第1導電形の半導体層と、前記半導体層の表面に選択的に設けられた、第2導電形の複数のベース領域と、前記複数のベース領域のそれぞれの上側において、前記複数のベース領域のそれぞれに接する第2導電形の第1コンタクト領域と、前記第1コンタクト領域の側面に対向し、前記ベース領域のそれぞれの表面の一部から内部にまで到達するソース領域と、前記複数の前記ベース領域のそれぞれのあいだを貫通し、前記ソース領域の上端から前記半導体層の内部にまで到達するトレンチ内に、ゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記トレンチ内において、前記ゲート電極の下にフィールドプレート絶縁膜を介して設けられたフィールドプレート電極と、前記トレンチ内において、前記ゲート電極の上に設けられた、第1導電形の不純物元素を含む層間絶縁膜と、前記半導体層に電気的に接続された第1主電極と、前記層間絶縁膜の上に設けられ、前記ソース領域および前記第1コンタクト領域に接続された第2主電極と、を備え、前記層間絶縁膜は、前記ゲート電極および前記ソース領域に接し、前記ソース領域の上端と前記半導体層の裏面とのあいだの距離は、前記ゲート電極の上面と前記半導体層の裏面とのあいだの距離よりも長く、前記ソース領域の下端と前記半導体層の前記裏面とのあいだの距離は、前記第1コンタクト領域の下面と前記半導体層の前記裏面とのあいだの距離よりも短く、前記層間絶縁膜の上面、前記ソース領域の上端、および前記第1コンタクト領域の上面は、面一であり、前記第1コンタクト領域に含まれる第2導電形の不純物濃度は、前記ソース領域に含まれる第1導電形の不純物濃度よりも低い半導体装置。第1導電形の半導体層と、前記半導体層の表面に選択的に設けられた、第2導電形の複数のベース領域と、前記複数のベース領域のそれぞれの上側において、前記複数のベース領域のそれぞれに接する第2導電形の第1コンタクト領域と、前記第1コンタクト領域の側面に対向し、前記ベース領域のそれぞれの表面の一部から内部にまで到達するソース領域と、前記複数の前記ベース領域のそれぞれのあいだを貫通し、前記ソース領域の上端から前記半導体層の内部にまで到達するトレンチ内に、ゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記トレンチ内において、前記ゲート電極の下にフィールドプレート絶縁膜を介して設けられたフィールドプレート電極と、前記トレンチ内において、前記ゲート電極の上に設けられた、第1導電形の不純物元素を含む層間絶縁膜と、前記半導体層に電気的に接続された第1主電極と、前記層間絶縁膜の上に設けられ、前記ソース領域および前記第1コンタクト領域に接続された第2主電極と、を備え、前記層間絶縁膜は、前記ゲート電極および前記ソース領域に接し、前記ソース領域の上端と前記半導体層の裏面とのあいだの距離は、前記ゲート電極の上面と前記半導体層の裏面とのあいだの距離よりも長い半導体装置。前記ソース領域の下端と前記半導体層の前記裏面とのあいだの距離は、前記第1コンタクト領域の下面と前記半導体層の前記裏面とのあいだの距離よりも短い請求項2記載の半導体装置。前記層間絶縁膜の上面、前記ソース領域の上端、および前記第1コンタクト領域の上面は、面一である請求項2または3に記載の半導体装置。前記第1コンタクト領域に含まれる第2導電形の不純物濃度は、前記ソース領域に含まれる第1導電形の不純物濃度よりも低い請求項2~4のいずれか1つに記載の半導体装置。前記トレンチと、前記トレンチと隣り合う別のトレンチと、によって挟まれた前記ベース領域の幅は、前記トレンチと前記別のトレンチとにより挟まれた前記半導体層の一部の幅よりも広い請求項2~5のいずれか1つに記載の半導体装置。前記ゲート電極と、前記第2主電極と、が電気的に接続された請求項2~6のいずれか1つに記載の半導体装置。前記第1コンタクト領域に接続された第2導電形の第2コンタクト領域をさらに備え、前記第2コンタクト領域は、前記第1コンタクト領域から前記半導体層側に延在し、前記第2コンタクト領域の下端と前記半導体層の前記裏面とのあいだの距離は、前記ソース領域の下端と前記半導体層の前記裏面とのあいだの距離よりも短い請求項2~7のいずれか1つに記載の半導体装置。前記第2コンタクト領域の下端と前記半導体層の前記裏面とのあいだの距離は、前記ベース領域の下面と前記半導体層の前記裏面とのあいだの距離よりも短い請求項8記載の半導体装置。前記第2コンタクト領域の下端と前記半導体層の前記裏面とのあいだの距離と、前記ベース領域の下面と前記半導体層の前記裏面とのあいだの距離と、が略同じである請求項8記載の半導体装置。前記第2コンタクト領域の下端と前記半導体層の前記裏面とのあいだの距離は、前記ベース領域の下面と前記半導体層の前記裏面とのあいだの距離よりも長い請求項8記載の半導体装置。前記第2コンタクト領域に含まれる第2導電形の不純物濃度は、前記第1コンタクト領域に含まれる第2導電形の不純物濃度よりも低く、前記ベース領域に含まれる第2導電形の不純物濃度よりも高い請求項8~11のいずれか1つに記載の半導体装置。第1導電形の半導体層の表面から内部にかけて、トレンチを選択的に形成する工程と、前記トレンチ内に、フィールドプレート絶縁膜を介してフィールドプレート電極を形成する工程と、前記トレンチ内において、前記フィールドプレート電極の上に、ゲート絶縁膜を介して、ゲート電極を形成するときに、前記ゲート電極の上面が前記半導体層の表面よりも低くなるように、前記ゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極の下端より高い位置の前記半導体層に、第2導電形の不純物元素を導入することにより、前記ゲート電極の前記下端より高い位置の前記半導体層を、第2導電形のベース領域に改質する工程と、前記ゲート電極の前記上面より高い位置の前記ベース領域に、第2導電形の前記不純物元素をさらに導入することにより、前記ゲート電極の前記上面より高い位置の前記ベース領域を、第2導電形の第1コンタクト領域に改質する工程と、前記ゲート電極の前記上面および前記第1コンタクト領域の上面および側面を、第1導電形の不純物元素を含む層間絶縁層によって被覆する工程と、前記層間絶縁層に含まれる第1導電形の前記不純物元素を、前記第1コンタクト領域の前記上面および前記側面と、前記ベース領域の表面の一部と、に導入することにより、前記第1コンタクト領域の前記上面および前記側面と、前記ベース領域の前記表面の前記一部と、を第1導電形のソース領域に改質する工程と、前記層間絶縁層をエッチバックし、前記第1コンタクト領域の前記上面に形成された前記ソース領域を前記層間絶縁層の上面から表出させる工程と、前記第1コンタクト領域の前記側面および前記ベース領域の前記表面の前記一部に前記ソース領域が残存するように、前記第1コンタクト領域の前記上面に形成された前記ソース領域を除去する工程と、前記半導体層に電気的に接続される第1主電極と、前記層間絶縁層の上において前記ソース領域および前記第1コンタクト領域に接続される第2主電極と、を形成する工程と、を備えた半導体装置の製造方法。