"光電子デバイス用のインターコネクトであって、内面、外面、第1端及び第2端を備えるインターコネクト本体と、前記第1端と前記第2端との間で、前記インターコネクト本体の前記内面に結合された複数のボンドパッドと、前記インターコネクト本体に形成された応力緩和構造と、を備え、前記応力緩和構造は複数のT形スロットを有し、前記複数のT形スロットのそれぞれは前記複数のボンドパッドの対応する1つとほぼ並ぶように配置され、前記複数のT形スロットのそれぞれの垂直部分は前記複数のボンドパッドの前記対応する1つに対して近位であり、前記複数のT形スロットのそれぞれの水平部分は前記複数のボンドパッドの前記対応する1つに対して遠位である、インターコネクト。前記応力緩和構造は、前記第1端と前記第2端とのほぼ中間の位置に細長いスロットを更に備え、前記細いスロットは前記インターコネクト本体の前記内面に開口部を有し、前記細いスロットは前記インターコネクト本体内に延在するが前記外面を貫通していない、請求項1に記載のインターコネクト。前記応力緩和構造は、前記第1端に対して近位であり前記第2端に対して遠位である場所に配置された第1の細いスロットと、前記第1の細いスロットと前記第1端との間に配置された第2の細いスロットとを有し、前記第1の細いスロットは、前記インターコネクト本体の前記外面に開口部を備え、前記インターコネクト本体内に延在するが、前記内面を貫通せず、前記第2の細いスロットは、前記内面と外面との間であって前記内面及び外面に対して直交するように配置され、前記内面及び外面の何れに対しても開口しておらず、且つ、前記第2の細いスロットは前記複数のT形スロットのうち最も外側に位置するT形スロットの水平部分と結合されている、請求項1又は2に記載のインターコネクト。前記応力緩和構造は、前記複数のボンドパッドのうちの1つが前記インターコネクト本体の前記内面に結合されている場所又はその近くに垂直ジョグを更に備える、請求項1から3の何れか一項に記載のインターコネクト。前記応力緩和構造は、前記第1端と前記第2端との間のほぼ中間の位置に配置された第1の細いスロットと、前記第1端に対して近位であり前記第2端に対して遠位の位置に配置された第2の細いスロットと、前記第2の細いスロットと前記第1端との間に配置された第3の細いスロットと、前記複数のボンドパッドのうちの1つが前記インターコネクト本体の前記内面と結合されている場所又はその近くの垂直ジョグとを更に有し、前記第1の細いスロットは、前記インターコネクト本体の前記内面に開口部を備え、前記インターコネクト本体内に延在するが前記外面を貫通せず、前記第2の細いスロットは、前記インターコネクト本体の前記外面に開口部を備え、前記インターコネクト本体内に延在するが、前記内面を貫通せず、前記第3の細いスロットは、前記内面と外面との間であって前記内面及び外面に対して直交するように配置され、前記内面及び外面のいずれに対しても開口しておらず、且つ、前記複数のT形スロットのうち最も外側に位置するT形スロットの水平部分と結合されている、請求項1又は2に記載のインターコネクト。光電子デバイス用のインターコネクトであって、内面、外面、第1端及び第2端を備えるインターコネクト本体と、前記第1端と前記第2端との間で、前記インターコネクト本体の前記内面と結合された複数のボンドパッドと、前記インターコネクト本体に形成された構造とを備え、前記構造は、前記インターコネクト本体の前記第1端にある第1L形延長部と、前記インターコネクト本体の前記第2端にある第2L形延長部とを備え、前記第1L形延長部及び前記第2L形延長部のそれぞれの水平基部は、前記インターコネクト本体の前記内面に対して近位であり、前記インターコネクト本体の前記外面に対して遠位にある、インターコネクト。前記第1端と前記第2端との間のほぼ中間の位置に細いスロットを有する応力緩和構造を更に備え、前記細いスロットは、前記インターコネクト本体の前記内面に開口部を有し、前記インターコネクト本体内に延在するが前記外面を貫通しない請求項6に記載のインターコネクト。前記複数のボンドパッドのうちの1つが、前記インターコネクト本体の前記内面と結合されている場所又はその近くに垂直ジョグを更に備える応力緩和構造を更に備える、請求項6に記載のインターコネクト。