"第1層の上への閉じ込め第2層の形成方法であって、前記方法が、第1表面エネルギーを有する前記第1層を形成する工程と;前記第1層を下塗り材料で処理して下塗り層を形成する工程と;前記下塗り層を放射線でパターン様に露光し、露光部と非露光部とをもたらす工程と;前記下塗り層を展開して前記下塗り層を前記非露光部から効果的に除去し、下塗り層のパターンを有する第1層をもたらす工程であって、下塗り層の前記パターンが前記第1表面エネルギーよりも高い第2表面エネルギーを有する工程と;前記第1層上の下塗り層の前記パターン上に液相堆積によって前記第2層を形成する工程とを含んでなり、ここで、前記下塗り材料が式Iまたは式I’:式中:Ar1およびAr2は、同じもしくは異なるものであり、アリール基であり;R1~R5は独立して、それぞれの場合に同じもしくは異なるものであり、D、F、アルキル、アリール、アルコキシ、シリル、および架橋性基からなる群から選択され;R6は、それぞれの場合に同じもしくは異なるものであり、H、D、およびハロゲンからなる群から選択され;a~eは独立して、0~4の整数であり;fは、1または2であり;gは、0、1または2であり;hは、1または2であり;nは、0よりも大きい整数であるを有する、方法。展開が液体で処理することによって実施される、請求項1に記載の方法。Ar1およびAr2が、縮合環を持たないアリール基である、請求項1に記載の方法。Ar1およびAr2が、式aを有し、ここで:R6が、それぞれの場合に同じもしくは異なるものであり、D、アルキル、アルコキシ、シロキサンおよびシリルからなる群から選択され;fが、それぞれの場合に同じもしくは異なるものであり、0~4の整数であり;gが、0~5の整数であり;mが、1~5の整数である、請求項1に記載の方法。Ar1およびAr2が、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、それらの重水素化誘導体、ならびにアルキル、アルコキシ、シリル、および架橋基を持った置換基からなる群から選択される1つまたは複数の置換基を有するそれらの誘導体からなる群から選択される、請求項1に記載の方法。R1~R5が、DおよびC110アルキルからなる群から選択される、請求項1に記載の方法。a=e=0である、請求項1に記載の方法。a=e=4であり、R1およびR5がDである、請求項1に記載の方法。b>0であり、少なくとも1つのR2がアルキルである、請求項1に記載の方法。c>0であり、少なくとも1つのR3がアルキルである、請求項1に記載の方法。d>0であり、少なくとも1つのR4がアルキルである、請求項1に記載の方法。第1有機活性層および第2有機活性層が上に置かれた電極を含んでなる有機電子デバイスの製造方法であって、前記方法が、第1表面エネルギーを有する前記第1有機活性層を前記電極の上に形成する工程と;前記第1有機活性層を下塗り材料で処理して下塗り層を形成する工程と;前記下塗り層を放射線でパターン様に露光し、露光部と非露光部とをもたらす工程と;前記下塗り層を展開して前記下塗り層を前記非露光部から効果的に除去し、下塗り層のパターンを有する第1活性有機層をもたらす工程であって、下塗り層の前記パターンが前記第1表面エネルギーよりも高い第2表面エネルギーを有する工程と;前記第1有機活性層上の下塗り層の前記パターン上に液相堆積によって前記第2有機活性層を形成する工程とを含んでなり、ここで、前記下塗り材料が式Iまたは式I’:式中:Ar1およびAr2は、同じもしくは異なるものであり、アリール基であり;R1~R5は独立して、それぞれの場合に同じもしくは異なるものであり、D、F、アルキル、アリール、アルコキシ、シリル、および架橋性基からなる群から選択され;R6は、それぞれの場合に同じもしくは異なるものであり、H、D、およびハロゲンからなる群から選択され;a~eは独立して、0~4の整数であり;fは、1または2であり;gは、0、1または2であり;hは、1または2であり;nは、0よりも大きい整数であるを有する、方法。前記第1活性層が正孔輸送層であり、前記第2活性層が放射層である、請求項12に記載の方法。前記第1活性層が正孔注入層であり、前記第2活性層が正孔輸送層である、請求項12に記載の方法。前記正孔注入層が、導電性ポリマーおよびフッ素化酸ポリマーを含んでなる、請求項14に記載の方法。前記正孔注入層が本質的に、フッ素化酸ポリマーでドープされた導電性ポリマーおよび無機ナノ粒子からなる、請求項14に記載の方法。前記正孔輸送層上への液相堆積によって放射層を形成する工程をさらに含んでなる、請求項14に記載の方法。電極の上に置かれた第1有機活性層および第2有機活性層を含んでなり、パターン化下塗り層を前記第1有機活性層と前記第2有機活性層との間にさらに含んでなる有機電子デバイスであって、前記第2有機活性層が、前記下塗り層が存在する領域にのみ存在し、そして前記下塗り層が、式Iまたは式I’:式中:Ar1およびAr2は、同じもしくは異なるものであり、アリール基であり;R1~R5は独立して、それぞれの場合に同じもしくは異なるものであり、D、F、アルキル、アリール、アルコキシ、シリル、および架橋性基からなる群から選択され;R6は、それぞれの場合に同じもしくは異なるものであり、H、D、およびハロゲンからなる群から選択され;a~eは独立して、0~4の整数であり;fは、1または2であり;gは、0、1または2であり;hは、1または2であり;nは、0よりも大きい整数であるを有する材料を含んでなる、デバイス。すべてのこれらの閉じ込め方法は、連続コーティングを妨げるという欠点を有する。1つまたは複数の層の連続コーティングは、それがより高い収率およびより低い設備コストをもたらすことができるので望ましい。それ故、電子デバイスの改善された形成方法が必要とされている。第1層の上への閉じ込め第2層の形成方法であって、前記方法が、第1表面エネルギーを有する第1層を形成する工程と;第1層を下塗り材料で処理して下塗り層を形成する工程と;下塗り層を放射線でパターン様に露光し、露光部と非露光部とをもたらす工程と;下塗り層を展開して下塗り層をいずれかの非露光部から効果的に除去し、下塗り層のパターンを有する第1層をもたらす工程であって、下塗り層のパターンが第1表面エネルギーよりも高い第2表面エネルギーを有する工程と;第1層上で液相堆積liquiddepositionによって下塗り層のパターン上に第2層を形成する工程とを含んでなり、ここで、下塗り材料が式Iまたは式I’:式中:Ar1およびAr2は、同じもしくは異なるものであり、アリール基であり;R1~R5は独立して、それぞれの場合に同じもしくは異なるものであり、D、F、アルキル、アリール、アルコキシ、シリル、および架橋性基からなる群から選択され;R6は、それぞれの場合に同じもしくは異なるものであり、H、D、およびハロゲンからなる群から選択され;a~eは独立して、0~4の整数であり;fは、1または2であり;gは、0、1または2であり;hは、1または2であり;nは、0よりも大きい整数であるを有する方法が提供される。第1有機活性層および第2有機活性層がその上に置かれた電極を含んでなる有機電子デバイスの製造方法であって、前記方法が、第1表面エネルギーを有する第1有機活性層を電極の上に形成する工程と;第1有機活性層を下塗り材料で処理して下塗り層を形成する工程と;下塗り層を放射線でパターン様に露光し、露光部と非露光部とをもたらす工程と;下塗り層を展開して下塗り層を非露光部から効果的に除去し、下塗り層のパターンを有する第1活性有機層をもたらす工程であって、下塗り層のパターンが第1表面エネルギーよりも高い第2表面エネルギーを有する工程と;第1有機活性層上で液相堆積によって下塗り層のパターン上に第2有機活性層を形成する工程とを含んでなり、ここで、下塗り材料が式Iまたは式I’:式中:Ar1およびAr2は、同じもしくは異なるものであり、アリール基であり;R1~R5は独立して、それぞれの場合に同じもしくは異なるものであり、D、F、アルキル、アリール、アルコキシ、シリル、および架橋性基からなる群から選択され;R6は、それぞれの場合に同じもしくは異なるものであり、H、D、およびハロゲンからなる群から選択され;a~eは独立して、0~4の整数であり;fは、1または2であり;gは、0、1または2であり;hは、1または2であり;nは、0よりも大きい整数であるを有する方法もまた提供される。電極の上に置かれた第1有機活性層および第2有機活性層を含んでなり、パターン化下塗り層を第1有機活性層と第2有機活性層との間にさらに含んでなる有機電子デバイスであって、前記第2有機活性層が、下塗り層が存在する領域にのみ存在し、そして下塗り層が、式Iまたは式I’:式中:Ar1およびAr2は、同じもしくは異なるものであり、アリール基であり;R1~R5は独立して、それぞれの場合に同じもしくは異なるものであり、D、アルキル、およびシリルからなる群から選択され;R6は、HまたはDであり;a~eは独立して、0~4の整数であり;fは、1または2であり;gは、0、1または2であり;hは、1または2であり;nは、0よりも大きい整数であるを有する材料を含んでなるデバイスもまた提供される。前述の概要および以下の詳細な説明は、例示的および説明的なものであるにすぎず、添付の特許請求の範囲に定義されるような、本発明を限定するものではない。実施形態は、本明細書において提示されるような概念の理解を向上させるために添付図に例示される。当業者には、図面中の物体が、平易かつ明快にするために例示されており、必ずしも縮尺通りに描かれているわけではないことが分かる。たとえば、実施形態を理解しやすいようにするために、図面中の一部の物体の寸法は他の物体と比べて拡大されている場合がある。第1層の上への閉じ込め第2層の形成方法であって、前記方法が、第1表面エネルギーを有する第1層を形成する工程と;第1層を下塗り材料で処理して下塗り層を形成する工程と;下塗り層を放射線でパターン様に露光し、露光部と非露光部とをもたらす工程と;下塗り層を展開して下塗り層をいずれかの非露光部から効果的に除去し、下塗り層のパターンを有する第1層をもたらす工程であって、下塗り層のパターンが第1表面エネルギーよりも高い第2表面エネルギーを有する工程と;第1層上で液相堆積によって下塗り層のパターン上に第2層を形成する工程とを含んでなり、ここで、下塗り材料が式Iまたは式I’:式中:Ar1およびAr2は、同じもしくは異なるものであり、アリール基であり;R1~R5は独立して、それぞれの場合に同じもしくは異なるものであり、D、F、アルキル、アリール、アルコキシ、シリル、および架橋性基からなる群から選択され;R6は、それぞれの場合に同じもしくは異なるものであり、H、D、およびハロゲンからなる群から選択され;a~eは独立して、0~4の整数であり;fは、1または2であり;gは、0、1または2であり;hは、1または2であり;nは、0よりも大きい整数であるを有する方法が提供される。