発光ダイオードにおいて、N型半導体層、活性層及びP型半導体層が形成された発光半導体チップと、前記発光半導体チップから出力される光が所望の光に変換されるように、前記発光半導体チップから出力された光の波長に基づく蛍光体の配合比を有し、前記発光半導体チップの上面にコーティングされる蛍光物質層と、前記蛍光物質層と前記発光半導体チップとの間に配置されて、前記蛍光物質層を前記発光半導体チップに結合する結合層と、を備えることを特徴とする発光ダイオード。前記結合層は、シリコンSi樹脂、エポキシ樹脂、有機ポリマー、ガラス樹脂のうち少なくとも何れか一つを含むことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。前記蛍光物質層を保護するために、前記蛍光物質層の上面にコーティングされた保護層をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。前記保護層は、Si樹脂、エポキシ樹脂、有機ポリマー、ガラス樹脂のうち少なくとも何れか一つを含むことを特徴とする請求項3に記載の発光ダイオード。前記発光半導体チップから出力される前記光の波長は、青色の波長または紫外線の波長であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。発光ダイオードの製造方法において、ウエハー基板上にN型半導体層、活性層及びP型半導体層を蒸着して発光半導体チップを形成するステップと、前記発光半導体チップから出力される光の波長を検出するステップと、前記検出された発光半導体チップの波長データを利用して、前記発光半導体チップが所望の光を出力するように、それに対応する蛍光体の配合比を決定するステップと、前記決定された蛍光体の配合比による蛍光物質を前記発光半導体チップ上に塗布する前に、前記発光半導体チップの上面に結合層を形成するステップと、前記結合層の上面に前記決定された配合比による蛍光物質層を形成するステップと、を含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。前記結合層を形成する前に、前記発光半導体チップの一領域をマスキングするステップをさらに含むことを特徴とする請求項6に記載の発光ダイオードの製造方法。前記蛍光物質層の上面に保護層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の発光ダイオードの製造方法。発光ダイオードの製造方法において、ウエハー基板上にN型半導体層、活性層及びP型半導体層を蒸着して発光半導体チップを形成するステップと、前記発光半導体チップから出力される光の波長を検出するステップと、前記検出された発光半導体チップの波長データを利用して、前記発光半導体チップが所望の光を出力するように、それに対応する蛍光体の配合比を決定するステップと、前記決定された配合比による蛍光物質層を形成するステップと、前記蛍光物質層の上面に保護層を形成するステップと、を含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。前記蛍光物質層を形成する前に、前記発光半導体チップの一領域をマスキングするステップをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の発光ダイオードの製造方法。したがって、本発明の目的は、生産性を向上させることができる発光ダイオード及びその製造方法を提供するところにある。本発明の他の目的は、蛍光体/Siの配合物質が剥離することを防止することができる発光ダイオード及びその製造方法を提供するところにある。また、本発明の他の目的は、蛍光体/Siの配合層の厚さを比較的に一定にすることができる発光ダイオード及びその製造方法を提供するところにある。前記目的は、本発明によって、発光ダイオードにおいて、N型半導体層、活性層及びP型半導体層が形成された発光半導体チップと、前記発光半導体チップから出力される光が所望の光に変換されるように、前記発光半導体チップから出力された光の波長に基づく蛍光体の配合比を有し、前記発光半導体チップの上面にコーティングされる蛍光物質層と、前記蛍光物質層と前記発光半導体チップとの間に配置されて、前記蛍光物質層を前記発光半導体チップに結合する結合層と、を備えることを特徴とする発光ダイオードによって達成されることができる。また、前記結合層は、Si樹脂、エポキシ樹脂、有機ポリマー、ガラス樹脂のうち少なくとも何れか一つを含むことができる。ここで、前記蛍光物質層を保護するために、前記蛍光物質層の上面にコーティングされた保護層をさらに備えることができる。また、前記保護層は、Si樹脂、エポキシ樹脂、有機ポリマー、ガラス樹脂のうち少なくとも何れか一つを含むことができる。そして、前記発光半導体チップから出力される前記光の波長は、青色の波長または紫外線の波長であってもよい。また、前記目的は、本発明によって、発光ダイオードの製造方法において、ウエハー基板上にN型半導体層、活性層及びP型半導体層を蒸着して発光半導体チップを形成するステップと、前記発光半導体チップから出力される光の波長を検出するステップと、前記検出された発光半導体チップの波長データを利用して、前記発光半導体チップが所望の光を出力するように、それに対応する蛍光体の配合比を決定するステップと、前記決定された蛍光体の配合比による蛍光物質を前記発光半導体チップ上に塗布する前に、前記発光半導体チップの上面に結合層を形成するステップと、前記結合層の上面に前記決定された配合比による蛍光物質層を形成するステップと、を含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法によっても達成されることができる。ここで、前記結合層を形成する前に、前記発光半導体チップの一領域をマスキングするステップをさらに含むことができる。また、前記蛍光物質層の上面に保護層を形成するステップをさらに含むことができる。ここで、前記目的は、本発明によって、発光ダイオードの製造方法において、ウエハー基板上にN型半導体層、活性層及びP型半導体層を蒸着して発光半導体チップを形成するステップと、前記発光半導体チップから出力される光の波長を検出するステップと、前記検出された発光半導体チップの波長データを利用して、前記発光半導体チップが所望の光を出力するように、それに対応する蛍光体の配合比を決定するステップと、前記決定された配合比による蛍光物質層を形成するステップと、前記蛍光物質層の上面に保護層を形成するステップと、を含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法によっても達成されることができる。ここで、前記蛍光物質層を形成する前に、前記発光半導体チップの一領域をマスキングするステップをさらに含むことができる。前述の本発明による発光ダイオード及びその製造方法によれば、次のような効果がある。第一に、ウエハーレベルでそれぞれの単位チップ別に色座標上の同一のターゲットの白色光に変換するための蛍光体及びSiを含む蛍光物質が決定されてそれぞれのチップに塗布されるため、それぞれのチップに出力される白色光の色偏差が低減する。それにより、白色光ダイオードの工程収率が向上する。第二に、色偏差の最小化により、それぞれの白色光の発光ダイオードチップを用いた光学レンズの設計時、設計余裕が増加する。第三に、ウエハー単位でそれぞれのチップに蛍光体の塗布工程が行われるため、パッケージングステップでそれぞれのチップに類似した範囲の波長を有するLEDを分類するソーティングsorting工程が不要となる。