固体光源と、該固体光源からの熱がその中に伝達するように前記固体光源に熱接触して配置され、少なくとも部分的に多孔質材料領域を備え、該多孔質材料領域は、3次元細孔構造の形をとる熱伝導性材料を備え、前記3次元細孔構造の表面は、バルクヒートシンクに比べて、熱が周囲空気中に放散する表面積の増大をもたらす第1のヒートシンクとを備えていることを特徴とする光デバイス。前記固体光源からの光を反射して、方向性のある光放出にするように配置された反射体をさらに備え、前記固体光源からの熱は、前記反射体内に少なくとも部分的に伝達し、前記第1のヒートシンクは、前記反射体に取り付けられていることを特徴とする請求項1に記載の光デバイス。回路板をさらに備え、前記固体光源は前記回路板に取り付けられ、前記第1のヒートシンクは、前記固体光源からの熱が前記第1のヒートシンク内に少なくとも部分的に伝達するように、前記回路板に取り付けられていることを特徴とする請求項1に記載の光デバイス。前記第1のヒートシンクは、段階的な多孔質材料領域を有し、該多孔質材料領域の一部分は、該多孔質材料領域の残りの部分よりも高密度の細孔構造を有することを特徴とする請求項1に記載の光デバイス。回路板及び反射体をさらに備え、前記固体光源及び前記反射体は、該反射体が前記固体光源からの前記光の少なくとも一部を反射して、方向性のある光放出にするように前記回路板に取り付けられ、前記第1のヒートシンクは、前記固体光源からの熱が前記第1のヒートシンク内に伝達するように前記回路板に取り付けられていることを特徴とする請求項1に記載の光デバイス。前記固体光源が、前記反射体を介してその中に熱を少なくとも部分的に伝達するように、前記反射体に取り付けられた第2のヒートシンクをさらに備えていることを特徴とする請求項2に記載の光デバイス。前記多孔質材料領域は、周囲空気中への熱の放射を増大させるために、暗色被覆をさらに備えていることを特徴とする請求項1に記載の光デバイス。前記ヒートシンクの任意のより高密度の多孔質領域は、固体金属を備えていることを特徴とする請求項4に記載の光デバイス。前記ヒートシンクの任意のより高密度の多孔質領域は、多孔質材料の一部分内に注入されたサーマルペーストを備えていることを特徴とする請求項1に記載の光デバイス。回路板に取り付けられた固体光源と、該固体光源からの光の少なくとも一部を反射して、方向性のある光放出にするために、前記回路板に取り付けられた反射体と、前記固体光源に電力を供給するための接点と、各々が3次元細孔構造の形をとる熱伝導性材料製の多孔質材料領域を少なくとも部分的に備える第1及び第2のヒートシンクであった、前記第1のヒートシンクは前記反射体に付着され、前記第2のヒートシンクは前記回路板に付着されている第1及び第2のヒートシンクとを備えていることを特徴とするランプ。前記反射体は金属製であり、前記固体光源からの熱は、前記反射体を介して前記第1のヒートシンク内に伝達することを特徴とする請求項10に記載のランプ。前記反射体は、反射被覆プラスチック製であり、前記反射体と前記第1のヒートシンクの間に、熱が前記固体光源から前記第1のヒートシンク内にそれを介して伝達する熱伝導性経路をさらに備えていることを特徴とする請求項10に記載のランプ。前記固体光源からの熱は、前記第2のヒートシンク内に前記回路板を介して伝達することを特徴とする請求項10に記載のランプ。前記固体光源からの熱を前記第2のヒートシンクに伝導する1つ又は複数の熱伝導性ビアを、前記回路板を貫通してさらに備えていることを特徴とする請求項10に記載のランプ。前記第2のヒートシンクと前記回路板の間に熱伝導性層をさらに備え、前記伝導性層は、前記ビア及び前記第2のヒートシンクに熱接触して、前記ビアからの熱を前記ヒートシンク全体にわたって拡散することを特徴とする請求項14に記載のランプ。前記第1又は第2のヒートシンクの前記多孔質材料領域は、段階的であり、前記多孔質材料領域の一部分は、該多孔質材料領域の残りの部分よりも高密度の細孔構造を有することを特徴とする請求項10に記載のランプ。前記多孔質材料領域は、周囲空気中への熱の放射を増大させるために、暗色被覆をさらに備えていることを特徴とする請求項10に記載のランプ。前記ヒートシンクの非多孔質領域の少なくとも一部分は、固体金属を備えていることを特徴とする請求項1に記載の光デバイス。前記ヒートシンクの非多孔質領域の少なくとも一部分は、多孔質材料中に注入されたサーマルペーストを備えていることを特徴とする請求項10に記載のランプ。