"プラズマを受け入れる第1のボリューム及び基板を処理する第2のボリュームを有するプロセスチャンバと、前記第2のボリューム内に配置される基板サポートと、前記第1のボリュームと前記第2のボリュームとの間で前記プロセスチャンバ内に配置されるプラズマフィルタと、を備え、前記第1のボリュームで形成されたプラズマが、前記プラズマフィルタを通過してのみ前記第1のボリュームから前記第2のボリュームへ流入できるようになった、基板処理システム。前記プロセスチャンバに結合されたプロセスキットを更に備え、前記プラズマフィルタが、前記プロセスキット内に配置される、請求項1に記載の基板処理システム。前記プロセスキットが、前記プロセスチャンバの壁に載るように構成された第1の外側エッジと、第1の内側エッジとを有するリングと、前記リングの前記第1の内側エッジから下方に延び、前記基板サポートの上方の開口を定める側壁を有するボディと、前記ボディの前記側壁から前記開口内で前記基板サポートの上方に延びるリップと、を更に備え、前記第1のボリュームが少なくとも部分的に前記開口内に配置され、前記プラズマフィルタが前記リップ上に支持される、請求項2に記載の基板処理システム。前記第2のボリュームが、前記リップ、前記プラズマフィルタ、前記ボディ、及び前記基板サポートによって定められる、請求項3に記載の基板処理システム。前記プロセスキットの上方に配置される誘電性蓋部を更に備える、請求項3に記載の基板処理システム。前記第1のボリュームが、少なくとも前記リング、前記リップ、前記プラズマフィルタ、及び前記誘電性蓋部によって定められる、請求項5に記載の基板処理システム。前記誘電性蓋部が、ドーム形状である、請求項5に記載の基板処理システム。前記誘電性蓋部に隣接して配置され、RF電力を前記第1のボリュームに結合して前記第1のボリューム内にプラズマを発生させる誘導コイルを更に備える、請求項5に記載の基板処理システム。前記プラズマフィルタが、前記プラズマフィルタの第1のボリュームに対向する表面から前記プラズマフィルタの第2のボリュームに対向する表面に貫通する複数の開口を更に備え、前記複数の開口が、前記第1のボリュームを前記第2のボリュームに流体連通させる、請求項1から請求項8のいずれかに記載の基板処理システム。前記複数の開口における開口の数が、プラズマが前記第1のボリュームから前記第2のボリュームに移動する際に前記プラズマ中のイオン電流を低減させるのに十分なものである、請求項9に記載の基板処理システム。前記複数の開口における開口の密度が、プラズマが前記第1のボリュームから前記第2のボリュームに移動する際に前記プラズマ中のイオン電流を低減させるのに十分なものである、請求項9に記載の基板処理システム。前記複数の開口における各開口の直径が、プラズマが前記第1のボリュームから前記第2のボリュームに移動する際に前記プラズマ中のイオン電流を低減させるのに十分なものである、請求項9に記載の基板処理システム。前記プラズマフィルタが、石英を備える、請求項1から請求項8のいずれかに記載の基板処理システム。前記基板サポートが、基板が前記基板サポート上に配置される場合に、前記基板を所望の温度に加熱するヒーターを更に備える、請求項1から請求項8のいずれかに記載の基板処理システム。前記基板サポートが、基板が前記基板サポート上に配置される場合に、前記基板を前記基板サポートの表面に固定するチャック電極を更に備える、請求項1から請求項8のいずれかの記載の基板処理システム。従って、本発明者らは改良されたプレクリーンチャンバを提供する。本明細書では、基板を処理する装置が開示される。特定の実施形態において、基板処理システムは、プラズマを受け入れる第1のボリュームと基板を処理する第2のボリュームとを有するプロセスチャンバと、第2のボリューム内に配置される基板サポートと、第1のボリュームと第2のボリュームとの間でプロセスチャンバ内に配置されるプラズマフィルタとを備えることができ、第1のボリュームで形成されたプラズマは、プラズマフィルタを通過してのみ第1のボリュームから第2のボリュームに流入することができる。特定の実施形態において、基板処理システムは、プロセスチャンバに結合されたプロセスキットを含み、プラズマフィルタはプロセスキット内に配置される。