"ガラスに組成揺らぎを持たせることが可能であるガラス組成において、組成揺らぎを促進させる熱処理温度でガラス基板の熱処理を行う工程、及び前記熱処理により分離したSiO2濃度の薄い相の少なくとも一部を除去することで表面の加工性を向上させる工程を含み、前記ガラス基板のガラス転移温度をTg°Cとしたとき、前記熱処理温度がTg~Tg100°Cの範囲であることを特徴とする磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。請求項1に記載の磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、前記SiO2濃度の薄い相の少なくとも一部を除去することで表面の加工性を向上させる工程として、ガラス中のSiO2濃度によって反応性の異なる溶液による処理を含むことを特徴とする磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。請求項1に記載の磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、前記SiO2濃度の薄い相の少なくとも一部を除去することで表面の加工性を向上させる工程として、ガラス中のSiO2濃度によって反応性の異なる溶液を有する研削液による研削処理又はガラス中のSiO2濃度によって反応性の異なる溶液の研磨剤による研磨処理を含むことを特徴とする磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。請求項3に記載の磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、前記研磨処理後の磁気情報記録媒体用ガラス基板の表面粗さRaが0.1~5Åであることを特徴とする磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。請求項1~4のいずれか1項に記載の磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、前記熱処理温度がTg~Tg70°Cの範囲であることを特徴とする磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。請求項1~5のいずれか1項に記載の磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、前記ガラス基板は、重量で、SiO2:45~70、Al2O3:5~20、B2O3:1~15、Li2O:0.1~7、Na2O:2~10、K2O:0.5~10、MgO:1~20、CaO:0.1~7、BaO:0~3、SrO:0~3、ZnO:0~8、Y2O3:0~5、La2O3:0~5、Gd2O3:0~5、CeO2:0~3、TiO2:1~15、HfO2:0~3、ZrO2:0~3、Nb2O5:0~5、Ta2O5:0~5、Sb2O3:0~2、の各ガラス成分を有することを特徴とする磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。本発明は、前記従来技術に鑑みてなされたものであり、その解決すべき課題は、研削工程、及び研磨工程における加工レートを向上させることで処理時間を短縮を可能としながら、平滑性やうねりの発生を抑制し、磁気情報記録媒体用のガラス基板として必要な特性を確保することのできる磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。前記課題を解決するために、本発明者らは、磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造工程に用いられるガラス基板の組成に着目し、鋭意検討を行った。この結果、部分的に組成揺らぎを持たせることが可能なガラス組成に、特定の熱処理温度で処理することで意図的に組成ゆらぎを有するガラスブランクスを作成し、SiO2濃度の薄い相を除去してその表面を荒らすことによって、研削しろや研磨しろを減少させることなく、研削工程、及び研磨工程における加工レートを向上させることができ、且つ、高い表面平滑性やうねり品質の悪化を抑制することができ、研削工程や研磨工程における負荷を増加させることなく優れた表面品質を有する光学磁気情報記録媒体用ガラス基板を製造し得ることを見出した。本発明に係る磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法は、ガラスに組成揺らぎ100nm未満の局所的な組成の不均一性を持たせることが可能であるガラス組成において、組成揺らぎを促進させる熱処理温度でガラス基板の熱処理を行う工程、及び前記熱処理により分離したSiO2濃度の薄い相の少なくとも一部を除去することで表面の加工性を向上させる工程を含み、前記ガラス基板のガラス転移温度をTg°Cとしたとき、前記熱処理温度がTg~Tg100°Cの範囲であることを特徴とする磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法である。前記の組成ゆらぎは、組成が部分的に不均一になっていればよく、非晶質であってもよいし、微小な結晶が偏在していてもよい。前記磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、前記SiO2濃度の薄い相の少なくとも一部を除去することで表面の加工性を向上させる工程として、ガラス中のSiO2濃度によって反応性の異なる極性溶液での処理を含むことが好適である。ガラス中のSiO2濃度によって反応性の異なる溶液としては、例えばpH9以上のアルカリ性の極性溶液やpH5以下の酸性の極性溶液が好ましく用いられ、特にフッ酸フッ化水素酸を主体とした溶液が効果が高く、より好ましい。