"第1のIII-窒化物材料と第2のIII-窒化物材料との界面に形成される2次元電子ガスを含む導電チャネル、及び前記導電チャネルの上方に配置された接点絶縁層を含む変更手段を備え、前記接点絶縁層は前記界面における前記2次元電子ガスの形成を変更するためにアルミニウムを含む、III-窒化物ヘテロ接合デバイス。前記接点絶縁層はAlSiNからなる、請求項1記載のIII-窒化物ヘテロ接合デバイス。前記接点絶縁層は化合物として成長される、請求項2記載のIII-窒化物ヘテロ接合デバイス。前記接点絶縁層はアルミニウムがドープされたSiNからなる、請求項1記載のIII-窒化物ヘテロ接合デバイス。前記変更手段は前記III-窒化物ヘテロ接合デバイスの閾値電圧をプログラムする、請求項1記載のIII-窒化物ヘテロ接合デバイス。前記変更手段は前記導電チャネル中断するように前記2次元電子ガスの形成を変更させる、請求項1記載のIII-窒化物ヘテロ接合デバイス。前記変更手段は更にイオン注入領域を含む、請求項1記載のIII-窒化物ヘテロ接合デバイス。前記変更手段は更にイオン注入領域を含む、請求項1記載のIII-窒化物ヘテロ接合デバイス。前記変更手段は更に拡散領域を含む、請求項1記載のIII-窒化物ヘテロ接合デバイス。前記変更手段は更に酸化領域を含む、請求項1記載のIII-窒化物ヘテロ接合デバイス。前記変更手段は更に窒化領域を含む、請求項1記載のIII-窒化物ヘテロ接合デバイス。前記接点絶縁層はゲート接点の下に形成されたゲート絶縁層である、請求項1記載のIII-窒化物ヘテロ接合デバイス。前記第1のIII-窒化物材料はGaNからなり、前記第2のIII-窒化物材料はAlGaNからなる、請求項1記載のIII-窒化物ヘテロ接合デバイス。前記III-窒化物ヘテロ接合デバイスはNチャネルGaNFETである、請求項1記載のIII-窒化物ヘテロ接合デバイス。第1のIII-窒化物材料と第2のIII-窒化物材料との界面に形成される2次元電子ガスを含む導電チャネル、及び前記導電チャネルを中断する変更手段を備え、前記変更手段は前記導電チャネルの上方に配置されたゲート絶縁層を含み、前記ゲート絶縁層は前記界面における前記2次元電子ガスの形成を変更するためにアルミニウムを含む、III-窒化物ヘテロ接合デバイス。前記ゲート絶縁層はAlSiNからなる、請求項15記載のIII-窒化物ヘテロ接合デバイス。前記ゲート絶縁層は化合物として成長される、請求項16記載のIII-窒化物ヘテロ接合デバイス。前記ゲート絶縁層はアルミニウムがドープされたSiNからなる、請求項15記載のIII-窒化物ヘテロ接合デバイス。前記変更手段は前記III-窒化物ヘテロ接合デバイスの閾値電圧をプログラムする、請求項15記載のIII-窒化物ヘテロ接合デバイス。前記第1のIII-窒化物材料はGaNからなり、前記第2のIII-窒化物材料はAlGaNからなる、請求項15記載のIII-窒化物ヘテロ接合デバイス。本発明は、2DEG2次元電子ガスの形成を変更する変更手段を含む、III-窒化物デバイス、特にエンハンスメントモードIII-窒化物デバイスを提供する。本発明においては、例えばドーピング又は他の方法によるアルミニウム導入に基づく変更手段が著しく有益である。以下の記載は本発明の実施に関する具体的情報を含む。当業者は、本願に具体的に説明される実施形態とは異なる態様に実施することができることを認識されよう。更に、本発明の具体的な細部の一部については本発明を不明瞭にしないために説明を省略した。本願の図面及びそれらの付随の詳細な説明は本発明の単なる代表的な実施形態を対象にしている。簡潔さを維持するために、本発明の他の実施形態は具体的に説明されておらず、また図面に具体的に示されていない。図1aは、図1bの代表的なIII-窒化物ヘテロ接合デバイスを形成するために使用される、構造100として示される初期構造に対応する断面図を示す。構造100は基板102、III-窒化物材料104及びIII-窒化物材料106を含む。