"第1の絶縁体と、前記第1の絶縁体を挟んで対向して形成された第1の端子と第2の端子と、前記第1の絶縁体内に存在し前記第1の絶縁体が前記第1の端子と向かい合う面、もしくは前記第1の絶縁体が前記第2の端子と向かい合う面とほぼ平行な方向に延在する線状もしくは面状で前記第1の絶縁体に比べイオンが移動しやすいイオン伝導容易領域と、前記第1の端子と前記第2の端子の対向部を挟んで配置された第3の端子とイオン源とを有することを特徴とする抵抗記憶装置。前記イオン伝導容易領域と前記第1の端子との距離と、前記イオン伝導容易領域と前記第2の端子との距離とが異なることを特徴とする請求項1の抵抗記憶装置。前記イオン伝導容易領域と前記第1の端子との距離、および前記イオン伝導容易領域と前記第2の端子との距離それぞれが、電子がトンネルできる距離であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の抵抗記憶装置。前記イオン伝導容易領域が複数あることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の抵抗記憶装置。前記イオン伝導容易領域と前記第1の端子との距離、もしくは前記イオン伝導容易領域と前記第2の端子との距離と、前記イオン伝導容易領域同士の距離とが異なることを特徴とする請求項4の抵抗記憶装置。前記イオン伝導容易領域同士の距離が、電子がトンネルできる距離であることを特徴とする請求項4乃至5のいずれか1項記載の抵抗記憶装置。前記第3の端子と前記第1の端子、もしくは前記第2の端子とが同一であることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項記載の抵抗記憶装置。書き込み処理を、読み出し端子をフローティング状態にして行うことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項記載の抵抗記憶装置の書き込み方法。書き込み手順が、読み出し端子にイオン移動を促進する電位を印加する手順を含むことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項記載の抵抗記憶装置の書き込み方法。読み出し処理を、書き込み端子とイオン源とをフローティング状態にして行うことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項記載の抵抗記憶装置の書き込み方法。図13に示す抵抗記憶装置の動作速度は、固体電解質内のイオンの移動速度により決まる。図13の素子において、イオンの移動速度を速めるには固体電解質102にイオンが移動しやすい材料を用いる。この場合、読み出しにおいてRu電極101とCu電極103に電圧を印加した際にもイオンが移動してしまい、誤書き込みされるという問題が発生する。また、図15の素子の場合もイオン伝導体154にイオンが移動しやすい材料を用いると、読み出し時にイオンが移動してしまい、誤書き込みされるという問題が発生する。これは、読み出し時に印加される電界方向でイオンが移動すると、抵抗が変化してしまう構造であることに起因する。このように、関連技術では動作を高速化しようとした場合、読み出し時の誤書き込みが発生しやすくなるという問題があった。本発明の目的は、上述した課題を解決した抵抗記憶装置およびその書き込み方法を提供することにある。本発明の抵抗記憶装置は、第1の絶縁体と、第1の絶縁体を挟んで対向して形成された第1の端子と第2の端子と、第1の絶縁体内に存在し第1の絶縁体が第1の端子と向かい合う面、もしくは第1の絶縁体が第2の端子と向かい合う面とほぼ平行な方向に延在する線状もしくは面状で第1の絶縁体に比べイオンが移動しやすいイオン伝導容易領域と、第1の端子と第2の端子の対向部を挟んで配置された第3の端子とイオン源とを有することを特徴としている。また、本発明の抵抗記憶装置の書き込み方法は、書き込み処理を、読み出し端子をフローティング状態にして行うことを特徴としている。この発明によれば、読み出し時における誤書き込みの発生を抑制しながら、イオンの移動速度を速くすることができる。このため、動作速度が改善された抵抗記憶装置およびその書き込み方法が実現できる。本発明の実施の形態につき図面を参照して説明する。図1を参照すると、本発明の第一の実施の形態として抵抗記憶装置の平面図がaに、I-I線に沿った断面図がbに、II-II線に沿った断面図がcに示されている。第一の実施の形態の抵抗記憶装置は、図1に示すように、第1の読み出し端子1と、第2の読み出し端子2と、第1の書き込み端子3と、イオン源4と、第1の絶縁体5と、第1のイオン伝導容易領域6とを有する。