照射された放射線に応じた電荷を発生する発生手段、前記発生手段により発生した電荷を蓄積する蓄積手段、及び前記蓄積手段が蓄積した前記電荷を読み出して前記電荷に応じた電気信号を出力するスイッチング素子を各々備えた複数の画素と、前記スイッチング素子から出力された前記電気信号を増幅する増幅手段と、前記蓄積手段が前記電荷を蓄積する蓄積期間に放射線検出用の画素から出力された前記電気信号に基づいて、当該蓄積期間に前記蓄積手段に蓄積された前記電荷に応じた前記電気信号を増幅する際の前記増幅手段の増幅率を設定する設定手段と、を備えた放射線画像撮影装置。前記放射線検出用の画素として、スイッチング状態にかかわらず、前記電荷を読み出して前記電荷に応じた前記電気信号を出力するスイッチング素子を備えた画素を用いた、請求項1に記載の放射線画像撮影装置。前記増幅手段は、複数の前記画素が接続された複数の信号線のうち、一部の前記信号線に接続された前記放射線検出用の画素から出力された電気信号に基づいて、前記増幅手段の増幅率を設定する、請求項1または請求項2に記載の放射線画像撮影装置。前記複数の信号線の各々に前記増幅手段が設けられており、前記設定手段は、全ての前記増幅手段に対して、同一の前記増幅率を設定する、請求項3に記載の放射線画像撮影装置。前記設定手段は、放射線画像を撮影する被検体の撮影部位に対応した位置に設けられた放射線検出用の画素から出力された電気信号に基づいて、前記増幅手段の増幅率を設定する、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の放射線画像撮影装置。前記放射線検出用の画素は、制御端子に接続された放射線検出用走査配線を流れる制御信号に応じて前記蓄積手段で蓄積した前記電荷を読み出して前記電荷に応じた電気信号を出力する放射線検出用スイッチング素子を備え、前記設定手段は、予め定められた数の画素からなる領域を単位とした領域毎に、前記放射線検出用の画素から出力された前記電気信号に基づいて、前記増幅率を設定する、請求項1に記載の放射線画像撮影装置。前記複数の画素が行列状に配置されており、前記放射線検出用の画素が隣接する列に設けられている場合、隣接する列に設けられている前記放射線検出用の画素間に行方向に前記放射線検出用走査配線が設けられている、請求項6に記載の放射線画像撮影装置。前記複数の画素のうちの前記放射線検出用の画素以外の画素が、前記制御信号に係わらず前記蓄積手段で蓄積した前記電荷を読み出さない前記放射線検出用スイッチング素子を備えた、請求項6または請求項7に記載の放射線画像撮影装置。前記複数の画素は、前記放射線検出用走査配線を中心とした線対称形状を成して構成されている、請求項6から請求項8のいずれか1項に記載の放射線画像撮影装置。前記領域毎に予め定められた前記放射線検出用走査配線毎に、前記制御信号が出力される放射線検出用制御回路に接続されている、請求項6から請求項9のいずれか1項に記載の放射線画像撮影装置。照射された放射線に応じた電荷を発生する発生手段、前記発生手段により発生した電荷を蓄積する蓄積手段、及び前記蓄積手段が蓄積した前記電荷を読み出して前記電荷に応じた電気信号を出力するスイッチング素子を各々備えた複数の画素と、前記スイッチング素子から出力された前記電気信号を増幅する増幅手段と、を備えた放射線画像撮影装置による放射線画像の撮影を行う処理をコンピュータに実行させるための放射線画像撮影プログラムであって、前記蓄積手段が前記電荷を蓄積する蓄積期間に放射線検出用の画素から出力された前記電気信号に基づいて、当該蓄積期間に前記蓄積手段に蓄積された前記電荷に応じた前記電気信号を増幅する際の前記増幅手段の増幅率を設定するステップと、設定された増幅率により前記増幅手段で増幅された前記電気信号に応じた画像データを出力するステップと、を備えた処理をコンピュータに実行させるための放射線画像撮影プログラム。照射された放射線に応じた電荷を発生する発生手段、前記発生手段により発生した電荷を蓄積する蓄積手段、及び前記蓄積手段が蓄積した前記電荷を読み出して前記電荷に応じた電気信号を出力するスイッチング素子を各々備えた複数の画素と、前記スイッチング素子から出力された前記電気信号を増幅する増幅手段と、を備えた放射線画像撮影装置において、前記蓄積手段が前記電荷を蓄積する蓄積期間に放射線検出用の画素から出力された前記電気信号に基づいて、当該蓄積期間に前記蓄積手段に蓄積された前記電荷に応じた前記電気信号を増幅する際の前記増幅手段の増幅率を設定する工程と、設定された増幅率により前記増幅手段で増幅された前記電気信号に応じた画像データを出力する工程と、を備えた、放射線画像撮影方法。特許文献1に記載の技術では、画像検出回路と別個にバイアス電源出力部に電流検出手段を設ける必要があるため、回路装置規模が大きくなるという問題があり、いわゆるカセッテ等のFPDFlatPanelDetectorのように、小型、かつ軽量の装置を実現するには困難な場合がある。また、被写体が撮影される領域等の関心領域において適したゲインに設定するために、基板を複数の領域にわけ、領域毎にゲイン設定を行う場合、検出する電荷量が少なくなるため、より高精度の検出が必要となる。高精度の検出を行うためには、大規模な検出回路が必要となるため、装置が大型化してしまうという問題が生じる場合がある。また、バイアス電源に電流検出手段を設けるため、放射線の照射量により供給電流が変動し、画像ノイズの要因となる問題もある。また、特許文献2に記載の技術では、AEC自動露出制御装置等の線量モニタにより、X線量を検知するため、平面検出器と別個に線量モニタが必要となり、装置が大型化するという問題がある。また、装置が大型化するため、消費電量が大きくなることや、部品点数が増えるという問題も生じる。また、平面検出器で放射線を検出する仕組みと線量モニタで放射線を検出する仕組みとは、異なるため、X線の照射量照射エネルギーが変化した際に、2つの検出系の間で感度が変わるため、照射条件によって露光量検知の感度ずれるという問題が生じる場合がある。本発明は、上記問題点を解決するために成されたものであり、装置が大型化するのを抑制しつつ、照射された放射線量に応じて精度良く、増幅率の設定ができる、放射線画像撮影装置、放射線画像撮影プログラム、及び放射線画像撮影方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、請求項1に記載の放射線画像撮影装置は、照射された放射線に応じた電荷を発生する発生手段、前記発生手段により発生した電荷を蓄積する蓄積手段、及び前記蓄積手段が蓄積した前記電荷を読み出して前記電荷に応じた電気信号を出力するスイッチング素子を各々備えた複数の画素と、前記スイッチング素子から出力された前記電気信号を増幅する増幅手段と、前記蓄積手段が前記電荷を蓄積する蓄積期間に放射線検出用の画素から出力された前記電気信号に基づいて、当該蓄積期間に前記蓄積手段に蓄積された前記電荷に応じた前記電気信号を増幅する際の前記増幅手段の増幅率を設定する設定手段と、を備える。