"厚み方向の一表面側に固定接点が設けられたベース基板と、前記ベース基板の前記一表面側に配置されたカバー基板と、前記ベース基板と前記カバー基板との一方に収納された電磁石装置と、前記ベース基板と前記カバー基板との間に配置され前記固定接点に接離する可動接点を有する第1可動部形成基板と、前記第1可動部形成基板と前記カバー基板との間に配置され前記電磁石装置とともに磁気回路を構成する磁性体板からなるアーマチュアを有する第2可動部形成基板とを備え、前記第1可動部形成基板は、前記ベース基板と前記第2可動部形成基板との間に介在する第1フレーム部と、前記第1フレーム部の内側に配置され前記第1フレーム部に第1支持ばね部を介して揺動自在に支持された第1可動部と、前記第1可動部に接圧ばねを介して支持され前記第1可動部の揺動に伴って前記固定接点に接離する前記可動接点を保持した接点保持部とを備え、前記第2可動部形成基板は、前記第1可動部形成基板と前記カバー基板との間に介在する第2フレーム部と、前記第2フレーム部の内側に配置され前記第2フレーム部に第2支持ばね部を介して揺動自在に支持された第2可動部と、前記第2可動部の厚み方向の一面側に配置された前記アーマチュアと、前記第2可動部の揺動に伴って前記可動接点が前記固定接点に接離するように前記第1可動部を動かす動力伝達部とを備えることを特徴とするMEMSリレー。前記第1可動部形成基板は、前記第1フレーム部と前記接点保持部とを連結し前記接圧ばねとともに前記接点保持部を支持する第3支持ばね部を備えることを特徴とする請求項1記載のMEMSリレー。前記第1可動部形成基板は、前記第1可動部から相反する2方向へ延長された2つの前記第1支持ばね部により前記第1可動部が前記第1フレーム部に支持されてなり、前記第1支持ばね部は、ねじれ変形が可能なトーションばねであることを特徴とする請求項1記載のMEMSリレー。前記第2可動部形成基板は、前記第2可動部から相反する2方向へ延長された2つの前記第2支持ばね部により前記第2可動部が前記第2フレーム部に支持されてなり、前記第2支持ばね部は、ねじれ変形が可能なトーションばねであることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のMEMSリレー。前記第1可動部形成基板は、前記第1可動部における前記動力伝達部との対向部位に、表面が凸曲面状の突起が突設されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のMEMSリレー。前記第1可動部形成基板は、前記第1可動部における前記動力伝達部との対向部位に、前記動力伝達部による衝撃を緩和する衝撃緩和層が設けられてなることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のMEMSリレー。前記第2可動部形成基板は、前記第2可動部の揺動に関わらず前記動力伝達部が前記第1可動部と接していることを特徴とする請求項1記載のMEMSリレー。前記第1可動部形成基板は、前記第1可動部に開口部を有し、前記開口部の内側に前記接点保持部および前記接圧ばね部が配置されてなることを特徴とする請求項3記載のMEMSリレー。前記第1可動部形成基板は、前記第1可動部が枠状に形成されてなり、前記第1可動部の内側において2つの前記支持ばね部を結ぶ直線上に配置され前記ベース基板に固定されたアンカー部を備え、前記接点保持部は、平面視で2つの前記第1支持ばね部の並設方向に直交する規定方向において前記第1可動部側に配置された前記接圧ばね部により前記第1可動部に支持されるとともに、前記アンカー部側に配置された補助ばね部により前記アンカー部に支持されてなることを特徴とする請求項3記載のMEMSリレー。前記第1可動部形成基板は、前記第1可動部が揺動する際の第1の支点として機能する第1支点突起が前記第1可動部から前記ベース基板側へ突設されて前記ベース基板に当接してなり、前記第2可動部形成基板は、前記第2可動部が揺動する際の第2の支点として機能する第2支点突起が前記第2可動部から前記第1可動部側へ突設されてなり、前記第1可動部形成基板は、前記第1可動部に前記第2支点突起を位置決めする位置決め溝が形成されてなることを特徴とする請求項1記載のMEMSリレー。特許文献1に開示されたマイクロリレーでは、接合補助部材225と磁性体224との溶着に伴う残留応力に起因して磁性体保持部223aに反りが生じることがあった。このため、このマイクロリレーでは、可動接点227と一対の固定接点214,214との距離や、可動接点227と一対の固定接点214,214との接触圧が、それぞれの設計値からばらついて、動作特性や寿命がばらついてしてしまう懸念があった。また、特許文献2に開示されたマイクロリレー301では、一対の可動接点310,310が、可動接点部材本体325に支持バネ部326および接圧バネ部327をそれぞれ介して磁性体板312で押し圧されると、一対の固定接点303,303と面接触するように上下方向に垂直移動する構成となっているので、図27の左右方向における磁性体板312と可動接点310との位置ずれに起因して安定動作できない場合がある。本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、動作安定性を向上させることが可能なMEMSリレーを提供することにある。本発明のMEMSリレーは、厚み方向の一表面側に固定接点が設けられたベース基板と、前記ベース基板の前記一表面側に配置されたカバー基板と、前記ベース基板と前記カバー基板との一方に収納された電磁石装置と、前記ベース基板と前記カバー基板との間に配置され前記固定接点に接離する可動接点を有する第1可動部形成基板と、前記第1可動部形成基板と前記カバー基板との間に配置され前記電磁石装置とともに磁気回路を構成する磁性体板からなるアーマチュアを有する第2可動部形成基板とを備え、前記第1可動部形成基板は、前記ベース基板と前記第2可動部形成基板との間に介在する第1フレーム部と、前記第1フレーム部の内側に配置され前記第1フレーム部に第1支持ばね部を介して揺動自在に支持された第1可動部と、前記第1可動部に接圧ばねを介して支持され前記第1可動部の揺動に伴って前記固定接点に接離する前記可動接点を保持した接点保持部とを備え、前記第2可動部形成基板は、前記第1可動部形成基板と前記カバー基板との間に介在する第2フレーム部と、前記第2フレーム部の内側に配置され前記第2フレーム部に第2支持ばね部を介して揺動自在に支持された第2可動部と、前記第2可動部の厚み方向の一面側に配置された前記アーマチュアと、前記第2可動部の揺動に伴って前記可動接点が前記固定接点に接離するように前記第1可動部を動かす動力伝達部とを備えることを特徴とする。このMEMSリレーにおいて、前記第1可動部形成基板は、前記第1フレーム部と前記接点保持部とを連結し前記接圧ばねとともに前記接点保持部を支持する第3支持ばね部を備えることが好ましい。このMEMSリレーにおいて、前記第1可動部形成基板は、前記第1可動部から相反する2方向へ延長された2つの前記第1支持ばね部により前記第1可動部が前記第1フレーム部に支持されてなり、前記第1支持ばね部は、ねじれ変形が可能なトーションばねであることが好ましい。このMEMSリレーにおいて、前記第2可動部形成基板は、前記第2可動部から相反する2方向へ延長された2つの前記第2支持ばね部により前記第2可動部が前記第2フレーム部に支持されてなり、前記第2支持ばね部は、ねじれ変形が可能なトーションばねであることが好ましい。このMEMSリレーにおいて、前記第1可動部形成基板は、前記第1可動部における前記動力伝達部との対向部位に、表面が凸曲面状の突起が突設されてなることが好ましい。このMEMSリレーにおいて、前記第1可動部形成基板は、前記第1可動部における前記動力伝達部との対向部位に、前記動力伝達部による衝撃を緩和する衝撃緩和層が設けられてなることが好ましい。このMEMSリレーにおいて、前記第2可動部形成基板は、前記第2可動部の揺動に関わらず前記動力伝達部が前記第1可動部と接していることが好ましい。このMEMSリレーにおいて、前記第1可動部形成基板は、前記第1可動部に開口部を有し、前記開口部の内側に前記接点保持部および前記接圧ばね部が配置されてなることが好ましい。このMEMSリレーにおいて、前記第1可動部形成基板は、前記第1可動部が枠状に形成されてなり、前記第1可動部の内側において2つの前記支持ばね部を結ぶ直線上に配置され前記ベース基板に固定されたアンカー部を備え、前記接点保持部は、平面視で2つの前記第1支持ばね部の並設方向に直交する規定方向において前記第1可動部側に配置された前記接圧ばね部により前記第1可動部に支持されるとともに、前記アンカー部側に配置された補助ばね部により前記アンカー部に支持されてなることが好ましい。このMEMSリレーにおいて、前記第1可動部形成基板は、前記第1可動部が揺動する際の第1の支点として機能する第1支点突起が前記第1可動部から前記ベース基板側へ突設されて前記ベース基板に当接してなり、前記第2可動部形成基板は、前記第2可動部が揺動する際の第2の支点として機能する第2支点突起が前記第2可動部から前記第1可動部側へ突設されてなり、前記第1可動部形成基板は、前記第1可動部に前記第2支点突起を位置決めする位置決め溝が形成されてなることが好ましい。