"筐体内へ被搬送物を搬送する搬送装置であって、前記被搬送物を載置するピック部を先端に有し、水平方向に伸縮する搬送アームと、前記搬送アームを支持するアーム軸と、前記筐体の内部に磁場を発生させることにより前記搬送アームに上昇方向の力を作用させる複数の電磁石と、前記搬送アームが水平方向に伸縮する際に前記アーム軸から前記搬送アームの先端までの長さが長くなるほど前記搬送アームに作用させる上昇方向の力が大きくなるように前記複数の電磁石を制御する磁場制御部と、を備える搬送装置。前記搬送アームの少なくとも一部が磁性体で形成され、前記複数の電磁石は、前記搬送アームよりも上方に配置され、前記磁性体との吸引力によって前記搬送アームに上昇方向の力を作用させる請求項1に記載の搬送装置。前記搬送アームの少なくとも一部に磁化された磁性体が取り付けられ、前記複数の電磁石は、前記搬送アームよりも下方に配置され、前記磁性体との反発力によって前記搬送アームに上昇方向の力を作用させる請求項1に記載の搬送装置。前記複数の電磁石は、前記搬送アームに対向する位置に格子状に配置される請求項1~3の何れか一項に記載の搬送装置。前記磁場制御部は、前記ピック部の移動位置に応じて、通電させる電磁石の数を増加させる請求項4に記載の搬送装置。前記磁場制御部は、前記ピック部の移動位置に応じて、前記複数の電磁石への通電量を増加させる請求項4に記載の搬送装置。前記磁場制御部は、前記ピック部の移動位置に対向する位置に配置された前記複数の電磁石を制御対象とする請求項6に記載の搬送装置。基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置及び前記プラズマ処理装置に前記基板を搬入する搬送装置を有するプラズマ処理システムであって、前記プラズマ処理装置は、処理空間を画成する処理容器と、前記基板を載置するための上面を有し、前記処理空間の下部に配置される下部電極と、前記下部電極と対向して前記処理空間の上部に配置される上部電極と、高周波電圧を前記下部電極及び前記上部電極の少なくとも一方に供給する高周波給電部と、前記処理空間に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理容器の内部に磁場を発生させる複数の電磁石と、を備え、前記搬送装置は、前記基板を載置するピック部を先端に有し、水平方向に伸縮する搬送アームと、前記搬送アームを支持するアーム軸と、を備え、前記複数の電磁石を制御する磁場制御部をさらに備え、前記磁場制御部は、前記基板を搬入する時には、前記アーム軸から前記搬送アームの先端までの長さが長くなるほど前記搬送アームに作用させる上昇方向の力が大きくなるように前記複数の電磁石を制御し、前記高周波給電部及び処理ガス供給部によって前記基板にプラズマ処理を行う時には、前記複数の電磁石を制御して前記処理容器の内部に磁場を発生させるプラズマ処理システム。前記搬送アームの少なくとも一部が磁性体で形成され、前記複数の電磁石は、前記上部電極に配置され、前記磁性体との吸引力によって前記搬送アームに上昇方向の力を作用させる請求項8に記載のプラズマ処理システム。基板の大型化に伴い、上述した搬送アームに生じる撓みを一層抑制する構造が要求されている。当技術分野においては、撓みによって生じる搬送アーム先端の下方への傾斜を低減することができる搬送装置及びプラズマ処理システムが望まれている。本発明の一側面に係る搬送装置は、筐体内へ被搬送物を搬送する搬送装置である。搬送装置は、搬送アーム、アーム軸、複数の電磁石及び磁場制御部を備えている。搬送アームは、被搬送物を載置するピック部を先端に有し、水平方向に伸縮する。アーム軸は、搬送アームを支持する。複数の電磁石は、筐体内部に磁場を発生させることにより搬送アームに上昇方向の力を作用させる。磁場制御部は、搬送アームが水平方向に伸縮する際にアーム軸から搬送アーム先端までの長さが長くなるほど搬送アームに作用させる上昇方向の力が大きくなるように複数の電磁石を制御する。