"基板上にSiCOH膜層を形成する方法であって、少なくとも1つの基板をその中に有する反応チャンバーを準備する工程、以下の群から選択されるSi-CH2n-Si含有前駆体n=1または2を伴なうを前記反応チャンバー内に導入する工程、ここで、R1からR4のそれぞれは、H,メチル,エチル,プロピル,ビニル,およびC1-C3アルコキシからなる群から独立して選択され;R5は、メチル,エチル,およびプロピルからなる群から独立して選択され;好ましくは、R1からR4の少なくとも1つは、メチル,エチル,またはプロピルであり;およびR1からR3の少なくとも1つは、-OR5と同一または異なってもよいアルコキシである;前記反応チャンバー内に、式SiR1xOR24xを有するビニル含有前駆体を導入する工程、ここで、少なくとも1つのR1はビニルであり、任意のもう一つのR1は水素またはアルキル基、好ましくはメチルまたはエチルであり;それぞれのR2は、アルキル基から、好ましくはメチルまたはエチルから独立して選択され;xは1または2である;および前記反応チャンバー内にポロジェンを導入する工程;および成膜プロセス、好ましくは化学気相成長を用いて、Si-CH2n-Si前駆体、ビニル含有前駆体、ポロジェン、および基板を接触させて、前記基板の少なくとも1つの表面にSiCOH膜を形成する工程を具備する方法。請求項1の方法であって、前記ビニル含有前駆体は、ビニルジエトキシシラン、ビニルジメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、およびビニルメチルジエトキシシランからなる群から、好ましくはビニルトリエトキシシランまたはビニルメチルジエトキシシランから選択される方法。請求項1または2のいずれかに記載の方法であって、前記ポロジェンは置換または非置換のビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2,5-ジエンである方法。請求項1乃至3のいずれか1項に記載の方法であって、前記成膜プロセスは単一周波数PECVDである方法。請求項1乃至4のいずれか1項に記載の方法であって、前記SiCOH膜を多孔質にする工程をさらに具備する方法。請求項1乃至5のいずれか1項に記載の方法であって、R1からR4はHではない方法。請求項6に記載の方法であって、前記Si-CH2n-Si含有前駆体は、EtO3Si-CH2-SiOEt2H,MeOEt2Si-CH2-SiOEt2H,MeOEt2Si-CH2-SiOEtHMe,Me2OEtSi-CH2-SiOEt2H,EtOMe2SiCH2SiOMe2H,Me2OEtSi-CH2-SiOEtHMe,OEt3Si-CH2-SiOEtHMe,EtO3Si-CH2-SiOMeHMe,MeOMe2Si-CH2-SiOMe2H,MeOMe2Si-CH2-SiOMeHMe,Me2OMeSiCH2SiOMe2H,およびMe2OEtSi-CH2-SiOMeHMeか,好ましくはMeOEt2Si-CH2-SiOEt2H,Me2OEtSi-CH2-SiOEt2H,およびMeOEt2Si-CH2-SiOEtHMeからなる群から選択される方法。請求項6に記載の方法であって、前記Si-CH2n-Si含有前駆体は、EtO3Si-CH2CH2-SiOEt2H,MeOEt2Si-CH2CH2-SiOEt2H,MeOEt2Si-CH2CH2-SiOEtHMe,Me2OEtSi-CH2CH2-SiOEt2H,EtOMe2Si-CH2CH2SiOMe2H,Me2OEtSi-CH2CH2-SiOEtHMe,OEt3Si-CH2CH2-SiOEtHMe,EtO3Si-CH2CH2-SiOMeHMe,MeOMe2Si-CH2CH2-SiOMe2H,MeOMe2Si-CH2CH2-SiOMeHMe,Me2OMeSi-CH2CH2SiOMe2H,およびMe2OEtSi-CH2CH2-SiOMeHMeから,好ましくはMeOEt2Si-CH2CH2-SiOEt2H,Me2OEtSi-CH2CH2-SiOEt2H,およびMeOEt2Si-CH2CH2-SiOEtHMeからなる群から選択される方法。