非磁性基体上に少なくとも軟磁性裏打ち層と、磁気記録層を含む磁気記録媒体であって、前記軟磁性裏打ち層は、第1の軟磁性層、第2の軟磁性層、交換結合制御層、第3の軟磁性層及び第4の軟磁性層を含み、これらの軟磁性層が、非磁性基体側から前記の順に積層された構造を有し、前記第1の軟磁性層及び第4の軟磁性層の比透磁率の周波数特性10MHz時の比透磁率に比べて、比透磁率が50低下させる周波数は、両方とも、前記第2の軟磁性層及び第3の軟磁性層の比透磁率の周波数特性を比較した場合の高い方の値よりも高く、前記第2の軟磁性層及び第3の軟磁性層の比透磁率は、両方とも、前記第1の軟磁性層及び第4の軟磁性層の比透磁率を比較した場合の高い方の値よりも高いことを特徴とする磁気記録媒体。前記軟磁性裏打ち層において、磁性を担う材料として、前記第1の軟磁性層から第4の軟磁性層が、iFe及びCoを含む磁性を担う材料と、iiB、C、Ti、Zr、Hf、V、Nb又はTaから選択される元素、又はこれらの組合せを含む添加材料を含むことを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体。前記第1の軟磁性層の材料及び第4の軟磁性層の材料が同じ組成及び膜厚を有し、且つ、前記第2の軟磁性層の材料及び第3の軟磁性層の材料が同じ組成及び膜厚を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気記録媒体。前記第1の軟磁性層及び第4の軟磁性層の比透磁率の周波数特性は1000MHz以上であり、前記第2の軟磁性層及び第3の軟磁性層の比透磁率は700以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気記録媒体。非磁性基体上に少なくとも軟磁性裏打ち層と、磁気記録層を含む磁気記録媒体であって、前記軟磁性裏打ち層は、第1の軟磁性層、第2の軟磁性層、交換結合制御層、第3の軟磁性層及び第4の軟磁性層を含み、これらの軟磁性層が、非磁性基体側から前記の順に積層された構造を有し、前記4つの軟磁性層は、iFe及びCoを含む磁性を担う材料と、iiB、C、Ti、Zr、Hf、V、Nb又はTaから選択される元素、又はこれらの組合せを含む添加材料からなる軟磁性層の組合せであり、前記第2の軟磁性層及び第3の軟磁性層のFe及びCoを含む磁性材料の割合が、両方とも、前記第1の軟磁性層及び第4の軟磁性層のFe及びCoを含む磁性材料の両方の割合よりも大きいこと特徴とする磁気記録媒体。前記軟磁性裏打ち層において、前記第2の軟磁性層及び第3の軟磁性層のFe及びCoを含む磁性材料の割合が82.5体積以上であり、かつ、前記第1の軟磁性層及び第4の軟磁性層のFe及びCoを含む磁性材料の割合が82.5体積より小さいこと特徴とする請求項5に記載の磁気記録媒体。特許文献1又は特許文献2に記載のフェライトに代表される軟磁性酸化物は、飽和磁化が低く、ヘッドの磁束を通過させるためには膜厚が厚くなりすぎ、そのままではSULとして適用することは困難であった。また、特許文献3に開示されるような材料を用いた場合、従来の軟磁性裏打ち層では、後述するように、高周波で必要なSNR特性が向上することが見出されたが、同時に、斜め磁化耐性Squash特性が悪化していくことが本発明者らにより見出された。従って、本発明の目的とするところは、高周波のSNR特性とSquash特性を同時に満足する、高記録密度化に対応した磁気記録媒体を提供することである。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、以下の手段により解決される。本発明の磁気記録媒体は、非磁性基体上に少なくとも軟磁性裏打ち層と、磁気記録層を含む。この磁気記録媒体の軟磁性裏打ち層は、第1の軟磁性層、第2の軟磁性層、交換結合制御層、第3の軟磁性層及び第4の軟磁性層を含み、これらの軟磁性層が、非磁性基体側から前記の順に積層された構造を有する。そして、前記第1及び第4の軟磁性層の比透磁率の周波数特性10MHz時の比透磁率に比べて、比透磁率が50低下させる周波数は、両方とも、前記第2及び第3の軟磁性層の比透磁率の周波数特性を比較した場合の高い方の値よりも高く、前記第2及び第3の軟磁性層の比透磁率は、両方とも、前記第1及び第4の軟磁性層の比透磁率を比較した場合の高い方の値よりも高いことを特徴とする。本発明では、前記軟磁性裏打ち層において、磁性を担う材料として、前記第1から第4の軟磁性層が、iFe及びCoを含む磁性を担う材料と、iiB、C、Ti、Zr、Hf、V、Nb又はTaから選択される元素、又はこれらの組合せを含む添加材料を含むことが好ましい。本発明では、前記第1及び第4の軟磁性層の比透磁率の周波数特性は両方とも、1000MHz以上であり、前記第2及び第3の軟磁性層の軟磁性層の比透磁率は両方とも700以上であることが好ましい。本発明の好ましい一実施形態は、非磁性基体上に少なくとも軟磁性裏打ち層と、磁気記録層を含む磁気記録媒体であって、前記軟磁性裏打ち層は、第1の軟磁性層、第2の軟磁性層、交換結合制御層、第3の軟磁性層及び第4の軟磁性層を含み、これらの層が、前記の順に積層された構造を有する。