"放射線源から照射された前記放射線を通過させて第1の周期パターン像を生成する第1の格子と、前記第1の周期パターン像に対して強度変調を与えて第2の周期パターン像を生成する強度変調手段と、前記第2の周期パターン像を検出して画像データを生成する放射線画像検出器と、前記放射線源と前記放射線画像検出器との間に、格子パターンが前記第1の格子の格子パターンと直交するように配置された散乱線除去グリッドと、前記画像データに基づいて位相微分像を生成する位相微分像生成手段と、を備えることを特徴とする放射線撮影システム。前記散乱線除去グリッドを前記第1の格子の格子パターンと直交する方向に往復動させる往復動手段を備えることを特徴とする請求項1に記載の放射線撮影システム。前記散乱線除去グリッドは、前記放射線源の焦点に対して指向性を有する集束グリッドであることを特徴とする請求項1または2に記載の放射線撮影システム。前記放射線画像検出器により生成される画像データに対して積分処理を施すことにより位相コントラスト画像を生成する位相コントラスト画像生成手段を備えることを特徴とする請求項1から3いずれか1項に記載の放射線撮影システム。前記強度変調手段は、前記第1の周期パターン像に対して位相が異なる複数の相対位置で強度変調を与えて複数の第2の周期パターン像を生成し、前記放射線画像検出器は、前記各第2の周期パターン像を検出して複数の画像データを生成し、前記位相微分像生成手段は、前記複数の画像データに基づき、前記相対位置に対する画素データの強度変化を表す強度変調信号の位相ズレ量を算出することにより前記位相微分像を生成することを特徴とする請求項1から4いずれか1項に記載の放射線撮影システム。前記強度変調手段は、前記第1の周期パターン像と同一方向の周期パターンを有する第2の格子と、前記第1及び第2の格子のいずれか一方を所定のピッチで移動させる走査手段とからなることを特徴とする請求項1から5いずれか1項に記載の放射線撮影システム。前記散乱線除去グリッドは、前記第1の格子と前記第2の格子との間に配置されていることを特徴とする請求項6に記載の放射線撮影システム。前記第1の格子は位相型格子であり、前記第1の格子は、タルボ干渉効果により、前記放射線源からの放射線を前記第1の周期パターン像として前記第2の格子の位置に形成することを特徴とする請求項6または7に記載の放射線撮影システム。前記放射線画像検出器は、放射線を電荷に変換する変換層と、前記変換層において変換された電荷を収集する電荷収集電極とを画素ごとに備えた放射線画像検出器であって、前記電荷収集電極は、前記第1の周期パターン像と同一方向の周期パターンを有する複数の線状電極群が、互いに位相が異なるように配列されてなり、前記強度変調手段は、前記電荷収集電極により構成されていることを特徴とする請求項1から5いずれか1項に記載の放射線撮影システム。しかしながら、特許文献2に記載のように第2の回折格子を散乱線除去グリッドとして作用させたとしても、この第2の回折格子はその格子線の配列パターン方向に対しては散乱線除去の効果を有するが、格子線の配列パターン方向に直交する方向格子線方向に対しては散乱線除去の効果が得られないといった問題がある。本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、格子を用いて位相イメージングを行う放射線撮影システムにおいて、散乱線を効率よく除去し、高品質な位相コントラスト画像を得ることができる放射線撮影システムを提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の放射線撮影システムは、放射線源から照射された前記放射線を通過させて第1の周期パターン像を生成する第1の格子と、前記第1の周期パターン像に対して強度変調を与えて第2の周期パターン像を生成する強度変調手段と、前記第2の周期パターン像を検出して画像データを生成する放射線画像検出器と、前記放射線源と前記放射線画像検出器との間に、格子パターンが前記第1の格子の格子パターンと直交するように配置された散乱線除去グリッドと、前記画像データに基づいて位相微分像を生成する位相微分像生成手段と、を備える。本発明の放射線撮影システムは、前記散乱線除去グリッドを前記第1の格子の格子パターンと直交する方向に往復動させる往復動手段をさらに備える。