母材銅箔未処理銅箔の少なくとも片面に、前記母材銅箔の表面粗さRzに対してRzが0.05~0.3μm増加する粗化処理が施されて、粗化処理後の表面粗さRzが1.1μm以下である粗化処理面を有する粗化処理銅箔であって、前記粗化処理面は幅が0.3~0.8μm、高さが0.4~1.8μmで、アスペクト比[高さ/幅]が1.2~3.5で、先端が尖った凸部形状の粗化粒子で形成されている粗化処理銅箔。前記粗化処理面の二次元表面積に対するレーザーマイクロスコープによる三次元表面積の比が、3倍以上である請求項1に記載の粗化処理銅箔。前記粗化処理面に、Ni、Ni合金、Zn、Zn合金のいずれかの金属めっきにより金属めっき層が施されている請求項1又は2に記載の粗化処理銅箔。前記金属めっき層の表面に、Crめっき、Cr合金めっき、クロメート処理のいずれかの防錆処理が施された請求項3に記載の粗化処理銅箔。前記防錆処理が施された表面に、シランカップリング処理が施された請求項4に記載の粗化処理銅箔。母材銅箔未処理銅箔の少なくとも片面に、前記母材銅箔の表面粗さRzに対してRzが0.05~0.3μm増加する粗化処理を施し、粗化処理後の表面粗さRzが1.1μm以下の粗化処理面にする粗化処理銅箔の製造方法であって、前記粗化処理により、粗化処理面に幅が0.3~0.8μm、高さが0.4~1.8μmで、アスペクト比[高さ/幅]が1.2~3.5で、先端が尖った凸部形状の粗化粒子を形成する粗化処理銅箔の製造方法。粗化処理の粗化量粗化処理で付着する重量が、1m2あたり3.56~8.91g厚さ換算:0.4~1.0μmである請求項6に記載の粗化処理銅箔の製造方法。樹脂基材の片面又は両面に請求項1~5のいずれかに記載の粗化処理銅箔、又は請求項6又は7に記載の製造方法で製造した粗化処理銅箔を張り合わせてなる銅張積層板。請求項8に記載の銅張積層板を用いたプリント配線板。この問題につき発明者等は鋭意検討した結果、銅箔の表面に施す粗化処理の量と形状を適切な範囲とすることによりファインパターンの回路形成性や高周波域における伝送特性に優れ、かつ樹脂基材との密着性に優れる粗化処理が可能であるとの認識に到達し、本発明に到った。本発明の目的は、ファインパターンの回路形成性や高周波域における伝送特性に優れ、かつ樹脂基材との密着性に優れる粗化処理銅箔を提供することにある。また本発明の目的は、前記粗化処理銅箔を樹脂基材に張り付けた銅張積層板および前記銅張積層板を用いたプリント配線板を提供することにある。本発明の粗化処理銅箔は、母材銅箔未処理銅箔の少なくとも片面に、前記母材銅箔の表面粗さRzに対してRzが0.05~0.3μm増加する粗化処理が施されて、粗化処理後の表面粗さRzが1.1μm以下である粗化処理面を有する粗化処理銅箔であって、前記粗化処理面は幅が0.3~0.8μm、高さが0.4~1.8μmで、アスペクト比[高さ/幅]が1.2~3.5で、先端が尖った凸部形状の粗化粒子で形成されている銅箔である。本発明粗化処理銅箔は、粗化処理を施した粗化処理表面が、二次元表面積に対するレーザーマイクロスコープによる三次元表面積の比で、3倍以上であることが好ましい。本発明の粗化処理銅箔は、前記粗化処理面に、Niめっき、Ni合金めっき、Znめっき、Zn合金めっきのいずれかの金属めっきを施すことが好ましい。また、その上にCrめっき、Cr合金めっき、クロメート処理のいずれかの防錆処理を施すことが好ましい。また、更にその上にシランカップリング処理を施すことが好ましい。本発明の粗化処理銅箔の製造方法は、母材銅箔未処理銅箔の少なくとも片面に、前記母材銅箔の表面粗さRzに対してRzが0.05~0.3μm増加する粗化処理を施し、粗化処理後の表面粗さRzが1.1μm以下の粗化処理面にする粗化処理銅箔の製造方法であって、前記粗化処理により、粗化処理面に幅が0.3~0.8μm、高さが0.4~1.8μmで、アスペクト比[高さ/幅]が1.2~3.5で、先端が尖った凸部形状の粗化粒子を形成する製造方法である。