"支持体上に感光層を少なくとも有し、該感光層が、重合禁止剤、バインダー、重合性化合物及び光重合開始剤を含む、405nmのレーザ光源を有するパターン形成装置用のパターン形成材料であって、ここで、該感光層を露光し現像する際、該感光層の露光する部分の厚みを該露光現像後において変化させない前記露光に用いる光の最小エネルギーは、感度曲線により求められ、該最小エネルギーは、4~10mJ/cm2であり、該バインダーは、少なくともスチレンが共重合された共重合体であり、かつ、該重合性化合物は、以下の構造式14:{式中、R1とR2は、水素原子又はメチル基を表し、X1とX2は、アルキレンオキサイドを表し、m1とm2は、1~60の整数を表し、そしてY1は、炭素原子数2~30の2価の有機基を表す。}で表される化合物及び以下の構造式15:{式中、R3は、水素原子又はメチル基を表し、X3は、アルキレンオキサイドを表し、m3は、1~60の整数を表し、そしてY2は、炭素原子数2~30の2価の有機基を表し、nは、3~6の整数を表し、そしてZは、n価3~6価の連結基を表す。}で表される化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物と、以下の構造式39:{式中、R4とR5は、水素原子又はアルキル基を表し、X5とX6は、アルキレンオキサイドを表し、m5とm6は、1~60の整数を表し、Tは、2価の有機基を表し、そしてAr1とAr2は、置換基を有してもよいアリール基を表す。}で表わされる化合物とを含む、前記パターン形成材料。前記感光層が、光照射手段からの光を受光し出射する描素部をn個有する光変調手段により、該光照射手段からの光を変調させた後、該描素部における出射面の歪みによる収差を補正可能な非球面を有するマイクロレンズを配列したマイクロレンズアレイを通した光で、露光される、請求項1に記載のパターン形成材料。前記感光層が、光照射手段からの光を受光し出射する描素部をn個有する光変調手段により、該光照射手段からの光を変調させた後、該描素部の周辺部からの光を入射させないレンズ開口形状を有するマイクロレンズを配列したマイクロレンズアレイを通した光で、露光される、請求項1に記載のパターン形成材料。前記重合禁止剤が、芳香環、複素環、イミノ基及びフェノール性水酸基から選択される少なくとも1種を有する、請求項1~3のいずれか1項に記載のパターン形成材料。前記重合禁止剤が、フェノール性水酸基を少なくとも2個有する化合物、イミノ基で置換された芳香環を有する化合物、イミノ基で置換された複素環を有する化合物、及びヒンダードアミン化合物から選択される少なくとも1種である、請求項1~4のいずれか1項に記載のパターン形成材料。前記重合禁止剤が、カテコール、フェノチアジン、フェノキサジン、ヒンダードアミン及びこれらの誘導体から選択される少なくとも1種である、請求項1~5のいずれか1項に記載のパターン形成材料。前記重合禁止剤の含有量が、前記重合性化合物に対して0.005~0.5質量である、請求項1~6のいずれか1項に記載のパターン形成材料。露光に用いる光の最小エネルギー量を求める場合の露光波長が、405nmである、請求項1~7のいずれか1項に記載のパターン形成材料。前記感光層が、増感剤をさらに含む、請求項1~8のいずれか1項に記載のパターン形成材料。前記増感剤の極大吸収波長が、380~450nmである、請求項9に記載のパターン形成材料。前記増感剤が、縮環系化合物である、請求項9に記載のパターン形成材料。前記増感剤が、アクリドン類、アクリジン類、及びクマリン類からなる群から選択される少なくとも1種である、請求項9に記載のパターン形成材料。請求項1~12のいずれか1項に記載のパターン形成材料における該感光層に対し、露光を行うことを少なくとも含むことを特徴とするパターン形成方法。前記露光が、形成するパターン情報に基づいて制御信号を生成し、該制御信号に応じて変調させた光を用いて行われる、請求項13に記載のパターン形成方法。露光が行われた後、感光層の現像を行う、請求項13又は14に記載のパターン形成方法。本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、感光層の感度低下を抑制でき、かつ、高精細なパターンを形成可能なパターン形成材料、並びに該パターン形成材料を備えたパターン形成装置及び前記パターン形成材料を用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、<1>支持体上に感光層を少なくとも有し、該感光層が、重合禁止剤、バインダー、重合性化合物及び光重合開始剤を含み、かつ、該感光層を露光し現像する場合において、該感光層の露光する部分の厚みを該露光現像後において変化させない前記光の最小エネルギーが、0.1~10mJ/cm2であることを特徴とするパターン形成材料である。該<1>に記載のパターン形成材料においては、前記感光層は、前記重合禁止剤、バインダー、重合性化合物及び光重合開始剤を含むため、前記感光層を露光し現像する場合において、該感光層の露光する部分の厚みを該露光現像後において変化させない前記光の最小エネルギーが、所定の範囲となる。この結果、例えば、その後、前記感光層を現像することにより、高精細なパターンが形成される。<2>感光層が、光照射手段からの光を受光し出射する描素部をn個有する光変調手段により、前記光照射手段からの光を変調させた後、前記描素部における出射面の歪みによる収差を補正可能な非球面を有するマイクロレンズを配列したマイクロレンズアレイを通した光で、露光される前記<1>に記載のパターン形成材料である。<3>感光層が、光照射手段からの光を受光し出射する描素部をn個有する光変調手段により、前記光照射手段からの光を変調させた後、前記描素部の周辺部からの光を入射させないレンズ開口形状を有するマイクロレンズを配列したマイクロレンズアレイを通した光で、露光される前記<1>に記載のパターン形成材料である。<4>重合禁止剤が、芳香環、複素環、イミノ基及びフェノール性水酸基から選択される少なくとも1種を有する前記<1>から<3>のいずれかに記載のパターン形成材料である。<5>重合禁止剤が、フェノール性水酸基を少なくとも2個有する化合物、イミノ基で置換された芳香環を有する化合物、イミノ基で置換された複素環を有する化合物、及びヒンダードアミン化合物から選択される少なくとも1種である前記<1>から<4>のいずれかに記載のパターン形成材料である。<6>重合禁止剤が、カテコール、フェノチアジン、フェノキサジン、ヒンダードアミン及びこれらの誘導体から選択される少なくとも1種である前記<1>から<5>のいずれかに記載のパターン形成材料である。<7>重合禁止剤の含有量が、重合性化合物に対して0.005~0.5質量である前記<1>から<6>のいずれかに記載のパターン形成材料である。<8>露光に用いる光の最小エネルギー量を求める場合の露光波長が、405nmである前記<1>から<7>のいずれかに記載のパターン形成材料である。<9>感光層が、増感剤を含む前記<1>から<8>のいずれかに記載のパターン形成材料である。<10>増感剤の極大吸収波長が、380~450nmである前記<9>に記載のパターン形成材料である。<11>増感剤が、縮環系化合物である前記<8>から<10>のいずれかに記載のパターン形成材料である。<12>増感剤が、アクリドン類、アクリジン類、及びクマリン類から選択される少なくとも1種である前記<8>から<11>のいずれかに記載のパターン形成材料である。<13>バインダーが、酸性基を有する前記<1>から<12>に記載のパターン形成材料である。<14>バインダーが、ビニル共重合体を含む前記<1>から<13>のいずれかに記載のパターン形成材料である。<15>バインダーが、スチレン及びスチレン誘導体の少なくともいずれかの共重合体を含む前記<1>から<14>のいずれかに記載のパターン形成材料である。<16>バインダーの酸価が、70~250mgKOH/gである前記<1>から<15>のいずれかに記載のパターン形成材料である。<17>重合性化合物が、ウレタン基及びアリール基の少なくともいずれかを有するモノマーを含む前記<1>から<16>のいずれかに記載のパターン形成材料である。<18>重合性化合物が、ビスフェノール骨格を有する前記<1>から<17>のいずれかに記載のパターン形成材料である。<19>光重合開始剤が、ハロゲン化炭化水素誘導体、ヘキサアリールビイミダゾール、オキシム誘導体、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物、芳香族オニウム塩及びメタロセン類から選択される少なくとも1種を含む前記<1>から<18>のいずれかに記載のパターン形成材料である。<20>光重合開始剤が、2,4,5-トリアリールイミダゾール2量体誘導体を含む前記<1>から<19>のいずれかに記載のパターン形成材料である。<21>感光層の厚みが1~100μmである前記<1>から<20>のいずれかに記載のパターン形成材料である。<22>感光層が、バインダーを30~90質量含有し、重合性化合物を5~60質量含有し、光重合開始剤を0.1~30質量含有する前記<1>から<21>のいずれかに記載のパターン形成材料である。<23>支持体が、合成樹脂を含み、かつ透明である前記<1>から<22>のいずれかに記載のパターン形成材料である。<24>支持体が、長尺状である前記<1>から<23>のいずれかに記載のパターン形成材料である。<25>パターン形成材料が、長尺状であり、ロール状に巻かれてなる前記<1>から<24>のいずれかに記載のパターン形成材料である。<26>パターン形成材料における感光層上に保護フィルムを有する前記<1>から<25>のいずれかに記載のパターン形成材料である。<27>前記<1>から<26>のいずれかに記載のパターン形成材料を備えており、光を照射可能な光照射手段と、該光照射手段からの光を変調し、前記パターン形成材料における感光層に対して露光を行う光変調手段とを少なくとも有することを特徴とするパターン形成装置である。該<27>に記載のパターン形成装置においては、前記光照射手段が、前記光変調手段に向けて光を照射する。前記光変調手段が、前記光照射手段から受けた光を変調する。前記光変調手段により変調した光が前記感光層に対して露光させる。例えば、その後、前記感光層を現像すると、高精細なパターンが形成される。<28>光変調手段が、形成するパターン情報に基づいて制御信号を生成するパターン信号生成手段を更に有してなり、光照射手段から照射される光を該パターン信号生成手段が生成した制御信号に応じて変調させる前記<27>に記載のパターン形成装置である。該<28>に記載のパターン形成装置においては、前記光変調手段が前記パターン信号生成手段を有することにより、前記光照射手段から照射される光が該パターン信号生成手段により生成した制御信号に応じて変調される。<29>光変調手段が、n個の描素部を有してなり、該n個の描素部の中から連続的に配置された任意のn個未満の前記描素部を、形成するパターン情報に応じて制御可能である前記<27>から<28>のいずれかに記載のパターン形成装置である。該<29>に記載のパターン形成装置においては、前記光変調手段におけるn個の描素部の中から連続的に配置された任意のn個未満の描素部をパターン情報に応じて制御することにより、前記光照射手段からの光が高速で変調される。<30>光変調手段が、空間光変調素子である前記<27>から<29>のいずれかに記載のパターン形成装置である。<31>空間光変調素子が、デジタルマイクロミラーデバイスDMDである前記<30>に記載のパターン形成装置である。<32>描素部が、マイクロミラーである前記<29>から<31>のいずれかに記載のパターン形成装置である。<33>光照射手段が、2以上の光を合成して照射可能である前記<27>から<32>のいずれかに記載のパターン形成装置である。該<33>に記載のパターン形成装置においては、前記光照射手段が2以上の光を合成して照射可能であることにより、露光が焦点深度の深い露光光によって行われる。この結果、前記パターン形成材料への露光が極めて高精細に行われる。例えば、その後、前記感光層を現像すると、極めて高精細なパターンが形成される。<34>光照射手段が、複数のレーザと、マルチモード光ファイバと、該複数のレーザからそれぞれ照射されたレーザ光を集光して前記マルチモード光ファイバに結合させる集合光学系とを有する前記<27>から<33>のいずれかに記載のパターン形成装置である。該<34>に記載のパターン形成装置においては、前記光照射手段が、前記複数のレーザからそれぞれ照射されたレーザ光が前記集合光学系により集光され、前記マルチモード光ファイバに結合可能であることにより、露光が焦点深度の深い露光光で行われる。この結果、前記パターン形成材料への露光が極めて高精細に行われる。例えば、その後、前記感光層を現像すると、極めて高精細なパターンが形成される。<35>前記<1>から<26>のいずれかに記載のパターン形成材料における該感光層に対し、露光を行うことを少なくとも含むことを特徴とするパターン形成方法である。該<35>に記載のパターン形成方法においては、露光が前記パターン形成材料に対して行われる。例えば、その後、前記感光層を現像すると、高精細なパターンが形成される。<36>基体上にパターン形成材料を加熱及び加圧の少なくともいずれかを行いながら積層し、露光する前記<35>に記載のパターン形成方法である。<37>露光が、形成するパターン情報に基づいて像様に行われる前記<35>から<36>のいずれかに記載のパターン形成方法である。<38>露光が、形成するパターン情報に基づいて制御信号を生成し、該制御信号に応じて変調させた光を用いて行われる前記<35>から<37>のいずれかに記載のパターン形成方法である。該<38>に記載のパターン形成方法においては、形成するパターン形成情報に基づいて制御信号が生成され、該制御信号に応じて光が変調される。<39>露光が、光を照射する光照射手段と、形成するパターン情報に基づいて前記光照射手段から照射される光を変調させる光変調手段とを用いて行われる前記<35>から<38>のいずれかに記載のパターン形成方法である。<40>露光が、光変調手段により光を変調させた後、前記光変調手段における描素部の出射面の歪みによる収差を補正可能な非球面を有するマイクロレンズを配列したマイクロレンズアレイを通して行われる前記<39>に記載のパターン形成方法である。該<40>に記載のパターン形成方法においては、前記光変調手段により変調した光が、前記マイクロレンズアレイにおける前記非球面を通ることにより、前記描素部における出射面の歪みによる収差が補正される。この結果、パターン形成材料上に結像させる像の歪みが抑制され、該パターン形成材料への露光が極めて高精細に行われる。例えば、その後、前記感光層を現像すると、極めて高精細なパターンが形成される。<41>露光が、光変調手段により光を変調させた後、前記光変調手段における描素部の周辺部からの光を入射させないレンズ開口形状を有するマイクロレンズを配列したマイクロレンズアレイを通して行われる前記<39>に記載のパターン形成方法である。該<41>に記載のパターン形成方法においては、前記光変調手段により変調した光が、前記マイクロレンズアレイを通ることにより、前記光変調手段における描素部の周辺部からの光が入射されなくなり、集光された光が歪んでしまうことを防止できる。この結果、パターン形成材料上に結像させる像の歪みが抑制され、該パターン形成材料への露光が極めて高精細に行われる。例えば、その後、前記感光層を現像すると、極めて高精細なパターンが形成される。<42>マイクロレンズアレイが、描素部における出射面の歪みによる収差を補正可能な非球面を有する前記<41>に記載のパターン形成方法である。該<42>に記載のパターン形成方法においては、前記光変調手段により変調した光が、前記マイクロレンズアレイにおける前記非球面を通ることにより、前記描素部における出射面の歪みによる収差が補正され、前記パターン形成材料上に結像させる像の歪みが抑制される。この結果、前記パターン形成材料への露光が高精細に行われる。例えば、その後、前記感光層を現像することにより、高精細なパターンが形成される。<43>非球面が、トーリック面である前記<40>から<42>のいずれかに記載のパターン形成方法である。該<43>に記載のパターン形成方法においては、前記非球面がトーリック面であることにより、前記描素部における放射面の歪みによる収差が効率よく補正され、パターン形成材料上に結像させる像の歪みが効率よく抑制される。この結果、前記パターン形成材料への露光が極めて高精細に行われる。例えば、その後、前記感光層を現像すると、極めて高精細なパターンが形成される。<44>マイクロレンズが、円形のレンズ開口形状を有する前記<41>から<43>のいずれかに記載のパターン形成方法である。<45>レンズ開口形状が、そのレンズ面に遮光部を設けることにより規定される前記<41>から<44>のいずれかに記載のパターン形成方法である。<46>露光が、アパーチャアレイを通して行われる前記<35>から<45>のいずれかに記載のパターン形成方法である。該<46>に記載のパターン形成方法においては、露光が前記アパーチャアレイを通して行われることにより、消光比が向上する。この結果、露光が極めて高精細に行われる。例えば、その後、前記感光層を現像すると、極めて高精細なパターンが形成される。<47>露光が、露光光と感光層とを相対的に移動させながら行われる前記<32>から<39>のいずれかに記載のパターン形成方法である。該<47>に記載のパターン形成方法においては、前記変調させた光と前記感光層とを相対的に移動させながら露光することにより、露光が高速に行われる。例えば、その後、前記感光層を現像すると、高精細なパターンが形成される。<48>露光が、感光層の一部の領域に対して行われる前記<35>から<47>のいずれかに記載のパターン形成方法である。<49>露光が行われた後、感光層の現像を行う前記<35>から<48>のいずれかに記載のパターン形成方法である。該<49>に記載のパターン形成方法においては、前記露光が行われた後、前記感光層を現像することにより、高精細なパターンが形成される。<50>現像が行われた後、永久パターンの形成を行う前記<35>から<49>のいずれかに記載のパターン形成方法である。<51>永久パターンが、配線パターンであり、該永久パターンの形成がエッチング処理及びメッキ処理の少なくともいずれかにより行われる前記<50>に記載のパターン形成方法である。本発明によると、従来における問題を解決することができ、高感度の感光層を有し、かつ、高精細なパターンを形成可能なパターン形成材料、並びに該パターン形成材料を備えたパターン形成装置及び前記パターン形成材料を用いたパターン形成方法を提供することができる。パターン形成材料本発明のパターン形成材料は、支持体上に感光層を少なくとも有し、必要に応じて適宜選択したその他の層を有していてもよい。前記感光層は、重合禁止剤、バインダー、重合性化合物及び光重合開始剤を含み、必要に応じて適宜選択した増感剤やその他の成分を含んでいてもよい。<感光層>前記感光層を露光し現像する場合において、該感光層の露光する部分の厚みを該露光現像後において変化させない光の最小エネルギーとしては、0.1~10mJ/cm2である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、0.5~8mJ/cm2が好ましく、1~5mJ/cm2がより好ましい。前記最小エネルギーが、0.1mJ/cm2未満であると、処理工程にてカブリが発生することがあり、10mJ/cm2を超えると、露光に必要な時間が長くなり、処理スピードが遅くなることがある。ここで、該感光層の露光する部分の厚みを該露光現像後において変化させない前記露光に用いる光の最小エネルギーとは、いわゆる現像感度であり、例えば、前記感光層を露光したときの前記露光に用いた光のエネルギー量露光量と、前記露光に続く前記現像処理により生成した前記硬化層の厚みとの関係を示すグラフ感度曲線から求めることができる。前記硬化層の厚みは、前記露光量が増えるに従い増加していき、その後、前記露光前の前記感光層の厚みと略同一かつ略一定となる。前記現像感度は、前記硬化層の厚みが略一定となったときの最小露光量を読み取ることにより求められる値である。ここで、前記硬化層の厚みと前記露光前の前記感光層の厚みとが±1μm以内であるとき、前記硬化層の厚みが露光現像により変化していないとみなす。前記硬化層及び前記露光前の前記感光層の厚みの測定方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、膜厚測定装置、表面粗さ測定機例えば、サーフコム1400D東京精密社製などを用いて測定する方法が挙げられる。-重合禁止剤-前記重合禁止剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記重合禁止剤は、前記露光により前記光重合開始剤から発生した重合開始ラジカル成分に対して水素供与又は、水素授与、エネルギー供与又は、エネルギー授与、電子供与又は、電子授与などを実施し、重合開始ラジカルを失活させ、重合開始を禁止する役割をはたす。前記重合禁止剤としては、孤立電子対を有する化合物例えば、酸素、窒素、硫黄、金属等を有する化合物、パイ電子を有する化合物例えば、芳香族化合物などが挙げられ、具体的には、フェノール性水酸基を有する化合物、イミノ基を有する化合物、ニトロ基を有する化合物、ニトロソ基を有する化合物、芳香環を有する化合物、複素環を有する化合物、金属原子を有する化合物有機化合物との錯体を含むなどが挙げられる。これらの中でも、フェノール性水酸基を有する化合物、イミノ基を有する化合物、芳香環を有する化合物、複素環を有する化合物が好ましい。前記フェノール性水酸基を有する化合物は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、フェノール性水酸基を少なくとも2個有する化合物が好ましい。該フェノール性水酸基を少なくとも2個有する化合物において、少なくとも2個のフェノール性水酸基は、同一の芳香環に置換されていてもよく、同一分子内における異なる芳香環に置換されているもよい。前記フェノール性水酸基を少なくとも2個有する化合物は、例えば、下記構造式1で表される化合物がより好ましい。前記構造式1中、Zは、置換基を表し、mは、2以上の整数を表す。nは0以上の整数を表す。該m及びnは、mn=6となるように選ばれる整数が好ましい。また、nが2以上の整数である場合、前記Xは互いに同一であってもよく異なっていてもよい。前記mが2未満となると、解像度が悪化することがある。前記置換基としては、例えば、カルボキシル基、スルホ基、シアノ基、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヒドロキシル基、炭素数30以下のアルコキシカルボニル基例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、炭素数30以下のアリールオキシカルボニル基例えば、フェノキシカルボニル基、炭素数30以下のアルキルスルホニルアミノカルボニル基例えば、メチルスルホニルアミノカルボニル基、オクチルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基例えば、トルエンスルホニルアミノカルボニル基、炭素数30以下のアシルアミノスルホニル基例えば、ベンゾイルアミノスルホニル基、アセチルアミノスルホニル基、ピバロイルアミノスルホニル基、炭素数30以下のアルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、ベンジルオキシ基、フェノキシエトキシ基、フェネチルオキシ基等、炭素数30以下のアリールチオ基、アルキルチオ基例えば、フェニルチオ基、メチルチオ基、エチルチオ基、ドデシルチオ基等、炭素数30以下のアリールオキシ基例えば、フェノキシ基、p-トリルオキシ基、1-ナフトキシ基、2-ナフトキシ基等、ニトロ基、炭素数30以下のアルキル基、アルコキシカルボニルオキシ基例えば、メトキシカルボニルオキシ基、ステアリルオキシカルボニルオキシ基、フェノキシエトキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基例えば、フェノキシカルボニルオキシ基、クロロフェノキシカルボニルオキシ基、炭素数30以下のアシルオキシ基例えば、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基等、炭素数30以下のアシル基例えば、アセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基等、カルバモイル基例えば、カルバモイル基、N,N-ジメチルカルバモイル基、モルホリノカルボニル基、ピペリジノカルボニル基等、スルファモイル基例えば、スルファモイル基、N,N-ジメチルスルファモイル基、モルホリノスルホニル基、ピペリジノスルホニル基等、炭素数30以下のアルキルスルホニル基例えば、メチルスルホニル基、トルフルオロメチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、ドデシルスルホニル基、アリールスルホニル基例えば、ベンゼンスルホニル基、トルエンスルホニル基、ナフタレンスルホニル基、ピリジンスルホニル基、キノリンスルホニル基、炭素数30以下のアリール基例えばフェニル基、ジクロロフェニル基、トルイル基、メトキシフェニル基、ジエチルアミノフェニル基、アセチルアミノフェニル基、メトキシカルボニルフェニル基、ヒドロキシフェニル基、t-オクチルフェニル基、ナフチル基等、置換アミノ基例えば、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アリールアミノ基、ジアリールアミノ基、アシルアミノ基等、置換ホスホノ基例えば、ホスホノ基、ジエチルホスホノ基、ジフェニルホスホノ基、複素環式基例えば、ピリジル基、キノリル基、フリル基、チエニル基、テトラヒドロフルフリル基、ピラゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ピリダジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、イソキノリル基、チアジアゾリル基、モルホリノ基、ピペリジノ基、ピペラジノ基、インドリル基、イソインドリル基、チオモルホリノ基、ウレイド基例えば、メチルウレイド基、ジメチルウレイド基、フェニルウレイド基等、スルファモイルアミノ基例えば、ジプロピルスルファモイルアミノ基等、アルコキシカルボニルアミノ基例えば、エトキシカルボニルアミノ基等、アリールオキシカルボニルアミノ基例えば、フェニルオキシカルボニルアミノ基、アルキルスルフィニル基例えば、メチルスルフィニル基等、アリールスルフィニル基例えば、フェニルスルフィニル基等、シリル基例えば、トリメトキシシリル基、トリエトキシシリル基等、シリルオキシ基例えば、トリメチルシリルオキシ基等等が挙げられる。前記構造式1で表される化合物としては、例えば、アルキルカテコール例えば、カテコール、レゾルシノール、1,4-ヒドロキノン、2-メチルカテコール、3-メチルカテコール、4-メチルカテコール、2-エチルカテコール、3-エチルカテコール、4-エチルカテコール、2-プロピルカテコール、3-プロピルカテコール、4-プロピルカテコール、2-n-ブチルカテコール、3-n-ブチルカテコール、4-n-ブチルカテコール、2-tert-ブチルカテコール、3-tert-ブチルカテコール、4-tert-ブチルカテコール、3,5-di-tert-ブチルカテコール等、アルキルレゾルシノール例えば、2-メチルレゾルシノール、4-メチルレゾルシノール、2-エチルレゾルシノール、4-エチルレゾルシノール、2-プロピルレゾルシノール、4-プロピルレゾルシノール、2-n-ブチルレゾルシノール、4-n-ブチルレゾルシノール、2-tert-ブチルレゾルシノール、4-tert-ブチルレゾルシノール等、アルキルヒドロキノン例えば、メチルヒドロキノン、エチルヒドロキノン、プロピルヒドロキノン、tert-ブチルヒドロキノン、2,5-di-tert-ブチルヒドロキノン等、ピロガロール、フルオログルシンなどが挙げられる。