"半導体基板と、前記半導体基板の一方の表面に設けられたドーパント拡散領域と、を備え、前記半導体基板の前記表面には砥粒痕が形成されており、前記ドーパント拡散領域は、前記砥粒痕の伸長方向と為す角度が-5°~5°の範囲内に含まれる方向に伸長する部分を有し、前記ドーパント拡散領域は、前記半導体基板の一方の表面に設置されたドーピングペーストからドーパントを拡散することにより形成された、半導体装置。前記ドーパント拡散領域は、n型ドーパント拡散領域およびp型ドーパント拡散領域の少なくとも一方を有しており、前記n型ドーパント拡散領域上に設けられたn型用電極と、前記p型ドーパント拡散領域上に設けられたp型用電極と、をさらに備えた、請求項1に記載の半導体装置。半導体基板の表面に一方向に伸長する砥粒痕を形成する工程と、前記半導体基板の前記表面の一部上に前記砥粒痕の伸長方向と為す角度が-5°~5°の範囲内に含まれる方向に伸長する部分を有するドーピングペーストを設置する工程と、前記半導体基板の前記ドーピングペースト中のドーパントからドーパント拡散領域を形成する工程と、を含む、半導体装置の製造方法。前記砥粒痕を形成する工程は、半導体結晶インゴットをワイヤソーにより切断する工程を含む、請求項3に記載の半導体装置の製造方法。前記砥粒痕を形成する工程と前記ドーピングペーストを設置する工程との間に、前記半導体基板の前記表面をエッチングする工程を含む、請求項3または4に記載の半導体装置の製造方法。しかしながら、従来の裏面電極型太陽電池セルにおいては、n型ドーパント拡散領域113およびp型ドーパント拡散領域114をそれぞれ所定の領域に形成することができず、良好な特性を安定して得ることができないという問題があった。このような問題は、裏面電極型太陽電池セルだけの問題ではなく、両面電極型太陽電池セルなどの太陽電池セルを含む半導体装置全体の問題でもある。上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、良好な特性を安定して得ることができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することにある。本発明は、半導体基板と、半導体基板の一方の表面に設けられたドーパント拡散領域と、を備え、半導体基板の表面には砥粒痕が形成されており、ドーパント拡散領域は、砥粒痕の伸長方向と為す角度が-5°~5°の範囲内に含まれる方向に伸長する部分を有し、ドーパント拡散領域は、半導体基板の一方の表面に設置されたドーピングペーストからドーパントを拡散することにより形成された半導体装置である。ここで、本発明の半導体装置において、ドーパント拡散領域は、n型ドーパント拡散領域およびp型ドーパント拡散領域の少なくとも一方を有しており、n型ドーパント拡散領域上に設けられたn型用電極と、p型ドーパント拡散領域上に設けられたp型用電極と、をさらに備えていることが好ましい。また、本発明は、半導体基板の表面に一方向に伸長する砥粒痕を形成する工程と、半導体基板の表面の一部上に砥粒痕の伸長方向と為す角度が-5°~5°の範囲内に含まれる方向に伸長する部分を有するドーピングペーストを設置する工程と、半導体基板のドーピングペースト中のドーパントからドーパント拡散領域を形成する工程と、を含む、半導体装置の製造方法である。ここで、本発明の半導体装置の製造方法において、砥粒痕を形成する工程は、半導体結晶インゴットをワイヤソーにより切断する工程を含むことが好ましい。また、本発明の半導体装置の製造方法は、砥粒痕を形成する工程とドーピングペーストを設置する工程との間に、半導体基板の表面をエッチングする工程を含むことが好ましい。本発明によれば、良好な特性を安定して得ることができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することができる。以下、図1~図16を参照して、本発明の半導体装置の製造方法の一例である実施の形態の裏面電極型太陽電池セルの製造方法について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。まず、図1の模式的斜視図に示すように、半導体結晶インゴット50をワイヤソー53で切断する工程を行なう。図1に示すように、ワイヤソー53は、所定の間隔をあけて配置されたガイドローラ51,52の間に巻き掛けられている。