本発明のMEMSリレーにおいては、動作安定性を向上させることが可能となるという効果がある。実施形態1以下では、図1~図7に基づいて本実施形態のMEMSリレーについて説明する。MEMSリレーは、厚み方向の一表面側に固定接点14が設けられたベース基板1と、このベース基板1の上記一表面側に配置されたカバー基板4とを備えている。また、MEMSリレーは、ベース基板1に収納された電磁石装置5を備えている。また、MEMSリレーは、ベース基板1とカバー基板4との間に配置され固定接点14に接離する可動接点27を有する第1可動部形成基板2を備えている。また、MEMSリレーは、第1可動部形成基板2とカバー基板1との間に配置され電磁石装置5とともに磁気回路を構成する磁性体板からなるアーマチュア34を有する第2可動部形成基板3を備えている。第1可動部形成基板2は、ベース基板1と第2可動部形成基板3との間に介在する第1フレーム部21と、第1フレーム部21の内側に配置され第1フレーム部21に第1支持ばね部22を介して揺動自在に支持された第1可動部23とを備えている。また、第1可動部形成基板2は、第1可動部23に接圧ばね26を介して支持され第1可動部23の揺動に伴って固定接点14に接離する可動接点27を保持した接点保持部28を備えている。第2可動部形成基板3は、第1可動部形成基板2とカバー基板4との間に介在する第2フレーム部31と、第2フレーム部31の内側に配置され第2フレーム部31に第2支持ばね部32を介して揺動自在に支持された第2可動部33とを備えている。また、第2可動部形成基板3は、第2可動部33の厚み方向の一面側に配置されたアーマチュア34と、第2可動部33の揺動に伴って可動接点27が固定接点14に接離するように第1可動部23を動かす動力伝達部38とを備えている。以下、MEMSリレーの各構成要素について詳細に説明する。ベース基板1は、絶縁性基板の一種であるガラス基板からなる第1の基板10を用いて形成されている。第1の基板10は、ガラス基板に限らず、例えば、高抵抗率のシリコン基板や、低温同時焼成セラミック基板LowTemperatureCofiredCeramicSubstrate:LTCC基板を用いてもよい。第1の基板10として用いるガラス基板のガラス材料としては、硼珪酸ガラスを採用しているが、これに限らず、ソーダガラス、無アルカリガラス、石英ガラスなどを採用してもよい。硼珪酸ガラスとしては、例えば、パイレックス登録商標やテンパックス登録商標を採用することができる。また、高抵抗率のシリコン基板としては、例えば、MEMSリレーを高周波信号の伝送用に用いる場合、抵抗率がより高い方が好ましく、例えば、伝送対象の高周波信号の周波数が6GHzであれば、抵抗率が100Ωcm以上であることが好ましく、1000Ωcm以上であることがより好ましい。また、伝送対象の高周波信号の周波数が高いほど、抵抗率が高い方が好ましい。上述のベース基板1は、矩形板状に形成されており、上記一表面側において第1の基板10の長手方向の両端部それぞれに一対の信号線13,13が形成されている。ここで、各一対の信号線13,13は、ベース基板1の上記一表面側において第1の基板10の短手方向に沿って配置されている。また、ベース基板1は、各信号線13それぞれの一端部に、上述の固定接点14が設けられ、各信号線13それぞれの他端部が、第1の基板10の厚み方向に貫設された貫通孔配線15と電気的に接続されている。また、信号線13は、金属層例えば、Au層により構成されている。信号線13の材料としては、例えば、Au、Ni、Cu、Pd、Rh、Pt、Ir、Osの群から選択される1種あるいはこれらの合金を採用することができるが、それ以外の材料を採用してもよい。固定接点14の材料としては、例えば、Auなどの導電性が良好な金属材料を採用することが好ましい。また、固定接点14は、例えば、スパッタ法、電気めっき法、真空蒸着法などを利用して形成すればよい。なお、固定接点14は、単層構造に限らず、多層構造でもよい。また、固定接点14の材料は、例えば、Au、Ag、Cr、Ti、Pt、Ru、Rh、Co、Ni、Cuや、これらの合金などを採用してもよいが、それ以外の材料を採用してもよい。また、固定接点14は、単層膜に限らず、多層積層膜でもよい。また、ベース基板1において上述の貫通孔配線15が内側に設けられた貫通孔11は、第1の基板10の上記一表面から上記他表面に近づくにつれて開口面積が徐々に大きくなるテーパ形状に形成されている。ここで、貫通孔配線15は、貫通孔11の内面に沿って形成され第1の基板10の上記一表面側において貫通孔11を閉塞している。また、ベース基板1は、電磁石装置5を収納する収納部16が形成されている。ここで、ベース基板1は、第1の基板10の中央部に、電磁石装置5が挿入される開口部17が貫設されている。また、ベース基板1は、第1の基板10の上記一表面側に、開口部17を閉塞する薄膜状の蓋体部18が接合されている。要するに、ベース基板1は、開口部17の内周面と蓋体部18とで囲まれた空間が収納部16を構成している。これにより、本実施形態のMEMSリレーは、ベース基板1と、第1可動部形成基板2の第1フレーム部21と、第2可動部形成基板3の第2フレーム部31と、カバー基板4とで囲まれた空間を、気密空間とすることが可能となっている。なお、蓋体部18の材料としては、Siを採用している。蓋体部18の厚さは、電磁石装置5からアーマチュア34に作用させる吸引力などの観点から5μm~50μm程度が好ましく、蓋体部18の機械的強度などの観点から20μm~30μm程度がより好ましい。上述の開口部17は、第1の基板10の上記一表面から他表面に近づくにつれて開口面積が徐々に大きくなるテーパ形状となっている。しかして、ベース基板1は、第1可動部形成基板2側とは反対側から電磁石装置5を挿入し易く、且つ、第1の基板10の上記一表面における開口部17の開口面積を比較的小さくすることができる。なお、上述の開口部17および貫通孔11は、例えば、サンドブラスト法やエッチング法などによって形成することができる。電磁石装置5は、U字状のヨーク50と、ヨーク50に巻回された2つのコイル52,52とを備えている。ヨーク50は、両コイル52,52が直接巻回される細長の矩形板状のコイル巻回部50aと、コイル巻回部50aの長手方向の両端部それぞれからコイル巻回部50aの厚み方向に延設された側片50b,50bとを有している。そして、ヨーク50は、コイル52,52への励磁電流に応じて一対の側片50b,50bの互いの先端面が異極に励磁される。なお、ヨーク50は、電磁軟鉄などの鉄板を曲げ加工、鋳造加工、プレス加工などにより加工することによって形成されており、両側片50b,50bの断面が矩形状となっている。また、電磁石装置5は、ヨーク50の両側片50b,50bの間でコイル巻回部50aの長手方向の中央部に重ねて配置された矩形板状の永久磁石51を備えている。しかして、電磁石装置5は、永久磁石51とヨーク50の側片50b,50bとによって、コイル巻回部50aの長手方向への各コイル52,52の移動が規制される。電磁石装置5は、2つのコイル52,52に励磁電流を通電したときに電磁力を発生する。電磁石装置5は、この電磁力によって、矩形板状のアーマチュア34の長手方向の両端部のうちの一方を吸引する吸引力、当該両端部のうちの他方を反発する反発力を発生させることができる。永久磁石51は、厚み方向の両面それぞれの磁極面が異極に着磁されており、一方の磁極面がヨーク50のコイル巻回部50aに当接し、他方の磁極面がヨーク50の両側片50b,50bの先端面と同一平面上に位置するように厚み寸法を設定してある。ここにおいて、電磁石装置5は、ヨーク50の両側片50b,50bの各先端面および永久磁石51の上記他方の磁極面が蓋体部18に当接する形で収納部16に収納されている。これにより、MEMSリレーは、永久磁石51の上記他方の磁極面とヨーク50の両側片50b,50bの先端面とを同一平面上に位置させることができるので、電磁石装置5とアーマチュア34との間のギャップ長の精度を高めることが可能となる。また、電磁石装置5は、細長の矩形板状に形成されたプリント基板53を備えている。このプリント基板53は、図3に示すように、絶縁性基板53aの一表面における長手方向の両端部それぞれに導体パターン53b,53bが形成されている。各導体パターン53b,53bは、円形状に形成された部位が外部接続用電極53ba,53baを構成し、矩形状に形成された部位がコイル接続部53bb,53bbを構成している。ここにおいて、コイル接続部53bb,53bbには、コイル52,52の端末が接続される。コイル52,52は、外部接続用電極53ba,53ba間に電源を接続してコイル52,52へ励磁電流を流したときにヨーク50の両側片50b,50bの先端面が互いに異なる磁極となるように接続されている。第1可動部形成基板2は、半導体基板ここでは、シリコン基板からなる第2の基板20を用いて形成されている。第2の基板20は、シリコン基板以外の半導体基板でもよく、例えば、シリコン層/絶縁層SiO2層/シリコン層の3層構造を有するSOISiliconOnInsulator基板や、シリコン層/絶縁層SiO2層/シリコン層/絶縁層SiO2層/シリコン層の5層構造ダブルSOI構造を有するダブルSOI基板などを用いてもよい。