"半導体基板を処理するための装置であって、基板移送開口を含むチャンバ本体を有する処理チャンバと、前記処理チャンバに配置され、前記処理チャンバの上部部分と前記処理チャンバの下部部分とを画定する基板支持体と、RF電力に結合された導電性ガス分配器、および前記導電性ガス分配器から絶縁された、電力が供給される電極を含むリッドアセンブリと、前記処理チャンバの前記下部部分に配置された遮蔽部材であり、前記処理チャンバの外部の前記遮蔽部材の延長部によって前記処理チャンバの内部で位置決めすることができる、遮蔽部材とを備える、装置。前記リッドアセンブリが基板処理ゾーンをさらに含む、請求項1に記載の装置。前記遮蔽部材が基板処理位置と基板移送位置との間で移動可能であり、前記遮蔽物が前記基板処理位置に位置づけられるとき前記遮蔽物が前記基板移送開口を覆う、請求項1に記載の装置。前記基板支持体の傾きが約0.1未満である、請求項1に記載の装置。前記リッドアセンブリが前記電力が供給される電極に隣接する処理ゾーンをさらに含み、前記遮蔽部材が基板処理位置と基板移送位置との間で移動可能であり、前記遮蔽物が前記基板処理位置に位置づけられるとき前記遮蔽物が前記基板移送開口を覆う、請求項1に記載の装置。前記遮蔽部材が誘電体材料を含み、前記リッドアセンブリが、前記電力が供給される電極と前記導電性ガス分配器との間、および前記電力が供給される電極と前記チャンバ本体との間に絶縁体をさらに含む、請求項5に記載の装置。前記チャンバ本体の壁のまわりに配置され、下部表面と上部表面とを含む環状開口を有するポンピングプレナムをさらに備え、前記遮蔽部材が基板処理位置にあるとき前記遮蔽部材の上部表面が前記ポンピングプレナムの前記下部表面と実質的に同一高さにある、請求項1に記載の装置。前記基板移送開口が前記ポンピングプレナムより下にあり、前記遮蔽部材が基板移送位置に位置づけられるとき前記遮蔽部材が前記基板移送開口を露出する、請求項7に記載の装置。半導体処理チャンバのためのリッドアセンブリであって、背面電極、ガスボックス、およびフェースプレートを有するガス分配器と、絶縁体リングによって前記ガス分配器の前記フェースプレートから分離された環状調整電極と、前記処理チャンバの側壁に結合され、絶縁体によって前記調整電極から分離されたリッドプレートとを含む、リッドアセンブリ。前記環状調整電極に隣接する基板処理ゾーンをさらに含む、請求項9に記載のリッドアセンブリ。前記ガス分配器および前記環状調整電極が各々電源に結合される、請求項9に記載のリッドアセンブリ。前記ガス分配器がRF電源に結合され、前記環状調整電極がDC電源に結合される、請求項11に記載のリッドアセンブリ。半導体処理チャンバのための遮蔽物であって、前記処理チャンバの断面形状と同様の形状を有するプレートと、前記処理チャンバに配置された基板支持体のシャフト部分のための前記プレートの開口と、前記基板支持体のリフトピン部分のための前記プレートの開口と、前記プレートに取り付けられ、前記処理チャンバ内で基板処理位置と基板移送位置との間で前記遮蔽物を移動させるための前記処理チャンバの外部に延びる延長部とを備える、遮蔽物。前記プレートが断熱材料を含み、前記プレートの中心からエッジまでの距離が、前記処理チャンバの中心軸から前記処理チャンバの壁のまわりに配置されたポンピングプレナムの内側エッジまでの距離と実質的に等しい、請求項13に記載の遮蔽物。前記処理チャンバ内の前記遮蔽物を移動させるための前記延長部に結合されるアクチュエータと、前記プレートのエッジから延びる壁とをさらに含む、請求項14に記載の遮蔽物。基板を処理する方法であって、前記基板を処理チャンバ中の基板支持体に配置するステップと、前記基板支持体と向かい合う導電性ガス分配器にRF電力を結合させるステップと、前記導電性ガス分配器の直近の前記チャンバの側壁に電極を設けるステップと、前記電極の直近の処理位置に前記基板支持体を移動させるステップと、前記導電性ガス分配器と前記基板支持体との間の処理領域に前記ガス分配器を通して処理ガスを流すステップと、前記処理ガスからプラズマを形成するステップと、前記電極に電位を印加することによって前記プラズマを成形するステップとを含む、方法。理解し易くするために、同一の参照番号が、可能である場合、図面に共通である同一の要素を指定するために使用されている。1つの実施形態で開示された要素は、特別な記述なしに、他の実施形態で有利に利用することができることが企図される。本明細書で説明する実施形態は半導体基板を処理するための装置を提供する。