そして、前記第1から第4の軟磁性層は、iFe及びCoを含む磁性を担う材料と、iiB、C、Ti、Zr、Hf、V、Nb又はTaから選択される元素、又はこれらの組合せを含む添加材料からなる軟磁性層の組合せであり、前記第2及び第3の軟磁性層のFe及びCoを含む磁性材料の割合が、両方とも、前記第1及び第4の軟磁性層のFe及びCoを含む磁性材料の両方の割合よりも大きいこと特徴とする磁気記録媒体である。上記の好ましい実施形態の磁気記録媒体では、前記軟磁性裏打ち層において、前記第2及び第3の軟磁性層のFe及びCoを含む磁性を担う材料の割合が82.5体積以上であり、かつ、前記第1及び第4の軟磁性層のFe及びCoを含む磁性を担う材料の割合が82.5体積より小さいこと特徴とする。本発明の好ましい実施形態では、第1及び第4の軟磁性層の磁気特性比透磁率の周波数特性及び比透磁率、組成及び膜厚、並びに、第2及び第3の軟磁性層の磁気特性比透磁率の周波数特性及び比透磁率、組成及び膜厚は、それぞれ、交換結合制御層を中心として、対称であることが好ましい。本発明では、高周波で必要なSNR特性と、Squash特性を同時に満足する高記録密度化に対応した磁気記録媒体を提供することができる。本発明者らは、まず、Fe及びCoを含む磁性を担う材料に、B、C、Ti、Zr、Hf、V、Nb又はTaの元素、又はこれらの組合せを含む材料を添加材料として添加した軟磁性層をSULとして含む磁気記録媒体を作製し、その記録再生特性を鋭意検討した。この検討において、対照として、Fe及びCoだけからなる軟磁性層を用いてSULを作成した磁気記録媒体を製造し、比較検討した。その結果、上記添加材料を添加した軟磁性層を含むSULは、対照に比べて、上記添加材料の割合を増していくと、高周波で必要なSNR特性が向上することが見出された。しかしながら、同時に、斜め磁化耐性Squash特性が悪化していくことも見出された。Squash特性は、斜め磁化による書き滲みの度合いを表わす指標である。詳しく説明すると、磁気ヘッドからの磁束は、磁気記録層の膜面に対して垂直であることが理想である。しかしながら、実際には、磁気ヘッドの先端からの磁束は斜めに広がりつつ、SULに到達する。このため、その磁束の広がりによるクロストラック方向での書き滲みが生じることになる。この書き滲みの度合いを表わす指標がSquash特性である。上記添加材料の割合を増すことで、軟磁性層の比透磁率の周波数特性は向上する。このため、高周波で必要なSNR特性が向上したと考えられる。しかしながら、添加材料の割合を増加することは、同時に軟磁性層の全体的な比透磁率の低下を引き起こした。このためにSULへの磁束の引き込み能力が低減し、ヘッドからの磁束が広がり、Squash特性が悪化してしまったと考えられる。以上のように、iFe及びCoを含む磁性を担う材料と、iiB、C、Ti、Zr、Hf、V、Nb又はTaの元素、又はこれらの組合せを含む軟磁性層を含むSULを用いた磁気記録媒体では、高周波のSNRとSquash特性がトレードオフの関係であり、磁気記録媒体としての記録再生特性を満足させることができなかった。本発明者らは、上記結果を踏まえ、高周波で必要なSNR特性と、Squash特性を同時に満足する高記録密度化に対応した磁気記録媒体に関して鋭意研究した。その結果、本発明の磁気記録媒体を得ることができた。以下に、図1及び図2に基づいて本発明の磁気記録媒体の実施の形態について説明する。図1は、本発明の磁気記録媒体6の一例を示すものである。図2は、本発明のSULの構造の一例を示すものである。本発明の磁気記録媒体6は、非磁性基体1、軟磁性裏打ち層SUL2及び磁気記録層4を少なくとも含む。本発明では、他に任意の層として、下地層3、保護層5、潤滑層図示せずなどを含んでいてもよい。本発明では、非磁性基体1、SUL2、下地層3、磁気記録層4、保護層5及び潤滑層6を順次積層した構造を有することが好ましい。本発明に係る磁気記録媒体のSUL2は、第1の軟磁性層2A、第2の軟磁性層2B、交換結合制御層2C、第3の軟磁性層2D及び第4の軟磁性層2Eからなる積層構造を有し、第1の軟磁性層2A及び第4の軟磁性層2Eは、第2の軟磁性層2B及び第3の軟磁性層2Eよりも比透磁率の周波数特性が高いことを特徴とする。ここで、本明細書中において比透磁率の周波数特性とは、特定の周波数の軟磁性層の比透磁率に比べて、その軟磁性層の比透磁率が一定量低下するときの周波数をいう。具体的には、10MHz時の軟磁性層の比透磁率に比べて、その軟磁性層の比透磁率が50低下するときの周波数をいう。本発明に係る磁気記録媒体のSUL2は、上述のような積層構造及び比透磁率の周波数特性を有することを特徴とする。このように本発明の軟磁性層の比透磁率の周波数特性を改良することで、高周波で必要とされるSNR特性を改善することができる。