絶縁板と、絶縁板の片面に接合されかつ絶縁板とは反対側の面に発熱体が取り付けられるようになされている第1金属板と、絶縁板の他面に接合された第2金属板とよりなり、第1金属板に取り付けられる発熱体から発せられる熱が、第1金属板および絶縁板を経て第2金属板に伝わるようになされている絶縁積層材であって、第2金属板の輪郭を形成しかつ第2金属板の厚み方向に幅を持つ輪郭面に、絶縁板の熱応力を低減する熱応力緩和用凹部が設けられている絶縁積層材。絶縁板と両金属板とがろう付されている請求項1記載の絶縁積層材。熱応力緩和用凹部が、第2金属板の前記輪郭面に沿ってのびる凹溝からなる請求項1または2記載の絶縁積層材。絶縁板および両金属板が多角形であり、前記凹溝が、第2金属板の全周のうち少なくとも各角部に、当該角部を挟む2つの辺部にまたがるように形成されている請求項3記載の絶縁積層材。前記凹溝が、第2金属板の厚み方向における絶縁板側の端部に形成されており、絶縁板における第2金属板が接合された側の面の一部が、前記凹溝内に臨むとともに前記凹溝の一方の側面となっている請求項3または4記載の絶縁積層材。前記凹溝が角溝であり、第2金属板全体の厚みをT1mm、第2金属板における絶縁板とは反対側の面から前記凹溝までの厚みをT2mmとした場合、T2/T1≧0.5という関係を満たす請求項5記載の絶縁積層材。前記凹溝が、第2金属板の厚み方向の中間部に形成されている請求項3記載の絶縁積層材。絶縁板の外周縁部が、第2金属板の外周縁部よりも外側に位置している請求項7記載の絶縁積層材。前記凹溝が、第2金属板の全周にわたって形成されている請求項3~8のうちのいずれかに記載の絶縁積層材。前記凹溝の底と、第1金属板の外周縁との距離をXmm、第1金属板の厚みをYmmとした場合、X≦2Yという関係を満たす請求項3~9のうちのいずれかに記載の絶縁積層材。第2金属板に、第2金属板の厚み方向にのびかつ第2金属板の両面のうち少なくともいずれか一面に開口した複数の穴が形成されている請求項1~10のうちのいずれかに記載の絶縁積層材。請求項1~11のうちのいずれかに記載された絶縁積層材の第1金属板における絶縁板に接合された面とは反対側の面が、発熱体となる電子素子を搭載する電子素子搭載部を有する配線面となされている絶縁回路基板。請求項12記載の絶縁回路基板の第2金属板における絶縁板とは接合された面とは反対側の面が、冷却器に接合されているパワーモジュール用ベース。第2金属板と冷却器とがろう付されている請求項13記載のパワーモジュール用ベース。請求項13または14記載のパワーモジュール用ベースの絶縁回路基板における第1金属板の電子素子搭載部に、パワーデバイスがはんだ付されているパワーモジュール。この発明の目的は、上記問題を解決し、冷熱サイクル時の絶縁板のクラックの発生や、絶縁板と第2金属板との接合界面での剥離の発生を抑制しうる絶縁積層材、絶縁回路基板、パワーモジュール用ベースおよびパワーモジュールを提供することにある。本発明は、上記目的を達成するために以下の態様からなる。1絶縁板と、絶縁板の片面に接合されかつ絶縁板とは反対側の面に発熱体が取り付けられるようになされている第1金属板と、絶縁板の他面に接合された第2金属板とよりなり、第1金属板に取り付けられる発熱体から発せられる熱が、第1金属板および絶縁板を経て第2金属板に伝わるようになされている絶縁積層材であって、第2金属板の輪郭を形成しかつ第2金属板の厚み方向に幅を持つ輪郭面に、絶縁板の熱応力を低減する熱応力緩和用凹部が設けられている絶縁積層材。2絶縁板と両金属板とがろう付されている上記1記載の絶縁積層材。3熱応力緩和用凹部が、第2金属板の前記輪郭面に沿ってのびる凹溝からなる上記1または2記載の絶縁積層材。4絶縁板および両金属板が多角形であり、前記凹溝が、第2金属板の全周のうち少なくとも各角部に、当該角部を挟む2つの辺部にまたがるように形成されている上記3記載の絶縁積層材。