半導体チップが、アンダーフィルを介在させて基板にフリップチップ実装された半導体装置であって、前記基板の前記半導体チップが搭載されている領域の周囲に、前記アンダーフィルのフィレット形状を規制するフィレット形状規制部が形成されていることを特徴とする半導体装置。前記フィレット形状規制部が、前記半導体チップの外周と一定の距離を隔てて形成されている請求項1に記載の半導体装置。前記フィレット形状規制部が、前記基板の前記半導体チップが搭載されている領域に対して凸となる凸構造である請求項1または2に記載の半導体装置。前記フィレット形状規制部が、前記基板の前記半導体チップが搭載されている領域に対して凹となる凹構造である請求項1または2に記載の半導体装置。前記アンダーフィルが、前記半導体チップの側面全てを覆っている請求項1から4のいずれか1項に記載された半導体装置。前記アンダーフィルの最上部が、前記半導体チップの上面と同じ高さである請求項5に記載の半導体装置。しかし、上記特許文献1の技術により形成されたアンダーフィルのフィレット形状は、半導体チップの4つの隅部で外側に突出した形状となるため、半導体チップの各辺の中間部分に応力が集中した場合には、アンダーフィルによってその応力を緩和する効果が乏しくなる。また、半導体チップの4つの隅部からアンダーフィルが塗布されるため、半導体チップの各辺に相当する部分でフィレットの外周部が直線状となりにくく、半導体チップの各辺に対応するフィレット形状が場所ごとに異なることとなり、理想的な均一なフィレット形状を得ることはできない。さらに、従来の技術では、フィレットの平面的な形状のみが着目されており、フィレットの厚みの均一性や、フィレット表面の傾斜を均一にするという、厚み方向を含めたフィレットの全体形状について検討はなされていない。そこで本発明は、上記従来の課題に鑑みて、半導体チップ周囲のアンダーフィルのフィレット形状をより均一な形状に近づけることで、半導体チップと基板との接続信頼性が高い半導体装置を得ることを目的とする。上記の課題を解決するために、本発明の半導体装置は、半導体チップが、アンダーフィルを介在させて基板にフリップチップ実装された半導体装置であって、前記基板の前記半導体チップが搭載されている領域の周囲に、前記アンダーフィルのフィレット形状を規制するフィレット形状規制部が形成されていることを特徴とする。本発明の半導体装置は、基板の半導体チップが搭載されている領域の周囲に、アンダーフィルのフィレット形状を規制するフィレット形状規制部が形成されている。このため、半導体チップの全周に渡ってフィレットを所望の形状とすることができ、接続信頼性の高い半導体装置を得ることができる。本発明の半導体装置は、半導体チップが、アンダーフィルを介在させて基板にフリップチップ実装された半導体装置であって、前記基板の前記半導体チップが搭載されている領域の周囲に、前記アンダーフィルのフィレット形状を規制するフィレット形状規制部が形成されている。このようにすることで、本発明の半導体装置は、基板と半導体チップとの間に形成されたアンダーフィルの、半導体チップの周囲部分に形成されるフィレット形状が規制され、半導体チップの全周に渡って所望のフィレット形状を得ることができる。このため、アンダーフィルが、半導体チップの全周において基板の反りなどにより加わる応力を緩和する効果を発揮することができ、接続信頼性の高い半導体装置を得ることができる。上記構成の半導体装置において、前記フィレット形状規制部が、前記半導体チップの外周と一定の距離を隔てて形成されていることが好ましい。このようにすることで、隅部を含めた半導体チップの全周に形成されるフィレット形状を、半導体チップやフィレット自体にクラックが生じにくい所望の形状にすることができる。また、前記フィレット形状規制部が、前記基板の前記半導体チップが搭載されている領域に対して凸となる凸構造であることが好ましい。このようにすることで、凸構造のフィレット形状規制部の側面で、塗布工程におけるアンダーフィル樹脂の広がりを抑えることができ、フィレット形状を所望のものとすることができる。また、前記フィレット形状規制部が、前記基板の前記半導体チップが搭載されている領域に対して凹となる凹構造であることが好ましい。