シリコン基板と、振動膜と、前記シリコン基板の一方の表面と前記振動膜との間に間隙が形成されるように前記振動膜を支持する振動膜支持部と、で形成されるセル構造を、少なくとも一つ以上含む素子を有し、前記素子の周囲に、前記振動膜支持部と共通の層に形成された溝が配されていることを特徴とする静電容量型電気機械変換装置。前記振動膜は単結晶シリコン振動膜であることを特徴とする請求項1に記載の静電容量型電気機械変換装置。前記素子と前記溝は、前記素子の周囲を囲んで閉じた分離溝を前記振動膜に形成すること、或いは前記溝上に前記振動膜が存在しないようにすることで、電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項1または2に記載の静電容量型電気機械変換装置。前記溝は、連続的な閉じた周回溝であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の静電容量型電気機械変換装置。前記周回溝を横切って、前記素子の電極と繋がった電気配線が形成されていることを特徴とする請求項4に記載の静電容量型電気機械変換装置。前記溝は、始点と終点とを有し、両点の間の前記共通の層には形成されていないことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の静電容量型電気機械変換装置。前記溝の始点と終点との間の前記共通の層上に、前記素子の電極と繋がった電気配線が形成されていることを特徴とする請求項6に記載の静電容量型電気機械変換装置。前記溝または周回溝は、前記素子の周囲に複数重、並行して形成されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の静電容量型電気機械変換装置。前記共通の層は、絶縁層であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の静電容量型電気機械変換装置。上述した技術状況において、高温処理が施される接合方法によりシリコン基板上に単結晶シリコン振動膜を形成し、静電容量型電気機械変換装置を作製することができる。こうした作製では、静電容量型電気機械変換装置を構成するトランスデューサ素子エレメントにおいて、高温処理が施される接合時に、素子に含まれるセル周辺の接合面積が異なる箇所で、各セルの振動膜変形量にバラツキを生じることがある。バラツキは、振動膜と絶縁層の熱膨張係数の違いや、高温処理が施された際に発生する水分やガスの残存量の違い、振動膜と絶縁層の内部応力の影響による基板の反りが要因として考えられる。このセル毎の振動膜変形量のバラツキは超音波の送信効率及び検出感度のバラツキとなる。しかしながら、上記特許文献2の技術は、こうしたバラツキそのものを低減できるものではない。上記課題に鑑み、本発明の静電容量型電気機械変換装置は、シリコン基板と、振動膜と、シリコン基板の一方の表面と振動膜との間に間隙が形成されるように振動膜を支持する振動膜支持部と、で形成されるセル構造を、少なくとも一つ以上含む素子を有する。そして、前記素子の周囲に、前記振動膜支持部と共通の層に形成された溝が配されている。本発明の静電容量型電気機械変換装置の構造では、装置を構成する素子の周囲において、素子に含まれるセル構造の構成要素である振動膜支持部と共通の層に溝が形成されている。この溝により、単結晶シリコン振動膜などの振動膜を設けるために実行される溶融接合時に発生する熱応力等による素子内の各セルの振動膜の初期変形のバラツキを低減することができる。そのため、装置の検出感度や送信効率のバラツキを低減することができる。本発明の特徴は、セルを少なくとも一つ以上含む素子の周囲に、単結晶シリコン振動膜などの振動膜を支持する振動膜支持部と共通の層に形成された溝が配されていることである。こうした基本的な構成において、本発明の静電容量型電気機械変換装置は種々の形態を取ることができる。典型的には、素子と溝は、素子の周囲を囲んで閉じた分離溝を振動膜に形成したり図1の例など、溝上に振動膜が存在しない図6の例などようにしたりすることで、電気的に絶縁される。