これは、高周波の磁束が、SULの比較的浅い部分磁気記録層に近い部分を通りやすいため、第4の軟磁性層に比透磁率の周波数特性が高い軟磁性材料を配置することで、SULの比較的浅い部分で高周波の磁束が、第4の軟磁性層と敏感に反応し、第1の軟磁性層との相互作用も生じて、高周波の磁束がSULに引き込まれるためと考えられる。また、第2及び第3の軟磁性層は、比透磁率の周波数特性は第1及び第4の軟磁性層に比べ低いが、その分、第2及び第3の軟磁性層の比透磁率は、第1及び第4の軟磁性層に比べて高い。Squash特性に関しては、SUL全体としての透磁率を高くすることが有効である。このため、第2及び第3の軟磁性層の比透磁率を第1及び第4の軟磁性層代路も高くすることにより、SUL全体としての比透磁率を高くすることができ、結果としてSquash特性を改善することができた物と考えられる。以下に、第1から第4の軟磁性層の比透磁率の周波数特性、並びに、第1から第4の軟磁性層の比透磁率の関係をさらに詳細に説明する。本発明では、第1の軟磁性層2A及び第4の軟磁性層2Eの比透磁率の周波数特性は、両方とも、第2の軟磁性層2B及び第3の軟磁性層2Dの比透磁率の周波数特性の値の高い方よりも高い値を有する。即ち、第1の軟磁性層2A及び第4の軟磁性層2Eの比透磁率の周波数特性は、両方とも、第2の軟磁性層2B及び第3の軟磁性層2Dの比透磁率の周波数特性を比較してその高い方の値よりも高い値を有する。また、比透磁率については、第2の軟磁性層2B及び第3の軟磁性層2Dの比透磁率は、両方とも、第1の軟磁性層2A及び第4の軟磁性層2Eの比透磁率の値の高い方よりも高い値を有する。即ち、第2の軟磁性層2B及び第3の軟磁性層2Dの比透磁率は、両方とも、第1の軟磁性層2A及び第4の軟磁性層2Eの比透磁率を比較してその高い方の値よりも高い値を有する。以上の通り、本発明では、SUL2を第1の軟磁性層1A、第2の軟磁性層2B、交換結合制御層2C、第3の軟磁性層2D及び第4の軟磁性層2Eからなる積層構造とし、第1の軟磁性層2A及び第4の軟磁性層2Eと、第2の軟磁性層2B及び第3の軟磁性層2Dのとの間の比透磁率の周波数特性及び比透磁率100MHzにおける比透磁率の関係を上述のように設定する。これにより、Squash特性を及びSNR特性の両方を改善した磁気記録媒体が提供できる。本発明では、磁性を担う材料はFeCoが好ましいが、上述した考察は、磁性を担う材料がFeCo以外の、垂直磁気記録媒体に通常用いられる材料で調製されたSULに対しても当てはまる。従って、本発明は、FeCoと同系列の鉄系遷移金属、好ましくはFe、Co、Ni、Crなどを含む磁性を担う材料に対しても適用できることは当業者に明らかである。次に、本発明の磁気記録媒体の材料について説明する。非磁性基体1としては、通常の磁気記録媒体に用いられるNiPめっきを施したAl合金又はガラス、或いは結晶化ガラス、又はSi基体等を用いることがでる。軟磁性裏打ち層SUL2は、現行の垂直記録方式と同様、磁気ヘッドからの磁束を制御して、記録再生特性を向上するための層である。なお、軟磁性裏打ち層2の全膜厚の最適値は、磁気記録に用いる磁気ヘッドの構造や特性によって変化するが、他の層と連続成膜で形成する場合などは、生産性との兼ね合いから10nm以上100nm以下であることが望ましい。本発明では、SUL2は、図2に示すように、非磁性基体側から磁気記録層側に向けて、第1の軟磁性層2A、第2の軟磁性層2B、交換結合制御層2C、第3の軟磁性層2D、及び第4の軟磁性層2Eの順で積層された積層構造を有する。そして、第1の軟磁性層2A及び第2の軟磁性層2Bと、第3の軟磁性層2D及び第4の軟磁性層2Eが、交換結合制御層2Cを介して磁気的に媒体の面内方向に対して反平行に結合する。これにより、第1の軟磁性層2A及び第2の軟磁性層2Bと、第3の軟磁性層2D及び第4の軟磁性層2EはAFC-SUL構造となる。本発明の磁気記録媒体におけるSUL2では、第1から第4の軟磁性層の材料は、磁性を担う材料と、B、C、Ti、Zr、Hf、V、Nb又はTaの元素、及びこれらの組合せを含む添加材料を組み合わせた材料が好ましい。磁性を担う材料としては、鉄系遷移金属などを挙げることができる。特に本発明では、Fe、Co、Ni、Cr等を含む磁性を担う材料が好ましく、Fe及びCoを含む磁性を担う材料が特に好ましい。また、第1の軟磁性層2A及び第4の軟磁性層2Eは、第2の軟磁性層2B及び第3の軟磁性層2Dよりも上記添加材料の割合を高くすることが好ましい。これにより、第1の軟磁性層2A及び第4の軟磁性層2Eは、比透磁率が第2の軟磁性層2B及び第3の軟磁性層2Dより低いが、比透磁率の周波数特性が改善された軟磁性層となる。逆に、第2の軟磁性層2B及び第3の軟磁性層2Dは、比透磁率の周波数特性が第1の軟磁性層1A及び第4の軟磁性層2Eより低下するが、比透磁率が高い軟磁性層となる。SUL2の構造を上述のような構成とすることで、高周波で必要なSNR特性とSquash特性を同時に満足する高記録密度化に対応した磁気記録媒体を提供することができる。本発明では、第1の軟磁性層2A及び第4の軟磁性層2Eはそれぞれの組成及び膜厚が同じであり、且つ、第2の軟磁性層2B及び第3の軟磁性層2Dはそれぞれの組成及び膜厚が同じであることが好ましい。