極紫外露光マスクに対する防塵部材と、前記防塵部材に所定の信号を付与する信号付与手段と、前記防塵部材を伝播した前記信号の解析を行う解析手段と、を有することを特徴とする極紫外露光マスク用防塵装置。外部装置との間で無線通信を行う通信手段と、前記通信手段に接続され、前記信号付与手段及び前記解析手段の動作を制御する制御手段と、を有することを特徴とする請求項1に記載の極紫外露光マスク用防塵装置。前記制御手段は、前記解析手段による解析の結果が前記防塵部材の破損を示すものである場合に、前記通信手段を介して前記外部装置に警報を発することを特徴とする請求項2に記載の極紫外露光マスク用防塵装置。前記信号は電気信号であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の極紫外露光マスク用防塵装置。前記信号は弾性波であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の極紫外露光マスク用防塵装置。極紫外露光マスクを固定するマスクステージと、前記極紫外露光マスクに取り付けられた請求項1乃至5のいずれか1項に記載の極紫外露光マスク用防塵装置から送出された信号に基づいて、前記極紫外露光マスクを走査するマスクステージの動作を制御する露光制御装置と、を有することを特徴とする極紫外露光装置。半導体基板上方にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜をパターニングする工程と、パターニングされた前記レジスト膜をマスクとして用いて、被加工部のエッチングを行う工程と、を有し、前記レジスト膜をパターニングする工程は、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の極紫外露光マスク用防塵装置が取り付けられた極紫外露光マスクを用いて、前記レジスト膜の露光を行う工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。本発明の目的は、破損を容易に検知することができる極紫外露光マスク用防塵装置及び極紫外露光装置を提供することにある。極紫外露光マスク用防塵装置の一態様には、極紫外露光マスクに対する防塵部材と、前記防塵部材に所定の信号を付与する信号付与手段と、前記防塵部材を伝播した前記信号の解析を行う解析手段と、が設けられている。極紫外露光装置の一態様には、極紫外露光マスクを固定するマスクステージと、前記極紫外露光マスクに取り付けられた上記の極紫外露光マスク用防塵装置から送出された信号に基づいて、前記極紫外露光マスクを走査するマスクステージの動作を制御する露光制御装置と、が設けられている。上記の極紫外露光マスク用防塵装置等によれば、防塵部材を伝播する信号の解析によって破損の有無を容易に検出することができる。以下、実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。第1の実施形態先ず、第1の実施形態について説明する。図1は、第1の実施形態に係る防塵装置を示す図である。第1の実施形態に係る防塵装置1には、極紫外露光マスクEUV露光マスクに対する防塵部材2が含まれている。更に、防塵部材2に所定の信号を付与する信号付与部3、及び信号付与部3により付与され防塵部材2を伝播した信号の解析を行う解析部4が含まれている。このような第1の実施形態では、防塵部材2の破損の有無を確認しておくことができる。つまり、防塵部材2に破損がある場合とない場合とで信号の伝播の態様が異なる。従って、破損がない場合に伝播する信号を予め解析しておけば、これと、実際の検査で解析部4により解析された結果との比較により破損の有無を確認することができる。第2の実施形態次に、第2の実施形態について説明する。図2は、第2の実施形態に係る防塵装置を示す斜視図であり、図3は、第2の実施形態に係る防塵装置を示す上面図及び断面図である。第2の実施形態に係る防塵装置11は、極紫外露光マスクEUV露光マスク15のマスクパターンが形成されたパターン面15e上に配置される。防塵装置11には、例えば平面形状が矩形の枠体13が含まれる。枠体13には、その内側の空間を外部と連通する通気孔13aが形成されている。これは、EUV露光の際に枠体13の内側をも真空にするためである。また、枠体13上に接着剤17によって、平面形状が矩形の補強部材18が接着されており、その内側に平面形状がハニカム状等の支持部材20が設けられている。また、補強部材18及び支持部材20を覆うようにして、EUV露光マスク15に対する防塵部材12が設けられている。