"圧電基板と、前記圧電基板の上面に形成されており、IDT電極を含む電極を構成している第1の電極膜と、前記圧電基板の上面から第1の電極膜の上面の一部に至るように形成されている第2の電極膜とを備え、前記第2の電極膜が、配線電極とパッド電極とを含む電極を構成しており、かつ複数の金属膜を積層してなる積層金属膜からなり、前記第2の電極膜を構成している積層金属膜の最下層が、AlCu合金、NiCr合金、AlSi合金、AlTi合金、Ti及びCuからなる群から選択された1種の金属からなり、かつ第2の電極膜を構成している積層金属膜の最下層が、当該第2の電極膜の側面に至るように形成されている、弾性波装置。前記第2の電極膜を構成している前記積層金属膜が、AlまたはAuからなる金属膜を含む、請求項1に記載の弾性波装置。前記第2の電極膜を構成している前記積層金属膜の最上層が、AlCu合金、NiCr合金、AlSi合金、AlTi合金、Ti及びCuからなる群から選択された1種の金属からなる、請求項1または2に記載の弾性波装置。前記第2の電極膜の上に形成された第3の電極膜をさらに備える、請求項1または2に記載の弾性波装置。前記第3の電極膜が、AlCu合金、NiCr合金、AlSi合金、AlTi合金、Ti及びCuからなる群から選択された1種の金属からなる、請求項4に記載の弾性波装置。前記第2の電極膜の上に形成された絶縁膜をさらに備える、請求項1~3のいずれか1項に記載の弾性波装置。前記絶縁膜が、SiO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、TeO2、SiN及びSiONのうち、いずれか1種の無機絶縁材料からなる膜を含む、請求項6に記載の弾性波装置。前記絶縁膜が、ポリイミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアミド樹脂のうち、いずれか1種の有機絶縁材料からなる膜を含む、請求項6に記載の弾性波装置。前記絶縁膜が、SiO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、TeO2、SiN及びSiONのうち、いずれか1種の無機絶縁材料からなる膜と、ポリイミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアミド樹脂のうち、いずれか1種の有機絶縁材料からなる膜とを含む、請求項6に記載の弾性波装置。圧電基板の上面に、IDT電極を含む電極を構成する第1の電極膜を形成する工程と、前記第1の電極膜及び前記圧電基板の上面を覆うように、レジスト層を形成する工程と、前記レジスト層をパターニングし、開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、前記開口部を有するレジストパターンを形成した後に、複数の金属膜を順次成膜し、複数の金属膜のうち、最初に成膜する金属膜が前記圧電基板の上面から前記レジストパターンの側面に至るように、複数の金属膜を成膜する工程と、前記レジストパターンを除去し、前記複数の金属膜からなる積層金属膜により、配線電極とパッド電極とを含む電極を構成する第2の電極膜を形成する工程とを備える、弾性波装置の製造方法。前記複数の金属膜を蒸着法により連続して成膜する、請求項10に記載の弾性波装置の製造方法。前記複数の金属膜を蒸着法により連続して成膜するに際し、遊星自公転型の真空蒸着装置を用いる、請求項11に記載の弾性波装置の製造方法。前記複数の金属膜のうち、最初に成膜する金属膜が、AlCu合金、NiCr合金、AlSi合金、AlTi合金、Ti及びCuからなる群から選択された1種の金属からなる、請求項10~12のいずれか1項に記載の弾性波装置の製造方法。前記複数の金属膜が、AlまたはAuからなる金属膜を含む、請求項10~13のいずれか1項に記載の弾性波装置の製造方法。前記複数の金属膜のうち、最後に成膜する金属膜が、AlCu合金、NiCr合金、AlSi合金、AlTi合金、Ti及びCuからなる群から選択された1種の金属からなる、請求項10~14のいずれか1項に記載の弾性波装置の製造方法。前記第2の電極膜の上に、第3の電極膜を形成する工程をさらに備える、請求項10~14のいずれか1項に記載の弾性波装置の製造方法。前記第3の電極膜が、AlCu合金、NiCr合金、AlSi合金、AlTi合金、Ti及びCuからなる群から選択された1種の金属からなる、請求項16に記載の弾性波装置の製造方法。前記第2の電極膜の上に、絶縁膜を形成する工程をさらに備える、請求項10~14のいずれか1項に記載の弾性波装置の製造方法。前記絶縁膜が、SiO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、TeO2、SiN及びSiONのうち、いずれか1種の無機絶縁材料からなる膜を含む、請求項18に記載の弾性波装置の製造方法。前記絶縁膜が、ポリイミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアミド樹脂のうち、いずれか1種の有機樹脂からなる膜を含む、請求項18に記載の弾性波装置の製造方法。前記絶縁膜が、SiO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、TeO2、SiN及びSiONのうち、いずれか1種の無機絶縁材料からなる膜と、ポリイミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアミド樹脂のうち、いずれか1種の有機絶縁材料からなる膜とを含む、請求項18に記載の弾性波装置の製造方法。