"複数の膜が段差を形成する被検査物を撮像し、その撮像画像データに基づいて、欠陥を検出する欠陥検出方法であって、前記被検査物を撮像し、前記撮像画像データを取得する撮像工程と、前記撮像画像データを用いて前記膜の形状を示す構造パターンの外周形状を線分にて示すエッジを検出するエッジ検出工程と、前記エッジの最外周に位置する画素の集合であるラインを検出するライン検出工程と、前記ラインがどの前記エッジに属するかの情報と前記ラインがどの前記構造パターンと隣り合うかの情報とを備えた前記ラインである構造ラインを演算する構造ライン取得工程と、前記構造ラインのうち1つの前記エッジを挟む場所に位置する一対の前記構造ラインを第1構造ラインと第2構造ラインとするとき、前記第1構造ライン上の所定の場所から前記第2構造ラインまでの最も近い場所までの距離であるエッジ幅を取得するエッジ幅取得工程と、前記第1構造ライン上に始点及び終点を設定し、前記始点から前記終点までの前記エッジ幅の平均である平均エッジ幅を取得する平均エッジ幅算出工程と、前記平均エッジ幅と、前記第1構造ライン上の所定の場所の前記エッジ幅と、を比較して前記エッジ上の欠陥を検出する欠陥検出工程と、を有することを特徴とする欠陥検出方法。請求項1に記載の欠陥検出方法において、前記ライン検出工程は、前記エッジに対して、一画素膨張した膨張画像を生成する膨張画像生成工程と、前記エッジと前記膨張画像との差分を演算し前記ラインを算出する差分工程と、を有し、前記構造ライン取得工程は、前記ラインに対してラベルを付与して、前記構造ラインを演算し、前記エッジ幅取得工程では、前記ラベルの情報を用いて、対向する前記構造ライン間の前記エッジ幅を取得することを特徴とする欠陥検出方法。複数の膜が段差を形成する被検査物を撮像し、その撮像画像データに基づいて、欠陥を検出する欠陥検出装置であって、前記被検査物を撮像し、前記撮像画像データを取得する撮像手段と、前記撮像画像データを用いて前記膜の形状を示す構造パターンの外周形状を線分にて示すエッジを検出するエッジ検出手段と、前記エッジの最外周に位置する画素の集合であるラインを検出するライン検出手段と、前記ラインがどの前記エッジに属するかの情報と前記ラインがどの前記構造パターンと隣り合うかの情報とを備えた前記ラインである構造ラインを演算する構造ライン取得手段と、前記構造ラインのうち1つの前記エッジを挟む場所に位置する一対の前記構造ラインを第1構造ラインと第2構造ラインとするとき、前記第1構造ライン上の所定の場所から前記第2構造ラインまでの最も近い場所までの距離であるエッジ幅を取得するエッジ幅取得手段と、前記第1構造ライン上に始点及び終点を設定し、前記始点から前記終点までの前記エッジ幅の平均である平均エッジ幅を取得する平均エッジ幅算出手段と、前記平均エッジ幅と、前記第1構造ライン上の所定の場所の前記エッジ幅と、を比較して前記エッジ上の欠陥を検出する欠陥検出手段と、を有することを特徴とする欠陥検出装置。しかしながら、特許文献1に記載の欠陥検出方法では、被検査物の形状の頂点でエッジがなす角度と、欠陥が存在する点でエッジがなす角度が同等の場合、頂点と欠陥を分離できないという問題がある。すなわち、特許文献1に記載の欠陥検出方法では、被検査構造の形状認識と欠陥検出とを同じ角度特徴量を用いて行なってしまっているために、角度変化点において、それが形状の頂点なのか、欠陥なのかを識別できず、検出精度が落ちてしまう問題がある。そこで、構造の形状欠陥、あるいは構造に接する異物を精度良く検出できる方法が望まれていた。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例にかかる欠陥検出方法は、複数の膜が段差を形成する被検査物を撮像し、その撮像画像データに基づいて、欠陥を検出する欠陥検出方法であって、前記被検査物を撮像し、前記撮像画像データを取得する撮像工程と、前記撮像画像データを用いて前記膜の形状を示す構造パターンの外周形状を線分にて示すエッジを検出するエッジ検出工程と、前記エッジの最外周に位置する画素の集合であるラインを検出するライン検出工程と、前記ラインがどの前記エッジに属するかの情報と前記ラインがどの前記構造パターンと隣り合うかの情報とを備えた前記ラインである構造ラインを演算する構造ライン取得工程と、前記構造ラインのうち1つの前記エッジを挟む場所に位置する一対の前記構造ラインを第1構造ラインと第2構造ラインとするとき、前記第1構造ライン上の所定の場所から前記第2構造ラインまでの最も近い場所までの距離であるエッジ幅を取得するエッジ幅取得工程と、前記第1構造ライン上に始点及び終点を設定し、前記始点から前記終点までの前記エッジ幅の平均である平均エッジ幅を取得する平均エッジ幅算出工程と、前記平均エッジ幅と、前記第1構造ライン上の所定の場所の前記エッジ幅と、を比較して前記エッジ上の欠陥を検出する欠陥検出工程と、を有することを特徴とする。