"半導体基板を研磨するための軟質研磨パッドであって、前記軟質研磨パッドは、成形された均質の研磨体を備え、前記成形された均質の研磨体は、約20ショアDから45ショアDの範囲の硬度を有する熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料を備えている、軟質研磨パッド。前記成形された均質の研磨体は、第1の溝付き表面と、前記第1の表面と反対の第2の平坦表面とを備えている、請求項1に記載の軟質研磨パッド。前記成形された均質の研磨体は、不透明である、請求項1に記載の軟質研磨パッド。前記成形された均質の研磨体は、不透明化潤滑剤をさらに備えている、請求項3に記載の軟質研磨パッド。前記成形された均質の研磨体内に配置されている局所的透明LAT領域をさらに備え、前記LAT領域は、前記成形された均質の研磨体と共有結合されている、請求項1に記載の軟質研磨パッド。前記LAT領域および前記成形された均質の研磨体は、実質的に架橋されている、請求項5に記載の軟質研磨パッド。前記成形された均質の研磨体は、不透明であり、前記LAT領域は、前記不透明化潤滑剤を本質的に含まない、請求項5に記載の軟質研磨パッド。前記成形された均質の研磨体は、前記LAT領域のショアD未満のショアDを有していた、請求項5に記載の軟質研磨パッド。前記成形された均質の研磨体は、約75-78センチメートルの範囲の直径を有する円形であり、前記LAT領域は、約4-6センチメートルの範囲の長さ、約1-2センチメートルの範囲の幅を有し、前記成形された均質の研磨体の中心から、約16-20センチメートルの範囲内に位置付けられている、請求項5に記載の軟質研磨パッド。前記成形された均質の研磨体の上方に配置されている担体膜をさらに備え、前記担体膜は、ポリエチレンテレフタレートPETを備えている、請求項1に記載の軟質研磨パッド。前記担体膜と前記成形された均質の研磨体との間に配置されている第1の感圧式接着剤層をさらに備え、前記第1の感圧式接着剤層は、ゴム系材料を備えている、請求項10に記載の軟質研磨パッド。前記担体膜の上方に配置されている第2の感圧式接着剤層をさらに備え、前記第2の感圧式接着剤層は、アクリル系材料を備えている、請求項11に記載の軟質研磨パッド。前記第2の感圧式接着剤層の上方に配置されている剥離裏地をさらに備え、前記剥離裏地は、ポリエチレンテレフタレートPETを備えている、請求項12に記載の軟質研磨パッド。前記成形された均質の研磨体上に直接配置されている剥離裏地をさらに備えている、請求項1に記載の軟質研磨パッド。半導体基板を研磨するための軟質研磨パッドを製造する方法であって、形成鋳型内において、プレポリマー、一次硬化剤、および前記一次硬化剤と異なる二次硬化剤を混合し、混合物を形成することと、前記混合物を硬化させ、約20ショアDから45ショアDの範囲の硬度を有する熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料を備えている成形された均質の研磨体を提供することとを含む、方法。前記プレポリマーは、ポリウレタン前駆体を備え、前記一次硬化剤は、芳香族ジアミン化合物を備え、前記二次硬化剤は、エーテル結合を備えている、請求項15に記載の方法。前記ポリウレタン前駆体は、イソシアネートであり、前記一次硬化剤は、芳香族ジアミンであり、前記二次硬化剤は、ポリテトラメチレングリコール、アミノ官能化グリコール、およびアミノ官能化ポリオキシプロピレンから成る群から選択される、請求項16に記載の方法。前記混合物を硬化させることは、前記形成鋳型内において部分的に硬化させることにより、ポリウレタン材料を提供することと、炉内においてさらに硬化させることにより、前記熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料を備えている前記成形された均質の研磨体を提供することとを含む、請求項15に記載の方法。前記成形された均質の研磨体は、第1の溝付き表面と、前記第1の表面と反対の第2の平坦表面とを備えている、請求項15に記載の方法。前記混合することは、不透明化潤滑剤を前記プレポリマー、前記一次硬化剤、および前記二次硬化剤と混合することをさらに含み、前記成形された均質の研磨体は、不透明である、請求項15に記載の方法。前記プレポリマーおよび前記一次硬化剤および前記二次硬化剤を混合することに先立って、第2の別個の形成鋳型内において芳香族ウレタンプレポリマーを硬化剤と混合し、第2の混合物を形成することと、前記第2の形成鋳型内において、前記第2の混合物を部分的に硬化させ、成形されたゲルを形成することと、前記成形されたゲルを前記形成鋳型の指定された領域内に位置付けることとをさらに含み、前記プレポリマーおよび前記一次硬化剤および前記二次硬化剤を混合し、前記混合物を形成することは、前記成形されたゲルを少なくとも部分的に囲むように前記混合物を形成することを含み、前記混合物を硬化させ、前記成形された均質の研磨体を提供することは、前記成形されたゲルを硬化させ、前記成形された均質の研磨体内に配置されている局所的透明LAT領域を提供することをさらに含み、前記LAT領域は、前記成形された均質の研磨体と共有結合されている、請求項15に記載の方法。前記混合物を硬化させることは、前記形成鋳型内におい部分的に硬化させることにより、ポリウレタン材料を提供すること、および、LAT領域前駆体を提供することと、炉内においてさらに硬化させることにより、前記熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料を備えている前記成形された均質の研磨体を提供すること、および、前記LAT領域を提供することとを含む、請求項21に記載の方法。前記芳香族ウレタンプレポリマーは、ポリテトラメチレングリコール-トルエンジイソシアネートを備え、前記硬化剤は、チオエーテル芳香族ジアミンを備えている、請求項21に記載の方法。前記第2の混合物の部分的硬化は、単に、熱エネルギーを用いて行なわれる、請求項21に記載の方法。ある実施形態では、軟質研磨パッドは、約20ショアDから45ショアDの範囲の硬度を有する熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料を含む、成形された均質の研磨体を含む。別の実施形態では、軟質研磨パッドは、約20ショアDから45ショアDの範囲の硬度を有する熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料を含む成形された均質の研磨体内に配置され、それと共有結合される局所的透明LAT領域を含む。別の実施形態では、半導体基板を研磨するための軟質研磨パッドを製造する方法は、形成鋳型内において、プレポリマー、一次硬化剤、および一次硬化剤と異なる二次硬化剤を混合し、混合物を形成することを含む。方法はまた、混合物を硬化させ、約20ショアDから45ショアDの範囲の硬度を有する熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料を含む、成形された均質の研磨体を提供することを含む。