この搬送装置では、磁場制御部によってアーム軸から搬送アーム先端までの長さが長くなるほど搬送アームに作用させる上昇方向の力が大きくなるように複数の電磁石が制御される。すなわち、アーム軸から搬送アーム先端までの長さに応じて筐体内の磁場が制御され、搬送アームへ上昇方向の力が作用する。磁場によって加わる上昇方向の力によって、搬送アームが伸びた場合であっても搬送アーム先端の下方への傾斜を低減することができる。一実施形態では、搬送アームの少なくとも一部が磁性体で形成されてもよい。そして、複数の電磁石は、搬送アームよりも上方に配置され、磁性体との吸引力によって搬送アームに上昇方向の力を作用させてもよい。このように構成することで、複数の電磁石と搬送アームとの間に生じる吸引力によって搬送アームに上昇方向の力を作用させることができる。一実施形態では、搬送アームの少なくとも一部に磁化された磁性体が取り付けられてもよい。そして、複数の電磁石は、搬送アームよりも下方に配置され、磁性体との反発力によって搬送アームに上昇方向の力を作用させてもよい。このように構成することで、複数の電磁石と搬送アームとの間に生じる反発力によって搬送アームに上昇方向の力を作用させることができる。一実施形態では、複数の電磁石は、搬送アームに対向する位置に格子状に配置されてもよい。このように構成することで、磁場の制御を精度良く行うことができる。一実施形態では、磁場制御部は、ピック部の移動位置に応じて、通電させる電磁石の数を増加させてもよい。このように構成することで、アーム軸から搬送アーム先端までの長さが長くなるほど筐体内の磁場を強くすることができるため、搬送アームに作用させる上昇方向の力が大きくなるように複数の電磁石を制御することが可能となる。一実施形態では、磁場制御部は、ピック部の移動位置に応じて、複数の電磁石への通電量を増加させてもよい。このように構成することで、アーム軸から搬送アーム先端までの長さが長くなるほど筐体内の磁場を強くすることができるため、搬送アームに作用させる上昇方向の力が大きくなるように複数の電磁石を制御することが可能となる。ここで、磁場制御部は、ピック部の移動位置に対向する位置に配置された複数の電磁石を制御対象としてもよい。このように構成することで、搬送アームの先端に近い電磁石のみ通電するとともに、ピック部の移動位置に応じて通電量を増加することができる。このため、搬送アームに作用させる上昇方向の力が大きくなるように複数の電磁石を効率的に制御することが可能となる。本発明の他の側面に係るプラズマ処理システムは、プラズマ処理装置及び搬送装置を備える。プラズマ処理装置は、基板にプラズマ処理を行うものである。搬送装置は、プラズマ処理装置に基板を搬入する。プラズマ処理装置は、処理容器、下部電極、上部電極、高周波給電部、処理ガス供給部及び複数の電磁石を備える。処理容器は、処理空間を画成する。下部電極は、基板を載置するための上面を有し、処理空間の下部に配置される。上部電極は、下部電極と対向して処理空間の上部に配置される。高周波給電部は、高周波電圧を下部電極及び上部電極の少なくとも一方に供給する。処理ガス供給部は、処理空間に処理ガスを供給する。複数の電磁石は、処理容器内部に磁場を発生させる。搬送装置は、搬送アーム及びアーム軸を備える。搬送アームは、基板を載置するピック部を先端に有し、水平方向に伸縮する。アーム軸は、搬送アームを支持する。このプラズマ処理システムは、磁場制御部をさらに備える。磁場制御部は、複数の電磁石を制御する。ここで、磁場制御部は、基板を搬入する時には、アーム軸から搬送アーム先端までの長さが長くなるほど搬送アームに作用させる上昇方向の力が大きくなるように複数の電磁石を制御する。そして、磁場制御部は、高周波給電部及び処理ガス供給部によって基板にプラズマ処理を行う時には、複数の電磁石を制御して処理容器内部に磁場を発生させる。このプラズマ処理システムでは、磁場制御部によってアーム軸から搬送アーム先端までの長さが長くなるほど搬送アームに作用させる上昇方向の力が大きくなるように複数の電磁石が制御される。