"半導体素子を内蔵した半導体モジュールのパワー端子と電気的に接続するためのバスバーモジュールであって、該バスバーモジュールは、導体からなるバスバーと、該バスバーの一部を封止する樹脂製の封止部材とからなり、上記バスバーは、上記半導体モジュールの上記パワー端子に溶接される溶接部を備えた溶接板と、上記封止部材に保持される被保持板とを有し、上記被保持板の一部は上記封止部材に封止された被封止部を構成しており、上記溶接板と上記被保持板との間にはスリット部が形成され、上記溶接板と上記被保持板とは、少なくとも一つの上記溶接部よりも上記被封止部から遠い位置において連結されていることを特徴とするバスバーモジュール。請求項1において、上記バスバーは、上記被保持板を挟んで2個の上記溶接板を備え、該2個の溶接板と上記被保持板との間に、それぞれ上記スリット部が形成され、上記2個の溶接板と上記被保持板とは、少なくとも一つの上記溶接部よりも上記被封止部から遠い位置において連結されていることを特徴とするバスバーモジュール。請求項1または請求項2において、上記溶接板と上記被保持板とは、上記パワー端子の突出方向に直交する同一平面上に形成されており、上記パワー端子は、上記溶接板の端面に面接触した状態で、上記溶接板に溶接されていることを特徴とするバスバーモジュール。請求項3において、複数の上記半導体モジュールと、該半導体モジュールを冷却する複数の冷却流路とが積層されて積層体を構成しており、該積層体の積層方向に隣り合う2個の上記半導体モジュールの上記パワー端子の間に上記溶接板が介在し、上記積層方向の一方側における上記溶接板の端面と、上記積層方向の他方側における上記溶接板の端面との双方に、それぞれ上記パワー端子が面接触し、溶接されていることを特徴とするバスバーモジュール。請求項1~請求項4のいずれか1項において、複数の上記半導体モジュールと、該半導体モジュールを冷却する複数の冷却流路とが積層されて積層体を構成しており、上記バスバーは、上記被保持板を挟んで2個の上記溶接板を備え、上記積層体の積層方向に隣り合う2個の上記半導体モジュールの上記パワー端子の間に上記2個の溶接板および上記被保持板が介在し、上記2個の溶接板にそれぞれ上記パワー端子が溶接されていることを特徴とするバスバーモジュール。請求項1~請求項5のいずれか1項において、複数個の上記バスバーを備え、個々のバスバーの上記溶接板には、1個の上記溶接部のみが形成されており、上記封止部材のうち、上記被保持板を保持する部分が、上記半導体モジュールから突出する複数のパワー端子の間に位置していることを特徴とするバスバーモジュール。しかしながら、従来のバスバーモジュール90は、溶接部940から被封止部950までの伝熱距離が短いため、溶接時に発生した熱が溶接部940から被封止部950へ移動しやすく、封止部材910が溶けやすいという問題があった。この問題を解決するため、図21に示すごとく、溶接部940と被封止部950との間に切欠部99を設ける試みもなされているが、このようにすると、切欠部99においてバスバー93の強度が低下するという問題が生じる。本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたもので、バスバーを溶接する際に発生した熱によって、封止部材が容易に溶けないバスバーモジュールを提供しようとするものである。本発明は、半導体素子を内蔵した半導体モジュールのパワー端子と電気的に接続するためのバスバーモジュールであって、該バスバーモジュールは、導体からなるバスバーと、該バスバーの一部を封止する樹脂製の封止部材とからなり、上記バスバーは、上記半導体モジュールの上記パワー端子に溶接される溶接部を備えた溶接板と、上記封止部材に保持される被保持板とを有し、上記被保持板の一部は上記封止部材に封止された被封止部を構成しており、上記溶接板と上記被保持板との間にはスリット部が形成され、上記溶接板と上記被保持板とは、少なくとも一つの上記溶接部よりも上記被封止部から遠い位置において連結されていることを特徴とするバスバーモジュールにある請求項1。本発明の作用効果について説明する。