このような構成であれば、使用する比較的低濃度なフッ酸を用いて、SiO2濃度の薄い相を選択的にエッチングすることが可能であり、基板表面全体のガラスが除去されることで研削しろや研磨しろを低減さえることなく表面の粗さを制御することができ、結果として研削や研磨等の加工性を向上させることができる。また、前記磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、前記SiO2濃度の薄い相の少なくとも一部を除去することで表面の加工性を向上させる工程として、酸性の研削液による研削処理又は酸性の研磨剤による研磨処理を含むことが好ましい。このような構成であれば、SiO2濃度の薄い相を選択的に除去しながら加工することが可能になり、加工レートを大きく向上させることができる。前記磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、前記研磨処理工程において、前記SiO2濃度の薄い相の少なくとも一部を除去することで表面の加工性を向上させる工程を行う場合に、前記研磨処理工程を最後に行われる研磨工程最終研磨工程、精密研磨工程ともいうとし、研磨処理後の磁気情報記録媒体用ガラス基板の表面粗さを適切な範囲に調整することも可能である。最終研磨処理後のRaは0.1~5Åとすることが好適であり、このような構成であれば、熱処理温度やガラス組成を制御することで、基板全体を所望の表面粗さまで均質かつ精密に制御することが可能であり、平滑な磁気ディスク上で発生するヘッドの吸着を抑制し、ハードディスクドライブ装置として構成した際にヘッドが安定して浮上動作することが可能となる。前記磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、前記熱処理温度がTg~Tg70°Cの範囲であることが好適である。このような構成であれば、組成揺らぎを発生させながら、ガラスブランクスの形状修正も行うことができる。前記磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、前記ガラス基板は、重量で、SiO2:45~70、Al2O3:5~20、B2O3:1~15、Li2O:0.1~7、Na2O:2~10、K2O:0.5~10、MgO:1~20、CaO:0.1~7、BaO:0~3、SrO:0~3、ZnO:0~8、Y2O3:0~5、La2O3:0~5、Gd2O3:0~5、CeO2:0~3、TiO2:1~15、HfO2:0~3、ZrO2:0~3、Nb2O5:0~5、Ta2O5:0~5、Sb2O3:0~2、の各ガラス成分を有することが好適である。本発明においては、組成は限定されるものではないが、代表的には上記の組成であれば、本発明の温度範囲で加熱工程を行うことで組成揺らぎを発生させることが可能である。本発明によれば、研削しろや研磨しろを減少させることなく、研削工程、及び研磨工程における加工レートを向上させることのでき、且つ、高い表面平滑性やうねり品質の悪化を抑制することができ、研削工程や研磨工程における負荷を増加させることなく優れた表面品質を有する磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供することができる。以下、本発明に係る実施形態について説明するが、本発明は、これらに限定されるものではない。本実施形態に係る磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法は、ガラスに組成揺らぎを持たせることが可能であるガラス組成において、組成揺らぎを促進させる熱処理温度でガラス基板の熱処理を行う工程、及び前記熱処理により分離したSiO2濃度の薄い相の少なくとも一部を除去することで表面の加工性を向上させる工程を含み、前記ガラス基板のガラス転移温度をTg°Cとしたとき、前記熱処理温度がTg~Tg100°Cの範囲であることを特徴とする。また、本実施形態に係る磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法は、そのガラス組成において組成揺らぎを持たせることが可能であり、前記熱処理温度で処理すること以外は、特に限定されず、従来公知の製造方法であればよい。磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法としては、例えば、ガラスブランクス製造工程、2ラッピング工程、粗研磨工程1次研磨工程、精密研磨工程2次研磨工程、洗浄工程、等を備える方法等が挙げられる。そして、前記各工程を、この順番で行うものであってもよいし、精密研磨工程2次研磨工程と洗浄工程の順番が入れ替わったものであってもよい。さらに、これら以外の工程を備える方法であってもよい。例えば、ラッピング工程と粗研磨工程1次研磨工程との間に、端面研磨工程を行うものを備えてもよい。特に、洗浄工程については、粗研磨工程の後に行っても、精密研磨工程の後に行ってもよく、さらに粗研磨工程及び精密研磨工程の後にそれぞれ一度ずつ行ってもよい。<ガラス基板ブランクス製造工程>ガラス基板ブランクス製造工程は、溶融ガラスを供給する溶融ガラス供給工程と、プレス成形する加圧工程とを含むガラス基板を製造する工程である。前記ガラスブランクスは、例えば、以下のようにして製造することができる。図1は、本発明のガラス基板ブランクスをプレス成形で作成するための金型の模式図である。ガラス基板ブランクス成形用金型1は、溶融ガラスが供給され、供給された該溶融ガラスを加圧するための第1の成形面3を備える下型5と、下型5の第1の成形面3との間で溶融ガラスを加圧するための第2の成形面4を備える上型2とを有している。