すなわち、アーム軸から搬送アーム先端までの長さに応じて筐体内の磁場が制御され、搬送アームへ上昇方向の力が作用する。磁場によって加わる上昇方向の力によって、搬送アームが伸びた場合であっても搬送アーム先端の下方への傾斜を低減することができる。さらに、基板にプラズマ処理を行う時には、複数の電磁石が制御され処理容器内部に磁場が発生する。磁場によってプラズマを安定に維持することができる。このように、搬送アームへ上昇方向の力を作用させるための磁場とプラズマを安定維持させるための磁場とを同一の電磁石で実現することができる。一実施形態では、搬送アームの少なくとも一部が磁性体で形成され、複数の電磁石は、上部電極に配置され、磁性体との吸引力によって搬送アームに上昇方向の力を作用させてもよい。このように構成することで、複数の電磁石と搬送アームとの間に生じる吸引力によって搬送アームに上昇方向の力を作用させることができる。以上説明したように、本発明の種々の側面及び実施形態によれば、撓みによって生じる搬送アーム先端の下方への傾斜を低減することができる搬送装置及びプラズマ処理システムが提供される。以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。図1は、一実施形態に係るプラズマ処理システムを模式的に示す図である。図1に示すように、プラズマ処理システム1は、平行平板型のプラズマ処理装置70及び搬送装置80を備えている。プラズマ処理装置70は、チャンバ処理容器2を備えている。チャンバ2は、略円筒形状を有しており、その内部空間として処理空間Sを画成している。チャンバ2の処理空間Sの下部には、載置台3が下部電極又はサセプタとして設けられている。載置台3は、被処理基板として例えば半導体ウェハ被搬送物Wを載置するための上面を有する。載置台3の上面には、半導体ウェハWを静電吸着力で保持するための静電チャック30が設けられている。静電チャック30は、導電膜からなる電極31を一対の絶縁膜32a,32bの間に挟み込んだものであり、電極31には直流電源33がスイッチSWを介して電気的に接続されている。直流電源33からの直流電圧により、クーロン力で半導体ウェハWをチャック上に吸着して固定する。載置台3は、絶縁性の筒状保持部4を介してチャンバ2の底から垂直方向に延びる筒状支持部6に支持されている。載置台3は、例えばアルミニウムから構成され得る。筒状保持部4の上面には、載置台3の上面を環状に囲むフォーカスリング7が配置されている。フォーカスリング7は、略環形状を有する板状部材であり、例えば、シリコン、石英、又はシリコンカーバイドから構成され得る。載置台3には、プラズマ生成用の高周波電源高周波給電部15が整合器16及び給電棒17を介して電気的に接続されている。高周波電源15は、所定の高周波数例えば13MHz以上の高周波電力を下部電極、すなわち載置台3に印加する。また、載置台3には、ガス供給ライン38を介して伝熱ガス供給部39が接続されている。伝熱ガス供給部39は、静電チャック30の上面と半導体ウェハWの裏面との間に伝熱ガス例えばHeガスを供給する。載置台3と平行に向かい合うチャンバ2の上部には、シャワーヘッド20が接地電位の上部電極として設けられている。高周波電源15からの高周波によって載置台3とシャワーヘッド20との間の空間、つまりプラズマ生成空間PSに高周波電界が形成される。シャワーヘッド20は、多数のガス通気孔21を有する電極板22と、電極板22を着脱可能に支持する電極支持体23とを有する。電極支持体23の内部にバッファ室24が設けられ、このバッファ室24のガス導入口25には処理ガス供給部26からのガス供給導管27が接続されている。図2はシャワーヘッド20の底面図である。図12に示すように、シャワーヘッド20には、磁場を発生するための複数の電磁石50が配置されている。電磁石50は、例えば、格子状に配置される。なお、電磁石50は、ガス通気孔21とガス通気孔21との間に配置される。