多くの態様および実施形態が上に説明されてきたが、これらは単に例示的なもので、非限定的なものである。本明細書を読めば、当業者には、その他の態様および実施形態が本発明の範囲から逸脱することなく可能であることが分かるであろう。いずれか1つまたは複数の実施形態のその他の特徴および利益は、以下の詳細な説明から、および特許請求の範囲から明らかとなるであろう。この詳細な説明では、最初に、用語の定義および説明を扱い、続いて、プロセス、下塗り材料、有機電子デバイス、最後に、実施例を扱う。1.用語の定義および説明以下に説明される実施形態の詳細を扱う前に、一部の用語が定義または説明される。用語活性なは、層または材料に言及する場合、電子特性または電気放射特性を示す層または材料を意味することを意図している。電子デバイスにおいて、活性材料は、デバイスの動作を電子的に促進する。活性材料の例としては、電荷が電子か正孔かのどちらかであり得る、電荷を導く、注入する、輸送する、または遮断する材料、および放射線を受け取る場合に放射線を発するかまたは電子-正孔ペアの濃度の変化を示す材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。不活性材料の例としては、平坦化材料、絶縁材料、および環境障壁材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。用語閉じ込められたcontainedは、層に言及する場合、層が印刷されるときに、それが閉じ込められていない場合には拡散するという自然の傾向があるにもかかわらず、それが堆積している領域を越えて有意に拡散しないことを意味することを意図している。化学的閉じ込めでは、層は、表面エネルギー効果によって閉じ込められる。物理的閉じ込めでは、層は、物理的障壁構造によって閉じ込められる。層は、化学的閉じ込めと物理的閉じ込めとの組み合わせによって閉じ込められてもよい。用語展開することおよび展開は、放射線に露光された材料の領域と放射線に露光されなかった領域との間の物理的差別化、および露光領域か非露光領域かのどちらかの除去を意味する。用語電極は、電子構成要素内でキャリアを輸送するために配置構成された部材または構造を意味することを意図している。たとえば、電極は、アノード、カソード、キャパシタ電極、ゲート電極などであってもよい。電極は、トランジスタ、キャパシタ、抵抗器、インダクタ、ダイオード、電子部品、電力供給装置、またはそれらの任意の組み合わせの一部を含んでもよい。用語フッ素化は、有機化合物に言及する場合、化合物中の炭素に結合した水素原子の1つまたは複数がフッ素で置換されていることを意味することを意図している。この用語は部分的にフッ素化された物質と完全にフッ素化された物質を含む。用語層は、用語フィルムと同じ意味で用いられ、所望の領域を覆うコーティングを意味する。この用語はサイズによって限定されない。この領域は、全体デバイスほどに大きいかもしくは実視覚表示などの特異的な機能領域ほどに小さい、または単一サブピクセルほどに小さいものであり得る。層およびフィルムは、蒸着、液相堆積連続および不連続技術、ならびに熱転写などの、任意の従来型堆積技術によって形成することができる。層は、高度にパターン化されていてもよいし、または全体的で、パターン化されていなくてもよい。用語液体組成物は、材料が溶解して溶液を形成している液体媒体、材料が分散して分散液を形成している液体媒体、または材料が懸濁して懸濁液もしくはエマルジョンを形成している液体媒体を意味することを意図している。用語液体媒体は、純液体、液体の組み合わせ、溶液、分散液、懸濁液、およびエマルジョンなどの、液体材料を意味することを意図している。液体媒体は、1つまたは複数の溶剤が存在するかどうかにかかわらず使用される。用語有機電子デバイスは、1つまたは複数の有機半導体層または材料を含むデバイスを意味することを意図している。有機電子デバイスとしては:1電気エネルギーを放射線に変換するデバイスたとえば、発光ダイオード、発光ダイオードディスプレイ、ダイオードレーザー、または照明パネル、2電子的過程を用いて信号を検出するデバイスたとえば、光検出器、光導電セル、フォトレジスタ、光スイッチ、光トランジスタ、光電管、赤外線IR検出器、またはバイオセンサー、3放射線を電気エネルギーに変換するデバイスたとえば、光起電力デバイスまたは太陽電池、41つまたは複数の有機半導体層を含む1つまたは複数の電子部品を含むデバイスたとえば、トランジスタまたはダイオード、または項目1~4のデバイスの任意の組み合わせが挙げられるが、これらに限定されるものではない。用語放射するおよび放射は、そのような放射が光線、波動、または粒子の形態にあるかどうかにかかわらず、任意の形態の熱、全体電磁スペルトル、または原子を構成する粒子などの、任意の形態のエネルギーを加えることを意味する。用語表面エネルギーは、材料から単位面積の表面を生成するために必要とされるエネルギーである。表面エネルギーの特徴は、所与の表面エネルギーの液体材料が、十分により低い表面エネルギーの表面をぬらさないことである。低い表面エネルギーの層は、より高い表面エネルギーの層よりもぬらすのがより困難である。本明細書において使用される場合、用語の上には、層、部材、または構造が別の層、部材、または構造に直接隣接しているかまたは接触していることを必ずしも意味しない。追加の、介在する層、部材または構造が存在してもよい。本明細書において使用される場合、用語含んでなる、含んでなること、含む、含むこと、有する、有することまたはそれらの他の任意の変形は、非排他的な包含を扱うことを意図している。たとえば、ある一連の要素を含んでなるプロセス、方法、物品、または装置は、それらの要素のみに必ずしも限定されるわけではなく、そのようなプロセス、方法、物品、または装置に関して明示されないかまたは固有のものでもない他の要素を含むことができる。さらに、それとは反対を明記されない限り、またはは、包含的なまたはを意味し、排他的なまたはを意味するものではない。たとえば、条件AまたはBは、Aが真でありまたは存在しBが偽であるまたは存在しない、Aが偽でありまたは存在せずBが真であるまたは存在する、ならびにAおよびBの両方が真であるまたは存在するのいずれか1つによって満たされる。また、本明細書に記載される要素および成分を説明するためにaまたはanも使用されている。これは便宜的に、かつ、本発明の範囲の一般的な意味を与えるために行われているにすぎない。この記述は、1つまたは少なくとも1つを含むと読まれるべきであり、それがそうでないことを意味することが明らでない限り単数形は複数形も含んでいる。本明細書においては、特に明記されないかあるいは本明細書の主題の実施形態が、ある種の特徴または要素を含んでなる、含む、含有する、有する、ある種の特徴または要素からなるまたはある種の特徴または要素によってもしくはそれらから構成されると記述されるかまたは記載される、用法の文脈によってそれとは反対であることが示されない限り、明確に記述されるかまたは記載されるものに加えて1つまたは複数の特徴または要素が実施形態の中に存在してもよい。本明細書の開示される主題の代わりの実施形態は本質的に、ある種の特徴または要素からなると記載され、その実施形態においては、動作の原理または実施形態の際立った特性を実質的に変えるであろう特徴または要素はその中に存在しない。本明細書の記載される主題のさらなる代わりの実施形態は、ある種の特徴または要素からなると記載され、その実施形態においては、またはその実体のない変形においては、具体的に記述されたまたは記載された特徴または要素のみが存在する。元素の周期表中の縦列に対応する族の番号は、CRCHandbookofChemistryandPhysics,81版2000-2001に見られるような新表記法NewNotationの規則を使用している。特に定義しない限り、本明細書において使用されるすべての技術用語および科学用語は、本発明が属する技術分野の当業者によって一般に理解されている意味と同じ意味を有する。本明細書に記載されるものに類似のまたは同等の方法および材料を本発明の実施形態の実施または試験に使用することができるが、好適な方法および材料は以下に記載される。本明細書に述べられるすべての刊行物、特許出願、特許、およびその他の参考文献は、特定の一節が引用されない限り、それらの全体を参照により援用される。矛盾が生じた場合には、定義を含む、本明細書が優先される。さらに、材料、方法、および実施例は、例示的なものであるにすぎず、限定的であることを意図していない。本明細書に記載されていない範囲の、具体的な材料、処理行為、および回路に関する多くの詳細は従来通りであり、有機発光ダイオードディスプレイ、光検出器、光電池、および半導体部材の技術分野内の教科書およびその他の情報源中に見ることができる。2.プロセス本明細書に提供されるプロセスにおいて、第1層が形成され、下塗り層が第1層の上に形成され、下塗り層がパターンで放射線に露光され、下塗り層が、下塗り層を非露光部から効果的に除去し、パターン化下塗り層をその上に有する第1層をもたらすために展開される。用語効果的に除去するおよび効果的な除去とは、下塗り層が非露光部において本質的に完全に除去されることを意味する。下塗り層はまた、露光部において部分的に除去されてもよく、その結果下塗り層の残ったパターンは、元の下塗り層よりも薄い可能性がある。下塗り層のパターンは、第1層の表面エネルギーよりも高い表面エネルギーを有する。第2層は、第1層上の下塗り層のパターンの表面上におよびパターン上に液相堆積によって形成される。相対的な表面エネルギーを測定する一方法は、第1有機層上の所与の液体の接触角を、露光および展開後の下塗り層本明細書で以下展開された下塗り層と言われる上の同じ液体の接触角と比較することである。本明細書において使用される場合、用語接触角は図1に示される角度Φを意味することを意図している。液体媒体の液滴については、角度Φは、表面の面と、液滴の外側端部から表面までの線との交差部分で定義される。