第1の絶縁体5は、対向する第1の読み出し端子1と第2の読み出し端子2とに挟まれた位置に配置される。第1のイオン伝導容易領域6は、第1の絶縁体5が第1の読み出し端子1と対向する面、もしくは第1の絶縁体5が第2の読み出し端子2と対向する面とこの領域ではほぼ平行な方向に延在し、形状は図1cに示すようにその延在方向面で第1の絶縁体5形状そのまま、すなわち、第1のイオン伝導容易領域6の上下面が第1の絶縁体5で挟まれ、側面および端面が第1の絶縁体5から露出している構成である。あるいは図1dに示すように、第1のイオン伝導容易領域6の幅が第1の絶縁体5の幅より小さく形成され、第1のイオン伝導容易領域6の側面が第1の絶縁体5から露出しないように内部に配置される構成である。さらに第1のイオン伝導容易領域6の一部は、図1bに示すように第1の読み出し端子1と第2の読み出し端子2とが対向する対向部と重なる。第1の書き込み端子3とイオン源4とは、上記対向部の少なくとも一部を、第1の読み出し端子1と第2の読み出し端子2とが対向する方向とは異なる方向図面では互いに交差する方向に挟んで配置される。次に本抵抗記憶装置の動作について図2を用いて説明する。図2を参照すると、本発明の第一の実施の形態の動作時の状態変化が示されている。まず、本抵抗記憶装置の第1の読み出し端子1と第2の読み出し端子2との間の抵抗を、高抵抗から低抵抗に変化させる書き込み方法について説明する。高抵抗状態では、図2aに示すように第1のイオン伝導容易領域6には金属イオンがほとんど存在せず、第1の絶縁体5が間に挟まった第1の読み出し端子1と第2の読み出し端子2との間にはほとんど電流が流れない。ここで第1の書き込み端子3とイオン源4との間に、イオン源4の金属イオン64が第1の書き込み端子3の方向に流れる第1の極性で所望の値の電圧Vw1、Vw2を所望の時間印加する。これにより、図2bのように金属イオン64がイオン源4から第1のイオン伝導容易領域6に入り、第1の書き込み端子3に向かって広がる。第1の読み出し端子1と第1のイオン伝導容易領域6の金属イオン64との間、および第1の読み出し端子1と第1のイオン伝導容易領域6の金属イオン64との間の第1の絶縁体5の厚さを適切に設定することで、第1の読み出し端子1と第2の読み出し端子2との間に電圧Vr1、Vr2を印加することにより、図2cに示すように第1の読み出し端子1と第1のイオン伝導容易領域6の金属イオン64との間、および第2の読み出し端子2と第1のイオン伝導容易領域6の金属イオンとの間を電子がトンネルし、電流が流れるようになる。このようにして、低抵抗に変化させる。第1の絶縁体5の厚さは所望の抵抗値から設計する。次に、低抵抗から高抵抗に変化させる書き込み方法について説明する。第1の書き込み端子3とイオン源4との間に、第1の極性とは逆向きで所望の値の電圧を印加する。これにより、第1のイオン伝導容易領域6内の金属イオン64がイオン源4の方向に移動し、図2aのようにほとんどがイオン源4に回収される。第1の読み出し端子1と第2の読み出し端子2との間に電圧Vr1、Vr2を印加したとき、第1のイオン伝導容易領域6に金属イオンが存在しないため、第1の絶縁体5全体が絶縁体として働く。トンネル電流は絶縁体厚に対し指数関数的に変化するため、流れる電流は非常に小さくなり、高抵抗を示すようになる。次に、本抵抗記憶装置の読み出し方法について説明する。読み出しは第1の読み出し端子1と第2の読み出し端子2との間の抵抗を評価することで行う。たとえば、第1の読み出し端子1に電圧Vr1を印加して第1の読み出し端子1と第2の読み出し端子2との間に電位差を与えることにより、第2の読み出し端子2を充電し、一定時間後の第2の読み出し端子2の電位と所望の電位とをセンスアンプを用いて比較する。ほかには、低電流源から所望の電流を流したときの電位と所望の電位とをセンスアンプを用いて比較するなどの方法がある。誤書き込み耐性を確保するため、読み出し端子1,2とイオン源4との間に発生する電界の影響を評価し、第1のイオン伝導容易領域6のイオンが移動してしまうなど問題になるのであれば、抵抗記憶装置にはイオン源4と第1の書き込み端子3をそれぞれフローティングfloatにして読み出す制御機能を設けることが望ましい。問題にならなければ接地するなど、電位を与えても良い。書き込み時には、読み出し端子1,2は、書き込みを助ける極性の電位を与えたり、フローティングにしてもよい。第1のイオン伝導容易領域6は、固体電解質や空気との界面を持つポーラスな構造の絶縁体を用いたり、異なる絶縁体同士の界面を用いてもよい。