ダイパッドと、前記ダイパッドの一方の主面に一方の電極が接合された半導体素子と、前記半導体素子の他方の電極に内部リードを介して電気的に接合されたリード端子と、少なくとも前記ダイパッドの他方の主面と前記リード端子の外部接続部を除き、少なくとも前記半導体素子と前記内部リードと前記リード端子の一部は被覆している樹脂封止体とを有する半導体装置において、前記ダイパッドの一方の主面に前記半導体素子の一方の電極が第1の金属板を介し電気的に接合され、前記内部リードの一方の端部に前記半導体素子の他方の電極が第2の金属板を介し電気的に接合されたことを特徴とする半導体装置。前記半導体素子はプレーナ型ダイオードチップであり、且つ、一方の電極がアノード電極であり、且つ、他方の電極がカソード電極であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記第1の金属板は前記半導体素子の前記アノード電極より小さく、前記第2の金属板は前記半導体素子の前記アノード電極より大きく、且つ、前記カソード電極より小さい大きさを有することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記樹脂封止体は矩形形状を有し、前記リード端子の前記外部接続部が一側面から導出され、前記ダイパッドの他方の主面と同一の側で、前記外部接続部の一部が、前記ダイパッド側に向かって屈曲した略コの字形状に形成されたことを特徴とする請求項1乃至請求項3に記載の半導体装置。DC-DCコンバータでは、ダイオードの接続方法において、アノードコモンで使用されることが要求されている。この時に半導体装置内でダイオードチップのアノード電極を金属板と接続させる必要がある。また、この時に発生する熱を効率よく放出させる必要がある。しかしながら、従来技術は、両面電極寸法が略同一なメサ型チップ対応構造であるため、アノード電極が小さなプレーナ型チップでは半田付けが困難であるという課題がある。また、P層側に取り出されるスペーサだけでは放熱性に問題があり、接続されているリードは外部へ突出するが、細いためにリードからの放熱は効率がよくないという課題がある。従って、本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、プレーナ型チップを用いて、アノードコモン接続形式とし、さらに放熱性を向上させることができる半導体装置を提供することを目的とする。上述の課題を解決するために、本発明は、以下に掲げる構成とした。本発明の半導体装置は、ダイパッドと、ダイパッドの一方の主面に一方の電極が接合された半導体素子と、半導体素子の他方の電極に内部リードを介して電気的に接合されたリード端子と、少なくともダイパッドの他方の主面とリード端子の外部接続部を除き、少なくとも半導体素子と内部リードとリード端子の一部は被覆している樹脂封止体とを有する半導体装置において、ダイパッドの一方の主面に半導体素子の一方の電極が第1の金属板を介し電気的に接合され、内部リードの一方の端部に半導体素子の他方の電極が第2の金属板を介し電気的に接合されたことを特徴とする。また、半導体素子はプレーナ型ダイオードチップであり、且つ、一方の電極がアノード電極であり、且つ、他方の電極がカソード電極であることを特徴とする。また、第1の金属板は前記半導体素子のアノード電極より小さく、第2の金属板は半導体素子のアノード電極より大きく、且つ、カソード電極より小さい大きさを有することを特徴とする。また、樹脂封止体は矩形形状を有し、リード端子の外部接続部が一側面から導出され、ダイパッドの他方の主面と同一の側で、外部接続部の一部が、ダイパッド側に向かって屈曲した略コの字形状に形成されたことを特徴とする。本発明は、アノード電極に金属板を介して、ダイパッドに接続しているので、プレーナ型チップにおいて、アノードコモン接続ができる半導体装置を提供することができる効果を奏する。また、金属板を使用し、ダイパッドに接合しているので、発生熱を効果的に伝熱できる半導体装置を提供することができる効果を奏する。以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものであり、寸法関係の比率等は現実のものとは異なる。したがって、具体的な寸法等は以下の説明を照らし合わせて判断するべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。以下、図面を参照して本発明の実施例1の係る半導体装置1を説明する。