光軸の方向が互いに略同一な複数の光線束を出射する発光装置と、複数の前記光線束をそれぞれ平行光線束に変換するコリメート部と、前記平行光線束を集光する集光部とを備え、前記発光装置は、基板の上に複数の導波路が形成された、スーパールミネッセントダイオードアレイを含み、複数の前記導波路のそれぞれは、前記光線束を出射する光出射位置を含む出射端面を有し、前記光出射位置は一の平面内に位置し、前記一の平面は、前記コリメート部の光軸の方向と直交することを特徴とする光照射装置。前記導波路は直線状に延び、前記一の平面は、前記スーパールミネッセントダイオードアレイの劈開面の方向に対して傾斜していることを特徴とする請求項1に記載の光照射装置。複数の前記導波路は直線状に延び、隣り合う2つの前記導波路における、前記光出射位置の前記導波路が延びる方向の間隔Lは、以下の式により表されることを特徴とする請求項2に記載の光照射装置。L=P/tanθ190-θ2但し、θ1は前記導波路が延びる方向と前記出射端面の法線方向とがなす角であり、θ2は前記出射端面の法線方向と前記光線束の光軸とがなす角であり、Pは隣り合う2つの前記導波路における中心軸同士の間隔である。前記θ2は、以下の式により表されることを特徴とする請求項3に記載の光照射装置。θ2=arcsin1/n×sinθ1但し、nは導波路の屈折率である。複数の前記導波路は湾曲した平面形状を有し、前記一の平面は、前記スーパールミネッセントダイオードアレイの劈開面の方向と平行であることを特徴とする請求項1に記載の光照射装置。前記一の平面と、前記出射端面とがなす角θmは、以下の式により表されることを特徴とする請求項5に記載の光照射装置。θm=arcsin1/n×sinθ1但し、θ1は前記出射端面における前記導波路が延びる方向と前記出射端面の法線方向とがなす角であり、nは導波路の屈折率である。光軸の方向が互いに略同一な複数の光線束を出射する発光装置と、複数の前記光線束をそれぞれ平行光線束に変換するコリメート部と、前記平行光線束を集光する集光部とを備え、前記発光装置は、それぞれが導波路を有する複数のスーパールミネッセントダイオードを有し、前記導波路は、前記光線束を出射する光出射位置を含む出射端面を有し、前記光出射位置は一の平面内に位置し、前記一の平面は、前記コリメート部の光軸の方向と直交することを特徴とする光照射装置。前記コリメート部と、前記集光部との間に配置され、それぞれが被照射物への光照射プロファイルを調整する複数のマイクロレンズを有するマイクロレンズアレイをさらに備え、複数の前記スーパールミネッセントダイオードは、個別にパッケージされていることを特徴とする請求項7に記載の光照射装置。前記光線束の光路上に配置された偏光板をさらに備えていることを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載の光照射装置。前記偏光板は、λ/4板であることを特徴とする請求項9に記載の光照射装置。前記集光部により集光された照射光の光軸を、被照射物の照射面に対して垂直からずらせて照射することを特徴とする請求項1~10のいずれか1項に記載の光照射装置。前記コリメート部は、コリメートレンズであり、前記集光部は、集光レンズであることを特徴とする請求項1~11のいずれか1項に記載の光照射装置。前記コリメート部及び前記集光部の少なくとも一方は、反射光学系により形成されていることを特徴とする請求項1~11のいずれか1項に記載の光照射装置。しかしながら、前記従来の光学素子を用いて光照射装置を構成した場合、部品点数が増大するという問題がある。従来の光学素子を用いた場合、複数の半導体発光素子と同数の光学素子が必要になる。また、高反射率ミラーと部分反射ミラーとにおいて、反射ロスが存在するため、出射される光の強度が低くなり、半導体発光装置の電力―光変換効率が低くなる。光ファイバーを用いて複数の発光素子から出射された光を干渉を避けて結合する方法も考えられるが、この場合には小型化が困難であるという問題がある。本発明は、前記の問題を解決し、光出力が高く且つ干渉ノイズが低い光を、効率よく照射することができる光照射装置を実現できるようにすることを目的とする。前記の目的を達成するため、本発明は光照射装置を、複数の光出射位置が一の発光面に含まれ、発光面と集光部の光軸とが垂直となるように配置した構成とする。