陽極側及び陰極側の電極体と、これら電極体間に介在されたセパレータを備える巻回素子又は非巻回素子であるコンデンサ素子と、前記コンデンサ素子を収容するケース部材の開口部を封口する封口部材と、前記コンデンサ素子の素子端面に前記電極体の何れか一方又は双方から張り出させた単一又は複数の電極張出し部と、前記封口部材に設置された外部端子部材と、前記電極張出し部に接続されるとともに、前記外部端子部材に接続される単一又は複数の集電板と、前記集電板又は前記外部端子部材に形成された覆い部で前記集電板と前記外部端子部材との接触面を覆い、前記覆い部にレーザビーム又は電子ビームの照射により前記集電板及び外部端子部材とを溶接した溶接部と、を備えることを特徴とするコンデンサ。前記レーザビーム又は前記電子ビームの前記照射位置は、前記集電板と前記外部端子部材との接触面に一致させ、又は前記接触面に対して交差方向に異ならせたことを特徴とする、請求項1に記載のコンデンサ。前記レーザ溶接又は前記電子ビーム溶接のナゲット深さを1.2mm以下であることを特徴とする、請求項1に記載のコンデンサ。陽極側及び陰極側の電極体と、これら電極体間に介在されたセパレータとを備える巻回素子又は非巻回素子であるコンデンサ素子の素子端面に前記電極体を張り出させ、前記素子端面に単一又は複数の電極張出し部を形成する工程と、前記コンデンサ素子を収容するケース部材の開口部を封口する封口部材に設置された外部端子部材、又は前記電極張出し部に接続される集電板の何れか一方に覆い部を備え、この覆い部で前記外部端子部材と前記集電板との接触面を覆う工程と、前記覆い部にレーザビーム又は電子ビームの照射位置が設定され、前記集電板と前記外部端子部材とを溶接する工程と、を含むことを特徴とする、コンデンサの製造方法。前記レーザビーム又は前記電子ビームの前記照射位置は、前記集電板と前記外部端子部材との接触面に一致させたことを特徴とする請求項4に記載のコンデンサの製造方法。前記レーザビーム又は前記電子ビームの前記照射位置は、前記集電板と前記外部端子部材との接触面に対して交差方向に異ならせたことを特徴とする、請求項4に記載のコンデンサの製造方法。前記レーザビーム又は前記電子ビームの前記照射位置を前記接触面と交差方向に±0.1~±0.5mmだけ異ならせたことを特徴とする、請求項6に記載のコンデンサの製造方法。前記レーザビーム又は前記電子ビームのデフォーカス位置を前記レーザ又は前記電子ビームの前記照射位置から0.2mm~2.0mm以下に設定したことを特徴とする、請求項4ないし7の何れかに記載のコンデンサの製造方法。ところで、コンデンサ素子の素子端面に集電板を備えて外部端子等の外部端子部材と接続する構成では、集電板と外部端子部材とを溶接によって接続する。この接続にはレーザ溶接や電子ビーム溶接が用いられ、これらの溶接ではレーザビームや電子ビームを溶接箇所に照射することにより、溶接部の金属が溶融して一体化される。このような溶接にあっては、溶接箇所にレーザビームや電子ビームを照射するので、集電板と外部端子との接触が必要であり、その接触部分には溶接に必要な加工精度が求められる。しかし、集電板や、外部端子部材の形状精度にばらつきがあるなど、これらの加工精度が低い場合には、集電板と外部端子部材との間の接触面間に隙間を生じる。このような隙間を生じた接触面間にレーザビームや電子ビームを照射すると、その隙間によって溶接領域が変動し、溶接精度が低下するという課題がある。また、接触面間の隙間が大きい場合には溶接範囲が狭小化したり、集電板と外部端子部材との間の接続強度が低下したり、接続抵抗が大きくなってしまうなどの課題がある。そこで、本発明の目的は、上記課題に鑑み、集電板や外部端子部材の加工精度に影響を受けることなく、集電板と外部端子部材との間の溶接精度や接続強度を高めたコンデンサを提供することにある。上記目的を達成するため、本発明のコンデンサは、陽極側及び陰極側の電極体と、これら電極体間に介在されたセパレータを備える巻回素子又は非巻回素子であるコンデンサ素子と、前記コンデンサ素子を収容するケース部材の開口部を封口する封口部材と、前記コンデンサ素子の素子端面に前記電極体の何れか一方又は双方から張り出させた単一又は複数の電極張出し部と、前記封口部材に設置された外部端子部材と、前記電極張出し部に接続されるとともに、前記外部端子部材に接続される単一又は複数の集電板と、前記集電板又は前記外部端子部材に形成された覆い部で前記集電板と前記外部端子部材との接触面を覆い、前記覆い部にレーザビーム又は電子ビームの照射により前記集電板及び外部端子部材とを溶接した溶接部とを備える構成である。上記目的を達成するためには、上記コンデンサにおいて好ましくは、前記レーザビーム又は前記電子ビームの前記照射位置は、前記集電板と前記外部端子部材との接触面に一致させ、又は前記接触面に対して交差方向に異ならせてもよい。上記目的を達成するためには、上記コンデンサにおいて好ましくは、前記レーザ溶接又は前記電子ビーム溶接のナゲット深さを1.2mm以下であってもよい。また、上記目的を達成するため、本発明のコンデンサの製造方法は、陽極側及び陰極側の電極体と、これら電極体間に介在されたセパレータとを備える巻回素子又は非巻回素子であるコンデンサ素子の素子端面に前記電極体を張り出させ、前記素子端面に単一又は複数の電極張出し部を形成する工程と、前記コンデンサ素子を収容するケース部材の開口部を封口する封口部材に設置された外部端子部材、又は前記電極張出し部に接続される集電板の何れか一方に覆い部を備え、この覆い部で前記外部端子部材と前記集電板との接触面を覆う工程と、前記覆い部にレーザビーム又は電子ビームの照射位置が設定され、前記集電板と前記外部端子部材とを溶接する工程とを含む構成である。上記目的を達成するため、上記コンデンサの製造方法において、より好ましくは、前記レーザビーム又は前記電子ビームの前記照射位置は、前記集電板と前記外部端子部材との接触面に一致させてもよい。上記目的を達成するため、上記コンデンサの製造方法において、より好ましくは、前記レーザビーム又は前記電子ビームの前記照射位置は、前記集電板と前記外部端子部材との接触面に対して交差方向に異ならせてもよい。上記目的を達成するため、上記コンデンサの製造方法において、より好ましくは、前記レーザビーム又は前記電子ビームの前記照射位置を前記接触面と交差方向に±0.1~±0.5mmだけ異ならせてもよい。上記目的を達成するため、上記コンデンサの製造方法において、より好ましくは、前記レーザビーム又は前記電子ビームのデフォーカス位置を前記レーザ又は前記電子ビームの前記照射位置から0.2mm~2.0mm以下に設定してもよい。本発明のコンデンサ又はその製造方法によれば、次の何れかの効果が得られる。集電板と外部端子部材との接触面を集電板又は外部端子部材にある覆い部で覆い、この覆い部にレーザビーム又は電子ビームを照射するので、集電板と外部端子部材との接触面の状態に無関係に両者を溶接することができる。