いくつかの実施形態においては、高電子移動度トランジスタHEMTを形成するために、III-窒化物材料104は、例えばアンドープGaNとし、III-窒化物106は、例えばアンドープAlGaNとすることができる。他の実施形態においては、III-窒化物材料はドープすることができ、例えばNチャネルGaN電界効果トランジスタFETを形成するためにIII-窒化物104はP型GaNとすることができる。基板102は絶縁基板とすることができるが、高抵抗基板とすることもでき、炭化シリコン、シリコン、サファイヤなどの材料及び他の適切な基板材料からなるものとすることができる。図1aでは、III-窒化物材料104は基板102の上に配置され、III-窒化物材料106はIII-窒化物材料104の上に配置され、III-窒化物ヘテロ接合を形成する。III-窒化物材料104はIII-窒化物材料106と異なる面内格子定数を有するため、III-窒化物材料104とIII-窒化物材料106の界面に2DEGからなる導電チャネルを形成することができる。更に図1aに示すように、接点108及び110がIII-窒化物材料106の上に形成され、これらの接点は例えばオーム接点とすることができる。従って、構造100は、電流が接点108及び110の間で2DEGからなる導電チャネルを経て流れ得るように構成できる。更に、接点108及び110は得られるIII-窒化物ヘテロ接合デバイスのソース及びドレイン端子のための接続を備えることができる。図1bは、III-窒化物ヘテロ接合デバイス150として示される、本発明の一実施の形態による代表的なIII-窒化物ヘテロ接合デバイスの断面図を示す。本発明によるデバイスは、2DEGの形成を変更する変更手段を含み、それによってIII-窒化物ヘテロ接合デバイスの閾値電圧をプログラムすることができる。特定の実施形態においては、変更手段は2DEGの密度を変更することができ、それによってこのデバイスはノーマリオフ型にすることができ、即ち2DEGを中断することができる。図1bは、III-窒化物デバイス150内における2DEGの形成を変更する変更手段160を示す。III-窒化物ヘテロ接合デバイス150において、変更手段160は、ゲート接点140の下に配置された、アルミニウムを含む負に帯電されたゲート接点絶縁層112を備える。接点絶縁層112は、III-窒化物ヘテロ接合デバイス150内における2DEGの形成を変更または中断するために負の電荷を発生するアルミニウムを含む。従って、ゲート接点絶縁層112内の負電荷は2DEG内の電子と相互作用して2DEGの形成を変更することができる。図1bに示す実施形態においては、接点絶縁層112を負に帯電してその下の2DEGを中断し、それによってIII-窒化物ヘテロ接合デバイス150内の導電チャネルを中断するために、接点絶縁層112は、ゲート接点絶縁層の形成の一部分として、ドーピング、注入又はアルミニウムの同時成長などの他の手段により導入されたアルミニウムを含む。不活性状態では、2DEGからなる導電チャネルがゲート接点140の下部で中断されるため、III-窒化物ヘテロ接合デバイス150は接点108および110間で電流を流さない。接点140は、例えば導電性ゲート接点とすることができ、接点絶縁層112はゲート絶縁層とすることができる。従って、III-窒化物ヘテロ接合デバイス150は、接点140に電圧を供給することによって、中断された2DEGを回復させ、接点108及び110間に導電チャネルを与えることにより接点108及び110間で電流を流すことができる。それゆえ、III-窒化物ヘテロ接合デバイス150はエンハンストモード又はノーマリオフデバイスとして動作し得る。いくつかの実施形態においては、接点絶縁層112は、絶縁層を形成し、接点絶縁層112内に負電荷を与えるために絶縁層にアルミニウムをドーピング又は注入することによって形成することができる。例えば、窒化シリコンSiN絶縁層にアルミニウムを拡散又は注入して接点絶縁層内に負電荷を与えることができる。特定の実施形態においては、接点絶縁層112はAlxSiyNzここではAlSiNともいうの組成を備えるものとし得る。