"反射型サンプル基板上の被検欠陥に対して、実際の露光で利用する波長のコヒーレント光を、該反射型サンプル基板上の被検欠陥と略同一のサイズに集光する集光手段と、上記反射型サンプル基板上に上記集光手段により集光された上記コヒーレント光を被検パタン領域に照射する照射手段と、上記照射手段により照射された被検パタン領域からの回折光を2次元的に受光する受光手段と、上記受光手段による受光結果である画像情報を記録する記録手段と、上記記録手段により記録された画像情報から、上記被検欠陥の反射振幅と位相分布を反復計算により導出する導出手段とを備える欠陥特性評価装置。上記欠陥特性評価装置において、上記照射手段は、集光されたコヒーレント光を照射する被検パタン領域をスキャンさせながら、該コヒーレント光を複数回照射する請求項1記載の欠陥特性評価装置。上記照射手段は、上記被検パタン領域に照射するコヒーレント光の照射角度及び焦点位置、照射方向、照射開口数のうち少なくとも一の照射条件を変化させながら、上記集光手段により集光されたコヒーレント光を該被検パタン領域に照射する可変照射手段を備える請求項1記載の欠陥特性評価装置。上記照射手段は、上記被検パタン領域に照射するコヒーレント光の波長を、上記実際に露光で利用する波長付近で変化させて、上記集光手段により集光されたコヒーレント光を該被検パタン領域に照射する波長可変照射手段を備える請求項1記載の欠陥特性評価装置。上述したように、形状や位相分布、ガラス基板上に形成されている多層膜周期構造乱れなどの、ブランクマスク上の欠陥の特性は、AFMやTEMを用いることで評価できる。しかしながら、AFMにより測定されるのは表面形状であり、ガラス基板上に形成されている多層膜中の構造までは評価できない。実際に、EUV光を用いたABI装置による評価手法で得られる欠陥信号強度が、微小欠陥において、実際の表面形状と一致しない例は多くあり、AFMによる表面形状測定だけでは転写特性を評価できない。したがって、どのようなプロセスにすると欠陥を低減できるかを知るには、個々の欠陥の形状や位相、多層膜周期構造乱れを評価し、どのプロセスにおいて発生したどのような欠陥かを精査する必要がある。また、TEMを用いた測定では、破壊検査であることと、欠陥位置での断面測定が非常に困難であるため現実的ではない。本発明は、このような実情に鑑みて提案されたものであり、反射型サンプル基板上の欠陥の特性を、非破壊かつ高精度に評価可能な欠陥特性評価装置を提供することを目的とする。上述した課題を解決するための手段として、本発明に係る欠陥特性評価装置は、反射型サンプル基板上の被検欠陥に対して、実際の露光で利用する波長のコヒーレント光を、反射型サンプル基板上の被検欠陥と略同一のサイズに集光する集光手段と、反射型サンプル基板上に集光手段により集光されたコヒーレント光を被検パタン領域に照射する照射手段と、照射手段により照射された被検パタン領域からの回折光を2次元的に受光する受光手段と、受光手段による受光結果である画像情報を記録する記録手段と、記録手段により記録された画像情報から、被検欠陥の反射振幅と位相分布を反復計算により導出する導出手段とを備える。本発明は、微小欠陥を露光波長で評価するため、実効的な特性評価が非破壊で可能である。すなわち、本発明は、微小な欠陥からの回折光で評価するため、結像光学系の開口数に制限されることなく、回折光を2次元的に受光する受光手段の受光面のサイズに応じた高開口な観察が可能である。また、本発明は、他方式では評価が難しい実際に露光で使用される波長を用いて欠陥の位相情報を測定するため、欠陥の反射振幅分布のみならず位相分布を観察でき、実効的な欠陥特性を精査することができる。また、本発明は、集光手段によってコヒーレント光を、被検欠陥と同程度の微小スポットに集光することが可能なため、ノイズ成分である基板粗さによる回折光に対する、信号成分である欠陥からの回折光の信号強度比を大幅に改善することができる。また、本発明は、照射手段により、微小スポットによるスキャン測定が可能であるため、他方式で欠陥が検出された観察位置に容易に移動可能であり、この観察位置に移動後、欠陥からの回折光を受光手段で測定することができる。