEを含む請求項19記載の方法。前記第2の垂直エッチングがドライ誘電体エッチングプロセスを含む請求項19記載の方法。前記第2の垂直エッチングは、反応性イオンエッチングRIE、反応性イオンビームエッチングRIBE、化学的に支援されたイオンビームエッチングCAIBEおよびその組み合わせからなる群から選択されたドライ誘電体エッチングを含む請求項19記載の方法。前記除去する工程が、前記SOI-CMOSウェーハの正面部上でウェットエッチングを行なう工程を含む請求項19記載の方法。基板層と、前記基板層上に形成されピクセル領域と、前記ピクセル領域を囲む壁領域を有する絶縁層と、前記絶縁層の前記ピクセル領域上に形成されたピクセル構造体と、前記ピクセル構造体に隣接し、かつ前記絶縁層の壁領域上に形成された壁構造体と、前記ピクセル構造体と前記壁構造体を被覆する誘電体層、前記誘電体層内に形成され、かつ前記ピクセル構造体を被覆するピクセルマスクと、および前記誘電体層内に形成され、かつ前記壁構造体を被覆する壁マスクとを有するガラス工場において定義されたシリコンオンインシュレーターSOI相補型金属酸化物半導体CMOSウェーハから非冷却赤外線検出器を製造する方法であって、前記方法が、前記壁構造体から前記ピクセル構造体を分離するために正面部ピクセル空間を定義するために、前記ピクセルマスクおよび前記壁マスクによって被覆されなかった前記誘電体層の一部と、および前記ピクセルマスクおよび前記壁マスクによって被覆されなかった絶縁層の一部とを介して垂直エッチングを行なう工程、前記ピクセルマスクおよび前記壁マスクを除去する工程、および前記基板層上及び前記ピクセル構造体の下にウェルを形成するために、異方性シリコンエッチングを行なう工程を含み、前記ウェルが、前記基板層と前記壁構造体から前記ピクセル構造体を熱的に分離するために、前記ピクセル空間を連結する背面部ピクセル空間を定義してなることを特徴とする方法。前記第の垂直エッチングの前に前記SOI-CMOSウェーハの入出力パッド構造体を被覆するためにホトレジスト層を堆積する工程;および前記異方性シリコンエッチングの後に前記ホトレジスト層を除去する工程をさらに含む請求項31記載の方法。前記ピクセル構造体および基板層は、各々異方性シリコンエッチングの間に浮遊電位を有する請求項31記載の方法。前記ピクセル構造体および基板層は、異方性シリコンエッチングの間、実質的に零の電位差を有する請求項31記載の方法。前記異方性シリコンエッチングは、さらに、エチレンジアミンピロカテコールEDP、テトラメチルアンモニウム水酸化物TMAH、水酸化カリウムKOHおよびその組み合わせから成る群から選択されたウェットエッチング化学薬品に前記SOI-CMOSウェーハを晒す工程を含む請求項31記載の方法。前記SOI-CMOSウェーハは、前記壁構造体を被覆し、前記ピクセル構造体と前記壁構造体の間で定義された空間を充填する非晶質シリコン犠牲層、および前記ピクセル構造体および前記非晶質シリコン犠牲層を被覆する傘層をさらに含む請求項31記載の方法。前記異方性エッチングは、前記傘層上に開口部を定義する工程を含み、前記開口部は前記壁構造体の一部と垂直に重複し、前記異方性エッチングは、前記傘層によって被覆された前記非晶質シリコン犠牲層をエッチングするように前記傘層の前記開口部を介してウェット化学エッチング液を導入する工程を含む請求項36記載の方法。前記垂直エッチングがドライ誘電体エッチングプロセスを含む請求項31記載の方法。前記垂直エッチングは、反応性イオンエッチングRIE、反応性イオンビームエッチングRIBE、化学的に支援されたイオンビームエッチングCAIBEおよびその組み合わせからなる群から選択されたドライ誘電体エッチングを含む請求項31記載の方法。前記除去する工程が、前記SOI-CMOSウェーハの正面部上でウェットエッチングを行なう工程を含む請求項31記載の方法。したがって、品質向上、高歩留まりおよび低生産コストをもつ非冷却赤外線検出器に対するニーズがある。本発明は、前述のセクションで同定されたとおりのニーズを満たすために、いくつかの解決策を提供し得る。解決策のうちの1つは、ガラス工場で定義されたシリコンオンインシュレーターSOI相補型金属酸化物半導体CMOSウェーハの使用により、非冷却赤外線検出器を製造する様々な方法を含み得る。一般に、ガラス工場で定義されたSOI-CMOSウェーハは、包括的なSOI-CMOSプロセス別名、標準のSOI-CMOSプロセスの使用により製造され得る。包括的なSOI-CMOSプロセスは、1つ以上のガラス工場例えば、SOI-CMOSウェーハを製造する製造会社によって定義され、提示され得る。包括的なSOI-CMOSプロセスは、多くの需要家の設計要件を満たし得る。そのため、包括的なSOI-CMOSプロセスは、典型的には標準的な設計規則、プロセスシーケンス及び/又はプロセスパラメータを含んでおり、ガラス工場において定義されたSOI-CMOSウェーハを製造するための時間とコストを低減する。さらに、その標準化の本質ゆえに、包括的なSOI-CMOSプロセスにしたがって製造されたSOI-CMOSウェーハは、他の適用によって採用され得る。規模の経済性により、ガラス工場において定義されたSOI-CMOSウェーハ別名、標準のSOI-CMOSウェーハの生産コストは、充分に下げることができる。本明細書に記載された製造方法は、ガラス工場において定義されたSOI-CMOSウェーハを改良する2~3の工程を含んでいる。改良は、SOI-CMOSウェーハが非冷却赤外線検出器の機能的および構造的特徴を組み入れることを可能にする。従来のリソグラフィーおよびリソグラフィー印刷および堆積ステップと比較して、当該製造工程は、比較的高い許容マージン別名、非臨界的を有しているので、コスト効率的に、かつ容易に実行することができる。有利には、本明細書に記載された方法は、非冷却赤外線検出器のコストおよび歩留りを著しく改善し得る。1つの実施形態では、本発明は、非冷却マイクロボロメータの製造で使用するためのシリコンオンインシュレーターSOI相補型金属酸化物半導体CMOSウェーハであり得る。SOI-CMOSウェーハは、基板層、該基板層上で形成された絶縁層を含み得、前記絶縁層は、ピクセル領域と該ピクセル領域を囲む壁領域を有し、前記SOI-CMOSウェーハは、さらに、前記絶縁層のピクセル領域上で形成されたピクセル構造体、前記ピクセル構造体に隣接し、かつ前記絶縁層上に形成された壁構造体、前記ピクセル構造体と前記壁構造体を被覆する誘電体層、前記誘電体層内に、ドライエッチング工程の間にピクセル構造体を保護するために形成されたピクセルマスク、およびドライエッチング工程の間に前記壁構造体を保護するために前記誘電体層内に形成された壁マスクを含み得、それによって前記ドライエッチング後に前記壁構造体と前記ピクセル構造体の間で定義された空間を解放する。別の実施形態では、本発明は、ガラス工場において定義されたシリコンオンインシュレーターSOI相補型金属酸化物半導体CMOSウェーハから製造された赤外線検出器を提供し得る。赤外線検出器は、第1の開口と、該第1の開口に対向する第2の開口を定義するスルーウェルthroughwellを形成する複数の壁を含むことができる。赤外線検出器は、さらに、前記スルーウェルの前記第1の開口又は第2の開口のいずれか1つ貫通する赤外線波を検知するように構成された赤外線センサーと、支持アームを含み得、当該支持アームはスルーウェル内かつ前記第1の開口に隣接する前記赤外線センサーを掛けるように前記複数の壁の少なくとも1つを接続する。別の実施形態で、本発明は、ガラス工場において定義さシリコンオンインシュレーターSOI相補型金属酸化物半導体CMOSウェーハから非冷却赤外線検出器を製造する方法を提供し得る。SOI相補型金属酸化物半導体CMOSウェーハは、基板層、該基板層上で形成され、ピクセル領域と該ピクセル領域を囲む壁領域を有する絶縁層、該絶縁層の前記ピクセル領域上で形成されたピクセル構造体、該ピクセル構造体に隣接し、かつ前記絶縁層の壁領域上で形成された壁構造体、前記ピクセル構造体と前記壁構体を被覆する誘電体層、該誘電体層内に形成され、前記ピクセル構造体を被覆するピクセルマスク、および前記誘電体層内に形成され、かつ前記壁構造体を被覆する壁マスクを有する。前記方法は、前記絶縁層の前記ピクセル領域によって終了した背面部ピクセル空間を定義するために前記基板層の一部を通る第1の垂直エッチングを行う工程と、前記壁構造体から前記ピクセル構造体を分離するための正面のピクセル空間を定義するように、前記ピクセルマスクと前記壁マスクによって被覆されない前記誘電体層の一部を通り、かつ前記ピクセルマスクと前記壁マスクによって被覆されない前記絶縁層の一部を通る第2の垂直エッチングを行なう工程と、前記ピクセルマスクおよび前記壁マスクを除去する工程を含み得る。さらに別の実施形態で、本発明は、ガラス工場において定義されるシリコンオンインシュレーターSOI相補型金属酸化物半導体CMOSウェーハから非冷却赤外線検出器を製造する方法を提供し得る。SOI相補型金属酸化物半導体CMOSウェーハは、基板層、該基板層上で形成され、ピクセル領域と該ピクセル領域を囲む壁領域を有する絶縁層、該絶縁層の前記ピクセル領域上で形成されたピクセル構造体、該ピクセル構造体に隣接し、かつ前記絶縁層の壁領域上で形成された壁構造体、前記ピクセル構造体と前記壁構造体を被覆する誘電体層、前記誘電体層内で形成され、かつ前記ピクセル構造体を被覆するピクセルマスク、および前記誘電体層内に形成され、かつ前記壁構造体を被覆する壁マスクを有する。前記方法は、前記壁構造体から前記ピクセル構造体を分離するために正面のピクセル空間を定義するように、前記ピクセルマスクおよび前記壁マスクによって被覆されていない前記誘電体層の一部を通り、かつ前記ピクセルマスク及び壁マスクによって被覆されていない前記絶縁層の一部を通って垂直エッチングを行う工程、前記ピクセルマスクと前記壁マスクを除去する工程、および前記基板上かつ前記ピクセル構造体の下にウェルを形成するために異方性シリコンエッチングを行う工程を含み、前記ウェルは、前記基板層と前記壁構造体から熱的にピクセル構造体を分離するために前記正面のピクセル空間を連結する背面部ピクセル空間を定義する。この要旨は、単に特定の概念を導入するために提供され、請求された主題のキーとなる特徴や本質的な特徴を特定するために提供されるものではない。本発明の他のシステム、方法、特徴および利点は、以下の図面および詳細な説明の精査から、当業者に明らかであろうし、あるいは当業者に明らかになるであろう。そのようなすべての追加のシステム、方法、特徴および利点は、本明細書の記載に含まれ、本発明の範囲に含まれ、及び添付の特許請求の範囲によって保護されることが意図されている。図面で示された構成部品は必ずしも縮尺されているわけではなく、本発明の重要な特徴をより良く例証するために誇張され得る。図面で、類似の参照符号は、異なる図面全体にわたって類似の部分を示す。本発明の様々な特徴の実施形態を実施する装置、システム、方法は、これから図面を参照して記載される。図面および関連する記載は、本発明のいくつかの実施形態を例証するものであって、かつ本発明の範囲を限定するために提供されるものではない。図面全体にわたって、参照符号は、参照要素間の対応を示すために再度使用される。加えて、各参照符号の第1桁は、要素が最初に現われる図を示す。図1は、本発明の実施形態による赤外線検出器ピクセル100の上面図を示す。赤外線検知器ピクセル100は、マイクロボロメータ焦点面アレイFPAを形成するために繰り返され、かつ配列され得るように、単一の感知ユニットであり得る。