"表面実装型の電子デバイスを実装基板に実装する複数の実装端子を形成した表面実装型の電子デバイスであって、前記実装端子の各中心部で、かつ当該実装端子の表面から当該電子デバイスの容器本体の表面に達する貫通した小孔を有することを特徴とする表面実装型の電子デバイス。請求項1において、前記小孔は各端子パッドに一個形成されていることを特徴とする表面実装型の電子デバイス。請求項1において、前記小孔は各端子パッドに複数個形成されていることを特徴とする表面実装型の電子デバイス。請求項3において、前記複数の小孔の一つは各端子パッドの中央に形成されていることを特徴とする表面実装型の電子デバイス。表面実装型の電子デバイスを実装基板に実装する複数の実装端子が形成され、前記実装端子の各中心部で、かつ当該実装端子の表面から当該電子デバイスの容器本体の表面に達する貫通した小孔を有する表面実装型の電子デバイスを、端子パッドを形成した実装基板に実装する表面実装型電子デバイスの実装方法であって、前記実装基板の前記端子パッドの上層を覆って、前記電子デバイスの実装端子をリフローにより接合するための半田膜を形成し、前記電子デバイスの実装端子を前記実装基板の前記端子パッドに位置付けた状態で前記半田膜を加熱し、リフローすることにより、前記半田膜の溶融で発生する気泡が前記実装端子の小孔に滞留させ、前記半田膜を固化することで、前記気泡に起因するボイドを前記小孔の部分に形成することを特徴とする表面実装型電子デバイスの実装方法。請求項5において、前記端子パッドの小孔の部分に形成される前記ボイドと前記実装基板の端子パッドの間に当該端子パッドに接合した半田膜を形成することを特徴とする表面実装型電子デバイスの実装方法。表面実装型の電子部品の実装端子は、実装基板に設ける端子パッドとの間に溶着した半田膜を介して接合される。この接合の強度は、半田膜の溶着強度が等しければ、実装端子と端子パッドとの接合面の面積が広いほど大きい。したがって、前記した従来技術のように、実装端子にその両端が外部に開放した溝を設けると、端子パッドとの接合面の面積は少なくなって、その分の接合強度は低下する虞がある。また、上記のような溝が実装端子に存在すると、実装基板あるいは搭載部品に対して外力の印加や温度ストレスにより、上記の溝部に応力が集中して接合力の分布が不均衡になり、接合部分の分離や接合部にクラックが発生して固着部や電子部品、あるいは実装基板の破壊をもたらす虞がある。本発明の目的は、このような従来技術における課題を解決することにあり、電子デバイスの実装端子と実装基板の端子パッドとの接合面の面積を極力低減させることなく、ボイドの形成に起因する半田接合強度の低下を抑制して、接合部分の強度を維持できる表面実装型電子デバイスとその実装方法を提供することにある。上記目的を達成するため、本発明は、実装基板の端子パッドに接続して搭載する表面実装型の電子デバイスの複数の実装端子の各中心部に気泡を捕獲する小孔を設け、実装基板に形成する端子パッドの表面は平坦のままとして半田リフロー法で両者を接合することを特徴とする。すなわち、電子デバイスに設ける複数の実装端子にのみ設ける小孔は、実装端子を貫通して電子デバイスの容器本体の表面に達する。すなわち、小孔の底部には実装基板の表面が露出している。電子デバイスの容器本体は、ガラスエポキシ板、セラミックス板などの絶縁材料で構成されるが、後述する本発明の実施例では、セラミックス板で形成されたものを用いるものとする。電子デバイスの実装端子と実装基板の端子パッドとの接合面を共にフラット、すなわち、上記したような溝などを形成しないものでは、半田の溶融で当該半田膜内に発生する気泡は溶融した半田膜の中央部分に集まる傾向があることが経験的に分かっている。前記従来技術の技術思想は、発生する気泡を当該実装端子に形成した溝を通して外部に放出することで、固化した半田膜にボイドが形成されることを防止するものである。これに対し、本発明では、リフロー半田の溶融により発生する気泡は、電子デバイスに設ける複数の実装端子の中心部に設けた小孔に捕獲される。気泡を捕獲する小孔を電子デバイスに設ける実装端子側に設けたことで、気泡の量がある程度多い場合でも、気泡は半田が存在する端子パッド側よりも半田が濡れ難い電子デバイスの容器本体の表面側小孔の底に寄る傾向となる。