"一対の電極間に、有機化合物を含む層を有する発光素子であって、前記有機化合物を含む層は、蛍光発光性を有する発光中心材料からなる単分子層と、キャリア輸送性有し、前記発光中心材料のバンドギャップより大きいバンドギャップを有するホスト材料からなる単分子層とを少なくとも有し、前記ホスト材料からなる単分子層の一と前記発光中心材料からなる単分子層の一は、一方の面が接している発光素子。一対の電極間に、有機化合物を含む層を有する発光素子であって、前記有機化合物を含む層は、りん光発光性を有する発光中心材料からなる単分子層と、キャリア輸送性有し、前記発光中心材料の三重項エネルギーより大きい三重項エネルギーを有するホスト材料からなる単分子層とを少なくとも有し、前記ホスト材料からなる単分子層の一と前記発光中心材料からなる単分子層の一は、一方の面が接している発光素子。請求項1または請求項2において、前記ホスト材料の励起エネルギー供与に携わる骨格と、前記発光中心材料の励起エネルギー受容に携わる骨格が近接している発光素子。請求項1または請求項2において、前記ホスト材料のキャリア供与に携わる骨格と、前記発光中心材料のキャリア受容に携わる骨格が近接している発光素子。請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、前記発光素子は、一対の電極間にさらにホール輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料からなる層を有し、前記ホスト材料の単分子層が、前記発光中心材料の単分子層と共有する界面と異なる界面を前記複合材料からなる層と共有する発光素子。請求項1及至4において、前記複合材料からなる層と、前記発光中心材料の単分子層と、前記ホスト材料の単分子層からなる積層体が複数積層する発光素子。請求項6において、前記複数積層された前記積層体の総膜厚が30nm以上200nm以下である発光素子。請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の発光素子と、前記発光素子を制御する制御回路とを備えた発光装置。請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の発光素子と、前記発光素子を制御する制御回路とを備えた照明装置。請求項8に記載の発光装置を備えた電子機器。請求項9に記載の照明装置を備えた電子機器。内部量子効率が低下する原因の一つとして、励起エネルギーの失活が挙げられる。ホストで再結合したキャリアのエネルギーを有効にゲストに伝えられず、失活してしまうと、大きなエネルギーのロスにつながり、内部量子効率が低下してしまう。そこで、本発明では、ホストからゲストへのエネルギー移動が良好な、発光効率の高い発光素子を提供することを課題とする。また、キャリアのつきぬけも内部量子効率の低下の大きな原因となる。キャリアのつきぬけとは、キャリアが再結合せず発光層を通り抜けてしまうことを言う。再結合せずに発光層を通過してしまったキャリアは発光に寄与しないため、無駄な電流として流れてしまう。しかし、それを防ぐためにキャリアブロック層を用いると、駆動電圧が上がってしまうなどの不都合が生じてしまう。そこで、本発明では、キャリアのつきぬけを有効に抑制でき、もしくは、ホストからゲストへのキャリア移動が良好な、発光効率の良好な発光素子を提供することを課題とする。また、本発明では、消費電力の小さい発光装置、又は照明装置を提供することを課題とする。また、本発明では、消費電力の小さい電子機器を提供することを課題とする。なお、本発明では上記課題のいずれか一を解決すれば良い。上記課題を鑑み、本発明者は、通常のホスト-ゲスト型発光層においてはホスト中にゲストが散逸的に分散していることから、エネルギー移動のロスがおきてしまっていることを見出した。そこで、本発明の一態様は一対の電極間に、蛍光発光性を有する発光中心材料からなる単分子層と、キャリア電子または正孔輸送性有し且つ前記発光中心材料のバンドギャップなおバンドギャップとは、HOMO準位とLUMO準位の差のエネルギーを示すより大きいバンドギャップを有するホスト材料からなる単分子層とを少なくとも有し、前記ホスト材料からなる単分子層と前記発光中心材料からなる単分子層は、一方の面が接している発光素子である。また、本発明の他の一態様は、一対の電極間に、りん光発光性を有する発光中心材料からなる単分子層と、キャリア輸送性有し且つ前記発光中心材料の三重項エネルギーより大きい三重項エネルギーを有するホスト材料からなる単分子層とを少なくとも有し、前記ホスト材料からなる単分子層と前記発光中心材料からなる単分子層は、一方の面が接している発光素子である。また、本発明者は、ホストにおいて再結合した励起エネルギーがさらに有効にゲストに移行する構造とすることで、内部量子効率の向上が実現することを見出した。すなわち、本発明の一態様は、上記構成を有する発光素子において、ホスト材料の励起エネルギー供与に携わる骨格と、発光中心材料の励起エネルギー受容に携わる骨格が近接している発光素子である。また、上記ホスト材料の単分子層と上記ゲスト材料の単分子層にキャリアを注入しやすくする構造は有効である。すなわち、本発明の他の一態様は、上記構成を有する発光素子において、一対の電極間にさらにホール輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料からなる層を有し、ホスト材料の単分子層が、発光中心材料の単分子層と共有する面と異なる界面において複合材料からなる層と接している発光素子である。また、上記ホスト材料の単分子層と上記ゲスト材料の単分子層が複数層形成されることによって、キャリアの漏れを低減することが可能となる。なお、複合材料からなる層をさらに有することによって、積層したことによる駆動電圧の上昇を抑えることができる。すなわち、本発明の他の一態様は、上記構成を有する発光素子において、複合材料からなる層と、発光中心材料の単分子層と、ホスト材料の単分子層からなる積層体が複数積層する発光素子である。上述のような発光素子はいずれも発光効率の高い発光素子であるため、上記構成を有する発光素子を備えた発光装置又は照明装置は消費電力の小さい発光装置又は照明装置である。よって、本発明の他の一態様は、上述した発光素子と、発光素子の発光を制御する制御回路とを有する発光装置又は照明装置である。なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源照明装置を含むを含む。また、発光素子が形成されたパネルにコネクター、例えばFPCFlexibleprintedcircuitもしくはTABTapeAutomatedBondingテープもしくはTCPTapeCarrierPackageが取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にCOGChipOnGlass方式によりIC集積回路が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。また、本発明の発光素子を表示部に用いた電子機器も本発明の範疇に含めるものとする。したがって、本発明の電子機器は、表示部又は照明部を有し、表示部又は照明部は、上述した発光素子と発光素子の発光を制御する制御回路とを備える。本発明の発光素子は、高い発光効率を示す発光素子である。また、本発明の発光装置又は照明装置は消費電力の小さい発光装置又は照明装置である。また、本発明の電子機器は消費電力の小さい電子機器である。以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1本発明者は、有機化合物を発光中心物質とする電流励起型の発光素子において、内部量子効率に影響を与える因子として、ホストで再結合したキャリアによるホストの励起エネルギーのゲストへの移動があると考えた。ホスト-ゲスト型の発光層を有する発光素子においては、母体となるホスト材料の中に、発光中心物質であるゲストが分散している構造をとる。そのため、ホストで再結合したキャリアのエネルギーの一部は、ゲストに移動する前に失活してしまっており、内部量子効率の低下につながっていた。また、ホスト材料の中にゲストが分散している構造をとる場合、ホスト材料に注入されたキャリアが、ゲストで再結合されないまま、隣接する層へ一部突き抜けてしまっていると考えた。ここで、本実施の形態で説明する発光素子においては、発光層内において、すべてのホスト分子に接して発光中心材料であるゲスト分子が存在している。このような構成を有する発光素子では、ホスト分子に注入されたキャリアや、ホスト分子上で生成した励起エネルギーは、発光中心材料に有効に移動することができる。すなわち、ホスト材料の単分子層と発光中心材料の単分子層が重なっていれば、言い換えるとホスト材料の単分子層と、発光中心材料の単分子層がおのおの一方の面が接していれば、上述のように有効にホストの励起エネルギーを発光中心材料に有効に移動でき、内部量子効率を高め、発光効率の高い発光素子を得ることにつながる。この際、ホスト材料の励起エネルギーを受け渡す機能を担う骨格発光団と、発光中心材料の励起エネルギーを受け取る機能を担う骨格発色団とが近接していることが、よりスムーズに励起エネルギーの授受を行うことができるようになるため好ましい構成である。また、ホスト材料のキャリアを受け渡す機能を担う骨格と、発光中心材料のキャリアを受け取る機能を担う骨格とが近接していることが、よりスムーズに励起エネルギーの授受を行うことができるようになるため好ましい構成である。このような配置を取ることができるホスト材料と発光中心材料との組み合わせとしては、ホスト材料の骨格の一部と、発光中心材料の骨格の一部が類似若しくは共通している材料の組み合わせが挙げられる。例えば、平面状の縮合環からなる骨格を共通して有するホスト材料と発光中心材料とは、成膜した際に当該縮合環部分が近接して成膜されやすい。そして、当該縮合環部分を介してキャリアや励起エネルギーの授受を効率的に行うことができる。また、複素環骨格を共通して有するホスト材料と発光中心材料とは、同様に、ホスト材料と発光中心材料との複素環骨格部分が近接して成膜されやすく、当該複素環骨格部分を介してキャリアや励起エネルギーの授受を効率的に行うことが可能となる。また、キノキサリン骨格など、窒素原子を2個有するホスト材料と、窒素原子2個を有する分子を配位子として有するイリジウム錯体なども、窒素原子を2個有する複素環骨格を有する点で類似しており、当該類似する部分において近接して成膜されやすくなり、当該部分を介してホスト材料から発光中心材料へのキャリアや励起エネルギーの授受が効率的に行うことが可能となる。ホスト材料から発光中心材料への励起エネルギーの授受を効率的に行う他の方法として、ホスト材料の発光の遷移双極子モーメントの向きと、発光中心材料の電子遷移の遷移双極子モーメントの向きとをなるべく一致させる方法もある。遷移双極子モーメントとは、2つの状態間を遷移するときの電荷の偏りの変化分である。なお、これら遷移双極子モーメントは、時間依存密度汎関数法によって求めることができる。以上のような構成を有する発光素子について、図面を参照しながら説明する。図1Aは、ホスト材料300の単分子層と発光中心材料301の単分子層が一方の面を接して積層している様子を表した概念図である。