セラミックスからなる絶縁層が複数積層された絶縁基板と、該絶縁基板の内部に設けられたビア導体とを具備してなり、前記ビア導体を縦断面視したときに、中央部から外周部側に向けて、銅とタングステンとの複合層および銅層がこの順に配置されており、前記銅層が前記複合層の周囲を囲むように設けられていることを特徴とする多層配線基板。しかしながら、特許文献1に記載された多層配線基板の場合、ビア導体の高周波領域における電気信号の透過性が小さいという問題がある。すなわち、導体を通過する電気信号は高周波領域において導体の表面近傍を通過するいわゆる表皮効果により流れるものであるが、特許文献1に記載された多層配線基板を構成するビア導体は、銅の焼結体とタングステンの焼結体とが複雑に絡まった構造となっており、電気抵抗の高いタングステンの焼結体がビア導体の外周面に多く存在することから、電気信号がビア導体の外周面近傍を流れにくくなることに起因する。従って本発明は、高周波領域の電気信号の伝送特性に優れた多層配線基板を提供することを目的とする。本発明の多層配線基板は、セラミックスからなる絶縁層が複数積層された絶縁基板と、該絶縁基板の内部に設けられたビア導体とを具備してなり、前記ビア導体を縦断面視したときに、中央部から外周部側に向けて、銅とタングステンとの複合層および銅層がこの順に配置されており、前記銅層が前記複合層の周囲を囲むように設けられていることを特徴とする。本発明によれば、高周波領域の電気信号の伝送特性に優れた多層配線基板を得ることができる。図1は、本発明の多層配線基板の一実施形態を示す概略断面図である。図2は、図1の多層配線基板を上面側から見たときのビア導体の拡大断面図である。図3は、図1の多層配線基板を縦断面視したときのビア導体の拡大断面図である。本実施形態の多層配線基板Aは、複数のセラミックスからなる絶縁層1Aが積層された絶縁基板1と、この絶縁基板1の表層および内部に設けられた導体3とを有している。導体3は、半導体素子図示せずや外部回路基板図示せずとの接続部となる表面配線層5と、絶縁基板1の内部において信号層やグランド層となる内部配線層3Aと、表面配線層5と内部配線層3Aとを接続するために絶縁層1Aを貫通して設けられたビア導体3Bとから構成されている。本実施形態の多層配線基板Aを構成する絶縁層1Aは、酸化アルミニウム以下、アルミナと表現する。を主成分とするセラミックスにより形成されており、この場合、アルミナの含有量が84~92質量であり、助剤として酸化マンガンをMn2O3換算で2.0~15.0質量、酸化ケイ素をSiO2換算で2~15質量含有することが望ましい。絶縁層1Aが上記組成を有するものであると、絶縁基板1の相対密度が95以上であり、高い絶縁性および熱伝導性を維持しつつ、銅とタングステンとの複合材料からなる導体3との同時焼成が可能となる。また、本実施形態の多層配線基板Aを構成するビア導体3Bは、ビア導体3Bを縦断面視したときに、中央部3BCから外周部3BO側に向けて、銅とタングステンとの複合層3B1および銅層3B2がこの順に配置されており、銅層3B2が複合層3B1の周囲を囲むように設けられている。このように本実施形態の多層配線基板Aでは、ビア導体3Bの中心部3BCに銅とタングステンとの複合層3B1が配置され、その周囲に複合層3B1よりも導体抵抗の低い銅層3B2が形成されているために、表皮効果によって、高周波領域の電気信号の伝送特性を高めることができる。この場合、表面抵抗を低減して高周波領域での電気信号の伝送特性をより高められるという点で銅層3B2は膜状であるのがよい。本実施形態の多層配線基板Aにおいては、表皮効果による伝送特性を高められるという点で、銅層3B2が銅とタングステンとの複合層3B1の周囲を取り巻いており、かつビア導体3Bの一端上面から他端下面にわたって設けられていることが望ましい。ビア導体3Bを構成する銅とタングステンとの複合層3B1としては銅を50~80質量、タングステンを20~50質量の割合で含んでいることが望ましく、また、ビア導体3Bを構成する銅層3B2としては銅の含有量が99質量以上であることが望ましい。さらに、銅とタングステンとの複合層3B1および銅層3B2はいずれも金属成分の占める割合が各層における体積割合で95以上であることが望ましい。