"[A]下記式1で表される構造単位を有する重合体、及び[B]感放射線性酸発生体を含有するフォトレジスト組成物。式1中、R1は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Zは、Xに結合する炭素原子と共に炭素数3~20の2価の脂環式基を形成する基である。Xは、炭素数1~6のアルカンジイル基である。Yは、水素原子又は-CR2R3OR4である。R2~R4は、それぞれ独立して、水素原子又は1価の炭化水素基である。但し、R3とR4とは、互いに結合して、R3が結合する炭素原子及びR4が結合する酸素原子と共に環状エーテル構造を形成してもよい。上記Xが、炭素数2~4のアルカンジイル基である請求項1に記載のフォトレジスト組成物。上記Zが、Xに結合する炭素原子と共に炭素数5~8の2価の単環の脂環式基を形成する基である請求項1又は請求項2に記載のフォトレジスト組成物。上記Yが、-CR2R3OR4である請求項1、請求項2又は請求項3に記載のフォトレジスト組成物。[A]重合体が、下記式2で表される構造単位をさらに有する請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のフォトレジスト組成物。式2中、R5は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Rp1は、炭素数1~10の鎖状炭化水素基又は炭素数3~20の脂環式基である。Rp2及びRp3は、それぞれ独立して、炭素数1~10の鎖状炭化水素基又は炭素数4~20の脂環式基である。但し、Rp2及びRp3は、互いに結合してそれらが結合している炭素原子と共に炭素数4~20の2価の脂環式基を形成してもよい。[C]下記式3-1で表される化合物及び式3-2で表される化合物からなる群より選択される少なくとも1種の化合物をさらに含有する請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のフォトレジスト組成物。式3-1及び式3-2中、R6~R10は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシル基又はハロゲン原子である。E-及びG-は、それぞれ独立して、OH-、RA-COO-、RA-SO3-、又はRA-N--SO2-RBである。RAは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基である。但し、RAが有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。RBは、アルキル基又はアラルキル基である。但し、RBが有する水素原子の一部又は全部はフッ素原子で置換されていてもよい。1請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のフォトレジスト組成物を基板上に塗布し、レジスト膜を形成する工程、2フォトマスクを介した放射線の照射により、上記レジスト膜を露光する工程、3露光された上記レジスト膜を加熱する工程、及び4加熱された上記レジスト膜を現像する工程を有するレジストパターン形成方法。下記式1で表される構造単位を有する重合体。式1中、R1は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Zは、Xに結合する炭素原子と共に炭素数3~20の2価の脂環式基を形成する基である。Xは、炭素数1~6のアルカンジイル基である。Yは、水素原子又は-CR2R3OR4である。R2~R4は、それぞれ独立して、水素原子又は1価の炭化水素基である。但し、R3とR4とは、互いに結合して、R3が結合する炭素原子及びR4が結合する酸素原子と共に環状エーテル構造を形成してもよい。下記式iで表される化合物。式i中、R1は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Zは、Xに結合する炭素原子と共に炭素数3~20の2価の脂環式基を形成する基である。Xは、炭素数1~6のアルカンジイル基である。Yは、水素原子又は-CR2R3OR4である。R2~R4は、それぞれ独立して、水素原子又は1価の炭化水素基である。但し、R3とR4とは、互いに結合して、R3が結合する炭素原子及びR4が結合する酸素原子と共に環状エーテル構造を形成してもよい。本発明は以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、感度等の基本特性を満足し、MEEF及びLWR等を指標として表されるリソグラフィー性能に優れるフォトレジスト組成物、並びにこのフォトレジスト組成物を用いたレジストパターンの形成方法、上記フォトレジスト組成物に用いられる重合体、及び化合物を提供することである。上記課題を解決するためになされた発明は、[A]下記式1で表される構造単位以下、構造単位Iともいうを有する重合体以下、[A]重合体ともいう、及び[B]感放射線性酸発生体以下、[B]酸発生体ともいうを含有するフォトレジスト組成物である。式1中、R1は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Zは、Xに結合する炭素原子と共に炭素数3~20の2価の脂環式基を形成する基である。Xは、炭素数1~6のアルカンジイル基である。Yは、水素原子又は-CR2R3OR4である。R2~R4は、それぞれ独立して、水素原子又は1価の炭化水素基である。但し、R3とR4とは、互いに結合して、R3が結合する炭素原子及びR4が結合する酸素原子と共に環状エーテル構造を形成してもよい。当該フォトレジスト組成物は、[A]重合体と[B]酸発生体とを含有する。当該フォトレジスト組成物は、上記特定位置に水酸基又はアセタール基を含む構造単位Iを有する[A]重合体を含有することで、レジスト膜中における酸の拡散距離以下、拡散長ともいうが短くなると考えられ、MEEF、LWR等を指標としたリソグラフィー性能を向上させることができると共に、感度等の基本特性も十分満足する。上記Xが、炭素数2~4のアルカンジイル基であるとよい。当該フォトレジスト組成物は、構造単位IにおけるXが炭素数2~4のアルカンジイル基であることで、MEEF、LWR等を指標としたリソグラフィー性能をより向上させることができる。上記Zが、Xに結合する炭素原子と共に炭素数5~8の2価の単環の脂環式基を形成する基であるとよい。構造単位Iが炭素数5~8の2価の単環の脂環式炭化水素基を有することで、当該フォトレジスト組成物は、MEEF、LWR等を指標としたリソグラフィー性能をさらに向上させることができる。上記Yが、-CR2R3OR4であるとよい。構造単位Iにおける上記Yが上記特定構造のアセタール基であることにより、当該フォトレジスト組成物は、MEEF、LWR等を指標としたリソグラフィー性能により優れる。[A]重合体は、下記式2で表される構造単位以下、構造単位IIともいうをさらに有することが好ましい。式2中、R5は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Rp1は、炭素数1~10の鎖状炭化水素基又は炭素数3~20の脂環式基である。Rp2及びRp3は、それぞれ独立して、炭素数1~10の鎖状炭化水素基又は炭素数4~20の脂環式基である。但し、Rp2及びRp3は、互いに結合してそれらが結合している炭素原子と共に炭素数4~20の2価の脂環式基を形成してもよい。[A]重合体が上記特定構造の酸解離性基を含む構造単位IIをさらに有することで、当該フォトレジスト組成物は、感度等の基本特性を十分満足することができ、MEEF、LWR等を指標としたリソグラフィー性能にも優れる。当該フォトレジスト組成物は、[C]下記式3-1で表される化合物及び式3-2で表される化合物からなる群より選択される少なくとも1種の化合物以下、[C]化合物ともいうをさらに含有することが好ましい。式3-1及び式3-2中、R6~R10は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシル基又はハロゲン原子である。E-及びG-は、それぞれ独立して、OH-、RA-COO-、RA-SO3-、又はRA-N--SO2-RBである。RAは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基である。但し、RAが有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。RBは、アルキル基又はアラルキル基である。但し、RBが有する水素原子の一部又は全部はフッ素原子で置換されていてもよい。当該フォトレジスト組成物は、[C]上記式3-1で表される化合物及び式3-2で表される化合物からなる群より選択される少なくとも1種の化合物をさらに含有することで、露光により[B]酸発生体から発生する酸の拡散を適度に制御することができ、MEEF、LWR等を指標としたリソグラフィー性能をさらに向上させることができる。また、感度等の基本特性も十分満足する。本発明のレジストパターン形成方法は、1当該フォトレジスト組成物を基板上に塗布し、レジスト膜を形成する工程、2フォトマスクを介した放射線の照射により、上記レジスト膜を露光する工程、3露光された上記レジスト膜を加熱する工程、及び4加熱された上記レジスト膜を現像する工程を有する。当該レジストパターン形成方法を用いると、MEEF、LWR等を指標としたリソグラフィー性能に優れる、微細なレジストパターンを形成することができる。本発明は、下記式1で表される構造単位を有する重合体を含む。式1中、R1は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Zは、Xに結合する炭素原子と共に炭素数3~20の2価の脂環式基を形成する基である。Xは、炭素数1~6のアルカンジイル基である。Yは、水素原子又は-CR2R3OR4である。R2~R4は、それぞれ独立して、水素原子又は1価の炭化水素基である。