"熱、酸または輻射線により疎水性から親水性に変化する官能基と、カルボキシル基、ヒドロキシル基、イソシアネート基、アルコキシシリル基、アセトキシシリル基、クロロシリル基、1級アミノ基、2級アミノ基、3級アミノ基、エポキシ基、オキセタニル基、メタアクリルアミド基、アリル基、スチリル基、マレイミド基、およびシンナモイル基からなる群より選択される少なくとも一種の架橋性基とを有するポリマーを含む被めっき層形成用組成物。前記官能基が、加熱、酸の供給または輻射線の照射により、カルボン酸、スルホン酸またはスルフィン酸を生じる官能基である、請求項1に記載の被めっき層形成用組成物。前記官能基が、一般式1~4のいずれかで表される基を有する、請求項1または2に記載の被めっき層形成用組成物。一般式1中、R1、R2、およびR3は、それぞれ独立に、置換基を有してもよいアルキル基、または置換基を有してもよいアリール基を表す。なお、R1、R2、およびR3のうち、2つまたはすべてが結合して環を形成してもよく、さらに-O-基、-S-基、-CO-基、または-NR4-基を介して環を形成してもよい。R4は、水素原子またはアルキル基を表す。は、結合位置を示す。一般式2中、R5およびR6は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、または置換基を有してもよいアリール基を表し、R5およびR6の少なくとも一つはアリール基を表す。なお、R5およびR6は、結合して環を形成してもよい。は、結合位置を示す。一般式3中、R7は、水素原子または置換基を有してもよいアルキル基を表す。R8は、置換基を有してもよいアルキル基を表す。なお、R7およびR8は、結合して環を形成してもよい。は、結合位置を示す。一般式4中、R9およびR10は、それぞれ独立に、置換基を有してもよいアルキル基、または置換基を有してもよいアリール基を表す。なお、R9およびR10は、結合して環を形成してもよい。は、結合位置を示す。さらに、架橋剤を含む請求項1~3のいずれかに記載の被めっき層形成用組成物。基板、および、前記基板上に、請求項1~4のいずれかに記載の被めっき層形成用組成物を用いて形成される被めっき層、を有する積層体。請求項1~4のいずれかに記載の被めっき層形成用組成物を用いて、基板上に被めっき層を形成する工程Aと、前記工程A後に、前記被めっき層とアルカリ水溶液とを接触させる工程Bと、前記工程B後に、加熱、酸の供給または輻射線の照射を行い、前記官能基を疎水性から親水性に変換する工程Cと、前記工程C後に、前記被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程Dと、前記工程D後に、前記めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、前記被めっき層上に金属層を形成する工程Eと、を含む金属層を有する積層体の製造方法。前記金属層をパターン状にエッチングして、パターン状金属層を形成する工程Hをさらに備える、請求項6に記載の金属層を有する積層体の製造方法。請求項6または7に記載の製造方法より得られる金属層を有する積層体。請求項8に記載の積層体を含む配線基板。一般式Dで表されるユニット、および、一般式Aで表されるユニットを含むポリマー。一般式D中、R12およびR13~R15は、それぞれ独立して、水素原子、または、置換若しくは無置換のアルキル基を表す。L4は、単結合または二価の有機基を表す。R16は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、またはアリール基を表す。一般式A中、R11は、水素原子、または置換若しくは無置換のアルキル基を表す。L1は、単結合または二価の有機基を表す。Yは、一般式1~4のいずれかで表される官能基を表す。一般式1中、R1、R2、およびR3は、それぞれ独立に、置換基を有してもよいアルキル基、または置換基を有してもよいアリール基を表す。なお、R1、R2、およびR3のうち、2つまたはすべてが結合して環を形成してもよく、さらに-O-基、-S-基、-CO-基、または-NR4-基を介して環を形成してもよい。R4は、水素原子またはアルキル基を表す。は、結合位置を示す。一般式2中、R5およびR6は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、または置換基を有してもよいアリール基を表し、R5およびR6の少なくとも一つはアリール基を表す。なお、R5およびR6は、結合して環を形成してもよい。は、結合位置を示す。一般式3中、R7は、水素原子または置換基を有してもよいアルキル基を表す。R8は、置換基を有してもよいアルキル基を表す。なお、R7およびR8は、結合して環を形成してもよい。は、結合位置を示す。一般式4中、R9およびR10は、それぞれ独立に、置換基を有してもよいアルキル基、または置換基を有してもよいアリール基を表す。なお、R9およびR10は、結合して環を形成してもよい。は、結合位置を示す。一方、近年、電子機器の小型化、高機能化の要求に対応するため、プリント配線板などにおいては配線のより一層の微細化および高集積化が進んでいる。それに伴って、金属層を形成する際のめっき処理におけるめっきムラをより抑制することが重要な課題となってきている。金属層にめっきムラがある場合、該金属層をパターニングして微細配線を形成する際に、均一な厚みの微細配線などが得難く、プリント配線板自体の性能が低下するといった懸念が生じる。本発明者らが、特許文献1に開示されているめっき方法について検討したところ、該方法で得られるめっき層金属層のめっき層厚の均一性は、必ずしも昨今要求されるレベルには達していないことが明らかになった。また、生産性などの観点から、通常、めっき処理の際に使用されるめっき液は、複数の被めっき層に対して連続して使用される。そのため、めっき液の使用時に、めっき液自体が汚染されずに長期間にわたって液安定性が保たれることが重要である。一方、特許文献1に記載されているめっき方法を実施し、その際に使用されるめっき液の液安定性について検討を行ったところ、めっき液中に不溶物が発生し、その液安定性は必ずしも十分とは言えなかった。本発明者らは、上記の問題点についてさらに検討を行ったところ、被めっき層のアルカリ水溶液処理時に、被めっき層中のポリマー成分が分解溶出し、これが原因でめっきムラの発生や、めっき液の液安定性の低下が引き起こされていることを見出した。本発明は、上記実情を鑑みて、アルカリ水溶液に対して十分な耐性を有し、めっき処理の際にめっきムラの発生およびめっき液の汚染が抑制される被めっき層を形成し得る被めっき層形成用組成物を提供することを目的とする。また、本発明は、該被めっき層形成用組成物を用いた、めっきムラの発生およびめっき液の汚染が抑制され、密着性に優れる金属層を有する積層体の製造方法を提供することも目的とする。本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、親疎水性を変換することができる官能基およびアルカリ水溶液に対する耐性の高い架橋性基を有するポリマーを用いることで、アルカリ水溶液に対する耐性を向上させるとともに、めっき触媒に対する親和性を確保することができることを見出し、本発明を完成するに至った。つまり、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。1熱、酸または輻射線により疎水性から親水性に変化する官能基と、カルボキシル基、ヒドロキシル基、イソシアネート基、アルコキシシリル基、アセトキシシリル基、クロロシリル基、1級アミノ基、2級アミノ基、3級アミノ基、エポキシ基、オキセタニル基、メタアクリルアミド基、アリル基、スチリル基、マレイミド基、およびシンナモイル基からなる群より選択される少なくとも一種の架橋性基とを有するポリマーを含む被めっき層形成用組成物。2前記官能基が、加熱、酸の供給または輻射線の照射により、カルボン酸、スルホン酸またはスルフィン酸を生じる官能基である、1に記載の被めっき層形成用組成物。3前記官能基が、後述する一般式1~4のいずれかで表される基を有する、1または2に記載の被めっき層形成用組成物。4さらに、架橋剤を含む1~3のいずれかに記載の被めっき層形成用組成物。5基板、および、前記基板上に、1~4のいずれかに記載の被めっき層形成用組成物を用いて形成される被めっき層、を有する積層体。61~4のいずれかに記載の被めっき層形成用組成物を用いて、基板上に被めっき層を形成する工程Aと、前記工程A後に、前記被めっき層とアルカリ水溶液とを接触させる工程Bと、前記工程B後に、加熱、酸の供給または輻射線の照射を行い、前記官能基を疎水性から親水性に変換する工程Cと、前記工程C後に、前記被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程Dと、前記工程D後に、前記めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、前記被めっき層上に金属層を形成する工程Eと、を含む金属層を有する積層体の製造方法。7前記金属層をパターン状にエッチングして、パターン状金属層を形成する工程Hをさらに備える、6に記載の金属層を有する積層体の製造方法。86または7に記載の製造方法より得られる金属層を有する積層体。98に記載の積層体を含む配線基板。10後述する一般式Dで表されるユニット、および、後述する一般式Aで表されるユニットを含むポリマー。本発明によれば、アルカリ水溶液に対して十分な耐性を有し、めっき処理の際にめっきムラの発生およびめっき液の汚染が抑制される被めっき層を形成し得る被めっき層形成用組成物を提供できる。また、本発明によれば、該被めっき層形成用組成物を用いた、めっきムラの発生およびめっき液の汚染が抑制され、密着性に優れる金属層を有する積層体の製造方法を提供できる。以下に、本発明の被めっき層形成用組成物、および金属層を有する積層体の製造方法について説明する。まず、本発明の従来技術と比較した特徴点について詳述する。本発明においては、被めっき層形成用組成物が、熱、酸または輻射線により疎水性から親水性に変化する官能基以後、極性変換基とも称する、およびアルカリ水溶液に対する耐性の高い特定の架橋性基以後、単に、特定の架橋性基とも称するを有するポリマーを含む点に特徴がある。また、金属層を有する積層体の製造方法において、アルカリ水溶液に接触させた後に該官能基の極性を変換する工程を設けた点に特徴がある。上述したように、従来公知の被めっき層ではアルカリ水溶液に対する耐性が十分とはいえず、アルカリ水溶液に接触させた際に被めっき層中のポリマーの一部またはほとんどが分解溶出しまう。また、仮に、アルカリ水溶液に対する耐性を高めるために、より疎水性の被めっき層を形成した場合、該被めっき層ではめっき触媒液やめっき液などに対する親和性が低く、十分な密着性を示す金属層を得ることができない。それに対して、本発明では、アルカリ水溶液に対する耐性の高い特定の架橋性基を導入すると共に、アルカリ水溶液との接触を行う際には、被めっき層中の極性変換基の極性を疎水性にしておき、被めっき層の疎水性を高め、アルカリ水溶液に対する耐性を付与する。アルカリ水溶液との接触後には、極性変換基の極性を所定の処理により疎水性から親水性へ変換し、被めっき層をより親水性にして、その後のめっき触媒液やめっき液などに対する親和性を高める。結果として、めっき液の汚染を抑制しつつ、めっきムラの少ない金属層を有する積層体を得ることができる。以下では、まず、被めっき層形成用組成物について詳述する。<被めっき層形成用組成物>被めっき層形成用組成物は、極性変換基と特定の架橋性基とを有するポリマーを含有する。該組成物より形成される被めっき層は、後述するように、加熱、酸の供給または輻射線の照射によって、極性変換基の親疎水性が疎水性から親水性へと変化し、結果として被めっき層の親疎水性も親水性から疎水性へと変化する。つまり、被めっき層は、加熱、酸の供給または輻射線の照射によって、水との接触角が低下する濡れ性変化層である。まず、該組成物中に含有されるポリマーの態様について詳述し、その後該組成物の態様について詳述する。[極性変換基および架橋性基を有するポリマー]ポリマーは、極性変換基と特定の架橋性基とを有する。まず、極性変換基について詳述し、その後架橋性基について詳述する。極性変換基極性変換基は、熱、酸または輻射線により疎水性から親水性に変化する官能基である。該基としては、公知の官能基を使用することができるが、めっきムラの発生やめっき液の汚染をより抑制できる点で、加熱、酸の供給または輻射線の照射により、カルボン酸基、スルホン酸基、またはスルフィン酸基を生じる官能基であることが好ましく、カルボン酸基またはスルホン酸基を生じる官能基であることがより好ましく、金属層の密着性がより優れる点で、カルボン酸基を生じる官能基であることがさらに好ましい。極性変換基としては、A熱または酸により疎水性から親水性に変化する官能基以後、極性変換基Aとも称すると、B輻射線光により疎水性から親水性に変化する官能基以後、極性変換基Bとも称するが挙げられ、以下でそれぞれについて詳述する。A極性変換基A極性変換基Aとしては、文献記載の公知の官能基を挙げることができる。例えば、アルキルスルホン酸エステル基、ジスルホン基、スルホンイミド基特開平10-282672号公報に記載、アルコキシアルキルエステル基EP0652483、WO92/9934に記載、t-ブチルエステル基、その他、シリルエステル基、ビニルエステル基などの文献記載の酸分解性基で保護されたカルボン酸エステル基H.Itoら著、Macromolecules,vol.21,pp.1477に記載などを挙げることができる。