特定の実施形態において、基板処理システムは、第1のボリュームと第2のボリュームとを有するプロセスチャンバと、第2のボリューム内に配置される基板サポートと、プロセスチャンバの壁に載るように構成された第1の外側エッジ及び第1の内側エッジを有するリングと、リングの第1の内側エッジから下方に延び、基板サポートの上方の開口を定める側壁を有するボディと、ボディの側壁から基板サポートの上方の開口内に延びるリップと、リップの第2の内側エッジによって支持される周辺エッジを有するプラズマフィルタとを含み、第1のボリュームで形成されたプラズマは、プラズマフィルタを通過してのみ第1のボリュームから第2のボリュームに流入することができる。本発明の他の更なる実施形態を以下に説明する。前記に簡潔にまとめ以下に詳細に説明する本発明の実施形態は、添付図面に示す本発明の例示的な実施形態を参照することで理解できる。しかしながら、添付図面は、本発明の典型的な実施形態を示すものであり、発明の範囲を限定するとみなすべきではなく、本発明は、他の同じように有効な実施形態を許容することに留意されたい。理解を容易にするために、可能であれば、各図に共通な同一要素を示すために同一の参照符号を使用する。各図は一定の比率で描かれておらず、明確にするため簡略化されている場合もある。1つの実施形態の要素及び特徴は、さらに記述することなく他の実施形態に好都合に組み込めることが意図されている。本明細書には基板を処理する装置が開示される。本発明の装置の実施形態は、装置内に配置された基板をクリーニングするのに使用するプラズマのイオン電流を好都合に低減できる。例えば、低減されたイオン電流は、基板を損傷することなく、エッチング残渣、酸化物等の汚染物質を除去するために好都合に使用できる。本発明の装置の実施形態は、例えば、低誘電率材料にトレンチ、バイア等を形成するためにエッチングされた低誘電率材料を有する基板等の汚染物質を有する適切な基板をクリーニングするために利用できる。例えば、金属相互接続構造を形成するためのバックエンドオブラインBEOL処理の前に、エッチング残渣、酸化物等を除去して金属表面を露出させるために、本発明の装置で基板をクリーニングすることができる。非限定的な実施例において、本発明の実施形態は、寄生容量を低減することで製品性能を向上させる多孔質の超低ULK誘電体を有する最新の相互接続構造をクリーニングするために利用できる。高いカーボン含量のため、ULK誘電体は、プラズマ処理に敏感となる場合がある。特定の実施形態において、ULK誘電体は、約2.5以下の誘電率を有することができる。本発明の実施形態は、限定されるものではないが、約40nm又はそれ以下等の任意の適切なデバイスノードで基板をクリーニングするために利用できる。図1は、本発明の特定の実施形態による基板処理システムを示す。例えば、特定の実施形態において、基板処理システムは、カリフォルニア州サンタクララ所在のAppliedMaterials,Inc.から入手できるPrecleanIIchamber等のプレクリーンチャンバとすることができる。また、他のプロセスチャンバは、本明細書の教示に従って修正することができる。全体的には、基板処理システム40は、第1のボリューム73及び第2のボリューム75を有するプロセスチャンバ72を備える。第1のボリューム73は、プラズマ77を受け取る例えば、導入又は形成されるプロセスチャンバ72の一部を含むことができる。第2のボリューム75は、基板がプラズマ77からの反応物で処理されるプロセスチャンバ72の一部を含むことができる。例えば、基板サポート42は、プロセスチャンバ72の第2のボリューム75内に配置できる。プラズマフィルタ89は、第1のボリューム73と第2のボリューム75との間でプロセスチャンバ72内に配置できるので、第1のボリューム73内で形成されたプラズマ77又はプラズマ77から形成された反応物は、プラズマフィルタ89を通過してのみ第2のボリューム75に到達できる。基板処理システム40は、プロセスチャンバに結合されるガス入口76を含み、第1のボリューム内にプラズマ77を形成するために利用できる1又はそれ以上のプロセスガスを供給するようになっている。例えば、ガス排出部78は、第2のボリューム75を含むチャンバ72の下側部分でプロセスチャンバ72に結合することができる。