防塵部材12としては、例えばシリコンのメンブレン等が用いられ、補強部材18及び支持部材20としては、例えば高抵抗のシリコン材が用いられる。防塵部材12のシリコンには、リンP等の不純物が高濃度にドーピングされており、防塵部材12の抵抗率は補強部材18及び支持部材20のそれと比較して極めて低い。また、枠体13としては、例えば中空のアルミニウム材が用いられる。また、平面形状が略矩形の防塵部材12の四隅に電極16が設けられており、各電極16に被覆線19が接続されている。被覆線19の導線は、例えばフッ素樹脂で覆われている。また、本実施形態では、枠体13の外側に検知回路14が設けられている。4本の被覆線19の他端は、中空の枠体13内を引き回されて検知回路14に接続されている。ここで、検知回路14について説明する。図4は、第2の実施形態における検知回路14の構成を示す図である。検知回路14には、図4に示すように、互いに同様の構成を備えた4系統の回路群を含む入出力回路25が含まれている。入出力回路25の各回路群には、例えば10Vの電源電位が供給される電界効果トランジスタFETスイッチ21、及び0Vの接地電位が供給されるFETスイッチ24が含まれ、更に、被覆線19とFETスイッチ21との間に接続された電流/電圧変換器22、及び被覆線19とFETスイッチ24との間に接続された電流/電圧変換器23も含まれている。検知回路14には、更に、各系統のFETスイッチ21及び24の動作を制御して防塵部材12に信号を付与する制御回路26、電流/電圧変換器22及び23から出力された電圧及び/又は電流を計測する計測回路27、計測回路27による計測結果を、例えば赤外線通信等の無線通信により外部に出力する通信回路28も検知回路14に含まれている。通信回路28は、外部から受信した信号を制御回路26に出力することもある。また、検知回路14には、入出力回路25、制御回路26、計測回路27及び通信回路28に電源を供給する電源供給回路29も含まれている。次に、EUV露光マスク15について説明する。図5は、EUV露光マスク15の構造を示す断面図である。EUV露光マスク15には、図5に示すように、基板15a、基板15a上の反射層15b、及び反射層15b上のキャップ層15cが含まれている。また、キャップ層15c上には、パターン化された吸収層15dが設けられている。なお、キャップ層15cの表面には自然酸化膜が存在する。基板15aは、例えば石英基板である。反射層15には、複数の屈折率が相違する物質の層の積層体、例えばMo層及びSi層の積層体が含まれている。キャップ層15cは、導電層、例えば厚さが11nm程度のSi層又は厚さが2nm程度のRu層である。吸収層15dには、EUV光を吸収する物質が含まれている。なお、吸収層15dとキャップ層15cとの間にバッファ層が設けられていてもよい。また、吸収層15d上に、深紫外光を用いたパターン検査のために酸化物系の絶縁性の低反射層が設けられていてもよい。EUV露光マスク15の露光領域の大きさは特に限定されないが、例えば、最大で104mm×132mm程度である。次に、このように構成された第2の実施形態に係る防塵装置における破損の検出方法について説明する。先ず、マスク監視装置等の外部からの命令を通信回路28が受信すると、通信回路28はこれを制御回路26に出力する。制御回路26は、通信回路28からの命令を受け取ると、入出力回路25内の各系統のFETスイッチ21及び24を制御し、4個の電極16のうちの2個の間に電流を電気信号として流す。そして、計測回路27が2個の電極16の間を流れた電流を計測し、この結果から算出される電流経路の電気抵抗を通信回路28に出力する。通信回路28は、計測回路27から計測結果を受け取ると、これを、命令を発してきたマスク監視装置等に出力する。ここで、マスク監視装置とは、例えば、EUV露光マスク15及び防塵装置11の監視を行う装置であり、通信回路28から受信した信号に応じて防塵部材12の破損の有無を判断する装置である。そして、この判断は、例えば予め取得しておいた破損がない場合の計測結果基準値との照合に基づいて容易に行うことができる。例えば、基準値からの変動が所定の閾値以上となっている場合に、破損が存在すると判断すればよい。この閾値としては、例えば支持部材20のハニカム構造の一つの破損分を用いる。また、計測回路27による計測結果に基づく破損の有無の判断を制御回路26で行って、その結果のみをマスク監視装置等に出力してもよい。例えば、破損の存在を制御回路26が認識した場合には、警報をマスク監視装置に発してもよい。いずれにしても、本実施形態によれば簡易な構成で防塵部材12の破損の有無を判定することができる。