複数の電気的コンポーネントおよび前記複数の電気的コンポーネント間の複数の介在領域を形成する方法であって、第一の複数の構造上に二つ以上の露出された表面構成を形成するステップであって、前記複数の表面構成のうちの一方は第一の構成であり、前記複数の表面構成のうちの他方は第二の構成である、ステップと、前記複数の表面構成に材料を形成するステップであって、前記材料は二つ以上のドメインを含み、前記複数のドメインのうちの第一のドメインは、前記第一の表面構成によって誘発され、前記複数のドメインのうちの第二のドメインは、前記第二の表面構成によって誘発される、ステップと、前記材料上に複数の第二の構造を形成するステップであって、前記複数の第一のドメインは、前記第一および第二の構造間の重複する領域における複数の電気的コンポーネントに組み込まれる、ステップと、前記複数の第二のドメインを除去するステップか、隣接する複数の電気的コンポーネント間の複数の介在領域として誘電性材料を提供するために前記複数の第二のドメインを前記誘電性材料で置換するステップか、または、隣接する複数の電気的コンポーネント間の複数の介在領域として、前記複数の第二のドメインを直接使用するステップのいずれかのステップと、を含む、ことを特徴とする方法。前記第一および第二の構造は、複数の導電性構造である、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記材料は結晶性材料である、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記複数の第二のドメインが除去され、かつ、誘電体で置換される、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記複数の第二のドメインが、複数の介在領域として使用される、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記複数の電気的コンポーネントは、複数のメモリセル、複数の電気的相互接続および複数のダイオードのうちの一つ以上を含む、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記材料はメモリセル材料であり、前記複数の電気的コンポーネントは、複数の可変抵抗メモリセルである、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記材料はゲルマニウム含有カルコゲナイドである、ことを特徴とする請求項7に記載の方法。前記材料はペロブスカイトである、ことを特徴とする請求項7に記載の方法。前記材料は、Pr、Ca、MnおよびOを含む、ことを特徴とする請求項9に記載の方法。複数のメモリセルを形成する方法であって、複数の第一の導電性構造上に二つ以上の露出された表面構成を有するように半導体基板を形成するステップであって、前記複数の表面構成のうちの一方は第一の構成であり、前記複数の表面構成のうちの他方は第二の構成である、ステップと、前記複数の表面構成に材料を形成するステップであって、前記材料は二つ以上のドメインを含み、前記複数のドメインのうちの第一のドメインは、前記第一の表面構成によって誘発され、前記複数のドメインのうちの第二のドメインは、前記第二の表面構成によって誘発される、ステップと、前記材料上に第二の複数の導電性構造を形成するステップであって、前記材料の前記複数の第一のドメインは、複数のメモリセルに組み込まれ、前記複数の第二のドメインは、隣接する複数のメモリセル間の複数の介在領域である、ステップと、を含む、ことを特徴とする方法。前記複数のメモリセルのみが、前記第一および第二の導電性構造の間に直接存在する、ことを特徴とする請求項11に記載の方法。前記複数の第一の導電性構造は複数の上部表面を有し、前記複数の第二の導電性構造は、複数の下部表面を有し、前記複数の第一のドメインは、前記上部表面および前記下部表面に対して実質的に直行して伸長する複数の円柱である、ことを特徴とする請求項11に記載の方法。前記材料は、カルコゲナイド、ペロブスカイト、遷移金属酸化物、ホウ酸塩、貴金属含有組成物、有機ポリマーおよび分子結晶のうちの一つ以上を含む、ことを特徴とする請求項11に記載の方法。前記第一および第二のドメイン間の相違は、前記第一および第二のドメインの格子構造内にある、ことを特徴とする請求項11に記載の方法。前記第一および第二のドメイン間の相違は、前記第一および第二のドメインの個々の結晶子の配置内にある、ことを特徴とする請求項11に記載の方法。前記第一および第二の表面構成は、お互いに対して化学組成において異なる、ことを特徴とする請求項11に記載の方法。前記第一および第二の表面構成は、お互いに対して異なるテクスチャリングを有する、ことを特徴とする請求項11に記載の方法。前記第一および第二の表面構成は、お互いに対して異なるテクスチャリングを有し、化学組成においてはお互いに同一である、ことを特徴とする請求項11に記載の方法。前記第一および第二の表面構成は、お互いに対して異なるテクスチャリングを有し、お互いに対して異なる化学組成を有する、ことを特徴とする請求項11に記載の方法。