B、Al、Ga、In、及びTlからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属原子と窒素原子とを少なくとも含む六方晶の結晶構造の13族窒化物結晶であって、c軸を横切る断面の内側に設けられた第1領域と、前記第1領域の外周の少なくとも一部を覆うように設けられ、厚みが前記第1領域の最大径より大きく、且つ前記第1領域よりキャリア濃度の高い第2領域と、を備えた13族窒化物結晶前記第2領域は、複数の分域と、前記分域間の境界に位置し、該境界に連続する前記分域よりキャリア濃度の高い境界領域と、を有する請求項1に記載の13族窒化物結晶。複数の前記分域間のキャリア濃度が均一である請求項2に記載の13族窒化物結晶。前記第1領域は、前記断面における内側に設けられた第3領域と、前記第3領域の少なくとも一部を覆うように設けられた第4領域と、を備え、前記第3領域における、電子線または紫外光励起による発光スペクトルの窒化ガリウムのバンド端発光を含む第1ピークのピーク強度が、該第1ピークより長波長側の第2ピークのピーク強度より小さく、前記第4領域における、前記第1ピークのピーク強度が前記第2ピークのピーク強度より大きい、請求項1~請求項3の何れか1項に記載の13族窒化物結晶。請求項1~請求項4の何れか1つに記載の13族窒化物結晶の少なくとも前記第2領域を含む13族窒化物結晶基板。しかしながら、窒化アルミニウムを種結晶として窒化ガリウム結晶を成長させた場合、窒化アルミニウムと窒化ガリウムの格子定数が異なるため格子不整合による転位が発生する。また、窒化アルミニウムと窒化ガリウムの熱膨張係数が異なるため、結晶成長温度から室温まで冷却する過程で、熱応力による新たな転位の発生や、さらにはクラックが発生する場合がある。従って、低転位密度の高品質な窒化ガリウム結晶を育成するための種結晶としては、格子定数や熱膨張係数が一致する窒化ガリウム結晶を用いることが望ましい。ところが、特許文献2に記載された方法によって窒化ガリウムの針状結晶を成長させることは困難である。このため、従来では、高品質なバルク結晶を得ることは困難であった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、転位密度が少なく、高品質な13族窒化物半導体基板に供することが可能な高品質な13族窒化物結晶、及び13族窒化物結晶基板を提供することを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、B、Al、Ga、In、及びTlからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属原子と窒素原子とを少なくとも含む六方晶の結晶構造の13族窒化物結晶であって、c軸を横切る断面の内側に設けられた第1領域と、前記第1領域の外周の少なくとも一部を覆うように設けられ、厚みが前記第1領域の最大径より大きく、且つ前記第1領域よりキャリア濃度の高い第2領域と、を備えた13族窒化物結晶である。また、本発明は、前記13族窒化物結晶の少なくとも前記第2領域を含む13族窒化物結晶基板である。本発明によれば、高品質な13族窒化物結晶、及び13族窒化物結晶基板を得ることができる。以下に添付図面を参照して、本実施形態にかかる13族窒化物結晶、及び13族窒化物結晶基板について説明する。なお、以下の説明において、図には発明が理解できる程度に構成要素の形状、大きさ及び配置が概略的に示されているに過ぎず、これにより本発明が特に限定されるものではない。また、複数の図に示される同様の構成要素については同一の符号を付して示し、その重複する説明を省略する場合がある。本実施の形態の13族窒化物結晶は、B、Al、Ga、In、及びTlからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属原子と窒素原子とを少なくとも含む六方晶の結晶構造の13族窒化物結晶である。また、本実施の形態の13族窒化物結晶は、第1領域と、第2領域と、を備える。第1領域は、13族窒化物結晶におけるc軸を横切る断面の内側に設けられた領域である。第2領域は、13族窒化物結晶におけるc軸を横切る断面における第1領域の外周の少なくとも一部を覆うように設けられており、厚みが第1領域の最大径より大きく、且つ第1領域よりキャリア濃度の高い領域である。本実施の形態の13族窒化物結晶は、第1領域よりキャリア濃度の高い第2領域を備える。このため、本実施の形態では、この第2領域を用いることで、低抵抗の導電性デバイス等に好適に適用可能な、高品質の13族窒化物結晶を提供することができると考えられる。なお、高品質な13族窒化物結晶とは、c軸を横切る断面の最外側の領域の転位などの欠陥が、内側の領域に比べて少なく、また、内側に比べてキャリア濃度が高いことを意味する。なお、最外側の領域とは、13族窒化物結晶のc軸を横切る断面における外縁から内側に向かって連続する一部の領域を示し、第2領域に相当する。また、最内側の領域とは、該断面における種結晶として用いた領域を示し、具体的には、第1領域及び後述する第4領域に相当する。以下、詳細を説明する。[1]13族窒化物結晶上述したように、本実施形態にかかる13族窒化物結晶は、B、Al、Ga、In、及びTlからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属原子と窒素原子とを少なくとも含む六方晶の結晶構造の13族窒化物結晶である。なお、本実施形態にかかる13族窒化物結晶は、金属原子として、Ga、及びAlの少なくとも一方を少なくとも含むことが好ましく、Gaを少なくとも含むことが更に好ましい。図1~図3には、本実施の形態の13族窒化物結晶19の一例を示した。詳細には、図1は、本実施の形態の13族窒化物結晶19の構造の一例を示す概略斜視図である。図2は、13族窒化物結晶19におけるc軸とa軸に平行な断面の図を示している。図3は、13族窒化物結晶19のc面断面c面に平行な断面の断面図である。図3に示すように、13族窒化物結晶19のc面断面は、六角形である。なお、本実施の形態において、六角形とは、正六角形、及び正六角形以外の六角形を含む。この六角形の辺に相当する13族窒化物結晶19の側面は、主に、六方晶の結晶構造の{10-10}m面図1中、m面22参照で構成される。なお、図1には、13族窒化物結晶19が、底面をc面0001面とし、中心軸をc軸すなわち<0001>方向とした六角柱状の結晶上に、底面をc面0001面とし中心軸をc軸とする六角錐が設けられた柱状である場合を示した。しかし、13族窒化物結晶19は、六方晶の結晶構造であればよく、柱状に限られない。例えば、図1に示す13族窒化物結晶19の六角錐の頂点部分にc面の形成された形状であってもよい。本実施の形態における13族窒化物結晶19は、単結晶であるが、第1領域21と、第2領域27と、を有する。第1領域21は、13族窒化物結晶19におけるc面断面の内側に設けられた領域である。第1領域21は、種結晶であり、第2領域27は種結晶を元に結晶成長した領域である。なお、13族窒化物結晶19は、c軸を横切る断面の少なくとも一面において、第1領域21及び第2領域27を有すればよく、厳密なc面断面に限定されない。第2領域27は、13族窒化物結晶19のc面断面における第1領域21の外周の少なくとも一部を覆うように設けられている。なお、第2領域27は、第1領域21の外周の少なくとも一部を覆うように設けられていればよく、第1領域21の外周の全ての領域を覆うように設けられていてもよい。なお、図3に示す13族窒化物結晶19は、第2領域27が第1領域21の外周の全てを覆うように設けられた形態を示す図である。第2領域27は、c面断面における第2領域27の厚みが、第1領域21の最大径より大きい。第2領域27の厚みとは、c面断面における、第1領域21の中心から13族窒化物結晶19の外縁に向かう方向における、第2領域27の最大の長さ、すなわち最大の厚みを示す。図3に示す例では、第2領域27の厚みは、長さL2で示した。第1領域21の最大径とは、第1領域21の径の最大値を示し、図3に示す例では、長さL1で示した。なお、本実施の形態の13族窒化物結晶19のc面断面における第2領域27の厚みと第1領域21の最大径との関係は、上記関係を満たせば特に限定されないが、第1領域21の最大径に対する第2領域27の厚みは、5倍以上であることが好ましく、10倍以上であることが更に好ましい。また、第2領域27のキャリア濃度は、第1領域21のキャリア濃度より高い。なお、本実施の形態の13族窒化物結晶19では、第1領域21と第2領域27のキャリア濃度の関係は、上記関係を満たせば特に限定されないが、好ましくは、第1領域21のキャリア濃度に対する第2領域27のキャリア濃度が、5倍以上であることが好ましく、10倍以上であることが更に好ましい。また、第1領域21と第2領域27のキャリア濃度の関係は、上記関係を満たせば特に限定されないが、さらに具体的には、第1領域21のキャリア濃度は、2×1018/cm3以下、または8×1017/cm3以下であることが好ましい。