受光基板と、前記受光基板と対向する相対基板と、前記受光基板と相対基板との間に互いに離間して形成された第1単位光電セルと、第2単位光電セルとを備え、前記第1単位光電セルは、前記受光基板上に形成された第1光電極と、前記相対基板上に形成された第1相対電極とを備え、前記第2単位光電セルは、前記相対基板上に形成された第2光電極と、前記受光基板上に形成された第2相対電極とを備え、前記第1光電極は第1半導体層を備え、前記第2光電極は第2半導体層を備え、前記第1半導体層の第1幅と前記第2半導体層の第2幅とが互いに非対称である光電変換モジュール。第1電解質層は、前記第1光電極と前記第1相対電極との間に位置する請求項1に記載の光電変換モジュール。第2電解質層は、前記第2光電極と前記第2相対電極との間に位置する請求項1に記載の光電変換モジュール。前記第1光電極は、前記受光基板と前記第1半導体層との間に位置する第1透明導電膜をさらに備える請求項1に記載の光電変換モジュール。前記第1相対電極は、前記相対基板上に順次に形成された第2透明導電膜と第1触媒層とを備える請求項4に記載の光電変換モジュール。前記第2光電極は、前記相対基板と前記第2半導体層との間に位置する第3透明導電膜をさらに備える請求項5に記載の光電変換モジュール。前記第2相対電極は、前記受光基板上に順次に形成された第4透明導電膜と第2触媒層とを備える請求項6に記載の光電変換モジュール。前記第1透明導電膜、前記第2透明導電膜、前記第3透明導電膜及び前記第4透明導電膜がリードで電気的に連結された請求項7に記載の光電変換モジュール。前記第1幅は前記第2幅より小さい請求項1に記載の光電変換モジュール。前記第2幅は前記第1幅の2倍より小さい請求項9に記載の光電変換モジュール。前記第2幅は前記第1幅より小さい請求項1に記載の光電変換モジュール。前記第1幅は前記第2幅の2倍より小さい請求項11に記載の光電変換モジュール。前記第1幅は前記受光基板の表面方向に平行な方向に沿って測定された前記第1半導体層の長さであり、前記第2幅は前記相対基板の表面方向に平行な方向に沿って測定された前記第2半導体層の長さである請求項1に記載の光電変換モジュール。前記第1半導体層の第1高さと前記第2半導体層の第2高さとが互いに非対称である請求項1に記載の光電変換モジュール。前記第1高さは前記受光基板の表面方向に垂直な方向に沿って測定された前記第1半導体層の長さであり、前記第2高さは前記相対基板の表面方向に垂直な方向に沿って測定された前記第2半導体層の長さである請求項14に記載の光電変換モジュール。前記第1単位光電セル、及び前記第2単位光電セルは、シーラントによって互いに分離された請求項1に記載の光電変換モジュール。前記シーラントは、第1スクライブラインを備える請求項16に記載の光電変換モジュール。受光基板と、前記受光基板と対向する相対基板と、前記受光基板と前記相対基板との間に互いに離間して形成された第1単位光電セルと、第2単位光電セルとを備え、前記第1単位光電セルは、前記受光基板上に形成された第1光電極と、前記相対基板上に形成された第1相対電極とを備え、前記第2単位光電セルは、前記相対基板上に形成された第2光電極と、前記受光基板上に形成された第2相対電極とを備え、前記第1光電極は第1半導体層を備え、前記第2光電極は第2半導体層を備え、前記第1半導体層の第1高さは前記第2半導体層の第2高さと互いに非対称であり、前記第1高さは前記受光基板の表面方向に垂直な方向に沿って測定された前記第1半導体層の長さであり、前記第2高さは前記相対基板の表面方向に垂直な方向に沿って測定された前記第2半導体層の長さである光電変換モジュール。前記受光基板上には前記第1単位光電セルの第1光電極と、前記第2単位光電セルの第2相対電極とが交互に配列され、前記相対基板上には前記第1単位光電セルの第1相対電極と、前記第2単位光電セルの第2光電極とが交互に配列され、前記受光基板の第1単位光電セルの第1光電極と、前記受光基板の第2単位光電セルの第2相対電極とに対して、前記相対基板の第1単位光電セルの第1相対電極と、前記相対基板の第2単位光電セルの第2光電極とが、前記受光基板及び前記相対基板の表面方向に垂直な方向において互いに対向するように位置する請求項1に記載の光電変換モジュール。