また、前記フェノール性水酸基を有する化合物は、例えば、前記フェノール性水酸基を少なくとも1個有する芳香環が互いに2価の連結基で連結された化合物も好ましい。前記2価の連結基としては、例えば、1~30個の炭素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、SO、SO2等を有する基が挙げられる。前記硫黄原子、酸素原子、SO、及びSO2は、直接結合していてもよい。前記炭素原子及び酸素原子は、置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、上述した前記構造式1におけるZが挙げられる。また、前記芳香環は、置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、上述した前記構造式1におけるZが挙げられる。前記フェノール性水酸基を有する化合物の具体例としては、ビスフェノールA、ビスフェノールS、ビスフェノールM、感熱紙に顕色剤として用いられる公知のビスフェノール化合物、特開2003-305945号公報に記載のビスフェノール化合物、酸化防止剤として用いられるヒンダードフェノール化合物などが挙げられる。また、4-メトキシフェノール、4-メトキシ-2-ヒドロキシベンゾフェノン、β-ナフトール、2,6-ジ-t-ブチル-4-クレゾール、サリチル酸メチル、ジエチルアミノフェノール等の置換基を有するモノフェノール化合物なども挙げられる。前記フェノール性水酸基を有する化合物の市販品としては、本州化学社製のビスフェノール化合物が挙げられる。前記イミノ基を有する化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、分子量が50以上のものが好ましく、分子量が70以上のものがより好ましい。前記イミノ基を有する化合物は、イミノ基で置換された環状構造を有することが好ましい。該環状構造としては、芳香環及び複素環の少なくともいずれかが縮合しているものが好ましく、芳香環が縮合しているものがより好ましい。また、前記環状構造では、酸素原子、窒素原子、硫黄原子を有していてもよい。前記イミノ基を有する化合物の具体例としては、フェノチアジン、フェノキサジン、ジヒドロフェナジン、ヒドロキノリン、又は、これらの化合物を上述した前記構造式1におけるZで置換した化合物が挙げられる。前記イミノ基で置換された環状構造を有する化合物としては、ヒンダードアミンを一部に有するヒンダードアミン誘導体が好ましい。前記ヒンダードアミンとしては、例えば、特開2003-246138号公報に記載のヒンダードアミンが挙げられる。前記ニトロ基を有する化合物又は前記ニトロソ基を有する化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、分子量が50以上のものが好ましく、分子量が70以上のものがより好ましい。前記ニトロ基を有する化合物又は前記ニトロソ基を有する化合物の具体例としては、ニトロベンゼン、ニトロソ化合物とアルミニウムとのキレート化合物等が挙げられる。前記芳香環を有する化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記芳香環が孤立電子対を有する置換基例えば、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する置換基で置換されているものが好ましい。前記芳香環を有する化合物の具体例としては、例えば、上述のフェノール性水酸基を有する化合物、上述のイミノ基を有する化合物、アニリン骨格を一部に有する化合物例えば、メチレンブルー、クリスタルバイオレット等が挙げられる。前記複素環を有する化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、該複素環が、窒素、酸素、硫黄等の孤立電子対を有する原子を有するものが好ましい。前記複素環を有する化合物の具体例としては、ピリジン、キノリンなどが挙げられる。前記金属原子を有する化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記金属原子としては、前記重合開始剤から発生したラジカルと親和性を有する金属原子である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、銅、アルミニウム、チタンなどが挙げられる。前記重合禁止剤の中でも、フェノール性水酸基を少なくとも2個有する化合物、イミノ基で置換された芳香環を有する化合物、イミノ基で置換された複素環を有する化合物が好ましく、イミノ基が環状構造の一部を構成している化合物、ヒンダードアミン化合物が特に好ましい。具体的には、カテコール、フェノチアジン、フェノキサジン、ヒンダードアミン、又はこれらの誘導体が好ましい。前記重合禁止剤は、一般に市販の重合性化合物中に微量に含まれているが、本発明においては、解像度を向上させる観点から、市販の前記重合性化合物中に含まれる重合禁止剤とは別に上述の重合禁止剤を含ませるものである。よって、前記重合禁止剤は、安定性付与のために市販の前記重合性化合物中に含まれる4-メトキシフェノール等のモノフェノール系化合物を除いた化合物が好ましい。なお、前記重合禁止剤は、パターン形成材料の製造工程において、感光性樹脂組成物溶液に予め添加してもよい。前記重合禁止剤の含有量としては、前記感光層の前記重合性化合物に対して0.005~0.5質量が好ましく、0.01~0.4質量がより好ましく、0.02~0.2質量が特に好ましい。前記含有量が、0.005質量未満であると、解像度が低下することがあり、0.5質量を超えると、活性エネルギー線に対する感度が低下することがある。なお、前記重合禁止剤の含有量は、安定性付与のために市販の前記重合性化合物中に含まれる4-メトキシフェノール等のモノフェノール系化合物を除いた含有量を表す。-バインダー-前記バインダーとしては、例えば、アルカリ性液に対して膨潤性であることが好ましく、アルカリ性液に対して可溶性であることがより好ましい。アルカリ性液に対して膨潤性又は溶解性を示すバインダーとしては、例えば、酸性基を有するものが好適に挙げられる。前記酸性基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基などが挙げられ、これらの中でもカルボキシル基が好ましい。カルボキシル基を有するバインダーとしては、例えば、カルボキシル基を有するビニル共重合体、ポリウレタン樹脂、ポリアミド酸樹脂、変性エポキシ樹脂などが挙げられ、これらの中でも、塗布溶媒への溶解性、アルカリ現像液への溶解性、合成適性、膜物性の調整の容易さ等の観点からカルボキシル基を有するビニル共重合体が好ましい。また、現像性の観点から、スチレン及びスチレン誘導体の少なくともいずれかの共重合体も好ましい。前記カルボキシル基を有するビニル共重合体は、少なくとも1カルボキシル基を有するビニルモノマー、及び2これらと共重合可能なモノマーとの共重合により得ることができる。前記カルボキシル基を有するビニルモノマーとしては、例えば、メタアクリル酸、ビニル安息香酸、マレイン酸、マレイン酸モノアルキルエステル、フマル酸、イタコン酸、クロトン酸、桂皮酸、アクリル酸ダイマー、水酸基を有する単量体例えば、2-ヒドロキシエチルメタアクリレート等と環状無水物例えば、無水マレイン酸や無水フタル酸、シクロヘキサンジカルボン酸無水物との付加反応物、ω-カルボキシ-ポリカプロラクトンモノメタアクリレートなどが挙げられる。これらの中でも、共重合性やコスト、溶解性などの観点からメタアクリル酸が特に好ましい。また、カルボキシル基の前駆体として無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸等の無水物を有するモノマーを用いてもよい。前記その他の共重合可能なモノマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、メタアクリル酸エステル類、クロトン酸エステル類、ビニルエステル類、マレイン酸ジエステル類、フマル酸ジエステル類、イタコン酸ジエステル類、メタアクリルアミド類、ビニルエーテル類、ビニルアルコールのエステル類、スチレン類例えば、スチレン、スチレン誘導体等、メタアクリロニトリル、ビニル基が置換した複素環式基例えば、ビニルピリジン、ビニルピロリドン、ビニルカルバゾール等、N-ビニルホルムアミド、N-ビニルアセトアミド、N-ビニルイミダゾール、ビニルカプロラクトン、2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、リン酸モノ2―アクリロイルオキシエチルエステル、リン酸モノ1-メチル-2―アクリロイルオキシエチルエステル、官能基例えば、ウレタン基、ウレア基、スルホンアミド基、フェノール基、イミド基を有するビニルモノマーなどが挙げられ、これらの中でもスチレン類が好ましい。前記メタアクリル酸エステル類としては、例えば、メチルメタアクリレート、エチルメタアクリレート、n-プロピルメタアクリレート、イソプロピルメタアクリレート、n-ブチルメタアクリレート、イソブチルメタアクリレート、t-ブチルメタアクリレート、n-ヘキシルメタアクリレート、シクロヘキシルメタアクリレート、t-ブチルシクロヘキシルメタアクリレート、2-エチルヘキシルメタアクリレート、t-オクチルメタアクリレート、ドデシルメタアクリレート、オクタデシルメタアクリレート、アセトキシエチルメタアクリレート、フェニルメタアクリレート、2-ヒドロキシエチルメタアクリレート、2-メトキシエチルメタアクリレート、2-エトキシエチルメタアクリレート、2-2-メトキシエトキシエチルメタアクリレート、3-フェノキシ-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、ベンジルメタアクリレート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルメタアクリレート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルメタアクリレート、ジエチレングリコールモノフェニルエーテルメタアクリレート、トリエチレングリコールモノメチルエーテルメタアクリレート、トリエチレングリコールモノエチルエーテルメタアクリレート、ポリエチレングリコールモノメチルエーテルメタアクリレート、ポリエチレングリコールモノエチルエーテルメタアクリレート、β-フェノキシエトキシエチルアクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコールメタアクリレート、ジシクロペンタニルメタアクリレート、ジシクロペンテニルメタアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルメタアクリレート、トリフルオロエチルメタアクリレート、オクタフルオロペンチルメタアクリレート、パーフルオロクチルエチルメタアクリレート、トリブロモフェニルメタアクリレート、トリブロモフェニルオキシエチルメタアクリレートなどが挙げられる。前記クロトン酸エステル類としては、例えば、クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘキシルなどが挙げられる。前記ビニルエステル類としては、例えば、ビニルアセテート、ビニルプロピオネート、ビニルブチレート、ビニルメトキシアセテート、安息香酸ビニルなどが挙げられる。前記マレイン酸ジエステル類としては、例えば、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジブチルなどが挙げられる。前記フマル酸ジエステル類としては、例えば、フマル酸ジメチル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジブチルなどが挙げられる。前記イタコン酸ジエステル類としては、例えば、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジブチルなどが挙げられる。前記メタアクリルアミド類としては、例えば、メタアクリルアミド、N-メチルメタアクリルアミド、N-エチルメタアクリルアミド、N-プロピルメタアクリルアミド、N-イソプロピルメタアクリルアミド、N-n-ブチルアクリルメタアミド、N-t-ブチルメタアクリルアミド、N-シクロヘキシルメタアクリルアミド、N-2-メトキシエチルメタアクリルアミド、N,N-ジメチルメタアクリルアミド、N,N-ジエチルメタアクリルアミド、N-フェニルメタアクリルアミド、N-ベンジルメタアクリルアミド、メタアクリロイルモルホリン、ジアセトンアクリルアミドなどが挙げられる。前記スチレン類としては、例えば、スチレン、メチルスチレン、ジメチルスチレン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、ヒドロキシスチレン、メトキシスチレン、ブトキシスチレン、アセトキシスチレン、クロロスチレン、ジクロロスチレン、ブロモスチレン、クロロメチルスチレン、酸性物質により脱保護可能な基例えば、tBoc等で保護されたヒドロキシスチレン、ビニル安息香酸メチル、α-メチルスチレンなどが挙げられる。前記ビニルエーテル類としては、例えば、メチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、ヘキシルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテルなどが挙げられる。前記官能基を有するビニルモノマーの合成方法としては、例えば、イソシアナート基と水酸基又はアミノ基の付加反応が挙げられ、具体的には、イソシアナート基を有するモノマーと、水酸基を1個含有する化合物又は1級若しくは2級アミノ基を1個有する化合物との付加反応、水酸基を有するモノマー又は1級若しくは2級アミノ基を有するモノマーと、モノイソシアネートとの付加反応が挙げられる。前記イソシアナート基を有するモノマーとしては、例えば、下記構造式2~4で表される化合物が挙げられる。但し、前記構造式2~4中、R1は水素原子又はメチル基を表す。前記モノイソシアネートとしては、例えば、シクロヘキシルイソシアネート、n-ブチルイソシアネート、トルイルイソシアネート、ベンジルイソシアネート、フェニルイソシアネート等が挙げられる。前記水酸基を有するモノマーとしては、例えば、下記構造式5~13で表される化合物が挙げられる。但し、前記構造式5~13中、R1は水素原子又はメチル基を表し、nは1以上の整数を表す。前記水酸基を1個含有する化合物としては、例えば、アルコール類例えば、メタノール、エタノール、n-プロパノール、i―プロパノール、n-ブタノール、sec-ブタノール、t-ブタノール、n-ヘキサノール、2-エチルヘキサノール、n-デカノール、n-ドデカノール、n-オクタデカノール、シクロペンタノール、シクロへキサノール、ベンジルアルコール、フェニルエチルアルコール等、フェノール類例えば、フェノール、クレゾール、ナフトール等、更に置換基を含むものとして、フルオロエタノール、トリフルオロエタノール、メトキシエタノール、フェノキシエタノール、クロロフェノール、ジクロロフェノール、メトキシフェノール、アセトキシフェノール等が挙げられる。前記1級又は2級アミノ基を有するモノマーとしては、例えば、ビニルベンジルアミンなどが挙げられる。前記1級又は2級アミノ基を1個含有する化合物としては、例えば、アルキルアミンメチルアミン、エチルアミン、n-プロピルアミン、i―プロピルアミン、n-ブチルアミン、sec-ブチルアミン、t-ブチルアミン、ヘキシルアミン、2-エチルヘキシルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、オクタデシルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジブチルアミン、ジオクチルアミン、環状アルキルアミンシクロペンチルアミン、シクロへキシルアミン等、アラルキルアミンベンジルアミン、フェネチルアミン等、アリールアミンアニリン、トルイルアミン、キシリルアミン、ナフチルアミン等、更にこれらの組合せN-メチル-N-ベンジルアミン等、更に置換基を含むアミントリフルオロエチルアミン、ヘキサフルオロイソプロピルアミン、メトキシアニリン、メトキシプロピルアミン等などが挙げられる。また、上記以外の前記その他の共重合可能なモノマーとしては、例えば、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸ブチル、メタアクリル酸ベンジル、メタアクリル酸2-エチルヘキシル、スチレン、クロルスチレン、ブロモスチレン、ヒドロキシスチレンなどが好適に挙げられる。前記その他の共重合可能なモノマーは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。前記ビニル共重合体は、それぞれ相当するモノマーを公知の方法により常法に従って共重合させることで調製することができる。例えば、前記モノマーを適当な溶媒中に溶解し、ここにラジカル重合開始剤を添加して溶液中で重合させる方法溶液重合法を利用することにより調製することができる。また、水性媒体中に前記モノマーを分散させた状態でいわゆる乳化重合等で重合を利用することにより調製することができる。前記溶液重合法で用いられる適当な溶媒としては、特に制限はなく、使用するモノマー、及び生成する共重合体の溶解性等に応じて適宜選択することができ、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、1-メトキシ-2-プロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メトキシプロピルアセテート、乳酸エチル、酢酸エチル、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、クロロホルム、トルエンなどが挙げられる。これらの溶媒は、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。前記ラジカル重合開始剤としては、特に制限はなく、例えば、2,2’-アゾビスイソブチロニトリルAIBN、2,2’-アゾビス-2,4’-ジメチルバレロニトリル等のアゾ化合物、ベンゾイルパーオキシド等の過酸化物、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩などが挙げられる。前記ビニル共重合体におけるカルボキシル基を有する重合性化合物の含有率としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、5~50モルが好ましく、10~40モルがより好ましく、15~35モルが特に好ましい。前記含有率が、5モル未満であると、アルカリ水への現像性が不足することがあり、50モルを超えると、硬化部画像部の現像液耐性が不足することがある。前記カルボキシル基を有するバインダーの分子量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、質量平均分子量として、2,000~300,000が好ましく、4,000~150,000がより好ましい。前記質量平均分子量が、2,000未満であると、膜の強度が不足しやすく、また安定な製造が困難になることがあり、300,000を超えると、現像性が低下することがある。前記カルボキシル基を有するバインダーは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。前記バインダーを2種以上併用する場合としては、例えば、異なる共重合成分からなる2種以上のバインダー、異なる質量平均分子量の2種以上のバインダー、異なる分散度の2種以上のバインダー、などの組合せが挙げられる。前記カルボキシル基を有するバインダーは、そのカルボキシル基の一部又は全部が塩基性物質で中和されていてもよい。また、前記バインダーは、さらにポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリビニルアルコール、ゼラチン等の構造の異なる樹脂を併用してもよい。また、前記バインダーとしては、特許2873889号等に記載のアルカリ性液に可溶な樹脂などを用いることができる。前記感光層における前記バインダーの含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、10~90質量が好ましく、20~80質量がより好ましく、40~80質量が特に好ましい。前記含有量が10質量未満であると、アルカリ現像性やプリント配線板形成用基板例えば、銅張積層板との密着性が低下することがあり、90質量を超えると、現像時間に対する安定性や、硬化膜テント膜の強度が低下することがある。なお、前記含有量は、前記バインダーと必要に応じて併用される高分子結合剤との合計の含有量であってもよい。前記バインダーの酸価としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、70~250mgKOH/gが好ましく、90~200mgKOH/gがより好ましく、100~180mgKOH/gが特に好ましい。前記酸価が、70mgKOH/g未満であると、現像性が不足したり、解像性が劣り、配線パターン等の永久パターンを高精細に得ることができないことがあり、250mgKOH/gを超えると、パターンの耐現像液性及び密着性の少なくともいずれかが悪化し、配線パターン等の永久パターンを高精細に得ることができないことがある。-重合性化合物-前記重合性化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、ウレタン基及びアリール基の少なくともいずれかを有するモノマー又はオリゴマーが好適に挙げられる。また、これらは、重合性基を2種以上有することが好ましい。前記重合性基としては、例えば、エチレン性不飽和結合例えば、メタアクリロイル基、メタアクリルアミド基、スチリル基、ビニルエステルやビニルエーテル等のビニル基、アリルエーテルやアリルエステル等のアリル基など、重合可能な環状エーテル基例えば、エポキシ基、オキセタン基等などが挙げられ、これらの中でもエチレン性不飽和結合が好ましい。--ウレタン基を有するモノマー--前記ウレタン基を有するモノマーとしては、ウレタン基を有する限り、特に制限は無く、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、特公昭48-41708、特開昭51-37193、特公平5-50737、特公平7-7208、特開2001-154346、特開2001-356476号公報等に記載されている化合物などが挙げられ、例えば、分子中に2個以上のイソシアネート基を有するポリイソシアネート化合物と分子中に水酸基を有するビニルモノマーとの付加物などが挙げられる。前記分子中に2個以上のイソシアネート基を有するポリイソシアネート化合物としては、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、キシレンジイソシアネート、トルエンジイソシアネート、フェニレンジイソシアネート、ノルボルネンジイソシアネート、ジフェニルジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、3,3’ジメチル-4,4’-ジフェニルジイソシアネート等のジイソシアネート;該ジイソシアネートを更に2官能アルコールとの重付加物この場合も両末端はイソシアネート基;該ジイソシアネートのビュレット体やイソシアヌレート等の3量体;該ジイソシアネート若しくはジイソシアネート類と、トリメチロールプロパン、ペンタエリトリトール、グリセリン等の多官能アルコール、又はこれらのエチレンオキシド付加物等の得られる他官能アルコールとの付加体などが挙げられる。前記分子中に水酸基を有するビニルモノマーとしては、例えば、2-ヒドロキシエチルメタアクリレート、2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、4-ヒドロキシブチルメタアクリレート、ジエチレングリコールモノメタアクリレート、トリエチレングリコールモノメタアクリレート、テトラエチレングリコールモノメタアクリレート、オクタエチレングリコールモノメタアクリレート、ポリエチレングリコールモノメタアクリレート、ジプロピレングリコールモノメタアクリレート、トリプロピレングリコールモノメタアクリレート、テトラプロピレングリコールモノメタアクリレート、オクタプロピレングリコールモノメタアクリレート、ポリプロピレングリコールモノメタアクリレート、ジブチレングリコールモノメタアクリレート、トリブチレングリコールモノメタアクリレート、テトラブチレングリコールモノメタアクリレート、オクタブチレングリコールモノメタアクリレート、ポリブチレングリコールモノメタアクリレート、トリメチロールプロパンジメタアクリレート、ペンタエリトリトールトリメタアクリレートなどが挙げられる。また、エチレンオキシドとプロピレンオキシドの共重合体ランダム、ブロック等などの異なるアルキレンオキシド部を有するジオール体の片末端メタアクリレート体などが挙げられる。また、前記ウレタン基を有するモノマーとしては、トリメタアクリロイルオキシエチルイソシアヌレート、ジメタアクリル化イソシアヌレート、エチレンオキシド変性イソシアヌル酸のトリメタアクリレート等のイソシアヌレート環を有する化合物が挙げられる。これらの中でも、下記構造式式14、又は構造式15で表される化合物が好ましく、テント性の観点から、前記構造式15で示される化合物を少なくとも含むことが特に好ましい。また、これらの化合物は、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。前記構造式14及び15中、R1~R3は、それぞれ水素原子又はメチル基を表す。X1~X3は、アルキレンオキサイドを表し、1種単独でもよく、2種以上を併用してもよい。前記アルキレンオキサイド基としては、例えば、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基、ブチレンオキサイド基、ペンチレンオキサイド基、ヘキシレンオキサイド基、これらを組み合わせた基ランダム、ブロックのいずれに組み合わされてもよいなどが好適に挙げられ、これらの中でも、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基、ブチレンオキサイド基、又はこれらの組み合わせた基が好ましく、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基がより好ましい。前記構造式14及び15中、m1~m3は、1~60の整数を表し、2~30が好ましく、4~15がより好ましい。前記構造式14及び15中、Y1及びY2は、炭素原子数2~30の2価の有機基を表し、例えば、アルキレン基、アリーレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、カルボニル基-CO-、酸素原子-O-、硫黄原子-S-、イミノ基-NH-、イミノ基の水素原子が1価の炭化水素基で置換された置換イミノ基、スルホニル基-SO2-又はこれらを組み合わせた基などが好適に挙げられ、これらの中でも、アルキレン基、アリーレン基、又はこれらを組み合わせた基が好ましい。前記アルキレン基は、分岐構造又は環状構造を有していてもよく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基、ペンチレン基、ネオペンチレン基、ヘキシレン基、トリメチルヘキシレン基、シクロへキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、2-エチルヘキシレン基、ノニレン基、デシレン基、ドデシレン基、オクタデシレン基、又は下記に示すいずれかの基などが好適に挙げられる。