"中空のストラットを備えたステントの作製方法であって、少なくとも部分的に犠牲材料により形成されている略円筒形基材を利用するステップと、前記基材上に第1フォトレジスト層を堆積させるステップと、前記第1フォトレジスト層をパターン化して第1フォトレジスト層に開口部を設けるステップと、前記パターン化された前記第1フォトレジスト層の開口部内で前記基材上に第1金属層を堆積させるステップと、前記金属層上に第2フォトレジスト層を堆積させるステップと、前記第2フォトレジスト層をパターン化して第2フォトレジスト層に開口部を設け、前記第2フォトレジスト層の開口部が前記第1金属層上に設けられるステップと、前記パターン化された第2フォトレジスト層の開口内で、前記第1金属層上に犠牲材料を堆積させるステップと、前記犠牲材料および前記第1金属層上に第3のフォトレジスト層を堆積させるステップと、前記第3フォトレジスト層をパターン化して第3フォトレジスト層に開口部を提供するステップと、前記パターン化された第3フォトレジスト層の開口部内に第2金属層を堆積させるステップと、第1、第2および第3フォトレジスト層を除去するステップと、前記基材および前記犠牲材料を除去するステップと、備えている、ことを特徴とする中空のストラットを含むステントの作製方法。前記第1フォトレジスト層の除去ステップが、前記第2フォトレジスト層の堆積ステップの前に完了する、請求項1に記載の方法。前記第2フォトレジスト層の除去ステップが、前記第3フォトレジスト層の堆積ステップの前に完了する、請求項2に記載の方法。前記第1金属層および前記第2金属層が同じ材料である、請求項1に記載の方法。前記第1金属層および第2金属層が、ステンレス製スチール、コバルトクロム合金、ニッケル、ニッケル-コバルト合金、ニッケル-鉄合金、鉄-コバルト-ニッケル合金、クロム-鉄-ニッケル合金から成る群から選択される、請求項1に記載の方法。前記第1金属層を堆積させるステップが、前記基材上で金属の化学組成物を電鋳するステップを備えている、請求項1に記載の方法。電鋳ステップが、前記基材を金属の金属メッキ浴に配置するステップと、基材を通じて電流を流し、前記パターン化された第1フォトレジスト層の開口部内に金属を堆積させるステップを備えている、請求項6に記載の方法。第1、第2および第3のフォトレジスト層の除去のステップが、レジストの溶剤溶解と、プラズマ酸素ストリッピングおよび水洗と、パターン化されたレジストの投光露光および現象とのうち一つを備えている、請求項1に記載の方法。前記第1金属層および第2金属層がステントのストラットを形成する、請求項1に記載の方法。前記除去された犠牲材料が、ステントのストラットを有するキャビティを形成する、請求項9に記載の方法。第3フォトレジスト層のパターン化ステップが、前記キャビティから第2金属層を貫通する開口部を形成するために、犠牲材料の部分の上に第3フォトレジスト層の部分を残すステップを備えている、請求項10に記載の方法。前記キャビティを治療物質で満たすステップをさらに備えている、請求項10に記載の方法。薬剤浸透ポリマー材料からの薬剤溶出速度の制御は、通常、ポリマー材料の特性に基づいている。しかし、溶出過程の最後には、残りのポリマー材料が血管との不都合な反応にリンクして、小さいが危険な塊を形成する可能性がある。さらに、医療器具の露出面の薬剤含浸ポリマー被覆は剥がれるか、さもなければ送達中に損傷されることがあり、薬剤が目標の部位に到達するのが妨げられる。さらにまた、薬剤含浸ポリマー被覆では、ポリマー被覆が運ぶ薬剤の量と医療器具のサイズにより、送達される薬剤の量が限定される。ポリマー被覆を用いた溶出速度を制御することもまた困難である。治療剤で満たされた中空管のワイヤーで作製されたステントが提案されてきた。しかし、中空のワイヤーをステント様式に折り曲げて中空ワイヤーステントを形成すると、最終完成品のステントに、もつれ、亀裂、またはその他の望ましくない特性が発生する可能性がある。よって、ワイヤー折り曲げてステント形状にすることなく中空ストラットを有する薬剤溶出型ステントを作製することが望ましい。中空のストラットを含むステントの作成方法の実施形態には、実質上円筒基材上に第1のフォトレジスト層を堆積させることが含まれる。前記基材は、少なくともその一部は犠牲材料で作製されている。