第1可動部形成基板2は、ベース基板1と第2可動部形成基板3との間に介在する第1フレーム部21と、第1フレーム部21の内側に配置され第1フレーム部21に4つの第1支持ばね部22を介して揺動自在に支持された第1可動部23とを有している。ここで、第1可動部形成基板2は、第1可動部23および接点保持部28それぞれの厚みを、第1フレーム部21の厚みよりも薄く設定してある。また、第1可動部形成基板2は、第1可動部23の厚みを接点保持部28の厚みよりも薄く設定してある。本実施形態では、第1フレーム部21の厚さを200μm、第1可動部23の厚さを50μmに設定してあるが、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。例えば、第2の基板20としてシリコン基板を用いる場合、このシリコン基板の基礎となるシリコンウェハの厚さに応じて適宜変更してもよく、例えば、50μm~1000μm程度の範囲で設定してもよく、第2の基板20の厚さ寸法に基づいて、第1可動部23および接点保持部28それぞれの厚さを適宜変更すればよい。第1可動部23の厚さ寸法は、MEMSリレーの小型化を図るなどの観点からは小さい方が好ましい。上述の第1可動部形成基板2は、第1フレーム部21が、矩形枠状に形成され、第1可動部23が、矩形板状に形成されている。第1支持ばね部22は、第1可動部23の短手方向の両側縁側の各々において第1可動部23の長手方向に離間した2箇所に形成されている。各第1支持ばね部22は、一端部が第1可動部23に連結され他端部が第1フレーム部21の内周面に連結されている。各第1支持ばね部22は、平面形状において上記一端部と上記他端部との間の部位を同一面内で蛇行した形状に形成することにより長さ寸法を長くしてある。これにより、第1可動部形成基板2は、第1可動部23が揺動する際に各第1支持ばね部22の各々に発生する応力を各々で分散させることが可能となり、各第1支持ばね部22が破損するのを抑制することが可能となる。また、第1可動部形成基板2は、第1可動部23の短手方向の両側縁それぞれの中央部から矩形状の第1突片23aが1つずつ延設されている。また、第1可動部形成基板2は、第1フレーム部21の内周面において第1可動部23の各第1突片23aの各々に対応する各部位から、矩形状の第2突片21aが1つずつ延設されている。すなわち、第1可動部形成基板2は、1対1で対応する第1突片23aと第2突片21aとの、互いの先端面同士が対向している。第1可動部23から延設された各第1突片23aの各々の先端面には、凸部23bが形成されている。一方、第1フレーム部21から延設された各第2突片21aの各々の先端面には、凸部23bが入り込む凹部21bが形成されている。したがって、第1可動部形成基板2は、凸部23bが凹部21bの内周面に当接することにより、第1フレーム部21の厚み方向に直交する面内における第1可動部23の移動が規制される。第1可動部23の同一の側縁側にある2つの第1支持ばね部22は、同一の側縁から延設されている第1突片23aの両側に位置している。第1可動部形成基板2は、第1可動部23の各第1突片23aにおけるベース基板1との対向面に、支点突起23c図4参照が突設されている。支点突起23cは、第1可動部23が揺動回動する際の支点として機能する。要するに、第1可動部形成基板2は、第1可動部23の短手方向において離間して配置された2つの支点突起23cがベース基板1に当接しており、一対の支点突起23c,23cを結ぶ直線を回動軸として回動可能となっている。また、第1可動部形成基板2は、第1可動部23の4隅から当該可動部23の短手方向の両側に向かって矩形状の第3突片23d図2参照が延設されている。各第3突片23dにおけるベース基板1との対向面には、第1可動部23の揺動範囲を規制するストッパ部23e図4参照が形成されている。これらのストッパ部23eは、ベース基板1の上記一表面と接触することにより、第1可動部23の変位量を制限する。これにより、MEMSリレーは、第1支持ばね部22が破損するのを防止することが可能となる。また、第1可動部形成基板2は、第1可動部23の長手方向の両側に接点保持部28,28が配置されている。各接点保持部28は、一対の接圧ばね部26,26を介して第1可動部23に支持されている。各接点保持部28には、ベース基板1の厚み方向において対向する一対の固定接点14,14に接離する可動接点27が設けられている。可動接点27の材料としては、例えば、Au、Ni、Cu、Pd、Rh、Pt、Ir、Osの群から選択される1種あるいはこれらの合金を採用することができるが、それ以外の材料を採用してもよい。可動接点27は、単層膜でもよいし、多層積層膜でもよい。各接点保持部28の厚さ寸法は、第1フレーム部21の厚さ寸法よりも小さく且つ第1可動部23の厚さ寸法よりも大きな値に設定してある。また、接点保持部28の厚み方向において重なる接点保持部28と可動接点27とを合わせた厚さ寸法も、このような条件を満たす値に設定してある。各接点保持部28は、平面視形状が細長の矩形状であり、短手方向が可動部23の長手方向に一致するように配置されている。各接圧ばね部26は、一方の端部が第1可動部23の長手方向に沿った側縁に連結され、他方の端部が接点保持部28の短手方向に沿った側縁に連結されており、上記一方の端部と上記他方の端部との間の中間部の一部を、可動部23の厚み方向に直交する面内で蛇行した形状としてある。また、各接圧ばね部26の長さは、同じとしてある。しかして、本実施形態のMEMSリレーでは、各接圧ばね部26の長さを適当な長さとして各接圧ばね部26のばね力を適宜設定することにより、各可動接点27と対応する一対の固定接点14,14との接点圧を所望の大きさに設定することが可能となり、各可動接点27と対応する一対の固定接点14,14との接触信頼性を向上させることが可能となる。第1可動部形成基板2は、第1フレーム部21が、ベース基板1および第2可動部形成基板3の第2フレーム部31と接合されている。これにより、第1可動部形成基板2は、各可動接点27が、対応する一対の固定接点14,14に対向し当該一対の固定接点14,14間を短絡する位置と開放する位置との間で変位可能となっている。以下では、説明を簡単にするために、図2において右側に位置している一対の固定接点14,14を一対の第1固定接点14a,14a、第1固定接点14a,14aに対応する可動接点27を第1可動接点27a図4参照と称することもある。また、以下では、図2において左側に位置している一対の固定接点14,14を一対の第2固定接点14b,14b、第2固定接点14b,14bに対応する可動接点27を第2可動接点27b図4参照と称することもある。第1可動部形成基板2は、第2可動部形成基板3のアーマチュア34の動作揺動に伴って、第1可動接点27aが一対の第1固定接点14a,14a間を短絡し且つ第2可動接点27bが一対の第2固定接点14b,14b間を開放した第1状態と、第1可動接点27aが一対の第1固定接点14a,14a間を開放し且つ第2可動接点27bが一対の第2固定接点14b,14b間を短絡した第2状態とが交互に現われる。ここで、第1可動部形成基板2の基礎となる第2の基板20として、上述のダブルSOI基板を用いれば、第1可動部23とベース基板1との距離をベース基板1側のシリコン層の厚みによって規定することが可能となる。これにより、MEMSリレーは、可動接点27と対応する一対の固定接点14,14とが開放されている状態での可動接点27と一対の固定接点14,14との間の距離絶縁距離を高精度に設定することが可能となる。第2可動部形成基板3は、半導体基板ここでは、シリコン基板からなる第3の基板30を用いて形成されている。第3の基板30は、シリコン基板以外の半導体基板でもよく、例えば、シリコン層/絶縁層SiO2層/シリコン層の3層構造を有するSOISiliconOnInsulator基板や、シリコン層/絶縁層SiO2層/シリコン層/絶縁層SiO2層/シリコン層の5層構造ダブルSOI構造を有するダブルSOI基板などを用いてもよい。第2可動部形成基板3は、第1可動部形成基板2とカバー基板4との間に介在する第2フレーム部31と、第2フレーム部31の内側に配置され第2フレーム部31に4つの第2支持ばね部32を介して揺動自在に支持された第2可動部33とを有している。また、第2可動部形成基板3は、第2可動部33の上記一面側に配置された上述のアーマチュア34と、アーマチュア34の中央部との間に第2可動部33を挟んで配置されたプレート35とを有している。プレート35は、第2可動部33の厚み方向に貫通した貫通孔39図5~図7参照を通してアーマチュア34に溶接されている。プレート25をアーマチュア34に溶接するにあたっては、第2可動部33の上記一面側にアーマチュア34を配置し他面側にプレート35を配置した状態で、プレート35において貫通孔39に対応する部分にレーザ光を照射してプレート35を局所的に溶融させてアーマチュア34に溶接させるようにしている。要するに、プレート35は、アーマチュア34にレーザ溶接法により溶接されている。なお、レーザ溶接法により溶接する際のレーザ光源としては、例えば、YAGレーザを用いればよいが、これに限定するものではなく、例えば、プレート35の材料に応じて適宜変更してもよい。