前記固体光源は、発光ダイオード、複数の発光ダイオード、固体レーザ、及び複数の固体レーザからなる群から1つを備えていることを特徴とする請求項10に記載のランプ。電気信号に応答して動作するように構成され、動作中に前記電気信号に応答して昇温する半導体デバイスと、該半導体デバイスからの熱がその中に伝達するように前記半導体デバイスに熱接触して配置された、少なくとも部分的に多孔質材料領域を備え、該多孔質材料領域は、3次元細孔構造の形をとる熱伝導性材料を備え、前記3次元細孔構造の表面は、熱が周辺空気中に放散する表面積をもたらす第1のヒートシンクとを備えていることを特徴とする高電力半導体構成要素構造。前記半導体デバイスは、固体光源を備え、該固体光源からの光を反射して、方向性のある光放出にするように配置された反射体をさらに備え、前記固体光源からの熱は、前記反射体中に伝達され、前記第1のヒートシンクは、前記反射体に取り付けられていることを特徴とする請求項21に記載の高電力半導体構成要素構造。回路板をさらに備え、前記半導体デバイスは、前記回路板に取り付けられ、前記第1のヒートシンクは、前記半導体デバイスからの熱が前記第1のヒートシンク内に伝達するように前記回路板に取り付けられていることを特徴とする請求項21に記載の高電力半導体構成要素構造。前記第1のヒートシンクは、段階的な多孔質材料領域を有し、該多孔質材料領域の一部分は、該多孔質材料領域の残りの部分よりも高密度の細孔構造を有することを特徴とする請求項21に記載の高電力半導体構成要素構造。回路板及び反射体をさらに備え、前記半導体デバイスは固体光源を備え、前記反射体及び前記固体光源は、前記反射体が前記固体光源からの前記光の少なくとも一部を反射して、方向性のある光放出にするように前記回路板に取り付けられていることを特徴とする請求項21に記載の高電力半導体構成要素構造。前記第1のヒートシンクは、前記固体光源からの熱が前記第1のヒートシンク内に伝達するように、前記回路板に取り付けられていることを特徴とする請求項25に記載の高電力半導体構成要素構造。光源の熱が、前記反射体を介してその中に伝達するように、前記反射体に取り付けられた第2のヒートシンクをさらに備えていることを特徴とする請求項21に記載の高電力半導体構成要素構造。前記半導体デバイスは、固体電力デバイスを備え、多孔質材料領域を少なくとも部分的に備える第2のヒートシンクをさらに備え、前記多孔質材料領域は、3次元細孔構造の形をとる熱伝導性材料を備え、前記3次元細孔構造の表面は、熱が周辺空気中に放散する表面積をもたらし、前記固体電力デバイスは、前記第1のヒートシンクと前記第2のヒートシンクの間に挟まれていることを特徴とする請求項21に記載の高電力半導体構成要素構造。回路板をさらに備え、前記固体電力デバイスは前記回路板に取り付けられ、前記回路板及び前記固体電力デバイスは、前記第1のヒートシンクと前記第2のヒートシンクの間に挟まれていることを特徴とする請求項27に記載の高電力半導体構成要素構造。本発明は、このような状況に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、高熱伝導率材料製の多孔質構造を少なくとも部分的に備える1つ又は複数のヒートシンクを利用することによって、高電力ランプ及び電力デバイスに改善された熱管理を行なうための光デバイスを提供することにある。本発明による光デバイスの一実施形態は、固体光源と、この固体光源に熱接触して配置された第1のヒートシンクとを備えている。固体光源からの熱が、第1のヒートシンク内に伝達する。この第1のヒートシンクは、3次元細孔構造の形をとる熱伝導性材料からなる多孔質材料領域を、少なくとも部分的に備えている。細孔構造内の細孔の表面が、典型的なバルクヒートシンクに比べて、熱が周囲空気中に放散する表面積の増大をもたらす。本発明によるランプの一実施形態は、回路板に取り付けられた固体光源を備えている。この固体光源からの光の少なくとも一部を反射して、方向性のある光放出にするために、反射体も回路板に取り付けられる。電力を固体光源に供給するために、接点が含まれる。第1及び第2のヒートシンクが含まれ、そのそれぞれは、3次元細孔構造の形をとる熱伝導性材料製の多孔質材料領域を少なくとも部分的に備えている。第1のヒートシンクは、反射体に付着され、第2のヒートシンクは、回路板に付着されている。