具体的に、本発明に係る第1の光照射装置は、光軸の方向が互いに略同一な複数の光線束を出射する発光装置と、複数の光線束をそれぞれ平行光線束に変換するコリメート部と、平行光線束を集光する集光部とを備え、発光装置は、基板の上に複数の導波路が形成された、スーパールミネッセントダイオードアレイを含み、複数の導波路のそれぞれは、光線束を出射する光出射位置を含む出射端面を有し、光出射位置は一の平面内に位置し、一の平面は、コリメート部の光軸の方向と直交する。第1の光照射装置は、光源である発光装置が、基板の上に複数の導波路が形成された、スーパールミネッセントダイオードアレイを含み、複数の導波路のそれぞれは、光線束を出射する光出射位置を含む出射端面を有し、光出射位置は一の平面内に位置し、一の平面は、コリメート部の光軸の方向と直交している。このため、被照射物に光を照射した際に干渉ノイズがほとんどなく、所定の領域においてほぼ均一な照射光強度分布を有する光を照射することが可能となる。また、スーパールミネッセントダイオードアレイから出射された光は、複雑な光学系を用いることなく被照射物に照射できるため、光学系における光の損失が少なく、高効率の光照射装置を実現できる。また、部品点数の増大も生じず、小型化が可能となる。第1の光照射装置において、導波路は直線状に延び、一の平面は、スーパールミネッセントダイオードアレイの劈開面の方向に対して傾斜していてもよい。この場合光照射装置において、複数の導波路は直線状に延び、隣り合う2つの導波路における、光出射位置の導波路が延びる方向の間隔Lが、L=P/tanθ190-θ2となるようにすればよい。但し、θ1は導波路が延びる方向と出射端面の法線方向とがなす角であり、θ2は出射端面の法線方向と光線束の光軸とがなす角であり、Pは隣り合う2つの導波路における中心軸同士の間隔である。また、θ2は、arcsin1/n×sinθ1となるようにすればよい。但し、nは導波路の屈折率である。第1の光照射装置において、複数の導波路は湾曲した平面形状を有し、一の平面は、スーパールミネッセントダイオードアレイの劈開面の方向と平行としてもよい。この場合において、一の平面と、出射端面とがなす角θmが、θm=arcsin1/n×sinθ1となるようにすればよい。但し、θ1は出射端面における導波路が延びる方向と出射端面の法線方向とがなす角であり、nは導波路の屈折率である。本発明に係る第2の光照射装置は、光軸の方向が互いに略同一な複数の光線束を出射する発光装置と、複数の光線束をそれぞれ平行光線束に変換するコリメート部と、平行光線束を集光する集光部とを備え、発光装置は、それぞれが導波路を有する複数のスーパールミネッセントダイオードを有し、導波路は、光線束を出射する光出射位置を含む出射端面を有し、光出射位置は一の平面内に位置し、一の平面は、コリメート部の光軸の方向と直交する。第2の光照射装置は、コリメート部と、集光部との間に配置され、それぞれが被照射物への光照射プロファイルを調整する複数のマイクロレンズを有するマイクロレンズアレイをさらに備え、複数のスーパールミネッセントダイオードは、個別にパッケージされていてもよい。第1及び第2の光照射装置は、光線束の光路上に配置された偏光板をさらに備えていてもよい。この場合において、偏光板はλ/4板とすればよい。第1及び第2の光照射装置は、集光部により集光された照射光の光軸を、被照射物の照射面に対して垂直からずらせて照射してもよい。第1及び第2の光照射装置において、コリメート部は、コリメートレンズとし、集光部は、集光レンズとしてもよい。第1及び第2の光照射装置において、コリメート部及び集光部の少なくとも一方は、反射光学系により形成してもよい。本発明に係る光照射装置によれば、光出力が高く且つ干渉ノイズが低い光を、効率よく照射することができる。第1の実施形態第1の実施形態に係る光照射装置は、図1に示すように光源である半導体発光装置101と半導体発光装置101から出射された光線束を平行光線束に変換するコリメート部102と、平行光線束を被照射物104の所定の領域に集光する集光部103とを備えている。本開示において、平行光線束とは広がりが生じない完全な平行光線束だけでなく、数°~十数°の広がり角度を有する光線束を含む。半導体発光装置101は、複数のリッジ部を有するスーパールミネッセントダイオードアレイ111とスーパールミネッセントダイオードアレイ111を収容するケース112とを有している。ケース112は、ベース121と、ベース121から突出するように固定されたヒートシンク122と、ヒートシンク122を覆い、光を出射する開口部を有するキャップ124と、キャップ124の開口部に取り付けられたカバーガラス123とを備えている。