前記アリーレン基としては、炭化水素基で置換されていてもよく、例えば、フェニレン基、トリレン基、ジフェニレン基、ナフチレン基、又は下記に示す基などが好適に挙げられる。前記これらを組み合わせた基としては、例えば、キシリレン基などが挙げられる。前記アルキレン基、アリーレン基、又はこれらを組み合わせた基としては、更に置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、アリール基、アルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、2-エトキシエトキシ基、アリールオキシ基例えば、フェノキシ基、アシル基例えば、アセチル基、プロピオニル基、アシルオキシ基例えば、アセトキシ基、ブチリルオキシ基、アルコキシカルボニル基例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基例えば、フェノキシカルボニル基などが挙げられる。前記構造式14及び15中、nは3~6の整数を表し、重合性モノマーを合成するための原料供給性などの観点から、3、4又は6が好ましい。前記構造式14及び15中、Zはn価3価~6価の連結基を表し、例えば、下記に示すいずれかの基などが挙げられる。但し、X4はアルキレンオキサイドを表す。m4は、1~20の整数を表す。nは、3~6の整数を表す。Aは、n価3価~6価の有機基を表す。前記Aとしては、例えば、n価の脂肪族基、n価の芳香族基、又はこれらとアルキレン基、アリーレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子、イミノ基、イミノ基の水素原子が1価の炭化水素基で置換された置換イミノ基、又はスルホニル基とを組み合わせた基が好ましく、n価の脂肪族基、n価の芳香族基、又はこれらとアルキレン基、アリーレン基、酸素原子とを組み合わせた基がより好ましく、n価の脂肪族基、n価の脂肪族基とアルキレン基、酸素原子とを組み合わせた基が特に好ましい。前記Aの炭素原子数としては、例えば、1~100の整数が好ましく、1~50の整数がより好ましく、3~30の整数が特に好ましい。前記n価の脂肪族基としては、分岐構造又は環状構造を有していてもよい。前記脂肪族基の炭素原子数としては、例えば、1~30の整数が好ましく、1~20の整数がより好ましく、3~10の整数が特に好ましい。前記芳香族基の炭素原子数としては、6~100の整数が好ましく、6~50の整数がより好ましく、6~30の整数が特に好ましい。前記n価の脂肪族基、又は芳香族基は、更に置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、ヒドロキシル基、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、アリール基、アルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、2-エトキシエトキシ基、アリールオキシ基例えば、フェノキシ基、アシル基例えば、アセチル基、プロピオニル基、アシルオキシ基例えば、アセトキシ基、ブチリルオキシ基、アルコキシカルボニル基例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基例えば、フェノキシカルボニル基などが挙げられる。前記アルキレン基は、分岐構造又は環状構造を有していてもよい。前記アルキレン基の炭素原子数としては、例えば、1~18の整数が好ましく、1~10の整数がより好ましい。前記アリーレン基は、炭化水素基で更に置換されていてもよい。前記アリーレン基の炭素原子数としては、6~18の整数が好ましく、6~10の整数がより好ましい。前記置換イミノ基の1価の炭化水素基の炭素原子数としては、1~18の整数が好ましく、1~10の整数がより好ましい。以下に、前記Aの好ましい例は以下の通りである。前記構造式14及び15で表される化合物としては、例えば下記構造式16~38で表される化合物などが挙げられる。但し、前記構造式16~38中、n、n1、n2及びmは、1~60を意味し、lは、1~20を意味し、Rは、水素原子又はメチル基を表す。--アリール基を有するモノマー--前記アリール基を有するモノマーとしては、アリール基を有する限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、アリール基を有する多価アルコール化合物、多価アミン化合物及び多価アミノアルコール化合物の少なくともいずれかと不飽和カルボン酸とのエステル又はアミドなどが挙げられる。前記アリール基を有する多価アルコール化合物、多価アミン化合物又は多価アミノアルコール化合物としては、例えば、ポリスチレンオキサイド、キシリレンジオール、ジ-β-ヒドロキシエトキシベンゼン、1,5-ジヒドロキシ-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン、2、2-ジフェニル-1,3-プロパンジオール、ヒドロキシベンジルアルコール、ヒドロキシエチルレゾルシノール、1-フェニル-1,2-エタンジオール、2,3,5,6-テトラメチル-p-キシレン-α,α’-ジオール、1,1,4,4-テトラフェニル-1,4-ブタンジオール、1,1,4,4-テトラフェニル-2-ブチン-1,4-ジオール、1,1’-ビ-2-ナフトール、ジヒドロキシナフタレン、1,1’-メチレン-ジ-2-ナフトール、1,2,4-ベンゼントリオール、ビフェノール、2,2’-ビス4-ヒドロキシフェニルブタン、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニルシクロヘキサン、ビスヒドロキシフェニルメタン、カテコール、4-クロルレゾルシノール、ハイドロキノン、ヒドロキシベンジルアルコール、メチルハイドロキノン、メチレン-2,4,6-トリヒドロキシベンゾエート、フルオログリシノール、ピロガロール、レゾルシノール、α-1-アミノエチル-p-ヒドロキシベンジルアルコール、α-1-アミノエチル-p-ヒドロキシベンジルアルコール、3-アミノ-4-ヒドロキシフェニルスルホンなどが挙げられる。また、この他、キシリレンビスメタアクリルアミド、ノボラック型エポキシ樹脂やビスフェノールAジグリシジルエーテル等のグリシジル化合物にα、β-不飽和カルボン酸を付加して得られる化合物、フタル酸やトリメリット酸などと分子中に水酸基を含有するビニルモノマーから得られるエステル化物、フタル酸ジアリル、トリメリット酸トリアリル、ベンゼンジスルホン酸ジアリル、重合性モノマーとしてカチオン重合性のジビニルエーテル類例えば、ビスフェノールAジビニルエーテル、エポキシ化合物例えば、ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールAジグリシジルエーテル等、ビニルエステル類例えば、ジビニルフタレート、ジビニルテレフタレート、ジビニルベンゼン-1,3-ジスルホネート等、スチレン化合物例えば、ジビニルベンゼン、p-アリルスチレン、p-イソプロペンスチレン等が挙げられる。これらの中でも下記構造式39で表される化合物が好ましい。前記構造式39中、R4、R5は、水素原子又はアルキル基を表す。前記構造式39中、X5及びX6は、アルキレンオキサイド基を表し、1種単独でもよく、2種以上を併用してもよい。該アルキレンオキサイド基としては、例えば、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基、ブチレンオキサイド基、ペンチレンオキサイド基、ヘキシレンオキサイド基、これらを組み合わせた基ランダム、ブロックのいずれに組み合わされてもよい、などが好適に挙げられ、これらの中でも、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基、ブチレンオキサイド基、又はこれらを組み合わせた基が好ましく、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基がより好ましい。前記構造式39中、m5、m6は、1~60の整数が好ましく、2~30の整数がより好ましく、4~15の整数が特に好ましい。前記構造式39中、Tは、2価の連結基を表し、例えば、メチレン、エチレン、MeCMe、CF3CCF3、CO、SO2などが挙げられる。前記構造式39中、Ar1、Ar2は、置換基を有していてもよいアリール基を表し、例えば、フェニレン、ナフチレンなどが挙げられる。前記置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基、又はこれらの組合せなどが挙げられる。前記アリール基を有するモノマーの具体例としては、2,2-ビス4-3-メタアクリルオキシ-2-ヒドロキシプロポキシフェニルプロパン、2,2-ビス4-メタアクリルオキシエトキシフェニルプロパン、フェノール性のOH基1個に置換しさせたエトキシ基の数が2から20である2,2-ビス4-メタアクリロイルオキシポリエトキシフェニルプロパン例えば、2,2-ビス4-メタアクリロイルオキシジエトキシフェニルプロパン、2,2-ビス4-メタアクリロイルオキシテトラエトキシフェニルプロパン、2,2-ビス4-メタアクリロイルオキシペンタエトキシフェニルプロパン、2,2-ビス4-メタアクリロイルオキシデカエトキシフェニルプロパン、2,2-ビス4-メタアクリロイルオキシペンタデカエトキシフェニルプロパン等、2,2-ビス4-メタアクリルオキシプロポキシフェニルプロパン、フェノール性のOH基1個に置換させたエトキシ基の数が2から20である2,2-ビス4-メタアクリロイルオキシポリプロポキシフェニルプロパン例えば、2,2-ビス4-メタアクリロイルオキシジプロポキシフェニルプロパン、2,2-ビス4-メタアクリロイルオキシテトラプロポキシフェニルプロパン、2,2-ビス4-メタアクリロイルオキシペンタプロポキシフェニルプロパン、2,2-ビス4-メタアクリロイルオキシデカプロポキシフェニルプロパン、2,2-ビス4-メタアクリロイルオキシペンタデカプロポキシフェニルプロパン等、又はこれらの化合物のポリエーテル部位として同一分子中にポリエチレンオキシド骨格とポリプロピレンオキシド骨格の両方を含む化合物例えば、WO0198832号公報に記載の化合物等、又は、市販品として、新中村化学工業社製、BPE-200、BPE-500、BPE-1000、ビスフェノール骨格とウレタン基とを有する重合性化合物などが挙げられる。なお、これらは、ビスフェノールA骨格に由来する部分をビスフェノールF又はビスフェノールS等に変更した化合物であってもよい。前記ビスフェノール骨格とウレタン基とを有する重合性化合物としては、例えば、ビスフェノールとエチレンオキシド又はプロピレンオキシド等の付加物、重付加物として得られる末端に水酸基を有する化合物にイソシアネート基と重合性基とを有する化合物例えば、2-イソシアネートエチルメタアクリレート、α、α-ジメチル-ビニルベンジルイソシアネート等などが挙げられる。--その他の重合性モノマー--本発明のパターン形成方法には、前記パターン形成材料としての特性を悪化させない範囲で、前記ウレタン基を含有するモノマー、アリール基を有するモノマー以外の重合性モノマーを併用してもよい。前記ウレタン基を含有するモノマー、芳香環を含有するモノマー以外の重合性モノマーとしては、例えば、不飽和カルボン酸例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、イソクロトン酸、マレイン酸等と脂肪族多価アルコール化合物とのエステル、不飽和カルボン酸と多価アミン化合物とのアミドなどが挙げられる。前記不飽和カルボン酸と脂肪族多価アルコール化合物とのエステルのモノマーとしては、例えば、メタアクリル酸エステルとして、エチレングリコールジメタアクリレート、エチレン基の数が2~18であるポリエチレングリコールジメタアクリレート例えば、ジエチレングリコールジメタアクリレート、トリエチレングリコールジメタアクリレート、テトラエチレングリコールジメタアクリレート、ノナエチレングリコールジメタアクリレート、ドデカエチレングリコールジメタアクリレート、テトラデカエチレングリコールジメタアクリレート等、プロピレングリコールジメタアクリレート、プロピレン基の数が2から18であるポリプロピレングリコールジメタアクリレート例えば、ジプロピレングリコールジメタアクリレート、トリプロピレングリコールジメタアクリレート、テトラプロピレングリコールジメタアクリレート、ドデカプロピレングリコールジメタアクリレート等、ネオペンチルグリコールジメタアクリレート、エチレンオキシド変性ネオペンチルグリコールジメタアクリレート、プロピレンオキシド変性ネオペンチルグリコールジメタアクリレート、トリメチロールプロパントリメタアクリレート、トリメチロールプロパンジメタアクリレート、トリメチロールプロパントリメタアクリロイルオキシプロピルエーテル、トリメチロールエタントリメタアクリレート、1,3-プロパンジオールジメタアクリレート、1,3-ブタンジオールジメタアクリレート、1,4-ブタンジオールジメタアクリレート、1,6-ヘキサンジオールジメタアクリレート、テトラメチレングリコールジメタアクリレート、1,4-シクロヘキサンジオールジメタアクリレート、1,2,4-ブタントリオールトリメタアクリレート、1,5-ベンタンジオールメタアクリレート、ペンタエリトリトールジメタアクリレート、ペンタエリトリトールトリメタアクリレート、ペンタエリトリトールテトラメタアクリレート、ジペンタエリトリトールペンタメタアクリレート、ジペンタエリトリトールヘキサメタアクリレート、ソルビトールトリメタアクリレート、ソルビトールテトラメタアクリレート、ソルビトールペンタメタアクリレート、ソルビトールヘキサメタアクリレート、ジメチロールジシクロペンタンジメタアクリレート、トリシクロデカンジメタアクリレート、ネオペンチルグリコールジメタアクリレート、ネオペンチルグリコール変性トリメチロールプロパンジメタアクリレート、エチレングリコール鎖/プロピレングリコール鎖を少なくとも各々一つずつ有するアルキレングリコール鎖のジメタアクリレート例えば、WO0198832号公報に記載の化合物等、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドの少なくともいずれかを付加したトリメチロールプロパンのトリメタアクリル酸エステル、ポリブチレングリコールジメタアクリレート、グリセリンジメタアクリレート、グリセリントリメタアクリレート、キシレノールジメタアクリレートなどが挙げられる。前記メタアクリル酸エステル類の中でも、その入手の容易さ等の観点から、エチレングリコールジメタアクリレート、ポリエチレングリコールジメタアクリレート、プロピレングリコールジメタアクリレート、ポリプロピレングリコールジメタアクリレート、エチレングリコール鎖/プロピレングリコール鎖を少なくとも各々一つずつ有するアルキレングリコール鎖のジメタアクリレート、トリメチロールプロパントリメタアクリレート、ペンタエリトリトールテトラメタアクリレート、ペンタエリトリトールトリアクリレート、ペンタエリトリトールジメタアクリレート、ジペンタエリトリトールペンタメタアクリレート、ジペンタエリトリトールヘキサメタアクリレート、グリセリントリメタアクリレート、ジグリセリンジメタアクリレート、1,3-プロパンジオールジメタアクリレート、1,2,4-ブタントリオールトリメタアクリレート、1,4-シクロヘキサンジオールジメタアクリレート、1,5-ペンタンジオールメタアクリレート、ネオペンチルグリコールジメタアクリレート、エチレンオキサイド付加したトリメチロールプロパンのトリメタアクリル酸エステルなどが好ましい。前記イタコン酸と前記脂肪族多価アルコール化合物とのエステルイタコン酸エステルとしては、例えば、エチレングリコールジイタコネート、プロピレングリコールジイタコネート、1,3-ブタンジオールジイタコネート、1,4ーブタンジオールジイタコネート、テトラメチレングリコールジイタコネート、ペンタエリトリトールジイタコネート、及びソルビトールテトライタコネートなどが挙げられる。前記クロトン酸と前記脂肪族多価アルコール化合物とのエステルクロトン酸エステルとしては、例えば、エチレングリコールジクロトネート、テトラメチレングリコールジクロトネート、ペンタエリトリトールジクロトネート、ソルビトールテトラジクロトネートなどが挙げられる。前記イソクロトン酸と前記脂肪族多価アルコール化合物とのエステルイソクロトン酸エステルとしては、例えば、エチレングリコールジイソクロトネート、ペンタエリトリトールジイソクロトネート、ソルビトールテトライソクロトネートなどが挙げられる。前記マレイン酸と前記脂肪族多価アルコール化合物とのエステルマレイン酸エステルとしては、例えば、エチレングリコールジマレート、トリエチレングリコールジマレート、ペンタエリトリトールジマレート、ソルビトールテトラマレートなどが挙げられる。前記多価アミン化合物と前記不飽和カルボン酸類から誘導されるアミドとしては、例えば、メチレンビスメタアクリルアミド、エチレンビスメタアクリルアミド、1,6-ヘキサメチレンビスメタアクリルアミド、オクタメチレンビスメタアクリルアミド、ジエチレントリアミントリスメタアクリルアミド、ジエチレントリアミンビスメタアクリルアミド、などが挙げられる。また、上記以外にも、前記重合性モノマーとして、例えば、ブタンジオール-1,4-ジグリシジルエーテル、シクロヘキサンジメタノールグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、ジプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ペンタエリトリトールテトラグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル等のグリシジル基含有化合物にα,β-不飽和カルボン酸を付加して得られる化合物、特開昭48-64183号、特公昭49-43191号、特公昭52-30490号各公報に記載されているようなポリエステルアクリレートやポリエステルメタアクリレートオリゴマー類、エポキシ化合物例えば、ブタンジオール-1,4-ジグリシジルエーテル、シクロヘキサンジメタノールグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、ジプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ペンタエリトリトールテトラグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテルなどとメタアクリル酸を反応させたエポキシアクリレート類等の多官能のアクリレートやメタクリレート、日本接着協会誌vol20、No7、300~308ページ1984年に記載の光硬化性モノマー及びオリゴマー、アリルエステル例えば、フタル酸ジアリル、アジピン酸ジアリル、マロン酸ジアリル、ジアリルアミド例えば、ジアリルアセトアミド等、カチオン重合性のジビニルエーテル類例えば、ブタンジオール-1,4-ジビニルエーテル、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、エチレングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、ジプロピレングリコールジビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ペンタエリトリトールテトラビニルエーテル、グリセリントリビニルエーテル等、エポキシ化合物例えば、ブタンジオール-1,4-ジグリシジルエーテル、シクロヘキサンジメタノールグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、ジプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ペンタエリトリトールテトラグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル等、オキセタン類例えば、1,4-ビス3-エチルー3-オキセタニルメトキシメチルベンゼン等、エポキシ化合物、オキセタン類例えば、WO0122165号公報に記載の化合物、N-β-ヒドロキシエチル-β-メタクリルアミドエチルアクリレート、N,N-ビスβ-メタクリロキシエチルアクリルアミド、アリルメタクリレート等の異なったエチレン性不飽和二重結合を2個以上有する化合物などが挙げられる。前記ビニルエステル類としては、例えば、ジビニルサクシネート、ジビニルアジペートなどが挙げられる。これらの多官能モノマー又はオリゴマーは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。前記重合性モノマーは、必要に応じて、分子内に重合性基を1個含有する重合性化合物単官能モノマーを併用してもよい。前記単官能モノマーとしては、例えば、前記バインダーの原料として例示した化合物、特開平6-236031号公報に記載されている2塩基のモノアクリロイルオキシアルキルエステルモノハロヒドロキシアルキルエステル等の単官能モノマー例えば、γ-クロロ-β-ヒドロキシプロピル-β′-メタクリロイルオキシエチル-o-フタレート等、特許2744643号公報、WO00/52529号パンフレット、特許2548016号公報等に記載の化合物が挙げられる。前記感光層における重合性化合物の含有量としては、例えば、5~90質量が好ましく、15~60質量がより好ましく、20~50質量が特に好ましい。前記含有量が、5質量となると、テント膜の強度が低下することがあり、90質量を超えると、保存時のエッジフュージョンロール端部からのしみだし故障が悪化することがある。また、重合性化合物中に前記重合性基を2個以上有する多官能モノマーの含有量としては、5~100質量が好ましく、20~100質量がより好ましく、40~100質量が特に好ましい。-光重合開始剤-前記光重合開始剤としては、前記重合性化合物の重合を開始する能力を有する限り、特に制限はなく、公知の光重合開始剤の中から適宜選択することができるが、例えば、紫外線領域から可視の光線に対して感光性を有するものが好ましく、光励起された増感剤と何らかの作用を生じ、活性ラジカルを生成する活性剤であってもよく、モノマーの種類に応じてカチオン重合を開始させるような開始剤であってもよい。また、前記光重合開始剤は、約300~800nmより好ましくは330~500nmの範囲内に少なくとも約50の分子吸光係数を有する成分を少なくとも1種含有していることが好ましい。前記光重合開始剤としては、例えば、ハロゲン化炭化水素誘導体例えば、トリアジン骨格を有するもの、オキサジアゾール骨格を有するもの等、ヘキサアリールビイミダゾール、オキシム誘導体、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物、芳香族オニウム塩、メタロセン類などが挙げられる。これらの中でも、感光層の感度、保存性、及び感光層とプリント配線板形成用基板との密着性等の観点から、トリアジン骨格を有するハロゲン化炭化水素、オキシム誘導体、ケトン化合物、ヘキサアリールビイミダゾール系化合物が好ましい。前記ヘキサアリールビイミダゾールとしては、例えば、2,2′-ビス2-クロロフェニル-4,4′,5,5′-テトラフェニルビイミダゾール、2,2′-ビスo-フルオロフェニル-4,4′,5,5′-テトラフェニルビイミダゾール、2,2′-ビス2-ブロモフェニル-4,4′,5,5′-テトラフェニルビイミダゾール、2,2′-ビス2,4-ジクロロフェニル-4,4′,5,5′-テトラフェニルビイミダゾール、2,2′-ビス2-クロロフェニル-4,4′,5,5′-テトラ3-メトキシフェニルビイミダゾール、2,2′-ビス2-クロロフェニル-4,4′,5,5′-テトラ4-メトキシフェニルビイミダゾール、2,2′-ビス4-メトキシフェニル-4,4′,5,5′-テトラフェニルビイミダゾール、2,2′-ビス2,4-ジクロロフェニル-4,4′,5,5′-テトラフェニルビイミダゾール、2,2′-ビス2-ニトロフェニル-4,4′,5,5′-テトラフェニルビイミダゾール、2,2′-ビス2-メチルフェニル-4,4′,5,5′-テトラフェニルビイミダゾール、2,2′-ビス2-トリフルオロメチルフェニル-4,4′,5,5′-テトラフェニルビイミダゾール、WO0052529号公報に記載の化合物などが挙げられる。前記ビイミダゾール類は、例えば、Bull.Chem.Soc.Japan,33,5651960、及びJ.Org.Chem,361622621971に開示されている方法により容易に合成することができる。トリアジン骨格を有するハロゲン化炭化水素化合物としては、例えば、若林ら著、Bull.Chem.Soc.Japan,42、29241969記載の化合物、英国特許1388492号明細書記載の化合物、特開昭53-133428号公報記載の化合物、独国特許3337024号明細書記載の化合物、F.C.Schaefer等によるJ.Org.Chem.;29、15271964記載の化合物、特開昭62-58241号公報記載の化合物、特開平5-281728号公報記載の化合物、特開平5-34920号公報記載化合物、米国特許第4212976号明細書に記載されている化合物等が挙げられる。前記若林ら著、Bull.Chem.Soc.Japan,42、29241969記載の化合物としては、例えば、2-フェニル-4,6-ビストリクロルメチル-1,3,5-トリアジン、2-4-クロルフェニル-4,6-ビストリクロルメチル-1,3,5-トリアジン、2-4-トリル-4,6-ビストリクロルメチル-1,3,5-トリアジン、2-4-メトキシフェニル-4,6-ビストリクロルメチル-1,3,5-トリアジン、2-2,4-ジクロルフェニル-4,6-ビストリクロルメチル-1,3,5-トリアジン、2,4,6-トリストリクロルメチル-1,3,5-トリアジン、2-メチル-4,6-ビストリクロルメチル-1,3,5-トリアジン、2-n-ノニル-4,6-ビストリクロルメチル-1,3,5-トリアジン、及び2-α,α,β-トリクロルエチル-4,6-ビストリクロルメチル-1,3,5-トリアジンなどが挙げられる。前記英国特許1388492号明細書記載の化合物としては、例えば、2-スチリル-4,6-ビストリクロルメチル-1,3,5-トリアジン、2-4-メチルスチリル-4,6-ビストリクロルメチル-1,3,5-トリアジン、2-4-メトキシスチリル-4,6-ビストリクロルメチル-1,3,5-トリアジン、2-4-メトキシスチリル-4-アミノ-6-トリクロルメチル-1,3,5-トリアジンなどが挙げられる。前記特開昭53-133428号公報記載の化合物としては、例えば、2-4-メトキシ-ナフト-1-イル-4,6-ビストリクロルメチル-1,3,5-トリアジン、2-4-エトキシ-ナフト-1-イル-4,6-ビストリクロルメチル-1,3,5-トリアジン、2-4-2-エトキシエチル-ナフト-1-イル-4,6-ビストリクロルメチル-1,3,5-トリアジン、2-4,7-ジメトキシ-ナフト-1-イル-4,6-ビストリクロルメチル-1,3,5-トリアジン、及び2-アセナフト-5-イル-4,6-ビストリクロルメチル-1,3,5-トリアジンなどが挙げられる。