式Ca1xSr1-xGayIn2-ySzSe3-zF2:D式中、0≦x≦1、0≦y≦2、0≦z≦3であり、Dは1つ又は複数の希土類金属元素及び遷移金属元素を含むドーパントであるを有する蛍光体組成物。式Ca1xSr1-xGayIn2-ySzSe3-zF2:D式中、0<x<1、0<y<2、0<z<3であり、Dは1つ又は複数の希土類金属元素及び遷移金属元素を含むドーパントであるを有する蛍光体組成物。前記1つ又は複数の希土類金属元素及び遷移金属元素が、Eu、Ce、Pr、Tb、Ru、Er、Mn及び/又はそれらの混合物からなる群から選択される、請求項1に記載の蛍光体組成物。式Ca2Ga2S3F2:Dを有する、請求項1に記載の蛍光体組成物。式CaSrGa2SSe2F2:Dを有する、請求項1に記載の蛍光体組成物。式CaSrGaInSe3F2:Dを有する、請求項1に記載の蛍光体組成物。式CaSrGa2S3F2:Dを有する、請求項1に記載の蛍光体組成物。式Ca2Ga2SSe2F2:Dを有する、請求項1に記載の蛍光体組成物。式CaSrGa2SSe2F2:Eu2を有し、ピーク発光波長が約550nmである、請求項1に記載の蛍光体組成物。式CaSrGa2S3F2:Eu2を有し、ピーク発光波長が約530nmである、請求項1に記載の蛍光体組成物。式Ca1.5Sr0.5Ga2S3F2:Eu2を有し、ピーク発光波長が約545nmである、請求項1に記載の蛍光体組成物。式Ca2Ga2S3F2:Eu2を有し、ピーク発光波長が約555nmである、請求項1に記載の蛍光体組成物。式Ca2Ga2SSe2F2:Eu2を有し、ピーク発光波長が約600nmである、請求項1に記載の組成物。式Ca1xSr1-xGayIn2-ySzSe3-zF2:D式中、0≦x≦1、0≦y≦2、0≦z≦3であり、Dは1つ又は複数の希土類金属元素及び遷移金属元素を含むドーパントであるを有する蛍光体組成物を合成する方法であって、単一容器内高温溶融を使用して、前記Dドーパントの少なくとも一部を前記蛍光体組成物の結晶格子内に組み入れる、単一容器内高温溶融を使用することを含む、蛍光体組成物を合成する方法。前記蛍光体組成物及びドーパントDを粉砕し、均質化することを更に含む、請求項14に記載の方法。式Ca1xSr1-xGayIn2-ySzSe3-zF2:D式中、0≦x≦1、0≦y≦2、0≦z≦3であり、Dは1つ又は複数の希土類金属元素及び遷移金属元素を含むドーパントであるを有する蛍光体組成物を合成する方法であって、単一容器内固相反応を使用して、前記Dドーパントの少なくとも一部を前記蛍光体組成物の結晶格子内に組み入れる、単一容器内固相反応を使用することを含む、蛍光体組成物を合成する方法。前記蛍光体組成物及びドーパントDを粉砕し、均質化することを更に含む、請求項16に記載の方法。式Ca1xSr1-xGayIn2-ySzSe3-zF2:D式中、0≦x≦1、0≦y≦2、0≦z≦3であり、Dは1つ又は複数の希土類金属元素及び遷移金属元素を含むドーパントであるを有する蛍光体組成物の蛍光体粒子/結晶の抽出を化学エッチング液を用いて行う方法。前記化学エッチング液が水、KOH、NaOH、NH4OH及び/又はそれらの混合物を含み、さらに、前記化学エッチング液のpHが約8~約12の範囲である、請求項18に記載の方法。電気的用途、機械的用途、磁気的用途、光学的用途、熱的用途、化学的用途、電子的用途、光電子工学用途、光量子用途、発電用途、生化学的用途及び化粧用途のための請求項1に記載の蛍光体組成物を含む能動素子又は受動素子。米国エネルギー省DOEの2015年までの蛍光体開発目標のロードマップによると、可視スペクトル全体にわたる90の量子収率、色均一性、色安定性、温度感度及び減少した光学散乱には、新たな蛍光体材料を探求すること、及び/又は既知の蛍光体の組成の微調整を行うことが必要とされる。