"液体材料を貯留する液体材料貯留タンクから供給される前記液体材料を霧化器によって霧化して基板に塗布する液体材料塗布装置において、洗浄液を貯留する洗浄液貯留タンクと、前記液体材料貯留タンクからの前記液体材料又は前記洗浄液貯留タンクからの前記洗浄液を前記霧化器へ導入する導入流路と、前記液体材料貯留タンクと前記洗浄液貯留タンクとを切り換えて前記導入流路へ接続する流路切換手段とを備えていることを特徴とする液体材料塗布装置。前記洗浄液貯留タンクが前記導入流路に接続されている間にのみ使用される洗浄用霧化器をさらに備えていることを特徴とする請求項1に記載の液体材料塗布装置。前記洗浄用霧化器は、洗浄対象領域に向かって前記洗浄液を噴霧するように配置されていることを特徴とする請求項2に記載の液体材料塗布装置。前記洗浄液貯留タンクは少なくとも2種類の前記洗浄液を貯留し、洗浄時に、当該洗浄液が切り換えて前記導入流路に供給されることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の液体材料塗布装置。前記洗浄液は、前記液体材料の溶媒として用いられている液体の一部または全てによって組成される液体であることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の液体材料塗布装置。前記導入流路から供給される前記洗浄液を排出する排液ポンプと、前記排液ポンプから排出される前記洗浄液を前記霧化器の噴出部へ直接吐出するように導く排液流路と、前記排液流路から吐出される前記洗浄液を回収する排液タンクとをさらに備えていることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の液体材料塗布装置。液体材料を貯留する液体材料貯留タンクから供給される前記液体材料を霧化器によって霧化して基板に塗布する液体材料塗布装置の内部を洗浄する洗浄方法において、洗浄時に、前記液体材料貯留タンクからの前記液体材料を前記霧化器へ導入する導入流路へ、洗浄液を貯留する洗浄液貯留タンクからの前記洗浄液を切り換えて導入する洗浄液導入工程と、導入された前記洗浄液を前記霧化器によって霧化する霧化工程とを含むことを特徴とする液体材料塗布装置の洗浄方法。前記洗浄液導入工程は、前記導入流路への接続を、前記液体材料貯留タンクから前記洗浄液貯留タンクへ切り換えることを特徴とする請求項7に記載の液体材料塗布装置の洗浄方法。前記霧化工程は、前記液体材料の塗布に使用される前記霧化器と共に、前記洗浄液のみを霧化する洗浄用霧化器を用いて前記洗浄液を霧化することを特徴とする請求項7又は8に記載の液体材料塗布装置の洗浄方法。前記洗浄液導入工程は、前記洗浄液として2種類の第一の洗浄液及び第二の洗浄液を用い、前記第一の洗浄液を導入した後に、前記第二の洗浄液を切り換えて導入することを特徴とする請求項7から9のいずれか一項に記載の液体材料塗布装置の洗浄方法。しかしながら、特許文献1に記載された洗浄方法では、ノズル先端部に付着した堆積物のみが除去されるだけであり、吹付部の内壁やノズル内部等の液体材料の流路内部といったその他の部分の洗浄を行うことができない。また、生産性の向上や、メンテナンスコストの削減を図るには、上記の洗浄のために装置の停止、及び洗浄対象部品の分解/取り外し作業を伴わないことが要求される。この様に、液体材料流路内部、ノズル先端部、吹付部内壁等のパーティクルが付着しやすい箇所の全ての洗浄を、効率的かつ最小限の装置停止及びメンテナンスコストで実現する方法が未確立であることが課題として挙げられる。加えて、この様な手法によって装置停止を伴わない洗浄を短周期で行いながら生産を続け、その後、長周期での作業者による洗浄/交換も併せて行うことになる。しかしながら、作業者による洗浄や部品の交換は、液体材料を噴霧した領域の表面温度が作業者による作業の可能な温度にまで低下していることが前提となる。