複合層3B1および銅層3B2における金属成分の割合が体積割合で95以上であると、ビア導体3Bの導体抵抗を低減できるとともに、水分等の侵入を抑制できるために耐湿性の高い多層配線基板Aを得ることが可能となる。また、銅層3B2はビア導体3Bを走査型電子顕微鏡を用いて観察したときに、転位等のミクロな粒界を除いて、銅の粒子の輪郭を認めることができない程度に一体化されていることが望ましい。銅層3B2が銅の粒子の輪郭を認めることができない程度に一体化されたものであると、銅の粒子の粒界による高周波領域での電気信号の伝送損失を抑えることができる。また、銅層3B2は、表皮効果での損失を抑え高周波領域の電気信号の伝送特性を高められるという理由から、その平均厚みtが5μm以上であることが望ましい。一方、絶縁層1Aとの同時焼成を行った際にビア導体3Bを緻密な状態で形成できるという理由から、銅層3B2の最大厚みはビア導体3Bの半径の20以下であることが望ましい。また、本実施形態の多層配線基板Aは、ビア導体3Bを構成する銅層3B2の外側にさらに酸化ケイ素層3B3が形成されていることが望ましい。銅層3B2の外側にさらに酸化ケイ素層3B3が形成されていると、ビア導体3Bと絶縁層1Aとの接合をより強固にすることができる。これは、酸化ケイ素SiO2が絶縁層1Aを構成するセラミックスの主成分アルミナよりも酸化物の標準生成自由エネルギーが高い位置にあり、金属である銅との間で絶縁層1Aを構成するセラミックスの主成分アルミナよりも金属的な結合状態を形成できるからである。この場合、ビア導体3Bと絶縁層1Aとの接合をさらに強固にできるという点で、酸化ケイ素層3B3が銅層3B2を取り巻くように配置されていることが望ましい。ここで、ビア導体3Bを構成する銅とタングステンとの複合層3B1および銅層3B2と、酸化ケイ素層3B3とは、多層配線基板Aの縦断面をX線マイクロアナライザーを付設した走査型電子顕微鏡を用いてカラーマッピングによる画像解析を行って確認する。このときカラーマッピングの画像を酸化ケイ素層3B3の側面から20μmの間隔で分割し、分割した各部分において銅、タングステンおよびケイ素の面積割合を求め、銅が95以上となっている層を銅層3B2とし、酸素とケイ素とが共存し、その割合が95以上となっている部分を酸化ケイ素層3B3とし、さらに銅層3B2の内側においてタングステンの面積比が10以上であり、残部に銅を含んでいる部分を銅とタングステンとの複合層3B1とする。次に、上記の多層配線基板の製造方法について説明する。まず、絶縁基板1を形成するために、主原料粉末として、いずれも純度が99質量以上のアルミナAl2O3粉末を準備する。次いで、主原料粉末を残部とし、これに、Mn2O3粉末を2~15質量、SiO2粉末を2~15質量およびMgO粉末を0.3~2.0質量を配合して混合粉末を調製する。この場合、Mn2O3粉末、SiO2粉末およびMgO粉末の純度はともに99質量以上であるものがよい。これにより、セラミック絶縁層1A中にMnおよびSiを拡散させ、還元雰囲気中、1300°C~1400°Cの温度での焼結性を高めることができる。次に、この混合粉末に対して有機バインダ、溶媒を添加してスラリーを調整した後、これをプレス法、ドクターブレード法、圧延法、射出法などの成形方法によってグリーンシートを作製する。あるいは、混合粉末に有機バインダを添加し、プレス成形、圧延成形等の方法により所定の厚みのグリーンシートを作製する。なお、グリーンシートの厚みはたとえば50~300μmとすることができるが、特に限定されない。そして、適宜、このグリーンシートに対して、マイクロドリル、レーザー等により直径50~250μmの貫通孔を形成する。次に、グリーンシートの貫通孔内にスクリーン印刷法により導体ペーストを充填する。貫通孔に充填する導体ペーストは銅Cu粉末およびタングステンW粉末を主成分とし、これに少なくとも酸化ケイ素の成分としてクオーツ粉末を添加したものを用いる。この場合、導体ペーストの組成は、銅粉末が50~70質量、タングステン粉末が20~50質量およびクオーツ粉末が5.0~15.0質量の割合であることが望ましい。