大気雰囲気と真空雰囲気とを切り替えて基板の出し入れを可能とするロードロック室と、真空雰囲気にて太陽電池用の基板に対し、pn接合形成用の不純物のイオンを導入する処理室と、ロードロック室と処理室との間で基板を搬送する搬送手段が内蔵された搬送室と、を備え、前記不純物のイオンの導入がイオンガンからの不純物のイオンの照射にて行われ、イオンガンは、そのイオン照射面が処理室に搬送されてくる基板に対向するように設けられることを特徴とする太陽電池製造装置。前記イオン照射面から基板に向かう側を下として、このイオンガンは、不純物のイオンを含むプラズマを発生し得るプラズマ発生室と、このプラズマ発生室の下端部に設けられてイオン照射面を構成するグリッド板とを備え、このグリッド板に複数の透孔が形成され、この透孔が形成された領域は基板面積より大きく、このグリッド板を所定電圧に保持してプラズマ発生室内に発生させたプラズマ中の不純物のイオンが各透孔を通して下方に引き出されるように構成したことを特徴とする請求項1記載の太陽電池製造装置。前記イオン照射面と基板との間に位置して基板を局所的に遮蔽するマスクと、このマスクをイオン照射面と基板との間の遮蔽位置に進退自在に移送する移送手段とを更に備えたことを特徴とする請求項1または請求項2記載の太陽電池製造装置。前記搬送手段は、イオン照射面に平行な同一平面で回転自在であり、周方向に所定間隔で複数枚の基板を保持し得る基板用の回転テーブルであり、前記移送手段は、基板用の回転テーブル上でこの基板用の回転テーブルの回転中心を中心として回転自在であり、周方向に所定間隔で複数枚のマスクを保持し得るマスク用の回転テーブルであることを特徴とする請求項3記載の太陽電池製造装置。テクスチャ構造を有する太陽電池用の基板に対し、この基板に対向配置されたイオンガンのイオン照射面から、P、As、Sb、Bi、B、Al、Ga及びInの中から選択された不純物のイオンを照射するイオン照射処理工程と、イオン照射処理工程により基板内に生じた欠陥をアニール処理にて修復する欠陥修復工程と、このアニール処理により不純物を拡散させる不純物拡散工程と、を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。本発明は、以上の点に鑑み、量産性が良くて低コストの太陽電池製造装置及び太陽電池製造方法を提供することをその課題とする。上記課題を解決するために、本発明の太陽電池製造装置は、大気雰囲気と真空雰囲気とを切り替えて基板の出し入れを可能とするロードロック室と、真空雰囲気にて太陽電池用の基板に対し、pn接合形成用の不純物のイオンを導入する処理室と、ロードロック室と処理室との間で基板を搬送する搬送手段が内蔵された搬送室と、を備え、前記不純物のイオンの導入がイオンガンからの不純物のイオンの照射にて行われ、イオンガンは、そのイオン照射面が処理室に搬送されてくる基板に対向するように設けられることを特徴とする。本発明によれば、イオンガンのイオン照射面に対向する位置に基板を搬送し、イオンガンにより基板に対して不純物のイオンを照射することで基板内に不純物が導入される。このとき、基板に対して略直交する方向から不純物のイオンを照射する構成を採用することで、チャネリング現象により基板表面から任意の深い位置まで不純物のイオンを導入できる。このため、塗布拡散法を用いる場合よりも工程数が少なく、その上、基板内に導入した不純物を熱拡散させるアニール処理が不要となって量産性を向上できる。また、不純物のイオンを導入する際に質量分離器や加速器等は不要になって低コスト化を図ることができる。本発明においては、イオン照射面から基板に向かう側を下として、イオンガンは、不純物のイオンを含むプラズマを発生し得るプラズマ発生室と、このプラズマ発生室の下端部に設けられてイオン照射面を構成するグリッド板とを備え、このグリッド板に複数の透孔が形成され、この透孔が形成された領域は基板面積より大きく、このグリッド板を所定電圧に保持してプラズマ発生室内に発生させたプラズマ中の不純物のイオンが各透孔を通して下方に引き出されるように構成することが好ましい。これによれば、グリッド板に印加する電圧を制御するだけで、基板内での不純物の深さや濃度を高精度で制御することができる。その上、グリッド板の透孔が形成された領域を基板面積よりも大きくして基板全面に亘って一様に不純物のイオンが照射されるため、基板表面に対してイオンビームを走査するものと比較して処理時間を短くでき、しかも、一層の低コスト化を図ることができる。