"基板の表面と裏面に当該基板を挟む位置に対向して置かれたガスを吹き付けて加熱する加熱機構を備えた製造装置。前記基板がガラス基板または金属基板であることを特徴とする請求項1記載の製造装置。前記基板に吹き付けるガスが窒素やアルゴン、ヘリューム、炭化水素、フッ化炭素を含む不活性ガスである、あるいは水素または水素を放出する還元ガス、酸素やイオウ、セレン、テルルなど6属の元素を含むガスである、あるいはFなど7属の元素を含むガスである、あるいは当該ガスの複数組み合わせたガスであることを特徴とする請求項1、2記載の製造装置。前記ガスが水または空気を含むガスであることを特徴とする請求項1~3記載の製造装置。基板の表面と裏面に前記加熱機構が複数備えてあることを特徴とする請求項1~4記載の製造装置。均一な膜形成のためには大型の基板を均一に加熱する必要あるが、それを短時間に行わねばならない。一般的には基板はガラスである。ガラス基板を加熱するには炉を用いる。炉では雰囲気のガスから熱を伝えるので、一枚いれても多数枚いれても基板の周辺と中心部では温度の上がり方が違う。また、周辺と中心の温度が限界を超えて異なるとガラス板は割れたり反ったりする。反りは基板搬送の動作の妨げになる。またガラスを室温にもどしたあとも、基板に反りが残る。これを回避するために時間をかけてゆっくり温度を上げなくてはならない。これには生産性の低下のほかに、他の工程のタイミングと合わないという課題がある。基板片面を短時間にアニールする方法もある。図1にガラス基板の片面に加熱したガスを吹き付けながら、当該基板を移動することで基板表面を短時間に加熱する加熱装置の模式図を示す。ガラス基板101があり矢印方向に移動する。導入口103から入れたガスがガス加熱器102で加熱され、加熱されたガスが熱ビームHeatBeam:HBと呼ぶことにする104としてガラス基板101にほぼ垂直に吹き付ける。当該HBの温度が一定温度以下の低温で、かつ流量が一定以下であれば、基板101に反りは生じない。しかし、一定温度例えば、基板ガラスの軟化点温度に近い温度以上で処理すると短時間処理でも基板101が反る。図2にガラス基板101が反って、反ったガラス基板201になった例を示した。当該反りは一定以下なら許容される。当該許容値はガラス基板の仕様やその使用目的により異なる。従って、当該反りを防ぎながら、または一定以下に制御できて、短時間のうちに加熱処理できる基板加熱機構が課題である。本発明は、請求項1に記載のように、基板の表面と裏面に当該基板を挟む位置に対向して置かれたガスを吹き付けて加熱する加熱機構を備えた製造装置である。請求項2に係る発明は前記基板がガラス基板または金属基板であることを特徴とする請求項1記載の製造装置である。請求項3に係る発明は、前記基板に吹き付けるガスが窒素やアルゴン、ヘリューム、炭化水素、フッ化炭素を含む不活性ガスである、あるいは水素または水素を放出する還元ガス、酸素やイオウ、セレン、テルルなど6属の元素を含むガスである、あるいはFなど7属の元素を含むガスである、あるいは当該ガスの複数組み合わせたガスであることを特徴とする請求項1、2記載の製造装置である。請求項4に係る発明は前記ガスが水または空気を含むガスであることを特徴とする請求項1~3記載の製造装置である。請求項5に係る発明は基板の表面と裏面に前記加熱機構が複数備えてあることを特徴とする請求項1~4記載の製造装置である。請求項1から2に係る発明によれば、基板の反りの方向と量を調整した基板の加熱が可能となる。当該反りは前記加熱気工機構が与えるガスの温度と流量、基板との距離、基板の移動速度、基板の材質と厚みに依存して制御できる。請求項3に係る発明によれば基板の上にある材料膜をアニールするときの雰囲気を酸化雰囲気または還元雰囲気または不活性雰囲気に制御できる。請求項4に係る発明によれば基板を加熱するだけで無く、その表面をスチームまたは水分で洗浄することを可能にする。空気はバクテリアなどを酸化して揮発させる洗浄効果がある。請求項5に係る発明によれば基板を短時間で加熱すること、温度傾斜をつけて加熱すること、雰囲気の異なる加熱を組み合わせることを可能にする。また、低い温度を選ぶことにより、加熱された基板を短時間で冷却することが可能となる。図3は、基板の両面にガスを吹き付けて加熱する加熱機構を備えた装置の模式図である。基板301があり、矢印方向に図示しない移動機構で移動する。