"第1基板と、前記第1基板に対向配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板とにより挟持された液晶層と、を含み、前記第1基板は前記液晶層側に設けられた画素電極を備え、前記第2基板は前記液晶層に面する側に順に積層形成された、第1透光性膜と、前記第1透光性膜よりも屈折率が小さい第2透光性膜と、前記第2透光性膜よりも屈折率が大きく導電性の第3透光性膜と、を含む透光性多層膜を備え、前記第2透光性膜が多孔質膜であることを特徴とする液晶装置。前記第2透光性膜は、多孔質のシリコン酸化物であることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。前記第2透光性膜は、多孔質のインジウム化合物であることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。前記多孔質のインジウム化合物は、屈折率が1.5以下の透明微粒子を含むことを特徴とする請求項3に記載の液晶装置。前記第1透光性膜が導電性を有する部材からなることを特徴とする請求項3または4に記載の液晶装置。画素電極を有する第1基板と、第2基板とにより挟持された液晶層を有する液晶装置の製造方法であって、前記第2基板の前記液晶層に面する側に、第1透光性膜を形成する第1工程と、前記第1透光性膜に積層して前記第1透光性膜よりも屈折率が小さい第2透光性膜を形成する第2工程と、前記第2透光性膜に積層して前記第2透光性膜よりも屈折率が大きい導電性の第3透光性膜を形成する第3工程とを備え、前記第2工程は、絶縁性の透光性膜形成材料と溶媒とを含む混合液を前記第2基板に塗布して乾燥焼成することにより、多孔質な前記第2透光性膜を形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。画素電極を有する第1基板と、第2基板とにより挟持された液晶層を有する液晶装置の製造方法であって、前記第2基板の前記液晶層に面する側に、第1透光性膜を形成する第1工程と、前記第1透光性膜に積層して前記第1透光性膜よりも屈折率が小さい第2透光性膜を形成する第2工程と、前記第2透光性膜に積層して前記第2透光性膜よりも屈折率が大きい導電性の第3透光性膜を形成する第3工程とを備え、前記第2工程は、有機インジウム化合物と有機金属ドーパント化合物と溶媒とを含む混合液を前記第2基板に塗布し乾燥焼成することにより、多孔質なインジウム化合物の前記第2透光性膜を形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。画素電極を有する第1基板と、第2基板とにより挟持された液晶層を有する液晶装置の製造方法であって、前記第2基板の前記液晶層に面する側に、第1透光性膜を形成する第1工程と、前記第1透光性膜に積層して前記第1透光性膜よりも屈折率が小さい第2透光性膜を形成する第2工程と、前記第2透光性膜に積層して前記第2透光性膜よりも屈折率が大きい導電性の第3透光性膜を形成する第3工程とを備え、前記第2工程は、有機インジウム錯体と有機金属ドーパント錯体と溶媒とを含む混合液を前記第2基板に塗布し乾燥焼成することにより、多孔質なインジウム化合物の前記第2透光性膜を形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。前記混合液は、屈折率が1.5以下の透明微粒子を含むことを特徴とする請求項7または8に記載の液晶装置の製造方法。画素電極を有する第1基板と、第2基板とにより挟持された液晶層を有する液晶装置の製造方法であって、前記第2基板の前記液晶層に面する側に、第1透光性膜を形成する第1工程と、前記第1透光性膜に積層して前記第1透光性膜よりも屈折率が小さい第2透光性膜を形成する第2工程と、前記第2透光性膜に積層して前記第2透光性膜よりも屈折率が大きい導電性の第3透光性膜を形成する第3工程とを備え、前記第2工程は、透明導電材料を低真空中で蒸着またはスパッタすることにより、多孔質な前記第2透光性膜を形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。前記第1工程は、導電性の前記第1透光性膜を形成することを特徴とする請求項7乃至10のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。請求項1乃至5のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。上記特許文献1の反射型液晶表示素子では、上記反射防止膜を構成する第1および第3の透明膜をITO膜を用いて形成し、第2の透明膜を酸化シリコンを用いて形成する場合、光の中心波長を500nmとすると、ITO膜の膜厚を約17nmとし、酸化シリコンの膜厚を約48nmとすることが示されている。第3の透明膜が液晶層を介して画素電極に対向する対向電極として機能しているが、膜厚が上記したように約17nmと比較的に薄いので、シート抵抗が上昇して充放電時の時定数が大きくなり、240Hzなどの高周波駆動やコモン振りなどの高速駆動が困難になるという課題がある。つまり、より低抵抗な透光性の光反射防止膜が求められている。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例に係る液晶装置は、第1基板と、前記第1基板に対向配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板とにより挟持された液晶層と、を含み、前記第1基板は前記液晶層側に設けられた画素電極を備え、前記第2基板は前記液晶層に面する側に順に積層形成された、第1透光性膜と、前記第1透光性膜よりも屈折率が小さい第2透光性膜と、前記第2透光性膜よりも屈折率が大きく導電性の第3透光性膜と、を含む透光性多層膜を備え、前記第2透光性膜が多孔質膜であることを特徴とする。この構成によれば、第2透光性膜が多孔質であり、第2透光性膜中に微小な空気層を含んでいるため、第2透光性膜が多孔質でない場合に比べて屈折率を小さくできる。したがって、第2透光性膜の屈折率が小さくなった分、第2透光性膜の光学的な長さを短くできるので、導電性の第3透光性膜の膜厚を大きくして光学的な長さを長くしても、透光性多層膜における光反射防止機能を実現できる。ゆえに、導電性の第3透光性膜の膜厚が大きくなった分、共通電極として機能する透光性多層膜のシート抵抗が小さくなり、明るい表示が可能であると共に高速駆動が可能な液晶装置を提供できる。[適用例2]上記適用例に記載の液晶装置において、前記第2透光性膜は、多孔質なシリコン酸化物であることを特徴とする。この構成によれば、屈折率が小さい絶縁性の第2透光性膜を実現できる。[適用例3]上記適用例に記載の液晶装置において、前記第2透光性膜は、多孔質のインジウム化合物であることを特徴とする。この構成によれば、屈折率が小さく、しかも導電性を有する多孔質な第2透光性膜を実現できる。すなわち、第2透光性膜が絶縁性である場合に比べて、よりシート抵抗が小さい透光性多層膜を備えた液晶装置を提供できる。[適用例4]上記適用例に記載の液晶装置において、前記多孔質のインジウム化合物は、屈折率が1.5以下の透明微粒子を含むことが好ましい。