"バランス調整用抵抗を含む複数の温度依存性を有する抵抗からなるブリッジ回路を有し、前記ブリッジ回路を半導体基板上で結線したセンサ素子部と、前記バランス調整用抵抗の両端電圧を前記半導体基板の外部に取り出して前記両端電圧の範囲内で前記ブリッジ回路のバランス調整を行う駆動回路部と、を備えたことを特徴とする熱式流量センサ。請求項1記載の熱式流量センサにおいて、前記駆動回路部は、電気信号によって開閉動作するスイッチング素子を備え、前記スイッチング素子によって前記バランス調整用抵抗の両端電圧から取り出す中間電圧を切り替えることを特徴とする熱式流量センサ。請求項1または2に記載の熱式流量センサにおいて、前記ブリッジ回路は、二つの抵抗を直列接続した第1の直列回路と、二つの抵抗の間に前記バランス調整用抵抗が形成されおのおの直列に接続した第2の直列回路と、を並列接続して、前記半導体基板上にパターン形成され、前記バランス調整用抵抗の両端電圧の範囲内で分圧調整することにより前記第2の直列回路の中間電圧として出力する分圧回路を前記半導体基板の外部に有し、前記分圧回路で取り出した前記第2の直列回路の中間電圧と前記第1の直列回路に生じる中間電圧との差に基づいて前記発熱抵抗体に流れる電流を制御する駆動回路を備えたことを特徴とする熱式流量センサ。請求項2または3に記載の熱式流量センサにおいて、複数のスイッチング素子からなるスイッチと、前記スイッチに電気的信号を送ることにより前記スイッチング素子の開閉制御を行うスイッチ制御回路と、を備えたことを特徴とする熱式流量センサ。請求項4に記載の熱式流量センサにおいて、前記スイッチング素子は、前記両端電圧の信号と電気的に接続された多段の直列抵抗と電気的に接続され、前記開閉制御により前記スイッチのスイッチング素子を選択することで前記多段の直列抵抗の分圧比により前記両端電圧が調整されることを特徴とする熱式流量センサ。請求項5に記載の熱式流量センサにおいて、前記調整された両端電圧と前記第1の直列回路に生じる中間電圧とを差動増幅回路に入力し、前記調整された両端電圧と前記中間電圧との差に基づいて前記発熱抵抗体に流れる電流を制御することを特徴とする熱式流量センサ。請求項1乃至6のいずれか1項に記載の熱式流量センサにおいて、前記取り出した両端電圧の信号線にバッファを設けたことを特徴とする熱式流量センサ。前記公報に記載のものは、前記ブリッジ回路のすべての抵抗を同一基板内に同一の材料の抵抗体で形成している。これにより、ブリッジ回路を構成する抵抗体は同じ特性である。これらの抵抗体は、条件が同じであれば、同じ比率で経時変化するためブリッジ回路のバランスは変化しない。したがって、長期間測定精度を維持することができる。しかしながら、熱式流量センサは、ブリッジ回路を構成する抵抗体のうち、一つが高温で発熱する発熱抵抗体であり、残りの抵抗体感温抵抗体は、略常温で使用されるものである。発熱抵抗体は使用につれて熱劣化し、残りの抵抗体に較べて劣化しやすく、センサの特性が変化する。発熱抵抗体の劣化により、ブリッジバランスが変化する。このような現象は、抵抗体の温度差制御の誤差ひいては流量測定精度の低下につながる。特開2004340936号公報記載のセンサでは、発熱抵抗体の近傍に配置した感温抵抗体を用いて発熱抵抗体の温度を検出し、その検出値に基づき発熱抵抗体の温度を制御している。この場合、前記温度検出用の感温抵抗体は、発熱抵抗体よりも低い温度になるため、この感温抵抗体の熱劣化を低減することができる。しかし、この構成では、発熱抵抗体から感温抵抗体への熱伝達遅れが生ずるため、その分だけ応答が遅くなる。また、駆動回路に基準電源を用いるため基準電源の変動の影響を受ける。また、センサの特性変化の要因として、実装部材の応力の影響がある。多くの熱式流量センサは、接着剤によりセンサ素子を固定している。また、センサ素子から電気信号を取り出すためのワイヤーボンディングを保護するためにエポキシ樹脂などの封止剤が用いられている。これらの接着剤や封止剤は、周囲の温度変化により膨張収縮し、センサ素子に応力を発生させる。センサ素子に応力が発生すると、センサ素子上に形成した抵抗体に応力が加わり、抵抗値が変化する。さらに、発生する応力の程度は経時的に変化する。特にシリコンなど半導体で形成した抵抗体の場合、ピエゾ抵抗係数が大きく抵抗変化が大きい。このような抵抗変化は、測定精度の低下の原因になる。本発明は、センサ素子の応答性を維持しつつ抵抗体の熱劣化を低減し、良好な測定精度を長期にわたり維持できる熱式流量センサを提供すること、或いはセンサ素子に加わる応力の影響を低減することによって、長期間の測定精度を維持することができる熱式流量センサを提供することにある。本発明の熱式流量センサは、以下の手段により上記課題を解決する。本発明は、基本的には、次のように構成される。