5前記凹溝が、第2金属板の厚み方向における絶縁板側の端部に形成されており、絶縁板における第2金属板が接合された側の面の一部が、前記凹溝内に臨むとともに前記凹溝の一方の側面となっている上記3または4記載の絶縁積層材。6前記凹溝が角溝であり、第2金属板全体の厚みをT1mm、第2金属板における絶縁板とは反対側の面から前記凹溝までの厚みをT2mmとした場合、T2/T1≧0.5という関係を満たす上記5記載の絶縁積層材。7前記凹溝が、第2金属板の厚み方向の中間部に形成されている上記3記載の絶縁積層材。8絶縁板の外周縁部が、第2金属板の外周縁部よりも外側に位置している上記7記載の絶縁積層材。9前記凹溝が、第2金属板の全周にわたって形成されている上記3~8のうちのいずれかに記載の絶縁積層材。10前記凹溝の底と、第1金属板の外周縁との距離をXmm、第1金属板の厚みをYmmとした場合、X≦2Yという関係を満たす上記3~9のうちのいずれかに記載の絶縁積層材。11第2金属板に、第2金属板の厚み方向にのびかつ第2金属板の両面のうち少なくともいずれか一面に開口した複数の穴が形成されている上記1~10のうちのいずれかに記載の絶縁積層材。12上記1~11のうちのいずれかに記載された絶縁積層材の第1金属板における絶縁板に接合された面とは反対側の面が、発熱体となる電子素子を搭載する電子素子搭載部を有する配線面となされている絶縁回路基板。13上記12記載の絶縁回路基板の第2金属板における絶縁板と接合された面とは反対側の面が、冷却器に接合されているパワーモジュール用ベース。14第2金属板と冷却器とがろう付されている上記13記載のパワーモジュール用ベース。15上記13または14記載のパワーモジュール用ベースの絶縁回路基板における第1金属板の電子素子搭載部に、パワーデバイスがはんだ付されているパワーモジュール。上記1~11の絶縁積層材によれば、第2金属板の輪郭を形成しかつ第2金属板の厚み方向に幅を持つ輪郭面に、絶縁板の熱応力を低減する熱応力緩和用凹部が設けられているので、第1金属板に発熱体が取り付けられるとともに、発熱体から発せられた熱が第1金属板および絶縁板を経て第2金属板に伝わって第2金属板から放熱されることによって絶縁積層材が加熱、冷却される冷熱サイクル時に、第2金属板が絶縁板に対して大きく膨張、収縮したとしても、第2金属板が、輪郭面に熱応力緩和用凹部が設けられた部分において変形する。したがって、絶縁板および第2金属板が収縮する際には、絶縁板に曲げモーメントが係ることに起因する絶縁板の第1金属板側に発生する上述した引張応力が緩和されて絶縁板へのクラックの発生が抑制される。一方、絶縁板および金属板が膨張する際には、絶縁板の膨張が第2金属板の膨張に追いつかなくても、絶縁板に発生する引張応力が緩和されて絶縁板へのクラックの発生が抑制される。また、クラックが発生しないで、膨張、収縮を繰り返したとしても、絶縁板と第2金属板との接合界面に作用する力が低減され、当該接合界面での剥離の発生が抑制される。上記5の絶縁積層材によれば、熱応力緩和用凹部となる凹溝が、第2金属板の厚み方向における絶縁板側の端部に形成されており、絶縁板における第2金属板が接合された側の面の一部が、前記凹溝内に臨むとともに前記凹溝の一方の側面となっているので、冷熱サイクル時に、第2金属板が絶縁板に対して大きく膨張、収縮したとしても、第2金属板が、輪郭面に前記凹溝が設けられた部分において比較的大きく変形し、絶縁板のクラックの発生や、絶縁板と第2金属板との接合界面での剥離の発生が効果的に抑制される。上記6の絶縁積層材によれば、絶縁積層材が加熱された場合に絶縁板に発生する応力を効果的に低減することができ、絶縁板のクラックの発生や、絶縁板と第2金属板との接合界面での剥離の発生が効果的に抑制される。上記8の絶縁積層材によれば、上記7の絶縁積層材のように、前記凹溝が、第2金属板の厚み方向の中間部に形成されている場合であっても、第1金属板と第2金属板との間の絶縁距離を長くすることができ、両金属板間の絶縁性が向上する。