図3に示すように、絶縁体5と固体電解質60との界面を第1のイオン伝導容易領域6として用いた場合、第1のイオン伝導容易領域6に金属イオンがある場合、読み出し端子1-2間に所望の電圧をかけることで、固体電解質内に電界方向に延在する金属フィラメント642を形成させ、さらなる低抵抗化を図ることができる。この場合、高抵抗に変化させるときは、固体電解質内のイオンは移動しにくいため、読み出し端子1-2間への電圧印加により第1のイオン伝導容易領域6に金属イオンを移動させる手段を設けることが望ましい。この構造では、第1のイオン伝導容易領域6に金属イオンがなければ読み出し端子1-2間に電圧を印加しても金属フィラメントが形成されることはなく、高抵抗のままである。絶縁体5としては、二酸化シリコンSiO2や窒化シリコンSiNなどの絶縁性酸化物、窒化物や第1のイオン伝導容易領域6よりイオン伝導しにくい固体電解質を用いる。イオン源4としてはCuなどのイオン化しやすい材料や、イオン化量を調整するためイオン源4と第1のイオン伝導容易領域6との間にイオン源以外の材料を挟んでも良い。第1の書き込み端子3は電界を生成するのが目的のため、第1のイオン伝導容易領域6との間に絶縁体を挟んでも良い。第1のイオン伝導容易領域6上下の第1の絶縁体5の厚さは同じでも、異なってもよい。材料についても上下で異なっても良い。書き込み時に印加する電圧は矩形波であっても、印加中に変化する波形であってもよく、複数回印加しても良い。本実施の形態では、絶縁体中の金属イオンを介したトンネル電流を用いているため、イオン伝導容易領域6における金属イオン64同士は電気的につながっている必要はなく、散在していても良い。このように読み出し電流経路は面状、もしくは線状であるため、関連技術におけるフィラメント状電流経路にくらべて広い領域に電流が流れるため、信頼性が高い。また、読み出し電流経路と書き込み電流経路が異なるため、イオン伝導容易領域に伝導性の高い構造を利用しても読み出し時に誤書き込みが起こりにくい。さらに関連技術のように読み出し電流によってフィラメントが強化されたり弱体化したりして後の書き込み特性に影響を与えることもない。このように、読み出しの信頼性、安定性が向上し、また容易にイオンが移動する構造を用いることができるため、より高速に動作し、信頼性のある抵抗記憶装置を得ることができる。これらを複数用いて回路制御することで、メモリ装置やスイッチ装置を構成することができる。図4を参照すると、本発明の第二の実施の形態として抵抗記憶装置の平面図がaに、III-III線に沿った断面図がbに、IV-IV線に沿った断面図がcに示されている。第二の実施の形態の抵抗記憶装置は、図4に示すように、第1の読み出し端子1と、第2の読み出し端子2と、第1の書き込み端子3と、イオン源4と、第1の絶縁体5と、二層に配置された第1のイオン伝導容易領域6とを有する。第1の絶縁体5は、対向する第1の読み出し端子1と第2の読み出し端子2とに挟まれた位置に配置される。複数の第1のイオン伝導容易領域6は、第1の絶縁体5が第1の読み出し端子1と対向する面、もしくは第1の絶縁体5が第2の読み出し端子2と対向する面とこの領域ではほぼ平行な方向に延在し、その形状は図4cに示すようにその延在方向面で第1の絶縁体5形状そのまま、すなわち、各第1のイオン伝導容易領域6の上下面が第1の絶縁体5で挟まれ、側面および端面が第1の絶縁体5から露出している構成である。もしくは図4dに示すように、各第1のイオン伝導容易領域6の幅が第1の絶縁体5の幅より小さく形成され、各第1のイオン伝導容易領域6の側面が第1の絶縁体5から露出しないように内部に配置される構成である。さらにそれぞれの第1のイオン伝導容易領域6の一部は、第1の読み出し端子1と第2の読み出し端子2とが対向する領域と重なる。第1の書き込み端子3とイオン源4とは、第1の読み出し端子1と第2の読み出し端子2とが対向する領域の少なくとも一部を挟み、第1の絶縁体5の第1の読み出し端子1が配置されたのと同一面、もしくは第1の絶縁体5の第2の読み出し端子2が配置されたのと同一面に配置されている。次に本抵抗記憶装置の動作について図5を用いて説明する。図5を参照すると、本発明の第二の実施の形態の動作時の状態変化が示されている。まず、高抵抗から低抵抗に変化させる書き込み方法について説明する。高抵抗状態では、図5aに示すように、イオン伝導容易領域6には金属イオン64がほとんど存在せず、読み出し端子1-2間にはほとんど電流が流れない。ここで第1の書き込み端子3とイオン源4との間に、イオン源4の金属イオンが第1の書き込み端子3の方向に流れる第1の極性で所望の値の電圧を所望の時間印加する。