なお、マスク監視装置としては、EUV露光マスク15を用いたEUV露光を行う露光装置の制御装置等が挙げられる。また、電流の測定に代えて抵抗の測定を行ってもよい。なお、破損した箇所の大きさ及び形状等によっては、一組の電極16間に電流を流して計測を行っただけでは、当該破損を検出できないこともあり得る。例えば、電流の向きと平行な線状の破損がある場合、これを検出することが困難なことがある。また、一辺の両端に位置する電極16間に電流を流した場合には、他の2つの電極16近傍に電流が流れにくいため、この周辺の破損を検出することが困難なことがある。これは、対角線上に位置する2個の電極16間に電流を流した場合も同様である。ここで、電流密度の分布のシミュレーション結果について説明する。このシミュレーションでは、防塵部材12のみをシミュレーションの対象とし、防塵部材12の平面形状を一辺の長さが100mmの正方形、防塵部材12の厚さを100nm、防塵部材12の抵抗率を0.01Ωcmとした。また、電極16間に印加する電圧は10Vとした。図6に、一辺の両端に位置する電極16間に電流を流した場合の電流密度の分布を示す。図6中の矢印は電流が流れる向きを示すと共に、その太さが電流密度の大きさを示している。また、図7は、電位の分布を示し、図8は、図6中のI-I線に沿った領域における電流密度の分布を示している。この例では、電圧が印加された2つの電極16間の抵抗は約5kΩとなり、これらの間に約2mAの電流が流れる。そして、図6の左端における電流密度は40A/cm2程度、右端における電流密度は7A/cm2以上である。ここで、電流変動の検出感度を0.1とすると、全電流2mAに対して2μAとなる。また、ハニカム状の支持部材20の空隙ハニカムメッシュの大きさを200μm程度とすると、中央部の断面積は2×107cm2であり、1つの空隙ハニカムメッシュ中の防塵部材12メンブレンの破損を検出するためには、10A/cm2以上の電流密度が要求される。10A/cm2以上の電流密度が得られる領域を図9に示す。図9中のハッチングが付された領域が10A/cm2以上の電流密度が得られる領域である。上記の条件下では、破損を検出できないことがあると推定される。また、図10に、対角線上に位置する電極16間に電流を流した場合の電流密度の分布を示す。図10中の矢印も電流が流れる向きを示すと共に、その太さが電流密度の大きさを示している。また、図11は、電位の分布を示す。この例でも、破損を検出できないことがあると推定される。従って、以下に示すような手順で破損の有無の判断を行うことが好ましい。先ず、破損のない初期状態で各電極16間の抵抗を測定し、これを正常値として保持しておく。次いで、マスク監視装置等の外部からの命令に応じて各電極16間の抵抗を測定する。このとき、測定に十分に長い時間かけるか、又は多数回の平均をとってノイズ等の影響を排除することが好ましい。そして、このようにして得られた測定値と初期状態の正常値との差を求め、これが閾値以上となっていれば破損があると判断する。この判断は、上記のようにマスク監視装置が行ってもよく、制御回路26が行ってもよい。また、閾値としては、上記のように、例えば支持部材20のハニカム構造の一つの破損分を用いることができる。更に、破損が検出されない場合であっても、汚染の付着などによる経時変化がありうるため、正常値は適宜更新することが好ましい。このような手順で判断を行うことにより、防塵部材12のほぼ全領域でのほぼ全方向の破損の検出が可能となる。従って、より高精度で破損の検出を行うことが可能となる。なお、抵抗の測定に代えて、上記のように電流の測定を行ってもよい。また、破損の検出は、例えば、EUV露光マスク15及び防塵装置11の運搬中及び保管中等に行うことができる。そして、破損が存在する防塵部材12を用いてEUV露光を行うと、EUV露光マスク15への異物の付着及び破損の拡大によって生じる破片の散乱に伴うEUV露光装置の汚染等が引き起こされる可能性があるが、本実施形態によれば、このような汚染を回避することができる。また、防塵部材12だけでなく支持部材20に破損が生じる可能性もあり、その場合にもEUV露光マスク15への異物の付着等が生じることが考えられる。しかし、支持部材20に破損が生じた場合には、より脆弱な防塵部材12にも破損が生じていると考えられるため、防塵部材12の破損の検出を行うことが極めて重要である。また、電極16の近傍では、複数の電極をどのように組み合わせても電流の向きは電極外縁部とほぼ垂直となるため、原理的に電極外縁部と垂直な方向の破損の検出感度が他の領域と比較して若干低くなるが、本実施形態では、補強部材18が設けられているため、電極16の近傍では他の領域と比較して防塵部材12に破損が生じにくい。