"基板と、前記基板の上に形成されている、半導体レーザ活性層、位相シフト構造を有する回折格子が形成された回折格子形成層、上部クラッド層とを有しており、光の出射端面とレーザ後端面に無反射コーティングが施されている半導体レーザにおいて、前記回折格子形成層は、前記レーザ後端面側の領域に前記回折格子が形成され、前記光の出射端面側に前記回折格子が形成されていない領域を有していることを特徴とする半導体レーザ。請求項1に記載の半導体レーザにおいて、前記回折格子が形成されている前記レーザ後端面側の部分と、前記回折格子が形成されていない前記光の出射端面側の部分とを、同一の電極で駆動する構成であることを特徴とする半導体レーザ。請求項1又は2に記載の半導体レーザと半導体光変調器とが同一の基板上に集積されており、前記半導体光変調器側の端面である光の出射端面と、前記半導体レーザ側の端面であるレーザ後端面に無反射コーティングが施されていることを特徴とする光半導体装置。しかし、このような位相シフトが形成された回折格子を半導体レーザに用いると、半導体レーザの共振器内に光が強く閉じ込められ、共振器外に取り出される光すなわち光出力が小さくなってしまう。このように、位相シフトを用いることで安定的な単一縦モード発振を得ることはできるが、光出力が低下する。従って、光通信に必要な大きさの光出力を確保するためには、より大きな注入電流が必要となり、消費電力が増加する。また、光出力を増大する方法としては、位相シフトを導入せず、均一回折格子を形成し、光の出斜端面側を無反射コーティングし、後端面側を高反射コーティングする方法があるが、この方法では、端面の位相条件を制御することが困難であり、単一縦モード発振するレーザの割合が低下する。本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであり、安定な単一縦モード発振を保ったまま、効率的に光出力を増大させることができる半導体レーザ及び光半導体装置を提供することを課題とする。上記課題を解決する第1発明の半導体レーザは、基板と、前記基板の上に形成されている、半導体レーザ活性層、位相シフト構造を有する回折格子が形成された回折格子形成層、上部クラッド層とを有しており、光の出射端面とレーザ後端面に無反射コーティングが施されている半導体レーザにおいて、前記回折格子形成層は、前記レーザ後端面側の領域に前記回折格子が形成され、前記光の出射端面側に前記回折格子が形成されていない領域を有していることを特徴とする。また、第2発明の半導体レーザは、第1発明の半導体レーザにおいて、前記回折格子が形成されている前記レーザ後端面側の部分と、前記回折格子が形成されていない前記光の出射端面側の部分とを、同一の電極で駆動する構成であることを特徴とする。また、第3発明の光半導体装置は、第1又は第2発明の半導体レーザと半導体光変調器とが同一の基板上に集積されており、前記半導体光変調器側の端面である光の出射端面と、前記半導体レーザ側の端面であるレーザ後端面に無反射コーティングが施されていることを特徴とする。本発明の半導体レーザによれば、基板と、前記基板の上に形成されている、半導体レーザ活性層、位相シフト構造を有する回折格子が形成された回折格子形成層、上部クラッド層とを有しており、光の出射端面とレーザ後端面に無反射コーティングが施されている半導体レーザにおいて、前記回折格子形成層は、前記レーザ後端面側の領域に前記回折格子が形成され、前記光の出射端面側に前記回折格子が形成されていない領域を有していることを特徴としているため、安定な単一縦モード発振を保ったまま、効率的に光出力を増大させることができる。即ち、従来の半導体レーザでは回折格子形成層半導体レーザ活性層と回折格子形成層から成る半導体レーザ活性領域の全域に回折格子が形成描画されていたのに対して、本発明の半導体レーザでは回折格子形成層半導体レーザ活性領域の光の出射端面側において回折格子の形成を部分的に省き、半導体レーザの前後両端面に無反射コーティングを施したことにより、安定な単一縦モード発振を保ったまま、光出力、外部量子効率、温度特性に関する半導体レーザの性能を向上させることが可能になる。