このようにすることで、凹構造によってアンダーフィル樹脂の広がりを抑えることができるとともに、半導体チップの側面に対する傾斜が緩やかなフィレット形状を得ることができる。さらに、前記アンダーフィルが、前記半導体チップの側面全てを覆っていることが好ましい。このようにすることで、半導体チップの側面に応力が加わってチップクラックが生じることを防止することができる。また、前記アンダーフィルの最上部が、前記半導体チップの上面と同じ高さであることが好ましい。このようにすることで、半導体装置の美観を整え、半導体装置としての高さ精度を向上させることができる。以下、本発明の半導体装置について図面を参照して説明する。なお、以下で参照する各図は、説明の便宜上、本発明にかかる半導体装置を構成する部材のうち、本発明を説明するために必要な主要部材のみを簡略化して示したものである。従って、本発明の半導体装置は、参照する各図に示されていない任意の構成部材を備えることができる。また、各図中の部材の寸法は、実際の構成部材の寸法および各部材の寸法比率等を必ずしも忠実に表したものではない。図1は、本発明の実施形態である半導体装置100の構成を示す、要部拡大断面図である。本実施形態の半導体装置100は、図1に示すように、基板1とこの基板に搭載された半導体チップ2とを備えている。半導体チップ2の基板1側の表面には、縦横のマトリクス状に配置された複数のバンプ3が形成されていて、それぞれのバンプ3が、基板1上の対応する位置に形成された図示しない接続電極に接続されて、フリップチップ実装されている。バンプ3の材料としては、例えばSn-2.3Ag組成のはんだなどが好適であるが、他の組成のはんだやはんだ以外の金属材料を用いることができ、Cuピラーなどを備えたバンプ形態を採用することもできる。本実施形態の半導体装置100は、基板1と半導体チップ2との間隔部分にアンダーフィル4が充填され、半導体チップ2の周囲のアンダーフィル4は、半導体チップ2の外側に向かって傾斜するフィレット5を形成している。アンダーフィル4は、半導体チップ2を基板1にフリップチップ実装するフリップチップボンディング工程の後、乾燥により吸湿水分を除去し、アンダーフィル4を塗布する塗布工程において供給、形成される。通常は、半導体チップ2の一辺もしくは二辺に同時にアンダーフィル樹脂を滴下し、滴下されたアンダーフィル樹脂が毛細管現象によって基板1と半導体チップ2との間に充填される。基板1と半導体チップ2との間に充填されなかったアンダーフィル樹脂は、半導体チップ2の周囲にフィレット5を形成する。本実施形態の半導体装置100では、基板1の半導体チップ2が搭載される領域の周囲に、基板1の表面に対して凸となる畝状の凸部6が形成されていて、この凸部6が凸構造のフィレット形状規制部となっている。このため、塗布工程で供給されたアンダーフィル樹脂は、フィレット形状規制部である凸部6で遮られてその塗布領域の外周が制限され、半導体チップ2の側面から斜めに裾広がり状に広がった形状のフィレット5が形成される。塗布工程の後、所定のプロファイルを持った加熱工程を経ることでアンダーフィル樹脂が硬化し、接着性、強度、硬度を備えたアンダーフィル4が形成される。アンダーフィル樹脂を硬化する加熱工程の具体的なプロファイルは、アンダーフィル樹脂の特性やパッケージ仕様に応じて定められる。例えば、105°Cで2時間加熱して半硬化させた後に、150°Cでさらに2時間加熱し本硬化させるなどである。図1に示す本実施形態の半導体装置100は、一例として、半導体チップ2の厚さが775μm、バンプ3の直径がφ108μmで配置ピッチが160μm、基板1と半導体チップとの間隔が95μmであるパッケージ仕様を有し、このときのアンダーフィル4のフィレット5の形状は、半導体チップ2の側面とのなす角θが30度で、半導体チップ2とフィレット形状規制部である凸部6との間隔であるフィレット幅Lが1.4mmとなる。凸部6は、例えば、基板1上にレジストをスクリーン印刷法により印刷することで形成することができ、また、感光性レジストを塗布したのち露光、現像するフォトリソグラフ法によって形成することもできる。図2は、本実施形態の半導体装置100における、半導体チップ2が搭載された領域の周囲を示す平面図である。