本実施の形態で説明する発光素子は、このような積層体を発光層内に有する発光素子である。ホスト材料と発光中心材料とが接しており、且つ発光中心材料が分散的に存在するのではなく、膜状に存在することから、ホスト材料上で再結合したキャリアや励起エネルギーを有効に発光中心材料に移動させることができ、内部量子効率が向上する。このような単分子層は、当該単分子層を作製する表面を、ホスト材料または発光中心材料の蒸着源に対して、相対的に適切なスピードで移動させることによって当該材料の単分子層を成膜することができる。積層構造を作製するためには、一方の単分子層を上述の方法にて成膜したのち、異なる材料においても同様に成膜を行えばよい。また、自己組織化単分子層SAM膜、LB膜Langmuir-Blodgett膜など、既存の方法で形成すればよい。また上記ホスト材料の単分子層と発光中心材料の単分子層は、交互に繰り返して積層し、積層体を形成するのが好ましい。この際、隣り合う一組のホスト材料の単分子層と発光中心材料の単分子層は一つの界面を同一とする。積層体を形成する場合、積層体内部に存在する発光中心材料のn番目の単分子層に注目した場合、一方の界面はホスト材料のn番目の単分子層と共有し、他方の界面はホスト材料のn1番目の単分子層と共有する。また、同様にホスト材料のn1番目の単分子層に注目すると、一方の界面は発光中心材料のn番目の単分子層と共有し、他方の界面は発光中心材料のn1番目の単分子層と共有する。これら積層体の総膜厚は、30nm以上200nm以下であることが好ましい。これは、30nm以上であるとキャリアバランスがとりやすいためであり、200nm以下であると発光素子として適切な駆動電圧が維持しやすいためである。また、上記単分子層は、超格子構造をとっていることがさらに好ましい。図1Bにおけるホスト材料300において、Tと付されている部分は、ホスト材料におけるキャリアや励起エネルギーの供与に寄与する骨格を表している。HRが付されている部分は、その他の機能を担う骨格であり、例えば、キャリアや励起エネルギーを受け取る部分などが相当するが、特に制限はなく、TとHRが同一の骨格である場合もありうる。同様に、発光中心材料301において、GRと付されている部分は、発光中心材料におけるキャリアや励起エネルギーの受容に寄与する骨格を表している。Eが付されている部分は、その他の機能を担う骨格であり、例えば発光を担う骨格などが相当するが、特に制限はなく、GRとEが同一の骨格である場合もありうる。図1Bのようにホスト材料のキャリアや励起エネルギーの供与を担う骨格HRと、発光中心材料のキャリアや励起エネルギーの受容を担う骨格GRとが近接して成膜されている構造を発光層内に有する発光素子は、より効率的に、ホスト材料上で再結合したキャリアや励起エネルギーを発光中心材料に移動させることができ、内部量子効率の向上、ひいては発光素子の発光効率の向上を実現することができる。このような配置を取ることができるホスト材料と発光中心材料との組み合わせとしては、ホスト材料の骨格の一部と、発光中心材料の骨格の一部が類似若しくは共通している材料の組み合わせが挙げられる。例えば、平面状の縮合環からなる骨格を共通して有するホスト材料と発光中心材料とは、成膜した際に当該縮合環部分が近接して成膜されやすいと考えられる。そして、当該縮合環部分を介してキャリアや励起エネルギーの授受を効率的に行うことができる。このような平面状の縮合環からなる骨格の例としては、例えば、アントラセン骨格やピレン骨格、トリフェニレン骨格などが挙げられる。また、複素環骨格を共通して有するホスト材料と発光中心材料とは、同様に、ホスト材料と発光中心材料との複素環骨格部分が近接して成膜されやすいと考えられ、当該複素環骨格部分を介してキャリアや励起エネルギーの授受を効率的に行うことが可能となる。また、キノキサリン骨格など、窒素原子を2個有するホスト材料と、窒素原子2個を有する分子を配位子として有するイリジウム錯体なども、窒素原子を2個有する複素環骨格を有する点で類似しており、当該類似する部分において近接して成膜されやすいと考えられ、当該部分を介してホスト材料から発光中心材料へのキャリアや励起エネルギーの授受が効率的に行うことが可能となる。また、ホスト材料から、発光中心材料へキャリアの移動が容易となるように、ホストとゲストの縮合環や複素環の平面の向きをなるべく同一になるようにπ共役の向きが同じとなるように設計することが好ましい。またこの場合、該縮合環や複素環は、その分子中で、最も励起準位が低い置換基であることが好ましい。ただし、ゲストの縮合環が他の縮合環あるいはゲストの複素環と他の複素環と平面同士で重なった状態スタッキングした状態で励起した場合、他の分子とエキサイプレックスを形成してしまう恐れがある。その場合、本来のゲスト材料の励起エネルギーよりもより安定な準位の励起子を形成してしまい、本来のゲスト材料の発光スペクトルよりも長波長の発光が得られる可能性がある。そのため、ゲスト材料のみからの発光を得たい場合は、スタッキングしないように当該縮合環同士は近接しても重ならないように設計することが好ましい。そのためには、これら縮合環に適当な置換基を導入すれば良い。このようなホスト材料と発光中心材料の積層体は図1Aで説明した方法と同様に作製することができる。図1Cは、ホスト材料300の単分子層と発光中心材料301の単分子層からなる積層体に、当該積層体へのキャリアの注入性を向上させるために、ホール輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料302からなる層をさらに設けた構成である。このような構成とすることによって、積層体へのキャリアの注入がスムーズとなり、発光素子の駆動電圧の低減に寄与する。なお、本明細書中において、複合材料とは、単に2つの材料を混合させた材料のことを指すのではなく、複数の材料を混合することによって材料間での電荷の授受が行われ得る状態になることを言う。この電荷の授受は、電界の補助的効果がある場合にのみ実現される場合も含むこととする。複合材料に用いられるアクセプター性物質としては、7,7,8,8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン略称:F4-TCNQ、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため、好ましい材料である。複合材料に用いるホール輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール化合物、芳香族炭化水素、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等など、種々の有機化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、ホール輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、10-6cm2/Vs以上のホール移動度を有する物質であることが好ましい。ただし、電子よりもホールの輸送性が高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料におけるホール輸送性の高い物質として用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。例えば、芳香族アミン化合物としては、N,N’-ジp-トリル-N,N’-ジフェニル-p-フェニレンジアミン略称:DTDPPA、4,4’-ビス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DPAB、N,N’-ビス[4-[ビス3-メチルフェニルアミノ]フェニル]-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:DNTPD、1,3,5-トリス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ベンゼン略称:DPA3B等を挙げることができる。複合材料に用いることのできるカルバゾール化合物としては、具体的には、3-[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA1、3,6-ビス[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA2、3-[N-1-ナフチル-N-9-フェニルカルバゾール-3-イルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCN1等を挙げることができる。また、複合材料に用いることのできるカルバゾール化合物としては、他に、4,4’-ジN-カルバゾリルビフェニル略称:CBP、1,3,5-トリス[4-N-カルバゾリルフェニル]ベンゼン略称:TCPB、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPA、1,4-ビス[4-N-カルバゾリルフェニル]-2,3,5,6-テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。また、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、2-tert-ブチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、2-tert-ブチル-9,10-ビス4-フェニルフェニルアントラセン略称:t-BuDBA、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、2-tert-ブチルアントラセン略称:t-BuAnth、9,10-ビス4-メチル-1-ナフチルアントラセン略称:DMNA、2-tert-ブチル-9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]アントラセン、9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]アントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン、9,9’-ビアントリル、10,10’-ジフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス2-フェニルフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス[2,3,4,5,6-ペンタフェニルフェニル]-9,9’-ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11-テトラtert-ブチルペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、1×10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有し、炭素数14~42である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。