第1のフォトレジスト層をパターン化して第1フォトレジスト層に開口部を提供とする。次に第1の金属層を、パターン化された第1フォトレジスト層の開口部の中の基材上に堆積させる。前記第1フォトレジスト層を除去し、第2フォトレジスト層を第1金属層の上に堆積させる。前記第2フォトレジスト層をパターン化して、第2フォトレジスト層に開口部を提供とし、第2フォトレジスト層の前記開口部が第1金属層の上に付与されるようにする。犠牲材料を、パターン化された第2フォトレジスト層の開口部の中の第1金属層上に堆積させる。第2フォトレジスト層を除去し、第3フォトレジスト層を、犠牲材料および第1金属層の上に堆積させる。第3フォトレジスト層をパターン化して第3フォトレジスト層に開口部を提供とする。第2金属層は、パターン化された第3のフォトレジスト層の開口部の中に堆積される。第3のフォトレジスト層を除去する。前記基材および犠牲材料を除去すると、中にキャビティが形成された金属層が残される。この金属層は、ステントのストラットを形成するパターンに堆積される。本発明の前記およびその他の特徴および利点は、添付図面で図示した本発明の以下の記載により明らかとなる。本明細書に含まれ、その一部を形成する添付図面はさらに、本発明の原則を説明する役目を果たし、関連する技術分野の当業者が本発明の作製、利用するのを可能とする。図面は原寸に比例していない。本発明の具体的な実施形態を、図面を参照して説明するが、同様の参照番号は、同一または機能的に類似の要素であることを示す。ステント130の作製方法の実施形態を図1~図16に示す。ステント130の一例が図14Aに示されている。しかし、ステントは、ステントとしての使用に好適な任意のパターンで形成してもよい。例えば、Globermanに付与された米国特許第6090127号明細書、Palmazに付与された米国特許第4739762号明細書およびLauに付与された米国特許第5421955号明細書に示されているステントパターンも使用してもよいが、これらに限定されない。図1は、基材100の断面図である。本実施形態の基材100は、円筒形の管である。基材100は円筒形ロッドでもよく、または、ステントの最終の全体形状に適合する別の形状であってもよい。例えば、基材100は楕円管またはロッドであってもよいが、これらに限定されない。基材100は、下記で詳述するように、ステント形成過程が完了したときに除去し得る犠牲材料で作製または被覆される。基材100に好適な犠牲材料の例として、銅、タングステン、鉄、スズ、銀、アルミニウム、マグネシウム、タンタル、モリブデン、炭素グラファイト、または、当業者に知られているその他の好適な材料が含まれるが、これらに限定されない。基材100の犠牲材料は、下記で詳述するように、ステントの最終構造の材料とは異なる。図2に示すように、基材100は、第1フォトレジスト被覆層102以後、フォトレジスト層と称するで被覆される。第1フォトレジスト層102は、当業者であれば理解できるように、表面にパターン化された被膜を形成するために使用される光感受性材料である。第1フォトレジスト層102は、ポジ型レジストでも、ネガ型レジストでもよい。フォトレジスト層102は、限定的ではない例として、AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製のポジ型厚膜フォトレジスト4000および9000シリーズのレジスト樹脂、または信越化学工業株式会社から入手可能なSIPR登録商法7110M-18であってもよく、またはMicro-Chem社製のSU-8シリーズの樹脂などのネガ型フォトレジスト厚膜も、厚膜用途のために十分に開発されている。フォトレジスト層102は、基材100上に噴霧被覆されるか、または当業者に知られているその他の方法により適用される。第1フォトレジスト層102の厚さは、10~100μm典型的には、25~50μmであるのがよい。その後、第1フォトレジスト層102は、図3および図3Aに示されるようにパターン化される。フォトレジスト層は、第1フォトレジスト層102にマスクを適用することによりパターン化される。本実施形態のマスクは管状のマスクでも、また、レーザースキャナーで適用されるマスクでもよい。