導電性または半導体材料Mの表面にレセプター分子Rを共有グラフトさせることによって、導電性または半導体材料Mを官能基化する方法であって、i材料Mの両側に配置したソース電極およびドレイン電極の端子間に、分子Rのグラフト反応に対して材料Mを熱活性化するのに十分な電位差を印加するステップ;ならびにiiこうして活性化された材料Mを、レセプター分子Rを含有する液体またはガス状の媒体に接するように置き、それによって、共有グラフトされたレセプター分子Rで官能基化された材料Mを得るステップを含む方法。材料Mが、半導体である、請求項1に記載の方法。半導体が、炭素、ケイ素、ゲルマニウム、亜鉛、ガリウム、インジウム、もしくはカドミウムベースの材料、または有機半導体である、請求項2に記載の方法。半導体が、ケイ素ベースである、請求項3に記載の方法。材料Mが、シリコンナノワイヤまたはナノシートを含む、請求項4に記載の方法。材料Mが、炭素ベースである、請求項3に記載の方法。材料Mが、カーボンナノチューブまたはシートを含む、請求項6に記載の方法。レセプター分子Rが、-C≡C-または-HC=CH-基を含む、請求項4に記載の方法。レセプター分子が、エチニルフェロセンまたは4-エチニルタビノールから選択される、請求項8に記載の方法。レセプター分子が、ジアゾニウム塩、トリアゼン、またはジエンを含む、請求項6または7に記載の方法。レセプター分子が、ジアゾニウムフェロセンまたは4-ジアゾベンジルタビノールから選択される、請求項10に記載の方法。請求項1から11に記載の方法を使用して得られるレセプター官能基Rをグラフトさせることによって官能基化された導電性または半導体材料M。導電性または半導体材料Mによって隔離されたドレイン電極およびソース電極を含む化学センサであって、材料Mが請求項12に記載の材料である、化学センサ。今回、新規な方法を開発したことにより、導電性または半導体材料の表面を、ナノスケールで選択的に官能基化することが可能になった。より正確には、この方法は、ジュール加熱によって局在的に生成される熱エネルギーを使用して、導電性または半導体材料を化学反応に対して活性化させる。したがって、シリコンナノワイヤなどの半導体材料の両側に配置した2個の電極端子に電位差を印加したとき、電気エネルギーの一部は、ジュール加熱によって熱エネルギーに変換される。次いで、グラフトされるレセプター分子を含有する溶液またはガスを局在的に加熱して、ナノワイヤを抵抗器に変換する。有利なことに、この方法により、電気的に、したがって熱的に活性化されたナノワイヤしかレセプター分子によって官能基化されないという点で非常に選択的な表面官能基化が可能になる。さらに、この容易に実施される方法は、少数のステップで行うことができる。したがって、この方法は、選択的に官能基化される材料上にポリマーフィルムを事前付着させる必要は特にない。さらに、この方法は、容易に工業規模に拡大することができる。したがって、本発明の第1の主題は、導電性または半導体材料Mの表面にレセプター分子Rを共有グラフトさせることによって、導電性または半導体材料Mを官能基化する方法であって、前記方法が、次のステップ:i材料Mの両側に配置したソース電極およびドレイン電極の端子間に、分子Rのグラフト反応に対して材料Mを熱活性化するのに十分な電位差を印加するステップ;ならびにiiこうして活性化された材料Mを、レセプター分子Rを含有する液体またはガス状の媒体に接するように置き、それによって、共有グラフトされたレセプター分子Rで官能基化された材料Mを得るステップを含む方法に関する。導電性または半導体材料M一態様によれば、材料Mは、ナノ材料、すなわち、少なくとも1つのナノスケールな形態的特徴を有する材料、すなわち、材料の一次元が100nm未満のものである。典型的なナノ材料として、ナノワイヤ、ナノシート、またはナノチューブ、具体的には、シリコンナノワイヤおよびカーボンナノチューブを挙げることができる。材料Mは、導電性材料でも半導体材料でもよい。好ましい一態様によれば、材料Mは、半導体、特に、炭素、ケイ素、ゲルマニウム、亜鉛、ガリウム、インジウム、もしくはカドミウムベースの材料、または有機半導体である。好ましい一態様によれば、半導体は、ケイ素ベースの材料、特に、1種もしくは複数のシリコンナノワイヤもしくはナノシートを含む、またはそれから形成されている材料、あるいは炭素ベースの材料、特に、カーボンナノチューブもしくはカーボンシートを含む、またはそれから形成されている材料である。好ましくは、材料Mは、その材料の総質量に対してシリコンを少なくとも30wt、好ましくは少なくとも50wt、より好ましくは75wt含む材料である。より好ましくは、半導体材料は、SOIシリコンオンインシュレータ表面にエッチングされたもう1つのシリコンナノワイヤから形成されている。特に好ましい一実施形態によれば、材料Mは、いくつかの他のシリコンナノワイヤを含有するマトリクス中にあるシリコンナノワイヤである。