"絶縁性材料からなる基体の上面の中央に半導体材料からなる半導体基板を接合する接合工程と、前記基体の周縁に、前記半導体基板が接合されている上面に比べて算術平均粗さの大きい上面を有する周縁部を形成して、前記基体を前記周縁部および該周縁部の内側に位置して前記半導体基板が接合されている主部を有する支持基板に加工する加工工程と、前記半導体基板を上面からウェットエッチングして薄層化することによって半導体層とする薄層化工程とを有する複合基板の製造方法。前記加工工程において、前記支持基板の前記周縁部の上面を前記主部の上面よりも下側に位置させて、前記周縁部の厚みを前記主部の厚みに比べて薄くする請求項1記載の複合基板の製造方法。前記加工工程において、前記主部と前記周縁部との間における前記主部の側面の算術平均粗さを前記主部の上面の算術平均粗さに比べて大きくする請求項2記載の複合基板の製造方法。前記加工工程において、前記周縁部を前記主部の周囲の全体を囲むように形成する請求項1記載の複合基板の製造方法。前記薄層化工程において、ウェットエッチングをスピンエッチングにより行なう請求項1記載の複合基板の製造方法。前記基体の前記絶縁性材料として親水性材料を用いる請求項1記載の複合基板の製造方法。前記加工工程において、前記主部と前記周縁部との間における前記主部の側面を傾斜面とする請求項2記載の複合基板の製造方法。しかし、特許文献1に記載された技術では、シリコンとサファイアとの格子構造の違いによって、シリコンに格子欠陥が生じてしまっていた。本発明は、上述の事情のもとで考え出されたものであって、格子欠陥の少ない半導体層を有する複合基板の製造方法を提供することを目的とする。本発明の複合基板の製造方法は、絶縁性材料からなる基体の上面の中央に半導体材料からなる半導体基板を接合する接合工程と、前記基体の周縁に、前記半導体基板が接合されている上面に比べて算術平均粗さの大きい上面を有する周縁部を形成して、前記基体を前記周縁部および該周縁部の内側に位置して前記半導体基板が接合されている主部を有する支持基板に加工する加工工程と、前記半導体基板を上面からウェットエッチングして薄層化することによって半導体層とする薄層化工程とを有する。本発明によれば、格子欠陥の少ない半導体層を有する複合基板の製造方法を提供することができる。本発明の複合基板の製造方法の実施形態の一例について、図面を参照しつつ、説明する。<接合工程>まず、図1aに示すように、絶縁性材料からなる基体10Xの上面10Xaの中央に、半導体材料からなる半導体基板20Xを接合する。中央とは、基体10Xの周縁に対する相対的な位置関係を示し、必ずしも中心である必要はない。また、この例では、基体10Xの上面10Xaの全てを被覆するように半導体基板20Xが接合されている。基体10Xを構成する絶縁性材料は、絶縁性を有する材料であれば特に限定はされないが、例えば酸化アルミニウム単結晶サファイア、炭化シリコン等を用いることができる。本実施形態では、基体10Xとしてサファイアを用いる。基体10Xの厚みとしては、半導体基板20Xを支持できれば特に限定はされないが、例えば、600~650μm程度とすればよい。半導体基板20Xを構成する半導体材料は、ガリウム砒素,窒化ガリウム等種々の半導体材料を用いることができるが、この例では、シリコンSiの単結晶基板を用いている。半導体基板20Xのシリコンとしては、p型,n型またはノンドープのいずれかのシリコンが採用できる。p型のドーパント濃度としては、1×1016atoms/cm3未満の範囲が挙げられる。n型のドーパント濃度としては、5×1015atoms/cm3未満の範囲が挙げられる。ここでノンドープのシリコンとしているものは、単に不純物を意図してドープしないシリコンであって、不純物を含まない真性シリコンに限られるものではない。半導体基板20Xの厚みとしては、特に限定されないが、数μm以上の厚みのものが用いられる。このような基体10Xと半導体基板20Xとを貼り合せて接合する。貼り合わせの方法としては、貼り合わせる面の表面を活性化して接合する方法、および静電気力を利用して接合する方法が挙げられる。表面の活性化する方法としては、例えば真空中でイオンビームを照射して表面をエッチングして活性化する方法、化学溶液で表面をエッチングして活性化する方法などが挙げられる。この接合を常温下で行ってもよい。なお、この接合に際しては、樹脂系などの接着剤を使用しない方法が採用され、原子間力などを利用した固相接合SolidStateBondingによって、基体10Xと半導体基板20Xとが直接的に接合される。