また、第2領域27のキャリア濃度は、4×1018/cm3以上、または8×1018/cm3以上であることが好ましい。なお、本実施の形態において、キャリアとは電子を示し、キャリア濃度とは、電子キャリア濃度を示す。第1領域21及び第2領域27のキャリア濃度は、下記測定方法によって測定する。第1領域21及び第2領域27のキャリア濃度の測定は、ラマン分光法を用いてキャリア密度を換算する方法を用いる。キャリアの濃度の換算方法は分光研究492000GaNおよび関連窒化物のラマン散乱分光:播磨弘を用いる。測定装置としては、レーザーラマン分光装置を用いて測定する。なお、第1領域21及び第2領域27のキャリア濃度は、後述する13族窒化物結晶19の製造方法による製造条件を調整することによって、上記関係を満たすように調整する。また、第1領域21及び第2領域27の大きさ厚み及び径についても、後述する13族窒化物結晶19の製造方法による製造条件を調整することによって、上記関係を満たすように調整する。第1領域21よりキャリア濃度の高い第2領域27は、図3に示すように、複数の分域25と、境界領域26と、を有する。分域25とは、第1領域21からなる六方晶の結晶構造の結晶を種結晶として用いて結晶成長させたときに、各結晶面具体的にはm面から結晶成長することで形成された領域を示す。具体的には、分域25は、第1領域21からなる六方晶の結晶構造の種結晶の各m面から結晶成長することで、<10-10>方向に成長することによって形成された領域である。このため、分域25は、成長分域と称される場合もある。本実施の形態では、13族窒化物結晶19は六方晶の結晶構造であることから、13族窒化物結晶19の第2領域27には、6つの分域25が存在する。一方、境界領域26とは、隣接する分域25間の境界に位置する領域、すなわち、隣接する分域25の境界面に相当する領域である。境界領域26は、第1領域21からなる六方晶の結晶構造の結晶を種結晶として用いて結晶成長させたときに、各結晶面具体的にはm面から結晶成長することで形成された分域25と分域25との境界の領域である。具体的には、境界領域26は、第1領域21からなる六方晶の結晶構造の種結晶の各m面とm面との境界から<11-20>方向に沿って存在する領域である。本実施の形態では、13族窒化物結晶19は六方晶の結晶構造であることから、13族窒化物結晶19の第2領域27には、6つの境界領域26が存在する。本実施の形態においては、第2領域27の各境界領域26のキャリア濃度は、各境界領域26に連続する分域25より高い。なお、境界領域26と分域25とのキャリア濃度の関係は、互いに隣接する領域境界領域26と分域25の間で比較した関係である。本実施形態においては、同一の分域内であれば、キャリア濃度は均一である。また、同じ13族窒化物結晶19内であれば各分域間のキャリア濃度も均一である。各境界領域26のキャリア濃度は各分域25のキャリア濃度よりも大きい。なお、本実施の形態の13族窒化物結晶19は、第1領域21及び第2領域27を有すればよく、他の結晶領域や欠陥等を含んでいてもよい。また、本実施の形態の13族窒化物結晶19の第1領域21は、更に複数の領域から構成されていてもよい。例えば、図4~図6に示すように、第1領域21に代えて、第1領域21Aを用いてもよい。図4~図6には、第1領域21Aからなる六方晶の結晶構造の結晶の一例を示した。詳細には、図4は、第1領域21Aからなる六方晶の結晶における、c軸とa軸に平行な断面の図を示している。また、図5~図6は、第1領域21Aからなる六方晶の結晶における、c面断面の断面図を示した。第1領域21Aのc面断面における内側には、第3領域29aが設けられている。そして、この第3領域29aの外周の少なくとも一部を覆うように、第4領域29bが設けられている。なお、第4領域29bは、第3領域29aの外周の少なくとも一部を覆うように設けられていればよい。このため、第4領域29bは、第3領域29aの外周の全てを覆うように設けられていてもよく図6参照、また、第3領域29aの外周の一部に第4領域29bの設けられていない領域があってもよい図5参照。なお、上記と同様に、第1領域21Aは、c軸を横切る断面の少なくとも一面において、第3領域29a及び第4領域29bを含んでいればよく、厳密なc面断面に限定されない。第4領域29bの厚みは限定されないが、例えば、100nm以上であることが好ましい。ここで、特許文献3に記載されるように、窒化ガリウム結晶を種結晶として用いて、フラックス法により13族窒化物結晶を成長させる場合に、種結晶のメルトバックが生じる場合がある。また、メルトバックは、種結晶が低品質である場合、特に加工変質層が残っている場合においてその溶解量メルトバック量が増加することが知られている。これに対して、第3領域29aより高品質の結晶層である第4領域29bが結晶外側に100nm以上の厚さで存在することで、種結晶を成長させる工程においてメルトバックが発生した場合であっても、第4領域29bが残り易くなり、より高品質の第2領域27を成長させやすいと考えられる。なお、図3、図5、図6等において、13族窒化物結晶19のc面断面や各領域の断面を各々正六角形で示したが、これらは一模式図に過ぎず、それぞれ正六角形に限定されるものではない。また、13族窒化物結晶19のc面断面、及び各領域のc面断面は、それぞれ六方晶の結晶構造を有する13族窒化物結晶19の断面により概ね六角形形状に構成されるものであり、結晶成長の過程でその他の構造がこれらの内部または境界に発生する場合には、各六角形の輪郭はそれら他の構造との境界によって変形することがある。また、13族窒化物結晶19は、上述した各領域第1領域21または第1領域21A、第2領域27のみによって構成されるとは限らない。13族窒化物結晶19においては、その他の構成や光学的特性を有するその他の領域例えば、第N領域本実施の形態ではNは5以上の整数がさらに含まれるとしてもよい。<各領域の特性>-発光特性-本実施の形態に係る13族窒化物結晶19のc面断面の上記第3領域29a及び第4領域29bにおける、電子線または紫外光励起による発光スペクトルの窒化ガリウムのバンド端発光を含む第1ピークのピーク強度と、該第1ピークより長波長側の第2ピークのピーク強度と、は、下記関係を示す。すなわち、第3領域29aにおける第1ピークのピーク強度は第2ピークのピーク強度より小さく、第4領域29bにおける第1ピークのピーク強度は第2ピークのピーク強度より大きい。なお、第3領域29a及び第4領域29bにおける、第1ピークのピーク強度及び第2ピークのピーク強度は、上記関係を満たせば限定されないが、更に好ましくは、第4領域29bにおける第1ピークのピーク強度は、第3領域29aにおける第1ピークのピーク強度より大きいことが好ましい。また、第4領域29bにおける第2ピークのピーク強度は、第3領域29aにおける第2ピークのピーク強度より小さいことが好ましい。なお、第1ピークとは、13族窒化物結晶19の測定対象領域における窒化ガリウムのバンド端発光を含む発光以下、単に、バンド端発光と称する場合があるであり、室温での測定において概ね364nm程度の波長領域に出現する発光スペクトルのピークのことである。なお、窒化ガリウムのバンド端発光とは、13族窒化物結晶19において価電子帯の上端の正孔と伝導帯の底の電子が再結合することによる発光であり、バンドギャップに等しいエネルギー波長を持つ光が放出されることである。即ち、第1ピークは、13族窒化物結晶19において窒素とガリウムの結合結合状態及び結晶の周期構造に起因するピークである。尚、第1ピークはバンド端発光とバンド端近傍からの発光を含む場合がある。第2ピークとは、第1ピークよりも長波長側に出現する少なくとも1つのピークのことであり、例えば不純物や欠陥等に起因した発光を含むピークである。より好適な実施形態としては、室温で測定された電子線または紫外光励起による発光スペクトルにおいて、第2ピークは450nmから650nmの波長領域に含まれる。さらに好適な実施形態としては、室温で測定された電子線または紫外光励起による発光スペクトルにおいて、第2ピークは590nmから650nmの波長領域に含まれる。図7は、第3領域29aおよび第4領域29bにおける電子線または紫外光励起による発光スペクトルの一例を示す図である。第3領域29aにおける発光スペクトルのように、第2ピークのピーク強度が第1ピークのピーク強度よりも大きいということは、第3領域29aに不純物や欠陥が比較的多く含まれていることを表す。一方、第4領域29bにおける発光スペクトルのように、第1ピークのピーク強度が第2ピークのピーク強度よりも大きいということは、第4領域29bにおいて不純物や欠陥が比較的少ないことを表し、第4領域29bの結晶が高品質であることを表している。このため、後述する13族窒化物結晶19の製造方法において、第1領域21Aからなる結晶を種結晶として用いると、第1領域21からなる結晶を種結晶として用いた場合に比べて、より高品質の13族窒化物結晶19を製造しやすくなると考えられる。