通常、この領域の温度が300°C以上であるため、十分な温度の低下に時間を要し、装置のダウンタイムが長くなるといった課題も存在する。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、液体材料塗布装置における内部の洗浄を効率的に行うための装置構成及び洗浄の方法を確立することにある。本発明に係る液体材料塗布装置は、上記の課題を解決するために、液体材料を貯留する液体材料貯留タンクから供給される前記液体材料を霧化器によって霧化して基板に塗布する液体材料塗布装置において、上記の課題を解決するために、洗浄液を貯留する洗浄液貯留タンクと、前記液体材料貯留タンクからの前記液体材料又は前記洗浄液貯留タンクからの前記洗浄液を前記霧化器へ導入する導入流路と、前記液体材料貯留タンクと前記洗浄液貯留タンクとを切り換えて前記導入流路へ接続する流路切換手段とを備えていることを特徴としている。上記の構成では、導入流路への洗浄液貯留タンク又は液体材料貯留タンクの接続が、洗流路切換手段によって切り換えられる。これにより、液体材料を基板に噴霧するときには、液体材料が霧化器に供給されるように、導入流路へ液体材料貯留タンクが接続され、洗浄時には、洗浄液が霧化器に供給されるように、導入流路へ洗浄液貯留タンクが接続される。したがって、洗浄時には、液体材料に代えて霧化器に洗浄液を供給することによって、洗浄液を噴霧することができる。この結果、導入流路内を洗浄液が流れることで、導入流路内が洗浄される。しかも、霧化された洗浄液が霧化器の噴出部やその周辺に噴霧されることで、これらの部分に付着した堆積物が洗い流される。なお、霧化器が自ら液を吸い上げるサクションタイプであれば、洗浄液を霧化器へ送液する機構は不要である。このような霧化器は、洗浄液を吸上げ霧化し、洗浄対象領域を洗浄することができる。前記液体材料塗布装置において、前記洗浄液貯留タンクが前記導入流路に接続されている間にのみ使用される洗浄用霧化器をさらに備えていることが好ましい。洗浄用霧化器は、成膜には寄与せず、洗浄時にのみ洗浄液を霧化する。これにより、洗浄時には短時間でより多くの洗浄液を霧化することができる。したがって、短時間での効率的な洗浄を実現することができる。前記液体材料塗布装置において、前記洗浄用霧化器は、洗浄対象領域に向かって前記洗浄液を噴霧するように配置されていることが好ましい。上記の構成では、洗浄用霧化器が洗浄対象領域に向かって洗浄液を噴霧するので、より効果的に洗浄を行うことができる。この洗浄用霧化器は、成膜に寄与しないので、基板に向かって霧化する必要はなく、洗浄に適した方向に洗浄液を噴霧すればよい。前記液体材料塗布装置は、前記洗浄液貯留タンクは少なくとも2種類の前記洗浄液を貯留し、洗浄時に、当該洗浄液が切り換えて前記導入流路に供給されることが好ましい。これにより、少なくとも2種類の洗浄液を用いて多様な洗浄を行うことができる。例えば、固形分を含まないが溶媒としては液体材料に近い液体を第一の洗浄液として用い、その後、少数溶媒種からなる第二の洗浄液で十分な洗浄を行うことができる。それゆえ、第二の洗浄液として例えば純水を用いると、作業者による作業を可能とするために液体材料塗布領域の温度低下を促進することができる。当初から第二の洗浄液の様な洗浄液にて置換を行うと、液体材料の実溶液との混合によって固形分が析出するといった前述のような問題が発生する可能性があるため、2種の洗浄液による2段階の洗浄を行うことが好ましい。前記液体材料塗布装置において、前記洗浄液は、前記液体材料の溶媒として用いられている液体の一部または全てによって組成される液体であることが好ましい。これにより、上記のように、洗浄液における異種の溶媒が導入流路の内部に残留した液体材料と混合することによる固形分の析出や、その析出による霧化器の詰まり等を抑制することに効果がある。