"第114および第216の主要表面を有する支持基板12を設けるステップであって、前記支持基板12がチップ受け領域38および複数のボンディングパッド18,19,20,21を有するステップと、第1の半導体チップ40を前記チップ受け領域38と結合するステップであって、前記第1の半導体チップ40が複数のボンディングパッド46を有するステップと、第2の半導体チップ50を前記第1の半導体チップ40と結合するステップであって、前記第2の半導体チップ50が複数のボンディングパッド56を有するステップと、前記第1の半導体チップ40上の前記複数のボンディングパッド46のうちの第1のボンディングパッド46A,46Bを、前記支持基板12上の前記複数のボンディングパッド18,19,20,21のうちの第1のボンディングパッド18A,18Bと結合するステップと、前記第2の半導体チップ50上の前記複数のボンディングパッド56のうちの第1のボンディングパッド56A,56Bを、前記支持基板12上の前記複数のボンディングパッド18,19,20,21のうちの第2のボンディングパッド19A,19Bと結合するステップと、複数のボンディングパッド86を有する第3の半導体チップ80を前記第2の半導体チップ50と結合するステップであって、前記第3の半導体チップ80が前記第2の半導体チップ50よりも大きいステップと、前記第3の半導体チップ80上の前記複数のボンディングパッド86のうちの第1のボンディングパッド86A,86Bを、前記支持基板12上の前記複数のボンディングパッド18,19,20,21のうちの第3のボンディングパッド20A,20Bと結合するステップと、を備える、マルチチップモジュール10を製造するための方法。前記第1の半導体チップ40が前記第2の半導体チップ50よりも大きく、かつ、前記第2の半導体チップ50を前記第1の半導体チップ40と結合する前に、前記第1の半導体チップ40上の前記複数のボンディングパッド46のうちの前記第1のボンディングパッド46A,46Bを、前記支持基板12上の前記複数のボンディングパッド18,19,20,21のうちの前記第1のボンディングパッド18A,18Bと結合するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記第1の半導体チップ40が前記第2の半導体チップ50よりも大きく、かつ、前記第2の半導体チップ50を前記第1の半導体チップ40と結合した後で、前記第1の半導体チップ40上の前記複数のボンディングパッド46のうちの前記第1のボンディングパッド46A,46Bを、前記支持基板12上の前記複数のボンディングパッド18,19,20,21のうちの前記第1のボンディングパッド18A,18Bと結合するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記第3の半導体チップ80を前記第2の半導体チップ50と結合するステップが、前記第2の半導体チップ50上にスペーサ60を形成するステップと、前記第3の半導体チップ80を前記スペーサ60と嵌合するステップとを含む、請求項1に記載の方法。この種のパッケージは、多数の処理ステップおよびスペーサなどパッケージ要素のコストのため、製造するのが高価である。さらに、追加の半導体チップおよびスペーサが含まれるので、マルチチップモジュールの高さが増し、このことによってマルチチップモジュールのアスペクト比、すなわちマルチチップモジュールの長さに対する高さの比率が増大する。高アスペクト比を有するマルチチップモジュールによって、マルチチップモジュールが中に組み込まれているプリント基板の設計の複雑さが増大する。したがって、低アスペクト比のマルチチップモジュール、および、低アスペクト比のマルチチップモジュールを製造するための方法を有することが、有利となるであろう。この方法および構造が、コスト効率が高くなり、種々のマルチチップモジュールプロセスと集積化するのに適することは、さらなる利点となるであろう。発明の概要マルチチップモジュール、およびマルチチップモジュールを製造するための方法を提供することによって、本発明は前述の必要性を満たす。