前記第1光電極は前記受光基板と前記第1半導体層との間に位置する第1透明導電膜を備え、前記第1相対電極は第2透明導電膜を備え、前記第2光電極は前記相対基板と前記第2半導体層との間に位置する第3透明導電膜を備え、前記第2相対電極は第4透明導電膜を備える請求項19に記載の光電変換モジュール。前記受光基板の第1透明導電膜と前記第4透明導電膜とは、互いに電気的に連結され、一対の第1及び第2単位光電セルと、これと隣接する他の一対の第1及び第2単位光電セルとの間には、前記第1透明導電膜と前記第4透明導電膜とが第1スクライブラインによって分離される請求項20に記載の光電変換モジュール。前記相対基板には、電気的に連結された前記第1透明導電膜及び前記第4透明導電膜と交錯するように、前記第2透明導電膜と前記第3透明導電膜とが互いに電気的に連結され、一対の第1及び第2単位光電セルと、これと隣接する他の一対の第1及び第2単位光電セルとの間には、前記第2透明導電膜と前記第3透明導電膜とが第2スクライブラインによって分離される請求項21に記載の光電変換モジュール。前記第1高さは、前記第2高さより低い請求項19に記載の光電変換モジュール。本発明は、基板上に形成される複数の光電極の幅を非対称で形成して、太陽電池の発電効率を向上させた光電変換モジュールを提供することを主な課題とする。本発明の望ましい一実施形態による光電変換モジュールは、受光基板と、前記受光基板と対向する相対基板と、前記受光基板と相対基板との間に互いに離間して形成された第1単位光電セルと、第2単位光電セルとを備え、前記第1単位光電セルは、前記受光基板上に形成された第1光電極と、前記相対基板上に形成された第1相対電極とを備え、前記第2単位光電セルは、前記相対基板上に形成された第2光電極と、前記受光基板上に形成された第2相対電極とを備え、前記第1光電極は第1半導体層を備え、前記第2光電極は第2半導体層を備え、前記第1半導体層の第1幅と前記第2半導体層の第2幅とが互いに非対称である。本発明の望ましい他の実施形態による光電変換モジュールは、第1電解質層は、前記第1光電極と前記第1相対電極との間に位置する。本発明の望ましいさらに他の実施形態による光電変換モジュールは、第2電解質層は、前記第2光電極と前記第2相対電極との間に位置する。本発明の望ましいさらに他の実施形態による光電変換モジュールは、前記第1光電極は、前記受光基板と前記第1半導体層との間に位置する第1透明導電膜をさらに備える。本発明の望ましいさらに他の実施形態による光電変換モジュールは、前記第1相対電極は、前記相対基板上に順次に形成された第2透明導電膜と第1触媒層とを備える。本発明の望ましいさらに他の実施形態による光電変換モジュールは、前記第2光電極は、前記相対基板と前記第2半導体層との間に位置する第3透明導電膜をさらに備える。本発明の望ましいさらに他の実施形態による光電変換モジュールは、前記第2相対電極は、前記受光基板上に順次に形成された第4透明導電膜と第2触媒層とを備える。本発明の望ましいさらに他の実施形態による光電変換モジュールは、前記第1透明導電膜、前記第2透明導電膜、前記第3透明導電膜及び前記第4透明導電膜がリードで電気的に連結される。本発明の望ましいさらに他の実施形態による光電変換モジュールは、前記第1幅は前記第2幅より小さい。本発明の望ましいさらに他の実施形態による光電変換モジュールは、前記第2幅は前記第1幅の2倍より小さい。本発明の望ましいさらに他の実施形態による光電変換モジュールは、前記第2幅は前記第1幅より小さい。本発明の望ましいさらに他の実施形態による光電変換モジュールは、前記第1幅は前記第2幅の2倍より小さい。本発明の望ましいさらに他の実施形態による光電変換モジュールは、前記第1幅は前記受光基板の表面方向に平行な方向に沿って測定された前記第1半導体層の長さであり、前記第2幅は前記相対基板の表面方向に平行な方向に沿って測定された前記第2半導体層の長さである。