集電板と外部端子部材との接触面を覆う集電板側の平坦面を選択してレーザビーム又は電子ビームを照射できるので、集電板と外部端子部材との接触面の加工精度が低い場合でも、隙間があっても、最適な溶接範囲が得られ、集電板と外部端子部材との間の溶接精度や溶接強度を高めることができる。そして、本発明の他の目的、特徴及び利点は、添付図面及び各実施の形態を参照することにより、一層明確になるであろう。第1の実施の形態第1の実施の形態は、コンデンサ素子の素子端面に接続された集電板と外部端子との接触面と異なる位置にレーザビーム又は電子ビームの照射位置を設定し、集電板と外部端子をレーザ溶接した構成である。この第1の実施の形態に係る電気二重層コンデンサ以下単にコンデンサと称するについて図1及び図2を参照する。図1はコンデンサの縦断面、図2はその分解状態を示している。図1及び図2に示す構成は一例であり、斯かる構成に本発明が限定されるものではない。このコンデンサ2は本発明のコンデンサの一例である。このコンデンサ2には、コンデンサ素子4の同一の素子端面5に陽極部6と陰極部8が形成されている。陽極部6及び陰極部8は、電極張出し部の一例であって、コンデンサ素子4の素子端面5から引き出された電極体陽極体60又は陰極体80:図3の一部で構成される。陽極部6と陽極端子10との接続には両者間に介在させた陽極集電板12が用いられ、また、陰極部8と陰極端子14との接続には両者間に介在させた陰極集電板16が用いられている。陽極端子10及び陰極端子14は外部接続のための外部端子部材であって、陽極端子10は陽極端子部材の一例、陰極端子14は陰極端子部材の一例である。陽極端子10と陽極集電板12の接続、陰極端子14と陰極集電板16の接続には既述のレーザ溶接や電子ビーム溶接が用いられ、これらの接続部にはナゲット18が形成されている。各ナゲット18は、レーザビームや電子ビームを溶接位置にデフォーカスにより照射し、陽極端子10と陽極集電板12又は陰極端子14と陰極集電板16とが溶融、硬化を経て一体化した金属塊部であり、溶接により生成された部分である。各ナゲット18の形状は放物立体形であり、その大きさはナゲット径と、ナゲット表面の中心から深さ方向の長さナゲット深さとで定義される。この実施の形態では、陽極集電板12と接続された陽極部6及び陰極集電板16と接続された陰極部8の外周面には、絶縁手段17が設置されている。この絶縁手段17によってコンデンサ素子4と外装ケース20との絶縁が図られる。この絶縁手段17は例えば、絶縁紙や絶縁テープ等の絶縁材料を用いればよい。次に、コンデンサ素子4は図2に示すように、円筒体であって、一方の素子端面に陽極体60図3、図4を引き出して陽極部6が形成されているとともに、陰極体80図3を引き出して陰極部8が形成されている。コンデンサ素子4の周囲には保持テープ19が巻回され、陽極体60や陰極体80の巻き戻りが防止されている。コンデンサ素子4の外装部材として外装ケース20及び封口板22が備えられる。外装ケース20は例えばアルミニウム等の成形性のある金属材料からなる成形体である。封口板22は外装ケース20の開口部30を閉止し、空間部24の気密性を保持する手段であるとともに、陽極端子10及び陰極端子14を固定する固定部材であり、コンデンサ素子4の支持部材を構成している。この実施の形態では、封口板22にベース部26と、封止部28とが備えられる。ベース部26は絶縁材料である例えば、合成樹脂で形成され、陽極端子10及び陰極端子14が固定されるとともに、絶縁されている。封止部28は密閉性の高い材料例えば、ゴム環で構成されている。この封口板22は、外装ケース20の開口部30に挿入されるとともに、開口部30側の中途部に形成された加締め段部32に位置決めされている。外装ケース20の開口端部34は、カーリング処理により加締められ、封止部28に食い込ませられている。これらにより、外装ケース20が強固に封止されている。そして、封口板22のベース部26には、透孔36が形成されるとともに、薄ゴムからなる圧力開放機構38が形成されている。そして、陽極集電板12には陽極端子10との接触面65図8を接続面部52側でカバーする覆い部の一例としてカバー部53が形成されている。同様に陰極集電板16にも陰極端子14との接触面65を接続面部52側で覆うカバー部53が形成されている。各カバー部53は、少なくとも陽極端子10又は陰極端子14の端子側接続面64の一部又は全部を覆う。このカバー部53は陽極集電板12又は陰極集電板16に一体に形成され、例えば、断面三角形状の立壁部である。これに対応し、陽極端子10又は陰極端子14の接続面64にはテーパ面67が形成されている。このテーパ面67はカバー部53でカバーされる。次に、コンデンサ素子4について図3を参照する。図3は一部を分解したコンデンサ素子4を示している。このコンデンサ素子4は、図3に示すように、陽極体60と、陰極体80と、セパレータ40、42とを備え、陽極体60と陰極体80との間には両者間を絶縁するセパレータ40、42のそれぞれが挟み込まれて巻回され、円筒状の巻回素子を構成している。陽極体60及び陰極体80にはベース材に例えば、アルミニウム箔が用いられ、このアルミニウム箔の両面に活性炭等の活物質及び結着剤等を含む分極性電極が形成されている。また、このコンデンサ素子4では、同一端面側に形成された陽極部6と陰極部8との間には一定幅の絶縁間隔44が設けられている。陽極部6は例えば、陽極体60の基材で形成され、同様に陰極部8も陰極体80の基材で形成されている。陽極体60及び陰極体80がアルミニウムで形成される場合、陽極部6及び陰極部8は、分極性電極を形成していないアルミニウム面を露出させた基材部である。陽極部6又は陰極部8の形成部は、絶縁手段であるセパレータ40、42の幅Wより突出する形態とし、陽極部6又は陰極部8の円弧長に対応する長さLに形成されている。長さLを以て突出する陽極部6及び陰極部8には、折り曲げ加工の準備加工として、素子端面5と平行で素子端面5から僅かに露出する位置に折り目線43が形成されている。この折り目線43は、陽極部6及び陰極部8に対し、折り曲げ方向に谷折りとなる屈曲部である。そして、コンデンサ素子4の陽極部6又は陰極部8は、陽極集電板12又は陰極集電板16との接続前に、図2又は図4のBに示すように、加工してコンデンサ素子4の素子端面5に密着状態に形成される。次に、コンデンサ素子の陽極部6及び陰極部8について、図4を参照する。図4はコンデンサ素子の陽極部及び陰極部の一例を示し、Aは陽極部及び陰極部の成形前、Bは陽極部及び陰極部の成形後を示している。図4において、図1、図2及び図3と同一部分には同一符号を付してある。コンデンサ素子4の素子端面5には図4のAに示すように、電極張出し部を構成する陽極部6と陰極部8とが立設され、これら陽極部6と陰極部8との間には所定幅の絶縁間隔44が設定されている。