ライン光源であって、基板上に所定の間隔でライン状に配置された複数の発光素子と、前記基板の上部に設けられ、前記複数の発光素子からの光を拡散させるための少なくとも1つの拡散板と、前記拡散板の表面または近傍に設けられ、前記拡散板からの拡散光における前記拡散板の長手方向での輝度分布に応じて、前記拡散板の長手方向での前記出射光の光量分布を設定するためのマスクと、を備えるライン光源。前記マスクは、前記輝度分布を相殺するように前記光量分布を設定する、請求項1のライン光源。前記マスクは、前記輝度分布の曲線に対応する関数の逆関数を表す曲線を前記拡散光を遮蔽するためのマスクパターンとして用いる、請求項2のライン光源。前記マスクパターンは、前記マスクの短手方向の少なくとも一方の端部において当該マスクの長手方向に沿って設けられる、請求項3のライン光源。前記マスクパターンは、光を遮蔽可能な膜、薄板、またはテープから形成される、請求項4のライン光源。前記マスクは、2つの前記拡散板の間に設けられる、請求項1~5のいずれか1項のライン光源。前記発光素子は、高輝度LEDからなり、熱伝導性の高い基板上に設けられる、請求項1~6のいずれか1項のライン光源。従来の拡散板やマイクロレンズを設けて輝度ムラを軽減する方法では、高い検出精度が求められる広範囲な検査に対して、その輝度ムラの軽減が必ずしも十分ではない。また、個々の発光素子の駆動電流を制御するには所定の制御回路が必要となり、特に発光素子数が増えるほどその制御は複雑になり、必ずしも十分な輝度の均一化が図れない恐れがある。特許文献1の照明装置では、少なくとも2以上の照明ユニットが必要であり、照明装置の大型化およびコスト高を招く。また、特許文献1の照明装置では、個々の発光素子の特性のばらつき、あるいは発光素子の基板上への実装時の位置ずれオフセット等により、ライン光源の長手方向の各位置での輝度のばらつきを低減させるには不十分である。したがって、本発明の目的は、長手方向の各位置での輝度のばらつきを低減させることができるライン光源を提供することである。本発明は、基板上に所定の間隔でライン状に配置された複数の発光素子と、基板の上部に設けられ、複数の発光素子からの光を拡散させるための少なくとも1つの拡散板と、拡散板の表面または近傍に設けられ、拡散板からの拡散光における拡散板の長手方向での輝度分布に応じて、拡散板の長手方向での出射光の光量分布を設定するためのマスクと、を備えるライン光源を提供する。本発明によれば、拡散板の長手方向での拡散光の光量分布を制御することにより、ライン光源の長手方向の各位置での輝度のばらつきを低減させることができる。本発明の一態様では、マスクは、輝度分布を相殺するように光量分布を設定する。本発明の一態様によれば、実際に測定あるいはシミュレーションされた長手方向での輝度分布に即した輝度のバラツキ低減均一化を図ることができる。本発明の一態様では、マスクは、輝度分布の曲線に対応する関数の逆関数を表す曲線を拡散光を遮蔽するためのマスクパターンとして用いる。本発明の一態様によれば、輝度分布の曲線に対応する関数の逆関数から一義的に自動的にに拡散光を遮蔽するためのマスクパターンを形成することが可能となる。本発明の一態様では、マスクパターンは、光を遮蔽可能な膜、薄板、またはテープから形成される。本発明の一態様によれば、膜、薄板、またはテープを用いて、輝度分布の曲線に対応する関数の逆関数を表す曲線を忠実に反映したマスクパターンを形成することが可能となる。図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。図1は、本発明のライン光源100の構成の一実施形態を示す図である。図1のaは、ライン光源100の上面図であり、bは側面断面図である。長形の基板10上に複数の発光素子12が所定のピッチL1で一列に配置される。基板10のサイズは、任意に選択できるが、例えば15mm×700mmである。ピッチL1は、発光素子12のサイズ等に応じて任意に選択できるが、例えば数mmである。基板10の上部、すなわち発光素子12の上部に拡散板20が配置される。基板10の両端部には、発光素子12の発光を制御する電源/コントローラに接続するコネクタ部14、16がある。基板10の下面は、発光素子12からの熱を逃がすためのヒートシンク18に接続する。