"矩形状の第1の基板と、前記第1の基板の一方面に形成された複数の電極パッドとを含む第1の半導体装置と、矩形状の第2の基板と、前記第2の基板の一方面に形成された複数の電極パッドとを含む第2の半導体装置とを備え、前記第1の半導体装置は、前記第1および第2の基板の各々の一方面が互いに対向するように、前記第2の半導体装置に積み重ねられ、前記第1の半導体装置の複数の電極パッドは、第1の接続パッドを含み、前記第2の半導体装置の複数の電極パッドは、互いに電気的に接続された第2および第3の接続パッドと観測パッドとを含み、平面視において前記第2の基板の一方面の一部である部分領域が前記第1の基板に遮蔽されるように前記第1の半導体装置が前記第2の半導体装置に積み重ねられた場合に、前記平面視において前記第1の接続パッドが前記第2の接続パッドに重なり、前記平面視において前記部分領域が前記第1の基板から露出されるように前記第1の半導体装置が前記第2の半導体装置に積み重ねられた場合に、前記平面視において前記第1の接続パッドが前記第3の接続パッドに重なり、前記観測パッドは、前記部分領域に配置されることを特徴とする積層半導体装置。請求項1において、前記第1の半導体装置の複数の電極パッドは、第4および第5の接続パッドを含み、前記第2の半導体装置の複数の電極パッドは、共通パッドを含み、前記平面視において前記部分領域が前記第1の基板に遮蔽されるように前記第1の半導体装置が前記第2の半導体装置に積み重ねられた場合に、前記平面視において前記第4の接続パッドが前記共通パッドに重なり、前記平面視において前記部分領域が前記第1の基板から露出されるように前記第1の半導体装置が前記第2の半導体装置に積み重ねられた場合に、前記平面視において前記第5の接続パッドが前記共通パッドに重なることを特徴とする積層半導体装置。請求項2において、前記共通パッドの電位は、一定であることを特徴とする積層半導体装置。請求項3において、前記第4および第5の接続パッドの各々に印加される信号は、互いに入れ替え可能であることを特徴とする積層半導体装置。請求項4において、前記第1の半導体装置は、第1および第2のメモリブロックをさらに有し、前記第4の接続パッドには、第1のメモリブロックに電気的に接続され、前記第5の接続パッドには、第2のメモリブロックに電気的に接続されることを特徴とする積層半導体装置。請求項3において、前記第2の半導体装置は、半導体チップをさらに有し、前記半導体チップは、前記第4および第5の接続パッドの各々に印加された信号を選択的に受け取ることを特徴とする積層半導体装置。しかしながら、特許文献1に記載された構成を実使用品実際に使用される積層半導体装置に採用した場合、実使用品において観測パッドが常に外部に露出されることになるので、実使用品が容易に解析されてしまう可能性がある。そのため、実使用品とは別に検査用品専ら検査のために使用される積層半導体装置を製造し、検査用品を用いて信号波形を観測することになる。この場合、実使用品と検査用品との間の構成上の相違が大きくなるほど、実使用品と検査用品との間における信号伝達特性の差が大きくなるので、信号波形の観測精度を向上させることが困難であった。そこで、この発明は、実使用品と検査用品との間における信号伝達特性の差を小さくすることができ、信号波形の観測精度を向上させることができる積層半導体装置を提供することを目的とする。この発明の1つの局面に従うと、積層半導体装置は、矩形状の第1の基板と、上記第1の基板の一方面に形成された複数の電極パッドとを含む第1の半導体装置と、矩形状の第2の基板と、上記第2の基板の一方面に形成された複数の電極パッドとを含む第2の半導体装置とを備え、上記第1の半導体装置は、上記第1および第2の基板の各々の一方面が互いに対向するように、上記第2の半導体装置に積み重ねられ、上記第1の半導体装置の複数の電極パッドは、第1の接続パッドを含み、上記第2の半導体装置の複数の電極パッドは、互いに電気的に接続された第2および第3の接続パッドと観測パッドとを含み、平面視において上記第2の基板の一方面の一部である部分領域が上記第1の基板に遮蔽されるように上記第1の半導体装置が上記第2の半導体装置に積み重ねられた場合に、上記平面視において上記第1の接続パッドが上記第2の接続パッドに重なり、上記平面視において上記部分領域が上記第1の基板から露出されるように上記第1の半導体装置が上記第2の半導体装置に積み重ねられた場合に、上記平面視において上記第1の接続パッドが上記第3の接続パッドに重なり、上記観測パッドは、上記部分領域に配置される。