上記9の絶縁積層材によれば、絶縁積層材が加熱、冷却される冷熱サイクル時に、第2金属板が比較的大きく変形し、絶縁板のクラックや、絶縁板と第2金属板との接合界面での剥離が効果的に抑制される。上記10の絶縁積層材によれば、熱応力緩和用凹部となる凹溝の底と、第1金属板の外周縁との距離をX、第1金属板の厚みをYとした場合、X≦2Yという関係を満たしているので、絶縁積層材が加熱された場合に絶縁板における第1金属板側に発生する応力を効果的に低減することができ、絶縁板のクラックの発生が効果的に抑制される。上記11の絶縁積層材によれば、絶縁積層材が加熱、冷却される冷熱サイクル時に、第2金属板が比較的大きく変形し、絶縁板のクラックや、絶縁板と第2金属板との接合界面での剥離が効果的に抑制される。上記12の絶縁回路基板によれば、第1金属板の配線面の電子素子搭載部に発熱体となる電子素子が搭載されて使用され、電子素子から発せられる熱が第2金属板に伝わって第2金属板から放熱されることによって絶縁回路基板が加熱、冷却される冷熱サイクル時に、上記1~10の絶縁積層材と同様な効果を奏する。上記13および14のパワーモジュール用ベースによれば、第1金属板の配線面の電子素子搭載部に発熱体となる電子素子が搭載されて使用され、電子素子から発せられる熱が第2金属板に伝わって第2金属板から冷却器に放熱される。そして、絶縁回路基板が加熱、冷却される冷熱サイクル時に、上記1~10の絶縁積層材で述べたのと同様な効果を奏する。以下、この発明の実施形態を、図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、図1の上下、左右を上下、左右というものとする。また、全図面を通じて同一部分および同一物には同一符号を付して重複する説明を省略する。図1はこの発明による絶縁回路基板を備えたパワーモジュール用ベースにおける回路板の電子素子搭載部にパワーデバイスが実装されたパワーモジュールを示し、図2は図1の要部を示し、図3は応力緩和板を示す。また、図4は、この発明による絶縁回路基板において、絶縁板のクラックや、絶縁板と回路板との接合界面での剥離の発生が抑制されるメカニズムを示す。図5~図7は、図1に示すパワーモジュールについて行ったコンピュータシミュレーションの結果を示す。図1および図2において、パワーモジュールは、パワーモジュール用ベースと、パワーモジュール用ベースに実装されたパワーデバイス電子素子とよりなる。パワーモジュール用ベースは、方形のセラミックス製絶縁板、絶縁板の上面にろう付された方形のアルミニウム製回路板第1金属板、および絶縁板の下面にろう付された方形のアルミニウム製応力緩和板第2金属板からなる絶縁回路基板と、絶縁回路基板の応力緩和板の下面がろう付されたアルミニウム製冷却器ヒートシンクとからなる。なお、図1においては1つの絶縁回路基板だけが図示されているが、パワーモジュール用ベースは、複数の絶縁回路基板を備えているのが一般的である。絶縁回路基板の絶縁板は、必要とされる絶縁特性、熱伝導率および機械的強度を満たしていれば、どのようなセラミックから形成されていてもよいが、たとえばAlN、Al2O3、Si3N4などにより形成される。絶縁板の外周縁部は回路板および応力緩和板の外周縁部よりも外側に位置している。なお、応力緩和板の外周縁部が、絶縁板の外周縁部よりも外側に位置していてもよい。いずれの場合も、回路板と応力緩和板との間の絶縁性能は十分に確保される。回路板は、電気伝導率および熱伝導率が高く、変形能が高く、しかも半導体素子とのはんだ付け性に優れた純度の高い純アルミニウム、たとえば純度99.99質量以上の純アルミニウムにより形成されていることが好ましい。そして、回路板の上面、すなわち回路板における絶縁板にろう付された面とは反対側の面が、電子素子搭載部を有する配線面となされている。