また、前記粗化処理の粗化量を1m2あたり3.56~8.91g厚さ換算:0.4~1.0μmとすることが好ましい。本発明は、前記粗化処理銅箔を樹脂基材に積層してなる銅張積層板である。また、前記銅張積層板を用いたプリント配線板である。本発明の粗化処理銅箔はファインパターンの回路形成性や高周波域における伝送特性に優れ、かつ樹脂基材との密着性や耐薬品性銅箔と樹脂基材との界面での薬品の染み込みを阻止に優れる粗化処理銅箔である。更に、本発明の粗化処理銅箔を用いた銅張積層板によれば、ファインパターンや高周波基板に適するだけでなく、樹脂基材と銅箔との密着性が良好で信頼性の高いプリント配線板を提供することができる。銅箔表面には樹脂基材との密着性を改善するための粗化処理と、必要によりその上に粗化処理粒子の脱落や防錆を目的とした表面処理がなされる。本発明では表面処理として、主として銅又は銅合金からなる粗化処理を施し、その上に必要によりNi、Znおよびこれらの合金等やCrによる表面処理を施し、さらに必要に応じて樹脂基材との密着性向上のためのシランカップリング処理が施される。銅箔と樹脂基材との密着性を向上させる粗化処理は、粗化粒子を粗くするほど、すなわち表面の凹凸を粗くするほど密着性は向上するが、ファインパターンでの回路形成性や高周波帯域における伝送特性、ブラインドビアホール穿設時のデスミア性は悪くなる傾向にある。本発明では、母材銅箔未処理銅箔の表面に先ず母材銅箔の表面粗さRzが0.05~0.30μm増加する粗化処理を銅又は銅合金で施す。このとき、粗化処理後の表面粗さRzは1.1μm以下とする。なお、上記銅又は銅合金で施す粗化処理では、表面粗さRaを0.02~0.05μm増加する範囲で行い、粗化処理後のRaを0.35μm以下とすることが好ましい。粗化処理後の表面粗さRzが上記下限値に満たない処理であると、樹脂基材との密着性がやや低くなり、Rzが上記上限値を超えると表面が粗くなり、後述する回路形成性や伝送特性が低下する。また、粗化処理後の表面粗さRzを1.1μmよりも粗くしないことで、樹脂基材との密着性を損なうことなく、ファインパターンでの回路形成性や高周波帯域での伝送特性に優れた粗化処理銅箔とすることができる。なお、表面粗さRa、RzはJIS-B-0601の規定に準じて測定される値である。本発明では銅箔の粗化面は、粗化を形成する凸状の大きさが、幅0.3~0.8μm、高さ0.4~1.8μmの先端が尖っている形状とする。このような形状とすることで絶縁樹脂と張付ける際に樹脂基材に粗化処理した凹凸が食い込み易くアンカー効果、良好な密着性を得ることができる。なお、凸状の大きさにおける幅は箔表面の付け根部分の長さであり、高さは箔表面から頂きまでの長さである。また、本発明では、粗化処理面における凸部形状のアスペクト比[高さ/幅]を1.2~3.5とする。アスペクト比[高さ幅]を1.2~3.5とする理由は1.2未満では絶縁樹脂との密着性が十分でなく、アスペクト比が3.5より大きいと、粗化した凸部分が銅箔より欠落する可能性が高くなり好ましくないからである。また本発明では、二次元表面積に対してレーザーマイクロスコープによる三次元表面積が3倍以上となる粗化処理を施すことが好ましい。二次元表面積に対してレーザーマイクロスコープによる三次元表面積が3倍以上となる粗化処理を施す理由は、3倍未満では樹脂基材との接触面積が少なくなることにより密着力低下が起こるためであり、回路配線形成工程のエッチング処理や、回路配線の端部への無電解Snめっき工程のめっき処理や、ブラインドビアホール穿設工程のソフトエッチング処理等において、各処理に使用する薬品が銅箔と樹脂基材との界面に染み込むのを阻止できない耐薬品性を損うためである。