記録媒体に対し垂直な記録磁界を印加する主磁極と、前記主磁極に記録ギャップを置いて対向するトレーリングシールド磁極と、前記記録ギャップ内で前記主磁極とトレーリングシールド磁極との間に設けられ、高周波磁界を発生する高周波発振子と、前記主磁極と高周波発振子との間で、前記主磁極に接して配置された磁性シード層と、前記主磁極と高周波発振子との間で、前記磁性シード層に重ねて形成され、前記高周波発振子に接して配置された軟磁性体からなる高配向磁性層と、を備える磁気記録ヘッド。前記高配向磁性層は、少なくともFe、Co、Ni、Cu、Al、Siのうちの2種類以上の元素で構成され、結晶がFCC構造で、前記主磁極のトレーリング側端面に対して111方向に配向している請求項1に記載の磁気記録ヘッド。前記高配向磁性層は、少なくともFe、Co、Ni、Cu、Al、Siのうちの2種類以上の元素で構成され、結晶がBCC構造で、前記主磁極のトレーリング側端面に対して110方向に配向している請求項1に記載の磁気記録ヘッド。前記高配向磁性層は、少なくともFe、Co、Ni、Cu、Al、Siのうちの2種類以上の元素で構成され、アモルファス構造を有している請求項1に記載の磁気記録ヘッド。前記主磁極の飽和磁束密度と前記高配向磁性層の飽和磁束密度との差が、0.5T以上、1.5T以下である請求項1ないし4のいずれか1項に記載の磁気記録ヘッド。前記高周波発振子は、前記記録ギャップ内で前記主磁極とトレーリングシールド磁極との間に設けられたスピン振動層と、このスピン振動層と前記高配向磁性層との間に配置され前記主磁極とスピン振動層とを電気的に接続する非磁性良導体で形成された中間層と、前記スピン振動層と前記トレーリングシールド磁極との間に配置され前記スピン振動層とトレーリングシールド磁極とを電気的に接続する非磁性良導体で形成された中間層と、を備えている請求項1ないし5のいずれか1項に記載の磁気記録ヘッド。前記主磁極と前記トレーリングシールド磁極からなる磁気コアに巻きつくように配置された記録コイルと、前記トレーリングシールド磁極と主磁極との間に直流電流を通電する電源と、を備え、前記トレーリングシールド磁極は、前記記録ギャップから離れた位置で、絶縁体あるいは半導体を介して前記主磁極に連結された連結部を備えている請求項1ないし6のいずれか1項に記載の磁気記録ヘッド。スライダと、このスライダに設けられた請求項1ないし7のいずれか1項に記載の磁気記録ヘッドと、前記スライダを支持するサスペンションと、を備えたヘッドジンバルアッセンブリ。媒体面に対して垂直方向に磁気異方性を有する記録層を有するディスク状の記録媒体と、前記記録媒体を支持しているとともに回転する駆動部と、前記記録媒体に対し情報処理を記録する請求項1ないし8のいずれか1項に記載の磁気ヘッドと、を備えるディスク装置。磁気記録ヘッドにおいて、トレーリングシールド磁極が主磁極に近いほど、記録媒体に記録される記録分解能は上昇する。しかしながら、上記高周波磁界アシスト記録方式の磁気記録ヘッドでは、記録ギャップに発振層とスピン注入層が配置されているため、記録ギャップの幅、すなわち、主磁極とトレーリングシールド磁極との間隔を小さくすることが難しい。また、スピントルク発振子に接近してトレーリングシールド磁極および主磁極が配置されている場合、周囲の磁極がスピントルク発振子と同時に振動し、エネルギーロスが大きくなり、スピントルク発振子の発振が抑制される。その結果、垂直記録媒体の記録層の磁化反転を行うための高周波磁界の強度が不足し、十分な記録能力を発揮することが困難な場合がある。この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その課題は、記録分解能および記録密度が向上し、安定した記録特性を得ることが可能な磁気記録ヘッド、これを備えたヘッドジンバルアッセンブリ、およびディスク装置を提供することにある。実施形態によれば、磁気記録ヘッドは、記録媒体に対し垂直な記録磁界を印加する主磁極と、前記主磁極に記録ギャップを置いて対向するトレーリングシールド磁極と、前記記録ギャップ内で前記主磁極とトレーリングシールド磁極との間に設けられ、高周波磁界を発生する高周波発振子と、前記主磁極と高周波発振子との間で、前記主磁極に接して配置された磁性シード層と、前記主磁極と高周波発振子との間で、前記磁性シード層に重ねて形成され、前記高周波発振子に接して配置された軟磁性体からなる高配向磁性層と、を備えている。