"電極棒の、円錐状の尖端がある先端部を、インサートチップの内空間に置き、該インサートチップに挿入したセンタリングストーンによって該電極棒を該インサートチップのノズルに対して同軸に位置決めし、プラズマガスを該センタリングストーンで縦方向に該センタリングストーンの下端に案内して該ノズルに供給するプラズマトーチにおいて、前記センタリングストーンの下端に案内された前記プラズマガスを前記尖端の最先端以下の下方に向けて案内するプラズマガス通路を設けたことを特徴とするプラズマトーチ。前記センタリングストーンは外周面に、前記プラズマガスを下端に案内する縦溝を有し、前記プラズマガス通路は、前記縦溝の下端から出る前記プラズマガスを前記尖端の最先端以下の下方に向けて案内する、請求項1に記載のプラズマトーチ。前記センタリングストーンは、縦に貫通して前記プラズマガスを下端に案内する縦穴を有し、前記プラズマガス通路は、前記縦穴の下端から出る前記プラズマガスを前記尖端の最先端以下の下方に向けて案内する、請求項1に記載のプラズマトーチ。前記プラズマガス通孔は、前記インサートチップの内底にあって前記センタリングストーンの下端に対向するリング状の溝および該溝から前記ノズルに至って該ノズルに開いた複数の通孔を含む、請求項1乃至3のいずれか1つに記載のプラズマトーチ。前記リング状の溝によって囲まれ中央に前記ノズルが開いたランドによって前記センタリングストーンを下支持した、請求項4に記載のプラズマトーチ。前記センタリングストーンは、前記インサートチップの内部に進入する下部分よりも、該インサートチップの上方に露出する上部分が太径であって、該太径の部分が該インサートチップの上端縁に係合し、この係合によりセンタリングストーンがインサートチップで下支持された、請求項1乃至4のいずれか1つに記載のプラズマトーチ。前記インサートチップは、前記センタリングストーンを受け入れる基体部とそれに固定されて該基体部の下端を塞ぐノズル部でなり、該ノズル部に、前記リング状の溝および該リング状の溝から前記ノズルに至って該ノズルに開いた複数の通孔がある、請求項4に記載のプラズマトーチ。前記複数の通孔は、前記ノズルに噴出したプラズマガスをノズルの内周面に沿う旋回流とするために、ノズル内周面の接線方向に向けられている、請求項4乃至6のいずれか1つに記載のプラズマトーチ。前記センタリングストーンの下端面と前記インサートチップの該下端面に対向する内底面との間に前記プラズマガス通路がある、請求項1乃至3のいずれか1つに記載のプラズマトーチ。前記センタリングストーンの下端部は底穴が開いた底壁があるカップ状であって、該底壁の下面と前記インサートチップの前記内底面との間に、前記プラズマガス通路がある、請求項9に記載のプラズマトーチ。前記センタリングストーンは、前記インサートチップの内部に進入する下部分よりも、該インサートチップの上方に露出する上部分が太径であって該太径の部分が該インサートチップの上端縁に係合し、この係合により前記プラズマガス通路となる隙間が形成された、請求項9又は10に記載のプラズマトーチ。前記センタリングストーンの下端部には、前記センタリングストーンの下端から出る前記プラズマガスを前記尖端の最先端以下の下方に向けて案内する流路があり、前記センタリングストーンはその下端面が前記インサートチップの内底面に当接することによって前記インサートチップで下支持された、請求項9又は10に記載のプラズマトーチ。前記流路は、前記センタリングストーン下端面の下面に形成された複数の横溝である、請求項12に記載のプラズマトーチ。前記複数の横溝は、前記ノズルに噴出したプラズマガスをノズルの内周面に沿う旋回流とするために、ノズル内周面の接線方向に向けられている、請求項13に記載のプラズマトーチ。前述の、電極棒40の尖端の溶融による多数の微小突起の発生は、電極棒の先端部にプラズマガスが触れることにより加速するので、上記2重ノズル構造の採用は、電極棒の尖端が花咲状態になるのを抑制する効果がある。しかし、2重ノズル構造ならびに第1,第2ノズルのプラズマガスの流量調整構造あるいは切替え構造の採用によって、プラズマアーク装置が高コストになる。本発明は、簡易な構造を用いて、たとえば電極棒の尖端が花咲状態になるような、電極棒尖端の損耗、を抑制することを目的とする。1電極棒の、円錐状の尖端がある先端部を、インサートチップの内空間に置き、該インサートチップに挿入したセンタリングストーンによって該電極棒を該インサートチップのノズルに対して同軸に位置決めし、プラズマガスを該センタリングストーンで縦方向に該センタリングストーンの下端に案内して該ノズルに供給するプラズマトーチにおいて、前記センタリングストーンの下端に案内された前記プラズマガスを前記尖端の最先端以下の下方に向けて案内するプラズマガス通路を設けたことを特徴とするプラズマトーチ。