第1の設計データベースを受信することと、バイアス因子によって前記第1の設計データベースのパターンを調整して、第1のバイアスされたデータベースを発生することと、前記第1のバイアスされたデータベースに対して画像レンダリングを行って、第1のレンダリングされたデータベース画像を発生することと、第1のマスク画像を受信することと、前記第1のレンダリングされたデータベース画像と前記第1のマスク画像とを比較し、その内、前記比較工程の結果は、前記第1のレンダリングされたデータベース画像と前記第1のマスク画像との間のマッチング程度を示すことと、前記比較工程に基づいて前記バイアス因子の新数値を決定することと、を含むフォトリソグラフィマスクの検出方法。前記第1のマスク画像を受信する前記工程は、前記第1の設計データベースを用いて第1のマスクを発生することと、前記第1のマスクに対してイメージングして、前記第1のマスク画像を発生することと、を含む請求項1に記載のフォトリソグラフィマスクの検出方法。前記バイアス因子は、マスク創作に用いる材料、マスクイメージングに用いる模式、マスクイメージングに用いる検出平面からなる群から選ばれる性質に関する請求項1に記載のフォトリソグラフィマスクの検出方法。前記バイアス因子に基づいて最適化のバイアス因子を決定することと、前記最適化のバイアス因子によって前記第1の設計データベースのパターンを調整して、第2のバイアスされたデータベースを発生することと、前記第2のバイアスされたデータベースに対して画像レンダリングを行って、第2のレンダリングされたデータベース画像を発生することと、前記第2のレンダリングされたデータベース画像と前記第1のマスク画像とを比較することと、前記第2のレンダリングされたデータベース画像と前記第1のマスク画像とを比較する前記工程によって識別された欠陥を修正することと、をさらに含む請求項1に記載のフォトリソグラフィマスクの検出方法。前記バイアス因子によって最適化のバイアス因子を決定することと、第2の設計データベースを受信することと、前記最適化のバイアス因子によって前記第2の設計データベースのパターンを調整して、第2のバイアスされたデータベースを発生することと、前記第2のバイアスされたデータベースに対して画像レンダリングを行って、第2のレンダリングされたデータベース画像を発生することと、前記第2の設計データベースを用いて第2のマスクを発生することと、前記第2のマスクに対してイメージングして、前記第2のマスク画像を発生することと、を含有する、第2のマスク画像を受信することと、前記第2のレンダリングされたデータベース画像と前記第2のマスク画像とを比較することと、前記第2のレンダリングされたデータベース画像と前記第2のマスク画像を比較する前記工程によって識別された欠陥を修正することと、をさらに含む請求項1に記載のフォトリソグラフィマスクの検出方法。前記第1のマスク画像は、第1のマスク材料に関し、前記フォトリソグラフィマスクの検出方法は、前記第1の設計データベースを用いて前記第2のマスク材料を含有する第2のマスクを発生することと、前記第2のマスクに対してイメージングして、前記第2のマスク画像を発生することとを有する、第2のマスク材料に関する第2のマスク画像を受信することと、第2のバイアス因子によって前記第1の設計データベースのパターンを調整して、第2のバイアスされたデータベースを発生することと、前記第1のバイアスされたデータベースに対して画像レンダリングを行って、第2のレンダリングされたデータベース画像を発生することと、前記第2のレンダリングされたデータベース画像と前記第2のマスク画像とを比較することと、第2のレンダリングされたデータベース画像と前記第2のマスク画像とを比較する前記工程によって前記第2のバイアス因子の新数値を決定することと、をさらに含む請求項1に記載のフォトリソグラフィマスクの検出方法。前記第1のマスク画像は、第1の模式におけるイメージングに関し、前記フォトリソグラフィマスクの検出方法は、前記第1の設計データベースを用いて第1のマスクを発生することと、前記第2の模式において前記第1のマスクに対してイメージングして、前記第2のマスク画像を発生し、その内、前記第1の模式と前記第2の模式が、マスクイメージングに用いる模式、マスクイメージングに用いる検出平面からなる群から選ばれる性質に関することとを有する、第2の模式におけるイメージングに関する第2のマスク画像を受信することと、第2のバイアス因子によって前記第1の設計データベースのパターンを調整して、第2のバイアスされたデータベースを発生することと、前記第1のバイアスされたデータベースに対して画像レンダリングを行って、第2のレンダリングされたデータベース画像を発生することと、前記第2のレンダリングされたデータベース画像と前記第2のマスク画像とを比較することと、第2のレンダリングされたデータベース画像と前記第2のマスク画像とを比較する前記工程によって、前記第2のバイアス因子の新数値を決定することと、をさらに含む請求項1に記載のフォトリソグラフィマスクの検出方法。