前記散乱線除去グリッドは、前記放射線源の焦点に対して指向性を有する集束グリッドである。本発明の放射線撮影システムは、前記放射線画像検出器により生成される画像データに対して積分処理を施すことにより位相コントラスト画像を生成する位相コントラスト画像生成手段をさらに備える。前記強度変調手段は、前記第1の周期パターン像に対して位相が異なる複数の相対位置で強度変調を与えて複数の第2の周期パターン像を生成し、前記放射線画像検出器は、前記各第2の周期パターン像を検出して複数の画像データを生成し、前記位相微分像生成手段は、前記複数の画像データに基づき、前記相対位置に対する画素データの強度変化を表す強度変調信号の位相ズレ量を算出することにより前記位相微分像を生成する。前記強度変調手段は、前記第1の周期パターン像と同一方向の周期パターンを有する第2の格子と、前記第1及び第2の格子のいずれか一方を所定のピッチで移動させる走査手段とからなる。前記散乱線除去グリッドは、前記第1の格子と前記第2の格子との間に配置されている。前記第1の格子は位相型格子であり、前記第1の格子は、タルボ干渉効果により、前記放射線源からの放射線を前記第1の周期パターン像として前記第2の格子の位置に形成する。前記放射線画像検出器は、放射線を電荷に変換する変換層と、前記変換層において変換された電荷を収集する電荷収集電極とを画素ごとに備えた放射線画像検出器であって、前記電荷収集電極は、前記第1の周期パターン像と同一方向の周期パターンを有する複数の線状電極群が、互いに位相が異なるように配列されてなり、前記強度変調手段は、前記電荷収集電極により構成されたものであってもよい。本発明の放射線撮影システムは、格子パターンが第1の格子の格子パターンと直交するように配置された散乱線除去グリッドを備えるため、散乱線を効率よく除去し、高品質な位相コントラスト画像を得ることができる。また、散乱線除去グリッドを、第1の格子と第2の格子との間に配置することにより、撮影部の大型化を招くことなく、散乱線除去グリッドを設置することができる。図1において、本発明の第1実施形態に係るX線撮影システム10は、被検体HにX線を照射するX線源11と、X線源11に対向配置され、X線源11から被検体Hを透過したX線を検出して画像データを生成する撮影部12と、撮影部12から読み出された画像データを記憶するメモリ13と、メモリ13に記憶される複数の画像データを画像処理して位相コントラスト画像を生成する画像処理部14と、画像処理部14により生成された位相コントラスト画像が記録される画像記録部15と、X線源11及び撮影部12の制御を行う撮影制御部16と、操作部やモニタからなるコンソール17と、コンソール17から入力される操作信号に基づいてX線撮影システム10の全体を統括的に制御するシステム制御部18とから構成されている。X線源11は、高電圧発生器、X線管、コリメータいずれも図示せず等から構成されており、撮影制御部16の制御に基づいて、被検体HにX線を照射する。例えば、X線管は、回転陽極型であり、高電圧発生器からの電圧に応じて、フィラメントから電子線を放出し、所定の速度で回転する回転陽極に電子線を衝突させることによりX線を発生する。回転陽極は、電子線が固定位置に当り続けることによる劣化を軽減するために回転しており、電子線の衝突部分が、X線を放射するX線焦点となっている。また、コリメータは、X線管から発せられたX線のうち、被検体Hの検査領域に寄与しない部分を遮蔽するように照射野を制限するものである。撮影部12には、半導体回路からなるフラットパネル検出器FPD20、被検体HによるX線の位相変化角度変化を検出し位相イメージングを行うための第1の吸収型格子21及び第2の吸収型格子22が設けられている。FPD20は、X線源11から照射されるX線の光軸Aに沿う方向以下、z方向いうに検出面が直交するように配置されている。第1の吸収型格子21は、z方向に直交する面内の一方向以下、y方向というに延伸した複数のX線遮蔽部21aが、不図示のX線透過性基板上に、z方向及びy方向に直交する方向以下、x方向というに所定のピッチp1で配列されたものである。同様に、第2の吸収型格子22は、y方向に延伸した複数のX線遮蔽部22aが、不図示のX線透過性基板上にx方向に所定のピッチp2で配列されたものである。