以下図面を参照しながら、実施形態について説明する。図1は、ディスク装置として、実施形態に係るハードディスクドライブHDDのトップカバーを取り外して内部構造を示し、図2は、浮上状態の磁気ヘッドを示している。図1に示すように、HDDは筐体10を備えている。この筐体10は、上面の開口した矩形箱状のベース11と、図示しない矩形板状のトップカバーとを備えている。トップカバーは、複数のねじによりベースにねじ止めされ、ベースの上端開口を閉塞している。これにより、筐体10内部は気密に保持され、呼吸フィルター26を通してのみ、外部と通気可能となっている。ベース11上には、記録媒体としての磁気ディスク12および駆動部が設けられている。駆動部は、磁気ディスク12を支持および回転させるスピンドルモータ13、磁気ディスクに対して情報の記録、再生を行なう複数、例えば、2つの磁気ヘッド33、これらの磁気ヘッド33を磁気ディスク12の表面に対して移動自在に支持したヘッドアクチュエータ14、ヘッドアクチュエータを回動および位置決めするボイスコイルモータ以下VCMと称する16を備えている。また、ベース11上には、磁気ヘッド33が磁気ディスク12の最外周に移動した際、磁気ヘッド33を磁気ディスク12から離間した位置に保持するランプロード機構18、HDDに衝撃等が作用した際、ヘッドアクチュエータ14を退避位置に保持するイナーシャラッチ20、およびプリアンプ、ヘッドIC等の電子部品が実装された基板ユニット17が設けられている。ベース11の外面には、制御回路基板25がねじ止めされ、ベース11の底壁と対向して位置している。制御回路基板25は、基板ユニット17を介して、スピンドルモータ13、VCM16、および磁気ヘッド33の動作を制御する。図1および図2に示すように、磁気ディスク12は、垂直磁気記録膜媒体として構成されている。磁気ディスク12は、例えば、直径約2.5インチの円板状に形成され非磁性体からなる基板19を有している。基板19の各表面には、下地層としての軟磁性層23と、その上層部に、ディスク面に対して垂直方向に磁気異方性を有する垂直磁気記録層22とが順次積層され、さらにその上に保護膜24が形成されている。図1に示すように、磁気ディスク12は、スピンドルモータ13のハブに互いに同軸的に嵌合されているとともにハブの上端にねじ止めされたクランプばね21によりクランプされ、ハブに固定されている。磁気ディスク12は、駆動モータとしてのスピンドルモータ13により所定の速度で矢印B方向に回転される。ヘッドアクチュエータ14は、ベース11の底壁上に固定された軸受部15と、軸受部から延出した複数のアーム27と、を備えている。これらのアーム27は、磁気ディスク12の表面と平行に、かつ、互いに所定の間隔を置いて位置しているとともに、軸受部15から同一の方向へ延出している。ヘッドアクチュエータ14は、弾性変形可能な細長い板状のサスペンション30を備えている。サスペンション30は、板ばねにより構成され、その基端がスポット溶接あるいは接着によりアーム27の先端に固定され、アームから延出している。各サスペンション30の延出端にジンバルばね41を介して磁気ヘッド33が支持されている。サスペンション30、ジンバルばね41、および磁気ヘッド33により、ヘッドジンバルアッセンブリを構成している。なお、ヘッドアクチュエータ14は、軸受部15のスリーブと、複数のアームとを一体に形成したいわゆるEブロックを備えた構成としてもよい。図2に示すように、各磁気ヘッド33は、ほぼ直方体形状のスライダ42とこのスライダの流出端トレーリング端に設けられた記録再生用のヘッド部44とを有している。各磁気ヘッド33は、サスペンション30の弾性により、磁気ディスク12の表面に向かうヘッド荷重Lが印加されている。2本のアーム27は所定の間隔を置いて互いに平行に位置し、これらのアームに取り付けられたサスペンション30および磁気ヘッド33は、磁気ディスク12を間に挟んで互いに向かい合っている。各磁気ヘッド33は、サスペンション30およびアーム27上に固定された中継フレキシブルプリント回路基板以下、中継FPCと称する35を介して後述するメインFPC38に電気的に接続されている。