但し、R3とR4とは、互いに結合して、R3が結合する炭素原子及びR4が結合する酸素原子と共に環状エーテル構造を形成してもよい。上記特定構造の構造単位Iを有する重合体を含有するフォトレジスト組成物は、感度等の基本特性を十分満足すると共に、MEEF、LWR等を指標としたリソグラフィー性能に優れる。当該重合体は、フォトレジスト組成物の材料として好適に用いられる。本発明は、下記式iで表される化合物も含む。式i中、R1は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Zは、Xに結合する炭素原子と共に炭素数3~20の2価の脂環式基を形成する基である。Xは、炭素数1~6のアルカンジイル基である。Yは、水素原子又は-CR2R3OR4である。R2~R4は、それぞれ独立して、水素原子又は1価の炭化水素基である。但し、R3とR4とは、互いに結合して、R3が結合する炭素原子及びR4が結合する酸素原子と共に環状エーテル構造を形成してもよい。本発明の化合物は上記式iで表される構造を有するので、当該重合体中に構造単位Iを組み込む単量体化合物として好適に用いることができる。なお、ここで放射線とは、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線、EUV等を含む概念である。本発明のフォトレジスト組成物は、感度等の基本特性を十分満足すると共に、MEEF、LWR等を指標としたリソグラフィー性能にも優れるため、リソグラフィー工程において好適に用いられる。以下、本発明の実施の形態について説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。<フォトレジスト組成物>本発明のフォトレジスト組成物は、[A]重合体及び[B]酸発生体を含有する。また、好適成分として[C]化合物を含有することができ、本発明の効果を損なわない限りさらにその他の任意成分を含有してもよい。以下、各構成成分について順に説明する。<[A]重合体>[A]重合体は、上記式1で表される構造単位Iを有する重合体である。当該フォトレジスト組成物は、この[A]重合体を含有することにより、感度等の基本特性を満足すると共に、MEEF、LWR等を指標としたリソグラフィー性能を向上させることができる。このような効果を得られる理由としては、例えば以下のことが考えられる。構造単位Iにおいて、水酸基又はアセタール基が重合体主鎖部分に近い上記特定領域に位置するため、重合体中で構造単位I同士が相互作用し、重合体分子鎖の運動が抑制される。それにより、露光工程で[B]酸発生体から生じる酸の拡散も適度に抑制される。その結果、当該フォトレジスト組成物は、上記発明の効果を有することができる。[A]重合体は、構造単位Iに加えて、構造単位IIを含有することが好ましい。また、本発明の効果を損なわない限り、構造単位I及び構造単位II以外にその他の構造単位を有してもよい。その他の構造単位としては、ラクトン構造、スルトン構造又は環状カーボネート構造を有する構造単位III、構造単位I以外の極性基を有する構造単位IV等が挙げられる。以下、各構造単位について詳述する。[構造単位I]構造単位Iは、上記式1で表される。上記式1中、R1は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Zは、Xに結合する炭素原子と共に炭素数3~20の2価の脂環式基を形成する基である。Xは、炭素数1~6のアルカンジイル基である。Yは、水素原子又は-CR2R3OR4である。R2~R4は、それぞれ独立して、水素原子又は1価の炭化水素基である。但し、R3とR4とは、互いに結合して、R3が結合する炭素原子及びR4が結合する酸素原子と共に環状エーテル構造を形成してもよい。上記ZがXに結合する炭素原子と共に形成する炭素数3~20の2価の脂環式基としては、例えばシクロプロパンジイル基、シクロブタンジイル基、シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、シクロヘプタンジイル基、シクロオクタンジイル基、シクロデカンジイル基、シクロドデカンジイル基、シクロブテンジイル基、シクロペンテンジイル基、シクロヘキセンジイル基、シクロデセンジイル基、シクロドデセンジイル、シクロペンタジエンジイル基、シクロヘキサジエンジイル基、シクロデカジエンジイル基等の単環の脂環式基;ビシクロ[2.2.1]ヘプテンジイル基、ビシクロ[2.2.2]オクタンジイル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカンジイル基、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカンジイル基、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカンジイル基、アダマンタンジイル基、ビシクロ[2.2.1]ヘプテンジイル基、ビシクロ[2.2.2]オクテンジイル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デセンジイル基、トリシクロ[3.3.1.1.3,7]デセンジイル基、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデセンジイル基等の多環の脂環式基が挙げられる。これらのうち、MEEF、LWR等を指標としたリソグラフィー性能向上の観点から、単環の脂環式基としては炭素数5~8の単環の脂環式基が好ましく、多環の脂環式基としては、アダマンタンジイル基が好ましい。中でも、炭素数5~8の単環の脂環式基がより好ましい。上記Xで表される炭素数1~6のアルカンジイル基としては、例えばメチレン基、エチレン基、プロパンジイル基、ブタンジイル基等が挙げられる。構造単位IにおけるYによって構成される水酸基又はアセタール基が、重合体主鎖から適度な距離を保つことが好ましく、このような観点から、これらのうち、炭素数2~4のアルカンジイル基が好ましい。上記Yとしては、-CR2R3OR4であることが好ましい。上記Yがこのようなアセタール基であると、露光部においてはアセタールが開裂しヒドロキシル基が生成されるのに対して、未露光部においては保護基を有しているため、露光部と未露光部とのコントラストがつき、得られるパターン形状が良好となることが考えられる。この場合に、R2~R4で表される1価の炭化水素基としては、例えば炭素数1~20の鎖状炭化水素基、炭素数3~20の脂環式基、炭素数6~20のアリール基等が挙げられる。上記炭素数1~20の鎖状炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基等が挙げられる。上記炭素数3~20の脂環式基としては、例えばシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、シクロドデシル基等が挙げられる。上記炭素数6~20のアリール基としては、例えばフェニル基、トリル基、ナフチル基等が挙げられる。構造単位Iとしては、例えば下記式1-1~1-10で表される構造単位等が挙げられる。上記式中、R1は、上記式1と同義である。これらのうち、当該フォトレジスト組成物のMEEF、LWR等を指標としたリソグラフィー性能が向上する観点から、上記式1-1~1-3、1-6~1-9で表される構造単位が好ましい。上記[A]重合体における構造単位Iの含有率としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対する構造単位Iの総量が、5~90モルが好ましく、10~70モルがより好ましく、30~60モルがさらに好ましい。このような含有率にすることによって、当該フォトレジスト組成物のMEEF、LWR等を指標としたリソグラフィー性能を向上させることができる。なお、[A]重合体は、構造単位Iを1種、又は2種以上有していても良い。構造単位Iを与える単量体としては、例えば下記式i-1~i-10で表される化合物等が挙げられる。上記式中、R1は、上記式1と同義である。構造単位1を与える単量体化合物は、例えば下記スキームに従い合成することができる。上記式中、R1及びXは、上記式1と同義である。シリルエーテルで保護された1-ブロモ直鎖アルカン及びマグネシウムから調製した臭化合物a:グリニャール試薬と、環状カルボニル化合物とを、ジエチルエーテル等の溶媒中で反応させることにより、化合物bが得られる。この化合物bに、有機アミン等の塩基存在下で、塩化メタアクリロイル等を反応させることにより化合物cが得られる。化合物cをフッ素化テトラブチルアンモニウムTBAF等で脱保護することにより構造単位Iを与える単量体化合物dを得ることができる。また、必要に応じて化合物dのヒドロキシル基をアセタール化することができる。[構造単位II]構造単位IIは、上記式2で表される構造単位である。[A]重合体が上記特定構造の酸解離性基を含む構造単位IIをさらに有することで、当該フォトレジスト組成物は、感度等の基本特性を十分満足することができ、MEEF、LWR等を指標としたリソグラフィー性能にも優れる。上記式2中、R5は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Rp1は、炭素数1~10の鎖状炭化水素基又は炭素数3~20の脂環式基である。Rp2及びRp3は、それぞれ独立して、炭素数1~10の鎖状炭化水素基又は炭素数4~20の脂環式基である。但し、Rp2及びRp3は、互いに結合してそれらが結合している炭素原子と共に炭素数4~20の2価の脂環式基を形成してもよい。上記炭素数1~10の鎖状炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等が挙げられる。上記炭素数3~20の脂環式基、又はRp2及びRp3が互いに結合して、それらが結合している炭素原子と共に形成する炭素数4~20の脂環式基としては、アダマンタン骨格、ノルボルナン骨格等の有橋式骨格を有する多環の脂環式基;シクロペンタン、シクロヘキサン等のシクロアルカン骨格を有する単環の脂環式基が挙げられる。