また、本発明においては、イオン照射面と基板との間に位置して基板を局所的に遮蔽するマスクと、このマスクをイオン照射面と基板との間の遮蔽位置に進退自在に移送する移送手段とを更に備えることが望ましい。これによれば、マスクを適宜進退させるだけで、基板に対して局所的な不純物のイオンの導入が可能となり、選択エミッタ構造における不純物の導入に特に有利となる。このとき、基板表面にマスクを形成したり、このマスクを除去したりする等の工程が不要となり、量産性を一層向上できる。上記搬送手段は、イオン照射面に平行な同一平面で回転自在であり、周方向に所定間隔で複数枚の基板を保持し得る基板用の回転テーブルであり、前記移送手段は、基板用の回転テーブル上でこの基板用の回転テーブルの回転中心を中心として回転自在であり、周方向に所定間隔で複数枚のマスクを保持し得るマスク用の回転テーブルとすればよい。これにより、基板に対してマスクを進退する構成を実現できる。さらに、上記課題を解決するために、本発明の太陽電池製造方法は、太陽電池用の基板に対し、この基板に対向配置されたイオンガンのイオン照射面から、P、As、Sb、Bi、B、Al、Ga及びInの中から選択された不純物のイオンを照射するイオン照射処理工程と、イオン照射処理工程により基板内に生じた欠陥をアニール処理にて修復する欠陥修復工程と、このアニール処理によって不純物を拡散させる不純物拡散工程と、を含むことを特徴とする。ここで、本発明において、基板には不純物のイオンが照射される面にテクスチャ構造を有するものが含まれる。本発明によれば、チャネリング現象により基板表面から任意の深い位置まで不純物のイオンが導入されるため、より低エネルギーで注入が出来る。これにより欠陥修復すなわち、再結晶化用のアニール処理は短くて済み、さらに上記従来例のように不純物を拡散させるためのアニール処理が短くなり、太陽電池の量産性を向上できる。以下、図面を参照して、基板Sとして単結晶もしくは多結晶シリコン基板を用い、この基板Sにリンまたはボロンを導入して選択エミッタ構造の太陽電池を製造する場合を例として本発明の実施形態の太陽電池製造装置及び太陽電池製造方法を説明する。以下においては、後述のイオンガンのイオン照射面から基板に向かう側を下図2中、下方向として説明する。図1及び図2を参照して、Mは、本発明の実施形態の太陽電池製造装置であり、太陽電池製造装置Mは、略直方体の形状を有する中央の搬送室1と、その周囲にゲートバルブVを介して設けられたロードロック室2及びアニール室3とを備える。搬送室1には、図示省略の真空ポンプに通じる排気管11が接続され、所定真空圧に真空引きして保持できる。搬送室1内のロードロック室2に対向する位置には、処理室4を画成する仕切板41が配置されている。仕切板41の下端は、後述するマスク用の回転テーブル表面近傍まで延びている。そして、この処理室4を臨むように搬送室1の上面にはイオンガン5が設けられている。イオンガン5は、有底筒状のイオンガン本体51とこのイオンガン本体51の下端開口に装着されてイオン照射面をなすグリッド板52とから構成され、イオンガン本体51及びグリッド板52により囲繞された内部空間がプラズマ発生室50を構成する。イオンガン本体51は、仕切板41で区画された領域で搬送室上面12に形成された開口12aにその上方から挿設され、底板51aに形成したフランジ51bが開口12aの周縁部に掛止されることで吊設されている。イオンガン本体51の底板51a上には、プラズマ発生室50内に磁束線を形成する永久磁石53が配置され、永久磁石53上には高周波アンテナ54が設けられている。そして、高周波アンテナ54が、マッチングボックス55を介して高周波電源56に接続されている。イオンガン本体51には、リンを含むガスを導入するガス導入管57が接続され、このガス導入管57の他端がマスフローコントローラを介して、リンを含むガスを貯蔵したガス源に連通している。リンを含むガスとしては、PH3、PF3、PF5、PCl3、PCl5、POCl3等が挙げられる。なお、基板に導入しようとする不純物は基板に応じて適宜選択され、リンを含むガスの他、Asを含むガスAsH3、AsF3、AsF5、AsCl3、AsCl5等、周期律表のV族に属するSb又はBiを含むガス、Bを含むガスB2H6、BF3、BCl3、BBr3等や、周期律表のIII族に属するAl、Ga、Inを含むガス等が用いられる。また、ガスの供給方法は上記に限られるものではなく、リン等の不純物を含む液体試料又は固体試料を気化させ、この気化させたものをガス導入管57を介してプラズマ発生室50に供給するようにしてもよい。