本適用例によれば、被検査物には複数の膜が段差を形成されている。撮像工程では、被検査物を撮像し、撮像画像データを取得している。エッジ検出工程では、撮像画像データを用いて膜の形状を示す構造パターンの外周形状を線分にて示すエッジを検出している。ライン検出工程では、エッジの最外周に位置する画素の集合であるラインを検出している。構造ライン取得工程では、ラインがどのエッジに属するかの情報とラインがどの構造パターンと隣り合うかの情報とを備えたラインである構造ラインを演算している。エッジ幅取得工程では、構造ラインのうち1つのエッジを挟む場所に位置する一対の構造ラインを第1構造ラインと第2構造ラインとするとき、第1構造ライン上の所定の場所から第2構造ラインまでの最も近い場所までの距離であるエッジ幅を取得している。平均エッジ幅算出工程では、第1構造ライン上に始点及び終点を設定し、始点から終点までのエッジ幅の平均である平均エッジ幅を取得している。欠陥検出工程では、平均エッジ幅と、第1構造ライン上の所定の場所のエッジ幅と、を比較してエッジ上の欠陥を検出している。構造ラインはラインがどのエッジに属するかの情報とラインがどの構造パターンと隣り合うかの情報とを備えている。このため、対向する場所の構造ラインである第1構造ラインと第2構造ラインとの組合せを容易に選択することができる。そして、構造パターンが複雑な形状をしていても撮像画像データ上で構造パターン間の境界となるエッジ幅は、エッジごと同じ幅となっている。このため、エッジ幅が変化する点は欠陥が存在する場合のみとなる。従って、エッジ幅を取得し、エッジ幅と、平均エッジ幅算出工程にて計算されたラインの平均エッジ幅と、を比較することにより、構造の頂点と、欠陥とを簡単に識別することができる。その結果、構造の形状欠陥、あるいは構造に接する異物を精度良く検出することができる。[適用例2]上記適用例に記載の欠陥検出方法において、前記ライン検出工程は、前記エッジに対して、一画素膨張した膨張画像を生成する膨張画像生成工程と、前記エッジと前記膨張画像との差分を演算し前記ラインを算出する差分工程と、を有し、前記構造ライン取得工程は、前記ラインに対してラベルを付与して、前記構造ラインを演算し、前記エッジ幅取得工程では、前記ラベルの情報を用いて、対向する前記構造ライン間の前記エッジ幅を取得することが好ましい。本適用例によれば、膨張画像生成工程にて、エッジが存在する領域を膨張した結果である膨張画像を作成している。そして、差分工程にて、エッジと膨張画像の差分画像を演算することにより、ラインを検出している。エッジが1画素の線で構成されている場合、ある構造パターンに接するラインとその対になるラインは同じ画素上に存在する。しかし、エッジを膨張することによりエッジに接する周辺の画素もエッジとなることで、ラインは構造パターンの最外周の画素で構成されることになる。構造パターンと別の構造パターンは必ずエッジにて分離されているため、ある構造パターンの最外周の画素が別の構造パターンの最外周の画素になることはない。よって、あるラインを構成する画素構造パターンの最外周の画素と、その対となるラインを構成する画素別の構造パターンの最外周の画素は、必ず別の画素から構成される。すなわち、構造パターンに接するラインに含まれる画素が、同時に別の構造パターンに接するラインに含まれる可能性はない。従って、構造ラインを選定してエッジ幅を取得する処理を単純化することができる。その結果、生産性よくエッジ幅を取得することができる。また、構造ライン取得工程にて、ラインにラベルを付与する処理を行なっている。ここで、ラインはエッジで分割された各構造パターンの境界線であるため、1つの構造パターンに対する構造ラインは一本の線となり、途切れや交わりが存在しない。これによって、各ラベルを各ラインに割り当てることで、容易に対向する場所に位置する構造ラインの対を取得できる。[適用例3]本適用例にかかる欠陥検出装置は、複数の膜が段差を形成する被検査物を撮像し、その撮像画像データに基づいて、欠陥を検出する欠陥検出装置であって、前記被検査物を撮像し、前記撮像画像データを取得する撮像手段と、前記撮像画像データを用いて前記膜の形状を示す構造パターンの外周形状を線分にて示すエッジを検出するエッジ検出手段と、前記エッジの最外周に位置する画素の集合であるラインを検出するライン検出手段と、前記ラインがどの前記エッジに属するかの情報と前記ラインがどの前記構造パターンと隣り合うかの情報とを備えた前記ラインである構造ラインを演算する構造ライン取得手段と、前記構造ラインのうち1つの前記エッジを挟む場所に位置する一対の前記構造ラインを第1構造ラインと第2構造ラインとするとき、前記第1構造ライン上の所定の場所から前記第2構造ラインまでの最も近い場所までの距離であるエッジ幅を取得するエッジ幅取得手段と、前記第1構造ライン上に始点及び終点を設定し、前記始点から前記終点までの前記エッジ幅の平均である平均エッジ幅を取得する平均エッジ幅算出手段と、前記平均エッジ幅と、前記第1構造ライン上の所定の場所の前記エッジ幅と、を比較して前記エッジ上の欠陥を検出する欠陥検出手段と、を有することを特徴とする。