複数のメモリセルを形成する方法であって、複数の誘電性領域によってお互いから間隔をあけられた第一系列の複数の導電性ラインを有するように半導体基板を形成するステップであって、前記第一系列の前記複数の導電性ラインは、第一の方向にほぼ沿って伸長し、前記基板は、前記複数の導電性ラインの複数の表面を含む上部表面を有する、ステップと、個々の導電性ラインの前記複数の表面に沿って、交互の第一および第二の表面構成を形成するステップと、前記半導体基板にメモリセル材料を形成するステップであって、前記メモリセル材料は二つ以上のドメインを含み、前記複数のドメインのうちの第一のドメインは前記第一の表面構成によって誘発され、前記複数のドメインのうちの第二のドメインは前記第二の表面構成によって誘発される、ステップと、前記メモリセル材料上に第二系列の複数の導電性ラインを形成するステップであって、前記メモリセル材料の前記複数の第一のドメインは、前記第一系列の複数の導電性ラインと、前記第二系列の複数の導電性ラインの間に直接存在する、前記メモリセル材料の複数の領域にあり、前記メモリセル材料の前記複数の第二のドメインは、前記第一系列の複数の導電性ラインと、前記第二系列の複数の導電性ラインの間に直接存在しない前記メモリセル材料の複数の領域にある、ステップと、を含む、ことを特徴とする方法。前記メモリセル材料は、前記第一系列の前記複数の導電性ラインと、前記第二系列の前記複数の導電性ラインとの間に直接存在する材料のみである、ことを特徴とする請求項20に記載の方法。前記個々の導電性ラインの複数の表面に沿って前記複数の交互の表面構成を形成する前記ステップは、前記複数の導電性ラインの複数の領域を粗化するステップを含む、ことを特徴とする請求項20に記載の方法。前記個々の導電性ラインの複数の表面に沿って前記複数の交互の表面構成を形成する前記ステップは、前記複数の導電性ラインへと伸長する複数の形態学的凹部を形成するステップを含む、ことを特徴とする請求項20に記載の方法。前記個々の導電性ラインの複数の表面に沿って前記複数の交互の表面構成を形成する前記ステップは、前記複数の導電性ラインの複数の部分を化学的に改変するステップを含む、ことを特徴とする請求項20に記載の方法。前記個々の導電性ラインの複数の表面に沿って前記複数の交互の表面構成を形成する前記ステップは、前記複数の導電性ラインの複数の部分にコーティングを形成するステップを含む、ことを特徴とする請求項20に記載の方法。前記メモリセル材料の前記複数の第二のドメインは、複数の導電性ラインの前記第二系列を形成するステップの後に残存する、ことを特徴とする請求項20に記載の方法。前記メモリセル材料の前記複数の第二のドメインは、複数の導電性ラインの前記第二系列を形成するステップの前に除去される、ことを特徴とする請求項20に記載の方法。前記第一および第二の表面構成は、お互いに対して異なるテクスチャリングを有し、化学組成においてはお互いに同一である、ことを特徴とする請求項20に記載の方法。前記第一および第二の表面構成は、お互いに対して異なるテクスチャリングを有し、化学組成においてはお互いに異なる、ことを特徴とする請求項20に記載の方法。前記半導体基板の前記上部表面は、前記複数の誘電性領域の複数の表面をも含み、前記個々の導電性ラインの前記複数の表面に沿って前記複数の交互の表面構成を形成する前記ステップは、前記複数の誘電性領域の前記複数の表面に沿って複数の交互の表面構成をも形成する、ことを特徴とする請求項20に記載の方法。前記個々の導電性ラインの前記複数の表面に沿って、かつ、前記複数の誘電性領域の前記複数の表面に沿って、前記複数の交互の表面構成を形成する前記ステップは、前記複数の導電性ラインおよび前記複数の誘電性領域の前記一部をテクスチャ処理するステップを含む、ことを特徴とする請求項31に記載の方法。前記個々の導電性ラインの前記複数の表面に沿って、かつ、前記複数の誘電性領域の前記複数の表面に沿って、前記複数の交互の表面構成を形成する前記ステップは、前記複数の導電性ラインおよび前記複数の誘電性領域の一部上にコーティングを形成するステップを含む、ことを特徴とする請求項31に記載の方法。幾つかの実施形態においては、本発明は二つ以上の異なる表面構成を形成するために、表面改変を使用する方法を含む。その後、表面上に材料が配置され、異なる表面構成が、配置された材料内に二つ以上の異なるドメインを誘発する。表面構成は、お互いに構造的に異なるものであってもよいし、ならびに/または、お互いに化学的に異なるものであってもよい。配置された材料内に誘発されるドメインの一方は、第一のドメインと称され、ドメインのうちの他方は、第二のドメインと称されてもよい。幾つかの実施形態においては、第一のドメインは電気的コンポーネントに組み込むのに適し、第二のドメインは、隣接する電気的コンポーネント間のクロストークを低減させる例えば、隣接する電気的コンポーネント間の電気的分離を提供するのに適している介在領域に組み込むのに適し、ならびに/または、第一のドメインに対して選択的除去するのに適していていもよい。電気的コンポーネントに組み込むのに適したドメインは、所望の電気的コンポーネントにおける使用に適切な任意の組成および構成を有してもよい。例えば、このようなドメインは、相互接続もしくはローカル導体に組み込むのに適した導電性材料を含んでもよいし、選択デバイスに組み込むのに適したダイオード材料例えば、適切にドープされた半導体材料、適切な金属酸化物などを含んでもよいし、メモリセルなどに組み込むのに適切なプログラマブル材料例えば、カルコゲナイド、ペロブスカイトなどを含んでもよい。電気的コンポーネントに組み込むのに適したドメインは、任意の適切な特性において、介在領域のドメインとは異なってもよい。例えば、例示的な一実施形態においては、ドメインは、化学量論性、位相、結晶度の量、結晶配向、粒子配向などのうちの一つ以上において、お互いに異なってもよい。配置プロセスの間に材料に誘発される二つ以上のドメインを有するように幾つかの実施形態において使用される可能性のある例示的な材料は、カルコゲナイド、遷移金属酸化物、ペロブスカイト、ホウ酸塩、結晶性ポリマー、液晶、貴金属、貴金属含有材料、分子単層などである。