基板の処理装置であって、基板を処理する処理部と、前記処理部に対して基板を搬入出する搬入出部と、を有し、前記搬入出部は、複数の基板を上下方向に多段に収容し、基板を搬入出するための搬入出口が形成された収容容器と、前記収容容器の上面から水平方向に張り出した拡散板と、を有し、前記搬入出部には、前記拡散板を介して前記複数の基板側の領域に所定の気体を供給する給気領域と、前記収容容器内に複数の基板が配置される基板領域と、前記基板領域の下流側の排気領域と、が設けられ、前記拡散板は、前記給気領域から流れる所定の気体を均一に拡散させる通気部を有することを特徴とする、基板の処理装置。前記収容容器には、上下方向に移動して前記搬入出口を開閉する蓋体と、前記蓋体の動作を制御する制御装置と、が設けられ、前記制御装置は、前記収容容器に基板が順次搬入出されるに伴い、当該収容容器内の基板と対向する位置の前記搬入出口を前記蓋体が覆うように、当該蓋体の動作を段階的に制御することを特徴とする、請求項1に記載の基板の処理装置。前記処理部は、基板上に塗布液を塗布し、基板上の露光された塗布膜を現像する塗布現像処理部と、基板上の塗布膜を露光する露光処理部とを有し、前記搬入出部は、前記塗布現像処理部と前記露光処理部との間に配置され、前記処理容器には、前記塗布現像処理部側と前記露光処理部側の側面がそれぞれ開口した開口部が形成され、前記拡散板は、前記収容容器の上面から水平方向に前記塗布現像処理側と前記露光処理部側にそれぞれ張り出していることを特徴とする、請求項1又は2に記載の基板の処理装置。前記通気部は、前記拡散板を厚み方向に貫通する貫通孔であって、前記貫通孔は、前記拡散板に水平面内に均一に複数形成されていることを特徴とする、請求項1~3のいずれかに記載の基板の処理装置。しかしながら、給気ポート501から供給される不活性ガスを純粋な不活性ガスにすることは技術的に困難であり、当該不活性ガス中には微量のアミンが含まれている。そして、給気ポート501と排気ポート502は、例えば図17に示すように収容容器500の一の側面側に接続されており、最上段のウェハWの端部図17中の斜線部上を不活性ガスが通過する。そうすると、ウェハWの端部では、その他の部分に比べて不活性ガス中のアミンが衝突する確率が高くなるため、ウェハWの端部に不動体の層が形成して汚染されやすくなる。このため、ウェハWを長時間保管することができなかった。本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板の汚染を抑制しつつ、基板を長時間保管することを目的とする。前記の目的を達成するため、本発明は、基板の処理装置であって、基板を処理する処理部と、前記処理部に対して基板を搬入出する搬入出部と、を有し、前記搬入出部は、複数の基板を上下方向に多段に収容し、基板を搬入出するための搬入出口が形成された収容容器と、前記収容容器の上面から水平方向に張り出した拡散板と、を有し、前記搬入出部には、前記拡散板を介して前記複数の基板側の領域に所定の気体を供給する給気領域と、前記収容容器内に複数の基板が配置される基板領域と、前記基板領域の下流側の排気領域と、が設けられ、前記拡散板は、前記給気領域から流れる所定の気体を均一に拡散させる通気部を有することを特徴としている。本発明によれば、搬入出部には拡散板が設けられているので、給気領域から収容容器に流れる所定の気体は、拡散板を通過する際に水平面内で均一に拡散されて、複数の基板側に流入する。かかる場合、所定の気体中に微量のアミンが含有されている場合でも、このアミンが基板に衝突する確率が低くなる。そうすると、基板上における不動体の層の形成を抑制することができる。したがって、基板の汚染を抑制しつつ、基板を長時間保管することができる。前記収容容器には、上下方向に移動して前記搬入出口を開閉する蓋体と、前記蓋体の動作を制御する制御装置と、が設けられ、前記制御装置は、前記収容容器に基板が順次搬入出されるに伴い、当該収容容器内の基板と対向する位置の前記搬入出口を前記蓋体が覆うように、当該蓋体の動作を段階的に制御するようにしてもよい。前記処理部は、基板上に塗布液を塗布し、基板上の露光された塗布膜を現像する塗布現像処理部と、基板上の塗布膜を露光する露光処理部とを有し、前記搬入出部は、前記塗布現像処理部と前記露光処理部との間に配置され、前記処理容器には、前記塗布現像処理部側と前記露光処理部側の側面がそれぞれ開口した開口部が形成され、前記拡散板は、前記収容容器の上面から水平方向に前記塗布現像処理側と前記露光処理部側にそれぞれ張り出していてもよい。前記通気部は、前記拡散板を厚み方向に貫通する貫通孔であって、前記貫通孔は、前記拡散板に水平面内に均一に複数形成されていてもよい。