第1テストトレイに収納されている半導体素子を、テストチャンバーに設けられたハイフィックスボードに接続させてテストする段階と、前記第1テストトレイを前記テストチャンバーから搬出する段階と、第2テストトレイを前記テストチャンバーに搬入する段階と、前記第2テストトレイに収納されている半導体素子を、前記ハイフィックスボードに接続させてテストする段階と、を含み、前記第1テストトレイに収納されている半導体素子をテストする段階は、前記第1テストトレイに収納されている半導体素子を加熱してテストした後、前記第1テストトレイに収納されている半導体素子を冷却してテストする段階を含み、前記第2テストトレイに収納されている半導体素子をテストする段階は、前記第2テストトレイに収納されている半導体素子を冷却してテストした後、前記第2テストトレイに収納されている半導体素子を加熱してテストする段階を含むことを特徴とする、半導体素子テスト方法。前記第1テストトレイに収納されている半導体素子をテストする段階は、前記テストチャンバーに設けられた第1コンタクトユニットを、前記第1テストトレイに収納されている半導体素子に接触させる段階と、前記第1コンタクトユニットに接触した半導体素子に第1加熱流体を供給する段階と、前記第1加熱流体により加熱される半導体素子をテストした後、前記第1コンタクトユニットに接触した半導体素子に第1冷却流体を供給する段階と、前記第1冷却流体により冷却される半導体素子をテストする段階と、を含むことを特徴とする、請求項1に記載の半導体素子テスト方法。前記第2テストトレイに収納されている半導体素子をテストする段階は、前記テストチャンバーに設けられた第1コンタクトユニットを、前記第2テストトレイに収納されている半導体素子に接触させる段階と、前記第1コンタクトユニットに接触した半導体素子に第1冷却流体を供給する段階と、前記第1冷却流体により冷却される半導体素子をテストした後、前記第1コンタクトユニットに接触した半導体素子に第1加熱流体を供給する段階と、前記第1加熱流体により加熱される半導体素子をテストする段階と、を含むことを特徴とする、請求項1に記載の半導体素子テスト方法。第1チャンバーに設けられた第2コンタクトユニットを、前記第1テストトレイに収納されている半導体素子に接触させる段階と、前記第2コンタクトユニットに接触した半導体素子に第2加熱流体を供給する段階と、前記第2コンタクトユニットを、前記第1テストトレイに収納されている半導体素子から遠ざかるように移動させた後、前記第1テストトレイを前記第1チャンバーから前記テストチャンバーに移送する段階と、を含むことを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体素子テスト方法。前記第2テストトレイを前記テストチャンバーに搬入する段階は、第1チャンバーに設けられた第2コンタクトユニットを、前記第2テストトレイに収納されている半導体素子に接触させる段階と、前記第2コンタクトユニットに接触した半導体素子に第2冷却流体を供給する段階と、前記第2コンタクトユニットを、前記第2テストトレイに収納されている半導体素子から遠ざかるように移動させた後、前記第2テストトレイを前記第1チャンバーから前記テストチャンバーに移送する段階と、を含むことを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体素子テスト方法。半導体素子の収納されている第1テストトレイをテストチャンバーに搬入する段階と、前記第1テストトレイに収納されている半導体素子を第1温度に調節し、前記テストチャンバーに設けられたハイフィックスボードに接続させてテストした後、前記第1テストトレイに収納されている半導体素子を、前記第1温度と異なる第2温度に調節してテストする段階と、前記第1テストトレイを前記テストチャンバーから搬出する段階と、第2テストトレイを前記テストチャンバーに搬入する段階と、前記第2テストトレイに収納されている半導体素子を前記第2温度に調節し、前記テストチャンバーに設けられたハイフィックスボードに接続させてテストした後、前記第2テストトレイに収納されている半導体素子を前記第1温度に調節してテストする段階と、前記第2テストトレイを前記テストチャンバーから搬出する段階と、を含む、半導体素子テスト方法。前記第1テストトレイをテストチャンバーに搬入する段階は、前記第1テストトレイに収納されている半導体素子を、前記テストチャンバーに連結されるように設けられた第1チャンバーで前記第1温度に調節する段階、及び前記第1テストトレイを前記第1チャンバーから前記テストチャンバーに移送する段階を含み、前記第2テストトレイを前記テストチャンバーに搬入する段階は、前記第2テストトレイに収納されている半導体素子を、前記第1チャンバーで前記第2温度に調節する段階、及び前記第2テストトレイを前記第1チャンバーから前記テストチャンバーに移送する段階を含むことを特徴とする、請求項6に記載の半導体素子テスト方法。テストトレイに収納されている半導体素子をテストするためのハイフィックスボードが設けられたテストチャンバーと、前記テストチャンバーに設けられ、前記テストトレイに収納されている半導体素子を前記ハイフィックスボードに接続させるための第1コンタクトユニットと、前記第1コンタクトユニットに結合し、前記テストチャンバーに位置している半導体素子が第1温度及び該第1温度よりも低い第2温度のいずれかの温度でまずテストされた後に残りの温度でテストされるように、前記第1コンタクトユニットに接触した半導体素子に第1加熱流体及び第1冷却流体を選択的に供給する第1温度調節ユニットと、を含むテストハンドラー。前記第1コンタクトユニットは、前記テストトレイに収納されている半導体素子にそれぞれ接触する複数個の第1コンタクトソケットを含み、前記第1コンタクトソケットのそれぞれには第1貫通孔が形成され、前記第1温度調節ユニットは、前記第1貫通孔のそれぞれに連通するように連結される複数個の第1連結部材、及び前記第1連結部材に前記第1加熱流体及び前記第1冷却流体を選択的に供給する第1流体供給部を含むことを特徴とする、請求項8に記載のテストハンドラー。前記第1流体供給部は前記第1連結部材に連通するように連結された第1連結器具と、前記第1連結器具に前記第1加熱流体を供給する第1加熱流体供給部と、前記第1連結器具に前記第1冷却流体を供給する第1冷却流体供給部と、前記第1加熱流体供給部及び前記第1冷却流体供給部のいずれか一方を前記第1連結器具と選択的に連通させる第1開閉器具と、を含むことを特徴とする、請求項9に記載のテストハンドラー。前記テストチャンバーに移送されるテストトレイが位置し、前記テストチャンバーに連結されるように設けられた第1チャンバーと、前記第1チャンバーに設けられ、前記第1チャンバーに位置しているテストトレイに収納されている半導体素子に接触する第2コンタクトユニットと、前記第2コンタクトユニットに結合し、前記第2コンタクトユニットに接触した半導体素子を、前記第1温度に調節するための第2加熱流体及び前記第2温度に調節するための第2冷却流体を選択的に供給する第2温度調節ユニットと、を含むことを特徴とする、請求項8~10のいずれか1項に記載のテストハンドラー。前記第2コンタクトユニットは、前記テストトレイに収納されている半導体素子にそれぞれ接触する複数個の第2コンタクトソケットを含み、前記第2コンタクトソケットのそれぞれには第2貫通孔が形成され、前記第2温度調節ユニットは、前記第2貫通孔のそれぞれに連通するように連結される複数個の第2連結部材、及び前記第2連結部材に前記第2加熱流体及び前記第2冷却流体を選択的に供給する第2流体供給部を含むことを特徴とする、請求項11に記載のテストハンドラー。前記第2流体供給部は、前記第2連結部材に連通するように連結された第2連結器具と、前記第2連結器具に前記第2加熱流体を供給する第2加熱流体供給部と、前記第2連結器具に前記第2冷却流体を供給する第2冷却流体供給部と、前記第2加熱流体供給部及び前記第2冷却流体供給部のいずれか一方を、前記第2連結器具と選択的に連通させる第2開閉器具と、を含むことを特徴とする、請求項12に記載のテストハンドラー。本発明は上記問題を解決するために案出されたもので、その目的は、半導体素子を高温環境及び低温環境でテストできるテストハンドラー及び半導体素子テスト方法を提供することにある。本発明の他の目的は、半導体素子を高温環境及び低温環境でテストするのにかかる時間を減らすことができるテストハンドラー及び半導体素子テスト方法を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明は、下記のような構成を含むことができる。本発明に係るテストハンドラーは、テストトレイに収納されている半導体素子をテストするためのハイフィックスボードが設けられたテストチャンバーと、前記テストチャンバーに設けられ、前記テストトレイに収納されている半導体素子を前記ハイフィックスボードに接続させるための第1コンタクトユニットと、前記第1コンタクトユニットに結合し、前記テストチャンバーに位置している半導体素子が第1温度及び該第1温度よりも低い第2温度のいずれかの温度でまずテストされた後に残りの温度でテストされるように、前記第1コンタクトユニットに接触した半導体素子に第1加熱流体及び第1冷却流体を選択的に供給する第1温度調節ユニットと、を含むことができる。本発明に係る半導体素子テスト方法は、半導体素子の収納されている第1テストトレイを、テストチャンバーに搬入する段階と、前記第1テストトレイに収納されている半導体素子を第1温度に調節し、前記テストチャンバーに設けられたハイフィックスボードに接続させてテストした後、前記第1テストトレイに収納されている半導体素子を、前記第1温度と異なる第2温度に調節してテストする段階と、前記第1テストトレイを前記テストチャンバーから搬出する段階と、第2テストトレイを前記テストチャンバーに搬入する段階と、前記第2テストトレイに収納されている半導体素子を前記第2温度に調節し、前記テストチャンバーに設けられたハイフィックスボードに接続させてテストした後、前記第2テストトレイに収納されている半導体素子を前記第1温度に調節してテストする段階と、前記第2テストトレイを前記テストチャンバーから搬出する段階と、を含むことができる。