回路基板にフリップチップ実装する半導体発光素子であって、発光層を含む半導体層と、前記半導体層を回路基板と接続するためのN側バンプ電極と、前記半導体層を回路基板と接続するためのP側バンプ電極と、を有し、前記N側バンプ電極及び前記P側バンプ電極のそれぞれが、アンダーバンプメタル層及びメッキ金属層を含み、前記アンダーバンプメタル層が、前記半導体層側に配置された高反射性金属層及び前記半導体層と反対側に配置された金属層を含み、前記メッキ金属層の厚さが3μm以上、30μm以下である、ことを特徴とする半導体発光素子。前記メッキ金属層の厚さが10μm以上、30μm以下である、請求項1に記載の半導体発光素子。前記高反射性金属層はAl層またはAg層である、請求項1又は2に記載の半導体発光素子。前記P側バンプ電極及び前記N側バンプ電極の平面形状と、前記P側バンプ電極及び前記N側バンプ電極に含まれるそれぞれの前記アンダーバンプメタル層の平面形状が等しい、請求項1~3の何れか一項に記載の半導体発光素子。前記アンダーバンプメタル層は前記メッキ金属層が占める領域よりも広い面積を占める、請求項1~3の何れか一項に記載の半導体発光素子。開口部を有し且つ前記半導体層を被覆するための保護層を更に有し、前記開口部において前記N側バンプ電極及び前記P側バンプ電極のそれぞれが前記半導体層と電気的に接続される、請求項1~5の何れか一項に記載の半導体発光素子。前記N側バンプ電極が前記発光層と平面的に重なるように配置されている、請求項1~6の何れか一項に記載の半導体発光素子。前記金属層は、原子拡散防止用金属層である、請求項1~7の何れか一項に記載の半導体発光素子。フリップチップ型の半導体発光素子では、発光層側を下にして回路基板に接続されることになるが、実装効率を高めるためには、回路基板と半導体発光素子との間に所定の隙間を形成することが重要である。また、回路基板上に微細なゴミ等が付着している場合にも、回路基板と半導体発光素子との間に所定の隙間を空けて接続することで、ゴミによる影響を軽減することができる。そのために、接続用の電極を厚膜に形成することが考えられる。一般に、スパッター法や真空蒸着法で形成する膜は概ね1μm以下である。スパッター法で厚さが1μm以上の膜を作ろうとすると残留応力が大きくなりすぎるため好ましくない。真空蒸着法で厚さが1μm以上の膜を作ろうとすると、製造時間、材料利用効率及び設備の制約により困難がともなう。しかしながら、従来技術では、簡単且つ容易に、所定の厚さを有し、光利用効率の高い半導体発光素子を提供することは知られていなかった。そこで、本発明は、上記の問題を解決することが可能な半導体発光素子を提供することを目的とする。また、本発明は、メッキ金属層により所定の厚さに形成された電極を有する半導体発光素子を提供することを目的とする。回路基板にフリップチップ実装する半導体発光素子は、発光層を含む半導体層と、半導体層を回路基板と接続するためのN側バンプ電極と、半導体層を回路基板と接続するためのP側バンプ電極と、を有し、N側バンプ電極及びP側バンプ電極のそれぞれがアンダーバンプメタル層及びメッキ金属層を含み、アンダーバンプメタル層が半導体層側に配置された高反射性金属層及び半導体層と反対側に配置された金属層を含み、メッキ金属層の厚さが3μm以上、30μm以下であることを特徴とする。さらに、半導体発光素子では、メッキ金属層の厚さが10μm以上、30μm以下であることが好ましい。さらに、半導体発光素子では、高反射性金属層はAl層またはAg層であることが好ましい。さらに、半導体発光素子では、P側バンプ電極及びN側バンプ電極の平面形状と、P側バンプ電極及び前記N側バンプ電極に含まれるそれぞれのアンダーバンプメタル層の平面形状が等しいことが好ましい。さらに、半導体発光素子では、アンダーバンプメタル層はメッキ金属層が占める領域よりも広い面積を占めることが好ましい。