本発明の望ましいさらに他の実施形態による光電変換モジュールは、前記第1半導体層の第1高さと前記第2半導体層の第2高さとが互いに非対称である。本発明の望ましいさらに他の実施形態による光電変換モジュールは、前記第1高さは前記受光基板の表面方向に垂直な方向に沿って測定された前記第1半導体層の長さであり、前記第2高さは前記相対基板の表面方向に垂直な方向に沿って測定された前記第2半導体層の長さである。本発明の望ましいさらに他の実施形態による光電変換モジュールは、前記第1単位光電セル、及び前記第2単位光電セルは、シーラントによって互いに分離される。本発明の望ましいさらに他の実施形態による光電変換モジュールは、前記シーラントは、第1スクライブラインを備える。本発明の望ましいさらに他の実施形態による光電変換モジュールは、受光基板と、前記受光基板と対向する相対基板と、前記受光基板と前記相対基板との間に互いに離間して形成された第1単位光電セルと、第2単位光電セルとを備え、前記第1単位光電セルは、前記受光基板上に形成された第1光電極と、前記相対基板上に形成された第1相対電極とを備え、前記第2単位光電セルは、前記相対基板上に形成された第2光電極と、前記受光基板上に形成された第2相対電極とを備え、前記第1光電極は第1半導体層を備え、前記第2光電極は第2半導体層を備え、前記第1半導体層の第1高さは前記第2半導体層の第2高さと互いに非対称であり、前記第1高さは、前記受光基板の表面方向に垂直な方向に沿って測定された前記第1半導体層の長さであり、前記第2高さは、前記相対基板の表面方向に垂直な方向に沿って測定された前記第2半導体層の長さである。本発明の望ましいさらに他の実施形態による光電変換モジュールは、前記受光基板上には前記第1単位光電セルの第1光電極と、前記第2単位光電セルの第2相対電極とが交互に配列され、前記相対基板上には前記第1単位光電セルの第1相対電極と、前記第2単位光電セルの第2光電極とが交互に配列され、前記受光基板の第1単位光電セルの第1光電極と、前記受光基板の第2単位光電セルの第2相対電極とに対して、前記相対基板の第1単位光電セルの第1相対電極と、前記相対基板の第2単位光電セルの第2光電極とが、前記受光基板及び前記相対基板の表面方向に垂直な方向において互いに対向するように位置する。本発明の望ましいさらに他の実施形態による光電変換モジュールは、前記第1光電極は前記受光基板と前記第1半導体層との間に位置する第1透明導電膜を備え、前記第1相対電極は第2透明導電膜を備え、前記第2光電極は前記相対基板と前記第2半導体層との間に位置する第3透明導電膜を備え、前記第2相対電極は第4透明導電膜を備える。本発明の望ましいさらに他の実施形態による光電変換モジュールは、前記受光基板の第1透明導電膜と前記第4透明導電膜とは、互いに電気的に連結され、一対の第1及び第2単位光電セルと、これと隣接する他の一対の第1及び第2単位光電セルとの間には、前記第1透明導電膜と前記第4透明導電膜とが第1スクライブラインによって分離される。本発明の望ましいさらに他の実施形態による光電変換モジュールは、前記相対基板には、電気的に連結された前記第1透明導電膜及び前記第4透明導電膜と交錯するように前記第2透明導電膜と前記第3透明導電膜とが互いに電気的に連結され、一対の第1及び第2単位光電セルと、これと隣接する他の一対の第1及び第2単位光電セルとの間には、前記第2透明導電膜と前記第3透明導電膜とが第2スクライブラインによって分離される。本発明の望ましいさらに他の実施形態による光電変換モジュールは、前記第1高さは、前記第2高さより低い。本発明の光電変換モジュールは、半導体層を含む光電極の幅や高さを非対称に形成することで発電効率を向上させることができる。本発明は図面に図示された一実施形態を参考までに説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲の技術的思想により定められねばならない。