受光した光を電気信号に変換する光電変換部が平面的に配置された受光層と、前記受光部に入射する光の透過を制御するシャッター層とを備え、前記受光層と前記シャッター層との間の間隔が、前記シャッター層に形成されるシャッター素子の間隔以下である固体撮像素子。前記受光部に接続される配線が配設される配線層をさらに備え、前記配線層は、前記受光層に光が照射される面に対して反対側の面に配置される請求項1に記載の固体撮像素子。前記シャッター層は、液晶層を電極で挟み込んで構成される請求項1に記載の固体撮像素子。前記受光層における1つの前記光電変換部に対して、前記シャッター層において光の透過を制御する単位であるシャッター素子が1つ配置されている請求項1に記載の固体撮像素子。前記受光層における1つの前記光電変換部に対して、複数の前記シャッター素子が配置されている請求項4に記載の固体撮像素子。前記受光層に光が照射される面に、所定の色の光を透過させるフィルタが平面的に配置されたカラーフィルタ層が配置される請求項1に記載の固体撮像素子。前記カラーフィルタ層では、前記受光層における1つの前記光電変換部に対して、複数色のフィルタが配置される請求項6に記載の固体撮像素子。前記シャッター層は、前記受光層における複数の前記光電変換部に対して共通して光の透過を制御するように構成されている請求項1に記載の固体撮像素子。前記シャッター層は、前記光電変換部に対する光の入射角に応じて、光を遮光する箇所を調整する請求項1に記載の固体撮像素子。受光した光を電気信号に変換する光電変換部が平面的に配置された受光層と、前記受光部に入射する光の透過を制御するシャッター層とを有し、前記受光層と前記シャッター層との間の間隔が、前記シャッター層に形成されるシャッター素子の間隔以下である固体撮像素子を備える電子機器。前記固体撮像素子の受光面に対して光を集光する光学系と、前記光学系の光学特性に応じて、前記シャッター層において光を遮光する箇所を制御する制御部とをさらに備える請求項10に記載の電子機器。上述したように、光の透過を画素単位で制御可能な従来の固体撮像素子では、隣接する画素に光が入り込むことがあり、これにより混色が発生してしまうため、画質の低下が発生することがあった。従って、混色の発生を防止して、画質の低下を回避することが求められている。本開示は、このような状況に鑑みてなされたものであり、画質の低下を回避することができるようにするものである。本開示の一側面の固体撮像素子は、受光した光を電気信号に変換する光電変換部が平面的に配置された受光層と、前記受光部に入射する光の透過を制御するシャッター層とを備え、前記受光層と前記シャッター層との間の間隔が、前記シャッター層に形成されるシャッター素子の間隔以下である。本開示の一側面の電子機器は、受光した光を電気信号に変換する光電変換部が平面的に配置された受光層と、前記受光部に入射する光の透過を制御するシャッター層とを有し、前記受光層と前記シャッター層との間の間隔が、前記シャッター層に形成されるシャッター素子の間隔以下である固体撮像素子を備える。本開示の一側面においては、受光した光を電気信号に変換する光電変換部が平面的に配置された受光層と、受光部に入射する光の透過を制御するシャッター層との間の間隔が、シャッター層に形成されるシャッター素子の間隔以下に設定される。本開示の一側面によれば、画質の低下を回避することができる。以下、本技術を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図2は、本技術を適用した固体撮像素子の一実施の形態の構成例を示すブロック図である。図2において、固体撮像素子21は、画素部22、垂直駆動部23、カラム処理部24、水平駆動部25、出力部26、駆動制御部27、およびシャッター駆動部28を備えて構成される。画素部22は、アレイ状に配置された複数の画素31を有しており、画素31は、画素31の行数に応じた複数の水平信号線を介して垂直駆動部23に接続され、画素31の列数に応じた複数の垂直信号線を介してカラム処理部24に接続されている。即ち、画素部22が有する複数の画素31は、水平信号線および垂直信号線が交差する点にそれぞれ配置されており、垂直駆動部23から供給される駆動信号に従って、光電変換により発生した電荷に応じたレベルの画素信号をカラム処理部24に出力する。また、画素部22が有する画素31は、光電変換部であるPD32と、PD32の受光面側に積層されるシャッター素子33とを備えて構成される。シャッター素子33は、シャッター駆動部28の制御に従って、PD32に対する入射光の透過を制御する。シャッター素子33としては、本願出願人が出願済みの特開2007-188047号公報に開示されているような表示装置に用いられるアクティブマトリクス型の液晶シャッターを採用することができる。