これは、不純物や欠陥の少ない第4領域29bが外側に配置された第1領域21Aからなる種結晶を用いることで、より不純物や欠陥の少ない第4領域29b上へ結晶成長させることができるためと考えられる。また、第1領域21Aからなる種結晶を用いてより大きな13族窒化物結晶19を得る場合、第3領域29aより不純物や欠陥等の少ない第4領域29bと接する領域から結晶成長させることができる。このため、結晶品質が良好な第2領域27をより多く得ることができる。なお、不純物とは、本実施の形態では、B、Al、O、Ti、Cu、Zn、Si、Na、K、Mg、Ca、W、C、Fe、Cr、Ni、H等を示す。―ホウ素濃度―第3領域29aのホウ素濃度は、第4領域29bのホウ素濃度より高い。具体的には、例えば、第3領域29aのホウ素濃度は、4×1018atms/cm3以上であり、第3領域29aの外側に位置する第4領域29bのホウ素濃度は、4×1018atms/cm3未満であることが好ましい。更に好ましくは、第3領域29aのホウ素濃度は、6×1018atms/cm3以上であり、第4領域29bのホウ素濃度は、1×1018atms/cm3未満である。ホウ素濃度が上記関係を満たすと、第3領域29aの外側に第4領域29bの設けられた第1領域21Aの種結晶から結晶成長させて13族窒化物結晶19を製造する場合に、主に、ホウ素濃度が低く高品質である第4領域29bの外周表面から結晶成長を開始させることができる。従って、ホウ素添加工程によってc軸方向に長尺化させた、第1領域21Aの種結晶を用いてc軸方向に長い13族窒化物結晶19を製造する場合においても、高品質の13族窒化物結晶19を製造することが可能となる。<製造方法>次に、13族窒化物結晶19の製造方法を説明する。13族窒化物結晶19は、第1領域21の種結晶または第1領域21Aの種結晶を用いて、これらの種結晶から結晶成長させることで製造する。なお、第1領域21の種結晶、及び第1領域21Aの種結晶は、六方晶の結晶構造を有し、c軸方向に長尺化されている。また、第1領域21の種結晶、及び第1領域21Aの種結晶における、c軸と垂直な断面c面断面は六角形である。また、この六角形の辺に相当する種結晶の側面は、主に六方晶の結晶構造のm面で構成される。以下、製造方法の詳細を説明する。[2]種結晶の結晶製造方法<結晶製造装置>図8は、本実施の形態において、第1領域21の種結晶、及び第1領域21Aの種結晶である種結晶30を製造する結晶製造装置1の概略断面図である。以下、第1領域21の種結晶、及び第1領域21Aの種結晶を総称して説明する場合には、種結晶30と称して説明する。図8に示すように、結晶製造装置1は、ステンレス製の外部耐圧容器28内には内部容器11が設置され、内部容器11内にはさらに反応容器12が収容されており、二重構造を成している。内部容器11は外部耐圧容器28に対して着脱可能となっている。反応容器12は、原料や添加物を融解させた混合融液24を保持して、種結晶30を得るための容器である。反応容器12の構成については後述する。また、外部耐圧容器28と内部容器11には、外部耐圧容器28の内部空間33と内部容器11の内部空間23に、13族窒化物結晶の原料である窒素ガスおよび全圧調整用の希釈ガスを供給するガス供給管15、32が接続されている。ガス供給管14は窒素供給管17とガス供給管20に分岐しており、それぞれバルブ15、18で分離することが可能となっている。希釈ガスとしては、不活性ガスのアルゴンArガスを用いることが望ましいが、これに限定されず、その他のヘリウムHe等の不活性ガスを希釈ガスとして用いてもよい。窒素ガスは、窒素ガスのガスボンベ等と接続された窒素供給管17から供給されて、圧力制御装置16で圧力を調整された後、バルブ15を介してガス供給管14に供給される。一方、希釈ガス例えば、アルゴンガスは、希釈ガスのガスボンベ等と接続された希釈ガス供給管20から供給されて、圧力制御装置19で圧力を調整された後、バルブ18を介してガス供給管14に供給される。このようにして圧力を調整された窒素ガスと希釈ガスは、ガス供給管14にそれぞれ供給されて混合される。そして、窒素および希釈ガスの混合ガスは、ガス供給管14からバルブ15、32を経て外部耐圧容器28および内部容器11に供給される。尚、内部容器11はバルブ29部分で結晶製造装置1から取り外すことが可能となっている。また、ガス供給管14には、圧力計220が設けられており、圧力計220によって外部耐圧容器28および内部容器11内の全圧をモニターしながら外部耐圧容器28および内部容器11内の圧力を調整できるようになっている。本実施の形態では、このように窒素ガスおよび希釈ガスの圧力をバルブ15、18と圧力制御装置16、190とによって調整することにより、窒素分圧を調整することができる。また、外部耐圧容器28および内部容器11の全圧を調整できるので、内部容器11内の全圧を高くして、反応容器12内のアルカリ金属例えばナトリウムの蒸発を抑制することができる。即ち、窒化ガリウムの結晶成長条件に影響を与える窒素原料となる窒素分圧と、ナトリウムの蒸発抑制に影響を与える全圧を、別々に制御する事が可能となっている。また、図8に示すように、外部耐圧容器28内の内部容器11の外周にはヒーター13が配置されており、内部容器11および反応容器12を加熱して、混合融液24の温度を調整することができる。本実施の形態では、フラックス法により、種結晶30を製造する。なお、以下では、種結晶30として、第1領域21A第3領域29aと第4領域29bを有するの種結晶を製造する場合を説明する。種結晶30として、第1領域21Aの種結晶を製造する場合には、種結晶30内のホウ素濃度を結晶内側と結晶外側とで異ならせて結晶成長させるために、混合融液24中にホウ素が溶け込むホウ素溶解工程と、窒化ガリウム結晶25の成長時に結晶中にホウ素が取り込まれるホウ素取込工程と、混合融液24中のホウ素濃度を結晶成長過程とともに減少させるホウ素減少工程とを含む。なお、第1領域21の種結晶を製造する場合には、上記ホウ素溶解工程とホウ素取込工程とを行い、上記ホウ素減少工程を行わない方法を用いればよい。このため、以下では、種結晶30として、第1領域21Aの種結晶を製造する方法を説明する。ホウ素溶解工程では、反応容器12内壁に含まれる窒化ホウ素BNまたは反応容器12内に設置された窒化ホウ素の部材から、混合融液24中にホウ素が溶解する。次に溶解したホウ素が、結晶成長する結晶内に取り込まれるホウ素取込工程。そして、結晶成長に伴って結晶中に取り込まれるホウ素の量は次第に減少することとなるホウ素減少工程。ホウ素減少工程によれば、種結晶30がm面{10-10}面を成長させながら結晶成長する場合に、c軸を横切る断面において外側の領域におけるホウ素の濃度を、内側の領域のホウ素濃度よりも低くすることができる。これにより、種結晶30のm面で構成される外周面六角柱の6つの側面において、不純物であるホウ素濃度と、不純物に起因する可能性のある結晶内の転位密度が低減され、種結晶30の外周面を、その内側の領域に比べて良質の結晶で構成することができる。[3]で後述する種結晶30から結晶成長させることによる13族窒化物結晶19具体的には、第2領域27の製造方法において、13族窒化物結晶19は、主に種結晶30の側表面m面で構成される外周表面を結晶成長の起点として成長するので、上述のように、種結晶30のm面で構成される外周表面が良質であると、そこから成長する結晶も良質となる。従って、本実施形態によれば、大型で品質の良い種結晶30を結晶成長させて、その結果得られる13族窒化物結晶19具体的には、第2領域27を良質とすることができる。次に、ホウ素溶解工程、ホウ素取込工程、ホウ素減少工程についてより具体的に説明する。1反応容器12が窒化ホウ素を含む方法ホウ素溶解工程の例としては、反応容器12として窒化ホウ素の焼結体BN焼結体を材料とした反応容器12を用いることができる。反応容器12が結晶成長温度まで昇温される過程において、反応容器12からホウ素が溶解し、混合融液24中に溶け出すホウ素溶解工程。そして、種結晶30の成長過程において混合融液24中のホウ素が種結晶27中に取り込まれるホウ素取込工程。種結晶30の成長にしたがって、混合融液24中のホウ素は次第に減少するホウ素減少工程。尚、上述では、BN焼結体の反応容器12を用いるとしたが、反応容器12の構成はこれに限定されるものではない。好適な実施形態としては、反応容器12において、混合融液24と接する内壁の少なくとも一部において、窒化ホウ素を含む物質例えば、BN焼結体が用いられていればよく、反応容器12のその他の部分は、パイロリティックBNP-BN等の窒化物、アルミナ、YAG等の酸化物、SiC等の炭化物等を使用することができる。2反応容器12内に窒化ホウ素を含む部材を載置する方法さらに、ホウ素溶解工程のその他の例として、反応容器12内に窒化ホウ素を含む部材を設置するとしてもよい。一例として、反応容器12内にBN焼結体の部材を載置するとしてもよい。