他の実施形態においては、接点絶縁層112はその絶縁層内に負電荷を与えるためにアルミニウムと同時に成長される化合物とすることができる。例えば、AlSiN化合物をIII-窒化物材料106の上に形成することができる。更にIII-窒化物ヘテロ接合デバイス150においては、接点絶縁層112はIII-窒化物ヘテロ接合デバイス150の閾値電圧をプログラムするためにアルミニウムを含めることができる。例えば、接点絶縁層112内の負電荷は接点絶縁層112の組成を変更することにより調整できる。例えば、III-窒化物ヘテロ接合デバイス150において、接点絶縁層112内の負電荷の増加はその反発力を増大して2DEGを変更することができる。それゆえ、接点絶縁層112内の負電荷の増加は閾値電圧を増大するため、中断された2DEGを回復させて接点108及び110間に導電チャネルを与えるためには増大した電位を接点140に供給しなければならなくなる。従って、接点絶縁層112の組成の選択によりIII-窒化物ヘテロ接合デバイス150の閾値電圧をプログラム又は設定することができる。図1aの構造100はIII-窒化物ヘテロ接合デバイス150の形成を限定するものではないことを理解されたい。例えば、いくつかの実施形態においては、接点108及び110は変更手段160に続いて形成することができる。また、III-窒化物ヘテロ接合デバイス150はエンハンストモード又はノーマリオフデバイスとするが、他の実施形態においてはデプレッションモードデバイスの閾値電圧をプログラム又は設定するように接点絶縁層112によって2DEGの形成を変更することができる。更に、上述した変更手段160は、接点の下及び一方のIII-窒化物材料の上に位置する接点絶縁層を含むが、他の実施形態においては、追加の要素が協力して2DEGの形成を変更するようにすることができる。他の実施形態は、例えば、凹部、イオン注入領域、拡散領域、酸化領域及び/又は窒化領域を備えることができる。更に、追加の要素はIII-窒化物ヘテロ接合デバイス内に組み込むことができる。追加の要素は追加の材料又は構造内に形成することができる。図2を参照すると、図2は変更手段260として示す代表的な変更手段を含むIII-窒化物ヘテロ接合デバイスの一部分の断面図を示す。変更手段260は図1bの変更手段160に相当するものとし得る。図2において、III-窒化物材料204、III-窒化物材料206、接点絶縁層212及び接点240は図1bの窒化物材料104、III-窒化物材料106、接点絶縁層112及び接点140に相当する。図2に示されるように、変更手段260は凹部230の上に形成された接点絶縁層230を含む。凹部230は接点240の下のIII-窒化物材料206内に形成される。更に、凹部230は接点240及び接点絶縁層212を2DEG及びIII-窒化物材料206とIII-窒化物材料204の界面に近接配置することを可能にする。変更手段260において、凹部230及び接点絶縁層212は協力して2DEGの形成を変更する。従って、変更手段260において、接点絶縁層212は、閾値電圧をプログラムし2DEGの形成を中断するために、接点絶縁層112よりも少ない電荷を必要とすることになる。凹部230は、例えばIII-窒化物材料206上にフォトレジストを設け、このフォトレジストに傾斜した側壁を有する開口を形成し、エッチング工程により傾斜した幾何形状をIII-窒化物材料206に転写することによって形成することができる。凹部230は傾斜した側壁を有するが、凹部230は他の幾何形状とすることもできる。図3を参照すると、変更手段360として示す代表的な変更手段を含むIII-窒化物ヘテロ接合デバイスの一部分が示されている。変更手段360は図1bの変更手段160に相当するものとし得る。図3において、III-窒化物材料304、III-窒化物材料306、接点絶縁層312及び接点340は図1bの窒化物材料104、III-窒化物材料106、接点絶縁層112及び接点140に相当する。図3に示されるように、変更手段360は領域370の上に形成された接点絶縁層312を含む。