前記独国特許3337024号明細書記載の化合物としては、例えば、2-4-スチリルフェニル-4、6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジン、2-4-4-メトキシスチリルフェニル-4、6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジン、2-1-ナフチルビニレンフェニル-4、6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジン、2-クロロスチリルフェニル-4,6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジン、2-4-チオフェン-2-ビニレンフェニル-4,6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジン、2-4-チオフェン-3-ビニレンフェニル-4,6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジン、2-4-フラン-2-ビニレンフェニル-4,6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジン、及び2-4-ベンゾフラン-2-ビニレンフェニル-4,6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジンなどが挙げられる。前記F.C.Schaefer等によるJ.Org.Chem.;29、15271964記載の化合物としては、例えば、2-メチル-4,6-ビストリブロモメチル-1,3,5-トリアジン、2,4,6-トリストリブロモメチル-1,3,5-トリアジン、2,4,6-トリスジブロモメチル-1,3,5-トリアジン、2-アミノ-4-メチル-6-トリブロモメチル-1,3,5-トリアジン、及び2-メトキシ-4-メチル-6-トリクロロメチル-1,3,5-トリアジンなどが挙げられる。前記特開昭62-58241号公報記載の化合物としては、例えば、2-4-フェニルエチニルフェニル-4,6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジン、2-4-ナフチル-1-エチニルフェニル-4,6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジン、2-4-4-トリルエチニルフェニル-4,6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジン、2-4-4-メトキシフェニルエチニルフェニル-4,6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジン、2-4-4-イソプロピルフェニルエチニルフェニル-4,6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジン、2-4-4-エチルフェニルエチニルフェニル-4,6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジンなどが挙げられる。前記特開平5-281728号公報記載の化合物としては、例えば、2-4-トリフルオロメチルフェニル-4,6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジン、2-2,6-ジフルオロフェニル-4,6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジン、2-2,6-ジクロロフェニル-4,6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジン、2-2,6-ジブロモフェニル-4,6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジンなどが挙げられる。前記特開平5-34920号公報記載化合物としては、例えば、2,4-ビストリクロロメチル-6-[4-N,N-ジエトキシカルボニルメチルアミノ-3-ブロモフェニル]-1,3,5-トリアジン、米国特許第4239850号明細書に記載されているトリハロメチル-s-トリアジン化合物、更に2,4,6-トリストリクロロメチル-s-トリアジン、2-4-クロロフェニル-4,6-ビストリブロモメチル-s-トリアジンなどが挙げられる。前記米国特許第4212976号明細書に記載されている化合物としては、例えば、オキサジアゾール骨格を有する化合物例えば、2-トリクロロメチル-5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール、2-トリクロロメチル-5-4-クロロフェニル-1,3,4-オキサジアゾール、2-トリクロロメチル-5-1-ナフチル-1,3,4-オキサジアゾール、2-トリクロロメチル-5-2-ナフチル-1,3,4-オキサジアゾール、2-トリブロモメチル-5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール、2-トリブロモメチル-5-2-ナフチル-1,3,4-オキサジアゾール;2-トリクロロメチル-5-スチリル-1,3,4-オキサジアゾール、2-トリクロロメチル-5-4-クロルスチリル-1,3,4-オキサジアゾール、2-トリクロロメチル-5-4-メトキシスチリル-1,3,4-オキサジアゾール、2-トリクロロメチル-5-1-ナフチル-1,3,4-オキサジアゾール、2-トリクロロメチル-5-4-n-ブトキシスチリル-1,3,4-オキサジアゾール、2-トリプロメメチル-5-スチリル-1,3,4-オキサジアゾール等などが挙げられる。本発明で好適に用いられるオキシム誘導体としては、例えば、下記構造式40~73で表される化合物が挙げられる。前記ケトン化合物としては、例えば、ベンゾフェノン、2-メチルベンゾフェノン、3-メチルベンゾフェノン、4-メチルベンゾフェノン、4-メトキシベンゾフェノン、2-クロロベンゾフェノン、4-クロロベンゾフェノン、4-ブロモベンゾフェノン、2-カルボキシベンゾフェノン、2-エトキシカルボニルベンゾルフェノン、ベンゾフェノンテトラカルボン酸又はそのテトラメチルエステル、4,4’-ビスジアルキルアミノベンゾフェノン類例えば、4,4’-ビスジメチルアミノベンゾフェノン、4,4’-ビスジシクロヘキシルアミノベンゾフェノン、4,4’-ビスジエチルアミノベンゾフェノン、4,4’-ビスジヒドロキシエチルアミノベンゾフェノン、4-メトキシ-4’-ジメチルアミノベンゾフェノン、4,4’-ジメトキシベンゾフェノン、4-ジメチルアミノベンゾフェノン、4-ジメチルアミノアセトフェノン、ベンジル、アントラキノン、2-t-ブチルアントラキノン、2-メチルアントラキノン、フェナントラキノン、キサントン、チオキサントン、2-クロル-チオキサントン、2,4-ジエチルチオキサントン、フルオレノン、2-ベンジル-ジメチルアミノ-1-4-モルホリノフェニル-1-ブタノン、2-メチル-1-4-メチルチオフェニル-2-モルホリノ-1-プロパノン、2-ヒドロキシー2-メチル-4-1-メチルビニルフェニルプロパノールオリゴマー、ベンゾイン、ベンゾインエーテル類例えば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル、ベンジルジメチルケタール、アクリドン、クロロアクリドン、N-メチルアクリドン、N-ブチルアクリドン、N-ブチル-クロロアクリドンなどが挙げられる。前記メタロセン類としては、例えば、ビスη5-2,4-シクロペンタジエン-1-イル-ビス2,6-ジフルオロ3-1H-ピロール-1-イル-フェニルチタニウム、η5-シクロペンタジエニル-η6-クメニル-アイアン1-ヘキサフルオロホスフェート1-、特開昭53-133428号公報、特公昭57-1819号公報、同57-6096号公報、及び米国特許第3615455号明細書に記載された化合物などが挙げられる。また、上記以外の光重合開始剤として、アクリジン誘導体例えば、9-フェニルアクリジン、1,7-ビス9、9’-アクリジニルヘプタン等、N-フェニルグリシン等、ポリハロゲン化合物例えば、四臭化炭素、フェニルトリブロモメチルスルホン、フェニルトリクロロメチルケトン等、クマリン類例えば、3-2-ベンゾフロイル-7-ジエチルアミノクマリン、3-2-ベンゾフロイル-7-1-ピロリジニルクマリン、3-ベンゾイル-7-ジエチルアミノクマリン、3-2-メトキシベンゾイル-7-ジエチルアミノクマリン、3-4-ジメチルアミノベンゾイル-7-ジエチルアミノクマリン、33’-カルボニルビス5,7-ジ-n-プロポキシクマリン、3,3’-カルボニルビス7-ジエチルアミノクマリン、3-ベンゾイル-7-メトキシクマリン、3-2-フロイル-7-ジエチルアミノクマリン、3-4-ジエチルアミノシンナモイル-7-ジエチルアミノクマリン、7-メトキシ-3-3-ピリジルカルボニルクマリン、3-ベンゾイル-57-ジプロポキシクマリン、7-ベンゾトリアゾール-2-イルクマリン、また、特開平519475号、特開平7271028号、特開2002363206号、特開2002363207号、特開2002363208号、特開2002363209号公報等に記載のクマリン化合物など、アミン類例えば、4-ジメチルアミノ安息香酸エチル、4-ジメチルアミノ安息香酸n-ブチル、4-ジメチルアミノ安息香酸フェネチル、4-ジメチルアミノ安息香酸2-フタルイミドエチル、4-ジメチルアミノ安息香酸2-メタクリロイルオキシエチル、ペンタメチレンビス4-ジメチルアミノベンゾエート、3-ジメチルアミノ安息香酸のフェネチル、ペンタメチレンエステル、4-ジメチルアミノベンズアルデヒド、2-クロル-4-ジメチルアミノベンズアルデヒド、4-ジメチルアミノベンジルアルコール、エチル4-ジメチルアミノベンゾイルアセテート、4-ピペリジノアセトフェノン、4-ジメチルアミノベンゾイン、N,N-ジメチル-4-トルイジン、N,N-ジエチル-3-フェネチジン、トリベンジルアミン、ジベンジルフェニルアミン、N-メチル-N-フェニルベンジルアミン、4-ブロム-NN-ジメチルアニリン、トリドデシルアミン、アミノフルオラン類ODB,ODBII等、クリスタルバイオレットラクトン、ロイコクリスタルバイオレット等、アシルホスフィンオキシド類例えば、ビス2,4,6-トリメチルベンゾイル-フェニルホスフィンオキシド、ビス2,6-ジメトキシベンゾイル-2,4,4-トリメチル-ペンチルフェニルホスフィンオキシド、LucirinTPOなどなどが挙げられる。更に、米国特許第2367660号明細書に記載されているビシナルポリケタルドニル化合物、米国特許第2448828号明細書に記載されているアシロインエーテル化合物、米国特許第2722512号明細書に記載されているα-炭化水素で置換された芳香族アシロイン化合物、米国特許第3046127号明細書及び同第2951758号明細書に記載の多核キノン化合物、特開2002-229194号公報に記載の有機ホウ素化合物、ラジカル発生剤、トリアリールスルホニウム塩例えば、ヘキサフルオロアンチモンやヘキサフルオロホスフェートとの塩、ホスホニウム塩化合物例えば、フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム塩等カチオン重合開始剤として有効、WO0171428号公報記載のオニウム塩化合物などが挙げられる。前記光重合開始剤は、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。2種以上の組合せとしては、例えば、米国特許第3549367号明細書に記載のヘキサアリールビイミダゾールと4-アミノケトン類との組合せ、特公昭51-48516号公報に記載のベンゾチアゾール化合物とトリハロメチル-s-トリアジン化合物の組合せ、また、芳香族ケトン化合物例えば、チオキサントン等と水素供与体例えば、ジアルキルアミノ含有化合物、フェノール化合物等の組合せ、ヘキサアリールビイミダゾールとチタノセンとの組合せ、クマリン類とチタノセンとフェニルグリシン類との組合せなどが挙げられる。前記感光層における光重合開始剤の含有量としては、0.1~30質量が好ましく、0.5~20質量がより好ましく、0.5~15質量が特に好ましい。-増感剤-本発明のパターン形成材料は、前記感光層を露光し現像する場合において、該感光層の露光する部分の厚みを該露光現像後において変化させない前記光の最小エネルギー感度を向上させる観点から、例えば、前記増感剤を併用することが特に好ましい。前記増感剤を併用することにより、例えば、前記感光層の感度を0.1~10mJ/cm2に極めて容易に調整することもできる。前記増感剤としては、特に制限はなく、前記光照射手段例えば、可視光線や紫外光可視光レーザ等に合わせて適宜選択することができる。前記光照射手段として380~420nmのレーザに合わせると、極大吸収波長が380~450nmである増感剤が好ましい。前記増感剤は、活性エネルギー線により励起状態となり、他の物質例えば、ラジカル発生剤、酸発生剤等と相互作用例えば、エネルギー移動、電子移動等することにより、ラジカルや酸等の有用基を発生することが可能である。前記増感剤としては、特に制限はなく、公知の増感剤の中から適宜選択することができるが、例えば、公知の多核芳香族類例えば、ピレン、ペリレン、トリフェニレン、キサンテン類例えば、フルオレセイン、エオシン、エリスロシン、ローダミンB、ローズベンガル、シアニン類例えば、インドカルボシアニン、チアカルボシアニン、オキサカルボシアニン、メロシアニン類例えば、メロシアニン、カルボメロシアニン、チアジン類例えば、チオニン、メチレンブルー、トルイジンブルー、アクリジン類例えば、アクリジンオレンジ、クロロフラビン、アクリフラビン、9-フェニルアクリジン、1,7-ビス9,9’-アクリジニルヘプタン、アントラキノン類例えば、アントラキノン、スクアリウム類例えば、スクアリウム、アクリドン類例えば、アクリドン、クロロアクリドン、N-メチルアクリドン、N-ブチルアクリドン、N-ブチル-クロロアクリドン、2-クロロ-10-ブチルアクリドン等、クマリン類例えば、3-2-ベンゾフロイル-7-ジエチルアミノクマリン、3-2-ベンゾフロイル-7-1-ピロリジニルクマリン、3-ベンゾイル-7-ジエチルアミノクマリン、3-2-メトキシベンゾイル-7-ジエチルアミノクマリン、3-4-ジメチルアミノベンゾイル-7-ジエチルアミノクマリン、33’-カルボニルビス5,7-ジ-n-プロポキシクマリン、3,3’-カルボニルビス7-ジエチルアミノクマリン、3-ベンゾイル-7-メトキシクマリン、3-2-フロイル-7-ジエチルアミノクマリン、3-4-ジエチルアミノシンナモイル-7-ジエチルアミノクマリン、7-メトキシ-3-3-ピリジルカルボニルクマリン、3-ベンゾイル-57-ジプロポキシクマリン等があげられ、他に特開平519475号、特開平7271028号、特開2002363206号、特開2002363207号、特開2002363208号、特開2002363209号等の各公報に記載のクマリン化合物などが挙げられ、これらの中でも、芳香族環や複素環が縮環した化合物縮環系化合物が好ましく、縮環系ケトン化合物アクリドン類、クマリン類、及びアクリジン類がより好ましい。前記光重合開始剤と前記増感剤との組合せとしては、例えば、特開2001-305734号公報に記載の電子移動型開始系[1電子供与型開始剤及び増感色素、2電子受容型開始剤及び増感色素、3電子供与型開始剤、増感色素及び電子受容型開始剤三元開始系]などの組合せが挙げられる。前記増感剤の含有量としては、感光性樹脂組成物の全成分に対し、0.01~4質量が好ましく、0.02~2質量がより好ましく、0.05~1質量が特に好ましい。前記含有量が、0.01質量未満となると、感度が低下することがあり、4質量を超えると、パターンの形状が悪化することがある。-その他の成分-前記その他の成分としては、例えば、界面活性剤、可塑剤、発色剤、着色剤などが挙げられ、更に基体表面への密着促進剤及びその他の助剤類例えば、顔料、導電性粒子、充填剤、消泡剤、難燃剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、熱架橋剤、表面張力調整剤、連鎖移動剤等を併用してもよい。また、これらの成分を適宜含有させることにより、目的とするパターン形成材料の安定性、写真性、焼きだし性、膜物性等の性質を調整することもできる。--可塑剤--前記可塑剤は、前記感光層の膜物性可撓性をコントロールするために添加してもよい。前記可塑剤としては、例えば、ジメチルフタレート、ジブチルフタレート、ジイソブチルフタレート、ジヘプチルフタレート、ジオクチルフタレート、ジシクロヘキシルフタレート、ジトリデシルフタレート、ブチルベンジルフタレート、ジイソデシルフタレート、ジフェニルフタレート、ジアリルフタレート、オクチルカプリールフタレート等のフタル酸エステル類;トリエチレングリコールジアセテート、テトラエチレングリコールジアセテート、ジメチルグリコースフタレート、エチルフタリールエチルグリコレート、メチルフタリールエチルグリコレート、ブチルフタリールブチルグリコレート、トリエチレングリコールジカブリル酸エステル等のグリコールエステル類;トリクレジルホスフェート、トリフェニルホスフェート等のリン酸エステル類;4-トルエンスルホンアミド、ベンゼンスルホンアミド、N-n-ブチルベンゼンスルホンアミド、N-n-ブチルアセトアミド等のアミド類;ジイソブチルアジペート、ジオクチルアジペート、ジメチルセバケート、ジブチルセパケート、ジオクチルセパケート、ジオクチルアゼレート、ジブチルマレート等の脂肪族二塩基酸エステル類;クエン酸トリエチル、クエン酸トリブチル、グリセリントリアセチルエステル、ラウリン酸ブチル、4,5-ジエポキシシクロヘキサン-1,2-ジカルボン酸ジオクチル等、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等のグリコール類が挙げられる。前記可塑剤の含有量としては、前記感光層の全成分に対して0.1~50質量が好ましく、0.5~40質量がより好ましく、1~30質量が特に好ましい。--発色剤--前記発色剤は、露光後の前記感光層に可視像を与える焼きだし機能ために添加してもよい。前記発色剤としては、例えば、トリス4-ジメチルアミノフェニルメタンロイコクリスタルバイオレット、トリス4-ジエチルアミノフェニルメタン、トリス4-ジメチルアミノ-2-メチルフェニルメタン、トリス4-ジエチルアミノ-2-メチルフェニルメタン、ビス4-ジブチルアミノフェニル-4-2-シアノエチルメチルアミノフェニルメタン、ビス4-ジメチルアミノフェニル-2-キノリルメタン、トリス4-ジプロピルアミノフェニルメタン等のアミノトリアリールメタン類;3,6-ビスジメチルアミノ-9-フェニルキサンチン、3-アミノ-6-ジメチルアミノ-2-メチル-9-2-クロロフェニルキサンチン等のアミノキサンチン類;3,6-ビスジエチルアミノ-9-2-エトキシカルボニルフェニルチオキサンテン、3,6-ビスジメチルアミノチオキサンテン等のアミノチオキサンテン類;3,6-ビスジエチルアミノ-9,10-ジヒドロ-9-フェニルアクリジン、3,6-ビスベンジルアミノ-9,10-ジビドロ-9-メチルアクリジン等のアミノ-9,10-ジヒドロアクリジン類;3,7-ビスジエチルアミノフェノキサジン等のアミノフェノキサジン類;3,7-ビスエチルアミノフェノチアゾン等のアミノフェノチアジン類;3,7-ビスジエチルアミノ-5-ヘキシル-5,10-ジヒドロフェナジン等のアミノジヒドロフェナジン類;ビス4-ジメチルアミノフェニルアニリノメタン等のアミノフェニルメタン類;4-アミノ-4’-ジメチルアミノジフェニルアミン、4-アミノ-α、β-ジシアノヒドロケイ皮酸メチルエステル等のアミノヒドロケイ皮酸類;1-2-ナフチル-2-フェニルヒドラジン等のヒドラジン類;1,4-ビスエチルアミノ-2,3-ジヒドロアントラキノン類のアミノ-2,3-ジヒドロアントラキノン類;N,N-ジエチル-4-フェネチルアニリン等のフェネチルアニリン類;10-アセチル-3,7-ビスジメチルアミノフェノチアジン等の塩基性NHを含むロイコ色素のアシル誘導体;トリス4-ジエチルアミノ-2-トリルエトキシカルボニルメンタン等の酸化しうる水素をもつていないが、発色化合物に酸化しうるロイコ様化合物;ロイコインジゴイド色素;米国特許3,042,515号及び同第3,042,517号に記載されているような発色形に酸化しうるような有機アミン類例、4,4’-エチレンジアミン、ジフェニルアミン、N,N-ジメチルアニリン、4,4’-メチレンジアミントリフェニルアミン、N-ビニルカルバゾールが挙げられ、これらの中でも、ロイコクリスタルバイオレット等のトリアリールメタン系化合物が好ましい。更に、前記発色剤は、前記ロイコ体を発色させるためなどの目的で、ハロゲン化合物と組み合わせることが一般に知られている。前記ハロゲン化合物としては、例えば、ハロゲン化炭化水素例えば、四臭化炭素、ヨードホルム、臭化エチレン、臭化メチレン、臭化アミル、臭化イソアミル、ヨウ化アミル、臭化イソブチレン、ヨウ化ブチル、臭化ジフェニルメチル、ヘキサクロロエタン、1,2-ジブロモエタン、1,1,2,2-テトラブロモエタン、1,2-ジブロモ-1,1,2-トリクロロエタン、1,2,3トリブロモプロバン、1-ブロモ-4-クロロブタン、1,2,3,4-テトラブロモブタン、テトラクロロシクロプロペン、ヘキサクロロシクロペンタジエン、ジブロモシキロヘキサン、1,1,1-トリクロロ-2,2-ビス4-クロロフェニルエタンなど;ハロゲン化アルコール化合物例えば、2,2,2-トリクロロエタノール、トリブロモエタノール、1,3-ジクロロ-2-プロパノール、1,1,1-トリクロロ-2-プロパノール、ジヨードヘキサメチレンアミノイソプロパノール、トリブロモ-t-ブチルアルコール、2,2,3-トリクロロブタン-1,4-ジオールなど;ハロゲン化カルボニル化合物例えば1,1-ジクロロアセトン、1,3-ジクロロアセトン、ヘキサクロロアセトン、ヘキサブロモアセトン、1,1,3,3-テトラクロロアセトン、1,1,1-トリクロロアセトン、3,4-ジブロモ-2-ブタノン、1,4-ジクロロ-2-ブタノン-ジブロモシクロヘキサノン等;ハロゲン化エーテル化合物例えば2-ブロモエチルメチルエーテル、2-ブロモエチルエチルエーテル、ジ2-ブロモエチルエーテル、1,2-ジクロロエチルエチルエーテル等;ハロゲン化エステル化合物例えば、酢酸ブロモエチル、トリクロロ酢酸エチル、トリクロロ酢酸トリクロロエチル、2,3-ジブロモプロピルアクリレートのホモポリマー及び共重合体、ジブロモプロピオン酸トリクロロエチル、α,β-ジグロロアクリル酸エチル等;ハロゲン化アミド化合物例えば、クロロアセトアミド、ブロモアセトアミド、ジクロロアセトアミド、トリクロロアセトアミド、トリブロモアセトアミド、トリクロロエチルトリクロロアセトアミド、2-ブロモイソプロピオンアミド、2,2,2-トリクロロプロピオンアミド、N-クロロスクシンイミド、N-ブロモスクシンイミドなど;硫黄やリンを有する化合物例えば、トリブロモメチルフェニルスルホン、4-ニトロフェニルトリブロモメチルスルホン、4-クロルフェニルトリブロモメチルスルホン、トリス2,3-ジブロモプロピルホスフェート等、2,4-ビストリクロロメチル6-フェニルトリアゾールなどが挙げられる。有機ハロゲン化合物では、同一炭素原子に結合した2個以上のハロゲン原子を持つハロゲン化合物が好ましく、1個の炭素原子に3個のハロゲン原子を持つハロゲン化合物がより好ましい。前記有機ハロゲン化合物は、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、トリブロモメチルフェニルスルホン、2,4-ビストリクロロメチル-6-フェニルトリアゾールが好ましい。前記発色剤の含有量としては、前記感光層の全成分に対して0.01~20質量が好ましく、0.05~10質量がより好ましく、0.1~5質量が特に好ましい。また、前記ハロゲン化合物の含有量としては、前記感光層の全成分に対し0.001~5質量が好ましく、0.005~1質量がより好ましい。--着色剤--前記着色剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、例えば、赤色、緑色、青色、黄色、紫色、マゼンタ色、シアン色、黒色等の公知の顔料又は染料が挙げられ、具体的には、ビクトリアピュアーブルーBOC.I.42595、オーラミンC.I.41000、ファットブラックHBC.I.26150、モノライトエローGTC.I.ピグメントエロー12、パーマネントエローGRC.I.ピグメントエロー17、パーマネントエローHRC.I.ピグメントエロー83、パーマネントカーミンFBBC.I.ピグメントレッド146、ホスターバームレッドESBC.I.ピグメントバイオレット19、パーマネントルビーFBHC.I.ピグメントレッド11、ファステルピンクBスプラC.I.ピグメントレッド81、モナストラルファーストブルーC.I.ピグメントブルー15、モノライトファーストブラックBC.I.ピグメントブラック1、カーボンブラックが挙げられる。また、カラーフィルターの作製に好適な前記着色剤として、例えば、C.I.ピグメントレッド97、C.I.ピグメントレッド122、C.I.ピグメントレッド149、C.I.ピグメントレッド168、C.I.ピグメントレッド177、C.I.ピグメントレッド180、C.I.ピグメントレッド192、C.I.ピグメントレッド215、C.I.ピグメントグリーン7、C.I.ピグメントグリーン36、C.I.ピグメントブルー15:1、C.I.ピグメントブルー15:4、C.I.ピグメントブルー15:6、C.I.ピグメントブルー22、C.I.ピグメントブルー60、C.I.ピグメントブルー64、C.I.ピグメントイエロー139、C.I.ピグメントイエロー83、C.I.ピグメントバイオレット23、特開2002-162752号公報の0138~0141に記載のもの等が挙げられる。前記着色剤の平均粒径としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、5μm以下が好ましく、1μm以下がより好ましい。また、カラーフィルタを作製する場合は、前記平均粒子径として、0.5μm以下が好ましい。--染料--前記感光層には、取り扱い性の向上のために感光性樹脂組成物を着色し、又は保存安定性を付与する目的に、染料を用いることができる。前記染料としては、ブリリアントグリーン例えば、その硫酸塩、エオシン、エチルバイオレット、エリスロシンB、メチルグリーン、クリスタルバイオレット、ベイシックフクシン、フェノールフタレイン、1,3-ジフェニルトリアジン、アリザリンレッドS、チモールフタレイン、メチルバイオレット2B、キナルジンレッド、ローズベンガル、メタニル-イエロー、チモールスルホフタレイン、キシレノールブルー、メチルオレンジ、オレンジIV、ジフェニルチロカルバゾン、2,7-ジクロロフルオレセイン、パラメチルレッド、コンゴーレッド、ベンゾプルプリン4B、α-ナフチル-レッド、ナイルブルーA、フェナセタリン、メチルバイオレット、マラカイトグリーン、パラフクシン、オイルブルー603オリエント化学工業社製、ローダミンB、ローダミン6G、ビクトリアピュアブルーBOHなどを挙げることができ、これらの中でもカチオン染料例えば、マラカイトグリーンシュウ酸塩、マラカイトグリーン硫酸塩等が好ましい。該カチオン染料の対アニオンとしては、有機酸又は無機酸の残基であればよく、例えば、臭素酸、ヨウ素酸、硫酸、リン酸、シュウ酸、メタンスルホン酸、トルエンスルホン酸等の残基アニオンなどが挙げられる。前記染料の含有量としては、前記感光層の全成分に対して0.001~10質量が好ましく、0.01~5質量がより好ましく、0.1~2質量が特に好ましい。--密着促進剤--各層間の密着性、又はパターン形成材料と基体との密着性を向上させるために、各層に公知のいわゆる密着促進剤を用いることができる。前記密着促進剤としては、例えば、特開平5-11439号公報、特開平5-341532号公報、及び特開平6-43638号公報等に記載の密着促進剤が好適挙げられる。