また、電流を流すことにより防塵部材12に発熱が生じ得るが、その大きさは高々10mW程度であり、EUV露光時のEUV光の吸収に伴う発熱量産機で100mW程度以上と比較して小さいため、この発熱に伴う問題は生じない。更に、電極16近傍の最大電流密度も電極の外縁部の周長がミリメートルオーダーの範囲であれば102A/cm2程度であるため、局所的な融解損傷も発生しない。なお、防塵部材12、支持部材20及び補強部材18の作製に当たっては、例えば、高抵抗のシリコン材例えば、抵抗率が1Ωcm程度又はそれ以上のシリコン材からこれらの構造体を形成した後、防塵部材12のみをイオン注入等により低抵抗化すればよい。例えば、ドーパントとしてリンを用いて30keVのエネルギで注入量を1014cm2~1015cm2とすれば、表面から100nmの範囲のドーパント濃度を1019cm3~1020cm3とすることができる。この場合、防塵部材12の抵抗率は0.01Ωcm~0.001Ωcmとなる。ドーパントとして用いる元素としては抵抗率を下げることができるものなら任意のものを使用可能であるが、内殻励起による損失を避けるため、リン等の内殻軌道の結合エネルギが露光光のエネルギ現状のEUV露光装置では約92eVより大きなものが望ましい。なお、これら4隅に設けた端子を組み合わせて用いても、各電極のごく近傍では電流の向きがあまり変わらない、あるいは電圧を印加していない端子近傍において電流密度が不足するなどによって感度が低くなる場合には、たとえば各辺の中間部にさらに端子を設け、それら相互間あるいはそれらと4隅の端子との組み合わせで測定を行うことにより感度を向上させることが可能である。第3の実施形態次に、第3の実施形態について説明する。図12は、第3の実施形態に係る防塵装置を示す斜視図である。第3の実施形態に係る防塵装置31には、図12に示すように、防塵部材12の互いに対向する一組の辺に沿うようにして一組の帯状の電極36が設けられている。また、図示しないが、検知回路14の入出力回路25に含まれる回路群は2系統のみである。他の構成は第2の実施形態と同様である。このような第3の実施形態によれば、第2の実施形態よりも検出感度が低くなるものの、装置の構成を簡素化することができる。第4の実施形態次に、第4の実施形態について説明する。図13は、第4の実施形態に係る防塵装置を示す斜視図である。第4の実施形態に係る防塵装置41には、図13に示すように、帯状の電極36の他に、もう一組の辺に沿うようにして一組の帯状の電極46が設けられている。また、図示しないが、検知回路14の入出力回路25に含まれる回路群は、第2の実施形態と同様に4系統である。他の構成は第3の実施形態と同様である。このような第4の実施形態によれば、第2の実施形態よりも検出感度が若干低くなるものの多くの破損を検出することが可能である。第5の実施形態次に、第5の実施形態について説明する。図21は、第5の実施形態における検知回路14の構成を示す図である。第5の実施形態では、検知回路14の電流/電圧変換器22と計測回路27との間にローパスフィルタLPF131が設けられ、電流/電圧変換器23と計測回路27との間にローパスフィルタ141が設けられている。ローパスフィルタ131及び141の遮断周波数は特に限定されないが、例えば1Hz程度である。また、ローパスフィルタ131及び141と計測回路27との間に、それぞれ、制御回路26により制御されるスイッチ132及び142が設けられ、ローパスフィルタ131及び141と電流/電圧変換器22及び23との間に、それぞれ、制御回路26により制御されるスイッチ133及び143が設けられている。つまり、制御回路26による制御に基づいて、必要に応じてバイパス可能にローパスフィルタ131及び141が設けられている。一般的に、EUV露光の際に、EUV露光マスク15はマスクステージに取り付けられ、例えば、EUV光に対して20cm程度のストロークで毎秒2回程度の頻度で走査される。このため、防塵装置にも大きな加速度及び力が作用し、検知回路14に入力してくる信号に種々のノイズ、例えば、EUV露光マスク15の走査周期の周波数のノイズ及び防塵部材12の共振周波数のノイズが重畳し得る。本実施形態によれば、上記のようなノイズが重畳してきたとしてもローパスフィルタ131及び141によってこれを除くことができる。従って、EUV露光の最中であっても、破損の検出精度を高く維持することができる。特に第5の実施形態は、緩やかな破損の検出に好適である。防塵装置の電極の配置は、例えば第2~第4の実施形態のいずれかを採用することができる。