"微小なライン状凹凸構造が略一定方向に形成される帯状の第1凹凸構造領域と、前記第1凹凸構造と異なる方向に微小なライン状凹凸構造が形成される帯状の第2凹凸構造領域とが交互に、無機材料からなる基材上に形成されており、前記無機材料のモース硬度が5.5~9.0である3次元表示用パターン配向膜用原版。前記無機材料が、クロム、チタン、タングステン、酸化クロム、酸化珪素、酸化チタン、タングステンカーバイド、ダイヤモンドライクカーボン及び窒化チタンからなる群より選択される請求項1に記載の3次元表示用パターン配向膜用原版。前記帯状の第1凹凸構造領域及び第2凹凸構造領域が、ラビング処理により形成されている請求項1又は2に記載の3次元表示用パターン配向膜用原版。前記無機材料からなる基材は、帯状の凹部と凸部が交互に形成されており、前記凹部の底面に前記帯状の第1凹凸構造領域が形成され、前記凸部の天面に前記帯状の第2凹凸構造領域が形成されている請求項1から3のいずれかに記載の3次元表示用パターン配向膜用原版。前記無機材料からなる基材は、第1の前記無機材料からなる平面上に、第2の前記無機材料からなる帯状の凸部が所定の間隔で形成されている請求項4に記載の3次元表示用パターン配向膜用原版。前記帯状の第1凹凸構造領域及び帯状の第2凹凸構造領域が、前記無機材料の同一平面上に交互に形成されている請求項1から5のいずれかに記載の3次元表示用パターン配向膜用原版。請求項1から6のいずれかに記載の3次元表示用パターン配向膜用原版を、基材上の賦型樹脂表面に転写して得られるパターン配向膜。請求項7に記載のパターン配向膜の前記賦型樹脂表面上に、重合性の液晶化合物が塗布されているパターン位相差フィルム。このように、パターン位相差フィルムでは、異なるパターンをストライプ状で交互に形成する必要がある。このような、微小なライン状凹凸構造が略一定方向に形成される帯状の第1凹凸構造領域と、前記第1凹凸構造と異なる方向に微小なライン状凹凸構造が形成される帯状の第2凹凸構造領域とが交互に形成されている3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法として、例えば、図1から図2に示す方法が検討されている。この方法は、具体的には、図1aに示す無機材料からなる第1層の表面に、図1bに示すようにラビング処理などで第1凹凸構造領域を形成する第1研磨工程と、図1cに示すように第1層の第1凹凸構造領域の表面に帯状のレジスト部をパターン形成する工程と、図2dに示すようにレジスト部及び非レジスト部の表面に無機材料からなる第2層膜を形成する第2層形成工程と、図2eに示すように第2層膜の表面を前記異なる方向にラビング処理などで研磨して第2凹凸構造領域を形成する第2研磨工程と、図2fに示すようにレジスト部及び該レジスト部上の第2層膜を剥離するレジスト剥離工程とからなる。すなわち、帯状のレジスト部の形成によって一方の凹凸構造領域将来凹凸構造領域が形成される領域でもよいを一時的にマスキングし、その後にレジスト部を剥離することによって異なる凹凸構造領域を帯状に交互に配列させる方法である。本発明等は、この工程において、無機材料からなる第1層及び第2層の選択により、ラビングなどの研磨工程後の表面凹凸構造が安定し、結果として3次元表示用パターン位相差フィルムを形成することが可能なパターン配向膜を、高精度で作製することができることを見出し、本発明を完成するに至った。具体的には本発明は以下のものを提供する。1微小なライン状凹凸構造が略一定方向に形成される帯状の第1凹凸構造領域と、前記第1凹凸構造と異なる方向に微小なライン状凹凸構造が形成される帯状の第2凹凸構造領域とが交互に、無機材料からなる基材上に形成されており、前記無機材料のモース硬度が5.5~9.0である3次元表示用パターン配向膜用原版。2前記無機材料が、クロム、チタン、タングステン、酸化クロム、酸化珪素、酸化チタン、タングステンカーバイド、ダイヤモンドライクカーボン及び窒化チタンからなる群より選択される1に記載の3次元表示用パターン配向膜用原版。