図1に示すように、基板ユニット17は、フレキシブルプリント回路基板により形成されたFPC本体36と、このFPC本体から延出したメインFPC38とを有している。FPC本体36は、ベース11の底面上に固定されている。FPC本体36上には、プリアンプ37、ヘッドICを含む電子部品が実装されている。メインFPC38の延出端は、ヘッドアクチュエータ14に接続され、各中継FPC35を介して磁気ヘッド33に接続されている。VCM16は、軸受部15からアーム27と反対方向に延出した図示しない支持フレーム、および支持フレームに支持されたボイスコイルを有している。ヘッドアクチュエータ14をベース11に組み込んだ状態において、ボイスコイルは、ベース11上に固定された一対のヨーク34間に位置し、これらのヨークおよびヨークに固定された磁石とともにVCM16を構成している。磁気ディスク12が回転した状態でVCM16のボイスコイルに通電することにより、ヘッドアクチュエータ14が回動し、磁気ヘッド33は磁気ディスク12の所望のトラック上に移動および位置決めされる。この際、磁気ヘッド33は、磁気ディスク12の径方向に沿って、磁気ディスクの内周縁部と外周縁部との間を移動される。次に、磁気ヘッド33の構成について詳細に説明する。図3は、磁気ヘッド33のヘッド部44を拡大して示す断面図、図4は、記録ヘッドの磁気ディスク側の端部を拡大して示す断面図、図5は、記録ヘッドを模式的に示す斜視図、図6は、記録ヘッド部分をスライダのABS面側から見た配置図である。図2および図3に示すように、磁気ヘッド磁気記録ヘッド33は浮上型のヘッドとして構成され、ほぼ直方体状に形成されたスライダ42と、スライダの流出端トレーリング側の端部に形成されたヘッド部44とを有している。スライダ42は、例えば、アルミナとチタンカーバイドの焼結体アルチックで形成され、ヘッド部44は薄膜により形成されている。スライダ42は、磁気ディスク12の表面に対向する矩形状のディスク対向面空気支持面ABS面43を有している。スライダ42は、磁気ディスク12の回転によってディスク表面とディスク対向面43との間に生じる空気流Cにより、磁気ディスク表面から所定量浮上した状態に維持される。空気流Cの方向は、磁気ディスク12の回転方向Bと一致している。スライダ42は、磁気ディスク12表面に対し、ディスク対向面43の長手方向が空気流Cの方向とほぼ一致するように配置されている。スライダ42は、空気流Cの流入側に位置するリーディング端42aおよび空気流Cの流出側に位置するトレーリング端42bを有している。スライダ42のディスク対向面43には、図示しないリーディングステップ、トレーリングステップ、サイドステップ、負圧キャビティ等が形成されている。図3および図4に示すように、ヘッド部44は、スライダ42のトレーリング端42bに薄膜プロセスで形成された再生ヘッド54および記録ヘッド56を有し、分離型磁気ヘッドとして形成されている。再生ヘッド54は、磁気抵抗効果を示す磁性膜50と、この磁性膜のトレーリング側およびリーディング側に磁性膜50を挟むように配置されたシールド膜52a、52bと、で構成されている。これら磁性膜50、シールド膜52a、52bの下端は、スライダ42のディスク対向面43に露出している。シールド膜52a、52bに電源70aが接続されている。記録ヘッド56は、再生ヘッド54に対して、スライダ42のトレーリング端42b側に設けられている。記録ヘッド56は、トレーリング端側にトレーリングシールド磁極リターン磁極をもつ単磁極ヘッドとして構成されている。記録ヘッド56は、磁気ディスク12の表面に対して垂直方向の記録磁界を発生させる軟磁性金属材料からなる主磁極66と、主磁極66のトレーリング側に配置され、主磁極直下の軟磁性層23を介して効率的に磁束を還流させて主磁極とともに磁気回路を形成するトレーリングシールド磁極68と、主磁極66とトレーリングシールド磁極と間の記録ギャップWGに設けられ1GHz以上の周波数の高周波磁場を発生させるスピン発振子74と、主磁極66とスピン発振子74との間で、主磁極66と接して配置された磁性シード層80と、磁性シード層80およびスピン発振子に接して配置された軟磁性体からなる高配向磁性層82と、磁気ディスク12に信号を書き込む際、主磁極66に磁束を流すために主磁極66およびトレーリングシールド磁極68を含む磁気コアに巻きつくように配置された記録コイル71と、トレーリングシールド磁極68と主磁極66間に直流電流を通電するための電源70bと、を備えている。