光電子デバイス用のインターコネクトであって、内面、外面、第1端及び第2端を備えるインターコネクト本体と、前記第1端と前記第2端との間で前記インターコネクト本体の前記内面と結合された複数のボンドパッドと、前記インターコネクト本体に形成された応力緩和構造と、前記インターコネクト本体の前記第1端にある第1L形延長部と、前記インターコネクト本体の前記第2端にある第2L形延長部とを備え、前記応力緩和構造は、複数のT形スロットを有し、前記複数のT形スロットのそれぞれは、前記複数のボンドパッドの対応する1つとほぼ並ぶように配置され、前記複数のT形スロットのそれぞれの垂直部分は、前記複数のボンドパッドの前記対応する1つに対して近位であり、前記複数のT形スロットのそれぞれの水平部分は、前記複数のボンドパッドの前記対応する1つに対して遠位であり、前記第1L形延長部及び前記第2L形延長部のそれぞれの水平基部は、前記インターコネクト本体の前記内面に対して近位であり、且つ、前記インターコネクト本体の前記外面に対して遠位にある、インターコネクト。前記応力緩和構造が、前記第1端と前記第2端との間のほぼ中間に配置された第1の細いスロットと、前記第1端に対して近位であり前記第2端に対して遠位である場所に配置された第2の細いスロットと、前記第2の細いスロットと前記第1端との間に配置された第3の細いスロットと、前記インターコネクト本体の前記内面に前記複数のボンドパッドのうちの1つが結合されている場所又はその近くの垂直ジョグとを更に有し、前記第1の細いスロットは、前記インターコネクト本体の前記内面に開口部を備え、前記インターコネクト本体内に延在するが、前記外面を貫通せず、前記第2の細いスロットは、前記インターコネクト本体の前記外面に開口部を備え、前記インターコネクト本体内に延在するが、前記内面を貫通せず、前記第3の細いスロットは、前記内面と前記外面との間であって前記内面及び前記外面に対して直交するように配置され、前記内面及び前記外面のいずれに対しても開口しておらず、且つ、前記複数のT形スロットのうち最も外側に位置するT形スロットの水平部分に結合されている、請求項9に記載のインターコネクト。光電子デバイス用インターコネクトについて本明細書に記載する。以下の記載において、本発明の実施形態の全体的な理解をもたらすために、インターコネクトにおける応力緩和構造の具体的な配列など、多数の具体的な詳細が記載される。これらの特定の詳細を使用することなく、本発明の実施形態を実践することができる点が、当業者には明らかとなるであろう。他の例では、本発明の実施形態を無駄に不明瞭にしないように、積層技術などの周知の製造技術については詳細に説明されない。更には、図に示される様々な実施形態は、例示的な表示であって、必ずしも一定のスケールで描写されるものではないことを理解するべきである。本明細書は、光電子デバイス用インターコネクトについて開示する。一実施形態では、光電子デバイス用インターコネクトは、内面、外面、第1端及び第2端を含むインターコネクト本体を含む。インターコネクトはまた、第1端と第2端との間でインターコネクト本体の内面と結合された複数のボンドパッドも含む。インターコネクトはまた、インターコネクト本体に形成された応力緩和構造も含み、応力緩和構造は複数のT形スロットを有し、複数のT形スロットのそれぞれは複数のボンドパッドの対応する1つとほぼ並ぶように配置され、複数のT形スロットのそれぞれの垂直部分は複数のボンドパッドの対応する1つに対して近位であり、複数のT形スロットのそれぞれの水平部分は複数のボンドパッドの対応する1つに対して遠位である。一実施形態では、光電子デバイス用インターコネクトは、内面、外面、第1端及び第2端を含む。インターコネクトはまた、第1端と第2端との間でインターコネクト本体の内面と結合される複数のボンドパッドも含む。インターコネクトはまた、インターコネクト本体に形成された構造も含み、この構造はインターコネクト本体の第1端にある第1のL形延長部と、インターコネクト本体の第2端にある第2のL形延長部と、を有し、第1及び第2のL形延長部のそれぞれの水平基部は、インターコネクト本体の内面に対して近位であり、外面に対して遠位にある。