"ICチップと、ICチップに電気的に接続されたアンテナコイルのパターンと、レーザ光の照射によりトリミングが可能なコンデンサの電極パターンとを備えたインレイを用意し、前記インレットの前記電極パターンが形成された側に、前記レーザ光の波長を透過する上部カード基材を積層し、相前後して前記電極パターンが形成された側の反対面に下部カード基材を積層し、次にICカードのカード基材上からレーザ照射し、前記電極パターンをトリミングすることを特徴とするICカードの製造方法。前記電極パターンをトリミングした後に、カード基材上に絵柄層を設けることを特徴とする請求項1に記載のICカードの製造方法。前記上部カード基材の少なくとも前記電極パターンに接している層において、ガラス転移温度が150以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載のICカードの製造方法。ところが上述の方法では、カード化前のインレイの状態で周波数を調整するため、外装基材を積層した後では、周波数特性が変化してしまう。特に基材をラミネートして積層すると、基材によって、周波数の落ち込みが生じる。このため、試作時に十分なデータをとって平均的な落ち込み量を推測した上で既述のインレイ状態でのトリミング切断量を推測計算し行っていた。しかしICチップ容量のばらつきが多分にあるため、算出される周波数の落ち込み量の精度を画一的に対応できないため、最終的なICカードの状態では、理想的な共振周波数からずれてしまう虞があった。そこで本願発明では、コンデンサのトリミングによりアンテナの共振周波数の調整が容易かつ高精度な非接触IC媒体の製造方法を提供することを課題とする。上記課題を解決するために為された請求項1に係る発明は、ICチップと、ICチップに電気的に接続されたアンテナコイルのパターンと、レーザ光の照射によりトリミングが可能なコンデンサの電極パターンとを備えたインレイを用意し、前記インレットの前記電極パターンが形成された側に、前記レーザ光の波長を透過する上部カード基材を積層し、相前後して前記電極パターンが形成された側の反対面に下部カード基材を積層し、次にICカードのカード基材上からレーザ照射し、前記電極パターンをトリミングすることを特徴とするICカードの製造方法である。また請求項2に係る発明は、前記電極パターンをトリミングした後に、カード基材上に絵柄層を設けることを特徴とする請求項1に記載のICカードの製造方法である。また請求項3に係る発明は、前記上部カード基材の少なくとも前記電極パターンに接している層において、ガラス転移温度が150°C以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載のICカードの製造方法である。本発明に拠れば、レーザ光を透過するカード基材を介して、カード基材積層後にレーザ照射によるトリミングを行うことで、ラミネート等による周波数特性の変化を考慮する必要がなく、ICカードの周波数調整の精度を向上させる事ができる。図1は、本発明に掛かる非接触IC媒体の積層構造を示す模式図である。非接触IC媒体10は、アンテナ基材12上に、アンテナパターン11及びトリミングコンデンサの電極パターンを形成し、ICチップ15を実装したインレイを上下のカード基材13,14で挟み、積層してなる。カード基材は、コア基材、中間基材、外装基材など複数層積層しても良い。図2は、アンテナ基材12上のアンテナパターン11及びトリミングコンデンサの電極パターン21の例を示す模式図である。図2の例では、トリミングコンデンサは櫛型電極21と、アンテナ基材のくし型の電極との反対面には形成された対向電極24、アンテナパターンと接続するジャンパー線等を備えている。さらに、IC15を実装するための電極23が形成されている。そして、2~3MHz程度の範囲で周波数を調整できるように、複数のトリミングコンデンサを、並列に連結するように配列している。アンテナコイル、トリミングコンデンサのくし型電極及び対向電極のパターンはそれぞれアルミニウムや銅等の金属箔のエッチングや金属めっき、あるいは銀ペーストや金属微粒子を含むインクを用いたレーザー照射等で銀ペーストが炭化する印刷方法等各種印刷法等で形成することができる。アンテナパターン及びトリミングコンデンサの電極パターンを同時に形成すれば製造工程を減らすことができる。非接触IC媒体10は、図3に示すように、トリミングコンデンサの電極パターン21の一部をトリミングにより除去又は絶縁化することにより、周波数特性の調整を行うことができる。トリミングは、トリミングコンデンサの電極パターン21上に積層されたカード基材側からトリミング位置にレーザ光を照射することで行う。用いるレーザの種類としては、カード基材に用いる樹脂材料での吸収が少なく、金属での吸収がある、波長1μm程度のレーザが好ましい。具体的には、YAGレーザ1064nm、YVO4レーザ1064nm等を好適に用いることができる。カード基材は、アンテナ基材12上のトリミングコンデンサのくし型の電極21のパターンが形成された側に積層された上部カード基材13と、反対側の面に積層された下部カード基材14とで構成されている。このうち少なくとも上部カード基材については、トリミングのために照射するレーザに対してできるだけ透過率が高い材料を選択することが好ましい。レーザ光の透過率が低いとカード基材でレーザ光が吸収され、炭化したカード基材によってレーザ光が遮断され、トリミングする電極に到達しない虞がある。