このようにして、本発明は、反射型サンプル基板上の欠陥の特性を、非破壊かつ高精度に評価することができる。本発明は被検パタン領域をスキャンさせながら,コヒーレント光を複数回照射する照射手段により,欠陥からの回折光の情報を精査することができる。具体的には下記の文献に示すシフト照明による像再生アルゴリズムを利用することで実現することができる.文献:J.M.RodenburgandH.M.L.Faulknera,Aphaseretrievalalgorithmforshiftingillumination,Appl.Phys.Lett.852004pp.4795-4797.さらに、本発明は、照射手段が備える可変照射手段により、波長を変化させて観察することで、分光イメージングが可能であり、多層化された反射増加膜の乱れ分布などの内部構造まで評価可能することができる。本発明が適用された欠陥特性評価装置は、半導体パタンの原板であるガラス基板上に反射面を有する反射型サンプル基板における微小欠陥の特性を評価する欠陥特性評価装置である。以下では、図1に示すような欠陥特性評価装置1を用いて、本発明を実施するための形態について説明する。すなわち、本発明が適用された欠陥特性評価装置1は、反射型サンプル基板であるマスク基板11上に実際の露光で利用するコヒーレントなEUV光を集光する集光光学系10と、マスク基板11上の被検対象である欠陥12での反射光14と回折光15を受光する二次元検出器13と、マスク基板11上の被検パタン領域をスキャンさせながらコヒーレントなEUV光を光源16aにより複数回照射する照射部16と、二次元検出器13が受光した画像情報を記録する記録部17と、記録部17により記録された画像情報から欠陥12の特性を導出する導出部18とを備える。マスク基板11は、本発明が適用された欠陥特性評価装置1による測定対象であり、具体的には、EUVを用いたリソグラフィ工程で回路パタンを描画する前のブランクマスク基板である。なお、本構成例での測定対象は、回路パタン描画前のブランクマスクとしたが、回路パタン描画後であっても同様に評価可能であり、測定対象を限定するものではない。照射部16は、コヒーレントなEUV光を発光する光源16aを有し、測定対象であるマスク基板11を、その面方向に移動させながら、光源16aにより発光したEUV光を照射する。光源16aは,波長が4[nm]乃至20[nm]程度の極端紫外光を発光する光源である。具体的には、シンクロトロン放射光や高次高調波光源、レーザプラズマ光源、放電型のピンチプラズマ光源などであるが、極端紫外光を発光するものであれば、いかなる光源を用いるようにしてもよい。集光光学系10は、照射部16の光源16aから発生してコヒーレントにされたEUV光をマスク基板11上の欠陥12と略同一のサイズに集光する光学系であって、具体例として、図2に示すようなフレネルゾーンプレート以下、FZPともいう。を用いた光学系が採用される。ここで、光源16aは単色化機構を備えることが好ましい。これは、FZPが回折光学素子であり、波長により焦点距離が変化するため、単一焦点距離で集光するには単色光が必要であるからである。単色化機構は、例えば、回折格子と集光素子からなる分光器であり、これにより、欠陥特性評価装置1への入射光の波長を変化させることができる。集光光学系10は、視野絞りピンホール10aと開口絞り10bと折り返しミラー10cと軸外フレネルゾーンプレート10dとから構成される。このような構成からなる集光光学系10では、光源16aにより出射されたコヒーレントなEUV光を視野絞りピンホール10a上に集光し、視野絞りピンホール10aを通過する光の開口を開口絞り10bで制限する。そして、集光光学系10では、開口絞り10bで制限した光を折り返しミラー10cで折り返し、折り返したコヒーレント光を軸外フレネルゾーンプレート10dを介して、マスク基板11上の欠陥12に集光する。軸外フレネルゾーンプレート10dは、軸外れ型のフレネルゾーンプレートであって、反射光と回折光が矩形開口を透過するため、具体的には図3に示すような、折り返しミラー10cからの光を回折させて集光する集光部10d1と、欠陥12からの反射光と回折光を二次元検出器13に透過させる開口部10d2とから構成される。