本発明に係る半導体素子テスト方法は、半導体素子の収納されている第1テストトレイをテストチャンバーに搬入する段階と、前記第1テストトレイに収納されている半導体素子を第1温度に調節し、前記テストチャンバーに設けられたハイフィックスボードに接続させてテストした後、前記第1テストトレイに収納されている半導体素子を前記第1温度よりも低い第2温度に調節してテストする段階と、前記第1テストトレイを前記テストチャンバーから搬出する段階と、第2テストトレイを前記テストチャンバーに搬入する段階と、前記第2テストトレイに収納されている半導体素子を前記第2温度に調節し、前記テストチャンバーに設けられたハイフィックスボードに接続させてテストした後、前記第2テストトレイに収納されている半導体素子を前記第1温度に調節してテストする段階と、前記第2テストトレイを前記テストチャンバーから搬出する段階と、を含むことができる。以下、本発明に係るテストハンドラーの好適な実施例を、添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。図1及び図2を参照すると、本発明に係るテストハンドラー1は、チャンバーユニット2図3参照を含む。チャンバーユニット2図3参照は、ハイフィックスボードHが設置されているテストチャンバー21を含む。ハイフィックスボードHは、テストトレイTに収納されている半導体素子をテストする。本発明に係るテストハンドラー1は、テストトレイTに収納されている半導体素子を、ハイフィックスボードHに接続させるための第1コンタクトユニット3と、第1コンタクトユニット3に接触した半導体素子に、第1加熱流体及び第1冷却流体を選択的に供給する第1温度調節ユニット4と、を含む。第1温度調節ユニット4は、第1コンタクトユニット3に接触した半導体素子に第1加熱流体を供給することによって半導体素子を加熱することができる。これにより、テストトレイTに収納されている半導体素子は、第1温度に調節された後、ハイフィックスボードHに接続してテストされることが可能になる。第1温度調節ユニット4は、第1コンタクトユニット3に接触した半導体素子に第1冷却流体を供給することによって半導体素子を冷却することができる。これにより、テストトレイTに収納されている半導体素子は、第1温度と異なる第2温度に調節された後、ハイフィックスボードHに接続してテストされることが可能になる。このように、本発明に係るテストハンドラー1を、テストトレイTに収納されている半導体素子が高温環境及び低温環境の両方に対して正常に作動するか否かがテストされるように具現することができる。そのため、本発明に係るテストハンドラー1は、従来技術のように2台のテストハンドラーを用いる場合に比べて、半導体素子をテストするのにかかるコストを軽減でき、結果として半導体素子の製造原価を下げることができる。上記では第1温度が第2温度よりも高いとしたが、これに限定されず、第2温度が第1温度より高くてもよい。第2温度が第1温度よりも高い場合、半導体素子は加熱して第2温度に調節し、冷却して第1温度に調節すればいい。以下では、テストチャンバー21、第1コンタクトユニット3、及び第1温度調節ユニット4について、添付の図面を参照しつつ具体的に説明する。図1及び図2を参照すると、テストチャンバー21にはハイフィックスボードHが設置される。テストチャンバー21では、テストトレイTに収納されている半導体素子がハイフィックスボードHに接続してテストされるテスト工程が行われる。ハイフィックスボードHは、一部または全部がテストチャンバー21に挿入されるように設置される。ハイフィックスボードHは、テストトレイTに収納されている半導体素子が接続するテストソケット図示せずを含む。ハイフィックスボードHは、テストトレイTに収納される半導体素子の個数と概略一致する個数のテストソケットを含むことができる。例えば、テストトレイTには、64個、128個、256個などの半導体素子が収納されることがある。ハイフィックスボードHはテスター図示せずに連結される。該テスターは、テストソケットに接続した半導体素子をテストする。テストチャンバー21は、ハイフィックスボードHが挿入される部分が開放されるように形成され、テストトレイTの位置する空間が内部に形成された直方体状にするとよい。テストチャンバー21には、テストトレイTを支持するレール211図2が設けられる。図1及び図2を参照すると、第1コンタクトユニット3はテストチャンバー21に設置される。第1コンタクトユニット3は、テストトレイTに収納されている半導体素子をハイフィックスボードHに接続させる。第1コンタクトユニット3は、テストトレイTに収納されている半導体素子を、ハイフィックスボードHに近づく方向及びハイフィックスボードHから遠ざかる方向に移動させる。第1コンタクトユニット3が、テストトレイTに収納されている半導体素子をハイフィックスボードHに近づく方向に移動させると、テストトレイTに収納されている半導体素子はハイフィックスボードHに接続し、テスターは、ハイフィックスボードHに接続した半導体素子をテストする。それらの半導体素子に対するテストが完了すると、第1コンタクトユニット3は、テストトレイTに収納されている半導体素子を、ハイフィックスボードHから遠ざかる方向に移動させる。テストトレイTには、半導体素子を収納するためのキャリアモジュールC図2が設置される。これらのキャリアモジュールCにはそれぞれ、少なくとも一つの半導体素子を収納することができる。キャリアモジュールCのそれぞれは、バネ図示せずによりテストトレイTに弾性的に移動可能に結合する。第1コンタクトユニット3が、テストトレイTに収納されている半導体素子を、ハイフィックスボードHに近づく方向に押すと、キャリアモジュールCはハイフィックスボードHに近づく方向に移動する。第1コンタクトユニット3がテストトレイTに収納されている半導体素子を押している力を除去すると、キャリアモジュールCは復原力によりハイフィックスボードHから遠ざかる方向に移動する。第1コンタクトユニット3によりキャリアモジュールC及び半導体素子が移動する際に、テストトレイTも共に移動することができる。この場合、テストチャンバー21に設置されたレール211は、テストトレイTの移動に従って共に移動する。図1及び図2を参照すると、第1コンタクトユニット3は複数個の第1コンタクトソケット31を含む。第1コンタクトソケット31は、テストトレイTに収納されている半導体素子に接触して半導体素子を移動させることができ、これにより、それらの半導体素子はハイフィックスボードHに接続することができる。第1コンタクトユニット3は、テストトレイTに収納される半導体素子の個数と概略一致する個数の第1コンタクトソケット31を含むことができる。図1及び図2を参照すると、第1コンタクトソケット31のそれぞれには、第1貫通孔311図2が形成される。第1温度調節ユニット4は、第1貫通孔311を通して、第1コンタクトソケット31に接触している半導体素子に第1加熱流体及び第1冷却流体を選択的に供給することができる。これにより、テストトレイTに収納されている半導体素子を、第1温度調節ユニット4から供給される第1加熱流体で加熱して第1温度に調節した状態でテストすることができる。そして、テストトレイTに収納されている半導体素子を、第1温度調節ユニット4から供給される第1冷却流体で冷却して第2温度に調節した状態でテストすることもできる。したがって、本発明に係るテストハンドラー1は、テストトレイTに収納されている半導体素子が第1コンタクトソケット31に接触した状態で温度が調節されるので、テストチャンバー21の内部の温度を調節することに比べて、半導体素子の温度を調節するのにかかる時間を減らすことができる。また、本発明に係るテストハンドラー1は、テストトレイTに収納されている半導体素子が第1コンタクトソケット31に接触した状態で温度が調節されるので、第1コンタクトソケット31と半導体素子との間から第1加熱流体及び第1冷却流体が漏洩されることから生じる熱損失を低減できる。したがって、本発明に係るテストハンドラー1は、半導体素子の温度を調節するのにかかる時間を減らすことによって、半導体素子をテストするのにかかる時間を減らすことができる。第1コンタクトソケット31は全体として円筒状に形成することができ、第1貫通孔311は、第1コンタクトソケット31よりも小さい円筒状に形成することができる。図1及び図2を参照すると、第1コンタクトユニット3は、第1設置部材3aを含む。第1設置部材3aには第1コンタクトソケット31が設置される。第1設置部材3aは全体として長方形の板状にするとよい。第1コンタクトユニット3は、第1コンタクトソケット31と第1設置部材3aとの間に結合する第1弾性部材3bを含む。これらの第1弾性部材3bにより、第1コンタクトソケット31は第1設置部材3aに結合した状態で弾性的に移動することができる。第1弾性部材3bはバネでよい。第1コンタクトユニット3は、第1設置部材3aを移動させる第1移動ユニット32を含む。第1移動ユニット32は、第1設置部材3aを移動させることによって、第1コンタクトソケット31を移動させることができる。第1移動ユニット32は、第1コンタクトソケット31を、ハイフィックスボードHに近づく方向及びハイフィックスボードHから遠ざかる方向に移動させることができる。第1移動ユニット32は油圧シリンダーまたは空圧シリンダーを用いるシリンダー方式、モーター及びボールスクリューBallScrewなどを用いたボールスクリュー方式、モーター、ラックギアRackGear及びピニオンギアPinionGearなどを用いたギア方式、モーター、プーリー及びベルトなどを用いたベルト方式、リニアモーターLinearMotorなどを用いて第1設置部材3aを移動させることができる。