図1は、本発明の実施例1に係る半導体装置1の側面断面図である。図2は、本発明の実施例1に係る半導体装置1のA正面図、B側面図、C下面図である。まず、図1に示すように、実施例1に係る半導体装置1の内部構造が表してあり、ダイパッド3、リード端子4、半導体素子5、第1の金属板6、第2の金属板7、接合材8、内部リード9、樹脂封止体10とで構成されている。この形態により、ダイパッド3上に半導体素子5が第1の金属板6を介して搭載され、内部リード9が第2の金属板7を介して半導体素子5と接続され、また、この内部リード9がリード端子4と接続され、さらに樹脂封止体10により覆われ、ダイパッド3、リード端子4の一部が樹脂封止体10から露出突出し電気的な外部端子となっている。ダイパッド3は、板形状をした放熱板であり、熱伝導率、電気伝導度が高く、充分な機械的強度をもっている。例えば、材質は銅又は銅合金等を使用し、表面はニッケルめっきを施すことができる。ダイパッド3の一方の面には半導体素子5が第1の金属板6を介して搭載され、接合材8によって、固着されている。また、もう他方の面は樹脂封止体10による樹脂封止後、露出面となる。リード端子4は、半導体装置1の電気的な入出力部の外部リードとして使われる。例えば、平形状板材をプレス打ち抜き加工や化学的なエッチング加工が適用され、材質は銅又は銅合金等が多く使用され、表面はニッケルめっきを施すことができる。さらに、ダイパッド3の上面よりも段差がつけられた位置に設けられている。また、リード端子4の一方の端部は接合材8によって内部リード9の他方の端部と接合されている。リード端子4の他方の端部は樹脂封止体10から外部へ突出している。半導体素子5は、図3に示すように、パワー素子のダイオードチップであり、薄い矩形体形状をなしている。半導体素子5の詳細は、シリコンウェハ中に形成された後に、これがダイシングされて得られる。半導体素子5ダイオードチップにおいては、N型基板21の表面に絶縁層22が形成され、絶縁層22中に設けられた開口部にP型層23が形成されている。この開口部p型層23を覆ってアノード電極24が一方の電極として形成されている。また、裏面全体には、カソード電極25が他方の電極として形成されている。開口部及びアノード電極24の平面形状は矩形であり、カソード電極25が図3B中の他方下側の主面の全面にわたり形成されているのに対して、アノード電極24は、図3B中の一方上側の主面の一部にしか形成されていない図3A参照。アノード電極24、カソード電極25は、それぞれp型層23、N型基板21とオーミック接触をとれる材料で構成されるが、その表面P型層23、n型基板21と直接接さない側の面は、はんだ付けが可能なように、例えばNiめっき処理が施されている。この構造は、通常知られるプレーナ型の構造である。第1の金属板6は、矩形形状であり、半導体素子5のアノード電極24の主面をなす矩形よりも小さい。第1の金属板6は、導電性及び熱伝導率の高い銅又は銅合金等で構成される。図1においては、図3、図4に示された半導体素子5は上下が逆転した形態とされている。第1の金属板6とアノード電極24とは、導電性の接合材8で接合される。接合材8は例えば、半田である。尚、第1の金属板6はアノード電極24より小さい寸法ではあるが、接合面積と伝熱面積と積層の安定を増やすためにアノード電極24の寸法に近い方が望ましい。ここで、第1の金属板6は接合材8と半導体素子5との接続はアノード電極24でのみ行われる。このため、半田が例えば上側にあるカソード電極25側に回り込む可能性は低い。すなわち、この構造を高い歩留まりで容易に製造することができる。この構造により、半導体素子5のアノード電極24とダイパッド3とは電気的に接続され、ダイパッド3をアノードとして使用することができる。すなわち、ダイパッド3をアノードコモンとして接続することができる。さらに、アノード電極24付近で発生する熱もダイパッド3に容易に伝熱することができる。第2の金属板7は、矩形形状であり、半導体素子5のカソード電極25の主面をなす矩形と略同一の大きさである。第2の金属板7は、導電性及び熱伝導率の高い銅又は銅合金等で構成される。第2の金属板7とカソード電極25とは、導電性の接合材8で接合される。接合材8は例えば、半田である。接合材8は、半田等により、関係する部材同士を電気的、機械的に接続されており、伝熱炉装置等により半田を溶融し製造される。内部リード9は、平形状板材であり、導電性の銅又は銅合金等で形成されている。この構造は、例えば銅合金板をプレス加工することによって得ることができる。