本発明によれば、基板の汚染を抑制しつつ、基板を長時間保管することができる。以下、本発明の参考例としての実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態にかかる基板の保管装置を有する基板の処理装置としての基板処理システム1の内部構成の概略を示す説明図である。図2及び図3は、基板処理システム1の内部構成の概略を示す側面図である。基板処理システム1は、塗布現像処理装置2と保管装置3と露光処理部としての露光装置6とを備えている。塗布現像処理装置2は、図1に示すように例えば外部との間でカセットCが搬入出される搬入出部としてのカセットステーション4と、フォトリソグラフィー処理の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理ユニットを備えた塗布現像処理部としての処理ステーション5と、処理ステーション5に隣接する露光装置6との間でウェハWの受け渡しを行う搬入出部としてのインターフェイスステーション7とを一体に接続した構成を有している。なお、処理ステーション5と露光装置6が本発明の処理部を構成している。カセットステーション4は、例えばカセット搬入出部10とウェハ搬送部11に分けられている。例えばカセット搬入出部10は、塗布現像処理装置2のY方向負方向図1の左方向側の端部に設けられている。カセット搬入出部10には、カセット載置台12が設けられている。カセット載置台12のウェハ搬送部11側には、カセットCを開閉するためのオープナー13が、カセットCに対向して設けられている。カセット載置台12上には、複数、例えば4つの載置板14が設けられている。載置板14は、水平方向のX方向図1の上下方向に一列に並べて設けられている。これらの載置板14には、塗布現像処理装置2の外部に対してカセットCを搬入出する際に、カセットCを載置することができる。また、載置板14は、例えばY方向にスライド自在あり、載置したカセットCのウェハ取り出し口をウェハ搬送部11側に移動させることができる。なお、塗布現像処理装置2とその外部との間のカセットCの搬入出は、工場内の処理装置間でカセットCを搬送する図2に示す外部カセット搬送装置Bにより行われる。図1及び図2に示すようにカセットステーション4のウェハ搬送部11は、雰囲気制御を行うためのケーシング11aにより覆われている。また、ウェハ搬送部11には、図1に示すようにX方向に延びる搬送路20上を移動自在なウェハ搬送装置21が設けられている。ウェハ搬送装置21は、上下方向及び鉛直軸周りθ方向にも移動自在であり、各載置板14上のカセットCと、後述する処理ステーション5の第3のブロックG3の受け渡し装置との間でウェハWを搬送できる。処理ステーション5には、各種ユニットを備えた複数例えば4つのブロックG1、G2、G3、G4が設けられている。例えば処理ステーション5の正面側図1のX方向負方向側には、第1のブロックG1が設けられ、処理ステーション5の背面側図1のX方向正方向側には、第2のブロックG2が設けられている。また、処理ステーション5のカセットステーション4側図1のY方向負方向側には、第3のブロックG3が設けられ、処理ステーション5のインターフェイスステーション7側図1のY方向正方向側には、第4のブロックG4が設けられている。例えば第1のブロックG1には、図3に示すように複数の液処理ユニット、例えばウェハWを現像処理する現像処理ユニット30、ウェハWのレジスト膜の下層に反射防止膜以下下部反射防止膜というを形成する下部反射防止膜形成ユニット31、ウェハWにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニット32、ウェハWのレジスト膜の上層に反射防止膜以下上部反射防止膜というを形成する上部反射防止膜形成ユニット33が下から順に4段に重ねられている。例えば第1のブロックG1の各ユニット30~33は、処理時にウェハWを収容するカップFを水平方向に複数有し、複数のウェハWを並行して処理することができる。例えば第2のブロックG2には、図2に示すようにウェハWの熱処理を行う熱処理ユニット40や、ウェハWを疎水化処理するアドヒージョンユニット41、ウェハWの外周部を露光する周辺露光ユニット42が上下方向と水平方向に並べて設けられている。熱処理ユニット40は、ウェハWを載置して加熱する熱板と、ウェハWを載置して冷却する冷却板を有し、加熱処理と冷却処理の両方を行うことができる。なお、熱処理ユニット40、アドヒージョンユニット41及び周辺露光ユニット42の数や配置は、任意に選択できる。