特許文献1に記載の弾性表面波装置のような弾性波装置では、配線電極を構成している電極膜においてマイグレーションが発生することがあった。マイグレーションが発生すると、配線電極が断線したり、マイグレーションにより発生したウィスカや電極くずにより、異なる電位に接続される配線電極間の短絡が生じるおそれがある。上記マイグレーションは、IDT電極で励振された弾性波の振動が配線電極に印加されることにより発生する。また、マイグレーションは、配線電極を伝わる高周波電力による熱が配線電極に印加されることによっても発生すると考えられる。特に、配線電極がAlやAuからなる場合には、マイグレーションがより一層発生し易い。本発明の目的は、配線電極を構成している電極膜におけるマイグレーションの発生を効果的に抑制することができ、配線電極の断線や短絡が生じ難い、弾性波装置及び該弾性波装置を得ることを可能とする製造方法を提供することにある。本発明に係る弾性波装置は、圧電基板と、圧電基板の上面に形成されており、IDT電極を含む電極を構成している第1の電極膜と、圧電基板の上面から第1の電極膜の上面の一部に至るように形成されている第2の電極膜とを備える。本発明に係る弾性波装置では、第2の電極膜が、配線電極とパッド電極とを含む電極を構成しており、かつ複数の金属膜を積層してなる積層金属膜からなる。第2の電極膜を構成している積層金属膜の最下層が、AlCu合金、NiCr合金、AlSi合金、AlTi合金、Ti及びCuからなる群から選択された1種の金属からなり、かつ第2の電極膜を構成している積層金属膜の最下層が、当該第2の電極膜の側面に至るように形成されている。本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、第2の電極膜を構成している積層金属膜が、AlまたはAuからなる金属膜を含む。本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、第2の電極膜を構成している積層金属膜の最上層が、AlCu合金、NiCr合金、AlSi合金、AlTi合金、Ti及びCuからなる群から選択された1種の金属からなる。本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、第2の電極膜の上に形成された第3の電極膜をさらに備える。本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、第3の電極膜が、AlCu合金、NiCr合金、AlSi合金、AlTi合金、Ti及びCuからなる群から選択された1種の金属からなる。本発明に係る弾性波装置のまたさらに他の特定の局面では、第2の電極膜の上に形成された絶縁膜がさらに備えられている。上記絶縁膜は、SiO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、TeO2、SiN及びSiONのうち、いずれか1種の無機絶縁材料からなる膜を含むものであってもよい。上記絶縁膜は、ポリイミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアミド樹脂のうち、いずれか1種の有機絶縁材料からなる膜を含むものであってもよい。上記絶縁膜は、SiO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、TeO2、SiN及びSiONのうち、いずれか1種の無機絶縁材料からなる膜と、ポリイミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアミド樹脂のうち、いずれか1種の有機絶縁材料からなる膜とを含むものであってもよい。本発明に係る弾性波装置の製造方法は、圧電基板の上面に、IDT電極を含む電極を構成する第1の電極膜を形成する工程と、第1の電極膜及び圧電基板の上面を覆うように、レジスト層を形成する工程と、レジスト層をパターニングし、開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、開口部を有するレジストパターンを形成した後に、複数の金属膜を順次成膜し、複数の金属膜のうち、最初に成膜する金属膜が圧電基板の上面からレジストパターンの側面に至るように、複数の金属膜を成膜する工程と、レジストパターンを除去し、複数の金属膜からなる積層金属膜により、配線電極とパッド電極とを含む電極を構成する第2の電極膜を形成する工程とを備える。本発明に係る弾性波装置の製造方法のある特定の局面では、複数の金属膜を蒸着法により連続して成膜する。本発明に係る弾性波装置の製造方法の他の特定の局面では、複数の金属膜を蒸着法により連続して成膜するに際し、遊星自公転型の真空蒸着装置を用いる。本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに他の局面では、複数の金属膜のうち、最初に成膜する金属膜が、AlCu合金、NiCr合金、AlSi合金、AlTi合金、Ti及びCuからなる群から選択された1種の金属からなる。本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに別の特定の局面では、複数の金属膜が、AlまたはAuからなる金属膜を含む。本発明に係る弾性波装置の製造方法のまたさらに他の特定の局面では、複数の金属膜のうち、最後に成膜する金属膜が、AlCu合金、NiCr合金、AlSi合金、AlTi合金、Ti及びCuからなる群から選択された1種の金属からなる。本発明に係る弾性波装置の製造方法のまたさらに別の特定の局面では、第2の電極膜の上に、第3の電極膜を形成する工程がさらに備えられている。