絶縁間隔44の中心にY軸、このY軸と直交方向にX軸を取り、X軸を中心に左右に角度θ1、θ2≧θ1を設定して区画する。角度θ1でコンデンサ素子4の巻回中心部巻芯部46を中心に放射状方向に複数の切込み48を入れ、各切込み48で区画された複数の区画部6A、6B、6Cが陽極部6側に形成されている。同様に、陰極部8側にも複数の区画部8A、8B、8Cが形成されている。角度θ1を例えば、30°に設定すれば、区画部6A、8Aは2θ1=60°となり、区画部6Aを挟んで形成された区画部6B、6C又は区画部8Aを挟んで形成された区画部8B、8Cの角度θ2は、θ2=60°に設定されている。切込み48の深さは例えば、張出し長を陽極部6と陰極部8の高さh1に設定され、陽極部6の区画部6A、6B、6C、陰極部8の区画部8A、8B、8Cを中途部にある折り目線43の部分で屈曲させ、コンデンサ素子4の素子中心部側に押し倒して圧縮成形することにより、図4のBに示すように、陽極部6の区画部6A、6B、6C、陰極部8の区画部8A、8B、8Cに成形される。この実施の形態では、各区画部6B、6C及び区画部8B、8Cが溶接部に設定されている。そこで、区画部6A、8Aの突出高さh2が各区画部6B、6C、8B、8Cの高さh3より高く設定され、陽極部6の区画部6A、6B、6C及び陰極部8の区画部8A、8B、8Cの高さを陽極集電板12及び陰極集電板16の屈曲形状に対応させている。なお、コンデンサ素子4の陽極部6及び陰極部8は、このように素子中心方向に向かって陽極部6及び陰極部8全体を圧縮成形することで、高さ寸法を抑制できる。この実施の形態では、陽極部6の区画部6B、6Cを圧縮成形して、安定した平坦状の接続面を形成し、その後、非接続面である区画部6Aを圧縮成形し、各区画部間6A-6B、6A-6Cの重なりによって生じる境界部の高さ寸法を抑制している。この境界部の高さ寸法の抑制については陰極部8においても同様である。次に、陽極集電板12又は陰極集電板16について図5を参照する。図5は陽極集電板又は陰極集電板の一例を示し、Aはその平面、Bは陽極集電板を溶接接続部側から見た側面を示している。この陽極集電板12は電極材料と同一の例えば、アルミニウム板で形成され、既述の陽極部6の区画部6A、6B、6C図4を覆い、区画部6B、6Cとのレーザ溶接面積を持ち、且つ陽極端子10とのレーザ溶接面積を持つ形状及び面積を備えている。この実施の形態では、コンデンサ素子4の素子端面の2分の1の大きさであって、絶縁間隔44が確保される形状として、ほぼ半円形板である。陽極集電板12には、図5のAに示すように、弦側中心部にコンデンサ素子4の巻回中心部46に対応して円弧状切欠部50が形成され、その弧側には、X軸を中心にX軸と直交方向に直線状に切り落とされた接続面部52が形成されている。また、この陽極集電板12には、図5のBに示すように、円弧状切欠部50を中心即ち、X軸を中心に左右に角度θ1を持って直角に屈曲させた段部54を以て円弧状の端子接続部56A及び素子接続部56B、56Cが形成されている。各端子接続部56A及び素子接続部56B、56Cは、それぞれ平坦面に形成され、段部54を挟んで平行面を構成している。この陽極集電板12において、端子接続部56Aの高さをh4、陽極集電板12の厚さをt、端子接続部56Aの内側の高さをh5とすると、h5=h4-t≧h2-h3に設定されている。従って、端子接続部56Aの内側の高さh5は、区画部6A、8Aの突出高さh2と各区画部6B、6C、8B、8Cの高さh3との差分Δh≧h2-h3を吸収し、陽極集電板12が各区画部6B、6Cに密着し、且つ区画部6Aを収納して設置される。なお、陽極集電板12の厚さtは、素子接続部56B、56Cと端子接続部56Aの部位で厚さを変更することもできる。例えば、端子接続部56Aの厚みを素子接続部56B、56Cに比べて厚く設定1.2倍以上することができ、これによると陽極部6とのレーザ溶接の際に素子接続部56B、56Cに生じる発熱が所定厚みを有する端子接続部56Aによって吸収され、レーザ溶接の接続精度が向上する。そして、接続面部52の中央部分には溶接される陽極端子10又は陰極端子14との接触面65を覆うカバー部53が備えられている。このカバー部53は、少なくとも陽極端子10又は陰極端子14の端子側接続面64を覆う幅に形成すればよいが、端子側接続面64と同一幅でもよい。このような構成及び他の部材との関係については、陰極集電板16についても同様である。次に、陽極集電板12及び陰極集電板16と、コンデンサ素子4の陽極部6及び陰極部8との接続について、図6を参照する。図6はコンデンサ素子の素子端面上の陽極集電板及び陰極集電板の配置及び接続状態の一例を示している。図6において図5と同一部分には同一符号を付している。陽極集電板12及び陰極集電板16は図6に示すように、コンデンサ素子4の一端面に巻回中心部46を中心にし、且つ巻回中心部46に円弧状切欠部50を合わせて配置され、陽極部6と陰極部8との間の絶縁間隔44に対応して間隔61が設定されている。陽極集電板12には、端子接続部56Aの下面側にコンデンサ素子4の陽極部6の区画部6A、陽極集電板12の素子接続部56B、56Cの下面側にコンデンサ素子4の陽極部6の区画部6B、6Cが位置決めされて密着させられる。そして、レーザ照射接続部66では、コンデンサ素子4の周縁方向から素子中心方向に向かうレーザ照射により、区画部6B、6C及び素子接続部56B、56Cを部分的又は全面的に溶融させ、接続している。このような接続は陰極集電板16側でも同様である。レーザ照射の部位は、この実施の形態では、図6に示すように、陽極集電板12及び陰極集電板16の段部54で隔てた素子接続部56B、56C及び58B、58Cの各2箇所即ち、レーザ照射接続部66である。この場合、レーザ照射接続部66に付した矢印1、2、3及び4で示すように、レーザ照射を行う。このレーザ照射は、シールドガスにアルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガスを用いてコンデンサ素子4をシールドし、コンデンサ素子4に対するレーザ熱やスパッタの影響を回避する。1このレーザ照射は、コンデンサ素子4の外周側より、素子中心方向に向かって直線状に一方の陽極集電板12の素子接続部56Bに照射する。2次に、巻回中心部46を隔てて対向する他方の陰極集電板16の素子接続部58Bに素子中心側より、素子外周方向に向かって直線上にレーザ照射することにより、一連の動作にて溶接される。3また、同じく、レーザ照射は、コンデンサ素子4の外周側より、素子中心方向に向かって直線状に一方の陽極集電板12の素子接続部56Cに照射する。4そして、巻回中心部46を隔てて対向する他方の陰極集電板16の素子接続部58Cに素子中心側より素子外周側に向かって直線上にレーザを照射する一連の動作にて溶接される。