基材と、その上層に表面コート層を有し、該基材が、SiCを70~99質量、Siを1~30質量含有することを特徴とする小型電子部品焼成用セッター。該基材が、SiCとSiの合計含有量を100質量として、更に、AlとFeとCaを微量成分として含有し、該Alの含有量が0.01~0.2質量、Feの含有量が0.01~0.2質量、Caの含有量が0.01~0.2質量であることを特徴とする請求項1記載の小型電子部品焼成用セッター。該基材の、算術平均による表面粗さがRa=0.1~30μm、弾性率が200~400GPa、4点曲げ強度が100~400MPaで、室温における熱伝導率が150~240Wmk、気孔率が1以下であることを特徴とする請求項1または2記載の小型電子部品焼成用セッター。該表面コート層と基材とを接着する中間結合層を有し、該中間結合層は、スプレーコート法で基材の表面に積層したプレーコート層であり、該中間結合層は、ムライトを主成分とする骨材粒子を含有し、化学組成としては、Al2O3を70~85質量、SiO2を15~30質量含有し、該Al2O3とSiO2の合計含有量を100質量として、更に、MgO、Fe2O3、Na2O、B2O3を微量成分として含有し、MgOの含有量が0.5~3質量、Fe2O3の含有量が0.01~0.1質量、Na2Oの含有量が0.05~0.5質量、B2O3の含有量が0.001~0.01質量であることを特徴とする請求項1~3の何れかに記載の小型電子部品焼成用セッター。該骨材粒子の平均粒子径が5~50μmであることを特徴とする請求項4に記載の小型電子部品焼成用セッター。該中間結合層の気孔率が20~60であることを特徴とする請求項5に記載の小型電子部品焼成用セッター。該表面コート層は、カルシアCaOまたはイットリアY2O3で安定化された安定化ジルコニアと、BaZrO3と、CaZrO3とのうち少なくとも一種からなるジルコニア化合物を積層して形成され、50~500μmの膜厚を有することを特徴とする請求項1~6の何れかに記載の小型電子部品焼成用セッター。請求項4記載の小型電子部品焼成用セッターの製造方法であって、中間結合層の骨材原料にシリカ原料を添加した混合原料のスラリーを用いて、スプレーコート法により、基材の表面に中間結合層を積層後、該シリカ原料が加熱によりガラス質となる温度で焼き付けを行い、中間結合層と基材を接着させ、更に、溶射またはスプレーコート法により、該中間結合層の表面に表面コート層を積層することを特徴とする小型電子部品焼成用セッターの製造方法。本発明の目的は前記問題を解決し、耐熱性や機械的強度の他に、焼成するセラミック電子部品と反応しない特性を備えた上で、更に、エネルギー効率や窯効率に優れたセッターを提供することである。上記課題を解決するためになされた本発明の小型電子部品焼成用セッターは、基材と、その上層に表面コート層を有し、該基材が、SiCを70~99質量、Siを1~30質量含有することを特徴とするものである。請求項2記載の発明は、請求項1記載の小型電子部品焼成用セッターにおいて、該基材が、SiCとSiの合計含有量を100質量として、更に、AlとFeとCaを微量成分として含有し、該Alの含有量が0.01~0.2質量、Feの含有量が0.01~0.2質量、Caの含有量が0.01~0.2質量であることを特徴とするものである。請求項3記載の発明は、請求項1~2の何れかに記載の小型電子部品焼成用セッターにおいて、該基材の、算術平均による表面粗さがRa=0.1~30μm、弾性率が200~400GPa、4点曲げ強度が100~400MPaで、室温における熱伝導率が150~240Wmk、気孔率が1以下であることを特徴とするものである。請求項4記載の発明は、請求項1~3の何れかに記載の小型電子部品焼成用セッターにおいて、該表面コート層と基材とを接着する中間結合層を有し、該中間結合層は、スプレーコートにより形成されたスプレーコート層であり、該中間結合層は、ムライトを主成分とする骨材粒子を含有し、化学組成としては、Al2O3を70~85質量、SiO2を15~30質量含有し、該Al2O3とSiO2の合計含有量を100質量として、更に、MgO、Fe2O3、Na2O、B2O3を微量成分として含有し、MgOの含有量が0.5~3質量、Fe2O3の含有量が0.01~0.1質量、Na2Oの含有量が0.05~0.5質量、B2O3の含有量が0.001~0.01質量であることを特徴とするものである。