ヒートシンク18は、例えばアルミニウムAlからなり、熱伝導性の接着層図示なしを介して基板10の下面に接合される。基板10は、発光素子12の出力に応じて選択される。比較的小さな出力例えばmWレベルでは、プリント配線板などの一般的な回路基板が利用できる。発光素子12の発熱量が小さい場合は、ヒートシンク18が不要となる場合もあり得る。発光素子12の出力が比較的大きい場合例えばWレベル、基板10は熱伝導性の大きな物質、例えば金属アルミニユムAlや銅Cu等から構成される。発光素子12は、現在利用可能な発光ダイオードLEDやレーザダイオードLD等の半導体素子のみならず将来新たに出現する発光素子等、基本的に任意に選択可能である。ただし、本発明の趣旨から、比較的高出力、言い換えれば高輝度の発光素子であることが望ましい。以下の説明では、発光素子12として、高輝度LEDを用いた場合について説明する。すなわち、発光素子12が高輝度LED12であるとして説明する。ここで、高輝度とは、その出力が例えば数ワットW程度のものを意味する。高輝度LED12は、1つ1つチップとして形成素子化されたものを意味し、半導体プロセスで形成されたLEDアレイのような形態とは異なる。したがって、高輝度LED12は、基板10上に1つ1つ位置決めしながら所定のピッチL1でマウントされる。高輝度LED12の発光色は任意に選択でき、可視、近紫外、近赤外等、基本的に任意に選択できる。例えば、光量を稼ぐ観点からは、発光の波長帯が広い白色のLEDを利用することができるが、他の3原色赤、青、緑などの色であっても良いことは言うまでもない。拡散板20は、高輝度LED12からの光を拡散させて均一化させるために用いられ、その材質は任意に選択できる。拡散板20は、少なくとも1枚あればよく、その数は任意に選択できる。また、拡散板20は、マイクロレンズ等の他の光の拡散機能を備える手段と組み合わせて用いてもよい。本発明では、詳細は後述するように、この拡散板20の表面または近傍に、さらなる光の均一化を図るためのマスクが設置される。次に、図2を参照しながら、本発明における輝度分布の利用原理考え方について説明する。図2のaは、ライン光源100の輝度分布の測定構成を示し、bはその測定結果等を示す。aに示されるように、輝度分布はライン光源100上に設置されたラインセンサカメラ25により測定される。ラインセンサカメラ25は、受光素子画素を一列に並べることによって、1次元毎に画像を取得できるものであれば良い。ラインセンサカメラ25には、例えば1次元のCCDが含まれる。なお、図示されていないが、ラインセンサカメラ25の出力信号は、PC等の信号画像処理系に入力され、そこで輝度分布となるように処理される。ライン光源100は、所定の出力で発光した状態で、図のX方向に所定のピッチで移動し、ラインセンサカメラ25によりX軸上の各位置での平均輝度が測定される。ここで、平均輝度とは、ライン光源100の各位置Xにおけるライン光源100の短手幅方向での輝度値の平均を意味する。図2bの曲線Aは輝度分布の測定結果である。ライン光源100の位置Xにより平均輝度がばらついていることがわかる。曲線Bは、曲線Aを1つの関数として見た場合に、その関数の逆関数を表す曲線である。本発明では、この平均輝度分布曲線についての逆関数を表す曲線Bを利用して、輝度曲線の振幅を相殺させることにより、輝度のばらつきを減少させる。具体的には、詳細は後述するように、曲線Bを利用してライン光源100からの光量、より正確には拡散板20からの光量拡散光量を制御する。これは、ラインセンサカメラ25で受光する光量が光の積分値であることから、光出射側の光量を位置Xにより増減させて、輝度値の大小ばらつきを相殺させることを意図している。図3は、本発明のマスク30の構成の一実施形態を示す図である。図3のaとbは、マスク30の上面図であり、c~fはマスク30の側面断面図である。マスク30は、光の遮蔽領域310と透過領域312を有する。光の遮蔽領域310は、1つのマスクパターンを構成し、上述した輝度分布の逆関数を表す曲線例えば図2のBを基にその形状パターンが決められる。すなわち、輝度分布の逆関数を表す曲線を反映した遮蔽形状310により、ライン光源100の各位置Xでの光量を増減させる。