"放射放出半導体ボディ14であって、-電磁放射を生成するのに適している活性ゾーン4を有するエピタキシャル半導体積層体3と、-前記エピタキシャル半導体積層体3を機械的に安定させることを目的とするキャリア層1と、-前記放射放出半導体ボディ14との電気的接触を形成するコンタクト構造9,91であって、それぞれがボリューム領域12および面接合領域13を有し、前記面接合領域13が、前記ボリューム領域12の材料とは異なる材料から形成されている、前記コンタクト構造9,91と、を備えている、放射放出半導体ボディ14。前記ボリューム領域12が、前記キャリア層1と同じ材料から形成されている、請求項1に記載の放射放出半導体ボディ14。前記キャリア層1が、次の群、すなわち、ニッケル、モリブデン、銅、から好ましくは選択される金属材料を含んでいる、請求項1または請求項2に記載の放射放出半導体ボディ14。前記面接合領域13が、次の材料、すなわち、金、銅、アルミニウム、のうちの少なくとも1種類を含んでいる、請求項1から請求項3のいずれかに記載の放射放出半導体ボディ14。前記コンタクト構造9が突起部によって形成されており、前記突起部それぞれが、20μm~200μmの範囲内両端値を含むの幅、もしくは、5μm~50μmの範囲内両端値を含むの高さ、またはその両方を有する、請求項1から請求項4のいずれかに記載の放射放出半導体ボディ14。前記コンタクト構造9が突起部によって形成されており、前記面接合領域13それぞれが両側において前記ボリューム領域12よりも突き出している、請求項1から請求項5のいずれかに記載の放射放出半導体ボディ14。前記面接合領域13が、超音波摩擦圧接可能もしくは熱圧着可能またはその両方であるように形成されている、請求項1から請求項6のいずれかに記載の放射放出半導体ボディ14。放射放出半導体ボディ14の製造方法であって、-電磁放射を生成するのに適している活性ゾーン4を有するエピタキシャル半導体積層体3を形成するステップと、-前記エピタキシャル半導体積層体3の主面の上にキャリア層1を形成するステップであって、前記キャリア層1が前記エピタキシャル半導体積層体3を機械的に安定させることを目的とする、前記ステップと、-接合可能層11を形成するステップと、-前記キャリア層1の上にフォトリソグラフィによってコンタクト構造9を形成するステップであって、前記コンタクト構造9それぞれがボリューム領域12および面接合領域13を有する、前記ステップと、を含んでいる、方法。前記キャリア層1と前記接合可能層11との間に、前記キャリア層1と同じ材料のさらなる層10が形成され、前記キャリア層1の材料が好ましくは金属であるように形成される、請求項8に記載の方法。前記コンタクト構造9の前記ボリューム領域12が前記さらなる層10の材料から形成される、請求項9に記載の方法。前記コンタクト構造9の前記ボリューム領域12が前記キャリア層1の材料から形成される、請求項8に記載の方法。前記接合可能層11が前記キャリア層1の上に直接接触した状態に形成される、請求項11に記載の方法。前記面接合領域13もしくは前記接合可能層11またはその両方が、超音波摩擦圧接可能もしくは熱圧着可能またはその両方であるように形成される、請求項8から請求項12のいずれかに記載の方法。チップキャリア16の上に貼り付けられた、請求項1から請求項7のいずれかに記載の放射放出半導体ボディ14を有する、放射放出半導体部品。前記放射放出半導体ボディ14が超音波摩擦圧接または熱圧着によって前記チップキャリア16の上に貼り付けられている、請求項14に記載の放射放出半導体部品。本発明の目的は、接合法特に、超音波摩擦圧接または熱圧着によってチップキャリアの上に貼り付けるのに適している半導体ボディを提供することである。さらに、本発明の目的は、このような半導体ボディを製造するための簡略化された方法を提供することである。本発明のさらなる目的は、このような放射放出半導体ボディを有する放射放出部品を提供することである。これらの目的は、請求項1の特徴を有する半導体ボディと、請求項8のステップを含んだ方法と、請求項14の特徴を有する放射放出半導体部品とによって、達成される。本発明の有利な実施形態および修正形態は、従属請求項に開示されている。