1 ́バランス調整用抵抗を含む複数の温度依存性を有する抵抗からなるブリッジ回路を有し、前記ブリッジ回路を半導体基板上で結線したセンサ素子部と、前記バランス調整用抵抗の両端電圧を前記半導体基板の外部に取り出して前記両端電圧の範囲内で前記ブリッジ回路のバランス調整を行う駆動回路部と、を備えたことを特徴とする熱式流量センサ。さらに好ましくは、次のように構成してもよい。2 ́上記1 ́の熱式流量センサにおいて、前記駆動回路部は、電気信号によって開閉動作するスイッチング素子を備え、前記スイッチング素子によって前記バランス調整用抵抗の両端電圧から取り出す中間電圧を切り替えることを特徴とする熱式流量センサ。3 ́上記1 ́又は2 ́の熱式流量センサにおいて、前記ブリッジ回路は、二つの抵抗を直列接続した第1の直列回路と、二つの抵抗の間に前記バランス調整用抵抗が形成されおのおの直列に接続した第2の直列回路と、を並列接続して、前記半導体基板上にパターン形成され、前記バランス調整用抵抗の両端電圧の範囲内で分圧調整することにより前記第2の直列回路の中間電圧として出力する分圧回路を前記半導体基板の外部に有し、前記分圧回路で取り出した前記第2の直列回路の中間電圧と前記第1の直列回路に生じる中間電圧との差に基づいて前記発熱抵抗体に流れる電流を制御する駆動回路を備えたことを特徴とする熱式流量センサ。4 ́上記2 ́又は3 ́の熱式流量センサにおいて、複数のスイッチング素子からなるスイッチと、前記スイッチに電気的信号を送ることにより前記スイッチング素子の開閉制御を行うスイッチ制御回路と、を備えたことを特徴とする熱式流量センサ。5 ́上記4 ́の熱式流量センサにおいて、前記スイッチング素子は、前記両端電圧の信号と電気的に接続された多段の直列抵抗と電気的に接続され、前記開閉制御により前記スイッチのスイッチング素子を選択することで前記多段の直列抵抗の分圧比により前記両端電圧が調整されることを特徴とする熱式流量センサ。6 ́上記5 ́の熱式流量センサにおいて、前記調整された両端電圧と前記第1の直列回路に生じる中間電圧とを差動増幅回路に入力し、前記調整された両端電圧と前記中間電圧との差に基づいて前記発熱抵抗体に流れる電流を制御することを特徴とする熱式流量センサ。7 ́上記1 ́乃至6 ́のいずれかの熱式流量センサにおいて、前記取り出した両端電圧の信号線にバッファを設けたことを特徴とする熱式流量センサ。また、上記の発明のほかに、関連する発明として、1まず、発熱抵抗体の劣化による特性変動を低減するために、次のような熱式抵抗体の流量センサを提案する。流量センサは、複数の発熱抵抗体と、これらの発熱抵抗体に供給する発熱用の電流を制御する駆動回路とを備える。その駆動回路は、前記複数の発熱抵抗体のうち、温度の低い発熱抵抗体の抵抗変化を検出し、この抵抗変化の検出値にしたがって前記複数の発熱抵抗体への供給電流を制御する。熱式流量センサは、抵抗体を発熱させることにより、流量計測をする。抵抗体は、高温に発熱するほど抵抗劣化が大きくなる。劣化を低減するために発熱抵抗体の温度を低く設定すると、センサの感度が低下するため好ましくない。これに対して、本発明は、複数の発熱抵抗体の中の温度の低い抵抗体の抵抗変化を検出して発熱抵抗体全体の電流制御を行う。したがって、発熱抵抗体全体の発熱量は十分に確保しつつ、電流制御を行う比較的低温の発熱抵抗体の熱劣化を、長期にわたり抑制することができる。2また、本発明の熱式流量計として、次のような構成を提案する。熱式流量センサにおいて、複数の発熱抵抗体と、これらの発熱抵抗体に供給する発熱用の電流を制御する駆動回路とを備える。前記複数の発熱抵抗体は被測定流体の流路に配列される。前記駆動回路は、前記複数の発熱抵抗体のうち、配列の中心から外れた位置の発熱抵抗体の抵抗変化を検出し、この抵抗変化の検出値にしたがって前記複数の発熱抵抗体への供給電流を制御する。配列された複数の発熱抵抗体は、温度分布を持ち、配列の中心部が高温で、外側中心から外れた位置は低温になる。したがって、発熱抵抗体の中心部ほど抵抗劣化が大きくなる。本発明の構成によれば、複数の発熱抵抗体のうち外側に位置する温度の低い発熱抵抗体の抵抗変化流量に応じた抵抗変化を電気信号として取り出す。その信号に基づき複数の発熱抵抗体の供給電流を制御し、発熱抵抗体が温度制御される。または、一つの発熱抵抗体の数箇所に電気信号を取り出す電極を形成し、温度の低い外側の一部分の発熱抵抗体の電気的出力を取り出す構成としても、上記と同じ効果が得られる。3上記1、2の熱式流量計に用いる好ましい抵抗体回路として次のようなものを提案する。第1の抵抗体と第2の抵抗体が含まれる第1の直列回路と、第3抵抗体と第4抵抗体が含まれる第2の直列回路と、前記第1の直列回路と前記第2の直列回路を並列に接続したブリッジ回路と、前記ブリッジ回路と並列或いは直列に接続される第5の抵抗体とを備える。これらのうちの、第1から第4の抵抗体のうちのいずれかと第5の抵抗体とを発熱抵抗体とする。また、前記ブリッジ回路における発熱抵抗体の抵抗値の変化を検出して、発熱抵抗体全体の発熱電流を制御する。