本発明によれば、設定手段が、蓄積手段が電荷を蓄積する蓄積期間に放射線検出用の画素から出力された電気信号に基づいて、蓄積期間に前記蓄積手段に蓄積された電荷に応じた電気信号を増幅する際の増幅手段の増幅率を設定する。このように本発明によれば、蓄積期間に画素から出力された電気信号に基づいて、蓄積された電荷に応じた電気信号を増幅する際の増幅手段の増幅率を設定する。すなわち、照射された放射線量に応じて、当該放射線を読み出す際の増幅手段の増幅率を設定する。また、本発明によれば、蓄積手段が電荷を蓄積する蓄積期間に放射線検出用の画素から出力された前記電気信号に基づいて、増幅率を設定するため、別途、放射線を検出する手段を設ける必要がない。従って、本発明の放射線画像撮影装置によれば、装置が大型化するのを抑制しつつ、照射された放射線量に応じて精度良く、増幅率の設定ができる。また、本発明は、請求項2に記載の放射線画像撮影装置のように、スイッチング状態にかかわらず、前記電荷を読み出して前記電荷に応じた前記電気信号を出力するスイッチング素子を備えた画素を用いることが好ましい。スイッチング状態にかかわらず、前記電荷を読み出して前記電荷に応じた前記電気信号を出力するスイッチング素子を備えた画素を用いることにより、スイッチング素子の制御が不必要になるという効果が得られる。また、本発明は、請求項3に記載の放射線画像撮影装置のように、前記増幅手段は、複数の前記画素が接続された複数の信号線のうち、一部の前記信号線に接続された前記放射線検出用の画素から出力された電気信号に基づいて、前記増幅手段の増幅率を設定することが好ましい。また、本発明は、請求項4に記載の放射線画像撮影装置のように、前記複数の信号線の各々に前記増幅手段が設けられており、前記設定手段は、全ての前記増幅手段に対して、同一の前記増幅率を設定するようにしてもよい。また、本発明は、請求項5に記載の放射線画像撮影装置のように、前記設定手段は、放射線画像を撮影する被検体の撮影部位に対応した位置に設けられた放射線検出用の画素から出力された電気信号に基づいて、前記増幅手段の増幅率を設定することが好ましい。放射線画像の撮影部位である、被検体の撮影部位に対応した位置に設けられた放射線検出用の画素から出力された電気信号に基づいて設定することにより、より最適に増幅率を設定でき、良好な放射線画像が得られる。また、本発明は、請求項6に記載の放射線画像撮影装置のように、前記放射線検出用の画素は、制御端子に接続された放射線検出用走査配線を流れる制御信号に応じて前記蓄積手段で蓄積した前記電荷を読み出して前記電荷に応じた電気信号を出力する放射線検出用スイッチング素子を備え、前記設定手段は、予め定められた数の画素からなる領域を単位とした領域毎に、前記放射線検出用の画素から出力された前記電気信号に基づいて、前記増幅率を設定することが好ましい。また、本発明は、請求項7に記載の放射線画像撮影装置のように、前記複数の画素が行列状に配置されており、前記放射線検出用の画素が隣接する列に設けられている場合、隣接する列に設けられている前記放射線検出用の画素間に行方向に前記放射線検出用走査配線が設けられていることが好ましい。また、本発明は、請求項8に記載の放射線画像撮影装置のように、前記複数の画素のうちの前記放射線検出用の画素以外の画素が、前記制御信号に係わらず前記蓄積手段で蓄積した前記電荷を読み出さない前記放射線検出用スイッチング素子を備えることが好ましい。また、本発明は、請求項9に記載の放射線画像撮影装置のように、前記複数の画素は、前記放射線検出用走査配線を中心とした線対称形状を成して構成されていることが好ましい。また、本発明は、請求項10に記載の放射線画像撮影装置のように、前記領域毎に予め定められた前記放射線検出用走査配線毎に、前記制御信号が出力される放射線検出用制御回路に接続されているようにしてもよい。請求項11に記載の放射線画像撮影プログラムは、照射された放射線に応じた電荷を発生する発生手段、前記発生手段により発生した電荷を蓄積する蓄積手段、及び前記蓄積手段が蓄積した前記電荷を読み出して前記電荷に応じた電気信号を出力するスイッチング素子を各々備えた複数の画素と、前記スイッチング素子から出力された前記電気信号を増幅する増幅手段と、を備えた放射線画像撮影装置による放射線画像の撮影を行う処理をコンピュータに実行させるための放射線画像撮影プログラムであって、前記蓄積手段が前記電荷を蓄積する蓄積期間に放射線検出用の画素から出力された前記電気信号に基づいて、当該蓄積期間に前記蓄積手段に蓄積された前記電荷に応じた前記電気信号を増幅する際の前記増幅手段の増幅率を設定するステップと、設定された増幅率により前記増幅手段で増幅された前記電気信号に応じた画像データを出力するステップと、を備えた処理をコンピュータに実行させるためのものである。請求項12に記載の放射線画像撮影方法は、照射された放射線に応じた電荷を発生する発生手段、前記発生手段により発生した電荷を蓄積する蓄積手段、及び前記蓄積手段が蓄積した前記電荷を読み出して前記電荷に応じた電気信号を出力するスイッチング素子を各々備えた複数の画素と、前記スイッチング素子から出力された前記電気信号を増幅する増幅手段と、を備えた放射線画像撮影装置において、前記蓄積手段が前記電荷を蓄積する蓄積期間に放射線検出用の画素から出力された前記電気信号に基づいて、当該蓄積期間に前記蓄積手段に蓄積された前記電荷に応じた前記電気信号を増幅する際の前記増幅手段の増幅率を設定する工程と、設定された増幅率により前記増幅手段で増幅された前記電気信号に応じた画像データを出力する工程と、を備える。以上説明したように、装置が大型化するのを抑制しつつ、照射された放射線量に応じて精度良く、増幅率の設定ができるという効果が得られる。[第1の実施の形態]以下、各図面を参照して本実施の形態の一例について説明する。まず、本実施の形態の放射線画像撮影装置を用いた放射線画像撮影システムの概略構成について説明する。図1は、本実施の形態の放射線画像撮影システムの一例の概略構成図である。