記載された材料のうちの任意の材料は、幾つかの用途においてはドープされてもよいことに留意されたい。また、記載された材料のうちの幾つかは、幾つかの実施形態においては、結晶性相を含む少なくとも一つのドメインを有するように配置されてもよいことに留意されたい。例えば、隣接する回路デバイスをお互いに対して電気的に分離するために隣接する回路デバイス間のクロストークを低減させる介在領域へと組み込むのに適した別のドメインを誘発する一方、集積回路デバイスに組み込むのに適した配置された材料のうちの一ドメインを同時に誘発することには、顕著な利点が存在する可能性がある。例えば、このように、集積回路ドメインおよび介在ドメインを配置プロセスで形成し、パターン化することが可能になり、したがって、従来の作製順序のうち、問題となるエッチングおよび/もしくは研磨プロセスを回避することができる。例示的な実施形態は、図1-図52を参照して記述される。図1-図18は第一の実施形態を示し、図19-図24は第二の実施形態を示し、図25-図34は第三の実施形態を示し、図35-図43は第四の実施形態を示し、図44-図52は第五の実施形態を示す。図1-図3を参照すると、半導体構造10は、上面図および一組の断面側面図において図示される。構造10は、電気的に絶縁性の材料14を支持するベース12を含む。複数の導電性構造18、20および22は、絶縁性材料14内に形成される。示された実施形態においては、構造18、20および22のうちの各々は、導電性材料16を含むラインである。導電性ライン18、20および22は、図1の上面図において電気的に絶縁性の領域19、21および23と互い違いに並び、幾つかの実施形態においては、構造10は、誘電性領域19、21および23によってお互いから間隔をあけられた複数の導電性ライン18、20および22を含むと考えられてもよい。図示された構造は上部表面17を有する。導電性ラインは、軸15に対して平行な第一の方向にほぼ沿って伸長するように示される。ラインが波状の領域を有することを示すために、もしくは、軸15に正確に沿って伸長しないが、ラインの全体的な直線方向が軸15に沿っていることを示すために、導電性ラインは、このような軸にほぼ沿って伸長するように示される。示されたライン18、20および22は、基板15上に形成される可能性のある導電性コンポーネントの一実施例であり、他の導電性コンポーネントが他の実施形態において使用されてもよい。ベース12は、単結晶性シリコンを含むか、本質的に単結晶性シリコンから成るか、単結晶性シリコンで構成されてもよく、半導体基板もしくは半導体基板の一部と称されてもよい。半導電性基板半導体構造および半導体基板という用語は、半導電性ウェーハ単独もしくは、他の材料を含むアセンブリのいずれかおよび半導電性材料層単独もしくは、他の材料を含むアセンブリのいずれかなどのバルク半導電性材料を含むがそれに限定はされない半導電性材料を含む任意の構造を意味する。基板という用語は、上述された半導電性基板を含むがそれに限定はされない任意の支持構造のことを称する。ベース12は、均質なものとして示されているが、ベースは、幾つかの実施形態においては、複数の構造およびコンポーネントを含んでもよい。例えば、ベース12は、集積回路作製に関連する一つ以上の構造およびコンポーネントを含む半導体基板に対応してもよい。電気的に絶縁性の材料14は、任意の適切な組成もしくは組成の組み合わせを含んでもよい。幾つかの実施形態においては、電気的に絶縁性の材料14は、例えば、二酸化シリコン、窒化シリコン、ボロホスホシリケートグラスBPSG、ホスホシリケートグラスPSG、フルオロシリケートグラスFSGなどを含んでもよいし、本質的にそれらで構成されてもよいし、それらで構成されてもよい。導電性材料16は、任意の適切な組成もしくは組成の組み合わせを含んでもよい。幾つかの例示的な実施形態においては、導電性材料16は、種々の金属例えば、銅、タングステン、アルミニウム、プラチナなど、金属含有組成物例えば、金属シリサイド、金属窒化物など、導電性を有するようにドープされた半導体材料例えば、導電性を有するようにドープされたシリコン、導電性を有するようにドープされたゲルマニウムなどのうちの一つ以上を含んでもよい。図1-図3の構成は、例えば、ダマシンタイプ処理を含む任意の適切な処理によって形成されてもよい。図4-図6を参照すると、パターン化されたマスキング材料26が、構造10の上部表面17に形成される。マスキング材料26は、導電性ライン18、20および22の方向に対して直交方向にほぼ沿って伸長する、複数のライン28、30、32および34を形成する。特に、マスキング材料ライン28、30、32および34は、軸25に平行な方向に沿って伸長するように示され、導電性ライン18、20および22は、軸15に平行な方向に沿って伸長するように示され、軸15および25は、お互いに対して直交するように示される。種々の実施形態においては、軸15および25は、例えば、30°、60°、90°などを含む、お互いに対して任意の適切な角度であってもよい。マスキング材料ライン28、30、32および34は、間隙29、31および33によってお互いに間隔をあけられる。絶縁性材料14および導電性材料16の上部表面はこの間隙内に露出される。マスキング材料26は、任意の適切な組成もしくは組成の組み合わせを含んでもよい。例えば、材料26は、フォトリソグラフィーによってパターン化されたフォトレジストであってもよい。別の実施例として、材料26は二酸化シリコンで、ライン28、30、32および34は、ピッチ増倍プロセスを使用してサブリソグラフィー解像度へと形成されてもよい。