ベース121には、スーパールミネッセントダイオードアレイ111に電力を供給するためのリード126がガラス等の絶縁体127を介在させて固定されている。スーパールミネッセントダイオードアレイ111は、発光面176がコリメートレンズ131と平行となるように、サブマウント125を介在させてヒートシンク122に固定されている。スーパールミネッセントダイオードアレイ111の発光面176とは、スーパールミネッセントダイオードアレイ111の各リッジ部の光出射位置が含まれている面である。コリメート部102は、コリメートレンズ131と、コリメートレンズ131を半導体発光装置101に固定する第1の固定部132とを有している。スーパールミネッセントダイオードアレイ111の発光面176とコリメートレンズ131との間隔は、入射側焦点距離F01に調整されている。集光部103は、集光レンズ135と、集光レンズ135を半導体発光装置101に固定する第2の固定部136とを有している。集光レンズ135と被照射物104との間隔は、照射側焦点距離F02に調整されている。集光レンズ135により集光された光の照射位置141は、走査方向142に沿って走査され、走査履歴が照射領域143となる。スーパールミネッセントダイオードアレイ111は、図2a及びbに示すように、窒化ガリウムGaNの単結晶からなる基板151の上に、GaNからなるn型バッファ層152を介在させて形成された半導体層積層体153を有している。半導体層積層体153は、例えば、基板151側から順次形成されたn型クラッド層161、n型ガイド層162、発光層163、p型ガイド層164、p型クラッド層165及びp型コンタクト層166を有している。p型コンタクト層166からn型ガイド層162層までと、n型クラッド層161の一部とは選択的に除去されており、同一方向に延びるストライプ状のリッジ部154が複数形成されている。リッジ部154により、光の閉じ込めを行う導波路が形成されている。半導体層積層体153の上には酸化シリコンSiO2又は窒化シリコンSiN等からなり電流を通さない保護層155が形成されている。保護層155は、リッジ部154の上面を露出する開口部を有している。保護層155の上には、開口部においてp型コンタクト層166と接するようにp側電極156が形成されている。p側電極156は、リッジ部154ごとに独立して形成されている。基板151の半導体層積層体153と反対側の面裏面の上にはn側電極157が形成されている。p側電極156は、パラジウムPd又は白金Pt等を含む合金層とすればよい。また、合金層とp型コンタクト層166との間に酸化インジウム錫ITO等からなる透明導電層を設けてもよい。透明導電層を設けることにより、透明導電層においても光を閉じ込めることが可能となるため、p型クラッド層165の膜厚を薄くすることができる。これにより、動作電圧が低減でき、発光効率を向上させることが可能となる。スーパールミネッセントダイオードアレイ111の劈開面である前方端面171には、溝部153aが形成されており、各リッジ部154の出射端面172は、各リッジ部154が延びる方向に対して所定の角度傾斜している。このため、各リッジ部154の光出射位置173から出射される光線束の光軸は、誤差範囲において同一方向となっている。また、各リッジ部154の光出射位置173は平面視において一直線上に配置されている。断面としてみた場合には、各光出射位置173は同一の平面発光面176内に位置している。各光出射位置173から出射される光線束の光軸175はそれぞれ、光出射位置173を結ぶ直線と直交する。面としてみた場合には、各光線束の光軸175は発光面176と直交する。通常、スーパールミネッセントダイオードは端面での反射率を低くするため、出射端面をリッジ部が延びる方向に対して傾斜させる。このため、光出射位置から出射された光線束の光軸は、導波路であるリッジ部が延びる方向に対して傾斜する。同一チップ内に同一の構成のリッジ部を平行に配列してアレイ化すると、図3aに示すように各リッジ部の光出射位置が含まれる発光面と、光出射位置から出射される光線束の光軸とは垂直とならない。このため、各リッジ部から出射された光線束の集光位置がΔdずつずれ、いわゆる集光ずれが生じ、同一の面に集光することができない。一方、図3bに示すように、各光出射位置が含まれる発光面と、光出射位置から出射される光線束の光軸とが垂直になるように、各リッジ部の出射端面の位置を調整すれば、集光ずれの発生を防止することができる。