なお、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、4,4’-ビス2,2-ジフェニルビニルビフェニル略称:DPVBi、9,10-ビス[4-2,2-ジフェニルビニルフェニル]アントラセン略称:DPVPA等が挙げられる。また、ポリN-ビニルカルバゾール略称:PVKやポリ4-ビニルトリフェニルアミン略称:PVTPA、ポリ[N-4-{N’-[4-4-ジフェニルアミノフェニル]フェニル-N’-フェニルアミノ}フェニルメタクリルアミド]略称:PTPDMA、ポリ[N,N’-ビス4-ブチルフェニル-N,N’-ビスフェニルベンジジン]略称:Poly-TPD等の高分子化合物を用いることもできる。図2は、図1Cの複合材料302、ホスト材料300及び発光中心材料301の積層体を複数積層した構造である。この様に複数積層することによって、一つの積層体でトラップしきれなかったキャリアも、次の積層体によりトラップすることが可能となるため、発光層を突き抜けるキャリアを大幅に低減することができる。これにより、無駄に流れる電流を抑制することができ、内部発光効率の向上につながる。積層体を形成する場合、複合材料よりなる層、ホスト材料の単分子層及び発光中心材料の単分子層がこの順に積層した一組の積層体が繰り返し積層されることになる。この際n番目の積層体の発光中心材料の単分子層とn1番目の積層体の複合材料の層とが界面を共有する。なお、n番目の積層体とn1番目の積層体との間にキャリア輸送性を有する材料からなる層たとえばホスト材料の層を一層挟んでもかまわない。なお、このような積層体を複数形成することによって、駆動電圧の上昇が懸念されるが、複合材料302からなる層が存在することによって、余分な駆動電圧の上昇なく、積層体を複数形成することができるようになる。これら積層体の総膜厚は、30nm以上200nm以下であることが好ましい。これは、30nm以上であるとキャリアバランスがとりやすいためであり、200nm以下であると発光素子として適切な駆動電圧が維持しやすいためである。以上のような構成を有する発光素子は、内部量子効率が高く、発光効率の高い発光素子とすることが可能である。実施の形態2本実施の形態では、ホスト材料に9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPA、発光中心材料にN,N,N’,N’-テトラフェニルピレン-1,6-ジアミン略称:1,6DPhAPrnを用いたとき、CzPAが発光した光を1,6DPhAPrnが吸収しやすい配向を量子化学計算により解析した。各材料の分子構造を下記構造式に示す。計算では、分子の構造最適化を実施後、ホスト材料の発光の遷移双極子モーメントと発光中心材料の吸収の遷移双極子モーメントを解析した。さらに、遷移に関与する分子軌道を解析した。構造最適化計算には、Gauss基底を用いた密度汎関数法DFTを用いた。また、遷移双極子モーメントの計算には時間依存密度汎関数法TDDFTを用いた。DFTでは、交換相関相互作用を電子密度で表現された一電子ポテンシャルの汎関数関数の関数の意で近似しているため、計算は高速である。ここでは、混合汎関数であるB3LYPを用いて、交換と相関エネルギーに係る各パラメータの重みを規定した。また、基底関数として、6-311Gそれぞれの原子価軌道に三つの短縮関数を用いたtriplesplitvalence基底系の基底関数を全ての原子に適用した。上述の基底関数により、例えば、水素原子であれば、1s~3sの軌道が考慮され、また、窒素原子であれば、1s~4s、2p~4pの軌道が考慮される。さらに、計算精度向上のため、分極基底系として、水素原子にはp関数を、水素原子以外にはd関数を加え、p軌道やd軌道も考慮した計算とした。量子化学計算プログラムとしては、Gaussian09を使用した。計算は、ハイパフォーマンスコンピュータSGI社製、Altix4700を用いて行った。計算によってCzPAの一重項励起状態を解析した。第一励起状態は、最高被占有軌道HOMOと最低空軌道LUMOの間の遷移であった。この遷移に関与した発光の遷移双極子モーメントを図14に示す。遷移双極子モーメントは分子の長軸X軸上に存在し、その向きを図14中の矢印により表記した。CzPAの構造最適化計算により得られた最安定構造における最高被占有軌道HOMOと最低空軌道LUMOを、GaussView5.0.8により可視化して図15に示す。図15Aは、最高被占有軌道HOMOを表すものであり、図15Bは、最低空軌道LUMOを表すものである。図中の球は、CzPAを構成する原子を表しており、原子の周辺に存在する雲状物は、最高被占有軌道HOMOまたは最低空軌道LUMOを表している。図15より、CzPAにおいては最高被占有軌道がアントラセン骨格付近に存在していることが分かり、CzPAのホール輸送性にはアントラセン骨格の寄与が大きいことが判る。また、最低空軌道もアントラセン骨格付近に存在していることから、CzPAの電子輸送性にはアントラセン骨格の寄与が大きいことが判る。続いて、計算によって1,6DPhAPrnの一重項励起状態を解析した。第一励起状態は、最高被占有軌道HOMOと最低空軌道LUMOの間の遷移であった。この遷移に関与した吸収の遷移双極子モーメントを図16に示す。遷移双極子モーメントはピレン基の平面XZ面上に存在し、その向きを図16中の矢印により表記した。また、1,6DPhAPrnの最安定構造における最高被占有軌道HOMOと最低空軌道LUMOを図17に示す。図17Aは、最高被占有軌道HOMOを表し、図17Bは、最低空軌道LUMOを表している。図17より、1,6DPhAPrnにおいては最高被占有軌道がピレニル基やフェニル基付近に存在していることが分かり、1,6DPhAPrnのホール輸送性にはピレニル基やフェニル基の寄与が大きいことが判る。また、最低空軌道がピレニル基付近に存在していることから、1,6DPhAPrnの電子輸送性にはピレニル基の寄与が大きいことが判る。分子の遷移双極子モーメントと光の偏光方向が一致したとき、遷移確率は最大になり、光の吸収または発光が起こる。従って、ホスト材料が発光した光の偏光方向が発光中心材料の吸収の遷移双極子モーメントと一致すれば、光の吸収が起きやすくなり、エネルギー移動の効率が高くなる。仮に図18のように、Y軸方向に発光の遷移双極子モーメントがあるとすると、電子遷移に伴い、光はXZ面内の方向に放出される。その偏光方向は縦偏光であり、Y軸方向には光は放出されない。従って、ホスト材料のCzPAと発光中心材料の1,6DPhAPrnの間でエネルギー移動の効率が高い配向は図19のように、遷移双極子モーメントの向きが平行に揃ったときである。さらに、両分子のキャリア輸送に関わる部位の距離が近いと、キャリア移動度の向上が期待される。以上の計算結果を実施の形態1の発光素子に適用することにより、ホスト材料から発光中心材料へ励起エネルギーの移動が容易な発光素子とすることができる。すなわち、実施の形態1に記載の発光素子は、ホスト材料の発光の遷移双極子モーメントの向きと、発光中心材料の電子遷移の遷移双極子モーメントの向きは、どちらも単分子層に対して平行に近い方が好ましく、平行であることが理想的である。概念図を図20A及びBに示す。300はホスト材料、301は発光中心材料、350はホスト材料の発光の遷移双極子モーメント、351は発光中心材料の吸収の遷移双極子モーメントである。なお、遷移双極子モーメントの向きは矢印の向きに一致する。図20Aのように、単分子層に対してホスト材料、発光中心材料のどちらも遷移双極子モーメントが平行であることが理想的であり、平行であれば、向きは関係ない。図20Bのように単分子層に対して角度をもってくると、ホスト材料の放出した発光が吸収されるための距離が長くなるが、ホスト材料の発光の偏光の向きが一致しているため、図20Aほどではないが、良好な遷移効率を示す。また、発光の遷移双極子モーメントに直交するように光が放出されることから、発光中心材料から放出された光を発光素子より効率よく取り出すために、発光中心材料301の電子遷移の遷移双極子モーメント351の向きは図21のように基板310に対してなるべく平行であることが好ましい。そのことで光取り出し効率を向上させることができ、外部量子効率の向上につながることから、より発光効率の高い発光素子を得ることが可能となる。なお、発光中心材料301と基板310との間には、他のEL層や一方の電極が形成されている。実施の形態3本実施の形態では、実施の形態1で示した構成を有する発光素子の具体的な構成について、図3Aを用いて説明する。本発明の発光素子は、一対の電極間に複数の層を有する。当該複数の層は、電極から離れたところに発光領域が形成されるように、つまり電極から離れた部位でキャリアの再結合が行われるように、キャリア注入性の高い物質やキャリア輸送性の高い物質からなる層を組み合わせて積層されたものである。本形態において、発光素子は、第1の電極102と、第2の電極104と、第1の電極102と第2の電極104との間に設けられたEL層103とから構成されている。なお、本形態では第1の電極102は陽極として機能し、第2の電極104は陰極として機能するものとして、以下、説明をする。つまり、第1の電極102の方が第2の電極104よりも電位が高くなるように、第1の電極102と第2の電極104に電圧を印加したときに、発光が得られるものとして、以下説明をする。基板101は発光素子の支持体として用いられる。基板101としては、例えばガラス、またはプラスチック、金属などを用いることができる。なお、発光素子の支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。なお、発光素子からの発光を、基板を通して外部へ取り出す場合には、基板101は透光性を有する基板であることが好ましい。また、プラスチック基板など、水を通しやすい基板を用いる場合には、当該基板に透湿性の小さい保護膜を成膜してから用いることが好ましい。第1の電極102としては、仕事関数の大きい具体的には4.0eV以上であることが好ましい金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。例えば、酸化インジウム-酸化スズITO:IndiumTinOxide、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム-酸化スズ、酸化インジウム-酸化亜鉛IndiumZincOxide、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムIWZO等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタリング法により成膜されるが、ゾル-ゲル法などを応用して、インクジェット法、スピンコート法などにより作製しても構わない。例えば、酸化インジウム-酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し1~20wtの酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムIWZOは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを0.5~5wt、酸化亜鉛を0.1~1wt含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。