なお、図2にA-A’矢視線として示した部分の断面構造が、図1として示した要部拡大断面図となる。図2に示すように、本実施形態の半導体装置100は、基板1に搭載された半導体チップ2の周囲を、フィレット形状規制部としての凸部6が取り囲んでいる。このようにすることで、アンダーフィル4が形成するフィレット5の周辺形状が、半導体チップ2の全周に渡って制限されていることが分かる。図3に、半導体チップ2の隅部近傍の部分拡大平面図を示す。図3は、図2に示した半導体装置100の平面図の内、図中右下に位置する隅部を拡大して示したものである。図3に示すように、本実施形態の半導体装置100では、半導体チップ2と凸部6との間隔Lが、半導体チップ2の縦方向の辺の延長方向での間隔L1と横方向の辺の延長方向での間隔L2とが、半導体チップ2の各辺における凸部6との間隔L3と等しくなるようにし、隅部に対応する凸部6を隅部の端部を中心とする円弧状に形成している。このため、本実施形態の半導体装置100では、凸部6が半導体チップ2の外周からいずれの部分でも一定の距離を隔てて形成されていることになり、半導体チップ2の全周において、フィレット5と半導体チップ2の側面とのなす角図1に示したθをほぼ均一にすることができる。なお、基板1の平面視形状や材質、半導体チップ2の平面視形状やバンプの配置状況などにより、半導体チップ2に加わる応力が方向によるばらつきを有する場合には、半導体チップ2の全周において、アンダーフィル4のフィレット5の形状に所定の分布を持たせた方がより好ましい場合もあり得る。この場合には、半導体チップ2に加わる応力を勘案してフィレット5が所望の形状となるように、半導体チップ2と凸部6との配置間隔を調整すればよい。以上説明したように、本実施形態の半導体装置100では、基板1の半導体チップ2が搭載されている領域の周囲に、アンダーフィル4のフィレット5の形状を規制するフィレット形状規制部としての凸部6が形成されている。このため、アンダーフィル樹脂を供給した際にアンダーフィル樹脂が凸部6に沿ってその内部で広がり、フィレット5の外周が規定されてフィレット5の幅Lが規制されるとともに、フィレット5の半導体チップ2とのなす角度θが所定の範囲内に制限される。その結果、半導体チップ2の全周にわたって、平面視方向と厚さ方向の双方において所望の形状のフィレット5を得ることができる。次に、本実施形態にかかる半導体装置におけるフィレット形状規制部のいろいろな形状について図面を用いて説明する。なお、以下の図4から図6において、半導体装置の基本構造は図1に示したものと同じであり、フィレット形状規制部のみが異なっているため、該当する部材には同じ符号を付与しその説明は省略する。図4は、フィレット形状規制部として、基板1に形成された凹部7が形成された半導体装置110の要部拡大断面図である。図4に示すように、図1における凸部6に代えて、基板1の半導体チップ2が搭載される領域の周囲に、所定の幅と深さを有する溝状の凹部7を形成することで、この凹部7を凹構造のフィレット形状規制部として機能させることができる。図4に示すように、基板1に形成された凹部7をフィレット形状規制部とすることで、フィレット形状規制部として凸部6を設けた半導体装置100と同様に、半導体チップ2の全周に渡って、所望形状のフィレット5を形成することができる。なお、凹部7を用いることにより、凸部6をフィレット形状規制部として用いた場合と比較して、フィレット5の半導体チップ2の側面とのなす角図1に示したθを小さくすることができ、結果として、断面形状で見た場合のフィレット5の表面が描く曲線の下に向かう凸の度合いがより強いものとなる。なお、断面視したときのフィレット5の表面が描く曲線が、曲率が小さくより直線的である場合には、フィレット5の中間部分での厚みが増して基板1の垂直方向に肉厚のフィレット5が形成されることになる。このようにフィレット5の肉厚が厚いと、基板1に反りが生じた場合や、熱サイクル試験時など半導体装置100が加熱されたときに基板1と半導体チップ2との熱膨張量の差による変形によって、フィレット5が半導体チップ2の側面に及ぼす作用が大きくなり、半導体チップ2の側面におけるクラックが発生、進展する危険性が増大するとともに、フィレット5自体のクラックも引き起こされる可能性が高くなる。