放射線画像撮影システム200は、放射線例えばエックス線X線等を被検体206に照射する放射線照射装置204と、放射線照射装置204から照射され、被検体206を透過した放射線を検出する放射線検出素子10を備えた放射線画像撮影装置100と、放射線画像の撮影を指示すると共に、放射線画像撮影装置100から放射画像を取得する制御装置202と、を備えて構成されている。制御装置202の制御に基づいたタイミングで、放射線照射装置204から照射され撮影位置に位置している被検体206を透過することで画像情報を担持した放射線は放射線画像撮影装置100に照射される。次に、本実施の形態の放射線画像撮影装置100の概略構成について説明する。本実施の形態では、X線等の放射線を一旦光に変換し、変換した光を電荷に変換する間接変換方式の放射線検出素子10に本発明を適用した場合について説明する。本実施の形態では、放射線画像撮影装置100は、間接変換方式の放射線検出素子10を備えて構成されている。なお、図2では、放射線を光に変換するシンチレータは省略している。放射線検出素子10には、光を受けて電荷を発生し、発生した電荷を蓄積するセンサ部103と、センサ部103に蓄積された電荷を読み出すためのスイッチング素子であるTFTスイッチ4と、を含んで構成される画素20が複数、マトリックス状に配置されている。本実施の形態では、シンチレータによって変換された光が照射されることにより、センサ部103が、電荷が発生する。画素20は、一方向図2の横方向、以下行方向ともいう及び当該行方向に対する交差方向図2の縦方向、以下列方向ともいうにマトリクス状に複数配置されている。図2では、画素20の配列を簡略化して示しているが、例えば、画素20は行方向及び列方向に1024×1024個配置されている。本実施の形態では、複数の画素20のうち、放射線画像撮影用の画素20Aと放射線検出用の画素20Bが予め定められている。図1では、放射線検出用の画素20Bを破線で囲んでいる。放射線画像撮影用の画素20Aは、放射線を検出して放射線が示す画像を生成するために用いられ、放射線検出用の画素20Bは、放射線を検出するために用いられる画素であり、電荷の蓄積期間であっても、電荷を出力する画素である詳細後述。また、放射線検出素子10には、基板1図3参照上に、TFTスイッチ4をON/OFFするための複数の走査配線101と、上記センサ部103に蓄積された電荷を読み出すための複数の信号配線3と、が互いに交差して設けられている。本実施の形態では、一方向の各画素列に信号配線3が1本ずつ設けられ、交差方向の各画素列に走査配線101が1本ずつ設けられており、例えば、画素20が行向及び列方向に1024×1024個配置されている場合、信号配線3及び走査配線101は1024本ずつ設けられている。さらに、放射線検出素子10には、各信号配線3と並列に共通電極配線25が設けられている。共通電極配線25は、一端及び他端が並列に接続されており、一端が所定のバイアス電圧を供給する電源110に接続されている。センサ部103は共通電極配線25に接続されており、共通電極配線25を介してバイアス電圧が印加されている。走査配線101には、各TFTスイッチ4をスイッチングするための制御信号が流れる。このように制御信号が各走査配線101に流れることによって、各TFTスイッチ4がスイッチングされる。信号配線3には、各画素20のTFTスイッチ4のスイッチング状態に応じて、各画素20に蓄積された電荷に応じた電気信号が流れる。より具体的には、各信号配線3には、当該信号配線3に接続された画素20の何れかのTFTスイッチ4がONされることにより蓄積された電荷量に応じた電気信号が流れる。各信号配線3には、各信号配線3に流れ出した電気信号を検出する信号検出回路105が接続されている。また、各走査配線101には、各走査配線101にTFTスイッチ4をON/OFFするための制御信号を出力するスキャン信号制御回路104が接続されている。図2では、信号検出回路105及びスキャン信号制御回路104を1つに簡略化して示しているが、例えば、信号検出回路105及びスキャン信号制御回路104を複数設けて所定本例えば、256本毎に信号配線3又は走査配線101を接続する。例えば、信号配線3及び走査配線101が1024本ずつ設けられている場合、スキャン信号制御回路104を4個設けて256本ずつ走査配線101を接続し、信号検出回路105も4個設けて256本ずつ信号配線3を接続する。信号検出回路105は、各信号配線3毎に、入力される電気信号を増幅する増幅回路図6参照を内蔵している。信号検出回路105では、各信号配線3より入力される電気信号を増幅回路により増幅し、ADCアナログデジタル変換器によりデジタル信号へ変換する詳細後述。この信号検出回路105及びスキャン信号制御回路104には、信号検出回路105において変換されたデジタル信号に対してノイズ除去などの所定の処理を施すとともに、信号検出回路105に対して信号検出のタイミングを示す制御信号を出力し、スキャン信号制御回路104に対してスキャン信号の出力のタイミングを示す制御信号を出力する制御部106が接続されている。本実施の形態の制御部106は、マイクロコンピュータによって構成されており、CPU中央処理装置、ROMおよびRAM、フラッシュメモリ等からなる不揮発性の記憶部を備えている。制御部106は、上記所定の処理が施された画像データに対して、各放射線検出用の画素20Bの画像データを補間する処理補間処理を行って、照射された放射線が示す画像を生成する。すなわち、制御部106は、各放射線検出用の画素20の画像データを、上記所定の処理が施された画像データに基づいて補間することで、照射された放射線が示す画像を生成する。図3には、本実施形態に係る間接変換方式の放射線検出素子10の構造を示す平面図が示されており、図4には、図3の放射線画像撮影用の画素20AのA-A線断面図が示されており、図5には、図3の放射線検出用の画素20BのB-B線断面図が示されている。図4に示すように、放射線検出素子10の画素20Aは、無アルカリガラス等からなる絶縁性の基板1上に、走査配線101図3参照、ゲート電極2が形成されており、走査配線101とゲート電極2は接続されている図3参照。この走査配線101、ゲート電極2が形成された配線層以下、この配線層を第1信号配線層ともいうは、Al若しくはCu、又はAl若しくはCuを主体とした積層膜を用いて形成されているが、これらに限定されるものではない。この第1信号配線層上には、一面に絶縁膜15が形成されており、ゲート電極2上に位置する部位がTFTスイッチ4におけるゲート絶縁膜として作用する。