本発明による高電力半導体構成要素構造highpowersemiconductorcomponentstructureの一実施形態は、電気信号に応答して動作するように構成された半導体デバイスを備え、この半導体デバイスは、動作中に電気信号に応答して昇温する。第1のヒートシンクが、半導体デバイスからの熱が第1のヒートシンク内に伝達するように、半導体デバイスに熱接触して配置される。第1のヒートシンクは、3次元細孔構造の形をとる熱伝導性材料からなる多孔質材料領域を少なくとも部分的に備え、細孔構造の表面が、熱が周囲空気中に放散する表面積をもたらす。本発明のこれら及び他の更なる特徴及び利点が、添付の図面と併せて以下の詳細な説明から、当業者には明らかとなるであろう。本発明は、高熱伝導率材料製の多孔質構造を少なくとも部分的に備える1つ又は複数のヒートシンクを利用することによって、高電力の固体発光体及び電力デバイスに改善された熱管理を提供するものである。多孔質のアルミニウム又は銅などの金属、あるいは炭素又は多孔質セラミックなどの無機材料を含めて、多くの異なるタイプの多孔質材料を使用することができる。材料中の細孔は、周囲との効果的な対流性熱交換を促進するために相互に連結すべきであり、材料の厚さ及び細孔径poresizeは、材料中に空気のポケットを閉じ込めずに、細孔が周囲への連続する空気の流路を提供した状態で、細孔構造を介して最適な伝導性熱伝達をもたらすべきである。多孔質材料は、特定の発光体又は電力デバイスに、熱がデバイスから多孔質材料発泡体内にその全体にわたって伝導するように熱接触して配置すべきである。多孔質材料は、3次元細孔構造の形をとる細孔表面がもたらす効力によって、より大きな表面積を、その取り囲む周囲に接触して有する。この表面積の増大は、従来の2及び3次元の固体ヒートシンクsolidheatsinkに比べて、熱が対流及び放射により周囲に放散するより多くの機会をもたらす。多孔質材料は、その応用分野に応じて、熱交換能力及び対流特性を周囲の条件、すなわち、周囲と発光体又は電力デバイスの最大許容可能接合部温度との温度差に合わせるように、異なる細孔設計を有することができる。材料は、周囲が空気であるかそれとも液体であるか、また周囲が静止しているかそれともファンの力の下で流動する空気のように流動しているかに合わせるように設計することもできる。多孔質材料は、機械的支持をもたらすのに十分な密度を有することもでき、好ましい一実施形態では、多孔質材料をさまざまな形状に容易に切断又は形成することができる。本発明によるランプの一実施形態では、多孔質材料は、ランプの反射体要素の形状を呈しても、電力デバイスの場合には、回路板と組み合わせてもよい。本発明に従って構成された多孔質材料の他の利点は、多孔質材料が、バルクヒートシンクbulkheatsinkよりも軽くなり得ること、及びより少ない空間を消費し得ることである。このことは、いくつかの応用分野において、重要な考慮事項となり得る。固体発光体は、従来型のランプに取って代わるとき、標準的な照明ソケットに適合するようにパッケージングされることが期待される。しかし、既存のソケットは、ソケット内、取り囲む周囲、又は取り囲む構造への熱放散を促進する重要な構造を設けていない。さまざまな実施形態では、形状設定済みの多孔質材料のヒートシンクを固体パッケージの中に、パッケージのサイズ又は重量を大幅に増大させずに、ランプ及び光学素子と同形及び一致した適合状態で含むことができる。こうすることにより、パッケージが、標準ソケットに適合することが可能ながら、適当な熱管理を有することが可能になる。図1は、反射体の周りに適合するように形状設定された多孔質材料のヒートシンク領域を有する本発明によるランプの一実施形態の簡略断面図である。固体発光体solidstatelightemitter14を保持するためのハウジング12を備えている本発明による固体ランプsolidstatelamp10の一実施形態を示している。この固体発光体14は、好ましくは、高電力LED又は高電力LEDアレイであるが、1つ又は複数の固体レーザ、有機発光ダイオード、又はランプなど、他の発光体を備えることもできる。LEDアレイを有する実施形態では、各LEDが、光を同じ又は異なる波長で放出することができ、異なる波長を放出する場合、LEDからの光を組み合わせて、光の異なる波長を発生させることができる。例えば、組み合わさって白色光を発生させる赤色、緑色、及び青色光を放出するLEDアレイを使用することができる。LED及び固体レーザは、一般に、p型又はn型の反対にドープされた2層間に挟まれた活性領域を含んでいる。