電流の切り替えに係るスイッチング素子、前記スイッチング素子が実装される導電部材、および、前記スイッチング素子および前記導電部材をモールドするモールド部を有する半導体モジュールと、前記半導体モジュールを放熱部材に押圧する押圧部材と、を備え、前記スイッチング素子は、1つの前記押圧部材に対して3つ以上配置されるとともに、前記押圧部材による押圧により前記半導体モジュールと前記放熱部材との間に生じる圧力が前記スイッチング素子からの熱を前記放熱部材に放熱可能な所定の圧力以上である領域に配置されることを特徴とする半導体装置。前記半導体モジュールは、前記モールド部の1つの面である第1面に設けられ、巻線と接続される巻線端子、および、前記モールド部の前記第1面とは反対側の面である第2面に設けられ、制御基板と接続される制御端子を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記押圧部材は、前記モールド部の中心よりも前記第2面側に配置され、少なくとも1つの前記スイッチング素子は、前記押圧部材よりも前記第1面側に配置され、少なくとも1つの前記スイッチング素子は、前記第2面との距離が前記押圧部材と同等の領域に配置されることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記スイッチング素子は、1つの前記押圧部材に対して4つ配置され、2つの前記スイッチング素子は、前記押圧部材よりも前記第1面側に配置され、他の2つの前記スイッチング素子は、前記第2面との距離が前記押圧部材と同等の領域であって、前記押圧部材を挟んで両側に配置されることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。前記押圧部材よりも前記第1面側に配置される前記スイッチング素子は、高電位側に接続される高電位側スイッチング素子であり、前記第2面との距離が前記押圧部材と同等の領域に配置される前記スイッチング素子は、前記高電位側スイッチング素子の低電位側に接続される低電位側スイッチング素子であることを特徴とする請求項3または4に記載の半導体装置。前記押圧部材は、ねじであることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の半導体装置。前記押圧部材は、ばね部材であることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の半導体装置。前記半導体モジュールと前記放熱部材との間に設けられる中間部材をさらに備えることを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の半導体装置。モータと、前記モータの巻線と電気的に接続される請求項1~8のいずれか一項に記載の半導体装置、前記半導体モジュールが前記押圧部材により押圧される前記放熱部材、および、前記半導体モジュールと電気的に接続される基板を有し、前記モータの軸方向の一側に配置されるコントロールユニットと、を備えることを特徴とする駆動装置。しかしながら、特許文献1のように長辺方向端部近くにて半導体装置と冷却用ヒートシンクとをねじ止めした場合、半導体装置の中央近傍のねじから遠い箇所において押し付け圧が不足し、半導体装置と冷却用ヒートシンクとが密着せず、十分に放熱できない虞がある。本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、発生する熱を効率よく放熱可能な半導体装置、および、それを用いた駆動装置を提供することにある。請求項1に記載の半導体装置は、半導体モジュールと、押圧部材と、を備える。半導体モジュールは、電流の切り替えに係るスイッチング素子、導電部材、および、モールド部を有する。導電部材には、スイッチング素子が実装される。モールド部は、スイッチング素子および導電部材をモールドする。押圧部材は、半導体モジュールを放熱部材に押圧する。スイッチング素子は、1つの押圧部材に対し3つ以上配置される。また、スイッチング素子は、押圧部材による押圧により半導体モジュールと放熱部材との間に生じる圧力がスイッチング素子からの熱を放熱可能な所定の圧力以上である領域に配置される。なお、スイッチング素子からの熱を放熱可能な所定の圧力とは、スイッチング素子が実装されている箇所が放熱部材と密着した状態を保持可能な程度の圧力であって、例えば請求項8に記載の構成を採用した場合の中間部材の特性や放熱部材および半導体モジュールの平面度等に応じた値となる。本発明では、スイッチング素子は、押圧部材の周囲であって、半導体モジュールと放熱部材との間に生じる圧力が放熱可能な所定の圧力以上である領域に配置されることにより、少なくともスイッチング素子が配置されている領域では半導体モジュールと放熱部材とが密着した状態で保持される。これにより、スイッチング素子から発生する熱を効率よく放熱部材へ放熱することができる。また、1つの押圧部材に対し、少なくとも3つのスイッチング素子が配置されるので、押圧部材の点数を低減することができる。これにより、押圧部材を組み付けるための工数を低減することができる。また、押圧部材による押圧のために要する面積を低減することができるので、半導体装置を小型化することができる。請求項2に記載の発明では、半導体モジュールは、巻線端子および制御端子を有する。巻線端子は、モールド部の1つの面である第1面に設けられ、巻線と接続される。制御端子は、モールド部の第1面とは反対側の面である第2面に設けられ、制御基板と接続される。巻線端子には巻線に通電される大電流が通電され、制御端子には制御信号を伝送可能な程度の比較的小さい電流が通電される。巻線端子を第1面側に集約することにより、第2面側には大電流が通電されないように構成することができる。これにより、例えばシャント抵抗等の大電流の影響を受けやすい部品を第2面側に好適に配置することができる。請求項3に記載の発明では、押圧部材は、モールド部の中心よりも第2面側に配置される。少なくとも1つのスイッチング素子は、押圧部材よりも第1面側に配置される。また、少なくとも1つのスイッチング素子は、第2面との距離が前記押圧部材と同等の領域に配置される。なお、第2面との距離が押圧部材と同等の領域とは、押圧部材により押圧される箇所以下、押圧箇所という。に基づき、押圧箇所の第2面側の端部を通り第2面に平行な直線と、押圧箇所の第1面側の端部を通り第2面に平行な直線とで規定される領域であって、この領域にスイッチング素子の少なくとも一部が含まれるように配置されているものとする。また、請求項4に記載の発明では、スイッチング素子は、1つの押圧部材に対して4つ配置される。2つのスイッチング素子は、押圧部材よりも第1面側に配置される。他の2つのスイッチング素子は、第2面との距離が押圧部材と同等の領域であって、押圧部材を挟んで両側に配置される。