本発明の一実施形態によると、1つ以上の応力緩和構造又はL形構造を伴うインターコネクトを用いて、太陽光発電システムの信頼性を改善し、かつセルのはんだ接合部、セルのインターコネクト及び積層内バイパスダイオードにおける応力レベルの低減を可能にする。一実施形態では、インターコネクトと接合され、光起電積層体の内部に封入される構成要素における応力レベルは低減される。実施形態では、本明細書に記載のインターコネクトの設計は、その新設計のおかげで熱膨張係数が大きく、低温に曝されたカプセル材料の硬さが急速に増すため、従来のインターコネクト設計と比較して改善されている。実施形態では、インターコネクトの設計に組み込まれた応力緩和構造は、そのインターコネクトに取り付けられた全ての構成要素に対処する。例えば、セルのインターコネクトの内部に組み込まれた一連の異なる構造体を使用して、それぞれの構成要素が取り付けられた場所の応力を低減すること、及び、一連のインターコネクトに沿って生じる応力を低減することができる。一実施形態では、応力緩和構造は、関連付けられた太陽光発電システムの大きな温度変化により構成要素が歪む方向における運動の自由を可能にするように設計される。カプセル材料は、典型的には、それらの低弾性率により光起電PV積層体における応力を低減することが期待され得る。しかし、本発明の実施形態によると、屋外の極限条件又は暖房のない航空機格納室の条件に近い極めて低い温度では、カプセル材料がそのガラス転移温度に近づく場合がある。ガラス転移温度では、弾性率は3倍にも増加し得る。このとき、カプセル材料は、同じく非常に大きい熱膨張係数を有するそのパッケージ内で応力ドライバーになる。したがって、実施形態では、低温のために硬化して収縮するカプセル材料の影響を低減するように応力緩和構造が利用され設計される。積層体である太陽光発電システムの信頼できる動作に関する一般的な課題は、温度変化の間に生じる熱応力を最小限にすることであり得る。本発明の実施形態によるそのような積層体太陽光発電システムの例は、図1A及び1Bに記載されている。断面図である図1A及び平面図である図1Bを参照すると、典型的な積層体太陽電池パッケージ100は、ガラスの上層108と可撓性ポリマーバックシート110との間のポリマー層106内に封入された、金属インターコネクト104によって接合された半導体太陽電池102の配列を含む。システム性能を改善するために、セルのインターコネクト104間のバイパスダイオード112及びヒートシンク114もまた熱接着剤116を介して図1A及び1Bに図示されているように組み込むことができる。また、本明細書で企図される積層体太陽電池パッケージは、2010年7月27日付で出願されたOptoelectronicDevicewithBypassDiodeと題するSunPowerCorporationに与えられた米国特許出願第12/844,594号に記載されているような太陽電池パッケージであり、この特許出願の全内容は参照することにより本明細書に組み込まれる。典型的には、光起電の設計者は熱サイクル中の主要な応力ドライバーとして、ガラス、銅のインターコネクト及びシリコン電池の熱膨張の不一致に焦点を当て、応力緩和構造として柔らかいポリマーカプセル材料に依存することができる。しかし、実施形態では、極端な低温でカプセル材料がそのガラス転移温度に近づくことがしばしばあり、剛性係数が2倍以上も増加する場合がある。剛性の急速な変化に加えて、ポリマーカプセル材料はガラス及び金属と比較して数倍も大きい、比較的高い熱膨張係数を有する場合がある。これらの条件に置かれている間に、典型的に柔らかいカプセル材料がパッケージ内で主要な応力ドライバーになる場合がある。極端な低温は、屋外環境において、及び暖房のない航空機格納室での輸送中に、一夜にして生じることがしばしばある。したがって、本発明の実施形態によると、最初の認定及びより優れた信頼性のために、例えば主にバイパスダイオードとセルなど共に結合された構成要素にかかる応力を低減することが可能なインターコネクトの設計であることは、非常に重要である。熱応力に加えて、バイパスモードで動作中のダイオードの熱による不良を防ぐために、バイパスダイオードと、積層パッケージの背面に取り付けられたヒートシンクとの間の熱的結合を最大限にする必要もある。