"透明な支持基板と、この支持基板上に形成された金属層とを有する導電性基板であって、前記金属層の表面には凹溝が形成され、前記凹溝底面における光透過率が80以上であることを特徴とする導電性基板。前記金属層の厚みが、100nm~1000nmであることを特徴とする請求項1に記載の導電性基板。前記支持基板から前記凹溝底面までの距離が、1nm~100nmであることを特徴とする請求項1又は2に記載の導電性基板。前記金属層の表面と前記凹溝の側面とは、なだらかなR形状により連続しており、また、前記凹溝の側面と底面もなだらかなR形状により連続していることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の導電性基板。対向する2枚の導電性基板と、その間に設けられる光電変換層とを有する太陽電池であって、前記2枚の導電性基板のうちの少なくとも一方の導電性基板が、透明な支持基板と、この支持基板上に形成された金属層とを有し、該金属層の表面には凹溝が形成され、前記凹溝底面における光透過率が80以上であることを特徴とする、太陽電池。対向する2枚の導電性基板と、その間に設けられる発光層とを有する表示装置であって、前記2枚の導電性基板のうちの少なくとも一方の導電性基板が、透明な支持基板と、この支持基板上に形成された金属層とを有し、該金属層の表面には凹溝が形成され、前記凹溝底面における光透過率が80以上であることを特徴とする、太陽電池。本発明はこのような状況においてなされたものであり、その比抵抗が問題となることがなく、機能層の選定が容易な導電性基板を提供するとともに、これを用いた太陽電池および表示装置を提供することを主たる課題とする。上記課題を解決するための本発明は、透明な支持基板と、この支持基板上に形成された金属層とを有する導電性基板であって、前記金属層の表面には凹溝が形成され、前記凹溝底面における光透過率が80以上であることを特徴とする。また、前記金属層の厚みが、100nm~1000nmであってもよい。また、前記支持基板から前記凹溝底面までの距離が、1nm~100nmであってもよい。また、前記金属層の表面と凹溝の側面とは、なだらかなR形状により連続しており、また、凹溝の側面と底面もなだらかなR形状により連続していてもよい。また、上記課題を解決するための本発明は、対向する2枚の導電性基板と、その間に設けられる光電変換層とを有する太陽電池であって、前記2枚の導電性基板のうちの少なくとも一方の導電性基板が、透明な支持基板と、この支持基板上に形成された金属層とを有し、該金属層の表面には凹溝が形成され、前記凹溝底面における光透過率が80以上であることを特徴とする。また、上記課題を解決するための本発明は、対向する2枚の導電性基板と、その間に設けられる発光層とを有する表示装置であって、前記2枚の導電性基板のうちの少なくとも一方の導電性基板が、透明な支持基板と、この支持基板上に形成された金属層とを有し、該金属層の表面には凹溝が形成され、前記凹溝底面における光透過率が80以上であることを特徴とする。本発明によれば、大型化した場合であってもその比抵抗が問題となることがなく、機能層の選定が容易な導電性基板を提供するとともに、これを用いた太陽電池および表示装置を提供することができる。以下、本発明の導電性基板について、図面を用いて具体的に説明する。なお、図1~図3は、本発明の導電性基板の一例を示す概略断面図である。<導電性基板>図1に示すように、本発明の導電性基板10は、透明な支持基板1と、この支持基板1上に形成された金属層2とから構成されている。そして、本発明では、金属層2の表面に凹溝5が形成され、凹溝5底面における光透過率が80以上である点に特徴を有する。つまり、本発明の導電性基板10は、一つの金属層によって、低抵抗化と、光透過性機能とを発揮している。さらに、本発明の導電性基板10上に形成される各種の機能層との界面が、全領域において同一の金属材料で形成されていることから、機能層を選定するに際し、金属層との密着性のみを考慮すればよく、各種機能層の選択の幅を広げることができる。以下に、導電性基板10の各構成について詳細に説明する。<<支持基板>>支持基板1は、上記の金属層2を支持するための基板であり、透明性を有するとの条件を満たす各種基板を適宜選択して用いることができ、その材料について特に限定はないが、例えば、ガラス基板等のリジッドな基板や、ポリエチレンテレフタレートPET樹脂、ポリプロピレンPP樹脂、ポリエチレンナフタレートPEN樹脂、ポリカーボネートPC樹脂等の可撓性を有する樹脂材料を有する基板を好適に使用することができる。