例えば第3のブロックG3には、複数の受け渡しユニット50、51、52、53、54、55、56が下から順に設けられている。また、第4のブロックG4には、複数の受け渡しユニット60、61、62が下から順に設けられている。図1に示すように第1のブロックG1~第4のブロックG4に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Dが形成されている。ウェハ搬送領域Dには、例えばウェハ搬送装置70が配置されている。ウェハ搬送装置70は、例えばY方向、前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置70は、ウェハ搬送領域D内を移動し、周囲の第1のブロックG1、第2のブロックG2、第3のブロックG3及び第4のブロックG4内の所定のユニットにウェハWを搬送できる。ウェハ搬送装置70は、例えば図2に示すように上下に複数台配置され、例えば各ブロックG1~G4の同程度の高さの所定のユニットにウェハWを搬送できる。また、ウェハ搬送領域Dには、第3のブロックG3と第4のブロックG4との間で直線的にウェハWを搬送するシャトル搬送装置80が設けられている。シャトル搬送装置80は、例えばY方向に直線的に移動自在になっている。シャトル搬送装置80は、ウェハWを支持した状態でY方向に移動し、第3のブロックG3の受け渡しユニット52と第4のブロックG4の受け渡しユニット62との間でウェハWを搬送できる。図1に示すように第3のブロックG3のX方向正方向側には、ウェハ搬送装置90が設けられている。ウェハ搬送装置90は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置90は、ウェハWを支持した状態で上下に移動して、第3のブロックG3内の各受け渡しユニットにウェハWを搬送できる。インターフェイスステーション7は、ケーシング7aにより覆われている。また、インターフェイスステーション7には、ウェハ搬送装置100が設けられている。ウェハ搬送装置100は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置100は、例えば搬送アームにウェハWを支持して、第4のブロックG4内の各受け渡しユニット、露光装置6、及び塗布現像処理装置2の外部に設けられた保管装置3にウェハWを搬送できる。次に、上述した保管装置3の構成について説明する。保管装置3は、図4及び図5に示すように複数、例えば25枚のウェハWを上下方向に多段に収容し、内部を密閉可能な収容容器110を有している。収容容器110の一側面には、ウェハWを出入りさせるための搬入出口が形成され、この搬入出口には蓋体111が取付けられている。蓋体111は、オープナー図示せずによって上下方向に移動し、搬入出口が開閉される。収容容器110内には、図4及び図6に示すように収容容器110内を水平方向に区画する仕切り壁112が設けられている。仕切り壁112は、閉じた状態の蓋体111と蓋体111に対向する収容容器110の側面との間を水平方向に延伸し、収容容器110内を区画している。また、仕切り壁112は、その上端と収容容器110の上面との間に所定の間隔の開口部113を形成するように、収容容器110の下面から上方向に延伸している。収容容器110内には、図4に示すようにウェハWの上方を覆うように拡散板120が設けられている。拡散板120は、仕切り壁112の上部に配置され、図6に示すように仕切り壁112と収容容器110の側壁に囲まれて配置されている。拡散板120には、通気部として、拡散板120を厚み方向に貫通する貫通孔121が形成されている。貫通孔121は、拡散板120の水平面内に均一に複数形成されている。この拡散板120により、後述する給気領域A1から流れる所定の気体としての不活性ガスを水平面内で均一に拡散させることができる。このようにウェハW、仕切り壁112及び拡散板120が収容容器110内に配置されて、図4に示すように収容容器110には、拡散板120を介してウェハW側の領域に所定の気体を供給する給気領域A1と、複数のウェハWが配置される基板領域としてのウェハ領域A2と、ウェハ領域A2の下流側の排気領域A3とが設けられている。また、収容容器110の側壁部には、ウェハ領域A2から隔離され、給気領域A1に通ずる流路Rが形成されている。流路Rにおける収容容器110の下面には、収容容器110の給気領域A1に不活性ガスを供給する給気口130が形成されている。給気口130には、給気管131が接続されている。給気管131は、不活性ガスを貯留する不活性ガス供給源図示せずに連通している。