この構成によれば、屈折率が1.5以下の透明微粒子を含むことによって、第2透光性膜の屈折率を1.5以上に大きくすることなく、多孔質の第2透光性膜が外圧などによって潰れてしまうなどの不具合を改善可能な物理的な強度を与えることができる。[適用例5]上記適用例に記載の液晶装置において、前記第1透光性膜が導電性を有する部材からなることが好ましい。この構成によれば、第1~第3透光性膜がすべて導電性を有することになり、さらに透光性多層膜のシート抵抗を小さくすることができる。[適用例6]本適用例に係る液晶装置の製造方法は、画素電極を有する第1基板と、第2基板とにより挟持された液晶層を有する液晶装置の製造方法であって、前記第2基板の前記液晶層に面する側に、第1透光性膜を形成する第1工程と、前記第1透光性膜に積層して前記第1透光性膜よりも屈折率が小さい第2透光性膜を形成する第2工程と、前記第2透光性膜に積層して前記第2透光性膜よりも屈折率が大きい導電性の第3透光性膜を形成する第3工程と、を備え、前記第2工程は、絶縁性の透光性膜形成材料と溶媒とを含む混合液を前記第2基板に塗布して乾燥焼成することにより、多孔質な前記第2透光性膜を形成することを特徴とする。この方法によれば、第2工程では、液体塗布成膜法を用いることで、微小な空気層を含む多孔質膜な第2透光性膜が形成される。したがって、第2透光性膜が多孔質でない場合に比べて、屈折率が小さくなり、その分導電性の第3透光性膜の膜厚を大きくすることができるので、共通電極として機能する第3透光性膜のシート抵抗を小さくでき、明るい表示が可能であると共に高速駆動が可能な液晶装置を製造することができる。[適用例7]本適用例に係る他の液晶装置の製造方法は、画素電極を有する第1基板と、第2基板とにより挟持された液晶層を有する液晶装置の製造方法であって、前記第2基板の前記液晶層に面する側に、第1透光性膜を形成する第1工程と、前記第1透光性膜に積層して前記第1透光性膜よりも屈折率が小さい第2透光性膜を形成する第2工程と、前記第2透光性膜に積層して前記第2透光性膜よりも屈折率が大きい導電性の第3透光性膜を形成する第3工程と、を備え、前記第2工程は、有機インジウム化合物と有機金属ドーパント化合物と溶媒とを含む混合液を前記第2基板に塗布し乾燥焼成することにより、多孔質なインジウム化合物の前記第2透光性膜を形成することを特徴とする。この方法によれば、第2工程では、液体塗布成膜法を用いることで、微小な空気層を含む導電性の多孔質な第2透光性膜が形成される。したがって、第2透光性膜が多孔質でない場合に比べて、導電性を有すると共に屈折率が小さいインジウム化合物の第2透光性膜を形成できる。ゆえに、第2透光性膜と第3透光性膜とが導電性を有して共通電極として機能し、そのシート抵抗がより小さくなるので、明るい表示が可能であると共に高速駆動が可能な液晶装置を製造することができる。[適用例8]本適用例に係る他の液晶装置の製造方法は、画素電極を有する第1基板と、第2基板とにより挟持された液晶層を有する液晶装置の製造方法であって、前記第2基板の前記液晶層に面する側に、第1透光性膜を形成する第1工程と、前記第1透光性膜に積層して前記第1透光性膜よりも屈折率が小さい第2透光性膜を形成する第2工程と、前記第2透光性膜に積層して前記第2透光性膜よりも屈折率が大きい導電性の第3透光性膜を形成する第3工程と、を備え、前記第2工程は、有機インジウム錯体と有機金属ドーパント錯体と溶媒とを含む混合液を前記第2基板に塗布し乾燥焼成することにより、多孔質なインジウム化合物の前記第2透光性膜を形成することを特徴とする。この方法によっても、第2工程では、液体塗布成膜法を用いることで、微小な空気層を含む導電性の多孔質膜な第2透光性膜が形成され、第2透光性膜が多孔質でない場合に比べて、導電性を有すると共に屈折率が小さいインジウム化合物の第2透光性膜を形成できる。[適用例9]上記適用例に記載の液晶装置の製造方法において、前記混合液は、屈折率が1.5以下の透明微粒子を含むことが好ましい。この方法によれば、第2工程では、屈折率が1.5以下の透明微粒子を含む導電性の第2透光性膜が形成される。したがって、透明微粒子を含まない場合に比べて、屈折率を1.5以上に大きくすることなく、外圧などによって潰れてしまうなどの不具合を改善可能な物理的な強度が与えられた導電性の第2透光性膜を形成することができる。[適用例10]本適用例に係る他の液晶装置の製造方法は、画素電極を有する第1基板と、第2基板とにより挟持された液晶層を有する液晶装置の製造方法であって、前記第2基板の前記液晶層に面する側に、第1透光性膜を形成する第1工程と、前記第1透光性膜に積層して前記第1透光性膜よりも屈折率が小さい第2透光性膜を形成する第2工程と、前記第2透光性膜に積層して前記第2透光性膜よりも屈折率が大きい導電性の第3透光性膜を形成する第3工程と、を備え、前記第2工程は、透明導電材料を低真空中で蒸着またはスパッタすることにより、多孔質な前記第2透光性膜を形成することを特徴とする。この方法によれば、第2工程では、蒸着法またはスパッタ法を用いて導電性を有すると共に、微小な空気層を含む多孔質な第2透光性膜が形成され、多孔質でない場合に比べて屈折率が小さい第2透光性膜を形成することができ、その分第3透光性膜の膜厚を大きくしてシート抵抗を小さくすることができる。また、蒸着装置やスパッタ装置をすでに所有していれば、新たに第2透光性膜を形成するための製造装置を用意する必要がなく、多孔質な第2透光性膜を形成することができる。[適用例11]上記適用例に記載の液晶装置の製造方法において、前記第1工程は、導電性の前記第1透光性膜を形成することが好ましい。この方法によれば、第1~第3透光性膜のすべてが導電性を有するように形成されるので、さらにシート抵抗が小さい透光性多層膜を形成することができる。[適用例12]本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、明るい表示が可能であると共に高速駆動が可能な電子機器を提供することができる。以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。なお、以下の形態において、例えば基板上にと記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。第1実施形態本実施形態では、薄膜トランジスターを画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置液晶プロジェクターの光変調素子液晶ライトバルブとして好適に用いることができるものである。<液晶装置>まず、本実施形態の液晶装置について図1~図3を参照して説明する。図1aは液晶装置の構成を示す概略平面図、図1bは図1aのH-H’線で切った液晶装置の構造を示す概略断面図、図2は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図、図3は液晶装置における画素の構造を示す概略断面図である。図1aおよびbに示すように、本実施形態の液晶装置100は、対向配置された第1基板としての素子基板10および第2基板としての対向基板20と、これら一対の基板によって挟持された液晶層50とを有する。素子基板10は、例えば透明な石英基板やガラス基板あるいは不透明なシリコン基板などを用いることができ、対向基板20よりも大きい。