本発明のバスバーモジュールは、上記溶接板と上記被保持板とを備えたバスバーを有する。溶接板と被保持板との間にはスリット部が形成されている。そして、溶接板と被保持板とを、溶接部よりも被封止部から遠い位置において連結してある。このようにすると、被封止部の周囲の封止部材が溶けにくくなる。すなわち、パワー端子とバスバーとを溶接する際に、溶接部に発生した熱は、主にバスバーを伝熱によって移動するが、その熱は、一旦、被封止部とは反対方向へ向かい、その後、被保持板に移り、被封止部へ移動する。そのため、溶接部から被封止部までの、溶接熱の移動距離を長くすることが可能になる。したがって、溶接熱が伝導している間に放熱しやすくなり、被封止部まで到達する溶接熱の量を減少させることができる。これにより、溶接熱によって、被封止部の周囲の封止部材が溶ける不具合を防止しやすくなる。以上のごとく、本発明によると、バスバーを溶接する際に発生した熱によって、封止部材が容易に溶けないバスバーモジュールを提供することができる。上述した本発明における好ましい実施の形態につき説明する。本発明において、上記バスバーは、上記被保持板を挟んで2個の上記溶接板を備え、該2個の溶接板と上記被保持板との間に、それぞれ上記スリット部が形成され、上記2個の溶接板と上記被保持板とは、少なくとも一つの上記溶接部よりも上記被封止部から遠い位置において連結されていることが好ましい請求項2。この場合には、バスバーは2個の溶接板を備えるため、より多くのパワー端子を溶接できる。この場合、バスバーにより多くの電流を流すこととなりやすい。バスバーに流れる電流が多くなると、抵抗熱の発生量が多くなるため、この抵抗熱から封止部材を保護する必要が特に生じる。本発明のバスバーは、被封止部への伝熱量が少ないため、上述のように、電流による抵抗熱がより多く発生する場合でも、被封止部の溶解を効果的に防止することができる。また、上記溶接板と上記被保持板とは、上記パワー端子の突出方向に直交する同一平面上に形成されており、上記パワー端子は、上記溶接板の端面に面接触した状態で、上記溶接板に溶接されていることが好ましい請求項3。この場合には、溶接板を折り曲げなくてもバスバーを形成できるため、バスバーの製造コストを低減することができる。また、溶接板が折り曲げられていないため、パワー端子の突出方向における、バスバーの長さを短くすることができる。そのため、バスバーを小型化しやすくなる。また、複数の上記半導体モジュールと、該半導体モジュールを冷却する複数の冷却流路とが積層されて積層体を構成しており、該積層体の積層方向に隣り合う2個の上記半導体モジュールの上記パワー端子の間に上記溶接板が介在し、上記積層方向の一方側における上記溶接板の端面と、上記積層方向の他方側における上記溶接板の端面との双方に、それぞれ上記パワー端子が面接触し、溶接されていることが好ましい請求項4。この場合には、積層方向の一方側における溶接板の端面と、積層方向の他方側における溶接板4の端面との双方に、それぞれパワー端子が溶接されているため、1個の溶接板に多くのパワー端子を接続することが可能になる。そのため、溶接板の数を低減でき、バスバーの形状を簡素化することができる。これにより、バスバーモジュールの製造コストを低減することが可能になる。また、複数の上記半導体モジュールと、該半導体モジュールを冷却する複数の冷却流路とが積層されて積層体を構成しており、上記バスバーは、上記被保持板を挟んで2個の上記溶接板を備え、上記積層体の積層方向に隣り合う2個の上記半導体モジュールの上記パワー端子の間に上記2個の溶接板および上記被保持板が介在し、上記2個の溶接板にそれぞれ上記パワー端子が溶接されていることが好ましい請求項5。この場合には、バスバーを小型化することができる。すなわち、バスバーが2個の溶接板を有する場合は、バスバーが大型化しやすくなるが、上記積層方向に隣り合う2個のパワー端子の間に2個の溶接板と被保持板とを介在させると、積層方向における、これら2個の溶接板と被保持板とを合わせた合計の長さを短くすることができる。そのため、バスバーを小型化でき、バスバーを構成する金属材料の量を低減することができる。これにより、バスバーの製造コストを低減することが可能になる。