"CoPt又はCoCrPt又はCoCrPtBに基づく合金及び酸化物組合せを含み、前記酸化物組合せが、酸化銅CuOと、二酸化チタンTiO2、酸化クロムCr2O3、酸化タンタルTa2O5、酸化ニオブNb2O5、酸化イットリウムY2O3、酸化ジルコニウムZrO2、及び酸化ハフニウムHfO2からなる群から選択される少なくとも1つの酸化物とを含むスパッタリングターゲット。前記酸化物組合せが、酸化ケイ素SiO2を更に含む、請求項1に記載のスパッタリングターゲット。請求項1に記載の前記スパッタリングターゲットをスパッタリングすることにより形成される、磁気記録媒体の記録材料。前記酸化物組合せが、酸化ケイ素SiO2を更に含む、請求項3に記載の磁気記録媒体の記録材料。上述のような従来のターゲットの問題を考慮し、本発明の目的は、記録媒体のデータ記憶容量を更に拡張するために信号雑音比が向上され及び面記録密度が増強された磁気記録媒体の記録層を得るために、スパッタリングターゲットへの添加剤としてCuOが使用されるスパッタリングターゲット、及び該スパッタリングターゲットから形成された磁気記録媒体の記録材料を提供することである。したがって、本発明は、CoPt、CoCrPt、又はCoCrPtBに基づく合金及び酸化物組合せを含み、該酸化物組合せが、酸化銅CuOと、二酸化チタンTiO2、酸化クロムCr2O3、酸化タンタルTa2O5、酸化ニオブNb2O5、酸化イットリウムY2O3、酸化ジルコニウムZrO2、及び酸化ハフニウムHfO2からなる群から選択される少なくとも1つの酸化物とを含むスパッタリングターゲットを提供する。該スパッタリングターゲットは、以下のステップにより準備される:上述のCoPt、CoCrPt、又はCoCrPtBに基づく合金の原料を混合することにより前合金を形成するステップ、前合金を加工して前合金粉末を生成するステップ、前合金粉末を酸化物組合せと混合して、その代わりに前合金粉末を追加的な元素と混合して、又はその代わりに前合金粉末を前合金粉末及び酸化物組合せの混合物と混合して、粉末混合物を形成するステップ、及び粉末混合物を焼結して、スパッタリングターゲットを形成するステップ。好ましくは、スパッタリングターゲットの酸化物組合せは、酸化ケイ素を更に含む。別の態様では、本発明は、スパッタリングターゲットを表面にスパッタリングすることで形成される、磁気記録媒体の記録材料も提供する。好ましくは、磁気記録媒体の記録材料は、ハードディスクの記録層に応用される。好ましくは、磁気記録媒体の記録材料は、垂直磁気記録媒体に応用される。本発明は、添加物CuOを含むスパッタリングターゲットを提供し、以下の利点及び改良点を伴う、磁気記録媒体の記録材料を形成することに応用される。酸化物粒界の厚さが低減され、それはスパッタリングターゲット中の酸化物量の減少に起因し、それを使用するスパッタリングプロセスの更なる安定化が可能になる。更に、1単位面積当たりの磁性粒子の容積が比較的増大し、より良好な熱安定性及び記録媒体全体の高い記録密度がもたらされる結果となる。好ましい実施形態の以下の説明では、本発明の一部を形成し、本発明を実施することができる特定の実施形態を例示する目的で示される添付の図面が参照される。他の実施形態を使用してもよく、本発明の範囲から逸脱せずに改変をなすことができることが理解されるべきである。図4は、CuOを含有するスパッタリングターゲットから得られた本発明の記録層の構造を例示する。本発明による磁気記録媒体の記録材料は、CoPt又はCoCrPt又はCoCrPtBに基づく合金及び酸化物組合せから本質的になり、該酸化物組合せは、酸化銅CuOと、二酸化チタンTiO2、酸化クロムCr2O3、酸化タンタルTa2O5、酸化ニオブNb2O5、酸化イットリウムY2O3、酸化ジルコニウムZrO2、及び酸化ハフニウムHfO2からなる群から選択される少なくとも1つの酸化物とを含む。