第3の電極膜は、好ましくは、AlCu合金、NiCr合金、AlSi合金、AlTi合金、Ti及びCuからなる群から選択された1種の金属膜からなる。本発明に係る弾性波装置の製造方法のまたさらに別の特定の局面では、第2の電極膜の上に、絶縁膜を形成する工程がさらに備えられている。絶縁膜としては、SiO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、TeO2、SiN及びSiONのうち、いずれか1種の無機絶縁材料からなる膜を含むものであってもよいし、ポリイミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアミド樹脂のうち、いずれか1種の有機絶縁材料からなる膜を含むものであってもよいし、絶縁膜は、SiO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、TeO2、SiN及びSiONのうち、いずれか1種の無機絶縁材料からなる膜と、ポリイミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアミド樹脂のうち、いずれか1種の有機絶縁材料からなる膜とを含むものであってもよい。本発明に係る弾性波装置では、配線電極とパッド電極とを含む電極を構成しており、かつ複数の金属膜を積層してなる積層金属膜からなる第2の電極膜において、該第2の電極膜を構成している積層金属膜の最下層が、AlCu合金、NiCr合金、AlSi合金、AlTi合金、Ti及びCuからなる群から選択された1種の金属からなり、かつ第2の電極膜を構成している積層金属膜の最下層が、当該第2の電極膜の側面に至るように形成されているため、配線電極におけるマイグレーションの発生を効果的に抑制することができる。従って、配線電極の断線やウィスカ等の発生による短絡を抑制することが可能となる。本発明に係る弾性波装置の製造方法によれば、圧電基板の上面に、IDT電極を含む電極を構成する第1の電極膜を形成した後に、開口部を有するレジストパターンを形成し、複数の金属膜を複数の金属膜のうち、最初に成膜する金属膜が圧電基板の上面からレジストパターンの側面に至るように成膜し、レジストパターンを除去することで、配線電極とパッド電極とを含む電極を構成する第2の電極膜を形成することにより、本発明の弾性波装置を得ることができる。従って、配線電極においてマイグレーションが発生し難く、配線電極の短絡が生じ難い、本発明の弾性波装置を提供することができる。しかも、上記のようなプロセスにより本発明の弾性波装置を容易に提供することが可能となる。以下、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。第1の実施形態図1~図7を参照し、本発明の第1の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明し、弾性波装置の構造を明らかにする。まず、図1a及びb示すように、圧電基板1を用意する。圧電基板1は、本実施形態では、タンタル酸リチウム基板である。もっとも、圧電基板1は、ニオブ酸リチウム基板、四ホウ酸リチウム基板、ランガサイト基板または水晶基板などの適宜の圧電基板であってもよい。次に、図2a及びbに示すように、圧電基板1の上面に、第1の電極膜2を形成する。第1の電極膜2は、IDT電極3及び反射器4,5を構成している。IDT電極3は、一対のバスバー3a,3bと、バスバー3aまたはバスバー3bに接続されている複数本の電極指3cとを有する。反射器4,5は、一対のバスバーと、一対のバスバーの両方に接続されている複数本の電極指とを有する。本実施形態では、第1の電極膜2は、Ti膜上にAlCu合金膜が積層されている積層金属膜からなる。Ti膜の膜厚は10nmであり、AlCu合金膜の膜厚は150nmである。また、AlCu合金膜におけるCu濃度は1重量である。もっとも、本発明において、第1の電極膜2は、上記積層金属膜に限定されるものではない。第1の電極膜2を構成する金属膜の材料としては、Al,Pt,Au,W,Pd,Ag,Ni,Cr,Cu,MgまたはTaなどの金属、あるいはこれらの金属を主成分とする合金等を用いることができる。本実施形態では、第1の電極膜2は、蒸着法を用いたリフトオフプロセスにより形成される。もっとも、第1の電極膜2は、スパッタリング法やエッチング法等を用いて形成されてもよい。また、第1の電極膜2は、単一の金属膜により形成されてもよい。次に、図3a及びbに示すように、第2の電極膜6を形成する。第2の電極膜6は、圧電基板1の上面から第1の電極膜2の上面の一部に至るように形成される。より具体的には、第2の電極膜6は、圧電基板1の上面からIDT電極3のバスバー3a,3b上及び反射器4,5のバスバー上に至るように形成される。上記第2の電極膜6は、IDT電極3のバスバー3a,3b及び反射器4,5のバスバーと、配線電極9と、パッド電極10a~10cとを構成する。従って、IDT電極3のバスバー3a,3bは、第1の電極膜2と第2の電極膜6との積層体により構成される。反射器4,5のバスバーも同様である。よって、IDT電極3における弾性表面波の閉じ込め効果を高めることができる。なお、IDT電極3の電極指3c及び反射器4,5の電極指は、第1の電極膜2のみにより構成される。また、配線電極9及びパッド電極10a~10cは、第2の電極膜6のみにより構成されることになる。本実施形態では、第2の電極膜6は、AlCu合金膜、Ti膜及びAl膜が、この順序で積層されている積層金属膜からなる。すなわち、図3bに示すように、第2の電極膜6の最下層6aは、AlCu合金膜からなる。