この他、金Au、白金Pt、ニッケルNi、タングステンW、クロムCr、モリブデンMo、鉄Fe、コバルトCo、銅Cu、パラジウムPd、チタンTi、グラフェンまたは金属材料の窒化物例えば、窒化チタン等が挙げられる。また、第1の電極102と接する層として、実施の形態1で説明した複合材料を含む層を用いた場合には、第1の電極102として、仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。例えば、アルミニウムAl、銀Ag、アルミニウムを含む合金AlSi等を用いることができる。また、仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウムLiやセシウムCs等のアルカリ金属、およびマグネシウムMg、カルシウムCa、ストロンチウムSr等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金MgAg、AlLi、ユウロピウムEu、イッテルビウムYb等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金の膜は、真空蒸着法を用いて形成することができる。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金はスパッタリング法により形成することも可能である。また、銀ペーストなどをインクジェット法などにより成膜することも可能である。本実施の形態で示すEL層103は、ホール注入層111、ホール輸送層112、発光層113、電子輸送層114、電子注入層115を有している。なお、EL層103は、少なくとも発光層を有していればよく、その他の層の積層構造については特に限定されない。すなわち、EL層103は、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質またはホール輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、ホール注入性の高い物質、バイポーラ性電子及びホールの輸送性の高い物質の物質、発光性の高い物質等を含む層と、実施の形態1で示した構成を有する発光層113を適宜組み合わせて構成すればよい。例えば、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等を適宜組み合わせて構成することができる。各層を構成する材料について以下に具体的に示す。ホール注入層111は、ホール注入性の高い物質を含む層である。ホール注入性の高い物質としては、酸化モリブデンや酸化バナジウム、酸化ルテニウム、酸化タングステン、酸化マンガン等を用いることができる。この他、低分子の有機化合物としては、フタロシアニン略称:H2Pc、銅IIフタロシアニン略称:CuPc、バナジルフタロシアニン略称:VOPc等のフタロシアニン系の化合物、4,4’,4’’-トリスN,N-ジフェニルアミノトリフェニルアミン略称:TDATA、4,4’,4’’-トリス[N-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン略称:MTDATA、4,4’-ビス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DPAB、4,4’-ビスN-{4-[N’-3-メチルフェニル-N’-フェニルアミノ]フェニル}-N-フェニルアミノビフェニル略称:DNTPD、1,3,5-トリス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ベンゼン略称:DPA3B、3-[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA1、3,6-ビス[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA2、3-[N-1-ナフチル-N-9-フェニルカルバゾール-3-イルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCN1等の芳香族アミン化合物等が挙げられる。また、ホール注入層111として、実施の形態1で詳しく説明した複合材料を用いることもできる。当該材料に関する記載は重複となるため、その記載を省略する。実施の形態1の該当する記載を参照されたい。なお、当該複合材料を用いることにより、上述したように電極の仕事関数に依らず電極を形成する材料を選ぶことができる。つまり、第1の電極102として仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料を用いることができる。これらの複合材料は、ホール輸送性の高い物質とアクセプター物質とを共蒸着することにより形成することができる。ホール輸送層112は、ホール輸送性の高い物質を含む層である。ホール輸送性の高い物質としては、低分子の有機化合物としては、NPBまたはα-NPD、TPD、4,4’-ビス[N-9,9-ジメチルフルオレン-2-イル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DFLDPBi、4,4’-ビス[N-スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル-N―フェニルアミノ]ビフェニル略称:BSPB、4,4’,4’’-トリス[N-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン略称:m-MTDATA、N-[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N-フェニル-スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-アミン略称:YGASF、N,N’-ビス[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニルビフェニル-4,4’-ジアミン略称:YGABP、4-9H-カルバゾール-9-イル-2’-フェニルトリフェニルアミン略称:o-YGA1BP、4-9H-カルバゾール-9-イル-3’-フェニルトリフェニルアミン略称:m-YGA1BP、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-フェニルトリフェニルアミン略称:p-YGA1BP、1,3,5-トリN-カルバゾリルベンゼン略称:TCzB、4,4’,4’’-トリスN-カルバゾリルトリフェニルアミン略称:TCTAなどの芳香族アミン化合物を用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上のホール移動度を有する物質である。但し、電子よりもホールの輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、ホール輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。また、ホール輸送層112として、PVK、PVTPA、PTPDMA、Poly-TPDなどの高分子化合物を用いることもできる。発光層113は、発光性の高い物質からなる発光中心材料を含む層であり、種々の材料を用いることができる。例えば、発光中心材料しては、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。発光層に用いることのできる燐光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、ビス[2-4’,6’-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIテトラキス1-ピラゾリルボラート略称:FIr6、ビス[2-4’,6’-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIピコリナート略称:FIrpic、ビス[2-3’,5’ビストリフルオロメチルフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIピコリナート略称:IrCF3ppy2pic、ビス[2-4’,6’-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:FIracacなどが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irppy3、ビス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irppy2acac、ビス1,2-ジフェニル-1H-ベンゾイミダゾラトイリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpbi2acac、ビスベンゾ[h]キノリナトイリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbzq2acacなどが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ビス2,4-ジフェニル-1,3-オキサゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irdpo2acac、ビス[2-4’-パーフルオロフェニルフェニルピリジナト]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irp-PF-ph2acac、ビス2-フェニルベンゾチアゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbt2acacなどが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス2-フェニルキノリナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irpq3、ビス2-フェニルキノリナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpq2acacなどが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス[2-2’-ベンゾ[4,5-α]チエニルピリジナト-N,C3’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbtp2acac、ビス1-フェニルイソキノリナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpiq2acac、アセチルアセトナトビス[2,3-ビス4-フルオロフェニルキノキサリナト]イリジウムIII略称:IrFdpq2acac、2,3,7,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィリン白金II略称:PtOEP等の有機金属錯体が挙げられる。