その結果、ワイヤソー53は、それぞれのガイドローラ51,52において、ガイドローラ51,52の長手方向に沿って、所定の間隔をあけて複数箇所で張られた状態となる。この状態で、ガイドローラ51,52が正転逆転を繰り返すことによって、ワイヤソー53が矢印55の方向に往復走行を行なうことになる。ワイヤソー53が矢印55の方向に往復走行をしている状態で、半導体結晶インゴット50を矢印54の方向に移動させる。そして、半導体結晶インゴット50を往復走行をしているワイヤソー53に押し付けることによって、たとえば図2の模式的斜視図に示すように、半導体結晶インゴット50が複数箇所で切断されて、半導体基板1の複数枚が切り出される。図3に、図1に示すワイヤソー53の一例の模式的な断面図を示す。ここで、ワイヤソー53は、芯線53aと、芯線53aの外周面にボンド材図示せずで固着された砥粒53bと、を含んでいる。芯線53aとしては、たとえばピアノ線などを用いることができる。砥粒53bとしてはたとえばダイヤモンド砥粒などを用いることができ、ボンド材としてはたとえば芯線53aの外表面にめっきされたニッケルなどを用いることができる。図4に、ワイヤソー53で半導体結晶インゴット50が切断されることによって得られた半導体基板1の一例の模式的な断面図を示す。ここで、半導体基板1の表面には、上記のワイヤソー53を用いた半導体結晶インゴット50の切断によってスライスダメージ1aが生じている。半導体結晶インゴット50としては、たとえば、チョクラルスキー法または鋳造法によって作製された単結晶シリコンインゴットまたは多結晶シリコンインゴットなどの結晶シリコンインゴットなどが用いられる。半導体結晶インゴット50として結晶シリコンインゴットを用いた場合には、半導体基板1としてシリコン結晶基板を得ることができる。なお、本実施の形態において、半導体結晶インゴット50は、n型のドーパントがドープされることによって、n型の導電型を有している。次に、図5の模式的断面図に示すように、図4に示す半導体基板1の表面のスライスダメージ1aを除去する工程を行なう。ここで、半導体基板1としてシリコン結晶基板を用いた場合には、スライスダメージ1aの除去は、たとえば、水酸化ナトリウム水溶液や水酸化カリウム水溶液などのアルカリ水溶液でエッチングすることなどにより行なうことができる。半導体基板1の大きさおよび形状は特に限定されないが、たとえば、厚さを100μm以上300μm以下とし、1辺の長さを100mm以上200mm以下とした四角形状の表面を有する半導体基板などを用いることができる。図6に、図5に示す半導体基板1の表面の一部の一例の模式的な拡大断面図を示す。図7に、図5に示す半導体基板1の表面の一部の一例の模式的な斜視図を示す。ここで、半導体基板1の表面には大きなうねり図6の仮想破線;以下ソーマークという61が形成されるとともに、ソーマーク61よりも深さの浅い溝状の砥粒痕62が形成されている。ソーマーク61は、ワイヤソー53を用いた半導体結晶インゴット50の切断に起因して形成される。すなわち、図1に示すように、半導体基板1は、往復走行するワイヤソー53に半導体結晶インゴット50を押し付けて切断することにより得られるが、ワイヤソー53の走行方向55が切り替わるたびにワイヤソー53が一時停止して線速が落ちる。これにより、ワイヤソー53に対する半導体結晶インゴット50の移動方向矢印54の方向に沿ってワイヤソー53による半導体結晶インゴット50への切り込み深さが異なるため、それが大きなうねりであるソーマーク61として半導体基板1の表面に現れる。また、砥粒痕62は、ワイヤソー53を用いた半導体結晶インゴット50の切断時にワイヤソー53の砥粒53bによって形成された傷であり、ワイヤソー53の走行方向55に沿って伸長する溝状に形成される。なお、図6および図7には説明の便宜のため図示していないが、上記のスライスダメージ1aの除去のためのエッチングによって半導体基板1の表面にクレーター状の窪みが形成されていてもよい。次に、図8aの模式的断面図および図8bの模式的平面図に示すように、半導体基板1の裏面側の表面裏面の一部にn型ドーピングペースト3を設置する。ここで、n型ドーピングペースト3は、図8bの模式的平面図に示すように、砥粒痕図示せずの伸長方向矢印55の方向と為す角度が-5°~5°の範囲内に含まれる方向に伸長する部分を有するように設置される。