本適用例によれば、被検査物には複数の膜が段差が形成されている。撮像手段は被検査物を撮像し、撮像画像データを取得する。エッジ検出手段は撮像画像データを用いて膜の形状を示す構造パターンの外周形状を線分にて示すエッジを検出する。ライン検出手段は、エッジの最外周に位置する画素の集合であるラインを検出している。構造ライン取得手段は、ラインがどのエッジに属するかの情報とラインがどの構造パターンと隣り合うかの情報とを備えたラインである構造ラインを演算する。エッジ幅取得手段は、構造ラインのうち1つのエッジを挟む場所に位置する一対の構造ラインを第1構造ラインと第2構造ラインとするとき、第1構造ライン上の所定の場所から第2構造ラインまでの最も近い場所までの距離であるエッジ幅を取得している。平均エッジ幅算出手段は、第1構造ライン上に始点及び終点を設定し、始点から終点までのエッジ幅の平均である平均エッジ幅を取得する。そして、欠陥検出手段は、平均エッジ幅算出手段において算出される平均エッジ幅と、第1構造ライン上の所定の場所のエッジ幅と、を比較してエッジ上の欠陥を検出している。構造ラインはラインがどのエッジに属するかの情報とラインがどの構造パターンと隣り合うかの情報とを備えている。このため、対向する場所の構造ラインである第1構造ラインと第2構造ラインとの組合せを容易に選択することができる。そして、構造パターンが複雑な形状をしていても撮像画像データ上で構造パターン間の境界となるエッジ幅は、エッジごと同じ幅となっている。このため、エッジ幅が変化する点は欠陥が存在する場合のみとなる。従って、エッジ幅を取得し、エッジ幅と、平均エッジ幅算出手段にて計算されたラインの平均エッジ幅と、を比較することにより、構造の頂点と、欠陥とを簡単に識別することができる。その結果、構造の形状欠陥、あるいは構造に接する異物を精度良く検出することができる。作用効果以上述べたように、本実施形態にかかる欠陥検出装置10によれば、以下の効果を得ることができる。1構造パターン71が複雑な形状をしていても、撮像画像データ7上の構造パターン71の外周形状73となるエッジ幅は、エッジ8aごと一定であるため、エッジ幅が変化する点は欠陥が存在する場合のみとなる。従って、欠陥検出手段56では、エッジ幅と、平均エッジ幅算出工程にて計算されたラインの平均エッジ幅と、を用いて、構造パターン71の外形形状と欠陥とを簡単に識別することができる。したがって、構造の形状欠陥、あるいは構造に接する異物を精度良く検出することができる。2構造ライン取得手段53において、接する構造パターン71とエッジ8aを識別するために、ライン9aの各画素に対してライン識別番号を付加している。これにより、エッジ幅取得手段54において、距離dを計算するための各画素を単純な処理で認識できるため、良好にエッジ幅を取得できる。尚、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良等を加えることが可能である。変形例を以下に述べる。変形例上記実施形態では、ライン検出手段52において、微分値計算によりライン検出を行い、ライン画像9を生成するライン検出工程を実施しているが、これに限定されない。例えば、図12に示す、この変形例の欠陥検出方法の手順を示すフローチャートに従った処理を実施してもよい。図13及び図14は、欠陥検出方法を説明するための図である。図13に示すように、例えば、ライン検出手段52は、エッジ画像8を膨張して、膨張画像16を生成する膨張画像生成工程ST31を行う。次に、ライン検出手段52は、エッジ画像8と膨張画像16との差分処理を実施して、図14に示す差分画像17を生成する差分工程ST32を実施する。その結果、第1構造ライン11a及び第2構造ライン11bのライン9aが算出される。具体的には、この膨張画像生成工程では、エッジ画像8のエッジ8aとして設定されている高輝度画素に対して、その画素と周囲の4画素あるいは周囲の8画素とを、共に高輝度画素16aに設定する。そして、高輝度画素16aに設定されなかった画素を低輝度画素16bに設定した膨張画像16を生成する。また、この差分工程では、エッジ画像8と、膨張画像16の同座標の画素同士を比較し、その値が異なる画素を高輝度画素17aに設定し、値が等しい画素を低輝度画素17bに設定した差分画像17を生成し、これをライン画像9として後工程で使用する。また、上記実施形態では、構造ライン取得手段53において、周囲4画素が属する構造パターン71の領域、またはエッジの領域を用いて、構造ラインリスト14を作成し、構造ライン画像を生成する構造ライン取得工程ST4を実施しているが、これに限定されない。