また、トリスアセチルアセトナトモノフェナントロリンテルビウムIII略称:Tbacac3Phen、トリス1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオナトモノフェナントロリンユーロピウムIII略称:EuDBM3Phen、トリス[1-2-テノイル-3,3,3-トリフルオロアセトナト]モノフェナントロリンユーロピウムIII略称:EuTTA3Phen等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光異なる多重度間の電子遷移を呈するため、燐光性化合物として用いることができる。発光層に用いることのできる蛍光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、N,N’-ビス[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N,N’-ジフェニルスチルベン-4,4’-ジアミン略称:YGA2S、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:YGAPA、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-9,10-ジフェニル-2-アントリルトリフェニルアミン略称:2YGAPPA、N,9-ジフェニル-N-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPA、ペリレン、2,5,8,11-テトラ-tert-ブチルペリレン略称:TBP、4-10-フェニル-9-アントリル-4’-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルトリフェニルアミン略称:PCBAPAなどが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCABPhA、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPABPhA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル]-N-[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N-フェニルアントラセン-2-アミン略称:2YGABPhA、N,N,9-トリフェニルアントラセン-9-アミン略称:DPhAPhAなどが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、5,12-ビス1,1’-ビフェニル-4-イル-6,11-ジフェニルテトラセン略称:BPTなどが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルテトラセン-5,11-ジアミン略称:p-mPhTD、7,14-ジフェニル-N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルアセナフト[1,2-a]フルオランテン-3,10-ジアミン略称:p-mPhAFDなどが挙げられる。これら発光中心材料と、ホスト材料とを、実施の形態1に示した構成となるように作製する。ホスト材料としては、各種のものを用いることができ、具体的には、トリス8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウムII略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウムIII略称:BAlq、ビス8-キノリノラト亜鉛II略称:Znq、ビス[2-2-ベンゾオキサゾリルフェノラト]亜鉛II略称:ZnPBO、ビス[2-2-ベンゾチアゾリルフェノラト]亜鉛II略称:ZnBTZなどの金属錯体、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBD、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、2,2’,2’’-1,3,5-ベンゼントリイルトリス1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:TPBI、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCP、9-[4-5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CO11などの複素環化合物、4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:NPBまたはα-NPD、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:TPD、4,4’-ビス[N-スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル-N―フェニルアミノ]-1,1’-ビフェニル略称:BSPBなどの芳香族アミン化合物が挙げられる。また、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ジベンゾ[g,p]クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられ、具体的には、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、N,N-ジフェニル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:CzA1PA、4-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:DPhPA、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:YGAPA、N,9-ジフェニル-N-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPA、N,9-ジフェニル-N-{4-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]フェニル}-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPBA、N,9-ジフェニル-N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPA、6,12-ジメトキシ-5,11-ジフェニルクリセン、N,N,N’,N’,N’’,N’’,N’’’,N’’’-オクタフェニルジベンゾ[g,p]クリセン-2,7,10,15-テトラアミン略称:DBC1、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPA、3,6-ジフェニル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DPCzPA、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、9,9’-ビアントリル略称:BANT、9,9’-スチルベン-3,3’-ジイルジフェナントレン略称:DPNS、9,9’-スチルベン-4,4’-ジイルジフェナントレン略称:DPNS2、3,3’,3’’-ベンゼン-1,3,5-トリイルトリピレン略称:TPB3などを挙げることができる。これら及び公知の物質の中から、発光中心材料よりも最低空軌道準位LUMO準位が高く、最高被占有軌道準位HOMO準位が低い物質を用いることが好ましい。なお、本明細書中において、HOMO準位又はLUMO準位が高いとは、そのエネルギーレベルが大きいことを意味し、HOMO準位又はLUMO準位が低いとは、そのエネルギーレベルが小さいことを意味する。例えば、-5.5eVのHOMO準位を有する物質Aは、-5.2eVのHOMO準位を有する物質BよりHOMO準位が0.3eV低く、-5.7eVのHOMO準位を有する物質CよりHOMO準位が0.2eV高いと言うことができる。このような関係を有するホスト材料及び発光中心材料の中から、より好ましくは、類似の骨格を有する材料を選択することで、実施の形態1に記載したように、励起エネルギーの授受がスムーズに行われることとなり、内部量子効率の高い、発光効率の高い発光素子を作製することが可能となる。電子輸送層114は、電子輸送性の高い物質を含む層である。例えば、低分子の有機化合物として、トリス8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウムII略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウムIII略称:BAlq、ビス8-キノリノラト亜鉛II略称:Znq、ビス[2-2-ベンゾオキサゾリルフェノラト]亜鉛II略称:ZnPBO、ビス[2-2-ベンゾチアゾリルフェノラト]亜鉛II略称:ZnBTZなどの金属錯体を用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBD、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ01、2,2’,2’’-1,3,5-ベンゼントリイルトリス1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:TPBI、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCPなどの複素環化合物も用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。なお、ホールよりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。また、電子輸送層114として、高分子化合物を用いることができる。例えば、ポリ[9,9-ジヘキシルフルオレン-2,7-ジイル-co-ピリジン-3,5-ジイル]略称:PF-Py、ポリ[9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイル-co-2,2’-ビピリジン-6,6’-ジイル]略称:PF-BPyなどを用いることができる。電子注入層115は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入性の高い物質としては、リチウムLi、マグネシウムMg、フッ化リチウムLiF、フッ化セシウムCsF、フッ化カルシウムCaF2等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を用いることができる。例えば、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を含有させたもの、例えばAlq中にマグネシウムMgを含有させたもの等を用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含有させたものを用いることにより、第2の電極104からの電子注入が効率良く行われるためより好ましい。