これは、本発明者が鋭意検討した結果、砥粒痕の伸長方向と為す角度が-5°~5°の範囲内に含まれる方向に伸長するようにn型ドーピングペースト3を設置した場合には、その範囲外の方向に伸長するようにn型ドーピングペースト3を設置した場合と比べて、n型ドーピングペースト3がその伸長方向以外の方向に流れ出すのを抑制することができることを見い出したことによるものである。これにより、n型ドーピングペースト3は、少なくともその部分については、砥粒痕の伸長方向矢印55の方向と為す角度が-5°~5°の範囲内に含まれる方向に安定して形成することができる。なお、本実施の形態においては、n型ドーピングペースト3が、砥粒痕の伸長方向矢印55の方向と為す角度が0°となる方向に伸長する帯状に形成された場合について説明する。n型ドーピングペースト3としては、リン化合物などのn型ドーパントの他、たとえば、溶剤、増粘剤、ならびに酸化シリコン前駆体を含むものなどを用いることができる。また、n型ドーピングペースト3としては、増粘剤を含まないものも用いることができる。リン化合物としては、たとえば、リン酸塩、酸化リン、五酸化リン、リン酸または有機リン化合物のようなリン原子を含む化合物を単独でまたは2種以上併用して用いることができる。溶剤としては、たとえば、エチレングリコール、メチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブ、ジエチルセロソルブ、セロソルブアセテート、エチレングリコールモノフェニルエーテル、メトキシエタノール、エチレングリコールモノアセテート、エチレングリコールジアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールアセテート、トリエチルグリコール、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、テトラエチレングリコール、液体ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、1-ブトキシエトキシプロパノール、ジプロピルグリコール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、ポリプロピレングリコール、トリメチレングリコール、ブタンジアール、1,5-ペンタンジアール、ヘキシレングリコール、グリセリン、グリセリルアセテート、グリセリンジアセテート、グリセリルトリアセテート、トリメチロールプロピン、1,2,6-ヘキサントリオール、1,2-プロパンジオール、1,5-ペンタンジオール、オクタンジオール、1,2-ブタンジオール、1,4-ブタンジオール、1,3-ブタンジオール、ジオキサン、トリオキサン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、メチラール、ジエチルアセタール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコール、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、酢酸メチル、酢酸エチルを単独でまたは2種以上併用して用いることができる。増粘剤としては、エチルセルロース、ポリビニルピロリドンまたは双方の混合物を用いることが望ましいが、様々な品質および特性のベントナイト、様々な極性溶剤混合物用の一般に無機のレオロジー添加剤、ニトロセルロースおよびその他のセルロース化合物、デンプン、ゼラチン、アルギン酸、高分散性非晶質ケイ酸Aerosil登録商標、ポリビニルブチラールMowital登録商標、ナトリウムカルボキシメチルセルロースvivistar、熱可塑性ポリアミド樹脂Eurelon登録商標、有機ヒマシ油誘導体ThixinR登録商標、ジアミドワックスThixatrolplus登録商標、膨潤ポリアクリル酸塩Rheolate登録商標、ポリエーテル尿素-ポリウレタン、ポリエーテル-ポリオールなどを用いることもできる。酸化シリコン前駆体としては、たとえば、TEOSテトラエチルオルソシリケートのような一般式R1’nSiOR14nR1’はメチル、エチルまたはフェニルを示し、R1はメチル、エチル、n-プロピルまたはi-プロピルを示し、nは0、1または2を示す。で示される物質を用いることができる。