さらに詳述すれば、これら第1~第5の抵抗体は、例えばシリコンなどの半導体からなる基板に形成される。この基板には、その一部を取り除くことで薄肉部が形成される。第1から第5の抵抗体は、抵抗温度係数を持つ材料であればいかなるものでも良く、具体的には、例えば、多結晶シリコン、単結晶シリコンなどの半導体や、白金などの金属を使用することができる。例えば、第1の抵抗体および第5の抵抗体は薄肉部に配置し、第2、第3、第4の抵抗体は、薄肉部から外れた基板上に配置する。さらに第1の抵抗体は、薄肉部上で第5の抵抗体の周辺に配置する。このような構成で電流を印加すると、第1の抵抗体と第5の抵抗体は、熱容量が小さい薄肉部に形成しているために、他の抵抗体よりも温度上昇が大きくなる。したがって、第1の抵抗体と第5の抵抗体は、主に発熱抵抗体として動作する。また、第1の抵抗体は、第5抵抗体の周辺に配置することから、第1の抵抗体は、第5の抵抗体より温度が低くなる傾向がある。すなわち、発熱抵抗体のうち、中央に位置する第5の抵抗体の領域が最も温度が高くなり、その周辺の発熱抵抗体領域は中央よりも熱が逃げやすいので温度が低くなる傾向がある。さらに、第1の抵抗体は、第5の抵抗体よりも発熱量が小さくなるように、抵抗値を設定すると、より第1の抵抗体と第5の抵抗体の温度差を大きくすることができる。第2、第3、第4抵抗体は、被測定流体の温度により抵抗値が変化する。なお、この構成において、薄肉部に配置する抵抗体は、第1の抵抗体と第5の抵抗体に限られるものではなく、第2の抵抗体と第5の抵抗体を薄肉部に配置しても同様な構成である。この場合、第2の抵抗体と第5の抵抗体が主に発熱抵抗体として動作し、第1、第3、第4の抵抗体は、主に被測定流体の温度を検知する。または、上記回路においてこれらの第1、第4、第5の抵抗体をセンサ素子の薄肉部に配置する。この場合、第1、第4の抵抗体は、第5の抵抗体の周辺に配置する。この場合には、第1、第4、第5の抵抗体が主に発熱抵抗体として動作し、第2、第3抵抗体が被測定流体の温度を検出する。薄肉部に配置する抵抗体は第1、第4、第5の抵抗体に限られるものではなく、第2、第3、第5の抵抗体を薄肉部に配置しても同様な構成である。この場合、第2、第3、第5の抵抗体が主に発熱抵抗体として動作し、第1と第4の抵抗体が主に被測定流体の温度を検出する。4さらには、上記構成において、センサ素子上で、薄肉部から外れて配置される抵抗体、すなわち、ブリッジ回路に含まれて被測定流体の温度を検出する複数の抵抗体は、センサ素子上のほぼ同じ位置に集約して配置することで高精度化が図れる。5さらにセンサの高精度化を必要とする場合、ブリッジ回路内に調整用として用いる第6の抵抗体を以下のように設ける。センサ素子上に、第1の抵抗体と第2の抵抗体を含む第1の直列回路と、第3の抵抗体と第6の抵抗体と第4の抵抗体を含む第2の直列回路を備え、前記第1の直列回路と前記第2の直列回路を並列に接続したブリッジ回路とする。さらには、これらの抵抗体はすべて同一の材料でセンサ素子上に形成され、センサ素子上で電気的に接続する。6次に、センサ素子に応力が加わる場合の特性変動を低減する構成について説明する。熱式流量センサのセンサ素子は、半導体基板に金属やシリコンを材料として抵抗体を形成する。特にシリコン多結晶シリコン単結晶シリコンで抵抗体を形成した場合、抵抗体のピエゾ抵抗係数が大きくなり、半導体基板に応力が加わると、抵抗体の抵抗値が変化してしまう。このような応力が加わる形態としては、次のようなものが考えられる。センサ素子の基板には、例えばアルミで電極パッドが形成される。電極パッドに金線などによってワイヤーボンディングし、センサ素子の電気的出力を取りだす。このような電極パッドや金線は腐食しやすく強度が不十分であることから、樹脂などの保護剤で覆う。そうすると、保護剤の膨張収縮によってセンサ素子の基板に応力が発生する。また、センサ素子を実装するための部材の変形により、保護剤を通じてセンサ素子に応力が発生する。上記のような課題に対処するためには、基板上に形成する抵抗体と電極パッドとを基板上で互いに離れた位置に配置する。また、センサ素子上に形成する抵抗体と電極パッドの間に、応力の伝達を緩和する薄肉部を形成する。以下、これらの具体的態様について説明する。四角形の基板上に、抵抗体と、前記抵抗体の電気的信号を基板の外に取り出す電極パッドを形成して流量を計測するセンサ素子において、前記センサ素子の短辺をW、長辺をLとしたとき、前記抵抗体は、電極パッドからW/2以上離れた位置に形成する。ここでいう抵抗体は、抵抗の主となる部分を示し、抵抗体を配置するための配線や、電気信号を取り出す配線については規定しない。また、抵抗体でブリッジ回路を構成する場合、電極パッドからW/2以上離れた位置で抵抗体を結線するのが好ましい。また、基板上に薄肉部を形成し、この薄肉部に抵抗体を形成する構成において、電極パッドからW/2以上離れた位置に薄肉部を形成するのが好ましい。