一実施形態によると、本発明は、第1および第2の主要表面を有する支持基板を設けるステップを含む、マルチチップモジュールを製造するための方法を含み、ここでは、この支持基板が、チップ受け領域と、第1の主要表面上に配置される複数のボンディングパッドとを有する。複数のボンディングパッドを有する最後から2番目の半導体チップは、チップ受け領域と結合される。最後から2番目の半導体チップ上の複数のボンディングパッドのうちの少なくとも1つのボンディングパッドは、第1の主要表面上の複数のボンディングパッドうちの第1のボンディングパッドと結合される。スペーサが、第1の半導体チップのある部分と結合される。最後から2番目の半導体チップの複数のボンディングパッドのうちの少なくとも1つのボンディングパッドを、第1の主要表面上の複数のボンディングパッドのうちの少なくとも1つのボンディングパッドと結合した後に、最後の半導体チップがスペーサと結合される。最後の半導体チップは最後から2番目の半導体チップよりも大きく、複数のボンディングパッドを有する。最後の半導体チップのうちの少なくとも1つのボンディングパッドが、第1の主要表面上の複数のボンディングパッドのうちの第2のボンディングパッドと結合される。別の実施形態によると、本発明は、第1および第2の主要表面を有する支持基板を設けるステップを含む、マルチチップモジュールを製造するための方法を含み、ここでは、この支持基板がチップ受け領域および複数のボンディングパッドを有する。複数のボンディングパッドを有する第1の半導体チップが、チップ受け領域と結合される。複数のボンディングパッドを有する第2の半導体チップが、第1の半導体チップと結合される。第1の半導体チップ上の複数のボンディングパッドのうちの第1のボンディングパッドが、支持基板上の複数のボンディングパッドのうちの第1のボンディングパッドと結合される。第2の半導体チップ上の複数のボンディングパッドのうちの第1のボンディングパッドが、支持基板上の複数のボンディングパッドのうちの第2のボンディングパッドと結合される。複数のボンディングパッドを有する第3の半導体チップが、第2の半導体チップと結合され、ここでは、第3の半導体チップは第2の半導体チップよりも大きい。第3の半導体チップ上の複数のボンディングパッドのうちの第1のボンディングパッドが、支持基板上の複数のボンディングパッドのうちの第3のボンディングパッドと結合される。さらに別の実施形態によると、本発明は、チップ受け領域および複数のボンディングパッドを有する支持基板を備えるマルチチップモジュールを含む。第1の寸法および複数のボンディングパッドを有する第1の半導体チップが、チップ受け領域にマウントされる。第2の寸法および複数のボンディングパッドを有する最後から2番目の半導体チップが、第1の半導体チップと結合され、ここでは、第2の寸法は、第1の寸法よりも小さい。スペーサが、第1の半導体チップと結合される。複数のボンディングパッドおよび第3の寸法を有する最後の半導体チップが、スペーサと結合され、ここでは、第3の寸法は第2の寸法よりも大きい。本発明は、添付の図面と共に以下の詳細な説明を読むことによってより十分に理解されるであろう。図面において、同じ参照番号は同じ要素を表している。詳細な説明一般に、本発明は、マルチチップモジュールおよびマルチチップモジュールを製造するための方法を提供し、ここでは、マルチチップモジュールの半導体チップが垂直に積み重ねられる。好ましくは、マルチチップモジュールの下部の半導体チップが、スペーサのない構成で互いに接着される、すなわち、下位の半導体チップを垂直に分離するのにスペーサが使用されない。一実施形態によると、スペーサが、2つの最も高い半導体チップを分離する。換言すれば、スペーサが、1つ前second-to-lastの半導体チップと最後の半導体チップとの間に配置される。この1つ前の半導体チップは最後から2番目penultimateの半導体チップと呼ばれ、最後または最も高い半導体チップは、最後ultimateの半導体チップと呼ばれる。図1は、本発明の一実施形態による、製造の中間段階でのマルチチップモジュール10のある部分の側断面図である。図1に示されているのは、上面および底面14および16をそれぞれ有するボールグリッドアレーBGA支持構造体12である。