両方の表面に複数の凹凸を有する支持膜と、前記支持膜の一方の表面に設けられる発熱体と、前記支持膜の周囲を支持し、かつ前記発熱体と対向する部分が取り除かれた基板と、を含むことを特徴とするマイクロヒータ素子。前記凹部の深さ又は前記凸部の高さは、500nm以上1500nm以下である請求項1に記載のマイクロヒータ素子。前記発熱パターンは、所定の配線パターンが繰り返される請求項1又は2に記載のマイクロヒータ素子。前記発熱体が設けられる前記支持膜は、前記発熱体が存在する部分よりも前記発熱体が存在しない部分の方が突出又は凹んでいる請求項1から3のいずれか1項に記載のマイクロヒータ素子。前記発熱体は、表面に被覆層として、赤外線放出膜又は保護膜を有する請求項1から4のいずれか1項に記載のマイクロヒータ素子。前記発熱体は、センサを形成する薄膜の層を表面に有する請求項1から5のいずれか1項に記載のマイクロヒータ素子。支持膜の表面に発熱体等の膜を形成した構造は、いわゆるメンブレン構造と呼ばれるものである。メンブレン構造は、温度変動、圧力変動又は落下等の衝撃に対してメンブレン構造の耐久性低下を招きやすいという課題がある。これは、支持膜及び支持膜の表面に形成される発熱体等の膜に発生する応力の有無に係わらず、メンブレン構造を有するデバイスに共通の課題である。本発明は、メンブレン構造を有するマイクロヒータ素子の耐久性低下を抑制することを目的とする。本発明は、両方の表面に複数の凹凸を有する支持膜と、前記支持膜の一方の表面に設けられる発熱体と、前記支持膜の周囲を支持し、かつ前記発熱体と対向する部分が取り除かれた基板と、を含むことを特徴とするマイクロヒータ素子である。このマイクロヒータ素子は、表面に発熱体を有する支持膜を、前記発熱体と対向する部分が取り除かれた枠形状の基板によって支持した、メンブレン構造を有する素子である。メンブレン構造とは、Siシリコン等の基板上に薄膜により発熱体その他の薄膜デバイス等を作製した後、ドライエッチング法又はウェットエッチング法等の除去手法を用いて、基板の一部を取り除くことによって得られた薄膜デバイスの部分をいう。このマイクロヒータ素子は、発熱体を支持し、かつ基板に支持される支持膜が複数の凹凸を有している。この凹凸により、このマイクロヒータ素子は、温度変動、圧力変動又は落下等の衝撃に対してメンブレン構造、すなわち、枠形状の基板によって支持された支持膜及びこの支持膜が支持する発熱体を含む構造の耐久性低下を抑制することができる。また、支持膜は、発熱体の熱が伝導し、発熱体が設けられていない部分からも赤外線が放射される。このマイクロヒータ素子は、支持膜に凹凸を設けることにより、赤外線の放射に寄与する支持膜の表面積を増大させることができるので、出力が増加する。本発明において、前記凹部の深さ又は前記凸部の高さは、500nm以上1500nm以下であることが好ましい。このようにすることで、メンブレン構造を有するマイクロヒータ素子の耐久性低下をより確実に抑制できる。また支持膜の表面積を増大させることにより、マイクロヒータ素子の出力が大きくなる。本発明において、前記発熱パターンは、所定の配線パターンが繰り返されることが好ましい。このようにすることにより、発熱体から支持膜が露出する面積が大きくなるので、マイクロヒータ素子の出力が大きくなる。また、マイクロヒータ素子が落下等したときにおいては、衝撃を吸収しやすくなる。本発明において、前記発熱体が設けられる前記支持膜は、前記発熱体が存在する部分よりも前記発熱体が存在しない部分の方が突出又は凹んでいることが好ましい。支持膜が衝撃又は熱膨張等を受けた場合、凹部と凸部との間で支持膜は伸縮することにより、衝撃又は熱膨張等を吸収する。発熱体が凹部と凸部との両方にまたがって形成されると、発熱体は、衝撃等による支持膜の伸縮の影響を受けて変形し、発熱体の耐久性の低下を招くおそれがある。支持膜を、発熱体が存在する部分よりも発熱体が存在しない部分の方を突出又は凹ませることにより、凹部と凸部との両方を発熱体が跨がないようにすることができる。その結果、発熱体は、衝撃等に起因して発生する支持膜の伸縮による変形が低減されるので、発熱体の耐久性低下を抑制できる。