半導体基板と、前記半導体基板の一面上の周辺部を除く領域に設けられ、比誘電率が3.0以下でガラス転移温度が400°C以上である低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部と、前記低誘電率膜配線積層構造部上に設けられた有機樹脂からなる絶縁膜と、前記絶縁膜上に前記低誘電率膜配線積層構造部の最上層の配線の接続パッド部に接続されて設けられた電極用接続パッド部と、前記電極用接続パッド部上に設けられた外部接続用バンプ電極と、少なくとも前記外部接続用バンプ電極の周囲における前記絶縁膜上に設けられた有機樹脂からなる封止膜とを備え、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面が前記絶縁膜および前記封止膜のいずれか一方によって覆われていることを特徴とする半導体装置。請求項1に記載の発明において、前記絶縁膜は無機材料からなるパッシベーション膜と有機材料からなる保護膜とを含むことを特徴とする半導体装置。請求項2に記載の発明において、前記保護膜と前記パッシベーション膜と前記低誘電率膜配線積層構造部の側面は実質的に一面を形成し、前記保護膜と前記パッシベーション膜と前記低誘電率膜配線積層構造部の側面は前記封止膜によって覆われていることを特徴とする半導体装置。請求項2に記載の発明において、前記パッシベーション膜と前記低誘電率膜配線積層構造部の側面は実質的に一面を形成し、前記パッシベーション膜と前記低誘電率膜配線積層構造部の側面は前記保護膜によって覆われていることを特徴とする半導体装置。請求項4に記載の発明において、前記保護膜の側面は前記封止膜によって覆われていることを特徴とする半導体装置。請求項4に記載の発明において、前記保護膜は前記半導体基板の端面と同一面まで延出されていることを特徴とする半導体装置。請求項2に記載の発明において、前記保護膜の側面は前記低誘電率膜配線積層構造部の側面よりも内側に配置されていることを特徴とする半導体装置。請求項7に記載の発明において、前記パッシベーション膜と前記低誘電率膜配線積層構造部の側面は実質的に一面を形成していることを特徴とする半導体装置。請求項6に記載の発明において、前記パッシベーション膜の側面は前記保護膜の側面よりも内側に配置されていることを特徴とする半導体装置。請求項7に記載の発明において、前記保護膜と前記パッシベーション膜の側面は実質的に一面を形成していることを特徴とする半導体装置。請求項1に記載の発明において、前記低誘電率膜配線積層構造部は、その最上層の配線とその最上層の低誘電率膜との間に下層パッシベーション膜を有することを特徴とする半導体装置。請求項1に記載の発明において、前記低誘電率膜配線積層構造部は、その最上層の配線とその下の配線との間に下層パッシベーション膜を有することを特徴とする半導体装置。請求項11または12に記載の発明において、前記下層パッシベーション膜は酸化シリコンからなることを特徴とする半導体装置。請求項13に記載の発明において、前記絶縁膜は窒化シリコンからなるパッシベーション膜を含むことを特徴とする半導体装置。請求項1に記載の発明において、前記絶縁膜上に前記電極用接続パッド部を有する上層配線が形成されていることを特徴とする半導体装置。請求項15に記載の発明において、前記上層配線の接続パッド部上に形成された外部接続用バンプ電極は柱状電極であることを特徴とする半導体装置。請求項16に記載の発明において、前記柱状電極上に半田ボールが設けられていることを特徴とする半導体装置。請求項1に記載の発明において、前記低誘電率膜は、Si-O結合とSi-H結合を有するポリシロキサン系材料、Si-O結合とSi-CH3結合を有するポリシロキサン系材料、炭素添加酸化シリコン、有機ポリマー系のlow-k材料のいずれかを含み、あるいは、フッ素添加酸化シリコン、ボロン添加酸化シリコン、酸化シリコンのいずれかであってポーラス型のものを含むことを特徴とする半導体装置。半導体ウエハの一面上に比誘電率が3.0以下でガラス転移温度が400°C以上である低誘電率膜と配線とが積層された低誘電率膜配線積層構造部が形成されたものを準備する工程と、ダイシングストリート上およびその両側の領域における前記低誘電率膜配線積層構造部をレーザビームを照射することにより除去して、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面を露出する溝を形成する工程と、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面を覆う有機樹脂膜を形成する工程と、前記有機樹脂膜および前記半導体ウエハを前記ダイシングストリートに沿って切断して、個々の半導体装置を複数個得る工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項19に記載の発明において、前記溝を形成する工程は、前記溝を形成する前に全上面に水溶性保護膜を形成し、前記溝を形成した後に前記水溶性保護膜を除去する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項19に記載の発明において、前記有機樹脂膜を形成する工程は、前記低誘電率膜配線積層構造部の上部を覆う有機樹脂からなる絶縁膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項21に記載の発明において、さらに、前記絶縁膜上に電極用接続パッド部を前記低誘電率膜配線積層構造部の最上層の配線の接続パッド部に接続させて形成する工程と、前記電極用接続パッド部上に外部接続用バンプ電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項19に記載の発明において、前記半導体ウエハの一面上に低誘電率膜配線積層構造部が形成されたものを準備する工程は、前記低誘電率膜配線積層構造部上に有機樹脂からなる絶縁膜が形成されたものを準備する工程を含み、前記溝を形成する工程は、ダイシングストリート上およびその両側の領域における前記絶縁膜および前記低誘電率膜配線積層構造部をレーザビームを照射することにより除去して、前記絶縁膜の側面および前記低誘電率膜配線積層構造部の側面を露出する溝を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