この固相接合によって接合する場合、基体10Xおよび半導体基板20Xは、接合する面の面粗さが小さいことが好ましい。この面荒さは、例えば算術平均粗さRaで表される。この算術平均粗さRaの範囲としては、10nm未満が挙げられる。算術平均粗さを小さくすることによって、互いに接合する際に加える圧力を小さくすることができる。特に、Raを1nm以下とすることによって、極めて小さい加圧で接合することができる。<加工工程>次に、基体10Xの周縁に、半導体基板20Xが接合されている上面に比べて算術平均粗さの大きい周縁部12を形成して、図1bに示すように、基体11Xを、周縁部12および周縁部12の内側に位置して半導体基板20Xが接合されている主部11を有する支持基板10に加工する。この例では、主部11の周囲を囲うように周縁部12を形成している。具体的には、半導体基板20Xの周縁を除去することにより、基体10の周縁部12を露出させるとともに、露出した表面周縁部12の上面12aの算術平均粗さを大きくする。基体10の周縁部12を半導体基板20Xから露出させるためには、例えば、化学的,物理的なエッチングや機械的手法により、半導体基板20Xの周縁を部分的に除去すればよい。エッチングとしては、化学的な方法、およびイオンビームなどの物理的な方法が挙げられる。そして、半導体基板20Xの支持基体10Xと接合されていない側の主面以下、上面20Xaというにフォトマスクを形成してエッチングを行なう。マスクとしては、例えばメタルマスクおよびフォトマスクなどがあり、エッチングの方法に応じて適宜選択される。主部11と周縁部12とで上面11a,12aの算術平均粗さを変えるためには、例えば、周縁部12の上面12aにおいてスパッタリングを行なったり、ブラスト加工のように機械的な加工を加えたりすればよい。支持基体を加工して周縁部12を形成する際にエッチング等の条件を適宜調整して、周縁部12の形成と同時にその表面12aを荒らすように加工してもよい。ここで、主部11の上面11aは、支持基板10と半導体基板20Xとを接合する観点からもその算術平均粗さは小さいことが好ましく、前述の通り、例えば、算術平均粗さを10nm未満とすることが好ましい。これに対して、周縁部12の上面12aは、その算術平均粗さを主部11の上面11aに比べ大きくすればよい。具体的には、例えば、主部11の上面11aの算術平均粗さを1nm未満としたときに、5nm以上とすればよい。<薄層化工程>次に、図1cに示すように、半導体基板20Xの上面20Xaからウェットエッチングして薄層化することにより、半導体基板20Xを半導体層20とする。エッチング液は、半導体材料を選択的に除去するものが好ましく、例えば、半導体材料がシリコンで、絶縁性材料がサファイアである場合には、フッ酸,硝酸,酢酸,KOHおよびこれらの混合液等を用いることができる。このようなエッチング液を用いて、半導体基板20Xを上面20Xa側から所望の厚みとなるまでエッチングする。半導体層20の厚みとしては、例えば、50nm程度から2μm程度の範囲が挙げられる。ここで、半導体材料は一般的に疎水性である。本例のシリコンも疎水性である。このような疎水性材料からなる半導体基板20Xの上面20Xaにエッチング液を保持する必要がある。これに対して、支持基板10の周縁部12の上面12aの算術平均粗さが大きいことから、周縁部12の上面12aにおける濡れ性を高めることができる。これにより、周縁部12の上面12aにおいてエッチング液を保持し、平面視で周縁部12の内側に位置する半導体基板20Xにエッチング液を留めることができる。言い換えると、半導体基板20Xの周囲に、周縁部12により保持されたエッチング液の壁を形成することができる。これにより、半導体基板20Xとして疎水性材料を用いた場合であってもエッチングを行なうことができる。このようなエッチングを、スピンエッチングにより行なうことが好ましい。スピンエッチングを行なうことより、エッチングによる膜厚分布を抑えることができる。通常、スピンエッチングを行なうと、疎水性材料からなる半導体基板20X上にエッチング液を保持することが困難となるが、この例では、上面12aの濡れ性の高めた周縁部12によりエッチング液を保持することができる。特に、この例では、絶縁性材料として親水性材料のサファイアを用いている。このため、周縁部12の上面12aの濡れ性を更に高めることができるため、より確実にエッチングを行なうことができる。ここまでの工程を経ることにより、図1cに示すような、支持基板10上に半導体層20が配置された複合基板1を製造することができる。