被転写基板としてのウェハ上のチップ領域と対応するNNは2以上の整数個の転写領域に区画されたテンプレートからウェハへのパターン転写を複数回行う際、前記N個の転写領域のうちの一部と対応するウェハの周辺領域へ転写を行う場合に使用する1以上N-1個以下の転写領域を前記N個の転写領域の各転写回数が均一化されるように選択する転写位置選択部と、前記1以上N-1個以下の転写領域を選択した際に非選択とされた転写領域が前記ウェハ上の転写済領域と衝突しないように複数回のウェハへのパターン転写の転写順序を設定する転写順序設定部とを備えることを特徴とするパターン転写装置。NNは2以上の整数個の転写領域に区画されたテンプレートから被転写基板へのパターン転写を複数回行う際、前記N個の転写領域のうちの一部と対応する被転写基板の領域へ転写を行う場合に使用する1以上N-1個以下の転写領域を前記N個の転写領域の各転写回数が均一化されるように選択する転写位置選択部を備えることを特徴とするパターン転写装置。前記1以上N-1個以下の転写領域を選択した際に非選択とされた転写領域が前記被転写基板上の転写済領域と衝突しないように複数回の被転写基板へのパターン転写の転写順序を設定する転写順序設定部をさらに備えることを特徴とする請求項2に記載のパターン転写装置。前記転写位置選択部は、M枚Mは正の整数の被転写基板に対して前記N個の転写領域の各転写回数が均一化されるように前記転写領域を選択することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のパターン転写装置。テンプレートに区画されたNNは2以上の整数個の転写領域のうちの一部と対応する被転写基板の領域へ転写を行う場合に、前記N個の転写領域の各転写回数が均一化されるように使用する1以上N-1個以下の転写領域を選択しつつ被転写基板における下地層上にインプリント材を塗布することと前記テンプレートを前記インプリント材に押し当てることとを繰り返し、前記下地層上にインプリントパターンを形成するステップと、前記インプリントパターンを介して前記下地層を処理するステップとを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。本発明の一つの実施形態の目的は、インプリントに用いられるテンプレートの長寿命化を図ることが可能なパターン転写装置および半導体装置の製造方法を提供することである。実施形態のパターン転写装置によれば、転写位置選択部が設けられている。転写位置選択部は、被転写基板へのパターン転写を複数回行う際、前記N個の転写領域のうちの一部と対応する被転写基板の領域へ転写を行う場合に使用する1以上N-1個以下の転写領域を前記N個の転写領域の各転写回数が均一化されるように選択する。以下、実施形態に係るパターン転写装置および半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。第1実施形態図1は、第1実施形態に係るパターン転写装置の概略構成を示す斜視図である。図1において、パターン転写装置には、被転写基板としてのウェハWを保持するステージ1、インプリントに用いられるテンプレートTM、ウェハW上にインプリント材を吐出するノズル4およびウェハW上のインプリント材に紫外線を照射する紫外線照射装置3が設けられている。ここで、テンプレートTMは、NNは2以上の整数個の転写領域に区画されている。この転写領域は、ウェハWのチップ領域ごとに設けることができる。ノズル4は、インプリント材を貯留するタンク5に接続されている。なお、ノズル4は、ウェハW上において前後左右上下に移動させることができる。ステージ1は、前後左右に移動させることができる。テンプレートTMは、上下に移動させることができる。ここで、ステージ1には、ステージ1を前後左右に駆動する駆動部6、7が設けられている。テンプレートTMには、テンプレートTMを上下に駆動する駆動部8が設けられている。また、パターン転写装置には、駆動部6~8を駆動制御する駆動制御部9が設けられている。駆動制御部9には、転写領域選択部11および転写順序設定部12が設けられている。転写領域選択部11は、テンプレートTMのN個の転写領域の各転写回数が均一化されるようにN個の転写領域から1以上N-1個以下の転写領域を選択することができる。転写順序設定部12は、テンプレートTMにおいて非選択とされた転写領域がウェハW上の転写済領域と衝突しないようにテンプレートTMによるウェハWへのパターン転写の転写順序を設定することができる。図2は、図1のパターン転写装置におけるテンプレートとウェハ上のショット領域との対応関係を示す平面図である。図2bにおいて、テンプレートTMは4個の転写領域T1~T4に区画されている。また、図2aにおいて、ウェハWには、パターン非形成領域R1とパターン形成領域R2が設けられ、パターン形成領域R2には、ショット領域SHが設けられている。