第一の加熱装置と第一の温度センサを各々設けた上型ベース及び下型ベースと、前記上型ベースに支持された上型チェイス及び前記下型ベースに支持された下型チェイスと、前記上型チェイス及び下型チェイスに各々挿抜可能に支持され、少なくともいずれかにキャビティ凹部が形成された上型インサート及び下型インサートと、を備え、前記上型チェイス及び下型チェイスと前記上型インサート及び下型インサートの少なくともいずれか一方に前記キャビティ凹部に近い側から冷却装置と第二の加熱装置がこの順に設けられ、前記キャビティ凹部の近傍に第二の温度センサが設けられていることを特徴とするモールド金型。上型及び下型の金型表面間にモールド樹脂が充填されてクランプされたワークが封止されるモールド金型であって、上型と下型の少なくともいずれか一方において第一の加熱装置と第一の温度センサを有する第一の温度調整部と、前記第一の温度調整部と金型表面の間に、前記キャビティ凹部に近い側から冷却装置と第二の加熱装置がこの順に設けられると共に前記キャビティ凹部の近傍に第二の温度センサが設けられ、当該冷却装置と当該第二の加熱装置をオンオフ制御することにより、前記キャビティ凹部の金型クランプ面の温度を所望の温度範囲に調整して維持する第二の温度調節部と、を有することを特徴とするモールド金型。前記冷却装置と第二の加熱装置をオンオフ制御することにより、前記キャビティ凹部の金型表面温度を所望の温度範囲に調整して維持する請求項1又は請求項2記載のモールド金型。前記冷却装置の冷媒が循環する冷却管は、金型手前側より流入し金型長手方向奥側でUターンして手前側より流出するように配管されている請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載のモールド金型。請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載のモールド金型を備えたことを特徴とする樹脂モールド装置。しかしながら、モールド金型の温度制御を行う場合、最も重要なのは成形品に触れる金型表面の温度であって、金型全体が有する熱容量ではない。トランスファ成形を行う場合、モールド樹脂が流動するため、ゲート付近ではモールド樹脂の流速が速く金型表面温度が上がり難いのに対して、キャビティ内に流入した後のモールド樹脂の流速は遅くなるため、金型表面温度が上がり易くなる。よって、金型の表面温度の温度分布がばらつきやすい。特に薄型パッケージ部を樹脂モールドする場合には、温度管理をきめ細かくしないと、半導体チップと接続端子との接合信頼性が低くなるおそれや、モールド樹脂を加熱硬化する温度範囲やタイミングが適切でないため成形品質が低下するおそれがある。また、特許文献1のように、分割されたブロック間及び側方にヒータが配置されているため、分割ブロック全体を加熱するようになっている。このように金型全体を加熱して温度管理を行う場合には、金型表面温度をきめ細かう管理することができない。また成形品に対してサブヒータと冷却チューブを同列に配置したのでは、金型表面の温度を素早くしかも所定温度範囲にコントロールすることが難しい。本発明は上記従来技術の課題を解決し、金型表面温度の調整をきめ細かくかつ所定の温度範囲内に調整可能なモールド金型及び該モールド金型を具備して成形品質を向上させた樹脂モールド装置を提供することにある。本発明は上記目的を達成するため、次の構成を備える。即ち、第一の加熱装置と第一の温度センサを各々設けた上型ベース及び下型ベースと、前記上型ベースに支持された上型チェイス及び前記下型ベースに支持された下型チェイスと、前記上型チェイス及び下型チェイスに各々挿抜可能に支持され、少なくともいずれかにキャビティ凹部が形成された上型インサート及び下型インサートと、を備え、前記上型チェイス及び下型チェイスと前記上型インサート及び下型インサートの少なくともいずれか一方に前記キャビティ凹部に近い側から冷却装置と第二の加熱装置がこの順に設けられ、前記キャビティ凹部の近傍に第二の温度センサが設けられていることを特徴とする。或いは、上型及び下型の金型表面間にモールド樹脂が充填されてクランプされたワークが封止されるモールド金型であって、上型と下型の少なくともいずれか一方において第一の加熱装置と第一の温度センサを有する第一の温度調整部と、前記第一の温度調整部と金型表面の間に、前記キャビティ凹部に近い側から冷却装置と第二の加熱装置がこの順に設けられると共に前記キャビティ凹部の近傍に第二の温度センサが設けられ、当該冷却装置と当該第二の加熱装置をオンオフ制御することにより、前記キャビティ凹部の金型クランプ面の温度を所望の温度範囲に調整して維持する第二の温度調節部と、を有することを特徴とする。