マスクには、第1フォトレジスト層102の一部を覆うパターンが含まれており、第1のフォトレジスト層102の一部は露出したままである。その後、第1フォトレジスト層102を紫外線に露光される。ポジ型レジストを使用すると、第1フォトレジスト層102の露出部分が、所望のステントパターンになる。光に露光したフォトレジストの部分は、フォトレジスト現像液に対し溶解性となる。露光した後、レジストで被覆された基材100を、露出領域を分解する現像液に浸す。ネガ型レジストを使用すれば、フォトレジスト層のマスクを当てた部分が、所望のステントパターンになる。マスクをあててフォトレジスト層を紫外線の光源に露光すると、マスクの透光領域の下にあるフォトレジストが物理的および化学的に変化し、現像液の中で溶けなくなる。露光した後に、レジスト被覆された基材100を現像液に浸すと、硬化領域または露出領域に過剰な効果を及ぼすことなく、非露出領域を除去することができる。図3および図3Aに示すように、ステントパターンは、第1フォトレジスト層102の開口部104、すなわち、除去されるフォトレジスト領域により定められ、よって、基材100を露出させることとなる。フォトレジスト層102をパターン化した後、内部ストラット層106が基材100上にメッキされる。内部ストラット層106は、ステンレス製スチール、コバルトクロム合金、ニッケル、ニッケル-コバルト合金、ニッケル-鉄合金、鉄-コバルト-ニッケル合金、クロム-鉄-ニッケル合金、および当業者に知られているその他の金属もしくは合金で作製してもよい。内部ストラット層106は、内部ストラット層106の金属または合金の化学組成物を電鋳することにより形成してもよい。金属または合金の金属メッキ浴に基材100を配置し、電流を基材100の露出領域104に通し、その結果、開口部104に金属または合金を積み重ねる。内部ストラット層106の厚さは、約25~50μmの範囲であるのがよい。次のステップで、フォトレジスト層102を除去し、基材100および内部ストラット層106を図5に示すように残す。図5および図5Aに示すように、開口部108が、内部ストラット層106の部分の間で、第1フォトレジスト層102を配置されていたところに配置され、それにより基材100が露出する。第1フォトレジスト層102を、当業者に知られている方法で除去してもよい。例えば、第1フォトレジスト層を、1レジストの溶剤溶解、2プラズマ酸素ストリッピングおよび水洗、または3パターン化されたレジストの投光露光および現像ポジ型レジストおよび非硬化レジストパターンにより除去してもよいが、これらに限定されない。第1フォトレジスト層102を除去した後、第2フォトレジスト層110を適用し、図6に示すように、内部ストラット層106と、内部ストラット層106の間に配置された開口部108とを被覆する。第2フォトレジスト層110は、第1フォトレジスト層102と同じ材料でもよく、または異なる材料でもよい。第2フォトレジスト層110は、第1フォトレジスト層102に関する上記と同様の方法で適用されてもよい。第2フォトレジスト層110は、厚さ10~100μm典型的には10~25μmの範囲であるのがよい。さらに、第2のフォトレジスト層110を、最初に第1フォトレジスト層102を除去することなく適用してもよい。その場合、第1フォトレジスト層102および第2フォトレジスト層110は共に後のステップで除去される。しかし、その場合、各層ごとの乾燥処理のため、後のステップで第1フォトレジスト層102を除去することはより困難となることがある。その後、第2フォトレジスト層110をパターン化する。図7に示すように、第2フォトレジスト層110のパターン化により、内部ストラット106の部分に開口部112を作る。第2フォトレジスト層110を、第1フォトレジスト層102に関する上記方法によって、または当業者に知られているその他の方法によって、パターン化してもよい。開口部112は、ステントのストラットのキャビティの所望のサイズに合わせて寸法決めされる。第2フォトレジスト層110をパターン化した後、犠牲層114を、第2のフォトレジスト層110の開口部112に正確に配置する。下記で詳述するように、犠牲層114は、銅など、基材100または基材100の被覆層と同じ材料で作製しても、または、ストラット層の最上層を配置した後に除去され得るその他の材料で作製してもよい。