転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置であって、前記半導体基板の表面に溶液を投下する投下手段と、触媒として作用する前記転写部の表面を、前記溶液が投下された前記半導体基板の表面に接触するべく水平移動する水平移動手段と、を備えることを特徴する半導体製造装置。前記投下手段が、前記転写部の表面を前記水平移動する領域に前記溶液を投下することを特徴する請求項1に記載の半導体製造装置。前記投下手段が、前記水平移動手段が前記転写部の表面を前記水平移動する前、または前記水平移動するとともに、前記溶液を投下することを特徴する請求項1または請求項2に半導体製造装置。前記投下手段は、前記半導体基板毎に所定量の溶液を投下することを特徴する請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体製造装置。前記転写部の表面が薄板状であり、前記転写部の表面が、前記転写部の表面を前記水平移動する方向と、前記半導体基板の表面に垂直な方向とがなす平面上にある方向に曲がることを特徴する請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の半導体製造装置。前記水平移動手段が前記水平移動する場合に、所定の速度で移動することを特徴する請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の半導体製造装置。前記触媒は、前記溶液の分解触媒であることを特徴とする請求項1乃至請求項6に記載の半導体製造装置。前記溶液は、前記半導体基板を酸化しかつ溶解する機能を備えることを特徴とする請求項1乃至請求項7に記載の半導体製造装置。前記基板はシリコン基板であることを特徴とする請求項1乃至請求項8に記載の半導体製造装置。前記半導体は太陽電池であることを特徴とする請求項1乃至請求項9に記載の半導体製造装置。前記溶液は、温度を加熱保温していることを特徴とする請求項1乃至請求項10に記載の半導体製造装置。転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置による半導体製造方法であって、前記半導体基板の表面に溶液を投下する投下工程と、触媒として作用する前記転写部の表面を、前記溶液が投下された前記半導体基板の表面に接触するべく水平移動する水平移動工程と、を含むことを特徴する半導体製造方法。従来技術における半導体基板表面を浸漬して転写処理する場合には、半導体基板表面が浸漬可能な大量の溶液が必要になり、転写処理自体に必要な量を超えた溶液を準備する必要があり、少枚数の半導体基板を転写処理する場合においては、浸漬するために大量の溶液を使用することが、溶液のコストアップとなってしまい、転写処理に十分な量のだけの溶液を使用したいといった課題を解決することはできないという問題がある。本願発明は、半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供することを目的とする。本願発明は、転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置であって、前記半導体基板の表面に溶液を投下する投下手段と、触媒として作用する前記転写部の表面を、前記溶液が投下された前記半導体基板の表面に接触するべく水平移動する水平移動手段と、を備えることを特徴する。また、前記投下手段が、前記転写部の表面を前記水平移動する領域に前記溶液を投下することを特徴する。また、前記投下手段が、前記水平移動手段が前記転写部の表面を前記水平移動する前、または前記水平移動するとともに、前記溶液を投下することを特徴する。また、前記投下手段は、前記半導体基板毎に所定量の溶液を投下することを特徴する。また、前記転写部の表面が薄板状であり、前記転写部の表面が、前記転写部の表面を前記水平移動する方向と、前記半導体基板の表面に垂直な方向とがなす平面上にある方向に曲がることを特徴する。また、前記水平移動手段が前記水平移動する場合に、所定の速度で移動することを特徴する。また、前記触媒は、前記溶液の分解触媒であることを特徴とする。また、前記溶液は、前記半導体基板を酸化しかつ溶解する機能を備えることを特徴とする。また、前記基板はシリコン基板であることを特徴とする。また、前記半導体は太陽電池であることを特徴とする。また、前記溶液は、温度を加熱保温していることを特徴とする。本願発明は、半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供することが可能となる。図1を説明する。