本発明におけるガラス基板ブランクスの製造方法は、溶融ガラスをプレス成形してガラス基板を製造する方法であり、下型5に形成された第1の成形面3に溶融ガラスを供給する溶融ガラス供給工程と、第1の成形面3、及び上型2に形成された第2の成形面4で、第1の成形面3に供給された溶融ガラスを加圧しながら冷却してガラス基板ブランクスを得る加圧工程とを有している。溶融ガラス供給工程溶融ガラス供給工程は、下型に形成された第1の成形面に溶融ガラスを供給する工程である。図2は、溶融ガラス供給工程における下型5と溶融ガラス23等を示す模式図である。まず、流出ノズル21から溶融ガラス23を流出して下型5に供給する図2a。その後、溶融ガラスが所定量に達するとブレード22によって溶融ガラス23を切断し、溶融ガラス23を分離する図2b。溶融ガラス供給工程において供給された溶融ガラス23は第1の成形面3の中心部と接触し、主にそこからの放熱によって冷却が始まる。下型5は予め所定温度に加熱しておく。下型5の温度は、ガラス転移温度をTg°Cとすると、ガラス成形は、TgからTg±100°Cの温度範囲で行われる必要がある。Tg-100°Cより低い温度である場合、ガラス基板の平面度が悪化したり、転写面へのしわの発生、熱衝撃による破損等の問題が起こる。また、Tg100°Cより高い温度の場合、ガラスとの融着が発生したり、金型の劣化が著しくなることから好ましくない。下型5の加熱手段にも特に制限はなく、公知の加熱手段の中から適宜選択して用いることができる。例えば、下型5の内部に埋め込んで使用するカートリッジヒーターや、下型5の外側に接触させて使用するシート状のヒーターなどを用いることができる。また、赤外線加熱装置や、高周波誘導加熱装置を用いて加熱することもできる。加圧工程加圧工程は、第1の成形面3、及び上型2に形成された第2の成形面4で、第1の成形面3に供給された溶融ガラスを加圧しながら冷却してガラス基板ブランクス10を得る工程である。図3は、加圧工程におけるガラス基板ブランクス成形用金型10とガラス基板ブランクス10を示す模式図である。溶融ガラス供給工程において溶融ガラス23が供給された下型5は、上型2と対向する位置まで水平移動する。その後、下型5の第1の成形面3と、上型2の第2の成形面4とで溶融ガラスを加圧する。溶融ガラスは、加圧によって広がって第1の成形面3の周辺部にも接触する。溶融ガラスは第1の成形面3及び第2の成形面4との接触面から放熱することによって冷却固化し、ガラス基板ブランクス10となる。なお、上型2は、下型5と同様に所定温度に加熱されている。加熱温度や加熱手段については上述の下型5の場合と同様である。加熱温度は下型5と同じであっても良いし異なっていても良い。下型5と上型2に荷重を負荷して溶融ガラスを加圧するための加圧手段は、公知の加圧手段を適宜選択して用いることができる。例えば、エアシリンダ、油圧シリンダ、サーボモータを用いた電動シリンダ等が挙げられる。次に上型2をガラス基板ブランクス10から離間させ、吸着部材等で下型5からガラス基板を取り出す。熱処理工程ガラスの組成揺らぎを促進させる目的として熱処理を行う。この際、ガラスブランクスの平坦度修正と歪み除去も兼ねることができる。熱処理にはセッターアルミナ、ジルコニア等を用い、ガラスブランクスと交互に積み重ねて熱処理炉に入れることで行う。ガラスブランクスの熱処理は、TgからTg100°Cの温度範囲で行われる必要がある。Tg°Cより低い温度である場合、ガラスの組成揺らぎを促進させることが出来ず、また、Tg100°Cより高い温度の場合、ガラスブランクスの形状の悪化を招き、さらにセッターとの間で融着が発生する可能性も高まることから好ましくない。そこで、ガラスブランクスの組成揺らぎを促進させ、且つ、平坦度修正歪み除去を行うのに特に好ましい温度範囲はTg~Tg70°Cである。また、前記ガラス基板ブランクスは、上述のような製造方法によって得られた場合、ガラス基板ブランクス内に組成揺らぎを有する。つまり、溶融成型後のガラス基板ブランクスを特定の温度で熱処理した場合、ガラス組成が、SiO2濃度の濃い相とSiO2濃度の薄い相との2つの相に分離される。また、組成揺らぎは、ガラス組成に依存し、組成揺らぎが起こるガラスを所定の温度で熱処理すると、ガラスがエネルギー的に安定な方向へシフトするために相分離が起こることから得られる。組成揺らぎを持たせることのできるガラス組成は、例えば、質量で、SiO2:45~70、Al2O3:5~20、B2O3:1~15、Li2O:0.1~7、Na2O:2~10、K2O:0.5~10、MgO:1~20、CaO:0.1~7、BaO:0~3、SrO:0~3、ZnO:0~8、Y2O3:0~5、La2O3:0~5、Gd2O3:0~5、CeO2:0~3、TiO2:1~15、HfO2:0~3、ZrO2:0~3、Nb2O5:0~5、Ta2O5:0~5、Sb2O3:0~2、を有することが好ましい。磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法上述の製造方法によって製造されたガラス基板ブランクスに、後述する研削工程、研磨工程を加えることにより磁気情報記録媒体用ガラス基板を製造することができる。図4は、本発明の磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によって製造した磁気情報記録媒体用ガラス基板の1例を示す図である。図4aは斜視図、図4bは断面図である。磁気情報記録媒体用ガラス基板30は中心穴33が形成された円板状のガラス基板であって、主表面31、外周端面34、内周端面35を有している。外周端面34と内周端面35には、それぞれ面取り部36、37が形成されている。