反応室内にウェーハを導入して、支持部上に載置し、前記支持部の下部に設けられたヒータにより、前記ウェーハを加熱し、前記ウェーハを回転させ、前記ウェーハ上にプロセスガスを供給することにより、前記ウェーハ上に成膜し、前記ウェーハの周縁部における少なくとも円周方向の温度分布を検出し、検出された前記温度分布に基づき、前記ウェーハと前記支持部との貼り付きの有無を判断することを特徴とする気相成長方法。前記成膜の前後に、前記ウェーハの周縁部における少なくとも円周方向の前記温度分布を検出することを特徴とする請求項1に記載の気相成長方法。前記温度分布は、前記ウェーハの周縁部における円周方向及び径方向の温度分布であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の気相成長方法。前記判断された貼り付きの有無の情報を、前記ウェーハの履歴情報として記憶することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の気相成長方法。ウェーハが導入される反応室と、前記反応室にプロセスガスを供給するためのガス供給部と、前記反応室よりガスを排出するためのガス排出部と、前記ウェーハを載置する支持部と、前記ウェーハを回転させるための回転駆動制御部と、前記ウェーハを所定の温度に加熱するためのヒータと、前記ウェーハの周縁部における少なくとも円周方向の温度分布を検出するための温度検出部と、検出された前記温度分布に基づき、前記ウェーハと前記支持部との貼り付きの有無を判断する演算処理部と、を備えることを特徴とする気相成長装置。生成物がウェーハとサセプタ間に堆積すると、ウェーハがサセプタに貼り付き、ウェーハを搬出するために、突き上げピンで上昇させる際、サセプタも貼り付いた状態で上昇してしまう場合がある。そして、ウェーハを上昇中やロボットハンド上に載置する際に、ウェーハやサセプタが破損するなどにより、反応室内を降温させて、除去するなどの必要が生じ、歩留り、スループットが低下するという問題がある。そこで、本発明は、成膜の際のウェーハとサセプタの貼り付きの有無を検出し、歩留り、スループットの向上が可能な気相成長方法及び気相成長装置を提供することを目的とするものである。本発明の気相成長方法は、反応室内にウェーハを導入して、支持部上に載置し、支持部の下部に設けられたヒータにより、ウェーハを加熱し、ウェーハを回転させ、ウェーハ上にプロセスガスを供給することにより、ウェーハ上に成膜し、ウェーハの周縁部における少なくとも円周方向の温度分布を検出し、検出された温度分布に基づき、ウェーハと支持部との貼り付きの有無を判断することを特徴とする。また、本発明の一態様の気相成長方法において、成膜の前後に、ウェーハの周縁部における少なくとも円周方向の前記温度分布を検出することが好ましい。また、本発明の一態様の気相成長方法において、温度分布は、前記ウェーハの周縁部における円周方向及び径方向の温度分布であることが好ましい。また、本発明の一態様の気相成長方法において、判断された貼り付きの有無の情報を、前記ウェーハの履歴情報として記憶することが好ましい。本発明の一態様の気相成長装置は、ウェーハが導入される反応室と、反応室にプロセスガスを供給するためのガス供給部と、反応室よりガスを排出するためのガス排出部と、ウェーハを載置する支持部と、ウェーハを回転させるための回転駆動制御部と、ウェーハを所定の温度に加熱するためのヒータと、ウェーハの周縁部における少なくとも円周方向の温度分布を検出するための温度検出部と、検出された温度分布に基づき、ウェーハと前記支持部材との貼り付きの有無を判断する演算処理部と、を備えることを特徴とする。本発明によれば、成膜の際のウェーハとサセプタの貼り付きの有無を検出し、歩留り、スループットの向上が可能となる。以下、本発明の実施形態について、図を参照して説明する。実施形態1図1に本実施形態の気相成長装置の断面図を示す。図1に示すように、ウェーハwが成膜処理される反応室11には、必要に応じてその内壁を覆うように石英カバー11aが設けられている。