前記液体材料塗布装置は、前記導入流路から供給される前記洗浄液を排出する排液ポンプと、前記排液ポンプから排出される前記洗浄液を前記霧化器の噴出部へ直接吐出するように導く排液流路と、前記排液流路から吐出される前記洗浄液を回収する排液タンクとをさらに備えていることが好ましい。これにより、洗浄時には、導入流路から供給される洗浄液が、排液ポンプによって排出されると、排出流路を通じて霧化器の噴出部へ吐出されて洗浄に供された後、排液タンクに回収される。これにより、洗浄時には、導入流路に残留している液体材料を素早く排出すると共に、短時間で大量に洗浄液を導入することができる。したがって、洗浄をより効率的かつ効果的に行うことができる。本発明の液体材料塗布装置の洗浄方法は、液体材料を貯留する液体材料貯留タンクから供給される前記液体材料を霧化器によって霧化して基板に塗布する液体材料塗布装置の内部を洗浄する洗浄方法において、上記の課題を解決するために、洗浄時に、前記液体材料貯留タンクからの前記液体材料を前記霧化器へ導入する導入流路へ、洗浄液を貯留する洗浄液貯留タンクからの前記洗浄液を切り換えて導入する洗浄液導入工程と、導入された前記洗浄液を前記霧化器によって霧化する霧化工程とを含むことを特徴としている。上記の構成では、洗浄時には、洗浄液導入工程によって、洗浄液貯留タンクからの洗浄液が導入流路へ導入され、霧化工程によって、導入された洗浄液が霧化器によって霧化される。これにより、洗浄時には、液体材料に代えて霧化器に洗浄液を供給することによって、洗浄液を噴霧することができる。この結果、霧化された洗浄液が霧化器の噴出部やその周辺に噴霧されることで、これらの部分に付着した堆積物が洗い流される。前記液体材料塗布装置の洗浄方法において、前記洗浄液導入工程は、前記導入流路への接続を、前記液体材料貯留タンクから前記洗浄液貯留タンクへ切り換えることが好ましい。このように、洗浄時には、導入流路へのタンクの接続を切り換えるのみで、洗浄液を霧化することができるので、洗浄液を容易に導入流路へ導入することができる。前記液体材料塗布装置の洗浄方法において、前記霧化工程は、前記液体材料の塗布に使用される前記霧化器と共に、前記洗浄液のみを霧化する洗浄用霧化器を用いて前記洗浄液を霧化することが好ましい。これにより、洗浄用霧化器は、成膜には寄与せず、洗浄時にのみ洗浄液を霧化する。これにより、洗浄時には、霧化器及び洗浄用霧化器によって、短時間でより多くの洗浄液を霧化することができる。したがって、効率的な洗浄を実現することができる。前記液体材料塗布装置の洗浄方法において、前記洗浄液導入工程は、前記洗浄液として2種類の第一の洗浄液及び第二の洗浄液を用い、前記第一の洗浄液を導入した後に、前記第二の洗浄液を切り換えて導入することが好ましい。これにより、2種類の洗浄液を用いて多様な洗浄を行うことができる。例えば、固形分を含まないが溶媒としては液体材料に近い液体を第一の洗浄液として用い、その後、少数溶媒種からなる第二の洗浄液で十分な洗浄を行うことができる。それゆえ、第二の洗浄液に例えば純水を用いると、作業者による作業を可能とするために液体材料塗布領域の温度低下を促進することができる。当初から第二の洗浄液の様な洗浄液にて置換を行うと、液体材料の実溶液との混合によって固形分が析出するといった前述のような問題が発生する可能性があるため、2種の洗浄液による2段階の洗浄を行うことが好ましい。本発明に係る液体材料塗布装置は、上記のように構成されることにより、液体材料塗布装置の内部の洗浄を効率的に行うことができるという効果を奏する。具体的には、本発明によって、液体材料による付着物の堆積が課題となっていたスプレーCVD法、ミストCVD法といった液体材料塗布装置に対し、洗浄液による付着物の洗浄を可能とするだけでなく、洗浄液にて洗浄した領域の温度低下の促進を可能とする洗浄方法を確立できる。しかも、メンテナンス頻度を減らし、液体材料塗布装置のダウンタイムの短縮も実現することができる。[実施形態1]本発明に係る一実施形態について、図1及び図2を参照して以下に説明する。