ライン28、30、32および34は、全てお互いに同一の組成26を含むように示されているが、幾つかの実施形態においては、このような一つ以上のラインは、他のラインとは異なる組成を含んでもよい。例えば、ピッチ改変プロセスが、ライン28、30、32および34を形成するために使用される場合、ラインのうちの幾つかが他のラインとは異なる組成を含んでもよい。図7-図9を参照すると、間隙29、31および33内に露出された材料14および16の上部表面が、このような表面の表面特性を変化させる条件に晒される。表面特性変化は、材料14および16の上部表面へと伸長するそのうちの幾つかのみが標識されている溝部35の形成として概略的に示される。表面特性変化は、任意の適切な変化を含んでもよく、例示的な実施形態においては、表面粗化、表面テクスチャリング、トポロジカルグレーディング形態学的平衡化、化学的改変などによって達成されてもよい。図示された溝部35を形成するために使用される条件は、例えば、化学的エッチングおよび/もしくは物理的エッチングの使用を含む任意の適切な条件であってもよい。幾つかの実施形態においては、表面特性変化の目的は、マスキング材料26によって保護される導電性材料16の表面構成に対して、間隙29、31および33内の導電性材料16に沿った異なる表面構成を形成することである。このような実施形態においては、絶縁性材料14の露出表面が変化するか否かは無関係なことがある。物理的エッチングが使用される場合、エッチングは材料14の絶縁性表面および材料16の導電性表面に対して非選択的であってもよい。したがって、両タイプの表面が変化してもよい。対照的に、化学的エッチングは、材料14の絶縁性表面と比較して、材料16の導電性表面に対して選択的であってもよく、したがって、エッチングによって変化するのは、材料16の表面のみであってもよい。幾つかの実施形態においては、導電性材料16の露出表面に沿った表面特性の変化は、露出表面上に新規の化学種を形成する反応を含んでもよく、したがって、図示された下方へ伸長する形態学的フィーチャに加えて、もしくは図示された下方への形態学的フィーチャの代わりに、上方へ伸長する形態学的フィーチャを形成してもよいし、しなくてもよい。幾つかの例示的な実施形態においては、導電性材料16はプラチナを含み、プラチナ表面の化学的エッチングおよび/もしくは再構成は、大気圧における、プラチナ触媒されるアンモニアの酸化の使用を介して提供されてもよい。このような実施形態においては、表面変化の程度は、反応物に対するプラチナの相対的暴露期間や反応物の濃度などに関連する可能性がある。図示された溝部の形成すなわち、表面粗化は、間隙29、31および33内に露出された材料16の表面をテクスチャリングする一方法である。このような表面をテクスチャリングする他の方法は、他の実施形態で使用されてもよく、別の例示的な方法は、図25-図34を参照して以下に記述されるトレンチ形成である。本開示およびそれに続く請求項を解釈する目的で、表面に形成された最も深い形態学的凹部が10Åの深さ以下である場合には、その表面は粗化されたものと考えられ、表面に形成された最も深い形態学的凹部が10Åの深さよりも大きい場合にはその表面はそこに形成されたトレンチを有するものと考えられる。図10-図12を参照すると、マスキング材料26図7-図9が除去される。材料26がフォトレジストを含む場合、このような除去は、アッシングおよび/もしくは化学的剥離を含んでもよい。材料26の除去後、導電性ライン18、20および22の各々は、導電性ライン20に関連して図11に示された二つの交互の構成38および40を含む露出された上部表面を有する。表面構成38は、図7-図9の粗化手順の間にマスキング材料26によって保護された表面に対応する比較的平滑な構成であり、表面構成40は、図7ー図9の粗化によってもたらされた構成に対応する比較的粗い構成である。表面構成38および40は、其々、第一および第二の表面構成と称されてもよい。図13-図15を参照すると、材料42は、構造10の材料14および16上に形成される。材料は、二つの異なるドメイン44および46を含むように示され、ドメイン44は、第一の表面構成38を有する導電性材料18、20および22の領域によって誘発され、ドメイン46は、第二の表面構成40を有する導電性材料18、20および22の領域と、電気的に絶縁性の領域19、21および23の表面とによって誘発される。材料42は、そこに誘発される二つのドメインを有するように示されているが、他の実施形態においては、材料はそこに誘発される二つ以上のドメインを有してもよい。例えば、電気的に絶縁性の領域の表面によって誘発されるドメインは、導電性材料の粗化表面によって誘発されるドメインとは異なってもよい。ドメイン44は、円柱状のフィーチャを有するように示され、ドメイン46は、ランダム化されたフィーチャを有するように示される。幾つかの実施形態においては、材料42は、単結晶性材料であってもよく、ドメイン44内の図示された円柱状フィーチャは、単結晶性材料内の格子状構造に対応してもよい。他の実施形態においては、材料42は多結晶性材料であってもよく、ドメイン44内の図示された円柱状フィーチャは、粒子境界に整列された結晶子すなわち粒子であってもよい。ドメイン44の円柱状フィーチャは、ドメイン44内に形成される可能性のある多くの結晶学的パターンのうちの一つを示す。ドメイン44は、図16-図18を参照して以下に議論されるように電気的コンポーネントに組み込まれてもよいし、ドメイン44は、このような電気的コンポーネントにおいて使用するために適切な任意のフィーチャを含んでもよい。