請求項5に記載の発明では、押圧部材よりも第1面側に配置されるスイッチング素子は、高電位側に接続される高電位側スイッチング素子であり、第2面との距離が押圧部材と同等の領域に配置されるスイッチング素子は、高電位側スイッチング素子の低電位側に接続される低電位側スイッチング素子である。例えば、低電位側スイッチング素子とグランドとの間にて電流を検出する場合、大電流が通電されない第2面側に電流検出に係る部品例えばシャント抵抗を配置することができるので、精度よく電流を検出することができる。請求項6に記載の発明では、押圧部材はねじである。これにより、簡素な構成で半導体モジュールを放熱部材に押圧することができる。請求項7に記載の発明では、押圧部材はばね部材である。これにより、例えばモールド部が変形したとしても、変形に応じて半導体モジュールを放熱部材に押圧することができる。請求項8に記載の発明では、半導体モジュールと放熱部材との間に設けられる中間部材をさらに備える。中間部材は、例えばシート、ゲル、接着剤等である。半導体モジュールと放熱部材との間に中間部材を設けることにより、半導体モジュールと放熱部材との密着性を向上することができる。また、中間部材を絶縁材料で構成すれば、半導体モジュールと放熱部材との密着性を確保するとともに、半導体モジュールと放熱部材との絶縁を確保することができる。請求項9に記載の発明は、請求項1~8のいずれか一項に記載の半導体装置を用いた駆動装置である。駆動装置は、モータと、コントロールユニットと、を備える。コントロールユニットは、請求項1~8のいずれか一項に記載の半導体装置、放熱部材、および、基板を有し、モータの軸方向の一側に配置される。半導体装置は、モータの巻線と電気的に接続される。放熱部材は、半導体モジュールが押圧部材により押圧される。基板は、半導体モジュールと電気的に接続される。これにより、モータの巻線への通電の切り替えにより半導体装置のスイッチング素子から発生する熱を効率よく放熱部材へ放熱することができる。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。以下、複数の実施形態において、実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。第1実施形態本発明の第1実施形態による半導体装置は、駆動装置に適用される。駆動装置を図1および図2に基づいて説明する。駆動装置1は、電動パワーステアリング装置以下、EPSという。に適用される。駆動装置1は、モータ2およびコントロールユニット3を備える。まず、EPSの電気的構成を図1に基づいて説明する。図1に示すように、駆動装置1は、車両のステアリング5の回転軸たるコラム軸6に取り付けられたギア7を介しコラム軸6に回転トルクを発生させ、ステアリング5による操舵をアシストする。具体的には、ステアリング5が運転者によって操作されると、当該操作によってコラム軸6に生じる操舵トルクをトルクセンサ8によって検出し、また、車速情報を図示しないCANControllerAreaNetworkから取得して、運転者のステアリング5による操舵をアシストする。もちろん、このような機構を利用すれば、制御手法によっては、操舵のアシストのみでなく、高速道路における車線キープ、駐車場における駐車スペースへの誘導など、ステアリング5の操作を自動制御することも可能である。モータ2は、ギア7を正逆回転させる三相ブラシレスモータである。モータ2は、コントロールユニット3により電流の供給および駆動が制御される。コントロールユニット3は、モータ2を駆動する駆動電流が通電されるパワー部100、および、モータ2の駆動を制御する制御部90から構成される。パワー部100は、電源75から電源ラインに介在するチョークコイル76、コンデンサ77、および、二組のインバータ80、89を有している。インバータ80とインバータ89とは、同様の構成であるので、ここではインバータ80について説明する。一方のインバータ80は、電界効果トランジスタの一種であるMOSFETmetaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor、以下、MOSという。81~86を有している。MOS81~86は、ゲート電位により、ソース-ドレイン間がON導通またはOFF遮断される。MOS81は、ドレインが電源ライン側に接続され、ソースがMOS84のドレインに接続されている。MOS84のソースは、シャント抵抗991を介して接地されている。MOS81とMOS84との接続点は、モータ2のU相巻線に接続されている。MOS82は、ドレインが電源ライン側に接続され、ソースがMOS85のドレインに接続されている。MOS85のソースは、シャント抵抗992を介して接地されている。MOS82とMOS85との接続点は、モータ2のV相巻線に接続されている。MOS83は、ドレインが電源ライン側に接続され、ソースがMOS86のドレインに接続されている。MOS86のソースは、シャント抵抗993を介して接地されている。MOS83とMOS86との接続点は、モータ2のW相巻線に接続されている。なお、高電位側に接続されるMOS81~83を上MOS、低電位側に接続されるMOS84~86を下MOSとし、以下適宜U上MOS81といった具合に、各MOSに対応する相を併せて記載する。また、インバータ80は、電源リレー87、88を有している。電源リレー87、88は、MOS81~86と同様のMOSFETにより構成される。電源リレー87、88は、MOS81~83と電源75との間に設けられ、異常時に電流が流れるのを遮断可能である。なお、電源リレー87は、断線故障やショート故障等が生じた場合にモータ2側へ電流が流れるのを遮断するために設けられる。また、電源リレー88は、コンデンサ78等の電子部品が誤って逆向きに接続された場合に逆向きの電流が流れないように、逆接保護のために設けられる。なお、MOS81~88がスイッチング素子に対応し、MOS81~83が高電位側スイッチング素子に対応し、MOS84~86が低電位側スイッチング素子に対応している。また、MOS81~88は、MOSFET以外の素子であってもよい。シャント抵抗991~993は、MOS84~86とグランドとの間に電気的に接続される。シャント抵抗991~993に印加される電圧または電流を検出することにより、U相コイル、V相コイル、W相コイルに通電される電流を検出する。チョークコイル76およびコンデンサ77は、電源75と電源リレー87との間に電気的に接続されている。チョークコイル76およびコンデンサ77は、フィルタ回路を構成し、電源75を共有する他の装置から伝わるノイズを低減する。また、駆動装置1から電源75を共有する他の装置へ伝わるノイズを低減する。コンデンサ78は、電源ライン側に設けられるMOS81~83の電源側と、グランド側に設けられるMOS84~86のグランド側と、の間に電気的に接続されている。コンデンサ78は、電荷を蓄えることで、MOS81~86への電力供給を補助したり、サージ電圧などのノイズ成分を抑制したりする。