イオン源4に接する絶縁体5として、イオンを透過する材料および厚さにすることより、図5bのように金属イオン64がイオン源4から第1のイオン伝導容易領域6に入り、第1の書き込み端子3に向かって広がる。第1の読み出し端子1と第1のイオン伝導容易領域6の金属イオン64との間、および第1の読み出し端子1と第1のイオン伝導容易領域6の金属イオン64との間、および第1のイオン伝導容易領域6の間に配置された第1の絶縁体5の厚さを適切に設定することで、第1の読み出し端子1と第2の読み出し端子2との間に電圧を印加することにより、図5bに示すように第1の読み出し端子1と第1のイオン伝導容易領域6の金属イオン64同士と第2の読み出し端子2との間を電子がトンネルし、電流が流れるようになる。このようにして、低抵抗に変化させる。次に、低抵抗から高抵抗に変化させる書き込み方法について説明する。第1の書き込み端子3とイオン源4との間に、第1の極性とは逆向きで所望の値の電圧を印加する。これにより、第1のイオン伝導容易領域6内の金属イオン64がイオン源4の方向に移動し、図5aに示すように、そのほとんどがイオン源4に回収される。第1の読み出し端子1と第2の読み出し端子2との間に電圧を印加したとき、第1のイオン伝導容易領域6に金属イオンが存在しないため、第1の絶縁体5全体が絶縁体として働き、高抵抗を示すようになる。読み出し方法は、前述した第1の実施の形態と同様である。それぞれのイオン伝導容易領域6は互いに異なる構造でも良い。イオン源と接する絶縁体5は、それ自体、もしくは接する部分を固体電解質にすると金属イオンが導入しやすい。本実施の形態のように複数のイオン伝導容易領域6を用いる場合は、それぞれのイオン伝導容易領域6にある金属イオン64が近い位置にあることが低抵抗を得るために重要である。関連技術のように金属イオンがフィラメント状につながって形成される可能性があるため、それぞれのイオン伝導容易領域を狭くし、隣接する2つのイオン伝導容易領域がたがいにほぼ重なるように配置することで、金属イオンがどこにあっても低抵抗が得られるような構成が実現できる。本実施の形態では、複数用意したイオン伝導容易領域6の金属イオン64を介したトンネル電流を用いているため、絶縁体5を厚くすることができ、高抵抗状態での抵抗値をより高くすることができる。また、絶縁体側面に端子を形成しなくて良いので、製造が容易である。図6を参照すると、本発明の第三の実施の形態として抵抗記憶装置を構成する抵抗記憶素子の構成図が示されている。第三の実施の形態の抵抗記憶装置は、図6に示すように、第1の読み出し端子1と、第2の読み出し端子2と、イオン源4と、第1の絶縁体5と、第1のイオン伝導容易領域6とを有する。第1の絶縁体5は、対向する第1の読み出し端子1と第2の読み出し端子2とに挟まれた位置に配置される。第1のイオン伝導容易領域6は、第1の絶縁体5が第1の読み出し端子1と対向する面、もしくは第1の絶縁体5が第2の読み出し端子2と対向する面とこの領域ではほぼ平行な方向に延在し、その形状は図4cに示すようにその延在方向面で第1の絶縁体5形状そのまま、もしくは図4dに示すように図4cの一部の形状であり、第1の絶縁体5の内部に第1の読み出し端子1と第2の読み出し端子2の間の方向に複数配置される。さらにそれぞれの第1のイオン伝導容易領域6の一部は、第1の読み出し端子1と第2の読み出し端子2とが対向する領域と重なる。イオン源4は、第1の読み出し端子1と第2の読み出し端子2とは別の位置に配置される。本実施の形態では、第1の読み出し端子1、もしくは第2の読み出し端子2が、第1の実施の形態や第2の実施の形態の第1の書き込み端子の役割を共有する。次に本抵抗記憶装置の動作について図7を用いて説明する。図7を参照すると、本発明の第三の実施の形態の動作時の状態変化が示されている。まず、高抵抗から低抵抗に変化させる書き込み方法について説明する。高抵抗状態では、イオン伝導容易領域6には金属イオンがほとんど存在せず、読み出し端子間にはほとんど電流が流れない。ここで第1の読み出し端子1とイオン源4との間に、イオン源4の金属イオンが第1の読み出し端子1の方向に流れる第1の極性で所望の値の電圧を所望の時間印加する。これにより、図7に示すように金属イオン64がイオン源4から各第1のイオン伝導容易領域6に入り、第1の読み出し端子1に向かって広がる。第1の読み出し端子1と各第1のイオン伝導容易領域6の金属イオン64との間、および第2の読み出し端子2と各第1のイオン伝導容易領域6の金属イオンとの間、および第1のイオン伝導容易領域6の間に配置された第1の絶縁体5の厚さを適切に設定することで、第1の読み出し端子1と第2の読み出し端子2との間に電圧を印加することにより、図7に示すように第1の読み出し端子1と第1のイオン伝導容易領域6の金属イオン64同士と第2の読み出し端子2との間を電子がトンネルし、電流が流れるようになる。