したがって、より高い量子変換効率、並びにデバイスの製造及び操作に好適な性能特性を有する様々な合金系の選択的な結晶相を合成することが本発明の目的である。高い電力変換効率をもたらすことが実証された新たな合金組成、及び高効率の光源を提供することが本発明の更なる目的である。本発明は、式Ca1xSr1-xGayIn2-ySzSe3-zF2:D式中、0≦x≦1、0≦y≦2、0≦z≦3であり、さらに、DはEu、Ce、Pr、Tb、Ru、Er、Mn及び/又はそれらの混合物からなる群から選択される1つ又は複数の希土類金属及び/又は遷移金属の不純物であるを有する組成物を提供する。本発明の組成物は、電気的用途、機械的用途、磁気的用途、光学的用途、熱的用途、化学的用途、電子的用途、光電子工学用途、光量子用途、発電用途、生化学的用途及び化粧用途を含むこれらに限定されない用途のための能動素子又は受動素子として組み入れることができる。本発明の組成物の好適な使用としては、固体基板、薄膜、コロイド溶液、発光デバイス、光検出デバイス、発電デバイス、波長変換デバイス、光学フィルター、光搬送波光導波路又は光ファイバー、印刷用インク、塗料、光変調器デバイス、光スイッチ、反射面、触媒、光線療法デバイス、光バイオリアクター、化学反応器、生化学反応器、レーザー利得媒質、フォトトランジスタ及び/又は蛍光タグとしての使用が挙げられるが、これらに限定されない。本発明は、式Ca1xSr1-xGayIn2-ySzSe3-zF2:D式中、0≦x≦1、0≦y≦2、0≦z≦3であり、さらに、DはEu、Ce、Pr、Tb、Ru、Er、Mn及び/又はそれらの混合物からなる群から選択される1つ又は複数の希土類金属及び/又は遷移金属の不純物であるを有する組成物を合成する方法であって、a液相反応の工程、b合金成分の粉砕及び均質化の工程、並びにc固相反応の工程を含む、組成物を合成する方法を更に提供する。以下の例示的な実施形態の詳細な説明を添付の図面と併せて参照することによって、本開示自体が最もよく理解される。本発明の他の特徴、態様及び利点は、以下の説明を参照することで、よりよく理解される。本発明は、光子エネルギー下方変換用途に使用することのできる、希土類金属及び/又は遷移金属をドープした式Ca1xSr1-xGayIn2-ySzSe3-zF20≦x≦1、0≦y≦2、0≦z≦3、特に0<x<1、0<y<2、0<z<3であるの化合物、すなわち合金を提供する。ドーパント/活性化剤として使用される希土類金属及び/又は遷移金属の不純物としては、Eu、Ce、Pr、Tb、Ru、Er、Mn及び/又はそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されない。これらの合金は、エネルギーの高い光子を吸収し、エネルギーの低い光子を放出することができる。例えば、この合金は、UV又は青色若しくは緑色の波長の光子を吸収し、緑色又は黄色又は赤色の波長の光子を放出する。蛍光体の吸収特性は、合金の化学組成によって調整することができる。蛍光体の放出特性は、合金の化学組成及び活性化剤種によって調整することができる。合金の量子効率は結晶相及び材料欠陥によって決まる。欠陥としては、バルク点欠陥、バルク拡張欠陥及び表面欠陥ダングリングボンド等が挙げられる。ドーパント/活性化剤は、より高エネルギーの光子を吸収することによる低エネルギーの光子の放出のために少量存在する。概して、ドーパントは約0.001mol~約10molの範囲の量で存在する。x、y及びzによって表される合金組成、ドーパント種及びドーパント濃度を選択して、発光ピークの位置及び幅を調整する。本発明による合金組成物の例としては、Ca2Ga2S3F2、CaSrGa2SSe2F2、CaSrGaInSe3F2、CaSrGa2S3F2、Ca2Ga2SSe2F2及び/又はそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されない。