"厚み方向に沿った貫通孔を有する基体と、該貫通孔に配された貫通導体と、を備え、前記基体は、厚み方向に沿って互いに離間した第1及び第2無機絶縁層と、該第1及び第2無機絶縁層の間に介在され、前記第1及び第2無機絶縁層に当接された第1樹脂層と、を有し、前記第1樹脂層は、厚み方向及び平面方向への熱膨張率が前記第1及び第2無機絶縁層よりも大きいことを特徴とするインターポーザー。請求項1に記載のインターポーザーにおいて、前記第1及び第2無機絶縁層は、粒径が3nm以上110nm以下である、互いに結合した第1無機絶縁粒子を含むことを特徴とするインターポーザー。請求項2に記載のインターポーザーにおいて、前記第1及び第2無機絶縁層は、粒径が0.5mm以上5mm以下である、前記第1無機絶縁粒子を介して互いに接着された第2無機絶縁粒子をさらに含むことを特徴とするインターポーザー。請求項2に記載のインターポーザーにおいて、前記第1無機絶縁粒子は、アモルファス状態の酸化ケイ素からなることを特徴とするインターポーザー。請求項1に記載のインターポーザーにおいて、前記基体を介して厚み方向に沿って互いに離間し、前記貫通導体を介して互いに電気的に接続された第1及び第2導電層を更に備え、前記第1及び第2無機絶縁層は、前記基体の最外層に配されており、前記第1導電層は、前記第1無機絶縁層の主面に当接しており、前記第2導電層は、前記第2無機絶縁層の主面に当接していることを特徴とするインターポーザー。請求項1に記載のインターポーザーにおいて、前記基体の主面に当接し、前記貫通導体に電気的に接続された第1導電層をさらに備え、前記基体は、前記第1導電層が当接する最外層に配された第2樹脂層をさらに有し、前記第2樹脂層は、前記第1導電層及び前記第1無機絶縁層に当接しつつ前記第1導電層及び前記第1無機絶縁層の間に介在されており、厚み及びヤング率が前記第1樹脂層よりも小さいことを特徴とするインターポーザー。請求項1に記載のインターポーザーにおいて、前記第1樹脂層は、厚みが前記第1及び第2無機絶縁層よりも小さいことを特徴とするインターポーザー。請求項7に記載のインターポーザーであって、配線基板と電子部品との間に介在して、該配線基板及び該電子部品を電気的に接続するためのインターポーザー。請求項1に記載のインターポーザーにおいて、前記第1樹脂層は、平面方向への熱膨張率が厚み方向への熱膨張率よりも小さい基材を含むことを特徴とするインターポーザー。請求項9に記載のインターポーザーであって、厚み方向に沿って互いに離間した第1電子部品と第2電子部品との間に介在して、該第2及び第3電子部品を電気的に接続するためのインターポーザー。請求項9に記載のインターポーザーにおいて、前記基材は、複数の繊維と、隣接する該繊維同士の近接箇所にて該隣接する繊維それぞれに接続した無機絶縁部材とを有することを特徴とするインターポーザー。請求項1に記載のインターポーザーにおいて、前記貫通導体は、前記貫通孔に充填されていることを特徴とするインターポーザー。配線基板と、該配線基板上に実装される電子部品と、前記配線基板と前記電子部品との間に介在して、前記配線基板及び前記電子部品を電気的に接続する請求項1に記載にインターポーザーと、を備えたことを特徴とする電子装置。請求項13に記載の電子装置において、前記インターポーザーは、前記配線基板及び前記電子部品よりも厚みが小さいことを特徴とする電子装置。厚み方向に離間した第1及び第2電子部品と、前記第1及び第2電子部品の間に介在して、前記第1及び第2電子部品を電気的に接続する請求項1に記載にインターポーザーと、を備えたことを特徴とする電子装置。請求項15に記載の電子装置において、前記インターポーザーは、前記第1及び第2電子部品よりも厚みが小さいことを特徴とする電子装置。本発明は、電気的信頼性を改善したインターポーザーを提供することによって上記要求を解決する。本発明の一形態にかかるインターポーザーは、厚み方向に沿った貫通孔を有する基体と、該貫通孔に配された貫通導体と、を備え、前記基体は、厚み方向に沿って互いに離間した第1及び第2無機絶縁層と、該第1及び第2無機絶縁層の間に介在され、前記第1及び第2無機絶縁層に当接された第1樹脂層と、を有し、前記第1樹脂層は、厚み方向及び平面方向への熱膨張率が前記第1及び第2無機絶縁層よりも大きい。上記構成によれば、電気的信頼性を改善したインターポーザーを提供することができる。第1実施形態以下に、本発明の第1実施形態に係るインターポーザーを含む電子装置を、図面に基づいて詳細に説明する。図1aに示した電子装置1は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置又はその周辺機器などの電子機器に使用されるものであり、例えばマザーボード等の外部回路に電気的に接続される。この電子装置1は、電子部品2と、電子部品2が実装された配線基板3と、電子部品2及び配線基板3の間に介在されたインターポーザー4と、インターポーザー4と電子部品2とを電気的に接続する第1バンプ5aと、インターポーザー4と配線基板3とを電気的に接続する第2バンプ5bと、配線基板3と外部回路とを電気的に接続する第3バンプ5cとを含んでいる。電子部品2は、インターポーザー4を介して配線基板3に実装されており、例えばLSI又はIC等の半導体素子である。この半導体素子は、CPU若しくはMPU等のロジック系又はメモリ系の半導体素子を用いることができ、母材が例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等の半導体材料を含んでいる。この電子部品2は、厚みが例えば0.05mm以上0.8mm以下に設定され、平面方向及び厚み方向への熱膨張率が3ppm/°C以上5ppm/°C以下に設定され、ヤング率が100GPa以上150GPa以下に設定されている。ここで、本実施形態の電子装置1において、電子部品2は、ロジック系の半導体素子を用いることが望ましい。このロジック系の半導体素子は、メモリ系の半導体素子と比較して、端子数が多く回路が微細配線化されており、応力が印加されると回路に断線が生じやすいため、配線基板3との電気的接続信頼性が低下しやすい。したがって、この電子部品2と配線基板3との間にインターポーザー4を介在させることにより、電子部品2の回路に印加される応力を緩和し、電子部品2と配線基板3との電気的接続信頼性を高めることができる。なお、熱膨張率は、市販のTMA装置を用いて、JISK7197‐1991に準じた測定方法により測定される。また、ヤング率は、MTSシステムズ社製NanoIndentorXP/DCMを用いて測定される。以下、各部材の熱膨張率およびヤング率は、電子部品2と同様に測定される。配線基板3は、樹脂製のビルドアップ基板であり、コア基板6とコア基板6の上下に形成された一対のビルドアップ部7とを含んでいる。この配線基板3は、厚みが0.3mm以上1.8mm以下に設定され、厚みが電子部品2の2倍以上20倍以下に設定され、平面方向の熱膨張率が15ppm/°C以上25ppm/°C以下に設定され、厚み方向への熱膨張率が20ppm/°C以上40ppm/°C以下に設定され、平面方向への熱膨張率が電子部品2の3倍以上8倍以下に設定され、ヤング率が5GPa以上40GPa以下に設定されている。コア基板6は、配線基板3の剛性を高めるものであり、厚み方向に貫通するスルーホールが形成された樹脂基板8、該スルーホールの内壁に沿って円筒状に形成されたスルーホール導体9、及び該スルーホール導体9の内部に柱状に形成された絶縁体10を含んでいる。このコア基板6は、厚みが例えば0.2mm以上1.2mm以下に形成されている。樹脂基板8は、コア基板6の剛性を高めるものであり、例えばエポキシ樹脂等の樹脂材料を含んでいる。また、無機絶縁フィラーや繊維からなる基材を含んでも構わない。この樹脂基板8を貫通するスルーホールは、例えば直径が0.1mm以上1mm以下の円柱状に形成されている。スルーホール導体9は、コア基板6の上下のビルドアップ部7を電気的に接続するものであり、例えば銅等の導電材料を含んでいる。このスルーホール導体9は、スルーホール内壁から絶縁体10との境界までの厚みが、例えば15μm以上100μm以下に設定されている。絶縁体10は、後述するビア導体13の支持面を形成するものであり、例えばエポキシ樹脂等の樹脂材料を含んでいる。一方、ビルドアップ部7は、厚み方向に貫通するビア孔が形成され、コア基板6上に配された絶縁層11、コア基板6上又は絶縁層11上に配された配線層12、ビア孔に柱状に形成され、配線層12に電気的に接続されたビア導体13を含んでいる。配線層12及びビア導体13は、互いに電気的に接続されており、接地用配線、電力供給用配線及び/又は信号用配線を含む配線部を構成している。絶縁層11は、配線層12の支持部材としての機能、配線層12同士の短絡を抑制する絶縁部材としての機能を有し、この絶縁層11は、例えばエポキシ樹脂等の樹脂材料を含んでいる。