"[A]下記式Iで表される構造単位を有する重合体を含有する感放射線性樹脂組成物。式I中、R1は、水素原子又はメチル基である。Xは、置換基を有していてもよい2価の脂環式炭化水素基である。Yは、炭素数1~20の2価の炭化水素基である。R2は、メチル基又はトリフルオロメチル基である。上記式IにおけるYが、炭素数2~4のアルカンジイル基である請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。[B]感放射線性酸発生体をさらに含有する請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。下記式Iで表される構造単位を有する重合体。式I中、R1は、水素原子又はメチル基である。Xは、置換基を有していてもよい2価の脂環式炭化水素基である。Yは、炭素数1~20の2価の炭化水素基である。R2は、メチル基又はトリフルオロメチル基である。下記式iで表される化合物。式i中、R1は、水素原子又はメチル基である。Xは、置換基を有していてもよい2価の脂環式炭化水素基である。Yは、炭素数1~20の2価の炭化水素基である。R2は、メチル基又はトリフルオロメチル基である。本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、LWR性能に優れると共に欠陥の発生を抑制することができる感放射線性樹脂組成物、並びにその組成物等に好適に用いられる重合体及び化合物を提供することである。上記課題を解決するためになされた発明は、[A]下記式Iで表される構造単位以下、構造単位1ともいうを有する重合体以下、[A]重合体ともいうを含有する感放射線性樹脂組成物である。式I中、R1は、水素原子又はメチル基である。Xは、置換基を有していてもよい2価の脂環式炭化水素基である。Yは、炭素数1~20の2価の炭化水素基である。R2は、メチル基又はトリフルオロメチル基である。当該感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体を含有する。[A]重合体が有する構造単位1中の2価の脂環式炭化水素基及びジケトン骨格が、[A]重合体の剛直性向上に寄与すると考えられる。その結果、当該感放射線性樹脂組成物はLWR性能に優れる。また、上記構造単位1はYで表される連結基を有するため、側鎖が適度なフレキシビリティを持ち、ジケトン骨格がアルカリ現像液に対して接触し易くなり、[A]重合体のアルカリ現像液に対する親和性が向上する結果、当該感放射線性樹脂組成物は欠陥の発生を抑制することができる。なお、本明細書において構造単位とは、重合体構造に含まれる1単位をいい、繰り返して存在していてもよい。上記式IにおけるYは、炭素数2~4のアルカンジイル基であることが好ましい。Yを上記特定の基とし、より適度な鎖長とすることで、[A]重合体の剛直性と側鎖のフレキシビリティをより適度なレベルで両立できると考えられ、その結果、当該感放射線性樹脂組成物のLWR性能を向上させることができると共に、欠陥の発生をより抑制することができる。当該感放射線性樹脂組成物は、[B]感放射線性酸発生体以下、[B]酸発生体ともいうをさらに含有することが好ましい。当該感放射線性樹脂組成物が、[B]酸発生体をさらに含有することでより放射線感度を高めることができる。本発明の重合体は、下記式Iで表される構造単位を有する。式I中、R1は、水素原子又はメチル基である。Xは、置換基を有していてもよい2価の脂環式炭化水素基である。Yは、炭素数1~20の2価の炭化水素基である。R2は、メチル基又はトリフルオロメチル基である。当該重合体は、上述の性質を有しているので、例えばリソグラフィー技術に用いられる感放射線性樹脂組成物等に好適に使用され得る。本発明の化合物は、下記式iで表される。式i中、R1は、水素原子又はメチル基である。Xは、置換基を有していてもよい2価の脂環式炭化水素基である。Yは、炭素数1~20の2価の炭化水素基である。R2は、メチル基又はトリフルオロメチル基である。当該化合物は、上記構造を有しているので、例えば当該重合体を与える単量体として好適に使用され得る。本発明によれば、LWR性能に優れると共に欠陥の発生を抑制することができる感放射線性樹脂組成物、並びにその組成物等に好適に用いられる重合体及び化合物を提供できる。従って、短波長の活性放射線に感応する化学増幅型感放射線性樹脂組成物として、微細加工時に優れたプロセスマージンを持って製品を製造でき、今後さらに微細化が進行すると予想される集積回路素子等の分野において好適に使用できる。以下、本発明の実施形態について詳述する。<感放射線性樹脂組成物>本発明の感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体を含有し、さらに必要に応じて[B]酸発生体及び任意成分を含有できる。なお、本明細書にいう感放射線性樹脂組成物及び感放射線性酸発生体の放射線とは、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等を含む概念である。以下、[A]重合体、[B]酸発生体及び任意成分について詳述する。<[A]重合体>[A]重合体は、構造単位1を有する重合体である。[A]重合体は、露光時において当該感放射線性樹脂組成物中の[B]酸発生体等から生じる酸によって、現像液溶解性が変化する重合体である。[A]重合体が、後述する酸解離性基を有する重合体以下、[A1]重合体ともいうである場合、元々アルカリ不溶性又は難溶性であり、有機溶媒可溶性である重合体が、酸の作用により、アルカリ可溶性であり、有機溶媒不溶性又は難溶性の重合体に変化する。また、[A]重合体が実質的に酸解離性基を有さない重合体以下、[A2]重合体ともいうであり、さらに組成物中に架橋剤を有する場合、元々アルカリ可溶性であり、有機溶媒不溶性又は難溶性である重合体が、酸の作用により架橋され、アルカリ不溶性又は難溶性であり、有機溶媒可溶性である重合体に変化する。なお、本明細書にいうアルカリ有機溶媒不溶性又は難溶性とは、当該感放射線性樹脂組成物から形成されたレジスト被膜からレジストパターンを形成する際に採用されるアルカリ有機溶媒現像条件下で、レジスト被膜の代わりに[A]重合体のみを用いた被膜を現像した場合に、被膜の初期膜厚の50以上が現像後に残存する性質を意味する。[A]重合体は、構造単位1以外にも、[A]重合体に酸解離基を含有させるための構造単位2、ラクトン構造及び/又は環状カーボネート構造を含有させるための構造単位3並びにその他の構造単位を有していてもよい。[構造単位1]構造単位1は、上記式Iで表される構造単位である。上記式I中、R1は、水素原子又はメチル基である。Xは、置換基を有していてもよい2価の脂環式炭化水素基である。Yは、炭素数1~20の2価の炭化水素基である。R2は、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Xで表される置換基を有していてもよい2価の脂環式炭化水素基としては、例えばシクロブタンジイル基、シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、シクロオクタンジイル基等の単環の脂環式炭化水素基;ノルボルナンジイル基、トリシクロデカンジイル基、テトラシクロドデカンジイル基、アダマンタンジイル基等の2価の有橋脂環式炭化水素基等が挙げられる。これらのうちXとしては、2価の有橋脂環式炭化水素基が好ましく、アダマンタンジイル基がより好ましい。Yで表される炭素数1~20の2価の炭化水素基としては、例えばメタンジイル基、エタンジイル基、n-プロパンジイル基、i-プロパンジイル基、n-ブタンジイル基、n-ペンタンジイル基、n-ヘキサンジイル基等の炭素数1~20の2価の直鎖状又は分岐鎖状の炭化水素基;シクロブタンジイル基、シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、シクロオクタンジイル基、ノルボルナンジイル基、トリシクロデカンジイル基、テトラシクロドデカンジイル基、アダマンタンジイル基等の炭素数3~20の2価の脂環式炭化水素基;フェニレン基、ナフチレン基等の炭素数6~20のアリーレン基;ベンジレン基、フェニレンエチレン基、フェニレンプロピレン基、ナフチレンメチレン基等の炭素数7~20のアリーレンアルキレン基等が挙げられる。