"第1のリードと、第2のリードと、第1のリード及び第2のリードと一体的に成形されてなる樹脂成形体とを有してなる半導体発光装置用樹脂パッケージであって、該樹脂パッケージは底面と側面とを有する凹部が形成されており、その凹部の底面から第1のリード及び第2のリードが露出しているとともに、該樹脂パッケージが半導体発光素子を載置するための基台を有しており、かつ前記樹脂成形体は、Aポリオルガノシロキサン、B一次粒子のアスペクト比が1.2以上4.0以下、一次粒子径が0.1μm以上2.0μm以下の白色顔料、およびC硬化触媒を含有する組成物から形成されていることを特徴とする半導体発光装置用樹脂パッケージ。前記B白色顔料の二次粒子の中心粒径が、0.02μm以上5μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置用樹脂パッケージ。前記B白色顔料が、アルミナ及び/又はチタニアであることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光装置用樹脂パッケージ。前記樹脂成形体を形成する組成物が、フィラー、拡散剤、蛍光物質、反射性物質、遮光性物質、紫外線吸収剤、及び酸化防止剤からなる群から選ばれる少なくとも1種の材料を含む組成物であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体発光装置用樹脂パッケージ。前記樹脂成形体が、液状射出成形LIM法により成形されたものであることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体発光装置用樹脂パッケージ。半導体発光装置用樹脂パッケージ凹部の側面末端部分が、稜角部を有していないことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体発光装置用樹脂パッケージ。前記基台の底面が、半導体発光装置用樹脂パッケージから露出されていることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体発光装置用樹脂パッケージ。請求項1から7のいずれか1項に記載の半導体発光装置用樹脂パッケージの基台に半導体発光素子が載置され、該発光素子が第1及び第2のリードと電気的に接続されており、かつ前記発光素子が、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂及びアクリレート樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1種の樹脂を主成分として含む組成物からなる封止材により封止されていることを特徴とする半導体発光装置。前記封止材が、フィラー、拡散剤、蛍光物質、反射性物質、紫外線吸収剤及び酸化防止剤からなる群から選ばれる少なくとも1種の材料を含む組成物から形成されていることを特徴とする請求項8に記載の半導体発光装置。前記第1のリード又は第2のリードに保護素子が載置されていることを特徴とする請求項8又は9に記載の半導体発光装置。第1のリードと第2のリードとを一体成形してなる、底面と側面とを持つ凹部が形成された、基台を有する半導体発光装置用樹脂パッケージの製造方法であって、上金型及び/又は下金型が該樹脂パッケージの形状に対応する凹みを形成しており、第1のリード電極は第1のインナーリード部と第1のアウターリード部とを有しており、第2のリード電極は第2のインナーリード部と第2のアウターリード部を有しており、かつ樹脂パッケージの凹部の底面に相当する第1のインナーリード部と第2のインナーリード部並びに第1のアウターリード部と第2のアウターリード部を上金型と下金型とで挟み込む第1の工程と、上金型と下金型の前記凹みで形成される空間部分に、Aポリオルガノシロキサン、B一次粒子のアスペクト比が1.2以上4.0以下、一次粒子径が0.1μm以上2.0μm以下の白色顔料、およびC硬化触媒を含む液状熱硬化性樹脂組成物を射出して充填する第2の工程と、充填された熱硬化性樹脂を加熱して硬化し、樹脂パッケージを成形する第3の工程と、を少なくとも有し、かつ、前記基台は下記i,iiのいずれかの方法で形成されることを特徴とする、液状射出成形法による半導体発光装置用樹脂パッケージの製造方法。i前記第1の工程にて、前記第1のリード及び第2のリードに加えて基台も金型内に挿入されて一体成形する方法ii前記上金型及び/又は下金型が該基台の形状に対応する凸部を更に有しており、それにより形成された成形体の空洞部分に前記第3の工程後に基台を嵌入する方法第2の工程が、液状射出成形機を用いて行われ、かつ、射出成形圧力が10kg/cm2以上1200kg/cm2以下であることを特徴とする請求項11に記載の樹脂パッケージの製造方法。第2の工程が、液状射出成形機を用いて行われ、かつ、液状射出成形機のシリンダー温度が0°C以上100°C以下であることを特徴とする請求項11又は12に記載の樹脂パッケージの製造方法。液状射出成形時の硬化温度及び時間がそれぞれ、120°C以上230°C以下及び3秒以上10分間以下であることを特徴とする請求項11から13のいずれか1項に記載の樹脂パッケージの製造方法。液状射出成形に用いるAポリオルガノシロキサン、B一次粒子のアスペクト比が1.2以上4.0以下、一次粒子径が0.1μm以上2.0μm以下の白色顔料、およびC硬化触媒を含有する液状熱硬化性樹脂組成物の粘度が、25°C、剪断速度100/sの条件で、10Pas以上10000Pas以下である請求項11から14のいずれか1項に記載の樹脂パッケージの製造方法。請求項1から7のいずれか1項に記載の樹脂パッケージを用いる半導体発光装置の製造方法であって、前記樹脂パッケージの基台に半導体発光素子を載置し、該発光素子の第1の電極と第1のインナーリードとを電気的に接続し、かつ該発光素子の第2の電極と第2のインナーリードとを電気的に接続する第1の工程と、該樹脂パッケージの凹部に、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂及びアクリレート樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1種の樹脂を主成分として含む組成物を装入する第2の工程と、前記組成物を加熱して硬化し、発光素子を封止する第3の工程と、を有することを特徴とする、半導体発光装置の製造方法。前記第1のリード又は第2のリードに、保護素子を載置する工程を、前記第1の工程の前又は後に有することを特徴とする請求項16に記載の半導体発光装置の製造方法。従来より用いられている熱可塑性樹脂による射出成形法は生産性のよさが利点であったが、これを半導体発光装置用パッケージに適用しようとすると、樹脂が高粘度である上に、反射材料として白色顔料を配合すると組成物の粘度がさらに高くなって流動性が低下するため、白色顔料の添加量をあまり多くすることはできなかった。また、従来この用途に用いられる熱可塑性樹脂は高いガラス転移温度Tgを確保するために紫外吸収があり耐熱耐光性に劣る芳香族成分を多く含むので、屈折率が高くなり、従って用いることができる白色顔料もバインダ樹脂との屈折率差が大きく少量添加にて高い反射率を得られるチタニア等に限られていた。チタニアは可視光領域において少量にて高い反射率が得られるが、紫外領域に吸収があるため青~紫外領域においては反射率が低くなる。この結果、射出成形に用いるためには芳香族基含有樹脂チタニアに代表される組成しか選択できず、結果的に耐熱耐光性が劣り、反射率の低いパッケージしか得ることができなかった。一方で、特許文献1に開示されたトランスファー成形法では、室温で固形状の原料組成物が用いられるため、芳香族成分を用いることなく極性基や剛直な有機基を多く含む熱硬化性樹脂組成物や半硬化状のエポキシ化合物を用いることができる。しかしながら得られる硬化物は有機骨格主体の樹脂であるため耐熱性は十分とはいえなかった。またこれらの熱硬化性樹脂の屈折率も高いため、やはり反射材としてはチタニアを主体に使用する組成しか選択できず、広い波長域において高い反射率を有するパッケージを得ることは困難であった。また、トランスファー成形は射出成形と比較して成形サイクルが長く、大量生産には不向きで、成形品の形状選択の自由度にも課題があった。更に、多数個を1回のショットで製造するためには高価なダイサーを必要とするなど、設備投資面での問題もあった。また、特許文献2のパッケージにおいても、樹脂そのものは従来と同様なものが用いられており、樹脂本体の性質に由来する前記と同様の問題が解決されたとは言い難い。本発明は、上述の従来技術の課題を解決し、耐熱耐光性に優れ、広い波長範囲において薄肉でも高い反射率を有し、成形性、放熱性、量産性に優れた半導体発光装置用パッケージ、該パッケージを備えた半導体発光装置、及びそれらの製造方法を提供することを目的とする。本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、下記の発明が上記目的に合致することを見出し、本発明に至った。本発明の半導体発光装置用パッケージは、第1のリードと、第2のリードと、第1のリード及び第2のリードと一体的に成形されてなる樹脂成形体とを有してなる半導体発光装置用樹脂パッケージであって、該樹脂パッケージは底面と側面とを有する凹部が形成されており、その凹部の底面から第1のリード及び第2のリードが露出しているとともに、該樹脂パッケージが半導体発光素子を載置するための基台を有しており、かつ前記樹脂成形体は、Aポリオルガノシロキサン、B一次粒子のアスペクト比が1.2以上4.0以下、一次粒子径が0.1μm以上2.0μm以下の白色顔料、およびC硬化触媒を含有する組成物から形成されていることを特徴とする。本発明において、樹脂成形体とは、半導体発光装置用樹脂組成物を成形して得られるものをいい、半導体発光装置用パッケージ以下、単にパッケージと記載する場合がある。とは、導電性金属であるリードと樹脂成形体の原料である半導体発光装置用樹脂組成物とが一体的に成形されたものである。また、半導体発光装置とは、上記半導体発光装置用パッケージと、半導体発光素子以下、単に発光素子と記載する場合がある。及び該半導体発光素子を被覆する封止材等を含む発光装置である。また、本発明においてリードは、いわゆるリード線、即ち、導電配線の他に、所謂リードフレームといわれる、電気的な接続に用いられる板状その他の任意の形状に成形された導電体をも含むものである。また、インナーリード部は、リードの中で樹脂成形体の内側に設置される部分をいう。インナーリード部は、樹脂成形体の凹部底面から少なくともその一部が露出しており、露出部において発光素子の電極と電気的に接続される。アウターリード部は樹脂成形体の凹部が形成された面以下主面ということがあると反対の面以下裏面ということがあるまたは樹脂成形体から外部に露出するリードの部分をいい、放熱効率の向上と外部電極との電気的接続に用いられ、このアウターリード部を所定の長さとして折り曲げて使用する等により、照明器具等にそのまま実装することも可能となる。本発明の半導体発光装置用パッケージは、樹脂成形体部分に上記熱硬化性シリコーン樹脂組成物を用いていることにより、成形性、耐熱性、耐光性、密着性、反射率等に優れる。また、発光素子を載置しやすい構造とすることができる。また、該樹脂パッケージは、半導体発光素子が基台に載置されているため、基台の材質を選ぶことで半導体発光素子から発生する熱を外部に効率よく放熱することができ、また、半導体発光素子の直下に剛直な基台を設けることにより、超音波熱圧着サーモソニック方式で半導体発光素子をワイヤボインディングする際に、超音波が樹脂成形体に吸収されることが少なく、半導体発光素子の電極とボインディングワイヤの接着強度が高くなるので、実装時の安定性も良好になる。