上記モールド金型を用いれば、キャビティ凹部の近傍に設けられた温度センサにより検出された温度情報により、上型インサート及び下型インサートの少なくともいずれか一方にキャビティ凹部に近い側から冷却装置と第二の加熱装置がこの順に設けられた第二の加熱装置若しくは冷却装置を作動させることで、上型若しくは下型若しくは双方の金型表面温度を所望の温度範囲に調節することができる。また、本発明においては、前記冷却装置と第二の加熱装置をオンオフ制御することにより、前記金型クランプ面の表面温度を所望の温度範囲に調整して維持することが好ましい。これにより、金型全体を加熱して金型表面温度を調整する場合にくらべて金型表面温度をきめ細かく温度調節することができる。また、本発明においては、前記冷却装置の冷媒が循環する冷却管は、金型手前側より流入し金型長手方向奥側でUターンして手前側より流出するように配管されているのが好ましい。これにより冷却装置の組み付けやメンテナンスが上型及び下型インサートの手前側で行えるので作業性がよい。また、樹脂モールド装置においては、上述したいずれかのモールド金型を備えたことを特徴とする。これにより、成形品の成形品質が向上する。上記モールド金型を用いれば、金型表面温度の調整をきめ細かくかつ所定の温度範囲内に調整可能となり、該モールド金型を備えた樹脂モールド装置を用いれば、成形品質を向上させることができる。以下、本発明に係るモールド金型及び樹脂モールド装置の好適な実施の形態について添付図面と共に詳述する。先ず、樹脂モールド装置の概略構成について説明する。被成形品であるワークW及びモールド樹脂が型開きしたモールド金型に供給され、型閉じすることによりクランプされる。そして、トランスファ機構により溶融したモールド樹脂をキャビティに圧送りして樹脂モールドが行われるようになっている。型締め機構は、駆動源に公知の電動モータを用いトグルリンクなどのリンク機構により可動型を昇降するようになっている。また、トランスファ機構は、ポット内に挿入されたプランジャを駆動源により昇降させることでモールド樹脂をキャビティへ充填するようになっている。図1において、モールド金型1を構成する上型2と下型3の概略構成について説明する。尚、以下では、上型2を固定型、上型2に対して接離動する下型3を可動型として説明するものとする。ワークWは、一例として配線基板に複数の半導体チップがフリップチップ接続されたものが用いられる。上型2に備えた上型ベース4には、上型チェイス5が組み付けられている。上型チェイス5には、後述するポットに対向する位置に上型センターインサート6が組み付けられ、該上型センターインサート6の両側に上型インサート7が組み付けられている。上型ベース4には、第一の加熱装置ベースヒータ4a及び第一の温度センサ4b第一の温度調節部が近接して複数箇所に内蔵されている。また、上型ベース4のクランプ面側であって外周縁部には、シール材8Oリングなどが設けられている。上型インサート7のクランプ面には、図示しない吸着装置に連通する吸着孔が設けられており、ワークWが吸着保持される。また、上型チェイス5には、図示しないが真空吸引路が形成されている。真空吸引路は型閉じしたモールド金型1内に形成される閉鎖空間より脱気を行う真空ポンプを備えた減圧機構に接続されている。下型3に備えた下型ベース9には、下型チェイス10が組み付けられている。下型チェイス10には、下型インサート11が組み付けられている。また、下型3の上型センターインサート6に対向する位置にはポットインサート下型センターインサート12が組み付けられている図5参照。ポットインサート12には、筒状のポット12aが組み付けられている。また、ポット12a内には、公知のトランスファ機構に支持されたプランジャ13が昇降可能に挿入されている。下型インサート11は、ポットインサート12の両側に配置されている図5参照。下型ベース9には、第一の加熱装置ベースヒータ9a及び第一の温度センサ9b第一の温度調節部が近接して複数箇所に内蔵されている。下型インサート11のクランプ面には、ランナゲート11aとキャビティ凹部11bが刻設されている。また、キャビティ凹部11bの近傍には、第二の温度センサ11cが内蔵されている。また、ポット12aの両側には、ポット12aのクランプ面側端部は、ランナゲート11aに連続する樹脂路12bが形成されている。下型チェイス10のキャビティ凹部11bに近い側から冷却装置14冷却管と第二の加熱装置15第二の温度調節部がこの順に高さ方向に直列に複数箇所に設けられている。冷却装置14と加熱装置15は、必ずしも高さ方向に直列でなくてもよいが、直列にした場合には、金型表面温度をバランスよくきめ細かく調整することができる。即ち、冷却装置14と第二の加熱装置15とはそれぞれは加熱時及び冷却時にそれぞれを中心として温度勾配が発生するが、この際に直列でない位置換言すれば、ずれた位置に配置されていると金型内で温度勾配を対称的にコントロールすることができず、キャビティ凹部11bの表面において温度が不均一になってしまうおそれがある。