"順次に積層された陽極導電性基板、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、電子輸送層、電子注入層、および陰極を含むポリマー電界発光素子であって、前記電子阻止層の材料は、フッ化リチウム、炭酸リチウム、酸化リチウム、および塩化リチウムから選ばれる1種であることを特徴とするポリマー電界発光素子。前記陽極導電性基板は、酸化インジウム錫ガラス、フッ素ドープ酸化錫ガラス、アルミニウムドープ酸化亜鉛ガラス、およびインジウムドープ酸化亜鉛ガラスから選ばれる1種であることを特徴とする、請求項1に記載のポリマー電界発光素子。前記正孔注入層の材料は、酸化モリブデン、三酸化タングステンおよび五酸化二バナジウムから選ばれる1種であることを特徴とする、請求項1に記載のポリマー電界発光素子。前記正孔輸送層の材料は、1,1-ビス[4-[N,N’-ジp-トリルアミノ]フェニル]シクロヘキサン、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミン、4,4’,4’’-トリカルバゾール-9-イルトリフェニルアミン、およびN,N’-1-ナフチル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミンから選ばれる1種であることを特徴とする、請求項1に記載のポリマー電界発光素子。前記電子輸送層の材料は、2-4-ビフェニルイル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール、8-トリス-ヒドロキシキノリンアルミニウム、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン、1,2,4-トリアゾール誘導体、およびN-アリールベンゾイミダゾールから選ばれる1種であることを特徴とする、請求項1に記載のポリマー電界発光素子。前記発光層の材料は、有機発光材料、または、ゲスト材料として前記有機発光材料を、ホスト材料にドープして組み合わせた混合材料であり、且つ、ドープされたゲスト材料の質量比が1~20であり、前記ホスト材料は、正孔輸送材料および電子輸送材料から選ばれる1種または2種であり、その中で、有機発光材料は、4-ジシアノメチレン-2-ブチル-6-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-イル-ビニル-4H-ピラン、8-トリス-ヒドロキシキノリンアルミニウム、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2ピコリナトイリジウム、ビス2-メチル-ジフェニル[f,h]キノキサリンアセチルアセトナトイリジウム、およびトリ2-フェニルピリジンイリジウムから選ばれる少なくとも一種であり、前記正孔輸送材料は、1,1-ビス[4-[N,N’-ジp-トリルアミノ]フェニル]シクロヘキサン、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミン、4,4’,4’’-トリカルバゾール-9-イルトリフェニルアミン、およびN,N’-1-ナフチル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミンから選ばれる1種であり、前記電子輸送材料は、2-4-ビフェニルイル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール、8-トリス-ヒドロキシキノリンアルミニウム、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン、1,2,4-トリアゾール誘導体、およびN-アリールベンゾイミダゾールから選ばれる1種であることを特徴とする、請求項1に記載のポリマー電界発光素子。前記電子注入層の材料は、炭酸セシウム、アジドセシウムおよびフッ化リチウムから選ばれる1種であることを特徴とする、請求項1に記載のポリマー電界発光素子。前記陰極の材料は、銀、アルミニウム、白金および金から選ばれる1種であることを特徴とする、請求項1に記載のポリマー電界発光素子。陽極導電性基板を提供し、それに対して表面処理を行う工程と、前記陽極導電性基板に、順次に、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、電子輸送層、電子注入層、および陰極を真空蒸着してポリマー電界発光素子を得る工程と、を備え、その中、前記電子阻止層の材料は、フッ化リチウム、炭酸リチウム、酸化リチウム、および塩化リチウムから選ばれる1種であることを特徴とする、ポリマー電界発光素子の製造方法。陽極導電性基板に対して表面処理を行う工程は、酸素プラズマを用いて処理する工程を含み、処理時間が2~15分間であり、電力が10~50Wであることを特徴とする、請求項9に記載のポリマー電界発光素子の製造方法。以下、添付した図面および具体的な実施例を参照して、ポリマー電界発光素子およびその製造方法をさらに詳しく説明する。図1に示すように、1つの実施形態にかかるポリマー電界発光素子100は、順次に積層された陽極導電性基板110、正孔注入層120、正孔輸送層130、電子阻止層140、発光層150、電子輸送層160、電子注入層170、および陰極180を含む。