即ち、第1の軟磁性層及び第2の軟磁性層と、第4の軟磁性層及び第3の軟磁性層は、交換結合制御層2Cを介して、組成及び膜厚が対称の構成であることが好ましい。このように、第1の軟磁性層2A及び第4の軟磁性層2Eの組成及び膜厚を同じにし、第2の軟磁性層2B及び第3の軟磁性層2Dの組成及び膜厚を同じにすることで、これらの軟磁性層のロット内の変動が同じになる。これにより、SUL2において、交換結合制御層2Cを中心とした上下の各2層で挙動が同じになり、安定したAFCを保つことができる。また、第1から第4の層は、上記指針を満たす限り、それぞれの層中が多層構造であってもよい。第1の軟磁性層から第4の軟磁性層のそれぞれの膜厚は、記録再生特性との兼ね合いにより、等しくてもよいし、又は異なっていてもよい。例えば、第1の軟磁性層2Aの膜厚は、5~30nmが好ましく、第2の軟磁性層2Bの膜厚は、5~30nmが好ましく、第3の軟磁性層2Dの膜厚は、5~30nmが好ましく、第4の軟磁性層2Eの膜厚は、5~30nmが好ましい。第1の軟磁性層2A及び第4の軟磁性層2Eは、第2の軟磁性層2B及び第3の軟磁性層2Dよりも、比透磁率の周波数特性が高い。上述したとおり、比透磁率の周波数特性は、特定の周波数の軟磁性層の比透磁率に比べて、その軟磁性層の比透磁率が一定量低下するときの周波数をいい、具体的には、10MHz時の比透磁率に比べて、比透磁率が50低下するときの周波数をいう。本発明では、この周波数は1000MHz以上であることが好ましい。例えば、このような特性を示す材料として、磁性を担う材料FeCoが82.5体積未満であるものが好ましい。例えば、磁性を担う材料が上記含有量である実施例に記載の材料を挙げることができ、その一例として、80体積Fe70Co30-15体積Ta-5体積Bからなる材料がある。更に本発明では、第2の軟磁性層2B及び第3の軟磁性層2Dは、第1の軟磁性層2A及び第4の軟磁性層2Eよりも、100MHz以下での比透磁率が高い。本発明では、第2及び第3の軟磁性層の比透磁率が700以上であることが好ましい。このような特性を示す材料として、磁性を担う材料FeCoが82.5体積以上であるものが好ましい。例えば、磁性を担う材料が上記含有量である実施例に記載の材料を挙げることができ、その一例として、85体積Fe70Co30-12体積Ta-3体積Bからなる材料を挙げることができる。交換結合制御層2Cの材料は、非磁性基材1の材料及び軟磁性層2Aから2Eの材料へ拡散しにくい材料であることが好ましい。このような材料として、例えばPt、Pd、Ruなどを挙げることができ、特にRuが好ましい。交換結合制御層2Cの膜厚は、第1及び第2の軟磁性層2A、2Bと、第3及び第4の軟磁性層2D、2Eが適度に反強磁性結合する厚さであればよく、例えば、0.1~5nm程度が好ましい。次に、任意成分である下地層3は、1磁気記録層4の結晶粒子径及び結晶配向の制御、及び2軟磁性裏打ち層SUL2及び磁気記録層4の磁気的な結合を防止するための層である。したがって、下地層3の材料は、磁気記録層の材料に合わせて適宜選択する必要がある。たとえば、下地層3の直上に位置する磁気記録層4の材料が、六方最密充填hcp構造を有するCoを主体とした材料である場合は、下地層3の材料は、同じ六方最密充填構造もしくは面心六方fcc構造を有する材料から選択されることが好ましい。具体的には、Ru、Re、Rh、Pt、Pd、Ir、Ni、Co、又はこれらを含む合金などを下地層3の材料として挙げることができる。下地層3は薄ければ薄いほど書込み性能は向上する。しかしながら、上記1及び2の機能を考慮すれば、下地層3はある程度の膜厚を必要とする。本発明では、3~30nmの範囲内の膜厚を有することが好ましい。磁気記録層4の材料は、結晶系の磁性材料が好ましい。磁気記録層4の材料として、好ましくは、Co及びPtを含む合金の強磁性材料を挙げることができる。強磁性材料の磁化容易軸は、磁気記録を行う方向に向かって配向していることが必要である。例えば、垂直磁気記録を行うためには、磁気記録層4の材料の磁化容易軸例えば、hcp構造のc軸が、磁気記録媒体の表面すなわち非磁性基体の主平面に垂直方向に配向していることが必要である。あるいは、磁気記録層4は、好ましくは、磁性結晶粒子が非磁性体で隔てられた構造を有する。この場合、磁性結晶粒子は、Co、Fe、Niなどの磁性元素を主体とした組成を有し、その形状は直径数nmの柱状であることが好ましい。具体的には、磁性結晶粒子は、CoPt合金にCr、B、Ta、Wなどの金属を添加した材料であることが好ましい。非磁性体はサブnm程度の厚さを有することが好ましい。非磁性体は、Si、Cr、Co、Ti、又はTaの酸化物若しくは窒化物などが好ましい。磁気記録層4の成膜方法は、従来の方法を用いることができる。例えばマグネトロンスパッタリング法を用いることができる。本発明では、下地層3の結晶部分上に磁性結晶粒子がエピタキシャル成長し、下地層3の粒界部分上に前記非磁性体が位置するような対応関係を有するように結晶成長させた構造が好ましい。