前記溝は、連続的な閉じた周回溝であったり図1の例、始点と終点とを有し両点の間の絶縁層などの前記共通の層には形成されていない溝であったり図4の例などする。周回溝である場合、図1などに示す様に、周回溝を横切って、素子の電極と繋がった電気配線が形成される。始点と終点を有する溝である場合、図4などに示す様に、溝の始点と終点との間の絶縁層などの前記共通の層上に、素子の電極と繋がった電気配線が形成される。溝または周回溝は、素子の周囲に、図1や図9に示す様に一重だけ形成してもよいし、図4などに示す様に複数重、並行相並んでの意味であって、平行な状態であってもよいし、非平行な状態であってもよいして形成してもよい。何れにせよ、各セル構造の接合面積等の境界条件をほぼ揃えて、溶融接合時に発生する熱応力等による素子内の各セルの振動膜の初期変形のバラツキを低減することができるのであれば、溝は素子の周囲にどの様な態様で配されてもよい。以下に、本発明の静電容量型電気機械変換装置の実施形態を説明する。本発明の一実施形態では、図1に示す様に、複数のセル構造102を有する素子101を複数アレイ状に配置している。図1では、6つの素子のみを記載しているが、素子数は幾つでも構わない。また、素子101は、16個のセル構造102から構成されているが、セル構造の個数は幾つであっても構わない。ここでは、セルの平面形状は円形であるが、四角形、六角形等であっても構わない。図1のA-B断面図の図2aと図1のA’-B’断面図の図2bに示す様に、セル構造102は、振動膜である単結晶シリコン振動膜7、空隙などである間隙凹部3、振動膜7を支持する振動膜支持部17、及びシリコン基板1で構成されている。振動膜支持部17は絶縁体が望ましく、酸化シリコン、窒化シリコン等である。絶縁体でない場合は、シリコン基板1と単結晶シリコン振動膜7との絶縁を行うため、シリコン基板1上に絶縁層を形成する必要がある。シリコン基板1や単結晶シリコン振動膜7は、それぞれ共通電極または信号取り出し電極として用いることができる。シリコン基板1や単結晶シリコン振動膜7の導電特性を向上するため、薄いアルミニウム等の金属膜をシリコン基板1や単結晶シリコン振動膜7上に形成しても良い。これらは、オーミックがとりやすい低抵抗なものであることが好ましく、抵抗率は0.1Ωcm以下がよい。オーミックとは、電流の方向と電圧の大きさによらず抵抗値が一定であることである。素子101は、その周囲において、絶縁膜支持部と同一の層に溝103図2では4で示し、本実施形態では、閉じた周回溝であるを有している。ここでは、素子101の周囲に、振動膜支持部17と共通の絶縁層2に溝103が形成されている。溝103は、図1の様に、素子101の周囲を完全に囲うように閉じた一重の周回溝として配されている。周回溝103は、少なくとも絶縁体支持部と同一の層に形成されていればよい。周回溝103を絶縁体支持部17と同一の層2に形成することによって、各セル構造の接合面積等の境界条件をほぼ揃えられるので、溶融接合時に発生する熱応力等による振動膜7の変形量のバラツキを低減することができる。周回溝がない場合、素子内の中心に配置したセルよりも、最外周に配置したセルの振動膜の変形量が大きくなる。また、最外周から中心に向かうに従い、セルの振動膜の変形量は小さくなる。これは、最外周部のセル周囲の接合面積が中心のセル周囲の接合面積より大きく、最外周部のセルの振動膜の変形量が大きくなり、その影響が外側のセルの振動膜ほど強く及ぶためである。素子101とその周囲において、素子毎の信号取り出し電極である単結晶シリコン振動膜7と周回溝103上の単結晶シリコン膜とを電気的に分離することによって、素子と周回溝とを電気的に分離している。素子101を駆動する際に、周回溝103上に単結晶シリコン膜が存在する場合、周回溝上の単結晶シリコン膜が同時に駆動されてノイズとなることがある。従って、素子と溝の間を電気的に絶縁することによって、ノイズを低減でき、検出感度や送信効率の低下を防止することができる。