支持基板1の厚みについても特に限定はないが、耐久性を考慮すると、10μm~500μm程度であることが好ましく、50μm~300μm程度であることが特に好ましい。<<金属層>>図1に示すように、支持基板1上には金属層2が形成されており、金属層2の表面には凹溝5が形成されている。金属層2の材料については、特に限定されることはなく、従来公知の金属を適宜用いることができる。このような金属層2の材料としては、例えば、アルミニウムAl、金Au、銀Ag、コバルトCo、ニッケルNi、白金Pt、銅Cu、チタンTi、アルミニウム合金、チタン合金およびニッケルクロム合金Ni-Cr等の金属材料を挙げることができる。上述の金属材料の中でも、電気抵抗値が比較的低いものが好ましい。このような金属としては、Al、Au、Ag、Cu等が挙げられる。金属層2の表面には凹溝5が形成されている。本発明では、金属層2の表面に凹溝5を形成することで、金属層2には、支持基板1の表面から金属層の表面までの距離に相当する厚膜部2Aと、支持基板1の表面から凹溝5の底面までの距離に相当する薄膜部2Bが存在することとなる。本発明では、この薄膜部2Bの光透過率が80以上であることから、薄膜部2Bからその上部に形成される各種の機能層に効率的に光を透過させることができる。さらに、本発明では、一つの金属層2によって、光透過機能と、低抵抗化を図っている。したがって、各種の機能層の選定をするに際し、この金属層2との密着性のみを考慮すればよく、機能層の選定の幅を広げることができる。以下、本願明細書において、支持基板1の表面から金属層の表面までの距離に相当する部分を厚膜部2Aと、支持基板1の表面から凹溝5の底面までの距離に相当する部分を薄膜部2Bと区別する場合がある。凹溝5の開口形状、すなわち凹溝5の底面の形状については特に限定はなく、金属層2の表面を網目状やストライプ状とすることができる、任意の形状を適宜選択することができる。例えば、図4~図8に例示される開口形状の凹溝5とすることができる。なお、図4a,bでは三角形の開口部がストレートに配列され、図4cでは三角形の開口部がジグザグに配列されている。図5aでは矩形の開口部がストレートに配列され、図5bでは矩形の開口部がジグザグに配列され、図5cでは菱形角度≠90°の開口部が配列され、図5dでは菱形正方形の開口部が配列されている。また、図6aでは六角形の開口部がストレートに配列され、図6bでは六角形の開口部がジグザグに、すなわちいわゆるハニカム状に配列されている。また、図7aでは円形の開口部がストレートに配列され、図7bでは円形の開口部がジグザグに配列されている。図8aでは、金属層2の表面がストライプ状となるように、矩形の開口部が配列され、図8bに示すように凹溝5によって金属層2の表面はストライプ状となっている。なお、図8bは、図8aの斜視図である。また、本願明細書において多角形や円形の格子状とは、多角形や円形が周期的に配列されている形状をいう。中でも、凹溝5の開口形状は、六角形の格子状または平行四辺形の格子状であることが好ましい。この形状とすることで、金属層2を流れる電流が局所的に集中するのを効果的に防止することができる。六角形の格子状の場合、特に、図6bに例示するように六角形の開口部がハニカム状に配列されていることが好ましい。一方、平行四辺形の格子状の場合、平行四辺形の鋭角が40°~80°の範囲内であることが好ましく、より好ましくは50°~70°の範囲内、さらに好ましくは55°~65°の範囲内である。また、平行四辺形の4辺の長さは、太陽電池の外形形状に合わせて適宜設定される。すなわち、平行四辺形が鋭角60°、鈍角120°で4辺の長さが等しい菱形である場合、電流分布が比較的均一になる均電流エリアの形状は平行四辺形の鋭角の頂点を結ぶ対角線方向に電流が流れやすい楕円形状となる。そのため、導電性基板10の中心部から外周部電極となり得る金属層2の外周部までの距離を勘案して、平行四辺形の4辺の長さは適宜設定される。本発明では、金属層2の薄膜部2Bにおいて光を透過させることから、この点を考慮して、凹溝5の開口部全体の面積を決定することが好ましい。具体的には、凹溝5の開口部面積が大きいほど、多くの光を各種機能層に透過させることができることから、凹溝5の開口形状や、凹溝5によって形成される金属層2の表面形状、例えば、金属層2の表面形状が格子状であるかストライプ状であるかにかかわらず、凹溝5の開口面積は比較的大きいことが好ましい。より具体的には、凹溝5が形成されていないとした場合の金属層2の全表面積を100としたときに、光透過率が80以上である凹溝5の開口部の比率は、50~98程度であることが好ましく、より好ましくは70~98の範囲内、さらに好ましくは80~98の範囲内である。