"中心軸と、前記中心軸と直交する略平坦な上面と、ウエハを収容するために前記上面の下方に凹んだポケットとを画定する本体を備えるウエハキャリアであって、前記本体は、前記上面の周囲に沿って上方に突出するリップを備えており、前記リップは、前記中心軸から離れる半径方向外向き方向において前記平坦な上面から上方に傾斜するリップ面を画定しており、前記本体は、処理装置のスピンドル上に、前記本体の前記中心軸が前記スピンドルと同軸になるように取り付けられていることを特徴とするウエハキャリア。前記本体は、前記中心軸と同軸の円筒状周面を画定しており、前記リップ面は、鋭利な縁において前記周面と交わっていることを特徴とする請求項1に記載のウエハキャリア。前記本体は、前記中心軸と同軸の円筒状周面を画定しており、前記リップ面は、丸められた縁において前記周面と交わっていることを特徴とする請求項1に記載のウエハキャリア。前記リップ面は、前記ウエハキャリアの前記上面に対する一定の傾斜角を画定していることを特徴とする請求項1に記載のウエハキャリア。前記リップ面は、前記ウエハキャリアの前記上面に対する傾斜角を画定しており、前記傾斜角は、前記中心軸に対する半径方向距離の関数として変動するようになっていることを特徴とする請求項1に記載のウエハキャリア。前記リップ面は、前記中心軸からの前記ポケットの最大半径方向距離と等しい前記中心軸からの半径方向距離において、前記上面と交差していることを特徴とする請求項1に記載のウエハキャリア。前記リップ面は、前記中心軸からの前記ポケットの最大半径方向距離よりも小さい前記中心軸からの半径方向距離において、前記上面と交差していることを特徴とする請求項1に記載のウエハキャリア。前記リップの高さは1mm以下であることを特徴とする請求項1に記載のウエハキャリア。前記リップの高さは0.6mmであることを特徴とする請求項1に記載のウエハキャリア。前記本体は、前記中心軸と同軸の円筒状周面を画定しており、前記周面は、前記リップ面と前記周面との間の交点から下向き方向において前記中心軸に向かって半径方向内方に突出する凹入面を備えていることを特徴とする請求項1に記載のウエハキャリア。中心軸と、前記中心軸と直交する略平坦な上面と、ウエハを収容するために前記上面の下方に凹んだポケットとを画定する本体を備えるウエハキャリアであって、前記本体は、前記中心軸と同軸の円筒状周面を有しており、前記円筒状周面は、鋭利な縁において前記上面と交差しており、前記本体は、処理装置のスピンドル上に、前記本体の前記中心軸が前記スピンドルと同軸になるように取り付けられていることを特徴とするウエハキャリア。前記周面は、前記上面と前記周面との間の交点から下向き方向において前記中心軸に向かって半径方向内方に突出する凹入面を備えていることを特徴とする請求項11に記載のウエハキャリア。処理装置であって、a反応チャンバと、b前記チャンバ内において上下に延在するスピンドルと、c前記スピンドルに取り付けられた請求項1に記載のウエハキャリアであって、前記スピンドルの中心軸は前記スピンドルと同軸になっている、ウエハキャリアと、d前記ウエハキャリアの上方において前記反応チャンバに連通する流体注入要素であって、一種以上のガスを前記ウエハキャリアに向かって下方に導くように構成されて配置されている、流体注入要素と、e前記ウエハキャリアの下方において前記反応チャンバに連通する排気システムとを備えてなる処理装置。ウエハを処理する方法であって、請求項13に記載の処理装置のウエハキャリアのポケット内にウエハを配置し、前記ウエハキャリア上にガスを下向きに導くステップと、その一方、前記スピンドルおよび前記ウエハキャリアを中心軸の周りに回転させるステップと、その一方、ガスを排気システム内に除去するステップとを含んでいることを特徴とする方法。前記ウエハキャリアおよびウエハを加熱するステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項14に記載の方法。前記ガスが反応し、前記ウエハの露出面に堆積物を形成していることを特徴とする請求項15に記載の方法。