請求項5記載の発明は、請求項4に記載の小型電子部品焼成用セッターにおいて、該骨材粒子の平均粒子径が5~50μmであることを特徴とするものである。請求項6記載の発明は、請求項5に記載の小型電子部品焼成用セッターにおいて、該中間結合層の気孔率が20~60であることを特徴とするものである。請求項7記載の発明は、請求項1~6の何れかに記載の小型電子部品焼成用セッターにおいて、該表面コート層は、カルシアCaOまたはイットリアY2O3で安定化された安定化ジルコニアと、BaZrO3と、CaZrO3とのうち少なくとも一種からなるジルコニア化合物を積層して形成され、50~500μmの膜厚を有することを特徴とするものである。請求項8記載の発明は、請求項4記載の小型電子部品焼成用セッターの製造方法であって、中間結合層の骨材原料にシリカ原料を添加した混合原料のスラリーを用いて、スプレーコート法により、基材の表面に中間結合層を積層後、該シリカ原料が加熱によりガラス質となる温度で焼き付けを行い、中間結合層と基材を接着させ、更に、溶射またはスプレーコート法により、該中間結合層の表面に表面コート層を積層することを特徴とするものである。本発明に係る小型電子部品焼成用セッターは、基材と、その上層に表面コート層を有する複層構造のセッターであって、該基材がSiCを70~99質量、Siを1~30質量、それぞれ含有する構成を有する。SiCを70~99質量、Siを1~30質量を含有するSi-SiC焼結体は、アルミナシリカ質の焼結体に比べて、耐熱性、耐食性に優れ、さらに、高強度かつ高熱伝導率という物性を備える。本発明では、基材として、高強度のSi-SiC焼結体を採用することによりセッターの薄肉化を図って窯効率の向上を図ると同時に、高熱伝導率のSi-SiC焼結体を採用することによりエネルギー効率の向上を図っている。このような基材の上層に、焼成するセラミック電子部品と反応しない特性を備えるための表面コート層を形成することにより、耐熱性や機械的強度の他に、焼成するセラミック電子部品と反応しない特性を備えた上で、更に、従来のアルミナシリカ系基材を使用した3層構造のセッターに比べて、エネルギー効率や窯効率に優れたセッターを実現可能としている。本発明は、基材と、その上層に表面コート層を有するセッターであって、該基材が、SiCを70~99質量、Siを1~30質量含有するものである。以下に、基材と、表面コート層、および、基材と表面コート層の間にあって表面コート層と基材とを接着する中間結合層について各々説明する。基材基材原料としては、1~12質量のC粉体、88~99質量のSiC粉体含有し、更に、外配でSiCとSiの合計含有量を100質量として、0.1~15質量の有機質バインダー及び適当量の水分を含有した原料を使用する。この成形用原料を混練し、成形体を成形する。次いで、この成形体を、金属シリコン雰囲気下で、減圧の不活性ガス雰囲気又は真空中に置き、成形体中に金属シリコンを含浸させてSi-SiC質焼結体を製造する。該基材は、更に微量成分として、外配でSiCとSiの合計含有量を100質量として、Alを0.01~0.2質量、Feを0.01~0.2質量、Caを0.01~0.2質量含有することが好ましく、算術平均による表面粗さがRa=0.1~30μm、弾性率が200~400GPa、強度が100~400MPaで、室温における熱伝導率が150~240Wmk、気孔率が1以下であることが好ましい。このような、化学組成および物性を有する部材を使用することにより、基材の軽量化均熱化高強度化長寿命化を図ることができる。上記金属シリコンの含浸に当たっては、得られるSi-SiC質焼結体の気孔率が1以下となるように含浸させる。この場合の金属Siの添加量は、含浸効率の関係等から、1の気孔率を実現するに必要とされる理論量より過剰なものとする必要がある。