図1は、1つの実施形態による装置100の概略断面図である。図1の装置100は導電性チャンバ本体164を含む処理チャンバ104を備え、導電性チャンバ本体164はその側壁に配置された基板移送開口114を有する。基板移送開口114により、基板は処理チャンバ104におよび処理チャンバ104から移送され得る。多くの実施形態において、処理チャンバ104に基板を置く、または処理チャンバ104から基板を取り出すために、ロボット図示せずなどの基板操作デバイスが基板移送開口114を通って処理チャンバ104に入る。チャンバ本体164は導電性側壁178および底部壁146を備え、それらはアルミニウムもしくはステンレス鋼、または金属もしくは合金などの任意の他の導電性材料とすることができる。チャンバ本体164への薬品による腐食を低減するために、チャンバ本体164の内部表面は耐性材料で被覆することができる。取外し可能なライナーを使用することもできる。被覆またはライナーは、金属酸化物などのセラミック材料、例えばアルミナもしくはイットリア、またはチタンなどの耐性金属、またはそれらの任意の好都合な組合せとすることができる。装置100は、チャンバに配置された基板支持体106をさらに備える。基板支持体106は、処理のために基板を配置することができる支持体表面110を有する。1つまたは複数のリフトピン108が基板支持体106を通って支持体表面110まで延び、支持体表面110より下に基部166まで延びる。基板支持体106はチャンバ本体164の底部壁146の開口144を通って延びるシャフト部分122を有し、処理チャンバ104の内部の基板支持体106を移動させるアクチュエータ図示せずに結合し、その結果、支持体表面110は底部壁146に近づくまたは遠のくように移動する。支持体表面110が底部壁146に接近すると、リフトピン108の基部166は底部壁146に係合し、リフトピン108の上部部分は支持体表面110の上方に延びる。通常、複数のリフトピン108が設けられ、リフトピン108が支持体表面110の上方に延びるとき基板は支持体表面110の上方に持ち上げられる。図1の断面図では、1つのリフトピン108のみが見える。基板支持体106は、概して、処理ゾーン112を含む処理チャンバ104の上部部分168と、処理チャンバ104の下部部分170とを画定する。装置100は、処理チャンバ104の下部部分170に配置された遮蔽部材116をさらに備える。遮蔽部材116は、セラミック、ガラス、石英、プラスチック、またはそれらの混合物、複合物、もしくは組合せを含む類似の材料などの断熱材料を含む。遮蔽部材116は底部壁146の第2の開口120を通る延長部118を含み、延長部118は処理チャンバ104の内部の遮蔽部材116を位置決めするための第2のアクチュエータ図示せずに結合する。遮蔽部材116は処理ゾーン112と基板移送開口114との間の熱遮蔽をもたらし、それにより、基板移送開口114による熱損失を防止し、処理の間の処理チャンバ104の熱均一性を改善する。遮蔽部材116は、概して、処理チャンバ104の下部部分170全体を遮蔽して、処理チャンバ104の下部部分170の何らかの熱損失特徴による処理ゾーン112の熱擾乱を防止する。基板ローディングまたはアンローディングの操作の間、遮蔽部材116および基板支持体106は基板移送開口114より下の位置に移動し、支持体表面110へのアクセスを可能にする。処理の間、基板支持体106は支持体表面110を処理ゾーン112まで移動させ、遮蔽部材116は処理チャンバ104の側壁178に沿って配置されたポンピングプレナム156の直近の位置まで移動する。ポンピングプレナム156は、処理チャンバの側壁178に沿って配置されたリング様チャネルである。ポンピングプレナム156の内側区域158の開口160は、処理ガスをチャンバの処理ゾーン112からチャネルに入れる。処理ガスは、チャネルを回ってポンピングプレナム156のポータル162に流れ、このポータル162は、処理ガスをチャンバ104から排気するために処理チャンバ104の側壁178の同様のポータル154と対合している。開口160は、ポンピングプレナム156全体に沿った環状溝もしくはスリット、またはポンピングプレナム156のまわりに規則的に間隔をあけた一連の個別の開口とすることができる。開口160は連続または不連続とすることができ、ポンピングプレナム156への均一なガス流のために圧力降下をもたらすように大きさを合わせることができる。