上記積層半導体装置では、積層半導体装置を構成する場合に観測パッドの遮蔽および露出を切り替えることができるので、実使用品実際に使用される積層半導体装置および検査用品専ら検査のために使用される積層半導体装置の両方を構成できる。これにより、実使用品と検査用品との間の構成上の相違を少なくすることができるので、実使用品と検査用品との間における信号伝達特性の差を小さくすることができ、その結果、信号波形の観測精度を向上させることができる。なお、上記第1の半導体装置の複数の電極パッドは、第4および第5の接続パッドを含み、上記第2の半導体装置の複数の電極パッドは、共通パッドを含み、上記平面視において上記部分領域が上記第1の基板に遮蔽されるように上記第1の半導体装置が上記第2の半導体装置に積み重ねられた場合に、上記平面視において上記第4の接続パッドが上記共通パッドに重なり、上記平面視において上記部分領域が上記第1の基板から露出されるように上記第1の半導体装置が上記第2の半導体装置に積み重ねられた場合に、上記平面視において上記第5の接続パッドが上記共通パッドに重なるものであっても良い。このように構成することにより、第2の半導体装置の第2の基板の一方面に形成される電極パッドの個数を削減できる。なお、上記共通パッドの電位は一定であっても良い。このように構成することにより、信号衝突を回避できる。以上のように、実使用品と検査用品との間における信号伝達特性の差を小さくすることができ、信号波形の観測精度を向上させることができる。以下、実施の形態を図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一または相当部分には同一の符号を付しその説明は繰り返さない。実施形態1図1は、実施形態1による積層半導体装置の構造例を示す。この積層半導体装置は、第1の半導体装置10と、第2の半導体装置20とを備える。第1の半導体装置10は、矩形状の基板11と、基板11の一方面に形成された複数の電極パッドP100と、基板11の他方面に形成された半導体チップ12とを有する。第2の半導体装置20は、矩形状の基板21と、基板21の一方面に形成された複数の電極パッドP200と、基板21の一方面に形成された半導体チップ図示省略とを有する。第1の半導体装置10は、基板11,21の各々の一方面すなわち、電極パッドP100,P200が形成された面が互いに対向するように、第2の半導体装置20に積み重ねられる。ここでは、基板11,21は、平面視において互いに同一の正方形状を有する。なお、半導体チップ12は、基板11の内部に格納されていても良い。半導体装置21に含まれる半導体チップについても同様である。第1の半導体装置図2のように、第1の半導体装置10の基板11の一方面には、複数の電極パッドP101~P120が形成される。電極パッドP101~P120は、平面視において半導体チップ12を取り囲むように矩形枠状に配置される。ここでは、電極パッドP102は、電極パッドP104を基準点R1を通過する基板法線すなわち、基準点R1から基板11に対して垂直に延びる直線を軸として反時計回りに45°回転させた位置すなわち、回転後に電極パッドP104が存在する位置に配置される。これと同様に、電極パッドP104,P107,P109,P112,P114,P117,P119は、それぞれ、電極パッドP107,P109,P112,P114,P117,P119,P102を基準点R1を通過する基板法線を軸として反時計回りに45°回転させた位置に配置される。第2の半導体装置図3のように、第2の半導体装置20の基板21の一方面には、複数の電極パッドP201~P220,P301,P303,...,P320,T220,T201,T202と、半導体チップ22とが形成される。電極パッドP201~P220は、平面視において半導体チップ22を取り囲むように矩形枠状に配置される。電極パッドP301,P303,...,P320も、平面視において半導体チップ22を取り囲むように矩形枠状に配置される。ここでは、電極パッドP301は、電極パッドP201を基準点R2を通過する基板法線を軸として反時計回りに45°回転させた位置に配置される。これと同様に、電極パッドP303,P305,...,P320は、それぞれ、電極パッドP203,P205,...,P220を基準点R2を通過する基板法線を軸として反時計回りに45°回転させた位置に配置される。