また、該樹脂パッケージは底面と側面とを有する凹部が形成されており、その凹部の底面から第1のリード及び第2のリードが露出しているため、発光素子から発生する熱を外部に効率よく放熱することができる。なお、樹脂成形体を形成する熱硬化性シリコーン樹脂組成物に含まれる、Aポリオルガノシロキサン、B白色顔料、及びC硬化触媒の詳細ついては、実施形態の説明にて記載する。前記B白色顔料の二次粒子の中心粒径が、0.02μm以上5μm以下であることが好ましい。このようなB白色顔料を使用することにより、反射特性及び液状射出成形時の成形性に優れ、かつ、成形に適した粘度に調整し易く、金型の摩耗が少ない樹脂組成物を得ることができる。また、より反射特性に優れた半導体発光装置用パッケージを得るためには、前記B白色顔料が、アルミナ及び/又はチタニアであることが好ましい。前記樹脂成形体に要求される性能に応じて前記樹脂成形体を形成する組成物には、種々の物質を添加することができる。中でも、前記樹脂成形体を形成する組成物が、フィラー、拡散剤、蛍光物質、反射性物質、遮光性物質、紫外線吸収剤、及び酸化防止剤からなる群から選ばれる少なくとも1種の材料を含む組成物であることが好ましい。また、前記樹脂パッケージは、液状射出成形LIM法により成形されたものであることが好ましい。液状射出成形LIM法による成形は連続的な成形が可能であることから大量生産に適し、無駄な硬化物が発生せず二次加工が不要すなわちバリが発生しにくいであり、樹脂成形体の成形工程の自動化、成形サイクルの短縮化、成形品のコスト削減が可能になる等大きなメリットがある。LIM成形とトランスファー成形とを比較すると、LIM成形は、成形体形状の自由度が高く、単位生産量あたりの成形機および金型価格が比較的安価であるというメリットがある。半導体発光装置用樹脂パッケージ凹部の側面末端部分は、稜角部を有していないことが好ましい。このような構造とすることにより、硬化した成形体の金型からの脱離が容易になる。また、基台の底面が、半導体発光装置用樹脂パッケージから露出されていることが好ましい。本発明の半導体発光装置は、上記半導体発光装置用樹脂パッケージの基台に半導体発光素子が載置され、該発光素子が第1及び第2のリードと電気的に接続されており、かつ前記発光素子が、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ポリアミド樹脂、ウレタン樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1種の樹脂を主成分として含む組成物からなる樹脂層により封止されていることを特徴とする。前記樹脂層が、フィラー、拡散剤、蛍光物質、反射性物質、紫外線吸収剤、及び酸化防止剤からなる群から選ばれる少なくとも1種の材料を含む組成物から形成されていることが好ましい。また、前記第1のリード又は第2のリードに保護素子が載置されていることが好ましい。本発明の半導体発光装置用樹脂パッケージの製造方法は、第1のリードと第2のリードとを一体成形してなる、底面と側面とを持つ凹部が形成された基台を有する、液状射出成形法による半導体発光装置用樹脂パッケージの製造方法であって、上金型及び/又は下金型が該樹脂パッケージの形状に対応する凹みを形成しており、第1のリード電極は第1のインナーリード部と第1のアウターリード部とを有しており、第2のリード電極は第2のインナーリード部と第2のアウターリード部を有しており、かつ樹脂パッケージの凹部の底面に相当する第1のインナーリード部と第2のインナーリード部並びに第1のアウターリード部と第2のアウターリード部を上金型と下金型とで挟み込む第1の工程と、上金型と下金型の前記凹みで形成される空間部分に、Aポリオルガノシロキサン、B一次粒子のアスペクト比が1.2以上4.0以下、一次粒子径が0.1μm以上2.0μm以下の白色顔料、およびC硬化触媒を含む液状熱硬化性樹脂組成物を射出して充填する第2の工程と、充填された熱硬化性樹脂を加熱して硬化し、樹脂パッケージを成形する第3の工程と、を少なくとも有し、かつ、前記基台は下記i,iiのいずれかの方法で形成されることを特徴とする。i前記第1の工程にて、前記第1のリード及び第2のリードに加えて基台も金型内に挿入されて一体成形する方法ii前記上金型及び/又は下金型が該基台の形状に対応する凸部を更に有しており、それにより形成された成形体の空洞部分に前記第3の工程後に基台を嵌入する方法これにより、液状熱硬化性シリコーン樹脂組成物を射出成形する第2及び第3の工程における、リードのばたつきを抑制することができ、バリの発生がない樹脂成形体を製造することができる。また、液状射出成形法によって樹脂成形体を形成するため、複雑な形状の凹部を有する樹脂成形体を製造することができ、さらには連続的な成形が可能であることから大量生産に適し、バリが発生しにくいため二次加工が不要であり、樹脂成形体の成形工程の自動化、成形サイクルの短縮化、成形品のコスト削減が可能になるという利点がある。また、発光素子を載置する部分に相当する第1のインナーリード部を露出することができ、また、凹部の底面にリードを露出させることで、放熱性を向上させることができる。本発明の製造方法において、第2の工程が、液状射出成形機を用いて行われ、かつ、射出成形圧力が10kg/cm2以上1200kg/cm2以下であることが好ましく、より好ましくは100kg/cm2以上2000kg/cm2以下、さらに好ましくは200kg/cm2以上1600kg/cm2以下、特に好ましくは370kg/cm2以上1200kg/cm2以下である。本発明の製造方法において、第2の工程が、液状射出成形機を用いて行われ、かつ、液状射出成形機のシリンダー温度が0°C以上100°C以下であることが好ましい。液状射出成形時の硬化温度及び時間がそれぞれ、120°C以上230°C以下及び3秒以上10分間以下であることが好ましい。また、液状射出成形に用いるAポリオルガノシロキサン、B一次粒子のアスペクト比が1.2以上4.0以下、一次粒子径が0.1μm以上2.0μm以下の白色顔料、およびC硬化触媒を含有する液状熱硬化性樹脂組成物の粘度が、25°C、剪断速度100/sの条件で、10Pas以上10000Pas以下であることが好ましい。本発明の半導体発光装置の製造方法は、上記の樹脂パッケージを用いる半導体発光装置の製造方法であって、前記樹脂パッケージの基台に半導体発光素子を載置し、該発光素子の第1の電極と第1のインナーリードとを電気的に接続し、かつ該発光素子の第2の電極と第2のインナーリードとを電気的に接続する第1の工程と、該樹脂パッケージの凹部に、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂及びアクリレート樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1種の樹脂を主成分として含む組成物を装入する第2の工程と、前記組成物を加熱して硬化し、発光素子を封止する第3の工程と、を有することを特徴とする。また、本発明の半導体発光装置の製造方法において、前記第1のリード又は第2のリードに、保護素子を載置する工程を、前記第1の工程の前又は後に有することが好ましい。本発明によれば、耐久性耐光性、耐熱性が高く、かつ優れた反射率によりLED出力を向上させることが可能な半導体発光装置用パッケージ及び該パッケージを備えた半導体発光装置が提供される。以下、本発明に係る半導体発光装置用樹脂パッケージ及び半導体発光装置並びそれらの製造方法を、実施形態及び実施例を用いて説明する。<1.半導体発光装置の概要>半導体発光装置の概要を図1を例にして説明する。図1は、半導体発光装置の一例を示す概略断面図である。図2は、その概略平面図である。なお、図1は、図2のA-Aの概略断面図である。図1の半導体発光装置1は、樹脂パッケージ10と、パッケージ10に載置される発光素子20と、発光素子20を被覆する封止材30とを有する。パッケージ10は、基台10aと、第1のリード11及び第2のリード12と、半導体発光装置用樹脂成形体13を一体的に成形してなる。発光素子20は、同一面側に正負一対の第1の電極21と第2の電極22とを有しており、それぞれの電極が、第1のリード11及び第2のリード12と電気的に接続されている。図1の半導体発光装置1においては、同一面側に正負一対の電極を有するものについて説明するが、発光素子と基台の間に導電性の表面を有するサブマウントを設け、このサブマウントと第1のリードとをワイヤボインディングしたり、又は金属製の基台と第1のリードをワイヤボインディングしたりすることにより発光素子の上面と下面とから正負一対の電極を有するものを用いることもできる。封止材30は、発光素子20を被覆するようにパッケージ10の凹部14内に装入される。封止材30は、熱硬化性樹脂あるいは熱硬化性樹脂を主成分とする組成物以下、封止材用熱硬化性樹脂組成物と総称する。を用いており、発光素子20の光を直接利用する場合には透明封止するが、発光素子20の光を任意の波長に変換する場合には、通常、蛍光体を含有している。以下、半導体発光装置の各構成部材について詳細に説明する。<2.半導体発光装置用パッケージ><2.1.パッケージ概要>上述のように半導体発光装置用パッケージ10は、基台10aと、第1のリード11及び第2のリード12と、樹脂成形体13とから構成されている。第1のリード11は第1のインナーリード部11aと第1のアウターリード部11bとを有している。第1のインナーリード部11aは、その一部が凹部14の底面14aから露出しており、発光素子20が持つ第1の電極21とワイヤ40を介して電気的に接続されている。第1のリード11は、樹脂成形体13の側面外側に露出する第1のアウターリード部11bを有しており、第1のアウターリード部11bは、外部電極図示せずと電気的に接続される。そのため、材質としては、金属等の導電性部材を用いる。第2のリード12は第2のインナーリード部12aと第2のアウターリード部12bとを有している。第2のインナーリード部12aは、その一部が凹部14の底面14aから露出しており、発光素子20が持つ第2の電極22とワイヤ40を介して電気的に接続されている。第2のリード12は、樹脂成形体13の側面外側に露出する第2のアウターリード部12bを有しており、第2のアウターリード部12bは、外部電極図示せずと電気的に接続されるため、材質としては、金属等の導電性部材を用いる。なお、基台10aと、第1のリード11及び第2のリード12とが短絡しないように、裏面側において基台10aと、第1のリード11及び第2のリード12との近接する部分の表面には、絶縁体50a,50bが設けられている。また、第1のインナーリード部11aと第2のインナーリード部12aの裏面は露出せずパッケージの一部である樹脂成形体用樹脂組成物に覆われ一体的に成形されていてもよい。パッケージ10には、底面14aと側面14bとを含む凹部14が形成されている。図1、2に示すように底面14aは、基台10aの上面、第1のインナーリード部11a及び第2のインナーリード部12aのそれぞれ一部、及び、樹脂成形体13の連結部13a,13bからなり、また、側面14bは、樹脂成形体13に形成された開口した連通穴の壁面からなる。なお、凹部14の開口部は、底面14aよりも広口になっており、樹脂成形体13で形成される側面14bには傾斜が設けられていることが好ましい。凹部14は、開口方向に広口となるように傾斜を設けられている。これにより開口方向への光の取り出し効率を向上することができる。ただし、傾斜を設けず、円筒形状の凹部とすることもできる。また、傾斜面は平滑な方が好ましいが凹凸を設けることもできる。凹凸を設けることにより樹脂成形体13と封止材30との界面の密着性を向上することができる。凹部14の傾斜角度は、底面から95°以上150°以下が好ましいが、100°以上120°以下が特に好ましい。