本実施形態のコンデンサ77、78は、いずれもアルミ電解コンデンサであり、コンデンサ78は、コンデンサ77よりも電気的な容量が大きいものが用いられる。なお、コンデンサ77、78は、アルミ電解コンデンサに限らず、容量等に応じて適宜選択可能である。制御部90は、プリドライバ91、カスタムIC92、回転角センサ93、および、マイコン94を備えている。カスタムIC92は、機能ブロックとして、レギュレータ部95、回転角センサ信号増幅部96、および、検出電圧増幅部97を含む。レギュレータ部95は、電源を安定化する安定化回路である。レギュレータ部95は、各部へ供給される電源の安定化を行う。例えばマイコン94は、このレギュレータ部95により、安定した所定電圧例えば5Vで動作することになる。回転角センサ信号増幅部96には、回転角センサ93からの信号が入力される。回転角センサ93は、モータ2の回転位置信号を検出し、検出された回転位置信号は、回転角センサ信号増幅部96に送られる。回転角センサ信号増幅部96は、回転位置信号を増幅してマイコン94へ出力する。検出電圧増幅部97は、シャント抵抗991~993の両端電圧を検出し、当該両端電圧を増幅してマイコン94へ出力する。マイコン94には、モータ2の回転位置信号、および、シャント抵抗991~993の両端電圧が入力される。また、マイコン94には、コラム軸6に取り付けられたトルクセンサ8から操舵トルク信号が入力される。さらにまた、マイコン94には、CANを経由して車速情報が入力される。マイコン94は、操舵トルク信号および車速情報が入力されると、ステアリング5による操舵を車速に応じてアシストするように、回転位置信号に合わせてプリドライバ91を介してインバータ80を制御する。具体的には、マイコン94は、プリドライバ91を介してMOS81~86のオン/オフを切り替えることにより、インバータ80を制御する。つまり、6つのMOS81~86のゲートがプリドライバ91の6つの出力端子に接続されているため、プリドライバ91によりゲート電圧を変化させることにより、MOS81~86のオン/オフを切り替える。また、マイコン94は、検出電圧増幅部97から入力されるシャント抵抗991~993の両端電圧に基づき、モータ2へ供給する電流を正弦波に近づけるべくインバータ80を制御する。なお、制御部90は、インバータ89についてもインバータ80と同様に制御する。次に、駆動装置1の構造について、図2に基づいて説明する。図2に示すように、駆動装置1は、モータ2およびコントロールユニット3を備える。本実施形態の駆動装置1では、モータ2の軸方向の一側にコントロールユニット3が設けられており、モータ2とコントロールユニット3とが積層構造になっている。なお、図2は、コントロールユニット3の外郭を形成するカバーを外した状態を示している。モータ2は、三相ブラシレスモータであって、その外郭はモータケース10により形成される。モータケース10は、鉄等により筒状に形成される。モータケース10の内部には、図示しないステータ、ロータ、シャフト等が収容され、ステータに巻回された巻線に通電される回転磁界を受けて、ロータおよびシャフトが一体となって回転する。ステータに巻回される巻線は、U相コイル、V相コイル、W相コイルからなる三相巻線を構成している。なお、ステータ、ロータ等のサイズは、要求される出力に応じて設定可能である。取出線23は、巻線の6箇所から取り出される。取出線23は、モータケース10の2箇所から3本ずつコントロールユニット3側へ引き出され、後述する制御基板40およびパワーモジュール60の径方向外側の領域を通ってパワー基板70側まで延びて形成される。モータケース10の1箇所から引き出される3本の取出線23は、それぞれU相コイル、V相コイル、W相コイルに対応し、モータケース10の他の1箇所から引き出される3本の取出線23は、それぞれU相コイル、V相コイル、W相コイルに対応する。シャフトのコントロールユニット3の反対側の端部には、出力端29が設けられる。また、シャフトのコントロールユニット3の反対側には、内部にギア7図1参照を有する図示しないギアボックスが設けられる。ギア7は、出力端29と連結され、モータ2の駆動力によって回転駆動される。コントロールユニット3は、制御基板および基板としての制御基板40、放熱部材としてのヒートシンク50、基板としてのパワー基板70、および、半導体装置101等を備える。半導体装置101は、半導体モジュールとしてのパワーモジュール60、および、押圧部材としてのねじ68、69等を備える。コントロールユニット3は、外部の電子部品との接続に係るコネクタ45、79等の部品以外のほとんどの構成がモータケース10を軸方向に投影した領域であるモータケース領域に収まるように設けられている。コントロールユニット3は、軸方向において、モータ2側から、制御基板40、ヒートシンク50およびパワーモジュール60、パワー基板70がこの順で配列されている。すなわち、軸方向において、モータケース10、制御基板40、ヒートシンク50およびパワーモジュール60、パワー基板70が、この順で配列されている。制御基板40は、例えばガラスエポキシ基板により形成される4層基板であって、モータケース領域内に収まる板状に形成される。制御基板40は、ヒートシンク50に螺着される。制御基板40には、制御部90を構成する各種電子部品が実装されている。制御基板40のモータ2側と反対側の面には、プリドライバ91、カスタムIC92、マイコン94図1参照が実装されている。また、制御基板40のモータ2側の面には、回転角センサ93が実装されている。制御基板40には、外縁に沿って、パワーモジュール60の制御端子64と接続するためのスルーホールが形成されている。また、制御基板40には、制御コネクタ45が接続されている。制御コネクタ45は、モータ2の径方向外側から配線を接続可能に設けられ、トルクセンサやCANなどの信号が入力される。ヒートシンク50は、例えばアルミ等の熱伝導性のよい材料で形成される。ヒートシンク50には、パワーモジュール60が螺着される幅広面を有する受熱部55が形成される。受熱部55は、モータケース10から略垂直に立ち上がる方向に形成される。互いに平行に形成される2つの受熱部55に沿って、2つのパワーモジュール60がそれぞれ配置され、ねじ68、69により螺着される。パワーモジュール60は、モールド部61、制御端子64、および、巻線端子としてのパワー端子65等を備える。パワーモジュール60は、軸方向において制御基板40とパワー基板70との間であって、モータ2の径方向においてヒートシンク50の外側に縦配置される。2つのパワーモジュール60は、モータ2の回転中心線を延長した線を挟んで反対側に配置される。ここでパワーモジュール60と図1に示す回路構成との関係に言及すると、一方のパワーモジュール60がインバータ80に対応し、図1に示すMOS81~86、電源リレー87、88、およびシャント抵抗991~993を有している。