また、これらの基は、例えば炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の1種以上で置換されていてもよい。構造単位IIとしては、下記式で表される構造単位が好ましい。上記式中、R5及びRP1~RP3は、上記式2と同義である。mは、1~6の整数である。これらのうち、下記式2-1~2-18で表される構造単位がより好ましく、下記式2-11及び2-12で表される構造単位がさらに好ましい。上記式中、R5は上記式2と同義である。[A]重合体において、構造単位IIの含有割合としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、5モル以上80モル以下が好ましく、5モル以上50モル以下がより好ましく、5モル以上20モル以下が特に好ましい。構造単位IIの含有割合が80モルを超えると、当該フォトレジスト組成物のMEEF、LWR等を指標としたリソグラフィー性能の低下が起こるおそれがある。また5モル未満となると、露光部のアルカリ溶解性が不十分となり、良好なパターンが得られないおそれがある。なお、[A]重合体は構造単位IIを1種、又は2種以上有してもよい。構造単位IIを与える単量体としては、例えばメタアクリル酸-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエステル、メタアクリル酸-ビシクロ[2.2.2]オクタ-2-イルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[5.2.1.02,6]デカ-7-イルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[3.3.1.13,7]デカ-1-イルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[3.3.1.13,7]デカ-2-イルエステル等が挙げられる。[構造単位III][A]重合体は、ラクトン構造、スルトン構造又は環状カーボネート構造を有する構造単位IIIをさらに含むことができる。当該フォトレジスト組成物は、[A]重合体が構造単位IIIを有することで、レジスト膜の基板への密着性を向上できる。構造単位IIIとしては、例えば下記式で表される構造単位等が挙げられる。上記式中、R11は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R12は水素原子又はメチル基である。R13は水素原子又はメトキシ基である。Z1は単結合又はメチレン基である。Z2はメチレン基又は酸素原子である。a及びbは0又は1である。構造単位IIIとしては、下記式で表される構造単位が好ましい。上記式中、R11は水素原子又はメチル基である。[A]重合体において、構造単位IIIの含有率としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、0モル~80モルが好ましく、10モル~60モルがより好ましい。このような含有率とすることによって、レジストと基板との密着性を向上させることができる。一方、80モルを超えると、MEEF、LWR等を指標としたリソグラフィー性能が低下するおそれがある。構造単位IIIを与える好ましい単量体としては、例えば国際公開2007/116664号パンフレットに記載の単量体が挙げられる。[構造単位IV][A]重合体は、構造単位I以外の下記式で表される極性基を含む構造単位IVをさらに有することが好ましい。ここで、極性基としては、水酸基、カルボキシル基、ケト基、スルホンアミド基、アミノ基、アミド基、シアノ基が挙げられる。構造単位IVとしては、例えば下記式で表される構造単位等が挙げられる。上記式中、R14は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。[A]重合体において、構造単位IVの含有割合としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、5モル以上80モル以下が好ましく、8モル以上40モル以下がより好ましい。なお、[A]重合体は構造単位IVを1種又は2種以上を有してもよい。<[A]重合体の合成方法>[A]重合体は、ラジカル重合等の常法に従って合成できる。例えば、単量体及びラジカル開始剤を含有する溶液を、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法;単量体を含有する溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法;各々の単量体を含有する複数種の溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法等の方法で合成することが好ましい。なお、単量体溶液に対して、単量体溶液を滴下して反応させる場合、滴下される単量体溶液中の単量体量は、重合に用いられる単量体総量に対して30モル以上が好ましく、50モル以上がより好ましく、70モル以上が特に好ましい。なお、上記式iで表される本発明の化合物である上記単量体の合成方法については後述する。これらの方法における反応温度は開始剤種によって適宜決定すればよい。通常30°C~180°Cであり、40°C~160°Cが好ましく、50°C~140°Cがより好ましい。滴下時間は、反応温度、開始剤の種類、反応させる単量体等の条件によって異なるが、通常、30分~8時間であり、45分~6時間が好ましく、1時間~5時間がより好ましい。また、滴下時間を含む全反応時間も、滴下時間と同様に条件により異なるが、通常、30分~8時間であり、45分~7時間が好ましく、1時間~6時間がより好ましい。上記重合に使用されるラジカル開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリルAIBN、2,2’-アゾビス4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス2-シクロプロピルプロピオニトリル、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル等が挙げられる。これらの開始剤は単独で又は2種以上を混合して使用できる。重合溶媒としては、重合を阻害する溶媒重合禁止効果を有するニトロベンゼン、連鎖移動効果を有するメルカプト化合物等以外の溶媒であって、その単量体を溶解可能な溶媒であれば限定されない。上記重合に使用される溶媒としては、例えばn-ペンタン、n-ヘキサン、n-ヘプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン等のアルカン類;シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、デカリン、ノルボルナン等のシクロアルカン類;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素類;クロロブタン類、ブロモヘキサン類、ジクロロエタン類、ヘキサメチレンジブロミド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル類;アセトン、2-ブタノン、4-メチル-2-ペンタノン、2-ヘプタノン等のケトン類;テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン類、ジエトキシエタン類等のエーテル類;メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、4-メチル-2-ペンタノール等のアルコール類等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。重合反応により得られた樹脂は、再沈殿法により回収することが好ましい。すなわち、重合反応終了後、重合液を再沈溶媒に投入することにより、目的の樹脂を粉体として回収する。再沈溶媒としては、アルコール類やアルカン類等を単独で又は2種以上を混合して使用することができる。再沈殿法の他に、分液操作やカラム操作、限外ろ過操作等により、単量体、オリゴマー等の低分子成分を除去して、樹脂を回収することもできる。[A]重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量Mwは、特に限定されないが、1,000以上100,000以下が好ましく、2,000以上50,000以下がより好ましく、3,000以上20,000以下が特に好ましい。Mwを上記範囲とすることで、当該フォトレジスト組成物は感度、LWR及びDOF等のリソグラフィー性能、及びエッチング耐性に優れたものとなる。また、[A]重合体のGPCによるポリスチレン換算数平均分子量Mnに対するMwの比Mw/Mnは、通常、1以上5以下であり、1以上3以下が好ましく、1以上2以下がより好ましい。Mw/Mnをこのような範囲とすることで、当該フォトレジスト組成物は感度、LWR、DOF等のリソグラフィー性能、及びエッチング耐性に優れたものとなる。なお、本明細書のMw及びMnは、GPCカラム東ソー社、G2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本を用い、流量1.0ミリリットル/分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度40°Cの分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするGPCにより測定した値をいう。<[B]酸発生体>[B]酸発生体は、露光により酸を発生し、その酸により[A]重合体中に存在する酸解離性基を解離させ酸を発生させる。その結果、[A]重合体が現像液に溶解性となる。