尚、反応容器12の材質は1と同様に特に限定されるものではない。この方法においては、反応容器12が上述の結晶成長温度まで昇温される過程において、反応容器12内に設置された部材から、混合融液24中にホウ素が少しずつ溶け込むホウ素溶解工程。ここで、1、2の方法において、混合融液24と接する窒化ホウ素を含む部材の表面には窒化ガリウム結晶の結晶核が生成しやすい。従って、窒化ホウ素の表面上即ち、上述した内壁面または部材表面に窒化ガリウムの結晶核が生成してその表面が次第に被覆されてくると、被覆された窒化ホウ素から混合融液24中に溶け込むホウ素の量は次第に減少することとなるホウ素減少工程。さらに、窒化ガリウム結晶の成長にしたがって当該結晶の表面積が大きくなり、窒化ガリウム結晶中にホウ素が取り込まれる密度が小さくなるホウ素減少工程。尚、上記1、2では、ホウ素を含む物質を用いて混合融液24中にホウ素を溶解させるとしたが、混合融液24中にホウ素を溶解させる方法は上記に限定されず、混合融液24中にホウ素を添加するなど、その他の方法を用いるとしてもよい。また、混合融液24中のホウ素濃度を減少させる方法についてもその他の方法を用いるとしてもよく、本実施形態の結晶製造方法としては、少なくとも上述のホウ素溶解工程と、ホウ素取込工程と、ホウ素減少工程とが含まれていればよい。<原料等の調整および結晶成長条件>反応容器12に原料等を投入する作業は、耐圧容器11を例えばアルゴンガスのような不活性ガス雰囲気とされたグローブボックスに入れて行う。1の方法で種結晶30の結晶製造を行う場合には、1で上述した構成の反応容器12に、1で上述したホウ素を含む物質と、フラックスとして用いられる物質と、原料とを投入する。2の方法で種結晶30の結晶製造を行う場合には、2で上述した構成の反応容器12に、フラックスとして用いられる物質と、原料とを投入する。3の方法で種結晶30の結晶製造を行う場合には、3で上述した構成の反応容器12に、3で上述した窒化ホウ素を含む部材と、フラックスとして用いられる物質と、原料とを投入する。フラックスとして用いる物質としては、ナトリウム、あるいはナトリウム化合物例えば、アジ化ナトリウムが用いられるが、その他の例として、リチウムや、カリウム等のその他のアルカリ金属や、当該アルカリ金属の化合物を用いるとしてもよい。また、バリウム、ストロンチウム、マグネシウム等のアルカリ土類金属や、当該アルカリ土類金属の化合物を用いるとしてもよい。なお、複数種類のアルカリ金属またはアルカリ土類金属を用いるとしてもよい。原料としてはガリウムが用いられるが、その他の原料の例として、ホウ素、アルミニウム、インジウム等のその他の13族元素や、これらの混合物を原料として反応容器12内に投入するとしてもよい。また、本実施の形態では、反応容器12は、ホウ素を含む構成である場合を説明したが、ホウ素を含む構成に限られず、B、Al、O、Ti、Cu、Zn、Siの内の少なくとも1種を含む構成であってもよい。このように原料等をセッティングした後に、ヒーター13に通電して、内部容器11およびその内部の反応容器12を結晶成長温度まで加熱する。すると、反応容器12内においてフラックスとして用いられる物質と、原料等が溶融し、混合融液24が形成される。また、この混合融液24に上記分圧の窒素を接触させて混合融液24中に溶解させることにより、種結晶30の原料である窒素を混合融液24中に供給することができる。さらに、混合融液24中には上述したようにホウ素が溶解するホウ素溶解工程混合融液形成工程。そして、反応容器12の内壁において、混合融液24に融解している原料とホウ素とから種結晶30の結晶核が生成される。そして、この結晶核に混合融液24中の原料およびホウ素が供給されて結晶核が成長し、針状の種結晶30が成長する。そして、上述したように、種結晶30の結晶成長過程において結晶中には混合融液24中のホウ素が取り込まれてホウ素添加工程、種結晶30の内側にはホウ素濃度の高い第3領域29aが生成されやすい状態となり、種結晶30はc軸方向に長尺化されやすい状態となる。また、混合融液24中のホウ素濃度の減少とともに結晶中に取り込まれるホウ素が減少するホウ素減少工程と、第3領域29aの外側にはホウ素濃度の低い第4領域29bが生成されやすい状態となり、種結晶30はc軸方向への伸長が鈍ってm軸方向へ成長しやすい状態となる。なお、耐圧容器11内の窒素分圧は、5MPa~10MPaの範囲内とすることが好ましい。また、混合融液24の温度結晶成長温度は、800°C~900°Cの範囲内とすることが好ましい。好適な実施形態としては、ガリウムとアルカリ金属例えば、ナトリウムとの総モル数に対するアルカリ金属のモル数の比率を75~90の範囲内とし、混合融液24の結晶成長温度を860°C~900°Cの範囲内とし、窒素分圧を5MPa~8MPaの範囲内とすることが好ましい。さらに好適な実施形態としては、ガリウムとアルカリ金属とのモル比を0.25:0.75とし、結晶成長温度を860°C~870°Cの範囲とし、窒素分圧を7MPa~8MPaの範囲とすることがより好ましい。上記工程を経ることによって、13族窒化物結晶19の製造に用いる種結晶30である、第1領域21Aの種結晶が得られる。また、上述したように、上記第2工程を行わず、ホウ素を含む窒化ガリウム結晶の第3領域29aを成長させる第1工程を行うことによって、第1領域21の種結晶が得られる。[3]13族窒化物結晶の製造方法上記に説明した13族窒化物結晶19は、[2]で上述した種結晶30を用いて、フラックス法によりこれらの種結晶30のc面断面積を肥大化させることで製造する。<結晶製造装置>図9は、種結晶30から第2領域27を結晶成長させて、13族窒化物結晶19を製造するために用いられる結晶製造装置2の構成例を示す概略断面図である。結晶製造装置2において、ステンレス製の外部耐圧容器50内には内部容器51が設置され、内部容器51内にはさらに反応容器52が収容されており、二重構造を成している。内部容器51は外部耐圧容器50に対して着脱可能となっている。なお、以下、種結晶30として、第1領域21Aの種結晶を用いた場合を説明する。反応容器52は、種結晶30と、アルカリ金属と少なくとも13族元素を含む物質との混合融液24とを保持して、種結晶30から第2領域27の結晶成長なお、種結晶を元にバルク結晶を育成することをSG:SeedGrowthと称するを行うための容器である。反応容器52の材質は特に限定するものではなく、BN焼結体、P-BN等の窒化物、アルミナ、YAG等の酸化物、SiC等の炭化物等を使用することができる。また、反応容器52の内壁面、すなわち、反応容器52が混合融液24と接する部位は、混合融液24と反応し難い材質で構成されていることが望ましい。第2領域27を窒化ガリウム結晶とする場合には、窒化ガリウムが結晶成長できる材質の例としては、窒化ホウ素BNや、パイロリティックBNP-BNや、窒化アルミニウム等の窒化物や、アルミナ、イットリウムアルミニウムガーネットYAG等の酸化物、ステンレス鋼SUS等が挙げられる。また、外部耐圧容器50と内部容器51には、外部耐圧容器50の内部空間67と内部容器51の内部空間68に、13族窒化物結晶19の原料である窒素ガスおよび全圧調整用の希釈ガスを供給するガス供給管65、66が接続されている。ガス供給管54は窒素供給管57とガス供給管60に分岐しており、それぞれバルブ55、58で分離することが可能となっている。希釈ガスとしては、不活性ガスのアルゴンArガスを用いることが望ましいが、これに限定されず、その他のヘリウムHe等の不活性ガスを希釈ガスとして用いてもよい。窒素ガスは、窒素ガスのガスボンベ等と接続された窒素供給管57から供給されて、圧力制御装置56で圧力を調整された後、バルブ55を介してガス供給管54に供給される。一方、全圧調整用のガス例えば、アルゴンガスは、全圧調整用のガスのガスボンベ等と接続された全圧調整用のガス供給管60から供給されて、圧力制御装置59で圧力を調整された後、バルブ58を介してガス供給管54に供給される。このようにして圧力を調整された窒素ガスと全圧調整用のガスは、ガス供給管54にそれぞれ供給されて混合される。そして、窒素および希釈ガスの混合ガスは、ガス供給管54からガス供給管65、66を経て、外部耐圧容器50および内部容器51内に供給される。なお、内部容器51はバルブ61部分で結晶製造装置2から取り外すことが可能となっている。また、ガス供給管54には、圧力計64が設けられており、圧力計64によって外部耐圧容器50と内部容器51内の全圧をモニターしながら外部耐圧容器50および内部容器51内の圧力を調整できるようになっている。本実施の形態では、このように窒素ガスおよび希釈ガスの圧力をバルブ55、58と圧力制御装置56、59とによって調整することにより、窒素分圧を調整することができる。また、外部耐圧容器50と内部容器51の全圧を調整できるので、内部容器51内の全圧を高くして、反応容器52内のアルカリ金属たとえばナトリウムの蒸発を抑制することができる。即ち、窒化ガリウムの結晶成長条件に影響を与える窒素原料となる窒素分圧と、ナトリウムの蒸発抑制に影響を与える全圧を、別々に制御する事が可能となっている。