p型層及びn型層は、それぞれに対応する接点を有し、電気信号をそれらの接点の両端間に印加して、電流が活性領域内に注入されることによって、光放出を発生させることができる。固体レーザは、一般に、コヒーレント光が放出されるように、誘導放出をもたらし、その結果、発生された光を増幅させるための、ミラー及び共振空洞を含んでいる。LED及び他の固体発光体の製作の詳細は既知であり、ここでは簡単にしか論じない。固体発光体14は、III族窒化物ベース材料系などのさまざまな材料系から製作することができる。III族窒化物とは、窒素と周期表のIII族の元素、一般にアルミニウムAl、ガリウムGa、及びインジウムInとの間で形成された半導体化合物を示している。この用語は、AlGaNやAlInGaNなどの三元化合物及び三元性化合物ternaryandtertiarycompoundも示している。固体発光体14は、一般に基板上に形成され、適切な基板は、導電性炭化ケイ素である。炭化ケイ素の方が、サファイアよりもIII族窒化物にずっと近い結晶格子整合を有し、より高品質のIII族窒化物被膜をもたらす。炭化ケイ素は、非常に高い熱伝導率も有し、したがって、炭化ケイ素上にあるIII族窒化物デバイスの合計出力電力は、基板の熱放散による制限を受けないサファイア上に形成された一部のデバイスの場合も、この制限を受けないことがある。また、炭化ケイ素基板が利用できることから、デバイスを分離し、寄生容量を低減させる能力ももたらされ、そのことが商用デバイスを可能にしている。SiC基板は、ノースカロライナ州ダラムのCree社から入手可能であり、その製造方法は、科学文献ならびに特許文献に記載されている例えば、特許文献1、特許文献2、及び特許文献3参照。。固体発光体14は、既知の多くの方法を使用して製作することができ、適切な方法は、化学気相成長CVD、分子線エピタキシMBE、又は有機金属化学気相成長MOCVDによる製作である。図1を再度参照すると、電気コネクタ16が、ハウジング12を通って延び、固体発光体14と電気接触する。電気コネクタ16は、固体発光体14用の適当な電力を発生させる制御回路図示せずに電気的に結合することができる。電力は、制御回路から固体発光体14に電気コネクタ16を介して伝導され、固体発光体14は、電気コネクタ16を介して供給された電力に応答して光を発生させる。ランプ10は、このランプ10がより方向性のある光放出をもたらすように、固体発光体14からの光を反射するための反射体18も備えている。この反射体18は、ハウジング12に、固体発光体14を保持する表面付近で取り付けられるが、他の実施形態では、反射体18を、他の方式で、また他の位置に取り付けることができる。反射体18は、一般に、反射体18に向かって放出された光が反射されるようにLED放出波長において反射し、したがって、反射体18は、ランプ10の光放出に寄与する。反射体18は、多くの異なる材料で製作することができ、適切な材料は、アルミニウムAl又は銀Agである。ランプ10は、保護を目的として、反射体18内に、また、固体発光体14を覆う、カプセル化材料図示せずを備えることもできる。カプセル化材料は、放出された光の全部又は一部が、それを通過して光の異なる波長に逓降されるような変換材料を含むこともできる。次いで、ランプ10は、光の逓降後の波長、又は固体発光体の光の波長と逓降後の光の波長とを組み合わせたものを放出することができる。あるいは、カプセル化材料を変換材料で覆って、固体発光体の光の全部又は一部を逓降させることもできる。ランプ10は、固体発光体14によって放出された光を合焦又はより均一に分配するために、レンズ図示せずをさらに備えることができる。レンズは、一般に、対象波長に透明な材料を含んでいる。上述したレンズ又はカプセル化材料は、固体発光体14からの光を散乱させて、光をより均一に分配するようなサイズの粒子を有する散乱材料を含むこともできる。ランプ10は、高電力発光体highpoweremitter14で動作することができ、この高電力発光体14は、一般に、上述したようにより高温で動作する。上述したように、温度のこうした増加は、高電力発光体の量子効率を減少させる恐れがあり、また、その寿命を低減させる恐れがある。こうしたタイプの高電力発光体の場合、動作温度をできるだけ低く維持するために、熱を効率的に奪い去って、その熱を放散させることが重要である。