応力緩和板は、熱伝導率が高く、しかも変形能が高い純アルミニウム、たとえば純度99.99質量以上の純アルミニウムにより形成されていることが好ましい。応力緩和板の外周縁部は、回路板の外周縁部よりも外側に位置している。応力緩和板の輪郭を形成しかつ応力緩和板の厚み方向に幅を持つ輪郭面の上端部、すなわち応力緩和板の輪郭面における応力緩和板の厚み方向の絶縁板側の端部に、上記輪郭をなぞるように輪郭面に沿ってのびかつ絶縁板の熱応力を低減する熱応力緩和用凹部となる凹溝が形成されている。凹溝は角溝からなり、応力緩和板の全周わたって形成されている。そして、絶縁板における応力緩和板が接合された側の面の一部が、凹溝内に臨むとともに凹溝の上側面となっている。凹溝の下側面はアルミニウムからなる。ここで、絶縁板の外周縁部が応力緩和板の外周縁部よりも外側に位置しているので、凹溝の上側面における凹溝の開口側端部外端部は下側面の外端部よりも外側に位置している。凹溝は、図3に示すように、応力緩和板の上面の周縁部に、全周にわたる除去部を形成しておき、応力緩和板を絶縁板にろう付することによって設けられる。なお、凹溝は応力緩和板の全周わたって連続的に形成されていることが好ましいが、少なくとも1箇所において途切れていてもよい。この場合も、凹溝が、応力緩和板の全周のうち少なくとも各角部に、当該角部を挟む2つの辺部にまたがるように形成されていることが望ましい。ここで、応力緩和板全体の厚みをT1mm、応力緩和板における下面絶縁板とは反対側の面から凹溝の下縁下側面までの厚みをT2mmとした場合、T2/T1≧0.5という関係を満たしていることが好ましい。T2/T1<0.5の場合、冷却器の影響を受けて応力緩和板による熱応力緩和効果が十分に得られないからである。また、凹溝の底と回路板の外周縁との距離をXmm、回路板の厚みをYmmとした場合、X≦2Yという関係を満たしていることが好ましい。X>Yの場合、応力緩和板による熱応力緩和効果が十分に得られないからである。また、Xの下限は、パワーモジュール用ベースに実装されたパワーデバイスから冷却器への熱伝導性を低下させないように、適宜決められる。冷却器は、複数の冷却流体通路が並列状に設けられた扁平中空状であり、熱伝導性に優れるとともに、軽量であるアルミニウムにより形成されていることが好ましい。冷却流体としては、液体および気体のいずれを用いてもよい。なお、冷却器としては、ケース内にインナーフィンが配置されたものが用いられてもよい。パワーデバイスは、絶縁回路基板の回路板の配線面における電子素子搭載部上にはんだ付けされており、これによりパワーモジュール用ベースに実装されている。パワーデバイスから発せられる熱は、回路板、絶縁板および応力緩和板を経て冷却器に伝えられ、冷却流体通路内を流れる冷却流体に放熱されるようになっている。パワーモジュール用ベースの製造方法は次の通りである。まず、冷却器上に、応力緩和板、絶縁板および回路板をこの順序で配置する。冷却器と応力緩和板との間、応力緩和板と絶縁板との間および絶縁板と回路板との間にはそれぞれアルミニウムろう材層を設けておく。ろう材層は、たとえばSi10質量、Mg1質量を含み、残部Alおよび不可避不純物からなるアルミニウムろう材からなる。冷却器と絶縁板との間に配置されるろう材層は、アルミニウムろう材からなる箔や、心材の両面にろう材層が形成されたアルミニウムブレージングシートなどからなる。絶縁板と回路板との間に配置されるろう材層は、アルミニウムろう材からなる箔や、心材の両面にろう材層が形成されたアルミニウムブレージングシートからなる。また、絶縁板と回路板との間に配置されるろう材層は、回路板の下面に予めクラッドされていてもよい。その後、適当な治具により回路板、絶縁板、応力緩和板および冷却器を加圧した状態にして仮止めしたものを真空雰囲気とされた加熱炉中に入れ、適当な温度に適当な時間加熱し、絶縁板と回路板および応力緩和板とをろう付することにより絶縁回路基板を製造すると同時に、絶縁回路基板の応力緩和板と冷却器とをろう付する。