すなわち本実施形態では、MOS81~86、電源リレー87、88、およびシャント抵抗991~993が1つのパワーモジュールとして一体に樹脂モールドされている。また、他方のパワーモジュール60がインバータ89に対応し、インバータ89を構成するMOS、電源リレー、およびシャント抵抗を有し、1つのパワーモジュールとして一体に樹脂モールドされている。また、1つの受熱部55に対して、1つの駆動系統を構成する1つのパワーモジュール60が配置されている、といえる。なお、パワーモジュール60の詳細については後述する。パワー基板70は、例えばガラスエポキシ基板で形成されるパターン銅箔が厚い4層基板であって、モータケース領域内に収まる板状に形成され、ヒートシンク50に螺着されている。パワー基板70には、巻線に供給される巻線電流が通電されるパワー配線が形成される。パワー基板70には、パワーモジュール60のパワー端子65と接続するためのスルーホールが形成される。また、パワー基板70のパワー端子65が挿通されるスルーホールの外側には、取出線23と接続するためのスルーホールが形成される。スルーホールに挿通されるパワー端子65および取出線23は、はんだ等により、パワー基板70と電気的に接続される。これにより、取出線23は、パワー基板70を介してパワーモジュール60と接続される。パワー基板70のモータ2側の面には、チョークコイル76、および、コンデンサ77、78が実装されている図1参照。チョークコイル76、および、コンデンサ77、78は、ヒートシンク50の内側に形成される空間に配置される。また、軸方向において、チョークコイル76、コンデンサ77、78、および、パワーコネクタ79は、パワー基板70と制御基板40との間に設けられる。パワー基板70には、パワーコネクタ79が接続されている。パワーコネクタ79は、制御基板40と接続される制御コネクタ45と隣り合って設けられる。パワーコネクタ79は、モータ2の径方向外側から配線を接続可能に設けられ、電源75と接続される。これにより、パワー基板70には、パワーコネクタ79を経由して電源75から電力が供給される。また、電源75からの電力は、パワーコネクタ79、パワー基板70、パワーモジュール60、および取出線23を経由して、ステータに巻回された巻線へ供給される。ここで、駆動装置1の作動を説明する。制御基板40上のマイコン94は、回転角センサ93、トルクセンサ8、シャント抵抗99等からの信号に基づき、車速に応じてステアリング5の操舵をアシストするように、プリドライバ91を介してPWM制御により作出されたパルス信号を生成する。このパルス信号は、制御端子64を経由して、パワーモジュール60により構成される2系統のインバータ80、89に出力され、MOS81~86のオン/オフの切り替え動作を制御する。これにより、モータ2の巻線の各相には、位相のずれた正弦波電流が通電され、回転磁界が生じる。この回転磁界を受けてロータおよびシャフトが一体となって回転する。そして、シャフトの回転により、出力端29からコラム軸6のギア7に駆動力が出力され、運転者のステアリング5による操舵をアシストする。すなわち、巻線に供給される巻線電流により、モータ2を駆動している。この意味で、巻線に供給される巻線電流は、モータ2を駆動する駆動電流である、といえる。次に、半導体装置101の詳細について、図3~図5に基づいて説明する。半導体装置101は、パワーモジュール60、ねじ68、69、および、中間部材としての放熱シート67等を備える。図3に示すように、パワーモジュール60とヒートシンク50との間には、放熱シート67が設けられる。パワーモジュール60は、放熱シート67とともに、ねじ68、69によりヒートシンク50に螺着され、ヒートシンク50に保持される。これにより、パワーモジュール60は、放熱シート67を挟んでヒートシンク50に保持される。また、パワーモジュール60への通電により発生する熱が放熱シート67を介してヒートシンク50に放熱される。また、放熱シート67は、絶縁材料で形成され、パワーモジュール60からの熱をヒートシンク50に伝えるとともに、パワーモジュール60とヒートシンク50との絶縁を確保している。すなわち、放熱シート67は、放熱部材であるとともに、絶縁部材である、といえる。さらに、放熱シート67をパワーモジュール60とヒートシンク50との間に設けることにより、パワーモジュール60とヒートシンク50との密着性を高めている。図3~図5に示すように、制御端子64およびパワー端子65は、モールド部61から突出して設けられる。パワー端子65は、モールド部61の幅広面の長手方向に垂直な第1面62に設けられる。制御端子64は、モールド部61の幅広面の長手方向に垂直な面であって、第1面62とは反対側の第2面63に設けられる。本実施形態では、パワーモジュール60は、制御端子64が設けられる第2面63が制御基板40側、パワー端子65が形成される第1面62がパワー基板70側となるように、ヒートシンク50の受熱部55に沿って縦配置される。すなわち、制御端子64が制御基板40側に突設され、パワー端子65がパワー基板70側に突設される。本実施形態の制御端子64は、制御基板40のスルーホールに挿通され、はんだ等により制御基板40と電気的に接続される。この制御端子64を介して、制御基板40からの制御信号がパワーモジュール60へ出力される。また、パワー端子65は、パワー基板70に形成されるスルーホールに挿通され、はんだ等によりパワー基板70と電気的に接続される。パワー端子65には、パワー基板70および取出線23を経由して巻線に供給される巻線電流が通電される。これによりパワーモジュール60に巻線電流が通電され、MOS81~88のオン/オフを切り替えることにより、巻線電流が制御される。本実施形態では、制御基板40側には、モータ2の駆動制御に係る程度の小さい電流例えば200mAしか通電されない。一方、パワー基板70側には、モータ2を駆動するための大電流例えば80Aが通電される。そのため、パワー端子65は、制御端子64よりも太く形成されている。本実施形態では、制御端子64は22本の端子401~422から構成され、パワー端子65は11本の端子601~611から構成される。以下適宜、端子401~422を制御端子401~422といい、端子601~611をパワー端子601~611という。次に、パワーモジュール60の内部構造を図5に基づいて説明する。なお、図5では、インバータ80に対応するパワーモジュール60について示しているが、インバータ89に対応するパワーモジュール60についても同様の構成である。図5に示すように、パワーモジュール60は、モールド部61、制御端子401~422、パワー端子601~611に加え、MOS81~88、導電部材としてのスラグ501~512等を有している。モールド部61は、樹脂で形成され、制御端子401~422、パワー端子601~611、MOS81~88、スラグ501~512をモールドする。