図1及び図2を参照すると、第1温度調節ユニット4は第1コンタクトユニット3に結合する。第1温度調節ユニット4は、第1コンタクトユニット3に連結されるようにテストチャンバー21に結合してもよい。第1温度調節ユニット4は、テストトレイTに収納されている半導体素子を第1温度と第2温度に調節することができる。第1温度は、半導体素子が高温環境で正常に作動するか否かをテストするための温度範囲であり、例えば、120°C程度の温度範囲でよい。第2温度は、半導体素子が低温環境で正常に作動するか否かをテストするための温度範囲であり、例えば、-40°C程度の温度範囲でよい。第1温度調節ユニット4は、テストトレイTに収納されている半導体素子が、第1温度及び第2温度のいずれかの温度でまずテストされた後、残りの温度でテストされるように、第1コンタクトユニット3に接触した半導体素子に第1加熱流体及び第1冷却流体を選択的に供給することができる。例えば、第1温度調節ユニット4は、第1コンタクトユニット3に接触している半導体素子に第1加熱流体をまず供給した後、第1冷却流体を供給することができる。これにより、テストトレイTに収納されている半導体素子は、第1温度に調節された状態でまずテストされた後に、第2温度に調節された状態でテストできる。第1温度調節ユニット4は、テストトレイTに収納されている半導体素子に第1コンタクトソケット31が接触した時点から、それら半導体素子がハイフィックスボードHに接続して第1温度に調節された状態でテストが完了するまで、半導体素子に第1加熱流体を供給することができる。その後、テストトレイTに収納されている半導体素子がハイフィックスボードに接続した状態で、第1温度調節ユニット4は、それら半導体素子が第2温度に調節された状態でテストが完了するまで、半導体素子に第1冷却流体を供給することができる。例えば、第1温度調節ユニット4は、第1コンタクトユニット3に接触した半導体素子に第1冷却流体をまず供給した後に、第1加熱流体を供給することができる。これにより、テストトレイTに収納されている半導体素子を第2温度に調節された状態でまずテストした後に、第1温度に調節された状態でテストすることができる。第1温度調節ユニット4は、テストトレイTに収納されている半導体素子に第1コンタクトソケット31が接触した時点から、それら半導体素子がハイフィックスボードHに接続して第2温度に調節された状態でテストが完了するまで、それら半導体素子に第1冷却流体を供給することができる。その後、テストトレイTに収納されている半導体素子がハイフィックスボードに接続した状態で、第1温度調節ユニット4は、それら半導体素子が第1温度に調節された状態でテストが完了するまで半導体素子に第1加熱流体を供給することができる。第1温度調節ユニット4は、第1貫通孔311のそれぞれに連通するように連結される。第1温度調節ユニット4は、それら第1貫通孔311を通して第1加熱流体及び第1冷却流体を供給することができる。これにより、第1温度調節ユニット4は、第1コンタクトソケット31に接触した半導体素子を加熱したり冷却したりすることができる。図1乃至図3を参照すると、第1温度調節ユニット4は、第1加熱流体及び第1冷却流体を、下記の順序に従って、第1コンタクトユニット3に接触した半導体素子に選択的に供給することができる。まず、半導体素子が収納されている第1テストトレイT1図3がテストチャンバー21に搬入されると、第1温度調節ユニット4は、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子に第1加熱流体を供給する。これにより、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子を、第1加熱流体により加熱して第1温度に調節することができる。次に、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子が第1温度に調節された状態でテストが完了すると、第1温度調節ユニット4は、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子に第1冷却流体を供給する。これにより、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子を、第1冷却流体により冷却して第2温度に調節することができる。次に、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子が第2温度に調節された状態でテストが完了すると、第1テストトレイT1はテストチャンバー2から搬出される。そして、半導体素子が収納されている第2テストトレイT2図3がテストチャンバー2に搬入される。ここで、第1テストトレイT1と第2テストトレイT2はテストチャンバー2に搬入される順序を区別するためのもので、第2テストトレイT2は第1テストトレイT1の次にテストチャンバー21に搬入されるものである。次に、テストチャンバー21に第2テストトレイT2が搬入されると、第1温度調節ユニット4は、第2テストトレイT2に収納されている半導体素子に第1冷却流体を供給する。これにより、第2テストトレイT2に収納されている半導体素子を、第1冷却流体により冷却して第2温度に調節することができる。すなわち、以前の第1テストトレイT1に対しては、第1温度にまず調節したのち第2温度に調節したが、第2テストトレイT2に対しては第2温度にまず調節する。第2テストトレイT2がテストチャンバー21に搬入される直前に、第1温度調節ユニット4及び第1コンタクトソケット31などは第1テストトレイT1に収納されている半導体素子を第2温度に調節する過程で冷却された状態であるから、第2テストトレイT2に対しては第2温度にまず調節することで、第2テストトレイT2に収納されている半導体素子を第2温度に調節するのにかかる時間を減らすことができるわけである。したがって、本発明に係るテストハンドラー1は、第1テストトレイT1に対するテスト工程を行った後に、第2テストトレイT2に対するテスト工程を行うのにかかる時間を減らすことができる。次に、第2テストトレイT2に収納されている半導体素子が第2温度に調節された状態でテストが完了すると、第1温度調節ユニット4は、第2テストトレイT2に収納されている半導体素子に第1加熱流体を供給する。これにより、第2テストトレイT2に収納されている半導体素子を、第1加熱流体により加熱して第1温度に調節することができる。次に、第2テストトレイT2に収納されている半導体素子が第1温度に調節された状態でテストが完了すると、第2テストトレイT2がテストチャンバー2から搬出される。このような順序に従って、第1温度調節ユニット4は第1加熱流体及び第1冷却流体を、第1コンタクトユニット3に接触した半導体素子に選択的に供給することができる。第2テストトレイT2の次にテストチャンバー21に搬入されるテストトレイについては、第2テストトレイT2の次にテストチャンバー21に搬入される第3テストトレイ図示せずを第1テストトレイT1と見なし、第3テストトレイの次にテストチャンバー21に搬入される第4テストトレイ図示せずを第2テストトレイT2と見なすと、第1温度調節ユニット4が第1加熱流体及び第1冷却流体を第1コンタクトユニット3に接触している半導体素子に選択的に供給する順序が明確に導出されるので、その具体的な説明は省略する。また、上記では、第1テストトレイT1を第1温度にまず調節するとして説明したが、第1テストトレイT1を第2温度にまず調節した後に第1温度に調節することも、上述から明らかに導出することができ、それについての具体的な説明は省略する。すなわち、本発明に係るテストハンドラー1は、第1テストトレイT1を第1温度にまず調節した後に第2温度に調節してもよく、第1テストトレイT1を第2温度にまず調節した後に第1温度に調節してもよい。図1及び図2を参照すると、第1温度調節ユニット4は、複数個の第1連結部材41、及び第1流体供給部42を含む。第1連結部材41のそれぞれは、一側が第1貫通孔311に連通するように第1コンタクトソケット31に結合され、他側が第1流体供給部42に連結される。これらの第1連結部材41には、第1流体供給部42から第1加熱流体及び第1冷却流体が選択的に供給される。第1加熱流体及び第1冷却流体は、第1流体供給部42から第1連結部材41、第1貫通孔311を順に通って、テストトレイTに収納されている半導体素子に供給される。第1連結部材41のそれぞれの内部に第1加熱流体及び第1冷却流体が移動できるような第1流路図示せずが形成される。テストトレイTに収納されている半導体素子をハイフィックスボードHに接続させるべく第1コンタクトソケット31が移動する時、第1温度調節ユニット4は、第1コンタクトソケット31の移動に従って共に移動してもよく、第1コンタクトソケット31が移動するにもかかわらず固定していてもよい。第1温度調節ユニット4を固定しているものとする場合、第1連結部材41は柔軟性を持つ材質で形成すればいい。これにより、第1コンタクトソケット31が移動しても、第1加熱流体及び第1冷却流体を、第1コンタクトソケット31に接触している半導体素子へと供給することができる。例えば、第1連結部材41は、ゴムホース、メタルホース、プラスチックホースなどでよい。第1流体供給部42は、第1連結部材41に第1加熱流体及び第1冷却流体を選択的に供給する。第1流体供給部42は、テストチャンバー21及びテスターの少なくとも一方から、テストチャンバー21に位置しているテストトレイTに、第1加熱流体または第1冷却流体のいずれをまず供給しなければならないかに関する情報を受信することができる。第1流体供給部42は、上述のとおり、第1テストトレイT1を第1温度に調節したのち第2温度に調節し、第2テストトレイT2は第2温度に調節したのち第1温度に調節するという順序に応じて、第1連結部材41に第1加熱流体及び第1冷却流体を選択的に供給してもよい。