即ち、1の気孔率を実現するには、金属Siを当該理論量より1.05倍以上過剰に添加する必要がある。この際、添加される金属Siは、SiC→SiCの反応に寄与する分と、気孔を埋める分と、余剰なSi分の3態様で消費される。1.05倍未満の場合には、Siの含浸不良を生じ、得られる焼結体の気孔率が増大して耐酸化性を低下させることとなり好ましくない。また、過剰の金属Siを付与することにより、焼結体の表面には余分なSiが浸出することになるが、これはサンドブラスト、旋盤加工、切削加工等によって除去することが可能である。このように、金属Siを含浸させた結果、得られるSi-SiC質焼結体としては、主相が、Siを1~30質量及びSiCを70~99質量含有することになる。基材の成形方法としては、プレス成形、流し込み成形、押し出し成形いずれも可能であるが、量産性の観点からはプレス成形が好ましい。加圧方式としては油圧プレスが好ましく、この場合の油圧プレス圧は、通常10~200MPaである。中間結合層本発明にいう中間結合層とは、基材の表面に形成された層であって、表面コート層と基材とを接着する層をいう。本発明では、中間結合層の骨材原料に、所定量のシリカ原料を添加した混合原料のスラリーを用いて、スプレーコート法で基材の表面に積層後、シリカ原料が加熱によりガラス質となる温度で焼き付けを行い、中間結合層と基材を接着させている。該中間結合層は、ムライトを主成分とする骨材粒子を含有し、中間結合層の化学組成として、Al2O3を70~85質量、SiO2を15~30質量、以下外配でMgOを0.5~3質量、Fe2O3を0.01~0.1質量、Na2Oを0.05~0.5質量、B2O3を0.001~0.01質量含有する。焼き付け処理後の中間結合層の構成は、平均粒子径が5~50μmの骨材粒子の焼結体からなり、中間結合層の化学組成として、70~85質量のAl2O3と、15~30質量のSiO2と、以下外配でMgOを0.5~3質量、Fe2O3を0.01~0.1質量、Na2Oを0.05~0.5質量、B2O3を0.001~0.01質量、各々含有する。この中間結合層とは骨材粒子と粒界から構成されている。粒界とは、骨材の接触部分を構成する領域である。該領域に存在するSiO2由来のガラス質が骨材粒子を結合させる役割を果たし、更に、MgOが前記割合で併存する場合、当該ガラス質の骨材粒子結合機能が更に強化されると共に基材との密着性も強化されるものと考えられる。具体的には、SiO2由来のガラス質を介して基材から表層に拡散させたMg成分がムライト骨材と反応し、骨材表面の一部がムライトよりも融点の低いコージェライトとなることにより、粒子結合機能と基材との密着性が強化されるものと考えられる。本発明の基材は、前記のように気孔率が1以下の緻密質からなり、その基材表面は凹凸が少ない構造を有している。このような基材表面に中間結合層を形成した場合には、剥離が生じやすくなるが、本発明の構成によれば、中間結合層と基材の結合面も、結合力が強化されたSiO2由来のガラス質による結合構造を有するため、緻密質からなる基材の上に形成された中間結合層剥離の問題を回避することができる。また、中間結合層を溶射法で積層した場合、溶射時に骨材粒子が溶融するため、図1のSEM画像に示すように、各骨材粒子間の境界が不明確な膜が形成されるが、本発明ではスプレーコート法を採用することにより、各骨材粒子間の境界が比較的明瞭な膜が形成される。具体的には、該中間結合層は、20~60の気孔率を有している。当該構成により、気孔率が1以下の緻密質からなるSi-SiC質の基材との熱膨張差を最適に調整し、熱膨張差や密着性などに起因する中間結合層剥離の問題を回避することができる。本発明によれば、このように中間結合層原料の調整、および、スプレーコート法の採用により、中間結合層剥離の問題を効果的に回避することができる。表面コート層本発明にいう表面コート層とは、中間結合層の表面に形成された層であって、被焼成体である電子部品材料との接触面を構成するものをいう。