"下部に分布ブラッグ反射鏡を有する利得半導体導波路と前記利得半導体導波路に近接配置されて方向性結合する非線形光学結晶導波路とを有し、前記利得半導体導波路の一方の端面と前記非線形光学結晶導波路の一方の端面とをレーザ共振器用反射面とするとともに、前記非線形光学結晶導波路の他方の端面を前記非線形光学結晶導波路で発生した二次高調波の出射面としたことを特徴とするハイブリッド光デバイス。前記利得半導体導波路及び前記非線形光学結晶導波路がスラブ導波路構造であり、前記利得半導体導波路及び前記非線形光学結晶導波路との間に前記利得半導体導波路及び前記非線形光学結晶導波路とを方向性結合するストライプ状の透明部材を有することを特徴とする請求項1に記載のハイブリッド光デバイス。前記ストライプ状の透明部材の両脇の前記利得半導体導波路の表面の電極形成用半導体層に一導電型側の電極を設け、前記分布ブラッグ反射鏡の反射による干渉で生じる発振基本光の節の位置と前記利得半導体導波路の表面の位置とが一致していることを特徴とする請求項2に記載のハイブリッド光デバイス。前記分布ブラッグ反射鏡の反射による干渉で生じる発振基本光の複数の節の中の前記利得半導体導波路の表面に位置するもの以外の位置における前記電極形成用半導体層のドープ濃度を高くしたことを特徴とする請求項3に記載のハイブリッド光デバイス。前記非線形光学結晶導波路に設けた疑似位相整合用分極反転周期が、前記非線形光学結晶導波路のスラブ導波路面内において、光の進行方向に垂直な方向に変化させた構造であることを特徴とする請求項2乃至請求項4のいずれか1項に記載のハイブリッド光デバイス。しかし、図16の場合、半導体レーザに電気伝導性のない非線形光学結晶導波路を重ね合わせるため、非線形光学結晶導波路と重なった部分の半導体レーザに効率良く電流注入することが不可能になり、レーザの発振効率を著しく低下させるという問題がある。その結果、図14或いは図15の構成に匹敵する電力変換効率WPE:Wall-PlugEfficiencyを実現することが不可能である。したがって、利得半導体導波路と非線形光学結晶導波路を方向性結合させる際に、高効率なレーザ発振を実現することを目的とする。開示する一観点からは、下部に分布ブラッグ反射鏡を有する利得半導体導波路と前記利得半導体導波路に近接配置されて方向性結合する非線形光学結晶導波路とを有し、前記利得半導体導波路の一方の端面と前記非線形光学結晶導波路の一方の端面とをレーザ共振器用反射面とするとともに、前記非線形光学結晶導波路の他方の端面を前記非線形光学結晶導波路で発生した二次高調波の出射面としたことを特徴とするハイブリッド光デバイスが提供される。開示のハイブリッド光デバイスによれば、利得半導体導波路と非線形光学結晶導波路を方向性結合させる際に、高効率なレーザ発振を実現することが可能になる。ここで、図1乃至図5を参照して、本発明の実施の形態のハイブリッド光デバイスを説明する。図1は本発明の実施の形態のハイブリッド光デバイスの概念的構成図であり、図1aは側断面図であり、図1bは図1aにおけるA-A′を結ぶ一点鎖線に沿った断面図である。本発明の実施の形態のハイブリッド光デバイスは、利得半導体導波路10と非線形光学結晶導波路30と、両者を方向性結合するストライプ状の透明部材40からなる。利得半導体導波路10は、基板11上に、分布ブラッグ反射鏡12、ドープ領域13、活性層14、周辺部に自己酸化物領域16を備えた電流狭窄構造形成層15、電極形成用半導体層17を積層してスラブ導波路を形成している。活性層14は典型的には多重量井戸構造活性層からなり、電極形成用半導体層17は、後述するように、周期的に高濃度ドーピングされている。また、電極形成用半導体層17及び活性層14はストライプ状メサ構造に加工されている。ドープ領域13の表面の両側の周辺部にはストライプ状メサ構造に沿った電極18が形成され、一方、電流狭窄構造形成層15の表面の両側には絶縁膜19を介してストライプ状メサ構造に沿った電極20が形成されている。また、利得半導体導波路10の一方の端面には誘電体多層膜からなる高反射率膜21が形成され、他方の端面には誘電体多層膜からなる反射防止膜22が形成されている。