幾つかの実施形態においては、フィーチャ下の第一の導電性電極から、フィーチャ上の第二の導電性電極へと伸長する複数の均一な導電性経路に都合よく対応することができるという点で、フィーチャは示されるように円柱状フィーチャであることが望ましい可能性がある。ドメイン44が電気的コンポーネントに組み込むのに適している幾つかの実施形態においては、ドメイン46は隣接する電気的コンポーネント間の介在領域における使用に適していてもよい介在領域は、隣接する電気的コンポーネント間のクロストークを緩和するかまたは妨げるために適し、幾つかの実施形態においては、隣接する電気的コンポーネント間の電気的分離を提供するのに適している。示された実施形態の利点は、単に材料42の配置の間に使用される表面構成によって誘発されるドメイン44および46によって、ドメイン44に対応する回路構造の形成およびパターン化と同時に、ドメイン46に対応する介在領域が形成され、かつパターン化される点である。したがって、エッチングおよび/もしくは従来技術プロセスのうちの他の配置後のパターン化手順は回避される可能性がある。ドメイン44は、示された例示的な実施形態においては、結晶学的パターン特に、円柱状フィーチャを有するように図示されているが、他の実施形態においては、ドメイン44は結晶性でなくてもよい。しかしながら、ドメイン44は、幾分、ドメイン46とは異なる可能性があり、それによって、ドメイン44は回路素子へ組み込むのに適し、ドメイン46は隣接する電気的コンポーネント間の介在領域へ組み込むのに適したものになる例えば、ドメイン46は、隣接する回路素子の電気的に分離に適していてもよく、ならびに/または、隣接する電気的コンポーネント間のクロストークを低減させるのに適していてもよい。ドメイン44および46の相違は、例えば、相、化学量論性などのうちの一つ以上における相違を含む可能性がある。示された実施形態においては、ドメイン44がドメイン46との界面を形成する位置に、境界47が生じる。このような境界は、ドメイン44と46との間の電気的移動に対するバリアとして作用する継ぎ目に対応する可能性がある。材料42が単結晶の場合には、境界47はドメイン44の格子配向とドメイン46の格子配向との間の格子不整領域に対応してもよい。材料42が多結晶である場合には、境界47は、粒子境界整列が崩壊した領域に対応してもよい。このような実施例は、ドメイン44と46との間に境界を形成する可能性のある多数のメカニズムのうちのほんの幾つかにすぎない。他のメカニズムは、ドメイン44と46との界面における格子欠陥濃度の増加や、そのような界面に沿った非晶質化などを含むことがある。材料42は、任意の適切な組成もしくは組成の組み合わせを含んでもよく、幾つかの実施形態においては、種々のカルコゲナイド、遷移金属酸化物、ペロブスカイト、ホウ酸塩、結晶性ポリマー、液晶、分子単層、貴金属、貴金属含有組成物および結晶格子内に配置された単分子のうちの一つ以上を含んでもよい。幾つかの実施形態においては、材料42は、相変化メモリデバイスなどの抵抗性メモリデバイスに組み込むのに適した材料を含んでもよく、メモリセル材料とも称されることがある。幾つかの実施形態においては、材料42は、例えば、Ge2Sb2Te5などのゲルマニウム含有カルコゲナイドを含んでもよい。他の実施形態においては、材料42は、例えば、Pr、Ca、MnおよびOを含む材料などのペロブスカイトを含んでもよい。材料42は、従来の方法で、材料14および16上に配置されてもよいし、異なる表面構成38および40が、各々、その配置の間に材料42内に異なるタイプのドメインを誘発する可能性もある。幾つかの実施形態においては、材料42は、物理蒸着、化学蒸着、原子層堆積、パルスレーザ堆積、原子蒸着、分子ビームエピタキシー、熱蒸発法、電子ビーム蒸発法、昇華のうちの一つ以上を使用して配置されてもよい。図16-図18を参照すると、導電性構造50、52、54および56は、結晶性材料42の上部表面に形成される。示された構造50、52、54および56は、導電性ライン50、52、54および56である。このようなラインは、示された実施形態においては、軸25の方向にほぼ沿って伸長し、したがって、導電性ライン18、20および22に対してほぼ直行して伸長する。導電性ライン50、52、54および56は、第二系列のラインもしくはその代わりに、第二系列の導電性構造と称されてもよく、ライン18、20および22は、第一系列のラインもしくはその代わりに、第一系列の導電性構造と称される。導電性ライン50、52、54および56は、材料58を含むように示される。このような材料は、任意の適切な導電性材料であってもよい。材料58は、幾つかの実施形態においては、ライン18、20および22の材料16と同一であってもよいし、他の実施形態においては、材料16とは異なってもよい。幾つかの実施形態においては、第一系列のラインすなわち、ライン18、20および22は、メモリセルの下部電極を形成し、第二系列のラインすなわち、ライン50、52、54および56は、メモリセルの上部電極を形成する。材料42のドメイン44は、示された実施形態においては、第一系列の導電性ラインと、第二系列の導電性ラインとの間に直接存在する示されていない幾つかの実施形態においては、ドメイン44と第二系列の導電性ラインとの間に提供されるさらなる材料があってもよい。ドメイン44は、導電性ライン50、52、54および56の下にこのようなドメインがあることを示すために、図16の上面図においては、破線で示される。ドメイン44は、図17および図18において標識された電気的コンポーネント60に組み込まれる。幾つかの実施形態においては、このようなコンポーネントは、相変化メモリセルなどの可変抵抗メモリセル、導電性相互接続、ダイオードなどであってもよい。