例えば、ライン画像9にラベルを付与するラベリング処理を実施し、各ラベルが付与されたライン9aを個々の構造ラインとし構造ラインリスト14を作成しても良い。具体的には、この構造ライン取得工程ST4では、ライン画像9のライン9aとして設定されている高輝度画素に対して、その周囲8点、あるいは4点に存在する画素を同じライン9aに属する高輝度画素と同じライン9aとして設定する。これにより、隣同士の画素として繋がっているライン領域を1つの構造ラインとして設定した構造ラインリスト14を作成し、構造ライン画像を生成する。そして、エッジ幅取得工程ST5では、付与されたラベルの情報を用いて、対向する構造ラインを選択し構造ライン間のエッジ幅を取得する。変形例の効果以上述べたように、本変形例にかかる欠陥検出装置10によれば、実施形態での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。エッジ8aが1画素の線で構成されている場合、ある構造パターン71に接するライン9aとその対になるライン9aは同じ画素上に存在する。しかし、エッジ8aを膨張することによりエッジ8aに接する周辺の画素もエッジ8aとなることで、ライン9aは、構造パターン71の最外周の画素で構成されることになる。構造パターン71と別の構造パターン71は必ずエッジ8aにて分離されているため、ある構造パターン71の最外周の画素が別の構造パターン71の最外周の画素になることはない。よって、あるライン9aを構成する画素構造パターン71の最外周の画素と、その対となるライン9aを構成する画素別の構造パターン71の最外周の画素は、必ず別の画素から構成される。すなわち、構造パターン71に接するライン9aに含まれる画素が、同時に別の構造パターン71に接するラインに含まれる可能性はない。よって、構造ライン検出処理を単純化することができ、処理時間を短縮することができる。また、ライン9aはエッジ8aで分割された各構造パターン71の外周形状73の最外周画素である。このため、同じ構造パターン71に対する構造ラインはただ一本の線となる途切れ、交わりが存在しない。そのため、ラベリング処理を行なって各ラベルを各領域パターンに割り当てることにより、そのラインが接している構造パターン71の領域あるいはエッジ8aの領域を考慮することなく、構造ラインリストを容易に作成できる。以上、本発明を実施するための最良の構成について具体的に説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、本発明は、主に特定の実施の形態に関して特に図示され、かつ、説明されているが、本発明の技術的思想及び、目的の範囲から逸脱することなく、以上述べた実施の形態に対し、当業者が様々な変形及び改良を加えることができるものである。1...被検査物、4...撮像手段としてのCCDカメラ、8a...エッジ、9a...ライン、11a...第1構造ライン、11b...第2構造ライン、51...エッジ検出手段、52...ライン検出手段、53...構造ライン取得手段、54...エッジ幅取得手段、55...平均エッジ幅算出手段、56...欠陥検出手段、71...構造パターン、73...外周形状。以下本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。実施形態図1は、欠陥検出装置の構成を示す概略斜視図である。図1に示すように、欠陥検出装置10は、フレキシブル基板や、液晶パネルTFTパネル、半導体ウェハー等の被検査物1の欠陥や、付着した異物等を検出するものである。被検査物1は、XYステージ2上に載置され、平面的に移動可能になっている。欠陥検出装置10は、被検査物1と対向する場所に顕微鏡3を備えている。そして、顕微鏡3には撮像手段としてのCCDカメラ4が設置されている。CCDカメラ4には検査制御装置5が接続され、検査制御装置5には表示装置6が接続されている。顕微鏡3は、被検査物1を拡大してCCDカメラ4で撮影するために設けられており、被検査物1の欠陥を検出するために十分な倍率を有するものが用いられている。そして、顕微鏡3には落射照明装置が内蔵されており、被検査物1に顕微鏡3側から光を照射することができる。CCDカメラ4は、顕微鏡3を介して被検査物1を撮像し撮像画像データを取得する撮像手段である。検査制御装置5は、CCDカメラ4を制御し、被検査物1を検出する画像処理手段である。表示装置6は、検査制御装置5に接続された液晶ディスプレイ等の表示装置である。検査制御装置5は、中央演算プロセッサーやメモリー、ハードディスク等の記憶装置を備えている。他にも、検査制御装置5はインターフェイスを備え、CCDカメラ4及び表示装置6と接続している。