第2の電極104を形成する物質としては、仕事関数の小さい具体的には3.8eV以下であることが好ましい金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウムLiやセシウムCs等のアルカリ金属、およびマグネシウムMg、カルシウムCa、ストロンチウムSr等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金MgAg、AlLi、ユウロピウムEu、イッテルビウムYb等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金の膜は、真空蒸着法を用いて形成することができる。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金はスパッタリング法により形成することも可能である。また、銀ペーストなどをインクジェット法などにより成膜することも可能である。また、第2の電極104と電子輸送層114との間に、電子注入を促す機能を有する層である電子注入層115を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Al、Ag、ITO、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム-酸化スズ等様々な導電性材料を第2の電極104として用いることができる。これら導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することが可能である。EL層の形成方法としては、乾式法、湿式法を問わず、種々の方法を用いることができる。例えば、真空蒸着法、インクジェット法またはスピンコート法など用いても構わない。また各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。実施の形態1に記載の有機半導体材料は良好な昇華性を示すことから、蒸着法により良好な膜を成膜することができる。例えば、高分子化合物を用いて湿式法でEL層を形成してもよい。または、低分子の有機化合物を用いて湿式法で形成することもできる。また、低分子の有機化合物を用いて真空蒸着法などの乾式法を用いてEL層を形成してもよい。また、電極についても、ゾル-ゲル法を用いて湿式法で形成しても良いし、金属材料のペーストを用いて湿式法で形成してもよい。また、スパッタリング法や真空蒸着法などの乾式法を用いて形成しても良い。以上のような構成を有する本発明の発光素子は、第1の電極102と第2の電極104との間に生じた電位差により電流が流れ、EL層103においてホールと電子とが再結合し、発光するものである。発光は、第1の電極102または第2の電極104のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第1の電極102または第2の電極104のいずれか一方または両方は、透光性を有する電極である。例えば、第1の電極102のみが透光性を有する電極である場合、発光は第1の電極102を通って基板側から取り出される。また、第2の電極104のみが透光性を有する電極である場合、発光は第2の電極104を通って基板と逆側から取り出される。第1の電極102および第2の電極104がいずれも透光性を有する電極である場合、発光は第1の電極102および第2の電極104を通って、基板側および基板と逆側の両方から取り出される。なお、第1の電極102と第2の電極104との間に設けられる層の構成は、上記のものには限定されない。発光領域と金属とが近接することによって生じる消光を防ぐように、第1の電極102および第2の電極104から離れた部位にホールと電子とが再結合する発光領域を設けた構成であり、実施の形態1で示した構成を有する発光層を備えた構成であれば、上記以外のものでも本実施の形態の範疇である。つまり、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質またはホール輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、ホール注入性の高い物質、バイポーラ性電子及びホールの輸送性の高い物質の物質等から成る層と、実施の形態1で示した構成を有する発光層を適宜組み合わせて構成すればよい。例えば、図3Bに示すように、基板101上に、陰極として機能する第2の電極104、EL層103、陽極として機能する第1の電極102とが順に積層された構成としてもよい。図3Bでは、第2の電極104上に、電子注入層115、電子輸送層114、発光層113、ホール輸送層112、ホール注入層111が順に積層された構成となっている。なお、本実施の形態においては、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に発光素子を作製している。一基板上にこのような発光素子を複数作製することで、パッシブマトリクス型の発光装置を作製することができる。また、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に、例えば、薄膜トランジスタTFTを形成し、TFTと電気的に接続された電極上に発光素子を作製してもよい。これにより、TFTによって発光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の発光装置を作製できる。なお、TFTの構造は、特に限定されない。スタガ型のTFTでもよいし、逆スタガ型のTFTでもよい。また、TFT基板に形成される駆動用回路についても、N型およびP型のTFTからなるものでもよいし、若しくはN型のTFTまたはP型のTFTのいずれか一方からのみなるものであってもよい。また、TFTに用いられる半導体膜の結晶性についても特に限定されない。非晶質半導体膜を用いてもよいし、結晶性半導体膜を用いてもよい。また、単結晶半導体膜を用いてもよい。単結晶半導体膜は、スマートカット法などを用いて作製することができる。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。実施の形態4本実施の形態は、本発明に係る複数の発光ユニットを積層した構成の発光素子以下、積層型素子というの態様について、図4を参照して説明する。この発光素子は、第1の電極と第2の電極との間に、複数の発光ユニットを有する積層型発光素子である。各発光ユニットの構成としては、実施の形態3で示したEL層103の構成と同様な構成を用いることができる。つまり、実施の形態3で示した発光素子は、1つの発光ユニットを有する発光素子と言うことができる。本実施の形態では、複数の発光ユニットを有する発光素子について説明する。図4において、第1の電極501と第2の電極502との間には、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512が積層されている。第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512との間には、電荷発生層513が設けられている。第1の電極501と第2の電極502は実施の形態3と同様なものを適用することができる。また、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512は同じ構成であっても異なる構成であってもよく、その構成は少なくとも片方が実施の形態3で示したEL層103の構成と同様な構成を有するものとする。電荷発生層513は、第1の電極501と第2の電極502に電圧を印加したときに、一方の側の発光ユニットに電子を注入し、他方の側の発光ユニットにホールを注入する層であり、単層でも複数の層を積層した構成であってもよい。複数の層を積層した構成としては、ホールを注入する層と電子を注入する層とを積層する構成であることが好ましい。ホールを注入する層としては、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化レニウム、酸化ルテニウム等の半導体や絶縁体を用いることができる。あるいは、ホール輸送性の高い物質に、アクセプター物質が添加された構成であってもよい。ホール輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む層は、実施の形態3で示した複合材料であり、アクセプター物質として、7,7,8,8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン略称:F4-TCNQや、酸化バナジウムや酸化モリブデンや酸化タングステン等の金属酸化物を含む。ホール輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマーなど、種々の化合物を用いることができる。なお、ホール輸送性の高い物質としては、ホール移動度が10-6cm2/Vs以上であるものを適用することが好ましい。但し、電子よりもホールの輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。ホール輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む複合材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実現することができる。電子を注入する層としては、酸化リチウム、フッ化リチウム、炭酸セシウム等の絶縁体や半導体を用いることができる。あるいは、電子輸送性の高い物質に、ドナー性物質が添加された構成であってもよい。ドナー性物質としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属または元素周期表における第13族に属する金属およびその酸化物、炭酸塩を用いることができる。具体的には、リチウムLi、セシウムCs、マグネシウムMg、カルシウムCa、イッテルビウムYb、インジウムIn、酸化リチウム、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物をドナー性物質として用いてもよい。電子輸送性の高い物質としては、実施の形態3で示した材料を用いることができる。なお、電子輸送性の高い物質としては、電子移動度が10-6cm2/Vs以上であるものを適用することが好ましい。但し、ホールよりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。電子輸送性の高い物質とドナー性物質とを有する複合材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実現することができる。また、電荷発生層513として、実施の形態2で示した電極材料を用いることもできる。例えば、ホール輸送性の高い物質と金属酸化物を含む層と透明導電膜とを組み合わせて形成しても良い。なお、光取り出し効率の点から、電荷発生層は透光性の高い層とすることが好ましい。