電磁石50は、コイル及び鉄心を備え、励磁電源51に接続されており、通電量に比例した強さの磁場を形成する。複数の電磁石50は、グループG1~G6に示すようにグループ化されており、グループ単位で通電可能に構成されている。シャワーヘッド20の上方には、第1ヒータ35が配置されている。第1ヒータ35は、シャワーヘッド20を加熱電極板22の温度制御するための熱源であり、環状を呈している。第1ヒータ35の外径は、シャワーヘッド20の外径よりも大きいものが採用される。チャンバ2の側壁と筒状支持部6との間には、排気路8が形成されている。この排気路8の入口又はその途中には、バッフル板9が取り付けられていると共に、底部に排気口10が設けられている。排気装置11は、排気口10に排気管12を介して接続されている。排気装置11は、真空ポンプ及び制御バルブを有し、チャンバ2内の処理空間を所定の真空度まで減圧することができる。チャンバ2の側壁には、半導体ウェハWの搬入出口を開閉するゲートバルブ14が取り付けられている。搬送装置80は、搬送チャンバ60を備える。搬送チャンバ60は、ゲートバルブ14を介してチャンバ2に接続されている。搬送チャンバ60は、略円筒形状を有しており、その内部空間として処理空間Hを画成している。搬送チャンバ60の側壁には、半導体ウェハWの搬入出口を開閉するゲートバルブ54が取り付けられている。処理空間H内には、搬送アーム52が配置されている。搬送アーム52は、アーム軸53によって搬送チャンバ60の底に支持されている。搬送アーム52として、例えば、多関節アームやスライド型のアームが用いられる。アーム軸53は、ドライブ部56に接続されており、搬送アーム52を回転可能に支持する。ドライブ部56として例えばステッピングモータが利用される。図3は、図1に示す搬送アーム52の上面図である。搬送アーム52は、屈伸部52aを有する多関節アームであり、その先端に半導体ウェハWを載置するピック部52bを有する。搬送アーム52は、アーム軸53を中心に径方向水平方向へ伸縮する。図3のaは、搬送アーム52が縮んだ状態を示すものである。この場合、アーム軸53からピック部52b先端搬送アーム52の先端までの距離がL1となる。一方、図3のbは、搬送アーム52が伸びた状態を示すものである。この場合、アーム軸53からピック部52b先端搬送アーム52の先端までの距離がL1よりも長いL2となる。搬送アーム52の少なくとも一部は、磁性体で形成されてもよい。これにより、電磁石50との間に強い吸引力が働く。磁性体は、着磁されていてもよい。磁性体を着磁して用いる場合には、電磁石50との間に吸引力が働くように、磁性体のN極とS極とが設定されるか、又は、電磁石50への通電方向が設定される。また、搬送アーム52の少なくとも一部に磁化された磁性体永久磁石が取り付けられてもよい。この場合も、電磁石50との間に吸引力が働くようにN極とS極とが設定されるか、又は、電磁石50への通電方向が設定される。なお、ピック部52bを有する搬送アーム52によって、シャワーヘッド20に対向する載置台3へ半導体ウェハWが搬送される。このため、シャワーヘッド20に配置された複数の電磁石50は、搬送アーム52に対向する位置に格子状に配置されているともいえる。制御部40は、プラズマ処理装置70内の各部を個別に制御し、全体のシーケンスを統括制御する。例えば、制御部40は、排気装置11、高周波電源15、スイッチSW、伝熱ガス供給部39、処理ガス供給部26、励磁電源51及びドライブ部56を制御可能に構成されている。制御部40は、排気装置11あるいは排気装置11に接続されたバルブ及び処理ガス供給部26を制御して、チャンバ2内の真空度やガス雰囲気量を制御する。また、制御部40は、高周波電源15が載置台3に供給する高周波電圧の大きさ及びタイミングを制御する。すなわち、制御部40は、プラズマ生成空間PSにプラズマを発生させるように機器を制御することができる。さらに、制御部40は、高周波電源15及び処理ガス供給部26によって半導体ウェハWにプラズマ処理を行う時には、励磁電源51を介して複数の電磁石50を制御し、チャンバ2内部に磁場を発生させる。