なお、シャッター素子33として、MEMSMicroElectroMechanicalSystems素子や、その他の素子を採用してもよい。垂直駆動部23は、画素部22が有する複数の画素31の行ごとに、それぞれの画素31を駆動するための駆動信号転送信号や、選択信号、リセット信号などを、水平信号線を介して順次供給する。カラム処理部24は、垂直信号線を介して、それぞれの画素31から出力される画素信号に対してCDS処理を施すことで画素信号の信号レベルを抽出し、画素31の受光量に応じた画素データを取得する。水平駆動部25は、画素部22が有する複数の画素31の列ごとに、それぞれの画素31から取得された画素データをカラム処理部24から出力させるための駆動信号を、カラム処理部24に順次供給する。出力部26には、水平駆動部25の駆動信号に従ったタイミングでカラム処理部24から画素データが供給され、出力部26は、例えば、その画素データを増幅して、後段の画像処理回路に出力する。駆動制御部27は、固体撮像素子21の内部の各ブロックの駆動を制御する。例えば、駆動制御部27は、各ブロックの駆動周期に従ったクロック信号を生成して、それぞれのブロックに供給する。シャッター駆動部28は、シャッター素子33の透過状態および遮光状態を切り替える制御を行う。図3は、固体撮像素子21の第1の構成例を示す断面図である。図3には、アレイ状に配置される複数の画素31のうちの、隣接する2つの画素31Aおよび31B近辺の断面が示されている。図3に示すように、固体撮像素子21は、下層側から順に、配線層41、半導体基板42、絶縁膜43、シャッター層44、およびOCL層45が積層されて構成される。なお、固体撮像素子21は、半導体基板42に対して配線層41が設けられる半導体基板42の表面に対して反対側となる裏面図3の上側を向く面に対して入射光が照射される、いわゆる裏面照射型CMOSイメージセンサである。配線層41は、例えば、その下側に配置されている基板支持材図示せずにより支持されており、半導体基板42に形成されているPD32の電荷の読み出しなどを行う配線46が層間絶縁膜47に埋め込まれて構成されている。また、配線層41では、配線46が複数の層を形成するような構造を採用することができ、図3の例では、配線46-1が配設される層と、配線46-2が配設される層とが形成される2層構造とされている。半導体基板42では、例えば、P型のシリコン層Pウェル48の内部に形成されたN型領域からなるPD32が、半導体基板42の裏面側図3の上側に接するように形成されている。PD32は、受光した光を電気信号に変換し、半導体基板42には、複数のPD32が平面的に配置されており、半導体基板42は、光を受光する受光層である。絶縁膜43は、透明な絶縁材質によって形成され、半導体基板42とシャッター層44との間を絶縁する。シャッター層44は、対向電極50と駆動パネル52とが液晶層51を挟み込んで構成され、対向電極50を半導体基板42側に向けて積層される。また、シャッター層44は、例えば画素31ごとに、駆動パネル52が有する電極を独立した構成とすることで、画素31ごとに入射光の透過を制御可能なシャッター素子33が形成される。即ち、1つのPD32に対してシャッター素子33が1つ配置されている。そして、例えば、図2のシャッター駆動部28が駆動パネル52の電極に電圧を印加するとシャッター素子33が遮光状態とされる。図3の例では、画素31Aが有するシャッター素子33Aが遮光状態とされ、画素31Bが有するシャッター素子33Bが透過状態とされている。OCL層45は、入射光をPD32に集光するための小型のレンズが、画素31ごとにアレイ状に配置されて構成されている。なお、以下、各構成例において、OCL層45を備えた構成としても、OCL層45を備えない構成としてもよい。このように構成されている固体撮像素子21では、シャッター駆動部28の制御に従って、シャッター層44においてシャッター素子33の透過状態および遮光状態が切り替えられ、PD32ごとに光の照射を制御することができる。さらに、固体撮像素子21では、半導体基板42に対して光が入射する面の反対側に配線層41が配置される構成となっており、即ち、半導体基板42とシャッター層44との間に配線層41が配置されない構成となっている。このような構成により、固体撮像素子21では、半導体基板42とシャッター層44との間隔を従来よりも狭めることができ、隣接する画素31から光が入り込むことを回避することができる。例えば、図1を参照して上述した固体撮像素子11では、半導体基板12とシャッター層14との間に配線層13が配置される構成であったため、配線層13を介して、隣接する画素から光が入り込むことがあった。これに対し、固体撮像素子21では、半導体基板42とシャッター層44との間が所定の間隔以下となるように構成されているので、従来のような光の入り込みの発生を回避することができる。