n型ドーピングペースト3の設置方法は、たとえば従来から公知のスクリーン印刷、インクジェット印刷などの手法を用いることができる。その後、半導体基板1の裏面に設置されたn型ドーピングペースト3を乾燥させる。n型ドーピングペースト3の乾燥方法としては、たとえばペーストの設置後の半導体基板1をオーブン内に設置し、たとえば200°C程度の温度でたとえば数十分間の時間ペーストを加熱することにより行なうことができる。次に、図9aの模式的断面図および図9bの模式的平面図に示すように、800°C以上1100°C以下の石英炉内に投入し、n型ドーピングペースト3から半導体基板1の裏面にn型ドーパントを拡散させてn型ドーパント拡散領域13を形成する。これにより、図9bの模式的平面図に示すように、n型ドーパント拡散領域13は、砥粒痕の伸長方向矢印55の方向と為す角度が-5°~5°の範囲内に含まれる方向に伸長する帯状に形成される。なお、n型ドーパント拡散領域13は、半導体基板1よりもn型ドーパント濃度が高い領域である。その後、半導体基板1の裏面のn型ドーピングペースト3の残渣を除去する。n型ドーピングペースト3の残渣の除去は、たとえば、n型ドーピングペースト3が設置された半導体基板1をフッ酸水溶液中に浸漬させることなどにより行なうことができる。次に、図10aの模式的断面図および図10bの模式的平面図に示すように、半導体基板1の裏面の一部にp型ドーピングペースト4を設置する。ここで、p型ドーピングペースト4は、前述のn型ドーピングペースト3と同様に、図10bの模式的平面図に示すように、砥粒痕図示せずの伸長方向矢印55の方向と為す角度が-5°~5°の範囲内に含まれる方向に伸長する部分を有するように設置される。p型ドーピングペースト4としては、ボロン化合物などのp型ドーパントの他、たとえば、溶剤、増粘剤、ならびに酸化シリコン前駆体を含むものなどを用いることができる。また、p型ドーピングペースト4としては、増粘剤を含まないものも用いることができる。ボロン化合物として、たとえば、酸化ホウ素、ホウ酸、有機ホウ素化合物、ホウ素-アルミニウム化合物のようなホウ素原子を含む化合物を単独でまたは2種以上併用して用いることができる。溶剤としては、前述のn型ドーピングペースト3と同様の溶剤を用いることができる。増粘剤としては、前述のn型ドーピングペースト3と同様の増粘剤を用いることができる。酸化シリコン前駆体としては、前述のn型ドーピングペースト3と同様の物質を用いることができる。p型ドーピングペースト4の設置方法は、前述のn型ドーピングペースト3の設置方法と同様の手法を用いることができる。その後、半導体基板1の裏面に設置されたp型ドーピングペースト4を乾燥させる。p型ドーピングペースト4の乾燥方法としては、前述のn型ドーピングペースト3の乾燥方法と同様の手法を用いることができる。次に、図11aの模式的断面図および図11bの模式的平面図に示すように、800°C以上1100°C以下の石英炉内に投入し、p型ドーピングペースト4から半導体基板1の裏面にp型ドーパントを拡散させてp型ドーパント拡散領域14を形成する。これにより、図11bの模式的平面図に示すように、p型ドーパント拡散領域14は、砥粒痕の伸長方向矢印55の方向と為す角度が-5°~5°の範囲内に含まれる方向に伸長する帯状に形成される。その後、半導体基板1の裏面のp型ドーピングペースト4の残渣を除去する。p型ドーピングペースト4の残渣の除去は、たとえば、p型ドーピングペースト4が設置された半導体基板1をフッ酸水溶液中に浸漬させることなどにより行なうことができる。次に、図12aの模式的断面図および図12bの模式的平面図に示すように、半導体基板1の裏面にパッシベーション膜5を形成する。パッシベーション膜5としては、たとえば、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜とシリコン酸化膜の積層膜などを用いることができる。パッシベーション膜5は、たとえば、プラズマCVD法などにより形成することができる。次に、図13aの模式的断面図に示すように、半導体基板1のパッシベーション膜5が形成されている側と反対側となる受光面をテクスチャエッチングすることによってテクスチャ構造10を形成する。テクスチャ構造10を形成するためのテクスチャエッチングは、半導体基板1の他方の表面に形成されたパッシベーション膜5をエッチングマスクとして用いることによって行なうことができる。