導体ペーストにクオーツ粉末を添加することで焼成過程において導体ペースト中の銅粉末およびクオーツ粉末がビア導体3Bに接している貫通孔の内壁面側に移動し、貫通孔の内壁側にクオーツ粉末によって形成された酸化ケイ素層3B3が形成され、その酸化ケイ素層3B3の内側に銅層3B2が形成され、さらにその内側に銅とタングステンとの複合層3B1が形成されることになる。これはクオーツ粉末が元々銅粉末やタングステン粉末に対して反応性に乏しい上に、還元雰囲気中、1300°C~1400°Cの温度においてもグリーンシートに含まれるアルミナ粉末、Mn2O3粉末およびSiO2粉末とも過度の反応が起きにくいことによる。なお、クオーツ粉末の代わりに非晶質のSiO2、クリストバライトおよびトリジマイト等の同質の材料を用いた場合には、銅およびタングステンおよびグリーンシート中に含まれる成分と反応しやすいために、銅の焼結体とタングステンの焼結体とが絡まった構造のようになり、ビア導体3Bを縦断面視したときに、中央部3BCから外周部3BO側に向けて、銅とタングステンとの複合層3B1および銅層3B2がこの順に配置されており、銅層3B2が複合層3B1の周囲を囲むように設けられた構造のビア導体3Bを得ることが困難となる。また、導体ペースト中に有機成分を除いた固形分中にリン粉末を0.01~0.05質量添加することが望ましく、リンを上記した範囲で添加することにより、導体ペーストを構成する銅粉末、タングステン粉末およびクオーツ粉末の焼結性が高まり、緻密なビア導体3Bを形成することができる。次に、貫通孔に導体ペーストを充填して生のビア導体が形成されたグリーンシートに対して、銅粉末とタングステン粉末とを、例えば、銅粉末が50~70質量、タングステン粉末が20~40質量となるように調製した内部配線層3A用の導体ペーストを各グリーンシートの表面にスクリーン印刷、グラビア印刷などの方法により印刷塗布して内部配線層3Aとなる配線パターンを形成する。なお、この内部配線層3A用の導体ペースト中には、絶縁基板1との密着性を高めるために、上記の金属粉末以外にアルミナ粉末あるいは絶縁基板1と同一組成物の混合粉末を添加してもよい。次に、生のビア導体および配線パターンの形成されたグリーンシートを複数枚積層して積層体を形成した後、この積層体を非酸化性雰囲気窒素雰囲気あるいは窒素と水素との混合雰囲気中で焼成する。ここで、焼成条件は、最高温度を1300°C~1400°Cとし、保持時間を1~3時間とするのがよい。焼成中の最高温度を1300°C~1400°Cとし、保持時間を1~3時間とすることにより、生のビア導体から貫通孔の内壁側へ移動するクオーツ粉末のほとんどをビア導体3Bの周囲の絶縁層1Aに形成された貫通孔の内壁付近に止めておくことができるとともに、クオーツ粉末によって形成される酸化ケイ素層3B3の内側であって銅とタングステンとの複合層3B1の外側の領域に、ほとんど銅によって構成される銅層3B2を形成することができる。なお、焼成雰囲気を水素および窒素を含む還元雰囲気とすると、内部配線層3Aからの銅の拡散を抑制でき、内部配線層3Aの長さ方法に対して垂直な方向の断面形状をより矩形状に保つことができるという利点がある。以上述べた方法により作製された多層配線基板Aは、ビア導体3Bを断面視したときに、中央部3BCから外周部3BO側に向けて、銅とタングステンとの複合層3B1および銅層3B2がこの順に配置されており、銅層3B2が複合層3B1の周囲を囲むように設けられていることから、高周波領域の電気信号の伝送特性に優れたビア導体3Bを有するものとなる。なお、本実施形態では、絶縁層1Aとして、アルミナを主成分とするアルミナ質セラミックスからなる例を示したが、ムライトを主成分とするムライト質セラミックスを用いることもできる。絶縁層1Aとしてムライト質セラミックスを用いる場合にも上記したアルミナ質セラミックスと同様の焼結助剤の添加により、焼結温度を1300~1400°Cにすることができることから、この場合も高周波領域の電気信号の伝送特性に優れたビア導体3Bを有する多層配線基板Aを得ることができる。まず、絶縁基板を形成するためのグリーンシートを作製した。グリーンシートは、アルミナ粉末、Mn2O3粉末、SiO2粉末、MgO粉末を準備し、アルミナ粉末を87質量、Mn2O3粉末を6.0質量、SiO2粉末を6.0質量、MgO粉末を1.0質量秤量し、有機バインダーおよび可塑剤を添加してスラリーを作製した。