中でも、金属層2の厚み、すなわち、支持基板1の表面から金属層2の表面までの距離が、200nm~300nmの場合、凹溝5の開口部の比率は80~98の範囲内であることが好ましく、より好ましくは85~98の範囲内である。一方、金属層2の厚みが100nm~200nmの場合、凹溝5の開口部の比率は70~80の範囲内であることが好ましく、より好ましくは75~80の範囲内である。また、凹溝5の開口部の形状が六角形の格子状である場合、開口部の比率は70~80の範囲内であることが好ましく、より好ましくは75~80の範囲内である。一方、凹溝5の開口部の形状が平行四辺形の格子状である場合、開口部の比率は80~98の範囲内であることが好ましく、より好ましくは85~98の範囲内である。凹溝5の開口部の比率が上述の範囲未満であると、金属層2全体としての抵抗を小さくすることができるものの、厚膜部2Aが多くなり、その分金属層2全体としての光の透過率が低下するおそれがあるからである。また、凹溝5の開口部の比率が上述の範囲を超えると、金属層2全体としての光の透過率は向上するものの、金属層2全体としての抵抗が大きくなるおそれがあるからである。また、金属層2の厚みは、100nm~1000nmの範囲内であることが好ましい。金属層の厚みを当該範囲内とすることで、十分な低抵抗化を図ることができるからである。また、光透過率が80以上であるとの条件を満たせば、支持基板1から凹溝5の底面までの距離、すなわち、薄膜部2Bの厚みについて特に限定はないが、薄膜部の厚みが厚すぎると光透過率を80以上とすることが困難となり、一方、薄膜部の厚みを薄くしすぎた場合には、厚膜部2Aの表面と実質的に同等の表面物性を示すことができなくなるおそれが生じうる。このような点を考慮すると、薄膜部2Bの厚みは1nm以上100nm以下であることが好ましい。なお、金属層2の厚みが、設定される薄膜部2Bの厚み以上であることはいうまでもない。また、金属層2の表面抵抗率、すなわち厚膜部2Aの表面抵抗率は、5Ω/sq以下であることが好ましく、中でも3Ω/sq以下、特に1Ω/sq以下であることが好ましい。金属層2の表面抵抗率をこの範囲内に調整することで、例えば、本発明の導電性基板10を太陽電池に適用した場合に、高い発電効率を得ることができる。また、金属層2の表面抵抗率を高めることで、本発明の導電性基板10を、太陽電池に適用した場合などに高い発電効率を得ることができる。したがって、凹溝5の底面の表面抵抗率、すわなち薄膜部2Bの表面抵抗率について、特に限定されることはないが、凹溝5の底面の表面抵抗率が500Ω/sqを超えると、金属層2全体としての低抵抗化の妨げとなるおそれがある。したがって、この点を考慮すると、凹溝5の底面の表面抵抗率は500Ω/sq以下であることが好ましい。なお、金属層2の表面抵抗率、凹溝5の底面の表面抵抗率は、三菱化学株式会社製表面抵抗計ロレスタMCP:四端子プローブを用い、JISR1637ファインセラミックス薄膜の抵抗率試験方法:4探針法による測定方法に基づき、測定した値である。上述したように、凹溝5の底面における全光線透過率、すなわち薄膜部2Bの全光透過率は、80以上であればよいが、中でも90以上、特に92以上であることが好ましい。凹溝5の底面における全光線透過率が高くなるほど、金属層2における光透過率は上昇することから、例えば太陽電池において用いられる場合には、光電変換層にて光を効率的に吸収することができるからである。凹溝5の底面における全光透過率を80以上とする方法について特に限定はなく、金属層2の材料や、支持基板1から凹溝5の底面までの距離、すなわち薄膜部2Bの厚さを適宜設定することにより調整可能である。なお、上記全光線透過率は、可視光領域において、スガ試験機株式会社製SMカラーコンピュータ型番:SM-Cを用いて測定した値である。また、本発明では、図1に示すように金属層2の厚みを一定としてもよいが、図2に示すようにその部位によって金属層2の厚みが異なるようにすることもできる。例えば、本発明の導電性基材10を太陽電池に適用する場合には、熱損失の影響が大きい部分では金属層2の厚みを厚くし、熱損失の影響の小さい部分では、金属層2の厚みを薄くするように設定することができる。このように、熱損失の影響を考慮して、金属層2の厚みを部位によって異ならせることで、例えば、大面積の太陽電池に適用した場合であっても、高い出力電流を示す良好な太陽電池特性を得ることができる。さらに、本発明においては、図3に示すように金属層2の表面と凹溝5の側面、さらには凹溝5の側面と底面をなだらかなR形状により連続させることもできる。