前記ウエハキャリアの前記上面の上方のある高さでの前記ウエハキャリアの周囲の近くにおける流れが、実質的に再循環していないことを特徴とする請求項14に記載の方法。当該技術分野において、このようなシステムを最適化するために、これまで著しい努力が払われてきているが、さらに一層の改良が望まれている。特に、MOCVDエピタキシャル成長プロセス中に、ウエハキャリアの直径の全体にわたって処理ガスのより均一な拡散境界層をもたらすことが望まれている。ウエハキャリア、処理装置、およびウエハを処理する方法が提供されている。本発明の一態様は、ウエハキャリアを提供している。ウエハキャリアは、中心軸と、中心軸と直交する略平坦な上面と、ウエハを収容するために上面の下方に凹んだポケットとを画定する本体を備えている。本体は、上面の周囲に沿って上方に突出するリップを備えることができる。リップは、中心軸から離れる半径方向外向き方向において平坦な上面から上方に傾斜するリップ面を画定しているとよい。本体は、処理装置のスピンドル上に、本体の中心軸がスピンドルと同軸になるように取り付けられているとよい。特定の実施形態では、本体は、中心軸と同軸の円筒状周面を画定しており、リップ面は、鋭利な縁において該周面と交わっている。一例では、本体は、中心軸と同軸の円筒状周面を画定しており、リップ面は、丸められた縁において該周面と交わっている。例示的な実施形態では、リップ面は、ウエハキャリアの上面に対する一定の傾斜角を画定している。特定の例では、リップ面は、ウエハキャリアの上面に対する一定の傾斜角を画定しており、該傾斜角は、中心軸に対する半径方向距離の関数として変動するようになっている。一例では、リップ面は、中心軸からのポケットの最大半径方向距離と等しい中心軸からの半径方向距離において、上面と交差している。特定の例では、リップ面は、中心軸からのポケットの最大半径方向距離よりも小さい中心軸からの半径方向距離において、上面と交差している。例示的な実施形態では、リップの高さは、約1mm以下である。特定の例では、リップの高さは、約0.6mmである。特定の実施形態では、本体は、中心軸と同軸の円筒状周面を画定しており、該周面は、リップ面と周面との間の交点から下向き方向において中心軸に向かって半径方向内方に突出する凹入面を備えている。本発明の他の態様は、ウエハキャリアを提供している。ウエハキャリアは、中心軸と、中心軸と直交する略平坦な上面と、ウエハを収容するために上面の下方に凹んだポケットとを画定する本体を備えている。本体は、中心軸と同軸の円筒状周面を有することができる。円筒状周面は、鋭利な縁において上面と交差しているとよい。本体は、処理装置のスピンドル上に、本体の中心軸がスピンドルと同軸になるように、取り付けられるように適合されているとよい。例示的な実施形態では、周面は、上面と周面との間の交点から下向き方向において中心軸に向かって半径方向内方に突出する凹入面を備えている。本発明のさらに他の態様は、処理装置を提供している。処理装置は、反応チャンバと、チャンバ内において上下に延在するスピンドルと、スピンドルに取り付けられたウエハキャリアと、ウエハキャリアの上方において反応チャンバに連通する流体注入要素と、ウエハキャリアの下方において反応チャンバに連通する排気システムとを備えている。ウエハキャリアは、前述したウエハキャリアのいずれであってもよい。スピンドルの中心軸は、スピンドルと同軸になっているとよい。流体注入要素は、一種以上のガスをウエハキャリアに向かって下方に導くように構成され配置されているとよい。本発明のさらに他の態様は、ウエハを処理する方法を提供している。本方法は、前述した処理装置のウエハキャリアのポケット内にウエハを配置し、該ウエハキャリア上にガスを下向きに導くステップと、その一方、スピンドルおよびウエハキャリアを中心軸の周りに回転させるステップと、その一方、ガスを排気システム内に除去するステップとを含んでいる。特定の実施形態では、本方法は、ウエハキャリアおよびウエハを加熱するステップを含んでいる。