請求項1乃至5のいずれか1項に記載の方法であって、R1からR3の1つのみがHである方法。請求項9に記載の方法であって、前記Si-CH2n-Si含有前駆体は、MeHOMeSi-CH2-SiOMeHMe,EtO2HSi-CH2-SiOEt2H,EtOHMeSi-CH2-SiOEtHMe,およびiPrOHMeSi-CH2-SiOiPrHMeからなる群から選択される方法。請求項6に記載の方法であって、前記SiCOH膜は、1前記Si-CH2n-Si含有前駆体と前記ポロジェンとによって形成されたSiCOH膜の誘電率、および2前記ビニル含有前駆体と前記ポロジェンとによって形成されたSiCOH膜の誘電率のいずれよりも低い誘電率を有する方法。請求項1乃至11のいずれか1項の方法により形成された膜。請求項12に記載の膜であって、前記膜は、約2.0~約2.7、好ましくは約2.0~約2.5の範囲の誘電率、および約4GPa~約10GPa、好ましくは約5GPa~約10GPaのヤング率を有する膜。以下の限定されない例は、本発明の実施形態をさらに説明するために与えられる。しかしながら、例は、全てを含むべきであることは意図されず、ここに述べる発明の範囲を限定することは意図されない。比較例1を除く以下の例の全てにおいて、SiCOH膜は、DxZ成膜チャンバーおよびTEOS一式を備えたアプライドマテリアルP5000プラズマ化学気相成長装置を用いて成膜した。前駆体の流量は、マスフローコントローラーにより制御し、これらは調整されたTEOSまたはDMDMOSのいずれかである。ポロジェンの流量は、BCHDのために調整されたマスフローコントローラーによって制御した。成膜後、膜は、チャンバー蓋における溶融シリカ窓と、窓を通してウェハーを照射するUVランプとを含むように改良された別のカスタムチャンバー同様にDxZチャンバーに基づくの中で硬化させた。膜は、1トル圧力のもと、1slmの窒素流、および400°Cのサセプター温度で3~30分間硬化させた。比較例1以外の以下の例において成膜された膜の誘電率を評価するために、水銀プローブで誘電率を測定した。比較例1以外の以下の例において成膜された膜の機械的特性を評価するために、ナノインデンテーションによりヤング率を測定した。代表的な測定を達成するために、それぞれの膜厚は、ナノインデンテーションチップの特徴寸法のほぼまたはその10倍より大きくした。この膜厚は、基板の影響を取り除くために選択された。それぞれのサンプルについてこの深さで測定されたヤング率は、一般的にその最小値であった。<比較例1>表1は、EP2264219の実施例においてJSR株により達成された結果をまとめる。EP2264219の例2および14-18からの結果は、Si-CH2n-Si含有前駆体と第2の前駆体とポロジェンとの提案された組み合わせは、誘電率およびヤング率の結果に顕著な変化を何等生じないことを明示するようである。残念ながら、CH3CH2O2CH3SiH孔形成材についての結果は与えられていないので、2つの前駆体すなわちSi-CH2n-Si前駆体およびジエトキシメチルシラン前駆体の混合から生じる平均効果は、具体的には示されていない。しかしながら、BCHDを伴なうSi-CH2n-Si含有前駆体から形成された膜についての誘電率結果のほとんど、およびヤング率結果の全ては、Si-CH2n-Si含有前駆体、ジエトキシメチルシラン前駆体、およびBCHDから形成された膜についての結果より優れており、当業者は、ジエトキシメチルシラン前駆体とBCHDとの組み合わせにより形成された膜についてのヤング率は、Si-CH2n-Si含有前駆体とBCHDとにより形成された膜についての値より低いという結論を出すであろう。EP2264219の実施例16,14,17、および15からの結果は、この順に、特定の前駆体または前駆体の組み合わせについてのヤング率結果におけるいくらかの改善は、しばしば誘電率の増加を伴なって生じることを示す。EP2264219の実施例1、3~6、および比較例1ならびに2は、ポロジェンとしてBCHDを用いて形成された膜の結果をまとめる。EP2264219の実施例10,12,13、および比較例5ならびに6は、ポロジェンとしてp-キシレンを用いて形成された膜の結果をまとめる。