上部カード基材13に用いる材料としては、レーザ光波長において透明なレーザー透過基材であるバイエルマテリアルサイエンス社MakrofolTransparentlaser750061等の基材であれば特に制限はない。また、上部カード基材のうち、電極パターンに接している層は、耐熱性に優れていることが好ましい。金属にレーザ光が照射されることで、加熱されるためである。例えばガラス転移温度が150°C以上の樹脂材料を用いる。上部カード基材の具体的な材料の例としては、ポリカーボネートなどの透光性、耐熱性を向上させたエンジニアリングプラスチックが挙げられる。また、上部カード基材13を複数の基材から構成する場合、基材各層の界面での反射を抑制するために、屈折率の近い材料を用いて、基材の融着による一体化が好ましい。例えば、ポリカーボネートを各層の主材として用いた場合、熱ラミネートにより融着させ、一体化することが可能なので、各層での反射をなくすことができる。アンテナ基材12、下部カード基材14は、上部カードに用いることができる材料に加え、ポリカーボネート、植物由来ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレート、ポリシロキサン1,4-ジメチルフタレート、ポリスチレンPS、ポリメチルメタアクリレート、透明アクリロニトリルブタジエンスチレン共重合合成樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリアセタール、塩化ビニル材料、塩化ビニル-酢酸ビニル共重合体材料、テレフタル酸とシクロヘキサンジメタノール及びエチレングリコールとの共重合体材料、または前述の共重合体とポリカーボネート及び/又はポリアリレートとのポリマーアロイからなる非晶質ポリエステル材料、アクリロニトリル-ブタジエン-スチレン共重合合成樹脂材料等を用いることができる。また、天然あるいは人工の繊維からなる紙、合成紙基材を用いても良い。上部カード基材13、アンテナ基材12、下部カード基材14は、それぞれの界面で自融着する樹脂材料を選択すれば、各層を一体化させることで接着性が良く、剥離を抑制することができる。これには例えば上述のようにポリカーボネートのような自己融着性を持つ材料を用いればよい。上述のように、インレイに上部カード基材13及び下部カード基材14を積層した後、許容周波数の範囲に対して実測された周波数のズレから、トリミングするトリミングコンデンサの量を算出し、ICカードのカード基材上からレーザ照射し、所定数のトリミングコンデンサの電極パターンをトリミングする。本発明に拠れば、カード基材の積層後にトリミングを行うため、ラミネート等による周波数特性の変化を考慮する必要がなく、周波数調整の精度を向上させる事ができる。周波数調整の精度向上のさらなるメリットとしては、許容される周波数特性をより限定することができる点が挙げられる。許容される周波数特性を限定することにより、ICチップのすり替えによる周波数特性の変化に対してシビアになるので、セキュリティの向上にも寄与する。また、ディスプレイモジュールを搭載する搬送が従来インレイよりも困難なものに関して、カード化後のトリミング加工で済ませられることで、ディスプレイモジュールインレイ専用治具等を用意する手間が省略できる。トリミングコンデンサのトリミングを行った後、上部カード基材13及び下部カード基材14上に、隠蔽層、絵柄層、保護層等を設けても良い。隠蔽層は、カード基材が光透過性を有する場合に内部を隠蔽したり、絵柄層の絵柄を映えさせるために、白色等の可視光領域で非透過性の材料で形成される層である。絵柄層は、文字や図形等の情報を印字した層である。保護層は、耐摩耗性、耐薬品性等の目的でカード表面に形成される層である。また、これらの層は、下部カード基材上にのみ、トリミング前に設けておき、トリミング後に上部カード基材上に形成するようにしても良い。また、これらの層は、前記トリミング時のレーザ光波長での透過率が高ければ、トリミング前に上部カード基材及び下部カード基材上に設けてあっても良い。厚さ50μmのPETフィルムからなる基材上に、図2の構成で片面にアンテナパターン11及びトリミングコンデンサの電極パターン21をアルミニウムのエッチングにより形成した。さらに基材の裏面にアンテナコイルのジャンパー線及びトリミングコンデンサの対向電極24を形成した後、アンテナパターンとジャンパー線の接続及びICチップの実装を行った。上記アンテナコイル、トリミングコンデンサ、ICチップを形成した基材の両面に、厚さ100μmの結晶性ポリカーボネートバイエルマテリアルサイエンス社製をラミネートにより積層して、ICカードを作製した。カード化品の周波数を測定し、目標値からの差分を計算した上で積層したICカードのトリミングコンデンサの電極パターン21を形成した側の面から、レーザ光を照射し、コンデンサのトリミングを行った。レーザには、波長1064nmのYVO4レーザマーカーKeyence社製を用いた。照射条件は、走査速度10mm/s、レーザ出力電流20A、Qスイッチ周波数10kHzとした。ICカードの表面には、レーザ照射の痕は視認されなかった。また、トリミング前後の共振周波数を測定したところ、トリミング前の共振周波数が13.35MHzであったのに対して、トリミング後は共振周波数が13.58MHzとなっていることが確認できた。"