また、角岡正弘著、表面vol.1331995,p.374に記載のイミノスルホネート基、角岡正弘著、Polymerpreprints,Japanvol.461997,p.2045に記載のβケトンスルホン酸エステル類、特開昭63-257750号のニトロベンジルスルホネート化合物、特開2001-117223公報記載の官能基も挙げることができる。これらのなかでも、極性変換効率がより優れる点で、一般式1で表される基例えば、3級のカルボン酸エステル基、一般式2で表される基例えば、アリールアルキルエステル基、一般式3で表される基例えば、アルコキシアルキルエステル基、または一般式4で表される基例えば、2級のアルキルスルホン酸エステル基が好ましく挙げられる。なかでも、めっきムラがより抑制され、金属層との密着がより優れる点で、一般式1または一般式2で表される基がより好ましく、一般式1で表される基がさらに好ましい。以下に、それぞれの基について詳述する。極性変換基Aの好ましい態様として、下記一般式1で表される基を有する態様が挙げられる。は、結合位置を示す。一般式1中、R1、R2、およびR3は、それぞれ独立に、置換基を有してもよいアルキル基、または、置換基を有してもよいアリール基を表す。アルキル基の炭素数は、めっきムラの発生やめっき液の汚染をより抑制できる点で、炭素数1~22個が好ましく、炭素数1~8個がより好ましい。より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などが挙げられる。アリール基としては、例えば、炭素環式アリール基芳香族炭化水素基と複素環式アリール基芳香族複素環基が含まれる。炭素環式アリール基としては、本発明の効果がより優れる点で、炭素数6~19個例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ピレニル基の基が好ましく挙げられる。また、複素環式アリール基としては、本発明の効果がより優れる点で、炭素数3~20およびヘテロ原子数1~5例えば、ピリジル基、フリル基、ベンゼン環が縮環したキノリル基、ベンゾフリル基、チオキサントン基、カルバゾール基の基が好ましく挙げられる。なお、R1、R2、およびR3のうち、2つまたはすべてが結合して環を形成してもよい。形成される環の種類は特に制限されないが、めっきムラの発生やめっき液の汚染をより抑制できる点で、脂肪族炭化水素環が好ましく、特に4~6員環が好ましい。さらに、形成される環は、-O-基、-S-基、-CO-基、または-NR4-基を介して環を形成してもよい。なお、R4は、水素原子またはアルキル基好ましくは、炭素数8個以下。例えば、メチル基、エチル基、プロピル基などを表す。上記アルキル基またはアリール基が置換基を有する場合、本発明の効果を損なわない限り、置換基の種類は特に制限されない。例えば、メチル基、エチル基等のアルキル基好ましくは、炭素数1~20;フェニル基、ナフチル基等のアリール基好ましくは、炭素数6~16;スルホンアミド基、N-スルホニルアミド基、アセトキシ基等のアシルオキシ基好ましくは、炭素数1~6;メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基好ましくは、炭素数1~6;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、t-ブチルアミノ基等のアルキルアミノ基好ましくは、炭素数1~8;塩素、臭素等のハロゲン原子;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基好ましくは、炭素数2~7;シアノ基;t-ブチルカーボネート等の炭酸エステル基が挙げられる。なお、R1、R2およびR3の好適態様としては、極性変換の効率がより優れ、金属層との密着力がより優れる点で、R1が炭素数1~8のアルキル基で、R2が炭素数1~8のアルキル基で、R3が炭素数1~8のアルキル基、炭素数6~19の炭素環式アリール基、炭素数1~6のアルキル基を有する炭素数6~19の炭素環式アリール基、炭素数1~6のアルコキシ基を有する炭素数6~19の炭素環式アリール基、炭素数3~20の複素環式アリール基、または炭素数1~6のアルキル基を有する炭素数3~20の複素環式アリール基である態様が挙げられる。また、R2とR3とが結合して4~6員環の脂肪族炭化水素環を形成してもよい。極性変換基Aの好ましい態様として、下記一般式2で表される基を有する態様が挙げられる。は、結合位置を示す。一般式2中、R5およびR6は、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、または置換基を有してもよいアリール基を表し、R5およびR6の少なくとも一つはアリール基を表す。アルキル基の定義および好適範囲は、上述したR1、R2、およびR3で表されるアルキル基と同義である。アリール基の種類としては、上述したR1、R2、およびR3で表されるアリール基が挙げられる。また、アルキル基およびアリール基に置換してもよい置換基の種類も上述した通りである。なお、R5およびR6は、結合して環を形成してもよい。形成される環の種類としては、上述したR1、R2、およびR3で形成される環が挙げられる。なお、R5およびR6の好適態様としては、極性変換の効率がより優れ、金属層との密着力がより優れる点で、R5が炭素数1~8のアルキル基、炭素数6~19の炭素環式アリール基、炭素数1~6のアルキル基を有する炭素数6~19の炭素環式アリール基、炭素数1~6のアルコキシ基を有する炭素数6~19の炭素環式アリール基、炭素数3~20の複素環式アリール基、または、炭素数1~6のアルキル基を有する炭素数3~20の複素環式アリール基であり、R6が炭素数6~19の炭素環式アリール基、炭素数1~6のアルキル基を有する炭素数6~19の炭素環式アリール基、炭素数1~6のアルコキシ基を有する炭素数6~19の炭素環式アリール基、炭素数3~20の複素環式アリール基、または炭素数1~6のアルキル基を有する炭素数3~20の複素環式アリール基である態様が挙げられる。なお、R5とR6とが結合して4~6員環の脂肪族炭化水素環を形成してもよい。極性変換基Aの好ましい態様として、下記一般式3で表される基を有する態様が挙げられる。は、結合位置を示す。一般式3中、R7は、水素原子または置換基を有してもよいアルキル基を表す。アルキル基の定義および好適範囲は、上述したR1、R2、およびR3で表されるアルキル基と同義である。アルキル基に置換してもよい置換基の種類も上述した通りである。R8は、置換基を有してもよいアルキル基を表す。アルキル基の定義および好適範囲は、上述したR1、R2、およびR3で表されるアルキル基と同義である。アルキル基に置換してもよい置換基の種類も上述した通りである。なお、R7およびR8は、結合して環を形成してもよい。形成される環の種類としては、上述したR1、R2、およびR3で形成される環が挙げられる。なお、R7およびR8の好適態様としては、経時安定性、アルカリ耐性がより優れる点で、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン基等の電子吸引性基で置換されたアルキル基であることが好ましい。また、R7およびR8の他の好適態様としては、R7が炭素数1~8のアルキル基、炭素数1~6アルコキシ基を有する炭素数1~8のアルキル基、炭素数2~7のアルコキシカルボニル基を有する炭素数1~8のアルキル基、またはハロゲン基を有する炭素数1~8のアルキル基であり、R8が炭素数1~8のアルキル基、炭素数1~6アルコキシ基を有する炭素数1~8のアルキル基、炭素数2~7のアルコキシカルボニル基を有する炭素数1~8のアルキル基、またはハロゲン基を有する炭素数1~8のアルキル基である態様が挙げられる。なお、R7とR8とが結合して4~6員環の脂肪族炭化水素環を形成してもよい。極性変換基Aの好ましい態様として、下記一般式4で表される基を有する態様が挙げられる。は、結合位置を示す。一般式4中、R9およびR10は、置換基を有してもよいアルキル基、または、置換基を有してもよいアリール基を表す。アルキル基としては、本発明の効果がより優れる点で、炭素数1~25が好ましく、炭素数1~8がより好ましい。より具体的には、メチル基、エチル基、イソプロピル基、t-ブチル基、シクロヘキシル基などの直鎖状、分岐状または環状のアルキル基が挙げられる。アリール基の種類としては、上述したR1、R2、およびR3で表されるアリール基が挙げられる。なお、R9およびR10は、結合して環を形成してもよい。形成される環の種類としては、上述したR1、R2、およびR3で形成される環が挙げられる。上記アルキル基またはアリール基が置換基を有する場合、本発明の効果を損なわない限り、置換基の種類は特に制限されず、例えば、上述したR1、R2、およびR3で表されるアルキル基またはアリール基に置換される置換基などが例示される。R9およびR10の好適態様としては、経時安定性の点で、アルコキシ基、カルボニル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ハロゲン基等の電子吸引性基で置換されたアルキル基、または、シクロヘキシル基、ノルボルニル基等の環状アルキル基が特に好ましい。物性値としては、重クロロホルム中、プロトンNMRにおける2級メチン水素のケミカルシフトが4.4ppmよりも低磁場に現れる化合物が好ましく、4.6ppmよりも低磁場に現れる化合物がより好ましい。このように、電子吸引性基で置換されたアルキル基が特に好ましいのは、熱分解反応時に中間体として生成していると思われるカルボカチオンが電子吸引性基により不安定化し、分解が抑制されるためであると考えられる。具体的には、-CHR9R10の構造としては、下記式で表される構造が特に好ましい。なお、極性変換基は、上述した一般式1~4のいずれかで表される基以外の基を有していてもよい。例えば、一般式1~4中のにさらに連結基-L-が結合していてもよい。連結基としては特に制限されず、例えば、2~4価の連結基が挙げられる。例えば、1から60個までの炭素原子、0個から10個までの窒素原子、0個から50個までの酸素原子、1個から100個までの水素原子、および0個から20個までの硫黄原子から成り立つ基が挙げられる。より具体的な連結基としては、下記の構造単位、および、それらが組み合わさって構成される基が挙げられる。なお、これらの連結基は置換基を有していてもよい。置換基の種類は特に制限されないが、例えば、上述したR1、R2、およびR3で表されるアルキル基またはアリール基に置換される置換基などが例示される。B極性変換基Y極性変換基Yとしては公知の官能基を使用することができ、例えば、700nm以下の光照射を行うことにより親疎水性が変化する官能基を使用することができる。このように、700nm以下の光照射により極性変換する官能基は、赤外線などの長波長露光や熱によらず、所定の波長の光照射により直接に、分解、開環または二量化反応が生じることで、高感度で疎水性から親水性が変化することを特徴とする。該官能基としては、例えば、特開2004-175098号公報に記載の一般式a~iで表される官能基を用いることができる。極性変換基の具体例を以下に示す。架橋性基ポリマーに含まれる架橋性基は、後述するアルカリ水溶液に対する耐性の高い架橋性基であり、具体的には、カルボキシル基-COOH、ヒドロキシル基、イソシアネート基、アルコキシシリル基、アセトキシシリル基、クロロシリル基、1級アミノ基-NH2、2級アミノ基-NHRa。なお、Raは置換基好ましくは、炭化水素基を表す。、3級アミノ基-NRbRc。なお、RbおよびRcは置換基好ましくは、炭化水素基を表す。、エポキシ基、オキセタニル基、メタアクリルアミド基、アリル基、スチリル基、マレイミド基、およびシンナモイル基からなる群より選択される少なくとも一種である。これらの架橋性基を有することで、アルカリ水溶液に対する耐性の高い被めっき層を得ることができ、めっき処理時のめっきムラやめっき液の汚染が抑制される。なかでも、めっきムラの発生をより抑制できる点で、エポキシ基、オキセタニル基、ヒドロキシル基またはアルコキシシリル基が好ましい。なお、アルコキシシリル基とは、アルコキシ基を有するシリル基である。言い換えると、ケイ素原子にアルコキシ基が結合した基-Si-ORdRd:アルキル基を意味する。具体的には、トリアルコキシシリル基、アルキルジアルコキシシリル基などが挙げられる。アセトキシシリル基とは、ケイ素原子にアセトキシ基が結合した基を意味する。クロロシリル基とは、ケイ素原子に塩素原子が結合した基を意味する。なお、架橋性基としてアクリロオイルオキシ基またはメタアクリロイルオキシ基を使用すると、アルカリ水溶液に対する耐性が低い被めっき層が形成され、結果としてめっきムラの発生や、めっき液の汚染が進行する。上記極性官能基および架橋性基を有するポリマーの骨格の種類は特に制限されないが、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ノボラック樹脂、クレゾール樹脂、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、スチレン樹脂などが挙げられる。なかでも、材料の入手性や、成膜性などの点で、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂が好ましい。極性変換基および特定の架橋性基を有するポリマーの好適態様極性変換基および特定の架橋性基を有するポリマーの好適態様としては、極性変換基を有するユニットとして、以下の一般式Aで表されるユニットを含むポリマーが挙げられる。