EP2264219の実施例7~9ならびに11、および比較例3ならびに4は、ポロジェンとしてシクロペンタンオキサイドを用いて形成された膜の結果をまとめる。EP2264219の実施例11を除いて、ポロジェンとしてBCHDまたはp-キシレンを用いて形成された膜は、シクロペンタンオキサイドを用いて形成された膜と比較して、より低い誘電率を有する。特定のポロジェンについての結果のなかでは、ヤング率結果は広範囲にわたって変わるすなわち、ヤング率は、BCHDについては9.3~16.5、シクロペンタンオキサイドについては11.2~14.4、p-キシレンについては9.1~14.2の範囲である。最終的に、EP2264219の実施例3,4、および13からの結果は、成膜プロセスへの酸素の添加は、より高いヤング率を有する膜をもたらすことを示すようにみえる。EP2264219における典型的な成膜方法は、二周波重畳プラズマCVD装置を用いたのに対し、本出願人は以下の実施例において単一周波数プラズマを用いたことに留意される。結果として、以下の表1におけるJSR株により与えられた実施例は、本出願人の以下の実施例とは比べものにならない。<比較例2>:MeEtO2Si-CH2-SiMeOEtMeEtO2Si-CH2-SiMeOEt2およびBCHDを用いて複数の試験を行なって、SiCOH膜を成膜した。MeEtO2Si-CH2-SiMeOEt2流量は、300mg/minから800mgminまで変化させた。BCHD流量は、300mg/minから750mg/minまで変化させた。ヘリウムキャリアガス流量は、350sccmに保った。酸素流量は、5sccmから30sccmであった。サセプター温度は、260°Cまたは300°Cのいずれかに設定した。プラズマパワーは200Wから600Wであった。間隔spacingは、0.275インチ6.985mmから0.500インチ12.7mmに設定した。間隔は、その上にウェハーが置かれるサセプターと、それを通してガスが導入される上部電極であるシャワーヘッドとの間の距離間隔をさす。得られた最もよい誘電率は、約2.5である。得られたフィルムは、約2.51のk値において約4.4GPaのヤング率を有していた。<比較例3>:MeEtO2Si-CH2CH2-SiMeOEt2MeEtO2Si-CH2CH2-SiMeOEt2およびBCHDを用いて複数の試験を行なって、SiCOH膜を成膜した。MeEtO2Si-CH2CH2-SiMeOEt2流量は、300mg/minから600mg/minまで変化させた。BCHD流量は、300mg/minから800mg/minまで変化させた。ヘリウムキャリアガス流量は、350sccmまたは1000sccmに保った。酸素流量は、5sccmから30sccmであった。サセプター温度は、260°Cまたは300°Cのいずれかに設定した。プラズマパワーは200Wから500Wであった。間隔は、0.275インチ6.985mmから0.500インチ12.7mmに設定した。得られた最もよい誘電率は、約2.4であった。得られた膜は、約3.5GPaのヤング率を有していた。<比較例4>:HC=CH2EtO3SiHC=CH2EtO3SiおよびBCHDを用いた複数の試験を行なって、SiCOH膜を形成した。HC=CH2EtO3Si流量は、750mgminであった。BCHD流量は、800mg/minであった。ヘリウムキャリアガス流量は、750sccmに保った。酸素流量は、0sccmに設定した。サセプター温度は260°Cに設定した。プラズマパワーは150Wに設定した。間隔は、0.500インチ12.7mmに設定した。得られた最もよい誘電率は約2.31であった。得られた膜は、5.5GPaのヤング率を有していた。<比較例5>:Me2SiCH2SiMe23SiMeEtO2Si-CH2-SiMeOEt2、HC=CH2EtO3Si、およびBCHDを用いて試験を行なって、SiCOH膜を成膜した。MeEtO2Si-CH2-SiMeOEt2流量は200mgminであった。HC=CH2EtO3Si流量は500mg/minであった。BCHD流量は、800mg/minであった。ヘリウムキャリアガス流量は、500sccmに保った。