さらに、角度Φは、適用された後に液滴が表面上で平衡位置に達した後に測定される、すなわち静的接触角である。接触角は、低下する表面エネルギーとともに増加する。様々な製造業者が接触角を測定できる機器を製造している。ある実施形態においては、第1層は、40°Cよりも大きい;ある実施形態においては、50°よりも大きい;ある実施形態においては、60°よりも大きい;ある実施形態においては、70°よりも大きいアニソールとの接触角を有する。ある実施形態においては、展開された下塗り層は、30°未満の;ある実施形態においては、20°未満の;ある実施形態においては、10°未満のアニソールとの接触角を有する。ある実施形態においては、所与の溶剤について、展開された下塗り層との接触角は、第1層との接触角よりも少なくとも20°低く;ある実施形態においては、所与の溶剤について、展開された下塗り層との接触角は、第1層との接触角よりも少なくとも30°低く;ある実施形態においては、所与の溶剤について、展開された下塗り層との接触角は、第1層との接触角よりも少なくとも40°低い。一実施形態においては、第1層は、基材上に堆積した有機層である。第1層は、パターン化するまたは非パターン化であり得る。一実施形態においては、第1層は、電子デバイスにおける有機活性層である。一実施形態においては、第1層は、フッ素化材料を含んでなる。第1層は、蒸着技術、液相堆積技術、および熱転写技術などの、任意の堆積技術によって形成することができる。一実施形態においては、第1層は、液相堆積技術、続いて、乾燥によって堆積される。この場合には、第1材料は、液体媒体に溶解されるかまたは分散される。液相堆積法は、連続法または不連続法であってもよい。連続液相堆積技術としては、スピンコーティング、ロールコーティング、カーテンコーティング、浸漬コーティング、スロット-ダイコーティング、スプレーコーティング、および連続ノズルコーティングが挙げられるが、これらに限定されるものではない。不連続堆積技術としては、インクジェット印刷、グラビア印刷、フレキソ印刷およびスクリーン印刷が挙げられるが、これらに限定されるものではない。一実施形態においては、第1層は、連続液相堆積技術によって堆積される。乾燥工程は、第1材料および任意の下にある材料が損傷されない限り、室温でまたは高温で行うことができる。第1層は次に、下塗り層で処理される。これによって、下塗り材料が下塗り層を形成するために第1層の上におよび第1層と直接接触して適用されることを意味する。下塗り層は、放射線に露光される場合に反応して、非露光下塗り材料と比べて、下にある第1層から除去されることが少ない材料を形成する組成物を含んでなる。この変化は、露光部と非露光部との物理的差別化および展開を可能にするのに十分なものでなければならない。一実施形態においては、下塗り材料は、重合できるかまたは架橋できる。一実施形態においては、下塗り材料は、放射線に露光される場合に下にある領域と反応する。この反応の正確なメカニズムは、使用される材料に依存するであろう。放射線への露光後に、下塗り層は、好適な展開処理によって非露光部において効果的に除去される。ある実施形態においては、下塗り層は、非露光部においてのみ除去される。ある実施形態においては、下塗り層は、露光部においても同様に部分的に除去され、それらの領域においてより薄い層を残す。ある実施形態においては、露光部に残る下塗り層は、厚さが50Å未満である。ある実施形態においては、露光部に残る下塗り層は本質的に、厚さが単分子層である。ある実施形態においては、下塗り材料は重水素化されている。用語重水素化されているは、少なくとも1つのHがDで置換されていることを意味することを意図している。用語重水素化類似体は、1つまたは複数の利用可能な水素が重水素で置換されている化合物または基の構造類似体を意味する。重水素化化合物または重水素化類似体において、重水素は、天然存在度レベルの少なくとも100倍レベルで存在する。ある実施形態においては、下塗り材料は少なくとも10重水素化されている。重水素化されているまたは重水素化とは、百分率として表される、デューテロン対プロトンプラスデューテロンの合計の比を意味する。ある実施形態においては、下塗り材料は、少なくとも20重水素化されており;ある実施形態においては、少なくとも30重水素化されており;ある実施形態においては、少なくとも40重水素化されており;ある実施形態においては、少なくとも50重水素化されており;ある実施形態においては、少なくとも60重水素化されており;ある実施形態においては、少なくとも70重水素化されており;ある実施形態においては、少なくとも80重水素化されており;ある実施形態においては、少なくとも90重水素化されており;ある実施形態においては、100重水素化されている。重水素化下塗り材料は、正孔、電子、励起子、またはそれらの組み合わせによる分解を受けにくいものであり得る。重水素化は、デバイス運転中の下塗り層の分解を潜在的に防ぐことができ、それは順繰りにデバイス寿命の向上をもたらすことができる。一般に、この向上は、その他のデバイス特性を犠牲にすることなく成し遂げられる。さらに、重水素化化合物は頻繁に、非重水素化類似体よりも大きい空気耐性を有する。これは、材料の調製および精製についてならびにこれらの材料を使用する電子デバイスの形成においての両方でより大きいプロセス耐性をもたらすことができる。下塗り層は、任意の公知の堆積プロセスによって適用することができる。一実施形態においては、下塗り層は、それを溶剤に加えることなく適用される。一実施形態においては、下塗り層は蒸着によって適用される。一実施形態においては、下塗り層は、凝縮プロセスによって適用される。下塗り層が気相からの凝縮によって適用され、そして表面層温度が蒸気凝縮中に余りにも高い場合には、下塗り層は、有機基材表面の気孔または自由体積中へ移行することができる。ある実施形態においては、有機基材は、基材材料のガラス転移温度または融点より下の温度に維持される。温度は、流れる液体または気体で冷却されている表面上に第1層を置くことなどの、あるゆる公知の技術によって維持することができる。一実施形態においては、下塗り層は、下塗り層の一様なコーティングを形成するために、凝縮工程の前に一時的な支持体に適用される。これは、液相堆積、蒸着、および熱転写などの、任意の堆積法によって成し遂げることができる。一実施形態においては、下塗り層は、連続液相堆積技術によって一時的な支持体上に堆積される。下塗り層を堆積するための液体媒体の選択は、下塗り材料それ自体の厳密な性質に依存するであろう。一実施形態においては、この材料は、スピンコーティングによって堆積される。コートされた一時的な支持体は次に、凝縮工程向けの蒸気を形成するための加熱源として使用される。下塗り層の適用は、連続プロセスか回分プロセスかのどちらかを利用して成し遂げることができる。たとえば、回分プロセスにおいては、1つまたは複数のデバイスが下塗り層で同時にコートされ、次に放射線源に同時に露光されるであろう。連続プロセスにおいては、ベルトまたはその他のコンベヤー装置上で運搬されるデバイスがステーションを通過し、そのときそれらが下塗り層で連続してコートされ、次にステーションを通過し続け、そこでそれらは、放射源に連続して露光される。このプロセスの一部は、連続的であってもよいが、このプロセスのその他の部分は回分式であってもよい。一実施形態においては、下塗り層は、第2液体組成物から堆積される。液相堆積法は、上に記載されたような、連続法または不連続法であり得る。一実施形態においては、下塗り液体組成物は、連続液相堆積法を用いて堆積される。下塗り層を堆積するための液体媒体の選択は、下塗り材料それ自体の厳密な性質に依存するであろう。下塗り層が形成された後に、それは放射線に露光される。使用される放射線の種類は、上に考察されたような下塗り層の感受性に依存する。露光はパターン様である。本明細書において使用される場合、用語パターン様は、材料または層の選択された部分のみが露光されることを示す。パターン様露光は、任意の公知の画像形成技術を用いて達成することができる。一実施形態においては、パターンは、マスクを通して露光することによって達成される。一実施形態においては、パターンは、選択部分のみをラスターレーザーで露光することによって達成される。露光の時間は、使用される下塗り層の具体的な化学性質に依存して、数秒~数分の範囲であり得る。レーザーが使用される場合、はるかにより短い露光時間が、レーザーの出力に依存して、各個々の領域について用いられる。露光工程は、材料の感受性に依存して、空気中でまたは不活性雰囲気中で実施することができる。一実施形態においては、放射線は、同時のおよび一連の処理を含む、紫外線10~390nm、可視光390~770nm、赤外線770~106nm、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される。一実施形態においては、放射線は、可視光および紫外線から選択される。一実施形態においては、放射線は、300~450nmの範囲の波長を有する。一実施形態においては、放射線は、深UV200~300nmである。別の実施形態においては、紫外線は、300~400nmの波長を有する。別の実施形態においては、放射線は、400~450nmの範囲の波長を有する。一実施形態においては、放射線は熱放射線である。一実施形態においては、放射線への露光は、加熱によって実施される。加熱工程のための温度および継続時間は、下塗り層の少なくとも1つの物理的特性が、発光領域の任意の下にある層を損傷することなく、変化するようなものである。一実施形態においては、加熱温度は250°C未満である。一実施形態においては、加熱温度は150°C未満である。放射線へのパターン様露光後に、下塗り層は展開される。展開は、任意の公知の技術によって成し遂げることができる。そのような技術は、フォトレジストおよび印刷技術分野において広く用いられてきた。展開技術の例としては、熱の適用蒸発、液体媒体での処理洗浄、吸収剤材料での処理吸い取り法、粘着性材料での処理などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。展開工程は、いずれかの露光部における下塗り層の効果的な除去をもたらす。下塗り層はそのとき露光部においては残る。下塗り層はまた、露光部においても部分的に除去される可能性があるが、露光部と非露光部との間の湿潤性の差が存在するために十分に残らなければならない一実施形態においては、放射線への下塗り層の露光は、溶剤への下塗り層の溶解性または分散性の変化をもたらす。