これを達成するために、ランプ10内にヒートシンク19が含まれ、図1では、ヒートシンク19は、反射体18の外面上に設けられている。本発明によれば、ヒートシンク19は、上述した材料で製作された高熱伝導率の多孔質材料を少なくとも部分的に備えるが、図示のヒートシンク19は、全てが多孔質の材料を備えている。多孔質材料は、高電力発光体14により効率の良いヒートシンク能力をもたらし、その結果、高電力発光体14は、ヒートシンクを用いない、又は中実のヒートシンクを用いた動作に比べて、より低い温度で動作することができる。このようにして、所与の電力レベルでの高電力発光体14の温度が低減される。というのも、熱がより効率的に伝達されて高電力発光体14からより効率的に除去されるためである。ヒートシンク19は、反射体18の周りに適合するように形状設定され、反射体18の外面に、好ましくは炭素ベースの接着材又は導電性テープなどの導電性接着材によって接合される。反射体18は、固体発光体14からの熱が反射体18を介してヒートシンク19に拡散し、そこで周囲中に放散されるように、熱を効率的に伝達する金属で製作される。図2は、反射体の周りに適合するように形状設定された多孔質材料のヒートシンク領域を有する本発明によるランプの他の実施形態の簡略断面図である。図1のランプ10と同じ特徴を多く有し、同じ又は類似の特徴には同じ参照番号が使用される、本発明によるランプ20の他の実施形態を示している。ランプ20は、ハウジング12と、固体発光体14と、コネクタ16と、多孔質材料のヒートシンク19とを含んでいる。ただし、反射体26は、アルミニウムAl又は銀Agなどの反射金属で被覆したプラスチックで製作することができる。典型的なプラスチックは、熱の伝導において効率的ではなく、固体発光体14からの熱の拡散を助けるためには、熱伝導性経路28を固体発光体14又はハウジング12及びヒートシンク19から含むべきである。一実施形態では、伝導性経路28は、反射体26の外面上に、ヒートシンク19と反射体26との間に配置された熱伝導性層を備えている。固体発光体14からの熱が、この層全体を通してヒートシンク19内に拡散し、そこでは熱が周囲空気中に放散することができる。ランプ10及び20の一実施形態では、ヒートシンク19内の多孔質材料が、金属又はプラスチックの反射体18、26と共に使用することができる、ERGMaterialsandAerospace社製品から商業的に入手可能なDoucel登録商標Foamを備える。Doucel登録商標Foamは、さまざまな細孔密度のアルミニウム、網目ガラス状炭素、及び炭化ケイ素などの、さまざまな材料において入手可能である。ヒートシンク19は、好ましくは、アルミニウム製のDoucel登録商標Foamを備えている。多孔質材料の寸法及びその多孔率は、最適な熱伝達をもたらすものを選択することができる。多孔率1インチlinearinch2.54cmあたりの細孔とは、材料中の細孔体積の、材料全体の体積に対する比率である。材料の熱伝導率とは、単位時間あたりに単位面積を通過する熱量の、単位温度勾配によって変わる尺度である。したがって、熱伝導率kは、熱流量に比例し、面積及び温度勾配に反比例する。多孔質材料は、より良い放射性熱伝達をもたらすために、陽極酸化しても、その他の方法で暗化しても、暗色材料で被覆してもよい。図3乃至図6は、本発明によるヒートシンクとして使用することができるDuocel登録商標Foamの2つの実施形態を示すが、他の多くの多孔質材料を使用することもできる。図3は、本発明によるヒートシンクで使用することができる多孔質材料の一実施形態の写真を示す図で、10cmの長さであり、約92の多孔率及び約6mmの細孔径を有する連続気泡発泡体t=6106合金k≒200Wm-1K-1を備えるアルミニウム多孔質材料22の一実施形態を示している。図4は、図3の多孔質材料をクローズアップした写真を示す図で、図3の多孔質材料22をクローズアップした図を示している。図5は、本発明によるヒートシンクで使用することができる多孔質材料の他の実施形態の写真を示す図で、図3及び図4の材料22に比べて4分の1に圧縮され、結果としてより高密度な、6cmの長さの本発明による多孔質材料24の他の実施形態を示している。図6は、図5に示す多孔質材料をクローズアップした写真を示す図で、図5に示す材料24をクローズアップした図であり、圧縮の結果、個々の細孔の形状が、図3及び4の材料22に比べて変わった様子を示している。上述したように、多孔質材料を、さまざまなデバイスに適合するように形状設定することができ、さまざまな方式で構成することができる。