このように、巻回中心部46を隔てて直線状にレーザ照射する一連の動作にて、陽極部6と陽極集電板12、陰極部8と陰極集電板16とが接続される。つまり、陽極部6及び陰極部8と各集電板12、16とを巻回中心部46を隔ててコンデンサ素子4の直径方向に向かう溶接ラインレーザ照射接続部66を設定して溶接するので、陽極部6及び陰極部8と各集電板12、16との接続のための溶接の時間短縮を図ることができ、製造工程の簡略化を図ることができる。なお、レーザ照射の1及び2の一連の動作を2回繰り返す、又は、レーザ照射の1ないし4の一連の動作を2回繰り返し、近傍に溶接部を配することで接続抵抗を更に低減することも可能である。レーザ照射の1及び2の一連の動作にて接続することも可能であるが、陽極集電板12、陰極集電板16の各素子接続部56B、56C、58B、58Cを、それぞれ素子中心側より素子外周側に向かって直線上に照射する等、個別に接続することもできる。また、レーザ照射の1ないし4の連続動作について、同一箇所を連続してレーザ照射するのではなく、レーザ溶接を1から4で行い、その後、再び1から4にレーザ照射すれば、同一箇所のレーザ照射に時間間隔を設けることができ、この結果、レーザ照射箇所の冷却化を図ることができ、レーザ溶接による接続の安定化が図られる。また、同一箇所に時間間隔を設けて複数回のレーザ照射を行うことも可能であるが、1回目のレーザ溶接を1から4で行い、再びレーザ溶接を1から4で行うので、冷却間隔を取りながら、レーザ照射を連続的に行うことができ、レーザ照射による溶接時間の短縮化を図ることができる。このレーザ照射の1ないし4の連続動作について、各レーザ照射の始点から終点に至る溶接ラインに対するレーザ出力を段階的又は連続的に減衰させるとよい。具体的には、レーザ出力を始点から終点にかけて3区間を設け、始点区間のレーザ出力Pa、中間区間のレーザ出力Pb、終点区間のレーザ出力Pcとし、レーザ出力をPa>Pb、Pb>Pcに減衰させている。始点区間のレーザ出力Paは最も高い値に設定され、一例として50W~3000Wである。レーザ出力Pbはレーザ出力Paの90以下のレーザ出力とし、またレーザ出力Pcはレーザ出力Paの80以下のレーザ出力としている。このように、各レーザ照射の始点から終点に至る溶接ラインに対するレーザ出力を段階的又は連続的に減衰させることで、集電板12、16、陽極部6及び陰極部8に加えられる溶接エネルギーを均一化でき、接続性を向上させることができ、安定した溶接接続を実現できる。即ち、レーザ照射を受けた陽極集電板12又は陰極集電板16及び陽極部6又は陰極部8の溶接ラインレーザ照射接続部66及びその近傍部が加熱され、レーザ照射を溶接ラインに沿って行えば、レーザ照射の走査に応じて加熱がその走査とともに連鎖状態で移動するので、レーザ出力を同一に設定しなくても、連鎖的に溶融状態となる。このため、レーザ出力を段階的及び連続的に減衰させても、溶接部に加わるレーザ照射による熱エネルギーは均一化する。このため、陽極集電板12又は陰極集電板16と陽極部6又は陰極部8との接続性が向上する。なお、図4に示すように、コンデンサ素子4の素子端面5には陽極部6及び陰極部8が形成されている。陽極部6及び陰極部8には、中心方向に向かって圧縮成形した際に、陽極部6及び陰極部8が接触しない絶縁間隔44を設定しており、このため、コンデンサ素子4の巻回中心部46近傍素子中心部から2mm以内では、陽極部6及び陰極部8が形成されていない。また、陽極部6及び陰極部8は、その形成部位が多いほど又は面積が大きいほど、抵抗の低減につながるため、陽極部6及び陰極部8が接触せず、また、低抵抗化が図れる絶縁間隔44として、例えば、3mm~15mmを設定している。また、コンデンサ素子4の最外周では、陽極部6及び陰極部8の圧縮成形時にずれ等が生じても陽極部6及び陰極部8が外装ケース20に接触しないように、陽極集電板12と接続された陽極部6、及び陰極集電板16と接続された陰極部8の外周面に絶縁紙や絶縁テープ等の絶縁手段17図1を設置すればよい。この絶縁手段17を、該陽極部6及び陰極部8に加え、陽極端子10、陰極端子14、陽極集電板12、陰極集電板16を覆うように外周に沿って設置すれば、外装ケース20との絶縁が図られる。陽極端子10と陽極集電板12の接続、陰極端子14と陰極集電板16の接続について図7を参照する。図7は陽極端子と陽極集電板、陰極端子と陰極集電板の接続を示し、図7のAは陽極端子と陽極集電板、陰極端子と陰極集電板の接続前の状態、図7のBはレーザ照射を示している。図7において図6と同一部分には同一符号を付している。コンデンサ素子4の素子端面5に接続された陽極集電板12及び陰極集電板16には、図7のA及びBに示すように、封口板22にある外部端子部材である陽極端子10、陰極端子14が位置決めされる。陽極端子10及び陰極端子14には側面部に端子側接続面64が形成され、この端子側接続面64は、陽極集電板12及び陰極集電板16にある接続面部52と接続すべき側壁面である。陽極集電板12と陽極端子10との接触面65図8が陽極集電板12側のカバー部53により、又は陰極端子14と陰極集電板16との接触面65が陰極集電板16側のカバー部53によりカバーされる。そこで、各カバー部53にレーザビームの照射位置を設定し、この照射位置にレーザ照射68を行いさらに接触面65と並行方向にレーザ照射68を行えば、既述のナゲット18がカバー部53を含んで陽極集電板12及び陽極端子10、陰極集電板16及び陰極端子14側に生成されてレーザ溶着される。これにより、接続面部52及び端子側接続面64間を溶着させることができる。この陽極集電板12と陽極端子10又は陰極集電板16と陰極端子14の溶接について図8を参照する。図8は陽極集電板12及び陽極端子10の溶接部を拡大して示している。陽極集電板12は例えば、アルミニウム板をヘッダ加工され、一例として接続面部52には断面三角形状のカバー部53が形成されている。陽極端子10も同様に例えば、アルミニウム板をヘッダ加工され、テーパ面67が形成されている。このテーパ面67の角度をカバー部53の内側壁面の傾斜角度と一致させれば、両者を合致させることができる。この場合、接触面65には加工精度に応じて隙間等が生じている。つまり、接触面65側には互いに密着している部分と、互いに上下方向に湾曲して拡開する非接触部63とを備えている。このような陽極集電板12と陽極端子10の形態は、陰極集電板16と陰極端子14との関係においても同様である。このような陽極集電板12と陽極端子10の接触面65に一致した位置にレーザビーム69の照射の中心位置照射位置71が設定されている。照射位置71は、図中接触面65に一致してもよく、また、異なった位置でもよい。このレーザビーム69の溶接形態について図9を参照する。レーザビーム69の溶接形態には、図9のAに示すように、熱伝導溶接と、図9のBに示すように、キーホール溶接とがある。