また、側面14bの末端部分が、稜角部を有していないことが好ましい。このような構成とすることにより、硬化後の成形品の金型からの剥離脱型が容易になる。なお、パッケージ10の主面側の形状は矩形であるが、楕円、円形、五角形、六角形等とすることもできる。凹部14の主面側の形状は、円~楕円であるが、矩形、五角形、六角形等とすることも可能である。必要に応じて、カソードマークを付けてもよい。以下、パッケージ10の各構成要素につき、詳細に説明する。<2.2.基台>基台10aは、発光素子20をパッケージ10に載置させるための台である。発光素子20は通常、ダイボンド部材を介して基台10aに載置されている。基台10aは樹脂成形体を成形する際に、リードと共に金型内に挿入して一体的に成形されていてもよく、また、樹脂成形体とリードとを一体成形する際に基台を挿入すべき箇所が空洞になるように成形して、成形後に別途基台10aを該空洞部に嵌入してもよい。前者の基台の例としては基台10aがリードの一部として、該リードと同じ素材で形成で形成されたもの、リードに別素材の基台が支持されるもの、配線基板のスルーホール貫通孔に熱伝導性ペーストが埋設されて基台10aが形成されたもの等が挙げられる。また、後者の例としては精密鋳造により、個片成形された金属製基台などが挙げられる。基台10aをリードに設けられた支持部に結合して固定した後、インサート成形にて一体成形すると、それぞれ個別に挿入してインサート成形した場合に比べて、リードと基台との位置関係を安定に維持することができる。また、基台を空洞部に後から挿入する場合よりも基台のパッケージからの脱着を防ぐことができる。さらに基台支持部を用いつつ、リードと基台との離隔距離の増加を防止することができて、パッケージの大きさの増加を防止できる。なお、基台10aが金属等の導電性部材であり、発光素子が上下導通型である場合は、電気伝導性のあるダイボンド部材を用いて発光素子下部と基台10aとを電気的に接続し、基台10aを第1のリードとワイヤボインディングすればよい。基台10aは樹脂成形体13の凹部14から露出されていることが好ましいが、埋没されていてもよい。また、基台10aは発光素子20を載置できればよく、好ましくは鉄、リン青銅、銅合金等の電気良導体を用いて構成されるが、高熱伝導性セラミックス等の絶縁体、さらには銀や高熱伝導性セラミックス等の粉末を樹脂基材に分散させた熱伝導性ペーストの硬化物などを用いることもできる。また、発光素子20からの光の反射率を向上させるため、基台10aの表面に銀、アルミニウム、銅や金等の金属メッキを施すこともできる。また、基台10aの表面の反射率を向上させるため、平滑にすることが好ましい。また、放熱性を向上させるため基台10aの面積を大きくすることができる。これにより発光素子20の温度上昇を効果的に抑えることができ、発光素子20に比較的多くの電気を流すことができる。また、基台10aを肉厚にすることにより放熱性を向上することができる。また、基台10aを肉厚にすることにより、基台10aのたわみが少なくなり、発光素子20の実装をし易くすることができる。これとは逆に、基台10aを薄い平板状とすることにより半導体発光装置1を薄型にすることができる。基台10aの形状は特に問われず、平板状の円柱状、略直方体、略立方体などでもよく、発光素子を載置する面に凹部を成形していてもよい。また、樹脂成形体からの基台の脱離を防ぐために樹脂成形体と基台とが嵌合する面が凹凸形状やテーパを有していてもよい。なお、樹脂成形体13を構成する樹脂組成物の反射率が基台10aより高く、発光素子の下面がサファイア基板等の絶縁体で基台10aと直接接する必要が無い場合には、反射効率を優先するため基台10aを高い反射率を有する前記樹脂組成物で被覆してその上に発光素子20が戴置されていてもよい。<2.3.リード>本発明の半導体発光装置は、通常、上述のように第1のリード及び第2のリードを有している。なお、第1のリード及び第2のリードは、熱伝導性、電気伝導性の観点からより面積が広い方が好ましい。第1のリード11の第1のインナーリード部11aは、凹部14の底面14aの一部を形成しており、基台10aと樹脂成形体の連結部13aを介して所定の間隔離れている。第2のリード12の第2のインナーリード部12aは、凹部14の底面14aの一部を形成しており、基台10aと樹脂成形体の連結部13bを介して所定の間隔離れている。これらのインナーリード部11a、12aの主面側及びアウターリード部11b,12bはそれぞれ樹脂成形体から露出しており、この部位からの電気的接続が可能となっている。パッケージ10を他の配線基板上に表面実装する場合には、パッケージ10の裏面に当たる部分に基台10aや、各リード11,12を露出させることにより側面のみならず裏面側からも電気接続することができる。また、放熱効率をより高くするために基台10a、インナーリード部11a,12aの裏面に当たる部分をパッケージ10から露出させることもできる。インナーリード部11a,12aの裏面露出部はアウターリード部11b,12bと同様に電気的接続が可能となる。特に発光素子20由来の熱の放出を高める点で、発光素子20が載置される基台10aの底面がパッケージ10から露出されていることが好ましい。図1及び図2の実施形態において、第1のリード11は、第1のインナーリード部11aと第1のアウターリード部11bとを有する。第1のインナーリード部11aは、凹部14の底面14aから露出しており、発光素子20の第1の電極21とワイヤ40を介して電気的に接続されている。なお、第1のインナーリード部11aの露出部分は、発光素子20の第1の電極21と電気的に接続する面積を有していればよく、それ以外の部分をより反射率の高い樹脂にて被覆してもよい。一方、上述のように第1のアウターリード部11bは、樹脂成形体13から露出している部分である。第1のアウターリード部11bは、外部電極と電気的に接続されるとともに熱伝達する作用も有する。第2のリード12は、第2のインナーリード部12aと第2のアウターリード部12bとを有する。第2のインナーリード部12aは、凹部14の底面14aから露出しており、発光素子20の第2の電極22とワイヤ40を介して電気的に接続されている。なお、第1のインナーリード部11aと同様に第2のインナーリード部12aの露出部分は、発光素子20の第2の電極22と電気的に接続する面積を有していればよく、それ以外の部分をより反射率の高い樹脂にて被覆してもよい。また、裏面側の第1のアウターリード部11bと第2のアウターリード部12bとは樹脂成形体13から露出しており、必要に応じ折り曲げ等の加工を行ってよいが、実装時に他の配線基板に接する部分は実質的に同一平面上にある。これにより半導体発光装置の実装安定性を向上することができる。また、他の配線基板上に半田リフロー実装する際に、基台10aと第1のリードの裏面間、基台10aと第2のリードの裏面間が半田により短絡することを防止するため、それぞれ電気絶縁性の絶縁体50a,50bを薄くコーティングすることもできる。絶縁体50a,50bは樹脂などである。第1のリード11及び第2のリード12は、鉄、リン青銅、銅合金等の電気良導体を用いて構成することができる。また、発光素子20からの光の反射率を向上させるため、第1のリード11及び第2のリード12の表面に銀、アルミニウム、銅や金等の金属メッキを施すこともできる。また、第1のリード11及び第2のリード12の表面は、その反射率を向上させるため、平滑にすることが好ましい。また、放熱性を向上させるため第1のリード11及び第2のリード12の面積は大きくすることができる。これにより発光素子20の温度上昇を効果的に抑えることができ、発光素子20に比較的多くの電気を流すことができる。また、第1のリード11及び第2のリード12を肉厚にすることにより放熱性を向上することができる。なお、第1のリードの裏面側の露出部分と第2のリードの裏面側の露出部分は、実質的に同一平面上にあることが好ましい。これにより、半導体発光装置の実装時の安定性を向上することができる。また、露出部分が同一平面上にあることから、平板上の外部電極に半田を用いて半導体発光装置を載置して実装すればよく、半導体発光装置の実装性を向上させることができる。さらに、金型による成形がより容易となる。第1のリード11及び第2のリード12は、正負の電極となるので、それぞれ少なくとも1つずつあればよいが、複数設けることもできる。<2.4.半導体発光装置用樹脂成形体>樹脂成形体13は、第1のリード11と第2のリード12と一体的に成形され、これと基台10aとでパッケージ10を構成する。図2のA-A線断面において、樹脂成形体13は、上部開口面において底面14aと比較して同等径又は広口に開口した連通口を有する。樹脂成形体13は、液状射出成形LIM法により成形することができる。樹脂成形体13用の樹脂組成物としては、後述する熱硬化性シリコーン樹脂組成物が用いられる。また、本発明に用いる樹脂成形体は、熱伝導率が0.4W/mK以上3.0W/mK以下であることが好ましく、0.6W/mK以上2.0W/mK以下であることがより好ましい。熱伝導率は、例えばアイフェイズモバイルアイフェイズ社製を用いて測定することができる。なお、この評価のため樹脂組成物から成形体を作製する場合の硬化条件は180°C×4分間とする。熱硬化性シリコーン樹脂組成物について以下に詳述する。<3.熱硬化性シリコーン樹脂組成物><3.1.熱硬化性シリコーン樹脂組成物の特性><3.1.1.熱硬化性シリコーン樹脂組成物の組成>樹脂成形体13の材質である熱硬化性シリコーン樹脂組成物は、Aポリオルガノシロキサン、B一次粒子のアスペクト比が1.2以上4.0以下、一次粒子径が0.1μm以上2.0μm以下の白色顔料、およびC硬化触媒を含有してなる。上記A乃至C成分の、本発明に用いる半導体発光装置用樹脂成形体用の熱硬化性シリコーン樹脂組成物の好ましい組成は以下のとおりである。本発明に用いる熱硬化性シリコーン樹脂組成物中におけるAポリオルガノシロキサンの含有量は、通常樹脂成形体用材料として用いることができる範囲であれば限定されないが、通常材料全体の15重量以上、50重量以下であり、好ましくは20重量以上、40重量以下であり、より好ましくは25重量以上、35重量以下である。また、上記組成物中のB白色顔料の含有量は、通常樹脂成形体用材料として用いることができる範囲であれば限定されないが、例えば組成物全体の30重量以上、85重量以下であり、好ましくは40重量以上80重量以下であり、より好ましくは45重量以上、70重量以下である。<3.1.2.熱硬化性シリコーン樹脂組成物の粘度>本発明に用いる熱硬化性シリコーン樹脂組成物は、25°Cにおける剪断速度100s1での粘度が10Pas以上10,000Pas以下であることが好ましい。上記粘度は、半導体装置用樹脂成形体を成形する際の成形効率の観点から、150Pas以上1,000Pas以下であることがより好ましい。加えて、チキソトロピー性の観点から、本発明に用いる熱硬化性シリコーン樹脂組成物は25°Cでの剪断速度100s1での粘度に対する25°Cでの剪断速度1s1での粘度の比1s1/100s1が15以上であることが好ましく、30以上であることが特に好ましい。一方、上限は、300以下であることがより好ましい。成形性のよい材料とするためには、材料に一定以上のチキソトロピー性を持たせることが必要であるが、上記のような条件を満たすことにより、バリやショートモールド未充填の発生が少なく、成形時の材料の計量時間や成形サイクルを短縮でき、成形も安定しやすく、成形効率の高い材料となる。