"規定電圧値の測定用電圧を測定対象体に出力する電圧出力装置であって、前記測定用電圧を出力すると共に当該測定用電圧の電圧値を制御可能な電源部と、当該電源部から出力される前記測定用電圧の前記測定対象体に対する出力をオンオフする半導体スイッチと、前記電源部および前記半導体スイッチを制御する制御部とを備え、当該制御部は、当該半導体スイッチをオフ状態に制御した状態において前記電源部に対する制御を実行して前記測定用電圧の電圧値を段階的に複数回に亘って変化させて前記規定電圧値に設定する電圧設定処理、および当該半導体スイッチをオン状態に制御して当該規定電圧値に設定された当該測定用電圧を前記測定対象体に出力する電圧出力処理を実行する電圧出力装置。請求項1記載の電圧出力装置と、前記規定電圧値に設定された前記測定用電圧の前記測定対象体に対する出力時に前記電源部から当該測定対象体に出力される出力電流の電流値を測定する電流測定装置と、前記規定電圧値および前記出力電流の電流値に基づいて前記測定対象体の抵抗値を算出する測定部とを備えている抵抗測定装置。ところで、上記の高電圧ドライバ回路では、制御スイッチがオン状態のときに、DA変換器に設定データを設定して所望のアナログ電圧を発生させると共にこのアナログ電圧を増幅器で増幅させ、この増幅されたアナログ電圧を制御スイッチを介してDUTに出力するという構成を採用している。その一方、制御スイッチのオフ状態のときに、DA変換器に設定データを設定して所望のアナログ電圧を発生させると共にこのアナログ電圧を増幅器で増幅させ、次いで、制御スイッチをオフ状態からオン状態に制御したり、オン状態からオフ状態に制御したりすることで、増幅されたアナログ電圧のDUTへの出力を制御スイッチによって制御する構成を採用することも行われている。しかしながら、この構成を採用した場合において、制御スイッチとしてMOS型のトランジスタを使用し、かつ増幅器から出力されるアナログ電圧を所望の電圧とする設定データをDA変換器に最初から設定するようにしたときには、増幅器から出力されるアナログ電圧が所望の電圧に一回の変化で到達するアナログ電圧が所望の電圧までステップ波形状に一回で急激に変化することになる。このため、変化する電圧幅が大きいときには、この高電圧ドライバ回路では、増幅器から出力されるアナログ電圧がMOS型のトランジスタの寄生容量ソース端子とドレイン端子との間に存在する静電容量によって微分されて、パルス状の大きな電圧スパイク電圧が出力される。したがって、増幅されたアナログ電圧のDUTへの出力を制御スイッチによって制御する構成には、このようにしてスパイク電圧が出力されることにより、DUTが破壊されるおそれがあるという解決すべき課題が存在している。本発明は、かかる課題を解決すべくなされたものであり、半導体スイッチを介して測定対象体に対する測定用電圧の出力をオンオフする構成において、スパイク電圧を大幅に低減し得る電圧出力装置、およびこの電圧出力装置を備えた抵抗測定装置を提供することを主目的とする。上記目的を達成すべく請求項1記載の電圧出力装置は、規定電圧値の測定用電圧を測定対象体に出力する電圧出力装置であって、前記測定用電圧を出力すると共に当該測定用電圧の電圧値を制御可能な電源部と、当該電源部から出力される前記測定用電圧の前記測定対象体に対する出力をオンオフする半導体スイッチと、前記電源部および前記半導体スイッチを制御する制御部とを備え、当該制御部は、当該半導体スイッチをオフ状態に制御した状態において前記電源部に対する制御を実行して前記測定用電圧の電圧値を段階的に複数回に亘って変化させて前記規定電圧値に設定する電圧設定処理、および当該半導体スイッチをオン状態に制御して当該規定電圧値に設定された当該測定用電圧を前記測定対象体に出力する電圧出力処理を実行する。