ポリマーが一般式Aで表されるユニットを有する場合、めっきムラの発生やめっき液の汚染をより抑制できる。一般式A中、R11は、水素原子、または、炭素数1~4の置換若しくは無置換のアルキル基を表す。アルキル基としては、メチル基、エチル基などが挙げられる。一般式A中、L1は、単結合または二価の有機基を表す。二価の有機基としては、置換若しくは無置換の二価の脂肪族炭化水素基好ましくは炭素数1~8。例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基などのアルキレン基、置換若しくは無置換の二価の芳香族炭化水素基好ましくは炭素数6~12。例えば、フェニレン基、-O-、-S-、-SO2-、-N-R:アルキル基、-CO-、-NH-、-COO-、-CONH-、またはこれらを組み合わせた基例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基などなどが挙げられる。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、単結合、芳香族炭化水素基が好ましい。一般式A中、Yは、上述した極性変換基を表す。なかでも、めっきムラの発生やめっき液の汚染をより抑制できる点で、一般式1~4のいずれかで表される基であることが好ましい。上記一般式Aで表されるユニットの好適態様の一つとして、めっきムラの発生やめっき液の汚染をより抑制できる点で、以下の一般式A-1で表されるユニットが挙げられる。一般式A-1中、R11およびYの定義は上述の通りである。L2は、単結合、アミド基-CONH-、エステル基、またはフェニレン基を表す。L3は、単結合、または、脂肪族炭化水素基を表す。なお、L2がアミド基またはエステル基の場合、L3は脂肪族炭化水素基を表す。ポリマー中における一般式Aで表されるユニットまたは、一般式A-1で表されるユニットの含有量は特に制限されないが、めっきムラの発生やめっき液の汚染をより抑制できる点で、全ポリマーユニット中、10~95モルが好ましく、55~90モルがより好ましい。極性変換基および特定の架橋性基を有するポリマーの他の好適態様としては、架橋性基を有するユニットとして、以下の一般式Bで表されるユニットを含むポリマーが挙げられる。ポリマーが一般式Bで表されるユニットを有する場合、めっきムラの発生やめっき液の汚染をより抑制できる。一般式B中、R12は、水素原子、または、炭素数1~4の置換若しくは無置換のアルキル基を表す。アルキル基としては、メチル基、エチル基などが挙げられる。一般式B中、L4は、単結合または二価の有機基を表す。該有機基の定義は、L1で表される有機基の定義と同義である。一般式B中、Zは、カルボキシル基、ヒドロキシル基、イソシアネート基、アルコキシシリル基、アセトキシシリル基、クロロシリル基、1級アミノ基、2級アミノ基、3級アミノ基、エポキシ基、オキセタニル基、アリル基、スチリル基、マレイミド基、シンナモイル基、または一般式Cで表される基を表す。一般式C中、R13~R15は、それぞれ独立して、水素原子、または炭素数1~4の置換若しくは無置換のアルキル基を表す。アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基などが挙げられる。一般式C中、R16は、水素原子、アルキル基好ましくは炭素数1~8、アルケニル基好ましくは炭素数1~8、アルキニル基好ましくは炭素数1~8、またはアリール基を表す。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、アルキル基、アリール基がより好ましい。上記一般式Bで表されるユニットの好適態様の一つとして、めっきムラの発生やめっき液の汚染をより抑制できる点で、以下の一般式B-1で表されるユニットが挙げられる。一般式B-1中、R12およびZの定義は上述の通りである。L5は、単結合、アミド基、エステル基、またはフェニル基を表す。L6は、単結合、または-O-、-COO-、-CONH-結合で介されていてもよい脂肪族炭化水素基を表す。なお、Zがカルボキシル基の場合、L5、L6は、ともに単結合であってもよい。極性変換基および架橋性基を有するポリマーの合成方法は特に制限されず、公知の方法例えば、ラジカル重合、カチオン重合などを使用できる。例えば、極性変換基を有するモノマーと、架橋性基を有するモノマーとを共重合させる方法が挙げられる。使用される架橋性基を有するモノマーとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。使用される架橋性基を有するモノマーとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。また、架橋性基としてエチレン付加重合性不飽和基が使用される場合、例えば、特開2009-007540号公報などに記載の方法を参照してポリマーを合成することができる。極性変換基と架橋性基とを有するポリマーの好ましい様態としては、上記極性変換基を有するモノマーと上記架橋性基を有するモノマーを共重合することで合成したポリマーが挙げられる。具体例を以下に示すが、これらのポリマーに限定される訳ではない。なお、下記に示すポリマー中の繰り返し単位に併記された数値は、各ユニットのモルを示す。被めっき層形成用組成物中における上記ポリマーの含有量は特に制限されないが、組成物全量に対して、2~50質量が好ましく、5~30質量がより好ましい。上記範囲内であれば、組成物の取扱い性に優れ、被めっき層の層厚の制御がしやすい。溶剤被めっき層形成用組成物は、必要に応じて、溶剤を含んでいてもよい。使用できる溶剤としては、例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のアルコール系溶剤;酢酸等の酸;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤;ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン等のアミド系溶剤;アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶剤;酢酸メチル、酢酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート等のエステル系溶剤;ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート等のカーボネート系溶剤が挙げられる。また取り扱いやすさから沸点が50°C~150°Cの溶剤が好ましい。なお、これらの溶剤は単一で使用してもよいし、混合して使用してもよい。架橋剤被めっき層形成用組成物は、必要に応じて、上述した架橋性基と反応する反応性官能基を有する架橋剤を含有していてもよい。架橋剤が含まれることにより、上述したポリマー中の架橋性基との間で化学結合が形成され、被めっき層のアルカリ水溶液に対する耐性がより向上する。使用される架橋剤としては、山下信二編架橋剤ハンドブックに掲載されているような従来公知のものを用いることができる。より具体的には、架橋剤は、通常、架橋性基と反応する反応性官能基を2個以上有し、2~6個有することが好ましい。反応性官能基としては、例えば、水酸基、イソシアネート基、カルボン酸基、エポキシ基、カルボン酸無水物基、1級アミノ基、2級アミノ基、アルコキシシリル基、ハロゲン化ベンジル基などが挙げられる。ポリマー中の架橋性基と架橋剤中の反応性官能基との好ましい組み合わせとしては、例えば、架橋性基,反応性官能基=カルボキシル基,一級または二級アミノ基、カルボキシル基,アジリジン基、カルボキシル基,イソシアネート基、カルボキシル基,エポキシ基、カルボキシル基,ハロゲン化ベンジル基、一級または二級アミノ基,イソシアネート基、一級、二級、または三級アミノ基,ハロゲン化ベンジル基、一級アミノ基,アルデヒド類、イソシアネート基,一級または二級アミノ基、イソシアネート基,イソシアネート基、イソシアネート基,水酸基、イソシアネート基,エポキシ基、水酸基,イソシアネート基、水酸基,ハロゲン化ベンジル基、水酸基,カルボン酸無水物基、水酸基,エポキシ基、水酸基,アルコキシシリル基、エポキシ基,一級または二級アミノ基、エポキシ基,カルボン酸無水物基、エポキシ基,水酸基、エポキシ基,エポキシ基、オキセタニル基,エポキシ基、アルコキシシリル基,アルコキシシリル基などが挙げられる。なかでも、めっきムラの発生やめっき液の汚染をより抑制できる点で、架橋性基,反応性官能基=エポキシ基,アミノ基、エポキシ基,エポキシ基、三級アミノ基,ハロゲン化ベンジル基、水酸基,イソシアネート基、オキセタニル基,エポキシ基、アルコキシシリル基、アルコキシシリル基が、より好ましい組み合わせである。使用される架橋剤としては、例えば、以下の架橋剤が挙げられる。被めっき層形成用組成物中における架橋剤の使用量としては、通常、架橋性基のモル数に対して、0.01~50当量が好ましく、0.01~10当量がより好ましく、0.5~3当量が更に好ましい。架橋剤の使用量が上記範囲内の場合、後述するめっき触媒液やめっき液が浸透しやすくなる。光酸発生剤被めっき層形成用組成物は、必要に応じて、光酸発生剤を含有していてもよい。被めっき層形成用組成物中に光酸発生剤が含有される場合、後述する工程Cにおいて、光照射によって被めっき層中に酸を供給することができる。使用される光酸発生剤としては公知の化合物例えば、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤などを使用することができる。例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩などのオニウム塩化合物などが挙げられる。被めっき層形成用組成物中における光酸発生剤の含有量は特に制限されないが、組成物の全固形分に対して、0.001~40質量程度が好ましく、0.01~20質量がより好ましく、0.1~5質量がさらに好ましい。上記範囲内であれば、後述する工程Cにおいて、官能基の極性変換がより効率よく進行する。その他任意成分被めっき層形成用組成物は、上述した成分以外に、必要に応じて、界面活性剤、可塑剤、重合禁止剤、硬化を進めるための重合開始剤、硬化促進剤、ゴム成分例えば、CTBN、難燃化剤例えば、りん系難燃化剤、希釈剤、チキソトロピー化剤、顔料、消泡剤、レべリング剤、カップリング剤などを含有していてもよい。また、被めっき層形成用組成物は、本発明の効果を阻害しない範囲で、特開2009-7540号公報、または特開2010‐248464号公報に記載の重合性基と触媒吸着性基を有するポリマーを含有していてもよい。<積層体の製造方法の第1の実施態様>本発明の積層体の製造方法の第1の実施態様は、基板の表面上に被めっき層を形成する工程Aと、被めっき層をアルカリ水溶液に接触させる工程Bと、所定の処理を行って、被めっき層中の官能基を疎水性から親水性に変換する工程Cと、被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程Dと、めっき処理を行う工程Eとを備える。以下に、図面を参照しつつ、各工程で使用される材料およびその手順について詳述する。まず、工程Aに関して詳述する。<工程A:被めっき層形成工程>工程Aは、基板の表面に、上記被めっき層形成用組成物を用いて被めっき層を形成する工程である。該工程を行うことにより、後述するめっき触媒などが付与される被めっき層が形成される。より具体的には、本工程では、図1Aに示すように、基板10を用意し、図1Bに示すように、基板10の表面に被めっき層12を形成する。本工程で形成される被めっき層は、後述するように、加熱、酸の供給または輻射線の照射によって、極性変換基の親疎水性が疎水性から親水性へと変化し、結果として被めっき層の親疎水性もより親水性へと変化する。つまり、好ましくは疎水性被めっき層から親水性被めっき層へと変化する。なお、後述するように、被めっき層はアルカリ水溶液との接触後に親水性を示すため、後述するめっき触媒またはその前駆体を効率よく吸着する。つまり、被めっき層は、めっき触媒またはその前駆体の良好な受容層として機能する。その結果、被めっき層の表面に形成される金属層との優れた密着性が得られる。以下では、まず、本工程で使用される材料基板などについて詳述し、その後工程の手順について詳述する。基板基板は、後述する各層を支持するための部材であり、従来知られているいずれの基板例えば、樹脂基板、セラミック基板、ガラス基板、金属基板など。好ましくは、絶縁性基板。を使用することができる。より具体的には、金属板例えば、アルミニウム、亜鉛、銅等、プラスチックフィルム例えば、二酢酸セルロース、三酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、酪酸セルロース、酢酸酪酸セルロース、硝酸セルロース、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリイミド、エポキシ樹脂、等、上記の如き金属がラミネートまたは蒸着されたプラスチックフィルム等が挙げられる。また、基板は、その内部、または、片面若しくは両面に金属配線を有していてもよい。金属配線は、基板の表面に対してパターン状に形成されていてもよいし、全面に形成されていてもよい。代表的には、エッチング処理を利用したサブストラクティブ法で形成されたものや、電解めっきを利用したセミアディティブ法で形成したものが挙げられ、いずれの工法で形成されたものを用いてもよい。金属配線を構成する材料としては、例えば、銅、銀、錫、パラジウム、金、ニッケル、クロム、タングステン、インジウム、亜鉛、またはガリウムなどが挙げられる。