特に液状樹脂材料を用いたLIM成形では、金型の微小隙間から材料が染み出すことに起因するバリが発生しやすく、通常、バリを除去する後処理工程が必要であり、一方、バリの発生を抑えるために金型の隙間を小さくするとショートモールド未充填が発生しやすくなる等の問題があるが、前記液状熱硬化性シリコーン樹脂組成物の粘度が上記範囲にある場合、このような問題を解決することができ、樹脂成形体のLIM成形を容易に、効率よく行うことができる。剪断速度100s1での粘度が10,000Pasより大きいと、樹脂の流れが悪いため金型への充填が不十分となったり、射出成形を行う際に前記液状樹脂組成物供給に時間がかかるため成形サイクルが長くなったりするなどして、成形効率が低下する傾向にある。また、上記粘度が10Pasより小さいと、金型の隙間から前記液状樹脂組成物が漏れてバリが発生したり、金型の隙間に射出圧力が逃げやすくなるため成形が安定しにくくなったりして、やはり成形効率が低下する傾向にある。特に成形体が小さい場合にはバリを除去するための後処理も困難になるため、バリの発生を抑えることは成形性には重要である。また、25°Cにおける剪断速度100s1での粘度に対する25°Cにおける剪断速度1s1での粘度の比が15未満の場合、つまり剪断速度1s1での粘度が比較的小さい場合は、成形機や金型の隙間にも材料が入り込みやすくなり、バリが発生しやすくなったり、ノズル部で液ダレしやすくなったり、射出圧力が材料に伝わりにくく成形が安定しにくくなったりするなど、成形のコントロールが難しくなることがある。LIM成形ではスプルー部のパーティングラインの樹脂漏れが問題になりやすいが、上記の粘度範囲に調整することは樹脂漏れ抑制にも効果がある。これらの25°Cにおける剪断速度100s1での粘度と剪断速度1s1での粘度は、例えばARES-G2-歪制御型レオメータティーエイインスツルメントジャパン株式会社製を用いて測定することができる。<3.2.熱硬化性シリコーン樹脂組成物の構成成分><Aポリオルガノシロキサン>本発明におけるポリオルガノシロキサンとは、ケイ素原子が酸素を介して他のケイ素原子と結合した部分を持つ構造に有機基が付加している高分子物質を指す。ここでポリオルガノシロキサンは、常温常圧下において液体であることが好ましい。これは、半導体発光装置用樹脂成形体を成形する際に、材料の扱いが容易となるからである。また、常温常圧下において固体のポリオルガノシロキサンは、一般的に硬化物としての硬度は比較的高いが、破壊に要するエネルギーが小さく靭性が低いものや、耐光性、耐熱性が不十分で光や熱により変色しやすいものが多い傾向にあるからである。上記ポリオルガノシロキサンは、通常、シロキサン結合を主鎖とする有機重合体をいい、例えば以下に示す一般組成式1で表される化合物や、その混合物が挙げられる。R1R2R3SiO12MR4R5SiO22DR6SiO32TSiO42Q1ここで、上記式1において、R1からR6は独立して、有機官能基、水酸基、水素原子から選択される。またM、D、TおよびQは0以上1未満であり、MDTQ=1を満足する数である。主なポリオルガノシロキサンを構成する単位は、1官能型R3SiO05、2官能型R2SiO、3官能型RSiO15、4官能型SiO2であり、これら4種の単位の構成比率を変えることにより、ポリオルガノシロキサンの性状の違いが出てくるので、所望の特性が得られるように適宜選択し、ポリオルガノシロキサンの合成を行う。上記構成単位が1~3官能型のポリオルガノシロキサンは、オルガノクロロシランと呼ばれる一連の有機ケイ素化合物をもとにして合成することができる。例えば、メチルクロロシランは塩化メチルとケイ素SiとをCu触媒下高温で直接反応させて合成することができ、また、ビニル基などの有機基を持つシラン類は、一般の有機合成化学の手法によって合成することができる。単離されたオルガノクロロシランを、単独で、あるいは任意の割合で混合し、水により加水分解を行うとシラノールが生成し、このシラノールが脱水縮合するとシリコーンの基本骨格であるポリオルガノシロキサンが合成される。ポリオルガノシロキサンは、硬化触媒の存在下で、熱エネルギーや光エネルギー等を与えることにより硬化させる事ができる。ここで硬化とは、流動性を示す状態から、流動性を示さない状態に変化することをいい、例えば、対象物を水平より45度傾けた状態で30分間静置しても流動性がある状態を未硬化状態といい、全く流動性がない状態を硬化状態として判断することができる。また、フィラー充填量が多い等の理由で、対象物が流動性を示さない場合には、該対象物が塑性変形せず、硬度をデュロメータタイプAにて測定でき、硬度測定値が少なくとも5以上であるか否かで未硬化状態、硬化状態を判断することもできる。ポリオルガノシロキサンは、硬化のメカニズムにより分類すると、通常、付加重合硬化タイプ、縮重合硬化タイプ、紫外線硬化タイプ、パーオキサイド架硫タイプなどのポリオルガノシロキサンを挙げることができる。これらの中では、付加重合硬化タイプ付加型ポリオルガノシロキサン、および縮合硬化タイプ縮合型ポリオルガノシロキサンが好適である。中でも、副生物が無く、また、反応が非可逆性のヒドロシリル化付加重合によって硬化するポリオルガノシロキサンのタイプがより好適である。これは、成形加工時に副生成物が発生すると、成形容器内の圧を上昇させたり、硬化材料中に泡として残存したりする傾向にあるからである。付加型ポリオルガノシロキサンは、ポリオルガノシロキサン鎖が、有機付加結合により架橋されたものをいう。代表的なものとしては、例えばビニルシラン等のアルケニル基を有するケイ素含有化合物と、例えばヒドロシラン等のヒドロシリル基を含有するケイ素化合物とを総アルケニル基量に対する総ヒドロシリル基量のモル比が0.5倍以上、2.0倍以下となる量比で混合し、Pt触媒などの付加縮合触媒の存在下反応させて得られるSi-C-C-Si結合を架橋点に有する化合物等を挙げることができる。縮合型ポリオルガノシロキサンとしては、例えば、アルキルアルコキシシランの加水分解重縮合で得られるSi-O-Si結合を架橋点に有する化合物を挙げることができる。<B白色顔料>本発明において用いるB白色顔料は、一次粒子のアスペクト比が1.2以上4.0以下、一次粒子径が0.1μm以上2.0μm以下である、樹脂の硬化を阻害しない公知の白色顔料を適宜選択する事ができる。白色顔料としては無機および/または有機の材料を用いる事ができる。ここで白色とは、無色であり透明ではない事をいう。すなわち可視光領域に特異な吸収波長を持たない物質により入射光を乱反射させる事ができる色をいう。白色顔料として用いることができる無機粒子としては、アルミナ以下、酸化アルミニウムと称する場合がある。、酸化ケイ素、酸化チタンチタニア、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム等の金属酸化物;炭酸カルシウム、炭酸バリウム、炭酸マグネシウム、硫酸バリウム等の金属塩;窒化ホウ素、アルミナホワイト、コロイダルシリカ、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸ジルコニウム、ホウ酸アルミニウム、クレー、タルク、カオリン、雲母、合成雲母などが挙げられる。また、白色顔料として用いることができる有機微粒子としては、フッ素樹脂粒子、グアナミン樹脂粒子、メラミン樹脂粒子、アクリル樹脂粒子、シリコーン樹脂粒子等の樹脂粒子などを挙げることができるが、いずれもこれらに限定されるものではない。中でも白色度が高く少量でも光反射効果が高く変質しにくい点からは、アルミナ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウムなどが特に好ましい。また、材料硬化時の熱伝導率向上の点からは、アルミナ、窒化ホウ素などが特に好ましい。また、近紫外線の光反射効果が高く、近紫外線による変質が小さい観点からも、アルミナが特に好ましい。これらは、単独もしくは2種以上混合して用いる事ができる。酸化チタンは、光触媒性、分散性、白色性等の問題が出ない程度に含有する事ができる。Aポリオルガノシロキサンの屈折率とB白色顔料の屈折率差が大きいほど、少量の白色顔料を添加しただけでも白色度がより高く、反射散乱効率のよい半導体発光装置用樹脂成形体を得ることができる。Aポリオルガノシロキサンは屈折率が1.41程度のものが好ましく、屈折率が1.76のアルミナ粒子をB白色顔料として好適に用いることができる。また、アルミナは、紫外線の吸収能が低いことから、特に、紫外~近紫外発光の発光素子と共に用いる場合に好適に用いることができる。本発明において用いるアルミナとしてはその結晶形態は問わないが、化学的に安定、融点が高い、機械的強度が大きい、硬度が高い、電気絶縁抵抗が大きい等の特性を持つα-アルミナが好適に使用できる。また、本発明においてB白色顔料としてアルミナを用いる場合、アルミナ結晶の結晶子サイズが500Å以上2,000Å以下であることが好ましく、700Å以上1,500Å以下であることがより好ましく、900Å以上1,300Å以下であることが特に好ましい。結晶子とは、単結晶とみなせる最大の集まりをいう。アルミナ結晶の結晶子サイズが上記範囲であると、成形時の配管、スクリュー、金型などの磨耗が少なく、磨耗による不純物が混入しにくい点で、好ましい。上記結晶子サイズは、X線回折測定により確認することができる。本発明の樹脂成形体用材料の硬化時の熱伝導率は、成形効率の点からも高い方が好ましいが、熱伝導率を高くするためには、純度が98以上のアルミナを用いることが好ましく、純度99以上のアルミナを用いることがより好ましく、特に低ソーダアルミナを用いることが好ましい。また、熱伝導率を高くするためには、窒化ホウ素を用いることも好ましく、純度が99以上の窒化ホウ素を用いることが特に好ましい。また、特に、発光ピーク波長が420nm以上の発光素子を使用する半導体発光装置では、白色顔料として酸化チタンも好適に使用することができる。酸化チタンチタニアは紫外線吸収能を持つが、屈折率が大きく光散乱性が強いため、420nm以上の波長の光の反射率が高く、少ない添加量でも高反射を発現しやすい。本発明の白色顔料としてチタニアを用いる場合は、紫外線吸収能や光触媒能が大きく高温で不安定なアナターゼ型よりも、高温で安定であり、屈折率が高く、比較的耐光性が高いルチル型が好ましく、光触媒活性を抑える目的で表面にシリカやアルミナの薄膜コートが施されたルチル型が特に好ましい。酸化チタンは屈折率が高く、ポリオルガノシロキサンとの屈折率差が大きいため少ない添加量でも高反射となりやすいことから、アルミナと酸化チタンを50:50~95:5重量比のような割合で併用してもよい。本発明に用いるB白色顔料の一次粒子のアスペクト比は1.2以上4.0以下であることを特徴としている。アスペクト比は、粒子等の形状を定量的に表現する簡便な方法として一般に用いられており、本発明ではSEMなどの電子顕微鏡観察により計測した粒子の長軸長さ最大長径を短軸長さ長径に垂直方向で最も長い部分の長さで除して求めるものとする。軸長さにばらつきがある場合は、複数点例えば10点をSEMで計測し、その平均値から算出することができる。あるいは、30点、100点を計測しても同様の算出結果を得ることができる。好ましいアスペクト比は、1.25以上であり、より好ましくは1.3以上、特に好ましくは1.4以上である。一方、上限は、3.0以下が好ましく、2.5以下がより好ましく、2.2以下が更に好ましく、2.0以下が特に好ましく、1.8以下であることが最も好ましい。アスペクト比が上記範囲であると、散乱により高反射率を発現しやすく、特に近紫外領域の短波長の光の反射が大きい。これにより、この樹脂成形体を用いた半導体発光装置において、LED出力を向上させることができる。また、アスペクト比が上記範囲の白色顔料を使用することは、金型の磨耗が少ないなど、成形上も好ましい。アスペクト比が上記範囲を超えて大きい場合、顔料粒子との接触により金型の磨耗が激しくなることがあり、逆に、アスペクト比が小さい白色顔料を使用する場合も材料中の顔料の充填密度を高くできるため金型と顔料との接触頻度が上がり、金型が磨耗しやすくなる。