半導体素子を内蔵した半導体モジュールを複数個積層して構成してなる電力変換装置であって、上記半導体モジュールは、上記半導体素子と、該半導体素子と熱的に接続された放熱板と、該放熱板の放熱面を露出させた状態で上記半導体素子及び上記放熱板を封止する封止部とから構成される半導体モールド部と、上記放熱面の法線方向に直交する方向における上記封止部の周囲に形成されると共に上記放熱面よりも上記法線方向に突出した壁部と、該壁部と上記封止部との間に形成された貫通冷媒流路とを有し、上記半導体モールド部には、上記半導体素子に導通する複数のパワー端子及び複数の制御端子が上記法線方向に直交する方向に突出して設けられており、複数の上記半導体モジュールは、上記法線方向に積層されており、積層方向の両端に配される上記半導体モジュールには、上記壁部における積層方向の外側の開口部を覆う蓋部が配設されており、隣り合う上記半導体モジュールの間及び上記蓋部と上記半導体モジュールとの間であって上記壁部の内側には、上記貫通冷媒流路に連通すると共に上記放熱面に沿った沿面冷媒流路が形成されており、上記貫通冷媒流路は、上記半導体モールド部を基準として、少なくとも、上記複数のパワー端子が突出している方向及び上記複数の制御端子が突出している方向のいずれかに形成されていることを特徴とする電力変換装置。請求項1に記載の電力変換装置において、上記貫通冷媒流路は、上記半導体モールド部を基準として、上記複数のパワー端子が突出している方向に必ず形成されていることを特徴とする電力変換装置。請求項2に記載の電力変換装置において、上記複数のパワー端子は、上記半導体モールド部から上記貫通冷媒流路を介して上記壁部を貫通するように設けられていることを特徴とする電力変換装置。請求項3に記載の電力変換装置において、上記複数のパワー端子は、上記貫通冷媒流路に露出する部分が絶縁材料からなるパワー端子被覆部により覆われていることを特徴とする電力変換装置。請求項4に記載の電力変換装置において、上記複数のパワー端子は、該各パワー端子における上記貫通冷媒流路に露出する部分がそれぞれ上記パワー端子被覆部により覆われており、隣接する上記パワー端子の上記パワー端子被覆部同士の間には、上記貫通冷媒流路が形成されていることを特徴とする電力変換装置。請求項4又は5に記載の電力変換装置において、上記パワー端子被覆部は、上記法線方向における厚みが上記半導体モールド部よりも小さいことを特徴とする電力変換装置。請求項1~6のいずれか1項に記載の電力変換装置において、上記貫通冷媒流路は、上記半導体モールド部を基準として、上記複数の制御端子が突出している方向に必ず形成されていることを特徴とする電力変換装置。請求項7に記載の電力変換装置において、上記複数の制御端子は、上記半導体モールド部から上記貫通冷媒流路を介して上記壁部を貫通するように設けられていることを特徴とする電力変換装置。請求項8に記載の電力変換装置において、上記複数の制御端子は、上記貫通冷媒流路に露出する部分が絶縁材料からなる制御端子被覆部により覆われていることを特徴とする電力変換装置。請求項9に記載の電力変換装置において、上記制御端子被覆部は、上記法線方向における厚みが上記半導体モールド部よりも小さいことを特徴とする電力変換装置。請求項1~10のいずれか1項に記載の電力変換装置において、上記貫通冷媒流路は、上記半導体モールド部を基準として上記法線方向に直交する四方のうち、上記複数のパワー端子が突出している方向及び上記複数の制御端子が突出している方向の一方又は両方を含む少なくとも三方において形成されていることを特徴とする電力変換装置。請求項11に記載の電力変換装置において、上記貫通冷媒流路は、上記半導体モールド部を基準として上記法線方向に直交する四方において形成されていることを特徴とする電力変換装置。しかしながら、電力変換装置9が扱う被制御電力の大電流化、高電圧化、あるいは電力変換装置9の小型化、高密度化等の要請に伴い、半導体素子921やその半導体素子921に導通するパワー端子926、制御端子927等の発熱量が大きくなったり、放熱しにくくなったりするため、その冷却性能を向上させる必要が生じる場合がある。このような場合において、上記電力変換装置9の構成では、冷却性能が不十分となる場合もある。具体的には、上記電力変換装置9において、半導体素子921と放熱板922と封止部923とから構成される半導体モールド部91は、六つの面911~916を有する直方体形状を呈している。そして、半導体素子921に導通する制御端子927とパワー端子926とをそれぞれ突出させた二つの面913、914を除いて、四つの面911、912、915、916が冷媒流路94に面している。すなわち、半導体モールド部91は、発熱する制御端子927とパワー端子926とをそれぞれ突出させた二つの面913、914が冷媒流路94に面しておらず、冷却媒体Wに接触しないため、冷却媒体Wによって直接的に冷却されない。そのため、十分な冷却性能が得られない場合には、半導体素子921等を含めた半導体モジュール92の温度上昇等を招いてしまうおそれがある。なお、上記特許文献2には、半導体モジュールの本体部と冷却ケースとの間に空隙を設けると共にその空隙に冷媒流路を形成し、直方体形状を呈する本体部の表面全体六面が冷媒流路を流れる冷却媒体に接触する電力変換装置が開示されている。しかしながら、この電力変換装置は、上記特許文献1の電力変換装置とは異なり、半導体モジュールとは別に冷媒流路を形成するための冷却ケースが必要となるため、全体構造が複雑で大型となる。また、各半導体モジュールをそれぞれ冷却ケースに形成された開口部に挿入して配置しなければならないため、部品の組み付け性が悪い。また、半導体モジュールを冷却ケース内に精度良く配置することも非常に困難である。本発明は、かかる背景に鑑みてなされたもので、簡易な構成で冷却性能を向上させることができる電力変換装置を提供しようとするものである。本発明の一態様は、半導体素子を内蔵した半導体モジュールを複数個積層して構成してなる電力変換装置であって、上記半導体モジュールは、上記半導体素子と、該半導体素子と熱的に接続された放熱板と、該放熱板の放熱面を露出させた状態で上記半導体素子及び上記放熱板を封止する封止部とから構成される半導体モールド部と、上記放熱面の法線方向に直交する方向における上記封止部の周囲に形成されると共に上記放熱面よりも上記法線方向に突出した壁部と、該壁部と上記封止部との間に形成された貫通冷媒流路とを有し、上記半導体モールド部には、上記半導体素子に導通する複数のパワー端子及び複数の制御端子が上記法線方向に直交する方向に突出して設けられており、複数の上記半導体モジュールは、上記放熱面の法線方向に積層されており、積層方向の両端に配される上記半導体モジュールには、上記壁部における積層方向の外側の開口部を覆う蓋部が配設されており、隣り合う上記半導体モジュールの間及び上記蓋部と上記半導体モジュールとの間であって上記壁部の内側には、上記貫通冷媒流路に連通すると共に上記放熱面に沿った沿面冷媒流路が形成されており、上記貫通冷媒流路は、上記半導体モールド部を基準として、少なくとも、上記複数のパワー端子が突出している方向及び上記複数の制御端子が突出している方向のいずれかに形成されていることを特徴とする電力変換装置にある請求項1。