光を放出する発光ダイオードチップと、前記発光ダイオードチップが底に配置され、傾斜面及び前記発光ダイオードチップを取り囲む底面が光を拡散的に反射する拡散反射面である反射カップと、前記反射カップ内に存在し、前記発光ダイオードチップから放出される光を可視光に転換する光転換物質と、を備えることを特徴とする発光ダイオード素子。前記拡散反射面の表面は、粗く加工されていることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード素子。前記拡散反射面で入射する光の入射角と関係なく、前記拡散反射面から反射する光の反射角度が大きくなるに従って、前記傾斜面で反射する光量が減少することを特徴とする請求項1または2に記載の発光ダイオード素子。前記光転換物質は、前記発光ダイオードチップから放出される光により励起されて可視光を放出する蛍光物質であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の発光ダイオード素子。前記蛍光物質は、前記発光ダイオードチップから離れて前記反射カップの上部に蛍光層として形成されていることを特徴とする請求項4に記載の発光ダイオード素子。前記蛍光物質は、前記発光ダイオードチップの最大長以上に前記発光ダイオードチップの上部から離れて配置されていることを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオード素子。前記蛍光物質は、複数の可視光を形成する複数の蛍光物質であり、前記複数の蛍光物質は、互いに混合されていることを特徴とする請求項5または6に記載の発光ダイオード素子。前記蛍光物質は、複数の可視光を形成する複数の蛍光物質であり、前記複数の蛍光物質は、複数の層に積層されていることを特徴とする請求項5または6に記載の発光ダイオード素子。前記蛍光層の上部に凸部がさらに形成されていることを特徴とする請求項5~8のいずれか1項に記載の発光ダイオード素子。前記凸部は、半球状であることを特徴とする請求項9に記載の発光ダイオード素子。前記発光ダイオードチップは、III-V族窒化物系の半導体化合物から形成されていることを特徴とする請求項1~10のいずれか1項に記載の発光ダイオード素子。本発明は、前記問題点を解決するためになされたものであって、蛍光がLEDチップと衝突する確率を低めることによって、発光効率を向上させたLED素子を提供するところにその目的がある。前記目的を達成するために、本発明の拡散反射面を備えたLED素子は、光を放出する発光ダイオードチップと、前記発光ダイオードチップが底に配置され、傾斜面及び前記発光ダイオードチップを取り囲む底面が光を拡散的に反射する拡散反射面である反射カップと、前記反射カップ内に存在し、前記発光ダイオードチップから放出される光を可視光に転換する光転換物質と、を備えることを特徴とする。前記拡散反射面の表面は、粗く加工されることが好ましく、また、前記拡散反射面で入射する光の入射角と関係なく、前記拡散反射面から反射する光の反射角度が大きくなるに従って、前記傾斜面で反射する光量が減少することが好ましい。前記光転換物質は、前記発光ダイオードチップからの光により励起されて可視光を放出する蛍光物質でありうる。前記蛍光物質は、前記発光ダイオードチップから離れて前記反射カップの上部に蛍光層として形成されることが好ましい。また、前記蛍光物質は、前記発光ダイオードチップの最大長以上に前記発光ダイオードチップから離れて配置されうる。本発明の一形態によれば、前記蛍光物質は、複数の可視光を形成する複数の蛍光物質であり、前記複数の蛍光物質は、前記反射カップの上部で互いに混合される。本発明の他の形態によれば、前記蛍光物質は、複数の可視光を形成する複数の蛍光物質であり、前記複数の蛍光物質は、反射カップの上部で複数の層に積層される。一方、前記蛍光物質の上部に凸部がさらに形成されることが好ましい。前記凸部は、半球状であることが好ましい。前記LEDチップは、III-V族窒化物系の半導体化合物から形成されることが好ましい。本発明に係るLED素子によれば、反射カップの反射面を粗く加工することにより、容易に光抽出効率を向上させうる。また、蛍光物質を反射カップの上部に配置することによって、光抽出効率を向上させ得る。したがって、LED素子の全体的な光転換効率が向上するため、出力される光量が増加する。以下、添付された図面を参照して本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。しかし、下記に例示される実施形態は、本発明の範囲を限定するものではなく、本発明を、この技術分野で当業者に十分に説明するために提供されるものである。以下の図面で同じ参照符号は同じ構成要素を示し、図面上で各構成要素の大きさは、説明の明瞭性及び便宜のために誇張されているものもある。図3は、本発明の原理を説明する図面である。図3に示すように、反射カップ40の内面の底に発光体であるLEDチップ14が設置されている。また、前記反射カップ40の傾斜面を含む内面図3中、40aは、鏡面のように光を正反射するものではなく、入射された光に対して拡散的に光を反射するものであり、このような内面を拡散反射面と呼ぶ。好ましくは前記傾斜面が粗く加工されている拡散反射面である。前記粗く加工された傾斜面は、例えば、金属表面をサンドブラスティングした粗い表面でありうる。反射カップ40には、透光性物質46が満たされており、その上部には、光を受けて、波長の長い可視光線を放出する光転換物質が形成されている。前記光転換物質は、複数の可視光を放出する複数の蛍光物質22であるか、または量子ドットであってもよい。