格子ピッチp1,p2は、2~20μm程度である。なお、X線遮蔽部21a,22aの材料としては、X線吸収性に優れる金属が好ましく、例えば、金や鉛等が好ましい。また、撮影部12には、第2の吸収型格子22を格子線方向y方向に直交する方向x方向に並進移動させることにより、第1の吸収型格子21に対する第2の吸収型格子22との相対位置を変化させる走査機構23が設けられている。走査機構23は、例えば、圧電素子等のアクチュエータにより構成される。走査機構23は、後述する縞走査の際に、撮影制御部16の制御に基づいて駆動されるものである。詳しくは後述するが、メモリ13には、縞走査の各走査ステップで撮影部12により得られる画像データがそれぞれ記憶される。なお、第2の吸収型格子22と走査機構23とが特許請求の範囲に記載の強度変調手段を構成している。また、撮影部12には、第1の吸収型格子21と第2の吸収型格子22との間に、散乱線除去グリッド24が配設されている。散乱線除去グリッド24は、x方向に延伸した複数のX線吸収部24aがy方向に所定のピッチp3で配列されたものであり、X線吸収部24aは、X線を吸収する鉛等で形成されている。すなわち、散乱線除去グリッド24の格子パターンは、第1及び第2の吸収型格子21,22の格子パターンと直交している。また、散乱線除去グリッド24は、図2に示すように、X線吸収部24aがX線焦点11aの方に向いて傾斜した集束グリッドであり、X線焦点11aに対して指向性を有している。隣り合うX線吸収部24aの間には、樹脂等からなるX線透過部24bが介設されており、ピッチp3は、一般的な散乱線除去グリッドと同程度約160μmである。さらに、撮影部12には、散乱線除去グリッド24を、第1及び第2の吸収型格子21,22とは独立して、y方向に往復動揺動させる往復動装置25が設けられている。往復動装置25は、散乱線除去グリッド24に、いわゆるブッキー動作を行わせるものであり、散乱線除去グリッド24によってFPD20の検出面に固定的なX線非照射領域固定的な影が生じることを防止する。画像処理部14は、縞走査の各走査ステップで撮影部12により撮影され、メモリ13に記憶された複数の画像データに基づき、位相微分像を生成する位相微分像生成部26と、位相微分像をx方向に沿って積分することにより、位相コントラスト画像を生成する位相コントラスト画像生成部27とを備える。位相コントラスト画像生成部27により生成された位相コントラスト画像は、画像記録部15に記録された後、コンソール17に出力されてモニタ図示せずに表示される。コンソール17は、モニタの他、操作者が撮影指示やその指示内容を入力する入力装置図示せずを備えている。この入力装置としては、例えば、スイッチ、タッチパネル、マウス、キーボード等が用いられる。入力装置の操作により、X線管の管電圧、管電流、X線照射時間等のX線撮影条件、撮影タイミング等が入力される。モニタは、液晶ディスプレイやCRTディスプレイからなり、X線撮影条件等の文字や、上記位相コントラスト画像を表示する。図3において、FPD20は、X線を電荷に変換して蓄積する複数の画素40が、x方向及びy方向に沿ってアクティブマトリクス基板上に2次元配列されてなる受像部41と、受像部41からの電荷の読み出しタイミングを制御する走査回路42と、各画素40に蓄積された電荷を読み出し、電荷を画像データに変換して記憶する読み出し回路43とから構成されている。なお、走査回路42と各画素40とは、行毎に走査線44によって接続されており、読み出し回路43と各画素40とは、列毎に信号線45によって接続されている。画素40の配列ピッチは、x方向及びy方向にそれぞれ100μm程度である。画素40は、アモルファスセレン等の変換層図示せずによりX線を電荷に直接変換し、変換された電荷を変換層の下部の電極に接続されたキャパシタ図示せずに蓄積する直接変換型のX線検出素子として構成することができる。各画素40には、TFTスイッチ図示せずが接続され、TFTスイッチのゲート電極が走査線44、ソース電極がキャパシタ、ドレイン電極が信号線45に接続される。走査回路42からの駆動パルスによってTFTスイッチがON状態になると、キャパシタに蓄積された電荷が信号線45に読み出される。