領域370は、接点340の下のIII-窒化物材料306に形成され、ゲート接点340の下方の2DEGの形成を変更することができる。変更手段360において、領域370及び接点絶縁層312は協力して2DEGの形成を変更する。いくつかの実施形態においては、領域370は結合構造及びその下の2DEGを分断する格子損傷を含む注入領域を含むものとし得る。他の実施形態においては、領域370は酸化領域、窒化領域又は不純物拡散領域とすることができる。また、上述したように、変更手段360は追加の要素、例えば凹部230に類似の凹部及び/又は領域370に類似の複数の領域を含むことができる。図3では領域370はIII-窒化物材料306内に形成されるが、他の実施形態においては、領域370はIII-窒化物材料304内又は他の材料内に形成することができる。更に、いくつかの実施形態においては、領域370はIII-窒化物材料306及び304などの材料とオーバラップさせることができる。従って、変更手段360において、接点絶縁層312は、閾値電圧をプログラムし2DEGの形成を中断するために、接点絶縁層112よりも少ない電荷を必要とすることになる。図4を参照すると、変更手段460として示される代表的な変更手段を含むIII-窒化物ヘテロ接合デバイスの一部分が示されている。図4において、III-窒化物材料404、III-窒化物材料406、接点絶縁層412及び接点440は図1bの窒化物材料104、III-窒化物材料106、接点絶縁層112及び接点140に相当する。図4に示されるように、変更手段460は領域480の上方に形成された接点絶縁層412を含む。領域480は、接点440の下方のIII-窒化物材料404内に形成され、ゲート接点440の下方の2DEGの形成を変更することができる。他の実施形態においては、領域480はIII-窒化物材料406内に形成することができ、またIII-窒化物材料404及び406とオーバラップさせることができる。従って、変更手段460において、接点絶縁層412は、閾値電圧をプログラムし2DEGの形成を中断するために、接点絶縁層112よりも少ない電荷を必要とすることになる。領域480は、例えばp型不純物がドープされた領域とすることができる。領域480は、標準の注入及びアニーリング工程を用いてIII-窒化物材料406を通して形成することができる。いくつかの実施形態においては、領域480はIII-窒化物材料404に形成し、次にGaNの層で覆い、次にAlGaNで覆うことができる。領域480を形成するために使用するp型不純物としては、例えばFl,M,Fe,Cr又はZnを含むが、他の不純物を使用することもできる。図1b及び図2~図4の実施形態においては、III-窒化物ヘテロ接合デバイスの導電チャネルにおける2DEGの形成を変更するために変更手段が設けられる。この変更手段によってデバイスの閾値電圧をプログラムすることができ、2DEGを中断するように導電チャネルにおける2DEGの形成を変更して、ノーマリオンデバイスではなくノーマリオフデバイスを得ることができる。従って、本発明はエンハンスメントモードのIII-窒化物ヘテロ接合デバイスを提供することができ、該装置は例えばスタートアップ時に制御回路がパワーアップする間電流が流れるのを避ける代償なしに電力用途に使用することができる。更に、本発明は得られるエンハンスメントモードデバイスの閾値電圧のプログラミング又は調整をまたデプレッションモードデバイスの閾値電圧のプログラミングも与える。本発明の以上の記載から、本発明のコンセプトは本発明の範囲から逸脱することなく種々の技術を用いて実施できること明らかである。更に、本発明はいくつかの特定の実施形態について説明したが、本発明の範囲から逸脱することなく形式及び細部に種々の変更を加えることができることは当業者に認識されよう。従って、開示の実施形態はすべての点で例示であり、非限定的であるとみなされたい。本発明は開示の特定の実施形態に限定されず、本発明の範囲から逸脱することなく多くの再構成、変更及び置換が可能であることを理解されたい。"