具体的には、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、2-メルカプトベンズイミダゾール、2-メルカプトベンズオキサゾール、2-メルカプトベンズチアゾール、3-モルホリノメチル-1-フェニル-トリアゾール-2-チオン、3-モルホリノメチル-5-フェニル-オキサジアゾール-2-チオン、5-アミノ-3-モルホリノメチル-チアジアゾール-2-チオン、及び2-メルカプト-5-メチルチオ-チアジアゾール、トリアゾール、テトラゾール、ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、アミノ基含有ベンゾトリアゾール、シランカップリング剤などが挙げられる。前記密着促進剤の含有量としては、前記感光層の全成分に対して0.001質量~20質量が好ましく、0.01~10質量がより好ましく、0.1質量~5質量が特に好ましい。前記感光層は、例えば、J.コーサー著ライトセンシテイブシステムズ第5章に記載されているような有機硫黄化合物、過酸化物、レドックス系化合物、アゾ又はジアゾ化合物、光還元性色素、有機ハロゲン化合物などを含んでいてもよい。前記有機硫黄化合物としては、例えば、ジ-n-ブチルジサルファイド、ジベンジルジサルファイド、2-メルカプトベンズチアゾール、2-メルカプトベンズオキサゾール、チオフェノール、エチルトリクロロメタンスルフェネート、2-メルカプトベンズイミダゾールなどが挙げられる。前記過酸化物としては、例えば、ジ-t-ブチルパーオキサイド、過酸化ベンゾイル、メチルエチルケトンパーオキサイドを挙げることができる。前記レドックス化合物は、過酸化物と還元剤の組合せからなるものであり、第一鉄イオンと過硫酸イオン、第二鉄イオンと過酸化物などを挙げることができる。前記アゾ及びジアゾ化合物としては、例えば、α,α’-アゾビスイリブチロニトリル、2-アゾビス-2-メチルブチロニトリル、4-アミノジフェニルアミンのジアゾニウム類が挙げられる。前記光還元性色素としては、例えば、ローズベンガル、エリスロシン、エオシン、アクリフラビン、リポフラビン、チオニンが挙げられる。--界面活性剤--本発明の前記パターン形成材料を製造する際に発生する面状ムラを改善させるために、公知の界面活性剤を添加することができる。前記界面活性剤としては、例えば、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、両性界面活性剤、フッ素含有界面活性剤などから適宜選択できる。前記界面活性剤の含有量としては、感光性樹脂組成物の固形分に対し、0.001~10質量が好ましい。前記含有量が、0.001質量未満になると、面状改良の効果が得られなくことがあり、10質量を超えると、密着性が低下することがある。前記界面活性剤としては、上述の界面活性剤の他、フッ素系の界面活性剤として、炭素鎖3~20でフッ素原子を40質量以上含み、かつ、非結合末端から数えて少なくとも3個の炭素原子に結合した水素原子がフッ素置換されているフルオロ脂肪族基を有するアクリレート又はメタクリレートを共重合成分として有する高分子界面活性剤も好適に挙げられる。前記感光層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、1~100μmが好ましく、2~50μmがより好ましく、4~30μmが特に好ましい。<支持体及び保護フィルム>前記支持体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記感光層を剥離可能であり、かつ光の透過性が良好であるものが好ましく、更に表面の平滑性が良好であることがより好ましい。前記支持体は、合成樹脂製で、かつ透明であるものが好ましく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン、三酢酸セルロース、二酢酸セルロース、ポリメタアクリル酸アルキルエステル、ポリメタアクリル酸エステル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリスチレン、セロファン、ポリ塩化ビニリデン共重合体、ポリアミド、ポリイミド、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体、ポリテトラフルオロエチレン、ポリトリフルオロエチレン、セルロース系フィルム、ナイロンフィルム等の各種のプラスチックフィルムが挙げられ、これらの中でも、ポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。前記支持体の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、2~150μmが好ましく、5~100μmがより好ましく、8~50μmが特に好ましい。前記支持体の形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、長尺状が好ましい。前記長尺状の支持体の長さとしては、特に制限はなく、例えば、10m~20000mの長さのものが挙げられる。前記パターン形成材料は、前記感光層上に保護フィルムを形成してもよい。前記保護フィルムとしては、例えば、前記支持体に使用されるもの、紙、ポリエチレン、ポリプロピレンがラミネートされた紙、などが挙げられ、これらの中でも、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルムが好ましい。前記保護フィルムの厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、5~100μmが好ましく、8~50μmがより好ましく、10~30μmが特に好ましい。前記支持体と保護フィルムとの組合せ支持体/保護フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート/ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート/ポリエチレン、ポリ塩化ビニル/セロフアン、ポリイミド/ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート/ポリエチレンテレフタレートなどが挙げられる。また、支持体及び保護フィルムの少なくともいずれかを表面処理することにより、層間接着力を調整することができる。前記支持体の表面処理は、前記感光層との接着力を高めるために施されてもよく、例えば、下塗層の塗設、コロナ放電処理、火炎処理、紫外線照射処理、高周波照射処理、グロー放電照射処理、活性プラズマ照射処理、レーザ光線照射処理などを挙げることができる。また、前記支持体と前記保護フィルムとの静摩擦係数としては、0.3~1.4が好ましく、0.5~1.2がより好ましい。前記静摩擦係数が、0.3未満であると、滑り過ぎるため、ロール状にした場合に巻ズレが発生することがあり、1.4を超えると、良好なロール状に巻くことが困難となることがある。前記パターン形成材料は、例えば、円筒状の巻芯に巻き取って、長尺状でロール状に巻かれて保管されることが好ましい。前記長尺状のパターン形成材料の長さとしては、特に制限はなく、例えば、10m~20,000mの範囲から適宜選択することができる。また、ユーザーが使いやすいようにスリット加工し、100m~1,000mの範囲の長尺体をロール状にしてもよい。なお、この場合には、前記支持体が一番外側になるように巻き取られることが好ましい。また、前記ロール状のパターン形成材料をシート状にスリットしてもよい。保管の際、端面の保護、エッジフュージョンを防止する観点から、端面にはセパレーター特に防湿性のもの、乾燥剤入りのものを設置することが好ましく、また梱包も透湿性の低い素材を用いる事が好ましい。前記保護フィルムは、前記保護フィルムと前記感光層との接着性を調整するために表面処理してもよい。前記表面処理は、例えば、前記保護フィルムの表面に、ポリオルガノシロキサン、弗素化ポリオレフィン、ポリフルオロエチレン、ポリビニルアルコール等のポリマーからなる下塗層を形成させる。該下塗層の形成は、前記ポリマーの塗布液を前記保護フィルムの表面に塗布した後、30~150°C特に50~120°Cで1~30分間乾燥させることにより形成させることができる。<その他の層>前記その他の層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、クッション層、バリア層、剥離層、接着層、光吸収層、表面保護層等の層が挙げられる。前記パターン形成材料は、これらの層を1種単独で有していてもよく、2種以上を有していてもよい。前記本発明のパターン形成材料における前記感光層は、光照射手段からの光を受光し出射する描素部をn個有する光変調手段により、前記光照射手段からの光を変調させた後、前記描素部における出射面の歪みによる収差を補正可能な非球面を有するマイクロレンズを配列したマイクロレンズアレイ、又は、前記描素部の周辺部からの光を入射させないレンズ開口形状を有するマイクロレンズを配列したマイクロレンズアレイを通した光で、露光されることが好ましい。前記光照射手段、前記描素部、前記光変調手段、前記非球面、前記マイクロレンズ、及び前記マイクロレンズアレイの詳細については後述する。[パターン形成材料の製造方法]前記パターン形成材料は、例えば、次のようにして製造することができる。まず、前記感光層に含まれる材料を、水又は溶剤に溶解、乳化又は分散させて、感光性樹脂組成物溶液を調製する。前記感光性樹脂組成物溶液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メタノール、エタノール、n-プロパノール、イソプロパノール、n-ブタノール、sec-ブタノール、n-ヘキサノール等のアルコール類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジイソブチルケトンなどのケトン類;酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸-n-アミル、硫酸メチル、プロピオン酸エチル、フタル酸ジメチル、安息香酸エチル、及びメトキシプロピルアセテートなどのエステル類;トルエン、キシレン、ベンゼン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素類;四塩化炭素、トリクロロエチレン、クロロホルム、1,1,1-トリクロロエタン、塩化メチレン、モノクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素類;テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、1-メトキシ-2-プロパノールなどのエーテル類;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホオキサイド、スルホランなどが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。また、公知の界面活性剤を添加してもよい。次に、前記支持体上に前記感光性樹脂組成物溶液を塗布し、乾燥させて感光層を形成し、パターン形成材料を製造することができる。前記感光性樹脂組成物溶液の塗布方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、スプレー法、ロールコート法、回転塗布法、スリットコート法、エクストルージョンコート法、カーテンコート法、ダイコート法、グラビアコート法、ワイヤーバーコート法、ナイフコート法等の各種の塗布方法が挙げられる。前記乾燥の条件としては、各成分、溶媒の種類、使用割合等によっても異なるが、通常60~110°Cの温度で30秒間~15分間程度である。本発明のパターン形成材料は、前記感光層の感度低下を抑制できるため、より小さいエネルギー量の光で露光することができ、露光スピードが上がるため処理スピードが上がる点で有利である。本発明のパターン形成材料は、感光層の感度低下を抑制でき、かつ、高精細にパターンを形成可能であるため、各種パターンの形成用、配線パターン等の永久パターンの形成用、カラーフィルタ、柱材、リブ材、スペーサー、隔壁等の液晶構造部材の製造用、ホログラム、マイクロマシン、プルーフなどのパターン形成用などに好適に用いることができ、特に本発明のパターン形成方法及びパターン形成装置に好適に用いることができる。パターン形成装置及びパターン形成方法本発明のパターン形成装置は、本発明の前記パターン形成材料を備えており、光照射手段と光変調手段とを少なくとも有する。本発明のパターン形成方法は、露光工程を少なくとも含み、適宜選択したその他の工程を含む。なお、本発明の前記パターン形成装置は、本発明の前記パターン形成方法の説明を通じて明らかにする。[露光工程]前記露光工程は、本発明のパターン形成材料における感光層に対し、露光を行う工程である。本発明の前記パターン形成材料については上述の通りである。前記露光の対象としては、前記パターン形成材料における感光層である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、基体上に前記パターン形成材料を形成してなる積層体に対して行われることが好ましい。前記基体としては、特に制限はなく、公知の材料の中から表面平滑性の高いものから凸凹のある表面を有するものまで適宜選択することができるが、板状の基体基板が好ましく、具体的には、公知のプリント配線板形成用基板例えば、銅張積層板、ガラス板例えば、ソーダガラス板等、合成樹脂性のフィルム、紙、金属板などが挙げられる。前記積層体における層構成としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記基体と前記感光層と前記支持体とをこの順有する層構成が好ましい。前記積層体の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記基体上に前記パターン形成材料を加熱及び加圧の少なくともいずれかを行いながら積層することが好ましい。前記加熱温度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、15~180°Cが好ましく、60~140°Cがより好ましい。前記加圧の圧力としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、0.1~1.0MPaが好ましく、0.2~0.8MPaがより好ましい。前記加熱及び加圧の少なくともいずれかを行う装置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、ラミネーター例えば、大成ラミネータ社製、VP-II、真空ラミネーターなどが好適に挙げられる。前記露光としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、デジタル露光、アナログ露光等が挙げられるが、これらの中でもデジタル露光が好ましい。前記デジタル露光としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、形成するパターン形成情報に基づいて制御信号を生成し、該制御信号に応じて変調させた光を用いて行うことが好ましい。前記デジタル露光の手段としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、光を照射する光照射手段、形成するパターン情報に基づいて該光照射手段から照射される光を変調させる光変調手段などが挙げられる。<光変調手段>前記光変調手段としては、光を変調することができる限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、n個の描素部を有することが好ましい。前記n個の描素部を有する光変調手段としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、空間光変調素子が好ましい。前記空間光変調素子としては、例えば、デジタルマイクロミラーデバイスDMD、MEMSMicroElectroMechanicalSystemsタイプの空間光変調素子SLM;SpecialLightModulator、電気光学効果により透過光を変調する光学素子PLZT素子、液晶光シャッタFLCなどが挙げられ、これらの中でもDMDが好適に挙げられる。また、前記光変調手段は、形成するパターン情報に基づいて制御信号を生成するパターン信号生成手段を有することが好ましい。この場合、前記光変調手段は、前記パターン信号生成手段が生成した制御信号に応じて光を変調させる。前記制御信号としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、デジタル信号が好適に挙げられる。以下、前記光変調手段の一例について図面を参照しながら説明する。DMD50は図1に示すように、SRAMセルメモリセル60上に、各々描素ピクセルを構成する多数例えば、1024個×768個の微小ミラーマイクロミラー62が格子状に配列されてなるミラーデバイスである。各ピクセルにおいて、最上部には支柱に支えられたマイクロミラー62が設けられており、マイクロミラー62の表面にはアルミニウム等の反射率の高い材料が蒸着されている。なお、マイクロミラー62の反射率は90以上であり、その配列ピッチは縦方向、横方向とも一例として13.7μmである。また、マイクロミラー62の直下には、ヒンジおよびヨークを含む支柱を介して通常の半導体メモリの製造ラインで製造されるシリコンゲートのCMOSのSRAMセル60が配置されており、全体はモノリシックに構成されている。DMD50のSRAMセル60にデジタル信号が書き込まれると、支柱に支えられたマイクロミラー62が、対角線を中心としてDMD50が配置された基板側に対して±α度例えば±12度の範囲で傾けられる。図2Aは、マイクロミラー62がオン状態であるα度に傾いた状態を示し、図2Bは、マイクロミラー62がオフ状態である-α度に傾いた状態を示す。したがって、パターン情報に応じて、DMD50の各ピクセルにおけるマイクロミラー62の傾きを、図1に示すように制御することによって、DMD50に入射したレーザ光Bはそれぞれのマイクロミラー62の傾き方向へ反射される。なお、図1には、DMD50の一部を拡大し、マイクロミラー62がα度又は-α度に制御されている状態の一例を示す。それぞれのマイクロミラー62のオンオフ制御は、DMD50に接続されたコントローラ302図12参照によって行われる。また、オフ状態のマイクロミラー62で反射したレーザ光Bが進行する方向には、光吸収体図示せずが配置されている。また、DMD50は、その短辺が副走査方向と所定角度θ例えば、0.1°~5°を成すように僅かに傾斜させて配置するのが好ましい。図3AはDMD50を傾斜させない場合の各マイクロミラーによる反射光像露光ビーム53の走査軌跡を示し、図3BはDMD50を傾斜させた場合の露光ビーム53の走査軌跡を示している。DMD50には、長手方向にマイクロミラーが多数個例えば、1024個配列されたマイクロミラー列が、短手方向に多数組例えば、756組配列されているが、図3Bに示すように、DMD50を傾斜させることにより、各マイクロミラーによる露光ビーム53の走査軌跡走査線のピッチP2が、DMD50を傾斜させない場合の走査線のピッチP1より狭くなり、解像度を大幅に向上させることができる。一方、DMD50の傾斜角は微小であるので、DMD50を傾斜させた場合の走査幅W2と、DMD50を傾斜させない場合の走査幅W1とは略同一である。次に、前記光変調手段における変調速度を速くさせる方法以下高速変調と称するについて説明する。前記光変調手段は、前記n個の描素の中から連続的に配置された任意のn個未満の前記描素部をパターン情報に応じて制御可能であることが好ましい。前記光変調手段のデータ処理速度には限界があり、使用する描素数に比例して1ライン当りの変調速度が決定されるので、連続的に配列された任意のn個未満の描素部だけを使用することで1ライン当りの変調速度が速くなる。以下、前記高速変調について図面を参照しながら更に説明する。ファイバアレイ光源66からDMD50にレーザ光Bが照射されると、DMD50のマイクロミラーがオン状態のときに反射されたレーザ光は、レンズ系54、58によりパターン形成材料150上に結像される。このようにして、ファイバアレイ光源66から出射されたレーザ光が描素毎にオンオフされて、パターン形成材料150がDMD50の使用描素数と略同数の描素単位露光エリア168で露光される。また、パターン形成材料150がステージ152と共に一定速度で移動されることにより、パターン形成材料150がスキャナ162によりステージ移動方向と反対の方向に副走査され、露光ヘッド166毎に帯状の露光済み領域170が形成される。なお本例では、図4A及びBに示すように、DMD50には、主走査方向にマイクロミラーが1024個配列されたマイクロミラー列が副走査方向に768組配列されているが、本例では、前記コントローラ302図12参照により一部のマイクロミラー列例えば、1024個×256列だけが駆動するように制御がなされる。この場合、図4Aに示すようにDMD50の中央部に配置されたマイクロミラー列を使用してもよく、図4Bに示すように、DMD50の端部に配置されたマイクロミラー列を使用してもよい。また、一部のマイクロミラーに欠陥が発生した場合は、欠陥が発生していないマイクロミラー列を使用するなど、状況に応じて使用するマイクロミラー列を適宜変更してもよい。DMD50のデータ処理速度には限界があり、使用する描素数に比例して1ライン当りの変調速度が決定されるので、一部のマイクロミラー列だけを使用することで1ライン当りの変調速度が速くなる。一方、連続的に露光ヘッドを露光面に対して相対移動させる露光方式の場合には、副走査方向の描素を全部使用する必要はない。スキャナ162によるパターン形成材料150の副走査が終了し、センサ164でパターン形成材料150の後端が検出されると、ステージ152は、ステージ駆動装置304により、ガイド158に沿ってゲート160の最上流側にある原点に復帰し、再度、ガイド158に沿ってゲート160の上流側から下流側に一定速度で移動される。例えば、768組のマイクロミラー列の内、384組だけ使用する場合には、768組全部使用する場合と比較すると1ライン当り2倍速く変調することができる。また、768組のマイクロミラー列の内、256組だけ使用する場合には、768組全部使用する場合と比較すると1ライン当り3倍速く変調することができる。以上説明した通り、本発明のパターン形成方法によれば、主走査方向にマイクロミラーが1,024個配列されたマイクロミラー列が、副走査方向に768組配列されたDMDを備えているが、コントローラにより一部のマイクロミラー列だけが駆動されるように制御することにより、全部のマイクロミラー列を駆動する場合に比べて、1ライン当りの変調速度が速くなる。また、DMDのマイクロミラーを部分的に駆動する例について説明したが、所定方向に対応する方向の長さが前記所定方向と交差する方向の長さより長い基板上に、各々制御信号に応じて反射面の角度が変更可能な多数のマイクロミラーが2次元状に配列された細長いDMDを用いても、反射面の角度を制御するマイクロミラーの個数が少なくなるので、同様に変調速度を速くすることができる。また、前記露光の方法として、露光光と前記感光層とを相対的に移動しながら行うことが好ましく、この場合、前記高速変調と併用することが好ましい。これにより、短時間で高速の露光を行うことができる。その他、図5に示すように、スキャナ162によるX方向への1回の走査でパターン形成材料150の全面を露光してもよく、図6A及びBに示すように、スキャナ162によりパターン形成材料150をX方向へ走査した後、スキャナ162をY方向に1ステップ移動し、X方向へ走査を行うというように、走査と移動を繰り返して、複数回の走査でパターン形成材料150の全面を露光するようにしてもよい。なお、この例では、スキャナ162は18個の露光ヘッド166を備えている。なお、露光ヘッドは、前記光照射手段と前記光変調手段とを少なくとも有する。前記露光は、前記感光層の一部の領域に対してされることにより該一部の領域が硬化され、後述の現像工程において、前記硬化させた一部の領域以外の未硬化領域が除去され、パターンが形成される。次に、前記光変調手段を含むパターン形成装置の一例について図面を参照しながら説明する。前記光変調手段を含むパターン形成装置は、図7に示すように、シート状のパターン形成材料150を表面に吸着して保持する平板状のステージ152を備えている。4本の脚部154に支持された厚い板状の設置台156の上面には、ステージ移動方向に沿って延びた2本のガイド158が設置されている。ステージ152は、その長手方向がステージ移動方向を向くように配置されると共に、ガイド158によって往復移動可能に支持されている。なお、前記パターン形成装置には、ステージ152をガイド158に沿って駆動するための図示しない駆動装置を有している。設置台156の中央部には、ステージ152の移動経路を跨ぐようにコ字状のゲート160が設けられている。コ字状のゲート160の端部の各々は、設置台156の両側面に固定されている。このゲート160を挟んで一方の側にはスキャナ162が設けられ、他方の側にはパターン形成材料150の先端及び後端を検知する複数例えば、2個の検知センサ164が設けられている。スキャナ162及び検知センサ164は、ゲート160に各々取り付けられて、ステージ152の移動経路の上方に固定配置されている。なお、スキャナ162及び検知センサ164は、これらを制御する図示しないコントローラに接続されている。スキャナ162は、図8及び図9Bに示すように、m行n列例えば、3行5列の略マトリックス状に配列された複数例えば、14個の露光ヘッド166を備えている。この例では、パターン形成材料150の幅との関係で、3行目には4個の露光ヘッド166を配置した。なお、m行目のn列目に配列された個々の露光ヘッドを示す場合は、露光ヘッド166mnと表記する。露光ヘッド166による露光エリア168は、副走査方向を短辺とする矩形状である。従って、ステージ152の移動に伴い、パターン形成材料150には露光ヘッド166毎に帯状の露光済み領域170が形成される。なお、m行目のn列目に配列された個々の露光ヘッドによる露光エリアを示す場合は、露光エリア168mnと表記する。また、図9A及びBに示すように、帯状の露光済み領域170が副走査方向と直交する方向に隙間無く並ぶように、ライン状に配列された各行の露光ヘッドの各々は、配列方向に所定間隔露光エリアの長辺の自然数倍、本例では2倍ずらして配置されている。このため、1行目の露光エリア16811と露光エリア16812との間の露光できない部分は、2行目の露光エリア16821と3行目の露光エリア16831とにより露光することができる。露光ヘッド16611~166mn各々は、図10及び図11に示すように、入射された光ビームをパターン情報に応じて前記光変調手段各描素毎に変調する空間光変調素子として、米国テキサスインスツルメンツ社製のデジタルマイクロミラーデバイスDMD50を備えている。DMD50は、データ処理部とミラー駆動制御部とを備えた前記コントローラ302図12参照に接続されている。このコントローラ302のデータ処理部では、入力されたパターン情報に基づいて、露光ヘッド166毎にDMD50の制御すべき領域内の各マイクロミラーを駆動制御する制御信号を生成する。なお、制御すべき領域については後述する。また、ミラー駆動制御部では、パターン情報処理部で生成した制御信号に基づいて、露光ヘッド166毎にDMD50の各マイクロミラーの反射面の角度を制御する。なお、反射面の角度の制御に付いては後述する。DMD50の光入射側には、光ファイバの出射端部発光点が露光エリア168の長辺方向と対応する方向に沿って一列に配列されたレーザ出射部を備えたファイバアレイ光源66、ファイバアレイ光源66から出射されたレーザ光を補正してDMD上に集光させるレンズ系67、レンズ系67を透過したレーザ光をDMD50に向けて反射するミラー69がこの順に配置されている。なお、図10では、レンズ系67を概略的に示してある。