各ショット領域SHには、チップ領域C1~C4が設けられている。テンプレートTMの各転写領域T1~T4は、ウェハW上のチップ領域C1~C4に対応させることができる。そして、ノズル4を介してインプリント材をショット領域SHごとにウェハW上に塗布する。次いで、ショット領域SHごとにテンプレートTMをインプリント材に押し当てた状態で紫外線照射装置3を介して紫外線をインプリント材に照射し、インプリント材を硬化させることを繰り返して、ウェハWのパターン形成領域R2全面にインプリントパターンを形成することができる。この時、パターン形成領域R2の周辺部には欠けショットが存在し、欠けショットでは、テンプレートTMは4個の転写領域T1~T4のうちの一部しか使用されない。このため、欠けショットにおいて転写領域T1~T4のうちの特定の領域が頻繁に使用されると、転写領域T1~T4間で転写回数に偏りが発生する。例えば、ショット領域SA、SCにはチップ領域が2個分しかないため、欠けショットになる。この時、これらのショット領域SA、SCに対してテンプレートTMの転写領域T2、T4を使用して転写し、ウェハW上の矢印に沿って転写を繰り返したものとする。この場合、テンプレートTMの転写領域T1、T3の転写回数は59回、テンプレートTMの転写領域T2、T4の転写回数は62回となる。このように転写領域T1~T4間で転写回数に偏りが発生すると、転写回数の多い転写領域T2、T4で破損や欠陥が発生する確率が高くなる。そして、転写領域T1~T4の一部でも破損や欠陥が発生すると、テンプレートTM全体が使用できなくなる。一方、ショット領域SAに対してテンプレートTMの転写領域T1、T3を使用して転写し、ショット領域SCに対してテンプレートTMの転写領域T2、T4を使用して転写したものとする。この場合、テンプレートTMの転写領域T1、T3の転写回数は60回、テンプレートTMの転写領域T2、T4の転写回数は61回となる。このため、ショット領域SA、SCに対してテンプレートTMの転写領域T2、T4を使用して転写した場合に比べて、テンプレートTMの転写領域T1~T4間で転写回数が均一化され、転写領域T2、T4の転写回数が減少する。この結果、テンプレートTMの特定の転写領域T2、T4で破損や欠陥が起こりやすくなるのを防止することができ、テンプレートTMの長寿命化を図ることができる。この時、ショット領域SAに対してテンプレートTMの転写領域T1、T3を使用して転写する場合、テンプレートTMの転写領域T2、T4がショット領域SBにはみ出す。このため、ショット領域SBが転写済領域であると、ショット領域SBの転写済領域がテンプレートTMの転写領域T2、T4と衝突し、ショット領域SBの転写済領域に形成されたインプリントパターンが破壊される。このため、ショット領域SBの転写が行われる前にショット領域SAの転写が行われるように、ショット領域SAの転写順序を設定する。図3は、図2のショット領域SAのインプリント方法を示す断面図である。図3aにおいて、ショット領域SAにはショット領域SBが隣接している。そして、インクジェット法などの方法を用いることにより、ノズル4を介してインプリント材12A ́をウェハW上のショット領域SAに吐出させる。なお、インプリント材12A ́としては、例えば、紫外線硬化型レジストを用いることができる。次に、図3bに示すように、テンプレートTMをインプリント材12A ́に押し当てることにより、ウェハW上にインプリントパターン12Aを形成する。なお、テンプレートTMは、例えば、石英にて構成することができる。ここで、テンプレートTMには、インプリントパターン12Aに対応した凹部Kが形成されている。そして、テンプレートTMをインプリント材12A ́に押し当てると、毛細管現象によってインプリント材12A ́が凹部Kに吸い上げられ、凹部Kの形状に対応したインプリントパターン12Aが形成される。そして、テンプレートTMをインプリントパターン12Aに押し当てたまま、テンプレートTMを通して紫外線をインプリントパターン12Aに照射することにより、インプリントパターン12Aを硬化させる。なお、図3bの例では、インプリントパターン12Aを硬化させるために、インプリント材12A ́として紫外線硬化型レジストを用いるようにしてもよいが、熱硬化型レジストを用いるようにしてもよい。ここで、ショット領域SAにインプリントパターン12Aを形成する場合、テンプレートTMの転写領域T1、T3をインプリント材12A ́に押し当てることができる。また、ショット領域SBにインプリントパターン12B図5b参照を形成する前に、ショット領域SAにインプリントパターン12Aを形成することができる。これにより、ショット領域SAにインプリントパターン12Aを形成する時に、テンプレートTMの転写領域T2、T4がショット領域SBにはみ出す場合においても、ショット領域SBのインプリントパターン12Bが破壊されるのを防止することができる。