この場合には、展開は、湿式展開処理によって成し遂げることができる。この処理は通常、1種類の領域を溶解させる、分散させるまたは離昇する溶剤での洗浄を含む。一実施形態においては、放射線へのパターン様露光は、下塗り層の露光部の不溶化をもたらし、溶剤での処理は、下塗り層の非露光部の除去をもたらす。一実施形態においては、放射線への下塗り層の露光は、露光部における下塗り層の揮発度を変化させる反応をもたらす。この場合には、展開は、熱展開処理によって成し遂げることができる。この処理は、より揮発性の材料の揮発温度または昇華温度より上の、そして材料が熱的に反応性である温度より下の温度に加熱することを含む。たとえば、重合性モノマーについては、材料は、昇華温度より上の、そして熱重合温度より下の温度で加熱されるであろう。揮発温度に近いまたはそれより下である熱反応性の温度を有する下塗り材料はこの方法で展開できない可能性があることは理解されるであろう。一実施形態においては、放射線への下塗り層の露光は、この材料が溶融する、軟化するまたは流れる温度の変化をもたらす。この場合には、展開は、乾式展開処理によって成し遂げることができる。乾式展開処理は、この要素の最外面を吸収剤表面と接触させてより柔らかい部分を吸収するかまたは吸い上げることを含むことができる。この乾式展開は、それが残る領域の特性にさらに影響を及ぼさない限り、高温で実施することができる。展開工程は、残っている下塗り層の領域と下にある第1層が覆われていない領域とをもたらす。ある実施形態においては、パターン化下塗り層と覆われていない領域とについての所与の溶剤との接触角の差は少なくとも20°;ある実施形態においては、少なくとも30°;ある実施形態においては、少なくとも40°である。第2層が次に、第1層上の下塗り層の展開されたパターンの表面上におよびパターン上に液相堆積によって適用される。一実施形態においては、この第2層は、電子デバイスにおける第2有機活性層である。第2層は、任意の液相堆積技術によって適用することができる。液体媒体中に溶解されたまたは分散された第2材料を含んでなる液体組成物が、展開された下塗り層のパターンの上に適用され、乾燥されて第2層を形成する。液体組成物は、第1層の表面エネルギーよりも大きいが、展開された下塗り層の表面エネルギーとほぼ同じものまたはそれ未満である表面エネルギーを有するように選択される。こうして、液体組成物は展開された下塗り層をぬらすが、下塗り層が除去された領域の第1層からははじかれるであろう。この液体は、処理された第1層領域上へ拡散する可能性があるが、それはディウェッティングし、展開された下塗り層のパターンに閉じ込められるであろう。ある実施形態においては、第2層は、上に記載されたような、連続液相堆積技術によって適用される。本明細書において提供されるプロセスの一実施形態においては、第1層および第2層は有機活性層である。第1有機活性層は第1電極の上に形成され、下塗り層は、この第1有機活性層の上に形成され、展開された下塗り層のパターンを形成するために放射線に露光され、そして展開され、第2有機活性層は、それが下塗り層と同じパターンの上におよびパターンの中にのみ存在するように、第1有機活性層上の展開された下塗り層の上に形成される。一実施形態においては、第1有機活性層は、第1有機活性材料および第1液体媒体を含んでなる第1液体組成物の液相堆積によって形成される。この液体組成物は、第1電極層の上に堆積され、次に層を形成するために乾燥させられる。一実施形態においては、第1有機活性層は、連続液相堆積法によって形成される。そのような方法は、より高い収率およびより低い設備コストをもたらすことができる。一実施形態においては、下塗りは、下塗り材料を第2液体媒体中に含んでなる第2液体組成物の液相堆積によって形成される。第2液体媒体は、それが第1層を損傷しない限り、第1液体媒体と同じものまたはそれとは異なるものであり得る。液相堆積法は、上に記載されたような、連続法または不連続法であり得る。一実施形態においては、下塗り液体組成物は、連続液相堆積法を用いて堆積される。一実施形態においては、第2有機活性層は、第2有機活性材料および第3液体媒体を含んでなる第3液体組成物の液相堆積によって形成される。第3液体媒体は、それが第1層または展開された下塗り層を損傷しない限り、第1および第2液体媒体と同じものまたはそれらとは異なるものであり得る。ある実施形態においては、第2有機活性層は、印刷によって形成される。ある実施形態においては、第3層は、それが第2層の上にだけ、そして第2層と同じパターンで存在するように、第2層の上に適用される。第3層は、第2層について上に記載されたような方法のいずれかで適用することができる。ある実施形態においては、第3層は、液相堆積技術によって適用される。ある実施形態においては、第3有機活性層は、インクジェット印刷および連続ノズル印刷からなる群から選択される印刷法によって形成される。ある実施形態においては、下塗り材料は、第2有機活性材料と同じものである。展開された下塗り層の厚さは、材料の究極的な最終用途に依存することができる。ある実施形態においては、展開された下塗り層は、厚さが100Å未満である。ある実施形態においては、厚さは1~50Åの範囲に;ある実施形態においては、5~30Åの範囲にある。3.下塗り材料下塗り材料は、式Iまたは式I’:式中:Ar1およびAr2は、同じもしくは異なるものであり、アリール基であり;R1~R5は独立して、それぞれの場合に同じもしくは異なるものであり、D、F、アルキル、アリール、アルコキシ、シリル、および架橋性基からなる群から選択され;R6は、それぞれの場合に同じもしくは異なるものであり、H、D、およびハロゲンからなる群から選択され;a~eは独立して、0~4の整数であり;fは、1または2であり;gは、0、1または2であり;hは、1または2であり;nは、0よりも大きい整数であるを有する。本化合物は、n=1の小分子、オリゴマー、またはポリマーであり得る。ある実施形態においては、本化合物は、Mn>20,000のポリマー;ある実施形態においては、Mn>50,000のポリマーである。ある実施形態においては、式Iまたは式I’を有する化合物は重水素化されている。用語重水素化されているは、少なくとも1つのHがDで置換されていることを意味することを意図している。用語重水素化類似体は、1つまたは複数の利用可能な水素が重水素で置換されている、ある化合物または基の構造類似体を意味する。重水素化化合物または重水素化類似体においては、重水素は、天然存在度レベルの少なくとも100倍レベルで存在する。ある実施形態においては、本化合物は少なくとも10重水素化されている。重水素化されているまたは重水素化とは、百分率として表される、デューテロン対プロトンプラスデューテロンの合計の比を意味する。ある実施形態においては、本化合物は少なくとも20重水素化されており;ある実施形態においては、少なくとも30重水素化されており;ある実施形態においては、少なくとも40重水素化されており;ある実施形態においては、少なくとも50重水素化されており;ある実施形態においては、少なくとも60重水素化されており;ある実施形態においては、少なくとも70重水素化されており;ある実施形態においては、少なくとも80重水素化されており;ある実施形態においては、少なくとも90重水素化されており;ある実施形態においては、100重水素化されている。重水素化材料は、正孔、電子、励起子、またはそれらの組み合わせによる分解を受けにくいものであり得る。重水素化は、デバイス運転中の化合物の分解を潜在的に防ぐことができ、それは今度はデバイス寿命の向上をもたらすことができる。一般に、この向上は、その他のデバイス特性を犠牲にすることなく成し遂げられる。さらに、重水素化化合物は頻繁に、非重水素化類似体よりも大きい空気耐性を有する。これは、材料の調製および精製についてならびにこれらの材料を使用する電子デバイスの形成においての両方でより大きいプロセス耐性をもたらすことができる。ある実施形態においては、式Iまたは式I’の化合物は、式Ia、すなわち、ここで、R1~R6、Ar1、Ar2、a~h、およびnは式Iについて上に定義された通りであるを有する。式Iまたは式I’のある実施形態においては、Ar1およびAr2は、縮合環を持たないアリール基である。ある実施形態においては、Ar1およびAr2は、式aを有し、ここで:R7は、それぞれの場合に同じもしくは異なるものであり、D、アルキル、アルコキシ、シロキサンおよびシリルからなる群から選択され;iは、それぞれの場合に同じもしくは異なるものであり、0~4の整数であり;jは、0~5の整数であり;mは、1~5の整数である。ある実施形態においては、Ar1およびAr2は、式bを有し、ここで:R7は、それぞれの場合に同じもしくは異なるものであり、D、アルキル、アルコキシ、シロキサンおよびシリルからなる群から選択され;iは、それぞれの場合に同じもしくは異なるものであり、0~4の整数であり;jは、0~5の整数であり;mは、1~5の整数である。式aおよびbのある実施形態においては、iおよびjの少なくとも1つはゼロではない。ある実施形態においては、m=1~3である。ある実施形態においては、Ar1およびAr2は、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、それらの重水素化誘導体、ならびにアルキル、アルコキシ、シリル、および架橋基を持った置換基からなる群から選択される1つまたは複数の置換基を有するそれらの誘導体からなる群から選択される。ある実施形態においては、R1~R5はDまたはC110アルキルである。ある実施形態においては、アルキル基は重水素化されている。ある実施形態においては、a=e=0である。ある実施形態においては、a=e=4であり、R1およびR5はDである。ある実施形態においては、b>0であり、少なくとも1つのR2はアルキルである。ある実施形態においては、アルキル基は重水素化されている。ある実施形態においては、b=4であり、1つのR2はアルキルであり、残りはDである。ある実施形態においては、c>0であり、少なくとも1つのR3はアルキルである。ある実施形態においては、アルキル基は重水素化されている。ある実施形態においては、c=4であり、1つのR3はアルキルであり、残りはDである。