放射放出半導体ボディは、特に、-電磁放射を生成するのに適している活性ゾーンを有するエピタキシャル半導体積層体と、-エピタキシャル半導体積層体を機械的に安定させることを目的とするキャリア層と、-半導体ボディとの電気的接触を形成するコンタクト構造であって、それぞれがボリューム領域volumeregionおよび面接合領域を有する、コンタクト構造と、を備えている。さらに、面接合領域は、ボリューム領域の材料とは異なる材料から形成されている。面接合領域は、特に、接合法例えば超音波摩擦圧接もしくは熱圧着またはその両方を利用してチップキャリアに結合するのに適している。チップキャリアと面接合領域との間の結合部は、導電性であるように形成されることが特に好ましい。面接合領域は、超音波摩擦圧接可能もしくは熱圧着可能またはその両方であるように形成されている、すなわち、面接合領域は、超音波摩擦圧接もしくは熱圧着またはその両方によってチップキャリアに結合できることが、特に好ましい。コンタクト構造は、半導体ボディの裏側に配置されていることが好ましく、裏側とは、半導体ボディの放射を放出する表側とは反対側に位置している。一実施形態によると、個々のコンタクト構造それぞれは、1つのボリューム領域と1つの面接合領域とによって形成されている。キャリア層は、金属であるように形成されていることが好ましく、例えば、次の材料、すなわち、ニッケル、モリブデン、銅、のうちの少なくとも1種類の材料を含んでいる、またはこれらの材料の少なくとも1種類からなる。これらの材料は、例えば、ガルバニック工程galvanicprocessによってエピタキシャル半導体積層体の上に堆積させることができる。放射放出半導体ボディの一実施形態によると、ボリューム領域は、キャリア層と同じ材料から形成されている。このことは、コンタクト構造のボリューム領域が、例えばサブトラクティブ法後から詳しく説明するによってキャリア層の材料から形成されていることを必ずしも意味するものではない。コンタクト構造のボリューム領域を形成する目的で、キャリア層と同じ材料を含んでいる、または同じ材料からなるさらなる層を、構造化された状態でキャリア層の上に形成することも可能である。この場合、例えば、製造工程が異なる結果として、または製造工程が連続して行われる結果として、ボリューム領域の材料とキャリア層の材料とが互いにわずかに異なっていることも可能である。さらなる層は、金属材料、例えば、ニッケル、モリブデン、または銅を含んでいる、またはこれらの材料のうちの1種類からなることが特に好ましい。放射放出半導体ボディの別の実施形態によると、コンタクト構造は、好ましくは20μm~200μmの範囲内両端値を含むの幅をそれぞれが有する突起部によって形成されている。放射放出半導体ボディの別の実施形態によると、コンタクト構造は、好ましくは5μm~50μmの範囲内両端値を含むの高さをそれぞれが有する突起部によって形成されている。放射放出半導体ボディの別の実施形態によると、面接合領域は、次の材料、すなわち、金、銅、アルミニウム、のうちの少なくとも1種類を含んでいる、または少なくとも1種類からなる。この場合、金を使用することが特に好ましく、なぜなら、その材料特性例えば延性が、超音波摩擦圧接および熱圧着による接合法に特に適しているためである。さらに、金は、他の金属例えば銅やアルミニウムとは異なり、表面の酸化物層が一般に極めてわずかである。したがって、超音波摩擦圧接や熱圧着の前に酸化物層を除去するステップ例えば銅やアルミニウムを使用するときには一般に行われるを省くことができ、これは有利である。面接合領域に銅またはアルミニウムを使用する場合、例えば超音波摩擦圧接または熱圧着によって半導体ボディをチップキャリアに結合するその後の結合ステップは、不活性ガス例えば窒素や希ガスの保護雰囲気下で行われることが特に好ましい。放射放出半導体ボディの別の実施形態によると、コンタクト構造は突起部によって形成されており、面接合領域それぞれが両側においてボリューム領域よりも突き出している。この場合、コンタクト構造は、例えば、キノコ状の突起部によって形成されており、ボリューム領域がキノコの柄を形成しており、面接合領域がキノコの傘を形成している。キノコ状の突起部は、特に、後から詳しく説明するように、フォトレジストマスクを使用してガルバニック工程によって面接合領域を堆積させることで、形成することができる。この場合、ガルバニック堆積工程は一般的に等方性であるため、丸みを帯びた縁部を有する傘状の構造が形成される。