補強のために半導体ウエハに接着剤を介して接着される支持基板であって、前記支持基板の一主面に、平坦面からなる低密着性領域と、この低密着性領域を取り囲む非平坦面からなる高密着性領域とを備えることを特徴とする支持基板。前記低密着性領域は第1の平均表面粗さRaを有し、前記高密着性領域は前記第1の平均表面粗さRaより大きい第2の平均表面粗さRaを有することを特徴とする請求項1記載の支持基板。前記低密着性領域は、フッ素系樹脂膜、シリコーン系樹脂膜、オイル系樹脂膜、及びフッ素ドープ酸化膜から選ばれる膜で形成されていることを特徴とする請求項1または2記載の支持基板。補強のために半導体ウエハに接着剤を介して接着される支持基板の製造方法であって、前記支持基板の一主面全面に離型性材料からなる薄膜を形成する工程と、前記支持基板周辺部分の前記薄膜を除去する工程とを備えたことを特徴とする支持基板の製造方法。半導体ウエハの一主面に接着剤を塗布する工程aと、請求項1乃至3のいずれか1項記載の支持基板の前記低密着性及び高密着性領域を備える主面上に、前記半導体ウエハを、前記接着剤を介して接着させる工程bと、前記半導体ウエハに所要の加工または処理を施す工程cと、前記低密着性領域以外の前記接着剤を除去する工程dと、前記半導体ウエハを前記支持基板から機械的に剥離する工程eとを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。本発明の目的は、補強のために半導体ウエハに接着され、その後、剥離される支持基板において、半導体ウエハを破損及び汚染させることなく短時間に、かつ容易に剥離することができるとともに、半導体ウエハに薄化等の各種加工または処理を行う際には半導体ウエハの剥離を生じさせることがない支持基板、及びその製造方法、並びに、そのような支持基板を用いる半導体装置の製造方法を提供することにある。実施形態の支持基板は、補強のために半導体ウエハに接着剤を介して接着される支持基板であり、前記支持基板の一主面に、平坦面からなる低密着性領域と、この低密着性領域を取り囲む非平坦面からなる高密着性領域とを備える。実施形態の支持基板の製造方法は、補強のために半導体ウエハに接着剤を介して接着される支持基板の製造方法であり、前記支持基板の一主面全面に離型性材料からなる薄膜を形成する工程と、前記基板周辺部分の前記薄膜を除去する工程とを備える。実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体ウエハの一主面に接着剤を塗布する工程aと、前記実施形態の支持基板の前記低密着性及び高密着性領域を備える主面上に、前記半導体ウエハを、前記接着剤を介して接着させる工程bと、前記半導体ウエハに所要の加工または処理を施す工程cと、前記低密着性領域以外の前記接着剤を除去する工程dと、前記半導体ウエハを前記支持基板から機械的に剥離する工程eとを備える。以下、図面を参照して、実施形態を説明する。なお、以下の図面の記載において、同一要素または同一機能を有する要素には同一符号を付しており、重複する説明を省略する。図1は、一実施形態の支持基板の構成を示す断面図、図2はその製造方法の工程を順に示す概略断面図である。本実施形態の支持基板10は、補強のために半導体ウエハに接着剤を介して接着される支持基板であり、図1に示すように、ガラス、シリコン等の硬質材料からなる基板12の外周面全体が、酸化珪素SiOx膜、窒化珪素SiNx膜等、接着剤に対し高い密着性を示す材料からなる薄膜以下、高密着性薄膜と称する14によって覆われ、さらに、この高密着性薄膜14を介して、基板12の一方の主面の中央部、すなわち周辺部分を除く部分に、接着剤に対し密着性の低い材料からなる薄膜以下、低密着性薄膜と称する16が形成されている。低密着性薄膜16を形成する材料としては、例えば、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂、オイル系樹脂等の一般に離型性樹脂として知られる有機系材料や、フッ素ドープ酸化膜SiOF等の無機系材料が使用される。低密着性薄膜16を形成する材料は、耐熱性が良好であることが好ましい。上で例示した材料はいずれも良好な耐熱性を有している。高密着性薄膜14は、表面が非平坦面からなる。高密着性薄膜14は、平均表面粗さ第2の平均表面粗さRaが0.4nm以上であることが好ましい。基板12と半導体ウエハを貼り合せた際のTTVTotalThicknessVariationを考慮すると、1.0μm以下であることがより好ましい。一方、低密着性薄膜16は、表面が平坦面からなる。