項23に記載の発明において、さらに、前記絶縁膜上に電極用接続パッド部を前記低誘電率膜配線積層構造部の最上層の配線の接続パッド部に接続させて形成する工程と、前記電極用接続パッド部上に外部接続用バンプ電極を形成する工程とを有し、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面を覆う有機樹脂膜を形成する工程は、前記外部接続用バンプ電極の周囲における前記絶縁膜の上面、該絶縁膜の側面および前記低誘電率膜配線積層構造部の側面を覆う有機樹脂からなる封止膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項24に記載の発明において、前記封止膜を形成する工程は、前記封止膜を前記溝内に充填する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項19に記載の発明において、前記半導体ウエハの一面上に低誘電率膜配線積層構造部が形成されたものを準備する工程は、前記低誘電率膜配線積層構造部上にパッシベーション膜が形成されたものを準備する工程を含み、前記溝を形成する工程は、ダイシングストリート上およびその両側の領域における前記パッシベーション膜および前記低誘電率膜配線積層構造部を除去して、前記パッシベーション膜の側面および前記低誘電率膜配線積層構造部の側面を露出する溝を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項26に記載の発明において、前記有機樹脂膜を形成する工程は、前記パッシベーション膜の上面および前記溝から露出された前記パッシベーション膜の側面および前記低誘電率膜配線積層構造部の側面を覆う有機樹脂からなる絶縁膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項27に記載の発明において、前記絶縁膜を形成する工程は、前記絶縁膜がダイシングストリート上に延出されないよう前記絶縁膜をパターン形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項28に記載の発明において、前記半導体ウエハの一面上に低誘電率膜配線積層構造部が形成されたものを準備する工程、および前記低誘電率膜配線積層構造部にレーザビームを照射することにより除去して、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面を露出する溝を形成する工程の後、前記パッシベーション膜の上面および側面、および前記低誘電率膜配線積層構造部の側面を覆う有機樹脂からなる絶縁膜を形成する工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項28に記載の発明において、前記絶縁膜を形成する工程は、前記低誘電率膜配線積層構造部上および前記溝内に前記絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の側面が前記低誘電率膜配線積層構造部の側面より内側に位置するように前記絶縁膜をパターン形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項30に記載の発明において、さらに、前記絶縁膜上に電極用接続パッド部を前記低誘電率膜配線積層構造部の最上層の配線の接続パッド部に接続させて形成する工程と、前記電極用接続パッド部上に外部接続用バンプ電極を形成する工程とを有し、前記有機樹脂膜を形成する工程は、前記外部接続用バンプ電極の周囲における前記絶縁膜の上面を覆う有機樹脂からなる封止膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項27に記載の発明において、前記有機樹脂膜を形成する工程は、、前記溝内に充填された且つ前記溝の中央部に対応する部分を除去された絶縁膜を形成する工程、および除去された前記絶縁膜の部分に前記有機樹脂を充填して封止膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項32に記載の発明において、前記封止膜を形成する工程は、前記封止膜で前記絶縁膜の側面を覆う工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項31に記載の発明において、さらに、前記絶縁膜上に電極用接続パッド部を前記低誘電率膜配線積層構造部の最上層の配線の接続パッド部に接続させて形成する工程と、前記電極用接続パッド部上に外部接続用バンプ電極を形成する工程とを有し、前記封止膜を形成する工程は、前記外部接続用バンプ電極の周囲における前記絶縁膜の全上面を覆う封止膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項19に記載の発明において、前記半導体ウエハの一面上に低誘電率膜配線積層構造部が形成されたものを準備する工程は、前記低誘電率膜配線積層構造部上に有機樹脂からなる絶縁膜がダイシングストリート上に延出されないようにパターン形成されたものを準備する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項19に記載の発明において、さらに、前記絶縁膜上に電極用接続パッド部を前記低誘電率膜配線積層構造部の最上層の配線の接続パッド部に接続させて形成する工程と、前記電極用接続パッド部上に外部接続用バンプ電極を形成する工程とを含み、前記有機樹脂膜を形成する工程は、前記低誘電率膜配線積層構造部上に有機樹脂からなる絶縁膜を形成する工程、および前記外部接続用バンプ電極の周囲における前記絶縁膜の上面、該絶縁膜の側面および前記低誘電率膜配線積層構造部の側面を覆う有機樹脂からなる封止膜を形成する工程を含む、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項35または36に記載の発明において、前記半導体ウエハの一面上に低誘電率膜配線積層構造部が形成されたものを準備する工程は、前記低誘電率膜配線積層構造部上にパッシベーション膜をパターン形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項19に記載の発明において、前記低誘電率膜は、Si-O結合とSi-H結合を有するポリシロキサン系材料、Si-O結合とSi-CH3結合を有するポリシロキサン系材料、炭素添加酸化シリコン、有機ポリマー系のlow-k材料のいずれかを含み、あるいは、フッ素添加酸化シリコン、ボロン添加酸化シリコン、酸化シリコンのいずれかであってポーラス型のものを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。