球状光電変換素子の外表面に凹凸形状を形成してテクスチャー構造を付与する第1工程と、前記凹凸形状の各凹部に、当該凹凸形状の各凸部の先端部分のみが露出するように有機物を充填する第2工程と、前記有機物をマスクとして、前記露出した先端部分のみをウエットエッチングしてこれらの先端部分に丸みを持たせる第3工程と、を含むことを特徴とする球状光電変換素子の製造方法。請求項1記載の球状光電変換素子の製造方法であって、前記光電変換素子がシリコンを主体とするものにおいて、前記第1工程は、光電変換素子を配置した減圧下の処理室内に、フッ素含有ガスとハロゲン含有ガスと酸素ガスとを含むエッチングガスを導入し、放電用電力を投入して球状光電変換素子の外表面をドライエッチングするものであることを特徴とする球状光電変換素子の製造方法。前記第3工程にて、エッチング液としてHFとHNO3との混合溶液を用いることを特徴とする請求項2記載の球状光電変換素子の製造方法。本発明は、以上の点に鑑み、光散乱封じ込め効果を有効に発揮すると共に、後工程で所定の薄膜を形成するような場合でも、カバレッジよく成膜できるようにした、テクスチャー構造を持つ球状光電変換素子を製造でし得る方法を提供することをその課題とするものである。上記課題を解決するために、本発明の球状光電変換素子の製造方法は、球状の光電変換素子の外表面に凹凸形状を形成してテクスチャー構造を付与する第1工程と、前記凹凸形状の各凹部に、当該凹凸形状の各凸部の先端部分のみが露出するように有機物を充填する第2工程と、前記有機物をマスクとして、前記露出した先端部分のみをウエットエッチングしてこれらの先端部分に丸みを持たせる第3工程と、を含むことを特徴とする。本発明によれば、例えばドライエッチングにて球状光電変換素子の外表面にテクスチャー構造を形成したとき、その外表面に形成した凹凸形状の各凸部が尖った鋭利なものとなっていても、第2工程及び第3工程にて、先端部分のみを効果的に丸みを持たせることができる。その結果、例えば真空成膜装置を用いて反射防止膜を成膜する際に、その頂部を含めその外表面全面に亘ってカバレッジ良く成膜することができ、製品歩留まりを向上できるだけでなく、反射率の低下も防止することができる。本発明においては、請求項1記載の光電変換素子の製造方法であって、前記光電変換素子がシリコンを主体とするものにおいて、前記第1工程は、光電変換素子を配置した減圧下の処理室内に、フッ素含有ガスとハロゲン含有ガスと酸素ガスとを含エッチングガスを導入し、放電用電力を投入して球状の光電変換素子の外表面をドライエッチングすることが好ましい。これにより、球状光電変換素子の外表面が凹凸形状にエッチングされて粗面化され、光散乱封じ込め効果を有効に発揮するテクスチャー構造を付与することが可能となる。この場合、先端部分に効率よく丸みを持たせるためには、前記第3工程にて、エッチング液としてHFとHNO3との混合溶液を用いることが好ましい。以下、図面を参照して、シリコンを主体とする球状光電変換素子の外表面にテクスチャー構造を付与する本発明の実施形態の球状光電変換素子の製造方法を説明する。図1を参照して、CEは、直径1mm前後の球状光電変換素子である。球状光電変換素子CEは、シリコンを主体とする球状のp型半導体11と、p型半導体11の外周に形成した平坦部11aを残してp型半導体11の外表面を覆うように形成した、シリコンを主体とするn型半導体層12とを備える図1中、最左側の図。そして、平坦部11a及びn型半導体層12の外表面に電極13a、13bを夫々形成し、多数の凹部を設けた図外の支持体に、この球状光電変換素子を一個ずつ収容して球状太陽電池として構成される。なお、球状光電変換素子を用いた太陽電池の構造は公知であるため、ここでは詳細な説明は省略する。ところで、上記球状光電変換素子CEにおいて、球状光電変換素子CEに入射した光の反射を低減させて光電変換効率の向上を図るためには、例えば、n型半導体層12の外表面に凹凸形状を形成して粗面化するテクスチャー構造を付与することが考えられる。