または、基板における抵抗体を形成している領域と電極パッドとの間に、基板の一部を取り除いた凹部例えば溝を形成する。7さらに、基板上に形成する抵抗体は、基板の長さ方向Lの方向に電流が通流する帯状の抵抗体R1と、幅方向Wの方向に電流が通流する帯状の抵抗体Rwの合成抵抗とし、RlとRwの比率を以下のようにする。Rw:Rl=πt:πlここで、πl、πtは、ピエゾ抵抗係数である。πlは、抵抗体に通流する方向と並行な方向に加わる応力によって抵抗値が変化するときの抵抗変化率である。πtは、抵抗体に通流する方向と垂直な方向に加わる応力によって抵抗値が変化するときの抵抗変化率である。上記のような構成とすることにより、発熱抵抗体の劣化による特性変化、応力が加わることによる発熱抵抗体の特性変化の少なくとも一つを低減し、長期にわたって測定精度を保持した熱式流量センサが得られる。本発明を適用してなる熱式流量センサの実施例を、図を参照して説明する。第1の実施例図1は本実施例における熱式流量センサのセンサ素子を示す概略平面図、図2は図1におけるA-A断面、図3はB-B断面を示す概略図である。これらの図において、センサ素子1のベースは、単結晶シリコンSi板のような半導体基板2よりなる。この半導体基板2には、半導体基板2の一方の面を異方性エッチングすることよって空洞部3が形成されている。この空洞部3の平面形状は四角形である。空洞部3の一方の面には、ダイアフラム薄肉部4が形成されている。ダイアフラム4は、半導体基板2の一方の面を覆う電気絶縁膜5により形成される。電気絶縁膜5は、熱酸化あるいはCVD処理により形成された二酸化シリコンSiO2からなる。ダイアフラム4上には、発熱抵抗体6、7と、感温抵抗体12a、12b、13a、13bを形成している。基板2上のダイアフラム4から外れた場所には、感温抵抗体8、9、10を形成している。これらの抵抗体は、すべて温度によって抵抗値が変化する材料、すなわち温度依存性を有する材料により形成している。このうち、発熱抵抗体6,7は、ダイアフラム薄肉部4上に配置されるために、そこに発生した熱は、外部に逃げにくい。したがって高温に発熱される。ダイアフラムから外れる他の抵抗体8、9、10は、発生した熱が基板2を通して逃げやすく、比較的低温に維持される。感温抵抗体、8、9、10は空気温度に感応する。上記すべての抵抗体の材料発熱抵抗体、感温抵抗体としては、例えば多結晶シリコンを用いる。多結晶シリコンは、CVD等により電気絶縁膜5上に形成される。この多結晶シリコンをエッチングすることにより、所望の抵抗体パターンが形成される。さらに、所望の抵抗値抵抗温度係数になるように、多結晶シリコンにリンPを熱拡散またはイオン注入によりドーピングし、n型の多結晶シリコンとしている。なお、本実施例の抵抗体は、多結晶シリコンで形成しているが、抵抗温度係数をもつ材料であればいかなるものでも良い。例えば、単結晶シリコン、白金などの金属で形成しても良い。これらの抵抗体を保護するために、電気絶縁膜5および抵抗体の上面に電気絶縁膜11を形成している。電気絶縁膜11は、二酸化シリコンSiO2をCVD等の方法で形成している。各抵抗体を駆動回路に接続するためのアルミ電極15a~15d、16a~16hを形成している。発熱抵抗体6及び7は、空気流14の方向に並んで配列される。発熱抵抗体6は、その配列の中央に設けられる。発熱抵抗体7は、発熱抵抗体6の三方を囲むようにパターン形成されている。すなわち、発熱抵抗体7は、配列の中心から外れた位置にある。本実施例では、この発熱抵抗体7の抵抗変化を検出し、この抵抗変化の検出値にしたがって複数の発熱抵抗体6および7への供給電流を制御する。この電流を供給するための駆動回路については、図4を用いて後述する。感温抵抗体12a,12bと13a,13bは、発熱抵抗体6、7の左右両側に配置され、その配列は、図1の空気流方向14に一致する。空気流方向14は、エンジンの吸気管図示せずの空気取り入れ口からエンジン図示せずに向かう方向である。すなわち、感温抵抗体12a,12bは、発熱抵抗体6、7の直ぐ上流に配置され、感温抵抗体13a,13bは、発熱抵抗体の直ぐ下流に配置される。半導体基板2の裏面には、凹部例えば溝17a、17bを形成している。これらの溝は、前記抵抗体6-10、12a,12,13a,13bの形成領域と前記電極15a-15f、16a-16hの形成領域との間に並んで設けられている。溝17a,17bは、空洞3と同様に異方性エッチングにより形成される。図4aに、センサ素子1を駆動するための駆動回路21を示す。発熱抵抗体7と感温抵抗体8、9、10によりブリッジ回路を構成する。ブリッジ回路は、発熱抵抗体7第1の抵抗体と感温抵抗体8第2の抵抗体が含まれるアーム第1の直列回路と、感温抵抗体9第3の抵抗体と感温抵抗体10第4の抵抗体が含まれるアーム第2の直列回路とを並列接続してなる。このブリッジ回路と並列に発熱抵抗体6第5の抵抗体が接続される。