また、素子基板10は、対向基板20の外周に沿って切れ目なく配置されたシール材40を介して対向基板20と接合されている。シール材40によって囲まれた領域に負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層50を構成している。本実施形態における一対の基板間への液晶の封入充填は、一対の基板のうちの一方の基板の外周に沿ってシール材40を配置し、配置されたシール材40を土手として、その内側に所定量の液晶を滴下する。そして、減圧下で一方の基板と他方の基板と貼り合わせるODFOneDropFill方式が採用されている。シール材40は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材40には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー図示省略が混入されている。シール材40の内側には、画素領域Eを取り囲むように配置された見切り部21が設けられている。画素領域Eには、マトリックス状に画素Pが複数配置されている。画素領域Eは、表示に寄与する有効な複数の画素Pを囲むように配置された複数のダミー画素を含んでいるとしてもよい。素子基板10の1辺部に沿ったシール材40と該1辺部との間にデータ線駆動回路101が設けられている。また、該1辺部に対向する他の1辺部に沿ったシール材40と画素領域Eとの間に検査回路103が設けられている。さらに、該1辺部と直交し互いに対向する他の2辺部に沿ったシール材40と画素領域Eとの間に走査線駆動回路102が設けられている。該1辺部と対向する他の1辺部に沿ったシール材40と画素領域Eとの間には、2つの走査線駆動回路102を繋ぐ複数の配線105が設けられている。これらデータ線駆動回路101、走査線駆動回路102に繋がる配線は、該1辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子104に接続されている。以降、該1辺部に沿った方向をX方向とし、該1辺部と直交し互いに対向する他の2辺部に沿った方向をY方向として説明する。図1bに示すように、素子基板10の液晶層50側の表面には、画素Pごとに設けられた光反射性を有する画素電極15と、スイッチング素子としての薄膜トランジスターThinFilmTransistor;以降、TFTと呼称する30と、信号配線と、複数の画素電極15を覆う絶縁膜図示省略と、配向膜18とが形成されている。本実施形態において、第1基板としての素子基板10は、基材と基材上に形成されたTFT30、信号配線、画素電極15、配向膜18を少なくとも含むものである。画素電極15は、光反射性の例えばAlアルミニウムやAg銀またはこれらの金属の合金や酸化物などの化合物を用いて形成することができる。また、TFT30における半導体層に光が入射して光リーク電流が流れ、不適切なスイッチング動作となることを防ぐ遮光構造が採用されている。対向基板20は、透明な例えば石英基板やガラス基板などが用いられており、液晶層50側の表面には、見切り部21と、見切り部21を覆う平坦化層22と、少なくとも画素領域Eに亘って平坦化層22を覆うように設けられた透光性多層膜23と、透光性多層膜23を覆う絶縁膜図示省略と、配向膜25とが形成されている。本実施形態において、第2基板としての対向基板20は、基材と基材上に形成された見切り部21、透光性多層膜23、配向膜25を少なくとも含むものである。見切り部21は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、図1aに示すように平面的に走査線駆動回路102、検査回路103と重なる位置に設けられている。これにより対向基板20側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Eに入射しないように遮蔽して、画素領域Eの表示における高いコントラストを確保している。平坦化層22は、例えば、透光性の無機絶縁材料である酸化シリコンを常圧または減圧CVD法などを用いて形成することができる。対向基板20上に見切り部21が形成されることで生ずる表面の凹凸を緩和可能な程度の膜厚を有している。透光性多層膜23は、可視光波長範囲に亘って高い透過率言い換えれば、低い反射率で光が対向基板20を透過できるように、屈折率が異なる透光性膜が積層されたものであって、素子基板10の複数の画素電極15に対して共通電極として機能するものであり、詳しくは後述する。透光性多層膜23は、屈折率が異なる透光性膜のうち導電性を有する透光性膜が図1aに示すように対向基板20の四隅に設けられた上下導通部106により素子基板10側の引き回し配線に電気的に接続している。素子基板10側の配向膜18および対向基板20側の配向膜25は、液晶装置100の光学設計に基づいて設定されており、本実施形態では、SiOx酸化シリコンなどの無機材料を気相成長法斜め蒸着法や斜めスパッタ法を用いて成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子が配向膜面に対して所定の方向にプレチルトを有して略垂直配向する無機配向膜が採用されている。対向基板20は、シール材40と平面的に重なる部分に形成された凹部20aを有している。凹部20aは対向基板20の見切り部21の外側から基板外周に至って形成されている。平坦化層22、透光性多層膜23、絶縁膜図示省略、配向膜25は、それぞれ凹部20aにも形成されている。素子基板10と対向基板20とを液晶層50を挟んで対向配置したときの液晶層50の厚みをdとすると、シール材40には、凹部20aの深さを考慮して、液晶層50の厚みdよりも大きな径を有するスペーサー図示省略が含まれている。このような対向基板20の断面構造によれば、液晶層50の厚みdよりも大きな径を有するスペーサーが含まれたシール材40を用いて素子基板10と対向基板20とを対向配置して接着することができるので、液晶層50の厚みばらつきを抑えることができる。図2に示すように、液晶装置100は、少なくとも画素領域Eにおいて互いに絶縁されて直交する信号線としての複数の走査線3aおよび複数のデータ線6aと、走査線3aに対して平行する容量線3bとを有する。なお、容量線3bの配置はこれに限定されず、データ線6aに対して平行するように配置してもよい。走査線3aとデータ線6aとにより区分された領域に、画素電極15と、TFT30と、蓄積容量16とが設けられ、これらが画素Pの画素回路を構成している。走査線3aはTFT30のゲートに電気的に接続され、データ線6aはTFT30のソースに電気的に接続されている。画素電極15はTFT30のドレインに電気的に接続されている。データ線6aはデータ線駆動回路101図1参照に接続されており、データ線駆動回路101から供給される画像信号D1,D2,...,Dnを画素Pに供給する。走査線3aは走査線駆動回路102図1参照に接続されており、走査線駆動回路102から供給される走査信号SC1,SC2,...,SCmを各画素Pに供給する。