電子デバイスを備える成長用基板と、支持基板との組基板を、上部治具および下部治具を用いて押圧し、接合基板を得る接合方法であって、同径を有する前記成長用基板と支持基板との1組以上の前記組基板を、前記下部治具に設けられた、前記組基板の全てを内部に直列的に収納可能な円筒形状の凹部に装填する工程と、前記上部治具および下部治具を用いて、前記直列的に収納された組基板を押圧し、前記成長用基板と支持基板とを接合させて接合基板を得る工程とを、有することを特徴とする基板の接合方法。前記下部治具に設けられた円筒形状の凹部の直径を、前記組基板の直径より、0.3~1.5mm大きくすることを特徴とする請求項1に記載の基板の接合方法。請求項1または2に記載の基板の接合方法であって、前記組基板を、前記組基板の上下を前記組基板と同径を有する加重分散板で挟んだ組基板とすることを特徴とする基板の接合方法。前記加重分散板として、グラファイトシートを用いることを特徴とする請求項3に記載の基板の接合方法。前記組基板が装填された下部治具と、上部治具とを、加熱することを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の基板の接合方法。前記接合基板を得る工程を、真空雰囲気中もしくは不活性雰囲気中で行うことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の基板の接合方法。上部治具と、下部治具と、当該上部治具または/および下部治具を昇降する昇降機構とを有し、当該下部治具には、同径を有する電子デバイスを備える成長用基板と支持基板との1組以上の組基板と、加重分散板との全てを、内部に直列的に収納可能な円筒形状の凹部が設けられており、当該凹部内に収納された1組以上の組基板を、前記上部治具または/および下部治具の昇降により押圧し、前記成長用基板と支持基板とが接合した接合基板を製造することを特徴とする基板接合装置。前記下部治具に設けられた円筒形状の凹部の直径が、前記組基板の直径より、0.3~1.5mm大きいことを特徴とする請求項7に記載の基板接合装置。前記上部治具と下部治具とを加熱するヒーターを有することを特徴とする請求項7または8に記載の基板接合装置。前記下部治具および上部治具を囲む密封容器と、当該密封容器内を排気する排気手段とを有することを特徴とする請求項7から9のいずれかに記載の基板接合装置。近年、電子機器の普及と当該機器価格の下落には、目を瞠るものがある。当該機器価格の下落に伴い、各種電子デバイスに対するコストダウン要請も非常に強いものがある。当該コストダウン要請に応える対策として、製造時間の短縮と、1枚の基板から製造できる電子デバイスの歩留まりの向上とが、考えられる。本発明者等は、上述の観点から特許文献1に記載の基板の接合方法および基板接合装置を検討した。上記特許文献1には、被接合基板の加熱冷却時間を短くすることが出来、短時間で基板接合ができる旨が記載されている。しかしながら、必要な加熱時間は従来技術と変わらないため、製造工程での生産性を上げるには、1回当たりにおける被接合基板の処理枚数を増やすことの方が、好ましい対処方法であると考えた。ところが、例えばLED等の発光デバイスの製造を考えた場合、基板上に発光素子であるエピ層が形成された成長用基板には、反りや、厚みの不均一がある。この為、当該成長用基板と支持基板とを1組の被接合基板とし、複数組の当該被接合基板を一度に接合することは困難であった。具体的には、各被接合基板における成長用基板と支持基板との接合において不均一が発生し、1組の被接合基板から製造できる電子デバイスの歩留まりが低下してしまったのである。本発明は、上述の状況のもとで成されたものであり、その解決しようとする課題は、1組の被接合基板から製造できる電子デバイスの歩留まりが高い、基板の接合方法および基板接合装置を提供することであり、さらには、複数組の被接合基板を1回で接合処理しても、各被接合基板から製造できる電子デバイスの歩留まりを高く保てる、成長用基板と支持基板との接合方法、および、当該接合工程で用いられる基板接合装置を提供することである。