また、図9に示すように、外部耐圧容器50内の内部容器51の外周にはヒーター53が配置されており、内部容器51および反応容器52を加熱して、混合融液24の温度を調整することができる。<原料等の調整および結晶成長条件>反応容器52に種結晶30やGaやNaとCなどのドーパント等の原料などを投入する作業は、内部容器51を例えばアルゴンガスのような不活性ガス雰囲気のグローブボックスに入れて行う。この作業は内部容器51に反応容器52を入れた状態で行っても良い。反応容器52には、[2]で上述した種結晶30を設置する。また、反応容器52には、少なくとも13族元素を含む物質例えば、ガリウムと、フラックスとして用いられる物質を投入する。フラックスとして用いる物質としては、ナトリウム、あるいはナトリウム化合物例えば、アジ化ナトリウムが用いられるが、その他の例として、リチウムや、カリウム等のその他のアルカリ金属や、当該アルカリ金属の化合物を用いるとしてもよい。また、バリウム、ストロンチウム、マグネシウム等のアルカリ土類金属や、当該アルカリ土類金属の化合物を用いるとしてもよい。なお、複数種類のアルカリ金属またはアルカリ土類金属を用いるとしてもよい。原料である13族元素を含む物質としては、例えば13族元素のガリウムが用いられるが、その他の例として、ホウ素、アルミニウム、インジウム等のその他の13族元素や、これらの混合物を用いてもよい。13族元素を含む物質とアルカリ金属とのモル比は、特に限定されるものではないが、13族元素とアルカリ金属との総モル数に対するアルカリ金属のモル比を、40~95とすることが好ましい。このように原料等をセッティングした後に、ヒーター53に通電して、内部容器51およびその内部の反応容器52を結晶成長温度まで加熱する。すると、反応容器52内において原料の13族元素を含む物質、アルカリ金属、その他の添加物等が溶融し、混合融液24が形成される。また、この混合融液24に上記分圧の窒素を接触させて混合融液24中に溶解させることにより、13族窒化物結晶19の原料である窒素を混合融液24中に供給することができる混合融液形成工程。そして、混合融液24中に融解している原料が種結晶30の外周表面に供給されて、当該原料によって種結晶30の外周表面から第2領域27が結晶成長する結晶成長工程。このように、種結晶30の外周面から第2領域27が結晶成長することにより、種結晶30を含む13族窒化物結晶19を製造することができる。好適な実施形態としては、内部容器51の内部空間68および外部耐圧容器50の内部空間67における窒素ガス分圧は、少なくとも0.1MPa以上とすることが好ましい。より好適な実施形態としては、内部容器51の内部空間68および外部耐圧容器50の内部空間67における窒素ガス分圧を、2MPa~5MPaの範囲内とすることが好ましい。好適な実施形態としては、混合融液24の温度結晶成長温度は、少なくとも700°C以上とすることが好ましい。より好適な実施形態としては、結晶成長温度は850°C~900°Cの範囲内であることが好ましい。なお、単結晶育成工程の条件は、形成対象の13族窒化物結晶19に応じて、適宜選択することができる。ここで、種結晶30の製造によって得られる、第1領域21の種結晶及び第1領域21Aの種結晶は、主に、c軸方向に成長することで製造された結晶である。一方、種結晶30から第2領域27を結晶成長させることで製造される13族窒化物結晶19は、主にc軸に対して垂直方向に結晶成長することで製造される。このため、第1領域21または第1領域21Aと、第2領域27と、は結晶成長方向が異なる。結晶成長方向が異なると、不純物の取り込まれ方が異なるため、第1領域21または第1領域21Aと第2領域27とは、不純物の取り込まれ方の異なる領域となる。このため、上記製造方法によってc軸に対して垂直方向に結晶成長させることで得られた第2領域27は、c軸方向への結晶成長によって得られた第1領域21または第1領域21Aに比べて、キャリア濃度の高い領域となると考えられる。また、第1領域21または第1領域21Aの結晶は種結晶として用いることから、製造された13族窒化物結晶19においては、第1領域21または第1領域21Aのc面断面における最大径に比べて、第2領域27の厚みは大きくなり、大きな領域となる。このため、この第2領域27を用いることで、低抵抗の導電性デバイス等に好適に適用可能な、高品質の13族窒化物結晶19を提供することができると考えられる。なお、導電性デバイスとしては、例えば、半導体レーザーや発光ダイオード等が挙げられる。また、上述した製造方法を用いることで、上記結晶成長工程によって得られる第2領域27は、分域25と境界領域26とを含んだ状態となる図3参照。上述したように、第2領域27は複数の分域から構成されており、その複数の分域の境界が境界領域26である。境界領域26には、隣接する分域25に比べて不純物が選択的に取り込まれ易い。このため、分域25及び境界領域26は、上述したキャリア濃度の関係を満たすものとなると考えらえる。また、分域25は、境界領域26に比べて不純物が少ない上に、これらの不純物の分布が境界領域26に比べて均一である。第2領域27における境界領域26は、あくまでも分域25の境界面に相当する領域であるため、境界領域26に比べて分域25は広い領域を占める。このため、高品質で大面積の第2領域27を得ることができるといえる。ここで、種結晶30から第2領域27を成長させて13族窒化物結晶19を製造する場合、種結晶30のm面で構成される外周表面から主に成長した第2領域27の転位密度は、種結晶30で構成される外周表面の品質に影響を受けると考えられる。上記[2]で上述したように、種結晶30として、第1領域21Aの種結晶を用いた場合には、種結晶30のm面で構成される外周表面は転位密度が低く高品質であるため、この種結晶30を用いて第2領域27を成長させることにより、種結晶30から第2領域27に伝播する転位を減少させることができる。これにより、製造された13族窒化物結晶19の転位密度、具体的には、第2領域27の転位密度を低く抑えることができる。このため、より大型でかつ高品質の13族窒化物結晶19を製造しやすくなると考えられる。また、本実施形態にかかる結晶製造方法では、種結晶30と、種結晶30から成長する第2領域27とを同じ材料例えば、窒化ガリウムとすることも可能である。この場合、窒化アルミニウムAlNのような異種材料の種結晶を用いる場合と異なり、格子定数や熱膨張係数を一致させることができ、格子不整合や熱膨張係数の違いによる転位の発生を抑制することが可能となる。さらに、種結晶30と、第2領域27と、は同様の結晶成長方法フラックス法で製造されているため、種結晶30と第2領域27とを互いに異なる方法で製造した場合に比べて、格子定数と熱膨張係数の整合性を向上させることが可能となり、転位発生を抑制しやすくすることができる。上記工程を経ることによって、実用的なサイズであり、且つ高品質な13族窒化物結晶19を製造することができる。なお、上述ではフラックス法による結晶製造方法について説明したが、結晶製造方法は特に限定されるものではなく、HVPE法のような気相成長法や、フラックス法以外の液相法によって結晶成長を行うとしてもよい。ただし、高品質な13族窒化物結晶19を製造する観点から、フラックス法を用いることが好ましい。具体的には、フラックス法を用いて13族窒化物結晶19を製造することによって、より高品質な第2領域27を成長させることができる。このため、より高品質な13族窒化物結晶19を得ることができると考えられる。[3]で上述した製造方法で製造される13族窒化物結晶19における、種結晶として用いた領域である第1領域21または第1領域21Aの位置は、13族窒化物結晶19の内部であればよく、13族窒化物結晶19のc面断面の中央をc軸方向に沿って貫通する位置であってもよいし、該中央をc軸方向に沿って貫通する位置からずれた位置であってもよい。また、本実施の形態では、13族窒化物結晶19は、六角柱状の結晶上にその六角柱の上底を底面とする六角錐の設けられた針状の結晶である場合を説明したが、このような形に限定されるものではなく、例えば、m面の形成されていない六角錐形状であってもよい。<転位密度>次に、結晶中の転位について例を挙げて説明する。図10は、13族窒化物結晶19において、c軸とa軸に平行な断面における転位を模式的に示す図である。なお、図10では、13族窒化物結晶19のc軸とa軸に平行な断面のうちの、第1領域21Aより右側の部分を拡大して示している。一般的に、フラックス法、HVPE法等のいずれの方法で結晶成長させた場合であっても、13族窒化物結晶19内には転位が少なからず発生する。また、第1領域21Aや第1領域21図10では省略の外周表面上に転位線欠陥、点欠陥が存在する場合には、これらの領域の種結晶の外周表面から第2領域27を結晶成長させる場合にそれら転位が第2領域27にも伝播する場合がある。