また、パッケージングステップではなく、ウエハーレベルで既にホワイトターゲット色座標が得られるため、別途のパッケージング工程及び材料コストが追加的に発生しない。第四に、ウエハーレベルで白色光チップが製作されるため、生産装備の投資コスト及び白色光ダイオードチップの管理コストが削減され、特にソーティングのためのソーティング装備などのパッケージング工程を行うための装備が不要となる。第五に、ウエハーレベルでチップ別に白色光ダイオードチップが仕上がるため、フリップチップ方式を利用したCOMchiponmodule、COBchiponboardで対応する場合、別途のダイアタッチdieattach、ワイヤリング、蛍光体の塗布などの既存の工程を省略することができるため、工程コスト、材料コストなどを節減することができる。第六に、モジュール内に構成された発光ダイオードチップ間の距離が最小化するため、高密度集積化した点光源pointsource概念の光源を構成することが可能であるため光学設計に有利であり、また、モジュール内の発光ダイオードチップの数の増加による高輝度な照明を構成することが可能である。第七に、一つの発光ダイオードチップ内の輝度を向上させるために、チップのサイズを大きくする場合、一つのチップ内でも波長の撒布が発生し得るが、本発明は、単位チップ別に波長を補償することが可能であるため、均一な色具現が可能である。第八に、ワイヤリングが行われる電極パッドの数が減少するため、実際にワイヤリングが行われない電極パッドのサイズを画期的に縮小させることができる。それにより、工程がさらに単純化し、生産性が向上する。また、該当電極パッドの面積が縮小する分だけ輝度が向上する付加的な効果を期待することができる。第九に、ワイヤリングされる電極パッドの数が減少するため、パッケージング工程のコストも節減することが可能であり、量産性の効果が期待される。第十に、ウエハーレベルで一つのモジュールが赤色R、緑色G、及び青色Bから構成されて形成される場合、一つのモジュールで多様な色の組合せが可能である。それは、屋内外の電光板及び高級なデザインの照明などに活用されることが可能であり、RGB色が最も近接した距離に存在するように設計されているため、多様な色の具現に活用されることができる。特に、多様な色を要求するインテリアーなどの高級な照明、屋内外の電光板などにおいて、最小ピクセルの単位でRGBを用いた多様な色の具現が可能である。第十一に、チップレベルとウエハーレベルの両方は蛍光体の形成工程に適用可能であり、蛍光体の形成工程で要求されるビニングBINNING現象を最小化する蛍光体/Siの配合層のコンフォーマルコーティングが可能である。また、チップの波長撒布を補償可能にする蛍光体/Siの配合比を容易に制御することができる。第十二に、発光半導体装置の基板と蛍光体/Siの配合層とを接着させる機能を行い、接着力の向上に寄与する役割を行う。第十三に、蛍光体保護層の導入により、後続するパッケージ工程中に蛍光体/Siの配合層に発生し得る表面損傷、スクラッチなどを防止することができる。前述のように、本発明は、蛍光体/Siの配合層をコーティングすることにより、所望の波長の光を出力することができる発光ダイオード及びその製造方法に関する。さらに詳細には、発光ダイオードLED例えば、ブルーLED、紫外線UVLEDから放出される光の波長が、例えば、ウエハーレベルで測定される。前記波長の測定結果に基づいて、コンフォーマルコーティングが前記LEDに塗布される。前記コンフォーマルコーティングは、前記波長に基づく蛍光体の配合比を有する。また、蛍光体の配合比は、黄色、緑色、及び赤色のうち少なくとも一つの色を含む。それにより、前記LEDから出力される光は、コンフォーマルコーティングを使用して白色光に変換される。本発明の実施形態において、それらのステップがウエハーレベルで行われて、さらに良好な均一性及び一貫性が得られることができる。一方、LEDチップのEPI工程中、MOCVDmetalorganicchemicalvapordeposition工程で工程偏差及び設備偏差によってLEDウエハー内のそれぞれのチップの間に波長撒布が存在する。図2は、任意のLEDウエハー12内のチップ10の青色光の波長を測定した結果を示す。ウエハー12内のチップ10が一つの同一の単一波長を有さずに、チップ10間の波長撒布を有する。通常、チップ10間の波長において5nm以上の差異が発生する場合、人間が肉眼で認知することが可能である。図3は、RGB色座標系を示す。図2に示すように、同一のウエハー12内でチップ10間の波長撒布が存在する状態で、同一のウエハー12上のチップ10を白色光に変換するために、ウエハーレベルで同一の蛍光体を一括して適用する場合、ホワイトターゲット色座標がチップ別に変わる。したがって、それぞれのチップ10の波長によって相異なる蛍光体の配合比を適用して初めて、同一のホワイトターゲット色座標の白色光を具現することができる。図3の色座標系で青色の部分の1番は、チップの波長がaである場合であるが、この場合、ホワイトターゲット色座標を形成するためには、黄色、緑色及び赤色Y、R、Gの蛍光体の配合比はAが適用されねばならない。また、2番及び3番のように、チップの波長がそれぞれb及びcである場合、1番と同一のホワイトターゲット色座標を形成するためには、蛍光体の配合比はAとは異なるそれぞれB及びCが適用されねばならない。ここで、前記配合比の蛍光体はSiと共に配合されることができる。たとえば、波長がa、b、cであり、相異なるチップに対して同一の配合比を有する蛍光体及びSiAの蛍光層が適用されれば、3つのチップが相異なるホワイトターゲット色座標を有する。ホワイトターゲット色座標が変われば、LCDLiquidCrystalDisplay装置に使用されるBLUBackLightUnit、照明などにLEDを使用する際に、色撒布の発生によって製品の構成に困難さがある。このような問題により、蛍光体を塗布する工程がウエハーレベルではなく、LEDパッケージ工程の際にそれぞれのチップレベルで行われ、蛍光体をコーティングする工程以前にそれぞれのチップをそれぞれのチップが出力する青色光の波長別にソーティングRANKINGする工程が先に行われる。しかし、パッケージング工程でそれぞれのチップに蛍光体の塗布が行われる場合、前述のソーティング工程以外にも、ソーティングされたそれぞれのチップに保持せねばならず、工程数が多くなり複雑になるため、製品コストの上昇の主な要因となる。図1では、それぞれのチップレベルで蛍光体の塗布が行われる工程を図式的に示す。まず、CUP18が存在するリードフレーム16で、CUP18の中心にLEDチップ10が付着し、前記LEDチップ10のメタルパッド20と前記リードフレーム16の電極ライン22とがワイヤ24によって互いにポンディングされる。ホワイトターゲット色座標を形成するために、前記LEDチップ10の表面に該当チップの波長に合わせて設計されたコーティング層14蛍光物質が分配dispensingされる。前述のチップレベルでの蛍光体塗布技術コーティング技術はいくつかの問題点を有する。第一に、蛍光体及びSiを含む蛍光物質の厚さ最小300um以上が厚いため、LEDチップの表面位置によって平均光路が変わり、色偏差が発生するLEDビニング現象。このような色偏差の発生は、光学設計の際に多くの制限的要素をもたらす。