これらのうちYとしては、炭素数1~4のアルカンジイル基が好ましく、エタンジイル基、プロパンジイル基、ブタンジイル基がより好ましく、エタンジイル基が特に好ましい。Yをより好ましい範囲の鎖長とすることで、[A]重合体の剛直性と側鎖のフレキシビリティをより適度なレベルで両立できると考えられ、その結果、当該感放射線性樹脂組成物のLWR性能を向上させることができると共に、欠陥の発生をより抑制することができる。構造単位1としては、例えば、下記式1-1~1-18で表される構造単位等が挙げられる。これらのうち、1-1、1-2、1-7、1-8、1-13及び1-14で表される構造単位がより好ましく、1-13及び1-14で表される構造単位が特に好ましい。これらは単独でも2種以上が含まれていてもよい。上記式1-1~1-18中、R1は、上記式Iと同義である。上記構造単位1の含有割合としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、[A1]重合体である場合には1モル~60モルが好ましく、1モル~50モルがより好ましく、1モル~40モルが特に好ましい。一方、[A2]重合体である場合には1モル~90モルが好ましく、10モル~80モルがより好ましく、20モル~70モルが特に好ましい。構造単位1の含有割合が上記範囲であることで、当該感放射線性樹脂組成物は、感度、LWR等のレジスト特性が高度にバランスされる。構造単位1を与える化合物iは、例えば下記のスキームに従いアルコール化合物とジケテン誘導体とを反応させることで合成できる。下記スキーム中、aのルートでは通常、溶媒としてテトラヒドロフラン等、塩基としてトリエチルアミン等、触媒としてジメチルアミノピリジン等を用いて反応を行う。bのルートでは通常、溶媒としてトルエン等、塩基としてジメチルアミノピリジン等を用いてエステル交換反応を行う。この反応には酸を用いてもよい。反応終了後、分析洗浄、蒸留、カラムクロマトグラフィー等により適切に処理することで、目的化合物を得ることが可能である。また、cのルートでは、Yを有するジオールの一方のヒドロキシル基を3,4-ジヒドロ-2H-ピラン等と酸触媒存在下で反応させ保護する。続いて、トリフルオロアセト酢酸エチルとのエステル交換反応を行い、さらに脱保護反応を行うことにより下記アルコール1が得られる。他方、Xを有する図に示すアルコールとメチルスルホニルクロリド等のアルキルスルホニルクロリドとを反応させることによりスルホン酸エステル1が得られる。これを上記アルコール1と反応させることにより目的とする化合物が得られる。上記スキーム中、R1、R2、X及びYは上記式Iと同義である。[構造単位2]構造単位2は、下記式2で表される構造単位である。構造単位2は、[A1]重合体に、酸解離性基を含有させるために用いられる構造単位として好適に用いることができる。構造単位2は、酸の存在下で-CR4R5R6が解離してメタアクリル酸構造を生成する基を有する構造単位であり、この構造単位を組み込むことにより[A1]重合体を含有する感放射線性樹脂組成物のレジストとしての解像性能が向上する。上記式2中、R3は、水素原子又はメチル基である。R4、R5及びR6は、それぞれ独立して、炭素数1~4のアルキル基又は炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基である。但し、R5とR6とが互いに結合して、それらが結合している炭素原子と共に炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基を形成してもよい。上記炭素数1~4のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基等が挙げられる。上記炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基等の単環の脂環式炭化水素基;ノルボルニル基、トリシクロデシル基、テトラシクロドデシル基、アダマンチル基等の有橋脂環式炭化水素基等が挙げられる。上記炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基としては、例えばシクロブタンジイル基、シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、シクロオクタンジイル基等の単環の脂環式炭化水素基;ノルボルナンジイル基、トリシクロデカンジイル基、テトラシクロドデカンジイル基、アダマンタンジイル基等の有橋脂環式炭化水素基等が挙げられる。上記式2における-CR4R5R6で表される基としては、tert-ブチル基、tert-アミル基等の分岐状アルキル基;下記式で表される脂環構造を有する基等が挙げられる。上記構造単位2としては、例えば、下記式2-1~2-20で表される構造単位等が挙げられる。上記式2-1~2-20中、R3は、上記式2と同義である。これらのうち、下記式2-1、2-2、2-3、2-4、2-5、2-6、2-8、2-9、2-11、2-12、2-13、2-14及び2-15で表される構造単位が好ましい。これらの構造単位は1種単独でも、2種以上が含まれていてもよい。[A1]重合体において、構造単位2の含有割合としては、[A1]重合体を構成する全構造単位に対して、5モル~80モルが好ましく、10モル~80モルがより好ましく、20モル~70モルが特に好ましい。構造単位2の含有割合が上記範囲であると、解像度に優れると共に、レジスト膜の密着性にも優れ、パターン倒れやパターン剥れを防止することができる。[構造単位3]上記[A]重合体は、さらに例えば下記式III-1~III-5で表されるラクトン構造を含む構造単位及び下記式III-6で表される環状カーボネート構造を含む構造単位からなる群より選ばれる少なくとも1種の構造単位3を有してもよく、特に[A1]重合体は、これらの構造単位を有することが好ましい。上記[A]重合体がさらに構造単位3を有することで、当該感放射線性樹脂組成物は感度、解像度及び露光余裕が高度にバランスされたレジスト特性を発揮することができ、また、レジストとしての現像性、耐欠陥性、低PEB温度依存性等を向上する相乗効果が奏される。上記式III-1~III-6中、R7及びR8は、それぞれ独立して、水素原子又はメチル基である。R9は、水素原子又はメトキシ基である。Aは、単結合又はメチレン基である。Bは、メチレン基又は酸素原子である。a及びbは、それぞれ独立して、0~2の整数である。構造単位3としては、下記式III-1a~III-6で表される構造単位が好ましい。これらは単独でも2種以上が含まれていてもよい。上記式III-1a~III-6中、R7は、上記式III-1~III-6と同義である。構造単位3の含有割合としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、0モル~70モルが好ましく、0モル~60モルがより好ましい。構造単位3の含有割合を上記範囲とすることで、レジストとしての現像性、耐欠陥性、低PEB温度依存性等を向上できる。なお、構造単位3の含有割合が70モルを超えると、レジストとしての解像性が低下するおそれがある。[その他の構造単位][A]重合体は、上記構造単位1~3以外のその他の構造単位として、さらに例えば下記式で表される構造単位を1種以上含有してもよい。上記式中、R10は、水素原子又はメチル基である。また、[A]重合体はさらに、例えばメタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸-n-ブチル、メタアクリル酸ラウリル、メタアクリル酸シクロヘキシル、メタアクリル酸-ビシクロ[2.2.1]ヘプチルエステル、メタアクリル酸-シクロヘキシルエステル、メタアクリル酸-ビシクロ[4.4.0]デカニルエステル、メタアクリル酸-ビシクロ[2.2.2]オクチルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[5.2.1.02,6]デカニルエステル、メタアクリル酸-アダマンチル、メタアクリル酸-トリシクロ[3.3.1.13,7]デカニルエステル等のメタアクリル酸アルキル等に由来する構造単位を含んでいてもよい。<[A]重合体の合成方法>[A]重合体は、ラジカル重合等の常法に従って合成できる。