粒子表面にケイ化タングステンを有し、ケイ素含有量が0.05~7質量であるタングステン粉。ケイ化タングステンがW5Si3である請求項1に記載のタングステン粉。平均一次粒子径が0.1~1μmである請求項1に記載のタングステン粉。ケイ化タングステンが粒子表面から50nm以内に局在する請求項1に記載のタングステン粉。さらに、表面の一部に、窒化タングステン、炭化タングステン、及びホウ化タングステンから選択される少なくとも1つを有する請求項1に記載のタングステン粉。リン元素の含有量が1~500質量ppmである請求項1に記載のタングステン粉。酸素含有量が0.05~8質量である請求項1に記載のタングステン粉。タングステン、ケイ素、窒素、炭素、ホウ素、リン及び酸素の各元素を除く元素の含有量が0.1質量以下である請求項1に記載のタングステン粉。タングステン粉が造粒粉である請求項1~8のいずれかに記載のタングステン粉。平均粒子径が50~200μmである請求項9に記載のタングステン粉。比表面積が0.2~20m2/gである請求項9または10に記載のタングステン粉。電解コンデンサ用である請求項1~11のいずれかに記載のタングステン粉。請求項1~12に記載のタングステン粉を焼結してなるコンデンサの陽極体。請求項13に記載のコンデンサの陽極体を一方の電極とし、対電極との間に介在する誘電体とから構成された電解コンデンサ。タングステン粉に0.05~7質量のケイ素粉を混合し、減圧下で加熱して反応させることを特徴とする請求項1~12に記載のタングステン粉の製造方法。加熱する温度が1100~2600°Cである請求項15に記載のタングステン粉の製造方法。水素雰囲気下で三酸化タングステンをケイ化金属の粉砕材で粉砕し、さらに、ケイ素粉を混合した後、減圧下で加熱して反応させることを特徴とする請求項1~8に記載のタングステン粉の製造方法。加熱する温度が1100~2600°Cである請求項17に記載のタングステン粉の製造方法。請求項9~11に記載のタングステン粉を焼結することを特徴とするコンデンサの陽極体の製造方法。本発明の目的は、弁作用金属としてタングステン粉の焼結体を陽極体とする電解コンデンサにおける漏れ電流LCの問題を解消し得るタングステン粉、それを用いたコンデンサの陽極体、及びその陽極体を電極として用いた電解コンデンサを提供することにある。本発明者らは、ケイ素含有量が特定の範囲となるように表面の一部をケイ化タングステンとしたタングステン粉の焼結体を陽極体として使用することにより前記の問題点を解消できることを見出し、本発明を完成した。すなわち、本発明は、以下に示すタングステン粉、タングステンの陽極体、電解コンデンサ、タングステン粉の製造方法及びコンデンサの陽極体の製造方法に関する。[1]粒子表面にケイ化タングステンを有し、ケイ素含有量が0.05~7質量であるタングステン粉。[2]ケイ化タングステンがW5Si3である前項1に記載のタングステン粉。[3]平均一次粒子径が0.1~1μmである前項1に記載のタングステン粉。[4]ケイ化タングステンが粒子表面から50nm以内に局在する前項1に記載のタングステン粉。[5]さらに、表面の一部に、窒化タングステン、炭化タングステン、及びホウ化タングステンから選択される少なくとも1つを有する前項1に記載のタングステン粉。[6]リン元素の含有量が1~500質量ppmである前項1に記載のタングステン粉。[7]酸素含有量が0.05~8質量である前項1に記載のタングステン粉。[8]タングステン、ケイ素、窒素、炭素、ホウ素、リン及び酸素の各元素を除く元素の含有量が0.1質量以下である前項1に記載のタングステン粉。[9]タングステン粉が造粒粉である前項1~8のいずれかに記載のタングステン粉。[10]平均粒子径が50~200μmである前項9に記載のタングステン粉。[11]比表面積が0.2~20m2/gである前項9または10に記載のタングステン粉。[12]電解コンデンサ用である前項1~11のいずれかに記載のタングステン粉。[13]前項1~12に記載のタングステン粉を焼結してなるコンデンサの陽極体。[14]前項13に記載のコンデンサの陽極体を一方の電極とし、対電極との間に介在する誘電体とから構成された電解コンデンサ。