図3ないし図6に示すように、主磁極66は、磁気ディスク12の表面に対してほぼ垂直に延びている。主磁極66の磁気ディスク12側の先端部66aは、ディスク面に向かって先細に絞り込まれている。主磁極66の先端部66aは、例えば、断面が矩形状に形成され、主磁極66の先端面は、スライダ42のディスク対向面43に露出している。本実施形態において、主磁極66の先端部66aの幅W1は、磁気ディスク12におけるトラックの幅にほぼ対応している。トレーリングシールド磁極68は、ほぼU字形状に形成され、その先端部68aは、細長い矩形状に形成されている。トレーリングシールド磁極68の先端面は、スライダ42のディスク対向面43に露出している。先端部68aのリーディング側端面68bは、磁気ディスク12のトラックの幅方向に沿って延びている。このリーディング側端面68bは、主磁極66の先端部66aのトレーリング側端面72aと記録ギャップWGを置いてほぼ平行に対向している。記録ヘッド56は、主磁極66の先端部66aとトレーリングシールド磁極68との間で記録ギャップWGに設けられた高周波発振子、例えば、スピン発振子74を備えている。スピン発振子74は、主磁極66の先端部66aのトレーリング側端面72aとトレーリングシールド磁極68のリーディング側端面68bとの間に挟まれ、これらの端面と平行に配置されている。スピン発振子74は、その先端がABS面43に露出し、磁気ディスク12の表面に対して、主磁極66の先端面と同一の高さ位置に設けられている。図2に示すように、主磁極66とトレーリングシールド磁極68とに電源70bが接続され、この電源から主磁極66、トレーリングシールド磁極68を通して電流を直列に通電できるように電流回路が構成されている。トレーリングシールド磁極68は、記録ギャップWG、すなわち、スライダのディスク対向面43から離れた位置で、主磁極66の上部に接近した連結部65を有している。この連結部65は、例えばSiO2等の絶縁体で形成されたバックギャップ部67を介して主磁極66に連結されている。この絶縁体により、主磁極66とトレーリングシールド磁極68とが電気的に絶縁している。このように、バックギャップ部67を絶縁体で構成することにより、スピン発振子74の電極と兼用している主磁極66およびトレーリングシールド磁極68を通じて、電源790から効率的にスピン発振子74に電流を印加することが可能となる。バックギャップ部67の絶縁体はSiO2以外にも、Al2O2を用いてもよい。バックギャップ部67をSi、Geといった半導体で構成してもよい。絶縁体もしくは半導体からなるバックギャップ部67の一部に電気伝導体を含めて主磁極66とトレーリングシールド磁極68を電気的に接続してもよい。スピン発振子74は、前述した制御回路基板25の制御の下、電源70bから主磁極66、トレーリングシールド磁極68に電圧を印加することにより、スピント発振子74の膜厚方向に直流電流が印加される。通電することにより、スピン発振子74の発振層の磁化が回転し、高周波磁界を発生させることが可能となる。これにより、磁気ディスク12の記録層に高周波磁界を印加する。このように、トレーリングシールド磁極68と主磁極66はスピン発振子74に垂直通電する電極として働くことになる。図3ないし図6に示すように、スピン発振子74は、磁化を発振させて1GHz以上の周波数の高周波磁場を発生させるスピン振動層74bと、主磁極66とスピン振動層74bとの間、およびトレーリングシールド磁極68とスピン振動層74bとの間にそれぞれ設けられ、スピン振動層74bを主磁極およびトレーリングシールド磁極に電気的に接続させるための非磁性良導体からなる中間層74a、74cと、を有している。スピン振動層74bは、例えば、膜厚13nmのFeCoAl磁性膜からなり、中間層74aは、例えば、膜厚2nmのCu74cからなり、中間層74cは、例えば、Cu/Ruの積層膜で形成されている。