非線形光学結晶導波路30は、基板31上に薄層化された非線形光学結晶32が接着されてスラブ導波路を形成しており、一方の端面には誘電体多層膜からなる高反射率膜33が形成され、他方の端面には誘電体多層膜からなる反射防止膜34が形成されている。なお、非線形光学結晶導波路30の他方の端面は、斜め端面としても良いし或いは窓構造としても良く、それによって、非線形光学結晶導波路30に結合しない導波モードの発振を抑制することができる。また、非線形光学結晶32は位相整合のために、疑似位相整合QPM:QuasiPhaseMatching用分極反転されている。その分極反転周期Λは、mを次数通常は1、λを真空中の発振基本光の波長、n2ωを二次高調波に対する屈折率,nωを発振基本光に対する屈折率とすると、Λ=mλ/2n2ω-nωで表わされる。なお、非線形光学結晶導32に設けた疑似位相整合用の分極反転周期Λを非線形光学結晶導波路30のスラブ導波路面内において、光の進行方向に垂直な方向に変化させても良い。非線形光学結晶導波路30をストライプ状の透明部材40に密着させるときに、非線形光学結晶導波路30の位置を調整することにより、ストライプ位置における分極反転周期Λを調整することができ、それによって、位相整合波長を調節することができる。利得半導体導波路10と非線形光学結晶導波路30とを方向性結合するストライプ状の透明部材40は、ストライプ部分とその両脇部分の間に生じる屈折率差によって、面内の光閉込を可能にする。利得半導体導波路10による導波モードと非線形光学結晶導波路30による導波モードは、このストライプ部分を介して結合しており、導波光が一定距離だけ一方の導波路を進行すると、方向性結合により他方の導波路へ移行する。一般的に、半導体からなる利得半導体導波路10の屈折率は、強誘電体からなる非線形光学結晶導波路30の屈折率より高く、伝搬定数βは利得半導体導波路10の方が大きくなる。図2は導波路中の多重反射角θと伝搬定数βの関係の説明図であり、真空中の導波光の波長をλ0、導波路の屈折率をnとすると、真空中の導波光の波数k0は、k0=n2π/λ0となる。波数ベクトルkはk=nk0であり、伝搬係数βは、β=kcosθで定義される。したがって、多重反射角θが利得半導体導波路10と非線形光学結晶導波路30で同程度であれば、屈折率nの差により、伝搬定数βは利得半導体導波路10の方が大きくなる。方向性結合が起こるのは、伝搬定数が両導波路で一致する場合のみであるため、これらを一致させる必要がある。利得半導体導波路10のθを大きくすることで利得半導体導波路10の伝搬定数βが小さくなるため、非線形光学結晶導波路30の伝搬定数βに近付けることができる。しかし、多重反射角θは、n1をコアの屈折率、n2をクラッド層の屈折率とすると、全反射の臨界角であるπ/2-sin-1n2/n1を超えることが不可能なため、利得半導体導波路10の伝搬定数βを低減するのには限界がある。特に、従来の利得半導体導波路の下側のクラッドには半導体を使う必要があり、n2/n1を小さくすることが難しく、その結果、臨界角が小さくなる。本発明の実施の形態においては、利得半導体導波路10の下部に分布ブラッグ反射鏡12を設けることにより多重反射角θを大きくしているので、全反射臨界角を超えることにより生じる、コア/クラッド界面反射時の損失を低減することができる。このように、利得半導体導波路10の下部に分布ブラッグ反射鏡12を設けることにより、伝搬定数βを小さくすることができ、非線形光学結晶導波路30と利得半導体導波路10との間の伝搬定数を一致させることが可能になり、方向性結合が可能になる。この際、伝搬定数βの波長係数が利得半導体導波路10と非線形光学結晶導波路30との間で異なるために、特定波長でのみ伝搬定数βを一致させることが可能になる。これにより、方向性結合に波長選択性を与えることが可能になる。また、図1aに示すように、利得半導体導波路10の左端面及び非線形光学結晶導波路30の右端面に高反射率膜21,33を設けている。したがって、利得半導体導波路10の左端面で反射された光が方向性結合によって非線形光学結晶導波路30に結合後、非線形光学結晶導波路30の右端面で反射され、利得半導体導波路10に再度結合し利得半導体導波路10の左端面に戻すことができる。