当該フォトレジスト組成物における[B]酸発生体の含有形態としては、後述するような化合物の形態以下、[B]酸発生剤ともいうでも、重合体の一部として組み込まれた形態でも、これらの両方の形態でもよい。[B]酸発生剤としては、例えばオニウム塩化合物、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物等が挙げられる。これらの[B]酸発生剤のうち、オニウム塩化合物が好ましい。オニウム塩化合物としては、例えばスルホニウム塩テトラヒドロチオフェニウム塩を含む、ヨードニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩等が挙げられる。スルホニウム塩としては、例えばトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルホスホニウム1,1,2,2-テトラフルオロ-6-1-アダマンタンカルボニロキシ-ヘキサン-1-スルホネート等が挙げられる。これらのうち、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート及びトリフェニルホスホニウム1,1,2,2-テトラフルオロ-6-1-アダマンタンカルボニロキシ-ヘキサン-1-スルホネートが好ましい。テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート等が挙げられる。これらのテトラヒドロチオフェニウム塩のうち、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート及び1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネートが好ましい。ヨードニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート等が挙げられる。これらのヨードニウム塩のうち、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネートが好ましい。スルホンイミド化合物としては、例えばN-トリフルオロメタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-パーフルオロ-n-オクタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド等が挙げられる。これらのスルホンイミド化合物のうち、N-トリフルオロメタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミドが好ましい。これらの[B]酸発生剤は、単独で使用しても2種以上を併用してもよい。[B]酸発生体が剤である場合の使用量としては、レジストとしての感度及び現像性を確保する観点から、[A]重合体100質量部に対して、通常、0.1質量部以上20質量部以下、好ましくは0.5質量部以上15質量部以下である。[B]酸発生体の使用量が0.1質量部未満では、感度及び現像性が低下する傾向があり、一方15質量部を超えると、放射線に対する透明性が低下し、所望のレジストパターンを得られ難くなるおそれがある。<[C]化合物>[C]化合物は、露光により[B]酸発生体から生じる酸のレジスト被膜中における拡散現象を制御し、非露光領域における好ましくない化学反応を抑制する酸拡散制御体としての効果を奏する。この[C]化合物は、露光により分解して酸拡散制御性を失うため、露光部では酸が拡散し、未露光部では酸の拡散が制御されることにより露光部と未露光部のコントラストに優れ即ち、露光部と未露光部の境界部分が明確になる、特に本発明のフォトレジスト組成物のLWR、MEEFの改善に有効である。また、当該フォトレジスト組成物が[C]化合物を含有することで、貯蔵安定性がさらに向上し、解像度がさらに向上すると共に、露光から現像処理までの引き置き時間の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができる。さらに、プロセス安定性にも優れる。なお、[C]化合物の当該組成物における含有形態としては、遊離の化合物の形態でも、重合体の一部として組み込まれた形態でも、これらの両方の形態でもよい。[C]化合物は、上記式3-1で表される化合物及び式3-2で表される化合物からなる群より選択される少なくとも1種の化合物である。上記式3-1及び式3-2中、R6~R10は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシル基又はハロゲン原子である。E-及びG-は、それぞれ独立して、OH-、RA-COO-、RA-SO3-、又はRA-N--SO2-RBである。RAは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基である。但し、RAが有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。RBは、アルキル基又はアラルキル基である。但し、RBが有する水素原子の一部又は全部はフッ素原子で置換されていてもよい。上記式3-1及び3-2中、R6~R10で表されるアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。上記R6~R10で表されるアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。上記R6~R10で表されるハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。上記RA及びRBで表されるアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。上記RAで表されるシクロアルキル基としては、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基等が挙げられる。上記RAで表されるアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。上記RA及びRBで表されるアラルキル基としては、例えばベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基等が挙げられる。上記RAが有してもよい置換基としては、ヒドロキシル基、シアノ基が好ましい。また、置換基を有するRAとしては、例えばヒドロキシメチル基等の炭素数1~4のヒドロキシアルキル基;シアノメチル基等の炭素数2~5のシアノアルキル基;ヒドロキシシクロペンタン、ヒドロキシシクロヘキサン、シクロヘキサノン等のシクロアルカン骨格、1,7,7-トリメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-オンカンファー等の有橋式炭化水素骨格等の脂環式基由来の1価の基、上記例示したアリール基をヒドロキシル基又はシアノ基で置換した基等を挙げることができる。これらのうち、ヒドロキシメチル基、シアノメチル基、1,7,7-トリメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-オン由来の基、フェニル基、ベンジル基、フェニルシクロヘキシル基をヒドロキル基又はシアノ基で置換した基が好ましい。なお、E-及びG-がスルホネートアニオンRA-SO3-である場合、フッ素原子又はパーフルオロアルキル基が結合する炭素原子とそのスルホネート基とが直接結合する場合はない。上記式3-1中のE-は、下記式3-1-1で表されるアニオンすなわち、RAがフェニル基であるRA-COO-で表されるアニオン、下記式3-1-2で表されるアニオンすなわち、RAが1,7,7-トリメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-オン由来の基であるRA-SO3-で表されるアニオン又は下記式3-1-3で表されるアニオンすなわち、RAがブチル基であり、RBがトリフルオロメチル基であるRA-N--SO2-RBで表されるアニオンであることが好ましい。[C]化合物は、上記式3-1で表される化合物及び式3-2で表される化合物からなる群より選択される少なくとも1種の化合物であり、具体的には、上記条件を満たすスルホニウム塩化合物又はヨードニウム塩化合物である。上記スルホニウム塩化合物としては、例えば、トリフェニルスルホニウムハイドロオキサイド、トリフェニルスルホニウムサリチラート、トリフェニルスルホニウム4-トリフルオロメチルサリチラート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムサリチラート、トリフェニルスルホニウム10-カンファースルホナート、4-t-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム10-カンファースルホナート等を挙げることができる。なお、これらのスルホニウム塩化合物は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。また、上記ヨードニウム塩化合物としては、例えば、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムハイドロオキサイド、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムサリチラート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム4-トリフルオロメチルサリチラート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム10-カンファースルホナート等を挙げることができる。なお、これらのヨードニウム塩化合物は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの[C]化合物は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。