さらに、半導体発光素子では、開口部を有し且つ半導体層を被覆するための保護層を更に有し、開口部においてN側バンプ電極及びP側バンプ電極のそれぞれが半導体層と電気的に接続されることが好ましい。さらに、半導体発光素子では、N側バンプ電極が発光層と平面的に重なるように配置されていることが好ましい。さらに、半導体発光素子では、金属層は、原子拡散防止用金属層であることが好ましい。半導体発光素子は、所定の厚さに形成された電極を有するので、ゴミの影響や発光装置に加わる応力の影響を受けにくいという利点がある。半導体発光素子では、電解メッキ法を利用しているので、所定の厚さに形成された電極を容易に形成することができる。半導体発光素子では、P側バンプ電極及びN側バンプ電極においてアンダーバンプメタル層形成時に反射層形成も同時に形成でき、P側バンプ電極及びN側バンプ電極の両方に反射層を有しているので、反射効率を向上させることができる。半導体発光素子では、発光層から出射しバンプ電極に向かう光をアンダーバンプメタル層の高反射性金属層において高い効率で反射するのでLED装置の実装効率を高くできる。半導体発光素子では、反射層のないウェハーが供与されても電解メッキ工程に不可欠なメッキ電極共通電極ともいうの最下層を高反射性金属層とするだけで簡単に反射層を備えたLED素子が得ることができる。以下図面を参照して、半導体発光素子について説明する。但し、本発明の技術的範囲はそれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶ点に留意されたい。なお図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また説明のため部材の縮尺は適宜変更している。図1は、LED装置10半導体発光装置の外観を示す斜視図である。LED装置10は、図1に示すように、回路基板12の上に樹脂層11が積層している。樹脂層11は、蛍光体を含有し厚さが400μm程度のシリコーン樹脂からなる。図2は、図1のLED装置10から樹脂層11を剥がしとった状態を示す斜視図である。図2を用いて、LED素子15半導体発光素子の実装状況を説明する。回路基板12上には、図2に示すように、マイナス電極14とプラス電極13が形成されている。電極上にはLED素子15がフリップチップ実装されている。LED素子15のN側バンプ電極カソード電極、図示せずとP側バンプ電極アノード電極、図示せずは、それぞれマイナス電極14及びプラス電極13に接続している。回路基板12は、厚さが300μmで、アルミナ面を有するアルミナの板材から構成されている。マイナス電極14及びプラス電極13は、厚さが10~20μm程度でニッケルと金を積層した銅箔である。回路基板12は、下面にマザー基板と接続するための電極図示せずを備えており、前記の電極とマイナス電極14及びプラス電極13とはスルーホール図示せずで接続している。スルーホールは直径が200μmで銅ペーストが充填されている。図3はLED素子15をバンプ面側から眺めた斜視図である。図3を用いて、LED素子15の電極面以降バンプ面と呼ぶを説明する。LED素子15のダイ24上には、図3に示すように、N側バンプ電極21、P側バンプ電極22、及び放熱用バンプ23及び25が備えられている。N側バンプ電極21とP側バンプ電極22は、ダイ24をフェイスアップ実装するときにワイアーボンディングのため保護層図示せずを開口させた領域に形成されている。放熱用バンプ23及び25はダイ24表面の保護層上に形成され、LED素子15の発する熱を回路基板12図3には図示せずに伝えやすくしている。図4は、図3のBB ́断面図である。図4を用いて、LED素子15の断面を説明する。サファイア基板34の上面には、図4に示すように、n型半導体層33があり、n型半導体層33の上面にはp型半導体層32がある。n型半導体層33はp型半導体層32の一部を削って形成した露出部を備えている。