反応室11の上部には、ソースガス、キャリアガスを含むプロセスガスを供給するためのガス供給部12と接続されたガス供給口12aが設けられている。そして、反応室11下方には、例えば2か所に、ガスを排出し、反応室11内の圧力を一定例えば常圧に制御するためのガス排出部13と接続されたガス排出口13aが設置されている。ガス供給口12aの下方には、供給されたプロセスガスを整流して供給するための微細貫通孔を有する整流板14が設けられている。そして、整流板14の下方には、ウェーハwを載置するための支持部である、例えばSiCからなるサセプタ15が設けられている。サセプタ15は、回転部材であるリング16上に設置されている。リング16は、ウェーハwを所定の回転速度で回転させる回転軸を介して、モータなどから構成される回転駆動制御部17と接続されている。リング16内部には、ウェーハwを加熱するための、例えばSiCからなるインヒータ18、アウトヒータ19から構成されるヒータが設置されており、それぞれ所定の昇降温速度で所定の温度となるように制御する温度制御部図示せずと接続されている。そして、これらインヒータ18、アウトヒータ19から下方への熱を反射し、ウェーハwを効率的に加熱するための円盤状のリフレクタ20が設置されている。さらに、インヒータ18及びリフレクタ20を貫通するように、ウェーハwの下面を支持し、ウェーハwを上下に移動させる突き上げピン21が設けられている。反応室11の上部には、ウェーハwの周縁部の温度分布を検出するための温度検出部である放射温度計22が設置されており、演算処理部23と接続されている。このような半導体製造装置を用いて、例えばφ200mmのウェーハw上に、Siエピタキシャル膜が形成される。図2にフローチャートを示す。先ず、ロボットハンド図示せずなどにより、反応室11にウェーハwを搬入し、突き上げピン図示せず上に載置し、突き上げピンを下降させることにより、サセプタ15上に載置するStep1。そして、インヒータ18、アウトヒータ19を、それぞれ温度制御部により例えば1500~1600°Cとすることにより、ウェーハwが例えば1100°Cとなるように加熱するとともに、回転駆動制御部17により、ウェーハwを、例えば900rpmで回転させるStep2。そして、ガス供給制御部12により流量が制御されて混合されたプロセスガスが、整流板14を介して、整流状態でウェーハw上に供給される。プロセスガスは、例えばソースガスとして、ジクロロシランSiH2Cl2が、例えばH2ガスなどの希釈ガスにより所定の濃度例えば2.5に希釈され、例えば50SLMで供給される。一方、余剰となったプロセスガス、反応副生成物などからなる排出ガスは、ガス排出口13aよりガス排出部13を介して排出され、反応室11内の圧力が一定例えば常圧に制御される。このようにして、ウェーハw上に所定の膜厚のSiエピタキシャル膜が形成されるStep3。そして、Siエピタキシャル膜が形成されたウェーハについて、ウェーハw周縁部の所定位置例えばウェーハエッジからの距離が5mmの温度を、放射温度計22により、ウェーハwを回転させながら測定することにより、ウェーハw周縁部の円周方向の温度分布が検出されるStep4。なお、測定は、1周のみに限られず、2週以上測定を行い、平均値を求めることにより、より温度分布の精度を向上させることができる。このとき、図3に部分断面図を示すように、ウェーハwとサセプタ15間の堆積物24による貼り付きがない場合、ウェーハw周縁部の円周方向の温度分布は、図4に示すように、大きな変動が認められない。しかしながら、図5Aに部分断面図を、図5Bにウェーハの上面図を示すように、ウェーハwの一部に堆積物24による貼り付き部分24aがある場合、図6に示すように、貼り付き部分24aにおいて温度が上昇する。そこで、演算処理部23において、温度の変動ΔT=T-Tが所定の値例えば5°Cを超えるとき、貼り付きがあると判断される。そこで、ウェーハwは所定温度例えば800°Cより低温例えば500°Cまで冷却され、Siからなるウェーハwと、SiCからなるサセプタ15との熱膨張率の差による収縮差により、貼り付き状態が解除されるStep5a。