上述の課題を解決するため、本発明者等は試行錯誤を重ね、成長用基板と支持基板との組基板を接合して接合基板を製造する際、当該1組以上の組基板の全てを、過不足なく直列的に収納可能な円筒形状の凹部を有する下部治具を準備し、当該下部治具の凹部に、当該1組以上の組基板を直列的に収容し、上部治具および/または下部治具により押圧するという構成に想到した。さらに、本発明者等は、上記組基板の間および上下に加重分散板を設置した1組以上の加重分散板付き組基板を、前記下部治具の凹部に直列的に収容し、上部治具および/または下部治具により押圧するという構成にも想到した。当該方法によれば、例えば、基板厚の異なる成長用基板および支持基板を同一バッチにおいて、複数枚処理することも可能になり、多品種の製造においてさらに効果を発揮する。そして当該構成を用いることで、例えば、サファイア基板上にLEDのエピ層が形成された成長用基板と支持基板とを接合して、接合基板を製造した場合であっても、当該接合基板の中心部から周辺部に亘って接合の均一性を保つことが出来ることを知見し、本発明を完成したものである。即ち、上述の課題を解決するための第1の発明は、電子デバイスを備える成長用基板と、支持基板との組基板を、上部治具および下部治具を用いて押圧し、接合基板を得る接合方法であって、同径を有する前記成長用基板と支持基板との1組以上の前記組基板を、前記下部治具に設けられた、前記組基板の全てを内部に直列的に収納可能な円筒形状の凹部に装填する工程と、前記上部治具および下部治具を用いて、前記直列的に収納された組基板を押圧し、前記成長用基板と支持基板とを接合させて接合基板を得る工程とを、有することを特徴とする基板の接合方法である。第2の発明は、前記下部治具に設けられた円筒形状の凹部の直径を、前記組基板との直径より、0.3~1.5mm大きくすることを特徴とする第1の発明に記載の基板の接合方法である。第3の発明は、第1または第2の発明に記載の基板の接合方法であって、前記組基板を、前記組基板の上下を前記組基板と同径を有する加重分散板で挟んだ組基板とすることを特徴とする基板の接合方法である。第4の発明は、前記加重分散板として、グラファイトシートを用いることを特徴とする第3の発明に記載の基板の接合方法である。第5の発明は、前記組基板が装填された下部治具と、上部治具とを、加熱することを特徴とする第1から第4のいずれかの発明に記載の基板の接合方法である。第6の発明は、前記接合基板を得る工程を、真空雰囲気中もしくは不活性雰囲気中で行うことを特徴とする第1から第5のいずれかの発明に記載の基板の接合方法である。第7の発明は、上部治具と、下部治具と、当該上部治具または/および下部治具を昇降する昇降機構とを有し、当該下部治具には、同径を有する電子デバイスを備える成長用基板と支持基板との1組以上の組基板と、加重分散板との全てを、内部に直列的に収納可能な円筒形状の凹部が設けられており、当該凹部内に収納された1組以上の組基板を、前記上部治具または/および下部治具の昇降により押圧し、前記成長用基板と支持基板とが接合した接合基板を製造することを特徴とする基板接合装置である。第8の発明は、前記下部治具に設けられた円筒形状の凹部の直径が、前記組基板の直径より、0.3~1.5mm大きいことを特徴とする第7の発明に記載の基板接合装置である。第9の発明は、前記上部治具と下部治具とを加熱するヒーターを有することを特徴とする第7または第8の発明に記載の基板接合装置である。第10の発明は、前記下部治具および上部治具を囲む密封容器と、当該密封容器内を排気する排気手段とを有することを特徴とする第7から第9のいずれかの発明に記載の基板接合装置である。本発明に係る基板接合方法、基板接合装置によれば、成長用基板と支持基板とは、中心部から周辺部に至るまで均一に接合が出来た。この結果、1組の被接合基板から製造できる電子デバイスの歩留まりが高まった。以下、図面を参照しながら、本発明に係る基板の接合方法および基板接合装置について説明する。図1は、本発明に係る基板接合装置10における主要部の模式的な斜視図である。