上記電力変換装置において、上記貫通冷媒流路は、半導体モールド部を基準として、少なくとも、複数のパワー端子が突出している方向及び複数の制御端子が突出している方向のいずれかに形成されている。そのため、貫通冷媒流路を流れる冷却媒体によって、半導体モジュールにおけるパワー端子や制御端子が突出している側を十分に冷却することができる。また、これに加えて、制御端子に接続され、その制御端子に近接して配置される回路基板等や、パワー端子の周辺に配置される電子部品等例えば、平滑コンデンサ、コイル等についても、貫通冷媒流路を有効活用し、該貫通冷媒流路に流れる冷却媒体によって効果的に冷却することができる。また、上記半導体モールド部を基準として、上記法線方向における二方向に沿面冷媒流路が形成され、上記法線方向に直交する方向における少なくともパワー端子が突出している方向及び制御端子が突出している方向のいずれかに貫通冷媒流路が形成されている。そのため、半導体モールド部に内蔵された半導体素子は、両冷媒流路を流れる冷却媒体による放熱板及び封止部を介した熱交換によって効率よく冷却することができる。これにより、半導体モジュール及びその周辺を含む電力変換装置全体としての冷却性能を向上させることができる。また、上記半導体モジュールは、上記壁部及び上記貫通冷媒流路を備えている。そのため、上記電力変換装置は、複数の半導体モジュールを積層することにより、貫通冷媒流路及び沿面冷媒流路を備えた状態で、かつ、半導体モールド部が所定の方向において貫通冷媒流路及び沿面冷媒流路に接した状態で構成される。これにより、半導体モジュールとは別に冷媒流路を形成するための部品を必要とせず、また半導体モジュールを所定の位置に配置する等の作業も必要ない。その結果、電力変換装置の構造簡素化、組付容易化、小型化を実現することができる。このように、簡易な構成で冷却性能を向上させることができる電力変換装置を提供することができる。上記電力変換装置において、上記複数の半導体モジュールの積層方向は、上記放熱面の法線方向と略平行であればよく、隣り合う半導体モジュールの上記半導体素子間に、上記放熱面に沿った上記沿面冷媒流路が形成される状態であればよい。また、上記半導体モジュールにおける上記放熱板は、上記半導体素子と熱的に接続されている。ここで、熱的に接続されているとは、放熱板が半導体素子に対して直接的又は間接的に熱伝導性を有する他の部材を介して接しており、半導体素子の熱が放熱板に伝達される構成であることを示す。また、上記放熱板は、上記半導体素子を両側から挟持する状態で配設されていることが好ましいが、上記半導体素子の一方の面側のみに配設されていてもよい。また、上記半導体モールド部には、1又は複数の半導体素子を内蔵することができる。例えば、半導体モールド部に複数の半導体素子を内蔵した場合、それぞれの半導体素子に対して放熱板を配置する。このとき、半導体モールド部の表面において、放熱板と放熱板との間の位置に仕切部等を設け、沿面冷媒流路を流れる冷却媒体が効率よく放熱板の放熱面に接触する構成とすることができる。これにより、半導体モールド部に内蔵された半導体素子の冷却を効率よく行うことができる。また、放熱板の放熱面に板状、ピン状のフィン等を設け、冷却媒体との接触面積を増やして冷却効率を高めたり、冷却媒体の流れを調整したりすることもできる。また、上記封止部と上記壁部とは、樹脂によって一体的に成形することができる。この場合には、封止部、壁部、及びこれらの間に形成される貫通冷媒流路を容易に形成することができ、電力変換装置の構造簡素化、小型化、低コスト化を実現することができる。そして、この場合、上記封止部の熱伝導率が低くなりやすいため、冷却媒体による半導体素子の冷却を効率的に行いにくくなるが、上記電力変換装置の構成を適用して伝熱面積を大きくすることにより、半導体素子を冷却しやすくすることができる。その結果、半導体素子の温度上昇を防ぎつつ、電力変換装置の構造簡素化、小型化、低コスト化を確実に実現することができる。また、上記貫通冷媒流路は、上記半導体モールド部を基準として、少なくとも、上記複数のパワー端子が突出している方向及び上記複数の制御端子が突出している方向のいずれかに形成されている。すなわち、貫通冷媒流路は、パワー端子が突出している方向及び制御端子が突出している方向のいずれか一方又は両方に形成することができる。また、上記パワー端子と上記制御端子とは、それぞれ別々の方向に突出させてもよいし、同じ方向に突出させてもよい。例えば、同じ方向に突出させた場合には、貫通冷媒流路は、その方向に形成されることになる。また、上記貫通冷媒流路は、上記半導体モールド部を基準として、上記複数のパワー端子が突出している方向に必ず形成されている構成とすることができる請求項2。すなわち、パワー端子は、大きな電流が流れるため、発熱が大きい。そのため、パワー端子が突出している方向に貫通冷媒流路を形成することにより、その発熱が大きいパワー端子を貫通冷媒流路に流れる冷却媒体によって十分に冷却することができる。また、これに加えて、パワー端子の周辺に配置される電子部品等例えば、平滑コンデンサ、コイル等についても、貫通冷媒流路を流れる冷却媒体によって効果的に冷却することができる。また、上記複数のパワー端子は、上記半導体モールド部から上記貫通冷媒流路を介して上記壁部を貫通するように設けられている構成とすることができる請求項3。この場合には、パワー端子の一部が貫通冷媒流路内に露出することになるため、貫通冷媒流路を流れる冷却媒体によってパワー端子を直接的に冷却することができる。これにより、パワー端子をより一層効果的に冷却することができる。また、貫通冷媒流路の流路面積を大きくすることが可能となるため、パワー端子の周辺に配置される電子部品等に対する冷却性能も高めることができる。なお、パワー端子の一部を貫通冷媒流路内に露出させ、該貫通冷媒流路を流れる冷却媒体に直接接触させる場合には、パワー端子の電気的な絶縁性を確保するために、パワー端子の表面にセラミック皮膜、DLCダイヤモンドライクカーボン、アルマイト、熱伝導フィラー入り塗料樹脂等の絶縁被膜を施したり、絶縁性を有する冷却媒体、例えば、エアコン冷媒や絶縁油等を用いたりすることができる。また、上記複数のパワー端子は、上記貫通冷媒流路に露出する部分が絶縁材料からなるパワー端子被覆部により覆われている構成とすることができる請求項4この場合には、パワー端子被覆部によってパワー端子における貫通冷媒流路に露出した部分の電気的な絶縁性を確保することができる。また、パワー端子被覆部を介してパワー端子を貫通冷媒流路に流れる冷却媒体によって冷却することができる。また、上記複数のパワー端子は、該各パワー端子における上記貫通冷媒流路に露出する部分がそれぞれ上記パワー端子被覆部により覆われており、隣接する上記パワー端子の上記パワー端子被覆部同士の間には、上記貫通冷媒流路が形成されている構成とすることができる請求項5。