配線層12は、絶縁層11を介して厚み方向に互いに離間しており、例えば銅等の導電材料を含んでいる。ビア導体13は、厚み方向に互いに離間した配線層12同士を相互に接続するものであり、平面方向への断面積がコア基板6に向って小さくなる柱状テーパー状に形成されており、例えば銅等の導電材料を含んでいる。このビア導体13は、平面方向への断面積が例えば0.001mm2以上0.01mm2以下に設定されている。インターポーザー4は、電子部品2及び配線基板3の接続部材として機能するものであり、厚み方向に沿った貫通孔Pを有する基体14と、基体14の一主面に当接された第1導電層15aと、基体14の他主面に当接された第2導電層15bと、該貫通孔Pに充填され、第1導電層15a及び第2導電層15bに電気的に接続された貫通導体16と、を含んでいる。また、インターポーザー4は、厚みが電子部品2及び配線基板3よりも小さく設定されている。その結果、インターポーザー4を薄くすることにより、電子装置1を小型するとともに、電子部品2及び配線基板3の間の配線長を短くして信号伝送特性を高めることができる。また、インターポーザー4を薄くすることによって、外部からの応力により変形し易くすることできるため、例えば電子部品2が熱膨張した際に、インターポーザー4が変形することにより、電子部品2との接続部に印加される応力を緩和し、ひいては電子部品2との電気的接続信頼性を高めることができる。なお、インターポーザー4は、厚みが電子部品2の例えば0.2倍以上0.8倍以下に設定され、且つ厚みが配線基板3の例えば0.015倍以上0.5倍以下に設定されている。このようなインターポーザー4は、厚みが例えば0.03mm以上0.15mm以下に設定されている。基体14は、インターポーザー4の支持部材及び絶縁部材として機能するものであり、第1無機絶縁層17aと、第1無機絶縁層17aと厚み方向に沿って離間した第2無機絶縁層17bと、第1無機絶縁層17a及び第2無機絶縁層17bの間に介在され、第1無機絶縁層17a及び第2無機絶縁層17bに当接された第1樹脂層18aと、からなる。なお、基体14は、ヤング率が100GPa以上150GPa以下に設定されている。第1無機絶縁層17aは、低熱膨張率及び高剛性である無機絶縁材料を主成分としていることから、基体14を低熱膨張率及び高剛性とする。該無機絶縁材料は、酸化ケイ素を主成分とするセラミック材料を用いることができ、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、窒化アルミニウム、水酸化アルミニウム又は炭酸カルシウム等をさらに含有しても構わない。また、第1無機絶縁粒子11aは、酸化ケイ素を65重量以上100重量以下含有することが望ましい。また、この無機絶縁材料は、アモルファス非晶質状態であることが望ましい。その結果、第1無機絶縁層17aの結晶構造に起因した熱膨張率の異方性を低減することができるため、電子装置1に熱が印加された場合に、加熱後の冷却の際に第1無機絶縁層17aの収縮を各方向にてより均一にすることができ、ひいてはインターポーザー4と電子部品2との電気的接続信頼性を高めることができる。アモルファス状態である無機絶縁材料は、結晶相の領域が例えば10体積未満に設定されており、なかでも5体積未満に設定されていることが望ましい。なお、無機絶縁材料における結晶相領域の体積比は、以下のように測定される。まず、100結晶化した試料粉末と非晶質粉末とを異なる比率で含む複数の比較試料を作製し、該比較試料をX線回折法で測定することにより、該測定値と結晶相領域の体積比との相対的関係を示す検量線を作成する。次に、測定対象である調査試料をX線回折法で測定し、該測定値と検量線とを比較して、該測定値から結晶相領域の体積比を算出することにより、調査資料の結晶相領域の体積比が測定される。この第1無機絶縁層17aは、厚みが0.011mm以上0.07mm以下に設定されている。また、第1無機絶縁層17aは、平面方向及び厚み方向への熱膨張率が0ppm/°C以上7ppm/°C以下に設定され、且つ、ヤング率が例えば10GPa以上150GPa以下に設定されている。第1無機絶縁層17aは、無機絶縁材料を例えば97体積以上100体積以下含み、無機絶縁材料以外の残部を含む場合、例えば樹脂材料及び空隙を0体積より多く3体積以下含んでいる。第1無機絶縁層17aは、図1bに示すように、第1無機絶縁粒子19a及び第2無機絶縁粒子19bを含んでいる。この第1無機絶縁粒子19a及び第2無機絶縁粒子19bは、第1無機絶縁層17aを構成する無機絶縁材料により形成されたものを使用することができる。第1無機絶縁粒子19aは、粒径が例えば3nm以上110nm以下に設定されており、図1cに示すように境界面を介して互いに結合している。その結果、第1無機絶縁層17aを緻密に形成することができるため、第1無機絶縁層17aの平坦性を高め、ひいてはインターポーザー4と電子部品2との電気的接続信頼性を高めることができる。また、第2無機絶縁粒子19bは、第1無機絶縁粒子19aよりも粒径が大きく、粒径が例えば0.5μm以上5μm以下に設定されており、第1無機絶縁粒子19aを介して互いに接着している。その結果、第1無機絶縁層17aにクラックが生じて伸長した場合に、表面積の大きい第2無機絶縁粒子19bにクラックが達すると、クラックの応力が第2無機絶縁粒子19bの表面で分散されるため、クラックの伸長を抑制することができ、ひいては第1無機絶縁層17aの絶縁性を高めることができる。なお、第1無機絶縁粒子19a及び第2無機絶縁粒子19bは、第1無機絶縁層17aの研摩面若しくは破断面を電界放出型電子顕微鏡で観察することにより確認され、第1無機絶縁粒子19a及び第2無機絶縁粒子19bの粒径は、第1無機絶縁層17aの研摩面若しくは破断面を電界放出型電子顕微鏡で観察し、20粒子数以上50粒子数以下の粒子を含むように拡大した断面を撮影し、該拡大した断面にて各粒子の最大径を測定することにより測定される。また、第1無機絶縁粒子19aは、球状であることが望ましい。その結果、第1無機絶縁粒子19aの充填密度を高め、第1無機絶縁粒子19a同士をより強固に結合させることができ、第1無機絶縁層17aの剛性を高めることができる。また、第2無機絶縁粒子19bは、球状であることが望ましい。その結果、第2無機絶縁粒子19bの表面における応力を分散させることができ、第2無機絶縁粒子19bの表面を起点とした第1無機絶縁層17aにおけるクラックの発生を低減することができる。また、第1無機絶縁粒子19aと第2無機絶縁粒子19bとは、同一材料からなることが望ましい。その結果、第1無機絶縁層17aにおいて、第1無機絶縁粒子19aと第2無機絶縁粒子19bとの結合が強固になり、材料特性の違いに起因したクラックを低減することができる。なお、第2無機絶縁層17bは、上述した第1無機絶縁層17aと同様の構成を有している。一方、第1樹脂層18aは、第1無機絶縁層17a及び第2無機絶縁層17bを接着する機能を有しており、樹脂材料及び無機絶縁フィラーを含んでいる。この第1樹脂層18aは、厚みが例えば0.009mm以上0.05mm未満に設定されている。また、第1樹脂層18aは、平面方向及び厚み方向への熱膨張率が例えば8ppm/°C以上20ppm/°C以下に設定され、且つ、ヤング率が例えば5GPa以上35GPa以下に設定されている。第1樹脂層18aに含まれる樹脂材料は、第1樹脂層18aの主要部をなすものであり、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂又は液晶ポリマー等の樹脂材料を含んでいる。第1樹脂層18a内に含まれる無機絶縁フィラーは、第1樹脂層18aの熱膨張率を低減するとともに、第1樹脂層18aの剛性を高めるものであり、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、水酸化アルミニウム又は炭酸カルシウム等の無機絶縁材料を含んでいる。この無機絶縁フィラーの粒子は、粒径が例えば0.5μm以上5.0μm以下に設定され、熱膨張率が例えば0ppm/°C以上15ppm/°C以下に設定され、第1樹脂層18aにおける含有量が例えば3体積以上70体積以下に設定されている。なお、無機絶縁フィラーの粒径は、基体14の研摩面若しくは破断面を電界放出型電子顕微鏡で観察し、20粒子数以上50粒子数以下の粒子を含むように拡大した断面を撮影し、該拡大した断面にて各粒子の最大径を測定することにより測定される。また、基体14の樹脂部における無機絶縁フィラーの含有量は、基体14の研摩面を電界放出型電子顕微鏡で撮影し、画像解析装置等を用いて、基体14の樹脂部に占める無機絶縁フィラーの面積比率面積を10箇所の断面にて測定し、その測定値の平均値を算出して含有量体積とみなすことにより測定される。第1導電層15aは、電子部品2との接続パッドとしての機能を有しており、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル、クロム、タングステン又はモリブデン等の導電材料を含んでおり、導電性や加工性の観点から銅を含むことが望ましい。