本発明は多様な変換を加えることができ、かつ色々な実施形態を持つことができるところ、特定の実施形態を図面に例示し、以下の明細書で詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の実施形態のみに限定しようとするものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるあらゆる変換、均等物ないし代替物を含むと理解されねばならない。本発明を説明する際、関連する公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を曖昧にすると判断される場合、その詳細な説明を省略する。第1、第2などの用語は、多様な構成要素を説明するのに使われうるが、構成要素は用語によって限定されてはならない。用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的だけで使われる。本出願で使用した用語は単に特定の実施形態を説明するために使われためのものであって、本発明を限定しようとする意図ではない。単数の表現は、文脈上別途に表現しない限り、複数の表現を含む。本出願で、含むまたは持つなどの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在するということを示すものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものの存在、または付加可能性を予め排除するものではないということを理解せねばならない。以下、添付した図面を参照して本発明による望ましい実施形態を詳細に説明すれば、次の通りである。図1は、本発明の一実施形態による光電変換モジュール100を示す断面図であり、図2Aは、図1の受光面基板を示す平面図であり、図2Bは、図1の相対基板を示す平面図である。図1、図2A、及び図2Bを参照すれば、前記光電変換モジュール100は、互いに対向して配された受光面基板101と相対基板102とを備える。前記受光面基板101は透明な素材で形成される。前記受光面基板101は、高い光透過率を持つ素材で形成されることが望ましい。例えば、前記受光面基板101はガラスや、樹脂フィルムで構成できる。樹脂フィルムは柔軟性を持っているので、柔軟性が求められる光電変換デバイスに適するといえる。前記相対基板102は透明性が特に要求されてはいないが、光電変換効率を高める目的で、光電変換モジュール100の両側から光VLを受けるように透明な素材で形成されることが望ましい。さらに望ましくは、前記相対基板102は、受光面基板101と同じ素材で形成されるものである。特に、前記光電変換モジュール100が、窓枠などの構造物に設置されるBIPVBuildingIntegratedPhotovoltaicSystem用途で活用される場合には、室内に流れ込む光を遮断しないように光電変換モジュール100の両側に透明性を持つことが望ましい。結合された受光面基板101及び相対基板102の内側空間には、第1~第3の単位光電セル113~115の複数の単位光電セルが形成されている。前記単位光電セル113~115は、光電変換を行うための光電極104と相対電極105とを備える。前記光電極104は、第1透明導電膜106と半導体層107とを備える。前記相対電極105は、第2透明導電膜108と触媒層109とを備える。前記光電極104と相対電極105との間には電解質層110が記載されている。前記第1透明導電膜106と第2透明導電膜108とは、それぞれリード111を利用して直列接続または並列接続可能であり、本実施形態では直列接続で連結された方式である。第1及び第3の単位光電セル113、115の前記第1透明導電膜106は、前記受光面基板101の内表面に形成されており、第2単位光電セル114の前記第1透明導電膜106は、前記相対基板102の内表面に形成されている。前記第1透明導電膜106は、透明性と電気伝導性とを持つ素材で形成される。例えば、前記第1透明導電膜106は、ITOIndiumtinoxide、FTOFluorinetinoxide、ATOAntimony-dopedtinoxide、GZOGallium-dopedzincoxideなどのTCOTransparentconductingoxideを含む。