さらに、アスペクト比が上記範囲の白色顔料を使用すると、材料粘度の調整が容易で、成形に適した粘度に調整できるので、成形サイクルの短縮や、バリの防止が可能となる等、成形性に優れた材料となる。アスペクト比が上記範囲であることで、白色顔料が金型の隙間に充填され、バリが発生しにくいが、アスペクト比が1.2未満のように球状に近くなると金型の隙間を通り抜けてバリが発生しやすくなる。本発明では、アスペクト比が上記範囲に含まれる粒子がB白色顔料全体の60体積以上、より好ましくは70体積以上、特に好ましくは80体積以上を占めることが好ましく、必ずしも全てのB白色顔料が上記アスペクト比の範囲を満たさなければいけないわけではないことは当業者が当然に理解できる事項である。アスペクト比を上記範囲とするためには、白色顔料の表面処理をしたり、研磨したりする等の一般的な方法を採ればよい。また、白色顔料を破砕粉砕して微細化することや、篩粉等により分級することによっても調整できる。本発明に用いるB白色顔料は、形状が破砕形状であることが好ましく、破砕後の処理により結晶の角が少ない丸みを帯びた形状となったもの、焼成などによって生成した球状でない顔料の形状も含まれる。また、本発明においては、B白色顔料の一次粒子径が、0.1μm以上2μm以下であるものを使用する。下限値については好ましくは0.15μm以上、より好ましくは0.2μm以上、特に好ましくは0.25μm以上であり、上限値については好ましくは1μm以下、更に好ましくは0.8μm以下、特に好ましくは0.5μm以下である。一次粒子径が上記範囲である場合には、後方散乱傾向と散乱光強度を兼ね備えることで材料が高反射率を発現しやすく、特に近紫外領域等の短波長の光に対する反射が大きくなり、好ましい。白色顔料は、一次粒子径が小さすぎると散乱光強度が小さいため反射率は低くなる傾向にあり、一次粒子径が大きすぎると散乱光強度は大きくなるが、前方散乱傾向になるため反射率は小さくなる傾向にある。また、一次粒子径が上記範囲である場合には、成形に適した粘度への調整が容易である上、金型の磨耗が少ないなど、成形性の観点からも好ましい。一次粒子径が上記範囲よりも大きい場合、顔料粒子との接触による金型への衝撃が大きく金型の磨耗が激しくなる傾向があり、一次粒子径が上記範囲よりも小さい白色顔料を使用する場合には、材料が高粘度になりやすく、白色顔料の充填量を上げられないため、高反射等の材料特性と成形性との両立が難しくなる傾向にある。特に、液状射出成形に好適に使用できる材料とするためには材料にある程度以上のチキソトロピー性を持たせることが必要である。一次粒子径が0.1μm以上2.0μm以下の白色顔料を組成物中に添加するとチキソトロピー性付与効果が大きく、バリやショートが少なく成形しやすい組成物とするために、粘度とチキソトロピー性を容易に調整することができる。なお、樹脂組成物中の白色顔料の充填率を上げる等の目的で、一次粒子径が2μmよりも大きい白色顔料を併用することもできる。本発明にいう一次粒子とは粉体を構成している粒子のうち、他と明確に区別できる最小単位をいい、一次粒子径はSEMなどの電子顕微鏡観察により計測することができる。一方、一次粒子が凝集してできる凝集粒子を二次粒子といい、二次粒子の中心粒径は粉体を適当な分散媒例えばアルミナの場合は水に分散させて粒度分析計等で測定することができる。一次粒子径にばらつきがある場合は、数点例えば10点をSEM観察し、その平均値を粒子径とすればよい。また、測定の際、個々の粒子が球状でない場合はもっとも長い、すなわち長軸の長さを粒子径とする。一方、上記白色顔料は、二次粒子の中心粒径以下、二次粒径と称する場合がある。が、0.2μm以上であるものが好ましく、0.3μm以上であるものがより好ましい。上限は10μm以下であるものが好ましく、5μm以下であるものがより好ましく、2μm以下であるものが更に好ましい。二次粒径が上記範囲であると、液状射出成形の成形性が良好となり、好ましい。また、成形に適した粘度への調整が容易で、金型の磨耗が少ない。加えて、白色顔料が金型の隙間を通過しにくいためバリが発生しにくく、かつ、金型のゲートに詰まりにくいため成形時のトラブルが起こりにくい。二次粒径が上記範囲よりも大きい場合には、白色顔料の沈降により材料が不均一となる傾向にあり、金型の磨耗やゲートの詰まりにより成形性が損なわれたり、成形品の反射の均一性が損なわれたりすることがある。なお、樹脂組成物中の白色顔料の充填率を上げる等の目的で、二次粒径が10μmよりも大きい白色顔料を併用することもできる。なお、中心粒径とは体積基準粒度分布曲線の体積積算値が50になる粒子径をいい、一般的に50粒子径D50、メディアン径と呼ばれるものを指す。本発明において半導体発光装置用樹脂成形体材料中のB白色顔料の含有量は、使用する顔料の粒径や種類、ポリオルガノシロキサンと顔料の屈折率差により適宜選択され特に限定されない。例えば、組成物中の含有割合として通常30重量以上、好ましくは45重量以上であり、通常85重量以下、好ましくは70重量以下である。上記範囲内であると反射率、成形性等が良好である。上記下限未満である場合には光線が透過してしまい半導体発光装置の反射効率が低下する傾向にあり、上限よりも大きい場合には材料の流動性が悪化することにより成形性が低下する傾向にある。また、後述する樹脂成形体用材料の熱伝導率を0.4以上3.0以下の範囲に制御するためには、B白色顔料としてアルミナを樹脂成形体用材料全体量に対して40重量部以上90重量部以下添加することが好ましい。あるいは、B白色顔料として窒化ホウ素を樹脂成形体用材料全体量に対して30重量部以上90重量部以下添加することが好ましい。なお、アルミナと窒化ホウ素を併用してもよい。<3.2.3.C硬化触媒>本発明におけるC硬化触媒とは、Aのポリオルガノシロキサンを硬化させる触媒である。この触媒はポリオルガノシロキサンの硬化機構により付加重合用触媒、縮合重合用触媒がある。付加重合用触媒は、前記A成分中のアルケニル基とヒドロシリル基との付加反応を促進するための触媒であり、この付加重合触媒の例としては、白金黒、塩化第2白金、塩化白金酸、塩化白金酸と一価アルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン類との錯体、白金ビスアセトアセテート等の白金系触媒、パラジウム系触媒、ロジウム系触媒などの白金族金属触媒が挙げられる。なお、この付加重合触媒の配合量は通常、白金族金属としてA成分の重量に対して通常1ppm以上、好ましくは2ppm以上であり、通常100ppm以下、好ましくは50ppm以下、さらに好ましくは20ppm以下である。縮合重合用触媒としては、塩酸、硝酸、硫酸、有機酸などの酸、アンモニア、アミン類などのアルカリ、ホウ素のアルコキシド等の有機ホウ素化合物、金属キレート化合物などを用いることができ、好適なものとしてTi、Ta、Zr、Al、Hf、Zn、Sn、Ga、Ptのいずれか1以上を含む金属キレート化合物を用いることができる。なかでも、金属キレート化合物は、Ti、Al、Zn、Zr、Gaのいずれか1以上を含むものが好ましく、Zrを含むものがさらに好ましく用いられる。縮合重合用触媒の配合量は、上記A成分の合計重量に対して通常0.01重量以上、好ましくは0.05重量以上、一方上限は通常10重量以下、好ましくは6重量以下である。触媒の添加量が上記範囲であると半導体発光装置用樹脂成形体材料の硬化性、保存安定性が良好であり、加えて成形した樹脂成形体の品質が良好である。添加量が上限値を超えると樹脂成形体材料の保存安定性に問題が生じる場合があり、下限値未満では硬化時間が長くなり樹脂成形体の生産性が低下し、未硬化成分により樹脂成形体の品質が低下する傾向にある。これらの触媒は半導体発光装置用樹脂組成物の安定性、被膜の硬度、無黄変性、硬化性などを考慮して選択される。<その他>本発明の半導体発光装置用樹脂成形体用材料は、さらに硬化速度制御剤を含有することが好ましい。ここで硬化速度制御剤とは、樹脂成形体用材料を成形する際に、その成形効率を向上させるために硬化速度を制御するためのものであり、硬化遅延剤または硬化促進剤が挙げられる。硬化遅延剤は、特に、硬化速度が速い付加重合型ポリオルガノシロキサン組成物の液状射出成形において重要な成分である。付加重合反応における硬化遅延剤としては、脂肪族不飽和結合を含有する化合物、有機リン化合物、有機イオウ化合物、窒素含有化合物、スズ系化合物、有機過酸化物等が挙げられ、これらを併用してもかまわない。脂肪族不飽和結合を含有する化合物としては、3-ヒドロキシ-3-メチル-1-ブチン、3-ヒドロキシ-3-フェニル-1-ブチン、3-トリメチルシリルオキシ-3-メチル-1-ブチン、1-エチニル-1-シクロヘキサノール等のプロパギルアルコール類、エン-イン化合物類、ジメチルマレート等のマレイン酸エステル類等が例示される。縮合重合反応における硬化遅延剤としては、炭素数1~5の低級アルコール、分子量500以下のアミン類、窒素や硫黄含有する有機化合物、エポキシ基含有化合物などシラノールと反応あるいは水素結合する化合物が挙げられる。硬化速度制御剤の種類や配合量を目的に応じて選択することにより、樹脂成形体用材料の成形が容易となる。例えば、金型への充填率が高くなったり、射出成形による成形時に金型からの漏れがなく、バリが発生しにくくなったりするメリットが得られる。半導体発光装置用樹脂成形体用材料である熱硬化性シリコーン樹脂組成物には、本発明の効果を損なわない限り、必要に応じて他の成分を1種、または2種以上を任意の比率および組み合わせで含有させることができる。例えば、熱硬化性シリコーン樹脂組成物の流動性コントロールや白色顔料の沈降抑制の目的で、流動性調整剤を含有させることができる。流動性調整剤としては、添加により熱硬化性シリコーン樹脂組成物の粘度が高くなる常温から成形温度付近で固体の粒子であれば特に限定されないが、例えば、シリカ微粒子、石英ビーズ、ガラスビーズなどの無機粒子、ガラス繊維などの無機物繊維、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等が挙げられる。また、熱硬化性シリコーン樹脂組成物の粘度を調整するため、液状増粘剤として非硬化性のポリオルガノシロキサンをAポリオルガノシロキサンに一部配合することができる。液状増粘剤としてのポリオルガノシロキサンの配合量はAポリオルガノシロキサン全体を100重量部とした時、通常、0~10重量部、好ましくは0.1~5重量部、より好ましくは0.5~3重量部程度をAと置き換えて使用することができる。また、上記成分以外にも、上記熱硬化性シリコーン樹脂組成物には、熱硬化後の強度、靭性を高める目的で、ガラス繊維などの無機物繊維を含有させてもよく、また、熱伝導性を高めたるため、熱伝導率の高い窒化ホウ素、窒化アルミ、繊維状アルミナ等を前述の白色顔料とは別に含有させることができる。その他、硬化物の線膨張係数を下げる目的で、石英ビーズ、ガラスビーズ等を含有させることができる。これらを添加する場合の含有量は、少なすぎると目的の効果か得られず、多すぎると熱硬化性シリコーン樹脂組成物の粘度が上がり、加工性に影響するので、十分な効果が発現し、材料の加工性を損なわない範囲で適宜選択できる。通常、ポリオルガノシロキサン100重量部に対し500重量部以下、好ましくは200重量部以下である。また、上記熱硬化性シリコーン樹脂組成物中には、その他、イオンマイグレーションエレクトロケミカルマイグレーション防止剤、老化防止剤、ラジカル禁止剤、紫外線吸収剤、接着性改良剤、難燃剤、界面活性剤、保存安定改良剤、オゾン劣化防止剤、光安定剤、増粘剤、可塑剤、カップリング剤、酸化防止剤、熱安定剤、導電性付与剤、帯電防止剤、放射線遮断剤、核剤、リン系過酸化物分解剤、滑剤、顔料、金属不活性化剤、物性調整剤などを本発明の目的および効果を損なわない範囲において含有させることができる。