本発明を実施するための形態として、2流体スプレーノズルを用いたミストCVD成膜装置による成膜を例に説明する。ミストCVD成膜装置の構成図1は、本実施形態に係るミストCVD成膜装置の構成を示す側面図である。図2は、ミストCVD成膜装置における吹付部の内部構造を示す斜視図である。図1に示す様に、ミストCVD成膜装置100は、基板101基板に対して、液体材料を霧化して塗布することによって薄膜を形成するための薄膜製造装置液体材料塗布装置である。ミストCVD成膜装置100は、載置台1、基板基板101の加熱用の加熱炉2、搬送機構3、吹付部4、液体材料貯留タンク5、液体供給経路7、洗浄液貯留タンク10、第一流路12、第二流路13、流路切換機構14、及び制御部15を備える。載置台1は、後述する吹付部4に対して対向するように基板101を載置する台である。加熱炉2は、吹付部4によって基板101へ噴霧された液体材料を乾燥するために基板101を加熱する炉である。搬送機構3は、載置台1をX方向に搬送する機構であり、メッシュベルト3a及び当該メッシュベルト3aを駆動する複数のローラ3bによって構成されている。この搬送機構3は、吹付部4によって基板101に成膜処理を行うときに載置台1をX方向に駆動する。液体材料貯留タンク5は、基板101上に成膜するための成膜材料となる液体材料を貯留している。液体材料としては、純水及び塩酸に金属塩化物を溶解した溶液を用いている。洗浄液貯留タンク10は、ミストCVD成膜装置100の内部に液体材料が乾燥して付着した堆積物を洗浄するための洗浄液を貯留している。洗浄液としては、体積濃度5程度の希塩酸を用いている。この理由としては、次の2つが挙げられる。第一の理由は、塩酸が堆積物を溶解可能であることである。第二の理由は、洗浄液として純水を用いた場合、純水と上記の成分からなる液体材料とが混合することにより、液体材料がゲル化して流路詰まり等を起こす可能性があることである。このように、洗浄液には、液体材料の溶媒として用いられている液体塩酸の一部によって組成される液体が用いられる。また、洗浄液には、上記の溶媒として用いられている液体塩酸の全てによって組成される液体が用いられてもよい。液体供給経路7導入流路は、後述する吹付部4の2流体スプレーノズル6に液体材料又は洗浄液を供給導入するための流路である。第一流路12は、液体材料貯留タンク5から排出される液体材料及びCDAを供給するための流路である。第二流路13は、洗浄液貯留タンク10から排出される洗浄液を供給するための流路である。流路切換機構14流路切換手段は、第一流路12と第二流路13とを切り換えて液体供給経路7に接続する機構である。この流路切換機構14は、例えば、流路切換弁及び当該流路切換弁を駆動するアクチュエータを含んでいる。制御部15は、流路切換機構14の切り換え動作を制御する装置であり、マイクロプロセッサやメモリを含んで構成されている。この制御部15は、成膜時に液体供給経路7と第一流路12とを接続する一方、洗浄時に液体供給経路7と第二流路13とを接続するように、流路切換機構14の切り換え動作を制御する。図2に示す様に、吹付部4は、複数の2流体スプレーノズル6、吹付部内壁9及び筐体16を有している。2流体スプレーノズル6霧化器は、箱状に形成された筐体16の内に収容されており、基板101の搬送方向X方向と水平面で直交する方向に一定の間隔をおいて1列直線状に並ぶように配置されている。2流体スプレーノズル6の先端部6a噴出部のみが、吹付部4の底面に設けられた穴から下方に向けて突き出しており、当該選択部6aから噴出されたミストは吹付部4の下方に向かって噴霧される。2流体スプレーノズル6としては、株式会社いけうち製の微霧発生ノズルBIMV8002Sを用いている。この微霧発生ノズルは、サクションタイプと呼ばれるノズルであり、自ら液体を吸上げてミスト化することが可能であるため、2流体スプレーノズル6へ液体材料を送液する機構を不要にすることができる。