反射体に翳すことで潜像を可視化でき、画像形成体を透明可撓性支持体に積層してなる偽造防止用媒体であって、画像形成体は、複数の光軸に配向された潜像が形成された潜像画像部を持つ位相差層を、偏光子上に設けたことを特徴とする偽造防止媒体。前記偏光子が直線偏向子であることを特徴とする請求項1に記載の偽造防止媒体。第1の複数の光軸に配向された潜像が形成された潜像画像部を持つ位相差層と、第2の複数の光軸に配向された潜像が形成された潜像画像部を持つ位相差層とを、それぞれ偏光子の表裏面に設けたことを特徴とする請求項1または2に記載の偽造防止媒体。前記位相差層がネマチック液晶であることを特徴とする請求項1から3いずれか一項に記載の偽造防止媒体。前記ネマチック液晶からなる位相差層の位相差値が1/4λであることを特徴とする請求項1から4いずれか一項に記載の偽造防止媒体。位相差層の光軸のひとつが偏光子の光軸と平行若しくは90°となるように設置されていることを特徴とする請求項1から5に記載の偽造防止媒体。前記可撓性透明支持体に隠蔽層と隠蔽層のない開口部設け、前記開口部に前記画像形成体を設置したことを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の偽造防止媒体。本発明は、この様な従来技術の問題点を解決しようとするものであり、潜像を可視化するのに、偏光フィルターを用いず、物品の偽造防止及び真贋判定が容易に行える可とう性を有する偽造防止用媒体及びその検証方法を提供することを目的とする。上記の課題を解決するための手段として、請求項1に記載の発明は、反射体に翳すことで潜像を可視化でき、画像形成体を透明可撓性支持体に積層してなる偽造防止用媒体であって、画像形成体は、複数の光軸に配向された潜像が形成された潜像画像部を持つ位相差層を、偏光子上に設けたことを特徴とする偽造防止媒体である。また、請求項2に記載の発明は、前記偏光子が直線偏向子であることを特徴とする請求項1に記載の偽造防止媒体である。また、請求項3に記載の発明は、第1の複数の光軸に配向された潜像が形成された潜像画像部を持つ位相差層と、第2の複数の光軸に配向された潜像が形成された潜像画像部を持つ位相差層とを、それぞれ偏光子の表裏面に設けたことを特徴とする請求項1または2に記載の偽造防止媒体である。また、請求項4に記載の発明は、前記位相差層がネマチック液晶であることを特徴とする請求項1から3いずれか一項に記載の偽造防止媒体である。また、請求項5に記載の発明は、前記ネマチック液晶からなる位相差層の位相差値が1/4λであることを特徴とする請求項1から4いずれか一項に記載の偽造防止媒体である。また、請求項6に記載の発明は、位相差層の光軸のひとつが偏光子の光軸と平行若しくは90°となるように設置されていることを特徴とする請求項1から5に記載の偽造防止媒体である。また、請求項7に記載の発明は、前記可撓性透明支持体に隠蔽層と隠蔽層のない開口部設け、前記開口部に前記画像形成体を設置したことを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の偽造防止媒体である。本発明により、偽造防止用媒体を反射体に翳すだけで、潜像を可視化することができる様になり、従来は潜像を可視化するために、偏光フィルターといった検知器を用意する必要があったが、簡易な手法で高度な偽造防止判定をすることで、一般消費者が直接に真贋判定を行うことができる。以下本発明を実施するための形態を、図面を用いて詳細に説明する。図1に示す様に偽造防止媒体10は、基材1の上に隠蔽層2をパターン状に設け、隠蔽層2を設けてない開口部3上に接着層4を介して、位相差層5、偏光子6、必要に応じて第2の位相差層7からなる潜像形成体8が設けられている。図1は、本発明における偽造防止媒体の一実施例を示す概念断面図であり、図2は偽造防止媒体の外観を示した概念図である。透明な基材1の上に、開口部3を有する様に一部未印刷の隠蔽層2が設置されている。開口部3の上には、接着層4にて位相差層5と偏光子6、必要に応じて、さらに第2の位相差層7からなる潜像形成体8が設置されている。偽造防止媒体10の下部に、図3に示す様にコイン30を置くと、図4の如く潜像画像である抜き型パターンA21が現れる。また、基材の表裏を逆転させ、偽造防止媒体10の下部にコイン30を置くと図5の如く図4とは異なる抜き型パターンB22の画像が観察される。以下に本発明の偽造防止媒体について詳しく説明する。偏光子6としては、反射光若しくは透過光にて特定偏光成分を分離若しくは抽出できる素子であれば利用可能である。例えば、PVAにヨウ素若しくは2色性染料を含浸させ延伸配向させた吸収型偏光子、2色性染料を配向膜上で配向させた吸収型偏光子等があげられるが、直線偏光を作り出す偏光子であれば、これに限定されない。次いで偏光子6上に設けられる位相差層5について説明する。