なお、ローパスフィルタ131及び141の遮断周波数をマスク走査の周波数ではなく、パルス光源の発光周波数より少し低めに設定してEUV光照射による高レベルのノイズを除去することも安定した測定のために効果的である。また、同様のノイズを除去するための構成として、ローパスフィルタ131及び141を用いずに計測回路27において所定の信号処理を行うようにしてもよい。所定の信号処理としては、例えば、多数回測定の平均の導出、高周波数域ノイズのフィルタリング、走査による低周波数域ベースライン変動の除去等が挙げられる。このような信号処理をリアルタイムに行うことにより、破損が発生してからより早期に当該破損を検出することが可能となる。第6の実施形態次に、第6の実施形態について説明する。本実施形態では、制御回路26が防塵装置の電極への印加電圧に変調をかけてロックイン検波を行う。このような第6の実施形態によっても、第5の実施形態と同様にEUV露光の最中であっても、破損の検出精度を高く維持することができる。防塵装置の電極の配置は、例えば第2~第4の実施形態のいずれかを採用することができる。また、上記のローパスフィルタ又は信号処理と第6の実施形態のロックイン検波とを組み合わせることにより、より一層安定した破損の検出が可能となる。EUV露光中の防塵部材12の破砕は、EUV露光装置の内部の汚染を引き起こしやすい。このため、防塵部材12の破損の検出の有無は、外部からの命令の有無に拘わらずに継続的に行うことが好ましい。そして、破損が存在する可能性が認められた場合には、EUV露光装置の露光制御装置に即時に警報等の信号を出力することが好ましい。ここで、破損が存在する可能性の判定基準として、上述のような電気抵抗の基準値からのずれの大きさだけでなく、測定値の安定性及び測定値の変化率等も併用すれば、微小な損傷の拡大等も損傷が拡がる前に検出することが可能となる。第7の実施形態次に、第7の実施形態について説明する。図14は、第7の実施形態に係る防塵装置を示す斜視図である。第7の実施形態に係る防塵装置51には、図14に示すように、防塵部材12に接続された電流計52が設けられている。他の構成は第2の実施形態と同様である。EUV露光の際には、上記のようなEUV露光マスク15の走査に伴うノイズが発生するだけでなく、防塵部材12へのEUV光の照射に伴って防塵部材12に内部光電効果及び外部光電効果が生じるため、防塵部材12の状態を電気信号に基づいて把握することが困難になり得る。つまり、EUV光が防塵部材12に照射されている間は、高い精度での検出が困難になり得る。その一方で、EUV光源として放電プラズマ光源又はレーザプラズマ光源等のパルス発光を行う光源が用いられる場合には、非発光時間に破損の検出を行うことが可能である。例えば、放電プラズマ光源が用いられる場合、発光時間はナノ秒オーダーであり、繰り返し周波数はキロヘルツオーダーあるため、十分な非発光時間が存在する。そして、本実施形態では、防塵部材12にEUV光が照射されると、防塵部材12から光電子が放出され、これに伴って電流計52を電流が流れる。従って、電流計52による電流計測の結果に基づいてEUV光が防塵装置51に照射されているか判断することができる。つまり、EUV光が防塵装置51に照射されていない期間を検出し、この期間の信号を用いて破損の検出を行うことができる。このような防塵装置51を用いたEUV露光の際に破損の検出を行う場合には、例えば、EUV光が照射されていない期間のみに破損検出のための動作を行ってもよい。また、EUV光の照射の有無に拘わらずに破損検出のための動作を行い、EUV光が照射されていない期間の信号のみを用いて解析を行ってもよい。なお、電流計52を用いずに、EUV光源の動作を制御する制御装置と連動して、EUV光が防塵装置に照射されていない期間を認識し、この期間の信号を用いて破損の検出を行ってもよい。つまり、通信回路28が制御装置からの信号を受信し、これを制御回路26に出力し、この信号に基づいて、制御回路26が電圧印加のタイミングを制御してもよく、制御回路26が計測回路27による計測結果を解析してもよい。また、ナノ秒オーダーの時間で発光するEUV光源が用いられる場合、EUV光の照射に伴って発生するノイズは主に高周波領域に分布するため、フィルタを用いこれを排除することも可能である。但し、この場合、発光の繰り返し周波数であるキロヘルツ帯のノイズの影響にも注意することが好ましい。更に、EUV光の照射に伴って発生するノイズを排除する構成としてどのようなものを採用する場合であっても、反復される走査動作の合間に走査の停止時間を設けてその時間に測定を行うことにより、更に精度の高い測定値を得ることが可能となる。