陽極導電性基板110は、酸化インジウム錫ガラスITO、フッ素ドープ酸化錫ガラスFTO、アルミニウムドープ酸化亜鉛ガラスAZO、およびインジウムドープ酸化亜鉛ガラスIZOから選ばれる1種であることが好ましい。正孔注入層120の材料は、酸化モリブデンMoO3、三酸化タングステンWO3、および五酸化二バナジウムV2O5から選ばれる1種であることが好ましく、厚さは、20~80nmであることが好ましい。正孔注入層120の材料としてMoO3を用い、厚さが40nmであることがさらに好ましい。正孔輸送層130の材料は、1,1-ビス[4-[N,N’-ジp-トリルアミノ]フェニル]シクロヘキサンTAPC、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミンTPD、4,4’,4’’-トリカルバゾール-9-イルトリフェニルアミンTCTA、およびN,N’-1-ナフチル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミンNPBから選ばれる1種であることが好ましく、厚さは、20~60nmであることが好ましい。正孔輸送層130の材料としてNPBを用い、厚さが40nmであることがさらに好ましい。電子阻止層140の材料は、フッ化リチウムLiF、炭酸リチウムLi2CO3、酸化リチウムLi2O、および塩化リチウムLiClから選ばれる1種であることが好ましく、厚さは、0.7~5nmであることが好ましい。発光層150の材料は、有機発光材料、または、ゲスト材料として有機発光材料をホスト材料にドープして組み合わせた混合材料であり、且つ、ドープされたゲスト材料の質量比が1~20である。ホスト材料は、正孔輸送材料および電子輸送材料から選ばれる1種または2種であり、発光層150の厚さは、2~50nmであることが好ましい。その中で、有機発光材料は、4-ジシアノメチレン-2-ブチル-6-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-イル-ビニル-4H-ピランDCJTB、8-トリス-ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq3、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2ピコリナトイリジウムFIrpic、ビス2-メチル-ジフェニル[f,h]キノキサリンアセチルアセトナトイリジウムIrMDQ2acac、およびトリ2-フェニルピリジンイリジウムIrppy3から選ばれる少なくとも一種であり、正孔輸送材料は、1,1-ビス[4-[N,N’-ジp-トリルアミノ]フェニル]シクロヘキサンTAPC、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミンTPD、4,4’,4’’-トリカルバゾール-9-イルトリフェニルアミンTCTA、およびN,N’-1-ナフチル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミンNPBから選ばれる1種であり、電子輸送材料は、2-4-ビフェニルイル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾールPBD、8-トリス-ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq3、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBphen、1,2,4-トリアゾール誘導体例えば、TAZ、またはN-アリールベンゾイミダゾールTPBIからなる選ばれる1種である。発光層150の材料としてAlq3を用い、厚さが30nmであることがさらに好ましい。電子輸送層160の材料は、2-4-ビフェニルイル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール、8-トリス-ヒドロキシキノリンアルミニウム、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン、1,2,4-トリアゾール誘導体、およびN-アリールベンゾイミダゾールから選ばれる1種であることが好ましく、厚さは、40~80nmであることが好ましい。電子輸送層160の材料としてBphenを用い、厚さが60nmであることがさらに好ましい。電子注入層170の材料は、炭酸セシウムCs2CO3、アジドセシウムCsN3、およびフッ化リチウムLiFから選ばれる1種であり、厚さが0.5~10nmであることが好ましい。電子注入層170の材料としてCsN3を用い、厚さが5nmであることがさらに好ましい。陰極180の材料は、銀Ag、アルミAl、白金Pt、および金Auから選ばれる1種であり、厚さは、80~250nmであることが好ましい。陰極180の材料としてAgを用い、厚さが100nmであることがさらに好ましい。当該ポリマー電界発光素子は、無機電子阻止層としてリチウム化合物を製造することにより、材料が安価、且つ容易に入手でき、最も重要なことは、その仕事関数がわりに低く、2.0eVの程度に到達して、発光層との間に約1.0eVの遷移のポテンシャルバリヤを形成することができ、また、電子をできるだけ発光層に制限して正孔と結合させることができる。