遮蔽部材116はプレート部分172と壁部分174とを含む。プレート部分172は、基板支持体106のシャフト部分122を入れるための第1の開口176と、リフトピン108の基部部分166を入れるための第2の開口124とを有する。基板を処理するとき、壁部分174は、処理ゾーン112を熱擾乱から効果的に遮蔽するために1つまたは複数の開口160の下部区域の直近に位置づけられる。代替の実施形態では、遮蔽部材116は壁部分174なしで形成することができる。そのような実施形態では、遮蔽部材116は、ポンピングプレナム156の下部表面の直近の位置まで移動し、実施形態によってはポンピングプレナム156の下部表面に接触することができる断熱プレートとすることができる。装置100は、リッドプレート126によって処理チャンバ104の側壁178に結合されるリッドアセンブリ102をさらに含む。リッドアセンブリ102は、ガスボックス138を互いに画定する背面電極184とフェースプレート136とを有するガス分配器134を含む。フェースプレート136は、処理ガスを処理ゾーン112に入れるために複数の開口140を有する。ガス分配器134は導電性であり、アルミニウム、ステンレス鋼、チタン、または金属もしくは合金などの別の導電性材料で製作することができる。処理ゾーン112に面するフェースプレート136の表面は、薬品による腐食を低減するためにセラミックまたは耐性金属などの耐性材料で被覆することができる。ガス分配器134は、ガスボックス138および/または処理ゾーン112中にイオン化ガスを発生させるためにRF電源148に結合される。フェースプレート136は処理ゾーン112を越えて横方向に延び、その結果、処理ゾーン112に露出されるフェースプレート136の部分は処理ゾーン112全体にわたって均一に平坦である。平坦なフェースプレート136は、ガス分配器134にRF結合することによって処理ゾーン112に生成される電界の均一性を改善する。フェースプレート136は、フェースプレート136による熱伝導を増強する厚さに形成される。増強された熱伝導により、フェースプレート136の端から端まで、したがって、処理ゾーン112の全体にわたって温度均一性が改善される。基板支持体が300°Cから500°Cの温度に加熱される堆積プロセスでは、アルミニウムで製作された前述の寸法を有するフェースプレート136は、約20°C未満の、例えば約15°C未満などの、例えば13°Cのフェースプレートの中央領域からフェースプレートの周辺領域までの温度差を有することになる。リッドアセンブリ102は、絶縁体132によってガス分配器から電気的に絶縁された電極130をさらに含む。電極130は、絶縁体132と、処理チャンバ104の側壁178からリッドアセンブリ102を絶縁する第2の絶縁体128との間に配置された環状導電性部材である。電極130は、環状、リング様、またはトロイダルとすることができ、概して、電極130によって生成される電界の均一性を最大化するために均一な断面形状を有する。電極130は電源142に結合され、電源142は、図1の実施形態ではDC電源として示されているが、RFバイアス電源とすることもできる。電極130は、偏ったイオン化ガスまたはプラズマを成形するために電位を処理ゾーン112中に確立できるようにする。電極130の電位を変化させるとき、ガスからのイオンまたは電子は電極130に漸次引きつけられ、基板支持体106の支持体表面110の全域のイオン化ガスまたはプラズマの密度プロファイルは堆積均一性を促進するように調整され得る。処理ゾーン112は、基板支持体106の支持体表面110と、ガス分配器134のフェースプレート136と、2つの絶縁体132および128ならびに電極130とを含む側部リングスタックとよって画定される。処理の間、基板支持体106は絶縁体128および/または電極130の直近の位置まで移動し、支持体表面110は処理ゾーン112ためのフロアを形成する。処理ガスは支持体表面110のエッジで処理ゾーンを出て行き、支持体表面110より下にあり、支持体表面110から離間しているポンピングプレナム156の方に流れる。処理ゾーン112をリッドアセンブリ102に移動させることによって処理ゾーン112をチャンバ本体164から離して配置することにより、処理ガスとチャンバ本体の表面との間のコンタクトが減少し、チャンバ本体の表面への薬品による腐食の割合が低下する。導電性チャンバの側壁へのプラズマまたはイオン化ガスの暴露を減少させると、さらに、チャンバ側壁への放電による断続的な接地の機会が低減する。