例えば、波長13.5nmのコヒーレントな照明光に対して焦点距離1mmで開口サイズφ190μmの軸外フレネルゾーンプレート10dを用いると、開口数は0.08となり、コヒーレントな照明光をφ100nmのサイズまで集光することができる。そして、欠陥特性評価装置1では、光源16aにより出射され集光光学系10により集光した照射光で欠陥12を照射し、反射光14と回折光15を二次元検出器13にて直接受光する。ここで、実際の集光点のサイズは、軸外フレネルゾーンプレート10dの縮小倍率と、視野絞りピンホール10aのサイズとに応じて決まる。例えば、軸外フレネルゾーンプレート10dの焦点距離を1mm、軸外フレネルゾーンプレート10dから視野絞りピンホール10aまでの距離を1000mmとすると、集光光学系10の縮小倍率は、1/1000倍となる。このとき、ピンホールサイズがφ10μmの視野絞りピンホール10aを利用すると、マスク基板11上の欠陥12上で、φ100nmに集光される。このような軸外フレネルゾーンプレート10dと視野絞りピンホール10aとの配置を保持したまま、視野絞りピンホール10aのピンホールサイズを変更することで、集光サイズを容易に変更することができる。このようにして、集光サイズを容易に変更可能であるため、100nmより大きな欠陥に対しても測定が可能である。また、欠陥への照明形状プロファイルは、集光サイズで決まってくる。例えば欠陥に対して、より均一な照明をしたい場合はピンホールサイズを大きくし、大きな集光サイズで照射する。このようにして、均一な照明をすることにより、照明の情報は相対的に減少し、欠陥からの情報のみを取り出すことができる。ただし、欠陥部以外への照射量が増加し基板粗さによる散乱が増加することによって、S/Nが低下する。よって、実際のマスク基板へ照射し、基板粗さによる散乱の影響を評価し、適切な集光サイズを選択する必要がある。また、集光光学系10では、軸外フレネルゾーンプレート10dの使用領域を、開口絞り10bの位置と絞り系により自由に変更することができる。よって、集光光学系10では、軸外フレネルゾーンプレート10dの使用領域を変更することで、照明光を欠陥12へ集光するときの入射角と開口数とを自由に変更することができる。また、欠陥特性評価装置1では、マスク基板11上に多層化された反射増加膜の乱れ分布などの多層膜内部構造まで評価するため、照射部16がさらに、光源16aにより発生するコヒーレントなEUV光の波長を実際に露光で利用する波長付近で変化させる可変照射部16bを備えることが好ましい。単色化機構部16bによりEUV光の波長を変化させると、集光光学系10では、軸外フレネルゾーンプレート10dの焦点距離が波長に応じて変化する。このため、集光光学系10では、軸外フレネルゾーンプレート10dとマスク基板11との間の距離を適切に変えて分光測定する、もしくは、あらかじめ集光特性の波長依存性を測定してから欠陥の波長依存性を評価することができる。また、照射部16は、照射光の照射角度及び焦点位置、照射方向、照射開口数のうち少なくとも一の照射条件を変化させながら、集光光学系10により集光されたコヒーレント光を欠陥12に照射する可変照射部16cと、照射位置を可変する移動プレート16dとを備える。このような可変照射部16cと移動プレート16dとを備えることで、欠陥特性評価装置1は、欠陥12の照射パタン領域のサイズを調整する点で好ましい。ここで、欠陥特性評価装置1で利用する集光光学系10は、斜入射での集光を実現するため、軸外フレネルゾーンプレート10dを採用している。このため、軸外フレネルゾーンプレート10dは、同軸型として考えると大きな開口数を持っている。欠陥特性評価装置1では、軸外フレネルゾーンプレート10dのうち、開口絞り10bにより開口の一部のみを利用し、軸外し型としている。よって、可変照射部16cは、集光光学系10において、開口絞り10bの位置やサイズを変更することで、照射条件を変更することができる。