不活性ガスとしては、例えば窒素ガスが用いられる。なお、本実施の形態では、収容容器110内に供給する気体として不活性ガスを用いたが、その他の気体、例えば空気を用いてもよい。排気領域A3における収容容器110の下面には、排気領域A3から収容容器110内の雰囲気を排気する排気口132が形成されている。排気口132には、排気管133が接続されている。排気管133は、ポンプなどの負圧発生装置図示せずに接続されており、収容容器110内の雰囲気を強制的に排気できる。収容容器110は、収容容器110の下方に設けられた台車140に支持されている。台車140は、水平方向に移動自在に構成されている。基板処理システム1は、図1に示すように制御装置150が設けられている。制御装置150は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部図示せずを有している。プログラム格納部には、保管装置3内の雰囲気を制御する、すなわち給気口130から収容容器110内への不活性ガスの供給と、排気口132からの収容容器110内の雰囲気の排気とを制御するプログラムが格納されている。これに加えて、プログラム格納部には、上述の各種処理ユニットや搬送装置などの駆動系の動作を制御して、後述する基板処理システム1の所定の作用、すなわちウェハWへのレジスト液の塗布、現像、加熱処理、ウェハWの受け渡し、各ユニットの制御などを実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスクHD、フレキシブルディスクFD、コンパクトディスクCD、マグネットオプティカルデスクMO、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置150にインストールされたものであってもよい。次に、以上のように構成された基板処理システム1で行われるウェハ処理について説明する。先ず、1ロットの複数枚のウェハWを収容したカセットCが、外部カセット搬送装置Bにより図1に示すカセットステーション4の所定の載置板14に載置される。そして、載置板14によりカセットCがウェハ搬送部11側に移動し、オープナー13によりカセットCが開けられる。その後、ウェハ搬送装置21によりカセットC内の各ウェハWが順次取り出され、処理ステーション5の第3のブロックG3の例えば受け渡しユニット53に搬送される。次にウェハWは、ウェハ搬送装置70によって第2のブロックG2の熱処理ユニット40に搬送され、温度調節される。その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって例えば第1のブロックG1の下部反射防止膜形成ユニット31に搬送され、ウェハW上に下部反射防止膜が形成される。その後ウェハWは、第2のブロックG2の熱処理ユニット40に搬送され、加熱され、温度調節され、その後第3のブロックG3の受け渡しユニット53に戻される。次にウェハWは、ウェハ搬送装置90によって同じ第3のブロックG3の受け渡しユニット54に搬送される。その後ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって第2のブロックG2のアドヒージョンユニット41に搬送され、アドヒージョン処理される。その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によってレジスト塗布ユニット32に搬送され、ウェハW上にレジスト膜が形成される。その後ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって熱処理ユニット40に搬送されて、プリベーク処理される。その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって第3のブロックG3の受け渡しユニット55に搬送される。次にウェハWは、ウェハ搬送装置70によって上部反射防止膜形成ユニット33に搬送され、ウェハW上に上部反射防止膜が形成される。その後ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって熱処理ユニット40に搬送されて、加熱され、温度調節される。その後、ウェハWは、周辺露光ユニット42に搬送され、周辺露光処理される。その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって第3のブロックG3の受け渡しユニット56に搬送される。次にウェハWは、ウェハ搬送装置90によって受け渡しユニット52に搬送され、シャトル搬送装置80によって第4のブロックG4の受け渡しユニット62に搬送される。