この第1導電層15aは、低誘電正接である第1無機絶縁層17aXに当接されていることから、信号伝送特性を高めることができる。第2導電層15bは、配線基板4との接続パッドとしての機能を有しており、第1導電層15aと同様の構成を有する。貫通導体16は、第1導電層15a及び第2導電層16aを電気的に接続する機能を有しており、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル、クロム、タングステン又はモリブデンの導電材料を含んでおり、導電性や加工性の観点から銅を含むことが望ましい。この貫通導体16は、平面方向への断面積が例えば0.001mm2以上0.01mm2以下に設定されている。また、貫通導体16は、平面方向及び厚み方向への熱膨張率が12ppm/°C以上20ppm/°C以下に設定され、且つ、ヤング率が80GPa以上200GPa以下に設定されている。なお、貫通導体16が銅を含む場合、貫通導体16の平面方向及び厚み方向への熱膨張率は、例えば17ppm/°C程度である。また、貫通導体16は、貫通孔Pに充填されている。その結果、貫通孔Pの直径をより小さくし微細化した場合においても、貫通導体16における断線を低減することにより、配線基板3と電子部品2との電気的接続信頼性を高めることができる。また、貫通導体16は、平面方向への断面積が電子部品2に向って小さくなる柱状テーパー状に形成されている。その結果、端子が微細化された電子部品2側において、第1導電層15aを微細化することができる。また、この貫通導体16は、テーパー状の貫通孔Pに充填されていることから、熱が印加された場合に、平面方向へ熱膨張して貫通孔P内の直径がより大きい箇所に移動しようとするため、テーパー状である貫通孔Pの平面方向への断面積が大きい端部に向って移動しやすい。したがって、貫通導体16は、平面方向への断面積が小さい端部へ突出しにくいため、貫通導体16の平面方向への断面積が小さい端部を電子部品2側に配することにより、貫通導体16が電子部品2に向って突出することを低減できる。第1バンプ5aは、電子部品2及びインターポーザー4の電気的接続部材として機能するものであり、電子部品2とインターポーザー4の第1導電層15aとの間に介在されており、例えば鉛、錫、銀、金、銅、亜鉛、ビスマス、インジウム又はアルミニウム等を含む半田等の導電材料により構成されている。また、第2バンプ5bは、インターポーザー4及び配線基板3の電気的接続部材として機能するものであり、インターポーザー4の第2導電層15bと配線基板3の最上層の配線層12との間に介在されており、第1バンプ5aと同様の導電材料により構成されている。また、第3バンプ5cは、配線基板3及び外部回路の電気的接続部材として機能するものであり、配線基板3の最下層の配線層12の主面に形成されており、第1バンプ5aと同様の導電材料により構成されている。ところで、インターポーザー4の基体14上に搭載された電子部品2の平面方向における熱膨張率は、基体14を厚み方向に貫通する貫通導体16の厚み方向における熱膨張率よりも小さく設定されている。例えば、電子部品2の平面方向への熱膨張率は、貫通導体16の厚み方向への熱膨張率の0.2倍以上0.4倍以下に設定されている。一方、本実施形態のインターポーザー4においては、厚み方向及び平面方向への熱膨張率が第1無機絶縁層17a及び第2無機絶縁層17bよりも大きい第1樹脂層18aが、厚み方向に沿って互いに離間した第1無機絶縁層17a及び第2無機絶縁層17bの間に介在されている。その結果、基体14において、第1無機絶縁層17a及び第2無機絶縁層17bは、第1樹脂層18aよりも外側に配されており基体14の両主面に近接していることから、基体14の主面における平面方向への熱膨張率に対する寄与が第1樹脂層18aよりも大きいため、基体14の両主面における平面方向への熱膨張率が低減しやすい。一方、基体14において、第1無機絶縁層17a、第1樹脂層18a及び第2無機絶縁層17bは、厚み方向に順次積層されていることから、基体14の貫通孔P内壁における厚み方向への熱膨張率に対する寄与が同等であるため、基体14の貫通孔P内壁における厚み方向への熱膨張率が低減しにくい。したがって、基体14は、両主面における平面方向への熱膨張率を、貫通孔P内壁における厚み方向への熱膨張率よりも小さく設定することができ、ひいては基体14と電子部品2との平面方向における熱膨張率の差を低減しつつ、基体14と貫通導体16との厚み方向における熱膨張率の差を低減することができる。それ故、電子部品2の実装時や作動時にて電子装置1に熱が印加された場合に、基体14と電子部品2との平面方向における熱膨張率の差に起因した熱応力を低減することにより、耐久性の低い電子部品2の電極を該熱応力から保護するとともに、基体14と貫通導体16との厚み方向における熱膨張率の差に起因した貫通導体16の基体14主面からの突出を低減することにより、貫通導体16上の第1バンプ5aを該突出から保護することができ、ひいてはインターポーザー4と電子部品2との電気的接続信頼性を高め、電気的信頼性に優れた電子装置1を得ることができる。なお、基体14は、厚み方向への熱膨張率が平面方向の例えば3倍以上7倍以下に設定されている。また、基体14は、平面方向への熱膨張率が電子部品2の例えば0.75倍以上1.25倍以下に設定され、且つ、平面方向への熱膨張率が配線基板3の例えば0.2倍以上0.4倍以下に設定されている。さらに、基体14は、厚み方向への熱膨張率が貫通導体16の例えば0.75倍以上1.25倍以下に設定されている。このようなインターポーザー4の基体14は、平面方向への熱膨張率が例えば3ppm/°C以上7ppm/°C以下に設定され、厚み方向への熱膨張率が例えば10ppm/°C以上20ppm/°C以下に設定されている。また、貫通孔Pに充填された貫通導体16は、円筒状の貫通導体と比較して、貫通導体16と貫通孔Pの内壁との接着面積に対する貫通導体16の体積が大きいため、電子装置1に熱が印加された場合に、貫通導体16が厚み方向に熱膨張するとともに貫通孔Pの内壁から剥離しやすくなるが、本実施形態のインターポーザー4においては、基体14と電子部品2との平面方向における熱膨張率の差を低減しつつ、基体14と貫通導体16との厚み方向における熱膨張率の差を低減することができるため、貫通孔Pに充填された貫通導体16においても、貫通導体16がインターポーザー4の主面から突出することを効果的に低減することができる。第1樹脂層18aの厚みは、第1無機絶縁層17a及び第2無機絶縁層17bの厚みの合計値よりも小さいことが望ましく、さらには、第1無機絶縁層17a及び第2無機絶縁層17bの厚みよりも小さいことが望ましい。その結果、基体14における第1無機絶縁層17a及び第2無機絶縁層17bの体積比率を増加させることにより、基体14と電子部品2との平面方向における熱膨張率の差を低減しつつ基体14の剛性を高め、インターポーザー4と電子部品2との電気的接続信頼性を高めることができる。さらに、第1樹脂層18aの厚みを小さくすることにより、インターポーザー4を小型化して信号伝送特性を高めることができる。なお、第1樹脂層18aは、厚みが第1無機絶縁層17aの例えば0.1倍以上0.9倍以下に設定されている。また、第1樹脂層18aは、平面方向及び厚み方向への熱膨張率が例えば第1無機絶縁層17aの2倍以上7倍以下に設定され、且つ、ヤング率が第1無機絶縁層17aの0.03倍以上0.3倍以下に設定されている。かくして、上述した電子装置1は、配線基板3からインターポーザー4を介して供給される電源や信号に基づいて電子部品2を駆動若しくは制御することにより、所望の機能を発揮する。次に、上述した電子装置1の製造方法を、図2から図4に基づいて説明する。配線基板の作製1コア基板6を作製する。具体的には、例えば以下のように行う。まず、例えば未硬化樹脂と基材とを含む複数の樹脂シートを積層し、加熱加圧して未硬化樹脂を硬化させることにより、樹脂基板8を作製する。なお、未硬化は、ISO472:1999に準ずるA‐ステージ又はB‐ステージの状態である。次に、例えばドリル加工やレーザー加工等により、樹脂基板8を厚み方向に貫通したスルーホールを形成する。次に、例えば無電解めっき法、電気めっき法、蒸着法、CVD法又はスパッタリング法等により、スルーホールの内壁に導電材料を被着させて、円筒状のスルーホール導体9を形成する。また、樹脂基板8の上面及び下面に導電材料を被着させて、導電材料層を形成する。次に、円筒状のスルーホール導体9の内部に、樹脂材料等を充填し、絶縁体10を形成する。次に、導電材料を絶縁体10の露出部に被着させた後、従来周知のフォトリソグラフィー技術、エッチング等により、導電層材料層をパターニングして配線層12を形成する。以上のようにして、図2aに示すコア基板6を作製することができる。