酸素流量は5sccmであった。サセプター温度は300°Cに設定した。プラズマパワーは500Wであった。間隔は0.50012.7mmに設定した。得られた誘電率は約2.41であった。得られた膜は、約3.6GPaのヤング率を有していた。MeEtO2Si-CH2-SiMeOEt2、HC=CH2EtO3Si、およびBCHDの組み合わせから形成された膜から得られた誘電率すなわち2.41は、MeEtO2Si-CH2-SiMeOEt2およびBCHDから形成された膜の誘電率すなわち2.5と、HC=CH2EtO3SiおよびBCHDから形成された膜の誘電率すなわち2.31とのほぼ正確な平均値である。さらに、ヤング率の結果は、MeEtO2Si-CH2-SiMeOEt2、HC=CH2EtO3Si、およびBCHDの組み合わせから形成された膜について、個々の前駆体/BCHDの組み合わせから形成された膜と比較してより低い。<比較例6>:Me2EtOSi-CH2-SiHOEt2Me2EtOSi-CH2-SiHOEt2およびBCHDを用いて複数の試験を行なって、SiCOH膜を形成した。Me2EtOSi-CH2-SiHOEt2流量は300mg/minから750mg/minまで変化させた。BCHD流量は、300mg/minから750mg/minまで変化させた。ヘリウムキャリアガス流量は、500sccmに保った。酸素流量は、0,5,15,30,または50sccmに設定した。サセプター温度は、260°Cまたは300°Cのいずれかに設定した。プラズマパワーは、250W,300W,400W,または500Wに設定した。間隔は、0.275インチ6.985mmまたは0.500インチ12.7mmのいずれかに設定した。得られた最もよい誘電率は、約2.3であった。得られた膜は、5sccmのO2で2.31のk値において4.2GPaのヤング率を、30sccmのO2で2.39のk値において6.5GPaのヤング率を有していた。この場合も、誘電率の増加によって、特定の前駆体の組み合わせについてのヤング率の改善が達成された。<例1>:Me2SiCH2SiH23SiMe2EtOSi-CH2-SiHOEt2、HC=CH2EtO3SiおよびBCHDを用いて複数の試験を行なって、SiCOH膜を成膜した。Me2EtOSi-CH2-SiHOEt2流量は、250mg/minから500mg/minまで変化させた。HC=CH2EtO3Si流量は、250mg/minから500mg/minまで変化させた。BCHD流量は、800mg/minであった。ヘリウムキャリアガス流量は、500sccmであった。酸素流量は、5sccmから30sccmで変化させた。サセプター温度は、260°Cまたは300°Cのいずれかに設定した。プラズマパワーは、300Wまたは500Wのいずれかに設定した。反応チャンバーの圧力は、8Torrに設定した。間隔は0.500インチ12.7mmに設定した。得られた最もよい誘電率は、約2.17であり、これは、比較例4および6において得られた誘電率より予想外に優れていた。さらに、得られた膜は、2.28のk値において6.0GPaのヤング率を、2.23のk値において6.1GPaのヤング率を有していた。表2に示されるように、Me2EtOSi-CH2-SiHOEt2,HC=CH2EtO3Si,およびBCHDの混合物により形成された膜の1つを除いて全てについての誘電率測定されたkは、Me2EtOSi-CH2-SiHOEt2とBCHDとから、またはHC=CH2EtO3SiとBCHDとから得られた膜についての最もよい誘電率より低い。さらに、誘電率は低いが、組み合わせから形成された膜についてのヤング率結果は、Me2EtOSi-CH2-SiHOEt2/BCHD組み合わせから形成された膜についてのヤング率結果とほぼ同等である。本発明の本質を説明するためにここに述べて説明されてきたが、詳細、材料、工程、および部品の配置における多くのさらなる変更は、添付した請求項に表現されるような本発明の本質および範囲内で当業者になされることが理解されるであろう。このように、本発明は、上で与えられた実施例および/または添付の図面における特定の態様に限定されることは意図されない。"