例えば、冷却装置14の上方位置において温度が低く、第二の加熱装置15の上方位置において温度が高くなるといった不均一な状態となる。ただし、冷却装置14と第二の加熱装置15とを温度勾配の半周期分ずらして配置することで温度勾配を均一化してもよい。例えば、隣接した冷却装置14同士によって形成される対称的な温度勾配によってこれらの間に配置された第二の加熱装置15による加熱は対照的にキャビティ凹部11bの表面に伝えることができる。尚、冷却装置14と第二の加熱装置15は、下型インサート11の厚さが十分ある場合には、当該下型インサート11に設けられていてもよい。冷却装置14と第二の加熱装置15は後述するようにオンオフ制御して温度調整することにより、金型クランプ面の温度を所望の温度範囲に調整して維持することが可能となっている。これにより、金型全体を加熱する加熱装置の出力を調整するなどして金型温度を調整する場合にくらべて金型表面温度をきめ細かく温度調節することができる。また、図5において、下型3に設けられる冷却装置14は、冷媒が循環する冷却管14aが下型チェイス10の手前側より流入し、下型チェイス10を下型長手方向に突き抜けて下型ベース9の奥側でUターンして再度手前側に戻って流出するように配管されている。これにより冷却装置14の組み付けやメンテナンスが下型チェイス10の手前側で行えるので作業性がよい。また、プレスが複数並べられたモジュール型のモールド装置のようにプレス背面へのアクセスが困難な構成においては特に効果が高い。なお、冷媒はポットインサート12側から流入させてもよいし逆から流入させてもよい。この場合、温度の高い側例えばポットインサート12側から流入させることで、冷媒の行きと戻りの温度差を利用してキャビティ凹部11bを均等に冷却することもできる。また、ポットインサート12側を温度の低い冷媒で冷却することにより樹脂充填後にポット12a内に残留した樹脂やその上方部分カルの樹脂を素早く冷却することができ、成形のサイクルタイムを短縮することができる。なお、冷却装置14は、冷媒を下型チェイス10内に戻さない構成を採用してもよい。次に、樹脂モールド装置の樹脂モールド動作について図1乃至図4を参照して説明する。図1において、モールド金型1が型開き状態において、図示しない搬送装置によりワークWとモールド樹脂が搬入される。具体的には、上型2の上型インサート7にワークWが半導体チップを下向きになるように吸着保持され、下型インサート11のポット12aに樹脂タブレット16aが装填され、キャビティ凹部11bに顆粒樹脂16b粉末樹脂、液状樹脂などであってもよいが各々供給される。尚、樹脂充填性の高い製品においては、必ずしもポット12a及びキャビティ凹部11bに樹脂を供給しなくてもよくいずれか一方のみであってもよい。次に、上型2に設けられた減圧機構を作動しながら型締め機構を作動させて下型3を上昇させる。図2に示すように、上型ベース4のクランプ面に設けられたシール材8が下型ベース9のクランプ面に当接すると、モールド金型1に閉鎖空間が形成されて減圧が進行する。また、ポット12a及びキャビティ凹部11bに供給された樹脂が加熱されて溶融する。図3において、上型2と下型3とのクランプ動作が完了すると、型締め機構を停止させる。このとき、上型インサート7に吸着保持されたワークWは、基板が上型インサート7と下型インサート11でクランプされ、半導体チップがキャビティ凹部11b内に収容されている。次いで、図4において、トランスファ機構を作動させて、プランジャ13を上昇させて、ポット12a内の溶融樹脂を樹脂路12b、ランナゲート11aを通じてキャビティ凹部11bに充填する。そして、所定時間加熱加圧して硬化させるキュア。ここで、冷却装置14及び第二の加熱装置15の金型表面温度キャビティ凹部の温度調整動作例について図6を参照して説明する。先ず図6aにおいて、モールド金型1へ樹脂を供給する際には、予め第二の加熱装置15を作動させて金型表面温度を成形温度同図におけるTlに相当より高温同図におけるThに相当となるように維持しておき、顆粒樹脂16bを供給して強制的に溶融させた後、第二の加熱装置15の加熱をオフして冷却装置14を作動させて金型表面温度を所定成形温度まで下げて安定させてから成形する。これにより、成形温度で溶融させるよりも顆粒樹脂16bの溶融に要する時間を短くすることができる。この際、第二の加熱装置15の加熱をオフしても第一の加熱装置4a、9aによって加熱されているため、温度が下がりすぎてしまうことはない。また、金型表面温度は変位しやすいため、第二の温度センサ11cにより温度検出しながら、冷却装置14若しくは第二の加熱装置15をオンオフ制御しながら所定温度を維持する。例えば、冷却装置14を作動させて金型表面温度を低下させた場合、第一の加熱装置4a、9aのみで加熱するのでは、冷却装置14による温度を下げすぎてしまったときに温度を戻すのに時間がかかってしまう。