<第1の実施例>図1は、転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置のハードウエア構成を示す図である。図1は、本願発明の半導体製造装置を正面から見た図の断面図である。100は基板であり、本願発明の転写処理の対象となるものである。101は基板保持部である。転写処理中に基板保持部は同じ位置を保持する。基板保持部101の部材としては、基板100との相性からシリコンにしてもよい。これにより、転写処理により基板100が破損することを回避することができる。103は転写部であり、転写処理中水平移動中において、基板100の表面に接触するように配置される。少なくとも基板100に接触する表面には触媒白金がコーティングされており、基板100の表面に接触するように配置されると、図6に示すように、表面にコーティングされた触媒が溶液404過酸化水素水とフッ化水素水の混合溶液中で過酸化水素水の分解触媒として作用することで、図7に示すように基板100の表面がエッチングされる。転写部103は、図1に示すように転写部を半導体基板の表面に接触するように配置した時に半導体基板100の表面と接触することが可能な形状を備えている。転写部は103、表面に白金である触媒を備えている。転写部1本の長さは、例えば2cmであるがが、特に限定されない。図1の転写部ユニットに示すように、複数例えば500本の転写部103を垂直に立てた状態で、平面上に均等に並べることで、転写部をブラシ刷毛の形状にする。また転写部103の部材としては転写処理の際に、基板100との接触の圧力や基板100自体の反りを考慮すると柔らかい弾性体であり、かつ溶液404に対する耐食性を備えることが望ましい。104は転写部ユニットであり、転写部103と液供給口105と液供給路106と液分散スペース107と投下部108が一体となって構成される。転写部ユニット104は、転写部103と連結し、転写部103を保持する。105は液供給口であり、供給制御部111から送られた溶液404を転写部ユニット104内部の液供給路106に送るための供給口穴である。液供給口105は1つに限定されるものではなく、供給制御部から送られた所定量の溶液404を基板100の表面に均一に分散されるように、複数例えば10個程度の液供給口が直列に配置されているものであってもよい。106は液供給路であり、液供給口105から送られた溶液404をに液分散スペース107に送ることができる通路であり、3次元の長方体型の空間スペース縦型である。107は液分散スペースであり、液供給路106から送られた溶液404を転写部ユニット104の下に投下する投下部108に送る前に一旦溶液が溜まる3次元の長方体型の空間スペース横型である。111は供給制御部であり、転写処理回数例えば基板毎単位で所定の量例えば50ccの溶液404を供給する。供給制御部111は液供給口105の上部に設置させてもよく。液供給口105よりも下部に設置されてもよい。112は転写部ユニット水平移動制御部であり、転写部ユニット104を吊り下げたままで、転写部ユニット104が所定の速度を維持するように、直進方向水平方向に移動する。よって、転写部ユニット水平移動制御部112により、触媒として作用する転写部103の表面を、溶液404が投下された半導体基板100の表面に接触するように水平移動することができる水平移動手段。転写部ユニット水平移動制御部112が、転写部ユニット104を水平移動する場合には、所定の速度例えば100mm/secで移動する。本願発明の溶液404は、フッ化水素酸水溶液HF濃度が5.4Mであり、過酸化水素水H2O2濃度が7.2Mの混合溶液、または濃度が2.7Mであり、過酸化水素水H2O2濃度が8.1Mの混合溶液を使用して転写処理を行った。本願発明の溶液404の温度は、室温放置温度例えば25°C、または溶液を加熱して溶液温度を所定範囲に保持した温度例えば60°Cに制御して転写処理を行った。常温だと反応速度が遅く、反応熱で60°Cになると速度が速くなることが測定された。そのため、穴から注入する溶液は、60°Cに加熱保温しておくことが望ましい。図2は、転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置のハードウエア構成を示す図である。図2は、本願発明の半導体製造装置を横から見た図の断面図である。状態1を示す図である。転写部ユニットが水平移動を開始した後に、基板の端に、転写部ユニット104が配置された場合である。