赤外線検出器ピクセル100は、ピクセル壁101、ピクセルアイランド104、第1の右支持アーム132および第2の左支持アーム134を含み得る。ピクセル壁101は矩形状の例えば、正方形横断面のフレームを有し得、当該フレームは熱隔離空間103を定義する。ピクセルアイランド104は、熱隔離空間103内に位置づけられるが、ピクセル壁101に接触せずに位置づけられ得る。第1の支持アーム132および第2の支持アーム134は、機械的にピクセル壁101の内部とピクセルアイランド104を接続し得る。そのため、第1の支持アーム132および第2の支持アーム134は、熱隔離空間103内にピクセルアイランド104を掛け得る。熱隔離空間103は、隣接する赤外線感知ピクセル図示されずと共有され得る、ピクセルアイランド104とピクセル壁101の間の熱隔離を提供し得る。従って、熱隔離空間103は、ピクセルアイランド104とピクセル壁101の間の熱の移動を防止するか、或いは遅くするのを助け得る。1つの実施形態では、ピクセル壁101は、第1の開口と第2の開口をもつスルーウェルを形成し得る。そのため、熱隔離空間103は、第1の開口と第2の開口を通って延びるスルースペースthroughspaceであり得る。他の実施形態では、ピクセル壁101は、ただ1つの開口をもつ閉じられたウェルを形成し得る。そのため、熱隔離空間103は閉じられた壁のただ1つの開口を通って延びる半スルースペースsemi-throughspaceであり得る。ピクセルアイランド104は熱吸収層112およびダイオード群140を含み得る。熱吸収層112は赤外線波を受け取り、赤外線から抽出された熱エネルギーを保存し得る。1つの実施形態では、熱吸収層112は、完全にダイオード群140を封入し得る。他の実施形態では、熱吸収層112は、ダイオード群140を実質的に被覆し得る。いかなる場合においても、熱吸収層112は受け取られた赤外線の特徴を示す内部温度を有し得る。熱吸収層112の赤外線保持特性を向上させるために、チタン、窒化チタン及び/又は他の類似の材料の層が、熱吸収層112内に堆積され得る。ダイオード群140は1つ以上のダイオードを含み得、その各々は、熱吸収層112の内部温度によって制御される、ターンオン電圧を有し得る。1つの実施形態では、ダイオードはそれぞれ、他のダイオードと異なるターンオン電圧を有し得る。別の実施形態では、ダイオードはすべて類似のターンオン電圧を共有し得る。ダイオードのターンオン電圧を変化させることによって、赤外線検出器ピクセル100は、入射する赤外線に促進された感受性を提供し得る。ダイオードは様々な構成で配列され得る。1つの実施形態では、例えば、ダイオード群140のダイオードはダイオードチェーンを形成するために直列に接続され得る。他の実施形態では、例えば、ダイオード群140のダイオードはダイオード網netを形成するために並列に接続され得る。図2Aは、本発明の実施形態による赤外線検出器ピクセル200の斜視図を示す。赤外線検出器ピクセル200は赤外線検出器ピクセル100といくつかの交換可能な特徴を共有し得る。さらに、赤外線検出器ピクセル200は、赤外線検出器ピクセル100のものとは異なる、機能的および構造的特徴を含み得る。検出器ピクセル200は4つのピクセル壁を含み得る。しかしながら、赤外線検出器ピクセル200の内部構造を例証する目的のために、第1の右ピクセル壁106、第2の後ピクセル壁107および第3の左ピクセル108のみが示されている一方で、第4の正面ピクセル壁が省略されている。4つのピクセル壁は、スルーピクセルウェルを形成するために、互いに連結し得る。当該スルーピクセルウェルは、第1の頂部開口、第2の底部開口、および前記第1の開口と第2の開口の間に位置したスルースペースを定義し得る。ピクセル壁例えば、第1、第2および第3のピクセル壁106、107および108の各々は、ピクセル壁酸化物層110、ピクセル壁絶縁埋められた酸化物層154、およびピクセル壁基板層102を含み得る。随意に、ピクセル壁のそれぞれ例えば、第1、第2および第3のピクセル壁106、107および108は、読出し回路図示せずとダイオード群140の間で電気的信号を伝導させるための1つ以上の配線を含み得る。1つの実施形態では、例えば、第1のピクセル壁106は、ピクセル壁酸化物層110内の第1の読出し配線124を封入し得る。他の実施形態では、例えば、第3のピクセル壁108は、ピクセル壁酸化物層110内の第2の読出し配線126を封入し得る。第1の読出し配線124および第2の読出し配線126は、各々、ディジタル信号、アナログ信号、バイアス信号、入力信号、行選択信号、列選択信号及び/又は、ダイオード群140の動作を制御するための信号を搬送するための用いられ得る。第1の読出し配線124および第2の読出し配線126は、金属-1層、金属-2層及び/又は金属-3層の一部であり得るが、そのおのおのは、銅、金及び/又はアルミニウムなどの導電性の金属を含み得る。赤外線検出器ピクセル200はピクセルアイランド104を含み得、当該ピクセルアイランド104はスルーピクセルウェルの基板層102上に掛け得る。それによってピクセルアイランド104はピクセル壁例えば、第1、第2および第3のピクセル壁106、107および108から熱隔離される。ピクセルアイランド104はアイランド絶縁埋められた酸化物層152、熱吸収層112およびダイオード群140を含み得る。アイランド絶縁層152は、ピクセル壁絶縁層154と水平に位置を調整され得る。熱吸収層112は、ピクセル壁酸化物層110と水平に位置が調整され得、ピクセル壁酸化物層110は多数の誘電体層および反射防止層を含み得る。1つの実施形態では、熱吸収層112は、ピクセル壁酸化物層110と同じ材料で製造され得る。別の実施形態では、熱吸収層112は、ピクセル壁酸化物層110の材料とは異なる材料で製造され得る。別の実施形態では、熱吸収層112は、窒化物材料及び/又は酸化物材料などの誘電材料を含み得る。さらに他の実施形態では、熱吸収層112は、チタン材料、窒化チタン材料及び/又は類似した物理的化学的特性を備えた他の材料などの抗反射材料を含み得る。熱吸収層112およびアイランド絶縁層152は、一緒にダイオード群140を実質的に封入し得る。赤外線検出器ピクセル100は、フリップチップ形態で展開され得、アイランド絶縁層152は赤外線検出器ピクセル100の上側面として配向され得る。従って、アイランド絶縁層152は熱吸収層として使用され得る。チタン層、窒化チタン層、類似の物理的及び化学的特性を備えた他の材料による層が、その赤外線保持特性を向上させるために絶縁層152上に堆積され得る。ダイオード群140は、第1のダイオード142、第2のダイオード144、第3のダイオード146および第4のダイオード148などの複数のダイオードを含み得る。各ダイオード例えば、第1、第2、第3及び第4のダイオード142、144、146および148は、熱吸収層112の内部温度によって調整可能な、ターンオン電圧を有し得る。しかしながら、各ダイオード例えば、第1、第2、第3及び第4のダイオード142、144、146および148のターンオン電圧は、互いに同じであっても、同じでなくてもよい。一実施形態では、例えば、ダイオードは類似の同一のターンオン電圧を共有し得る。別の実施形態において、例えばダイオードは、様々な進行性のターンオン電圧を有し得る。さらに他の実施形態では、例えば、ダイオードは種々の線形のターンオン電圧を有し得る。第1のダイオード142、第2のダイオード144、第3のダイオード146および第4のダイオード148は、各々、アイランド絶縁層152と、ピクセル壁の基板層102とに垂直なpn接合を有し得る。第1のダイオード142、第2のダイオード144、第3のダイオード146および第4のダイオード148は、ダイオードチェーンを形成するために直列に接続され得る。一実施形態では、ピクセルアイランド104は複数のダイオード間金属板122を含み得る。その各々は、1対のダイオードの反対の結合を接続し得る。ダイオード群140間の電気的導通の提供に加えて、ダイオード間金属板122は、熱吸収層112の一連の内部反射表面として機能し得る。ダイオード例えば第1のダイオード142、第2のダイオード144、第3のダイオード146及び/又は第4のダイオード148のターンオン電圧が、受け取られた赤外線によって直接制御されるのではなく、温度によって制御されるので、さらなる吸収のため、吸収されない赤外線を熱吸収層112にもう一度反射させるためにダイオード間金属板122を使用することが望まれ得る。代わりに、熱吸収層112は、反射された赤外線を熱にさらに変換し得る。1つの実施形態では、ダイオード間金属板122は、その反射機能を最大にするために、熱吸収層112の水平方向の断面表面全体を被覆するように拡張され得る。ダイオード間金属板122によって搬送された電気的信号は、第1の支持アーム132及び/又は第2の支持アーム134を介して読出し回路に伝達され得る。1つの実施形態では、例えば、第1の支持アーム132は、ピクセルアイランド104と第3のピクセル壁108の間の電気的な結合及び/又は機械的な結合を提供し得る。他の実施形態では、例えば、第2の支持アーム134は、ピクセルアイランド104と第1のピクセル壁106の間の電気的な結合及び/又は機械的な結合を提供し得る。図2Bで示されるように、第1の支持アーム132および第2の支持アーム134の各々は、ピクセル壁例えば、第1、第2及び/又は第3のピクセル106、107、及び/又は108およびピクセルアイランド104に類似した層を含み得る。1つの実例では、第1の支持アーム132および第2の支持アーム134は、各々、支持アーム絶縁層156を含み得、当該支持アーム絶縁層156はアイランド絶縁層152およびピクセル壁絶縁層154と水平に位置が調整され得る。他の実例では、第1の支持アーム132および第2の支持アーム134は、各々、支持アーム酸化物114を含み得、当該支持アーム酸化物層114は、ピクセル壁酸化物層110及び熱吸収層112と水平に位置が調整され得る。支持アーム酸化物層114は、ピクセルアイランド104に機械的な支持を提供し得、かつピクセルアイランド104とピクセル壁例えば、第1のピクセル壁106及び/又は第3のピクセル壁108の間の熱の移動を防止し得る。第1の支持アーム132は第1のポリシリコン配線135を含み得る。第1のポリシリコン配線135は、支持アーム酸化物層114によって封止され得る。第1のポリシリコン配線135は、ダイオード間金属板122と第1のピクセル壁106の第1の読み出し配線124の間の電気的結合を確立し得る。第2の支持アーム134は第2のポリシリコン配線137を含み得る。第2のポリシリコン配線137は、支持アーム酸化物層114によって封止され得る。第2のポリシリコン配線137は、ダイオード間金属板122と第1のピクセル壁106の第2の読み出し配線126の間の電気的結合を確立し得る。他の導電材料が第1の支持アーム132及び/又は第2の支持アーム134における導電性配線を形成するために使用される一方で、ポリシリコンはその比較的低い導電性のために好ましい。第1の読出し配線124に加えて、第1のピクセル壁106は第3の読出し配線164を含み得る。一般に、第3の読出し配線164は第1の読出し配線124と類似の信号を伝達し得る。第3の読出し配線164は、第1の読出し配線124より高い金属層の一部であり得る。そのため、第3の読出し配線164は大域的なルーティングroutingのために使用される一方で、第1の読出し配線124は局所的なルーティング及び/又はピクセル間のルーティングに使用され得る。同様に、第2の読出し配線126に加えて、第3のピクセル壁108は第4の読出し配線166を含み得る。