しかしながら、冷却装置14に対してそれぞれ隣接して第二の加熱装置15を設けているため、これにより素早く温度を上げることができる。したがって、冷却装置14によって急速に温度を下げることができるため、ワークの封止に要する時間を短縮することができる。また、同様に第二の加熱装置15によって急速に温度を上げてもオーバーシュートなどが起こることはない。このように、温度が変位しやすい金型表面に対して俊敏に温度調整することができるため、モールド金型1の金型表面温度キャビティ凹部11bの調整をきめ細かくかつ所定の温度範囲内に調整可能となり、所定の設定温度に対して正確に温度調整でき、所定温度に長時間維持も可能となる。また、図6bに示すように、型閉じしてワークWをクランプしてから、トランスファ機構を作動させる際に特にランナゲート11a側が樹脂の流速が速く温度が上がり難いため第二の加熱装置15による加熱動作を行って高温同図におけるThに相当とし樹脂の粘度を下げてプランジャ13を上昇させてキャビティ凹部11bに樹脂を充填しやすくすることができる。また、図6cに示すように、冷却装置14による冷却動作を並行して低温同図におけるTlに相当としキャビティ凹部11bへ充填された樹脂の粘度を上げて減速させることでフローフロントの接触時にワイヤーフローが起こらないようすることもできる。また、樹脂充填する際に適した温度よりもキュア温度のほうが低い樹脂の場合には、適正なキュア温度になるようにすることもできる。また、図6dに示すように、キュアが完了から型開きの間に冷却装置14の冷却動作を行って低温同図におけるTlに相当にすることもできる。この場合、第二の加熱装置15の加熱動作を停止させてから、冷却装置14の冷却動作を行ってモールド金型1の表面温度を所定温度まで下げてから型開きが行われる。これにより、型開きして加圧が解除された後の樹脂の温度低下を少なくすることができ、シュリンクによる反りを効果的に防止することができる。以上、説明したように、キャビティ凹部11bに近い側から冷却装置14と第二の加熱装置15がこの順に設けられた当該第二の加熱装置15若しくは冷却装置14の動作を制御することで、モールド金型1の金型表面温度キャビティ凹部11bの調整をきめ細かくかつ所定の温度範囲内に調整可能となり、該モールド金型1を備えた樹脂モールド装置を用いれば、成形品質を向上させることができる。前述したキャビティ内樹脂は比較的計量しやすい顆粒樹脂を選択したが、粉末樹脂、タブレットなどであっても良い。タブレットとしては、通常量産されているミニタブレットの他、キャビティよりも小さく成形された板状や円柱円板形状などの各種の形状を採用することもできる。また、ポット内樹脂は、タブレットを用いたが、顆粒樹脂や液状樹脂或いは粉末樹脂であっても良い。また、各実施形態のワークWとして、WLPWaferLevelPackageに用いるウエハや、半導体チップを貼り付けたE-WLPEmbeddedWaferLevelPackageに用いるキャリアプレートを適宜採用することもできる。また、LEDチップが実装されたリードフレームやQFNやセラミックス基板であってもよい。また、ワークWとしてフリップチップ型の半導体チップを基板実装した樹脂基板やセラミックス基板のような各種基板を用い、オーバーモールドしながらアンダーフィルする構成でも適用することもできる。さらに、ワークWとしては、必ずしも半導体チップが実装されていなくてもよく、LEDのリフレクタや放熱板を固定するためのスティフナを形成する基板やリードフレームであってもよい。このように、ワークWとしては各種の樹脂モールド方法に用いられる任意の対象であってよく、どのようなワークWであっても上述したような好適な効果が得られる。また、モールド金型1は、上型2を固定型、下型3を可動型としたが、下型3を固定型、上型2を可動型としてもよく、双方を可動型としても良い。なお、上述の温度調整動作を行う構成を圧縮成形装置用のモールド金型に用いることもできる。この場合にも上述した構成と同様の効果を奏することができる。例えば、金型の温度を予め高温状態として金型内に顆粒、粉末、ブロック等の液状以外の樹脂を供給することによって積極的に溶融させることもできる。また、キャビティ凹部11b以外に対しても第二の加熱装置15及び冷却装置14を配置して温度調整を行うこともできる。例えば、ランナやカルを温度調整する構成であってもよい。また、第二の加熱装置15及び冷却装置14は、溶融樹脂が充填されるキャビティ凹部11bに隣接する位置に設けるのが温度調節の反応速度の都合上好ましいが、ワークWの基板が取り付けられる面に設けてもよい。また、キャビティ凹部が上型2及び下型3の両方に形成されたモールド金型であれば両方に同様の構成を設けてもよい。この場合、両面のパッケージの温度を均一にすることができ、反りを防止することもできる。