2流体スプレーノズル6へは、吹付部4の外部から引き込まれた液体供給経路7及びCDA供給経路8が接続されている。2流体スプレーノズル6は、液体材料貯留タンク5から液体供給経路7を通じて供給される液体材料と、外部からCDA供給経路8を通じて供給される乾燥空気CDA:CleanDryAirとを混合することによってミストを生成する。乾燥空気は、図示しないCDA供給源から供給される。吹付部内壁9は、2流体スプレーノズル6から噴出されたミストの流れを整流化するために設けられている。この整流化は、2流体スプレーノズル6によるミスト噴霧によって吹付部4の内部に発生する負圧に起因する乱流の発生を抑制することを目的としている。なお、本実施形態では、直線状に並んだ2流体スプレーノズル6を全体として吹付部内壁9によって覆っているが、2流体スプレーノズル6を個々に覆う構造であってもよい。ミストCVD成膜装置による成膜続いて、ミストCVD成膜装置100による成膜の手順を説明する。成膜動作の概要まず、載置台1上に載せられた基板101は、加熱炉2の内部へと搬送されて行き、搬送中に所定の基板表面温度に到達するまで加熱される。その後、基板101が吹付部4の直下に達するとき、2流体スプレーノズル6による液体材料の噴霧が開始される。このとき、2流体スプレーノズル6で生成されたミストは、基板101に吹き付けられて焼成されることによって薄膜の生成に寄与することになる。その後、基板101が吹付部4の直下から出るときに、液体材料の噴霧が停止される。さらに、基板101は、加熱炉2の出口まで搬送されて、成膜動作が終了する。異物付着及びその影響ミストCVD成膜装置100によって基板101への薄膜成膜を行っていると、成膜回数を重ねるうちに、成膜された基板101への異物の付着が発生する。これは、液体材料の固形分が析出したもの及びその中間生成物であることが分かっている。2流体スプレーノズル6によって噴霧されたミストは、その一部が基板101の表面に到達し、上記のように薄膜の生成に寄与する一方、残りの大部分が排気と共に外部に排出される。しかしながら、外部に排出されなかった一部のミストは、2流体スプレーノズル6の吹出口となる先端部6aの周辺及び吹付部内壁9に付着して堆積する。その堆積物が成膜中に基板101の表面へ落下すると、前述の様な異物付着を引き起こすことになる。具体的には、ミストとして基板101へ噴霧する液体材料の量が40L程度に達したあたりから、成膜済みの基板101の表面に細かなパーティクルが確認できる様になり、その大きさと個数とがその後増加を続ける。基板101の表面にパーティクルが付着することは、膜質低下に繋がるので、回避すべき現象である。従来、パーティクル付着の現象が起こるまでを装置の連続使用可能期間としており、液体材料の量が40Lに達したら、吹付部の分解、洗浄、再組立等のメンテナンス作業を行って再度装置を動作させるという作業を行っていた。吹付部スプレーノズルの分解、洗浄、再組立等のメンテナンス作業には、当然ながら作業時間が必要となる。また、成膜時には、高温に曝されている吹付部の温度が作業可能な温度まで下がるまでの待機時間、及び作業後に再度温度を上昇させる時間が必要となり、装置のダウンタイムが長くなる原因となっている。また、2流体スプレーノズル6の先端部6aの周辺に堆積物が付着することは、パーティクルの発生に加えて2流体スプレーノズル6のミスト化性能の低下や劣化を引き起こす原因ともなる。ミスト化性能の低下や劣化としては、具体的には、ミスト化する液体材料の減少、CDA噴出量の低下、生成するミストの粒子径の変化等が挙げられる。これらの理由からも、ミストCVD成膜装置100において、2流体スプレーノズル6における先端部6aと、その周辺との洗浄が重要であると言える。流路の切り換え本実施形態では、制御部15の制御によって、次のように、液体供給経路7への液体材料貯留タンク5又は洗浄液貯留タンク10の接続を切り換える。