ある実施形態においては、c=4であり、2つのR3はアルキルであり、2つのR3はDである。ある実施形態においては、d>0であり、少なくとも1つのR4はアルキルである。ある実施形態においては、このアルキル基は重水素化されている。ある実施形態においては、d=4であり、1つのR4はアルキルであり、残りはDである。ある実施形態においては、f=h=2である。ある実施形態においては、g=1である。ある実施形態においては、式Iまたは式I’を有する化合物は、高い三重項エネルギーを有する。用語三重項エネルギーは、eV単位で、材料の最低励起三重項状態を意味する。三重項エネルギーは、正の数として報告され、基底状態、通常は一重項状態に対する三重項状態のエネルギーを表す。発光性有機金属材料は、混合一重項および三重項特性を有する励起状態から発光し、本明細書においてはリン光性と言われる。有機金属のリン光性材料が発光層に使用される場合、低い三重項エネルギーを有する材料の存在は、2.0eV超のエネルギーのリン光性放射の消光をもたらす。これは、効率の低下につながる。消光は、ホスト材料などの、材料がエレクトロルミネセンス層中に、またはデバイスにおける他の層中に存在する場合に起こり得る。ある実施形態においては、式Iまたは式I’を有する材料は、2.1eVよりも大きい三重項エネルギーレベルを有し;ある実施形態においては、2.2eVよりも大きい;ある実施形態においては、2.45eVよりも大きい;ある実施形態においては、2.6eVよりも大きい三重項エネルギーレベルを有する。三重項エネルギーは、演繹的に計算することができるか、パルス放射線分解または低温ルミネセンス分光法を用いて測定することができるかのどちらかである。式Iまたは式I’を有する化合物の幾つかの非限定的な例としては、以下の化合物A~EEが挙げられる。本新規化合物は、C-CまたはC-N結合を生成するであろう任意の技術を用いて製造することができる。Suzuki,Yamamoto,Stille,およびPd-またはNi-触媒C-Nカップリングなどの、様々なそのような技術は公知である。重水素化化合物は、重水素化前駆体材料を使用して類似の方法でまたは、より一般的には、非重水素化化合物を、三塩化アルミニウムもしくはエチルアルミニウムジクロリドなどの、ルイス酸H/D交換触媒の存在下に、d6-ベンゼンなどの、重水素化溶媒で処理することによって調製することができる。例示的な調製は、実施例において示される。本化合物は、溶液処理技術を用いて層を形成することができる。用語層は、用語フィルムと同じ意味で用いられ、所望の領域を覆うコーティングを意味する。この用語はサイズによって限定されない。この領域は、全体デバイスほどに大きいかもしくは実視覚表示などの特異的な機能領域ほどに小さい、または単一サブピクセルほどに小さいものであり得る。層およびフィルムは、蒸着、液相堆積連続および不連続技術、ならびに熱転写などの、任意の従来型堆積技術によって形成することができる。連続堆積技術としては、スピンコーティング、グラビアコーティング、カーテンコーティング、浸漬コーティング、スロット-ダイコーティング、スプレーコーティング、および連続ノズルコーティングが挙げられるが、これらに限定されるものではない。不連続堆積技術としては、インクジェット印刷、グラビア印刷、およびスクリーン印刷が挙げられるが、これらに限定されるものではない。4.有機電子デバイス本方法は、電子デバイスにおけるその適用の観点からさらに説明されるが、それはそのような適用に限定されない。図2は、2つの電気接触層の間に置かれた少なくとも2つの有機活性層を含む、例示的な電子デバイス、有機発光ダイオードOLEDディスプレイである。電子デバイス100は、アノード層110から放射層emissivelayer140への正孔の注入を促進する1つまたは複数の層120および130を含む。一般に、2つの層が存在する場合、アノードに隣接した層120は正孔注入層と呼ばれ、緩衝層と呼ばれることもある。放射層に隣接した層130は正孔輸送層と呼ばれる。任意選択の電子輸送層150は、放射層140とカソード層160との間に置かれる。有機層120~150は、個々におよびまとめてデバイスの有機活性層と言われる。デバイス100の用途に依存して、放射層140は、印加電圧によって活性化される発光層発光ダイオードまたは発光電気化学セル中など、放射エネルギーに応答し、そして印加バイアス電圧を使用してまたは使用せずに信号を発生する材料の層光検出器中などであり得る。このデバイスは、システム、駆動方法、および実用性モードに関して限定されない。下塗り層はこの図では示されていない。マルチカラーデバイスのためには、放射層140は、少なくとも3つの異なる色の異なる領域で構成される。異なる色の領域は、別個の着色領域を印刷することによって形成することができる。あるいは、それは、全体の層を形成し、そして層の異なる領域を異なる色の放射性材料でドープすることによって成し遂げることができる。そのような方法は、たとえば、米国特許出願公開第2004-0094768号明細書に記載されている。ある実施形態においては、本明細書に記載される新規方法は、第2層が特定の領域に閉じ込められている、デバイスにおける任意の連続ペアの有機層のために用いることができる。第1有機活性層および第2有機活性層がその上に置かれた電極を含んでなる有機電子デバイスの製造方法は、第1表面エネルギーを有する第1有機活性層を電極の上に形成する工程と;第1有機活性層を下塗り材料で処理して下塗り層を形成する工程と;下塗り層を放射線でパターン様に露光し、露光部と非露光部とをもたらす工程と;下塗り層を展開して下塗り層を非露光部から除去し、下塗り層のパターンを有する第1活性有機層をもたらす工程であって、下塗り層のパターンが第1表面エネルギーよりも高い第2表面エネルギーを有する工程と;第1有機活性層上の下塗り層のパターン上に液相堆積によって第2有機活性層を形成する工程とを含んでなり、ここで、下塗り材料は、上記のような、式Iまたは式I’を有する。本新規方法の一実施形態においては、第2有機活性層は放射層140であり、第1有機活性層は、層140の直前に適用されたデバイス層である。多くの場合にデバイスは、アノードで始まって構築される。正孔輸送層130が存在する場合には、下塗り層は層130に適用され、放射層140を適用する前に展開されるであろう。層130が存在しない場合には、下塗り層は層120に適用されるであろう。デバイスがカソードで始まって構築される場合には、下塗り層は、放射層140を適用する前に電子輸送層150に適用されるであろう。本新規方法の一実施形態においては、第1有機活性層は正孔注入層120であり、第2有機活性層は正孔輸送層130である。デバイスがアノード層で始まって構築される実施形態においては、下塗り層は正孔注入層120に適用され、正孔輸送層130を適用する前に展開される。一実施形態においては、正孔注入層は、フッ素化材料を含んでなる。一実施形態においては、正孔注入層は、フッ素化酸ポリマーでドープされた導電性ポリマーを含んでなる。一実施形態においては、正孔注入層は本質的に、フッ素化酸ポリマーでドープされた導電性ポリマーからなる。ある実施形態においては、下塗り層は本質的に、正孔輸送材料からなる。一実施形態においては、下塗り層は本質的に、正孔輸送層と同じ正孔輸送材料からなる。デバイスにおけるこれらの層は、そのような層に有用であることが知られている任意の材料製であり得る。本発明のデバイスは、アノード層110またはカソード層160に隣接することができる支持体または基材図示せずを含んでもよい。ほとんどの場合に、支持体はアノード層110に隣接している。支持体は、可撓性であることも剛性であることも、有機であることも無機であることもできる。一般に、ガラスまたは可撓性有機フィルムが支持体として使用される。アノード層110は、カソード層160と比較して正孔を注入するためにより効率的である電極である。アノードは、金属、混合金属、合金、金属酸化物または混合酸化物を含有する材料を含むことができる。好適な材料としては、2族元素すなわち、Be、Mg、Ca、Sr、Baの混合酸化物、11族元素、4族、5族、および6族の元素、ならびに8~10族の遷移元素が挙げられる。アノード層110が光透過性であるべきである場合には、インジウムスズ酸化物などの12族、13族、および14族の元素の混合酸化物を使用することができる。本明細書において使用される場合、語句混合酸化物は、2族元素または12族、13族、または14族の元素から選択される2つ以上の異なる陽イオンを有する酸化物を意味する。アノード層110用の材料の幾つかの非限定的な具体例としては、インジウムスズ酸化物ITO、アルミニウムスズ酸化物、アルミニウム亜鉛酸化物、金、銀、銅、およびニッケルが挙げられるが、これらに限定されるものではない。アノードはまた、ポリアニリン、ポリチオフェン、またはポリピロールなどの有機材料を含んでなることができる。アノード層110は、化学蒸着法もしくは物理蒸着法またはスピンキャスト法によって形成することができる。化学蒸着は、プラズマ化学蒸着PECVDまたは金属有機化学蒸着MOCVDとして行うことができる。物理蒸着としては、イオンビームスパッタリングなどのスパッタリング、ならびにeビーム蒸発および抵抗蒸発の任意の形態を挙げることができる。物理蒸着の具体的な形態としては、rfマグネトロンスパッタリングおよび誘導結合プラズマ物理蒸着IMP-PVDが挙げられる。これらの堆積技術は、半導体製造分野においては周知である。通常、アノード層110は、リソグラフ操作中にパターン化される。このパターンは、要望通りに変わってもよい。これらの層は、たとえば、パターン化マスクまたはレジストを、第1電気接触層材料を適用する前に第1可撓性複合材料バリア構造上に置くことによってパターンで形成することができる。あるいは、これらの層は、全体の層として適用することができブランケット堆積とも呼ばれる、続いて、たとえば、パターン化されたレジスト層と湿式化学エッチングまたはドライエッチング技術とを使用してパターン化することができる。当技術分野において周知である他のパターン化方法を使用することもできる。電子デバイスが配列内に置かれる場合、アノード層110は典型的には、実質的に同じ方向に伸びる長さを有する実質的に平行のストリップに成形される。正孔注入層120は、放射層への正孔の注入を促進する、およびアノード表面を平坦化してデバイスにおけるショートを防ぐ機能を果たす。