本発明の一態様では、低温及び全ての中間的範囲でカプセル材料によって誘導される応力は、連結されたそれぞれの構成要素にいくつかの応力緩和構造を組み込むことによって、及びダイオードの付着点近くのヒートシンクの下の領域まで追加的な熱拡散表面を延長することによって、低減される。例えば、図2は、本発明の実施形態による光電子デバイス用インターコネクトの平面図を例示する。図2を参照すると、インターコネクト200は、内面204と、外面206と、第1端208と、第2端210とを有するインターコネクト本体202を含む。複数のボンドパッド212は、第1端208と第2端210との間で、インターコネクト本体202の内面204と結合される。実施形態では、下記に詳述するように、インターコネクト本体202には1つ以上の応力緩和構造が形成される。再び図2を参照すると、本発明の実施形態によれば、インターコネクト200の応力緩和構造は、第1端208と第2端210とのほぼ中間の位置に位置付けられた細いスロットC1である。細いスロットC1は、インターコネクト本体202の内面204に開口部を備え、インターコネクト本体202内に延在するが外面206を貫通していない。一実施形態では、構造C1は、インターコネクト200の中央に切り込まれた細いスロットであり、固く連結された2つのセル例えば図2に部分的に描かれているセル250及び252が回転して効果的なV形を形成した場合に図2のC1の下の矢印を参照、中間平面でインターコネクトが屈曲することを可能にする。図1Bに描かれているようにセルの直線配列の下にインターコネクトは周期的に配置されるので、そのような回転はよくあり得る。一実施形態では、C1の長さは、予測されるセルの変位と、インターコネクト及びセルと結合されたボンドパッドにおける最大許容応力とに基づいて決定される。特定の実施形態では、構造C1は、12ミリメートル幅のインターコネクトでは典型的に約7ミリメートルである。しかし、C1の長さが長すぎると、電流の流れが制限され、過剰抵抗損が付加され得る。一実施形態では、C1の幅は、パンチ動作又は鍛造動作に関連付けられる製造許容範囲と、細いスロットの先端で応力を低減する必要とに基づいて決定される。特定の実施形態では、構造C1の典型的な幅は約0.5~1ミリメートルの範囲であり、応力の集中を低減するために先端は完全な半円に丸められる。小さい幅もまたオームのボトルネックの長さを制限する場合があり、一連のセルの全ての光電流を伝導する場合がある。再び図2を参照すると、本発明の実施形態によれば、インターコネクト200の応力緩和構造は複数のT形スロットC2であり、T形スロットC2のそれぞれは、複数のボンドパッド212の対応する1つとほぼ並ぶように配置される。T形スロットC2のそれぞれの垂直部分220は、複数のボンドパッド212の対応する1つに対して近位であり、T形のスロットC2のそれぞれの水平部分222は複数のボンドパッド212の対応する1つに対して遠位である。一実施形態では、構造C2はインターコネクト200のT形スロットであり、セル例えばセル250又は252に対するインターコネクト200の回転及び正常な変位の両方を可能にする。極端な低温では、カプセル材料はそのガラス転移温度に近づき、その高い熱膨張係数のために、応力ドライバーとして作用する場合がある。驚くべきことに、この条件で、カプセル材料はインターコネクトを引いてセルに近づけることができる。一実施形態では、構造C2は、このようにインターコネクト200がセルに向かって小さく変形することを可能にして、カプセル材料における歪みを緩和し、セルとインターコネクトとの接合部分での応力を制限することができる。特定の実施形態では、セルへの3つの連結のそれぞれ例えば、セル252に作られたインターコネクト200の右側の3つの連結は、その一列において伝導される累積光電流の約3分の1をもたらす。これらの連結の間及び下で、電流はC2構造の下のインターコネクト200のより幅の広い部分において実質的に流れることができる。そのため、特定の実施形態では、そのような構造に付随するI2R損失は低い。再び図2を参照すると、本発明の実施形態によれば、インターコネクト200の応力緩和構造は、複数のボンドパッド212のうちの1つがインターコネクト本体202の内面と結合される場所の、又はその近くの、垂直ジョグC3である。