いずれにしても、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512に挟まれる電荷発生層513は、第1の電極501と第2の電極502に電圧を印加したときに、一方の側の発光ユニットに電子を注入し、他方の側の発光ユニットにホールを注入するものであれば良い。例えば、第1の電極の電位の方が第2の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加した場合、電荷発生層513は、第1の発光ユニット511に電子を注入し、第2の発光ユニット512にホールを注入するものであればいかなる構成でもよい。本実施の形態では、2つの発光ユニットを有する発光素子について説明したが、同様に、3つ以上の発光ユニットを積層した発光素子についても、同様に適用することが可能である。本実施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での発光が可能であるため、長寿命素子を実現できる。また、照明を応用例とした場合は、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる。また、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光装置を実現することができる。また、それぞれの発光ユニットの発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、2つの発光ユニットを有する発光素子において、第1の発光ユニットの発光色と第2の発光ユニットの発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、3つの発光ユニットを有する発光素子の場合でも同様であり、例えば、第1の発光ユニットの発光色が赤色であり、第2の発光ユニットの発光色が緑色であり、第3の発光ユニットの発光色が青色である場合、発光素子全体としては、白色発光を得ることができる。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。実施の形態5本実施の形態では、本発明の発光素子を有する発光装置について説明する。本実施の形態では、画素部に本発明の発光素子を有する発光装置について図5を用いて説明する。なお、図5Aは、発光装置を示す上面図、図5Bは図5AをA-A’およびB-B’で切断した断面図である。この発光装置は、発光素子の発光を制御するものとして、点線で示された駆動回路部ソース側駆動回路601、画素部602、駆動回路部ゲート側駆動回路603を含んでいる。また、604は封止基板、605はシール材であり、シール材605で囲まれた内側は、空間607になっている。なお、引き回し配線608はソース側駆動回路601及びゲート側駆動回路603に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPCフレキシブルプリントサーキット609からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント配線基板PWBが取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものとする。次に、断面構造について図5Bを用いて説明する。素子基板610上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路601と、画素部602中の一つの画素が示されている。なお、ソース側駆動回路601はNチャネル型TFT623とPチャネル型TFT624とを組み合わせたCMOS回路が形成される。また、駆動回路は、種々のCMOS回路、PMOS回路もしくはNMOS回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、画素部が形成された基板と同一基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を、画素部が形成された基板と同一基板上ではなく、外部に形成することもできる。また、画素部602はスイッチング用TFT611と、電流制御用TFT612とそのドレインに電気的に接続された第1の電極613とを含む複数の画素により形成される。なお、第1の電極613の端部を覆って絶縁物614が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。また、被覆性を良好なものとするため、絶縁物614の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物614の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物614の上端部のみに曲率半径0.2μm~3μmを有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物614として、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。第1の電極613上には、EL層616、および第2の電極617がそれぞれ形成されている。ここで、第1の電極613に用いる材料としては、さまざまな金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物を用いることができる。第1の電極を陽極として用いる場合には、その中でも、仕事関数の大きい好ましくは仕事関数4.0eV以上金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。例えば、珪素を含有した酸化インジウム-酸化スズ膜、酸化インジウム-酸化亜鉛膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Zn膜、Pt膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との3層構造等の積層膜を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。また、EL層616は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート法等の種々の方法によって形成される。EL層616は、実施の形態1で示した有機半導体材料を有している。また、EL層616を構成する材料としては、低分子化合物、または高分子化合物、オリゴマー、デンドリマーのいずれを用いてもよい。また、EL層に用いる材料としては、有機化合物だけでなく、無機化合物を用いてもよい。また、第2の電極617に用いる材料としては、さまざまな金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物を用いることができる。第2の電極を陰極として用いる場合には、その中でも、仕事関数の小さい好ましくは仕事関数3.8eV以下金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。例えば、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウムLiやセシウムCs等のアルカリ金属、およびマグネシウムMg、カルシウムCa、ストロンチウムSr等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金MgAg、AlLi等が挙げられる。なお、EL層616で生じた光を第2の電極617を透過させる場合には、第2の電極617として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜酸化インジウム-酸化スズITO、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム-酸化スズ、酸化インジウム-酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムIWZO等との積層膜を用いることも可能である。さらにシール材605で封止基板604を素子基板610と貼り合わせることにより、素子基板610、封止基板604、およびシール材605で囲まれた空間607に発光素子618が備えられた構造になっている。なお、空間607には、充填材が充填される場合があり、不活性気体窒素やアルゴン等が充填される場合の他、シール材605と同様の材料が充填される場合もある。なお、シール材605にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板604に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRPFiberglass-ReinforcedPlastics、PVFポリビニルフロライド、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。以上のようにして、本発明の発光素子を有する発光装置を得ることができる。本発明の発光装置は、実施の形態1乃至実施の形態3のいずれかで示した発光素子を有する。実施の形態1乃至実施の形態3のいずれかで示した発光素子は高い発光効率を有する。また、駆動電圧が低い。そのため、高輝度での発光が可能な発光装置を得ることができる。また、消費電力の低い発光装置を得ることができる。以上のように、本実施の形態では、トランジスタによって発光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の発光装置について説明したが、パッシブマトリクス型の発光装置であってもよい。図6には本発明を適用して作製したパッシブマトリクス型の発光装置を示す。なお、図6Aは、発光装置を示す斜視図、図6Bは図6AをX-Yで切断した断面図である。図6において、基板951上には、電極952と電極956との間にはEL層955が設けられている。電極952の端部は絶縁層953で覆われている。そして、絶縁層953上には隔壁層954が設けられている。隔壁層954の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層954の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接する辺の方が上辺絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接しない辺よりも短い。このように、隔壁層954を設けることで、陰極をパターニングすることができる。また、パッシブマトリクス型の発光装置においても、発光効率の高く、駆動電圧が低い本発明に係る発光素子を含むことによって、消費電力の低い発光装置を得ることができる。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。実施の形態6本実施の形態では、実施の形態4に示す発光装置をその一部に含む本発明の電子機器について説明する。本発明の電子機器は、実施の形態1乃至実施の形態3のいずれかで示した発光素子を有し、低消費電力の表示部を有する。