貼り付け状態が解除されたウェーハwは、突き上げピン21により上昇された後、ロボットハンドにより反応室11より搬出されるStep6。一方、温度上昇が所定の値例えば5°C以内のとき、貼り付きがないと判断される。そして、ウェーハwは所定温度例えば800°Cに冷却されStep5b、突き上げピン21によりウェーハwを上昇させ、ロボットハンドにより反応室11より搬出されるStep6。このように、本実施形態によれば、成膜の際、ウェーハとサセプタとの貼り付きがある場合でも、貼り付きを検出し、貼り付きを解除した後に搬出することができる。これにより、必要な場合のみに貼り付き解除の操作を行うことができる。すなわち、通常貼り付きのあるロット全てにおいて、貼り付き解除のために、例えば500°Cまで降温させていたものを、貼り付きが検出されたもののみについて貼り付き解除の操作を行うとすることにより、各ウェーハについて降温昇温にかかる約2分間のタイムロスを削減することができる。従って、ウェーハやサセプタの破損を抑え、歩留り、スループットの低下を抑えることが可能となる。実施形態2本実施形態においては、実施形態1と同様の気相成長装置が用いられるが、成膜後のみならず成膜前にもウェーハ周縁部の温度分布を検出している。すなわち、実施形態1と同様に、ウェーハwを反応室11に搬入し、サセプタ15上に載置した後、ウェーハwが例えば1100°Cとなるように加熱するとともに、回転駆動制御部17により、ウェーハwを、例えば900rpmで回転させる。そして、プロセスガスを供給する前に、ウェーハw周縁部の所定位置例えばウェーハエッジからの距離が5mmの温度を、放射温度計22により、ウェーハwを回転させながら測定することにより、ウェーハw周縁部の円周方向の温度分布が検出される。そして、実施形態1と同様に、ウェーハw上に所定の濃度、流量でプロセスガスが供給され、ウェーハw上に所定の膜厚のSiエピタキシャル膜が形成される。そして、Siエピタキシャル膜が形成されたウェーハについて、同様にウェーハw周縁部の円周方向の温度分布が検出される。図7A、図7Bに、成膜前の温度分布A実線と成膜後の温度分布B破線の例を示す。図7Aに示すように、温度上昇が所定の値例えば5°Cを超える場合、貼り付きがあると判断され、実施形態1と同様に、通常より低温例えば500°Cまで冷却され、貼り付き状態が解除された後、突き上げピン21により上昇させ、ロボットハンドにより反応室11より搬出される。一方、図7Bに示すように、同じ温度であっても、もともとウェーハの円周方向に温度のばらつきがある場合、成膜前後の温度上昇ΔT=Tθi-Tθiが所定の値例えば5°C以内であれば、貼り付きがないと判断される。その場合、実施形態1と同様に、ウェーハwは所定温度例えば800°Cに冷却され、突き上げピン21によりウェーハwを上昇させ、ロボットハンドにより反応室11より搬出される。このように、本実施形態によれば、もともとウェーハの円周方向に温度のばらつきがある場合であっても、より正確に成膜の際の貼り付きを検出し、貼り付きを解除した後に搬出することにより、必要な場合のみに貼り付き解除の操作を行うことができ、実施形態1と同様に、タイムロスの削減が可能となる。従って、ウェーハやサセプタの破損を抑え、歩留り、スループットの低下を抑えることが可能となる。実施形態3本実施形態においては、実施形態1と同様の気相成長装置が用いられるが、径方向においても、ウェーハ周縁部の温度分布を検出している。すなわち、実施形態1と同様に、ウェーハwを反応室11に搬入し、サセプタ15上に載置した後、ウェーハwが例えば1100°Cとなるように加熱するとともに、回転駆動制御部17により、ウェーハwを、例えば900rpmで回転させる。そして、実施形態1と同様に、ウェーハw上に所定の濃度、流量でプロセスガスが供給され、ウェーハw上に所定の膜厚のSiエピタキシャル膜が形成される。そして、Siエピタキシャル膜が形成されたウェーハについて、図8に示すように、実施形態1と同様に、放射温度計22により、例えばウェーハエッジからの距離が15mmの位置aにおける温度が検出される。