これにより、固体撮像素子21は、混色が発生することによる画質の低下を回避することができ、従来よりも、画質の向上を図ることができる。ここで、半導体基板42とシャッター層44との間の所定の間隔としては、例えば、シャッター層14に形成されるシャッター素子33の間隔X以下に設定することで、隣接する画素からの光の入り込みを防止することができる。つまり、半導体基板42とシャッター層44との間の間隔、即ち、半導体基板42の上面とシャッター層44の下面との間隔図3の構成では、絶縁膜43の厚みが、シャッター素子33の平面方向の間隔Xよりも大きい場合には、原理的に、斜め光に対する遮光性混色などが劣化することが想定されるのに対し、半導体基板42とシャッター層44との間の間隔をシャッター素子33の平面方向の間隔X以下に設定することで、シャッター層44を設けることによる画素31ごとの遮光の効果を確実に得ることができる。なお、より好ましくは、この所定の間隔が0である、つまり、半導体基板42とシャッター層44とが接するように構成されることがよい。ここで、図3に示されている固体撮像素子21の構成例では、1つのPD32に対して1つのシャッター素子33が配置される構成となっているため、シャッター素子33の平面方向の間隔Xは、PD32の平面方向のサイズとなっている。これに対し、後述するように、1つのPD32に対して複数のシャッター素子33が配置されるような構成では、半導体基板42とシャッター層44との間の間隔は、それぞれのシャッター素子33の間隔以下、即ち、PD32のサイズよりも大幅に小さくなる。なお、半導体基板42とシャッター層44との間に配線層が配置されたとしても、その配線層の厚みはシャッター素子33の間隔以下とされ、配線層に配設される配線は1層以下とすることが好ましい。また、図1の固体撮像素子11のように、半導体基板12とシャッター層14との間に配線層13が配置される構成であっても、画素間の遮光領域を増加させることで混色を防止することができると想定される。しかしながら、画素間の遮光領域を増加させた場合には、PD16に入射する光量が低下してしまい、感度が低下することになる。これに対し、固体撮像素子21では、画素間の遮光領域を増加させる必要はなく、感度の低下を回避することができる。さらに、図1の固体撮像素子11では、画素の微細化が進むに伴い、PD16に対して光が入射する側に配線層13が配置されていると、感度が低下してしまい、SNSignaltoNoise比が低下することになる。これに対し、固体撮像素子21では、PD32に対して光が入射する側の反対側に配線層41が配置されているため、SN比が低下することも回避することができる。さらに、固体撮像素子21では、感度が高くなるため、暗いシーンにおいて綺麗な画像を撮像することができ、この点においても、従来よりも画質を向上させることができる。また、シャッター素子33は、透過状態と遮光状態とを切り替える他、透過光量を調整することができる。例えば、CCD型固体撮像素子では強い光源があたることでスミアが発生するような画面でも、固体撮像素子21では、その強い光源部分に対応するシャッター素子33により調光透過光量を少なくすることにより、スミアの発生を防止することができる。また、固体撮像素子21では、画面内に暗部と明部とが混在するようなシーンにおいても、明るい部分に該当する画素31をシャッター層44により調光透過光量を適切に調整して半導体基板42に入射する光を抑制することができる。例えば、夜景などの撮像、つまり暗い所で撮像する場合には、一般的に、センサの蓄積時間を長くすることになるため、画面内に、例えば電球や月のような明るい箇所が混在すると、その部分が飽和することにより白飛びしていた。これに対し、固体撮像素子21では、そのような画面内の明るい箇所をシャッター層44により調光わざと暗くすることによって、明るい部分の飽和白飛びを回避することができる。つまり、固体撮像素子21では、明るい部分は白飛びさせることなく、また、暗い部分を明るく撮像すること、即ち、ダイナミックレンジを拡大することができる。また、従来では、ダイナミックレンジを拡大する技術として、例えば、蓄積時間の異なる複数枚の画像を合成するような手法が採用されていた。これに対し、固体撮像素子21では、1枚の画像でダイナミックレンジを拡大することができ、画面全体を豊かな諧調で表現することができる。さらに、固体撮像素子21では、シャッター層44において光の透過と非透過とを制御することができるので、例えば、従来の撮像装置のメカシャッターとしての機能を代用することができ、撮像装置の小型化メカシャッタレスおよび軽量化に貢献することができる。次に、図4を参照して、固体撮像素子21の製造方法について説明する。