例えば、単量体及びラジカル開始剤を含有する溶液を、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法;単量体を含有する溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法;各々の単量体を含有する複数種の溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法等の方法で合成することが好ましい。なお、単量体溶液に対して、単量体溶液を滴下して反応させる場合、滴下する単量体溶液中の単量体量は、重合に用いられる単量体総量に対して30モル以上が好ましく、50モル以上がより好ましく、70モル以上が特に好ましい。これらの方法における反応温度は開始剤種によって適宜決定すればよい。通常30°C~150°Cであり、40°C~150°Cが好ましく、50°C~140°Cがさらに好ましい。滴下時間は、反応温度、開始剤の種類、反応させる単量体等の条件によって異なるが、通常、30分~8時間であり、45分~6時間が好ましく、1時間~5時間がより好ましい。また、滴下時間を含む全反応時間も、滴下時間と同様に条件により異なるが、通常、30分~12時間であり、45分~12時間が好ましく、1時間~10時間がより好ましい。上記重合に使用されるラジカル開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリルAIBN、2,2’-アゾビス4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス2-シクロプロピルプロピオニトリル、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル等が挙げられる。これらのラジカル開始剤は単独で又は2種以上を混合して使用できる。上記重合反応に用いられる反応溶媒としては、重合を阻害する溶媒重合禁止効果を有するニトロベンゼン、連鎖移動効果を有するメルカプト化合物等以外の溶媒であって、その単量体を溶解可能な溶媒であれば限定されない。このような溶媒としては、例えば、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステルラクトン系溶媒、ニトリル系溶媒、これらの混合溶媒等が挙げられる。これらの溶媒は、単独又は2種以上を併用できる。重合反応により得られた重合体は、再沈殿法により回収することが好ましい。すなわち、重合反応終了後、重合反応液を再沈溶媒に投入することにより、目的の重合体を粉体として回収する。再沈溶媒としては、アルコール類やアルカン類等を単独で又は2種以上を混合して使用することができる。再沈殿法の他に、分液操作やカラム操作、限外ろ過操作等により、単量体、オリゴマー等の低分子成分を除去して、重合反応により得られた重合体を回収することもできる。[A]重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量Mwは、特に限定されないが、1,000以上100,000以下が好ましく、1,000以上30,000以下がより好ましく、1,000以上20,000以下が特に好ましい。[A]重合体のMwが1,000未満であると、レジストとしたときの耐熱性が低下する傾向がある。一方、[A]重合体のMwが100,000を超えると、レジストとしたときの現像性が低下する傾向がある。また、[A]重合体のGPCによるポリスチレン換算数平均分子量Mnに対するMwの比Mw/Mnは、通常、1.0以上5.0以下であり、1.0以上3.0以下が好ましく、1.0以上2.0以下がより好ましい。なお、本明細書において、Mw及びMnとは、GPCカラム東ソー製、G2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本を用い、流量1.0ミリリットル/分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度40°Cの分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするGPCにより測定した値をいう。<[B]酸発生体>[B]酸発生体は、露光により酸を発生する成分である。この発生した酸により、[A1]重合体中に存在する酸解離性基は解離し、[A2]重合体は架橋剤によって架橋される。その結果、[A]重合体の現像液溶解性が変化する。例えば、[A1]重合体はアルカリ可溶性となるため、アルカリ現像液を用いると露光部が現像液に溶解してポジ型のパターンを形成し、有機溶媒現像液を用いると未露光部が現像液に溶解してネガ型のパターンを形成する。なお、[B]酸発生体の当該感放射線性樹脂組成物における含有形態としては、後述するような化合物以下、適宜[B]酸発生剤というの形態でも、[A]重合体又は他の重合体の一部として組み込まれた形態でも、これらの両方の形態でもよい。上記[B]酸発生剤としては、例えば、オニウム塩化合物、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物等が挙げられる。これらの[B]酸発生体のうち、オニウム塩化合物が好ましい。オニウム塩化合物としては、例えば、スルホニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩、ヨードニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩等が挙げられる。これらのオニウム塩化合物のうち、スルホニウム塩が好ましい。スルホニウム塩としては、例えば、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート等が挙げられる。これらのうち、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート及びトリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-ブタンスルホネートが好ましく、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-ブタンスルホネートがより好ましい。テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムパーパーフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート等が挙げられる。これらのテトラヒドロチオフェニウム塩のうち、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート及び1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-ブタンスルホネートが好ましい。ヨードニウム塩としては、例えば、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムカンファースルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムカンファースルホネート等が挙げられる。これらのヨードニウム塩のうち、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-ブタンスルホネートが好ましい。スルホンイミド化合物としては、例えば、N-トリフルオロメタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-パーフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-パーフルオロ-n-オクタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-3-テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル-1,1-ジフルオロエタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-カンファースルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド等を挙げることができる。これらのスルホンイミド化合物のうち、N-トリフルオロメタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミドが好ましい。