正孔注入材料は、ポリマー、オリゴマー、または小分子であってもよく、溶液、分散液、懸濁液、エマルジョン、コロイド状混合物、またはその他の組成物の形態にあってもよい。正孔注入層は、多くの場合プロトン酸でドープされている、ポリアニリンPANIまたはポリエチレンジオキシチオフェンPEDOTなどの、ポリマー材料で形成することができる。これらのプロトン酸は、たとえば、ポリスチレンスルホン酸、ポリ2-アクリルアミド-2-メチル-1-プロパンスルホン酸などであり得る。正孔注入層120は、銅フタロシアニンおよびテトラチアフルバレン-テトラシアノキノジメタン系TTF-TCNQなどの、電荷移動化合物などを含んでなることができる。一実施形態においては、正孔注入層120は、導電性ポリマーおよびコロイド形成性ポリマー酸の分散液から製造される。そのような材料は、たとえば、米国特許出願公開第2004/0102577号明細書、同第2004/0127637号明細書、同第2005/0205860号明細書、および国際公開第2009/018009号パンフレットに記載されている。正孔注入層120は、任意の堆積技術によって適用することができる。一実施形態においては、正孔注入層は、上に記載されたような、溶液堆積法によって適用される。一実施形態においては、正孔注入層は、連続溶液堆積法によって適用される。層130は、正孔輸送材料を含んでなる。正孔輸送層用の正孔輸送材料の例は、たとえば、Y.Wang,Kirk-OthmerEncyclopediaofChemicalTechnology,FourthEdition,Vol.18,p.837-860,1996にまとめられている。正孔輸送小分子および正孔輸送ポリマーの両方を使用することができる。一般に使用される正孔輸送分子としては:4,4’,4’’-トリスN,N-ジフェニル-アミノ-トリフェニルアミンTDATA;4,4’,4’’-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ-トリフェニルアミンMTDATA;N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス3-メチルフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミンTPD;4、4’-ビスカルバゾール-9-イルビフェニルCBP;1,3-ビスカルバゾール-9-イルベンゼンmCP;1,1-ビス[ジ-4-トリルアミノフェニル]シクロヘキサンTAPC;N,N’-ビス4-メチルフェニル-N,N’-ビス4-エチルフェニル-[1,1’-3,3’-ジメチルビフェニル]-4,4’-ジアミンETPD;テトラキス-3-メチルフェニル-N,N,N’,N’-2,5-フェニレンジアミンPDA;α-フェニル-4-N,N-ジフェニルアミノスチレンTPS;p-ジエチルアミノベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾンDEH;トリフェニルアミンTPA;ビス[4-N,N-ジエチルアミノ-2-メチルフェニル]4-メチルフェニルメタンMPMP;1-フェニル-3-[p-ジエチルアミノスチリル]-5-[p-ジエチルアミノフェニル]ピラゾリンPPRまたはDEASP;1,2-トランス-ビス9H-カルバゾール-9-イルシクロブタンDCZB;N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミンTTB;N,N’-ビスナフタレン-1-イル-N,N’-ビスフェニルベンジジンα-NPB;および、銅フタロシアニンなどの、ポルフィリン化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。一般に使用される正孔輸送ポリマーとしては、ポリビニルカルバゾール、フェニルメチルポリシラン、ポリジオキシチオフェン、ポリアニリン、およびポリピロールが挙げられるが、これらに限定されるものではない。上述のものなどの正孔輸送分子をポリスチレンおよびポリカーボネートなどのポリマーへドープすることによって正孔輸送ポリマーを得ることもまた可能である。ある実施形態においては、正孔輸送層は正孔輸送ポリマーを含んでなる。ある実施形態においては、正孔輸送層は本質的に、正孔輸送ポリマーからなる。ある実施形態においては、正孔輸送ポリマーはジスチリルアリール化合物である。ある実施形態においては、このアリール基は2つ以上の縮合芳香環を有するものである。ある実施形態においては、このアリール基はアセンである。用語アセンは、本明細書において使用される場合、2つ以上のオルト縮合ベンゼン環を真っ直ぐの線状配置で含有する炭化水素親成分を意味する。ある実施形態においては、正孔輸送ポリマーはアリールアミンポリマーである。ある実施形態においては、それは、フルオレンモノマーとアリールアミンモノマーとのコポリマーである。ある実施形態においては、このポリマーは架橋性基を有する。ある実施形態においては、架橋は、熱処理および/またはUV線もしくは可視光への露光によって成し遂げることができる。架橋性基の例としては、ビニル、アクリレート、パーフルオロビニルエーテル、1-ベンゾ-3,4-シクロブタン、シロキサン、およびメチルエステルが挙げられるが、これらに限定されるものではない。架橋性ポリマーは、溶液法OLEDの製造において利点を有することができる。堆積の後に不溶性フィルムへ変換することができる層を形成するための可溶性ポリマー材料の適用は、層溶解問題なしの多層溶液処理OLEDデバイスの製造を可能にすることができる。架橋性ポリマーの例は、たとえば、米国特許出願公開第2005/0184287号明細書および国際公開第2005/052027号パンフレットに見いだすことができる。ある実施形態においては、正孔輸送層は、9,9-ジアルキルフルオレンとトリフェニルアミンとのコポリマーであるポリマーを含んでなる。ある実施形態においては、正孔輸送層は本質的に、9,9-ジアルキルフルオレンとトリフェニルアミンとのコポリマーであるポリマーからなる。ある実施形態においては、このポリマーは、9,9-ジアルキルフルオレンと4,4’-ビスジフェニルアミノビフェニルとのコポリマーである。ある実施形態においては、このポリマーは、9,9-ジアルキルフルオレンとTPBとのコポリマーである。ある実施形態においては、このポリマーは、9,9-ジアルキルフルオレンとNPBとのコポリマーである。ある実施形態においては、このコポリマーは、ビニルフェニルジフェニルアミンおよび9,9-ジスチリルフルオレンまたは9,9-ジビニルベンジルフルオレンから選択される第3コモノマーから製造される。ある実施形態においては、正孔輸送層は、非平面立体配置で連結されている共役部分を有するトリアリールアミンを含んでなる材料を含んでなる。そのような材料は、モノマーまたはポリマーであり得る。そのような材料の例は、たとえば、国際公開第2009/067419号パンフレットに記載されている。ある実施形態においては、正孔輸送層は、テトラフルオロテトラシアノキノジメタンおよびペリレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸-3,4,9,10二無水物などの、p-ドーパントでドープされている。ある実施形態においては、正孔輸送層は、上に記載されたような、式Iまたは式I’を有する材料を含んでなる。ある実施形態においては、正孔輸送層は本質的に、式Iまたは式I’を有する材料からなる。正孔輸送層130は、任意の堆積技術によって適用することができる。一実施形態においては、正孔輸送層は、上に記載されたような、溶液堆積法によって適用される。一実施形態においては、正孔輸送層は、連続溶液堆積法によって適用される。デバイスの用途に依存して、放射層140は、印加電圧によって活性化される発光層発光ダイオードまたは発光電気化学セル中など、放射エネルギーに応答し、そして印加バイアス電圧を使用してまたは使用せずに信号を発生する材料の層光検出器中などであり得る。一実施形態においては、放射性材料は、有機エレクトロルミネセンスEL材料である。小分子有機蛍光性化合物、蛍光性およびリン光性の金属錯体、共役ポリマー、およびそれらの混合物を含むが、これらに限定されない、任意のEL材料を本発明のデバイスに使用することができる。蛍光性化合物の例としては、クリセン、ピレン、ペリレン、ルブレン、クマリン、アントラセン、チアジアゾール、それらの誘導体、およびそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。金属錯体の例としては、トリス8-ヒドロキシキノラトアルミニウムAlq3などの、金属キレート化オキシノイド化合物;Petrovらの米国特許第6,670,645号明細書ならびに国際公開第03/063555号パンフレットおよび国際公開第2004/016710号パンフレットに開示されているようなフェニルピリジン配位子、フェニルキノリン配位子、またはフェニルピリミジン配位子を有するイリジウムの錯体などの、シクロメタレート化イリジウムおよび白金エレクトロルミネッセンス化合物、ならびに、たとえば、国際公開第03/008424号パンフレット、国際公開第03/091688号パンフレット、および国際公開第03/040257号パンフレットに記載されている有機金属錯体、ならびにそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。ある場合には、小分子蛍光性材料または有機金属材料が、加工特性および/または電子特性を向上させるためにホスト材料とともにドーパントとして堆積される。共役ポリマーの例としては、ポリフェニレンビニレン、ポリフルオレン、ポリスピロビフルオレン、ポリチオフェン、ポリp-フェニレン、それらのコポリマー、およびそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。放射層140は、任意の堆積技術によって適用することができる。一実施形態においては、放射層は、上に記載されたような、溶液堆積法によって適用される。一実施形態においては、放射層は、連続溶液堆積法によって適用される。任意選択の層150は、電子輸送を促進する、およびまた緩衝層または層界面での励起子の消光を防止するための閉じ込め層として役立つという両方の機能を果たすことができる。好ましくは、この層は、電子の移動を促進し、かつ、励起子の消光を減少させる。