基板接合装置10は、上部機構20および下部機構30を有し、当該上部機構20および下部機構30は、その周囲をヒーター15で囲まれている。上部機構20は、上部昇降機構21、上部ロッド22、上部治具23を有している。上部治具23は上部ロッド22を介して上部昇降機構21に連結されており、上部昇降機構21の作動により、所望幅の昇降動作を行う。上部治具23は、直径r’但し、R>r’≧rの円筒形状を有し、上記昇降動作により、後述する基板収納部34の内部へ滑らかに挿入可能である。つまり、上部治具23の直径r’は、後述する下部治具33の内側にある基板収納部34の直径Rより小さく、後述する組基板50の直径rと同径、または、より大きいものである。下部機構30は、下部昇降機構31、下部ロッド32および下部治具33を有している。下部治具33は下部ロッド32を介して下部昇降機構31に連結されており、下部昇降機構31の作動により、所望幅の昇降動作を行う。下部治具33は、その内側に、直径R、深さTの円筒形状の凹部である基板収納部34と、当該基板収納部34の壁にあたる凹壁部35を有している。凹壁部35には、適宜、切り溝36が設けられる。但し、凹壁部35は後述するように下部治具33の変形を抑制する役割を有しているため、切り溝36の大きさは必要最小限に留めることが好ましい。基板収納部34は、下部治具33を円筒形状の凹部に掘削することで、下部治具33と一体形成されている。基板収納部34が、下部治具33と一体形成されていることにより、上部治具23の押圧に起因する下部治具33の変形が抑制される。また、基板収容部34内を所望の雰囲気に制御出来るように、上部治具23および下部治具33を取り囲み、且つ、昇降駆動する上部ロッド22とは上部シール部17、下部ロッド32とは、下部シール部18を介して密封する密封容器16を設置することが好ましい。当該密封容器16には、当該密封容器16内を排気する排気手段と、各種のガス配管とを設けておくことで、基板収容部34を真空、または、窒素やアルゴンなどの不活性ガスを用いた不活性雰囲気等に制御することが出来る。当該構成により、基板加熱時において、基板の表面酸化等による接合不良を防止することが出来る。図1に当該密封容器16の一例を示す。当該例においては、図1手前から奥に向かって円筒形の密封容器が設けられている。図1は、当該円筒形の密封容器16の断面図を示しており、当該円筒形の密封容器16には、上述したヒーター15が設けられている例である。勿論、当該密封容器16は円筒容器に限られず、様々な形状をとることが可能である。ヒーター15の種類、設置方法も、上部機構20および下部機構30を適宜加熱出来るものであれば良い。さらに、排気手段としては、通常の真空ポンプ等が使用可能である。図2は、本発明に係る組基板50の模式的な斜視図である。組基板50は、基本構成としては、成長用基板51と支持基板52とからなる被接合基板55を上部加重分散板53および下部加重分散板54で挟んだ加重分散板付きのものである。成長用基板51、支持基板52および上部下部加重分散板5354は、全て直径r但し、R>rを有し、上述した基板収納部34内に収納可能である。ここで、成長用基板51と、支持基板52との直径が同値であることが最も好ましい。尤も、成長用基板51と支持基板52との直径の差が5mm以内であれば、支持基板52の直径が成長用基板51の直径より大きくても、小さくても良い。例えば、直径2インチ5.08cmの成長用基板51に対して、直径5cmの支持基板52を用いる場合、等が考えられる。つまり、一般に流通するサイズの公差や、インチ規格にメートル規格を合わせる場合などの誤差範囲誤差5mm以内の直径差のものも、同径として含めるものとする。尚、本発明において組基板50の直径rというときは、当該成長用基板51と支持基板52との直径のうち、最も大きな直径を有するものの直径を指す。また、所望により、上部下部加重分散板5354を用いず、成長用基板51と支持基板52とからなる被接合基板55をもって、組基板50とすることも好ましい構成である。