この絶縁膜15は、例えば、SiNX等からなっており、例えば、CVDChemicalVaporDeposition成膜により形成される。絶縁膜15上のゲート電極2上には、半導体活性層8が島状に形成されている。この半導体活性層8は、TFTスイッチ4のチャネル部であり、例えば、アモルファスシリコン膜からなる。これらの上層には、ソース電極9、及びドレイン電極13が形成されている。このソース電極9及びドレイン電極13が形成された配線層には、ソース電極9、ドレイン電極13とともに、信号配線3が形成されている。ソース電極9は信号配線3に接続されている図3参照。。ソース電極9、ドレイン電極13、及び信号配線3が形成された配線層以下、この配線層を第2信号配線層ともいうは、Al若しくはCu、又はAl若しくはCuを主体とした積層膜が用いて形成されるが、これらに限定されるものではない。当該ソース電極9及びドレイン電極13と半導体活性層8との間には不純物添加アモルファスシリコン等による不純物添加半導体層図示省略が形成されている。これらによりスイッチング用のTFTスイッチ4が構成される。なお、TFTスイッチ4は後述する下部電極11により収集、蓄積される電荷の極性によってソース電極9とドレイン電極13が逆となる。これら第2信号配線層を覆い、基板1上の画素20が設けられた領域のほぼ全面ほぼ全領域には、TFTスイッチ4や信号配線3を保護するために、TFT保護膜層30が形成されている。このTFT保護膜層30は、例えば、SiNX等からなっており、例えば、CVD成膜により形成される。このTFT保護膜層30上には、塗布型の層間絶縁膜12が形成されている。この層間絶縁膜12は、低誘電率比誘電率εr=2~4の感光性の有機材料例えば、ポジ型感光性アクリル系樹脂:メタクリル酸とグリシジルメタクリレートとの共重合体からなるベースポリマーに、ナフトキノンジアジド系ポジ型感光剤を混合した材料などにより1~4μmの膜厚で形成されている。本実施の形態に係る放射線検出素子10では、この層間絶縁膜12によって層間絶縁膜12上層と下層に配置される金属間の容量を低く抑えている。また、一般的にこのような材料は平坦化膜としての機能も有しており、下層の段差が平坦化される効果も有する。本実施の形態に係る放射線検出素子10では、この層間絶縁膜12及びTFT保護膜層30のドレイン電極13と対向する位置にコンタクトホール17が形成されている。層間絶縁膜12上には、コンタクトホール17を埋めつつ、画素領域を覆うようにセンサ部103の下部電極11が形成されており、この下部電極11は、TFTスイッチ4のドレイン電極13と接続されている。この下部電極11は、後述する半導体層21が1μm前後と厚い場合には導電性があれば材料に制限がほとんどない。このため、Al系材料、ITOなど導電性の金属を用いて形成すれば問題ない。一方、半導体層21の膜厚が薄い場合0.2~0.5μm前後、半導体層21で光が吸収が十分でないため、TFTスイッチ4への光照射によるリーク電流の増加を防ぐため、遮光性メタルを主体とする合金、若しくは積層膜とすることが好ましい。下部電極11上には、フォトダイオードとして機能する半導体層21が形成されている。本実施の形態では、半導体層21として、n層、i層、p層nアモルファスシリコン、アモルファスシリコン、pアモルファスシリコンを積層したPIN構造のフォトダイオードを採用しており、下層からn層21A、i層21B、p層21Cを順に積層して形成する。i層21Bは、光が照射されることにより電荷一対の自由電子と自由正孔が発生する。n層21A及びp層21Cは、コンタクト層として機能し、下部電極11及び後述する上部電極22とi層21Bをと電気的に接続する。各半導体層21上には、それぞれ個別に上部電極22が形成されている。この上部電極22には、例えば、ITOやIZO酸化亜鉛インジウムなどの光透過性の高い材料を用いている。本実施の形態に係る放射線検出素子10では、上部電極22や半導体層21、下部電極11を含んでセンサ部103が構成されている。層間絶縁膜12、半導体層21及び上部電極22上には、上部電極22に対応する一部で開口27Aを持ち、各半導体層21を覆うように、塗布型の層間絶縁膜23が形成されている。この層間絶縁膜23上には、共通電極配線25がAl若しくはCu、又はAl若しくはCuを主体とした合金あるいは積層膜で形成されている。共通電極配線25は、開口27A付近にコンタクトパッド27が形成され、層間絶縁膜23の開口27Aを介して上部電極22と電気的に接続される。一方、図5に示すように、放射線検出素子10の放射線検出用の画素20Bでは、ソース電極9とドレイン電極13とが接触するようにTFTスイッチ4が形成されている。すなわち、画素20Bでは、TFTスイッチ4のソースとドレインが短絡している。これにより、画素20Bでは、下部電極11に収集された電荷がTFTスイッチ4のスイッチング状態にかかわらず信号配線3に流れ出す。このように形成された放射線検出素子10には、必要に応じてさらに光吸収性の低い絶縁性の材料により保護膜が形成されて、その表面に光吸収性の低い接着樹脂を用いてGOS等からなるシンチレータが貼り付けられる。次に、本実施の形態の信号検出回路105の概略構成について説明する。図6は、本実施の形態の信号検出回路105の一例の概略構成図である。本実施の形態の信号検出回路105は、増幅回路50、及びADCアナログデジタル変換器54を備えて構成されている。なお、図6では、図示を省略したが増幅回路50は、信号配線3毎に設けられている。すなわち、信号検出回路105は、放射線検出素子10の信号配線3の数と同じ数の、複数の増幅回路50を備えて構成されている。増幅回路50は、チャージアンプ回路で構成されており、オペアンプ等のアンプ52と、アンプ52に各々並列に接続されたコンデンサC1~C4と、アンプ52に並列に接続された電荷リセット用のスイッチSW1と、を備えて構成されている。コンデンサC2~C4にはそれぞれスイッチSW2~SW4が直列に接続されており、電荷リセット用のスイッチSW1とスイッチSW2~SW4のオン/オフが制御部106により制御されるようになっている。増幅回路50では、電荷リセット用のスイッチSW1がオフの状態で画素20のTFTスイッチ4により電荷電気信号が読み出され、コンデンサC1、及びスイッチSW2~SW4がオン状態のコンデンサC2~C4にTFTスイッチ4により読み出された電荷が蓄積され、蓄積される電荷量に応じてアンプ52から出力される電圧値が増加するようになっている。