データ線駆動回路101からデータ線6aに供給される画像信号D1~Dnは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線6a同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路102は、走査線3aに対して、走査信号SC1~SCmを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。液晶装置100は、スイッチング素子であるTFT30が走査信号SC1~SCmの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線6aから供給される画像信号D1~Dnが所定のタイミングで画素電極15に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極15を介して液晶層50に書き込まれた所定レベルの画像信号D1~Dnは、画素電極15と液晶層50を介して対向配置された共通電極として機能する透光性多層膜23との間で一定期間保持される。保持された画像信号D1~Dnがリークするのを防止するため、画素電極15と透光性多層膜23との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量16が接続されている。蓄積容量16は、TFT30のドレインと容量線3bとの間に設けられている。なお、図1aに示した検査回路103には、データ線6aが接続されており、液晶装置100の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置100の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図2の等価回路では省略している。また、検査回路103は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線6aに供給するサンプリング回路、データ線6aに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。このような液晶装置100は反射型であって、画素Pが非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードや、非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードの光学設計が採用される。光学設計に応じて、光の入射側射出側に偏光素子が配置されて用いられる。次に、画素Pの詳細な構造について図3を参照して説明する。図3に示すように、素子基板10上には、走査線3aと、走査線3aを覆う第1層間絶縁膜11と、TFT30と、TFT30を覆う第2層間絶縁膜12と、画素電極15と、画素電極15を覆う絶縁膜17と、配向膜18とが順に形成されている。走査線3aは、TFT30の半導体層30aを遮光する遮光膜を兼ねており、例えばAl、Ti、Cr、W、Ta、Moなどの金属のうちの少なくとも1つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができる。TFT30の半導体層30aは、例えばポリシリコンにリンなどの不純物が導入されて形成されたLDDLightDopedDrain構造を有しており、第1層間絶縁膜11上に形成されている。半導体層30aを覆うゲート絶縁膜図示省略を挟んだチャネル領域に対向する位置にゲート電極30gが形成されている。ゲート電極30gと走査線3aとは第1層間絶縁膜11を貫通するコンタクトホール図示省略を介して電気的に接続されている。半導体層30aの第1ソースドレイン領域とデータ線6aとが第2層間絶縁膜12に形成されたコンタクトホールCNT1を介して電気的に接続されている。コンタクトホールCNT1がソース電極31として機能している。半導体層30aの第2ソースドレイン領域と画素電極15とが第2層間絶縁膜12に形成されたコンタクトホールCNT2を介して電気的に接続されている。コンタクトホールCNT2がドレイン電極32として機能している。画素電極15は、前述したように、例えばAlアルミニウムやAg銀またはこれらの金属の合金や酸化物などの化合物を用いて形成され光反射性を有している。画素電極15の膜厚は50nm~100nmである。画素電極15を覆う絶縁膜17は、例えば酸化シリコンからなりスパッタ法やプラズマCVD法などにより形成することができる。絶縁膜17の膜厚はおよそ100nmである。配向膜18は、気相成長法斜め蒸着法や斜めスパッタ法を用いてSiOx酸化シリコンなどの無機材料を成膜することにより形成することができる。配向膜18の膜厚はおよそ75nmである。素子基板10に対向配置された対向基板20の液晶層50側には、透光性の平坦化層22と、平坦化層22よりも屈折率が大きい第1透光性膜23aと、第1透光性膜23aよりも屈折率が小さい第2透光性膜23bと、第2透光性膜23bよりも屈折率が大きい導電性の第3透光性膜23cと、絶縁膜24と、配向膜25とが順に形成されている。積層形成された第1透光性膜23aと第2透光性膜23bと第3透光性膜23cとによって、透光性多層膜23が構成されている。対向基板20の基材表面には、形成された見切り部21や合わせマークなどに起因する凹凸が生ずる。膜厚が該凹凸よりも比較的に薄い透光性膜を積層してなる透光性多層膜23を形成するにあたり該凹凸によって透光性多層膜23の一部が損なわれたり変形しないように基材表面を覆う平坦化層22を形成する。平坦化層22は、前述したように無機絶縁材料を用いて形成することができる。本実施形態では、シリコン酸化物にBボロンやPリンがドープされたBPSGBoronPhosphorusSiliconGlass膜を常圧または減圧CVDにより形成して、平坦化層22としている。その膜厚はおよそ300nmである。なお、500nm~1000nmで成膜してから膜厚が300nm程度になるまでCMPChemicalMechanicalPolishingなどの平坦化処理を施してもよい。これによれば、より平坦な形成面が得られる。また、BPSG膜は吸湿性に優れており、不要な水分やそのガスが液晶層50中に拡散することを防ぎ、液晶装置100の耐湿性を向上させることができる。なお、上記凹凸を被覆して平坦化可能な平坦化層22は、シリコン酸化物にBボロンおよびPリンの両方がドープされたものに限定されず、BボロンおよびPリンのいずれか一方がドープされたものでもよい。平坦化層22上に第1透光性膜23a、第2透光性膜23b、第3透光性膜23cが順に形成される。透光性多層膜23を共通電極として機能させるため、液晶層50に近い側の第3透光性膜23cは、導電性を有するように形成される。第1透光性膜23aおよび第2透光性膜23bは、一方が絶縁性を有していてもよいし、両方が導電性を有していてもよい。第3透光性膜23cを覆う絶縁膜24は、素子基板10側の絶縁膜17と同様に例えば酸化シリコンからなりスパッタ法やプラズマCVD法などにより形成することができる。絶縁膜24の膜厚もおよそ100nmである。なお、絶縁膜24は、少なくとも上下導通部106を覆わないようにパターニングされている。配向膜25は、素子基板10側の配向膜18と同様に気相成長法斜め蒸着法や斜めスパッタ法を用いてSiOx酸化シリコンなどの無機材料を成膜することにより形成することができる。配向膜25の膜厚もおよそ75nmである。このような反射型の液晶装置100において、例えば対向基板20側から入射した光は、液晶層50を透過して画素電極15によって反射される。