しかしながら、上述した低誘電率膜を備えた半導体装置では、特に、中空構造を有するポーラス型の低誘電率膜に代表されるように、機械的強度が低く、また水分の影響を受けやすく、ひいては下地層から剥離しやすいという問題がある。そこで、この発明は、低誘電率膜の剥離を大幅に改善することができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。請求項1に記載の発明に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の一面上の周辺部を除く領域に設けられ、比誘電率が3.0以下でガラス転移温度が400°C以上である低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部と、前記低誘電率膜配線積層構造部上に設けられた有機樹脂からなる絶縁膜と、前記絶縁膜上に前記低誘電率膜配線積層構造部の最上層の配線の接続パッド部に接続されて設けられた電極用接続パッド部と、前記電極用接続パッド部上に設けられた外部接続用バンプ電極と、少なくとも前記外部接続用バンプ電極の周囲における前記絶縁膜上に設けられた有機樹脂からなる封止膜とを備え、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面が前記絶縁膜および前記封止膜のいずれか一方によって覆われていることを特徴とするものである。請求項2に記載の発明に係る半導体装置は、請求項1に記載の発明において、前記絶縁膜は無機材料からなるパッシベーション膜と有機材料からなる保護膜とを含むことを特徴とするものである。請求項3に記載の発明に係る半導体装置は、請求項2に記載の発明において、前記保護膜と前記パッシベーション膜と前記低誘電率膜配線積層構造部の側面は実質的に一面を形成し、前記保護膜と前記パッシベーション膜と前記低誘電率膜配線積層構造部の側面は前記封止膜によって覆われていることを特徴とするものである。請求項4に記載の発明に係る半導体装置は、請求項2に記載の発明において、前記パッシベーション膜と前記低誘電率膜配線積層構造部の側面は実質的に一面を形成し、前記パッシベーション膜と前記低誘電率膜配線積層構造部の側面は前記保護膜によって覆われていることを特徴とするものである。請求項5に記載の発明に係る半導体装置は、請求項4に記載の発明において、前記保護膜の側面は前記封止膜によって覆われていることを特徴とするものである。請求項6に記載の発明に係る半導体装置は、請求項4に記載の発明において、前記保護膜は前記半導体基板の端面と同一面まで延出されていることを特徴とするものである。請求項7に記載の発明に係る半導体装置は、請求項2に記載の発明において、前記保護膜の側面は前記低誘電率膜配線積層構造部の側面よりも内側に配置されていることを特徴とするものである。請求項8に記載の発明に係る半導体装置は、請求項7に記載の発明において、前記パッシベーション膜と前記低誘電率膜配線積層構造部の側面は実質的に一面を形成していることを特徴とするものである。請求項9に記載の発明に係る半導体装置は、請求項6に記載の発明において、前記パッシベーション膜の側面は前記保護膜の側面よりも内側に配置されていることを特徴とするものである。請求項10に記載の発明に係る半導体装置は、請求項7に記載の発明において、前記保護膜と前記パッシベーション膜の側面は実質的に一面を形成していることを特徴とするものである。請求項11に記載の発明に係る半導体装置は、請求項1に記載の発明において、前記低誘電率膜配線積層構造部は、その最上層の配線とその最上層の低誘電率膜との間に下層パッシベーション膜を有することを特徴とするものである。請求項12に記載の発明に係る半導体装置は、請求項1に記載の発明において、前記低誘電率膜配線積層構造部は、その最上層の配線とその下の配線との間に下層パッシベーション膜を有することを特徴とするものである。請求項13に記載の発明に係る半導体装置は、請求項11または12に記載の発明において、前記下層パッシベーション膜は酸化シリコンからなることを特徴とするものである。請求項14に記載の発明に係る半導体装置は、請求項13に記載の発明において、前記絶縁膜は窒化シリコンからなるパッシベーション膜を含むことを特徴とするものである。請求項15に記載の発明に係る半導体装置は、請求項1に記載の発明において、前記絶縁膜上に前記電極用接続パッド部を有する上層配線が形成されていることを特徴とするものである。請求項16に記載の発明に係る半導体装置は、請求項15に記載の発明において、前記上層配線の接続パッド部上に形成された外部接続用バンプ電極は柱状電極であることを特徴とするものである。請求項17に記載の発明に係る半導体装置は、請求項16に記載の発明において、前記柱状電極上に半田ボールが設けられていることを特徴とするものである。請求項18に記載の発明に係る半導体装置は、請求項1に記載の発明において、前記低誘電率膜は、Si-O結合とSi-H結合を有するポリシロキサン系材料、Si-O結合とSi-CH3結合を有するポリシロキサン系材料、炭素添加酸化シリコン、有機ポリマー系のlow-k材料のいずれかを含み、あるいは、フッ素添加酸化シリコン、ボロン添加酸化シリコン、酸化シリコンのいずれかであってポーラス型のものを含むことを特徴とするものである。請求項19に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウエハの一面上に比誘電率が3.0以下でガラス転移温度が400°C以上である低誘電率膜と配線とが積層された低誘電率膜配線積層構造部が形成されたものを準備する工程と、ダイシングストリート上およびその両側の領域における前記低誘電率膜配線積層構造部をレーザビームを照射することにより除去して、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面を露出する溝を形成する工程と、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面を覆う有機樹脂膜を形成する工程と、前記有機樹脂膜および前記半導体ウエハを前記ダイシングストリートに沿って切断して、個々の半導体装置を複数個得る工程と、を有することを特徴とするものである。