第1の工程において、例えば、半導体基板42の表面側からイオン注入を行うことで、P型のシリコン層48に対してPD32が形成される。その後、半導体基板42の表面に対して層間絶縁膜47を所定の厚みで積層するごとに配線46を形成することで配線層41が形成される。第2の工程において、半導体基板42に対して配線層41が積層された表面側を下側にし、半導体基板42の裏面に対して絶縁膜43が積層される。第3の工程において、絶縁膜43に対して対向電極50を積層し、液晶層51を挟み込むのように駆動パネル52を積層することで、シャッター層44が形成される。第4の工程において、シャッター層44に対してOCL層45が積層されることにより、固体撮像素子21が製造される。次に、図5を参照して、固体撮像素子21の他の製造方法について説明する。第1の工程において、図4で説明した第1および第2の工程と同様に、配線層41、半導体基板42、および絶縁膜43が積層された構造物が形成される。第2の工程において、対向電極50および駆動パネル52が液晶層51を挟み込むのように形成されたシャッター層44にOCL層45が積層された構造物が形成される。第3の工程において、第1の工程で形成した構造物の絶縁膜43に対して、第2の工程で形成した構造物の対向電極50が貼り合されることにより、固体撮像素子21が製造される。次に、図6を参照して、固体撮像素子21の第2の構成例について説明する。なお、図3の固体撮像素子21と共通する構成については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。図6に示すように、固体撮像素子21Aは、下層から順に、配線層41、半導体基板42、シャッター層44、およびOCL層45が積層されて構成される。つまり、図3の固体撮像素子21では、半導体基板42に絶縁膜43を介してシャッター層44が積層されていたのに対し、固体撮像素子21Aでは、半導体基板42に対して直接的にシャッター層44が積層されている。このように構成された固体撮像素子21Aでは、半導体基板42のPD32とシャッター層44の対向電極50とが電気的に接続された構成となる。従って、例えば、対向電極50に負バイアスを印加することで、ピンニング効果を得ることができ、例えば、白点や暗電流の発生を低減させることができる。次に、図7を参照して、固体撮像素子21Aの製造方法について説明する。第1の工程において、例えば、半導体基板42の表面側からイオン注入を行うことで、P型のシリコン層48に対してPD32が形成される。その後、半導体基板42の表面に対して層間絶縁膜47を所定の厚みで積層するごとに配線46を形成することで配線層41が形成される。第2の工程において、半導体基板42に対して配線層41が積層された表面側を下側にし、半導体基板42の裏面に対して対向電極50が積層される。第3の工程において、対向電極50に対して、液晶層51を挟み込むのように駆動パネル52を積層することで、シャッター層44が形成される。第4の工程において、シャッター層44に対してOCL層45が積層されることにより、固体撮像素子21Aが製造される。次に、図8を参照して、固体撮像素子21の第3の構成例について説明する。なお、図3の固体撮像素子21と共通する構成については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。また、図8では、OCL層45の図示は省略されている。図8Aには、図6に示した第2の構成例である固体撮像素子21Aが示されている。上述したように、固体撮像素子21Aは、画素31ごとに、1つのPD32に対して1つのシャッター素子33が配置されて構成されている。つまり、固体撮像素子21Aでは、画素31Aは、PD32Aに対応してシャッター素子33Aが配置されて構成され、画素31Bは、PD32Bに対応してシャッター素子33Bが配置されて構成される。また、固体撮像素子21Aでは、画素31ごとに独立した1つの電極を有して形成される駆動パネル52によりシャッター層44が構成される。図8Bには、第3の構成例である固体撮像素子21Bが示されている。図8Bに示すように、固体撮像素子21Bは、画素31ごとに、1つのPD32に対して2つのシャッター素子33が配置されて構成されている。つまり、固体撮像素子21Bは、画素31Aにおいて、PD32Aに対応して2つのシャッター素子33A1および33A2が配置され、画素31Bにおいて、PD32Bに対応して2つのシャッター素子33B1および33B2が配置されて構成される。また、固体撮像素子21Bでは、画素31ごとに独立した2つの電極を有して形成される駆動パネル52’によりシャッター層44’が構成される。図8Cには、第3の構成例の変形例である固体撮像素子21B’が示されている。