レンズ系67は、図11に詳しく示すように、ファイバアレイ光源66から出射した照明光としてのレーザ光Bを集光する集光レンズ71、集光レンズ71を通過した光の光路に挿入されたロッド状オプティカルインテグレータ以下、ロッドインテグレータという72、及びロッドインテグレータ72の前方つまりミラー69側に配置された結像レンズ74から構成されている。集光レンズ71、ロッドインテグレータ72及び結像レンズ74は、ファイバアレイ光源66から出射したレーザ光を、平行光に近くかつビーム断面内強度が均一化された光束としてDMD50に入射させる。このロッドインテグレータ72の形状や作用については、後に詳しく説明する。レンズ系67から出射したレーザ光Bはミラー69で反射し、TIR全反射プリズム70を介してDMD50に照射される。なお、図10では、このTIRプリズム70は省略してある。また、DMD50の光反射側には、DMD50で反射されたレーザ光Bを、パターン形成材料150上に結像する結像光学系51が配置されている。この結像光学系51は、図10では概略的に示してあるが、図11に詳細を示すように、レンズ系52,54からなる第1結像光学系と、レンズ系57,58からなる第2結像光学系と、これらの結像光学系の間に挿入されたマイクロレンズアレイ55と、アパーチャアレイ59とから構成されている。マイクロレンズアレイ55は、DMD50の各描素に対応する多数のマイクロレンズ55aが2次元状に配列されてなるものである。本例では、後述するようにDMD50の1024個×768列のマイクロミラーのうち1024個×256列だけが駆動されるので、それに対応させてマイクロレンズ55aは1024個×256列配置されている。またマイクロレンズ55aの配置ピッチは縦方向、横方向とも41μmである。このマイクロレンズ55aは、一例として焦点距離が0.19mm、NA開口数が0.11で、光学ガラスBK7から形成されている。なおマイクロレンズ55aの形状については、後に詳しく説明する。そして、各マイクロレンズ55aの位置におけるレーザ光Bのビーム径は、41μmである。また、アパーチャアレイ59は、マイクロレンズアレイ55の各マイクロレンズ55aに対応する多数のアパーチャ開口59aが形成されてなるものである。アパーチャ59aの径は、例えば、10μmである。前記第1結像光学系は、DMD50による像を3倍に拡大してマイクロレンズアレイ55上に結像する。そして、前記第2結像光学系は、マイクロレンズアレイ55を経た像を1.6倍に拡大してパターン形成材料150上に結像、投影する。したがって全体では、DMD50による像が4.8倍に拡大してパターン形成材料150上に結像、投影されることになる。なお、前記第2結像光学系とパターン形成材料150との間にプリズムペア73が配設され、このプリズムペア73を図11中で上下方向に移動させることにより、パターン形成材料150上における像のピントを調節可能となっている。なお同図中において、パターン形成材料150は矢印F方向に副走査送りされる。前記描素部としては、前記光照射手段からの光を受光し出射することができる限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、本発明のパターン形成方法により形成されるパターンが画像パターンである場合には、画素であり、前記光変調手段がDMDを含む場合にはマイクロミラーである。前記光変調素子が有する描素部の数前記nとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記光変調素子における描素部の配列としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、2次元状に配列していることが好ましく、格子状に配列していることがより好ましい。<光照射手段>前記光照射手段としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、超高圧水銀灯、キセノン灯、カーボンアーク灯、ハロゲンランプ、複写機用などの蛍光管、LED、半導体レーザ等の公知光源、又は2以上の光を合成して照射可能な手段が挙げられ、これらの中でも2以上の光を合成して照射可能な手段が好ましい。前記光照射手段から照射される光としては、例えば、支持体を介して光照射を行う場合には、該支持体を透過し、かつ用いられる光重合開始剤や増感剤を活性化する電磁波、紫外から可視光線、電子線、X線、レーザ光などが挙げられ、これらの中でもレーザ光が好ましく、2以上の光を合成したレーザ以下、合波レーザと称することがあるがより好ましい。また支持体を剥離してから光照射を行う場合でも、同様の光を用いることができる。前記紫外から可視光線の波長としては、例えば、300~1500nmが好ましく、320~800nmがより好ましく、330nm~650nmが特に好ましい。前記レーザ光の波長としては、例えば、200~1500nmが好ましく、300~800nmがより好ましく、330nm~500nmが更に好ましく、400nm~450nmが特に好ましい。前記合波レーザを照射可能な手段としては、例えば、複数のレーザと、マルチモード光ファイバと、該複数のレーザからそれぞれ照射したレーザ光を集光して前記マルチモード光ファイバに結合させる集合光学系とを有する手段が好ましい。以下、前記合波レーザを照射可能な手段ファイバアレイ光源について図を参照しながら説明する。ファイバアレイ光源66は図27aに示すように、複数例えば、14個のレーザモジュール64を備えており、各レーザモジュール64には、マルチモード光ファイバ30の一端が結合されている。マルチモード光ファイバ30の他端には、コア径がマルチモード光ファイバ30と同一で且つクラッド径がマルチモード光ファイバ30より小さい光ファイバ31が結合されている。図27bに詳しく示すように、マルチモード光ファイバ31の光ファイバ30と反対側の端部は副走査方向と直交する主走査方向に沿って7個並べられ、それが2列に配列されてレーザ出射部68が構成されている。マルチモード光ファイバ31の端部で構成されるレーザ出射部68は、図27bに示すように、表面が平坦な2枚の支持板65に挟み込まれて固定されている。また、マルチモード光ファイバ31の光出射端面には、その保護のために、ガラス等の透明な保護板が配置されるのが望ましい。マルチモード光ファイバ31の光出射端面は、光密度が高いため集塵し易く劣化し易いが、上述のような保護板を配置することにより、端面への塵埃の付着を防止し、また劣化を遅らせることができる。この例では、クラッド径が小さい光ファイバ31の出射端を隙間無く1列に配列するために、クラッド径が大きい部分で隣接する2本のマルチモード光ファイバ30の間にマルチモード光ファイバ30を積み重ね、積み重ねられたマルチモード光ファイバ30に結合された光ファイバ31の出射端が、クラッド径が大きい部分で隣接する2本のマルチモード光ファイバ30に結合された光ファイバ31の2つの出射端の間に挟まれるように配列されている。このような光ファイバは、例えば、図28に示すように、クラッド径が大きいマルチモード光ファイバ30のレーザ光出射側の先端部分に、長さ1~30cmのクラッド径が小さい光ファイバ31を同軸的に結合することにより得ることができる。2本の光ファイバは、光ファイバ31の入射端面が、マルチモード光ファイバ30の出射端面に、両光ファイバの中心軸が一致するように融着されて結合されている。上述した通り、光ファイバ31のコア31aの径は、マルチモード光ファイバ30のコア30aの径と同じ大きさである。また、長さが短くクラッド径が大きい光ファイバにクラッド径が小さい光ファイバを融着させた短尺光ファイバを、フェルールや光コネクタ等を介してマルチモード光ファイバ30の出射端に結合してもよい。コネクタ等を用いて着脱可能に結合することで、クラッド径が小さい光ファイバが破損した場合等に先端部分の交換が容易になり、露光ヘッドのメンテナンスに要するコストを低減できる。なお、以下では、光ファイバ31を、マルチモード光ファイバ30の出射端部と称する場合がある。マルチモード光ファイバ30及び光ファイバ31としては、ステップインデックス型光ファイバ、グレーテッドインデックス型光ファイバ、及び複合型光ファイバの何れでもよい。例えば、三菱電線工業株式会社製のステップインデックス型光ファイバを用いることができる。本実施の形態では、マルチモード光ファイバ30及び光ファイバ31は、ステップインデックス型光ファイバであり、マルチモード光ファイバ30は、クラッド径=150μm、コア径=25μm、NA=0.2、入射端面コートの透過率=99.5以上であり、光ファイバ31は、クラッド径=60μm、コア径=50μm、NA=0.2である。一般に、赤外領域のレーザ光では、光ファイバのクラッド径を小さくすると伝搬損失が増加する。このため、レーザ光の波長帯域に応じて好適なクラッド径が決定されている。しかしながら、波長が短いほど伝搬損失は少なくなり、GaN系半導体レーザから出射された波長405nmのレーザ光では、クラッドの厚み{クラッド径-コア径/2}を800nmの波長帯域の赤外光を伝搬させる場合の1/2程度、通信用の1.5μmの波長帯域の赤外光を伝搬させる場合の約1/4にしても、伝搬損失は殆ど増加しない。従って、クラッド径を60μmと小さくすることができる。但し、光ファイバ31のクラッド径は60μmには限定されない。従来のファイバアレイ光源に使用されている光ファイバのクラッド径は125μmであるが、クラッド径が小さくなるほど焦点深度がより深くなるので、マルチモード光ファイバのクラッド径は80μm以下が好ましく、60μm以下がより好ましく、40μm以下が更に好ましい。一方、コア径は少なくとも3~4μm必要であることから、光ファイバ31のクラッド径は10μm以上が好ましい。レーザモジュール64は、図29に示す合波レーザ光源ファイバアレイ光源によって構成されている。この合波レーザ光源は、ヒートブロック10上に配列固定された複数例えば、7個のチップ状の横マルチモード又はシングルモードのGaN系半導体レーザLD1,LD2,LD3,LD4,LD5,LD6,及びLD7と、GaN系半導体レーザLD1~LD7の各々に対応して設けられたコリメータレンズ11,12,13,14,15,16,及び17と、1つの集光レンズ20と、1本のマルチモード光ファイバ30と、から構成されている。なお、半導体レーザの個数は7個には限定されない。例えば、クラッド径=60μm、コア径=50μm、NA=0.2のマルチモード光ファイバには、20個もの半導体レーザ光を入射することが可能であり、露光ヘッドの必要光量を実現して、且つ光ファイバ本数をより減らすことができる。GaN系半導体レーザLD1~LD7は、発振波長が総て共通例えば、405nmであり、最大出力も総て共通例えば、マルチモードレーザでは100mW、シングルモードレーザでは30mWである。なお、GaN系半導体レーザLD1~LD7としては、350nm~450nmの波長範囲で、上記の405nm以外の発振波長を備えるレーザを用いてもよい。前記合波レーザ光源は、図30及び図31に示すように、他の光学要素と共に、上方が開口した箱状のパッケージ40内に収納されている。パッケージ40は、その開口を閉じるように作成されたパッケージ蓋41を備えており、脱気処理後に封止ガスを導入し、パッケージ40の開口をパッケージ蓋41で閉じることにより、パッケージ40とパッケージ蓋41とにより形成される閉空間封止空間内に上記合波レーザ光源が気密封止されている。パッケージ40の底面にはベース板42が固定されており、このベース板42の上面には、前記ヒートブロック10と、集光レンズ20を保持する集光レンズホルダー45と、マルチモード光ファイバ30の入射端部を保持するファイバホルダー46とが取り付けられている。マルチモード光ファイバ30の出射端部は、パッケージ40の壁面に形成された開口からパッケージ外に引き出されている。また、ヒートブロック10の側面にはコリメータレンズホルダー44が取り付けられており、コリメータレンズ11~17が保持されている。パッケージ40の横壁面には開口が形成され、この開口を通してGaN系半導体レーザLD1~LD7に駆動電流を供給する配線47がパッケージ外に引き出されている。なお、図31においては、図の煩雑化を避けるために、複数のGaN系半導体レーザのうちGaN系半導体レーザLD7にのみ番号を付し、複数のコリメータレンズのうちコリメータレンズ17にのみ番号を付している。図32は、前記コリメータレンズ11~17の取り付け部分の正面形状を示すものである。コリメータレンズ11~17の各々は、非球面を備えた円形レンズの光軸を含む領域を平行な平面で細長く切り取った形状に形成されている。この細長形状のコリメータレンズは、例えば、樹脂又は光学ガラスをモールド成形することによって形成することができる。コリメータレンズ11~17は、長さ方向がGaN系半導体レーザLD1~LD7の発光点の配列方向図32の左右方向と直交するように、上記発光点の配列方向に密接配置されている。一方、GaN系半導体レーザLD1~LD7としては、発光幅が2μmの活性層を備え、活性層と平行な方向、直角な方向の拡がり角が各々例えば10°、30°の状態で各々レーザ光B1~B7を発するレーザが用いられている。これらGaN系半導体レーザLD1~LD7は、活性層と平行な方向に発光点が1列に並ぶように配設されている。したがって、各発光点から発せられたレーザ光B1~B7は、上述のように細長形状の各コリメータレンズ11~17に対して、拡がり角度が大きい方向が長さ方向と一致し、拡がり角度が小さい方向が幅方向長さ方向と直交する方向と一致する状態で入射することになる。つまり、各コリメータレンズ11~17の幅が1.1mm、長さが4.6mmであり、それらに入射するレーザ光B1~B7の水平方向、垂直方向のビーム径は各々0.9mm、2.6mmである。また、コリメータレンズ11~17の各々は、焦点距離f1=3mm、NA=0.6、レンズ配置ピッチ=1.25mmである。集光レンズ20は、非球面を備えた円形レンズの光軸を含む領域を平行な平面で細長く切り取って、コリメータレンズ11~17の配列方向、つまり水平方向に長く、それと直角な方向に短い形状に形成されている。この集光レンズ20は、焦点距離f2=23mm、NA=0.2である。この集光レンズ20も、例えば、樹脂又は光学ガラスをモールド成形することにより形成される。また、DMDを照明する光照射手段に、合波レーザ光源の光ファイバの出射端部をアレイ状に配列した高輝度のファイバアレイ光源を用いているので、高出力で且つ深い焦点深度を備えたパターン形成装置を実現することができる。更に、各ファイバアレイ光源の出力が大きくなることで、所望の出力を得るために必要なファイバアレイ光源数が少なくなり、パターン形成装置の低コスト化が図られる。また、光ファイバの出射端のクラッド径を入射端のクラッド径よりも小さくしているので、発光部径がより小さくなり、ファイバアレイ光源の高輝度化が図られる。これにより、より深い焦点深度を備えたパターン形成装置を実現することができる。例えば、ビーム径1μm以下、解像度0.1μm以下の超高解像度露光の場合にも、深い焦点深度を得ることができ、高速且つ高精細な露光が可能となる。したがって、高解像度が必要とされる薄膜トランジスタTFTの露光工程に好適である。また、前記光照射手段としては、前記合波レーザ光源を複数備えたファイバアレイ光源に限定されず、例えば、1個の発光点を有する単一の半導体レーザから入射されたレーザ光を出射する1本の光ファイバを備えたファイバ光源をアレイ化したファイバアレイ光源を用いることができる。また、複数の発光点を備えた光照射手段としては、例えば、図33に示すように、ヒートブロック100上に、複数例えば、7個のチップ状の半導体レーザLD1~LD7を配列したレーザアレイを用いることができる。また、図34Aに示す、複数例えば、5個の発光点110aが所定方向に配列されたチップ状のマルチキャビティレーザ110が知られている。マルチキャビティレーザ110は、チップ状の半導体レーザを配列する場合と比べ、発光点を位置精度良く配列できるので、各発光点から出射されるレーザ光を合波し易い。但し、発光点が多くなるとレーザ製造時にマルチキャビティレーザ110に撓みが発生し易くなるため、発光点110aの個数は5個以下とするのが好ましい。前記光照射手段としては、このマルチキャビティレーザ110や、図34Bに示すように、ヒートブロック100上に、複数のマルチキャビティレーザ110が各チップの発光点110aの配列方向と同じ方向に配列されたマルチキャビティレーザアレイを、レーザ光源として用いることができる。また、合波レーザ光源は、複数のチップ状の半導体レーザから出射されたレーザ光を合波するものには限定されない。例えば、図21に示すように、複数例えば、3個の発光点110aを有するチップ状のマルチキャビティレーザ110を備えた合波レーザ光源を用いることができる。この合波レーザ光源は、マルチキャビティレーザ110と、1本のマルチモード光ファイバ130と、集光レンズ120と、を備えて構成されている。マルチキャビティレーザ110は、例えば、発振波長が405nmのGaN系レーザダイオードで構成することができる。前記構成では、マルチキャビティレーザ110の複数の発光点110aの各々から出射したレーザ光Bの各々は、集光レンズ120によって集光され、マルチモード光ファイバ130のコア130aに入射する。コア130aに入射したレーザ光は、光ファイバ内を伝搬し、1本に合波されて出射する。マルチキャビティレーザ110の複数の発光点110aを、上記マルチモード光ファイバ130のコア径と略等しい幅内に並設すると共に、集光レンズ120として、マルチモード光ファイバ130のコア径と略等しい焦点距離の凸レンズや、マルチキャビティレーザ110からの出射ビームをその活性層に垂直な面内のみでコリメートするロッドレンズを用いることにより、レーザ光Bのマルチモード光ファイバ130への結合効率を上げることができる。また、図35に示すように、複数例えば、3個の発光点を備えたマルチキャビティレーザ110を用い、ヒートブロック111上に複数例えば、9個のマルチキャビティレーザ110が互いに等間隔で配列されたレーザアレイ140を備えた合波レーザ光源を用いることができる。複数のマルチキャビティレーザ110は、各チップの発光点110aの配列方向と同じ方向に配列されて固定されている。この合波レーザ光源は、レーザアレイ140と、各マルチキャビティレーザ110に対応させて配置した複数のレンズアレイ114と、レーザアレイ140と複数のレンズアレイ114との間に配置された1本のロッドレンズ113と、1本のマルチモード光ファイバ130と、集光レンズ120と、を備えて構成されている。レンズアレイ114は、マルチキャビティレーザ110の発光点に対応した複数のマイクロレンズを備えている。上記の構成では、複数のマルチキャビティレーザ110の複数の発光点110aの各々から出射したレーザ光Bの各々は、ロッドレンズ113により所定方向に集光された後、レンズアレイ114の各マイクロレンズにより平行光化される。平行光化されたレーザ光Lは、集光レンズ120によって集光され、マルチモード光ファイバ130のコア130aに入射する。コア130aに入射したレーザ光は、光ファイバ内を伝搬し、1本に合波されて出射する。更に他の合波レーザ光源の例を示す。この合波レーザ光源は、図36A及びBに示すように、略矩形状のヒートブロック180上に光軸方向の断面がL字状のヒートブロック182が搭載され、2つのヒートブロック間に収納空間が形成されている。L字状のヒートブロック182の上面には、複数の発光点例えば、5個がアレイ状に配列された複数例えば、2個のマルチキャビティレーザ110が、各チップの発光点110aの配列方向と同じ方向に等間隔で配列されて固定されている。略矩形状のヒートブロック180には凹部が形成されており、ヒートブロック180の空間側上面には、複数の発光点例えば、5個がアレイ状に配列された複数例えば、2個のマルチキャビティレーザ110が、その発光点がヒートブロック182の上面に配置されたレーザチップの発光点と同じ鉛直面上に位置するように配置されている。マルチキャビティレーザ110のレーザ光出射側には、各チップの発光点110aに対応してコリメートレンズが配列されたコリメートレンズアレイ184が配置されている。コリメートレンズアレイ184は、各コリメートレンズの長さ方向とレーザ光の拡がり角が大きい方向速軸方向とが一致し、各コリメートレンズの幅方向が拡がり角が小さい方向遅軸方向と一致するように配置されている。このように、コリメートレンズをアレイ化して一体化することで、レーザ光の空間利用効率が向上し合波レーザ光源の高出力化が図られると共に、部品点数が減少し低コスト化することができる。また、コリメートレンズアレイ184のレーザ光出射側には、1本のマルチモード光ファイバ130と、このマルチモード光ファイバ130の入射端にレーザ光を集光して結合する集光レンズ120と、が配置されている。前記構成では、レーザブロック180、182上に配置された複数のマルチキャビティレーザ110の複数の発光点110aの各々から出射したレーザ光Bの各々は、コリメートレンズアレイ184により平行光化され、集光レンズ120によって集光されて、マルチモード光ファイバ130のコア130aに入射する。コア130aに入射したレーザ光は、光ファイバ内を伝搬し、1本に合波されて出射する。前記合波レーザ光源は、上記の通り、マルチキャビティレーザの多段配置とコリメートレンズのアレイ化とにより、特に高出力化を図ることができる。この合波レーザ光源を用いることにより、より高輝度なファイバアレイ光源やバンドルファイバ光源を構成することができるので、本発明のパターン形成装置のレーザ光源を構成するファイバ光源として特に好適である。なお、前記各合波レーザ光源をケーシング内に収納し、マルチモード光ファイバ130の出射端部をそのケーシングから引き出したレーザモジュールを構成することができる。また、合波レーザ光源のマルチモード光ファイバの出射端に、コア径がマルチモード光ファイバと同一で且つクラッド径がマルチモード光ファイバより小さい他の光ファイバを結合してファイバアレイ光源の高輝度化を図る例について説明したが、例えば、クラッド径が125μm、80μm、60μm等のマルチモード光ファイバを、出射端に他の光ファイバを結合せずに使用してもよい。ここで、本発明の前記パターン形成方法について更に説明する。スキャナ162の各露光ヘッド166において、ファイバアレイ光源66の合波レーザ光源を構成するGaN系半導体レーザLD1~LD7の各々から発散光状態で出射したレーザ光B1,B2,B3,B4,B5,B6,及びB7の各々は、対応するコリメータレンズ11~17によって平行光化される。平行光化されたレーザ光B1~B7は、集光レンズ20によって集光され、マルチモード光ファイバ30のコア30aの入射端面に収束する。本例では、コリメータレンズ11~17及び集光レンズ20によって集光光学系が構成され、その集光光学系とマルチモード光ファイバ30とによって合波光学系が構成されている。即ち、集光レンズ20によって上述のように集光されたレーザ光B1~B7が、このマルチモード光ファイバ30のコア30aに入射して光ファイバ内を伝搬し、1本のレーザ光Bに合波されてマルチモード光ファイバ30の出射端部に結合された光ファイバ31から出射する。各レーザモジュールにおいて、レーザ光B1~B7のマルチモード光ファイバ30への結合効率が0.85で、GaN系半導体レーザLD1~LD7の各出力が30mWの場合には、アレイ状に配列された光ファイバ31の各々について、出力180mW=30mW×0.85×7の合波レーザ光Bを得ることができる。従って、6本の光ファイバ31がアレイ状に配列されたレーザ出射部68での出力は約1W=180mW×6である。ファイバアレイ光源66のレーザ出射部68には、この通り高輝度の発光点が主走査方向に沿って一列に配列されている。単一の半導体レーザからのレーザ光を1本の光ファイバに結合させる従来のファイバ光源は低出力であるため、多数列配列しなければ所望の出力を得ることができなかったが、前記合波レーザ光源は高出力であるため、少数列、例えば1列でも所望の出力を得ることができる。例えば、半導体レーザと光ファイバを1対1で結合させた従来のファイバ光源では、通常、半導体レーザとしては出力30mWミリワット程度のレーザが使用され、光ファイバとしてはコア径50μm、クラッド径125μm、NA開口数0.2のマルチモード光ファイバが使用されているので、約1Wワットの出力を得ようとすれば、マルチモード光ファイバを48本8×6束ねなければならず、発光領域の面積は0.62mm20.675mm×0.925mmであるから、レーザ出射部68での輝度は1.6×106W/m2、光ファイバ1本当りの輝度は3.2×106W/m2である。これに対し、前記光照射手段が合波レーザを照射可能な手段である場合には、マルチモード光ファイバ6本で約1Wの出力を得ることができ、レーザ出射部68での発光領域の面積は0.0081mm20.325mm×0.025mmであるから、レーザ出射部68での輝度は123×106W/m2となり、従来に比べ約80倍の高輝度化を図ることができる。また、光ファイバ1本当りの輝度は90×106W/m2であり、従来に比べ約28倍の高輝度化を図ることができる。ここで、図37A及びBを参照して、従来の露光ヘッドと本実施の形態の露光ヘッドとの焦点深度の違いについて説明する。従来の露光ヘッドのバンドル状ファイバ光源の発光領域の副走査方向の径は0.675mmであり、露光ヘッドのファイバアレイ光源の発光領域の副走査方向の径は0.025mmである。図37Aに示すように、従来の露光ヘッドでは、光照射手段バンドル状ファイバ光源1の発光領域が大きいので、DMD3へ入射する光束の角度が大きくなり、結果として走査面5へ入射する光束の角度が大きくなる。このため、集光方向ピント方向のずれに対してビーム径が太りやすい。一方、図37Bに示すように、本発明のパターン形成装置における露光ヘッドでは、ファイバアレイ光源66の発光領域の副走査方向の径が小さいので、レンズ系67を通過してDMD50へ入射する光束の角度が小さくなり、結果として走査面56へ入射する光束の角度が小さくなる。即ち、焦点深度が深くなる。この例では、発光領域の副走査方向の径は従来の約30倍になっており、略回折限界に相当する焦点深度を得ることができる。従って、微小スポットの露光に好適である。この焦点深度への効果は、露光ヘッドの必要光量が大きいほど顕著であり、有効である。この例では、露光面に投影された1描素サイズは10μm×10μmである。なお、DMDは反射型の空間光変調素子であるが、図37A及びBは、光学的な関係を説明するために展開図とした。露光パターンに応じたパターン情報が、DMD50に接続された図示しないコントローラに入力され、コントローラ内のフレームメモリに一旦記憶される。このパターン情報は、画像を構成する各描素の濃度を2値ドットの記録の有無で表したデータである。パターン形成材料150を表面に吸着したステージ152は、図示しない駆動装置により、ガイド158に沿ってゲート160の上流側から下流側に一定速度で移動される。ステージ152がゲート160下を通過する際に、ゲート160に取り付けられた検知センサ164によりパターン形成材料150の先端が検出されると、フレームメモリに記憶されたパターン情報が複数ライン分ずつ順次読み出され、データ処理部で読み出されたパターン情報に基づいて各露光ヘッド166毎に制御信号が生成される。そして、ミラー駆動制御部により、生成された制御信号に基づいて露光ヘッド166毎にDMD50のマイクロミラーの各々がオンオフ制御される。ファイバアレイ光源66からDMD50にレーザ光が照射されると、DMD50のマイクロミラーがオン状態のときに反射されたレーザ光は、レンズ系54、58によりパターン形成材料150の被露光面56上に結像される。このようにして、ファイバアレイ光源66から出射されたレーザ光が描素毎にオンオフされて、パターン形成材料150がDMD50の使用描素数と略同数の描素単位露光エリア168で露光される。また、パターン形成材料150がステージ152と共に一定速度で移動されることにより、パターン形成材料150がスキャナ162によりステージ移動方向と反対の方向に副走査され、露光ヘッド166毎に帯状の露光済み領域170が形成される。