さらには支持膜に凹凸を設けることにより、赤外線の放射に寄与する支持膜の表面積を増大させることができるので、出力が増加する。本発明において、前記発熱体は、表面に被覆層として赤外線放出膜又は保護膜を有することが好ましい。このようにすることで、マイクロヒータ素子が赤外線を放出する効率を向上させることができる。また、保護層により、発熱体を保護することができる。本発明において、前記発熱体は、センサを形成する薄膜の層を表面に有することが好ましい。このようにすることで、発熱体を保護できるとともに、ガス濃度を検知する等のセンサ素子として用いることができる。このマイクロヒータ素子は、支持膜に凹凸を有するので、温度変動、圧力変動又は落下等の衝撃に対してメンブレン構造の耐久性低下を抑制することができる。また、このマイクロヒータ素子は、前記凹凸により赤外線の放射に寄与する支持膜の表面積を増大させることができるので、出力が増加する。本発明は、メンブレン構造を有するマイクロヒータ素子の耐久性低下を抑制することができる。本発明を実施するための形態実施形態につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成要素の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。実施形態1図1は、実施形態1に係わるマイクロヒータ素子の平面図である。図2は、図1のA-A矢視図である。なお図2においては、基板3の横方向基板3の板面と平行な方向の寸法倍率に対して、垂直方向基板3の板面と直交する方向の寸法倍率を大きくして示している。これは堆積する薄膜の厚みが薄いため、構造を理解するためには寸法倍率を上げて示す必要があるからである。これは図3から図9についても同様である。マイクロヒータ素子1は、支持膜2と、発熱体4と、基板3とを有する。本実施形態においては、マイクロヒータ素子1は、発熱体4に電力を供給するための端子電極5A、5B及び端子電極5A、5Bと発熱体4の両端とを電気的に接続する配線6A、6Bを有している。図1、図2に示すように、支持膜2は、平面視が長方形正方形を含む形状の部材であり、発熱体4を有する。支持膜2は、例えば、SiO2二酸化シリコン、SiNx窒化シリコン、SiON酸窒化シリコン等の薄膜を用いることができるが、本実施形態では、SiO2である。発熱体4は、支持膜2の表面に接する第1発熱体4Iと、第1発熱体4Iの表面に接する第2発熱体4Sとを有する。本実施形態において、第1発熱体4IはTiの薄膜であり、第2発熱体4SはPtの薄膜である。この他にも、第1発熱体4I及び第2発熱体4Sは、例えば、Crクロム、Au金、Siシリコン、NiCrニッケルクロム、TaN窒化タンタル、SiC炭化シリコン、Wタングステン等の導電性材料が用いられる。支持膜2は、基板3に支持される。基板3は、例えば、Siシリコン、Al2O3アルミナ等を用いることができるが、本実施形態では、Siである。本実施形態において、基板3は、支持膜2の発熱体が形成された領域Bと対向する部分が除去されて、4本の棒状部材をそれぞれのなす角度が90度になるように、それぞれの端部で組み合わせた形状となっている。このように、基板3は、平面視が枠状の部材である。支持膜2は、周囲が基板3に支持され、発熱体が形成された領域Bは基板3に支持されていない。このように、マイクロヒータ素子1は、発熱体が形成された領域Bがメンブレン構造になっている。発熱体4は、支持膜2の表面に、ミアンダジグザグ形状のパターン状に形成されている。本実施形態において、発熱体4は、所定の配線パターンが繰り返されて、ミアンダ状になっている。このようにすることにより、マイクロヒータ素子1が落下等したときにおいて、衝撃を吸収しやすくなる。また、発熱体4から露出する支持膜2が後述するように凸部となり平面状態のときより面積が大きくなるので、マイクロヒータ素子1の出力が大きくなる。図2に示すように、支持膜2は、複数の凹部2Vと複数の凸部2Mとを有しており、凹部2Vと凸部2Mとが交互に配置されている。