なお、図3b及びこれ以降の図では、第2の電極膜6においては、最下層6a以外の金属膜をまとめて上層6bとして図示する。また、後述するように、第2の電極膜6の最上層を残りの金属層と区別する場合には、適宜、最上層につき参照番号を付与することとする。AlCu合金膜の膜厚は700nmであり、Ti膜の膜厚は500nmであり、Al膜の膜厚は1140nmである。また、AlCu合金膜におけるCu濃度は10重量である。もっとも、本発明において、第2の電極膜6は、上記積層金属膜に限定されるものではない。すなわち、第2の電極膜6が複数の金属膜を積層してなる積層金属膜からなる限り、最下層6aは、AlCu合金、NiCr合金、AlSi合金、AlTi合金、Ti及びCuからなる群から選択された1種の金属からなる金属膜であればよい。上層6bを構成する金属膜の材料としては、Al,Pt,Au,W,Pd,Ag,Ni,Cr,Cu,MgまたはTaなどの金属、あるいはこれらの金属を主成分とする合金等を用いることができる。第2の電極膜6の低抵抗化、特に配線電極9の低抵抗化を図るには、最下層6a以外の層が、Alからなる金属膜により構成されていることが好ましい。また、第2の電極膜6のみにより構成されているパッド電極10a~10c上に、例えばAuからなるバンプを形成する場合、第2の電極膜6の最上層が、Auからなる金属膜により構成されていることが望ましい。それによって、バンプの接合強度を高めることができる。本実施形態では、上記のように、第2の電極膜6はAl膜を有し、それによって配線電極9の低抵抗化が図られている。加えて、第2の電極膜6の厚みは、第1の電極膜2の厚みよりも厚くされている。それによっても、配線電極9の低抵抗化が図られている。上記のように圧電基板1上において第2の電極膜6を形成する方法については特に限定されるわけではないが、図4~図6を用いてその一例を説明する。まず、図4aに示すように、第1の電極膜2が形成された圧電基板1の上面の全面を覆うように、レジスト層11を形成する。すなわち、上記第1の電極膜2及び圧電基板1の上面の全面を覆うように、レジスト層11を形成する。レジスト層11は、感光性レジストからなる。次に、図4bに示すように、レジスト層11を露光によりパターニングし、開口部11aを有するレジストパターン11Aを形成する。開口部11aは、第1の電極膜2上であって第2の電極膜6が重なるように形成される部分と、圧電基板1上の第2の電極膜6が形成される部分とに位置している。上記レジストパターン11Aを形成した後に、第2の電極膜6となる積層金属膜を蒸着法により成膜する。本実施形態では、AlCu合金膜、Ti膜及びAl膜を遊星自公転型の真空蒸着装置を用いて連続的に成膜する。図6a及びbに示すように、遊星自公転型の真空蒸着装置12はドーム13を有する。ドーム13の下面には、回転軸14を介して基板ホルダー15が連結されている。基板ホルダー15は、回転軸14により図示の矢印Cで示す方向に回転駆動される。この基板ホルダー15の下面に複数の圧電基板1が保持されている。ここでは、圧電基板1は略図的に示すが、上記レジストパターン11Aが形成された後の状態である。また、ドーム13の上面は、回転軸16に連結されており、ドーム13は、回転軸16により図示の矢印Dで示す方向に回転駆動される。上記回転軸16は、ドーム13の中心に連結されている。前述したように、ドーム13に対して回転軸14を介して連結されている基板ホルダー15は、矢印C方向に回転される。すなわち、基板ホルダー15に保持されている圧電基板1は、回転軸14により矢印C方向に回転され、かつ基板ホルダー15自体が回転軸16により矢印D方向に回転される。蒸着に際しては、ドーム13の下方に蒸着源17を配置し、真空下で蒸着を行う。蒸着源17を交換することにより、第2の電極膜6となるAlCu合金膜、Ti膜及びAl膜を順次連続して成膜することができる。なお、上記遊星自公転型の真空蒸着装置は、例えば特開2010-106325号公報や特開2008-121103号公報に記載のように周知の構造である。もっとも、この遊星自公転型の真空蒸着装置12を用いて蒸着法で成膜することにより、図5aに示すように、第2の電極膜6の最下層6aとなる部分が、レジストパターン11Aの側面にも確実に至るように形成することができる。次に、リフトオフプロセスにより、レジストパターン11A及びレジストパターン11A上に形成されている積層金属膜を除去する。それによって、図5bに示すように、圧電基板1の上面から第1の電極膜2の上面の一部に至るように第2の電極膜6を形成することができる。ここでは、第2の電極膜6において、最下層6aが、当該第2の電極膜6の側面にも至るように形成されることになる。上記蒸着法によれば、図8の高さの差Hで示すように、最下層6aの第2の電極膜6の側面に至っている部分の上端6hの高さの位置が、第2の電極膜6の残りの上層6bの主要部の最上部よりも上方に位置する。このように、最下層6aの第2の電極膜6の側面に至っている部分の上端6hは、第2の電極膜6を構成している他の金属膜の内の最上層の金属膜の上面よりも高くともよい。それによって、マイグレーションの発生を効果的に抑制することができる。次に、図7a及びbに示すように、パッド電極10a~10c上に、Auからなるバンプ7を形成する。バンプ7は、Alや半田などの他の金属により形成されていてもよい。上記のようにして、図7a及びbに示す弾性波装置8を得ることができる。弾性波装置8は、1ポート型の弾性表面波共振子である。本実施形態の弾性波装置8では、配線電極9におけるマイグレーションの発生を確実に抑制することができる。これを以下においてより具体的に説明する。