その後、ウェハWは、インターフェイスステーション7のウェハ搬送装置100によって、塗布現像処理装置2の外部に配置された保管装置3に搬送される。保管装置3では、後続の露光処理を行う露光装置6の処理能力に応じて、所定の枚数のウェハWが所定の時間保管される。保管装置3の収容容器110内に所定の枚数のウェハWが収容されると、蓋体111を閉じて収容容器110の内部を密閉する。その後、給気口130から収容容器110内に不活性ガスが供給されると共に、排気口132から収容容器110内の雰囲気が排気される。このとき、給気口130から供給された不活性ガスは、流路Rと開口部113を順次通過して給気領域A1に流れる。給気領域A1に流入した不活性ガスは、拡散板120の貫通孔121を通過して水平面内に均一に拡散されて、複数のウェハWが配置されたウェハ領域A2に流入する。その後、排気領域A3から処理容器110内の雰囲気が排気口132から排気される。このようにして、収容容器110内の雰囲気が不活性ガス雰囲気に置換される。その後、所定の時間が経過すると、保管装置3内のウェハWは、インターフェイスステーション7のウェハ搬送装置100によって露光装置6に搬送され、露光処理される。なお、本実施の形態では、露光処理の前に保管装置3でウェハWを一旦保管したが、露光装置6の処理能力に余裕がある場合には、第4のブロックG4の受け渡しユニット62のウェハWをウェハ搬送装置100によって露光装置6に直接搬送してもよい。次に、ウェハWは、ウェハ搬送装置100によって第4のブロックG4の受け渡しユニット60に搬送される。その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって熱処理ユニット40に搬送され、露光後ベーク処理される。その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって現像処理ユニット30に搬送され、現像される。現像終了後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって熱処理ユニット40に搬送され、ポストベーク処理される。その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって第3のブロックG3の受け渡しユニット50に搬送され、その後カセットステーション4のウェハ搬送装置21によって所定の載置板14のカセットCに搬送される。こうして、一連の処理フォトリソグラフィー処理が終了し、ウェハW上に所定のレジストパターンが形成される。以上の実施の形態によれば、収容容器110内には拡散板120が設けられているので、給気口130から流路Rを介して給気領域A1に供給された不活性ガスは、拡散板120を通過する際に水平面内で均一に拡散されて、ウェハ領域A2に流入する。かかる場合、給気口130から供給された不活性ガス中に微量のアミンが含有されている場合でも、このアミンがウェハ領域A2のウェハWに衝突する確率が低くなる。そうすると、ウェハW上における不動体の層の形成を抑制することができる。しかも、収容容器110の内部は密閉可能なので、外部から汚染物質が侵入することがなく、ウェハW上における汚染物質の付着も抑制することができる。したがって、ウェハWの汚染を抑制しつつ、ウェハWを長時間保管することができる。このようにウェハWの汚染を抑制することができるので、基板処理システム1においてウェハW上に所定のレジストパターンを形成することができる。すなわち、ウェハWの現像処理における現像欠陥を抑制すると共に解像不良を抑制して、レジストパターンの上部形状を所定の形状に形成し、レジストパターンの線幅を所定の寸法に形成することができる。さらに、ウェハWを長時間保管することができるので、各種処理を行う自由度を確保することができ、各処理ユニットの処理能力が異なる場合でも一連のウェハ処理を効率よく行うことができる。例えば本実施の形態では、露光装置6の処理能力が塗布現像処理装置2の処理能力よりも低いが、塗布現像処理装置2で所定の処理を行った後、露光装置6で露光処理を行う前に、ウェハWを保管装置3で保管しているので、露光装置6の処理能力に律則されて塗布現像処理装置2における各種処理を停止する必要がない。このため、塗布現像処理装置2と露光装置6の処理能力を最大限に生かすことができ、基板処理システム1の生産性を向上させることができる。また、収容容器110の側壁部には、ウェハ領域A2から隔離され、給気領域A1に通ずる流路Rが形成されているので、給気口130から供給された不活性ガスは、複数のウェハWが配置されたウェハ領域A2に直接流入することがなく、確実に拡散板120を通過する。