"光透過窓を有するケーシング内に、電子線源およびこの電子線源からの電子線によって光を放射する半導体発光素子が配置されてなり、前記半導体発光素子の一面に前記電子線源からの電子線が入射されることによって、当該半導体発光素子の当該一面から光が放射されて前記光透過窓から出射される電子線励起型光源装置において、前記光透過窓に、または前記光透過窓と前記半導体発光素子との間に、負の電位に維持される、光透過部を有する導電体よりなる電子線遮蔽電極が設けられていることを特徴とする電子線励起型光源装置。前記ケーシング内には、前記電子線源からの電子線の軌道を前記半導体発光素子の一面に向かって指向させる電界制御用電極が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の電子線励起型光源装置。前記電子線遮蔽電極は、前記電界制御用電極に電気的に接続されていることを特徴とする請求項2に記載の電子線励起型光源装置。前記電子線遮蔽電極は、ストライプ状または網状のものであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の電子線励起型光源装置。本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、光透過窓が帯電することがなく、電子線が半導体発光素子の一面に確実に入射されて高い発光効率が得られる電子線励起型光源装置を提供することにある。本発明の電子線励起型光源装置は、光透過窓を有するケーシング内に、電子線源およびこの電子線源からの電子線によって光を放射する半導体発光素子が配置されてなり、前記半導体発光素子の一面に前記電子線源からの電子線が入射されることによって、当該半導体発光素子の当該一面から光が放射されて前記光透過窓から出射される電子線励起型光源装置において、前記光透過窓に、または前記光透過窓と前記半導体発光素子との間に、負の電位に維持される、光透過部を有する電子線遮蔽電極が設けられていることを特徴とする。本発明の電子線励起型光源装置においては、前記ケーシング内には、前記電子線源からの電子線の軌道を前記半導体発光素子の一面に向かって指向させる電界制御用電極が設けられていることが好ましい。このような電子線励起型光源装置においては、前記電子線遮蔽電極は、前記電界制御用電極に電気的に接続されていることが好ましい。また、本発明の電子線励起型光源装置においては、前記電子線遮蔽電極はストライプ状または網状のものであることが好ましい。本発明の電子線励起型光源装置によれば、ケーシングにおける光透過窓の内面または光透過窓と半導体発光素子との間に、負の電位に維持された電子線遮蔽電極が設けられているため、光透過窓に向かって進む電子線が遮蔽されることにより、電子線が光透過窓に照射されることが防止される。そのため、光透過窓が正に帯電することがなく、これにより、ケーシング内の電界状態が安定に維持される結果、電子線源からの電子線は、その軌道が変化することがなくて半導体発光素子の一面に確実に入射されるので、高い発光効率が得られる。図1は、本発明の第1の実施の形態に係る電子線励起型光源装置における構成の概略を示す説明図であり、イは側面断面図、ロは、光透過窓を取り外した状態を示す平面図である。この電子線励起型光源装置は、内部が負圧の状態で密閉された外形が直方体状のケーシング10を有し、このケーシング10は、一面図1イにおいて上面に開口を有するケーシング基体11と、このケーシング基体11の開口に配置されて当該ケーシング基体11に気密に封着された光透過窓15とによって構成されている。ケーシング10内には、半導体発光素子20が、その表面図1イにおいて上面20aが光透過窓15に離間して対向するよう配置され、この半導体発光素子20の周辺領域、具体的には、半導体発光素子20の表面上の領域および裏面上の領域以外の当該半導体発光素子20に近接した領域には、支持基板31上に面状の電子線放出部32が形成されてなる電子線源30が、当該半導体発光素子20を取り囲むよう配置されている。具体的には、電子線源30は円環状の帯状体よりなり、当該電子線放出部32における電子線が放射される表面が半導体発光素子20の表面20aと同方向を向いた姿勢すなわちケーシング10の光透過窓15を向いた姿勢で、半導体発光素子20を取り囲むよう配置され、この状態で、支持部材37を介してケーシング10におけるケーシング基体11の底壁に固定されている。