また、本実施形態では、第2の実施形態と同様の構成が採用されているが、第3~第6の実施形態と同様の構成が採用されていてもよい。第8の実施形態次に、第8の実施形態について説明する。図15は、第8の実施形態に係る防塵装置を示す斜視図である。第8の実施形態に係る防塵装置61には、図15に示すように、電極に代えて発信器62及び受信器63が防塵部材12に取り付けられている。発信器62は、防塵部材12に弾性波を発生させ、受信器63は、防塵部材12を伝播してきた弾性波を受信する。また、検知回路14の入出力回路には、制御回路26の制御に応じて発信器62に弾性波を発生させる回路、及び受信器63が受信した弾性波を電気信号に変換する回路等が含まれている。このような第8の実施形態では、発信器62で発生した弾性波が受信器63に到達するまでの間に、枠体13等で反射されたり、その直接波及び間接波が互いに干渉したりする。このため、受信器63に到達する弾性波は、所定の波形を呈することとなる。従って、第2の実施形態等と同様に、破損が生じていない状態での波形と、破損検出を行う際に得られる波形とを比較すれば、容易に破損の有無を検出することができる。つまり、第8の実施形態によっても第2~第7の実施形態と同様に、防塵部材12の破損の検出を容易に行うことができる。また、本実施形態によれば、防塵部材12の抵抗率が高い場合であっても、破損の検出を行うことが可能である。また、破損の向き及び位置に拘わらず高い精度での検出が可能である。つまり、防塵部材12の隅に、電気信号では検出しにくい向きの破損が存在していても、弾性波を用いる本実施形態によれば、このような破損の存在を検出することができる。なお、発信器62が発生する弾性波は特に限定されず、例えば、正弦波等の連続的な波が用いられてもよく、パルス波が用いられてもよい。連続波の周波数は、EUV露光マスク15の走査による振動及び露光光パルスによって誘起される振動、並びに防塵部材12の共振周波数等からずれた周波数とすることが好ましい。例えば、数十kHz以上の超音波が好ましく、検出可能な破損の寸法を考慮すると、1MHz以上であることが好ましい。また、発信器62及び受信器63が設けられる位置に関しては、図15に示すような、互いに向かい合う一組の辺上であってもよく、対角に位置する一組の隅上であってもよい。第9の実施形態次に、第9の実施形態について説明する。図16は、第9の実施形態に係る防塵装置を示す斜視図である。第9の実施形態に係る防塵装置71には、図16に示すように、発信器62が発生させた弾性波を伝達して励振するガイド72が、防塵部材12の発信器62が位置する辺に沿って設けられている。また、励振して弾性波を受信器63に伝達するガイド73が、防塵部材12の受信器63が位置する辺に沿って設けられている。このような第9の実施形態によれば、第8の実施形態よりも高い精度で破損の有無の検出を行うことが可能である。第10の実施形態次に、第10の実施形態について説明する。図17は、第10の実施形態に係るEUV露光装置を示す図である。第10の実施形態に係るEUV露光装置81では、チャンバ82内に、EUV露光マスク15を固定して走査するマスクステージ85、EUV露光マスク15を防塵する防塵装置84、及びこれらを収容する防塵ケース87が配置されている。防塵装置84としては、例えば第2~第9の実施形態のいずれかの防塵装置が用いられる。チャンバ82内には、更に、半導体基板89を固定して走査するウェハステージ88、EUV露光マスク15にEUV光を導く照明系90、及びEUV露光マスク15により反射されたEUV光を半導体基板89に投影する投影系91が配置されている。更に、マスクステージ85及びウェハステージ88等の動作を制御する露光制御装置83がチャンバ82外に配置されている。また、露光制御装置83による制御に応じて防塵ケース87内で、防塵装置84と照明系90及び投影系91との間の空間を遮断するシャッタ86も設けられている。このような第10の実施形態では、露光制御装置83は、防塵装置84から防塵部材に破損が存在する可能性がある旨の信号を受け取ると、走査中のマスクステージ85を停止させる。このとき、マスクステージ85を急停止させると、その衝撃で防塵部材の破損が拡大する懸念があるため、破損があっても拡大しない程度の加速度で減速させることが好ましい。そして、マスクステージ85の停止後に、露光制御装置83が防塵装置84に詳細な評価を行うように命令を送出し、防塵装置84が詳細な評価を行う。この詳細な評価の結果、破損が存在していなければ、EUV露光を再開し、破損が生じていれば、EUV露光マスク15及び防塵装置84を搬出する。