ウェーハが導入される反応室と、前記反応室にプロセスガスを供給するガス供給機構と、前記ウェーハを載置する支持部と、前記ウェーハを下方より加熱するためのヒータと、前記ウェーハを回転させるための回転制御部と、前記反応室よりガスを排出する排気口を含むガス排出機構と、前記ヒータの下部に設けられ、前記ヒータからの熱を前記ウェーハの裏面に反射するための反射板と、前記反射板を上下移動させるための上下駆動部と、を備えることを特徴とする気相成長装置。前記上下駆動部は、さらに前記ウェーハを昇降させることを特徴とする請求項1に記載の気相成長装置。前記反射板の中心部の反射率が、外周部の反射率より高いことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の気相成長装置。前記反射板は、中心部と外周部が分割され、前記上下駆動部は、前記中心部を上下移動させることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の気相成長装置。反応室内の所定位置にウェーハを保持し、前記ウェーハの裏面をヒータで加熱するとともに、前記ヒータ下部に設けられる反射板を上下に移動させることにより、前記ウェーハの温度分布を制御しながら所定温度で加熱し、前記ウェーハを回転させながら、前記ウェーハ上にプロセスガスを供給することにより、前記ウェーハ上に成膜を行う、ことを特徴とする気相成長方法。半導体素子の耐圧などの素子特性や、歩留り、信頼性の向上のため、膜厚均一性の向上の要求が高くなっている。そこで、ウェーハ面内温度のばらつきを小さくするために、ヒータパターンを最適化することが種々検討されている。しかしながら、ヒータ劣化に伴う、ウェーハ面内温度のばらつきの増大については、ヒータパターンを最適化し、ヒータ出力を適宜制御しても、抑えることが困難である。そこで、本発明は、ウェーハの温度分布を制御し、より膜厚均一性を向上させることが可能な気相成長装置及び気相成長方法を提供することを目的とするものである。本発明の一態様の気相成長装置は、ウェーハが導入される反応室と、反応室にプロセスガスを供給するガス供給機構と、ウェーハを載置する支持部と、ウェーハを下方より加熱するためのヒータと、ウェーハを回転させるための回転制御部と、反応室よりガスを排出する排気口を含むガス排出機構と、ヒータの下部に設けられ、ヒータからの熱をウェーハの裏面に反射するための反射板と、反射板を上下移動させるための、上下駆動部と、を備えることを特徴とする。本発明の一態様の気相成長装置において、上下駆動部は、さらにウェーハを昇降させることが好ましい。また、反射板の中心部の反射率が、外周部の反射率より高いことが好ましい。また、反射板は、中心部と外周部が分割され、上下駆動部は、中心部を上下移動させることが好ましい。本発明の一態様の気相成長方法は、反応室内の所定位置にウェーハを保持し、ウェーハの裏面をヒータで加熱するとともに、ヒータ下部に設けられる反射板を上下に移動させることにより、ウェーハの温度分布を制御しながら所定温度で加熱し、ウェーハを回転させながら、ウェーハ上にプロセスガスを供給することにより、ウェーハ上に成膜を行う、ことを特徴とする。本発明の一態様によれば、気相成長装置及び気相成長方法において、ウェーハの温度分布を制御し、より膜厚均一性を向上させることが可能となる。以下、本発明の実施形態について、図を参照して説明する。実施形態1図1に本実施形態の気相成長装置の断面図を示す。図1に示すように、ウェーハwが成膜処理される反応室11には、必要に応じてその内壁を覆うように石英カバー11aが設けられている。反応室11の上部には、ソースガス、キャリアガスを含むプロセスガスを供給するためのガス供給部12と接続されたガス供給口12aが設けられている。そして、反応室11下方には、例えば2か所に、ガスを排出し、反応室11内の圧力を一定例えば常圧に制御するためのガス排出部13と接続されたガス排出口13aが設置されている。ガス供給口12aの下方には、供給されたプロセスガスを整流して供給するための微細貫通孔を有する整流板14が設けられている。そして、整流板14の下方には、ウェーハwを載置するための支持部である、例えばSiCからなる環状のホルダ15が設けられている。なお、支持部は円板状のサセプタでもよい。ホルダ15は、回転部材であるリング16上に設置されている。リング16は、ウェーハwを所定の回転速度で回転させる回転軸を介して、モータなどから構成される回転制御部17と接続されている。リング16内部には、ウェーハwを加熱するための、例えばSiCからなるインヒータ18、アウトヒータ19から構成されるヒータが設置されている。