有利なことに、本発明の方法は、様々なシリコンナノワイヤを区別し、これらのナノワイヤの1本または複数を選択的に官能基化することを可能にする。有機半導体の場合、材料Mは、オリゴマー、ポリマー、または小分子の有機半導体とすることができる。例えば、それらは、チオフェンおよびその誘導体、好ましくは、P3HTポリ3-ヘキシルチオフェン;ポリピロールおよびその誘導体;アリールアミンおよびその誘導体、好ましくは、PTAポリトリアリールアミン;イソクロマノンおよびその誘導体;ポルフィリンなどの複素環大環状物;またはフタロシアニンおよびその誘導体などの複素環芳香族化合物とすることができる。有機半導体材料はまた、多環式芳香族アセンおよびその誘導体、好ましくは、アントラセンもしくはペンタセン;アリーレンおよびその誘導体、例えば、ペリレン、ポリパラフェニレン、ポリp-フェニレンビニレン、もしくはポリフルオレン;またはポリシランおよびその誘導体とすることができる。レセプター分子のグラフト反応ここで使用する表現レセプター分子は、標的分子、例えば、生物学的分子または分析物と相互作用することができる分子を意味すると理解されたい。レセプター分子は、特に、検出される標的分子を確実に認識することができる部分Aと、材料Mが活性化されたときに材料Mの表面と共有結合することができる反応性官能基Xとを含むことができる。特異的認識を確実にする部分Aは、特に、ポリヌクレオチド、ポリペプチド、アプタマー、生物学的なレセプターまたはリガンドを含むことができる。表現分子Rのグラフト反応に対して材料Mを熱活性化するのに十分な電位差は、ここでは、ジュール加熱によって生成された熱エネルギーが、材料Mを、材料M上に分子Rをグラフトさせる反応を活性化させるのに十分高い温度Tに加熱することを意味すると理解されたい。ステップiiでは、この電位差は、ステップiで活性化させた材料Mを、レセプター分子Rを含有する媒体と、前記活性化温度T以上の温度において接触させるように維持される。前記電位差を印加することによって材料Mを活性化させるステップiは、ステップii、すなわち、レセプター分子Rを含有する媒体との接触の前、後、または同時に行うことができる。好ましくは、材料Mを、レセプター分子Rを含有する液体媒体、特に、メシチレンなどの有機溶媒におけるRの溶液と接触させる。材料Mがケイ素ベースの場合、グラフト反応は、特に、ヒドロシリル化、すなわち、ヒドロシランSi-H官能基を、不飽和の有機官能基X、具体的には、エチレンC=C二重結合またはアセチレンC≡C三重結合官能基を含むレセプター分子に加える反応である。次いで、グラフト反応は、一般に、材料Mとレセプター分子との間で形成されているSi-C共有結合をもたらす。材料Mが200°C超の温度に局所的に達したとき、ヒドロシリル化は特に活性化され得る。好ましくは、材料がシリコンナノワイヤをベースとする場合、電位差の絶対値は、2~10V、特に約5Vである。好ましい一変形によれば、レセプター分子Rは、-C≡C-および-HC=CH-基から選択される基X、好ましくは、Ar-C≡C-基ArはC5~C10アリールを表すを含む。レセプター分子は、好ましくは、エチニルフェロセンおよび4-エチニルタビノールethynyltabinolから選択される。別の一変形によれば、レセプター分子は、ジアゾニウム塩、トリアゼン、またはジエンを含む。この状況では、レセプター分子は、好ましくは、ジアゾニウムフェロセンまたは4-ジアゾベンジルタビノールdiazobenzyltabinolから選択される。これは、4-エチニルタビノールが有機リン化合物の特異的なレセプターだからである。このレセプター分子を有機リン化合物に触れさせると、第一級アルコールと有機リン化合物との間の反応によって形成される不安定な中間体のリン酸エステルが生じる。中間体リン酸エステルの第三級アミンによる求核置換、および第四級アンモニウムの形成を経て、分子内環化が続く。環化反応中に塩が形成され、その結果、分離された電荷陽イオンおよび陰イオンが生じる。アンモニウム官能基の生成を介した電荷の発生によって、分子の静電環境を急激に変えることが可能になる。したがって、レセプター分子が半導体材料上にグラフトされている電気的デバイスの抵抗、導電率、または相互導電率における変化を分析して、局在的な静電環境の変化を視覚化することによって、有機リン化合物の存在が実証される。有機リン化合物とレセプター分子との間の反応によって生成された少なくとも1種の電荷の存在が、この電気的デバイスを使用して検出される。こうしたデバイスは、特に、2010年2月5日出願の仏国特許出願公開第2934685号に記載されている。第2の主題によれば、本発明は、本発明の方法を使用して得られるレセプター官能基Rをグラフトさせることによって官能基化された導電性または半導体材料Mに関する。第3の態様によれば、本発明は、導電性または半導体材料Mによって隔離されたドレイン電極およびソース電極を含む電気的デバイス化学センサに関するものであり、材料Mは、本発明の方法を使用して得られる材料である。