<組成物の配合割合>上記熱硬化性シリコーン樹脂組成物におけるAポリオルガノシロキサンの含有量は、通常、樹脂組成物全体の15重量以上、50重量以下であり、好ましくは20重量以上、40重量以下であり、より好ましくは25重量以上、35重量以下である。なお、該樹脂組成物中に含まれる硬化速度制御剤やその他成分である液状増粘剤がポリオルガノシロキサンである場合は上記Aの含有量に含まれるものとする。上記熱硬化性シリコーン樹脂組成物におけるB白色顔料の含有量は、上述の通り該樹脂組成物が、樹脂成形体用材料として用いることができる範囲であれば限定されないが、通常樹脂組成物全体の30重量以上85重量以下であり、好ましくは40重量以上80重量以下であり、より好ましくは45重量以上70重量以下である。上記熱硬化性シリコーン樹脂組成物における流動性調整剤の含有量は、本発明の効果を阻害しない範囲であれば限定されないが、通常樹脂組成物全体の55重量以下であり、好ましくは2重量以上50重量以下であり、より好ましくは5重量以上45重量以下である。<4.本発明の半導体発光装置>以下、図1、図2を参照し、本発明の半導体発光装置における、パッケージ以外の構成要素について説明する。<4.1.半導体発光素子>発光素子20は、近紫外領域の波長を有する光を発する近紫外半導体発光素子、紫領域の波長の光を発する紫半導体発光素子、青領域の波長の光を発する青色半導体発光素子などを用いることが可能であり、通常、これらの発光素子は350nm以上520nm以下の波長を有する光を発する。発光素子20として具体的には、基板上にGaAlN、ZnS、ZnSe、SiC、GaP、GaAlAs、AlN、InN、AlInGaP、InGaN、GaN、AlInGaN等の半導体を発光層として形成させたものが用いられる。半導体の構造としては、MIS接合、PIN接合やPN接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を紫外光から赤外光まで種々選択することができる。発光層は、量子効果が生ずる薄膜とした単一量子井戸構造や多重量子井戸構造としてもよい。屋外などでの使用を考える場合、高輝度な発光素子20を形成可能な半導体材料として窒化ガリウム系化合物半導体を用いることが好ましく、また、赤色ではガリウムアルミニウム砒素系の半導体やアルミニウムインジウムガリウム燐系の半導体を用いることが好ましいが、用途によって種々利用することもできる。窒化ガリウム系化合物半導体を使用した場合、半導体基板にはサファイア、スピネル、SiC、Si、ZnOやGaN単結晶等の材料が用いられる。結晶性のよい窒化ガリウムを量産性よく形成させるためにはサファイア基板を用いることが好ましい。窒化ガリウム系化合物半導体は、不純物をドープしない状態でN型導電性を示す。なお、発光効率を向上させる等所望のN型窒化ガリウム半導体を形成させる場合は、N型ドーパントとしてSi、Ge、Se、Te、C等を適宜導入することが好ましい。一方、P型窒化ガリウム半導体を形成させる場合は、P型ドーパンドであるZn、Mg、Be、Ca、Sr、Ba等をドープさせる。窒化ガリウム系半導体は、P型ドーパントをドープしただけではP型化しにくいためP型ドーパント導入後に、炉による加熱、低電子線照射やプラズマ照射等によりアニールすることでP型化させる必要がある。こうして形成された半導体ウエハーを部分的にエッチングなどさせ正負の各電極を形成させる。その後半導体ウエハーを所望の大きさに切断することによって発光素子を形成させることができる。こうした発光素子20は、必要に応じて複数個用いることができ、その組み合わせによって白色表示における混色性を向上させることもできる。なお、発光効率を向上させるために、発光層直下に蒸着等により金属反射膜を設けサファイア等の基板を剥離除去し、新たな支持基板となるGeやSiなどのウエハーに貼り替えた裏面メタル反射層付き発光素子を用いることもできる。<4.2.封止材>封止材30は、発光素子20が載置されたパッケージ10における凹部14内に装入され、これにより発光素子20を被覆する。封止材30は、外部環境からの外力や埃、水分などから発光素子20を保護すると共に発光素子20から出射される光を効率よく外部に放出することを可能とする。また、発光素子20の屈折率と空気の屈折率とは大きく異なるため、発光素子20から出射された光は効率よく外部に出力されてこないのに対し、封止材30で発光素子20を被覆することにより、発光素子20から出射された光を効率よく外部に出力することができる。また、発光素子20から出射された光の一部は凹部14の底面14a及び側面14bに照射され、反射して、発光素子20が載置されている主面側に出射される。これにより主面側の発光出力の向上を図ることができる。封止材30を構成する封止材用樹脂組成物として熱硬化性樹脂組成物を使用することが好ましい。これによって、半導体発光装置用パッケージにおける樹脂成形体を構成する熱硬化性シリコーン樹脂組成物と封止材を構成する封止材用熱硬化性樹脂組成物とはそれぞれ熱硬化性樹脂である点で共通するため、化学的性質や膨張係数などの物理的性質が近似していることから密着性がよく、樹脂成形体と封止材との界面での剥離を防止することができる。封止材の主成分の熱硬化性樹脂としては、透明性、耐光性、耐熱性に優れ、長期間使用してもクラックや剥離を生じることなく半導体発光装置を封止することができる樹脂が用いられる。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂等が例示され、その一種又は二種以上が使用できる。この中でもエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂が透明性、電気絶縁性に優れ、化学的に安定な点で好ましく、特にシリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂は耐光性、耐熱性に優れ前記樹脂成形体と同種類の樹脂であることから密着性等に優れ好適に使用される。封止材30は、発光素子20を保護するため硬質のものが好ましい。封止材30は、所望の機能を持たせるため、フィラー、拡散剤、顔料、蛍光体、反射性物質からなる群から選択される少なくとも1種を混合することもできる。ここで用いることができる拡散剤としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ケイ素等が好ましい。また、所望外の波長の光をカットする目的で有機や無機の染料や顔料を含有させることができる。さらに、封止材30に、発光素子20からの光の波長を変換する蛍光体の一種又は二種以上を含有させることも好ましい。また、封止材30は上記の助剤以外に紫外線吸収剤、及び酸化防止剤を含んでいてもよい。<2.6.蛍光体>以下に説明する蛍光体と、封止材との組成物を、半導体発光デバイスのカップ内に注入して成型したり、適当な透明支持体に薄膜上に塗布したりすることにより、波長変換部材として用いることができる。蛍光体としては、上述の半導体発光素子の発する光に直接的または間接的に励起され、異なる波長の光を発する物質であれば特に制限はなく、無機系蛍光体であっても有機系蛍光体であっても用いることができる。例えば、以下に例示するような青色蛍光体、緑色蛍光体、黄色蛍光体、橙色ないし赤色蛍光体の1種または2種以上を用いることができる。所望の発光色を得られるよう、用いる蛍光体の種類や含有量を適宜調整することが好ましい。<青色蛍光体>青色蛍光体としては、発光ピーク波長が、通常420nm以上、中でも430nm以上、更には440nm以上、また、通常490nm以下、中でも480nm以下、更には470nm以下の範囲にあるものが好ましい。具体的には、Ca,Sr,BaMgAl10O17:Eu、Sr,Ca,Ba,Mg10PO46Cl,F2:Eu、Ba,Ca,Mg,Sr2SiO4:Eu、Sr,Ca,Ba,Mg10PO46Cl,F2:Eu、Ba,Ca,Sr3MgSi2O8:Euが好ましく、Ba,SrMgAl10O17:Eu、Ca,Sr,Ba10PO46Cl,F2:Eu、Ba3MgSi2O8:Euがより好ましい。<緑色蛍光体>緑色蛍光体としては、発光ピーク波長が、通常500nm以上、中でも510nm以上、更には515nm以上、また、通常550nm以下、中でも542nm以下、更には535nm以下の範囲にあるものが好ましい。具体的には、Y3Al,Ga5O12:Ce、CaSc2O4:Ce、Ca3Sc,Mg2Si3O12:Ce、Sr,Ba2SiO4:Eu、β型サイアロン、Ba,Sr3Si6O12:N2:Eu、SrGa2S4:Eu、BaMgAl10O17:Eu,Mnが好ましい。<黄色蛍光体>黄色蛍光体としては、発光ピーク波長が、通常530nm以上、中でも540nm以上、更には550nm以上、また、通常620nm以下、中でも600nm以下、更には580nm以下の範囲にあるものが好適である。黄色蛍光体としては、Y3Al5O12:Ce、Y,Gd3Al5O12:Ce、Sr,Ca,Ba,Mg2SiO4:Eu、Ca,SrSi2N2O2:Eu、La,Y,Gd,Lu3Si,Ge6N11:Ceが好ましい。<橙色ないし赤色蛍光体>橙色ないし赤色蛍光体としては、発光ピーク波長が、通常570nm以上、中でも580nm以上、更には585nm以上、また、通常780nm以下、中でも700nm以下、更には680nm以下の範囲にあるものが好ましい。具体的には、Ca,Sr,Ba2Si5N,O8:Eu、Ca,Sr,BaSiN,O2:Eu、Ca,Sr,BaAlSiN,O3:Eu、Sr,Ba3SiO5:Eu、Ca,SrS:Eu、La,Y2O2S:Eu、Euジベンゾイルメタン31,10-フェナントロリン錯体等のβ-ジケトン系Eu錯体、カルボン酸系Eu錯体、K2SiF6:Mnが好ましく、Ca,Sr,Ba2Si5N,O8:Eu、Sr,CaAlSiN,O:Eu、La,Y2O2S:Eu、K2SiF6:Mnがより好ましい。また、橙色蛍光体としては、Sr,Ba3SiO5:Eu、Sr,Ba2SiO4:Eu、Ca,Sr,Ba2Si5N,O8:Eu、Ca,Sr,BaAlSiN,O3:Ceが好ましい。<4.4.保護素子>半導体発光装置1には、さらに保護素子としてツェナーダイオードを設けることもできる。ツェナーダイオードは、発光素子20と同様、基台10aに載置することができる他、発光素子20から離れて凹部14の底面14aの第1のリード11に載置することもできる。また、保護素子は第1のリード又は第2のリードの表面若しくは裏面に載置し、透光性封止材で被覆することもできる他、樹脂成形体13で被覆することもできる。<4.5.ヒートシンク外部放熱部材>半導体発光装置1の裏面側に放熱接着剤を介してヒートシンクを設けることができる。この放熱接着剤は、樹脂成形体13の材質よりも熱伝導性が高いものが好ましい。放熱接着剤の材質は、電気絶縁性のエポキシ樹脂、シリコーン樹脂などを用いることができる。ヒートシンクの材質は熱伝導性の良好なアルミ、銅、タングステン、金などが好ましい。このほか、基台10aのみに接触するように放熱接着剤を介してヒートシンクを設けることもできる。これにより、放熱接着剤として更に熱伝導性の良い半田を含む共晶金属を用いることができる。半導体発光装置1の裏面側は平坦とすることにより、ヒートシンクの実装時の安定性を保持することができる。特に、発光素子20と最短距離をとるように基台10a及びヒートシンクを設けることにより、さらに放熱性を高めることができる。<4.6.