図7は、多孔質材料のヒートシンクがその回路板上にある本発明によるランプの他の実施形態の簡略断面図で、平坦な多孔質材料領域をそのヒートシンクとして利用する本発明による光デバイス30の一実施形態の断面図である。光デバイス30は、一般に、好ましくは1つ又は複数のLEDであるが、上述した他の光デバイスでもよい発光体32を備えている。この発光体32は、ピン取付け法又は表面取付け法を含むがそれらに限定されない既知の取付け法を使用して、プリント回路板PCB33上に取り付けられる。あるいは、発光体32は、リードフレーム構造図示せず上に取り付けることもできる。PCB33は、光放出用の電力をもたらすための、または、発光体32を静電ショックなどの大きな電気信号から保護するための電気回路などの、発光体32に結合された電気回路図示せずを保持することもできる。PCB33は、電気信号を直接、発光体32に、又はPCB上の電気回路に印加するための、第1及び第2の電気接点34、35を備えることもできる。ヒートシンク36が、PCB33に隣接して、好ましくは、PCB33の発光体32とは反対側の表面上に、PCB33に熱接触して配置されている。ランプ20のヒートシンク19と同様に、ヒートシンク36は、ヒートシンク19に関して上述したものと同じ材料製の多孔質材料を少なくとも部分的に備えている。Doucel登録商標は、PCB33のサイズに好都合に切断してPCB33に取り付け、発光体32からの熱がヒートシンク36内に拡散することができるように、シートの形で提供することができる。ヒートシンク36は、好ましくは、PCB33に、炭素エポキシ又はサーマルテープなどの熱伝導性接着材を使用して接合される。あるいは、ヒートシンク36は、PCB33に、既知の方法を使用してろう付けすることもできる。PCB33は、発光体32から多孔質ヒートシンク36への十分な熱伝導を可能にするように、セラミック酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、金属アルミニウム、銅、有機箔organicfoil、又は他の材料などのさまざまな材料で製作することができる。あるいは、熱が発光体32からヒートシンク36に伝導する効率的な経路を設けるために、熱伝導性ビア図示せずを、PCBを貫通して含むこともできる。次いで、ヒートシンク36全体を通して熱を拡散するために、熱拡散層をビアとヒートシンクの間に含むことができる。光デバイス30は、発光体32を保護するためのエポキシを含むことも、発光体32を覆って配置されるレンズを含むこともできる。レンズ及びエポキシは、図1に関して上述した変換材料及び散乱粒子を含むことができる。図8は、多孔質材料のヒートシンクが回路板及び反射体上にある本発明によるランプの他の実施形態の簡略断面図で、熱管理用に2つ以上のヒートシンクを利用する本発明によるランプ40の他の実施形態の断面図である。上述した実施形態と同様に、ランプ40は、PCB44上に上述した従来の取付け法によって取り付けられた発光体42を備えている。ランプ40は、PCB44上に取り付けられた反射体46も備え、反射体46はその基部に開口48を有し、発光体42が開口48内に配置されている。上記と同様に、反射体46は、発光体42の光を反射して、より方向付けられた光をもたらすように構成される。反射体46は、金属又はプラスチックを含むがそれに限定されない、多くのさまざまな材料で製作することができる。反射体46がプラスチックである実施形態では、発光体42からの熱を拡散するために、熱拡散層を反射体46の外面と第1のヒートシンク50の間に含むことができる。発光体42は、この発光体42に電力信号を印加するための第1及び第2の接点54、56も備えている。上述した多孔質材料で少なくとも部分的に製作された第1のヒートシンク50は、反射体46の外面上に含まれ、反射体46に熱接触する。第1のヒートシンク50は、上述した材料及び技法を使用して反射体に取り付けることができ、上述し、図1及び図2に示したヒートシンク19に類似するほぼ均一な厚さを全体にわたって有することができる。あるいは、第1のヒートシンク50の外面は、図8に示すように、ほぼ垂直であり、第1のヒートシンク50の厚さがPCB44に向かって増大してもよい。PCB44からの熱の放散を助けるために、第1のヒートシンク50の底面が、PCB44の上面に熱接触することができる。