磁気記録層4の膜厚は、従来のものと同様である。好ましくは、5~20nmである。保護層5は、従来から使用されているものを材料とすることができる。例えば、カーボンを主体とする材料を挙げることができる。具体的には、炭素、窒素含有炭素、水素含有炭素などが好ましい。単層ではなく、例えば異なる性質の2層からなるカーボン保護層や、金属膜とカーボン膜、酸化膜とカーボン膜の積層膜からなる保護層とすることもできる。保護層の厚さは典型的には10nm以下であることが好ましい。なお、図には示していないが、保護層5の上に潤滑層7を形成してもよい。潤滑層はヘッドと媒体が摺動する際に、両者の間に介在して媒体表面が磨耗することを防ぐ役割を担う。このような材料としてはフッ素系の液体潤滑剤が好適である。例えば、HO-CH2-CF2-CF2-Om-C2F4-On-CF2-CH2-OHnmは約40で表される有機物などを用いることができる。液体潤滑層の膜厚は、保護層の膜質等を考慮して液体潤滑層の機能を発揮できる膜厚とすることが好ましい。非磁性基体1の上に積層される各層は、磁気記録媒体の分野で通常用いられる様々な成膜技術によって形成することが可能である。液体潤滑層を除く各層の形成には、一部上記で説明を加えたが、例えばDCマグネトロンスパッタリング法、真空蒸着法を用いることが出来る。また、液体潤滑層の形成には、例えばディップ法、スピンコート法を用いることができる。以下に本発明の垂直磁気記録媒体を、実施例に基づいて具体的に説明する。なお、これらの実施例は、本発明の垂直磁気記録媒体を好適に説明するための代表例に過ぎず、本発明はこれらに限定されるものではない。図1及び図2を用いて、以下に本発明の磁気記録媒体及びその製造方法を、実施例及び比較例を参照して詳細に説明する。[実施例1]実施例1においては、図1に示すように、非磁性基体1、その上に順次設けられるFeCo系のSUL2、Ruからなる下地層3、CoCrPt‐SiO2グラニュラー磁気記録層4、炭素Cからなる保護層5、及び図示していない液体潤滑層を形成し、垂直磁気記録媒体6を作製した。なお、液体潤滑層として、パーフルオロポリエーテルを主成分とする株モレスコ製A-20Hを用いた。磁気記録媒体作製の具体的手順は以下の通りである。磁性基体1として表面が平滑な円盤状の化学強化ガラス基体HOYA社製N-10ガラス基体を用いた。まず、非磁性基体1を、成膜装置内に導入した。SUL2から保護層5までの成膜は、大気解放することなく、全てインライン式の成膜装置で成膜した。図1のSUL2は、図2のSUL積層構造2A、2B、2C、2D及び2Eを有するように作製した。まず、真空度1.0PaのArガス雰囲気中で、DCマグネトロンスパッタ法で、膜厚12nmの81体積Fe72Co28‐14体積Ta‐5体積Bからなる第1の軟磁性層2Aを形成した。次に、同じ真空度で、膜厚9nmの85体積Fe75Co25‐12体積Ta‐3体積Bからなる第2の軟磁性層2Bを形成した。次に、真空度0.5PaのArガス雰囲気中で、DCマグネトロンスパッタ法で、膜厚0.5nmのRuからなる交換結合制御層2Cを形成した。次に、真空度1.0PaのArガス雰囲気中で、DCマグネトロンスパッタ法で、膜厚9nmの85体積Fe75Co25‐12体積Ta‐3体積Bからなる第3の軟磁性層2Dを形成した。次に、第3の軟磁性層2Dの成膜と同じ真空度で、膜厚12nmの81体積Fe72Co28‐14体積Ta‐5体積Bからなる第4の軟磁性層2Eを形成した。続いて、下地層3として、真空度1.5PaのArガス雰囲気中で、DCマグネトロンスパッタ法で、膜厚20nmのRuからなる層を形成した。続いて、磁気記録層4を形成した。磁気記録層4は2層構造で形成した。第1の磁気記録層として、真空度5.0PaのArガス雰囲気中で、DCマグネトロンスパッタ法で、膜厚8nmの92体積Co70Cr12Pt25‐8体積SiO2膜を形成した。次に、第2の磁気記録層として、真空度1.2PaのArガス雰囲気中で、DCマグネトロンスパッタ法で、膜厚8nmの96体積Co68Cr20Pt12‐4体積SiO2膜を形成した。これにより、総膜厚16nmの磁気記録層4を得た。続いて、保護層5として、圧力0.13Paにおいて、エチレンを材料ガスとするプラズマCVD法により、膜厚3nmのカーボン層を形成した。その上で、上記各層を形成した基体1をインライン式の成膜装置から取り出した。最後に、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑材層をディップ法により膜厚2nmで形成し、磁気記録媒体6を得た。[比較例1]比較例1の磁気記録媒体は、SULを除き、実施例1の磁気記録媒体と同様に作製した。比較例1の磁気記録媒体のSUL2は、図2と同様の4層構造からなるSULを作製したが、実施例1のSULの第1及び第4の軟磁性層と、第2及び3の軟磁性層を入れ替えた構成でSULを作製した。比較例1のSULの各層の成膜法を以下に説明する。