ガス導入口303からガスが導入されて、瞬間ガス加熱器302で急速に加熱され、加熱されたガスのビームHeatBeam:HBと呼ぶことにする304として基板301にほぼ垂直に当たり、基板表面を加熱する。表面から加熱されて熱が基板301の内部に伝わる。熱が伝わり、内部の温度が上昇するが、その時間経過は基板301の移動速度、基板の材質と厚み、HBのパラメータガス流量や温度に依存する。一方、基板の裏面にも前記加熱機構が備えてある。ガス導入口305、瞬間ガス加熱器306があり、基板の裏面にもHBHeatBeam307が当たる。HB304とHB307が基板の表と裏から熱を注入するので、基板の熱履歴を表と裏で対称的にすることが可能である。基板の反りはHB304と307の前記パラメータの制御で制御できる。反りは基板の上につけた薄膜があるとき、基板と当該薄膜が作る応力でも反る。この場合もHB304と307の前記パラメータの制御で反りを制御できる。基板としてはガラスのほかに、セラミクスのような焼結材料、金属の材料、半導体の結晶であっても良い。また瞬間ガス加熱器302と306の場所は対向させる位置に配置しているが、その中心を相対的にずらして配置しても良い。当該装置の収納するケースは図3には示していない。当該装置を収納するケースを設けるとき、HBのガスが当該ケースの外に漏れない気密機構や当該ケースの外の大気が当該ケース内部に流入しない気密機構を設けることは自由に設計できる。基板301の表と裏に複数の前記装置を設定することは自由に設計できる。導入するガスは加熱する目的なら不活性ガスが好適である。例えば、窒素のガスやAr、Heのガスが良い。炭素を含むガス、例えばCO2基や炭化水素,フッ化炭素のガスでも良い。基板が酸化されることが問題ないとき、空気を用いることが可能である。基板加熱のほかに、基板の上につけた薄膜を化学反応が伴う処理をすることが可能である。化学処理が還元処理なら水素のガスをまたは分解して水素を出すアンモニアNH3用いることができる。基板の上の当該薄膜を酸化する処理なら6属の酸素OやセレンSe,イオウS、テルルTeを含むガスを混合したガスを用いることができる。同様にフッ素などの7属のハロゲンガスを含むガスを前記処理に使うことも可能である。基板の表面の汚染物を取るとき、ガス導入口から水または水分を含むガスを導入してHB304,307としてスチームを用いることも可能である。スチームは200°C以上でよく汚染物を基板表面から除き、基板表面を清浄にする効果がある。図4は基板の表面と裏面の両面にそれぞれ加熱したガスのビームを基板に吹き付けて加熱する加熱機構を複数備えた装置の模式図である。ガラス基板401は5mmの厚みである。その上にアルミニュームを添加したZnO膜の塗布薄膜402が300nmの厚みに塗布してある。ガラス基板401は図示しない搬送機構で矢印の方向に移動する。ガラス基板401の表面に加熱プレート403があり、その中に瞬間ガス加熱器404,405が備えられている。用いたガスは窒素で、加熱されたガスのビームであるHB1406とHB3407がガラス基板に吹き付ける。HB1406の温度は600°Cで、HB3407の温度は300°Cである。HB1406の流量は50SLMで、HB3407のそれは30SLMである。加熱プレート403には瞬間ガス加熱器404と405を囲むように環状ガス吸引溝RG1とRG3があり、当該溝からガスが吸引口EX1、EX3を通して吸引されて排出される。塗布薄膜406を加熱したときに有害ガスがでるとき、それがEX1、EX3より排出される。加熱プレート403には瞬間ガス加熱器404と405の両方を囲むように環状ガス吹き付け溝RG5があり、ガス供給口PR1とPR3から窒素ガスが供給されて基板に吹き付ける。当該吹き付け溝RG5からのガスは外部から空気が流入するのを阻止する、または希釈するように作用する。ガラス基板401の裏面には表面と対象的に瞬間ガス加熱器408と409が備えられた加熱プレート410がある。加熱プレート410のガス流量と温度は加熱プレート403と同一とした。ガラス基板の厚さは5mm、幅は15cmであった。長さは50cm、1mの2種類として、毎分5cmから50cmの範囲で速度を変化させて移動させた。基板裏面の加熱プレートがないとき、ガラス基板の中心と端の反りは5mm以上あった。それに対して本実施例の構成では、その反りは1mm以下であり、大きく改善された。"