一般的な弾性波装置において、配線電極がAl膜やAu膜を有する積層金属膜により構成されている場合、配線電極を構成している電極膜においてマイグレーションが発生し易い。マイグレーションは、IDT電極で励振された弾性波の振動が配線電極に印加されたり、配線電極を伝わる高周波電力による熱が配線電極に印加されることにより発生する。Al膜やAu膜では、温度が150°C~200°C程度になるとマイグレーションが発生し易い。特に、レイリー波を用いた弾性表面装置では、IDT電極または反射器から様々な方向に弾性表面波が漏洩する。従って、IDT電極または反射器の周囲に配置されている配線電極においてマイグレーションが発生し易いという問題がある。他方、リーキー波を用いた弾性表面波装置では、IDT電極または反射器から弾性表面波の伝搬方向に弾性表面波が漏洩する。従って、IDT電極及び反射器の弾性表面波の伝搬方向の延長線上に配置されている配線電極においてマイグレーションが発生し易い。これに対して、本実施形態の弾性波装置8では、配線電極9を構成している第2の電極膜6の最下層6aは、AlCu合金膜からなる。そして、このAlCu合金膜からなる最下層6aが、Ti膜及びAl膜からなる上層6bの側面を覆うように形成されている。AlCu合金膜はマイグレーションが発生し難く、約150°C~200°Cの温度下でもマイグレーションは発生しない。また、配線電極を構成している電極膜のAl膜におけるマイグレーションはその側面において発生し易い。本実施形態では、上層6bのAl膜の側面が、AlCu合金膜からなる最下層6aにより覆われている。そのため、弾性波装置8が約150°C~200°C下の温度下にさらされたとしても、上層6bのAl膜の側面におけるマイグレーションが発生し難い。図7bに示されているように、最下層6aにおける当該第2の電極膜6の側面に至っている部分により、上層6bのAl膜の側面が被覆されることになるため、配線電極9を構成している第2の電極膜6におけるマイグレーションの発生を効果的に抑制することができる。なお、本実施形態では、上記マイグレーションの発生を抑制する最下層6aはAlCu合金膜により形成されていたが、第2の電極膜6の他の層の金属膜よりもマイグレーションが発生し難い他の金属により最下層6aを形成してもよい。このような金属としては、AlCu合金、NiCr合金、AlSi合金、AlTi合金、Ti及びCuを挙げることができる。AlCu合金、NiCr合金、AlSi合金、AlTi合金、Ti及びCuからなる金属膜は、いずれも、Al膜やAu膜に比べてマイグレーションが発生し難い。従って、これらの金属を適宜用いることにより、第2の電極膜6におけるマイグレーションの発生を確実に抑制することができる。なお、最下層6aの膜厚は、100nm以上であることが好ましい。最下層6aの膜厚が100nm以上である場合には、上層6bのAl膜におけるマイグレーションの発生をより一層効果的に抑制することができる。第2の実施形態図9~図11を参照して、本発明の第2の実施形態に係る弾性波装置及びその製造方法を説明する。第1の実施形態の場合と同様に、まず圧電基板1を用意し、圧電基板1の上面に、第1の電極膜2を形成する。本実施形態においても、第1の実施形態と同様に、第1の電極膜2は、IDT電極3及び反射器4,5を構成している。第1の実施形態と同一の部分については、同一の参照番号を付与することにより、その説明を省略する。また、本実施形態においても、第1の電極膜2は、第1の実施形態と同様に、Ti膜上にAlCu合金膜が積層されている積層金属膜からなる。Ti膜の膜厚は10nmであり、AlCu合金膜の膜厚は150nmである。AlCu合金膜におけるCu濃度は1重量である。図9a及びbに示すように、第2の電極膜6Aを形成する。第2の電極膜6Aは、圧電基板1の上面から第1の電極膜2の上面の一部に至るように形成される。より具体的には、第2の電極膜6Aは、圧電基板1の上面からIDT電極3のバスバー3a,3b上及び反射器4,5のバスバー上に至るように形成される。本実施形態では、第2の電極膜6Aは、IDT電極3のバスバー3a,3b及び反射器4,5のバスバーと、配線電極9と、パッド電極10a~10cとを構成する。従って、本実施形態においても、IDT電極3のバスバー3a,3b及び反射器4,5のバスバーは、第1の電極膜2と第2の電極膜6Aとの積層体により構成されることになる。よって、IDT電極3における弾性表面波の閉じ込め効果を高めることができる。また、IDT電極3の電極指3c及び反射器4,5の電極指は、第1の電極膜2のみにより構成される。配線電極9及びパッド電極10a~10cは、第2の電極膜6Aのみにより構成される。本実施形態が第1の実施形態と異なるところは、第2の電極膜6Aが、AlCu合金膜、Ti膜、Al膜及びTi膜をこの順序で積層してなる積層金属膜により構成されていることにある。すなわち、第2の電極膜6Aにおいて、最下層6aがAlCu合金膜であり、最上層6cがTi膜である。第2の電極膜6Aは、第1の実施形態と同様に、遊星自公転型の蒸着装置を用いて形成することができる。具体的には、第2の電極膜6Aは、遊星自公転型の蒸着装置を用いて、蒸着法を用いたリフトオフプロセスにより形成される。本実施形態では、AlCu合金膜、Ti膜、Al膜及びTi膜をこの順序で、遊星自公転型の真空蒸着装置を用いて連続的に成膜する。最下層6aであるAlCu合金膜の膜厚は700nmであり、その上面に積層されるTi膜の膜厚は500nmであり、Al膜の膜厚は1140nmであり、最上層6cであるTi膜の膜厚は100nmである。また、AlCu合金膜におけるCu濃度は10重量である。本実施形態においても、最下層6aは、AlCu合金、NiCr合金、AlSi合金、AlTi合金、Ti及びCuのうちのいずれか1種の金属からなる金属膜であればよい。