そして、記憶装置には各種のプログラムを有するソフトウェアが記憶されている。そして、検査制御装置5は記憶装置に記憶されたプログラムを読み出して実行することにより各種の機能を実現している。そして、検査制御装置5が備える機能として、画像入力手段50、エッジ検出手段51、ライン検出手段52、構造ライン取得手段53、エッジ幅取得手段54、平均エッジ幅算出手段55、欠陥検出手段56、等の機能がある。図2は、被検査物1の一例を示す概略斜視図である。図2に示すように、被検査物1は、半導体プロセスで作成されたウェハー等、多層の膜を備える構造物を有している。この多層の構造物のうち重なった層には段差が形成され、段差を外周とする膜の形状を構造パターン71と称す。従って、被検査物1は複数の構造パターン71から形成され、各構造パターン71間には段差が存在している。本実施形態での欠陥検出対象72は、構造パターン71の外周に接する欠陥である。この欠陥検出対象72は、構造パターン71に予定外の異物が付着した物を称す。図3は撮像画像データの一例を示す図である。図3に示すように、CCDカメラ4は被検査物1を撮像して撮像画像データ7を取得する。そして、画像入力手段50にはCCDカメラ4で撮像された取込画像の撮像画像データ7が入力される。本実施形態の被検査物1は構造パターン71間に段差が存在し、段差の部分が膜の外周形状73となっている。段差に照射される光は顕微鏡3側に反射しないため、外周形状73は周辺に比べ暗くなる。また、外周形状73に欠陥検出対象72が付着するとき、欠陥検出対象72も斜面を有するため周辺に比べ暗くなる。画像入力手段50は、この入力された撮像画像データ7を、図示しない記憶手段に記憶する。すなわち、画像入力手段50によってCCDカメラ4を用いて検査対象を撮像する画像取得工程撮像工程が実施される。図4は、構造パターンのエッジを説明するための図である。図4に示すように、エッジ検出手段51は、外周形状73に相当する場所を白くし、外周形状73以外の場所を黒くする。このように、エッジ検出手段51は、撮像画像データ7に基づいて、エッジ8aを強調したエッジ画像8を作成する処理を実施する。ここで、エッジ8aとは、被検査物1の構造パターン71に沿う外周形状73に相当する場所を示す。具体的には、エッジ検出手段51は、例えば、二値化処理によりエッジ検出を行う。本実施形態では、判定値以上の輝度値を有する画素の輝度値を例えば0黒色に設定し、判定値未満の輝度値を有する画素の輝度値を例えば255白色として設定し、エッジ画像8を生成する。そして、輝度値の判定値は、外周形状73の場所より大きくし、膜の上面の輝度値より小さくする。図5は、ライン画像を説明するための図である。図5に示すように、ライン検出手段52は、エッジ画像8を用いて、エッジ8aの外周を強調したライン画像9を作成する処理を実施する。ここで、ライン9aとは、エッジ画像8のエッジ8aの外周に沿う境界線である。具体的には、ライン検出手段52は、例えば、微分値計算によりライン検出を行い、検出されたライン9aを表したライン画像9を生成する。本実施形態では、ライン9aに含まれる画素を例えば255白色に設定し、ライン9aに含まれない画素を例えば0黒色として設定しライン画像9を生成する。構造ライン取得手段53は、ライン画像9に基づいて、ライン9aが撮像画像データ7の構造パターン71のいずれに接しているかを示した、構造ライン画像を作成する処理を実施する。具体的には、構造ライン取得手段53は、例えば、ライン画像9において、ライン9aに含まれる画素に注目して、その画素の周囲の4画素がいずれの構造パターン71に含まれるかを確認する。そして、その画素に構造パターン識別番号を付与することにより、各画素がどの構造パターン71に属するかを管理する。また、注目している画素がいずれのエッジ8aに含まれるかを確認し、各画素にエッジ識別番号を付与することにより、各画素がどのエッジ8aに属するかを管理する。そして、ライン画像9の同座標の画素に対して、構造パターン識別番号とエッジ識別番号からライン識別番号を作成し、入力することで、構造ライン画像11を生成する。尚、ライン画像9と構造ライン画像11との差はライン9aの名前が異なる点にある。ここで、構造パターン識別番号とは、各構造パターン71を識別するための番号であり、構造パターン71に固有の値である。エッジ識別番号とは、各エッジ8aを識別するための番号であり、エッジ8aに固有の値である。ライン識別番号とはライン9aを識別するための番号であり、ライン9aに固有の値である。つまり、ライン9aはエッジ8aを挟む線となる。そして、1つのエッジ8aを挟むライン9aの一方を第1構造ライン11aとし、他方を第2構造ライン11bとする。エッジ8aは隣合う構造パターン71の間の線である。従って、第1構造ライン11aは1つの構造パターン71に相当する画像と接し、第2構造ライン11bは別の構造パターン71に相当する画像と接する。