"オプトエレクトロニクス素子200を作製する方法900において、該方法は、-第1電極層204上にまたは当該第1電極層204の上方に有機機能層構造体206を形成するステップ902と、-当該有機機能層構造体206上にまたは当該有機機能層構造体206の上方に第2電極層212を形成するステップ904と、-前記オプトエレクトロニクス素子200の前記複数の層のうちの少なくとも1つの層のあらかじめ設定した位置に前記各層の部材の局所変化構造体214を形成するステップ906とを有する、ことを特徴とする方法。請求項1に記載の方法900において、前記あらかじめ設定した少なくとも1つの位置において、前記各層の部材を局所的に加熱することによって局所変化構造体214を形成する、ことを特徴とする方法。請求項2に記載の方法900において、レーザを使用して前記各層の部材の前記局所的な加熱を行い、有利には前記各層をレーザ内部彫刻することによって加熱する、ことを特徴とする方法。請求項1から3までのいずれか1項に記載の方法900において、前記第1電極層204または前記第2電極層212内に局所変化構造体802を形成する、ことを特徴とする方法。請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法900において、さらに、-基板200上にまたは当該基板200の上方に前記第1電極層204を形成し、および/または、前記第2電極層212上または当該第2電極層212の上方にカバー層302を形成し、-有利には局所変化構造体214,304を前記基板202および/または前記カバー層302内に形成する、ことを特徴とする方法。請求項5に記載の方法900において、さらに-前記基板202上にまたは当該基板202の上方に光学的に透過な中間層502を形成し、当該光学的に透過な中間層502上にまたは当該光学的に透過な中間層502の上方に当該第1電極層204を形成し、および/または前記第2電極層212上にまたは当該第2電極層212の上方にカプセリング層702を形成し、-有利には局所変化構造体504,704を前記光学的に透過な中間層502および/または前記カプセリング層702内に形成する、ことを特徴とする方法。請求項1から6までのいずれか1項に記載の方法900において、局所変化構造体が形成される層を少なくとも1μmの層厚で形成する、ことを特徴とする方法。請求項1から7までのいずれか1項に記載の方法900において、-前記局所変化構造体をサブマイクロメール範囲のサイズで形成するか、または-前記局所変化構造体を少なくとも1マイクロメートルのサイズで形成する、ことを特徴とする方法。オプトエレクトロニクス素子200において、該オプトエレクトロニクス素子は、-第1電極層204と、-当該第1電極層204上の、または当該第1電極204の上方の有機機能層構造体206と、-当該有機機能層構造体206上の、または当該有機機能層構造体206の上方の第2電極層212と、-前記オプトエレクトロニクス素子200の複数の層のうちの少なくとも1つの層は、あらかじめ設定した少なくとも1つの位置に前記各層の部材の局所変化構造体214を有する、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子200。請求項9に記載のオプトエレクトロニクス素子200において、局所変化構造体802が、前記第1電極層204または前記第2電極層212内に形成されている、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子200。請求項9または10に記載のオプトエレクトロニクス素子200において、該オプトエレクトロニクス素子は、-さらに基板202を有しており、ただし前記第1電極層204は、前記基板202上にまたは当該基板202の上方に配置されており、および/または前記第2電極212上のまたは当該第2電極212の上方のカバー層302を有しており、-有利には局所変化構造体214,304が前記基板202および/または前記カバー層302内に形成されている、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子200。請求項9から11までのいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス素子200において、さらに前記オプトエレクトロニクス素子は、-前記基板202上の、または当該基板202の上方の光学的に透過な中間層502を有しており、ただし前記第1電極層204は、前記光学的に透過な中間層502上にまたは当該光学的に透過な中間層502の上方に配置されており、および/または前記第2電極層212上の、または当該第2電極層212の上方のカプセリング層702を有しており、-有利には、前記光学的に透過な中間層502および/または前記カプセリング層702内に局所変化構造体504,704が形成されている、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子200。請求項9から12までのいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス素子200において、局所変化構造体を有する層は、少なくとも1μmの層厚を有する、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子200。請求項9から13までのいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス素子200において、-前記局所変化構造体は、サブマイクロメール範囲のサイズを有するか、または-前記局所変化構造体は、少なくとも1マイクロメートルのサイズを有する、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子200。"