このような形状とすることにより、当該金属層2上に光電交換層に代表される各種機能層を形成した場合において、金属層の表面と凹溝5の側面、および凹溝5の側面と底面のそれぞれで形成されるエッジ部分によって各種機能層が損傷することを防止することができる。ここで、R形状の曲率半径や当該R形状の形成方法については特に限定することはなく、曲率半径については金属層の厚さや凹溝5のピッチや深さなど各部分の寸法を考慮して適宜設計可能であり、形成方法にあっても所望のR形状を形成可能な方法を選択して採用すればよい。また、金属層2の形成方法としては、金属層2の表面に所望の凹溝5を形成することができる一般的な形成方法を適宜選択して用いることができる。このような方法としては、例えば、一般的な蒸着方法等により凹溝5が形成されていない金属層を支持基板1上に形成したのちに、凹溝5の開口部形状で薄膜部の厚みとなるようにハーフエッチングすることにより形成することができる。また、これ以外の方法としては、支持基板1上に厚膜部に相当する金属膜をパターンニングしたのちに、この上から薄膜部に相当する金属膜を蒸着する方法や、支持基板1上に薄膜部に相当する金属膜を形成した後に、厚膜部に相当する金属膜をパターン状に形成する方法を挙げることができる。<太陽電池>以上で説明した導電性基板10は、たとえば、対向する2枚の導電性基板と、その間に設けられる光電変換層とを有する太陽電池において、前記2枚の導電性基板のうちの少なくとも一方の導電性基板として好適に用いることができる。<表示装置>また、以上で説明した導電性基板10は、対向する2枚の導電性基板と、その間に設けられる発光層とを有する表示装置において、前記2枚の導電性基板のうちの少なくとも一方の導電性基板としても好適に用いることができる。以上、本発明の導電性基板、太陽電池、及び表示装置について説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。また、本発明の導電性基板10の利用分野についていかなる限定もされることはなく、上記で説明した太陽電池以外にも、例えば、OLEDディスプレイ、タッチパネル等のディスプレイや、OLED照明等にも適用可能である。次に、実施例を挙げて、本発明を更に具体的に説明する。なお、文中のは特に断りのない限り質量基準である。実施例1外形サイズ50mm□膜厚125μmのPENフィルム基材の片面全面に、スパッタリング法成膜圧力:0.1Pa、成膜パワー:180W、時間:12分にて厚み300nmでCu膜を形成した。次に、上記Cu膜の全面にドライフィルムレジスト旭化成、サンフォートAQ-1558、ネガ型を0.4kgf/cm2のラミネート圧、温度120°Cにてラミネートし、所定の形状のフォトマスクを介してUV照射を行い、ドライフィルムレジスト上に所望の形状を転写した。その後、0.5wtの炭酸ナトリウム水溶液中にてレジストの未露光部を除去し、所望の形状のレジスト画像を形成した。レジスト画像をマスクとして露出しているCu膜を塩化第2鉄溶液45ボーメで液温50°Cにてハーフエッチングした。Cu膜をエッチングするために要した時間は、2秒であった。その後、2wtの水酸化ナトリウム溶液を用いて液温50°Cでレジスト除去を行い、所定の形状で、膜厚300nmの厚膜部と膜厚20nmの薄膜部を有するCu膜からなる金属層を備える実施例1の導電性基板を得た。なお、スガ試験機株式会社製SMカラーコンピュータ型番:SM-Cを用いて薄膜部の光透過率を測定したところ80であった。次に、実施例1の導電性基板の上面に、導電性高分子ペーストポリ-3,4-エチレンジオキシチオフェン分散品をスピンコート法にて製膜した後に、150°Cで30分間乾燥させ、正孔取出し層膜厚:100nmを形成した。次に、ポリチオフェンP3HT:Poly3-Hexylthiophene-2,5-diylとC60PCBM[6,6]-phenyl-C61-butyricacidmethylesterをブロモベンゼンに溶解させ、固形分濃度1.4wtの光電変換層用塗工液を準備した。次いで、光電変換層用塗工液を正孔取出し層上にスピンコート法にて回転数600rpmの条件で塗布して、光電変換層を形成した。次に、光電変換層上にCa/Al厚み:30nm/200nmを真空蒸着法にて形成して、実施例1の導電性基板を備える有機薄膜太陽電池を作製した。実施例1の導電性基板を備える有機薄膜太陽電池をソーラーシミュレーターにより100mW/cm2、AM1.5Gの条件で太陽電池性能を評価したところ、変換効率はいずれも2.5であり、一つの金属層によって良好な電池特性を示すことが確認できた。つまり、本発明によれば、一つの金属層で良好な電池特性を奏することができることから例えば、太陽電池に適用した場合に電池特性を損なうことなく機能層等の選択の幅を広げることができる。"