これに対し、図4に示すように、凹部7をフィレット形状規制部とすることによって、フィレット5表面をより強い曲率の下に凸の形状とすることで、フィレット5の中間部分における肉厚を薄くすることができ、フィレット5から半導体チップ2の側面に及ぼされる作用を低減することができる。この結果、半導体装置110の接続信頼性をさらに高くすることができる。なお、フィレット形状規制部としての凹部7は、例えば、レーザー加工をはじめとする溝状部を形成する周知の各種方法によって、基板1に形成することができる。図5および図6は、フィレット形状規制部のさらに別の構成を示す図である。図5aに示す半導体装置120は、基板1の半導体チップ2が搭載された領域の周囲の厚さが厚い肉厚部6aとなっていることで段差を形成し、この段差を凸構造のフィレット形状規制部として用いている。この場合は、図1に示した凸部6をフィレット形状規制部として用いた場合と同様の効果を奏することができる。なお、基板1の厚さが異なる肉厚部6aは、基板1自体の半導体チップ2が搭載される領域を薄く形成する方法で得ることができるが、この他にも、半導体チップ2が搭載される領域部分を切り欠いた、枠状のシート部材を基板1の表面に貼着することによっても、図5aに示した形状と同じ凸構造のフィレット形状規制部を得ることができる。図5bに示す半導体装置130は、基板1の半導体チップ2が搭載された領域の周囲に形成された、断面がV字状の凹部7bを凹構造のフィレット形状規制部とするものである。このようにすることで、断面が所定の幅と深さを持った溝状の凹部7を設けた図4に示す半導体装置110と同様の効果を奏することができる。なお、凹部の断面形状としては、図5bに示したV字状の他に、U字状または半円形状など、さまざまな形態とすることができる。図6aに示す半導体装置140は、基板1の半導体チップ2が搭載された領域の周囲に、凹部7が形成され、さらにその周囲に凸部6を形成して、凹構造と凸構造の組み合わせによるフィレット形状規制部を備えている。このようにすることで、上記図4で示した半導体装置110において説明した、フィレット5の半導体チップ2の側面となす角度を小さくすることができるという効果を奏するとともに、アンダーフィル樹脂を塗布する塗布工程で、アンダーフィル樹脂が過剰に供給されてしまった場合でも、フィレット5の外形形状を所定のものに確実に制御することができる。また、図6bに示す半導体装置150のように、基板1の半導体チップ2が搭載された領域の周囲に形成された凹部7の周囲に、第2の凹部8を形成することによっても、アンダーフィル樹脂の塗布工程における樹脂供給量が過剰となった場合に、フィレット5の外周を確実に規制することができるという効果を奏する、フィレット形状規制部を実現することができる。なお、アンダーフィル4は、図7に示す半導体装置160のように、半導体チップ2の側面全てを覆っている構成とすることが好ましい。このようにすることで、半導体チップ2の側面全てが保護されて、半導体チップ2の側面にクラックが発生、進展することを効果的に防止することができる。ただし、アンダーフィル4の樹脂量が過剰となり、図7に示すようにアンダーフィル4の一部が半導体チップ2の上面に覆い被さるように広がる可能性がある。このような半導体チップ2の上面でのアンダーフィル4の広がり部4aは、外観上の理由から、また、半導体装置全体の高さ精度の面から、避けることが望ましい。したがって、塗布工程におけるアンダーフィル樹脂の粘度や供給量および供給速度、さらに供給場所の数や位置を、アンダーフィル4全体の必要樹脂量および基板1と半導体チップ2との間隙などに応じて最適化して、図8に例示する半導体装置170のように、アンダーフィル4の最上部4bが、ちょうど半導体チップ2の上面と同じ高さに達して、半導体チップ2の上面に広がらないようにすることが望ましい。以上述べたように、本実施形態の半導体装置では、半導体チップの外周全体に形成されるフィレットの形状を最適化し、フィレットクラックやチップクラックの発生を低減することが期待でき、接続信頼性の高いフリップチップ接続構造の半導体装置を得ることができる。