また、ソフトエッチング液が粗化粒子や母材銅箔表面と接触する面積が少なく、ソフトエッチング処理におけるエッチング速度が遅くなってしまうためである。本発明では、粗化粒子の形状およびその表面粗さ、表面積を制御することにより、表面積の増加やアンカー効果による密着性の増加、耐熱密着性の改善につながり、またレーザー加工によりブラインドビアホールを形成後、ビア底部へのデスミア処理時の粗化部への樹脂残りを低減させ、かつ表面積増加により良好なソフトエッチング性をもたらす効果が発現する。本発明において、銅箔に粗化処理を施す粗化量は、1m2あたり3.56~8.91g厚さ換算:0.4~1.0μmであることが好ましい。粗化量を1m2あたり3.56~8.91gとするのは、母材銅箔未処理銅箔に、Rzが0.05~0.30μm、又はRaが0.02~0.05μm増加する粗化粒子を付着させるのに最適な範囲となるからである。ここで、母材銅箔未処理銅箔は、表面粗さがRa:0.30μm以下、Rz:0.8μm以下のものを用いることが好ましい。本発明において、母材銅箔表面に設ける粗化処理面は、CuまたはCuとMoの合金やCuとNi、Co、Fe、Cr、V及びWの群から選ばれる少なくとも1種の元素を含む銅合金で形成する。Cu粒子又はCuとMoの合金粒子で所望形態の粗化処理面突起物は得られるが、Cu粒子又はCuとMoの合金粒子にNi、Co、Fe、Cr、V及びWの群から選ばれる少なくとも1種の元素を含む2種類以上の合金粗化粒子で形成することで突起物は更に均一性のある突起物となる。前記粗化粒子に含まれるMo、Ni、Co、Fe、Cr、V及びWの群から選ばれる少なくとも1種の元素は、Cuの存在量に対し0.01ppm~20を占めることが好ましい。存在量が0.01ppm以下では望ましい効果が期待できず、20を越える合金組成では、回路パターンをエッチングする際に、溶解しにくくなるためである。更に、均一な突起物を得るためには各種処理液の組成、電流密度、液温、処理時間を最適にすることが望ましい。また、粗化粒子の表面に、樹脂基材との密着性耐熱性耐薬品性粉落ち性等を向上させることを目的にNi、Ni合金、Zn、Zn合金の群から選ばれる少なくとも1種の金属めっき層を設けると良い。これらの目的を果たすためには、Ni、Ni合金、Zn、Zn合金の付着金属量は0.05mg/dm2~10mg/dm2であることが望ましい。上記金属めっき層の上に、Crめっきやクロメート被膜からなる防錆層を形成することが望ましい。更に、防錆層の上にシランカップリング処理を施すと良い。本発明において、金属めっき層としてNi-Zn合金めっき処理を施す場合に、下記の式1で示すZn含有率wtが6~30で、かつ、Znを0.08mg/dm2以上付着させることが望ましい。式1Zn含有率wt=Zn付着量/Ni付着量Zn付着量×100Znの付着量を規定するのは銅箔と樹脂基材との耐熱性と耐薬品性を改善するためであり、Ni-Zn合金中のZn含有率wtが6未満では耐熱性が改善されず、30より多いと耐薬品性が悪くなり好ましくないためである。また、Znについては0.08mg/dm2以上付着させることが望ましい。Znを0.08mg/dm2以上付着させる理由は耐熱性を改善するためで、0.08mg/dm2未満では耐熱性の効果が期待できないためである。また、Niについては0.45~3mg/dm2付着させることが好ましい。Niの付着量を規定するのは耐熱性の改善とソフトエッチング性に影響があるためであり、Ni付着量が0.45mg/dm2未満では耐熱性の改善がそれほど期待できず、3mg/dm2より多いとソフトエッチング性に悪影響を及ぼすことが懸念されるためである。前記防錆層の上に、必要に応じて前記粗化処理銅箔と樹脂基材との密着性を向上させるためにシランカップリング処理を施してもよい。シランカップリング剤は対象となる樹脂基材によりエポキシ系、アミノ系、メタクリル系、ビニル系、メルカプト系等から適宜選択することができる。