さらに、電極パッドT220,T201,T202観測パッドは、基板21の一方面の一部である部分領域R21に配置される。ここでは、部分領域R21~R24は、平面視において基板11,21の各辺が一致するように第1の半導体装置10を第2の半導体装置20に積み重ねた状態から基準点R1,R2を通過する基板法線を軸として基板11を反時計回りに45°回転させた場合に露出する領域のことである。図4のように、電極パッドP220,P320,T220は、パッケージ配線などを経由して互いに電気的に接続される。すなわち、電極パッドP220,P320,T220は、同電位ネットを構成している。これと同様に、電極パッドP201,P301,T201は互いに電気的に接続され、電極パッドP202,T202は互いに電気的に接続される。なお、電極パッドP203,P205,P206,P208,P210,P211,P213,P215,P216,P218が電極パッドP303,P305,P306,P308,P310,P311,P313,P315,P316,P318にそれぞれ電気的に接続されていても良し、それぞれに対応する観測パッド例えば、部分領域R21~R24のいずれかに配置された電極パッドに電気的に接続されていても良い。遮蔽積層図5は、平面視において基板21の部分領域R21~R24が基板11に遮蔽されるように第1の半導体装置10を第2の半導体装置20に積み重ねることによって積層半導体装置を構成する場合遮蔽積層の場合を示している。ここでは、平面視において基板11,21の各辺が一致するように第1の半導体装置10を第2の半導体装置20に積み重ねた場合に、平面視において基板21の部分領域R21~R24が基板11に遮蔽される。この場合、電極パッドT220,T201,T202観測パッドは、平面視において基板11に遮蔽される。また、第1の半導体装置10の電極パッドP101第1の接続パッドは、平面視において第2の半導体装置20の電極パッドP201第2の接続パッドに重なる。これと同様に、第1の半導体装置10の電極パッドP103,P105,P106,P108,P110,P111,P113,P115,P116,P118,P120第1の接続パッドは、平面視において第2の半導体装置20の電極パッドP203,P205,P206,P208,P210,P211,P213,P215,P216,P218,P220第2の接続パッドにそれぞれ重なる。さらに、第1の半導体装置10の電極パッドP102第4の接続パッドは、平面視において第2の半導体装置20の電極パッドP202共通パッドに重なる。これと同様に、第1の半導体装置10の電極パッドP104,P107,P109,P112,P114,P117,P119第4の接続パッドは、平面視において第2の半導体装置20の電極パッドP204,P207,P209,P212,P214,P217,P219共通パッドに重なる。例えば、図6Aのように、電極パッドP101,P102,P103,P104,P105は、電極パッドP201,P202,P203,P204,P205にそれぞれ対向して電気的に接続される。なお、第2の半導体装置20の電極パッドP301,P303,P305,P306,P308,P310,P311,P313,P315,P316,P318,P320第3の接続パッドは、平面視において電極パッドP101~P120のいずれにも重ならない。例えば、図6Bのように、電極パッドP301,P303,P305は、第1の半導体装置10の電極パッドのいずれにも対向しておらず電気的に遮断される。露出積層図7は、平面視において基板21の部分領域R21~R24が基板11から露出されるように第1の半導体装置10を第2の半導体装置20に積み重ねることによって積層半導体装置を構成する場合露出積層の場合を示している。ここでは、平面視において基板11,21の各辺が一致するように第1の半導体装置10を第2の半導体装置20に積み重ねた状態から基準点R1,R2を通過する基板法線を軸として基板11を反時計回りに45°回転させた場合に、平面視において基板21の部分領域R21~R24が基板11から露出される。この場合、電極パッドT220,T201,T202観測パッドは、平面視において基板11から露出される。また、第1の半導体装置10の電極パッドP101第1の接続パッドは、平面視において第2の半導体装置20の電極パッドP301第3の接続パッドに重なる。