例えば、LED等の発光デバイス製造の場合、上述したように、成長用基板51は、例えば、サファイア基板等の絶縁基板上に成長した発光素子を有する基板である。支持基板52は、Mo、W、Cu、Al等の金属基板、Si、Ge、GaAs等の半導体基板、アルミナ、AlN、SiC等のセラミックス基板である。さらに、成長用基板51との接合界面には、Au層、金合金層および半田層等が設けられていることもある。上部下部加重分散板5354は、アルミナシート、ジルコニアシート等のセラミックスシート、または、グラファイトシートである。ここで当該セラミックスシートやグラファイトシートは、板状、薄板の積層体状、または布形状を有し、さらに柔軟性を有するものである。当該上部下部加重分散板5354が柔軟性を有することで組基板50の反り形状に追従出来、好ましい構成である。なかでもグラファイトシートは柔軟性に優れ好適である。次に、組基板50の、基板収納部34への装填について説明する。まず、基板収容部34に装填される組基板50において、互いの直径Rとrとの差は、0.3mm以上、1.5mm以下であることが好ましい。Rとrとの差が0.3mm以上あれば、組基板50の基板収容部34への直列的な装填が容易である。一方、Rとrとの差が1.5mm以下あれば、組基板50へ加重が加わった際にも、組基板50を構成する成長用基板51、支持基板52、上部加重分散板53、下部加重分散板54のズレが凹壁部35により抑制されるからである。ここで、上述したように、下部治具33と一体形成されていることにより、上部治具23の押圧に起因する下部治具33の変形が抑制されるので、上部治具23の押圧力は、均等に組基板50へ加重される。当該一体形成の効果と、凹壁部35の効果とにより、組基板50を複数組、直列的に重ねて装填したとしても、各組基板50が安定し、押圧の分布がばらつくことなく、接合を行うことが可能となった。具体的には、本発明者等は基板収納部34への組基板50の装填が、1組から、少なくとも24組までの範囲で可能なことを確認している。基板の均一な接合という観点からは、上部下部加重分散板を設けることが好ましい。一方、多数の組基板を基板収容部へ直列的に装填する観点からは、上部下部加重分散板の一部を省略することにより、組基板の装填数を増加させることが出来、好ましい。具体的には、加重分散板付の組基板50を複数組装填する際、後述する実施例2に係る組基板の模式的な斜視図である図12に示すように、隣接する上部下部加重分散板5354の一方を省略し、1枚の加重分散板を上下端と各被接合基板の間に配置することが出来る。さらに、組基板50を基板収納部34へ装填する際は、当該1組またはそれ以上の組基板50の厚みtの合計が、凹壁部35の高さT以下であることが肝要である。tの合計≦Tであれば、最上部の組基板50においても加圧の際のズレが凹壁部35により抑制されるからである。他方、tの合計<Tの場合、そのまま接合処理を行うことも可能であるが、ヒーター15の位置等の要請により、基板収納部34の中段等で接合処理を行う場合もある。そのような場合は、図3に示すスペーサー60を、予め、基板収納部34内に装填しておけばよい。スペーサー60は、直径r’但し、R>r’≧rの円筒形状を有し、適宜な高さt’を有するアルミナ板、ジルコニア板等のセラミック板、または、グラファイト板である。当該板は、柔軟性を求められる訳ではない。尚、スペーサーを用いる場合、1組またはそれ以上の組基板50の厚みtの合計にスペーサーの厚みt’を加えた厚みが、凹壁部35の高さT以下であることが肝要である。これは、上述したようにtの合計t’≦Tであれば、最上部の組基板50においても、加圧の際に生じる各基板間のズレが凹壁部35により抑制されるからである。基板収容部34に設けられた切り溝36は、組基板50を基板収納部34へ装填する際、および、取り出す際にピンセット等を挿入する際に用いるものである。従って、組基板50を、他の方法例えば、吸着法等で基板収容部34へ装填したり、取り出したりする場合は不要である。