このようにして製造した複合基板1は、半導体層20として高い結晶性を有するシリコン単結晶を用いることができるので、支持基板10上に格子定数の異なる半導体層を成長させる場合に比べ、半導体層20の品質を高めることができる。また、基体10Xと半導体基板20Xとを直接貼り合わせることにより、支持基板10と半導体層20との間において不純物の介在を抑制することができ、高品質な複合基板1とすることができる。また、半導体層20に熱伝導率の高いサファイアからなる支持基板10が直接接合されていることにより、放熱性の高い複合基板1とすることができる。また、複合基板1を用いて半導体素子を製造する場合には、求められる半導体層20の厚みは、半導体基板20Xとして用いられる一般的なシリコン単結晶基板の厚みに比べて非常に薄い。このため、厚い半導体基板20Xにダメージを与えることなく、均一な薄い半導体層20へと加工する必要がある。これに対して、本例によれば、周縁部12においてエッチング液を保持することで、安定して半導体基板20Xとエッチング液とを接触させることができる。これにより、半導体基板20Xを、厚みの面内分布が少ない、所望の厚みを有する半導体層20へと加工することができる。このように、周縁部12を設け、ウェットエッチングを行なうことで始めて、所望の厚みを有する、欠陥の少ない高品質の半導体層20を有する複合基板1を提供することができる。なお、複合基板1の製造後に、当該複合基板1を精密研磨してもよい。この精密研磨によって、半導体層20の厚みの均一性を向上させることができる。この精密エッチングに用いるエッチング手段としては、例えばドライエッチングが挙げられる。このドライエッチングには、化学的な反応によるものと、物理的な衝突によるものとが含まれる。化学的な反応を利用するものとしては、反応性の気体ガス、イオンおよびイオンビーム、ならびにラジカルを利用するものなどが挙げられる。この反応性イオンに使われるエッチングガスとしては、六フッ化硫黄SF6、四フッ化炭素CF4などが挙げられる。また、物理的な衝突によるものとしては、イオンビームを利用するものが挙げられる。このイオンビームを利用するものには、ガスクラスタイオンビームGasClusterIonBeam;GCIBを用いた方法が含まれている。また、メカノケミカル研磨や砥粒研磨等の機械的研磨を行なってもよい。また、上述の工程では、基板等を洗浄する工程を明記していないが、必要に応じて基板の洗浄をしてもよい。基板の洗浄方法としては、超音波を用いた洗浄、有機溶媒を用いた洗浄、化学薬品を用いた洗浄、およびO2アッシングを用いた洗浄などの種々の方法が挙げられる。これらの洗浄方法は、組み合わせて採用してもよい。特に、純水や水溶液を用いた洗浄を行なう場合には、周縁部12により洗浄液を保持することができる。<変形例1:加工工程>上述の例では、支板基板10は平板状であり、主部11と周縁部12とで厚みに差異はないものを例に説明したが、図2に示すように、主部11Aと周縁部12Aとを有する支持基板10Aとしてもよい。具体的には、周縁部12Aにおける支持基板10Aの厚みd2は、主部11Aにおける厚みd1に比べて薄くなっている。そして、周縁部12Aの上面12Aaは、主部11Aの上面11Aaよりも下側に位置している。この例では、主部11Aの下面11Abと周縁部12Aの下面12Abとは揃えて配置され、同一平面に位置している。なお、支持基板10Aは欠けを防ぐために外周部が面取りされていることがある。その場合には、周縁部12Aの厚みd2としては、互いに平行な上面12Aaと下面12Abとの間で測定するものとする。このように、主部11Aと周縁部12Aとで厚みを変えるには、例えば、周縁部12Aを半導体基板20XAから露出させる際に、半導体基板20XAの外周部分の除去に続き、基体10XAの厚み方向における一部を除去すればよい。支持基板10Aによれば、薄層化工程において、周縁部12Aの上面12Aaに加え、主部11Aの側面11yにおいてもエッチング液を保持することができる。特に、主部11Aの側面11yの算術平均粗さを主部11Aの上面11Aaに比べ大きくする場合には、側面11yにおける濡れ性をさらに高めることができるので、より安定してエッチング液を保持することができる。側面11yの算術平均粗さを大きくするには、化学的または物理的なエッチングを行ったり、ブラスト加工、砥粒研磨,ダイシング等の機械的な加工を施したりすればよい。<変形例2:加工工程>図2に示す例では、主部11Aの側面11yが上面11Aa,下面11Abに対して垂直な面となっているが、傾斜面してもよい。具体的には、主部11Aの側面11yと下面11Abとで成す角を鋭角としてもよい。