通常の成膜時には、2流体スプレーノズル6へ繋がる液体供給経路7を、液体材料貯留タンク5へ繋がる第一流路12に接続する。一方、成膜時に液体材料の量が40Lに達した時点で、液体供給経路7を洗浄液貯留タンク10へ繋がる第二流路13に接続する洗浄液導入工程。この切り換えの後、2流体スプレーノズル6に導入された洗浄液は、2流体スプレーノズル6によってCDAと混合されることで霧化されて噴出される霧化工程。およそ2Lの洗浄液噴霧を続けることによって、2流体スプレーノズル6の先端部6aの周辺及び吹付部内壁9に付着した堆積物は、溶解して落下することで除去されることになる。また、液体供給経路7に洗浄液が流れることによって、液体供給経路7の内部が洗浄される。この洗浄液噴霧の後に、再度、液体供給経路7が第一流路12に接続されると、液体供給経路7へ液体材料が流れ込む。これにより、再び、2流体スプレーノズル6によって液体材料を噴霧することができる。上記の切り換え制御のため、液体材料貯留タンク5には、1回の成膜時に排出される液体材料の量を検出する第一センサが設けられる一方、洗浄液貯留タンク10には、1回の洗浄時に排出される洗浄液の量を検出する第二センサが設けられている。制御部15は、第一センサが検出する液体材料の量が40Lに達すると、液体供給経路7を第一流路12に接続し、第二センサが検出する洗浄液の量が2Lに達すると、液体供給経路7を第二流路13に接続するように、上記の切り換え制御を行う。このような動作を実際にミストCVD成膜装置100で実行したところ、2流体スプレーノズル6の先端部6aの周辺及び吹付部内壁9に付着した堆積物は減少した。その結果、洗浄後に通常の成膜を行うと、基板101の成膜面へのパーティクル付着は確認されなかった。この手法による洗浄を行うことによって、吹付部4及び2流体スプレーノズル6の分解洗浄が必要となる液体材料の使用量を40L程度から150L程度まで拡大することができた。この様に、本実施形態によるミストCVD成膜装置100の内部洗浄方法によれば、吹付部4及び2流体スプレーノズル6を分解洗浄する頻度を従来の1/4程度に軽減することができる。したがって、ミストCVD成膜装置100の稼働時間の増加、及び薄膜の生産性の向上を図ることができる。変形例続いて、本実施形態の変形例について説明する。図1に示すように、本実施形態の変形例に係るミストCVD成膜装置100は、排液ポンプ17、排液流路18及び排液タンク19を備えていてもよい。排液ポンプ17は、液体供給経路7から供給される洗浄液を強制的に排出するポンプである。この排液ポンプ17は、吹付部4の洗浄時に動作するように制御部15によって制御される。排液流路18は、排液ポンプ17から排出される洗浄液を吹付部4に導いて吐出する流路である。この排液流路18は、洗浄対象領域となる2流体スプレーノズル6の先端部6a及び吹付部内壁9に吐出口を向けるように配置されている。これにより、洗浄液を先端部6a及び吹付部内壁9に吐出することができる。排液タンク19は、排液流路18によって先端部6a及び吹付部内壁9に吐出された洗浄液を回収するためのタンクである。この排液タンク19は、吹付部4及び搬送機構3の下方に配置されている。上記の構成では、洗浄時に、排液ポンプ17によって、液体供給経路7から供給される洗浄液が、排液流路18を通じて吹付部4へ強制的に排出される。洗浄液は、2流体スプレーノズル6によって噴霧されるのではなく、排液流路18から先端部6a及び吹付部内壁9へ直接吐出される。このようにして洗浄に供された洗浄液は、メッシュベルト3aを通過して排液タンク19に廃液として回収される。これにより、洗浄液が大量かつ短時間で吹付部4へ供給されるとともに、先端部6a及び吹付部内壁9の洗浄を排液流路18から吐出される洗浄液によって強力に行うことができる。したがって、洗浄をより効率的かつ効果的に行うことができる。また、成膜から洗浄への移行時に、液体供給経路7に残留している液体材料を排液ポンプ17によって強制的に排出することができる。