位相差層5としては、複屈折率性を持つ材料があげられる。複屈折とは、物質の屈折率が光軸方向によって異なることで、これにより複屈折率生を持つ物質中を光が透過するときにその速度が異なってくるので、物質通過後の光には通過速度の差の分だけ位相差が生じることになる。位相差値は複屈折材料分子の縦横の屈折率差と膜厚で決定することができる。位相差層5の光軸を一定の方向に配向させるためには、例えば一定の方向に配向処理を行った配向膜の上に液晶材料を塗布することにより形成することが可能である。また、光軸の方向を変えるためには、例えば、部分的に配向処理の方向を変えた配向膜の上に、液晶材料を塗布することにより形成可能である。配向膜は偏光子の上に直接設置しても良いし、偏光子上に接着層を塗布し、その上に配向膜を設置しても良い。さらには位相差層を別途作製したのち偏光子6上に転写、あるいは接着させても良い。位相差層5に用いられる液晶材料としてはスメチクチック液晶若しくはネマチック液晶があげられ、かつサーモトロピック液晶の性質を持つものであり、メソゲン基の両端にアクリレートを設けた光硬化型液晶モノマー、EB若しくはUVで硬化させた高分子液晶、ポリマー主鎖にメソゲン基を提げた高分子液晶、分子主鎖自体が配向する液晶性高分子を用いることができる。これらの液晶は、塗布後、NI点の少し下の温度で熱処理することにより、配向を促進することが可能である。位相差層5において液晶材料を配向させるための配向膜の配向処理には、例えば光配向法若しくはラビング配向法を用いることができる。光配向法とは、配向膜に偏光等の異方性を有する光を照射若しくは非偏光光を斜めから照射し、配向膜内の分子の再配列や異方的な化学反応を誘起する方法で、配向膜に異方性を与え、これによって液晶分子が配向することを利用したものである。光配向のメカニズムとしては、アゾベンゼン誘導体の光異性化、桂皮酸エステル、クマリン、カルコンやベンゾフェノン等の誘導体の光二量化や架橋、ポリイミド等の光分解等があげられる。具体的には、適当な波長帯域の偏光光若しくは斜めからの非偏光光によりパターン露光することにより行われる。また、偏光潜像部と偏光背景部の如く、2軸方向に配向させる場合は、フォトマスクで配向方向を変えたい部分をカバーしてパターン露光し、さらにフォトマスクでカバーされていた未露光部を処理するため方向を変えて露光すれば良い。又は、一度全面をパターン露光した後に、部分的にフォトマスクでカバーして方向を変えて再度露光しても良い。ラビング法は、基材上にポリマー溶液を塗布して作成した配向膜を布で擦る方法で、擦った方向に配向膜表面の性質が変化し、この方向に液晶分子が並ぶという性質を利用したものである。配向膜には、ポリイミド、PVA等が用いられる。光軸を2軸方向に配向させる場合には、配向方向を変えたい部分をマスクでカバーして布で擦った後にマスクを除去し、今度は先ほどラビングした部分をマスクでカバーし、再び方向を変えて布で擦った後、マスクを除去する。又は、全面を布で擦った後に、部分的にマスクでカバーし、方向を変えて布で擦った後、マスクを除去しても良い。これら配向膜を形成する方法としては、グラビアコーティング法、マイクログラビアコーティング法等の公知の手法を用いることができる。また、液晶としては、光配向法やラビング法により、配向膜自身が複屈折率性を持つもの等も利用でき、作製方法は限定されない。図4、図5は偽造防止媒体10の下に反射層としてコイン30を置いたときの見え方である。用いる偏光子は直線偏向子であり、液晶から作成される位相差層5の位相差値は1/4λの整数倍となる様にする。1/4λ位相差層5の光軸と偏光子6の光軸を45°傾けて設置すると直線偏向子側から透過した光は直線偏光となり、次いで1/4λの位相差子を透過した光は円偏光となる。この円偏光光が反射層にぶつかり反射すると逆向きの円偏光となる。逆向きの円偏光光は再び位相差層5を透過し、直線偏光に戻されるが、このとき直線偏向の偏波面は90°傾いた状態になっているため直線偏向子を透過できない。一方1/4λの位相差層5の光軸を直線偏向子の光軸と同じ向き、若しくは90°になる様に設置すると直線偏向子を抜けた直線偏向光は位相差層5を通過しても直線偏光のままである。この直線偏光がコイン30の反射体にぶつかり反射しても偏波面の変化は起こらないため直線偏光子6を透過する。この直線偏光子6への光の透過と吸収で画像の形成が可能となる。位相差層5は自然光を透過しても位相の変化を生じず、偏向光にのみ位相の変化を与える。そのため位相差層5、直線偏光子6、第2の位相差層7の順番で積層された構成では、直線偏光を透過した光のみが位相の変化を起すことから、裏表で別の画像を形成させることが可能となる。偽造防止媒体10を作成する際に通常用いる基材1は、押出加工やキャスト加工により作製された無延伸フィルム及び、延伸加工により作製された延伸フィルム等を用いることができる。