このようにして、低抵抗に変化させる。次に、低抵抗から高抵抗に変化させる書き込み方法について説明する。第1の読み出し端子1とイオン源4との間に、第1の極性とは逆向きで所望の値の電圧を印加する。これにより、第1のイオン伝導容易領域6内の金属イオン64がイオン源4の方向に移動し、そのほとんどがイオン源4に回収される。第1の読み出し端子1と第2の読み出し端子2との間に電圧を印加したとき、第1のイオン伝導容易領域6に金属イオンが存在しないため、第1の絶縁体5全体が絶縁体として働き、高抵抗を示すようになる。読み出し方法は、前述した第1の実施の形態と同様である。それぞれのイオン伝導容易領域は異なる構造でも良い。書き込み時の電圧は、第1の読み出し端子1だけでなく第2の読み出し端子2にも印加することができる。本実施の形態では、端子の数を減らすことができるので、微細化が可能である。実施例次に、具体的な実施例を用いて本発明の動作を説明する。図8に示した抵抗記憶素子を用いて、本発明の第一の実施例を説明する。図8aは素子の平面図、bはV-V線に沿った断面図、cはVI-VI線に沿った断面図である。本発明の第一の実施例は、第1の読み出し端子56であるルテニウムRuと、第2の読み出し端子52であるRuと、第1の書き込み端子58であるRuと、イオン源57である銅Cuと、イオン伝導容易領域54としての酸化ケイ素タンタルTaSiOと、イオン伝導容易領域54を挟んで形成された絶縁体53,55二酸化シリコンSiO2とを有している。各端子とイオン源は制御回路と電気的に接続されている。次に、本実施例の製造方法について図9を用いて説明する。図9a、cおよびeは、代表的な製造行程における平面図であり、図9b、dおよびfは図9a、cおよびeのVII-VII線、VIII-VIII線およびIX-IX線に沿った断面図をそれぞれ示す。まず、集積回路などが形成されたシリコン基板等の基板図示せず上にSiO2層間膜51を400nmの厚さに成膜し、フォトリソグラフィ技術により端子形成部以外をレジストで保護し、反応性イオンエッチング技術以降RIEと称すにより層間膜51を200nmの深さに選択エッチングする。レジスト除去後、全面に第2の読み出し端子52となるRuをスパッタリング法で300nmの厚さに成膜し、その後、化学的機械的研磨技術以降CMPと称すにより第2の読み出し端子形成部以外のRuを研磨除去し、第2の読み出し端子52のRuパターンを形成する。次に、全面に第1の絶縁体53を2nm、イオン伝導容易領域54を1nm、第2の絶縁体55を1nm、第1の読み出し端子56を20nm、の厚さでスパッタリング法や化学蒸着ChemicalVaporDeposition法以降CVDと称すで順次成膜する。次に、イオン源形成部以外をレジストで保護し、RIEによりイオン源形成部のRu56、第2の絶縁体55、イオン伝導容易領域54、第1の絶縁体53を除去する。レジスト除去後全面にシード層とCuのイオン源57をスパッタリング法とメッキ法を用いて形成した後、CMPにより平坦化することでイオン源57の部分にCuを残す図9aおよびb。同様のプロセスを用いて第1の書き込み端子58のための部分を開口し、Taをスパッタリング法で300nmの厚さに形成し、さらにCMPで平坦化し、第1の書き込み端子58を形成する。次に、抵抗記憶素子となる領域にレジスト60を形成し、レジスト60とCuのイオン源57とをマスクとして、Taの第1の書き込み端子58、Ruの第1の読み出し端子56、第2の絶縁体55、TaSiOのイオン伝導容易領域54、第1の絶縁体53をRIEにより選択的に除去する図9cおよびd。次にレジスト60を除去した後、第1の読み出し端子56の形状にレジストを形成し、RIEにより第1の読み出し端子56を加工することで、抵抗記憶素子が形成できる図9eおよびf。次に、本実施例の動作方法について説明する。まず、記憶状態の読み出し方法について説明する。記憶状態は、第1の読み出し端子56と第2の読み出し端子52との間の抵抗として記憶される。このため、第1の読み出し端子56と第2の読み出し端子52との間に電圧を印加して流れる電流を評価したり、低電流を流すための印加電圧を評価したりすることで、抵抗値を評価して記憶状態を判別する。このとき、第1の書き込み端子58とイオン源57とはフローティング状態に設定する。メモリなどのようにデータ記憶装置として用いる場合は、読み出した抵抗値からデータを判別する。