3前記帯状の第1凹凸構造領域及び第2凹凸構造領域が、ラビング処理により形成されている1又は2に記載の3次元表示用パターン配向膜用原版。4前記無機材料からなる基材は、帯状の凹部と凸部が交互に形成されており、前記凹部の底面に前記帯状の第1凹凸構造領域が形成され、前記凸部の天面に前記帯状の第2凹凸構造領域が形成されている1から3のいずれかに記載の3次元表示用パターン配向膜用原版。5前記無機材料からなる基材は、第1の前記無機材料からなる平面上に、第2の前記無機材料からなる帯状の凸部が所定の間隔で形成されている4に記載の3次元表示用パターン配向膜用原版。6前記帯状の第1凹凸構造領域及び帯状の第2凹凸構造領域が、前記無機材料の同一平面上に交互に形成されている1から5のいずれかに記載の3次元表示用パターン配向膜用原版。71から6のいずれかに記載の3次元表示用パターン配向膜用原版を、基材上の賦型樹脂表面に転写して得られるパターン配向膜。87に記載のパターン配向膜の前記賦型樹脂表面上に、重合性の液晶化合物が塗布されているパターン位相差フィルム。本発明によれば、無機材料からなる第1層及び第2層の材料選択により、ラビングなどの研磨工程後の表面凹凸構造が安定し、結果として3次元表示用パターン位相差フィルムを形成することが可能なパターン配向膜を、高精度で作製することができる3次元表示用パターン配向膜用原版を提供できる。なお、モース硬度5.5~9の無機材料を選択することにより、ラビングなどの研磨工程で表面に微小なライン状凹凸構造を形成しやすく、基材上の賦型樹脂表面に転写する際に、原版表面の微小なライン状凹凸構造が容易に変形しないため、大量生産が可能となる。具体的には、耐酸性、耐アルカリ性に加え、ラビングのしやすさ、および、UV樹脂への転写工程における版のロングラン適性が付与される。やわらかい無機材料は、ラビングなどの研磨工程により表面の凹凸構造を形成しやすいが、UV樹脂への形状転写時に表面の凹凸構造が壊れやすく、特にロールでの大量生産に向かない。硬い無機料は、表面の凹凸構造を形成しづらいが、形状転写時に表面の凹凸構造が壊れにくく、大量生産に適するものである。なお、モース硬度は、好ましくは6~8である。図面を用いて本発明を具体的に説明する。図1及び図2は、本発明の3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法の一例を示す工程図である。この製造プロセスは、工程aからfで構成されている。具体的には、図1aに示す無機材料からなる第1層の表面に、図1bに示すように第1凹凸構造領域を形成する第1研磨工程と、図1cに示すように第1層の第1凹凸構造領域の表面に帯状のレジスト部をパターン形成する工程と、図2dに示すようにレジスト部及び非レジスト部の表面に無機材料からなる第2層膜を形成する第2層形成工程と、図2eに示すように第2層膜の表面を前記異なる方向に研磨して第2凹凸構造領域を形成する第2研磨工程と、図2fに示すようにレジスト部及び該レジスト部上の第2層膜を剥離するレジスト剥離工程と、からなる。以下、各工程について詳細に説明する。<第1研磨工程>図1a及び図1bに示すように、第1層10の表面を研磨して、その略全面に微小なライン状凹凸構造である、第1凹凸構造領域12を形成する。第1層10は基材の最表層として存在する無機材料層である。第1層10の形成方法は、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法などの物理蒸着法PVD、気相成長法CVD法、めっき法、塗布法等を挙げることができる。本発明においては、この第1層10を構成する無機材料として、チタン、酸化チタン、窒化チタンのいずれかであるチタン系材料を選択する。