基板の第1の主面に、前記第1の主面に対向して見た形状が環状となる第1の溝、第1の方向に直線状に延在する第2の溝、及び、前記第2の溝の前記第1の方向における両端の更に外側に配置される第3の溝、を同一工程で形成する工程と、前記第1、第2及び第3の溝を埋め込むように、絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を形成する工程の後、前記基板の第1の主面にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記絶縁膜で埋め込まれた前記第2の溝の前記基板上での位置を基準として位置合わせした第1のパターンを、前記フォトレジスト膜に転写する工程と、前記絶縁膜で埋め込まれた環状の前記第1の溝の内側に位置する前記基板に、前記基板を厚さ方向に貫通する貫通電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記第1、第2及び第3の溝を形成する工程では、前記第2の溝を等間隔に複数配置することで、前記第1の主面に対向して見た形状がラインアンドスペースを構成させるように形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記第1、第2及び第3の溝を形成する工程では、前記第2の溝を幅が1~3μm、前記第1の方向における長さが30~50μmとなるように形成し、かつ、前記ラインアンドスペースのピッチが2~6μmとなるように、前記第2の溝を形成することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記第1、第2及び第3の溝を形成する工程では、前記第1の方向と異なる第2の方向に前記第2の溝を等間隔に複数、配置させ、前記第3の溝は、前記第2の方向に直線状に延在するように形成することを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体装置の製造方法。前記第1、第2及び第3の溝を形成する工程では、前記第3の溝は、個々の前記第2の溝の前記第1の方向における両端の更に外側に個別に配置することを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体装置の製造方法。前記絶縁膜を形成する工程の後、前記貫通電極を形成する工程の前に、前記基板の第1の主面と厚さ方向に対向する第2の主面側から前記基板を研削して、前記絶縁膜で埋め込まれた前記第1、第2及び第3の溝の底部が露出するまで前記基板の厚さを減ずる工程を更に有することを特徴とする請求項1~5の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記絶縁膜を形成する工程では、TEOSを原料に用いた化学気相成長法により、前記第1、第2及び第3の溝を埋め込むように前記絶縁膜を形成することを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記絶縁膜を形成する工程の後に、前記第1、第2及び第3の溝上の前記絶縁膜上にマスクが位置するようにマスクパターンを形成する工程と、前記マスクパターンを用いたエッチングにより、前記基板の第1の主面が露出しないように前記絶縁膜の一部を除去する工程と、前記マスクパターンを除去した後、前記絶縁膜を平坦化する工程と、によって前記第1、第2及び第3の溝内に前記絶縁膜を埋設する工程を更に有することを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記フォトレジスト膜に転写した前記第1のパターンを用いて、前記基板の第1の主面に素子分離領域を形成する工程を更に有することを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記基板を裁断領域に沿って切断することで、前記基板を個片化する工程を更に有し、前記第1、第2及び第3の溝を形成する工程では、前記基板の前記裁断領域に前記第2及び第3の溝を形成することを特徴とする請求項1~9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。基板と、前記基板を厚さ方向に貫通すると共に、前記基板の第1の主面に対向して見た形状が環状である第1の絶縁溝と、前記基板を厚さ方向に貫通すると共に、前記基板の第1の主面に対向して見た形状が、第1の方向に延在する直線状である第2の絶縁溝と、前記基板を厚さ方向に貫通すると共に、前記第2の絶縁溝の前記第1の方向における両端の更に外側に配置される第3の絶縁溝と、環状の前記第1の絶縁溝の内側に位置する前記基板内に、前記基板を厚さ方向に貫通するように設けられた貫通電極と、を有することを特徴とする半導体ウェハ。前記第2の絶縁溝は等間隔に複数配置されることで、前記第1の主面に対向して見た形状がラインアンドスペースを構成することを特徴とする請求項11に記載の半導体ウェハ。前記複数の第2の絶縁溝の個々を幅が1~3μm、前記第1の方向の長さが30~50μmとなるように形成し、かつ、前記ラインアンドスペースのピッチが2~6μmとなることを特徴とする請求項12に記載の半導体ウェハ。