金属間の溶接には何れの溶接形態を用いてもよいが、キーホール溶接では、レーザビーム69の先鋭なフォーカス75を溶接面に当てるため、先鋭で長大なナゲット18を生じ、レーザビーム69の出力によってはナゲット18の成長に応じて多数のスパッタ77が形成される場合がある。これに対し、熱伝導溶接では、レーザビーム69の照射位置71の手前にフォーカス75があるデフォーカスとし、照射位置71には口径の大きい照射部79が形成される。この照射部79では、先鋭なフォーカス75に比較し、緩やかに熱伝導を生じ、緩慢なナゲット18が形成される。即ち、熱伝導溶接では、照射部79の半径方向に広がりを持つナゲット18が生成される。この溶接処理では、レーザビーム69をデフォーカスすることによりナゲット径を拡大し、キーホール溶接を熱伝導溶接に移行させている。このような熱伝導溶接によって形成されたナゲット18について図10を参照する。図10は照射位置71にレーザビーム69を照射し、その照射形態はデフォーカスによりナゲット径を拡大させている。即ち、図10では、ナゲット中心Oを接触面65に一致するよう設定しているが、図中上方又は下方接触面65に対して交差方向を異ならせるに設定してもよい。このような熱伝導溶接では、照射位置71が接触面65と一致しているため、ナゲット径が拡大されたナゲット18には接触面65が取り込まれ、陽極集電板12と陽極端子10が溶接されている。この図10において、φはナゲット径、Ndはナゲット深さ、Wdは溶接深さである。ナゲット径φが大きく、ナゲット18がキーホール溶接に比較して偏平に近づくため、ナゲット深さNdと同等の溶接深さWd≒Ndが得られる。つまり、これにより溶接精度及び溶接強度が高められる。また、ナゲット18の外面部には、溶接前、カバー部53が接触面65側に互いに密着している部分と、互いに上下方向に湾曲して拡開する非接触部が溶融によって一体化されることにより、緩やかな面部81が生成されている。なお、レーザビーム69の照射位置71を図11のAに示すように、カバー部53又はカバー部53を設けた集電板の側面の範囲において、接触面65より上方向に異ならせ、又は図11のBに示すように、下方向に異ならせてもよい。この場合においても、ナゲット径が拡大されたナゲット18には接触面65が取り込まれ、陽極集電板12と陽極端子10が溶接される。この図11において、φはナゲット径、Ndはナゲット深さ、Wdは溶接深さである。ナゲット径φが大きく、ナゲット18がキーホール溶接に比較して偏平に近づくため、ナゲット深さNdと同等の溶接深さWd≒Ndが得られる。つまり、これにより溶接精度及び溶接強度が高められる。なお、ナゲット深さNdと溶接深さWdとの寸法差を0.5mm以内に設定することで所望の溶接強度が得られる。ナゲット18は、陽極集電板12と陽極端子10との接触面65、又は陰極集電板16と陰極端子14との接触面65と平行方向接続面部52及び端子側接続面64に沿って平行方向に連続又は非連続にて形成される。そして、この実施の形態では、コンデンサ素子4と封口板22との間隔距離を極力短くしている。コンデンサ素子4と封口板22との間隔距離を長く取ると、その分抵抗が増え、電気二重層コンデンサ2の高さ寸法が大きくなるが、斯かる不都合をコンデンサ素子4と封口板22との間隔距離を極力短くして回避している。このような小スペースにおいて、陽極端子10及び陰極端子14と、陽極集電板12及び陰極集電板16とを接続するために、既述の通り、接続面部52及び端子側接続面64を一致した共通の面部とし、この部位つまり接触面65と一致しない部位に溶接可能なレーザ照射にて溶接することで溶接の簡易化及び強化が図られている。ここで、陽極集電板12及び陰極集電板16、陽極端子10及び陰極端子14の厚み接続面部52及び端子側接続面64の高さ寸法は、それぞれ0.5mm~5mmの範囲で設定されており、これによると、レーザ溶接が可能な寸法で且つ内部抵抗が増大され難く、また、電気二重層コンデンサ2の高さ寸法を短くすることができる。また、接続面部52及び端子側接続面64は、レーザ照射の際に他の部材陽極部6や陰極部8への過剰なストレスを防ぐためにも、コンデンサ素子4の外周面近傍に設置されることが好ましく、具体的には、コンデンサ素子4の外周面より、例えば、10mm以内とすることが好ましい。また、陽極集電板12、陰極集電板16において、コンデンサ素子4の陽極部6及び陰極部8との接続領域と、陽極端子10と陰極端子14との接続領域とが異なる位置に設定されているので、各電極部と集電板、各外部端子と集電板との接続を安定化させることができ、コンデンサ素子の低抵抗化とともに接続の強化を図ることができる。以上説明した第1の実施の形態の電気二重層コンデンサ2の特徴事項や利点を列挙すれば以下の通りである。コンデンサ素子4の一端面側に陽極体60の基材で陽極部6、陰極体80の基材で陰極部8が形成され、陽極部6と陽極端子10とが陽極集電板12を介して接続され、陰極部8と陰極端子14とが陰極集電板16を介して接続されるので、端子接続のシンプル化が図られている。しかも、接続を容易化することができる。外装ケース20の空間部24内に接続部の占める空間専有率が極めて低い。外装部材である封口板22には、コンデンサ素子4が強固に支持されている。即ち、陽極端子10及び陰極端子14に陽極集電板12、陰極集電板16を介してコンデンサ素子4の陽極部6及び陰極部8がレーザ溶接により、強固に固定されるので、コンデンサ素子4の支持強度が高められている。この結果、機械的に堅牢な支持構造が構成され、製品の耐震性を高めることができる。巻回素子であるコンデンサ素子4に巻回されている陽極体60から複数の側縁部を集合させて陽極部6が形成され、この陽極部6を陽極集電板12にレーザ溶接し、同様に、陰極体80から複数の側縁部を集合させて陰極部8が形成され、この陰極部8を陰極集電板16にレーザ溶接しているので、コンデンサ素子4及び電気二重層コンデンサ2の低抵抗化を図ることができ、等価直列抵抗の低い製品を提供できる。陽極集電板12及び陰極集電板16を用いたので、コンデンサ素子4にタブを接続する必要がない。陽極集電板12又は陰極集電板16と外部端子陽極端子10又は陰極端子14との側面を同一面化しているので、両者に対するレーザ照射を安定でき、接続の完全化及び信頼性を高めることができる。レーザ照射時にシールドガスを用いるので、レーザ熱や、飛翔するスパッタからコンデンサ素子4を防護でき、コンデンサ素子4及び製品であるコンデンサ2の特性劣化を防止でき、信頼性を向上させることができる。上記実施の形態では、レーザビーム69を用いているが、レーザビーム69に変えて電子ビームを用いてもよい。レーザビーム69又は電子ビームを陽極集電板12又は陰極集電板16と外部端子部材との接触面65と異なる位置に照射するので、集電板と外部端子部材との接触面の状態に無関係に両者を溶接することができる。