設計実体からの設計データベースを受信することに用いられる第1のインターフェイスと、外部来源からのバイアス因子を受信することに用いられる第2のインターフェイスと、前記バイアス因子によって前記設計データベースのパターンを調整して、前記設計データベースに対応して製作されたマスクを検出することに用いられる、バイアスされたデータベースを発生するように操作されてよいバイアスモジュールと、前記バイアスされたデータベースを受信することができ、かつ参照画像を発生するように操作されてよいレンダリングモジュールと、マスク画像と前記参照画像を受信することができ、かつ前記参照画像と前記マスク画像とを比較し、前記参照画像と前記マスク画像との間のマッチングを改善するように操作されてよい比較モジュールと、前記設計データベースを受信することができ、かつマスクを発生するように操作されてよいマスク発生モジュールと、前記マスクを受信することができ、かつマスク画像を発生するように操作されてよいマスクイメージングモジュールと、を含むフォトリソグラフィマスクの検出システム。前記バイアス因子は、マスク創作に用いる材料、マスクイメージングに用いる模式、マスクイメージングに用いる検出平面からなる群から選ばれる性質に関する請求項8に記載のフォトリソグラフィマスクの検出システム。設計実体からの設計データベースを受信することに用いられる第1のインターフェイスと、外部来源からのバイアス因子を受信することに用いられる第2のインターフェイスと、コンピュータープログラムが記憶された一時的ではなく実在するコンピューター読込可能記憶媒体と、を含み、前記コンピュータープログラムは、複数のコマンドを有し、実行される時に、前記コマンドが前記バイアス因子によって前記設計データベースのパターンを調整して、前記設計データベースに対応して製作されたマスクを検出することに用いられる、バイアスされたデータベースを発生し、さらに第1のセットのコマンドを有し、前記第1のセットのコマンドが実行される時、前記バイアスされたデータベースからのレンダリングされたデータベース画像を発生し、前記レンダリングされたデータベース画像とマスク画像とを比較し、さらに第2のセットのコマンドを有し、第2のセットのコマンドが実行される時に、前記レンダリングされたデータベース画像と前記マスク画像との間のマッチングを改善するフォトリソグラフィマスクの検出装置。OPCパターンを必要とする同一の光の挙動はマスクパターンから直接的に検出されることができない。その代わりにシミュレーションモデルを用いて検出時に設計規格に基づくマスクがどのように現れるかを予測する。そして、このモデルをマスクの画像と比較することができる。しかしながら、これらのモデルに基づく比較では相当数の差異が報告されるが、これらの差異は実際のマスク誤差Errorに対応しない。マスク修正が必要になるかどうかを決定するため、高い頻度で、これらの差異は手作業によって評価されることが必要である。評価はそのコストが高くて、手間もかかる。そのため、これらのモデルの精度を増し、誤判による誤差の数を減らす方法は実質的な価値がある。そのため、本発明の一形態は、マスク検出の精確度を増加することによって、誤判による誤差の数量、欠点のあるマスクが生産に用いられるリスク、及び設計規則のガードバンドの需要を減少するフォトリソグラフィマスク検出の方法、システム及び装置を提供する。本発明の一実施例によれば、本発明はフォトリソグラフィマスク検出の方法を提供する。この方法は、第1の設計データベースを受信することと、バイアス因子によって第1の設計データベースのパターンを調整して、第1のバイアスされたデータベースを発生することと、この第1のバイアスされたデータベースが画像レンダリングを行って、第1のレンダリングされたデータベース画像を発生することと、第1のマスク画像を受信することと、第1のレンダリングされたデータベース画像とこの第1のマスク画像とを比較することと、比較工程に基づいてこのバイアス因子の新数値を決定することと、を含む。また他の実施例において、前記比較工程の結果は、第1のレンダリングされたデータベース画像と第1のマスク画像との間のマッチング程度を示す。本発明の一実施例によれば、本発明はフォトリソグラフィマスク検出のシステムを提供する。このシステムは、第1のインターフェイス、第2のインターフェイス及びバイアスモジュールを含む。第1のインターフェイスは、設計実体からの設計データベースを受信することに用いられる。第2のインターフェイスは、外部来源からのバイアス因子を受信することに用いられる。