電気的な絶縁は、周回溝上の単結晶シリコン膜自体を除去したり、素子と周回溝の内縁部との間に分離溝15を形成したりことで実現できる。ここでは、分離溝15を設けているが、後述する図6の例では前者の方法を採用している。周回溝の内縁部とは、周回溝を設ける領域20の、間隙3の凹部から近い方の端面を意味する。図1において、分離溝15は、凹部と周回溝との間の電気的な分離と、信号取り出し電極の形成とを行っている。また、単結晶シリコン振動膜7を共通電極とし、シリコン基板1を分割して、分割したシリコン基板を素子毎の信号を取り出す信号取り出し電極として用いても良い。この構成によっても、周回溝と素子との電気的絶縁を行うことができる。本実施形態で、素子とは、分離溝15が形成された内側の領域であり、後述する配線12や第一の電極パッド13、第二の電極パッド14を除いた部分を指す。上記構成によって、素子及び素子アレイの均一性を高め、受信感度等を安定させることができる。本実施形態の駆動原理を説明する。静電容量型電気機械変換装置で超音波を受信する場合、図示しない電圧印加手段で、直流電圧を単結晶シリコン振動膜7に印加しておく。超音波を受信すると、振動膜7が変形するため、距離18すなわち単結晶シリコン振動膜7信号取り出し電極とシリコン基板1共通電極との距離が変わり、静電容量が変化する。この静電容量変化によって、振動膜7に電流が流れる。この電流を図示しない電流-電圧変換素子によって電圧に変換し、超音波の受信信号として出力する。また、単結晶シリコン振動膜7に直流電圧と交流電圧を印加し、静電気力によって、振動膜7を振動させることができる。これによって、超音波を送信できる。本実施形態の効果について、図8を用いて説明する。図8aは振動膜変形量バラツキと最外周部のセル溝間の距離との関係を示している。図8bは振動膜変形量バラツキと溝を設ける領域との関係を示している。図8aの横軸は、間隙3の直径に対する最外周部のセルと溝間の距離19の比率である。縦軸は、溝を設けた場合の最外周部のセルが有する振動膜変形量と中心部のセルが有する振動膜変形量の差の絶対値を、中心部セルの振動膜変形量の絶対値に対する比率で表している。この比率が大きいほど、送信或いは受信感度のバラツキを大きくする。つまり、上記振動膜変形量の差の絶対値が0に近い電気機械変換装置では、素子内或いは素子間の性能均一性を高め、受信感度等を安定させることができる。図8aでは、溝を設けた領域20が100μmの場合を示している。系列は溝の幅107図3-1参照の違いを示しており、025などの数字は間隙3の直径に対する溝幅107の比率を示す。例えば、間隙3の直径が35μmの場合、系列025の溝幅は875μm、系列075の溝幅は2625μm、系列15の溝幅は525μm、となる。この溝幅の違いにより、領域20に設ける溝の多重数本数が異なる。図8aに示す様に、溝の本数が異なっても、最外周部のセルと溝間の距離の増加により、振動膜の変形量バラツキは低減する。図8aに示す様に、間隙3の直径に対する最外周部のセルと溝間の距離19の比率が0.5以上の場合、上記振動膜変形量の差はほぼ0になる。従って、間隙3の直径に対する最外周部のセルと溝間の距離19の比率は、0.5以上が好ましい。溝が有する単結晶シリコン膜がセルの振動膜よりも変形しやすい為、溝が間隙3に近すぎると、溝が有する単結晶シリコン膜の変形が、セルの振動膜7に影響を及ぼし、変形量を増加させるからである。一方、上記比率が大きくなると、つまり、溝を設けない状態に近づくと、接合面積等の境界条件が不均一な状態となり、上記振動膜変形量の差が大きくなる。従って、間隙3の直径に対する最外周部のセルと溝間の距離19の比率は、0.5~2.0程度の範囲が好ましい。また、図8bの横軸は、周回溝を設ける領域20の距離を示し、縦軸は図8aと同じである。系列も図8aと同じである。図8bでは、間隙3の直径に対する最外周の間隙端面と溝端面との距離19の比率が0.75の場合を示している。図8bに示す様に、溝を設ける領域20を50μm以上とする場合、上記振動膜変形量の差はほぼ0になる。