この場合には、パワー端子被覆部と貫通冷媒流路に流れる冷却媒体との接触面積を大きくすることができるため、パワー端子の冷却性能を高めることができる。また、上記パワー端子被覆部は、上記法線方向における厚みが上記半導体モールド部よりも小さい構成とすることができる請求項6。この場合には、半導体モールド部と貫通冷媒流路を流れる冷却媒体との間の接触面積を大きくすることができる。これにより、封止部を介した半導体素子と貫通冷媒流路を流れる冷却媒体との間の熱交換効率をさらに向上させることができる。また、上記パワー端子被覆部は、樹脂によって形成することができる。例えば、上記封止部及び上記壁部を樹脂によって形成し、両者の間に配置される上記パワー端子被覆部を樹脂によって形成すれば、これらを同一の樹脂によって一体的に成形することが可能となる。この場合には、上記半導体モジュールの製造が容易になると共に、構造の簡素化を図ることができる。また、上記貫通冷媒流路は、上記半導体モールド部を基準として、上記複数の制御端子が突出している方向に必ず形成されている構成とすることができる請求項7。すなわち、制御端子は、パワー端子に比べて発熱は小さいが、制御端子が突出している方向に貫通冷媒流路を形成することにより、その制御端子を貫通冷媒流路に流れる冷却媒体によって十分に冷却することができる。また、これに加えて、制御端子が接続され、その制御端子の周辺に配置される回路基板等についても、貫通冷媒流路を流れる冷却媒体によって効果的に冷却することができる。また、上記複数の制御端子は、上記半導体モールド部から上記貫通冷媒流路を介して上記壁部を貫通するように設けられている構成とすることができる請求項8。この場合には、制御端子の一部が貫通冷媒流路内に露出することになるため、貫通冷媒流路を流れる冷却媒体によって制御端子を直接的に冷却することができる。これにより、制御端子をより一層効果的に冷却することができる。また、貫通冷媒流路の流路面積を広く取ることができるため、制御端子に接続される回路基板等に対する冷却性能も高めることができる。なお、制御端子の一部を貫通冷媒流路内に露出させ、該貫通冷媒流路を流れる冷却媒体に直接接触させる場合には、制御端子の電気的な絶縁性を確保するために、制御端子の表面にセラミック皮膜、DLCダイヤモンドライクカーボン、アルマイト、熱伝導フィラー入り塗料樹脂等の絶縁被膜を施したり、絶縁性を有する冷却媒体、例えば、エアコン冷媒や絶縁油等を用いたりすることができる。また、上記複数の制御端子は、上記貫通冷媒流路に露出する部分が絶縁材料からなる制御端子被覆部により覆われている構成とすることができる請求項9。この場合には、制御端子被覆部によってパワー端子における貫通冷媒流路に露出した部分の電気的な絶縁性を確保することができる。また、制御端子被覆部を介してパワー端子を貫通冷媒流路に流れる冷却媒体によって冷却することができる。また、上記制御端子被覆部は、上記法線方向における厚みが上記半導体モールド部よりも小さい構成とすることができる請求項10。この場合には、半導体モールド部と貫通冷媒流路を流れる冷却媒体との間の接触面積を大きくすることができる。これにより、封止部を介した半導体素子と貫通冷媒流路を流れる冷却媒体との間の熱交換効率をさらに向上させることができる。また、上記制御端子被覆部は、樹脂によって形成することができる。例えば、上記封止部及び上記壁部を樹脂によって形成し、両者の間に配置される上記制御端子被覆部を樹脂によって形成すれば、これらを同一の樹脂によって一体的に成形することが可能となる。この場合には、上記半導体モジュールの製造が容易になると共に、構造の簡素化を図ることができる。また、上記貫通冷媒流路は、上記半導体モールド部を基準として上記法線方向に直交する四方のうち、上記複数のパワー端子が突出している方向及び上記複数の制御端子が突出している方向の一方又は両方を含む少なくとも三方において形成されていることが好ましい請求項11。すなわち、半導体モールド部は、上記法線方向に直交する四方のうちの三方又は四方において貫通冷媒流路に面し、該貫通冷媒流路を流れる冷却媒体と接触することとなる。そのため、半導体モールド部と貫通冷媒流路を流れる冷却媒体との間の接触面積を大きくすることができ、封止部を介した半導体素子と貫通冷媒流路を流れる冷却媒体との間の熱交換効率を向上させることができる。これにより、上記半導体モールド部は、上記法線方向における二方及び該法線方向に直交する四方のうちの三方又は四方において、すなわち合計五方又は六方において、貫通冷媒流路及び沿面冷媒流路に面し、両冷媒流路を流れる冷却媒体と接触する。半導体モールド部に内蔵された半導体素子は、両冷媒流路を流れる冷却媒体による放熱板及び封止部を介した熱交換によって冷却することができる。そして、上記のごとく、封止部を介した半導体素子と貫通冷媒流路を流れる冷却媒体との間の熱交換効率を向上させたことにより、半導体素子の冷却性能を向上させることができる。また、上記貫通冷媒流路は、上記半導体モールド部を基準として上記法線方向に直交する四方において形成されていることが好ましい請求項12。この場合には、半導体モールド部と貫通冷媒流路を流れる冷却媒体との間の接触面積を大きくし、封止部を介した半導体素子と貫通冷媒流路を流れる冷却媒体との間の熱交換効率を向上させる効果を確実に得ることができる。これにより、半導体素子の冷却性能を確実に向上させることができる。実施例1実施例にかかる電力変換装置について、図を用いて説明する。図1~図3に示すごとく、本例の電力変換装置1は、半導体素子21を内蔵した半導体モジュール2を複数個積層して構成してなる。図2~図5に示すごとく、半導体モジュール2は、半導体素子21と放熱板22と封止部23とから構成される半導体モールド部20と、壁部24と、貫通冷媒流路41とを有する。放熱板22は、半導体素子21と熱的に接続されている。封止部23は、放熱板22の放熱面221を露出させた状態で半導体素子21及び放熱板22を封止している。壁部24は、放熱面221の法線方向Xに直交する方向における封止部23の周囲に形成されると共に放熱面221よりも法線方向Xに突出している。貫通冷媒流路41は、壁部24と封止部23との間に形成されている。半導体モールド部20には、半導体素子21に導通する複数のパワー端子251及び複数の制御端子261が法線方向Xに直交する方向に突出して設けられている。図1~図3に示すごとく、複数の半導体モジュール2は、法線方向Xに積層されている。また、積層方向の両端に配される半導体モジュール21には、壁部24における積層方向の外側の開口部を覆う蓋部3が配設されている。また、隣り合う半導体モジュール2の間及び蓋部3と半導体モジュール2との間であって壁部24の内側には、貫通冷媒流路41に連通すると共に放熱面221に沿った沿面冷媒流路42が形成されている。図5に示すごとく、貫通冷媒流路41は、半導体モールド部20を基準として、少なくとも、複数のパワー端子251が突出している方向及び複数の制御端子261が突出している方向のいずれかに形成されている。