バイアスモジュールは、バイアス因子によってこの設計データベースのパターンを調整して、設計データベースに対応して製作されたマスクを検出することに用いられる、バイアスされたデータベースを発生するように操作されてよい。また他の実施例において、前記比較モジュールは、参照画像とマスク画像との間のマッチングを改善するように操作されてよい。本発明の一実施例によれば、本発明は、フォトリソグラフィマスクの検出装置を提供する。この装置は、第1のインターフェイス、第2のインターフェイス及び一時的ではなく実在するコンピューター読込可能記憶媒体を含む。第1のインターフェイスは、設計実体からの設計データベースを受信することに用いられる。第2のインターフェイスは、外部来源からのバイアス因子を受信することに用いられる。一時的ではなく実在するコンピューター読込可能記憶媒体には、複数のコマンドを有するコンピュータープログラムが記憶されており、実行される時に、これらのコマンドがこのバイアス因子によって設計データベースのパターンを調整して、バイアスされたデータベースを発生する。バイアスされたデータベースは、設計データベースに対応して製作されたマスクを検出することに用いられる。また他の実施例において、前記コンピュータープログラムは、1セットのコマンドをさらに有し、実行される時に、このセットのコマンドが、前記バイアスされたデータベースからのレンダリングされたデータベース画像を発生し、前記レンダリングされたデータベース画像とマスク画像とを比較する。また他の実施例において、前記コンピュータープログラムは、1セットのコマンドをさらに有し、実行される時に、このセットのコマンドが、前記レンダリングされたデータベース画像と前記マスク画像との間のマッチングを改善する。また他の実施例において、前記バイアス因子は、マスク創作に用いる材料、マスクイメージングに用いる模式、又はマスクイメージングに用いる検出平面であってよい性質に関する。本発明は、誤判による誤差の数量、欠点のあるマスクが生産に用いられるリスク、及び設計規則のガードバンドの需要を減少し、マスク評価に必要な時間を大幅に短縮することを長所とする。以下、付属図面に基づく本発明実施例の詳細な説明により、本発明の上述とその他の特徴に対して、よりよい理解が得られる。付属図面に基づく詳細な説明により、本開示内容に対してよりよい理解が得られる。業界の標準実務に従って、各特徴は、縮尺によって示されるものではないことを強調すべきである。実際に、検討をよりわかり易くするために、各特徴の数量及び寸法は、任意に増加又は減少することができる。本発明は、フォトリソグラフィマスクの検出に関する。本発明は集積回路の製造に関して説明されるが、フォトリソグラフィマスクを用いて製造されるいかなる装置の生産においても本発明の利益を享有することができる。以下の記載では、発明の異なる特徴を実施するための複数の異なる実施態様又は実施例を提供するものであることが理解される。本発明を簡略にするために、以下、組立部品とその配列の特定の例を説明する。これらの組立部品とその配列は単なる例であり、発明を限定するものではない。一部の項目は簡略化された形で示され、周知の部品を含む。そして、本記載は、各種の例において、繰り返して参照記号及び/又はアルファベットを示すかもしれない。この繰り返しは説明を簡明にすることを目的とし、そのこと自体が検討される各種の実施例間及び/又は配置間の関係を決定づけるものではない。図1に示すように、フォトリソグラフィマスクの検出システム10の一実施例は、バイアスBiasingシステムモジュール12、レンダリングRenderingシステムモジュール14及び比較システムモジュール16を含む。システム12、14、16のそれぞれは1又は複数の計算装置を備える。なお、1又は複数のシステム12、14、16は単一計算装置に含まれてよい。例えば、計算装置は、サーバー、スーパーコンピューター、パソコン、個人用デジタル補助装置PersonalDigitalAssistantPDA、ポケットベル、携帯電話、その他の適当な計算装置及び/又はそれらの組合を含んでよい。計算装置は、例えば、中央演算処理装置、記憶ユニット、出力入力装置及び/又はネットワークインターフェースを含んでよい。これらの組立部品は、バスシステムによって、内部接続されてよい。コンピューターシステムはそれぞれ異なるように構成されてよく、かつ列挙される組立部品のそれぞれはいくつかの異なる組立部品を示すことが理解できる。例えば、中央演算処理装置はマルチプロセッサ又は分散処理システムを含んでよく、記憶ユニットはレベルが異なる高速キャッシュ、メインメモリー、ハードディスク及び/又はリモート記憶位置を含んでよく、出力入力装置はモニター、マウス及び/又はキーボードを含んでよく、ネットワークインターフェイスはモデム、ワイヤレストランシーバ及び/又は1又は複数のネットワークカードでよい。