このように、いずれのスイッチSW2~SW4をオンにしてコンデンサC1~C4に電荷を蓄積するかにより、増幅回路50の増幅率が決定する。1つのコンデンサCC1~C4に電荷を蓄積する場合は、当該コンデンサの容量により、V=Q/CV:電圧、Q:電荷、C容量となる。一方、複数のコンデンサに電荷を蓄積する場合、例えば、スイッチSW2をオンにし、コンデンサC1、C2に電荷を蓄積する場合は、V=Q/C1Cとなる。なお、コンデンサC1~C4は、それぞれ容量が異なるものであってもよいし、同じ容量であってもよい。コンデンサC1~C4の容量や、コンデンサの数等は放射線画像撮影装置100に求められる性能等に応じて適宜設定すればよい。また、制御手段16は、電荷リセット用スイッチSw1に電荷リセット信号を印加して電荷リセット用のスイッチSW1のオン/オフを制御するようになっている。なお、電荷リセット用のスイッチSW1がオン状態とされると、アンプ52の入力側と出力側とが短絡され、コンデンサC1~C4の電荷が放電される。ADC54は、S/HサンプルホールドスイッチSW5がオン状態において、増幅回路50から入力されたアナログ信号である電気信号をデジタル信号に変換する機能を有するものである。ADC54は、デジタル信号に変換した電気信号を制御部106に順次出力する。なお、本実施の形態のADC54には、信号検出回路105に備えられた全ての増幅回路50から出力された電気信号が入力される。すなわち、本実施の形態の信号検出回路105は、増幅回路50信号配線3の数にかかわらず、1つのADC54を備えている。本実施の形態の制御部106は、ADC54から出力された電気信号に基づく電荷情報放射線量に応じた増幅率を増幅回路50に設定する。増幅率は、電荷量多い放射線量が多い場合は、小さい増幅率を設定し、電荷量が少ない放射線量が少ない場合は、大きい増幅率を設定することにより、ADC54の変換レンジを有効に活用するために所定の範囲内に収まるよう設定する。本実施の形態では、制御部106は、例えば、ADC54から出力される電気信号電荷情報に基づいた電荷量の大きさ放射線量と、電荷を蓄積するコンデンサC1~C4スイッチSW2~4をオンにするとを対応付ける対応関係を予め記憶しておき、出力される電気信号に応じて、スイッチSW2~SW4のオン/オフを制御することによって電荷を蓄積するコンデンサC2~C4を選択することで、増幅回路50の増幅率ゲインを設定するように構成されている。次に、図7及び図8を参照して、上記構成の放射線画像撮影装置100による放射線画像を撮影する際の動作の流れについて、増幅回路50への増幅率の設定制御を中心に、説明する。図7は、本実施の形態の放射線画像撮影装置100の制御部106で実行される、放射線画像を撮影する際の動作の概略の一例を示すフローチャートである。また、図8は、放射線画像を撮影する際の動作の流れの一例を示したタイムチャートである。放射線画像撮影装置100は、放射線の照射開始を検出して放射線検出素子10の各画素20で電荷を蓄積し、蓄積した電荷に応じた画像データに基づいた放射線画像を出力することにより放射線画像を撮影する。本実施の形態では、放射線画像の撮影を行う際、放射線画像撮影装置100には、撮影モードへの移行が制御装置202から通知される。放射線画像撮影装置100は、撮影モードへの移行が通知されると、放射線の検出を行う放射線検出待ち状態に移行し、放射線を検出すると放射線検出素子10で電荷を蓄積する電荷蓄積状態に移行し、放射線を検出してから所定時間後に蓄積された電荷の読み出す電荷読出状態に移行し、電荷の読み出し終了後、待機状態に移行する。放射線照射装置204から放射線が照射されると、照射された放射線は、シンチレータに吸収され、可視光に変換される。なお、放射線は、放射線検出素子10の表側、裏側の何れから照射されてもかまわない。シンチレータで可視光に変換された光は、各画素20のセンサ部103に照射される。センサ部103では、光が照射されると内部に電荷が発生する。この発生した電荷は下部電極11により収集される。放射線画像撮影用の画素20Aでは、ドレイン電極13とソース電極9が短絡していないため、下部電極11に収集された電荷が蓄積されるが、画素20Bでは、ドレイン電極13とソース電極9が短絡しているため、下部電極11に収集された電荷が信号配線3に流れ出す。なお、図7に示したフローチャートは、撮影モードに移行し、放射線が照射されたことを検出した場合に制御部106により実行される。なお、放射線が照射されたことの検出は、本実施の形態の放射線画像撮影装置100では、制御部106が信号検出回路105により変換された、放射線検出用の画素20Bが接続された信号配線3図2の場合、D2、D3の少なくとも一方、例えば、D2のデジタル信号の値を予め定めた放射線検知用の閾値と比較し、閾値以上となった否かにより放射線が照射されたか否かの検出を行うようにしており、制御装置202から制御信号を必要としない、いわゆる同期フリーとして構成している。なお、これに限らず、例えば、制御装置202から入力された制御信号により、放射線が照射されたことを検出するようにしてもよい。制御部106は、放射線の照射を検出すると、ステップ100では、放射線検出素子10に電荷の蓄積を指示する。放射線検出素子10の放射線画像撮影用の画素20Aでは、TFTスイッチ4がオフ状態のままであるため、電荷が蓄積された状態になる図8、Exp期間の電荷蓄積期間参照。次のステップ102では、信号検出回路105から出力された電気信号電荷情報を取得する。放射線検出用の画素20Bは、TFTスイッチ4が短絡しているため、電荷蓄積期間TFTスイッチ4がオフ状態であっても、電荷を信号検出回路105に出力する。電荷蓄積期間及び読出期間に係わらず所定のタイミングでS/HスイッチSW5がオン/オフされる図8、CAサンプリング参照ため、放射線検出用の画素20Bから出力された電荷の情報は信号検出回路105の増幅回路50及びADC54を介して電気信号として制御部106に入力される。次のステップ104では、蓄積期間中の電気信号に応じて、増幅回路50の増幅率を決定し、次のステップ106では、決定した増幅率を信号検出回路105の増幅回路50に設定することにより増幅回路50のゲインを制御する。なお、増幅率の設定は、上述のように、増幅率に応じたスイッチSW2~4をオン状態にすることにより行う。次のステップ108では、放射線検出素子10の画素20放射線画像撮影用の画素20Aに電荷を読み出すように指示する。