前記第1コンタクト領域に接続され、前記半導体層側に延在する第2導電形の第2コンタクト領域をさらに形成する工程を、備えた請求項13記載の半導体装置の製造方法。前記第1コンタクト領域もしくは前記ベース領域を形成した後、前記半導体層の上部に、第2導電形の不純物元素を導入することにより、前記第2コンタクト領域を形成する請求項14記載の半導体装置の製造方法。前記半導体層の裏面に対する法線に対して非平行に、前記第2導電形の不純物元素を前記半導体層の前記上部に入射する請求項15記載の半導体装置の製造方法。前記半導体層の前記裏面に対する法線に対して60°以上、70°以下に傾けて、前記第2導電形の不純物元素を前記半導体層の前記上部に注入する請求項16記載の半導体装置の製造方法。第1導電形の半導体層の表面から内部にかけて、トレンチを選択的に形成する工程と、前記トレンチ内に、フィールドプレート絶縁膜を介してフィールドプレート電極を形成する工程と、前記トレンチ内において、前記フィールドプレート電極の上に、ゲート絶縁膜を介して、ゲート電極を形成するときに、前記ゲート電極の上面が前記半導体層の表面よりも低くなるように、前記ゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極の下端より高い位置の前記半導体層に、第2導電形の不純物元素を導入することにより、前記ゲート電極の前記下端より高い位置の前記半導体層を、第2導電形のベース領域に改質する工程と、前記ゲート電極の前記上面より高い位置の前記ベース領域に、第2導電形の前記不純物元素をさらに導入することにより、前記ゲート電極の前記上面より高い位置の前記ベース領域を、第2導電形の第1コンタクト領域に改質する工程と、前記ゲート電極の前記上面および前記第1コンタクト領域の側面を、第1導電形の不純物元素を含む層間絶縁層によって被覆する工程と、前記層間絶縁層に含まれる第1導電形の前記不純物元素を、前記第1コンタクト領域の前記側面と、前記ベース領域の表面の一部と、に導入することにより、前記第1コンタクト領域の前記側面と、前記ベース領域の前記表面の前記一部と、を第1導電形のソース領域に改質する工程と、前記半導体層に電気的に接続される第1主電極と、前記層間絶縁層の上に前記ソース領域および前記第1コンタクト領域に接続される第2主電極と、を形成する工程と、を備えた半導体装置の製造方法。本発明が解決しようとする課題は、微細化が促進された半導体装置およびその製造方法を提供することである。実施形態の半導体装置は、第1導電形の半導体層と、前記半導体層の表面に選択的に設けられた、第2導電形の複数のベース領域と、前記複数のベース領域のそれぞれの上側において、前記複数のベース領域のそれぞれに接する第2導電形の第1コンタクト領域と、前記第1コンタクト領域の側面に対向し、前記ベース領域のそれぞれの表面の一部から内部にまで到達するソース領域と、を備える。さらに、実施形態の半導体装置は、前記複数の前記ベース領域のそれぞれのあいだを貫通し、前記ソース領域の上端から前記半導体層の内部にまで到達するトレンチ内に、ゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記トレンチ内において、前記ゲート電極の下にフィールドプレート絶縁膜を介して設けられたフィールドプレート電極と、前記トレンチ内において、前記ゲート電極の上に設けられた、第1導電形の不純物元素を含む層間絶縁膜と、を備える。さらに、実施形態の半導体装置は、前記半導体層に電気的に接続された第1主電極と、前記層間絶縁膜の上に設けられ、前記ソース領域および前記第1コンタクト領域に接続された第2主電極と、を備える。前記層間絶縁膜は、前記ゲート電極および前記ソース領域に接し、前記ソース領域の上端と前記半導体層の裏面とのあいだの距離は、前記ゲート電極の上面と前記半導体層の裏面とのあいだの距離よりも長い。以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。以下の説明では、同一の部材には同一の符号を付し、一度説明した部材については適宜その説明を省略する。第1実施形態図1は、第1実施形態に係る半導体装置の模式図であり、aは、断面模式図、bは、平面模式図である。図1aは、図1bのX-Y断面が示されている。第1実施形態に係る半導体装置1は、上下電極構造のパワーMOSFETである。半導体装置1は、フィールドプレート構造を備える。半導体装置1は、例えば、nチャネル形のパワーMOSFETである。半導体装置1においては、n形の半導体層10の上に、半導体層10ドレイン層よりもn形不純物元素の濃度が低いn形の半導体層11ドリフト層が設けられている。半導体層11の表面には、p形の複数のベース領域12がそれぞれ選択的に設けられている。複数のベース領域12のそれぞれの上には、p形のコンタクト領域13第1コンタクト領域が設けられている。例えば、複数のベース領域12のそれぞれの上側において、ベース領域12にコンタクト領域13が接している。コンタクト領域13は、キャリア抜き領域として機能する。コンタクト領域13の側面13wには、ソース領域14が接している。例えば、コンタクト領域13の側面13wに、ソース領域14が対向している。ソース領域14の厚さは、例えば、0.2μmマイクロメータ~0.5μmである。ソース領域14は、ベース領域12のそれぞれの表面の一部からベース領域12の内部にまで到達している。すなわち、ソース領域14の下端14dは、コンタクト領域13の下面13dよりも低い位置にある。コンタクト領域13に含まれるp形の不純物濃度は、ソース領域14に含まれるn形の不純物濃度よりも低い。半導体装置1においては、複数のベース領域12のそれぞれのあいだをトレンチ20が貫通している。トレンチ20は、ソース領域14の上端14uから半導体層11の内部にまで到達する。トレンチ20内には、ゲート絶縁膜21を介してゲート電極22Aが設けられている。トレンチ20内においては、ゲート電極22Aの下に、フィールドプレート絶縁膜25を介してフィールドプレート電極26Aが設けられている。