一般に、第4の読出し配線166は第2の読出し配線126と類似の信号を伝達し得る。第4の読出し配線166は、第2の読出し配線126より高い金属層の一部であり得る。そのため、第4の読出し配線166は大域的なルーティングのために使用される一方で、第2の読出し配線126は局所的なルーティング及び/又はピクセル間のルーティングに使用され得る。ここで、ガラス工場において定義されたシリコンオンインシュレーターSOI相補型金属酸化物半導体CMOSウェーハの使用により、非冷却赤外線検出器例えば、赤外線検出器ピクセル100および200を製造するための様々な方法について説明する。SOI-CMOSウェーハはSOI-CMOSプロセスを使用することにより製造され得る。一般に、SOI-CMOSプロセスは、カスタマに特有のまたは包括的仕様であり得る。カスタマに特有のSOI-CMOSプロセスは、特に、その設計目標に基づいた個々のカスタマによって定義され得る。カスタマに特有のSOI-CMOSプロセスは、他のカスタマの設計目標を完了し得るか、或いは完了し得ない。そのため、カスタマに特有のSOI-CMOSプロセスは、典型的には、特定の設計上の規則、プロセスシーケンス及び/又はプロセスパラメータを含んでいる。これらの特有の要件は、SOI-CMOSウェーハを製造するための時間とコストを増加させ得る。さらに、その特有の本質ゆえに、カスタマに特有のSOI-CMOSプロセスにしたがって製造されたSOI-CMOSウェーハは、他の適用によって採用され得ない。したがって、カスタマに特有のSOI-CMOSウェーハの製造コストは一般的に高い。これに対して、包括的なSOI-CMOSプロセス別名、標準SOI-CMOSは、1つ以上のガラス工場例えば、SOI-CMOSウェーハを製造する製造会社によって定義され、提示され得る。包括的なSOI-CMOSプロセスは、多くのカスタマの設計要件を満たし得る。そのため、包括的なSOI-CMOSプロセスは、典型的には、標準的な設計規則、プロセスシーケンス及び/又はプロセスパラメータを含んでおり、ガラス工場において定義されたSOI-CMOSウェーハを製造するための時間とコストを低減する。さらに、その総括的な本質ゆえに、総括的なSOI-CMOSプロセスにしたがって製造されたSOI-CMOSウェーハは、他の適用によって採用され得る。規模の経済性により、ガラス工場において定義されたSOI-CMOSウェーハ別名、標準のSOI-CMOSウェーハの生産コストは、カスタマに特有のSOI-CMOSウェーハの生産コストよりかなり低い。本明細書に記載された方法は、ガラス工場において定義されたSOI-CMOSウェーハを改良するために2~3の工程を含み得る。改良は、SOI-CMOSウェーハが非冷却赤外線検出器例えば、非冷却赤外線検出器ピクセル100および200の機能的および構造的特徴を組み入れ得る。従来のリソグラフィー工程及び堆積工程と比較すると、前記工程は、コスト効率的であり、かつ容易に実行し得る。なぜなら、比較的高い許容マージン別名、非臨界性を有しているからである。有利には、本明細書に記載された方法は、非冷却の赤外線検出器のコストおよび歩留りを著しく改善し得る。一般に、ガラス工場において定義されたSOI-CMOSウェーハは基板層、絶縁層および誘電体層を含み得る。基板層は、絶縁層と誘電体層に構造上の支持を与え得る。絶縁層は基板層上で形成され得、絶縁層は少なくとも1つのピクセル領域および少なくとも1つの壁領域を定義し得る。壁領域は、部分的にまたは完全に、ピクセル領域を囲み得るが、ピクセル領域に接触することなくピクセル領域を囲み得る。そのため、空間がピクセル領域と壁領域の間で定義され得る。設計目標に依存して、ピクセル領域および壁領域は様々な形状を有し得る。1つの実施形態では、例えば、ピクセル領域は矩形状の形状を有し得、壁領域は正方形形状を有し得る。他の実施形態では、例えば、ピクセル領域は円形状の形状を有し得、壁領域は円周の形状を有し得る。さらに他の実施形態では、例えば、ピクセル領域は六角形の形状を有し得、壁領域は六角形のフレーム状の形状を有し得る。誘電体層は絶縁層上に形成され得る。当該誘電体層は、1つ以上のピクセル構造体、壁構体、バイアス回路及び/又は読出し回路を被覆し得、かつ1つ以上のピクセル構造体、壁構体、バイアス回路及び/又は読出し回路を構成するために使用され得る。ピクセル構造体はダイオード群例えば、ダイオード群140を含み得る。ダイオード群は、前述のとおり、ダイオード群140に類似した機能的かつ構造的特徴を含み得る。ダイオード群は、1つ以上の不純物添加シリコン材料を含み得る。そして、不純物添加シリコン材料は絶縁層従って、用語SOI上で形成され得る。誘電体層は多層を含み得る。多層のおのおのは、酸化物材料、窒化物材料及び/又は他の誘電体材料を含み得る。誘電体層は多数のマスク層が埋め込まれ得るのであり、そのおのおのは、1つ以上のポストCMOS正面部エッチングfrontethichingプロセスから特定の構造体例えば、ピクセル構造体、壁構造体、バイアス回路または読出し回路を保護するために指定され得る。マスク層は、金属材料及び/又はポリシリコン材料から製造され得る。1つの実施形態では、例えば、マスク層はポリシリコン層及び/又は金属層例えば、金属-1層、金属-2層及び/又は金属-3層の一部として形成され得る。同様に、絶縁層は1つ以上のポストpostCMOSバックエッチングbacketchingプロセスからすべての構造体を保護するために指定され得る。本明細書に説明されているとおり、ただしいかなる限定規定することなく、SOI-CMOSウェーハの正面は誘電体層の露出面と理解され得る一方で、SOI-CMOSウェーハの背面部は基板層露出面と理解され得る。さらに、水平方向は基板層と平行な方向と理解され得る一方で、垂直方向は基板層に垂直な方向と理解され得る。ポストCMOSバックエッチングは、絶縁層によって終了する背面部のピクセル空間を定義するために基板層の一部を除去するために使用され得る。ポストCMOS正面部エッチングは、誘電体層と絶縁層のいくつかの部分を除去するために使用され得る。典型的には、除去された部分は露出した部分であり、それはマスク層のうちのいずれかによって保護され得ない。ポストCMOS正面部エッチングの後、正面のピクセル空間はピクセル構造体と壁構造体の間で定義され得る。従って、ピクセル構造体は掛けられたピクセルアイランドになり得る。ピクセルアイランドは壁構造体から熱隔離され得る。ピクセルアイランドのための熱隔離を確立した後に、マスク層除去工程は、すべてのマスク層を除去するために行なわれ得る。正面部エッチング及びバックエッチングの両方は垂直エッチングとして分類され得る。なぜなら、正面部エッチング及びバックエッチングはSOI-CMOSウェーハの垂直方向に沿って前進するからである。さらに、バックエッチングは、異方性のシリコンエッチング及び/又は犠牲層エッチングの間の水平方向のエッチングを含み得るが、後のセクションで、より詳細に説明され得る。正面部エッチングはマスク材料ではなく誘電材料をエッチングするドライエッチング液を使用することを含み得る。そのため、正面部エッチングはドライ誘導体エッチングと言われ得る。正面部エッチングは、限定されるものではないが、反応性イオンエッチングRIE、反応性イオンビームエッチングRIBE及び/又は化学的に支援されたイオンビームエッチングCAIBEを含み得る。バックエッチングは誘電体材料または絶縁体材料例えば、埋められた酸化物ではなくシリコン材料をエッチングするエッチング液を使用することを含み得る。形成されるピクセルウェルの種類に依存して、バックエッチングはディープdeepドライシリコンエッチング及び/又は異方性のシリコンエッチングを含み得る。例えば、ディープdeepシリコンエッチングはスルーピクセルウェルを形成するために使用され得る一方で、異方性のシリコンエッチングは閉じたピクセルウェルを形成するために使用され得る。ディープdeepドライシリコンエッチングは、スルーピクセルウェルを形成するため、基板層の垂直部を完全に除去する除去するために使用され得る。そのため、絶縁層のピクセル領域は、ディープdeepドライエッチ後に、背面部空間に完全に露出され得る。ディープdeepドライシリコンエッチングは、限定されるものではないが、ディープdeep反応性イオンエッチングDRIE及び/又は他の種類の垂直シリコンエッチングを含み得る。異方性のシリコンエッチングは、絶縁層のピクセル領域の直接下に位置づけられ、かつ絶縁層のピクセル領域に隣接する基板層の水平方向の部分を部分的に除去するために化学溶液を採用し得る。前記化学溶液は、エチレンジアミンピロカテコールEDP、テトラメチルアンモニウム水酸化物TMAH及び/又は水酸化カリウムKOHなどの様々な化合物を含み得る。基板層の水平方向の部分が除去された後、部分的に囲まれた空胴を備えた閉じたウェルが形成され得る。部分的に囲まれた空胴は、ピクセルアイランドに所望の熱隔離を供給し得る。スルーウェル構造体と異なり、閉じたウェル構造体はスルー空間を定義しないかもしれない。すなわち、ピクセル領域の下に位置した基板層の垂直部は、完全には除去されないかもしれない。異方性のシリコンエッチングの間に、絶縁層と誘電体層はダイオード群を被覆し、それによって、エッチング液によってエッチングされることからダイオード群を保護する。絶縁層と誘電体層によって提供される保護のために、異方性シリコンエッチングは、露出したダイオード群のエッチングを防ぐために、従来の異方性シリコンエッチングにおいて使用され得るいかなる電気化学的エッチストップを使用することさえなしに、所望の結果例えば、ピクセルアイランドに熱隔離を提供するを達成し得る。電気化学的エッチストップの排除は、多数のピクセル構造体及び基板層の間の電圧の印加並びに微調整の負担なく、異方性のシリコンエッチングがピクセルのアレイを横切って一様に行なわれることを可能にする。そのような方法で、異方性シリコンエッチングは効率的に行なわれ得る。前述の方法およびプロセス工程はガラス工場において定義されたSOI-CMOSウェーハから非冷却赤外線検出器の製造のために使用され得るが、これらの方法とプロセス工程はカスタマに特有のSOI-CMOSウェーハにも適応して適用され得る。そのような適応性のある適用がガラス工場において定義されたSOI-CMOSウェーハの利点を招来しないかもしれない一方で、それにもかかわらず前述の方法およびプロセス工程の利益を得るかもしれない。以下の説明は、前述の方法及び/又はプロセス工程を実行するために、いくつかの特定の実施形態を提供する。これらの特定の実施形態は、図3A-3H、図4A-4F、図5A-5B、図6A-6F並びに図7Aおよび7Bに示されるように、前段において説明若しくは記載がされていない新しい構成要素及び/又は用語を導入し得る。これらの新しく導入された構成要素及び/又は用語が、限定することなく前述の方法並びにプロセスの範囲および精神と一貫しているように解釈され得ることが理解される。図3A-3Hは、本発明の実施形態によってスルーウェルマイクロボロメータ380を形成するために処理されている、工場において定義されたSOI-CMOSウェーハ乃至は、ウェーハ300の横断面図を示す。図3Aを参照すると、ウェーハ300は基板層シリコンハンドラーウェーハ301、絶縁層302およびいくつかの酸化物層307を含み得る。基板層301はシリコン及び/又は他の半導体材料から製造され得る。そして、基板層301は絶縁層302および酸化物層307に土台を提供し得る。絶縁層302は、二酸化けい素及び/又はチッ化ケイ素のような絶縁材料で製造され得る。絶縁層302が酸化物材料から製造される場合、絶縁層302は埋められた酸化物BOX層であり得る。