図3は、垂直ジョグを特にわかりやすく示した、本発明の実施形態による光電子デバイス用インターコネクトの断面図を例示する。図3を参照すると、一実施形態で、構造C3はインターコネクト200内の垂直ジョグであり、インターコネクト200がカプセル材料390によって引かれてセル例えばセル252に近づいたときの応力を低減する平面外の機械的カップリングを作り出す。加えて、特定の実施形態では、そのより薄い領域はセル252とインターコネクト200との間の応力を更に低減するだけでなく、ヒートシンク392とセル252とインターコネクト200との間の垂直の高さの差も低減し、セル252及び関連付けられた周囲のダイオードからの熱抵抗を低減する。更に、実施形態では、図4を参照すると、はんだプリフォーム499をインターコネクト200のセルのボンドパッド212に追加することができる。一実施形態では、セルをインターコネクトにはんだ付けする間にはんだペーストを分配するのでなく、インターコネクト200に対してはんだパッドを予め処理しておくことによって、セルの配列の架線又は配線ははるかに高い処理能力を、はるかに厳しいプロセス管理とともに、発揮することができる。再び図2を参照すると、本発明の実施形態によれば、インターコネクト200の応力緩和構造はスロットD1の組み合わせである。D1は、インターコネクト200の第2端210に対して近位であり第1端208に対して遠位である場所に配置された第1の細いスロットを含む。第1の細いスロットはインターコネクト本体202の外面206に開口部を備え、インターコネクト本体202内に延在するが内面204を貫通していない。D1は、第1の細いスロットと第2端210との間に第2の細いスロットもまた含む。第2の細いスロットは内面204と外面206との間であってそれらのそれぞれに対して直交するように配置され、内面204及び外面206のいずれに対しても開口していない。更に、第2の細いスロットは、図2に示されるように、複数のT形スロットのうち最も外側に位置するT形スロットC2の水平部分と結合されている。一実施形態では、構造D1は、ダイオードパッケージへの応力を低減するため及びセルの配列の全長の下に生成し得る長い範囲の応力を低減するために、インターコネクト200の端208及び210が延長又は格納されることを可能にするように特別に設計される。特定の実施形態では、構造D1は、インターコネクト200の外端206からの直線スロット、及び各ボンドパッド212でT形スロットC2に追加された追加スロットの両方を含む。特定の実施形態では、構造D1は、はんだ工程又は結合工程組み立て作業中のダイオードとインターコネクト200との間の接合部の伸張もまた可能にする。はんだ工程で構造D1を伴わずにダイオードを取り付けると、はんだ工程温度から構成要素が冷却するにつれて応力が増す可能性がある。さもなければ、特定の実施形態では、いくつかのインターコネクトとダイオードとの長い架線では、そのような応力は相当なものとなり得るため、積層中のダイオードの早期不良及び公称の位置からのセルの変位に至ると考えられる。一実施形態では、セルの規格動作形態において、ダイオードを流れる電流はほぼゼロであるので、構造D1が回路に与える電気的衝撃は非常に少ない。セルの連結の配向は、インターコネクト200の最も外側の領域左端及び右端が、セルによって生成される累積光電流の約3分の1を伝導するように行われる。結果として、実施形態では、構造D1の近くのI2R損失は、ダイオードがバイパスモードでないときにも、より高い電流が常に流れるインターコネクト200の中央により近い場所にこの構造が置かれた場合と比較して、実質的に少ない。ダイオードがバイパスモードであるとき、架線の全ての光電流は構造D1を通ってかつその周囲を流れることができる。したがって、実施形態では、D1はより大きい電気損失源となる。しかし、これらの損失は、さもなければバイパスモードのダイオード内で生じるワット損と比較して小さい。再び図2を参照すると、本発明の実施形態によれば、インターコネクト200はインターコネクト本体202内に形成された構造T1を含む。構造T1は、インターコネクト本体202の第1端208にある第1のL形延長部と、インターコネクト本体202の第2端210にある第2のL形延長部とを含む。