ゲート電極22Aとフィールドプレート電極26Aとのあいだには、絶縁膜27が介設されている。トレンチ20内において、n形の不純物元素を含む層間絶縁膜30がゲート電極22Aの上およびゲート絶縁膜21の上に設けられている。ゲート電極22Aの上面22uは、コンタクト領域13の上面13uよりも低い位置にある。層間絶縁膜30の上面30u、ソース領域14の上端14u、およびコンタクト領域13の上面13uは、面一である。すなわち、層間絶縁膜30の上面30uと、ソース領域14の上端14uと、のあいだに段差がなく、ソース領域14の上端14uと、コンタクト領域13の上面13uと、のあいだに段差がない。半導体装置1においては、半導体層10に、ドレイン電極第1主電極50が接している。ドレイン電極50は、半導体層11に電気的に接続されている。層間絶縁膜30の上には、ソース電極第2主電極51が設けられている。ソース電極51は接地させてもよく、ソース電極51とフィールドプレート電極26Aとを電気的に接続してもよい。ソース電極51は、ソース領域14およびコンタクト領域13に接続されている。層間絶縁膜30は、ゲート電極22Aとソース電極51とのあいだに設けられている。層間絶縁膜30は、ゲート電極22Aおよびソース領域14に接している。ソース領域14の上端14と半導体層11の裏面11rとのあいだの距離は、ゲート電極22Aの上面22uと半導体層11の裏面11rとのあいだの距離よりも長い。ソース領域14の下端14dと半導体層11の裏面11rとのあいだの距離は、ゲート電極22Aの上面22uと半導体層11の裏面11rとのあいだの距離よりも短い。ソース領域14の下端14dと半導体層11の裏面11rとのあいだの距離は、コンタクト領域13の下面13dと半導体層11の裏面11rとのあいだの距離よりも短い。ソース電極51と層間絶縁膜30との間およびソース電極51と半導体材との間には、TiW等などのバリアメタル層を設けてもよい。半導体層10、半導体層11、ベース領域12、コンタクト領域13、およびソース領域14の主成分は、例えば、ケイ素Siである。ゲート絶縁膜21およびフィールドプレート絶縁膜25の主成分は、例えば、酸化ケイ素SiO2である。ゲート電極22Aおよびフィールドプレート電極26Aの材質は、ポリシリコンである。このポリシリコンには、n形もしくはp形の不純物元素が含まれてもよい。層間絶縁膜30の材質は、n形もしくはp形の不純物元素を含む酸化ケイ素SiO2、n形もしくはp形の不純物元素を含む酸化窒化ケイ素SiON、n形もしくはp形の不純物元素を含む窒化ケイ素Si3N4等である。ドレイン電極50の材質は、銅CuまたはアルミニウムAl等の金属である。ソース電極51の材質は、モリブデンMo、アルミニウムAl、銅Cu等の金属である。n形、n形を第1導電形、p形、p形を第2導電形としてもよい。第1導電形の不純物元素としては、リンP、ヒ素As等が挙げられる。第2導電形の不純物元素としては、ホウ素Bが挙げられる。半導体装置1の製造過程について説明する。図2~図8は、第1実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。まず、図2aに示すように、半導体層10の上に半導体層11が形成された半導体基板を準備する。半導体層11の表面に、パターニングされたレジスト層90を形成する。次に、図2bに示すように、レジスト層90によって覆われていない半導体層11の表面から内部にかけて、トレンチ20を選択的に形成する。トレンチ20は、例えば、ドライエッチングによって形成される。次に、図3aに示すように、レジスト層90を除去する。次に、図3bに示すように、トレンチ20の内側面に、フィールドプレート絶縁膜25を形成する。フィールドプレート絶縁膜25は、トレンチ20内の半導体層11の表出面を酸化することにより形成される。半導体層11の表面の酸化は、例えば、酸化雰囲気におけるLOCOSLocalOxidationofSiliconによって行う。これにより、半導体層11の表出面に、フィールドプレート絶縁膜23が形成される。次に、図4aに示すように、トレンチ20内に、フィールドプレート絶縁膜25を介してフィールドプレート電極26Aを形成する。フィールドプレート電極26Aは、CVDChemicalVaporDepositionによって形成される。次に、図4bに示すように、フィールドプレート電極26Aの上端がフィールドプレート絶縁膜25の上端よりも低くなるまで、フィールドプレート絶縁膜25を選択的にエッチングする。ここでは、エッチングとして湿式エッチングを採用する。次に、図5aに示すように、トレンチ20の内側面に、ゲート絶縁膜21を形成する。さらに、フィールドプレート電極26Aの上に、絶縁膜27を形成する。ゲート絶縁膜21および絶縁膜27は、例えば、酸化雰囲気における熱酸化によって同時に形成される。次に、図5bに示すように、トレンチ20内において、フィールドプレート電極26Aの上に、ゲート絶縁膜21を介して、ゲート電極22Aを形成する。この際、ゲート電極22Aの上面22uが半導体層11の表面よりも低くなるように、ゲート電極22Aを形成する。ゲート電極22Aの上面22uの高さは、成膜時間やエッチバックによって調整される。次に、図6aに示すように、ゲート電極22Aの下端より高い位置の半導体層11に、p形の不純物元素を導入する。これにより、ゲート電極22Aの下端より高い位置の半導体層11がp形のベース領域12に改質される。p形の不純物元素の半導体層11への導入は、例えば、イオン注入によって行われる。次に、図6bに示すように、ゲート電極22Aの上面22uより高い位置のベース領域12に、p形の不純物元素をさらに導入することにより、ゲート電極22Aの上面22uより高い位置のベース領域12を、p形のコンタクト領域13に改質する。この段階において、微細化された、ピラー状の半導体層11の上部の全域に、ソース領域14よりも低濃度のコンタクト領域13が形成される。次に、図7aに示すように、ゲート電極22Aの上面22uおよびコンタクト領域13の上面13uおよび側面13wを、n形の不純物元素を含む層間絶縁膜30によって被覆する。層間絶縁膜30は、例えば、リンPを含むPSGPhosphorSilicateGlass膜である。層間絶縁膜30中のリンPの不純物濃度は、均一であってもよく、均一でなくてもよい。例えば、後述するコンタクト領域13内へのリンPの熱拡散を促進させるため、層間絶縁膜30がコンタクト領域13に接する側ほど、不純物濃度が高くなる層間絶縁膜30を用いてもよい。