図4は、図2のショット領域SCのインプリント方法を示す断面図である。図4aにおいて、ショット領域SCにはショット領域SDが隣接している。そして、インクジェット法などの方法を用いることにより、ノズル4を介してインプリント材12C ́をウェハW上のショット領域SCに吐出させる。次に、図4bに示すように、テンプレートTMをインプリント材12C ́に押し当てることにより、ウェハW上にインプリントパターン12Cを形成する。そして、テンプレートTMをインプリントパターン12Cに押し当てたまま、テンプレートTMを通して紫外線をインプリントパターン12Cに照射することにより、インプリントパターン12Cを硬化させる。ここで、ショット領域SCにインプリントパターン12Cを形成する場合、テンプレートTMの転写領域T2、T4をインプリント材12C ́に押し当てることができる。これにより、ショット領域SAではテンプレートTMの転写領域T1、T3を使用し、ショット領域SCではテンプレートTMの転写領域T2、T4を使用することができる。このため、ショット領域SA、SCが欠けショットである場合においても、テンプレートTMの転写領域T1~T4の各転写回数を均一化することができ、テンプレートTMの長寿命化を図ることができる。図5は、図2のショット領域SBのインプリント方法を示す断面図である。図5aにおいて、インクジェット法などの方法を用いることにより、ノズル4を介してインプリント材12B ́をウェハW上のショット領域SBに吐出させる。次に、図5bに示すように、テンプレートTMをインプリント材12B ́に押し当てることにより、ウェハW上にインプリントパターン12Bを形成する。そして、テンプレートTMをインプリントパターン12Bに押し当てたまま、テンプレートTMを通して紫外線をインプリントパターン12Bに照射することにより、インプリントパターン12Bを硬化させる。ここで、ショット領域SAにインプリントパターン12Aを形成した後に、ショット領域SBにインプリントパターン12Bを形成することにより、ショット領域SBのインプリントパターン12Bが破壊されるのを防止することができる。そして、ウェハW上の全てのショット領域SHにインプリントパターンが形成されると、インプリントパターンを介してウェハWを処理することにより、半導体装置をウェハWに形成することができる。なお、ウェハWの処理は、エッチング処理であってもよいし、イオン注入処理であってもよい。なお、上述した実施形態では、テンプレートTMが4個の転写領域T1~T4に区画されている場合を例にとったが、テンプレートTMはN個の転写領域に区画されていればよい。また、図2の例では、各転写領域T1~T4は、ウェハW上のチップ領域C1~C4にそれぞれ対応している場合を例にとったが、転写領域T1~T4は回路ブロックなどに対応してもよい。また、上述した第1実施形態では、インプリントパターンの下地層としてウェハWを例にとって説明したが、インプリントパターンの下地層は、ウェハW上に形成された導電層または絶縁層であってもよい。第2実施形態上述した第1実施形態では、ショット領域SAに対してテンプレートTMの転写領域T1、T3を使用して転写し、ショット領域SCに対してテンプレートTMの転写領域T2、T4を使用して転写する方法について説明した。ただし、この方法でも、テンプレートTMの転写領域T1、T3の転写回数は60回、テンプレートTMの転写領域T2、T4の転写回数は61回となり、転写領域T1、T3と転写領域T2、T4との間で転写回数に差が残っている。一方、1枚目のウェハWでは、ショット領域SAに対してテンプレートTMの転写領域T1、T3を使用して転写し、ショット領域SCに対してテンプレートTMの転写領域T2、T4を使用して転写する。次に、2枚目のウェハWでは、ショット領域SA、SCに対してテンプレートTMの転写領域T1、T3を使用して転写することができる。この場合、1枚目のウェハWでは、テンプレートTMの転写領域T1、T3の転写回数は60回、テンプレートTMの転写領域T2、T4の転写回数は61回となる。2枚目のウェハWでは、テンプレートTMの転写領域T1、T3の転写回数は61回、テンプレートTMの転写領域T2、T4の転写回数は60回となる。この結果、2枚分のウェハWに対しては、テンプレートTMの転写領域T1~T4の転写回数は121回となり、転写領域T1、T3と転写領域T2、T4との間で転写回数が一致する。このように、M枚Mは正の整数のウェハWに対して転写領域T1~T4の各転写回数が均一化されるように転写領域T1~T4を選択することにより、転写領域T1~T4の各転写回数を一致させることができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。