これにより、洗浄への移行を素早く行うことができる。したがって、洗浄をより効率的に行うことができる。なお、上記の変形例は、後述する実施形態2にも適用が可能であることは勿論である。[実施形態2]本発明に係る他の実施形態について、図1及び図3を参照して以下に説明する。本発明を実施するための他の形態として、2流体スプレーノズルを用いたミストCVD成膜装置による成膜を例に説明する。ミストCVD成膜装置の構成図1は、本実施形態に係るミストCVD成膜装置の構成を示す側面図である。図3は、当該ミストCVD成膜装置における吹付部の内部構造を示す斜視図である。なお、本実施形態において、前述の実施形態1における構成要素と同等の機能を有する構成要素については、同一の符号を付記してその説明を省略する。図1に示す様に、ミストCVD成膜装置100は、加熱炉2、搬送機構3、液体材料貯留タンク5、液体供給経路7、洗浄液貯留タンク10、第一流路12、第二流路13、流路切換機構14、制御部15及び吹付部21を備える。図3に示す様に、吹付部21は、前述の吹付部4に、さらに2つの洗浄用2流体スプレーノズル11が加えられた構成である。洗浄用2流体スプレーノズル11洗浄用霧化器は、通常の成膜時において液体材料及びCDAのどちらの噴出も行わずに、洗浄時にのみ使用される2流体スプレーノズルである。この洗浄用2流体スプレーノズル11は、2流体スプレーノズル6と同様に一直線上に並び、2流体スプレーノズル6から成る列の両端に配置されている。また、洗浄用2流体スプレーノズル11は、その先端部11a噴出部が洗浄対象領域となる吹付部4の両端の内壁吹付部内壁9に向かって噴霧する様に設置されている。洗浄用2流体スプレーノズル11が洗浄時のみ洗浄液を噴霧するように、液体供給経路7から洗浄用2流体スプレーノズル11に至る流路には、洗浄時に開き成膜時に閉じる開閉弁図示せずが設けられている。この開閉弁の開閉の制御は、制御部15によって行われる。なお、洗浄用2流体スプレーノズル11は、本実施形態では、成膜用の2流体スプレーノズル6と同一機種のBIMV8002Sによって構成されるが、他の機種によって構成されてもよい。また、洗浄用2流体スプレーノズル11の個数及び設置個所やその向きは、上記の例に限定されるものでなく、洗浄を重点的に行う箇所に応じて決定される。ミストCVD成膜装置による洗浄洗浄用2流体スプレーノズルを用いた洗浄上記のように構成されるミストCVD成膜装置100による成膜の手順は、実施形態1のミストCVD成膜装置100による成膜手順と同様である。したがって、本実施形態ではその説明を省略する。ここでは、実施形態1と異なるミストCVD成膜装置100による洗浄の手順について説明する。本実施形態のミストCVD成膜装置100においては、基板101へ噴霧する液体材料の量が40L程度に達した段階で、まず実施形態1のミストCVD成膜装置100と同様に、液体供給経路7への接続が、第一流路12から第二流路13へと切り換えられる。これにより、液体供給経路7が洗浄液貯留タンク10に繋がるので、吹付部4へ洗浄液が供給される。ここで用いられる洗浄液も、実施形態1で用いられる洗浄液と同様、体積濃度5程度の希塩酸である。次に、液体供給経路7を通じて供給された洗浄液を用いて、2流体スプレーノズル6と共に洗浄用2流体スプレーノズル11によるミスト噴霧を開始する。これにより、2流体スプレーノズル6によって、実施形態1のミストCVD成膜装置100と同様の洗浄が行われるだけでなく、洗浄用2流体スプレーノズル11による洗浄も併せて行われる。ここでも、合計2L程度の洗浄液を噴霧して、2流体スプレーノズル6の先端部6aの周辺や吹付部内壁9が洗浄される。上記の洗浄後に成膜を続ける場合には、実施形態1と同様、液体供給経路7への接続が、第二流路13から第一流路12へと切り換えられる。これにより、液体材料が液体供給経路7を通じて吹付部4に供給される。