基板上に、接続端子となるパッドと、パッドの周縁部を覆うように形成される永久レジストと、該パッド上に導電性ポストを形成した上にはんだバンプを備える半導体パッケージの製造方法であって、前記基板上のパッドの周縁部に永久レジスト層を形成する工程と、前記永久レジスト上に給電層を形成する工程と、前記給電層上に、感光性樹脂を用いて前記パッド上を開口させたパターンを形成する工程と、前記パッド上に導電性ポストを形成する工程と、前記導電性ポスト上にはんだボールを搭載する工程と、前記はんだボールを含めた前記導電性ポスト上にフラックスを塗布する工程と、前記搭載されたはんだボールをパッドに接合させ、はんだバンプを形成する工程と、前記感光性樹脂パターンを除去する工程と前記給電層を除去する工程を順次備えることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。前記給電層上に形成される感光性樹脂のパターンが、はんだボールの搭載用マスク及びフラックスの塗布用マスクとなることを特徴とする請求項1記載の半導体パッケージの製造方法。前記感光性樹脂により形成されるパターンの膜厚Tが、下記式1を満たすことを特徴とする請求項1または請求項2の半導体パッケージの製造方法。2RH<T<3RH1但し、前記はんだボールの半径をR、導電性ポストの高さをHとする。しかしながら、従来の導電性ポスト上にはんだボール搭載する工法では、振込みマスクを外した際に、基板からはんだボールがズレることで、隣のはんだボールとくっついてダブルボールとなり、その結果、ズレたポスト上面にはんだボールが無くなるミッシングの問題が生じる。また、ポストの壁面にはんだボールが濡れ広がることでバンプ間が狭くなり、絶縁信頼性が低下する。その対策として、はんだペーストをスキージングする提案がされているが特許文献1、はんだが均一に充墳されず、はんだ量にばらつきが見られ問題解決に至っていない。近年、電子機器は小型化、薄型化が急速に進み、電子部品は高密度化が進んでおり、接続端子数の増大、パッドの狭小化が進む中、パッド開口も小さくなりはんだバンプだけではスタンドオフの確保が難しくなっている。そこで、導電性ポストを形成してその上にはんだバンプを形成する従来の方式では、導電性ポスト壁面にまではんだが濡れ広がってしまうため、隣同士のバンプがくっついてしまうブリッジ現象やバンプ間が狭くなり絶縁信頼性が低下する問題があった。本発明は上記課題を解決すべくなされたものであり、その目的とするところは、半導体基板と半導体パッケージ間の距離を確保することが出来、ポスト間ではんだがブリッジ現象をせず、絶縁信頼性が高い半導体パッケージの製造方法を提供する。本発明の請求項1に係る発明は、基板上に、接続端子となるパッドと、パッドの周縁部を覆うように形成される永久レジストと、該パッド上に導電性ポストを形成した上にはんだバンプを備える半導体パッケージの製造方法であって、前記基板上のパッドの周縁部に永久レジスト層を形成する工程と、前記永久レジスト上に給電層を形成する工程と、前記給電層上に、感光性樹脂を用いて前記パッド上を開口させたパターンを形成する工程と、前記パッド上に導電性ポストを形成する工程と、前記導電性ポスト上にはんだボールを搭載する工程と、前記はんだボールを含めた前記導電性ポスト上にフラックスを塗布する工程と、前記搭載されたはんだボールをパッドに接合させ、はんだバンプを形成する工程と、前記感光性樹脂パターンを除去する工程と前記給電層を除去する工程を順次備えることを特徴とする半導体パッケージの製造方法である。また、本発明の請求項2に係る発明は、前記給電層上に形成される感光性樹脂のパターンが、はんだボールの搭載用マスク及びフラックスの塗布用マスクとなることを特徴とする請求項1記載の半導体パッケージの製造方法である。また、本発明の請求項3に係る発明は、前記感光性樹脂により形成されるパターンの膜厚Tが、下記式1を満たすことを特徴とする請求項1または請求項2の半導体パッケージの製造方法である。2RH<T<3RH1但し、前記はんだボールの半径をR、導電性ポストの高さをHとする。以上のように本発明によれば、従来の導電性ポスト上へのバンプ形成方法の半導体パッケージ基板と比較して、以下に示す利点がある。導電性ポストを形成したときの感光性樹脂で形成されたパターンをボール振込みマスク及びフラックス塗布マスクとしてはんだボールを搭載、フラックス塗布した後に接合させることにより、ポスト上面のみにはんだバンプが形成でき、ポスト壁面には濡れ広がらないのでポスト間ではんだバンプがブリッジしない。また、感光性樹脂で形成されたパターンをマスクとすることで、はんだボールがズレることなくポスト上面へ確実に搭載することが出来き、リフローをすることで確実にバンプを形成することが出来る。さらに、感光性樹脂パターンをマスクとして使用するので、振込みマスク及びフラックス用メタルマスクが不要となり、費用がかからなくなるので、コスト削減になる。感光性樹脂の厚みをはんだボール直径と導電性ポスト高さを足した高さよりも大きく、はんだボール直径と導電性ポスト高さとはんだボール半径を足した高さ以下とすることではんだボールが複数個入らなくなり、バンプ体積及び高さが均一となる。以下、図面を用いて本発明の具体的な説明をする。第1の実施形態図1a~d及び図2e~gは、本発明による半導体パッケージの製造方法の一形態に係る工程手順を示す断面図である。説明を簡略するため、図は片面基板とし、パッドは4孔のみを図示するものとする。図1aは、基板100上にパッド101をセミアディティブ法等で形成し、永久レジスト102を塗布やラミネート等し、パッド101と対向するところをフォトリソ方やレーザーで永久レジスト開口部103を形成した状態である。永久レジスト102としては、ソルダーレジストや絶縁樹脂等が望ましい。図1bは、パッド101と永久レジスト102上に給電層106を施す。給電層106としては無電解銅めっきや導電性物質を蒸着することで形成できる。給電層106上に感光性樹脂104をラミネートもしくは塗布し、フォトリソ方等で感光性樹脂開口部105を形成した状態である。感光性樹脂104としては耐熱性ドライフィルムレジスト等が望ましい。感光性樹脂開口部105はパッド101と対向する位置に形成されている。図1cは、永久レジスト開口部103及び感光性樹脂開口部105に導電性ポスト107を形成する。導電性ポスト107としては、電解銅めっき等で形成することが望ましい。導電性ポスト107の高さは、必要とされる高さに応じて電解銅めっき条件の時間や電流密度によって調節可能である。導電性ポスト107上面に表面処理として、Ni/Auめっき、Ni/Pd/Auめっき、OSPOrganicSolderabilityPreservative等を施してもよい。図1dは、感光性樹脂104で形成したパターンを介してはんだボール108を振り込んだ状態である。はんだボール108の振込み方式は低弱バネ力や繊維束、高速流攪拌、自然落下方式等がある。はんだボール108の振込みに関してはどの方式でも良い。感光性樹脂104で形成したパターンがあるため、搭載されたはんだボール108は導電性ポスト107上からズレることはない。図2eは、感光性樹脂104で形成したパターンを介してマスクとして、スキージ109でフラックス110塗布した状態である。フラックス110は印刷や転写、噴霧などの方法で塗布することが出来る。図2fは、リフローをすることにより、フラックス110が導電性ポスト107とはんだボール108の酸化膜を除去し、はんだボール108と導電性ポスト107を接合させることが出来る。感光性樹脂104のパターンがあることにより、導電性ポスト107の上面のみにはんだボール108が溶融してバンプ111が形成される。この状態ではんだボール108が溶融しても、感光性樹脂104のパターンがあることにより、導電性ポスト107の壁面にははんだボール108は濡れ広がらない。図2gは、はんだバンプ111が接合されると、続いてフラックス110の洗浄処理が実施されたあと、感光性樹脂104のパターンをアルカリ系剥離液やアミン系剥離液等で剥離できる。その後、給電層106を過酸化水素硫酸系や過硫酸ソーダ過硫酸アンモニウムでエッチングして剥離した状態である。以上のように第1の実施の形態によれば、導電性ポスト107を形成したときの感光性樹脂104で形成されたパターンをマスクとしてはんだボール108を搭載、フラックス110を塗布や転写した後に接合させることにより、導電性ポスト107上面のみにはんだバンプ111が形成でき、導電性ポスト107壁面には濡れ広がらないので、導電性ポスト107間でのはんだバンプ111のブリッジを防止できる。また、感光性樹脂104で形成されたパターンをマスクとすることで、はんだボール108がズレることなく、導電性ポスト107上面へ確実に搭載することが出来る。さらに、感光性樹脂104パターンをマスクと使用するので、振込みマスク及びフラックス用メタルマスクが不要となり、費用がかからなくなるので、コスト削減になる。感光性樹脂104で形成されたパターンの膜厚Tが、下記式1を満たすことで、はんだボール108が複数個入らなくなり、バンプ111体積及び高さを均一にすることが出来る。2RH<T<3RH1但し、前記はんだボールの半径をR、導電性ポストの高さをHとする。第2の実施形態図5は本発明による半導体パッケージの製造方法の第2の形態を示す部分工程手順である。図5においては、説明の簡略化のため、前記の第1の実施形態の図1d及び図2eの工程における他の形成方法を、図5a及びb順次記号を付した各図によって示す工程手順である。図5a及びbにおいては全て断面図を示したものである。説明を簡略するため、図は片面基板とし、パッドは一部のみを図示するものとする。図5aは感光性樹脂開口部305内の導電性ポスト307上面に転写治具314を使用してフラックス310を転写した状態である。フラックス310をはんだボール308より先に転写する場合は、感光性樹脂304上にフラックス310を付着させないようにする。フラックス310が付着するとはんだボール308が感光性樹脂304上に残ってしまい、リフロー等の熱処理によって他の感光性樹脂開口部305へ濡れ広がってしまい、バンプ高さや体積が変わってしまう。図5bは感光性樹脂304で形成したパターンを介してマスクとしてはんだボール308を振り込んだ状態である。はんだボール308の振込み方式は低弱バネ力や繊維束、高速流攪拌、自然落下方式等がある。はんだボール308の振込みに関してはどの方式でも良い。感光性樹脂304で形成したパターンと導電性ポスト307上に転写されたフラックス310によって、搭載されたはんだボール308は導電性ポスト307上からズレることはない。以上のように第2の実施形態によれば、はんだボール搭載とフラックス塗布工程の順番を入れ替えても第1の実施形態と同様作用及び効果を奏することが出来る。第3の実施形態図6は本発明による半導体パッケージの製造方法の第3の形態を示す部分工程手順である。図6においては、説明の簡略化のため、前記の第1の実施形態の図1dもしくは図2eの工程後に追加することで不良を低減することが出来る方法を図6a~c順次記号を付した各図によって示す工程手順である。図6においてa~cは全て断面図を示したものである。説明を簡略するため、図は片面基板とし、パッドは一部のみを図示するものとする。図6aははんだボール408を搭載した後、導電性ポスト407上にはんだボール408が搭載されないミッシングボール状態である。検査機415でミッシング箇所を検査し、座標を確認する。図6bは転写治具414によってフラックス408を転写した状態である。図6cはリペア治具416によってはんだボール408を搭載して、リペアをした状態である。ミッシングボールは、確率の問題でもあり、僅かであるが発生してしまうので、リペアを実施することにより、収率向上することが出来る。以上のように第3の実施形態によれば、はんだボール搭載とフラックス塗布工程が終わった後にリペアすることで第1の実施形態より高収率で半導体パッケージ基板を作製することが出来る。