具体的には、スキャン信号制御回路104を制御してスキャン信号制御回路104から1ラインずつ順に各走査配線101にオン信号図8、ゲート信号Vgh参照を出力させ、TFTスイッチ4のゲート電極2に走査配線101を介して順次オン信号を印加する。これにより、複数配置された画素20AのTFTスイッチ4が順次オンされ、各画素20Aに蓄積された電荷量に応じた電気信号が信号配線3に流れ出す。信号検出回路105の増幅回路50では、信号配線3に流れ出した電気信号をステップ106で設定された増幅率に基づいて増幅しADC54に出力する。ここで、図8に示すように、電荷量が多い照射された放射線量が多い場合は、増幅回路50の増幅率は小さく設定図8、電荷蓄積期間1及び読出期間1、GainL参照され、電荷量が中程度照射された放射線量が中程度の場合は、増幅率は中間値に設定図8、電荷蓄積期間2及び読出期間2、GainM参照されている。ADC54は、当該増幅率に応じて増幅されたアナログの電気信号をデジタル信号へ変換して、制御部106へ出力する。制御部106は、変換されたデジタル信号に対して所定の処理を施し、所定の処理が施された画像データに対して、各放射線検出用の画素20Bの画像データを補間する処理を行って、照射された放射線が示す放射線画像を生成する。次のステップ110では、放射線画像の撮影処理を終了するか否か判断する。読出期間の後に、続けて電荷蓄積期間を設ける場合、例えば、動画像を撮影する場合等は否定されてステップ100へ戻り、本処理放射線画像の撮影動作を繰り返す。一方、終了する場合は、肯定されて、本処理を終了する。以上、説明したように、本実施の形態の放射線画像撮影装置100では、放射線が照射されると、当該放射線に応じて発生した電荷の電荷蓄積期間に放射線検出用の画素20Bから出力された電気信号に基づいて、制御部106が信号検出回路105の増幅回路50の増幅率を決定し、決定した増幅率を増幅回路50に対して設定することにより、増幅回路50の増幅率を制御する。放射線検出素子10の信号検出回路105では、当該電荷蓄積期間に蓄積された電荷に応じた電気信号が、設定された増幅率により増幅回路50で増幅され、ADC54によりデジタル信号に変換されて制御部106へ出力される。このように、本実施の形態では、電荷蓄積期間中に放射線検出用の画素20Bから出力された電気信号に基づいて、当該電荷蓄積期間中に蓄積された電荷を読み出す前に、制御部106で信号検出回路105の増幅回路50の増幅率を設定するよう制御するため、照射された放射線の放射線量に応じた最適な増幅率ゲインに増幅回路50の増幅率を設定することができる。最適な増幅率で電荷の読み取りを行うことができるため、S/N比を向上させることができる。また、本実施の形態の放射線画像撮影装置100では、放射線検出素子10の画素20の一部である放射線検出用の画素20Bを用いて、電荷蓄積期間中に取得した電気信号を用いているため、放射線検出素子10の画素20とは別個に放射線検出用の素子例えば、従来技術では、電流検出手段や、線量モニタを設ける場合に比べて、放射線検出素子10の回路規模を小さくすることができ、従って、放射線画像撮影装置100が大型化するのを抑制しつつ、照射された放射線量に応じて精度良く、増幅率の設定ができる。これにより、従来の放射線画像撮影装置に比べて製造コスト等の面でメリットが有ることはいうまでもない。また、本実施の形態の放射線画像撮影装置100では、放射線検出素子10の画素20において、電荷蓄積期間中に出力された電気信号に基づいて、増幅回路50の増幅率を設定するため、通常の放射線画像撮影電荷読取期間での読取りと同様、シンチレータで変換した光をセンサ部103で検知するため、従来の技術と異なり、放射線の照射条件によって、放射線の検出と画像撮影間の感度ずれが生じることなく、安定した増幅率の決定が可能となる、という効果が得られる。なお、電荷蓄積期間中に電気信号を取得する制御部106が増幅率の設定に用いる電荷情報が読み出される放射線検出用の画素20Bは、画素20中に含まれる放射線検出素子10に備えられた全画素20Bを用いてもよいし、被検体206の撮影部位に対応した位置にある放射線検出用の画素20Bを用いてもよい。被検体206の撮影部位に対応した位置被検体206を透過した放射線が照射される位置の放射線検出用の画素20Bから電荷情報を取得することにより、被検体206の当該撮影部位の放射線画像を撮影する際の信号検出回路105の増幅回路50の増幅率をリアルタイムで最適に設定することができる。この場合、例えば、図9に示すように放射線検出素子10の領域を複数に分割し、撮影者が制御装置202等から被検体206の撮影部位に対応する領域を放射線検出素子10A~10Mから指定し、制御部106が、指定された領域に含まれる放射線検出用の画素20Bから出力された電荷情報に応じて増幅率を決定し、設定するようにしてもよい。なお、上記実施の形態では、電荷蓄積期間中に制御部106が画像データを取得するための画素20として、ソースとドレインが短絡されたTFTスイッチ4を備えた放射線検出用の画素20Bを用いる場合について説明したが、電荷蓄積期間中に画像データを取得するための画素20はこれに限らない。例えば、図10に示すように、ドレイン電極13の途中から接続配線82を形成して信号配線3と接続するようにしてもよい。この場合も、TFTスイッチ4のソースとドレインは実質的に短絡していることとなる。上記実施の形態や図10に示すように、TFTスイッチ4のソースとドレインを短絡させる場合、図11に示すようにゲート電極2を走査配線101から離して形成するようにしてもよい。また、例えば、図12に示すように、放射線検出用の画素20Bでは、接続配線82を形成して接続配線82及びコンタクトホール17を介して、センサ部103と信号配線3とを接続し、ドレイン電極13とコンタクトホール17の間を電気的に切断してもよい。また、上記実施の形態では、放射線検出用の画素20BとしてTFTスイッチ4が短絡された画素を用いる場合について説明したが、TFTスイッチ4が短絡していない画素を放射線検出用の画素20Bとして用いてもよい。この場合、画素20BのTFTスイッチ4の制御は、画素20AのTFTスイッチ4の制御とは独立して制御される。また、この場合の画素20Bは、放射線検出素子10の所定の画素20を用いてもよいし、放射線検出素子10内の画素20とは異なる画素を設けてもよい。また、本実施の形態の放射線画像撮影装置100の放射線検出素子10図2参照では、放射線検出用の画素20Bが一部の信号配線3に接続されているがこれに限らず、全ての信号配線3に接続される位置に放射線検出用の画素20Bを設けるようにしてもよい。