工程Aの手順基板に被めっき層を形成する方法は、特に制限されず公知の方法を採用できる。例えば、被めっき層形成用組成物を基板上に塗布し、被めっき層を形成する方法塗布方法、該被めっき層形成用組成物より形成される被めっき層のフィルムを直接基板上にラミネートする方法などが挙げられる。なかでも、被めっき層の膜厚制御が容易である点から、塗布方法が好ましい。以後、塗布方法の態様について詳述する。被めっき層形成用組成物を基板上に塗布する方法は特に限定されず、公知の方法例えば、スピンコート、デップコート、ダブルロールコータ、スリットコータ、エアナイフコータ、ワイヤーバーコータなどを用いることができる。取り扱い性や製造効率の観点からは、被めっき層形成用組成物を基板上に塗布して、必要に応じて乾燥処理を施して含まれる溶剤を除去し、被めっき層を形成する態様が好ましい。被めっき層の厚みは特に制限されないが、金属層の密着性がより優れる点から、0.02~5.0μmが好ましく、0.05~2.0μmがより好ましい。被めっき層中におけるポリマーの含有量は特に制限されないが、金属層の密着性がより優れる点から、被めっき層全量に対して、10~100質量であることが好ましく、50~100質量であることがより好ましい。被めっき層の好適態様被めっき層の工程態様として、上述した被めっき層に対してさらに硬化処理を施すこと工程Gが好ましい。言い換えると、上記被めっき層は、極性変換基と架橋性基とを有するポリマーを架橋反応により硬化させて得られる層であることが好ましい。該態様の場合、架橋性基を介して層の硬化が進行し、被めっき層自体の膜強度が高くなると共に疎水性も高まり、アルカリ水溶液に対する耐性が向上する。以後、工程Gの態様について詳述する。硬化工程工程Gは、本工程Aの後であって、後述する工程Dの前に実施することが好ましい。より具体的には、工程Aと工程Bとの間、工程Bと工程Cとの間、または、工程Cと工程Dの間である。工程Dの前に実施することによって、工程Dで使用されるめっき触媒液や、工程Eで使用されるめっき液に対する被めっき層の耐性を高めることができる。なお、他の工程での被めっき層の溶出や分解を抑制できる点で、工程Aと工程Bとの間に工程Gを実施することが好ましい。工程Gにおけるポリマーの架橋方法はポリマー中の架橋性基の種類によって適宜最適な方法が選択されるが、例えば、架橋性基同士を反応させる方法や、架橋剤を使用する方法が挙げられる。架橋性基同士を反応させる方法は、架橋性基同士の付加反応や縮合反応を介して被めっき層中に架橋構造を形成する方法である。例えば、架橋性基が-NCOである場合、熱をかけることにより自己縮合反応を進行させ、被めっき層中に架橋構造を形成することができる。架橋剤を使用する方法は、ポリマー中の架橋性基と、上述した該架橋性基と反応する反応性官能基を有する架橋剤の反応性官能基とを反応させ、被めっき層中に架橋構造を形成する方法である。硬化処理の種類としては、使用されるポリマーおよび架橋剤などの種類によって異なり、適宜最適な処理方法が選択されるが、通常、加熱処理または露光処理が実施される。加熱処理を行う場合、極性変換基の分解抑制、生産性などの点より、加熱温度としては、50~200°Cが好ましく、80~150°Cがより好ましい。処理時間としては、2~60分が好ましく、5~30分がより好ましい。露光処理を行う場合、照射する光の種類は特に制限されないが、紫外光または可視光などが好適に使用される。照射エネルギーとしては、生産性などの点より、100~10000mJが好ましく、500~5000mJがより好ましい。<工程B:アルカリ水溶液接触工程>工程Bは、上記工程Aの後に、被めっき層とアルカリ水溶液とを接触させる工程である。該工程を実施することにより、被めっき層上の有機吸着物が除去され、結果としてめっきの均一性が向上する。また、被めっき層の濡れ性が上がることで、後述するめっき触媒の浸透が促進される。以下では、まず、本工程で使用される材料アルカリ水溶液などについて詳述し、その後工程の手順について詳述する。アルカリ水溶液工程Bで用いるアルカリ水溶液は、pHがアルカリ性であれば特にその種類は限定されない。アルカリ水溶液のpHは、めっきムラの発生やめっき液の汚染をより抑制できる点で、10~14が好ましく、12~14がより好ましい。アルカリ水溶液に使用される溶媒は、通常、水が使用される。また、必要に応じて、有機溶媒メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのアルコール系溶剤、酢酸、ヒドロキシ酢酸、アミノカルボン酸などの酸、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶剤、ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドンなどのアミド系溶剤、アセトニトリル、プロピロニトリルなどのニトリル系溶剤、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネートなどのカーボネート系溶剤、グリコール系溶剤などを併用してもよい。アルカリ水溶液としては、その種類は特に制限されず、例えば、水酸化リチウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、炭酸リチウム水溶液、炭酸ナトリウム水溶液、炭酸カリウム水溶液、炭酸水素リチウム水溶液、炭酸水素ナトリウム水溶液、炭酸水素カリウム水溶液、水酸化カルシウム水溶液、水酸化ストロンチウム水溶液、水酸化バリウム水溶液、炭酸カルシウム水溶液、炭酸ストロンチウム水溶液、炭酸バリウム水溶液などが挙げられる。アルカリ成分無機塩基の含有量は、pHが上記範囲になるような範囲に調整されることが好ましい。アルカリ水溶液には、界面活性剤が添加されていてもよい。使用される界面活性剤の種類は特に制限されないが、例えば、アニオン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、両性界面活性剤が挙げられる。より具体的には、アニオン性界面活性剤としては、例えば、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルまたはアルケニルエーテル硫酸塩、アルキルまたはアルケニル硫酸塩、アルキルまたはアルケニルエーテルカルボン酸塩、アミノ酸型界面活性剤、N-アシルアミノ酸型界面活性剤、アルキルまたはアルケニルリン酸エステルまたはその塩等が挙げられる。ノニオン系界面活性剤としては、例えば、ポリオキシアルキレンアルキルまたはアルケニルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、高級脂肪酸アルカノールアミドまたはそのアルキレンオキサイド付加物、ショ糖脂肪酸エステル、アルキルグリコキシド、脂肪酸グリセリンモノエステル、アルキルアミンオキサイド等が挙げられる。カチオン系界面活性剤としては、例えば、アルキルカチオン系界面活性剤、アミド型4級カチオン系界面活性剤、エステル型4級カチオン系界面活性剤等が挙げられる。両性界面活性剤としては、例えば、カルボキシル型両性界面活性剤、スルホベタイン型両性界面活性剤等が挙げられる。工程Bの手順被めっき層とアルカリ水溶液との接触方法は特に制限されず、公知の方法が使用される。例えば、アルカリ水溶液を被めっき層上に塗布する方法スプレー塗布、スピンコート、印刷法などや、アルカリ水溶液に被めっき層を有する基板を浸漬する方法ディップ浸漬などが挙げられ、処理の簡便さ、処理時間の調整の容易さから、ディップ浸漬、スプレー塗布が好ましい。接触の際のアルカリ水溶液の液温は特に制限されないが、めっきムラの発生やめっき液の汚染をより抑制できる点で、30°C~90°Cの範囲が好ましく、50°C~70°Cの範囲がより好ましい。被めっき層とアルカリ水溶液との接触時間は、めっきムラの発生やめっき液の汚染をより抑制できる点で、5秒~30分の範囲が好ましく、30秒~25分の範囲がより好ましく、1~20分の範囲がさらに好ましい。また、めっきムラの発生やめっき液の汚染をより抑制できる点で、アルカリ水溶液との接触後、被めっき層に付着したアルカリ水溶液を純水等で洗浄することが好ましい。<工程C:極性変換工程>工程Cは、上記工程Bの後に、加熱、酸の供給または輻射線の照射を行って、極性変換基を疎水性から親水性に変換する工程である。より具体的には、該処理を行うことにより、処理後の被めっき層の水との接触角が、処理前の被めっき層の水との接触角より低下する。つまり、該処理によって、水との接触角が低下するように被めっき層の親疎水性が変化する。該工程を実施することにより、被めっき層が疎水性から親水性へと変換され、めっき触媒またはその前駆体に対する親和性が向上する。また、後述する触媒付与工程で使用されるめっき触媒液、および、めっき工程で使用されるめっき液の浸透性が向上し、結果として金属層の密着性が向上する。本工程で実施される処理は、被めっき層中の極性変換基の種類によって適宜最適な処理が実施される。以下に、それぞれの手順について詳述する。なお、以下の極性変換処理は、必要に応じて、パターン状に実施してもよい。つまり、画像様に加熱、酸の供給または輻射線の照射を行って、被めっき層表面に親水性領域および疎水性領域のパターンを形成してもよい。加熱処理加熱処理の条件は特に制限されないが、加熱温度としては、被めっき層の耐熱性および極性変換基の良好な極性変換効率の点から、100~250°Cが好ましく、150~200°Cがより好ましい。加熱時間としては、生産性および極性変換基の良好な極性変換効率の点から、1分~1時間時間が好ましく、5分~30分がより好ましい。なお、加熱処理の際に使用される装置としては、公知の装置例えば、送風乾燥機、オーブン、赤外線乾燥機、加熱ドラムなどを用いることができる。酸供給処理酸の供給を行う方法は特に制限されないが、例えば、被めっき層を酸性溶液と接触させる方法や、被めっき層中に光酸発生剤を含有させ、加熱処理または露光処理により光酸発生剤から酸を発生させる方法が挙げられる。酸性溶液を使用する場合は、酸性溶液のpHは特に制限されないが、極性変換基の良好な極性変換効率の点から、3以下が好ましく、1以下がより好ましい。酸性溶液中の酸性成分の種類は特に制限されないが、例えば、塩酸、硫酸、硝酸、酢酸、パラトルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸など公知の酸が使用できる。酸性溶液中における酸の含有量は、極性変換基の良好な極性変換効率の点から、5~50質量程度が好ましく、10~40質量がより好ましい。また、酸性溶液の中の溶媒の種類は特に制限されないが、例えば、水または有機溶媒が使用される。酸性溶液と被めっき層とを接触させる方法は特に制限されないが、酸性溶液を被めっき層上に塗布する方法や、被めっき層を有する基板を酸性溶液中に浸漬する方法などが挙げられる。酸性溶液と被めっき層との接触時間は特に制限されないが、生産性および極性変換基の良好な極性変換効率の点から、1分~1時間が好ましく、5分~30分がより好ましい。接触時の酸性溶液の液温は特に制限されないが、生産性および極性変換基の良好な極性変換効率の点から、30~95°Cが好ましく、40~90°Cがより好ましい。光酸発生剤を使用する場合、使用される光酸発生剤としては公知の化合物例えば、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤などを使用することができる。被めっき層中における光酸発生剤の含有量は、被めっき層の全固形分に対して、0.001~40質量程度が好ましく、0.01~20質量がより好ましく、0.1~5質量がさらに好ましい。被めっき層中に光酸発生剤を供給する方法は特に制限されず、例えば、上述した被めっき層形成用組成物中に光酸発生剤を加え、被めっき層を形成する方法が挙げられる。なお、被めっき層中の光酸発生剤より酸を発生させる方法は特に制限されないが、通常、加熱処理または露光処理により行われる。加熱処理の条件としては、上述した条件が好ましく挙げられる。また、露光処理の条件としては、後述する輻射線照射処理の条件が挙げられる。輻射線照射処理使用される輻射線の種類は特に制限されず、極性変換基の種類に応じて最適な波長範囲の輻射線が使用される。なかでも、極性変換基の極性変換をより効率的に行う点から、紫外光または可視光を使用することが好ましい。照射時間は、極性変換基の反応性および光源の種類などにより異なるが、生産性の点から、10秒~5時間が好ましい。露光エネルギーとしては、10~8000mJ程度が好ましく、100~3000mJがより好ましい。なお、上記加熱、酸の供給、および輻射線照射処理は、2以上の処理を工程Cで実施してもよい。上述した処理を実施することにより被めっき層中の極性変換基の親疎水性が変化し、結果として被めっき層の親疎水性が親水性から疎水性に変化することが好ましい。つまり、好ましくは親水性被めっき層から疎水性被めっき層へと変化する。通常、極性変換前の被めっき層は疎水性を示し、その水接触角は、アルカリ水溶液に対する耐性がより優れる点から、70°以上が好ましく、80°以上がより好ましい。なお、上限は特に制限されないが、通常、120°以下が多い。一方、極性変換後の被めっき層は通常親水性を示し、その水接触角は、めっき触媒などに対する親和性がより優れる点から、70°未満が好ましく、50°以下がより好ましい。なお、変換された極性変換基がカルボン酸基、スルホン酸基、またはスルフィン酸基である場合、極性変換後の被めっき層は、アルカリ性のめっき液を用いた場合は、これらの酸基が中和されて塩を生成することで、さらに親水性が増し、めっき液の浸透をより促進できる。