なお、転位の発生原因としては、該種結晶と該種結晶から成長する第2領域27との熱膨張係数差および格子定数差や、該種結晶の表面における結晶のひずみやクラック等の欠陥が起因すると考えられている。これに対して本実施形態では、第1領域21Aの種結晶、すなわち、第4領域29bかから第2領域27を結晶成長させる。従って、13族窒化物結晶19の第2領域27の転位密度も低減しやすくすることができる。また、一般的に、結晶成長方向と平行に伸びる転位線欠陥は、結晶成長中に消滅することなく伸び続ける。一方、結晶成長方向と平行でない方向に伸びる線欠陥は、結晶成長中に消滅する場合が多い。即ち、種結晶30のm面で構成される外周表面であるm面からm軸方向即ち、六角形のc面断面が大型化する方向に成長する。従って、これらの種結晶の成長界面から発生する転位は結晶成長方向と平行な<11-20>方向が多く、結晶成長方向と平行でない<11-23>方向には少ない。六方晶の13族窒化物結晶のc面と交わる転位方向を考えると、<0001>方向と<11-23>方向があるが、本実施形態では<0001>方向の転位は発生せず、<11-23>も少ない。従って、好適な実施形態において、13族窒化物結晶19における第2領域27のc面の転位密度は、第2領域27より内側の領域の転位密度よりも小さい。[4]13族窒化物結晶基板本実施形態にかかる13族窒化物結晶基板は、13族窒化物結晶19を加工することによって得られる。この13族窒化物結晶19の加工方向切断方向によって、例えばc面、m面、a面、{10-11}面、{11-23}面等の任意の結晶面を主面とした13族窒化物結晶基板を得ることができる。なお、13族窒化物結晶19の加工形状は特に限定されないが、第2領域27における境界領域26を含まず且つ1つの分域25からなる結晶基板となるように加工することが好ましい。上述したように分域25は、境界領域26に比べて高品質で且つ均一な結晶領域である。このため、1つの分域25から加工され且つ境界領域26を含まない13族窒化物結晶基板となるように13族窒化物結晶19を加工することで、より高品質で特性の均一な大面積の13族窒化物結晶基板を得ることができる。また、このような13族窒化物結晶基板は、より精密な電子デバイスや光デバイス等に適用可能と考えられる。なお、複数の分域25と少なくとも一つの境界領域26を含む13族窒化物結晶基板となるように13族窒化物結晶19を切断または加工した場合であっても、複数の分域25間でキャリア濃度が均一なため、従来技術に比べて、より精密な電子デバイスや光デバイス等に適用可能な大面積の13族窒化物結晶基板を得ることができる。図11には、一例として、13族窒化物結晶基板100Aを示した。13族窒化物結晶基板100Aは、図11に示すように、13族窒化物結晶19の切断及び加工を行うことによって、m面を主面とし、第2領域27の分域25からなる境界領域26を含まない結晶基板m面基板の一例である。図11に示すm面を主面とするm面基板である13族窒化物結晶基板100Aにおける、m面は、無極性面である。このため、m面基板である13族窒化物結晶基板100Aは、ピエゾ分極を生じさせることの無い、高性能なデバイスに適用することができる。また、図12には、図11とは異なる13族窒化物結晶19の加工方法を示した。図12Aに示すように、13族窒化物結晶19における第2領域27の分域25に相当する領域を、c軸方向に長い円柱状に切り取る。これによって、図12Bに示す、円柱状の13族窒化物結晶101を得る。そして、この13族窒化物結晶101をc軸に直交する方向に沿って切断図12B中、点線P参照する。これによって、図12Cに示す、c面を主面とし、第2領域27の分域25からなる境界領域26を含まない13族窒化物結晶基板100Bc面基板が得られる。[5]13族窒化物結晶バルク結晶の好適な形状次に、13族窒化物結晶19の好適な形状について説明する。図13~図15は、第1領域21A第3領域29aと第4領域29bを含む、または第1領域21の種結晶から、第2領域27を結晶成長させる過程を説明するための模式図である。なお、ここでの説明に関して、結晶成長方法は特に限定されるものではない。なお、図13~図15は、13族窒化物結晶19のc軸とa軸に平行な面における断面を示す。図13に示すように、13族窒化物結晶19は、主に、第1領域21または第1領域21Aの種結晶の外周表面であるm面からm軸方向即ち、六角形のc面断面が肥大化する方向に成長した領域31aと、主に、該種結晶の{10-11}面または領域31a上面の{10-11}面から成長した領域31bとを含んでいると考えられる。領域31bでは、{10-11}面が形成される速度が律速となることが考えられ、これにより種結晶の上部周囲に成長する13族窒化物結晶第2領域27は六角錐形状となる場合が多いと考えられる。図14は、種結晶のc軸方向の長さLが短い場合の結晶成長の様子を示す模式図である。種結晶の長さLが十分に長くない場合には、六角柱部分に対する六角錐部分の割合が大きいため、<10-11>方向に形成される領域31bは、m軸方向に形成される領域31aに比べその体積比が大きくなる。従って、13族窒化物結晶19は、図14に示すような形状となりやすく、この場合、全てのc面断面には領域31bが含まれることとなる。また、図15は、図14の13族窒化物結晶第2領域27の結晶成長をさらに進行させた様子を示す模式図である。図15に示すように種結晶の外周が領域31bで包囲されてしまうと、さらに結晶成長を行ってもm面で構成される外周面は形成されず、{10-11}面が外周表面として保たれたまま13族窒化物結晶第2領域27が成長する場合が多く観察されている。領域31aは、種結晶のm面の外周表面から結晶成長を開始した領域である。上述したように、主に種結晶のm面から成長した13族窒化物結晶領域31aは、c軸方向の貫通転位が比較的少ないと考えられる。従って、c面を主面とする13族窒化物結晶基板を製造する場合には、領域31aが多く含まれていることが好ましい。[6]種結晶の好適なサイズ次に、上述した好適な形状の13族窒化物結晶19を成長させるために好適な種結晶の形状について説明する。第1領域21Aの種結晶は六方晶の結晶構造を有し、ac軸<11-23>方向とc面とが為す角度は、例えば、58.4°である。また、第1領域21Aの種結晶のc軸方向の長さLとc面断面における結晶径dとの比L/dが、例えば、0.813である場合に、種結晶は六角錐形状となる。上述したように、良質の13族窒化物結晶19を得るためには、主に種結晶のm面の外周表面から13族窒化物結晶第2領域27が成長することが好ましい。そこで、好適な実施形態としては、種結晶はその外周面としてm面を含んでいることが好ましい。図16は、第1領域21Aの種結晶の形状とL/dとの関係を示す模式図である。図16に示すように、aL/d=0.813である場合には、種結晶は六角錐状である。bL/d>0.813である場合には、上部が六角錐状、下部が六角柱状となり種結晶の外周面側面にはm面が含まれる。cL/d<0.813である場合には、種結晶はm面を含まない六角錐状か、或いは、六角錐部分の頂点を含む部分が含まれておらず結晶上面にc面が形成されており、m面を含む六角柱部分の高さが低い形状となる。従って、好適な実施形態としては、種結晶において、c軸方向の長さLとc面における結晶径dとの比であるL/dは、0.813より大きいことが好ましい。また、13族窒化物結晶基板100A、100Bの実用的なサイズとしては、ハーフインチ12.7mm或いは2インチ5.08cmあることが望まれている。そこで、以下では、c面を主面とする13族窒化物結晶基板100Bの最大径をハーフインチ12.7mm以上、または2インチ以上とする場合に必要とされる種結晶のサイズについて説明する。以下では、実用的な基板として必要とされる最低の厚みの一例として、13族窒化物結晶基板100Bの厚みが1mmである場合について試算するが、必要とされる最低の厚みはこれに限定されるものではなく、適宜試算されるものである。まず、13族窒化物結晶基板100Bの直径が12.7mm、即ち、13族窒化物結晶基板100Bの直径dが12.7mmとなるためには、種結晶の結晶径をゼロとして無視すると、半径方向m軸方向に少なくとも6.35mm以上は、第2領域27が成長する必要がある。ここで、一例として、m軸方向の結晶成長速度Vmがc軸方向の結晶成長速度Vcの2倍であると仮定すると、m軸方向に6.35mm成長する間に、c軸方向には約3.2mm成長する。上述のようにL/d>0.813であるから、結晶径d六角錐部分の底面の直径が12.7mmとなるためには、c軸方向の長さL六角錐部分の高さは、11.9mmとなる。従って、種結晶27の長さとしては、11.9-3.2=8.7mm必要であると試算される。即ち、六角錐形状の13族窒化物結晶80を得るために必要とされる種結晶27の最低の長さは、8.7mmとなる。そして、この六角錐形状の下部に六角柱状の領域が形成されていることが望まれる。13族窒化物結晶基板100Bの厚さとして1mm以上必要であると仮定すると、種結晶27のc軸方向の長さLは、9.7mm必要であると試算される。