計算装置はネットワークに接続されてよいため、一部の組立部品がその他の装置と共用されることがある。従って、計算装置の配置において広い柔軟性を有することが期待されている。また、図1に示すように、設計データベース18はシステム10に入力される。設計データベース18は、複数の幾何パターンの全部又は一次元組合を含む1又は複数のデータファイルに識別され、これらの幾何パターンがマスクの複数のパターンに対応する。これらの幾何パターンは、一般的にGDS-II又はOasisのようなレイアウト記述言語LayoutDescriptionLanguageに記憶されている。幾何パターンがマスクに現れることを意図して、設計データベース18はこれらの幾何パターンを含むため、関連マスクを検出する時に、設計データベース18がゴールデンモデルGoldenModelと見なされてよい。しかしながら、パターン寸法が小さい場合に、回折、フリンジ効果、干渉のような光特性は、マスクパターンを通す光又はマスクパターンから反射された光に著しい影響を与える。例えば、マスクにおける角穴は、検出器に円形光を投射し得る。その結果、完璧なマスクであっても、イメージングImagingツールによって報告されるパターンは、設計データベース18におけるパターンと合致しない。一実施例において、イニシャルバイアス因子20が決定され、バイアスシステム12がバイアス因子20によって設計データベース18における1又は複数のパターンを調整する。これはパターン寸法、位置又は形状全体の修正にかかり得る。バイアス因子20は、総体バイアスを含んでよく、そこでは、すべてのパターンが特別なバイアス因子によって調整される。バイアス因子20は、領域的バイアスを含んでよく、その内、領域における全てのパターンが特別なバイアス因子によって調整される。バイアス因子20は、パターンバイアスを含んでよく、その内、パターンの種類例えば、セリフ、ハンマーヘッド及び/又はコーナーが特別なバイアス因子によって調整される。バイアス因子20は、特定なバイアスを含んでもよく、その内、単一の特定パターンが特別なバイアス因子によって調整される。当業者であれば、バイアス値が各型式において等しくなくてもよく、そして2軸に沿って等しくなくてもよいことがわかる。バイアスシステム12は、設計データベース18の調整されたパターンに基づいて、バイアスされたデータベース22を出力する。バイアスされたデータベース22は、設計データベース18に含まれる幾何パターンの全部又は一次元組合に対応する幾何パターンを複数含んでよい。一部の実施例において、バイアスされたデータベース22は、設計データベース18と同様の形式ではない。レンダリングシステム14はデータベースを読み込み、対応するマスクがマスクイメージングツールからみた時にどのように現れるかを決定することによって、マスク形成をシミュレーションする。バイアスされたデータベース22は、レンダリングシステム14に入力される。レンダリングシステム14はレンダリングされたデータベース画像24参照画像とも呼ばれるを出力し、この参照画像がバイアスされたデータベース22を用いて発生された好ましいマスクの画像を示す。マスク26はマスク発生設備モジュール28によって発生されたものである。レンダリングシステム14は、バイアスされたデータベース22に基づいて、シミュレートされるマスクを発生し、マスク発生設備28が設計データベース18を用いて実際のマスク26を発生する。マスク26は、基材、吸収層及び/又は1又は複数の減衰層AttenuatingLayersを含んでよい。この基材は、溶融石英FusedSilica、石英ガラス、MoSi、フッ化カルシウム及び/又はその他の適当な材料を含んでよい。この吸収層は、クロムCr、MoSi及び/又はその他の適当な材料を含んでよい。典型的なのは、設計データベース18に対応するマスクパターンが吸収層にエッチングされることである。これは、電子ビーム書き込みとイオンビーム書き込みのようなマスク書き込み技術、湿式又は干式エッチングのようなエッチング技術、或いはその他のマスク書き込み技術を用いて完成できる。減衰層は、例えば、金属シリサイド、金属窒化物、酸化鉄、無機材料及び/又はその他の適当な材料を含むように形成されてよい。マスク26は、1又は複数の反射層をさらに含んでよい。例えば、シリコン/モリブデンMo、モリブデン/ベリリウムBe及び/又はその他の適当な材料でこれらの反射層を形成する。検証システムモジュール30でマスク26の全部又は一部を検証する。検証によってマスク26が正確に印刷されたかどうかを決定する。一種又は複数の種類の技術で検証でき、これらの技術は、直接検出、電子ビームの透過又は反射を測定する技術、感光媒体への印刷を試験する技術、又はその他の検証技術を含む。