本発明の平面性の高いガラス基板ブランクスを用いることで、ガラス基板ブランクスの表面を研磨加工するときに、研磨のバラツキを抑制することができる。<ラッピング行程>ラッピング工程とは、前記ガラス基板を所定の板厚に加工する工程である。具体的には、前記ガラス基板ブランクスの両面を酸性の研削液を用いて研削ラッピング加工する工程等が挙げられる。このように加工することによって、ガラス基板の平行度、平坦度及び厚みを調整することができる。また、このラッピング工程は、1回であってもよいし、2回以上であってもよい。例えば、2回行う場合、1回目のラッピング工程第1ラッピング工程で、ガラス基板の平行度、平坦度及び厚みを予備調整し、2回目のラッピング工程第2ラッピング工程で、ガラス基板の平行度、平坦度及び厚みを微調整することが可能となる。より具体的には、前記第1ラッピング工程としては、ガラス基板が略均一の平坦度となるようにする工程等が挙げられる。また、前記第2ラッピング工程としては、粗面化されたガラス基板の主表面を、さらに固定砥粒研磨パッドを用いて研削する行程等が挙げられる。この第2ラッピング工程においては、例えば、粗面化されたガラス基板をラッピング装置にセットし、ダイヤモンドタイルDiamondTileのような表面模様付きの三次元固定研磨物を用いることで、ガラス基板の表面をラッピングすることができる。前記第2ラッピング行程を施すと、後述する粗研磨行程にて行われる研磨を効率良く行うことができる。また、第2ラッピング行程によって施された研磨工程に用いるガラス基板の表面粗さRaは0.10μm以下であることが好ましく、0.05μm以下であることがより好ましい。なお、前記研削工程の前にガラス基板ブランクスに対してSiO2濃度の薄い相の少なくとも一部を除去することで表面の加工性を向上させる工程として、例えばフッ酸処理等のガラス中のSiO2濃度によって反応性の異なる極性溶液での処理を施すことが好ましい。具体的には、予めガラスブランクスの表面を適度に荒らしておくことで、加工時に使用するパッド又はペレットに対する引っ掛かりが良くなることを利用して、加工レートを大きく向上させる処理のことである。フッ酸処理後の表面粗さRaは0.5~10μmの範囲が好ましい。0.5μm未満であると加工レートを向上させる効果が十分に得られない。また、10μmより大きいと、表面を荒らしすぎることで荒らした深さ分まで研削工程で除去しきれなくなり、その後の研磨工程に影響を及ぼす可能性がある。よって、この表面粗さの範囲となるように、フッ酸処理の時間濃度を適宜調整すると良い。前述したように、ガラス基板ブランクスには、部分的に組成揺らぎを有している。この成揺らぎを有するガラス基板をフッ酸等のガラス中のSiO2濃度によって反応性の異なる極性溶液で処理することにより、又は酸性研削液で研削することにより、上述したようにガラス基板に一様の表面粗さを付与することができ、結果的に研削工程における加工レートを向上させることができる。<粗研磨工程>前記粗研磨工程1次研磨工程は、前記ラッピング工程が施されたガラス基板の表面に粗研磨を施す工程である。この粗研磨は、上述したラッピング工程で残留した傷や歪みの除去を目的とするもので、下記の研磨方法を用いて実施する。なお、前記粗研磨工程で研磨する表面は、主表面及び/又は端面である。主端面とは、ガラス基板の面方向に平行な面である。端面とは内周端面と外周端面とからなる面のことである。また、内周端面とは、内周側の、ガラス基板の面方向に垂直な面及びガラス基板の面方向に対して傾斜を有する面である。また、外周端面とは、外周側の、ガラス基板の面方向に垂直な面及びガラス基板の面方向に対して傾斜を有する面である。粗研磨工程で用いる研磨装置は、ガラス基板の製造に用いる研磨装置であれば、特に限定されない。具体的には、図3に示すような研磨装置1が挙げられる。なお、図5は、本実施形態に係る磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法における粗研磨工程や精密研磨工程で用いる研磨装置1の一例を示す概略断面図である。図5に示すような研磨装置11は、両面同時研削可能な装置である。また、この研磨装置11は、装置本体部11aと、装置本体部11aに研磨液を供給する研磨液供給部11bとを備えている。装置本体部11aは、円盤状の上定盤12と円盤状の下定盤13とを備えており、それらが互いに平行になるように上下に間隔を隔てて配置されている。そして、円盤状の上定盤12と円盤状の下定盤13とが、互いに逆方向に回転する。この円盤状の上定盤12と円盤状の下定盤13との対向するそれぞれの面にガラス基板ブランクス10の表裏の両面を研磨するための研磨パッド15が貼り付けられている。この粗研磨工程で使用する研磨パッド15は、粗研磨工程で用いられる研磨パッドであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ポリウレタン製の硬質研磨パッド等が挙げられる。また、円盤状の上定盤12と円盤状の下定盤13との間には、回転可能な複数のキャリア14が設けられている。このキャリア14は、複数の素板保持用孔51が設けられており、この素板保持用孔51にガラス基板ブランクス10をはめ込んで配置することができる。キャリア14としては、例えば、素板保持用孔51を100個有していて、100枚のガラス基板ブランクス10をはめ込んで配置できるように構成されていてもよい。そうすると、一回の処理1バッチで100枚のガラス基板ブランクス10を処理できる。研磨パッドを介して定盤12、13に挟まれているキャリア14は、複数のガラス基板ブランクス10を保持した状態で、自転しながら定盤12,13の回転中心に対して下定盤13と同じ方向に公転する。