材料Mの表面にグラフトさせたレセプター分子が標的分子と相互作用すると、電気的信号が変化する。この変化は、導電率、電流、相互導電率、静電容量、閾電圧、またはその組合せにおける変化であり得る。電気的デバイスは、抵抗デバイスでも、あるいは電界効果トランジスタ型デバイスでもよい。例えば、電気的デバイスが抵抗デバイスである場合、ソース電極とドレイン電極との間の電流の変化が検出され、必要に応じて測定される。例を挙げると、4-エチニルタビノールをグラフトさせることによって官能基化された材料Mの場合、ソース電極とドレイン電極との間に印加した所与および周知の電圧において、レセプター分子が有機リン化合物と接触したとき、レセプター分子の環化中に正電荷が生成して、電流の変化が引き起こされる。この電流変化は、導電率変化をもたらす。電気的デバイスがトランジスタ型である場合、半導体部分は、誘電性半導体材料から形成され、さらにゲートを含む。この場合も同様に、例えば、ソース電極とドレイン電極との間に印加した所与および周知の電圧において、トランジスタを通過する電流の変化が検出され、必要に応じて測定される。次いで、電流はゲートの電圧の関数なので、これから、トランジスタの相互導電率を算出することが可能になる。両方の場合において、導電率の変化または相互導電率の変化は、検出される化合物が存在しているという証拠であり、それらの濃度に比例している。定義用語ナノワイヤまたはナノチューブは、100nm未満、特に20~50nmの直径を有するワイヤまたはチューブをそれぞれ意味すると理解されたい。用語ナノシートは、100nm未満、特に20~70nmの厚さを有するシートを意味すると理解されたい。他の2つの次元は、比が2超である。表現導電性材料conductivematerialは、導電性材料electricallyconductivematerial、すなわち、1個または複数の可動電荷を含有する材料を意味すると理解されたい。好ましくは、導電性材料は、その加熱が使用されるのに十分高い抵抗を有する。より好ましくは、導電性材料の抵抗は、1000Ω以上である。表現半導体材料は、金属の導電率と絶縁体の導電率との間にある導電率を有する材料を意味すると理解されたい。[実施例1]シリコンナノシートの選択的官能基化シリコンナノシートの製造シリコンナノワイヤは、SOIシリコンオンインシュレータウエハを使用して作製した。SOIウエハは、厚さ140nmの埋込み酸化物上に厚さ70nmのホウ素ドープ1015atcm-3単結晶シリコンの層を備えていた。Siワイヤは、電子ビームリソグラフィーおよびRIE反応性イオンエッチングを使用して製造した。厚さ45nmの薄層のネガ型レジストHSQFOX12を、清浄かつ脱酸素済みのSOIウエハ上にスピンコーティングした。電子ビームへの曝露後、基板を25水酸化テトラメチルアンモニウムTMAOH水溶液中に1分間浸漬させて、レジストを現像した。反応性イオンエッチングRIEの後、15sccmのSF6/10sccmのN2/10sccmのO2プラズマOxfordInstrumentsPlasmalabシステムにおいて、10mT、50W、80秒を使用して、ソースおよびドレインコンタクトに関して、30μm×30μmのシリコンの正方形パッドに接続された様々な長さおよび幅4×4μm、4×1μm、2×1μm、および2×0.2μmのナノシートを得た。最後に、化学エッチング法HF1、1分によって、HSQレジストを除去した。このステップにより、曝露済みSiO2の厚さが134nmに減じた。電子ビームリソグラフィー、ならびに厚さがそれぞれ610nmおよび60nmの2つのスパンコーティング済みのレジスト層10EL-17.5MMAコポリマーおよび3495KPMMAを使用して、大きな100μm×100μm金属コンタクトを30μm×30μmのシリコンパッド上に画定した。電子ビームへの曝露後、レジストを、1/3がメチルイソブチルケトンMIBK、2/3がイソプロパノールの溶液において60秒間現像した。次いで、真空用電子ビームエバポレータを使用して、金属層チタン10nmおよび金100nmを付着させた。次いで、リフトオフ工程をアセトン浴中で行った。エチニルフェロセンを使用するナノシートの選択的官能基化ナノシートのソース電極とドレイン電極との間に電位5Vを印加した。次いで、デバイスをエチニルフェロセン10mMのメシチレン溶液に浸漬させた。電極の隔離に応じて、印加した電圧は、2~10Vであった。メシチレンおよびジクロロメタン中で濯いだ後、AugerのXPSおよびIR分光法を使用した分析により、接続しているナノシートだけが官能基化されたことが示された。有機リンガスに特異的なレセプターによるナノシートの選択的官能基化ナノシートのソース電極とドレイン電極との間に電位5Vを印加し、デバイスを4-エチニルタビノール1mM上記構造のメシチレン溶液に浸漬させた。メシチレンおよびジクロロメタン中で濯いだ後、AugerのXPSおよびIR分光法を使用した分析により、接続しているナノシートだけが官能基化されたことが示された。