BGA支持基板12は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、トリアジン樹脂またはフェノール樹脂などの樹脂から形成される。好ましくは、BGA支持基板12の樹脂材料は、ビスマレイミドトリアジンBT樹脂である。支持基板12の他の適した材料は、エポキシ-ガラス複合材料、FR-4、セラミックなどを含む。基板12はBGA基板であることに限定されず、ピングリッドアレイPGA基板、セラミック基板、プリント回路基板などであってもよいことを理解されたい。ボンディングパッド18Aおよび18B、ボンディングパッド19Aおよび19B、ならびにボンディングパッド20Aおよび20Bが、上面14に形成される。複数のボンディングパッド22が底面16に形成される。ボンディングパッド18A、18B、19A、19B、20A、および20Bが、BGA支持基板12を通って延びる電気相互接続部24、26、28、30、32、および34のそれぞれを介して、ボンディングパッド22A、22B、22C、22D、22E、および22Fにそれぞれ底面16で電気的に接続される。明確にするために、図1には、BGA支持基板12を通って延びる6つの相互接続部のみが示されている。しかし、支持基板12など支持基板の上面にあるボンディングパッドのすべて、またはほとんどすべてが、支持基板の底面にあるボンディングパッドと結合されることを理解されたい。ボンディングパッド18Aおよび18Bは、上面14に形成される複数のボンディングパッド18のうちの2つであることを、さらに理解されたい。同様に、ボンディングパッド19Aおよび19Bは、上面14に形成される複数のボンディングパッド19のうちの2つであり、かつ、ボンディングパッド20Aおよび20Bは、上面14に形成される複数のボンディングパッド20のうちの2つである。複数のボンディングパッド18、19および20は、図3を参照しつつさらに説明され考察されている。さらに図1を参照する。ダイ接着材料36が半導体チップ受け領域38に分配され、半導体チップまたはダイ40がダイ接着材料36の中に配置される。半導体チップ40は、底面42および上面44を有する。半導体チップ40の底面42は、ダイ接着材料36の中に配置される。ボンディングパッド46Aおよび46Bは、上面44に半導体チップ40の両側に隣接して配置される。ボンディングパッド46Aおよび46Bだけが示されているが、ボンディングパッド46Aおよび46Bは、複数のボンディングパッド46の一部であり、この複数のボンディングパッドは図3を参照しつつさらに示されて記載されていることを理解されたい。ボンディングパッド46の位置は、両側に隣接していると限られず、半導体チップ40の全側部、または、半導体チップ40の全側部よりも少なく隣接可能であることをさらに理解されたい。さらに、ボンディングパッド46の数は、本発明を限定するものではない。基板12、半導体チップ40、およびダイ接着材料36の組み合わせが硬化炉に配置され、ダイ接着材料36が硬化する。一例として、約5分から約60分にわたる時間、摂氏約100度°Cから約175°Cにわたる温度まで加熱することによって、ダイ接着材料36が硬化する。適するダイ接着材料には、銀充填エポキシ、シリカ充填エポキシ混合物、有機物質が充填されたエポキシフィルムなどが含まれる。ダイ接着材料36を硬化させた後、ダイ接着材料48が上面44の中央部分に配置され、上面および底面54および52をそれぞれ有する半導体チップまたはダイ50が、ダイ接着材料48に配置される。より詳細には、半導体チップ50の底面52が、ダイ接着材料48の中に配置される。ボンディングパッド56Aおよび56Bが、上面54に半導体チップ50の両側に隣接して配置される。ボンディングパッド56Aおよび56Bしか示されていないが、ボンディングパッド56Aおよび56Bは、複数のボンディングパッド56の一部であり、この複数のボンディングパッドが、図3を参照しつつさらに示され説明されることを理解されたい。半導体チップ40のように、ボンディングパッド56の位置は、半導体チップ50の両側に隣接していると限られず、半導体チップ50の全側部、または、半導体チップ50の全側部よりも少なく隣接していることができる。また、ボンディングパッド56の数は、本発明を限定するものではない。