従って、周回溝を設ける領域20は、50μm以上であれば、受信感度、送信効率のバラツキを大幅に低減できるので好ましい。025などの系列の違いに応じて、溝の多重数本数は異なるが、溝は上記領域20に一重以上設ければよい。図8bでは上記比率が0.75の場合を示したが、この比率が075とは異なる場合でも、同様に、溝を設ける領域20の距離の増加により、振動膜変形量のバラツキは低減する。ところで、セル構造と同等の構造を素子の周囲に設けることで、振動膜の変形量バラツキを低減することもできる。ただし、これにより変形量バラツキを十分に低減するには、上記周回溝の如き溝よりも広い領域を必要とする。従って、後述する図9に示す様に素子がアレイ状に配置された静電容量型電気機械変換装置の場合、セル構造と同等の構造を素子の周囲に形成すると、引出し配線の取り出しができなくなることがある。他方、本実施形態のような周回溝の場合、セル構造と同等の構造よりも狭い領域に配置して、振動膜の変形量を均一にできるので、素子の配置間隔106が小さくても、配線を引き出すことができる。図1と図2の説明に戻る。これらの図に示す溝103図2の溝4の深さは、所望の深さにすることができるが、溝103の底部に絶縁層2が残る深さにすることが好ましい。溝103の底部に絶縁層2が存在することで、溝上の単結晶シリコン膜を除去した際に後述する実施例3を参照、シリコン基板1の露出を防ぐことができる。シリコン基板1の露出を防止することにより、振動膜7上の電極11と溝103の間に外部から導電性の物質が付着する等による電極11とシリコン基板1との間の短絡を防止できる。また、溝103と間隙3を同等の深さにすることで、間隙3と溝103を同時に形成することができる。これにより、フォトマスク枚数の低減、作製工程数の低減、アライメントずれの防止等を実現することができる。溝103の幅107は、所望の値にすることができる。図8aで示した様に、最外周部のセルと溝間の距離19が近い場合でも、狭い溝幅107とすれば振動膜変形量の差を小さくできる。こうした場合、最外周部のセルの近傍に溝を形成できるため、配線領域108図9参照を広くすることができ、多数の配線を取り出すことができる。また、溝103が有する単結晶シリコン膜が溝の底部に接触しない幅107にするのが好ましく、間隙3の直径より小さい溝幅であれば、溝が有する単結晶シリコン膜は底部に接触しない。従って、溝の幅は、間隙3の直径と同程度以下が好ましい。溝の幅107が凹部3の直径よりも大きく、溝上の単結晶シリコン膜の変形量が、凹部3が有する単結晶シリコン振動膜の変形量よりも大きい場合、次の様な問題が生じる。電極11と溝103の間に外部から導電性の物質等が付着したままで、電気機械変換装置に電圧を印加すると、凹部3が有する単結晶シリコン振動膜よりも先に、溝が有する単結晶シリコン膜が、シリコン基板1と接触する。更に印加電圧を大きくすると、溝が有する単結晶シリコン膜とシリコン基板1の間で絶縁破壊が生じ、電気機械変換装置として機能しなくなる可能性がある。こうした観点からも、溝の幅107は、間隙凹部3の直径と同程度以下が好ましい。溝は、その始点と終点とが異なる構成とすることもできる。始点と終点が異なるとは、図9や図10に示す様に、素子の周囲に設ける溝の一部が途切れている構造のことである。こうした構造では、図9に示す様に、溝104の始点と終点の間に配線12等を形成することができる。溝の始点と終点との間は、配線等を形成できる幅とすればよい。また、溝の始点と終点の途切れ方は、種々であり得て、コの字、L字、C字状等でも良いし、渦巻き状に始点と終点が繋がらずに溝が並行して並んだ構造などでもよく、形状は問わない。溝の始点と終点の間に電気配線を形成することもできる。図9や図10の構成では、電気配線12下に間隙溝を有していないため、電気配線に発生するノイズを防止できるとともに、配線下に間隙を有する場合と比較して、配線の強度を保つこともできる。また、素子の周りに溝を複数重形成することもできる。こうした構成によって、振動膜の変形量バラツキを更に低減することができる。