なお、円盤状の上定盤12と円盤状の下定盤13とは、別駆動で動作することができる。このように動作している研磨装置11において、研磨スラリー16を上定盤12とガラス基板ブランクス10との間、及び下定盤13とガラス基板ブランクス10との間、夫々に供給することでガラス基板ブランクス10の粗研磨を行うことができる。研磨スラリー供給部11bは、液貯留部110と液回収部120とを備えている。液貯留部110は、液貯留部本体110aと、液貯留部本体110aから装置本体部11aに延ばされた吐出口110eを有する液供給管110bとを備えている。液回収部120は、液回収部本体120aと、液回収部本体120aから装置本体部11aに延ばされた液回収管120bと、液回収部本体120aから研磨スラリー供給部11bに延ばされた液戻し管120cとを備えている。そして、液貯留部本体110aに入れられた研磨スラリー7は、液供給管110bの吐出口110eから装置本体部11aに供給され、装置本体部11aから液回収管120bを介して液回収部本体120aに回収される。また、回収された研磨スラリー16は、液戻し管120cを介して液貯留部110に戻され、再度、装置本体部11aに供給可能とされている。ここで用いる研磨液16は、研磨剤を水等の溶媒に分散させた状態の液体、すなわち、スラリー液である。この溶媒として、ガラス中のSiO2濃度によって反応性の異なる極性溶液を用いることで、研磨工程が、SiO2濃度の薄い相の少なくとも一部を除去することで表面の加工性を向上させる工程を兼ねることもできる。また、ここで用いる研磨パッド15は、ウレタンやポリエステル等の合成樹脂の発泡体に、酸化セリウム研磨剤を含有させたものである。次に、化学強化工程の前に行われる研磨工程において用いられる研磨剤が、CeO2の含有量が多く、アルカリ土類金属の少ないものを用いることによって、研磨速度を高め、研磨後のガラス基板の平滑性を充分に高めることができると考えられる。また、研磨パッドについても、前記研磨剤の場合と同様に、CeO2の含有量が多く、アルカリ土類金属の少ないものを用いることによって、研磨速度を高め、研磨後のガラス基板の平滑性を充分に高めることができると考えられる。CeO2の含有量が多い研磨剤を用いると、研磨速度を高め、研磨後のガラス基板の平滑性を充分に高めることができる理由としては、以下のような理由によると考えられる。まず、研磨の際にガラス基板の表面に圧力が加わった状態で、ガラス基板とCeO2とが接触すると、ガラス基板の表面で主な組成であるSi-Oの結合が、Ce-Oの結合に置き換わると考えられる。そして、この結合は、容易に分解するが、Siとの結合が再度形成されにくいと考えられる。よって、CeO2の含有量が多い研磨剤を用いると、研磨速度を高め、研磨後のガラス基板の平滑性を充分に高めることができると考えられる。そして、このようなCeO2の含有量が多い研磨剤及び研磨パッドであって、アルカリ土類金属の少ないものを用いることによって、平滑性を充分に高めることができるだけではなく、研磨後のガラス基板に対するアルカリ土類金属の付着が抑制されると考えられる。このようなアルカリ土類金属の付着が抑制されたガラス基板に対して、化学強化工程を施すことによって、均一な化学強化がなされると考えられる。なお、前記研磨剤を水に分散させた状態の研磨液を用いて研磨する際、前記水にアルカリ土類金属が含有されていても、アルカリ土類金属が溶解しているため、ガラス基板の表面に付着しにくく、研磨剤に含まれるアルカリ土類金属が、ガラス基板の表面に付着しやすいと考えられる。よって、アルカリ土類金属の少ない研磨剤を用いることによって、研磨後のガラス基板に対するアルカリ土類金属の付着を充分に抑制できると考えられる。また、CeO2の含有量は、高ければ高いほど好ましい。すなわち、研磨剤に含有する希土類酸化物が、全てCeO2であることが好ましい。このことは、CeO2がガラス基板の研磨性に最も影響することによると考えられる。また、アルカリ土類金属の含有量は、低ければ低いほど好ましい。前記研磨剤に含まれるアルカリ土類金属が少なければ、アルカリ土類金属による化学強化工程の阻害が抑制されることによると考えられる。また、CeO2の含有量が、前記研磨剤全量に対して、90質量以上であることが好ましい。そうすることによって、耐衝撃性に優れた情報記録媒体用ガラス基板を製造でき、さらに、研磨速度をより高めることができ、平滑性のより高い情報記録媒体用ガラス基板を製造することができる。このことは、化学強化工程を阻害しうるアルカリ土類金属の含有量が少なく、さらに、研磨性を高めるCeO2の含有量が、研磨剤に含有される希土類酸化物に対して単に多いだけではなく、研磨剤全量に対しても多いことによると考えられる。また、前記研磨液は、前記酸性の研磨剤を水等の溶媒に分散させた状態のものであり、CeO2の含有量が、前記研磨液全量に対して、3~15質量であることが好ましい。そうすることによって、耐衝撃性に優れた情報記録媒体用ガラス基板を製造でき、さらに、研磨速度をより高めることができ、平滑性のより高い情報記録媒体用ガラス基板を製造することができる。また、前記研磨剤を水に分散させた状態の研磨液の場合、上述したように、前記水にアルカリ土類金属が含有されていても、アルカリ土類金属が溶解しているため、ガラス基板の表面に付着しにくく、研磨剤に含まれるアルカリ土類金属が、ガラス基板の表面に付着しやすいと考えられる。よって、前記研磨剤として、アルカリ土類金属の少ないものを用いることによって、研磨後のガラス基板に対するアルカリ土類金属の付着を充分に抑制できると考えられる。また、前記研磨剤が、レーザ回折散乱法で測定された粒度分布における最大値が3.5μm以下であり、レーザ回折散乱法で測定された粒度分布における累積50体積径D50が0.4~1.6μmであることが好ましい。