第二に、蛍光体を塗布する工程がウエハーレベルではなく、チップレベルで行われるため、パッケージ後にホワイトターゲット色座標の偏差によって不良が発生するとき、チップコスト以外に別途のパッケージ材料及び工程コストが追加的に発生する。第三に、チップレベルのコーティングを行うために、予めウエハー内のチップの波長撒布に対して同一の波長帯別にソーティング工程が伴われるが、この場合、長い工程時間及び設備投資コストなどが発生する。たとえば、ウエハーレベルでそれぞれの単位チップに対する蛍光体の塗布工程が行われれば、別途のソーティング工程が不要であり、パッケージレベルではなく、ウエハーレベルで既にホワイトターゲット色座標が得られるため、不良チップの発生時、別途のパッケージ工程及び材料コストが追加的に発生しない。前述のように、本発明に係る白色発光ダイオードの製造方法は、チップレベルパッケージング方法とは異なり、ウエハーレベルで白色発光ダイオードの製造工程が行われる。特に、前述の相対的に低いステップであるウエハーレベルでそれぞれの単位チップ別に波長データを予め測定して、それぞれの単位チップに該当波長別に同一のターゲットの白色光に変換するために測定された波長に適した蛍光体黄色Y、緑色G、赤色Rの配合比を正確に決定して、ウエハーレベルでそれぞれの単位チップに対して前記決定された配合比を有する蛍光体を分配する方法で、単位チップ別にその表面で所定の厚さを有するコーティング層が形成される。このような方式により、前記蛍光物質のコンフォーマルコーティングは、チップレベルで行われるものに比べて、その厚さが相対的に薄い。図4では、本発明に共通的に適用される発光ダイオードの製造方法の蛍光物質のコーティング過程を図式的に示す。ウエハー32内のすべてのチップ30に対して同一のホワイトターゲット色座標を具現するためにすべてのチップ30の波長を測定した結果に基づいて、それぞれの単位チップ30に塗布されるべき適した蛍光体の配合比が決定される。例えば、波長aの場合にはAの配合比、波長bの場合にはBの配合比、そして波長cの場合にはCの配合比が決定されることができる。前記3種類以上の複数の配合比に対して同一の3つのディスペンサー34A、34B、34Cが用意され、それぞれのディスペンサーは配合比を異にした蛍光体を備える。前記複数のディスペンサー34Aないし34Cは、図4に示すように、ウエハーレベルでそれぞれの単位チップに該当する蛍光体及びSiを含む蛍光物質をディスペンシングして、チップの上面に蛍光体のコンフォーマルコーティングを形成する。それにより、ウエハーレベルで蛍光体のコーティングによる白色光を出力するホワイトLEDが具現されることができる。ここで、前記ウエハー32上の蛍光物質が塗布される前のLEDチップ30は発光部と称することができる。前記発光部は、N層、P層及び活性層から構成され、このような構成は周知であるため、その詳細な説明を省略する。ここで、ウエハーレベルという意味は、ウエハー上に形成されたそれぞれの単位別のLEDチップ30を切り取って分離する前のウエハー工程を意味する。ここで、ディスペンサーの数を増加させれば増加させるほど、ウエハーレベルで形成された多様な波長撒布を有するそれぞれの単位チップにより正確な配合比を有する蛍光物質のコーティングが可能である。場合によって、前述の複数のディスペンサー34Aないし34Cにより任意の配合比を有する蛍光物質をウエハーレベルの単位チップ別に塗布することも可能である。さらに詳細に説明すれば、前記複数のディスペンサー34Aないし34Cのうち、相異なる配合比を有する少なくとも2つ以上のディスペンサーを使用して一つのダンウィチップに相異なる配合比を有する蛍光物質を複数回塗布することによって、所望の任意の配合比を有する蛍光物質をコーティングすることも可能である。すなわち、前記複数回塗布された蛍光物質が最終的に所望の任意の配合比を有する蛍光層になる。以下、本発明では、ウエハーレベルでそれぞれの単位チップ30に蛍光体及びSi蛍光物質が独立的にコーティングされる3つの実施形態を提示する。図5は第1の実施形態を示す。この場合、ウエハー32内のチップ30とチップ30間のスクライブラインscribelineは、パラフィン36を含む物質他のものを含んでもよいで印刷する。それにより、前記蛍光物質が前記スクライブラインにコーティングされることを防止することができる。次いで、メタルパッドの部分もパッドラインに沿ってパラフィン36などを含む物質で印刷されて、メタルパッド35の部分にディスペンサーによってディスフェンシングされるべき蛍光体及びSiを含む蛍光物質が侵透することを防止する。この場合、パラフィンなどの物質が印刷される場合、前記蛍光物質コーティング層の厚さは約100umである。パラフィン物質の主な機能は、前記チップ30上にコーティングされる蛍光物質を流動させずにその内部に存在させるガイドダムguidedam38の役割を行う。本実施形態による発光ダイオードの製造方法は次の通りである。1ウエハーレベルでそれぞれのダイオードチップ30の波長を測定する。2測定された波長群別にホワイトターゲット色座標に対応する蛍光体Y、G、BとSiの配合比を決定する。3図5に示すように、ウエハー32内のそれぞれのチップ30でスクライブラインとメタルパッド35の部分にパラフィン36などの物質を印刷してガイドダム38を形成する。4ホワイトターゲット色座標を具現するために、ウエハー32内でそれぞれのチップ30の波長に対して、該当する配合比を有する蛍光体と、前記蛍光体を前記チップ30の上部に良好に付着させるためのSiから構成された蛍光物質をコーティングする。ここで、前記特定の配合比を有する蛍光体と前記Siを含む蛍光物質が、前述の複数のディスペンサー図4の34Aないし34Cによって分配されることができる。5前記蛍光体及びSiを含む蛍光物質をオーブンでハード硬化hardcuringする。6次いで、前記スクライブラインに沿って前記ウエハー32上で蛍光物質のコーティングされた前記チップ30を切り取る。ここで、図5では、それぞれのチップ30にスクライブラインを形成することを説明したが、波長撒布が誤差範囲内に存在して、同一のディスペンサーによって前記蛍光物質の塗布が可能な場合のように、2つのチップ30に同時に一つのディスペンサーにより蛍光物質をコーティングすることが可能な場合、必要によってスクライブラインも2つのチップ30を取り囲むように形成することも可能である。必要によって、互いに隣接した30つ以上の複数のチップ3が誤差範囲内の波長撒布を有して、一つのディスペンサーによって蛍光物質をコーティングすることが可能な場合、前記3つ以上の複数のチップ30を取り囲むようにスクライブラインを形成することも可能である。また、前述のステップ3とステップ4との間に、前記ウエハー32上のそれぞれのチップ30の測定された波長データから、前記それぞれのチップ30にいずれのディスペンサーによって蛍光物質を塗布すべきかを判別するステップをさらに含むことができる。すなわち、前記それぞれのチップ30の波長撒布は多様に表れ得るため、限定されたディスペンサーによって蛍光物質を塗布するためには、それぞれのディスペンサーで補償できる波長撒布の範囲を決定することができる。ここで、複数のディスペンサー別に所定の蛍光体の配合比が既に決定されている場合なら、前述のステップ2は、ステップ1を通じて前記ウエハー32上のそれぞれのチップ30の測定された波長データから、前記それぞれのチップ30が前記複数のディスペンサーのうちいずれに適しているかを判別するステップに代替されることも可能である。図6を参照して、本発明の第2の実施形態を説明すれば次の通りである。