すなわち、支持膜2は、複数の凹凸を有している。凹部2Vと凸部2Mとは、支持膜2の厚みは変化させずに、支持膜2の両面に形成される。すなわち、支持膜2の一方の表面に凸部が形成されている部分は、他方の表面において凹部となり、支持膜2の一方の表面に凹部が形成されている部分は、他方の表面において凸部となる。このように、支持膜2は、一方の面と他方の面とが平行な状態で、複数の凹部2Vと凸部2Mとを有する。マイクロヒータ素子1は、凹部2Vに発熱体4を有している。すなわち、ミアンダ状の発熱体4は、凹部2V隣接する凸部2Mの間に形成されている。このように、支持膜2は、発熱体4が存在する部分よりも発熱体4が存在しない部分の方が基板3と逆側基板3から支持膜2の表面2Sに向かう方向側に突出している。すなわち、支持膜2は、凹部2Vに発熱体4を有し凸部2Mには発熱体4を有していない。支持膜2が衝撃又は熱膨張等を受けた場合、凹部2Vと凸部2Mとの間で支持膜2は伸縮することにより、衝撃又は熱膨張等を吸収する。発熱体4が凹部2Vと凸部2Mとの両方にまたがって形成されると、発熱体4は、衝撃等による支持膜2の伸縮の影響を受けて変形し、耐久性低下を招くおそれがある。マイクロヒータ素子1は、上述したような構造により、発熱体4を凹部2Vと凸部2Mとの両方にまたがって形成しない。このようにすることで、発熱体4は、衝撃等に起因して発生する支持膜2の伸縮による変形が低減される。その結果、マイクロヒータ素子1は、発熱体4の耐久性低下を抑制することができる。また、支持膜2が凹部2V及び凸部2Mを有することにより、支持膜2は、発熱体4が形成されている面の表面積を増加させることができる。このようにすることで、マイクロヒータ素子1の出力が増加する。すなわち、マイクロヒータ素子1が放射する赤外線の量が増加する。これは、支持膜2の表面積が増えることにより赤外線を放射する面積が増加するために、同一の投入電力であれば表面積が大きいほど赤外線の出力が大きくなるからであると考えられる。マイクロヒータ素子1は、製造過程において生じる支持膜2の応力本実施形態では圧縮応力と、発熱体4の応力本実施形態では引張応力とはほぼ相殺されている。このため、支持膜2は、その表面2Sに向かって凸形状であるが、Z方向における支持膜2の頂部2Tの位置は、基板3が支持膜2を支持している部分支持部分3Sにおける支持膜2の表面2Sの位置とほぼ同一になる。なお、支持膜2の表面2Sは、支持膜2が基板3と接する面の反対面であり、発熱体4が形成される面である。Z方向とは、支持部分3Sにおいて、基板3の板面と直交する方向である。また、支持膜2の頂部2Tは、基板3と直交し、かつ凸部2Mと凹部2Vとの配列方向と平行な平面でマイクロヒータ素子1を切った断面において、凸部2Mの先端部と、凹部2Vの底部との距離の1/2の位置を結んだ曲線が最も突出している部分である。凸部2Mの高さ凸部高さhmは、発熱体4の表面を基準とした、Z方向と平行な方向における凸部2Mの寸法である。凸部高さhmは、500nm以上1500nm以下であることが好ましい。この範囲であれば、マイクロヒータ素子1が放射する赤外線の量を増加させつつ、支持膜2の表面に形成された発熱体4の薄膜の剥離も抑制できる。実施形態1のマイクロヒータ素子1は、例えば、次のようにして作製することができる。まず、基板3として、例えば、Si基板を用意する。そして、基板3の表面に、例えば、CVDChemicalVaporDeposition法によってSiO2を支持膜2として成膜する。次に、支持膜2の表面に、第1発熱体4I、第2発熱体4Sの順に成膜する。これは、例えば、スパッタ法を用いることができる。その後、例えば、フォトレジストを用いて発熱体4のパターンを第2発熱体4Sの表面に形成してから、例えば、ドライエッチングによって不要な第1発熱体4I及び第2発熱体4Sを除去し、最後にフォトレジストを除去する。支持膜2、第1発熱体4I及び第2発熱体4Sを成膜する過程において、これらを成膜した後の応力は相殺されてほぼ0となるようにした。