また、クロスバースイッチのような用途では、抵抗値により接続、非接続として働くように回路を構成する。次に、抵抗記憶素子の抵抗を高抵抗から低抵抗に変化させる書き込み方法について説明する。第1の読み出し端子56と第2の読み出し端子52をフローティング状態に設定した後、第1の書き込み端子58を接地し、イオン源57に正の電位、たとえば2Vを10ns印加する。イオン源からのCuイオンは正イオンCuとしてイオン伝導容易領域54内と、このイオン伝導容易領域54と第2の絶縁体55との界面およびイオン伝導容易領域54と第1の絶縁体53との界面を第1の書き込み端子58へ向かう方向に移動する。これにより、第1の読み出し端子56と第2の読み出し端子52との間のイオン伝導容易領域54部分にCuイオンが移動したため、Cuイオンを介してトンネルする電子が増加し、低抵抗を示すようになる。次に、抵抗記憶素子の抵抗を低抵抗から高抵抗に変化させる書き込み方法について説明する。第1の読み出し端子56と第2の読み出し端子52をフローティング状態に設定した後、イオン源57を接地し、第1の書き込み端子58に正の電位、たとえば3Vを1μs印加する。Cuイオンはイオン源57方向に移動するため、第1の読み出し端子56と第2の読み出し端子52との間のイオン伝導容易領域54部分のCuイオンがなくなる。これにより、第1の読み出し端子56と第2の読み出し端子52との間は第2の絶縁体55、イオン伝導容易領域54および第1の絶縁体53の全体で絶縁されるため、電子のトンネル確率が減少し、高抵抗を示すようになる。読み出し時に第1の書き込み端子58とイオン源57に電位が与えられると、第1の読み出し端子56と第2の読み出し端子52からの電界が発生するため、イオン伝導容易領域54中のイオンを移動させる可能性がある。移動量が使用上問題ない量であれば、第1の書き込み端子58とイオン源57に電位を与えても良い。例えば、第1の読み出し端子56と第2の読み出し端子52の電位の中間の値に設定すると、第1の読み出し端子56側と第2の読み出し端子52側で逆向きの電界となるため、影響を最小にすることができる。主な電界方向は、イオン伝導容易領域54の延在方向とは異なるため、原理的に影響は小さく、読み出し時の誤書き込み発生を抑制することが可能である。また、書き込み時には第1の読み出し端子56と第2の読み出し端子52にイオンの移動を助ける向きの電位を一時的に印加することも可能である。第1の読み出し端子56とイオン伝導容易領域54との間隔、および第2の読み出し端子52とイオン伝導容易領域54との間隔は、電子がトンネルできる距離にする必要がある。このため、どちらの間隔も3nm以下であることが望ましい。すなわち、第1の絶縁体52および第2の絶縁体55の厚みを3nm以下とすることが望ましい。イオン伝導容易領域54は、本実施例のように固体電解質や、膜内に空気との界面をもつポーラスSiO2などの材料も利用可能である。また、二つの絶縁体を積層した界面も利用可能である。図10は図8における第1の絶縁体53のかわりにイオン伝導容易領域54を用いた構造であり、イオン伝導容易領域54と第2の絶縁体55との界面をイオン伝導容易領域として用いている。イオン源57と第1の書き込み端子58は直接イオン伝導容易領域54であるTaSiOに接しているが、たとえばチタンTiやSiO2などの金属や絶縁体を介して接触させることにより、イオン化を調整することも可能である。また、イオン伝導容易領域64は素子形状と同じである必要はなく、イオン源から対向部までイオンを導入できればいいので、金属イオンが拡散できる程度のイオン源近傍から対向部にわたり、少なくとも線状に存在すればよい。本実施例によれば、読み出し時に誤書き込みの発生を抑制することができるため、イオンの移動速度が速い構造を利用できる。このため、動作速度が速い抵抗記憶装置が実現可能となる。図11に示した抵抗記憶素子を用いて、本発明の第二の実施例を説明する。図11aは抵抗記憶素子の平面図、bはX-X線に沿った断面図、cはXI-XI線に沿った断面図である。本発明の第二の実施例は、第1の読み出し端子89であるTaと、第2の読み出し端子82であるTaと、第1の書き込み端子91であるTaと、イオン源83であるCuと、イオン伝導容易領域85,87としての硫化銅Cu2Sと、イオン伝導容易領域を挟んで形成された第1および第2の絶縁体84および86としてのSiO2と第3の絶縁体88としての窒化シリコンSiNを有している。さらにイオン導入部90としてのCu2Sを有している。各端子とイオン源は制御回路と電気的に接続されている。次に、本実施例の製造方法について図12を用いて説明する。