この検証システム30は、電子顕微鏡光源又は電子銃のような放射源、イメージングセンサー及びイメージングセンサーからデータを記録する計算装置を含む、ウエハー試験システムウエハープローバ、試験を制御し、データを記録する計算装置を含む、チップ試験システムチップ試験器、試験を制御し、データを記録する計算装置を含む、及び/又はマスク或いは半導体組立部品の検証に用いられるその他のシステムを含んでよい。マスク26における誤差その定義は予想通り印刷されなかった領域であるは修正がいらず、識別できればよい。マスク26はマスクイメージングシステムモジュール32でイメージングされる。マスクイメージングシステム32は、マスク26の画像を得る。マスクイメージングシステム32は、光源、イメージングセンサー、及びイメージングセンサーの出力を記録する計算ハードウエアを含んでよい。マスクイメージングシステム32は、マスク26から反射された光又はマスク26を通した光を測定するように設置されてよい。光源は光化学Actinic周波数ウエハー露光のための周波数で動作してよいが、一般的に、イメージングは、低い周波数を有する光源で行われる。マスクイメージングシステム32は、イメージングセンサーに測定された当初の値を記録し、また、鮮明度、解像度を増加して、また他の光学平面での検出をシミュレートし、又は関連パターンを強調させるために、後処理を行ってもよい。これらの処理済み又は未処理の測定値は、マスク画像34として出力される。比較システム16によって、マスク26に対応する被検証部分のマスク画像34の一部を、レンダリングされたデータベース画像24と比較する。比較システム16は、設計全体又はそのサブ組合せを比較できる。マスク画像34とレンダリングされたデータベース画像24マスク26における実質的な誤差と関連がないとの間において報告された差異はフォールスポジティブFalse-positiveである。フォールスポジティブは、評価に時間を要する。例えば、設計データベース18のバイアスされないデータベースは、何千のフォールスポジティブを比較的に小さい領域に発生し得るため、適当なバイアスによってフォールスポジティブを減少することで、マスク評価が必要な時間を大幅に短縮できる。比較工程はフォールスネガティブFalse-negativeをもたらすことも可能であり、その内、マスク26における実質的な誤差は報告された差異と関連がない。この誤差を修正するコストが上昇した後まで、フォールスネガティブが検知されない可能性があり、又はまったく検知されない。誤差は欠点のあるマスクが生産に用いられる前に発見できなければ、このマスクのために損失を受けた製品を大量に生産する可能性がある。このリスクを低減する方法として、ガードバンドGuardBandを設計規則に加える。マスク検出の精度を向上することで、フォールスネガティブ、欠点のマスクが生産に用いられるリスク、及び設計規則のガードバンドの需要を低減することができる。適切にバイアスされた、レンダリングされたデータベース画像24は、数が最も少ないフォールスポジティブとフォールスネガティブを発生する。フォールスポジティブ又はフォールスネガティブの数が受けられない場合に、新しいバイアス因子20が決定され、設計データベース18がバイアスシステム12に再び調整される。フォールスポジティブ又はフォールスネガティブの数は受けられる場合に、バイアス因子20が最適なバイアス因子36となる。図2に示すように、フォトリソグラフィマスクの検出方法は、設計データベース18とバイアス因子20を受信することから始まる。バイアス因子20によって設計データベース18のパターンを修正するために、設計データベース18に対してバイアス調整工程38を行う。発生された形状は、バイアスされたデータベース22として出力される。バイアスされたデータベース22に対してレンダリング工程40を行う。レンダリング工程40において、バイアスされたデータベース22に含まれる形状に対応するマスクの創作をシミュレートし、このマスクシステムがマスクイメージングツールにより観察されたようにマスクの外観を算出する。である。この模擬結果は、レンダリングされたデータベース画像24として出力された。設計データベース18は、マスク創作工程42でマスク26を発生するための入力として用いらてもよい。マスク26はマスク検証工程44によって検証されて、マスク26が所要の形状を露光のウエハーに発生したかどうかを決定する。マスク26に対してマスクイメージング工程46を行ってマスク画像34を得る。レンダリングされたデータベース画像24とマスク画像34との間で、ダイとデータベースの比較工程48が行なわれる。決定格子50に示すように、フォールスポジティブ又はフォールスネガティブの数が受けられるかどうかを決定する。これらの数は受けられない場合に、新しいバイアス決定工程52を行って、バイアス因子20に新数値を発生する。