特定の実施形態において、プロセスチャンバ72内でプラズマ77を発生させるために、RF電源74を誘導コイル98に接続することができる。代替的に図示せず、プラズマは、例えば、遠隔プラズマ源等によって遠隔的に発生させ、プロセスチャンバの第1のボリューム73に流入させることができる。特定の実施形態において、電源80は、基板サポート42に接続して、基板54が基板サポート42の表面上に存在する場合に、基板54へのイオンフラックスを制御することができる。例えば、基板処理システム40は、基板処理システム40の1つ又はそれ以上のコンポーネントを制御して基板54上の操作を行うためのコントローラ110を含むことができる。基板処理システム40の他の更なるコンポーネントは以下に説明する。プロセスチャンバ72は、壁82、底部84、及び頂部86を含む。誘電性蓋部88は、頂部86の下方でプロセスキット90の上方に配置することができ、プロセスキット90はプロセスチャンバ72に結合され、プラズマフィルタ89を保持するように構成される。誘電性蓋部88は、図1に示すようにドーム形状とすることができる。誘電性蓋部88は、ガラス又は石英等の絶縁材料でできており、通常は、システム40において所定数の基板を処理した後に交換できる交換可能部品である。誘導コイル98は、誘電性蓋部88の周りに配置してRF電源74に接続することができ、RF電力を第1のボリューム73に対して誘導結合させて第1のボリューム73内にプラズマ77を形成することができる。別の方法として、又は誘導コイル98と組み合わせて、第1のボリューム73内にプラズマ77を形成するために、又は第1のボリューム73に第1のプラズマ77を供給するために、遠隔プラズマ源図示せずを使用することができる。プロセスキット90は、プロセスチャンバ72の壁82に上に載るように構成された第1の外側エッジ93を有する、フランジ等のリング91を含むことができる。例えば、図1に示すように、リング91は壁82の上に載ることができ、誘電性蓋部81及び頂部86を有する。しかしながら、図1に示す実施形態は単に例示的なものであり、他の実施形態も可能である。例えば、リングは、壁82から内側に延びるリップ等の、チャンバの内部特徴部図示せずの上に載ることができる。リング91は、第1の内側エッジ95を更に含むことができる。プロセスキット90は、リング91の第1の内側エッジ95から下方に延びるボディ97を含むことができる。ボディ97は、基板サポート42の上方の開口100を定める側壁99を含むことができる。例えば、図1に示すように、開口100の直径は、基板サポート42の直径を超えることができる。例えば、基板サポート42とボディ97の側壁99との間に形成されるギャップ102は、排気部78に排気されるプロセスガス、副生成物、及び他の物質のための流路として利用できる。プロセスキット90は、ボディ97の側壁99から基板サポート42の上方の開口100内に延びるリップ104を含むことができる。リップ104は、以下に説明するように、プラズマフィルタ89を保持するように構成することができる。リップ104は、ボディ97の側壁99から、例えば、図1に示すようにリング91の下方の側壁99に沿った位置から延びることができる。もしくは、リップ104は、リング91とほぼ同じレベルにあるように、リング91の位置に隣接してボディ97から延びることができる。誘導結合との干渉を防止すると共にプラズマフィルタ89の下方で何らかの漂遊プラズマが発生するのを防止するために、プラズマフィルタ89が誘導コイル98の平面の下方に存在するように、リップ104は、ボディ97から任意の適切な位置で延びることができる。リップ104は、プラズマフィルタ89の周辺エッジを第2の内側エッジ106の上に支持するように構成される、第2の内側エッジ106を有することができる。例えば、第2の内側エッジ106は、第2の内側エッジ106の周りに配置されるリセス108を含むことができ、プラズマフィルタ89はリセス108内に保持される。しかしながら、リセス108は、プラズマフィルタ89を保持するための単なる1つの例示的な実施形態であり、他の適切な保持機構を利用することもできる。プロセスキット90は、システム40で行われるプロセスに適合する任意の適切な材料を備えることができる。