これと同様に、第1の半導体装置10の電極パッドP103,P105,P106,P108,P110,P111,P113,P115,P116,P118,P120は、平面視において第2の半導体装置20の電極パッドP303,P305,P306,P308,P310,P311,P313,P315,P316,P318,P320にそれぞれ重なる。さらに、第1の半導体装置10の電極パッドP104第6の接続パッドは、平面視において第2の半導体装置20の電極パッドP202共通パッドに重なる。これと同様に、第1の半導体装置10の電極パッドP107,P109,P112,P114,P117,P119,P102第6の接続パッドは、平面視において第2の半導体装置20の電極パッドP204,P207,P209,P212,P214,P217,P219に重なる。例えば、図8Bのように、電極パッドP101,P102,P103,P104,P105は、電極パッドP301,P219,P303,P202,P305にそれぞれ対向して電気的に接続される。なお、第2の半導体装置20の電極パッドP201,P203,P205,P206,P208,P210,P211,P213,P215,P216,P218,P220第1の接続パッドは、平面視において電極パッドP101~P120のいずれにも重ならない。例えば、図8Aのように、電極パッドP201,P203,P205は、第1の半導体装置10の電極パッドのいずれにも対向しておらず電気的に遮断される。以上のように、積層半導体装置を構成する場合に観測パッド電極T220,T201,T202の遮蔽および露出を切り替えることができるので、実使用品実際に使用される積層半導体装置および検査用品専ら検査のために使用される積層半導体装置の両方を構成できる。これにより、実使用品と検査用品との間の構成上の相違を少なくすることができるので、実使用品と検査用品との間における信号伝達特性の差を小さくすることができ、その結果、信号波形の観測精度を向上させることができる。また、信号波形を観測するための信号引き出し線の追加や、半導体装置の間への信号観測用治具の挿入などによって積層半導体装置を改造することが考えられるが、このように改造した場合、製造コストの増加や歩留まりの低下を招いてしまう。一方、実施形態1では、実使用品および検査用品の両方を同一の製造プロセスによって製造することになるので、実使用品と検査用品とを別々の製造プロセスによって製造する場合よりも、歩留まりを改善できる。また、特許文献1の積層半導体装置では、平面視において下側半導体装置の一方面が上側半導体装置の外側に広がるように下側半導体装置の一方面を拡張して、下側半導体装置の一方面の外周部に観測パッドを形成しているので、下側半導体装置の一方面の面積を縮小することが困難である。一方、実施形態1による積層半導体装置では、第2の半導体装置20の基板21の一方面を拡張しなくても良いので、積層半導体装置の規模を縮小できる。なお、基板11,21は、互いに同一の形状であっても良いし、互いに異なる形状であっても良い。また、積層の仕方を切り替えることができるので、積層半導体装置の筐体構造の設計自由度を向上させることができる。例えば、積層半導体装置をモバイル分野の商品に実装する場合、平面視において基板11,21の各辺が一致するように第1の半導体装置10を第2の半導体装置20に積み重ねた状態から基準点R1,R2を通過する基板法線を軸として基板11を反時計回りに45°回転させて、第1の半導体装置10を第2の半導体装置20に積み重ねることによって積層半導体装置を構成することにより、内部アンテナによる干渉を回避できる場合がある。また、露出積層によって積層半導体装置を構成することによって、遮蔽積層によって積層半導体装置を構成する場合よりも、積層半導体装置の内部に熱が篭もりにくくなり、放熱性を向上できる。共通パッドさらに、第2の半導体装置20の共通パッドP202,P204,P207,P209,P212,P214,P217,P219は、遮蔽積層および露出積層のいずれの場合であっても、平面視において第1の半導体装置10の電極パッドに重なる。このような共通パッドを形成することにより、第2の基板21の一方面に形成される電極パッドの個数を削減できる。なお、第2の基板21の一方面に共通パッドを形成しなくても良い。また、共通パッドP202,P204,P207,P209,P212,P214,P217,P219は、電源パッド電源電圧が印加される電極パッド,接地パッド接地電圧が印加される電極パッド,NCパッド他の機器に電気的に接続されない電極パッドのいずれかとして利用することが好ましい。すなわち、共通パッドの電位は一定であることが好ましい。