"原料を貯留したソースタンクと,ソースタンクの内部空間部から原料蒸気をプロセスチャンバへ供給する原料蒸気供給路と,当該供給路に介設されプロセスチャンバへ供給する原料蒸気流量を制御する圧力式流量制御装置と,前記ソースタンクと原料蒸気供給路と圧力式流量制御装置とを設定温度に加熱する恒温加熱部とから成り、ソースタンクの内部空間部に生成した原料蒸気を圧力式流量制御装置により流量制御しつつプロセスチャンバへ供給する構成としたことを特徴とする原料気化供給装置。ソースタンクと圧力式流量制御装置とを解離自在に一体に組付け固定する構成とした請求項1に記載の原料気化供給装置。パージガス供給路を圧力式流量制御装置の一次側へ分岐状に連結すると共に希釈ガス供給路を圧力式流量制御装置の二次側へ分岐状に連結するようにした請求項1に記載の原料気化供給装置。ソースタンクを加熱する恒温加熱部と,圧力式流量制御装置及び原料蒸気供給路を加熱する恒温加熱部とを分離し、ソースタンクの恒温加熱部の加熱温度と圧力式流量制御装置及び原料蒸気供給路の恒温加熱部の加熱温度を夫々独立して温度制御する構成とした請求項1に記載の原料気化供給装置。原料をトリメチルガリウムTMGa又はトリメチルインジウムTMInとした請求項1に記載の原料気化供給装置。原料を液体又は多孔性担持体に担持させた固体の原料とした請求項1に記載の原料気化供給装置。圧力式流量制御装置を、コントロール弁CVと、その下流側に設けた温度検出器T及び圧力検出器Pと、圧力検出器Pの下流側に設けたオリフィスと、前記圧力検出器Pの検出値を用いて演算した原料蒸気の流量を温度検出器Tの検出値に基づいて温度補正を行い、予め設定した原料蒸気の流量と前記演算した流量とを対比して両者の差を少なくする方向にコントロール弁CVを開閉制御する制御信号Pdを出力する演算制御部と、ボディブロックの原料蒸気が流れる流通路部分を所定温度に加熱するヒータとから構成した請求項1に記載の原料気化供給装置。本発明は、従前のベーキング方式を用いた原料の気化供給装置に於ける上述の如き問題、即ち、イ.原料蒸気原料ガスの流量制御を熱式質量流量制御装置マスフローコントローラを用いて行っているため、そのセンサ部分を流通する原料蒸気Go ́の温度変動やセンサ部分の部材に温度の不均一温度勾配が生じることになり、これが原因で流量制御精度が低下したり、センサ部を流れる原料蒸気Go ́の詰まりや凝縮のトラブルを生じ易いこと、及び、ロ.原料容器やマスフロメータを夫々個別に単独で配置する構成としているため、原料気化供給装置の小型化が困難なこと等の問題を解決せんとするものであり、原料容器内で発生せしめた原料蒸気を詰まり等のトラブルを生ずることなく安定して、しかも高精度で流量制御しつつプロセスチャンバへ供給し得ると共に、装置の大幅な小型化を可能とした半導体製造装置用の原料気化供給装置の提供を発明の主目的とものである。請求項1の発明は、原料を貯留したソースタンクと,ソースタンクの内部空間部から原料蒸気をプロセスチャンバへ供給する原料蒸気供給路と,当該供給路に介設されプロセスチャンバへ供給する原料蒸気流量を制御する圧力式流量制御装置と,前記ソースタンクと原料蒸気供給路と圧力式流量制御装置とを設定温度に加熱する恒温加熱部とから成り、ソースタンクの内部空間部に生成した原料蒸気を圧力式流量制御装置により流量制御しつつプロセスチャンバへ供給することを発明の基本構成とするものである。請求項2の発明は、請求項1の発明に於いて、ソースタンクと圧力式流量制御装置とを解離自在に一体に組付け固定する構成としたものである。請求項3の発明は、請求項1の発明に於いて、パージガス供給路を圧力式流量制御装置の一次側へ分岐状に連結すると共に希釈ガス供給路を圧力式流量制御装置の二次側へ分岐状に連結するようにしたものである。請求項4の発明は、請求項1の発明に於いて、ソースタンクを加熱する恒温加熱部と,圧力式流量制御装置及び原料蒸気供給路を加熱する恒温加熱部とを分離し、ソースタンクの恒温加熱部の加熱温度と圧力式流量制御装置及び原料蒸気供給路の恒温加熱部の加熱温度を夫々独立して温度制御する構成としたものである。