このフィードバックと利得半導体導波路10の利得によりレーザ発振が可能となり、これを発振基本光として用いる。発振基本光が非線形光学結晶導波路30を導波する際に二次高調波変換が起こり、二次高調波が非線形光学結晶導波路30の左端の反射防止膜34を通して外部に出射される。図3は、発振基本光の伝搬モードと二次高調波の強度の説明図である。発振基本光が高反射率膜21から高反射率33まで伝搬する間に、利得半導体導波路10との非線形光学結晶導波路30との間で発振基本光のやり取りが2回以上行われるように導波路の長さを調整する。なお、図においては、導波路の長さを2mmにしているが、より長くすることにより利得半導体導波路10の出力レーザ光の強度を高めることが可能である。また、発振基本光のやり取りは1回でも良い。図4は、伝搬定数整合構造に伴う発振基本光モードの説明図であり、図4aは本発明の実施の形態における伝搬定数整合構造に伴う発振基本光モードの説明図であり、図4bは回折格子による従来の伝搬定数整合構造に伴う発振基本光モードの説明図である。図4aに示すように、活性層14に電流を注入するためにはストライプ両脇に電極20を設け、両脇から中央への電気伝導を利用して導波部分の活性層14に電流を注入する必要がある。一般的に、電極20に接する半導体部分はオーミックコンタクトの抵抗を低減する必要性からドープ濃度を高める必要がある。特に、本発明の実施の形態のように、ストライプ両脇から電流注入する構造では、脇から注入されたキャリアを中央に導く目的のためにも、ドープ濃度を高めた層を用いる必要がある。しかし、ドープ濃度を高めて抵抗を低減しようとすると光の吸収損失が高くなり、レーザの効率が悪くなるという問題がある。そこで、本発明においては、分布ブラッグ反射鏡12による反射を伝搬定数整合に用いるため、干渉により利得半導体導波路10を伝搬するモードに節と腹が生じる。そのため、高濃度ドープ層23をモードの節に配置することにより、高濃度ドープ層23の吸収を抑えつつ、抵抗を低減することが可能になる。なお、ドープ領域13もモードの節に配置するように膜厚を調整する。一方で、図4bに示す従来の回折格子を用いた構造では、モードに節が存在しないため、高濃度ドープ層23による吸収を避けることが不可能である。この結果として、本発明と従来例との間にはp型クラッド層の抵抗値と内部損失のトレードオフ関係に著しい違いが生じる。図5は、p型クラッド層の抵抗値とp型クラッド層による内部損失のトレードオフ関係説明図であり、図5aは本発明の実施の形態におけるトレードオフ関係の説明図であり、図5bは従来の回折格子を用いた場合のトレードオフ関係の説明図である。なお、ここでは、素子長を2mmとし、光閉込係数を1.4、左右の電極20の間隔を6μm、高濃度ドープ層としてのp型クラッド層の濃度を1×1020cm-3とし、p型クラッド層の膜厚を10nm、20nm、30nmの3つの例を示している。また、プロットした点は、p型クラッド層の間のp-型クラッド層の不純物濃度を1,2,3,10×1017cm-3と変化させた場合を示している。図5aに示すように、本発明の実施の形態においては、図5bに示す従来例に比べてクラッド層の抵抗値を低くしても内部損失が大幅に低減していることがわかる。したがって、DBRを用いた本発明の実施の形態において、電極形成用半導体層17に設ける高濃度ドープ層23の位置を発振基本光のモードの節に一致させることによって、発振基本光の発生の際の効率に大きな効果を及ぼすことが分かる。なお、透明部材40は積層構造とすることが望ましく、少なくともその主要部を、Al2O3の熱抵抗率と同じか或いはそれより小さな熱抵抗率の部材により形成することが望ましい。それによって、注入電流の変化に伴う利得半導体導波路10の温度変化に非線形光学結晶導波路30の温度変化を追随させることができ、両者の温度差発生による発振基本光の波長と二次高調波の位相整合波長に差が発生することを回避することができる。