半導体発光素子20は、ケーシング10の内部から外部に引き出された導電線を介して、ケーシング10の外部に設けられた、加速電圧を印加するための電子加速用電源50の正極側に電気的に接続され、電子線源30は、ケーシング10の内部から外部に引き出された導電線を介して、電子加速用電源50の負極側に電気的に接続されている。また、半導体発光素子20は、その裏面20bに設けられた高熱伝導部材16を介して、ケーシング10におけるケーシング基体11の底壁に固定されている。ケーシング10内において、半導体発光素子20に対して電子線源30より外方の位置には、電子線源30から放射された電子線の軌道を半導体発光素子20における光が放射される表面20aに向かって指向させる電界制御用電極40が配置されている。具体的には、電界制御用電極40は、電子線源30の外径より大きい内径を有する胴部41と、この胴部41に連続して形成された、先端図1イにおいて上端に向かって小径となるテーパ部42とよりなる円筒体よりなり、電子線源30の外周を取り囲むよう配置されており、当該電界制御用電極40の基端が、ケーシング10におけるケーシング基体11の底壁に固定されている。電子線源30は、ケーシング10の内部から外部に引き出された導電線を介して、ケーシング10の外部に設けられた電界制御用電源52の正極側に電気的に接続され、電界制御用電極40は、ケーシング10の内部から外部に引き出された導電線を介して、電界制御用電源52の負極側に電気的に接続されている。ケーシング10における光透過窓15の内面には、光透過部を有する導電体よりなる電子線遮蔽電極45が設けられている。この例の電子線遮蔽電極45は、複数の金属線が互いに離間して平行に並ぶよう形成されてなるストライプ状のものであり、各金属線間のスリットによって光透過部が形成されている。そして、電子線遮蔽電極45は、ケーシング10の内部から外部に引き出された導電線を介して、電界制御側用電源52の負極側に電気的に接続されている。ケーシング10におけるケーシング基体11を構成する材料としては、石英ガラス等のガラス、アルミナ等のセラミックスなどの絶縁物を用いることができる。また、ケーシング10における光透過窓15を構成する材料としては、半導体発光素子20からの光を透過し得るものが用いられ、例えば石英ガラス、サファイアなどを用いることができる。また、ケーシング10の内部の圧力は、例えば104~106Paである。ケーシング10の寸法の一例を挙げると、ケーシング基体11の外形の寸法が40mm×40mm×32mm、ケーシング基体11の肉厚が2.5mm、ケーシング基体11の開口が35mm×35mmで、光透過窓15の寸法が40mm×40mm×3mmである。高熱伝導部材16を構成する材料としては、銅などの熱伝導性の高い金属やダイヤモンドなどを用いることができる。半導体発光素子20は、図2に示すように、例えばサファイアよりなる基板21と、この基板21の一面上に形成された例えばAlNよりなるバッファ層22と、このバッファ層22の一面上に形成された、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造を有する活性層25とにより構成されている。この例における半導体発光素子20は、活性層25がケーシング10における光透過窓15に対向した状態で、基板21が高熱伝導部材16にロウ付け等で接合されている。基板21の厚みは、例えば10~1000μmであり、バッファ層22の厚みは、例えば100~1000nmである。また、半導体発光素子20における活性層25と電子線源30との離間距離は、例えば5~15mmである。また、半導体発光素子20における光が出射される表面20aと光透過窓15の内面との距離は、例えば3~25mmである。活性層25は、それぞれInxAlyGa1xyN0≦x<1,0<y≦1,xy≦1からなる単一量子井戸構造または多重量子井戸構造であり、単一または複数の量子井戸層26と単一または複数の障壁層27とが、バッファ層22上にこの順で交互に積層されて構成されている。量子井戸層26の各々の厚みは、例えば0.5~50nmである。また、障壁層27はその禁制帯幅が量子井戸層26のそれよりも大きくなるように組成を選択され、一例としては、AlNを用いればよく、各々の厚みは量子井戸層26の井戸幅より大きく設定され、具体的には、例えば1~100nmである。活性層25を構成する量子井戸層26の周期は、量子井戸層26、障壁層27および活性層25全体の厚みや、用いられる電子線の加速電圧などを考慮して適宜設定されるが、通常、1~100である。