幾つかの実施形態においては、ドメイン44上の他の材料は、ラインが重なる位置における上部導電性ライン例えばライン54と底部導電性ライン例えばライン20との間にあってもよいし、ドメイン44と電気的コンポーネントに組み込まれてもよいし、または、ドメイン44を組み込むコンポーネントに加えて、他の電気的コンポーネントを形成してもよい。示された実施形態においては、ドメイン44の円柱状構造は、底部導電性ライン18、20および22の上部表面、ならびに、上部導電性ライン50、52、54および56の底部表面に対して実質的に直行してすなわち、実質的に垂直に伸長し、したがって、このような上部表面と底部表面との間に導電性コンジットを形成してもよい。他の実施形態においては、ドメイン44の結晶構造は別の配向を有してもよい。さらに他の実施形態においては、ドメイン44は結晶構造を有しなくてもよい。材料42のドメイン46は、境界47に沿ってドメイン44から電気的に切り離され、したがって、ドメイン46は隣接する電気的コンポーネント例えば、幾つかの実施形態においてはメモリセル60間のクロストークを低減する、および/もしくは、隣接する電気的コンポーネント間の電気的分離を提供する介在領域を提供することができる。図1-図18の処理は、一回のマスキングステップ特に、図4-図6に示されたマスキングを使用して、材料42のその後のエッチングもしくは研磨するステップの必要なく、電気的コンポーネントに組み込むのに適したドメイン44ならびにドメイン46の介在領域へと、材料42を有益にパターン化する。図1-図18の実施形態は、隣接する電気的コンポーネント間に残存するドメイン46の介在領域を示す。他の実施形態においては、このような介在領域を除去し、かつ、誘電性材料で介在領域を置換することが望ましい場合がある。ドメイン46の介在領域が除去される例示的な一実施形態は、図19-図24を参照して記述される。図19-図21を参照すると、構造10aは、図13-図15の処理段階の後の処理段階において示される。特に、材料42のドメイン46図13-図15は、ドメイン44に対して選択的に除去される。これによって、第一のドメインの領域の間に間隙62を残す。第二の表面構成40を有する導電性材料16の一部は、間隙62内に露出され、電気的に絶縁性の材料14もこの間隙内に露出される。ドメイン46図13-図15は、任意の適切な処理を使用して、ドメイン44に対して選択的に除去されてもよい。幾つかの実施形態においては、ドメイン46は、ドメイン44よりもさらに不規則な構造を有する。例えば、ドメイン44および46が結晶性である場合に、ドメイン46は、ドメイン44よりも不規則な格子構造を有してもよいし、または、ドメイン44および46が多結晶性である場合に、ドメイン46がドメイン44よりもさらに不規則なテクスチャもしくは粒子境界配向を有してもよい。化学エッチングは、規則的構造よりも不規則な構造をより消費しやすいか、またはより反応しやすいことがあるため、ドメイン46の比較的不規則な構造は、ドメイン46をドメイン44と比較して、化学エッチングをより受けやすくする。したがって、ドメイン46は、従来の化学エッチャントによって、ドメイン44に対して選択的に除去されてもよい。図22-図24を参照すると、電気的に絶縁性の材料64が間隙62内に提供され、その後、図16-図18を参照して上述されたラインに類似した導電性ライン50、52、54および56が、絶縁性材料64およびドメイン44に形成される。ドメイン44は、したがって、図16-図18を参照して上述された電気的コンポーネントに類似した電気的コンポーネント60へと組み込まれる。図22-図24の実施形態と図16-図18の実施形態との相違は、図22-図24の電気的コンポーネント60が電気的に絶縁性の材料64を含む介在領域によってお互いに間隔が空いている一方で、図16-図18の電気的コンポーネント60は材料42の第二のドメイン46に対応する介在領域によってお互いに間隔が空いているという点である。図22-図24の電気的に絶縁性の材料64は、任意の適切な組成、もしくは組成の組み合わせを含んでもよく、幾つかの実施形態においては、二酸化シリコン、窒化シリコン、BPSG、PSGおよびFSGを含むか、本質的にそれらで構成されるか、それらで構成されてもよい。示された実施形態においては、ドメイン44の電気的に絶縁性の材料64の上部表面に、平坦化された表面が伸長する。この平坦化された表面は、絶縁性材料64の配置後の化学機械研磨CMPによって形成されてもよい。図7-図9を参照して上述されたように、導電性材料16の種々の領域のテクスチャリングは、図7-図9を参照して記述された粗化で達成されてもよいし、トレンチの形成を含んでもよい。図25-図34は、トレンチが形成される例示的な一実施形態を示す。図25-図27を参照すると、構造10bは、図4-図6の処理段階の後の処理段階において示される。構造は、パターン化されたマスキング材料26のライン28、30、32および34を含み、このようなラインは間隙29、31および33によってお互いから間隔をあけられる。材料14および16は、図26に示されるトレンチ68、70および72を形成するためにこの間隙内にエッチングされる。図26は、例示的な導電性ライン特に、ライン20が初期の上部表面17を有し、かつ、トレンチが、表面17に対して角度θで伸長するトレンチ68に対して示される側壁69を有することを示す。幾つかの実施形態においては、角度θは約90°から約175°の範囲内であってもよい。