また、移動プレート16dは、例えばマスク基板11の位置を上下にずらすことによって、焦点位置をマスク上ではなく違う位置にし、集光サイズを大きくする。なお、開口数が小さくなれば同様に集光サイズは大きくなる。次に、集光光学系の変形例として、Schwarzschild光学系20を採用した変形例に係る欠陥特性評価装置1aを図4に示す。すなわち、欠陥特性評価装置1aは、集光光学系として、図4に示すような、凹面鏡21と凸面鏡22とから構成されるSchwarzschild光学系20を備える以外は欠陥特性評価装置1と同様の構成を有する。このSchwarzschild光学系20では、光源16aから出射された照明光が、まず、凹面鏡21を透過し、その後、凸面鏡22で反射され、さらに凹面鏡21で反射されることでマスク基板11上に集光される。また、マスク基板11は反射型試料であるため、Schwarzschild光学系20は、中心軸を垂直方向に対して傾けて使用する。Schwarzschild光学系20の開口数は、NAを0.3以上と非常に大きくすることができるが、本実施例では中心遮光のない照明光とするため、瞳の一部を利用する配置としている。また、変形例に係る欠陥特性評価装置1aは、上述した軸外フレネルゾーンプレート10dを備える集光光学系10の実施例と同様に、集光した照射光で欠陥12を照射し、反射光14と回折光15を二次元検出器13にて直接受光する。また、Schwarzschild光学系20では、入射EUV光の波長を変化させても焦点距離が同一で、光学系を固定したまま分光測定が可能であるが、EUV用Schwarzschild光学系の各鏡が多層膜コートされており、この多層膜の反射スペクトルで測定可能な波長範囲が決まる。また、Schwarzschild光学系20では、図4に示すように欠陥に対して斜入射で照明し,瞳面上の一部を利用している。よって、変形例に係る欠陥特性評価装置1aにおいて、可変照射部16cは、Schwarzschild光学系20に設けられた開口絞り20aの位置やサイズを変更することで任意の軸外し型を選択でき、照明条件を容易に変更することができる。具体的にはEUV領域で用いられる等周期構造のMo/Si多層膜の反射スペクトル幅は、0.3~0.5nm程度である。例えば、マスク基板11も等周期のMo/Si多層膜でコートされているため、このような多層膜における周期構造乱れを評価するにはより広い波長域で測定する必要がある。このような測定のため、Schwarzschild光学系20は、例えば非周期構造のMo/Si多層膜など広帯域多層膜を各鏡にコートし、広帯域で利用可能とすることが好ましい。なお、図3と図4の実施例では、本発明が適用された欠陥特性評価装置1、1aで採用される集光光学系として、軸外フレネルゾーンプレート10dとSchwarzschild光学系20を示したが、特にこれらの集光光学系に限定されるものではない。次に、マスク基板11上の欠陥12aと、照射部16により照射される照射パタン領域12bとの関係を図5を参照して説明する。なお、図5においては、欠陥12aが反射振幅と位相に分布があるため、等高線により位相分布の一例を示した。図5に示すように、集光光学系10により、照射パタン領域12bを、欠陥12aの大きさ程度に集光する。また、図6では、欠陥12aをより詳細に評価するため、照射部16により照射される照射パタン領域12bをずらしながら回折強度を測定する場合の、欠陥12aと照射パタン領域12bとの位置の関係を示している。図6に示すように、照射部16は、欠陥12aと重なりを持たせながら照射パタン領域12bをずらし、欠陥12aに対して複数回照射する。このようにして、照射部16は、欠陥12aに対して複数回照射することで、反復計算時の拘束条件が増え、より像再生の精度を高くできる。なお、図6の実施例では、照射部16は、欠陥12aに対して、照射パタン領域12bを4カ所にずらして照射しているが、特に回数を制限するものではない。次に、導出部18によって実行される欠陥12からの回折画像の計算例を図7、及び図8に示す。測定条件を簡単にするため、照明光強度分布と欠陥形状はトップハット型の円形とし、照明光の入射角を0度とした平行照明条件でのスカラー回折計算をした。