磁気記録媒体の記録材料は、スパッタリングプロセスにおいて、本発明によるスパッタリングターゲットを使用することにより準備される。該スパッタリングターゲットは、CoPt又はCoCrPt又はCoCrPtBに基づく合金及び酸化物組合せから本質的になり、該酸化物組合せは、酸化銅CuOと、二酸化チタンTiO2、酸化クロムCr2O3、酸化タンタルTa2O5、酸化ニオブNb2O5、酸化イットリウムY2O3、酸化ジルコニウムZrO2、及び酸化ハフニウムHfO2からなる群から選択される少なくとも1つの酸化物とを含む。該スパッタリングターゲットは、以下のステップにより準備される:前述のようにCoPt、CoCrPt、又はCoCrPtBに基づく合金の原料を混合することにより前合金を形成するステップ、前合金を加工して前合金粉末を生成するステップ、上述のように前合金粉末を酸化物組合せと混合して、その代わりに前合金粉末を追加的な元素と混合して、又はその代わりに前合金粉末を前合金粉末及び酸化物組合せの混合物と混合して、粉末混合物を形成するステップ、及び粉末混合物を焼結して、スパッタリングターゲットを形成するステップ。好ましい実施形態では、スパッタリングターゲットの酸化物組合せは、酸化ケイ素を更に含む。本発明による磁気記録媒体の記録材料は、スパッタリングターゲットを表面にスパッタリングすることにより形成される。磁気記録媒体の記録材料は、ハードディスクの記録層に応用される。磁気記録媒体の記録材料は、従来のスパッタリング法により形成され、従来のスパッタリング法には、これらに限定されないが、イオンビームスパッタリング法、及びプラズマスパッタリング蒸着法などが含まれる。本発明の好ましい実施形態では、記録材料は以下のステップにより得られる:垂直磁気記録媒体にみられるような接着層、軟裏打ち層、シード層、中間層を含む堆積層を有する基板ガラス又はアルミニウムなどを準備するステップ、及びチャンバー内のアルゴンArガス下で、スパッタリングターゲットを中間層に直接スパッタリングして、記録層を形成するステップ。記録材料、つまり薄膜を、基板の表面にCuO含有ターゲット又は非CuO含有ターゲットをスパッタリングすることにより形成し、その後、振動試料型磁力計VSMにかけて、スパッターターゲットから形成された薄膜の保磁力Hc及び核生成磁場Hnの値を測定し、交換減結合の正規化値[Hc-Hn/Hc]を適宜算出した。表lに示されているように、CuOを含有するスパッタリングターゲットから形成された薄膜では、SiO2は、より平滑な表面を有する緊密な粒界層を形成するためのガラス形成剤として機能し、TiO2及びCr2O3などの酸化物は、CuOに結合する傾向を有する。このように、酸化物粒界層におけるCoの濃度は低減されており、したがって、磁性粒子の効果的な絶縁が得られる。表1に示されているように、CuOの存在下で同じ原子の酸化ケイ素SiO2、二酸化チタンTiO2、及び酸化クロムCr2O3を含有するスパッタリングターゲットから形成された薄膜は、より高い正規化交換減結合値[Hc-Hn/Hc]を示し、それは、スパッターターゲットにCuOを添加することにより、磁性交換結合が実際に分断されることを示す。上記で引用された文献で言及されているように、記録層における酸化物粒界の厚さは、効果的な磁性減結合を達成するためには、1nmを超えていなければならない。