上記の半導体発光素子20は、例えばMOCVD法有機金属気相成長法によって形成することができる。具体的には、水素および窒素からなるキャリアガスと、トリメチルアルミニウムおよびアンモニアからなる原料ガスとを用い、サファイアよりなる基板21の0001面上に気相成長させることにより、所要の厚みを有するAlNからなるバッファ層22を形成した後、水素ガスおよび窒素ガスからなるキャリアガスと、トリメチルアルミニウム、トリメチルガリウム、トリメチルインジウムおよびアンモニアからなる原料ガスとを用い、バッファ層22上に気相成長させることにより、所要の厚みを有するInxAlyGa1xyN0≦x<1,0<y≦1,xy≦1からなる単一量子井戸構造または多重量子井戸構造を有する活性層25を形成し、以て、半導体発光素子20を形成することができる。上記のバッファ層22、量子井戸層26および障壁層27の各形成工程において、処理温度、処理圧力および各層の成長速度などの条件は、形成すべきバッファ層22、量子井戸層26および障壁層27の組成や厚み等に応じて適宜に設定することができる。また、InAlGaNよりなる量子井戸層26を形成する場合には、原料ガスとして、上記のものに加えてトリメチルインジウムを用い、処理温度をAlGaNよりなる量子井戸層26を形成する場合よりも低く設定すればよい。また、半導体多層膜の形成方法は、MOCVD法に限定されるものではなく、例えばMBE法分子線エピタキシー法なども用いることができる。本発明においては、図3に示すように、半導体発光素子20における電子線が入射される表面20aのレベルL1が、電子線源30の電子線放出部32における電子線が放射される面のレベルL2より当該半導体発光素子20の光の放射方向図1イおよび図3において上方向に変位したレベル、すなわち半導体発光素子20の表面20aの法線方向Xにおいて、電子線源30の電子線放出部32における電子線が放射される面より光透過窓15に接近するよう変位したレベルとされていることが好ましく、具体的には、半導体発光素子20における表面20aのレベルL1と、電子線放出部32における電子線が放射される面のレベルL2との距離変位量dが2~5mmであることがより好ましい。このような構成によれば、電子線放出部32から放射される電子線の軌道を小さい電圧で容易に制御することができ、半導体発光素子20の表面20aに一層高い効率で電子線を入射することができる。図4に示すように、電子線源30における電子線放出部32は、多数のカーボンナノチューブが例えば鉄、ニッケル、コバルト、クロムのいずれかを含む金属材料よりなる支持基板31上に支持されることによって形成されており、電子線源30における支持基板31は、板状のベース33上に固定されている。また、電子線源30における電子線放出部32の上方には、当該電子線放出部32から電子を放出するための網状の引き出し電極35が当該電子線放出部32に離間して対向するよう配置され、この引き出し電極35は、電極保持部材36を介してベース33に固定されている。支持基板31および引き出し電極35は、ケーシング10の内部から外部に引き出された導電線図示省略を介して、ケーシング10の外部に設けられた電子線放出用電源51に、引き出し電極35が正極、支持基板31が負極となるよう電気的に接続されている。電子線源30の寸法の一例を挙げると、支持基板31の外径が25mm、内径が19mm、厚みが0.1mm、電子線放出部32の外径が24mm、内径が20mm、厚みが0.02mm、電子線放出部32における電子線が放射される面の面積が138mm2である。支持基板31を構成する材料としては、鉄、ニッケル、コバルト、クロムのいずれかを含む金属材料などを用いることができる。支持基板31上にカーボンナノチューブよりなる電子線放出部32を形成する方法としては、特に限定されず公知の方法を用いることができ、例えば表面に金属触媒層が形成された支持基板31を加熱し、COやアセチレン等のカーボンソースガスを供給することにより、支持基板31の表面に形成された金属触媒層上にカーボンを堆積してカーボンナノチューブを形成する熱CVD法、アーク放電法等によって形成されたカーボンナノチューブの粉体および有機バインダーが液状媒体中に含有されてなるペーストを調製し、このペーストをスクリーン印刷によって支持基板31の表面に塗布して乾燥するスクリーン印刷法などを好適に用いることができる。また、引き出し電極35を構成する材料としては、鉄、ニッケル、コバルト、クロムのいずれかを含む金属材料などを用いることができる。