次に、基板3の裏面、すなわち、支持膜2が成膜されている面とは反対面にフォトレジストパターンを形成した後、例えば、D-RIEDeep-ReactiveIonEtchingによって基板3をエッチングする。基板3のエッチングでは、発熱体4が形成されている領域と対向する部分に存在する基板3を除去し、この部分の支持膜2を残す。このような工程により、支持膜2と発熱体4とのメンブレン構造を得た。基板3のエッチングが終了した後、フォトレジストは除去される。この製法において、支持膜2の成膜時に生じる圧縮応力と、発熱体4の成膜時に生じる引張応力とはほぼ相殺される。すなわちメンブレン構造の全体の応力は0となる。マイクロヒータ素子1は、例えば、赤外線検知センサのための光源又はガス量などを検知するセンサを加熱するというような用途に用いられる。実施形態2図3は、実施形態2に係わるマイクロヒータ素子の断面図である。図3は、図1のA-A矢視の断面に相当する。実施形態2のマイクロヒータ素子1aは、実施形態1のマイクロヒータ素子1と同様であるが、発熱体4の表面に、被覆層7として赤外線放射膜を設けた点が異なる。赤外線放出膜としては金黒、白金黒等がある。金黒及び白金黒は、金又は白金を多孔質状態で成膜したものであり、赤外線放射率が高い材料である。それゆえに、赤外線放出膜を素子上に成膜することにより、マイクロヒータからの赤外線放出量が増加する。すなわち、マイクロヒータへの投入電力が同じ場合、赤外線放出膜があれば放射する赤外線量が増し、被加熱物を効率的に加熱することができる。なお、発熱体4の表面にのみ赤外線放出膜を形成してもよい。この場合、赤外線放出膜を成膜する際に生じる応力が緩和できるという利点がある。また赤外線放出膜として導電性材料を使用できるという利点がある。実施形態3実施形態3は、実施形態2と同様であるが、被覆層として、赤外線放射膜の代わりに保護膜を設けた点が異なる。図3に示すマイクロヒータ素子1aにおいて、赤外線放射膜の代わりに被覆層7として保護膜を設ける。保護膜は、水分や水素等のガスを遮断する役割を担う。発熱体4の表面に保護膜を設けることにより、水分又は水素等のガスが発熱体4に到達することを防ぐことができるため、マイクロヒータ素子1aの信頼性を向上させることができる。保護膜としては、例えば、MgO酸化マグネシウム、SiO2二酸化シリコン、SiNx窒化シリコン、SiON酸窒化シリコン、Ta2O5酸化タンタル、Al2O3アルミナ等の絶縁性材料の薄膜が用いられる。なお、保護層は、赤外線放射膜と組み合わせてもよい。この場合、保護層により、発熱体4のみならず赤外線放出膜についても水分や水素等のガスを遮断できるため、発熱体4上に赤外線放出膜を積層した後保護層を成膜することが望ましい。実施形態4図4は、実施形態4に係わるマイクロヒータ素子の断面図である。図4は、図1のA-A矢視の断面に相当する。実施形態4のマイクロヒータ素子1bは、実施形態1のマイクロヒータ素子1とは異なり、支持膜2は、その表面2Sとは反対方向に向かって凸形状である。支持膜2は、Z方向における支持膜2の底部2Bの位置が、支持部分3Sにおける支持膜2の表面2Sの位置とほぼ同一になる。支持膜2の底部2Bは、基板3と直交し、かつ凸部2Mと凹部2Vとの配列方向と平行な平面でマイクロヒータ素子1を切った断面において、凸部2Mの先端部と、凹部2Vの底部との距離の1/2の位置を結んだ曲線が、支持膜2から基板3へ向かう方向に最も突出している部分である。凹部2Vの深さ凹部深さhvは、発熱体4と支持膜2との界面を基準とした、Z方向と平行な方向における凹部2Vの寸法である。より具体的には、凹部深さhvは、凸部2Mの支持膜2の先端部と、凹部2Vの底部における支持膜2表面との距離である。凹部深さhvは、500nm以上1500nm以下であることが好ましい。この範囲であれば、マイクロヒータ素子1が放射する赤外線の量を増加させつつ、支持膜2の表面に形成された発熱体4の薄膜の剥離も抑制できる。支持膜2を成膜する際にこれを引張応力に、発熱体4を成膜する際にこれを圧縮応力にすることにより、発熱体4と支持膜2との界面に対して支持膜2を凹ませることができる。ただし、メンブレン構造における全体の応力は0とする。