なお、理解を容易にするために括弧内には、図面に示し後述する実施例の対応又は相当要素の記号を、例示として参考までに付記した。以下も同様である。これによれば、インサートチップ内においてプラズマガスが電極棒の尖端の最先端以下の下方に流れるので、電極棒の先端部に対するプラズマガスの接触が少なく、その分、電極棒40の尖端の溶融による微小突起の発生と増殖が低減し、花咲状態になるのが抑制される。2前記センタリングストーンは外周面に、前記プラズマガスを下端に案内する縦溝を有し、前記プラズマガス通路は、前記縦溝の下端から出る前記プラズマガスを前記尖端の最先端以下の下方に向けて案内する、上記1に記載のプラズマトーチ。3前記センタリングストーンは、縦に貫通して前記プラズマガスを下端に案内する縦穴を有し、前記プラズマガス通路は、前記縦穴の下端から出る前記プラズマガスを前記尖端の最先端以下の下方に向けて案内する、上記1に記載のプラズマトーチ。4前記プラズマガス通孔は、前記インサートチップの内底にあって前記センタリングストーンの下端に対向するリング状の溝および該溝から前記ノズルに至って該ノズルに開いた複数の通孔を含む、上記1乃至3のいずれか1つに記載のプラズマトーチ図1,図6。5前記リング状の溝によって囲まれ中央に前記ノズルが開いたランドによって前記センタリングストーンを下支持した、上記4に記載のプラズマトーチ図1,図6。6前記センタリングストーンは、前記インサートチップの内部に進入する下部分よりも、該インサートチップの上方に露出する上部分が太径であって、該太径の部分が該インサートチップの上端縁に係合し、この係合によりセンタリングストーンがインサートチップで下支持された、上記1乃至4のいずれか1つに記載のプラズマトーチ図8。7前記インサートチップは、前記センタリングストーンを受け入れる基体部とそれに固定されて該基体部の下端を塞ぐノズル部でなり、該ノズル部に、前記リング状の溝および該リング状の溝から前記ノズルに至って該ノズルに開いた複数の通孔がある、上記4に記載のプラズマトーチ図1,図6,図8。8前記複数の通孔は、前記ノズルに噴出したプラズマガスをノズルの内周面に沿う旋回流とするために、ノズル内周面の接線方向に向けられている、上記4乃至6のいずれか1つに記載のプラズマトーチ図1,図6,図8。9前記センタリングストーンの下端面と前記インサートチップの該下端面に対向する内底面との間に前記プラズマガス通路がある、上記1乃至3のいずれか1つに記載のプラズマトーチ図10,図12,図13,図14。10前記センタリングストーンの下端部は底穴が開いた底壁があるカップ状であって、該底壁の下面と前記インサートチップの前記内底面との間に、前記プラズマガス通路がある、上記9に記載のプラズマトーチ図10,図12,図13,図14。11前記センタリングストーンは、前記インサートチップの内部に進入する下部分よりも、該インサートチップの上方に露出する上部分が太径であって該太径の部分が該インサートチップの上端縁に係合し、この係合により前記プラズマガス通路となる隙間が形成された、上記9又は10に記載のプラズマトーチ図10,図12,図13。12前記センタリングストーンの下端部には、前記センタリングストーンの下端から出る前記プラズマガスを前記尖端の最先端以下の下方に向けて案内する流路があり、前記センタリングストーンはその下端面が前記インサートチップの内底面に当接することによって前記インサートチップで下支持された、上記9又は10に記載のプラズマトーチ図14。13前記流路は、前記センタリングストーン下端面の下面に形成された複数の横溝である、上記12に記載のプラズマトーチ図14。14前記複数の横溝は、前記ノズルに噴出したプラズマガスをノズルの内周面に沿う旋回流とするために、ノズル内周面の接線方向に向けられている、上記13に記載のプラズマトーチ本発明の他の目的および特徴は、図面を参照した以下の実施例の説明より明らかになろう。-第1実施例-図1に、本発明の一実施例のプラズマトーチを示す。略円筒状のチップ台20の下端開口部の内側には雌ねじ穴21があり、チップ台20の下端開口に挿入されたインサートチップ10の上端部の雄ねじ12が該雌ねじ穴21にねじ込まれて、インサートチップ10の外側面をなす円錐テーパ面がチップ台20の下端開口部の内面をなす円錐テーパ面に密着している。インサートチップ10は略壷状あるいはカップ状であり、底にはノズル11が開いている。