本実施形態では、最上層6cもTiからなる。従って、配線電極9を構成している第2の電極膜6Aにおけるマイグレーションの発生をより一層効果的に抑制することができる。なお、最下層6a及び最上層6c以外の上層6bは、第1の実施形態と同様に、適宜の金属もしくは合金により形成することができる。本実施形態においても、第2の電極膜6AはAl膜を有し、それによって配線電極9の低抵抗化が図られている。加えて、第2の電極膜6Aの厚みは、第1の電極膜2の厚みよりも厚くされている。それによっても、配線電極9の低抵抗化が図られている。次に、図10a及びbに示すように、パッド電極10a~10cにおいて、第2の電極膜6Aの最上層6cであるTi膜をエッチングすることにより、最上層6cであるTi膜に開口部6dを形成する。開口部6dでは、上層6bの上面、すなわちAl膜の上面が露出する。次に、図11a及びbに示すように、パッド電極10a~10c上に、Auからなるバンプ7を形成する。具体的には、開口部6dにおいて露出しているAl膜上に、バンプ7を形成する。バンプ7は、Alや半田などの他の金属により形成されていてもよい。本実施形態では、パッド電極10a~10cにおいて、第2の電極膜6Aの最上層6cであるTi膜をエッチングすることにより、最上層6cであるTi膜に開口部6dが形成される。それによって、Auからなるバンプ7は、Al膜と接することになる。この結果、パッド電極10a~10cとバンプ7との接合強度を高めることができる。上記のようにして、図11a及びbに示す弾性波装置8Aを得ることができる。弾性波装置8Aは、1ポート型の弾性表面波共振子である。本実施形態の弾性波装置8Aの特徴は、配線電極9を構成している第2の電極膜6Aの最下層6aであるAlCu合金膜が、Ti膜及びAl膜からなる上層6bの側面を覆うように形成されていること、並びに最上層6cとしてTi膜が形成されていることにある。第2の電極膜6Aの最下層6aを構成しているAlCu合金膜及び最上層6cを構成しているTi膜は、マイグレーションが発生し難い。すなわち、約150°C~200°C程度の温度では、マイグレーションが発生しない。すなわち、第2の実施形態では、第2の電極膜6Aの上層6bのAl膜の側面におけるマイグレーションの発生が、上層6bの側面を覆っている最下層6aのAlCu合金膜により抑制される。加えて、第2の電極膜6Aの上層6bのAl膜の上面におけるマイグレーションの発生は、最上層6cであるのTi膜により抑制される。従って、第2の電極膜6Aの上層6bのAl膜の側面及び上面におけるマイグレーションの発生を効果的に抑制することができる。電極が形成されている圧電基板が実装基板等にフリップチップボンディングされている弾性表面波装置では、配線電極やパッド電極においてマイグレーションが発生すると、配線電極及びパッド電極と、実装基板のダイアタッチ面に形成されたランド電極との間で短絡が生じるなどの問題が起きる。本実施形態の弾性波装置8Aでは、このような問題の発生を確実に抑制することができる。なお、本実施形態では、上記マイグレーションの発生を抑制する最上層6cはTi膜により形成されていたが、第2の電極膜6Aの最下層6a及び最上層6c以外の金属膜よりもマイグレーションが発生し難い他の金属により最上層6cを形成してもよい。具体的には、最上層6cは、AlCu合金、NiCr合金、AlSi合金、AlTi合金、Ti及びCuのうちのいずれか1種の金属からなる金属膜であればよい。これらの金属を適宜用いることにより、第2の電極膜6Aにおけるマイグレーションの発生を確実に抑制することができる。最上層6cの膜厚は100nm以上であることが好ましい。それによって、上層6bのAl膜におけるマイグレーションの発生をより効果的に抑制することができる。第3の実施形態図12~図14を参照して、本発明の第3の実施形態に係る弾性波装置及びその製造方法を説明する。第1の実施形態の場合と同様に、まず圧電基板1を用意し、圧電基板1の上面に、第1の電極膜2を形成する。本実施形態においても、第1の実施形態と同様に、第1の電極膜2は、IDT電極3及び反射器4,5を構成している。第1の実施形態と同一の部分については、同一の参照番号を付与することにより、その説明を省略する。また、本実施形態においても、第1の電極膜2は、第1の実施形態と同様に、Ti膜上にAlCu合金膜が積層されている積層金属膜からなる。Ti膜の膜厚は10nmであり、AlCu合金膜の膜厚は150nmである。AlCu合金膜におけるCu濃度は1重量である。第1の実施形態と同様に、第2の電極膜6を形成する。第2の電極膜6は、圧電基板1の上面から第1の電極膜2の上面の一部に至るように形成される。より具体的には、第2の電極膜6は、圧電基板1の上面からIDT電極3のバスバー3a,3b上及び反射器4,5のバスバー上に至るように形成される。第2の電極膜6は、IDT電極3のバスバー3a,3b及び反射器4,5のバスバーと、配線電極9と、パッド電極10a~10cとを構成する。従って、本実施形態においても、IDT電極3のバスバー3a,3b及び反射器4,5のバスバーは、第1の電極膜2と第2の電極膜6との積層体により構成されることになる。従って、IDT電極3における弾性表面波の閉じ込め効果を高めることができる。また、IDT電極3の電極指3c及び反射器4,5の電極指は、第1の電極膜2のみにより構成される。配線電極9及びパッド電極10a~10cは、第2の電極膜6のみにより構成される。第2の電極膜6は、AlCu合金膜、Ti膜及びAl膜が、この順序で積層されている積層金属膜からなる。