また、本発明の半導体レーザは従来の半導体レーザと同工程で作製可能でありながら、消費電力を大幅に削減可能なため、光通信の更なる普及に大きな効果がある。以下、本発明の実施の形態例を図面に基づいて詳細に説明する。<第1実施形態例>図1a及び図1bに示すように、本発明の第1実施形態例の半導体レーザは、半導体混晶からなる基板であるn型のInP基板1と、このn型のInP基板1の上に形成されている、InGaAlAs歪量子井戸層を含む半導体レーザ活性層2、InGaAsP回折格子形成層3、コンタクト層を含むp型のInP上部クラッド層4とを有して成るものである。また、上部クラッド層4の上面にはp電極5が形成され、InP基板1の下面にはn電極6が形成されている図1aでは電極を図示省略:図1b参照。半導体レーザ活性層2はフォトルミネッセンスPLピーク波長で13μm付近の光を発光するような量子井戸構造であり、回折格子形成層3にはブラッグ波長が13μm程度になるような周期、深さをもつ回折格子7が形成されている。回折格子7中には、位相シフト構造8を形成した領域が存在している。また、レーザ前端面である光の出射端面9には無反射コーティング11が施され、レーザ後端面10には無反射コーティング12が施されている。そして、本第1実施形態例の半導体レーザにおける回折格子形成層3は、レーザ後端面10側の領域3Aに回折格子7が形成され、光の出射端面9側に回折格子7が形成されていない領域3Bを有していることを特徴としている。即ち、図2に示すように従来の半導体レーザでは、回折格子形成層3隣接する半導体レーザ活性層2と回折格子形成層3から成る半導体レーザ活性領域の全域に回折格子7が形成描画され、この回折格子7中に発振波長安定化のために位相シフト構造8が挿入されている。一方、図1bに示すように本発明の半導体レーザにおける回折格子形成層3隣接する半導体レーザ活性層2と回折格子形成層3から成る半導体レーザ活性領域では、光の出射端面9側において部分的に回折格子7が形成されていない領域3Bが存在し、レーザ後端面10側領域3Aに部分的に形成されている回折格子7中に発振波長安定化のために位相シフト構造8が挿入されている。また、本発明の半導体レーザは、回折格子7が形成されているレーザ後端面10側の部分13Aと、回折格子7が形成されていない光の出射端面9側の部分13Bとを、同一の電極5,6で駆動する構成となっている。次に、本第1実施形態例に係る半導体レーザの製造方法を説明する。まず、n型のInP基板1の上に、半導体レーザ活性層2と、回折格子形成層3を成長させる。次に、ウェットエッチング又はドライエッチングにより、回折格子形成層3に回折格子7を形成する。このとき、回折格子7はレーザ後端面10側の領域3Aにだけ形成する。また、回折格子7中には位相シフト構造8を挿入する。回折格子7を形成した後、コンタクト層を含む上部クラッド層4を成長させる。次に、ウェットエッチング又はドライエッチングにより、図1aに示すようなリッジ型のメサを形成し、スパッタリングにより絶縁膜を表面につけた後、電極5,6を形成する。この電極形成プロセス後、へき開により長さ600μmの半導体レーザを作成し、このレーザ両端面9,10に無反射コーティング11,12を施すことにより、半導体レーザの完成となる。無反射コーティング11,12を実現する方法はいくつかあるが、ここではTiO2とSiO2の多層膜をレーザ両端面9,10に堆積した。本発明の構造の半導体レーザに対して電極5,6から電流を注入すると、回折格子7が形成されている部分13A領域3Aには強く局在した光の定在波縦モードが形成され、その光はレーザ後端面10から出射されるか、回折格子7が形成されていない部分13B領域3Bへと伝搬する。