まず、真空度1.0PaのArガス雰囲気中で、DCマグネトロンスパッタ法で、膜厚9nmの85体積Fe75Co25‐12体積Ta‐3体積Bからなる第1の軟磁性層2Aを形成した。次に、同じ真空度で、膜厚12nmの81体積Fe72Co28‐14体積Ta‐5体積Bからなる第2の軟磁性層2Bを形成した。次に、真空度0.5PaのArガス雰囲気中で、DCマグネトロンスパッタ法で、膜厚0.5nmのRuからなる交換結合制御層2Cを形成した。次に、真空度1.0PaのArガス雰囲気中で、DCマグネトロンスパッタ法で、膜厚12nmの81体積Fe72Co28‐14体積Ta‐5体積Bからなる第3の軟磁性層2Dを形成した。次に、第3の軟磁性層の成膜と同じ真空度で、膜厚9nmの85体積Fe75Co25‐12体積Ta‐3体積Bからなる第4の軟磁性層2Eを形成した。[比較例2]比較例2の磁気記録媒体では、SUL以外の各層を実施例1と同様の方法で作製した。比較例2の磁気記録媒体では、下部軟磁性層非磁性基体側の軟磁性層/交換結合制御層/上部軟磁性層磁気記録層側の軟磁性層の積層構造を有するSULを作製した。比較例2のSULの各層の成膜法を以下に説明する。まず、真空度1.0PaのArガス雰囲気中で、DCマグネトロンスパッタ法で、膜厚21nmの81体積Fe72Co28‐14体積Ta‐5体積Bからなる下部軟磁性層を形成した。次に、真空度0.5PaのArガス雰囲気中で、DCマグネトロンスパッタ法で、膜厚0.5nmのRuからなる交換結合制御層を形成した。次に、真空度1.0PaのArガス雰囲気中で、DCマグネトロンスパッタ法で、膜厚21nmの81体積Fe72Co28‐14体積Ta‐5体積Bからなる第4の軟磁性層2Eを形成した。[比較例3]比較例3の磁気記録媒体は、SUL以外、比較例2と同様の手順で作製した。比較例3の磁気記録媒体のSULでは、比較例2の、81体積Fe72Co28‐14体積Ta‐5体積Bの組成を有する軟磁性層に代えて、85体積Fe75Co25‐12体積Ta‐3体積Bの組成を有する軟磁性層を形成した。[実施例2]実施例2の磁気記録媒体は、SUL以外の各層について、実施例1と同様の方法で作製した。実施例2の磁気記録媒体のSUL2は、図2に示す4層構造のSULを作製した。本実施例のSUL2は、実施例1の第1から第4の軟磁性層の組成を変化させた。具体的には、Fe70Co30の体積割合と、B、C、Ti、Zr、Hf、V、Nb又はTaの元素、及びこれら元素の組合せから選択される添加材料の体積割合を変化させて、サンプルを作製した。第1から第4の軟磁性層の膜厚は、全て10nmとした。作製した各サンプルの組成を表3に示す。[実施例3]比透磁率及び比透磁率の周波数特性の評価用サンプルとして、表面が平滑な円盤状の化学強化ガラス基体HOYA社製N-10ガラス基体上に、膜厚40nmのFe70Co30100xyTaxByの軟磁性層と、保護層として膜厚3nmのカーボン層を形成したサンプルを作製した。サンプル作製は実施例1と同様にインライン式の成膜装置で行った。軟磁性層は、真空度1.0PaのArガス雰囲気中で、DCマグネトロンスパッタ法で形成し、カーボン層は、CVD法により形成した。作製したサンプルの組成を表4に示す。[評価]まず、本実施例1及び2、並びに、比較例1から3で作製した磁気記録媒体の性能を評価した結果について述べる。表1には、実施例1及び2で作製したサンプル、及び比較例1で作製したサンプルについての組成と、SNR特性及びSquash特性の評価結果を示した。表3には比較例2及び3で作製したサンプルの組成と、SNR特性及びSquash特性の評価結果をまとめて示す。SNR特性及びSquash特性の測定は、スピンスタンドテスターにて、市販のGMRヘッドを用いて行った。ヘッドは、記録トラック幅100nm、再生トラック幅75nmのものを使用した。SNR特性は、記録周波数250MHzで信号を書き込み、ノイズ出力に対する信号出力の割合から求めた。SNRが10dB以上の場合を優良○とし、9dB以上10dB未満の場合を良△とした。また、不良9dB未満を不良×とした。Squash特性は、周波数70MHzで記録した信号に対して、隣接する両サイドのトラックにACイレース信号を50回書き込んだ後の信号出力を、当初の信号出力に対して規格化比較した値である。Squashが、60以上のものを優良○とし、50以上60未満のものを良△とした。また、不良60未満を不良×とした。次に、実施例3で作製したサンプルの比透磁率及び比透磁率の周波数特性について述べる。比透磁率及び比透磁率の周波数特性の測定例を図4A~Cに示す。表3には、実施例3で作製したサンプルの組成と、比透磁率及び比透磁率の周波数特性の結果をまとめて示す。比透磁率及び比透磁率の周波数特性は、凌和電子製PMM-9G1装置を用いて1MHzから9GHzの範囲で測定した。比透磁率μは、その実数部μ’と虚数部μに分解して測定できる。表3の比透磁率及び比透磁率の周波数特性は、実数部μ’から得たものである。比透磁率は、周波数10MHzでの比透磁率とし、比透磁率の周波数特性は、周波数10MHzでの比透磁率が、半減50に低減する時の周波数として示した。