アーマチュア34を構成する磁性体板の材料としては、鉄-コバルト合金からなる磁性体材料を採用しているが、これに限らず、例えば、電磁軟鉄、電磁ステンレス、パーマロイなどの磁性体材料であればよい。また、プレート35の材料としては、フェライト系ステンレス鋼の一種であるSUS430を採用しているが、これに限らず、例えば、SUS430以外のステンレス鋼や、金属、合金などを採用してもよい。第2可動部形成基板3は、第2可動部33の厚みを、第2フレーム部31の厚みよりも薄く設定してある。アーマチュア34の厚み寸法は、第2可動部形成基板3の第2フレーム部31と第1可動部形成基板2の第1フレーム部21とが固着された状態においてアーマチュア34と第1可動部23との間に適宜の空隙が形成されるように設定してある。プレート25の厚み寸法は、第2可動部33とカバー基板4との間に適宜の空隙が形成されるように設定されている。本実施形態では、第2フレーム部31の厚さを200μm、第2可動部33の厚さを50μm、アーマチュア34の厚さを100μm、プレート35の厚さを100μmに設定してあるが、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。例えば、第3の基板30としてシリコン基板を用いる場合、このシリコン基板の基礎となるシリコンウェハの厚さに応じて適宜変更してもよく、例えば、50μm~1000μm程度の範囲で設定してもよく、第3の基板30の厚さ寸法に基づいて、第2可動部33の厚さ、アーマチュア34の厚さ、およびプレート35の厚さ、それぞれを適宜変更すればよい。ただし、アーマチュア34の厚さ寸法は、電磁石装置5による所望の吸引力を確保するように設定する必要がある。これに対して、第2可動部33およびプレート35それぞれの厚さ寸法は、MEMSリレーの小型化を図るなどの観点からは小さい方が好ましい。上述の第2可動部形成基板3は、第2フレーム部31が、矩形枠状に形成され、第2可動部33が、矩形板状に形成されている。また、アーマチュア34は、第2可動部33よりも小さな矩形板状に形成されている。また、プレート35は、長手方向の寸法が第2可動部33の短手方向の寸法よりもやや大きな細長の板状に形成されており、長手方向の両端部が先細り状の形状となっている。そして、プレート35は、第2可動部33の長手方向の中央部において、当該プレート35の長手方向を第2可動部33の短手方向に合わせて配置されている。なお、プレート35の形状は、特に限定するものではなく、例えば、長方形状でもよいし、菱形状でもよい。また、第2可動部33には、上述の貫通孔29が2つ形成されている。これら2つの貫通孔39は、第2可動部33の長手方向の中央部において第2可動部33の短手方向に沿った中心線上で並んで形成されている。また、各貫通孔39は、円形状の開口形状となっている。これに対して、プレート35は、長手方向の寸法が、第2可動部33の短手方向の寸法よりも大きな値に設定されている。また、プレート35は、長手方向の中間部における短手方向の寸法が、貫通孔39の内径よりも大きな値に設定されている。なお、各貫通孔39の開口形状は特に限定するものではない。要するに、プレート35の短手方向の寸法は、第2可動部33の上記他面における貫通孔39の最大寸法第2可動部33の長手方向における貫通孔39の最大寸法よりも大きな値であればよい。そして、プレート35は、第2可動部33の各貫通孔39を通してアーマチュア34に溶接されている。要するに、プレート35は、アーマチュア34に2箇所が溶接されている。なお、溶接箇所は、2箇所に限定するものではない。第2可動部形成基板3は、第2可動部33とアーマチュア34とプレート35とを含む部分が、第2可動部33の短手方向に沿った中心線に対して対称となり、且つ、第2可動部33の長手方向に沿った中心線に対して対称となるように、第2可動部33に対するアーマチュア34およびプレート35それぞれの配置領域が規定されている。要するに、本実施形態のMEMSリレーでは、第2可動部33の重心とアーマチュア34およびプレート35それぞれの重心とが一直線上に位置するように上記各配置領域を規定している。さらに、第2可動部形成基板3は、第2フレーム部31の内側の部分全体可動ブロックが、第2可動部33の短手方向に沿った中心線に対して対称となり、且つ、第2可動部33の長手方向に沿った中心線に対して対称となるように、各第2支持ばね部32、各ばね部36、各動力伝達部38の形状および配置を規定してある。また、第2可動部形成基板3は、第2可動部33に、第2可動部33の上記一面から突設されアーマチュア34を位置決めする第1突起33g図6および図7b,c参照が一体に設けられている。また、第2可動部33には、第2可動部33の上記他面から突設されプレート35を位置決めする第2突起33f図5および図7a,b参照が一体に設けられている。第1突起33gの突出寸法は、第1突起33gがアーマチュア34の揺動範囲を狭めないように、アーマチュア34の厚さ寸法よりも小さい方が好ましい。例えば、アーマチュア34の厚さ寸法が100μmの場合、第1突起33gの突出寸法は、10μm程度であれば十分である。なお、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。また、第2突起33fの突出寸法は、第2突起33fがプレート35の揺動範囲を狭めないように、プレート35の厚さ寸法よりも小さい方が好ましい。例えば、プレート35の厚さ寸法が100μmの場合、第2突起33fの突出寸法は、10μm程度であれば十分である。なお、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。また、第2可動部形成基板3は、第1突起33gおよび第2突起33fをそれぞれ複数備えている。第2可動部形成基板3は、複数の第1突起33gが、第2可動部33の上記一面側においてアーマチュア34の規定の配置領域を囲むように配置され、複数の第2突起33fが、第2可動部33の上記他面側においてプレート35の規定の配置領域を囲むように配置されていることが好ましい。要するに、第2可動部形成基板3は、複数の第1突起33gが、アーマチュア34の外周に沿って配置され、複数の第2突起33fが、プレート35の外周に沿って配置されている。本実施形態では、第1突起33gの数を8個、第2突起33fの数を6個としてあるが、これらの数は特に限定するものではない。ただし、第1突起33gは、第2可動部33の上記一面側において、第2可動部33の短手方向に沿った中心線に対して線対称に配置され、且つ、第2可動部33の長手方向に沿った中心線に対して線対称に配置されていることが好ましい。また、第2突起33fは、第2可動部33の上記他面側において、第2可動部33の短手方向に沿った中心線に対して線対称に配置され、且つ、第2可動部33の長手方向に沿った中心線に対して線対称に配置されていることが好ましい。各第1突起33gおよび各第2突起33fは、各々、平面形状を矩形状としてあるが、これらの形状は矩形状に限らず、例えば、円形状、三角形状、多角形状でもよい。また、複数の第1突起33gは、全てが同じ形状である必要はない。また、複数の第2突起33fは、全てが同じ形状である必要はない。また、第1突起33gについては、第2可動部33の上記一面側においてアーマチュア34の規定の配置領域を囲む枠状の形状として1個だけにしてもよい。また、第2突起33fについては、第2可動部33の上記他面側においてプレート35の規定の配置領域を囲む枠状の形状として1個だけにしてもよい。また、第1突起33gは、アーマチュア34の規定の配置領域との間に所定の第1隙間例えば、10μm程度を設けるように形成位置を設計してある。これにより、アーマチュア34の配置が容易になるとともに、アーマチュア34の寸法公差などに起因してアーマチュア34を配置できないような不具合の発生を抑制することが可能となる。また、第2突起33fは、プレート35の規定の配置領域との間に所定の第2隙間例えば、10μm程度を設けるように形成位置を設計してある。これにより、プレート35の配置が容易になるとともに、プレート35の寸法公差などに起因してプレート35を配置できないような不具合の発生を抑制することが可能となる。上述のアーマチュア34およびプレート35については、各々、打ち抜き加工などの機械加工技術を利用して形成してある。なお、アーマチュア34およびプレート35は、真空チャックなどにより、第2可動部33に対して配置する。一方、可動部形成基板2は、アーマチュア34およびプレート35以外の構成要素を、マイクロマシニング技術を利用して形成してある。つまり、第2可動部形成基板3の第2フレーム部31、第2可動部33、各第2支持ばね部32、各ばね部36、各動力伝達部38、各第1突起33gおよび各第2突起33fなどは、第3の基板30第3の基板30の基礎となるウェハを、フォトリソグラフィ技術、エッチング技術などの半導体プロセス技術を利用して加工することにより形成してある。