図12a、cおよびeは、代表的な製造行程における平面図であり、図12b、dおよびfは図12a、cおよびeのXII-XII線、XIII-XIII線およびIXX-IXX線に沿った断面図をそれぞれ示す。まず、集積回路などが形成されたシリコン基板等の基板図示せず上に絶縁体SiO2層間膜81を400nmの厚さに成膜し、フォトリソグラフィ技術により端子形成部以外をレジストで保護し、RIEにより層間膜81を200nmの深さに選択エッチングする。レジスト除去後、全面に第2の読み出し端子82となるTaをスパッタリング法で300nmの厚さに成膜し、その後、CMPにより端子形成部以外のTaを研磨除去し、第2の読み出し端子82のTaパターンを形成する。次に、イオン源形成部以外をレジストで保護し、RIEにより絶縁体層間膜81を200nmの深さに選択エッチングする。レジスト除去後、全面にシード層とCuイオン源83をスパッタリング法とメッキ法を用いて300nm形成した後、CMPにより平坦化することでイオン源部分にイオン源83を残す。次に、全面に第1の絶縁体84を1nm、第1のイオン伝導容易領域85を0.7nm、第2の絶縁体86を0.7nm、第2のイオン伝導容易領域87を0.7nm、第3の絶縁体88を2nm、第1の読み出し端子89を50nm、スパッタリング法とCVDで順次成膜する。次に、イオン源上部以外をレジストで保護し、RIEによりイオン源導入部の第1の読み出し端子89から第1の絶縁体84までを除去する。レジスト除去後全面にイオン導入部90を100nmの厚さにスパッタリング法で成膜した後、CMPにより平坦化することでイオン導入部90を形成する図12aおよびb。次に、素子となる領域にレジストを形成し、レジストをマスクとして、イオン導入部90と第1の読み出し端子89から第1の絶縁体84までをRIEにより除去する図12cおよびd。レジスト除去後、第1の読み出し端子89と第1の書き込み端子91の形状にレジストを形成し、RIEにより第1の読み出し端子89を加工することで、素子形状が形成できる図12eおよびf。次に、本実施例の動作方法について説明する。記憶状態は読み出し端子である第1の読み出し端子89と第2の読み出し端子82の間の抵抗として記憶されており、読み出し方法は第1の実施例と同様である。次に、素子抵抗を高抵抗から低抵抗に変化させる書き込み方法について説明する。第1の読み出し端子89と第2の読み出し端子82をフローティング状態に設定した後、第1の書き込み端子91を接地し、イオン源83に正の電位、たとえば2Vを100ns印加する。イオン源からのCuイオンは正イオンとしてイオン導入部90と、第1および第2のイオン伝導容易領域85,87を第1の書き込み端子91方向に移動する。これにより、第1の読み出し端子89と第2の読み出し端子82との間の第1および第2のイオン伝導容易領域85,87部分にCuイオンが移動するため、Cuイオンを介してトンネルする電子が増加し、低抵抗を示すようになる。次に、素子抵抗を低抵抗から高抵抗に変化させる書き込み方法について説明する。第1の読み出し端子89と第2の読み出し端子82をフローティング状態に設定した後、イオン源83を接地し、第1の書き込み端子91に正の電位、たとえば3Vを100μs印加する。Cuイオンはイオン源83方向に移動するため、第1の読み出し端子89と第2の読み出し端子82との間の第1のイオン伝導容易領域85および第2のイオン伝導容易領域87部分のCuイオンがなくなる。これにより、第1の読み出し端子89と第2の読み出し端子82の間は第3の絶縁体88、第2のイオン伝導容易領域87、第2の絶縁体86、第1のイオン伝導容易領域85、第1の絶縁体84の全体で絶縁されるため、電子のトンネル確率が減少し、高抵抗を示すようになる。各絶縁体84、86、88の厚さは同じである必要はないが、金属イオンが到達しやすいよう、イオン源に近い側が薄い方が望ましい。本実施例ではイオン導入部90により金属イオンをイオン伝導容易領域に導入しているが、イオン導入部90がなくても第2の絶縁体86および第1の絶縁体84が薄いため、拡散で金属イオンを導入することもできる。このときイオン源表面を固体電解質膜で覆っておくとイオン化を促進できる。本実施例では、第1の読み出し端子89と第1の書き込み端子91を別々に設けたが、第1の読み出し端子89を書き込みと読み出しの共用端子として使用し、第1の書き込み端子91を省略することも可能である。本実施例によれば、すべての端子が成膜面の上下にあるため製造が容易になる。以上の実施例において、端子を構成する材料としてはTi,Ta,Pt,タングステンWモリブデンMo,シリサイドなどがあげられる。また、イオン源としてはCu,銀Ag鉛Pbなどが利用できる。