2コア基板6の両側に一対のビルドアップ部7を形成し、配線基板5を作製する。具体的には、例えば以下のように行う。まず、未硬化の樹脂を配線層12上に配置し、樹脂を加熱して流動密着させつつ、更に加熱して樹脂を硬化させることにより、配線層12上に絶縁層11を形成する。次に、例えばYAGレーザー装置又は炭酸ガスレーザー装置により、絶縁層11にビア孔を形成し、ビア孔内に配線層12の少なくとも一部を露出させる。次に、例えばセミアディティブ法、サブトラクティブ法又はフルアディティブ法等を用いて、ビア孔にビア導体13を形成するとともに絶縁層11の上面に配線層12を形成すことにより、ビルドアップ部7を形成する。なお、かかる工程を繰り返すことにより、絶縁層11が多層化したビルドアップ部7を形成することができる。以上のようにして、図2bに示す配線基板3を作製することができる。インターポーザーの作製3図3aに示すように、銅箔15xと、該銅箔15x上に形成された無機絶縁層17と、を有する絶縁シート20を作製する。具体的には、例えば以下のように行う。まず、銅箔15xと、第1無機絶縁粒子19a、第2無機絶縁粒子19b及び溶剤を含む第1無機絶縁ゾルと、を準備し、銅箔15xの一主面に第1無機絶縁ゾルを塗布する。次に、第1無機絶縁ゾルを乾燥させて溶剤を蒸発させた後、第1無機絶縁ゾルの固形分を加熱し、第1無機絶縁粒子19a同士を結合させるとともに、第1無機絶縁粒子19aと第2無機絶縁粒子19bとを結合させることにより、銅箔15x上に無機絶縁層17を形成する。ここで、第1無機絶縁ゾルを乾燥させて溶剤を蒸発させる際に、粒径の小さい第1無機絶縁粒子19aが流動することにより、第1無機絶縁粒子19a及び第2無機絶縁粒子19bが最密充填されるため、平坦性の高い無機絶縁層17を形成することができ、ひいては電子部品2との接続信頼性に優れたインターポーザー4を作製することができる。また、第1無機絶縁ゾルの固形分を加熱する際、粒径が小さく結合しやすい第1無機絶縁粒子19a同士が互いに結合するとともに、第1無機絶縁粒子19aと第2無機絶縁粒子19bとが結合するため、粒径が大きく結合しにくい第2無機絶縁粒子19b同士を、第1無機絶縁粒子19aを介して互いに接着させることができ、剛性の高い無機絶縁層17を形成することができ、ひいては信頼性に優れたインターポーザー4を作製することができる。銅箔15xは、例えば一主面が蟻酸等の有機酸を主成分とするエッチング液により粗化されており、凹凸が形成されていることが望ましい。その結果、該凹凸に沿って無機絶縁層17が形成されため、該凹凸のアンカー効果によって無機絶縁層17と銅箔15xとの接着強度を高めることができるとともに、無機絶縁層17の表面に凹凸を形成することができ、ひいてはインターポーザー4において第1無機絶縁層17aと第1導電層15aとの接着強度を高めることができる。第1無機絶縁ゾルは、固形分と溶剤とを含む。第1無機絶縁ゾルは、固形分を5体積以上50体積以下含み、溶剤を50体積以上95体積以下含むことが望ましい。その結果、溶剤を第1無機絶縁ゾルの50体積以上含むことにより、第1無機絶縁ゾルの粘度を低減し、無機絶縁層17の上面の平坦性を向上させることができる。また、溶剤を第1無機絶縁ゾルの95体積以下含むことにより、第1無機絶縁ゾルの固形物成分量を増加させることにより、無機絶縁層17の生産性を向上させることができる。また、該固形分は、第1無機絶縁粒子19aを10体積以上50体積未満含み、第2無機絶縁粒子19bを50体積以上90体積未満含むことが望ましい。粒径の小さい第1無機絶縁粒子19aは、ケイ酸ナトリウム水溶液等のケイ酸化合物等のケイ酸化合物を精製し、加水分解等の方法で化学的に酸化珪素を析出させることにより作製することができる。また、このように作製することにより、第1無機絶縁粒子19aの結晶化を抑制し、アモルファス状態を維持することができる。なお、このように作製した場合、第1無機絶縁粒子19aは、酸化ナトリウム等の不純物を1ppm以上5000ppm以下含んでいても構わない。また、第1無機絶縁粒子19aの粒径は、3nm以上に設定されていることが望ましい。その結果、第1無機絶縁ゾルの粘度を低減し、無機絶縁層17の上面の平坦性を向上させることができる。粒径の大きい第2無機絶縁粒子19bは、例えばケイ酸ナトリウム水溶液等のケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化珪素を析出させた溶液を火炎中に噴霧し、凝集物の形成を抑制しつつ800°C以上1500°C以下に加熱することにより、作製することができる。ここで、第2無機絶縁粒子19bは、第1無機絶縁粒子19aと比較して、凝集体の形成を低減しつつ、高温の加熱で作製することが容易であるため、第2無機絶縁粒子19bを高温の加熱で作製することによって、第2無機絶縁粒子19bの硬度を第1無機絶縁粒子19aよりも容易に高めることができる。なお、第2無機絶縁粒子19bを作製する際の加熱時間は、1秒以上180秒以下に設定されていることが望ましい。その結果、該加熱時間を短縮することにより、800°C以上1500°C以下に加熱した場合においても、第2無機絶縁粒子19bの結晶化を抑制し、アモルファス状態を維持することができる。溶剤としては、例えばメタノール、イソプロパノール、nブタノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノプロピルエーテル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、又はジメチルアセトアミド等の有機溶剤を含むものを使用することができる。なかでも、メタノール、イソプロパノール又はプロピレングリコールモノメチルエーテルを含むものを使用することが望ましい。その結果、第1無機絶縁ゾルを均一に塗布することができ、且つ、溶剤を効率良く蒸発させることができる。第1無機絶縁ゾルの塗布は、例えば、ディスペンサー、バーコーター、ダイコーター又はスクリーン印刷を用いて行うことができる。銅箔15xの一主面に塗布された第1無機絶縁ゾルは、平板状に形成されており、乾燥後の厚みが例えば3μm以上110μm以下に設定されている。第1無機絶縁ゾルの乾燥は、例えば加熱及び風乾により行われ、温度が20°C以上溶剤の沸点未満に設定され、乾燥時間が20秒以上30分以下に設定されていることが望ましい。その結果、溶剤の沸騰を低減することにより、第1無機絶縁粒子19a及び第2無機絶縁粒子19bの充填密度を高め、無機絶縁層17の平坦性を高めることができる。第1無機絶縁ゾルの加熱は、温度が溶剤の沸点以上第1無機絶縁粒子19a及び第2無機絶縁粒子19bの結晶化開始温度以下に設定されていることが望ましい。その結果、該加熱温度が溶剤の沸点以上であることにより、残存した溶剤を効率良く蒸発させることができる。また、該加熱温度が、第1無機絶縁粒子19a及び第2無機絶縁粒子19bの結晶化開始温度未満であることにより、第1無機絶縁粒子19a及び第2無機絶縁粒子19bの結晶化を低減し、アモルファス状態の割合を高めることができる。その結果、無機絶縁層17にて、結晶化に伴う相転移によって生じるクラックを低減できる。特に、第1無機絶縁粒子19a及び第2無機絶縁粒子19bの無機絶縁材料として酸化ケイ素を使用した場合、第1無機絶縁粒子19aの結晶化を効果的に低減することができる。なお、結晶化開始温度は、非晶質の無機絶縁材料が結晶化を開始する温度、すなわち、結晶相領域の体積が増加する温度である。また、例えば酸化ケイ素の結晶化開始温度は1300°C程度である。なお、第1無機絶縁ゾルの加熱は、温度が100度以上600度未満に設定され、時間が例えば0.5時間以上24時間以下に設定されていることが望ましい。また、第1無機絶縁ゾルの加熱は、例えば大気雰囲気中で行うことができる。また、温度を150°C以上に上げる場合、銅箔15xの酸化を抑制するため、第1無機絶縁ゾルの加熱は、真空、アルゴン等の不活性雰囲気又は窒素雰囲気にて行われることが望ましい。一方、第1無機絶縁ゾルの加熱前における第1無機絶縁粒子19aの粒径は、110nm以下、特に50nm以下に設定されていることが望ましい。その結果、第1無機絶縁ゾルの加熱温度が、第1無機絶縁粒子19aの結晶化開始温度未満及び第1樹脂接着層12aの熱分解温度未満と低温であっても、第1無機絶縁粒子19a同士を強固に結合させることができる。これは、第1無機絶縁粒子19aの粒径が110nm以下と超微小に設定されているため、第1無機絶縁粒子19aの原子、特に表面の原子が活発に運動するため、かかる低温でも第1無機絶縁粒子19a同士が強固に結合すると推測される。また、かかる第1無機絶縁粒子19aの粒径は、より小さく設定することによって、より低温にて第1無機絶縁粒子19a同士を強固に結合させることができる。第1無機絶縁粒子19a同士を強固に結合させることができる温度は、例えば、かかる粒径を110nm以下に設定した場合は250°C程度であり、かかる粒径を50nm以下に設定した場合は150°C程度である。