また、透明部材40の少なくとも一部は、利得半導体導波路10の屈折率温度係数より小さな屈折率温度係数の部材とすることが望ましく、発振基本光の波長の温度係数を非線形光学結晶導波路30の位相整合波長の温度係数と一致させることが可能になる。典型的には、利得半導体導波路10側からTiO2/Al2O3/SiN構造とする。また、非線形光学結晶導波路30はストライプ状の透明部材40の両脇から離れた位置に設けた接着剤により利得半導体導波路10に対して接着されることによって、透明部材40に対して密着している。本発明の実施の形態の伝搬定数整合構造により、利得半導体導波路と非線形光学結晶導波路とを重ね合わせた構造のコストメリット、サイズメリットを持ちながら、高速な直接変調が可能で高い電力変換効率を持つ二次高調波光源を実現することが可能となる。その結果、緑色レーザにより制限されていた、モバイルプロジェクタの実現が可能になる。以上を前提として、次に、図6乃至図12を参照して、本発明の実施例1のハイブリッド二次高調波光源を説明する。まず、図6aに示すように、厚さが350μmのn型GaAs基板51上にアンドープのAl0.9Ga0.1AsとアンドープのGaAsを交互に30対積層して厚さが6.4μmのDBR52を形成する。次いで、下部電極形成層となる不純物濃度が3×1018cm-3のn型GaAs層53を100nmの厚さに堆積させる。次いで、厚さが43nmのn型GaAs光閉込層54を積層したのち、バリア層となるGaAsとウエル層となるIn0.24Ga0.76Asとをウエル層が3層になるように交互に堆積して多重量子井戸活性層55を形成する。この時、緑色である530nmの2倍の波長である1060nmの基本光発振が可能な圧縮量子井戸となるように、膜厚を調整する。次いで、厚さが93nmのp型GaAs光閉込層56を形成したのち、不純物濃度が1×1017cm-3のp-型GaAs層57を介して厚さが10nmで、不純物濃度が1×1020cm-3のp型Al0.98Ga0.02As層58を堆積する。次いで、不純物濃度が1×1017cm-3のp-型GaAs層60と不純物濃度が1×1020cm-3で厚さが10nmのp型GaAs層61を交互に3層ずつ積層して上部電極形成層59を形成する。この時、干渉により利得半導体導波路を伝搬するモードに生ずる節の位置にp型GaAs層61が位置するようにp-型GaAs層60等の膜厚を調整する。また、n型GaAs層53も利得半導体導波路を伝搬するモードの節に配置するように膜厚を調整する。次いで、図6bに示すように、上部電極形成層59乃至n型GaAs光閉込層54を幅が12μmになるようにストライプ状にエッチングしてストライプ状メサを形成する。次いで、図7cに示すように、N2ガスをキャリアガスとして水蒸気を導入して400°Cで10分間熱処理することによって、p型Al0.98Ga0.02As層58の露出側面から内部に向けて5μm程度酸化することによって自己酸化膜62を形成する。次いで、図7dに示すように、リフトオフ法を用いてn型GaAs層53の両側に間隔が16μmになるようにn側電極63を形成する。次いで、図8eに示すように、スパッタ法を用いて厚さが150nmのTiO2膜65、厚さが1.2μmのAl2O3膜66及び厚さが50nmのSiN膜67を順次堆積させた後、幅が2μmのストライプ状に加工して光結合部材64を形成する。TiO2は屈折率の温度係数が小さく、利得半導体導波路の屈折率の温度係数を非線形光学結晶導波路の屈折率の温度係数に近付けるために有効である。また、Al2O3は屈折率が小さく、クラッド材料として適している上に、熱伝導係数が高く、利得半導体導波路と非線形光学結晶導波路の間の温度差を低減するのに有効である。また、SiNはAl2O3より屈折率が高く、LiNbO3より屈折率が低いので、非線形光学結晶導波路を伝搬するモードの面内の閉じ込めを行うリッジ材料として有効である。次いで、図8fに示すように、SiO2膜68を堆積したのちエッチングにより上部電極形成層59を露出させ、次いで、リフトオフ法を用いて上部電極形成層59の表面の両側に間隔が6μmになるようにp側電極69を形成する。