そして、入射経路を遡り再び液晶層50を透過して対向基板20側から射出されて反射光L1となる。光は屈折率が異なる透光性膜の界面においてその一部が反射する。対向基板20側では、例えば平坦化層22と第1透光性膜23aとの界面や第2透光性膜23bと第3透光性膜23cとの界面で反射した光を含む反射光L2となる。また、例えば第1透光性膜23aと第2透光性膜23bとの界面や第3透光性膜23cと絶縁膜24との界面で反射した光を含む反射光L3となる。反射光L2,L3はそれぞれ異なった光路を経て反射していることから、それぞれの光路長に応じた光の位相を有している。なお、本実施形態では、対向基板20として石英基板を用いているので、BPSG膜からなる平坦化層22と屈折率がほぼ同一およそ1.5であり、対向基板20と平坦化層22との界面での光の反射はほとんど発生しない。同様に、互いに酸化シリコンを用いて形成された絶縁膜24と配向膜25との界面でも光の反射はほとんど発生しない。対向基板20から射出される反射光L1は変調されて表示光となることから、不要な反射光L2,L3によってコントラストの低下を招かないようにする必要がある。本実施形態では、透光性多層膜23における異なる屈折率の透光性膜の界面で反射した光の位相が互いに打消し合う状態として反射光L2,L3の強度を小さくし、反射光L1と反射光L2,L3との干渉による減衰や干渉縞が生じないようにしている。このような光反射防止構造を対向基板20に取り入れて高い透過率を実現することで、液晶装置100において反射光L1の可視光波長領域に亘る高い反射率を実現している。つまり、明るい表示を可能としている。透光性多層膜23は、異なる屈折率を有する透光性膜の界面で反射した光の位相が互いに打ち消し合うように光路長を設定することで反射光L2,L3の強度を最も小さくすることができる。光路長は、透光性膜の屈折率と膜厚の積で与えられる。したがって、以下の数式1および2を満たすように各透光性膜の屈折率と膜厚とを設定することが望ましい。n1×d1n2×d2=λ/41n2×d2n3×d3=λ/42n1は第1透光性膜23aの屈折率、d1は第1透光性膜23aの膜厚、n2は第2透光性膜23bの屈折率、d2は第2透光性膜23bの膜厚、n3は第3透光性膜23cの屈折率、d3は第3透光性膜23cの膜厚である。λは光の波長である。各透光性膜の屈折率n1,n2,n3は、光の波長λに依存する。なお、必ずしも数式1および2を満たさなくても、満たす条件に近づくように各透光性膜の屈折率と膜厚とを設定すれば、対向基板20の透過率を改善できる。特に、可視光波長領域光の波長が400nm~700nmにおいて万遍なく高い透過率を確保するには、短波長域での光の干渉による透過率の低下を考慮して、屈折率が第2透光性膜23bよりも大きい第1透光性膜23aと第3透光性膜23cの膜厚を30nmよりも小さく薄くすることが望ましい。一方で、透光性多層膜23は、前述したように共通電極として機能させる必要がある。昨今、高速応答や見栄えのよい3D表示を可能とする手段の1つとして240Hzなどの高周波駆動やコモン振りなどの高速駆動の要求がある。共通電極としての透光性多層膜23のシート抵抗が大きい高いと、充放電時の時定数が大きくなり、上記高速駆動が困難になるという課題がある。そこで、発明者らは、明るい表示が可能であると共に高速駆動が可能な液晶装置100の実現のため、シート抵抗が小さい透光性多層膜23を開発した。以下、実施例と比較例を挙げて、液晶装置100の製造方法、とりわけ発明の特徴部分である透光性多層膜23の形成方法について説明する。図4は比較例1~比較例3の透光性多層膜の構成と評価結果を示す表、図5は実施例1~実施例3の透光性多層膜の構成と評価結果を示す表、図6は比較例1~比較例3の対向基板における透過光の分光特性を示すグラフ、図7は比較例1の液晶装置における反射光の分光特性を示すグラフである。図8は実施例1~実施例3の対向基板における透過光の分光特性を示すグラフ、図9aは実施例1の液晶装置における反射光の分光特性を示すグラフ、図9bは反射光のリップル率と対向基板の透過率との関係を示すグラフである。また、比較例1~比較例3、および実施例1~実施例3における液晶装置の画素領域Eにおける対角の長さはおよそ0.74インチinchであり、画素数は1920×1080の所謂フルハイビジョン構成となっている。比較例1図4に示すように、比較例1は、対向基板に光反射防止構造を取り入れていない例であって、第2透光性膜および第3透光性膜が無く、スパッタSP法を用いてITO膜を成膜し、これを第1透光性膜ITOSPとした例である。光の波長λを550nmとするとき、第1透光性膜ITOSPの屈折率はおよそ2.0、膜厚は140nmである。第1透光性膜ITOSPのシート抵抗はおよそ20Ω/cm2である。比較例1の電気光学特性評価は、前述したように240Hzの高周波駆動やコモン振りなどの高速駆動が可能かどうかを評価した。評価はまったく問題なく高速駆動が可能であることから◎とした。比較例1の対向基板における分光特性は、図6に示すように、可視光波長範囲400nm~700nmにおいて、緑色光波長範囲500nm~600nmでは98以上の透過率が得られる。ところが、青色光波長範囲400nm~500nmでは波長が短くなるほど透過率が低下し、400nmでは透過率が91であった。また、赤色光波長範囲600nm~700nmでは波長が長くなるほど透過率が低下し、700nmでは透過率が96.5であった。また、図7に示すように、比較例1の構成を有する対向基板を用いた反射型の液晶装置の反射光の分光特性は、対向基板の透過率が最大となる波長が550nmの光に対して、反射率がおよそ86に到達しているものの、550nmよりも短い波長域および長い波長域では、対向基板の透過率が低下して反射光の強度が増すことになる。また、対向基板を透過した光と、画素電極15によって反射した光との間で光の干渉が発生し、反射率が光の波長によって変動上下に振幅する。したがって、可視光波長範囲400nm~700nmにおいて透過率言い換えれば、反射率が安定せず大幅に変動してしまうことから評価は×とした。なお、反射率が光の波長によって変動上下に振幅する様子をリップルと言う。比較例2図4に示すように、比較例2は、対向基板に光反射防止構造を取り入れた例であって、第1および第3透光性膜としてスパッタSP法を用いて形成されたITO膜ITOSPを採用した。光の波長λを550nmとするとき、ITO膜ITOSPの屈折率はおよそ2.0、第1および第3透光性膜の膜厚をそれぞれ20nmとした。ITO膜ITOSPのシート抵抗はおよそ110Ω/cm2である。第2透光性膜はスパッタSP法を用いて形成されたSiO2膜SiO2SPを採用した。SiO2膜SiO2SPの屈折率はおよそ1.45であり、膜厚を65nmとした。比較例2の電気光学特性評価は、ほぼ問題なく高速駆動が可能であることから○とした。比較例2の対向基板における分光特性は、図6に示すように、緑色光波長範囲500nm~600nmと赤色光波長範囲600nm~700nmとでは99以上の透過率が得られるが、青色光波長範囲400nm~500nmでは波長が短くなるほど透過率が低下し、400nmでは透過率が96となっている。