通常用いられる無機材料としては、上記チタン系材料以外に、ニッケル、銅、アルミニウム、スズ、クロム、ステンレス、鉄、タングステン等の金属材料;SiO2、SiOx、Al2O3、GeO2、Cr2O3、ZrO3、Ta2O5、Nb2O3等の無機酸化物;Si3N4、AlN等の無機窒化物;SiOxNy等の無機酸化窒化物;SiC等の無機炭化物;DLCダイヤモンドライクカーボン等を挙げることができる。しかし、ロングラン適性とラビングのしやすさ、および、工程上これらの無機材料の最表面酸化層の耐酸アルカリ性が必須という理由により、モース硬度5.5~8であり耐酸アルカリ性を有する材料、すなわち、上記のクロム、チタン、タングステン、ステンレス系金属材料、SiO2、SiOx、Al2O3、Cr2O3、TiO2などの無機酸化物、Si3N4、AlN、TiNなどの無機窒化物、SiOxNy、SiOxNyなどの無機酸化窒化物、SiC、WCなどの無機炭化物、DLCが選択される。これらのなかでも、ロングラン適性とラビング処理による微小なライン状凹凸の形成しやすさという理由により、金属クロム、金属チタン、Cr2O3、TiO2、SiOx、Si3N4、TiN、DLCが好ましい。本発明に用いられる無機材料のモース硬度は以下の数値となる。Ti:6、タングステン:7.5、Cr:7、SiOx:7、TiN:9、TiO2ルチル型:7。一方、モース硬度5.5未満の無機材料としては、ニッケル:5、白金:4.3、アルミ:3、銅:2.5、鉄:4~5、モース硬度8超の無機材料としては、SiC:95が例示できる。第1凹凸構造領域12は、第1層10の表面に略一定方向にランダムに形成されたものである。ここで、略一定方向にランダムに形成された微小なライン状凹凸構造とは、例えば、表面にラビング処理がなされた場合等に形成されるような微小な傷のようなライン状凹凸構造が、略一定方向に形成されたものである。微小なライン状凹凸構造としては、本発明の原版を用いて形成されたパターン配向膜により3次元表示可能なパターン位相差フィルムとすることができるものであれば特に限定されるものではない。微小なライン状凹凸構造の断面形状としては、凹凸構造を有し、上記液晶化合物を所定の方向に配列できるものであれば特に限定されるものではなく、略矩形、略三角形、略台形等とすることができる。また、一定の形状でなくともよい。微小なライン状凹凸構造の高さ、幅、及び周期としては、液晶化合物を配列させることができる範囲内であれば特に限定されるものではない。本発明において、微小なライン状凹凸構造の幅は、1nm~1000nmの範囲内であることが好ましく、なかでも、1nm~500nmの範囲内であることがより好ましく、特に、1nm~100nmの範囲内であることがさらに好ましい。また、微小なライン状凹凸構造の高さは、1nm~500nmの範囲内であることが好ましく、なかでも、1nm~100nmの範囲内であることがより好ましく、特に、1nm~50nmの範囲内であることが好ましい。さらに、微小なライン状凹凸構造の周期は、必ずしも一定ではなくてもよいが、概ね1nm~1000nmの範囲内であることが好ましく、なかでも1nm~100nmの範囲内であることが好ましい。微小なライン状凹凸構造が上述のサイズであることにより、安定的に液晶化合物を配列させることができるからである。研磨方法としては、砥石研磨、ペーパー研磨、テープ研磨、バフ研磨、サンドブラスト法、ショットブラスト法、グリットブラスト法、ガラスビーズブラスト法等のブラスト法、ナイロン、ポリプロピレン、塩化ビニル樹脂、レーヨン、コットンなどの合成繊維からなる合成樹脂毛、不織布、動物毛、スチールワイヤ等のブラシ材を用いる、ラビング法を含むブラシグレイニング法、金属ワイヤーで引っかくワイヤーグレイニング法、研磨剤を含有するスラリー液を供給しながらブラシ研磨する方法ブラシグレイニング法、ボールグレイン法、液体ホーニング法等のバフ研磨法、ショットピーニング法等を挙げることができる。