電界制御用電極40を構成する材料としては、鉄、ニッケル、コバルト、クロム、アルミニウム、銀、銅、チタン、ジルコニウムのいずれかを含む金属材料などを用いることができる。電界制御用電極40の寸法の一例を示すと、胴部41の内径が34mm、軸方向の長さが12mm、テーパ部42の先端における内径が28mm、軸方向の長さが3mm、胴部41に対するテーパ部42の傾きは例えば45°、電界制御用電極40を構成する円筒体の肉厚が0.3mmであり、電子線源30の電子線放出部32における電子線が放射される面のレベルと、テーパ部42の先端のレベルとの距離が2~5mmである。電子線遮蔽電極45を構成する材料、図示の例では、電子線遮蔽電極45を形成する金属線の材質としては、アルミニウム、銀、金、白金、ステンレス、クロム、ニッケル、チタン、ジルコニウムなどの金属を用いることができる。電子線遮蔽電極45を形成する金属線の寸法等の一例を挙げると、金属線の幅が100μm、厚みが20μmで、金属線の配置ピッチが1500μmである。上記の電子線励起型光源装置においては、電子線源30と引き出し電極35との間に電圧が印加されると、当該電子線源30における電子線放出部32から引き出し電極35に向かって電子が放出され、この電子は、半導体発光素子20と電子線源30との間に印加された加速電圧によって、半導体発光素子20に向かって加速されて電子線が形成されると共に、加速電圧および電界制御用電源52によって電子線源30と電界制御用電極40との間に印加される電圧により、電子線源30からの電子線は、半導体発光素子20における光が放射される表面20aに向かって指向されてその軌道が放物線状となり、その結果、当該電子線は、半導体発光素子20の表面20aすなわち活性層25の表面に入射される。このとき、電子線源30からの電子線の一部は、所期の軌道から外れたり或いは半導体素子20の一面に反射されたりすることにより、ケーシング10における光透過窓15に向かって進むが、光透過窓15の内面には、電界制御用電源52の負極側に電気的に接続されて負の電位に維持された電子線遮蔽電極45が設けられているため、電子線は、電子線遮蔽電極45によって遮蔽されて光透過窓15に照射されることが防止される。そして、半導体発光素子20においては、電子線が入射されることによって活性層25の電子が励起され、これにより、当該半導体発光素子20における電子線が入射された表面20aから紫外線などの光が放射され、ケーシング10における光透過窓15を介して当該ケーシング10の外部に出射される。以上において、電子線放出用電源51によって電子線源30と引き出し電極35との間に印加される電圧は、例えば1~5kVである。また、電子加速用電源50によって印加される電子線の加速電圧は、6~12kVであることが好ましい。加速電圧が過小である場合には、高い光の出力を得ることが困難となる。一方、加速電圧が過大である場合には、半導体発光素子20からX線が発生しやすくなり、また、電子線のエネルギーにより、半導体発光素子20がダメージを受けやすくなるため、好ましくない。また、電界制御用電源52によって電子線源30と電界制御用電極40との間に印加される電圧は、例えば-2~2kVである。このような電子線励起型光源装置によれば、ケーシング10における光透過窓15の内面に、負の電位に維持された電子線遮蔽電極45が設けられているため、光透過窓15に向かって進む電子線が遮蔽されることにより、電子線が光透過窓15に照射されることが防止される。そのため、光透過窓15が正に帯電することがなく、これにより、ケーシング10内の電界状態が安定に維持される結果、電子線源30からの電子線は、その軌道が変化することがなくて半導体発光素子20の一面に確実に入射されるので、高い発光効率が得られる。図5は、本発明の第2の実施の形態に係る電子線励起型光源装置における構成の概略を示す説明図であり、イは側面断面図、ロは、光透過窓を取り外した状態を示す平面図である。この電子線励起型光源装置においては、電子線遮蔽電極45が金属メッシュよりなる網状のものであり、網目を形成する開口によって光透過部が形成されている。この電子線遮蔽電極45は、円筒体よりなる電界制御用電極40の上端にその開口を塞ぐよう配置されて当該電界制御用電極40に電気的に接続されている。電子線遮蔽電極45を構成する金属メッシュの寸法の一例を示すと、線幅が200μm、厚みが50μm、網目のピッチが1000μmである。その他の具体的な構成は、第1の実施の形態に係る電子線励起型光源装置と同様である。