別の実施形態では、半導体基板を研磨するための軟質研磨パッドを製造する方法は、形成鋳型内において、プレポリマーおよび一次硬化剤および二次硬化剤を混合することに先立って、第2の別個の形成鋳型内において、芳香族ウレタンプレポリマーを硬化剤と混合し、第2の混合物を形成することを含む。方法はまた、第2の形成鋳型内において、第2の混合物を部分的に硬化させ、成形されたゲルを形成することを含む。方法はまた、成形されたゲルを形成鋳型の指定された領域内に位置付けることを含む。ここで、プレポリマーおよび一次硬化剤および二次硬化剤を混合し、混合物を形成することは、成形されたゲルを少なくとも部分的に囲むように混合物を形成することを含む。混合物を硬化させ、成形された均質の研磨体を提供することはさらに、成形されたゲルを硬化させ、成形された均質の研磨体内に配置され、それと共有結合される局所的透明LAT領域を提供することを含む。半導体基板を研磨するための軟質研磨パッドが本明細書に説明される。以下の説明では、本発明の実施形態の徹底的理解を提供するために、特定の軟質研磨パッドおよび局所的透明LATの調合混合物等、多数の特定の詳細が記載される。本発明の実施形態は、これらの特定の詳細を伴わずに実践され得ることは、当業者に明白となるであろう。他の事例では、半導体基板のCMPを行なうためのスラリーと研磨パッドの組み合わせ等、周知の処理技法は、本発明の実施形態を不必要に曖昧にしないように、詳細に説明されない。さらに、図に示される種々の実施形態は、例証的表現であって、必ずしも、正確な縮尺で描かれていないことを理解されたい。本明細書に開示されるのは、半導体基板を研磨するための軟質研磨パッドである。一実施形態では、軟質研磨パッドは、硬度約20ショアDから45ショアDの範囲を有する熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料を含む成形された均質の研磨体を含む。一実施形態では、軟質研磨パッドは、成形された均質の研磨体内に配置され、それと共有結合される局所的透明LAT領域を含む。一実施形態では、軟質研磨パッドは、硬度約60ショアAから95ショアAの範囲を有する熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料を含む成形された均質の研磨体を含む。また、本明細書に開示されるのは、半導体基板を研磨するための軟質研磨パッドを製造する方法である。一実施形態では、方法は、形成鋳型内において、プレポリマー、一次硬化剤、および一次硬化剤と異なる二次硬化剤を混合し、混合物を形成することを含む。混合物は、硬化され、硬度約20ショアDから45ショアDの範囲を有する熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料を含む成形された均質の研磨体を提供する。一実施形態では、方法は、プレポリマーおよび一次硬化剤および二次硬化剤を混合することに先立って、第2の別個の形成鋳型内において、芳香族ウレタンプレポリマーを硬化剤と混合し、第2の混合物を形成することを含む。第2の形成鋳型内では、第2の混合物は、部分的に硬化され、成形されたゲルを形成する。成形されたゲルは、形成鋳型の指定される領域内に位置付けられる。本実施形態では、プレポリマーおよび一次硬化剤および二次硬化剤を混合し、混合物を形成することは、成形されたゲルを少なくとも部分的に囲むように、混合物を形成することを含み、混合物を硬化させ、成形された均質の研磨体を提供することはさらに、成形されたゲルを硬化させ、成形された均質の研磨体内に配置され、それと共有結合される局所的透明領域を提供することを含む。本明細書に説明される軟質研磨パッドは、化学機械的研磨装置を使用するために好適であり得る。図1は、本発明のある実施形態による、半導体基板を研磨するための軟質研磨パッドと適合性がある、研磨装置の等角側面図を例証する。図1を参照すると、研磨装置100は、圧盤104を含む。圧盤104の上面102は、軟質研磨パッドを支持するために使用され得る。圧盤104は、主軸回転106およびスライダ振動108を提供するように構成され得る。試料担体110は、軟質研磨パッドによる半導体ウエハの研磨の間、例えば、半導体ウエハを定位置に保持するために使用される。試料担体はさらに、懸垂機構112によって支持される。スラリーフィード114は、半導体ウエハの研磨に先立って、かつその間、スラリーを軟質研磨パッドの表面に提供するために含まれる。本発明のある実施形態によると、軟質パッド従来のパッドに対して、相対的ショアD値において軟質は、研磨装置100等の研磨装置と使用するために提供される。軟質研磨パッドは、半導体基板の化学機械的研磨CMPにおいて使用され得る。ある実施形態では、軟質研磨パッドは、直径約20インチ例えば、約50-52センチメートルの範囲内または約30インチ例えば、約75-78センチメートルの範囲内の円筒形独立気泡の熱硬化性ポリウレタンパッドである。軟質研磨パッドは、各々が随意の局所的透明部分を伴う不透明部分を有し得る。本発明の別の実施形態によると、軟質研磨パッドは、直径約42-48インチの範囲を有する、円筒形独立気泡の熱硬化性ポリウレタンパッドであって、450mmウエハ処理のために好適である。ある実施形態では、各ポリウレタンパッドの上側部分は、例えば、研磨装置100等の研磨装置上での研磨の間、半導体基板に接触するために、溝付き設計を有する研磨表面である。ある実施形態では、ポリウレタンパッドの平坦底面は、厚さ約0.5-3ミルの範囲内、理想的には、約0.5ミル厚例えば、約10-15ミクロン厚の範囲内を伴うポリエチレンテレフタレートPET担体膜で完全に被覆される。PET担体膜は、光に対して半透明であり得る。PET担体膜は、PET担体膜のその片側を完全に被覆する第1の感圧式接着剤を介して底面パッド表面に接着され得る。一実施形態では、PET担体膜の他側を完全に被覆するのは、第2の感圧式接着剤層である。約2.5ミル厚例えば、約60-65ミクロンの範囲内であるPET剥離裏地が本第2の感圧式接着剤を介してPET担体膜に取り付けられ得る。一実施形態では、第1の感圧式接着剤は、ゴム系である一方、第2の感圧式接着剤は、アクリル系である。代替実施形態では、PET担体膜および感圧式接着剤のうちの1つは、PET剥離裏地が、直接、感圧式接着剤の単一層によって、ポリウレタンパッドの底面に取り付けられるように、省略される。本発明のある側面では、半導体基板表面の化学機械的研磨において使用するための軟質研磨パッドが提供される。図2は、本発明のある実施形態による、半導体基板を研磨するための軟質研磨パッドの断面図を例証する。図2を参照すると、軟質研磨パッド200は、硬度約20ショアDから45ショアDの範囲を有する熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料から成る、成形された均質の研磨体202を含む。