n型半導体層33の露出部及びp型半導体層32を覆う保護層31はn型半導体層33の露出部及びp型半導体層32領域に開口部を有し、それぞれの開口部でN側バンプ電極21及びP側バンプ電極22がn型半導体層33及びp型半導体層32に付着している。N側バンプ電極21は、アンダーバンプメタル以下UBMと呼ぶ層21c、メッキ金属層21b及び金錫共晶層21aの積層物である。P側バンプ電極22は、UBM層22c、メッキ金属層22b及び金錫共晶層22aの積層物である。なお、本明細書では、保護層31、半導体層p型半導体層32及びn型半導体層33、及びサファイアイ基板34からなるチップをダイ24と称することとする。サファイア基板34の厚さは200~300μm、n型半導体層33の厚さは5μm程度、p型半導体層32の厚さは1μm程度である。N側バンプ電極21及びP側バンプ電極22の厚さは、それぞれ10~30μmである。N側バンプ電極21の上部の金錫共晶層21a及びP側バンプ電極22の上部の金錫共晶層22aの厚さは、それぞれ2~3μmである。金錫共晶層21a及び22aが溶解することによって、回路基板12のマイナス電極14及びプラス電極13とLED素子15が接合する金錫共晶接合。金錫共晶接合では、融点を300°C~420°Cに設定できるので、250°C前後のリフロー温度でLED装置10をマザー基板に実装する場合、共晶接合部は固体のまま維持される。したがって、金錫共晶接合は、有用な接合法である。図5は、図4のC部分の拡大図である。図5を用いて、UBM層22cの周辺部の積層構造を詳細に説明する。図5は、UBM層22cの積層構造について示しているが、UBM層21cの積層構造も同様である。サファイア基板34上には、図5に示すように、GaNバッファ層33b及びn型GaN層33aが積層している。なお、GaNバッファ層33b及びn型GaN層33aは、平面形状が等しく隣接しているので、まとめてn型半導体層33として以後の説明を行う。n型半導体層33上には、発光層35、p型GaN層32b及びメタル層32aが積層している。p型GaN層32b及びメタル層32aも、平面形状が等しく隣接しているため、まとめてp型半導体層32として以後の説明を行う。メタル層は、電流分布の改善やオーミックコンタクト、原子拡散防止などを達成するため多層構造をとることが多い。しかしながら、LED素子15では、ダイ24がもともとフェイスアップ実装向けであるので、メタル層32aは、p型GaN層32bとオーミックな接続を行い電気抵抗を下げるための透明なITO層によって構成されている。なお、ワイアーボンディング用領域である保護層31の開口部において、ITO層にTi等から構成される原子拡散防止層を積層してメタル層としても良い。UBM層22cは、保護層31の上部及び保護層31の開口部を覆うように配置されている。UBM層22cは、Al層22f高反射性金属層上にTiW層22eとAu層22dが積層した積層物である。Al層22f、TiW層22e、及びAu層22dの厚さは、それぞれ100nm程度である。UBM層22c上にはメッキ金属層22bが積層している。なお、高反射性金属層の材料はAlに限られずAgや合金であっても良い。高反射性金属層は、広く使われているメッキ電極用金属TiWの反射率に比べて高いという意味であり、反射率90以上、好ましくは反射率95以上であることが好ましい。図6は、放熱用バンプ23の部分断面図である。図6に示すように、放熱用バンプ23は、保護層31の上に形成されており、N側バンプ21及びP側バンプ22と同様に、金錫共晶層23a、メッキ金属層23b及びUBM層23cから構成されている。また、UBM層23cは、Al層23f高反射性金属層上にTiW層23eとAu層23dが積層した積層物である。なお、放熱用バンプ25は、放熱用バンプ23と同じ構成であるので、その説明を省略する。LED素子15は放熱用バンプ23及び25を有しているが、必ずしも放熱用バンプを有していなくても良い。図7は、保護層31のみをダイ24の上部から見た図である。