この場合、チップ30とチップ30間のスクライブラインとメタルパッド35の部分は、ディスフェンシングされるべき蛍光体及びSiを含む蛍光物質が侵透できないように、シルクスクリーンsilkscreen40またはメタルマスクmetalmask40などでブロッキングされることができる。ブロッキングを行った後、ディスフェンシング方法でウエハーレベルでそれぞれの単位チップの波長に合わせて蛍光体及びSiを含む蛍光物質がディスフェンシングされる。さらに詳細には、本発明による発光ダイオードの製造方法を説明すれば次の通りである。1ウエハーレベルでそれぞれ構成されたダイオードチップの波長を測定する。2測定された波長群別にホワイトターゲット色座標に対応する蛍光体Y、G、BとSiの配合比を決定する。3図6に示すように、ウエハー内のそれぞれのチップにおいて、スクライブライン37とメタルパッド35の部分をシルクスクリーン40を使用してブロッキングする。4ホワイトターゲット色座標を具現するために、ウエハー内でそれぞれのチップの波長に対して該当する配合比を有する蛍光体及びSiを含む蛍光物質をそれぞれのチップにコーティングする。5蛍光物質を簡易硬貨する。6シルクスクリーン及び/またはメタルマスクブロックを取り除く。7蛍光体及びSiを含む蛍光物質をオーブンでハード硬貨する。ここで、場合によって前述の5の簡易硬貨ステップは省略してもよい。図7を参照して、本発明の第3の実施形態を説明すれば次の通りである。この場合、チップ30とチップ30間のスクライブライン37とメタルパッド35の部分は、ディスフェンシングされた蛍光体及びSiを含む蛍光物質が侵透できないようにフォトレジストphotoresist:PRの犠牲層42及び/または有機物によってマスキングされる。マスキングを行った後、ディスフェンシング方法でウエハー単位でそれぞれのチップの波長に合わせて蛍光体及びSiを含む蛍光物質がディスフェンシングされる。本実施形態による発光ダイオードの製造方法をさらに詳細に説明すれば次の通りである。1ウエハー単位でそれぞれ構成されたダイオードチップの波長を測定する。2測定された波長群別にホワイトターゲット色座標に合わせて蛍光体Y、G、RとSiとの配合比を決定する。3図7に示すように、ウエハー内のそれぞれのチップにおいて、前記犠牲層を利用してスクライブラインとメタルパッドの部分をマスキングする。4ホワイトターゲット色座標を具現するために、ウエハー内でそれぞれのチップの波長に対して該当する配合比を有する蛍光体及びSiを含む蛍光物質をコーティングする。5前記蛍光体及びSiを含む蛍光物質をオーブンでハード硬貨する。6前記スクライブラインとメタルパッドの部分の犠牲層PRなどを取り除く。以下では、図8を参照して本発明の第4の実施形態による発光ダイオードの製造方法を詳細に説明すれば次の通りである。まず、ウエハー上に複数のLEDチップを形成するS10。ここで、前記LEDは、青色または紫外線を出力するブルーLEDまたはUVLEDであってもよい。次いで、前記ウエハー上にそれぞれのLEDチップが出力する固有な波長値を測定するS20。次いで、前記LEDチップの波長撒布を補償するために、ウエハー上にそれぞれのLEDチップの波長値に対応する蛍光体の配合比を決定するS30。ここで、ステップS10で、半導体工程によって形成されたそれぞれのLEDが同一の波長を出力するのではなく、誤差を持って波長が撒布されているため、それぞれのLEDチップが同一の色座標上の白色光を出力するように光変換するために、それぞれのLEDチップの測定された波長に対応する蛍光体の配合比を決定する。次いで、図3に示すように、ウエハー上のそれぞれのLEDチップの測定された波長値に正確に対応する蛍光体の配合比を示すマッチングマップを得るS40。前記マッチングマップの配合比によって配合比の種類別に複数の蛍光体とSiを混合して脱泡するS50。前記マッチングマップによって混合された蛍光物質適切な配合比を有する蛍光体及びSiをウエハー上のそれぞれのLEDチップに塗布するS60。前記ウエハー状態で前記蛍光物質を硬化させるS70。前記ウエハー上のスクライブラインに沿って前記それぞれのLEDチップを切り取ってウエハーから分離するS80。ここで、前記スクライブライン及び前記LEDチップのメタルパッドをマスキングした後に前記蛍光物質を塗布することは、前記第1ないし第3の実施形態で説明したため省略する。以上では、ウエハーレベルでの蛍光体/Siの配合層を塗布することによって単一のLEDチップを製造する方法について説明し、以下では、単一のLEDチップをウエハーレベルで互いに電気的に連結した発光ダイオードモジュールLightEmittingDiodeModuleを製造する方法について説明する。本発明の第5の実施形態による発光ダイオードモジュール100は、図9に示すように、ウエハー110に形成された2つ以上の発光ダイオードチップ120、120a、120bを互いに電気的に連結することで形成される。すなわち、前記発光ダイオードモジュール100は、ウエハー110上で互いに電気的に連結された複数の発光ダイオードチップ120、120a、120bを意味する。前記複数の発光ダイオードチップ120、120a、120bは、互いに直列または並列に連結されることができる。ここで、前記複数の発光ダイオードチップ120、120a、120bは、ウエハー110上に蒸着形成されたN型半導体層図示せず、活性層図示せず及びP型半導体層図示せずをそれぞれ備える。図9において、右側の図面は、左側の少なくとも一つの発光ダイオードモジュール100が形成されたウエハー110の要部の拡大平面図である。一例として2つの発光ダイオードチップ、すなわち、メタルライン125、126によって互いに電気的に連結された第1発光ダイオードチップ120a及び第2発光ダイオードチップ120bから構成された発光ダイオードモジュール100を示す。もちろん、前記発光ダイオードモジュール100は、3つ以上の発光ダイオードチップから構成されることも可能である。第1発光ダイオードチップ120a及び第2発光ダイオードチップ120bは、それぞれN型半導体層図示せず及びP型半導体層図示せずにバイアス電圧を印加するためのN型電極パッド124a、124b及びP型電極パッド121a、121bを備える。前記第1発光ダイオードチップ120aの前記P型電極パッド121aと前記第2発光ダイオードチップ120bの前記P型電極パッド121bは、前記ウエハー110の表面上に半導体工程によって形成されるメタルライン125によって互いに電気的に連結される。また、前記第1発光ダイオードチップ120aの前記N型電極パッド124aと前記第2発光ダイオードチップ120bの前記N型電極パッド124bはさらに他のメタルライン126によって互いに電気的に連結されることができる。前記メタルライン125、126は、前記P型及びN型電極パッド121a、121b、124a、124bを形成すると同時に形成するか、または別途のメタル薄膜蒸着を通じてフォト/エッチング工程によって形成することが可能である。前記メタルライン125、126によって発光ダイオードの光放出が邪魔されないように、前記メタルライン125、126はスクライブラインに隣接するように配置されることが好ましい。前記スクライブラインに沿って後でモジュール別にダイシングされる。ここで、前記スクライブラインは、発光ダイオードモジュール100を取り囲むように形成されることができる。ここで、前記メタルライン125、126を形成する前に、前記ウエハー110上の第1発光ダイオードチップ120a及び第2発光ダイオードチップ120bを備えるすべての個別の発光ダイオードチップ120の波長を検出することも可能である。