また、請求項2記載の抵抗測定装置は、請求項1記載の電圧出力装置と、前記規定電圧値に設定された前記測定用電圧の前記測定対象体に対する出力時に前記電源部から当該測定対象体に出力される出力電流の電流値を測定する電流測定装置と、前記規定電圧値および前記出力電流の電流値に基づいて前記測定対象体の抵抗値を算出する測定部とを備えている。請求項1記載の電圧出力装置では、処理部が、スイッチ部をオフ状態に制御した状態において、電源部に対する制御を実行して測定用電圧の電圧値を段階的に複数回に亘って変化させて規定電圧値に設定し、その後に、スイッチ部をオン状態に制御して、規定電圧値に設定された測定用電圧を測定対象体に出力する。したがって、この電圧出力装置によれば、測定用電圧の電圧値を1回の変化で規定電圧値に設定する構成と比較して、1回の変化での測定用電圧についての電圧変化幅を小さくすることができ、これにより、測定用電圧の変化時に、半導体スイッチの寄生容量を介して出力されるスパイク電圧の電圧値を大幅に低減することができる。請求項2記載の抵抗測定装置によれば、上記の電圧出力装置を備えたことにより、電圧値を規定電圧値に設定する際に発生するスパイク電圧の電圧値を大幅に低減することができるため、過大なスパイク電圧が測定対象体に出力される事態を確実に回避することができる。以下、添付図面を参照して、電圧出力装置1および抵抗測定装置11の実施の形態について説明する。まず、電圧出力装置1の構成について図面を参照して説明する。電圧出力装置1は、図1に示すように、電源部2、スイッチ部3、出力線路4および処理部5を備えている。この場合、電源部2は、一例として出力電圧直流電圧を外部から制御可能な可変電圧源で構成されて、処理部5から出力される設定データDsで示される電圧値の測定用電圧Vmを出力する。スイッチ部3は、半導体スイッチ本例では、MOS型のトランジスタ3aを使用して構成されて、電源部2の出力端子不図示と出力線路4との間に半導体スイッチ3aのドレイン端子とソース端子とが接続された状態で配設されている。また、スイッチ部3は、処理部5から出力される制御信号Ssによってオンオフ状態具体的には、半導体スイッチ3aのオンオフ状態が切り替えられる。この構成により、スイッチ部3は、オン状態のときには、電源部2から出力されている測定用電圧Vmを出力線路4に出力する。また、スイッチ部3は、オフ状態のときには、電源部2から出力されている測定用電圧Vmの出力線路4への出力を停止する。処理部5は、CPUおよびメモリいずれも図示せずを備えて構成されて、電圧設定処理、電圧出力処理および電圧停止処理を実行して、制御部として機能する。具体的には、処理部5は、電圧設定処理では、電源部2に設定データDsを出力することによって電源部2を制御して、電源部2に対して設定データDsで示される電圧値の測定用電圧Vmを出力させる。また、処理部5は、電圧出力処理では、オフ状態からオン状態に切り替える制御信号Ssをスイッチ部3に出力することにより、スイッチ部3に対して測定用電圧Vmを出力線路4に出力させる。また、処理部5は、電圧停止処理では、オン状態からオフ状態に切り替える制御信号Ssをスイッチ部3に出力することにより、スイッチ部3に対して測定用電圧Vmの出力線路4への出力を停止させる。次に、抵抗測定装置11の構成について説明する。抵抗測定装置11は、上記の電圧出力装置1、一対のプローブ12,13、電流測定装置14および出力部15を備え、測定対象体DUT21の抵抗値例えば、絶縁抵抗Rを測定する。この場合、一対のプローブ12,13のうちの一方のプローブ12は、電圧出力装置1の出力線路4に接続されている。また、他方のプローブ13は、電流測定装置14に接続されている。電流測定装置14は、他方のプローブ13と接地基準電圧16との間に配設されている。また、電流測定装置14は、他方のプローブ13から接地16に流れる電流電圧出力装置1から測定対象体21に出力される出力電流Iの電流値を測定すると共に、その電流値を示す電流データDiを出力する。