図4は、表3のうちの以下の組成の軟磁性層をグラフとして示した。図4Aは、82体積Fe70Co30‐14体積Ta‐4体積Bの組成を有する軟磁性層の測定結果、図4Bは、81体積Fe70Co30‐14体積Ta‐5体積Bの組成を有する軟磁性層の測定結果、図4Cは、80体積Fe70Co30‐15体積Ta‐5体積Bの組成を有する軟磁性層の測定結果である。上記表の結果をまとめると以下の通りである。まず、表2の比較例2及び3の結果を見ると、この表に示されるように、SULの4つの軟磁性層が、全て同じ組成である場合には、Squash特性とSNRは、トレードオフの関係になり、Squash特性及びSNRの両方を満足する磁気記録媒体は得られなかった。次に、表1の実施例1の結果を見ると、上記表2の結果とは対照的であった。即ち、実施例1の磁気記録媒体は、SULが、非磁性基体側から、第1の軟磁性層、第2の軟磁性層、交換結合制御層、第3の軟磁性層及び第4の軟磁性層を含み、これらの層が、上記の順で積層されている構造を有し、各層の軟磁性層が、Fe及びCoを含む磁性を担う材料と、B及びTaの元素の組合せからなる添加材料とからなるものであるが、このような構成では、第2及び第3の軟磁性層のFe及びCoを含む磁性を担う材料の割合が、第1及び第4の軟磁性層のFe及びCoを含む磁性を担う材料の割合よりも大きい場合、Squash特性を維持したまま、SNRを満足する磁気記録媒体が実現できていた。一方、表1の比較例1に示されるように、第2及び第3の軟磁性層のFe及びCoを含む磁性を担う材料の割合が、第1及び第4の軟磁性層のFe及びCoを含む磁性を担う材料の割合よりも小さい場合には、SNRを満足することができなかった。次に、表3の結果を考察する。実施例2-1~4では、磁気記録媒体のSULの第1及び第4の軟磁性層の磁性を担う材料Fe70Co30の割合を上げながら、同時に第2及び第3の軟磁性層の磁性を担う材料Fe70Co30の割合を下げた。実施例2-1及び実施例2-2に示されるように、第1及び4の軟磁性層のFe70Co30の割合が82体積以下であり、第2及び第3の軟磁性層のFe70Co30の割合が83体積以上である場合、Squash特性及びSNRの両方を満足した。しかし、実施例2-3のように、Fe70Co30の割合が全て同じ82.5体積の場合、並びに、実施例2-4のように、第1及び第4の軟磁性層のFe70Co30の割合が83体積以上であり、第2及び第3の軟磁性層のFe70Co30の割合が82体積以下である場合、Squash特性は優良○の範囲に維持されたが、SNR特性は不良×であった。また、実施例2-1から実施例2-4の結果を見ると、第2及び第3の軟磁性層、又は、第1及び第4の軟磁性層のいずれかの層のFe70Co30割合が82体積以上であると、Squash特性が優良○の範囲に維持されたことが解る。表3の実施例2-5から実施例2-8では、第1及び第4の軟磁性層の組成を80体積Fe70Co30‐15体積Ta‐5体積Bに固定し、第2及び第3の軟磁性層のFe70Co30の割合を83体積から78体積まで変化させた。このとき、第1及び第4の軟磁性層のFe70Co30の割合が80体積であったことにより、実施例2-5から実施例2-8の全てにおいてSNR優良○の範囲に維持された。一方、第2及び第3の軟磁性層のFe70Co30の割合が83体積である実施例2-5では、SNR及びSquash特性共に優良○であったが、第2及び第3の軟磁性層のFe70Co30の割合が82体積より低下実施例2-6から実施例2-8すると、SNRは優良○に維持されたが、Squash特性が優良○の範囲から逸脱した。さらに、第2及び第3の軟磁性層のFe70Co30の割合が、第1及び第4の軟磁性層のものより大きい範囲実施例2-5および2-6では、Squash特性は優良○又は良△に維持されたが、第2及び第3の軟磁性層のFe70Co30の割合が、第1及び第4の軟磁性層のものと同等か小さい範囲実施例2-7および2-8では、Squash特性は不良×となった。実施例2-9から実施例2-12では、第1及び第4の軟磁性層の組成を82.5体積Fe70Co30‐13.5体積Ta‐4体積Bに固定し、第2及び第3の軟磁性層のFe70Co30の割合を81体積から84体積まで変化させた。このとき、実施例2-9から実施例2-12の全てにおいてSquash特性は優良○の範囲に維持されたが、SNR特性は優良○の範囲から逸脱した。これは、第1及び第4の軟磁性層のFe70Co30の割合が82.5体積以上であったことと相関していると考えられる。また、第2及び第3の軟磁性層のFe70Co30の割合が、第1及び第4の軟磁性層のものより大きい範囲実施例2-11および2-12では、SNR特性は、良△に維持されたが、第2及び第3の軟磁性層のFe70Co30の割合が、第1及び第4の軟磁性層のものと同等か小さい範囲実施例2-9および2-10では、SNR特性は不良×となった。実施例2-13から実施例2-16にでは、第2及び第3の軟磁性層の組成を85体積Fe70Co30‐12体積Ta‐3体積Bに固定し、第1及び第4の軟磁性層のFe70Co30の割合を82体積から87体積まで変化させた。