これは、前記それぞれの発光ダイオードチップ120に形成されたN型及びP型電極パッドにバイアス電圧を印加して、それぞれの発光ダイオードチップ120の出力光の波長を検出することができる。もちろん、必要によって、前記メタルライン125、126を形成した後、ウエハー110上に形成された複数の発光ダイオードモジュール100別に発光ダイオードモジュール100から出力される出力光の波長を検出することも可能である。さらに詳細に説明すれば、前記メタルライン125、126が形成された前記第1発光ダイオードチップ120a及び第2発光ダイオードチップ120bの出力光の波長を検出するために、前記P型電極パッド121aと前記N型電極パッド124bにバイアス電圧を印加する。前記発光ダイオードモジュール100は、前記出力光の波長を補償して所望の光に変換するための、蛍光体の配合比による蛍光物質の塗布された蛍光層127をさらに備える。ここで、前記蛍光層127を塗布する際に、前記発光ダイオードモジュール100が外部リードフレーム図示せずに電気的に連結されるように、少なくとも一つのP型電極パッド及びN型電極パッドには前記蛍光層127が塗布されないようにマスキングすることができる。また、前記蛍光層127が流動せずにその内部に存在するように、前記発光ダイオードモジュール100の境界領域にパラフィン物質などでガイドダム図示せずを形成することも可能である。前記ガイドダム図示せず内に後述するディスペンサーで前記蛍光物質を塗布する。場合によって、前記蛍光層127を形成する前に、前記発光ダイオードモジュール100のP型電極パッド121a、121bのうち何れか一つ及びN型電極パッド124a、124bのうち何れか一つにワイヤ128を形成することも可能である。ワイヤ128が形成された前記発光ダイオードモジュール100に、前述の別途のマスキングを実施せずに前記蛍光層127を形成することも可能である。前記発光ダイオードモジュール100は、前記ワイヤ128を介して外部のリードフレームに電気的に連結されることができる。図3に示すように、ウエハー110上の発光ダイオードチップ120の間には波長撒布が存在する。例えば、青色光を出力するブルーLEDは約440ないし470nmの波長範囲を有するが、通常、チップ120間の波長に5nm以上の差異が発生する場合、人間が肉眼で認知することが可能である。したがって、他の波長撒布を有する発光ダイオードチップ120を利用して所望の光を出力するためには、相異なる蛍光体の配合比を有する蛍光層を適用する必要がある。さらに詳細に説明すれば、図3の色座標系で青色の部分の1番は、チップの波長がaである場合であるが、この場合、ホワイトターゲット色座標を形成するためには、黄色Y、緑色R及び赤色Gの蛍光体の配合比にはAが適用されねばならない。また、2番及び3番のように、それぞれチップの波長がb及びcである場合、1番と同一のホワイトターゲット色座標を形成するためには、蛍光体の配合比は、Aとは異なる、それぞれB及びCが適用されねばならない。ここで、前記配合比の蛍光体はSiと共に配合されることができる。例えば、波長がa、b、cであり、相異なるチップに対して同一の配合比を有する蛍光体及びSiAの蛍光層が適用されれば、3つのチップがそれぞれ異なるホワイトターゲット色座標を有する。ホワイトターゲット色座標が変われば、LCD装置に使用されるBLU、照明などにLEDを使用する際に、色撒布の発生によって製品の構成に困難さが発生する。図10では、本発明に共通的に適用される、ウエハー110上の発光ダイオードチップ120の蛍光物質のコーティング過程を図式的に示す。図10の左側に示すように、ウエハー110上のすべての発光ダイオードチップ120の出力光がa、b、cの3つのタイプの撒布を有するものが検出されることができる。ウエハー110内のすべてのチップ120に対してそれぞれのチップ120が所望の出力光を出力するようにすべてのチップ120の波長を測定した結果に基づいて、それぞれの単位チップ120に塗布されるべき適した蛍光体の配合比が決定される。所望の出力光が白色光である場合、すなわち、ホワイトターゲット色座標の場合、前記図3で説明したように、チップ120の検出された波長がaである場合にはAの配合比、検出された波長bである場合にはBの配合比、そして波長cである場合にはCの配合比になる。前記3種類以上の複数の配合比に対して同一の3つのディスペンサー34A、34B、34Cが用意され、それぞれのディスペンサーは配合比を異にした蛍光体を備える。前記複数のディスペンサー34Aないし34Cは、図10に示すように、ウエハーレベルでそれぞれの単位チップに該当する蛍光体及びSiを含む蛍光物質をディスペンシングして、チップの上面に蛍光体のコンフォーマルコーティングconformalcoatingを形成する。それにより、チップの上面には前述のコーティング層127が形成される。それにより、ウエハーレベルで蛍光体のコーティングによる所望の光を出力する発光ダイオードモジュール100が形成されることができる。ここで、前記複数の発光ダイオードチップ120a、120bから構成された発光ダイオードモジュール100から出力される出力光の波長は、それぞれの発光ダイオードチップ120a、120bの出力光が合算されたものであって、前記波長の検出時、発光ダイオードモジュール100別に検出する場合、波長の補償も発光ダイオードモジュール100別に行うことが可能である。例えば、2つの発光ダイオードチップ120a、120bから構成された前記発光ダイオードモジュール100に同一の配合比を有する蛍光物質をコーティングすることができる。例えば、図4に示すように、前記発光ダイオードモジュール100の出力光の波長がaであり、最終的に変換しようとする所望の光が白色光である場合、前記発光ダイオードモジュール100にはそれに対応するディスペンサー34Aでコンフォーマルコーティングして蛍光層127を形成することができる。前述のように、ウエハー110上に形成された少なくとも一つの発光ダイオードモジュール100は、前記ウエハー110をオーブン硬貨によって前記塗布された蛍光体127を硬化させた後、前述のスクライブラインに沿って切り取られることで最終的に形成されることができる。以上では、前記第1発光ダイオードチップ120a及び第2発光ダイオードチップ120bは並列に連結されているが、場合によっては直列に連結されることも可能である。図9を参照して、前述の発光ダイオードモジュール100の製造方法について説明すれば次の通りである。まず、ウエハー110上にN型半導体層、活性層及びP型半導体層を蒸着して形成するS110。次いで、前記ウエハー110上の前記N型半導体層に連結されるN型電極パッド及び前記P型半導体層に連結されるP型電極パッドを形成するS120。前記N型電極パッド124a、124b及びP型電極パッド121a、121bにバイアス電圧を印加して、前記ウエハー110上のそれぞれの発光ダイオードチップ120の出力光の波長を検出するS130。ここで、前記N型電極パッド及び前記P型電極パッドを形成するステップS120は、前記波長検出ステップS130の後に、後述するコーティング層の形成ステップS160以前の過程中に任意のステップで行われることができる。前記検出された波長に基づいて前記複数の発光ダイオードチップ120の出力光を所望の光に変換するための蛍光体の配合比を決定するS140。