[15]タングステン粉に0.05~7質量のケイ素粉を混合し、減圧下で加熱して反応させることを特徴とする前項1~12に記載のタングステン粉の製造方法。[16]加熱する温度が1100~2600°Cである前項15に記載のタングステン粉の製造方法。[17]水素雰囲気下で三酸化タングステンをケイ化金属の粉砕材で粉砕し、さらに、ケイ素粉を混合した後、減圧下で加熱して反応させることを特徴とする前項1~8に記載のタングステン粉の製造方法。[18]加熱する温度が1100~2600°Cである前項17に記載のタングステン粉の製造方法。[19]前項9~11に記載のタングステン粉を焼結することを特徴とするコンデンサの陽極体の製造方法。本発明のタングステン粉によれば、従来のタングステン粉や、タングステン合金粉に比較して、容量が同等以上で、容量当たりのLC特性が良好な電解コンデンサを作製することができる。本発明で使用するタングステン粉未加工のタングステン粉は、市販されている。粒径のさらに小さいタングステン粉は、例えば、三酸化タングステン粉を水素雰囲気下で粉砕して、あるいはタングステン酸やハロゲン化タングステンを水素やナトリウム等の還元剤を使用し、還元条件を適宜選択することによって得ることができる。また、タングステン含有鉱物から直接または複数の工程を得て、還元条件を選択することによって得ることもできる。表面の少なくとも一部がケイ化された本発明のタングステン粉は、例えば、タングステン粉にケイ素粉をよく混合し、減圧下で加熱して反応させることにより得ることができる。この方法の場合、ケイ素粉はタングステン粒子表面より反応し、W5Si3等のケイ化タングステンが粒子表層から通常50nm以内に局在して形成される。そのため、一次粒子の中心部は導電率の高い金属のまま残り、コンデンサの陽極体を作製したとき、陽極体の等価直列抵抗を低く抑えられるので好ましい。ケイ化タングステンの含有量はケイ素の添加量により調整することができる。また、いずれのケイ化タングステンであっても、含有量はケイ素含有量を指標とすればよい。本発明のタングステン粉のケイ素含有量は、0.05~7質量が好ましく、0.2~4質量が特に好ましい。この範囲のケイ素含有量のタングステン粉は、LC特性の良好なコンデンサを与え、電解コンデンサ用粉体として好ましいものとなる。ケイ素含有量が0.05質量未満であると、LC性能が良好な電解コンデンサを与える粉にならない場合がある。7質量を超えるとタングステン粉のケイ化部分が多すぎて、該粉を焼結した焼結体を陽極体として化成した場合に、誘電体層がうまく形成できないことがある。前記減圧条件は、101Pa以下、好ましくは103Pa以下で行うと、酸素含有量を好ましい範囲である0.05~8質量にすることができる。反応温度は、1100°C以上2600°C以下が好ましい。使用するケイ素の粒径が小さいほど低温でケイ化が行えるが、1100°C未満であるとケイ化に時間がかかる。2600°Cを超えるとケイ素が気化しやすくなり、それに対応した減圧高温炉のメンテナンスが必要となる。高温に放置する時間は、3分以上2時間未満がよい。使用する減圧高温炉等に合わせた温度と時間の最適な条件は、予備実験で作製した粉体を分析して決定すればよい。タングステン粉は、さらに造粒されていてもよい以下、造粒されたタングステン粉を単に造粒粉ということがある。。電解コンデンサ用の粉体としては、陽極体に細孔を形成しやすくなるので、造粒粉がより好ましい。前述の未造粒の各タングステン粉体以下、一次粉ということがある。を用いて、例えばニオブ粉について特開2003213302号公報に開示されているように細孔分布を調整してもよい。使用するケイ素の形態としては、塊状物や粒状物でもよいが、タングステン粉との混合性を考慮すると粒径が細かい粉体を使用する方が均一混合をしやすく好ましい。タングステン粉と混合したケイ素は、タングステン粉粒子の表層と反応する。通常、表面の少なくとも一部がケイ化されたタングステン粉のケイ化量は、ケイ化反応時のケイ素投入量とほぼ等しい。このため、ケイ化反応時のケイ素投入量は、ケイ化タングステンを有する目的物のタングステン粉のケイ素含有量と同量の0.05~7質量、好ましくは0.2~4質量を目安で行えばよい。三酸化タングステン粉を水素雰囲気下で粉砕材を用いて粉砕し、より細かい粒径の粉体を得ることができる。