こうしたタイプの例として、図10に示す様に、始点と終点の異なるL字状の溝109、110、111、112を複数用いて素子の周りに複数重配することもできる。始点と終点の間が複数箇所存在することにより、複数箇所から電気配線を引き出すことができる。また、溝上のシリコン膜を除去することもできる。これにより、間隙3が有する単結晶シリコン振動膜7に、溝上のシリコン膜が振動することによるノイズが発生することを防止できる。なお、図9の構成では、振動膜は、素子と配線の所を除いて、除去され、図10の構成では、溝109、110、111、112上にシリコン膜が存在している。以下、より具体的な実施例を挙げて本発明を詳細に説明する。実施例1実施例1の静電容量型電気機械変換装置の構成を図1、図2を用いて説明する。また、この作製方法を図3-1、図3-2を用いて説明する。本実施例の上面構造を示す図1に示す様に、本実施例では、素子101を6個アレイ状に配置している。素子101の大きさは1mm×1mmである。素子101を構成するセル構造102は、20行20列に配置している図1、図2ではセル構造の個数は省略している。この様な素子101の周囲を囲うように、周回溝103を設けている。周回溝の幅はセル構造の間隙3の直径と同等の45μmである。周回溝103の幅とセル構造の間隙3の直径とを同等にすることで、周回溝が有する単結晶シリコン膜が周回溝の底部に接触しない様にすることができる。配線12は、上部の電極11から第一の電極パット13まで、周回溝103の上を通り、長さ1mm、幅15μmで引き出している。第一の電極パッド13と第二の電極パッド14の大きさは200μmであり、両者は500μmの間隔で配置している。分離溝15は、素子101と周回溝103とを電気的に分離する場所にあり、図1では素子101と配線12と第一の電極パッド13を囲う様に分離溝15を設けている。分離溝15の幅は10μmである。配線12と第一の電極パッド13以外の分離溝15の内側の領域が、素子101の大きさである。素子101の配置間隔106は1mmである。電極11の大きさは1mm×1mmである。図2を用いて、本実施例の断面構造について説明する。図2に示す様に、素子を構成するセル構造は、厚さ1.25μmの単結晶シリコン振動膜7、直径45μmの間隙3、厚さ0.2μmの絶縁層2、及び厚さ0.5mmの第一のシリコン基板1から形成されている。セル構造の配置間隔は50μmである。第一のシリコン基板1の抵抗率は0.01Ωcmである。単結晶シリコン振動膜7と第一のシリコン基板1との距離は、0.2μmである。電極11の厚さは0.2μmである。第一の電極パッド13、第二の電極パッド14、配線12の厚さは、0.2μmである。周回溝4図1の周回溝103と同じの深さは、間隙3の深さ18と同じ0.2μmである。最外周部のセル端面と周回溝端面との距離19は、間隙3の直径と同じ45μmである。距離19を間隙3の直径と同等にすることで、振動膜7の変形量バラツキを低減することができる。周回溝4を設ける領域20は、45μmである。本実施例では、間隙3の内部はほぼ真空状態である。本実施例の素子101内において、大気圧下での最外周セルの振動膜と中心セルの振動膜の変形量の差は、約5nmである。一方、周回溝を有しない静電容量型電気機械変換装置の素子が有する大気圧下での上記変形量の差は、約40nmである。この様に、溝を有する構造により、振動膜の変形量バラツキを低減することができ、検出感度や送信効率のバラツキを大幅に低減することができる。本実施例では、素子の周囲を溝が完全に囲うように周回溝を設けており、配線12が周回溝の上に形成されている。しかし、配線12や分離溝15を無くして、第一のシリコン基板1を、周回溝4と素子101との間で分割して、裏側から信号を引き出すようにしても良い。本実施例の静電容量型電気機械変換装置は、例えば、以下の方法で作製することができる。まず、図3-1aに示す様に、第一のシリコン基板1上に絶縁膜2を成膜する。第一のシリコン基板1の抵抗率は0.01Ωcmである。