[C]化合物の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、10質量部未満が好ましい。合計使用量が10質量部を超えると、レジストとしての感度が低下する傾向にある。<その他の任意成分>当該フォトレジスト組成物は、[A]重合体及び[B]酸発生体、好適成分としての[C]化合物に加え、本発明の効果を損なわない範囲で、その他の任意成分として溶媒、フッ素原子含有重合体、界面活性剤、脂環式骨格含有化合物、増感剤等を含有できる。<フッ素原子含有重合体>当該フォトレジスト組成物は、フッ素原子含有重合体をさらに含有できる。上記フッ素原子含有重合体はフッ素原子を含む重合体である。当該フォトレジスト組成物がフッ素原子含有重合体を含有することで、レジスト膜の疎水性が向上し液浸露光を行った場合においても物質溶出抑制に優れ、また、レジスト膜と液浸液との後退接触角を十分に高くでき、高速でスキャン露光した場合に水滴が残らない等の効果を奏する。そのため当該フォトレジスト組成物の液浸露光用としての有用性が高まる。本発明におけるフッ素原子含有重合体は、フッ素原子を構造中に含む単量体を1種類以上重合することにより形成される。フッ素原子を構造中に含む重合体を与える単量体としては、主鎖にフッ素原子を含む単量体、側鎖にフッ素原子を含む単量体、主鎖と側鎖とにフッ素原子を含む単量体が挙げられる。主鎖にフッ素原子を含む重合体を与える単量体としては、例えばα-フルオロアクリレート化合物、α-トリフルオロメチルアクリレート化合物、β-フルオロアクリレート化合物、β-トリフルオロメチルアクリレート化合物、α,β-フルオロアクリレート化合物、α,β-トリフルオロメチルアクリレート化合物、1種類以上のビニル部位の水素がフッ素又はトリフルオロメチル基等で置換された化合物等が挙げられる。側鎖にフッ素原子を含む重合体を与える単量体としては、例えばノルボルネンのような脂環式オレフィン化合物の側鎖がフッ素又はフルオロアルキル基やその誘導体、アクリル酸又はメタクリル酸のフルオロアルキル基やその誘導体のエステル化合物、1種類以上のオレフィンの側鎖二重結合を含まない部位がフッ素原子又はフルオロアルキル基やその誘導体等が挙げられる。主鎖と側鎖とにフッ素原子を含む重合体を与える単量体としては、例えばα-フルオロアクリル酸、β-フルオロアクリル酸、α,β-フルオロアクリル酸、α-トリフルオロメチルアクリル酸、β-トリフルオロメチルアクリル酸、α,β-トリフルオロメチルアクリル酸等のフルオロアルキル基やその誘導体のエステル化合物、1種類以上のビニル部位の水素がフッ素原子又はトリフルオロメチル基等で置換された化合物の側鎖をフッ素原子又はフルオロアルキル基やその誘導体で置換したもの、1種類以上の脂環式オレフィン化合物の二重結合に結合している水素をフッ素原子又はトリフルオロメチル基等で置換し、かつ側鎖がフルオロアルキル基やその誘導体等が挙げられる。なお、この脂環式オレフィン化合物とは、環の一部が二重結合である化合物を示す。フッ素原子含有重合体が有する構造単位としては、下記式で表される構造単位以下、構造単位Vとも称するが挙げられる。上記式中、R15は水素、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Xfは連結基である。R16は少なくとも一つ以上のフッ素原子を含有する炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体である。Xfが示す連結基としては、例えば単結合、酸素原子、硫黄原子、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、アミド基、スルホニルアミド基、ウレタン基等が挙げられる。構造単位Vを与える単量体としては、例えば2-[1-エトキシカルボニル-1,1-ジフルオロブチル]メタアクリル酸エステル、トリフルオロメチルメタアクリル酸エステル、2,2,2-トリフルオロエチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロエチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロn-プロピルメタアクリル酸エステル、パーフルオロi-プロピルメタアクリル酸エステル、パーフルオロn-ブチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロi-ブチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロt-ブチルメタアクリル酸エステル、2-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロピルメタアクリル酸エステル、1-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロシクロヘキシルメチルメタアクリル酸エステル、1-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルメタアクリル酸エステル、1-3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-ヘプタデカフルオロデシルメタアクリル酸エステル、1-5-トリフルオロメチル-3,3,4,4,5,6,6,6-オクタフルオロヘキシルメタアクリル酸エステル等が挙げられる。フッ素原子含有重合体は、構造単位Vを1種のみ含有していてもよいし、2種以上含有していてもよい。構造単位Vの含有割合は、フッ素原子含有重合体における全構造単位を100モルとした場合に、通常5モル以上、好ましくは10モル以上、より好ましくは15モル以上である。この構造単位Vの含有率が5モル未満であると、70度以上の後退接触角を達成できない場合や、レジスト塗膜からの酸発生剤等の溶出を抑制できないおそれがある。フッ素原子含有重合体は、構造単位V以外にも、例えば現像液に対する溶解速度を制御するために酸解離性基を有する構造単位や、ラクトン構造等、水酸基、カルボキシル等、又は基板からの反射による光の散乱を抑えるために芳香族化合物に由来する構造単位等の他の構造単位を1種類以上含有することができる。上記酸解離性基を有する他の構造単位としては、[A]重合体における構造単位IIで例示した構造単位と同様の構造単位が適用できる。上記ラクトン構造等を含有する他の構造単位としては、[A]重合体における構造単位IIIで例示した構造単位と同様の構造単位が適用できる。上記極性基を含有する他の構造単位としては、[A]重合体における構造単位IVで例示した構造単位と同様の構造単位が適用できる。上記芳香族化合物に由来する他の構造単位を生じさせる好ましい単量体としては、例えば、スチレン、α-メチルスチレン、2-メチルスチレン、3-メチルスチレン、4-メチルスチレン、2-メトキシスチレン、3-メトキシスチレン、4-メトキシスチレン、4-2-t-ブトキシカルボニルエチルオキシスチレン2-ヒドロキシスチレン、3-ヒドロキシスチレン、4-ヒドロキシスチレン、2-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、3-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、4-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、2-メチル-3-ヒドロキシスチレン、4-メチル-3-ヒドロキシスチレン、5-メチル-3-ヒドロキシスチレン、2-メチル-4-ヒドロキシスチレン、3-メチル-4-ヒドロキシスチレン、3,4-ジヒドロキシスチレン、2,4,6-トリヒドロキシスチレン、4-t-ブトキシスチレン、4-t-ブトキシ-α-メチルスチレン、4-2-エチル-2-プロポキシスチレン、4-2-エチル-2-プロポキシ-α-メチルスチレン、4-1-エトキシエトキシスチレン、4-1-エトキシエトキシ-α-メチルスチレン、メタアクリル酸フェニル、メタアクリル酸ベンジル、アセナフチレン、5-ヒドロキシアセナフチレン、1-ビニルナフタレン、2-ビニルナフタレン、2-ヒドロキシ-6-ビニルナフタレン、1-ナフチルメタアクリレート、2-ナフチルメタアクリレート、1-ナフチルメチルメタアクリレート、1-アントリルメタアクリレート、2-アントリルメタアクリレート、9-アントリルメタアクリレート、9-アントリルメチルメタアクリレート、1-ビニルピレン等が挙げられる。他の構造単位の含有割合としては、フッ素原子含有重合体における全構造単位を100モルとした場合に、通常80モル以下、好ましくは75モル以下、より好ましくは70モル以下である。フッ素原子含有重合体のMwとしては、1,000~50,000が好ましく、1,000~30,000がより好ましく、1,000~10,000が特に好ましい。フッ素原子含有重合体のMwが1,000未満の場合、十分な前進接触角を得ることができない。一方、Mwが50,000を超えると、レジストとした際の現像性が低下する傾向にある。フッ素原子含有重合体のMwとMnとの比Mw/Mnとしては、通常1~3であり、好ましくは1~2である。上記フォトレジスト組成物におけるフッ素原子含有重合体の含有割合としては、[A]重合体100質量部に対して、0~50質量部が好ましく、0~20質量部がより好ましく、0.5~10質量部が特に好ましく、1~8質量部が最も好ましい。上記フォトレジスト組成物における上記フッ素原子含有重合体の含有率を上記範囲とすることで、得られるレジスト塗膜表面の撥水性及び溶出抑制性をより高めることができる。[フッ素原子含有重合体の合成方法]上記フッ素原子含有重合体は、例えば所定の各構造単位に対応する単量体を、ラジカル重合開始剤を使用し、適当な溶媒中で重合することにより合成できる。