次に、このスラリーをドクターブレード法により成形し、面積が縦200mm、横200mmであり、厚みが0.15mmおよび0.20mmのグリーンシートを作製した。次に、作製したグリーンシートに、パンチングにより直径0.12mmの貫通孔を形成した。次に、ビア導体用の導体ペーストを作製した。その組成は銅粉末を65質量、タングステン粉末を35質量としたものに、表1に示す成分を助剤として加え、さらに、アクリル樹脂とフタル酸ジブチルDBPを混合した有機ビヒクルを添加し混錬して導体ペーストを調製した。なお、表1の絶縁層という添加剤は上記グリーンシートに用いたセラミック成分のことであり、ホウケイ酸ガラスというのは、SiO2を45質量、Al2O3を30質量、MgOを10質量、B2O3を10質量、ZnOを5質量からなるガラスのことである。次に、ビア導体用の導体ペースト以下、ビア用導体ペーストとする。をスクリーン印刷法によってグリーンシートの貫通孔に充填して生のビア導体を形成した。次に、表面配線層用および内部配線層用の導体ペーストを作製した。この場合、銅粉末およびタングステン粉末についてはビア用導体ペーストと同じ組成になるように配合し、これにビア用導体ペーストと同じ有機ビヒクルを添加して調製した。次に、この導体ペーストを用いてスクリーン印刷法により表面配線層および内部配線層となる配線パターンを形成した。次に、生のビア導体および配線パターンが形成されたグリーンシートを20層積層し、積層体を作製した。この時、グリーンシート間に接着剤を均一に塗布し、40°C、20MPaの条件で加圧積層を行った。続いて、これらの積層体を切断し、均一な大きさに切断した後、還元雰囲気中、最高温度1350°Cで1時間焼成を行った。こうして、ビア導体が絶縁基板の最上層から最下層の1層上の層までの間で往復して連結されたビア構造を有する多層配線基板を得ることができた。次に、作製した多層配線基板について以下の評価を行った。ビア導体の伝送特性については、ネットワークアナライザを用いて5GHzおよび10GHzにおおいて伝送損失を評価した。試料数測定数は1枚の多層配線基板について10箇所のビア導体を測定し、その平均値を求めた。ビア導体を構成する銅とタングステンとの複合層、銅層および酸化ケイ素層の確認は、多層配線基板の縦断面を研磨してその断面にビア導体を露出させた試料を用意し、その試料のビア導体とその外側の領域を走査型電子顕微鏡に付設のX線マイクロアナライザーを用いてカラーマッピングによる画像解析を行って求めた。このときカラーマッピングの画像をビア導体の外側の絶縁層との界面付近から20μmの間隔で分割し、分割した各部分において銅、タングステンおよびケイ素の面積割合を求め、銅が95以上となっている層を銅層とし、ケイ素の割合が95以上となっている部分を酸化ケイ素層とし、さらに銅層の内側においてタングステンの面積比が10以上であり、残部に銅を含んでいる部分を銅とタングステンとの複合層とした。分析した結果、試料No.30~35では、ビア導体は、銅とタングステンとの複合層および銅層がこの順に配置されており、銅層が膜状となって複合層の周囲を囲むように設けられた構造となっていた。表1より明らかなように、試料No.30~35は、ビア導体を縦断面視したときに、中央部から外周部側に向けて、銅とタングステンとの複合層および銅層がこの順に配置されており、銅層が複合層の周囲を囲むように設けられた構造となっており、5GHzにおける伝送特性が絶対値で0.22dB/cm以下、10GHzにおける伝送特性が絶対値で0.41dB/cm以下であった。これに対し、試料No.1~29は、ビア導体が銅の焼結体とタングステンの焼結体とが絡み合った構造であるため、5GHzにおける伝送特性が絶対値で0.22dB/cmより大きく、また、10GHzにおける伝送特性が絶対値で0.41dB/cmよりも大きく、伝送特性が良くなかった。なお、作製した多層配線基板を蛍光探傷液に2時間浸漬した後、30秒間流水で洗浄し、紫外線によりビア導体周辺からの蛍光探傷液の浸入の有無を確認したところ、試料No.30~36については、導体ペースト中にリンを含有させていることにより、ビア導体とその周囲がより緻密化しており、いずれの試料も蛍光探傷液の浸入は見られなかった。