発熱抵抗体7と感温抵抗体8の中間電圧と、感温抵抗体9と感温抵抗体10の中間電圧は、差動増幅回路19に入力される。差動増幅回路19は、上記ブリッジ回路の中間電圧差が零になるようにトランジスタ20を介してブリッジ回路に流れる電流特に発熱抵抗体7に流れる発熱電流をフィードバック制御する。この場合、発熱抵抗体6にもブリッジ回路との抵抗比に応じて電流が供給制御されている。したがって、発熱抵抗体全体発熱抵抗体6と発熱抵抗体7には、十分な発熱量を得るための発熱電流がトランジスタ20を介して供給される。発熱抵抗体6および7は、発熱電流により温度上昇し、温度に応じて抵抗値が変化する。空気流量により変化する発熱抵抗体7の温度を、ブリッジ回路により検出し、発熱抵抗体7と感温抵抗体8~9との温度差が一定温度ΔTとなるように制御される。発熱抵抗体7の抵抗値をR7、感温抵抗体8の抵抗値をR8、感温抵抗体9の抵抗値をR9、感温抵抗体10の抵抗値をR10とする。なお、R7、R8、R9、R10は、電流を印加加熱していないときの抵抗値である。そうすると、発熱抵抗体7の温度は下式のように決まる。ここで、ΔTは、発熱抵抗体7と感温抵抗体8、9、10との温度差である。感温抵抗体8、9、10は、被測定流体の温度を検出する。したがって、1式は、発熱抵抗体7の温度が被測定流体の温度よりもΔT°C高くなることを示す。1式のαは発熱抵抗体7の抵抗温度係数であり、本実施形態では多結晶シリコンの抵抗温度係数を示す。図5は、発熱抵抗体6および発熱抵抗体7に電流を供給して発熱させた時のダイアフラム3の温度分布を示す。発熱抵抗体7は発熱抵抗体6の周辺に配置しているため、発熱抵抗体6の温度T1にくらべ発熱抵抗体7の温度T2は低くなる。本実施形態では、発熱抵抗体7の抵抗変化をブリッジ回路で検出する構成である。したがって、発熱抵抗体7の温度は比較的低く抵抗劣化が小さく、ブリッジ回路の抵抗比R8/R7の変動が低減する。発熱抵抗体6は高温になり、抵抗劣化が大きくなるが、ブリッジ回路の抵抗比には影響しない。したがって、長期間発熱温度を一定に保つことができる。さらに、発熱抵抗体6は発熱抵抗体7よりも消費電力熱容量が大きくなるように抵抗値を設定すれば、発熱抵抗体6と発熱抵抗体7の温度差が大きくなり、より効果がある。また、発熱抵抗体7に流れる発熱電流を直接検知して発熱抵抗体の温度制御を行うことから、起動時の温度上昇時間が短縮し、かつ既述した特開2004340936号公報記載の方式にくらべ高速応答である。また、駆動回路に基準電源を使用しないので、基準電源の電圧変化により誤差が発生するといった問題を回避することができる。感温抵抗体12a、12bおよび13a、13bは、空気流方向14における発熱抵抗体6、7の両側上流、下流の温度差を検出し、被測定流体の流量に応じた電気信号を出力する。流体が流れると、発熱抵抗体6,7の熱的影響により、発熱抵抗体の上流側の感温抵抗体12a、12bよりも下流側の感温抵抗体13a、13bの方が、温度が高くなり、且つ流量が増大するにつれてその温度差が大きくなる。以上は、順流の場合であるが、逆流の場合には、感温抵抗体13a、13bが上流側、感温抵抗体12a、12bが下流側になり、温度差が従流の場合に比べて逆転する。本実施例では、この現象を利用して、流量を検出する。図1に感温抵抗体12a、12bおよび13a、13bの平面形状を示す。感温抵抗体13a、13bは、感温抵抗体12a、12bと同一形状で、発熱抵抗体6および7を中心に左右対称に配置される。図4bに上記感温抵抗体12a、12bおよび13a、13bの駆動回路を示す。例えば、被測定流体がセンサ素子1上を矢印14方向に流れると、感温抵抗体12a、12bは温度が低下し抵抗値が下がり、逆に感温抵抗体13a、13bは温度が上昇し抵抗値が上がる。図4bに示した回路は、感温抵抗体12a、12b、13a、13bでブリッジ回路を構成している。このブリッジ回路に基準電圧Vrefを印加することによって、被測定流体に応じた抵抗変化から差動出力が得られる。この差動出力が流量検出信号となる。本実施形態によれば、感温抵抗体12a、12bおよび13a、13bは、発熱抵抗体6および7により形成された熱に感応するので、センサ感度を良好に維持することができる。しかも、発熱抵抗体6,7の電流制御は、温度の低い方熱劣化の少ない方の発熱抵抗体7を用いて行われるので、センサのヒータ制御ひいては測定上の性能低下を低減することができる。本実施形態における発熱抵抗体の駆動回路は、図6に示すように、ブリッジ回路の発熱抵抗体7と感温抵抗体8の位置、および感温抵抗体9と感温抵抗体10との位置を図1の実施例と逆にする回路構成としても良い。本実施形態において、発熱抵抗体7、感温抵抗体8、9、10、その他の感温抵抗体抵抗は、半導体基板2上にすべて多結晶シリコンで形成している。発熱抵抗体7と感温抵抗体8の線幅は同じで、折れ曲がりの角度個数も同一である。