高周波対応基板に用いられる樹脂基材には、特に相性の優れるエポキシ系、アミノ系、ビニル系のカップリング剤を選択することが好ましく、フレキシブルプリント配線板に用いられるポリイミドには、特に相性の優れるアミノ系のカップリング剤を選択することが好ましい。樹脂基材としては、種々の成分の高分子樹脂を用いることができる。リジッド配線板やIC用のプリント配線板には主にフェノール樹脂やエポキシ樹脂を用いる。フレキシブル基板にはポリイミドやポリアミドイミドを主に用いる。ファインパターン高密度配線板や高周波基板用においては寸法安定性のよい材料、反りねじれの少ない材料、熱収縮の少ない材料などとしてガラス転移点Tgの高い耐熱樹脂を用いる。耐熱樹脂としては、例えば耐熱エポキシ樹脂、BTビスマレイミドトリアジンレジン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンオキサイド、シアネートエステル系樹脂などがあげられる。これらの樹脂基材と粗化処理銅箔を張り合わせる方法としては、熱プレス方式、連続ロールラミネート方式、連続ベルトプレス方式などを用いることができ、接着剤等を介さずに熱圧着することができる。また、別の方法としては、溶融状態や溶剤に溶解して流動性を有する状態とした樹脂含有物を粗化処理銅箔の表面に塗布した後に、熱処理により樹脂を硬化させる方法もある。最近では、銅箔の粗化面を予めエポキシ樹脂やポリイミドのような接着用樹脂で被覆し、該接着用樹脂を半硬化状態Bステージとした樹脂付き銅箔を回路形成用の銅箔として用い、その接着用樹脂側を樹脂基材に熱圧着して多層プリント配線板やフレキシブルプリント配線板を製造することも行われている。この方法では微細な粗化処理でも銅箔と樹脂基材との密着力を高めることができるため、本発明と組み合わせることにより密着性の良好な銅張積層板を製造することができ、より効果的である。電気信号の伝送速度が速くなると、樹脂基材の材質が特性インピーダンスや信号伝搬速度等に重要に関与してくるため、高周波回路用プリント配線板に適した樹脂基材として誘電率や誘電体損失等の特性に優れた基材が要求される。これらを満足させるために種々な材料が提案されており、例えば電気信号の高速伝送のためには、誘電率が小さく、誘電体損失も小さい樹脂基材として、液晶ポリマー、ポリフッ化エチレン、イソシアネート化合物、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル等を挙げることができる。本発明の粗化処理銅箔を用いた銅張積層板は、銅箔と樹脂基材との密着性が優れ、またCO2ガスレーザー等のレーザーで容易にブラインドビアホールの形成加工ができることから、ブラインドビアホールの穿設工程においてエッチング、穴空け、デスミア、ソフトエッチング、銅めっき等の加工をおこなった後でも、銅箔と樹脂基材との剥がれ等に問題はなく使用することが可能である。ブラインドビアホールとは、プリント配線板の片側のみが開口しているビアであり、社団法人日本プリント回路工業会編プリント回路用語等に記載されている。上述したように本発明の銅張積層板によれば、CO2ガスレーザー等のレーザーによるブラインドビアホールの穿設工程、穴空け、デスミア、ソフトエッチング、銅めっき等の加工を容易に行える。従って、レーザーの照射エネルギー等の加工条件については樹脂基材の厚みや樹脂の種類により適宜、最適化した条件を選択でき、また銅張積層板への穴形成方法および穴の内部および底部のデスミア処理方法、デスミア後の穴の側面や底部への無電解銅めっきの前処理であるソフトエッチング処理方法についても最適化した条件を選択でき、所望する箇所に最適なホールを形成することが可能となる。以下に、本発明を実施例に基づいて更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。