前記研磨剤の粒径が小さすぎると、研磨速度が低下する傾向がある。前記研磨剤の粒径が大きすぎると、研磨によってガラス基板上に形成されうる傷が発生しやすくなる。なお、レーザ回折散乱法で測定された粒度分布における最大値とは、レーザ回折式粒度分布測定装置にて測定して得られる粉体の集団の全体積を100として累積カーブを求め、その累積カーブの最大値となる点の粒子径を意味する。また、D50とは、レーザ回折式粒度分布測定装置にて測定して得られる粉体の集団の全体積を100として累積カーブを求め、その累積カーブが50となる点の粒子径を意味する。また、前記研磨液16としては、粗研磨工程では、フッ素含有量が5質量以下であることが好ましい。また、前記研磨パッド15は、酸化セリウムの他に、ケイ酸ジルコニウム、酸化ジルコニウム、酸化マンガン、酸化鉄、酸化アルミニウム、炭化ケイ素又は二酸化ケイ素を含有させることができ、これらのなかでもケイ酸ジルコニウムを含有させることがより好ましい。前記研磨パッドにおける酸化セリウムの配合量は、研磨パッド全量に対して10~30質量であることが好ましく、15~25質量であることがより好ましい。本実施形態に係る研磨パッドは、例えば以下のような方法において製造される。まず、樹脂溶液と砥粒とを混合して、砥粒分散液を製造する。次に、成形型を使用して該砥粒分散液を硬化させ、内部及び表面に砥粒を固定した板状のブロックを成形させる。続いて、該ブロックを成形型から取り出した後、ブロックの両面を研削し所定の厚さに加工する。そして、より好適には、まず、樹脂溶液と砥粒とを混合し、この混合液を減圧して脱泡して、無泡砥粒分散液を製造する。次に、成形型を使用して該無泡砥粒分散液を硬化させ、無発泡体の内部及び表面に砥粒を固定した板状のブロックを成形させる。続いて、該ブロックを成形型から取り出した後、ブロックの両面を研削し、所定の厚さに加工する。<化学強化工程>本発明の製造方法における化学強化工程は、公知の方法であれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ガラス基板を化学強化処理液に浸漬させる工程等が挙げられる。そうすることによって、ガラス基板の表面、例えば、ガラス基板表面から5μmの領域に化学強化層を形成することができる。そして、化学強化層を形成することで耐衝撃性、耐振動性及び耐熱性等を向上させることができる。より詳しくは、化学強化工程は、加熱された化学強化処理液にガラス基板を浸漬させることによって、ガラス基板に含まれるリチウムイオンやナトリウムイオン等のアルカリ金属イオンをそれよりイオン半径の大きなカリウムイオン等のアルカリ金属イオンに置換するイオン交換法によって行われる。イオン半径の違いによって生じる歪みにより、イオン交換された領域に圧縮応力が発生し、ガラス基板の表面が強化される。本実施形態では、ガラス基板の原料であるガラス基板として、上記のようなガラス組成のものを用いることによって、この化学強化工程により、強化層が好適に形成されると考えられる。具体的には、ガラス基板のアルカリ成分であるLi2O、Na2O、及びK2Oのうち、Na2Oの含有量が多く、このNa2Oのナトリウムイオンが、化学強化処理液に含まれるカリウムイオンに交換されやすいためと考えられる。さらに、化学強化工程を施す前の研磨工程、ここでは粗研磨工程で用いる研磨剤が、上記のような組成の研磨剤であるので、ガラス基板の表面に付着しているアルカリ土類金属の量が少なく、化学強化が均一になされると考えられる。よって、本実施形態のように、好適な化学強化がなされたガラス基板に、精密研磨工程を行うことによって、耐衝撃性に優れたガラス基板を製造することができる。化学強化処理液としては、ハードディスク用ガラス基板の製造方法における化学強化工程で用いられる化学強化処理液であれば、特に限定されない。具体的には、例えば、カリウムイオンを含む溶融液、及びカリウムイオンやナトリウムイオンを含む溶融液等が挙げられる。これらの溶融液としては、例えば、硝酸カリウム、硝酸ナトリウム、炭酸カリウム、及び炭酸ナトリウム等を溶融させて得られた溶融液等が挙げられる。この中でも、硝酸カリウムを溶融させて得られた溶融液と硝酸ナトリウムを溶融させて得られた溶融液とを組み合わせて用いることが、融点が低く、ガラス基板の変形を防止する観点から好ましい。その際、硝酸カリウムを溶融させて得られた溶融液と硝酸ナトリウムを溶融させて得られた溶融液とを、ほぼ同量ずつの混合させた混合液であることが好ましい。<精密研磨工程2次研磨工程>精密研磨工程は、前記粗研磨工程で得られた平坦平滑な主表面を維持しつつ、例えば、主表面の表面粗さRmaxが6nm程度以下である平滑な鏡面に仕上げる鏡面研磨処理である、この精密研磨工程は、例えば、上記粗研磨工程で使用したものと同様の研磨装置を用い、研磨パッドを硬質研磨パッドから軟質研磨パッドに取り替えて行われる。なお、前記精密研磨工程で研磨する表面は、前記粗研磨工程で研磨する表面と同様、主表面である。また、精密研磨工程で用いる研磨剤としては、粗研磨工程で用いた研磨剤より、研磨性が低くても、傷の発生がより少なくなる研磨剤が用いられる。具体的には、例えば、粗研磨工程で用いた研磨剤より、粒子径が低いシリカ系の砥粒コロイダルシリカを含む研磨剤等が挙げられる。このシリカ系の砥粒の平均粒子径としては、20nm程度であることが好ましい。そして、前記研磨剤を含む研磨スラリー液をガラス基板に供給し、研磨パッドとガラス基板とを相対的に摺動させて、ガラス基板の表面を鏡面研磨する。なお、上述のように精密研磨工程における研磨液として、ガラス中のSiO2濃度によって反応性の異なる極性溶液を用いることで、SiO2濃度の薄い相の少なくとも一部を除去することで表面の加工性を向上させる工程とすることも好ましい形態の一つである。