実際には、ライン光源100のサイズに合わせて、長手X方向あるいは短手Y方向で、曲線の縮尺を変えながらマスクの遮蔽形状310を形成する。光の遮蔽領域310は、マスク30の短手Y方向の一方の端部図3のaまたは両方の端部図3のbに設けられる。光の遮蔽領域310を一方の端部に設ける場合は、図3aのように上端部に設ける場合、あるいは図の下側の下端部に設ける場合のいずれであってもよい。図3bのように両方の端部に光の遮蔽領域310を設ける場合は、遮蔽領域310の形状パターンを上下で反転させる。その反転の際に、輝度の均一化を促進する観点から、さらに両者の形状に微妙な差異を設けてもよい。マスク30は、透明な基板上に形成、あるいは拡散板20の表面に直接的に形成される。光の遮蔽領域310は、光を透過しない薄膜、テープ、薄板などをパターン化して形成される。ここで、パターン化とは、上述した輝度分布の逆関数を表す曲線に対応した形状に加工することを意味する。薄膜の場合は、透明な基板上への金属の蒸着等の成膜技術により形成される。テープや薄板の場合は、その曲線に対応した形状に切り出される。あるいは、レーザ加工機などを用いて、透明な基板上に曲線に対応した形状を描画して、その描画域の光の透過率を減少させるようにしてもよい。マスク30は、図3c、dに示されるように、1つの拡散板20の一方の面、すなわち高輝度LED12からの光の入射側面または拡散板からの拡散光の出口側面に設置、あるいは各表面上に直接形成される。マスク30は、図3eに示すように、1つの拡散板20の両面側に設けてもよい。その際、拡散板20の上面側に図3aのマスク30を設置し、下面側には図3aのマスク30を反転させたマスク下側に光の遮蔽領域310があるマスクを設置してもよい。2つの拡散板20を重ね合わせて用いる場合は、図3fに示すように、2つの拡散板20の間にマスク30を設けることもできる。なお、拡散板20の数は1つまたは2つに限定されず、3以上の複数の拡散板を重ねてあるいは組み合わせて用いることもできる。その場合は、1つあるいは2つ以上の拡散板の表面上にマスク30を選択的に設けることができる。次に、図4と図5を参照しながら、本発明のライン光源100を用いてSiウェハ表面を測定した結果について説明する。図4は、本発明のライン光源100を用いたウェハ表面の測定系を示す図である。図5は、図4の構成による輝度分布の測定結果を示す図である。図4aは、測定系の上面図であり、bは測定系の側面図である。ライン光源100は、テーブル45上のSiウェハ40の上方に所定の距離を空けて置かれる。ラインセンサカメラ25は、同じくSiウェハ40の上方に、Siウェハ40の表面に対して所定の角度の位置に設置される。なお、図2の場合と同様に、図示されていないが、ラインセンサカメラ25の出力信号は、PC等の信号画像処理系に入力され、そこで輝度分布となるように処理される。また、テーブル45は、所定のステップで水平または垂直方向に移動できるようになっている。ライン光源100が、所定の出力で発光した状態で、Siウェハ40を乗せたテーブル45が所定のステップで移動し、ラインセンサカメラ25によりSiウェハ40の所定のライン上の各位置Xでの平均輝度が測定された。図5において、曲線Cは本発明のマスク30を使用しない場合の輝度分布の測定結果であり、曲線Dは本発明のマスク30を使用した場合の輝度分布の測定結果である。両曲線の比較から明らかなように、本発明のマスク30を使用した場合の曲線Dの方が、Siウェハ40の各位置Xでの平均輝度のバラツキが小さくなっていることがわかる。実際の測定値を基に、各曲線での平均輝度の最大値と最小値の差分Δを計算して比較してみたところ、曲線Cの差分Δc=Q2-Q1と曲線Dの差分Δd=P2-P1との比Δd/Δcが約53となり、平均輝度のばらつきが約半分ほどに減少していることが確認された。すなわち、輝度分布の発光素子の位置Xにおける均一性が約50改善していることになる。本発明の実施形態について、図1~図5を例にとり説明をした。しかし、本発明はこれらの実施形態に限られるものではない。本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で当業者の知識に基づき種々なる改良、修正、変形を加えた態様で実施できるものである。