なお、照射光の光軸が照射面に対して垂直である場合だけでなく、照射光の光軸が照射面に対して傾いている場合にも集光ずれの発生を防止することができる。照射光の光軸を照射面に対して傾けることにより、照射面において反射された光が戻り光となりスーパールミネッセントダイオードが発振してしまうことを抑えることができる。各リッジ部の具体的な構成について図4を用いて説明する。図4において、PABは第1のリッジ部154Aの中心軸と第2のリッジ部154Bの中心軸との間隔であり、PBCは第2のリッジ部154Bの中心軸と第3のリッジ部154Cの中心軸との間隔である。LABは第1のリッジ部154Aの第1の光出射位置173Aと第2のリッジ部154Bの第2の光出射位置173Bとの間隔であり、LBCは第2のリッジ部154Bの第2の光出射位置173Bと第3のリッジ部154Cの第3の光出射位置173Cとの間隔である。θ1はリッジ部の出射端面の法線方向とリッジ部の中心軸とのなす角であり、θ2はリッジ部の出射端面の法線方向とリッジ部から出射される光線束の光軸とのなす角である。この場合、θ2は次の式1により表される。θ2=arcsin1/n×sinθ11但し、nはリッジ部の屈折率である。θ1を10°、nを2.4とすると、θ2は24.6°となる。一方、LAB及びLBCは、それぞれ次の式2及び3により表される。LAB=PAB/tanθ190-θ22LBC=PBC/tanθ190-θ23PABとPBCが等しい場合には、LABはLBCと等しくなる。PAB及びPBCを100μmとすると、LAB及びLBCは26.1μmとなる。このように、隣接するリッジ部の光出射位置の位置を、リッジ部が延びる方向に26.1μmずらすことにより第1の光出射位置173A、第2の光出射位置173B及び第3の光出射位置173Cを、出射する光線束の光軸に対して垂直な平面内に配置することが可能となる。各光出射位置が含まれる平面である発光面がコリメートレンズ及び集光レンズの光軸に対して垂直になるように配置すれば、集光ずれを生じさせることなく、各光出射位置から出射された光線束を所定の照射面に照射することができる。スーパールミネッセントダイオードアレイ111は以下のようにして形成すればよい。まず、図5に示すように、n型の導電性を有するGaNからなる基板151の上に、n型バッファ層152を介在させてn型クラッド層161、n型ガイド層162、発光層163、p型ガイド層164、p型クラッド層165及びp型コンタクト層166を有する半導体層積層体153を形成する。n型クラッド層161は窒化アルミニウムガリウムAlGaNとすればよく、n型ガイド層はGaNとすればよい。発光層163は窒化インジウムガリウムInGaNからなる量子井戸発光層とすればよい。p型ガイド層164はGaNとすればよく、p型クラッド層はAlGaNとすればよく、p型コンタクト層はGaNとすればよい。n型の層にはシリコンSiをドーピングし、p型の層にはマグネシウムMgをドーピングすればよい。次に、図6に示すように、プラズマCVDChemicalVaporDeposition法等によりp型コンタクト層166の上に、マスクとなるSiO2層181を形成する。その後、フォトリソグラフィ法とドライエッチング法を用いて、リッジ部154となる部分を除いてSiO2層を選択的に除去する。次に、図7に示すように、SiO2層181をマスクとして、例えば塩素Cl2ガス等を用いてn型クラッド層161が露出するまで、半導体層積層体153をドライエッチングする。この後、フッ酸等を用いたウエットエッチングによりSiO2層181を除去する。さらに、SiO2からなるマスクとドライエッチングとを用いて、溝部153aを形成する。この際に、各リッジ部154の光出射位置の位置が先に説明した関係を満たすように調整する。次に、図8に示すように、SiO2等からなる保護層155を半導体層積層体153上の全面に形成する。続いて、フォトリソグラフィ法とフッ酸によるウエットエッチングとを用いて、保護層155にp型コンタクト層166の上面を露出するストライプ状の開口部を形成する。次に、図9に示すように、フォトリソグラフィ法と真空蒸着法とを用いて、p型コンタクト層166と電気的に接続されたp側電極156を形成する。また、フォトリソグラフィ法と真空蒸着法とを用いて、基板151の裏面にTi、Al、Ni及びAu等の多層膜からなるn側電極157を形成する。この後、ブレードを用いたダイシング又は劈開等を行い、チップ分離を行う。リッジ部154を形成する際に、n型クラッド層161が露出するまでエッチングを行う例を示した。