例えば転写部ユニットが水平移動を開始してから1秒後の状態108は投下部であり、半導体基板100の表面上にあり、半導体基板100の表面よりも上方高いの位置から半導体基板100の表面に溶液404を投下することができる投下手段。投下部108は、転写部103の表面を水平移動する領域転写部と基板が接触する領域に溶液404を投下する。投下部108は、転写部ユニット水平移動制御部112が、転写部103の表面を水平移動するとともに溶液を投下する。図2とは異なり、投下部108と転写部ユニットが同期して移動しないハードウエア構成を設計する場合には、転写部ユニット水平移動制御部112が、転写部103の表面を水平移動する前に、供給制御部111を備える投下部108だけが、転写部と基板が接触する領域を水平移動して溶液を投下してもよい。投下部108は、半導体基板毎に所定量例えば50ccの溶液を投下する。投下部108は、所定量例えば50ccの溶液を、転写部103の表面を水平移動する領域転写部と基板が接触する領域に均一に投下する。図3は、転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置のハードウエア構成を示す図である。図3は、本願発明の半導体製造装置を横から見た図の断面図である。状態2を示す図である。転写部ユニットが水平移動を開始した後に、状態1を経て、基板の中心に、転写部ユニット104が配置された場合である。例えば転写部ユニットが水平移動を開始してから3秒後の状態図4を説明する。図4は半導体基板100の表面の転写処理加工が完了した後の、半導体基板100の表面を上から見た図である。つまりこの表面が半導体基板100の表面の転写処理中に転写部103と接触する表面である。301の領域黒い領域は非転写部分の領域であり、801の転写部間のスペースの領域エッチングされないに該当する領域である。302の領域直線状の白い領域は転写部分の領域であり、201の触媒の領域エッチングされるに該当する領域である。なお、半導体基板100の表面を上から見た図の形は、四角形に限定されたものではなく、単結晶シリコンウエハのような円形型や、その他、本願発明の転写処理を実行可能な形状であればよい。図2及び図3は、同一の基板100上での連続的な転写部103と基板100の位置の状態を示す図であり、図2の状態1⇒図3の状態2の順序で転写処理が進んだ場合の転写部103及び基板100の位置の変化を示している。同様に図6及び図7図2及び図3を拡大したものは、同一の基板100上での連続的な転写部103と基板100の位置の状態を示す図であり、図6の状態1⇒図7の状態2の順序で転写処理が進んだ場合の転写部103及び基板100の位置の変化を示している。図5を説明する。図5は、転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置による半導体製造方法処理ステップである。ステップS101では、転写部ユニット水平移動制御部112が、転写部ユニット104を、基板の端に配置する配置工程。ステップS102では、投下部108が、半導体基板の表面に溶液の投下を開始する投下工程。ステップS103では、転写部ユニット水平移動制御部112が、触媒として作用する転写部の表面を、溶液404が投下された半導体基板100の表面に接触するように維持したままで、水平移動を基板の端から開始する水平移動工程。転写部ユニット水平移動制御部112が、触媒として作用する転写部の表面を、溶液404が投下された半導体基板100の表面に接触するように維持したままで、水平移動を基板の端反対側ので停止する水平移動工程。投下部108が、半導体基板の表面に溶液の投下を停止する投下工程。ステップS104では、転写部103が、転写部103の形状を基板100の表面に転写する転写工程。転写処理を終了する。図6を説明する。図6は図2の状態1での転写部103と基板100を拡大した図である。転写部ユニットが水平移動を開始した後に、基板の端に、転写部ユニット104が配置された場合である。例えば転写部ユニットが水平移動を開始してから1秒後の状態投下部108が溶液404を投下している。転写部ユニット104がすでに一定の時間距離を水平移動しているので、基板100の表面には、既に投下した溶液404が、基板100の一部の表面に、供給されている。供給された溶液404は、転写部103及び基板と接触する位置反応スペース403において、基板がエッチング転写部の形状を基板に転写される。図7を説明する。図7は図3の状態2での転写部103と基板100を拡大した図である。転写部ユニットが水平移動を開始した後に、状態1を経て、基板の中心に、転写部ユニット104が配置された場合である。