また、複数個の上記バスバーを備え、個々のバスバーの上記溶接板には、1個の上記溶接部のみが形成されており、上記封止部材のうち、上記被保持板を保持する部分が、上記半導体モジュールから突出する複数のパワー端子の間に位置していることが好ましい請求項6この場合には、個々の溶接板に1個の溶接部のみが形成されているため、複数の溶接部を形成した場合と比べて、溶接板を小型化することができる。また、封止部材のうち、被保持板を保持する部分が、半導体モジュールから突出する複数のパワー端子の間に位置している。そのため、被保持板の長さを短くすることができる。これにより、バスバーを小型化でき、バスバーモジュールの製造コストを低減することが可能になる。実施例1本発明の実施例にかかるバスバーモジュールにつき、図1~図9を用いて説明する。本例のバスバーモジュール1は、図4に示すごとく、半導体素子を内蔵した半導体モジュール2のパワー端子20と電気的に接続するために用いられる。図1~図3に示すごとく、バスバーモジュール1は、導体からなるバスバー3と、該バスバー3の一部を封止する樹脂製の封止部材10とからなる。バスバー3は、半導体モジュール2のパワー端子20に溶接される溶接部40を備えた溶接板4と、封止部材10に保持される被保持板5とを有する。被保持板5の一部は封止部材10に封止された被封止部50を構成している。また、図2に示すごとく、溶接板44a,4bと被保持板5との間にはスリット部66a,6bが形成されている。溶接板4と被保持板5とは、溶接部4040a,40cよりも被封止部50から遠い位置において連結されている。以下、詳説する。本例のバスバーモジュール1は、図4、図6に示すごとく、電力変換装置8に用いられる。電力変換装置8は、複数個の半導体モジュール2と冷却管11とを積層した積層体14を備える。この冷却管11内に、冷媒84が流れる冷媒流路110が形成されている。そして、上記複数個の半導体モジュール2によって、直流電力と交流電力との間で電力変換を行う電力変換装置8を構成している。図4に示すごとく、半導体モジュール2のパワー端子20には、直流電源の正電極に接続される正極端子20aと、直流電源の負電極に接続される負極端子20bと、交流負荷に接続される交流端子20cとがある。本例のバスバーモジュール1は、この交流端子20cに接続するために用いられる。各半導体モジュール2の交流端子20cは、それぞれバスバーモジュール1の溶接部40に溶接される。半導体モジュール2は複数の制御端子25を備える。制御端子25には、図示しない制御回路基板が接続している。この制御回路基板が複数の半導体モジュール2の動作を制御することにより、正極端子20aと負極端子20bとの間に印加される直流電力を交流電力に変換し、交流端子20cから出力している。図1に示すごとく、本例のバスバーモジュール1は、3本のバスバー3と、該バスバー3の一部を封止する略矩形枠状の封止部材10とを備える。封止部材10は、相対向する2つの辺部15,16を備える。この辺部15,16にバスバー3の一部が封止されている。3本のバスバー3は、互いに平行に配列されると共に、封止部材10によって互いに絶縁した状態で保持されている。バスバー3は、溶接板4と、被保持板5と、被封止部50と、延出板75と、出力側被封止部70と、接続端子7とを備える。被保持板5の先端は、封止部材10の辺部15に封止されている。延出板75は、溶接板4から封止部材10の他の辺部16に向って延びている。出力側被封止部70は、封止部材10の辺部16に封止されている。また、接続端子7は、封止部材10の枠外に延出している。接続端子7は、後述する三相交流モータ88図8参照のU相、V相、W相に接続される。封止部材10には複数個の貫通穴12が形成されている。この貫通穴12にボルトを挿入し、後述するフレーム19図5参照に形成した雌螺子部190にボルトを螺合させる。これにより、バスバーモジュール1をフレーム19に固定するようになっている。また、封止部材10には、正極端子20aに接続する正極バスバー38図7参照と、負極端子20bに接続する負極バスバー39とを、ボルト33によって固定するためのナット13が埋設されている。