プロセスキット90のコンポーネントは、第1のボリューム73及び第2のボリューム75の形成に貢献できる。例えば、第1のボリューム73は、少なくともリング91、リップ104、プラズマフィルタ89、及び誘電性蓋部88によって定めることができる。例えば、特定の実施形態において、図1に示すように、第1のボリューム73は、更に、ボディ97の側壁99によって定めることができる。例えば、第2のボリューム75は、リップ104、プラズマフィルタ89、ボディ97、及び基板サポート42によって定めることができる。図2は、本発明の特定の実施形態によるプラズマフィルタ89の斜視図を示す。特定の実施形態において、プラズマフィルタ89は、プラズマフィルタ89の第1のボリューム73に対向する表面83からプラズマフィルタ89の第2のボリューム75に対向する表面85にプラズマフィルタ89を貫通して配置される、複数の開口87を有するプレート202を備える。複数の開口87は、第1のボリューム73と第2のボリューム75とを流体連通させる。プレート202は、石英等の誘電体材料又はプロセス化学に適合する他の材料で作製することができる。特定の実施形態において、プレート202は、スクリーン又はメッシュを備えることができ、スクリーン又はメッシュの開口面積は、開口87によってもたらされる所望の開口面積に対応する。もしくは、プレートとスクリーン又はメッシュとの組み合わせも利用できる。プラズマフィルタ89は、プロセスチャンバ内でプラズマ77が形成された後、プラズマ77のイオン電流を制限するために使用できる。例えば、プラズマ77のイオン電流は、プラズマフィルタ89の1つ又はそれ以上の態様を調節することで調整できる。例えば、複数の開口87は、サイズ、間隔、及び/又はプレート202の表面全域での幾何学的配置を変えることができる。例えば、プラズマ77が第1のボリューム73から第2のボリューム75に移動する際にプラズマ77のイオン電流を低下させるのに十分なように、複数の開口における開口87の数を選択することができる。開口87のサイズは、約0.03インチ007cmから約3インチ7.62cmの範囲にある。開口87は、約2パーセントから約90パーセントのプレート202の表面の開口面積を定めるように配置することができる。特定の実施形態において、1つ又はそれ以上の開口87は、約30パーセントの開口面積を定める正方格子パターンに配置された、複数の約1/2インチ1.25cm径の孔を含む。孔は、他のサイズの孔又は様々なサイズの孔を利用して他の幾何学的な又はランダムなパターンに配置できることが意図される。孔のサイズ、形状、及びパターン形成は、第2のボリューム75の所望のイオン密度に応じて変えることができる。例えば、第2のボリューム75のラジカル対イオン密度比を高めるために、小径の多数の孔を使用することができる。他の状況において、第2のボリューム75のイオン対ラジカル密度比を高めるために、少し大きい孔と小さい孔を散在させることができる。もしくは、第2のボリューム75のイオン分布が等高を示すように、大きな孔をプレート202の特定の区域に配置することができる。代替的に、又は組み合わせて、例えば、プラズマフィルタ89上の各開口87の位置決めは、同じ目的のために選択することができる。例えば、位置決めは、プラズマ77が中心付近で高いイオン密度となりシース付近で低い密度となるように、プラズマ77のイオン密度に対応するように選択できる。例えば、プラズマ77の何らかのこのような不均一性存在する場合は、プラズマフィルタ89の中心付近で開口が高密度となりプラズマフィルタ89のエッジ付近で低密度となることによる等で説明できる。従って、複数の開口87の開口87の密度は、プラズマ77が第1のボリューム73から第2のボリューム75に移動する際にプラズマ77のイオン電流を低下させるのに十分であるように選択できる。プラズマフィルタ89の他の態様を、プラズマ77のイオン電流を調整するために使用できる。代替的に又は前述の態様と組み合わせて、例えば、複数の開口87の各開口87の直径は、プラズマ77が第1のボリューム73から第2のボリューム75に移動する際にプラズマ77のイオン電流を低下させるのに十分であるように選択できる。例えば、開口87は、各開口87の直径がプラズマ77のシース幅よりも小さい場合に、第2のボリューム75に到達するイオン電流を制限することができる。