インサートチップ10には上方からセンタリングストーン30が挿入され、このセンタリングストーン30の中心をタングステン棒体である電極棒40が貫通している。電極棒40はチャック50によって電極台51に固定されている。すなわちトーチ本体に固定されている。電極棒40の先端下端は、円錐状の尖端である。センタリングストーン30によって電極棒40はノズル11に対して同軸に位置決めされて、電極棒40の尖端の最先端が、円筒空間であるノズル11の上方のチップ内空間にあって、ノズル11の中心軸上に位置する。プラズマガスはトーチ外部から、トーチ本体の図示を省略した経路を経てプラズマガス空間60に吹き込まれる。このプラズマガスをセンタリングストーンで縦方向に下端まで案内する流路として、センタリングストーン30の外周にあってその上端から下端に縦に延びる多数の縦溝31が設けられている。この縦溝31を通ってプラズマガスは、インサートチップ10内のリング状のプラズマガス溝17に出て、そして多数のプラズマガス通孔18を通ってノズル11内に出て、ノズル11から外部に噴出する。シールドガスはトーチ外部から、トーチ本体の図示を省略した経路を経てシールドキャップ70の内空間71に吹き込まれて、シールドキャップ70の下開口から下方に噴出する。インサートチップ10直下の図示しない溶接対象材と電極台51に溶接電圧が印加されると、電極台51とチャック50が導電体であるので該溶接電圧は、溶接対象材と電極棒40に加わる。電極台51とチップ台20の間に起動用の高周波高電圧を印加すると、チップ台20は導電体であるので該高周波高電圧は、電極棒40とインサートチップ10の間に加わり、電極棒40の尖端とインサートチップ10の間に放電を生ずる。この放電により電極棒40の尖端と溶接対象材との間に、溶接電圧の放電によるプラズマアークが発生する。このプラズマアークによってプラズマガスが高温プラズマになってノズル11から溶接対象材に流れる。これにより溶接対象材が溶融し溶接が行われる。図2のaに、図1に示すインサートチップ10のみを示し、図2のbには、インサートチップ10の下端面を示す。この図2のbは、インサートチップ10を下方から見上げた底面図である。インサートチップ10をチップ台20にねじ込んで固定するとき、また、インサートチップ10をチップ台20から取り外すためにインサートチップ10をねじ緩め廻しするときに、インサートチップ10をスパナ等の工具で確実に保持できるように、インサートチップ10の円柱状外側面の相対向部に、仮想線部2点鎖線部の切削により平面13が形成されている。インサートチップ10は、この第1実施例では、センタリングストーン30を受け入れる基体部14とそれにロー付けで固定されて該基体部の下端を塞ぐノズル部15でなり、該ノズル部15に、リング状の溝17,ランド16、および、リング状の溝17からノズル11に至って該ノズルに開いた複数の通孔18、がある。図3のaに、図2に示す基体部14のみを示し、図3のbには、基体部14の上端面を示す。この図3のbは、基体部14を上方から見下ろした平面図である。図4のaに、図2に示すノズル部15のみを示し、図4のbには、ノズル部15の上端面を示す。この図4のbは、ノズル部15を上方から見下ろした平面図である。ノズル部15の複数の通孔18は、図1に示すように、電極棒40の尖端41の最先端よりも下方においてノズル11に開いているので、インサートチップ10の内部においてノズル11に向かって流れるプラズマガスが尖端41に触れる確率は低く、これにより花咲状態となるような尖端41の損耗が少なくなる。また、図4のbに示すように、複数の通孔18は、ノズル11に噴出したプラズマガスをノズルの内周面に沿う旋回流とするために、ノズルの中心軸よりもノズル内周面の接線方向に向けられている。これによりノズル11に吹き込まれてノズル11からトーチ外部に噴出するプラズマガス流が旋回流整流となって安定した流れになるとともに、プラズマガスが電極棒40の尖端41に触れる可能性が低減する。図5のaには、図1に示すセンタリングストーン30のみを示し、図5のbには、センタリングストーン30の上端面を示す。この図5のbは、センタリングストーン30を上方から見下ろした平面図である。プラズマガスは、センタリングストーン30の上端から下端に、複数の縦溝31を通して通流する。すなわち複数の縦溝31を通して、プラズマガス空間60図1からリング溝17図1へプラズマガスが流れる。電極棒40の尖端41の最先端よりも下方で複数の通孔18がノズル11に開いており、リング溝17に入ったプラズマガスは複数の通孔18を通してノズル11に出るので、ノズル11に供給されるプラズマガスが電極棒40の尖端41に触れる確率が低く、これにより電極棒40の尖端41の溶融による微小突起の発生と増大が低減し、花咲状態になるのが抑制される。