したがって、第2可動部33に対する各第1突起33gの位置精度は、主に、各第1突起33gをフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して形成する際の、露光工程における重ね合わせ検出マークの重ね合わせ精度overlayaccuracyと、エッチング工程での寸法シフトmeasureshiftとにより決まる。アーマチュア34とプレート35とを溶接するためには、例えば、まず、第2可動部33に対して先にアーマチュア34を位置決めしてから、真空チャックなどによってアーマチュア34あるいは第2可動部33を吸引し、その後、第2可動部33に対してプレート35を位置決めする。続いて、プレート35において第2可動部33の貫通孔39に対応した部位にレーザ光を照射してプレート35を局所的に溶融させてプレート35とアーマチュア34とを溶接すればよい。第2支持ばね部32は、第2可動部33の短手方向の両側縁側の各々において第2可動部33の長手方向に離間した2箇所に形成されている。各第2支持ばね部32は、一端部が第2可動部33に連結され他端部が第2フレーム部31の内周面に連結されている。各第2支持ばね部32は、平面形状において上記一端部と上記他端部との間の部位を同一面内で蛇行した形状に形成することにより長さ寸法を長くしてある。これにより、第2可動部形成基板3は、第2可動部33が揺動する際に各第2支持ばね部32の各々に発生する応力を各々で分散させることが可能となり、各第2支持ばね部32が破損するのを抑制することが可能となる。また、第2可動部形成基板3は、第2可動部33の短手方向の両側縁それぞれの中央部から矩形状の第4突片33aが1つずつ延設されている。また、第2可動部形成基板3は、第2フレーム部31の内周面において第2可動部33の各第4突片33aの各々に対応する各部位から、矩形状の第5突片31aが1つずつ延設されている。すなわち、第2可動部形成基板3は、1対1で対応する第4突片33aと第5突片31aとの、互いの先端面同士が対向している。第2可動部33から延設された各第4突片33aの各々の先端面には、凸部33bが形成されている。一方、第2フレーム部31から延設された各第5突片31aの各々の先端面には、凸部33bが入り込む凹部31bが形成されている。したがって、第2可動部形成基板3は、凸部33bが凹部31bの内周面に当接することにより、第2フレーム部31の厚み方向に直交する面内における第2可動部33の移動が規制される。第2可動部33の同一の側縁側にある2つの第2支持ばね部32は、同一の側縁から延設されている第4突片33aの両側に位置している。第2可動部形成基板3は、第2可動部33の各第4突片33aにおける第1可動部形成基板2の第1可動部23との対向面に、支点突起33cが突設されている。支点突起33cは、第2可動部33が当該第2可動部33に一体化されているアーマチュア34とともに揺動回動する際の支点として機能する。要するに、第2可動部形成基板3は、第2可動部33の短手方向において離間して配置された2つの支点突起33cが第1可動部23の第1突片23aに当接しており、一対の支点突起33c,33cを結ぶ直線を回動軸として回動可能となっている。また、第2可動部形成基板3は、第2可動部33の4隅から当該第2可動部33の短手方向の両側に向かって矩形状の第6突片33d図2参照が延設されている。各第6突片33dにおける第1可動部形成基板2との対向面には、第2可動部33の揺動範囲を規制するストッパ部33e図6参照が形成されている。これらのストッパ部33eは、第1可動部形成基板2の第1可動部23と接触することにより、第2可動部33の変位量を制限する。これにより、MEMSリレーは、第2支持ばね部32が破損するのを防止することが可能となる。また、第2可動部形成基板3は、第2可動部33の長手方向の両側に動力伝達部38,38が配置されている。各動力伝達部38は、一対のばね部36,36を介して第2可動部33に支持されている。各動力伝達部38の厚さ寸法は、第2フレーム部31の厚さ寸法よりも小さく且つ第2可動部33の厚さ寸法よりも大きな値に設定してある。各動力伝達部38は、平面視形状が細長の矩形状であり、短手方向が第2可動部33の長手方向に一致するように配置されている。一対の動力伝達部38は、第1可動部形成基板2における第1可動部23の長手方向の両端部の各々を押圧可能とする位置に配置されている。第2可動部形成基板3は、第2可動部33の長手方向の寸法を、第1可動部23の長手方向の寸法よりも短く設定してあり、一対の動力伝達部38の第2可動部33側とは反対側の面間の距離を第1可動部23の長手方向の寸法よりもやや短い寸法に設定してある。各ばね部36は、一方の端部が第2可動部33の長手方向に沿った側縁に連結され、他方の端部が動力伝達部38の短手方向に沿った側縁に連結されており、上記一方の端部と上記他方の端部との間の中間部の一部を、第2可動部33の厚み方向に直交する面内で蛇行した形状としてある。また、各ばね部36の長さは、同じとしてある。しかして、本実施形態のMEMSリレーでは、各ばね部36の長さを適当な長さとして各ばね部36のばね力を適宜設定することにより、各可動接点27と対応する一対の固定接点14,14との接点圧を所望の大きさに設定することが可能となり、各可動接点27と対応する一対の固定接点14,14との接触信頼性を向上させることが可能となる。第2可動部形成基板3は、第2フレーム部31が、第1可動部形成基板2の第1フレーム部21およびカバー基板4と接合されている。これにより、第2可動部形成基板3は、各動力伝達部38が第1可動部23を押圧して可動接点27が、対応する一対の固定接点14,14に接触して当該一対の固定接点14,14間を短絡する位置と、第1可動部23を押圧せずに可動接点27が対応する一対の固定接点14,14から離れて当該一対の固定接点14,14間を開放する位置との間で変位可能となっている。MEMSリレーは、第2可動部形成基板3のアーマチュア34の動作揺動に伴って、第1可動接点27aが一対の第1固定接点14a,14a間を短絡し且つ第2可動接点27bが一対の第2固定接点14b,14b間を開放した第1状態と、第1可動接点27aが一対の第1固定接点14a,14a間を開放し且つ第2可動接点27bが一対の第2固定接点14b,14b間を短絡した第2状態とが交互に現われる。ここで、第2可動部形成基板3の基礎となる第3の基板30として、上述のダブルSOI基板を用いれば、第2可動部33と第1可動部23との距離を第1可動部形成基板2側のシリコン層の厚みによって規定することが可能となる。これにより、MEMSリレーは、アーマチュア34と電磁石装置5との距離磁気ギャップ長を高精度に設定することが可能となる。カバー基板4は、ガラス基板からなる第4の基板40を用いて形成されている。第4の基板40は、第1の基板10と同様に、ガラス基板に限らず、高抵抗率のシリコン基板や、LTCC基板を用いてもよい。カバー基板4は、第2可動部形成基板3との対向面に第2可動部33の揺動空間を確保する凹所41が形成されている。この凹所41は、例えば、サンドブラスト法やエッチング法などにより形成することができる。上述の第1可動部形成基板2の第1フレーム部21とベース基板1および第2可動部形成基板3の第2フレーム部31とは、それぞれ、陽極接合法により接合されている。また、第2可動部形成基板3の第2フレーム部31とカバー基板4とは、陽極接合法により接合されている。なお、これらの接合方法は、陽極接合法に特に限定するものではなく、他の接合方法を採用してもよい。ここで、本実施形態のMEMSリレーの動作について説明する。本実施形態のMEMSリレーでは、コイル52,52への通電が行われると、磁化の向きに応じてアーマチュア34の長手方向の一端部がヨーク50の一方の側片50bに吸引される。これにより、MEMSリレーは、アーマチュア34の上記一端部に近い動力伝達部38により第1可動部23が押圧され、第1可動部23を押圧している動力伝達部38に近い可動接点27が、対応する一対の固定接点14,14に接触し、且つ、第1可動部23を押圧していない動力伝達部38に近い可動接点27が、対応する一対の固定接点14,14から離れた状態となる。この状態では、コイル52,52への通電を停止しても、永久磁石51の発生する磁束により、アーマチュア34の上記一端部に対する吸引力が維持され、アーマチュア34の上記一端部に近い可動接点27と対応する一対の固定接点14,14とが接触した状態が保持される。また、本実施形態のMEMSリレーでは、コイル52,52への通電方向を逆向きにすると、アーマチュア34の長手方向の上記他端部がヨーク50の他方の側片50bに吸引され、アーマチュア34の上記他端部に近い動力伝達部38により第1可動部23が押圧され、第1可動部23を押圧している動力伝達部38に近い可動接点27が、対応する一対の固定接点14,14に接触し、且つ、第1可動部23を押圧していない動力伝達部38に近い可動接点27が、対応する一対の固定接点14,14から離れた状態となる。この状態では、コイル52,52への通電を停止しても、永久磁石51の発生する磁束により、アーマチュア34の上記他端部に対する吸引力が維持され、アーマチュア24の上記他端部に近い可動接点27と対応する一対の固定接点14,14とが接触した状態が保持される。