すなわち、制御部40は、磁場制御部として機能する。これにより、高周波放電の開始プラズマ着火を容易にして放電を安定に維持することができる。さらに、制御部40は、ドライブ部56を制御して半導体ウェハWをチャンバ2へ搬送させる。制御部40は、ドライブ部56の制御情報例えばステップ数等に基づいて半導体ウェハWの位置情報ピック部52bの移動位置を取得可能に構成されている。例えば、ステップ数とピック部52bの移動位置との関係データを事前に取得している。制御部40は、制御情報及び関係データに基づいてピック部52bの移動位置を特定する。すなわち、制御部40は、ピック部52bの移動位置を特定する位置特定手段を備えている。なお、センサ等を別個配置してピック部52bの移動位置を観測して制御に用いてもよい。制御部40は、半導体ウェハWを搬入する時には、アーム軸53からピック部52b先端までの長さが長くなるほど搬送アーム52に作用させる上昇方向の力が大きくなるように複数の電磁石を制御する。以下では、制御部40の制御手法について説明する。まず、第1の制御方法を説明する。図4は、アーム位置と磁場制御領域との関係を説明する図である。図4では、搬送アーム52及びピック部52bの位置アーム位置が左側に、電極板22に配置された電磁石50の制御対象磁場制御領域が右側に示されている。それぞれの図は底面図である。図4のaは搬送アーム52が縮んだ状態を示し、bは搬送アーム52が伸びた状態を示すものである。なお、説明の便宜上、搬送アーム52を多関節アームとし、アーム位置を搬送アーム52の屈伸部52aで識別する。図中では、屈伸部52aが半導体ウェハWを搬出する位置にある場合をアーム位置A、屈伸部52aが半導体ウェハWを搬入する位置にある場合をアーム位置Bとしている。図4のaに示すように、制御部40は、搬送アーム52がアーム位置A搬出位置にある場合には、電磁石50に通電しない。一方、図4のbに示すように、制御部40は、搬送アーム52がアーム位置B搬入位置にある場合には、搬送アーム52の先端に対向する位置に配置された複数の電磁石50を制御する。図に示すように、グループG1~グループG4までを含めた領域B1に含まれる電磁石50へ通電し、磁界を発生させる。制御部40は、搬送アーム52が伸びるほど、すなわち、搬送アーム52の先端とアーム軸支点53との距離が長くなるほど磁場制御領域が広くなるように制御対象となる電磁石50の数が増えるように、電磁石50へ通電する。この制御を纏めたものが図5である。図5に示すグラフは、行がアーム位置、列が磁場制御領域である。アーム位置A~Bは、縮んだときから伸びたときに至るまでのアーム位置である。磁場制御領域は、制御対象の電磁石50の分類グループG1~G6で表現される。表中で有と示しているのが通電対象となっている領域である。図5に示すように、制御部40は、搬送アーム52がアーム位置Aからアーム位置Bに向かうにつれて、磁場制御領域を、G1のみ、G1かつG2、G1かつG2かつG3、G1かつG2かつG3かつG4と、段々と拡張させている。このように、制御部40は、アーム軸53から搬送アーム52の先端までの長さが長くなるほど搬送アーム52に作用させる上昇方向の力が大きくなるように複数の電磁石を制御する。なお、上記第1の制御では、制御部40がピック部52bの位置情報を搬送アーム制御情報から求めて、その都度磁場制御領域を設定する例を説明したが、ピック部52bの位置情報を利用せずに磁場を制御してもよい。例えば、制御部40は、半導体ウェハWの搬送時にピック部52bの位置に関わらずグループG1~G4全てに対して通電するという制御でもよい。あるいは、制御部40は、グループ間の電流量を変化させてもよい。例えば、制御部40は、搬送アーム52の搬送経路と、搬送経路に沿って配置された電磁石50を予め特定しておく。そして、制御部40は、電磁石50が対向すると想定される搬送アーム52の箇所に応じて、電磁石50への電流量を予め調整する。