しかし、少なくともp型クラッド層165が露出するまでエッチングを行えば、リッジ部154を機能させることができる。リッジ部154を形成する際のエッチングを浅くすることにより、リッジ部154の側面を流れるリーク電流を低減することができる。直線状に延びるリッジ部を有するスーパールミネッセントダイオードアレイについて説明したが、図10に示すような湾曲したリッジ部を有するスーパールミネッセントダイオードアレイ111Aを用いてもよい。この場合には、各リッジ部154から出射される光線束の光軸をスーパールミネッセントダイオードアレイ111Aのチップの前方端面劈開面に対して垂直とすることが可能となる。リッジ部154から出射される光線束の光軸の方向は、出射端面172の方向によって決まる。リッジ部154から出射される光線束の光軸175をチップの前方端面171に対して垂直とする場合における出射端面172と前方端面171とがなす角出射端面172の傾き角度θmは、図11に示すように、出射端面172の法線方向とリッジ部から出射される光線束の光軸175とのなす角θ2と等しい。先に述べたようにθ2は、arcsin1/n×sinθ1と表される。例えば、出射端面の法線方向とリッジ部の中心軸とのなす角θ1が10°であり、リッジ部の屈折率nが2.4である場合には、θ2は24.6°となる。従って、光出射位置から出射される光線束の光軸をチップの前方端面に対して垂直とする場合には、出射端面をチップの前方端面に対して24.6°傾ければよい。但し、この場合におけるリッジ部の中心軸の方向は、出射端面におけるリッジ部の中心軸の方向である。リッジ部を湾曲させた場合には、チップの劈開面と発光面とが平行となる。従って、スーパールミネッセントダイオードチップを実装する際に、チップの前方端面がコリメートレンズの光軸と垂直となるように配置すればよく、チップのアライメントが容易となる。本実施形態において、リッジ部が3本形成されたスーパールミネッセントダイオードアレイについて説明したが、リッジ部の数は2本としても、4本以上としてもよい。図1は集光レンズにより集光された光線束を被照射物に直接照射する例を示しているが、図12に示すように光路上に偏光素子145を挿入してもよい。偏光素子145は、例えば4分の1波長板λ/4板等とすればよい。このようにすれば、被照射物において反射された戻り光により、スーパールミネッセントダイオードが発振することを抑えることが可能となる。図12においては偏光素子145をコリメート部102と集光部103との間に配置しているが、偏光素子145は照射光の光路上であればどこに挿入してもよい。図1は、コリメート部及び集光部をそれぞれレンズを用いた屈折光学系とした例を示しているが、少なくとも一方を反射鏡を用いた反射光学系としてもよい。例えば、図13に示すように、コリメート部及び集光部として機能する反射鏡146を用いてもよい。反射光学系を用いることにより色収差による集光ずれを解消できる。スーパールミネッセントダイオードは、レーザダイオードよりも発光スペクトル幅が広いため、反射光学系を用いる効果は大きい。また、コリメート部及び集光部のそれぞれを独立した反射鏡としてもよく、コリメート部及び集光部の一方を反射鏡とし、他方をレンズとしてもよい。さらに、コリメート部は回折格子等とすることも可能である。第2の実施形態第1の実施形態においては、複数のリッジ部を有するスーパールミネッセントダイオードアレイを光源として用いる例を示したが、複数のスーパールミネッセントダイオードを光源として用いてもよい。図14は、第2の実施形態に係る光照射装置の構成を示している。図14において、図1と同一の構成要素には同一の符号を附している。また、集光部については記載を省略している。第2の実施形態の光照射装置は、光源として、複数のスーパールミネッセントダイオードチップを集積した半導体発光装置101Aを用いることを特徴とする。半導体発光装置101は、3個のスーパールミネッセントダイオードチップ211がケース112に収容されている。3個のスーパールミネッセントダイオードチップ211は、リッジ部が延びる方向が同じになるようにサブマウント125の上に固定されている。また、3個のスーパールミネッセントダイオードチップ211の光出射位置273が同一の発光面276内に位置し、且つ発光面276がコリメートレンズ131の光軸と垂直になるように、サブマウント125の上に固定されている。第2の実施形態においても、第1の実施形態と同様に、干渉ノイズが生じにくく均一な照射光強度分布を有する光照射装置を実現できる。