なお、画素40は、酸化ガドリニウムGd2O3やヨウ化セシウムCsI等からなるシンチレータ図示せずでX線を一旦可視光に変換し、変換された可視光をフォトダイオード図示せずで電荷に変換して蓄積する間接変換型のX線検出素子として構成することも可能である。また、本実施形態では、放射線画像検出器としてTFTパネルをベースとしたFPDを用いているが、これに限られず、CCDセンサやCMOSセンサ等の固体撮像素子をベースとした各種の放射線画像検出器を用いることも可能である。読み出し回路43は、積分アンプ、補正回路、A/D変換器いずれも図示せず等により構成されている。積分アンプは、各画素40から信号線45を介して出力された電荷を積分して電圧信号画像信号に変換する。A/D変換器は、積分アンプにより変換された画像信号を、デジタルの画像データに変換する。補正回路は、画像データに対して、オフセット補正、ゲイン補正、及びリニアリティ補正等を行い、補正後の画像データをメモリ13に入力する。図4において、第1の吸収型格子21のX線遮蔽部21aは、x方向に所定のピッチp1で、互いに所定の間隔d1を空けて配列されている。同様に、第2の吸収型格子22のX線遮蔽部22aは、x方向に所定のピッチp2で、互いに所定の間隔d2を空けて配列されている。第1及び第2の吸収型格子21,22は、入射X線に位相差を与えるものでなく、強度差を与えるものであり、振幅型格子とも称される。なお、スリット部上記間隔d1,d2の領域は空隙でなくてもよく、高分子や軽金属等のX線低吸収材が介装されたものであってもよい。同図は、散乱線除去グリッド24のX線透過部24bを通る断面を示している。第1及び第2の吸収型格子21,22は、スリット部を通過したX線を線形的幾何光学的に投影するように構成されている。具体的には、間隔d1,d2を、X線源11から照射されるX線のピーク波長より十分大きな値とすることで、照射X線に含まれる大部分のX線をスリット部で回折させずに、直進性を保ったまま通過するように構成する。例えば、前述のX線管の回転陽極としてタングステンを用い、管電圧を50kVとした場合には、X線のピーク波長は、約0.4Åである。この場合には、間隔d1,d2を、1~10μm程度とすれば、スリット部で大部分のX線が回折されずに線形的に投影される。X線源11から照射されるX線は、平行ビームではなく、X線焦点11aを発光点としたコーンビームであるため、第1の吸収型格子21を通過することにより形成される第1の周期パターン像以下、G1像というは、X線焦点11aからの距離に比例して拡大される。第2の吸収型格子22の格子ピッチp2及び間隔d2は、そのスリット部が、第2の吸収型格子22の位置におけるG1像の明部の周期パターンとほぼ一致するように決定されている。すなわち、X線焦点11aから第1の吸収型格子21までの距離をL1、第1の吸収型格子21から第2の吸収型格子22までの距離をL2とした場合に、格子ピッチp2及び間隔d2は、次式1及び2の関係を満たすように決定される。第1の吸収型格子21から第2の吸収型格子22までの距離L2は、タルボ干渉計の場合には、第1の回折格子の格子ピッチとX線波長とで決まるタルボ干渉距離に制約されるが、本実施形態の撮影部12では、第1の吸収型格子21が入射X線を回折させずに投影する構成であって、第1の吸収型格子21のG1像が、第1の吸収型格子21の後方のすべての位置で相似的に得られるため、該距離L2を、タルボ干渉距離と無関係に設定することができる。上記のように本実施形態の撮影部12は、タルボ干渉計を構成するものではないが、第1の吸収型格子21でX線の回折が生じ、タルボ干渉効果が生じていると仮定した場合のタルボ干渉距離Zは、第1の吸収型格子21の格子ピッチp1、X線波長ピーク波長λ、及び正の整数mを用いて、次式3で表される。本実施形態では、前述のように距離L2をタルボ干渉距離と無関係に設定することができるため、撮影部12のz方向への薄型化を目的とし、距離L2を、m=1の場合の最小のタルボ干渉距離Zより短い値に設定する。すなわち、距離L2は、次式4を満たす範囲の値に設定される。X線遮蔽部21a,22aは、コントラストの高い周期パターン像を生成するためには、X線を完全に遮蔽吸収することが好ましいが、上記したX線吸収性に優れる材料金、鉛等を用いたとしても、吸収されずに透過するX線が少なからず存在する。