上記重合に使用される溶媒としては、例えば[A]重合体の合成方法で挙げたものと同様の溶媒が挙げられる。上記重合における反応温度としては、通常40°C~150°C、50°C~120°Cが好ましい。反応時間としては、通常1時間~48時間、1時間~24時間が好ましい。[溶媒]当該組成物は通常溶媒を含有する。溶媒は少なくとも上記の[A]重合体、[B]酸発生体、好適成分である[C]化合物、及び必要に応じて加えられる任意成分を溶解できれば特に限定されない。溶媒としては、例えばアルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒及びその混合溶媒等が挙げられる。アルコール系溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、n-プロパノール、iso-プロパノール、n-ブタノール、iso-ブタノール、sec-ブタノール、tert-ブタノール、n-ペンタノール、iso-ペンタノール、2-メチルブタノール、sec-ペンタノール、tert-ペンタノール、3-メトキシブタノール、n-ヘキサノール、2-メチルペンタノール、sec-ヘキサノール、2-エチルブタノール、sec-ヘプタノール、3-ヘプタノール、n-オクタノール、2-エチルヘキサノール、sec-オクタノール、n-ノニルアルコール、2,6-ジメチル-4-ヘプタノール、n-デカノール、sec-ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec-テトラデシルアルコール、sec-ヘプタデシルアルコール、フルフリルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5-トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等のモノアルコール系溶媒;エチレングリコール、1,2-プロピレングリコール、1,3-ブチレングリコール、2,4-ペンタンジオール、2-メチル-2,4-ペンタンジオール、2,5-ヘキサンジオール、2,4-ヘプタンジオール、2-エチル-1,3-ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等の多価アルコール系溶媒;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ-2-エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル等の多価アルコール部分エーテル系溶媒等が挙げられる。エーテル系溶媒としては、例えばジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジフェニルエーテル、メトキシベンゼン等が挙げられる。ケトン系溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル-iso-ブチルケトン、メチル-n-ペンチルケトン、エチル-n-ブチルケトン、メチル-n-ヘキシルケトン、ジ-iso-ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン、2,4-ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン等のケトン系溶媒が挙げられる。アミド系溶媒としては、例えばN,N’-ジメチルイミダゾリジノン、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルプロピオンアミド、N-メチルピロリドン等が挙げられる。エステル系溶媒としては、例えばジエチルカーボネート、プロピレンカーボネート、酢酸メチル、酢酸エチル、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、酢酸n-プロピル、酢酸iso-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸iso-ブチル、酢酸sec-ブチル、酢酸n-ペンチル、酢酸sec-ペンチル、酢酸3-メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2-エチルブチル、酢酸2-エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸n-ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸iso-アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ-n-ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-ブチル、乳酸n-アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル等が挙げられる。炭化水素系溶媒としては、例えばn-ペンタン、iso-ペンタン、n-ヘキサン、iso-ヘキサン、n-ヘプタン、iso-ヘプタン、2,2,4-トリメチルペンタン、n-オクタン、iso-オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、n-プロピルベンゼン、iso-プロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、iso-ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ-iso-プロピルベンセン、n-アミルナフタレン等の芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらのうち酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノン、γ-ブチロラクトンが好ましい。これらの溶媒は単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。[界面活性剤]界面活性剤は、塗布性、ストリエーション、現像性等を改良する効果を奏する。界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンn-オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンn-ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤の他、以下商品名でKP341信越化学工業社、ポリフローNo.75、同No.95以上、共栄社化学社、エフトップEF301、同EF303、同EF352以上、トーケムプロダクツ社、メガファックF171、同F173以上、大日本インキ化学工業社、フロラードFC430、同FC431以上、住友スリーエム社、アサヒガードAG710、サーフロンS-382、同SC-101、同SC-102、同SC-103、同SC-104、同SC-105、同SC-106以上、旭硝子工業社等が挙げられる。これらの界面活性剤は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。[脂環式骨格含有化合物]脂環式骨格含有化合物は、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接着性等を改善する効果を奏する。脂環式骨格含有化合物としては、例えば1-アダマンタンカルボン酸、2-アダマンタノン、1-アダマンタンカルボン酸t-ブチル等のアダマンタン誘導体類;デオキシコール酸t-ブチル、デオキシコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸2-エトキシエチル等のデオキシコール酸エステル類;リトコール酸t-ブチル、リトコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸2-エトキシエチル等のリトコール酸エステル類;3-2-ヒドロキシ-2,2-ビストリフルオロメチルエチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、2-ヒドロキシ-9-メトキシカルボニル-5-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン等が挙げられる。これらの脂環式骨格含有化合物は単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。[増感剤]増感剤は、[B]酸発生体の生成量を増加する作用を示すものであり、当該組成物のみかけの感度を向上させる効果を奏する。増感剤としては、例えばカルバゾール類、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、フェノール類、ビアセチル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセン類、フェノチアジン類等が挙げられる。これらの増感剤は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。<フォトレジスト組成物の調製>当該フォトレジスト組成物は、例えば有機溶媒中で[A]重合体、[B]酸発生体、必要に応じて加えられる[C]化合物、及びその他の任意成分を所定の割合で混合することにより調製できる。また、当該フォトレジスト組成物は、適当な有機溶媒に溶解又は分散させた状態に調製され使用され得る。<レジストパターン形成方法>本発明のレジストパターン形成方法は、1本発明のフォトレジスト組成物を基板上に塗布し、レジスト膜を形成する工程以下、工程1ともいう、2フォトマスクを介した放射線の照射により、上記レジスト膜を露光する工程以下、工程2ともいう、3露光された上記レジスト膜を加熱する工程以下、工程3ともいう、及び4加熱されたレジスト膜を現像する工程以下、工程4ともいうを含む。