ある実施形態では、用語均質は、熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料の組成物が、研磨体の組成物全体を通して一貫していることを示すために使用される。例えば、ある実施形態では、用語均質は、例えば、異なる材料の複数の層の含浸フェルトまたは組成物合成物から成る、研磨パッドを除外する。ある実施形態では、用語熱硬化性は、不可逆的に硬化する、例えば、材料の前駆体が硬化によって、不溶融性の不溶性ポリマー網目に不可逆的に変化する、ポリマー材料を示すために使用される。例えば、ある実施形態では、用語熱硬化性は、例えば、熱可塑性材料または熱可塑性物質から成る研磨パッドを除外するそれらの材料は、加熱されると、液体に戻り、十分に冷却されると、非常にガラス状の状態に凍結する、ポリマーから成る。ある実施形態では、用語成形されたは、成形された均質の研磨体202が以下により詳細に説明されるように、形成鋳型内において、形成されることを示すために使用される。ある実施形態では、成形された均質の研磨体202は、第1の溝付き表面204と、第1の表面204と反対の第2の平坦表面206とを含む。第1の溝付き表面204のためのパターンの実施例として、図3は、本発明のある実施形態による、半導体基板を研磨するための軟質研磨パッドの見下げ図を例証する。図3を参照すると、成形された均質の研磨体300は、例えば、複数の同心円形302とともに、複数の半径方向線304を有する、溝付き表面を含む。ある実施形態では、成形された均質の研磨体202は、不透明である。一実施形態では、用語不透明は、約10以下の可視光を透過させる、材料を示すために使用される。一実施形態では、成形された均質の研磨体202は、大部分において、または全体的に、成形された均質の研磨体202の均質の熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料全体を通して、不透明化潤滑剤の含有例えば、その中の付加的成分としてによって、不透明である。本発明のある実施形態によると、不透明化潤滑剤は、限定されないが、黒鉛、窒化ホウ素、二硫化タングステン、テフロン登録商標、フッ化セリウム、硫化モリブデン、フッ化黒鉛、硫化ニオブ、硫化タンタル、またはタルク等の材料である。ある実施形態では、成形された均質の研磨体202は、ポロゲンを含む。一実施形態では、用語ポロゲンは、中空中心を伴うマイクロまたはナノスケールの球状粒子を示すために使用される。中空中心は、固体材料で充填されず、むしろ、ガス状または液体コアを含み得る。一実施形態では、成形された均質の研磨体202は、成形された均質の研磨体202の均質の熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料全体を通して、ポロゲンとして、予備発泡され、かつガスで充填されたEXPANCELを例えば、その中の付加的成分として含む。特定の実施形態では、EXPANCELは、ペンタンで充填される。再び、図2を参照すると、軟質研磨パッド200はさらに、成形された均質の研磨体202の上方に配置される担体膜208を含む。ある実施形態では、担体膜208は、ポリエチレンテレフタレートPETから成る。一実施形態では、担体膜208は、厚さ約0.5ミル、例えば、約10-15ミクロンの範囲を有する。一実施形態では、担体膜208は、光に対して半透明である。再び、図2を参照すると、軟質研磨パッド200はさらに、担体膜208と成形された均質の研磨体202との間に配置されている第1の感圧式接着剤層210を含む。ある実施形態では、第1の感圧式接着剤層210は、ゴム系材料から成る。再び、図2を参照すると、軟質研磨パッド200はさらに、担体膜208の上方に配置されている第2の感圧式接着剤層212を含む。ある実施形態では、第2の感圧式接着剤層212は、アクリル系材料から成る。再び、図2を参照すると、軟質研磨パッド200はさらに、第2の感圧式接着剤層212の上方に配置されている剥離裏地214を含む。ある実施形態では、剥離裏地214は、ポリエチレンテレフタレートPETから成る。代替実施形態では図示せず、軟質研磨パッド200はさらに、担体膜または第1および第2の感圧式接着剤層を介在させずに、直接、成形された均質の研磨体202上に配置されている剥離裏地を含む。成形された均質の研磨体202の定寸は、用途に従って、変動し得ることを理解されたい。それでもなお、あるパラメータを使用して、従来の処理機器または従来の化学機械的処理動作とも適合性がある、そのような成形された均質の研磨体202を含む、軟質研磨パッドを作製し得る。例えば、本発明のある実施形態によると、成形された均質の研磨体202は、厚さ約0.075インチから0.130インチの範囲、例えば、約1.9-3.3ミリメートルの範囲を有する。一実施形態では、成形された均質の研磨体202は、直径約20インチから30.3インチの範囲、例えば、約50-77センチメートルの範囲、可能性として、約10インチから42インチの範囲、例えば、約25-107センチメートルの範囲を有する。一実施形態では、成形された均質の研磨体202は、硬度約35ショアDを有する。一実施形態では、成形された均質の研磨体202は、孔隙密度約18-30総空隙容量の範囲、可能性として、約15-35総空隙容量の範囲を有する。一実施形態では、成形された均質の研磨体202は、ある孔隙率の独立気泡タイプを有する。一実施形態では、成形された均質の研磨体202は、孔隙サイズ約40ミクロン直径を有するが、より小さい、例えば、約20ミクロン直径であり得る。一実施形態では、成形された均質の研磨体202は、圧縮率約2.5を有する。一実施形態では、成形された均質の研磨体202は、1立方センチメートルあたり約0.80-0.90グラムの範囲、または1立方センチメートルあたり約0.95-1.05グラムの範囲の密度を有する。成形された均質の研磨体202を含む、軟質研磨パッドを使用する、種々の膜の除去率は、研磨ツール、スラリー、条件付け、または使用される研磨方式に応じて、変動し得ることを理解されたい。しかしながら、一実施形態では、成形された均質の研磨体202は、銅除去率約1分あたり30-900ナノメートルの範囲を呈する。一実施形態では、成形された均質の研磨体202は、酸化物除去率約1分あたり30-900ナノメートルの範囲を呈する。一実施形態では、成形された均質の研磨体202は、25°Cにおいて、弾性貯蔵率、E、約30MPaを有する。一実施形態では、成形された均質の研磨体202は、40°Cにおいて、弾性貯蔵率、E、約25MPaを有する。一実施形態では、成形された均質の研磨体202は、70°Cにおいて、弾性貯蔵率、E、約20MPaを有する。一実施形態では、成形された均質の研磨体202は、90°Cにおいて、弾性貯蔵率、E、約18MPaを有する。一実施形態では、成形された均質の研磨体202は、温度に伴って、T=-75°Cで約0.04からT=-15°Cで約0.23に変動する、損失係数を有し、25°Cで値約0.19である。