例示的な実施形態では、ガスが反応し、ウエハの露出面に堆積物を形成するようになっている。一例では、ウエハキャリアの上面の上方のある高さでのウエハキャリアの周囲の近くにおける流れが、実質的に再循環しないようになっている。例えば、本願の譲渡人に譲渡された国際出願第PCT/US2009/063532号‘532出願、代理人ドケットNo.VEECO3.4-110CIP、現在では国際特許出願公開第2010/054184号として公開および2001年3月6日に化学蒸着装置と題して刊行された米国特許第6,197,121号明細書に記載されているように、半導体ウエハのような平坦な基板をガスによって処理するのに用いられる装置の一形式は、垂直回転ディスク式反応器と呼ばれることもある化学蒸着装置10である。なお、この文献の開示内容を引用することによって本明細書の一部をなすものとする。図1を参照すると、本発明の一実施形態による化学蒸着装置10は、反応チャンバ12を備えている。反応チャンバ12は、チャンバ12の一端に配置されたガス注入マニホールド14を有している。ガス注入マニホールド14を有するチャンバ12のこの端は、本明細書において、チャンバ12の上top端と呼ばれている。チャンバのこの端は、典型的には、必ずしも必要ではないが、通常の重力座標系においてチャンバの上端に配置されている。従って、重力の上下方向に沿っているかどうかに関わらず、本明細書に用いられる下向き方向は、ガス注入マニホールド14から離れる方向を指しており、上向き方向は、チャンバ内においてガス注入マニホールド14に向かう方向を指している。同様に、要素の上top面および底bottom面は、本明細書では、チャンバ12およびマニホールド14の座標系を基準として記述されている。チャンバ12は、円筒壁20を有している。円筒壁20は、チャンバの上端の上フランジ22とチャンバの底端の基板24との間に延在している。壁20、フランジ22、および基板24は、それらの間に気密に封止された内部領域26を画定している。内部領域26は、ガス注入マニホールド14から放出されたガスを含みうる。チャンバ12は、円筒形として示されているが、他の実施形態では、チャンバは、他の形状、例えば、中心軸32を中心とする円錐または他の回転面、正方形、6角形、8角形、または任意の他の適切な形状を有していてもよい。ガス注入マニホールド14は、ウエハ処理プロセスに用いられる処理ガス、例えば、キャリアガスおよび有機金属化合物およびV族金属の源のような反応ガスを供給するために、供給源に接続されている。典型的な化学蒸着プロセスでは、キャリアガスは、窒素、水素、または窒素と水素との混合物でありうる。従って、ウエハキャリアの上面における処理ガスは、主に、いくらかの反応ガス成分を含む窒素および/または水素から構成されていることになる。ガス注入マニホールド14は、種々のガスを受け、処理ガスの流れを略下向き方向に導くように、構成されている。ガス注入マニホールド14は、冷媒システム図示せずに接続されていてもよい。冷媒システムは、運転中、要素の温度を所望の温度に維持するために、液体をガス分配要素内に循環させるように構成されている。チャンバ12の壁を冷却するために、同様の冷媒装置図示せずが設けられていてもよい。チャンバ12は、副チャンバ17に通じる入口開口16と、入口開口16を開閉するための可動シャッター18とを備えていてもよい。シャッター18は、例えば、米国特許第7,276,124号に開示されているように構成されていてもよい。この文献の開示内容は、引用することによって本明細書の一部をなすものとする。シャッター18は、望ましくは、チャンバ12の周囲に沿って延在する円形フープの形態にある。シャッター18は、チャンバ12の内面を画定する内面19を有しているとよい。スピンドル30が、垂直中心軸32の周りに回転するようにチャンバ内に配置されている。スピンドル30の中心軸32は、反応チャンバ12の上下方向に延在している。スピンドルは、軸受およびシール図示せずを含む従来の回転貫通装置34によって、チャンバ12に取り付けられている。