こうして、パワーモジュール用ベースが製造される。上述したパワーモジュールにおいて、パワーデバイスから発せられる熱は、回路板、絶縁板および応力緩和板を経て冷却器に伝えられ、冷却流体通路内を流れる冷却流体に放熱される。したがって、絶縁回路基板が繰り返して加熱、冷却されることになるが、この冷熱サイクル時においても、次のメカニズムにより、絶縁板のクラックや、絶縁板と回路板との接合界面での剥離の発生が抑制されると考えられる。すなわち、絶縁板、応力緩和板および冷却器が膨張する際には、線膨張係数の相違に起因して、応力緩和板および冷却器が絶縁板よりも大きく膨張するが、図4に示すように、応力緩和板における輪郭面に凹溝が設けられた部分、すなわち凹溝の下側面よりも上方の部分において変形する。したがって、絶縁板に発生する引張応力が緩和されて特許文献1のパワーモジュールに比べて小さくなり、その結果絶縁板へのクラックの発生が抑制される。一方、絶縁板、応力緩和板および冷却器が収縮する際には、線膨張係数の相違に起因して、応力緩和板および冷却器が絶縁板よりも大きく収縮するが、図4に示すように、応力緩和板における輪郭面に凹溝が設けられた部分、すなわち凹溝の下側面よりも上方の部分において変形する。したがって、絶縁板の応力緩和板側への反りの程度が、特許文献1のパワーモジュールに比べて小さくなって、絶縁板に係る曲げモーメントが小さくなり、その結果絶縁板の回路板側に発生する引張応力が緩和されてクラックの発生が抑制される。また、クラックが発生せずに膨張、収縮を繰り返したとしても、上述した応力緩和板の変形によって、絶縁板および応力緩和板の接合界面に作用する力が低減され、絶縁板および応力緩和板の接合界面での剥離の発生が抑制される。以下、図1および図2に示すパワーモジュールについて、コンピュータシミュレーションを行った結果を図5~図7に示す。シミュレーション条件は、回路板の厚み:0.6mm、縦:26.5mm、横:31.5mm、材質:重度99.99質量の純アルミニウム、絶縁板の厚み:0.6mm、縦:29mm、横:34mm、材質AlN、応力緩和板の厚み:1.6mm、縦:26.5mm、横:31.5mm、材質:純度99.99質量の純アルミニウム、冷却器の代わりに厚み:5mm、縦:100mm、横100mm、材質:A3003を共通の条件とし、ろう付後の冷却工程の条件を580°C→20°Cとし、その後125°Cに加熱→-40°Cに冷却を1サイクル行ったとして、絶縁板の上側に発生する最大主応力を求めた。図5に示す結果は、凹溝の下側面の幅W、すなわち下側面の外端と凹溝の底との間の距離を変化させて求め、図6に示す結果は、応力緩和板全体の厚みをT1mm、応力緩和板における下面から凹溝の下縁までの厚みをT2mmとした場合のT2/T1を変化させて求め、図7に示す結果は、凹溝の底と回路板の外周縁との距離Xを変化させて求めた。図5に示す最大主応力は、W=0.6mmの場合の最大主応力を1とし、これに対する比として求めた。図6に示す最大主応力は、T2/T1=0.625の場合の最大主応力を1とし、これに対する比として求めた。図7に示す最大主応力は、X=0.5mmの場合の最大主応力を1とし、これに対する比として求めた。なお、回路板の厚みYが0.6mmであるから、X=1.2mmの場合に、X=2Yとなる。また、X<0の場合とは、凹溝の底が回路板の外周縁よりも内側に位置していることである。図5に示す結果から、応力緩和板の輪郭面に凹溝が形成されている場合、絶縁板の上側に発生する最大主応力は、ある深さまで低減され、その後は一定となることが分かる。図6に示す結果から、T2/T1≧0.5という関係を満たす場合、絶縁板の上側に発生する最大主応力の増大を抑制しうることが分かる。さらに、図7に示す結果から、X≦2Yという関係を満たす場合に、絶縁板の上側に発生する最大主応力の増大を抑制しうることが分かる。