"基板上に凹部を有する層間絶縁膜が形成され、層間絶縁膜上にバリア膜を介して前記凹部を埋めるように銅膜を形成した構造体を準備する工程と、前記構造体の前記銅膜を前記バリア膜との界面まで化学機械研磨により除去し、前記凹部内に銅配線を形成する工程と、前記銅配線をエッチングしてその表面を前記層間絶縁膜表面よりも後退させる工程と、前記バリア膜を化学機械研磨により除去する工程とを有し、前記銅配線をエッチングしてその表面を前記層間絶縁膜表面よりも後退させる工程は、前記バリア膜まで除去された構造体を真空状態の有機化合物雰囲気に配置し、前記構造体の前記銅配線表面を含む面に酸素ガスクラスターイオンビームを照射し、前記酸素ガスクラスターイオンビーム中の酸素ガスクラスターイオンにより、前記銅配線の表面の銅を酸化させて酸化銅とするとともに、酸化銅と有機化合物を反応させて前記銅配線を異方的にエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。前記銅配線の銅を酸化させて酸化銅とするとともに、酸化銅と有機化合物を反応させる際のエネルギーは、前記酸素ガスクラスターイオンが前記銅配線に衝突した際の熱により供給され、前記基板を加熱することなくエッチングが行われることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記構造体を加熱しないことにより、前記有機化合物の分子を前記銅配線の表面に吸着しやすくし、前記酸素ガスクラスターイオンビームが前記有機化合物分子に妨げられない程度の真空度になるような供給量で前記有機化合物を供給して有機化合物雰囲気を形成することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記銅配線をエッチングしてその表面を前記層間絶縁膜表面よりも後退させる工程は、前記有機化合物雰囲気中の前記構造体へ前記酸素ガスクラスターイオンを連続的に照射し、連続的に銅配線を異方性エッチングすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記バリア膜を化学機械研磨により除去する工程は、前記銅配線をエッチングする工程の後に行われることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記層間絶縁膜がLow-k膜で形成されていることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。前記バリア膜を化学機械研磨により除去する工程は、前記銅配線をエッチングする工程の前に行われることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記層間絶縁膜は、少なくともその表面部分がSiO2で形成されていることを特徴とする請求項5から請求項7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記有機化合物は有機酸であることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記有機酸はカルボン酸であることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。前記バリア膜は、Ta膜、TaN膜、およびTa膜とTaN膜との積層膜のいずれかであることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記バリア膜を化学機械研磨により除去する工程の後、前記構造体の全面にキャップ絶縁膜を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。しかしながら、ウェットエッチングでCuリセス処理を行う場合には、Cu膜と下地のTa膜との間で電蝕が生じ、マイクロスリットを発生させてしまう。このようなマイクロスリットは、Cu/Ta界面の密着面積を減少させるため、エレクトロマイグレーションの起点となり、断線の原因となってしまう。本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、煩雑な工程を経ることなく、マイクロスリットの発生による断線が生じ難い、銅配線を含む半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。