これによって、スピンドルは、スピンドル30とチャンバ12の基板24との間の密封を維持しながら、中心軸32の周りに回転することができる。スピンドル30は、その上端、すなわち、ガス注入マニホールド14に最も近いスピンドルの端に取付け具36を有している。スピンドル30は、スピンドルを中心軸32の周りに回転させるように構成された電動モータ駆動装置のような回転駆動機構38に接続されている。スピンドル30は、ガス通路内においてスピンドルの略軸方向に延在する内部冷媒通路を備えていてもよい。内部冷媒通路は、冷媒源に接続されていてもよい。これによって、流体冷媒が、冷媒源から冷媒通路を通って冷媒源に循環することができる。ウエハキャリア40は、平坦な円形上面41および中心軸42を有する実質的にディスクの形態とすることができる。図1に示されている作動位置では、ウエハキャリア40は、該ウエハキャリアの中心軸42がスピンドルの軸32と一致するように、スピンドル30上に取り付けられている。ウエハキャリア40は、チャンバ12内においてガス注入マニホールド14の下方に位置している。これによって、ガス注入マニホールドは、ウエハキャリアが回転している間に、ガスをウエハキャリアに向かって下方に放出することができる。シャッター18が図1に示されている作動位置にあるとき、シャッターの内面19がウエハキャリア40を取り囲んでいる。ウエハキャリア40は、単一片として形成されていてもよいし、または複数片の複合物として形成されていてもよい。例えば、米国特許出願公開第2009/0155028号に開示されているように、ウエハキャリア40は、中心軸42を囲むウエハキャリアの小領域を画定するハブと、ディスク状本体の残りを画定する大きな部分とを備えていてもよい。なお、この文献の開示内容は、引用することによって本明細書の一部をなすものとする。ウエハキャリア40は、CVDプロセスを汚染させず、該プロセスにおいて受ける温度に耐えることができる材料から形成することができる。例えば、ウエハキャリア40の大きな部分は、その大半または全体が、黒鉛、炭化ケイ素、窒化ボロン、窒化アルミニウム、または他の耐火材料のような材料から形成されているとよい。ウエハキャリア40は、略平坦な上下面を有しており、これらの面は、互いに略平行でありウエハキャリアの垂直回転軸42と略直交している。一例では、ウエハキャリア40は、約300mmから約700mmの直径を有することができる。ウエハキャリア40の上面41は、ウエハキャリアの周囲に沿って配置されたポケット43を備えることができる。このようなポケットの各々は、ディスク状ウエハ50を離脱可能に受け入れ、以下に述べるようなMOCVD中にこのようなウエハを保持するように、構成されている。各ウエハ50は、サファイア、炭化ケイ素、シリコン、または他の結晶質基板から形成することができる。典型的に、各ウエハ50は、その主面の寸法と比較して小さい厚みを有している。例えば、約2インチ50mmの直径を有する円形ウエハ50は、約430μm以下の厚みを有しているとよい。各ウエハ50は、その上面を上向きにし、これによって、ウエハの上面をウエハキャリアの上面に露出させて、ウエハキャリア40上またはウエハキャリア40に隣接して配置されるとよい。ウエハ50は、ウエハキャリア40の上面41と同一平面またはほぼ同一平面になっているとよい。MOCVDのような多くのプロセスでは、ウエハキャリア40は、ウエハ50の表面に所望の温度をもたらすために、加熱されるようになっている。このような加熱のために、加熱要素60が、スピンドル30の取付け具36の下方の部分を囲んで、チャンバ12内に取り付けられている。加熱要素60は、主に輻射熱伝達によって、熱をウエハキャリア40の底面に伝達することができる。ウエハキャリア40の底面に印加された熱は、ウエハキャリアの本体内をその上面41に向かって上方に流れることができる。熱は、ウエハキャリア40によって保持された各ウエハの底面に向かって上向きに流れ、ウエハ50内をその上面に向かって上方に流れることができる。