[B]酸発生体は、単独又は2種以上を混合して使用できる。[B]酸発生剤の含有量としては、レジストとしての感度及び現像性を確保する観点から、[A]重合体100質量部に対して、通常0.1質量部~20質量部であり、0.5質量部~15質量部が好ましい。この場合、[B]酸発生剤の含有量が0.1質量部未満では、感度及び現像性が低下する傾向があり、一方10質量部を超えると、放射線に対する透明性が低下して、矩形のレジストパターンを得られ難くなる傾向がある。<任意成分>当該感放射線性樹脂組成物は、上記の[A]重合体及び[B]酸発生体に加え、本発明の効果を損なわない範囲で、任意成分としてフッ素含有樹脂、脂環式骨格含有化合物、界面活性剤、酸拡散制御体、架橋剤、増感剤等を含有できる。任意成分の含有量は、その目的に応じて適宜決定することができ、またそれぞれ単独又は2種以上を混合して使用できる。以下、これらの任意成分について詳述する。[フッ素含有樹脂]フッ素含有樹脂は、特に液浸露光においてレジスト膜表面に撥水性を発現させる作用を示す。また、レジスト膜から液浸液への成分の溶出を抑制する効果を奏し、さらに高速スキャンにより液浸露光を行ったとしても液滴を残さないため、結果としてウォーターマーク欠陥等の液浸由来の欠陥を抑制する効果がある。フッ素含有樹脂の構造としては、例えばそれ自体が現像液に不溶で、酸の作用によりアルカリ可溶性となるフッ素含有樹脂;それ自体が現像液に可溶で、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大するフッ素含有樹脂;それ自体が現像液に不溶で、アルカリの作用によりアルカリ可溶性となるフッ素含有樹脂;それ自体が現像液に可溶であり、アルカリの作用によりアルカリ可溶性が増大するフッ素含有樹脂等が挙げられる。フッ素含有樹脂としては、フッ素含有構造単位を有する重合体が好ましい。フッ素含有構造単位を与える単量体としては、例えば、トリフルオロメチルメタアクリル酸エステル、2,2,2-トリフルオロエチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロエチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロn-プロピルメタアクリル酸エステル、パーフルオロi-プロピルメタアクリル酸エステル、パーフルオロn-ブチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロi-ブチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロt-ブチルメタアクリル酸エステル、2-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロピルメタアクリル酸エステル、1-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロシクロヘキシルメチルメタアクリル酸エステル、1-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルメタアクリル酸エステル、1-3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-ヘプタデカフルオロデシルメタアクリル酸エステル、1-5-トリフルオロメチル-3,3,4,4,5,6,6,6-オクタフルオロヘキシルメタアクリル酸エステル等が挙げられる。フッ素含有樹脂としては、例えば上記フッ素含有構造単位と、[A]重合体を構成する構造単位2及び/又は構造単位3とを有する共重合体が好ましい。[脂環式骨格含有化合物]脂環式骨格含有化合物は、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接着性等を改善する効果を奏する。脂環式骨格含有化合物としては、例えば1-アダマンタンカルボン酸、2-アダマンタノン、1-アダマンタンカルボン酸t-ブチル等のアダマンタン誘導体類;デオキシコール酸t-ブチル、デオキシコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸2-エトキシエチル等のデオキシコール酸エステル類;リトコール酸t-ブチル、リトコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸2-エトキシエチル等のリトコール酸エステル類;3-2-ヒドロキシ-2,2-ビストリフルオロメチルエチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、2-ヒドロキシ-9-メトキシカルボニル-5-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン等が挙げられる。[界面活性剤]界面活性剤は、塗布性、ストリエーション、現像性等を改良する効果を奏する。界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンn-オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンn-ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤;市販品として、KP341信越化学工業製、ポリフローNo.75、同No.95共栄社化学製、エフトップEF301、エフトップEF303、エフトップEF352以上、トーケムプロダクツ製、メガファックF171、メガファックF173以上、大日本インキ化学工業製、フロラードFC430、フロラードFC431以上、住友スリーエム製、アサヒガードAG710、サーフロンS-382、サーフロンSC-101、サーフロンSC-102、サーフロンSC-103、サーフロンSC-104、サーフロンSC-105、サーフロンSC-106以上、旭硝子製等が挙げられる。[酸拡散制御体]酸拡散制御体は、露光により[B]酸発生体等から生じる酸のレジスト被膜中における拡散現象を制御し、非露光領域における好ましくない化学反応を抑制する効果を奏する共に、得られる感放射線性樹脂組成物の貯蔵安定性がさらに向上し、またレジストとしての解像度がさらに向上するとともに、露光から現像処理までの引き置き時間の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れた感放射線性樹脂組成物が得られる。酸拡散制御体の当該感放射線性樹脂組成物における含有形態としては、遊離の化合物の形態以下、適宜酸拡散制御剤というでも、[A]重合体の一部として組み込まれた形態でも、これらの両方の形態でもよい。上記酸拡散制御剤としては、例えば下記式等で表される酸解離性基を有する窒素含有化合物等が挙げられる。上記式中、R11a、R11b、R11c、R12a及びR12bは、それぞれ独立して、水素原子、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数1~20のアルキル基、アリール基又はアラルキル基である。但し、これらの基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。また、複数のR11又は複数のR12が互いに結合して、それらが結合する炭素原子又は窒素原子と共に炭素数4~20の環構造を形成してもよい。