放射放出半導体ボディの別の実施形態によると、コンタクト構造それぞれは、長方形、正方形、丸みを帯びた形状、または円形の基本領域baseareaを有する。半導体ボディの製造方法は、特に、以下のステップ、すなわち、-電磁放射を生成するのに適している活性ゾーンを有するエピタキシャル半導体積層体を形成するステップと、-エピタキシャル半導体積層体の主面の上にキャリア層を形成するステップであって、キャリア層がエピタキシャル半導体積層体を機械的に安定させることを目的とする、ステップと、-接合可能層bondablelayerを形成するステップと、-キャリア層の上にフォトリソグラフィによってコンタクト構造を形成するステップであって、コンタクト構造それぞれがボリューム領域および面接合領域を有する、ステップと、を含んでいる。エピタキシャル半導体積層体は、一般的には、適切な成長基板上にエピタキシャルに成長させる。キャリア層を形成した後、一般的には、エピタキシャル半導体積層体から成長基板を除去する、または、成長基板のみでエピタキシャル半導体積層体を機械的に安定させる目的には適さない程度まで薄くする。成長基板は、例えば、研磨またはエッチングによって、あるいはレーザリフトオフ法を利用することによって、エピタキシャル半導体積層体から除去する、または適切な厚さまで薄くする。エピタキシャル半導体積層体の上に、キャリア層、特に、金属キャリア層を、例えば、ガルバニック堆積工程、スパッタリング、または蒸着によって、形成する。接合可能層を特に、この層が金属材料を含んでいるとき、例えば、ガルバニック工程によって、あるいはスパッタリングまたは蒸着によって、同様に形成する。面接合領域は、接合可能層の材料から形成されることが好ましい。接合可能層は、超音波摩擦圧接可能もしくは熱圧着可能またはその両方であるように形成されることが、特に好ましい。具体的には、接合可能層は、次の材料、すなわち、金、銅、アルミニウム、の少なくとも1種類を含んでいる、または少なくとも1種類からなる。本方法の一実施形態によると、キャリア層の上、キャリア層と接合可能層との間に、さらなる層を形成する。さらなる層は、キャリア層と同じ材料を含んでいることが好ましい。さらなる層は、キャリア層と同じ材料から形成されている。すなわち、さらなる層の材料組成は、製造公差の範囲内で、キャリア層の材料組成と大きくは異ならないことが、特に好ましい。しかしながら、キャリア層およびさらなる層を形成するための製造技術が異なる、または2つの工程ステップが連続的に行われる結果として、これら2つの層の材料組成がわずかに異なっていてもよい。本方法の別の実施形態によると、コンタクト構造のボリューム領域は、さらなる層の材料から形成される。本方法のこの実施形態は、アディティブ法を伴い、なぜなら、コンタクト構造のボリューム領域を形成する材料が、追加の層の形で提供されるためである。コンタクト構造を形成する目的で、例えば、キャリア層の上にフォトレジスト層を塗布し、フォトレジスト層は、コンタクト構造の突起部が後から形成される領域には存在しない。次いで、さらなる層を、フォトレジスト層における凹領域を満たすように、例えばガルバニック工程によって堆積させる。この場合、さらなる層は、フォトレジスト層における凹部全体を完全に満たす、または一部分を満たすようにすることができる。次いで、面接合領域を形成する目的で、本方法のこの実施形態においては、さらなる接合可能層を堆積させることが好ましく、この層も、フォトレジスト層によって画成される構造化に従って形成される。最後に、フォトレジスト層を除去することにより、それぞれがボリューム領域および面接合領域を有するコンタクト構造のみが突起部の形でキャリア層に残る。上述したアディティブ法に代えて、サブトラクティブ法を実施することもできる。サブトラクティブ法においては、コンタクト構造のボリューム領域を、キャリア層の材料から、例えばエッチングによって直接的に形成する。本明細書に記載した方法の特に有利な点として、この方法はウェハレベルですなわち半導体ボディを分離する前に実施することができる。これにより、コンタクト構造を単純かつ迅速に形成することができる。さらには、フォトリソグラフィによって構造化することにより、コンタクト構造を並列工程において形成することができる。さらには、得られるコンタクト構造は、良好な熱伝導率および電気伝導率を有し、数回の工程ステップにおいて形成することができる。