エッジ幅取得手段54は、構造ライン画像に基づいて、第1構造ライン11a上の各画素に対して、第2構造ライン11b上の各画素までの距離を取得しエッジ幅とする処理を実施する。ここで、総ての第1構造ライン11a及び第2構造ライン11b上の総ての画素に対する距離を取得する。具体的には、エッジ幅取得手段54は、例えば、ライン画像9において、ラインに含まれる画素に対して、その注目画素から最も近いラインに含まれる画素で、かつ、注目画素とライン識別番号が異なる画素までの距離をエッジ幅として取得する。平均エッジ幅算出手段55は、構造ライン画像11に基づいて、同じライン識別番号における任意の個数の画素を抽出し、そのエッジ幅の平均を算出する処理を実施する。具体的には、平均エッジ幅算出手段55は、例えば、所定のライン識別番号をもつ総ての画素のエッジ幅の平均値を計算し、その結果を平均エッジ幅として取得する。欠陥検出手段56は、エッジ幅取得手段54により算出されたエッジ幅と、平均エッジ幅算出手段55により取得された平均エッジ幅と、に基づいて、欠陥候補を抽出する。具体的には、欠陥検出手段56は、例えば、平均エッジ幅から判定値範囲を設定し、エッジ幅が判定値範囲から外れた画素のある場所を、欠陥候補として抽出する。次に、本発明の実施の形態による欠陥検出装置10の動作について説明する。図6は、欠陥検出方法の手順を示すフローチャートである。欠陥検出方法の手順に示す動作は検査制御装置5上で実行されるプログラムによって実現されている。まず、被検査物1がXYステージ2にセットされると、検査制御装置5の画像入力手段50は、被検査物1の画像をCCDカメラ4に撮影させる。そして、画像入力手段50は図3に示す撮像画像データ7を取り込む撮像工程を実施するST1。このとき撮像画像データ7は、図示しないA/D変換器により、例えば、4096階調12ビットのデジタルデータとして、検査制御装置5の記憶装置に取り込まれる。次に、エッジ検出手段51は、取得された撮像画像データ7を用いてエッジ画像8を生成するエッジ検出工程を実施するST2。具体的には、このエッジ検出工程では、エッジ検出手段51は、撮像画像データ7の各画素がエッジ8aに含まれるか否かを判断する。本実施形態において、エッジ8aに含まれる画素は、構造パターン71に含まれる画素と比較し、輝度が低くなる。すなわち、各画素の輝度値を検出し、これらの輝度値が閾値未満であればエッジ領域として1を、閾値以上であればエッジ領域外として0を設定する。そして、エッジ検出手段51は、1が設定された画素の輝度を高輝度画素例えば255に設定し、0が設定された画素の輝度を低輝度画素例えば0に設定した図4に示すエッジ画像8を生成する。次に、ライン検出手段52は、エッジ画像8を用いて、図5に示すライン画像9を生成するライン検出工程を実施するST3。具体的には、このライン検出工程では、ライン検出手段52は、エッジ画像8のエッジ領域として認識された各画素がエッジ8aと構造パターン71との境に存在するか否かを判断する。すなわち、エッジ8aとして認識された各画素の周囲4画素を確認し、周囲4画素のうち一画素でもエッジ8aの外の画素であれば、ライン領域として1を、4画素総てがエッジ8aの画素であればライン領域外として0を設定する。そして、ライン検出手段52は、1が設定された画素の輝度を高輝度画素例えば255に設定し、0が設定された画素の輝度を低輝度画素例えば0に設定したライン画像9を生成する。そして、1が設定された画素の集合体をライン9aとする。次に、構造ライン取得手段53は、ライン画像9に基づいて、各ライン9aを構成する各画素にライン識別番号を割り振る構造ライン取得工程を実施するST4。図7は、ライン画像の要部拡大図である。図7において、ライン9aに設定されている画素を高輝度画素白で示しライン9aが占める領域をライン領域111とする。ライン領域111の外に設定されている画素を低輝度画素網掛で表現している。ライン領域111に挟まれた場所はエッジ8aの領域の1つであるエッジA領域113である。ライン領域111の図中右上の領域を構造パターンA領域112とし、ライン領域111の図中左下の領域を構造パターンB領域114とする。構造パターンA領域112と構造パターンB領域114とでライン領域111を挟む形態となっている。具体的には、この構造ライン取得工程では、構造ライン取得手段53は、ライン画像9の各画素P0,0~Pm,nからライン領域111に属する画素を取得する。次に取得した画素の周囲4画素を確認し、ライン領域外の画素である場合に、その画素が所属する構造パターン71の構造パターン識別番号、またはその画素が所属するエッジのエッジ識別番号を取得する。すなわち、ライン画像9の任意の画素Pi,jがライン領域111として設定されている場合、その左の画素Pi-1,j、右の画素Pi1,j、上の画素Pi,j-1、下の画素Pi,j1の4点から、ライン領域111の外に設定されている画素を抽出する。