請求項5の発明は、請求項1の発明に於いて、原料をトリメチルガリウムTMGa又はトリメチルインジウムTMInとするようにしたものである。請求項6の発明は、請求項1の発明に於いて、原料を液体又は多孔性担持体に担持させた固体の原料とするようにしたものである。請求項7の発明は、請求項1の発明に於いて、圧力式流量制御装置を、コントロール弁CVと、その下流側に設けた温度検出器T及び圧力検出器Pと、圧力検出器Pの下流側に設けたオリフィスと、前記圧力検出器Pの検出値を用いて演算した原料蒸気の流量を温度検出器Tの検出値に基づいて温度補正を行い、予め設定した原料蒸気の流量と前記演算した流量とを対比して両者の差を少なくする方向にコントロール弁CVを開閉制御する制御信号Pdを出力する演算制御部と、ボディブロックの原料蒸気が流れる流通路部分を所定温度に加熱するヒータとから構成するようにしたものである。本発明では、ソースタンク内の原料蒸気をそのまま圧力式流量制御装置により流量制御しつつプロセスチャンバへ供給するように構成している。その結果、常に純粋の原料蒸気のみをプロセスチャンバ側へ供給することができ、従前のバブリング方式や気化方式を用いる原料の気化供給装置に比較して、処理ガス内の原料蒸気濃度を高精度で且つ容易に行なうことができ、高品質な半導体製品の製造が可能となる。また、圧力式流量制御装置を用いているため、マスフローコントローラ熱式質量流量制御装置のような原料蒸気の凝縮による詰まり等に起因するトラブルの発生が殆ど無くなり、熱式質量流量制御装置を用いる従前の原料気化供給装置に比較してより安定した原料蒸気の供給が可能となる。更に、圧力式流量制御装置は一次側供給源の圧力変動の影響を受け難い特性を具備しているため、ソースタンク内の原料蒸気圧が若干変動しても、高精度の流量制御を行うことができる。加えて、ソースタンクと圧力式流量制御装置とを解離自在に一体に組付け固定することにより、原料の気化供給装置の大幅な小型化と製造コストの引下げが可能となる。以下、図面に基づいて本発明の実施形態を説明する。図1は、本発明の実施形態に係る原料気化供給装置の構成系統図であり、当該原料の気化供給装置は、原料5を収容するソースタンク6と、ソースタンク6等を加温する恒温加熱部9と、ソースタンクの内部上方空間6aから、プロセスチャンバ13へ供給する原料蒸気G ́の流量調整をする圧力式流量制御装置10等から構成されている。尚、上記図1に於いて、1は原料供給口、2はパージガス供給口、3は希釈ガス供給口、4は他の薄膜形成用ガス供給口、7は原料入口バルブ、8、8bは原料蒸気出口バルブ、8aは原料蒸気入口バルブ、14はヒータ、15は基板、16は真空排気ポンプ、V1~V4はバルブ、Lは原料供給路、L1は原料蒸気供給路、L2~L4はガス供給路である。前記、ソースタンク6はステンレス鋼等により形成されており、その内部にはTMGトリメチルガリウムやTMInトリメチルインジウム等の有機金属材料が貯留されている。尚、本実施形態に於いては、液体原料5を原料供給口1から供給路Lを通してソースタンク6内へ供給する構成としているが、ソースタンク6としてカセット式のタンクを用い、後述するように予め危険性の高い有機金属材料を充填したカセット式のソースタンク6を原料気体供給装置のボディブロックベース体図示省略へ着脱可能に固定したり、ソースタンク6と圧力式流量制御装置10とを解離可能に一体に固定する構成としてもよい。また、原料5となる有機金属材料は、液体であっても、或いは粒体や粉体であってもよい。前記恒温加熱部9は、ソースタンク6及び圧力式流量制御装置10を40°C~120°Cの設定温度に加熱、保持するものであり、ヒータと保温材と温度制御部等から形成されている。本実施形態に於いては、ソースタンク6及び圧力式流量制御装置10を一つの恒温加熱部9によって一体として加熱するようにしているが、恒温加熱部を分割してソースタンク9と圧力式流量制御装置10の加熱温度を個々に調整可能とするようにしても良い。