任意選択の電子輸送層150に使用することができる電子輸送材料の例としては、トリス8-ヒドロキシキノラトアルミニウムAlQ、ビス2-メチル-8-キノリノラトp-フェニルフェノラトアルミニウムBAlq、テトラキス-8-ヒドロキシキノラトハフニウムHfQおよびテトラキス-8-ヒドロキシキノラトジルコニウムZrQなどの金属キノレート誘導体などの、金属キレート化オキシノイド化合物;ならびに2-4-ビフェニリル-5-4-t-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾールPBD、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-t-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾールTAZ、および1,3,5-トリフェニル-2-ベンズイミダゾールベンゼンTPBIなどのアゾール化合物;2,3-ビス4-フルオロフェニルキノキサリンなどのキノキサリン誘導体;4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンDPAおよび2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンDDPAなどのフェナントロリン類;ならびにそれらの混合物が挙げられる。ある実施形態においては、電子輸送層は、n-ドーパントをさらに含んでなる。n-ドーパント材料は周知である。n-ドーパントとしては、1族および2族金属;LiF、CsF、およびCs2CO3などの、1族および2族金属塩;Liキノレートなどの、1族および2族金属有機化合物;ならびにロイコ染料などの、分子n-ドーパント、W2hpp4ここで、hpp=1,3,4,6,7,8-ヘキサヒドロ-2H-ピリミド-[1,2-a]-ピリミジンであるおよびコバルトセンなどの、金属錯体、テトラチアナフタセン、ビスエチレンジチオテトラチアフルバレン、複素環ラジカルまたはジラジカル、ならびに複素環ラジカルまたはジラジカルのダイマー、オリゴマー、ポリマー、ジスピロ化合物および多環化合物などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。電子輸送層150は通常、化学蒸着法または物理蒸着法によって形成される。カソード160は、電子または負電荷キャリアを注入するために特に有効である電極である。カソードは、アノードよりも低い仕事関数を有する任意の金属または非金属であり得る。カソード用の材料は、1族のアルカリ金属たとえば、Li、Cs、2族アルカリ土類金属、希土類元素およびランタニドなどの、12族金属、およびアクチニドから選択することができる。アルミニウム、インジウム、カルシウム、バリウム、サマリウムおよびマグネシウム、ならびに組み合わせなどの材料を使用することができる。Li含有有機金属化合物、LiF、Li2O、Cs含有有機金属化合物、CsF、Cs2O、およびCs2CO3をまた、作動電圧を低くするためにカソード層の堆積の前に堆積することができる。この層は電子注入層と言われてもよい。カソード層160は通常、化学蒸着法または物理蒸着法によって形成される。ある実施形態においては、追加の層が有機電子デバイス内に存在してもよい。各機能性層を2つ以上の層で構成できることは理解される。一実施形態においては、異なる層は以下の範囲の厚さを有する:アノード110、100~5000Å、一実施形態においては100~2000Å;正孔注入層120、50~2500Å、一実施形態においては200~1000Å;正孔輸送層130、50~2500Å、一実施形態においては200~1000Å;放射層140、10~2000Å、一実施形態においては100~1000Å;電子輸送層150、50~2000Å、一実施形態においては100~1000Å;カソード160、200~10000Å、一実施形態においては300~5000Å。電子注入層が存在する場合、堆積される材料の量は一般に、1~100Å、一実施形態においては1~10Åの範囲にある。層の厚さの望ましい比は、使用される材料の厳密な性質に依存する。ある実施形態においては、電極の上に置かれた第1有機活性層および第2有機活性層を含んでなり、そして第1有機活性層と第2有機活性層との間にパターン化下塗り層をさらに含んでなる有機電子デバイスであって、前記第2有機活性層が、下塗り層が存在する領域のみに存在し、かつ、下塗り層が、上に記載されたような、式Iまたは式I’を有する材料を含んでなるデバイスが提供される。ある実施形態においては、下塗り層は本質的に、式Iまたは式I’を有する材料からなる。ある実施形態においては、第1有機活性層は、導電性ポリマーおよびフッ素化酸ポリマーを含んでなる。ある実施形態においては、第2有機活性層は、正孔輸送材料を含んでなる。ある実施形態においては、第1有機活性層は、フッ素化酸ポリマーでドープされた導電性ポリマーを含んでなり、第2有機活性層は本質的に、正孔輸送材料からなる。ある実施形態においては、正孔注入層および正孔輸送層をその上に有するアノードを含んでなる有機電子デバイスの製造方法であって、前記方法が、アノードの上に正孔注入層を形成する工程であって、前記正孔注入層がフッ素化材料を含んでなり、第1表面エネルギーを有する工程と;下塗り層を正孔注入層上に直接形成する工程と;下塗り層を放射線でパターン様に露光し、露光部と非露光部とをもたらす工程と;下塗り層を展開して下塗り層を非露光部から効果的に除去し、展開された下塗り層のパターンを正孔注入層上にもたらす工程であって、前記展開された下塗り層が第1表面エネルギーより高い第2表面エネルギーを有する工程と;下塗り層の展開されたパターン上に液相堆積によって正孔輸送層を形成する工程とを含んでなり、ここで、下塗り層が、上記のような、式Iまたは式I’を有する材料を含んでなる方法が提供される。これは、図3に概略的に示される。デバイス200は、基材図示せず上にアノード210を有する。アノード上に正孔注入層220がある。展開された下塗り層は225として示される。正孔注入層220の表面エネルギーは、下塗り層225の表面エネルギーよりも小さい。正孔輸送層230が下塗り層および正孔注入層の上に堆積される場合、それは、正孔注入層の低エネルギー表面をぬらさず、下塗り層のパターンの上にのみ残る。ある実施形態においては、正孔注入層は、フッ素化酸ポリマーでドープされた導電性ポリマーを含んでなる。ある実施形態においては、正孔注入層は本質的に、フッ素化酸ポリマーでドープされた導電性ポリマーからなる。ある実施形態においては、正孔注入層は本質的に、フッ素化酸ポリマーでドープされた導電性ポリマーおよび無機ナノ粒子からなる。ある実施形態においては、これらの無機ナノ粒子は、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、三酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化サマリウム、酸化イットリウム、酸化セシウム、酸化第二銅、酸化第二スズ、酸化アンチモン、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される。そのような材料は、たとえば、米国特許出願公開第2004/0102577号明細書、同第2004/0127637号明細書、同第2005/0205860号明細書、および国際公開第2009/018009号パンフレットに記載されている。ある実施形態においては、下塗り層は本質的に、式Iまたは式I’を有する材料からなる。ある実施形態においては、正孔輸送層は、トリアリールアミン、カルバゾール類、それらのポリマー類似体、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される。ある実施形態においては、正孔輸送層は、ポリマートリアリールアミン、非平面立体配置で連結されている共役部分を有するポリマートリアリールアミン、およびフルオレンとトリアリールアミンとのコポリマーからなる群から選択される。ある実施形態においては、本方法は、正孔輸送層上に液相堆積によって放射層を形成する工程をさらに含んでなる。ある実施形態においては、この放射層は、エレクトロルミネセンスドーパントおよび1つまたは複数のホスト材料を含んでなる。ある実施形態においては、この放射層は、インクジェット印刷および連続ノズル印刷からなる群から選択される液相堆積技術によって形成される。本明細書に記載される概念は、特許請求の範囲に記載される本発明の範囲を限定しない、以下の実施例でさらに説明される。追加の原材料としては:導電性ポリマーおよびポリマーフッ素化スルホン酸の水性分散液である、HIJ-1が挙げられる。そのような原材料は、たとえば、米国特許出願公開第2004/0102577号明細書、同第2004/0127637号明細書、同第2005/0205860号明細書、および国際公開第2009/018009号パンフレットに記載されている。合成実施例本実施例は、化合物Rの合成を例示する。1,4-ジブロモ-2,5-ジヘキシルベンゼン8.05ミリモル、3.255g、ホウ酸エステル2617.7ミリモル、7.545g、Na2CO340.3ミリモル、4.268gおよびAliquat3360.500gを、撹拌棒および冷却器付きの250mLの2口丸底フラスコ中でトルエン100mLに懸濁させた。反応混合物を脱気し、PdPPh340.403ミリモル、0.465gを加え、これに脱気水50mLの添加が続いた。反応物を90°Cに2日間加熱した。生じた反応混合物を酢酸エチル150mLで希釈し、酢酸エチル3×100mLで洗浄した。有機層をブライン2×100mLで洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、濾過し、濃縮した。1:3DCM:ヘキサンを使用するシリカゲルでのカラムクロマトグラフィーによる精製は、白色粉末56、3.8gを生成した。1HNMR500MHz,CD2Cl2δ=7.45d,J=8.5Hz,4H,7.33-7.31m,5H,7.26-7.19m,5H,6.65s,2H,2.71-2.63m,9H0,1.54s,18H,1.31-1.20m,14H,1.15t,J=7.49,7H,0.83t,J=6.85Hz,6H。化合物274.54ミリモル、3.800gを200mLの丸底フラスコに加え、ジクロロメタン90mLに溶解させた。トリフルオロ酢酸45.4ミリモル、5.175gをこの溶液に滴加した。