図8Cに示すように、固体撮像素子21B’は、画素31ごとに、1つのPD32に対して5つのシャッター素子33が配置されて構成されている。つまり、固体撮像素子21B’は、画素31Aにおいて、PD32Aに対応して5つのシャッター素子33A1乃至33A5が配置され、画素31Bにおいて、PD32Bに対応して5つのシャッター素子33B1乃至33B5が配置されて構成されている。また、固体撮像素子21B’では、画素31ごとに独立した5つの電極を有して形成される駆動パネル52’’によりシャッター層44’’が構成される。このように、固体撮像素子21は、画素31ごとに、1つのPD32に対して複数のシャッター素子33を配置して構成することができる。なお、1つのPD32に対して複数のシャッター素子33が配置された構成においても、上述したように、半導体基板42とシャッター層44との間の間隔は、シャッター層14に形成されるシャッター素子33の平面方向の間隔以下に設定される。つまり、固体撮像素子21Bは、半導体基板42に対して直接的にシャッター層44’が積層される構成であるが、例えば、半導体基板42とシャッター層44’との間に配線層やカラーフィルタなどが配置される場合、半導体基板42とシャッター層44’との間の間隔は、シャッター素子33の間隔X1以下に設定される。同様に、固体撮像素子21B’において、半導体基板42とシャッター層44’’との間に配線層やカラーフィルタなどが配置される場合、半導体基板42とシャッター層44’’との間の間隔は、シャッター素子33の間隔X2以下に設定される。次に、図9を参照して、固体撮像素子21の第4の構成例について説明する。なお、図3の固体撮像素子21と共通する構成については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。図9Aには、第4の構成例である固体撮像素子21Cが示されている。図9Aに示すように、固体撮像素子21Cは、下層から順に、配線層41、半導体基板42、シャッター層44、カラーフィルタ61、およびOCL層45が積層されて構成され、画素31ごとに、1つのPD32に対して1つのシャッター素子33が配置されている。つまり、固体撮像素子21Cでは、シャッター層44およびOCL層45の間にカラーフィルタ61が配置された構成となっている。カラーフィルタ61は、画素31ごとに、それぞれ対応する色の光を透過するフィルタが配置されて構成される。図9Aの例では、画素31Aには、緑色Greenの光を透過するフィルタが配置され、画素31Bには、青色Blueの光を透過するフィルタが配置され、画素31Cには、赤色Redの光を透過するフィルタが配置されている。図9Bには、第4の構成例の変形例である固体撮像素子21C’が示されている。図9Bに示すように、固体撮像素子21C’は、下層から順に、配線層41、半導体基板42、カラーフィルタ61、シャッター層44、およびOCL層45が積層されて構成され、画素31ごとに、1つのPD32に対して1つのシャッター素子33が配置されている。つまり、固体撮像素子21C’では、半導体基板42およびシャッター層44の間にカラーフィルタ61が配置された構成となっている。図9に示すように、カラーフィルタ61を配置する場合には、シャッター層44の上側および下側のどちら側に配置してもよい。次に、図10および図11を参照して、固体撮像素子21の第5の構成例について説明する。なお、図3の固体撮像素子21と共通する構成については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。図10Aには、第5の構成例である固体撮像素子21Dが示されている。図10Aに示すように、固体撮像素子21Dは、下層から順に、配線層41、半導体基板42、シャッター層44’’、カラーフィルタ61、およびOCL層45が積層されて構成される。そして、固体撮像素子21Dでは、画素31ごとに、1つのPD32に対して複数のシャッター素子33が配置されている。つまり、固体撮像素子21Dは、画素31Aにおいて、PD32Aに対応して5つのシャッター素子33A1乃至33A5が配置され、カラーフィルタ61では、画素31Aに対応して緑色の光を透過するフィルタが配置されて構成されている。また、画素31Bにおいて、PD32Bに対応して5つのシャッター素子33B1乃至33B5が配置され、カラーフィルタ61では、画素31Bに対応して青色の光を透過するフィルタが配置されている。また、画素31Cにおいて、PD32Cに対応して5つのシャッター素子33C1乃至33C5が配置され、カラーフィルタ61では、画素31Cに対応して赤色の光を透過するフィルタが配置されている。図10Bには、第5の構成例の変形例である固体撮像素子21D’が示されている。