他方、グリッド板52は、Cカーボン、Alアルミ、Siシリコン、CNチッ化カーボン、SUS等の導電性をもつ材料の板からなり、その表面には、複数の透孔52aが形成されている。この場合、透孔52aの径、形成する個数や透孔52a相互の間隔は、導入する不純物に応じて適宜選択される。そして、透孔52aが形成された領域は、基板S面積よりも大きくなるように定寸され、また、グリッド板52はイオン引出用の電源図示省略に接続され、所定電位が印加されるようになっている。これにより、ガス導入管57を介してプラズマ発生室50内に所定のガスを導入して高周波アンテナ54に所定の高周波電力を印加することで、プラズマ発生室50内にISMInductiveSuperMagnetron方式でプラズマが発生する。そして、グリッド板52に所定電位を与えることで、プラズマ中のリンイオンがグリッド板52の開口52aを介して下方に引き出される。搬送室1内には、グリッド板52に平行な同一平面で回転自在な基板用の回転テーブル搬送手段6が設けられている。基板用の回転テーブル6上には周方向に90度間隔で基板保持手段61が設けられている。基板保持手段61は正負の電極を備えた静電気チャックから構成され、静電気力にて基板を吸着保持する。基板用の回転テーブル6の下面中央には、図示省略のサーボモータ等の駆動源からの中空の回転軸62が連結されている。そして、駆動源により回転テーブル6が90度ずつ間欠的に回転駆動されることにより、基板保持手段61にて保持された基板が、ロードロック室2に対向するロード/アンロード位置と、後述のアライメント位置と、イオンガン5からのイオンを照射するイオン照射位置と、アニール室に対向するアニール室搬送位置との間で移送される。基板用の回転テーブル6の上にはマスク用の回転テーブル7移送手段が設けられている。回転テーブル7には、周方向に90度間隔で円形開口71が形成されている。円形開口71は、基板の面積より大きくなるように定寸され、各円形開口71には、この円形開口71の輪郭に一致する輪郭を備えたマスク8を落とし込んでセットできるようになっている。マスク用の回転テーブル7の下面中央には、図示省略のサーボモータ等の駆動源からの回転軸72が回転軸62と同心に連結されている。そして、駆動源によりマスク用の回転テーブル7が基板用の回転テーブル6の回転中心を中心として間欠的に回転駆動されることにより、上記基板用の回転テーブル6と同様、円形開口71にセットされたマスク8が、ロード/アンロード位置と、アライメント位置と、イオン照射位置と、アニール室搬送位置との間で移送される。ここで、マスク8としては、シリコン製の板81上に、アルミナ等の遮蔽膜82をスパッタリング等により所定膜厚で成膜し、次に、この遮蔽膜82に、選択エミッタ構造に応じて、エッチング等により所定間隔でライン状の開口83を設けると共に、この開口83に通じる透孔84を板81に設けたものが用いられる。そして、このマスク8が、回転テーブル7の4つの開口71のうち相互に対向する2箇所のみにセットされて、イオン照射位置にてマスク有り、無しのいずれかの状態を選択できる。これにより、グリッド板52と基板Sとの間に位置して基板Sを局所的に遮蔽する遮蔽位置にマスク8が進退自在となる。搬送室1内には、マスク8の開口越しに基板Sを撮像するCCDカメラ等の撮像手段9が設けられ、撮像手段9に応じて基板及びマスク用の両テーブル6、7が停止する位置がアライメント位置となる。このアライメント位置においては、撮像手段9により基板Sがマスク8の開口越しに撮像されて、この撮像された画像がデータ処理されて基板Sに対するマスク8の位置の補正量が算出される。そして、例えば、マスク用の回転テーブル7を周方向に回転させて基板Sに対してマスク8がアライメントされる。尚、マスク8のアライメント方法は上記に限られるものではなく、公知の基板アライメント方法を用いることができる。また、ロードロック室2には、図示省略の真空ポンプに通じる排気管が接続され、所定真空圧に真空引きして保持できる。また、ロードロック室2内には、基板Sを仮置できるステージ21が設けられている。そして、大気圧下で基板Sをロードロック室2に搬送し、このロードロック室2を真空引きした後、ロードロック室2と回転テーブル6の間に設けた搬送ロボットR1により、ステージ21と回転テーブル6との間で基板Sの受け渡しが行われる。この場合、搬送ロボットR1としては、例えば、多関節式で、その先端に基板Sを非接触で保持できるベルヌーイチャックCを有するものが用いられる。アニール室3は、ロードロック室2と同様、図示省略の真空ポンプに通じる排気管が接続され、所定真空圧に真空引きして保持できる。