なお、本明細書においては、水接触角が70°以上である被めっき層を疎水性被めっき層と、70°未満である被めっき層を親水性被めっき層と呼ぶ。水接触角の測定方法としては、滴下した水の頂点と基板との2点の接点を用いる接線法を用いる。<工程D:触媒付与工程>工程Dは、工程Cで得られた被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程である。本工程においては、親水性を示す被めっき層親水性被めっき層にめっき触媒またはその前駆体が付与される。特に、親水性に変換された極性変換基がカルボン酸基、スルホン酸基、またはスルフィン酸基である場合、これらの基が付与されためっき触媒またはその前駆体を効率よく付着吸着する。まず、本工程で使用される材料めっき触媒またはその前駆体などについて詳述し、その後該工程の手順について詳述する。めっき触媒またはその前駆体めっき触媒またはその前駆体は、後述するめっき工程における、めっき処理の触媒や電極として機能するものである。そのため、使用されるめっき触媒またはその前駆体の種類は、めっき処理の種類により適宜決定される。なお、用いられるめっき触媒またはその前駆体は、めっきの均一性をより高める点で、無電解めっき触媒またはその前駆体であることが好ましい。以下で、無電解めっきまたはその前駆体などについて詳述する。無電解めっき触媒としては、無電解めっき時の活性核となるものであれば、如何なるものも用いることができ、具体的には、自己触媒還元反応の触媒能を有する金属Niよりイオン化傾向の低い無電解めっきできる金属として知られるものなどが挙げられる。より具体的には、Pd、Ag、Cu、Ni、Al、Fe、Coなどが挙げられる。中でも、触媒能の高さから、Ag、Pdが特に好ましい。無電解めっき触媒として、金属コロイド金属粒子を用いてもよい。一般に、金属コロイドは、荷電を持った界面活性剤または荷電を持った保護剤が存在する溶液中において、金属イオンを還元することにより作製することができる。無電解めっき触媒前駆体としては、化学反応により無電解めっき触媒となりうるものであれば、特に制限なく使用することができる。主には、上記無電解めっき触媒として挙げた金属の金属イオンが用いられる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、還元反応により無電解めっき触媒である0価金属になる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、被めっき層へ付与した後、無電解めっき液への浸漬前に、別途還元反応により0価金属に変化させて無電解めっき触媒としてもよいし、無電解めっき触媒前駆体のまま無電解めっき液に浸漬し、無電解めっき液中の還元剤により金属無電解めっき触媒に変化させてもよい。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、金属塩を用いて被めっき層に付与することが好ましい。使用される金属塩としては、適切な溶媒に溶解して金属イオンと塩基陰イオンとに解離されるものであれば特に制限はなく、Mn、MCln、M2n、M3nMは、n価の金属原子を表すなどが挙げられる。金属イオンとしては、上記の金属塩が解離したものを好適に用いることができる。具体例としては、例えば、Agイオン、Cuイオン、Alイオン、Niイオン、Coイオン、Feイオン、Pdイオンが挙げられ、中でも、多座配位可能なものが好ましく、特に、配位可能な官能基の種類数および触媒能の点で、Agイオン、Pdイオンが好ましい。本工程において、無電解めっきを行わず直接電気めっきを行うために用いられる触媒として、上述した以外の0価金属を使用することもできる。上記めっき触媒またはその前駆体は、これらを溶媒に分散または溶解させた溶液以後、適宜めっき触媒液とも称するの形態で使用されることが好ましい。つまり、めっき触媒液には、めっき触媒またはその前駆体が含まれる。めっき触媒液を通常溶媒を含んでおり、溶媒の種類としては有機溶剤および/または水が用いられる。通常、水が主成分として使用される。めっき触媒液が有機溶剤を含有することで、被めっき層に対するめっき触媒液の浸透性が向上し、被めっき層に効率よくめっき触媒またはその前駆体を吸着させることができる。めっき触媒液に用いられる有機溶剤としては、被めっき層に浸透しうる溶剤であれば特に制限はないが、具体的には、アセトン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、エチレングリコールジアセテート、シクロヘキサノン、アセチルアセトン、アセトフェノン、2-1-シクロヘキセニルシクロヘキサノン、プロピレングリコールジアセテート、トリアセチン、ジエチレングリコールジアセテート、ジオキサン、N-メチルピロリドン、ジメチルカーボネート、ジメチルセロソルブなどを用いることができる。工程Dの手順めっき触媒またはその前駆体を被めっき層に付与する方法は、特に制限されない。例えば、めっき触媒またはその前駆体を含有するめっき触媒液金属を適当な分散媒に分散した分散液、または、金属塩を適切な溶媒で溶解し、解離した金属イオンを含む溶液を調製し、めっき触媒液を被めっき層上に塗布する方法、または、めっき触媒液中に被めっき層が形成された基板を浸漬する方法などが挙げられる。被めっき層とめっき触媒液との接触時間は、30秒~10分程度であることが好ましく、3分~5分程度であることがより好ましい。接触時のめっき触媒液の温度は、20~60°C程度であることが好ましく、30~50°C程度であることがより好ましい。<工程E:めっき工程>工程Eは、上記工程Dにてめっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、金属層めっき層を被めっき層上に形成する工程である。より具体的には、本工程を実施することにより、図1Cに示すように、被めっき層12上に金属層14が設けられ、積層体16が得られる。本工程において行われるめっき処理の種類は、無電解めっき、電解めっき等が挙げられ、上記工程において、被めっき層に付与されためっき触媒またはその前駆体の機能によって、選択することができる。なかでも、形成される金属層の密着性向上の点から、無電解めっきを行うことが好ましい。また、所望の層厚の金属層を得るために、無電解めっきの後に、更に電解めっきを行うことがより好ましい態様である。以下、本工程において好適に行われるめっきについて説明する。無電解めっき無電解めっきとは、めっきとして析出させたい金属イオンを溶かした溶液を用いて、化学反応によって金属を析出させる操作のことをいう。本工程における無電解めっきは、例えば、無電解めっき触媒が付与された基板を水洗して、被めっき層から余分な無電解めっき触媒金属を除去した後、無電解めっき浴に浸漬して行う。使用される無電解めっき浴としては、公知の無電解めっき浴を使用することができる。なお、無電解めっき浴としては、入手のしやすさの点から、アルカリ性の無電解めっき浴pHが9~14程度が好ましいを使用する場合が好ましい。また、無電解めっき触媒前駆体が付与された基板を、無電解めっき浴に浸漬する場合には、基板を水洗して余分な前駆体金属塩などを除去した後、無電解めっき浴中へ浸漬させる。この場合には、無電解めっき浴中において、めっき触媒前駆体の還元とこれに引き続き無電解めっきが行われる。ここで使用される無電解めっき浴としても、上記同様、公知の無電解めっき浴を使用することができる。なお、無電解めっき触媒前駆体の還元は、上記のような無電解めっき液を用いる態様とは別に、触媒活性化液還元液を準備し、無電解めっき前の別工程として行うことも可能である。触媒活性化液は、無電解めっき触媒前駆体主に金属イオンを0価金属に還元できる還元剤を溶解した液で、液全体に対する該還元剤の濃度が0.1~50質量が好ましく、1~30質量がより好ましい。還元剤としては、公知の還元剤例えば、水素化ホウ素ナトリウムまたはジメチルアミンボランなどのホウ素系還元剤、ホルムアルデヒド、次亜リン酸などを使用できる。浸漬の際には、無電解めっき触媒またはその前駆体が接触する被めっき層表面付近の無電解めっき触媒またはその前駆体の濃度を一定に保つ上で、攪拌または揺動を加えながら浸漬することが好ましい。一般的な無電解めっき浴の組成としては、例えば、溶剤例えば、水の他に、1.めっき用の金属イオン、2.還元剤、3.金属イオンの安定性を向上させる添加剤安定剤が主に含まれている。このめっき浴には、これらに加えて、めっき浴の安定剤など公知の添加物が含まれていてもよい。めっき浴に用いられる有機溶剤としては、水に可能な溶媒である必要があり、その点から、アセトンなどのケトン類、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類が好ましく用いられる。無電解めっき浴に用いられる金属の種類としては、例えば、銅、すず、鉛、ニッケル、金、銀、パラジウム、ロジウムが知られており、なかでも、導電性の観点からは、銅、金が特に好ましい。また、上記金属に合わせて最適な還元剤、添加物が選択される。無電解めっきにより得られる金属層の層厚は、めっき浴の金属イオン濃度、めっき浴への浸漬時間、または、めっき浴の温度などにより制御することができるが、導電性の観点からは、0.1μm以上が好ましく、0.2~2μmがより好ましい。ただし、無電解めっきによる金属層を導通層として、後述する電解めっきを行う場合は、少なくとも0.1μm以上の層が均一に付与されていることが好ましい。また、めっき浴への浸漬時間としては、1分~6時間程度であることが好ましく、1分~3時間程度であることがより好ましい。電解めっき電気めっき本工程おいては、上記工程において付与されためっき触媒またはその前駆体が電極としての機能を有する場合、その触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対して、電解めっきを行うことができる。また、前述の無電解めっきの後、形成された金属層を電極とし、更に、電解めっきを行ってもよい。これにより基板との密着性に優れた無電解めっき層をベースとして、そこに新たに任意の厚みをもつ金属層を容易に形成することができる。このように、無電解めっきの後に、電解めっきを行うことで、金属層を目的に応じた厚みに形成しうるため、金属層を種々の応用に適用するのに好適である。電解めっきの方法としては、従来公知の方法を用いることができる。なお、電解めっきに用いられる金属としては、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、亜鉛などが挙げられ、導電性の観点から、銅、金、銀が好ましく、銅がより好ましい。また、電解めっきにより得られる金属層の層厚は、めっき浴中に含まれる金属濃度、または、電流密度などを調整することで制御することができる。なお、一般的な電気配線などに適用する場合、金属層の層厚は、導電性の観点から、0.5μm以上であることが好ましく、1~30μmがより好ましい。<工程H:パターン形成工程>パターン形成工程は、必要に応じて設けられる工程で、めっき工程で得られた金属層をパターン状にエッチングして、パターン状金属層を形成する工程である。本工程において、基板表面全体に形成された金属層の不要部分をエッチングで取り除くことで、所望のパターン状の金属層を生成することができる。より具体的には、図1Dに示すように、本工程においては、金属層の不要部を除去することにより、パターン状金属層18が、被めっき層12上に形成される。このパターンの形成には、如何なる手法も使用することができ、具体的には一般的に知られているサブトラクティブ法金属層上にパターン状のマスクを設け、マスクの非形成領域をエッチング処理した後、マスクを除去して、パターン状の金属層を形成する方法、セミアディティブ法金属層上にパターン状のマスクを設け、マスクの非形成領域に金属層を形成するようにめっき処理を行い、マスクを除去し、エッチング処理して、パターン状の金属層を形成する方法が用いられる。サブトラクティブ法とは、形成された金属層上にレジスト層を設けパターン露光、現像により金属層パターン部と同じパターンを形成し、レジストパターンをマスクとしてエッチング液で金属層を除去し、パターン状の金属層を形成する方法である。レジストとしては如何なる材料も使用でき、ネガ型、ポジ型、液状、フィルム状のものが使用できる。また、エッチング方法としては、プリント配線基板の製造時に使用されている方法が何れも使用可能であり、湿式エッチング、ドライエッチング等が使用可能であり、任意に選択すればよい。作業の操作上、湿式エッチングが装置などの簡便性の点で好ましい。エッチング液として、例えば、塩化第二銅、塩化第二鉄等の水溶液を使用することができる。セミアディティブ法とは、形成された金属層上にレジスト層を設け、パターン露光、現像により非金属層パターン部と同じパターンを形成し、レジストパターンをマスクとして電解めっきを行い、レジストパターンを除去した後にクイックエッチングを実施し、金属層をパターン状に除去することで、パターン状金属層を形成する方法である。レジスト、エッチング液等はサブトラクティブ法と同様な材料が使用できる。また、電解めっき手法としては上記記載の手法が使用できる。なお、金属層の除去と同時に、公知の手段例えば、ドライエッチングなどによって、被めっき層を合わせて除去してもよい。上記製造方法で得られた積層体表面金属層材料は、最外層に金属層を有しており、種々の用途に使用することができる。例えば、FPC、COF、TAB、マザーボード、パッケージインターポーザー基板等の種々の用途に適用することができる。