なお、図示はしていないが、パワーモジュール60のヒートシンク50側の面には、配線パターンを構成するスラグ501~512の一部が金属放熱部としてパワーモジュール60のモールド部61から露出している。すなわち本実施形態のパワーモジュール60は、所謂ハーフモールドである。本実施形態では、放熱シート67を介してヒートシンク50の受熱部55に金属放熱部が接触することにより、効率よく放熱することができる。MOS81~88を構成する半導体チップは、スラグ502~505、508~511に実装される。MOS81~88を構成する半導体チップについて、MOS81を例に説明しておくと、811がゲートであり、812がソースである。ドレインは、半導体チップの裏面に形成されている。MOS82~88も同様である。スラグ501~512は、銅もしくは銅合金の板材により配線パターンが形成される。スラグ501は、第1面62側から第2面63側に亘って形成される。また、スラグ501は、ワイヤにより制御端子401と接続される。スラグ502は、第1面62側から第2面63側に亘って形成され、パワー端子601および制御端子404と一体に形成される。制御端子404は、制御基板40側に電源電圧を供給するとともに、電源リレー87の下流側の電圧であるリレー後電圧のモニタに用いられる。また、スラグ502には、逆接防止用の電源リレーであるMOS88が実装される。MOS88のゲートは、ワイヤにより制御端子402と接続され、制御端子402を経由してMOS88のゲート電圧を切り替えることにより、MOS88のオン/オフが切り替えられる。MOS88のソースは、ワイヤ901によりスラグ501と接続される。スラグ503は、第1面62側に形成され、パワー端子602と一体に形成される。スラグ503には、断線故障やショート故障等が生じた場合にモータ2側へ電流が流れるのを遮断するための電源リレーであるMOS87が実装される。MOS87のゲートは、ワイヤにより制御端子405と接続され、制御端子405を経由してMOS87のゲート電圧を切り替えることにより、MOS87のオン/オフが制御される。MOS87のソースは、ワイヤ902によりスラグ501と接続される。スラグ504は、第1面62側に形成され、パワー端子603と一体に形成される。スラグ504には、U上MOS81が実装される。U上MOS81のゲート811は、ワイヤにより制御端子407と接続され、制御端子407を経由してU上MOS81のゲート電圧を切り替えることにより、U上MOS81のオン/オフが制御される。U上MOS81のソース812は、ワイヤ903によりスラグ505と接続される。スラグ505は、第1面62側から第2面63側に亘って形成され、パワー端子604および制御端子408と一体に形成される。制御端子408は、U相コイルの端子電圧のモニタに用いられる。また、スラグ505には、U下MOS84が実装される。U下MOS84のゲートは、ワイヤにより制御端子409と接続され、制御端子409を経由してU下MOS84のゲート電圧を切り替えることにより、U下MOS84のオン/オフが制御される。U下MOS84のソースは、シャント抵抗991によりスラグ506と接続される。また、シャント抵抗991のU下MOS84側は、ワイヤにより制御端子410と接続され、シャント抵抗991のスラグ506側は、ワイヤにより制御端子411と接続される。スラグ506は、第1面62側から第2面63側に亘って形成され、パワー端子605と一体に形成される。スラグ507は、第1面62側から第2面63側に亘って形成され、パワー端子606と一体に形成される。スラグ508は、第1面62側から第2面63側に亘って形成され、パワー端子607および制御端子415と一体に形成される。制御端子415は、V相コイルの端子電圧のモニタに用いられる。また、スラグ508には、V下MOS85が実装される。V下MOS85のゲートは、ワイヤにより制御端子414と接続され、制御端子414を経由してV下MOS85のゲート電圧を切り替えることにより、V下MOS85のオン/オフが制御される。V下MOS85のソースは、シャント抵抗992によりスラグ507と接続される。また、シャント抵抗992のV下MOS85側は、ワイヤにより制御端子413と接続され、シャント抵抗992のスラグ507側は、ワイヤにより制御端子412と接続される。スラグ509は、第1面62側に形成され、パワー端子608と一体に形成される。スラグ509には、V上MOS82が実装される。V上MOS82のゲートは、ワイヤにより制御端子416と接続され、制御端子416を経由してV上MOS82のゲート電圧を切り替えることにより、V上MOS82のオン/オフが制御される。V上MOS82のソースは、ワイヤ904によりスラグ508と接続される。スラグ510は、第1面62側に形成され、パワー端子609と一体に形成される。スラグ510には、W上MOS83が実装される。W上MOS83のゲートは、ワイヤにより制御端子418と接続され、制御端子418を経由してW上MOS83のゲート電圧を切り替えることにより、W上MOS83のオン/オフが制御される。W上MOS83のソースは、ワイヤ905によりスラグ511と接続される。スラグ511は、第1面62側から第2面63側に亘って形成され、パワー端子610および制御端子419と一体に形成される。制御端子419は、W相コイルの端子電圧のモニタに用いられる。また、スラグ511には、W下MOS86が実装される。W下MOS86のゲートは、ワイヤにより制御端子420と接続され、制御端子420を経由してW下MOS86のゲート電圧を切り替えることにより、W下MOS86のオン/オフが制御される。W下MOS86のソースは、シャント抵抗993により、スラグ512と接続される。また、シャント抵抗993のW下MOS86側は、ワイヤにより制御端子421と接続され、シャント抵抗993のスラグ512側は、ワイヤにより制御端子422と接続される。スラグ512は、第1面62側から第2面63側に亘って形成され、パワー端子611と一体に形成される。なお、いずれのスラグ、MOS、およびシャント抵抗とも接続されていない制御端子403、406、417は、両隣の制御端子同士がショートするのを防ぐべく、空間的に隔離している。パワー端子602は、パワー基板70等を経由して電源75と接続する。電源75からの電力は、パワー端子602、スラグ503、MOS87、ワイヤ902、スラグ501、ワイヤ901、MOS88、スラグ502を経由してパワー端子601へ供給される。また、パワー端子603、608、609は、パワー基板70を経由してパワー端子601と接続される。すなわち、パワー端子603、608、609は、MOS87、88、パワー端子601、602、および、パワー基板70等を経由して電源75側に接続されている、といえる。これにより、電源75からの電力は、MOS87、88、パワー端子602、601、および、パワー基板70等を経由し、パワー端子603、608、609へ供給される。パワー端子604は、モータ2のU相コイルと接続される。また、パワー端子605は、グランドと接続される。