内部リード9の一方の端部は接合材8によって、第2の金属板7に電気的に接合されている。すなわち、第2の金属板7を介して半導体素子5のカソード電極25と接続される。また、内部リード9の他方の端部は接合材8によって、リード端子4の一方の端部に電気的に接合されている。接続は前記と同様な接合材8が使用される。次に、図2A、B、Cは、実施例1に係る半導体装置1の外形を示したものである。樹脂封止体10は、上金型凹部と下金型凹部とで、形成された空間に溶融されたモールド樹脂を充填する図示せず。例えば、トランスファーモールド装置により、エポキシのモールド樹脂を充填し成形される。最終的に、リード端子4の他方の端部である外部接続部11は、図2Bに示された形態となる。この状態においては、外部接続部11の下面とダイパッド3の他方の主面下面は略同一平面上に位置し、外部接続部11は、下側に向かって折り曲げ、更に、ダイパッド3がある側に向かって、水平に折り曲げる。横向き略コの字形状に屈曲した形状とされている。この作業は、通常、樹脂封止モールド工程後、半導体装置が個片にカット分離工程され、機械曲げ加工フォーミング工程によって行うことができる。これにより、図2に示す本発明の実施例1の係る半導体装置1が完成する。特に面実装型半導体装置として使用することができる。次に、上述の実施例1に係る半導体装置1の効果を説明する。本発明の実施例1に係る半導体装置1は、金属板を介して、半導体素子のアノード電極をダイパッドに接続し、カソード電極をリード端子に接続する構成をしている。これにより、プレーナ型チップにおいて、ダイパッドをアノードコモン接続とすることが可能である。また、発熱の大きい部位であるアノード電極に金属板を介して、ダイパッドに接合しているので、金属板及びダイパッドから発生熱を効果的に伝熱放出させることが可能である。また、第1の金属板6と第2の金属板7とが半導体素子5を挟んだ形になっているので、樹脂封止体10による半導体素子10の加わる応力を緩衝させることが可能である。また、ダイパッドとリード端子に段差がついていることによって、金属板と半導体素子を積層しても、内部リードがダイパッド、リード端子と平行に位置することができる。これにより、各部品間の接合材の厚さが均一にでき半導体装置の信頼性を向上することが可能である。また、実施例2としては、ダイパッド3とリード端子4を外枠体図示せずで連結一体化された、リードフレーム2として、異形条素材を用いることができる。その他の構成は実施例1と同様であるので省略する。リードフレーム2は、熱伝導率、電気伝導度が高く、充分な機械的強度をもってかつ曲げ加工が可能な材料として、例えば銅又は銅合金等で構成される。このため、異形条の材料に加工された圧延板をプレス加工等することによって形成される。ただし、ダイパッド3はリード端子4よりも厚く設定され、リード端子4となる箇所がこれよりも薄くされる。また、外枠体は、後で機械的に折り曲げられたり、切断されるために、リード端子4と同様に薄いことが望ましい。平板がこのような板厚設定とされた後に、例えばプレス加工等が施されることによって、図1の形態と同様にダイパッド3とリード端子4の上面が平面形状であり、且つ、これらは略段差形状で配置された形態となっている。製造時には、不要な外枠体をカット除去し、電気的な連結を切断する。実施例2においても、実施例1と同様の効果を得ることができる。さらに、ダイパッドとリード端子を一体で形成できるので、ダイパッド、リード端子を同時に保持でき、半導体素子、内部リードとの接合作業を精度よくおこなうことができる。上述のように、本発明の実施の形態を記載したが、この開示の一部をなす記述及び図面はこの発明を限定するものであると理解するべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかになるはずである。上述の例では、ダイパッド3、リード端子4、内部リード9、第1の金属板6、第2の金属板7の素材を銅又は銅合金等としたが、鉄又は鉄合金、アルミ又はアルミ合金としてもよい。また、一方の主面の表面形状が平坦であるダイパッド3に半導体素子が搭載されるとしたが、ダイパッドの一方の主面表面の形態は、半導体素子を同様に搭載できるような凸状の突出部を形成し、第1の金属板を省略することもできる。また、製造にあたっては、図4に示すように、半導体素子5に第1の金属板6と第2の金属板7を接合材8によって、事前に接合した半導体素子組立体を形成してから、リードフレーム2に搭載することができる。