第1流体供給部42は、第1連結器具421、第1加熱流体供給部422、第1冷却流体供給部423、及び第1開閉器具424を含む。第1連結器具421は、一側が第1連結部材41に連通するように連結され、他側が第1加熱流体供給部42及び第1冷却流体供給部423に連通するように連結される。第1連結器具421は、第1加熱流体供給部42から第1加熱流体を受けて第1連結部材41に伝達することができる。第1連結器具421は、第1冷却流体供給部423から第1冷却流体を受けて第1連結部材41に伝達することができる。第1連結器具421は、第1加熱流体及び第1冷却流体を収容できるような空間が内部に形成された直方体状にするとよい。第1加熱流体供給部422は、第1連結器具421に連通するように連結される。第1加熱流体供給部422は第1加熱流体を第1連結器具421に供給する。第1加熱流体は、加熱された空気でよい。図示してはいないが、第1加熱流体供給部422は、電熱ヒーター、送風ファンなどを含むことができる。送風ファンが空気を吸い込んで電熱ヒーター側に排出すると、この空気は電熱ヒーターにより加熱されて第1加熱流体とされ、該第1加熱流体を第1連結器具421に供給することができる。第1冷却流体供給部423は、第1連結器具421に連通するように連結される。第1冷却流体供給部423は第1冷却流体を第1連結器具421に供給する。第1冷却流体は窒素でよい。図示してはいないが、第1冷却流体供給部423は、液化窒素噴射システムなどを含むことができる。第1開閉器具424は、第1加熱流体供給部422及び第1冷却流体供給部423のいずれか一方を第1連結器具421と選択的に連通させる。第1開閉器具424はバルブでよい。第1流体供給部42は、2個の第2開閉器具424を含むことができる。これら第2開閉器具424のうち、いずれか一方は第1加熱流体供給部422と第1連結器具421とを連通するように連結する流路に設けられ、いずれか他方は第1冷却流体供給部423と第1連結器具421とを連通するように連結する流路に設けられてよい。第1流体供給部42は、これら第1開閉器具424のいずれかを選択的に開放させることによって、第1連結器具421に第1加熱流体及び第1冷却流体を選択的に供給することができる。図3及び図4を参照すると、本発明の変形された実施例に係るテストハンドラー1は、テストトレイTがテストチャンバー21に移送される前に、テストトレイTに収納されている半導体素子の温度を調節するための第2温度調節ユニット5を含む。チャンバーユニット2は、テストチャンバー21に連結されるように設置された第1チャンバー22を含む。第1チャンバー22には、テストチャンバー21に移送されるテストトレイTが位置する。第1チャンバー22では、テストトレイTに収納されている半導体素子が第2温度調節ユニット5により温度調節される工程が行われる。第1チャンバー22は、テストトレイTが位置する空間が内部に形成された直方体状にするとよい。第1チャンバー22には、テストトレイTを支持するレール221図4が設置される。第1チャンバー22及びテストチャンバー21にはそれぞれ、テストトレイTが移送されうる通路図示せずが形成されている。テストトレイTが第1チャンバー22からテストチャンバー21に移送される時にのみ通路が開放されるように、該通路には開閉ドア図示せずが設けられてもよい。図3及び図4を参照すると、第2温度調節ユニット5が第1チャンバー22に結合する。第2温度調節ユニット5は、第2加熱流体及び第2冷却流体により、テストトレイTに収納されている半導体素子を第1温度と第2温度に調節することができる。第2加熱流体は、加熱された空気でよい。第2冷却流体は、窒素でよい。第2温度調節ユニット5は、テストチャンバー21に、第1温度に調節された半導体素子が収納された第1テストトレイT1及び第2温度に調節された半導体素子が収納された第2テストトレイT2が交互に移送されるように、第1チャンバー22に置かれている半導体素子の温度を調節することができる。この場合、第1温度調節ユニット4は、テストチャンバー21に第1テストトレイT1が移送されると、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子が第1温度でまずテストされたのち第2温度でテストされるように、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子の温度を調節する。そして、第1温度調節ユニット4は、テストチャンバー21に第2テストトレイT2が移送されると、第2テストトレイT2に収納されている半導体素子が第2温度でまずテストされたのち第1温度でテストされるように、第2テストトレイT2に収納されている半導体素子の温度を調節する。したがって、本発明の変形された実施例に係るテストハンドラー1は、下記のような作用効果を得ることができる。第一に、本発明の変形された実施例に係るテストハンドラー1は、テストチャンバー21で半導体素子が第1温度または第2温度のいずれかの温度でまずテストされることに対応するように、第1チャンバー22で半導体素子の温度をあらかじめ調節することができる。したがって、本発明の変形された実施例に係るテストハンドラー1は、テストチャンバー21で半導体素子の温度を調節する時間を軽減することによって、半導体素子をテストするのにかかる時間をより減らすことができる。第二に、本発明の変形された実施例に係るテストハンドラー1は、テストチャンバー21で半導体素子に対するテストが行われる間、第1チャンバー22では半導体素子を第1温度または第2温度のいずれかの温度にあらかじめ調節することができる。したがって、本発明の変形された実施例に係るテストハンドラー1は、テストチャンバー21で半導体素子の温度を調節するのにかかる時間を軽減することによって、半導体素子をテストするのにかかる時間をより減らすことができる。図示してはいないが、第2温度調節ユニット5は、第2加熱流体及び第2冷却流体により第1チャンバー22の内部の温度を調節することによって、テストトレイTに収納されている半導体素子の温度を調節してもよい。こうすると、第1チャンバー22の内部を第1温度に調節したのち第2温度に調節するのに相当な時間がかかり、その分、テストトレイTに収納されている半導体素子の温度を調節するのにかかる時間も増加してしまう。そこで、テストトレイTに収納されている半導体素子の温度を調節するのにかかる時間を減らすために、本発明の変形された実施例に係るテストハンドラー1は、第2コンタクトユニット6をさらに含む。図3及び図4を参照すると、第2コンタクトユニット6は、第1チャンバー22に設けられる。第2コンタクトユニット6は、第1チャンバー22に置かれているテストトレイTに収納されている半導体素子に接触できる。この場合、第2温度調節ユニット5は、第2コンタクトユニット6に接触している半導体素子に、第2加熱流体及び第2冷却流体を選択的に供給することができる。これにより、テストトレイTに収納されている半導体素子は、第2温度調節ユニット5から供給された第2加熱流体により加熱されて第1温度に調節可能である。そして、テストトレイTに収納されている半導体素子は、第2温度調節ユニット5から供給された第2冷却流体により冷却されて第2温度に調節可能である。したがって、本発明の変形された実施例に係るテストハンドラー1は、テストトレイTに収納されている半導体素子が第2コンタクトユニット6に接触した状態で温度が調節されるので、第1チャンバー22の内部の温度を調節する場合に比べて、半導体素子の温度を調節するのにかかる時間をより短縮することができる。また、本発明の変形された実施例に係るテストハンドラー1は、テストトレイTに収納されている半導体素子が第2コンタクトユニット6に接触した状態で温度が調節されるので、第2コンタクトユニット6と半導体素子との間から第2加熱流体や第2冷却流体が漏洩されることから生じる熱損失を低減できる。その結果、本発明の変形された実施例に係るテストハンドラー1は、第1チャンバー22で半導体素子の温度を調節するのにかかる時間を減らすことができる。図3及び図4を参照すると、第2コンタクトユニット6は、テストトレイTに収納されている半導体素子に接触するための複数個の第2コンタクトソケット61を含む。第2コンタクトユニット6は、テストトレイTに収納される半導体素子の個数と概略一致する個数の第2コンタクトソケット61を含むことができる。第2コンタクトソケット61のそれぞれには第2貫通孔611が形成される。第2温度調節ユニット5は、第2貫通孔611を通して、第2コンタクトソケット61に接触している半導体素子に第2加熱流体及び第2冷却流体を選択的に供給することができる。第2コンタクトソケット61は全体として円筒状に形成されるとよく、第2貫通孔611は第2コンタクトソケット61よりも小さい円筒状に形成されるとよい。図3及び図4を参照すると、第2コンタクトユニット6は、第2設置部材6aを含む。第2設置部材6aには第2コンタクトソケット61が設置される。第2設置部材6aは、全体として長方形の板状にするとよい。第2コンタクトユニット6は、第2コンタクトソケット61と第2設置部材6aとの間に結合する第2弾性部材6bを含む。これらの第2弾性部材6bにより、第2コンタクトソケット61は第2設置部材6aに結合した状態で弾性的に移動することができる。第2弾性部材6bはバネでよい。図3及び図4を参照すると、第2コンタクトユニット6は、第2移動ユニット62を含む。第2移動ユニット62は、第2設置部材6aを、第1チャンバー22に位置しているテストトレイTに近づく方向、及び第1チャンバー22に位置しているテストトレイTから遠ざかる方向に移動させる。第2移動ユニット62が第2設置部材6aを、第1チャンバー22に位置しているテストトレイTに近づくように移動させると、第2コンタクトソケット61がテストトレイTに収納されている半導体素子に接触することができる。