前記第2の絶縁溝は、前記第1の方向と異なる第2の方向に等間隔に複数、配置され、前記第3の絶縁溝は、前記第2の方向に直線状に延在することを特徴とする請求項12又は13に記載の半導体ウェハ。前記第3の絶縁溝は、個々の前記第2の絶縁溝の前記第1の方向における両端の更に外側に個別に配置されることを特徴とする請求項12又は13に記載の半導体ウェハ。基板と、前記基板のチップ領域を厚さ方向に貫通すると共に、前記基板の第1の主面に対向して見た形状が環状である第1の絶縁溝と、前記基板のチップ領域を厚さ方向に貫通すると共に、前記基板の第1の主面に対向して見た形状が、第1の方向に延在する直線状である第2の絶縁溝と、前記基板のチップ領域を厚さ方向に貫通すると共に、前記第2の絶縁溝の前記第1の方向における両端の更に外側に配置される第3の絶縁溝と、環状の前記第1の絶縁溝の内側に位置する前記基板内に、前記基板を厚さ方向に貫通するように設けられた貫通電極と、を有することを特徴とする半導体装置。前記第2の絶縁溝は等間隔に複数配置されることで、前記第1の主面に対向して見た形状がラインアンドスペースを構成することを特徴とする請求項16に記載の半導体装置。前記複数の第2の絶縁溝の個々を幅が1~3μm、前記第1の方向の長さが30~50μmとなるように形成し、かつ、前記ラインアンドスペースのピッチが2~6μmとなることを特徴とする請求項17に記載の半導体装置。前記第2の絶縁溝は、前記第1の方向と異なる第2の方向に等間隔に複数、配置され、前記第3の絶縁溝は、前記第2の方向に直線状に延在することを特徴とする請求項17又は18に記載の半導体装置。前記第3の絶縁溝は、個々の前記第2の絶縁溝の前記第1の方向における両端の更に外側に個別に配置されることを特徴とする請求項17又は18に記載の半導体装置。上記の方法とは異なり、絶縁リング等をビアファーストで形成せず、素子分離領域フィールドを形成する工程が基板に施す最初の工程であれば、当該素子分離領域の基板上での位置を調整する必要は無い。すなわち、素子分離領域の形成時には、基板上に他の部材が形成されていないため、これらの部材に対して素子分離領域の位置合わせを行う必要が無い。一方、上記のように、ビアファーストで既に絶縁リングが形成された基板上に素子分離領域を形成する場合、当該素子分離領域は基板上での位置を調整して位置合わせして形成する必要がある。即ち、絶縁リング形成の後、基板に対して素子分離領域用のパターニングをする前に、フォトリソグラフィに用いるアライメントマークを形成しておく必要がある。しかしながら、従来の方法では、アライメントマーク用のトレンチが深く、その幅が狭いため、トレンチ内に絶縁膜を埋設させると内部にシームやボイドが発生する場合があった。アライメントマーク用のトレンチはラインアンドスペース形状で形成するため、シームやボイドなどの埋設不良箇所に応力が集中して、この部分を起点に基板内にクラックが発生する場合があった。このクラックは素子領域にまで達することがあり、この場合、製造歩留まりが低下することとなっていた。一実施形態は、基板の第1の主面に、前記第1の主面に対向して見た形状が環状となる第1の溝、第1の方向に直線状に延在する第2の溝、及び、前記第2の溝の前記第1の方向における両端の更に外側に配置される第3の溝、を同一工程で形成する工程と、前記第1、第2及び第3の溝を埋め込むように、絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を形成する工程の後、前記基板の第1の主面にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記絶縁膜で埋め込まれた前記第2の溝の前記基板上での位置を基準として位置合わせした第1のパターンを、前記フォトレジスト膜に転写する工程と、前記絶縁膜で埋め込まれた環状の前記第1の溝の内側に位置する前記基板に、前記基板を厚さ方向に貫通する貫通電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法に関する。他の実施形態は、基板と、前記基板を厚さ方向に貫通すると共に、前記基板の第1の主面に対向して見た形状が環状である第1の絶縁溝と、前記基板を厚さ方向に貫通すると共に、前記基板の第1の主面に対向して見た形状が、第1の方向に延在する直線状である第2の絶縁溝と、前記基板を厚さ方向に貫通すると共に、前記第2の絶縁溝の前記第1の方向における両端の更に外側に配置される第3の絶縁溝と、環状の前記第1の絶縁溝の内側に位置する前記基板内に、前記基板を厚さ方向に貫通するように設けられた貫通電極と、を有することを特徴とする半導体ウェハに関する。他の実施形態は、基板と、前記基板のチップ領域を厚さ方向に貫通すると共に、前記基板の第1の主面に対向して見た形状が環状である第1の絶縁溝と、前記基板のチップ領域を厚さ方向に貫通すると共に、前記基板の第1の主面に対向して見た形状が、第1の方向に延在する直線状である第2の絶縁溝と、前記基板のチップ領域を厚さ方向に貫通すると共に、前記第2の絶縁溝の前記第1の方向における両端の更に外側に配置される第3の絶縁溝と、環状の前記第1の絶縁溝の内側に位置する前記基板内に、前記基板を厚さ方向に貫通するように設けられた貫通電極と、を有することを特徴とする半導体装置に関する。