これらの数が受け入れられる場合に、バイアス因子20が最適なバイアス因子36となる。図3に示すように、また他の実施例によれば、マスク26を生産に用いる前に、最適なバイアス因子36によってマスク26における誤差を検出して修正することができる。この方法は、最適なバイアス因子36によって設計データベース18に対してバイアス調整工程38を行うことから始まる。バイアス調整工程38は、最適なバイアスされたデータベース54を発生する。最適なバイアスされたデータベース54に対してレンダリング工程40を行って、最適なレンダリングされたデータベース画像56を発生する。それとともに、マスク創作工程42において、設計データベース18に対応するマスク26を製造する。マスク26に対してマスクイメージング工程46を行い、マスク画像34を発生する。結晶粒子からデータベースまでの比較工程48によってマスク画像34を最適なレンダリングされたデータベース画像56と比較する。続いて、必ず判定ブロック58でこれらの差異がマスク26における実質的な誤差に対応するかどうかを決定しなければならない。実質的な誤差に対して、マスク修正決定工程60を行って、最適な解決方案を立て誤差を修正する。マスク26、設計データベース18及び/又はその他の適当なプロセス或いは組立部品に対する変更によって修正を実施することができる。最適なバイアス因子36で設計データベース18を調整することは、ダイとデータベースの比較工程48に少ない擬似偽状態をもたらすため、バイアスによって、報告された差異の評価が必要な時間が減少され、この評価が、どの差異にマスク修正が必要であるかを決定することに用いられる。図4に示すように、また他の実施例において、それぞれが特別なプロセス変数に対して最適化された独立なバイアス因子を2又は2以上用いて設計データベース18を調整することで、誤判による誤差の数をさらに減少することができる。例えば、マスクによって反射された光線を測定するマスク検出に比べて、マスクを通した光線を測定するマスク検出は、異なる縁位置を報告する。そのため、独立的に透過光線と反射光線のバイアス因子をそれぞれ決定することは役に立つこととなる。また他の実施例によれば、マスクはウエハー平面において検出できるとともに、空気平面においても検出できる。その他の光学平面における検出で、異なる縁位置が報告でき、これらの縁位置は検出平面のそれぞれに対するバイアス因子が適当であることを証明する。前記実施例を遂行するために、バイアス因子62によって設計データベース18を調整して、バイアスされたデータベース64を発生する。バイアスされたデータベース64に対してレンダリング工程40を行って、レンダリングされたデータベース画像66を発生する。同様に、バイアス因子68によって設計データベース18を調整して、バイアスされたデータベース70を発生する。バイアスされたデータベース70に対してレンダリング工程40を行って、レンダリングされたデータベース画像72を発生する。設計データベース18はマスク26の発生にも用いられる。マスクイメージング工程74とマスクイメージング工程76は、二つの異なる検出模式における検出を表わす。マスク26のマスクイメージング工程74においてマスク画像78を発生する。マスク26のマスクイメージング工程76においてマスク画像80を発生する。ダイとデータベースの比較工程48を行って、マスク画像78とレンダリングされたデータベース画像66とを比較し、また、ダイとデータベースの比較工程48を行って、マスク画像80とレンダリングされたデータベース画像72とを比較する。二種類の異なる、ダイとデータベースの比較によって、バイアス因子62とバイアス因子68は独立に調整することがきるので、人手による再検出が必要な誤判による状態の数が減少される。図4に示すように、また他の実施例において、2又は2種類以上のマスク材料に対応する2又は2以上のバイアス因子を独立的に最適化する。マスク材料の異なる光係数n/kは、マスクイメージング工程46において異なる縁位置を発生できる。そのため、設計データベース18は1種以上のマスク材料から製作された1以上のマスクに実施される時に、マスク材料ごとに対して独立なバイアス因子を最適化することによって、誤判による誤差の数をさらに減少できる。本実施例によれば、マスク26は設計データベース18から創作される。なお、マスク82も設計データベース18に発生される。マスク26の製造に用いられる従来のマスク材料と異なる材料でマスク82を製造してもよい。マスク82に対してマスクイメージング工程46を行う。それとともに、設計データベース18は、バイアス因子86によって調整され、マスク82の製造に用いられるマスク材料に対応する。バイアス調整工程38は、バイアス因子86を用い、バイアスされたデータベース88を発生する。バイアスされたデータベース88に対してレンダリング工程40を行って、レンダリングされたデータベース画像90を計算する。