次に、図7bに示すように、層間絶縁膜30に含まれるn形の不純物元素を、コンタクト領域13の上面13uおよび側面13wと、ベース領域12の表面12uの一部と、に導入する。例えば、層間絶縁膜30に加熱処理を施すと、層間絶縁膜30に含まれるn形の不純物元素は、熱拡散によって、コンタクト領域13の上面13uおよび側面13wに導入される。さらに、n形の不純物元素は、ベース領域12の表面12uの一部にも導入される。加熱処理としては、急熱アニール処理RapidThermalAnnealRTA処理が採択される。これにより、コンタクト領域13の上面13uおよび側面13wと、ベース領域12の表面12uの一部と、がn形のソース領域14に改質される。すなわち、層間絶縁膜30からリンPが拡散された部分のコンタクト領域13は、極性反転して、この部分において極薄のソース領域14が形成される。これと同時に、半導体層11の上部の中央部分には微細化されたコンタクト領域13が形成される。次に、図8aに示すように、層間絶縁膜30を、例えば、湿式エッチングによってエッチバックし、コンタクト領域13の上面13uに形成されたソース領域14を層間絶縁膜30の上面30uから表出させる。次に、図8bに示すように、コンタクト領域13の側面13wおよびベース領域12の表面12uの一部にソース領域14が残存するように、コンタクト領域13の上面13uに形成されたソース領域14を除去する。コンタクト領域13の上面13uに形成されたソース領域14は、例えば、乾式エッチング、湿式エッチング、CMPChemicalMechanicalPolishing等によって除去される。コンタクト領域13の上面13uに形成されたソース領域14が除去されることで、コンタクト領域13の側面13wおよびベース領域12の表面12uの一部に一体的に形成されていたソース領域14は分離する。また、この段階において、層間絶縁膜30の上面30u、ソース領域14の上端14u、およびコンタクト領域13の上面13uが面一になる。この後、図1に示すように、半導体層11に電気的に接続されるドレイン電極50と、層間絶縁膜30の上において、ソース領域14およびコンタクト領域13に接続されるソース電極51と、を形成する。これにより、第1実施形態に係る半導体装置1が形成される。第1実施形態によれば、層間絶縁膜30には、急熱アニール処理が施され、n形の不純物元素がドリフト層の上方のコンタクト領域13に拡散される。この急熱アニール処理によって不純物拡散は極浅に止まり、その結果、極薄のソース領域14が形成される。また、層間絶縁膜30の材質は、絶縁層であるため、不純物元素に関しての層間絶縁膜30の拡散係数は基から低い。従って、不純物元素の層間絶縁膜30中での熱拡散は抑制されて、過剰な量の不純物元素がコンタクト領域13に導入されることはない。これにより、高濃度の不純物元素を含み、かつ極薄のソース領域14が形成される。ソース領域14の不純物濃度は、例えば、3×1019atoms/cm3~3×1020atoms/cm3である。その結果、ソース領域14の比抵抗は低くなり、オン抵抗の低い半導体装置1が形成される。例えば、このような高濃度のソース領域14をイオン注入によって形成すると、過剰なイオン注入によってソース領域14が非晶質化する可能性がある。第1実施形態では、このような非晶質化は起こらず、極薄でかつ高濃度のソース領域14を形成している。第1実施形態によれば、層間絶縁膜30は、ゲート電極22Aとソース電極51とのあいだの層間絶縁膜と、ソース領域14を形成するための不純物元素の供給源と、を兼ね備える。これにより、半導体装置1を低コストで製造することができる。第1実施形態によれば、PEPPhotoEngravingProcess工程を用いてのソース領域14の位置あわせが不要になる。すなわち、n形の不純物元素の拡散は、自己整合的セルフアラインに起きる。このため、半導体層11の微細化が進行しても、高い精度でソース領域14の位置あわせが可能になる。第1実施形態によれば、ソース領域14を形成する前に、トレンチ20によって挟まれた半導体層11の上部の全域に、コンタクト領域13を形成する。従って、コンタクト領域13は、PEP工程に依らないで形成される。コンタクト領域13に含まれる不純物濃度は、ソース領域14に含まれる不純物濃度よりも低く設定する。そして、急熱アニール処理によって自己整合的にソース領域14を形成する。従って、ソース領域14が高い精度で極薄化微細化されるともに、コンタクト領域13も高い精度で微細化される。ところで、コンタクト領域13をベース領域12の内部にまで深く挿入させた素子が知られている。しかし、この種の素子では、コンタクト領域13の厚みが製造プロセスによってばらつくと、コンタクト領域13がベース領域12に深く入り込む可能性がある。このような場合、高濃度のコンタクト領域13がチャネルに近づき、MOSの閾値電圧Vthが目的値よりも増加する場合がある。これに対し、第1実施形態によれば、コンタクト領域13は、ソース領域14よりも浅い。従って、コンタクト領域13がチャネルに近づくこともなく、MOSの閾値電圧Vthが増加することもない。第1実施形態によれば、層間絶縁膜30の上面30u、ソース領域14の上端、およびコンタクト領域13の上面13uは、面一である。従って、ソース電極51と層間絶縁膜30との間およびソース電極51と半導体材との間に設けたバリアメタル層に段差が生じ難い。バリアメタル層に段差が生じると、段差部分の膜厚が極端に薄くなり、この段差部分からソース電極51中やコンタクト領域13中にソース電極51中の金属成分が漏れるスパイク効果が発生する可能がある。第1実施形態によれば、バリアメタル層に段差が生じ難いので、このようなスパイク効果は起きにくい。また、バリアメタル層に段差が生じ難いので、バリアメタル層を極薄に形成することもできる。これにより、バリアメタル層の材料費を低く抑えられ、バリアメタル層の製造時間を短縮できる。また、層間絶縁膜30の上面30u、ソース領域14の上端14u、およびコンタクト領域13の上面13uは、面一であることから、ソース領域14の上端が確実にソース電極51に接触する。この結果、ソース領域14とソース電極51とのコンタクト性が良好になる。第1実施形態によれば、半導体層10、11をp形とし、ベース領域12をn形とし、層間絶縁膜30として、例えば、ホウ素Bを含むBSGBoronSilicateGlass膜を用いれば、nチャネル形のパワーMOSFETと極性が反転したpチャネル形のパワーMOSFETが形成される。図9は、第1実施形態の変形例に係る半導体装置の断面模式図であり、aは、第1変形例の断面模式図、bは、第2変形例の断面模式図である。