第2の溝第2の絶縁溝の第1の方向における両端の更に外側に第3の溝第3の絶縁溝を有するアライメントマークを形成する。これにより、第2の溝第2の絶縁溝の両端への応力集中によって基板に発生したクラックを、第3の溝第3の絶縁溝で止めて、素子領域にまでクラックが広がることを防止できる。特開2005-217071号公報には、チップ積層時の位置合わせ基準となるアライメントマークを、TSV本体を形成する工程によって同時に形成する方法が開示されている。より詳しくは、ウェハから切り出した複数のチップを互いに積層する際、位置合わせのずれを起こさないよう、ボンディング装置にチップの位置を認識させるためのアライメントマークとして、TSVと同様の基板を貫通する導電材料を用いて構成し、TSV形成工程時に同時に形成するという技術である。そこで、本発明者は、上記技術の応用例として、素子形成工程の最初の工程であるSTIフィールドパターンを転写する工程フォトリソグラフィ工程の際に、位置合わせの基準となるアライメントマークを、絶縁リングと同時に形成する方法について、事前に検討した。通常、半導体装置の構成要素が何も形成されていないウェハ上に最初にSTIを形成する場合、いかなる要素に対しても位置合わせをする必要が無いので、STI形成工程においてアライメントマークは必要無い。また、STI形成工程の後の工程においては、STI形成工程で同時に形成したアライメントマークを基準に位置合わせすれば良い。一方、本願で対象にする構造は、TSVの周囲を囲む絶縁リングを最初に形成した後ビアファースト、素子形成工程に入る。従って、この絶縁リングに対してSTIを位置合わせするためのアライメントマークフィールド合わせマークが必要となり、これを形成する方法として上述の技術を検討した。本発明者が検討したフィールド合わせマークは、リソグラフィ工程の際に認識できるよう、絶縁溝がラインアンドスペースL/S状に配列した形状である。以下では、図1~3を参照して、本発明者が検討した半導体装置及びその製造方法を説明する。図1Aに示すように、この半導体装置は、半導体基板17上にスクライブ領域2に囲まれたチップ領域3を有する。チップ領域3には素子領域4と貫通電極5が設けられ、スクライブ領域2にはアライメントマーク1が設けられている。図1Bは図1Aの貫通電極5近傍のA’-A’方向の断面図、図1Cは図1Aのアライメントマーク1の一部のB’-B’方向の断面図を表す。図1Bに示すように、貫通電極5は、表面電極33、配線層14及び裏面電極34から構成される。配線層14及び裏面電極34の一部は、層間絶縁膜16を貫通している。素子領域4には、貫通電極5を囲むように環状の絶縁リング6が設けられており、貫通電極5をトランジスタ等の他の素子8から絶縁分離している。素子8はコンタクトプラグ8bを介して配線8aに接続されている。図1Cに示すように、スクライブ領域2には、アライメントマーク1及び配線層15が設けられている。絶縁リング6とアライメントマーク1の、基板厚み方向38における長さは同じとなっている。また、素子領域4及びスクライブ領域2には、素子分離領域STI7が設けられている。素子領域4及びスクライブ領域2の層間絶縁膜16上には、シリコン酸窒化膜36a及びポリイミド膜36bからなる保護膜36が形成されている。図2及び3は、図1の半導体装置の絶縁リング6及びアライメントマーク1の形成工程を表したものであり、説明を簡略化するため、その他の部分については示していない。なお、図2及び3において、A図は図1Bの絶縁リング6の形成工程、B図は図1Cのアライメントマーク1の形成工程、C図はA図の点線で囲まれた部分Pの拡大図、D図はB図の点線で囲まれた部分Qの拡大図を表す。また、図3Eは、第1の主面17aにおけるアライメントマーク1全体の上面図を表す。図2に示すように、シリコン半導体基板17の第1の主面17a上にフォトレジスト膜20を形成した後、リソグラフィー技術により、フォトレジスト膜20にパターンを形成する。続いて、フォトレジスト膜20をマスクに用いて、半導体基板17のドライエッチングを行う。これにより、環状のトレンチ絶縁リング用のトレンチ32と、アライメントマーク用のトレンチ25を同時に形成する。アライメントマーク用のトレンチ25は、第1の主面17aに対向して見た形状が、トレンチ25の幅方向25bに一定のピッチ隣り合うトレンチ25間に位置する半導体基板17の幅方向25bの距離で複数のトレンチ25が配列され、各トレンチは第1の方向50aに直線状に延在するラインアンドスペースL/S形状に形成される。図3に示すように、フォトレジスト膜20を除去した後、両トレンチ25、32を同時に絶縁膜26で埋め込む。ここでは、絶縁膜26として、TEOSTetraEthOxySilane;SiOC2H54を原料に用いたCVD法化学気相成長法で形成したNSGNone-dopedSilicateGlass膜を用いる。これにより、絶縁リング6と、アライメントマーク1を形成する。ここで、絶縁リング用トレンチ32と同様に形成したアライメントマーク用トレンチ25は深さが深く~40μm、深さに対して幅が狭い~2μmため、埋設性が低く、絶縁膜26内にシームやボイド56を生じ得る。