粉砕材は、ケイ化ジルコニウム、ケイ化タングステン等のケイ化金属製の粉砕材を用いて粉砕することが好ましい。これらのケイ化金属であれば、粉砕材の微細な破片が混入しても得られるコンデンサ特性への影響が少ない。特に、不純物になりにくいケイ化タングステンの粉砕材が好ましい。なお、表面の少なくとも一部がケイ化されたタングステン粉には未反応のタングステン粉が混合されていてもよい。この場合、ケイ素含有量は、両者が混合された状態で前述の範囲であることが好ましい。各種タングステン粉の造粒物は、各粉を減圧下高温で焼結して顆粒状または塊状とし、室温に戻した後にハンマーミル等で解砕して得ることができる。この場合の圧力、温度条件、放置時間などは、前述した減圧下高温で表面の少なくとも一部がケイ化されたタングステン粉を得る条件と同じでもよいが、温度は、それより100~300°C程度高くする方が強度のある造粒粉が得られるので好ましい。また、造粒粉は、一次粉に水等の液体や液状樹脂の少なくとも1種を加えて適当な大きさの顆粒状とした後に、減圧下に加熱し、焼結して得ることもできる。減圧条件や高温放置条件は、前述の範囲内で予備実験により求めることができる。焼結後の顆粒同士の凝集が無ければ、解砕の必要は無い。このような造粒粉は、ふるいで分級して粒径を揃えることができる。平均粒径が好ましくは50~200μm、より好ましくは100~200μmの範囲であれば、電解コンデンサの陽極体として成形する場合、粉が、成形機のホッパーから金型にスムーズに流れるために好都合である。表面の一部をケイ化した平均一次粒子径0.1~1μm、好ましくは0.1~0.3μmのタングステン粉は、特にその造粒粉から作製した電解コンデンサの容量を大きくすることができる。このような造粒粉を得る場合、例えば、前記一次粒子径を調整して、造粒粉の比表面積BET法によるが、好ましくは0.2~20m2/g、より好ましくは1.5~20m2/gになるようにすると、電解コンデンサの容量をより大きくすることができ好ましい。本発明の表面にケイ化したタングステンを有するタングステン粉は、さらに、表面の一部に、窒化タングステン、炭化タングステン、及びホウ化タングステンから選択されるの少なくとも1つを有するものも好ましく用いられる。各種タングステン粉の表面の一部を窒化する方法の一例として、該粉を減圧下に350~1500°Cに置き窒素ガスを数分から数時間通じる方法がある。窒化は、タングステン粉をケイ化するときの高温処理時に行ってもよいし、先に窒化を行ってからケイ化を行ってもよい。さらに一次粉のとき、造粒粉作製後、あるいは焼結体作製後に窒化を行ってもよい。このように、窒化の時期に限定は無いが、好ましくは、工程の早い段階で窒素含有量を0.01~1質量にしておくとよい。窒化により、粉体を空気中で取り扱う際、必要以上の酸化を防ぐことができる。なお、前記窒素含有量には、タングステンと結合している窒素以外に、タングステンと化学結合を有しない窒素例えば固溶している窒素も含まれる。各種タングステン粉の表面の一部を炭化する方法の一例として、該粉を、炭素電極を使用した減圧高温炉中で300~1500°Cに数分から数時間置く方法がある。温度と時間を選択することにより、炭素含有量が0.001~0.5質量になるように炭化することが好ましい。炭化の時期は、前述した窒化の時期と同様である。炭素電極炉で窒素を所定条件で通じると、炭化と窒化が同時に起こり、表面の一部をケイ化、窒化、炭化したタングステン粉を作製することも可能である。表面の一部をケイ化したタングステン粉の表面の一部をホウ化する方法の一例として、該粉を造粒するときにホウ素元素やホウ素元素を有する化合物をホウ素源として置き、造粒する方法がある。含有量が0.001~0.1質量になるようにホウ化するのが好ましい。この範囲であれば良好なLC特性が得られる。ホウ化の時期は、前述した窒化の時期と同様である。窒化した粉を炭素電極炉に入れ、ホウ素源を置き造粒を行うと、表面の一部をケイ化、窒化、炭化、ホウ化したタングステン粉を作製することも可能である。所定量のホウ化を行うと、さらにLCが良くなる場合がある。