犠牲層114は、ステントのストラット内のキャビティまたは内腔に望ましい寸法に寸法決めされる。その後、第2のフォトレジスト層110を除去し、図9に示すように、基材100と、その基材100上に配置された内部ストラット層106と、内部ストラット層106の部分上に配置された犠牲層114を残す。第2フォトレジスト層110を、第1フォトレジスト層102の除去に関する上記と同じ方法を用いて、または当業者に知られているその他の方法により除去してもよい。第2フォトレジスト層110を除去した後、図10に示すように、第3フォトレジスト層116を、犠牲層114と、第1ストラット層106と、基材100との上に堆積させる。第2フォトレジスト層110を第1フォトレジスト層102上に適用したのと同様に、第3フォトレジスト層116も、第2フォトレジスト層110を先に除去することなく、第2フォトレジスト層110上に適用してもよい。しかし、上述したように、堆積したフォトレジスト層を後のステップで除去することは、より困難になる可能性がある。第3フォトレジスト層116を、第1のフォトレジスト層102に関する上述した方法により、または当業者に知られている方法により堆積させてもよい。第3フォトレジスト層116を堆積させた後、第3フォトレジスト層116をパターン化する。第3フォトレジスト層116は、第1フォトレジスト層102のパターン化に関し上述した任意の方法により、または、当業者に知られている方法によりパターン化される。図11に示されるように、第3フォトレジスト層116のパターンは、後述するように、ストラット材料の第2の層に開口部118を提供する。また、図11に示されているように、第3フォトレジスト層116の部分120は犠牲材料114に留まる。下記で詳細に説明するように、部分120は、ストラット材料を貫通し、ストラットのキャビティヘのアクセスできるようにする開口部を提供する。第3フォトレジスト層116をパターン化した後、第2のストラット層122を第3のフォトレジスト層116の開口部118内に堆積させる。第2ストラット層122は、内部ストラット層106と同じ材料で作製されることが好ましい。第2ストラット層122は、図12に示すように、第3フォトレジスト層116の開口部118内に形成される。図12に示されているように、第2ストラット層122は、内部ストラット層106の部分の上、犠牲材料114の頂部の側面に沿って、かつ犠牲材料114の頂部上に形成される。第2ストラット層122を、内部ストラット層106に関する上記記載と同じ方法により形成してもよい。第2ストラット層106は、ステントのストラットの側壁および外壁を提供する。第2のストラット層122を形成した後、第3のフォトレジスト層116の残部を除去する。第3のフォトレジスト層116を、第1のフォトレジスト層102を除去するための上記と同じ方法、または当業者に知られている任意の方法を用いて除去してもよい。第3フォトレジスト層116を除去した後、図13に示すように、内部ストラット層106および第2ストラット層122は基材100の上に配置されたままとし、犠牲材料114は、ストラット106と122との間のキャビティに留まる。その後、犠牲材料114および基材100を、例えば、化学エッチングまたは当業者に知られているその他の方法により除去される。ストラット層122、106を損傷することなく、犠牲材料114および基材100が除去される。例えば、基材100および犠牲材料114が銅または銀である場合、これらは硝酸を用いて除去されるが、これに限定されない。基材100および/または犠牲材料114に鉄、スズまたはマグネシウムを使う場合、除去に塩酸が使用される。アルミニウムで作製された犠牲層を除去するためには、リン酸混合物が使用される。タングステン、モリブデン、タンタルまたは炭素で作製された犠牲層を除去するときには、ガスまたはプラズマエッチングが使用される。当業者であれば理解するであろうが、犠牲材料114および基材100に様々な材料を用いることができ、ストラット層122、106にも様々な材料を用いることができる。エッチング液が溶解し、さもなければ、ストラット層材料122,106を損傷することなく、キャビティおよび基材の犠牲材料114,100を除去するよう、材料およびエッチング液が選択される。