熱は、ウエハ50の上面からプロセスチャンバ12の温度の低い要素、例えば、プロセスチャンバの壁20およびガス注入マニホールド14に放射されることになる。熱は、ウエハ50の上面からこれらの上面を通る処理ガスにも伝達されることになる。特定の実施形態では、加熱要素60は、多区域加熱要素とすることができ、これによって、ウエハキャリア40の互いに異なる部分例えば、スピンドル30の中心軸32から第1の半径方向距離に位置する第1の環状部分および該中心軸から第2の半径方向距離に位置する第2の環状部分は、個別に加熱可能である。また、チャンバ12は、加熱要素60を含むチャンバの領域内への処理ガスの侵入を低減させる外側ライナー28も備えている。例示的な実施形態では、遮熱材図示せずが、例えば、ウエハキャリア40と平行になるように、加熱要素60の下方に設けられていてもよい。これによって、加熱要素から熱を、チャンバ12の底端の基板24に向かって下方に導くことなく、ウエハキャリアに向かって上方に導くことを助長することができる。また、チャンバ12は、使用済みガスをチャンバの内部領域26から除去するように構成された排気システム62も備えている。排気システム62は、ウエハキャリア40が占める箇所の下方の位置においてチャンバ12に接続されている。排気システム62は、チャンバ12の底またはその近くに排気マニホールド63を備えることができる。排気マニホールド63は、使用済みガスを反応チャンバ12の外に排出するように構成されたポンプ65または他の真空源に接続されていてもよい。運転に際して、入口開口16が、シャッター18を開位置に下げることによって、開けられる。次いで、ウエハ50が装填されたウエハキャリア40が、副チャンバ17からチャンバ12内に装填され、図1に示されている作動位置に配置される。この状態では、ウエハ50の上面は、ガス注入マニホールド12に向かって上向きになっている。入口開口16は、シャッター18を図1に示されている閉位置に持ち上げることによって、閉じられる。加熱器70が作動され、スピンドル30、従って、ウエハキャリア40を中心軸42の周りに回転させるために、回転駆動装置38が作動される。典型的には、スピンドル40は、約50回転/分~約1500回転/分の回転速度で回転されるようになっている。ガスをガス注入マニホールド14内に供給するために、処理ガス供給ユニット図示せずが作動される。これらのガスは、ウエハキャリア40に向かって下方に流れ、ウエハキャリアの上面41およびウエハ50の上面を通り、ウエハキャリアの周囲を回って、排気システム62の排気マニホールド63に向かって下方に流れる。従って、ウエハキャリア40の上面41およびウエハ50の上面は、種々の処理ガス供給ユニットによって供給された種々のガスの混合物を含む処理ガスに晒されることになる。最も典型的には、上面41における処理ガスは、その大部分がキャリアガス供給ユニット図示せずによって供給されたキャリアガスから構成されている。プロセスは、ウエハ50の所望の処理が完了するまで継続される。プロセスが完了したなら、シャッター18を下げることによって、入口開口16が開けられる。入口開口16が開けられたなら、ウエハキャリア40は、スピンドル60から取り外され、次の運転サイクルのために、新しいウエハキャリア50と取り換えられることになる。以下、図2A、図2Bを参照すると、流れ注入要素14から放出されたガスは、ウエハキャリア40の上面41から離れた領域を下方に流れ、該上面および被処理ウエハ50の露出面を直接覆っている境界層70内をキャリア上面の周辺領域44に向かって外方に流れる。ガスは、キャリアの上面41の周縁46を超えると、キャリアの周面45とシャッター18によって画定された周囲面19との間を下方に流れる。化学蒸着装置10のような垂直回転ディスク式反応器では、特定の処理プロセスの処理率、例えば、質量輸送制限成長条件下でのMOCVDプロセスの成長率は、境界層の厚みの逆数である。