レーザビーム69は、外部端子側の照射位置71の他、レーザ照射に適した面部を選択すればよく、何れかの平坦面を選択してレーザビーム又は電子ビームを照射できる。このようなレーザビーム69又は電子ビームの照射形態では、陽極集電板12又は陰極集電板16と外部端子部材との接触面の加工精度が低い場合でも、隙間があっても、最適な溶接領域ナゲット深さを得ることができ集電板と外部端子部材との間の溶接精度や溶接強度を高めることができる。陽極集電板12又は陰極集電板16や外部端子部材にはアルミニウムなどの比較的低い硬度の金属材料が使用され、ヘッダ加工などにより加工される場合には加工精度に限界がある。陽極集電板12又は陰極集電板16と外部端子部材との間の接触面間に生じる隙間を避けることができない。このような場合に、既述のレーザビームや電子ビームの照射位置71が陽極集電板12又は陰極集電板16の側面にあるカバー部53に設定され、つまり、平坦なレーザ溶接に適した面部を選択でき、溶接精度を高めることができる。上記実施の形態では、レーザビーム又は電子ビームの照射位置71が接触面65と直交方向等、交差方向に異ならせてもよく、接触面65と同一位置であってもよい。レーザビーム又は電子ビームの照射位置71が接触面65と交差方向に異なればよいが、その多寡及びその範囲は例えば、±0.1~±0.5mmであることが好ましい。この範囲に設定することでレーザビーム又は電子ビームによる溶接範囲に接触面65を含めることができる。レーザ溶接又は電子ビーム溶接のナゲット18の深さは溶接が可能であればよく、例えば、1.2mm以下が好ましい。この範囲を超えると、レーザビーム又は電子ビームの照射範囲が広くなり、集電板及び外部端子部材の厚み寸法が増えるため、コンデンサが大型化してしまう。第2の実施の形態第2の実施の形態は、既述のコンデンサの製造方法について開示している。第2の実施の形態について、図12、図13及び図14を参照する。図12は、第2の実施の形態に係る電気二重層コンデンサの製造工程の一例を示すフローチャート、図13は陽極部及び陰極部の成形状態、図14は集電板とコンデンサ素子とのレーザ溶接工程を示している。この製造工程は、本発明のコンデンサの製造方法の一例であって、図12に示すように、コンデンサ素子4及び電極部電極張出し部の形成工程ステップS11、陽極部6及び陰極部8の成形工程ステップS12、第1の接続工程ステップS13、第2の接続工程ステップS14、電解液含浸及び封止工程ステップS15を含んでいる。コンデンサ素子4及び電極部電極張出し部の形成工程ステップS11図3に示すように、陽極体60及び陰極体80の間にセパレータ40、42を挟み込み、巻回中心部46を中心に円筒状に巻回することにより、コンデンサ素子4が形成される。このコンデンサ素子4には、素子端面側に陽極体60及び陰極体80の一部を張り出させ、電極張出し部としての陽極部6及び陰極部8が形成される。陽極部6及び陰極部8には絶縁間隔44が設定されている。陽極部6及び陰極部8の成形工程ステップS12この成形工程では、電極張出し部としての陽極部6及び陰極部8を図4のAに示すように、既述の区画部6A、6B、6C、8A、8B、8Cに区画し、図4のBに示すように、それぞれを巻回中心部46の方向に折曲げ、成形するステップS12。その成形は、図13に示すように、陽極集電板12、陰極集電板16の屈曲形状に対応し、密着可能な高さに成形される。図13において、A及びBは陽極集電板12に接続される陽極部6の区画部6B、6C、陰極集電板16に接続される陰極部8の区画部8B、8Cの折曲げ状態成形状態を示し、Aは、後述する陽極集電板12及び陰極集電板16を設置する前の成形状態を示し、Bは陽極集電板12及び陰極集電板16を設置後の成形状態を示す。つまり、陽極集電板12及び陰極集電板16を陽極部6及び陰極部8に押し付けて、又は陽極部6及び陰極部8を陽極集電板12及び陰極集電板16に押し付けて圧縮することで、該陽極部6の区画部6B、6C及び陰極部8の区画部8B、8Cが平坦状となり、陽極集電板12、陰極集電板16に密着することになる。また、図3に示すように、陽極部6又は陰極部8を折り曲げ、成形する前に陽極部6又は陰極部8に予め折り目線43を設けても良い。折り目線43は、素子端面5から一定の幅0.5mm以上の位置に形成されており、これにより陽極部6又は陰極部8の折り曲げ時に素子端面位置のセパレータ部位に加わる機械的ストレスが減少し、陽極体60、陰極体80の接触によるショート等を防止可能となる。なお、この折り目線43はキズではなくケガキ線であって、陽極部6及び陰極部8の折り曲げ時の座屈を防止することができる。この折り目線43は溝であり、断面形状は三角、四角又は湾曲Rであってもよい。この折り目線43の形成には例えば、プレス、レーザ、切削等の方法を用いればよい。折り目線43は図3に示すように1本であってもよいが、陽極部6又は陰極部8の幅に応じて複数本としてもよい。折り目線43の形成面部は、陽極部6又は陰極部8の片面でもよいが、両面であってもよい。一例としての折り目線43は、素子端面の巻回中心部46に対向する面が谷折りになるように形成されている。第1の接続工程ステップS13この接続工程ステップS13では、図14のAに示すように、コンデンサ素子4の陽極部6に陽極集電板12、コンデンサ素子4の陰極部8に陰極集電板16を位置決めし、図14のBに示すように、陽極部6に陽極集電板12をまた、陰極部8に陰極集電板16をそれぞれレーザ溶接により接続する。このレーザ溶接では、アルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガスをシールドガスに用いることにより、コンデンサ素子4をシールドし、レーザ熱や飛翔するスパッタからコンデンサ素子4を分離させる。第2の接続工程ステップS14この接続工程ステップS14では、図7に示すように、陽極部6に接続された陽極集電板12の接続面52に封口板22にある陽極端子10の端子側接続面64を対応させ、接触面65と同一位置となる既述の照射位置71の何れかにレーザビーム69又は電子ビームを照射し、さらに既述の接触面65と並行方向にレーザビーム69又は電子ビームを走査して溶接する。同様に、陰極部8に接続された陰極集電板16に封口板22の陰極端子14をレーザ溶接により接続する。このレーザ溶接においても、アルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガスをシールドガスに用いることにより、コンデンサ素子4をシールドし、レーザ熱や飛翔するスパッタからコンデンサ素子4を分離させる。この実施の形態では、図7のAに示すように、コンデンサ素子4の陽極部6に接続された陽極集電板12に対して封口板22の陽極端子10を位置決めし、同時にコンデンサ素子4の陰極部8に接続された陰極集電板16に対して封口板22の陰極端子14を位置決めすることにより、図7のBに示すように、それぞれをレーザ溶接する。