支持膜2の成膜において、成膜機の都合例えば、成膜時の投入電力又は圧力の制御範囲に制限がある等で引張応力でしか成膜できない場合、本実施形態のように支持膜2を凹ませることで、実施形態1のマイクロヒータ素子1と同等の衝撃緩和効果及び出力増加を図ることができる。実施形態5図5は、実施形態5に係わるマイクロヒータ素子の断面図である。図5は、図1のA-A矢視の断面に相当するマイクロヒータ素子1cの断面を示している。マイクロヒータ素子1cは、製造過程において生じる支持膜2の応力本実施形態では圧縮応力の方が、発熱体4の応力本実施形態では引張応力に対して優っている。すなわち、メンブレン全体の応力が圧縮応力となる。このため、支持膜2は、その表面2Sに向かって凸形状であり、Z方向における支持膜2の頂部2Tの位置は、基板3が支持膜2を支持している部分支持部分3Sにおける支持膜2の表面2Sの位置に対して基板と反対側に位置する。Hmは頂部高さであり、2Sに対する2TのZ方向における高さを示す。メンブレンに生じる応力が大きい場合、すなわちHmが大きいと、メンブレンに亀裂が生じるなどの不具合が発生する。一方、Hmがある程度の値までは、メンブレンに不具合が生じることなく、実施形態1と同様に、発熱体4の耐久性低下を抑制し、マイクロヒータの出力が向上するという作用効果が確認された。図6は、マイクロヒータ素子のメンブレン構造全体に作用する応力が引張応力である例を示す断面図である。マイクロヒータ素子1dのメンブレン構造全体に引張応力が作用する場合、支持膜2は、その表面2Sに向かって凹形状であり、Z方向における支持膜2の頂部2Bの位置は、基板3が支持膜2を支持している部分支持部分3Sにおける支持膜2の表面2Sの位置に対して基板側に位置する凹部深さ:Hv。このようにメンブレン構造全体に作用する応力が引張応力である場合、Hvがいかなる値であっても、メンブレンに亀裂が生じるなどの不具合が生じやすい状態であった。このような不具合はHvの値が大きくなると増加した。実施形態6図7は、実施形態6に係わるマイクロヒータ素子の断面図である。図7は、図1のA-A矢視の断面に相当する。実施形態6のマイクロヒータ素子1eは、実施形態1のマイクロヒータ素子1と同様であるが、さらに、センサを形成するための薄膜の層保護膜8、固体電解質層9、補助層10、端子電極5A、5Bを有する点が異なる。図7では、実施形態1と同様にマイクロヒータを作製したのち、保護層8を成膜する。保護膜8としては、例えば、MgO、SiO2、SiON、SiNx、Ta2O5、Al2O3等の絶縁性材料の薄膜が用いられる。さらに保護層8の表面に固体電解質層9を成膜する。固体電解質層9としては、NASICONNa3Zr2Si2PO12、LATPLi1xAlxTi2-xPO43又はベータアルミナ等を、スパッタ法又はゾルゲル法等を用いて成膜する。続いて、固体電解質層9の表面の一部に補助層10を形成する。補助層10は、炭酸リチウム又は炭酸ナトリウム等の炭酸塩、さらには硫酸リチウムや硝酸ナトリウム等をペーストにして印刷法で塗布したり、スパッタ法等の真空成膜法で成膜したりすることにより形成することができる。さらに、端子電極5A、5Bを作製する。端子電極5A、5BとしてはPt、Au、Ti、Cr、Cu、Al等を単独又は組み合わせて用いることができる。このようにすることで、マイクロヒータ素子1eは、例えば、発熱体4と固体電解質とを組み合わせたCO2二酸化炭素センサ、発熱体4と薄膜サーミスタとを組み合わせた湿度センサ等になる。図7のような構造を持つセンサでは、温度変動、圧力変動又は落下等の衝撃に対してメンブレン構造の耐久性低下を抑制することができる。上述した実施形態及びその変形例のマイクロヒータ素子1、1a、1b、1c、1e及び比較例のマイクロヒータ素子を作製し、評価した。次に、それぞれの実施例について説明する。<実施例1>実施例1は、図2に示す実施形態1のマイクロヒータ素子1である。上述したように、マイクロヒータ素子1は、メンブレン構造を有し、支持膜2に凹凸を設けた。