本例では、貫通冷媒流路41は、半導体モールド部20を基準として、複数のパワー端子251が突出している方向及び複数の制御端子261が突出している方向の両方に形成されている。本例の電力変換装置1は、電気自動車やハイブリッド自動車等に搭載され、図6に示すごとく、直流電源バッテリー101と交流負荷三相交流の回転電機102との間の電力変換を行うよう構成されている。図2、図3に示すごとく、半導体モジュール2は、二つの半導体素子21を備えている。具体的には、半導体モジュール2に内蔵された半導体素子21の一方は、IGBT絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ等からなるスイッチング素子であり、他方は、スイッチング素子に逆並列接続されたFWDフリーホイールダイオード等のダイオードである図6参照。図2、図3に示すごとく、各半導体モジュール2は、各半導体素子21を両側から挟持するように配設された合計4つの金属製の放熱板22を有する。そして、これらの放熱板22は、はんだ222を介して半導体素子21に電気的、熱的に接続されている。二つの半導体素子21と四つの放熱板22とは、各放熱板22の放熱面221を露出させながら、樹脂製の封止部23によって一体化されて封止されている。図4、図5に示すごとく、封止部23は、放熱板22の放熱面221の全周に形成されている。また、法線方向Xに直交する方向の全周にわたって封止部23を囲むように、樹脂製の壁部24が形成されている。図4に示すごとく、壁部24は、放熱板22の放熱面221よりも法線方向Xに突出している。図2~図5に示すごとく、半導体モジュール2における半導体モールド部20は、半導体素子21と放熱板22と封止部23とから構成されている。具体的には、図2、図3に示すごとく、半導体モールド部20は、法線方向Xにおいて、放熱板22の放熱面221を含む二つの端面201、202を有する。端面201、202において、放熱板22の放熱面221同士の間には、法線方向Xに突出する仕切部27が設けられている。図4、図5に示すごとく、半導体モジュール2の壁部24と封止部23との間には、貫通冷媒流路41が形成されている。具体的には、貫通冷媒流路41は、半導体モールド部20を基準として法線方向Xに直交する方向のうち、後述するパワー端子251及び制御端子261が突出している方向である高さ方向Zにおいて形成されている。制御端子261が突出している方向にある貫通冷媒流路41は、法線方向X及び高さ方向Zに直交する方向である横方向Yにおいて、制御端子261を避けるように中央の位置に形成されている。また、パワー端子251が突出している方向にある貫通冷媒流路41は、パワー端子251を避けるように、そのパワー端子251よりも横方向Yにずれた位置に形成されている。図5に示すごとく、半導体モールド部20には、半導体素子21に導通する複数のパワー端子251が突出して設けられている。複数のパワー端子251は、半導体モールド部20から壁部24を貫通するように設けられている。また、パワー端子251には、被制御電流用のバスバー図示略が接続されている。また、パワー端子251が突出している側には、平滑コンデンサやコイル等の電子部品群61図1参照が配置されている。同図に示すごとく、半導体モールド部20には、半導体素子21に導通する複数の制御端子261が突出して設けられている。複数の制御端子261は、パワー端子251と同様に、半導体モールド部20から壁部24を貫通するように設けられている。また、制御端子261は、スイッチング素子半導体素子21を制御等するための制御回路を有する回路基板62図1参照に接続される。また、同図に示すごとく、半導体モジュール2の封止部23及び壁部24は、いずれも同一の樹脂により一体的に成形されている。すなわち、半導体モールド部20半導体素子21、放熱板22、封止部23、パワー端子251、制御端子261及び壁部24は、半導体モジュール2として一体的に構成されている。これにより、半導体モジュール2の製造を容易とし、構造の簡素化を図っている。図1~図3に示すごとく、電力変換装置1は、複数の半導体モジュール2を法線方向Xに積層することによって構成されている。なお、図1~図3においては、半導体モジュール2を3個積層した図を示しているが、実際の電力変換装置1は、より多数の半導体モジュール2を積層してなり、その積層数は特に限定されるものではない。同図に示すごとく、複数の半導体モジュール2は、壁部24において互いに連結されている。そして、電力変換装置1における積層方向の両端に、樹脂製の蓋部3が半導体モジュール2の壁部24の開口部を塞ぐように取り付けてある。隣り合う半導体モジュール2の壁部24の間や半導体モジュール2の壁部24と蓋部3との間には、水密性を確保するためのシール部材を介在させることができる。同図に示すごとく、一対の蓋部3のうちの一方には、貫通冷媒流路41及び沿面冷媒流路42へ冷却媒体Wを導入するための冷媒導入管51と、冷却媒体Wを排出するための冷媒排出管52とが取り付けてある。これらの冷媒導入管51及び冷媒排出管52は、樹脂からなる。なお、蓋部3、冷媒導入管51及び冷媒排出管52は、金属製、あるいはセラミック製等、他の材質とすることもできる。このように、同図に示すごとく、複数の半導体モジュール2と一対の蓋部3とを積層して連結することにより、内部に貫通冷媒流路41と沿面冷媒流路42とが連続した冷媒流路4が、壁部24と蓋部3とによって囲まれた内側の空間に形成される。この状態において、各半導体モジュール2に設けられた一対の貫通冷媒流路41は、それぞれ一直線上に配列した状態で連結される。沿面冷媒流路42は、隣り合う半導体モジュール2の放熱面221同士の間、及び半導体モジュール2と蓋部3との間に、貫通冷媒流路41同士を連結するように形成される。そして、半導体モールド部20は、法線方向Xにおける端面201、202が沿面冷媒流路42に面している。そして、図2、図3に示すごとく、冷媒導入管51から冷媒流路4に導入された冷却媒体Wは、貫通冷媒流路41を適宜通過しながら、各半導体モジュール2における一対の放熱面221に沿って形成された沿面冷媒流路42を通過する。ここで、半導体素子21と熱交換した冷却媒体Wは、他方の貫通冷媒流路41を適宜通過して、冷媒排出管52から排出される。なお、冷却媒体Wとしては、例えば、水やアンモニア等の自然冷媒、エチレングリコール系の不凍液を混入した水、フロリナート等のフッ化炭素系冷媒、HCFC123、HFC134a等のフロン系冷媒、メタノール、アルコール等のアルコール系冷媒、アセトン等のケトン系冷媒等を用いることができる。本例の電力変換装置1は、図6に示す電力変換回路を構成しており、直流電源バッテリー101の電圧を昇圧するコンバータ11と、昇圧した直流電力を交流電力に変換して交流負荷回転電機102へ出力するインバータ12とを有する。