基板12、半導体チップ40、ダイ接着材料36、半導体チップ50、およびダイ接着材料48の組み合わせが、硬化炉に配置され、ダイ接着材料48が硬化する。一例として、約5分から約60分にわたる時間、摂氏約100度°Cから約175°Cにわたる温度まで加熱することによって、ダイ接着材料48が硬化する。適するダイ接着材料には、銀充填エポキシ、シリカ充填エポキシ混合物、有機物質が充填されたエポキシフィルムなどが含まれる。ダイ接着材料48を硬化させた後、ダイ接着材料58が上面54の中央部分に配置され、上面および底面64および62をそれぞれ有するスペーサ60が、ダイ接着材料58に配置される。スペーサ60は、誘電材料または例えばシリコンなどの半導体材料であってもよい。約5分から約60分にわたる時間、摂氏約100度°Cから約175°Cにわたる温度までダイ接着材料58を加熱することによって、ダイ接着材料58が硬化する。適したダイ接着材料には、銀充填エポキシ、シリカ充填エポキシ混合物、有機物質が充填されたエポキシフィルムなどが含まれる。次に図2を参照する。たとえばワイヤボンディング処理を使用して、半導体チップ40上のボンディングパッド46が、BGA基板12上の対応するボンディングパッド18に電気的に接続されている。図2に示されているのは、相互接続ワイヤ66Aによってボンディングパッド18Aと結合されるボンディングパッド46A、および、相互接続ワイヤ66Bによってボンディングパッド18Bと結合されるボンディングパッド46Bである。同様に、たとえばワイヤボンディング処理を使用して、半導体チップ50上のボンディングパッド56が、BGA基板12上の対応するボンディングパッド19に電気的に接続されている。より詳細には、ボンディングパッド56Aが、相互接続ワイヤ68Aによってボンディングパッド19Aと結合され、ボンディングパッド56Bが、相互接続ワイヤ68Bによってボンディングパッド19Bと結合されている。図2において4つの相互接続ワイヤしか示されていないが、複数の相互接続部66および68は一般的に2つ以上の相互接続ワイヤを備えることを理解されたい。複数の相互接続ワイヤ66および68が、図3を参照しつつさらに示され考察されている。ワイヤボンディングの順序は本発明を限定するものではないことを理解されたい。たとえば、半導体チップ50が半導体チップ40に取付けられたあとではなくむしろ、半導体チップ50がダイ接着材料58によって半導体チップ40と結合される前に、半導体チップ40上のボンディングパッド46が、BGA基板12上の対応するボンディングパッド18に電気的に接続されることが可能である。次に図3を参照する。マルチチップモジュール10の上面図が示されており、ここでは、この上面図は図2に示された製造段階と同じ製造段階を示すものである。換言すれば、図2は、図3の切断線2-2に沿った側断面図である。図3は、複数のボンディングパッド18、複数のボンディングパッド19、複数のボンディングパッド20、複数のボンディングパッド46、複数のボンディングパッド56、複数のワイヤ相互接続部66、複数のワイヤ相互接続部68、ならびに、図2に示される個々のボンディングパッド18A、18B、19A、19B、20A、および20Bと、個々の相互接続部56Aおよび56Bとをさらに示している。さらに、図3は、スペーサ60およびダイ接着材料36を示している。半導体チップ40および50ならびにスペーサ60が長方形の形状を有するように示されているが、これらの形状は、本発明を限定するものではない。たとえば、半導体チップ40および50ならびにスペーサ60は、正方形の形状、丸い形状、三角形の形状、五角形の形状、他の多角形の形状などを有することができる。半導体チップ40および50は、矢印41および51で示される寸法を有する。本発明の一実施形態によると、寸法41および51は、ボンディングパッド46および56がそれぞれ隣接する半導体チップ40および50の側部の長さである。寸法51は、寸法41よりも小さい。次に図4を参照する。製造がさらに進んだマルチチップモジュール10の側断面図が示されている。ダイ接着材料78がスペーサ60の上面64の中心部分に配置され、底面82および上面84を有する半導体チップまたはダイ80がダイ接着材料78に配置される。