なかでも、プリント配線基板などの配線基板として使用することが好ましい。また、必要に応じて、パターン状金属層上にさらに絶縁層を設けてもよい。絶縁層としては公知の材料を使用することができ、例えば、公知の層間絶縁膜、ソルダーレジストなどが挙げられる。なお、パターン状金属層を有する積層体金属パターン材料は、上述した基板として使用して、さらに被めっき層および金属層を積層してもよい。<積層体の製造方法の第2の実施態様>本発明の積層体の製造方法の第2の実施態様は、基板上に絶縁層を形成する工程Fと、絶縁層上に被めっき層を形成する工程A’と、被めっき層をアルカリ水溶液に接触させる工程Bと、所定の処理を行って、被めっき層中の極性変換基を疎水性から親水性に変換させる工程Cと、被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程Dと、めっき処理を行う工程Eとを備える。該第2の実施態様と上述した第1の実施態様との主な相違点は、工程Fの点である。以下では、図2を参照しながら、主に工程Fの手順について詳述しつつ、本実施態様について説眼する。なお、図2において、図1に示す各構成要素と、同一の構成要素には同一の参照符号を付し、説明は省略する。<工程F:絶縁層形成工程>工程Fは、基板の表面に絶縁層を形成する工程である。該工程を行うことにより、絶縁性がより担保される。より具体的には、本工程では、図2Aに示すように、基板10を用意し、図2Bに示すように、表面上に絶縁層20を形成する。まず、本工程で使用される材料絶縁層などについて詳述し、その後本工程の手順について詳述する。絶縁層絶縁層を構成する材料は特に制限されず、例えば、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂などの公知の絶縁性樹脂が挙げられる。より具体的には、熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、イソシアネート樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド等が挙げられる。絶縁層の厚みは、積層体の使用目的に応じて適宜選択されるが、絶縁性担保の点から、10~150μmが好ましく、30~50μmがより好ましい。[工程Fの手順]絶縁層の形成方法は特に制限されない。例えば、絶縁性樹脂を含有する絶縁性樹脂組成物を基板上に塗布して、必要に応じて加熱処理または露光処理を行い、絶縁層を形成する方法塗布法や、絶縁性樹脂を含有する絶縁層を基板上にラミネートする方法などが挙げられる。なお、絶縁性樹脂組成物中には溶媒が含まれていてもよい。乾燥の容易性、作業性の観点からは、沸点が高すぎない溶媒が好ましく、沸点40~150°C程度のものを選択するのが好ましい。具体的には、シクロヘキサノン、メチルエチルケトンなどを使用することができる。なお、絶縁性樹脂組成物中の固形分の濃度は、取扱い性の点から、2~50質量が好ましい。工程Fの後、得られた絶縁層上に被めっき層を形成する工程A’を実施する。工程の手順は、上述した工程Aと同じである。該工程を実施することにより、図2Cに示すように、絶縁層20上に被めっき層12が形成される。次に、上述した工程Bを実施して、被めっき層上の有機吸着物を除去した後、上述した工程Cを実施して被めっき層の親疎水性を変換する。次に、上述した工程Dを実施して、被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する。さらに、その後工程Eを実施することにより、金属層を被めっき層上に形成する。より具体的には、本工程を実施することにより、図2Dに示すように、被めっき層12上に金属層14が設けられ、積層体16が得られる。その後、必要に応じて、工程Hを実施して、パターン状金属層を得る。より具体的には、図2Eに示すように、本工程においては、金属層14の不要部を除去することにより、パターン状金属層18が、被めっき層12上に形成される。以下、実施例により、本発明について更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。まず、実施例で使用されるポリマーの合成方法について詳述する。合成例1:ポリマーA500mLの3つ口フラスコを窒素置換し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート以下PEGMEAと呼ぶ27.6gを入れ、60°Cに昇温した。その中に、グリシジルメタクリレート5.19g、t-ブチルアクリレート34.3g、V-6011.05g、およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート64.5gの混合液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、3時間反応を行い、ポリマーAの30wt溶液131.6gを得た。なお、ポリマー中の各ユニット比は、架橋性基ユニット:極性変換基ユニット=12:88mol比であった。また、重量平均分子量は、ポリスチレン換算でMw=10.8万Mw/Mn=4.0であった。合成例2:ポリマーB500mLの3つ口フラスコを窒素置換し、PEGMEA14.1gを入れ、60°Cに昇温し、その中に、OXE-30大阪有機化学工業製2.78g、t-ブチルアクリレート17.4g、V-6010.277g、およびPEGMEA33gの混合液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、3時間反応を行い、ポリマーBの30wt溶液67.2gを得た。なお、ポリマー中の各ユニット比は、架橋性基ユニット:極性変換基ユニット=10:90mol比であった。また、重量平均分子量は、ポリスチレン換算でMw=9.2万Mw/Mn=3.5であった。合成例3:ポリマーC2Lの三口フラスコにt-ブチルメチルエーテル600g、水330g、2-ブチルアミノエタノール200gを入れ、氷浴にて冷却した。反応溶液の内温20°C以下になるように調節して、そこへ2-ブロモイソ酪酸ブロミド98gを滴下した。その後、反応溶液の内温を室温25°Cまで上昇させて2時間反応させた。反応終了後、蒸留水300mLを追加して反応を停止させた。その後、t-ブチルメチルエーテル層を蒸留水300mLで4回洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、t-ブチルメチルエーテル層を留去することで原料A91gを得た。次に、1Lの三口フラスコに原料A91g、ジメチルアミノピリジン4.2g、アセトン300mLを入れて、さらにメタクリル酸無水物53gを滴下した。その後、加熱還流下で4時間反応させた。反応終了後、酢酸エチル1L、蒸留水300mLを反応溶液に追加した。その後、酢エチ層を蒸留水300mLで2回洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、酢酸エチルを留去し、さらにカラムクロマトグラフィーにてモノマーA50gを精製して得た。500mLの三口フラスコに、N,N-ジメチルアセトアミド16.2gを入れ、窒素気流下、65°Cまで加熱した。そこへ、上記で得たモノマーA10.43g、t-ブチルアクリレート12.67g、V-601和光純薬製0.24gのN,N-ジメチルアセトアミド38g溶液を、4時間かけて滴下した。滴下終了後、更に反応溶液を3時間撹拌した。その後、反応溶液にN,N-ジメチルアセトアミド154gを足し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に4-ヒドロキシTEMPO東京化成製0.05gおよびDBU50gを加え、室温で12時間反応を行った。その後、反応溶液に70質量メタンスルホン酸水溶液49g加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、ポリマーC重量平均分子量6.5万を15g得た。なお、ポリマー中の各ユニット比は、架橋性基ユニット:極性変換基ユニット=12:88mol比であった。合成例4:ポリマーD500mLの3つ口フラスコを窒素置換し、PEGMEA17gを入れ、60°Cに昇温した。その中に、アクリル酸1.73g、t-ブチルアクリレート22.56g、V-6010.46g、およびPEGMEA39.7gの混合液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、3時間反応を行い、ポリマーDの30wt溶液81.6gを得た。なお、ポリマー中の各ユニット比は、架橋性基ユニット:極性変換基ユニット=12:88mol比であった。また、重量平均分子量は、ポリスチレン換算でMw=15.2万Mw/Mn=3.5であった。合成例5:ポリマーE500mLの3つ口フラスコを窒素置換し、PEGMEA177gを入れ、60°Cに昇温した。その中に、ヒドロキシルエチルアクリレート2.79g、t-ブチルアクリレート22.56g、V-6010.69g、およびPEGMEA41.4gの混合液を2時間かけて滴下した。滴下終了後、3時間反応を行い、ポリマーEの30wt溶液84.5gを得た。なお、ポリマー中の各ユニット比は、架橋性基ユニット:極性変換基ユニット=12:88mol比であった。また、重量平均分子量は、ポリスチレン換算でMw=17.5万Mw/Mn=3.7であった。合成例6:ポリマーF500mLの3つ口フラスコを窒素置換し、PEGMEA33.3gを入れ、70°Cに昇温した。その中に、メタクリル酸3-トリメトキシシリルプロピル5.96g、t-ブチルアクリレート22.56g、V-6010.69g、およびPEGMEA33.3gの混合液を2時間かけて滴下した。滴下終了後、3時間反応を行い、ポリマーFの30wt溶液95gを得た。なお、ポリマー中の各ユニット比は、架橋性基ユニット:極性変換基ユニット=12:88mol比であった。また、重量平均分子量は、ポリスチレン換算でMw=9.2万Mw/Mn=5.2であった。合成例7:ポリマーG500mLの3つ口フラスコを窒素置換し、PEGMEA30.3gを入れ、70°Cに昇温した。その中に、ジメチルアミノエチルアクリレート3.44g、t-ブチルアクリレート22.56g、V-6010.69g、およびPEGMEA30.3gの混合液を2時間かけて滴下した。滴下終了後、3時間反応を行い、ポリマーGの30wt溶液86.7gを得た。なお、ポリマー中の各ユニット比は、架橋性基ユニット:極性変換基ユニット=12:88mol比であった。また、重量平均分子量は、ポリスチレン換算でMw=13万Mw/Mn=3.9であった。合成例8:ポリマーH500mLの三口フラスコに2-フェニル-2-プロパノール和光純薬製25g、トリエチルアミン30g、テトラヒドロフラン150mLを入れて氷浴にて冷却をした。反応溶液の内温10°C以下になるように調節して、そこへ塩化アクリロイル25gを滴下した。その後、内温を室温25°Cまで上昇させて5時間反応させた。反応終了後、酢酸エチル300mL、蒸留水100mL追加した。その後、酢エチ層を飽和重曹水100mLで洗浄後、飽和食塩水100mLで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、酢酸エチルを留去し、カラムクロマトグラフィーにて精製しモノマーB10gを得た。500mLの3つ口フラスコを窒素置換し、PEGMEA7.7gを入れ、65°Cに昇温した。その中に、グリシジルメタクリレート1.0g、モノマーB10.0g、V-6010.11g、およびPEGMEA18.1gの混合液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、4時間反応を行い、ポリマーHの30wt溶液37gを得た。なお、ポリマー中の各ユニット比は、架橋性基ユニット:極性変換基ユニット=12:88mol比であった。また、重量平均分子量は、ポリスチレン換算でMw=12.1万Mw/Mn=40であった。合成例9:ポリマーI500mLの三口フラスコに4-メトキシ-α-メチルベンジルアルコール25g、トリエチルアミン26g、テトラヒドロフラン150mLを入れて氷浴にて冷却をした。反応溶液の内温10°C以下になるように調節して、そこへ塩化アクリロイル22.3gを滴下した。その後、内温を室温25°Cまで上昇させて5時間反応させた。反応終了後、酢酸エチル300mL、蒸留水100mLを追加した。その後、酢エチ層を飽和重曹水100mLで洗浄後、飽和食塩水100mLで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、酢酸エチルを留去し、カラムクロマトグラフィーにて精製しモノマーC20gを得た。500mLの3つ口フラスコを窒素置換し、トルエン7.7gを入れ、65°Cに昇温した。その中に、グリシジルメタクリレート0.94g、モノマ-C10.0g、V-6010.19g、およびトルエン17.7gの混合液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、4時間反応を行い、ポリマーIの30wt溶液36.7gを得た。なお、ポリマー中の各ユニット比は、架橋性基ユニット:極性変換基ユニット=12:88mol比であった。また、重量平均分子量はポリスチレン換算でMw=7.6万Mw/Mn=4.2であった。合成例10:ポリマーJ500mLの三口フラスコに、アクリル酸17.99g、10-カンファースルホン酸6mg、ヘキサン100mLを入れた。反応溶液の内温30°C以下になるように調節して、そこへイソブチルビニルエーテル25gを滴下した。