さらに、コンタクト構造を製造する本方法では、半導体積層体、特に、放射を生成する活性ゾーンを備えた半導体積層体に加わる熱が極めて小さい。さらに、本明細書に提案する製造方法では、後から半導体ボディを清浄にするステップが不要である。別の実施形態によると、接合可能層を、キャリア層の上に直接接触した状態に形成する。例えば、上述した放射放出半導体ボディの1つをチップキャリアの上に貼り付けることによって、放射放出半導体部品を製造することができる。半導体ボディは、超音波摩擦圧接または熱圧着によってチップキャリアの上に貼り付けることが特に好ましい。これを目的として、キャリアは、半導体ボディのコンタクト構造に結合されることを目的とするコンタクト領域を有することが好ましい。コンタクト領域は、超音波摩擦圧接可能もしくは熱圧着可能またはその両方であるメタライゼーションを有することが好ましい。これを目的として、例えば、次の材料、すなわち、金、銅、アルミニウム、のうちの1種類からなる、または1種類を含んでいるメタライゼーションが適している。複数の半導体ボディを、例えばキャリアの上に、超音波摩擦圧接または熱圧着による接合法によって、例えば接着剤やはんだを使用するよりも互いの間の距離が小さい状態で固定することができ、これは有利である。放射放出半導体部品の別の実施形態によると、少なくともコンタクト構造の間に、電気絶縁性の充填材が注入されている。充填材は、キャリアに貼り付けた後にコンタクト構造の間に注入することが好ましい。本発明の他の有利な実施形態および修正形態は、図面を参照しながら以下に説明する例示的な実施形態から明らかになるであろう。図面において、同じ要素、同じタイプの要素、または同じ機能の要素には、同じ参照数字を付してある。図面と、図面に示した要素のサイズの互いの比率は、正しい縮尺ではないものとみなされたい。むしろ、便宜上、または深く理解できるようにする目的で、個々の要素特に層の厚さを誇張した大きさで示してある。図1Aは、キャリア層1を示しており、その第1の主面2にエピタキシャル半導体積層体3が配置されている。キャリア層1は、半導体積層体3を機械的に安定させる。この実施形態の場合、エピタキシャル半導体積層体3は、すでに構造化が行われてチップ領域が形成されており、これらのチップ領域それぞれは、完成時における半導体ボディの一部である。エピタキシャル半導体積層体3は活性ゾーン4図1A~図1Gには示していないを有し、この活性ゾーン4は、電磁放射を生成するのに適している。さらなる層10は、金属であるように形成されており、キャリア層1と同じ材料例えば、ニッケル、モリブデン、銅を含んでいることが、特に好ましい。この実施形態の場合、キャリア層1は、金属であるように形成されており、例えば、ニッケル、モリブデン、銅を含んでいる。活性ゾーン4は、放射を生成するためのpn接合、ダブルヘテロ構造、単一量子井戸構造、または特に好ましくは多重量子井戸構造MQWを備えていることが好ましい。この場合、量子井戸構造という用語は、量子化の次元について何らかの指定を行うものではない。したがって、量子井戸構造には、特に、量子井戸のみならず、量子細線、量子ドット、およびこれらの構造の任意の組合せが含まれる。キャリア層1と、構造化されたエピタキシャル半導体積層体3との間には、層5が配置されている。この層5は、例えば、エピタキシャル半導体積層体3をキャリア層1に結合するための接合層とすることができ、例えば、はんだまたは接着剤を含んでいる。さらには、キャリア層1をガルバニック工程によって成長させる場合、層5は、金属の開始層starterlayerとすることもできる。図1Bに一例として示したように、キャリア層1の第2の主面6第1の主面2とは反対側に位置するの上に、フォトレジスト層7を塗布する。次に、フォトレジスト層7を構造化し、この場合、フォトレジスト層7に開口部8が形成され、開口部8がフォトレジスト層7全体を貫くようにする図1C。フォトレジスト層7の開口部8は、後から形成されるコンタクト構造9の形状を決める。次の方法ステップ図1Dに示してあるにおいては、フォトレジスト層7の上からさらなる層10を堆積させ、さらなる層10の材料が、フォトレジスト層7における開口部8を、フォトレジスト層7の縁部まで完全に満たす。したがって、さらなる層10は、フォトレジスト層7に従って構造化された状態で、キャリア層1の上に形成される。