無制限に大きいキャリアの場合、成長率が境界層の厚みに逆比例する成長率=1/境界層の厚みことが、理論的に予測されている。これは、より薄い境界層の場合、供給源がキャリア面に拡散するのに掛かる時間がより短いので、成長率がより高くなることを意味している。従って、MOCVDエピタキシャル成長中に均一かつ迅速な堆積率を得るには、薄くかつ均一な拡散境界層が極めて重要である。境界層の厚みは、回転速度および反応器内の圧力を変化させることによって制御可能であり、これらの2つのパラメータの平方根に逆比例する。また、境界層の厚みは、ガス混合物の特性、例えば、該混合物における種々のガスの比率の関数である動的粘度を変化させることによって、ならびにキャリア温度および注入温度を変化させることによっても、制御可能である。典型的には、反応器12内の流れが安定した条件では、すなわち、回転または浮力によって生じる再循環による擾乱がなく、またはガス注入要素におけるガス速度またはガス密度の大きいバラツキによる擾乱がなく、かつウエハキャリア40が均一に加熱される条件では、均一な境界層厚みが、ウエハキャリアの上面41の大部分にわたって得られることになる。しかし、ウエハキャリア40が有限半径を有しており、かつ排気マニホールド63図1が典型的にはキャリアの下方に位置していることによって、ガス流線71は、ウエハキャリア上方の半径方向から排気マニホールドに向かう軸方向に方向転換する。その結果、図2Bに概略的に示されているように、境界層の転回rollingoffまたは湾曲bendingが、キャリアの上面41の周縁46に生じることになる。換言すれば、ガスが、キャリア40の上面41上の半径方向外向き流れから、キャリアの周辺領域45とチャンバ12の周囲面19との間の下向き流れに移行すると、流線71は、キャリア上面の周辺領域44上に収斂する傾向がある。境界層70は、周縁46に近い上面41の周辺領域44の上方において薄くなる。境界層70が薄くなると、その結果として、キャリア40の上面41の周縁46の近くにおけるエピタキシャル成長率が高くなる。典型的には、本発明以前に用いられていたウエハキャリアは、図2Bにも示されているように、上面41の周縁46において、約5mmの大きな半径を有していた。本発明の一態様によれば、丸められた周縁46が境界層の薄層化の一因になることが見出されている。境界層の厚みは、1cm未満になることがある。従って、キャリア40の上面41の周縁46における境界層の厚みが極めて小さい値~1mmに変化することによって、成長率が著しく増大する可能性がある。ウエハ50の不均一な成長率を避けるために、実際問題として、キャリア40の上面41の周縁46の近くへのウエハ50の配置が、これまで回避されてきた。しかし、これによって、反応器の効率および生産力が低減することになる。何故なら、キャリアの縁の近くの上面41のかなりの部分がウエハによって占有されないからである。本発明の一態様は、境界層薄層化を補償するためにリップをキャリア縁に導入することによって、ウエハキャリアを再形成することを提案している。図3A、図3Cに示されているように、ウエハキャリア140は、中心軸142および該中心軸と実質的に直交する略平坦な上面141を画定する本体を備えている。本体は、上面141に開いて該上面の下方に凹んだポケット143を有している。ポケット143は、ウエハ50のような基板を、該基板の上面51が露出し、キャリア140の上面141と同一平面またほぼ同一平面になるように、保持するように構成されている。ウエハキャリア140は、装置10図1のような処理装置のスピンドル30上に、キャリアの中心軸142がスピンドルの中心軸32と同軸になるように取り付けられている。例えば、ウエハキャリア140は、取付け具36図1のようなスピンドルの対応する取付け具に係合するように適合された取付け具を有しているとよい。このような一構成では、ウエハキャリアは、中心軸と同軸になるように本体の底に開いた雌型円錐取付け具例えば、図5に示されている取付け具236を有しており、スピンドルは、雄型円錐取付け具例えば、図1に示されている取付け具36を有している。