回折格子7が形成されていない部分13B領域3Bも、回折格子7が形成されている部分13A3Aと同様に電流が注入されているため、利得を持つことになり、そこへ伝搬した光は増幅され、レーザ前端面9から無反射コーティング11を介して出射される。このとき、無反射コーティング11,12の反射率は0ではないため、レーザの前後両端面9,10の間で一つの共振器が形成されることになり、安定な単一縦モードとして発振が可能となる。こうすることで、安定な単一縦モード発振を保ったまま、効率的に光出力を増大することが可能となる。なお、本発明の半導体レーザと似た構成をもつ素子として、図3に示すような半導体レーザ21と半導体光増幅器SOA22を同一の基板1上に集積した光源が挙げられる。この構造では、半導体レーザ21部で発生した光を、光の吸収が小さいパッシブ導波路23を通してSOA22へと伝搬させ、SOA22で光を増幅する。この構造の素子に対する本発明の半導体レーザの利点は、まず、作製の容易さにある。SOA22を集積する場合には、図3に示すように、光の吸収の小さいパッシブ導波路23を用いる必要があるので、半導体レーザ活性層2の結晶成長を行った後に、パッシブ導波路コア24の層を再成長しなければならない。また、SOA22の利得層2は、半導体レーザ活性層2と同一とすることも可能だが、SOA構造の最適化を行うために別構造とする場合には、その層2も再成長する必要がある。結晶の再成長には、再成長それ自体、及び、それに伴うフォトリソグラフィーによるパターニング、エッチングが必要であるため、素子作製の工程を大幅に増加させる。一方、本発明の半導体レーザでは、図1bに示すように、結晶の再成長は必要無い。また、本発明の半導体レーザにおいてパッシブ導波路を必要としないということは、素子の大きさを小さくできることも意味し、一つの半導体基板から作製することのできる素子数が増す。2つ目の利点は制御の簡便さにある。SOA22を集積する場合には、図3に示すように、半導体レーザ21とSOA22とを駆動するためにレーザ電極5AとSOA電極5Bとを別々に設けなければならないが、本発明の半導体レーザによれば、図1bに示すように、たった一つの電極5で駆動制御することが可能である。その他にも、適用する光通信のシステムによっては、そもそもSOAの使用が許されない場合も多く、このような場合でも本発明の半導体レーザであれば適用することができるという利点などがある。例えば、2010年に標準化された100ギガビットイーサネット登録商標用の光源にはSOAの使用は許されていないが、規格で要求されている光出力を可能なかぎり低い消費電力で得ることが求められる。このような要求にも本発明の半導体レーザであれば対応することができる。図4aと図4bには、共振器長レーザ前端面9からレーザ後端面10までの無さを600μmとし、回折格子7を共振器全体回折格子形成層3の全域に形成し、共振器中心に4分の1波長分の位相シフト構造8を挿入した従来の半導体レーザにおける、光出力の注入電流依存性と、発振スペクトルとを示す。回折格子7の結合係数は35cm1としている。波長13μmで単一縦モード発振し、光出力は注入電流100mAで9mW程度となっている。次に、図5aと図5bには、共振器長レーザ前端面9からレーザ後端面10までの長さを600μmとし、回折格子7を共振器中心からレーザ後端面10まで形成し回折格子7が形成されている領域3Aの長さが300μm、その中心に4分の1波長分の位相シフト構造8を挿入した本発明の半導体レーザにおける、光出力の注入電流依存性と、発振スペクトルとを示す。図5の場合にも、図4の場合と同様に波長13μmで単一縦モード発振しているが、図4の場合と比べて図5の場合には、光出力は大幅に改善され、注入電流100mAで19mWと2倍以上の光出力が得られていることがわかる。また、図4の場合と比べて図5の場合には、光出力9mWを得るために必要な注入電流は58mA程度であり、同じ光出力をだすために必要な消費電力がほぼ2分の1になることがわかる。