上記酸解離性基を有する窒素含有化合物としては、例えばN-t-ブトキシカルボニルジ-n-オクチルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-ノニルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-デシルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-2-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-N-メチル-1-アダマンチルアミン、S---1-t-ブトキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、R--1-t-ブトキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、N-t-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン、N-t-アミロキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン、N-t-ブトキシカルボニルピロリジン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニルピペラジン、N,N-ジ-t-ブトキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラ-t-ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,7-ジアミノヘプタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,8-ジアミノオクタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,9-ジアミノノナン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,10-ジアミノデカン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,12-ジアミノドデカン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N-t-ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニル-2-メチルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニル-2-フェニルベンズイミダゾール等のN-t-アルキルアルコキシカルボニル基含有アミノ化合物等が挙げられる。また、酸拡散制御剤としては、上記酸解離性基を有する窒素含有化合物以外にも、例えば、3級アミン化合物、4級アンモニウムヒドロキシド化合物、光崩壊性塩基化合物、その他の含窒素複素環化合物等が挙げられる。3級アミン化合物としては、例えばトリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリシクロヘキシルアミン等のトリシクロアルキルアミン類;アニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、2-メチルアニリン、3-メチルアニリン、4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、2,6-ジメチルアニリン、2,6-ジイソプロピルアニリン等の芳香族アミン類;トリエタノールアミン、N,N-ジヒドロキシエチルアニリン等のアルカノールアミン類;N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラキス2-ヒドロキシプロピルエチレンジアミン、1,3-ビス[1-4-アミノフェニル-1-メチルエチル]ベンゼンテトラメチレンジアミン、ビス2-ジメチルアミノエチルエーテル、ビス2-ジエチルアミノエチルエーテル等が挙げられる。4級アンモニウムヒドロキシド化合物としては、例えばテトラ-n-プロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。酸拡散制御剤の含有量としては、当該感放射線性樹脂組成物中の重合体の合計100質量部に対して、5質量部未満が好ましく、1質量部未満がさらに好ましい。合計含有量が5質量部を超えると、レジストとしての感度が著しく低下する傾向にある。[架橋剤]本発明の感放射線性組成物は、[A2]重合体を含有し、アルカリ現像によりネガ型パターンを形成する組成物である場合、架橋剤をさらに含んでいることが好ましい。すなわち、当該感放射線性樹脂組成物は、架橋剤を含むことで露光の際に発生する酸の作用により、架橋剤の架橋反応が進行し、[A2]重合体の分子相互間及び同一分子内で架橋し、アルカリ現像液に対する溶解性が低い架橋重合体が形成される。このような架橋剤としては、[A2]重合体を架橋することができ架橋した重合体がアルカリ現像液に不溶となるものであれば、特に限定されるものではない。このような架橋剤としては、例えば、架橋性官能基を有する化合物等が挙げられる。この架橋性官能基としては、例えばグリシジルエーテル基、グリシジルエステル基、グリシジルアミノ基等のエポキシ基を有する基;メトキシメチル基、エトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、アセトキシメチル基、ベンゾイロキシメチル基、ホルミル基、アセチル基、ビニル基、イソプロペニル基、ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノメチル基、ジメチロールアミノメチル基、ジエチロールアミノメチル基、モノホリルメチル基等が挙げられる。上述の架橋性官能基を有する化合物としては、例えばビスフェノールA系エポキシ化合物、ビスフェノールF系エポキシ化合物、ビスフェノールS系エポキシ化合物、ノボラック樹脂系エポキシ化合物、レゾール樹脂系エポキシ化合物、ポリヒドロキシスチレン系エポキシ化合物、メチロール基含有メラミン化合物、メチロール基含有ベンゾグアナミン化合物、メチロール基含有尿素化合物、メチロール基含有フェノール化合物、アルコキシアルキル基含有メラミン化合物、アルコキシアルキル基含有ベンゾグアナミン化合物、アルコキシアルキル基含有尿素化合物、アルコキシアルキル基含有フェノール化合物、カルボキシルメチル基含有メラミン樹脂、カルボキシルメチル基含有ベンゾグアナミン樹脂、カルボキシルメチル基含有尿素樹脂、カルボキシルメチル基含有フェノール樹脂、カルボキシルメチル基含有メラミン化合物、カルボキシルメチル基含有ベンゾグアナミン化合物、カルボキシルメチル基含有尿素化合物、カルボキシルメチル基含有フェノール化合物等が挙げられる。これらの架橋性官能基を有する化合物の中でも、メチロール基含有フェノール化合物、メトキシメチル基含有メラミン化合物、メトキシメチル基含有フェノール化合物、メトキシメチル基含有グリコールウリル化合物、メトキシメチル基含有ウレア化合物、又はアセトキシメチル基含有フェノール化合物が好ましく、ヘキサメトキシメチルメラミン等のメトキシメチル基含有メラミン化合物、メトキシメチル基含有グリコールウリル化合物、メトキシメチル基含有ウレア化合物がさらに好ましく、1,3-ビスメトキシメチルウレア、1,3,4,6-テトラキスメトキシメチルグリコールウリルが特に好ましい。[増感剤]増感剤は、[B]酸発生体に吸収される放射線のエネルギー以外のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを例えばラジカルのような形で[B]酸発生体に伝達し、それにより酸の生成量を増加する作用を示すものであり、感放射線性樹脂組成物のみかけの感度を向上させる効果を奏する。増感剤としては、例えばカルバゾール類、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、フェノール類、ビアセチル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセン類、フェノチアジン類等が挙げられる。[その他の任意成分]その他の任意成分としては、例えば染料、顔料、接着助剤、アルカリ可溶性樹脂、酸解離性の保護基を有する低分子のアルカリ溶解性制御剤、ハレーション防止剤、保存安定化剤、消泡剤等が挙げられる。これらのうち、例えば染料又は顔料を配合すると、露光部の潜像を可視化させて、露光時のハレーションの影響を緩和できる。また、接着助剤を配合すると基板との接着性を改善できる。<感放射線性樹脂組成物の調製方法>当該感放射線性樹脂組成物は、例えば有機溶媒中で、上記[A]重合体、[B]酸発生体、及び任意成分を所定の割合で混合することによりポジ型又はネガ型の感放射線性樹脂組成物として調製できる。有機溶媒は、上記の[A]重合体、[B]酸発生体及び任意成分を溶解可能であれば特に限定されない。有機溶媒としては例えば、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、炭化水素系溶媒、ハロゲン化炭化水素系溶媒、これらの混合溶媒等が挙げられる。