図2に示すごとく、各バスバー3は、被保持板5を挟んで2個の溶接板4a,4bを備える。一方の溶接板4aは第1溶接部40a及び第2溶接部40bを備える。他方の溶接板4bは第3溶接部40c及び第4溶接部40dを備える。一方の溶接板4aと被保持板5との間には、第1スリット部6aが形成されている。また、他方の溶接板4bと被保持板5との間には、第2スリット部6bおよび第3スリット部6cが形成されている。一方の溶接板4aと被保持板5とは、第1溶接部40aよりも被封止部50から遠い位置において連結されている。また、他方の溶接板4bと被保持板5とは、第3溶接部40cよりも被封止部50から遠い位置において連結されている。さらに、他方の溶接板4bと被保持板5とは、第4溶接部40dよりも出力側被封止部70から遠い位置において連結されている。図2に示すごとく、パワー端子の突出方向紙面に垂直な方向:Z方向から見た場合に、第1溶接部40aと被保持板5との間に、第1スリット部6aが形成されている。また、第3溶接部40cと被保持板5との間に、第2スリット部6bが形成されている。さらに、第4溶接部40dと被保持板5との間に、第3スリット部6cが形成されている。第2溶接部40bと被保持板5との間にはスリット部6は形成されていない。図2に示すごとく、積層体14の積層方向X方向とZ方向との双方に直交する幅方向Y方向における、溶接板4bの中央部において、該溶接4bと被保持板5とが連結されている。図2、図3に示すごとく、2個の溶接板4a,4bはZ方向に立設しており、互いに平行である。バスバー3は、1枚の金属板を曲げ加工して形成したものである。バスバー3には、4個のパワー端子2020e~20hが溶接されている。一方の溶接板4aの主表面のうち、被保持板5とは反対側に存在する外側主表面45aに、2個のパワー端子20e,20fが面接触している。これら2個のパワー端子20e,20fは、外側主表面45aに面接触した状態で、一方の溶接板4aに溶接されている。また、他方の溶接板4bの主表面のうち、被保持板5側に存在する内側主表面46aに、2個のパワー端子20g,20hが面接触している。これら2個のパワー端子20g,20hは、内側主表面46aに面接触した状態で、他方の溶接板4bに溶接されている。パワー端子20g,20hは、それぞれスリット部6b,6c内に位置している。また、封止部材10の上記辺部15は、X方向に向って延びており、半導体モジュール2a,2bの、2個のパワー端子20,20の間に位置している。この辺部15に、被保持板5の先端被封止部50が封止されている。図2に示すごとく、一方の溶接板4aと延出板75との間に折曲部400が形成されている。このように折曲部400を形成することにより、延出板75をパワー端子20iから離隔し、これら延出板75とパワー端子20iとが接触することを防止している。また、図1に示すごとく、出力側被封止部70は、延出板75からY方向に向って延びる第1部分70aと、該第1部分70aからX方向に延びる第2部分70bと、該第2部分70bからZ方向に延びる第3部分70cとを備える。第3部分70cから、接続端子7がY方向に延出している。図3に示すごとく、溶接部40は、溶接板4の端面に形成されている。溶接を行う際には、溶接部40と、パワー端子20の先端面250とを面一にし、溶接板4の主表面図2の外側主表面45aまたは内側主表面46aとパワー端子20とを密着させる。そして、溶接部40と先端面250とにTIG溶接等を行う。これにより、バスバー3と半導体モジュール2とを電気的に接続する。図5に示すごとく、電力変換装置8は、積層体14を固定するためのフレーム19を備える。フレーム19は、Z方向から見た場合に略矩形状を呈する。フレーム19の、X方向に直交する2つの内面80a,80bのうち、一方の内面80aと積層体14との間には、ばね部材81が設けられている。このばね部材81の弾性力を使って、積層体14を他方の内面80bに向けて押圧している。これにより、半導体モジュール2と冷却管11との接触圧を維持しつつ積層体14をフレーム19内に固定している。