図9aに示す半導体装置2の基本構造は、半導体装置1と同じである。但し、半導体装置2においては、フィールドプレート電極26Bの上端がゲート電極22Bによって挟まれている。フィールドプレート電極26Bの上端とゲート電極22Bとのあいだには、絶縁膜28が設けられている。半導体装置2のソース領域14およびコンタクト領域13は、半導体装置1のソース領域14およびコンタクト領域13の製造過程と同様の製造過程によって形成される。従って、半導体装置2においても、ソース領域14が高い精度で極薄化されるともに、コンタクト領域13も高い精度で微細化される。図9bに示す半導体装置3の基本構造は、半導体装置1と同じである。但し、フィールドプレート電極26Cとゲート電極22Cとが対向する面はそれぞれ平坦である。また、トレンチ20と、トレンチ20と隣り合う別のトレンチ20と、によって挟まれたベース領域12の幅は、トレンチ20と別のトレンチ20とにより挟まれた半導体層11の一部の幅よりも広い。半導体装置3においては、トレンチ20によって挟まれたコンタクト領域13の幅が半導体装置1におけるトレンチ20によって挟まれたコンタクト領域13の幅よりも広くなっている。従って、半導体装置3においては、半導体装置1に比べて、コンタクト領域13を介してソース電極51にキャリアを流すことができる効果が増している。この結果、半導体装置3のアバランシェ耐量は、半導体装置1のアバランシェ耐量に比べてさらに増加する。また、半導体装置1については、別の製造過程によって製造することができる。図10は、第1実施形態に係る半導体装置の製造過程の変形例を説明するための断面模式図である。例えば、図2aから図7aまでの製造過程は同じであり、図7aの状態から、層間絶縁膜30にエッチバックを施す。この状態を、図10aに示す。図10aでは、ゲート電極22Aの上面22uおよびコンタクト領域13の側面13wがn形の不純物元素を含む層間絶縁層30によって被覆された状態が示されている。層間絶縁層30の上面30uとコンタクト領域13の上面13uとは、面一である。コンタクト領域13の上面13uは、露出されている。次に、図10bに示すように、層間絶縁層30に急熱アニール処理を施し、層間絶縁層30に含まれるn形の不純物元素を、コンタクト領域13の側面13wと、ベース領域12の表面12uの一部と、に導入する。これにより、コンタクト領域13の側面13wと、ベース領域12の表面12uの一部と、をn形のソース領域14に改質される。この後、図1に示すように、半導体層11に電気的に接続されるドレイン電極50と、層間絶縁膜30の上において、ソース領域14およびコンタクト領域13に接続されるソース電極51と、を形成する。このような製造過程によっても、第1実施形態に係る半導体装置1が形成される。図10に示す製造過程を経れば、図8に例示するごとく、コンタクト領域13の上面13uに形成されたソース領域14をエッチングすることなく、ソース領域14が形成される。第2実施形態図11は、第2実施形態に係る半導体装置の断面模式図である。第2実施形態に係る半導体装置4の基本構造は、半導体装置1と同じである。但し、半導体装置4においては、ゲート電極22Aと、ソース電極51と、が電気的に接続されている。さらに、半導体装置4においては、ベース領域12中のp形不純物濃度を低く設定することによって、例えば、閾値電圧Vthを0.1V程度に設定する。半導体装置4においては、ゲート電極22Aおよびソース電極51をアノード電極とし、ドレイン電極50をカソード電極とすることができる。すなわち、半導体装置4は、2端子構造のゲート自己バイアス型のダイオードとみなすことができる。半導体装置4においては、アノード電極ゲート電極22Aおよびソース電極51に正電位を印加し、カソード電極ドレイン電極50に負電位を印加すると順バイアス、ゲート絶縁膜21付近のベース領域12が反転し、ゲート絶縁膜21付近のベース領域12にチャネルが形成されて、アノード電極とカソード電極との間に電流が流れる。また、半導体装置4においては、アノード電極に負電位を印加し、カソード電極に正電位を印加すると逆バイアス、ゲート絶縁膜21付近のベース領域12にはチャネルが形成されず、アノード電極とカソード電極との間には電流が流れなくなる。逆バイアスのときには、ベース領域12と半導体層11との界面pn接合面を通じて微量な電流が流れるものの、この微量電流の電流値は、順バイアス時の電流に比べると極めて小さい。従って、半導体装置4は、良好な整流作用を示す。また、逆バイアスのときには、ゲート電極22Aに負電位が印加されているので、ゲート絶縁膜21付近のベース領域12には正電荷が誘起される。従って、pn接合面からベース領域12側に伸びる空乏層はソース領域14に到達し難くなる。これにより、半導体装置4では、いわゆるパンチスルーが起き難くなる。また、半導体装置4は、フィールドプレート電極26Aを備えているので、半導体層11に含有させる不純物濃度を高めに設定することができる。このため、半導体層11の比抵抗は低くなり、ダイオードの順方向に電流を流すのに必要な電圧順方向電圧降下VFが低くなる。また、半導体装置4においては、ベース領域12に含有させる不純物濃度をさらに低く設定することにより、ノーマリオン型のダイオードにすることができる。ノーマリオン型の半導体装置4によれば、アノード電極に正電位を印加すると、ベース領域12がさらに強く反転して、チャネルに流れる電流がさらに増加する。このため、順方向電圧降下VFがさらに低減する。第3実施形態図12~図16は、第3実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。第3実施形態では、フィールドプレート電極26Aを形成した後に、半導体層11の上部11uに、p形の不純物元素を導入する。半導体層11の上部11uとは、例えば、フィールドプレート電極26Aから上方の半導体層11の部分と定義する。まず、上述した図5aの状態を準備する。続いて、図12aに示すように、半導体層の裏面11rに対する法線91に対して非平行に、例えば、ホウ素B等のp形の不純物元素を半導体層11の上部11uに入射する。法線91とホウ素の入射方向とのなす角θは、例えば、0~70°である。より具体的には、θは、60°である。図12aに示す段階では、例えば、図の右から左の方向に向かって、隣り合うトレンチ20によって挟まれた半導体11の上部11uにホウ素が注入される。ホウ素の注入では、ホウ素の入射エネルギー、ドーズ量、入射角度等が調整される。