このため、X線の遮蔽性を高めるためには、X線遮蔽部21a,22aのそれぞれの厚みz方向の厚さをできるだけ厚くすることすなわち、アスペクト比を高めることが好ましい。例えば、X線管の管電圧が50kVの場合に、照射X線の90以上を遮蔽することが好ましく、この場合には、X線遮蔽部21a,22aの厚みは、金Au換算で30μm以上であることが好ましい。以上のように構成された第1及び第2の吸収型格子21,22では、第1の吸収型格子21により生成されたG1像が第2の吸収型格子22との重ね合わせにより部分的に遮蔽され、強度変調されることにより、第2の周期パターン像以下、G2像というが生成される。このG2像はFPD20によって撮像される。第2の吸収型格子22の位置におけるG1像のパターン周期と、第2の吸収型格子22の格子ピッチp2とは、製造誤差や配置誤差により若干の差異が生じており、この微小な差異により、G2像にはモアレ縞が生じる。X線源11と第1の吸収型格子21との間に被検体Hを配置すると、FPD20により検出されるG2像は、被検体Hにより変調を受ける。この変調量は、被検体Hによる屈折効果によって偏向したX線の角度に比例する。したがって、FPD20で検出されたG2像を解析することによって、被検体Hの位相コントラスト画像を生成することができる。次に、G2像の解析方法について説明する。同図には、被検体Hのx方向に関する位相シフト分布Φxに応じて屈折される1つのX線が例示されている。符号50は、被検体Hが存在しない場合に直進するX線の経路を示している。この経路50を進むX線は、第1及び第2の吸収型格子21,22を通過してFPD20に入射する。符号51は、被検体Hが存在する場合に、被検体Hにより屈折されて偏向したX線の経路を示している。この経路51を進むX線は、第1の吸収型格子21を通過した後、第2の吸収型格子22のX線遮蔽部22aにより遮蔽される。被検体Hの位相シフト分布Φxは、被検体Hの屈折率分布をnx,z、zをX線の進む方向として、次式5で表される。第1の吸収型格子21から第2の吸収型格子22の位置に投影されたG1像は、被検体HでのX線の屈折により、その屈折角φに応じた量だけx方向に変位することになる。この変位量Δxは、X線の屈折角φが微小であることに基づいて、近似的に次式6で表される。ここで、屈折角φは、X線波長λと被検体Hの位相シフト分布Φxを用いて、次式7で表される。このように、被検体HでのX線の屈折によるG1像の変位量Δxは、被検体Hの位相シフト分布Φxに関連している。そして、この変位量Δxは、FPD20で検出される各画素40の強度変調信号の位相ズレ量ψ被検体Hがある場合とない場合とでの各画素40の強度変調信号の位相のズレ量に、次式8のように関連している。したがって、各画素40の強度変調信号の位相ズレ量ψを求めることにより、式8から屈折角φが求まり、式7を用いて位相シフト分布Φxの微分量が求まるから、これをxについて積分することにより、被検体Hの位相シフト分布Φx、すなわち被検体Hの位相コントラスト画像を生成することができる。本実施形態では、上記位相ズレ量ψを、下記に示す縞走査法を用いて算出する。縞走査法では、第1及び第2の吸収型格子21,22の一方を他方に対して相対的にx方向に並進移動させながら撮影を行うすなわち、両者の格子周期の位相を変化させながら撮影を行う。本実施形態では、前述の走査機構23により第2の吸収型格子22を移動させる。G2像に生じるモアレ縞は、第2の吸収型格子22の移動に伴って移動し、並進距離x方向への移動量が、第2の吸収型格子22の格子周期の1周期格子ピッチp2に達するとすなわち、位相変化が2πに達すると、元の位置に戻る。このように、格子ピッチp2の整数分の1ずつ第2の吸収型格子22を移動させながら、FPD20でG2像を撮影する。撮影により得られた複数の画像データから各画素の強度変調信号を取得し、前述の画像処理部14内の位相微分像生成部26で演算処理することにより、各画素の強度変調信号の位相ズレ量ψが得られる。この位相ズレ量ψの2次元分布が位相微分像に相当する。図5は、格子ピッチp2をM2以上の整数個に分割した走査ピッチp2/Mずつ第2の吸収型格子22を移動させる様子を模式的に示している。走査機構23は、k=0,1,2,,M-1のM個の各走査位置に、第2の吸収型格子22を順に並進移動させる。