図14においては、3個のスーパールミネッセントダイオードチップを用いる例を示したが、スーパールミネッセントダイオードチップの数は2個であっても、4個以上であってもよい。また、リッジ部が直線状に延びるスーパールミネッセントダイオードチップを用いる例を示したが、湾曲したリッジ部を有するスーパールミネッセントダイオードチップを用いてもよい。この場合には、チップの前方端面と発光面とが平行となるため、スーパールミネッセントダイオードチップを実装する際に、チップのアライメントが容易となる。本実施形態においても、偏光板を光路上に挿入したり、光学系を反射光学系としたりしてかまわない。第3の実施形態複数のスーパールミネッセントダイオードチップを集積した半導体発光装置に代えて、それぞれがスーパールミネッセントダイオードチップを有する複数の半導体発光装置を光源として用いてもよい。図15は、第3の実施形態に係る光照射装置の構成を示している。図15において、図1と同一の構成要素には同一の符号を附している。第3の実施形態の光照射装置は、光源として、それぞれがスーパールミネッセントダイオードチップを有する複数の半導体発光装置101Bを用いることを特徴とする。図15においては、半導体発光装置101Bのそれぞれに対応してコリメートレンズ331が設けられている。コリメートレンズ331の光軸と半導体発光装置101Bが出射する光線束の光軸とが一致するように、第1の固定部332によりコリメートレンズ331は固定されている。コリメートレンズ331と集光レンズ135との間には、フライアイレンズ337及びマイクロレンズ338が配置されている。フライアイレンズ337及びマイクロレンズ338は、第3の固定部339により固定されている。図16は、半導体発光装置101Bを拡大して示している。スーパールミネッセントダイオードチップ311は、湾曲したリッジ部354を有している。光出射位置373から出射された光線束の光軸375が、スーパールミネッセントダイオードチップ311の劈開面である前方端面371と直交するように、出射端面372の傾き角度θmが調整されている。具体的には、先に説明したように、例えば、出射端面の法線方向とリッジ部の中心軸とのなす角θ1が10°であり、リッジ部の屈折率nが2.4である場合には、θmを24.6°とすればよい。スーパールミネッセントダイオードチップ311は、出射する光線束の光軸が半導体発光装置101Bの基準面であるカバーガラス123の主面に対して垂直となるように、サブマウント125に固定されている。スーパールミネッセントダイオードチップ311のp側電極は、ワイヤ128により一方のリード126と接続されている。n側電極は、サブマウント125に接続されたワイヤ128によりもう一方のリード126と接続されている。図17に示すように、半導体発光装置101Bから出射された光線束は、コリメートレンズ331により平行光線束に変換され、フライアイレンズ337及びマイクロレンズ338に入射する。図18に示すように、マイクロレンズ338Aに入射した照射光A、マイクロレンズ338Bに入射した照射光B及びマイクロレンズ338Cに入射した照射光Cはそれぞれ、被照射物104に照射される際に、ほぼ均一略矩形状の照射光強度分布を有する光となる。図18において、縦軸は照射光強度を示し、横軸は走査方向142に垂直な方向の位置を示している。図17及び図18においては、1つの半導体発光装置についてのみ示しているが、図示していない他の半導体発光装置から出射された光線束についても同様の照射光強度分布を有する光となる。このため、光照射領域において、各マイクロレンズにより形成された略矩形状の照射光強度分布を有する光がすべて足し合わされるため、収差の影響をほとんど受けない集光光を実現することが可能となる。従って、第3の実施形態においても、第1及び第2の実施形態と同様に、干渉ノイズが生じにくく均一な照射光強度分布を有する光照射装置を実現できる。図12においては、3個の半導体発光装置を用いる例を示したが、半導体発光装置の数は2個であっても、4個以上であってもよい。また、各半導体発光装置をスーパールミネッセントダイオードアレイを用いた半導体発光装置又は複数のスーパールミネッセントダイオードチップを有する半導体発光装置としてもよい。本実施形態においても、偏光板を光路上に挿入したり、光学系を反射光学系としたりしてかまわない。各実施形態において、導波路をリッジ型とする例を示したが、埋め込み型の導波路としてもよい。