電極130は導電性であり、概して、金属または合金である。電極130は処理ゾーン112に面し、処理ガスにさらされる表面を含むリングとして示されているが、2つの絶縁体128および132の代わりに連続的なプロセス対向表面を有する単一の絶縁体を設けることによって、および単一の絶縁体の内部チャネルに電極130を形成するによって、または電極を挿入するために単一の絶縁体の外側区域のまわりにチャネルを形成することによって電極をプロセス環境から遮蔽することができる。そのような実施形態では、電位を使用して、プロセス環境に電極をさらすことなしにプラズマプロファイルを制御できることになる。他の実施形態では、処理環境に面する電極130の表面は、セラミックまたは耐性金属などの耐性材料で被覆することができる。基板支持体106は、基板支持体106の中心軸180が処理チャンバ104の中心軸182と実質的に平行であるように向きを定める。基板支持体106は、軸平行からの逸脱を約1未満に、例えば約0.5未満に、例えば約0.1未満などに、または約0.01と約1との間に、例えば約0.05と約0.5との間に、例えば約0.07などに制限する剛性を有する。したがって、基板支持体106の傾きは、1インチ移動するごとに約0.01インチ0.254ミリメートルin/in以下、例えば約0.005in0.127mm/in未満、例えば約0.0007in0.01778mm/inなどである。基板支持体106の剛性により、基板支持体106の支持体表面110とガス分配器134のフェースプレート136との間に均一の距離が与えられる。均一の距離は、フェースプレート136と基板支持体106の支持体表面110との間に形成される電界の均一性を促進し、処理ゾーン112の全体にわたってプラズマ密度均一性を改善する。基板支持体106は、処理ゾーン112のプラズマ特性を制御しやすくするためにRF電源150に同様に結合することができる。2つのプラズマ源148および150は、例えば、処理ゾーン112において多数の化学種のイオン化を促進するために2つの異なる周波数に調整することができる。基板支持体106の剛性は、シャフト部分122の太さを選択することによって選択することができる。多くの実施形態において、基板支持体106のシャフト部分122は、ガス、液体、または電気要素のための様々なタイプの導管を含む。シャフト部分122の剛性は、主として、シャフト部分122の中実部分の幅によって影響を受ける。したがって、シャフト部分122の概括的な質量を増加させると剛性が増加することになる。図1のリッドアセンブリ102、基板支持体106、および遮蔽部材116はプラズマまたは熱処理のための任意の処理チャンバに使用することができる。リッドアセンブリ102、基板支持体106、および遮蔽部材116を有利に使用することができるプラズマ処理チャンバの一例は、カリフォルニア州、サンタクララにあるAppliedMaterials,Inc.から入手可能なPRODUCER登録商標プラットフォームおよびチャンバである。他の製造業者からのチャンバも上述の構成要素と共に使用することができる。図2は、別の実施形態による方法200を要約する流れ図である。図2の方法は、図1の装置100の実施形態を含む、プラズマ処理のために好適に構成された任意の基板処理チャンバを使用して行うことができる。202において、基板が処理チャンバ中の基板支持体に配置される。204において、導電性ガス分配プレートと、ガス分配プレートより下のリッドの側壁のまわりに配置された電極とを含むリッドがチャンバに設けられる。電極は絶縁体リングによってガス分配プレートから絶縁することができ、両方は環状とすることができる。206において、基板は処理のために電極の近くに位置づけられる。基板支持体は任意の好都合な方法で移動することができる。いくつかの実施形態では、基板支持体およびガス分配プレートは、他のチャンバ構成要素へのプラズマアーク発生および薬品による腐食の事例を低減させるために他のチャンバ構成要素から離して保持される処理領域を画定する。いくつかの実施形態では、第2の絶縁体リングを、リッドとチャンバ本体との間に設けることができる。絶縁体リングは、概して、処理ゾーンのための化学耐性側壁を形成する。ガス分配プレートおよび電極は、実施形態によっては、耐性材料で被覆することもできる。基板は、基板のエッジが電極の直近にあるように位置づけられる。基板エッジから電極までの距離は、概して、約10mm未満となることになる。