請求項20に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項19に記載の発明において、前記溝を形成する工程は、前記溝を形成する前に全上面に水溶性保護膜を形成し、前記溝を形成した後に前記水溶性保護膜を除去する工程を含むことを特徴とするものである。請求項21に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項19に記載の発明において、前記有機樹脂膜を形成する工程は、前記低誘電率膜配線積層構造部の上部を覆う有機樹脂からなる絶縁膜を形成する工程を含むことを特徴とするものである。請求項22に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項21に記載の発明において、さらに、前記絶縁膜上に電極用接続パッド部を前記低誘電率膜配線積層構造部の最上層の配線の接続パッド部に接続させて形成する工程と、前記電極用接続パッド部上に外部接続用バンプ電極を形成する工程とを有することを特徴とするものである。請求項23に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項19に記載の発明において、前記半導体ウエハの一面上に低誘電率膜配線積層構造部が形成されたものを準備する工程は、前記低誘電率膜配線積層構造部上に有機樹脂からなる絶縁膜が形成されたものを準備する工程を含み、前記溝を形成する工程は、ダイシングストリート上およびその両側の領域における前記絶縁膜および前記低誘電率膜配線積層構造部をレーザビームを照射することにより除去して、前記絶縁膜の側面および前記低誘電率膜配線積層構造部の側面を露出する溝を形成する工程を含むことを特徴とするものである。請求項24に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項23に記載の発明において、さらに、前記絶縁膜上に電極用接続パッド部を前記低誘電率膜配線積層構造部の最上層の配線の接続パッド部に接続させて形成する工程と、前記電極用接続パッド部上に外部接続用バンプ電極を形成する工程とを有し、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面を覆う有機樹脂膜を形成する工程は、前記外部接続用バンプ電極の周囲における前記絶縁膜の上面、該絶縁膜の側面および前記低誘電率膜配線積層構造部の側面を覆う有機樹脂からなる封止膜を形成する工程を含むことを特徴とするものである。請求項25に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項24に記載の発明において、前記封止膜を形成する工程は、前記封止膜を前記溝内に充填する工程を含むことを特徴とするものである。請求項26に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項19に記載の発明において、前記半導体ウエハの一面上に低誘電率膜配線積層構造部が形成されたものを準備する工程は、前記低誘電率膜配線積層構造部上にパッシベーション膜が形成されたものを準備する工程を含み、前記溝を形成する工程は、ダイシングストリート上およびその両側の領域における前記パッシベーション膜および前記低誘電率膜配線積層構造部を除去して、前記パッシベーション膜の側面および前記低誘電率膜配線積層構造部の側面を露出する溝を形成する工程を含むことを特徴とするものである。請求項27に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項26に記載の発明において、前記有機樹脂膜を形成する工程は、前記パッシベーション膜の上面および前記溝から露出された前記パッシベーション膜の側面および前記低誘電率膜配線積層構造部の側面を覆う有機樹脂からなる絶縁膜を形成する工程を含むことを特徴とするものである。請求項28に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項27に記載の発明において、前記絶縁膜を形成する工程は、前記絶縁膜がダイシングストリート上に延出されないよう前記絶縁膜をパターン形成する工程を含むことを特徴とするものである。請求項29に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項28に記載の発明において、前記半導体ウエハの一面上に低誘電率膜配線積層構造部が形成されたものを準備する工程、および前記低誘電率膜配線積層構造部にレーザビームを照射することにより除去して、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面を露出する溝を形成する工程の後、前記パッシベーション膜の上面および側面、および前記低誘電率膜配線積層構造部の側面を覆う有機樹脂からなる絶縁膜を形成する工程を行うことを特徴とするものである。請求項30に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項28に記載の発明において、前記絶縁膜を形成する工程は、前記低誘電率膜配線積層構造部上および前記溝内に前記絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の側面が前記低誘電率膜配線積層構造部の側面より内側に位置するように前記絶縁膜をパターン形成する工程を含むことを特徴とするものである。請求項31に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項30に記載の発明において、さらに、前記絶縁膜上に電極用接続パッド部を前記低誘電率膜配線積層構造部の最上層の配線の接続パッド部に接続させて形成する工程と、前記電極用接続パッド部上に外部接続用バンプ電極を形成する工程とを有し、前記有機樹脂膜を形成する工程は、前記外部接続用バンプ電極の周囲における前記絶縁膜の上面を覆う有機樹脂からなる封止膜を形成する工程を含むことを特徴とするものである。