それにより、励起子の結合確率を向上させ、ひいては、発光効率を向上させ、素子の製造効率を大幅に向上させることができる。本実施形態では、図2に示すように、下記の工程を備えるポリマー電界発光素子の製造方法をさらに提供する。工程S1:陽極導電性基板を提供し、それに対して表面処理を行う。好ましくは、先ず、提供された陽極導電性基板に対して、基板の表面の不浄物を除去するように、順次に、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、およびイソプロパノールを用いて、それぞれ、一定時間で超音波処理を行い、次に、洗浄した後の陽極導電性基板に対してさらに表面処理を行い、例えば、酸素プラズマ処理などを用いてもよく、酸素プラズマ処理の時間は、2~15分間にしてもよく、電力は、10~50Wである。電力が35Wである酸素プラズマを用いて、陽極導電性基板に対して5分間処理を行うことが好ましい。工程S2:陽極導電性基板に、順次に、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、電子輸送層、電子注入層、および陰極を真空蒸着させて、前記ポリマー電界発光素子を得る。その中、電子阻止層の材料は、フッ化リチウム、炭酸リチウム、酸化リチウム、および塩化リチウムからなる選ばれる1種である。当該製造プロセスの原理は簡単であり、原料が入手しやすく、製造効率が高いので、幅広く用いられる。以下、具体的な実施例について説明する。以下の各実施例で用いられた設備は、下記の通りである。高真空蒸着設備瀋陽科学儀器研制中心有限公司、圧力<1×103Pa、電流-電圧測定器米国Keithly社、型番:2602、電界発光分光測定計米国photoresearch社、型番:PR650、およびスクリーン輝度計北京師範大学、型番:ST-86LA。実施例1:ITO/MoO3/NPB/LiF/Alq3/Bphen/CsN3/AgITOガラス基板を提供し、適宜な形状に切断した後、順次に洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを使用してそれぞれ15分間超音波処理を行って、基板表面の不浄物を除去し、よく洗浄した後、それに対して酸素プラズマ処理を5分間行い、電力は35Wである。真空蒸着によって正孔注入層を製造し、材料はMoO3を用い、厚さは40nmである。真空蒸着によって正孔輸送層を製造し、材料はNPBを用い、厚さは40nmである。真空蒸着によって電子阻止層を製造し、材料はLiFであり、厚さは1.5nmである。真空蒸着によって発光層を製造し、材料はAlq3を用い、厚さは30nmである。真空蒸着によって電子輸送層を製造し、材料はBphenを用い、厚さは60nmである。真空蒸着によって電子注入層を製造し、材料はCsN3を用い、厚さは5nmである。真空蒸着によって陰極を製造し、材料はAgを用い、厚さは100nmであり、前記ポリマー電界発光素子を得た。図3は、本実施例に係る電子阻止層を含む素子のエネルギー準位を示す図である。実線は、従来の有機材料を用いて製造された電子阻止層のエネルギー準位の構造を示すものである。点線は、本実施例のLiF電子阻止層を加えた後、LUMOエネルギー準位が向上された結果を示すものであるエネルギー準位は、下から上へ向かうにつれて数値が小さくなる。エネルギー準位が向上された後、電子が阻止層に通り抜けるポテンシャルバリヤは大きくなり、これにより、電子を発光層に制限して正孔と結合させて発光させ、発光効率を向上させる。実施例2:IZO/WO3/TPD/Li2CO3/DCJTB/PBD/Cs2CO3/AlIZOガラス基板を提供し、適宜な形状に切断した後、順次に洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを使用してそれぞれ15分間超音波処理を行って、基板表面の不浄物を除去し、よく洗浄した後、それに対して酸素プラズマ処理を2分間行い、電力は50Wである。真空蒸着によって正孔注入層を製造し、材料はWO3を用い、厚さは20nmである。真空蒸着によって正孔輸送層を製造し、材料はTPDを用い、厚さは50nmである。真空蒸着によって電子阻止層を製造し、材料はLi2CO3であり、厚さは5nmである。真空蒸着によって発光層を製造し、材料はDCJTBを用い、厚さは50nmである。真空蒸着によって電子輸送層を製造し、材料はPBDを用い、厚さは80nmである。真空蒸着によって電子注入層を製造し、材料はCs2CO3を用い、厚さは10nmである。真空蒸着によって陰極を製造し、材料はAlを用い、厚さは250nmであり、前記ポリマー電界発光素子を得た。実施例3:AZO/V2O5/TAPC/Li2O/TPBI:Irppy3/TAZ/CsN3/AuAZOガラス基板を提供し、適宜な形状に切断した後、順次に洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを使用してそれぞれ15分間超音波処理を行って、基板表面の不浄物を除去し、よく洗浄した後、それに対して酸素プラズマ処理を15分間行い、電力は10Wである。真空蒸着によって正孔注入層を製造し、材料はV2O5を用い、厚さは60nmである。