代替的に又は前述の態様と組み合わせて、例えば、プラズマフィルタ89の厚さは、各開口89の長さを変えてプラズマ77のイオン電流を制御するように調整できる。開口87によってラジカル及び他の中性ガス化学種は第2のボリューム75に到達することができ、基板サポート42上にある基板の処理が可能となる。更に、プラズマフィルタ89は、基板サポート42上に配置される基板上の複数の開口87のパターンの何らかの影響をスミアアウトする拡散を可能とするように、リップ104の場所によって、及び/又はプラズマサポート89に対する基板サポート42の表面の位置によって、基板サポート42の上方に十分に離れて置くことができる。システム40に戻ると、ガス入口76はプロセスガス供給部92に結合され、処理時にプロセスガスをシステム40に導入する。図示のように、ガス入口76は、誘電性蓋部88を経由して第1のボリューム73に結合される。しかし、ガス入口76は、何らかの適切な箇所で第1のボリューム73に結合できる。ガス排出部78は、サーボ制御スロットルバルブ94及び真空ポンプ96を備える。真空ポンプ96は、処理の前にシステム40を真空排気する。処理時に、真空ポンプ96及びサーボ制御スロットルバルブ94は、処理時のシステム40内部を所望の圧力に維持する。特定の実施形態において、プロセスガスは、水素H2、ヘリウムHe等の1つ又はそれ以上を含むことができる。特定の実施形態において、プロセスガスはH2とHeとの混合物を含み、H2は約5である。基板サポート42は、全体的には1つ又はそれ以上のヘッダー44、RF電極46、及びチャック電極48を備える。例えば、RF電極46はチタンを含むことができ、処理時にRFバイアスを供給する電源80に接続することができる。RF電極46にバイアス電力を使用すると、プラズマイグニション及び/又はイオン電流の制御を助長できる。しかしながら、RF電極46からのバイアス電力は、システム40の全ての実施形態には適合できない場合もある。従って、この場合には、プラズマイグニションは他の手段によって実現する必要がある。例えば、十分に高い圧力ガスの種類に応じてにおいて、誘導コイル98と第1のボリューム73との間の容量結合によってプラズマイグニションが可能となる。基板サポート42は、基板54が基板サポート上に配置される場合、基板54を基板サポート42の表面に固定するためのチャック電極48を含むことができる。チャック電極48は、マッチング回路図示せずを経由してチャック電源50に接続することができる。チャック電源50は、約2MHz、又は約13.56MHz、又は約60MHzの周波数で12,000Wまで発生できる。特定の実施形態において、チャック電源50は、連続又はパルス電力を供給できる。特定の実施形態において、チャック電源は、DC又はパルスDC電源とすることができる。基板サポートは、基板54が基板サポート42上に配置される場合、基板54を所望の温度に加熱するためのヒーター44を含むことができる。ヒーター44は、基板温度を制御するのに適切な任意の種類のヒーターとすることができる。例えば、ヒーター44は抵抗ヒーターとすることができる。このような実施形態において、ヒーター44は、ヒーター44に電力を供給するように構成された電源52に接続して、ヒーター44の加熱を促進することができる。特定の実施形態において、ヒーター44は、基板サポート42の表面の上方又は表面に近接して配置することができる。代替的に又は組み合わせて、特定の実施形態において、ヒーターは、基板サポート42に埋め込むことができる。ヒーター44の数及び配列は、基板54の温度に対して付加的な制御をもたらすために変えることができる。例えば、2つ以上のヒーターを利用する実施形態において、ヒーターは、基板54全域の温度制御を助長するために複数の区域に配置することができるので、強化された温度制御が可能になる。コントローラ110は、中央処理装置CPU112、メモリ114、及びCPU112のためのサポート回路116を備え、システム40のコンポーネントの制御、従ってシステム40の基板を処理する方法を助ける。コントローラ110は、様々なチャンバ及びサブプロセッサを制御するための工業環境に使用できる任意の種類の汎用コンピュータプロセッサの1つとすることができる。