すなわち、図12bに示すように、第2の電極膜6の最下層6aは、AlCu合金膜からなる。AlCu合金膜の膜厚は700nmであり、Ti膜の膜厚は500nmであり、Al膜の膜厚は1140nmである。また、AlCu合金膜におけるCu濃度は10重量である。第2の電極膜6は、第1の実施形態と同様に、遊星自公転型の蒸着装置を用いて形成することができる。具体的には、第2の電極膜6は、遊星自公転型の真空蒸着装置を用いて、蒸着法を用いたリフトオフプロセスにより形成される。図12a及びbに示すように、第2の電極膜6の上に、第3の電極膜31を形成する。第3の電極膜31は、Ti膜からなる。もっとも、第3の電極膜31は、他の金属膜により形成されていてもよい。本実施形態では、第3の電極膜31は、蒸着法を用いたリフトオフプロセスにより形成される。もっとも、第3の電極膜31は、スパッタリング法やエッチング法等を用いて形成してもよい。次に、図13a及びbに示すように、パッド電極10a~10cにおいて、第3の電極膜31であるTi膜をエッチングすることにより、第3の電極膜31に開口部31aを形成する。開口部31aでは、第2電極膜6の上層6bの上面、すなわちAl膜の上面が露出する。図14a及びbに示すように、パッド電極10a~10c上に、Auからなるバンプ7を形成する。具体的には、第3の電極膜31の開口部31aにおいて露出している、第2電極膜6の上層6bのAl膜上に、バンプ7を形成する。バンプ7は、Alや半田などの他の金属により形成されていてもよい。本実施形態では、パッド電極10a~10cにおいて、第3の電極膜31であるTi膜をエッチングすることにより、開口部31aが形成される。それによって、Auからなるバンプ7は、第2電極膜6の上層6bのAl膜と接することになる。この結果、パッド電極10a~10cとバンプ7との接合強度を高めることができる。上記のようにして、図14a及びbに示す弾性波装置8Bを得ることができる。弾性波装置8Bは、1ポート型の弾性表面波共振子である。本実施形態の弾性波装置8Bの特徴は、配線電極9を構成している第2の電極膜6の最下層6aであるAlCu合金膜が、Ti膜及びAl膜からなる上層6bの側面を覆うように形成されていること、並びに第3の電極膜31が第2電極膜6上に形成されていることにある。第2の電極膜6の最下層6aを構成しているAlCu合金膜及び第3の電極膜31を構成しているTi膜は、マイグレーションが発生し難い。すなわち、約150°C~200°C程度の温度では、マイグレーションが発生しない。第3の実施形態では、第2の電極膜6とは別の成膜プロセスによって、第3の電極膜31が形成される。そのため、第3の電極膜31が第2の電極膜6の上層6bのAl膜及び最下層6aのAlCu合金膜の上面を完全に覆うように、第3の電極膜31を形成することができる。よって、第3の電極膜31により、第2の電極膜6の上層6bのAl膜の上面におけるマイグレーションの発生をより一層確実に抑制することができる。すなわち、第3の実施形態では、第2の電極膜6の上層6bのAl膜の側面におけるマイグレーションの発生が、上層6bの側面を覆っている最下層6aのAlCu合金膜により抑制される。加えて、第2の電極膜6の上層6bのAl膜の上面におけるマイグレーションの発生が、第3の電極膜31を構成しているTi膜により抑制される。そのため、第2の電極膜6の上層6bのAl膜の側面及び上面におけるマイグレーションの発生を確実に抑制することができる。なお、本実施形態では、上記マイグレーションの発生を抑制する第3の電極膜31は、Ti膜により形成されていたが、第2の電極膜6の最下層6a以外の金属膜よりもマイグレーションが発生し難い他の金属により形成してもよい。具体的には、第3の電極膜31は、AlCu合金、NiCr合金、AlSi合金、AlTi合金、Ti及びCuのうちのいずれか1種の金属からなる金属膜であればよい。これらの金属を適宜用いることにより、第2の電極膜6におけるマイグレーションの発生を確実に抑制することができる。第3の電極膜31の膜厚は100nm以上であることが好ましい。それによって、上層6bのAl膜におけるマイグレーションの発生をより効果的に抑制することができる。第4の実施形態図15~図17を参照して、本発明の第4の実施形態に係る弾性波装置及びその製造方法を説明する。第1の実施形態の場合と同様に、まず圧電基板1を用意し、圧電基板1の上面に、第1の電極膜2を形成する。本実施形態においても、第1の実施形態と同様に、第1の電極膜2は、IDT電極3及び反射器4,5を構成している。第1の実施形態と同一の部分については、同一の参照番号を付与することにより、その説明を省略する。また、本実施形態においても、第1の電極膜2は、第1の実施形態と同様に、Ti膜上にAlCu合金膜が積層されている積層金属膜からなる。Ti膜の膜厚は10nmであり、AlCu合金膜の膜厚は150nmである。AlCu合金膜におけるCu濃度は1重量である。第1の実施形態と同様に、第2の電極膜6を形成する。第2の電極膜6は、圧電基板1の上面から第1の電極膜2の上面の一部に至るように形成される。より具体的には、第2の電極膜6は、圧電基板1の上面からIDT電極3のバスバー3a,3b上及び反射器4,5のバスバー上に至るように形成される。第2の電極膜6は、IDT電極3のバスバー3a,3b及び反射器4,5のバスバーと、配線電極9と、パッド電極10a~10cとを構成する。従って、本実施形態においても、IDT電極3のバスバー3a,3b及び反射器4,5のバスバーは、第1の電極膜2と第2の電極膜6との積層体により構成されることになる。従って、IDT電極3における弾性表面波の閉じ込め効果を高めることができる。