第1及び第2のL形延長部のそれぞれの水平基部は、インターコネクト本体202の内面204に対して近位であり、外面206に対して遠位にある。一実施形態では、構造T1は、ダイオードとインターコネクト202の上に部分的に延在するヒートシンクとの間の熱結合を増すように設計される。例えば、図5は、本発明の実施形態による、内部バイパスダイオードを伴う光電子システムの一部分の等角図を例示する。図5を参照すると、一実施形態では、インターコネクト200へのL形延長部又は対の延長部は、ダイオード例えばセル500のバイパスダイオード502に近接した場所での追加的なヒートシンク392のフィン結合fincouplingを可能にすることによって、バイパスモードで動作しているダイオードに対する周囲の熱勾配を低減する。特定の実施形態では、ダイオード502の温度の低下は、さもなくば局所的なホットスポットによって生成するであろう熱応力を低減することもまた助ける。実施形態では、L形延長部は、光電子システムに設置されたインターコネクトとヒートシンクとの間の熱結合の増加のための延長区域である。上記の構造及び応力緩和構造の1つ以上の異なる組み合わせ又は更には単独使用もインターコネクトに含まれ得ることを理解すべきである。例えば、実施形態では、光電子デバイス用インターコネクトは、内面、外面、第1端及び第2端を含むインターコネクト本体を含む。複数のボンドパッドは、第1端と第2端の間でインターコネクト本体の内面と結合される。応力緩和構造はインターコネクト本体に形成される。応力緩和構造は複数のT形スロットを含み、複数のT形スロットのそれぞれは複数のボンドパッドの対応する1つとほぼ並ぶように配置され、複数のT形スロットのそれぞれの垂直部分は複数のボンドパッドの対応する1つに対して近位であり、複数のT形スロットのそれぞれの水平部分は複数のボンドパッドの対応する1つに対して遠位である。別の実施形態では、光電子デバイス用インターコネクトは、内面、外面、第1端及び第2端を有するインターコネクト本体を含む。複数のボンドパッドは、第1端と第2端との間でインターコネクト本体の内面と結合される。構造はインターコネクト本体に形成され、この構造は、インターコネクト本体の第1端にある第1のL形延長部と、インターコネクト本体の第2端にある第2のL形延長部とを有する。第1及び第2のL形延長部のそれぞれの水平基部は、インターコネクト本体の内面に対して近位であり、かつ外面に対して遠位にある。別の実施形態では、光電子デバイス用インターコネクトは、内面、外面、第1端及び第2端を有するインターコネクト本体を含む。複数のボンドパッドは、第1端と第2端との間でインターコネクト本体の内面と結合される。応力緩和構造はインターコネクト本体に形成され、この応力緩和構造は複数のT形スロットを有し、複数のT形スロットのそれぞれは複数のボンドパッドの対応する1つとほぼ並ぶように配置される。複数のT形スロットのそれぞれの垂直部分は複数のボンドパッドの対応する1つに対して近位である。複数のT形スロットのそれぞれの水平部分は複数のボンドパッドの対応する1つに対して遠位である。インターコネクトは、インターコネクト本体の第1端にある第1のL形延長部もまた含む。第2のL形延長部はインターコネクト本体の第2端にある。第1及び第2のL形延長部のそれぞれの水平基部は、インターコネクト本体の内面に対して近位であり、かつ外面に対して遠位にある。一実施形態では、応力緩和構造は、第1端と第2端とのほぼ中間の位置に配置された第1の細いスロットを更に含む。第1の細いスロットは、インターコネクト本体の内面に開口部を有し、インターコネクト本体内に延在するが、外面を貫通していない。応力緩和構造は、第1端に対して近位であり第2端に対して遠位である場所に配置された第2の細いスロットを更に含む。第2の細いスロットは、インターコネクト本体の外面に開口部を有し、インターコネクト本体内に延在するが、内面を貫通していない。応力緩和構造は、第2の細いスロットと第1端との間に配置された第3の細いスロットを更に含む。第3の細いスロットは内面と外面との間であって内面及び外面に対して直交するように配置され、内面及び外面のいずれに対しても開口していない。