ウエハキャリア140は、上面141と略平行の底面を有する略平坦ディスクの形態でありうる。リップ180が、キャリア140の平坦な上面141から上方に延在している。最適なリップ高さHは、プロセス条件に依存しているが、一例では、約0.7cmから約1.0cmの境界層厚みを生じるプロセス条件での運転に対して、0から1mmの間、典型的には、約0.3mmから約0.8mmの間、例えば、約0.6mmでありうる。リップ180は、上向きリップ面181を有している。リップ面181は、平坦な上面141から上方に傾斜し、鋭利な縁146においてキャリアの円筒状周面145と交わっている。傾斜角A、すなわち、リップ180の傾斜面181とウエハキャリア140の平坦な上面141との間の角度は、変更されてもよい。一例では、傾斜角Aは、10°から15°の間にあるとよい。図3A、図3Cに示されているように、リップ180の傾斜面181は、望ましくは、ポケット143が占める領域のすぐ外側におけるウエハキャリアの中心軸からの半径方向距離の位置において、上面141と交わっている。すなわち、リップの傾斜面181は、ポケット143のちょうど最大半径方向距離RMAXの位置またはそのいくらか外側の位置において、キャリア140の平坦な上面141と交差している。図3Cを参照すれば最もよく理解されるように、リップ180は、ウエハキャリア140の全周144に沿って延在し、従って、円錐の一部を画定している。図3A、図3Cの実施形態では、リップ面181は、円錐であり、これによって、傾斜角Aは、リップ面181の半径方向距離の全体にわたって一定である。しかし、傾斜角は、必ずしも一定である必要はない。例えば、傾斜角は、中心軸142から離れる半径方向外向き方向において徐々に大きくなっていてもよいし、または小さくなっていてもよい。図3Bに示されているように、ウエハキャリア140の全体にわたる境界層170の厚みは、図2に示されているウエハキャリア40の全体にわたる境界層70の厚みよりもウエハ50の上面51の全域にわたってより均一である。本発明のさらに他の態様は、図5に示されているように、リップではなく鋭利な周縁246を有するウエハキャリア240を用いている。このような鋭利な縁246は、図2に示されているような大きな半径の縁と比較して、堆積均一性を高めることができる。本明細書において鋭利な縁sharpedgeと呼ばれている縁は、0.1mm以下の半径を有しており、望ましくは、ゼロ半径に可能な限り近いとよく、好ましくは、キャリア240の上面241と周面245との間の鋭利な交点であるとよい。図4を参照すると、計算流体力学モデリングを用いることによって、小さいリップ181がウエハキャリアの周辺における堆積均一性を著しく改良し、これによって、キャリア面をさらに一層利用することができることが見出されている。図4においてモデル化された特定の運転条件において、グラフ80は、線81として示されている丸められた縁現在の設計-丸縁を有する従来のウエハキャリアの場合、中心により近い領域における堆積率に対して、ウエハキャリアの周辺に近い中心軸から約0.21mmから約0.22mmの距離にある領域における正規化された堆積率が、著しく増大していることを示している。このような不均一な堆積率によって、この周辺領域へのポケットおよびウエハの配置は、事実上、排除されることになる。線82として示されている鋭利な縁例えば、図5を有するキャリア、および線83,84として示されているリップ例えば、図3Aを有するキャリアのモデル化された性能は、キャリア周辺に近い領域における低減した堆積率を示す傾向にある。ウエハキャリアの周辺におけるエピタキシャル堆積率の低減に関して、リップは、鋭利な縁よりも大きな効果をもたらしている。リップが大きくなるほど、堆積率の減少が大きくなる。0.6mmリップ高さ線83を有するキャリアによって得られる減少は、キャリアの内部領域における堆積率とほぼ均一かつほぼ等しい周辺領域における堆積率を得るのに十分である。