単一ノズル構造であって、2重ノズル構造を採用する場合の第1,第2ノズルのプラズマガスの流量調整構造あるいは切替え構造は不要であるので、構造が簡易である。すなわち、簡易な構造を用いて、たとえば電極棒の尖端が花咲状態になるような、電極棒尖端の損耗、を抑制することができる。-第2実施例-図6に示す第2実施例のセンタリングストーン30には、トーチ外部からトーチ本体の図示を省略した経路を経てプラズマガス空間60に吹き込まれたプラズマガスをセンタリングストーンで縦方向に下端まで案内する流路として、センタリングストーン30に、その上端から下端に縦に延びる多数の縦穴31aが設けられている。この縦穴31aを通ってプラズマガスは、インサートチップ10内のリング状のプラズマガス溝17に出て、そして多数のプラズマガス通孔18を通ってノズル11内に出て、ノズル11から外部に噴出する。図7のaには、図6に示すセンタリングストーン30のみを示し、図7のbには、センタリングストーン30の上端面を示す。この図7のbは、センタリングストーン30を上方から見下ろした平面図である。プラズマガスは、センタリングストーン30の上端から下端に、複数の縦穴31aを通して通流する。すなわち複数の縦穴31aを通して、プラズマガス空間60図6からリング溝17図6へプラズマガスが流れる。第2実施例のその他の構造および機能は、上述の第1実施例と同様である。-第3実施例-図8に示す第3実施例のセンタリングストーン30は、インサートチップ10の内部に進入する下部分よりも、インサートチップ10の上方に露出する上部分が太径であって該太径の部分が該インサートチップの上端縁に係合し、この係合によりインサートチップ10がセンタリングストーン30を下支持している。図9のaには、図8に示すセンタリングストーン30のみを示し、図9のbには、センタリングストーン30の上端面を示す。この図9のbは、センタリングストーン30を上方から見下ろした平面図である。プラズマガスは、センタリングストーン30の上端から下端に、複数の縦溝31を通して通流する。すなわち太径の上部分から小径の下部分に及ぶ複数の縦溝31を通して、プラズマガス空間60図8からリング溝17図8へプラズマガスが流れる。第3実施例のその他の構造および機能も、上述の第1実施例と同様である。-第4実施例-図10に、第4実施例のプラズマトーチを示す。略円筒状のチップ台20の下端開口部の内側には雌ねじ穴21があり、チップ台20の下端開口に挿入されたインサートチップ10の上端部の雄ねじ12が該雌ねじ穴21にねじ込まれて、インサートチップ10の外側面をなす円錐テーパ面がチップ台20の下端開口部の内面をなす円錐テーパ面に密着している。インサートチップ10は略壷状あるいはカップ状であり、底にはノズル11が開いている。インサートチップ10には上方からセンタリングストーン30が挿入され、このセンタリングストーン30の中心をタングステン棒体である電極棒40が貫通している。電極棒40はチャック50によって電極台51に固定されている。すなわちトーチ本体に固定されている。電極棒40の先端下端は、円錐状の尖端41である。センタリングストーン30によって電極棒40はノズル11に対して同軸に位置決めされて、電極棒40の尖端41の最先端が、ノズル11の中心軸上に位置する。センタリングストーン30は、その下端部に、底穴34が開いた底壁内フランジ33があるカップ状であって、該底壁33のテーパ状の下面は電極棒40の尖端41の最先端近くの高さであり、底壁33の下面とインサートチップ19のテーパ状の内底面との間に、プラズマガス通路となる隙間19がある。図11のaに、図10に示すセンタリングストーン30のみを示し、図11のbにはセンタリングストーン30の上端面を示す。この図11のbは、センタリングストーン30を上方から見下ろした平面図である。また、図11のcには、図10に示すインサートチップ10のみを示す。センタリングストーン30は、図11のaに現れているように、インサートチップ10の内部に進入する下部分よりも、インサートチップ10の上方に露出する上部分が太径であって、この太径部がインサートチップ10の上端縁に係合し図10、この係合により前記隙間19が生じている。図10を再度参照する。プラズマガスはトーチ外部から、トーチ本体の図示を省略した経路を経てプラズマガス空間60に吹き込まれる。このプラズマガスは、センタリングストーン30の外周にあってその上端から下端に縦に延びる多数の縦溝31を通って、上述の隙間19に出て、そしてノズル11内に出て、ノズル11から下方に噴出する。