<第2層形成工程>まず、図1cに示すように、第1凹凸構造領域12が形成された第1層10の表面に帯状の第1レジスト部31と非レジスト部32とをパターン形成する。レジストを平行な帯状に形成する方法としては、レジスト材料を塗布することによりレジスト膜図示せずを形成した後、平行な帯状に露光し、次いで、現像することにより、第1レジスト部31と非レジスト部32とをパターン形成することができる。本工程に用いられるレジスト材料としては、ポジ型レジスト材料光照射部分が溶解するものおよびネガ型レジスト材料光照射部分が固まるもののいずれも用いることができる。ポジ型レジスト材料としては、例えばノボラック樹脂をベース樹脂とした化学増幅型レジスト等が挙げられる。また、ネガ型レジスト材料としては、例えば架橋型樹脂をベースとした化学増幅型レジスト、具体的にはポリビニルフェノールに架橋剤を加え、さらに酸発生剤を加えた化学増幅型レジスト等が挙げられる。なかでも、レジスト剥離工程におけるレジスト剥離の容易さ、溶解容易性、ポットタイム可使時間の観点からポジ型レジスト材料であることが好ましい。レジスト材料は、化学増幅レジスト、非化学増幅レジストいずれも使用可能であるが、後述する残留溶剤との関係から親水性のものをなるべく含まないレジストであることが好ましい。ポジ型レジストとしては、スチレン-マレイン酸系樹脂、ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール、エチレン-ビニルアルコール共重合体、ポリビニルフェノール系樹脂、ノボラック樹脂などのベース樹脂において、フェノール基やカルボキシル基などの水素原子を酸の作用により解離する基で置換した樹脂が例示できる。ネガ型のレジストとしては、上記のベース樹脂において、フェノール基やカルボキシル基などの水素原子を酸や光により重合する基で置換した樹脂が例示できる。スチレン-マレイン酸系樹脂を含むポジ型レジストとしては、例えば、WO2005/001576号国際公開公報に記載の、スチレン/マレイン酸系共重合体のように分子中に少なくとも1つのカルボキシル基を有する高分子物質、及び、露光光源の赤外線を吸収して熱に変換する光熱変換物質赤外線吸収色素、を含有するポジ型感光性組成物などが例示できる。ここで、スチレン/マレイン酸系共重合体は、スチレン系単量体と、無水マレイン酸との共重合物であるスチレン/無水マレイン酸系共重合体に、水アルコールなどの水酸基を有する化合物を反応させて部分エステル化させて得ることができる。このスチレン/マレイン酸系共重合体は公知であり、例えば、SARTOMER社製の商品名SMA1140などを使用できる。レジスト材料は溶剤を含む組成物であり、レジスト組成物は、通常、前記各成分を溶剤に溶解させ、この溶液を必要に応じて濾過することにより調製することができる。上記レジスト膜を平行な帯状に露光する方法としては、通常のフォトマスク描画に用いられる電子線描画法、もしくはレーザー描画法等を用いることができる。また、マスクを介して紫外線照射を行う方法を用いることもできる。なかでも、レーザー描画法であることが好ましい。上記金属基材の形状がロール状である場合であっても、精度よくパターン状に露光することができるからである。また、露光後のレジスト膜の現像方法としては、一般的なアルカリ現像などの現像方法を用いることができる。このようにして形成されたレジスト部31の膜厚は1μm以上10μm以下が好ましい。1μm未満であると膜厚ムラが大きく、レジスト色の濃淡の違いで線幅のバラツキが大きくなること、また後述する2層目の研磨ラビング工程において、レジスト膜下にある1層目チタン膜へレジストを突き抜けて傷つけてしまうため好ましくなく、10μmを超えると露光時の減衰が大きくなりレジストの深い部分が露光不足となったり、近在する2層目間の段差が大きく図2dの隣接する第2層膜20間の段差、図2eにおいて高さが低い2層目へラビング布の毛の先端が入りにくくなり、後述する液晶の塗工時に、液晶が一方向に配向する領域が狭くなるため好ましくない。