その後、室温25°Cで3時間反応させた。反応終了後、商品名キョーワード1000、商品名キョーワード200を用いて吸着処理を行い、ヘキサンを減圧留去し、モノマーG42gを得た。500mLの3つ口フラスコを窒素置換し、PEGMEA4.6gを入れ、70°Cに昇温した。その中に、グリシジルメタクリレート1.02g、モノマーG9.1g、V-6010.208g、およびPEGMEA11.5gの混合液を2時間かけて滴下した。滴下終了後、3時間反応を行い、アセトニトリルで再沈を行い、固形物を取り出し、ポリマーJ6gを得た。なお、ポリマー中の各ユニット比は、架橋性基ユニット:極性変換基ユニット=12:88mol比であった。また、重量平均分子量は、ポリスチレン換算でMw=6.2万Mw/Mn=2.9であった。合成例11:ポリマーK500mLの三口フラスコに、シクロヘキサノール15g、ピリジン12.5g、アセトニトリル100mLを入れて氷浴にて冷却をした。反応溶液の内温10°C以下になるように調節して、そこへアセトニトリル50mLに溶かしたp-スチレンスルホニルクロリド20gを滴下した。その後、内温を室温25°Cまで上昇させて5時間反応させた。反応終了後、酢酸エチル300mL、蒸留水100mLを追加した。その後、酢エチ層を飽和重曹水100mLで洗浄後、飽和食塩水100mLで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、酢酸エチルを留去し、カラムクロマトグラフィーにて精製しモノマーD20gを得た。500mLの3つ口フラスコを窒素置換し、PEGMEA10.7gを入れ、55°Cに昇温した。その中に、グリシジルメタクリレート0.85g、モノマーD14.4g、V-650.11g、およびPEGMEA24.9gの混合液を2時間かけて滴下した。滴下終了後、3時間反応を行い、ポリマーKの30wt溶液50.8gを得た。なお、ポリマー中の各ユニット比は、架橋性基ユニット:モノマーDユニット=10:90mol比であった。また、重量平均分子量は、ポリスチレン換算でMw=8.6万Mw/Mn=3.8であった。合成例12:ポリマーL500mLの三口フラスコにN-ヒドロキシフタルイミド15g、ピリジン8.7g、アセトニトリル100mLを入れて氷浴にて冷却をした。反応溶液の内温10°C以下になるように調節して、そこへアセトニトリル50mLに溶かしたp-スチレンスルホニルクロリド20gを滴下した。その後、反応溶液の内温を室温25°Cまで上昇させて5時間反応させた。反応終了後、反応溶液に酢酸エチル300mL、蒸留水100mLを追加した。その後、酢エチ層を飽和重曹水100mLで洗浄後、飽和食塩水100mLで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、酢酸エチルを留去し、カラムクロマトグラフィーにて精製し、モノマーF22gを得た。500mLの3つ口フラスコを窒素置換し、PEGMEA6.5gを入れ、60°Cに昇温した。その中に、グリシジルメタクリレート0.43g、モノマーF8.89g、V-650.055g、およびPEGMEA15.2gの混合液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、3時間反応を行い、ポリマーLの30wt溶液30gを得た。なお、ポリマー中の各ユニット比は、架橋性基ユニット:モノマーFユニット=10:90mol比であった。また、重量平均分子量は、ポリスチレン換算でMw=7.2万Mw/Mn=3.0であった。合成例13:比較ポリマー1500mLの3つ口フラスコを窒素置換し、PEGMEA10gを入れ、60°Cに昇温した。その中に、グリシジルメタクリレート1.71g、メタクリル酸イソブチル12.51g、V-6010.184g、およびPEGMEA23.2gの混合液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、4時間反応を行い、比較ポリマー1の30wt溶液47.6gを得た。なお、ポリマー中の各ユニット比は、架橋性基ユニット:メタクリル酸イソブチルユニット=12:88mol比であった。また、重量平均分子量はポリスチレン換算でMw=8.8万Mw/Mn=3.5であった。なお、該比較ポリマー1中には、極性変換基が含まれない。合成例14:比較ポリマー21000mlの三口フラスコに、N,N-ジメチルアセトアミド35gを入れ、窒素気流下、75°Cまで加熱した。そこへ、2-ヒドロキシエチルアクリレート東京化成製6.60g、t-ブチルアクリレート29.1g、V-601和光純薬製0.65gのN,N-ジメチルアセトアミド35g溶液を、2.5時間かけて滴下した。滴下終了後、反応溶液を80°Cまで加熱し、更に3時間撹拌した。その後、室温まで、反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、ジターシャリーブチルハイドロキノン0.29g、ジブチルチンジラウレート0.29g、カレンズAOI昭和電工株製18.56g、N,N-ジメチルアセトアミド19gを加え、55°C、4時間反応を行った。その後、反応溶液にメタノールを3.6g加え、更に1.5時間反応を行った。反応終了後、酢酸エチル:ヘキサン=1:1で再沈を行い、固形物を取り出し、比較ポリマー232gを得た。なお、ポリマー中の各ユニット比は、アクリロニトリルオキシユニット:極性変換基ユニット=20:80mol比であった。また、重量平均分子量はポリスチレン換算でMw=7.2Mw/Mn=2.4であった。なお、該比較ポリマー2中には、特定の架橋性基が含まれない。合成例15:比較ポリマー31000mlの三口フラスコに、N,N-ジメチルアセトアミド35gを入れ、窒素気流下、75°Cまで加熱した。そこへ、2-ヒドロキシエチルアクリレート東京化成製6.60g、2-シアノエチルアクリレート28.4g、V-601和光純薬製0.65gのN,N-ジメチルアセトアミド35g溶液を、2.5時間かけて滴下した。滴下終了後、反応溶液を80°Cまで加熱し、更に3時間撹拌した。その後、室温まで、反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、ジターシャリーブチルハイドロキノン0.29g、ジブチルチンジラウレート0.29g、カレンズAOI昭和電工株製18.56g、N,N-ジメチルアセトアミド19gを加え、55°C、4時間反応を行った。その後、反応溶液にメタノールを3.6g加え、更に1.5時間反応を行った。反応終了後、酢酸エチル:ヘキサン=1:1で再沈を行い、固形物を取り出し、比較ポリマー332gを得た。なお、ポリマー中の各ユニット比は、アクリロニトリルオキシユニット:シアノ基ユニット=20:80mol比であった。また、重量平均分子量はポリスチレン換算でMw=6.2Mw/Mn=2.3であった。なお、該比較ポリマー3中には、極性変換基および特定の架橋性基が含まれない。合成例16:比較ポリマー4500mLの3つ口フラスコを窒素置換し、PEGMEA30g、t-ブチルアクリレート12.8g、およびV-6010.35gを入れ、60°Cに昇温し、5時間反応させ、比較ポリマー4の30wt溶液43gを得た。重量平均分子量は、ポリスチレン換算でMw=8.0万Mw/Mn=2.1であった。なお、該比較ポリマー4中には、特定の架橋性基が含まれない。上記合成例1~16で合成した各種ポリマーの構造式を以下にまとめて示す。<実施例1>工程A厚さ18μmの銅膜を片面に有する基板に、味の素ファインテクノ社製エポキシ系絶縁膜GX-13膜厚40μmを、真空ラミネーターにより0.2MPaの圧力で100~110°Cの条件により接着し、基板上に絶縁層を形成した。被めっき層形成用組成物の調製上記で得られたポリマーAの30wt溶液3g、プロピレングリコールモノメチルエーテル以下、MFGと略す7gを混合攪拌し、被めっき層形成用組成物Xを調製した。被めっき層の形成調製された被めっき層形成用組成物Xを、被めっき層の厚さが1μmになるように、絶縁層上にスピンコート法により塗布し、150°Cで30分間乾燥、硬化し、被めっき層を形成した。得られた被めっき層の水に対する接触角を、接触角測定装置協和界面科学社製、型式:DM500を用いて測定したところ、89°であり、疎水性であった。工程Bクリーナーコンディショナー902アトテックジャパン社製脱脂剤に水酸化ナトリウムを加え、水酸化ナトリウムの濃度が4質量になるように調製した。調製した液pH:13.6に、工程Aで得られた被めっき層付き基板を60°Cにて10分間浸漬し、その後純水で2回洗浄した。なお、上記工程Bの後に、アルカリ処理前後の被めっき層の残膜率を測定したところ、膜厚はほとんど変化していないことが確認された。アルカリ耐性は、以下の基準で評価した。結果を表1に示す。◎被めっき層の膜厚がほとんど変化しなかった。残膜率95以上○被めっき層の大部分が残存していた。残膜率50以上95未満△被めっき層の一部が残存していた。残膜率25以上50未満×被めっき層がほぼ消失していた。残膜率25未満なお、被めっき層残膜率の測定方法としては、アルカリ処理前後工程B前後の被めっき層を有する基板を基板平面に対して垂直に切断し、断面をSEMにより観察し、被めっき層の厚みを測定した。1つのサンプルにつき、3点を測定した平均値を用い、アルカリ処理前後の膜厚から残膜率{アルカリ処理後の被めっき層の厚み/アルカリ処理前の被めっき層の厚み×100}を測定した。また上記工程Bの後に、被めっき層の水に対する接触角を、接触角測定装置協和界面科学社製、型式:DM500を用いて測定したところ、アルカリ処理前後で接触角が変化していなかった。工程C工程Bで得られた基板を、硫酸40wtを含む水溶液からなる酸処理水溶液液温:90°C中に、攪拌を加えながら30分間浸漬し、親水化処理を行なった。その後、基板を酸処理水溶液から取り出し、50°C温水にて3分浸漬処理を行なった。ATR-赤外分光光度計を用いて酸処理後の被めっき層のIRスペクトルを測定したところ、1367cm1の極性変換基三級エステル基由来のピークが消失していることが確認され、新たに1710cm1にカルボン酸基由来のピークが確認された。すなわち極性変換基が親水性基カルボン酸基へと変換していることが確認された。また酸処理後の被めっき層の水に対する接触角を、接触角測定装置協和界面科学社製、型式:DM500を用いて測定したところ39°であり、被めっき層の接触角が低下していることが確認された。以上より、酸処理によりカルボキシル基が生成し、被めっき層が親水化していることが確認された。D工程C工程で得られた基板を、スルカップACL-009上村工業株式会社製の5wt水溶液液温:50°Cに5分間浸漬し、浸漬後に純水にて2回洗浄した。その後、上記処理が施された基板を、Pd触媒付与液であるアクチベーターネオガント834アトテックジャパン社製に室温にて5分間浸漬し、浸漬後純水にて2回洗浄した。E工程無電解めっき次に、上記処理が施された基板を、Pd還元剤であるレデューサーネオガントWAアトテックジャパン社製に36°Cにて5分間浸漬し、純水にて2回洗浄した。なお、上記処理を施すことにより被めっき層には、平均粒径1nmのパラジウム粒子無電解めっき触媒が付与された。その後、基板を、無電解めっき液であるプリントガントPVアトテックジャパン社製pH:12.8、含有金属イオン:銅イオン、ニッケルイオン、還元剤:ホルムアルデヒド、還元剤の量:0.45質量液全量に対してに室温にて30分浸漬して、被めっき層上に金属層めっき層を作製した。得られた金属層無電解銅めっき層の厚みは0.5μmであった。電解めっき得られた無電解銅めっき層付き基板に対し、以下のようにして、電気めっきを行った。電解めっき液として、水1283g、硫酸銅5水和物135g、98濃硫酸342g、36濃塩酸0.25g、ET-901Mロームアンドハース396gの混合溶液を用い、ホルダーを取り付けた基板と銅板を電源に接続し、3A/dm2にて45分間電解銅めっき処理を行い、約20μmの金属層を有する基板を得た。[評価:面状評価]上記無電解めっき後の積層体を100枚用意し、基板平面に対して垂直に切断した断面をSEMにより観察し、金属層めっき層の厚みを測定した。めっき層厚の最大値と最小値の差をめっき層厚のばらつきとし、めっき層厚バラつきが100nm以上の場合を不良と判定した。不良率{不良と判断された枚数/100×100}を算出し、以下の基準に従って評価した。結果を表1に示す。実用上、◎○であることが好ましい。◎:不良率が0以上5未満のもの○:不良率が5以上10未満のもの△:不良率が10以上20未満のもの×:不良率が20以上のもの××:めっきが析出しなかったもの[評価:めっき浴汚染性評価]上記無電解めっきにおいて、無電解めっき液中に析出した銅粉の有無を評価した。結果を表1に示す。実用上、○であることが好ましい。○:100枚めっき時にも無電解めっき液中に銅粉の析出が認められなかった。△:50枚~99枚めっき時に無電解めっき液中に銅粉が析出した。×:1枚~49枚めっき時に無電解めっき液中に銅粉が析出した。[評価:密着性評価]電解銅めっき処理後の金属層付き基板に、180°Cにて1時間の熱処理を施した。その後、得られた金属層に5mmの間隔を開けて、平行に130mmの切り込みを入れ、その端部をカッターにて切り込みを入れ10mm立ち上げた。引張試験機エーアンドディー製、RTM-100を用いて、剥がした金属層端部をつかんで90°ピール強度を測定した引張速度10mm/min。結果を表1に示す。実用上、○△であることが好ましい。評価基準は以下の通りである。