このように、好適な実施形態としては、種結晶第1領域21または第1領域21Aの種結晶のc軸方向の長さLは、9.7mm以上であることが好ましい。より好適な実施形態としては、種結晶は、c軸方向の長さLとc面における結晶径dとの比であるL/dが0.813より大きく、c軸方向の長さLが9.7mm以上であることが好ましい。さらに好ましくは、L/dが7より大きいことが好ましく、L/dが20より大きいことがより好ましい。上述のように、好適な実施形態によれば、c面の直径がハーフインチである13族窒化物結晶基板100Bを製造できる。また、上述のように種結晶のm面から成長させた13族窒化物結晶19は高品質であるので、大型かつ高品質の13族窒化物結晶基板100Bを製造することができる。また、直径が2インチ5.08cmの13族窒化物結晶基板100Bを得るためには、種結晶のc軸方向の長さLは37.4mm以上必要であると試算される。従って、好適な実施形態として、種結晶のc軸方向の長さLは37.4mm以上であることが好ましい。これにより、c面の直径が2インチ以上の13族窒化物結晶基板100Bを製造することができる。また、上述のように種結晶のm面から成長させた13族窒化物結晶19は高品質であるので、大口径かつ高品質の13族窒化物結晶基板100Bを製造することができる。以下に本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、符号は図8および図9を参照して説明した結晶製造装置1、2の構成と対応している。―種結晶の製造―まず、下記の製造方法により、13族窒化物結晶の製造に用いる種結晶を製造した。<種結晶の製造例1>図8に示した結晶製造装置1を使用して、第1領域21Aの種結晶を製造した。BN焼結体からなる内径92mmの反応容器12に、公称純度99.99999のガリウムと公称純度99.95のナトリウムとをモル比0.25:0.75として投入した。グローブボックス内で、高純度のArガス雰囲気下、反応容器12を耐圧容器11内に設置し、バルブ31を閉じて反応容器12内部を外部雰囲気と遮断して、Arガスが充填された状態で耐圧容器11を密封した。その後、耐圧容器11をグローブボックスから出して、結晶製造装置1に組み込んだ。すなわち、耐圧容器11をヒーター13に対して所定の位置に設置して、バルブ31部分で窒素ガスとアルゴンガスとのガス供給管14に接続した。次に、内部容器11からアルゴンガスをパージした後、窒素供給管17から窒素ガスを入れ、圧力制御装置16で圧力を調整してバルブ15を開け、内部容器11内の窒素圧力を3.2MPaとした。その後、バルブ15を閉じ、圧力制御装置16を8MPaに設定した。次いで、ヒーター13に通電し、反応容器12を結晶成長温度まで昇温した。本製造例1では、結晶成長温度は870°Cとした。結晶成長温度では反応容器12内のガリウムとナトリウムは融解し、混合融液24を形成する。なお、混合融液24の温度は反応容器12の温度と同温になる。また、この温度まで昇温すると本製造例1の結晶製造装置1では、内部容器11内の気体が熱せられ全圧は8MPaとなる。次に、バルブ15を開け、窒素ガス圧力を8MPaとして、内部容器11内部と窒素供給管17内部とを圧力平衡状態とした。この状態で反応容器12を500時間保持して窒化ガリウムの結晶成長を行った後、ヒーター13を制御して、内部容器11を室温20°C程度まで降温した。内部容器11内のガスの圧力を下げた後、内部容器11を開けたところ、反応容器12内には、窒化ガリウム結晶25が多数、結晶成長していた。結晶成長した窒化ガリウム結晶である種結晶30は無色透明であり、結晶径dは100~1500μm程度であり、長さLは10~40mm程度であり、長さLと結晶径dとの比L/dは20~300程度であった。結晶成長した窒化ガリウム結晶である種結晶30は、c軸に概ね平行に成長しており、側面にはm面が形成されていた。<種結晶の製造例2>反応容器12の材質をアルミナにし、さらに反応容器12の底面にちょうど収まるBN焼結体の板を設置し、また、結晶成長温度870°Cにおける耐圧容器11内の窒素分圧を6MPa室温での耐圧容器11内の窒素分圧は2.8MPaに維持し、結晶成長時間を300時間とする以外は種結晶の製造例1と同様にして結晶成長を行った。その結果、種結晶の製造例1と同様に、無色透明の結晶成長した窒化ガリウム結晶である種結晶30が多数、結晶成長していた。結晶径dは100~500μm程度であり、長さLは10~15mm程度であり、長さLと結晶径dとの比率L/dは30~500程度であった。上記の種結晶の製造例1および種結晶の製造例2の各々で製造した種結晶30の各々について、各種測定を行った。測定結果を下記に示す。<フォトルミネッセンスPLの測定結果>種結晶の製造例1及び種結晶の製造例2で製造した種結晶のフォトルミネッセンスPLを室温25°Cで測定した。フォトルミネッセンスは、堀場製作所社製のLabRAMHR-80を用いて測定した。励起光源には、波長325nmのヘリウム‐カドミウムHe-Cdレーザーを使用した。フォトルミネッセンスは、種結晶30の内側の領域である第1領域25aと、種結晶30の外側の領域である第4領域25bとのそれぞれにおいて測定した。図7は、第3領域29aおよび第4領域29bにおけるPLの発光スペクトルの測定結果の一例を示す図である。横軸は波長nmを示し、縦軸は発光強度を示す。図7の実線で示されるように、種結晶の製造例1~種結晶の製造例2の第3領域29aにおいては、500nm~800nmにかけて、600nm付近にピークを有するブロードな発光第2ピークが測定されたが、窒化ガリウムのバンド端近傍364nmからの発光第1ピークはごく弱い発光強度が得られたのみであった。一方、図7の点線で示されるように、種結晶の製造例1~種結晶の製造例2の第4領域29bにおいては、窒化ガリウムのバンド端近傍364nmからの発光第1ピークのピーク強度が強く測定され、500nm~800nmにおけるブロードな発光第2ピークについては、ごく弱い発光強度が得られたのみであった。このように、種結晶の製造例1~種結晶の製造例2で製造された種結晶30については、種結晶30の内側に含まれる第3領域29aにおいては、第1ピークのピーク強度が、第2ピークのピーク強度より小さいことが確認された。また、種結晶30の外側の第4領域29bにおいては、第1ピークのピーク強度が第2ピークのピーク強度より大きいことが確認された。次に、図17、図18を参照して、種結晶の製造例1~種結晶の製造例2で製造された種結晶30について測定した、フォトルミネッセンスの発光強度分布について説明する。なお、図17、図18は、種結晶の製造例1及び製造例2で製造された種結晶30のc面断面において測定したフォトルミネッセンス結果の一例であり、c面断面の同一の測定箇所について異なる波長帯のスペクトル強度を示している。図17は、フォトルミネッセンスの360nm~370nmにおけるスペクトル強度のマッピング像である。濃色ほど360nm~370nmにおけるスペクトル強度が強いことを示す。図18は、フォトルミネッセンスの500nm~800nmにおけるスペクトル強度のマッピング像である。濃色ほど500nm~800nmにおけるスペクトル強度が強いことを示す。従って、図17、図18のマッピング結果によれば、種結晶の製造例1~種結晶の製造例2で製造された種結晶30の内側には第3領域29aがあり、外側には第4領域29bがあることが確認できた。また、種結晶の製造例1~種結晶の製造例2で製造された種結晶30のc面断面についてPL測定を行った結果、幾つかの種結晶30においては、第4領域29bが第3領域29aの外周の全てを覆っていることが確認された。また、その他の種結晶30においては、第4領域29bが第3領域29aの外周の一部を覆っていることが確認された。このように、種結晶の製造例1~種結晶の製造例3で製造された種結晶30のc面断面においては、第4領域29bが第3領域29aの外周の少なくとも一部を覆うことが確認できた。<ホウ素濃度の測定>種結晶の製造例1~種結晶の製造例2で製造された種結晶30について、2次イオン質量分析計SIMSを用いて結晶中のホウ素濃度を測定した。SIMSとしては、CAMECA社製の型式IMS7fを用いた。一次イオンビームとしてはCsイオンを用いた。本測定では、種結晶30のc面断面において内側の領域即ち、第3領域29aと、外側の領域即ち、第4領域29bとについて、それぞれ複数箇所のホウ素濃度を測定した。測定結果は場所により多少のばらつきはあるものの、第3領域29aのホウ素濃度は5×1018cm-3~3×1019cm-3程度であり、第4領域29bのホウ素濃度は1×1016cm-3~8×1017m-3程度であった。このように、種結晶の製造例1~種結晶の製造例2で製造された種結晶30は、c面断面において外側の第4領域29bのホウ素濃度が、内側の第3領域29aのホウ素濃度よりも低くなっていることが確認された。次に、上述した結晶製造方法により、種結晶の製造例1~種結晶の製造例2で製造された種結晶30を用いて、13族窒化物結晶19を製造した。