次いで、図2dに示すように、レジスト部31及び非レジスト部32上に、無機材料の第2層膜20が、好ましくは0.01μm以上1μm以下で薄膜形成される。これにより、非レジスト部32の凹部内に第2層膜20からなる第2層パターンが形成される。本発明においては、この第2層膜20として、上記第1層と同様のクロム、チタン、Cr2O3、TiO2、SiOx、Si3N4、TiN、DLCのいずれかを選択する。第2層膜20の無機材料は、上記の第1層10と同じでもよく、異なっていてもよいが、層間の密着性や生産性の観点から同一の無機材料を用いることが好ましい。この第2層膜20の膜厚が0.01μm未満であると第1層表面に研磨又はラビングにより形成された微小な凹凸が第2層膜により埋まらず、第1層の微小な凹凸と第2層の微小な凹凸が混在し配向不良となるので好ましくなく、1μmを越えると段差が大きくなり位相差量が変化するので好ましくない。薄膜形成の方法は、第1層と同様に、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法などの物理蒸着法PVD、気相成長法CVD法、めっき法、塗布法等を挙げることができる。<第2研磨工程>次に、図2eに示すように、第2層膜20の全面、すなわちレジスト部31及び非レジスト部32上の第2層膜20の表面を、第1凹凸構造領域12aと異なる方向に研磨して、第2層パターン21の表面に、微小なライン状凹凸構造である、第2凹凸構造領域21aを形成する。この工程は、研磨方向が第1凹凸構造領域12aと異なる方向である点を除いては、基本的に図1bで説明した上記の第1研磨工程と同じ工程である。よって研磨方向以外の詳細説明を省略する。第1凹凸構造領域12aと第2凹凸構造領域21aとは、上記微小なライン状凹凸構造の形成方向が異なる。図1bの第1研磨工程と、図2eの第2研磨工程とでは、XY平面における相互の微小なライン状凹凸構造の形成方向θが、それぞれ135度及び45度であり90度異なる場合図2fのθ1=135度、θ2=45度参照を示しているが、これに限らず、例えば45度異なっていてもよい。なお、θ1=0度、θ2=90度であってもよい。最後に、図2fに示すように、この状態でアルカリ処理や溶剤処理などによりレジスト部31を剥離する。このとき、レジスト部31上に形成される第2層膜20も併せて除去されて第1層10上の第1凹凸構造領域12aが形成されると共に表面に第2凹凸構造領域21aが形成された第2層パターン21が残り、3次元表示用パターン配向膜用原版100が得られる。なお、上記パターン配向膜用原版の製造工程は、空気清浄度が管理されたクリーンルーム内で行われ、これにより異物の付着による製造不良を有効に回避する。また、研磨又はラビング時の力によりレジスト部31及び其の上の第2層膜20の一部がレジスト部31上から剥離、脱落し、本来研磨又はラビングすべきで無いレジスト部31既に図1bの方向に研磨又はラビング済みの一部も再度研磨又はラビングしてしまう不具合が生じる場合が有る。この不具合を防止する為には、以下の対策が有效である。1現像工程の後、レジスト部31を60~150°C程度の温度で30~300秒程度加熱Bakingする。2第1凹凸構造領域12が形成された第1層10の表面にコロナ放電処理して後、レジスト部31を塗工する。3レジスト部31を現像後、超音波洗浄を行った後、第2層膜20を形成する。4レジストを紫外線に替えて電子線照射により重合硬化する。図2fに示すように、この3次元表示用パターン配向膜用原版100は平面視Aにおいては、第1凹凸構造領域12aと第2凹凸構造領域21aとが帯状交互に形成されている。また、断面視Bにおいては第1層10上に、第2層パターン21が凸部として存在して、第2層パターン21の膜厚h分の段差が形成されている。