例えば転写部ユニットが水平移動を開始してから3秒後の状態溶液404が接触界面反応スペース403において、触媒及び基板と反応することにより、基板がエッチング転写部の形状を基板の表面に転写される。なお、触媒201白金は転写部103の全面表面全てを被覆する必要はなく、転写処理中において基板100に接触する面にあればよい。また転写部103の部材すべてを触媒201白金で作成してもよい。図8を説明する。図8は複数の本数の薄い板状の転写部103の先端を基板の表面に接触するようにして、基板の表面を転写部103が水平移動している時を拡大した図である。801の領域は転写部がない隣り合う転写部103同士の隙間である。転写部103の表面が薄い板状である。転写部103の表面の幅は例えば50μmである。転写部103の側面の幅は例えば5μmである。転写部同士の隙間の幅は例えば50μmである。転写部103の表面は、転写部が薄い板状であるため、転写部103の表面を水平移動する方向と、半導体基板の表面に垂直な方向とがなす平面上にある方向には曲がる。<第2の実施例>図9を説明する。901は吸取部ユニットであり、吸取部903と吸取部乾燥用エアー供給口902が一体となって構成される。吸取部ユニット901は、吸取部903と連結し、吸取部903を保持する。902は吸取部乾燥用エアー供給口であり、溶液を吸取った吸取部903を乾燥させるために図示しないエアー供給制御部から送られたドライエアーを吸取部903に送るための供給口穴である。903は吸取部であり、転写部ユニット水平移動制御部112の水平移動により、基板100の表面に接触するように配置されると、吸収体として作用することで、図7に示すように、基板100の表面の転写部分302に残った、転写処理後の溶液404を吸取ることができる。これにより、転写処理後に基板100の表面に残留した溶液を回収することができ、回収した溶液は再利用することができ、さらに表面に残留した溶液を、転写処理後の基板の表面を純水洗浄する洗浄部図示しないに持ち込まないという利点がある。吸取部903は、転写部103はと同じように、吸取部を半導体基板の表面に接触するように配置した時に半導体基板100の表面と接触することが可能な形状を備えている。吸取部903の部材は、スポンジのような、溶液を内部に吸収することが可能な吸収体である。吸取部1本の長さは、例えば2cmであるが、特に限定されない。吸取部903を、転写部ユニット104のように、複数例えば50本の吸取部903を垂直に立てた状態で、平面上に均等に並べることで、吸取部903をブラシ刷毛の形状にする。また吸取部903の部材の性質としては吸取処理の際に、基板100との接触の圧力や基板100自体の反りを考慮すると柔らかい弾性体であり、かつ溶液404に対する耐食性を備えることが望ましい。図10を説明する。図10は、吸取部ユニット901を転写部ユニット104の背後に連結させて、本願発明の転写処理を実行した場合を示す図である。このようなハードウエア構成にすれば、基板毎に、転写処理と吸取処理を、転写部ユニット水平移動制御部の1回の水平移動動作により完了することができる。<変形例>尚、本願発明において使用する溶液は、半導体基板を酸化する機能を備える酸化剤である過酸化水素水H2O2、二クロム酸カリウム水溶液K2Cr2O7、マンガン酸カリウム水溶液KMnO4、硝酸HNO3、硫酸H2SO4、酸素O2又はオゾンO3を溶解させた水、の中から選ばれる少なくとも1種の酸化剤を含んでいればよい。かつ、半導体基板を溶解する機能を備える溶解剤であるフッ化水素酸を含んでいればよい。つまり酸化剤と溶解剤の混合水溶液であればよい。尚、本願発明において使用する触媒は、溶液中の酸化剤の分解触媒であり、白金Pt、銀Ag、パラジウムPd、金Au、ロジウムRh、ルテニウムRu、イリジウムIr、それらの内少なくとも1つを含む合金、の中から選ばれる少なくとも1種であればよい。尚、本願発明において使用する触媒は、スパッタリング法、メッキ法、CVD法によって形成された膜、あるいは化合物の塗布被膜から還元生成して形成した膜が採用されるが、膜に限定されない。尚、本願発明において転写処理する対象の半導体は、太陽電池、光デバイス、MEMS構造を備えたデバイス、または大規模集積回路LSIを備えたデバイスであってもよい。尚、本願発明における転写処理する対象の基板は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、炭化ケイ素SiC、GaAs、InGaAsであってもよい。尚、基板の転写処理枚数を高めるスループットの向上ために、本願発明における転写処理の転写部ユニット104を複数にして、複数の基板を同時に転写処理することもできる。