前記複数の発光ダイオードチップ120のうち少なくとも2つ以上を互いに電気的に連結するメタルライン125、126を前記ウエハー110上に形成して発光ダイオードモジュール100を形成するS150。ここで、前記ステップS150のメタルライン125、126を形成する過程が、前記波長検出ステップS130及び前記電極パッドの形成ステップS120以前に行われることができる。この場合、前記出力光の波長検出は、それぞれの発光ダイオードチップ120ではなく、発光ダイオードモジュール100別に行われることができる。そして、後述する蛍光体コーティング層127も、それぞれの発光ダイオードチップ120ではなく、発光ダイオードモジュール100別にコーティングされることができる。すなわち、図3に示すように、前述の2つの発光ダイオードチップ120a、120bから構成された発光ダイオードモジュール100の出力光の波長がaである場合、それに対応する蛍光体の配合比Aを有するディスペンサー34Aにより蛍光物質を発光ダイオードモジュール100上に塗布することで波長の補償を行うことができる。前記ステップS140で、前記決定された蛍光体の配合比によって前記複数の発光ダイオードチップ120別に蛍光物質を塗布して蛍光体コーティング層127を形成するS160。ここで、前記蛍光体コーティング層127を形成する前に、前記ウエハー110上の発光ダイオードチップ120別に、前記コーティング層127の境界となるガイドダム図示せずをパラフィンで形成することも可能である。それぞれの発光ダイオードチップ120に前記蛍光体コーティング層127が形成された前記ウエハー110をオーブンで硬貨するS170。それにより、前記蛍光体コーティング層127が硬化される。最終的に、前記ウエハー110で前記発光ダイオードモジュール100をダイシングするS180。ここで、ダイシングはレーザーカットなどによって行われることができる。以上の第5の実施形態では、2つの発光ダイオードチップ120a、120bから構成された発光ダイオードモジュール100について説明した。それは一例に過ぎず、3つ以上の発光ダイオードチップから構成されたモジュールを構成することも可能であるということは言うまでもない。また、前記ウエハー110上には、1種のモジュールのみを形成することができるが、場合によっては複数種のモジュールを形成してもよい。ここで、モジュールの種類は、前記発光ダイオードチップの数だけでなく、構成される発光ダイオードチップの配列によって変わる。例えば、一列に4つの発光ダイオードチップが連結されたモジュール、すなわち、4行X1列に配列されたモジュールと、2行X2列に配列されたモジュールは相異なる種類に該当すると認められる。図11は、本発明の第6の実施形態による発光ダイオードモジュール200の概略的な平面図である。図1に示すチップレベルパッケージング方法と異なり、ウエハーレベル上の発光ダイオードチップ220のうち2つ以上図11では4つの発光ダイオードチップ220a、220b、220c、220d間のP型電極パッド221a、221b、221c、221d及びN型電極パッド224a、224b、224c、224dがそれぞれメタルライン225、226によって連結されることによって形成された発光ダイオードモジュール200を示す。このように、4つの発光ダイオードチップ220a、220b、220c、220dを互いに電気的に並列に連結した発光ダイオードモジュール200がウエハーレベルで形成される。次いで、前述のように、所望の光に変換するための蛍光体及びSiが配合されたコーティング層227が形成される。前記コーティング層227が形成された前記ウエハー110をオーブンで硬貨して前記コーティング層227を硬化し、前記発光ダイオードモジュール200をダイシングする。ダイシングされた前記発光ダイオードモジュール200は、後でパッケージング工程によってリードフレーム図示せずの電極にワイヤリングされる。この場合、既存のパッケージング工程ではリードフレーム図示せずに付着するすべての発光ダイオードチップの電極パッドと前記電極をワイヤリングせねばならなかった。一方、前記発光ダイオードモジュール200の場合は、既にメタルライン225、226によって複数の発光ダイオードチップ220a、220b、220c、220dが互いに電気的に連結されているため、モジュール200内の複数の電極パッドのうち何れか一つと電極とを互いに連結すれば良い。すなわち、図11に示すように、発光ダイオードモジュール200のP型電極パッド224aとN型電極パッド221dを前記リードフレーム図示せずの電極にワイヤリングすればよい。それにより、パッケージングの際にワイヤリング工程がさらに簡素化して、生産性が向上することができる。本発明の第6の実施形態の発光ダイオードモジュール200を第5の実施形態の発光ダイオードモジュール100と比較すれば、モジュールを構成する発光ダイオードチップの数のみが異なり、残りは同一である。したがって、前記第5の実施形態で説明した内容は第6の実施形態にも適用されることができる。例えば、波長の検出、波長の補償のための蛍光物質の配合比の決定、決定された配合比によって発光ダイオードチップ上に形成される蛍光体のコーティング層についての説明が第6の実施形態にも適用されることができる。したがって、重複する説明を省略する。本発明の第7の実施形態による発光ダイオードモジュール300は、図12に示すように、ウエハー110上に形成された4つの発光ダイオードチップ320と、前記発光ダイオードチップ320を互いに電気的に連結する複数のメタルライン325、326、327、328、329、330とを備える。前記メタルライン325、326、327は、前記4つの発光ダイオードチップ320上のP型電極パッド324a、324b、324c、324dを互いに電気的に連結する。前記メタルライン328、329、330は、前記4つの発光ダイオードチップ320上のN型電極パッド321a、321b、321c、321dを互いに電気的に連結する。前記発光ダイオードモジュール300は、前記発光ダイオードチップ320のそれぞれの上側に形成された蛍光体コーティング層327をさらに備える。前記発光ダイオードモジュール300は、複数のN型電極パッド321a、321b、321c、321dのうち一つのN型電極パッド321d及び複数のP型電極パッド324a、324b、324c、324dのうち一つのP型電極パッド324aとリードフレーム図示せずの電極とをワイヤ333、335で連結することによりパッケージングされることができる。本発明の第8の実施形態による発光ダイオードモジュール400は、図13に示すように、ウエハー110上に形成された4つの発光ダイオードチップ410、420、430、440と、前記4つの発光ダイオードチップ410、420、430、440を互いに電気的に連結する複数のメタルライン401、402、403とを備える。4つの発光ダイオードチップ410、420、430、440が2行x2列のマトリックス構造に配置されていることから、第6の実施形態の発光ダイオードモジュール300と同一である。前記複数のメタルライン401、402、403は、前記4つの発光ダイオードチップ410、420、430、440のP型電極パッド411、421、431、441を互いに電気的に連結する。それにより、前記4つの発光ダイオードチップ410、420、430、440は互いに並列に連結される。一方、前記4つの発光ダイオードチップ410、420、430、440のそれぞれのN型電極パッドは、蛍光体層427がコーティングされた面の反対面、すなわち、図13のウエハー110の背面に形成される。