また、第1無機絶縁ゾルの固形分は、第1無機絶縁粒子19aを5体積以上含むことが望ましい。その結果、第2無機絶縁粒子19b同士の近接点に介在される第1無機絶縁粒子19aの量を確保し、第2無機絶縁粒子19b同士が接触する領域を低減することで、無機絶縁層17の剛性を高めることができる。以上のようにして、図3aに示す絶縁シート20を作製することができる。4図3b及びcに示すように、基体14と、該基体の両主面に配された銅箔15xと、を有する積層板21を作製する。具体的には、例えば以下のように行う。まず、未硬化の熱硬化性樹脂を含む第1樹脂層前駆体シート18axを準備する。次に、第1樹脂層前駆体シート18axの両主面それぞれに無機絶縁層17第1及び第2無機絶縁層17a、17bが当接するように、第1樹脂層前駆体シート18axの上下それぞれに絶縁シート20を積層する。次に、該積層体を上下方向に加熱加圧することにより、第1樹脂層前駆体シート18axの熱硬化性樹脂を熱硬化させて、第1樹脂層18aを形成する。その結果、両主面に銅箔15xが配された基体14を形成することができる。ここで、第1樹脂層18aの形成時に、第1樹脂層前駆体シート18axの熱硬化性樹脂を熱硬化させるため、該第1樹脂層18aと第1及び第2無機絶縁層17a、17bは、加熱されて熱膨張している。それ故、第1樹脂層18aと第1及び第2無機絶縁層17a、17bを例えば室温等に冷却した際に、第1樹脂層18aの平面方向への熱膨張率が第1及び第2無機絶縁層17a、17bよりも大きいことから、第1樹脂層18aが第1及び第2無機絶縁層17a、17bよりも大きく収縮するために、第1及び第2無機絶縁層17a、17bには、平面方向における圧縮応力が残留する。したがって、例えば、第1及び第2無機絶縁層17a、17bに外部応力や熱応力が印加された場合に、第1及び第2無機絶縁層17a、17bに残留した圧縮応力によって、第1及び第2無機絶縁層17a、17bのクラックを低減することができる。該積層体の加熱加圧は、温度が第1樹脂層前駆体シート18axの硬化開始温度以上熱分解温度未満に設定されていることが望ましい。具体的には、該積層体の加熱加圧は、温度が例えば170°C以上230°C以下に設定され、圧力が例えば2MPa以上10MPa以下に設定され、時間が例えば0.5時間以上2時間以下に設定されている。なお、硬化開始温度は、樹脂が、ISO472:1999に準ずるC‐ステージの状態となる温度である。また、熱分解温度は、ISO11358:1997に準ずる熱重量測定において、樹脂の質量が5減少する温度である。なお、該積層体の加熱加圧の際に、第1樹脂層前駆体シート18axが軟化流動するため、例えば平坦な金属板で加熱加圧することにより、平坦性に優れた基体14を形成することができる。以上のようにして、図3cに示す積層板21を作製することができる。5図4に示すように、基体14に厚み方向に貫通する貫通導体16を形成し、基体14の両主面に第1導電層15a及び第2導電層15bを形成することにより、インターポーザー4を作製する。具体的には、例えば以下のように行う。まず、図4aに示すように塩化第二鉄あるいは塩化第二銅などのエッチング液を用いて、積層板21の基体14から、該基体14の第2無機絶縁層17b側の主面に配された銅箔15xを剥離する。次に、図4bに示すように該剥離をした主面に向って、炭酸ガスレーザー又はYAGレーザー等のレーザー光を照射することにより、基体14を厚み方向に貫通する貫通孔Pを形成し、基体14の第2無機絶縁層17b側の主面に配された銅箔15xの一部を貫通孔P内に露出させる。次に、図4cに示すように、電気めっき法を用いて、該銅箔15xの露出面に導電材料を被着させて、該導電材料を貫通孔P内に充填することにより、貫通導体16を形成する。次に、図4dに示すように、銅箔15xを剥離した主面に、無電解めっき法、電気めっき法、スパッタ法又は蒸着法等を用いて導電材料を被着させた後、フォトリソグラフィー技術、エッチング等を用いて、第1導電層15a及び第2導電層15bを形成する。以上のようにして、図4dに示すインターポーザー4を作製することができる。電子装置1の作製6第2バンプ5bを介して配線基板3にインターポーザー4を実装し、第1バンプ5aを介してインターポーザー4に電子部品2を実装することにより、図1aに示した電子装置1を作製することができる。なお、上述した第1実施形態は、配線基板として樹脂製のビルドアップ基板を用いた構成を例に説明したが、配線基板は、例えばセラミック製の基板や樹脂とセラミックスの複合基板でも構わないし、樹脂製のコアレス基板や単層のプリント板でも構わない。また、上述した第1実施形態は、配線基板のビルドアップ部の絶縁層が1層である構成を例に説明したが、ビルドアップ部の絶縁層を何層形成されていても構わない。また、上述した第1実施形態は、インターポーザーの無機絶縁層が酸化ケイ素を主成分とする無機絶縁材料からなる構成を例に説明したが、無機絶縁材料はその他のものを用いてもよく、例えば、酸化アルミニウム等のセラミック材料を用いても構わないし、表面が酸化したシリコンを用いても構わない。また、上述した第1実施形態は、インターポーザーの貫通導体が貫通孔に充填された構成を例に説明したが、貫通導体は貫通孔に配されていればよく、例えば貫通孔の内壁に被着されて円筒状に形成されていても構わない。また、上述した第1実施形態は、インターポーザーの第1樹脂層が熱硬化性樹脂である場合の製造方法を例に説明したが、第1樹脂層は例えば熱可塑性樹脂でも構わない。また、上述した第1実施形態は、5の工程にて、電気めっき法を用いて、貫通孔内に露出した銅箔に導電材料を被着させて、貫通孔内に導電材料を充填する製造方法を例に説明したが、例えば、無電解めっき法、スパッタ法又は蒸着法等を用いて、導電材料を貫通孔内壁に被着させて下地層を形成した後、電気めっき法を用いて、該下地層に導電材料を被着させて貫通孔内に導電材料を充填しても構わない。また、上述した第1実施形態は、5の工程にて、積層板の基体から銅箔を剥離した製造方法を例に説明したが、積層板の基体から銅箔を剥離せずに、該銅箔をエッチングして導電層を形成しても構わない。第2実施形態次に、本発明の第2実施形態に係るインターポーザーを含む電子装置を、図5に基づいて詳細に説明する。なお、上述した第1実施形態と同様の構成に関しては、記載を省略する。第2実施形態は第1実施形態と異なり、インターポーザー4は、配線基板と電子部品との間に介在されておらず、厚み方向に互いに離間した電子部品2同士の間に介在されており、電子部品2とインターポーザー4とが厚み方向に沿って交互に積層されることにより、電子装置1を構成している。それ故、電子部品2の3次元実装を可能とすることにより、電子装置1を小型化することともに信号伝送特性を高めることができる。この電子装置1は,最下層に位置するインターポーザー4の第2導電層15b下面に接続された第3バンプ5cを介してマザーボード等の外部回路に電気的に接続される。また、この電子装置1において、厚み方向に交互に積層された電子部品2及びインターポーザー4は、以下のようにして、互いに電気的に接続されている。ここで、便宜上、厚み方向に隣接するインターポーザー4の内、上方に配されたものを第1インターポーザー4aとし、下方に配されたものを第2インターポーザー4bとする。また、電子部品2の内、第1インターポーザー4a上に実装されたものを第1電子部品2aとし、第2インターポーザー4b上に実装されたものを第2電子部品2bとする。まず、第1インターポーザー4aは、第1実施形態と同様に、貫通導体16上端に接続された第1導電層15aが、第1バンプ5aを介して第1電子部品2aに電気的に接続されている。一方、第1インターポーザー4aは、第1実施形態と異なり、貫通導体16下端に接続された第2導電層15bが、貫通導体16直下領域から第1電子部品2a搭載領域外に引き回され、該第1電子部品2a搭載領域外において、第4バンプ5dを介して第2インターポーザー4bの第3導電層15cと電気的に接続されている。そして、第2インターポーザー4bは、第3導電層15cが、第2電子部品2b搭載領域外から第2電子部品2b搭載領域内へ引き回され、第2電子部品2b搭載領域内において、第5バンプ5eを介して第2電子部品2bに電気的に接続されている。さらに、第2インターポーザー4bは、貫通導体16上端に接続された第1導電層15aが、その上面に接続された第1バンプ5aを介して第2電子部品2bに電気的に接続されている。以上のようにして、厚み方向に交互に積層された電子部品2及びインターポーザー4は、互いに電気的に接続されている。上述した電子装置1においては、第2導電層15bが、貫通導体16直下領域から第1電子部品2a搭載領域外に引き回されているため、電子装置1に熱が印加された場合、貫通導体16の突出により、第2導電層15bに引っ張り応力が印加されやすいが、本実施形態のインターポーザー4は、第1実施形態と同様に、基体14は、厚み方向における熱膨張率が平面方向における熱膨張率よりも大きいため、貫通導体16の突出を低減して、第2導電層15bへの引っ張り応力を低減することができ、ひいては第2導電層15bの断線を低減することができる。