図2は、テクスチャー構造を付与するのに適したドライエッチング装置EMを示す。以下では、後述するシャワープレートから球状光電変換素子CEに向かう方向を下方、球状光電変換素子CEからシャワープレートに向かう方向を上方として説明する。ドライエッチング装置EMは、ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプなどを備えた真空排気手段21aを介して所定の真空度に減圧保持できる真空チャンバ21を備え、処理室21bを画成する。処理室21bの下部空間にはステージ22が設けられている。ステージ22の上面には、皿状に成形したプレート体22aが位置決め保持されている。そして、プレート体22aに、平坦部11aを下にして球状光電変換素子CEの複数個が所定間隔で載置される。また、ステージ22には、高周波電源23からの出力23aが接続されている。処理室21bの上部には、基板ステージ22に対向させて、シャワープレート24が設けられている。シャワープレート24は、真空チャンバ21の内壁面に突設した環状の支持壁21cの下端で保持されている。そして、支持壁21cとシャワープレート24とで画成された空間24aにエッチングガスを導入することができるように、ガス導入系25が真空チャンバ21の上部に接続されている。ガス導入系25は、空間24aに通じる合流ガス管25aを備える。合流ガス管25aには、マスフローコントローラ等の閉止機能を有する流量制御手段26a、26b、26cが介設されたガス管27a、27b、27cが夫々接続され、第1~第3のガス源28a、28b、28cに夫々連通している。これにより、ガス種毎に流量制御して処理室21bに導入できるようになっている。本実施形態では、第1のガス源28aのガスは、NF3、SF6、CxHyFz等のフッ素含有ガスからなり、第2のガス源28bのガスはCl2等のハロゲンガスやHBr等のハロゲン化水素ガスのようなハロゲン含有ガスからなり、第3のガス源28cのガスは酸素ガスからなる。以下、上記ドライエッチング装置を用いた本実施形態のエッチング方法第1工程について具体的に説明する。先ず、処理室21bが所定真空度例えば、10-5Paに達した状態で、図外の真空ロボットにより球状光電変換素子CEの複数個が載置されたプレート体22aを搬送し、基板ステージ22上に位置決め保持させる。次に、ガス導入系25の各流量制御弁26a~26cを介して、第1~第3のガス源28a~28cからエッチングガスを空間24aからシャワープレート24を介して処理室21b内に導入する。第1のエッチングガスとして、フッ素含有ガスとしてのNF3と、ハロゲン含有ガスとしてのCl2と、酸素ガスとからなり、そして、処理室21b内に導入するガスの総流量に対するフッ素含有ガスの流量を50~200sccmの範囲、ハロゲン含有ガスの流量を300~700sccmの範囲、酸素ガスの流量を50~300sccmの範囲とするこの場合、減圧下の処理室12内の圧力は20~100Paとする。これに併せて、高周波電源23を介してステージ22に放電用電力を投入する。この場合の投入電力は、1.5~2.5kWとする。これにより、球状光電変換素子CEの外表面を構成するn型半導体層12にテクスチャー構造が形成される。つまり、処理室21b内にプラズマが形成され、プラズマ中の活性種やイオン種が基板W表面に入射してエッチングが進行する。このとき、n型半導体層12外表面に堆積した酸素がマスクの役割を果たすことで、n型半導体層12の外表面が凹凸形状にエッチングされて粗面化され、テクスチャー構造15となる第1工程:図1参照。ところで、第1工程を経た後のn型半導体層12外表面は、特にその凸部15aが尖った鋭利なものとなっているつまり、図1中、左から2番目の図の如く、ノコギリ刃状となる。このような場合に、後工程で球状光電変換素子CEの外表面に、例えば真空成膜装置を用いて反射防止膜を成膜すると、その頂部に効率よく成膜されず、製品歩留まりを低下させるだけでなく、カバレッジが悪くなって反射率の低下をも招く。