より詳細には、半導体チップ80の底面82が、ダイ接着材料78に配置される。複数のボンディングパッド86Aおよび86Bが、上面84に半導体チップ80の両側に隣接して配置される。ボンディングパッド86Aおよび86Bしか示されていないが、ボンディングパッド86Aおよび86Bは、複数のボンディングパッド86の一部であり、この複数のボンディングパッド86は、図5を参照しつつさらに示され説明されていることを理解されたい。半導体チップ40および50のように、ボンディングパッド86の位置は、半導体チップ80の両側に隣接していると限られず、半導体チップ80の各側部、または、半導体チップ80の全側部よりも少なく隣接していることができる。また、ボンディングパッド86の数は、本発明を限定するものではない。基板12、ダイ接着材料36、半導体チップ40、ダイ接着材料48、半導体チップ50、ダイ接着材料58、スペーサ60、ダイ接着材料78、および半導体チップ80の組み合わせが硬化炉に配置され、ダイ接着材料78が硬化する。一例として、約5分から約60分にわたる時間、約100°Cから約175°Cにわたる温度まで加熱することによって、ダイ接着材料78が硬化する。適するダイ接着材料には、銀充填エポキシ、シリカ充填エポキシ混合物、有機物質が充填されたエポキシフィルムなどが含まれる。簡単に図5を参照する。矢印81で表示される寸法を有する半導体チップ80が示されている。本発明の一実施形態によると、寸法81は、ボンディングパッド86に隣接する半導体チップ80の側部の長さである。寸法81は寸法51より大きく、寸法81は寸法41より大きく、または寸法41より小さくてもよい。寸法41、51および81を画成する側部は、本発明を限定するものではないことを理解されたい。再び図4を参照する。半導体チップ80は半導体構成品10での最後であるかまたは最も高い半導体チップなので、半導体チップ80は、最後の半導体チップと呼ばれる。半導体チップ80が上にマウントされている半導体チップ50は、最後の半導体チップの次にあり、半導体チップ50は最後から2番目の半導体チップと呼ばれる。3つの半導体チップが示され説明されているが、半導体チップの数は、本発明を限定するものではない。半導体基板12の上に積み重ねられる半導体チップは、4つ以上あってもよい。半導体基板12上に積み重ねられる半導体チップが4つ以上ある場合、最後であるか最も高いチップは最後の半導体チップと呼ばれ、最後の半導体チップのすぐ下にある半導体チップ、すなわち1つ前の半導体チップは、最後から2番目の半導体チップと呼ばれる。さらに図4を参照する。たとえばワイヤボンディング処理を使用して、半導体チップ80上のボンディングパッド86が、BGA基板12上の対応するボンディングパッド20に電気的に接続されている。図4に示されているのは、相互接続ワイヤ88Aによってボンディングパッド20Aと結合されるボンディングパッド86A、および、相互接続ワイヤ88Bによってボンディングパッド20Bと結合されるボンディングパッド86Bである。図4には2つの相互接続ワイヤしか示されていないが、複数の相互接続部88は一般的に、3つ以上の相互接続ワイヤを備えることを理解されたい。複数の相互接続ワイヤ88が、図5を参照しつつさらに示され考察されている。再び図5を参照する。マルチチップモジュール10の上面図が示されており、ここでは、この上面図は図4に示された製造段階と同じ製造段階を示すものである。換言すれば、図4は、図5の切断線4-4に沿った側断面図である。図5は、複数のボンディングパッド86、複数のボンディングパッド20、および複数のワイヤ相互接続部88、ならびに、個々のボンディングパッド20Aおよび20Bと個々の相互接続部88Aおよび88Bとをさらに示している。半導体チップ80が長方形の形状を有するように示されているが、このことは、本発明を限定するものではない。たとえば、半導体チップ80は、正方形の形状、丸い形状、三角形の形状、多角形の形状などを有することができる。半導体チップ40および50ならびにスペーサ60が図5では破線で示されていることに注意されたい。次に図6を参照する。保護被覆90は、半導体チップ80と、相互接続ワイヤ88Aおよび88Bと、BGA支持基板12とをおおって形成されている。