このような電子線励起型光源装置によれば、電子線遮蔽電極45が、ケーシング10における光透過窓15と半導体発光素子20との間に、負の電位に維持された電子線遮蔽電極45が設けられているため、光透過窓15に向かって進む電子線が遮蔽されることにより、電子線が光透過窓15に照射されることが防止される。そのため、光透過窓15が正に帯電することがなく、これにより、ケーシング10内の電界状態が安定に維持される結果、電子線源30からの電子線は、その軌道が変化することがなくて半導体発光素子20の一面に確実に入射されるので、高い発光効率が得られる。図6は、本発明の第3の実施の形態に係る電子線励起型光源装置における構成の概略を示す説明用側面断面図である。この電子線励起型光源装置においては、ケーシング10における光透過窓15の外面に、光透過部を有する導電体よりなる電子線遮蔽電極45が設けられている。この例の電子線遮蔽電極45は、複数の金属線が互いに離間して平行に並ぶよう形成されてなるストライプ状のものであり、各金属線間のスリットによって光透過部が形成されている。そして、電子線遮蔽電極45は、導電線を介して、電界制御側用電源52の負極側に電気的に接続されている。その他の具体的な構成は、第1の実施の形態に係る電子線励起型光源装置と同様である。このような電子線励起型光源装置によれば、ケーシング10における光透過窓15の外面に、負の電位に維持された電子線遮蔽電極45が設けられているため、光透過窓15に向かって進む電子線が遮蔽されることにより、電子線が光透過窓15に照射されることが防止される。そのため、光透過窓15が正に帯電することがなく、これにより、ケーシング10内の電界状態が安定に維持される結果、電子線源30からの電子線は、その軌道が変化することがなくて半導体発光素子20の一面に確実に入射されるので、高い発光効率が得られる。図7は、本発明の第4の実施の形態に係る電子線励起型光源装置における構成の概略を示す説明用側面断面図である。この電子線励起型光源装置においては、ケーシング10における光透過窓15の内部に、光透過部を有する導電体よりなる電子線遮蔽電極45が面方向に沿って埋設されている。この例の電子線遮蔽電極45は、複数の金属線が互いに離間して平行に並ぶよう形成されてなるストライプ状のものであり、各金属線間のスリットによって光透過部が形成されている。そして、電子線遮蔽電極45は、光透過窓15の内部から外部に引き出された導電線を介して、電界制御側用電源52の負極側に電気的に接続されている。その他の具体的な構成は、第1の実施の形態に係る電子線励起型光源装置と同様である。このような電子線励起型光源装置によれば、ケーシング10における光透過窓15の内部に、負の電位に維持された電子線遮蔽電極45が埋設されているため、光透過窓15に向かって進む電子線が遮蔽されることにより、電子線が光透過窓15に照射されることが防止される。そのため、光透過窓15が正に帯電することがなく、これにより、ケーシング10内の電界状態が安定に維持される結果、電子線源30からの電子線は、その軌道が変化することがなくて半導体発光素子20の一面に確実に入射されるので、高い発光効率が得られる。以上、本発明の電子線励起型光源装置の実施の形態について説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されず、以下のように種々の変更を加えることが可能である。本発明の電子線励起型光源装置において、電子線遮蔽電極45は、負の電位に維持されれるのであれば、電界制御用電極40に電気的に接続されていることは必須ではなく、例えば図8イおよび図8ロに示すように、電子線遮蔽電極45が、ケーシング10の外部に設けられた電子線遮蔽用電源53の負極側に導電線を介して電気的に接続され、電子線源30が、ケーシング10の内部から外部に引き出された導電線を介して、電子線遮蔽用電源53の正極側に電気的に接続されていてもよい。このような構成において、電子線遮蔽用電源53によって電子線源30と電子線遮蔽電極45との間に印加される電圧は、例えば-2~2kVである。また、電子線源の具体的な形状は、円環状に限定されず、または部分円環状、矩形の板状、その他の形状であってもよい。また、電子線源30における電子線放出部32は、カーボンナノチューブよりなるものに限定されず、種々の構成のものを用いることができる。また、電界制御用電極40においては、テーパ部42を形成することは必須のことではなく、例えば軸方向において外径および内径の各々が一様な円筒状のものであってもよい。