次いで、n型GaAs基板51を100μmまで研磨したのち、へき開により端面を形成し、図9gに示すように、一方の端面に誘電体多層膜からなる反射膜70を形成するとともに、他方の端面に誘電体多層膜からなる反射防止膜71を形成することで、光結合部材64を備えた利得半導体導波路が完成する。なお、図9gは光軸方向に沿った側断面図である。一方、図9hに示すように、YカットLiNbO3平板73の一方の面に厚さが0.5μmのSiO2膜74をコーティングしたのち、厚さが500μmのLiNbO3基板72に厚さが1μmの接着剤75により貼り付ける。次いで、研磨することにより、YカットLiNbO3平板73の厚さを0.3μmにする。なお、この場合のSiO2膜74は接着剤75により、YカットLiNbO3平板73の導波モードに損失を与えることを防止するために設ける。次いで、一方の端面に誘電体多層膜からなる反射膜76を形成するとともに、他方の端面に誘電体多層膜からなる反射防止膜77を形成することで非線形光学結晶導波路が完成する。なお、YカットLiNbO3平板73は分極反転を施して1μm帯にて疑似位相整合がなされたものであり、TE偏光で発振する基本光に対する二次高調波変換を可能とする。次いで、図10に示すように、紫外線硬化樹脂を接着剤78として用いて非線形光学結晶導波路のYカットLiNbO3平板73側を下側にして、利得半導体導波路に接着する。この時、非線形光学結晶導波路の反射防止膜77が、利得半導体導波路の反射膜70の端面から50μmだけ張り出すように位置合わせする。このように、出射端面側を張り出すようにすることで、張り出した部分には光閉じ込め構造とはならないので、窓構造が形成されて端面反射はより低減される。なお、図10iは光軸方向に沿った側断面図である。本発明の実施例1においては、ストライプ状の光結合部材を介して利得半導体導波路と非線形光学結晶導波路を方向性結合する際に、利得半導体導波路の基板側にDBRを設けているので、活性層への電流注入を高効率で行う構造を形成することができる。この本発明の実施例1においては、図3で示したように、基本光は方向性結合により利得半導体導波路と非線形光学結晶導波路との間を1周回の間に3往復し、その間に変換された二次元高調波は、非線形光学結晶導波路の反射防止膜を形成した端面から出射される。実施例1においては、半導体上面にp側電極及びn側電極を形成しているが、n型のGaAs基板を使用しているので、その上のDBRをn型にドープして、n側電極を基板の裏面から取り出すようにしても良い。図11乃至図12は、非線形光学結晶導波路と利得半導体導波路とを結合させる場合の端面コーティングの変形例の説明図である。図11a乃至図12dのいずれの変形例でも同様な効果が期待できる。例えば、全ての利得半導体導波路の少なくとも片端面を基本光に対して反射防止構造ARコート及びそれ相当の構造とすることで、非線形光学結晶導波路に結合しない波長での発振を抑制する。なお、図におけるHR及びARはそれぞれ反射膜及び反射防止膜及び、それ相当の構造を表す。また、図11a或いは図12dに示すように、非線形光学結晶導波路の端面が利得半導体導波路の端面より引込む構造は、非線形光学結晶導波路の端面を二次高調波に対して高反射率膜にしたい場合に適する。図12cの場合には、非線形光学結晶導波路の左端を基本光に対する反射膜としているので、図10の場合には、非線形光学結晶導波路の左端から放出されていた基本光がフィードバックされて、発振に対する波長条件がより緩和される。特に、方向性結合の結合波長に分布がある場合に、波長を安定化する効果がある。次に、図13を参照して、本発明の実施例2のハイブリッド二次高調波光源を説明するが、YカットLiNbO3平板に対する分極反転の状態が異なるだけで、他の構造は上記の実施例1と全く同じであるので、分極反転の状態のみを説明する。図13は本発明の実施例2のハイブリッド二次高調波光源の構成説明図であり、図13aは分極反転パターンの説明図であり、図13bは接着固定状態の断面図である。図13aに示すように、図の上下に切った断面では分極反転が周期的になっているが、その周期が左から右に行くに従って徐々に大きくなる。このパターンを用いれば、図13bに示すように、非線形光学結晶導波路を接着固定する際に、図の左右方向に位置をずらすことによって、位相調整波長を調節することが可能になる。