ここで、前記N型電極パッドは共通電極として形成されることができる。もちろん、場合によって、N型電極パッドの代りにP型電極パッドが共通電極として形成されることも可能である。ここで、前記蛍光体層427は、波長撒布を補償して所望の光を出力させるためのものであって、その形成方法については、第5の実施形態で詳細に説明したため、本実施形態では省略する。パッケージングの際には、前記P型電極パッド411、421、431、441のうち一つと、リードフレーム図示せずの電極とを互いにワイヤ450で連結し、前記ウエハー110の背面のN型電極パッドと前記リードフレーム図示せずの電極-とを互いにワイヤで連結することができる。本発明の第9の実施形態による発光ダイオードモジュール500は、図14に示すように、6つの発光ダイオードチップ510、520、530、540、550、560から構成される。参照までに、説明を容易にするために、図14は、ダイシングされた発光ダイオードモジュール500を示す。一例として、前記発光ダイオードモジュール500を構成する複数の発光ダイオードチップのうち、左側の2つの発光ダイオードチップ510、520は赤色光を所望の光ターゲット光として出力するためのものであり、中央の2つの発光ダイオードチップ530、540は、緑色光をターゲット光とし、右側の2つの発光ダイオードチップ550、560は青色光をターゲット光とすることができる。前記ウエハー110上にN型半導体層図示せず、活性層図示せず及びP型半導体層図示せずを形成し、それぞれの半導体層に連結されるN型電極パッド図示せず及びP型電極パッド511、521、531、541、551、561を形成する。それにより、前記ウエハー110上には波長撒布を有する複数の発光ダイオードチップが形成される。ここで、一例として、前記ウエハー110に青色光を出力する発光ダイオードチップを形成した場合、前記発光ダイオードチップは約420ないし470nmの範囲の波長撒布を有することができる。赤色光をターゲット光とする前記複数の発光ダイオードチップ510、520の場合は、前記複数の発光ダイオードチップ510、520の青色光を赤色光に変換するための蛍光体の配合比を有する蛍光物質を前記発光ダイオードチップ510、520の上面にコーティングする。それにより、赤色光の変換コーティング層517が前記発光ダイオードチップ510、520に形成される。ここで、前記複数の発光ダイオードチップ510、520のそれぞれの青色光の波長が相異なる場合、同一の波長の赤色光に補償するために、相異なる配合比を有する蛍光物質を前記複数のそれぞれの発光ダイオードチップ510、520に塗布することができる。緑色光をターゲット光とする前記複数の発光ダイオードチップ530、540の場合は、前記複数の発光ダイオードチップ530、540の青色光を緑色光に変換するための蛍光体の配合比を有する蛍光物質を前記発光ダイオードチップ530、540の上面にコーティングする。それにより、緑色光の変換コーティング層537が発光ダイオードチップ530、540に形成される。ここで、前記複数のそれぞれの発光ダイオードチップ530、540の青色光の波長が相異なる場合、同一の波長の緑色光に補償するために、相異なる配合比を有する蛍光物質を前記複数のそれぞれの発光ダイオードチップ530、540に塗布することができる。青色光をターゲット光とする前記複数の発光ダイオードチップ550、560の場合は、前記複数の発光ダイオードチップ550、560の青色光の波長が互いに同一であるように、相異なる配合比を有する蛍光物質を前記複数のそれぞれの発光ダイオードチップ550、560に塗布することができる。場合によって、何れか一つの発光ダイオードチップ550を基準に残りの発光ダイオードチップ560の波長を補償することも可能である。前記複数の発光ダイオードチップ550、560の青色光の波長の出力誤差が所定の範囲例えば、人間が認知可能な程度である4nm以内である場合、前記蛍光物質が配合されていないSiのみを前記発光ダイオードチップ550、560にコーティングすることが可能である。それにより、前記チップ550、560の上面にチップを保護するためのコーティング層557が形成されることができる。前記発光ダイオードモジュール500は、前記複数の発光ダイオードチップ510、520、530、540、550、560を色別に電気的に連結するためのメタルライン515、535、555を備えることができる。前記メタルライン515は、前記赤色光をターゲット光とする複数の発光ダイオードチップ510、520のP型電極パッド511、521を連結する。ここで、赤色光を出力するためのバイアス電圧を印加するために、前記発光ダイオードチップ510の前記P型電極パッド511は、図示していないリードフレームの電極とワイヤ501を介して連結されることができる。前記メタルライン535は、前記緑色光をターゲット光とする複数の発光ダイオードチップ530、540のP型電極パッド531、541を連結する。ここで、緑色光を出力するためのバイアス電圧を印加するために、前記発光ダイオードチップ530の前記P型電極パッド531は、図示していないリードフレームの電極とワイヤ502を介して連結されることができる。前記メタルライン555は、前記青色光をターゲット光とする複数の発光ダイオードチップ550、560のP型電極パッド551、561を連結する。ここで、青色光を出力するためのバイアス電圧を印加するために、前記発光ダイオードチップ550の前記P型電極パッド551は、図示していないリードフレームの電極とワイヤ503を介して連結されることができる。前記ウエハー110の背面には、共通電極としてN型電極パッド図示せずが形成されることができる。前記N型電極パッド図示せずも、ワイヤ図示せずを介して前記リードフレームの-電極に連結されることができる。以上のように構成された第9の実施形態による発光ダイオードモジュール500は、前記複数のワイヤ501、502、503のうち何れか一つのみにバイアス電圧を印加する場合には、それに対応する色の光が出力される。また、前記複数のワイヤ501、502、503のうち2つにバイアス電圧が印加される場合には、混色に対応する光が出力される。もし、前記複数のワイヤ501、502、503に同時にバイアス電圧が印加される場合には、白色光が出力されることができる。このように、一つの発光ダイオードモジュール500によって多様な色の出力光を得ることができる。この場合は、一つのモジュールでRGB色が個別に制御されるようにメタルラインが設計され、ワイヤが色別に連結される。それぞれの発光ダイオードチップは、赤色、緑色、青色の光が具現されるように蛍光体/Siの配合層がコーティングされた後、ダイシングまたはレーザーカットなどの方法によってモジュール単位で分離される。分離されたモジュールは、電気的な連結によって光が制御されるが、RGB光の色具現及び組合せが可能であるように設計されて、多様な色具現に活用されることができる。特に、多様な色を要求するインテリアーなどの高級な照明、屋内外の電光板などにおいて、最小ピクセルの単位でRGBを利用した多様な色具現が可能である。一方、本発明の第10の実施形態による発光ダイオード600は、図15に示すように、N型半導体層図示せず、活性層図示せず及びP型半導体層図示せずから構成された発光半導体チップ610と、前記発光半導体チップ610から出力される光が所望の光に変換されるように、前記発光半導体チップ610から出力された光の波長に基づく蛍光体の配合比を有し、前記発光半導体チップ610の上面にコーティングされる蛍光物質層630と、前記蛍光物質層630と前記発光半導体チップ610との間に配置されて、前記蛍光物質層630を前記発光半導体チップに結合する結合層620と、を備える。