なお、ここでは、共振器方向において、回折格子7が形成されている領域3Aの長さLgratingと、回折格子7が形成されていない領域3Bの長さLactiveとの比を1:1としているが、その比を変更しても同様な効果を得ることが可能である。但し、Lgratingの比が大きくなると、増幅するための半導体レーザ活性層2の長さが短くなるために、光出力の増幅倍率は小さくなる。また、Lactiveの比が大きくなると、増幅率は大きくなるが、半導体レーザが外部の要因例えば戻り光に対して弱くなり、発振の安定性が損なわれる。そのため、LgratingとLactiveの長さの比は大きすぎず、小さすぎないほうが良い。具体的には、Lgrating/Lactive03~08くらいが良い。Lgratingの長さについては、結合係数κの大きさとの兼ね合いで決定されるが、通常、κLgrating07~25程度が良い。また、位相シフト構造7を挿入する位置については、本第1実施形態例では回折格子7が形成されている領域3Aの真中にしているが、中央でなくても同様の効果を得ることができる。<第2実施形態例>図6に示すように、本発明の第2実施形態例の半導体レーザは、半導体混晶からなる基板であるn型のInP基板1と、このn型のInP基板1の上に形成されている、InGaAlAs歪量子井戸層を含む半導体レーザ活性層2、InGaAsP回折格子形成層3、コンタクト層を含むp型のInP上部クラッド層4とを有し、更に、半導体レーザ活性層2と回折格子形成層3と上部クラッド層4の両脇を半絶縁性InPで埋め込んだ埋め込み部31を有して成るものである。また、上部クラッド層4の上面とInP基板1の下面には、p電極とn電極図示省略がそれぞれ形成されているそして、本第2実施形態例の半導体レーザにおいても、第1実施形態例と同様に回折格子形成層3は、図示は省略するが、レーザ後端面側の領域に回折格子が形成され、光の出射端面側に回折格子が形成されていない領域を有していることを特徴としている。回折格子中には位相シフト構造を有している。また、回折格子が形成されているレーザ後端面側の部分と、回折格子が形成されていない光の出射端面側の部分とを、同一の電極で駆動する構成となっている。従って、本第2実施の形態例の効果は、第1実施形態例と同様である。<第3実施形態例>図7に示すように、本発明の第3実施形態例の電界吸収型変調器集積半導体レーザ光半導体装置は、半導体レーザ41と、半導体光変調器である電界吸収型変調器42とを同一の基板1上に集積したものであり、半導体混晶からなる基板であるn型のInP基板1と、このn型のInP基板1の上に形成されている、InGaAlAs歪量子井戸層を含む半導体レーザ活性層2、InGaAsP回折格子形成層3、コンタクト層を含むp型のInP上部クラッド層4、InGaAlAs歪量子井戸層を含む電界吸収型変調器吸収層43、エッチングストップ層44、InGaAsPコア層46、エッチングストップ層47とから成っている。即ち、半導体レーザ41は、n型のInP基板1と、このn型のInP基板1の上に形成されている、半導体レーザ活性層2、回折格子形成層3、上部クラッド層4と有して成るものである。また、上部クラッド層4の上面には、レーザ電極としてのp電極5が形成され、InP基板1の下面にはn電極6が形成されている。半導体レーザ活性層2はPLピーク波長で13μm付近の光を発光するような量子井戸構造であり、回折格子形成層3にはブラッグ波長が13μm程度になるような周期、深さをもつ回折格子7が形成されている。そして、本第3実施形態例においても、半導体レーザ41における回折格子形成層3は、レーザ後端面10側の領域3Aに回折格子7が形成され、光の出射端面9側に回折格子7が形成されていない領域3Bを有していることを特徴としている。回折格子7中には位相シフト構造8を有している。また、半導体レーザ41は、回折格子7が形成されているレーザ後端面10側の部分13Aと、回折格子7が形成されていない光の出射端面9側の部分13Bとを、同一の電極5,6で駆動する構成となっている。