第1のヒートシンク50の体積は、図1及び図2に示すヒートシンク19の体積よりも大きく、したがって、熱が周囲中に放散する、より広い細孔表面積を設けることによって、より多くの熱を放散することができる。第1のヒートシンク50の正確なサイズ及び形状は、第1のヒートシンク50が、光ディスプレイ又は照射源などの支持構造に嵌ることができるように選択することができる。ランプ40は、第2のヒートシンク52をさらに備え、この第2のヒートシンク52は、PCB44の発光体42及び反射体46とは反対側の表面に、上述した方法を使用して取り付けられ、図7のヒートシンク36と同様に構成される。PCB44の一部分が、第1のヒートシンク50と第2のヒートシンク52の間に挟まれる。熱伝導性ビアを、PCB44を貫通して含むこともでき、熱伝導性層を、第2のヒートシンク52とPCBの間に、ビアに熱接触して含むことができる。他の実施形態では、より多くの表面積をもたらし、その結果より効率的な熱放散をもたらすために、多孔質材料のヒートシンクが、発光体42から外に垂直にも水平にも広がってよい。2つのヒートシンク50、52を含むことにより、発光体との熱接触が向上し、熱を周囲空気により効率的に伝達することができる。上述したように、本発明によるヒートシンク50、52は、多孔質材料を少なくとも部分的に備え、上述した実施形態では、これらのヒートシンク50、52は、全体にわたって同じ細孔密度を有する多孔質材料で製作された。他の実施形態では、これらのヒートシンク50、52は、異なる多孔質材料密度の層を備えることができ、又は固体ヒートシンク材料solidheatsinkmaterialの層/部分と共に使用することができる。図9は、多孔質材料のヒートシンクが回路板及び反射体上にある本発明によるランプの他の実施形態の簡略断面図で、図8の発光体40に類似し、類似の特徴には同じ参照番号が使用される本発明による光デバイス/ランプ60の他の実施形態の断面図である。ランプ60の主要な相違は、ヒートシンクが、段階的な細孔構造を有する複合多孔質のヒートシンクを備えることである。ランプ60は、PCB44上に取り付けられた発光体42と、この発光体42からの光を反射するためにPCB44上に取り付けられた反射体46と、接点54、56とを含んでいる。第1のヒートシンク68が、反射体46の外面上に含まれ、第2のヒートシンク70が、PCB44の発光体42及び反射体46とは反対側の表面上に含まれる。しかし、これらのヒートシンク68、70を、多くの異なる方式で構成することができること、及び追加のヒートシンクを、本発明に従って含むことができる。第1及び第2のヒートシンク68、70は、それぞれに対応する内側層/部分68a、70aを有し、それらは、ヒートシンクの残りの部分に比べてより高密度の、多孔性がより少ない材料で製作される。より高密度の、多孔性がより少ない材料からなる内側層を有することによって、熱を、場合によっては高密度の方の多孔質材料を介し、より効果的に伝導して反射体46又はPCB44から除去し、次いで、低密度の方の多孔質材料中に伝導することができ、そこで周囲空気中に放散することができる。これらのヒートシンクは、多孔質材料からなる2つの異なる密度の層/部分を伴って示されているが、代替ヒートシンクは、3層以上の異なる密度層を有することができる。複数の密度層は、1つの複合的に形成されたヒートシンクで製作しても、互いに接合された異なる密度の複数層で製作してもよく、他の実施形態では、内側層が中実のヒートシンク材料又は多孔性がより少ない材料を備えることができる。第1のヒートシンク68は、多孔質材料からなる多孔性がより少ない層68bを、PCB44に隣接するその表面に有することもできる。図10は、多孔質材料のヒートシンクが回路板及び反射体上にある本発明によるランプの他の実施形態の簡略断面図で、図8のランプ40に類似した本発明によるランプ80の他の実施形態を示している。ランプ80は、発光体42と、PCB44上に取り付けられた反射体46と、信号を発光体42に印加するための接点54、56とを備えている。ただし、ランプ80は、異なる第1のヒートシンク82及び第2のヒートシンク84を備えている。ヒートシンク82、84の内側面に、より高密度の材料の層を有する代わりに、熱伝導性ペースト86が、ヒートシンク82、84の一方又は両方の表面内に注入され、ヒートシンクの細孔をペーストで部分的に埋める。