前記圧力式流量制御装置10は、ソースタンク6の下流側の原料蒸気供給路L1に設けられており、図2の構成図に示す如く、コントロール弁CVを通して流入した原料蒸気G ́をオリフィス12を通して流出させるようにしたものである。尚、圧力式流量制御装置そのものは公知であるため、ここではその詳細な説明を省略する。上記圧力式流量制御装置10の演算制御部11に於いては、演算補正回路11aにおいて圧力検出値Pを用いて流量QがQ=KP1Kは、オリフィスによって決まる定数として演算されると共にこの演算された流量に温度検出器Tの検出値によって所謂温度補正が施され、温度補正をした流量演算値と設定流量値とを比較回路11bで比較して、両者の差信号Pdをコントロール弁CVの駆動回路へ出力する構成となっている。尚、11cは入出力回路、11dは制御出力増幅回路である。当該圧力式流量制御装置10は上述のように公知のものであるが、オリフィス12の下流側圧力P2即ち、プロセスチャンバ側の圧力P2とオリフィス12の上流側圧力P1即ち、コントロール弁CVの出口側の圧力P1との間に、P1/P2約2以上の関係所謂臨界条件が保持されている場合には、オリフィス12を流通する原料蒸気G ́の流量QがQ=KP1となり、圧力P1を制御することにより流量Qを高精度で制御できると共に、コントロールバルブCVの上流側の原料蒸気圧力が大きく変化しても、流量制御特性が殆ど変化しないと云う、優れた特徴を有するものである。前記圧力式流量制御装置10は、図3に示すようにソースタンク6の上壁面に解離可能に一体に組付けされており、圧力式流量制御装置10のボディブロック10aを挿通せしめた取付けボルト10bによりソースタンク6へ固定されている。尚、図3に於いて、Voはコントロール弁CVの駆動部ピエゾ素子、9a、9bは恒温加熱部9のヒータ、9cは恒温加熱部9の保温材である。図1を参照して、ソースタンク5の内部には、液体の原料例えば、TMGa等の有機金属化合物等や固体の原料例えば、TMInの粉体や多孔性の担持体に有機金属化合物を担持させた固体原料が適宜量充填されており、恒温加熱部9内のヒータ図示省略により40°C~120°Cに加熱されることにより、その加熱温度における原料5の飽和蒸気圧の原料蒸気G ́が生成され、ソースタンク6の内部空間6a内に充満する。生成された原料6の原料蒸気G ́は原料蒸気出口バルブ8を通して圧力式流量制御装置10のコントロール弁CVへ流入し、後述するように、圧力式流量制御装置10により所定流量に制御された原料蒸気G ́がプロセスチャンバ13へ供給されて行く。これにより、基板15上に必要な薄膜が形成されて行く。尚、原料蒸気G ́の供給路L1等のパージはパージガス供給口2からN2等の不活性ガスGpを供給することにより、また、アルゴンや水素等の希釈ガスG1は、希釈ガス供給口3から必要に応じて供給される。また、原料蒸気G ́の供給路L1は恒温加熱部9内のヒータにより40°C~120°Cに加熱されているため、流通する原料蒸気G ́が凝縮して再液化することは皆無となり、原料蒸気供給路L1の詰まり等は生じない。図4に示すようにソースタンク6と圧力式流量制御装置10を配設し、圧力式流量制御装置10による原料蒸気の流量制御特性を試験した。先ず、ソースタンク6としてステンレス鋼製の円筒型タンク内容量100mlを準備し、その中に原料5としてトリメチルガリウムTMGa宇部興産株製を80ml流入した。当該TMGa原料5は常温で液状であり、融点/凝固点-15.8°C、沸点56.0°C、蒸気圧22.9KPa20°C、比重1151kg/m315°C等の物性を有する自然発火性物質である。また、圧力式流量制御装置10として、株式会社フジキン製のFCSP7002-HT50-F450A型TMGa蒸気流量21.9~109.3sccmの場合及びF88A型TMGa蒸気流量4.3~21.4sccmの場合を用いた。更に、FT-IRフーリエ変換赤外分光光度計として、BIO-RAD.Inc社製FTS-50Aを用い、圧力式流量制御装置10の下流側のTMGa蒸気の成分同定を行った。表1は、本実施例で使用したFCSP7002-GT50-F88A型圧力式流量制御装置の主要な仕様を示すものである。