一実施形態では、成形された均質の研磨体202は、25°Cにおいて、運動エネルギー損失率、KEL1/Pa、約10,500、40°Cにおいて、約13,500、または70°Cにおいて、約15,500を有する。本発明のある実施形態によると、軟質研磨パッドは、45°Cにおいて、KEL約2000-45,000の範囲を有する。本発明のある側面では、軟質研磨パッドは、単一タイプのポリウレタンポリマーを形成する、非ポリマーウレタン前駆体から製造される、成形された均質の研磨体202等の成形された均質の研磨体を含む。例えば、本発明のある実施形態によると、成形された均質の研磨体は、aAIRTHANE60:ポリテトラメチレングリコール-トルエンジイソシアネート等の芳香族ウレタンプレポリマー、bEXPANCEL40:イソブテンまたはペンタン充填剤を伴うアクリロニトリル-塩化ビニリデン等のポロゲン、c潤滑剤および白色剤充填剤、dTerathaneT-2000:ポリオキシテトラメチレングリコール等のポリオール、およびeDABCO1027等の触媒と、fCURENE107:チオエーテル芳香族ジアミン等の硬化剤、gPUR68等の熱安定剤、およびgTinuvin213等のUV吸収剤を反応させ、実質的に均一の微孔質の独立気泡構造を有する、略不透明鈍黄色の熱硬化性ポリウレタンを形成することによって、製造される。略不透明の成形された均質の研磨体は、複数のポリマー材料から作製されないことがあり、ポリマー材料の混合物は、前述の反応によって形成されてないことがある。代わりに、ある実施形態では、不透明パッド成形された均質の研磨体は、単一タイプのポリウレタンポリマーを形成する、非ポリマーウレタン前駆体から作製される。また、ある実施形態では、製造された軟質研磨パッドの成形された均質の研磨体部分は、不水溶性ポリマーマトリクス不透明材料内に分散された任意の水溶性粒子を含まない。一実施形態では、不透明領域は、性質上、均一に、疎水性である。特定の実施形態では、条件付けに応じて、一部は、湿潤性となるように、より親水性となる。ある実施形態では、前述のEXPANCEL材料は、実質的にすべて水である液体コアを有していない。代わりに、EXPANCELのコアは、ガスであって、各EXPANSELユニットの平均孔隙サイズは、約20から40ミクロンの範囲である。前述のように、軟質研磨パッドは、単一タイプのポリウレタンポリマーを形成する、非ポリマーウレタン前駆体から製造され得る。図4は、本発明の別の実施形態による、半導体基板を研磨するための軟質研磨パッドを製造する方法における動作を表す、流れ図400である。図5A-5Cは、本発明のある実施形態による、流れ図400の動作に対応する、半導体基板を研磨するための軟質研磨パッドの製造の断面図を例証する。図5Aおよび流れ図400の対応する動作402を参照すると、半導体基板を研磨するための軟質研磨パッドを製造する方法は、形成鋳型504内において、プレポリマー、一次硬化剤、および一次硬化剤と異なる二次硬化剤組み合わせ502を混合し混合物506を形成することを含む。本発明のある実施形態によると、プレポリマーは、ポリウレタン前駆体を含み、一次硬化剤は、芳香族ジアミン化合物を含み、二次硬化剤は、エーテル結合を含む。一実施形態では、ポリウレタン前駆体は、イソシアネートであって、一次硬化剤は、芳香族ジアミンであって、二次硬化剤は、限定されないが、ポリテトラメチレングリコール、アミノ官能化グリコール、またはアミノ官能化ポリオキシプロピレン等の硬化剤である。ある実施形態では、プレポリマー、一次硬化剤、および二次硬化剤組み合わせ502は、概算モル比100質量部のプレポリマー、85質量部の一次硬化剤、および15質量部の二次硬化剤を有する。比率の変動は、軟質研磨パッドに、可変ショアD値を提供するために、またはプレポリマーならびに第1および第2の硬化剤の特定の性質に基づいて、使用され得ることを理解されたい。ある実施形態では、混合はさらに、不透明化潤滑剤をプレポリマー、一次硬化剤、および二次硬化剤と混合することを含む。図5Bおよび流れ図400の対応する動作404を参照すると、半導体基板を研磨するための軟質研磨パッドを製造する方法はまた、混合物506を硬化させ、成形された均質の研磨体508を提供することを含む。本発明のある実施形態によると、混合物506を硬化させることは、形成鋳型504内において、部分的に硬化させ、ポリウレタン材料を提供することを含む。本実施形態では、混合物506を硬化させることは、炉内において、さらに硬化させ、成形された均質の研磨体508を提供することを含む。ある実施形態では、形成鋳型504は、図5Bに描写されるように、その上に形成される、またはその中に形成される、溝付きパターン507を有する、蓋505を含む。炉硬化に先立って、部分的に硬化させることは、ある実施形態では、温度約200-260°Fの範囲および圧力約1平方インチあたり2-12ポンドの範囲において、形成鋳型504内に混合物506を封入する、蓋505の存在下、行なわれ得る。図5Cおよび再び流れ図400の対応する動作404を参照すると、成形された均質の研磨体508は、硬度約20ショアDから45ショアDの範囲を有する熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料から成る。ある実施形態では、形成鋳型504の蓋505の溝付きパターン507の結果、成形された均質の研磨体508は、図5Cに描写されるように、第1の溝付き表面510と、第1の表面510と反対の第2の平坦表面512とを含む。ある実施形態では、成形された均質の研磨体508は、不透明である。一実施形態では、成形された均質の研磨体508は、不透明化潤滑剤の含有のため、不透明である。本発明の別の側面では、軟質研磨パッドは、成形プロセス動作中に形成される溝を含むように製造され得るが、溝付きパターンは、必ずしも、形成鋳型の蓋に溝付きパターンを含むことにより形成される必要はない。図4は、本発明の別の実施形態による、半導体基板を研磨するための軟質研磨パッドを製造する方法における動作を表す、流れ図400である。図6A-6Cは、本発明のある実施形態による、流れ図400の動作に対応する、半導体基板を研磨するための軟質研磨パッドの製造の断面図を例証する。図6Aおよび流れ図400の対応する動作402を参照すると、半導体基板を研磨するための軟質研磨パッドを製造する方法は、形成鋳型内において604、プレポリマー、一次硬化剤、および一次硬化剤と異なる二次硬化剤組み合わせ602を混合し、混合物606を形成することを含む。本発明のある実施形態によると、プレポリマーは、ポリウレタン前駆体を含み、一次硬化剤は、芳香族ジアミン化合物を含み、二次硬化剤は、エーテル結合を含む。一実施形態では、ポリウレタン前駆体は、イソシアネートであって、一次硬化剤は、芳香族ジアミンであって、二次硬化剤は、限定されないが、ポリテトラメチレングリコール、アミノ官能化グリコール、またはアミノ官能化ポリオキシプロピレン等の硬化剤である。