CPU112のメモリ、又はコンピュータ可読媒体114は、ランダムアクセスメモリRAM、読み取り専用メモリROM、フロッピーディスク、ハードディスク、又は任意の他の形態のローカル又はリモートのデジタルストレージ等の1つ又はそれ以上の容易に使用可能なメモリとすることができる。サポート回路116は、プロセッサをサポートするために従来方式でCPU112に接続される。この回路としては、キャッシュ、パワーサプライ、クロック回路、入力/出力回路系及びサブシステム等を挙げることができる。メモリ114は、本明細書に記載の方式でシステム40を制御するように実行又は起動することができるソフトウェアを記憶する。ソフトウェアルーチンは、CPU112が制御するハードウェアから離れて配置される第2のCPU図示せずによって記憶及び/又は実行することもできる。例示的な作動において、基板54は基板サポート42上に配置され、システム40は真空処理環境をもたらすために真空排気される。プロセシングガスは、ガス入口76を経由して第1のボリューム73に導入される。反応をアクティブにするため、プロセシングガスのプラズマは、処理領域に誘導結合及び/又は容量結合によって発生される。初期プラズマ77は、誘導コイル98に電力を印加することによって発生させることができる。還元反応期間の間に、誘導コイル98は、約100KHzから約60MHzで約0.0032W/cm2から約3.2W/cm2にバイアスされて、処理領域のプラズマを誘導的に維持するようになっており、一方で基板サポート42は、約0W/cm2から約3.2W/cm2にバイアスされて、プラズマを容量的に維持するようになっている。もしくは、還元反応期間の間に、処理領域内のプラズマ77は、誘導コイル98のみによって維持することができる。処理時、処理領域内のプラズマは、誘導結合だけで、容量結合だけで、又は誘導結合及び容量結合の組み合わせで励起して維持することが意図されている。もしくは、初期プラズマは、基板サポート42に、約200mm基板に関しては約1Wから約100WのRF電力レベルに相当する約0.0032W/cm2から約0.32W/cm2、及び約3秒の約100KHzから100MHzのバイアスをかけることで作り出すことができる。チャンバ圧力は、最初はサーボ制御スロットルバルブ94を部分的に閉じた状態に設定することによって所望の処理圧力まで高めることができる。処理時、チャンバ圧力は、サーボ制御スロットルバルブ94の開/閉状態を制御することによって約5mTorrから約100mTorrに維持することができる。随意的に、処理時の基板54の温度は、基板サポート42内のヒーター44によって制御される。プラズマフィルタ89が基板54上方の約0.75インチにある1つの例示的な実施形態において、プラズマフィルタ89が存在する場合及び存在しない場合のイオン電流を、圧力の関数として計測した。使用したプロセスガスは、He中5H2の混合物であった。RF電源74は約750ワットに設定して、プラズマイグニションを助けるように誘導コイル98に電力を供給した。プラズマフィルタ89が存在すると、約0から約100mTorrの圧力範囲にわたり、約100から約1000倍だけイオン電流が低減することが分かった。前述のように、イオン電流は、プラズマフィルタ89の開口87のサイズ及び数の影響を受けるが、圧力、RF電力等の他のチューニングノブの影響も受ける。例えば、特定の実施形態において、約4から約5倍だけイオン電流を変化させるために圧力を用いることができる。RF電力をチューニングノブとして使用することができるが、プラズマ安定性により制限される場合がある。例えば、特定の実施形態において、RF電源74が供給する電力は、プラズマ安定性を維持するために約550W未満とすることができる。例えば、特定の実施形態において、圧力は、プラズマ安定性を維持するために約100mTorr未満とすることができる。従って、本明細書では基板を処理するための改良された装置が提供される。本発明の装置は、装置内に配置される基板をクリーニングするために使用されるプラズマのイオン電流を好都合に低減でき、基板の表面又はその上に配置される材料に対する損傷が低減される。前述の事項は本発明の実施形態に関するが、本発明の基本的な範囲を逸脱することなく、他の別の実施形態を考え出すことができる。"