本発明の発光装置を用いて作製された電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置カーオーディオ、オーディオコンポ等、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等、記録媒体を備えた画像再生装置具体的にはDigitalVersatileDiscDVD等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図6から図13に示す。図7Aは本実施の形態に係るテレビ装置であり、筐体9101、支持台9102、表示部9103、スピーカー部9104、ビデオ入力端子9105等を含む。このテレビ装置において、表示部9103は、実施の形態1乃至実施の形態3のいずれかで説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高く、消費電力が低いという特徴を有している。また、駆動電圧が低いという特徴を有する。その発光素子で構成される表示部9103も同様の特徴を有するため、このテレビ装置は低消費電力化が図られている。このような特徴により、テレビ装置において、電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、筐体9101や支持台9102の小型軽量化を図ることが可能である。本実施の形態に係るテレビ装置は、低消費電力及び小型軽量化が図られているので、それにより住環境に適合した製品を提供することができる。図7Bは本実施の形態に係るコンピュータであり、本体9201、筐体9202、表示部9203、キーボード9204、外部接続ポート9205、ポインティングデバイス9206等を含む。このコンピュータにおいて、表示部9203は、実施の形態1乃至実施の形態3のいずれかで説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高く、消費電力が低いという特徴を有している。また、駆動電圧が低いという特徴を有する。その発光素子で構成される表示部9203も同様の特徴を有するため、このコンピュータは低消費電力化が図られている。このような特徴により、コンピュータにおいて、電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、本体9201や筐体9202の小型軽量化を図ることが可能である。本実施の形態に係るコンピュータは、低消費電力及び小型軽量化が図られているので、環境に適合した製品を提供することができる。図7Cは本実施の形態に係るカメラであり、本体9301、表示部9302、筐体9303、外部接続ポート9304、リモコン受信部9305、受像部9306、バッテリー9307、音声入力部9308、操作キー9309、接眼部9310等を含む。このカメラにおいて、表示部9302は、実施の形態1乃至実施の形態3のいずれかで説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高く、消費電力が低いという特徴を有している。また、駆動電圧が低いという特徴を有する。その発光素子で構成される表示部9302も同様の特徴を有するため、このカメラは低消費電力化が図られている。このような特徴により、カメラにおいて、電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、本体9301の小型軽量化を図ることが可能である。本実施の形態に係るカメラは、低消費電力及び小型軽量化が図られているので、携帯に適した製品を提供することができる。図7Dは本実施の形態に係る携帯電話であり、本体9401、筐体9402、表示部9403、音声入力部9404、音声出力部9405、操作キー9406、外部接続ポート9407、アンテナ9408等を含む。この携帯電話において、表示部9403は、実施の形態1乃至実施の形態3のいずれかで説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高く、消費電力が低いという特徴を有している。また、駆動電圧が低いという特徴を有する。その発光素子で構成される表示部9403も同様の特徴を有するため、この携帯電話は低消費電力化が図られている。このような特徴により、携帯電話において、電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、本体9401や筐体9402の小型軽量化を図ることが可能である。本実施の形態に係る携帯電話は、低消費電力及び小型軽量化が図られているので、携帯に適した製品を提供することができる。図8には、図7Dとは異なる構成の携帯電話の一例を示す。図8Aが正面図、図8Bが背面図、図8Cが展開図である。図8に示す携帯電話は、電話と携帯情報端末の双方の機能を備えており、コンピュータを内蔵し、音声通話以外にも様々なデータ処理が可能な所謂スマートフォンである。図8に示す携帯電話は、筐体1001及び1002二つの筐体で構成されている。筐体1001には、表示部1101、スピーカー1102、マイクロフォン1103、操作キー1104、ポインティングデバイス1105、カメラ用レンズ1106、外部接続端子1107、イヤホン端子1108等を備え、筐体1002には、キーボード1201、外部メモリスロット1202、カメラ用レンズ1203、ライト1204等を備えている。また、アンテナは筐体1001内部に内蔵されている。また、上記構成に加えて、非接触ICチップ、小型記録装置等を内蔵していてもよい。表示部1101には、実施の形態4で示した発光装置を組み込むことが可能であり、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。表示部1101と同一面上にカメラ用レンズ1106を備えているため、テレビ電話が可能である。また、表示部1101をファインダーとしカメラ用レンズ1203及びライト1204で静止画及び動画の撮影が可能である。スピーカー1102及びマイクロフォン1103は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生等が可能である。操作キー1104では、電話の発着信、電子メール等の簡単な情報入力、画面のスクロール、カーソル移動等が可能である。更に、重なり合った筐体1001と筐体1002図8Aは、スライドし図8Cのように展開し、携帯情報端末として使用できる。この場合、キーボード1201、ポインティングデバイス1105を用い円滑な操作が可能である。外部接続端子1107はACアダプタ及びUSBケーブル等の各種ケーブルと接続可能であり、充電及びコンピュータ等とのデータ通信が可能である。また、外部メモリスロット1202に記録媒体を挿入しより大量のデータ保存及び移動に対応できる。また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能等を備えたものであってもよい。図9は音響再生装置、具体例としてカーオーディオであり、本体701、表示部702、操作スイッチ703、704を含む。表示部702は実施の形態4の発光装置パッシブマトリクス型またはアクティブマトリクス型で実現することができる。また、この表示部702はセグメント方式の発光装置で形成しても良い。いずれにしても、本発明に係る発光素子を用いることにより、車両用電源12~42Vを使って、低消費電力化を図りつつ、明るい表示部を構成することができる。また、本実施の形態では車載用オーディオを示すが、携帯型や家庭用のオーディオ装置に用いても良い。図10は、音響再生装置の一例としてデジタルプレーヤーを示している。図10に示すデジタルプレーヤーは、本体710、表示部711、メモリ部712、操作部713、イヤホン714等を含んでいる。なお、イヤホン714の代わりにヘッドホンや無線式イヤホンを用いることができる。表示部711として、実施の形態4の発光装置パッシブマトリクス型またはアクティブマトリクス型で実現することができる。また、この表示部711はセグメント方式の発光装置で形成しても良い。いずれにしても、本発明に係る発光素子を用いることにより、二次電池ニッケル-水素電池などを使っても表示が可能であり、低消費電力化を図りつつ、明るい表示部を構成することができる。メモリ部712は、ハードディスクや不揮発性メモリを用いている。例えば、記録容量が20~200ギガバイトGBのNAND型不揮発性メモリを用い、操作部713を操作することにより、映像や音声音楽を記録、再生することができる。なお、表示部702及び表示部711は黒色の背景に白色の文字を表示することで消費電力を抑えられる。これは携帯型のオーディオ装置において特に有効である。以上の様に、本発明を適用して作製した発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。本発明を適用することにより、低消費電力の表示部を有する電子機器を作製することが可能となる。また、本発明を適用した発光装置は、発光効率の高い実施の形態1乃至実施の形態3のいずれかに記載の発光素子を有しており、照明装置として用いることもできる。本発明を適用した発光装置は、高輝度の発光が可能であり照明装置として好適である。本発明を適用した発光素子を照明装置として用いる一態様を、図11を用いて説明する。図11には、本発明に係る発光素子を用いた照明装置である電子機器の一例として、本発明を適用した発光装置をバックライトとして用いた液晶表示装置を示す。図11に示した液晶表示装置は、筐体901、液晶層902、バックライト903、筐体904を有し、液晶層902は、ドライバIC905と接続されている。また、バックライト903は、本発明を適用した発光装置が用いられおり、端子906により、電流が供給されている。本発明に係る発光装置は薄型で低消費電力であるため、本発明に係る発光装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることにより、表示装置の薄型化、低消費電力化も可能となる。また、本発明に係る発光装置は、面発光の照明装置であり大面積化も可能であるため、バックライトの大面積化が可能であり、液晶表示装置の大面積化も可能になる。図12は、本発明に係る発光装置を、照明装置である電気スタンドとして用いた例である。図12に示す電気スタンドは、筐体2001と、光源2002を有し、光源2002として、本発明に係る発光装置が用いられている。本発明の発光装置は低消費電力化されているため、電気スタンドも消費電力が低い。図13は、本発明の発光素子適用した発光装置を、室内の照明装置3001及び3003として用いた例である。本発明に係る発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、本発明に係る発光素子は発光効率が高く、それを適用した発光装置は、低消費電力であるため、低消費電力の照明装置として用いることが可能となる。このように、本発明を適用した発光装置を、室内の照明装置3001として用いた部屋に、図7Aで説明したような、本発明に係るテレビ装置3002を設置して公共放送や映画を鑑賞することができる。このような場合、両装置は低消費電力であるので、環境への負荷を低減することができる。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。"