ある実施形態では、プレポリマー、一次硬化剤、および二次硬化剤組み合わせ502は、概算モル比100質量部のプレポリマー、85質量部の一次硬化剤、および15質量部の二次硬化剤を有する。比率の変動は、軟質研磨パッドに、可変ショアD値を提供するために使用され得ることを理解されたい。ある実施形態では、混合はさらに、不透明化潤滑剤をプレポリマー、一次硬化剤、および二次硬化剤と混合することを含む。図6Bおよび流れ図400の対応する動作404を参照すると、半導体基板を研磨するための軟質研磨パッドを製造する方法はまた、混合物606を硬化させ、成形された均質の研磨体608を提供することを含む。本発明のある実施形態によると、混合物606を硬化させることは、形成鋳型604内において、部分的に硬化させ、ポリウレタン材料を提供することを含む。本実施形態では、混合物606を硬化させることは、炉内において、さらに硬化させ、成形された均質の研磨体608を提供することを含む。ある実施形態では、形成鋳型604は、蓋605を含む。しかしながら、前述の蓋505と異なり、蓋605は、混合物606と接触する、平坦表面を有する。代わりに、溝付きパターン607は、図6Aおよび6Bに描写されるように、形成鋳型604の底面に含まれる。炉硬化に先立って、部分的に硬化させることは、ある実施形態では、温度約200-260°Fの範囲および圧力約1平方インチあたり2-12ポンドの範囲において、形成鋳型604内に混合物606を封入する、蓋605の存在下、行なわれ得る。図6Cおよび再び流れ図400の対応する動作404を参照すると、成形された均質の研磨体608は、硬度約20ショアDから45ショアDの範囲を有する熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料から成る。ある実施形態では、形成鋳型604の底面における溝付きパターン607の結果、成形された均質の研磨体608は、図6Cに描写されるように、第1の溝付き表面610と、第1の表面610と反対の第2の平坦表面612とを含む。ある実施形態では、成形された均質の研磨体608は、不透明である。一実施形態では、成形された均質の研磨体608は、不透明化潤滑剤の含有のため、不透明である。前述のように、軟質研磨パッドの形成のための実施形態は、より複雑な化学調合に容易に適用可能であり得る。例えば、本発明の別の実施形態によると、半導体基板を研磨するための軟質研磨パッドを製造する方法は、形成鋳型内において、芳香族ウレタンプレポリマー、ポロゲン、潤滑剤および白色剤充填剤、ポリオール、ならびに触媒と、硬化剤、熱安定剤、およびUV吸収剤を反応させ、混合物を形成することを含む。ある実施形態では、芳香族ウレタンプレポリマーは、ポリテトラメチレングリコール-トルエンジイソシアネートから成り、ポロゲンは、イソブテンまたはペンタン充填剤を伴うアクリロニトリル-塩化ビニリデンから成り、潤滑剤および白色剤充填剤は、不透明化潤滑剤から成り、ポリオールは、ポリオキシテトラメチレングリコールから成り、触媒は、DABCO1027から成り、硬化剤は、チオエーテル芳香族ジアミンから成り、熱安定剤は、PUR68から成り、UV吸収剤は、Tinuvin213から成る。半導体基板を研磨するための軟質研磨パッドを製造する方法はまた、前述の複合混合物を硬化させ、軟質研磨パッドの成形された均質の研磨体を提供することを含み得る。本発明のある実施形態によると、半導体基板を研磨するための軟質研磨パッドを製造する方法はさらに、成形された均質の研磨体の表面の上方に担体膜を形成することを含む。一実施形態では、担体膜は、ポリエチレンテレフタレートPETから成る。一実施形態では、担体膜は、厚さ約0.5ミル、例えば、約10-15ミクロンの範囲を有する。一実施形態では、担体膜414は、光に対して半透明である。特定の実施形態では、担体膜は、ポリエチレンテレフタレートPETから成り、厚さ約0.5ミル、例えば、約10-15ミクロンの範囲を有し、光に対して半透明である。ある実施形態では、担体膜は、MYLAR登録商標ポリエチレンテレフタレート膜である。特定の実施形態では、MYLAR登録商標膜は、水に対して完全に不浸透性であって、その中に孔が形成されない。本発明のある実施形態によると、半導体基板を研磨するための軟質研磨パッドを製造する方法はさらに、成形された均質の研磨体の表面担体膜との間に第1の感圧式接着剤層を形成することを含む。ある実施形態では、第1の感圧式接着剤層は、直接、成形された均質の研磨体の表面と担体膜との間に形成される。一実施形態では、第1の感圧式接着剤層を形成することは、ゴム系材料を形成することを含む。ある実施形態では、第1の感圧式接着剤層は、恒久的接合タイプの接着剤である。本発明のある実施形態によると、半導体基板を研磨するための軟質研磨パッドを製造する方法はさらに、担体膜の上方に第2の感圧式接着剤層を形成することを含む。ある実施形態では、第2の感圧式接着剤層は、直接、担体膜上に形成される。一実施形態では、第2の感圧式接着剤層を形成することは、アクリル系材料を形成することを含む。ある実施形態では、第2の感圧式接着剤層は、剥離可能接合タイプの接着剤である。本発明のある実施形態によると、半導体基板を研磨するための軟質研磨パッドを製造する方法はさらに、第2の感圧式接着剤層の上方に剥離裏地を形成することを含む。ある実施形態では、剥離裏地は、直接、第2の感圧式接着剤層の上方に形成される。一実施形態では、剥離裏地は、ポリエチレンテレフタレートPETから成る。ある実施形態では、剥離裏地は、厚さ約2.5ミル、例えば、約60-65ミクロンの範囲を有する、MYLAR登録商標ポリエチレンテレフタレート膜の層である。しかしながら、代替実施形態では、剥離裏地は、限定されないが、紙またはポリプロピレン等の材料から成る。代替として、軟質研磨パッドは、成形された均質の研磨体および剥離裏地のみ、含み得る。したがって、本発明の代替実施形態によると、半導体基板を研磨するための軟質研磨パッドを製造する方法は、直接、平坦に成形された均質の研磨体の表面上に剥離裏地を形成することを含む。一実施形態では、剥離裏地は、ポリエチレンテレフタレートPETから成る。本発明の別の側面では、局所的透明領域が軟質研磨パッド内に含まれ得る。例えば、ある実施形態では、CMP動作の間、基板の上面への可視アクセスを要求する技法を使用して、動作の終点を検出する。しかしながら、前述のように、軟質研磨パッドは、不透明であって、したがって、そのような終点検出のための種々の可能性として考えられる技法を制限し得る。図7は、半導体基板を研磨するための軟質研磨パッドの断面図を例証し、軟質研磨パッドは、本発明のある実施形態による、局所的透明領域を含む。図7を参照すると、図2に関連して説明された軟質研磨パッド200等、軟質研磨パッドの成形された均質の研磨体702はさらに、成形された均質の研磨体702内に配置され、それと共有結合される、局所的透明LAT領域704を含む。ある実施形態では、成形された均質の研磨体702は、不透明である一方、LAT領域704は、不透明ではない。