なお、本例では、フレーム19の、X方向に直交する2つの内面80a,80bのうち、一方の内面80aと積層体14との間にばね部材81を設けたが、他方の内面80bと積層体14との間にばね部材81を設けてもよい。この場合、積層体14は、フレーム19の一方の内面80aに向けて押圧されることとなる。X方向に隣り合う2個の冷却管11は、Y方向における両端部において、一対の連結管85によって連結されている。また、複数の冷却管11のうち、X方向における、ばね部材81を設けた側とは反対側の端部に位置する冷却管11bには、冷媒84を冷媒流路110内に導入するための導入パイプ82と、冷媒流路110から冷媒84が導出する導出パイプ83とが設けられている。導入パイプ83から冷媒84を導入すると、冷媒84は冷媒流路110内を分配されて流れ、導出パイプ83から導出する。これにより、半導体モジュール2を冷却している。フレーム19には、複数の雌螺子部190が形成されている。図6に示すごとく、バスバーモジュール1の封止部材10に形成した貫通穴12図1参照にボルト17を挿入し、雌螺子部190に螺合することにより、バスバーモジュール1をフレーム19に固定している。図7に示すごとく、半導体モジュール2の正極端子20aと負極端子20bには、それぞれ正極バスバー38と負極バスバー39が溶接される。これら正極バスバー38と負極バスバー39にはボルト挿入孔図示しないが貫通形成されている。このボルト挿入孔にボルト33を挿入し、バスバーモジュール1の封止部材10に埋設したナット13図6参照にボルト33を螺合する。これにより、正極バスバー38と負極バスバー39とをバスバーモジュール1に固定している。次に、電力変換装置8の回路の説明をする。図8に示すごとく、電力変換装置8は、複数のIGBT素子21半導体素子と、該IGBT素子21に逆並列接続したフリーホイールダイオード22と、平滑用のコンデンサ87と、正極バスバー38と、負極バスバー39とを備える。1個の半導体モジュール2図4参照は、1個のIGBT素子21と1個のフリーホイールダイオード22とをそれぞれ内蔵している。また、正極バスバー38と負極バスバーに、直流電源86およびコンデンサ87が接続している。IGBT素子21には、上アーム側IGBT素子21aと、下アーム側IGBT素子21bとがある。上アーム側IGBT素子21aのコレクタ端子正側パワー端子20aは、正極バスバー38に接続している。また、下アーム側IGBT素子21bのエミッタ端子負側パワー端子20bは、負極バスバー39に接続している。上アーム側IGBT素子21aのエミッタ端子交流端子20cと、下アーム側IGBT素子21bのコレクタ端子交流端子20cとは、上述したバスバー3によって接続されている。このバスバー3は、三相交流モータ88に接続している。このように本例のバスバーモジュール1は、電力変換装置8の、上アーム側IGBT素子21aのエミッタ端子交流端子20cと、下アーム側IGBT素子21bのコレクタ端子交流端子20cとを接続すると共に、これらの交流端子20cを三相交流バスバー88に接続するために用いられる。本例のバスバーモジュール1は、図9に示す電力変換装置8に用いることもできる。この電力変換装置8は、直流電源86の電圧を昇圧するための昇圧回路89を備える。昇圧回路89は、2個のIGBT素子21と、該IGBT素子21に逆並列接続したフリーホイールダイオード22と、チョークコイル61とを備える。1個の半導体モジュール2図4参照は、1個のIGBT素子21と1個のフリーホイールダイオード22とをそれぞれ内蔵している。2個のIGBT素子21のうち、一方のIGBT素子21cのエミッタ端子交流端子20cと、他方のIGBT素子21dのコレクタ端子交流端子20cとは、上述したバスバー3によって接続されている。このように、昇圧回路89を構成するIGBT素子21c,21dの交流端子20cを互いに接続するために、本例のバスバーモジュール1を用いることができる。なお、本例では、IGBT素子21を使って電力変換装置8を構成したが、バイポーラ型トランジスタやパワーMOSFET等の、他のスイッチング素子を用いてもよい。本例の作用効果について説明する。