他の実施形態>以下、既に図1及び図2に例をとって説明した実施態様以外の本発明の半導体発光装置用パッケージ及びそれを用いた半導体発光装置の具体的な実施形態を図を用いて説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において任意に変形して実施することができる。<4.6.1.図3の実施形態>図3の実施形態に係る半導体発光装置について説明する。図3として概略断面図が示される半導体発光装置1Aは、第1のリード11、第2のリード12の各インナーリード部の露出を少なくし、樹脂成形体による光の反射効率の向上を図ったものである。インナーリード部が着色劣化しやすい銀メッキ表面である場合や反射率に劣る金メッキ表面である場合には特に、長期にわたり高い反射率を維持し、高効率の半導体発光装置を得ることができる。<4.6.2.図4の実施形態>図4の半導体発光装置について説明する。図4として概略断面図が示される半導体発光装置1Bは、発光素子20からの光や熱、電界による蛍光体の劣化を防止するため、発光物質を含む蛍光体層60を発光素子20から離して設置した、リモートフォスファー態様の例である。インナーリード部11a,12aの面積を確保しつつ電気的接続をする部分のみが底面に露出した構造とすることにより、高い反射率と熱伝導率を両立したパッケージ10とすることができる。樹脂成形体13を構成する熱硬化性シリコーン樹脂組成物は熱伝導率が高く薄層でも高い反射率を有するのでこのような態様に適している。蛍光体層60は、封止材30が蛍光体を含有しない場合に必要に応じて設けることができる。ポッティングや印刷、一括成形により透明封止層の上に直接塗布しても、ポリカーボネートやPETガラスなどガス透過性が低い透明基体に蛍光体層60を塗布した窓材や蛍光体含有樹脂成形物などを別途準備しパッケージ開口部に貼り付けてもよい。図4での蛍光体層60は平板状となっているが、必要に応じ凸レンズ状や中空ドーム状の成形物であってもよい。蛍光体を発光素子20から離すことにより蛍光体の光劣化に起因する輝度低下を抑制することが可能であり、蛍光体層60の厚みを一定にできることで発光装置の発光の面内分布を抑え、色のばらつきの少ない高輝度の発光装置を得ることができる。<4.6.3.図5の実施形態>図5の半導体発光装置について説明する。図5の概略断面図は、カップ型のリフレクタを設けていないチップオンボード実装型の実施態様に関する例である。図5の半導体発光装置1Cは、チップオンボードCOB用基板上に設けられたものであり、リードの代わりに、リードを含む配線基板70を用いて反射材となる樹脂成形体13と一体的に成形するものである。なお、図示する半導体発光装置1Cはカップ型のリフレクタを設けていないが、図1~4と同様のカップ型のリフレクタを設けることもできる。これらの態様でも、リード11,12は、ワイヤ40を介して発光素子20と接続部で接続している。リード11,12のうち、封止材30の中にあり発光素子20とダイボンド材又はワイヤ、バンプなどにより直接電気的接続をとる部位がインナーリード部11a,12a、封止材30の外に露出し、外部配線基板等の電極と電気的接続を取る部位がアウターリード部11b,12bに相当する。また、これらの態様では、リード11,12の一部が樹脂成形体13により被覆されている。樹脂成形体13は、白色の絶縁層としての機能も有しており、この厚さを大きくすることもできる。なお、発光素子20は複数存在してもよい。封止材により、複数の実装部を一括に封止してもよい。封止材30は使用目的により透明であっても、蛍光体を含有していてもよく、リフレクタや堰部を用いない場合には金型成形により一括封止されていてもよい。チップオンボード型では配線基板70上に直接発光装置部を設けることができるので、表面実装の手間が省け発光素子から配線基板70への放熱をとりやすいメリットがある。アウターリード部は配線基板70の発光素子搭載側と同じ面に露出していてもよいが、実装後のパッケージを配線基板ごと分割し個片化して用いる場合など、他の配線基板上に表面実装する必要がある場合にはパッケージを構成する配線基板にスルーホールなどを設けて裏面に電気的導通を取り、発光装置裏面にアウターリード部を設けることができる。また、図5は、配線基板70を構成するベース基板80としてセラミックスAlN、Al2O3や本発明に用いられる熱硬化性シリコーン樹脂組成物を始めとした樹脂組成物などの絶縁体から構成された絶縁性基板を用いる態様である。基台10aは、金属や熱伝導性ペーストの硬化物などのベース基板80に用いる基材よりも熱伝導率が高い部材からなり、ヒートシンク部としても作用するため、使用する発光素子の発熱量が大きくても十分に放熱することができる。<4.6.4.図6の実施形態>図6の実施形態に係る半導体発光装置について説明する。図6として概略断面図が示される半導体発光装置1Dは、図3の半導体発光装置1Aに比べ、発光素子20と第1のリード11、第2のリード12の電気的接続部を離した構造を有する。このことにより、発光素子20からの電界、熱、光などの影響により発光素子20直近の電極の金属銀等メッキの着色による輝度低下を抑えることができる。<4.6.5.図7の実施形態>図7の実施形態に係る半導体発光装置について説明する。図7として概略断面図が示される半導体発光装置1Eは、リード11,12と樹脂成形体13とから構成されるパッケージ10の構造が液状射出成形LIM法に適しており、また、放熱が良好な構成となっている。本発明のパッケージ成形においてはパッケージ材バインダとなるシリコーン樹脂が従来のエンプラ樹脂と比較して柔らかくタックがあるため型離れしにくかったり、成形体の薄肉部が離型時に千切れて型内に残ったりして連続成形を妨げる要因となりやすい。そのため、側面リフレクタ部の上縁やパッケージの角は角部を無くし曲面に近い形状とすることが好ましい。また、リフレクタの内壁面及び外壁面はパッケージ底面から離れるほどリフレクタが肉薄となるように、パッケージ底面に対して垂直に立ち上げた線から3±1度程度の傾斜を有することが好ましい。また、成形型抜け時、パーツフィーダーロボットアーム等によるパッケージ個片移送時、また発光素子実装時などにパッケージへのねじり外力がかかりリードが成形体から剥離脱落することがあるので、正負のインナーリードは例えばパッケージ上から見て凸型と凹型のようにパッケージ底面において相互に入りこみ、ねじり応力やワイヤボンディング時の局部応力に対して強い構造となっていることが好ましい。さらに、リードは上下から成形体に挟まれた部分の面積が多い構造であることが好ましく、図7の実施態様では側面部と底面部の樹脂成形体がアウターリードを挟む構造になっている。リードがあらかじめ折り曲げてあると図3等のように成形後に折り曲げ加工するよりパッケージとリードの界面に応力がかからず破損しにくいため好ましい。本実施態様においてはアウターリードは完成形状に予め折り曲げてあり、かつアウターリード裏面はパッケージ実装面と同一平面上にあり、実装安定性が高く放熱が良好である。<4.6.6.図8の実施形態>図8の実施形態に係る半導体発光装置について説明する。図8として概略平面図が示される半導体発光装置1Fは、第1のリード又は第2のリードに保護素子が載置されていることを特徴とする実施形態であり、保護素子20aを有することにより、発光素子20を過電流から保護することができる。基台10aには発光素子20が載置されている。本実施形態において、樹脂成形体13には上方から見て略正方形であるが、他の形状としてもよい。また、樹脂成形体13の凹部14は上方から見て略円形であるが、他の形状としてもよい。この凹部14には基台10aが露出している。図示するように第1のリード11には、保護素子20aを載置する。なお、本実施形態では保護素子20aは第1のリードと共に樹脂成形体13の凹部14に露出しているが、反射率を考慮する必要がある場合には、保護素子20aとこれを載置する第1のリード11及びそれらを電気的に接続するワイヤ40は樹脂成形体13内部に埋設されていてもよい。なお、第1のアウターリード11bと第2のアウターリード12b、及び基台10aの裏面は図7の実施形態と同様の構造となってパッケージ10の裏面に露出して、他の配線や基板と電気的に接続して表面実装することができる。<5.半導体発光装置用パッケージ及び半導体発光装置の製造方法>本発明の半導体発光装置用パッケージを有してなる半導体発光装置の製造方法について説明する。図9a~eは、第1の実施形態に係る半導体発光装置の製造工程を示す概略断面図である。まず、第1の工程として、パッケージ10の凹部14の底面14aに対応する第1のリード11及び第2のリード12を、下金型100と上金型110とで挟み込む図9a及びb。ここで基台10aが第1のリード11及び第2のリード12と共に樹脂成形体13と一体成形される場合には、図9a及びbに示すように基台10aは第1のリード11及び第2のリード12と共に金型内に挿入され、下金型100と上金型110とで挟み込まれる。なお、基台10aがパッケージに形成された空洞部に、成形後挿入される場合には、上金型及び/又は下金型として空洞部の形状に対応した凸部が存在するものが使用される。下金型100には、パッケージ10の樹脂成形体13の形状に対応する凹部100b及び前記パッケージにおける凹部14の形状に対応する凸部100aが形成されている。ここで、凹部14の底面14aに対応する凸部100aの平坦面100cは、第1のインナーリード部11a及び第2のインナーリード部12aと接触するように形成されている。次いで、第2の工程として、下金型100と上金型110との凹みにより形成される空間部分に射出成形機を用いて前述した液状の熱硬化性シリコーン樹脂組成物を注入成形する図9c。この工程では、液状の上記熱硬化性シリコーン樹脂組成物の供給はペール缶などの所定の容器から圧送する等の方法により行われる。熱硬化性シリコーン樹脂組成物は一液型、二液型を問わず、ペールポンプドラムポンプを用いて計量プランジャ又は、計量スクリュー部へ組成物をいったん圧送し、次に予熱された金型内に計量プランジャ又は計量スクリューから所定量射出される。二液型の場合には、一液型用のペールポンプドラムポンプ2台を同軸にしてプランジャを同時に操作させる方式や、油圧機構によってリンクさせ同時に操作させる方式などにより二成分を同時に計量し、混合装置を経由して計量プランジャ又は計量スクリューより射出すればよい。計量誤差を低減させるため、二つの成分は容量比で1:1に近いことが好ましく、均一に混合するためにはそれぞれの粘度も同じ程度にすることが好ましい。続いて下金型100と上金型110とを所定の温度に加熱し、射出された第1の熱硬化性樹脂を硬化させる。第1のインナーリード部11a及び第2のインナーリード部12aインナーリード部11a、12aの裏面に樹脂成形体が接する場合には、第1のアウターリード部11bと第2のアウターリード部12bを金型で挟み込むため、上記熱硬化性シリコーン樹脂組成物を射出する際にこれらのリードがばたつくことがなく、バリの発生を抑制できる。なお、必要に応じ、インナーリード部11a,12aの裏面を支えるための支持ピンを用いることができる。ここで、第2の工程の射出成形圧力は10~1200kg/cm2とすることが好ましい。射出成形圧力が10kg/cm2未満では、液状硬化性組成物の金型内での流れが遅く、硬化が先行して未充填ショートが発生する恐れがあり、1200kg/cm2を超えると液状硬化性組成物の流れが速すぎて薄肉部などに未充填が生じる充填むらが発生したり、残留応力により成形品が膨張し型離れが悪くなる恐れがある。さらに液状射出成形機のシリンダー温度は0°C~100°Cであることが好ましい。シリンダー温度が0°C未満では、液状熱硬化性組成物に結露水が混入、凍結し除去できなくなる可能性があり、100°Cを超えると液状熱硬化性組成物の硬化反応が過度に進行し、増粘する可能性がある。