図8は、構造パターン、エッジ、構造ラインの各リストを示す図である。図8に示す構造パターンリスト12、エッジリスト13、構造ラインリスト14は検査制御装置5の記憶部に記憶されているリストである。構造ライン取得手段53は、構造パターンリスト12、エッジリスト13を用いて、ライン領域111の外に設定されている画素の識別番号を取得する。例えば、画素Pi,j-1は構造パターンA領域112に所属しているため、構造パターンリスト12の構造パターンAの識別番号である1を取得する。同様に、画素Pi-1,jはエッジA領域113に所属しているため、エッジリスト13のエッジAの識別番号である1を取得する。ここで、構造ラインリスト14は、構造パターン識別番号と、エッジ識別番号から一意に定まるライン識別番号を管理するリストである。さらに、ライン画像9に対して、ライン領域111として設定されている画素が持つ、構造パターン識別番号と、エッジ識別番号との組み合わせの総てを包含するリストである。これにより、ライン領域111の画素が第1構造ライン11aに属するか第2構造ライン11bに属するかを明確にすることができる。次に、構造ライン取得手段53は、ライン領域111に位置する画素の輝度を設定する。画素の輝度は、構造パターン識別番号と、エッジ識別番号との組み合わせを示す、ライン識別番号が示す輝度に設定する。そして、ライン領域111外として設定されている画素の輝度を0に設定した構造ライン画像を生成する。これより、構造ライン画像を見ると線の輝度をみるだけで、どの第N構造ラインに属するかを容易に認識することができる。次に、エッジ幅取得手段54は、構造ライン画像に基づいて、ライン領域111として設定されている各画素のエッジ幅を取得するエッジ幅取得工程を実施するST5。図9は、構造ライン画像を示す要部拡大図である。図9で示すように、ここで、同じライン識別番号である画素を同じ網掛で表現している。具体的には、このエッジ幅取得工程では、エッジ幅取得手段54は、ライン識別番号が与えられている画素から、別のライン識別番号が与えられている画素のうち、最も距離が近い画素までの距離dを取得する。次に、平均エッジ幅算出手段55は、構造ライン画像に基づいて、同じライン識別番号として設定されている各画素のエッジ幅の平均値を算出する、平均エッジ幅算出工程を実施するST6。具体的には、この平均エッジ幅算出工程では、欠陥検出手段56は、所定のライン識別番号を持つ画素から任意の2点を抽出し、その2点間の所定のライン識別番号を持つ総ての画素のエッジ幅の平均値を計算し、その結果を平均エッジ幅として取得する。例えば、第1構造ライン11a上に始点及び終点を設定し、始点から終点までのエッジ幅の平均を演算して平均エッジ幅を取得する。そして、欠陥検出手段56は、エッジ幅取得手段54により算出されたエッジ幅と平均エッジ幅算出手段55により取得された平均エッジ幅とを用いて欠陥候補を抽出する欠陥検出工程を実施するST7。具体的には、この欠陥検出工程では、欠陥検出手段56は、所定のライン識別番号を持つ各画素ポイントのエッジ幅を評価値とする。図10は、各画素毎の評価値を示すグラフである。図10に示すように、予め上側判定値115aと下側判定値115bとが設定されている。ここで示された評価値のうち、上側判定値115a図中の評価値6.1以上である点、あるいは下側判定値115b図中評価値2.1以下である点を欠陥として検出する。ここで判定値は平均エッジ幅図中評価値4.1を基準とし、上側判定値115a=平均エッジ幅上域許容範囲Ru、下側判定値115b=平均エッジ幅-下域許容範囲Rdから計算される本実施形態では、例えば、Ru=Rd=2に設定した。また、欠陥検出手段56は、検出した欠陥を適宜記憶部に記憶する。検査制御装置5は欠陥の検出結果を表示装置6に表示する。図11は、欠陥位置表示画像の例を示す図である。図11に示すように、欠陥検出手段56は、上記のように検出された欠陥を、例えば、白で表している。これにより、操作者は容易に、結果の場所を認識することができる。作用効果以上述べたように、本実施形態にかかる欠陥検出装置10によれば、以下の効果を得ることができる。1構造パターン71が複雑な形状をしていても、撮像画像データ7上の構造パターン71の外周形状73となるエッジ幅は、エッジ8aごと一定であるため、エッジ幅が変化する点は欠陥が存在する場合のみとなる。従って、欠陥検出手段56では、エッジ幅と、平均エッジ幅算出工程にて計算されたラインの平均エッジ幅と、を用いて、構造パターン71の外形形状と欠陥とを簡単に識別することができる。したがって、構造の形状欠陥、あるいは構造に接する異物を精度良く検出することができる。