したがって、ウェハWに衝突する不活性ガスを確実に拡散させることができる。また、給気口130から不活性ガスを供給して収容容器110内の雰囲気を不活性ガス雰囲気に置換しているので、収容容器110内のアミンの含有量を最小限に抑えることができ、ウェハWをより長時間保管することができる。なお、以上の実施の形態では、露光装置6での露光処理前に保管装置3でウェハWを保管していたが、露光装置6での露光処理後にインターフェイスステーション7に搬送されたウェハWを保管装置3で所定の時間保管してもよい。かかる場合でも、各種処理を行う自由度を確保することができ、各処理ユニットの処理能力が異なる場合でも一連のウェハ処理を効率よく行うことができる。また、例えば基板処理システム1内に保管装置3を複数設けて、露光処理6での露光処理前と露光処理後の両方の工程で、ウェハWを保管装置3で保管してもよい。以上の実施の形態では、収容容器110内において、拡散板120はウェハWの上方を覆うように設けられていたが、図7に示すように拡散板120はウェハWの下方を覆うように設けられていてもよい。かかる場合、仕切り壁112は、その下端と収容容器110の下面との間に所定の間隔の開口部113を形成するように、収容容器110の上面から下方向に延伸している。拡散板120は、仕切り壁112の下部に配置されている。また、給気口130は流路Rにおける収容容器110の上面に形成され、排気口132は排気領域A3における収容容器110の上面に形成されている。なお、これら部材の構成については前記実施の形態で説明した構成と同一であるので、説明を省略する。また、基板処理システム1のその他の部材の構成についても、前記実施の形態で説明した構成と同一であるので、説明を省略する。本実施の形態によっても、給気口130から供給された不活性ガスは、流路Rと給気領域A1を順次通過して、拡散板120で水平面内に均一に拡散されて、複数のウェハWが配置されたウェハ領域A2に流入する。したがって、不活性ガス中の微量のアミンがウェハWに衝突する確率が低くなるため、ウェハW上における不動体の層の形成を抑制することができ、ウェハWを長時間保管することができる。以上の実施の形態では、収容容器110内に仕切り壁112を設けていたが、この仕切り壁112を設けずに、排気口を給気領域A1から排気領域A3に延伸する排気管に設けてもよい。図8に示すように拡散板200は、収容容器110内を上下方向に区画するように、複数のウェハWの下方に設けられる。このように拡散板200が収容容器110内に配置されて、収容容器110には、拡散板200を介してウェハW側の領域に所定の気体を供給する給気領域A1と、複数のウェハWが配置される基板領域としてのウェハ領域A2と、ウェハ領域A2の下流側の排気領域A3とが設けられている。また、拡散板200には、通気部として、拡散板200を厚み方向に貫通する貫通孔201が水平面内に均一に複数形成されている。収容容器110の下面には、収容容器110内に不活性ガスを供給する給気口210が形成されている。給気口210には、給気管211が接続されている。給気管211は、不活性ガスを貯留する不活性ガス供給源図示せずに連通している。収容容器110内には、収容容器110の下面給気領域A1から拡散板200を貫通してウェハWの上方排気領域A3まで上下方向に延伸する排気管212が設けられている。排気管212の上端部は開口し、排気口213を形成している。排気管213の他端部は、収容容器110内に設けられたポンプなどの負圧発生装置図示せずに接続されており、収容容器110内の雰囲気を強制的に排気できる。なお、基板処理システム1のその他の部材の構成については、前記実施で説明した構成と同一であるので、説明を省略する。かかる場合、給気口210から給気領域A1に供給された不活性ガスは、拡散板200で水平面内に均一に拡散されて、複数のウェハWが配置されたウェハ領域A2に流入する。その後、排気領域A3から収容容器110内の雰囲気がウェハWの上方の排気口213から排気される。そして、収容容器110内の雰囲気が不活性ガスに置換される。このようにウェハ領域A2に流入する不活性ガスは拡散されているので、不活性ガス中の微量のアミンがウェハWに衝突する確率が低くなる。そうすると、ウェハW上における不動体の層の形成を抑制することができ、ウェハWを長時間保管することができる。以上の実施の形態では、収容容器110内において、拡散板200はウェハWの下方に設けられていたが、図9に示すように拡散板200はウェハWの上方に設けられていてもよい。