マイクロヒータ素子1の構成は、Siの基板3側から、基板3としてのSi基板/支持膜4としてのSiO2膜/第1発熱体4IとしてのTiヒータ密着層/第2発熱体4SとしてのPtヒータとなっている。図2に示すマイクロヒータ素子1は、次のようにして作製された。まずSi基板上に支持膜としてCVD法によってSiO2を成膜した。SiO2はTEOSテトラエトキシシランガスを用いて、投入電力500W、圧力40Paで6分及び投入電力300W、圧力120Paの条件で6分45秒、CVD法によって成膜した。この結果、膜厚125μmで140MPaの圧縮応力が生じた。次に、Tiヒータ密着層とPtヒータとで構成されるPt/Tiの2層膜によって発熱体4を作製する。Pt/Ti発熱体は、投入電力Ti:100W、Pt:50WDC、圧力2Pa、成膜温度600°Cでスパッタ法によって成膜した結果、Tiが5nm、Ptが200nm堆積した。成膜後において、発熱体4には860MPaの引張応力が生じた。このSiO2及びPt/Tiの成膜条件を実施例1での標準条件とする表1の実施例1におけるc。その後、フォトレジストによって必要部分をカバーしてからドライエッチング法で不要なPt/Tiを除去し、最後にフォトレジストを除去する。SiO2とPt/Tiのすべての膜を成膜した後の応力は相殺されてほぼ0となるようにした。次にSi基板裏面にフォトレジストパターンを作製した後、D-RIEによってSi基板のエッチングを行う。エッチングではSi基板を除去しSiO2を残すことにより、メンブレン構造とした。エッチング後、フォトレジストは除去する。SiO2の成膜時に生じる圧縮応力と、Pt/Ti発熱体の成膜時に生じる引張応力とはほぼ相殺される。すなわちメンブレン部分の全体の応力は0となる。これは図2の断面図において、頂部2Tが、基板3の上の支持膜2SiO2の表面2SとZ軸方向で同じ位置にあることにより確認できる。D-RIE後のメンブレンの表面状態を測定すると、図2に示すようにSiO2が露出する部分でSiO2が表面に凸状になることが観察された。突起高さhmは、発熱体4のPtの表面から700nm程度突出していた。<実施例2>実施例2は、実施形態2のマイクロヒータ素子1aである。マイクロヒータ素子1aの構造は、Si基板側から、Si基板/SiO2支持膜/Tiヒータ密着層/Ptヒータ/金黒赤外線放出層となっている。本実施例では、実施例1の標準条件によってSiO2及びPt/Tiを作製後に、リフトオフ法によって金黒蒸着膜をマイクロヒータ上に赤外線放出膜として成膜した。なお金黒の応力は0であった。したがってメンブレンの全体の応力も0である。<実施例3>実施例3は、実施形態3に係わるマイクロヒータ素子である。具体的には、実施形態2のマイクロヒータ素子1aの表面に、赤外線放出膜の代わりに保護膜を設けたものである。素子構成はSi基板側より、Si基板/SiO2支持膜/Tiヒータ密着層/Ptヒータ/SiO2保護膜となっている。本実施例では、実施例1の標準条件によってSiO2及びPt/Tiを作製後に、保護膜としてSiO2を成膜した。保護膜の成膜条件は、投入電力250W、圧力120Paで成膜した。この結果、保護膜のSiO2における成膜後の応力が0となった。<実施例4>実施例4は、実施形態4に係わるマイクロヒータ素子1bである。マイクロヒータ素子1bの構造は、Si基板側より、Si基板/SiO2支持膜/Tiヒータ密着層/Ptヒータで実施例1と同様である。実施例1と異なり、支持膜2を引張応力で、また発熱体4を圧縮応力で作製した。メンブレンの全体の応力は0である。<実施例5>実施例5は、実施形態5に係わるマイクロヒータ素子1c及びマイクロヒータ素子1dである。実施例5では、メンブレン上の膜全体の応力を圧縮応力及び引張応力として、素子を作製した。具体的には、実施例1の標準条件から成膜条件を変えることにより、SiO2とPt/Tiの応力を変化させ、メンブレン上の膜全体の応力を変えた。なお本素子の構成は、Si基板側より、Si基板/SiO2支持膜/Ti密着層/Pt電極となっている。<実施例6>実施例6は、実施形態6に係わるマイクロヒータ素子1eである。