さらに、図12bにように、図の左から右の方向に向かって、隣り合うトレンチ20によって挟まれた半導体11の上部11uにホウ素を注入する。この場合のθは、0~70°である。より具体的には、θは、60°である。その他の条件は、図12aに示す段階と同じである。これにより、半導体層11の上部11uの表面から半導体層10に向かって延在するp形のコンタクト領域16Aが半導体層11の上部11u内に形成される。第3実施形態では、θを制御することにより、コンタクト領域16Aの下端16Adが後述するベース領域12の下面よりも低くなるように調整する。次に、図13aに示すように、トレンチ20内において、フィールドプレート電極26Aの上に、ゲート絶縁膜21を介して、ゲート電極22Aを形成する。この際、ゲート電極22Aの上面22uが半導体層11の表面よりも低くなるように、ゲート電極22Aを形成する。ゲート電極22Aの上面22uの高さは、成膜時間やエッチバックによって調整される。次に、図13bに示すように、ゲート電極22Aの下端より高い位置の半導体層11に、p形の不純物元素を導入する。これにより、ゲート電極22Aの下端より高い位置の半導体層11がp形のベース領域12に改質される。p形の不純物元素の半導体層11への導入は、例えば、イオン注入によって行われる。ここでは、ベース領域12に含まれるp形の不純物濃度がコンタクト領域16Aに含まれるp形の不純物濃度よりも低くなるように調整される。次に、図14aに示すように、ゲート電極22Aの上面22uより高い位置のベース領域12に、p形の不純物元素をさらに導入することにより、ゲート電極22Aの上面22uより高い位置のベース領域12を、p形のコンタクト領域13に改質する。この段階において、微細化された、ピラー状の半導体層11の上部の全域に、ソース領域14よりも低濃度のコンタクト領域13が形成される。コンタクト領域13に含まれるp形の不純物濃度は、コンタクト領域16Aに含まれるp形の不純物濃度よりも高くなるように調整される。次に、図14bに示すように、ゲート電極22Aの上面22uおよびコンタクト領域13の上面13uおよび側面13wを、n形の不純物元素を含む層間絶縁膜30によって被覆する。層間絶縁膜30は、例えば、リンPを含むPSGPhosphorSilicateGlass膜である。層間絶縁膜30中のリンPの不純物濃度は、均一であってもよく、均一でなくてもよい。例えば、後述するコンタクト領域13内へのリンPの熱拡散を促進させるため、層間絶縁膜30がコンタクト領域13に接する側ほど、不純物濃度が高くなる層間絶縁膜30を用いてもよい。次に、図15aに示すように、層間絶縁膜30に含まれるn形の不純物元素を、コンタクト領域13の上面13uおよび側面13wと、ベース領域12の表面12uの一部と、に導入する。例えば、層間絶縁膜30に加熱処理を施すと、層間絶縁膜30に含まれるn形の不純物元素は、熱拡散によって、コンタクト領域13の上面13uおよび側面13wに導入される。さらに、n形の不純物元素は、ベース領域12の表面12uの一部にも導入される。加熱処理としては、急熱アニール処理RapidThermalAnnealRTA処理が採択される。これにより、コンタクト領域13の上面13uおよび側面13wと、ベース領域12の表面12uの一部と、がn形のソース領域14に改質される。すなわち、層間絶縁膜30からリンPが拡散された部分のコンタクト領域13は、極性反転して、この部分において極薄のソース領域14が形成される。これと同時に、半導体層11の上部の中央部分には微細化されたコンタクト領域13が形成される。次に、図15bに示すように、層間絶縁膜30を、例えば、湿式エッチングによってエッチバックし、コンタクト領域13の上面13uに形成されたソース領域14を層間絶縁膜30の上面30uから表出させる。次に、図16aに示すように、コンタクト領域13の側面13wおよびベース領域12の表面12の一部にソース領域14が残存するように、コンタクト領域13の上面13uに形成されたソース領域14を除去する。コンタクト領域13の上面13uに形成されたソース領域14は、例えば、乾式エッチング、湿式エッチング、CMPChemicalMechanicalPolishing等によって除去される。コンタクト領域13の上面13uに形成されたソース領域14が除去されることで、コンタクト領域13の側面13wおよびベース領域12の表面12uの一部に一体的に形成されていたソース領域14は分離する。また、この段階において、層間絶縁膜30の上面30u、ソース領域14の上端14u、およびコンタクト領域13の上面13uが面一になる。この後、図16bに示すように、半導体層11に電気的に接続されるドレイン電極50と、層間絶縁膜30の上において、ソース領域14およびコンタクト領域13に接続されるソース電極51と、を形成する。これにより、第3実施形態に係る半導体装置5が形成される。半導体装置5は、半導体装置1の構成を備えるとともに、コンタクト領域13に接続されたp形のコンタクト領域16Aをさらに備える。コンタクト領域16Aは、コンタクト領域13から半導体層11側に延在している。コンタクト領域16Aの下端16Adと半導体層11の裏面11rとのあいだの距離は、ソース領域14の下端14dと半導体層11の裏面11rとのあいだの距離よりも短い。すなわち、コンタクト領域16Aの下端16Adは、ソース領域14の下端14dよりも低い位置にある。コンタクト領域16Aに含まれるp形の不純物濃度は、コンタクト領域13に含まれるp形の不純物濃度よりも低く、ベース領域12に含まれるp形の不純物濃度よりも高いか、同程度である。また、半導体装置5においては、コンタクト領域16Aの下端16Adと半導体層11の裏面11rとのあいだの距離は、ベース領域12の下面と半導体層11の裏面11rとのあいだの距離よりも短い。すなわち、半導体装置5においては、コンタクト領域16Aが半導体層11にまで突出している。第3実施形態によれば、コンタクト領域13のほかに、キャリア抜き領域として機能するコンタクト領域16Aをさらに設けたため、正孔がコンタクト領域16Aを通じてさらに排出し易くなる。これにより、半導体装置5は、半導体装置1に比べさらにアバランシェ耐量が増加する。なお、第3実施形態では、コンタクト領域16Aを形成するタイミングについては上述した順序に限られない。図17および図18は、第3実施形態に係る別の半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。まず、図17aに示すように、図6bと同じ状態を予め準備する。すなわち、半導体層11の上に、ベース領域12およびコンタクト領域13を形成しておく。