これらインヒータ18、アウトヒータ19は、それぞれ所定の昇降温速度、所定の温度、或いはウェーハwの中心部及び周縁部の温度差が、所定の温度となるように制御する温度制御部20と接続されている。そして、これらインヒータ18、アウトヒータ19の下方には、これらから下方への熱を反射し、ウェーハwを効率的に加熱するための円盤状の反射板21が設置されている。反射板21は、上下駆動部22と接続され、所定のストローク内での上下移動が可能となっている。上下駆動部22は、位置検出機能を有しており、反射板21をストローク内の所定の位置に移動させることができる。上下駆動部22は、温度制御部20と接続され、ウェーハw面内の温度分布が所定の範囲となるように、反射板21の位置を制御することができる。反応室11の上部には、ウェーハwの中心部及び周縁部の温度分布を検出するための温度検出部である放射温度計23a、23bが設置されており、温度制御部20と接続されている。このような半導体製造装置を用いて、例えばφ200mmのウェーハw上に、Siエピタキシャル膜が形成される。先ず、ロボットハンド図示せずなどにより、反応室11にウェーハwを搬入し、リフトピン図示せず上に載置し、リフトピンを下降させることにより、ホルダ15上に載置する。そして、それぞれ温度制御部20により、温度制御が行われる。先ず、放射温度計23a、23bで測定されるウェーハwの温度が例えば1100°Cとなるように、インヒータ18、アウトヒータ19を例えば1500~1600°Cとなるようにヒータ出力が制御される。さらに、上下駆動部22により、反射板21を上下させ、インヒータ18、アウトヒータ19から所定の距離とすることにより、中心部と周縁部の温度差が最適値となるように制御される。そして、並行して回転制御部17により、ウェーハwを、例えば900rpmで回転させる。このように、所定の温度とされ、回転されたウェーハw上に、ガス供給制御部12により流量が制御されて混合されたプロセスガスが、整流板14を介して、整流状態で供給される。プロセスガスは、例えばソースガスとして、ジクロロシランSiH2Cl2が、例えばH2ガスなどの希釈ガスにより所定の濃度例えば2.5に希釈され、例えば50SLMで供給される。一方、余剰となったプロセスガス、反応副生成物などからなる排出ガスは、ガス排出口13aよりガス排出部13を介して排出され、反応室11内の圧力が一定例えば常圧に制御される。このようにして、ウェーハw上に所定の膜厚のSiエピタキシャル膜が形成される。ここで、ウェーハwの面内温度分布の一例を図2に示す。図2に実線で示すように、中心から外周方向に温度が低下し、周縁部で上昇している。これが、例えば、ヒータの劣化などにより、中間部の温度が低下し、破線に示すように温度のばらつきが大きくなる。通常、インヒータ18、アウトヒータ19の出力により、ウェーハwの面内温度分布は制御されるが、さらに、反射板21を上下移動させることにより、インヒータ18、アウトヒータ19の輻射熱の反射を制御し、より高精度に制御することができる。すなわち、反射板21を下降させると、インヒータ18、アウトヒータ19から外周側に熱が輻射され、ウェーハw中心部が反射板から受ける熱量が減少する。一方、反射板21を上昇させると、インヒータ18、アウトヒータ19からの外周側への輻射による損失が低減され、ウェーハw中心部が反射板から受ける熱量が増加する。本実施形態によれば、このようにして、ウェーハw中心部の温度を制御することにより、ウェーハwの面内温度のばらつきを抑えることができる。そして、ヒータ劣化に伴うウェーハw面内温度のばらつきについても、抑えられることから、ヒータ交換頻度を低減させ、生産性を向上させることが可能となる。実施形態2本実施形態において、実施形態1とエピタキシャル成膜装置の構成は同様であるが、ウェーハを搬送するための昇降部と反射板の上下駆動部が一体となっている。図3に、本実施形態の半導体製造装置であるエピタキシャル成膜装置を示す。なお、図3において、図1と同様の構成については、同じ符号を付し、説明を省略する。図3に示すように、インヒータ18、アウトヒータ19の下方には、これらから下方への熱を反射し、ウェーハwを効率的に加熱するための円盤状の反射板31が設置されている。反射板31は、上下駆動部32と接続され、所定のストローク内での上下移動が可能となっている。上下駆動部32は、リフトピンベース33aを介して、さらにウェーハwを搬入搬出する際にウェーハを昇降させるためのリフトピン33bと接続されている。