第2コンタクトソケット61がテストトレイTに収納されている半導体素子に接触した状態で、テストトレイTに収納されている半導体素子を、第2温度調節ユニット5から供給される第2加熱流体及び第2冷却流体により温度調節することができる。第2移動ユニット62が第2設置部材6aを、第1チャンバー22に位置しているテストトレイTから遠ざかるように移動させると、テストトレイTは、第2コンタクトソケット61に妨害されることなく、第1チャンバー22からテストチャンバー21へと移送可能になる。第2移動ユニット62は、油圧シリンダーまたは空圧シリンダーを用いるシリンダー方式、モーター及びボールスクリューなどを用いるボールスクリュー方式、モーター、ラックギア及びピニオンギアなどを用いるギア方式、モーター、プーリー及びベルトなどを用いるベルト方式、リニアモーターなどを用いて第2設置部材6aを移動させることができる。第2コンタクトユニット6は、第1チャンバー22に移動可能に結合することができる。第2コンタクトユニット6は、一部または全部が第1チャンバー22に挿入されるように設置できる。図3及び図4を参照すると、本発明の変形された実施例に係るテストハンドラー1が第2コンタクトユニット6を含む場合、第2温度調節ユニット5は下記のように構成することができる。第2温度調節ユニット5は第2コンタクトユニット6に結合される。第2温度調節ユニット5は、第2コンタクトユニット6に連結されるように第1チャンバー22に結合されてもよい。第2温度調節ユニット5は、第2貫通孔611のそれぞれに連通するように連結される。第2温度調節ユニット5は、第2貫通孔611を通して、第2加熱流体及び第2冷却流体を選択的に供給することができる。これにより、第2温度調節ユニット5は、第2コンタクトソケット61に接触した半導体素子を加熱したり冷却したりすることができる。第2温度調節ユニット5は、第1チャンバー22の外部に配置されてもよく、図示してはいないが、第1チャンバー22の内部に配置されてもよい。図3及び図4を参照すると、第2温度調節ユニット5は、複数個の第2連結部材51、及び第2流体供給部52を含む。第2連結部材51のそれぞれは、一側が第2貫通孔611に連通するように第2コンタクトソケット61に結合し、他側は、第2流体供給部52に連結される。これらの第2連結部材51には、第2流体供給部52から第2加熱流体及び第2冷却流体が選択的に供給される。第2加熱流体及び第2冷却流体は、第2流体供給部52から第2連結部材51及び第2貫通孔611を順に通ってテストトレイTに収納されている半導体素子に供給される。第2連結部材51のそれぞれは、第2加熱流体及び第2冷却流体が移動される第2流路図示せずが内部に形成される。第2コンタクトソケット61が、テストトレイTに収納されている半導体素子に接触するために移動する際、第2温度調節ユニット5は、第2コンタクトソケット61の移動に従って共に移動してもよく、第2コンタクトソケット61が移動するにもかかわらず固定していてもよい。第2温度調節ユニット5を固定しているものとする場合、第2連結部材51は、柔軟性を持つ材質で形成すればよい。これにより、第2コンタクトソケット61が移動しても、第2加熱流体及び第2冷却流体を、第2コンタクトソケット61に接触した半導体素子に供給することができる。例えば、第2連結部材51は、ゴムホース、メタルホース、プラスチックホースなどでよい。第2流体供給部52は、第2連結部材51に第2加熱流体及び第2冷却流体を選択的に供給することができる。第2流体供給部52は、テストチャンバー21及びテスターの少なくとも一方から、第1チャンバー22に位置しているテストトレイTに、第2加熱流体及び第2冷却流体のいずれを供給しなければならないかに関する情報を受信することができる。第2流体供給部52は、上述した通り、第1テストトレイT1及び第2テストトレイT2に対して交互に第1温度及び第2温度に調節する順序に応じて、第2連結部材51に第2加熱流体及び第2冷却流体を選択的に供給してもよい。第2流体供給部52は、第2連結器具521、第2加熱流体供給部522、第2冷却流体供給部523及び第2開閉器具524を含む。第2連結器具521は、一側が第2連結部材51に連通するように連結され、他側が第2加熱流体供給部42及び第2冷却流体供給部523に連通するように連結される。第2連結器具521は、第2加熱流体供給部42から第2加熱流体を受けて第2連結部材51に伝達することができる。第2連結器具521は、第2冷却流体供給部523から第2冷却流体を受けて第2連結部材51に伝達することができる。第2連結器具521は、第2加熱流体及び第2冷却流体を収容できるような空間が内部に形成された直方体状にするとよい。第2加熱流体供給部522は、第2連結器具521に連通するように連結される。第2加熱流体供給部522は、第2加熱流体を第2連結器具521に供給する。第2加熱流体は、加熱された空気でよい。図示してはいないが、第2加熱流体供給部522は、電熱ヒーター、送風ファンなどを含むことができる。この送風ファンが空気を吸い込んで電熱ヒーター側に排出すると、該空気は電熱ヒーターにより加熱されて第2加熱流体にされ、該第2加熱流体を第2連結器具521に供給することができる。第2冷却流体供給部523は、第2連結器具521に連通するように連結される。第2冷却流体供給部523は第2冷却流体を第2連結器具521に供給する。第2冷却流体は窒素でよい。図示してはいないが、第2冷却流体供給部523は、液化窒素噴射システムなどを含むことができる。第2開閉器具524は、第2加熱流体供給部522及び第2冷却流体供給部523のいずれか一方を第2連結器具521と選択的に連通させる。第2開閉器具524は、バルブでよい。第2流体供給部52は、2個の第2開閉器具424を含むことができる。これら第2開閉器具524のいずれか一方は、第2加熱流体供給部522と第2連結器具521とを連通するように連結する流路に設けられ、いずれか他方は、第2冷却流体供給部523と第2連結器具521とを連通するように連結する流路に設けられてよい。第2流体供給部52は、第2開閉器具524のいずれかを選択的に開放させることによって、第2連結器具521に第2加熱流体及び第2冷却流体を選択的に供給することができる。図3及び図4を参照すると、テストチャンバーユニット2は、第2チャンバー23をさらに含む。第2チャンバー23は、テストチャンバー21から搬出されたテストトレイTが位置する。すなわち、テストチャンバー21で半導体素子に対するテストが完了すると、テストトレイTはテストチャンバー21から第2チャンバー23に移送される。第2チャンバー23は、テストトレイTに収納されている半導体素子を常温または常温に近い温度に復元することができる。図示してはいないが、第2チャンバー23には、電熱ヒーター及び液化窒素噴射システムを設置することができる。図3及び図5を参照すると、本発明の他の変形された実施例に係るテストハンドラー1は、ローディングユニット7及びアンローディングユニット8をさらに含む。ローディングユニット7は、テストされる半導体素子をテストトレイTにローディングするローディング工程を行う。該ローディング工程の完了したテストトレイTは、第1チャンバー22に移送されてよい。ローディングユニット7は、ローディングスタッカー71、ローディングピッカー72、及びローディングバッファー73を含む。ローディングスタッカー71には、テストされる半導体素子が入っている顧客トレイUserTray図示せずが複数個格納される。ローディングピッカー72は、ローディングスタッカー71に位置している顧客トレイから、テストされる半導体素子をピックアップしてテストトレイTに収納する。テストされる半導体素子がテストトレイTに収納される時、テストトレイTはローディング位置図示せずに位置していればよい。このローディング位置には、テストトレイTを支持するための第1支持部材図示せずを設けることができる。ローディングバッファー73は、テストされる半導体素子を一時的に収納することができる。この場合、ローディングピッカー72は、第1ローディングピッカー図示せず及び第2ローディングピッカー図示せずを含むことができる。第1ローディングピッカーは、テストされる半導体素子を、ローディングスタッカー71に位置している顧客トレイからローディングバッファー73に移送する。第2ローディングピッカーは、テストされる半導体素子を、ローディングバッファー73からテストトレイTに移送する。図3及び図5を参照すると、アンローディングユニット8は、テスト済みの半導体素子をテストトレイTからアンローディングするアンローディング工程を行う。テスト済みの半導体素子が収納されたテストトレイTは、第2チャンバー23から移送することができる。アンローディングユニット8は、アンローディングスタッカー81、アンローディングピッカー82、及びアンローディングバッファー83を含むことができる。アンローディングスタッカー81には、テスト済みの半導体素子が入っている顧客トレイが複数個格納される。テスト済みの半導体素子は、テスト結果に基づき、アンローディングスタッカー81で等級別に異なる位置に位置している顧客トレイに収納されればよい。アンローディングピッカー82は、テストトレイTからテスト済みの半導体素子をピックアップして、アンローディングスタッカー81に位置している顧客トレイに収納することができる。テストトレイTからテスト済みの半導体素子がピックアップされる時、テストトレイTは、アンローディング位置に位置していればよい。このアンローディング位置には、テストトレイTを支持するための第2支持部材図示せずを設けることができる。アンローディングバッファー83は、テスト済みの半導体素子を一時的に収納することができる。この場合、アンローディングピッカー82は、第1アンローディングピッカー図示せず及び第2アンローディングピッカー図示せずを含む。