特に、複数のトレンチ25がL/S状に配列したアライメントマーク1では、シーム等56はトレンチ25の幅方向25bにおける中央部付近に形成され、シーム等56は第1の方向50aに延在して、トレンチの両端25aで終了する。このため、シーム等56の終端に当たるトレンチ両端25aでは応力が集中し、半導体基板17には、この両端25aを起点にして第1の方向50aに延びるクラック57を生じさせることが、本発明者の検証により分かった。このようなクラック57は素子領域4にまで達することもあり、製造歩留まりの低下の一原因となる。このように、本検討例の製造方法には改善の余地があることが分かった。そこで、本発明者は、上記クラック57の発生を防止する方法を検討した。この結果、アライメントマーク用のトレンチ25として、トレンチ第2の溝;絶縁膜26が埋め込まれた第2の溝である第2の絶縁溝が直線状に延在する第1の方向50aの両端25aの更に外側に、クラックストッパとして更に別のトレンチ第3の溝;絶縁膜26が埋め込まれた第3の溝である第3の絶縁溝を形成すれば、クラック57が素子領域4にまで広がるのを防止できることを発見した。すなわち、本発明では、図4に例示されるように、平面視で、第1の方向50aに直線状に延在する第2の溝25c第2の絶縁溝1aと、第1の方向50aにおいて第2の溝25cの両端25aの更に外側に第3の溝25d第3の絶縁溝1bを有するアライメントマーク1を形成する。トレンチ第2の溝25cを埋め込んだ絶縁膜内にシームやボイド等の埋設不良が発生し、トレンチ第2の溝25cの両端25aに応力が集中して半導体基板17にクラックが発生する場合、両端25aを起点として第1の方向50aに沿ってクラックは延びていく。本発明では、第2の溝25c第2の絶縁溝1aの第1の方向50aにおける延長上に第2の溝25c第2の絶縁溝1aを挟むようにその両側に、第3の溝25d第3の絶縁溝1bが存在する。このため、この第3の溝25d第3の絶縁溝1bによってクラックは止まり、素子領域4等の他の領域にまで更にクラックが延びることを防止できる。この結果、製造歩留まりを向上させることができる。以下に、図面を参照して、本発明を説明する。なお、これらの実施例は、本発明のより一層の深い理解のために示される具体例であって、本発明は、これらの具体例に何ら限定されるものではない。第1実施例図4及び5は、第1実施例の製造方法により製造した半導体装置を表す図である。図4Aに示すように、この半導体装置は、半導体基板17上にスクライブ領域裁断領域2に囲まれたチップ領域3を有する。チップ領域3には素子領域4と貫通電極5が設けられている。後述するように、この貫通電極5を介して、複数の半導体チップを電気的に接続できるようになっている。また、スクライブ領域2にはアライメントマーク1が設けられている。図4Bは図4Aの貫通電極5近傍のA’-A’方向の断面図、図4Cは図4Aのアライメントマーク1の一部のB’-B’方向の断面図、図4Dは第1の主面17aにおけるアライメントマーク1全体の上面図を表す。図4Bに示すように、貫通電極5は、表面電極33、配線層14及び裏面電極34から構成される。配線層14及び裏面電極34の一部は、層間絶縁膜16を貫通している。チップ領域3には、第1の主面17aに対向して見た場合に環状の絶縁リング6が設けられている。絶縁リング6は、第1の主面17aから半導体基板17の厚み方向38に伸長して、第2の主面17bまで半導体基板17内を貫通して設けられている。また、絶縁リング6は、貫通電極5を囲むように設けられており、貫通電極5を他の素子8から絶縁分離している。素子8はコンタクトプラグ8bを介して配線8aに接続されている。図4C及び4Dに示すように、スクライブ領域2にはアライメントマーク1及び配線層15が設けられている。アライメントマーク1は第1の主面17aに対向して見た場合に、第1の方向50aに直線状に延在する第2の溝25c第2の絶縁溝1aと、第1の方向50aにおいて第2の溝25cの両端25aの更に外側に設けられた1対の第3の溝25d第3の絶縁溝1bを有する。第2の溝25c第2の絶縁溝1aは、第1の方向50aと垂直な第2の方向50bに等間隔に配置されており、ラインアンドスペースを構成する。第3の溝25d第3の絶縁溝1bは、第2の方向50bに直線状に延在する。第2の溝25c第2の絶縁溝1a及び第3の溝25d第3の絶縁溝1bは、半導体基板17をその厚み方向38に貫通しており、半導体基板17の厚み方向38において、アライメントマーク1は、絶縁リング6と同じ深さとなっている。また、素子領域4及びスクライブ領域2には、素子分離領域STI7が設けられている。素子領域4及びスクライブ領域2の層間絶縁膜16上には、シリコン酸窒化膜36a及びポリイミド膜36bからなる保護膜36が形成されている。図5~15は、本実施例の半導体装置の製造方法を説明する図である。以下、これらの図面を参照して、本実施例の製造方法を説明する。なお、図5は本実施例の製造方法を表すフローチャートである。図6~14において、A図は図4Bに対応する断面図、B図は図4Cに対応する断面図、C図はアライメントマーク1の全体又はそれに対応する構造を、第1の主面17aに対向する方向から見た上面図を表す。