インバータ12及びコンバータ11は、上記の機能と反対の機能、すなわち、交流電力を直流電力へ変換する機能、及び直流電力を降圧する機能をもそれぞれ備えている。同図に示すごとく、コンバータ11は、複数の半導体モジュール2、リアクトル111、及びフィルタコンデンサ112によって構成されている。インバータ12は、複数の半導体モジュール2、スナバコンデンサ121を備えている。さらにコンバータ11とインバータ12との間には、平滑コンデンサ131、放電抵抗132が配線されている。次に、本例の電力変換装置1における作用効果について説明する。本例の電力変換装置1において、貫通冷媒流路41は、半導体モールド部20を基準として、少なくとも、複数のパワー端子251が突出している方向及び複数の制御端子261が突出している方向のいずれかに形成されている。そのため、貫通冷媒流路41を流れる冷却媒体Wによって、半導体モジュール2におけるパワー端子251や制御端子261が突出している側を十分に冷却することができる。また、これに加えて、制御端子261に接続され、その制御端子261に近接して配置される回路基板62や、パワー端子251の周辺に配置される電子部品群61例えば、平滑コンデンサ、コイル等についても、貫通冷媒流路41を有効活用し、貫通冷媒流路41に流れる冷却媒体Wによって効果的に冷却することができる。また、半導体モールド部20を基準として、法線方向Xにおける二方向に沿面冷媒流路42が形成され、法線方向Xに直交する方向における少なくともパワー端子251が突出している方向及び制御端子261が突出している方向のいずれかに貫通冷媒流路41が形成されている。そのため、半導体モールド部20に内蔵された半導体素子21は、両冷媒流路41、42を流れる冷却媒体Wによる放熱板22及び封止部23を介した熱交換によって効率よく冷却することができる。これにより、半導体モジュール2及びその周辺を含む電力変換装置1全体としての冷却性能を向上させることができる。また、電力変換装置1は、複数の半導体モジュール2を積層することにより、貫通冷媒流路41及び沿面冷媒流路42を備えた状態で、かつ、半導体モールド部20が所定の方向において貫通冷媒流路41及び沿面冷媒流路42に接した状態で構成される。そのため、半導体モジュール2とは別に冷媒流路を形成するための部品を必要とせず、また半導体モジュール2を所定の位置に配置する等の作業も必要ない。これにより、電力変換装置1の構造簡素化、組付容易化、小型化を容易に実現することができる。また、本例では、貫通冷媒流路41は、半導体モールド部20を基準として、複数のパワー端子251が突出している方向に必ず形成されている。すなわち、パワー端子251は、大きな電流が流れるため、発熱が大きい。そのため、パワー端子251が突出している方向に貫通冷媒流路41を形成することにより、その発熱が大きいパワー端子251を貫通冷媒流路41に流れる冷却媒体Wによって効果的に冷却することができる。また、これに加えて、パワー端子251の周辺に配置される電子部品群61例えば、平滑コンデンサ、コイル等についても、貫通冷媒流路41を流れる冷却媒体Wによって効果的に冷却することができる。また、貫通冷媒流路41は、半導体モールド部20を基準として、複数の制御端子261が突出している方向に必ず形成されている。すなわち、制御端子261は、パワー端子251に比べて発熱は小さいが、制御端子261が突出している方向に貫通冷媒流路41を形成することにより、その制御端子261を貫通冷媒流路41に流れる冷却媒体Wによって効果的に冷却することができる。また、これに加えて、制御端子261が接続され、その制御端子261の周辺に配置される回路基板62についても、貫通冷媒流路41を流れる冷却媒体Wによって効果的に冷却することができる。このように、本例によれば、簡易な構成で冷却性能を向上させることができる電力変換装置1を提供することができる。実施例2本例は、図7に示すごとく、半導体モジュール2の構成を変更した例である。本例では、同図に示すごとく、複数のパワー端子251は、半導体モールド部20から貫通冷媒流路41を介して壁部24を貫通するように設けられている。すなわち、パワー端子251の一部が貫通冷媒流路41内に露出した状態となっている。また、パワー端子251における貫通冷媒流路41内に露出している部分の表面には、パワー端子251の電気的な絶縁性を確保するために、セラミック皮膜、DLCダイヤモンドライクカーボン、アルマイト、熱伝導フィラー入り塗料樹脂等の絶縁被膜を施しておく。また、同図に示すごとく、複数の制御端子261は、上述したパワー端子251と同様に、半導体モールド部20から貫通冷媒流路41を介して壁部24を貫通するように設けられている。すなわち、制御端子261の一部が貫通冷媒流路41内に露出した状態となっている。また、制御端子261における貫通冷媒流路41内に露出している部分の表面には、制御端子261の電気的な絶縁性を確保するために、セラミック皮膜、DLCダイヤモンドライクカーボン、アルマイト、熱伝導フィラー入り塗料樹脂等の絶縁被膜を施しておく。その他は、実施例1と同様の構成である。本例の場合には、パワー端子251の一部が貫通冷媒流路41内に露出することになるため、貫通冷媒流路41を流れる冷却媒体Wによってパワー端子251を直接的に冷却することができる。これにより、パワー端子251をより一層効果的に冷却することができる。また、貫通冷媒流路41の流路面積を大きくすることが可能となるため、パワー端子251の周辺に配置される電子部品群61に対する冷却性能も高めることができる。また、同様に、制御端子261の一部が貫通冷媒流路41内に露出することになるため、貫通冷媒流路41を流れる冷却媒体Wによって制御端子261を直接的に冷却することができる。これにより、制御端子261をより一層効果的に冷却することができる。また、貫通冷媒流路41の流路面積を広く取ることができるため、制御端子261に接続される回路基板62に対する冷却性能も高めることができる。その他、実施例1と同様の作用効果を有する。なお、本例では、パワー端子251及び制御端子261の電気的な絶縁性を確保するために、パワー端子251及び制御端子261における貫通冷媒流路41内に露出している部分の表面に絶縁被膜を施したが、これに代えて、絶縁性を有する冷却媒体W、例えば、エアコン冷媒や絶縁油等を用いる構成とすることもできる。また、本例では、図7に示すごとく、パワー端子251及び制御端子261の両方を貫通冷媒流路41内に露出させたが、例えば、図8に示すごとく、制御端子261のみを貫通冷媒流路41内に露出させる構成とすることもできる。また、図9に示すごとく、パワー端子251のみを貫通冷媒流路41内に露出させる構成とすることもできる。実施例3本例は、図10に示すごとく、半導体モジュール2の構成を変更した例である。本例では、同図に示すごとく、半導体モールド部20において、二つの半導体素子21が高さ方向Zに並んで配置されている。また、これに合わせて、放熱板22も高さ方向Zに並んで配置されている。また、同図に示すごとく、パワー端子251は、高さ方向Zの一方側に突出して設けられている。