テクスチャエッチングは、半導体基板1がシリコン結晶基板からなる場合には、たとえば水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムなどのアルカリ水溶液にイソプロピルアルコールを添加した液をたとえば70°C以上80°C以下に加熱したエッチング液を用いて半導体基板1の受光面をエッチングすることによって行なうことができる。次に、図14aの模式的断面図に示すように、半導体基板1の受光面にパッシベーション膜6を形成する。パッシベーション膜6としては、たとえば、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜とシリコン酸化膜の積層膜などを用いることができる。パッシベーション膜6は、たとえば、プラズマCVD法などにより形成することができる。また、半導体基板1の受光面のパッシベーション膜6は、いわゆる反射防止膜としても機能する膜である。次に、図15aの模式的断面図および図15bの模式的平面図に示すように、半導体基板1の裏面のパッシベーション膜5の一部を除去することによって、コンタクトホール23およびコンタクトホール24を形成して、コンタクトホール23からn型ドーパント拡散領域13の一部を露出させるとともに、コンタクトホール24からp型ドーパント拡散領域14の一部を露出させる。コンタクトホール23,24は、たとえば、パッシベーション膜5上にフォトリソグラフィ技術を用いてコンタクトホール23,24のそれぞれの形成箇所に対応する部分に開口部を有するレジストパターンを形成した後に、レジストパターンの開口部からパッシベーション膜5をエッチングにより除去する方法などにより形成することができる。次に、図16aの模式的断面図および図16bの模式的平面図に示すように、コンタクトホール23を通してn型ドーパント拡散領域13に電気的に接続されるn型用電極33を形成するとともに、コンタクトホール24を通してp型ドーパント拡散領域14に電気的に接続されるp型用電極34を形成する。ここで、n型用電極33およびp型用電極34としては、たとえば、銀などの金属からなる電極を用いることができる。以上により、本実施の形態における裏面電極型太陽電池セルを作製することができる。以上のように、本実施の形態においては、上記のように、砥粒痕の伸長方向と為す角度が-5°~5°の範囲内に含まれる方向に伸長する部分を有するように、n型ドーピングペースト3およびp型ドーピングペースト4を設置しているため、少なくともその部分については、砥粒痕の伸長方向と為す角度が-5°~5°の範囲内に含まれる方向にn型ドーピングペースト3およびp型ドーピングペースト4を安定した形状に形成することができる。これにより、本実施の形態においては、n型ドーパント拡散領域13およびp型ドーパント拡散領域14もそれぞれ所望の形状に安定して形成することができるため、裏面電極型太陽電池セルの特性を安定して良好なものとすることができる。なお、上記の実施の形態は、n型の導電型を有する半導体結晶インゴットで説明を行なったが、半導体結晶インゴットはp型の導電型を有していてもよい。また、図17の模式的平面図に示すように、n型ドーパント拡散領域13およびp型ドーパント拡散領域14は、それぞれ、一方向に伸長した形状となっていてもよく、図18の模式的平面図に示すように、n型ドーパント拡散領域13およびp型ドーパント拡散領域14の少なくとも一方の一部が砥粒痕の伸長方向と直交していてもよく、図19の模式的平面図に示すように、n型ドーパント拡散領域13またはp型ドーパント拡散領域14のいずれか一方のみが一方向に伸長した形状を有していてもよい。また、本発明は、裏面電極型太陽電池セルに限定されるものではなく、半導体基板の受光面と裏面にそれぞれ電極を形成して製造された両面電極型太陽電池セルなどのあらゆる構成の太陽電池セルを含む半導体装置に適用することもできる。<ドーピングペーストの設置>まず、n型単結晶シリコンインゴットを、往復走行を行なっているワイヤソー図20の拡大写真に示す形状を有するに押し付けて切断した。これにより、1辺がそれぞれ126mmの擬似正方形状の受光面および裏面に一方向に伸長する溝からなる砥粒痕が形成され、厚さが200μmのn型単結晶シリコン基板を複数枚形成した。