中間層74a、スピン振動層74b、中間層74cは、主磁極66側からトレーリングシールド磁極68側に順に積層して構成されている。スピン発振子74の下面は、スライダのディスク対向面と面一に形成されている。主磁極66の先端部66aのトレーリング側端面72aの幅W1は、スピン発振子74のトラック幅方向の幅W2さよりも大きいことが好ましい。スピン振動層74bの材料として、FeCoAlの他、CoFe、CoNiFe、NiFe、CoZrNb、FeN、FeSi、FeAlSi、FeCoAl、FeCoSi、CoFeB等の、比較的、飽和磁束密度が大きく膜面内方向に磁気異方性を有する軟磁性層やCoIr等の膜面内方向に磁化が配向したCoCr系の磁性合金膜を用いることができる。また、スピン振動層74bには、飽和磁化や異方性磁界を調整するために、複数の上記材料を積層した積層膜を用いることもできる。更に、スピン振動層74bには、例えば、高Bs軟磁性材料FeCo/NiFe積層膜の厚さが5nm~20nmの膜を用いることができる。中間層74a、74cとしては、Cu、Au、Agなどのスピン透過率の高い非磁性材料を用いることができる。中間層74a、74cの膜厚は、1原子層から3nm程度とすることができる。スピント発振子74の素子のサイズ積層方向に対して垂直な平面で切断したときの断面の大きさは、10nm四方から100nm四方にすることが望ましく、素子形状も直方体だけでなく、円柱状や六角柱状としてもよい。ただし、このサイズに限定されることなく、スピン振動層74b、中間層74a、74cに用いられる材料及びこれらの大きさは任意に選択可能である。図3ないし図6に示すように、主磁極66の先端部66aにおいて、トレーリング側端面72aに磁性シード層80が形成され、更に、この磁性シード層80に重ねて軟磁性体からなる高配向磁性層82が形成されている。そして、高配向磁性層82にスピン発振子74の中間層74aに接している。磁性シード層80および高配向磁性層82の下端は、スライダのディスク対向面43と面一に形成されている。磁性シード層80は、アモルファス磁性材料で形成され、たとえば、CoZrNb、FeCoBなどの材料を用いることができる。高配向磁性層82の膜厚は、主磁極66からの磁界強度を確保し、かつ、スピン振動層74bの発振特性をよくするために、主磁極66の厚みよりも小さくすることが好ましい。磁性シード層80および高配向磁性層82は、主磁極66の先端部66aの幅方向全域に亘って形成され、その幅W1は、スピン発振子74の幅W2よりも大きい。スライダのディスク対向面43に垂直な方向の磁性シード層80および高配向磁性層82の高さT1は、スピン発振子74の高さT2よりも大きく、例えば、1.5倍以上に形成されている。T1がT2よりも小さくなると、高配向磁性層82を流れる電流の電流密度よりも、スピン発振層74bを流れる電流の方が、電流密度が低くなるため、実効的なスピン分極率が低下し、発振特性が悪化する。また、同時に、高配向磁性層82がスピン発振層74bより受けるスピントルク反作用の影響は、T1が小さくなるほど、影響がおおきくなり、結果として発振特性が悪化する。ここで、高配向磁性層82の高配向とは、その結晶配向が膜面垂直方向に対して一定の結晶方位であることをいう。高配向磁性層82は、多結晶でも単結晶でも良い。多結晶の場合、各結晶粒の方位は、膜面平行方向に揃っている必要はなく、膜面垂直方向のみ揃っていれば良い。各結晶粒の膜面垂直方向の結晶方位分散は5度以内で有ることが望ましい。それ以上になると、各結晶粒をながれる電流の方向と結晶方位が、各結晶粒毎に異なるため、スピン分極率にばらつきが生じ、全体としてスピン振動層の発振特性が悪化する。また、より好ましくは、高配向磁性層82は、スピン分極率を良好にするために、主磁極66のトレーリング側端面72aに対して、結晶が111方向に配向するFCC構造で作製するとよい。スピン分極率をあげるとスピン振動層74bの発振特性が良好になり、アシスト効果が大きくなる。これにより、記録媒体の記録磁化が反転しやすくなり、オーバーライト特性が良好になる。FCC111配向させる層の材料としては、FeCoAlなどを用いることができる。また、高配向磁性層82は、FeCoCuの材料などを用いて、主磁極66のトレーリング側端面72aに対して、結晶が110方向に配向するBCC構造で作製しても同様の効果が得られる。