これは、基本光の発振波長ばらつきが存在する際に、その波長に位相調整波長を合わせてばらつきを補償することを可能にする。なお、YカットLiNbO3平板73の位置調整は、利得半導体導波路に電流注入をして基本光発振をさせながら非線形光学結晶導波路で緑色に変換された光パワーをモニタし、モニタした光パワーが最大化するように合わせることにより実現ができる。ここで、実施例1及び実施例2を含む本発明の実施の形態に関して、以下の付記を付す。付記1下部に分布ブラッグ反射鏡を有するとともに利得半導体導波路と前記利得半導体導波路に近接配置されて方向性結合する非線形光学結晶導波路とを有し、前記利得半導体導波路の一方の端面と前記非線形光学結晶導波路の一方の端面とをレーザ共振器用反射面とするとともに、前記非線形光学結晶導波路の他方の端面を前記非線形光学結晶導波路で発生した二次高調波の出射面としたことを特徴とするハイブリッド光デバイス。付記2前記非線形光学結晶導波路の他方の端面を、低反射膜コーティング、斜め端面、或いは、窓構造の少なくとも一つを施したことを特徴とする付記1に記載のハイブリッド光デバイス。付記3前記利得半導体導波路及び前記非線形光学結晶導波路がスラブ導波路構造であり、前記利得半導体導波路及び前記非線形光学結晶導波路との間に前記利得半導体導波路及び前記非線形光学結晶導波路とを方向性結合するストライプ状の透明部材を有することを特徴とする付記1または付記2に記載のハイブリッド光デバイス。付記4前記透明部材の少なくとも主要部が、Al2O3の熱抵抗率と同じか或いはそれより小さな熱抵抗率の部材からなることを特徴とする付記3に記載のハイブリッド光デバイス。付記5前記透明部材の少なくとも一部が、前記利得半導体導波路の屈折率温度係数より小さな屈折率温度係数の部材からなることを特徴とする付記3または付記4に記載のハイブリッド光デバイス。付記6前記透明部材は、前記利得半導体導波路の表面に直接成膜した薄膜からなるとともに、前記非線形光学結晶導波路の表面とは、前記透明材料の両脇から離れた位置に設けた接着材による接着力により密着していることを特徴とする付記3乃至付記5のいずれか1に記載のハイブリッド光デバイス。付記7前記ストライプ状の透明部材の両脇の前記利得半導体導波路の表面の電極形成用半導体層に一導電型側の電極を設け、前記分布ブラッグ反射鏡の反射による干渉で生じる発振基本光の節の位置と前記利得半導体導波路の表面とが一致していることを特徴とする付記3乃至付記6のいずれか1に記載のハイブリッド光デバイス。付記8前記分布ブラッグ反射鏡の反射による干渉で生じる発振基本光の複数の節の中の前記利得半導体導波路の表面に位置するもの以外の位置における前記電極形成用半導体層のドープ濃度を高くしたことを特徴とする付記7に記載のハイブリッド光デバイス。付記9少なくとも前記電極形成用半導体層と前記利得半導体導波路の活性層とをストライプ状メサ構造とし、前記電極形成用半導体層と前記活性層との間にメサ側面から一定距離までを酸化させた電流狭窄電構造形成層を有することを特徴とする付記8に記載のハイブリッド光デバイス。付記10前記非線形光学結晶導波路に設けた疑似位相整合用分極反転周期が、前記非線形光学結晶導波路のスラブ導波路面内において、光の進行方向に垂直な方向に変化させた構造であることを特徴とする付記3乃至付記9のいずれか1に記載のハイブリッド光デバイス。付記11前記利得半導体導波路の一方の端面と前記非線形光学結晶導波路の一方の端面との間の共振器長さにおいて、前記利得半導体導波路と前記非線形光学結晶導波路との間で方向性結合による前記発振基本光のやりとりが複数回起こることを特徴とする付記1乃至付記10のいずれか1に記載のハイブリッド光デバイス。付記12前記分布ブラッグ反射鏡と前記活性層との間にドープ領域を設け、前記ドープ領域に逆導電型側の電極を接続したことを特徴とする付記1乃至付記11のいずれか1に記載のハイブリッド光デバイス。付記13前記ドープ領域の位置が、分布ブラッグ反射鏡の反射による干渉で生じる発振基本光の節の位置と一致していることを特徴とする付記12に記載のハイブリッド光デバイス。"