固体撮像素子21D’は、カラーフィルタ61’において、1つの画素31に対して複数色のフィルタが配置されている点で、固体撮像素子21Dと異なる構成となっており、他の点では、固体撮像素子21Dと共通の構成となっている。固体撮像素子21D’は、画素31Aに対応して、カラーフィルタ61’では、緑色、青色、および赤色の光を透過するフィルタが配置されて構成されている。なお、緑色および青色のフィルタは、2つのシャッター素子33に対応し、赤色のフィルタは、1つのシャッター素子33に対応するように配置されている。つまり、画素31Aに対応するように、カラーフィルタ61’では、シャッター素子33A1および33A2に対して緑色のフィルタ、シャッター素子33A3および33A4に対して青色のフィルタ、シャッター素子33A5に対して赤色のフィルタが配置されている。また、画素31Bに対応するように、カラーフィルタ61’では、シャッター素子33B1に対して赤色のフィルタ、シャッター素子33B2および33B3に対して緑色のフィルタ、シャッター素子33B4および33B5に対して青色のフィルタが配置されている。同様に、画素31Cに対応するように、カラーフィルタ61’では、シャッター素子33C1および33C2に対して赤色のフィルタ、シャッター素子33C3および33C4に対して緑色のフィルタ、シャッター素子33C5に対して青色のフィルタが配置されている。このように、1つの画素31に対して複数色のフィルタが配置された固体撮像素子21D’では、画素31ごとにPD32に入射する色を適宜選択することができる。例えば、草原の上に青空が広がるような構図の画像を撮像するとき、固体撮像素子21D’において、青空に対応する領域では青色の解像度を高くし、草原に対応する領域では緑色の解像度を高くすることで、細部まで綺麗な撮像をすることができる。従って、この場合、固体撮像素子21D’では、青空に対応する領域に配置された画素31では、青色のフィルタに対応するシャッター素子33を透過状態とし、緑色および赤色のフィルタに対応するシャッター素子33を遮光状態とする制御を行う。同様に、草原に対応する領域に配置された画素31では、緑色のフィルタに対応するシャッター素子33を透過状態とし、青色および赤色のフィルタに対応するシャッター素子33を遮光状態とする制御を行う。このような制御により、解像度が向上し細密な画像を撮像することができる。例えば、図11には、緑色の光だけを透過するように制御された状態が示されている。図11に示されている固体撮像素子21D’’は、下層から順に、配線層41、半導体基板42、カラーフィルタ61’’、シャッター層44’’、およびOCL層45が積層されて構成されている。そして、固体撮像素子21D’’では、画素31ごとに、1つのPD32に対して、カラーフィルタ61において複数色のフィルタが配置されているとともに、それぞれのフィルタごとに、シャッター層44’’において入射光の透過が制御可能とされている。カラーフィルタ61は、図11Bに示すように、いわゆるベイヤー配列で緑色、青色、および赤色が配置されており、シャッター層44’’により色ごとに入射光の透過が制御される。図11の例では、青色および赤色のフィルタに対応するシャッター素子33が遮光状態とされ、緑色のフィルタに対応するシャッター素子33が透過状態とされている。これにより、緑色の光がフィルタを透過してPD32に受光され、緑色の解像度を向上させることができる。なお、図11に示されている固体撮像素子21D’’では、半導体基板42およびシャッター層44’’によりカラーフィルタ61’’を挟み込む構成とされているが、半導体基板42およびカラーフィルタ61’’によりシャッター層44’’を挟み込む構成としてもよい。また、固体撮像素子21では、固体撮像素子21に対する入射光の入射角度に応じて、シャッター層44において遮光状態とする箇所を制御してもよい。図12および図13を参照して、固体撮像素子21の第6の構成例について説明する。なお、図3の固体撮像素子21と共通する構成については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。図12に示されている固体撮像素子21Eは、下層側から順に、配線層41、半導体基板42、シャッター層44、カラーフィルタ61、およびOCL層45が積層されて構成される。カラーフィルタ61は、画素31ごとに、それぞれ対応する色の光を透過するフィルタが配置されて構成されている。シャッター層44は、画素31よりも、より細かいピッチで、遮光状態および透過状態となる箇所を調整することができるように構成されている。例えば、固体撮像素子21Eが組み込まれた撮像装置の光学系F値やレンズなどを変更することによって、固体撮像素子21に入射する入射光の角度が変更される。このとき、固体撮像素子21Eでは、図2のシャッター駆動部28が、光学系の状態に応じて、シャッター層44において遮光状態とする箇所を調整する。