なお、第4バンプd及び第5バンプ5eは、他のバンプと同様の導電材料により形成されたものを使用することができ、第3導電層15cは、他の導電層と同様の導電材料により形成されたものを使用することができる。一方、第2実施形態は第1実施形態と異なり、電子部品2は、メモリ系の半導体素子であることが望ましい。メモリ系の半導体素子は、ロジック系の半導体素子と比較して、パッド数が少なく回路の微細化が緩和されているため、電気的接続信頼性を維持しつつ3次元実装することができる。一方、第2実施形態は第1実施形態と異なり、インターポーザー4の基体14は、最外層に配され、第1無機絶縁層17aに当接された第2樹脂層18bと、最外層に配され、第2無機絶縁層17bに当接された第3樹脂層18cと、をさらに含んでいる。それ故、第1無機絶縁層17aと第1導電層15aとの間に第2樹脂層18bを介在させることにより、第1無機絶縁層17aと第1導電層15aとの接着強度を高め、第1無機絶縁層17aと第1導電層15aとの剥離を低減して第1導電層15aの断線を低減することができ、ひいては第1導電層15aの電気的信頼性を維持しつつ微細化することができる。この第2樹脂層18bは、厚み及びヤング率が第1樹脂層18aよりも小さく設定されていることが望ましい。その結果、厚みが小さく且つヤング率が低い第2樹脂層18bを第1無機絶縁層17aと第1導電層15aとの間に介在させたことから、薄く弾性変形しやすい第1樹脂層18aが変形することにより、第1無機絶縁層17aと第1導電層15aとの熱膨張量の違いに起因した応力が緩和される。したがって、第1無機絶縁層17aと第1導電層15aとの剥離を低減することができる。また、第2樹脂層18aの厚みを小さくすることにより、基体14の主面における平面方向への熱膨張率において、第2樹脂層18aの寄与を小さくし、基体14の主面における平面方向への熱膨張率を低減することができる。なお、第2樹脂層18bは、厚み及びヤング率が第1無機絶縁層17a及び第1導電層15aよりも小さく設定されていることが望ましい。また、第2樹脂層18bは、樹脂材料及び無機絶縁フィラーを含んでおり、厚みが例えば0.5μm以上3μm以下に設定され、厚みが第1樹脂層18aの例えば0.01倍以上0.1倍未満に設定され、厚みが第1無機絶縁層17aの例えば0.01倍以上0.3倍以下に設定され、平面方向及び厚み方向への熱膨張率が20ppm/°C以上100ppm/°C以下に設定され、ヤング率が例えば0.05GPa以上5GPa以下に設定され、ヤング率が第1樹脂層18aの例えば0.01倍以上0.7倍以下に設定され、ヤング率が第1無機絶縁層17aの例えば0.005倍以上0.5倍以下に設定され、ヤング率が第1導電層15aの例えば0.0005倍以上0.03倍以下に設定され、誘電正接が例えば0.001以上0.02以下に設定されている。第2樹脂層18bに含まれる樹脂材料は、第2樹脂層18bの主要部をなすものであり、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリイミド樹脂、等の樹脂材料を使用することができる。該樹脂材料は、ヤング率が例えば0.05GPa以上5GPa以下に設定され、平面方向及び厚み方向への熱膨張率が例えば20ppm/°C以上100ppm/°C以下に設定されている。第2樹脂層18bに含まれる無機絶縁フィラーは、第2樹脂層18bの難燃性を高める機能を有し、例えば酸化ケイ素等の無機絶縁材料を含んでいる。この第2樹脂層18bに含まれる無機絶縁フィラーは、粒径が例えば0.01μm以上0.5μm以下に設定されており、粒径が第1樹脂層18aに含まれる無機絶縁フィラーの0.01倍以上0.3倍以下に設定されており、樹脂材料内における含有量が例えば0体積以上10体積以下に設定されており、樹脂材料内における含有量が第1樹脂層18aに含まれる無機絶縁フィラーの0001倍以上0.1倍以下に設定されている。この第2樹脂層18bを有する基体14は、以下のようにして形成することができる。まず、図6aに示すように、第2樹脂層18bが主面に当接した銅箔15xを準備し、第2樹脂層18b上に無機絶縁層17を形成することにより、絶縁シート20を作製する。次に、図6b及びcに示すように、第1樹脂層前駆体シート18axの両主面それぞれに無機絶縁層17が当接するように、第1樹脂層前駆体シート18axの上下それぞれに絶縁シート20を積層し、該積層体を上下方向に加熱加圧することにより、第2樹脂層18bを有する基体14を形成することができる。ここで、第2樹脂層18bが主面に当接した銅箔15xは、銅箔15xにバーコーター、ダイコーター、カーテンコーターなどを用いて樹脂ワニスを塗布し、乾燥することにより形成することができる。このように、銅箔15x上に第2樹脂層18bを形成しているため、第2樹脂層18bの厚みを薄く均一に形成することができる。なお、本工程にて形成された第2樹脂層18bは、例えばBステージ又はCステージであり、加熱により所望の硬化状態とされている。また、第2樹脂層18b上への無機絶縁層17の形成は、上述した第1実施形態の3の工程と同様に行うことができる。その結果、粒径の小さい第1無機絶縁粒子を結合させることによって無機絶縁層17を形成するため、無機絶縁層17を形成する際の加熱温度を第2樹脂層18bの熱分解温度未満と低温にすることができ、ひいては第2樹脂層18bの損傷を抑制することができる。この場合、無機絶縁層17を形成する際の加熱温度は、例えば80°C以上250°C以下に設定されている。なお、第2樹脂層18bの熱分解温度は、例えば270°C以上に設定されている。なお、第3樹脂層18cは、上述した第2樹脂層18bと同様の構成及び作用効果を有し、第2樹脂層18bと同様の方法により形成される。一方、第2実施形態は第1実施形態と異なり、インターポーザー4は、第1樹脂層18aが、樹脂材料に被覆された繊維からなる基材22を含んでいる。その結果、厚み方向に離間した電子部品2の間に介在されており応力の印加されやすい基体14の剛性を高めることにより、電子装置1の信頼性を高めることができる。また、基材22は、平面方向における熱膨張率が厚み方向における熱膨張率よりも小さく設定されていることが望ましい。その結果、基材14において、両主面における平面方向への熱膨張率を、貫通孔P内壁における厚み方向への熱膨張率よりもさらに小さく設定することができる。この基材22は、例えば繊維を縦横に織り込んで成る織布を用いることができ、繊維としては、ガラス繊維、樹脂繊維、炭素繊維又は金属繊維等を使用することができ、なかでも、アモルファス状態の酸化ケイ素を含有するガラス繊維を用いることが望ましい。また、基材22は、厚みが例えば0.01mm以上0.1mm未満に設定され、平面方向への熱膨張率が例えば8ppm/°C以上20ppm/°C以下に設定され、厚み方向への熱膨張率が例えば12ppm/°C以上25ppm/°C以下に設定され、ヤング率が例えば5GPa以上35GPa以下に設定されている。また、基材22を含む第1樹脂層18aの厚みは、第1無機絶縁層17a及び第2無機絶縁層17bの厚みの合計値よりも小さく設定されていることが望ましい。また、かかる厚みの観点から、第1樹脂層18aは、基材22を1層のみ有することが望ましい。この基材22を含む第1樹脂層18aは、厚みが例えば0.01mm以上0.1mm未満に設定され、厚みが第1無機絶縁層17aの例えば0.1倍以上1倍未満に設定されている。なお、上述した第2実施形態は、基材として織布を用いた構成を例に説明したが、基材は、例えば、不織布を用いても構わないし、繊維を一方向に配列したものを用いても構わない。第3実施形態次に、本発明の第3実施形態に係るインターポーザーを含む電子装置を、図7に基づいて詳細に説明する。なお、上述した第1及び第2実施形態と同様の構成に関しては、記載を省略する。第3実施形態は、第2実施形態と同様に、電子部品2とインターポーザー4とが厚み方向に沿って交互に積層されることにより、電子装置1を構成しているが、交互に積層された電子部品2とインターポーザー4との電気的接続態様が第2実施形態と異なる。以下に、交互に積層された電子部品2とインターポーザー4との電気的接続態様を具体的に説明する。第1インターポーザー4aは、第2実施形態と同様に、貫通導体16上端に接続された第1導電層15aが、第1バンプ5aを介して第1電子部品2aに電気的に接続されている。ここで、本実施形態の電子装置1は、第2実施形態と異なり、電子部品2は、厚み方向に貫通する導電性の貫通電極23を有している。これにより、第1インターポーザー4aは、貫通導体16下端に接続された第2導電層15bが、第1バンプ5aを介して第2電子部品2bの貫通電極23上端と電気的に接続されている。