図6で示されている保護被覆90は、半導体チップ40、50、および80と、半導体基板12の一部とをおおって形成されている。一例として、保護被覆90は、モールドコンパウンドである。保護被覆のタイプは、モールドコンパウンドであることに限られず、たとえば、蓋または他の適した保護材料であってもよいことを理解されたい。はんだボール95は、ボンディングパッド22と結合される。図7は、本発明の別の実施形態によるマルチチップモジュール100の側断面図である。図7に示されているのは、上に半導体チップ40および50が積み重ねられた支持基板12である。取付け半導体チップ40の支持基板12への取付け、および、半導体チップ50の半導体チップ40への取付けが、図1を参照しつつ説明されている。ダイ接着材料48を硬化させた後、ダイ接着材料101が上面54の中央部分に配置され、上面および底面106および108をそれぞれ有する半導体チップまたはダイ102が、ダイ接着材料101に配置される。より詳細には、半導体チップ102の底面108は、ダイ接着材料101に配置される。ボンディングパッド110Aおよび110Bは、上面106に半導体チップ102の両側に隣接して配置される。ボンディングパッド110Aおよび110Bしか示されていないが、ボンディングパッド110Aおよび110Bは、複数のボンディングパッド110の一部であることを理解されたい。半導体チップ40および50のように、ボンディングパッド110の位置は、半導体チップ102の両側に隣接していると限られず、半導体チップ102の各側部、または、半導体チップ102の全側部よりも少なく隣接していることができる。また、ボンディングパッド110の数は、本発明を限定するものではない。基板12、半導体チップ40、ダイ接着材料36、半導体チップ50、ダイ接着材料101、および半導体チップ102の組み合わせが、硬化炉に配置され、ダイ接着材料101が硬化する。適したダイ接着材料および硬化プロセスは、図1を参照しつつ説明されてきた。ダイ接着材料101を硬化させたあと、ボンディングパッド110Aが、相互接続ワイヤ111Aによってボンディングパッド20Aと結合され、ボンディングパッド110Bが、相互接続ワイヤ111Bによってボンディングパッド20Bと結合される。図7において2つの相互接続ワイヤ111Aおよび111Bしか示されていないが、一般的に、半導体チップ102上に配置された3つ以上のボンディングパッド110、および、このボンディングパッド110を支持構造体12上のボンディングパッドに結合する3つ以上の相互接続ワイヤがあることを理解されたい。複数の相互接続ワイヤは、参照番号111で特定されている。したがって、支持基板12上の対応するボンディングパッド20に半導体チップ102上のボンディングパッド110を結合する相互接続ワイヤが、3つ以上ある。ワイヤボンディングした後、ダイ接着材料112が上面106の中央部分に配置され、上面および底面116および118をそれぞれ有するスペーサ114が、ダイ接着材料112に配置される。スペーサ114は、誘電材料または例えばシリコンなどの半導体材料であってもよい。適したダイ接着材料および硬化プロセスは、図1を参照しつつ説明されてきた。ダイ接着材料120がスペーサ114の上面116の中央部分に配置され、底面128および上面130を有する半導体チップまたはダイ126が、ダイ接着材料120に配置される。より詳細には、半導体チップ126の底面128が、ダイ接着材料120の中に配置される。複数のボンディングパッド132は、上面130に半導体チップ126の両側に隣接して配置される。半導体チップ40、50、および102のように、ボンディングパッド132の位置は、半導体チップ126の両側に隣接していると限られず、半導体チップ126の各側部、または、半導体チップ126の全側部よりも少なく隣接可能である。また、ボンディングパッド132の数は、本発明を限定するものではない。ボンディングパッド132Aおよび132Bしか示されていないが、ボンディングパッド132Aおよび132Bは、複数のボンディングパッド132の一部であることを理解されたい。