上記のように、本実施形態のミストCVD成膜装置100は、洗浄用2流体スプレーノズル11を洗浄に用いている。これにより、実施形態1のミストCVD成膜装置100に比べて短時間で多くの洗浄液をより広い範囲に噴霧することが可能である。したがって、より効率的かつ効果的に吹付部4の内部の洗浄を行うことができる。吹付部の分解洗浄続いて、吹付部4及び2流体スプレーノズル6の分解洗浄について説明する。吹付部4及び2流体スプレーノズル6の分解洗浄を行うには、吹付部4をミストCVD成膜装置100から取り外して分解することが必要である。それには、前述の様に、吹付部4の温度が十分に低下していなければならず、その温度低下に5時間程度の時間を必要とする。本実施形態では、吹付部4の温度の低下を早めるために、前述の塩酸での洗浄の終了後に純水での洗浄を行う。このため、洗浄液貯留タンク10としては、塩酸の貯留された洗浄液貯留タンク10と純水が貯留された洗浄液貯留タンク10とを個別に用意しておく。そして、洗浄液を塩酸から純水に切り換えるときに、2つの洗浄液貯留タンク10を交換してもよいし、2つの洗浄液貯留タンク10から洗浄液を排出する流路と第二流路13との接続を切り換えてもよい。洗浄すべき堆積物は、純水によっても溶解するので、純水による洗浄が可能であるが、実施形態1で述べた様なゲル化の問題があるため、第一の洗浄液としては酸性を示す塩酸を用いらざるを得ない。また、第二の洗浄液としても同様に塩酸を使用することが可能ではある。しかしながら、塩酸の気化によって塩化水素ガスが多量に発生するので、第二の洗浄液として塩酸を使用することは避けるべきである。よって、ゲル化の問題を回避するために第一の洗浄液としては希塩酸を用い、液体供給経路7の内部が希塩酸に十分に入れ替わった後に第二の洗浄液である純水によって再洗浄し、吹付部4の温度低下に要する時間を短縮することが合理的であると言える。なお、上記の洗浄には、2種類の第一及び第二の洗浄液を用いているが、必要に応じて、これ以外の洗浄液を用いてもよい。この場合、追加される洗浄液のための洗浄液貯留タンク10を用意する必要がある。塩酸による洗浄後、再度、2流体スプレーノズル6と共に洗浄用2流体スプレーノズル11による純水のミスト噴霧を行うことによって、純水が吹付部4の吹付部内壁9等に吹き付けられることになる。この純水での洗浄によって、先の洗浄に用いた塩酸が洗い流されるので、作業者による次工程の安全性を確保できると共に、噴霧された純水の気化熱によって吹付部4の熱が奪われるので、吹付部4の温度降下に必要な時間を短縮できる。本実施形態のミストCVD成膜装置100において、実際に、2流体スプレーノズル6及び洗浄用2流体スプレーノズル11によって純水を噴霧したところ、これまで温度降下に必要とされた5時間の待機時間を3時間にまで短縮することができた。この様に、少なくとも2種類の洗浄液を用いた本実施形態のミストCVD成膜装置100の内部洗浄方法によれば、吹付部4及び2流体スプレーノズル6を分解洗浄する頻度を従来の1/4程度に軽減できることになる。また、吹付部4の温度降下に要する時間が短縮されることから、ミストCVD成膜装置100の稼働時間の増加、及び薄膜の生産性の向上を図ることができる。なお、上記の2種類の洗浄液を用いる洗浄方法は、前述の実施形態1のミストCVD成膜装置100にも適用できることは勿論である。[付記事項]本発明は、上述した実施形態1,2に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。また、前述の実施形態1,2では、本発明をミストCVD成膜装置100に適用した例について説明した。ただし、本発明は、ミストCVD成膜装置100には限定されず、2流体スプレーノズル6のような霧化器を用いて液体材料を霧化することで基板に塗布する液体材料塗布であれば、スプレーCVD成膜装置等の装置であっても適用できることは勿論である。"