絶縁層2は、熱酸化により形成した酸化シリコンであり、厚さは400nmである。熱酸化により形成する酸化シリコンは、表面粗さが非常に小さく、第一のシリコン基板上に形成しても、第一のシリコン基板の表面粗さからの粗さ増加を防止でき、表面粗さはRms=0.2nm以下である。溶融接合により接合する場合、この表面粗さが大きいと、例えばRms=0.5nm以上であると、接合することが難しく、接合不良を引き起こす。熱酸化による酸化シリコンの場合、表面粗さを増大させないので、接合不良が発生しにくく、製造歩留まりを向上できる。次に、図3-1bに示す様に、間隙凹部3を形成する。間隙3は、ウェットエッチングによって形成することができる。間隙3の深さ距離18は200nmであり、直径は45μmである。間隙3の配置間隔は50μmであり、図3-1bでは省略しているが、20行20列で形成している。間隙3は、キャパシタの誘電体に相当する。次に、図3-1cに示す様に、周回溝4を形成する。周回溝4は、ウェットエッチングよって形成することができる。周回溝の深さは200nmであり、周回溝の横幅107は、間隙3の直径と同じ45μmである。また、周回溝は図3-1cに示す様に、間隙3の周囲を完全に囲む様に形成される。最外周部のセルと周回溝間の距離19は45μmである。次に、図3-2dに示す様に、第二のシリコン基板5を溶融接合する。溶融接合は真空条件下で行い、凹部3の内部をほぼ真空状態とする。第二のシリコン基板として、SOISilicononInsulator基板を用い、SOI基板の活性層6を接合する。活性層6は、単結晶シリコン振動膜7として用いる。活性層6の厚みは1.25μmであり、厚みバラツキは±5以下である。また、活性層6の抵抗率は0.01Ωcmである。接合後のアニール温度は1000°Cであり、アニール時間は4時間である。次に、図3-2eに示す様に、第二のシリコン基板5を薄化し、単結晶シリコン振動膜7を形成する。図3-2eに示す様に、第二のシリコン基板として用いているSOI基板の薄化は、ハンドル層8、BOXBuriedOxide層9を除去することによって行う。ハンドル層8の除去はグラインディングで行う。また、BOX層9の除去は、フッ酸によるウェットエッチングで行う。フッ酸によるウェットエッチングの場合、シリコンがエッチングされることを防止できるので、エッチングによる単結晶シリコン振動膜7の厚みバラツキを低減できる。次に、図3-2fに示す様に、振動膜7が形成されている側から第一のシリコン基板1の導通を取る為に、コンタクトホール10を形成する。まずコンタクトホールを形成する箇所の振動膜7の一部を、ドライエッチングよって除去する。次に絶縁膜2をウェットエッチングによって除去する。これにより、第一のシリコン基板1が露出し、コンタクトホール10を形成できる。次に、図3-2g及び図1に示す様に、素子101に電圧を印加する為に必要な上部電極11、配線12、電極パッドを設ける。まずAlアルミニウムを200nm成膜し、電極11と配線12、第一の電極パッド13、第二の電極パッド14をパターニングして形成する。次に、単結晶シリコン振動膜7に分離溝15を形成する。分離溝は、ドライエッチングによって形成できる。分離溝15により、間隙3と周回溝4は電気的に分離される。第一の電極パッド13と第二の電極パッド14の間に電圧を印加することで、素子101に電圧を印加できる。以上の様にして、本実施例の静電容量型電気機械変換装置を作製することができる。実施例2実施例2の静電容量型電気機械変換装置の構成を図4、図5を用いて説明する。図5は、図4のC’-D’断面図である。図4に示す様に、周回溝以外の構造は、実施例1と同等である。図4では、溝として、第二の溝104と第三の溝105を設ける。溝が一本一重の場合よりも、溝を二本二重以上設けることで、振動膜の変形量バラツキを更に低減することができる。図4で設けている溝はほぼ周回する溝であるが閉じてはおらず、始点と終点が異なっている。始点と終点の間は45μmである。