本発明銅箔の表面処理工程を製箔工程から順に説明する。1製箔工程下記のめっき浴及びめっき条件で母材銅箔未処理銅箔を製造した。めっき浴及びめっき条件硫酸銅:銅濃度として50~80g/L硫酸濃度:30~70g/L塩素濃度:0.01~30ppm液温:35~45°C電流密度:20~50A/dm22粗化処理工程母材銅箔表面への粗化処理は粗化めっき処理1→粗化めっき処理2の手順で行った。粗化めっき処理1硫酸銅:銅濃度として5~10g/L硫酸濃度:30~120g/Lモリブデン酸アンモニウム:Mo金属として0.1~5.0g/L液温:20~60°C電流密度:10~60A/dm2粗化めっき処理2硫酸銅:銅濃度として20~70g/L硫酸濃度:30~120g/L液温:20~65°C電流密度:5~65A/dm23金属めっき層形成処理下記のめっき浴及びめっき条件で金属めっき層を施した。なお、Niめっきを施した場合にはその上にZnめっきを施し、Ni-Znめっきを施した場合にはZnめっきは施さなかった。Niめっき硫酸ニッケル6水和物:240g/L塩化ニッケル6水和物:45g/Lホウ酸:30g/L次亜リン酸ナトリウム:5g/L液温:50°C電流密度:05A/dm2Znめっき硫酸亜鉛7水和物:24g/L水酸化ナトリウム:85g/L液温:25°C電流密度:04A/dm2Ni-Zn合金めっき硫酸ニッケル:ニッケル濃度として0.1g/L~200g/L、好ましくは20g/L~60g/L、硫酸亜鉛:亜鉛濃度として0.01g/L~100g/L、好ましくは0.05g/L~50g/L、硫酸アンモニウム:0.1g/L~100g/L、好ましくは0.5g/L~40g/L液温:20~60°CpH:2~7電流密度:0.3~10A/dm24防錆処理金属めっき層処理後に、下記のめっき浴及びめっき条件でCrめっきを施した。Crめっき無水クロム酸:0.1g/L~100g/L液温:20~50°C電流密度:0.1~20A/dm25シラン処理防錆めっき処理後に、下記の処理液および処理条件でシランカップリング処理を施した。シラン種:γ-アミノプロピルトリメトキシシランシラン濃度:0.1g/L~10g/L液温:20~50°C試験片の作成上記表面処理条件により製箔した未処理銅箔に表面処理を施した表面粗化処理銅箔を試験片とし、表1に示す各種評価に適するサイズや形態に加工し試験片とした。各試験片の特性値については、表1に示す。試験片の特性評価1金属付着量の測定蛍光X線分析装置株リガク製ZSXPrimus、分析径:35φにて分析した。2表面粗さの測定接触式表面粗さ測定機株小坂研究所製SE1700にて測定した。3アスペクト比の算出FIBにより断面出し加工した粗化粒子の断面をSEM観察して幅および高さを測定し、高さ÷幅の数値をアスペクト比とした。なお、幅は箔表面の付け根部分の長さを、高さは箔表面の付け根部分から頂きまでの長さの測定値である。4表面積の算出レーザーマイクロスコープ株キーエンス製VK8500にて三次元表面積を測定し、測定視野の面積を二次元表面積として表面積比=三次元表面積÷二次元表面積の数値を表面積比とした。5初期密着性初期の密着強度の測定試験片を樹脂基材と接着後に密着強度を測定した。樹脂基材としては市販のポリイミド系樹脂宇部興産株製ユーピレックス25VTを使用した。密着強度は、テンシロンテスターを使用して、樹脂基材と接着後の試験片を1mm幅の回路配線にエッチング加工した後に、樹脂側を両面テープによりステンレス板に固定し、回路配線を90度方向に50mm/分の速度で剥離して求めた。初期密着性は0.8kN/m以上を合格とし、その判定基準は表1に示す。6耐熱性熱処理後の密着強度の測定樹脂基材と接着後の試験片について、150°Cで168時間加熱処理した後の密着強度を測定した。