トレンチ29、31および33を形成するために使用されるエッチングは、トレンチが材料14および16の双方へと伸長するように、材料14および16に対して非選択的であってもよいし、または、トレンチが主に材料16内に伸長するように、材料14と比較して材料16に対して選択的であってもよい。エッチングは、物理的および化学的プロセスのうちの一つもしくはその双方を含んでもよく、例示的なエッチングプロセスは、スパッタリング、反応性イオンエッチングおよび湿式化学エッチングを含む。幾つかの例示的な実施形態においては、導電性材料16は、プラチナを含み、エッチングはアルゴンイオンエッチングを使用してもよい。図28-図30を参照すると、マスキング材料26図25-図27は除去される。材料26の除去後、導電性ライン18、20および22の各々は、導電性ライン20に関連して図29において示された二つの交互の構成38および40を含む露出された上部表面を有する。表面構成38は、初期表面17の平坦な構成に対応し、表面構成40は、トレンチ29、31および33の角度を有する側壁に対応する。図31-図33を参照すると、材料42が材料14および16上に形成される。材料は、二つの異なるドメイン44および46を含むように示され、ドメイン44は、第一の表面構成38を有する導電性材料18、20および22の領域によって誘発され、ドメイン46は、第二の表面構成40を有する導電性材料18、20および22の領域によって誘発され、また、ドメイン46は、電気的に絶縁性の領域19、21および23の表面によっても誘発される。ドメイン44は、円柱状フィーチャを有するように示され、ドメイン46は、ランダム化されたフィーチャを有するように示される。示された実施形態においては、材料42は多結晶であり、個々の結晶子すなわち、粒子はドメイン44および46内に示される。他の実施形態においては、材料42は単結晶材料であってもよく、ドメイン44内に示された円柱状フィーチャは、単結晶材料内の格子構造に対応してもよい。材料42が単結晶である実施形態においては、ドメイン46はドメイン44よりも高い格子欠陥濃度を有するために、ドメイン46はドメイン44と比較して比較的高い不規則性を有してもよい。示された実施形態においては、ドメイン44とドメイン46との間の境界47は、粒子境界整列が崩壊した領域に対応する。図34を参照すると、構造10bが、図17の処理段階に類似した処理段階において示される。特に、導電性ライン50、52、54および56は材料42のドメイン44および46に形成される。ドメイン44は、したがって、図17を参照して上述された電気的コンポーネントに類似した電気的コンポーネント60に組み込まれ、ドメイン46は、隣接するドメイン44の間の横方向の移動を実質的に制限する空間的な材料の不均質性を導入する。幾つかの実施形態においては、領域46によって提供された不均質性は、隣接する電気的コンポーネントをお互いから電気的に分離する。代替的な処理においては、ドメイン46は、導電性ライン50、52、54および56の形成前に、例えば、図19-図21を参照して上述された処理に類似した処理でドメイン44に対して選択的に除去されてもよい。図1-図34の実施形態は、配置された材料において異なるドメインの形成を誘発するために使用される異なる表面構成を生成するために、導電性材料16のうちの幾つかの表面領域の物理的改変を使用する。他の実施形態においては、導電性材料の表面領域の化学的改変が、異なる表面構成を生成するために使用されてもよく、異なる表面構成によって配置された材料内に、二つ以上のドメインの形成を最終的に誘発する。図35-図43は、導電性材料16の異なる表面構成を生成するために、化学的改変を使用するための例示的な一方法を示す。図35-図37を参照すると、構造10cは、図4-図6の処理段階の後の処理段階において示される。構造は、パターン化されたマスキング材料26のライン28、30、32および34を含み、このようなラインは、間隙29、31および33によってお互いから間隔をあけられる。間隙29、31および33内に露出された導電性材料16の一部は、その一部を化学的に改変してそれによって改変領域74を形成する条件に晒される。条件は、例えば、露出された一部に対するドーパントの注入、表面吸着、および/もしくは露出された一部と一つ以上の種との化学反応を含んでもよい例えば、導電性材料16が金属を含む場合には、化学反応は、金属シリサイド、金属窒化物、金属カーバイドなどのうちの一つ以上を形成してもよい。幾つかの実施形態においては、改変領域は、例えば、改変領域が材料16の上部表面に沿って表面反応によって形成される場合には導電性材料16の表面にのみ沿っていてもよいし、他の実施形態においては、例えば、改変領域が材料16に対するドーパントの注入によって形成される場合、ならびに/または改変領域が材料16へと浸透する化学反応によって形成される場合には改変領域は導電性材料16の中に伸長してもよい。改変領域が材料16内へと伸長する場合には、改変領域が適切に導電性を有する実施形態においては、改変領域が材料全体を通って伸長してもよいし、または、材料内へと部分的にのみ伸長してもよい。図38-図40を参照すると、マスキング材料26図35-図37が除去される。材料26の除去後、導電性ライン18、20および22の各々は、導電性ライン20に関連して図39に示された二つの交互の構成38および40を含む露出された上部表面を有する。表面構成38は化学的に改変されていない材料16の上部表面の一部に対応し、表面構成40は、化学的に改変された領域74内にある材料16の上部表面の一部分に対応する。図41-図43を参照すると、材料42が材料14および16上に形成される。