コンタクト構造9のボリューム領域12は、さらなる層10の材料から形成される。したがって、図1A~図1Gの例示的な実施形態による方法は、アディティブ法である。さらなる層10は、金属であるように形成されており、キャリア層1と同じ材料例えば、ニッケル、モリブデン、銅を含んでいることが、特に好ましい。次に、さらなる方法ステップにおいて、さらなる層10の上に接合可能層11を形成する図1E。接合可能層11は、超音波摩擦圧接可能もしくは熱圧着可能またはその両方であるように形成されており、次の材料、すなわち、金、銅、アルミニウム、のうちの1種類を含んでいることが好ましい。接合可能層11を形成するステップは、例えば、ガルバニック堆積工程によって行う。この場合、さらなる層10の表面は、接合可能層11の堆積の開始点となり、したがって、下層の構造化されたさらなる層10を起点として傘状の構造が形成される。さらなるステップ図1Fに概略的に示してあるにおいて、フォトレジスト層7を除去する。このようにすることで、それぞれがボリューム領域12および面接合領域13を備えたコンタクト構造9が、キャリア層1の第2の主面6に形成される。この場合、面接合領域13は、接合可能層11の材料から形成される。したがって、接合可能層11が超音波摩擦圧接可能もしくは熱圧着可能またはその両方である場合、面接合領域13も超音波摩擦圧接可能もしくは熱圧着可能またはその両方である。次のステップにおいて、ウェハ集合体を個々の半導体ボディ14に分離する図1G。図1A~図1Gによる方法を使用することで、例えば、図2に概略的に示した放射放出半導体ボディ14を製造することができる。図2の例示的な実施形態による半導体ボディ14は、エピタキシャルに成長させた半導体積層体3を有し、この半導体積層体3は活性ゾーン4を備えている。エピタキシャル半導体積層体3はキャリア1の第1の主面2に配置されており、キャリア層1は、エピタキシャル半導体積層体3を機械的に安定させるために使用されている。エピタキシャル半導体積層体3とキャリア層1との間には層5が配置されている。キャリア層1の第2の主面6にはコンタクト構造9が配置されている。コンタクト構造9はボリューム領域12を備えており、ボリューム領域12はキャリア層1と同じ材料から形成されている。さらに、コンタクト構造9は面接合領域13を備えており、面接合領域13は、超音波摩擦圧接可能もしくは熱圧着可能またはその両方であるように形成されていることが好ましい。この実施形態の場合、コンタクト構造9の面接合領域13は、ボリューム領域12に直接接触した状態に配置されている。さらに、コンタクト構造9のボリューム領域12は、キャリア層1に直接接触した状態に配置されている。図2による半導体ボディ14においては、コンタクト構造9はキノコ状の突起部によって形成されており、ボリューム領域12がキノコの柄を形成しており、面接合領域13がキノコの傘を形成している。したがって、面接合領域13は、横方向にボリューム領域12よりも突き出しており、丸みを帯びた縁部を有する。コンタクト構造9の基本領域は、図3Aの半導体ボディの平面図において一例として示したように、それぞれ、長方形または正方形であるように形成することができる。さらには、コンタクト構造9の基本領域を、丸みを帯びた形状または円形であるように形成することもできる図3B。以下では、コンタクト構造9を形成するためのアディティブ法の別の例示的な実施形態について、図4A~図4Fを参照しながら説明する。図4A~図4Cによる方法ステップは、本質的に図1A~図1Cによる方法ステップに相当する。しかしながら、図1A~図1Gの例示的な実施形態による方法とは異なり、構造化されたフォトレジスト層7にさらなる層10を堆積させるとき、さらなる層10の材料がフォトレジスト層7における開口部8の一部分のみを満たす図4D。次のステップにおいて、接合可能層11を形成する。接合可能層11も、開口部8の残りの高さ全体を満たさない図4E。さらなるステップにおいて、フォトレジスト層7を除去し図4F、半導体ボディ14を分離する図示していない。このようにすることで、図2によるコンタクト構造9とは異なり、面接合領域13とボリューム領域12の端部が横方向に揃っているコンタクト構造9が形成される。以下では、サブトラクティブ法の例示的な実施形態について、図5A~図5Eを参照しながらさらに詳しく説明する。