耐熱性は初期ピール強度の90以上を合格とし、その判定基準は表1に示す。7耐薬品性酸処理後の密着強度の測定樹脂基材と接着後の試験片について、水:塩酸=1:1の塩酸溶液に常温で1時間浸漬した後の密着強度を測定した。耐薬品性は0.8kN/m以上を合格とし、その判定基準は表1に示す。8回路形成性回路配線端部の残銅の測定樹脂基材と接着後の試験片を、1mm幅の回路配線にエッチング加工し、配線回路の端部銅箔と樹脂基材の界面における残銅の幅を測定した。回路形成性は3.0μm未満を合格とし、その判定基準は表1に示す。9伝送特性高周波での伝送損失の測定表面処理した試験片を樹脂基材と接着後に、伝送特性測定用のサンプルを作成し高周波帯域における伝送損失を測定した。樹脂基材としては市販のポリフェニレンエーテル系樹脂パナソニック電工株製メグトロン6を使用した。伝送測定の評価には、1~25GHz域の測定に適する公知のストリップライン共振器法マイクロストリップ構造:誘電体厚さ50μm、導体長さ1.0mm、導体厚さ12μm、導体回路幅120μm、特性インピーダンス50Ωでカバーレイフィルムなしの状態でS21パラメーターを測定する方法を用いて、周波数5GHzにおける伝送損失dB/100mmを測定した。伝送特性は伝送損失25dB/100mm未満を合格とし、その判定基準は表1に示す。10ソフトエッチング性粗化処理面のエッチング量の測定試験片に対して、粗化処理を施していない面にマスキング処理を施してから重量を測定した後に、ソフトエッチング液三菱瓦斯化学株製CPE-920に25°Cで120秒浸漬した後に再度試験片の重量を測定した。ソフトエッチング前後の重量変化からエッチングされた重量を算出し、エッチングにより溶解除去された厚さに換算した。ソフトエッチング性は1.0μm以上エッチングされた場合を合格とし、その判定基準は表1に示す。[実施例1]母材銅箔未処理銅箔の表面に表1に示す増加粗化量になるように粗化処理を施し、先端が尖った凸状の粒子からなる粗化表面とした。このときのアスペクト比、表面積比を表1に示す。この粗化処理銅箔を用いて、初期密着性、耐熱性、耐薬品性、回路形成性、伝送特性、ソフトエッチング性の評価を行った結果を表1に示す。[実施例2~6、11]母材銅箔未処理銅箔の表面に表1に示す増加粗化量になるように粗化処理を施し、先端が尖った凸状の粒子からなる粗化表面とした。このときのアスペクト比、表面積比を表1に示す。この表面に表1に示す付着量のNiの金属めっき層、Znの金属めっき層、Crの防錆めっき層を順次形成し、最後にシラン処理層を形成した。この粗化処理銅箔を用いて、初期密着性、耐熱性、耐薬品性、回路形成性、伝送特性、ソフトエッチング性の評価を行った結果を表1に示す。[実施例7~10]母材銅箔未処理銅箔の表面に表1に示す増加粗化量になるように粗化処理を施した。このときのアスペクト比、表面積比を表1に示す。この表面に表1に示す付着量のNi-Znからなる金属めっき層、Crの防錆めっき層を順次形成し、最後にシラン処理層を形成した。この粗化処理銅箔を用いて、実施例1と同様の評価を行った結果を表1に示す。[比較例1]母材銅箔未処理銅箔の表面に、粗化処理と金属めっき層を施さずにCrの防錆めっき層、シラン処理層を順次形成した。この表面処理銅箔を用いて、実施例1と同様の評価を行った結果を表1に示す。[比較例2]母材銅箔未処理銅箔の表面に、粗化処理を施さずに表1に示す付着量のNiの金属めっき層、Znの金属めっき層、Crの防錆めっき層を順次形成し、最後シラン処理層を形成した。この粗化処理銅箔を用いて、実施例1と同様の評価を行った結果を表1に示す。[比較例3~5]母材銅箔未処理銅箔の表面に表1に示す増加粗化量になるように粗化処理を施した。このときのアスペクト比、表面積比を表1に示す。この表面に表1に示す付着量のNiの金属めっき層、Znの金属めっき層、Crの防錆めっき層を順次形成し、最後にシラン処理層を形成した。