このように構成することによって信号衝突を回避できる。なお、共通パッドは、信号を伝達する信号パッドとして利用されても良い。この場合、その共通パッドに対応する2個の電極パッド第1の半導体装置10の2個の電極パッドのうちいずれか一方をNCパッドとして利用することが好ましい。同電位ネットなお、電極パッドP220,P320,T220は、遮蔽積層の場合と露出積層の場合との間でトポロジ電気的経路の状態が変化しないように、互いに電気的に接続されていることが好ましい。具体的には、電極パッドP220と電極パッドT220との間の配線距離と電極パッドP320との間の配線距離とが互いに等しくなるように、電極パッドP220から電極パッドT220を経由して電極パッドP320へ一筆書きで配線を配置することにより、遮蔽積層の場合と露出積層の場合との間における波形品質の差を低減できる。電極パッドP201,P301,T201についても同様である。実施形態2実施形態2による積層半導体装置は、基板11,21の各々の一方面が互いに対向するように図9に示した第1の半導体装置30を図10に示した第2の半導体装置40に積み重ねることによって構成される。第1の半導体装置図9のように、第1の半導体装置30の基板11の一方面には、複数の電極パッドP401~P412,P501~P512が形成される。第1の半導体装置30のその他の構成は、図2に示した第1の半導体装置10の構成と同様である。電極パッドP401~P412は、平面視において半導体チップ12を取り囲むように円形枠状に配置される。電極パッドP501~P512も、平面視において半導体チップ12を取り囲むように円形枠状に配置される。ここでは、電極パッドP501は、電極パッドP401を基準点R3を通過する基板法線を軸として反時計回りに45°回転させた位置すなわち、回転後に電極パッドP401が存在する位置に配置される。これと同様に、電極パッドP502~P512は、それぞれ、電極パッドP402~P412を基準点R3を通過する基板法線を軸として反時計回りに45°回転させた位置に配置される。また、ここでは、電極パッドP401~P412は、信号が印加される信号パッドとして利用され、電極パッドP501~P512は、NCパッド他の機器に電気的に接続されない電極パッドとして利用される。電極パッドP401~P412は、電極パッド群G41~G44に分類でき、電極パッドP501~P512は、電極パッド群G51~G54に分類できる。第2の半導体装置図10のように、第2の半導体装置40の基板21の一方面には、複数の電極パッドP601~P612,P701~P712,T601~T603と、半導体チップ22とが形成される。第2の半導体装置40のその他の構成は、図3に示した第2の半導体装置20の構成と同様である。電極パッドP601~P612は、平面視において半導体チップ22を取り囲むように円形枠状に配置される。電極パッドP701~P712も、平面視において半導体チップ22を取り囲むように円形枠状に配置される。ここでは、電極パッドP701は、電極パッドP601を基準点R4を通過する基板法線を軸として反時計回りに45°回転させた位置に配置される。これと同様に、電極パッドP702~P712は、それぞれ、電極パッドP602~P612を基準点R4を通過する基板法線を軸として反時計回りに45°回転させた位置に配置される。さらに、電極パッドT601~T603観測パッドは、部分領域R21に配置される。電極パッドP601~P612は、電極パッド群G61~G64に分類でき、電極パッドP701~P712は、電極パッド群G71~G74に分類できる。図11のように、電極パッドP601,P701,T601は、パッケージ配線などを経由して互いに電気的に接続される。これと同様に、電極パッドP602,P702,T602は互いに電気的に接続され、電極パッドP603,P703,T603は互いに電気的に接続される。なお、電極パッドP604~P612が電極パッドP704~P712にそれぞれ電気的に接続されていても良いし、それぞれに対応する観測パッド例えば、部分領域R21~R24のいずれかに配置された電極パッドに電気的に接続されていても良い。遮蔽積層図12は、平面視において基板21の部分領域R21~R24が基板11に遮蔽されるように第1の半導体装置30を第2の半導体装置40に積み重ねることによって積層半導体装置を構成する場合を示している。