次いで、第3の工程として、射出注入された上記熱硬化性シリコーン樹脂組成物を加熱硬化して、底面14aと側面14bとを持つ凹部14を有する樹脂成形体13が得られる。この加熱硬化工程の温度や時間等の条件は、バリやショートモールドを低減し、離型をよくする観点からは、液状射出成形時の硬化温度及び時間がそれぞれ、120°C~230°C及び3秒~10分間であることが好ましい。必要に応じてポストキュアを行ってもよい。液状射出成形時の硬化温度がこの範囲より高いと、樹脂の分解劣化や、硬化速度が速すぎることに起因する未充填を引き起こす可能性がある。また硬化温度がこの範囲より低いと、硬化に時間がかかり生産性が低下したり硬化不足により型離れが悪化したりする可能性がある。また、硬化時間は熱硬化性シリコーン樹脂組成物のゲル化速度や硬化速度に応じて適宜選択すればよいが、3秒以上10分以下が好ましく、より好ましくは5秒以上200秒以下、さらに好ましくは10秒以上60秒以下である。硬化時間が上記範囲より短いと硬化不足が生じ型離れが悪化する可能性がある。また、硬化時間が上記範囲より長いと生産性が低下し、液状射出成形の利点を生かせなくなる。これにより第1のリード11、第2のリード12、及び、樹脂成形体13が一体的に成形された、底面14aと側面14bとを持つ凹部14を有する、本発明の半導体発光装置用パッケージを提供することができる。次いで、第4の工程として、発光素子20を載置するため、下金型100及び上金型110を取り外す図9d。なお、基台10aがパッケージに形成された空洞部に成形後挿入される場合は、成形体を金型から取り出した後に基台10aを空洞に挿入し、基台を有するパッケージとする。次いで、第5の工程として、以下を行う。発光素子20を基台10aに載置し、ワイヤ40を介して発光素子20が持つ第1の電極21と第1のインナーリード部11aとを電気的に接続する。以上の工程により、図9dの形状のパッケージが形成される。なお、発光素子20が上面と下面に電極を持つ場合は、発光素子20の下面にある第1の電極21に関してはワイヤを用いず、ダイボンディングにて基台10aと電気的接続を取り、基台10aと第1のインナーリード部11aとを接続する。基台10aが絶縁性の素材から構成される場合には、基台10aと発光素子20との間に導電性のサブマウントを使用し、このサブマウントと第1のインナーリード部11aとを電気的に接続してもよい。次に発光素子20の第2の電極22と第2のインナーリード部12aとをワイヤ40を介して電気的に接続する。ここで、第1のリード11又は第2のリード12に保護素子20aを載置する場合には、該載置工程を上記第5の工程の前又は後に行えばよい。次いで、第6の工程として、発光素子20が載置された凹部14内に封止材用熱硬化性樹脂組成物を装入する。この封止材用熱硬化性樹脂組成物の装入は、滴下法や射出法、押出法などを用いることができるが、滴下法によることが好ましい。滴下することにより凹部14内に残存する空気を効率的に排出することができるからである。封止材用熱硬化性樹脂組成物は、蛍光体を含むものが好ましい。これにより半導体発光装置の色調調整を容易にすることができる。次いで、第7の工程として、封止材用熱硬化性樹脂組成物を加熱硬化して、封止材30を成形する図9e。このような手順により、量産性よく、耐熱性、耐光性、密着性等に優れた半導体発光装置を製造することができる。また、樹脂成形体を製造する際、樹脂組成物の流動性が良好なためバリ発生が問題となるが上金型と下金型でこれらリードをしっかり挟み込むためバリが発生しにくい。そして、挟み込んだリードは露出するので、この露出部分に発光素子を載置したり、発光素子が持つ電極とリードとをワイヤ等で接続したりすることができる。特に、半導体発光装置用樹脂成形体13の材質である熱硬化性シリコーン樹脂組成物と封止材30の材料である封止材用熱硬化性樹脂組成物とは、共に熱硬化性樹脂をベースとするため、密着性が良好で半導体発光装置用樹脂成形体13と封止材30との界面の剥離が生じにくく、耐熱性、耐光性、密着性等に優れた半導体発光装置を提供することができる。以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明は、その要旨を変更しない限り以下の実施例に限定されるものではない。実施例1として、樹脂成形体用樹脂として後述する液状熱硬化性ポリオルガノシロキサン1を用いた熱硬化性シリコーン樹脂組成物を使用し、半導体発光装置用パッケージに対応する評価を実施するため各試験片を成形した。また、比較例1として、ポリフタルアミド樹脂組成物チタニア系顔料、ガラス繊維を含有である、ソルベイアドバンストポリマーズ株式会社製アモデルA4122を用いて製造された市販品のパッケージ及び試験片を使用した。それぞれの材料及び得られた組成物の物性を測定すると共に各試験片を用いて、反射率を比較した。[1.液状熱硬化性ポリオルガノシロキサン1の製造]ビニル基含有ポリジメチルシロキサン組成物ビニル基:0.3mmol/g含有、粘度3500mPas、白金錯体触媒8ppm含有と、ヒドロシリル基含有ポリジメチルシロキサン組成物ビニル基:0.1mmol/g含有、ヒドロシリル基:4.6mmol/g含有、粘度600mPasと、硬化遅延成分D硬化速度制御剤含有ポリジメチルシロキサンビニル基:0.2mmolg含有、ヒドロシリル基:0.1mmolg含有、アルキニル基:0.2mmolg含有、500mPasとを、100:10:5で混合し、C硬化触媒として白金濃度7ppmを含有する液状熱硬化性ポリオルガノシロキサン1を得た。なお、この液状熱硬化性ポリオルガノシロキサン1の屈折率は、1.41であった。[2.樹脂成形体用材料の調製、反射率測定用試験片の作製]A上記で得られた液状熱硬化性ポリオルガノシロキサン160重量部、B白色顔料として一次粒子径0.3μm、二次粒子の中心粒径D501.2μm、アスペクト比1.48のα結晶形破砕状アルミナを35重量部、E流動性調整剤としてシリカ微粒子AEROSILRX200比表面積140m2/gを5重量部の割合で配合し、自転公転式ミキサーを用いた攪拌により白色顔料とシリカ微粒子を前記1に分散させ、白色の樹脂成形体用材料を得た。これらの材料を、熱プレス機にて180°C、10kg/cm2、硬化時間240秒の条件で硬化させ、直径13mm、厚さ410μmの実施例1の円形の試験片テストピースを得た。比較例1のポリフタルアミド樹脂については、ソルベイアドバンストポリマーズ株式会社製アモデルA4122の2mm厚のテストパネルを約10mm角の大きさに切り出したものを、試験片テストピースとした。[3.白色顔料の一次粒子径、および一次粒子のアスペクト比の測定方法]実施例で用いた白色顔料アルミナ粉体のSEM観察により一次粒子径を計測した。粒子径にばらつきがある場合は、数点例えば10点をSEM観察し、その平均値を粒子径としてもとめた。特にばらつきが大きく、例えば、極微量含まれる微小粒子や粗大粒子を除き、小粒径と大粒径の差が5倍程度以上あるような場合には、その最大値および最小値を記録した。また、長軸長さと短軸長さ長径に垂直方向で最も長い部分の長さも計測し、一次粒子径については長軸の長さを採用し、長軸長さを短軸長さ長径に垂直方向で最も長い部分の長さで除した値をアスペクト比とした。[4.白色顔料の二次粒子の中心粒径D50の測定方法]10~20mgの白色顔料アルミナ粉体に0.2のポリリン酸ナトリウム水溶液10gを加え、超音波振動でアルミナを分散させた。この分散液を用いて白色顔料の二次粒子の体積基準の中心粒径D50を日機装株式会社製マイクロトラックMT3000IIにて測定した。なお、中心粒径D50は、積算の体積基準粒度分布曲線が50の横軸と交差するポイントの粒子径をいう。[5.試験片の反射率測定]上記実施例1および比較例1の各試験片について、コニカミノルタ社製SPECTROPHOTOMETERCM-2600dを用いて測定径6mmにて360nmから740nmの波長における反射率を測定した。リード電極単独の反射率の値と合わせて、測定結果を図10、表1に示す。本発明の樹脂成形体用材料は、従来のパッケージ材であるポリフタルアミド樹脂やLED用に多用される銀メッキ銅リードフレームリードよりもバインダとして用いている樹脂及び反射材フィラーの種類粒子径に由来し反射率高いため、長期使用時に着色劣化しやすい銀メッキ表面の電極露出面積を少なくすることが可能である。前記の試験片を液体窒素で凍結した状態でミクロトームにより切削し、パッケージ断面のSEM観察を行った。断面に露出したアルミナの一次粒子径は0.3μm、一次粒子のアスペクト比は1.48であった。[6.樹脂成形体用材料の粘度測定]実施例1の樹脂成形体用材料について、レオメトリクス社製RMS-800にてパラレルプレートを用い、測定温度25°Cで粘度測定を行った。その結果を表2、および図11に示す。実施例1の材料は、25°Cにおける剪断速度1s1および100s1での粘度、並びにその傾きが樹脂成形体の液状射出成形に適していることがわかる。[7.パッケージの液状射出成形]実施例1の樹脂成形体用材料を用いて、全面銀メッキした銅リードフレームと共に液状射出成形により図1及び図2の実施形態の形状を有する半導体発光装置用パッケージを成形する。なお、成形は金型温度170°C、硬化時間20秒の条件で行う。8.封止材の製造モメンティブパフォーマンスマテリアルズジャパン合同会社製両末端シラノールジメチルシリコーンオイルXC96-723を385g、メチルトリメトキシシランを10.28g、及び、触媒としてジルコニウムテトラアセチルアセトネート粉末0.791gを、攪拌翼と、分留管、ジムロートコンデンサ及びリービッヒコンデンサとを取り付けた500ml三つ口フラスコ中に計量し、室温にて15分間触媒の粗大粒子が溶解するまで攪拌した。この後、反応液を100°Cまで昇温して触媒を完全溶解し、ジムロートコンデンサを用いて100°C全還流下で30分間500rpmで攪拌しつつ初期加水分解を行った。続いて留出ラインをリービッヒコンデンサ側に切り替えて、窒素をSV20で液中に吹き込み生成メタノール及び水分、副生する低沸点ケイ素化合物を窒素に随伴させて留去しつつ100°C、500rpmにて1時間攪拌した。窒素をSV20で液中に吹き込みながらさらに130°Cに昇温、保持しつつ5時間重合反応を継続し、粘度120mPasの反応液を得た。なお、SVはSpaceVelocityの略称であり、単位時間当たりの窒素吹き込み体積比対反応液体積を指す。窒素の吹き込みを停止し反応液をいったん室温まで冷却した後、ナス型フラスコに反応液を移し、ロータリーエバポレーターを用いてオイルバス上120°C、圧力1kPaで50分間、微量に残留しているメタノール及び水分、低沸点ケイ素化合物を留去し、粘度230mPas、屈折率1.41の無溶剤の封止材液を得た。9.発光装置の製造9-1.発光装置の組み立て実施例1及び比較例1のパッケージを用い、次のようにして各々3種の発光装置を組み立てる。360nm、406nm、460nmの発光波長を有する半導体発光素子1個定格電流20mAをパッケージの凹部に露出しているインナーリード上の所定位置にシリコーンダイボンド材信越化学工業株製KER-3000-M2を介して設置した後、該シリコーンダイボンド材を100°Cで1時間、さらに150°Cで2時間硬化させる。こうして半導体発光素子をパッケージ上に搭載した後、金線で該パッケージのリード電極と半導体発光素子を接続する。9-2.半導体発光素子の封止9-1にて製造した発光装置のパッケージ凹部へ、開口部上縁と同じ高さになるように前述の封止材を滴下した後、恒温器にて90°C×2時間、次いで110°C×1時間、150°C×3時間の加熱硬化を行い半導体発光素子を透明クリア封止し、実施例1、比較例1のパッケージ各々について360nm、406nm、460nmの発光素子を有する3種の半導体発光装置を得る。"