図7Cにおいて、第2及び第3の溝25c、25dは、その位置関係を明確にするために透視図として示す。図15Aは複数の半導体チップを積層した状態を表す断面図、図15Bは図15Aの点線で囲まれた部分51の拡大図を表す。図6に示すように、シリコン半導体基板17の第1の主面17a上に、フォトレジスト膜20を形成する。リソグラフィー技術により、フォトレジスト膜20内に絶縁リング及びアライメントマーク用のパターンを形成する。このフォトレジスト膜20のパターンを用いて半導体基板17のドライエッチングを行う。これにより、絶縁リング用のトレンチ第1の溝32、およびアライメントマーク用のトレンチ25を同一の工程で形成する図5のS11。アライメントマーク用のトレンチ25は、第2の溝25c及び第3の溝25dを有する。第2の溝25cは、第1の方向50aに直線状に延在し、第1の方向50aと垂直な第2の方向50bに等間隔に複数、配置される。これにより、第2の溝25cはラインアンドスペースを構成する。第3の溝25dは第1の方向50aに関して第2の溝25cの両端25aの更に外側に1対、形成される。各第3の溝25dは、第2の方向50bに直線状に延在する。本実施例では、絶縁リング用のトレンチ第1の溝32は第1の主面17aに対向して見た形状が環状であり、深さ40μm、幅2μm、リング径20μmとする。アライメントマーク用のトレンチ第2の溝25cは第1の主面17aに対向して見た形状がラインアンドスペース形状であり、第2の方向50bに等間隔で複数、配置されている。トレンチ第2の溝25cの深さ40μm、幅2μm、ピッチ隣り合うトレンチ25c間に位置する半導体基板17の幅方向25bの距離を4μm、第1の方向50aの長さ42μmとする。アライメントマーク用のトレンチ第3の溝25dは、第2の方向50bに直線状に延在しており、その深さ40μm、幅2μm、第2の方向50bの長さ104μmとする。絶縁リング用のトレンチ32の寸法は特に限定されないが、例えば、深さ30~50μm、幅1~3μm、リング径15~30μmとすることができる。アライメントマーク用のトレンチ第2の溝25cの寸法は特に限定されないが、例えば、深さ30~50μm、幅は1~3μm、ピッチ隣り合うトレンチ25c間に位置する半導体基板17の幅方向25bの距離は2~6μm、第1の方向50aにおける長さを30~50μmとするのが好ましい。アライメントマーク用のトレンチ第3の溝25dの寸法は特に限定されないが、例えば、深さ30~50μm、幅1~3μm、第2の方向50bにおける長さ100~110μmとするのが好ましい。アライメントマーク用のトレンチ25c、25dの寸法がこれらの範囲内にあることによって、アライメントマーク1を位置合わせの基準として効果的に使用することができる。ただし、マークを構成する各構成要素ライン、または、ラインアンドスペースなどの寸法は、マークサイズの変更によって変わることは言うまでもなく、マークサイズはその検出手段によって変更され得る。図7に示すように、フォトレジスト膜20を除去する。TEOSTetraEthOxySilane;SiOC2H54を原料に用いたCVD法により、半導体基板17上にNSGNone-dopedSilicateGlass膜26を形成する以下、この膜26をTEOS-NSG膜と呼ぶ。このような堆積法によって形成するTEOS-NSG膜26の膜厚半導体基板17上の膜厚は、トレンチ25c、25d、32を完全に埋設するという観点からトレンチ25c、25d、32の幅の1/2以上の膜厚である。また、TEOS-NSG膜26を用いたのは、高アスペクト比のトレンチ25c、25d、32を埋設する際に、極力ボイドが発生しないようにするために、カバレッジ性が良好でコンフォーマルに形成できるからである。同様の効果を奏する場合、絶縁膜26として他の材料を用いても良い。例えば、絶縁膜26として、薄い窒化シリコン膜及びTEOS-NSG膜を使用することができる。図8に示すように、後の研磨工程で、半導体基板17上のTEOS-NSG膜26を除去する際のCMP負荷を減らすため、ウェットエッチングによりTEOS-NSG膜26の膜厚を低減する。この際、アライメントマーク用のトレンチ25c、25d内に形成したTEOS-NSG膜26内にはシームが発生する場合がある。この場合にそのままTEOS-NSG膜26をウェットエッチングするとTEOS-NSG膜26内のシームが深化してしまう。そのため、アライメントマーク用のトレンチ25c、25d上のTEOS-NSG膜26はフォトレジスト膜20などの保護膜マスクパターンで保護した状態でウェットエッチングを行う。図9に示すように、フォトレジスト膜20を除去した後、950°Cで60分間、熱処理を行い、TEOS-NSG膜26の脱ガス処理を行う。次に、化学機械研磨法CMP法により、半導体基板17の第1の主面17a上のTEOS-NSG膜26を除去することで、トレンチ25c、25d、32内にTEOS-NSG膜26を埋設させて、絶縁リング6及びアライメントマーク1を完成させる図5のS12。上記図2及び3で検討したように、アライメントマーク用トレンチ25内に絶縁膜26を埋設させると、その内部にシームやボイド56を生じ得る。