図7に示すように、保護層31は、N側バンプ21用の開口部31a及びP側バンプ22用の開口部31bを除いてダイ24の表面全体を覆っている。また、N側バンプ21用の開口部31a及びP側バンプ22用の開口部31bは、N側バンプ21及びP側バンプ22の直径より若干小さく形成されている。前述したように、放熱用バンプ23及び25は、保護層31上に配置されているため、保護層31は放熱用バンプのための開口部を有していない。図8はLED素子15のバンプ形成工程を示す図である。各工程図8a~iでは、特徴的な段階におけるバンプ形成領域の周辺部の断面のみを示している。図8を用いて、バンプ形成工程を説明する。なお、図8において、半導体層62の層構造は省略している。半導体層62には、p型半導体層32、発光層35及びn型半導体層33が含まれる。最初に、ウェハー状のサファイアイ基板34を準備し、サファイア基板34上に半導体層62を形成し、さらにその上にバンプ形成領域61が開口した保護層31を形成する図8a参照。このウェハーは、事前に、洗浄液、純水、ブラシなどで洗われる。次に、保護層31及び開口部61の上部全面に、スパッタリング法によって、Al層63を成膜する図8b参照。その後、Al層63の上部の全面に、スパッタリング法によって、TiW層64を成膜する図8c参照。その後、TiW層64の上部の全面に、スパッタリング法によって、Au層65を成膜する図8d参照。次に、バンプ形成領域61以外の部分にレジスト67を形成する図8e参照。レジスト材料は、回転塗布法によりAu層65の上部全面に塗布され、その後熱処理が行われる。次に、レジスト材料の上方にバンプ形成領域61部分のみが透明なマスクを配置し、レジスト材料を露光及び現像することにより、レジスト67が形成される。次に、電解メッキ法によりメッキ金属層22bを形成する図8f参照。サファイア基板34を金メッキ液に浸潤させ、Al層63、TiW層64及びAu層65をマイナス側のメッキ電極66として利用して、メッキ液に電流を流すことにより、メッキ金属層22bを形成する。なお、メッキ金属層22bの厚さはレジスト67の厚さよりも薄くしておく。次に、レジスト67及びメッキ金属層22bの上部の全面に、スパッタリング法によって、厚さが1~2μmの金錫共晶層68を成膜する図8g参照。次に、レジスト67を除去する図8h参照。このときバンプ形成領域61以外の金錫共晶層68も除去されるが、メッキ金属層22b上の金錫共晶層22aはそのまま残存する。レジスト67を除去後、アルコールや純水で表面を洗浄しスピン乾燥する。次に、メッキ電極66Al層63、TiW層64及びAu層65を、エッチングにより除去する図8i参照。エッチングでは、まず、メッキ金属層22bをマスクとして、ヨウ素系のエッチング液でAu層65を除去する。次に、メッキ金属層22bをマスクとして、過酸化水素水でTiW層64を除去する。最後に、メッキ金属層22bをマスクとして、酢酸系のエッチング液でAl層63を除去する。この結果、メッキ金属層22bの下にのみUBM層22cが残存する。これにより、バンプ形成工程が終了する。図9は、図1のLED装置10のAA ́断面図である。図9を用いて、LED装置10の発光効率について説明する。図9に示されるように、光線L1は、p型半導体層32とn型半導体層33の境界部発光層で発光した光が、サファイア基板34と樹脂層11を通りLED装置10から出射する様子を示している。光線L2は、発光層で発光した光が、回路基板12に向かって出射し、回路基板12のアルミナ面で拡散的に反射しLED装置10の外部に出射する様子を示している。光線L3は、発光層で発光した光が、P側バンプ電極22に向かって出射し、P側バンプ電極22の上面のAl層22f図9には図示せずで反射しLED装置10から出射する様子を示している。光線L4は、発光層で発光した光が、サファイア基板34の上面でN側バンプ電極21に向かって反射し、N側バンプ電極21の上面のAl層図示せずで再度反射しLED装置10から出射する様子を示している。