アルコール系溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、n-プロパノール、iso-プロパノール、n-ブタノール、iso-ブタノール、sec-ブタノール、tert-ブタノール、n-ペンタノール、iso-ペンタノール、2-メチルブタノール、sec-ペンタノール、tert-ペンタノール、3-メトキシブタノール、n-ヘキサノール、2-メチルペンタノール、sec-ヘキサノール、2-エチルブタノール、sec-ヘプタノール、3-ヘプタノール、n-オクタノール、2-エチルヘキサノール、sec-オクタノール、n-ノニルアルコール、2,6-ジメチル-4-ヘプタノール、n-デカノール、sec-ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec-テトラデシルアルコール、sec-ヘプタデシルアルコール、フルフリルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5-トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等のモノアルコール系溶媒;エチレングリコール、1,2-プロピレングリコール、1,3-ブチレングリコール、2,4-ペンタンジオール、2-メチル-2,4-ペンタンジオール、2,5-ヘキサンジオール、2,4-ヘプタンジオール、2-エチル-1,3-ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等の多価アルコール系溶媒;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ-2-エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル等の多価アルコール部分エーテル系溶媒等が挙げられる。ケトン系溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル-iso-ブチルケトン、メチル-n-ペンチルケトン、エチル-n-ブチルケトン、メチル-n-ヘキシルケトン、ジ-iso-ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン、2,4-ペンタンジオン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコール、アセトフェノン等のケトン系溶媒が挙げられる。アミド系溶媒としては、例えばN,N’-ジメチルイミダゾリジノン、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルプロピオンアミド、N-メチルピロリドン等が挙げられる。エステル系溶媒としては、例えばジエチルカーボネート、プロピレンカーボネート、酢酸メチル、酢酸エチル、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、酢酸n-プロピル、酢酸iso-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸iso-ブチル、酢酸sec-ブチル、酢酸n-ペンチル、酢酸sec-ペンチル、酢酸3-メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2-エチルブチル、酢酸2-エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸n-ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸iso-アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ-n-ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-ブチル、乳酸n-アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル等が挙げられる。炭化水素系溶媒としては、例えばn-ペンタン、iso-ペンタン、n-ヘキサン、iso-ヘキサン、n-ヘプタン、iso-ヘプタン、2,2,4-トリメチルペンタン、n-オクタン、iso-オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、n-プロピルベンゼン、iso-プロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、iso-ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ-iso-プロピルベンセン、n-アミルナフタレン等の芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。ハロゲン化炭化水素系溶媒としては、例えばジクロロメタン、クロロホルム、フロン等の含ハロゲン脂肪族炭化水素系溶媒;クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の含ハロゲン芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらの溶媒のうちでも、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノン、γ-ブチロラクトンが好ましい。これらの溶媒は、単独又は2種以上を併用できる。<フォトレジストパターンの形成方法>フォトレジストパターンの形成方法としては、例えば以下に示す方法が一般的である。感放射線性樹脂組成物を用いて、基板上にフォトレジスト膜を形成する工程i、形成されたフォトレジスト膜に、必要に応じて液浸媒体を介し、所定のパターンを有するマスクを通して放射線を照射して露光する工程ii、露光されたフォトレジスト膜を加熱する工程iii、現像工程ivを経て、フォトレジストパターンを形成できる。以下、各工程について詳述する。工程iでは、感放射線性樹脂組成物を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の塗布手段によって、シリコンウエハー、二酸化シリコン、反射防止膜で被覆されたウエハー等の基板上に所定の膜厚となるように塗布し、次いでプレベークPBすることにより塗膜中の溶媒を揮発させることにより、フォトレジスト膜を形成する。液浸露光を行う場合は、工程iiの前に、液浸液とレジスト膜との直接の接触を保護するために、液浸液不溶性の液浸用保護膜をレジスト膜上に設けてもよい。液浸用保護膜としては、後述する工程ivの前に溶媒により剥離する溶媒剥離型保護膜例えば、特開2006-227632号公報参照、工程ivの現像と同時に剥離する現像液剥離型保護膜例えば、WO2005-069076号公報、WO2006-035790号公報参照のいずれを用いてもよい。但し、スループットの観点からは、現像液剥離型液浸用保護膜を用いることが好ましい。工程iiでは、工程iで形成されたフォトレジスト膜に場合によっては、水等の液浸媒体を介して、放射線を照射し露光させる。なお、この際所定のパターンを有するマスクを通して放射線を照射する。放射線としては、目的とするパターンの線幅に応じて、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等から適宜選択して照射する。これらのうち、遠紫外線が好ましく、ArFエキシマレーザー光波長193nm、KrFエキシマレーザー波長248nm光がより好ましく、ArFエキシマレーザー光がさらに好ましい。工程iiiは、ポストエクスポージャーベークPEBと呼ばれ、工程iiでフォトレジスト膜の露光された部分において[B]酸発生体から発生した酸が重合体が有する酸解離性基等を脱保護する工程である。PEBは、通常50°C~180°Cの範囲で適宜選択して実施される。工程ivでは、上記露光されたフォトレジスト膜を、現像液で現像することにより、所定のフォトレジストパターンを形成する。現像後は、水で洗浄し、乾燥することが一般的である。