第1アンローディングピッカーは、テスト済みの半導体素子をテストトレイTからアンローディングバッファー83に移送する。第2アンローディングピッカーは、テスト済みの半導体素子をアンローディングバッファー83からアンローディングスタッカー81に位置している顧客トレイに移送する。第2アンローディングピッカーは、アンローディングバッファー83からピックアップした半導体素子を、テスト結果に基づく等級に該当する顧客トレイに収納させる。図示してはいないが、本発明の他の変形された実施例に係るテストハンドラー1は、上述した構成の間にテストトレイTを移送させるための移送ユニット図示せずを含むことができる。移送ユニットは、複数個のプーリー、これらプーリーのうち少なくとも一つを回転させるモーター、プーリー同士を連結するベルト、及びベルトに結合する移送手段を含むことができる。この移送手段は、ベルトが移動するに従って移動しながらテストトレイTを押したり引いたりすることで、テストトレイTを移送させることができる。本発明の他の変形された実施例に係るテストハンドラー1は、移送ユニットを複数個含むことができる。これらの移送ユニットは、テストトレイTがローディング位置、第1チャンバー22、テストチャンバー21、第2チャンバー23、アンローディング位置、及びローディング位置に移送されながら循環するようにテストトレイTを移送させることができる。図5を参照すると、本発明の他の変形された実施例に係るテストハンドラー1は、ローテーター9をさらに含む。ローテーター9は、テストされる半導体素子が収納されたテストトレイTを回転させることができる。これにより、テストトレイTは水平状態から垂直状態に回転できる。ローテーター9は、テスト済みの半導体素子が収納されたテストトレイTを回転させることができる。これにより、テストトレイTは垂直状態から水平状態に回転できる。したがって、本発明の他の変形された実施例に係るテストハンドラー1は、水平状態のテストトレイTにローディング工程及びアンローディング工程を行うことができ、垂直状態のテストトレイTにテスト工程を行うことができる。上述したように、本発明の他の変形された実施例に係るテストハンドラー1は、ローディング位置に位置しているテストトレイTにローディング工程を行うことができ、アンローディング位置に位置しているテストトレイTにアンローディング工程を行うことができる。ここで、本発明の他の変形された実施例に係るテストハンドラー1は、互いに同一の位置にしたローディング位置及びアンローディング位置を含むことができる。すなわち、本発明の他の変形された実施例に係るテストハンドラー1は、一つのテストトレイTにローディング工程及びアンローディング工程を行うことがある。アンローディングピッカー82がテストトレイTからテスト済みの半導体素子を分離すると、ローディングピッカー72が、半導体素子の分離によりできた空席にテストされる半導体素子を収納させることができる。この場合、本発明の他の変形された実施例に係るテストハンドラー1は、一つのローテーター9を含むことができる。本発明の他の変形された実施例に係るテストハンドラー1は、互いに異なる位置にしたローディング位置及びアンローディング位置を含むことができる。すなわち、本発明の他の変形された実施例に係るテストハンドラー1は、互いに異なるテストトレイTにそれぞれローディング工程とアンローディング工程を行うことができる。この場合、ローテーター9は、第1ローテーター91及び第2ローテーター92を含むことができる。テストされる半導体素子が収納されたテストトレイTは、ローディング位置から第1チャンバー22に移送でき、この過程で第1ローテーター91により回転され、水平状態から垂直状態になればよい。第1ローテーター91は、第1チャンバー22の内部に配置されてもよく、第1チャンバー22の外部に配置されてもよい。テストされる半導体素子が収納されたテストトレイTは、第1チャンバー22の内部で回転してもよく、第1チャンバー22の外部で回転してもよい。テスト済みの半導体素子が収納されたテストトレイTは、第2チャンバー23からアンローディング位置に移送でき、この過程で第2ローテーター92により回転され、垂直状態から水平状態になればよい。第2ローテーター92は、第2チャンバー23の内部に配置されてもよく、第2チャンバー23の外部に配置されてもよい。テストされる半導体素子が収納されたテストトレイTは、第2チャンバー23の内部で回転してもよく、第2チャンバー23の外部で回転してもよい。図示してはいないが、本発明の他の変形された実施例に係るテストハンドラー1は、連結部をさらに含むことができる。テストされる半導体素子が収納されたテストトレイTは、ローディング位置から連結部を経て第1チャンバー22に移送できる。テスト済みの半導体素子が収納されたテストトレイTは、第2チャンバー23から連結部を経てアンローディング位置に移送できる。この場合、ローディング位置及びアンローディング位置は、互いに異なる位置にすればよく、連結部には一つのローテーター9を設置することができる。テストされる半導体素子が収納されたテストトレイTは、ローテーター9により回転され、水平状態から垂直状態になればよく、テスト済みの半導体素子が収納されたテストトレイTは、ローテーター9により回転され、垂直状態から水平状態になればいい。以下では、本発明に係る半導体素子テスト方法の好適な実施例を、添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。図1乃至図6を参照すると、本発明に係る半導体素子テスト方法は、テストトレイTに収納されている半導体素子を、第1温度及び第2温度のいずれかの温度でまずテストした後、残りの温度でテストする方法に関するものである。本発明に係る半導体素子テスト方法は、上述した本発明に係るテストハンドラーを用いて行うことができる。本発明に係る半導体素子テスト方法は、下記のように行われる。まず、第1テストトレイT1図3をテストチャンバー21に搬入するS1。この工程S1は、半導体素子が収納された第1テストトレイT1が移送ユニットにより第1チャンバー22からテストチャンバー21に移送されることによってなることができる。次に、テストチャンバー21で第1テストトレイT1に収納されている半導体素子を第1温度でテストした後、第2温度でテストするS2。この工程S2は、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子を第1温度に調節し、ハイフィックスボードHに接続させてテストした後、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子を第2温度に調節してテストすることによってなることができる。第1テストトレイT1に収納されている半導体素子に対するテストは、ハイフィックスボードHに連結されたテスター図示せずにより行うことができる。この工程S2において、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子の温度は、第1温度調節ユニット4により調節できる。次に、第1テストトレイT1をテストチャンバー21から搬出し、第2テストトレイT2をテストチャンバー21に搬入するS3。この工程S3は、第1テストトレイT1が移送ユニットによりテストチャンバー21から第2チャンバー23に移送された後、第2テストトレイT2が移送ユニットにより第1チャンバー22からテストチャンバー21に移送されることによってなることができる。第1テストトレイT1がテストチャンバー21から第2チャンバー23に移送され、所定の待機時間が経過した後、第2テストトレイT2が第1チャンバー22からテストチャンバー21に移送されてもよい。第1テストトレイT1がテストチャンバー21から第2チャンバー23に移送され、第2テストトレイT2が第1チャンバー22からテストチャンバー21に移送されることは、同時に行われてもよい。次に、テストチャンバー21で第2テストトレイT2に収納されている半導体素子を第2温度でテストした後、第1温度でテストするS4。この工程S4は、第2テストトレイT2に収納されている半導体素子を第2温度に調節し、ハイフィックスボードHに接続させてテストした後、第2テストトレイT2に収納されている半導体素子を第1温度に調節してテストすることによってなることができる。第2テストトレイT2に収納されている半導体素子に対するテストは、ハイフィックスボードHに連結されたテスター図示せずにより行うことができる。この工程S4において、第2テストトレイT2に収納されている半導体素子の温度は、第1温度調節ユニット4により調節できる。したがって、本発明に係る半導体素子テスト方法は、下記のような作用効果を得ることができる。第一、本発明に係る半導体素子テスト方法は、テストトレイTに収納されている半導体素子を高温環境及び低温環境の両方に対して正常に作動するか否かをテストすることができる。これにより、本発明に係る半導体素子テスト方法は、2台のテストハンドラーを用いる従来の技術に比べて、半導体素子をテストするのにかかるコストを低減でき、結果として半導体素子の製造原価を下げることができる。第二、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子をテストする工程S2では、半導体素子を第1温度にまず調節した後に第2温度に調節したが、第2テストトレイT2に収納されている半導体素子をテストする工程S4では、半導体素子を第2温度にまず調節する。第2テストトレイT2がテストチャンバー21に搬入される直前に、第1温度調節ユニット4などが第1テストトレイT1に収納されている半導体素子を第2温度に調節する過程で冷却された状態であるから、第2テストトレイT2を第2温度にまず調節する方が、第2テストトレイT2に収納されている半導体素子を第2温度に調節するのにかかる時間を減らすことができるわけである。