<パターン配向膜/パターン位相差フィルム>このようにして得られた3次元表示用パターン配向膜用原版100は、図3に示すように、TACトリアセチルセルロースやCOP環状オレフィン樹脂やアクリル樹脂などからなる位相差の小さいフィルム110上に、従来公知のUV硬化樹脂などの賦型樹脂120を積層した積層体の賦型樹脂面を圧着され、3次元表示用パターン配向膜用原版100の第1凹凸構造領域12aと第2凹凸構造領域21aで構成される微小なライン状凹凸構造が賦型樹脂表面121に転写され、その後UV硬化させる。これによりパターン配向膜150が得られる。さらに、図4に示すように、この賦型樹脂表面121上には重合性の液晶化合物160が塗布されることで、微小なライン状凹凸構造に沿って液晶分子が配向し、その後に重合硬化することでパターン位相差フィルム200が得られる。本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。例えば、上記実施形態の説明は、第1凹凸構造領域12aと第2凹凸構造領域21aとで段差を有する版を基に説明したが、本発明はこれに限らず、第1凹凸構造領域と第2凹凸構造領域とが、同一平面に交互に形成されている3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法でも適用可能である。この場合、両構造領域は、上記本発明に用いられる無機材料の同一平面上に交互に形成されることになる。また、例えば、上記実施形態の説明は平板状の版を基に説明したが、本発明はこれに限らず、ロール状のロール版に対しても適用可能である。以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。以下の実施例は図1、図2に示す工程aからfを、最表面に第1層を備える円筒状のロール基材に適用して形成したものである。[実施例1]<第1研磨工程>図1ab:円筒状の基材の最表面のスパッタリングで形成した金属クロム層0.1μm第1層の円周方向に対し、円筒の円周方向から45度方向でラビング処理し、全面に第1凹凸構造領域を形成した。<第2層形成工程>レジスト材料として、上記のスチレン-マレイン酸系樹脂及び赤外線吸収色素を含むポジ型レジストを、固形分5となるように希釈して円周方向にコーティングし、15°Cから25°Cで所定時間乾燥した。その後、実施例及び比較例について、赤外線レーザー露光方法で360μm幅の平行な帯状にパターンを形成し、アルカリ溶液にて現像処理を行い、その後、洗浄として水にてレジストの残渣を除去することにより、360μm幅の非レジスト部と、360μmピッチで高さ5μmの第1レジスト部とを金属クロム上に交互に形成した。図1d:第1レジスト部及び非レジスト部に、第2層膜として高さ0.1μmの金属クロム層をスパッタリングで形成した。<第2研磨工程>図2e:第2層膜の全面を、円筒の円周方向から135度方向にラビング処理して第2凹凸構造領域を形成した。<レジスト剥離工程>図2f:レジスト部及び該レジスト部上の第2層膜を、MEK,IPA,メタノールの混合溶剤で剥離して、第1凹凸構造領域及び第2凹凸構造領域を360μmピッチで交互に形成し、本発明の3次元表示用パターン配向膜用原版を得た。<パターン配向膜の作製>得られた3次元表示用パターン配向膜用原版を図6に示す装置に取り付け、透明フィルム基材として80μmのTACに、希釈溶剤としてMEKとMIBKとが質量比4対1で混合されてなる希釈溶剤で希釈された固形分45、2mPasのアクリル系紫外線硬化樹脂組成物を厚み8μmとなるようにコーティングし、溶剤を80°Cで30秒間で乾燥蒸発させた後、上記で作製した版にゴムロールで80Ncmの加重で押し付けた後、紫外線を照射し、固化させたのち剥離し、パターン配向層をもつ基材パターン配向膜を5000m得た。得られたパターン配向膜表面を原子間力顕微鏡AFMを用いて、表面の凹凸形状を測定したところ、微小なライン状凹凸構造の周期ピッチは、ほぼ5nm~500μmの範囲内でランダムに分布していた。