請求項32に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項27に記載の発明において、前記有機樹脂膜を形成する工程は、、前記溝内に充填された且つ前記溝の中央部に対応する部分を除去された絶縁膜を形成する工程、および除去された前記絶縁膜の部分に前記有機樹脂を充填して封止膜を形成する工程を含むことを特徴とするものである。請求項33に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項32に記載の発明において、前記封止膜を形成する工程は、前記封止膜で前記絶縁膜の側面を覆う工程を含むことを特徴とするものである。請求項34に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項31に記載の発明において、さらに、前記絶縁膜上に電極用接続パッド部を前記低誘電率膜配線積層構造部の最上層の配線の接続パッド部に接続させて形成する工程と、前記電極用接続パッド部上に外部接続用バンプ電極を形成する工程とを有し、前記封止膜を形成する工程は、前記外部接続用バンプ電極の周囲における前記絶縁膜の全上面を覆う封止膜を形成する工程を含むことを特徴とするものである。請求項35に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項19に記載の発明において、前記半導体ウエハの一面上に低誘電率膜配線積層構造部が形成されたものを準備する工程は、前記低誘電率膜配線積層構造部上に有機樹脂からなる絶縁膜がダイシングストリート上に延出されないようにパターン形成されたものを準備する工程を含むことを特徴とするものである。請求項36に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項19に記載の発明において、さらに、前記絶縁膜上に電極用接続パッド部を前記低誘電率膜配線積層構造部の最上層の配線の接続パッド部に接続させて形成する工程と、前記電極用接続パッド部上に外部接続用バンプ電極を形成する工程とを含み、前記有機樹脂膜を形成する工程は、前記低誘電率膜配線積層構造部上に有機樹脂からなる絶縁膜を形成する工程、および前記外部接続用バンプ電極の周囲における前記絶縁膜の上面、該絶縁膜の側面および前記低誘電率膜配線積層構造部の側面を覆う有機樹脂からなる封止膜を形成する工程を含む、ことを特徴とするものである。請求項37に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項35または36に記載の発明において、前記半導体ウエハの一面上に低誘電率膜配線積層構造部が形成されたものを準備する工程は、前記低誘電率膜配線積層構造部上にパッシベーション膜をパターン形成する工程を含むことを特徴とするものである。請求項38に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項19に記載の発明において、前記低誘電率膜は、Si-O結合とSi-H結合を有するポリシロキサン系材料、Si-O結合とSi-CH3結合を有するポリシロキサン系材料、炭素添加酸化シリコン、有機ポリマー系のlow-k材料のいずれかを含み、あるいは、フッ素添加酸化シリコン、ボロン添加酸化シリコン、酸化シリコンのいずれかであってポーラス型のものを含むことを特徴とするものである。この発明によれば、半導体基板上の周辺部を除く領域に比誘電率が3.0以下でガラス転移温度が400°C以上である低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部を設け、この低誘電率膜配線積層構造部の側面を有機樹脂からなる絶縁膜および封止膜のいずれか一方によって覆っているので、低誘電率膜の剥離を大幅に改善することができる。第1実施形態図1はこの発明の第1実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置はシリコン基板半導体基板1を備えている。シリコン基板1の上面には所定の機能の集積回路、特に、トランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサ等の素子図示せずが形成され、上面周辺部には、上記集積回路の各素子に接続されたアルミニウム系金属等からなる接続パッド2が設けられている。接続パッド2は2個のみを図示するが、実際にはシリコン基板1の上面に多数配列されている。シリコン基板1の上面において接続パッド2の外側の周辺部を除く領域には上記集積回路の各素子を接続するための低誘電率膜配線積層構造部3が設けられている。低誘電率膜配線積層構造部3は、複数層例えば4層の低誘電率膜4と同数層の銅やアルミニウム系金属等からなる配線5とが交互に積層された構造となっている。低誘電率膜4の材料としては、Si-O結合とSi-H結合を有するポリシロキサン系材料HSQ:Hydrogensilsesquioxane、比誘電率3.0、Si-O結合とSi-CH3結合を有するポリシロキサン系材料MSQ:Methylsilsesquioxane、比誘電率2.7~2.9、炭素添加酸化シリコンSiOC:Carbondopedsiliconoxide、比誘電率2.7~2.9、有機ポリマー系のlow-k材料等が挙げられ、比誘電率が3.0以下でガラス転移温度が400°C以上であるものを用いることができる。有機ポリマー系のlow-k材料としては、DowChemical社製のSiLK比誘電率2.6、HoneywellElectronicMaterials社製のFLARE比誘電率2.8等が挙げられる。ここで、ガラス転移温度が400°C以上であるということは、後述する製造工程における温度に十分に耐え得るようにするためである。なお、上記各材料のポーラス型も用いることができる。また、低誘電率膜4の材料としては、以上のほかに、通常の状態における比誘電率が3.0よりも大きいが、ポーラス型とすることにより、比誘電率が3.0以下でガラス転移温度が400°C以上であるものを用いることができる。例えば、フッ素添加酸化シリコンFSG:FluorinatedSilicateGlass、比誘電率3.5~3.7、ボロン添加酸化シリコンBSG:BorondopedSilicateGlass、比誘電率3.5、酸化シリコン比誘電率4.0~4.2である。