図2に示すごとく、本例のバスバーモジュール1は、溶接板4aと被保持板5とを備えたバスバー3を有する。溶接板4aと被保持板5との間にはスリット部6aが形成されている。そして、溶接板4aと被保持板5とを、第1溶接部40aよりも被封止部50から遠い位置において連結してある。このようにすると、パワー端子20と溶接する際に第1溶接部40aに発生した熱は、一旦、被封止部50とは反対方向へ向かい、その後、被保持板5に移り、被封止部50へ移動する。そのため、第1溶接部40aから被封止部50までの、溶接熱の移動距離を長くすることが可能になる。したがって、溶接熱が伝導している間に放熱しやすくなり、被封止部50まで到達する溶接熱の量を減少させることができる。これにより、溶接熱によって、被封止部50の周囲の封止部材10が溶ける不具合を防止しやすくなる。また、本例では、図2に示すごとく、バスバー3は、被保持板5を挟んで2個の溶接板4a,4bを備える。2個の溶接板4a,4bと被保持板5との間には、それぞれスリット部6a,6bが形成されている。上述したように、一方の溶接板4aと被保持板5とは、第1溶接部40aよりも被封止部50から遠い位置において連結されている。また、他方の溶接板4bと被保持板5とは、第3溶接部40cよりも被封止部50から遠い位置において連結されている。このようにすると、第3溶接部40cから被封止部50までの伝熱距離を長くすることができる。そのため、溶接時に、第3溶接部40cに発生した熱によって被封止部50が溶解する不具合を防止できる。また、バスバー3は2個の溶接板4a,4bを備えるため、より多くのパワー端子20を溶接でき、バスバー3により多くの電流を流すことができる。バスバー3に流れる電流が多くなると、抵抗熱の発生量が多くなるため、この抵抗熱から封止部材10を保護する必要が生じる。本例のバスバー3は、被封止部50への伝熱量が少ないため、上述のように、電流による抵抗熱がより多く発生する場合でも、被封止部50の溶解を効果的に防止することができる。また、本例では図2に示すごとく、バスバー3の一部は、封止部材10によって封止された出力側被封止部70となっている。第4溶接部40dと被保持板5との間にはスリット部6cが形成されている。そして、他方の溶接板4bと被保持板5とは、第4溶接部40dよりも出力側被封止部70から遠い位置において連結されている。このようにすると、溶接時に第4溶接部40dに発生した溶接熱は、一旦、出力側被封止部70の反対方向へ向かい、その後、被保持板5に移り、延出板75を通って出力側被封止部70へ移動する。そのため、第4溶接部40dから出力側被封止部70までの、溶接熱の移動距離を長くすることが可能になる。したがって、溶接熱が伝導している間に放熱しやすくなり、出力側被封止部70まで到達する溶接熱の量を減少させることができる。これにより、溶接熱によって、出力側被封止部70の周囲の封止部材10が溶ける不具合を防止しやすくなる。以上のごとく、本例によると、バスバーを溶接する際に発生した熱によって、封止部材が容易に溶けないバスバーモジュールを提供することができる。なお、本例では、冷媒流路110を冷却管11によって形成し、該冷却管11を半導体モジュール2に接触させたが、本例の電力変換装置8は、これに限られるものではない。すなわち、例えば、半導体モジュール2に直接、冷媒84が接触するように冷媒流路110を設けることもできる。実施例2本例は、溶接板4の数を変更した例である。本例では図10、図11に示すごとく、1本のバスバー3に、1個の溶接板4のみ形成されている。溶接板4は、その端面に、2個の溶接部40a,40bを有する。被保持板5の一部は封止部材10によって封止された被封止部50となっている。また、バスバー3は、溶接板4からY方向における辺部16側に延出した延出板75を備える。バスバー3の一部は封止部材10によって封止された出力側被封止部70となっている。溶接板4と被保持板5との間にはスリット部6が形成されている。そして、溶接板4と被保持板5とは、第1溶接部40aよりも被封止部50から遠い位置において連結されている。その他、実施例1と同様の構成を備える。