上記課題を解決するため、本発明は、基板上に凹部を有する層間絶縁膜が形成され、層間絶縁膜上にバリア膜を介して前記凹部を埋めるように銅膜を形成した構造体を準備する工程と、前記構造体の前記銅膜を前記バリア膜との界面まで化学機械研磨により除去し、前記凹部内に銅配線を形成する工程と、前記銅配線をエッチングしてその表面を前記層間絶縁膜表面よりも後退させる工程と、前記バリア膜を化学機械研磨により除去する工程とを有し、前記銅配線をエッチングしてその表面を前記層間絶縁膜表面よりも後退させる工程は、前記バリア膜まで除去された構造体を真空状態の有機化合物雰囲気に配置し、前記構造体の前記銅配線表面を含む面に酸素ガスクラスターイオンビームを照射し、前記酸素ガスクラスターイオンビーム中の酸素ガスクラスターイオンにより、前記銅配線の表面の銅を酸化させて酸化銅とするとともに、酸化銅と有機化合物を反応させて前記銅配線を異方的にエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。本発明において、前記銅配線の銅を酸化させて酸化銅とするとともに、酸化銅と有機化合物を反応させる際のエネルギーは、前記酸素ガスクラスターイオンが前記銅配線に衝突した際の熱により供給され、前記基板を加熱することなくエッチングが行われることが好ましい。この場合に、前記構造体を加熱しないことにより、前記有機化合物の分子を前記銅配線の表面に吸着しやすくし、前記酸素ガスクラスターイオンビームが前記有機化合物分子に妨げられない程度の真空度になるような供給量で前記有機化合物を供給して有機化合物雰囲気を形成するようにすることができる。前記銅配線をエッチングしてその表面を前記層間絶縁膜表面よりも後退させる工程は、前記有機化合物雰囲気中の前記構造体へ前記酸素ガスクラスターイオンを連続的に照射し、連続的に銅配線を異方性エッチングすることが好ましい。前記バリア膜を化学機械研磨により除去する工程は、前記銅配線をエッチングする工程の後に行うことができる。これは、前記層間絶縁膜がLow-k膜で形成されている場合に好適である。また、前記バリア膜を化学機械研磨により除去する工程は、前記銅配線をエッチングする工程の前に行ってもよい。これは、前記層間絶縁膜が、少なくともその表面部分がSiO2で形成されている場合に可能である。なお、前記層間絶縁膜の少なくともその表面部分がSiO2で形成されている場合は、前記バリア膜を化学機械研磨により除去する工程を前記銅配線をエッチングする工程の後に行ってもよい。前記バリア膜は、Ta膜、TaN膜、およびTa膜とTaN膜との積層膜のいずれかであることが好ましい。また、前記バリア膜を化学機械研磨により除去する工程の後、前記構造体の全面にキャップ絶縁膜を形成する工程をさらに有することが好ましい。本発明によれば、銅配線をエッチングしてその表面を層間絶縁膜表面よりも後退させる際に、バリア膜まで除去された構造体を真空状態の有機化合物雰囲気に配置し、構造体の銅配線表面を含む面に酸素ガスクラスターイオンビームを照射し、酸素ガスクラスターイオンビーム中の酸素ガスクラスターイオンにより、銅配線の表面の銅を酸化させて酸化銅とするとともに、酸化銅と有機化合物を反応させて銅配線を異方的にエッチングするので、銅の酸化および酸化銅と有機化合物との反応を効率よくかつ良好な形状性をもって連続的に行うことができる。また、これらの反応により生成した物質は揮発して排気されるため副生成物の付着がなく、副生成物除去のような煩雑な工程が不要である。また、ドライエッチングであるため、ウェットエッチングのようなマイクロスリットが形成されることによる断線のおそれがない。層間絶縁膜がダメージ耐性の低いLow-k膜で形成されている場合、酸素ガスクラスターイオンビームを照射する際に、Low-k膜が露出しているとダメージが懸念されるが、酸素ガスクラスターイオンビームを照射する際にバリア膜を残存させておくことにより、Low-k膜へダメージが生じない。以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について具体的に説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャート、図2はその方法を説明するための工程断面図である。まず、シリコン等の半導体基板10上にSiC等のエッチングストッパ膜11、TEOS等の低誘電率Low-k膜やSiO2等からなる層間絶縁膜12を形成した後、フォトリソグラフィによりパターン形成されたマスク材を用いてドライエッチングにより銅配線が埋め込まれる凹部であるトレンチ13を形成し、その後、トレンチ13内部を含む全面にバリア膜14を形成した後、例えばCuめっきにより銅Cu膜15を形成し、複数配列されたトレンチ13内に配線となるCuが埋め込まれた状態の構造体基板を準備する工程1、図2a。バリア膜14としては、Ta、TaN、またはTa/TaNの積層膜を好適に用いることができる。また、Cu膜15の表面は、トレンチ13の上端よりも高くなるようにする。次いで、化学機械研磨CMPによりCu膜15をバリア膜14との界面まで除去し、Cuをトレンチ内のみに残存させてCu配線を形成する工程2、図2b。トレンチ13内のCu配線16の上面は、バリア膜14の露出した表面とほぼ同じ高さとなる。