素子分離領域のシリコン基板をエッチングして第1トレンチを形成するステップと、前記第1トレンチ底面の前記シリコン基板を微細に複数箇所エッチングし、第2トレンチを形成するステップと、前記第1及び第2トレンチ内に素子分離絶縁膜を埋め込むステップとを含む半導体素子の素子分離方法において、前記第1トレンチを形成するステップは、シリコン基板上にパッド絶縁膜を形成するステップと、前記パッド絶縁膜上に素子分離マスクを用いたフォトリソグラフィ工程によりフォトレジストパターンを形成するステップと、前記フォトレジストパターンをマスクとして、前記パッド絶縁膜と前記シリコン基板をエッチングして前記第1トレンチを形成するステップと、前記フォトレジストパターンをストリップするステップと、を含み、前記第2トレンチを形成するステップは、第1トレンチ底面のシリコンとエッチング選択比を有するエッチングマスク層を形成するステップと、前記エッチングマスク層上にHSGを形成するステップと、前記HSGをマスクとして、前記エッチングマスク層をエッチングしてパターニングするステップと、前記パターニングされたエッチングマスクをマスクとして、前記第1トレンチ底面の前記シリコン基板をエッチングするステップとを含み、前記素子分離絶縁膜を埋め込むステップは、前記第1及び第2トレンチのシリコン基板表面に熱酸化による第1酸化膜を形成するステップと、第1酸化膜が形成された基板の全体構造上に化学気相蒸着によって第2酸化膜を形成するステップと、前記第2酸化膜の化学気相蒸着の際、前記第2トレンチ内に少なくとも一つの空洞を形成するステップと、前記パッド絶縁膜が露出するように基板全面を化学機械研磨するステップと、前記パッド絶縁膜を除去するステップを含むことを特徴とする半導体素子の素子分離方法。前記エッチングマスク層は熱酸化による酸化膜であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の素子分離方法。前記パッド絶縁膜はバッファ酸化膜とパッド窒化膜を積層して形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の素子分離方法。本発明は上述した従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、超高集積素子で素子分離膜の側壁に沿って生じる反転によるリーク電流発生を抑制し、トレンチ内部にキャパシタンスが小さな空洞を形成して素子のRC遅延を減少させた半導体素子の素子分離構造を提供することにある。本発明の他の目的は、製造工程でアスペクト比が大きいトレンチ内に容易に素子分離絶縁膜を埋め込み、電界遮蔽のためのシリコンをトレンチ内にエッチバック無しで形成でき、パッド窒化膜側壁のシリコン残留物の生成を防止し、熱酸化によるストレスの発生を防止する半導体素子の素子分離方法を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明に係る半導体素子分離方法は、素子分離領域のシリコン基板をエッチングして第1トレンチを形成するステップと、前記第1トレンチ底面の前記シリコン基板を微細に複数箇所エッチングし、第2トレンチを形成するステップと、前記第1及び第2トレンチ内に素子分離絶縁膜を埋め込むステップとを含む半導体素子の素子分離方法において、前記第1トレンチを形成するステップは、シリコン基板上にパッド絶縁膜を形成するステップと、前記パッド絶縁膜上に素子分離マスクを用いたフォトリソグラフィ工程によりフォトレジストパターンを形成するステップと、前記フォトレジストパターンをマスクとして、前記パッド絶縁膜と前記シリコン基板をエッチングして前記第1トレンチを形成するステップと、前記フォトレジストパターンをストリップするステップと、を含み、前記第2トレンチを形成するステップは、第1トレンチ底面のシリコンとエッチング選択比を有するエッチングマスク層を形成するステップと、前記エッチングマスク層上にHSGを形成するステップと、前記HSGをマスクとして、前記エッチングマスク層をエッチングしてパターニングするステップと、前記パターニングされたエッチングマスクをマスクとして、前記第1トレンチ底面の前記シリコン基板をエッチングするステップとを含み、前記素子分離絶縁膜を埋め込むステップは、前記第1及び第2トレンチのシリコン基板表面に熱酸化による第1酸化膜を形成するステップと、第1酸化膜が形成された基板の全体構造上に化学気相蒸着によって第2酸化膜を形成するステップと、前記第2酸化膜の化学気相蒸着の際、前記第2トレンチ内に少なくとも一つの空洞を形成するステップと、前記パッド絶縁膜が露出するように基板全面を化学機械研磨するステップと、前記パッド絶縁膜を除去するステップを含むことを特徴とする。前記エッチングマスク層は熱酸化によって形成した酸化膜であることが好ましい。前記パッド絶縁膜はバッファ酸化膜とパッド窒化膜を積層して形成する。本発明は、限定された面積で微細な素子分離構造を要求する超高集積素子に非常に有効に適用される。特に微細な幅を有する素子分離構造でも所望の電界遮蔽及びリーク電流抑制の効果を得ることができる。以下、本発明の最も好ましい実施の形態を添付する図面を参照しながら説明する。図5は本発明に係る素子分離構造の一例を示す断面図である。図5に示すように、シリコン基板301の素子分離領域にトレンチTが形成され、トレンチT下部には複数のシリコン柱320Aが形成されている。シリコン柱320Aの表面を含むトレンチT内部には、第1酸化膜303が形成された後、第2酸化膜304がトレンチに埋め込まれる。第1酸化膜303は熱酸化膜であり、第2酸化膜304はCVD酸化膜である。トレンチTは予定された素子分離領域の幅を有する一つの第1トレンチT1と、第1トレンチT1の下に形成された複数の第2トレンチT2からなり、第1トレンチT1は素子分離マスク、及びエッチングにより画定されたものであり、第2トレンチT2は第1トレンチT1の底面のシリコン基板301が微細に複数箇所エッチングされ画定されたものである。シリコン基板301が微細に複数箇所エッチングされ、第2トレンチT2が形成されると共に図5に示す点線Dから上方に伸びる複数個のシリコン柱320Aが第2トレンチT2間に形成される。このように、素子分離構造が第2トレンチの間にシリコン柱が存在する構造であれば、電界遮蔽効果を有しながら、図4の従来技術と比較して素子と素子との間の分離長が大きいため、素子分離膜の側壁に沿って流れるリーク電流を抑制できる。すなわち、微細な素子分離構造を要求する超高集積素子の限定された面積において、電界遮蔽及びリーク電流抑制の効果を得ることができる。シリコン柱は蒸着及びエッチバックによってトレンチ内部に形成されるのではないので、図4の従来技術の有する問題点であるポリシリコン残留物の問題を解決できる。また図5に示すように、第2トレンチT2はその幅が非常に微細で酸化膜304が完全に埋め込まれず空洞Cavity、Cが形成される。この空洞はキャパシタンスが非常に小さいため、RC遅延を誘発するキャパシタンスの減少効果を得ることができる。空洞Cavity、Cは複数個の第2トレンチT2の中で一部にだけ形成され、残りの一部には形成されないこともある。また、第2トレンチT2は完全に埋め込まれなくてもよいため、図4の従来技術と比較してトレンチTに第2酸化膜304を埋め込むことが容易であるという効果がある。酸化膜304は熱酸化ではない化学気相蒸着CVDによって蒸着され、トレンチを埋め込む。したがって、図2の従来技術の有する問題点である熱酸化によるストレスの誘発を防止できる。図6ないし図11は本発明の好ましい実施の形態に係る素子分離方法を示す。ここでは、図5に示す素子分離構造を製造するための方法の一例を示す。図6はシリコン基板401上部にトレンチエッチングのためのエッチングマスク及びCMP時のエッチング停止のためのバッファ酸化膜402とパッド窒化膜403を形成した状態である。バッファ酸化膜402はシリコン基板401とパッド窒化膜403との直接接触によるストレス発生を抑制する機能をする。