この距離は、約2mmと約10mmとの間、例えば約4mmと約6mmとの間、例えば約6mmなどとすることができる。いくつかの実施形態では、基板エッジと電極との間の間隙は、基板のエッジに沿ったすべての点で流れ均一性を与えるように大きさを合わせることができる。208において、混合物とすることができる処理ガスが、基板支持体とガス分配プレートとによって画定された処理領域に供給される。処理ガスは、概して、所望の流れ特性を達成するように任意の好都合な方法で成形することができるガス分配プレートの開口を通って流れる。210において、プラズマが、RF電力をガス分配プレートに結合させることによって処理領域中の処理ガスから形成される。RF電力は、さらに、基板に電気バイアスを生成するために、または処理ガスのさらなるイオン化を助長するために基板支持体に結合させることができる。212において、基板支持体の全域のプラズマ密度プロファイルを制御するために、電位が電極に印加される。基板支持体およびガス分配プレートに対して電極の電位を調整すると、プラズマシースとチャンバの側壁または処理領域との間の距離が調整され、その結果、プラズマへの基板の露出を基板のエッジまでに制御することができる。様々な導電性構成要素の幾何学的不連続を最小にすることも処理領域のプラズマ密度均一性制御を改善する。214において、排気ガスが、基板支持体より下でチャンバの下部部分にあるポンピングプレナムを通って均一に排出される。ポンピングプレナムは、基板支持体の全域の、基板支持体のエッジの上方の、チャンバの下部部分への、およびポンピングプレナムへのガス流を均一にするように構造化される。基板支持体より下にポンピングプレナムを設けることにより、ポンピングプレナムの動作に起因するガス流異常が低減される。処理領域とポンピングプレナムとの間の距離は、処理チャンバのリッドをポンピングプレナムから所望の距離の間隔をおいて配置し、次に、処理のためリッドの直近に基板を位置づけることによって調整することができる。図2の方法200は、容量性プラズマチャンバで行われる任意のプラズマプロセスで使用することができる。例えば、ケイ素、酸素、炭素、窒素、または他の元素を含む層がプラズマCVDによって形成される堆積プロセスは、方法200の均一性向上から利益を得ることができる。プラズマは、アルゴンまたはヘリウムなどの不活性または非反応性ガス、ならびにケイ素、炭素、酸素、窒素、または他の元素を含むガスを含む処理ガスから形成することができる。約10Vと100Vとの間、例えば約30Vと約70Vとの間など、例えば50VのDC電位を電極に印加して、プラズマシースを形成する電子を引き寄せて、電極の方に拡大させることができる。いくつかの実施形態では、方法200は、熱損失を受けやすい処理チャンバの部分を熱的に遮蔽することをさらに含むことができる。例えば、チャンバの1つの壁に形成されたアクセスポートを遮蔽するために、熱遮蔽物をチャンバの下部部分に配置することができる。熱遮蔽物は、チャンバ壁の任意の遮蔽された部分によるチャンバからの熱損失を低減する。図3は、別の実施形態による装置300の概略平面図である。装置300は、複数の処理チャンバ302、基板移送チャンバ304、基板ハンドラ310、および1つまたは複数のロードロックチャンバ306を含む。基板ハンドラ310は任意の好適に設計されたロボットとすることができる。1つの実施形態では、基板ハンドラ310は、2つの隣接する処理チャンバ302に同時にアクセスする2連結タンデムブレードロボットtwolinkedtandem-bladerobotsを含む。装置300の処理チャンバ302のうちの1つまたは複数はチャンバ100と同様のものとすることができる。処理チャンバ302の各々は図1の装置に関連して上述したような調整電極130を有する。装置300は、各々上記の図1に関連して説明したポンピングプレナム156などのポンピングプレナムと流体連通する複数のガス排出導管308と、処理チャンバ302の対ごとの1つの導管308とをさらに含む。チャンバ100などのプラズマ処理チャンバに加えて、他のタイプのチャンバを図3の装置300に含むことができる。例えば、処理チャンバ302のうちの1つまたは複数は、熱処理チャンバ、洗浄チャンバ、UV処理チャンバ、クールダウンチャンバ、または静止チャンバrestchamberとすることができる。上記は本発明の実施形態に関するが、本発明の他のおよびさらなる実施形態が本発明の基本範囲から逸脱することなく考案され得る。"