-金属または金属混合物の酸素含有先駆物質を選択する工程、-前記酸素含有先駆物質を少なくとも化学量論量のセレンと混合する工程、そして-前記先駆物質の酸素との反応およびセレン化物の形成を確実にするために十分な温度にて前記混合物をH2で還元する工程とを含む、金属または金属混合物のセレン化物を含むサブミクロンまたはナノ粒子粉末を合成する方法。前記酸素含有先駆物質が酸化物または水酸化物である、請求項1に記載の方法。前記酸素含有先駆物質が、-一種以上の前記金属の塩を沈澱させる工程、そして-該沈殿物を焼成する工程により調製された酸化物である、請求項2に記載の方法。前記金属または金属混合物がCu、In、およびGaからなるリストからの一種以上の金属を含む、請求項1または3に記載の方法。前記粉末がCIGSである、請求項1ないし請求項4のうちいずれか一項に記載の方法。前記粉末が化学量論量より過剰のSeを有する、請求項1ないし請求項6のうちいずれか一項に記載の方法。分散体、ペーストまたはインクの製造のための、請求項1ないし請求項6のうちいずれか一項に従い調製された粉末の使用。光電池の製造のための、請求項8に記載の分散体、ペーストまたはインクの使用。本発明は特に、金属または金属混合物の酸素含有先駆物質を選択する工程と、前記酸素含有先駆物質を少なくとも化学量論量のセレンと混合する工程と、そして先駆物質の酸素との反応およびセレン化物の形成を確実にするために十分な温度にて混合物をH2で還元する工程とを含む、金属または金属混合物のセレン化物のサブミクロンまたはナノ粒子粉末の合成のための方法に関する。前述のセレンの化学量論量は、合成されるセレン化物、概してCuSe、Cu2Se、InxGa1-x2Se3、CuInxGa1-xSe2と関連する。水以外の残留反応生成物が避けられるため、酸化物、水酸化物、およびオキシ水酸化物が好ましい酸素含有先駆物質である。上に規定された酸素含有先駆物質は、一種以上の前記金属の塩を沈澱させる工程と、沈殿物を焼成する工程とによって調製され得る。この工程は、塩を分解し且つその金属を酸化するような温度にて、空気中でまたは別のO2含有ガス中で行われてもよい。適する塩は、中温にて分解および反応し、炭酸塩またはシュウ酸塩などの有機塩が一般に適切である。セレン化物は、太陽電池の製造のために広範囲に適用されるように、好ましい対象である。二元セレン化物例えばCuSe、Cu2Se、三元セレン化物例えばInxGa1-x2Se3または四元セレン化物CuInxGa1-xSe2またはCIGSを合成することができる。合成は、通常のCIGSの化学式に基づく粉末を特に対象とし、ここでxの値は1高純度セレン化インジウム銅から0高純度セレン化ガリウム銅まで変化し得る。また、この方法は、硫黄を酸素含有金属先駆物質とセレンとの混合物に添加することによる硫化物とセレン化物との混合物の調製に適している。このように混合されたセレン化物と硫化物は、スルホセレン化ガリウムインジウム銅CIGSSの調製に適している。CIGS粉末によって、700°Cまでのかなり高いアニール温度が必要とされる。このような温度は、気化による金属およびSeの損失をもたらすことが予想される。それはまた、低コストの太陽電池構造物にて使用されるソーダ石灰ガラス基材を変形するだろう。したがって、CIGSそれ自体の代わりにセレン化物の混合物を適用することが有利である。個々のセレン化物、特にCuSeは、溶剤として作用し得、それによって適度な焼結温度を可能にする。このような温度は、可撓性プラスチック基材などのより低コストの基材と適合し得るため有利である。想定されたセレン化物に関して化学量論量より過剰のSeを供給することが有益であり得る。確かに、Seは比較的低い221°Cにおいて溶融し、より高い個々の融点を有する合金粒子間の空隙を充填することによってアニールの間、浸潤剤および溶剤として作用し得る。さらに、過剰分のSeは、アニール工程において起こり得る気化による損失を補償する。アニールの条件炉のタイプ、温度、加工される材料の量等によって、過剰分はSeの1質量超であり得る。この過剰分は、還元工程の前後のいずれかで、Se粉末の適切な量を添加することによって供給され得る。500nm未満の平均粒径d50は、インクへの混入に適しており、想定される層の厚さに適合する。しかしながら、200nm未満のd50を有するより微細な粒子が、アニール温度の低下を促し得るため好ましい。上に規定された方法は、特に酸化物または水酸化物などのサブミクロンまたはナノ粒子先駆物質から出発する際、このような生成物の調製に適している。混合されたSeおよび/またはSは、還元の間に遭遇する300°C超の温度にてこれらの成分が溶融するので、特に微細粒状にされる必要はない。さらなる実施態様において、上記の粒子は分散体、ペーストまたはインクの製造のために使用される。そのように得られた組成物は、光電地の製造に適している。本発明の別の実施態様は、特に化学量論量より過剰のSeが存在する際、上記の方法によって得られる粒状材料に関する。本発明の方法は概して、所望の金属の水溶液から水酸化物を沈澱させることによって実施可能である。47.7g/lのCu、18.4g/lのGa、および56.1g/lのInを含有する硝酸塩水溶液を、NaOHの溶液を約2時間にわたってゆっくりと添加することによって、55°Cにて沈澱させた。pH値を初期値1.7から約12まで変化させ、それによって水酸化物としての金属の回収はほぼ定量的であった。次に、沈澱した水酸化物を洗浄し、従来式オーブン内で90°Cで乾燥させた。乾燥させた粉末を550°Cにて空気中で2時間焼成した。それをSe粉末の化学量論量と混合し、この混合物を約300°Cのオーブン内でH2で還元した。得られた粉末はCIGSCuIn0.65Ga0.35Se2であり、これはさらなる利用のために分散可能であった。図1の粉末のSEM画像に示されるように、90nmのd50が得られた。図2は、対応する結晶構造解析を示し、生成物の単一相の性質を明治する。H2はフォーミングガスによって良好に代用することができる。還元温度は、一層のみ存在するCIGSを製造するために300°C以上であるのがよい。250°Cにての試験は確かに複数相の形成をもたらし、これは複数相がアニール後に存続し得るため望ましくない。