現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8-ジアザビシクロ-[5.4.0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ-[4.3.0]-5-ノネン等のアルカリ性化合物の少なくとも1種を溶解したアルカリ水溶液が好ましい。このようにして得られるレジストパターンは、LWR値が小さく、かつ欠陥が少ない。従って、リソグラフィー技術を応用した微細加工に好適である。<重合体>本発明の重合体は、上記式Iで表される構造単位を有する。当該重合体は、例えばリソグラフィー技術に用いられる感放射線性樹脂組成物等に好適に使用され得る。当該重合体の詳細な説明については、当該感放射線性樹脂組成物に含有される[A]重合体の説明の項で行っているので、ここでは省略する。<化合物>本発明の化合物は、上記式iで表される。当該化合物の詳細な説明については、当該感放射線性樹脂組成物に含有される[A]重合体の説明の項で行っているので、ここでは省略する。以下、実施例に基づき本発明を詳述するが、この実施例の記載に基づいて本発明が限定的に解釈されるものではない。なお、13C-NMR分析は、核磁気共鳴装置JNM-ECX400、日本電子製を使用して測定した。<上記式iで表される化合物の合成>[実施例1]温度計及びリフラックスコンデンサを備えた500mLの三口フラスコにメタクリル酸-3-2-ヒドロキシエトキシ-1-アダマンチル20.0g71.3mmol、N,N-ジメチル-4-アミノピリジン4.0mg0.033mmol、トリエチルアミン36.1mg0.36mmol、フェノチアジン20mg及びテトラヒドロフランTHF100mLを加え、0°Cで15分攪拌させ、続けて滴下漏斗を用いて、50mLのテトラヒドロフランに溶解させたジケテン6.59g78.4mmolを15分かけて滴下した。滴下後、さらに0°Cで2時間攪拌させた後、5mLの水を加えてクエンチし、反応終了とした。次いで、反応液を分液漏斗へ流し込み、さらに2-ブタノン300mLを加え、この反応液を100mLの水で2回、100mLの飽和食塩水で1回洗浄後、油層を回収し無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。この溶液をろ過後、溶媒を減圧留去し、下記式で表される化合物i-1を得た25.15g、収率97。1H-NMRCDCl3δ:6.001H、5.501H、4.252H、3.662H、3.482H、2.40-1.4520H[実施例2]滴下漏斗を備えたフラスコ内に、エチレングリコール27.67g、パラトルエンスルホン酸一水和物0.57g及びジクロロメタン200mLを加え、氷浴中、15分攪拌した。そこへ30mLのジクロロメタンに溶解させた3,4-ジヒドロ-2H-ピラン25.00gを15分かけて滴下した。滴下終了後、氷浴中でさらに15分攪拌させた後、室温で90分攪拌を続けた。その後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液50mLを加え、反応終了とした。反応液を、50mLの水で2回、50mLの飽和食塩水で1回洗浄した後、油層を回収し、低沸点成分を減圧留去し、粗生成物を得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィを用いて粗生成物の精製を行い、下記式a1で表される化合物を得た。温度計及び還流冷却器を備えた1,000mLの3口フラスコに、上記式a1で表される化合物17.88g、トリフルオロアセト酢酸エチル15.00g、N,N-ジメチルアミノピリジン9.96g及びトルエン600mLを加え、攪拌を行いながら110°Cまで昇温し、低沸点成分を留去しながら3時間攪拌を行った。その後、室温まで冷却し、反応液を100mLの1M塩酸水溶液で3回、100mLの飽和食塩水で1回洗浄した後、油層を回収し、低沸点成分を減圧留去して粗生成物を得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィを用いて粗生成物の精製を行い、下記式a2で表される化合物を得た。1,000mLのフラスコに上記式a2で表される化合物20.00g、トルエンスルホン酸一水和物0.27g及びメタノール300mLを加え、室温で3時間攪拌させた。攪拌後、低沸点成分を減圧留去し、下記式a3で表される化合物の粗生成物を得た。ここでは精製は行わずに次の反応へと進んだ。温度計及び滴下漏斗を備えた500mL3口フラスコに、上記式a3で表される化合物11.00g、トリエチルアミン8.34g及びTHF300mLを加え、氷浴中で15分間攪拌した。そこへ、THF30mLに溶解させたヒドロキシアダマンチルメタクリレートメチルスルホニルエステル20.75gを15分間かけて滴下した。滴下後、さらに30分間氷浴中で攪拌させた後、室温で2時間攪拌を行い、5mLの1M塩酸水溶液を加え反応終了とした。反応終了後、THFを減圧留去し、酢酸エチル300mLを加えた。この溶液を50mLの1M塩酸水溶液で3回、50mLの飽和食塩水で1回洗浄した後、油層を回収し、シリカゲルカラムクロマトグラフィを用いて粗生成物の精製を行い、下記i-2で表される化合物を得た。<[A]重合体の合成>重合体A-1、A-2及びCA-1~CA-3の合成において使用した単量体M-1~M-5を下記に示す。M-1:メタアクリル酸2-メチル-2-アダマンチルM-2:メタアクリル酸1-メチル-1-シクロペンチルM-3及びM-4:下記式で表される単量体M-5:メタアクリル酸4-オキサ-5-オキソトリシクロ[4,2,1,03,7]ノナン-2-イルなお、上記単量体M-3は[A]重合体の構造単位1を、M-1及びM-2は構造単位2を、M-5は構造単位3をそれぞれ与える。[実施例3]上記化合物i-18.43g10モル、M-15.42g10モル、M-215.57g40モル及びM-520.57g40モルを2-ブタノン100gに溶解し、さらに重合開始剤としてのAIBN1.90gを溶解させた単量体溶液を調製した。次に、温度計及び滴下漏斗を備えた500mLの三口フラスコに50gの2-ブタノンを投入し、30分窒素パージした。窒素パージの後、フラスコ内をマグネティックスターラーで攪拌しながら80°Cになるように加熱した。滴下漏斗を用い、上記調製した単量体溶液を3時間かけて滴下した。滴下開始時を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合反応液を水冷により30°C以下に冷却した。冷却後、重合反応液を800gのメタノール及び200gの水の混合溶液に投入し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別された白色粉末を、200gのメタノールにてスラリー状にして2回洗浄した。その後、ろ別し、60°Cにて17時間乾燥し、白色粉末の重合体A-1を得た37.6g、収率75、Mw=6,400、Mw/Mn=1.51。13C-NMR分析の結果、化合物i-1由来の構造単位:M-1由来の構造単位:M-2由来の構造単位:M-5由来の構造単位の各含有割合は、10.5:9.7:38.9:40.9モルであった。[実施例4]上記化合物i-29.45g10モル、M-15.29g10モル、M-215.19g40モル及びM-520.07g40モルを2-ブタノン100gに溶解し、さらに重合開始剤としてのAIBN1.85gを溶解させた単量体溶液を調製した。次に、温度計及び滴下漏斗を備えた500mLの三口フラスコに50gの2-ブタノンを投入し、30分窒素パージした。窒素パージの後、フラスコ内をマグネティックスターラーで攪拌しながら80°Cになるように加熱した。滴下漏斗を用い、上記調製した単量体溶液を3時間かけて滴下した。滴下開始時を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合反応液を水冷により30°C以下に冷却した。冷却後、重合反応液を800gのメタノール及び200gの水の混合溶液に投入し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別された白色粉末を、200gのメタノールにてスラリー状にして2回洗浄した。その後、ろ別し、60°Cにて17時間乾燥し、白色粉末の重合体A-2を得た34.8g、収率70、Mw=6,800、Mw/Mn=1.50。13C-NMR分析の結果、化合物i-2由来の構造単位:M-1由来の構造単位:M-2由来の構造単位:M-5由来の構造単位の各含有割合は、10.0:9.1:39.1:41.8モルであった。