本実施形態では、第1工程を経た後の球状光電変換素子CEをエッチング装置EMから取り出した後、凹凸形状の各凹部15bに、当該凹凸形状の各凸部15aの先端部分のみが露出するように有機物Rを充填する第2工程:図1中、左から三番目の図参照。この場合の有機物Rとしては、ジアゾナフトキノンノボラック樹脂系レジスト等が挙げられる。また、有機物Rの充填方法は、各凸部15aの先端部分が露出するようにn型半導体層12外表面全面に亘ってレジスト材を充填できるものであれば、特に制限はなく、例えば、スプレー塗布法等が挙げられる。そして、有機物Rを充填した後、例えばジアゾナフトキノンノボラック樹脂系レジストを用いるような場合には、90~120°Cの温度で硬化させる。次に、凹凸形状の各凸部15aの先端部分のみが露出するように有機物Rを充填されると、露出した各凸部15aの先端部分のみをウエットエッチングしてこれらの先端部分に丸みを持たせる第3工程:図1中、最右の図。この場合、エッチング液として、球状光電変換素子CEの材質に応じて腐食、溶解させるものであれば特に制限はなく、シリコンを主体とするものであれば、フッ酸HF、硝酸HNO3や酢酸CH3COOHまたはこれらの混合溶液が用いられる。そして、エッチング液中に、有機物Rが充填された球状光電変換素子CEを所定時間0.5~3.0分浸漬することで、露出した各凸部15aの先端部分のみがエッチングされて丸みを持つ形状となる。この場合、エッチング時に、エッチング液を室温としてもよい。最後に、エッチング液中から球状光電変換素子CEを取り出した後、洗浄し、公知方法で有機物が除去される。上記実施形態によれば、第1工程により、球状光電変換素子CEの外表面が凹凸形状にエッチングされて粗面化され、光散乱封じ込め効果を有効に発揮するテクスチャー構造15を付与できる。そして、第2工程及び第3工程にて、先端部分のみを効果的に丸みを持たせることができる。その結果、例えば真空成膜装置を用いて反射防止膜を成膜する際に、その頂部を含めその外表面全面に亘ってカバレッジ良く成膜することができ、製品歩留まりを向上できるだけでなく、反射率の低下も防止することができる。以上の効果を確認するために、直径1mm前後でp型半導体11とp型半導体11の外周に形成した平坦部11aを残してp型半導体11の外表面を覆うように形成したn型半導体層12とからなる球状光電変換素子CEを用い、次の実験を行った。第1工程として、エッチングガスをSF6とCl2と酸素ガスとし、その流量SF6:Cl2:酸素ガスの流量を100:500:200sccmとし、エッチング時の処理室21bの圧力を40Paこの場合の酸素ガス分圧は、10Paとした。また、高周波電源23からの投入電力を2kWとし、5分間に設定してエッチングを行った。第2工程として、有機物Rをジアゾナフトキノンノボラック樹脂系レジストとし、スプレー塗布法にて有機物Rを塗布した後、公知の加熱炉を用いて、加熱温度を90°C、処理時間30分に設定して有機物Rの硬化を行った。第3工程として、フッ酸HF及び硝酸HNO3の1:120の重量比で混合したエッチング液中に、有機物R充填された球状光電変換素子CEを浸漬した。この場合、エッチング液を25°Cに保持し、所定時間を0.5分に設定してウエットエッチングを行った。図3は、第1工程後の球状光電変換素子CEのSEM像であり、図4は、第3工程後の球状光電変換素子CEのSEM像である。これによれば、第1工程にて、球状光電変換素子CEのn型半導体層12の外表面に効果的にテクスチャー構造を付与できているものの、その先端部分が尖ったものとなっていることが判る。そして、第3工程を経ると、先端部分が効果的に丸み加工されていることが判る。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記のものに限定されるものではない。上記実施形態では、第1工程としてドライエッチング装置を用いたものを例に説明したが、球状光電変換素子CEの外表面にランド状にマスク材を形成し、ウエットエッチングしてテクスチャー構造を付与することもできる。