酸化物層307は、様々な構造体例えば、ピクセル構造体、壁構造体及び/又は回路構造体を被覆し、様々な構造体間で定義された空間を埋めるために絶縁層302の頂部に形成され得る。さらに、酸化物層307は、各々の構造体内で種々の導電層及び/又は半導体層を分離するために使用され得る。一般に、酸化物層307の露出側は正面部及び/又は頂部側と呼ばれ得る。そして基板層301の露出側は背面部及び/又は底部と呼ばれ得る。酸化物層307は図3Aに一般に記載されているが、酸化物層307の1つ以上は、種々の実施形態において他の誘電体材料例えば、窒化物材料から製造された層と置換され得る。絶縁層302は、絶縁層302上の様々な構造体例えば、ピクセル構造体、壁構造体及び/又は回路構造体を支持するために様々な領域を定義し得る。1つの実施形態では、例えば、絶縁層302は第1の壁領域311、第2の壁領域312、第3壁領域313および第4の壁領域314を定義し得る。壁構造体は、壁領域例えば、第1の壁領域311、第2の壁領域312、第3の壁領域313及び/又は第4の壁領域314の1つ以上の上で進行され得る。他の実施形態では、例えば、絶縁層302は第1のピクセル領域320、第2のピクセル領域340、および第3のピクセル領域360を定義し得る。ピクセル領域320、340及び360は、1つ以上の壁領域例えば、第1の壁領域311、第2の壁領域312、第3の壁領域313及び/又は第4の壁領域314によって部分的に、或いは完全に囲まれる。第1の壁構造体351は第1の壁領域311上で形成され得る。第1の壁構造体351は第1のピクセル間金属層332および第1のピクセル間マスク層352を含み得る。第1のピクセル間金属層332は、隣接するピクセル構造体へ、および隣接するピクセル構造体から電気的信号を伝達するために使用され得る。第1のピクセル間マスク層352は第1のピクセル間金属層332および挟まれた酸化物層307を被覆し、保護し得る。第1のピクセル間マスク層352は、ドライ酸化物エッチングに対して抵抗性を有する材料から製造され得る。1つの実施形態では、例えば、第1のピクセル間マスク層352はアルミニウム、金、銅、チタン及び/又は他の金属材料から製造され得る。一般に、第1のピクセル間マスク層352は、第1のピクセル間金属層332よりも絶縁層302から更に離れて位置し得る。第2の壁構造体353は第2の壁領域312上で形成され得る。第2の壁構造体353は第2のピクセル間金属層334および第2のピクセル間マスク層354を含み得る。第2のピクセル間金属層334は、隣接するピクセル構造体へ、および隣接するピクセル構造体から電気的信号を伝達するために使用され得る。第2のピクセル間マスク層354は第2のピクセル間金属層334および挟まれた酸化物層307を被覆し、保護し得る。第2のピクセル間マスク層354は、ドライ酸化物エッチングに対して抵抗性を有する材料から製造され得る。1つの実施形態では、例えば、第2のピクセル間マスク層354はアルミニウム、金、銅、チタン及び/又は他の金属材料から製造され得る。一般に、第2のピクセル間マスク層354は、第2のピクセル間金属層334よりも絶縁層302から更に離れて位置し得る。第3の壁構造体355は第3の壁領域313上で形成され得る。第3の壁構造体355は第3のピクセル間金属層336および第3のピクセル間マスク層356を含み得る。第3のピクセル間金属層336は、隣接するピクセル構造体へ、および隣接するピクセル構造体から電気的信号を伝達するために使用され得る。第3のピクセル間マスク層356は第3のピクセル間金属層336および挟まれた酸化物層307を被覆し、保護し得る。第3のピクセル間マスク層356は、ドライ酸化物エッチングに対して抵抗性を有する材料から製造され得る。1つの実施形態では、例えば、第3のピクセル間マスク層356はアルミニウム、金、銅、チタン及び/又は他の金属材料から製造され得る。一般に、第3のピクセル間マスク層356は、第3のピクセル間金属層336よりも絶縁層302から更に離れて位置し得る。第4の壁構造体357は第4の壁領域314上で形成され得る。第4の壁構造体357は第4のピクセル間金属層338および第4のピクセル間マスク層358を含み得る。第4のピクセル間金属層338は、隣接するピクセル構造体へ、および隣接するピクセル構造体から電気的信号を伝達するために使用され得る。第4のピクセル間マスク層358は第4のピクセル間金属層338および挟まれた酸化物層307を被覆し、保護し得る。第4のピクセル間マスク層358は、ドライ酸化物エッチングに対して抵抗性を有する材料から製造され得る。1つの実施形態では、例えば、第4のピクセル間マスク層358はアルミニウム、金、銅、チタン及び/又は他の金属材料から製造され得る。一般に、第4のピクセル間マスク層358は、第4のピクセル間金属層338よりも絶縁層302から更に離れて位置し得る。第1のピクセル構造体322は、第1のピクセル構造体322が第1及び第2の壁構造体351および353に囲まれ得るように、第1のピクセル領域320上で形成され得る。第1のピクセル構造体322は第1のダイオード群321、第1のピクセル内金属層325および第1のピクセル内マスク層326を含み得る。第1のダイオード群321は、ダイオード群140に類似した機能的かつ構造的特徴を有し得る。第1のピクセル内金属層325は、ダイオード間金属板122に類似した機能的かつ構造的特徴を有し得る。第1のピクセル内マスク層326は、第1のダイオード群321、第1ピクセル内金属層325および第1のダイオード群321と第1ピクセル内金属層325との間に位置する酸化物層307を被覆し、保護し得る。第1のピクセル内マスク層326は、ドライ酸化物エッチングに対して抵抗性を有する材料から製造され得る。1つの実施形態では、例えば、第1のピクセル内マスク層326はアルミニウム、金、銅、チタン及び/又は他の金属材料から製造され得る。一般に、第1のピクセル内マスク層326は、第1のピクセル内金属層325よりも絶縁層302から更に離れて位置し得る。第2のピクセル構造体342は、第2のピクセル構造体342が第2及び第3の壁構造体353および355に囲まれ得るように、第2のピクセル領域340上で形成され得る。第2のピクセル構造体342は第2のダイオード群341、第2のピクセル内金属層345および第2のピクセル内マスク層346を含み得る。第2のダイオード群341は、ダイオード群140に類似した機能的かつ構造的特徴を有し得る。第2のピクセル内金属層345は、ダイオード間金属板122に類似した機能的かつ構造的特徴を有し得る。第2のピクセル内マスク層346は、第2のダイオード群341、第2のピクセル内金属層345および第2のダイオード群341と第2ピクセル内金属層345との間に位置する酸化物層307を被覆し、保護し得る。第2のピクセル内マスク層346は、ドライ酸化物エッチングに対して抵抗性を有する材料から製造され得る。1つの実施形態では、例えば、第2のピクセル内マスク層346はアルミニウム、金、銅、チタン及び/又は他の金属材料から製造され得る。一般に、第2のピクセル内マスク層346は、第2のピクセル内金属層345よりも絶縁層302から更に離れて位置し得る。第3のピクセル構造体362は、第3のピクセル構造体362が第3及び第4の壁構造体355および357に囲まれ得るように、第3のピクセル領域360上で形成され得る。第3のピクセル構造体362は第3のダイオード群361、第3のピクセル内金属層365および第3のピクセル内マスク層366を含み得る。第3のダイオード群361は、ダイオード群140に類似した機能的かつ構造的特徴を有し得る。第3のピクセル内金属層365は、ダイオード間金属板122に類似した機能的かつ構造的特徴を有し得る。第3のピクセル内マスク層366は、第3のダイオード群361、第3のピクセル内金属層365および第3のダイオード群361と第3ピクセル内金属層365との間に位置する酸化物層307を被覆し、保護し得る。第3のピクセル内マスク層366は、ドライ酸化物エッチングに対して抵抗性を有する材料から製造され得る。1つの実施形態では、例えば、第3のピクセル内マスク層366はアルミニウム、金、銅、チタン及び/又は他の金属材料から製造され得る。一般に、第3のピクセル内マスク層366は、第3のピクセル内金属層365よりも絶縁層302から更に離れて位置し得る。1対の支持アーム構造体は、ピクセル構造体例えば、第1、第2及び第3のピクセル構造体322、342および362のおのおのに隣接して形成され得る。図2Aおよび2Bに示されるように、第1及び第2の支持アーム132および134に類似して、支持構造体の対は、ピクセル構造体と隣接した壁構造体の間の機械的および電気的連結を提供し得る。支持アーム構造体の各々はポリシリコン配線392および支持アームマスク層394を含み得る。ポリシリコン配線392は、ピクセル構造体と隣接した壁構造体のうちの1つとの間の電気的接続を確立するために使用され得る。支持アームマスク層394はポリシリコン配線392を被覆し、保護し得る。第1のピクセル領域320内で、第1の右支持アーム323は第2の壁構造体353に第1のピクセル構造体322を接続し得る一方で、第1の左支持アーム324は第1の壁構造体351に第1のピクセル構造体322を接続し得る。第2のピクセル領域340内で、第2の右支持アーム343は第3の壁構造体355に第2のピクセル構造体342を接続し得る一方で、第2の左支持アーム344は第2の壁構造体353に第2のピクセル構造体342を接続し得る。第3のピクセル領域360内で、第3の右支持アーム363は第4の壁構造体357に第3のピクセル構造体362を接続し得る一方で、第3の左支持アーム364は第3の壁構造体355に第3のピクセル構造体362を接続し得る。ガラス工場において定義されたSOI-CMOSウェーハあるいはウェーハ300は、1つ以上のダイオード群例えば、第1のダイオード群321、第2のダイオード群341および第3のダイオード群361と相互作用するために読出し回路309を含み得る。読出し回路309は1つ以上のダイオード群を選択するために、選択されたダイオード群にバイアスをかけるために、選択されたダイオード群から感知信号を受け取るために及び/又は受信した感知信号を増幅するために構成され得る。ダイオード群と通信するために、読出し回路309は、大域的なポリシリコン層303、大域的金属-1層304、大域的金属-2層305および大域的金属-3層306などの様々な導電層とともにルーティングされ得る。一般に、大域的金属-3層306はウェーハ300の他の部分を保護するためにマスク層として使用され得る。例えば、金属-3層306は、ドライ酸化物エッチング中に読出し回路309を保護するために使用され得る。さらに、金属-3層306は、ピクセル間マスク層、マスク層、ピクセル内マスク層及び/又は支持アームマスクマスク層などの他のいかなるマスク層を形成するために使用され得る。金属-1層304、金属-2層305および金属-3層306に加えて、ウェーハ300は追加の金属層を含み得、そのおのおのは、マスクとして使用され得る。図3Bを参照すると、背面部マスク層370はウェーハ300の背面部に堆積され及び/又は被覆され得る。背面部マスク層370は、シリコンエッチングに対して抵抗性を有する材料から製造され得る。1つの実施形態では、例えば、背面部マスク層370は窒化物から製造され得る。他の実施形態では、例えば、背面部マスク層370は酸化物から製造され得る。他の実施形態では、例えば、背面部マスク層370はホトレジスト材料から製造され得る。さらに他の実施形態では、例えば、背面部マスク層70は金属材料から製造され得る。背面部マスク層370の堆積の後、複数の背面部開口372が背面部マスク層370の上に定義され得る。背面部マスク層370がホトレジスト材料から製造される場合、背面部リソグラフィプロセス371が行なわれ得る。代替的に、背面部マスク層370が金属材料、酸化物材料及び/又は窒化物材料から製造されるとき、選択的エッチングプロセス図示せずが行なわれ得る。背面部開口372の各々は、ピクセル領域例えば、第1のピクセル領域320、第2のピクセル領域340および第3のピクセル領域360のうちの1つと垂直に位置が調整されるか、重ねられ得る。そのため、背面部開口372の各々は来るべきシリコンエッチングプロセスのために基板層の垂直部301を作ってもよい。これに対し、残りの背面部マスク層370は、基板層301の様々な部分を被覆し得る。これらの部分は、壁領域および読出し回路309と垂直に位置を調整し得るか、あるいは重なり合うかもしれない。そしてこれらの部分は、来るべきシリコンエッチングプロセスの間にエッチングしていることから保護され得る。図3Cを参照すると、背面部開口372が適切に定義された後、ディープdeepドライシリコンエッチング第1の垂直エッチング373が行なわれ得る。ディープdeepドライシリコンエッチング373が、基板層301の未被覆部すなわち、背面部開口372と位置を調整した部分をエッチング処理し得る。ディープdeepドライシリコンエッチング373は、絶縁層302で終了し得るか、止められ得る。ディープdeepドライシリコンエッチング373、複数の背面部ピクセル空間374が基板層301内、および基板層301全体にわたって定義され得る。背面部ピクセル空間374の各々は、ピクセル領域例えば、第1のピクセル領域320、第2のピクセル領域340および第3のピクセル領域360のうちの1つと位置が調整され得、それによって、空気が絶縁層302のピクセル領域を循環させることができる。ディープdeepドライシリコンエッチング373は、ディープdeep反応性イオンエッチングDRIE及び/又は他の種類の垂直シリコンエッチングを含み得る。背面部ピクセル空間374の各々は、複数の壁片wallstripに囲まれ得る。複数の壁片は絶縁層302の壁領域から伸び得る。例えば、第1の壁片315は第1の壁領域311から伸び得る;第2の壁片316は第2の壁領域312から伸び得る;第3の壁片317は第3の壁領域313から伸び得る;そして第4の壁片318は第4の壁領域314から伸び得る;壁片の各々はアスペクト比を有し得る。アスペクト比は、壁片の幅に対する壁片の長さの割合として定義され得る。熱隔離特性および非冷却赤外線検出器の空間効率を改善するために、比較的狭い壁片を有していることが望ましい。基板層の厚さが固定され得るので、壁片のおのおのの高さも固定され得る。したがって、高いアスペクト比を備えた壁片を有することが望まれ得る。1つの実施形態では、例えば、壁片の各々は約10のアスペクト比を有し得る。図3Dを参照すると、複数の背面部ピクセル空間374が適切に定義された後、背面部マスク解放工程378が行なわれ得る。図3Eを参照すると、正面部ホトレジストマスク375はウェーハ300の入出力I/Oパッド308を被覆するために堆積され得る。ホトレジストマスク375がI/Oパッド308の大域的金属層を保護され得るように、ホトレジストマスク375がウェット金属エッチングに対して抵抗性を有し得る。1つの実施形態では、ホトレジストマスク375は正面部エッチングの実行前に堆積され得る。他の実施形態では、ホトレジストマスク375はウェット金属エッチングの実行前に堆積され得る。図3Fを参照すると、正面部ドライ酸化物エッチング第2の垂直エッチング376は酸化物層307の非保護部分および絶縁層302の非保護部分を除去するために行なわれ得る。本明細書に開示されたように、非保護部分は、いかなるマスク層によって被覆されない部分であり得る。例えば、様々な構造体間に位置した部分は非保護部分であり得る。正面部ドライ酸化物エッチング376の目的は、ピクセル構造体例えば、第1、第2及び第3のピクセル構造体322、342および362と壁構造体例えば、第1、第2、第3及び第4の壁構造体351、353、355および357の間の複数の正面ピクセル空間を定義することである。酸化物層307の1つ以上が他の誘電体材料例えば、窒化物材料から製造される層と取り替えられる場合、正面部ドライ酸化物エッチング376は、正面部ドライ誘電体エッチング図示せずによって一般に実行され得る。正面部ドライ酸化物エッチング376は、反応性イオンエッチングRIE、反応性イオンビームエッチングRIBE及び/又は化学的に支援されたイオンビームエッチングCAIBEを含み得る。様々なマスク層例えば、ピクセルマスク、壁マスク、支持アームマスクおよび回路マスクは、ガラス工場中において定義されたSOI-CMOSプロセスの間に1つ以上の金層層を使用することにより予め形成され得る。そのため、さらなるポストCMOSリソグラフィープロセスは、これらのマスク層を定義するように要求されない。したがって、正面部酸化物エッチングプロセスは、比較的低コストで、かつ比較的短い時間間隔で実行され得る。正面部ドライ酸化物エッチング376の結果、様々なピクセル構造体は種々のサスペンドしたピクセルアイランドになり得る。ピクセルアイランドのおのおのは、1対の支持アームを介して隣接した壁によって保持され得るか又は掛けられ得る。1つの実施形態において、例えば、第1のピクセルアイランド322は、それぞれ、第1の左支持アーム324と第1の右支持アーム323を介して第1の壁351と第2の壁353によって保持され得るか、又は掛けられ得る。他の実施形態において、例えば、第2のピクセルアイランド342は、それぞれ第2の左支持アーム344と第2の右支持アーム343を介して第2の壁353と第3の壁355によって保持され得るか、又は掛けられ得る。他の実施形態の中に、例えば、第3のピクセルアイランド362は、それぞれ第3の左支持アーム364と第3の右支持アーム363を介して第3の壁355と第4の壁357によって保持され得るか、又は掛けられ得る。図3Gを参照すると、金属マスクエッチング第3のエッチング377は様々なマスク層例えば、ピクセルマスク、壁マスクおよび支持アームを除去するために行なわれ得る。I/Oパッド308が正面部ホトレジストマスク375によって保護されるので、下の金属層はエッチングしていることから保護され得る。図3Hを参照すると、金属マスクエッチング377が完了した後、正面部ホトレジストマスク解放379が行なわれ得る。この段階では、スルーウェルマイクロボロメータ380の製造が完了する。マイクロボロメータ380は非冷却赤外線検出器アレイを含み、非冷却赤外線検出器アレイは読出し回路309によって制御され、かつアクセスされ得る。非冷却赤外線検出器アレイは、複数の検出器ピクセルを含み得る。その各々はピクセルアイランドおよび壁を含み得る。壁はピクセルアイランドを掛けるためにスルーウェル構造を形成し得る。第1の壁351及び第2の壁353は第1のスルーウェル327を形成し得る。第1のスルーウェル327は、第1の正面開口328と第1の背面部開口329を定義し得る。第1のピクセルアイランド322は、第1のスルーウェル327内に配され得、かつ第1の正面開口328に隣接して配され得る。第2の壁353及び第3の壁355は第2のスルーウェル347を形成し得る。第2のスルーウェル347は、第2の正面開口348と第2の背面部開口349を定義し得る。第2のピクセルアイランド342は、第2のスルーウェル347内に配され得、かつ第2の正面開口348に隣接して配され得る。第3の壁355及び第4の壁357は第3のスルーウェル367を形成し得る。第3のスルーウェル367は、第3の正面開口368と第3の背面部開口369を定義し得る。第3のピクセルアイランド362は、第3のスルーウェル367内に配され得、かつ第3の正面開口368に隣接して配され得る。最終的なパッケージおよび結合によって、マイクロボロメータ380は、様々な正面開口例えば、第1、第2及び第3の正面開口328、348および368を介して赤外線を受け取り、変換し得るか、或いは代替的に様々な背面部開口例えば、第1、第2及び第3の背面部開口329、349および369を介して赤外線を受け取り、変換し得る。マイクロボロメータ380がフリップチップパッケージに適合されると、絶縁層302は熱吸収層として役立ち得る。それらの機能的な特徴は、図2Aおよび2Bで説明されるとおりの熱吸収層112の特徴に類似し得る。一実施形態において、チタン層、窒化チタン層及び/又は類似の物理的及び化学的特性を備えた層が、その熱吸収特性を改善するためのフリップフロップ構成において絶縁層302上に堆積され得る。図4A-4Hは、本発明の実施形態によって閉じられたウェルマイクロボロメータ400を形成するために処理されている、工場において定義されたSOI-CMOSウェーハまたは、ウェーハ300の横断面図を示す。一般に、スルーウェルがマイクロボロメータ400に形成されないので、背面部垂直エッチングが省略され得る。代わりに、異方性シリコンエッチングが正面部垂直エッチングの後に事前に行なわれ得る。図4Aを参照すると、ウェーハ300の初期構造は、図3Aで説明されたとおり、その初期構造と同一であり得る。図4Bを参照すると、正面部ホトレジストマスク375はウェーハ300の入出力I/Oパッド308を被覆するために堆積され得る。ホトレジストマスク375がI/Oパッド308の大域的金属層を保護され得るように、ホトレジストマスク375がウェット金属エッチングに対して抵抗性を有し得る。1つの実施形態では、ホトレジストマスク375は正面部エッチングの実行前に堆積され得る。他の実施形態では、ホトレジストマスク375はウェット金属エッチングの実行前に堆積され得る。図4Cを参照すると、正面部ドライ酸化物エッチング垂直エッチング376は酸化物層307の非保護部分および絶縁層302の非保護部分を除去するために行なわれ得る。本明細書に開示されたように、非保護部分は、いかなるマスク層によって被覆されない部分であり得る。例えば、様々な構造体間に位置した部分は非保護部分であり得る。正面部ドライ酸化物エッチング376の目的は、ピクセル構造体例えば、第1、第2及び第3のピクセル構造体322、342および362と壁構造体例えば、第1、第2、第3及び第4の壁構造体351、353、355および357の間の複数の正面ピクセル空間を定義することである。酸化物層307の1つ以上が他の誘電体材料例えば、窒化物材料から製造される層と取り替えられる場合、正面部ドライ酸化物エッチング376は、正面部誘電体エッチング図示せずによって一般に実行され得る。正面部ドライ酸化物エッチング376は、反応性イオンエッチングRIE、反応性イオンビームエッチングRIBE及び/又は化学的に支援されたイオンビームエッチングCAIBEを含み得る。様々なマスク層例えば、ピクセルマスク、壁マスク、支持アームマスクおよび回路マスクは、ガラス工場中において定義されたSOI-CMOSプロセスの間に1つ以上の金属層を使用することにより予め形成され得る。そのため、さらなるポストCMOSリソグラフィープロセスは、これらのマスク層を定義するように要求されない。したがって、正面部酸化物エッチングプロセスは、比較的低コストで、かつ比較的短い時間間隔で実行され得る。図4Dを参照すると、金属マスクエッチング第3のエッチング377は様々なマスク層例えば、ピクセルマスク、壁マスクおよび支持アームマスクを除去するために行なわれ得る。I/Oパッド308が正面部ホトレジストマスク375によって保護されるので、下の金属層はエッチングしていることから保護され得る。