なお、本実施形態のMEMSリレーは、アーマチュア34を動かす電磁石装置5として、永久磁石51を備えた有極型の電磁石装置を用いているので、ラッチング型のリレーマイクロリレーを構成している。ただし、MEMSリレーは、電磁石装置5として永久磁石51を備えていない無極型の電磁石装置を用いてもよい。以上説明した本実施形態のMEMSリレーは、上述のように、ベース基板1、第1可動部形成基板2、第2可動部形成基板3、カバー基板4および電磁石装置5を備えている。ここで、第1可動部形成基板2は、第1フレーム部21、第1フレーム部21に第1支持ばね部22を介して揺動自在に支持された第1可動部23、および第1可動部23に接圧ばね26を介して支持され第1可動部23の揺動に伴って固定接点14に接離する可動接点27を保持した接点保持部28を備えている。また、第2可動部形成基板3は、第2フレーム部31、第2フレーム部31に第2支持ばね部32を介して揺動自在に支持された第2可動部33、第2可動部33の厚み方向の一面側に配置されたアーマチュア34、および第2可動部33の揺動に伴って可動接点27が固定接点14に接離するように第1可動部23を動かす動力伝達部38を備えている。そして、本実施形態のMEMSリレーでは、可動接点27を有する第1可動部形成基板2とは別に、アーマチュア34を有する第2可動部形成基板3を備えており、第1可動部形成基板2の第1可動部23を押圧していない動力伝達部38に近い可動接点27が一対の固定接点14,14から離れている。また、本実施形態のMEMSリレーでは、第1可動部形成基板2の第1可動部23を押圧している動力伝達部38に近い可動接点27が一対の固定接点14,14に接触する。しかして、本実施形態のMEMSリレーでは、第2可動部33に反りが生じても、可動接点27が一対の固定接点14,14から離れている状態での絶縁距離ギャップ長が、ばらつくのを抑制することが可能となり、動作特性がばらつくのを抑制することが可能となり、動作安定性を向上させることが可能となる。また、本実施形態のMEMSリレーでは、第1可動部23が動力伝達部38により押圧された状態で可動接点27が一対の固定接点14,14に接触した状態が維持されるので、可動接点27が固定接点14,14に接触しているときの接触角度および接触位置を安定させることが可能となり、接触圧、接触抵抗などのばらつきを抑制すること可能となり、動作安定性を向上させることが可能となる。また、本実施形態のMEMSリレーでは、第1可動部23が第1フレーム部21に揺動自在に支持され且つ第2可動部33が第2フレーム部31に揺動自在に支持されている。これにより、第1可動部23の長手方向に沿った方向におけるアーマチュア34と可動接点27との相対的な位置ずれに起因した動作不良の発生を抑制することが可能となり、動作安定性を向上させることが可能となる。本実施形態のMEMSリレーでは、第1可動部23の揺動軸と第2可動部33の揺動軸とを、ベース基板1の厚み方向において精度よく揃えることが可能となる。また、本実施形態のMEMSリレーの構成を採用することにより、個々のMEMSリレー間の動作特性や寿命のばらつきを低減することが可能となる。実施形態2以下では、本実施形態のMEMSリレーについて、図8および図9に基づいて説明する。なお、実施形態1と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。本実施形態のMEMSリレーは、第1可動部形成基板2が、第1フレーム部21と接点保持部28とを連結し接圧ばね26とともに接点保持部28を支持する第3支持ばね部29を備えている点が相違する。第3支持ばね部29は、第1可動部23の長手方向に沿った方向において一端部が第1フレーム部21の内周面に連結され、他端部が接点保持部28の側面に連結されている。ここで、第3支持ばね部29は、第1可動部23の厚み方向に直交する面内で蛇行した形状に形成されている。しかして、本実施形態のMEMSリレーでは、上述の第3支持ばね部29を備えていることにより、可動接点27が固定接点14,14から離れているときのギャップ長の高精度化を図れるとともに可動接点27が固定接点14,14に接触しているときの接触角度および接触位置の安定化を図れ、動作安定性を更に向上させることが可能となる。実施形態3以下では、本実施形態のMEMSリレーについて、図10および図11に基づいて説明する。なお、実施形態1と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。本実施形態のMEMSリレーは、第1可動部形成基板2の形状が実施形態1とは相違する。本実施形態における第1可動部形成基板2は、第1可動部23から相反する2方向へ延長された2つの第1支持ばね部22により、第1可動部23が第1フレーム部21に支持されており、第1支持ばね部22が、ねじれ変形が可能なトーションばねトーションバーである点が相違する。2つの第1支持ばね部22は、第1可動部23の長手方向の中央部から、第1可動部23の短手方向に沿って互いに逆向きに延長されている。ここで、各第1支持ばね部22は、平面視形状が細長の長方形状となっている。要するに、本実施形態のMEMSリレーは、第1支持ばね部22の形状、配置および数が実施形態1とは相違している。第1支持ばね部22は、第1フレーム部21に比べて薄肉に形成されている。ここで、第1支持ばね部22の厚さは、第1可動部23と同じ厚さに設定してあるが、第1可動部23と異なる厚さでもよい。本実施形態のMEMSリレーにおける第1可動部形成基板2は、第1可動部23が、第1フレーム部21に対して、一対の第1支持ばね部22を揺動軸として揺動可能となっている。しかして、本実施形態のMEMSリレーでは、第1可動部23が、第1フレーム部21に対して、一対の第1支持ばね部22を揺動軸として揺動可能となっているので、実施形態1のように一対の支点突起23c,23cと4つの第1支持ばね部22とで第1可動部23を揺動自在とした構成に比べて、動作安定性を更に向上させることが可能となる。実施形態4以下では、本実施形態のMEMSリレーについて、図12および図13に基づいて説明する。なお、実施形態3と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。本実施形態のMEMSリレーは、第2可動部形成基板3の形状が実施形態3とは相違する。本実施形態における第2可動部形成基板3は、第2可動部33から相反する2方向へ延長された2つの第2支持ばね部32により、第2可動部33が第2フレーム部31に支持されており、第2支持ばね部32が、ねじれ変形が可能なトーションばねトーションバーである点が相違する。2つの第2支持ばね部32は、第2可動部33の長手方向の中央部から、第2可動部33の短手方向に沿って互いに逆向きに延長されている。ここで、各第2支持ばね部32は、平面視形状が細長の長方形状となっている。要するに、本実施形態のMEMSリレーは、第2支持ばね部32の形状、配置および数が実施形態3とは相違している。第2支持ばね部32は、第2フレーム部31に比べて薄肉に形成されている。ここで、第2支持ばね部32の厚さは、第2可動部33と同じ厚さに設定してあるが、第2可動部33と異なる厚さでもよい。本実施形態のMEMSリレーにおける第2可動部形成基板3は、第2可動部33が、第2フレーム部31に対して、一対の第2支持ばね部32を揺動軸として揺動可能となっている。しかして、本実施形態のMEMSリレーでは、第2可動部33が、第2フレーム部31に対して、一対の第2支持ばね部32を揺動軸として揺動可能となっているので、実施形態3のように一対の支点突起33c,33cと4つの第2支持ばね部32とで第2可動部33を揺動自在とした構成に比べて、動作安定性を更に向上させることが可能となる。なお、実施形態1や実施形態2のMEMSリレーにおいて、第2支持ばね部32を本実施形態と同様の構成として、支点突起33c,33cなどをなくした構成としてもよい。実施形態5以下では、本実施形態のMEMSリレーについて、図14に基づいて説明する。なお、実施形態1と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。本実施形態のMEMSリレーは、第1可動部形成基板2の第1可動部23における動力伝達部38との対向部位に、表面が凸曲面状の突起23hが突設されている点が実施形態1と相違し、他の構成は同じである。突起23hは、動力伝達部38に向って凸となる形状に形成されている。なお、突起23hの表面は、球面の一部でもよいし、非球面の一部でもよいが、突起23hの平面サイズが同じであれば、非球面のほうが、突起23hの突出寸法を小さくして動作安定性を向上させる点で好ましい。以下、突起23hの形成方法について図15を参照しながら説明するが、第1可動部形成基板2の基礎となる第2の基板20として、p形のシリコン基板を用いる場合について説明する。まず、第2の基板20の一表面側図15aの下面側に後述の陽極酸化工程で利用する陽極257図15b参照の基礎となる所定膜厚例えば、1μmの導電性膜例えば、Al膜、Al-Si膜などからなる導電性層を形成する導電性層形成工程を行う。この導電性層形成工程では、例えばスパッタ法によって第2の基板20の上記一表面上に導電性層を成膜した後、N2ガスおよびH2ガス雰囲気中で導電性層のシンタ熱処理を行うことで、導電性層と第2の基板20とのオーミック接触を得る。