前記精密研磨処理後の磁気情報記録媒体用ガラス基板の表面粗さRaは0.1~5Åであることが好ましい。このような範囲であれば、磁気情報記録媒体用のガラス基板として必要な平滑性を持ちながら、過剰に平滑な磁気ディスク上で発生するヘッドの吸着を抑制し、ハードディスクドライブ装置として構成した際にヘッドが安定して浮上動作することが可能となる。<洗浄工程>洗浄工程は、前記粗研磨工程が施されたガラス基板を洗浄する工程である。前記粗研磨工程による粗研磨後のガラス基板は、洗浄工程によって洗浄することが好ましい。粗研磨工程後の洗浄工程としては、特に限定されず、ガラス中のSiO2濃度によって反応性の異なる極性溶液で洗浄することで、SiO2濃度の薄い相の少なくとも一部を除去することで表面の加工性を向上させる工程とすることもできる。例えば、pH13以上のアルカリ洗剤を用いて、ガラス基板の洗浄を行い、ガラス基板にリンスを行う。次に、pH1以下の酸系洗剤を用いて、ガラス基板の洗浄を行い、ガラス基板にリンスを行う。最後に、フッ化水素酸HF溶液を用いて、ガラス基板の洗浄を行う。酸化セリウムを用いた研磨に関しては、アルカリ洗浄、酸洗浄、HF洗浄の順で洗浄を行うことが最も効率的である。これは、まずアルカリ洗剤で研磨材を分散除去し、次に酸洗剤で研磨材を溶解除去し、最後に、HFによってガラス基板をエッチングし、ガラス基板に深く刺さっている研磨材を除去するのである。更にはこのような工程で、SiO2濃度の薄い相の少なくとも一部を除去することで表面の加工性を向上させる工程として、後の精密研磨工程の研磨レートを向上させることもできる。前記洗浄工程は、アルカリ洗浄、酸洗浄、HF洗浄において、それぞれ別の槽で行うことが好ましい。これらの洗浄を単一の槽で行った場合には、効率的な洗浄ができない場合があるからである。特に、酸洗剤とHFを同一槽に入れた場合、HFのエッチング速度は、研磨材の多い場所で低下するため、基板内を均一にエッチングできなくなる傾向があるからである。また、各洗浄の後にリンス槽を用いることが好ましい。これらの洗剤には、場合によって界面活性剤、分散材、キレート剤、還元材などを添加しても良い。また、各洗浄槽には、超音波を印加し、それぞれの洗剤には脱気水を使用することが好ましい。また、他の方法としては、まず、HFが1質量、硫酸が3質量の洗浄液にガラス基板を浸漬させる。その際、その洗浄液に、80kHzの超音波振動を印加させる。その後、ガラス基板を取り出す。そして、取り出したガラス基板を中性洗剤液に浸漬させる。その際、その中性洗剤液に、120kHzの超音波振動を印加させる。最後に、ガラス基板を取り出し、純水でリンスを行い、IPA乾燥させる。また、前記洗浄工程後のガラス基板は、その表面に残存したアルカリ土類金属が、10ng/cm2以下であることが好ましく、5ng/cm2以下であることがより好ましい。そうすることによって、耐衝撃性により優れたハードディスク用ガラス基板を得ることができる。このことは、化学強化工程を施すガラス基板の表面に、化学強化工程を阻害しうるアルカリ土類金属の付着量が少ないことによると考えられる。よって、化学強化がガラス基板全面に均一に起こり、耐衝撃性により優れたハードディスク用ガラス基板を得ることができると考えられる。すなわち、記洗浄工程後のガラス基板の表面に残存したアルカリ土類金属が多すぎると、化学強化工程が好適に行われずに、得られたガラス基板の耐衝撃性を充分に高めることができない場合がある。また、前記洗浄工程後のガラス基板の表面に残存したアルカリ土類金属は、少なければ少ないほど好ましいものである。このことは、前記化学強化工程の前に、前記研磨工程で研磨されたガラス基板の表面に残存したアルカリ土類金属が、化学強化工程を阻害し、均一な化学強化を阻害すると考えられるからである。そして、本実施形態においては、前記洗浄工程後のガラス基板の表面に残存したアルカリ土類金属が、少なければ少ないほど好ましく、その量10ng/cm2以下であれば、耐衝撃性により優れたハードディスク用ガラス基板を製造することができることを見出したものである。また、この粗研磨後のガラス基板の洗浄は、ガラス基板表面の酸化セリウム量が0.125ng/cm2以下となるように行なわれる。ガラス基板表面の酸化セリウム量が多すぎると、ガラス基板の平坦度を良好にできない傾向がある。成膜工程図6は、本実施形態に係る製造方法により製造された磁気情報記録媒体用ガラス基板を用いた磁気記録媒体の一例である磁気ディスクを示す一部断面斜視図である。この磁気ディスクDは、円形の磁気情報記録媒体用ガラス基板101の主表面に形成された磁性膜102を備えている。磁性膜102の形成には、公知の常套手段による形成方法が用いられる。例えば、磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂を磁気情報記録媒体用ガラス基板101上にスピンコートすることによって磁性膜102を形成する形成方法スピンコート法や、磁気情報記録媒体用ガラス基板101上にスパッタリングによって磁性膜102を形成する形成方法スパッタリング法や、磁気情報記録媒体用ガラス基板101上に無電解めっきによって磁性膜102を形成する形成方法無電解めっき法等が挙げられる。磁性膜102の膜厚は、スピンコート法による場合では、約0.3~1.2μm程度であり、スパッタリング法による場合では、約0.04~0.08μm程度であり、無電解めっき法による場合では、約0.05~0.1μm程度である。薄膜化および高密度化の観点から、スパッタリング法による膜形成が好ましく、また、無電解めっき法による膜形成が好ましい。