図4Eを参照すると、金属マスクエッチング377が完了した後、正面部ホトレジストマスク解放379が行なわれ得る。図4Fを参照すると、異方性シリコンエッチング470はマスク層が適切に除去された後に実行され得る。異方性エッチング470は、基板層301の露出面に対する1以上のケミカルエッチング液を基板層301に導入することを含みうる。本明細書に開示されたとおり、基板層301の露出面は、絶縁層302によって被覆されない1以上の面を含み得る。従来の異方性シリコンエッチングと異なり、異方性シリコンエッチング470はいかなる電気化学的エッチストップを必要としない。なぜなら絶縁層302は保護エッチストッパーとしての役割を果たし得るからである。したがって、異方性シリコンエッチング470はピクセル構造体例えば、第1、第2及び/又は第3のピクセル構造体322、342及び362及び基板層301に種々の制御された電圧を印加するプロセスを取り除き得、これは、その間の電位差を確立することを意味する。換言すれば、ピクセル構造体および基板層301は、異方性シリコンエッチング470の間、それぞれ浮遊電位を有し得る。異方性シリコンエッチング470に使用される化学的エッチング液は、限定されないが、エチレンジアミンプロカテコルEDP、テトラメチルアンモニウム水酸化物TMAH、及び/又は水酸化カリウムKOHを含み得る。正面部ドライ酸化物エッチング376及び異方性エッチング407の結果として、種々のピクセル構造体は、種々の掛けられたピクセルアイランドになり得る。そのおのおのは1対の支持アームを介して隣接する壁によって保持またはサスペンドし得る。いち実施形態において、例えば、第1のピクセルアイランド322は第1の左支持アーム324と第1の右支持アーム323を介して第1の壁351及び第2の壁353によって保持またはサスペンドする。他の実施形態において、例えば、第2のピクセルアイランド342は第2の左支持アーム344及び第2の右支持アーム343を介して第2の壁353及び第3の壁355によって保持されるか、或いは掛けられる。さらに他の実施形態において、例えば、第3のピクセルアイランド362は、第3の左支持アーム364及び第3の右支持アーム363を介して第3の壁355及び第4の壁357によって保持されるか、或いは掛けられる。この段階でマイクロボロメータ400の製造が完成され得る。マイクロボロメータ400は非冷却赤外線検知器アレイを含み得、それは読み出し回路309によって制御され、アクセスされ得る。非冷却赤外線検知器アレイは、複数の検知器アレイを含み得る。そのおのおのはピクセルアイランドと壁を含み得る。壁はピクセルアイランドを掛けるために閉じられた壁構造体を形成し得る。第1の壁351と第2の壁353は基板層301と共に第1の閉じられたウェル472を形成する。第1の閉じられたウェル472は空胴を定義し得る。その頂部に第1のピクセルアイランド322が配される。第2の壁353と第3の壁355は基板層301と共に第2の閉じられたウェル474を形成し得る。第2の閉じられたウェル474は空胴を定義し得る。その頂部に第2のピクセルアイランド342が配され得る。第3の壁355と第4の壁357は基板層301と共に第3の閉じられたウェル476を形成し得る。第3の閉じられたウェル476は空胴を形成し得る。その頂部に第3のピクセルアイランド362が配され得る。パッケージングとボンディングに依存して、マイクロボロメータ400は、正面開口を介して、或いは代替的に赤外線を透過する基板シリコンを含む閉じられたウェルを介して、赤外線を受け取り、変換し得る。マイクロボロメータ380がフリップチップパッケージングに適合されるとき、絶縁層302は熱吸収層としての役割を果たし得る。その機能的な特徴は、図2A及び2Bにおいて説明されたとおりの熱吸収層112に類似し得る。一実施形態において、チタニウム層、窒化チタニウム層及び/又は類似の物理的及び化学的特徴を備えた材料を有する層は、その熱吸収特性を改善するためにフリップフロップ構成の絶縁層302上に堆積され得る。ここで1以上の熱吸収傘を備えた非冷却赤外線検知器を製造する種々の方法について説明する。図5A及び5Bは、本発明の実施形態による熱吸収傘を備えた赤外線検知器ピクセル500の斜視図と断面図である。赤外線検知器ピクセル500は図2A及び2Bに示されたとおりの赤外線検知器ピクセル200のすべての構造的特徴と機能的特徴を組み入れ得る。追加的に、赤外線検知器500は熱吸収傘510を含み得る。熱吸収傘510は熱吸収層112の頂部に形成され得る。熱吸収傘510は熱吸収層112より大きい表面積を有している。一実施形態において、例えば、熱吸収傘510は、第1の支持アーム132と第2の支持アーム134を被覆するように、熱吸収層112によって定義された垂直空間を超えて延び得る。他の実施形態において、例えば、熱吸収傘510は、スルーウェルの上部開口から突出し、スルーウェルの一部を被覆するように延びる上昇したウイング部を有し得る。その大きい表面積ゆえに、熱吸収傘510は、赤外線の受け取りと検知の非冷却赤外線検知器の能力を促進する。そのような促進は、充填係数によって測定される。充填係数はスルーウェルの断面積に対する傘510の表面積の比であり得る。本明細書において説明されたように、熱吸収傘510は、例えば、約80から約95まで変動する充填係数を達成し得る。熱吸収傘510は熱吸収層112と類似した材料から製造され得る。それで、非冷却赤外線検知器500を製造する方法はモノリシックmonolithicであり得る。そして、図3A-3H及び4A-4Fにおいて説明された方法に類似した方法であり得る。図6A-6Fは工場で定義されたシリコンオンインシュレーターSOI-CMOSウェーハ或いは、ウェーハ600の断面図を示しており、本発明の実施形態による熱吸収傘682、684を備えるスルーウェルマイクロボロメータ680を形成するように処理されている。ウェーハ600はウェーハ300に類似し得る。例えば、ウェーハ600は、基板層シリコンハンドラーウェーハ601、絶縁層602および幾つかの酸化物層607を含み得る。さらに、ウェーハ600は犠牲層例えば、第1の犠牲層628及び/又は第2の犠牲層648および傘層例えば、第1の傘層627及び/又は第2の傘層647を含み得る。基板層601はシリコン及び/又は他の半導体材料から製造され得る。そして、基板層601は絶縁層602および酸化物層607に土台を提供し得る。絶縁層602は、二酸化けい素及び/又はチッ化ケイ素のような絶縁材料で製造され得る。絶縁層602が酸化物材料から製造される場合、絶縁層602は埋められた酸化物層BOXとして理解される。酸化物層607は、様々な構造体例えば、ピクセル構造体、壁構造体及び/又は回路構造体を被覆し、様々な構造体間で定義された空間を埋めるために絶縁層602上に形成され得る。さらに、酸化物層607は、各々の構造体内で種々の導電層及び/又は半導体層を分離するために使用され得る。一般に、酸化物層607の露出側は正面部及び/又は頂部側と理解され得る。そして基板層601の露出側は背部及び/又は底部と理解され得る。絶縁層602は、絶縁層602上の様々な構造体例えば、ピクセル構造体、壁構造体及び/又は回路構造体を支持するために様々な領域を定義し得る。1つの実施形態では、例えば、絶縁層602は第1の壁領域611、第2の壁領域612及び第3壁領域613を定義し得る。壁構造体は、壁領域例えば、第1の壁領域611、第2の壁領域612、及び/又は第3の壁領域613の1つ以上の上で進行され得る。他の実施形態では、例えば、絶縁層602は第1のピクセル領域620と第2のピクセル領域640を定義し得る。ピクセル領域620及び640は、1つ以上の壁領域例えば、第1の壁領域611、第2の壁領域612及び/又は第3の壁領域613によって部分的に、或いは完全に囲まれる。第1の壁構造体は第1の壁領域611上で形成され得る。第1の壁構造体は第1のピクセル間金属層654および第1のピクセル間マスク層651を含み得る。第1のピクセル間金属層654は、隣接するピクセル構造体へ、および隣接するピクセル構造体から電気的信号を伝達するために使用され得る。第1のピクセル間マスク層651は第1のピクセル間金属層654および挟まれた酸化物層607を被覆し、保護し得る。第1のピクセル間マスク層651は、ドライ酸化物エッチングに対して抵抗性を有する材料から製造され得る。1つの実施形態では、例えば、第1のピクセル間マスク層651はアルミニウム、金、銅、チタン及び/又は他の金属材料から製造され得る。一般に、第1のピクセル間マスク層651は、第1のピクセル間金属層654よりも絶縁層602から更に離れて位置し得る。第2の壁構造体は第2の壁領域612上で形成され得る。第2の壁構造体は第2のピクセル間金属層655および第2のピクセル間マスク層652を含み得る。第2のピクセル間金属層655は、隣接するピクセル構造体へ、および隣接するピクセル構造体から電気的信号を伝達するために使用され得る。第2のピクセル間マスク層652は第2のピクセル間金属層655および挟まれた酸化物層607を被覆し、保護し得る。第2のピクセル間マスク層652は、ドライ酸化物エッチングに対して抵抗性を有する材料から製造され得る。1つの実施形態では、例えば、第2のピクセル間マスク層652はアルミニウム、金、銅、チタン及び/又は他の金属材料から製造され得る。一般に、第2のピクセル間マスク層652は、更に第2のピクセル間金属層655よりも絶縁層602から離れて位置し得る。第3の壁構造体は第3の壁領域613上で形成され得る。第3の壁構造体は第3のピクセル間金属層656および第3のピクセル間マスク層653を含み得る。第3のピクセル間金属層656は、隣接するピクセル構造体へ、および隣接するピクセル構造体から電気的信号を伝達するために使用され得る。第3のピクセル間マスク層653は第3のピクセル間金属層656および挟まれた酸化物層607を被覆し、保護し得る。第3のピクセル間マスク層653は、ドライ酸化物エッチングに対して抵抗性を有する材料から製造され得る。1つの実施形態では、例えば、第3のピクセル間マスク層653はアルミニウム、金、銅、チタン及び/又は他の金属材料から製造され得る。一般に、第3のピクセル間マスク層653は、第3のピクセル間金属層656よりも絶縁層602から更に離れて位置し得る。第1のピクセル構造体は、第1のピクセル構造体が第1及び第2の壁構造体およびに囲まれ得るように、第1のピクセル領域620上で形成され得る。第1のピクセル構造体は第1のダイオード群621、第1のピクセル内金属層625および第1のピクセル内マスク層626を含み得る。第1のダイオード群621は、、ダイオード群140に類似した機能的かつ構造的特徴を有し得る。第1のピクセル内金属層625は、ダイオード間金属板122に類似した機能的かつ構造的特徴を有し得る。第1のピクセル内マスク層626は、第1のダイオード群621、第1のピクセル内金属層625および第1のダイオード群621と第1のピクセル内金属層625との間に位置する酸化物層607を被覆し、保護し得る。第1のピクセル内マスク層626は、ドライ酸化物エッチングに対して抵抗性を有する材料から製造され得る。1つの実施形態では、例えば、第1のピクセル内マスク層626はアルミニウム、金、銅、チタン及び/又は他の金属材料から製造され得る。一般に、第1のピクセル内マスク層626は、第1のピクセル内金属層625よりも絶縁層602から更に離れて位置し得る。第1の犠牲層628のリムは、支持アーム構造体を被覆する酸化物層607の頂部に及び/又は第1のピクセル内金属層625を被覆する酸化物層607に隣接して形成され得る。