表面の少なくとも一部がケイ化したタングステン粉に、窒化したタングステンテン粉、炭化したタングステン粉、ホウ化したタングステン粉の少なくとも1種を加えてもよい。この場合でも、ケイ素、窒素、炭素およびホウ素の各元素については、それぞれ前述した含有量の範囲内に収まるように配合することが好ましい。前述した窒化、炭化、ホウ化の方法では、各表面の一部がケイ化したタングステン粉を対象として行う場合を説明したが、先に窒化、炭化、ホウ化の少なくとも1つを行ったタングステン粉に、さらに表面の一部をケイ化してもよい。表面の少なくとも一部がケイ化されたタングステン粉に窒化、炭化、ホウ化の少なくとも1つを行ったタングステン粉にタングステン単独粉を混合してもよいが、ケイ素、窒素、炭素およびホウ素の各元素については、それぞれ前述した含有量の範囲内に収まるように配合することが好ましい。本発明のタングステン粉の酸素含有量は、0.05~8質量であることが好ましく、0.08~1質量であることがより好ましい。酸素含有量を0.05~8質量にする方法としては、表面の少なくとも一部がケイ化されたタングステン粉、さらに、表面の一部を窒化、炭化、ホウ化の少なくとも1つを行ったタングステン粉の表面を酸化する方法がある。具体的には各粉の一次粉作製時や造粒粉作製時の減圧高温炉からの取り出し時に、酸素を含有した窒素ガスを投入する。この時、減圧高温炉からの取り出し温度が280°C未満であると窒化よりも酸化が優先して起こる。徐々にガスを投入することにより所定の酸素含有量にすることができる。前もって各タングステン粉を所定の酸素含有量にしておくことにより、該粉を使用して後々の電解コンデンサの陽極体を作製する工程中での不規則な過度の酸化劣化を緩和することができる。酸素含有量が前記範囲内であれば、作製した電解コンデンサのLC特性をより良好に保つことができる。この工程で窒化をしない場合には、窒素ガスの代わりにアルゴンやヘリウムガス等の不活性ガスを使用してもよい。本発明のタングステン粉はリン元素の含有量が1~500質量ppmであることが好ましい。表面の少なくとも一部がケイ化されたタングステン粉、さらに、表面の一部を窒化、炭化、ホウ化、酸化の少なくとも1つを行ったタングステン粉に、リン元素を1~500質量ppm含有させる方法の1例として、各粉の一次粉作製時や造粒粉作製時に、減圧高温炉中にリンやリン化合物をリン化源として置いてリンを含有する粉を作製する方法がある。リン化源の量を調整するなどして、前述の含有量となるようにリンを含有させると、陽極体を作製したときの陽極体の物理的破壊強度が増加する場合があるので好ましい。この範囲であれば、作製した電解コンデンサのLC性能がさらに良好になる。表面の少なくとも一部がケイ化されたタングステン粉では、より良好なLC特性を得るために、ケイ素、窒素、炭素、ホウ素、酸素およびリンの各元素以外の不純物元素の含有量については、合計0.1質量以下に抑えることが好ましい。これらの元素を前記含有量以下に抑えるためには、原料や、使用粉砕材、容器等に含まれる不純物元素量を詳細に吟味する。本発明のタングステン粉を焼結して、コンデンサの陽極体が得られる。さらに、前記陽極体を一方の電極陽極とし、対電極陰極との間に介在する誘電体とから電解コンデンサが形成される。以下に実施例及び比較例を挙げて本発明を説明するが、下記の記載により本発明は何ら限定されるものではない。本発明において、粒子径、比表面積、及び元素分析は以下の方法で測定した。粒子径は、マイクロトラック社製HRA9320-X100を用い、粒度分布をレーザー回折散乱法で測定し、その累積体積が、50体積に相当する粒径値D50;μmを平均粒径とした。なお、この方法では二次粒子径が測定されるが、一次粉の場合、通常分散性は良いので、この測定装置で測定される一次粉の平均粒径はほぼ平均一次粒子径とみなせる。比表面積は、NOVA2000ESYSMEX社を用いBET法で測定した。元素分析は、ICPS8000E島津製を用いICP発光分析を行った。実施例1:タングステン酸を水素気流中980°Cで還元して平均粒径0.5μm、比表面積0.3m2/gのタングステンの一次粉を得た。この粉に、別途用意した市販ケイ素粉平均粒径1μmを4.8質量混合し、タングステン製の容器に入れて、モリブデン電極の減圧高温炉中、3×104Pa下で1320°Cに20分放置し、その後室温になるまで放冷し、常圧に戻した。