シールドガスはトーチ外部から、トーチ本体の図示を省略した経路を経てシールドキャップ70の内空間71に吹き込まれて、シールドキャップ70の下開口から下方に噴出する。インサートチップ10直下の図示しない溶接対象材と電極台に溶接電圧が印加されると、電極台およびチャックを介して該溶接電圧が、電極棒40と溶接対象材との間に加わる。電極台とチップ台20の間に起動用の高周波高電圧を印加すると、該高周波高電圧は、電極棒40とインサートチップ10の間に加わり、電極棒40の尖端とインサートチップ10の間に放電を生ずる。この放電により電極棒40の尖端と溶接対象材との間に、溶接電圧の放電によるプラズマアークが発生する。このプラズマアークによってプラズマガスが高温プラズマになってノズル11から溶接対象材に流れる。これにより溶接対象材が溶融し溶接が行われる。電極棒40の尖端41の近くあるいは先端41の最先端近くで隙間19がノズル11に開いており、プラズマガスがセンタリングストーン30の縦溝31を通って隙間19に出てから隙間19を通ってノズル11に出るので、ノズル11に供給されるプラズマガスが電極棒40の尖端41に触れる確率が低く、これにより電極棒40の尖端41の溶融による微小突起の発生と増大が低減し、花咲状態になるのが抑制される。単一ノズル構造であって、2重ノズル構造を採用する場合の第1,第2ノズルのプラズマガスの流量調整構造あるいは切替え構造は不要であるので、構造が簡易である。すなわち、簡易な構造を用いて、たとえば電極棒の尖端が花咲状態になるような、電極棒尖端の損耗、を抑制することができる。-第5実施例-図12に示す第5実施例のセンタリングストーン30の内空間は、上端から下端まで、電極棒40が通る通し穴となっており、第5実施例図10にあるような電極棒40の尖端41周りの大径空間は省略したものである。第5実施例では尖端41回りの高熱でセンタリングストーン30の下端部が劣化し易いが、センタリングストーン30の形状が簡素であるので、廉価に製造できる。第5実施例のその他の構造および機能は、第4実施例と同様である。-第6実施例-図13に示す第6実施例のセンタリングストーン30は、電極棒40の尖端41周りの大径空間をセンタリングストーンのテーパ状の下端面に開く円筒状としたものである。すなわち、第4実施例の底壁内フランジ33を切除した形状であるので、センタリングストーン30の下端部は劣化しにくく、しかもセンタリングストーン30の形状がやや簡素であるので、やや廉価に製造できる。第6実施例のその他の構造および機能は、第4実施例と同様である。-第7実施例-図14に示す第7実施例のセンタリングストーン30は、図10に示す第4実施例のセンタリングストーン30を、図15のaに示すように、上端から下端まで同一径として、該周面の縦溝31の下端に連続する横溝19aを、センタリングストーン30のテーパ状の下端面に形成したものである。図15のaにセンタリングストーン30のみの縦断面を示し、図15のbにはセンタリングストーン30の上端面を、図15のcには下端面を示す。このセンタリングストーン30のテーパ状の下端面はインサートチップ10のテーパ状の内底面に当接し、これによりセンタリングストーン30がインサートチップ10で下支持されている図14。しかしノズル11には、横溝19aを通してプラズマガスが供給される。第7実施例のその他の構造および機能は、第4実施例と同様である。なお、第7実施例の一変形例は、第1実施例のプラズマガス通孔18図4と同様に、横溝19aの方向を、ノズル11の真上に位置する下端開口円形の中心よりも接線方向にずらして、横溝19aからノズル11に噴出するプラズマガスを旋回流とする。-第8実施例-図16に示す第8実施例のセンタリングストーン30は、図13に示す第6実施例のセンタリングストーン30を、図16のaに示すように、上端から下端まで同一径として、該周面の縦溝31の下端に連続する横溝19aを、テーパ状の下端面に形成したものである。図16のbにはセンタリングストーン30の上端面を、図16のcには下端面を示す。このセンタリングストーン30のテーパ状の下端面はインサートチップ10のテーパ状の内底面に当接し、これによりセンタリングストーン30がインサートチップ10で下支持されている図14と同様。しかしノズルには、横溝19aを通してプラズマガスが供給される。第8実施例のその他の構造および機能は、第6実施例と同様である。なお、第8実施例の一変形例も、第1実施例のプラズマガス通孔18図4と同様に、横溝19aの方向を、ノズル11の真上に位置する下端開口円形の中心よりも接線方向にずらして、横溝19aからノズル11に噴出するプラズマガスを旋回流とする。"