表面コート層を形成すると、基材や表層に含まれる反応性物質と電子部品材料との接触が防止される。本発明のセッターにおいては、表面コート層に被焼成体との反応性が低い材質である、ジルコニアを含むことが好ましい。表面コート層は、被焼成体との反応性が低い材質でなければならないが、電子部品の種類によりその材質は異なる。例えばチタン酸バリウムで構成されるセラミックコンデンサの場合、これと反応性の低いジルコニア化合物を選択することが好ましい。ジルコニア化合物としては、カルシアCaOまたはイットリアY2O3で安定化された安定化ジルコニアと、BaZrO3と、CaZrO3とのうち少なくとも一種からなるジルコニア化合物から、既述の反応性を考慮して最適なジルコニアを適宜選択すればよい。なお、電子部品の種類によっては、アルミナとジルコニアの共晶物を含む溶射被膜を表面コート層として用いることも可能である。本発明における表面コート層は、上記の化合物を材料とし、従来の溶射又はスプレーコートによる方法で基材の表面または表層の表面に積層すればよい。本発明においては、表面コート層の膜厚については上述の効果を確保できる限りにおいて特に限定されない。以下、本発明のセッターについて、実施例を用いて更に詳細に説明する。但し、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の実施例でセッターの形状は平板状とした。中間結合層の評価:実施例1~5、比較例1~5実施例1~5および比較例1~5では、中間結合層の成分および施工方法を変更しながら、基材中間結合層表面コート層の3層構造からなる各セッターを作成し、その後、加熱試験を行って中間結合層の剥離に関する評価を行った。実施例1~5、比較例1~5のセッターにおいて、基材は、基材原料として、5質量のC粉体、95質量のSiC粉体、更に、外配でC粉体とSiC粉体の合計含有量を100質量として2質量の有機質バインダー及び30重量の水分を含有した原料を混練し泥漿を製作。この泥漿をスプレードライヤーにて造粒して成形用原料を製作し、油圧プレスにて100MPaの圧力でプレス成形し150×150×2mmの成形体を得た。次いで、この成形体を、金属シリコン雰囲気下で、減圧の不活性ガス雰囲気中に置き、成形体中に金属シリコンを含浸させてSi-SiC質焼結体を製造。これをサンドブラストによって表面の過剰な金属シリコンを除去して基材を製作した。製作されたSi-SiC質焼結体はSiCを70~99質量、Siを1~30質量、気孔率が1以下であることを確認した。中間結合層の化学組成および施工方法は、各々、表1に示すものとした。更に、被焼成体例えばセラミックコンデンサとの反応性が低い材質であるジルコニアを中間結合層の表面に溶射法あるいはスプレーコート法で積層した後、スプレーコート法で施工した物に関しては1350°Cで焼き付けを行って表面コート層を形成した。溶射法で施工した物に関しては、溶射完了後焼付は行わずにそのまま下記の評価に移行した。中間結合層の耐剥離性の評価は、作製したセッターを120mm×20mmに加工したものの片面に誘電体であるチタン酸バリウム溶液を塗布した後、幅100mmとなるように設置した冶具の上にチタン酸バリウム溶液の塗布面が上になるように積載し、1300°C、5時間の条件において小型電気炉で焼成を繰り返し、基材から中間結合層または表面コート層が剥離し始め、その剥離面積が10に達した時点での、通窯回数で評価した。表1に示すように、該中間結合層の化学組成として、Al2O3を70~85質量、SiO2を15~30質量、以下外配でMgOを0.5~3質量、Fe2O3を0.01~0.1質量、Na2Oを0.05~0.5質量、B2O3を0.001~0.01質量含有し、スプレーコート法を採用により、中間結合層剥離の問題を効果的に回避することができた実施例1~5。一方、前記化学組成を有する場合であっても、溶射法を採用した場合や、スプレーコート法を採用した場合であっても、前記化学組成を有さない場合比較例1、3では、5回以下の通窯で剥離が生じた。表内は中間層の化学組成を重量を示し、主成分を内配、微量成分を外配で示した。