電界吸収型変調器42は、n型のInP基板1と、このn型のInP基板1の上に形成されている、変調器吸収層43、エッチングストップ層44、上部クラッド層4とを有して成るものである。また、上部クラッド層4の上面には、変調器電極としてのp電極45が形成されている。なお、変調器吸収層43には、PLピーク波長で124μm付近の光を発光するような量子井戸構造を用いている。InGaAsPコア層46は半導体レーザ活性層2と変調器吸収層43の間に介在し、エッチングストップ層47は回折格子形成層3とエッチングストップ層44の間に介在している。また、変調器42側の端面前端面である光の出射端面9には、無反射コーティング11が施されており、半導体レーザ41側の端面であるレーザ後端面10には、無反射コーティング12が施されている。この第3実施形態例の電界吸収型変調器集積半導体レーザでも、半導体レーザ41における回折格子形成層3は、レーザ後端面10側の領域3Aに回折格子7が形成され、光の出射端面9側に回折格子7が形成されていない領域3Bを有していることを特徴としているため、安定な単一縦モード発振を保ったまま、光出力の増大、もしくは、消費電力の低減が可能となる。特に、外部変調器と半導体レーザを集積した光源に関して、そこに用いられるレーザは高光出力で、低消費電力であるほど良いので、本発明による半導体レーザは外部変調器との集積光源への適用に関して大きな効果がある。<第4実施形態例>図8に示すように、本発明の第4実施形態例のマッハツェンダ型変調器集積半導体レーザ光半導体装置は、半導体レーザ51と、半導体光変調器であるマッハツェンダ型変調器52とを同一の基板1上に集積したものである。図8中の黒の太線が光導波路53の存在する位置を示しており、半導体レーザ51の内部では1本の光導波路53が形成されており、マッハツェンダ型変調器52では光が2つの光導波路53に分けられ、その2つの光導波路53を導波する光に位相差をつけることにより光の変調動作を実現する。また、図示は省略するが、半導体レーザ51は、基板1と、前記基板1の上に形成されている、半導体レーザ活性層、回折格子形成層、上部クラッド層とを有して成るものである。そして、本第4実施形態例においても、半導体レーザ51における回折格子形成層は、レーザ後端面10側の領域3Aに回折格子7が形成され、光の出射端面9側に回折格子7が形成されていない領域3Bを有していることを特徴としている。回折格子7中には位相シフト構造8を有している。また、半導体レーザ51は、回折格子7が形成されているレーザ後端面10側の部分13Aと、回折格子7が形成されていない光の出射端面9側の部分13Bとを、同一の電極図示省略で駆動する構成となっている。また、変調器42側の端面前端面である光の出射端面9には、無反射コーティング11が施されており、半導体レーザ51側の端面であるレーザ後端面10には、無反射コーティング12が施されている。この第4実施形態例のマッハツェンダ型変調器集積半導体レーザでも、半導体レーザ51における回折格子形成層は、レーザ後端面10側の領域3Aに回折格子7が形成され、光の出射端面9側に回折格子が形成されていない領域3Bを有していることを特徴としているため、安定な単一縦モード発振を保ったまま、光出力の増大、もしくは、消費電力の低減が可能となる。なお、本明細書における各実施形態例においては、半導体レーザの活性層をInGaAlAsとしたが、これがInGaAsPでもGaInNAsでも同じ効果を得ることができる。また、基板をInPとしているが、GaAs基板でもサファイア基板でも、その他の半導体基板でも同様な効果を得ることができる。また、半導体レーザの長さは600μmとしているが、他の長さでも同様の効果を得ることができる。また、本明細書では、素子から出力される光の波長が13μm付近の光の例のみを示しているが、他の波長帯、例えば、155μm付近の光を発する半導体レーザについても同様の効果を得ることができる。"