すなわち、パワー端子604を挟んで両側の端子は、一方のパワー端子603が電源側に接続され、他方のパワー端子605がグランド側に接続されており、パワー端子603~605がU相コイルへの通電に係るU相端子群をなす。このような構成により、パワー端子603~605、スラグ504~506、MOS81、84、ワイヤ903、および、シャント抵抗991には、U相コイルに係る電流が通電される。また、シャント抵抗991に印加される電圧信号が制御端子410、411を経由して制御基板40側に出力され、この電圧信号に基づいてU相コイルに通電される電流の大きさが検出される。パワー端子607は、モータ2のV相コイルと接続される。また、パワー端子606は、グランドと接続される。すなわち、パワー端子607を挟んで両側の端子は、一方のパワー端子608が電源側に接続され、他方のパワー端子606がグランド側に接続されており、パワー端子606~608がV相コイルへの通電に係るV相端子群をなす。このような構成により、パワー端子606~608、スラグ507~509、MOS82、85、ワイヤ904、および、シャント抵抗992には、V相コイルに係る電流が通電される。また、シャント抵抗992に印加される電圧信号が制御端子412、413を経由して制御基板40側に出力され、この電圧信号に基づいてV相コイルに通電される電流の大きさが検出される。パワー端子610は、モータ2のW相コイルと接続される。また、パワー端子611は、グランドと接続される。すなわち、パワー端子610を挟んで両側の端子は、一方のパワー端子609が電源側に接続され、他方のパワー端子611がグランド側に接続されており、パワー端子609~611がW相コイルへの通電に係るW相端子群をなす。このような構成により、パワー端子609~611、スラグ510~512、MOS83、86、ワイヤ905、および、シャント抵抗993には、W相コイルに係る電流が通電される。また、シャント抵抗993に印加される電圧信号が制御端子421、422を経由して制御基板40側に出力され、この電圧信号に基づいてW相コイルに通電される電流の大きさが検出される。本実施形態では、スラグ502とスラグ505との間であって、スラグ503、504の第2面63側には、モールド部61に挿通孔691が形成される。スラグ502、505の挿通孔691側は、挿通孔691に対応する形状となるように弧状に切り欠かれている。また、スラグ508とスラグ511との間であって、スラグ509、510の第2面63側には、モールド部61に挿通孔692が形成される。スラグ508、511の挿通孔692側は、挿通孔692と対応する形状となるように弧状に切り欠かれている。なお、スラグ502とスラグ505とは、挿通孔691の中心を通り第1面62および第2面63に垂直な直線に対して対称となる形状に形成されている。スラグ503とスラグ504とは、パワー端子602、603が形成される位置を除き、挿通孔691の中心を通り第1面62および第2面63に垂直な直線に対して対称となる形状に形成されている。また、スラグ508とスラグ511とは、挿通孔692の中心を通り第1面62および第2面63に垂直な直線に対して対称となる形状に形成されている。スラグ509とスラグ510とは、挿通孔692の中心を通り第1面62および第2面63に垂直な直線に対して対称となる形状に形成されている。挿通孔691には、パワーモジュール60をヒートシンク50に固定するためのねじ68が挿通され、挿通孔692には、パワーモジュールをヒートシンク50に固定するためのねじ69が挿通される。挿通孔691、692は、第1面62と第2面63との中心よりも第2面63側であって、第2面63との距離が略同じである箇所に形成される。本実施形態では、MOS81、84、87、88が、挿通孔691に挿通されるねじ68の周囲に配置される。MOS81、87は、ねじ68よりも第1面62側であって、第1面62からの距離が略同じである箇所に配置される。また、MOS81、87は、ねじ68の中心を通り第1面62および第2面63に垂直な直線に対して対称に配置される。また、MOS84、88は、ねじ68を挟んでパワーモジュール60の長手方向における両側に配置される。より詳細には、MOS84、88は、挿通孔691に挿通されるねじ68の第1面62側の端部を通り第2面63に平行な直線と、第2面63側の端部を通り第2面63に平行な直線と、で規定される領域R図4参照に、その大部分が含まれるように配置される。また、MOS84、88は、ねじ68の中心を通り第1面62および第2面63に垂直な直線に対して対称に配置される。また、MOS82、83、85、86が、挿通孔692に挿通されるねじ69の周囲に配置される。MOS82、83は、ねじ69よりも第1面62側であって、第1面62からの距離が略同じである箇所に配置される。また、MOS82、83は、ねじ69の中心を通り第1面62および第2面63に垂直な直線に対して対称に配置される。また、MOS85、86は。ねじ69を挟んでパワーモジュール60の長手方向における両側に配置される。より詳細には、MOS85、86は、挿通孔692に挿通されるねじ69の第1面62側の端部を通り第2面63に平行な直線と、第2面63側の端部を通り第2面63に平行な直線と、で規定される領域R図4参照に、その大部分が含まれるように配置される。また、MOS85、86は、ねじ69の中心を通り第1面62および第2面63に垂直な直線に対して対称に配置される。パワーモジュール60をねじ68、69によりヒートシンク50に組み付けるとき、ねじ68、69に近いほどパワーモジュール60とヒートシンク50との間の圧力以下、押し付け圧という。は大きく、ねじ68、69から離れるほど押し付け圧は小さい。例えば、等しい押し付け圧の箇所を結ぶと、図6に模式的に示す如くとなり、押し付け圧が大きい順に、領域A、領域B、領域C、領域Dとなる。ここで、領域Dの外縁である2点鎖線Lがパワーモジュール60とヒートシンク50とを密着させるのに必要な最低の押し付け圧を示しているとすると、領域Dよりも外側の領域では、押し付け圧が小さいため、パワーモジュール60とヒートシンク50とが十分に密着しない。そのため、領域Dよりも外側の領域にスイッチング素子等の発熱する電子部品を配置すると、スイッチング素子等の電子部品から発生する熱をヒートシンク50側へ効率よく放熱することができない。そこで本実施形態では、全てのMOS81~88を2点鎖線Lよりも内側の領域に配置している。換言すると、MOS81~88は、MOS81~88から生じる熱をヒートシンク50に放熱可能な所定の圧力以上である領域に配置されている、ということである。これにより、MOS81~88、特に巻線電流の切り替えに係るMOS81~86のオン/オフの切り替えにより生じる熱を効率よくヒートシンク50に放熱することができる。また、MOS81、84、87、88は、挿通孔691に挿通されるねじ68がヒートシンク50に締結されることにより生じる押し付け圧が所定の圧力以上である領域に配置されている。