かかる場合、給気口210は、収容容器110の上面に形成される。また、排気管212は、収容容器110の上面給気領域A1から拡散板200を貫通してウェハWの下方排気領域A3まで上下方向に延伸している。排気管212の下端部は開口し、排気口213を形成している。なお、これら部材の構成については前記実施の形態で説明した構成と同一であるので、説明を省略する。また、基板処理システム1のその他の部材の構成についても、前記実施の形態で説明した構成と同一であるので、説明を省略する。本実施の形態によっても、給気口210から給気領域A1に供給された不活性ガスは、拡散板200で水平面内に均一に拡散されて、複数のウェハWが配置されたウェハ領域A2に流入する。したがって、不活性ガス中の微量のアミンがウェハWに衝突する確率が低くなるため、ウェハW上における不動体の層の形成を抑制することができ、ウェハWを長時間保管することができる。以上の実施の形態において、制御装置150は、給気口130から収容容器110内への不活性ガスの供給時間が所定の供給時間に達した際に、当該不活性ガスの供給を停止してもよい。この所定の供給時間は、給気口130から不活性ガスが供給されて、収容容器110内の雰囲気が不活性ガスに置換される時間に設定され、例えば5リットル/分の供給速度で15分間に設定される。かかる場合、収容容器110内の雰囲気が不活性ガスに置換されると不活性ガスの供給が停止されるので、不活性ガス中のアミンがウェハWに衝突する確率がより低くなる。したがって、ウェハW上における不動体の層の形成をより確実に抑制することができ、ウェハWを長時間保管することができる。また、不活性ガスを常時供給する場合に比べて、運用コストを削減することができる。また、制御装置150では、不活性ガスの供給を供給時間で制御していたが、供給量で制御してもよい。すなわち、不活性ガスの供給量が所定の供給量に達した際に、当該不活性ガスの供給を停止してもよい。この所定の供給量も、収容容器110内の雰囲気が不活性ガスに置換される供給量に設定され、例えば300mm径のウェハWを25枚収容可能な収容容器110の容積とほぼ同量である30リットルに設定される。なお、これら供給時間や供給量の制御は、不活性ガスの濃度等を考慮して設定される。以上の実施の形態では、ウェハWの保管は、塗布現像処理装置2の外部に設けられた保管装置3で行われていたが、本発明の実施の形態では、図10に示すように塗布現像処理装置2の内部で行われてもよい。塗布現像処理装置2のインターフェイスステーション7には、ウェハWを収容して保管する収容容器300が設けられている。収容容器300には、図11に示すように複数のウェハWが上下方向に多段に収容される。収容容器300の処理ステーション5側の側面は開口し、第1の開口部301を形成している。また、収容容器300の露光装置6側の側面は開口し、第2の開口部302を形成している。収容容器300には、ウェハWを搬入出するための搬入出口図示せずに対してウェハ搬送装置100がアクセスすることができ、収容容器300にウェハWを搬送することができる。収容容器300の上面303には、上面303から水平方向に処理ステーション5側に張り出した第1の拡散板310と、上面303から水平方向に露光装置6側に張り出した第2の拡散板311とが設けられている。このように第1の拡散板310と第2の拡散板311が配置されて、インターフェイスステーション7には、第1の拡散板310を介してウェハW側の領域に所定の気体を供給する給気領域A1と、複数のウェハWが配置される基板領域としてのウェハ領域A2と、ウェハ領域A2の下流側の排気領域A3とが設けられている。また、第1の拡散板310には、通気部として、第1の拡散板310を厚み方向に貫通する貫通孔320が水平面内に均一に複数形成されている。さらに、第2の拡散板311にも、通気部として、第2の拡散板311を厚み方向に貫通する貫通孔321が水平面内に均一に複数形成されている。なお、基板処理システム1のその他の部材の構成については、前記実施で説明した構成と同一であるので、説明を省略する。ここで、通常操業を行う際、処理ステーション5の内部にはダウンフローと呼ばれる下方向に向かう気流を発生させている。また、処理ステーション5の内部はインターフェイスステーション7の内部よりも高圧に設定されている。そうすると、処理ステーション5内の気体は、下方向に流れながらインターフェイスステーション7に流入し、インターフェイスステーション7内を露光装置6に向かって流れる。本実施の形態では、処理ステーション5からインターフェイスステーション7に流入した気体の一部は給気領域A1を水平方向に流れ、残りの気体は給気領域A1から下方向に流れる。