すなわち制御部40は、複数の電磁石50へ与える電流量のマップを予め備え、該マップに基づいて半導体ウェハWの搬送時にピック部52bの位置に関わらず電磁石50に対して通電するという制御を行う。電流量のマップとしては、例えば、搬送アーム52が最も伸びたときに搬送アーム52の先端に対向すると想定される電磁石50あるいはグループに対して最も大きな電流を与え、搬送経路に沿って配置されたそれ以外の電磁石50については、電磁石50が対向すると想定される搬送アーム52の箇所が末端に近くなるに連れて除々に小さい電流量を電磁石50へ与えるというマップとなる。次に、第2の制御方法を説明する。図6は、アーム位置と磁場制御領域との関係を説明する図である。図6では、搬送アーム52及びピック部52bの位置アーム位置が左側に、電極板22に配置された電磁石50の制御対象磁場制御領域が右側に示されている。それぞれの図は底面図である。図6のaは搬送アーム52が縮んだ状態を示し、bは搬送アーム52が伸びた状態を示すものである。なお、説明の便宜上、搬送アーム52を多関節アームとし、アーム位置を搬送アーム52の屈伸部52aで識別する。図中では、屈伸部52aが半導体ウェハWを搬出する位置にある場合をアーム位置A、屈伸部52aが半導体ウェハWを搬入する位置にある場合をアーム位置Bとしている。図6のaに示すように、制御部40は、搬送アーム52がアーム位置A搬出位置にある場合には、電磁石50に通電しない。一方、図6のbに示すように、制御部40は、搬送アーム52がアーム位置B搬入位置にある場合には、搬送アーム52の先端に対向する位置に配置された複数の電磁石50のみを制御する。図に示すように、グループG4のみとなる領域B2に含まれる電磁石50へ通電し、磁界を発生させる。制御部40は、搬送アーム52が伸びるほど、すなわち、搬送アーム52の先端とアーム軸支点53との距離が長くなるほど磁場が強くなるように、電磁石50へ通電する。この制御を纏めたものが図7である。図7に示すグラフは、行がアーム位置、列が磁場制御領域である。アーム位置A~Bは、縮んだときから伸びたときに至るまでのアーム位置である。磁場制御領域は、制御対象の電磁石50の分類グループG1~G6で表現される。表中で有と示しているのが通電対象となっている領域である。磁場1~磁場4は、それぞれ強度の異なる磁場を示し、数字が大きくなるほど強い磁場であることを示す。図7に示すように、制御部40は、搬送アーム52の先端に対向する位置に配置された電磁石50のみに通電するとともに、搬送アーム52がアーム位置Aからアーム位置Bに向かうにつれて、発生させる磁場の強さを段階的に強くさせている。このように、制御部40は、アーム軸53から搬送アーム52の先端までの長さが長くなるほど搬送アーム52に作用させる上昇方向の力が大きくなるように複数の電磁石を制御する。以上、本実施形態に係る搬送装置80及びプラズマ処理システム1では、制御部40によってアーム軸53から搬送アーム52先端までの長さが長くなるほど搬送アーム52に作用させる上昇方向の力が大きくなるように複数の電磁石50が制御される。すなわち、アーム軸53から搬送アーム52先端までの長さに応じてチャンバ2内の磁場が制御され、搬送アーム52へ上昇方向の力が作用する。磁場によって加わる上昇方向の力によって、搬送アーム52が伸びた場合であっても搬送アーム52先端の下方への傾斜を低減することができる。ここで、搬送装置80の作用効果を説明すべく、従来の搬送装置を説明する。図9は、従来の搬送装置を説明する概要図である。図9のaは、搬送アーム90が縮んでいる場合であり、アーム軸53から搬送アーム90先端までの長さをL3、水平方向の傾き垂れ量をR1で示している。図9のbは、搬送アーム90が伸びている場合であり、アーム軸53から搬送アーム90先端までの長さをL4、水平方向の傾き垂れ量をR2で示している。L4は、L3よりも長い。図9に示すように、アーム軸53から搬送アーム90先端までの長さが長くなるほど搬送アーム90の自重により先端が下方へ傾斜するおそれがある。