溶融した半田は当該小孔の下方にある実装基板の連続して平坦な端子パッド全面を濡れ流動して当該端子パッドの全面に行き渡ったままとなる。そのため、両者の接合面積の減少は、実装端子に設けた小孔部分に限定され、接合面積の低減は最小限に抑制される。以下、本発明の実施形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明による表面実装型電子デバイスの実装方法その実装基板の実施例1の説明図である。図1aは実装基板に表面実装型電子デバイスを実装した状態を示す要部断面図、同図bは電子デバイスに形成された実装端子の平面図、同図cは実装端子と端子パッドとの固着状態を拡大して示す同図aのA部分を拡大して示す模式図である。図1aにおいて、表面実装型の電子デバイス100以下、水晶振動子100と表記するは実装基板200に搭載される。電子デバイス100の腹面実装面には複数の実装端子5が設けられており、実装基板200の主面実装面には、実装端子と対応する複数のランドパターン、すなわち端子パッド9が形成されている。この実装基板200側の端子パッド9の表面外面は全て平坦面となっている。一方、水晶振動子100側の実装端子5には、図1bに示したように、その中心部に小孔10が形成されている。小孔10は実装端子5を水晶振動子100の容器本体方向に貫通して当該容器本体の表面に達している。本実施例では、図1bに実線で示した水晶振動子100の実装端子5は基板200の端子パッド9より小さく図示されており、これが一般的である。しかし、端子パッド9よりも実装端子5の方が大きいものもある。この種の電子デバイスの搭載機器基板への実装は、当該実装基板200の端子パッド9に半田膜12を塗布しておき、この端子パッド9に電子デバイス100を、その実装端子5が端子パッド9の位置と一致するよう位置づけした状態で加熱炉、あるいはホットプレートを用いてリフロー処理を施す。リフロー工程において、半田膜12が溶融して電子デバイス100の実装端子5の表面にも濡れ広がり、端子パッド9との間に半田膜が満たされる。その後、半田膜が冷えて硬化することで電子デバイス100が基板200に実装される。この半田リフロー工程において、半田膜に含まれる溶剤が気化して当該半田膜中に気泡が発生する。この気泡は溶融した半田膜中を端子パッド9の中心方向に移動し、端子パッド9に設けた小孔10に停留する。リフロー工程の後段で半田膜12が冷える過程で気泡8は縮小し、気泡のあった部分にボイド80が形成された状態で半田膜は硬化する。図1cは同aのA部分を拡大して示す模式図である。前記したように、半田リフロー工程で溶融した半田は端子パッド9の表面の略全域を覆うと共に、実装端子5の表面を小孔10の周りを迂回するように流動して端子パッド9の表面と実装端子5の間に充填される。小孔10の底面電子デバイスの容器本体の表面は溶融半田に対する濡れ性が低いため、小孔10の底面には半田は流れ込み難い。そのため、気泡が端子パッド9の表面に接していても、半田は、この接した部分の気泡と端子パッド9の間に存在する。その結果、気泡は小孔10の水晶振動子100側に寄って停留する。半田の温度が低下し、半田膜12が冷えて硬化したとき、気泡が存在する部分にボイド空間80が形成される。半田膜の温度低下に伴って気泡は縮小し、半田膜は端子パッド9の矢印Bで示した領域にも存在したままとなる。ボイド80は端子パッド9から離れるように水晶振動子100側に寄って形成され、元の気泡よりも小さく、かつ水晶振動子側に形成され、結果としてこの部分にボイドが形成される。なお、小孔10は丸穴に限るものではなく、三角形以上の多角形とすることも可能であるが、角はなるべく鈍角とするのが望ましい。図1cには、ボイド80が実装端子5よりも端子パッド9側に大きく張り出しているように図示されているが、このボイド80は実装端子5の表面よりも低い位置に形成される場合もある。図2は、本発明における電子デバイスの一例である水晶振動子の説明図である。図2aは一部を断面で示す側面図、同図bは実装面である腹面を示す平面図である。この水晶振動子100は平面視が矩形の容器本体1の内部空間凹部、キャビティとも称するに水晶振動片2が設置されている。容器本体1は多層のセラミック基板からなり、実装面である背面に4個の実装端子55a、5b、5c、5dが設けられている。