この後、図3aに示すように、さらにCMPによりバリア膜14を除去し、全面にキャップ絶縁膜17を形成すると、Cu配線16の表面とその間の層間絶縁膜12の表面とがほぼ同一平面となるため、層間絶縁膜12とキャップ絶縁膜17との界面にリーク電流が流れ、図3bに示すように、その電流に随伴してCu原子がエレクトロマイグレーションし、Cu配線16間が短絡してしまう。以下、詳細に説明する。隣接するCu配線16の一方をA他方をBとすると、これら配線Aおよび配線B間にはバイアスがかけられている。層間絶縁膜12とキャップ絶縁膜17との間には、リーク電流防止処理が施されているが、バルクに比べてリーク電流が流れやすくなっている。配線間距離が短いところでは強電界がかかっており、最も強い電界がかかるのは配線の角である。したがって、配線Aの角から流れたリーク電流は層間絶縁膜12とキャップ絶縁膜17との界面を通って配線Bへと流れる。この電流の流れによりエレクトロマイグレーション現象が起き、配線Aの角にあるCu原子が層間絶縁膜12とキャップ絶縁膜17との界面に分布していき、Cuは電流を流すことから見かけの配線間距離が狭まったことになり、徐々にリーク電流が大きくなる。そして、この界面へのCu原子の分布が広がっていくと、最終的に配線Aおよび配線B間が短絡してしまう。そこで、本実施形態では、Cu膜15のCMPの後、トレンチ13内のCu配線16をエッチングしてその表面を層間絶縁膜12の表面から後退させるCuリセス処理を行う工程3。Cuリセス処理を用いることにより、電界集中が起こる角部からCu原子を排除し、リーク電流が生じてもCu原子のエレクトロマイグレーションを生じないようにすることができる。Cuは通常のCF系ガスを用いたドライエッチングではエッチングし難い材料であり、ドライエッチングができたとしてもエッチング後に堆積する副生成物をウェットエッチングで除去しなければならず煩雑であることから、従来はウェットエッチングによりCuリセス処理を行っていた。しかし、ウェットエッチングの場合には、薬液としてHFH2O2、HNO3、H2SO4等が用いられ、エッチングによりCu表面に欠陥が生じたり、粒界のエッチングレートが高いため表面のラフネスが大きいという問題がある。また、さらに大きな問題として、Cuとバリア膜としてのTaの間のCu/Ta界面において電蝕反応が生じ、Cuの電子がTaに引き抜かれることによりCuが溶解し、Cu/Ta界面にマイクロスリットと称されるスパイクエッチングが生じることが挙げられる。このようなスパイクエッチングが生じると、Cu/Ta界面の密着面積を減らすため、配線に流れる電流により、エレクトロマイグレーションの起点となり、配線の断線につながってしまう。そこで、本実施形態では工程3のCuリセス処理を、以下に示す全く新しいドライプロセスにより実施する。すなわち、図2bの構造体をエッチング装置のチャンバ図示せず内に搬入し、チャンバ内を高真空雰囲気にした後、酢酸等の有機化合物を供給して有機化合物雰囲気とし工程3-1、図2c、かつ構造体の表面にO2ガスクラスターイオンビームO2-GCIBを照射する工程3-2,図2d。これにより、Cuが酸化されるとともに、酸化銅と有機化合物とが反応してCu配線16がエッチングされる。このとき、例えば、上記構造体基板を駆動装置によりスキャンさせてO2-GCIBが構造体の全面に照射されるようにする。O2-GCIBは、ノズルから圧力を調整しつつO2ガス分子を噴射してO2分子がファンデルワールス力により数個から数万個凝集したO2クラスター流とし、これをイオナイザーでイオン化するとともに加速器により加速することにより形成される。すなわち、O2-GCIBは、O2クラスターがイオン化されて形成されたO2ガスクラスターイオンO2-GCIをビーム状にしたものである。なお、GCIBを形成するための装置については、例えば米国特許出願公開第2006/0105570号明細書に詳しく記載されている。この際の工程3におけるドライエッチングによるCuリセス処理のメカニズムおよび効果を図4を参照して説明する。本実施形態では、O2-GCIBの衝突によって得られた熱によりCuリセス処理を行うため、構造体基板は加熱されずに常温で保持されている。そのため、図4aに示すようにCu配線16の表面を含む構造体の全面に十分な量の有機化合物分子酢酸分子18が吸着した状態となる。この状態で、O2-GCIBを照射することにより、図4bに示すようにO2-GCI19が構造体に向かって直進する。そして、図4cに示すように、O2-GCI19がCu配線16に衝突すると、その際の衝突エネルギーにより、O2-GCI19の酸素の一部が反跳酸素となるとともに、表面のCuの一部がスパッタされ、酸素の他の一部は1式のようなCuの酸化に寄与する。また、衝突エネルギーの残部は熱に変換され、この熱により、1の酸化反応がより促進されるとともに、有機化合物である酢酸の場合には2式に従って酸化銅と酢酸の反応が促進され、揮発性のCuCH3COOとH2Oが生じてCu配線16から酸化銅分子が脱離する。