マイクロヒータ素子1eの構造は、Si基板側より、Si基板/SiO2支持膜/Ti密着層/Pt電極/SiO2保護膜/固体電解質LATP/炭酸リチウム補助層/Ti密着層/Pt電極となっている。マイクロヒータ素子1eは、次のように作製された。まずSi基板上にメンブレンとしてSiO2膜をCVD法によって成膜した。SiO2膜は実施例1と同様の方法で作製し、成膜後は圧縮応力を示した。次に発熱体4金属電極をPt/Tiの2層膜によって作製する。具体的にはTiが5nm及びPtが100nmをスパッタ法によって成膜した後、フォトレジストによって必要部分をカバーしてからドライエッチング法で不要なPt/Ti電極を除去し、最後にフォトレジストを除去する。次に、保護層としてSiO2膜をCVD法によって成膜する。SiO2上に固体電解質膜を作製する。固体電解質膜としてはリチウムイオン導電性固体電解質LATPを用いた。LATPは、スピンコートを用いた湿式法によって作製した。まずLi、Al、Tiの各イオンを含むクエン酸溶液を作製する。エチレングリコールを加えた後、アンモニア水でpHを調整後75°Cで加熱してコーティング溶液とした。得られたコーティング溶液は、スピンコーターで塗布し乾燥させた。この工程を数回繰り返したのち、600°C~700°Cで3時間焼成し、LATP薄膜を得た。次にLATP上に補助層である炭酸リチウム層を成膜する。粉末の炭酸リチウムについて、テオピネオールを用いてペーストにして、スクリーン印刷により所定の箇所に塗布する。その後150°Cで乾燥した後、500°C~650°Cで焼成する。さらに電極に関して、メタルマスクを用いて真空成膜法によって作製した。具体的にはTiが5nm及びPtが100nmをスパッタ法によって成膜した。なおマイクロヒータ及びLATP上のPt/Ti電極については、メンブレン構造の周囲にまで導通する引き出し電極が作製してある。この引き出し電極の先端にワイヤボンド等で導通を得るために、リフトオフ法を用いて膜厚1μmのAlパッドを形成した。なお、Alパッド形成前にマイクロヒータの引き出し電極上に存在する保護膜及びLATPに関してはエッチングにより取り除いた。この後、Si基板裏面にフォトレジストパターンを作製した後、アルカリ溶液によってSi基板のエッチングを行ったメンブレン構造の形成。エッチング後、フォトレジストは除去した。図8は、比較例1に係わるマイクロヒータ素子の構造を示す断面図である。図9は、比較例2に係わるマイクロヒータ素子の断面図である。実施例1~4の比較例として比較例1のマイクロヒータ素子を作製した。また、実施例6の比較例として比較例2のマイクロヒータ素子を作製した。<比較例1>比較例1は、支持膜に凹凸がない状態にして、膜構成は実施例1と同様のマイクロヒータ素子を作製した。具体的には、SiO2とPt/Tiの成膜条件を以下のように変更した。すなわち、SiO2については、TEOSガスを用いて投入電力250W、圧力120Paで成膜した。この結果、SiO2の成膜後の応力が0となった。Pt/Tiヒータは、投入電力Ti:100W、Pt:50WDC、圧力2Pa、成膜温度25°Cでスパッタ法により成膜した。この結果、Tiが5nm及びPtが200nm堆積し、堆積した後の応力が0となった。したがって、SiO2及びPt/Ti成膜後に、全体の応力も0となった。これにより、SiO2露出部分の突起が発生しなかった。<比較例2>比較例2は、実施例6と同様に、発熱体の表面にセンサを形成する薄膜の層保護膜8、固体電解質層9、補助層10、端子電極5A、5Bを形成したものであるが、支持膜に凹凸を設けない点が実施例5と異なる。具体的には、支持膜を比較例1と同様の方法で作製したため、成膜後の応力が0である点が実施例6と異なる。支持膜状のPt/Tiヒータ及び発熱体表面のセンサを形成する薄膜の層保護膜8、固体電解質層9、補助層10、端子電極5A、5Bもそれぞれ応力が0となるように成膜されるため、メンブレン構造全体の応力も0となった。<評価結果>実施例1~5及び比較例1の評価結果を表1に示す。評価は、マイクロヒータの出力及び耐衝撃性について行った。