図示されていないが、前記第1透明導電膜106上には第1グリッドパターンがさらに形成されうる。前記第1グリッドパターンは、前記第1透明導電膜106の電気抵抗を低めるために形成される。前記第1グリッドパターンは、光電変換作用によって生成された電子を受け取って低抵抗の電流パスを提供する配線である。例えば、前記第1グリッドパターンは、電気伝導性の優秀な金Au、銀Ag、アルミニウムAlなどの金属素材で形成できる。第1グリッドパターンは、方形のような特定形状を持つソリッドパターンや、所定の開口を持つメッシュ型パターンのような特定のパターンで形成できるなど、いずれか一つに限定されるものではない。第1グリッドパターンを形成させる場合、これをカバーするように第1保護層がさらに形成されうる。第1保護層は第1グリッドパターンが電解質層110に対して接触して反応することで、第1グリッドパターンが腐食するなどの電極損傷の発生を防止させる。第1保護層は、電解質に対して反応しない物質、例えば、硬化性樹脂物質で構成できる。前記光電極104は、光電変換モジュール100の負極として作用し、高い開口率を持つことが望ましい。前記第1透明導電膜106を通じて入射された光VLは、半導体層107に吸着された感光性染料の励起源として作用する。したがって、光電変換効率は、光電変換モジュール100に入射される光VLの量を増大させることによって改善できる。前記半導体層107は、Cd、Zn、In、Pb、Mo、W、Sb、Ti、Ag、Mn、Sn、Zr、Sr、Ga、Si、Crなどの金属化合物で形成される。前記半導体層107は、感光性染料を吸着することで光電変換効率を高めることができる。例えば、前記半導体層107は、5nm~1000nm粒径の半導体粒子を分散させたペーストを前記第1透明導電膜106が形成された受光面基板101又は相対基板102上に塗布した後、所定の熱または圧力を適用する加熱処理または加圧処理を経て形成できる。前記半導体層107上には、光VLによって励起される感光性染料が吸着されている。前記半導体層107に吸着された感光性染料は、受光面基板101を透過して入射された光VLを吸収し、感光性染料の電子は基底状態から励起状態に励起される。励起された電子は、感光性染料と半導体層107との電気的な結合を利用して半導体層107の伝導帯に転移された後、半導体層107を通過して第1透明導電膜106に到達し、前記第1透明導電膜106を通じて外部に引き出されることで外部回路を駆動する駆動電流を形成する。例えば、前記半導体層107上に吸着される感光性染料は可視光帯域の光を吸収して、光励起状態から速かに半導体層107への電子移動を引き起こす分子で構成される。前記感光性染料は液状、半固体のゲル状、固体状のうちいずれか一つの形状を持つことができる。例えば、前記半導体層107上に吸着される感光性染料には、ルテニウム系の感光性染料が使われうる。所定の感光性染料を含む溶液中に半導体層107が形成された受光面基板101又は相対基板102を浸漬させる方式で、感光性染料を吸着した半導体層107を得ることができる。第1及び第3の単位光電セル113、115の前記第2透明導電膜108は、前記相対基板102の内表面に形成されており、第2単位光電セル114の前記第2透明導電膜108は前記受光面基板101の内表面に形成されている。前記第2透明導電膜108は、透明性と電気伝導性とを持つ素材で形成される。例えば、前記第2透明導電膜108は、ITO、FTO、ATOなどのTCOTransparentConductingOxideを含む。図示されていないが、前記第2透明導電膜108上には第2グリッドパターンと、前記第2グリッドパターンをカバーする第2保護層とがさらに形成されうる。前記相対電極105は光電変換モジュール100の正極として作用し、前記電解質層110に電子を提供する還元触媒の機能を担う。前記半導体層107上に吸着された感光性染料は光VLを吸収して励起され、励起された電子は第2透明導電膜108を通じて外部に引き出される。電子を失った感光性染料は、電解質層110の酸化によって提供される電子を受け取って再び還元され、酸化された電解質層110は、外部回路を経て第2透明導電膜108に到達した電子によって再び還元されて、光電変換モジュール100の作動過程が完成される。