また、高配向磁性層は、少なくともFe、Co、Ni、Cu、Al、Siのうちの2種類以上の元素を組み合わせてFCC、BCCの結晶構造、または、アモルファス構造で作製しても同様の効果が得られる。高配向磁性層82の飽和磁束密度は、主磁極66の飽和磁束密度との差が0.5T以上1.5T以下の範囲で、主磁極よりも小さいことが好ましい。図7は、比較例に係る高周波アシスト記録ヘッドの磁気ディスク側の端部を拡大して示す断面図、図8は、本実施形態に係る記録ヘッドの磁気ディスク側の端部を拡大して示す断面図、図9は、比較例に掛かる記録ヘッドと実施形態に係る記録ヘッドとについて、高配向磁性層の飽和磁束密度に応じた磁界強度分布を比較して示している。図7に示すように、比較例に係る記録ヘッドAは、磁性シード層および高配向磁性層を備えておらず、また、スピン発振子74は、中間層74a、スピン振動層74b、中間層74c、スピン注入層74d、中間層74eを積層して構成されている。図8に示す本実施形態の記録ヘッドでは、高配向磁性層82が飽和磁束密度0.5Tの材料を用いたものB1、飽和磁束密度1.5Tの材料を用いたもの、飽和磁束密度2.2Tの材料を用いたものをそれぞれ想定している。図9に示すように、比較例に係る記録ヘッドAでは、磁界強度は高いが、主磁極のトレーリング端部での磁界傾度はなだらかとなる。この場合、記録媒体に情報を記録するときのオーバーライト特性は良好であるが、オントラックでの記録品質は悪く、記録密度を上げることはできない。これに対して、本実施形態に係る記録ヘッドB1では、主磁極のトレーリング側端部での磁界傾度が大きくなり、オントラックでの記録品質改善がなされる。また、本実施形態に係る記録ヘッドB2では、有効磁界強度、磁界傾度ともにさらに改善がなされていることがわかる。本実施形態に係る記録ヘッドB3では、磁界傾度は、記録ヘッドB2と同レベルであるが、スピン発振が不足して、アシスト効果が得られず、有効磁界強度が低下していることがわかる。このように、本実施形態に係る記録ヘッドB1、B2では、スピン発振子74の良好なアシスト効果による磁界強度増大と高い記録分解能が実現し、記録品質改善がなされていることがわかる。図10は、飽和磁束密度の差と、磁界傾度および最大有効磁界強度との関係を示している。この図に示すように、主磁極66と高配向磁性層82の飽和磁束密度の差が小さい場合、例えば、差が0.5Tよりも小さい場合、記録ギャップWGが狭くなる効果で磁界傾度が大きくなる。主磁極66と高配向磁性層82の飽和磁束密度の差が大きい場合、例えば、差が1.5Tよりも大きい場合、高配向磁性層82直下で磁界傾度がゆるやかになり記録分解能があがらない。また、磁界強度については、主磁極66と高配向磁性層82の飽和磁束密度の差が増大すると、スピン発振子の発振特性が良好になり、有効磁界強度が急激に増大している。このように、主磁極66と高配向磁性層82の飽和磁束密度の差が、0.5T以上、1.5T以下とすることにより、記録分可能の向上およびスピン発振子の発振特性の向上が図れることが分かる。以上のように構成されたHDDによれば、情報の書き込みにおいては、スピン発振子74に直流電流を通電して高周波磁界を発生させ、この高周波磁界を磁気ディスク12の垂直磁気記録層22に印加する。また、記録コイル71により主磁極66を励磁し、この主磁極から直下の磁気ディスク12の記録層22に垂直方向の記録磁界を印加することにより、所望のトラック幅にて情報を記録する。記録磁界に高周波磁界を重畳することにより、高保持力かつ高磁気異方性エネルギーの磁気記録を行うことができる。そして、記録ヘッド56を上記構成とすることにより、記録分解能が向上するとともにスピン発振子74の発振特性が良好となる。また、記録ヘッド56の有効磁界強度および磁界傾度が増大するため、磁気ディスクに記録される記録信号のSNが向上し、記録密度の向上を図ることができる。以上のことから、記録分解能および記録密度が向上し、安定した記録特性を有する磁気記録ヘッド、これを備えたヘッドジンバルアッセンブリ、およびディスク装置が得られる。本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。