ここでは、平面視において基板11,21の各辺が一致するように第1の半導体装置30を第2の半導体装置40に積み重ねた場合に、平面視において基板21の部分領域R21~R24が基板11に遮蔽される。この場合、電極パッドT601~T603は、平面視において基板11に遮蔽される。また、電極パッド群G41,G42,G43,G44は、平面視において電極パッド群G61,G62,G63,G64にそれぞれ重なる。一方、電極パッド群G51,G52,G53,G54は、平面視において電極パッド群G71,G72,G73,G74にそれぞれ重なる。露出積層図13は、平面視において基板21の部分領域R21~R24が基板11から露出されるように第1の半導体装置30を第2の半導体装置40に積み重ねることによって積層半導体装置を構成する場合を示している。ここでは、平面視において基板11,21の各辺が一致するように第1の半導体装置30を第2の半導体装置40に積み重ねた状態から基準点R3,R4を通過する基板法線を軸として基板11を反時計回りに45°回転させた場合に、平面視において基板21の部分領域R21~R24が基板11から露出される。この場合、電極パッドT601~T603は、平面視において基板11から露出される。電極パッド群G41,G42,G43,G44は、平面視において電極パッド群G71,G72,G73,G74にそれぞれ重なる。一方、電極パッド群G51,G52,G53,G54は、平面視において電極パッド群G64,G61,G62,G63にそれぞれ重なる。以上のように、積層半導体装置を構成する場合に観測パッド電極T601,T602,T603の遮蔽および露出を切り替えることができるので、実使用品および検査用品の両方を構成できる。これにより、実使用品と検査用品との間の構成上の相違を少なくすることができるので、実使用品と検査用品との間における信号伝達特性の差を小さくすることができ、その結果、信号波形の観測精度を向上させることができる。なお、第2の半導体装置40の基板21の一方面において、基準点R4を中心とする同心円状に配置された別の複数の電極パッドをさらに形成しても良い。この場合、電源パッドとして利用される円,接地パッドとして利用される円,信号パッドとして利用される円というように円毎に電極パッドの役割を変更しても良い。実施形態2の変形例実施形態2の変形例による積層半導体装置は、基板11,21の各々の一方面が互いに対向するように図14に示した第1の半導体装置30aを図15に示した第2の半導体装置40aに積み重ねることによって構成される。第1の半導体装置図14のように、第1の半導体装置30aの基板11の一方面には、複数の電極パッドP401~P403,P501~P503,P801~P818が形成される。第1の半導体装置30aのその他の構成は、図9に示した第1の半導体装置30の構成と同様である。電極パッドP801~P818は、平面視において半導体チップ12を取り囲むように円形枠状に配置される。電極パッドP801~P818は、電極パッド群G81~G86に分類できる。電極パッド群G82は、電極パッド群G81を基準点R3を通過する基板法線を軸として反時計回りに45°回転させた位置に配置される。これと同様に、電極パッド群G83~G86は、それぞれ、電極パッド群G82~G85を基準点R3を通過する基板法線を軸として反時計回りに45°回転させた位置に配置される。ここでは、半導体チップ12は、4個のメモリブロックByte0,Byte1,Byte2,Byte3を有するメモリ装置例えば、DDRメモリを含む。電極パッド群G41は、半導体チップ12に電気的に接続され、制御信号例えば、クロック信号,アドレス信号,制御コマンドなどを伝達するための信号パッドをして利用される。4つの電極パッド群G81,G82,G83,G84は、それぞれ、半導体チップ12に含まれる4個のメモリブロックByte0,Byte1,Byte2,Byte3に電気的に接続される。電極パッド群G51,G85,G86は、NCパッドとして利用される。第2の半導体装置図15のように、第2の半導体装置40aの基板21の一方面には、複数の電極パッドP601~P603,P701~P703,T601~T603,P901~P918と、半導体チップ22とが形成される。第2の半導体装置40aのその他の構成は、図10に示した第2の半導体装置40の構成と同様である。電極パッドP901~P918は、平面視において半導体チップ22を取り囲むように円形枠状に配置される。電極パッドP901~P918は、電極パッド群G91~G96に分類できる。