したがって、緑色光や赤色光に対して青色光の透過率が低く、後述する投射型表示装置の光変調素子として用いる場合、輝度の調整は可能な範囲ではあるもののバランスを欠いていることから評価は△とした。比較例3図4に示すように、比較例3は、対向基板に光反射防止構造を取り入れた例であって、比較例2に対して第1および第3透光性膜ITOSPの膜厚を10nmとし、第2透光性膜SiO2SPの膜厚を85nmとした。シート抵抗はおよそ230Ω/cm2である。図6に示すように、第2透光性膜よりも屈折率が大きい第1および第3透光性膜の膜厚を比較例2よりも小さくし、第2透光性膜の膜厚を比較例2よりも大きくすることで、可視光波長範囲400nm~700nmにおいて、ほぼ99以上の透過率が得られた。しかしながら、シート抵抗が比較例2よりも大きくなり、例えば240Hzの高周波駆動では、充放電時の時定数が大きくなり、画像信号の書き込み時間が不足して輝度明るさが低下したので電気特性評価は、×とした。この他にも第1および第3透光性膜ITOSPの膜厚を変え、シート抵抗を変化させたものを評価したところ、シート抵抗がおよそ170Ω/cm2を越えると画像信号の書き込み時間が不足し始めることが判明した。次に、本実施形態の液晶装置100の製造方法に係る実施例について説明する。本実施形態の液晶装置100の製造方法において、素子基板10の画素電極15や画素電極15をスイッチング制御するTFT30などの形成方法および素子基板10と対向基板20とを対向配置してその隙間に液晶を充填する方法などは、前述したように公知の方法を用いることができる。以降、対向基板20における透光性多層膜23の形成方法について述べる。本実施形態の透光性多層膜23の形成方法は、基本的に、対向基板20の液晶層50に面する側において、平坦化層22上に第1透光性膜23aを形成する第1工程と、第1透光性膜23aに積層して第1透光性膜23aよりも屈折率が小さい第2透光性膜23bを形成する第2工程と、第2透光性膜23bに積層して第2透光性膜23bよりも屈折率が大きい導電性の第3透光性膜23cを形成する第3工程と、を備えている。以下に示す実施例1~実施例3において、上記第1工程と上記第3工程では、いずれもスパッタSP法を用いて形成されたITOSPを第1透光性膜23aおよび第3透光性膜23cとして採用している。つまり、比較例2や比較例3と同じ製造方法が用いられている。なお、透光性多層膜23を構成する第1透光性膜23aおよび第3透光性膜23cは、第2透光性膜23bよりも屈折率が大きければよく、スパッタSP法に限らず蒸着法を用いてもよい。実施例1~実施例3は、上記第2工程における第2透光性膜23bの具体的な形成方法を示すものである。いずれも、上記第2工程において、微小な空気層を含む多孔質な第2透光性膜23bを形成する点において共通している。実施例1図5に示すように、実施例1は、対向基板20に光反射防止構造を取り入れた例であって、比較例2や比較例3と同様にスパッタSP法を用いて形成されたITOSPを第1透光性膜23aおよび第3透光性膜23cとして採用し、その膜厚を比較例3よりも大きくそれぞれ15nmとして、シート抵抗を170Ω/cm2よりも小さい150Ω/cm2とした。その一方で前述した数式1および2を満たす条件に近づけるため、第2透光性膜23bの屈折率を小さくすると共に膜厚を比較例2よりも小さくする方法を開発した。言い換えれば、第2透光性膜23bの屈折率を小さくすると共に膜厚を小さくして、屈折率が大きい第1および第3透光性膜23cITOSPの膜厚を比較例3よりも大きくしてシート抵抗を小さくした。具体的には、透光性膜形成材料と溶媒とを含む混合液を第1透光性膜23aが形成された対向基板20に塗布して乾燥焼成する液体塗布成膜法としてのゾルゲルSG法を用いることにより多孔質な第2透光性膜23bSiO2SGを形成した第2工程。より具体的には、透光性膜形成材料として例えばテトラメトキシシランSiOC2H54と、水H2Oと、溶媒としてのアルコール類例えばエタノールC2H5OHと、を含む混合液を用いた。テトラメトキシシランに水を加えて加熱25°C~80°Cし反応させて加水分解すると次の化学式1で示すようにシリカゲルSiOH4が生成される。これをさらに乾燥40°C~120°Cして縮重合させると酸化シリコンSiO2のゾルが得られる化学式2。SiOC2H54H2O→SiOH44C2H5OH化学式1SiOH4→SiO22H2O化学式2さらに加熱焼成400°C~600°Cすることによりゲル化が促進され、多孔質なSiO2膜シリコン酸化物が得られる。なお、加熱焼成温度は、混合液中に酸または塩基などの触媒を混ぜることにより、400°C以下の温度でも多孔質なSiO2膜を形成することができる。このようなゾルゲルSG法を用いることにより、微小な空気層を有する多孔質なSiO2膜シリコン酸化物からなる第2透光性膜23bSiO2SGを形成することができる。多孔質化することでSiO2SGの屈折率は空気層を含まないSiO2SPよりも小さくなる。そして、膜厚が50nmとなるように第2透光性膜23bSiO2SGを形成した。上記空気層の大きさや第2透光性膜23bの総体積に占める割合空隙率は例えば加熱焼成条件によって調整することができる。比較例2や比較例3のSiO2SPよりも屈折率を小さくするには、上記空気層の大きさが少なくとも第2透光性膜23bの膜厚の半分以下であって、5nm程度となるように例えば加熱焼成条件を設定することが好ましい。実施例1における第2透光性膜23bは、空隙率がおよそ50であり、屈折率が1.25である。実施例1の対向基板20の透過光の分光特性は、図8に示すように、可視光波長範囲400nm~700nmにおいて99以上の透過率が得られた。また、図9aにしめすように実施例1の対向基板20を用いた液晶装置100の反射光の分光分布は、図7に示した比較例1に比べて、550nmよりも短い波長域および長い波長域において反射光のリップル率が小さくなっている。また、図9bに示すように対向基板20の透過率を可視光波長範囲400nm~700nmにおいて99以上とすることで、リップル率を5未満とすることができる。したがって、実施例1の分光特性の評価を◎とした。一方、電気特性評価は、シート抵抗が150Ω/cm2となり、問題なく高速駆動ができたので○とした。実施例2実施例2は、実施例1に対して、混合液の例えば加熱焼成条件を異ならせることにより、第2透光性膜23bにおける上記空気層の空隙率を大きくしたものである。具体的には、空隙率をおよそ67とした。形成された第2透光性膜23bの屈折率はおよそ1.15であり、その膜厚を45nmとした。これにより、実施例1に比べて第2透光性膜23bの膜厚を小さくした分、第1透光性膜23aおよび第3透光性膜23cの膜厚を大きくして20nmとすることができ、シート抵抗を110Ω/cm2とすることができた。したがって、実施例2の電気特性評価は○である。実施例2の対向基板20の分光特性は、図8に示すように、実施例1に対して短波長側でやや透過率の低下が見られるものの、可視光波長範囲400nm~700nmで98以上の透過率が安定的に得られているので、その評価を○とした。実施例3実施例3は、実施例1や実施例2に対して、透光性多層膜23を構成する第2透光性膜23bに導電性を付与すると共に、ゾルゲル法SGを用いて形成することで、ITOSPよりも屈折率を小さくした多孔質のインジウム化合物からなる第2透光性膜23bを形成した例である。