[合成例1]上記単量体M-15.54g10モル、M-215.90g40モル、M-37.57g40モル及びM-521.00g40モルを2-ブタノン100gに溶解し、さらに重合開始剤としてのAIBN1.94gを溶解させた単量体溶液を調製した。次に、温度計及び滴下漏斗を備えた500mLの三口フラスコに50gの2-ブタノンを投入し、30分窒素パージした。窒素パージの後、フラスコ内をマグネティックスターラーで攪拌しながら80°Cになるように加熱した。滴下漏斗を用い、上記調製した単量体溶液を3時間かけて滴下した。滴下開始時を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合反応液を水冷により30°C以下に冷却した。冷却後、重合反応液を800gのメタノール及び200gの水の混合溶液に投入し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別された白色粉末を、200gのメタノールにてスラリー状で2回洗浄した。その後、ろ別し、60°Cにて17時間乾燥し、白色粉末の重合体CA-1を得た36.4g、収率73、Mw=6,700、Mw/Mn=1.52。13C-NMR分析の結果、M-1由来の構造単位:M-2由来の構造単位:M-3由来の構造単位:M-5由来の構造単位の各含有割合は、9.9:38.5:10.8:40.8モルであった。[合成例2]上記単量体M-15.83g10モル、M-216.74g40モル、M-45.33g40モル及びM-522.11g40モルを2-ブタノン100gに溶解し、さらに重合開始剤としてのAIBN2.04gを溶解させた単量体溶液を調製した。次に、温度計及び滴下漏斗を備えた500mLの三口フラスコに50gの2-ブタノンを投入し、30分窒素パージした。窒素パージの後、フラスコ内をマグネティックスターラーで攪拌しながら80°Cになるように加熱した。滴下漏斗を用い、上記調製した単量体溶液を3時間かけて滴下した。滴下開始時を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合反応液を水冷により30°C以下に冷却した。冷却後、重合反応液を800gのメタノール及び200gの水の混合溶液に投入し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別された白色粉末を、200gのメタノールにてスラリー状で2回洗浄した。その後、ろ別し、60°Cにて17時間乾燥し、白色粉末の重合体CA-2を得た35.1g、収率70、Mw=6,900、Mw/Mn=1.50。13C-NMR分析の結果、M-1由来の構造単位:M-2由来の構造単位:M-4由来の構造単位:M-5由来の構造単位の各含有割合は9.8:39.1:10.5:40.6モルであった。[合成例3]上記単量体M-15.80g10モル、M-216.67g40モル及びM-527.53g50モルを2-ブタノン100gに溶解し、さらに重合開始剤としてのAIBN2.03gを溶解させた単量体溶液を調製した。次に、温度計及び滴下漏斗を備えた500mLの三口フラスコに50gの2-ブタノンを投入し、30分窒素パージした。窒素パージの後、フラスコ内をマグネティックスターラーで攪拌しながら80°Cになるように加熱した。滴下漏斗を用い、上記調製した単量体溶液を3時間かけて滴下した。滴下開始時を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合反応液を水冷により30°C以下に冷却した。冷却後、1,000gのメタノールに投入し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別された白色粉末を、200gのメタノールにてスラリー状にして2回洗浄した。その後、ろ別し、60°Cにて17時間乾燥し、白色粉末の重合体CA-3を得た35.6g、収率71、Mw=6,500、Mw/Mn=1.48。13C-NMR分析の結果、M-1由来の構造単位:M-2由来の構造単位:M-4由来の構造単位:M-5由来の構造単位の各含有割合は、10.1:38.5:51.4モルであった。<感放射線性樹脂組成物の調製>感放射線性樹脂組成物の調製において使用した[B]酸発生体、酸拡散制御剤及び溶媒を下記に示す。[[B]酸発生体]B-1:トリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンスルホネート[酸拡散制御剤]C-1:N-t-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン[溶媒]D-1:酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテルD-2:シクロヘキサノンD-3:γ-ブチロラクトン[実施例5]A-1100質量部、B-18.4質量部及びC-11質量部を混合し、この混合物に、D-1900質量部、D-2390質量部及びD-330質量部を添加し、上記混合物を溶解させて混合溶液を得、得られた混合溶液を孔径0.20μmのフィルターでろ過して感放射線性樹脂組成物を調製した。[実施例6]A-2100質量部、B-18.4質量部及びC-11質量部を混合し、この混合物に、D-1900質量部、D-2390質量部及びD-330質量部を添加し、上記混合物を溶解させて混合溶液を得、得られた混合溶液を孔径0.20μmのフィルターでろ過して感放射線性樹脂組成物を調製した。[比較例1~3]A-1100質量部に代えて、配合する[A]成分としての重合体を比較例1がCA-1100質量部、比較例2がCA-2100質量部、比較例3がCA-3100質量部とした以外は、実施例3と同様に操作して、比較例1~3の感放射線性樹脂組成物を得た。<評価>実施例及び比較例で調製した感放射線性樹脂組成物について、ArFエキシマレーザーを光源として、下記の性能評価を行った。結果を表1に示す。[感度]8インチのウエハー表面に、下層反射防止膜形成剤日産化学製、ARC29Aを用いて、膜厚77nmの下層反射防止膜を形成した。この下層反射防止膜上に、実施例及び比較例の感放射線性樹脂組成物をスピンコートにより塗布し、ホットプレート上にて、100°Cで60秒間PBを行い、膜厚150nmのレジスト被膜を形成した。このレジスト被膜を、フルフィールド縮小投影露光装置ニコン製、S306C、開口数0.78を用い、マスクパターンを介して露光した。その後、表1に示すPEB温度にて60秒間PEBを行った後、2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により、25°Cで30秒現像し、水洗、乾燥して、レジストパターンを形成した。上記の塗布、焼成及び現像はコータ/デベロッパ東京エレクトロン製、CLEANTRACKACT8を用い、全てインラインで実施した。このとき、寸法75nmの1対1ラインアンドスペースのマスクを介して形成した線幅が、線幅75nmの1対1ラインアンドスペースに形成される露光量mJ/cm2を最適露光量とし、この最適露光量を感度mJ/cm2とした。なお、測長には走査型電子顕微鏡日立ハイテクノロジーズ製、S9260を用いた。[LWRラインウィドゥスラフネス]上記走査型電子顕微鏡を用い、最適露光量にて解像した75nmの1対1ラインアンドスペースのパターンをパターン上部から観察し、任意の10点ポイントで線幅を測定した。線幅の測定値の分布度を表す3シグマ値をLWRnmとした。このLWRの値が小さいほど、形成されたパターン形状が良好であると評価できる。[欠陥数]上記感度の測定により作製したウエハーの露光部における欠陥数を検査した。欠陥数は、欠陥検査装置ケーエルエーテンコール製、KLA2351を用いて評価した。欠陥数の検査は、アレイモードで観察し、比較イメージとピクセル単位の重ね合わせによって生じる差異から抽出されるクラスター及びアンクラスターの欠陥数を検出することにより行った。上記欠陥検査装置は、0.15μm以上の欠陥を検出できるように感度を設定した。この検査において、欠陥数が100個/Wafer以下の場合はAと、100個/Waferを超える場合はBと評価した。表1の結果から、本発明の感放射線性樹脂組成物は比較例のものと比べ、LWRが小さく、かつ欠陥数の少ないレジストパターンを形成可能なことが示された。"