前記触媒層109は、電解質層110に電子を提供する還元触媒機能を担う素材で形成される。例えば、前記触媒層109は、白金Pt、金Au、銀Ag、銅Cu、アルミニウムAlなどの金属や、酸化スズなどの金属酸化物や、グラファイトなどのカーボン系素材で構成できる。前記電解質層110は、一対の酸化体及び還元体を含むレドックス電解質が適用されうる。例えば、前記電解質層110は、固体型電解質、ゲル状電解質、液体電解型電解質などがいずれも使われうる。一方、第1~第3の単位光電セル113~115は、結合された受光面基板101と前記相対基板102との間の内部空間でシーリング材112によって隣接する単位光電セルと分離されて配列されている。前記シーリング材112は、電解質層110の電解質が外部に漏れないように電解質層110を密閉させる。本実施形態において、前記単位光電セル103は、第1単位光電セル113、第2単位光電セル114、第3単位光電セル115の3つの単位光電セルを含むが、前記単位光電セルの数は、前記光電変換モジュール100の設計によって任意的に変更できる。この時、前記受光面基板101上には、光電極104と相対電極105とが交互に配列されている。前記相対基板102上には、相対電極105と光電極104とが交互に配列されている。前記受光面基板101上に交互に配列された光電極104及び相対電極105に対して、前記相対基板102上に交互に配列された相対電極105及び光電極104は互いに対向するように位置する。また、前記受光面基板101での隣接した2つの単位光電セルの透明導電膜、すなわち、前記受光面基板101での第1透明導電膜106と第2透明導電膜108とは互いに電気的に連結されている。一方、一対の単位光電セルと、これと隣接する他の一対の単位光電セルとの間には、第1透明導電膜106と第2透明導電膜108とが、第1スクライブライン116によって互いに分離されている。本実施形態において、前記第1単位光電セル113の半導体層107と第2単位光電セル114の触媒層109とは、互いに電気的に連結された第1透明導電膜106と第2透明導電膜108上にそれぞれ形成されている。さらに、前記受光面基板101に対して垂直方向に対向して配された相対基板102では、前記受光面基板101とは交錯して隣接した2つの単位光電セルの透明導電膜、すなわち、前記相対基板102での第1透明導電膜106と第2透明導電膜108とは、互いに電気的に連結されている。一方、一対の単位光電セルと、これと隣接する他の一対の単位光電セルとの間には、第1透明導電膜106と第2透明導電膜108とが、第2スクライブライン117によって分離されている。本実施形態において、前記第2単位光電セル114の半導体層107と、第3単位光電セル115の触媒層109とは、互いに電気的に連結された第1透明導電膜106と第2透明導電膜108上にそれぞれ形成されている。本実施形態において、前記第1スクライブライン116と第2スクライブライン117とは互いに交錯するように配列されている。これにより、前記光電変換モジュール100の電子は、一つの単位光電セル例えば、第1単位光電セル113の第2透明導電膜108→触媒層109→電解質層110→半導体層107→第1透明導電膜106→隣接する他の一つの単位光電セル例えば、第2単位光電セル114の第2透明導電膜108→触媒層109→電解質層110→半導体層107→第1透明導電膜106の順に流れる。ここで、光VLが入射される受光面基板101での発電効率は、前記相対基板102での発電効率より高い。例えば、受光面基板101での発電効率が100ならば、前記相対基板102での発電効率は60~80である。これは実質的に、太陽光熱発電は、半導体層107を備える光電極104側で発生するが、光VLが前記触媒層109を通過する際に、前記触媒層109素材の特性上光を遮断するようになることで、光量が大幅に低減し、前記電解質層110を通過するにつれてさらに発電効率が低下するためである。