また、制御端子261は、横方向Yの一方側に突出して設けられている。また、貫通冷媒流路41は、パワー端子251が突出している方向及び制御端子261が突出している方向に形成されている。その他は、実施例1と同様の構成であり、同様の作用効果を有する。なお、パワー端子251及び制御端子261を突出させる方向は、任意で設定することができる。例えば、図10に示した半導体モジュール2の向きを90°回転させ、図11に示すような方向にパワー端子251及び制御端子261を突出させ、その方向に貫通冷媒流路41を形成する構成としてもよい。また、その他、他の部品との兼ね合いでパワー端子251及び制御端子261を突出させる方向を自由に変更することができる。これにより、電力変換装置1の搭載自由度を高めることができる。実施例4本例は、図12、図13に示すごとく、半導体モジュール2の構成を変更した例である。図12の例では、一方の貫通冷媒流路41は、半導体モールド部20を基準として、複数の制御端子261が突出している方向に形成されている。また、他方の貫通冷媒流路41は、複数のパワー端子251や複数の制御端子261が突出している方向ではなく、横方向Yの一方側に形成されている。図13の例では、一方の貫通冷媒流路41は、半導体モールド部20を基準として、複数のパワー端子251が突出している方向に形成されている。また、他方の貫通冷媒流路41は、複数のパワー端子251や複数の制御端子261が突出している方向ではなく、横方向Yの一方側に形成されている。その他は、実施例1と同様の構成であり、同様の作用効果を有する。実施例5本例は、図14に示すごとく、半導体モジュール2の構成を変更した例である。本例では、同図に示すごとく、半導体モールド部20における放熱板22の放熱面221上に、板状のフィン71が設けられている。フィン71は、各放熱板22の放熱面221上において、横方向Yに複数並んで配置されている。また、各フィン71は、冷却媒体Wが一方の貫通冷媒流路41から沿面冷媒流路42を介して他方の貫通冷媒流路41に流通する際に、その冷却媒体Wが放熱板22の放熱面221上を通るように高さ方向Zに形成されている。なお、フィン71は、隣り合う半導体モジュール2に設けられたフィン71と法線方向Xにおいて向かい合うように配置する構成としてもよいし、互い違いになるように配置する構成としてもよい。その他は、実施例1と同様の構成である。本例の場合には、半導体モールド部20の放熱板22の放熱面221上に板状のフィン71を設けたことにより、沿面冷媒流路42を流れる冷却媒体Wとの接触面積を増やすことができ、さらに冷却が必要な部分に冷却媒体Wが流れるように冷却媒体Wの流れを調整することができるため、半導体素子21の冷却効率を高めることができる。その他、実施例1と同様の作用効果を有する。なお、本例では、図14に示すごとく、半導体モールド部20における放熱板22の放熱面221上に、板状のフィン71を設けたが、これに代えて、図15に示すごとく、ピン状のフィン72を設ける構成とすることもできる。また、この場合にも、ピン状のフィン72は、隣り合う半導体モジュール2に設けられたピン状のフィン72と法線方向Xにおいて向かい合うように配置する構成としてもよいし、互い違いになるように配置する構成としてもよい。実施例6本例は、図16に示すごとく、半導体モジュール2の構成を変更した例である。本例では、同図に示すごとく、半導体モールド部20には、一つの半導体素子21が内蔵されている。また、これに合わせて、放熱板22が設けられている。また、貫通冷媒流路41は、半導体モールド部20を基準として、複数のパワー端子251が突出している方向及び複数の制御端子261が突出している方向に形成されている。一方の貫通冷媒流路41は、パワー端子251よりも横方向Yにずれた位置に形成されている。また、他方の貫通冷媒流路41は、制御端子261よりも横方向Yにずれた位置に形成されている。その他は、実施例1と同様の構成であり、同様の作用効果を有する。なお、本例の構成では、実施例5と同様に、図17に示すごとく、放熱板22の放熱面221上に、板状のフィン71を設けた構成とすることができる。また、板状のフィン71に代えて、ピン状のフィン72図15を採用することもできる。実施例7実施例にかかる電力変換装置について、図を用いて説明する。図18、図19に示すごとく、本例の電力変換装置1は、半導体素子21を内蔵した半導体モジュール2を複数個積層して構成してなる。図19~図22に示すごとく、半導体モジュール2は、半導体素子21と放熱板22と封止部23とから構成される半導体モールド部20と、壁部24と、貫通冷媒流路41とを有する。放熱板22は、半導体素子21と熱的に接続されている。封止部23は、放熱板22の放熱面221を露出させた状態で半導体素子21及び放熱板22を封止している。壁部24は、放熱面221の法線方向Xに直交する方向における封止部23の周囲に形成されると共に放熱面221よりも法線方向Xに突出している。貫通冷媒流路41は、壁部24と封止部23との間に形成されている。半導体モールド部20には、半導体素子21に導通する複数のパワー端子251及び複数の制御端子261が法線方向Xに直交する方向に突出して設けられている。図18、図19に示すごとく、複数の半導体モジュール2は、法線方向Xに積層されている。また、積層方向の両端に配される半導体モジュール21には、壁部24における積層方向の外側の開口部を覆う蓋部3が配設されている。また、隣り合う半導体モジュール2の間及び蓋部3と半導体モジュール2との間であって壁部24の内側には、貫通冷媒流路41に連通すると共に放熱面221に沿った沿面冷媒流路42が形成されている。図21に示すごとく、貫通冷媒流路41は、半導体モールド部20を基準として、少なくとも、複数のパワー端子251が突出している方向及び複数の制御端子261が突出している方向のいずれかに形成されている。本例では、貫通冷媒流路41は、半導体モールド部20を基準として法線方向Xに直交する四方のうち、複数のパワー端子251が突出している方向及び複数の制御端子261が突出している方向を含む四方すべてにおいて形成されている。本例の電力変換装置1は、電気自動車やハイブリッド自動車等に搭載され、図6を参照のごとく、直流電源バッテリー101と交流負荷三相交流の回転電機102との間の電力変換を行うよう構成されている。図19に示すごとく、半導体モジュール2は、二個の半導体素子21を備えている。具体的には、半導体モジュール2に内蔵された半導体素子21の一方は、IGBT絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ等からなるスイッチング素子であり、他方は、スイッチング素子に逆並列接続されたFWDフリーホイールダイオード等のダイオードである図6参照。図19に示すごとく、各半導体モジュール2は、半導体素子21を両側から挟持するように配設された一対の金属製の放熱板22を有する。