特に、複数のトレンチをラインアンドスペース状に配列したアライメントマーク用のトレンチ25を形成すると、シームやボイド56はトレンチの幅方向25bにおける中央部付近に形成され、シーム等56は平面視した場合の第1の方向50aに延在する。このシーム等56は、第1の方向50aの両端25aで終了するため、トレンチ両端25aに応力が集中し易くなる。この結果、上記検討した構造では、図7のTEOS-NSG膜26の成膜時、図8のウェットエッチング時、図9のCMP法の実施時等に、この両端25aを起点にして第1の方向50aに延びるように、半導体基板17にクラック57を生じさせることとなる。このようなクラック57が素子領域4にまで達すると、製造歩留まり低下の一原因となる。これに対して、本実施例では、平面視で、ラインアンドスペース形状の第2の溝25c第2の絶縁溝1aを形成し、第2の溝25c第2の絶縁溝1aは第1の方向50aに直線状に延在する。また、平面視で、第1の方向50aの延長上に第3の溝25d第3の絶縁溝1bを形成する。このため、図7のTEOS-NSG膜26の成膜、図8のウェットエッチング、図9のCMP法等を行った時に、第2の溝25cの両端25aを起点とするクラックが発生した場合であっても、この第3の溝25d第3の絶縁溝1bによってクラックは止まり、素子領域4等の他の領域にまで更にクラックが延びることを防止できる。すなわち、第3の溝25d第3の絶縁溝1bは、クラックストッパとして働く。この結果、製造歩留まりを向上させることができる。図10に示すように、半導体基板17上にフォトレジスト膜20を形成する。リソグラフィー技術により、STI用のフィールドパターンを、フォトレジスト膜20に転写して第1のパターン29を形成する。この際、本実施例では、上記のようにして形成したアライメントマーク1を、STI用のフィールドパターンの位置合わせマークとして用いることができる。即ち、上記アライメントマーク1の半導体基板17上での位置を基準として位置合わせしたフィールドパターンをフォトレジスト膜20に転写することで、フォトリソグラフィの位置合わせのずれを低減できる。フォトレジスト膜20の第1のパターン29を用いて、半導体基板17をエッチングする。これにより、図11に示すように、STI用のトレンチ7aを形成する図5のS21。この後、フォトレジスト膜20を除去する。半導体基板17上に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等の絶縁膜を埋設させた後、絶縁膜に対してCMP処理を施す。これにより、STI素子分離領域7を形成する図5のS22。図12に示すように、半導体基板17の活性領域30に、トランジスタ等の素子8を形成する図5のS23。半導体基板17上に数段階に分けて層間絶縁膜16を形成する。層間絶縁膜16を形成する途中の工程で、トランジスタ8の不純物拡散層に到達するコンタクトプラグ8b、配線8a、絶縁リング6で囲まれた半導体基板17内の領域の上方に配線層14、アライメントマーク1の上方に配線層15を形成する。配線層14は、後の工程で形成する表面電極33、裏面電極34と接続するためのパッドとして機能する。配線層14は、アルミニウムAlや銅Cu等からなる複数の配線14a~14dと、複数の配線間を接続するタングステン等の金属膜からなる複数のコンタクトプラグ14e~14gとからなる。また、配線層15は、複数の配線15a~15dと、複数の配線間を接続する複数のコンタクトプラグ15e~15gとからなる。図13に示すように、配線層14を覆うように層間絶縁膜16上に、シリコン酸窒化膜SiON36aと、ポリイミド膜パッシべーション膜36bからなる保護膜36を形成する。次に、配線層14の上面を露出させるように保護膜36内に第1の開口33aを形成する。スパッタにより、第1の開口33aを含む保護膜36上にシード膜11を形成する。保護膜36上にフォトレジスト膜図示していないを形成した後、パターニングを行って、第1の開口33a内に設けたシード膜11を露出させる。電界メッキ法により、露出したシード膜11上に順に銅バンプ13、及び半田膜12を形成する。保護膜36上のフォトレジスト膜を除去した後、露出したシード膜11を除去する。このシード膜11、銅バンプ13、及び半田膜12から表面電極33が構成される図5のS3。図14に示すように、半導体基板17の表面電極33を設けた側に、接着層図示していないを介して支持基板図示していないを設ける。この後、半導体基板17の第1の主面17aと厚さ方向に対向する第2の主面17bを例えば、775μmから40~50μmの厚さまで薄膜化する図5のS4。この研削工程により、半導体基板17の第2の主面17b側には、予め形成した絶縁リング6及びアライメントマーク1の底部が露出する。半導体基板17の第2の主面17b側から、配線層14が露出するように、環状の絶縁リング6の内側に位置する半導体基板17に対して異方性ドライエッチングを行う。この際、半導体基板17を貫通すると共に、層間絶縁膜16の一部内に伸長する第2の開口34aを形成する。次に、スパッタ法により、半導体基板17の第2の主面17b上の全面に、チタンTi膜及び銅Cu膜を積層させて、シード膜10を形成する。