電極パッド群G92は、電極パッド群G91を基準点R4を通過する基板法線を軸として反時計回りに45°回転させた位置に配置される。これと同様に、電極パッド群G93~G96は、それぞれ、電極パッド群G92~G95を基準点R4を通過する基板法線を軸として反時計回りに45°回転させた位置に配置される。ここでは、半導体チップ22は、半導体チップ12に含まれるメモリ装置を制御するための制御信号を出力するものとする。電極パッド群G61,G71は、半導体チップ22に電気的に接続され、制御信号を伝達するための信号パッドとして利用される。電極パッド群G61,G71は、互いに等価である。電極パッド群G91,G95は、半導体チップ22に電気的に接続される。電極パッド群G91,G95は、互いに等価である。電極パッド群G92,G93,G94は、半導体チップ22に電気的に接続される。電極パッド群G96は、NCパッドとして利用される。なお、半導体チップ22から延びた配線が2分岐して電極パッド群G61,G71に接続されていても良いし、半導体チップ22と電極パッド群G61,G71の各々との間の信号経路を半導体チップ22が切り替えても良い。電極パッド群G91,G95についても同様である。遮蔽積層図16は、平面視において基板21の部分領域R21~R24が基板11に遮蔽されるように第1の半導体装置30aを第2の半導体装置40aに積み重ねることによって積層半導体装置を構成する場合を示している。この場合、電極パッド群G41,G51,G81,G82,...,G86は、平面視において電極パッド群G61,G71,G91,G92,...,G95,G96にそれぞれ重なる。すなわち、半導体チップ22は、電極パッド群G61,G41を経由して半導体チップ21に制御信号を供給する。また、半導体チップ22は、電極パッド群G81,G91を経由してメモリブロックByte0に対するデータの読み書きを実行する。これと同様に、メモリブロックByte1に対するデータの読み書きは、電極パッド群G82,G92を経由して実行され、メモリブロックByte2に対するデータの読み書きは、電極パッド群G83,G93を経由して実行され、メモリブロックByte3に対するデータの読み書きは、電極パッド群G84,G94を経由して実行される。なお、電極パッド群G71は、NCパッドとして利用される電極パッド群G51に電気的に接続されるので、半導体チップ22からの制御信号が誤って伝達されることはない。また、電極パッド群G95は、NCパッドとして利用される電極パッド群G85に電気的に接続される。露出積層図17は、平面視において基板21の部分領域R21~R24が基板11から露出されるように第1の半導体装置30aを第2の半導体装置40aに積み重ねることによって積層半導体装置を構成する場合を示している。この場合、電極パッド群G41,G51,G81,G82,...,G86は、平面視において電極パッド群G71,G91,G92,G93,...,G96,G61にそれぞれ重なる。すなわち、半導体チップ22は、電極パッド群G71,G41を経由して半導体チップ21に制御信号を供給する。また、半導体チップ22は、電極パッド群G84,G95を経由してメモリブロックByte0に対するデータの読み書きを実行する。これと同様に、メモリブロックByte1に対するデータの読み書きは、電極パッド群G81,G92を経由して実行され、メモリブロックByte2に対するデータの読み書きは、電極パッド群G82,G93を経由して実行され、メモリブロックByte3に対するデータの読み書きは、電極パッド群G83,G94を経由して実行される。このように、メモリブロック単位で信号入れ替えが実施されたことになる。なお、電極パッド群G61は、NCパッドとして利用される電極パッド群G86に電気的に接続されるので、半導体チップ22からの制御信号が誤って伝達されることはない。また、電極パッド群G91は、NCパッドとして利用される電極パッド群G51に電気的に接続される。なお、メモリブロックByte0,Byte1,Byte2,Byte3は、バイト単位であっても良いし、ワード単位であっても良い。その他の実施形態以上の実施形態では、平面視において基板11,21の各辺が一致するように第1の半導体装置を第2の半導体装置に積み重ねた状態から基準点R1,R2または、R3,R4を通過する基板法線を軸として基板11を反時計回りに45°回転させる例を挙げて説明したが、積層の仕方回転角度や積み重ねる位置などは任意であり、積層の仕方に応じて電極パッドを配置すれば良い。"