実装端子5は水晶振動子の外部端子とも称し、この水晶振動子が搭載される機器の実装基板に形成された端子パッド9に半田膜のリフロー処理で接合される。半田パッド9は実装基板に形成された配線回路パターンに接続するランドパターンとも称する部分である。実装端子55a、5b、5c、5dには、前記した小孔1010a、10b、10c、10dが形成されている。容器本体1は底壁1a、枠壁1bの積層体であり、枠壁1bで囲まれた凹部1cの内底面に設けた水晶端子図示せずに導電性接着剤44a,4bで固定される。水晶振動片2を取り付けた凹部1cは、金属膜6を介して金属板からなる蓋体7の固定で密封される。なお、図2bで、実装端子5cにのみ向き識別部50が形成されている。この向き識別部50は、水晶振動子100を自動機で実装する際の実装時の向きを識別する指標である。図3は、本発明における電子デバイスの一例である水晶振動子を構成する水晶振動片の構成例の説明図である。水晶振動片2は、略矩形の薄い水晶片20の表裏に励振電極22a,2bを形成してある。励振電極22a,2bは引出電極33a,3bで水晶振動片2の一端に引き出されている。この端部で前記した導電性接着剤44a,4bを用いて凹部1cの内底面に設けた水晶端子に固定される。実施例1によれば、実装基板200に形成された端子パッド9と水晶振動子100の実装端子5の間に介在して両者を接合する半田膜12は、実装端子5に設けた小孔10の位置でも端子パッド9の表面に存在する。したがって、電子デバイスの実装端子に小孔を形成しても、両者の接合面積の減少は少なく、接合強度に大幅な低下はない。これに加えて、小孔を実装端子の中心部に形成したことで、外力印加や温度ストレスによる接続領域の接合強度のバランス崩れが抑制され、クラックの発生、電子デバイスの接続不良などが回避される。図4は、本発明に係る電子デバイスの実施例2を説明する実装端子の要部を示す平面図である。実施例2は電子デバイスの一例である水晶振動子100の実装端子に設ける小孔10を複数個としたものである。図4aは実装端子55a、5b、5c、5dの内側に9個の小孔を形成したものであり、同bは実装端子55a、5b、5c、5dの内側に5個の小孔を形成したものである。なお、図4abには、実装端子5aのみを示し、また小孔10aのみを示してある。この実施例では、水晶振動子100の実装端子55a、5b、5c、5dは、その各中心部分には小孔1010a、10b、10c、10dがバランスよく配置して形成されている。そして、これらの小孔のうちの一個は実装端子5の中心部に設けるのが望ましい。さらに、中央に位置する小孔を他の小孔より大きくする等のバリエーションを施すことも可能である。実施例2のその他の工程及び構成は実施例1とほぼ同様なので、説明は省略する。実施例2によっても、実装基板200に形成された端子パッド9と水晶振動子100の実装端子5の間に介在して両者を接合する半田膜12は、実装端子5に設けた小孔10の位置でも端子パッド9の全表面に存在する。したがって、電子デバイスの実装端子に複数の小孔を形成しても、両者の接合面積の減少は比較的少なく、接合強度に大幅な低下はない。そのため、外力印加や温度ストレスによる接合領域のクラックや接合強度の低下が抑制され、水晶振動子の実装不良などの発生が回避される。図6は、本発明に係る電子デバイスの実施例3を説明する実装端子の要部を示す平面図である。実施例3では、水晶振動子100の実装端子55a、5b、5c、5dには、その各中心部分には十字形の小孔10を形成した。十字形の腕を外側に向けて漸次細めて略星形としてもよい。図6に示した十字形の小孔10は説明のために比較的大きく示してあるが、実際には実装端子5に対するサイズは図示の相対的サイズよりも小さい。何れの場合も各角部はなるべく鈍角とするのが望ましい。実施例3のその他の工程及び構成は実施例1、2とほぼ同様なので、説明は省略する。実施例3によっても、実装基板200に形成された端子パッド9と水晶振動子100の実装端子5の間に介在して両者を接合する半田膜12は、実装端子5に設けた小孔10の位置でも端子パッド9の全表面に存在する。したがって、電子デバイスの実装端子に複数の小孔を形成しても、両者の接合面積の減少は比較的少なく、接合強度に大幅な低下はない。そのため、外力印加や温度ストレスによる接合領域のクラックや接合強度の低下が抑制され、水晶振動子の実装不良などの発生が回避される。"