ここで、図20に示されるワイヤソーは、断面直径120μmのピアノ線の外周面にめっきされたニッケルで粒径30μm以下のダイヤモンド砥粒を固着して作製したものを用いた。図21に上記のワイヤソーによる切断後のn型単結晶シリコン基板の表面の一例の顕微鏡写真を示し、図22に図21に示すn型単結晶シリコン基板の表面の凹凸をレーザー顕微鏡で測定した結果を示す。なお、図22の横軸はn型単結晶シリコン基板の表面の幅最大幅:10mmを示し、図22の縦軸はn型単結晶シリコン基板表面のワイヤーソーでの切断に起因するソーマークや砥粒痕による凹凸を示している。図23に上記のワイヤソーによる切断後のn型単結晶シリコン基板の表面の他の一例の顕微鏡写真を示し、図24に図23に示すn型単結晶シリコン基板の表面の凹凸をレーザー顕微鏡で測定した結果を示す。なお、図24の横軸はn型単結晶シリコン基板の表面の幅最大幅:10mmを示し、図24の縦軸はn型単結晶シリコン基板表面のワイヤーソーでの切断に起因するソーマークや砥粒痕による凹凸を示している。図21~図24に示すように、n型単結晶シリコン基板の表面にはワイヤソーへのn型単結晶シリコンインゴットの押し付け方向に沿って形成された大きなうねりであるソーマークと、ワイヤソーの走行方向に沿ってソーマークに形成された溝状の砥粒痕図21および図23の縦筋と、が形成されていることが確認された。次に、上記のようにして形成したn型単結晶シリコン基板の表面を水酸化ナトリウム濃度が48質量の水酸化ナトリウム水溶液水52gに対して水酸化ナトリウム48gで30μmの深さにエッチングすることによって、n型単結晶シリコン基板の表面のスライスダメージを除去した。図25に図21に示すn型単結晶シリコン基板のエッチング後の表面の一例の顕微鏡写真を示し、図26に図25に示すn型単結晶シリコン基板の表面の凹凸をレーザー顕微鏡で測定した結果を示す。図27に図25に示すn型単結晶シリコン基板のエッチング後の表面の凹凸をレーザー顕微鏡で測定した結果を示す。図25に示すように、n型単結晶シリコン基板の表面には円形状の窪みが形成されているが、図26および図27に示すように砥粒痕はn型単結晶シリコン基板の表面から消えていなかった。次に、上記のエッチング後のn型単結晶シリコン基板の表面に砥粒痕の伸長方向と為す角度が-5°~5°の範囲内に含まれる方向に伸長するように複数の帯状のn型ドーピングペーストn型ドーピングペーストの1本当たりの設計幅:300μm、粘度:30PaSを1.5mm間隔で間欠的に設置した。図28aに砥粒痕の伸長方向と為す角度が-5°~5°の範囲内に含まれる方向に伸長するようにn型ドーピングペーストを設置したn型単結晶シリコン基板の表面の顕微鏡写真を示し、図28bに図28aの顕微鏡写真の拡大写真を示す。図28aおよび図28bにおいて、色の濃い箇所がn型ドーピングペーストの設置箇所であり、色の薄い部分が開口部である。図28aおよび図28bに示すように、砥粒痕の伸長方向と為す角度が-5°~5°の範囲内に含まれる方向に伸長するようにして設置したn型ドーピングペーストについては、n型ドーピングペーストの伸長方向以外の方向にn型ドーピングペーストが流れ出すのを抑制することができることが確認された。比較例として、砥粒痕の伸長方向と直交する方向に伸長するように複数の帯状のn型ドーピングペーストを設置したこと以外は上記と同様にしてn型ドーピングペーストを設置した。図29aに砥粒痕の伸長方向と直交する方向に伸長するようにn型ドーピングペーストを設置したn型単結晶シリコン基板の表面の顕微鏡写真を示し、図29bに図29aの顕微鏡写真の拡大写真を示す。図29aおよび図29bにおいて、色の濃い箇所がn型ドーピングペーストの設置箇所であり、色の薄い部分が開口部である。図29aおよび図29bに示すように、砥粒痕の伸長方向と直交する方向に伸長するようにして設置したn型ドーピングペーストについては、砥粒痕の伸長方向と為す角度が-5°~5°の範囲内に含まれる方向に伸長するようにn型ドーピングペーストを設置した場合と比べて、n型ドーピングペーストの伸長方向以外の方向にn型ドーピングペーストが流れ出し、n型ドーピングペーストの幅がばらつくことが確認された。また、砥粒痕の伸長方向と為す角度が-5°~5°の範囲内に含まれる方向に伸長するようにn型ドーピングペーストを設置したn型単結晶シリコン基板の表面から任意の10本のn型ドーピングペースト設置部分サンプルNo.1~10を選択して、これら10本のn型ドーピングペースト設置部分の幅の最大値と最小値とを測定し、その最大値と最小値との差を求めた。