下方向に流れる気体は、第1の拡散板310によって水平面内で均一に拡散されて、複数のウェハWが配置されたウェハ領域A2に流入する。また、万一露光装置6側から気体が逆流した場合でも、この気体は第2の拡散板311によって水平面内で均一に拡散されて、ウェハ領域A2に流入する。かかる場合、処理ステーション5から流入する気体中にアミンが含有されている場合でも、このアミンが収容容器300内に収容されたウェハWに衝突する確率が低くなる。そうすると、ウェハW上における不動体の層の形成を抑制することができる。したがって、ウェハWの汚染を抑制しつつ、ウェハWを長時間保管することができる。以上の実施の形態の塗布現像処理装置2において、カセットステーション4のカセット搬入出部10に載置される収容容器としてのカセットCの上面には、図12に示すようにウェハ搬送部11側処理ステーション5側に張り出した拡散板400が設けられていてもよい。このように拡散板400が配置されて、カセットステーション4には、拡散板400を介してウェハW側の領域に所定の気体を供給する給気領域A1と、複数のウェハWが配置される基板領域としてのウェハ領域A2と、ウェハ領域A2の下流側の排気領域A3とが設けられている。また、拡散板400には、通気部として、拡散板400を厚み方向に貫通する貫通孔401が水平面内に均一に複数形成されている。カセットCは、複数のウェハWを上下方向に多段に収容し、内部を密閉可能に構成されている。カセットCのウェハ搬送部11側処理ステーション5側には、ウェハWを搬入出するための搬入出口410が形成され、この搬入出口410には蓋体411が取付けられている。蓋体411は、上述したオープナー13によって上下方向に移動し、搬入出口410が開閉される。なお、基板処理システム1のその他の部材の構成については、前記実施で説明した構成と同一であるので、説明を省略する。ここで、ウェハ搬送装置21によりカセットCにウェハWを搬入出する際、通常、ウェハ搬送部11の内部においてダウンフローと呼ばれる下方向に向かう気流を発生させている。このとき、蓋体411を搬入出口410から移動させることにより、搬入出口410は開いている。そうすると、ウェハ搬送部11内の気体は、下方向に流れながらその一部がカセットC内に流れる。本実施の形態では、ウェハ搬送部11内の給気領域A1を下方向に流れる気体は、拡散板400によって水平面内で均一に拡散されて、複数のウェハWが配置されたウェハ領域A2に流入する。かかる場合、ウェハ搬送部11から流入する気体中にアミンが含有されている場合でも、このアミンがカセットC内に収容されたウェハWに衝突する確率が低くなる。そうすると、ウェハW上における不動体の層の形成を抑制することができ、ウェハWを長時間保管することができる。以上の実施の形態において、制御装置150は、次に述べるように蓋体411の動作を制御してもよい。先ず、図13に示すように複数のウェハWを収容したカセットCが所定の載置板14に載置される。このとき、蓋体411により搬入出口410は閉じられている。その後、図14に示すようにオープナー13により蓋体411が下方に移動して搬入出口410が開放され、ウェハ搬送装置21によりカセットC内のウェハWが上から順に処理ステーション5に搬送される。このとき、カセットCからウェハWが搬出されるに伴い、カセットC内に残存するウェハWと対向する位置の搬入出口410を蓋体411が覆うように、蓋体411が段階的に下方向に移動する。その後、処理ステーション5及び露光装置6で所定の処理が終了したウェハWは、図15に示すようにカセットCに下から順に搬送される。このとき、カセットC内にウェハWが搬入されるに伴い、搬入されたウェハWと対向する位置の搬入出口410を蓋体411が覆うように、蓋体411が段階的に上方向に移動する。こうして、所定の処理が終了したウェハWがカセットC内に収容される。かかる場合、カセットCにウェハWを搬入出する際、蓋体411が搬入出口410を段階的に開閉しているので、搬入出口410を開放したままでカセットCにウェハWを搬入出する場合に比べて、給気領域A1からウェハ領域A2に流れる気体の流量を少量にすることができる。そうすると、気体中のアミンがカセットC内に収容されたウェハWに衝突する確率が低くなり、ウェハW上における不動体の層の形成をさらに抑制することができる。以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のFPDフラットパネルディスプレイ、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。