実施例A1本実施例では、図9に示す結晶製造装置2により、種結晶30から第2領域27の結晶成長を行い、13族窒化物結晶19を製造した。種結晶30としては、上記種結晶の製造例1で製造した種結晶30を用いた。この種結晶30の大きさは、幅1mm、長さ約40mmであった。なお、本実施例で用いた種結晶30は、c面断面の少なくとも一部において第4領域29bが第3領域29aの外周を全て覆っているものを用いた。また、この種結晶30のc面断面において、第4領域29bの厚みtm軸方向の厚みは少なくとも10μm以上あることを確認した。まず、内部容器51をバルブ61部分で結晶製造装置2から分離し、Ar雰囲気のグローブボックスに入れた。次いで、アルミナからなる内径140mm、深さ100mmの反応容器52に、種結晶30を設置した。なお、種結晶30は、反応容器52の底に深さ4mmの穴をあけて差し込んで保持した。次に、ナトリウムNaを加熱して液体にして反応容器52内に入れた。ナトリウムが固化した後、ガリウムを入れた。本実施例では、ガリウムとナトリウムとのモル比を0.25:0.75とした。その後、グローブボックス内で、高純度のArガス雰囲気下、反応容器52を内部容器51内に設置した。そして、バルブ61を閉じてArガスが充填された内部容器51を密閉し、反応容器52内部を外部雰囲気と遮断した。次に、内部容器51をグローブボックスから出して、結晶製造装置2に組み込んだ。すなわち、内部容器51をヒーター53に対して所定の位置に設置し、バルブ61部分でガス供給管54に接続した。次に、内部容器51からアルゴンガスをパージした後、窒素供給管57から窒素ガスを入れ、圧力制御装置56で圧力を調整してバルブ55を開け、内部容器51内の全圧を1.2MPaにした。その後、バルブ55を閉じ、圧力制御装置56を3.2MPaに設定した。次に、ヒーター53に通電し、反応容器52を結晶成長温度まで昇温した。結晶成長温度は870°Cとした。そして、上記種結晶の製造例1における製造時と同様に、バルブ55を開け、窒素ガス圧力を3.2MPaとし、この状態で反応容器52を1300時間保持して窒化ガリウム結晶を成長させた。その結果、反応容器52内には、種結晶30から結晶成長が生じ、c軸と垂直方向に結晶径が増大し、結晶径のより大きな13族窒化物結晶19単結晶が成長していた。結晶成長によって得られた13族窒化物結晶19は概ね無色透明であり、結晶径dは51mmであり、c軸方向の長さLは反応容器52に差し込んだ種結晶30の部分を含めて約54mmであった。また、13族窒化物結晶19の形状は、上部が六角推形状であり下部が六角柱形状であった。実施例A2本実施例では、種結晶として、上記種結晶の製造例2で製造した種結晶30を用いた以外は、実施例A1と同じ条件で図9に示す結晶製造装置2により種結晶30の結晶成長を行い、13族窒化物結晶19を製造した。本実施例A2で得られた13族窒化物結晶19は、実施例A1で得られた13族窒化物結晶19と同様に、上部が六角推形状であり下部が六角柱形状であった。比較例A1反応容器はBN焼結体、結晶成長温度を870°C、窒素圧力を10MPaとし、結晶成長時間を300時間とした。その他の条件は、実施例A1と同じ条件で結晶成長を行った。その結果、結晶径dは100~800μm程度であり、長さLは3~18mm程度の針状結晶が得られたが、見かけが骸晶化しており、実施例A1の結晶と比較すると透明度が低く薄く黄色がかった結晶が得られた。―評価―<キャリア濃度の評価>上記実施例A1~実施例A2、及び比較例A1で得られた13族窒化物結晶19、及び比較例A1で得られた13族窒化物結晶19の各々のc面断面について、キャリア濃度の測定を行った。なお、キャリア濃度の測定は、ラマン分光法からキャリア密度を換算する方法を用い、換算方法は分光研究492000GaNおよび関連窒化物のラマン散乱分光:播磨弘に沿って行った。なお、測定装置としては、HORIBA製レーザーラマン分光装置装置名:LabRAMHR800を用いた。実施例A1で製造した13族窒化物結晶19のc面断面について、種結晶部分に相当する第1領域21Aのキャリア濃度を測定したところ、3×1017[cm-3]程度±30以内、以下同様とするであった。また、該13族窒化物結晶19の第2領域27における、分域25のキャリア濃度を測定したところ、1×1019[cm-3]程度であった。また、該13族窒化物結晶19の第2領域27における、測定した分域25に連続する境界領域26のキャリア濃度を測定したところ、3×1019[cm-3]程度であった。なお、図19に示すように、キャリア濃度の測定は、第2領域27における境界領域26と該境界領域26に連続する分域25すなわち、領域Q内について行った。また、同一の13族窒化物結晶基板内における複数の分域のキャリア濃度を測定したところ1×1019[cm-3]程度だった。図20には、実施例A1で製造した13族窒化物結晶19のc面断面における、図19の領域Qのキャリア濃度の測定結果を示した。図20に示すように、隣接する分域25の境界に位置する境界領域26を横切るように、キャリア濃度を測定したところ、境界領域26のキャリア濃度図20中、矢印B参照は、該境界領域26に連続する分域25のキャリア濃度より高いという結果が得られた。なお、13族窒化物結晶19のc軸とa軸に平行な断面についても同様にして、第2領域27のキャリア濃度を測定したところ、図20と同様に、境界領域26のキャリア濃度図20中、矢印B参照は、該境界領域26に連続する分域25のキャリア濃度より高いという結果が得られた。さらに、実施例A2で作製した13族窒化物結晶19についても同様にして、キャリア濃度の測定を行ったところ、実施例A1の13族窒化物結晶19と同様の結果が得られた。一方、比較例A1で作製した13族窒化物結晶についても、実施例A1と同様にして、c面断面のキャリア濃度の測定を行ったところ、3×1019[cm-3]という結果が得られた。比較例A1で作製した結晶は見かけが骸晶化していることや黄色っぽいことから点欠陥や酸素などの不純物を含んでいることが考えられるため高いキャリア濃度となったと推定される。次に、上記実施例A及び比較例Aで製造した13族窒化物結晶を用いて、13族窒化物結晶基板を製造した。実施例B1<c面基板の製造例>実施例A1で製造した13族窒化物結晶を外形研削し、c面と平行にスライスし、表面を研磨し、表面処理を施し、外形φ2インチ、厚さ400μmのc面を主面とし、第1領域21、及び第2領域27分域25及び境界領域26を含む13族窒化物結晶基板を製造した。得られた基板の第1領域21、第2領域27の分域25、及び第2領域27の境界領域26の各々について、実施例A1と同様にしてキャリア濃度を測定したところ、実施例A1と同じ結果が得られた。また、基板主面c面を、KOH融液とNaOH融液を混合した420°Cの混合融液KOH融液の質量:NaOH融液の質量=50:50中に浸漬することによって、各GaN結晶基板の最表面をエッチングし、エッチピットを出現させた。次に、エッチング後のc軸とa軸に平行な断面の組織写真を、電子顕微鏡を用いて撮影し、得られた写真から、エッチピットの密度EPDを算出した。その結果、種結晶第1領域21における転位密度は106cm-2台であり、第2領域27の分域25の転位密度は、102cm-2台であった。従来の結晶製造方法によって窒化アルミニウム針状結晶を種結晶として用いて結晶成長させた13族窒化物結晶と比べると、はるかに転位密度が少なく高品質な13族窒化物結晶が得られることが確認できた。実施例B2実施例A1で製造した13族窒化物結晶を外形研削し、第2領域27における複数の分域25の内の1の分域25から円柱状に結晶を切り出し、さらに、c面と平行にスライスし、厚さ400μmのc面を主面とし、第1領域21、及び第2領域27分域25及び境界領域26を含む13族窒化物結晶基板を製造した。得られた13族窒化物結晶基板のキャリア濃度を、実施例A1と同様にしてキャリア濃度を測定したところ、実施例B1で測定した分域25部分と同じ結果が得られた。また、転位密度についても、実施例A1と同様にして測定したところ、転位密度は×102[cm-3]台であった。従来の結晶製造方法によって窒化アルミニウム針状結晶を種結晶として用いて結晶成長させた13族窒化物結晶と比べると、はるかに転位密度が少なく高品質な13族窒化物結晶が得られることが確認できた。実施例B3<c面基板の製造例>実施例A1で製造した13族窒化物結晶に代えて、実施例A2で製造した13族窒化物結晶を用いた以外は、実施例B1と同じ条件でc面基板を作製したところ、実施例B1と同様の結果が得られた。比較例B1実施例A1で製造した13族窒化物結晶に代えて、比較例A1で製造した13族窒化物結晶を用いた以外は、実施例B1と同じ条件でc面基板を作製した。その結果、種結晶部分における転位密度は108cm-2台であり、第3領域25dにおける転位密度は、106cm-2台であり、実施例B1~B3に比べて、低品質な13族窒化物結晶であった。