また、本実施の形態の制御部106は、取得した電気信号が表す電荷情報に基づいて全ての増幅回路50全ての信号配線3に接続されている増幅回路50の増幅率を一律に設定しているがこれに限らず、増幅回路50毎信号配線3毎に増幅率を設定するようにしてもよい。さらに、第1の実施の形態図2参照においても、放射線検出用の画素20Bの配置を、信号配線3毎に、上側、下側と分けて配置すれば、各信号配線3毎に、上側、下側の照射量を検出することができるので、増幅回路50毎列方向だけではなく、行方向に対しても、増幅率を切り替えることが可能であり、領域単位での増幅率設定が可能となる。[第2の実施の形態]被検体206の放射線画像を撮影する場合、1つの撮影部位の一回の撮影においても、被検体206を透過後に放射線画像撮影装置100放射線検出素子10に到達する線量は、放射線検出素子10の領域放射線が照射される面内の領域により、異なることがある。例えば、被検体206の周縁の領域や、被検体206の厚み、被検体206の体組織骨、臓器の有無等等により、放射線検出素子10に到達する放射線の線量が異なる。放射線の線量が低い部分は、放射線検出素子10により検出する線量が低いため、電気ノイズの影響うけやすく、撮影された放射線画像にざらつきが生じる場合がある。当該ノイズの影響を抑えるため、増幅回路50の増幅率アンプゲインを大きくすることが考えられるが、放射線検出素子10全面一様に増幅率を大きくした場合、放射線検出素子10の検出線量が元々高い領域では、増幅率を大きくしたことにより、ダイナミックレンジをオーバーして飽和してしまうという問題が生じる。本実施の形態では、上述の問題に対応するために、局所的放射線検出素子10の放射線が照射される面の所定の領域毎に照射された放射線量に応じて精度良く、増幅率の設定ができる放射線画像撮影装置100放射線検出素子10について詳細に説明する。なお、第1の実施の形態と略同一の構成及び動作を含むため、略同一の構成及び動作については、ここでは詳細な説明を省略する。本実施の形態の放射線画像撮影装置100の全体構成の一例を示す構成図を図13に示す。上記第1の実施の形態では、放射線検出用の画素20Bは、短絡したTFTスイッチ4を備えるように構成したが、図13に示すように、本実施の形態の放射線検出用の画素20Bは、短絡していないTFTスイッチ4と、放射線検出用のスイッチング素子としてTFTスイッチ34を備えている。放射線検出用の画素20Bに備えられたTFTスイッチ4は、放射線画像撮影用の画素20Aと同様の構成であり、放射線画像の撮影の際に、センサ部103に蓄積された電荷を読み出すのに使用される。一方、TFTスイッチ34は、増幅率の設定や放射線の検出に用いるためにセンサ部103に蓄積された電荷を信号配線3に出力する機能を有している。TFTスイッチ34の制御端子は、放射線検出用走査配線109に接続されており、放射線検出用走査配線109には、放射線検出用制御回路108から、各TFTスイッチ34をスイッチングするための制御信号が流れる。このように制御信号が各放射線検出用走査配線109に流れることによって、各TFTスイッチ34がスイッチングされる。各放射線検出用の画素20BのTFTスイッチ34のスイッチング状態に応じて、信号配線3に電気信号が流れる。放射線検出用走査配線109は、増幅率の設定を行う領域に応じて予め定められた本数毎に、1本の放射線検出用走査配線109として放射線検出用制御回路108に接続されている。図13に示した具体的一例では、4行×4列=16個の画素20を1領域とした、領域単位毎図13では、4つの領域領域1-1、1-2、2-1、2-2に増幅率の設定を行う場合を示している。各領域毎に、2個の放射線検出用の画素20Bを備えるように構成されており、領域1-1及び領域1-2に対しては、走査配線101G2と走査配線101G3との間、及び走査配線101G3と走査配線101G4との間に放射線検出用走査配線109が設けられており、1本の放射線検出用走査配線109G2-1として、放射線検知用制御回路108に接続されている。また同様に、領域2-1及び領域2-2に対しては、走査配線101G6と走査配線101G7との間、及び走査配線101G7と走査配線101G8との間に放射線検出用走査配線109が設けられており、1本の放射線検出用走査配線109G2-2として、放射線検知用制御回路108に接続されている。次に、本実施の形態における増幅回路50への増幅率の設定制御について説明する。本実施の形態では、第1の実施の形態と異なり、放射線検出用制御回路108から制御信号を放射線検出用走査配線109G2-1、G2-2に出力し、TFTスイッチ34をオン状態にしないと、放射線検出用の画素20Bから電荷が信号配線3に出力されない。そのため、第1の実施の形態で上述した放射線画像を撮影する際の動作のフローチャート図7参照のステップ102において、信号検出回路105から出力された電気信号を取得する方法が第1の実施の形態と異なる。本実施の形態では、電荷蓄積期間Exp期間中、走査配線101G1~G8にTFTスイッチ4をオフにするための制御信号をスキャン信号制御回路104から出力させる。これにより、各画素20からは、TFTスイッチ4を介して電荷が信号配線3に出力されることがない。この状態で、まず放射線検出用制御回路108から放射線検知用走査配線109G2-1にTFTスイッチ34をオンするための制御信号を出力させる。また、放射線検出用制御回路108から放射線検知用走査配線109G2-2にTFTスイッチ34をオフするための制御信号を出力させる。当該制御信号の印加に応じて、領域1-1及び領域1-2では、放射線検出用の画素20BのTFTスイッチ34がオン状態になり、信号配線3に、照射された放射線に応じた電荷が出力され、電気信号が信号配線3に流れる。領域1-1では、信号配線3D2及び信号配線3D3に電気信号が流れる。また、領域1-2では、信号配線3D6及び信号配線3D7に電気信号が流れる。各信号配線3D2、D3、D6、D7に接続された信号検出回路105の増幅回路50及びADC54を介して電気信号が制御部106に入力される。これにより、領域1-1及び領域1-2、それぞれの照射された放射線の線量に関する情報を電気信号として取得することができる。次に、同様にして、放射線検出用制御回路108から放射線検知用走査配線109G2-2にTFTスイッチ34をオンするための制御信号を出力させる。また、放射線検出用制御回路108から放射線検知用走査配線109G2-1にTFTスイッチ34をオフするための制御信号を出力させる。