本例の作用効果について説明する。本例では、溶接板4に溶接するパワー端子20の数が少ない場合に有効である。すなわち、2箇所の溶接部40a,40bだけで充分である場合には、溶接板4の数を減らすことができ、バスバーモジュール1を小型化できる。また、本例は、実施例1と同様に、第1溶接部40aから被封止部50までの、溶接熱の移動距離を長くすることができる。これにより、溶接熱を放熱しやすくなり、被封止部50に到達する溶接熱の量を減らすことができる。そのため、被封止部50の周囲に存在する封止部材10が溶ける不具合を防止できる。その他、実施例1と同様の作用効果を有する。実施例3本例は、図12、図13に示すごとく、被保持板5と延出板75とを一体化し、バスバー3を片持ちにした例である。本例では、溶接板4は2箇所の溶接部40a,40bを備える。第1溶接部40aと被保持板5との間には、スリット部6が形成されている。溶接板4と被保持板5とは、第1溶接部40aよりも被封止部50から遠い位置において連結されている。その他、実施例1と同様の構成を備える。本例の作用効果について説明する。本例では、被保持板5と延出板75とを一体化した。そのため、バスバーモジュール1をより簡素な構成にすることができる。また、本例では、実施例1と同様に、第1溶接部40aから被封止部50への、溶接熱の移動距離を長くすることができる。これにより、溶接熱を放熱しやすくなり、被封止部50へ到達する溶接熱の量を減らすことができる。そのため、溶接熱によって被封止部50の周囲の樹脂が溶ける不具合を防止できる。その他、実施例1と同様の作用効果を有する。実施例4本例は、パワー端子20がバスバー3に接触する部位を変更した例である。図14に示すごとく、本例では実施例1と同様に、複数の半導体モジュール2と、該半導体モジュール2を冷却する複数の冷却管11とを積層した積層体14を備える。バスバー3は、被保持板5を挟んで2個の溶接板44a,4bを備える。そして、X方向に隣り合う2個の半導体モジュール2のパワー端子20の間に、2個の溶接板4a,4bおよび被保持板5が介在している。すなわち、2個の溶接板4a,4bおよび被保持板5は、X方向に相対向する2個のパワー端子20e,20gの間に介在すると共に、X方向に相対向する2個のパワー端子20f,20hの間に介在している。溶接板4は、被保持板5の板厚方向Z方向に立設している。2個の溶接板4a,4bは互いに平行である。一方の溶接板4aの主表面のうち、被保持板5側とは反対側に存在する外側主表面45aに、パワー端子20e,20fが面接触している。パワー端子20e,20fは、外側主表面45aに面接触した状態で、一方の溶接板4aに溶接されている。また、他方の溶接板4bの主表面のうち、被保持板5側とは反対側に存在する外側主表面45bに、パワー端子20g,20hが面接触している。パワー端子20g,20hは、外側主表面45bに面接触した状態で、他方の溶接板4bに溶接されている。その他、実施例1と同様の構成を備える。本例の作用効果について説明する。上記構成にすると、バスバー3を小型化することができる。すなわち、バスバー3が2個の溶接板4a,4bを有する場合は、バスバー3が大型化しやすくなるが、X方向に隣り合う2個のパワー端子20の間に2個の溶接板4a,4bと被保持板5とを介在させると、X方向における、これら2個の溶接板4a,4bと被保持板5とを合わせた合計の長さを短くすることができる。そのため、バスバー3を小型化でき、バスバー3を構成する金属材料の量を低減することができる。これにより、バスバー3の製造コストを低減することが可能になる。その他、実施例1と同様の作用効果を有する。実施例5本例は、バスバー3および半導体モジュール2の形状を変更した例である。図15に示すごとく、本例では、半導体モジュール2はそれぞれ3個のパワー端子20を備える。半導体モジュール2は、それぞれ2個のIGBT素子21a,21b図8、図9参照を内蔵している。半導体モジュール2は、上アーム側IGBT素子21aのコレクタ端子を正極端子20aとし、下アーム側IGBT素子21bのエミッタ端子を負極端子20bとしている。