なお、同図では、第2の吸収型格子22の初期位置を、被検体Hが存在しない場合における第2の吸収型格子22の位置でのG1像の暗部が、X線遮蔽部22aにほぼ一致する位置k=0としているが、この初期位置は、k=0,1,2,,M-1のうちいずれの位置としてもよい。まず、k=0の位置では、主として、被検体Hにより屈折されなかったX線の成分非屈折成分が第2の吸収型格子22を通過する。次に、k=1,2,と順に第2の吸収型格子22を移動させていくと、第2の吸収型格子22を通過するX線は、非屈折成分が減少する一方で、被検体Hにより屈折されたX線の成分屈折成分が増加する。特に、k=M/2の位置では、主として、屈折成分のみが第2の吸収型格子22を通過する。k=M/2の位置を超えると、逆に、第2の吸収型格子22を通過するX線は、屈折成分が減少する一方で、非屈折成分が増加する。k=0,1,2,,M-1の各位置で、FPD20により撮影を行い画像データを生成すると、各画素40について、M個の画素データが得られる。以下に、このM個の画素データから各画素40の強度変調信号の位相ズレ量ψを算出する方法を説明する。第2の吸収型格子22の位置kにおける各画素40の画素データIkxは、一般に次式9で表される。ここで、xは画素のx方向に関する座標、A0は入射X線の強度、Anは強度変調信号のコントラストに対応する値、nは正の整数、iは虚数単位である。また、φxは、上記屈折角φを画素40の座標xの関数として表したものである。次いで、次式10の関係式を用いると、上記屈折角φxは、式11のように表される。ここで、arg[]は、偏角の抽出を意味しており、上記位相ズレ量ψに対応する。したがって、各画素40で得られたM個の画素データで表される強度変調信号から、式11に基づいて位相ズレ量ψを算出することにより、屈折角φxが求まり、位相シフト分布Φxの微分量が求まる。具体的には、図6に示すように、強度変調信号は、第2の吸収型格子22の位置kに対して、格子ピッチp2の周期で周期的に変化する。同図中の破線は、被検体Hが存在しない場合の強度変調信号を示しており、同図中の実線は、被検体Hが存在する場合の強度変調信号を示している。この両者の波形の位相差が上記位相ズレ量ψに対応する。以上の説明では、画素40のy方向に関するy座標を考慮していないが、各y座標について同様の演算を行うことにより、x方向及びy方向に関する2次元的な位相ズレの分布ψx,yが得られる。この位相ズレの分布ψx,yが位相微分像に対応する。この位相微分像は、位相コントラスト画像生成部27に入力される。位相コントラスト画像生成部27は、入力された位相微分像をx軸に沿って積分することにより、被検体Hの位相シフト分布Φx,yを生成し、これを位相コントラスト画像として画像記録部15に記録する。次に、往復動装置25による散乱線除去グリッド24のブッキー動作について説明する。往復動装置25は、走査機構23による各走査位置kにおいて行われる各撮影期間中、散乱線除去グリッド24をy方向に往復動させる。具体的には、往復動作装置25は、一撮影期間中に散乱線除去グリッド24を、X線吸収部24aの配列ピッチp3に対して十分大きい距離例えば1cmを移動させる。この移動距離を、配列ピッチp3の整数倍とすることがより好ましい。また、1撮影期間中に、散乱線除去グリッド24のブッキーの折り返し動作往路から復路へ転じる動作、またはその逆の動作は基本的には行われないことが好ましい。これは、折り返し動作の加減速時に、散乱線除去グリッド24が局在状態となり、画質に影響を与え得るためである。しかし、撮影時間が長い場合には、折り返し動作を行わないようにするには、散乱線除去グリッド24を極めて低速で移動させなければならないが、このように散乱線除去グリッド24を低速で移動させる制御は一般的に難しく、速度ムラが生じる。この場合、逆に、速度ムラが画質に影響を与えることになる。したがって、撮影時間が長い場合には、乱線除去グリッド24の移動速度を下げずに、折り返し動作を行う方が画質に対する影響が小さくなることがあるため、このような場合には、撮影期間中に折り返し動作を行うことを許容してもよい。上記のブッキー動作により、散乱線除去グリッド24によりFPD20の検出面にX線非照射領域影は、1撮影期間中に該検出面上を均等に移動することになるため、画素値には、散乱線除去グリッド24による強度差は生じない。