また、有機化合物の供給およびO2-GCIBの照射を継続的に行うことにより、構造体基板を加熱することなく、これら1、2式の反応が連続的に生じ、これによりCu配線16が高いエッチングレートでエッチングされる。2CuO→Cu2O1Cu2O2CH3COOH→2CuCH3COO↑H2O↑2上記2式の反応は、通常、常温では生じないが、O2-GCIの衝突により生じた熱により進行する。このエッチングに際しては、O2-GCI19は直進性があるため、図2eに示すように、Cu配線16の上部を異方的にエッチングすることができ、電界集中が起こる角部からCu原子を有効に排除することができる。この際のエッチング深さは、30~90nm程度でよい。この場合に、O2-GCI19は、数個から数万個の酸素分子や酸素原子がファンデルワールス力により緩やかに束縛された状態となっており、サイズが大きいので、O2-GCI19がCu配線16に衝突した際に、内部に入り込み難い。このため、衝突エネルギーは主にCu配線16の表面部分に作用し、表面部分で反応が生じ、Cu配線16の表面から順次内部に向けて所望の深さだけ異方的にエッチングされるので、形状性が良好であるとともに、Cu配線16の内部の不所望の酸化は生じ難い。また、上述のように、基本的に常温プロセスであり、有機化合物の量が少なくてよく、10-4~10-6Torrのオーダーの低圧で処理が可能であるため、有機化合物分子とO2-GCIとの衝突を無視することができ、有機化合物分子がO2-GCIの照射を妨げることがなく、高い反応効率を得ることができる。さらに、上記1、2の反応は生成物が揮発して排気されるため、副生成物の付着がなく、副生成物除去のような煩雑な工程が不要である。また、ドライエッチングであるため、ウェットエッチングのようなマイクロスリットが形成されることによる断線のおそれがない。工程3-1の有機化合物としては、典型的には有機酸を用いることができる。有機酸としては例示した酢酸に代表されるカルボン酸一般式:R-COOHRは水素、又は直鎖もしくは分枝鎖状のC1~C20のアルキル基もしくはアルケニル基、好ましくはメチル、エテル、プロピル、ブチル、ペンチル又はヘキシルを好適に用いることができる。酢酸以外の他のカルボン酸としては、蟻酸HCOOH、プロピオン酸CH3CH2COOH、酪酸CH3CH22COOH、吉草酸CH3CH23COOHなどを挙げることができる。カルボン酸の中では、蟻酸HCOOH、酢酸CH3COOH、プロピオン酸CH3CH2COOHが特に好ましい。また、Hhfac等を用いることもできる。また、アルコールやアルデヒド等の酸化銅と反応してCuを除去することができる他の有機化合物も適用可能である。酢酸以外の蟻酸やプロピオン酸等の他の有機化合物有機酸を用いた場合も上記2式と同様な反応が生じてエッチングを進行させることができる。以上のような工程3が終了した後、CMPによりバリア膜14を除去する工程4、図2f。その後、全面にSiCやSiN等からなるキャップ絶縁膜17を形成する工程5、図2g。これにより、Cu配線16の表面が層間絶縁膜12の表面から所望の深さで後退した構造が得られ、電界集中が起こる角部からCu原子が排除され、リーク電流が生じてもCu原子上昇する駆動力がないため移動することができず、Cu原子のエレクトロマイグレーションによるCu配線16間の短絡を有効に防止することができる。工程3において、O2-GCIBは構造体の全面に照射されるため、層間絶縁膜12がダメージ耐性の低いLow-k膜で形成されている場合、それが露出しているとLow-k膜にO2-GCIBが照射されることによるダメージが懸念される。しかし、本実施形態では、O2-GCIBを照射する際に、Cu配線16以外のフィールド部分にはTa系膜であるバリア膜14が残存しており、O2-GCIBを照射してもバリア膜14がダメージを受けるだけで、層間絶縁膜12を構成するLow-k膜へのダメージは生じない。また、O2-GCIBによりダメージを受けたバリア膜14はその後除去されるため、ダメージの影響は残らない。なお、層間絶縁膜12として、SiO2膜を用いる場合や、Low-k膜の表面にSiO2膜を設けて、Low-k膜を保護する構造をとった場合には、層間絶縁膜12の表面にSiO2膜が存在することになるが、SiO2膜はO2-GCIBに対するダメージ耐性が比較的高いため、Cuリセス処理を行う前にバリア膜14を除去してO2-GCIBが層間絶縁膜12の表面に照射されるようにしてもよい。もちろん、この場合にも上記のようにCuリセス処理の後にバリア膜14を除去してもよい。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、種々変形可能であることは言うまでもない。"