続いて、第1の傘層627は、第1の犠牲層628と、第1のピクセル内金属層625を被覆する酸化物層607の頂部に形成され得る。正面部とで行なわれるエッチングの種類によって、第1の犠牲層628は、基板層601、絶縁層602および酸化物層607のエッチングに抵抗性を有する材料から製造され得る。1つの実施形態では、第1の犠牲層628は、大域的金属-2層605と同じ材料で製造され得る。他の実施形態では、第1の犠牲層628は、第1のピクセル内マスク層626と同じ材料で製造され得る。他の実施形態では、第1の犠牲層628は、第1のピクセル内金属層625と同じ材料で製造され得る。第1の犠牲層628は、第1の傘層627を保護するために、第1のピクセル内マスク層626を備えたサンドイッチ構造体を形成し得る。このように、第1の犠牲層628は、酸化物層607、絶縁層602および基板層601のエッチング前、および当該エッチング中に第1の傘層627に構造的支持を設けるために第1のピクセル内マスク層と協働し得る。第1の傘層627は、赤外線を受け取り、受け取られた赤外線を熱に変換するために熱吸収材料から製造され得る。1つの実施形態では、第1の傘層627は、熱吸収層112と同じ材料で製造され得る。他の実施形態では、、第1の傘層627は酸化物から製造され得る。さらに他の実施形態では、、第1の傘層627は窒化物から製造され得る。第1の犠牲層628の厚さによって、第1の傘層627は1つ以上の壁構造体の高さを越えて伸びる、上昇したウイング部のリムを有し得る。有利には、上昇したウイング部は、その熱隔離特性を劣化せずに、ピクセルアイランドの熱吸収特性を向上させ得る。第2のピクセル構造体は、第2のピクセル構造体が第2及び第3の壁構造体に囲まれ得るように、第2のピクセル領域640上で形成され得る。第2のピクセル構造体は第2のダイオード群641、第2のピクセル内金属層645および第2のピクセル内マスク層646を含み得る。2ダイオード群641は、ダイオード群140に類似した機能的かつ構造的特徴を有し得る。第2のピクセル内金属層645は、ダイオード間金属板122に類似した機能的かつ構造的特徴を有し得る。第2のピクセル内マスク層646は、第2のダイオード群641、第2ピクセル内金属層645および第2のダイオード群641と第2のピクセル内金属層645との間に位置する酸化物層607を被覆し、保護し得る。第2のピクセル内マスク層646は、ドライ酸化物エッチングに対して抵抗性を有する材料から製造され得る。1つの実施形態では、例えば、第2のピクセル内マスク層646はアルミニウム、金、銅、チタン及び/又は他の金属材料から製造され得る。一般に、第2のピクセル内マスク層646は、第2のピクセル内金属層645よりも絶縁層602から更に離れて位置し得る。第2の犠牲層648のリムは、支持アーム構造体を被覆する酸化物層607の頂部に及び/又は第2のピクセル内金属層645を被覆する酸化物層607に隣接してに形成され得る。続いて、第2の傘層647は、第2の犠牲層648と、第2のピクセル内金属層645を被覆する酸化物層607の頂部に形成され得る。正面部とで行なわれるエッチングの種類によって、第2の犠牲層648は、基板層601、絶縁層602および酸化物層607のエッチングに抵抗性を有する材料から製造され得る。1つの実施形態では、第2の犠牲層648は、大域的金属-2層605と同じ材料で製造され得る。他の実施形態では、第2の犠牲層648は、第2のピクセル内マスク層646と同じ材料で製造され得る。さらに他の実施形態では、第2の犠牲層648は、第2のピクセル内金属層645と同じ材料で製造され得る。第2の犠牲層648は、第2の傘層647を保護するために、第2のピクセル内マスク層646を備えたサンドイッチ構造体を形成し得る。このように、第2の犠牲層648は、酸化物層607、絶縁層602および基板層601のエッチング前、および当該エッチング中に第2の傘層647に構造的支持を設けるために第2のピクセル内マスク層と協働し得る。1つの実施形態では、第1の傘層647は、熱吸収層112と同じ材料で製造され得る。他の実施形態では、、第2の傘層647は酸化物から製造され得る。さらに他の実施形態では、、第2の傘層647は窒化物から製造され得る。第2の犠牲層648の厚さによって、第2の傘層647は1つ以上の壁構造体の高さを越えて伸びる、上昇したウイング部のリムを有し得る。有利には、上昇したウイング部は、ピクセルアイランドの熱隔離吸収特性を向上させ得る。1対の支持アーム構造体は、ピクセル構造体の各々に隣接して形成され得る。支持構造体の各々は、それぞれのピクセル構造体及び隣接した壁構造体の間に位置し得る。図2Aおよび2Bに示されるように、第1及び第2の支持アーム132および134に類似して、支持構造体の対は、ピクセル構造体と隣接した壁構造体の間の機械的および電気的連結を提供し得る。支持アーム構造体の各々はポリシリコン配線および支持アームマスク層を含み得る。ポリシリコン配線は、ピクセル構造体と隣接した壁構造体のうちの1つとの間の電気的接続を確立するために使用され得る。支持アームマスク層はポリシリコン配線を被覆し、保護し得る。ウェーハ600は、1つ以上のダイオード群例えば、第1のダイオード群621および第2のダイオード群641と相互作用するために読出し回路609を含み得る。読出し回路609は1つ以上のダイオード群を選択するために、選択されたダイオード群にバイアスをかけるために、選択されたダイオード群から感知信号を受け取るために及び/又は受信した感知信号を増幅するために構成され得る。ダイオード群と通信するために、読出し回路609は、大域的なポリシリコン層603、大域的金属-1層604、大域的金属-2層605および大域的金属-3層606などの様々な導電層とともに経路が決められ得る。一般に、大域的金属-3層606はウェーハ600の他の部分を保護するためにマスク層として使用され得る。例えば、金属-3層606は、ドライ酸化物エッチング中に読出し回路609を保護するために使用され得る。さらに、金属-3層606は、ピクセル間マスク層、マスク層、ピクセル内マスク層及び/又は支持アームマスク層などの他のいかなるマスク層を形成するために使用され得る。図6Bを参照すると、第1の背面部マスク660と第2の背面部マスク670はウェーハ600の背面部に被覆され得る。第1の背面部マスク660は、シリコンエッチングに対して抵抗性を有する材料から製造され得る。1つの実施形態では、例えば、第1の背面部マスク660は窒化物から製造され得る。他の実施形態では、例えば、第1の背面部マスク660は酸化物から製造され得る。さらに他の実施形態では、例えば、第1の背面部マスク660はホトレジスト材料から製造され得る。第2の背面部マスク670は、シリコンエッチング、酸化物エッチング及び/又は窒化物エッチングに対して抵抗性を有する材料から製造され得る。1つの実施形態では、例えば、第2の背面部マスク670はホトレジスト材料から製造され得る。第1のマスク660は複数の第1の開口671を定義し得る。そのおのおのは、1つのピクセル領域例えば、第1のピクセル領域620または第2のピクセル領域640と垂直に位置を調整し得る。複数の第1の開口671は、絶縁層602のピクセル領域と垂直に重複する部分のみを除去するように、シリコン基板層601のシリコンエッチングをに配向するために使用され得る。第2の背面部マスク670は、複数の第2の開口部672を定義し得る。そのおのおのは、1つの支持アーム構造体及び隣接するピクセル構造体の間で定義された空間と垂直に位置を調整し得る。複数の第2の開口部672は、シリコン基板層601のシリコンエッチング、絶縁層602の絶縁エッチングおよび酸化物層607の酸化物エッチングを配向するために使用されてもよい。複数の各々の第2の開口部672は、酸化物層607の一部および絶縁層602の一部の除去を配向するために使用され得る。その両方は1つの支持アーム構造体及び隣接するピクセル構造体の間で形成され得る。そのため、第1の開口部671の各々は、1対の第2の開口部672と重複し得る。そして第1の開口部671の各々は、第2の開口部672の各々より実質的に幅が広い。第1の背面部ディープdeepドライエッチング674は、第1の背面部マスク660および第2の背面部マスク670の被覆の後に実行され得る。第1の背面部ディープdeepドライエッチング674が、基板層601、絶縁層602及び酸化物層607の未被覆部すなわち、第2の開口部672と位置を調整した部分をエッチング処理し得る。第1の背面部ディープdeepドライエッチング674は、犠牲層例えば、第1の犠牲層628及び/又は、第2の犠牲層648において終了又は停止され得る。従って、様々な背面部トンネルが定義され得る。1つの実施形態では、第1の左背面部トンネル636および第1の右バックサイドトンネル637は、第1のピクセル構造体及び隣接し支持アーム構造体の間で定義され得る。他の実施形態では、第2の左背面部トンネル638および第2の右バックサイドトンネル639は、第2のピクセル構造体及び隣接する支持アーム構造体の間で定義され得る。図6Cを参照すると、第2の背面部マスクの除去676は、第1の背面部deepドライエッチング674が行われた後に行われる。この段階では、ウェーハ600の背面部は、単に第1の背面部マスク660によって被覆され得る。さらに、正面部ホトレジストマスク673はウェーハ600の入出力I/Oパッド608を被覆するために堆積され得る。ホトレジストマスク673がI/Oパッド608の大域的金属層を保護するために用いられ得るように、ホトレジストマスク375がウェット金属エッチングに対して抵抗性を有し得る。1つの実施形態では、ホトレジストマスク673は正面部エッチングの実行前に堆積され得る。他の実施形態では、ホトレジストマスク673はウェット金属エッチングの実行前に堆積され得る。そのうえさらに、正面部ドライエッチング675は酸化物層607の非保護部分および絶縁層602の非保護部分を除去するために行なわれ得る。本明細書に開示されたように、非保護部分は、いかなるマスク層によって被覆されない部分であり得る。例えば、様々な構造体間に位置した部分は非保護部分であり得る。正面部ドライエッチング675の目的は、ピクセル構造体と壁構造体の間で複数の正面ピクセル空間を定義することであり得る。正面部ドライエッチング675は、反応性イオンエッチングRIE、反応性イオンビームエッチングRIBE及び/又は化学的に支援されたイオンビームエッチングCAIBEを含み得る。様々なマスク層例えば、ピクセルマスク、壁マスク、支持アームマスクおよび回路マスクは、ガラス工場中において定義されたSOI-CMOSプロセスの間に1つ以上の金層を使用することにより予め形成され得る。そのため、さらなるポストCMOSリソグラフィープロセスは、これらのマスク層を定義するように要求されない。したがって、正面部酸化物エッチングプロセスは、比較的低コストで、かつ比較的短い時間間隔で実行され得る。図6Dを参照すると、第2の背面部ディープdeepドライエッチング677は、第2の背面部マスク除去676が行われた後に行われ得る。第2の背面部ディープドライエッチング677が、基板層601の未被覆部すなわち、第1の背面部開口671と位置を調整した部分をエッチング処理し得る。背面部ディープドライエッチング676は、絶縁層602において終了し得るか、停止され得る。第2のディープドライエッチング677の結果として、第1の背面部ピクセル空間681及び第2の背面部ピクセル間隔683が基板層601内、および基板層601全体にわたって定義され得る。