低誘電率膜配線積層構造部3において、各層の配線5は層間で互いに接続されている。最下層の配線5の一端部は、最下層の低誘電率膜4に設けられた開口部6を介して接続パッド2に接続されている。最上層の配線5の接続パッド部5aは最上層の低誘電率膜4の上面周辺部に配置されている。最上層の配線5を含む最上層の低誘電率膜4の上面には酸化シリコン等の無機材料からなるパッシベーション膜7が設けられている。最上層の配線5の接続パッド部5aに対応する部分におけるパッシベーション膜7には開口部8が設けられている。パッシベーション膜7の上面には主成分がポリイミド、エポキシ、フェノール、ビスマレイミド、アクリル、合成ゴム、ポリベンゾオキサイド等の有機材料からなる保護膜絶縁膜9が設けられている。パッシベーション膜7の開口部8に対応する部分における保護膜9には開口部10が設けられている。保護膜9の上面には銅等からなる下地金属層11が設けられている。下地金属層11の上面全体には銅からなる上層配線12が設けられている。下地金属層11を含む上層配線12の一端部は、パッシベーション膜7および保護膜9の開口部8、10を介して最上層の配線5の接続パッド部5aに接続されている。上層配線12の接続パッド部電極用接続パッド部上面には銅からなる柱状電極外部接続用バンプ電極13が設けられている。上層配線12を含む保護膜9の上面およびシリコン基板1の周辺部上面にはエポキシ系樹脂等の有機材料からなる封止膜14がその上面が柱状電極13の上面と面一となるように設けられている。この状態では、低誘電率膜配線積層構造部3、パッシベーション膜7および保護膜9の側面は、実質的に一面を形成し、封止膜14によって覆われている。柱状電極13の上面には半田ボール15が設けられている。以上のように、この半導体装置では、シリコン基板1上の周辺部を除く領域に低誘電率膜4と配線5との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部3を設け、低誘電率膜配線積層構造部3、パッシベーション膜7および保護膜9の側面を封止膜14によって覆っており、シリコン基板1から低誘電率膜配線積層構造部3が剥離しにくい構造となっている。次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図2に示すように、ウエハ状態のシリコン基板以下、半導体ウエハ21という上に、接続パッド2と、各4層の低誘電率膜4および配線5と、パッシベーション膜7とが設けられ、最上層の配線5の接続パッド部5aの中央部がパッシベーション膜7に設けられた開口部8を介して露出されたものを準備する。低誘電率膜4の材料としては、上記のようなものが挙げられ、ポーラス型となったものを含めて、比誘電率が3.0以下でガラス転移温度が400°C以上であるものを用いることができる。なお、図2において、符号22で示す領域はダイシングストリートに対応する領域である。次に、図3に示すように、スクリーン印刷法、スピンコート法等により、パッシベーション膜7の開口部8を介して露出された最上層の配線5の接続パッド部5aの上面を含むパッシベーション膜7の上面にポリイミド系樹脂等の有機材料からなる保護膜9を形成する。次に、図4に示すように、スクリーン印刷法、スピンコート法等により、保護膜9の上面にポリビニルアルコールPVA、ポリアクリルアミドPAM等の水溶性高分子からなる水溶性保護膜17を形成する。次に、図4に示すように、レーザビームを照射するレーザ加工により、ダイシングストリート22およびその両側の領域における水溶性保護膜17、保護膜9、パッシベーション膜7および4層の低誘電率膜4に溝23を形成し、且つ、最上層の配線5の接続パッド部5aに対応する部分における水溶性保護膜17を含むパッシベーション膜7および保護膜9に開口部8、10を形成する。この場合、レーザビームが低誘電率膜4に照射されると、低誘電率膜4が溶融し、低誘電率膜片として飛散する。この飛散した低誘電率膜片は水溶性保護膜17の上面に落下して突き刺さり、保護膜9の上面に落下して突き刺さることはない。そして、次に、水溶性保護膜17を水洗して除去すると、水溶性保護膜17の上面に突き刺さった低誘電率膜片も同時に除去される。なお、飛散した低誘電率膜片を真空引きにより吸引するようにすれば、水溶性保護膜17は設けなくてもよい。ここで、低誘電率膜4は脆いため、ブレードにより切断して溝23を形成する場合には、切断面において低誘電率膜4に多数の切欠け、破損が生じてしまうので、溝23の形成は、レーザビームにより低誘電率膜4を切断する方法が推奨される。レーザビームにより溝23を加工する場合、レーザビームがシリコン基板1の上面に照射されるとシリコン基板1の上面が溶融し、シリコン片として跳ね上がってからシリコン基板1上に落下するため、溝23の底面は図5に図示の如く凹凸となる。この状態では、すなわち、水溶性保護膜17を除去した状態では、図6に示すように、ダイシングストリート22およびその両側の領域における半導体ウエハ21の上面は溝23を介して露出されている。また、半導体ウエハ21上に積層された4層の低誘電率膜4、パッシベーション膜7および保護膜9が溝23により分離されることにより、図1に示す低誘電率膜配線積層構造部3が形成されている。ここで、一例として、溝23の幅は、10~1000μm×2ダイシングストリート22ダイシングブレードの幅となっている。すなわち、図1を参照して説明すると、低誘電率膜配線積層構造部3、パッシベーション膜7および保護膜9の側面を覆っている封止膜14の幅は10~1000μmである。次に、図7に示すように、パッシベーション膜7および保護膜9の開口部8、10を介して露出された最上層の配線5の接続パッド部5aの上面および溝23を介して露出された半導体ウエハ21の上面を含む保護膜9の上面全体に下地金属層11を形成する。この場合、下地金属層11は、無電解メッキにより形成された銅層のみであってもよく、またスパッタにより形成された銅層のみであってもよく、さらにスパッタにより形成されたチタン等の薄膜層上にスパッタにより銅層を形成したものであってもよい。次に、下地金属層11の上面にメッキレジスト膜24をパターン形成する。