この抵抗測定装置11では、電圧出力装置1の処理部5は、測定部として機能して、電流測定装置14から出力される電流データDiと、電圧出力装置1の電源部2から出力される測定用電圧Vmの電圧値とに基づいて、測定対象体21の抵抗値Rを算出する抵抗算出処理を実行する。出力部15は、一例として、液晶ディスプレイなどの表示装置で構成されて、処理部5によって算出された測定対象体21の抵抗値Rを入力して画面上に表示させる。なお、出力部15をデータ伝送回路で構成して、抵抗測定装置11とは別体に配設された表示装置などに抵抗値Rを表示させる構成を採用することもできる。続いて、電圧出力装置1および抵抗測定装置11の動作について図面を参照して説明する。なお、図1に示すように、一対のプローブ12,13に予め接続されている測定対象体21に対して、規定電圧値V1の測定用電圧Vmを出力して、測定対象体21の抵抗値Rを測定する場合を例に挙げて説明する。この状態において、抵抗測定装置11では、まず、電圧出力装置1が、測定対象体21に対して規定電圧値V1の測定用電圧Vmを出力する。この測定用電圧Vmの出力に際して、電圧出力装置1では、まず、処理部5が、電圧停止処理を実行して、スイッチ部3をオフ状態に移行させることで、電源部2と出力線路4とを分離させる切り離す。次いで、処理部5は、電源部2に対して出力する設定データDsを順次変更しつつ上記した電圧設定処理を繰り返し複数回実行することにより、図2に示すように、電源部2から出力される測定用電圧Vmの電圧値を、電圧設定処理の開始直前での電圧値図2では一例としてゼロボルトから段階的に複数回図2では一例として6回に亘って徐々に変化させて規定電圧値V1に設定する。本例では一例として、処理部5は、測定用電圧Vmについての電圧値の電圧変化幅ΔVが毎回同じになるように、電源部2に対する設定データDsを変更する。この電圧出力装置1では、測定用電圧Vmの電圧値を規定電圧値V1に設定する際に、上記したように測定用電圧Vmの電圧値を段階的に複数回に亘って変化させる構成を採用することにより、測定用電圧Vmの電圧値を電圧設定処理の開始直前での電圧値から1回の変化で規定電圧値V1に設定する図2において破線で示すステップ波形状に測定用電圧Vmが変化するように設定する構成と比較して、1回の変化での電圧変化幅を小さくすることで、測定用電圧Vmの変化時に、スイッチ部3を構成するオフ状態の半導体スイッチ3aにおける寄生容量MOS型のトランジスタにおけるソース端子とドレイン端子との間の静電容量3bによって微分されてその寄生容量を介して測定対象体21に出力されるスパイク電圧の電圧値を大幅に低減している。続いて、処理部5は、電圧設定処理の完了後、図2に示すように、電圧出力処理を実行して、スイッチ部3をオン状態に移行させることで、電源部2と出力線路4とを接続させる。これにより、規定電圧値V1に設定されている測定用電圧Vmが、出力線路4に接続されているプローブ12を経由して、測定対象体21の一端側に出力される。また、測定対象体21はその他端側がプローブ13を介して接地16に接続されているため、この測定用電圧Vmの出力開始により、電源部2から、スイッチ部3、出力線路4、プローブ12、測定対象体21、プローブ13および電流測定装置14を経由して接地16に至る電流経路に電流が流れ始める電源部2から測定対象体21に対する出力電流Iの出力が開始される。抵抗測定装置11では、電圧出力装置1から測定対象体21に測定用電圧Vmが出力されている状態において、電流測定装置14が、出力電流Iの電流値を測定して、その電流値を示す電流データDiを処理部5に出力する。処理部5は、電流測定装置14から電流データDiを入力して、抵抗算出処理を実行する。