第1及び第2の背面部ピクセル空間681、683は、それぞれ、第1及び第2のピクセル領域620および640で位置を調整し得、それによって、空気を第1及び第2ピクセル構造体に循環することを可能にする。第1及び第2ディープドライエッチング674及び677は、ディープdeep反応性イオンエッチングDRIE又は他の種類の垂直シリコンエッチングであり得る。第1及び第2の背面部ピクセル空間681及び683が定義された後、複数の壁片は絶縁層602の壁領域から延長し得る。例えば、第1の壁片615は第1の壁領域611から延び得る;そして第3の壁片617は第3の壁領域613から延び得る;壁片の各々はアスペクト比を有し得る。アスペクト比は、壁片の幅に対する壁片の長さの割合として定義され得る。非冷却赤外線検出器の熱隔離特性を改善するために、比較的高いアスペクト比を有していることが望ましい。1つの実施形態では、例えば、壁片の各々は約10のアスペクト比を有し得る。図6Eを参照すると、ウェット金属マスクエッチング678は、1つ以上の金属材料から製造される様々な層を除去するために行なわれ得る。これらの層は、限定されないが、保護マスク例えば、ピクセルマスク、壁マスクおよび支持アームマスクおよび犠牲層例えば、第1及び第2の犠牲層628および648を含み得る。I/Oパッド608が正面部ホトレジストマスク673によって保護されるので、下の金属層はエッチングしていることから保護される得る。さらに、第1の背面部マスク660は、ウェーハ600の背面部を解放するように、ウェットマスクエッチングが行われる前および後に除去される。図6Fを参照すると、様々なピクセル構造体は、正面部ドライエッチング675、第2の背面部ディープdeepドライエッチング677およびウェット金属マスクエッチング678が行なわれた後で、種々の掛けられたピクセルアイランドになり得る。ピクセルアイランドの各々は1組の支持アームを介して隣接するた壁によって保持されるか、或いは掛けられ得る。1つの実施形態において、例えば、第1のピクセルアイランド622は、第1の左支持アーム624と第1の右支持アーム623を介して第1の壁と第2の壁によって保持され得るか、又はサスペンドされ得る。他の実施形態の中に、例えば、第2のピクセルアイランド642は、第2の左支持アーム644と第2の右支持アーム643を介して第2の壁と第3の壁によって保持され得るか、又は掛けられ得る。犠牲層が除去された後、第1の傘層627は第1の熱吸収傘682になり得、第2の傘層647は第2の熱吸収傘684になり得る。第1及び第2の熱吸収傘682および684は、それぞれの第1及び第2のピクセルアイランド622および624のトータルの赤外線受け取り領域充填係数を増加させ得る。その結果、第1及び第2の熱吸収傘682および684は、それぞれ、第1及び第2のピクセルアイランド622および642の感度を向上させ得る。ウェット金属マスクエッチング678が完了すると、正面部ホトレジスト解放679は正面部ホトレジストマスク673を解放するために行なわれ得る。この段階で、スルーウェルマイクロボロメター680の製造方法は完全であり得る。マイクロボロメータ680は非冷却赤外線検出器アレイを含み、非冷却赤外線検出器アレイは読出し回路609によって制御され、かつアクセスされ得る。非冷却赤外線検出器アレイは、複数の検出器ピクセルを含み得る。その各々はピクセルアイランドおよび複数の壁を含み得る。壁はピクセルアイランドをサスペンドさせるためにスルーウェル構造を形成し得る。従って、マイクロボロメータ680は多数のスルーウェルを含み得る。そのおのおのは1つの熱吸収傘例えば、第1の熱吸収傘682及び/又は、第2の熱吸収傘684によって部分的に被覆され得る。さらに、多数のスルーウェルのおのおのは、図3Hに記載されているようなスルーウェルと類似した構造及び構成を有し得る。最終的なパッケージングとボンディングによって、マイクロボロメータ680は、様々な正面開口を介して、或いは代替的に背面部開口を介して赤外線を受け取り、変換し得る。マイクロボメータ380がフリップチップパッケージに適合されると、絶縁層602は熱吸収層として役立ち得る。それらの機能的な特徴は、図2Aおよび2Bで説明されるとおりの熱吸収層112の特徴に類似し得る。図7A-7Bはポスト-CMOS処理されたウェーハ又は、ウェーハ700の横断面図を示し、本発明の実施形態による熱吸収傘760を備えた閉じられたウェルマイクロボロメータを形成するために、さらに処理される。ウェーハ700は、いくつかのポストCMOSプロセス工程を受けた、ガラス工場において定義されたSOI-CMOSウェーハであり得る。一実施形態では、例えば、ウェーハ700は正面部ドライ酸化物エッチングを受けた但し、異方性シリコンエッチングを受ける前に工場で定義されたSOI-CMOSであり得る。別の実施形態では、例えば、ウェーハ700は、図4Eに示されるように、かつ本明細書において説明された製法にしたがって部分的に処理されたウェーハ300に類似し得る。図7Aを参照すると、ウェーハ700のユニット部分が示される。ユニット部分は基板層701と、ピクセル構造体、壁構造体および支持アーム構造体などの様々な構造体とを含み得る。構造体の各々は、それぞれの領域の上部に位置し得る。1つの実施形態では、第1の壁構造体は、第1の壁領域710上で形成され得る。そして第2の壁構造体は第2の壁領域750上で形成され得る。別の実施形態では、ピクセル構造体はピクセル領域730上で形成され得る。さらに他の実施形態では、第1の支持アーム構造体は、第1の支持アーム領域720上で形成され得る。そして第2の支持アーム構造体は第2の支持アーム領域740上で形成され得る。第1の壁構造体は、第1の壁埋め込み酸化物層712、第1の壁酸化物層713および第1の壁金属層716を含み得る。第2の壁構造体は、第2の壁埋め込み酸化物層752、第2の壁酸化物層753および第2の壁金属層756を含み得る。ピクセル構造体は、第1及び第2の壁構造体間に位置し得る。ピクセル構造体は、ピクセル埋め込酸化物層732、ダイオード群731、ピクセル熱吸収層733およびピクセル金属層735を含み得る。第1の支持アーム構造体は第1の壁構造体とピクセル構造体の間に位置し得る。第1の支持アーム構造体は、第1の支持アーム埋め込み酸化物層722、第1の支持アーム酸化物層723および第1の支持アームポリシリコン層724を含み得る。第2の支持アーム構造体は第2の壁構造体とピクセル構造体の間に位置し得る。第2の支持アーム構造体は、第2の支持アーム埋め込み酸化物層742、第2の支持アーム酸化物層743および第2の支持アームポリシリコン層744を含み得る。壁構造体、ピクセル構造体および支持アーム構造体のおのおの内部の構成要素の機能的特徴および配列は、図3Aおよび4Aで説明されたものに類似し得る犠牲層としての役割を果たす。正面部ドライ酸化物エッチングの後に、これらの構造体は、まだ共通基板層701に取り付けらているが、互いに横方向に分離され得る。本発明の実施形態によれば、様々な構造体を被覆し、かつこれらの構造体の間で定義された横方向の空間を埋めるために、シリコン層770が、処理されたウェーハ700上に堆積され得る。シリコン層770は、異方性エッチングによってエッチングされ得る非晶質シリコンなどのシリコン材料を含み得る。堆積されたシリコン層770は犠牲層としての役割を果たし得る。堆積されたシリコン層770は、堆積される傘層760のための構造的な支援を提供し得る。さらに、堆積されたシリコン層770は、堆積される傘層760の表面の特性を定義し得る。一実施形態で、例えば、もし平坦な傘層760が望まれるとき、厚いシリコン層770が堆積され得、ついで化学的、機械的面状CMPプロセスによって、平らにされ得る。別の実施形態で、例えば、回旋状の傘層760が望まれるとき、傘層760が下の構造体の輪郭に続き得るように、薄いシリコン層770が堆積され得る。傘層760とピクセル熱吸収層733の間で熱接触を確立するために、堆積されたシリコン層770の一部は傘層760が堆積する前にパターニングされ、除去され得る。例えば、ピクセル熱吸収層733の頂部に位置する堆積されたシリコン層770の一部は除去され得る。従って、傘層760は堆積されたシリコン層770上に堆積され得る。傘層760は、ピクセル熱吸収層733の特性インピーダンスを、自由空間の特性インピーダンスに一致させるために、様々な誘電体層および金属層を組み合わせ得る。その結果、傘層760は、赤外線の表面反射を最小限にするのを助け得るものであり、非冷却赤外線検出器の感受性を向上させ得る。傘層760は、第1の壁傘761、左アーム傘762、ピクセル主傘763、右アーム傘764および第2の壁傘765などの一群の傘に細分化され得る。選択エッチングプロセスは傘層760をパターニングするために行なわれ得る。パターニングは、シリコン層770を除去し、かつ基板層701内の閉じたウェルを定義するために、異方性シリコンエッチング液を導入するための1つ以上の開口部を定義し得る。1つの実施形態では、例えば、第1の傘開口部711は第1の壁構造体から異方性シリコンエッチング液を導入するために定義され得る。他の実施形態では、例えば、第2の傘開口部711は第2の壁構造体から異方性シリコンエッチング液を導入するために定義され得る。第1及び第2の傘開口部711および751は、一緒に、傘層760の境界を決め得る。第1及び第2の傘開口部711および751は点開口部、拡張開口部、線開口部及び/又は様々な寸法および形態を備えた開口部であり得る。図7Aは、2つの開口がユニット部で定義されることを示しているが、開口の様々な数は、本発明の様々な実施形態にしたがって傘層760上に定義され得る。例えば、異方性のシリコンエッチングを促進するために、追加の傘開口は、ピクセル傘763、左アーム傘762及び/又は右のアーム傘764の上に定義され得る。傘開口部が定義された後、異方性シリコンエッチングが始まり得る。本明細書に記載されているように、異方性シリコンエッチングは、図4Fに説明されるとおりの異方性シリコンエッチング470に類似し得る。従って、絶縁層302が受動的なエッチストッパとして役立ち得るので、異方性シリコンエッチングは何ら電気化学的エッチストップを必要としない。従って、異方性シリコンエッチングは、ピクセルおよび基板層701に様々な制御された電圧を印加するプロセスを除去し得る。ピクセルおよび基板層701の間に電位差を確立することを意味し得る。言いかえれば、ピクセル構造体および基板層701は、各々異方性シリコンエッチングの間に浮遊電位を有し得る。異方性シリコンエッチング407に使用される化学的エッチング液は、限定されないが、エチレンジアミンプロカテコールEDP、テトラメチルアンモニウム水酸化物TMAH及び/又は水酸化カリウムKOHを含み得る。図7Bに示されるように、閉じたウェル773は異方性シリコンエッチングの完了後に基板層701内に形成され得る。閉じられたウェル773は、ピクセル埋め込み酸化物層732の直下に空胴背面部の分離空間774を定義し得る。1つのピクセルセルの熱吸収が隣接するピクセルセルの赤外線検知に影響することがないように、空胴774はピクセルアイランド及び隣接する壁の間の熱隔離を提供し得る。本発明の例示的な実施形態は、実例となる形で開示された。従って、明細書を通して使用された用語は、限定されないように読まれるべきである。本明細書における教示に対する些細な修正は当業者に生じるであろうが、本明細書において保証された特許の範囲内で限定されることが意図されているものは、これによって寄与された技術的進歩の範囲以内に合理的に及ぶそのようなすべての実施形態であること、そしてその範囲が添付された特許請求の範囲およびそれらの均等物に照らさずに限定されるべきでないことが理解される。