半導体基板17の第2の主面17b上に、第2の開口34aと同じ位置に第3の開口を有するフォトレジストパターン図示していないを形成する。電気めっき法により、第3の開口内に順に銅バンプ19、及びSnAg膜等の半田膜9を形成する。このシード膜10、銅バンプ19、及び半田膜9の3層により、裏面電極34が形成される。次に、フォトレジストパターンを除去した後、露出したシード膜10の部分を除去する図5のS5。この後、リフローにより、半田膜9の表面を凸状とする。接着層及び支持基板を除去する。以上のようにして、図4に示す半導体装置を得る。この半導体装置では、スクライブ領域2で区画された各チップ領域3に、半導体基板17を貫通するように貫通電極5が設けられている。貫通電極5は、上端および下端に接続用のバンプ表面電極33、裏面電極34を備えており、後述するように、複数の半導体チップを積層する際に貫通電極5を介して上下に配置された半導体チップ間が電気的に接続される。貫通電極5は、半導体基板17を貫通する貫通プラグ表面電極33、裏面電極34と、半導体基板17上の層間絶縁膜16を貫通する配線層14で構成されている。貫通電極5の半導体基板17を貫通する部分は、環状の絶縁リング6で囲まれており、他の素子8等とは絶縁分離されている。次に、スクライブ領域裁断領域2に沿って半導体基板17のスクライブを行う図5のS6。これにより、半導体基板17を個片化して半導体チップを形成する。図15に示すように、異なる半導体チップ40の表面電極33と裏面電極34が互いに接するようにして、複数の半導体チップ40をマウントする。リフローにより、各半導体チップ40の表面電極33と裏面電極34の半田膜9、12を接合する。半導体チップ40間にアンダーフィル41を充填した後、複数の半導体チップ40を、パッケージ基板42上にマウントする。この後、モールドレジン43によってモールドすることにより、本実施例の半導体装置が完成する図5のS7。本実施例の半導体装置としては、例えば、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ等の記憶デバイスや、MPU、DSP等の演算処理デバイスを挙げることができる。以上のように、本実施例では、図7の工程で、アライメントマーク用のトレンチ25内に埋設させたTEOS-NSG膜26内に、第1の方向50aに延在するシームやボイドが生じ得る。この場合、第1の方向50aにおいてシームやボイドが止まるトレンチ25c第2の溝の両端25aに応力が集中する。この結果、図7のTEOS-NSG膜26の成膜、図8のウェットエッチング、図9のCMP法等を行った時に、この両端25aを起点にして、第1の方向50aに沿って半導体基板17にクラックが発生し得る。本実施例では、第1の方向50aの延長上に、第2の溝25c第2の絶縁溝1aを挟むようにその両端25aの外側に更に第3の溝25d第3の絶縁溝1bが存在する。従って、第3の溝25d第3の絶縁溝1bによってクラックは止まり、素子領域4等の他の領域にまで更にクラックが延びることを防止できる。この結果、製造歩留まりを向上させることができる。なお、本実施例では、平面視で、第2の方向50bに等間隔に複数、配置されるラインアンドスペース形状の第2の溝25c第2の絶縁溝1aを形成した。しかし、第2の溝25c第2の絶縁溝1aは一定の第1の方向に直線状に延在する形状であれば、ラインアンドスペース形状に限定されない。また、本実施例では、第1の方向50aと垂直な第2の方向50bに直線状の延在するように1対の第3の溝25d第3の絶縁溝1bを形成した。しかし、第3の溝25d第3の絶縁溝1bの数及び延在する方向は、本実施例の数及び延在方向に限定されない。すなわち、第3の溝25d第3の絶縁溝1bは、第1の方向50aと異なる方向であれば、第1の方向50aとは垂直でない方向に直線状に延在しても良い。また、個々の第2の溝25c第2の絶縁溝1aの両端25aの外側にそれぞれ、個別に1対の第3の溝25d第3の絶縁溝1bを設けても良いし、複数の第2の溝25c第2の絶縁溝1aに対して1対の第3の溝25d第3の絶縁溝1bを設けても良い。すなわち、第3の溝25d第3の絶縁溝1bは一対であっても、複数対であっても良い。また、第2の溝25c第2の絶縁溝1aを囲むように、1つの第3の溝25d第3の絶縁溝1bを設けても良い。第2の溝25c第2の絶縁溝1a及び第3の溝25d第3の絶縁溝1bが上記のような場合であっても、少なくとも第1の方向50aに関して第2の溝25c第2の絶縁溝1aの両端25aの更に外側に第3の溝25d第3の絶縁溝1bが存在する限り、第2の溝25c第2の絶縁溝1aの両端25aから第1の方向50aに延在するクラックを第3の溝25d第3の絶縁溝1bで止めることができる。この結果、素子領域4等の他の領域にまで更にクラックが延びることを防止でき、製造歩留まりを向上させることができる。また、本実施例では、アライメントマーク1はSTI7の位置合わせ時にフィールド合わせマークとして使用した。アライメントマーク1は、STI7の位置合わせに加えて他の構造の位置合わせ用のフィールド合わせマークとして使用することも可能である。