低密着性薄膜16の平均表面粗さ第1の平均表面粗さRaは、高密着性薄膜14の平均表面粗さRaよりも小さければよい。また、低密着性薄膜16は、その外縁から基板12の外縁までの距離dが少なくとも0.5mm以上、より好ましくは0.5mm以上5mm以下となるように、基板12の外縁から内側の領域に形成されることが好ましい。すなわち、基板12の外縁から0.5mm以上、より好ましくは0.5mm以上5mm以下の幅で高密着性薄膜14が露出するように設けることが好ましい。低密着性薄膜16の外縁から基板12の外縁までの距離dが0.5mm未満では、基板12と半導体ウエハの貼り合わせ精度が低い場合には、半導体ウエハが低密着性薄膜16にはみ出してしまい、加工中に剥離を生じるおそれがある。一方、低密着性薄膜16の外縁から基板12の外縁までの距離dが5mm以上の領域であった場合、高密着性領域14の接着剤を溶解するのに、多くの時間を要することになり、生産性が低下するという問題がある。距離dは、2mm程度が適当である。なお、基板12の厚さは、通常、725~775μmであり、直径は、通常、200~300mmである。本実施形態では、基板12として、厚さ775μm、直径300mmのシリコン基板が使用されている。また、高密着性薄膜14は、厚さ2層以上からなる場合は、各層の厚さの合計が、通常1.0μm以下であり、本実施形態では、密着性薄膜14は、厚さが200nmの酸化珪素SiOx膜から構成されている。また、低密着性薄膜16は、厚さ2層以上からなる場合は、各層の厚さの合計が、通常、1.0μmである。本実施形態では、低密着性薄膜16は、厚さが、50nmのフッ素系樹脂で構成されている。さらに、高密着性薄膜14は、本実施形態では、基板12の外周面全体を覆うように設けられているが、低密着性薄膜16形成側の主面及びベベル部分のみを覆うように設けられていてもよい。また、場合により、基板12の外周面の低密着性薄膜16の形成領域を除く領域、あるいは基板12の低密着性薄膜16形成側の主面の低密着性薄膜16の形成領域を除く領域に選択的に設けられていてもよい。次に、上記支持基板10の製造方法の一例を、図2を参照して説明する。まず、基板12を用意し、その外周面全体に、熱酸化法、プラズマCVD法等により高密着性薄膜14を設ける図2a。本実施形態では、プラズマCVD法により、基板12外周面全体に、100nm厚の酸化珪素SiOx膜、及び200nm厚の窒化珪素SiNx膜を順に形成する。次に、密着性薄膜14が形成された基板12の一方の主面上に、低密着性薄膜16となる薄膜16Aを形成する図2b。薄膜16Aの形成方法は、使用する離型性材料によって適宜選択することができる。例えば、フッ素系樹脂やシリコーン系樹脂、オイル系樹脂等の有機系材料を使用する場合には、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂、オイル系樹脂等を分散もしくは溶解させた塗料を塗布し、加熱硬化させる方法を用いることができる。また、無機系材料を用いる場合には、CVD法、スパッタリング法等の成膜方法を用いることができる。本実施形態では、フッ素系樹脂を分散溶解させた塗料を塗布し、加熱硬化させることにより、薄膜16Aを形成している。次に、薄膜16Aの周辺部を除去して低密着性薄膜16を形成する図2c。薄膜16Aは、基板12の外縁から少なくとも0.5mm以上の範囲を除去することが好ましい。薄膜16Aの基板12外縁からの除去範囲は、0.5mm以上5mm以下の範囲とすることがより好ましく、2mm前後とすることがより一層好ましい。このような薄膜16Aの周辺部の除去には、例えば、ドライエッチング等を用いることができる。薄膜16Aが有機系材料からなる場合には、酸素プラズマ等を用いることもできる。また、スピンエッチング装置を用い、薄膜16Aの周辺部に有機溶剤を塗布し、離型性薄膜16Aの周辺部を溶解させる方法により除去することもできる。このような薄膜16Aの周辺部の除去には、例えば、ドライエッチング等を用いることができる。薄膜16Aが有機系材料からなる場合には、酸素プラズマ等を用いることもできる。また、スピンエッチング装置を用い、薄膜16Aの周辺部に有機溶剤を塗布し、離型性薄膜16Aの周辺部を溶解させる方法により除去することもできる。さらに、基板12を、例えば回転させながら、周辺部を研磨する方法を用いることもできる。本実施形態では、薄膜16Aの周辺部をドライエッチングにより除去しており、この方法では、薄膜16Aの周辺部が、その下層の窒化珪素SiNx膜とともに一括除去される。下層膜を同時に除去することによって、除去残りを防ぐこと、除去が完全にできたかどうかを検査することが容易となる。