なお、導電性層の成膜方法はスパッタ法に限らず、例えば蒸着法などを採用してもよい。導電性層形成工程の後、導電性層に円形状の開孔部257aを設けるように導電性層をパターニングするパターニング工程を行うことによって、図15bに示す構造を得る。このパターニング工程では、まず、フォトリソグラフィ技術を利用して第2の基板20の上記一表面側に開孔部257aに対応する部位が開孔されたレジスト層図示せずを形成する。その後、レジスト層をマスクとして導電性層の不要部分を例えばウェットエッチング技術あるいはドライエッチング技術によってエッチング除去して開孔部257aを設けることにより導電性層の残りの部分からなる陽極257を形成する。その後、レジスト層を除去する。また、上述の導電性層形成工程とパターニング工程とで、所望の曲面形状ここでは、突起23hの表面の凸曲面状に応じて第2の基板20との接触パターンを設計した陽極257を第2の基板20の上記一表面側に形成する陽極形成工程を構成している。上述の陽極形成工程の後、陽極酸化用の電解液中で第2の基板20の他表面側図15aの上面側に対向配置される陰極図示せずと陽極257との間に通電して第1半導体基板20の上記他表面側に除去部位となる多孔質シリコンからなる多孔質部258を形成する陽極酸化工程陽極酸化処理を行うことによって、図15cに示す構造を得る。なお、電解液としては、第2の基板20の構成元素であるSiの酸化物であるSiO2をエッチング除去する溶液として、55wtのフッ化水素水溶液とエタノールとを1:1で混合したフッ酸系溶液を用いているが、フッ化水素水溶液の濃度やフッ化水素水溶液とエタノールとの混合比は特に限定するものではない。また、フッ化水素水溶液と混合する液体もエタノールに限らず、メタノール、プロパノール、イソプロパノールIPAなどのアルコールなど、陽極酸化反応で発生した気泡を除去できる液体であれば、特に限定するものではない。ところで、p形のシリコン基板からなる第2の基板20を上述の陽極酸化工程において多孔質化する際には、ホールをh、電子をe-とすると、以下の反応が起こっていると考えられる。Si2HF2-nh→SiF22Hne-SiF22HF→SiF4H2SiF42HF→SiH2F6すなわち、p形のシリコン基板の陽極酸化では、Fイオンの供給量とホールhの供給量との兼ね合いで多孔質化あるいは電解研磨が起こることが知られており、Fイオンの供給量の方がホールの供給量よりも多い場合には多孔質化が起こり、ホールhの供給量がFイオンの供給量よりも多い場合には電解研磨が起こる。したがって、第2基板20としてp形のシリコン基板を用いている場合には、陽極酸化による多孔質化の速度はホールhの供給量で決まるから、第2の基板20中を流れる電流の電流密度で多孔質化の速度が決まり、多孔質部258の厚みが決まることになる。本実施形態では、第2の基板20の上記他表面側では、陽極257の開孔部257aの中心線第2の基板20の厚み方向に沿った中心線から離れるほど電流密度が徐々に大きくなるような電流密度の面内分布を有することとなる。したがって、第2の基板20の上記他表面側に形成される多孔質部258は、陽極257の開孔部257aの中心線に近くなるほど徐々に薄くなっている。なお、上述の電流密度の面内分布は、陽極257と陰極との間に通電しているときに陽極257と第2の基板20との接触パターンなどにより決まる第2の基板20内の電界強度の分布に応じて発生し、電界強度が強いほど電流密度が大きくなり、電界強度が弱いほど電流密度が小さくなる。上述の陽極酸化工程の終了後、多孔質部258を除去する多孔質部除去工程を行う。ここにおいて、多孔質シリコンからなる多孔質部258を除去するエッチング液としてアルカリ系溶液例えば、KOH、NaOH、TMAHなどの水溶液やHF系溶液を用いれば、多孔質部258を除去する多孔質部除去工程において、Al膜やAl-Si膜により形成されている陽極257もエッチング除去することができ、図15dに示すような凸曲面状の表面を有する突起23hを形成することができる。なお、多孔質部258を除去する多孔質部除去工程と、陽極257を除去する陽極除去工程とを別々に行ってもよい。また、多孔質シリコンからなる多孔質部258を除去する多孔質部除去工程においてエッチング液としてアルカリ系溶液を用いる場合には、エッチング液を加熱せずに室温でも多孔質部258をエッチング除去することができる。上述の突起23hの形成方法では、陽極形成工程にて形成する陽極257と第2の基板20との接触パターンにより陽極酸化工程において第2の基板20に流れる電流の電流密度の面内分布が決まる。したがって、この突起23hの形成方法では、陽極酸化工程にて形成する多孔質部258の厚みの面内分布を制御することができて厚みが連続的に変化した多孔質部258を形成することが可能であり、当該多孔質部258を多孔質部除去工程にて除去することで所望の凸曲面状の表面を有する突起23hが形成されるから、任意形状で且つ滑らかな凸曲面状の表面を有する突起23hを容易に形成することができる。上述の突起23hの形成方法では、陽極形成工程において円形状の開孔部257aが設けられた陽極257を形成しており、突起23hの凸曲面状を非球面状の一部により構成される形状としてあるが、これに限らず、球面の一部により構成される形状としてもよい。また、開孔部257aの形状を円形状ではなくて長方形状の形状とすれば、突起23hとして半円柱状の突起23hを形成することも可能である。本実施形態のMEMSリレーでは、第1可動部形成基板2の第1可動部23における動力伝達部38との対向部位に、表面が凸曲面状の突起23hが突設されているので、動力伝達部38と第1可動部形成基板2との当り方が安定する。要するに、本実施形態のMEMSリレーでは、動力伝達部38が第1可動部形成基板2の第1可動部23に片当たりするのを防止することができ、動作安定性を、より向上させることが可能となる。なお、他の実施形態において、本実施形態において説明した突起23hを第1可動部形成基板2の第1可動部23に設けてもよい。実施形態6以下では、本実施形態のMEMSリレーについて、図16に基づいて説明する。なお、実施形態1と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。本実施形態のMEMSリレーは、第1可動部形成基板2の第1可動部23における動力伝達部38との対向部位に、動力伝達部38による衝撃を緩和する衝撃緩和層24が設けられている点が実施形態1と相違し、他の構成は同じである。衝撃緩和層24は、第1可動部31における動力伝達部38の投影領域を含み且つ当該投影領域よりも広い領域に形成することが好ましい。衝撃緩和層24は、アルミニウムなどの比較的柔らかい金属により形成することが好ましい。また、衝撃緩和層24は、金属に限らず、ポリイミド樹脂などの弾性を有する樹脂により形成することもできる。本実施形態のMEMSリレーでは、衝撃緩和層24を備えていることにより、第2可動部形成基板3の動力伝達部38が第1可動部形成基板2に衝突する際の衝撃を緩和することが可能となる。これにより、本実施形態のMEMSリレーでは、動力伝達部38および第1可動部23などに、衝撃に起因した破損が発生することなどを抑制することが可能となり、信頼性を向上させることが可能となる。なお、他の実施形態において、本実施形態において説明した衝撃緩和層24を第1可動部形成基板2の第1可動部23に設けてもよい。実施形態7以下では、本実施形態のMEMSリレーについて、図17に基づいて説明する。なお、実施形態1と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。本実施形態のMEMSリレーは、第2可動部形成基板3における動力伝達部38の厚さが実施形態1とは相違し、他の構成は同じである。本実施形態における第2可動部形成基板3は、第2可動部33の揺動に関わらず、つまり、第2可動部33が傾いていた状態にあるか水平な状態にあるかにかかわらず、動力伝達部38,38が第1可動部23と接している。ここにおいて、第2可動部形成基板3は、第2フレーム部31の厚さ寸法と動力伝達部38,38の厚さ寸法とを同じ値に設定してある。本実施形態のMEMSリレーでは、第2可動部33の揺動に関わらず、動力伝達部38,38が第1可動部23と接しているので、動力伝達部38および第1可動部23などに、衝撃に起因した破損が発生することなどを抑制することが可能となり、信頼性を向上させることが可能となる。なお、他の実施形態において、本実施形態のように、第2可動部33の揺動に関わらず、動力伝達部38,38が第1可動部23と接するようにしてもよい。実施形態8以下では、本実施形態のMEMSリレーについて、図18および図19に基づいて説明する。なお、実施形態3と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。本実施形態のMEMSリレーは、第1可動部形成基板2の形状などが相違する。本実施形態における第1可動部形成基板2は、第1可動部23に2つの開口部23g,23gを有し、各開口部23g,23gの各々の内側に接点保持部28および2つの接圧ばね部26,26が配置されている。