<マイクロレンズアレイ>前記露光は、前記変調させた光を、マイクロレンズアレイを通して行うことが好ましく、更にアパーチャアレイ、結像光学系等などを通して行ってもよい。前記マイクロレンズアレイとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記描素部における出射面の歪みによる収差を補正可能な非球面を有するマイクロレンズを配列したもの、前記描素部の周辺部からの光を入射させないレンズ開口形状を有するマイクロレンズを配列したものが、好適に挙げられる。前記非球面としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、トーリック面が好ましい。以下、前記マイクロレンズアレイ、前記アパーチャアレイ、及び前記結像光学系等について図面を参照しながら説明する。図13Aは、DMD50、DMD50にレーザ光を照射する光照射手段144、DMD50で反射されたレーザ光を拡大して結像するレンズ系結像光学系454、458、DMD50の各描素部に対応して多数のマイクロレンズ474が配置されたマイクロレンズアレイ472、マイクロレンズアレイ472の各マイクロレンズに対応して多数のアパーチャ478が設けられたアパーチャアレイ476、アパーチャを通過したレーザ光を被露光面56に結像するレンズ系結像光学系480、482で構成される露光ヘッドを表す。ここで図14に、DMD50を構成するマイクロミラー62の反射面の平面度を測定した結果を示す。同図においては、反射面の同じ高さ位置を等高線で結んで示してあり、等高線のピッチは5nmである。なお同図に示すx方向及びy方向は、マイクロミラー62の2つ対角線方向であり、マイクロミラー62はy方向に延びる回転軸を中心として前述のように回転する。また、図15のA及びBにはそれぞれ、上記x方向、y方向に沿ったマイクロミラー62の反射面の高さ位置変位を示す。図14及び図15に示した通り、マイクロミラー62の反射面には歪みが存在し、そして特にミラー中央部に注目してみると、1つの対角線方向y方向の歪みが、別の対角線方向x方向の歪みよりも大きくなっている。このため、マイクロレンズアレイ55のマイクロレンズ55aで集光されたレーザ光Bの集光位置における形状が歪むという問題が発生し得る。本発明のパターン形成方法においては前記問題を防止するために、マイクロレンズアレイ55のマイクロレンズ55aが、従来とは異なる特殊な形状とされている。以下、その点について詳しく説明する。図16のA及びBはそれぞれ、マイクロレンズアレイ55全体の正面形状及び側面形状を詳しく示すものである。これらの図にはマイクロレンズアレイ55の各部の寸法も記入してあり、それらの単位はmmである。本発明のパターン形成方法では、先に図4を参照して説明したようにDMD50の1024個×256列のマイクロミラー62が駆動されるものであり、それに対応させてマイクロレンズアレイ55は、横方向に1024個並んだマイクロレンズ55aの列を縦方向に256列並設して構成されている。なお、同図Aでは、マイクロレンズアレイ55の並び順を横方向についてはjで、縦方向についてはkで示している。また、図17のA及びBはそれぞれ、マイクロレンズアレイ55における1つのマイクロレンズ55aの正面形状及び側面形状を示すものである。なお同図Aには、マイクロレンズ55aの等高線を併せて示してある。各マイクロレンズ55aの光出射側の端面は、マイクロミラー62の反射面の歪みによる収差を補正する非球面形状とされている。より具体的には、マイクロレンズ55aはトーリックレンズとされており、上記x方向に光学的に対応する方向の曲率半径Rx=-0.125mm、上記y方向に対応する方向の曲率半径Ry=-0.1mmである。したがって、上記x方向及びy方向に平行な断面内におけるレーザ光Bの集光状態は、概略、それぞれ図18のA及びBに示す通りとなる。つまり、x方向に平行な断面内とy方向に平行な断面内とを比較すると、後者の断面内の方がマイクロレンズ55aの曲率半径がより小であって、焦点距離がより短くなっている。マイクロレンズ55aを前記形状とした場合の、該マイクロレンズ55aの集光位置焦点位置近傍におけるビーム径を計算機によってシミュレーションした結果を図19a、b、c、及びdに示す。また比較のために、マイクロレンズ55aが曲率半径Rx=Ry=-0.1mmの球面形状である場合について、同様のシミュレーションを行った結果を図20a、b、c及びdに示す。なお、各図におけるzの値は、マイクロレンズ55aのピント方向の評価位置を、マイクロレンズ55aのビーム出射面からの距離で示している。また、前記シミュレーションに用いたマイクロレンズ55aの面形状は、下記計算式で計算される。但し、前記計算式において、Cxは、x方向の曲率=1/Rxを意味し、Cyは、y方向の曲率=1/Ryを意味し、Xは、x方向に関するレンズ光軸Oからの距離を意味し、Yは、y方向に関するレンズ光軸Oからの距離を意味する。図19a~dと図20a~dとを比較すると明らかなように、本発明のパターン形成方法ではマイクロレンズ55aを、y方向に平行な断面内の焦点距離がx方向に平行な断面内の焦点距離よりも小さいトーリックレンズとしたことにより、その集光位置近傍におけるビーム形状の歪みが抑制される。そうであれば、歪みの無い、より高精細な画像をパターン形成材料150に露光可能となる。また、図19a~dに示す本実施形態の方が、ビーム径の小さい領域がより広い、すなわち焦点深度がより大であることが分かる。なお、マイクロミラー62のx方向及びy方向に関する中央部の歪の大小関係が、上記と逆になっている場合は、x方向に平行な断面内の焦点距離がy方向に平行な断面内の焦点距離よりも小さいトーリックレンズからマイクロレンズを構成すれば、同様に、歪みの無い、より高精細な画像をパターン形成材料150に露光可能となる。また、マイクロレンズアレイ55の集光位置近傍に配置されたアパーチャアレイ59は、その各アパーチャ59aに、それと対応するマイクロレンズ55aを経た光のみが入射するように配置されたものである。すなわち、このアパーチャアレイ59が設けられていることにより、各アパーチャ59aに、それと対応しない隣接のマイクロレンズ55aからの光が入射することが防止され、消光比が高められる。本来、上記目的で設置されるアパーチャアレイ59のアパーチャ59aの径をある程度小さくすれば、マイクロレンズ55aの集光位置におけるビーム形状の歪みを抑制する効果も得られる。しかしそのようにした場合は、アパーチャアレイ59で遮断される光量がより多くなり、光利用効率が低下することになる。それに対してマイクロレンズ55aを非球面形状とする場合は、光を遮断することがないので、光利用効率も高く保たれる。なお、本発明のパターン形成方法においては、マイクロミラー62の2つの対角線方向に光学的に対応するx方向およびy方向の曲率が異なるトーリックレンズであるマイクロレンズ55aが適用されているが、マイクロミラー62の歪みに応じて、図38A、Bにそれぞれ等高線付き正面形状、側面形状を示すように、矩形のマイクロミラー62の2つの辺方向に光学的に対応するxx方向およびyy方向の曲率が互いに異なるトーリックレンズからなるマイクロレンズ55a’が適用されてもよい。また、本発明のパターン形成方法において、マイクロレンズ55aは、2次の非球面形状であってもよく、より高次4次、6次の非球面形状であってもよい。前記高次の非球面形状を採用することにより、ビーム形状をさらに高精細にすることができる。さらには、マイクロミラー62の反射面の歪みに応じて、前述したx方向及びy方向の曲率が互いに一致しているようなレンズ形状を採用することも可能である。以下、そのようなレンズ形状の例について詳しく説明する。図39A、Bにそれぞれ等高線付き正面形状、側面形状を示すマイクロレンズ55aは、x方向及びy方向の曲率が互いに等しく、かつ、該曲率が、球面レンズの曲率Cyをレンズ中心からの距離hに応じて補正したものとなっている。すなわち、このマイクロレンズ55aのレンズ形状の基となる球面レンズ形状は、例えば、下記計算式数2でレンズ高さレンズ曲面の光軸方向位置zを規定したものを採用する。なお、上記曲率Cy=1/0.1mmである場合の、レンズ高さzと距離hとの関係をグラフにして図40に示す。そして、上記球面レンズ形状の曲率Cyをレンズ中心からの距離hに応じて下記計算式数3のように補正して、マイクロレンズ55aのレンズ形状とする。前記計算式数3においても、zの意味するところは上述の計算式数2と同じであり、ここでは4次係数aおよび6次係数bを用いて曲率Cyを補正している。なお、上記曲率Cy=1/0.1mm、4次係数a=1.2×103、6次係数a=5.5×107である場合の、レンズ高さzと距離hとの関係をグラフにして図41に示す。また、以上説明した実施形態では、マイクロレンズ55aの光出射側の端面が非球面トーリック面とされているが、2つの光通過端面の一方を球面とし、他方をシリンドリカル面としたマイクロレンズからマイクロレンズアレイを構成して、上記実施形態と同様の効果を得ることもできる。さらに、以上説明した実施形態においては、マイクロレンズアレイ55のマイクロレンズ55aが、マイクロミラー62の反射面の歪みによる収差を補正する非球面形状とされているが、このような非球面形状を採用する代わりに、マイクロレンズアレイを構成する各マイクロレンズに、マイクロミラー62の反射面の歪みによる収差を補正する屈折率分布を持たせても、同様の効果を得ることができる。そのようなマイクロレンズ155aの一例を図22に示す。同図のA及びBはそれぞれ、このマイクロレンズ155aの正面形状及び側面形状を示すものであり、図示の通りこのマイクロレンズ155aの外形形状は平行平板状である。なお、同図におけるx、y方向は、既述した通りである。また、図23のA及びBは、このマイクロレンズ155aによる上記x方向及びy方向に平行な断面内におけるレーザ光Bの集光状態を概略的に示している。このマイクロレンズ155aは、光軸Oから外方に向かって次第に増大する屈折率分布を有するものであり、同図においてマイクロレンズ155a内に示す破線は、その屈折率が光軸Oから所定の等ピッチで変化した位置を示している。図示の通り、x方向に平行な断面内とy方向に平行な断面内とを比較すると、後者の断面内の方がマイクロレンズ155aの屈折率変化の割合がより大であって、焦点距離がより短くなっている。このような屈折率分布型レンズから構成されるマイクロレンズアレイを用いても、前記マイクロレンズアレイ55を用いる場合と同様の効果を得ることが可能である。なお、先に図17及び図18に示したマイクロレンズ55aのように面形状を非球面としたマイクロレンズにおいて、併せて上述のような屈折率分布を与え、面形状と屈折率分布の双方によって、マイクロミラー62の反射面の歪みによる収差を補正するようにしてもよい。次に、前記マイクロレンズアレイの他の一例について図面を参照しながら説明する。本例のマイクロレンズアレイは、図42に示すように、前記描素部の周辺部からの光を入射させないレンズ開口形状を有するマイクロレンズを配列してなる。先に図14及び図15を参照して説明した通り、DMD50のマイクロミラー62の反射面には歪みが存在するが、その歪み変化量はマイクロミラー62の中心から周辺部に行くにつれて次第に大きくなる傾向を有している。そしてマイクロミラー62の1つの対角線方向y方向の周辺部歪み変化量は、別の対角線方向x方向の周辺部歪み変化量と比べて大きく、上記の傾向もより顕著となっている。本例のマイクロアレイレンズは、上述の問題に対処するために適用されたものである。このマイクロレンズアレイ255は、アレイ状に配設されたマイクロレンズ255aが円形のレンズ開口を有するものとされている。そこで、上述のように歪みが大きいマイクロミラー62の反射面の周辺部、特に、四隅部で反射したレーザ光Bはマイクロレンズ255aによって集光されなくなり、集光されたレーザ光Bの集光位置における形状が歪んでしまうことを防止できる。したがって、歪みの無い、より高精細な画像をパターン形成材料150に露光可能となる。また前記マイクロアレイレンズ255においては、図42に示した通り、マイクロレンズ255aを保持している透明部材255bこれは通常、マイクロレンズ255aと一体的に形成されるの裏面、つまりマイクロレンズ255aが形成されている面と反対側の面に、互いに離れた複数のマイクロレンズ255aのレンズ開口の外側領域を埋める状態にして、遮光性のマスク255cが形成されている。このようなマスク255cが設けられていることにより、マイクロミラー62の反射面の周辺部、特に四隅部で反射したレーザ光Bはそこで吸収、遮断されるので、集光されたレーザ光Bの形状が歪んでしまうという問題がより確実に防止される。前記マイクロアレイレンズ255において、マイクロレンズの開口形状は上述した円形に限られるものではなく、例えば図43に示すように、楕円形の開口を有するマイクロレンズ455aを複数並設してなるマイクロレンズアレイ455や、図44に示すように多角形図示の例では四角形の開口を有するマイクロレンズ555aを複数並設してなるマイクロレンズアレイ555等を適用することもできる。なお上記マイクロレンズ455aおよび555aは、通常の軸対称球面レンズの一部を円形あるいは多角形に切り取った形のものであり、通常の軸対称球面レンズと同様の集光機能を有する。さらに、本発明においては、図45のA、BおよびCに示すようなマイクロレンズアレイを適用することも可能である。同図Aに示すマイクロレンズアレイ655は、透明部材655bのレーザ光Bが出射する側の面に、上記マイクロレンズ55a、455aおよび555aと同様の複数のマイクロレンズ655aが互いに密接するように並設され、レーザ光Bが入射する側の面に上記マスク255cと同様のマスク655cが形成されてなる。なお、図42のマスク255cはレンズ開口の外側部分に形成されているのに対し、このマスク655cはレンズ開口内に設けられている。また同図Bに示すマイクロレンズアレイ755は、透明部材455bのレーザ光Bが出射する側の面に、互いに離して複数のマイクロレンズ755aが並設され、それらのマイクロレンズ755a間にマスク755cが形成されてなる。また同図Cに示すマイクロレンズアレイ855は、透明部材855bのレーザ光Bが出射する側の面に、互いに接する状態にして複数のマイクロレンズ855aが並設され、各マイクロレンズ855aの周辺部にマスク855cが形成されてなる。なお、前記マスク655c、755cおよび855cは全て、前述のマスク255cと同様に円形の開口を有するものであり、それによりマイクロレンズの開口が円形に規定されるようになっている。以上説明したマイクロレンズ255a、455a、555a、655aおよび755aのように、マスクを設ける等によって、DMD50のマイクロミラー62の周辺部からの光を入射させないレンズ開口形状とする構成は、図17に示す既述のマイクロレンズ55aのようにマイクロミラー62の面の歪みによる収差を補正する非球面形状のレンズや、図22に示すマイクロレンズ155aのように上記収差を補正する屈折率分布を有するレンズに併せて採用することも可能である。そのようにすれば、マイクロミラー62の反射面の歪みによる露光画像の歪みを防止する効果が相乗的に高められる。特に、図45Cに示すように、マイクロレンズアレイ855におけるマイクロレンズ855aのレンズ面にマスク855cが形成される構成において、マイクロレンズ855aが上述のような非球面形状や屈折率分布を有するものとされ、その上で、例えば、図11に示したレンズ系52、54のような第1結像光学系の結像位置が、マイクロレンズ855aのレンズ面に設定されているときは、特に光利用効率が高くなり、より高強度の光でパターン形成材料150を露光することができる。すなわち、そのときは、第1の結像光学系により、マイクロミラー62の反射面の歪みによる迷光が該光学系の結像位置で1点に集束するように光が屈折するが、この位置にマスク855cが形成されていれば、迷光以外の光が遮光されることがなくなり、光利用効率が向上する。また、上記の各マイクロレンズアレイの例では、DMD50を構成するマイクロミラー62の反射面の歪みによる収差を補正しているが、DMD以外の空間光変調素子を用いる本発明のパターン形成方法においても、その空間光変調素子の描素部の面に歪みが存在する場合は、本発明を適用してその歪みによる収差を補正し、ビーム形状に歪みが生じることを防止可能である。次に、前記結像光学系について更に説明する。前記露光ヘッドでは、光照射手段144からレーザ光が照射されると、DMD50によりオン方向に反射される光束線の断面積が、レンズ系454、458により数倍例えば、2倍に拡大される。拡大されたレーザ光は、マイクロレンズアレイ472の各マイクロレンズによりDMD50の各描素部に対応して集光され、アパーチャアレイ476の対応するアパーチャを通過する。アパーチャを通過したレーザ光は、レンズ系480、482により被露光面56上に結像される。この結像光学系では、DMD50により反射されたレーザ光は、拡大レンズ454、458により数倍に拡大されて被露光面56に投影されるので、全体の画像領域が広くなる。このとき、マイクロレンズアレイ472及びアパーチャアレイ476が配置されていなければ、図13Bに示すように、被露光面56に投影される各ビームスポットBSの1描素サイズスポットサイズが露光エリア468のサイズに応じて大きなものとなり、露光エリア468の鮮鋭度を表すMTFModulationTransferFunction特性が低下する。一方、マイクロレンズアレイ472及びアパーチャアレイ476を配置した場合には、DMD50により反射されたレーザ光は、マイクロレンズアレイ472の各マイクロレンズによりDMD50の各描素部に対応して集光される。これにより、図13Cに示すように、露光エリアが拡大された場合でも、各ビームスポットBSのスポットサイズを所望の大きさ例えば、10μm×10μmに縮小することができ、MTF特性の低下を防止して高精細な露光を行うことができる。なお、露光エリア468が傾いているのは、描素間の隙間を無くす為にDMD50を傾けて配置しているからである。また、マイクロレンズの収差によるビームの太りがあっても、アパーチャアレイによって被露光面56上でのスポットサイズが一定の大きさになるようにビームを整形することができると共に、各描素に対応して設けられたアパーチャアレイを通過させることにより、隣接する描素間でのクロストークを防止することができる。更に、光照射手段144に後述する高輝度光源を使用することにより、レンズ458からマイクロレンズアレイ472の各マイクロレンズに入射する光束の角度が小さくなるので、隣接する描素の光束の一部が入射するのを防止することができる。即ち、高消光比を実現することができる。<その他の光学系>本発明のパターン形成方法では、公知の光学系の中から適宜選択したその他の光学系と併用してもよく、例えば、1対の組合せレンズからなる光量分布補正光学系などが挙げられる。前記光量分布補正光学系は、光軸に近い中心部の光束幅に対する周辺部の光束幅の比が入射側に比べて出射側の方が小さくなるように各出射位置における光束幅を変化させて、光照射手段からの平行光束をDMDに照射するときに、被照射面での光量分布が略均一になるように補正する。以下、前記光量分布補正光学系について図面を参照しながら説明する。まず、図24Aに示したように、入射光束と出射光束とで、その全体の光束幅全光束幅H0、H1が同じである場合について説明する。なお、図24Aにおいて、符号51、52で示した部分は、前記光量分布補正光学系における入射面及び出射面を仮想的に示したものである。前記光量分布補正光学系において、光軸Z1に近い中心部に入射した光束と、周辺部に入射した光束とのそれぞれの光束幅h0、h1が、同一であるものとするh0=hl。前記光量分布補正光学系は、入射側において同一の光束幅h0,h1であった光に対し、中心部の入射光束については、その光束幅h0を拡大し、逆に、周辺部の入射光束に対してはその光束幅h1を縮小するような作用を施す。すなわち、中心部の出射光束の幅h10と、周辺部の出射光束の幅h11とについて、h11<h10となるようにする。光束幅の比率で表すと、出射側における中心部の光束幅に対する周辺部の光束幅の比h11/h10が、入射側における比h1/h0=1に比べて小さくなっているh11/h10<1。このように光束幅を変化させることにより、通常では光量分布が大きくなっている中央部の光束を、光量の不足している周辺部へと生かすことができ、全体として光の利用効率を落とさずに、被照射面での光量分布が略均一化される。均一化の度合いは、例えば、有効領域内における光量ムラが30以内、好ましくは20以内となるようにする。前記光量分布補正光学系による作用、効果は、入射側と出射側とで、全体の光束幅を変える場合図24B,Cにおいても同様である。図24Bは、入射側の全体の光束幅H0を、幅H2に縮小して出射する場合H0>H2を示している。このような場合においても、前記光量分布補正光学系は、入射側において同一の光束幅h0、h1であった光を、出射側において、中央部の光束幅h10が周辺部に比べて大きくなり、逆に、周辺部の光束幅h11が中心部に比べて小さくなるようにする。光束の縮小率で考えると、中心部の入射光束に対する縮小率を周辺部に比べて小さくし、周辺部の入射光束に対する縮小率を中心部に比べて大きくするような作用を施している。この場合にも、中心部の光束幅に対する周辺部の光束幅の比H11/H10が、入射側における比h1/h0=1に比べて小さくなるh11/h10<1。図24Cは、入射側の全体の光束幅H0を、幅Η3に拡大して出射する場合H0<H3を示している。このような場合においても、前記光量分布補正光学系は、入射側において同一の光束幅h0、h1であった光を、出射側において、中央部の光束幅h10が周辺部に比べて大きくなり、逆に、周辺部の光束幅h11が中心部に比べて小さくなるようにする。光束の拡大率で考えると、中心部の入射光束に対する拡大率を周辺部に比べて大きくし、周辺部の入射光束に対する拡大率を中心部に比べて小さくするような作用を施している。この場合にも、中心部の光束幅に対する周辺部の光束幅の比h11/h10が、入射側における比h1/h0=1に比べて小さくなるh11/h10<1。このように、前記光量分布補正光学系は、各出射位置における光束幅を変化させ、光軸Z1に近い中心部の光束幅に対する周辺部の光束幅の比を入射側に比べて出射側の方が小さくなるようにしたので、入射側において同一の光束幅であった光が、出射側においては、中央部の光束幅が周辺部に比べて大きくなり、周辺部の光束幅は中心部に比べて小さくなる。これにより、中央部の光束を周辺部へと生かすことができ、光学系全体としての光の利用効率を落とさずに、光量分布の略均一化された光束断面を形成することができる。次に、前記光量分布補正光学系として使用する1対の組合せレンズの具体的なレンズデータの1例を示す。この例では、前記光照射手段がレーザアレイ光源である場合のように、出射光束の断面での光量分布がガウス分布である場合のレンズデータを示す。なお、シングルモード光ファイバの入射端に1個の半導体レーザを接続した場合には、光ファイバからの射出光束の光量分布がガウス分布になる。本発明のパターン形成方法では、このような場合の適用も可能である。また、マルチモード光ファイバのコア径を小さくしてシングルモード光ファイバの構成に近付ける等により光軸に近い中心部の光量が周辺部の光量よりも大きい場合にも適用可能である。下記表1に基本レンズデータを示す。表1から分かるように、1対の組合せレンズは、回転対称の2つの非球面レンズから構成されている。光入射側に配置された第1のレンズの光入射側の面を第1面、光出射側の面を第2面とすると、第1面は非球面形状である。また、光出射側に配置された第2のレンズの光入射側の面を第3面、光出射側の面を第4面とすると、第4面が非球面形状である。表1において、面番号Siはi番目i=1~4の面の番号を示し、曲率半径riはi番目の面の曲率半径を示し、面間隔diはi番目の面とi1番目の面との光軸上の面間隔を示す。面間隔di値の単位はミリメートルmmである。屈折率Niはi番目の面を備えた光学要素の波長405nmに対する屈折率の値を示す。下記表2に、第1面及び第4面の非球面データを示す。上記の非球面データは、非球面形状を表す下記式Aにおける係数で表される。上記式Aにおいて各係数を以下の通り定義する。Z:光軸から高さρの位置にある非球面上の点から、非球面の頂点の接平面光軸に垂直な平面に下ろした垂線の長さmmρ:光軸からの距離mmK:円錐係数C:近軸曲率1/r、r:近軸曲率半径ai:第i次i=3~10の非球面係数表2に示した数値において、記号Eは、その次に続く数値が10を底としたべき指数′′であることを示し、その10を底とした指数関数で表される数値がEの前の数値に乗算されることを示す。例えば、1.0E-02であれば、1.0×10-2であることを示す。図26は、前記表1及び表2に示す1対の組合せレンズによって得られる照明光の光量分布を示している。横軸は光軸からの座標を示し、縦軸は光量比を示す。なお、比較のために、図25に、補正を行わなかった場合の照明光の光量分布ガウス分布を示す。図25及び図26から分かるように、光量分布補正光学系で補正を行うことにより、補正を行わなかった場合と比べて、略均一化された光量分布が得られている。これにより、光の利用効率を落とさずに、均一なレーザ光でムラなく露光を行うことができる。[その他工程]前記その他の工程としては、特に制限はなく、公知のパターン形成における工程の中から適宜選択することが挙げられるが、例えば、現像工程、エッチング工程、メッキ工程などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。前記現像工程は、前記露光工程により前記パターン形成材料における感光層を露光し、該感光層の露光した領域を硬化させた後、未硬化領域を除去することにより現像し、パターンを形成する工程である。前記現像工程は、例えば、現像手段により好適に実施することができる。前記現像手段としては、現像液を用いて現像することができる限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記現像液を噴霧する手段、前記現像液を塗布する手段、前記現像液に浸漬させる手段などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。また、前記現像手段は、前記現像液を交換する現像液交換手段、前記現像液を供給する現像液供給手段などを有していてもよい。前記現像液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、アルカリ性液、水系現像液、有機溶剤などが挙げられ、これらの中でも、弱アルカリ性の水溶液が好ましい。該弱アルカリ性液の塩基成分としては、例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム、ピロリン酸ナトリウム、ピロリン酸カリウム、硼砂などが挙げられる。前記弱アルカリ性の水溶液のpHとしては、例えば、約8~12が好ましく、約9~11がより好ましい。前記弱アルカリ性の水溶液としては、例えば、0.1~5質量の炭酸ナトリウム水溶液又は炭酸カリウム水溶液などが挙げられる。前記現像液の温度としては、前記感光層の現像性に合わせて適宜選択することができるが、例えば、約25°C~40°Cが好ましい。前記現像液は、界面活性剤、消泡剤、有機塩基例えば、エチレンジアミン、エタノールアミン、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、ジエチレントリアミン、トリエチレンペンタミン、モルホリン、トリエタノールアミン等や、現像を促進させるため有機溶剤例えば、アルコール類、ケトン類、エステル類、エーテル類、アミド類、ラクトン類等などと併用してもよい。また、前記現像液は、水又はアルカリ水溶液と有機溶剤を混合した水系現像液であってもよく、有機溶剤単独であってもよい。