そして、第2インターポーザー4bは、貫通導体16上端に接続された第1導電層15aが、第1バンプ5aを介して第2電子部品2bの貫通電極23下端に電気的に接続されている。以上のようにして、厚み方向に交互に積層された電子部品2及びインターポーザー4は、互いに電気的に接続することにより、インターポーザー4は、第2導電層15bを電子部品2搭載領域内から電子部品2搭載領域外へ引きまわす必要が無く、インターポーザー4を小型化するとともに、配線長を短くすることにより信号伝送特性を高めることができる。上述した貫通電極23は、電子部品2を厚み方向に貫通する貫通孔に導電材料が充填されてなり、該導電材料としては、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル等を使用することができる。第4実施形態次に、本発明の第4実施形態に係るインターポーザーを含む電子装置を、図8及び図9に基づいて詳細に説明する。なお、上述した第1、第2及び第3実施形態と同様の構成に関しては、記載を省略する。第4実施形態は、図8に示すように、第3実施形態と同様の実装構造を有するが、図9aおよびbに示すように、第3実施形態と異なり、基材22が、複数の繊維24と、隣接する該繊維24同士の近接箇所にて、該隣接する繊維24それぞれに接続した無機絶縁部材25と、無機絶縁部材25を介して繊維24に接続した複数の粉砕粒子26と、繊維24及び無機絶縁部材25に取り囲まれた複数の空隙Vとを含んでいる。この基材22は、厚みが例えば5μm以上100μm以下に設定されている。また、基材22は、厚みが第1樹脂層18aの例えば10以上50以下に設定されている。繊維24は、Eガラス、SガラスまたはTガラス等のガラス長繊維を粉砕してなる微細な短繊維ミルドファイバーを用いることができ、アモルファス状態の酸化ケイ素を例えば40重量以上65重量含む無機絶縁材料により構成されている。該無機絶縁材料は酸化ケイ素の他に、例えば酸化アルミニウム、酸化チタニウム、酸化マグネシウムまたは酸化ジルコニウム等の無機絶縁材料を含んでも構わない。この繊維24は、幅が例えば4μm以上10μm以下に設定され、且つ、長さが例えば8μm以上500μm以下に設定されている。さらに、繊維24は、長さが幅の例えば2倍以上50倍以下に設定されている。また、繊維24は、各方向への熱膨張率が例えば2ppm/°C以上6ppm/°C以下に設定され、且つ、ヤング率が例えば65GPa以上85GPa以下に設定されている。この繊維24の内、隣接する繊維24同士は、一方の繊維24の端部特に端面と側面との間の角部と他方の繊維24の側面とが近接することによって、近接箇所をなしている。無機絶縁部材25は、第1及び第2無機絶縁層17a、17bと同様の材料からなり、第1及び第2無機絶縁層17a、17bと同様の弾性率、硬度及び熱膨張率を有する。また、無機絶縁部材25は、複数の第3無機絶縁粒子19cと該第3無機絶縁粒子19cよりも粒径が大きい複数の第4無機絶縁粒子19dとを含んでいる。この第3無機絶縁粒子19cは、第1無機絶縁粒子19aと同様の材料からなり、第1無機絶縁粒子19aと同様の含有量、粒径、弾性率、硬度及び作用効果を有する。また、第4無機絶縁粒子19dは、第2無機絶縁粒子19bと同様の材料からなり、第2無機絶縁粒子19bと同様の含有量、粒径、弾性率、硬度及び作用効果を有する。粉砕粒子26は、無機絶縁部材25を介して繊維24に接続しており、空隙Vに配されている。それ故、無機絶縁部材25よりも剛性の高い粉砕粒子14を繊維24同士の間に配することによって、基材22の剛性を高めることができる。このような粉砕粒子26は、Eガラス、SガラスまたはTガラス等のガラス長繊維を粉砕してなる微細で不定形な粒子パウダーを用いることができる。この粉砕粒子26は、幅が例えば1μm以上4μm以下に設定され、且つ、長さが例えば1μm以上4μm以下に設定されている。さらに、粉砕粒子26は、長さが幅の例えば1倍以上1.5倍以下に設定されている。なお、粉砕粒子26は、繊維24と同様の材料からなり、繊維24と同様のヤング率及び熱膨張率を有する。空隙Vは、基材22の厚み方向に沿った切断した断面において、繊維24及び無機絶縁部材25に取り囲まれており、第1樹脂層18aの一部が充填されている充填部27。この空隙Vは、前記断面における基材22の厚み方向の高さが例えば0.3μm以上10μm以下に設定され、前記断面における基材22の平面方向の幅が例えば0.3μm以上50μm以下に設定されている。また、空隙Vは、基材22における含有量が例えば5体積以上40体積以下に設定されている。なお、空隙Vの含有量は、第1無機絶縁粒子19aないし第4無機絶縁粒子19dと同様の方法で測定される。上述したように、空隙Vは、厚み方向に沿った切断した断面においては、繊維24及び無機絶縁部材25に取り囲まれているが、3次元形状においては、一部が断面に対する直交方向Y方向に沿って伸長するとともに、他の一部が基材22の厚み方向Z方向に沿って伸長することによって、基材22の第1樹脂層18aに接する一主面に形成された開口Oに接続されて開気孔となっている。それ故、第1樹脂層18aの一部は、開口Oを介して空隙Vに充填されている。なお、充填部27は、空隙Vに完全に充填されている必要はなく、空隙Vに第1樹脂層18aの一部が配置されていれば良い。以下、第4実施形態における基材22について詳細に説明する。本実施形態において、基材22は、図9a及びbに示すように、複数の繊維24と、隣接する該繊維24同士の近接箇所にて、該隣接する繊維24それぞれに接続した無機絶縁部材25と、を含んでいる。その結果、繊維24同士を無機絶縁部材25によって接続させていることから、ガラス繊維を織り込んでなるため凹凸が生じやすいガラスクロスと比較して、基材22を平坦に形成することができるため、第1及び第2導電層15a、15bに印加される応力をより均一に分散させて第1及び第2導電層15a、15bの断線を低減することができ、ひいては電気的信頼性に優れたインターポーザー4を得ることができる。また、このように第1及び第2導電層15a、15bの断線を低減することによって、第1及び第2導電層15a、15bの電気的信頼性を担保しつつ微細化することができる。また、基材22は、繊維24同士を無機絶縁部材25によって接続させていることから、薄型化した場合に繊維同士がずれやすいガラスクロスと比較して、繊維24同士のずれを低減してクラックを低減することができるため、電気的信頼性を担保しつつ基材22を薄型化することができる。さらに、繊維24同士が無機絶縁部材25を介して接続されて一体化されているため、接続されていない複数の繊維を樹脂材料に含有させた場合と比較して、応力や熱が印加された際に、樹脂材料よりも高剛性且つ低熱膨張の無機絶縁部材25が個々の繊維24を拘束することにより、基材22の変形や熱膨張を低減し、高剛性且つ低熱膨張の基材22を得ることができる。一方、本実施形態において、繊維24は、無機絶縁部材25よりも高剛性且つ低熱膨張である。その結果、接続部材である無機絶縁部材25と比較して、高剛性且つ低熱膨張にしやすい繊維24によって、基材22をより高剛性且つ低熱膨張にすることができる。また、繊維24は、上述した如く微細に形成されているため、基材22をより平坦にすることができる。また、本実施形態のように、基材22において、複数の繊維24のうち、第1繊維24aの数は、第2繊維24bの数よりも多いことが望ましい。その結果、繊維24の長手方向を基材22の表面方向に近づけることによって、第1樹脂層18aの表面に生じたクラックが厚み方向に沿って伸長して基材22に到達した場合に、高剛性の繊維24によってクラックの伸長を低減することができ、該クラックに起因した第1及び第2導電層15a、15bの断線を低減することができる。なお、繊維24は、第1繊維24aのみを含むことが望ましい。一方、本実施形態において、無機絶縁部材25は、繊維24の表面を被覆している被覆部28と、近接箇所にて隣接する繊維24それぞれに接続している接続部29とを具備する。その結果、後述する如く低温で形成されていることから樹脂材料との反応性が繊維24よりも高い第3無機絶縁粒子19cを含む被覆部28が繊維24と充填部27との間に介されているため、繊維24と充填部27との接続強度を高めることができるとともに、接続部29によって繊維24同士を接続することができる。この被覆部28は、膜状に形成されており、厚みが例えば20nm以上2μm以下に設定されている。また、接続部29の空隙V側の表面は、配線基板3を厚み方向に切断した断面にて、空隙V側から接続部29の内部へ窪んでなる凹曲線状であり、接続部29によって接続される繊維24同士の距離は例えば20nm以上2μm以下に設定されている。一方、本実施形態の配線基板3においては、無機絶縁部材25は、第3無機絶縁粒子19cよりも粒径の大きい第4無機絶縁粒子19dを含む。