図8は、パワーモジュールに用いられる応力緩和板の変形例を示す。図8に示す応力緩和板には、応力緩和板を厚み方向上下方向に貫通した複数の貫通穴が形成されている。なお、これに限定されるものではなく、応力緩和板には、応力緩和板の厚み方向にのびかつ上下いずれか一面に開口した複数の有底穴が形成されていてもよい。また、貫通穴と有底穴とが混在していてもよい。図9~図12は、パワーモジュールに用いられる絶縁回路基板の変形例を示す。図9に示す絶縁回路基板の場合、絶縁板の外周縁部は、回路板および絶縁板の下面にろう付された応力緩和板の外周縁部よりも外側に位置している。また、応力緩和板の輪郭面の厚み方向の中間部に、応力緩和板の輪郭をなぞるように輪郭面に沿ってのびかつ絶縁板の熱応力を低減する熱応力緩和用凹部となる凹溝が形成されている。凹溝は角溝からなり、応力緩和板の全周わたって形成されている。凹溝の上下両側面の外端部は同一位置にある。なお、凹溝は応力緩和板の全周わたって連続的に形成されていることが好ましいが、少なくとも1箇所において途切れていてもよい。この場合も、凹溝が、応力緩和板の全周のうち少なくとも各角部に、当該角部を挟む2つの辺部にまたがるように形成されていることが望ましい。図10に示す絶縁回路基板の場合、絶縁板の外周縁部は、回路板および絶縁板の下面にろう付された応力緩和板の外周縁部よりも外側に位置している。また、応力緩和板の輪郭面の厚み方向の中間部に、応力緩和板の輪郭をなぞるように輪郭面に沿ってのびかつ絶縁板の熱応力を低減する熱応力緩和用凹部となる凹溝が形成されている。凹溝はV溝からなり、応力緩和板の全周わたって形成されている。凹溝の上下両側面の外端部は同一位置にある。なお、凹溝は応力緩和板の全周わたって連続的に形成されていることが好ましいが、少なくとも1箇所において途切れていてもよい。この場合も、凹溝が、応力緩和板の全周のうち少なくとも各角部に、当該角部を挟む2つの辺部にまたがるように形成されていることが望ましい。図9および図10に示す絶縁回路基板において、絶縁板の外周縁部は回路板および応力緩和板の外周縁部よりも外側に位置しているので、回路板と応力緩和板との間の絶縁距離を長くすることができ、回路板と応力緩和板との間の絶縁性が向上する。図11に示す絶縁回路基板の場合、絶縁板の外周縁部は回路板および絶縁板の下面にろう付された応力緩和板の外周縁部よりも外側に位置している。また、応力緩和板の輪郭面における応力緩和板の厚み方向の絶縁板側の端部に、応力緩和板の輪郭をなぞるように輪郭面に沿ってのびかつ絶縁板の熱応力を低減する熱応力緩和用凹部となる凹溝が形成されている。凹溝はV溝からなり、輪郭面の厚み方向の全幅にわたって開口しており、応力緩和板の全周わたって形成されている。そして、絶縁板における応力緩和板が接合された側の面の一部が、凹溝内に臨むとともに凹溝の水平な上側面となっている。凹溝の下側面はアルミニウムからなり、応力緩和板の下端から上方に向かって凹溝の底方向に傾斜している。ここで、絶縁板の外周縁部が応力緩和板の外周縁部よりも外側に位置しているので、凹溝の上側面における凹溝の開口側端部外端部は下側面の外端部よりも外側に位置している。なお、凹溝は応力緩和板の全周わたって連続的に形成されていることが好ましいが、少なくとも1箇所において途切れていてもよい。この場合も、凹溝が、応力緩和板の全周のうち少なくとも各角部に、当該角部を挟む2つの辺部にまたがるように形成されていることが望ましい。図11に示す絶縁回路基板において、応力緩和板の凹溝の下側面は、応力緩和板の下端よりも若干上方の位置から上方に向かって凹溝の底方向に傾斜していてもよい。すなわち、応力緩和板の下面の周縁に連なって低い垂直面が存在し、当該垂直面の上端に凹溝の下側面が連なっていてもよい。図9~図11の絶縁回路基板において、応力緩和板の凹溝の底と回路板の外周縁との距離をXmm、回路板の厚みをYmmとした場合、X≦2Yという関係を満たしていることが好ましい。