本発明は、上記で言及された問題を解決するためのスパッタリングターゲットを提供し、該スパッタリングターゲットは、以下を特徴とする:1元素及びそれらの酸化物が、X、X-O、及びX-A-Oとして準備され、元素及びそれらの酸化物は、実質的にCo不溶性であるか又はCoとの化合物を容易に形成せず、Xは元素Co又はPtに属しておらず、好ましくは、XはCuであり、Aは、Ti、Cr、Ta、Nb、Y、Zr、及びHfからなる群から選択される元素であること、2X-A-Oのギブズ自由エネルギーは、Co-A-Oのギブズ自由エネルギーより低く、それによりX-A-Oが容易に成形され、その後の手順に有益であるCo-A-Oの安定性より高い安定性が得られること、3X-A-Oは、常磁性又は反磁性のいずれかであり、つまり非強磁性であり、記録層の酸化物G.B.での磁性減結合及び絶縁を容易し、したがって信号雑音比の増強が、過剰な酸化物を使用せずに得られること。表2は、新しい酸化物化合物を形成するための表示酸化物間の反応性を実証する。Co中に溶解された元素Cu、Ag、及びAuの量は少なく、Cu-Oのみが、より容易にA-Oとの化合物を形成する。Ag-O及びAu-Oはいずれも、A-Oとの安定化合物を形成することができない。その結果、元々のCoPt酸化物に添加してその後の手順を容易にするために、Cu-Oが選択される。A-OはCuOに結合する傾向があるため、酸化物G.B.のCo濃度が低減され、記録層の磁性粒子の良好な絶縁が得られた。本発明は,以下の態様に基づく。Cu-Ti-O、Cu-Ta-O、Cu-Cr-O、Cu-Nb-O、及びCu-Y-Oなどの銅に基づく酸化物のギブズ自由エネルギーは、Co-Ti-O、Co-Ta-O、Co-Cr-O、Co-Nb-O、及びCo-Y-Oなどのコバルトに基づく酸化物のギブズ自由エネルギーより低い。銅に基づく酸化物は、常磁性又は反磁性である。したがって、本発明は、CoPt-CuO-TiO2、CoPt-CuO-Ta2O5、CoPt-CuO-Nb2O5、CoPt-CuO-Cr2O3、又はCoPt-CuO-Y2O3の形態でスパッタリングターゲットにCuOを添加し、本発明による磁気記録媒体の記録材料を生産することを特徴とする。表2に示されているように、Cr又はB原子を更に含むCoptに基づく合金を有するスパッタリングターゲットも提供され、それは、Coptに基づく合金、CoCrPtに基づく合金、又はCoCrPtBに基づく合金、及び酸化銅Cu0と、二酸化チタンTiO2、酸化クロムCr2O3、酸化タンタルTa2O5、酸化ニオブNb2O5、酸化イットリウムY2O3、酸化ジルコニウムZrO2、及び酸化ハフニウムHfO2からなる群から選択される少なくとも1つの酸化物とを含む酸化物組合せからなるスパッタリングターゲットだった。図4に示されているように、上記で言及したようにCuOを含有するスパッタリングターゲット中のCu原子は、Co原子を磁性粒子へと遠ざけるか、又はCo原子がA-Oとの化合物を形成するのを防止する。したがって、薄膜の酸化物粒界における酸化物の磁性減結合及び絶縁が非常に容易となり、それにより、磁気記録媒体の記録材料の信号雑音比は、過度な酸化物を用いずに増強される。したがって、本発明によるスパッタリングターゲットには、本発明による磁気記録媒体の記録材料を形成するために、スパッタリングプロセスにおいてCuOが使用され、以下の利点及び改良点を伴なっている。酸化物粒界の厚さが低減されており、スパッタリングターゲット中の酸化物の量が低減されていることが示唆され、その結果、それを使用するスパッタリングプロセスは、従来プロセスより安定化する。更に、1単位面積当たりの磁性粒子の容積が比較的増大し、したがって、より良好な熱安定性及び高い記録密度が得られる。たとえ、本発明の多数の特徴及び利点が、本発明の構造及び機能の詳細と共に前述の説明で示されているとしても、本開示は例示に過ぎず、詳細に関する、特に形状、大きさ、及び部品の配置に関する変更は、添付の特許請求の範囲に表されている、用語の幅広い一般的な意味により示される完全な範囲まで本発明の原理内でなすことができる。"