そして、これらの放熱板22は、はんだ222を介して半導体素子21に電気的、熱的に接続されている。二個の半導体素子21と一対の放熱板22とは、各放熱板22の放熱面221を露出させながら、樹脂製の封止部23によって一体化されて封止されている。図20、図21に示すごとく、封止部23は、放熱面221の全周に形成されている。また、法線方向Xに直交する方向の全周にわたって封止部23を囲むように、樹脂製の壁部24が形成されている。図22に示すごとく、壁部24は、一対の放熱面221よりも法線方向Xに突出している。図19~図22に示すごとく、半導体モジュール2における半導体モールド部20は、半導体素子21と放熱板22と封止部23とから構成されており、六つの面を有する直方体形状を呈している。具体的には、図19に示すごとく、半導体モールド部20は、放熱面221の法線方向Xにおいて、放熱板22の放熱面221を含む二つの端面201、202を有する。また、図21に示すごとく、法線方向Xに直交する方向のうちの後述する制御端子261及びパワー端子251がそれぞれ突出している方向である高さ方向Zにおいて、二つの側面203、204を有すると共に、法線方向X及び高さ方向Zに直交する方向である横方向Yにおいて、二つの側面205、206を有する。図21に示すごとく、半導体モジュール2の壁部24と封止部23との間には、貫通冷媒流路41が形成されている。具体的には、壁部24と封止部23を含む半導体モールド部20の四つの側面203~206との間には、貫通冷媒流路41が形成されている。すなわち、貫通冷媒流路41は、半導体モールド部20を基準として法線方向Xに直交する四方横方向Y、高さ方向Zすべてにおいて形成されている。図21、図22に示すごとく、半導体モールド部20の側面204には、半導体素子21に導通する複数のパワー端子251が突出して設けられている。複数のパワー端子251は、半導体モールド部20の側面204から壁部24を貫通するように設けられていると共に、側面204から壁部24までの貫通冷媒流路41に露出する部分が樹脂製のパワー端子被覆部252により覆われている。また、パワー端子251には、被制御電流用のバスバー図示略が接続されている。また、パワー端子251が突出している側には、平滑コンデンサやコイル等の電子部品群図示略が配置されている。同図に示すごとく、半導体モールド部20の側面204とは反対側の側面203には、半導体素子21に導通する複数の制御端子261が突出して設けられている。複数の制御端子261は、パワー端子251と同様に、半導体モールド部20の側面203から壁部24を貫通するように設けられていると共に、側面203から壁部24までの貫通冷媒流路41に露出する部分が樹脂製の制御端子被覆部262により覆われている。また、制御端子261は、スイッチング素子半導体素子21を制御等するための制御回路を有する回路基板図示略に接続される。また、図21、図22に示すごとく、半導体モジュール2の封止部23、壁部24、パワー端子251を覆うパワー端子被覆部252、制御端子261を覆う制御端子被覆部262は、いずれも同一の樹脂により一体的に成形されている。これにより、半導体モジュール2の製造を容易とし、構造の簡素化を図っている。また、図22に示すごとく、パワー端子251を覆うパワー端子被覆部252及び制御端子261を覆う制御端子被覆部262は、法線方向Xにおける厚みt1、t2が半導体モールド部20の厚みTと同じである。このように、本例では、図21に示すごとく、半導体モールド部20は、法線方向Xに直交する四方横方向Y、高さ方向Zにおける側面203~206、すなわち制御端子261及びパワー端子251がそれぞれ突出している高さ方向Zの側面203、204と横方向Yの側面205、206とが、貫通冷媒流路41に面している。図18、図19に示すごとく、電力変換装置1は、複数の半導体モジュール2を法線方向Xに積層することによって構成されている。なお、図18、図19においては、半導体モジュール2を3個積層した図を示しているが、実際の電力変換装置1は、より多数の半導体モジュール2を積層してなり、その積層数は特に限定されるものではない。同図に示すごとく、複数の半導体モジュール2は、壁部24において互いに連結されている。そして、電力変換装置1における積層方向の両端に、樹脂製の蓋部3が半導体モジュール2の壁部24の開口部を塞ぐように取り付けてある。隣り合う半導体モジュール2の壁部24の間や半導体モジュール2の壁部24と蓋部3との間には、水密性を確保するためのシール部材を介在させることができる。同図に示すごとく、一対の蓋部3のうちの一方には、貫通冷媒流路41及び沿面冷媒流路42へ冷却媒体Wを導入するための冷媒導入管51と、冷却媒体Wを排出するための冷媒排出管52とが取り付けてある。これらの冷媒導入管51及び冷媒排出管52は、樹脂からなる。なお、蓋部3、冷媒導入管51及び冷媒排出管52は、金属製、あるいはセラミック製等、他の材質とすることもできる。このように、同図に示すごとく、複数の半導体モジュール2と一対の蓋部3とを積層して連結することにより、内部に貫通冷媒流路41と沿面冷媒流路42とが連続した冷媒流路4が、壁部24と蓋部3とによって囲まれた内側の空間に形成される。この状態において、各半導体モジュール2に設けられた一対の貫通冷媒流路41は、それぞれ一直線上に配列した状態で連結される。沿面冷媒流路42は、隣り合う半導体モジュール2の放熱面221同士の間、及び半導体モジュール2と蓋部3との間に、貫通冷媒流路41に直交するように、かつこれらに連結するように形成される。これにより、本例では、半導体モールド部20は、法線方向Xにおける端面201、202が沿面冷媒流路42に面していることになる。そして、図19に示すごとく、冷媒導入管51から冷媒流路4に導入された冷却媒体Wは、貫通冷媒流路41を適宜通過しながら、各半導体モジュール2における一対の放熱面221に接触する沿面冷媒流路42を通過する。ここで、半導体素子21と熱交換した冷却媒体Wは、他方の貫通冷媒流路41を適宜通過して、冷媒排出管52から排出される。なお、冷却媒体Wとしては、例えば、水やアンモニア等の自然冷媒、エチレングリコール系の不凍液を混入した水、フロリナート等のフッ化炭素系冷媒、HCFC123、HFC134a等のフロン系冷媒、メタノール、アルコール等のアルコール系冷媒、アセトン等のケトン系冷媒等を用いることができる。本例の電力変換装置1は、図6を参照のごとく、電力変換回路を構成しており、直流電源バッテリー101の電圧を昇圧するコンバータ11と、昇圧した直流電力を交流電力に変換して交流負荷回転電機102へ出力するインバータ12とを有する。インバータ12及びコンバータ11は、上記の機能と反対の機能、すなわち、交流電力を直流電力へ変換する機能、及び直流電力を降圧する機能をもそれぞれ備えている。同図に示すごとく、コンバータ11は、複数の半導体モジュール2、リアクトル111、及びフィルタコンデンサ112によって構成されている。インバータ12は、複数の半導体モジュール2、スナバコンデンサ121を備えている。