一実施形態では、成形された均質の研磨体702は、少なくとも部分的に、軟質研磨パッドの成形された均質の研磨体部分を製造するために使用される材料中の無機物質の含有のため、不透明である。この実施形態では、局所的透明領域は、無機物質を除外して製造され、実質的に、完全にではないにしても、例えば、可視光、紫外線光、赤外線光、またはそれらの組み合わせに対して、透明である。特定の実施形態では、成形された均質の研磨体702内に含まれる無機物質は、不透明化潤滑剤である一方、局所的透明部分は、不透明化潤滑剤を含む任意の無機材料を含有しない。したがって、一実施形態では、成形された均質の研磨体702は、不透明であって、窒化ホウ素を含む一方、LAT領域704は、本質的に、不透明化潤滑剤が存在しない。ある実施形態では、LAT領域704は、例えば、終点検出のために、軟質研磨パッドを通して、光の透過を可能にするために、効果的には、透明理想的には、完全に透明である。しかしながら、LAT領域704が完全に透明であるように製造できない、または製造される必要がないが、依然として、終点検出のための光の透過に効果的であり得る場合が存在し得る。例えば、一実施形態では、LAT領域704は、700-710ナノメートル範囲内において、80の入射光しか透過しないが、依然として、軟質研磨パッド内の窓として作用するために好適である。ある実施形態では、成形された均質の研磨体702およびLAT領域は、異なる硬度を有する。例えば、一実施形態では、成形された均質の研磨体702は、LAT領域704のショアD未満のショアDを有する。特定の実施形態では、成形された均質の研磨体702は、ショアD約20-45範囲を有する一方、LAT領域704は、ショアD約60を有する。硬度は、異なり得るが、LAT領域704と成形された均質の研磨体702との間の架橋例えば、共有結合を介しては、依然として、広範に及び得る。例えば、本発明のある実施形態によると、成形された均質の研磨体702およびLAT領域704のショアDの差は、10以上であるが、成形された均質の研磨体702とLAT領域704との間の架橋の程度は、実質的である。軟質研磨パッドおよびその中に配置されるLAT領域の寸法は、所望の用途に従って、変動し得ることを理解されたい。例えば、一実施形態では、成形された均質の研磨体702は、直径約75-78センチメートルの範囲を伴う円形であって、LAT領域704は、成形された均質の研磨体702の半径方向軸に沿う約4-6センチメートルの範囲の長さ、約1-2センチメートルの範囲の幅を有し、成形された均質の研磨体702の中心から、約16-20センチメートルの範囲内に位置付けられる。垂直位置付けに関して、成形された均質の研磨体上のLAT領域の場所は、特定の用途のために選択され得、また、形成プロセスの結果であり得る。例えば、成形プロセスを介して、成形された均質の研磨体内にLAT領域を含むことによって、位置付けおよび達成可能な正確性は、例えば、研磨パッドが形成後に削成され、窓挿入物がパッドの形成後、追加されるプロセスより、大幅に調整され得る。ある実施形態では、後述のように、成形プロセスを使用することによって、LAT領域は、溝付き成形された均質の研磨体の表面の谷の底面と平面となるように、成形された均質の研磨体内に含まれる。特定の実施形態では、溝付き成形された均質の研磨体の表面の谷の底面と平面になるように、LAT領域を含むことによって、LAT領域は、成形された均質の研磨体およびLAT領域から製造される軟質研磨パッドの寿命を通して、CMP処理動作に干渉しない。別の実施形態では、後述のように、成形プロセスを使用することによって、LAT領域は、対向する平坦成形された均質の研磨体の表面と平面になるように、成形された均質の研磨体内に含まれる。本平面性は、LAT領域が露出されるまで、成形された均質の研磨体の裏面を研削することによって達成され得、または成形時に平面に作製され得る。いずれの場合も、本発明のある実施形態によると、成形された均質の研磨体の裏面にLAT領域の陥凹は、存在しない。したがって、軟質研磨パッドがCMPプロセス動作のためにCMPツールと使用される場合、CMPツールの圧盤と軟質研磨パッドのLAT領域との間に、望ましくなく空気または湿気を捕捉する可能性は殆どまたは全くない。ある実施形態では、LAT領域を含む軟質研磨パッドは、介在層を追加せず、粘着膜または残留界面によって、CMP圧盤に接着され得る。例えば、一実施形態では、LAT領域を伴う、軟質研磨パッドの成形された均質の研磨体部分の裏張り溝付き表面と反対の平面側は、その上に配置される、転写テープの層を有する。例えば、CMPツール上における軟質研磨パッドの使用時、転写テープの除去に応じて、粘着界面が生成され、直接、CMPツールの圧盤への成形された均質の研磨体およびLAT領域の貼付を可能にする。ある実施形態では、LAT領域は、圧盤とともに含まれる、発光終点検出システムを覆って留置される。一実施形態では、成形された均質の研磨体と圧盤との間、ひいては、LAT領域と圧盤との間の粘着界面は、全体的にまたは大部分透明であって、LAT領域を通して、終点検出システムからの光の透過に干渉しない。特定の実施形態では、粘着界面は、アクロレートacrolate界面である。ある実施形態では、追加の研磨パッド層が成形された均質の研磨体と圧盤との間に保定されないので、そうでなければ、その中に窓を削成し、そのような層をLAT領域と整列することと関連付けられる、コストおよび時間が要求されない。故に、ある実施形態では、局所的透明領域は、軟質研磨パッドに組み込まれる。一実施形態では、局所的透明領域は、パッドを形成するために使用される反応性前駆体が、形成鋳型内に位置付けられる事前に製造された局所的透明領域を囲むよう配置されるように、パッドの実際の成形および形成中に含まれる。軟質研磨パッド材料は、次いで、局所的透明領域の存在下、硬化され、したがって、局所的透明領域を軟質研磨パッド自体に組み込む。例えば、図8は、本発明のある実施形態による、その中に組み込まれた局所的透明領域を有する、軟質研磨パッドの一部の斜視図を例証する。図8を参照すると、軟質研磨パッド802は、その中に組み込まれた局所的透明LAT領域804を含む。ある実施形態では、局所的透明領域804は、図8に描写されるように、軟質研磨パッド802の溝付き表面の溝806の下方に陥凹される。局所的透明領域は、種々の終点検出技法と適合性があり、成形プロセスによって製造される軟質研磨パッド内に含まれるために好適な寸法を有し、そのような位置に位置付けられ得る。例えば、本発明のある実施形態によると、局所的透明領域は、長さ約2インチ、例えば、約4-6センチメートルの範囲、および幅約0.5インチ、例えば、約1-2センチメートルの範囲を有する。ある実施形態では、局所的透明領域は、限定されないが直径30インチ、例えば、直径約75-78センチメートルの範囲を有する、軟質研磨パッド等、軟質研磨パッドの中心から、約7インチ、例えば、約16-20センチメートルの範囲内に位置付けられる。