この詳細な評価では、例えば、露光動作を停止した上で、すなわち走査の停止及び照明EUV光の遮断を行った上で、ノイズの少ない状態で時間をかけて評価を行う。このような評価により、測定精度が高まり、より微小な差異が見えるようになる。また、走査機構を使って微妙に揺すり、その時の信号の変化及び揺する前後の変化の有無等によっても破損の詳細な評価を行うことができる。これは、例えば亀裂が生じていれば揺動で大きな信号変化が現れたり、揺動の前後で接触状態が変化したりすると考えられるためである。また、露光制御装置83は、防塵装置84から防塵部材に破砕するような重大な破損が存在する可能性がある旨の信号を受け取ると、走査中のマスクステージ85を直ちに停止させると共に、シャッタ86を閉じる。このため、例え防塵部材が破砕したとしても、その破片の飛散を防止することができる。つまり、このような飛散が生じると、破片が照明系90、投影系91及び半導体基板89、並びにチャンバ82の内面等に付着して汚染する虞があるが、シャッタ86の閉動作により、このような懸念を排除することができる。なお、シャッタ86の位置は特に限定されないが、破砕が生じた場合であっても、自由落下に伴う飛散を十分に抑制できる程度の位置とすることが好ましく、シャッタ86の閉動作に要する時間に応じて決定することが好ましい。例えば、閉動作に要する時間が40m秒であるとすると、その間に破片が落下し得る距離は100mm程度であるため、防塵部材から100mm程度下方の位置にシャッタ86が設置されていることが好ましい。シャッタ86の閉動作に要する時間がより短ければ、シャッタ86はより上方に位置していてもよい。また、破砕が生じる可能性がある場合には、マスクステージ85を直ちに停止させるのに対し、単に破損が存在する可能性がある程度の場合には、比較的ゆっくり停止させるのは、次のような理由による。つまり、前者の場合には、当該防塵部材を用いたEUV露光を再開する可能性は極めて低く、また、シャッタ86を閉じるため、防塵部材が破損しても大きな損失には繋がらない。一方、後者の場合には、当該防塵部材を用いたEUV露光を再開する可能性があり、また、シャッタ86を閉じないため、仮に防塵部材が破損すると、大きな損失に繋がる懸念がある。このような理由により露光制御装置83による制御に相違を設けている。また、このような2種類の可能性の区別は、例えば、基準値からのずれの大きさに関する閾値を2種類設けておくことにより実施可能である。ここで、シャッタ86について説明する。図18は、シャッタ86の例を示す図であり、図19は、シャッタ86の他の例を示す図である。図18に示す例では、2本の可動軸102がそれぞれ2個の軸受103に支持されており、これら2本の可動軸102の間にシャッタ膜101が取り付けられている。通常時には、シャッタ膜101は、平面視で、防塵装置84及び基部110のスリット111から離間した位置に退避している。また、防塵装置84を基準にして各可動軸102の外側に、基部110に一端が固定された弾性体104が設けられている。弾性体104には引張応力が印加されており、その状態で、その他端に設けられた連結部105及び磁性体106が、ソレノイド107に固定されている。そして、連結部105に可動軸102が連結されている。このように構成されたシャッタ86の例では、露光制御装置83から閉動作の命令が伝達されてくると、ソレノイド107が磁性体106を開放する。すると、引張応力の収縮に伴って可動軸102が移動し、シャッタ膜101が防塵装置84とスリット111との間に瞬時に介在するようになる。このようにして閉動作が行われる。図19に示す例では、可動軸102を移動させる機構が図18に示す例と相違している。即ち、この例では、弾性体104等が設けられておらず、インフレータ112及びこのインフレータ112を瞬時に膨張させる火薬113が設けられている。このように構成されたシャッタ86の例では、露光制御装置83から閉動作の命令が伝達されてくると、火薬113への点火が行われインフレータ112が直ちに膨張し、可動軸102が瞬時に移動する。このようにして閉動作が行われる。このような第10の実施形態によれば、照明系90及び投影系91を含む光学系を、防塵部材の破砕に伴う異物汚染から保護することが可能となる。なお、防塵部材が破砕した場合には、シャッタ86の閉動作が行われても、EUV露光マスク15の周囲に破片が飛散し得る。本実施形態では、このような場合でも、防塵ケース87が備えられているため、これを交換すれば、迅速にEUV露光装置81を復旧させることが可能である。これらの実施形態は、防塵装置の防塵部材メンブレンの破損に着目した構成を採用しているが、防塵装置のハニカム状の支持部材にも信号が伝達するように構成すれば、支持部材の破損の検出も可能である。