上下駆動部32は、実施形態1と同様に、位置検出機能を有しており、温度制御部20と接続され、実施形態1と同様に、ウェーハw面内の温度分布に対応して、反射板31をストローク内の所定の位置に移動させることができる。本実施形態によれば、反射板の可動範囲はリフトピンがウェーハを上昇させない範囲となるものの、反射板の上下駆動の機能を、既存のウェーハ昇降部に持たせることにより、反応室内の構成の複雑化に伴い、新たなスペースを設けることなく、反射板の上下駆動の機能を持たせることが可能となる。従って、実施形態1と同様に、ウェーハw中心部の温度を制御することにより、ウェーハwの面内温度のばらつきを抑えることができる。そして、ヒータ劣化に伴うウェーハw面内温度のばらつきについても、抑えられることから、ヒータ交換頻度を低減させ、生産性を向上させることが可能となる。なお、このとき、図4に示すように、反射板41をリフトピンベースとして、反射板上にリフトピン43を設置してもよい。このような構成により、さらなる省スペース化を図ることが可能となる。実施形態3本実施形態において、実施形態1とエピタキシャル成膜装置の構成は同様であるが、反射板が中心部と周縁部に分割されている。図5に、本実施形態の半導体製造装置であるエピタキシャル成膜装置を示す。なお、図5において、図1と同様の構成については、同じ符号を付し、説明を省略する。図5に示すように、円板状の反射板51は、中心部51aと周縁部51bに分割されており、中心部51aは、上下駆動部22により上下に移動させることができる。実施形態1と同様に、上下駆動部22は、位置検出機能を有しており、温度制御部20と接続され、実施形態1と同様に、ウェーハw面内の温度分布に対応して、反射板51の中心部51aを、ストローク内の所定の位置に移動させることができる。なお、実施形態2と同様に、上下駆動部22は、ウェーハを搬送するための昇降部と一体になっていてもよい。本実施形態によれば、ヒータ中心部からの輻射を抑え、ウェーハ中心部の温度をより選択的に制御することが可能となる。従って、実施形態1と同様に、ウェーハwの面内温度のばらつきを抑えることができる。そして、ヒータ劣化に伴うウェーハw面内温度のばらつきについても、抑えられることから、ヒータ交換頻度を低減させ、生産性を向上させることが可能となる。実施形態4本実施形態において、実施形態1とエピタキシャル成膜装置の構成は同様であるが、反射板の中心部に反射率が高い材料が配置されている。図6に、本実施形態の半導体製造装置であるエピタキシャル成膜装置の反射板を示す。なお、図6において、図1と同様の構成については、同じ符号を付し、説明を省略する。図6に示すように、円板状の反射板61の中心部61aは、反射率が高いTaC放射率:ε=0.2、基材61bは、カーボン放射率:ε=0.7に分割されている。実施形態1と同様に、上下駆動部22は、位置検出機能を有しており、温度制御部20と接続され、実施形態1と同様に、ウェーハw面内の温度分布に対応して、反射板61を、ストローク内の所定の位置に移動させることができる。なお、実施形態2と同様に、上下駆動部22は、ウェーハを搬送するための昇降部と一体になっていてもよい。本実施形態によれば、ヒータ中心部からの熱量の反射を増大させることができるため、ウェーハ中心部の温度をより選択的に制御することが可能となる。従って、実施形態1と同様に、ウェーハwの面内温度のばらつきを抑えることができる。そして、ヒータ劣化に伴うウェーハw面内温度のばらつきについても、抑えられることから、ヒータ交換頻度を低減させ、生産性を向上させることが可能となる。なお、本実施形態において、反射率が高い材料としてTaCを用いたが、その他、グラッシーカーボン放射率:ε=0.4などを用いてもよい。これら実施形態によれば、半導体ウェーハwにエピタキシャル膜などの膜を高い生産性で安定して形成することが可能となる。そして、ウェーハの歩留り向上と共に、素子形成工程及び素子分離工程を経て形成される半導体装置の歩留りの向上、素子特性の安定を図ることが可能となる。特にN型ベース領域、P型ベース領域や、絶縁分離領域などに100μm以上の厚膜成長が必要な、パワーMOSFETやIGBTなどのパワー半導体装置のエピタキシャル形成工程に適用されることにより、良好な素子特性を得ることが可能となる。本実施形態においては、Siエピタキシャル膜形成の場合を例に挙げたが、その他、SiC、GaN、GaAlAsやInGaAsなど化合物半導体のエピタキシャル層や、ポリSi層、例えばSiO2層やSi3N4層などの絶縁層の形成時にも同様に適用することも可能である。また、本実施形態は、例えばその他要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。