従来のUBM層の上面は、例えばTiW層のように反射率の低い金属層であったのに対し、LED装置10のUBM層22cの上面はAl層22fを備え高い反射率を確保している。このため光線L3及びL4が効率よくLED装置10から出射するようになった。放熱用バンプ23図3参照も、N側バンプ電極21及びP側バンプ電極22と同様にUBM層上面のAl層を有しているので、発光層から放熱用バンプ23に向かう光線は、UBM層上面のAl層で反射してLED装置10の外部に出射する。したがって、LED装置10では、N側バンプ電極21、P側バンプ電極22並びに放熱用バンプ23及び25が占める領域の反射率が向上した分だけ発光効率が改善している。LED装置10において、N側バンプ電極21及びP側バンプ電極22は電解メッキ法によって形成されたメッキ金属層21b及び22bを有しており、メッキ金属層21b及び22bは金バンプであった。バンプ材料メッキ金属層は金に限られず、例えば銅やニッケルなどであっても良い。なお金バンプであれば前述の金錫共晶による接合が適用できるのでリフロー時の安定性が保証されるという利点がある。メッキ金属層21b及び22bは、電解メッキ法によって形成するため、3μm未満の厚さであると制御しにくく、厚さがばらつく場合がある。また、10μm未満の厚さでは、LED素子15と回路基板12との間の隙間が十分ではないので、回路基板12上に付着したゴミの影響を受け易くなる。逆に、電解メッキ法によって形成するため、30μmより厚くする場合には、メッキ金属層21b及び22bの成長させるための製造工程が長時間となる。また、厚くするためには粘性の高いレジスト材料を利用する必要が生じるが、粘性の高いレジスト材料を使うと、取り扱いが面倒になる。そこで、LED素子15では、メッキ金属層21b及び22bの厚さは、3μm~30μmであることが好ましく、特に10μm~30μmであることが好ましい。なお、上記の点は、後述する他のLED素子15a及び更に他のLED素子15hにおいても同様である。フェイスアップ用のダイ24が配列したウェハーを、バンプ電極を形成するだけでフリップチップ実装向けに転用すると、電極側に反射層がないためLED発光装置の反射率が低下する。そこで、反射層を備えさせるため、ウェハー製造工程中に反射層を形成する工程を追加しても良い。しかしながら、それではフェイスアップ用のダイ24をフリップチップ用LED素子15に転用する本発明の趣旨に合わない。つまり、専用工程では、ウェハーを準備しておき、フェイスアップ実装に使うか、フリップチップ実装に使うかを状況に応じて使い分けることができなくなる。図10は、他のLED素子15aをバンプ面から見た斜視図である。図10に示す他のLED素子15aは、図3等に示すLED素子15の代わりにLED装置10に用いることが可能である。図10を用いて、他のLED素子15aのバンプ面を説明する。他のLED素子15aのダイ24上には、図10に示すように、N側バンプ電極21及びP側バンプ電極22が備えられている。LED素子15図3参照と他のLED素子15aとの主たる相違点は、他のLED素子15aのUBM層21g及びUBM層22gがN側バンプ電極21及びP側バンプ電極22の占める領域からはみ出し、広がっていることである。他のLED素子15aの他の構成はLED素子15と同様であるので、それらの説明を省略する。なお、図10では、放熱用バンプ23及び25の記載を便宜上省略している。図11は、図10のDD ́断面図である。図11を用いて、他のLED素子15aの断面を説明する。LED素子15図4参照の断面と、他のLED素子15aの断面の主な相違点は、他のLED素子15aのUBM層21g及び22gが広がっている点のみである。他のLED素子15aのUBM層21g及び22gは、LED素子15と同様に、サファイア基板34側から積層されたAl層図示せず、TiW層図示せず及びAu層図示せずによる積層物である。