以下、各工程を詳述する。[工程1]本工程では、本発明のフォトレジスト組成物を基板上に塗布して、レジスト膜を形成する。基板としては、例えばシリコンウェハ、アルミニウムで被覆されたウェハ等の従来公知の基板を使用できる。また、例えば特公平6-12452号公報や、特開昭59-93448号公報等に開示されている有機系又は無機系の反射防止膜を基板上に形成してもよい。塗布方法としては、例えば回転塗布スピンコーティング、流延塗布、ロール塗布等が挙げられる。なお、形成されるレジスト膜の膜厚としては、通常0.01μm~1μmであり、0.01μm~0.5μmが好ましい。当該フォトレジスト組成物を塗布した後、必要に応じてプレベークPBによって塗膜中の溶媒を揮発させてもよい。PBの加熱条件としては、当該組成物の配合組成によって適宜選択されるが、通常30°C~200°C程度であり、50°C~150°Cが好ましい。環境雰囲気中に含まれる塩基性不純物等の影響を防止するために、例えば特開平5-188598号公報等に開示されている保護膜をレジスト層上に設けることもできる。さらに、レジスト層からの酸発生剤等の流出を防止するために、例えば特開2005-352384号公報等に開示されている液浸用保護膜をレジスト層上に設けることもできる。なお、これらの技術は併用できる。[工程2]本工程では、工程1で形成したレジスト膜の所望の領域に特定パターンのマスク、及び必要に応じて液浸液を介して縮小投影することにより露光を行う。例えば、所望の領域にアイソラインパターンマスクを介して縮小投影露光を行うことにより、アイソトレンチパターンを形成できる。また、露光は所望のパターンとマスクパターンによって2回以上行ってもよい。2回以上露光を行う場合、露光は連続して行うことが好ましい。複数回露光する場合、例えば所望の領域にラインアンドスペースパターンマスクを介して第1の縮小投影露光を行い、続けて第1の露光を行った露光部に対してラインが交差するように第2の縮小投影露光を行う。第1の露光部と第2の露光部とは直交することが好ましい。直交することにより、露光部で囲まれた未露光部において真円状のコンタクトホールパターンが形成しやすくなる。なお、露光の際に用いられる液浸液としては水やフッ素系不活性液体等が挙げられる。液浸液は、露光波長に対して透明であり、かつ膜上に投影される光学像の歪みを最小限に留めるよう屈折率の温度係数ができる限り小さい液体が好ましいが、特に露光光源がArFエキシマレーザー光波長193nmである場合、上述の観点に加えて、入手の容易さ、取り扱いのし易さといった点から水を用いるのが好ましい。水を用いる場合、水の表面張力を減少させるとともに、界面活性力を増大させる添加剤を僅かな割合で添加しても良い。この添加剤は、ウェハ上のレジスト層を溶解させず、かつレンズの下面の光学コートに対する影響が無視できるものが好ましい。使用する水としては蒸留水が好ましい。露光に使用される放射線としては、[B]酸発生体の種類に応じて適宜選択されるが、例えば紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等が挙げられる。これらのうち、ArFエキシマレーザーやKrFエキシマレーザー波長248nmに代表される遠紫外線が好ましく、ArFエキシマレーザーがより好ましい。露光量等の露光条件は、当該フォトレジスト組成物の配合組成や添加剤の種類等に応じて適宜選択される。本発明のパターン形成方法においては、露光工程を複数回有してもよく複数回の露光は同じ光源を用いても、異なる光源を用いても良いが、1回目の露光にはArFエキシマレーザー光を用いることが好ましい。[工程3]本工程では、露光後にポストエクスポージャーベークPEBを行なう。PEBを行なうことにより、当該フォトレジスト組成物中の酸解離性基の解離反応を円滑に進行できる。PEBの加熱条件としては、通常30°C以上200°C未満であり、50°C以上150°C未満が好ましい。30°Cより低い温度では、上記解離反応が円滑に進行しないおそれがあり、200°C以上の温度では、[B]酸発生体から発生する酸が未露光部にまで広く拡散し、良好なパターンが得られないおそれがある。[工程4]本工程は、露光後加熱されたフォトレジスト膜を、現像液で現像することにより、所定のフォトレジストパターンを形成する。現像後は、水で洗浄し、乾燥することが一般的である。現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、けい酸ナトリウム、メタけい酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8-ジアザビシクロ-[5.4.0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ-[4.3.0]-5-ノネン等のアルカリ性化合物の少なくとも1種を溶解したアルカリ水溶液が好ましい。現像方法としては、例えば現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法パドル法、基板表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出しつづける方法ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。<重合体>本発明の重合体は、上記式1で表される構造単位Iを有する。当該フォトレジスト組成物は、この当該重合体を含有することにより、感度等の基本特性を満足すると共に、MEEF、LWR等を指標としたリソグラフィー性能を向上させることができる。なお、本発明の重合体については、フォトレジスト組成物における[A]重合体の説明の中ですでに詳述しているので、ここでの説明を省略する。<化合物>本発明の化合物は、上記式iで表される。本発明の化合物は上記式iで表される構造を有するので、当該重合体中に構造単位Iを組み込む単量体化合物として好適に用いることができる。なお、本発明の化合物については、フォトレジスト組成物の[A]重合体における構造単位Iの説明の中ですでに詳述しているので、ここでの説明を省略する。以下に本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。重合体のMw及びMnは、GPCカラム東ソー社、G2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本を用い、以下の条件により測定した。カラム温度:40°C溶出溶媒:テトラヒドロフラン和光純薬工業社流速:1.0mL/分試料濃度:1.0質量試料注入量:100μL検出器:示差屈折計標準物質:単分散ポリスチレン1H-NMR分析及び13C-NMR分析は、核磁気共鳴装置日本電子社、JNM-EX270を使用し測定した。<化合物の合成>[実施例1]化合物M-1の合成攪拌機及び滴下ロートを設置した1L反応器内に2-ブロモエタノール30g240mmolとテトラヒドロフランTHF200mLを仕込んだ。THF100mLにt-ブチルジメチルシリクロライド39.8g264mmolを溶かした後、滴下ロートに注ぎ、窒素下で滴下し、0°Cに冷却しながら3時間、攪拌下に反応させた。得られた懸濁液をろ過し、ろ液を減圧濃縮して得られた残渣を減圧蒸留にて精製することにより下記式m-1で表される化合物48.6g収率85を得た。攪拌機及び滴下ロートを設置した1L反応器内にマグネシウム7.4g300mmolとジエチルエーテル50mLを仕込んだ。ジエチルエーテル150mLに上記式m-1で表される化合物23.9g200mmolを溶かした後、滴下ロートに注ぎ、窒素下で滴下し、室温で1時間攪拌下に反応させた。その後100mLのジエチルエーテルにシクロペンタノン12.6g150mmolを滴下ロートから滴下し、3時間攪拌下に反応させた。その後氷冷し、トリエチルアミン15.2g150mmolを添加し、THF30mLに溶かしたメタクリル酸クロライド11.5g110mmolを滴下し、6時間反応させた。反応後得られた懸濁液を減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー溶離液:ヘキサン/酢酸エチル=5/1で精製することにより下記式m-2で表される化合物31.8g収率65を得た。攪拌機及び滴下ロートを設置した1L反応器内に上記式m-2で表される化合物24.5g100mmolとTHF120mLを仕込んだ。THF30mLにフッ化テトラブチルアンモニウム32.7g125mmolを溶かした後、滴下ロートに注ぎ、窒素下で滴下し、室温で3時間攪拌下に反応させた。反応後、酢酸エチルを加え、続いて水酸化ナトリウム水溶液で洗浄した後、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー溶離液:ヘキサン/酢酸エチル=4/1で精製することにより下記式M-1で表される化合物を15.9g収率80得た。得られた化合物M-1の1H-NMRデータを以下に示す。1H-NMRCDCl3δ:1.41t、2H、CH2、1.45m、4H、CH2、1.71t、3H、CH3、1.93m、4H、CH2、2.50br、1H、OH、3.41t、2H、CH2、5.37s、1H、CH、5.98s、1H、CH[実施例2]化合物M-2の合成シクロペンタノン12.6gの代わりにシクロオクタノン18.9g150mmolを用いた以外は実施例1と同様にして下記式M-2で表される化合物を22.0g得た収率62。得られた化合物M-2の1H-NMRデータを以下に示す。1H-NMRCDCl3δ:1.38-2.03m、23H、CH2、CH3、2.46br、1H、OH、3.38t、2H、CH2、5.36s、1H、CH、5.96s、1H、CH[実施例3]化合物M-3の合成シクロペンタノン12.6gの代わりに2-アダマンタノン22.5g150mmolを用いた以外は実施例1と同様にして下記式M-3で表される化合物23.4gを得た収率59。得られた化合物M-3の1H-NMRデータを以下に示す。