即ち、図12に示すように、シャッター駆動部28は、隣接する画素31のOCL層45およびカラーフィルタ61を透過した光が入り込まないように、シャッター層44において遮光状態とする箇所を調整する。これにより、固体撮像素子21Eでは、感度を低下させることなく、隣接する画素31からの混色による画質劣化を抑制することができる。例えば、固体撮像素子21Eが組み込まれた撮像装置の制御回路例えば、後述する図16の制御回路104は、撮像装置にレンズが取り付けられたときや、レンズの絞りF値が変更されたときに、取り付けられたレンズの種類や、F値絞りの状態などのレンズ情報光学特性および光入射角度の特性を認識する。また、シャッター駆動部28には、各レンズ光入射角に対応付けて、シャッター層44において遮光状態とする最適な箇所を示す情報が登録されたテーブルが予め設定されている。そして、シャッター駆動部28は、制御回路と通信を行って、撮像装置の現在の光学系の状態を認識し、光入射角に応じて、シャッター層44において遮光状態とする箇所を調整する。図13を参照して、光入射角に応じた遮光状態とする箇所について説明する。図13Aには、光入射角が小さい場合の固体撮像素子21Eが示されており、図13Bには、光入射角が大きい場合の固体撮像素子21Eが示されている。なお、図13では、OCL層45の図示は省略されている。図13に示すように、シャッター層44において隣接する画素31から入射してくる光混色成分が遮光される。そして、光入射角が大きくなるのに応じて、遮光状態とする箇所をシフトさせることで、より確実に隣接する画素31から入射してくる光を遮光することができる。さらに、固体撮像素子21Eでは、例えば、レンズに応じて、シャッター層44において遮光状態とする箇所を調整することにより、レンズの光入射角に合わせて各像高で、瞳補正を自動的に行うことができる。従来、固定されたレイアウトの遮光膜により瞳補正が行われていたため、レンズを交換した場合には、遮光膜における瞳補正がミスマッチしてしまい、画質が劣化Shadingすることがあった。また、撮像装置のレンズ仕様が変更された場合にも、その仕様に合わせて最適な瞳補正を行うために遮光膜を再設計する必要があり、開発業務やレチクルが増加するため、コストアップとなっていた。さらに、遮光膜の合わせや線幅のプロセスバラツキによって歩留りが低下していた。これに対し、固体撮像素子21Eでは、シャッター層44により瞳補正を調整することができるので、上述したような遮光膜の再設計を行う必用がなくなり、マスク費用を削減することができるとともに、開発業務を高効率化することができ、コストダウンを図ることができる。また、固体撮像素子21Eごとに最適な瞳補正を調整することができるため、プロセスバラツキを気にする必要がなく、スループットおよび歩留りを向上させることができ、これによってもコストダウンを図ることができる。次に、図14を参照して、固体撮像素子21の第7の構成例について説明する。なお、図3の固体撮像素子21と共通する構成については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。図14に示されている固体撮像素子21Gは、複数の画素31に対して共通して駆動するようにシャッター層44が構成されている。例えば、図3の固体撮像素子21では、画素31ごとに、シャッター層44の駆動パネル52が独立して駆動するように構成されていた。これに対し、固体撮像素子21Gでは、シャッター層44の駆動パネル52が、複数の画素31ごとに駆動するように構成されており、複数の画素31に対して共通して光の透過を制御するように構成されている。または、固体撮像素子21Gは、シャッター層44の駆動パネル52の全体で一様に駆動するように構成してもよい。これにより、駆動パネル52に印加する電圧を制御するだけで、画面全体の光透過率をシャッター層44により一斉に調整することができる。例えば、図14Aには、シャッター層44の全体が一斉に透過状態とされた固体撮像素子21Gが示されており、図14Bには、シャッター層44の全体が一斉に遮光状態とされた固体撮像素子21Gが示されている。また、固体撮像素子21では、位相差オートフォーカスの機能を実現するのに利用することができる。図15を参照して、位相差オートフォーカスについて説明する。図15Aに示すように、被写体からの光は、レンズによってセンサ固体撮像素子の受光面に集光される。従来、図15Bに示すように、固体撮像素子を利用して位相差オートフォーカスの機能を実現するために、受光部が形成されるシリコン層の受光面側に、画素ごとに右側と左側とを交互に遮光するメタルによる遮光膜が配置されている。