次に、上記支持基板10を用いた半導体装置の製造方法の一例を、図3及び図4を用いて説明する。すなわち、図3及び図4は、本実施形態の支持基板10を用いた半導体装置の製造方法の一例を示す断面図である。シリコン等からなる半導体ウエハ20の一主面素子形成面に半導体素子を形成した後、その素子形成面の略全面に接着剤22を、例えば、50μm厚さに塗布する図3a。接着剤としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、紫外線硬化型樹脂等が使用される。なお、図3aにおいて、24は素子形成面に形成された電極を示している。半導体ウエハ20の厚さは、通常、725~775μmであり、直径は、通常、200~300mmである。ここでは、厚さ775μm、直径300mmの半導体ウエハを使用している。次に、プレス加工装置等を用いて、厚さ約775mm、直径約300mmの支持基板10の高密着性薄膜14及び低密着性薄膜16形成面側に、半導体ウエハ20を、支持基板10に向けて重ね合わせ、接着剤22を介して支持基板10と半導体ウエハ20を接着する図3b。支持基板10の半導体ウエハ20に対する接着強度は、低密着性薄膜16部分で小さいものの、低密着性薄膜16周囲の高密着性薄膜14部分では大きく、次工程での半導体ウエハに対する各種加工及び処理工程に十分耐え得る強度を有する。次に、支持基板10に接着された半導体ウエハ20の他方の主面素子形成面と反対側の面に、研削加工もしくはウエットエッチング加工、またはこれらの加工を併用して薄化し、さらに、必要に応じて、常法により、配線層及びTSVThroughSiliconViaを形成する図3c。前述したように、支持基板10と半導体ウエハ20は全体として十分な接着強度を有しているため、薄化加工や、配線層及びTSVを形成する工程中に、支持基板10と半導体ウエハ20が剥離することはない。次に、半導体ウエハ20の周辺部分の接着剤22を、有機溶剤を使用する等して除去する図4d。有機溶剤を使用して除去する場合、接着剤22の外周面から接着剤22を浸透させ、少なくとも支持基板10に形成された高密着性薄膜14に接着している部分の接着剤22を有機溶剤に溶解させる。溶解させる範囲が前記範囲より少ないと、この後の工程での半導体ウエハ20の支持基板10からの剥離が困難になり、半導体ウエハが破損したり、接着剤22の一部が支持基板10に残存し、半導体ウエハ20の汚染の原因になるおそれがある。ただし、あまり溶解させる範囲が広くなると、有機溶剤により接着剤を除去する時間が長くなるため、高密着性薄膜14に接着している部分の接着剤22を選択的に溶解除去できる範囲で、有機溶剤を浸透させることが好ましい。次に、半導体ウエハ20の接着剤22とは反対側の面全体に、半導体ウエハ20より大径の粘着テープ26を貼り付け、その外縁部を把持し、上方に引き上げるようにして、半導体ウエハ20を支持基板10から剥離する図4e。支持基板10と半導体ウエハ20を強固に接着している高密着性薄膜14部分の接着剤は既に除去されていて、接着強度の弱い低密着性薄膜16部分の接着剤のみが残っているため、容易に、かつ短時間に半導体ウエハ20を支持基板10から剥離することができる。なお、粘着テープ26は、その一部を把持して引き上げたときに、半導体ウエハ20を支持基板10から剥離することができれば、必ずしも半導体ウエハ20の一主面全体に貼り付ける必要はなく、部分的に貼り付けるものであってもよい。また、粘着テープ26に代わる把持手段を用いてもよい。このようにして支持基板10から剥離された半導体ウエハ20の中央部には、接着剤22が残存しているので、これを有機溶剤により溶解除去する図4f。図示を省略したが、上記工程の後、半導体ウエハ20をダイシングしてチップを切り出し、チップ毎にパッケージング等の組み立て処理を行い、半導体装置が完成する。本実施形態においては、支持基板の一主面の中央部に低密着性薄膜が形成され、その周辺部に高密着性薄膜が形成されているので、半導体ウエハを支持基板に貼り付けた状態で行う薄化、配線層やTSVの形成等の各種加工または処理を行う際には、半導体ウエハが支持基板から剥離することはない。一方、加工後は、半導体ウエハを支持基板から容易に、かつ短時間に剥離することができ、半導体ウエハの破損や支持基板における接着剤の残存等の発生も防止することができる。以上、本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施し得るものであり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。