そして、サンプルNo.1~10の開口部の幅の最大値、最小値および最大値と最小値との差のそれぞれについて、平均値および標準偏差σを求めた。その結果を表1に示す。表1に示すように、サンプルNo.1~10のn型ドーピングペースト設置部分の幅の最大値、最小値および最大値と最小値との差の平均値はそれぞれ327、291および36であって、標準偏差σはそれぞれ15、8および12であった。一方、砥粒痕の伸長方向と直交する方向に伸長するようにn型ドーピングペーストを設置したn型単結晶シリコン基板の表面から任意の10本のn型ドーピングペースト設置部分を選択して、これら10本のn型ドーピングペースト設置部分サンプルNo.11~20の幅の最大値と最小値とを測定し、その最大値と最小値との差を求めた。そして、サンプルNo.11~20のn型ドーピングペースト設置部分の幅の最大値、最小値および最大値と最小値との差のそれぞれについて、平均値および標準偏差σを求めた。その結果を表2に示す。表2に示すように、サンプルNo.11~20のn型ドーピングペースト設置部分の幅の最大値、最小値および最大値と最小値との差の平均値はそれぞれ386、293および93であって、標準偏差σはそれぞれ21、9および19であった。同様に、p型ドーピングペーストについても、砥粒痕の伸長方向と為す角度が-5°~5°の範囲内に含まれる方向に伸長するように設置した場合と、砥粒痕の伸長方向と直交する方向に伸長するように設置した場合との比較を行なった。p型ドーピングペーストは、シリコン基板表面に、複数の帯状に1.5mm間隔で間欠的に設置したp型ドーピングペーストの1本当たりの設計幅:1000μm、粘度:30Pas。n型ドーピングペーストと同様に、砥粒痕の伸長方向と為す角度が-5°~5°の範囲内に含まれる方向に伸長するようにp型ドーピングペーストを設置したn型単結晶シリコン基板の表面から任意の10本のp型ドーピングペースト設置部分サンプルNo.21~30を選択して、これら10本のp型ドーピングペースト設置部分の幅の最大値と最小値とを測定し、その最大値と最小値との差を求めた。その結果を表3に示す。また、比較例として、砥粒痕の伸長方向と直交する方向に伸長するようにp型ドーピングペーストを設置したn型単結晶シリコン基板の表面から任意の10本のp型ドーピングペースト設置部分を選択して、これら10本のp型ドーピングペースト設置部分サンプルNo.31~40の幅の最大値と最小値とを測定し、その最大値と最小値との差を求めた。その結果を表4に示す。また、サンプルNo.21~30およびサンプルNo.31~40の開口部の幅の最大値、最小値および最大値と最小値との差のそれぞれについて、平均値および標準偏差σを求めた。その結果を表3および表4に示す。表3に示すように、サンプルNo.21~30のp型ドーピングペースト設置部分の幅の最大値、最小値および最大値と最小値との差の平均値は、それぞれ、1029、974および45であって、標準偏差σは、それぞれ、12、11および6であった。また、表4に示すように、サンプルNo.31~40のp型ドーピングペースト設置部分の幅の最大値、最小値および最大値と最小値との差の平均値は、それぞれ、1118、987および131であって、標準偏差σは、それぞれ、21、12および15であった。以上より、表1~表4に示すように、砥粒痕の伸長方向と為す角度が-5°~5°の範囲内に含まれる方向に伸長するようにドーピングペーストを設置した場合には、砥粒痕の伸長方向と直交する方向に伸長するようにドーピングペーストを設置した場合と比較して、n型ドーピングペーストの幅の設計値からのばらつきを抑えることができることが確認された。<裏面電極型太陽電池セルの作製と評価>サンプルNo.1~10のn型ドーピングペースト設置部分およびサンプルNo.21~30のp型ドーピングペースト設置部分を有するn型単結晶シリコン基板実施例の基板、ならびにサンプルNo.11~20のn型ドーピングペースト設置部分およびサンプルNo.31~40のp型ドーピングペースト設置部分を有するn型単結晶シリコン基板比較例の基板をそれぞれ用いて裏面電極型太陽電池セルを作製した。