ここで、前記蛍光物質層630は、前述の蛍光体の配合比に対応する蛍光体及びSiが配合された蛍光体/Siの配合層であってもよい。すなわち、前述の蛍光物質からなる層を意味する。ここで、Siの代りに等価の他の物質に代替されるか、または等価の物質が混合されることも可能である。ここで、前記結合層620及び前記蛍光物質層630を形成する工程は、ウエハーレベルだけでなくパッケージングレベルで行われることも可能である。図15において、前記結合層620は、発光半導体チップ610と蛍光物質層630とを互いに接着させる機能を行い、接着力を向上させる役割を行う。これは、前述のように、蛍光物質層630で蛍光体の配合比が上昇すれば上昇するほど、前記発光半導体チップ610の基板との接着特性が劣化し、それにより、後続工程中ワイヤーボンディング、フリップチップ接合などに蛍光物質層630が剥離し得るが、前記結合層620はその剥離現象を防止するためのものである。前記結合層620は、Si樹脂、エポキシ樹脂、有機ポリマー、ガラス樹脂などが使用可能である。ここで、蛍光物質層630の形成工程がチップレベルパッケージングレベルではなく、ウエハーレベルで行われる場合、前記蛍光物質層630と前記発光半導体チップ610の基板との結合接着特性がさらに重要になる。図15において、蛍光物質層630は、前記結合層620の上部に形成され、前記蛍光物質層630の厚さの偏差によって色偏差が発生するビニング現象を防止するために、コンフォーマルコーティングが行われる。また、EPIMOCVD工程中に発生するチップの波長撒布を補償するために、蛍光体/Siの配合比が制御される。本発明の第11の実施形態による発光ダイオードは、図16に示すように、蛍光物質層630を形成する前に導入した結合層620及び前記蛍光物質層630を備え、蛍光物質層630を保護するための保護層640をさらに備える。蛍光物質の保護層640は、図15に示すように、蛍光物質層630の導入後、後続するパッケージ工程を行う際に蛍光物質層630に発生し得る表面損傷/スクラッチなどを防止するためのものである。前記蛍光物質の保護層640は、Si樹脂、エポキシ樹脂、有機ポリマー、ガラス樹脂などを使用することができる。ここで、前記結合層620と前記保護層640の両方が形成されてもよく、何れか一つのみが形成されてもよい。前述のように、図15及び図16で提示された2つの実施形態による発光ダイオードの製造方法を提示する。本発明の第12の実施形態による発光ダイオードの製造方法は、図15に示すように、ウエハー基板601上にN型半導体層、活性層及びP型半導体層を蒸着して発光半導体チップ610を形成するステップと、前記発光半導体チップ610から出力される光の波長を検出するステップと、前記検出された発光半導体チップの波長データを利用して、前記発光半導体チップが所望の光を出力するように、それに対応する蛍光体の配合比を決定するステップと、前記決定された蛍光体の配合比による蛍光物質を前記発光半導体チップ上に塗布する前に、前記発光半導体チップの上面に結合層を形成するステップと、前記結合層の上面に前記決定された配合比による蛍光物質層を形成するステップとを含む。第12の実施形態による発光ダイオードの製造方法において、結合層の形成ステップ及び蛍光物質層の形成ステップは、チップレベルまたはウエハーレベルで同時に適用可能である。ここで、図17に示すように、発光半導体チップ610の切断線スクライブラインは、パラフィンなどの物質を印刷して保護し、メタルパッド611、613の部分は、パッドラインに沿ってパラフィンなどの物質が印刷されて、メタルパッド611、613の部分にディスペンシングされた結合層620、蛍光物質層630及び保護層640の物質が侵透することができない。この場合、パラフィンなどの物質が印刷される場合、厚さは約100umであり、パラフィン物質の主な機能は、ガイドダムの役割を行うことである。実施形態の主要工程は次の通りである。前述の本発明の第12の実施形態による発光ダイオードの製造方法は、ウエハー基板601内のそれぞれの発光半導体チップ610において、スクライブライン615と電極パッド611、613の部分にパラフィンなどの物質を印刷してガイドダムを形成するステップをさらに含むことができる。ここで、前記パラフィンなどの物質を印刷してガイドダムを形成するステップは、マスキングステップと称することができる。ここで、前記ガイドダムを形成するステップは、前記結合層を形成するステップ以前に行われることができる。一方、前記蛍光物質層を形成するステップは、前記ウエハー状態で決定された蛍光体の配合比による蛍光物質層630をそれぞれの発光半導体チップ610に塗布することにより、それぞれのチップにそれぞれのチップの波長を補償するステップを含むことができる。ここで、前述の本発明の第12の実施形態による発光ダイオードの製造方法は、前記蛍光物質層630の上部に形成されて、前記蛍光物質層630を保護するための保護層640を形成するステップをさらに含むことができる。本発明の第13の実施形態による発光ダイオードの製造方法は、図16に示すように、ウエハー基板601上にN型半導体層、活性層及びP型半導体層を蒸着して発光半導体チップ610を形成するステップと、前記発光半導体チップ610から出力される光の波長を検出するステップと、前記検出された発光半導体チップ610の波長データを利用して、前記発光半導体チップ610が所望の光を出力するように、それに対応する蛍光体の配合比を決定するステップと、前記決定された配合比による蛍光物質層を形成するステップと、前記蛍光物質層の上面に保護層を形成するステップとを含むことができる。ここで、この方法は、パッケージングレベルチップレベル及びウエハーレベルのうち何れか一つのステップで適用されることができる。この場合、図18に示すように、半導体チップ610とチップ610との間の切断線スクライブライン615とメタルパッド611、613の部分は、シルクスクリーン650またはメタルマスク650などでマスキングされることができる。マスキングが行われた後にコーティングが行われるため、メタルパッド611、613の部分には前記結合層620、蛍光物質層630、蛍光物質の保護層640の物質が侵透することができない。すなわち、前記シルクスクリーン650またはメタルマスク650を用いたマスキングステップは、前記蛍光物質層630の形成ステップ以前に行われることができる。また、前述の本発明の第13の実施形態による発光ダイオードの製造方法は、前記マスキングステップと前記蛍光物質層630を形成するステップとの間に行われる前記結合層620の形成ステップをさらに含むことができる。一方、前記蛍光物質層630を形成するステップは、前記ウエハー状態で決定された蛍光体の配合比による蛍光物質層630をそれぞれの発光半導体チップ610に塗布することにより、それぞれのチップにそれぞれのチップの波長を補償するステップを含むことができる。一方、前述の実施形態は例示的なものに過ぎないものであって、当業者ならこれから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能である。したがって、本発明の真正な技術的な保護範囲は、下記の特許請求の範囲に記載された発明の技術的思想によって定められねばならないであろう。