この抵抗算出処理では、処理部5は、電源部2から出力されている測定用電圧Vmの規定電圧値V1と、入力した電流データDiで示される出力電流Iの電流値I1とに基づいて、測定対象体21の抵抗値R=V1/I1を算出し、算出した抵抗値Rを出力部15に出力して、画面上に表示させる。これにより、抵抗算出処理が完了する。また、抵抗測定装置11では、抵抗算出処理の完了後に、電圧出力装置1による測定対象体21への測定用電圧Vmの出力を停止させる。この測定用電圧Vmの停止に際して、電圧出力装置1では、まず、処理部5が、電圧停止処理を実行して、スイッチ部3をオフ状態に移行させることで、電源部2と出力線路4とを分離させる。これにより、電源部2から出力線路4への測定用電圧Vmの出力が停止される。次いで、抵抗測定装置11では、処理部5が、電源部2に対して出力している設定データDsを変更しつつ上記した電圧設定処理を繰り返し複数回実行することにより、図2に示すように、電源部2から出力される測定用電圧Vmの電圧値を、規定電圧値V1から段階的に複数回図2では一例として6回に亘って徐々に変化させて、最初の電圧設定処理の開始直前の電圧値本例ではゼロボルトに設定する。本例では一例として、処理部5は、測定用電圧Vmについての電圧値の電圧変化幅ΔVが毎回同じになるように、電源部2に対する設定データDsを変更する。この電圧出力装置1では、測定用電圧Vmの電圧値を規定電圧値V1からゼロボルトに変更する際に、上記したように測定用電圧Vmの電圧値を段階的に複数回に亘って変化させる構成を採用することにより、測定用電圧Vmの規定電圧値V1を1回の変化でゼロボルトに設定する図2において一点鎖線で示すように設定する構成と比較して、1回の変化での電圧変化幅を小さくすることで、測定用電圧Vmの変化時に、スイッチ部3を構成するオフ状態の半導体スイッチ3aにおける寄生容量3bによって微分されてその寄生容量3bを介して測定対象体21に出力されるスパイク電圧の電圧値を大幅に低減している。このように、この電圧出力装置1では、測定対象体21に対して規定電圧値V1の測定用電圧Vmを出力する際に、処理部5が、スイッチ部3をオフ状態に制御した状態において、電源部2に対する制御を実行して測定用電圧Vmの電圧値を段階的に複数回に亘って変化させて規定電圧値V1に設定する電圧設定処理を実行し、その後に、スイッチ部3をオン状態に制御して、規定電圧値V1に設定された測定用電圧Vmを測定対象体21に出力する電圧出力処理を実行する。したがって、この電圧出力装置1によれば、測定用電圧Vmの電圧値を電圧設定処理の開始直前での電圧値から1回の変化で規定電圧値V1に設定する構成と比較して、1回の変化での測定用電圧Vmについての電圧変化幅を小さくすることができ、これにより、測定用電圧Vmの変化時に、スイッチ部3を構成するオフ状態の半導体スイッチ3aにおける寄生容量3bを介して出力されるスパイク電圧の電圧値を大幅に低減することができる。また、この電圧出力装置1を備えた抵抗測定装置11によれば、電圧値を規定電圧値V1に設定する際に発生するスパイク電圧の電圧値を大幅に低減することができるため、過大なスパイク電圧が測定対象体21に出力される事態を確実に回避することができる。この結果、この電圧出力装置1を備えた抵抗測定装置11によれば、スパイク電圧の出力に起因する測定対象体21の破損を確実に回避することができる。なお、上記の電圧出力装置1では、処理部5が、測定用電圧Vmの電圧値を変更する際に、変更時の電圧変化幅ΔVが毎回同じになるように電源部2に対する設定データDsを変更する構成を採用しているが、これに限定されず、発生するスパイク電圧が測定対象体21に悪影響を与えない範囲内である限り、変更時の電圧変化幅ΔVを毎回変化させる構成を採用することもできる。また、測定用電圧Vmの電圧を変化させる時間間隔図2に示す間隔t1については、同じ時間間隔とする構成を採用することもできるし、毎回変化させる構成を採用することもできる。"