真空蒸着によって正孔輸送層を製造し、材料はTAPCを用い、厚さは60nmである。真空蒸着によって電子阻止層を製造し、材料はLi2Oであり、厚さは2nmである。真空蒸着によって発光層を製造し、材料はTPBI:Irppy3を用い、厚さは10nmであり、その中で、Irppy3が発光層にドープされた質量百分率は15である。真空蒸着によって電子輸送層を製造し、材料はTAZを用い、厚さは40nmである。真空蒸着によって電子注入層を製造し、材料はCsN3を用い、厚さは5nmである。真空蒸着によって陰極を製造し、材料はAuを用い、厚さは80nmであり、前記ポリマー電界発光素子を得た。実施例4:FTO/V2O5/TAPC/LiF/TPBI:IrMDQ2acac/TPBI/Cs2CO3/AuFTOガラス基板を提供し、適宜な形状に切断した後、順次に洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを使用してそれぞれ15分間超音波処理を行って、基板表面の不浄物を除去し、よく洗浄した後、それに対して酸素プラズマ処理を10分間行い、電力は30Wである。真空蒸着によって正孔注入層を製造し、材料はV2O5を用い、厚さは40nmである。真空蒸着によって正孔輸送層を製造し、材料はTAPCを用い、厚さは60nmである。真空蒸着によって電子阻止層を製造し、材料はLiFであり、厚さは0.5nmである。真空蒸着によって発光層を製造し、材料はTPBI:IrMDQ2acacを用い、厚さは2nmであり、その中で、IrMDQ2acacが発光層にドープされた質量百分率は1である。真空蒸着によって電子輸送層を製造し、材料はTPBIを用い、厚さは50nmである。真空蒸着によって電子注入層を製造し、材料はCs2CO3を用い、厚さは0.5nmである。真空蒸着によって陰極を製造し、材料はAuを用い、厚さは80nmであり、前記ポリマー電界発光素子を得た。実施例5:ITO/MoO3/TCTA/LiCl/TPBI:Firpic/Alq3/CsN3/PtITOガラス基板を提供し、適宜な形状に切断した後、順次に洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを使用してそれぞれ15分間超音波処理を行って、基板表面の不浄物を除去し、よく洗浄した後、それに対して酸素プラズマ処理を8分間行い、電力は40Wである。真空蒸着によって正孔注入層を製造し、材料はMoO3を用い、厚さは80nmである。真空蒸着によって正孔輸送層を製造し、材料はTCTAを用い、厚さは30nmである。真空蒸着によって電子阻止層を製造し、材料はLiClであり、厚さは4nmである。真空蒸着によって発光層を製造し、材料はTPBI:Firpicを用い、厚さは25nmであり、その中で、Firpicが発光層にドープされた質量百分率は20である。真空蒸着によって電子輸送層を製造し、材料はAlq3を用い、厚さは35nmである。真空蒸着によって電子注入層を製造し、材料はCsN3を用い、厚さは7nmである。真空蒸着によって陰極を製造し、材料はPt用い、厚さは80nmであり、前記ポリマー電界発光素子を得た。比較例ITO/MoO3/NPB/Alq3/Bphen/CsN3/AgITOガラス基板を提供し、適宜な形状に切断した後、順次に洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを使用してそれぞれ15分間超音波処理を行って、基板表面の不浄物を除去し、よく洗浄した後、それに対して酸素プラズマ処理を5分間行い、電力は35Wである。真空蒸着によって正孔注入層を製造し、材料はMoO3を用い、厚さは40nmである。真空蒸着によって正孔輸送層を製造し、材料はNPBを用い、厚さは40nmである。真空蒸着によって発光層を製造し、材料はAlq3を用い、厚さは30nmである。真空蒸着によって電子輸送層を製造し、材料はBphenを用い、厚さは60nmである。真空蒸着によって電子注入層を製造し、材料はCsN3を用い、厚さは5nmである。真空蒸着によって陰極を製造し、材料はAgを用い、厚さは100nmであり、前記ポリマー電界発光素子を得た。図4は、輝度と発光効率との関係を示すグラフである。その中で、曲線1は、実施例1で製造された素子の輝度と発光効率との関係を示すグラフであり、曲線2は、比較例で製造された素子の輝度と発光効率との関係を示すグラフである。図4から分かるように、異なる輝度において、実施例1の発光効率それぞれは、比較例に比べて大きく、最大の発光効率は、13.7lm/Wである。これに対して、比較例は、10.3lm/Wのみである。これは、無機電子阻止層を用いる場合、電子をできるだけ発光層に制限して正孔と結合させて、それにより、励起子の結合確率を向上させ、ひいては発光効率を向上させ、発光効率の向上に寄与することを明らかにした。以上の実施例は、本発明のいくつかの実施形態のみについてより具体的、詳しく説明したが、本発明の特許請求の範囲は、これらの実施形態により限定されるものではない。当業者にとって、本発明の要旨を逸脱しない範囲内においてさまざまな変更および改善を行い得る。かかる変更及び改善はすべて本発明の保護範囲に属することは、自明なことである。従って、本発明の特許請求の保護範囲は、添付する請求項を基準とする。"