また、感温抵抗体9と感温抵抗体10においても同一材料で、線幅、折れ曲がりの角度個数を等しくしている。同一の材料で形成していることから、材料の抵抗値に製造ばらつきが発生しても、ブリッジ回路の抵抗比は変動しない。また、同一線幅、同一の折れ曲がり個数とする。そうすることでオーバーエッチングなどにより抵抗体の線幅が小さくなっても、これらの抵抗体はほぼ同様にオーバーエッチングされ同じ線幅になることから、抵抗比の変動は小さい。図7はセンサ素子1半導体基板2を、実装用の基板22に搭載する場合の実施形態を示す。実装基板22上には、既述したセンサ素子1と、それを駆動する駆動回路21を搭載している。図7においては、センサ素子1および駆動回路21の詳細については、省略している。センサ素子1と駆動回路21を電気的に接続するには、センサ素子1上に形成したアルミ電極15a~15dおよび16a~16h図1参照と駆動回路21の電極とを金線などに用いてワイヤーボンディング23をする。また、ワイヤーボンディング23はエポキシなどの封止剤24で覆い保護する。図8は図7におけるC-C断面を示す。実装基板22には、センサ素子1を設置するための凹部80が形成されている。センサ素子1は実装基板22に、シリコーン接着剤などの接着剤25で接着される。接着剤25は、センサ素子1の一部分に塗布し、センサ素子1は片持ち状態になる。封止剤24は、ワイヤーボンディング23を覆い隠すように塗布する。熱式流量センサの使用につれて、アルミ電極15a~15dおよび16a~16hとワイヤーボンディング23との接触部が劣化し接触抵抗が増加する。本実施形態では、発熱抵抗体7、感温抵抗体8、9、10で構成したブリッジ回路は、測定素子1の半導体基板2上で結線し図1および図4aの結線部101~104を参照、ブリッジ回路内にワイヤーボンディングの接触抵抗が入らない。したがって、ワイヤーボンディングが劣化し接触抵抗が増加したとしても、ブリッジバランスは全く変化しない。このような結線構造も、流量センサが長期にわたってブリッジバランスを良好な状態に維持するので、良好な発熱抵抗体の定温度制御を長期にわたり持続することができる。上記のようなセンサ素子1の実装構造において、接着剤25や封止剤24の熱膨張熱収縮によりセンサ素子1には、応力が発生する。このような応力に対する配慮がない場合には、センサ素子1上に形成した感温抵抗体発熱抵抗体を含むの抵抗値が変化する。センサ素子1の裏面に設けた溝17a、17bは、このような応力を緩和する機能をなす。すなわち、溝17a、17bは、図8に示すように、接着剤25の流れ出しを防止する効果があり、接着剤25が溝17bよりも先に流れ出さない。また、接着剤25を安定した形状でセンサ素子1の裏面に塗布することができる。さらに、溝17a、17bは、封止剤24や接着剤25から発生する応力を緩和し、センサ素子1上の抵抗体に伝わる応力を低減する。実施形態では、溝17aと17bの2つの溝を例示するが、溝を一つとしてもよく、また溝を2つ以上形成しても良い。上記、溝17a、17bを形成することにより、特にセンサ素子1の長さ方向図1の上下方向の応力を低減することができる。センサ素子1の幅方向図1の左右方向の応力に対してはセンサ素子1上に形成する感温抵抗体を下記のような形状とすることで解決する。本実施形態における感温抵抗体12a、12bの平面形状を、図9に示す。なお、感温抵抗体13a、13bの平面形状も、感温抵抗体12a、12bと同一形状であり、図9において図示省略する。発熱抵抗体6および7を中心に左右対称である。感温抵抗体13a、13bの形状は、図中L方向に電流が流れる帯状の抵抗体Rlと図中W方向に電流が流れる帯状の抵抗体Rwの合成抵抗である。RlとRwの抵抗値は下記のようにする。Rw:Rl=πt:πlここで、πl、πtは、ピエゾ抵抗係数である。抵抗体πlに流れる電流の方向と並行な方向に加わる応力によって抵抗値が変化するときの抵抗変化率である。πtは、抵抗体に流れる電流の方向と垂直な方向に加わる応力によって抵抗値が変化するときの抵抗変化率である。たとえばn型多結晶シリコンで抵抗体を形成した場合、πlとπtの関係は、πl:πt=-3:1である。したがって、Rw:Rl=1:3となるような形状にする。上記形状の抵抗体に、W方向の応力σwが加わった場合、Rlの抵抗変化ΔRlと、Rwの抵抗変化ΔRwは下式のようになる。感温抵抗体12aの抵抗変化は、ΔRwΔRl=0となり、応力σwによる抵抗変化は生じない。上記のように、センサ素子1の長さ方向の応力は、センサ素子の裏面の溝で低減し、センサ素子1の幅方向の応力影響は、抵抗体や他の形状によって低減することができる。本実施形態では、センサ素子1上のアルミ電極にワイヤーボンディングをすることによりセンサ素子1上の抵抗体と駆動回路を電気的に接続している。本実施形態では、図4、図6に示したように、ブリッジ回路に並列に発熱抵抗体6を接続しているが、図10に示すように、発熱抵抗体6をブリッジ回路とトランジスタ20との間に直列に接続する回路構成でも良い。