特に、約540nm~約600nmの範囲のピーク発光波長を有する、Eu2をドープしたCaSrGa2SSe2F2、及び約540nm~約600nmの範囲のピーク発光波長を有する、Eu2をドープしたCa2Ga2SSe2F2が好ましい。各例中の下付き文字は、化合物中に存在する元素のモル分率を表す。Ca、Sr、Ga、In、S、Se及びF以外のII族、III族、VI族及びVII族の元素例えばMg、Ba、Zn、Cd、Al、O、Te、Cl及び/又はそれらの混合物の使用は、蛍光体粉末の低い量子効率又は高い感湿性をもたらす。蛍光体の重要な性能特性としては、a実際の動作条件連続照明下での出力光束の低下、bより高い動作温度通常はLED動作時に見られるでの量子効率、c動作温度でのピーク発光波長のシフト、d励起に使用されるエネルギーのより高い光子に対する光吸収係数、e発光波長に対する蛍光体の光透過性、fデバイスの製造時並びに受動構造及び能動構造への統合時の取り扱いの容易さ、並びにg用途に好適な製品のコストが挙げられる。これらの厳しい性能基準を満たすには、合金組成及び合成プロセスの慎重な最適化が必要とされる。本発明では、組成を体系的に変更し、量子変換効率に対する合金組成の影響を研究するために多工程合成プロセスを使用した。特定のドーパントによって活性化される特定の合金系の発光ピークが同じままであっても、量子変換効率、デバイスの電力変換効率、発光ピーク幅、連続動作させたデバイスの経時的な出力光束等の発光特性は、合金における結晶相及び/又は元素組成の比によって決まることが観察された。Ca、Sr、Ga、In、S及びSe元素元素の少なくとも1つはフッ化カルシウムCaF等のフッ化物化合物中に存在するを用いて本発明の組成物を合成する方法も開示され、希土類金属、遷移金属及び/又はそれらの混合物からなる群から選択される1つ又は複数のドーパント不純物が開示される。本発明で使用される合成方法としては、単一容器内での高温溶融物液相からの合成、単一容器内での固相反応プロセスによる合成、及び選択される元素の液体を他の反応物元素の蒸気に曝露することによる単一容器内での合成が挙げられるが、これらに限定されない。当業者に既知であり得る他の結晶合成方法を使用してもよい。概して、合成手順及び開示される蛍光体の種類の特性化は、以下の連続工程を含む:元素形態又は化合物形態の反応物を、室温で混合して均質な粉末形態にする。この工程で混合される反応物は、後続工程において高温反応に使用されるプロセスによって決まる。例えば、気相反応を使用する場合、室温では反応物の一部しか混合されない。残りの反応物は高温で気相から混合される。好適な反応物としては、元素反応物Ca、Ga、Sr、S、Se、化合物SrOH2、SrCO3、SrCl2、SrO、SrF2、CaO、CaF2、Ga2O3、GaCl3、GaS、GaSe、CaS、SrS、SrSe、EuCl3、Er2O3、EuF2、CeCl3、及び/又はそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されない。均質な粉末を高温炉内、真空又は不活性ガス雰囲気下で反応させる。この雰囲気は、反応させた合金の表面化学組成蛍光体の性能特性に影響を与えるに対して重要な役割を果たす。反応させた合金を微粉末まで粉砕し、室温で十分に均質化する。次いで、均質な粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気下、高温で焼鈍する。この工程の目的は複数ある:a未反応の化学種を粉末から選択的に蒸発させ、除去すること、b存在する化合物の一部を分解することにより表面合金組成を選択的に調整すること、c粉末中の各々の結晶子にわたる空間化学組成を均一化すること、d高品質結晶子のサイズを既存の核から増大させること、e合金の結晶相を変更すること、f粉末中に存在する結晶子の形態を修正すること、g粉砕プロセス中に生じる結晶子中の応力を軽減すること、h結晶子中に存在する点欠陥及び拡張欠陥を除去すること、iダングリングボンドの表面安定化を行うこと、並びにjドーパント種を効率的に活性化すること。