また、ブッキー動作の方向が、第2の吸収型格子22の走査方向x方向に直交するy方向であるため、xの関数として得られる位相ズレ量ψの検出に影響を及ぼすことはない。このように、各走査位置kにおいて行われる1撮影期間中に、散乱線除去グリッド24をy方向にブッキー動作させることで、図7に示すように、被検体Hの内部での散乱現象により、被検体Hの位相シフト分布Φx,yとは無関係に偏向されたX線散乱X線が、X線吸収部24aにより効果的に除去吸収される。以上のように構成されたX線撮影システム10では、X線源11とFPD20との間に被検体Hを配した状態で、操作者により、撮影指示がコンソール17から入力されると、撮影制御部16により撮影部12の各部が制御され、第2の吸収型格子22を第1の吸収型格子21に対して移動させながら、各走査位置で、X線源11による曝射及びFPD20による検出動作が行われる。このとき、往復動装置25により、散乱線除去グリッド24のブッキー動作が行われる。X線源11による各曝射期間中撮影期間中に、上記走査方向と直交する方向にブッキー動作が行われるため、位相ズレ量ψの検出を妨げることなく、散乱X線の除去が行われる。この結果、画像処理部14により高品質な位相コントラスト画像が得られ、画像記録部15を介してモニタに表示される。なお、上記実施形態では、撮影部12の薄型化のために、所定の間隔をおいて配置される第1の吸収型格子21と第2の吸収型格子22との間に散乱線除去グリッド24を配置しているが、これに限られず、散乱線除去グリッド24を、X線源11と第1の吸収型格子21との間や、第2の吸収型格子22とFPD20との間に配置することも可能である。散乱除去の効果の観点からは、第2の吸収型格子22とFPD20との間、すなわちFPD20の直前に散乱線除去グリッド24を配置することが好ましい。また、上記実施形態では、散乱線除去グリッド24を往復動装置25によりブッキー動作させているが、この往復動装置25を設けずに、散乱線除去グリッド24を固設してもよい。この場合には、FPD20のいずれの画素40もX線吸収部24aにより完全に遮蔽されることがないように、X線吸収部24aの配列ピッチp3を、画素40のy方向に関する配列ピッチより短くする必要がある。さらに、各画素40へのX線の入射量を均一化するために、X線吸収部24aの配列ピッチp3の整数倍が、画素40のy方向に関する配列ピッチに一致するようにすることが好ましい。また、上記のように往復動装置25を設けない場合には、散乱線除去グリッド24を第2の吸収型格子22と一体化し、正方格子状の第2の吸収型格子を設けることも好ましい。また、上記実施形態では、X線源11からFPD20までの距離を長くした場合に、X線焦点11aの焦点サイズ一般的に0.1mm~1mm程度によるG1像のボケが影響し、位相コントラスト画像の画質の低下をもたらす恐れがあるため、X線焦点11aの直後にマルチスリット線源格子を配置してもよい。このマルチスリットは、第1及び第2の吸収型格子21,22と同様な構成の吸収型格子であり、一方向本実施形態では、y方向に延伸した複数のX線遮蔽部が、第1及び第2の吸収型格子21,22のX線遮蔽部21a,22aと同一方向本実施形態では、x方向に周期的に配列されたものである。このマルチスリットは、X線源11からのX線を部分的に遮蔽してx方向に関する実効的な焦点サイズを縮小するとともに、x方向に多数の点光源分散光源を形成することにより、G1像のボケを抑制する。また、上記実施形態では、第1の吸収型格子21を、そのスリット部を通過したX線をG1像として線形的に投影するように構成しているが、本発明はこの構成に限定されるものではなく、スリット部でX線を回折することにより、いわゆるタルボ干渉効果が生じる国際公開WO2004/058070号公報等に記載の構成としてもよい。ただし、この場合には、第1及び第2の吸収型格子21,22の間の距離L2をタルボ干渉距離に設定する必要がある。また、この場合には、第1の吸収型格子21に代えて、位相型格子位相型回折格子を用いることが可能であり、第1の吸収型格子21に代えて用いた位相型格子は、タルボ干渉効果により生じるG1像自己像を、第2の吸収型格子22の位置に形成する。位相型格子と吸収型格子との差異は、X線高吸収材X線遮蔽部の厚さのみであり、X線遮蔽部の厚さは、吸収型格子の場合にAu換算で約30μm以上と設定されるのに対し、位相型格子の場合には、1μm~5μm程度に設定される。