前記エッチング工程としては、公知のエッチング処理方法の中から適宜選択した方法により行うことができる。前記エッチング処理に用いられるエッチング液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記金属層が銅で形成されている場合には、塩化第二銅溶液、塩化第二鉄溶液、アルカリエッチング溶液、過酸化水素系エッチング液などが挙げられ、これらの中でも、エッチングファクターの点から塩化第二鉄溶液が好ましい。前記エッチング工程によりエッチング処理した後に前記パターンを除去することにより、前記基体の表面に永久パターンを形成することができる。前記永久パターンとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、配線パターンなどが好適に挙げられる。前記メッキ工程としては、公知のメッキ処理の中から適宜選択した適宜選択した方法により行うことができる。前記メッキ処理としては、例えば、硫酸銅メッキ、ピロリン酸銅メッキ等の銅メッキ、ハイフローハンダメッキ等のはんだメッキ、ワット浴硫酸ニッケル-塩化ニッケルメッキ、スルファミン酸ニッケル等のニッケルメッキ、ハード金メッキ、ソフト金メッキ等の金メッキなど処理が挙げられる。前記メッキ工程によりメッキ処理した後に前記パターンを除去することにより、また更に必要に応じて不要部をエッチング処理等で除去することにより、前記基体の表面に永久パターンを形成することができる。プリント配線板及びカラーフィルタの製造方法本発明の前記パターン形成方法は、プリント配線板の製造、特にスルーホール又はビアホールなどのホール部を有するプリント配線板の製造、及び、カラーフィルタの製造に好適に使用することができる。以下、本発明のパターン形成方法を利用したプリント配線板の製造方法及びカラーフィルタの製造方法の一例について説明する。-プリント配線板の製造方法-特に、スルーホール又はビアホールなどのホール部を有するプリント配線板の製造方法としては、1前記基体としてホール部を有するプリント配線板形成用基板上に、前記パターン形成材料を、その感光層が前記基体側となる位置関係にて積層して積層体形成し、2前記積層体の前記基体とは反対の側から、所望の領域に光照射行い感光層を硬化させ、3前記積層体から前記パターン形成材料における支持体を除去し、4前記積層体における感光層を現像して、該積層体中の未硬化部分を除去することによりパターンを形成することができる。なお、前記3における前記支持体の除去は、前記2と前記4との間で行う代わりに、前記1と前記2との間で行ってもよい。その後、プリント配線板を得るには、前記形成したパターンを用いて、前記プリント配線板形成用基板をエッチング処理又はメッキ処理する方法例えば、公知のサブトラクティブ法又はアディティブ法例えば、セミアディティブ法、フルアディティブ法により処理すればよい。これらの中でも、工業的に有利なテンティングでプリント配線板を形成するためには、前記サブトラクティブ法が好ましい。前記処理後プリント配線板形成用基板に残存する硬化樹脂は剥離させ、また、前記セミアディティブ法の場合は、剥離後さらに銅薄膜部をエッチングすることにより、所望のプリント配線板を製造することができる。また、多層プリント配線板も、前記プリント配線板の製造法と同様に製造が可能である。次に、前記パターン形成材料を用いたスルーホールを有するプリント配線板の製造方法について、更に説明する。まずスルーホールを有し、表面が金属メッキ層で覆われたプリント配線板形成用基板を用意する。前記プリント配線板形成用基板としては、例えば、銅張積層基板及びガラス-エポキシなどの絶縁基材に銅メッキ層を形成した基板、又はこれらの基板に層間絶縁膜を積層し、銅メッキ層を形成した基板積層基板を用いることができる。次に、前記パターン形成材料上に保護フィルムを有する場合には、該保護フィルムを剥離して、前記パターン形成材料における感光層が前記プリント配線板形成用基板の表面に接するようにして加圧ローラを用いて圧着する積層工程。これにより、前記プリント配線板形成用基板と前記積層体とをこの順に有する積層体が得られる。前記パターン形成材料の積層温度としては、特に制限はなく、例えば、室温15~30°C、又は加熱下30~180°Cが挙げられ、これらの中でも、加温下60~140°Cが好ましい。前記圧着ロールのロール圧としては、特に制限はなく、例えば、0.1~1MPaが好ましい。前記圧着の速度としては、特に制限はなく、1~3m/分が好ましい。また、前記プリント配線板形成用基板を予備加熱しておいてもよく、また、減圧下で積層してもよい。前記積層体の形成は、前記プリント配線板形成用基板上に前記パターン形成材料を積層してもよく、また、前記パターン形成材料製造用の感光性樹脂組成物溶液などを前記プリント配線板形成用基板の表面に直接塗布し、乾燥させることにより前記プリント配線板形成用基板上に感光層及び支持体を積層してもよい。次に、前記積層体の基体とは反対側の面から、光を照射して感光層を硬化させる。なおこの際、必要に応じて例えば、支持体の光透過性が不十分な場合など前記支持体を剥離してから露光を行ってもよい。この時点で、前記支持体を未だ剥離していない場合には、前記積層体から前記支持体を剥離する剥離工程。次に、前記プリント配線板形成用基板上の感光層の未硬化領域を、適当な現像液にて溶解除去して、配線パターン形成用の硬化層とスルーホールの金属層保護用硬化層のパターンを形成し、前記プリント配線板形成用基板の表面に金属層を露出させる現像工程。また、現像後に必要に応じて後加熱処理や後露光処理によって、硬化部の硬化反応を更に促進させる処理をおこなってもよい。現像は上記のようなウエット現像法であってもよく、ドライ現像法であってもよい。次いで、前記プリント配線板形成用基板の表面に露出した金属層をエッチング液で溶解除去するエッチング工程。スルーホールの開口部は、硬化樹脂組成物テント膜で覆われているので、エッチング液がスルーホール内に入り込んでスルーホール内の金属メッキを腐食することなく、スルーホールの金属メッキは所定の形状で残ることになる。これより、前記プリント配線板形成用基板に配線パターンが形成される。前記エッチング液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記金属層が銅で形成されている場合には、塩化第二銅溶液、塩化第二鉄溶液、アルカリエッチング溶液、過酸化水素系エッチング液などが挙げられ、これらの中でも、エッチングファクターの点から塩化第二鉄溶液が好ましい。次に、強アルカリ水溶液などにて前記硬化層を剥離片として、前記プリント配線板形成用基板から除去する硬化物除去工程。前記強アルカリ水溶液における塩基成分としては、特に制限はなく、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどが挙げられる。前記強アルカリ水溶液のpHとしては、例えば、約12~14が好ましく、約13~14がより好ましい。前記強アルカリ水溶液としては、特に制限はなく、例えば、1~10質量の水酸化ナトリウム水溶液又は水酸化カリウム水溶液などが挙げられる。また、プリント配線板は、多層構成のプリント配線板であってもよい。なお、前記パターン形成材料は上記のエッチングプロセスのみでなく、メッキプロセスに使用してもよい。前記メッキ法としては、例えば、硫酸銅メッキ、ピロリン酸銅メッキ等の銅メッキ、ハイフローハンダメッキ等のはんだメッキ、ワット浴硫酸ニッケル-塩化ニッケルメッキ、スルファミン酸ニッケル等のニッケルメッキ、ハード金メッキ、ソフト金メッキ等の金メッキなどが挙げられる。-カラーフィルタの製造方法-ガラス基板等の基体上に、本発明の前記パターン形成材料における感光層を貼り合わせ、該パターン形成材料から支持体を剥離する場合に、帯電した前記支持体フィルムと人体とが不快な電気ショックを受けることがあり、あるいは帯電した前記支持体に塵埃が付着する等の問題がある。このため、前記支持体上に導電層を設けたり、前記支持体自体に導電性を付与する処理を施すことが好ましい。また、前記導電層を前記感光層とは反対側の前記支持体上に設けた場合は、耐傷性を向上させるために疎水性重合体層を設けることが好ましい。次に、前記感光層を赤、緑、青、黒のそれぞれに着色した赤色感光層を有するパターン形成材料と、緑色感光層を有するパターン形成材料と、青色感光層を有するパターン形成材料と、黒色感光層を有するパターン形成材料を調製する。赤画素用の前記赤色感光層を有するパターン形成材料を用いて、赤色感光層を前記基体表面に積層して積層体を形成した後、像様に露光、現像して赤の画素を形成する。赤の画素を形成した後、前記積層体を加熱して未硬化部分を硬化させる。これを緑、青の画素のついても同様にして行い、各画素を形成する。前記積層体の形成は、前記ガラス基板上に前記パターン形成材料を積層してもよく、また、前記パターン形成材料製造用の感光性樹脂組成物溶液などを前記ガラス基板の表面に直接塗布し、乾燥させることにより前記ガラス基板上に感光層及び支持体を積層してもよい。また、赤、緑、青の三種の画素を配置する場合は、モザイク型、トライアングル型、4画素配置型等どのような配置であってもよい。前記画素を形成した面上に前記黒色感光層を有するパターン形成材料を積層し、画素を形成していない側から背面露光し、現像してブラックマトリックスを形成する。該ブラックマトリックスを形成した積層体を加熱することにより、未硬化部分を硬化させ、カラーフィルタを製造することができる。本発明のパターン形成方法及びパターン形成装置は、前記感光層の感度低下を抑制でき、かつ、高精細なパターンを形成可能なパターン形成材料を用いるため、より小さいエネルギー量の光で露光することができ、露光スピードが上がるため、処理スピードが上がる点で有利である。本発明の前記パターン形成方法は、本発明の前記パターン形成材料を用いるため、各種パターンの形成、配線パターン等の永久パターンの形成、カラーフィルタ、柱材、リブ材、スペーサー、隔壁等の液晶構造部材の製造、ホログラム、マイクロマシン、プルーフなどの製造に好適に使用することができ、特に高精細な配線パターンの形成に好適に使用することができる。本発明のパターン形成装置は、本発明の前記パターン形成材料を備えているため、各種パターンの形成、配線パターン等の永久パターンの形成、カラーフィルタ、柱材、リブ材、スペーサー、隔壁等の液晶構造部材の製造、ホログラム、マイクロマシン、プルーフなどの製造に好適に使用することができ、特に高精細な配線パターンの形成に好適に用いることができる。以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例1-パターン形成材料の製造-前記支持体としての16μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルム東レ社製、16FB50上に下記の組成からなる感光性樹脂組成物溶液を塗布し乾燥させて、前記支持体上に15μm厚の感光層を形成し、前記パターン形成材料を製造した。[感光性樹脂組成物溶液の組成]フェノチアジン0.0049質量部メチルメタクリレート/スチレン/ベンジルメタクリレート/メタクリル酸共重合体共重合体組成質量比:8/30/37/25、質量平均分子量:60,000、酸価16316質量部下記構造式74で表される重合性モノマー7.0質量部ヘキサメチレンジイソシアネートとテトラエチレンオキシドモノメタアクリレートの1/2モル比付加物7.0質量部2,2-ビスo-クロロフェニル-4,4’,5,5’-テトラフェニルビイミダゾール2.17質量部N-メチルアクリドン0.11質量部2-メルカプトベンズイミダゾール0.23質量部マラカイトグリーンシュウ酸塩0.02質量部ロイコクリスタルバイオレット0.26質量部メチルエチルケトン40質量部1-メトキシ-2-プロパノール20質量部フッ素系界面活性剤大日本インキ社製、F780F0.0027質量部なお、前記フェノチアジンは、前記重合禁止剤であり、分子内に芳香環、複素環、及びイミノ基を有する化合物である。但し、構造式74中、mnは、10を表す。前記パターン形成材料の感光層の上に、前記保護フィルムとして20μm厚のポリプロピレンフィルム王子製紙社製、E-200Cを積層した。次に、前記基体として、表面を研磨、水洗、乾燥した銅張積層板スルーホールなし、銅厚み12μmの表面に、前記パターン形成材料の保護フィルムを剥がしながら、ラミネーターMODEL8B-720-PH、大成ラミネーター株製を用いて積層させ、前記銅張積層板と、前記感光層と、前記ポリエチレンテレフタレートフィルム支持体とがこの順に積層された積層体を調製した。圧着条件は、圧着ロール温度105°C、圧着ロール圧力0.3MPa、ラミネート速度1m/分とした。前記製造した前記積層体について、最短現像時間、感度及び解像度の評価を行った。結果を表3に示した。<最短現像時間>前記積層体からポリエチレンテレフタレートフィルム支持体を剥がし取り、銅張積層板上の前記感光層の全面に30°Cの1質量炭酸ナトリウム水溶液を0.15MPaの圧力にてスプレーし、炭酸ナトリウム水溶液のスプレー開始から銅張積層板上の感光層が溶解除去されるまでに要した時間を測定し、これを最短現像時間とした。この結果、前記最短現像時間は、10秒であった。<感度>前記積層体におけるパターン形成材料の感光層に対し、ポリエチレンテレフタレートフィルム支持体側から、前記光照射手段としての405nmのレーザ光源を有するパターン形成装置を用いて、0.1mJ/cm2から21/2倍間隔で100mJ/cm2までの光エネルギー量の異なる光を照射して露光し、前記感光層の一部の領域を硬化させた。室温にて10分間静置した後、前記積層体からポリエチレンテレフタレートフィルム支持体を剥がし取り、銅張積層板上の感光層の全面に、炭酸ナトリウム水溶液30°C、1質量をスプレー圧0.15MPaにて前記1で求めた最短現像時間の2倍の時間スプレーし、未硬化の領域を溶解除去して、現像により除去された部分以外の部分硬化領域の厚みを測定した。次いで、光の照射量と、硬化層の厚さとの関係をプロットして感度曲線を得る。こうして得た感度曲線から硬化領域の厚さが15μmとなった時の光エネルギー量を、感光層を硬化させるために必要な最小の光エネルギー量とした。この結果、前記感光層を硬化させるために必要な最小の光エネルギー量は、4.0mJ/cm2であった。なお、前記パターン形成装置は、前記DMDからなる光変調手段を有し、前記パターン形成材料を備えている。<解像度>前記1の最短現像時間の評価方法と同じ方法及び条件で前記積層体を作成し、室温23°C、55RHにて10分間静置した。得られた積層体のポリエチレンテレフタレートフィルム支持体上から、前記パターン形成装置を用いて、ライン/スペース=1/1でライン幅5μm~20μmまで1μm刻みで各線幅の露光を行い、ライン幅20μm~50μmまで5μm刻みで各線幅の露光を行った。この際の露光量は、前記2で測定した前記パターン形成材料の感光層を硬化させるために必要な最小の光エネルギー量である。室温にて10分間静置した後、前記積層体からポリエチレンテレフタレートフィルム支持体を剥がし取った。銅張積層板上の感光層の全面に、前記現像液として炭酸ナトリウム水溶液30°C、1質量をスプレー圧0.15MPaにて前記1で求めた最短現像時間の2倍の時間スプレーし、未硬化領域を溶解除去した。この様にして得られた硬化樹脂パターン付き銅張積層板の表面を光学顕微鏡で観察し、硬化樹脂パターンのラインにツマリ、ヨレ等の異常のない最小のライン幅を測定し、これを解像度とした。該解像度は数値が小さいほど良好である。実施例2実施例1において、前記感光性樹脂組成物溶液におけるフェノチアジンをカテコールに代えた以外は実施例1と同様にしてパターン形成材料を製造した。製造したパターン形成材料を用いて最短現像時間、感度及び解像度の評価を行った。結果を表3に示した。なお、最短現像時間は10秒であり、感光層を硬化させるために必要な最小の光エネルギー量は4.0mJ/cm2であった。また、前記カテコールは、前記重合禁止剤であり、芳香環と、フェノール性水酸基2個とを有する化合物である。実施例3実施例1において、前記感光性樹脂組成物溶液におけるフェノチアジンを4-t-ブチルカテコールに代えた以外は実施例1と同様にしてパターン形成材料を製造した。製造したパターン形成材料について最短現像時間、感度及び解像度の評価を行った。結果を表3に示した。なお、最短現像時間は10秒であり、感光層を硬化させるために必要な最小の光エネルギー量は4.0mJ/cm2であった。また、前記4-t-ブチルカテコールは、前記重合禁止剤であり、芳香環及びフェノール性水酸基を2個有する化合物である。実施例4実施例1において、前記感光性樹脂組成物溶液におけるフェノチアジンをフェノキサジンに代えた以外は実施例1と同様にしてパターン形成材料を製造した。製造したパターン形成材料について最短現像時間、感度及び解像度の評価を行った。結果を表3に示した。なお、最短現像時間は10秒であり、感光層を硬化させるために必要な最小の光エネルギー量は4.0mJ/cm2であった。また、前記フェノキサジンは、芳香環、複素環及びイミノ基を有する化合物である。実施例5実施例1において、前記感光性樹脂組成物溶液におけるN-メチルアクリドンを10-ブチル-2-クロロアクリドンに代えた以外は実施例1と同様にしてパターン形成材料を製造した。製造したパターン形成材料について最短現像時間、感度及び解像度の評価を行った。結果を表3に示した。なお、最短現像時間は10秒であり、感光層を硬化させるために必要な最小の光エネルギー量は6.0mJ/cm2であった。実施例6実施例1において、前記感光性樹脂組成物溶液におけるN-メチルアクリドンを7-ジエチルアミノ-4-メチルクマリンに代えた以外は実施例1と同様にしてパターン形成材料を製造した。製造したパターン形成材料について最短現像時間、感度及び解像度の評価を行った。結果を表3に示した。なお、最短現像時間は10秒であり、感光層を硬化させるために必要な最小の光エネルギー量は8.0mJ/cm2であった。実施例7実施例1において、前記感光性樹脂組成物溶液におけるメチルメタクリレート/スチレン/ベンジルメタクリレート/メタクリル酸共重合体共重合体組成質量比:8/30/37/25、質量平均分子量:60,000、酸価163を、メチルメタクリレート/スチレン/メタクリル酸共重合体共重合体組成質量比:61/15/24、質量平均分子量:100,000、酸価144に代えた以外は実施例1と同様にしてパターン形成材料を製造した。製造したパターン形成材料について最短現像時間、感度及び解像度の評価を行った。結果を表3に示した。なお、最短現像時間は10秒であり、感光層を硬化させるために必要な最小の光エネルギー量は4.0mJ/cm2であった。実施例8実施例1において、前記支持体をポリエチレンテレフタレートフィルム三菱化学ポリエステル社製、R310、厚み:16μmに代えた以外は実施例1と同様にしてパターン形成材料を製造した。製造したパターン形成材料について最短現像時間、感度及び解像度の評価を行った。結果を表3に示した。なお、最短現像時間は10秒であり、感光層を硬化させるために必要な最小の光エネルギー量は4.0mJ/cm2であった。実施例9実施例1において、前記保護フィルムをポリプロピレンフィルム王子製紙社製、E-501、厚み:12μmに代えた以外は実施例1と同様にしてパターン形成材料を製造した。製造したパターン形成材料について最短現像時間、感度及び解像度の評価を行った。結果を表3に示した。なお、最短現像時間は10秒であり、感光層を硬化させるために必要な最小の光エネルギー量は4.0mJ/cm2であった。実施例10実施例1において、前記感光性樹脂組成物溶液におけるフェノチアジンの含有量を0.0098質量部に代えた以外は実施例1と同様にしてパターン形成材料を製造した。製造したパターン形成材料について最短現像時間、感度及び解像度の評価を行った。結果を表3に示した。なお、最短現像時間は10秒であり、感光層を硬化させるために必要な最小の光エネルギー量は8.0mJ/cm2であった。実施例11実施例1において、前記感光性樹脂組成物溶液におけるフェノチアジンの含有量を0.0126質量部に代えたこと、及び、N-メチルアクリドンの含有量を0.22質量部に代えた以外は実施例1と同様にしてパターン形成材料を製造した。製造したパターン形成材料について最短現像時間、感度及び解像度の評価を行った。結果を表3に示した。なお、最短現像時間は10秒であり、感光層を硬化させるために必要な最小の光エネルギー量は9.5mJ/cm2であった。実施例12実施例1において、前記感光性樹脂組成物溶液におけるフェノチアジンの含有量を0.0025質量部に代えたこと、及び、該感光性樹脂組成物溶液に4-t-ブチルカテコール0.0025質量部を更に添加したこと以外は実施例1と同様にしてパターン形成材料を製造した。製造したパターン形成材料について最短現像時間、感度及び解像度の評価を行った。結果を表3に示した。なお、最短現像時間は10秒であり、感光層を硬化させるために必要な最小の光エネルギー量は5.0mJ/cm2であった。実施例13実施例1において、露光装置を下記に説明するパターン形成装置に代えた以外は、実施例1と同様にしてパターン形成材料を製造した。製造したパターン形成材料について最短現像時間、感度及び解像度の評価を行った。結果を表3に示した。なお、最短現像時間は10秒であり、感光層を硬化させるために必要な最小の光エネルギー量は5.0mJ/cm2であった。<<パターン形成装置>>前記光照射手段として図27~32に示す合波レーザ光源と、前記光変調手段として図4に示す主走査方向にマイクロミラーが1024個配列されたマイクロミラー列が、副走査方向に768組配列された内、1024個×256列のみを駆動するように制御したDMD50と、図13に示した一方の面がトーリック面であるマイクロレンズ474をアレイ状に配列したマイクロレンズアレイ472及び該マイクロレンズアレイを通した光を前記感光層に結像する光学系480、482とを有するパターン形成装置を用いた。また、前記マイクロレンズにおけるトーリック面は以下に説明するものを用いた。まず、DMD50の前記描素部としてのマイクロレンズ474の出射面における歪みを補正するため、該出射面の歪みを測定した。結果を図14に示した。図14においては、反射面の同じ高さ位置を等高線で結んで示してあり、等高線のピッチは5nmである。なお、同図に示すx方向及びy方向は、マイクロミラー62の2つ対角線方向であり、マイクロミラー62はy方向に延びる回転軸を中心として回転する。また、図15のA及びBにはそれぞれ、上記x方向、y方向に沿ったマイクロミラー62の反射面の高さ位置変位を示した。図14及び図15に示した通り、マイクロミラー62の反射面には歪みが存在し、そして特にミラー中央部に注目してみると、1つの対角線方向y方向の歪みが、別の対角線方向x方向の歪みよりも大きくなっていることが判る。このため、このままではマイクロレンズアレイ55のマイクロレンズ55aで集光されたレーザ光Bの集光位置における形状が歪んでしまうことが判る。図16のA及びBには、マイクロレンズアレイ55全体の正面形状及び側面形状をそれぞれ詳しく示した。これらの図には、マイクロレンズアレイ55の各部の寸法も記入してあり、それらの単位はmmである。先に図4を参照して説明したようにDMD50の1024個×256列のマイクロミラー62が駆動されるものであり、それに対応させてマイクロレンズアレイ55は、横方向に1024個並んだマイクロレンズ55aの列を縦方向に256列並設して構成されている。なお、同図Aでは、マイクロレンズアレイ55の並び順を横方向についてはjで、縦方向についてはkで示している。また、図17のA及びBには、マイクロレンズアレイ55における1つのマイクロレンズ55aの正面形状及び側面形状をそれぞれ示した。なお、同図Aには、マイクロレンズ55aの等高線を併せて示してある。各マイクロレンズ55aの光出射側の端面は、マイクロミラー62の反射面の歪みによる収差を補正する非球面形状とされている。より具体的には、マイクロレンズ55aはトーリックレンズとされており、前記x方向に光学的に対応する方向の曲率半径Rx=-0.125mm、前記y方向に対応する方向の曲率半径Ry=-0.1mmである。したがって、前記x方向及びy方向に平行な断面内におけるレーザ光Bの集光状態は、概略、それぞれ図18のA及びBに示す通りとなる。つまり、x方向に平行な断面内とy方向に平行な断面内とを比較すると、後者の断面内の方がマイクロレンズ55aの曲率半径がより小であって、焦点距離がより短くなっていることが判る。なお、マイクロレンズ55aを前記形状とした場合の、該マイクロレンズ55aの集光位置焦点位置近傍におけるビーム径を計算機によってシミュレーションした結果を図19a、b、c、及びdに示す。また比較のために、マイクロレンズ55aが曲率半径Rx=Ry=-0.1mmの球面形状である場合について、同様のシミュレーションを行った結果を図20a、b、c及びdに示す。なお、各図におけるzの値は、マイクロレンズ55aのピント方向の評価位置を、マイクロレンズ55aのビーム出射面からの距離で示している。また、前記シミュレーションに用いたマイクロレンズ55aの面形状は、下記計算式で計算される。ただし、前記計算式において、Cxは、x方向の曲率=1/Rxを意味し、Cyは、y方向の曲率=1/Ryを意味し、Xは、x方向に関するレンズ光軸Oからの距離を意味し、Yは、y方向に関するレンズ光軸Oからの距離を意味する。図19a~dと図20a~dとを比較すると明らかなように、マイクロレンズ55aを、y方向に平行な断面内の焦点距離がx方向に平行な断面内の焦点距離よりも小さいトーリックレンズとしたことにより、その集光位置近傍におけるビーム形状の歪みが抑制される。この結果、歪みの無い、より高精細なパターンを感光層150に露光可能となる。また、図19a~dに示す本実施形態の方が、ビーム径の小さい領域がより広い、すなわち焦点深度がより大であることが判る。また、マイクロレンズアレイ55の集光位置近傍に配置されたアパーチャアレイ59は、その各アパーチャ59aに、それと対応するマイクロレンズ55aを経た光のみが入射するように配置されたものである。すなわち、このアパーチャアレイ59が設けられていることにより、各アパーチャ59aに、それと対応しない隣接のマイクロレンズ55aからの光が入射することが防止され、消光比が高められる。比較例1実施例1において、前記感光性樹脂組成物溶液におけるN-メチルアクリドン増感剤を添加しなかった以外は実施例1と同様にしてパターン形成材料を製造した。製造したパターン形成材料について最短現像時間、感度及び解像度の評価を行った。結果を表3に示した。なお、最短現像時間は10秒であり、感光層を硬化させるために必要な最小の光エネルギー量は60mJ/cm2であった。比較例2実施例1において、前記感光性樹脂組成物溶液におけるフェノチアジン重合禁止剤を添加しなかった以外は実施例1と同様にしてパターン形成材料を製造した。製造したパターン形成材料について最短現像時間、感度及び解像度の評価を行った。結果を表3に示した。なお、最短現像時間は10秒であり、感光層を硬化させるために必要な最小の光エネルギー量は3.0mJ/cm2であった。比較例3実施例1において、前記感光性樹脂組成物溶液におけるフェノチアジン重合禁止剤及びN-メチルアクリドンを添加しなかった以外は実施例1と同様にしてパターン形成材料を製造した。製造したパターン形成材料について最短現像時間、感度及び解像度の評価を行った。結果を表3に示した。なお、最短現像時間は10秒であり、感光層を硬化させるために必要な最小の光エネルギー量は20mJ/cm2であった。表3の結果より、実施例1~13のパターン形成材料では、いずれの感度も10mJ/cm2以下であり感度低下が抑制され、かつ、高解像度であることが判った。特に、トーリック面を有する実施例13のパターン形成装置を用いた場合には、解像度が向上することが判った。一方、比較例1では、感度に劣り、比較例2及び3では、感度及び解像度の少なくともいずれかに劣ることが判った。"