2構造ライン取得手段53において、接する構造パターン71とエッジ8aを識別するために、ライン9aの各画素に対してライン識別番号を付加している。これにより、エッジ幅取得手段54において、距離dを計算するための各画素を単純な処理で認識できるため、良好にエッジ幅を取得できる。尚、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良等を加えることが可能である。変形例を以下に述べる。変形例上記実施形態では、ライン検出手段52において、微分値計算によりライン検出を行い、ライン画像9を生成するライン検出工程を実施しているが、これに限定されない。例えば、図12に示す、この変形例の欠陥検出方法の手順を示すフローチャートに従った処理を実施してもよい。図13及び図14は、欠陥検出方法を説明するための図である。図13に示すように、例えば、ライン検出手段52は、エッジ画像8を膨張して、膨張画像16を生成する膨張画像生成工程ST31を行う。次に、ライン検出手段52は、エッジ画像8と膨張画像16との差分処理を実施して、図14に示す差分画像17を生成する差分工程ST32を実施する。その結果、第1構造ライン11a及び第2構造ライン11bのライン9aが算出される。具体的には、この膨張画像生成工程では、エッジ画像8のエッジ8aとして設定されている高輝度画素に対して、その画素と周囲の4画素あるいは周囲の8画素とを、共に高輝度画素16aに設定する。そして、高輝度画素16aに設定されなかった画素を低輝度画素16bに設定した膨張画像16を生成する。また、この差分工程では、エッジ画像8と、膨張画像16の同座標の画素同士を比較し、その値が異なる画素を高輝度画素17aに設定し、値が等しい画素を低輝度画素17bに設定した差分画像17を生成し、これをライン画像9として後工程で使用する。また、上記実施形態では、構造ライン取得手段53において、周囲4画素が属する構造パターン71の領域、またはエッジの領域を用いて、構造ラインリスト14を作成し、構造ライン画像を生成する構造ライン取得工程ST4を実施しているが、これに限定されない。例えば、ライン画像9にラベルを付与するラベリング処理を実施し、各ラベルが付与されたライン9aを個々の構造ラインとし構造ラインリスト14を作成しても良い。具体的には、この構造ライン取得工程ST4では、ライン画像9のライン9aとして設定されている高輝度画素に対して、その周囲8点、あるいは4点に存在する画素を同じライン9aに属する高輝度画素と同じライン9aとして設定する。これにより、隣同士の画素として繋がっているライン領域を1つの構造ラインとして設定した構造ラインリスト14を作成し、構造ライン画像を生成する。そして、エッジ幅取得工程ST5では、付与されたラベルの情報を用いて、対向する構造ラインを選択し構造ライン間のエッジ幅を取得する。変形例の効果以上述べたように、本変形例にかかる欠陥検出装置10によれば、実施形態での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。エッジ8aが1画素の線で構成されている場合、ある構造パターン71に接するライン9aとその対になるライン9aは同じ画素上に存在する。しかし、エッジ8aを膨張することによりエッジ8aに接する周辺の画素もエッジ8aとなることで、ライン9aは、構造パターン71の最外周の画素で構成されることになる。構造パターン71と別の構造パターン71は必ずエッジ8aにて分離されているため、ある構造パターン71の最外周の画素が別の構造パターン71の最外周の画素になることはない。よって、あるライン9aを構成する画素構造パターン71の最外周の画素と、その対となるライン9aを構成する画素別の構造パターン71の最外周の画素は、必ず別の画素から構成される。すなわち、構造パターン71に接するライン9aに含まれる画素が、同時に別の構造パターン71に接するラインに含まれる可能性はない。よって、構造ライン検出処理を単純化することができ、処理時間を短縮することができる。また、ライン9aはエッジ8aで分割された各構造パターン71の外周形状73の最外周画素である。このため、同じ構造パターン71に対する構造ラインはただ一本の線となる途切れ、交わりが存在しない。そのため、ラベリング処理を行なって各ラベルを各領域パターンに割り当てることにより、そのラインが接している構造パターン71の領域あるいはエッジ8aの領域を考慮することなく、構造ラインリストを容易に作成できる。以上、本発明を実施するための最良の構成について具体的に説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、本発明は、主に特定の実施の形態に関して特に図示され、かつ、説明されているが、本発明の技術的思想及び、目的の範囲から逸脱することなく、以上述べた実施の形態に対し、当業者が様々な変形及び改良を加えることができるものである。"