したがって、発電効率を向上させるために、光が入射される受光面基板101での半導体層107の幅と、これと対応する相対基板102での半導体層107の幅とを非対称に形成する。さらに詳細には、前記受光面基板101での半導体層107の幅W1より、前記相対基板102での半導体層107の幅W2をさらに大きく形成する。望ましくは、前記相対基板102での半導体層107の幅W2は、前記受光面基板101での半導体層107の幅W1より大きく形成するが、前記受光面基板101での半導体層107の幅W1の2倍よりは小さく形成する。前記相対基板102での半導体層107の幅W2が、前記受光面基板101での半導体層107の幅W1の2倍より大きく形成されれば、抵抗値が急激に上昇して、フィルファクター損失が発生し、これにより、光電変換モジュール100のパワーが低減する結果を招く。図3は、出願人の実験による半導体層の幅を変化させて発電効率を測定したグラフである。ここで、X軸は電圧V値を示したものであり、Y軸は電流A値を示したものである。また、光が入射される受光面基板101での半導体層107の幅を5mmAとし、前記相対基板102での半導体層107の幅はそれぞれ5mmB、6mmC、7mmDに変化させたものである。図3を参照すれば、前記相対基板102での半導体層107の幅を5mmB、6mmC、7mmDに大きくするほど電流値が上昇して、前記受光面基板101での電流値に対する近似した値を示すことが分かる。すなわち、前記相対基板102での半導体層107の幅を前記受光面基板101での半導体層107の幅より40大きくする場合、最適の電流値を得ることができる。図4は、本発明の他の実施形態による光電変換モジュール400を示す断面図である。ここで、前記図示された図面と同じ参照番号は、同じ機能を担う同じ部材を示す。図1の光電変換モジュール400と比較すれば、図1の半導体層107は幅を異ならせたのに対し、図4の半導体層407は厚さを異ならせた場合である。図面を参照すれば、受光面基板101上には光電極404と相対電極405とが交互に配列されている。相対基板102上には相対電極405と光電極404とが交互に配列されている。前記受光面基板101上に交互に配列された光電極404及び相対電極405に対して、前記相対基板102上に交互に配列された相対電極405及び光電極404は、互いに対向する位置に配列されている。また、前記受光面基板101上の一対の隣接した光電セル413の半導体層407と触媒層409とは、互いに電気的に連結された第1透明導電膜406と第2透明導電膜408上にそれぞれ形成されている。前記受光面基板101に対して垂直方向に対向して配された相対基板102でも、前記受光面基板101とは交錯するように、1対の隣接した光電セル403の半導体層407と触媒層409とは、互いに電気的に連結された第1透明導電膜406と第2透明導電膜408上にそれぞれ形成されている。この時、光が入射される受光面基板101での半導体層407の高さと、これと対応する相対基板102での半導体層407の高さとを非対称に形成する。さらに詳細には、前記受光面基板101での半導体層407の高さh1より、前記相対基板102での半導体層407の高さh2をさらに大きく形成する。望ましくは、前記受光面基板101及び相対基板102での半導体層407の幅を同一にした場合、前記受光面基板101での半導体層407の高さh1は、8~25μmである。望ましくは、前記受光面基板101での半導体層407の高さは、13ないし15μmである。これに対し、前記相対基板102での半導体層407の高さh2は、前記受光面基板101での半導体層107の高さより大きく、且つ前記受光面基板101での半導体層407の最高高さ±5μm以下になることが、光電変換モジュール400の発電効率を向上させるのに有利である。一方、前記受光面基板101での半導体層407のサイズに対して、前記相対基板102での半導体層407のサイズは、必ずしも幅だけの変数や厚さだけの変数に限定されるものではなく、前記半導体層407の厚さと幅とを組み合わせて、前記受光面基板101と相対基板102とでの非対称の半導体層407を形成することもできる。