第1透光性膜23aおよび第3透光性膜23cは、実施例1や実施例2と同じくITOSPを用いているので、第1透光性膜23a~第3透光性膜23cのすべてが導電性を有している。具体的には、有機インジウム化合物と有機金属ドーパント化合物と溶媒とを含む混合液を第1透光性膜23aが形成された対向基板20に塗布し乾燥焼成することにより第2透光性膜23bITOSGを形成した。混合液の代表的な例としては、有機インジウム化合物としてのインジウムアルコキシドと、有機金属ドーパントとしての錫アルコキシドと、溶媒としてはこれらのアルコキシド金属化合物と相溶性がよい例えばエタノールやイソプロパノールなどのアルコール類とを含むものが挙げられる。また、対向基板20に混合液を塗布する際の濡れ性や粘度などを調整する目的で、焼成時には燃焼あるいは揮発してしまうバインダーを添加してもよい。このようなバインダーとしては、セルロース誘導体やアクリル樹脂、エチレングリコール誘導体などが挙げられる。混合液の組成としては、有機インジウム化合物と有機金属ドーパント化合物との合計が1wt~30wt、バインダーが5wt以下である。そして、シート抵抗ができるだけ小さくなるように膜厚を108nmに設定して第2透光性膜23bITOSGを形成した。混合液が塗布された対向基板20の乾燥条件は、溶媒にも寄るが80°C~180°Cで10分~60分、焼成条件は300°C以上、好ましくは350°C以上の温度で15分~60分である。このようにして形成された第2透光性膜23bITOSGの空気層の大きさはおよそ5nm~10nmであって、空隙率はおよそ40、屈折率はおよそ1.6である。ゾルゲルSG法で形成された第2透光性膜23bITOSGは、微小な空気層を含む多孔質膜である。第1透光性膜23aITOSPおよび第3透光性膜23cITOSPは前述の数式1および2を満たす条件に近づけるべくそれぞれ10nmとした。これにより、導電性を有する第1透光性膜23a~第3透光性膜23cの合成シート抵抗を100Ω/cm2以下とすることができた。したがって、電気特性評価は○である。実施例3の対向基板20の分光特性は、図8に示すように、比較例2よりも実施例2に近い特性が得られ、可視光波長範囲400nm~700nmにおいてほぼ97以上の透過率を実現できたので、その評価を○とした。なお、実施例3では、実施例1や実施例2に比べて、第2透光性膜23bに導電性を付与してその膜厚を大きくする一方で第1透光性膜23aおよび第3透光性膜23cの膜厚を小さくして、シート抵抗と分光特性とを両立させたが、導電性の第2透光性膜23bの膜厚を大きくせずに、その分第1透光性膜23aおよび第3透光性膜23cの膜厚を大きくしてもよい。また、例えば混合液に添加するバインダーや溶媒の種類や組成、乾燥焼成条件などを調整して上記空気層の大きさや空隙率を変えることで、シート抵抗と分光特性の両立を図ることも可能である。導電性を有する第2透光性膜23bをゾルゲルSG法で形成する場合の他の混合液の組成としては、有機インジウム錯体と、有機金属ドーパント錯体とを含む例も挙げることができる。有機インジウム錯体の代表例としてはアセチルアセトンインジウムInC5H7O23が挙げられ、有機金属ドーパント錯体の代表例としてはアセチルアセトン錫が挙げられる。このように液体塗布成膜法を用いて低屈折率で導電性を有する透光性膜を形成する技術が開示された参考文献として、特開2009-164116号公報が挙げられる。この参考文献には、有機インジウム化合物以外にも有機チタン化合物、有機タングステン化合物、有機亜鉛化合物、有機タンタル化合物、有機ニオブ化合物、有機ハフニウム化合物、有機ジルコニウム化合物、有機バナジウムなどから選ばれる1種の有機金属化合物と、当該有機金属化合物に対応する有機金属ドーパント化合物とを含む混合液を用いて、低屈折率透明導電膜を形成する方法が開示されている。言い換えれば、液体塗布成膜法を用いて形成が可能な屈折率が小さく導電性を有する透光性膜は、インジウム化合物に限定されない。上記実施形態によれば、以下の効果が得られる。1上記実施形態の液晶装置100は、対向基板20に透光性多層膜23を備え、透光性多層膜23を構成する第2透光性膜23bが実施例1や実施例2のように、ゾルゲル法を用いて形成されたSiO2SGからなる。SiO2SGは微小な空気層を含む多孔質膜であることから、屈折率がSiO2SPn≒1.5よりも小さくなり、その分、ITOSPからなる第1透光性膜23aおよび第3透光性膜23cの膜厚を大きくすることができ、共通電極として機能する透光性多層膜23のシート抵抗を小さくすることができる。それゆえに、明るい表示が可能であると共に、高速駆動が可能な反射型の液晶装置100を提供あるいは製造することができる。2実施例3のように、ゾルゲル法を用いて形成された多孔質なITOSGを第2透光性膜23bとして採用すれば、透光性多層膜23を構成する第1透光性膜23a~第3透光性膜23cのすべてが導電性を有し、透光性多層膜23のシート抵抗をさらに小さくすることができる。第2実施形態<電子機器>次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図10を参照して説明する。図10は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す模式図である。図10に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置1000は、システム光軸Lに沿って配置された偏光照明装置1100と、3つのダイクロイックミラー1111,1112,1115と、2つの反射ミラー1113,1114と、3つの光変調素子としての反射型の液晶ライトバルブ1250,1260,1270と、クロスダイクロイックプリズム1206と、投射レンズ1207とを備えている。偏光照明装置1100は、ハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット1101と、インテグレーターレンズ1102と、偏光変換素子1103とから概略構成されている。偏光照明装置1100から射出された偏光光束は、互いに直交して配置されたダイクロイックミラー1111とダイクロイックミラー1112とに入射する。光分離素子としてのダイクロイックミラー1111は、入射した偏光光束のうち赤色光Rを反射する。もう一方の光分離素子としてのダイクロイックミラー1112は、入射した偏光光束のうち緑色光Gと青色光Bとを反射する。反射した赤色光Rは反射ミラー1113により再び反射され、液晶ライトバルブ1250に入射する。一方、反射した緑色光Gと青色光Bとは反射ミラー1114により再び反射して光分離素子としてのダイクロイックミラー1115に入射する。ダイクロイックミラー1115は緑色光Gを反射し、青色光Bを透過する。反射した緑色光Gは液晶ライトバルブ1260に入射する。透過した青色光Bは液晶ライトバルブ1270に入射する。液晶ライトバルブ1250は、反射型の液晶パネル1251と、反射型偏光素子としてのワイヤーグリッド偏光板1253とを備えている。液晶ライトバルブ1250は、ワイヤーグリッド偏光板1253によって反射した赤色光Rがクロスダイクロイックプリズム1206の入射面に垂直に入射するように配置されている。