また、MOS82、83、85、86は、挿通孔692に挿通されるねじ69がヒートシンク50に締結されることにより生じる押し付け圧が所定の圧力以上である領域に配置されている。このように、1つのねじ68、69により生じる押し付け圧が所定の圧力以上である領域に、3つ以上本実施形態では4つのMOSを配置している。このように、1つのねじ68、69の周囲に3つ以上のMOSを配置することにより、押し付け圧を所定の圧力以上にするための部材を低減することができる。なお、MOS81~88から生じる熱をヒートシンク50に放熱可能な所定の圧力とは、放熱シート67を介してパワーモジュール60とヒートシンク50の受熱部55とを密着可能な圧力であって、例えば0.5MPaである。所定の圧力は、放熱シート67の特性に応じた圧力であり、例えば放熱シート67中に空気層がある場合、この空気層を圧縮可能な程度の圧力である。また例えば、所定の圧力は、パワーモジュール60のヒートシンク50側の幅広面の平面度や、ヒートシンク50の受熱部55の平面度等に応じた値である。以上詳述したように、半導体装置101は、パワーモジュール60と、ねじ68、69と、を備える。パワーモジュール60は、電流の切り替えに係るMOS81~88、スラグ501~512、および、モールド部61を有する。スラグ501~512には、MOS81~88が実装される。モールド部61は、MOS81~88、および、スラグ501~512をモールドする。ねじ68、69は、パワーモジュール60をヒートシンク50に押圧する。MOS81~88は、1つのねじ68、69に対し3つ以上配置される。本実施形態では、ねじ68に対しMOS81、84、87、88の4つが配置され、ねじ69に対しMOS82、83、85、86の4つが配置される。また、MOS81~88は、ねじ68、69による押圧によりパワーモジュール60とヒートシンク50との間に生じる圧力がMOS81~88からの熱を放熱可能な所定の圧力以上である領域に配置される。上記構成により、以下の効果を奏する。1本実施形態では、MOS81~88は、ねじ68、69の周囲であって、パワーモジュール60とヒートシンク50との間に生じる圧力が放熱可能な所定の圧力以上である領域に配置されることにより、少なくともMOS81~88が配置されている領域では、パワーモジュール60とヒートシンク50とが密着した状態で保持される。これにより、MOS81~88から発生する熱を効率よくヒートシンク50へ放熱することができる。また、1つのねじ68、69に対して少なくとも3つのMOS81~88が配置されるので、パワーモジュール60をヒートシンク50に押圧するための押圧部材本実施形態ではねじ68、69の部品点数を低減することができる。これにより、ねじ68、69を組み付けるための工数を低減することができる。また、ねじ68、69による押圧のために要する面積を低減することができるので、半導体装置101を小型化することができる。2パワーモジュール60は、パワー端子65および制御端子64を有する。パワー端子65は、モールド部61の1つの面である第1面62に設けられ、パワー基板70および取出線23を経由して巻線と接続される。制御端子64は、モールド部61の第1面62とは反対側の面である第2面63に設けられ、制御基板40と接続される。パワー端子65には巻線に通電される大電流が通電され、制御端子64には制御信号を伝送可能な程度の比較的小さい電流が通電される。パワー端子65を第1面62側に集約することにより、第2面63側には大電流が通電されないように構成することができる。これにより、大電流の影響を受けやすいシャント抵抗991~993等の部品を第2面63側に好適に配置することができる。3ねじ68、69は、モールド部61の中心よりも第2面63側に配置される。少なくとも1つのMOS81~88は、ねじ68、69よりも第1面62側に配置される。本実施形態では、上MOS81~83、および、電源リレーであるMOS87がねじ68、69よりも第1面62側に配置されている。また、少なくとも1つのMOS81~88は、第2面63との距離がねじ68、69と同等の領域に配置される。本実施形態では、ねじ68、69により押圧される押圧箇所に基づき、ねじ68、69の第2面63側端部を通り第2面63に平行な直線と、ねじ68、69の第1面62側の端部を通り第2面63に平行な直線とで規定される領域Rに、下MOS84~86、88の少なくとも一部が含まれるように配置されている。また本実施形態では、MOS81およびMOS87がねじ68よりも第1面62側に配置され、MOS84およびMOS88が第2面63との距離がねじ68と同等の領域であって、ねじ68を挟んで両側に配置される。また、MOS82、83がねじ69よりも第1面62側に配置され、MOS85およびMOS86が第2面63との距離がねじ69と同等の領域であって、ねじ69を挟んで両側に配置される。本実施形態では、ねじ68、69よりも第1面62側に配置される上MOS81~83は、高電位側に接続される高電位側スイッチング素子である。また、第2面63との距離がねじ68、69と同等の領域Rに配置される下MOS84~86は、上MOS81~83の低電位側に接続される低電位側スイッチング素子である。本実施形態では、下MOS84~86とグランドとの間にて電流を検出しており、大電流が通電されない第2面63側に電流検出に係るシャント抵抗991~993を配置することができるので、精度よく電流を検出することができる。4本実施形態では、押圧部材をねじ68、69により構成している。これにより、簡素な構成でパワーモジュール60をヒートシンク50に押圧することができる。5また本実施形態では、パワーモジュール60とヒートシンク50との間に設けられる放熱シート67を備える。パワーモジュール60とヒートシンク50との間に放熱シート67を設けることにより、パワーモジュール60とヒートシンク50との密着性を向上することができる。また、本実施形態の放熱シート67は、絶縁材料で形成されているので、パワーモジュール60とヒートシンク50との絶縁を確保することができる。6本実施形態の半導体装置101は、駆動装置1に用いられる。駆動装置1は、モータ2と、コントロールユニット3と、を備える。コントロールユニット3は、半導体装置101、ヒートシンク50、制御基板40、および、パワー基板70を有し、モータ2の軸方向の一側に配置される。半導体装置101のパワーモジュール60は、パワー基板70および取出線23を経由して、モータ2の巻線と電気的に接続される。ヒートシンク50は、パワーモジュール60がねじ68、69により押圧される。制御基板40およびパワー基板70は、パワーモジュール60と電気的に接続される。これにより、モータ2の巻線への通電の切り替えにより半導体装置101のパワーモジュール60のMOS81~88から発生する熱を効率よくヒートシンク50へ放熱することができる。