これにより、熱伝導性ペースト86を伴ったヒートシンク82、84の一部分が、ヒートスプレッダの特性を呈するとともに、ヒートシンク82、84の残りの部分が、3次元多孔質材料の特性を保持する。熱伝導性ペースト86を、図10に示す以外に、本発明に従って多孔質材料ヒートシンク内に多くの異なる位置で注入することができる。所望の伝導性及び熱拡散を得るために、熱伝導性ペースト86を、窒化アルミニウム、酸化亜鉛炭素zincoxidecarbon、又は他の熱伝導性材料で満たすことができる。さらに、熱伝導性ペースト86は、LEDの利用要件に合った稠度を有することができる。例えば、熱伝導性ペースト86は、接着特性を有しても、機械的安定性をもたらすために硬化してもよい。多孔質のヒートシンクを、固体熱伝導性のヒートシンクsolidheatconductiveheatsinkと共に使用することもできる。図11は、多孔質及び固体金属のヒートシンクsolidmetalheatsinkを有する本発明によるランプの他の実施形態の簡略断面図で、図7に示し、また上述したランプ30に類似したランプ100の他の実施形態を示している。ランプ100は、PCB104に取り付けられた発光体102と、発光体102に電力信号を印加するための接点106、108とを備えている。ランプは、金属など、固体熱伝導性材料solidheatconductivematerialからなる第1の部分112と、多孔質熱伝導性材料からなる第2の部分114とを備える複合ヒートシンク110も備えている。この構成は、熱を発光体102及びPCB104から、次いで、熱を第2の部分114内に拡散して周囲空気中に放散する第1の部分112を介して、効率的に奪い去ることができる。このタイプの複合ヒートシンク110は、ランプ反射体に取り付けられるなど、さまざまなデバイス及びさまざまな位置に、熱管理する目的で使用することができる。図12は、多孔質及び固体金属のヒートシンクを有する本発明によるランプの他の実施形態の断面図で、図11のランプ100に類似し、発光体102と、PCB104と、接点106、108とを備えるランプ120を示している。ヒートシンク122は、水平の配向を有するのではなく、固体熱伝導性材料からなる第1の部分124が、発光体102の下方に含まれ、第2及び第3の多孔質材料部分126、128が、PCB104の残りの部分の下方に含まれた、垂直の配向を有する。この構成は、熱が主に狭い領域から発生する応用分野に有用となり得る。その領域からの熱を、第1の部分124内に伝導して、第2及び第3の部分126、128内に放散することができる。この構成は、他の方式で使用することができ、PCB104を越えて広がることができる、固体solid又は多孔質の材料からなる追加の部分を含むことができる。上述したように、本発明によるヒートシンクは、トランジスタ、ダイオードなどを含むがそれらに限定されない電力デバイスと共に使用することもできる。図13は、多孔質材料のヒートシンクを有する本発明による電力デバイスの一実施形態の断面図で、多孔質のヒートシンクを利用する電力構成要素130の一実施形態を示している。構成要素130は、PCB134上に取り付けられた電力デバイス132と、電力デバイス132に印加される信号を印加し、読み取るための接点136、137とを備えている。第1のヒートシンク135が、PCBの電力デバイス132とは反対側の表面上に含まれ、光の放出は考慮すべき事項ではないため、第2のヒートシンク138を、電力デバイス132上に含むことができる。上述のヒートシンクと全く同様に、ヒートシンク135、138は、電力デバイス132から熱を奪い去って、それを周囲空気中に放散するように構成される。やはり上述したヒートシンクのさまざまな実施形態を、電力デバイスと共に使用することもできる。以上、本発明を、本発明のいくつかの好ましい構成に即して、かなり詳細に説明してきたが、他のバージョンが可能である。いくつかの実施形態では、多孔質材料を、フィンなど、他の特徴を含むように形状設定することができる。ランプ本体の周りに被覆された微小なフィン又はニードル、あるいはナノメートルサイズ又は構造のニードル又は被覆など、多孔質材料と同じ利点をもたらす他の構造を使用することもできる。上述した材料及び構造は、多くの異なる形状をとることができる。本明細書において記載した本発明の実施形態は例示的であり、多数の修正、変更、及び再構成を容易に想定して、実質的に等価な結果を達成することができ、その全ては、添付の特許請求の範囲において定義される本発明の精神及び技術的範囲内に包含される。