局所的透明領域は、種々の終点検出技法と適合性があり、成形プロセスによって製造される軟質研磨パッド内に含まれるために好適な材料から成り得る。例えば、本発明のある実施形態によると、局所的透明領域は、前述の流れ図400の動作402および404の間に、成形された均質の研磨体内に格納されるように形成される。例えば、本発明のある実施形態によると、半導体基板を研磨するための軟質研磨パッドを製造する方法は、流れ図400と関連して説明されるように、さらに、プレポリマーおよび一次硬化剤および二次硬化剤を混合することに先立って、第2の別個の形成鋳型内において、芳香族ウレタンプレポリマーを硬化剤と混合し、第2の混合物を形成することを含む。第2の混合物は、次いで、第2の形成鋳型内において、部分的に硬化され、成形されたゲルを形成する。成形されたゲルは、次いで、形成鋳型の指定される領域内に位置付けられる。本発明のある実施形態によると、プレポリマーおよび一次硬化剤および二次硬化剤を混合し、軟質研磨パッド混合物を形成することは、成形されたゲルを少なくとも部分的に囲むように、軟質研磨パッド混合物を形成することを含む。ある実施形態では、軟質研磨パッド混合物を硬化させ、成形された均質の研磨体を提供することはさらに、成形されたゲルを硬化させ、成形された均質の研磨体内に配置され、それと共有結合される局所的透明LAT領域を提供することを含む。一実施形態では、軟質研磨パッド混合物および成形されたゲルを硬化させることは、軟質研磨パッド形成鋳型内において、部分的に硬化させ、ポリウレタン材料研磨体前駆体を提供し、LAT領域前駆体を提供することを含む。本実施形態では、軟質研磨パッド混合物および成形されたゲルを硬化させることは、炉内において、さらに硬化させ、熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料から成る成形された均質の研磨体を提供し、LAT領域を提供することを含む。本発明のある実施形態によると、LAT領域を形成する際、芳香族ウレタンプレポリマーは、ポリテトラメチレングリコール-トルエンジイソシアネートを含み、硬化剤は、チオエーテル芳香族ジアミンを含む。一実施形態では、第2のLAT領域前駆体混合物を部分的に硬化させることは、単に、熱エネルギーによって行なわれる。ある実施形態では、芳香族ウレタンプレポリマーは、高分子ポリオールから成る。ある実施形態では、軟質研磨パッドのための局所的透明領域を製造する方法は、形成鋳型内において、芳香族ウレタンプレポリマーを硬化剤と反応させ、混合物を形成することを含む。一実施形態では、芳香族ウレタンプレポリマーは、ポリテトラメチレングリコール-トルエンジイソシアネートAIRTHANE60から成り、硬化剤は、チオエーテル芳香族ジアミンCURENE107から成る。したがって、ある実施形態では、局所的透明領域は、複数のポリマー材料から作製されず、ポリマー材料の混合物は、前述の反応によって作製されない。代わりに、局所的透明領域は、単一タイプのポリウレタンポリマーを形成する、非ポリマーウレタン前駆体から作製される。また、局所的透明領域を形成する、結果として生じるポリマーは、非琥珀化ウレタンエラストマーではない。さらに、ある実施形態では、局所的透明領域を形成するために使用される、不水溶性ポリマーマトリクス内に分散される水溶性粒子は、存在しない。ある実施形態では、局所的透明領域は、ガス浸透性材料、ガラス、または結晶材料から作製されてない。随意の局所的透明領域は、最初に、機械的撹拌器および窒素ガス頭隙を備えた混成タンク内において、前述の局所的透明領域前駆体成分硬化剤以外を一緒に混合することによって、作製され得る。本発明のある実施形態によると、混合物は、完全に混成された後、混合ヘッドを介して形成鋳型に輸送され、硬化剤は、軟質研磨パッドの成形された均質の研磨体部分を形成するために使用される混合物に添加される。ある実施形態では、軟質研磨パッドのための局所的透明領域を製造する方法はまた、形成鋳型内において、前述の混合物を部分的に硬化させ、最終的に、LATを提供するように変換される成形されたゲルを形成することを含む。ある実施形態では、混合物は、LAT形成鋳型内において、部分的に硬化され、所望の局所的透明領域形状の透明ゲル状物品を作製する。一実施形態では、混合物は、光硬化または他の技法によってではなく、単に、熱エネルギーによって、部分的に硬化される。ある実施形態では、軟質研磨パッドのための局所的透明LAT領域を製造する方法はまた、成形されたゲルの上面に、支持膜を形成することを含む。本発明のある実施形態によると、支持膜は、ポリイミド膜例えば、市販のKAPTONポリイミド膜から成る。一実施形態では、支持膜は、成形されたゲルの上部に位置付けられ、より大きなパッド形成鋳型に輸送される間、窓前駆体を支持する。ある実施形態では、軟質研磨パッドのための局所的透明領域を製造する方法はまた、軟質研磨パッド形成鋳型の蓋の指定される領域内に成形されたゲルを位置付けることを含む。ある実施形態では、支持膜は、この時点で除去される。本発明のある実施形態によると、指定される領域は、成形されたゲルを受け入れ、位置付けるように設計される。ある実施形態では、ポリマースリーブは、軟質研磨パッド形成鋳型の蓋内またはその上に成形されたゲルを保持するために使用されない。ある実施形態では、成形されたゲルは、成形されたゲルから形成される局所的透明領域の上部が、局所的透明領域を囲むように形成される軟質研磨パッド内の研磨表面または、溝面積を生成するように提供される軟質研磨パッド形成鋳型の蓋の部分のレベルを下回るように、軟質研磨パッド形成鋳型内に位置付けられる。ある実施形態では、軟質研磨パッドのための局所的透明領域を製造する方法はまた、軟質研磨パッド形成鋳型内において、軟質研磨パッド前駆体を反応させ、軟質パッド形成鋳型の蓋が軟質研磨パッド前駆体混合物上に留置されると、指定される領域内の成形されたゲルを囲むように、混合物を形成することを含む。本発明のある実施形態によると、軟質研磨パッド混合物は、流れ図400の動作402と関連して説明される混合物506と同様または同一の材料から成り、そのような様式において形成される。ある実施形態では、軟質研磨パッドのための局所的透明領域を製造する方法はまた、軟質研磨パッド混合物および成形されたゲルを完全に硬化させ、その中に配置される局所的透明領域を有する、成形された均質の研磨体を提供することを含む。本発明のある実施形態によると、成形された均質の研磨体は、流れ図400の動作404と関連して説明される成形された均質の研磨体508と同様または同一の材料から成り、そのような様式において形成される。その中に配置される局所的透明領域を有する、成形された均質の研磨体の製造に応じて、追加の動作裏張り層の追加、パッドの薄化等が随意に、軟質研磨パッドの製造をさらに完全にするために行われ得る。したがって、軟質研磨パッドは、例えば、終点検出のために、局所的透明領域を含むように製造され得る。終点検出は、軟質研磨パッドのLATを通した光の透過を含み得る。局所的透明領域を伴う、そのような軟質研磨パッドを形成するために使用され得る、さらなる詳細は、以下に提供される。