結晶粒子からデータベースまでの比較工程48を行って、マスク画像84とレンダリングされたデータベース画像90とを比較する。当業者であれば、いくつの試験パラメータ例えば反射のウエハー平面検出、X型式ブランクを有するウエハー平面検出に対してバイアス因子を最適化することが本発明の精神と領域から逸脱しないことが分かる。図5は、また他の実施例のフローチャートであり、異なる設計データベースによってバイアス因子20を調整して生産用マスクを発生し得る。続いて、調整用設計データベースは、試験を行うための簡単な構造又はリスクが高い構造を含むように設計されてもよい。これらの構造は生産設計によく出現しなければ、この工程が特に有用であることが証明される。調整用設計データベースは、生産用マスクを発生するための設計データベースより小さくてもよい。マスクの検証プロセスは、コストが高いとともに時間もかかるため、小さいデータベースが高いコスト効果利益と効率よい調整を可能にすることができる。また、図5に示すように、バイアス因子20によって設計データベース100を調整して、バイアスされたデータベース102を発生する。バイアスされたデータベース102に対してレンダリング工程40を行って、レンダリングされたデータベース画像104を発生する。マスク26は設計データベース100によって発生される。マスク26に対してマスク検証工程44を行い、マスク26に対してマスク画像34を発生するマスクイメージング工程46を行う。ダイとデータベースの比較工程48は、マスク画像34とレンダリングされたデータベース画像104との間の差異を比較する。ダイとデータベースの比較工程48によって報道された誤判による誤差の数が受けられないほど高い場合に、新しいバイアス決定工程52を行って、バイアス因子20に新数値を決定する。ダイとデータベースの比較工程48は、数が受けられるフォールスポジティブ又はフォールスネガティブをもたらした場合に、バイアス因子20が最適なバイアス因子36となる。最適なバイアス因子36によって設計データベース106を調整して、バイアスされたデータベース108を発生する。バイアスされたデータベース108のレンダリング工程40においてレンダリングされたデータベース画像110を発生する。設計データベース106でマスク112を創作し、マスク112が検出されてマスク画像114を発生する。ダイからデータベースまでの比較工程48を行って、マスク画像114とレンダリングされたデータベース画像110とを比較する。設計データベース106、マスク112及び/又はその他の適当なプロセス或いは組立部品を修正することによって、マスク112における誤差に対応する差異を修正してもよい。本発明の実施例はコンピューター製品であって、コンピュータープログラムコードを提供して実在するコンピューターに使用され、又は、アクセスされる読込可能な媒体の形であっても良く、コンピューター又はいかなるコマンドシステムに使用され又は接続されることができる。説明のために、実在するコンピューターに使用され、又は、アクセスされる読込可能な媒体は、コンピューター又はいかなるコマンドシステムにも使用され又は接続され、記憶、通信リンク、伝播、又は移送することができるプログラムを含む。この媒体は、電気的、磁性的、光学的、電磁性的、赤外線、半導体システム装置又は組立部品又は伝播媒体であってよい。図6は簡略された例であり、設計データベース18において、パターン200は辺長100nmの正方形である。図に示すように、レンダリング工程40が設計データベース18に対して行われれば、対応するパターン202が略円形となり得る。レンダリング工程40はレンダリングされたデータベース画像24の結果に影響することが可能である。マスク26は、パターン200と位置、形状が同じであるパターン204を含む。しかしながら、一例において、マスク26のマスクイメージング工程46は、パターン204より大きい対応するパターン206を発生する。パターン208に示すように、ダイとデータベースの比較工程48によって誤差が報告される。この誤差を修正するために、設計データベース18に対してバイアス調整工程38を行って、バイアスされたデータベース22を発生する。バイアスされたデータベース22において、パターン210の辺長が120nmである。バイアスされたデータベース22のレンダリング工程40において、パターン212を有する、レンダリングされたデータベース画像24を発生する。パターン212は、寸法上、パターン206に近づいて対応する。パターン214に示すように、ダイとデータベースの比較工程48において誤差が報告されない。図7に示すように、一実施例で、格子300において、方法は設計データベース18を受信することから始まる。