また、防塵部材の形状は特に限定されず、例えば、膜状又は網状のものを用いることができる。また、電源供給回路としては、可搬性等を考慮して電池又は外部からの電磁誘導による給電が可能な回路を用いることが好ましい。第11の実施形態次に、第11の実施形態について説明する。第11の実施形態では、第1~第9の実施形態に係る防塵装置を用いて半導体装置を製造する。図20は、第11の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。先ず、図20aに示すように、シリコン基板等の基板121上に絶縁膜122を形成し、その上に導電膜123を形成する。例えば、絶縁膜122としては、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜等を形成し、導電膜123としては、多結晶シリコン膜を形成する。次いで、図20bに示すように、導電膜123上にレジスト膜124を形成する。その後、図20cに示すように、レジスト膜124のパターニングを行う。このパターニングでは、レジスト膜124のEUVリソグラフィ及び現像を行う。また、EUVリソグラフィでは、第1~第3の実施形態に係る防塵装置が設けられたEUV露光マスクを用いる。そして、レジスト膜124のパターニング後には、図20dに示すように、パターニング後のレジスト膜124をエッチングマスクとして用いて導電膜123及び絶縁膜122をエッチングする。この結果、ゲート電極及びゲート絶縁膜が形成される。その後、不純物拡散層及び多層配線等を形成して半導体装置を完成させる。なお、EUV光の光源としては、放射光光源、スズ若しくはキセノン等を媒体とした放電プラズマ、又はレーザ生成プラズマ等が用いられる。また、EUVリソグラフィでは、EUV露光マスクからの反射光が投影光学系によりレジスト膜124に結像される。以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。付記1極紫外露光マスクに対する防塵部材と、前記防塵部材に所定の信号を付与する信号付与手段と、前記防塵部材を伝播した前記信号の解析を行う解析手段と、を有することを特徴とする極紫外露光マスク用防塵装置。付記2外部装置との間で無線通信を行う通信手段と、前記通信手段に接続され、前記信号付与手段及び前記解析手段の動作を制御する制御手段と、を有することを特徴とする付記1に記載の極紫外露光マスク用防塵装置。付記3前記制御手段は、前記解析手段による解析の結果が前記防塵部材の破損を示すものである場合に、前記通信手段を介して前記外部装置に警報を発することを特徴とする付記2に記載の極紫外露光マスク用防塵装置。付記4前記信号は電気信号であることを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の極紫外露光マスク用防塵装置。付記5前記解析手段は、前記電気信号が伝播する経路の電気抵抗の解析を行うことを特徴とする付記4に記載の極紫外露光マスク用防塵装置。付記6前記防塵部材から放出される光電子に対応する電流に応じて前記解析手段の動作タイミングを制御することを特徴とする付記4又は5に記載の極紫外露光マスク用防塵装置。付記7前記信号は弾性波であることを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の極紫外露光マスク用防塵装置。付記8極紫外露光マスクを固定するマスクステージと、前記極紫外露光マスクに取り付けられた付記1乃至7のいずれか1項に記載の極紫外露光マスク用防塵装置から送出された信号に基づいて、前記極紫外露光マスクを走査するマスクステージの動作を制御する露光制御装置と、を有することを特徴とする極紫外露光装置。付記9前記極紫外露光マスク用防塵装置から送出された信号に基づいて、前記極紫外露光マスク用防塵装置と光学系との間の空間を遮断する遮断手段を有することを特徴とする付記8に記載の極紫外露光装置。付記10半導体基板上方にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜をパターニングする工程と、パターニングされた前記レジスト膜をマスクとして用いて、被加工部のエッチングを行う工程と、を有し、前記レジスト膜をパターニングする工程は、付記1乃至7のいずれか1項に記載の極紫外露光マスク用防塵装置が取り付けられた極紫外露光マスクを用いて、前記レジスト膜の露光を行う工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。