18は既述のナゲットである。なお、封口板22は陽極端子10及び陰極端子14のインサートにより合成樹脂を成形インサート成形し、これによりベース部26及び封止部28が形成される。電解液含浸及び封止工程ステップS15コンデンサ素子4は、電解液を含浸した後、外装ケース20に収容し、外装ケース20の開口端部34のカーリング処理により封止しステップS15、製品である電気二重層コンデンサ2図1を完成する。このような製造工程によれば、既述の電気二重層コンデンサ2を容易に製造でき、端子接続工程の簡略化を図ることができ、第1の実施の形態で述べた通りの効果を有するコンデンサを実現できる。この製造工程において、レーザビーム又は電子ビームのデフォーカス位置はレーザビーム69又は電子ビームの照射位置71から異なればよく、例えば、0.2mm~2.0mm以下の範囲に設定することが好ましい。第3の実施の形態第3の実施の形態では、外部端子の配置及び集電板の形態について開示する。第3の実施の形態について、図15を参照する。図15は第3の実施の形態に係る集電板と外部端子との接続を示し、Aは接続前、Bは接続中のレーザ照射を示している。この実施の形態の封口板22に設置された陽極端子10及び陰極端子14は、図15のAに示すように、コンデンサ素子4の素子端面5の巻回中心部46に近接して配置されている。そして、陽極端子10及び陰極端子14の端子側接続面64は、コンデンサ素子4の外周面より巻回中心部46側に後退している。このような陽極端子10、陰極端子14及び端子側接続面64に対し、この実施の形態では、図15のAに示すように、陽極集電板12及び陰極集電板16の端子接続部56A、58Aに巻回中心部46側に後退した凹部70が形成されている。この凹部70には陽極端子10又は陰極端子14の端子側接続面64に対応して既述の接続面部52が形成されている。この場合、陽極集電板12又は陰極集電板16では、端子側接続面64の側面部に対し素子接続部56B、56Cは、コンデンサ素子4の外周方向に突出する平坦部を構成している。このような構成とすれば、図15のBに示すように、コンデンサ素子4の素子端面5の巻回中心部46に近接して陽極端子10や陰極端子14が配置されていても、端子側接続面64及び接続面52を対応させて維持し、上記実施の形態と同様に、照射位置71から選択された平坦面にレーザ照射68による接続を行うことができる。この場合、カバー部53は接続面52側に形成され、陽極端子10と陽極集電板12との接触面65、陰極端子14と陰極集電板16との接触面65を覆うことができ、カバー部53の外面にレーザビーム69又は電子ビームを照射し、溶接の安定化を図ることができる。なお、この実施の形態では、陽極集電板12及び陰極集電板16に凹部70を形成しているが、凸部を以て接続面52を形成してもよい。第4の実施の形態第4の実施の形態では、集電板の他の形態について開示しているが、このような集電板を用いた場合にも、既述の接触面65と同一位置にレーザビームや電子ビームの照射位置を設定すればよい。第4の実施の形態について、図16を参照する。図16は第4の実施の形態に係る集電板、集電板と外部端子との接続を示し、Aは接続前の集電板、Bは接続前、Cは接続中のレーザ照射を示している。この実施の形態の集電板12、16は、図16のAに示すように、間隔61を設けてコンデンサ素子4の素子端面5を覆う形態であり、第1の実施の形態と同様に裏面側には区画部6A、8Aを収納させる凹部89が形成されている。この集電板12、16の表面部には、コンデンサ素子4の区画部6A、8Aとの接続部分を扇形の突部91とし、この突部91を挟んで、コンデンサ素子4の区画部6B、6C、8B、8Cに対応する凹部93、95が形成されている。凹部93、95が外部端子との接続部よりコンデンサ素子4の外周方向に突出する平坦部を構成する。突部91には、周縁側に切欠部97が形成され、この切欠部97に臨む周縁部を円弧状に形成して陽極端子10又は陰極端子14との接続面99が形成されている。凹部93、95側には集電板12、16を同時に把持チャッキングする手段として、直方体状の突起部101が形成されている。この実施の形態の集電板12、16は、図16のBに示すように、コンデンサ素子4の素子端面5を覆って設置され、陽極部6と集電板12の凹部93、95とがレーザ溶接により接続され、同様に陰極部8と集電板16の凹部93、95とがレーザ溶接により接続される。そして、図16のCに示すように、コンデンサ素子4に接続された集電板12には陽極端子10が重ねられ、集電板16には陰極端子14が重ねられ、陽極端子10の接続面64と対応する曲面を持つ接続面99を合致させ、同様に陰極端子14の曲面部と対応する曲面を持つ接続面99を合わせて位置決めする。この位置決め状態により、レーザ照射68を行うことにより各集電板12、16と陽極端子10又は陰極端子14とを接続する。凹部93、95は、突部91にある、陽極端子10又は陰極端子14に接続される接続面99即ち、外部端子部材と溶接された側面部より集電板12、16の外周方向に突出する平坦部を構成している。この平坦部でコンデンサ素子4の素子端面5を被覆することができる。斯かる構成では、コンデンサ素子4の素子端面5が集電板12、16で覆われており、接続面99側のレーザ照射68によるスパッタの飛翔からコンデンサ素子4の素子端面5を防護できる。しかも、接続面99は、陽極端子10、陰極端子14の曲面に対応する曲面としているが、陽極端子10又は陰極端子14と集電板12又は集電板16との接触面65に隙間が生じていても、接触面65と同一位置にレーザビームや電子ビームの照射位置71を設定すればよい。斯かる構成によれば、上記実施の形態と同様に良好なレーザ溶接が行え、溶接精度を高めることができる。第5の実施の形態第5の実施の形態は、封口板、外部端子又は集電板の何れかに位置決め手段を設け、位置決め手段で外部端子と集電板との接続位置を決定することを開示している。第5の実施の形態について、図17を参照する。図17は第5の実施の形態に係る封口板を示し、Aは背面側から見た封口板、Bは封口板で位置決めされた陽極集電板及び陰極集電板を示している。この実施の形態の封口板22の背面側には、図17のAに示すように、陽極端子10及び陰極端子14との間にある空間部に絶縁材料からなる位置決め凸部72が形成され、この位置決め凸部72をコンデンサ素子4図1の巻回中心部46に向けて突出させている。この位置決め凸部72は、円柱状部74と、一対の平板状立壁部76とを備えている。円柱状部74は、陽極集電板12と陰極集電板16のそれぞれの円弧状切欠部50の円弧に対応する柱体部である。円柱状部74は、平板状立壁部76を備え、円柱状部74を中心に陽極集電板12及び陰極集電板16の間隔61を維持する平板状立壁部76を左右に備えている。