図5Aは、キャリア層1の上に配置されているエピタキシャル半導体積層体3を示しており、すでに構造化が行われて個々のチップ領域が形成されている。キャリア層1とエピタキシャル半導体積層体3との間には層5例えば反射層とすることができるが配置されている。図5Aによるウェハ集合体では、図1Aおよび図4Aとは異なり、キャリア層1の第2の主面6に、接合可能層11例えば金を構造化せずに形成する。図5Bに示したように、接合可能層11の上にフォトレジスト層7を塗布し、次いで、所望のコンタクト構造9に従ってフォトレジスト層7を構造化する図5C。この場合、フォトレジスト層7は、続いて形成するコンタクト構造9に対応して、フォトレジスト層7を完全に貫通する開口部8を有する。次のステップにおいて、構造化されたフォトレジスト層7に従って、接合可能層11とキャリア層1の一部とを、例えば湿式化学エッチングによって構造化する図5D。次いで、フォトレジスト層7を除去する図5E。この方法によっても、それぞれがボリューム領域12および面接合領域13を有するコンタクト構造9が形成される。この場合、面接合領域13とボリューム領域12の端部が横方向に揃っている。以下では、サブトラクティブ法の別の例示的な実施形態について、図6A~図6Hを参照しながら説明する。図6A~図6Cによる方法ステップは、本質的に図1A~図1Cによる方法ステップに相当する。しかしながら、図1A~図1Gによる方法とは異なり、フォトレジスト層7を構造化した後、さらなる層10を形成するのではなく、フォトレジスト層7の開口部8の内側において、キャリア層1自体の材料を、例えばエッチングによって除去する図6D。フォトレジスト層7を除去すると、図6Eに示したように、コンタクト構造9のボリューム領域12が形成される。次のステップにおいて、キャリア層1の第2の主面6の上に、さらなるフォトレジスト層15を構造化された状態として塗布し、この場合、さらなるフォトレジスト層15の材料が、コンタクト構造9のボリューム領域12の間の凹部全体を満たすように塗布される図6F。次のステップにおいて、さらなるフォトレジスト層15の上から、例えばガルバニック堆積によって接合可能層11を形成する図6G。したがって、さらなるフォトレジスト層15を除去すると、コンタクト構造91が形成され、コンタクト構造91それぞれはボリューム領域12および面接合領域13によって形成されている。この場合、ボリューム領域12はキャリア層1の材料から形成されており、面接合領域13は、好ましくはボリューム領域12の材料とは異なる、熱圧着可能もしくは超音波摩擦圧接可能またはその両方である材料を含んでいることが好ましい図6H。図7A~図7Dの例示的な実施形態による方法では、最初のステップにおいてチップキャリア16を形成し、好ましくは超音波摩擦圧接可能もしくは熱圧着可能またはその両方であるメタライゼーションコンタクト領域17を、チップキャリア16の上に形成する図7A。2番目のステップにおいて、半導体ボディ14例えば上述した方法の1つによって製造することができるを、その裏側のコンタクト構造9超音波摩擦圧接可能もしくは熱圧着可能またはその両方である面接合領域13を好ましくは有するを介して、チップキャリア16のコンタクト領域17に、接合法例えば超音波溶接もしくは熱圧着またはその両方によって導電的に結合する図7B。表側においては、半導体ボディ14とチップキャリア16上のボンディングパッド19との電気的接触を、ボンディングワイヤ18を利用して形成する図7C。さらなるステップにおいて、図7Dに一例として示したように、コンタクト構造9を形成している突起部とチップキャリア16との間に充填材20を注入する。充填材料20としては、一例として次の材料、すなわち、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂、シリコーン、例えばエポキシ樹脂とシリコーンを含んだハイブリッド材料、のうちの1種類を使用することができる。一実施形態によると、充填材料20は、例えば酸化チタンなどの充填材を含んでいる。本出願は、独国特許出願第102010023343.9号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本出願に援用される。ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。"