したがって、本発明に係る半導体素子テスト方法は、第1テストトレイT1に対するテスト工程を行った後に、第2テストトレイT2に対するテスト工程を行うのにかかる時間を減らすことができる。次に、第2テストトレイT2をテストチャンバー21から搬出するS5。この工程S5は、第2テストトレイT2が移送ユニットによりテストチャンバー21から第2チャンバー23に移送されることによってなることができる。本発明に係る半導体素子テスト方法は、上述の工程を繰り返し行うことによって、半導体素子に対するテストを完了できる。図1乃至図5、及び図7を参照すると、本発明の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、下記のように行うことができる。本発明の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、上述した本発明に係る半導体素子テスト方法と概略一致するので、以下では、異なる部分のみを、添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。まず、第1テストトレイT1をテストチャンバー21に搬入する工程S1は、第1チャンバー22で、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子を第1温度に調節する工程S11、及び第1テストトレイT1を第1チャンバー22からテストチャンバー21に移送する工程S12を含む。第1チャンバー22で、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子を第1温度に調節する工程S11は、第2温度調節ユニット5が第1テストトレイT1に収納されている半導体素子を第1温度に調節することによってなることができる。したがって、本発明の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、テストチャンバー21で第1テストトレイT1に収納されている半導体素子が第1温度でまずテストされることに対応するように、第1チャンバー22で第1テストトレイT1に収納されている半導体素子を第1温度にあらかじめ調節することができる。したがって、本発明の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、テストチャンバー21で第1テストトレイT1に収納されている半導体素子を第1温度に調節する時間を省くことができ、結果として第1テストトレイT1に収納されている半導体素子をテストするのにかかる時間を減らすことができる。第1テストトレイT1を第1チャンバー22からテストチャンバー21に移送する工程S12は、移送ユニットが第1テストトレイT1を第1チャンバー22からテストチャンバー21に移送することによってなることができる。第1チャンバー22からテストチャンバー21に移送される第1テストトレイT1には、第1温度に調節された半導体素子が収納されている。次に、第2テストトレイT2をテストチャンバー21に搬入する工程S3は、第1テストトレイT1をテストチャンバー21から搬出する工程S31、第1チャンバー22で第2テストトレイT2に収納されている半導体素子を第2温度に調節する工程S32、及び第2テストトレイT2を第1チャンバー22からテストチャンバー21に移送する工程S33を含む。第1テストトレイT1をテストチャンバー21から搬出する工程S31は、移送ユニットが第1テストトレイT1をテストチャンバー21から第2チャンバー23に移送することによってなることができる。テストチャンバー21から第2チャンバー23に移送される第1テストトレイT1には、テスト済みの半導体素子が収納されている。第1チャンバー22で第2テストトレイT2に収納されている半導体素子を第2温度に調節する工程S32は、第2温度調節ユニット5が第2テストトレイT2に収納されている半導体素子を第2温度に調節することによってなることができる。したがって、本発明の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、テストチャンバー21で第2テストトレイT2に収納されている半導体素子が第2温度でまずテストされることに対応するように、第1チャンバー22で第2テストトレイT2に収納されている半導体素子を第2温度にあらかじめ調節することができる。このため、本発明の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、テストチャンバー21で第2テストトレイT2に収納されている半導体素子を第2温度に調節する時間を省くことができ、結果として第2テストトレイT2に収納されている半導体素子をテストするのにかかる時間を減らすことができる。第2テストトレイT2を第1チャンバー22からテストチャンバー21に移送する工程S33は、移送ユニットが第2テストトレイT2を第1チャンバー22からテストチャンバー21に移送することによってなることができる。第1チャンバー22からテストチャンバー21に移送される第2テストトレイT2には、第2温度に調節された半導体素子が収納されている。図1乃至図5、及び図8を参照すると、本発明の他の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、下記のように行うことができる。本発明の他の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、上述した本発明に係る半導体素子テスト方法及び本発明の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法と概略一致するので、以下では、異なる部分のみを、添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。まず、第1チャンバー22で、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子を第1温度に調節する工程S11は、第1チャンバー22で第2コンタクトユニット6を第1テストトレイT1に収納されている半導体素子に接触させる工程S111、及び第2コンタクトユニット6に接触した半導体素子に第2加熱流体を供給する工程S112を含む。第1チャンバー22で第2コンタクトユニット6を第1テストトレイT1に収納されている半導体素子に接触させる工程S111は、第2移動ユニット62が第2コンタクトソケット61を、第1テストトレイT1に近づく方向に移動させることによってなることができる。第2コンタクトユニット6に接触した半導体素子に第2加熱流体を供給する工程S112は、第2温度調節ユニット5が、第2コンタクトユニット6に接触した半導体素子に第2加熱流体を供給することによってなることができる。この工程S112において、第2加熱流体は、第2加熱流体供給部522から第2連結器具521に供給され、続いて第2連結器具521から第2連結部材51を経て第2貫通孔611を通って半導体素子に供給されてよい。これにより、第2コンタクトユニット6に接触した半導体素子は、第1温度に調節可能である。したがって、本発明の他の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子が第2コンタクトユニット6に接触した状態で温度が調節されるので、第1チャンバー22の内部の温度を調節することに比べて、半導体素子を第1温度に調節するのにかかる時間を減らすことができる。また、本発明の他の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子が第2コンタクトユニット6に接触した状態で温度が調節されるので、第2コンタクトソケット6と半導体素子との間から第2加熱流体が漏洩されることから生じる熱損失を低減できる。その結果、本発明の他の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子を第1温度に調節するのにかかる時間を減らすことができる。次に、第1テストトレイT1を第1チャンバー22からテストチャンバー21に移送する工程S12は、第2コンタクトユニット6を、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子から遠ざかるように移動させた後、第1テストトレイT1を第1チャンバー22からテストチャンバー21に移送することによってなることができる。このような工程S12は、第2移動ユニット62が第2コンタクトソケット61を第1テストトレイT1から遠ざかる方向に移動させた後に、移送ユニットが第1テストトレイT1を第1チャンバー22からテストチャンバー21に移送することによってなることができる。次に、テストチャンバー21で第1テストトレイT1に収納されている半導体素子を第1温度でテストした後、第2温度でテストする工程S2は、下記のように行われる。まず、テストチャンバー21で第1コンタクトユニット3を第1テストトレイT1に収納されている半導体素子に接触させるS21。この工程S21は、第1移動ユニット32が第1コンタクトソケット31を第1テストトレイT1に近づく方向に移動させることによってなることができる。この工程S21により、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子は、ハイフィックスボードHに接続できる。次に、第1コンタクトユニット3に接触した半導体素子に第1加熱流体を供給するS22。この工程S22は、第1温度調節ユニット4が、第1コンタクトユニット3に接触した半導体素子に第1加熱流体を供給することによってなることができる。この工程S22において、第1加熱流体は、第1加熱流体供給部422から第1連結器具421に供給され、第1連結器具421から第1連結部材41を経て第1貫通孔311を通って半導体素子に供給されてよい。これにより、第1コンタクトユニット3に接触した半導体素子は、第1温度に調節できる。