そして、上アーム側IGBT素子21aのエミッタ端子と下アーム側IGBT素子21bのコレクタ端子とが半導体モジュール2内において接続され、共通化して1本の交流端子20cとなっている。また、本例のバスバーモジュール1は、3本のバスバー3を備える。個々のバスバー3は、1個の溶接部40のみを備える。個々のバスバー3は、被保持板5と、該被保持板5の板厚方向Z方向に立設する1個の溶接板4とを備える。この溶接板4の端面に、溶接部40が形成されている。また、被保持板5の一部は、封止部材10に封止された被封止部50となっている。溶接部40と被保持板5との間には、スリット部6が形成されている。そして、溶接部40よりも被封止部50から遠い位置において、溶接板4と被保持板5とが連結している。封止部材10は、実施例1と同様に、Z方向から見た形状が略矩形枠状である図1参照。封止部材10は、相対向する2個の辺部15,16を備える。これら2個の辺部15,16はX方向に延びている。一方の辺部15に被封止部50が封止され、他方の辺部16に出力側被封止部70が封止されている。また、一方の辺部15は、半導体モジュール2の負極バスバー20bと交流バスバー20cとの間に位置している。その他、実施例1と同様の構成を備える。本例の作用効果について説明する。本例では、個々の溶接板4に1個の溶接部40のみが形成されているため、Y方向における、溶接板4の長さを短くすることができる。また、封止部材10のうち、被保持板5を保持する部分辺部15が、複数のパワー端子20b,20cの間に位置している。そのため、被保持板5のY方向における長さを短くすることができる。これにより、バスバー3を小型化でき、バスバーモジュール1の製造コストを低減することが可能になる。その他、実施例1と同様の作用効果を有する。実施例6本例は、バスバー3の形状を変更した例である。図16、図17に示すごとく、本例では、溶接板4と被保持板5とを、パワー端子20の突出方向Z方向に直交する同一平面上に形成した。溶接板4は2個の溶接部4040a,40bを備える。被保持板3の一部は封止部材10に封止され、被封止部50および出力側被封止部70となっている。図16に示すごとく、溶接部40と被保持板5との間に、スリット部6が形成されている。2個の溶接部40のうち、一方の溶接部40aよりも被封止部50から遠い位置において、溶接板4と被保持板5とが連結している。また、他方の溶接部40bよりも出力側被封止部70から遠い位置において、溶接板4と被保持板5とが連結している。半導体モジュール2の交流端子20cは、スリット部6内に位置している。交流端子20cは、溶接板6の端面47に面接触した状態で、溶接板6に溶接されている。その他、実施例1と同様の構成を備える。本例の作用効果について説明する。本例では、溶接板4を折り曲げなくてもバスバー3を形成できるため、バスバー3の製造コストを低減することができる。また、本例では、溶接板4が折り曲げられていないため、Z方向における、バスバー3の長さを短くすることができる。そのため、バスバー3を小型化しやすくなる。その他、実施例1と同様の作用効果を有する。実施例7本例は、バスバー3の形状を変更した例である。本例では、図18に示すごとく、X方向に隣り合う2個の半導体モジュール2のパワー端子20の間に溶接板4が介在している。すなわち、X方向に隣り合う2個のパワー端子20e,20gの間および、2個のパワー端子20f、20hの間に、溶接板4が介在している。そして、X方向の一方側における溶接板4の端面45aと、X方向の他方側における溶接板4の端面45bとの双方に、それぞれパワー端子20が面接触し、溶接されている。その他、実施例1と同様の構成を備える。本例の作用効果について説明する。本例では、X方向の一方側における溶接板4の端面45aと、他方側における溶接板4の端面45bとの双方に、それぞれパワー端子20が溶接されているため、1個の溶接板4に多くのパワー端子20を接続することが可能になる。そのため、溶接板4の数を低減でき、バスバー3の形状を簡素化することができる。これにより、バスバーモジュール1の製造コストを低減することが可能になる。その他、実施例1と同様の作用効果を有する。"