また、図11に示すように発熱抵抗体6をブリッジ回路とグラウンドとの間に接続する回路構成としても良い。換言すれば、図10および図11の実施例の発熱抵抗体駆動回路は、第1の抵抗体7と第2の抵抗体8が含まれる第1の直列回路と、第3の抵抗体9と第4の抵抗体10が含まれる第2の直列回路と、前記第1の直列回路と前記第2の直列回路を並列に接続したブリッジ回路とを備え、第5抵抗体7をブリッジ回路に直列に接続してなる。第2の実施例上記実施例では、発熱抵抗体6、7により形成される上流、下流の温度差を、感温抵抗体12a、12bおよび13a、13bで検出することで、流量を検出しているが、これに代えて、発熱抵抗体に流れる電流変化を電気信号に変換して流量を検出することもできる。例えば、図26に示すように発熱抵抗体6、7の上流で、発熱電流を電圧変換して出力100から取り出すことで、流量検出が可能になる。なお、図26の回路は、出力100を除いて、図4aの駆動回路と同様の構成であるので、それ以外の説明を省略する。第3の実施例図12に本実施例におけるセンサ素子26の平面図を示す。センサ素子26の製造方法は、第1の実施例と同様である。また、センサ素子26には、第1の実施形態と同様にダイアフラム薄肉部27を形成する。ダイアフラム27の領域には、発熱抵抗体28、29、30と、感温抵抗体31a、31b、32a、32bを形成する。ダイアフラム27から外れた場所に、感温抵抗体33、34を形成する。以下に述べるように、発熱抵抗体29は、第1の抵抗体に相当し、発熱抵抗体30は第4の抵抗体に相当し、発熱抵抗体28は、第5の抵抗体に相当する。図13にセンサ素子26の駆動回路35を示す。発熱抵抗体29第1の抵抗体と感温抵抗体33第2の抵抗体からなる第1の直列回路と、感温抵抗体34第3の抵抗体と発熱抵抗体30第4の抵抗体からなる直列回路によりブリッジ回路を構成する。また、発熱抵抗体28第5の抵抗体を上記ブリッジ回路に並列に接続する。ブリッジ回路の差電圧は差動増幅器19に入力される。差動増幅器19の出力は、既述した実施形態同様にトランジスタ20のベース電圧となりブリッジ回路に流れる発熱電流をフィードバック制御する。本実施例では、発熱抵抗体29第1の抵抗体と発熱抵抗体30第4の抵抗体がブリッジ回路に組み込まれ、温度はほぼ同一になる。発熱抵抗体28第5の抵抗体は、発熱抵抗体29、30よりも消費電力発熱量が大きくなるように抵抗値を設定する。これにより、発熱抵抗体29、30の発熱温度を比較的低くすることができるため、発熱抵抗体29、30の抵抗劣化か小さくなる。したがって、第1の実施例と同様に、発熱抵抗体の温度制御は、抵抗劣化が小さい発熱抵抗体29、30の電気的信号を検出して行うことから、長期間発熱温度を一定に保つことができる。さらに、本実施例は、発熱抵抗体29と発熱抵抗体30の2つの温度情報により発熱抵抗体を制御していることから、検出感度が高く高精度な定温度制御が可能になる。また、図14に示すように、ブリッジ回路の感温抵抗体33と発熱抵抗体30の間をトランジスタ20のエミッタと接続し、発熱抵抗体29と感温抵抗体34の間をグラウンドGNDを接続する回路構成としても良い。第1実施例では、発熱抵抗体のほかに、3つの感温抵抗体に発熱電流が流れ電力損失が生じていた。本実施例では、感温抵抗体は2つであることから、電力損失が2/3に低減する。本実施形態では、図13、図14に示したように、ブリッジ回路に並列に発熱抵抗体28第5の抵抗体を接続しているが、図15に示すように、発熱抵抗体28をブリッジ回路とトランジスタ20との間に直列に接続する回路構成でも良い。また、図16に示すように発熱抵抗体28をブリッジ回路とグラウンドとの間に接続する回路構成としても良い。第4の実施例図17は本実施例のセンサ素子36の平面図を示す。センサ素子36の製造方法は、第1実施例と同様である。また、センサ素子36には、第1実施例は同様にダイアフラム37を形成する。ダイアフラム37の領域には、発熱抵抗体38、39、40、41と、感温抵抗体42a、42b、43a、43bを形成する。ダイアフラム37から外れた場所に感温抵抗体44を形成する。図18にセンサ素子36の駆動回路45を示す。発熱抵抗体第1の抵抗体39と感温抵抗体第2の抵抗体44からなる第1の直列回路と、発熱抵抗体41第2の抵抗体と発熱抵抗体第2の抵抗体40からなる第2の直列回路によりブリッジ回路を構成する。また、発熱抵抗体38第5の抵抗体をブリッジ回路に並列に接続する。ブリッジ回路の差電圧は差動増幅器19に入力する。差動増幅器19の出力は、トランジスタ20のベース電圧となり、ブリッジ回路にフィードバックする発熱電流を制御する。本実施例では、発熱抵抗体40と発熱抵抗体41の温度はほぼ同一である。したがって、ブリッジ回路の発熱抵抗体39の抵抗変化をもとに、発熱抵抗体の温度を制御する構成である。