全体を本明細書に援用する2009年7月9日に出願された米国特許出願第12/500359号は、別の金属または合金を損傷することなく、一つの金属または合金を除去する様々なエッチング液を開示している。さらに、当業者であれば、基材100が犠牲材料の表面被膜を含むだけであることを認識するであろう。このような実施形態では、表面被膜の除去により、ステント130が基材100から取り外せるよう基材100の外径が十分に小さくなる。犠牲材料114および基材100を除去すると、ストラット層106、122が、図14および図14Aに示されているように、ステント130のストラット125として残る。ストラット125は、図15に示すように、キャビティ126と、キャビティ126からストラット125の外部表面への開口部124とを含む。その後、図16に示されているように、キャビティ126を治療物質128で満たしてもよい。開口部124を通じて、および/またはキャビティ126を満たす目的で開けられたその他の開口部を通じて、キャビティ126を満たしてもよい。このような追加の開口部は、それを使用する場合は、キャビティ126を治療物質128で満たした後には閉じることができる。当業者に知られている方法により、キャビティ126を治療物資で満たしてもよい。例えば、液体または準液体状態の治療薬剤を、開口部124またはその他に提供される開口部を通じて流すことにより、キャビティ126を満たしてもよい。ストラット125内に本質的に1つのキャビティ126が延びており、ストラット全に沿って様々な位置に開口部124が配置されているように、ストラット125のキャビティ126は連続的であるのがよいことは、当業者であれば理解できる。しかし、フォトレジスト層のパターンを変更することにより、特に、第2および第3フォトレジスト層110/116、キャビティ126は、連続的である必要はない。例えば、ある位置では、第2フォトレジスト層110がこれらの場所に残るよう、第2フォトレジスト層110の複数の開口部112は含まれなくてもよいが、これに限定されない。このため、犠牲材料114をこれらの場所には追加せず、これらの位置にある第3フォトレジスト層116の部分120を除去する。よって、これらの場所にキャビティ124が存在しないよう、第2のストラット層122はこれらの場所で第1のストラット層106を完全に覆う。例えば、ステンの各末端近くには、固体のストラットが提供され得るが、これに限定されない。よって、第1の治療物質はステントの末端で使用され得、第2の治療物質はステントの中間部分で使用され得る。変形例として、送達中または拡張中により高負荷のステントの部分は、高い耐荷重を提供するため、中実ストラットを含んでもよい。本明細書に記載の方法を用いて、キャビティ126を所望の数の個別のキャビティに分けるため、またはストラット全体の長さに沿って、単一の継続するキャビティを有するためのフォトレジスト層パターン化の可能性が無数に存在することを、当業者であれば理解できる。開口部124が連続的でないことが好ましいと、さらに理解できる。代わりに、開口部124は、図14Aに示されているように、ストラット125に沿って異なる場所に位置する。しかしながら、当業者であれば、開口部124は連続的であってもよいと認識するであろう。さらに、フォトレジスト層のパターン化を変えることにより、開口部124の寸法、形状、および/または密度単位長または単位領域当たりの数は、ステントの中でも異なってもよい。その様な変化は、ステントに沿って治療物質の溶出速度を変えられる。例えば、ステントの中間部分に、より多く又はより大きな開口部が開け、ステントの末端近くには、より少ない又はより小さい開口部が開けられるが、これに限定されない。治療物質128は、抗腫瘍性物質、抗有糸分裂物質、抗炎症物質、抗血小板物質、抗凝固物質、抗フィブリン物質、抗トロンビン物質、抗増殖物質、抗生物質、抗酸化物質、抗アレルギー物質ならびにそれらの組合せが挙げられるが、これに限定されない。抗腫瘍剤およびまたは抗有糸分裂剤の例として、パクリタキセル例えば、ブリストルマイヤーズ株式会社コネチカット州スタンフォードのTAXOL登録商標、ドセタキセル例えば、AventisS.A.