1.0mmリップ高さ線84を有するキャリアによって得られる減少は、余りにも大きすぎ、周辺領域における堆積率が、内部領域における堆積率よりも著しく小さくなる。これは、1.0mmリップ高さがこのプロセス条件の組合せに最適なリップ高さよりも大きすぎることを示している。従って、鋭利な縁またはリップを用いるかどうかの選択、およびリップ高さの選択は、従来装置のモデリングまたは運転によって得られる結果によって決められるとよい。例えば、‘532出願に開示されているように、一部の運転条件下では、ウエハキャリア上面の上方のある高さおよび該上面の周辺のちょうど外側に、渦が生じることがある。このような渦がウエハキャリアの周辺の近くに延びているとき、正規化された堆積は、ウエハキャリアの周辺領域において、増加せずに、むしろ減少する。これらの運転条件下では、リップまたは鋭利な縁は、通常、用いられない。換言すれば、鋭利な縁およびリップは、ウエハキャリアの上面の上方のある高さおよびウエハキャリアの周辺の近くにおけるガス流が、例えば、図2A、図3Bに示されているように実質的に再循環しない運転条件下において、最も有利に適用される。図6に示されているように、ウエハキャリア340の周面は、凹入面347を備えていてもよい。凹入面347は、リップ380の上向き傾斜面381との交点346から下向き方向において、中心軸342に向かって内方に傾斜している。凹入面347は、交点346の近くの流体流に影響を与える。さらに他の態様では、凹入面は、周面345の全体を構成していてもよく、図示されているよりも急峻なまたは急峻でない内向き角Bを有していてもよい。凹入面は、凹入面の傾斜角Bが変化するように、湾曲していてもよい。図7に示されているさらに他の態様では、上向き傾斜リップのない凹入周面447が用いられてもよい。この場合、凹入周面は、キャリア440の平坦な上面441と交わっている。図8に示されているさらに他の形態では、凹入面547とリップ580の傾斜面581またはキャリア540の平坦な上面541との交点546は、半径を有していてもよい。図9A、図9Bに示されている他の態様では、ウエハキャリア640は、リップ680を備えることができる。リップ680は、ポケット643が配置されている領域内に半径方向に延在するように、ウエハキャリアの上面641の周縁646から下方かつ半径方向内方に傾斜している。例えば、リップ680は、周縁646から約0.5インチ半径方向内方に延在している。このような実施形態では、リップ680の傾斜面681は、ポケット643の最大半径方向距離RMAXよりもいくらか内側にある半径RLIPにおいて、キャリア640の平坦な上面641と交差している。ポケット643の外側部分648の深さD1は、ポケットの内側部分649の深さD2よりもいくらか大きい。このようなウエハキャリア640は、内側部分649と傾斜面681との交点において、上面641の高さに対して垂直方向段を有することになる。しかし、この段は、約1cmの典型的な境界層高さに対して小さいので、ポケット内に配置されたウエハの半径方向外方部分におけるエピタキシャル成長に対して著しい影響をもたらすことがない。前述の検討は、成長プロセスにおけるウエハキャリアの使用を対象としてなされているが、該キャリアは、他のプロセスに用いられてもよい。本発明は、種々のウエハ処理プロセス、例えば、ウエハの化学蒸着や化学エッチングなどに適用可能である。本発明は、ここでは、特定の実施形態を参照して説明されているが、これらの実施形態は、本発明の原理および用途の単なる例示にすぎないことを理解されたい。従って、例示的な実施形態に対して多くの修正がなされてもよく、添付の請求項によって定義された本発明の精神および範囲を逸脱することなく、他の構成が案出されてもよいことを理解されたい。種々の従属請求項およびここに記載された特徴は、元の請求項に提示されている方法と異なる方法によって組み合わされてもよいことを理解されたい。また、個々の実施形態に関連して記載された特徴は、記載されている実施形態の他の特徴と共有されてもよいことを理解されたい。"