また、アニール室3内には、基板Sを載置するステージ31と、基板Sを加熱するランプ等の加熱手段とが設けられている。そして、アニール室3と回転テーブル6との間に設けた搬送ロボットR2により、基板Sの受け渡しが行われ、リンイオンの照射により基板Sに生じた欠陥を修復するすなわち、再結晶化するアニール処理が行われる。搬送ロボットR2もまた、上記搬送ロボットR1と同様に、例えば、多関節式のものであり、その先端に基板Sを非接触で保持できるベルヌーイチャックCを有する。以下に、図3を参照して、上記実施形態の太陽電池製造装置を用いて選択エミッタ構造の太陽電池を製造する場合を例に本実施形態の太陽電池製造方法を説明する。先ず、マスク用の回転テーブル7の相互に対向する開口71に2枚のマスク8をセットした後、ゲートバルブVを閉めて搬送室1を真空引きする。これと同時にアニール室3も真空引きする。この場合、アライメント位置にはマスク8が無い状態とする。次に、p型単結晶シリコン基板たる3枚の基板Sを大気圧下のロードロック室2に投入した後、ロードロック室2内を真空引きする。各室1、2、3が所定真空度に達すると、1枚目の基板S以下基板S1とする。を搬送ロボットR1により取り出し、回転テーブル6上ロード/アンロード位置に移送し、回転テーブル6を回転駆動して基板S1をアライメント位置に移送する。そして、撮像手段9により基板S1が撮像され、この撮像された画像がデータ処理されて基板S1に対するマスク8の位置の補正量が算出される。そして、マスク用の回転テーブル7を周方向に回転させてマスク8がアライメントされる。なお、このアライメント作業中、2枚目の基板S以下基板S2とする。が搬送ロボットR1によりロード/アンロード位置に搬送される。基板S1に対するマスク8のアライメントが終了すると、回転テーブル6、7が同期して同一回転角だけ回転駆動され、イオン照射位置に基板S1及びマスク8が移送される。そして、基板S1に対してマスク8を通したリンイオンの導入イオン照射処理が行われる。ここで、プラズマ発生室50内に導入するガスとしてリンを含むPH3ホスフィンを用いる場合、イオン照射の条件は、ガス流量が、0.1~20sccm、アンテナ54に投入する交流電力は、周波数13.56MHzの高周波電力を20~1000W、グリッド板52に印加する電圧は、30kVに設定され、照射時間は0.1~3.0secに設定される。これにより、図3aに示すように、マスク8の開口83及び透孔84を通って基板S1の電極形成領域にリンイオンが導入されてn層101が形成される。上記のように基板S1にn層101が形成されると、マスク用の回転テーブル7のみを回転させてイオン照射位置に存する基板S1とグリッド板52との間にマスクが無い状態にする。そして、基板S1の全面に亘って一様にリンイオンを照射する。この場合、グリッド板52への印加電圧が5kV~10kV、イオン照射時間が0.1~3.0secに変更される。これにより、図3bに示すように、基板S1の浅い位置にn層102が形成される。上記のように基板S1へのn層102の形成中、アライメント位置まで移送されてきた基板S2に対して、上記同様、基板S2に対するマスク8のアライメントを行う。そして、基板S1へのn層102の形成後、回転テーブル6、7を同期して回転駆動し、イオン照射位置に基板S2及びマスク8を移送し、上記と同様に、イオン照射が行われる。他方、アニール位置に到達した基板S1は、搬送ロボットR2によりアニール室3内に移送されてアニール処理が行われる。この場合、例えば、基板温度を900°C、処理時間を2分間に設定してのアニール処理が行われる。これにより、イオン照射により基板S1に生じた欠陥が修復されるすなわち、再結晶化される。なお、上記処理中、3枚目の基板S以下基板S3とする。が搬送ロボットR1によりロード/アンロード位置に搬送される。第1及び第2の各基板S1、S2へのイオン照射処理及びアニール処理が終了すると、基板用の回転テーブル6が回転駆動され、最初の基板S1がロード/アンロード位置に到達すると、搬送ロボットR1により基板S1はロードロック室2に戻される。そして、ロードロック室2を大気雰囲気にした後、処理済みの基板S1が取り出されると共に、処理前の他の基板が投入される。以降、上記手順を繰り返して、基板Sが処理される。また、ロードロック室2から取り出された基板S1には、公知のスクリーンプリント法を用いてAgからなる表面電極103、この基板S1の裏面にAlからなる裏面電極104をそれぞれ形成することで、図3cに示すような選択エミッタ構造の太陽電池が得られる。