したがって、本発明の他の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子が第1コンタクトユニット3に接触した状態で温度が調節されるので、テストチャンバー21の内部温度を調節することに比べて、半導体素子を第1温度に調節するのにかかる時間を減らすことができる。また、本発明の他の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子が第1コンタクトユニット3に接触した状態で温度が調節されるので、第1コンタクトソケット3と半導体素子との間から第1加熱流体が漏洩されることから生じる熱損失を低減できる。その結果、本発明の他の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子を第1温度に調節するのにかかる時間を減らすことによって、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子をテストするのにかかる時間を減らすことができる。次に、第1加熱流体により加熱される半導体素子をテストした後、第1コンタクトユニット3に接触した半導体素子に第1冷却流体を供給するS23。この工程S23は、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子がハイフィックスボードHに接続した状態で、第1温度調節ユニット4が、第1温度に調節された半導体素子に対するテストが完了するまで、第1コンタクトユニット3に接触した半導体素子に第1加熱流体を供給することによってなることができる。そして、この工程S23は、第1加熱流体により加熱される半導体素子に対するテストが完了すると、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子がハイフィックスボードHに接続した状態で、第1温度調節ユニット4が、第1コンタクトユニット3に接触した半導体素子に第1冷却流体を供給することによってなることができる。この工程S23において、第1冷却流体は、第1冷却流体供給部423から第1連結器具421に供給され、続いて第1連結器具421から第1連結部材41を経て第1貫通孔311を通って半導体素子に供給されてよい。これにより、第1コンタクトユニット3に接触した半導体素子は、第2温度に調節可能である。したがって、本発明の他の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子が第1コンタクトユニット3に接触した状態で温度が調節されるので、テストチャンバー21の内部温度を調節することに比べて、半導体素子を第2温度に調節するのにかかる時間を減らすことができる。また、本発明の他の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子が第1コンタクトユニット3に接触した状態で温度が調節されるので、第1コンタクトユニット3と半導体素子との間から第1冷却流体が漏洩されることから生じる熱損失を低減できる。したがって、本発明の他の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子を第2温度に調節するのにかかる時間を減らすことによって、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子をテストするのにかかる時間を減らすことができる。次に、第1冷却流体により冷却される半導体素子をテストするS24。この工程S24は、第1テストトレイT1に収納されている半導体素子がハイフィックスボードHに接続した状態で、第1温度調節ユニット4が、第2温度に調節された半導体素子に対するテストが完了するまで、第1コンタクトユニット3に接触した半導体素子に第1冷却流体を供給することによってなることができる。第2温度に調節された半導体素子に対するテストが完了すると、第1移動ユニット32は第1コンタクトソケット31を第1テストトレイT1から遠ざかる方向に移動させることができる。図1乃至図5、及び図8を参照すると、第1チャンバー22において第2テストトレイT2に収納されている半導体素子を第2温度に調節する工程S32は、第1チャンバー22において第2コンタクトユニット6を第2テストトレイT2に収納されている半導体素子に接触させる工程S321、及び第2コンタクトユニット6に接触した半導体素子に第2冷却流体を供給する工程S322を含む。まず、第1チャンバー22において第2コンタクトユニット6を第2テストトレイT2に収納されている半導体素子に接触させる工程S321は、第2移動ユニット62が第2コンタクトソケット61を第2テストトレイT2に近づく方向に移動させることによってなることができる。次に、第2コンタクトユニット6に接触した半導体素子に第2冷却流体を供給する工程S322は、第2温度調節ユニット5が、第2コンタクトユニット6に接触した半導体素子に第2冷却流体を供給することによってなることができる。この工程S322において、第2冷却流体は、第2冷却流体供給部523から第2連結器具521に供給され、続いて第2連結器具521から第2連結部材51を経て第2貫通孔611を通って半導体素子に供給されてよい。これにより、第2コンタクトユニット6に接触した半導体素子は、第2温度に調節可能である。図1乃至図5、及び図8を参照すると、第2テストトレイT2を第1チャンバー22からテストチャンバー21に移送する工程S33は、第2コンタクトユニット6を第2テストトレイT2に収納されている半導体素子から遠ざかるように移動させた後、第2テストトレイT2を第1チャンバー22からテストチャンバー21に移送することによってなることができる。この工程S33は、第2移動ユニット62が第2コンタクトソケット61を第2テストトレイT2から遠ざかる方向に移動させた後に、移送ユニットが第2テストトレイT2を第1チャンバー22からテストチャンバー21に移送することによってなることができる。図1乃至図5、及び図8を参照すると、テストチャンバー21において第2テストトレイT2に収納されている半導体素子を第2温度でテストした後、第1温度でテストする工程S4は、下記の工程を含む。まず、テストチャンバー21において第1コンタクトユニット3を第2テストトレイT2に収納されている半導体素子に接触させるS41。この工程S41は、第1移動ユニット32が第1コンタクトソケット31を第2テストトレイT2に近づく方向に移動させることによってなることができる。この工程S41により、第2テストトレイT2に収納されている半導体素子は、ハイフィックスボードHに接続可能である。次に、第1コンタクトユニット3に接触された半導体素子に第1冷却流体を供給するS42。この工程S42は、第1温度調節ユニット4が、第1コンタクトユニット3に接触した半導体素子に第1冷却流体を供給することによってなることができる。この工程S42において、第1冷却流体は、第1冷却流体供給部423から第1連結器具421に供給され、続いて第1連結器具421から第1連結部材41を経て第1貫通孔311を通って半導体素子に供給されてよい。これにより、第1コンタクトユニット3に接触した半導体素子は、第2温度に調節可能である。次に、第1冷却流体により冷却される半導体素子をテストした後、第1コンタクトユニット3に接触した半導体素子に第1加熱流体を供給するS43。この工程S43は、第2テストトレイT2に収納されている半導体素子がハイフィックスボードHに接続した状態で、第1温度調節ユニット4が、第2温度に調節された半導体素子に対するテストが完了するまで、第1コンタクトユニット3に接触した半導体素子に第1冷却流体を供給することによってなることができる。そして、この工程S43は、第1冷却流体により冷却される半導体素子に対するテストが完了すると、第2テストトレイT2に収納されている半導体素子がハイフィックスボードHに接続した状態で、第1温度調節ユニット4が、第1コンタクトユニット3に接触した半導体素子に第1加熱流体を供給することによってなることができる。この工程S43において、第1加熱流体は、第1加熱流体供給部422から第1連結器具421に供給され、続いて第1連結器具421から第1連結部材41を経て第1貫通孔311を通って半導体素子に供給されてよい。これにより、第1コンタクトユニット3に接触した半導体素子は、第1温度に調節可能である。次に、第1加熱流体により加熱される半導体素子をテストするS44。この工程S44は、第2テストトレイT2に収納されている半導体素子がハイフィックスボードHに接続した状態で、第1温度調節ユニット4が、第1温度に調節された半導体素子に対するテストが完了するまで、第1コンタクトユニット3に接触した半導体素子に第1加熱流体を供給することによってなることができる。第1温度に調節された半導体素子に対するテストが完了すると、第1移動ユニット32は、第1コンタクトソケット31を第2テストトレイT2から遠ざかる方向に移動させることができる。以上説明してきた本発明は、半導体素子が高温環境及び低温環境の両方に対して正常に作動するか否かをテストできるようにしたため、半導体素子をテストするのにかかるコストを低減でき、結果として半導体素子の製造原価を下げることができる。また、本発明は、半導体素子が高温環境及び低温環境の両方に対して正常に作動するか否かをテストする際、半導体素子の温度を調節するのにかかる時間を減らすことができ、結果として半導体素子をテストするのにかかる時間を短縮することができる。以上説明してきた本発明は、上述の実施例及び添付図面に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で様々な置換、変形及び変更が可能であるということは、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者には明らかであろう。