縦糸と横糸とを織ったガラスクロスに絶縁樹脂を含浸させて成り、その上面から下面にかけて貫通する複数の貫通孔が前記縦糸と平行な方向および前記横糸に平行な方向に所定のピッチで形成された絶縁層と、前記貫通孔の内部に被着された貫通導体とを具備して成る配線基板であって、前記ピッチは、前記縦糸に平行な方向のピッチが前記横糸に平行な方向のピッチよりも広いことを特徴とする配線基板。本発明は、貫通導体同士の間でマイグレーションを起こすことなく貫通導体のピッチを狭いものとし、それにより長期的な電気的絶縁信頼性に優れる高密度配線が可能な配線基板を提供することを課題とする。本発明の配線基板は、縦糸と横糸とを織ったガラスクロスに絶縁樹脂を含浸させて成り、その上面から下面にかけて貫通する複数の貫通孔が前記縦糸と平行な方向および前記横糸に平行な方向に所定のピッチで形成された絶縁層と、前記貫通孔の内部に被着された貫通導体とを具備して成る配線基板であって、前記ピッチは、前記縦糸に平行な方向のピッチが前記横糸に平行な方向のピッチよりも広いことを特徴とするものである。本発明の配線基板によれば、貫通孔のピッチは、ガラス繊維と絶縁樹脂との密着性に劣る縦糸に平行な方向のピッチが横糸に平行な方向のピッチよりも広くなっている。このことから、縦糸に平行な方向におけるマイグレーションの危険性を低減できる。また横糸は絶縁樹脂との密着が縦糸よりも優れているので、ピッチを狭くしても横糸に平行な方向におけるマイグレーションは発生しにくい。したがって、貫通導体同士の間でマイグレーションを起こすことなく全体として貫通導体のピッチを狭いものとすることができる。それにより長期的な電気的絶縁信頼性に優れる高密度配線が可能な配線基板を提供することができる。次に、本発明の実施形態の一例を添付の図面を参照して説明する。図1に示すように、本発明の配線基板10は、縦糸1と横糸2とを織ったガラスクロス3に絶縁樹脂4を含浸して成る絶縁層5を備えている。絶縁層5は厚みが25~200μm程度であり、その上面から下面にかけて直径が50~150μm程度の複数の貫通孔6が形成されている。絶縁層5の上下面には、配線導体7が被着されている。また、貫通孔6内には、上下面の配線導体7同士を接続するようにして貫通導体8が被着されている。ガラスクロス3を形成する縦糸1および横糸2は、直径が3~9μm程度のガラス繊維を数十~数百本束ねたヤーンから成る。ガラスクロス3を織るときは、縦糸1方向に張力を加えながら織っていく。したがって、張力により大きく引っ張られた縦糸1の方が横糸2よりヤーンを形成するガラス繊維同士が密に接した状態となっている。逆に横糸2では、ヤーンを形成するガラス繊維同士の間に隙間が形成されている。さらに、ガラスクロス3には開織加工が施されている。開織加工により縦糸1と横糸2のヤーンが厚み方向に潰されて薄くなるとともに縦糸1と横糸2との織り目に形成される開口部が小さくなる。これによりガラスクロス3の一様性が向上する。ガラスクロス3に含浸された絶縁樹脂4は、例えばエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る。絶縁樹脂4をガラスクロス3に含浸させるには、絶縁樹脂4用の未硬化のワニスの中にガラスクロスを浸漬して引き上げた後、乾燥させる方法が採用される。このとき、縦糸1ではヤーンを形成するガラス繊維同士が密に接しているため横糸2と比較してガラス繊維同士の間に絶縁樹脂4が滲入していきにくいので、ガラス繊維と絶縁樹脂4との密着性に劣っている。逆に横糸2ではガラス繊維同士の隙間に絶縁樹脂4が滲入しやすいので絶縁樹脂4との密着性に優れている。絶縁層5に形成された貫通孔6は、例えばドリル加工やレーザ加工により形成されている。このようなドリル加工やレーザ加工は、絶縁樹脂4を硬化させた後に行なわれる。貫通孔6がドリル加工により形成される場合には、貫通孔6の直径は上面側から下面側まで略同じとなる。貫通孔6がレーザ加工により形成される場合には、貫通孔6の直径は、レーザ光の入射側で大きく、出射側で小さくなる。絶縁層5の上下面に被着された配線導体7は、例えば銅箔から成る。また、貫通孔6内に被着された貫通導体8は銅めっき層から成る。そして絶縁層5の上下面に被着された配線導体7同士が貫通導体8を介して電気的に接続されている。このような配線導体7および貫通導体8は、例えば配線導体7が銅箔から成り、貫通導体8が銅めっき層から成る場合であれば、以下のようにして形成される。まず、絶縁樹脂4が未硬化または半硬化状態の絶縁層5の上下面に厚みが2~20μm程度の銅箔を貼着するとともに、それらを加熱装置を備えたプレス装置により上下から加熱加圧して絶縁樹脂4を硬化させることにより絶縁層5の上下面に銅箔を被着する。次に、銅箔が被着された絶縁層5に銅箔の上から貫通孔6を形成する。次に貫通孔6内をデスミア処理した後、貫通孔6の内壁および銅箔の表面に無電解銅めっき層を0.3~1μmの厚みに被着させた後、その上から5~20μm程度の厚みの電解銅めっき層を被着させる。次に、上下面の銅めっき層を銅箔が露出するまで研磨した後、露出した銅箔を周知のサブトラクティブ法により所定のパターンにエッチングすることにより配線導体7および貫通導体8が形成される。ここで、配線基板10におけるガラスクロス3と貫通孔6とのみを図2に上面図で示す。図2に示すように、ガラスクロス3の縦糸1と横糸2とは互いに垂直な方向となるように平織りで織られている。貫通孔6は、ガラスクロス3の縦糸1に平行な方向にピッチP1で並んでいるとともに、横糸2に平行な方向にピッチP2で並んでいる。本例ではピッチP1は、例えば200~250μmである。またピッチP2は、175~225μmである。そして、ピッチP1がピッチP2よりも25~50μm程度広くなっている。このように、絶縁樹脂4との密着に劣る縦糸1に平行な方向のピッチP1を横糸2に平行な方向のピッチP2よりも25~50μm程度広くすることにより、縦糸1に平行な方向におけるマイグレーションの危険性を低減している。逆に横糸2は絶縁樹脂4との密着が縦糸1よりも優れているので、ピッチP2をピッチP1よりも狭くしても横糸2に平行な方向におけるマイグレーションは発生しにくい。したがって、本発明の配線基板によれば、ピッチP2のみを狭くすることにより配線基板10の全体としては、マイグレーションの発生の危険性を抑制しつつ貫通導体8のピッチを狭くすることができる。それにより長期的な電気的絶縁信頼性に優れる高密度配線が可能な配線基板10を提供することができる。なお、本発明は上述の実施形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であることはいうまでもない。例えば上述の一例では、貫通導体8は貫通孔6内を充填していなかったが、貫通導体8は貫通孔6内を完全に充填するように形成されていてもよい。また、上述の一例では、配線導体7は、銅箔をサブトラクティブ法によりエッチングすることにより形成されていたが、配線導体7は銅箔を下地金属としたセミアディティブ法により形成されていてもよいし、銅箔を完全に除去した後、絶縁層5の表面に無電解銅めっき層を下地金属としたセミアディティブ法により形成されていてもよい。