また、計算に用いた集光サイズはφ100nmで、二次元検出器13は、マスク基板11位置より50mm離れた位置とした。この条件では、回折強度分布が反射位置を中心に等方的となるため、回折光の1次元プロファイルを回折強度として図7、及び図8に示している。このような条件の下、導出部18によって導出される図7に示す回折強度分布は、サイズφ50nmのピット型欠陥における、回折強度分布の欠陥深さ依存性を表している。導出部18によって導出される図8に示す回折強度分布は、欠陥深さを1nmと固定した場合の欠陥サイズ依存性を表している。図7、及び図8から明らかなように、照射された欠陥のサイズや深さが変化すると、回折強度分布が大きく変化する。具体的に、中心の回折環やその周辺の回折環の強度や弱め合い位置は、欠陥サイズや深さに応じて変化する。また、照明光をφ100nmまで集光して照射すると、数十nmサイズの微小な欠陥でも反射光が弱くなり、回折強度の変化だけで欠陥位置の導出が可能となる。このようにして、導出部18は、反射光の強度変化により欠陥位置を導出後、欠陥からの回折光強度分布を記録し、欠陥の反射振幅と位相分布を評価可能に導出することができる。以上のような構成からなる欠陥特性評価装置1、1aは、微小欠陥を露光波長で評価するため、実効的な特性評価が非破壊で可能である。すなわち、欠陥特性評価装置1、1aは、微小な欠陥12からの回折光で評価するため、結像光学系の開口数に制限されることなく、回折光を2次元的に受光する二次元検出器13の受光面のサイズに応じた高開口な観察が可能である。また、欠陥特性評価装置1、1aは、導出部18により、他方式では評価が難しい実際に露光で使用される波長を用いて欠陥12の位相情報を測定するため、欠陥12の反射振幅分布のみならず位相分布を観察でき、実効的な欠陥特性を精査することができる。また、欠陥特性評価装置1、1aは、集光光学系10、Schwarzschild光学系20によってコヒーレント光を、被検対象である欠陥12と同程度の微小スポットに集光することが可能なため、ノイズ成分である基板粗さによる回折光に対する、信号成分である欠陥12からの回折光の信号強度比を大幅に改善することができる。また、欠陥特性評価装置1、1aは、照射部16により、微小スポットによるスキャン測定が可能であるため、他方式で欠陥12が検出された観察位置に容易に移動可能であり、この観察位置に移動後、欠陥12からの回折光を二次元検出器13で受光することができる。欠陥特性評価装置1、1aは、EUV光を用いたリソグラフィ工程で半導体パターンを描画する前の原板であるマスク基板11上の欠陥12の特性を、非破壊かつ高精度に評価することができる。また、欠陥特性評価装置1、1aは、被検パタン領域をスキャンさせながら、コヒーレント光を複数回照射することにより、欠陥からの回折光の情報を精査することができる。具体的には、下記の文献に示すシフト照明による像再生アルゴリズムを利用することで実現することができる。文献:J.M.RodenburgandH.M.L.Faulknera,Aphaseretrievalalgorithmforshiftingillumination,Appl.Phys.Lett.852004pp.4795-4797.さらに、欠陥特性評価装置1、1aは、照明部16が備える可変照射部16bにより、波長を変化させて観察することで、分光イメージングが可能であり、多層化された反射増加膜の乱れ分布などの内部構造まで評価可能することができる。以上のように、欠陥特性評価装置1、1aは、欠陥12の形状と位相量、反射多層膜の界面構造の乱れなどの欠陥の特性が評価できるので、測定結果をマスクの製造工程へフィードバックすることで、より欠陥の少ないマスク製作が可能となる。また、欠陥特性評価装置1、1aは、欠陥12の反射振幅と位相分布を詳細に評価することで、パタンマスク上における欠陥補正が可能となる。なお、本発明は、以上の実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更が可能であることは勿論である。"