材料は、二つの異なるドメイン44および46を含むように示され、ドメイン44は第一の表面構成38図39を有する導電性材料18、20および22の領域によって誘発され、ドメイン46は、第二の表面構成40図39を有する導電性材料18、20および22の領域によって誘発され、また、ドメイン46は、電気的に絶縁性の領域19、21および23の表面によっても誘発される。図示されていないその後の処理においては、材料42上の一連の導電性ラインを形成するために、図16-図18を参照して上述された処理と類似する処理が実施され、ならびに/または、図19-図24を参照して上述された処理と類似する処理によって、ドメイン46が選択的に除去されてもよい。示された実施形態は、化学的に改変しない表面によって誘発された導電性材料16のドメイン44と、化学的に改変された表面によって誘発された導電性材料16のドメイン46とを有するが、他の実施形態においては、逆になる可能性があり、化学的に改変されていない表面によってドメイン46が誘発され、化学的に改変された表面によってドメイン44が誘発される。幾つかの実施形態においては、図35-図43の処理に類似した化学処理が、図7-図9の粗化もしくは図25-図27のトレンチ形成のいずれかと組み合わせて使用されてもよい。幾つかの実施形態においては、導電性材料16への複数の表面構成の形成は、導電性材料の領域へのコーティングの形成を含んでもよい。このコーティング形成は、材料16の化学的改変によって達成されてもよいし、されなくてもよい。図44-図52は、導電性材料16への複数の表面構成の形成にコーティングを組み込むための例示的な一実施形態を示す。図44-図46を参照すると、構造10dは、図4-図6の処理段階後の処理段階において示される。構造は、パターン化されたマスキング材料26のライン28、30、32および34を含み、このラインは、間隙29、31および33によってお互いから間隔をあけられる。コーティング80は間隙29、31および33内に形成される。コーティング80は任意の適切な組成もしくは組成の組み合わせを含んでもよく、幾つかの実施形態においては、二酸化シリコンおよび/もしくはシリコン窒化物などの電気的に絶縁性の材料を含むか、本質的にそれらで構成されるか、それらで構成される。コーティング80は材料14および16の双方において非選択的に形成されるように示されるが、幾つかの実施形態においては、材料80は、材料16上のみに選択的に形成されてもよい。コーティングは、マスキング材料26へと伸長してもよいし、伸長しなくてもよい。図47-図49を参照すると、マスキング材料26図44-図46が除去される。材料26の除去後、導電性ライン18、20および22の各々は、導電性ライン20に関連して図48に示された二つの交互の表面構成38および40を有する。表面構成38は、コーティング80によって被覆されていない材料16の一部に対応し、表面構成40は、コーティング80によって被覆された材料16の一部に対応する。図50-図52を参照すると、材料42が材料14および16上に形成される。材料は、二つの異なるドメイン44および46を含むように示され、ドメイン44は第一の表面構成38図48によって誘発され、ドメイン46は、第二の表面構成40図48によって誘発され、また、ドメイン46は、電気的に絶縁性の領域19、21および23の表面によっても誘発される。図示されていないその後の処理においては、材料42上に一連の導電性ラインを形成するために、図16-図18を参照して上述された処理と類似する処理が実施され、ならびに/または、図19-図24を参照して上述された処理と類似する処理によって、ドメイン46が選択的に除去されてもよい。示された実施形態は、コーティングされていない表面によって誘発されたドメイン44と、コーティングされた表面によって誘発されたドメイン46とを有するが、他の実施形態においては、逆になる可能性があり、コーティングされていない表面によってドメイン46が誘発され、コーティングされた表面によってドメイン44が誘発される。上述された種々のプロセスは、集積回路へと組み込むのに適したメモリデバイス、相互接続、ダイオードなどの電気的コンポーネントを形成するために使用されてもよい。このような集積回路は電子システムで使用されてもよい。電子システムは、例えば、時計、テレビ、携帯電話、パーソナルコンピュータ、自動車、産業制御システム、航空機などの広範囲のシステムのうちの任意のシステムであってもよい。図面において、種々の実施形態の特定の方向は、例示的な目的のためだけのものであって、実施形態は、幾つかの用途においては、示された方向に対して回転されてもよい。本明細書で提供された記述およびそれに続く請求項は、その構造が図面の特定の方向にあるか、またはその方向に対して回転されているか否かに関わらず、種々の機構の間で記述された関係を有する任意の構造に関するものである。添付の図面の断面図は、断面の平面内の機構のみを示し、図面を簡略化するために、断面の平面の後方に存在する材料は示されていない。ある構造が、別の構造の上にもしくは相対して存在するものとして上記で言及されるときには、他の構造の上に直接存在しうるか、または、中間構造も存在してもよい。対照的に、ある構造が、別の構造の直上にもしくは直接相対して存在するものとして言及されるときには、中間構造は存在しない。ある構造が、別の構造に対して、接続されているかまたは結合されているものとして言及されるときには、他の構造に対して直接接続されるか、または直接結合されうるか、あるいは中間構造が存在してもよい。対照的に、ある構造が、別の構造に対して、直接接続されているかまたは直接結合されているものとして言及されるときには、中間構造は存在しない。