1H-NMRCDCl3δ:1.25-2.24m、23H、CH、CH2、CH3、2.54br、1H、OH、3.40t、2H、CH2、5.37s、1H、CH、5.89s、1H、CH[実施例4]化合物M-4の合成2-ブロモエタノール30gの代わりに1-ブロモ-2-プロパノール33.4g240mmolを用いた以外は実施例1と同様にして下記式M-4で表される化合物31.1gを得た収率61。得られた化合物M-4の1H-NMRデータを以下に示す。1H-NMRCDCl3δ:1.40t、2H、CH2、1.45m、4H、CH2、1.59s、3H、CH3、1.71t、3H、CH3、1.94m、4H、CH2、2.48br、1H、OH、3.41t、2H、CH2、5.37s、1H、CH、5.89s、1H、CH[実施例5]化合物M-5の合成2-ブロモエタノール30gの代わりに4-ブロモ-1-ブタノール36.7g240mmolを用いた以外は実施例1と同様にして下記式M-5で表される化合物31.5gを得た収率58。得られた化合物M-5の1H-NMRデータを以下に示す。1H-NMRCDCl3δ:1.37t、2H、CH2、1.42-1.52m、8H、CH2、1.72t、3H、CH3、1.93m、4H、CH2、2.49br、1H、OH、3.42t、2H、CH2、5.36s、1H、CH、5.90s、1H、CH[実施例6]攪拌機及び滴下ロートを設置した1L反応器内に4-ブロモ-1-ブタノール東京化成製、純度8028.8g150mmol、トシル酸0.25g1.5mmol及びジクロロメタン300mLを仕込んだ。室温、窒素下及び攪拌下で6時間反応させた。得られた懸濁液をろ過し、ろ液を減圧濃縮して得られた残渣を減圧蒸留にて精製することにより下記式m-3で表される化合物を29.5g収率83得た。攪拌機及び滴下ロートを設置した1L反応器内にマグネシウム9.4g340mmolとジエチルエーテル50mLとを仕込んだ。ジエチルエーテル150mLに上記式m-3で表される化合物30.8g130mmolを溶かした後、滴下ロートに注ぎ、窒素下で滴下し、室温で1時間攪拌下に反応させた。その後100mLのジエチルエーテルにシクロペンタノン16.4g195mmolを滴下ロートから滴下し、3時間攪拌下に反応させた。その後氷冷し、トリエチルアミン17.2g170mmolを添加し、THF30mLに溶かしたメタクリル酸クロライド11.5g71.5mmolを滴下し、6時間反応させた。反応後得られた懸濁液を減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー溶離液:ヘキサン/酢酸エチル=5/1で精製することにより下記式M-6で表される化合物39.5g収率68を得た。得られた化合物M-6の1H-NMRデータを以下に示す。1H-NMRCDCl3δ:1.28-1.59m、16H、CH2、1.70s、3H、CH3、1.92m、2H、CH2、2.07m、2H、CH2、3.26-3.40m、2H、CH2、3.60-3.74m、2H、CH2、4.48s、1H、CH、5.36s、1H、CH、5.90s、1H、CH[実施例7]4-ブロモ-1-ブタノール28.8gの代わりに2-ブロモ-1-エタノール18.7g150mmolを用いた以外は実施例6と同様にして下記式M-7で表される化合物を8.89g得た収率21。得られた化合物M-7の1H-NMRデータを以下に示す。1H-NMRCDCl3δ:1.29-1.56m、12H、CH2、1.69s、3H、CH3、1.92m、2H、CH2、2.08m、2H、CH2、3.26-3.40m、2H、CH2、3.60-3.74m、2H、CH2、4.48s、1H、CH、5.36s、1H、CH、5.90s、1H、CH[実施例8]シクロペンタノン16.4gの代わりにシクロオクタノン24.6g195mmolを用いた以外は実施例6と同様にして下記式M-8で表される化合物を42.2g得た収率60。得られた化合物M-8の1H-NMRデータを以下に示す。1H-NMRCDCl3δ:1.30-1.62m、18H、CH2、1.69s、3H、CH3、1.92-2.08m、8H、CH2、3.26-3.40m、2H、CH2、3.60-3.74m、2H、CH2、4.48s、1H、CH、5.36s、1H、CH、5.90s、1H、CH[実施例9]シクロペンタノン16.4gの代わりに2-アダマンタノン29.3g195mmolを用いた以外は実施例6と同様にして下記式M-9で表される化合物を41.1g得た収率56。得られた化合物M-9の1H-NMRデータを以下に示す。1H-NMRCDCl3δ:1.22-2.50m、30H、CH2、CH3、3.60t、2H、CH2、3.73t、2H、CH25.37s、1H、CH、5.89s、1H、CH<[A]重合体の合成>[A]重合体の合成に使用した単量体は下記式M-1~M-16で示される。[実施例10]化合物M-113.6g50モル、化合物M-1616.4g50モルを60gの2-ブタノンに溶解し、AIBN1.21gを添加して単量体溶液を調製した。30gの2-ブタノンを入れた500mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、撹拌しながら80°Cに加熱し、調製した単量体溶液を滴下漏斗にて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合反応終了後、重合溶液を水冷して30°C以下に冷却した。600gのメタノール中に冷却した重合溶液を投入し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別した白色粉末を120gのメタノールで2回洗浄した後、ろ別し、50°Cで17時間乾燥させて白色粉末状の重合体A-1を得た24.6g、収率82。得られた重合体A-1のMwは5,000であり、Mw/Mnは1.31であり、低分子量成分の残存割合は0.05であった。また、13C-NMR分析の結果、化合物M-1由来の構造単位:化合物M-16由来の構造単位の含有率は48:52モルであった。[実施例11~21、合成例1~5]表1に記載の単量体を所定量配合した以外は、実施例10と同様に操作して重合体A-2~A-12及びa-1~a-5を得た。また、得られた各重合体のMw、Mw/Mn、収率及び各重合体における各単量体に由来する構造単位の含有率を合わせて表1に示す。<フォトレジスト組成物の調製>当該フォトレジスト組成物の調製で使用した[B]酸発生体、[C]化合物及び溶媒は、下記のとおりである。<[B]酸発生体>下記式B-1~B-3で表される化合物<[C]化合物>下記式C-1で表される化合物<溶媒>以下、実施例及び比較例で用いた溶媒を示す。D-1酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテルD-2シクロヘキサノンD-3γ-ブチロラクトン[実施例22][A]重合体としてA-1100質量部、[B]酸発生剤としてB-110.8質量部、[C]化合物としてC-16.7質量部、及び溶媒D-12,590質量部、D-21,110質量部、D-3200質量部を混合し、得られた混合溶液を孔径0.20μmのフィルターでろ過してフォトレジスト組成物を調製した。[実施例23~36、比較例1~5]表2に示す配合処方にしたこと以外は、実施例22と同様の操作を行い各フォトレジスト組成物を調製した。<評価>上記各フォトレジスト組成物を用いて下記評価を行った。結果は表2に合わせて示す。[感度の評価]下層反射防止膜ARC66、日産化学社製を形成した12インチシリコンウェハ上に、各フォトレジスト組成物によって、膜厚75nmの被膜を形成し、100°Cで60秒間ソフトベークSBを行った。次に、この被膜を、ArFエキシマレーザー液浸露光装置NSRS610C、NIKON社製を用い、NA=1.3、ratio=0.800、Annularの条件により、50nmLine100nmPitchのパターン形成用のマスクパターンを介して露光した。露光後、各フォトレジスト組成物について100°Cで60秒間ポストベークPEBを行った。その後、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により現像し、水洗し、乾燥して、ポジ型のレジストパターンを形成した。このとき、50nmLine100nmPitchのパターン形成用のマスクパターンを介して露光した部分が線幅50nmのLineを形成する露光量を最適露光量Eopとした。この最適露光量を感度mJ/cm2とした。なお、測長には走査型電子顕微鏡CG4000、日立ハイテクノロジーズ社製を用いた。感度が40mJ/cm2以下である場合、良好であると評価した。[MEEFMaskErrorEnhanceFactor]各フォトレジスト組成物を用いて、上記感度の評価の際に得られた最適露光量Eopにて42nmライン58nmピッチ、46nmライン54nmピッチ、50nmライン100nmピッチとするマスクパターンをそれぞれ介して、ピッチ100nmのLSパターンを形成した。このとき、マスクのラインサイズnmを横軸に、各マスクパターンを用いてレジスト膜に形成されたライン幅nmを縦軸にプロットしたときの直線の傾きをMEEFとして算出した。MEEF直線の傾きは、その値が1に近いほどマスク再現性が良好である。[LWRLineWidthRoughness]上記感度の評価における方法と同様の方法により、ポジ型のレジストパターンを形成し、最適露光量Eopを測定した。上記Eopにて形成された線幅50nmのLineを、日立社製の測長SEMS9220を用い、パターン上部から観察し、任意の10点において線幅を測定した。線幅の測定値の3シグマ値ばらつきをLWRnmとした。このLWRの値が5.4nm以下であれば、形成されたパターン形状が良好であると評価した。表2に示す通り、本発明のフォトレジスト組成物は、感度を十分満足し、MEEF及びLWRの値が低減し、これらを指標として表されるリソグラフィー性能において優れていることがわかった。"