以下、成長用基板51として、絶縁基板であるサファイア基板上に成長した発光素子を有する基板を用い、支持基板52としてMo金属基板を用い、さらに、当該成長用基板51と支持基板52との接合界面にAu層を設け、上部下部加重分散板5354としてグラファイトシートを用いた、発光デバイス製造の場合を例として、組基板50の接合工程について説明する。初めに、上部治具23および組基板50が装填された下部治具33を接合装置に装填し、密封容器内を真空ポンプにて排気して、例えば、10-3Pa以下の真空雰囲気とする。次に、上部昇降機構21および/または下部昇降機構31を作動させ、ヒーター15に通電して、下部治具33に装填された組基板50の組数に拘わらず、組基板50をホットプレスするのに求められる圧力、温度を付与し、所定時間保持する例えば、圧力2MPa、温度350°C、時間60分間ことでホットプレスを行う。勿論、所望により、密封容器内を真空ポンプにて排気した後、当該密封容器内を不活性ガス雰囲気としても良い。当該ホットプレスが完了したら、上部治具23、組基板50が装填された下部治具33の周囲の温度を室温に戻した後、密封容器内の雰囲気を大気下に戻す。そして、下部治具33より装填された組基板50を取り出す。このようにして得られた、本発明に係る被接合基板は、組基板50として1~24組を装填した場合であっても、中心部から周辺部に至るまで均一な接合が出来た。この結果、1組の被接合基板から製造できる電子デバイスの歩留まりが高まったと同時に、単位時間あたりの生産性も大きく向上した。以下、実施例を用いて、本発明をより具体的に説明する。実施例1図4は、実施例1に係る上部治具23、下部治具33における組基板50の設置状況を示す模式的な断面図である。実施例1に係る上部治具23は、径r’が51.9mm、下部治具33は、径Rが2インチ1.2mm計52mm、凹壁部の高さTが10mmである。実施例1に係る組基板50は、厚みが0.4mmで径rが2インチの窒化物半導体エピ基板サファイア基板であって反り量40umの成長用基板51と、厚みが0.2mmで径2インチのMo基板ある支持基板52と、径rが2インチ、厚み1.0mmのグラファイトシートである上部加重分散板53下部加重分散板54で構成されている。また、成長用基板51および支持基板52の最表面は接合層としてAu層を形成している。組基板50を下部治具33に装填し、当該組基板50が装填された下部治具33を基板接合装置10に装填する。次に、下部治具33、上部治具23および密封容器16内を真空ポンプにて排気して10-3Pa以下の減圧下とし、ヒーター15に通電して温度を350°Cとした。そして、下部治具33および上部治具23を作動させて、上記径2インチの組基板50に対し2MPaの圧力を懸け、60分間保持して当該組基板50に対し真空ホットプレスを行った。当該真空ホットプレスが完了したら、上部治具23、組基板50が装填された下部治具33の周囲の温度を100°C以下まで冷却した後、密封容器内の雰囲気を大気下に戻した。そして、下部治具33より装填された組基板50を取り出した。取り出された組基板50を調べたところ、成長用基板51と支持基板52とを有する被接合基板55は、中心部から周辺部に至るまで接合が出来ていることが確認出来た。当該接合状態を、さらに別方法にて確認するため、感圧紙富士フィルム製、超低圧用:測定圧力範囲0.5~2.5MPaを、成長用基板51と支持基板52との間に挟み込んで組基板50を構成し、常温、大気圧下で2MPaの圧力をかけて2分間保持した。当該加圧後に感圧紙を観察した。当該感圧紙の状態を図8に示す。さらに比較のため、成長用基板51と支持基板52との間に、上記感圧紙を挟み込み、上部加重分散板53下部加重分散板54を除いて組基板50を構成し、常温、大気圧下で2MPaの圧力をかけて2分間保持した。当該加圧後に感圧紙を観察した。当該感圧紙の状態を図9に示す。図8より、感圧紙全面が着色していることが観察された。つまり、成長用基板51と支持基板52とは、全面に亘って均等に加圧されたことが解る。図9より、上部加重分散板53下部加重分散板54を使用した場合に較べ、一部に着色の薄い部分があるものの、感圧紙全面が着色していることが観察された。