溝の始点と終点が異なることで、溝の始点と終点の間に配線12を形成できる。第二の溝104と第三の溝105の幅は、セル構造の直径と同等の45μmである。配線12は、上部の電極11から第一の電極パット13まで、第二の溝104と第三の溝5の始点と終点の間を通り、長さ1mm、幅15μmで引き出されている。第一の電極パッド13と第二の電極パッド14の大きさは200μmであり、両者は500μmの間隔で配置されている。図5を用いて、本実施例の断面構造について説明する。図5に示す様に、溝を設ける領域20と配線12以外の構造は、実施例1と同等である。図5では、第二の溝104と第三の溝105を設けており、溝を設ける領域20は、90μmである。また、配線12は、絶縁層2上の分離溝15に挟まれた単結晶シリコン膜上に形成されている。間隙3の内部はほぼ真空状態である。本実施例の素子内において、大気圧下での最外周部のセルの振動膜と中心部のセルの振動膜の変形量の差は、約1nmである。一方、図3-1cの工程を実施しない、つまり、溝を有しない静電容量型電気機械変換装置の素子が有する大気圧下での上記変形量の差は、約40nmである。以上の様に、溝が一本の場合よりも、溝を二本以上設けることで、振動膜の変形量バラツキを更に低減でき、検出感度や送信効率のバラツキを大幅に低減することができる。また、始点と終点が異なる溝を有する構造により、始点と終点間に配線を形成し、電気信号を送受信することができる。電気配線下に間隙を有していないため、受信或いは送信時に電気配線が振動することを防止できる。従って、電気配線に発生するノイズを防止することができる。更に、配線下に間隙を有する場合と比較して、配線の強度を保つこともできる。本実施例の静電容量型電気機械変換装置は、実施例1の作製方法と同様にして作製することができる。また、実施例1の図3-1b、cの間隙と溝を、同一のフォトマスクで形成することもできる。従って、作製工程数を削減できるとともに、アライメントを実施する必要がないため、間隙形成時と溝形成時のアライメント誤差が生じない。更に、図10に示す様に、始点と終点の異なるL字状などの溝を複数用いて各重の囲いを成す溝構造を形成することもできる。各重の囲いを成す溝構造において始点と終点の間が複数箇所存在することにより、複数箇所から電気配線を引き出すことができる。実施例3実施例3の静電容量型電気機械変換装置の構成を図6、図7を用いて説明する。図7は、図6のE’-F’断面図である。本実施例では、実施例2と同等の溝を設け、溝上の単結晶シリコン膜を除去することで、素子と溝を電気的に絶縁している。図6、図7に示す様に、本実施例は実施例2とほぼ同等である。実施例2と異なる本実施例の特徴は、ほぼ周回する2重の溝上に単結晶シリコン膜が無いことである。溝上の単結晶シリコン膜が除去されるため、受信或いは送信時に溝上の単結晶シリコン膜が振動することによって素子の単結晶シリコン振動膜にノイズが発生することを、防止できる。本実施例の静電容量型電気機械変換装置は、実施例1の作製方法のうち、図3-1a~図3-2fまでの工程と同様な工程を施して作製することができる。本実施例を作製するためには、更に以下の工程を実施する。まずAlを200nm成膜し、電極11と配線12、第一の電極パッド13、第二の電極パッド14をパターニングして形成する。次に、シリコンをドライエッチングによって除去する。これにより、素子上の単結晶シリコン振動膜以外の単結晶シリコン膜が除去され、素子と溝を電気的に分離することができる。本実施例でも、溝の底面に絶縁膜を有している。これにより、第一のシリコン基板1の露出を防ぎ、上部の電極11と溝104、105の間に外部から導電性の物質が付着する等による電極11と第一のシリコン基板1との間の短絡を防止することができる。本実施例の素子内において、大気圧下での最外周部のセルの振動膜と中心部のセルの振動膜の変形量の差は、約1nmである。一方、溝を有しない静電容量型電気機械変換装置の素子が有する大気圧下での上記変形量の差は、約40nmである。以上の様に、本実施例でも、実施例2と同様な効果が得られる。