これに対して、本実施形態に係る搬送装置80によれば、電磁石50の吸引力によって搬送アーム52に対して上昇方向の力を与えることができる。図8のaでは、搬送アーム52に磁力源によって吸引力が作用することを模式的に示している。アーム軸53から搬送アーム52先端までの長さは、図9のbに示す長さL4と同じである。図に示すように、磁力源と搬送アーム52との間に生じる吸引力が発生する。すなわち、搬送アーム52に上昇方向の力が作用する。これにより、水平方向の傾き垂れ量がR3で示すように低減させることができる。このように、搬送アーム52が伸びた場合であっても搬送アーム52先端の下方への傾斜を低減することができる。このように、搬送アーム52先端の下方への傾斜を低減することで、周辺パーツへの干渉や半導体ウェハWの搬送精度の低下を防止することが可能となる。また、本実施形態に係る搬送装置80によれば、複数の電磁石50が搬送アーム52に対向する位置に格子状に配置されているため、きめ細やかな磁場の制御を行うことができる。また、本実施形態に係る搬送装置80によれば、制御部40によって、ピック部52bの移動位置に応じて通電対象となる電磁石50の数が増加されるため、アーム軸53から搬送アーム52先端までの長さが長くなるほどチャンバ2内の磁場を強くすることができる。このため、搬送アーム52に作用させる上昇方向の力が大きくなるように複数の電磁石50を制御することが可能となる。また、本実施形態に係る搬送装置80によれば、制御部40によって、ピック部52bの移動位置に応じて、複数の電磁石50への通電量が増加されるため、アーム軸53から搬送アーム52先端までの長さが長くなるほどチャンバ2内の磁場を強くすることができる。このため、搬送アーム52に作用させる上昇方向の力が大きくなるように複数の電磁石50を制御することが可能となる。また、本実施形態に係る搬送装置80によれば、制御部40によって、ピック部52bの移動位置に対向する位置に配置された複数の電磁石50が制御対象とされるため、搬送アーム52の先端に近い電磁石50のみが通電されるとともに、ピック部52bの移動位置に応じて通電量が増加される。このため、搬送アーム52に作用させる上昇方向の力が大きくなるように複数の電磁石50を効率的に制御することが可能となる。さらに、本実施形態に係るプラズマ処理システム1では、搬送アーム52へ上昇方向の力を作用させるための磁場とプラズマを安定維持させるための磁場とを同一の電磁石50で実現することができる。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、載置台3に高周波電源15が接続されているが、シャワーヘッド20に高周波電源15が接続されていてもよい。すなわち、高周波電源15は、載置台3及びシャワーヘッド20の少なくとも一方に高周波電圧を供給すればよい。また、上記実施形態では、処理容器であるチャンバ2へ半導体ウェハWを搬送する例を説明しているが、搬送先は処理容器に限られるものではなく、搬送室から搬送室筐体へ半導体ウェハWを搬送する場合であってもよい。また、上記実施形態では、複数の電磁石50は、搬送アーム52よりも上方に配置される場合を説明したが、搬送アーム52よりも下方に配置されてもよい。この場合、搬送アーム52が磁性体で形成されて着磁されるか、搬送アーム52の少なくとも一部に磁化された磁性体が取り付けられる。そして、磁性体との反発力によって搬送アーム52に上昇方向の力を作用させる。このように構成することで、複数の電磁石50と搬送アーム52との間に生じる反発力によって搬送アーム52に上昇方向の力を作用させることができる。さらに、複数の電磁石50を搬送アーム52の上方及び下方に配置して、吸引力及び反発力の両方を用いて搬送アーム52先端の下方への傾斜を低減してもよい。また、上記実施形態では、複数の電磁石50がチャンバ2に配置される場合を説明したが、搬送アーム52に配置される場合であってもよい。"