磁性膜102に用いる磁性材料は、公知の任意の材料を用いることができ、特に限定されない。磁性材料は、例えば、高い保持力を得るために結晶異方性の高いCoを基本とし、残留磁束密度を調整する目的でNiやCrを加えたCo系合金等が好ましい。より具体的には、Coを主成分とするCoPt、CoCr、CoNi、CoNiCr、CoCrTa、CoPtCr、CoNiPt、CoNiCrPt、CoNiCrTa、CoCrPtTa、CoCrPtB、CoCrPtSiO等が挙げられる。磁性膜102は、ノイズの低減を図るために、非磁性膜例えば、Cr、CrMo、CrV等で分割された多層構成例えば、CoPtCr/CrMo/CoPtCr、CoCrPtTa/CrMo/CoCrPtTa等であってもよい。磁性膜102に用いる磁性材料は、上記磁性材料の他、フェライト系や鉄-希土類系であってもよく、また、SiO2、BN等からなる非磁性膜中にFe、Co、FeCo、CoNiPt等の磁性粒子を分散した構造のグラニュラー等であってもよい。また、磁性膜102への記録には、内面型および垂直型のいずれかの記録形式が用いられてよい。また、磁気ヘッドの滑りをよくするために、磁性膜102の表面には、潤滑剤が薄くコーティングされてもよい。潤滑剤として、例えば液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテルPFPEをフレオン系などの溶媒で希釈したものが挙げられる。さらに必要により磁性膜102に対し下地層や保護層が設けられてもよい。磁気ディスクDにおける下地層は、磁性膜102に応じて適宜に選択される。下地層の材料として、例えば、Cr、Mo、Ta、Ti、W、V、B、Al、Ni等の非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられる。例えば、Coを主成分とする磁性膜102の場合には、下地層の材料は、磁気特性向上等の観点からCr単体やCr合金であることが好ましい。また、下地層は、単層とは限らず、同一または異種の層を積層した複数層構造であってもよい。このような複数層構造の下地層は、例えば、Cr/Cr、Cr/CrMo、Cr/CrV、NiAl/Cr、NiAl/CrMo、NiAl/CrV等の多層下地層が挙げられる。磁性膜102の摩耗や腐食を防止する保護層として、例えば、Cr層、Cr合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ジルコニア層、シリカ層等が挙げられる。これら保護層は、下地層および磁性膜102と共にインライン型スパッタ装置で連続して形成することができる。また、これら保護層は、単層としてもよく、あるいは、同一または異種の層からなる複数層構成であってもよい。なお、上記保護層上に、あるいは、上記保護層に代えて、他の保護層が形成されてもよい。例えば、上記保護層に代えて、Cr層の上にSiO2層が形成されてもよい。このようなSiO2層は、Cr層の上にテトラアルコキシシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成することによって形成される。このような本実施形態における磁気情報記録媒体用ガラス基板101を基体とした磁気記録媒体は、磁気情報記録媒体用ガラス基板101が上述した組成により形成されるので、情報の記録再生を長期に亘り高い信頼性で行うことができる。なお、上述では、本実施形態における磁気情報記録媒体用ガラス基板101を磁気記録媒体に用いた場合について説明したが、これに限定されるものではなく、本実施形態における磁気情報記録媒体用ガラス基板101は、光磁気ディスクや光ディスク等にも用いることが可能である。以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。表1に示すようなガラス組成を有するガラス基板ブランクスを作成し、それぞれTg~Tg100°Cの温度範囲にて熱処理を行った実施例1~10、比較例1。また、各実施例、比較例のガラス基板ブランクスに組成揺らぎが存在しているかどうかの確認を行った。組成揺らぎの確認方法としては、所定の温度でガラス基板ブランクスに熱処理を施し、その後表面が鏡面になるまで研磨を施し、0.1質量濃度のフッ酸に浸漬させ、その後の表面形態を電子顕微鏡SEM又はTEMで観察することでSiO2濃度の低い相が除去されているかどうかで行うことができる。また、フッ酸処理後の表面粗さはAFMVeeco社製を用いて計測した。なお、フッ酸の処理時間は全て5分間とした。さらに、研削レートは、分相確認後のガラス基板をダイヤモンドペレットを用いて加工し、所望の板厚まで加工したときの加工時間を測定することで行った。ガラス転移温度Tgは、SIIのTMA熱機械分析を用いて測定した。表1の結果から、組成揺らぎを持たせることのできるガラス組成を用いた実施例1~10であれば、熱処理温度がTg100°C以下で処理した場合には、適度なフッ酸処理後の表面粗さが得られ、かつ研削レートの向上に繋がることが明らかとなった。次に、実施例1と同じガラス組成を用いて、熱処理温度をそれぞれ変えて実施例11~13、及び比較例2~4のガラス基板を得た。表2の結果より、熱処理温度がTg°Cより低い場合比較例2,3には、ガラス基板に組成揺らぎが発生せず、フッ酸処理しても充分な表面粗さが得られず、研削レートは向上しなかった。また、Tg100°Cより高い場合比較例4には、組成揺らぎは発生したが、処理温度が高すぎてガラス基板がの形状が悪化し、セッターとの融着が発生し、研削することができなかった。一方で、熱処理温度がTg~Tg100°Cの温度範囲で処理した場合実施例1,11~13、ガラス基板に組成揺らぎを発生させることができ、研削レートを向上させることができた。"