評価方法は、マイクロヒータの出力については、マイクロヒータに一定の電圧を加えた際に、一定距離でPbSeの赤外線検出器を用いてマイクロヒータ出力の測定を行った。一方耐衝撃性については、落下試験を行った。評価基準として、マイクロヒータ出力に関してはPbSeの赤外線検出器の示す値を、また耐衝撃性については落下試験時の歩留りを使用した。<実施例1>このマイクロヒータ素子1を筒状の金属治具の片端に取り付け、他方の端にPbSeの赤外線検出器を取り付けた。この状態でマイクロヒータ素子1に2Vの電圧を印加して、赤外線検出器の出力を測定したところ、03Vの値を得た。また、マイクロヒータ素子1を金属パッケージに実装した後、1mの高さから鋼板上に落とすことで落下試験を行った。1000個の素子について実施したところ、メンブレン構造、すなわち、支持膜2と発熱体4とで得られる構造体に、割れやメンブレン構造全体の剥離などの不具合が確認されたマイクロヒータ素子1は存在しなかった。次に突起量の変更について述べる。SiO2とPt/Tiとの膜応力を調整して、突起高さhmを変更する。メンブレン構造全体の応力はほぼ0とした。成膜条件については表1に示す通りである。図2で示した突起高さhmについて、突起高さhmが300nmまでは、突起のない比較例1と同じ値で、出力の増加は見込めなかった。一方、突起高さhmが500nm、700nm、1000nm、1500nmでは、それぞれ出力は、突起高さhmが高くなるにしたがって増加する傾向であった。突起高さhmを大きくするためには、SiO2を成膜するときに生じる圧縮応力と、Pt/Tiの発熱体4を成膜するときに生じる引張応力との双方を大きくする必要がある。双方を制御して突起高さhmを高くしようとした場合、突起高さhmが1500nmを超えると薄膜の剥離、より具体的には、支持膜2と発熱体4との剥離又はTiの薄膜とPtの薄膜との剥離が生じた。なお表1に示したマイクロヒータ素子いずれも、落下試験において、メンブレン構造に損傷のある素子は確認されなかった。比較例1について、実施例1と同様の測定を行ったところ、024Vであり、実施例1のマイクロヒータの出力と比較したところ20出力が減少した。また実施例1と同様の落下試験を行ったところ、1000個の素子に対して12個の素子で、メンブレンに割れやメンブレン全体の剥離などの不具合が確認された。<実施例2>出力は06Vとなった。落下試験は不良0個/1000個であった。<実施例3>実施例3のマイクロヒータ素子について測定を行ったところ、出力は04Vとなった。落下試験は不良0個/1000個であった。<実施例4>本実施例の場合、図4に示すSiO2の凹み深さHvが500nm以上のとき、比較例1の値に比べて出力の増加が見られた表1参照。いずれの場合にも、実施例1で行ったのと同様の落下試験において、メンブレンに損傷のある素子は確認されなかった。<実施例5>全体の応力が引張応力となると、素子作製後に素子に衝撃を加えなくてもメンブレンに割れや破れが生じた。この割れや破れは引張応力が増すと増加した。一方、全体の圧力が圧縮応力の場合、応力が高まりSi基板に対してメンブレンの中心が約30μm以上に凸となっても図5のHmに相当、メンブレンに割れや破れは生じなかった表1参照。ただし、この状態ではメンブレンにしわがより、圧縮応力が小さい場合に比べて、出力が若干弱くなることが確認された、全体の圧力としては、ほぼ0から弱圧縮が良い。<実施例6>実施例6について、各層膜を成膜する際に、成膜条件により膜に生じる応力を制御できることはこれまでに述べた通りである。各層成膜時に応力が0となるように成膜した場合比較例2と、支持膜のみ圧縮応力で成膜し他の層は応力が0となるように成膜した場合との2つの素子を作製した。この場合、支持膜に凹凸をつけた場合とつけない場合とを比べると、凹凸をつけた場合の方が素子全体を所定温度まで加熱するために必要な電力が小さいことが確認された。また支持膜に凹凸をつけた場合とつけない場合比較例2を比べると、凹凸をつけた場合は落下試験で不良は生じなかった不良0個/1000個が、凹凸をつけない場合は不良が生じた不良15個/1000個。