この後、図17bに示すように、半導体層11の上部11uに、上述した斜めイオン注入を施す。これにより、半導体層11の上部11uの表面から半導体層10に向かって延在するコンタクト領域16Aが半導体層11の上部11u内に形成される。なお、コンタクト領域16Aの不純物濃度は、コンタクト領域13の不純物濃度に比べて低いため、図17bでは、コンタクト領域13内のコンタクト領域16Aを点線で示している。この後、図14b以降の製造過程によって半導体装置5を形成する。このような順序によって、コンタクト領域16Aを形成してもよい。また、図18aに示すように、図6aと同じ状態を予め準備する。すなわち、半導体層11の上に、ベース領域12を形成しておく。この後、図18bに示すように、半導体層11の上部11uに、上述した斜めイオン注入を施す。これにより、半導体層11の上部11uの表面から半導体層10に向かって延在するコンタクト領域16Aが半導体層11の上部11u内に形成される。この後、図14a以降の製造過程によって半導体装置5を形成する。このような順序によって、コンタクト領域16Aを形成してもよい。図17および図18に示す製造過程によれば、ベース領域12の活性化を図るために熱処理例えば、900~950°Cを施しても、この熱処理後に、コンタクト領域16Aを形成する過程を経るので、コンタクト領域16A内の不純物元素がベース領域12の活性化処理で熱拡散されることがない。また、コンタクト領域16AをPEPPhotoEngravingProcess工程により形成する方法がある。しかし、PEP工程を用いると、その分、製造工程が増えてしまう。また、トレンチ20で挟まれた半導体層11は細いピラー状である。このため、PEP工程を用いると、目的の位置よりコンタクト領域16Aの位置がずれる可能性がある。例えば、コンタクト領域16Aがベース領域12のチャネルに重なってしまう可能性がある。また、PEP工程後、コンタクト領域16Aの下端16Adを図13のごとく深く形成する場合には、イオン注入の垂直入射θ=0°において、3~4回に渡るイオン注入工程が必要になる。また、垂直入射のイオン注入では、コンタクト領域16Aの下端16Adを深く形成するには、インプラ加速を意図的に大きくするため、イオンの横方向散乱が生じる場合がある。その結果、MOSの閾値電圧Vthが変動してしまう。これに対し、第3実施形態では、PEP工程が不要になる。従って、コンタクト領域16Aの位置がずれにくい。また、コンタクト領域16Aの下端16dを深く形成する際には、図12abに示すごとく左右からの合計2回の斜めイオン注入で足りる。さらに、不純物元素がシリコンを通過する幅は、その2分の1程度なので、散乱の影響が小さくなる。第4実施形態図19は、第4実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。第4実施形態では、フィールドプレート電極26Aを形成した後に、半導体層11の上部11uに、p形の不純物元素を導入する。まず、上述した図5aの状態を準備する。続いて、図19aに示すように、半導体層の裏面11rに対する法線91に対して非平行に、例えば、ホウ素B等のp形の不純物元素を半導体層11の上部11uに入射する。法線91とホウ素の入射方向とのなす角θは、例えば、0~70°である。より具体的には、θは、65°である。例えば、図の右から左の方向および図の左から右に向かって、隣り合うトレンチ20によって挟まれた半導体11の上部11uにホウ素が注入される。ホウ素の注入では、ホウ素の入射エネルギー、ドーズ量、入射角度等が調整される。この場合のθは、第3実施形態のθよりも小さく設定する。これにより、半導体層11の上部11uの表面から半導体層10に向かって延在するp形のコンタクト領域16Bが半導体層11の上部11u内に形成される。第4実施形態では、θを制御することにより、コンタクト領域16Bの下端16Bdがコンタクト領域16Aの下端16Adよりも浅くなるように調整する。この後、上述した図13aから図16aまでの同様のプロセスを経て、図19bに示す半導体装置6が形成される。半導体装置6には、ドレイン電極50およびソース電極51を設けてもよい。半導体装置6は、半導体装置1の構成を備えるとともに、コンタクト領域13に接続されたp形のコンタクト領域16Bをさらに備える。コンタクト領域16Bは、コンタクト領域13から半導体層11側に延在している。コンタクト領域16Bの下端16Bdと半導体層11の裏面11rとのあいだの距離は、ソース領域14の下端14dと半導体層11の裏面11rとのあいだの距離よりも短い。すなわち、コンタクト領域16Bの下端16Bdは、ソース領域14の下端14dよりも低い位置にある。コンタクト領域16Bに含まれるp形の不純物濃度は、コンタクト領域13に含まれるp形の不純物濃度よりも低く、ベース領域12に含まれるp形の不純物濃度よりも高いか、同程度である。また、半導体装置6においては、コンタクト領域16Bの下端16Bdと半導体層11の裏面11rとのあいだの距離は、ベース領域12の下面と半導体層11の裏面11rとのあいだの距離と略同じである。すなわち、半導体装置6においては、コンタクト領域16Bの下端16Bdがベース領域12の下面に位置している。第4実施形態によれば、コンタクト領域13のほかに、キャリア抜き領域として機能するコンタクト領域16Bをさらに設けたので、正孔がコンタクト領域16Bを通じてさらに排出し易くなる。これにより、半導体装置6は、半導体装置1に比べさらにアバランシェ耐量が増加する。なお、第4実施形態においても、第3実施形態のように、コンタクト領域13もしくはベース領域12を形成した後に、半導体層11の上部11uに、p形の不純物元素を導入して、コンタクト領域16Bを形成してもよい。第5実施形態図20は、第5実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。第5実施形態では、フィールドプレート電極26Aを形成した後に、半導体層11の上部11uに、p形の不純物元素を導入する。まず、上述した図5aの状態を準備する。続いて、図20aに示すように、半導体層の裏面11rに対する法線91に対して非平行に、例えば、ホウ素B等のp形の不純物元素を半導体層11の上部11uに入射する。法線91とホウ素の入射方向とのなす角θは、例えば、0~70°である。より具体的には、θは、70°である。すなわち、第3~第5実施形態では、θが60°以上、70°以下の範囲で斜めイオン注入が施される。