例えば、図14の工程において、第2の開口34aを形成する際の位置合わせ用のフィールド合わせマークとして使用することができる。また、本実施例では、絶縁リング用のトレンチ32及びアライメントマーク用のトレンチ25c、25dを埋設する絶縁膜として、TEOS-NSG膜26を例示したが、トレンチ25c、25d、32を埋設する材料はこれに限定されない。アライメントマーク1のように深く、深さに対してその幅が狭いトレンチ25cを絶縁膜で埋設する場合、TEOS-NSG膜でなくとも埋設不良によりシームやボイドを生じ易い。従って、本発明は、TEOS-NSG膜26に限定されず、他の絶縁膜でトレンチ25c、25d、32を埋め込む工程に適用して同様に効果的である。一方、TEOS-NSG膜26を用いた場合、焼き締めDegasのための熱処理が必要となる。TEOS-NSG膜26はこの熱処理により膜収縮を起こし、シームが拡大することがある。従って、TEOS-NSG膜26によってトレンチ25cを埋め込む工程に対しては、本発明を適用してより効果的であると言える。第1変形例上記第1実施例ではアライメントマーク1として、平面視において、ラインアンドスペース形状の第2の絶縁溝1aと、第2の絶縁溝1aの両端25aの第1の方向50aにおける更に外側に1対の第3の絶縁溝1bを形成した。本変形例は、第1実施例とは第3の絶縁溝1bの形状が異なる。図16Aは、本変形例で形成したアライメントマーク1を示す図であり、第1実施例の図4Dに相当する上面図である。図16Aに示すように、本変形例では、平面視で、ラインアンドスペース形状の複数の第2の絶縁溝1aが形成されている。また、個々の第2の絶縁溝1aについて、第1の方向50aの両端25aの更に外側にそれぞれ、個別に1対の第3の絶縁溝1bが設けられている。図16Bは他の変形例のアライメントマーク1を示す図であり、第1実施例の図4Dに相当する上面図である。図16Bに示すように、本変形例では、平面視で、ラインアンドスペース形状の複数の第2の絶縁溝1aが形成されている。また、複数の第2の絶縁溝1aを囲むように、1つの第3の絶縁溝1bが形成されている。上記16A及び16Bの変形例のような形状であっても、平面視で、第2の絶縁溝1aの第1の方向50aにおける延長上に、第3の絶縁溝1bが存在する。このため、第2の絶縁溝1aの両端25aから第1の方向50に沿って基板にクラックが延びた場合であっても、上記第1実施例と同様に、第3の絶縁溝1bによってクラックが更に素子領域等に延びることを防止できる。なお、本変形例のアライメントマーク1は、第3の絶縁溝1bの形状以外は第1実施例のアライメントマーク1と同じである。このため、第1実施例の図6の工程において、本変形例のアライメントマーク1の形状となるように、アライメントマーク用のトレンチ25c、25dを形成する以外は、第1実施例と同様の工程により、半導体装置を形成することができる。第2変形例上記第1実施例では、半導体基板17のスクライブ領域2にアライメントマーク1を形成したが、本変形例は半導体基板17のスクライブ領域2以外の領域にアライメントマーク1を形成する点が異なる。図17Aは、半導体基板17の非有効ショット領域45にアライメントマーク1を設けた例を表す平面図である。半導体基板17には、後の工程でリソグラフィーの露光等を行うことにより半導体装置が形成される半導体チップからなる複数の有効ショット領域図17Aで斜線で表示された領域46と、半導体装置が形成されない非有効ショット領域図17Aで白色の領域45が存在する。非有効ショット領域45とは、正常な半導体装置のパターン形成ができない半導体チップが位置する領域を指す。すなわち、半導体基板17は円形で構成され、半導体チップは矩形で構成されるため半導体基板17の終端部に掛かった半導体チップでは、一部が半導体基板17からはみ出してしまい、パターン形成ができない状態となる。半導体装置の設計が完了した時点で半導体チップのサイズが決まるので、半導体基板17において非有効ショット領域45となる位置は予め把握することができる。半導体基板17の終端部にパターン形成を繰り返すと、異物発生の原因となるので、非有効ショット領域45にはパターンを形成しない。したがって、非有効ショット領域45は半導体装置の製造に寄与しない無駄な領域となる。本変形例では、上記の無駄な領域となる非有効ショット領域45を利用してアライメントマーク1を形成することにより、有効ショット領域46内にアライメントマーク1用の領域を確保する必要がなくなり、微細化に対応した半導体装置とすることができる。なお、アライメントマーク1を形成する非有効ショット領域45の数及び位置は図17Aの例に限定されず、適宜、所望の数及び位置の非有効ショット領域45にアライメントマーク1を形成することができる。図17Bは、他の例を示す図であり、半導体基板17のチップ領域3内にアライメントマーク1を形成する例を示した図であり、第1実施例の図4Aに対応する図面である。図17Bに示すように、アライメントマーク1はチップ領域3内に形成しても良い。また、チップ領域3内のアライメントマーク1の形成位置及び数は、図17Bの例に限定されるわけではなく、所望の数のアライメントマーク1を、チップ領域3内の所望の位置に形成することができる。