その後、ハンマーミルで解砕し、目開き320μmの篩により粗粒を除き、タングステン造粒粉を得た。得られた造粒粉は、平均粒径120μm、比表面積0.2m2/gであった。得られた造粒粉を元素分析したところ、ケイ素が4.8質量、酸素0.95質量、その他の不純物元素はいずれも350質量ppm以下であった。また、X線回析装置XpertPROPANalytical製で造粒粉を分析したところ、造粒粉の粒子表面より反応物としてケイ化タングステンが検出された。検出されたケイ化タングステンのほとんどがW5Si3であった。また造粒粉をスパッタリングして同様に分析したところ、反応物のケイ化タングステンは造粒粉の粒子表面から30nmまでの範囲に存在することがわかった。すなわち、ケイ素が造粒粉の表層の少なくとも一部で、ケイ化タングステンとして存在することが確認された。実施例2~5及び比較例1~2:実施例1でケイ素の混合量を変更した以外は実施例1と同様にしてタングステン造粒粉を得た。各例の平均粒径および比表面積は実施例1と同様であった。各例で得られた造粒粉は、ケイ素および酸素の含有量について表1の結果となり、その他の不純物元素はいずれも350質量ppm以下であった。実施例6:市販の三酸化タングステン粉、該三酸化タングステン粉の25倍質量の粉砕材直径1mmのケイ化タングステンボール、及び水を固形部が沈む程度に、それぞれ三井鉱山社製粉砕機アトライターに入れ、水素気流下、700°Cで5時間粉砕した。粉砕材を除去後、水を蒸発させ、平均粒径0.3μm、比表面積2.3m2/gのタングステンの一次粉を得た。ついで、市販ケイ素粉平均粒径1μmを3.7質量となるように加えてよく混合し、減圧高温炉に入れ、7×104Pa下、1360°Cに20分間放置した。降温の途中1000°Cで、炉に窒素ガスを10KPaになるように入れ、10分間保った。最後に、室温で酸素5体積、窒素95体積の混合ガスを常圧で1時間炉中に通してから炉外に取り出した。その後、ハンマーミルで解砕し、目開き320μmの篩により粗粒を除き、タングステン造粒粉を得た。得られた造粒粉は、平均粒径100μm、比表面積1.6m2/g、ケイ素が3.7質量、酸素が880質量ppm、窒素が0.15質量、その他の不純物元素はいずれも260質量ppm以下であった。実施例7:塩化タングステンを400°Cで気相水素還元することにより、平均粒径0.1μm、比表面積9.6m2/gのタングステンの一次粉を得た。別途用意したステアリン酸0.3gをトルエン3gに溶かした液にタングステン粉20gをよく混合して平均粒径160μmの顆粒状の混合物を得た。得られた顆粒状の混合物に、リン酸を0.05質量になるように加え、さらに、平均粒径1μmのケイ素粉0.1gを加えてよく混合し、実施例1で使用した減圧高温炉に入れ、1×103Pa以下で1340°Cに20分放置し、その後放冷して室温にしてから常圧に戻した。このようにして得たタングステン造粒粉は、平均粒径180μm、比表面積8.8m2/gであり、ケイ素が0.5質量、酸素が0.33質量、炭素が300質量ppm、リンが100質量ppm、その他の不純物元素はいずれも150質量ppm以下であった。実施例8:実施例4で造粒粉を作製する前に、あらかじめタングステンの一次粉に対し、ホウ素が0.03質量の添加量になるようにホウ素溶液20質量硝酸水溶液にホウ素を0.1質量となるように溶解した溶液を加えて混合し、次に、260°Cの温度、7×102Paの減圧下2時間放置して乾燥し室温に戻した。このように処理をしたタングステン粉を用いて、実施例4と同様にしてケイ素を混合し、タングステン造粒粉を得た。ただし、モリブデン電極の減圧高温炉の温度を1420°Cとした。得られた造粒粉は、平均粒径120μm、比表面積0.2m2/gであり、ケイ素が0.5質量、酸素が1.05質量、窒素が400質量ppm、ホウ素が280質量ppm、その他の不純物元素はいずれも350質量ppm以下であった。実施例9:実施例6で、混合ガスを炉中に通さずに炉外に取り出した以外は実施例6と同様にしてタングステン造粒粉を作製した。平均粒径100μm、比表面積1.6m2/gのタングステン造粒粉を得た。