このような位置決め凸部72を備えた封口板22を備えれば、図17のBに示すように、位置決め凸部72で陽極集電板12及び陰極集電板16を所定位置に位置決めし、間隔61を所定幅wに維持することができる。即ち、位置決め凸部72の円柱状部74では陽極集電板12及び陰極集電板16の円弧状切欠部50を嵌合させ、各平板状立壁部76の側面に陽極集電板12及び陰極集電板16を接することにより、陽極集電板12及び陰極集電板16が所定位置に位置決めされる。この位置決めにより、陽極端子10の端子側接続面64と陽極集電板12の接続面52、陰極端子14の端子側接続面64と陰極集電板16の接続面52をそれぞれ一致させることができ、レーザ照射による接続の安定化を図り、接続精度を高めることができるとともに、位置決め凸部72によって、陽極部6及び陰極部8が確実に絶縁隔離される。なお、この実施の形態では、封口板22側に位置決め凸部72を形成したが、外部端子陽極端子10、陰極端子14又は集電板陽極集電板12及び陰極集電板16の何れかに位置決め手段を設けてもよい。斯かる構成によっても、位置決め手段で外部端子と集電板との接続位置を決めることができ、レーザ照射面として照射位置71を選択すればよく、接続の安定化とともに信頼性の高い溶接接続が得られる。第6の実施の形態第6の実施の形態は、集電板と外部端子部材として接続板を備える構成である。斯かる構成では集電板と接続板とをレーザ溶接又は電子ビーム溶接で接続する際に、集電板と接続板の接触面65とレーザ溶接又は電子ビーム溶接の照射位置とを異ならせてもよく、また、同一であってもよい。つまり、接触面65が不安定であっても、カバー部53がレーザ照射又は電子ビーム照射で溶融し、不安定な面部を溶融金属で補うことができ、安定した溶接が得られ、溶接精度を高めることができる。第6の実施の形態について、図18を参照する。図18は第6の実施の形態に係る電気二重層コンデンサを示している。この第6の実施の形態では、図18に示すように、陽極端子部材として陽極端子10とともに陽極接続板88、陰極端子部材として陰極端子14とともに陰極接続板90を備えた構成である。陽極接続板88は陽極端子10にレーザ溶接により接続された後、コンデンサ素子4側の陽極集電板12に接続される。同様に、陰極接続板90は陰極端子14にレーザ溶接により接続された後、コンデンサ素子4側の陰極集電板16に接続される。陽極接続板88には陽極端子10を位置決めして接続する接続用凹部92、陰極接続板90には陰極端子14を位置決めして接続する接続用凹部94が形成されている。また、陽極接続板88及び陰極接続板90の周面の一部には、陽極集電板12又は陰極集電板16の接続面52に対応する接続面部96が形成され、この接続面部96と接続面52とを対応させてレーザ溶接が施されて電気的に接続される。このような陽極接続板88及び陰極接続板90を用いた構成では、外部端子である陽極端子10、陰極端子14と、コンデンサ素子4側に接続された陽極集電板12、陰極集電板16との接続が広範囲に行われ、接続抵抗を低減でき、しかも接続強度を高めることができる。そして、この実施の形態においても、陽極集電板12にカバー部53を備えることにより、陽極接続板88との接触面65をカバー部53で覆い、カバー部53上にレーザビーム69又は電子ビームの照射位置71を設定し、レーザ溶接や電子ビーム溶接を行うことがで、溶接精度を高めることができる。このような構成は陰極集電板16においても同様である。他の実施の形態上記実施の形態では、コンデンサ素子として巻回素子を例示したが、巻回素子に限定されない。積層型素子や固体素子であってもよい。上記実施の形態では、コンデンサ素子4の素子端面5の一方に陽極部6及び陰極部8を備えて外部端子に接続する構成を開示しているが、一方の素子端面に陽極部、他方の素子端面に陰極部を備える構成としてもよい。上記実施の形態では、電気二重層コンデンサ2を例示したが、本発明はこれに限定されない。同一の構造及び方法は、電解コンデンサにも同様に適用でき、同様の効果が得られる。上記実施の形態では、集電板として陽極集電板12、陰極集電板16を例示したが、本発明は上記実施の形態に限定されない。接続面52は、フラット面としたが、外部端子の形状に合致する形状として、曲面であってもよい。この接続面52の位置についても、集電板の面内又は周面の何れでもよいし、接続用凸部を設けてもよい。上記実施の形態では、陽極部と陰極部との間に絶縁間隔を設置しているが、この絶縁間隔に絶縁部材を設置してもよい。上記実施の形態では、陽極部6及び陰極部8を半円形状に形成したが、本発明はこれに限定されない。実施の形態で示した陽極部6の区画部6A、6B、6C、陰極部8の区画部8A、8B、8Cのうち、陽極集電板12と陰極集電板16と接続する区画部6B、6C及び8B、8Cのみ張り出して形成し、陽極部の区画部6A及び陰極部の区画部8Aは張り出さなくてもよい。上記実施の形態では、集電板の異なる位置として3分割された区分により、陽極部6及び陰極部8との素子接続領域である素子接続部56B、56C又は58B、58C、端子接続領域である端子接続部56A又は58Aとが集電板の表裏面に設定され、水平方向に異なる位置に設定しているが、これに限定されない。集電板の一部に素子接続領域レーザ照射接続部66を設定し、その他の部位に端子溶接領域つまりナゲット18を設定してもよい。即ち、集電板の表裏面で溶接位置が異なれば、素子接続領域と端子接続領域が近接していてもよい。つまり、素子接続領域である素子接続部56B又は58B又は56C又は58Cにおいてレーザ照射接続部66と集電板の表裏面で溶接位置が重ならない部位にナゲット18を形成してもよい。陽極端子10又は陰極端子14と陽極集電板12又は陰極集電板16との接触面65を覆うカバー部53は、図19のAに示すように、接続面部52を延長して立設させた構成でもよい。このようなカバー部53の外面上の平坦面部に図19のBに示すように、照射位置71を設定してレーザビーム又は電子ビームを照射すれば、カバー部53とともに陽極端子10又は陰極端子14と陽極集電板12又は陰極集電板16を溶融させ、ナゲット18を形成することができ、溶接精度を高めることができる。上記実施の形態では、カバー部53を集電板12、16側に形成したが、外部端子部材である陽極端子10又は陰極端子14又は接続板に形成し、接触面65を覆う構成としてもよく、上記実施の形態と同様の効果が得られる。以上説明したように、本発明の最も好ましい実施の形態等について説明したが、本発明は、上記記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載され、又は発明を実施するための形態に開示された発明の要旨に基づき、当業者において様々な変形や変更が可能であることは勿論であり、斯かる変形や変更が、本発明の範囲に含まれることは言うまでもない。