格子302において、バイアス因子20によって設計データベース18を調整して、バイアスされたデータベース22を発生する。格子304において、バイアスされたデータベース22に対してレンダリング工程40を行って、レンダリングされたデータベース画像24を発生する。格子306においても、設計データベース18を用いて基づいて、マスク26を創作した。格子308において、マスク26に対してイメージングして、マスク画像34を発生する。格子310において、レンダリングされたデータベース画像24をマスク画像34と比較する。格子312において、バイアス因子20に新数値を決定する。そのため、本発明は、フォトリソグラフィマスクの検出方法を提供する。一実施例において、この方法は、第1の設計データベースを受信し、バイアス因子によって第1の設計データベースのパターンを調整して、第1のバイアスされたデータベースを発生することを含む。この方法は、第1のバイアスされたデータベースに対して画像レンダリングを行って、第1のレンダリングされたデータベース画像第1のバイアスされた画像又は第1の参照画像とも呼ばれるを発生することを含んでもよい。この方法は、第1のマスク画像を受信することと、第1のレンダリングされたデータベース画像と第1のマスク画像とを比較することと、前記比較工程に基づいてバイアス因子の新数値を決定することとをさらに含んでよい。また他の実施例において、第1のマスク画像を受信する前記工程は、第1の設計データベースを用いて第1のマスクを発生することと、第1のマスクに対してイメージングして、第1のマスク画像を発生することとを含む。一部の実施例において、前記方法は、バイアス因子に基づいて最適化のバイアス因子を決定し、最適化のバイアス因子によって第1の設計データベースのパターンを調整して、第2のバイアスされたデータベースを発生することも含む。この方法は、第2のバイアスされたデータベースに対して画像レンダリングを行って、第2のレンダリングされたデータベース画像第2のバイアスされた画像又は第2の参照画像とも呼ばれるを発生することを含んでもよい。この方法は、第2のレンダリングされたデータベース画像と第1のマスク画像とを比較することと、この第2のレンダリングされたデータベース画像と第1のマスク画像とを比較する工程によって識別された欠陥を修正することを含んでもよい。その他の実施例において、この方法は、第2のマスクを発生することと、第2のマスクに対してイメージングして、第2のマスク画像を発生することと、第2のレンダリングされたデータベース画像と第2のマスク画像とを比較することと、第2のレンダリングされたデータベース画像と第2のマスク画像とを比較する前記工程に識別された欠陥を修正することと、を含んでよい。一部の実施例において、前記方法は、第1の設計データベースを受信することと、第1のバイアス因子によってこの第1の設計データベースのパターンを調整して、第1のバイアスされたデータベースを発生することと、第2のバイアス因子によってこの第1の設計データベースのパターンを調整して、第2のバイアスされたデータベースを発生することとを含む。第1のバイアス因子と第2のバイアス因子は、第1のマスクの性質、又は第1のマスクに対してイメージングするための模式のようなプロセス変量に関してもよい。本発明は、バイアスシステム、レンダリングシステム、及び比較システムを含むフォトリソグラフィマスクの検出システムも提供する。バイアスシステムは、設計データベースとバイアス因子を受信でき、バイアス因子によって設計データベースのパターンを調整して、バイアスされたデータベースを発生するように設計されてもよい。レンダリングモジュールは、バイアスされたデータベースを受信でき、バイアスされたデータベースのマスクに対応する画像をシミュレートし、レンダリングされたデータベース画像を発生するように設計されてよい。比較モジュールは、マスク画像とレンダリングされたデータベース画像を受信でき、マスク画像とレンダリングされたデータベース画像とを比較するように設計されてよい。本発明は、複数のコマンドを有するコンピュータープログラムを記憶する一時的ではなく実在するコンピューター読込可能記憶媒体を含むフォトリソグラフィマスクの検出装置も提供し、実行される時に、これらのコマンドは、バイアス因子によって設計データベースのパターンを調整し、バイアスされたデータベースを発生する。複数の実施例の特徴を以上のように開示したため、当業者は、前記詳細な説明をさらに了解できる。当業者であれば、簡単に本発明に基づいて、その他のプロセスと構造を設計又は変更して、同一の目的及び/又はここで紹介した実施例と同様の特徴を実現することができる。また、当業者であれば、このような同等の構造は本発明の精神と領域から逸脱したものではないことがわかり、本発明の精神と領域から逸脱しない限り、多様な変更、取替え、修正を加えることができる。