次いで、焼鈍した粉末を微粉砕し、化学的に洗浄して表面を清浄にし、結晶子の高品質/清浄な表面を露出させる。化学薬品の選択は、結晶構造の分解又は合金の化学組成の大幅な変更を回避するように行われる。蛍光体粒子/結晶の抽出には選択的化学エッチング液が使用され得る。概して、化学エッチング液は約8~約12の範囲のpHを有し、水及び塩基KOH、NaOH、NH4OH及び/又はそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されないを含む。化学処理した粉末を、水分及び空気への曝露を回避するために有機溶液等の保存媒体に移す。粉末を不活性ガス若しくは真空下で乾燥させるか、又は波長変換デバイスを製造するためにエポキシ混合物に直接移す。乾燥させた粉末は、エネルギー分散型X線分析EDX、走査型電子顕微鏡SEM、透過型電子顕微鏡TEM、粉末X線回折XRD、表面X線光電子分光法XPS、及び光子相関分光法PCSを用いる粒径分析を使用した様々な化学的特性化、微細構造特性化及び結晶学的特性化にも使用される。光学的特性化及びデバイスの製造のために、蛍光体粉末とエポキシ通常は光抽出のためにLEDデバイス上に光学ドームを形成するのに使用されるとを混合することによって固体薄膜を形成し、ガラス板を被覆する。エポキシ-蛍光体混合物を窒素又はアルゴンガス流下、およそ80°Cで焼成して、固体膜を形成する。固体膜をその光学特性について特性化する。特性化の技法としては、フォトルミネッセンス分光法PL及び吸光分光法ABSが挙げられる。以下の非限定的な実施例は本発明の或る特定の態様を説明するものである。PC-LEDの特性化のために、電力変換効率を測定する。図1は、青色LED又はUVLEDによって励起される典型的なPC-LED構造を示す。青色LED励起波長:451nmを使用する。下記実施例は、発光波長及び最終的なデバイス性能に対する合金組成の役割を例示するものである。本発明は本明細書中に記載されるいずれの波長範囲又はデバイス性能にも限定されない。帯青緑色から赤色までの発光をもたらす組成は、Eu、Ce、Tb、Yb、Mn及び/又はそれらの混合物等の不純物がドープされたCa1xSr1-xGayIn2-ySzSe3-zF20≦x≦1、0≦y≦2、0≦z≦3のバリエーションによって得ることができる。実施例1:Eu2をドープしたCaSrGa2SSe2F2を、予め合成したSrSe、GaSe、GaS、CaF2及びEuCl3を反応させることによって合成する。各々の化合物SrSe、GaSe、GaS、CaF2は1モル分率で使用する。EuCl3は他の化合物の総重量の4重量とする。混合物をアルゴン雰囲気下、1000°Cの温度で2時間にわたって反応させる。黄緑色ルミネッセンスのインゴットが得られる。インゴットを破砕して微粉末にし、水素雰囲気下、850°Cの温度で30分間にわたって再焼鈍して、黄緑色ルミネッセンスの自由流動性粉末を得る。粉末をKOH水溶液pH:9~10の範囲中で化学的に洗浄し、窒素ガスで乾燥させる。この蛍光体のPLスペクトルを図2a実線の曲線に示す。蛍光体粉末のXRD曲線を図3に示す。この乾燥粉末を用いて製造された、青色LED451nmによって励起されるPC-LEDの電力変換効率は、約117ルーメン/ワット~121ルーメン/ワットであると測定される。実施例2:本発明の合金組成物の元素組成比に応じた発光ピーク調節可能性を実証するために、Eu2をドープしたCa2Ga2SSe2F2を、予め合成したCaS、GaSe、CaF2及びEuCl3を反応させることによって合成する。各々の化合物CaS及びCaF2は1モル分率で用いる。2モル分率のGaSeを使用する。