好ましくは複数の可視光を放出する蛍光物質である。さらに、前記蛍光物質22は、好ましくは層をなし、この蛍光層は、所定距離、好ましくは発光ダイオードチップの最大長以上、LEDチップ14の上部から離れて位置することが好ましい。なお、ここでいう発光ダイオードチップの最大長とは、チップの縦、横、高さのうち、最も長いものの長さを指す。このように蛍光層がLEDチップ14から離れることによって、蛍光が直接LEDチップ14の表面に衝突する確率が低下するため、好ましい。前記蛍光層は、複数の蛍光物質22が混合され、複数の可視光を形成しうる。また、前記蛍光層は、複数の蛍光物質が複数の層に積層された構造でありうる。前記透光性物質46は、LEDチップ14からの光が透過できる物質、例えば、エポキシ樹脂、シリコン、またはPMMAポリメチルメタクリレートから構成されうる。前記LEDチップ14は、III-V族窒化物系の半導体化合物から形成されることが好ましい。前記LEDチップ14からの光を受けた蛍光物質22が放出した蛍光のうち、光線2は、LEDチップ14の表面と衝突し、光線の約50はLEDチップ14で吸収される。光線1、光線2及び光線3は、反射カップ40の傾斜面で所定角度で入射され、拡散光として反射する。この時、拡散光の一部のみがLEDチップ14と衝突し、大部分は外部へ放出される。したがって、蛍光が反射してLEDチップ14と衝突する確率が低下する。前記拡散光の強度は、入射角と関係なく、傾斜面の垂直に対する角度によって次の式1のようにコサイン関数に比例する。ここで、Irは、反射光の強度を示し、θは、傾斜面に対する垂直面からの角度を示す。前記拡散反射面は、好ましくは反射カップ40の反射面をサンドブラスティングして得られ、また、ナノサイズのAg、Alをスプレーして得られる。図4は、反射カップの内面が鏡面または拡散反射面である場合の光反射の関係を示すグラフである。図4に示すように、銀Agコーティングの反射面で光の入射角が40 ゚である時、鏡面の場合、反射角40 ゚で光の強度が104μWと高く表された。しかし、サンドブラスティングした拡散反射面である場合、反射角が40 ゚で光強度が102μWであった。また、他の角度では、拡散反射面での光の強度が反射面での光強度より2オーダー高かった。一方で、反射角40 ゚での光の強度が、サンドブラスティングした拡散反射面であっても、最も高かった。このように、サンドブラスティングした拡散反射面は、乱反射の性質と鏡面の正反射の性質とを共に有していることがわかった。図5Aないし図5Dは、本発明に係る拡散反射面が形成された反射カップを備えたLED素子と、従来の鏡面が形成された反射カップを備えたLED素子との光線追跡実験の4つのケースを示す図面である。図5A及び図5Bは、蛍光物質22が反射カップ40の内部に分布したものを示し、図5C及び図5Dは、蛍光物質22が反射カップ40の上部の層に形成されたものを示す。そして、図5A及び図5Cは、鏡面40bが形成された反射カップ40であり、図5B及び図5Dは、拡散反射面40aが形成された反射カップ40である。図6は、光線追跡シミュレーションの結果を示す表である。ここで、蛍光光源波長550nmは、均一に分布されたシリンダ型の光源100μmの厚さを有するであった。図6、7において封合エポキシの屈折率nepoxy=1.6、蛍光物質22の屈折率nphosphor=1.82、反射カップ表面の反射率RAgreflector=95、LEDチップ14の反射率RLEDchip=50、LEDチップ14の厚さが100μmであり、LEDチップの大きさが300μm×300μmである図7を参照。図6は、LEDチップから傾斜面までの長さbの変化、反射カップ高さhの変化、傾斜面の傾斜角θによる光抽出効率を示す。図8は、反射カップ40の高さによる光抽出効率を示すグラフである。図6及び図8を共に参照すれば、h=1mm、θ=45 ゚、b=150μmで、蛍光物質が上部の層に形成される場合、蛍光物質が内部に存在する場合に比べて光抽出効率が高かった。また、反射カップ40の表面が鏡面である場合に比べて、拡散反射面である場合、光抽出効率が向上したことが分かる。このような光抽出効率の向上は、LEDチップ14での光の再吸収確率が低下したためである。図9は、反射カップ内の反射面の種類鏡面、または拡散反射面及び蛍光物質の位置内部に分布または上部の層に形成による光転換効率を示す表である。ここで、光転換効率は、蛍光物質での光転換量として、LEDチップからの光量が減少した量を計算した結果である。図9に示すように、UVUltraVioletLEDで青色蛍光物質を励起させる場合、反射面が鏡面で蛍光物質が上部の層に形成された場合、反射面が鏡面で蛍光物質が内部に分布する場合より、光転換効率が8.9向上し、反射面が拡散反射面で蛍光物質が上部の層に形成された場合、反射面が鏡面で蛍光物質が内部に分布する場合より、光転換効率が18.3向上した。青色LEDで黄色蛍光物質を励起させる場合も、蛍光物質が表面の層に形成され、反射面が拡散反射面である場合に光転換効率が向上することを分かった。図10は、本発明によって拡散反射面が形成された反射カップ40上に凸部が形成されることによる光抽出効率の変化を表したグラフである。図10での光線追跡シミュレーションの結果、反射カップ40の表面が平坦な場合より、凸状である場合に光抽出効率が向上することが分かる。本発明は、図面を参照して実施形態を参考に説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということが理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲によって決定されねばならない。