単結晶シリコン基板の一方の面上に第1の非晶質シリコン層を形成し、前記第1の非晶質シリコン層上に一導電型を有する第1の微結晶シリコン層を形成し、前記単結晶シリコン基板の他方の面上に第2の非晶質シリコン層を形成し、前記第2の非晶質シリコン層上に一導電型とは逆の導電型を有する第2の微結晶シリコン層を形成する工程において、前記第1の非晶質シリコン層、前記第2の非晶質シリコン層、前記第1の微結晶シリコン層及び前記第2の微結晶シリコン層は、下部電極と対向した上部電極に設けられたガス管のガス導入口から第1のガス拡散室に成膜ガスを供給し、前記ガス導入口と対向しない複数のガス孔が設けられている分散板を介して前記第1のガス拡散室から第2のガス拡散室に成膜ガスを導入し、シャワー板を介して前記第2のガス拡散室から処理室に成膜ガスを導入して前記処理室内の圧力を調整し、前記上部電極に高周波電力を供給して、前記上部電極及び前記下部電極間にプラズマを生成させ、前記下部電極上において成膜することを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項1において、前記シャワー板には複数のガス孔が設けられており、前記シャワー板のガス孔の数は、前記分散板のガス孔の数よりも多いことを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項1において、前記シャワー板には複数のガス孔が設けられており、前記シャワー板のガス孔の一主表面における総面積は、前記分散板のガス孔の一主表面における総面積よりも大きいことを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項1乃至3のいずれか一項において、前記上部電極には温度計が接続され、前記上部電極における前記温度計の接続箇所は、前記上部電極の電極面の中心点を基準として前記上部電極内の前記ガス管のガス導入口と点対称の位置にあることを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項1乃至4のいずれか一項において、前記上部電極には、前記上部電極内の前記ガス管のガス導入口近傍を迂回する冷却媒体の経路が設けられていることを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項1乃至5のいずれか一項において、前記第1及び前記第2の非晶質シリコン層の導電型はi型、前記第1の微結晶シリコン層の導電型はp型またはn型であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項1乃至6のいずれか一項において、前記第1の非晶質シリコン層、及び前記第2の非晶質シリコン層の成膜は、前記処理室内の圧力を10Pa以上100Pa以下とすることを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項1乃至7のいずれか一項において、前記第1の微結晶シリコン層、及び前記第2の微結晶シリコン層の成膜は、前記処理室内の圧力を450Pa以上100000Pa以下とすることを特徴とする光電変換装置の作製方法。単結晶シリコン基板を用いた光電変換装置の変換効率を向上させるためには、光電変換層中における少数キャリアのライフタイムを長くすることが望ましい。本発明の一態様は、光電変換層中における少数キャリアのライフタイムが長い光電変換装置の作製方法を提供することを目的とする。本明細書で開示する本発明の一態様は、単結晶シリコン基板に接する第1の非晶質シリコン層及び第2の非晶質シリコン層、並びに該第1及び第2の非晶質シリコン層と接する第1の微結晶シリコン層及び第2の微結晶シリコン層を含む構成の光電変換装置の作製方法に関する。本明細書に開示する本発明の一態様は、単結晶シリコン基板の一方の面上に第1の非晶質シリコン層を形成し、第1の非晶質シリコン層上に一導電型を有する第1の微結晶シリコン層を形成し、単結晶シリコン基板の他方の面上に第2の非晶質シリコン層を形成し、第2の非晶質シリコン層上に一導電型とは逆の導電型を有する第2の微結晶シリコン層を形成する工程において、第1の非晶質シリコン層、第2の非晶質シリコン層、第1の微結晶シリコン層及び第2の微結晶シリコン層は、下部電極と対向した上部電極に設けられたガス導入口から第1のガス拡散室に成膜ガスを供給し、ガス導入口と対向しない複数のガス孔が設けられている分散板を介して第1のガス拡散室から第2のガス拡散室に成膜ガスを導入し、シャワー板を介して第2のガス拡散室から処理室に成膜ガスを導入し、処理室内の圧力を10Pa以上100000Pa以下とし、上部電極に高周波電力を供給して、上部電極及び下部電極間にプラズマを生成させ、下部電極上において成膜することを特徴とする光電変換装置の作製方法である。なお、本明細書等における第1、第2、第3などの序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、順序や数を限定するものではないことを付記する。上記シャワー板には複数のガス孔が設けられており、シャワー板の孔の数は、分散板の孔の数よりも多いことが好ましい。または、シャワー板には複数のガス孔が設けられており、シャワー板の孔の総面積は、分散板の孔の総面積よりも大きいことが好ましい。このような構成とすることで、第1のガス拡散室において、ガスを均一に分散させることができる。また、上記上部電極には温度計が接続され、上部電極における温度計の接続箇所は、上部電極の電極面の中心点を基準として上部電極内の第1のガス管の導入口と点対称の位置であることが好ましい。このような構成とすることで、上部電極からの電界の均一性を高くすることができる。また、上記上部電極には、上部電極内の第1のガス管の導入口近傍を迂回する冷却媒体の経路が設けられていることが好ましい。冷却媒体としては、例えば、水または油などを用いることができる。上記第1及び第2の非晶質シリコン層の導電型はi型、第1の微結晶シリコン層の導電型はp型またはn型とする。高品質のi型の非晶質シリコンを単結晶シリコン基板表面に形成することで、単結晶シリコン基板の表面欠陥を減少させることができる。上記第1の非晶質シリコン層、及び第2の非晶質シリコン層の成膜は、処理室内の圧力を10Pa以上100Pa以下とすることが好ましい。また、上記第1の微結晶シリコン層、及び第2の微結晶シリコン層の成膜は、処理室内の圧力を450Pa以上100000Pa以下とすることが好ましい。本発明の一態様を用いることにより、光電変換層中における少数キャリアのライフタイムを長くすることができ、光電変換装置の変換効率を向上させることができる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略することがある。本発明の一態様における光電変換装置の断面図の一例を図1に示す。図1に示す光電変換装置は、単結晶シリコン基板200に接する第1の非晶質シリコン層210及び第2の非晶質シリコン層220、並びに該第1及び第2の非晶質シリコン層と接する第1の微結晶シリコン層230及び第2の微結晶シリコン層240を含んで構成される。上記の構成のように、単結晶シリコン基板表面に高品質なi型の非晶質シリコンを形成することで、単結晶シリコン基板表面の欠陥を終端することができる。また、接合を形成するための導電型を有する微結晶シリコン層に高品質な膜を用いることで、非晶質シリコン層との界面特性を良好にすることができる。これらの効果により、光電変換層における少数キャリアの再結合を低減させることができ、少数キャリアのライフタイムを長くすることができる。なお、本明細書において光電変換層とは、光電変換に大きく寄与する半導体領域を意味するものである。本実施の形態においては、単結晶半導体領域及び該単結晶半導体領域に接する非晶質シリコン層が該当する。以下に図1に示した光電変換装置の作製方法について説明する。本発明の一態様に用いることのできる単結晶シリコン基板の導電型や製造方法は、特に限定されない。本実施の形態においては、MCZMagneticCzochralski法で製造されたn型の単結晶シリコン基板を用いる。まず、単結晶シリコン基板200の一方の面にプラズマCVD法を用いて第1の非晶質シリコン層210を形成する。第1の非晶質シリコン層210の厚さは、3nm以上50nm以下とすることが好ましい。本実施の形態において、第1の非晶質シリコン層210はi型であり、膜厚は5nmとする。第1の非晶質シリコン層210の成膜条件は、反応室に流量5sccm以上200sccmのモノシランガスを導入し、反応室内の圧力を10Pa以上100Pa以下、電極間隔を15mm以上40mm以下、電力密度を8mW/cm2以上50mW/cm2以下とする。次いで、第1の非晶質シリコン層210上に第1の微結晶シリコン層230を形成する。第1の微結晶シリコン層230の厚さは3nm以上50nm以下とすることが好ましい。本実施の形態において、第1の微結晶シリコン層230はp型であり、膜厚は10nmとする。第1の微結晶シリコン層230の成膜条件は、反応室に流量1sccm以上10sccmのモノシランガス、流量100sccm以上5000sccmの水素、流量5sccm以上50sccm以下の水素ベースのジボラン0.1を導入し、反応室内の圧力を450Pa以上100000Pa以下、好ましくは2000Pa以上50000Pa以下とし、電極間隔を8mm以上30mm以下とし、電力密度を200mW/cm2以上1500mW/cm2以下とする。次いで、単結晶シリコン基板200の他方の面にプラズマCVD法を用いて第2の非晶質シリコン層220を形成する。第2の非晶質シリコン層220の厚さは、3nm以上50nm以下とすることが好ましく、本実施の形態において、第2の非晶質シリコン層220はi型であり、膜厚は5nmとする。なお、第2の非晶質シリコン層220は、第1の非晶質シリコン層210と同様の成膜条件にて形成することができる。次いで、第2の非晶質シリコン層220上に第2の微結晶シリコン層240を形成する。第2の微結晶シリコン層240の厚さは3nm以上50nm以下とすることが好ましい。本実施の形態において、第2の微結晶シリコン層240はn型であり、膜厚は10nmとする。第2の微結晶シリコン層240の成膜条件は、反応室に流量1sccm以上10sccmのモノシランガス、流量100sccm以上5000sccmの水素、流量5sccm以上50sccm以下の水素ベースのホスフィン0.5を導入し、反応室内の圧力を450Pa以上100000Pa以下、好ましくは2000Pa以上50000Pa以下とし、電極間隔を8mm以上30mm以下とし、電力密度を200mW/cm2以上1500mW/cm2以下とする。なお、本実施の形態において、上記非晶質シリコン層及び微結晶シリコン層の成膜に用いる電源には周波数13.56MHzのRF電源を用いるが、27.12MHz、60MHz、または100MHzのRF電源を用いても良い。また、連続放電だけでなく、パルス放電にて成膜を行っても良い。ここで、上記非晶質シリコン層及び微結晶シリコン層を高品質に成膜できるプラズマCVD装置について説明する。図3は、本発明の一態様であるプラズマCVD装置の概略図を示す。図3Bには、主要な構成についてのプラズマCVD装置100全体の断面図を示し、図3Aには、図3BのA-Bにおける断面図を示す。図3に示すプラズマCVD装置100は、処理室102とライン室104を有する。処理室102はチャンバー壁114により覆われており、処理室102では上部電極110の電極面と下部電極112の電極面が対向して設けられている。ライン室104はチャンバー壁114により覆われており、処理室102とは上部電極110と絶縁物により隔てられている。処理室102は、分散板116とシャワー板118の間に設けられた第1のガス拡散室106に接続され、第1のガス拡散室106は、分散板116と上部電極110の電極面の間に設けられた第2のガス拡散室108に接続され、第2のガス拡散室108は上部電極110内の第1のガス管120に接続され、上部電極110内の第1のガス管120は第2のガス管122に接続され、第2のガス管122は処理用ガス供給源124に接続されている。ライン室104は、不活性ガス供給源125に接続された導入口126と、同軸で設けられた上部電極110とチャンバー壁114を有する。ライン室104は、陽圧の不活性ガス雰囲気とすることが好ましい。なお、陽圧とは、好ましくは大気圧よりも高い気圧をいうが、これに限定されず、少なくとも処理室内の気圧よりも高ければよい。ここで、ライン室104内を陽圧の不活性ガス雰囲気とするため、ライン室104内の部品が腐食されることを防ぎ、メンテナンス頻度を低下させ、平均故障間隔MTBF;MeanTimeBetweenFailureを大きくすることができる。そして、図3に示すプラズマCVD装置では、上部電極110とチャンバー壁114を同軸形状とするため、不活性ガスの経路が阻害されない。そのため、上部電極110のライン部において、同一の高さでの温度分布の均一性が高まり、上部電極110に供給する電力が高周波である場合の上部電極の表面における電力の伝播を安定なものとすることができる。従って、上部電極110とチャンバー壁114を同軸形状にすることで、インピーダンスを小さくすることができ、伝送効率を高めることができる。更には、上部電極110における電界の分布を均一性の高いものとすることができる。ここで、上部電極110のライン部の直径をd、チャンバー壁114の内側の直径をD、ライン室104の雰囲気の比誘電率をεとすると、インピーダンスZは数1で表される。上記数1によれば、比誘電率εを大きくすることでインピーダンスZを小さくすることができる。ライン室104の雰囲気は適宜選択可能なため、比誘電率εを大きくしてインピーダンスZを小さくすることができる。例えば、ライン室104の雰囲気を窒素雰囲気とすると、ライン室104の雰囲気中の温度が20°Cのときに比誘電率ε=5.47となる。または、ライン室104の雰囲気をアルゴン雰囲気とすると、ライン室104の雰囲気中の温度が20°Cのときに比誘電率ε=5.17となる。また、ライン室104を陽圧の不活性ガス雰囲気とすることで、ライン室104内の部品の除熱も可能であるため、例えば上部電極110にヒーターが備えられている場合であっても、上部電極110が過熱されることを防ぐことができる。また、ライン室104を陽圧の不活性ガス雰囲気とすることで、リークが生じた場合であっても、処理室102への大気成分の侵入を抑制することも可能である。図4は、分散板116の一主表面の概略を示す。図4に示す分散板116は、分散板中央部130と分散板周辺部132を有する。分散板中央部130は、上部電極110の電極面に接続された上部電極110内の第1のガス管120のガス排出口と対向して配される部分であり、ガス孔が設けられていない。分散板周辺部132には、複数のガス孔が設けられている。なお、シャワー板118には複数のガス孔が設けられており、シャワー板118の孔の数は、分散板116の孔の数よりも多いことが好ましい。または、シャワー板118には複数のガス孔が設けられており、シャワー板118の孔の総面積は、分散板116の孔の総面積よりも大きいことが好ましい。第2のガス拡散室108において、ガスを均一に分散させることができるからである。上記のように、分散板116の分散板中央部130にガス孔が設けられていないため、第1のガス管120のガス排出口から第2のガス拡散室108に導入されたガスが十分に拡散されることなく第1のガス拡散室106に導入されることを防ぎ、処理室102に導入されるガスの均一性を高くすることができる。図5は、上部電極110の電極面の一例を示す。なお、図5は、上部電極110の電極面を下部電極112側から見た図である。図5に示す上部電極110には、第1のガス管120のガス導入口144と、温度計128の接続箇所146と、冷却媒体経路140が設けられており、冷却媒体経路140は、第1のガス管120のガス導入口144の近傍に迂回部142を有する。温度計128の接続箇所146は、上部電極110の電極面の中心点を基準として上部電極110内の第1のガス管120のガス導入口144と点対称の位置であることが好ましい。上部電極110からの電界の均一性を高くすることができるからである。迂回部142は、第1のガス管120のガス導入口144近傍に設けられていることが好ましい。冷却媒体としては、例えば、水または油などを用いることができる。なお、冷却媒体経路140は、図5に図示した形態に限定されない。従って、迂回部142が設けられていなくてもよい。第1のガス管120の主要部の断面の直径d1及び第2のガス管122の主要部の断面の直径d2は、上部電極110に電力が供給された際に、第1のガス管120または第2のガス管122中で放電が生じない程度の大きさとすればよく、例えば、概ね等しい大きさとすればよい。第1のガス管120のガス排出口の直径d3は、上部電極110の電極面と、第1のガス管120がなす角をθとすると、d3=d1/sinθと表される。ただし、第1のガス管120のガス排出口の直径d3は、一部特に終端が拡大して設けられていてもよい。なお、第1のガス管120のガス排出口の直径d3も放電が生じない程度の大きさとする。分散板中央部130の直径d4は、第1のガス管120のガス排出口の直径d3よりも大きいことが好ましい。第1のガス管120のガス排出口から排出されたガスが、拡散されることなく第1のガス拡散室106に導入されることを防ぐためである。図6は、図3のプラズマCVD装置100における処理室102に処理ガスを導入し、上部電極110と下部電極112に電圧を印加したときのC-Dにおける電界強度の分布図6Aと、C-Dにおける処理ガスの分布図6BとE-Fにおける反応性物質の分布図6Cの概念図を示す。図6Aに示すように、電界強度は上部電極110及び下部電極112の中央部と重畳する位置にピークを有するが、図3に示すプラズマCVD装置100では電界強度の均一性が高いため、その勾配は緩やかである。そして、図6Bに示すように、処理ガスの分布は分散板中央部130と重畳する位置を避けて二つのピークを有する。図6Aに示す電界強度と、図6Bに示す処理ガスの分布から、反応性物質電離した材料物質は図6Cに示すような分布となる。図6Cに示すように反応性物質電離した材料物質が分布するため、プラズマCVD装置100を用いて基板上に成膜を行う場合には、基板面内における膜厚のばらつきを小さくし、均一性が高いものとすることができる。また、プラズマCVD装置100は、基板に対して高い均一性でプラズマ処理が行えるプラズマ処理装置として使用することもできる。以上により、高品質の非晶質シリコン層及び微結晶シリコン層を含む光電変換装置を作製することができる。なお、図1は本発明の一態様における光電変換装置の基本構成を例示したものであり、透光性導電膜や電極などを付与しても良い。例えば、図2Aに示すように、第1の微結晶シリコン層230上に透光性導電膜250及びグリッド電極260を設け、第2の微結晶シリコン層240上に裏面電極270を設けた構成とすることができる。図2Aの構成では、光300は第1の微結晶シリコン層230側から入射される。また、図2Bに示すように、第2の微結晶シリコン層240側にも透光性導電膜280及びグリッド電極290を設ける構成とすることもできる。図2Bの構成では、光300が第1の微結晶シリコン層230側から入射され、光310が第2の微結晶シリコン層240側から入射されるため、より多くの光を光電変換層に取り入れることができ、図2Aの構成よりも変換効率を向上させることができる。透光性導電膜250、280には、例えば、インジウム錫酸化物、珪素を含むインジウム錫酸化物、亜鉛を含む酸化インジウム、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、アルミニウムを含む酸化亜鉛、酸化錫、フッ素を含む酸化錫、またはアンチモンを含む酸化錫等を用いることができる。また、透光性導電膜250、280は単層に限らず、異なる膜の積層でも良い。例えば、インジウム錫酸化物とアルミニウムを含む酸化亜鉛の積層や、インジウム錫酸化物とフッ素を含む酸化錫の積層などを用いることができる。膜厚は総厚で10nm以上1000nm以下とする。また、図示はしていないが、反射防止効果を付与するために透光性導電膜250、280の表面をテクスチャ構造としても良い。また、グリッド電極260及び裏面電極270には、銀、アルミニウム、銅などの低抵抗金属を用いることが好ましい。または、スクリーン印刷法などで形成できる銀ペーストや、銅ペーストなどを用いても良い。以上により、本発明の一態様の作製方法を用いて形成した光電変換装置は、光電変換層における少数キャリアのライフタイムを長くすることができ、変換効率を向上させることができる。