位相型格子は、X線高吸収材が、X線源11から照射されるX線に対して所定量πまたはπ/2の位相変調を与えることにより、タルボ干渉効果を発生させてG1像自己像を生成するものである。さらに、上記実施形態では、被検体HをX線源11と第1の吸収型格子21との間に配置しているが、被検体Hを第1の吸収型格子21と第2の吸収型格子22との間に配置した場合にも同様に位相コントラスト画像の生成が可能である。次に、X線画像検出器の変形例を説明する。上記各実施形態では、第2の吸収型格子22とFPD20とが独立して設けられているが、FPD20に代えて、特開平2009-133823号公報に開示された構成のX線画像検出器を用いることにより、第2の吸収型格子22を排することができる。このX線画像検出器は、X線を電荷に変換する変換層と、変換層において変換された電荷を収集する電荷収集電極とを備えた直接変換型のX線画像検出器において、各画素の電荷収集電極が、一定の周期で配列された線状電極を互いに電気的に接続してなる複数の線状電極群を、互いに位相が異なるように配置することにより構成されており、電荷収集電極が特許請求の範囲に記載の強度変調手段を構成している。本変形例のX線画像検出器の構成を示す図8において、複数の画素60がx方向及びy方向に沿って一定のピッチで2次元配列されており、各画素60には、X線を電荷に変換する変換層によって変換された電荷を収集するための電荷収集電極61が形成されている。電荷収集電極61は、第1~第6の線状電極群62~67から構成されており、各線状電極群の線状電極の配列周期の位相がπ/3ずつずれている。具体的には、第1の線状電極群62の位相を0とすると、第2の線状電極群63の位相はπ/3、第3の線状電極群64の位相は2π/3、第4の線状電極群65の位相はπ、第5の線状電極群66の位相は4π/3、第6の線状電極群67の位相は5π/3である。さらに、各画素60には、電荷収集電極61により収集された電荷を読み出すためのスイッチ群68が設けられている。スイッチ群68は、第1~第6の線状電極群62~67のそれぞれに設けられたTFTスイッチからなる。第1~第6の線状電極群62~67により収集された電荷を、スイッチ群68を制御してそれぞれ個別に読み出すことによって、一度の撮影により、互いに位相の異なる6種類のG2像を検出することができる。この6種類のG2像に対応する複数の画像データに基づいて位相微分像を生成し、位相コントラスト画像を生成することができる。FPD20に代えて、上記構成のX線画像検出器を用いることにより、撮影部12から第2の吸収型格子22が不要となるため、コスト削減とともに、さらなる薄型化が可能となる。また、本実施形態では、一度の撮影により、異なる位相で強度変調が行われた複数のG2像を検出することが可能であるため、縞走査のための物理的な走査が不要となり、走査機構23を排することができる。なお、同図に示した電荷収集電極61に代えて、特開平2009-133823号公報に記載のその他の構成の電荷収集電極を用いることも可能である。また、第2の吸収型格子22を配置しない場合の別の実施形態として、X線画像検出器によりG1像を直接検出し、信号処理によって位相を変えながら周期的にサンプリングすることで、互いに位相の異なる複数のG2像に対応する画像データを生成することも可能である。さらに、上記各実施形態では、縞走査法により位相微分像を求めているが、本発明はこれに限定されず、国際公開WO2010/050483に記載されたフーリエ変換法により位相微分像を求めてもよい。このフーリエ変換法は、X線画像検出器により得られた1枚分の画像データをフーリエ変換することによって画像データに生じるモアレ縞のフーリエスペクトルを取得し、このフーリエスペクトルからキャリア周波数に対応したスペクトルを分離して逆フーリエ変換を行なうことにより位相微分像を得る方法である。この場合には、第1及び第2の吸収型格子21,22を移動させる必要がなく、走査機構23が不要となる。以上説明した第1及び第2実施形態は、医療診断用の放射線撮影システムのほか、工業用等のその他の放射線撮影システムに適用することが可能である。また、放射線として、X線以外に、ガンマ線等を用いることも可能である。"