また、ワイヤーグリッド偏光板1253の偏光度を補う補助偏光板1254が液晶ライトバルブ1250における赤色光Rの入射側に配置され、もう1つの補助偏光板1255が赤色光Rの射出側においてクロスダイクロイックプリズム1206の入射面に沿って配置されている。なお、反射型偏光素子として偏光ビームスプリッターを用いた場合には、一対の補助偏光板1254,1255を省略することも可能である。このような反射型の液晶ライトバルブ1250の構成と各構成の配置は、他の反射型の液晶ライトバルブ1260,1270においても同じである。液晶ライトバルブ1250,1260,1270に入射した各色光は、画像情報に基づいて変調され、再びワイヤーグリッド偏光板1253,1263,1273を経由してクロスダイクロイックプリズム1206に入射する。クロスダイクロイックプリズム1206では、各色光が合成され、合成された光は投射レンズ1207によってスクリーン1300上に投射され、画像が拡大されて表示される。本実施形態では、液晶ライトバルブ1250,1260,1270における反射型の液晶パネル1251,1261,1271として上記第1実施形態における反射型の液晶装置100が適用されている。このような投射型表示装置1000によれば、反射型の液晶装置100を液晶ライトバルブ1250,1260,1270に用いているので、明るい画像を投射可能であると共に高速駆動が可能な反射型の投射型表示装置1000を提供できる。本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置100および該液晶装置100の製造方法ならびに該液晶装置100を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。変形例1多孔質で屈折率が小さく且つ導電性を有する第2透光性膜23bの形成方法は、実施例3に示した液体塗布成膜法例えばゾルゲル法を用いる方法に限定されない。例えば、ITOなどの透明導電膜材料を低真空中で蒸着またはスパッタする方法でも形成することができる。蒸着法では、例えば被蒸着物としての基板の温度を25°C程度、成膜圧力を0.2Pa通常は0.014Paとし、蒸着レートを1nm/秒として、基板の成膜面に対して斜め方向から蒸着を行うことで多孔質なITO膜を形成することができる。スパッタ法では、例えばDC電源出力が400Wのスパッタ装置を用い、基板の温度を25°C程度通常は250°C、アルゴンArガスの流量を25sccm、酸素O2ガスの流量を1.2sccm、成膜圧力を6.5Pa通常は0.65Pa、スパッタレートを0.82nm/秒としてスパッタすれば、多孔質なITO膜を成膜することができる。変形例2実施例3に示した多孔質のインジウム化合物からなる第2透光性膜23bに、屈折率が1.5以下の透明微粒子を含ませてもよい。具体的には、例えば、有機インジウム化合物と有機金属ドーパント化合物との合計が1wt~30wt、バインダーが5wtの混合液に、屈折率が1.5以下の透明微粒子を有機インジウム化合物と有機金属ドーパント化合物との合計を100としたとき2~20の重量割合で添加したものを用いる。屈折率が1.5以下の透明微粒子としては、シリカ微粒子やフッ化マグネシウム微粒子、フッ化アルミニウム微粒子が挙げられる。低屈折率を実現できる点で内部に空隙を有する中空シリカ微粒子を用いることが好ましい。空隙を有することで屈折率を1.46以下にすることができる。透明微粒子の大きさは、第2透光性膜23bの膜厚よりも小さく、10nm以下が好ましく、5nm以下がより好ましい。透明微粒子を添加することで、多孔質なインジウム化合物からなる第2透光性膜23bが外圧などにより潰れてしまわないように、物理的な強度を改善することができる。変形例3シート抵抗が小さい透光性多層膜23が対向基板20に形成された液晶装置100の構成は、画素電極15が光反射性を有する反射型に限定されない。図11は変形例の液晶装置の画素の構造を示す概略断面図である。なお、上記実施形態の液晶装置100と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略するものとする。図11に示すように、変形例の液晶装置150は、互いに透光性の例えば石英基板が用いられた素子基板10と対向基板20との間に負の誘電異方性の液晶層50が挟持された透過型である。素子基板10には、透光性の例えばITOやIZOなどの透明導電膜からなる画素電極15tと画素電極15tをスイッチング制御するTFT30とが形成されている。対向基板20には、対向基板20側から順にブラックマトリックスBM21を覆う平坦化層22と、透光性多層膜23と、配向膜25とが形成されている。画素電極15tを覆う配向膜18および透光性多層膜23を覆う配向膜25は、例えば酸化シリコンなどの無機材料を斜め蒸着して成膜された無機配向膜であり、液晶層50において負の誘電異方性を有する液晶分子を略垂直配向させている。なお、液晶層50の厚みdは画素Pの明るさを確保する観点から反射型の上記液晶装置100に比べてやや大きく設定されている。例えば、対向基板20側から入射した光L4は、平坦化層22、透光性多層膜23、液晶層50、画素電極15tを透過して素子基板10側から射出される。対向基板20に透光性多層膜23が形成されているので、屈折率が異なる平坦化層22と第1透光性膜23aとの界面で反射した光や、同じく屈折率が異なる第2透光性膜23bと第3透光性膜23cの界面で反射した光を含む反射光L5は、それぞれの反射光の位相が互いに打消し合うように光路長が設定されているので、その強度が非常に小さくなっている。屈折率が異なる第1透光性膜23aと第2透光性膜23bとの界面で反射した光や、同じく屈折率が異なる第3透光性膜23cと配向膜25との界面で反射した光を含む反射光L6も同様に、それぞれの反射光の位相が互いに打消し合うように光路長が設定されているので、その強度が非常に小さくなっている。また、第2透光性膜23bを液体塗布成膜法例えばゾルゲルSG法を用いて形成された多孔質なシリコン酸化物あるいは多孔質なインジウム化合物とすることで、透光性多層膜23のシート抵抗を小さくすることができる。したがって、透光性多層膜23を例えばITO膜の単一構造とした場合に比べて、対向基板20の可視光波長領域400nm~700nmに亘る光L4表示光の透過率が高くなり、明るい表示が可能であると共に高速駆動が可能な透過型の液晶装置150を提供できる。変形例4本発明が適用される液晶装置の液晶層50における液晶分子の配向制御は略垂直配向VA;VerticalAlignmentに限定されない。TNTwistedNematicやOCBOpticallyCompensatedBendなどにも適用可能である。変形例5上記実施形態の液晶装置100を適用可能な電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置1000に限定されない。例えば、投射型のHUDヘッドアップディスプレイや直視型のHMDヘッドマウントディスプレイ、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、POSなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。"