本実施の形態では、単一層のバッファ酸化膜402を単一層に形成したが、これ以外にもポリシリコン/酸化膜の積層構造が可能であり、窒化酸化膜の使用も可能である。そして、バッファ酸化膜402は省略することもできる。基板401はシリコンウェーハ以外にシリコンエピタキシャル層等をその他のシリコン層とすることができる。次に、図7は素子分離マスクを用いたリソグラフィ工程でパッド窒化膜403とバッファ酸化膜402をエッチングして、パターニングされたパッド窒化膜403A及びパターニングされたパッド酸化膜402Aを形成する。次いで、その下部のシリコン基板401をパターニングされたパッド窒化膜403Aをエッチングマスクとして使用して所定の深さにエッチングすることによって、第1トレンチ404を形成する。この時、第1トレンチ404の深さ及び幅は所望の最終トレンチの深さを考慮して形成する。具体的な過程を説明すれば、パッド窒化膜403上にフォトレジストを塗布し、素子分離マスクを用いた露光及び現像によってフォトレジストパターンを形成する。次いで、フォトレジストパターンをマスクとしてパッド窒化膜403とバッファ酸化膜402をエッチングし、次いでパターニングされたパッド窒化膜をエッチングマスク403Aとして使用して、シリコン基板401をエッチングする。その後、残留するフォトレジストパターンをストリップする。次に、図8は熱酸化によって第1トレンチ404内面のシリコン基板表面に薄い第1酸化膜405を形成し、その上にHSGHemisphericalsilicongrain406を形成した断面図である。第1酸化膜405は後続する工程で第2トレンチを形成するためのエッチングマスクとしての機能をする。エッチングマスク機能のための薄膜として酸化膜以外にCVD蒸着による酸化膜、窒化膜/酸化膜の積層膜等シリコンとエッチング選択比を有する薄膜を用いることができる。次に、図9はHSG406をマスクとして第1酸化膜405を非等方性異方性エッチングした状態であり、第1トレンチ404の底面に形成された第1酸化膜405は局部的に複数箇所エッチングされ酸化膜パターン405Aを形成する。HSG406は幾何学的な谷結晶粒鋳造部分と山結晶粒部分とを有するが、谷部分で第1酸化膜405のエッチングが起こる。次に、図10は酸化膜パターン405Aをマスクとして第1トレンチ404の底面で露出したシリコン基板401をエッチングした状態であり、複数個の第2トレンチ407が形成される。この時、複数個のシリコン柱401Aが第2トレンチ407A、及び407Bの間に存在するようになる。ここで、各々図面符号407A、及び407Bは第2トレンチに含まれる第1、及び第2微細なトレンチである。最後に、図11は熱酸化工程により第2酸化膜408を薄く成長させた後に、CVDにより第1トレンチ404及び第2トレンチ407に第3酸化膜409を埋め込み、化学機械研磨CMP及びパッド窒化膜403の除去等のような通常の過程によって素子分離膜を完成させたものある。第2トレンチは微細なため、第3酸化膜409が部分的に埋め込まれ空洞410が形成される。CMPのターゲットはパッド窒化膜403の表面が露出されるまでとし、パッド窒化膜403の除去は窒化膜除去用ウェットエッチング溶液例えば、H3PO4溶液に基板をディップして実施する。図5、図6ないし図11の実施の形態で、シリコン柱を3個示したが、本発明はその個数よりも、少なくとも一つのシリコン柱が第2トレンチの間に存在するということである。これによって、電界遮蔽機能を附与し、素子分離長を増加させることで、超高集積素子において隣接する素子間のリーク電流を防止/抑制する効果を奏する。また、第2トレンチは完全に埋め込まれないため、空洞を形成するようになればキャパシタンスの減少という付加的な効果を得ることができ、さらに第1トレンチにだけ十分に素子分離用酸化膜を埋め込めばよいため、ギャップフィルされなければならないホールの深さが相対的に浅くなる効果が得られ、酸化膜の埋め込みが容易になる。尚、本発明は、本実施の形態に限られるものではない。本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。