1日後にジクロロメタンを回転蒸発によって除去し、生じた灰色粉末をエチルエーテル100mLに溶解させた。重炭酸ナトリウム100mLを加えてTFAを中和した。層を分離し、有機層を水2×100mL、続いて、ブライン2×100mLで洗浄した。硫酸マグネシウム上での乾燥および濃縮は、わずかに灰色がかった白い粉末100、2.891gを生成した。1HNMR500MHz,CD2Cl2δ=7.28m,2H,7.23-7.18m,6H,7.16d,J=8.47Hz,4H,6.76d,J=8.37Hz,4H,3.77s,4H,2.71-2.63m,6H,1.3-1.19m,16H,1.15t,J=7.5Hz,8H,0.83t,J=6.86Hz,6H。250mLの丸底フラスコに、ジアミン284.539ミリモル、2.891g、ブロモビフェニル9.123ミリモル、2.127gおよびトルエン65mLを加えた。続いて、Pd2dba30.227ミリモル、0.208gおよびPtBu30.454ミリモル、0.092gを加えた。反応混合物を、塩基、NaOtBu9.078ミリモル、0.845gを加える前に5分間撹拌した。3日後に生じた反応混合物をトルエン100mLで希釈し、シリカおよびセライトのパッドを通して濾過し、トルエン3×100mL、続いて、酢酸エチル2×100mLで洗浄し、濃縮して茶色固体にした。溶出液1:6の酢酸エチル:ヘキサンを使用する、シリカゲルでのカラムクロマトグラフィーによる精製は、白色粉末55、2.367gを生成した。1HNMR500MHz,CD2Cl2δ=7.61d,J=7.24Hz,4H,7.57d,J=8.51Hz,4H,7.43t,J=7.6Hz,4H,7.34-7.28m,12H,5.99s,2H,2.73q,J=Hz,4H,2.66t,J=7.7Hz,6H,1.33-1.17m,20H,0.84t,J=7.2Hz,6H。化合物292.515ミリモル、2.367gおよび1-ブロモ-4-ヨードベンゼン3.772ミリモル、1.067g、Pd2dba30.126ミリモル、0.115gおよび1,1-ビスジフェニルホスフィノフェロセン0.251ミリモル、0.139gを、冷却器および撹拌棒を備えた100mLの2口丸底フラスコ中でトルエン100mLに懸濁させた。混合物を撹拌し、ナトリウムt-ブトキシド2.766ミリモル、0.266gを加えた。反応混合物を、反応完了まで90°Cで加熱した。生じた反応混合物をトルエン50mLで希釈し、シリカおよびセライトのパッドを通して濾過し、トルエン2×200mLで洗浄し、濃縮して茶色固体を形成した。1:2のジクロロメタン:ヘキサンを使用するシリカゲルでのカラムクロマトグラフィーによる精製、生成物画分をMeOHで洗浄し、濾過して白色粉末23、0.715gを得た。1HNMR500MHz,CD2Cl2δ=7.61d,J=6.95Hz,4H,7.56d,J=8.73Hz,4H,7.46-7.4m,8H,7.34-7.29m,10H,7.24-7.18m,12H,7.08d,J=8.89Hz,4H,2.74q,J=7.5Hz,4H,2.65tJ=8.12Hz,6H,1.32-1.18m,22H,0.83t,J=6.88Hz,6H。化合物300.626g、0.50ミリモルをシンチレーションバイアルに加え、16mLのトルエンに溶解させた。清潔な、乾燥した50mLのSchlenk管にビス1,5-シクロオクタジエンニッケル00.278g、1.010ミリモルを装入した。2,2’-ジピリジル0.158g、1.010ミリモルおよび1,5-シクロオクタジエン0.109g、1.010ミリモルを、シンチレーションバイアルへ量り取り、4mLのN,N’-ジメチルホルムアミドに溶解させた。この溶液をSchlenk管に加えた。Schlenk管をアルミニウムブロック中へ挿入し、このブロックを、60°Cの内部温度をもたらす設定点でホットプレート/撹拌機上で加熱、撹拌した。この触媒系を60°Cで30分間保持し、次に70°Cに上げた。トルエン中のモノマー溶液をSchlenk管に加え、この管を密封した。重合混合物を70°Cで18時間撹拌した。18時間後に、Schlenk管をブロックから取り出し、室温まで放冷した。この管をグローブボックスから取り出し、内容物を濃HCl/MeOH1.5v/v濃HClの溶液中へ注いだ。2時間撹拌した後、ポリマーを真空濾過によって集め、高真空下に乾燥させた。このポリマーを、トルエンからHCl/MeOH1v/v濃HCl、MeOH、トルエンCMOSグレード、および酢酸エチル中への一連の沈澱によって精製した。白色の繊維状ポリマー0.27g、47収率を得た。このポリマーの分子量は、GPCTHF移動相、ポリスチレン標準によって測定した:Mw=140,399;Mn=47,682。NMR分析は、化合物Rの構造を裏付けた。追加のジブロモ化合物は、類似の方法で調製することができる。追加のポリマーは、これらのジブロモ化合物から上に記載されたものに類似の方法で調製することができる。幾つかの追加のポリマーの分子量を表1に下で示す。分子量は、GPCTHF移動相、ポリスチレン標準によって測定した。実施例1~4これらの実施例は、異なる下塗り材料および接触角の生じる変化を例示する、ここで、下塗り層は、液相堆積によって形成し、液体での処理によって展開する。試験クーポンは、HIJ-1またはHIJ-2の水性分散液をガラス基材上へ50nmの厚さまでスピンコートすることによって調製した。この層を乾燥させた後、下塗り層を、下塗り材料のトルエン溶液を乾燥したHIJ層上へスピンコーティングすることによって形成した。乾燥後に、下塗り層をパターンで放射線に露光した。この露光は、100mJ/cm2の線量で248nmにおいてであった。露光後に、下塗り層を、2000rpmで60秒間回転させながらアニソールを吹き付けることによって展開し、次に30秒間回転させることによって乾燥させた。材料および結果のまとめを表2に示す。実施例5~8および比較例Aこれらの実施例は、放射層が蒸着によって形成される電子デバイスにおいて液相堆積によって形成される下塗り層を例示する。デバイスは、ガラス基材上に以下の構造を有した:アノード=インジウムスズ酸化物ITO:50nm正孔注入層=HIJ-150nm下塗剤層:実施例5=化合物S20nm実施例6=化合物T20nm実施例7=化合物DD20nm実施例8=化合物EE20nm比較例A=なし正孔輸送層=PM-120nm放射層:13:1のホスト1:ドーパント140nm、ここで、ホスト1はジアリールアントラセン化合物であり、ドーパント1はビスジアリールアミノクリセン化合物である電子輸送層:金属キノレート誘導体である、ET110nmカソード:CsF/Al0.7/100nm。OLEDデバイスは、溶液処理技術と熱蒸発技術との組み合わせによって製造した。ThinFilmDevices,Inc製のパターン化インジウムスズ酸化物ITOコーテッドガラス基材を使用した。ITO基材は、30オーム/スクエアのシート抵抗および80光透過率を有するITOでコートされたCorning1737ガラスをベースとしている。パターン化ITO基材を、水性洗剤溶液中で超音波によって清潔にし、蒸留水ですすいだ。パターン化ITOをその後アセトン中で超音波によって清潔にし、イソプロパノールでリンスし、窒素の流れ中で乾燥させた。デバイス製造の直前に、清潔にした、パターン化ITO基材をUVオゾンで10分間処理した。冷却直後に、HIJ-1の水性分散液をITO表面の上にスピンコートし、加熱して溶剤を除去した。冷却後に、下塗り層を、PM-3のトルエン溶液を正孔注入層上へスピンコートすることによって形成した。この下塗り層を、100mJ/cm2の線量で248nmにおいて像様に露光した。露光後に、下塗り層を、撹拌しながらトルエン中に浸漬することによって展開し、次にトルエンでリンスした。展開した層を窒素で乾燥させた。比較例Aについては、下塗り層はなかった。基材を次に正孔輸送材料の溶液でスピンコートし、次に加熱して溶剤を除去した。冷却後に、基材をマスクし、真空チャンバーに入れた。放射層材料を次に熱蒸発によって堆積し、続いて、電子輸送層、次にCsFの層を堆積した。マスクを次に真空で取り換え、Alの層を熱蒸発によって堆積した。チャンバーを脱気し、デバイスを、ガラス蓋、防湿剤、およびUV硬化性エポキシを使用して封入した。OLEDサンプルを、1電流-電圧I-V曲線、2エレクトロルミネセンス放射輝度対電圧、および3エレクトロルミネセンススペクトル対電圧を測定することによって特徴づけた。全3つの測定は同時に行い、コンピューターで管理した。ある一定電圧でのデバイスの電流効率は、LEDのエレクトロルミネセンス放射輝度を、デバイスを運転するために必要とされる電流で割ることによって測定した。この単位はcd/Aである。電力効率は、piを乗じ、作動電圧で割った電流効率である。この単位はlm/Wである。得られたデバイスデータを表3に示す。説明または実施例において前述したすべての行為が必要なわけではなく、特定の行為の一部は不要である場合があり、1つまたは複数のさらに別の行為が、前述の行為に加えて実施される場合があることに留意されたい。さらに、行為が列挙されている順序は、必ずしもそれらが実施される順序ではない。以上の明細書において、具体的な実施形態に関して本発明の概念を説明してきた。しかし、当業者には、以下の特許請求の範囲に記載されるような本発明の範囲から逸脱することなく種々の修正および変更が行われ得ることが分かるだろう。したがって、本明細書および図面は、限定的な意味ではなく説明的なものであると見なすべきであり、すべてのそのような修正形態は本発明の範囲内に含まれることを意図している。特定の実施形態に関して、利益、その他の利点、および問題に対する解決法を以上に記載してきた。しかし、これらの利益、利点、問題の解決法、およびなんらかの利益、利点、または解決法を発生させたり、より顕著にしたりすることがある任意の特徴は、特許請求の範囲のいずれかまたはすべての決定的に重要な、必要な、または本質的な特徴であるとして解釈されるべきではない。明確にするために、別々の実施形態の状況において本明細書に記載されているある種の特徴はまた、1つの実施形態の中で組み合わせて提供されてもよいことが理解されるべきである。逆に、簡潔にするために、1つの実施形態の状況において記載される種々の特徴はまた、別々にまたは任意の副次的な組み合わせで提供されてもよい。さらに、範囲で述べられる数値の言及には、当該範囲内のそれぞれの値およびすべての値が含まれる。"