他のLED素子15aを用いたLED装置10においても、発光層から出射し回路基板12側に向う光線及びLED素子15aの様々な境界面で反射し回路基板12側に向う光線は、UBM層21g及び22gで効率よく反射されLED素子15aから出射する。他のLED素子15aのように、広い反射面UBM層21g及び22gを備えると、回路基板12の表面による反射に頼る必要がなくなる。したがって、回路基板12の材料として、反射率は低いが熱伝導率の良い窒化アルミ基板などを用いることが可能となる。UBM層21g及び22gは、メッキ電極66を露出させる図8hの工程の後、再度ホトリソグラフィ法を適用しメッキ電極66を所望の形状にパターニングすることにより形成される。図12は、更に他のLED素子15hをバンプ面から見た斜視図である。図12に示す他のLED素子15hは、図3等に示すLED素子15の代わりにLED装置10に用いることが可能である。図12を用いて、更に他のLED素子15hのバンプ面を説明する。更に他のLED素子15hのダイ24上には、図12に示すように、N側バンプ電極21h及びP側バンプ電極22hが備えられており、N側バンプ電極21h及びP側バンプ電極21hによって、ダイ24の上面の大部分が覆われている。LED素子15図3参照と更に他のLED素子15hとの主たる相違点は、上述した更に他のLED素子15hの電極形状が異なる点のみである。更に他のLED素子15hの他の構成はLED素子15と同様であるので、それらの説明を省略する。図13は、図12のEE ́断面図である。図13を用いて、更に他のLED素子15hの断面を説明する。LED素子15図4参照の断面と、更に他のLED素子15hの断面の主な相違点は、更に他のLED素子15hのN側バンプ電極21h及びP側バンプ電極22hが大きく、更に他のLED発光素子15hの上面をほとんど覆っている点のみである。更に他のLED素子15hのN側バンプ電極21h及びP側バンプ電極22hは、それぞれUBM層21k及び22k、メッキ金属層21j及び22j、金錫共晶層21i及び22iの積層物である。また、N側バンプ電極21hの一部はp型半導体層32と重なっている。更に他のLED素子15hのUBM層21k及び22kは、LED素子15と同様に、サファイア基板34側から積層されたAl層図示せず、TiW層図示せず及びAu層図示せずによる積層物である。更に他のLED素子15hを用いたLED装置10においても、発光層から出射し回路基板12側に向う光線及び更に他のLED素子15hの様々な境界面で反射し回路基板12側に向う光線は、UBM層21k及び22kで効率よく反射され更に他のLED素子15hから出射する。更に他のLED素子15hのように、広い反射面UBM層21k及び22kを備えると、回路基板12の表面による反射に頼る必要がなくなる。したがって、回路基板12の材料として、反射率は低いが熱伝導率の良い窒化アルミ基板などを用いることが可能となる。UBM層21k及び22kは、図8の工程でN側バンプ電極21及びP側バンプ電極22を形成する場合のパターンニングを変更することによって、形成することができる。即ち、更に他のLED素子15hでは、電解メッキ法で、N側バンプ電極21h及びP側バンプ電極22hの平面形状を比較的自由に設定できるメリットを活用している。また、更に他のLED素子15hでは、N側バンプ電極21h及びP側バンプ電極22hの形状により、発光層から回路基板12に至る熱抵抗が下がり放熱特性が改善するという更なる利点も有している。その結果、更に他のLED素子15hでは、LED素子15が有する放熱用バンプ23を備える必要が無い。反射層を備えていないフリップチップ用LED素子が供与されても電解メッキ工程に不可欠なメッキ電極共通電極ともいうの最下層を高反射性金属層とするだけで簡単に反射層を備えたLED素子を得ることができる。したがって、本発明は反射層を備えていないフリップチップ用LED素子に反射層を追加する場合にも有効である。