基板12、ダイ接着材料36、半導体チップ40、ダイ接着材料48、半導体チップ50、ダイ接着材料101、半導体チップ102、ダイ接着材料112、スペーサ114、ダイ接着材料120、および半導体チップ126の組み合わせが硬化炉に配置され、ダイ接着材料120が硬化する。適したダイ接着材料および硬化プロセスは、図1を参照しつつ説明されてきた。ダイ接着材料120を硬化させた後、ボンディングパッド132Aは、相互接続ワイヤ133Aによってボンディングパッド21Aと結合され、ボンディングパッド132Bは、相互接続ワイヤ133Bによってボンディングパッド21Bと結合される。図7において2つの相互接続ワイヤ133Aおよび133Bしか示されていないが、相互接続ワイヤ133Aおよび133Bは複数の相互接続部133の一部であることを理解されたい。一般的に、半導体チップ126上に配置されるボンディングパッド132は3つ以上あり、基板12上に配置されるボンディングパッド21は3つ以上ある。したがって、半導体チップ126上のボンディングパッド132を支持基板12上の対応するボンディングパッド21と結合する相互接続ワイヤ133は、3つ以上ある。半導体チップ126は、半導体チップ102の寸法よりも大きな寸法を有する。本発明の一実施形態によると、この寸法は、ボンディングパッド132に隣接する半導体チップ126の側部の長さである。この寸法は、半導体チップ102の対応する寸法よりも大きい。この寸法は、寸法41より大きく、または図3を参照しつつ説明されるように寸法41より小さくてもよい。寸法を画成する側部は、本発明を限定するものではないことを理解されたい。半導体チップ126は、半導体構成品100での最後であるかまたは最も高い半導体チップなので、半導体チップ126は最後の半導体チップと呼ばれる。半導体チップ126が上にマウントされている半導体チップ102は、最後の半導体チップの次にあり、半導体チップ102は最後から2番目の半導体チップと呼ばれる。半導体チップ50は中間半導体チップと呼ばれる。保護被覆90が、半導体チップ126と、相互接続ワイヤ133Aおよび133Bと、BGA支持基板12とをおおって形成されている。図7で示されている保護被覆90は、半導体チップ40、50、および102と、半導体基板12の一部とをおおって形成されている。一例として、保護被覆90は、モールドコンパウンドである。保護被覆のタイプは、モールドコンパウンドであることに限られず、たとえば、蓋または他の適した保護材料であってもよいことを理解されたい。はんだボール95は、ボンディングパッド22と結合される。ここまで、垂直に積み重ねられた半導体チップを有するマルチチップモジュール、およびこのマルチチップモジュールを製造するための方法が提供されてきたことを理解されたい。本発明によるマルチチップモジュールの利点は、本発明によるマルチチップモジュールによって、半導体チップ間のスペーサの数が減少し、それによって、製工材料のコストおよび処理ステップの数を低減することである。それぞれ連続した半導体チップが、最後の半導体チップを除いて、下にある半導体チップよりも小さいので、半導体チップの下からしぼり出し、半導体チップ上のボンディングパッドをおおうダイ接着材料と関連した問題が排除される。その上、ダイ接着剤材料よりもむしろ接着フィルムが使用される場合、半導体チップの寸法を減少させることによって、チップオフセット、すなわち、1つの半導体チップの別の半導体チップへの所望の位置決めと実際の位置との差と関連した問題が排除される。さらに、この方法は、コストおよび時間の効率的な方法でマルチチップモジュールのプロセスフローに容易に集積可能である。いくつかの好ましい実施形態および方法が本願明細書に開示されてきたが、このような実施形態および方法の変形および改変が本発明の精神と範囲から逸脱することなくなされてもよいことは、前述の開示から当業者にとって明らかであろう。たとえば、半導体チップは、互いに、ならびに支持基板に、ワイヤボンディングされてもよい。あるいは、半導体チップをスペーサおよび互いに結合するために、ダイ接着材料ではなく接着剤が使用されてもよい。接着剤を使用する利点は、接着剤は硬化する必要がないことである。本発明は、添付の請求の範囲によって必要とされる範囲、および準拠法の原則および原理だけに限られるべきであることが意図される。"