EuCl3は他の化合物の総重量の4重量とする。混合物をアルゴン雰囲気下、1000°Cの温度で2時間にわたって反応させる。黄橙色ルミネッセンスのインゴットが得られる。インゴットを破砕して微粉末にし、水素雰囲気下、850°Cの温度で30分間にわたって再焼鈍して、黄橙色ルミネッセンスの自由流動性粉末を得る。粉末をKOH水溶液pH:9~10の範囲中で化学的に洗浄し、窒素ガスで乾燥させる。この蛍光体のPLスペクトルを図2a破線の曲線に示す。実施例3:Eu2をドープしたCaSrGa2S3F2を、予め合成したSrS:Eu2、GaS及びCaF2を反応させることによって合成する。1モル分率のSrS:Eu2及びCaF2、並びに8モル過剰のGaSを使用する。Eu2は合成された化合物中のSrSの総重量の2重量である。混合物をアルゴン雰囲気下、900°Cの温度で48時間にわたって反応させた後、1050°Cで12時間反応させる。反応混合物を1時間に2°Cの速度で950°Cの温度までゆっくりと冷却し、続いて1時間に50°Cの速度で室温までの急速冷却サイクルを行う。過剰のGaS中に埋め込まれた緑色ルミネッセンスの結晶子が得られる。反応混合物をKOH-水混合物pH:10~11中で12時間にわたって洗浄することによって結晶子を抽出する。抽出した結晶子を破砕して微粉末にし、アルゴン雰囲気下、900°Cの温度で12時間にわたって再焼鈍して、緑色ルミネッセンスの自由流動性粉末を得る。この蛍光体のPLスペクトルは、青色LED451nmによって励起した場合に、図2bに示されるように530nm付近に幅広いピークを示す。実施例4:Eu2をドープしたCa1.5Sr0.5Ga2S3F2を、予め合成したSrS:Eu2、CaS:Eu2、GaS及びCaF2を反応させることによって合成する。1モル分率のCaS:Eu2及びCaF2、1/2モル分率のSrS:Eu2、並びに8モル過剰のGaSを使用する。Eu2は合成された化合物中のSrS及びCaSの総重量の2重量である。混合物をアルゴン雰囲気下、850°Cの温度で48時間にわたって反応させた後、950°Cで24時間反応させる。反応混合物を1時間に2°Cの速度で900°Cの温度までゆっくりと冷却し、続いて1時間に50°Cの速度で室温までの急速冷却サイクルを行う。過剰のGaS中に埋め込まれた帯緑黄色ルミネッセンスの結晶子が得られる。反応混合物を弱塩基性KOH-水混合物pH:8~9中で36時間にわたって洗浄することによって結晶子を抽出する。抽出した結晶子を破砕して微粉末にし、アルゴン雰囲気下、850°Cの温度で24時間にわたって再焼鈍して、帯緑黄色ルミネッセンスの自由流動性粉末を得る。この蛍光体のPLスペクトルは、青色LED451nmによって励起した場合に、図2cに示されるように545nm付近に幅広いピークを示す。実施例5:Eu2をドープしたCa2Ga2S3F2を、予め合成したCaS:Eu2、GaS及びCaF2を反応させることによって合成する。1モル分率のCaS:Eu2及びCaF2、並びに2モルのGaSを使用する。Eu2はCaSの総重量の2重量である。混合物をアルゴン雰囲気下、1000°Cの温度で24時間にわたって反応させる。黄色ルミネッセンスの大粒子が得られる。粒子を破砕して微粉末にし、アルゴン雰囲気下、850°Cの温度で12時間にわたって再焼鈍して、黄色ルミネッセンスの自由流動性粉末を得る。この蛍光体のPLスペクトルは、青色LED451nmによって励起した場合に、図2dに示されるように555nm付近に幅広いピークを示した。上記の本発明の実施形態の説明は、例示及び説明を目的として提示した。この説明が網羅的なものであること、又は本発明を開示される正確な形態に限定することは意図されず、明らかに、多くの変更形態及び変形形態が可能である。当業者に明らかであり得るかかる変更形態及び変形形態は、上に記載した発明の範囲内に含まれることが意図される。