延伸フィルムには、伸ばし方により、1軸延伸フィルム及び2軸延伸フィルムがあり、両者とも使用できる。これらの無延伸フィルム及び延伸フィルムの材料としては、セロハン、ポリカーボネートPC、ポリエチレンPE、ポリプロピレンPP、ポリオレフィンPO、エチレンビニルアルコールEVOH、ポリビニルアルコールPVA、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリエチレンテレフタレートPET、ナイロン、アクリル樹脂、トリアセチルセルロースTACフィルム等があげられる。また、いわゆる紙に抜き加工等を施したものも使用可能でありさらには窓空の紙と透明なフィルムとを貼り合わせたもの等適宜使用可能である。透明な基材1を用いる場合、表と裏に別々の情報を表示するとお互いの情報が重なって見えるため、意匠性を高める目的で開口部3を除いて隠蔽層2を設置しても良い。隠蔽層2としては基材1に対し十分な密着性と意匠性を付与することが目的であるから、通常の印刷インキが適宜使用可能であり、また、設置方法もシルクスクリーン印刷、オフセット印刷、グラビア印刷等公知の手法が適用可能である。接着層4は、十分な接着力があれば一般的な材料を用いることができる。例えば塩化ビニル-酢酸ビニル共重合体、ポリエステル系ポリアミド、アクリル系、ブチルゴム系、天然ゴム系、シリコン系、ポリイソブチル系等の粘着材を単独、若しくはアルキルメタクリレート、ビニルエステル、アクリルニトリル、スチレン、ビニルモノマー等の凝集成分、不飽和カルボン酸、ヒドロキシ基含有モノマー、アクリルニトリル等に代表される改質成分や重合開始剤、可塑剤、硬化剤、硬化促進剤、酸化防止剤等の添加剤を必要に応じて添加したものを用いることができる。接着層4の形成には公知のグラビア印刷法、オフセット印刷法、スクリーン印刷法などの印刷方法やバーコート法、グラビア法、ロールコート法等の塗布方法等を用いることができる。さらには両面がフィルムセパレーターで構成された粘着剤の使用も可能である。貼り合わせには公知のロールラミネートや熱転写等の方法を用いることができる。偽造防止媒体10の表面には、位相差層5、第2位相差層7を物理的、化学的に保護する目的で保護層を設置しても良い。さらに、潜像の視認性を妨げない範囲で印刷を施しても良いし、一部にレリーフ型ホログラム回折格子等のいわゆるホログラムを形成しても良い。これらにより、通常は目視不可能な潜像を特別な検出機を必要とせず、身近にある反射体に翳すだけで潜像が目視可能となり確実に真偽判定を行なうことができる。本発明を、実施形態をもとに詳細に説明する。<実施例>本実施形態においては、図1に示す偽造防止媒体10の構成を代表例として説明する。直線偏光子6としてPVA延伸フィルムにヨードを吸収させたPVA-ヨウ素型フィルムの一方の面に、配向膜としてポリビニルアルコールPVA-117クラレ株製の10wt溶液をバーコーターにて、乾燥膜厚2μmとなる様塗布、乾燥を行なったものを用いた。このPVA面を図4の抜き型パターンA21の形状を持つ抜き型を用いラビング布FINEPUFFYA-20-R吉川化工株製を用い、偏光子5の光軸と水平となる様ラビング処理を行った。次いで図4に示した抜き型パターンA21のネガパターンの抜き型を合わせ、一回目のラビング角度に対し45°の角度となる様ラビングを行った。次いで下記液晶溶液をグラビア法にて印刷を行い乾燥温度100°Cで1分乾燥後、窒素雰囲気下にて高圧水銀灯を用いて500mjの照射エネルギーにて硬化させ位相差層を得た。硬化後の膜厚は約1μmとした。液晶30重量部商品名:パリオカラーLC242BASF株製重合開始剤1.5重量部商品名:イルガキュア184チバガイギー株製溶剤68.5重量部トルエン/MEK35部/35部さらに直線偏光子6のもう一方の面に図5に示した抜き型パターンB22の形状を持つ抜き型を用い、第一のラビングを偏光子の偏光軸と平行にし、次いで図5に示した抜き型パターンB22のネガパターンの抜き型を合わせ、一回目のラビング角度に対し45°の角度となる様ラビングを行い、前記位相差層5と同様にして第2の潜像層7を形成した。次いで、基材1として、厚さ40μmのTACフィルムの一方の面に隠蔽層2として、シルクスクリーンインキSS8-611白東洋インキ製造株製を、スクリーン印刷機にて開口部3を設ける様に印刷を行った。この開口部3に先の潜像形成体8を、接着層4を介して貼り合わせて偽造防止媒体10を得た。こうして得られた偽造防止媒体10を目視確認しても均一なグレー色であったが、図3に示す様に、偽造防止媒体10の下部にコイン30を入れて確認すると潜像が抜き型パターンA21として認識され、さらに偽造防止媒体10を裏返して同様に見ると新たな潜像が抜き型パターンB22として認識された。