同様に、放射温度計22による測定位置を外周側に変動させ、ウェーハエッジからの距離が10mmの位置bにおける温度、ウェーハエッジからの距離が5mmの位置cにおける温度が検出される。図8にウェーハw全周に貼り付きがない場合実線と、貼り付きがある場合破線の所定の位相周方向の位置における径方向の温度分布を示す。図8に示すように、貼り付きがある場合は、外周側の温度上昇が大きくなっているのに対し、貼り付きがない場合は、温度の変動が抑えられていることがわかる。そこで、外周側への温度上昇ΔT=Tθi-Tθiが所定の値例えば5°Cを超えるとき、貼り付きがあると判断される。その場合、実施形態1と同様に、貼り付き状態が解除された後、突き上げピン21により上昇させ、ロボットハンドにより反応室11より搬出される。一方、温度上昇が所定の値例えば5°C以内のとき、貼り付きがないと判断され、実施形態1と同様に、ウェーハwは冷却され、突き上げピン21によりウェーハwを上昇させ、ロボットハンドにより反応室11より搬出される。このように、本実施形態によれば、径方向の温度分布を検出することにより、ウェーハwの外周全面でサセプタ15との貼り付きがある場合でも、成膜の際の貼り付きを検出し、貼り付きを解除した後に搬出することができ、実施形態1と同様に、タイムロスの削減が可能となる。従って、必要な場合のみに貼り付き解除の操作を行うことができ、ウェーハやサセプタの破損を抑え、歩留り、スループットの低下を抑えることが可能となる。なお、本実施形態において、成膜後の温度分布のみが検出されたが、実施形態2と同様に、併せて成膜前の温度分布を検出することにより、もともとウェーハの円周方向に温度のばらつきがある場合であっても、より正確に成膜の際の貼り付きを検出することができる。これら実施形態において、SiウェーハとSiCからなるサセプタが用いられているが、この組合せに限定されるものではない。ウェーハとサセプタとの熱膨張率の差があればよく、例えば、その他SiCウェーハとTaCからなるサセプタの組合せを用いることができる。また、これら実施形態において、温度差により貼り付きの有無が判断されているが、温度又は温度上昇の偏差により貼り付きの有無を判断してもよい。このような偏差は、例えば実施形態2を例に挙げると、として求めることができる。また、これら実施形態において、貼り付きの有無が判断され、貼り付きがある場合に貼り付きの解除動作が行われるが、解除動作の要否の判断に用いるだけに限定されるものではない。例えば、貼り付きの有無の情報をウェーハの履歴情報として、例えば演算処理部23内、又は外部に設けられたメモリーに記憶させてもよい。このようにウェーハの履歴情報として記憶されることにより、例えば、貼り付きがあったウェーハについては、貼り付きの解除操作により、内部歪が大きくなっていると考えられることから、このようなウェーハについて、ウェーハ状態の再検査を行うなどにより、検査精度を向上させることができる。これら実施形態によれば、半導体ウェーハwにエピタキシャル膜などの膜を高い生産性で安定して形成することが可能となる。そして、ウェーハの歩留り向上と共に、素子形成工程及び素子分離工程を経て形成される半導体装置の歩留りの向上、素子特性の安定を図ることが可能となる。特にN型ベース領域、P型ベース領域や、絶縁分離領域などに100μm以上の厚膜成長が必要な、パワーMOSFETやIGBTなどのパワー半導体装置のエピタキシャル形成工程に適用されることにより、良好な素子特性を得ることが可能となる。本実施形態においては、Siエピタキシャル膜形成の場合を例に挙げたが、その他、SiCなどの化合物半導体についても、同様に適用することができる。また、本実施形態は、例えばGaN、GaAlAsやInGaAsなど化合物半導体のエピタキシャル層や、ポリSi層や、例えばSiO2層やSi3N4層などの絶縁膜の成膜時にも適用することも可能である。その他要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。