社ドイツ、フランクフルトのTaxotere登録商標、メトトレキサート、アザチオプリン、ビンクリスチン、ビンブラスチン、フルオロウラシル、塩酸ドキソルビシン例えば、PharmaciaUpjohn社ニュージャージー州ピーパックのAdriamycin登録商標、およびマイトマイシン例えば、ブリストルマイヤーズ株式会社コネチカット州スタンフォードのMutamycin登録商標が挙げられる。抗血小板剤、抗凝固剤、抗フィブリン剤、および抗トロンビン剤の例として、ヘパリンナトリウム、低分子量ヘパリン、ヘパリン類似物質、ヒルジン、アルガトロバン、フォルスコリン、バピプロスト、プロスタサイクリンおよびプロスタサイクリンアナログ、デキストラン、D-phe-pro-arg-クロロメチルケトン合成抗トロンビン、ジピリダモール、糖タンパク質IIb/IIIa血小板膜受容体拮抗剤抗体、組換えヒルジン、およびAngiomax商標Biogen社、マサチューセッツ州ケンブリッジなどのトロンビン阻害剤が挙げられる。このような細胞増殖抑制剤または抗増殖剤の例として、ラパマイシンシロリムス、ゾタロリムス、エベロリムス、アンギオペプチン、カプトプリル例えば、ブリストルマイヤーズ株式会社コネチカット州スタンフォード製のCapoten登録商標およびCapozide登録商標などのアンギオテンシン変換酵素阻害剤、シラザプリルまたはリシノプリル例えば、MerckCo.,Incニュージャージー州ホワイトハウスステーション製のPrinivil登録商標およびPrinzide登録商標、カルシウムチャネル遮断薬ニフェジピンなど、コルヒチン、線維芽細胞成長因子FGF拮抗薬、魚油オメガ3脂肪酸、ヒスタミン拮抗薬、ロバスタチンHMG-CoA還元酵素の阻害剤、コレステロール低下薬、ブリストルマイヤーズ株式会社コネチカット州スタンフォード製の商品名Mevacor登録商標、モノクロナール抗体血小板由来増殖因子PDGF受容体に特化したもの、ニトロプルシド、ホスホジエステラーゼ阻害剤、プロスタグランジン阻害剤、スラミン、セロトニン遮断薬、ステロイド、チオプロテアーゼ阻害剤、トリアゾロピリミジンPDGF拮抗薬、および一酸化窒素が挙げられる。抗アレルギー剤の例として、ペミロラストカリウムが挙げられる。使用され得るその他の治療物質または治療剤には、一酸化窒素、α-インターフェロン、遺伝子操作された上皮細胞、およびデキサメタゾンが含まれ得る。他の実施例では、治療物質は、放射線治療手順における埋め込み型装置使用のための放射性同位元素である。放射性同位元素の例として、リンP32、パラジウムPd103、セシウムCs131、イリジウムI192およびヨウ素I125が挙げられるが、これらに限定されない。前記の治療物質または治療剤の予防および治療特性は、当業者によく知られているが、前記物質または薬剤は例として提供されるのであり、制限することを意図しない。その他の治療物質は、開示された方法および組成物での利用に等しく適用可能である。さらに、治療物質または治療剤に担体を使用してもよい。好適な担体の例として、エタノール、アセトン、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、それらの組み合わせ、または当業者に既知のその他の好適な担体が含まれるが、これらに限定されない。さらにまた、薬剤の溶出を支援するために、薬剤および溶剤と共に界面活性剤を処方してもよい。本発明の様々な実施形態について先に記載したが、これらは図示および例示としてのみ表されたのであって、これらに限定されないことを理解されるべきである。本発明の精神および範囲を離れることなく、形式および詳細において様々な変更を行い得ることは、関連技術分野の当業者には明らかであろう。よって、本発明の広さおよび範囲は、上記の任意の模範的実施例に限定されるべきではないが、添付の請求の範囲およびその同等物に従ってのみ定義されるべきである。本明細書に記載の各実施形態および本明細書に引用の各引用の各特徴は、任意の他の実施形態との組合せで使用され得る。さらに、前記の技術分野、背景技術、発明の概要または発明を実施するための形態に提示された任意の明示的または暗示的な任意の理論により拘束されることを意図していない。本明細書に記載の全ての特許文献および刊行物は、その全体を引用により含めるものとする。"