例えば、図の右から左の方向および図の左から右に向かって、隣り合うトレンチ20によって挟まれた半導体11の上部11uにホウ素が注入される。ホウ素の注入では、ホウ素の入射エネルギー、ドーズ量、入射角度等が調整される。この場合のθは、第4実施形態のθよりもさらに小さく設定する。これにより、半導体層11の上部11uの表面から半導体層10に向かって延在するp形のコンタクト領域16Cが半導体層11の上部11u内に形成される。第5実施形態では、θを制御することにより、コンタクト領域16Cの下端16Cdがコンタクト領域16Bの下端16Bdよりも浅くなるように調整する。この後、上述した図13aから図16aまでの同様のプロセスを経て、図20bに示す半導体装置7が形成される。半導体装置7には、ドレイン電極50およびソース電極51を設けてもよい。半導体装置7は、半導体装置1の構成を備えるとともに、コンタクト領域13に接続されたp形のコンタクト領域16Cをさらに備える。コンタクト領域16Cは、コンタクト領域13から半導体層11側に延在している。コンタクト領域16Cの下端16Cdと半導体層11の裏面11rとのあいだの距離は、ソース領域14の下端14dと半導体層11の裏面11rとのあいだの距離よりも短い。すなわち、コンタクト領域16Cの下端16Cdは、ソース領域14の下端14dよりも低い位置にある。コンタクト領域16Cに含まれるp形の不純物濃度は、コンタクト領域13に含まれるp形の不純物濃度よりも低く、ベース領域12に含まれるp形の不純物濃度よりも高いか同程度である。また、半導体装置7においては、コンタクト領域16Cの下端16Cdと半導体層11の裏面11rとのあいだの距離がベース領域12の下面と半導体層11の裏面11rとのあいだの距離よりも長くなっている。すなわち、半導体装置7においては、コンタクト領域16Cの下端16Cdがベース領域12の下面より上側に位置している。第5実施形態によれば、コンタクト領域13のほかに、キャリア抜き領域として機能するコンタクト領域16Cをさらに設けたので、正孔がコンタクト領域16Cを通じてさらに排出し易くなる。これにより、半導体装置7は、半導体装置1に比べさらにアバランシェ耐量が増加する。なお、第5実施形態においても、第3実施形態のように、コンタクト領域13もしくはベース領域12を形成した後に、半導体層11の上部11uに、p形の不純物元素を導入して、コンタクト領域16Cを形成してもよい。第6実施形態図21および図22は、第6実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。第6実施形態では、図21aに示すように、上述した図20aの状態を準備する。すなわち、ベース領域12内に、コンタクト領域16Cを形成する。この後、第6実施形態では、コンタクト領域13を形成しない。次に、図21bに示すように、ゲート電極22Aの上面およびベース領域12をn形の不純物元素を含む層間絶縁膜30によって被覆する。次に、図22aに示すように、層間絶縁膜30に含まれるn形の不純物元素を、ベース領域12の表面12uに導入する。例えば、層間絶縁膜30に加熱処理を施すと、層間絶縁膜30に含まれるn形の不純物元素は、熱拡散によって、ベース領域12の表面12uに導入される。加熱処理としては、急熱アニール処理RapidThermalAnnealRTA処理が採択される。これにより、ベース領域12の表面12uがn形のソース領域14に改質される。すなわち、層間絶縁膜30からリンPが拡散された部分のベース領域12が極性反転して、この部分において極薄のソース領域14が形成される。図22bに示すように、層間絶縁膜30を、例えば、湿式エッチングによってエッチバックし、さらに、ベース領域12の表面12の一部にソース領域14が残存するように、ソース領域14の一部を除去する。ソース領域14の一部は、例えば、乾式エッチング、湿式エッチング、CMPChemicalMechanicalPolishing等によって除去される。ソース領域14の一部が除去されることで、ベース領域12の表面に一体的に形成されていたソース領域14は分離する。また、この段階において、層間絶縁膜30の上面30u、ソース領域14の上端14uが面一になる。このような製造過程によって、半導体装置8が形成される。半導体装置8においては、ベース領域12の上側において、ベース領域12にコンタクト領域16Cが接している。コンタクト領域16Cの側面には、ソース領域14が対向している。半導体装置8には、ドレイン電極50と、ソース電極51と、を設けてもよい。半導体装置8は、半導体装置1の構成からコンタクト領域13を取り除いた構成になるものの、コンタクト領域13に代えて、コンタクト領域16Cを備える。コンタクト領域16Cは、ベース領域12の表面から半導体層11側に延在している。コンタクト領域16Cの下端16Cdと半導体層11の裏面11rとのあいだの距離は、ソース領域14の下端14dと半導体層11の裏面11rとのあいだの距離よりも短い。すなわち、コンタクト領域16Cの下端16Cdは、ソース領域14の下端14dよりも低い位置にある。コンタクト領域16Cに含まれるp形の不純物濃度は、ベース領域12に含まれるp形の不純物濃度よりも高いか、同程度である。例えば、第6実施形態に係るコンタクト領域16Cを形成する際のドーズ量は、1×1017atoms/cm3である。第6実施形態によれば、キャリア抜き領域として機能するコンタクト領域16Cを設けたため、正孔がコンタクト領域16Cを通じて排出し易くなる。これにより、半導体装置8は、高いアバランシェ耐量を有する。以上、具体例を参照しつつ実施形態について説明した。しかし、実施形態はこれらの具体例に限定されるものではない。すなわち、これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、実施形態の特徴を備えている限り、実施形態の範囲に包含される。前述した各具体例が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、前述した各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて複合させることができ、これらを組み合わせたものも実施形態の特徴を含む限り実施形態の範囲に包含される。その他、実施形態の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても実施形態の範囲に属するものと了解される。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。