具体的には、まず、石英炉内で酸素雰囲気にて900°Cで20分間熱酸化した実施例および比較例のそれぞれの基板にn型ドーピングペーストを設置した後に、実施例および比較例のそれぞれの基板をオーブン内に設置し、200°Cで30分間加熱することによりn型ドーピングペーストを乾燥させた。次に、実施例および比較例のそれぞれの基板を石英炉内で950°Cで30分間加熱することによって、実施例および比較例のそれぞれの基板の上記n型ドーピングペースト設置箇所にリンを拡散させてn型ドーパント拡散領域を形成した。次に、実施例および比較例のそれぞれの基板をフッ酸水溶液中に浸漬させることにより実施例および比較例のそれぞれの基板のn型ドーピングペースト残渣をすべて除去した。次に、石英炉内で酸素雰囲気にて900°Cで20分間熱酸化した実施例および比較例のそれぞれの基板に形成されたn型ドーパント拡散領域間にp型ドーピングペーストを設置した後に、実施例および比較例のそれぞれの基板をオーブン内に設置し、200°Cで30分間加熱することによりp型ドーピングペーストを乾燥させた。次に、実施例および比較例のそれぞれの基板を石英炉内で1000°Cで30分間加熱することによって、実施例および比較例のそれぞれの基板の上記p型ドーピングペースト設置箇所にボロンを拡散させてp型ドーパント拡散領域を形成した。次に、実施例および比較例のそれぞれの基板をフッ酸水溶液中に浸漬させることにより実施例および比較例のそれぞれの基板のp型ドーピングペースト残渣をすべて除去した。次に、実施例および比較例のそれぞれの基板のn型ドーパント拡散領域およびp型ドーパント拡散領域の形成側の表面全面にプラズマCVD法により窒化シリコン膜からなるパッシベーション膜を形成した。次に、実施例および比較例のそれぞれの基板のパッシベーション膜形成側とは反対側の表面をテクスチャエッチングすることによってテクスチャ構造を形成した。ここで、テクスチャエッチングは、水酸化ナトリウム濃度が3質量の水酸化ナトリウム水溶液にイソプロピルアルコールを添加した70°C~80°Cのエッチング液を用いて行なった。次に、実施例および比較例のそれぞれの基板のテクスチャ構造上にプラズマCVD法により窒化シリコン膜からなる反射防止膜を形成した。次に、実施例および比較例のそれぞれの基板のパッシベーション膜の一部を帯状に除去することによって、コンタクトホールを形成し、n型ドーパント拡散領域およびp型ドーパント拡散領域のそれぞれの一部を露出させた。その後、実施例および比較例のそれぞれの基板のコンタクトホールを埋めるようにして市販の銀ペーストを塗布し、乾燥させ、600°Cで20分間加熱することによって銀ペーストを焼成し、n型ドーパント拡散領域およびp型ドーパント拡散領域にそれぞれ接する銀電極を形成した。以上により、実施例および比較例のそれぞれの基板を用いた裏面電極型太陽電池セルが作製された。そして、実施例の基板を用いて作製された裏面電極型太陽電池セル実施例の太陽電池セルおよび比較例の基板を用いて作製された裏面電極型太陽電池セル比較例の太陽電池セルのそれぞれに、ソーラシミュレータを用いて擬似太陽光を照射し、電流-電圧IV特性を測定して、短絡電流密度、開放電圧、F.FFillFactor、変換効率およびリーク電流を測定した。その結果を表5に示す。なお、表5においては、比較例の太陽電池セルの短絡電流密度、開放電圧、F.F、変換効率およびリーク電流の値をそれぞれ100としたときの実施例の太陽電池セルの短絡電流密度、開放電圧、F.F、変換効率およびリーク電流の値がそれぞれ相対値で表わされている。表5に示すように、実施例の太陽電池セルは、比較例の太陽電池セルと比較して、短絡電流密度、開放電圧、F.F.および変換効率が高くなり、リーク電流が低くなることが確認された。したがって、実施例の太陽電池セルは、比較例の太陽電池セルと比較して、良好な特性を安定して得ることができる。これは、実施例の太陽電池セルにおいては、n型ドーパント拡散領域およびp型ドーパント拡散領域をそれぞれ砥粒痕の伸長方向と為す角度が-5°~5°の範囲内に含まれる方向に伸長する帯状に安定して形成することができるため、比較例の太陽電池セルと比べて、n型ドーパント拡散領域およびp型ドーパント拡散領域のそれぞれの幅のばらつきが小さかったことによるものと考えられる。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"