さらにコンバータ11とインバータ12との間には、平滑コンデンサ131、放電抵抗132が配線されている。次に、本例の電力変換装置1における作用効果について説明する。本例の電力変換装置1において、貫通冷媒流路41は、半導体モールド部20を基準として法線方向Xに直交する四方横方向Y、高さ方向Zすべてにおいて形成されている。すなわち、半導体モールド部20は、法線方向Xに直交する四方横方向Y、高さ方向Zすべてにおいて貫通冷媒流路41に面し、その貫通冷媒流路41を流れる冷却媒体Wと接触することとなる。そのため、半導体モールド部20と貫通冷媒流路41を流れる冷却媒体Wとの間の接触面積を大きくすることができ、封止部23を介した半導体素子21と貫通冷媒流路41を流れる冷却媒体Wとの間の熱交換効率を向上させることができる。これにより、半導体モールド部20は、法線方向Xにおける二方及びその法線方向Xに直交する横方向Y及び高さ方向Zの四方において、すなわち六つの面端面201、202、側面203~206のすべてが貫通冷媒流路41及び沿面冷媒流路42に面し、両冷媒流路41、42を流れる冷却媒体Wと接触する。半導体モールド部20に内蔵された半導体素子21は、両冷媒流路41、42を流れる冷却媒体Wによる放熱板22及び封止部23を介した熱交換によって冷却することができる。そして、上記のごとく、封止部23を介した半導体素子21と貫通冷媒流路41を流れる冷却媒体Wとの間の熱交換効率を向上させたことにより、半導体素子21の冷却性能を向上させることができる。また、電力変換装置1は、複数の半導体モジュール2を積層することにより、貫通冷媒流路41及び沿面冷媒流路42を備えた状態で、かつ、半導体モールド部20が所定の方向において貫通冷媒流路41及び沿面冷媒流路42に面した状態で構成される。そのため、半導体モジュール2とは別に冷媒流路を形成するための部品を必要とせず、また半導体モジュール2を所定の位置に配置する等の作業も必要ない。これにより、電力変換装置1の構造簡素化、組付容易化、小型化を容易に実現することができる。また、本例では、半導体モールド部20の側面204には、半導体素子21に導通する複数のパワー端子251が突出して設けられており、貫通冷媒流路41は、複数のパワー端子251が突出している方向に形成されている。すなわち、パワー端子251は、大きな電流が流れるため、発熱が大きい。そのため、パワー端子251が突出している方向に貫通冷媒流路41を形成することにより、その発熱が大きいパワー端子251を貫通冷媒流路41に流れる冷却媒体Wによって効果的に冷却することができる。これにより、電力変換装置1全体の冷却性能を向上させることができる。また、複数のパワー端子251は、半導体モールド部20の側面204から壁部24を貫通するように設けられていると共に、貫通冷媒流路41に露出する部分が絶縁材料からなるパワー端子被覆部252により覆われている。そのため、パワー端子被覆部252によってパワー端子251における貫通冷媒流路41に露出した部分の電気的な絶縁性を確保することができる。また、パワー端子被覆部252を介してパワー端子251を貫通冷媒流路41に流れる冷却媒体Wによって冷却することができる。また、半導体モールド部20の側面203には、半導体素子21に導通する複数の制御端子261が突出して設けられている。そして、制御端子261は、上述したパワー端子251の構成と同様の構成である。すなわち、貫通冷媒流路41は、複数の制御端子261が突出している方向に形成されている。また、複数の制御端子261は、半導体モールド部20の側面203から壁部24を貫通するように設けられていると共に、貫通冷媒流路41に露出する部分が絶縁材料からなる制御端子被覆部262により覆われている。制御端子261は、パワー端子251に比べて発熱は小さいが、貫通冷媒流路41に流れる冷却媒体Wによって冷却することにより、電力変換装置1全体の冷却性能を向上させることができる。このように、本例によれば、簡易な構成で冷却性能を向上させることができる電力変換装置1を提供することができる。なお、本例では、図21に示すごとく、貫通冷媒流路41は、半導体モールド部20を基準として法線方向Xに直交する四方高さ方向Z、横方向Yすべてにおいて形成されているが、その四方のうちの三方において形成されている構成とすることもできる。以下にその例を示す。図23に示す例では、貫通冷媒流路41は、半導体モールド部20を基準として法線方向Xに直交する四方横方向Y、高さ方向Zのうち、制御端子261が突出している方向を除く三方において形成されている。そして、半導体モールド部20は、パワー端子251が突出している高さ方向Zの側面204と横方向Yの側面205、206とが貫通冷媒流路41に面している。図24に示す例では、貫通冷媒流路41は、半導体モールド部20を基準として法線方向Xに直交する四方横方向Y、高さ方向Zのうち、パワー端子251が突出している方向を除く三方において形成されている。そして、半導体モールド部20は、制御端子261が突出している高さ方向Zの側面203と横方向Yの側面205、206とが貫通冷媒流路41に面している。実施例8本例は、図25に示すごとく、パワー端子251のパワー端子被覆部252の構成を変更した例である。本例では、同図に示すごとく、複数のパワー端子251は、各パワー端子251における貫通冷媒流路41に露出する部分がそれぞれパワー端子被覆部252により覆われている。また、隣接するパワー端子251のパワー端子被覆部252同士の間には、貫通冷媒流路41が形成されている。その他は、実施例7と同様の構成である。本例の場合には、パワー端子251のパワー端子被覆部252と貫通冷媒流路41に流れる冷却媒体Wとの接触面積を大きくすることができるため、パワー端子251の冷却性能を高めることができる。これにより、電力変換装置1全体の冷却性能を向上させることができる。その他、実施例7と同様の作用効果を有する。実施例9本例は、図26、図27に示すごとく、パワー端子251のパワー端子被覆部252等の構成を変更した例である。本例では、同図に示すごとく、パワー端子251のパワー端子被覆部252は、法線方向Xにおける厚みt1が半導体モールド部20の厚みTよりも小さい。また、制御端子261の制御端子被覆部262も、放熱面221の法線方向Xにおける厚みt2が半導体モールド部20の厚みTよりも小さい。その他は、実施例7と同様の構成である。本例の場合には、パワー端子251のパワー端子被覆部252及び制御端子261の制御端子被覆部262の厚みt1、t2を半導体モールド部20の厚みTよりも小さくしたことにより、半導体モールド部20の側面203、204と貫通冷媒流路41を流れる冷却媒体Wとの間の接触面積を大きくすることができる。そのため、封止部23を介した半導体素子21と貫通冷媒流路41を流れる冷却媒体Wとの間の熱交換効率をさらに向上させることができる。これにより、半導体素子21の冷却性能を向上させることができる。その他、実施例7と同様の作用効果を有する。