本発明のある実施形態によると、軟質研磨パッドを形成するために、液体不透明パッド前駆体が、各々が機械的撹拌器および窒素ガス頭隙を備えた3つまたは4つの別個の混成タンクに添加される。第1の混成タンクは、プレポリマー、不透明化潤滑剤および白色剤充填剤、ならびにポロゲンを含む。第2の混成タンクは、硬化剤、UV安定剤、および熱安定剤を含む。第3の混成タンクは、ポリオールおよび触媒を含む。代替として、触媒が第4の混成タンク内に保持され得る。混成タンク内の混合物は、完全に混合された後、真空を介して、別個のデイタンクに輸送される。使用の準備ができると、各混合物は、混合ヘッドを介してCMP軟質研磨パッド鋳型に輸送され、そこで成分が反応する。不透明前駆体混合物が鋳型内に添加され、鋳型の残りを充填し、概して、局所的透明領域を囲む。ある実施形態では、本動作において使用される混合装置は、Baule混合システムである。ある実施形態では、随意のゲル状挿入物LAT前駆体および不透明部分の添加に先立って、鋳型は、約250°Fまたは約121°Cに予加熱される。挿入物が鋳型内に位置付けられ、不透明部分が鋳型の残りを充填後、鋳型は、閉鎖され、約8分間、加熱され、不透明材料を部分的に硬化させ、ゲル挿入物透明材料をさらに硬化させる。鋳型の上面および底面部分の熱質量は、軟質研磨パッドの生産中に、鋳型温度を循環させることを非実用的にするので、鋳型の内部は、生産が行われている間、略処理温度に一貫して保つ。ある実施形態では、固体状である部分的に硬化された材料は、離型され、鋳型から除去される。ある実施形態では、固体状の部分的に硬化されたパッドは、次いで、硬化炉に移動され、約12時間、約200°Fまたは約93°Cに加熱される。加熱は、完全にパッドを硬化させ得る。硬化されたパッドは、次いで、炉から除去され、パッドの裏面および局所的透明領域は、パッドの不透明部分の底面が局所的透明領域の底面と同一平面となるように、機械製造される正面または溝付き側は、全く処理されない。さらに、機械製造によって、所望のパッド厚を達成させ得る。ある実施形態では、透明MYLAR登録商標層が、次いで、硬化および機械製造されたパッドの底面を覆って配置される。膜の片側に第1の感圧式接着剤と、他側に第2の感圧式接着剤および剥離シートとを有する、MYLAR登録商標膜のロールが解巻され、ラミネータを通して、底面パッド表面と接触される。MYLAR登録商標ロールは、MYLAR登録商標担体膜がパッドの全体的底面を被覆するように位置付けられ、裁断される。したがって、パッド/接着剤層/MYLAR登録商標膜/接着剤層/MYLAR登録商標剥離層の合成物が生成される。代替として、転写接着剤が前述のMYLAR登録商標膜のロールの代わりに、使用される。本転写膜は、解巻される、接着剤/剥離シートであり得、接着剤層は、軟質研磨パッドの底面に接着される。本実施形態では、剥離パッドは、その接着剤層と接触したまま残される。ある実施形態では、前述の層合成物は、次いで、軟質研磨パッドとして、出荷のために、洗浄、検査、および梱包される。ある実施形態では、パッドが使用のために必要とされる場合、剥離層は、合成物から除去され、第2の接着剤層を露出させる。合成物は、次いで、露出された接着剤層を圧盤に接着させた状態において、CMP機械圧盤に対して、位置付けられる。剥離層は、除去後、廃棄され得る。代替として、軟質研磨パッドが担体膜を有していない場合、剥離裏地が除去され、単一接着剤層が圧盤に対して留置され得る。ある実施形態では、搭載された軟質研磨パッドは、次いで、CMP研磨動作において使用されるための準備ができる。前述の開示されるアプローチに基づいて達成可能な軟質研磨パッドの特性は、特定の用途に対して、若干異なる例えば、硬度ように変動され得ることを理解されたい。例えば、本発明の別の実施形態によると、半導体基板を研磨するために好適な軟質研磨パッドが提供される。軟質研磨パッドは、約20ショアDから約40ショアDの硬度、1立方センチメートルあたり約0.85グラムから1立方センチメートルあたり約1.00グラムの密度、約1050から約140040°Cで1/PaのKEL、および体積あたり約10から約30の孔隙率を有する鋳造ポリウレタンポリマー材料を含む。一実施形態では、軟質研磨パッドは、約20ショアDから約35ショアDの硬度を有する。一実施形態では、軟質研磨パッドは、1立方センチメートルあたり約0.88グラムから1立方センチメートルあたり約0.95グラムの密度を有する。一実施形態では、軟質研磨パッドは、約1100から135040°Cで1/PaのKELを有する。一実施形態では、軟質研磨パッドは、体積あたり約15から25の孔隙率を有する。また、反応生成物を硬化させること、すなわち、完全に硬化させることは、依然として、いくつかの残留反応物または副産物を最終軟質研磨パッド内に残し得ることを理解されたい。例えば、本発明の別の実施形態によると、半導体基板を研磨するために好適な軟質研磨パッドが提供される。軟質研磨パッドは、ポリマー微小球から形成される、鋳造ポリウレタンポリマー材料を含み、ポリマー微小球は、軟質研磨パッドの約10から約40体積を構成する。軟質研磨パッドはまた、約6から約8重量の未反応NCOを有する、イソシアネート末端反応生成物を含む。ある実施形態では、イソシアネート末端反応生成物は、少なくとも1つの硬化剤ポリアミン化合物および少なくとも1つの硬化剤ヒドロキシル官能化合物の混合物を含む、硬化剤によって、硬化される。ある実施形態では、硬化剤ポリアミン化合物とヒドロキシル官能化合物のモル比は、約1:1から約20:1である。ある実施形態では、軟質研磨パッドは、少なくとも0.1体積の孔隙率および約ショアD20から約ショアD40、例えば、約ショアA60から約ショアA90の範囲の硬度を有する。上に述べたように、半導体基板を研磨するための軟質研磨パッドが開示された。本発明のある実施形態によると、軟質研磨パッドは、約20ショアDから45ショアDの範囲の硬度を有する熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料を含む成形された均質の研磨体を含む。一実施形態では、成形された均質の研磨体は、第1の溝付き表面と、第1の表面と反対の第2の平坦表面とを含む。一実施形態では、局所的透明LAT領域は、成形された均質の研磨体内に配置され、それと共有結合される。本発明の別の実施形態によると、半導体基板を研磨するための軟質研磨パッドを製造する方法は、形成鋳型内において、プレポリマー、一次硬化剤、および一次硬化剤と異なる二次硬化剤を混合し、混合物を形成することを含む。混合物は、硬化され、約20ショアDから45ショアDの範囲の硬度を有する熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料を含む成形された均質の研磨体を提供する。一実施形態では、プレポリマーは、ポリウレタン前駆体を含み、一次硬化剤は、芳香族ジアミン化合物を含み、二次硬化剤は、エーテル結合を含む。"