○:ピール強度が0.60kN/m以上である△:ピール強度が0.30kN/m以上0.60kN/m未満である×:ピール強度が0.10kN/m以上0.30kN/m未満である××:めっきが析出せず、金属層が得られなかった。<実施例2>ポリマーAの30wt溶液の代わりにポリマーBの30wt溶液を用いた以外は、実施例1と同様の手順に従って、積層体を製造した。評価結果を表1にまとめて示す。<実施例3>ポリマーAの代わりにポリマーCを使用し、被めっき層の形成を以下の手順に変更した以外は、実施例1と同様の手順に従って、積層体を製造した。評価結果を表1にまとめて示す。[被めっき層の形成]ポリマーC1g、MFG9g、Irgacure29590.05gを混合攪拌し、被めっき層形成用組成物を調製した。調製された被めっき層形成用組成物を、被めっき層の厚さが1μmになるように、絶縁層上にスピンコート法により塗布し、150°Cで20分間乾燥した。その後、UV露光機型番:株三永電機製作所製型番:UVF-502S、ランプ:UXM-501MDを用い、10mW/cm2の照射パワーウシオ電機株製紫外線積算光量計UIT150-受光センサーUVDS254で照射パワー測定にて500秒間、露光し硬化させ、被めっき層を形成した。<実施例4>被めっき層形成用組成物Xの代わりに、ポリマーDの30wt溶液4g、架橋剤として1,4-ブチレングリコールジグリシジルエーテル0.12g、およびMFG6gを混合攪拌して得られる被めっき層形成用組成物を使用した以外は、実施例1と同様の手順に従って、積層体を製造した。評価結果を表1にまとめて示す。<実施例5>被めっき層形成用組成物Xの代わりに、ポリマーEの30wt溶液4g、架橋剤としてトリレン-2,4-ジイソシアナート0.20g、およびMFG6gを混合攪拌して得られる被めっき層形成用組成物を使用した以外は、実施例1と同様の手順に従って、積層体を製造した。評価結果を表1にまとめて示す。<実施例6>被めっき層形成用組成物Xの代わりに、ポリマーFの30wt溶液4g、架橋剤としてテトラメトキシシラン0.16g、およびMFG6gを混合攪拌して得られる被めっき層形成用組成物を使用した以外は、実施例1と同様の手順に従って、積層体を製造した。評価結果を表1にまとめて示す。<実施例7>被めっき層形成用組成物Xの代わりに、ポリマーGの30wt溶液4g、架橋剤として1,4-ビスクロロメチルベンゼン0.10g、およびMFG6gを混合攪拌して得られる被めっき層形成用組成物を使用した以外は、実施例1と同様の手順に従って、積層体を製造した。評価結果を表1にまとめて示す。<実施例8>ポリマーAの30wt溶液の代わりにポリマーHの30wt溶液を用いた以外は、実施例1と同様の手順に従って、積層体を製造した。評価結果を表1にまとめて示す。<実施例9>ポリマーAの30wt溶液の代わりにポリマーIの30wt溶液を用いた以外は、実施例1と同様の手順に従って、積層体を製造した。評価結果を表1にまとめて示す。<実施例10>ポリマーAの代わりにポリマーJを使用し、被めっき層の形成を以下の手順に変更し、さらに上記工程Cの代わりに下記工程C1を実施した以外は、実施例1と同様の手順に従って積層体を製造した。評価結果を表1にまとめて示す。[被めっき層の形成]ポリマーJ1g、THF9g、トリメチルヘキサメチレンジアミン30mgを混合攪拌し、被めっき層形成用組成物を調製した。調製された被めっき層形成用組成物を、被めっき層の厚さが1μmになるように、絶縁層上にスピンコート法により塗布し、80°Cで30分間乾燥し、被めっき層を形成した。[工程C1]工程Bで得られた基板を150°Cで30分熱ベークした。ATR-赤外分光光度計を用いて熱処理後の被めっき層のIRスペクトルを測定したところ、1141cm1の極性変換基アセタール基由来のピークが消失していることが確認され、新たに1710cm1にカルボン酸基由来のピークが確認された。すなわち極性変換基が親水性基カルボン酸基へと変換していることが確認された。また酸処理後の被めっき層の水に対する接触角を、接触角測定装置協和界面科学社製、型式:DM500を用いて測定したところ40°であり、被めっき層の接触角が低下していることが確認された。以上より、加熱処理によりカルボン酸基が生成し、被めっき層が親水化していることが確認された。<実施例11>ポリマーAの代わりにポリマーKを用い、被めっき層の形成を以下の手順に変更し、工程Cの代わりに以下の工程C2を実施した以外は、実施例1と同様の手順に従って、積層体を製造した。評価結果は表1にまとめて示す。[被めっき層の形成]ポリマーKの30wt溶液3g、THF7gを混合攪拌し、被めっき層形成用組成物を調製した。調製された被めっき層形成用組成物を、被めっき層の厚さが1μmになるように、絶縁層上にスピンコート法により塗布し、80°Cで20分間乾燥し、被めっき層を形成した。工程C2工程Bで得られた基板を、150°Cで30分間熱ベークした。ATR-赤外分光光度計を用いて熱処理後の被めっき層のIRスペクトルを測定したところ、1367cm1の極性変換基三級エステル基由来のピークが消失していることが確認され、新たに1710cm1にカルボン酸基由来のピークが観測され、さらに1030cm1および1000cm1にスルホン酸基の吸収が観測された。すなわち極性変換基が親水性基カルボン酸基とスルホン酸基へと変換していることが確認された。熱べーク後の被めっき層の接触角は50°であり、被めっき層が親水化していることが確認された。以上より、熱ベークによりスルホン酸基、カルボン酸基が生成し、被めっき層が親水化していることが確認された。<実施例12>ポリマーAの代わりにポリマーLを使用し、被めっき層の形成を以下の手順に変更し、さらに上記工程Cの代わりに下記工程C3を実施した以外は、実施例1と同様の手順に従って、多層基板を製造した。各種測定結果を表1にまとめて示す。[被めっき層の形成]ポリマーLの30wt溶液3g、THF7gを混合攪拌し、被めっき層形成用組成物を調製した。調製された被めっき層形成用組成物を、被めっき層の厚さが1μmになるように、絶縁層上にスピンコート法により塗布し、80°Cで20分間乾燥して、被めっき層を形成した。[工程C3]工程Bで得られた基板を、150UV露光機型番:株三永電機製作所製型番:UVF-502S、ランプ:UXM-501MDを用い、10mW/cm2の照射パワーウシオ電機株製紫外線積算光量計UIT150-受光センサーUVDS254で照射パワー測定にて100秒間露光した後、90°Cで5分間加熱を行った。ATR-赤外分光光度計を用いて熱処理後の被めっき層のIRスペクトルを測定したところ、1367cm1の極性変換基三級エステル基由来のピークが消失していることが確認され、新たに1710cm1にカルボン酸基由来のピークが観測され、さらに1030cm1および1000cm1にスルホン酸基の吸収が観測された。すなわち極性変換基が親水性基カルボン酸基とスルホン酸基へと変換していることが確認された。熱べーク後の被めっき層の接触角は52°であり、被めっき層が親水化していることが確認された。以上より、熱ベークによりスルホン酸基、カルボン酸基が生成し、被めっき層が親水化していることが確認された。<実施例13>被めっき層の形成を以下の手順に変更し、さらに上記工程Cの代わりに下記工程C4を実施した以外は、実施例1と同様の手順に従って、多層基板を製造した。各種測定結果を表1にまとめて示す。[被めっき層の形成]ポリマーAの30wt溶液3g、THF7g、トリフェニルスルホニウムトリフラート0.15gを混合攪拌し、被めっき層形成用組成物を調製した。調製された被めっき層形成用組成物を、被めっき層の厚さが1μmになるように、絶縁層上にスピンコート法により塗布し、100°Cで20分間乾燥させ、被めっき層を形成した。[工程C4]上記被めっき層に対し、UV露光機型番:株三永電機製作所製型番:UVF-502S、ランプ:UXM-501MDを用い、10mW/cm2の照射パワーウシオ電機株製紫外線積算光量計UIT150-受光センサーUVDS254で照射パワー測定にて100秒間露光した。ATR-赤外分光光度計を用いて露光、熱処理後の被めっき層のIRスペクトルを測定したところ、1367cm1の極性変換基三級エステル基由来のピークが消失していることが確認され、新たに1710cm1にカルボン酸基由来のピークが確認された。すなわち極性変換基が親水性基カルボン酸基へと変換していることが確認された。また酸処理後の被めっき層の水に対する接触角を、接触角測定装置協和界面科学社製、型式:DM500を用いて測定したところ48°であり、被めっき層の接触角が低下していることが確認された。<比較例1>ポリマーAの30wt溶液の代わりに比較ポリマー1の30wt溶液を用いた以外は、実施例1と同様の手順に従って、積層体を製造した。評価結果は表1にまとめて示す。<比較例2>ポリマーAの30wt溶液の代わりに比較ポリマー20.9gを用いた以外は、実施例1と同様の手順に従って、積層体を製造した。評価結果は表1にまとめて示す。<比較例3>ポリマーAの30wt溶液の代わりに比較ポリマー30.9gを用い、工程Cを実施しなかった以外は、実施例1と同様の手順に従って、積層体を製造した。評価結果は表1にまとめて示す。なお、B工程後の被めっき層の水に対する接触角を、接触角測定装置協和界面科学社製、型式:DM500を用いて測定したところ、38°であり、アルカリ処理により被めっき層が親水化されていることが確認されたため、工程Cは実施しなかった。<比較例4>ポリマーAの30wt溶液の代わりに比較ポリマー4の30wt溶液を用いた以外は、実施例13と同様の手順に従って、積層体を製造した。評価結果は表1にまとめて示す。<比較例5>工程Cを行わなかった以外は、実施例1と同様の手順に従って、積層体を製造した。評価結果は表1にまとめて示す。表1より、本発明の被めっき層形成用組成物を用いて製造した積層体は、めっきムラが少なく、めっき時のめっき浴の汚染性も抑制されていることが分かる。また、金属層の密着性にも優れていた。さらに、水接触角の値から、本発明の被めっき層形成用組成物を用いて形成した被めっき層は、極性変換工程によって疎水性から親水性に変化していることが確認された。すなわち本発明では、アルカリ水溶液に対する耐性の高い特定の架橋性基を導入すると共に、アルカリ水溶液との接触を行う際には、被めっき層中の極性変換基の極性を疎水性にしておき、被めっき層の疎水性を高め、アルカリ水溶液に対する耐性を付与する。アルカリ水溶液との接触後には、極性変換基の極性を所定の処理により疎水性から親水性へ変換し、被めっき層をより親水性にして、その後のめっき触媒液やめっき液などに対する親和性を高める。結果として、めっき液の汚染を抑制しつつ、めっきムラの少ない金属層を有する積層体を得ることができる。実施例1、実施例2、実施例5、実施例6、実施例8、および実施例9の結果から分かるように、架橋性基がエポキシ基、オキセタニル基、ヒドロキシル基またはアルコキシシリル基であり、極性変換基が上記一般式1または2で表される基である場合、めっきムラがより抑制されることが確認された。また、実施例11および12と、他の実施例との比較より、極性変換基が一般式1~3のいずれかで表される基の場合、金属層の密着性がより優れることが確認された。一方、極性変換基を有さない比較ポリマー1を使用した比較例1では、めっき層自体が析出しなかった。所定の架橋性基を有さない比較ポリマー2アクリロイルオキシ基含有ポリマーを使用した比較例2では、めっきムラおよびめっき浴汚染性に劣っていた。特許文献1に記載の比較ポリマー3を使用した比較例3では、めっきムラおよびめっき浴汚染性に劣っていた。架橋性基を有さない比較ポリマー4を使用した比較例4では、めっきムラおよびめっき浴汚染性に劣っていた。実施例1と同じポリマーAを用いた場合であっても、工程C極性変換工程を行わなかった比較例5では、めっきが析出しなかった。<実施例14>実施例1で得られた金属層を有する積層体に対し180°C/1時間の熱処理を行なった後、該積層体の金属層表面に、ドライレジストフィルム日立化成株製;RY3315、膜厚15μmを真空ラミネーター株名機製作所製:MVLP-600で70°C、0.2MPaでラミネートした。次いで、ドライレジストフィルムがラミネートされた積層体に、JPCA-ET01に定める櫛型配線JPCA-BU01-2007準拠が形成できるガラスマスクを密着させ、レジストを中心波長405nmの露光機にて70mJの光エネルギーを照射した。露光後の積層体に、1Na2CO3水溶液を0.2MPaのスプレー圧で噴きつけ、現像を行なった。その後、積層体の水洗乾燥を行い、金属膜上に、サブトラクティブ法用のレジストパターンを形成した。レジストパターンを形成した積層体を、FeCl3/HCl水溶液エッチング液に温度40°Cで浸漬することによりエッチングを行い、レジストパターンの非形成領域に存在する金属層を除去した。その後、3NaOH水溶液を0.2MPaのスプレー圧で積層体上に噴き付けることで、レジストパターンを膨潤剥離し、10硫酸水溶液で中和処理を行い、水洗することで櫛型配線パターン状金属膜を得た。得られた配線は、L/S=20μm/75μmであった。さらに、パターン状銅金属層を有する積層体に対して、ソルダーレジストPFR800;太陽インキ製造株製を110°C、0.2MPaの条件で真空ラミネートし、中心波長365nmの露光機にて420mJの光エネルギーを照射した。次いで、積層体を80°C/10分間の加熱処理を施した後、NaHCO3:10水溶液を、スプレー圧2kg/m2で積層体表面に付与することで現像し、乾燥した。その後、再度、中心波長365nmの露光機にて1000mJの光エネルギーを、積層体に対して照射した。最後に150°C/1hrの加熱処理を行ない、ソルダーレジストで被覆された配線基板を得た。"