また、第3の細いスロットは、複数のT形スロットのうち最も外側に位置するT形スロットの水平部分と結合される。応力緩和構造は、インターコネクト本体の内面に複数のボンドパッドのうちの1つが結合されている場所又はその近くに垂直ジョグを更に含む。本発明の実施形態によると、本明細書に開示されるインターコネクトはカップリングインターコネクトである。このカップリングインターコネクトを使用して、図2、図4及び図5に関して上述したように2つの光電子セルを結合することができる。しかし、別の実施形態では、インターコネクトは端子インターコネクトである。例えば、図6は、本発明の実施形態による、対の端子インターコネクトを提供するように分割することが可能な、カップリングインターコネクトを例示する。図6を参照すると、カップリングインターコネクト600は、第1の半分602と、場所606において第1の半分602と接合された、第1の半分と対称な第2の半分604とを含む。カップリングインターコネクト600は応力緩和構造608及び他の上述の構造、例えばL形構造610を含む。カップリングインターコネクト600を軸612に沿って分割して2つの端子インターコネクトを提供することができる。上記の図2~4及び図6の説明と関連して、光電子システムにインターコネクト200又は600のような複数のインターコネクトを含めることができる。したがって、本発明の実施形態によると、光電子システムは複数の光電子デバイスの対を含む。一実施形態では、それぞれの光電子デバイスは背面接点式の太陽電池である。この光電子システムは、複数のバイパスダイオードもまた含み、このバイパスダイオードの1つ以上は対の光電子デバイスのそれぞれの間に配置される。この光電子システムは、複数の熱拡散ユニットもまた含み、この熱拡散ユニットの1つ以上はそれぞれのバイパスダイオードの上に配置され、それぞれのバイパスダイオードを覆って延在する。この光電子システムは複数のヒートシンクもまた含み、ヒートシンクの1つ以上が熱拡散ユニットのそれぞれの上に配置される。実施形態では、光電子システム、インターコネクト、又は対のインターコネクトは、対の太陽電池など、対の光電子デバイスの間に配置される。一実施形態では、1つ以上のインターコネクトは、インターコネクト200及び600に関連して上述した応力緩和構造及びL形構造のような1つ以上の応力緩和構造及びL形構造を有する。本発明の実施形態によると、光電子デバイス用インターコネクトの製造方法は、内面、外面、第1端、第2端、及び第1端と第2端との間でインターコネクト本体の内面と結合された複数のボンドパッドを有するインターコネクト本体を形成する工程を含む。この方法は、インターコネクト200及び600に関連して上述した応力緩和構造及びL形構造のような1つ以上の応力緩和構造及びL形構造をインターコネクト本体に形成する工程を更に含む。このように、光電子デバイス用インターコネクトについて開示した。本発明の実施形態によると、光電子デバイス用インターコネクトは応力緩和構造を含む。一実施形態では、インターコネクトは内面、外面、第1端及び第2端を有するインターコネクト本体を含む。複数のボンドパッドは、第1端と第2端との間でインターコネクト本体の内面と結合される。応力緩和構造はインターコネクト本体に形成される。応力緩和構造は複数のT形スロットを含み、複数のT形スロットのそれぞれは複数のボンドパッドの対応する1つとほぼ並ぶように配置され、複数のT形スロットのそれぞれの垂直部分は複数のボンドパッドの対応する1つに対して近位であり、複数のT形スロットのそれぞれの水平部分は複数のボンドパッドの対応する1つに対して遠位である。本発明の別の実施形態によると、光電子デバイス用インターコネクトはL形構造を含む。一実施形態では、インターコネクトは、内面、外面、第1端及び第2端を有するインターコネクト本体を含む。複数のボンドパッドは、第1端と第2端との間でインターコネクト本体の内面と結合される。構造はインターコネクト本体に形成され、この構造は、インターコネクト本体の第1端にある第1のL形延長部と、インターコネクト本体の第2端にある第2のL形延長部とを有する。第1及び第2のL形延長部のそれぞれの水平基部は、インターコネクト本体の内面に対して近位であり、かつ外面に対して遠位にある。"