また、微小なライン状凹凸構造の高さは1nm~100nmの範囲内であり、幅は5nm~500nmの範囲内であった。このように、実施例1では、配向性が良好なパターン配向膜を容易に形成できることが確認できた。得られたパターン配向層をもつ基材を、図7に示す装置に取り付け、紫外線硬化性液晶材料UCL-001、大日本インキ化学工業製に反応開始剤を0.3重量を添加したものをリタデーションが100nmになるよう塗工し、パターン位相差フィルムを4900m得た。巻き外より10m、4000m、4500m付近のパターン位相差フィルムを切り出しクロスニコルに挟んで消光位を観察したところ、10m付近のものでは良好だったものの、4000m付近のものでは若干光漏れがみられ、4500m付近のものでは配向ムラによる使用に耐えないほどの顕著な光漏れがみられた。[実施例2]実施例1において、第1層、第2層の材料を、金属チタンとした他は、実施例1と同様に行った。[実施例3]実施例1において、第1層、第2層をスパッタリングで成膜するに際し、酸素を導入して酸化クロムCrO1.5とした他は、実施例1と同様に行った。なお、酸化クロムの成分分析は、ESCA英国、VGScientific社製、ESCALAB220i-XLを用いて行った。[実施例4]実施例1において、第1層、第2層の材料を、酸化チタンTiO2とした他は、実施例1と同様に行った。[実施例5]実施例1において、第1層、第2層を、ヘキサメチルジシロキサンHMDSOと酸素を原料ガスとしてCVD法により成膜し、酸化珪素SiO1.9C0.03とした他は、実施例1と同様に行った。なお、酸化珪素の成分分析は、実施例4と同様にして行った。[実施例6]実施例1において、第1層、第2層を、アセチレンと酸素を原料ガスとしてCVD法により成膜し、DLCC0.9O0.1としたこと、ラビングではなくペーパー研磨を用いた他は、実施例1と同様に行った。なお、DLCの成分分析は、実施例4と同様にして行った。[実施例7]実施例2において、第1層、第2層をスパッタリングで成膜するに際し、窒素を導入して窒化チタンTiNとしたこと、ラビングではなくペーパー研磨を用いた他は、実施例2と同様に行った。なお、窒化チタンの成分分析は、実施例4と同様にして行った。[実施例8]実施例7において、第1層、第2層をスパッタリングで成膜するに際し、ターゲット材料をシリコンとし、窒素を導入して窒化珪素SiN1.3とした他は、実施例7と同様に行った。なお、窒化珪素の成分分析は、実施例4と同様にして行った。[比較例1]第1層、第2層膜をニッケルとした以外は、実施例1と同様の試験を行なった。その結果、ロール基材を溶剤で洗浄し、アルカリ脱脂することで、配向不良となる問題が生じていた。ロール基材表面を原子間力顕微鏡AFMで観察したところ、溶剤やアルカリ脱脂液により、ニッケル表面の微小なライン状凹凸構造が溶けてなくなる現象が生じていた。[比較例2]第1層、第2層膜を白金とし、膜厚を500nmとした以外は、実施例1と同様の試験を行なった。得られたパターン位相差フィルムにおいて、巻き外より10m、1000m付近のパターン位相差フィルムを切り出しクロスニコルに挟んで観察したところ、10m付近のものでは良好だったものの、1000m付近のものでは配向ムラによる顕著な光漏れがみられた。[比較例3]第1層、第2層膜をシリコンカーバイドとし、膜厚を500nmとしたこと、ラビングではなくペーパー研磨を用いた他は、実施例1と同様の試験を行なった。得られたパターン位相差フィルムにおいて、巻き外より10m、4500m付近のパターン位相差フィルムを切り出しクロスニコルに挟んで観察したところ、いずれも同程度の光漏れがみられた。実施例及び比較例の評価結果をクロスニコルに挟んだ消光位での観察結果として、まとめて下記の表1に示す。表1に示すように、比較例においては光漏れが顕著に発生しており、配向不良が生じていることが理解できる。"