このような構成とすることにより、より安定してエッチング液を保持することができる。<変形例3:接合工程>図1aに示す例では、平面視で基体10Xと半導体基板20Xとの大きさがほぼ同じものを用いた場合について説明したが、半導体基板20Xとして、基体10Xよりも小さい形状のものを用いて、基体10Xの中央に接合してもよい。このような構成とすることにより、基体10Xの上面10Xaにおいて、予め半導体基板20Xから露出する領域を設けることができる。これにより、接合工程に続いて実施される加工工程を簡易なものとすることができる。<変形例4:加工工程~薄層化工程>上述の例では半導体基板20Xとして均一なドーパント濃度を有するものを用いたが、厚み方向によりドーパント濃度が異なる半導体基板20XBを用いてもよい。このような半導体基板20XBとしては、例えば、第1層と第2層との積層構造として、支持基板10に接合される側の主面側に位置する層第1層に比べ、基体10XBに接合されない側の主面上面側に位置する層第2層のドーパント濃度を高くすればよい。具体的には、第1層として、相対的に低濃度のp-およびn-のドーパント濃度、ならびにノンドープのいずれか1つとなるように形成される。p-のドーパント濃度としては、1×1016atoms/cm3未満の範囲が挙げられる。n-のドーパント濃度としては、5×1015atoms/cm3未満の範囲が挙げられる。ここでノンドープのシリコンとしているものは、単に不純物を意図してドープしないシリコンであって、不純物を含まない真性シリコンに限られるものではない。また、第2層として、相対的に高濃度のpおよびn、ならびに中濃度のpおよびnのものが採用できる。pのドーパント濃度としては、1×1018以上1×1021atoms/cm3以下の範囲が挙げられる。pのドーパント濃度としては、1×1016以上1B×1018atoms/cm3未満の範囲が挙げられる。nのドーパント濃度としては、5×1017以上1×1021atoms/cm3以下の範囲が挙げられる。nのドーパント濃度としては、5×1015以上5×1017atoms/cm3未満の範囲が挙げられる。なお、pおよびnの右上に記載しているおよびの記載は、シリコンの抵抗値を基準とするものである。このような半導体基板20XBを用い、薄層化工程において、第2層側からエッチングして、半導体基板20XBの厚みを薄くする。このエッチングでは、ドーパント濃度の違いによってエッチングの速度が大きく変化する、選択性のエッチング液を採用することで可能となる。この選択性のエッチング液は、ドーパント濃度が所定の値を上回ったり、下回ったりするとエッチングの速度が著しく低下するように調整される。このような選択的なエッチング液としては、フッ酸、硝酸、および酢酸の混合液、ならびにフッ酸、硝酸、および水の混合液などが挙げられる。例えば、フッ酸、硝酸、および酢酸の混合液をエッチング液として採用する。このエッチング液は、例えば、p型シリコンを採用した場合には、ドーパント濃度が7×1017~2×1018[atoms/cm3]を境にしてエッチング速度が著しく低下するように調整されている。なお、選択性のエッチングをする他の法としては、5程度のフッ化水素溶液内での電界エッチング法、KOH溶液でのパルス電極陽極酸化法などが挙げられる。このようなエッチング液を用いることにより、第1層に到達するとエッチング速度が低下し、ドーパント濃度の低い第1層部分が残ることとなる。この第1層部分を半導体層20とすればよい。なお、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。例えば、図2において支持基板10Aは、主部11Aと周縁部12Aの下面が揃っており、段差のない状態となっているが、下面が揃っていなくてもよい。すなわち、主部11Aの厚み方向における中心と、周縁部12Aの厚み方向における中心とを揃えるように配置されていてもよい。また、図1,図2において支持基板10,10Aは、周縁部12,12Aは主部11,11Aを囲うように配置されているが、図3に示すように、主部11Cの周縁領域の一部分に周縁部12Cを配置してもよい。さらに、図1,図2において支持基板10,10Aは、平面視で周縁部12,12Aと主部11,11Aとが間を開けずに配置されているが、図4に示すように、同様に、平面視で周縁部12Dと主部11CDの間に、半導体層20Dから露出するとともに主部11Dの上面11Daと同等の算術平均粗さを有する露出領域11xを設けても良い。なお、上述の例では、基体10Xに直接半導体基板20Xを貼り合わせた例について説明したが、酸化物層等を介して接合してもよい。"