当該制御信号の印加に応じて、領域2-1及び領域2-2では、放射線検出用の画素20BのTFTスイッチ34がオン状態になり、信号配線3に、照射された放射線に応じた電荷が出力され、電気信号が信号配線3に流れる。領域2-1では、信号配線3D2及び信号配線3D3に電気信号が流れる。また、領域2-2では、信号配線3D6及び信号配線3D7に電気信号が流れる。各信号配線3D2、D3、D6、D7に接続された信号検出回路105の増幅回路50及びADC54を介して電気信号が制御部106に入力される。これにより、領域2-1及び領域2-2、それぞれの照射された放射線の線量に関する情報を電気信号として取得することができる。このように、制御部106では、各領域毎に、照射された放射線の線量に関する情報を取得することができる。電荷蓄積期間が終了後、読出期間では、各領域毎に、照射された放射線の線量電気信号に応じて、増幅回路50の増幅率を決定し図7、ステップ104参照、決定した増幅率を信号検出回路105の増幅回路50に設定する図7、ステップ106参照ことにより増幅回路50のゲインを制御する。例えば、増幅率ゲインの設定が4段階に切り替え可能な増幅回路50の場合、信号配線3D1~D4に対して、走査配線101G1~G4の読み出し領域1-1の読み出しの場合は、ゲイン設定を3、走査配線101G5~G8の読み出し領域2-1の読み出しの場合は、ゲイン設定を4とする。一方、信号配線3D5~D8に対して、走査配線101G1~G4の読み出し領域1-2の読み出しの場合は、ゲイン設定を2、走査配線101G5~G8の読み出し領域2-2の読み出しの場合は、ゲイン設定を3とするようにすることができる。このように本実施の形態では、任意の領域毎放射線検出素子10の放射線が照射される面を平面視した際の上下左右に設けられた領域毎に増幅回路50のゲインを制御することができる。従って、第1の実施の形態と同様に、装置が大型化するのを抑制しつつ、照射された放射線量に応じて精度良く、増幅率の設定ができる。さらに、本実施の形態では、1枚の放射線画像の中で、任意の領域毎に増幅回路50のゲインを切り替えるよう制御するため、より効果的に診断に最適なS/N比とダイナミックレンジを確保することができる。このようにすることにより、被検体206への放射線の照射量を減らすことが可能となる。また、本実施の形態では、全画素20全領域に対して共通のバイアス電圧が供給されているため、各領域毎にバイアス電圧が変動して画像ムラが発生するのを抑制することができる。なお、本実施の形態のように、任意の領域毎に増幅回路50のゲインを切り替えた場合、領域の境界部分で、放射線画像に段差濃度や粒状性等によるが生じる場合がある。このような場合には、補正や画像処理等を行うことにより、段差の視認性を抑えることができる。なお、本実施の形態の放射線画像撮影装置100放射線検出素子10の構成は、上述に限らず、放射線検出用の画素20Bが、放射線画像の撮影の際に電荷を読み出すのに使用されるTFTスイッチ4と、放射線検出用のスイッチング素子であるTFTスイッチ34とを備えており、放射線検知用TFTスイッチ34は、TFTスイッチ4と別途に、放射線検出用走査配線109によりON/OFFが制御されるように構成されていればよい。例えば、図14に示した放射線画像撮影装置100放射線検出素子10のように構成してもよい。図14に示した放射線画像撮影装置100では、隣接する行に設けられた放射線検出用の画素20BのTFTスイッチ34の制御端子が、共通の放射線検出用走査配線109に接続されている。そのため、図14に示した放射線画像撮影装置100では、任意の走査配線101の間に、当該走査配線101にTFTスイッチ4の制御端子が接続された放射線検出用の画素20BのTFTスイッチ34の制御端子が接続された放射線検出用走査配線109を設けるように構成している。すなわち、放射線検出用走査配線109を中心として、画素20が線対称となるように、いわゆるミラー反転した画素パターンとしている。このように構成することにより、放射線検出用の画素20Bが設けられた各行毎に放射線検出用走査配線109を設ける場合に比べて、放射線検出用走査配線109の本数を少なく約1/2することができる。これにより、放射線検出用走査配線109によるノイズの増加を抑制して、放射線画像の品質を維持することができると共に、歩留まりの低下を抑制することができる。また例えば、図15に示した放射線画像撮影装置100放射線検出素子10のように構成してもよい。図15に示した放射線画像撮影装置100では、図14に示した放射線画像撮影装置100放射線検出素子10において、放射線画像撮影用の画素20Aにも、信号配線3に非接続のTFTスイッチ34を備えるように構成している。放射線画像撮影用の画素20Aでは、放射線検出用制御回路108から放射線検出用走査配線109に出力される信号にかかわらず、TFTスイッチ34はオフ状態を維持し、TFTスイッチ34を介して、センサ部103に蓄積された電荷が信号配線3に出力されることがない。従って、図13に示した放射線画像撮影装置100及び図14に示した放射線画像撮影装置100と略同様に動作する。このように構成することにより、放射線画像撮影用の画素20Aと放射線検出用の画素20Bとを略同一の構成とすることができる。一般に、検査装置により放射線検出素子10の検査を行う場合、放射線画像撮影用の画素20Aとの形状パタンと放射線検出用の画素20Bの形状との相違から放射線検出用画素20Bを不良エラーと検出してしまうのを防止することができる。従って、検査装置例えば、光学的検査装置の制約を回避することができる。また例えば、放射線画像撮影用の画素20Aの形状パタンと放射線検出用の画素20Bの形状パタンとが大きく異なると、放射線検出素子10の製造に用いるマスクの繰り返しパタンが使用できなくなるため、製造しづらくなる場合があるが、マスクの繰り返しパタンを使用して製造を行うことができるため、製造し易くすることができる。なお、本実施の形態において、領域毎に放射線検出用の画素20Bを設ける数は、図13に示したように、全領域において同一となるようにしてもよいし、図14及び図15に示したように、領域により異なるようにしてもよい。その他、上記各実施の形態で説明した放射線画像撮影装置100、放射線検出素子10等の構成、動作等は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更可能であることは言うまでもない。また、本発明の放射線は、特に限定されるものではなく、X線やγ線等を適用することができる。