得られた造粒粉は、ケイ素が3.7質量、酸素が5.4質量、窒素が0.13質量、その他の不純物元素はいずれも350質量ppm以下であった。実施例10:実施例7で顆粒状の混合物を作るときに、ステアリン酸のトルエン溶液の代わりに、平均粒径1μmのケイ素粉0.1gを分散させた水50mlを使用し、さらにリン酸を加えなかった以外は実施例7と同様にして平均粒径180μm、比表面積8.8m2/gのタングステン造粒粉を得た。得られた造粒粉は、ケイ素が0.5質量、酸素が3.1質量、その他の不純物元素はいずれも550質量ppm以下であった。実施例11:実施例8で、ホウ素が0.055質量の添加量になるようにホウ素溶液を加えた以外は実施例8と同様にして造粒粉を得た。得られた造粒粉は、平均粒径120μm、比表面積0.2m2/gであり、ケイ素が0.5質量、酸素が1.05質量、窒素が400質量ppm、ホウ素が490質量ppm、その他の不純物元素はいずれも350質量ppm以下であった。実施例12:実施例8でホウ素が0.005質量の添加量になるようにホウ素溶液を加えた以外は実施例8と同様にして造粒粉を得た。得られた造粒粉は、平均粒径120μm、比表面積0.2m2/gであり、ケイ素が0.5質量、酸素が1.1質量、窒素が400質量ppm、ホウ素が2質量ppm、その他の不純物元素はいずれも350質量ppm以下であった。実施例13:実施例7で加えるリン酸を0.3質量になるように加えた以外は実施例7と同様にして造粒粉を得た。得られた造粒粉は、平均粒径180μm、比表面積8.8m2/gであり、ケイ素が0.5質量、酸素が3.5質量、炭素が300質量ppm、リンが480質量ppm、その他の不純物元素はいずれも150質量ppm以下であった。実施例14:実施例7で加えるリン酸を0.005質量になるように加えた以外は実施例7と同様にして造粒粉を得た。得られた造粒粉は、平均粒径180μm、比表面積8.8m2/gであり、ケイ素が0.5質量、酸素が3.3質量、炭素が300質量ppm、リンが2質量ppm、その他の不純物元素はいずれも150質量ppm以下であった。比較例3:市販のタングステン粉に、1質量となるようにジルコニウム粉をよく混合し、るつぼに入れ、真空アーク溶解炉中で合金化した。この合金を実施例6で使用した粉砕機を用い、粉砕剤をタングステンボールとして粉砕し、乾燥して平均粒径0.5μm、比表面積0.3m2/gのタングステン-ジルコニウム合金の一次粉を得た。その後、ケイ素を加えなかった以外は、実施例1と同様にしてタングステン-ジルコニウム合金の造粒粉を得た。得られた造粒粉は、平均粒径120μm、比表面積0.2m2/g、ジルコニウムが1質量、酸素が1質量、その他の不純物元素はいずれも440質量ppm以下であった。比較例4:実施例1でケイ素の代わりに平均粒径1μmの二酸化ケイ素粉を1質量混合した以外は、実施例1と同様にして造粒粉を得た。得られた造粒粉は、ケイ素が0.5質量、酸素が1.4質量、その他の不純物元素はいずれも350質量ppm以下であった。ただし、実施例1と同様にケイ化タングステンの分析を行ったがケイ化タングステンは検出されず、また、SEM観察から二酸化ケイ素粒子がタングステン粒子間に孤立して存在していることがわかった。以上の各例で作製した造粒粉を成形して大きさ1.8×3.0×3.5mmの成形体を作製した。この成形体には、直径0.29mmのタンタル線が1.8×3.0面に垂直に植立していて、内部に2.8mm埋設され、外部に8mm出ている。この成形体を、前記したモリブデン電極の減圧高温炉中、1400°Cで30分間真空焼結して質量145mgの焼結体を得た。得られた焼結体を電解コンデンサの陽極体として用いた。陽極体を0.1質量のリン酸水溶液中で9Vで2時間化成し、陽極体表面に誘電体層を形成した。誘電体層を形成した陽極体を、白金黒を陰極とした30硫酸水溶液中に漬け、電解コンデンサを形成し、容量及びLC値を測定した。容量は、アジレント製LCRメーターを用い、室温、120Hz、バイアス2.5V値での値で測定した。LC値は、室温で2.5Vを印加して30秒後に測定した。各実施例各比較例の結果を表1に示した。表1から、実施例の電解コンデンサの容量当たりのLC特性は比較例に比べて優れていることが分かる。