イオン伝導容易領域としては、カルコゲン元素酸素O硫黄SセレンSeテリウムTeと金属の化合物、シリコンを含む絶縁物酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、ペロブスカイト型酸化物ABO3:A:MgカルシウムCaストロンチウムSrバリウムBa、ホウ素B:Tiなどでもよい。なお、本発明は上記各実施例に限定されず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施例は適宜変更され得ることは明らかである。上記の実施形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載されうるが、以下には限られない。付記1第1の絶縁体と、前記第1の絶縁体を挟んで対向して形成された第1の端子と第2の端子と、前記第1の絶縁体内に存在し前記第1の絶縁体が前記第1の端子と向かい合う面、もしくは前記第1の絶縁体が前記第2の端子と向かい合う面とほぼ平行な方向に延在する線状もしくは面状で前記第1の絶縁体に比べイオンが移動しやすいイオン伝導容易領域と、前記第1の端子と前記第2の端子の対向部を挟んで配置された第3の端子とイオン源とを有することを特徴とする抵抗記憶装置。付記2前記イオン伝導容易領域と前記第1の端子との距離と、前記イオン伝導容易領域と前記第2の端子との距離とが異なることを特徴とする付記1の抵抗記憶装置。付記3前記イオン伝導容易領域と前記第1の端子との距離、および記イオン伝導容易領域と前記第2の端子との距離それぞれが、電子がトンネルできる距離であることを特徴とする付記1から3のいずれか1項記載の抵抗記憶装置。付記4前記イオン伝導容易領域が複数あることを特徴とする付記1から3のいずれか1項記載の抵抗記憶装置。付記5前記イオン伝導容易領域と前記第1の端子との距離、もしくは前記イオン伝導容易領域と前記第2の端子との距離と、前記イオン伝導容易領域同士の距離とが異なることを特徴とする付記4の抵抗記憶装置。付記6前記イオン伝導容易領域同士の距離が、電子がトンネルできる距離であることを特徴とする付記4から5のいずれか1項記載の抵抗記憶装置。付記7前記距離が3nm以下であることを特徴とする付記1から6のいずれか1項記載の抵抗記憶装置。付記8前記第3の端子および/またはイオン源と前記イオン伝導容易領域が前記第2の絶縁体、もしくは導電体を介して接していることを特徴とする付記1から7のいずれか1項記載の抵抗記憶装置。付記9前記第3の端子と前記第1の端子、もしくは前記第2の端子とが同一であることを特徴とする付記1から8のいずれか1項記載の抵抗記憶装置。付記10前記第3の端子と前記イオン源との間に電圧を印加することにより、前記イオン伝導容易領域にイオンを配置、除去することで、前記第1の端子と前記第2の端子との間で前記イオン伝導容易領域を介して流れるトンネル電流を変化させることを特徴とする付記1から9のいずれか1項記載の抵抗記憶装置。付記11前記第3の端子と前記イオン源との間に電圧を印加することにより、前記イオン伝導容易領域にイオンを配置、除去することで、前記第1の端子と前記第2の端子との間に電圧を印加したとき、前記イオン伝導容易領域と前記第1の端子、もしくは前記第2の端子との間への金属架橋の形成のしやすさを変化させることを特徴とする付記1から10のいずれか1項記載の抵抗記憶装置。付記12前記イオン伝導容易領域が、前記第1の絶縁体内に形成された固体電解質材料であることを特徴とする付記1から11のいずれか1項記載の抵抗記憶装置。付記13前記イオン伝導容易領域が、同一、もしくは異なる絶縁体が接する界面を含むことを特徴とする付記1から12のいずれか1項記載の抵抗記憶装置。付記14読み出し時に印加される電界方向と、書き込み時にイオンが移動する方向とが異なることを特徴とする付記1から13のいずれか1項記載の抵抗記憶装置。付記15書き込み処理を、読み出し端子をフローティング状態にして行うことを特徴とする付記1から14のいずれか1項記載の抵抗記憶装置の書き込み方法。付記16書き込み手順が、読み出し端子にイオン移動を促進する電位を印加する手順を含むことを特徴とする付記1から15のいずれか1項記載の抵抗記憶装置の書き込み方法。付記17読み出し処理を、書き込み端子とイオン源とをフローティング状態にして行うことを特徴とする付記1から16のいずれか1項記載の抵抗記憶装置の書き込み方法。付記18読み出し処理を、読み出し端子に印加する電位の平均電位を書き込み端子とイオン源とに印加して行うことを特徴とする付記1から16のいずれか1項記載の抵抗記憶装置の書き込み方法。"