なお、IDT電極3の電極指3c及び反射器4,5の電極指は、第1の電極膜2のみにより構成される。配線電極9及びパッド電極10a~10cは、第2の電極膜6のみにより構成される。第2の電極膜6は、AlCu合金膜、Ti膜及びAl膜が、この順序で積層されている積層金属膜からなる。すなわち、図15bに示すように、第2の電極膜6の最下層6aは、AlCu合金膜からなる。AlCu合金膜の膜厚は700nmであり、Ti膜の膜厚は500nmであり、Al膜の膜厚は1140nmである。また、AlCu合金膜におけるCu濃度は10重量である。第2の電極膜6は、第1の実施形態と同様に、遊星自公転型の蒸着装置を用いて形成することができる。具体的には、第2の電極膜6は、遊星自公転型の真空蒸着装置を用いて、蒸着法を用いたリフトオフプロセスにより形成される。図15a及びb示すように、第2の電極膜6の上に、絶縁膜41を形成する。絶縁膜41は、本実施形態では、SiO2膜からなる。本実施形態では、絶縁膜41は、スパッタリング法及びドライエッチング法により形成されている。もっとも、絶縁膜41は、蒸着法、塗布法及びウェットエッチング法等の適宜の方法により形成することができる。次に、図16a及びbに示すように、パッド電極10a~10cにおいて、絶縁膜41であるSiO2膜をエッチングすることにより、絶縁膜41に開口部41aを形成する。開口部41aでは、第2電極膜6の上層6bの上面、すなわちAl膜の上面が露出する。図17a及びbに示すように、パッド電極10a~10c上に、Auからなるバンプ7を形成する。具体的には、絶縁膜41の開口部41aにおいて露出している、第2電極膜6の上層6bのAl膜上に、バンプ7を形成する。バンプ7は、Alや半田などの他の金属により形成されていてもよい。本実施形態では、パッド電極10a~10cにおいて、絶縁膜41であるSiO2膜をエッチングすることにより、開口部41aが形成される。それによって、Auからなるバンプ7は、第2電極膜6の上層6bのAl膜と接することになる。この結果、パッド電極10a~10cとバンプ7との接合強度を高めることができる。上記のようにして、図17a及びbに示す弾性波装置8Cを得ることができる。弾性波装置8Cは、1ポート型の弾性表面波共振子である。本実施形態の弾性波装置8Cの特徴は、配線電極9を構成している第2の電極膜6の最下層6aであるAlCu合金膜が、Ti膜及びAl膜からなる上層6bの側面を覆うように形成されていること、並びに絶縁膜41が第2電極膜6上に形成されていることにある。第2の電極膜6の最下層6aを構成しているAlCu合金膜は、マイグレーションが発生し難い。すなわち、約150°C~200°C程度の温度では、マイグレーションが発生しない。また絶縁膜41ではマイグレーションは生じない。第4の実施形態では、絶縁膜41が第2の電極膜6の上層6bのAl膜及び最下層6aのAlCu合金膜の上面を完全に覆うように、絶縁膜41を形成することができる。よって、絶縁膜41により、第2の電極膜6の上層6bのAl膜の上面におけるマイグレーションの発生をより一層確実に抑制することができる。すなわち、第4の実施形態では、第2の電極膜6の上層6bのAl膜の側面におけるマイグレーションの発生が、上層6bの側面を覆っている最下層6aのAlCu合金膜により抑制される。加えて、第2の電極膜6の上層6bのAl膜の上面におけるマイグレーションの発生が、絶縁膜41であるSiO2膜により抑制される。そのため、第2の電極膜6の上層6bのAl膜の側面及び上面におけるマイグレーションの発生をより一層確実に抑制することができる。なお、本実施形態では、上記マイグレーションの発生を抑制する絶縁膜41は、SiO2膜により形成されていたが、様々な絶縁性材料により形成することができる。このような絶縁性材料としては、無機絶縁材料または有機絶縁材料を用いることができる。無機絶縁材料を用いた場合には、比較的高い温度にさらされたとしても、絶縁膜41が劣化し難い。このような無機絶縁膜を構成する材料としては、AlN、Al2O3、Ta2O5、TeO2、SiNまたはSiONなどを挙げることができる。また、有機絶縁材料を用いた場合には、比較的低い温度のプロセスにおいて絶縁膜41を形成することができる。このような有機絶縁膜を構成する材料としては、ポリイミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミド樹脂等の有機樹脂を挙げることができる。また、絶縁膜41は、SiO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、TeO2、SiN及びSiONのうち、いずれか1種の無機絶縁材料からなる膜と、ポリイミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアミド樹脂のうち、いずれか1種の有機絶縁材料からなる膜とが積層されたものであってもよい。絶縁膜41の膜厚は100nm以上であることが好ましい。それによって、上層6bのAl膜におけるマイグレーションの発生をより効果的に抑制することができる。さらに、絶縁膜41は、IDT電極3の電極指を覆うように形成することが好ましい。それによって、絶縁膜41の膜厚を調整することにより、弾性波装置の周波数を調整することも可能となる。その他なお、上述した各実施形態では、IDT電極3と、IDT電極3の両側に配置された反射器4,5とを有する1ポート型弾性表面波共振子につき説明したが、本発明の弾性波装置は特に限定されない。本発明の弾性波装置は、弾性表面フィルタや弾性表面波分波器などの弾性表面波装置であってもよい。加えて、弾性表面波装置に限らず、弾性境界波装置にも本発明を適用することができる。"