第2実施形態本発明の第2実施形態を図7および図8に基づいて説明する。本実施形態では、主に半導体装置200の押圧部材に係る構成が上記実施形態と異なっているので、この点を中心に説明し、他の構成等に関する説明は省略する。本実施形態の半導体装置200では、押圧部材は、ばね部材210、220により構成されている。ばね部材210、220は、板ばねであって、側面視略コ字状に形成される。ばね部材210は、パワー端子602、603の間であって第1面62側から挿入され、両端部に形成される押圧部211、212によりパワーモジュール60、放熱シート67、および、ヒートシンク50を挟み込む。ばね部材220は、パワー端子608、609の間であって第1面62側から挿入され、両端部に形成される押圧部221、222により、パワーモジュール60、放熱シート67、および、ヒートシンク50を挟み込む。これにより、ばね部材210、220により、パワーモジュール60がヒートシンク50に押圧される。また、MOS81~88は、上記実施形態と同様、押圧部211、221の周囲であって、パワーモジュール60とヒートシンク50との間に生じる圧力が放熱可能な所定の圧力以上である領域に配置される。また、押圧部211に対して、MOS81、84、87、88が配置され、押圧部221に対して、MOS82、83、85、86が配置される。なお、MOS81~88の信頼性を考慮すると、押圧部211、221にて押圧される箇所、および、その近傍を避けてMOS81~88を配置することが好ましい。本実施形態では、押圧部材がばね部材210、220により構成されている。これにより、モールド部61が押圧等により変形したとしても、変形に応じてパワーモジュール60をヒートシンク50に押圧することができるので、パワーモジュール60のMOS81~88から発生する熱を効率よく放熱することができる。また、ばね部材210、220は、パワーモジュール60の全面を押さえるのではなく、押圧部211、221のみで押圧しているので、ばね部材210、220を簡素な構成とすることができる。また、上記実施形態のように押圧部材としてねじを用いる場合と異なり、パワーモジュール60の挿通孔、ヒートシンク50のねじ穴を設ける必要がない。また、上記1~3、5、6と同様の効果を奏する。他の実施形態上記実施形態では、1つの押圧部材に対して4つのスイッチング素子が配置されていた。他の実施形態では、例えば図9aに模式的に示すパワーモジュール301のように、1つのねじ68に対して3つのスイッチング素子としてのMOS380を配置してもよい。また、1つのねじ69に対し、ねじ69の両側と、ねじ69の第1面62側と、ねじ69の第2面63側と、に配置するといった具合に、押圧により生じる圧力が所定の圧力以上の領域であれば、MOS380をどのように配置してもよい。また、1つの押圧部材による押圧により生じる圧力が所定の圧力以上の領域内に、3つ以上の任意の数のスイッチング素子を配置することができる。例えば、図9bに模式的に示すパワーモジュール302のように、1つのねじ68に対して5つのMOS380を配置する、或いは、1つのねじ69に対して6つのMOS380を配置してもよい。上記実施形態では、1つのパワーモジュールに2つの押圧部材が設けられていたが、他の実施形態では、1つのパワーモジュールに設けられる押圧部材は、1つでもよいし、3つ以上でもよい。また、上記実施形態では、1つのパワーモジュールにおいて、3相巻線に対応する上MOSおよび下MOSと、2つの電源リレーの計8つのMOSが設けられており、例えば図5の紙面左側から、電源リレー87、88、U相コイルの通電に係るMOS81、84、V相コイルの通電に係るMOS82、85、W相コイルの通電に係るMOS83、86の順に設けられていたが、他の実施形態では、電源リレー、および、各相コイルの通電に係るMOSをどのような順番で配置してもよい。また、他の実施形態では、電源リレーを省いてもよい。また、上MOSのみ、または、下MOSのみを1つのパワーモジュールに設けるようにしてもよい。さらにまた、例えばモータがブラシ付きモータである場合、4つのMOSを1つのパワーモジュールに設けるようにしてもよい。上記実施形態では、上MOSを押圧部材よりも第1面側に配置し、下MOSを第2面との距離が押圧部材と同等の領域に配置していた。他の実施形態では、下MOSを押圧部材よりも第1面側に配置し、上MOSを第2面との距離が押圧部材と同等の領域に配置してもよい。また、相ごとに異なっていてもよい。上記実施形態では、パワーモジュールとヒートシンクとの間の圧力がMOSからの熱を放熱可能な所定の圧力以下、第1の所定の圧力という。以上である領域にMOSが配置されていた。他の実施形態では、MOSの信頼性等を考慮し、パワーモジュールとヒートシンクとの間の圧力が第1の所定の圧力以上、かつ、MOSに異常が生じない程度の圧力であって第1の所定の圧力よりも大きい第2の所定の圧力以下の領域にMOSを配置するようにしてもよい。上記実施形態では、中間部材として放熱シートがパワーモジュールとヒートシンクとの間に設けられていた。他の実施形態では、中間部材は、放熱ゲルであってもよいし、接着剤であってもよい。また、中間部材を省略し、シートレスとしてもよい。上記実施形態では、パワーモジュールは、ヒートシンク側の面に配線パターンを構成するスラグの一部が金属放熱部としてモールド部から露出している、所謂ハーフモールドであった。他の実施形態では、金属放熱部がモールド部から露出していない、所謂フルモールドとしてもよい。なお、上記実施形態では、放熱シートは、パワーモジュールとヒートシンクとを密着させて放熱する機能に加え、パワーモジュールとヒートシンクとの絶縁を確保するための絶縁部材としての機能を有していた。他の実施形態では、特にパワーモジュールがフルモールドであれば、中間部材を絶縁材料以外により形成し、中間部材が絶縁部材としての機能を有していなくてもよい。上記実施形態では、下MOSのソースとスラグとをシャント抵抗により接続していたが、他の実施形態では、シャント抵抗に替えて、ワイヤ等で下MOSのソースとスラグとを接続してもよい。この場合、シャント抵抗をパワーモジュールの外部に設けるようにしてもよいし、シャント抵抗を省略してもよい。上記実施形態では、パワーモジュールのパワー端子が第1面側に集約して設けられ、制御端子が第2面側に集約して設けられていたが、他の実施形態では、パワー端子および制御端子は、モールド部に対してどのように設けてもよい。上記実施形態では、制御基板およびパワー基板の2枚の基板を有していたが、他の実施形態では、基板は1枚としてもよい。また、取出線とパワーモジュールとをパワー基板を介さずに接続してもよい。上記実施形態では、半導体装置は駆動装置に適用されていたが、駆動装置以外に適用してもよい。以上、本発明は、上記実施形態になんら限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の形態で実施可能である。