これにより、レンズの右側を通る光線と、レンズの左側を通る光線とに分けられてシリコン層に入射し、レンズの右側を通る光線による画像と、レンズの左側を通る光線による画像とのズレに基づいて、フォーカスが調整される。そして、図15Cに示すように、画素31ごとに、1つのPD32に対して2つのシャッター素子33が配置されて構成された固体撮像素子21B図8を利用することで、上述のメタルに替えてシャッター層44’により、レンズの右側を通る光線とレンズの左側を通る光線とに分けることができる。これにより、PD32Aには、レンズの右側を通る光線が入射し、PD32Bには、レンズの左側を通る光線が入射する。そして、それらの画像のズレに基づいてフォーカスを調整することができる。また、上述したような各構成例の固体撮像素子21は、例えば、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどの撮像システム、撮像機能を備えた携帯電話機、または、撮像機能を備えた他の機器といった各種の電子機器に適用することができる。図16は、電子機器に搭載される撮像装置の構成例を示すブロック図である。図16に示すように、撮像装置101は、光学系102、撮像素子103、制御回路104、信号処理回路105、モニタ106、およびメモリ107を備えて構成され、静止画像および動画像を撮像可能である。光学系102は、1枚または複数枚のレンズを有して構成され、被写体からの像光入射光を撮像素子103に導き、撮像素子103の受光面センサ部に結像させる。撮像素子103としては、上述したいずれかの構成例の固体撮像素子21が適用される。撮像素子103には、光学系102を介して受光面に結像される像に応じて、一定期間、電子が蓄積される。そして、撮像素子103に蓄積された電子に応じた信号が信号処理回路105に供給される。制御回路104は、光学系102のレンズに関する情報光学特性やF値などを取得し、撮像素子103例えば、固体撮像素子21のシャッター駆動部28に供給し、これにより、シャッター層44において遮光状態とする箇所が調整される。また、制御回路104は、図15を参照して説明したような画像のズレを示す情報を撮像素子103から取得し、そのズレに応じて光学系102によるフォーカスを制御する。信号処理回路105は、撮像素子103から出力された信号電荷に対して各種の信号処理を施す。信号処理回路105が信号処理を施すことにより得られた画像画像データは、モニタ106に供給されて表示されたり、メモリ107に供給されて記憶記録されたりする。このように構成されている撮像装置101では、撮像素子103として、上述したような固体撮像素子21を適用することにより、より画質を向上させることができる。また、本技術における固体撮像素子21は、裏面照射型のCMOS型固体撮像素子の他、CCD型固体撮像素子に採用することができる。また、光電変換部がシリコン以外の材料を使用した撮像素子にも適用してもよく、光を電気信号に変換することができる撮像素子であれば適用することができる。なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。1受光した光を電気信号に変換する光電変換部が平面的に配置された受光層と、前記受光部に入射する光の透過を制御するシャッター層とを備え、前記受光層と前記シャッター層との間の間隔が、前記シャッター層に形成されるシャッター素子の間隔以下である固体撮像素子。2前記受光部に接続される配線が配設される配線層をさらに備え、前記配線層は、前記受光層に光が照射される面に対して反対側の面に配置される上記1に記載の固体撮像素子。3前記シャッター層は、液晶層を電極で挟み込んで構成される上記1または2に記載の固体撮像素子。4前記受光層における1つの前記光電変換部に対して、前記シャッター層において光の透過を制御する単位であるシャッター素子が1つ配置されている上記1から3までのいずれかに記載の固体撮像素子。5前記受光層における1つの前記光電変換部に対して、複数の前記シャッター素子が配置されている上記4に記載の固体撮像素子。6前記受光層に光が照射される面に、所定の色の光を透過させるフィルタが平面的に配置されたカラーフィルタ層が配置される上記1から5までのいずれかに記載の固体撮像素子。7前記カラーフィルタ層では、前記受光層における1つの前記光電変換部に対して、複数色のフィルタが配置される上記6に記載の固体撮像素子。8前記シャッター層は、前記受光層における複数の前記光電変換部に対して共通して光の透過を制御するように構成されている上記1から7までのいずれかに記載の固体撮像素子。9前記シャッター層は、前記光電変換部に対する光の入射角に応じて、光を遮光する箇所を調整する上記1から8までのいずれかに記載の固体撮像素子。なお、本実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。