次に、上記太陽電池製造装置において、グリッド板52への印加電圧を変化させた場合の不純物のイオンの濃度分布及び深さの変化を確認する実験を行った。処理すべき基板Sをn型結晶シリコン基板とし、この基板S内に導入する不純物のイオンをホウ素イオンとした。そして、グリッド板52への印加電圧を30kV、20kV、10kVに設定し、ホウ素イオンのエネルギーkeV及びドーズ量atoms/cm2を、30keV、2.0×1016発明1、20keV、1.8×1015発明2、10keV、1.2×1015発明3とした。図4a乃至cは、発明1乃至発明3の条件でホウ素イオンを照射したときのSIMS分析結果である。これによれば、グリッド板52の印加電圧を変化させると、基板内でのホウ素イオンの濃度分布及び深さを制御できることが判る。また、シート抵抗値が、26.9Ω発明1、シート60.2Ω発明2、104.1Ω発明3と変化していることで、グリッド板52の印加電圧によりシート抵抗値をも制御できることが判る。以上説明したように、上記実施形態によれば、基板Sに対して略直交する方向からリンイオンが照射されるようにしたため、チャネリング現象により基板表面から任意の深い位置までリンイオンを導入できる。このため、上記従来例の塗布拡散法と比較して製造工程数を少なくでき、その上、基板S内に導入したリンを熱拡散させるアニール処理時間が短くなり量産性を向上できる。また、リンイオンを導入する際に質量分離器や加速器等は不要になって低コスト化を図ることができる。また、リンイオンを導入する際に、グリッド板52に印加する電圧を制御するだけで、基板S内でのリンの深さや濃度を高精度で制御することができ、しかも、グリッド板52の透孔52aが形成された領域を基板面積よりも大きくして基板全面に亘って一様にリンイオンが照射されるため、基板表面に対してイオンビームを走査するものと比較して処理時間を短くでき、しかも、一層の低コスト化を図ることができる。さらに、マスク用の回転テーブル7を回転させるだけで基板Sに対して局所的なリンイオンの導入が可能となり、選択エミッタ構造におけるリンの導入に特に有利となる。しかも、基板表面にマスクを形成したり、このマスクを除去したりする等の工程が不要となり、量産性を一層向上できる。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。上記実施形態では、選択エミッタ構造を有する太陽電池の製造を例に説明しているが、これに限定されるものではなく、裏面コンタクトを形成するn層、p層への注入など太陽電池製造工程にて不純物を導入するものに広く適用できる。また、上記実施形態では、中央の搬送室1の周囲にロードロック室2等を設け、回転テーブル6を間欠駆動する場合を例に説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、同一線上を基板Sが搬送されるようにし、その搬送経路中に、不純物導入を行う処理室やアニール室を設けてもよい。また、処理室4を搬送室1内に設けた例について説明したが、処理室4を搬送室1とは別に構成でき、また、プラズマ発生室50内にプラズマを発生させる方式はISM方式に限定されるものでなく、ICP方式やフィラメントアーク方式でもよい。また、イオン照射位置にて回転テーブル6、7を停止し、この状態で不純物導入を行う場合を例に説明したが、さらに量産性を向上するために、回転テーブル6、7を一定速度で回転させながら、イオン照射することもできる。さらに、上記実施形態では、回転テーブル6、7を用いて基板S及びマスク8を移送するものを例にを説明したが、これに限定されるものではない。例えば、回転軸の先端にマスクプレートを接続し、この回転軸を回転させて基板に対してマスクを進退する構成としてもよい。上記実施形態では、結晶シリコン基板内にリンイオンを導入する場合を例に説明したが、GaAs基板、CdS基板、CdTe基板、CuInSe2基板等の化合物半導体基板や有機半導体基板内に不純物のイオンを導入する場合にも本発明を適用できる。上記実施形態では、イオン照射処理とアニール処理を同一の太陽電池製造装置内で行う場合を例に説明したが、イオン照射処理とアニール処理を別の製造装置で行うようにしてもよい。但し、同一の製造装置内で両処理を連続して行うことで、高い量産性が得られる。また、選択エミッタ構造を製造する場合、2回のイオン照射後にアニール処理を行う場合を例に説明したが、各イオン照射後にアニール処理を行うようにしてもよい。