この場合、上層配線12形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜24には開口部25が形成されている。次に、下地金属層11をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜24の開口部25内の下地金属層11の上面に上層配線12を形成する。次に、メッキレジスト膜24を剥離する。次に、図8に示すように、上層配線12を含む下地金属層11の上面にメッキレジスト膜26をパターン形成する。この場合、上層配線12の接続パッド部柱状電極13形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜26には開口部27が形成されている。次に、下地金属層11をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行うことにより、メッキレジスト膜26の開口部27内の上層配線12の接続パッド部上面に高さ50~150μmの柱状電極13を形成する。次に、メッキレジスト膜26を剥離し、次いで、上層配線12をマスクとして下地金属層11の不要な部分をエッチングして除去すると、図9に示すように、上層配線12下にのみ下地金属層11が残存される。次に、図10に示すように、スクリーン印刷法、スピンコート法等により、上層配線12、柱状電極13を含む保護膜9の上面および溝23を介して露出された半導体ウエハ21の上面にエポキシ系樹脂等の有機材料からなる封止膜有機樹脂膜14をその厚さが柱状電極13の高さよりも厚くなるように形成する。したがって、この状態では、柱状電極13の上面は封止膜14によって覆われている。また、保護膜9、パッシベーション膜7および4層の低誘電率膜4の側面は封止膜14によって覆われている。次に、封止膜14の上面側を適宜に研削し、図11に示すように、柱状電極13の上面を露出させ、且つ、この露出された柱状電極13の上面を含む封止膜14の上面を平坦化する。この封止膜14の上面の平坦化に際し、封止膜14と共に柱状電極13の上面部を数μm~十数μm研削してもよい。次に、図12に示すように、柱状電極13の上面に半田ボール15を形成する。次に、図13に示すように、封止膜14および半導体ウエハ21を溝23内の中央部のダイシングストリート22に沿って切断する。すると、前述した如く、溝23は、ダイシングストリート22よりも幅広に形成されているため、図1に示すように、低誘電率膜配線積層構造部3の側面は封止膜14によって覆われ、合わせて、パッシベーション膜7の側面および保護膜9の上面および側面が封止膜14によって覆われた構造の半導体装置が複数個得られる。なお、上記実施形態において、半導体ウエハ21の上面が溝23の底部の如く図示されているが、レーザビームにより半導体ウエハ21の上面が除去されるように溝23を形成し、溝23の底部が半導体ウエハ21の上面より陥没するようにしてもよい。また、半導体ウエハ23の上面にフィールド酸化膜等の絶縁膜が形成されている場合には、このフィール酸化膜の上面あるいはその膜厚の中間部が溝23の底部となるようにして、溝23の底部が半導体ウエハ21の上面よりも上方に位置するようにすることもできる。第2実施形態図14はこの発明の第2実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と異なる点は、パッシベーション膜7の上面および側面、および低誘電率膜配線積層構造部3の側面を保護膜9で覆い、保護膜9の側面を封止膜14で覆った点である。この半導体装置を製造するには、一例として、図2に示すものを準備した後に、図15に示すように、スクリーン印刷法、スピンコート法等により、パッシベーション膜7の開口部8を介して露出された最上層の配線5の接続パッド部5aを含むパッシベーション膜7の上面にポリビニルアルコールPVA、ポリアクリルアミドPAM等の水溶性高分子からなる水溶性保護膜17を形成する。次に、図16に示すように、レーザビームを照射するレーザ加工により、ダイシングストリート22およびその両側の領域における水溶性保護膜17、パッシベーション膜7および4層の低誘電率膜4に溝23を形成する。この場合も、レーザビームが低誘電率膜4に照射されると、低誘電率膜4が溶融し、低誘電率膜片として飛散する。この飛散した低誘電率膜片は水溶性保護膜17の上面に落下して突き刺さり、パッシベーション膜7の上面に落下して突き刺さることはない。そして、次に、水溶性保護膜17を水洗して除去すると、水溶性保護膜17の上面に突き刺さった低誘電率膜片も同時に除去される。なお、この場合も、飛散した低誘電率膜片を真空引きにより吸引するようにすれば、水溶性保護膜17は設けなくてもよい。この状態では、すなわち、水溶性保護膜17を除去した状態では、図17に示すように、ダイシングストリート22およびその両側の領域における半導体ウエハ21の上面は溝23を介して露出されている。また、半導体ウエハ21上に積層された4層の低誘電率膜4およびパッシベーション膜7が溝23により分離されることにより、図14に示す低誘電率膜配線積層構造部3が形成されている。次に、図18に示すように、スクリーン印刷法、スピンコート法等により、パッシベーション膜7の開口部8を介して露出された最上層の配線5の接続パッド部5aの上面を含むパッシベーション膜7の上面および溝23を介して露出された半導体ウエハ21の上面にポリイミド系樹脂等の有機材料からなる保護膜有機樹脂膜9を形成する。この場合、パッシベーション膜7の上面および溝23内に形成される保護膜9は、その表面がほぼ平坦となるように形成することが望ましい。次に、図19に示すように、レーザビームを照射するレーザ加工あるいはフォトリソグラフィ技術により、ダイシングストリート22およびその両側の領域における保護膜9に溝23よりもやや幅狭の溝23aを形成し、且つ、最上層の配線5の接続パッド部5aに対応する部分におけるパッシベーション膜7および保護膜9に開口部8、10を形成する。以下は、上記第1実施形態の図7以下の工程と同様であるので、省略する。第3実施形態図20はこの発明の第3実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図14に示す半導体装置と異なる点は、パッシベーション膜7の上面および側面、および低誘電率膜配線積層構造部3の側面を覆う保護膜有機樹脂膜9が、シリコン基板1の端面と同一面まで延出されている点である。