また、電子線遮蔽電極45は、ストライプ状または網状のものに限定されず、例えばITO膜などの透明導電膜よりなるものであってもよい。電子線遮蔽電極45が光透過性導電膜よりなるものである場合には、その全体が光透過部となる。以下、本発明の電子線励起型光源装置の具体的な実施例について説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。実施例1図1に示す構成に従い、下記の仕様の電子線励起型光源装置を作製した。ケーシング10:ケーシング基体11は、コバールガラスよりなり、その外形の寸法が40mm×40mm×30mm、肉厚が2.5mmであり、ケーシング基体11の開口が35mm×35mmである。光透過窓15は、サファイアよりなり、その寸法が40mm×40mm×2.5mmである。また、ケーシング10の内部の圧力は、3×105Paである。半導体発光素子20:半導体発光素子20は、MOCVD法によってサファイアよりなる基板21上に、水素からなるキャリアガス、トリメチルガリウムおよびアンモニアからなる原料ガスを用い、GaNよりなるバッファ層22を2.4μmの膜厚で形成させ、次に、窒素からなるキャリアガス、トリメチルガリウムおよびトリメチルインジウム、アンモニアからなる原料ガスを用い、In01Ga09Nよりなる量子井戸層26を2.5nmの膜厚で形成させ、GaNよりなる障壁層27を15nmの膜厚で形成させる工程を繰り返すことによって活性層25が形成されたものであり、活性層25は、量子井戸層26、障壁層27の順で量子井戸層26を6層、障壁層27を6層、交互に積層させた多重量子井戸構造を有するものである。電子線源30:支持基板31は、426合金よりなり、その外径が25mm、内径が19mm、厚みが0.1mmである。電子線放出部32は、カーボンナノチューブよりなり、その外径が24mm、内径が20mm、厚みが0.02mm、電子線放出部32における電子線が放射される面の面積が138mm2である。引き出し電極35は、42合金よりなり、その網目を形成する開口の寸法が1mm×1mm、厚みが0.1mmである。電界制御用電極40:電界制御用電極40は、316ステンレスよりなり、胴部41の内径が34mm、胴部41の軸方向の長さが12mm、テーパ部42の先端における内径が28mm、テーパ部42の軸方向の長さが3mm、胴部41に対するテーパ部42の傾きが45°、電界制御用電極40を構成する円筒体の肉厚が0.3mmであり、電子線源30の電子線放出部32における電子線が放射される面のレベルと、テーパ部42の先端のレベルとの距離が3mmである。電子線遮蔽電極45:電子線遮蔽電極45は、それぞれアルミニウムよりなる複数の金属線が互いに離間して平行に並ぶよう形成されてなるストライプ状のものであり、金属線の幅が100μm、厚みが20μmで、金属線の配置ピッチが1500μmである。上記の電子線励起型光源装置を下記の条件で点灯させ、受光器および分光器によって、光透過窓から外部に1mm離間した位置において当該電子線励起型光源装置から放射される光の分光放射強度を測定した。結果を図9に示す。[点灯条件]電子線源30における電子線放出部32の電位:-8kV電子線源30における引き出し電極35の電位:-5.5kV電子線放出部32と引き出し電極35との間の電圧:2.5kV電界制御用電極40の電位:-9kV電子線放出部32と電界制御用電極40との間の電圧:-1kV電子線遮蔽電極45の電位:-9kV半導体発光素子20の電位:0VGND加速電圧電子線放出部32と半導体発光素子20との間の電圧:8kV比較例1実施例1において、電子線遮蔽電極を設けなかったこと以外は同様の構成の電子線励起型光源装置を作製し、当該電子線励起型光源装置から放射される光の分光放射強度を測定した。結果を図9に示す。図9において、横軸は電子線励起型光源装置から放射される光の波長、縦軸は分光放射強度を示す。この図の結果から明らかなように、実施例1に係る電子線励起型光源装置によれば、波長405nm付近において高い放射強度を有する光が放射されることが確認され、高い発光効率が得られることが理解される。これに対して比較例1に係る電子線励起型光源装置においては、波長405nm付近において放射強度のピークが弱くなり、波長330nm付近において放射強度のピークが認められた。これは、電子線が光透過窓に照射されることにより、当該光照射窓を構成するサファイア自身が励起されて発光したものと考えられる。"