ここで、第1可動部形成基板2は、第1可動部23において、当該第1可動部23の短手方向に沿った中心線の両側に開口部23g,23gが形成されており、平面視において当該中心線に直交する方向を左右方向とした場合に、2つの開口部23g,23gが左右対称の位置に形成されている。各開口部23,23gの開口形状は、各々、矩形状としてあるが、これに限らず、例えば、六角形状や円形状などでもよい。また、第1可動部形成基板2は、各開口部23gの中央部に接点保持部28が配置され、第1可動部23の長手方向において接点保持部28の両側に接圧ばね部26,26が1つずつ配置されている。各接圧ばね部26は、第1可動部23の厚み方向に直交する面内で蛇行した形状に形成されており、一端部が開口部23gの内周面に連結され他端部が接点保持部28の側面に連結されている。また、各開口部23gの内側において接点保持部28に連結された接圧ばね部26は、接点保持部28の厚み方向に沿った接点保持部28の中心線に対して回転対称となるように形成されている。図19では、各開口部23gの内側の2つの接圧ばね部26が、2回回転対称となるように形成されている。また、本実施形態では、電磁石装置5が、ベース基板1ではなく、カバー基板4に収納されている。カバー基板4は、第1シリコン層シリコン基板40aと第2シリコン層40cとの間に絶縁層SiO2層40bが介在したSOISiliconOnInsulator基板からなる第4の基板40を用いて形成されている。各シリコン層40a,40cは高抵抗率のシリコン層であることが好ましい。例えば、MEMSリレーの伝送対象の高周波信号の周波数が6GHzであれば、各シリコン層40a,40cは、抵抗率が100Ωcm以上であることが好ましく、1000Ωcm以上であることがより好ましい。なお、第4の基板40は、SOI基板に限らず、例えば、高抵抗率のシリコン基板を用いてもよい。上述のカバー基板4は、第2可動部形成基板3側の一表面の中央部に、第2可動部33の揺動範囲を確保する凹所41以下、第1凹所41と称するが形成され、他表面の中央部に、上述の電磁石装置5を収納するための凹所46以下、第2凹所46と称するが形成されている。ここで、カバー基板4は、上述のSOI基板からなる第4の基板40における第2シリコン層40c側に第2シリコン層40cの厚さ寸法よりも深さ寸法が小さな第1凹所41を形成し、第1シリコン層40a側に第1シリコン層40aの厚さ寸法と絶縁層40bの厚さ寸法とを合わせ寸法と略同じ深さ寸法の第2凹所46を形成してある。要するに、カバー基板4は、第2凹所46が、電磁石装置5を収納する収納部47となり、第1凹所41の内底面と第2凹所46の内底面との間の部位が、カバー基板4の上記一表面側と上記他表面側とを仕切る平板状の壁部48となる。したがって、本実施形態におけるMEMSリレーは、ベース基板1と第1フレーム部21と第2フレーム部31とカバー基板4とで囲まれた空間を、気密空間とすることが可能となる。なお、壁部48の厚さは、電磁石装置5からアーマチュア34に作用させる吸引力などの観点から5μm~50μm程度が好ましく、機械的強度などの観点から20μm~30μm程度がより好ましい。カバー基板4の第1凹所41、第2凹所46は、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを利用して形成すればよい。電磁石装置5は、ヨーク50の両側片50bの各先端面および永久磁石51の上記他方の磁極面が壁部48に当接する形で収納部47に収納されている。しかして、MEMSリレーは、電磁石装置5における永久磁石51の上記他方の磁極面とヨーク50の両側片50bの各先端面とを同一平面上に位置させることができるので、電磁石装置5とアーマチュア34との間のギャップ長の精度を高めることが可能となる。本実施形態のMEMSリレーでは、第1可動部形成基板2は、第1可動部23に2つの開口部23g,23gを有し、各開口部23g,23gの各々の内側に接点保持部28および2つの接圧ばね部26,26が配置されているので、第1可動部23の長手方向において第1可動部23の両側に接点保持部28が配置されている場合に比べて、MEMSリレー全体の平面サイズの小型化を図れ、低コスト化を図ることが可能となる。なお、他の実施形態においても、電磁石装置5をベース基板1に収納する構成ではなく、カバー基板4に収納する構成としてもよい。実施形態9以下では、本実施形態のMEMSリレーについて、図20および図21に基づいて説明する。なお、実施形態3と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。本実施形態のMEMSリレーは、第1可動部形成基板2の形状などが相違する。本実施形態における第1可動部形成基板2は、第1可動部23が枠状に形成されている。そして、第1可動部形成基板2は、第1可動部23の内側において2つの支持ばね部22,22を結ぶ直線上に配置されベース基板1に固定されたアンカー部固定部23kを備えている。また、接点保持部28は、平面視で2つの第1支持ばね部22,22の並設方向に直交する規定方向において第1可動部23側に配置された接圧ばね部26により第1可動部23に支持されるとともに、アンカー部23k側に配置された補助ばね部25によりアンカー部23kに支持されている。アンカー部23kの厚さ寸法は、第1フレーム部21の厚さ寸法と同じに設定することが好ましい。これにより、アンカー部23kは、第1フレーム部21とベース基板1との接合時に、ベース基板1に接合することができる。第1可動部形成基板2は、矩形枠状の第1可動部23の内側の中央部にアンカー部23kが配置され、第1可動部23の長手方向上述の規定方向においてアンカー部23kの両側にアンカー部23kから離間して接点保持部28が配置されている。接圧ばね部26および補助ばね部25の各々は、第1可動部23の厚み方向に直交する面内で蛇行した形状に形成されている。接圧ばね26は、一端部が矩形枠状の第1可動部23の内周面に連結され他端部が接点保持部28の側面に連結されている。また、補助ばね部25は、一端部がアンカー部25の側面に連結され他端部が接点保持部28の他の側面に連結されている。また、本実施形態では、電磁石装置5が、ベース基板1ではなく、カバー基板4に収納されている。ここで、カバー基板4の構成は、実施形態8と同じなので、同一の符号を付して説明を省略する。以上説明した本実施形態のMEMSリレーでは、上述のように、第1可動部形成基板2の第1可動部23が枠状に形成され、第1可動部形成基板2が、第1可動部23の内側において2つの支持ばね部22,22を結ぶ直線上に配置されベース基板1に固定されたアンカー部23kを備えている。そして、本実施形態のMEMSリレーは、接点保持部28が、平面視で2つの第1支持ばね部22,22の並設方向に直交する規定方向において第1可動部23側に配置された接圧ばね部26により第1可動部23に支持されるとともに、アンカー部23k側に配置された補助ばね部25によりアンカー部23kに支持されている。しかして、本実施形態のMEMSリレーでは、可動接点27が固定接点14,14から離れているときのギャップ長の高精度化を図れるとともに可動接点27が固定接点14,14に接触しているときの接触角度および接触位置の安定化を図れ、動作安定性を更に向上させることが可能となる。なお、枠状の第1可動部23は、矩形枠状の形状としてあるが、矩形枠状以外の形状でもよい。また、第1可動部23は、平面視における外周形状が矩形状で内周形状が矩形以外の形状例えば、六角形状、円形状としてもよい。実施形態10以下では、本実施形態のMEMSリレーについて、図22に基づいて説明する。なお、実施形態1と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。本実施形態における第1可動部形成基板2は、実施形態1と同様、第1可動部23が揺動する際の第1の支点として機能する支点突起第1支点突起23c,23cが、第1可動部23からベース基板1側へ突設されてベース基板1に当接している。また、第2可動部形成基板3は、実施形態1と同様、第2可動部33が揺動する際の第2の支点として機能する支点突起第2支点突起33c,33cが、第2可動部33から第1可動部23側へ突設されている。そして、本実施形態では、第1可動部形成基板2において、第1可動部23に第2支点突起33c,33cを位置決めする位置決め溝23jが形成されている点が実施形態1とは相違する。なお、位置決め溝23jは、2つの支点突起33c,33cに対して1つだけ形成してもよいし、2つの支点突起33c,33cごとに1つずつ形成してもよい。本実施形態のMEMSリレーでは、第1可動部形成基板2において、第1可動部23に第2支点突起33c,33cを位置決めする位置決め溝23jが形成されているので、第2可動部形成基板3の動作を安定させることが可能となり、動作安定性を更に向上させることが可能となる。上述の各実施形態で説明したMEMSリレーは、2つの可動接点27と、各可動接点27の各々ごとに対応する一対の固定接点14,14が設けられているが、対応する可動接点27と固定接点14との数は1対2に限らず、例えば、1対1でもよい。また、可動接点27と対応する固定接点14との組も2組に限らず、1組でもよい。"