この半導体装置を製造するには、図18に示されているように、保護膜9を溝23内に完全に充填し、図19に示すような溝23aを形成しなければよい。したがって、この場合には、最終工程において、封止膜14、保護膜9および半導体ウエハ21をダイシングストリート22に沿って切断することになる。第4実施形態図21はこの発明の第4実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と異なる点は、保護膜9の側面を低誘電率膜配線積層構造部3およびパッシベーション膜7の側面よりも内側に配置した点である。すなわち、保護膜9は、パッシベーション膜7上に該パッシベーション膜7よりも小さいサイズに形成されている。この場合、パッシベーション膜7と低誘電率膜配線積層構造部3の側面は実質的に一面を形成している。次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。この場合、例えば、図3に図示されているように、パッシベーション膜7上全面に保護膜有機樹脂膜9を成膜し、次いで、この保護膜9をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、図21に示すような保護膜9を形成する。この後、必要に応じて、全上面に水溶性保護膜を形成し、次いで、レーザビームを照射して、パッシベーション膜7および低誘電率膜4を加工し、溝23を形成すればよい。次に、この半導体装置の製造方法の他の例について説明する。この場合、例えば、図18に図示されているように、溝23内を含むパッシベーション膜7上全面に保護膜9を成膜し、次いで、この保護膜9をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、図21に示すような保護膜9を形成すればよい。なお、この半導体装置の製造方法では、例えば、図16に図示されているように、保護膜9を成膜する前に、レーザビームを照射して、パッシベーション膜7および低誘電率膜4を加工し、溝23を形成することになる。いずれにしても、この半導体装置の製造方法では、レーザビームによりパッシベーション膜7および低誘電率膜4を加工し、保護膜9を加工することはないので、保護膜9の材料が、ポリイミド系樹脂等のように、レーザエネルギーを吸収しやすく、レーザビームの照射で切断しにくいものである場合には、特に有効である。第5実施形態図22はこの発明の第5実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図21に示す半導体装置と異なる点は、パッシベーション膜7の側面を保護膜9の側面よりも内側に配置した点である。すなわち、パッシベーション膜7は、低誘電率膜配線積層構造部3上に保護膜9よりも小さいサイズに形成されている。この半導体装置を製造するには、図2に図示されているように、最上層の低誘電率膜4上全面にパッシベーション膜7を成膜し、次いで、このパッシベーション7をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングする。次に、パッシベーション膜7上およびパッシベーション膜7から露出した最上層の低誘電率膜4上に保護膜9を成膜し、次いで、この保護膜9をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングする。この後、必要に応じて、全上面に水溶性保護膜を形成し、次いで、レーザビームを照射して、低誘電率膜4を加工し、溝23を形成すればよい。この半導体装置の製造方法では、レーザビームにより低誘電率膜4のみを加工し、パッシベーション膜7および保護膜9を加工することはないので、低誘電率膜4を加工するのに最適なレーザビームの条件に設定することができるので、低誘電率膜4の加工を能率的に且つ高精度に行うことができるという効果がある。なお、パッシベーション膜7のサイズを保護膜9のサイズと同じとし、パッシベーション膜7と保護膜9の側面は実質的に一面を形成するようにしてもよい。第6実施形態図23はこの発明の第6実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図21に示す半導体装置と異なる点は、低誘電率膜配線積層構造部3を、その最上層の配線5とその最上層の低誘電率膜4との間に下層パッシベーション膜16を有する構造とした点である。この場合、パッシベーション膜7および下層パッシベーション膜16は酸化シリコン等の同一の無機材料によって形成するようにしてもよい。また、パッシベーション膜7は窒化シリコンによって形成し、下層パッシベーション膜16は酸化シリコンによって形成するようにしてもよい。その他の実施形態例えば、上記第1実施形態において、図3に示す工程後に、保護膜9の上面全体に下地金属層11を形成し、次いで、電解メッキにより上層配線12および柱状電極13を形成し、次いで、上層配線12をマスクとして下地金属層11の不要な部分をエッチングして除去し、上層配線12下にのみ下地金属層を残存させる。この後、必要に応じて、全上面に水溶性保護膜を形成し、次いで、レーザビームを照射して、保護膜9、パッシベーション膜7および低誘電率膜4を加工し、溝23を形成するようにしてもよい。この場合、溝23を形成した後に、水溶性保護膜を除去すると、図9に示す状態となる。また、例えば、図21を参照して説明すると、低誘電率膜配線積層構造部3は、その最上層の低誘電率膜4を下層パッシベーション膜とした構造としてもよい。すなわち、低誘電率膜配線積層構造部3は、その最上層の配線5とその下の配線5との間に下層パッシベーション膜を有する構造としてもよい。この場合、パッシベーション膜7および下層パッシベーション膜は酸化シリコン等の同一の無機材料によって形成するようにしてもよい。また、パッシベーション膜7は窒化シリコンによって形成し、下層パッシベーション膜は酸化シリコンによって形成するようにしてもよい。また、上記各実施形態では、保護膜9上に上層配線12を形成し、この上層配線12の接続パッド部上に柱状電極13を形成した構造を有するものであるが、この発明は、保護膜9上に接続パッド部のみを形成し、この接続パッド部上に半田ボール15等の外部接続用バンプ電極を形成する構造に適用することもできる。