発熱抵抗体38は、発熱抵抗体39、40、41よりも消費電力が大きくなるように抵抗値を設定する。これにより、発熱抵抗体39、40、41の発熱温度を比較的低くすることができるため、発熱抵抗体39、40、41の抵抗劣化か小さくなる。したがって、第1の実施例と同様に、発熱温度は、抵抗劣化が小さい発熱抵抗体39、40、41の電気的信号を検出して制御することから、長期間加熱温度を一定に保つことができる。また、図19に示すように、感温抵抗体44と発熱抵抗体40の間にトランジスタ20のエミッタを接続し、発熱抵抗体39と発熱抵抗体41の間にグラウンドを接続する回路構成としても良い。第1実施例では、3つの感温抵抗体に発熱電流が流れ電力損失が生じていた。本実施例では、感温抵抗体は1つであることから、電力損失が1/3に低減し、第2の実施形態よりもさらに低消費電力になる。本実施形態では、図18、図19に示したように、ブリッジ回路に並列に発熱抵抗体28を接続しているが、図20に示すように、発熱抵抗体38をブリッジ回路とトランジスタ20との間に直列に接続する回路構成でも良い。また、図21に示すように発熱抵抗体38をブリッジ回路とグラウンドとの間に接続する回路構成としても良い。図22に本実施例のセンサ素子46の平面図を示す。本実施例は、第1の実施例と同様の測定素子1に調整用抵抗47を形成している。調整用抵抗47は、ブリッジ回路の感温抵抗体9と感温抵抗体10の間に形成する。また、調整用抵抗47は、発熱抵抗体6、7、感温抵抗体8、9、10と同じ多結晶シリコンで形成される。基板上には、調整用抵抗47の両端の電気的信号を取り出すアルミ電極48c、48dが形成される。その他の構造は、第1の実施形態のセンサ素子1と同様である。図23にセンサ素子46の駆動回路49を示す。発熱抵抗体7と感温抵抗体8の直列回路と、感温抵抗体9と調整用抵抗47と感温抵抗体10の直列回路を並列に接続しブリッジ回路を形成する。発熱抵抗体6はブリッジ回路に並列に接続される。駆動回路49は、バッファ50、51と、多段の直列抵抗52、スイッチ53、差動増幅回路19、トランジスタ20、スイッチ制御回路54で構成する。バッファ50、51は、配線抵抗の影響をなくして調整用抵抗体47の両端電圧を検出する。スイッチ53は、多段の直列抵抗52の分圧比を可変調整するためのものであり、複数のスイッチング素子により構成される。スイッチング素子は、たとえばMOSトランジスタを用いることにより、電気的に開閉できる。スイッチ制御回路54は、スイッチ53に電気的信号を送り、開閉制御され、任意のスイッチング素子が選択される。スイッチ53のスイッチング素子を選択することで、調整用抵抗体47の両端電圧が多段直列抵抗52の分圧比により調整される。それによって、差動増幅回路19に入力する感温抵抗体9と感温抵抗体10の中間電圧は、任意に調整できる。本実施例によれば、ブリッジ回路を構成する抵抗体の抵抗値がばらついても、バランスを調整することができる。また、調整用抵抗47の両端からバッファ50、51に入力する配線部には、ほとんど電流が流れない。したがって、ワイヤーボンディングなどの接触抵抗によりブリッジ回路のバランスを崩すことがない。また、第1の実施形態と同様に、ブリッジ回路を構成する抵抗体はセンサ素子内部で結線しているためブリッジ内にワイヤーボンディングの接触抵抗が入らない。したがって、ワイヤーボンディングの接触抵抗の変化を受けず、長期間、発熱抵抗体をフィードバック制御により一定温度を保つことができる。図24は本実施例のセンサ素子55の平面図を示す。センサ素子55は、駆動回路が形成された実装基板に搭載される。このとき、センサ素子55と駆動回路を電気的に接続するために、金線ワイヤーボンディングを用いる。金線ワイヤーボンディングを保護するために、エポキシ樹脂などの封止剤24を塗布する。センサ素子55の構成は第1の実施例と同様である。本実施例において、センサ素子55の横幅をWとすると、センサ素子55上のダイアフラム3、および発熱抵抗体7、8、9、10は、センサ素子55の電極部15a~15d、16a~16hを覆うように塗布した封止剤24からW/2以上離隔した位置に形成する。図25に測定素子55のレイアウトを示す。封止剤24を塗布すると、特にセンサ素子の幅方向の両端aおよびb点に大きな応力が加わる。a点およびb点で発生した応力は、測定基板55に広がる。特に、図中の領域dには比較的大きな応力が加わる。この領域dは、a-b点間を底辺とし、a点、b点の角度を45度とした二等辺三角形の領域である。そのため、センサ素子55の基板上に形成すべき抵抗体は、封止剤24からW2以上離れた領域cに形成することが好ましい。また、抵抗体によりブリッジ回路を形成する場合は、領域c内で結線する。本実施形態の場合、発熱抵抗体7、感温抵抗体8、9、10はブリッジ回路であり、領域c内で結線している。また、ダイアフラム3も同様に、封止剤24からW/2以上離隔して形成する。"