この粗化処理銅箔を用いて、実施例1と同様の評価を行った結果を表1に示す。[比較例6]母材銅箔未処理銅箔の表面に、粗化処理を施さずに表1に示す付着量のNi-Znからなる金属めっき層、Crの防錆めっき層を順次形成し、最後シラン処理層を形成した。この粗化処理銅箔を用いて、実施例1と同様の評価を行った結果を表1に示す。表1に示す判断基準は各評価において、◎:良好、○:基準内、×:基準外である。各評価項目における判断基準は以下のとおりである。初期密着性kN/m◎:1.0以上、○:0.8以上、1.0未満、×:0.8未満耐熱性[耐熱性試験後密着性kN/m]◎:0.9以上、○:0.72以上0.9未満、×:0.72未満耐薬品性[耐薬品試験後密着性kN/m]◎:1.0以上、○:0.8以上1.0未満、×:0.8未満回路形成性[回路配線端部の残銅の測定μm]◎:1.0未満、○:1.0以上3.0未満、×:3.0以上伝送特性[周波数5GHzでの伝送損失dB/100mm]◎:15未満、○:15以上25未満、×:25以上ソフトエッチング性[ソフトエッチング液への溶解量μm]◎:1.4以上、○:1.0以上1.4未満、×:1.0未満表1に示すように実施例1は粗化箔粗さ、増加粗化量、アスペクト比、表面積比が範囲内であり、回路形性、伝送特性、ソフトエッチング性に優れるが、金属めっき層、防錆めっき層、シラン処理層を施した実施例2~4等と比較すると初期密着性、耐熱性、耐薬品性がやや劣った。総合評価○実施例2~実施例4は粗化箔粗さ、増加粗化量、アスペクト比、表面積比が範囲内であり、金属めっき層、防錆めっき層、シラン処理層を施したため、各評価項目が良好な範囲であった。総合評価◎実施例5は増加粗化量、アスペクト比が範囲内であるが大きめのため、回路形成性、伝送特性、ソフトエッチング性がやや劣った。総合評価○実施例6はアスペクト比、表面積比が基準内であるが小さめのため、ソフトエッチング性がやや劣った。総合評価○実施例7~実施例9は粗化箔粗さ、増加粗化量、アスペクト比、表面積比が範囲内であり、合金組成が適正範囲内に施されているため、各評価項目が良好な範囲であった。総合評価◎実施例10はNi付着量がやや多めのため、ソフトエッチング性がやや劣った。総合評価○実施例11は粗化増加量、粗化幅、粗化高さが基準内であるが小さめのため、初期密着性、耐熱性、耐薬品性、ソフトエッチング性がやや劣った。総合評価○比較例1は粗化処理及び金属めっきを行っていないため、ソフトエッチング性は良好であるが、初期密着性、耐熱性、耐薬品性は基準外であった。総合評価×比較例2は表面処理は行っているが粗化処理を行っていないため、ソフトエッチング性が基準外であった。総合評価×比較例3は粗化箔粗さ、増加粗化量、粗化高さ、アスペクト比が基準以上であるため、回路形成性、伝送特性、ソフトエッチング性が基準外であった。総合評価×比較例4は増加粗化量、粗化幅、粗化高さが基準以上であり、伝送特性、ソフトエッチング性が基準外であった。総合評価×比較例5は増加粗化量が少なく、粗化幅、粗化高さ、アスペクト比も小さいため、初期密着性、耐熱性、耐薬品性、ソフトエッチング性が基準外であった。総合評価×比較例6は粗化処理を行っていないため、ソフトエッチング性が基準外であった。総合評価×上述したように、本発明の粗化処理銅箔は樹脂基材との初期密着性、耐熱性、耐薬品性、回路形成性、伝送特性、ソフトエッチング性を満足し、工業的に優れた粗化処理銅箔である。また、本発明の銅箔の粗化処理方法によれば、樹脂基材との密着性に優れ、耐薬品性、ソフトエッチング性を工業的に満足する優れた粗化処理銅箔を製造することができる。更に本発明の銅張積層板、プリント配線板によれば、樹脂基材と銅箔との接着強度が強く、回路形成にあたっては耐薬品性を有し、ソフトエッチング性を満足するといった優れた効果を有するものである。