試験に際しては、先ず原料蒸気供給路L1内を真空排気ポンプ16により真空引きし、その後パージガス供給口2よりアルゴンガスを導入し、最後に真空排気ポンプ16により排気する。次に、ソースタンク6、圧力式流量制御装置10、原料蒸気供給路L1等を恒温加熱部9により、45°Cに加熱保持し、ソースタンク内部6aに原料蒸気G ́蒸気圧69.5kPaabs.を生成させる。また、真空排気ポンプ16により圧力式流量制御装置下流側の原料蒸気流路末端の真空圧計17の圧力P2’を所定の設定値に保持する。その後、圧力式流量制御装置10の流量設定をそのフルスケール流量F.S.の10~50の流量範囲に亘って10きざみで行い、設定流量とTMGa蒸気流量の測定値との関係をチェックすると共に、FT-IRにより原料蒸気TMGa蒸気の吸光度計測やスペクトル分析を行うことにより、流通するガス流体がTMGa蒸気であることを確認同定した。上記流量制御特性のチェックを原料蒸気供給路L1の圧力P2 ́をパラメータP2 ́=10、5、1Torrとして、繰返し行った。尚、図4の試験に於いては、希釈用ガス供給口3からアルゴンガスを供給し、FT-IRへ流入する原料蒸気G ́を希釈しているが、これは、原料蒸気G ́のみを流通させるとFT-IRの感度調整では吸光度の測定ができないからであり、希釈ガスを用いることによりFT-IRの吸光度測定を可能にするようにしている。図5は実施例1の流量制御特性試験の結果を示すものであり、圧力式流量制御装置10としてF88A型を用い、且つその下流側の真空圧計17の設定圧P2 ́を1.0Torrとした場合の、圧力式流量制御装置10の温度°C曲線A、真空圧計17の検出圧力Torr曲線B、圧力式流量制御装置10の設定流量入力信号曲線C及び流量出力信号曲線Dを示すものであり、データロガーを用いて測定したものである。尚、圧力式流量制御装置の温度は液体入口側1次側のリークポート部で測定した値である。また、設定流量信号が10~50流量時のTMGa蒸気流の測定流量sccmは、4.310、8.620、12.830、17.040及び21.450であった。また、図6は圧力式流量制御装置10をF88A、真空圧計17の設定圧P2 ́を5Torrとした場合、図7はP2 ́を10Torrとした場合、図8はP2 ́を0.4Torrとした場合の図5と同様の各特性曲線を示すものである。図9は、前記図5の試験圧力式流量制御装置10をF88A型、真空圧計17の設定圧P2 ́=10Torrに置けるFT-IRの吸光度と設定流量切換時間の関係を示すものであり、同様に図10は、図6F88A型、P2’=5.0Torrの場合の吸光度と設定流量切換時間の関係を夫々示すものである。また、図12は、図8の試験圧力式流量制御装置10をF88A型、真空圧計17の圧力P2’=0.4Torrに於ける圧力式流量制御装置10の流量測定値と吸光度の関係を示すものであり、吸光度は3回の測定値の平均値である。同様に、図13は図6の試験F88A型、P2 ́=5Torrにおける設定測定流量と吸光度、図14は図7の試験に於ける設定測定流量と吸光度の関係を夫々示すものである。尚、圧力式流量制御装置10としてF450A型を用いた場合についても、前記F88A型の場合と同様の流量制御特性試験を行い、21.9sccm設定流量10~109.3sccm設定流量50のTMGa蒸気流が安定して供給できることを確認した。前記図5乃至図8の試験結果からも明らかなように、恒温加熱部9によりソースタンク6及び圧力式流量制御装置10を設定温度に加熱することにより、原料蒸気TMGaの発生遅れや流量制御遅れを生ずることなしに、圧力式流量制御装置10によりTMGa蒸気を設定流量に正確に流量制御しつつ安定してプロセスチャンバへ供給できることが確認できた。また、図9乃至図11並びに図12乃至図14からも明らかなように、TMGa流量の変化と吸光度測定値の変化との間には時間遅れが殆ど見られず、又、TMGa流量と吸光度との間には極めて高い直線性が見られる。これ等のことから、ソースタンク6内部の原料蒸気G’の生成は円滑に行われ、TMGa蒸気流の連続的な供給を安定して行えることが判明した。"