従って、第1及び第2無機絶縁層17a、17bにおける第2無機絶縁粒子19bと同様に、無機絶縁部材25におけるクラックを低減することができる。また、無機絶縁部材25は、粒径の大きな第4無機絶縁粒子19dのみならず粒径の小さい第3無機絶縁粒子19cを含み、第4無機絶縁粒子19d同士は、該第4無機絶縁粒子19dの周囲に配置された複数の第3無機絶縁粒子19cを介して接合している。それ故、第2無機絶縁粒子19bに対する第1無機絶縁粒子19aと同様に、第3無機絶縁粒子19cによって、第4無機絶縁粒子19d同士の剥離を低減することができる。一方、無機絶縁部材25において、接続部29は、被覆部28よりも第4無機絶縁粒子19dを多く含む。その結果、被覆部28にて第4無機絶縁粒子19dを少なくすることによって、被覆部28における第3無機絶縁粒子19cを多くして、被覆部28と充填部27との接続強度を高めるとともに、接続部29にて第4無機絶縁粒子19dを多くすることによって、接続部29におけるクラックを低減することができ、該接続部29による繊維24同士の接続強度を高めることができる。また、本実施形態のように、被覆部28の第4無機絶縁粒子19dは、第3無機絶縁粒子19cを介して繊維24に接続しているとともに充填部27に向かって突出している。その結果、粒径の大きい第4無機絶縁粒子19dのアンカー効果によって、被覆部28と充填部27との接続強度を高めて剥離を低減することができる。この第4無機絶縁粒子19dが突出した長さは、例えば0.2μm以上1.5μm以下に設定されている。一方、本実施形態においては、充填部27は、基材22の厚み方向に沿った切断した断面において、繊維24及び無機絶縁部材25に取り囲まれた空隙Vに配されている。その結果、配線基板3に応力が印加され、基材22にクラックが生じたとしても、該クラックの伸長を充填部27によって阻止したり、迂回させたりすることができる。従って、該クラックに起因した第1及び第2導電層15a、15bの断線を低減することができ、電気的信頼性に優れた配線基板3を得ることができる。また、充填部27は、無機絶縁材料と比較してヤング率の低い樹脂材料を基材22よりも多く含むことから、配線基板3に応力が印加された場合、基材22の空隙に配された充填部27により基材22に印加される応力を緩和することができ、該応力に起因した基材22におけるクラックの発生を低減することができる。上述した第4実施形態の基材22は、以下のようにして形成することができる。1 ́繊維成分繊維24および粉砕粒子26および無機絶縁粒子成分第3および第4無機絶縁粒子19c、19dを含む固形分と、溶剤と、を有する第2無機絶縁ゾルを準備する。第2無機絶縁ゾルは、例えば、固形分を10体積以上50体積以下含み、溶剤を50体積以上90体積以下含む。これにより、第2無機絶縁ゾルの粘度を低く保持しつつ、第2無機絶縁ゾルより形成される基材22の生産性を高く維持できる。第2無機絶縁ゾルの固形分は、例えば、繊維成分を15体積以上60体積以下含み、無機絶縁粒子成分を40体積以上85体積以下含む。これにより、基材22のクラックを低減することができる。さらに、第2無機絶縁ゾルの繊維成分は、例えば、繊維24を20体積以上90体積以下含み、粉砕粒子26を10体積以上80体積以下含む。これにより、基材22の硬度と弾性率を高くすることができる。また、第2無機絶縁ゾルの無機絶縁粒子成分は、例えば、第3無機絶縁粒子19cを20体積以上90体積以下含み、第4無機絶縁粒子19dを10体積以上80体積以下含む。これにより、後述する3 ́の工程にて基材22におけるクラックの発生を効果的に低減できる。ここで、繊維成分は、例えば白金製の金型の孔から溶解したガラスを流して引き伸ばして作製したガラス長繊維をハンマーミルまたはボールミル等で粉砕することによって、作製することができる。これにより、硬度および弾性率の高い繊維24を得ることができる。なお、粉砕時間を調節すること、または、ガラス長繊維を粉砕した後に空気を用いて分級することによって、繊維成分における繊維24および粉砕粒子26の比率を調節することができる。なお、第3無機絶縁粒子19cは、第1無機絶縁粒子19aと同様に形成することができ、第4無機絶縁粒子19dは、第2無機絶縁粒子19bと同様に形成することができる。また、第2無機絶縁ゾルの溶剤は、第1無機絶縁ゾルの溶剤と同様のものを用いることができる。2 ́次に、金属箔または樹脂フィルム等の支持部材の一主面に第2無機絶縁ゾルを塗布して第2無機絶縁ゾルを層状に形成する。なお、第2無機絶縁ゾルの塗布は、第1無機絶縁ゾルの塗布と同様に行うことができる。3 ́続いて、第2無機絶縁ゾルを乾燥させて溶剤を蒸発させる。ここで、溶剤の蒸発に伴って第2無機絶縁ゾルが収縮するが、かかる溶剤は第2無機絶縁ゾルの固形分の間隙に含まれており、該固形分自体には含まれていない。このため、第2無機絶縁ゾルが無機絶縁粒子成分よりも体積の大きい繊維成分を含んでいると、その分、溶剤が充填される領域が少なくなり、第2無機絶縁ゾルの溶剤の蒸発時、第2無機絶縁ゾルの収縮量が小さくなる。すなわち、繊維成分によって第2無機絶縁ゾルの収縮が規制されることとなる。その結果、第2無機絶縁ゾルの収縮に起因するクラックの発生を低減することができる。また、仮にクラックが生じても、体積の大きい繊維成分、なかでも細長形状である繊維24によって該クラックの伸長を妨げることができる。さらに、第2無機絶縁ゾルの固形分は、繊維成分を25体積以上含ませると、繊維成分同士が互いに接近し、この繊維成分に取り囲まれた領域が数多く形成される。この状態で繊維成分間の間隙に充填された溶剤を蒸発させると、該間隙内で無機絶縁粒子成分の収縮が起きて、無機絶縁粒子成分が繊維成分を被覆しつつ、空隙Vが形成される。その結果、繊維成分および無機絶縁粒子成分に取り囲まれた空隙Vを形成することができる。また、繊維成分を25体積以上含ませると、繊維成分同士が近接しやすい。一方、溶剤は繊維成分同士の対向領域に残留しやすく、該残留した溶剤中には多くの無機絶縁粒子成分が含まれている。そして、残留した溶剤を蒸発させると、溶剤の蒸発に伴って溶剤中に含まれていた無機絶縁粒子成分が繊維成分の対向領域で凝集する。その結果、繊維成分同士の間に無機絶縁粒子成分を介在させることができる。無機絶縁粒子成分を良好に繊維成分同士の間に介在させるには、第2無機絶縁ゾルの固形分は、無機絶縁粒子成分を20体積以上含むことが望ましい。また、このように、繊維成分同士が近接する間隙に無機絶縁粒子成分を残存させつつ空隙Vを形成することによって、開口Oを有する開気孔の空隙Vを形成することができる。その結果、開口Oを介して第1樹脂層18の一部を空隙Vに容易に充填することができる。ここで、溶剤の蒸発に伴って溶剤中に含まれていた無機絶縁粒子成分が繊維成分の対向領域で凝集する際に、繊維成分を被覆する領域に無機絶縁粒子成分が少量残存するため、粒径の大きい第4無機絶縁粒子19dは、繊維成分を被覆する領域に残存しにくく、繊維成分の対向領域に多く凝集しやすい。また、繊維成分を被覆する領域に第4無機絶縁粒子19dが残存すると、溶剤が蒸発して第2無機絶縁ゾルが収縮する際に、粒径の大きい第4無機絶縁粒子19dが空隙Vに向かって突出しやすい。さらに、繊維成分は、細長形状の繊維24と、粉砕されて粒子状となった粉砕粒子26と、を含んでいるため、細長形状の繊維24同士の空隙Vに弾性率および硬度の高い粉砕粒子26を配することによって、無機絶縁層の弾性率および硬度を高くすることができる。また、無機絶縁粒子成分は、粒径の大きい第4無機絶縁粒子19dと、粒径が小さい第3無機絶縁粒子19cと、を含んでいるため、繊維成分同士の間隙における第2無機絶縁ゾルの収縮は、第4無機絶縁粒子19dによっても規制されることとなり、繊維成分同士の間隙におけるクラックの発生が更に低減される。なお、第2無機絶縁ゾルの乾燥は、第1無機絶縁ゾルの乾燥と同様に行うことができる。4 ́残存した第2無機絶縁ゾルの固形分を加熱し、第3無機絶縁粒子19c同士を接続させるとともに第3無機絶縁粒子19cと繊維24、粉砕粒子26および第4無機絶縁粒子19dとを接続させて無機絶縁部材13を形成することによって、第2無機絶縁ゾルから基材22を形成することができる。ここで、第3無機絶縁粒子19cは、第1無機絶縁粒子19aと同様に、粒径が110nm以下に設定されているため、加熱温度が比較的低温であっても、第3無機絶縁粒子19c同士を強固に結合させるとともに、第3無機絶縁粒子19cと繊維24、粉砕粒子26および第4無機絶縁粒子19dとを強固に結合させることができる。なお、第2無機絶縁ゾルの加熱は、第1無機絶縁ゾルの加熱と同様に行うことができる。以上のようにして、第4実施形態の基材22を形成することができる。本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組み合わせ等が可能である。例えば、各実施形態のインターポーザーを置き換えても構わないし、各実施形態の第1樹脂層を置き換えても構わない。"