このとき、実施例2-13から実施例2-16の全てにおいてSquash特性は優良○の範囲に維持されたが、第1及び第4の軟磁性層のFe70Co30の割合が83体積より大きくなるとSNR特性は優良○の範囲から逸脱した。このように、第2及び第3軟磁性層のFe70Co30の割合が85体積であれば、いずれのサンプルにおいてもSquash特性が優良○の範囲に維持された。また、第2及び第3の軟磁性層のFe70Co30の割合が、第1及び第4の軟磁性層のものより大きい範囲実施例2-13および2-14では、SNR特性は、優良○又は良△に維持されたが、第2及び第3の軟磁性層のFe70Co30の割合が、第1及び第4の軟磁性層のものと同等か小さい範囲実施例2-15および2-16では、SNR特性は不良×となった。実施例2-17~20では、第2及び第3の軟磁性層の組成を80体積Fe70Co30‐15体積Ta‐5体積Bに固定し、第1及び第4の軟磁性層のFe70Co30の割合を85体積から80体積まで変化させた。このとき、第1及び第4の軟磁性層のFe70Co30の割合が83体積より大きくなると、SNR特性が優良○の範囲から逸脱し、第1及び第4の軟磁性層のFe70Co30の割合が81体積より小さくなるとSquash特性が優良○の範囲を逸脱した。このように、実施例2-17から実施例2-20では、SNR及びSquash特性共に好ましい範囲優良○の範囲となることがなかった。実施例2-21から実施例2-25では、Fe及びCoを含む磁性を担う材料と、B、C、Ti、Zr、Hf、V、Nb又はTaの元素、及びこれらの元素の組合せを含む添加材料とからなるSULについて検討した。この結果から、第2及び第3の軟磁性層のFe及びCoを含む磁性を担う材料の割合が、第1および第4の軟磁性層のFe及びCoを含む磁性を担う材料の割合よりも大きい場合に、Squash特性の範囲が優良○に維持されたまま、SNRが優良○の範囲となる磁気記録媒体を実現できた。また、実施例1と比較例1、実施例2-2と実施例2-4、及び、実施例2-5と実施例2-18を比較すると、軟磁性層の組合せは同じでも、その配置によってSNR特性は変わる。即ち、Squash特性及びSNRが共に優良○であったものでも、第1および第4の軟磁性層の組成と、第2及び第3の軟磁性層の組成を入れ替えると、SNRが優良○の範囲から逸脱する。以上の結果から、第2及び第3の軟磁性層のFe及びCoを含む磁性を担う材料の割合が、第1及び第4の軟磁性層のFe及びCoを含む磁性を担う材料の割合よりも、大きい場合に、Squash特性を優良○の範囲に維持したまま、SNRを優良○の範囲に維持した磁気記録媒体が実現できていた。特に、第2及び第3の軟磁性層のFe及びCoを含む磁性を担う材料の割合が、82.5体積以上であり、且つ、第1及び第4の軟磁性層のFe及びCoを含む磁性を担う材料の割合が、82.5体積より小さいときに、Squash特性を優良○の範囲に維持したまま、SNRを優良○の範囲に維持した磁気記録媒体が実現できた。次に、表4の結果について考察する。表4の結果から、Fe及びCoを含む磁性を担う材料と、B及びTaの添加材料からなる軟磁性層では、10MHzでの比透磁率と比透磁率の周波数特性10Mz時の比透磁率に比べて比透磁率が50低下する際の周波数はトレードオフの関係にあり、比透磁率の大きい軟磁性層ほど、比透磁率の周波数特性が低下することが解る。Fe及びCoを含む磁性を担う材料の割合から見た場合、Fe及びCoを含む磁性を担う材料が多くなるほど、10MHzでの比透磁率は大きくなる。ここで、Fe及びCoを含む磁性を担う材料の割合が825体積Fe70Co30以上の場合を考慮すると、比透磁率は700以上である。また、Fe及びCoを含む磁性を担う材料が少なくなるほど、比透磁率の周波数特性は高くなる。ここで、磁性を担う材料FeCoの割合が82体積Fe70Co30以下の場合を考慮すると、比透磁率の周波数特性は1000MHz以上である。表1から4の結果から、Squash特性とSNR特性を同時に満足するためには、第1の軟磁性層及び第4の軟磁性層は、比透磁率の周波数特性が、第2の軟磁性層及び第3の軟磁性層のそれに比べて高いことが必要である。さらに、第1の軟磁性層及び第4の軟磁性層の比透磁率の周波数特性が1000MHz以上であり、第2の軟磁性層及び第3の軟磁性層の比透磁率が700以上であることが必要であった。表1~4より、Squashと特性とSNRを同時に満足するためには、第1の軟磁性層及び第4の軟磁性層の比透磁率の周波数特性が、第2の軟磁性層及び第3の軟磁性層の比透磁率の周波数特性よりも高いことが必要である。さらに、第1の軟磁性層及び第4の軟磁性層の比透磁率の周波数特性は1000MHz以上であり、第2の軟磁性層及び第3の軟磁性層の比透磁率が700以上であることが必要であった。以上のように、本発明の軟磁性裏打ち層の構成によれば、Squash特性と、SNR特性の両方を満足できる磁気記録媒体を得ることができた。