つまり、成長用基板51と支持基板52とは、全面に亘って十分に加圧されたことが解る。当該、図8、9より、実施例1に係る上部治具23、下部治具33の効果が確認された。そして当該効果は、加重分散板の併用によりさらに高まることも確認出来た。実施例2図5は、実施例2に係る上部治具23、下部治具33における組基板50およびスペーサー60の設置状況を示す模式的な断面図である。実施例2に係る上部治具23は、径r’が51.9mm、下部治具33は、径Rが2インチ1.2mm計52mm、凹壁部の高さTが56mmである。実施例2においては、まず、下部治具33へ、直径51.9mm、厚さt’が24mmのスペーサー60を設置し、その上へ、加重分散板付きの組基板50を直列的に6組装填した例である。なお、実施例2においては、図12に示すように各被接合基板55の間の下部加重分散板54は1枚とした。ホットプレスの際の温度条件、圧力条件、雰囲気条件、時間条件は、実施例1と同様とした。この結果、成長用基板51と支持基板52とを有する被接合基板55は、6組とも中心部から周辺部に至るまで接合が出来た。実施例3実施例3に係る上部治具23は、径r’が51.9mm、下部治具33は、径Rが2インチ1.2mm計52mm、凹壁部の高さTが56mmである。実施例3においては、まず、下部治具33へ、直径51.9mm、厚さt’が24mmのスペーサー60を設置し、その上へ、加重分散板付きの組基板50を直列的に12組装填した例である。なお、図12に示すように各被接合基板55の間の下部加重分散板54は1枚とした。ホットプレスの際の温度条件、圧力条件、雰囲気条件、時間条件は、実施例1と同様とした。この結果、成長用基板51と支持基板52とを有する被接合基板55は、12組とも中心部から周辺部に至るまで接合が出来た。実施例4図6は、実施例4に係る上部治具23、下部治具33における組基板50の設置状況を示す模式的な断面図である。実施例4に係る上部治具23は、径r’が51.9mm、下部治具33は、径Rが2インチ1.2mm計52mm、凹壁部の高さTが56mmである。実施例4においては、下部治具33へスペーサー60を設置することなく、加重分散板付きの組基板50を直列的に24組装填した例である。なお、図12に示すように各被接合基板55の間の下部加重分散板54は1枚とした。ホットプレスの際の温度条件、圧力条件、雰囲気条件、時間条件は、実施例1と同様とした。この結果、24組の成長用基板51と支持基板52とを有する被接合基板55は、中心部から周辺部に至るまで接合が出来た。比較例1図7は、比較例1に係る上部治具23、下部治具39における組基板50の設置状況を示す模式的な断面図である。当該比較例1に係る下部治具39は、従来の技術に係る円筒形状の凹部を有しない下部治具である。比較例1においては、上述した実施例1と同様の加重分散板付きの組基板50を下部治具39上へ設置した以外は、実施例1と同様に、組基板50に対し真空ホットプレスを行った。ホットプレス後の組基板50を調べたところ、成長用基板51と支持基板52とを有する被接合基板55は、中心部の接合は出来ていたものの、周辺部は接合が不十分であることが判明した。当該接合状態を確認するため、実施例1と同様に感圧紙を挟み込んだ組基板50を作製し、常温、大気圧下で2MPaの圧力をかけて2分間保持した。当該加圧後に感圧紙を観察した。当該感圧紙の状態を図10に示す。さらに比較のため、成長用基板51と支持基板52との間に、上記感圧紙を挟み込み、上部加重分散板53下部加重分散板54を除いて組基板50を構成して、常温、大気圧下で2MPaの圧力をかけて2分間保持した。当該加圧後に感圧紙を観察した。当該感圧紙の状態を図11に示す。図10より、感圧紙の外周部において着色が薄いことが観察された。つまり、成長用基板51と支持基板52とが、均等に加圧されていないことが解った。図11より、感圧紙の外周部全体が着色していないことが観察された。つまり、成長用基板51と支持基板52とにおいて、中央部は加圧されたが、外周部はほとんど加圧されていないことが解った。