"アコースティックエミッションにより振動する受波板と,前記受波板に光を送出する発光素子と前記受波板からの反射光を電気信号に変換する受光素子とが結合してなる複数の光送受ユニットと,前記複数の光送受ユニットの受光素子の出力を加算する加算部と,を具備し,前記複数の光送受ユニットの発光素子が前記受波板の中心近傍に配置されることを特徴とするアコースティックエミッション検出器。前記複数の光送受ユニットの個数が3以上であり,前記複数の光送受ユニットの発光素子の発光部が第1の円弧上に配置されることを特徴とする請求項1記載のアコースティックエミッション検出器。前記複数の光送受ユニットの発光素子の発光部が,前記受波板の中心から略等距離に配置されることを特徴とする請求項2記載のアコースティックエミッション検出器。前記複数の光送受ユニットの受光素子の受光部が,前記第1の円弧より径の大きい第2の円弧上に配置されることを特徴とする請求項2または3に記載のアコースティックエミッション検出器。本発明は,簡略な構造で効果的にアコースティックエミッションを検出できるアコースティックエミッション検出器を提供することを目的とする。一実施形態に係るアコースティックエミッション検出器は,アコースティックエミッションにより振動する受波板と,前記受波板に光を送出する発光素子と前記受波板からの反射光を電気信号に変換する受光素子とが結合してなる複数の光送受ユニットと,前記複数の光送受ユニットの受光素子の出力を加算する加算部と,を具備し,前記複数の光送受ユニットの発光素子が前記受波板の中心近傍に配置される。本発明によれば,簡略な構造で効果的にアコースティックエミッションを検出できるアコースティックエミッション検出器を提供できる。以下,図面を参照して,本実施の形態を詳細に説明する。第1の実施の形態図1は,第1の実施形態に係るAEセンサ100の模式図である。AEセンサ100は,アコースティックエミッションを検出するアコースティックエミッション検出器である。アコースティックエミッションは,固体が塑性変形や破壊する際に,固体内にひずみの形で蓄えられていたエネルギーが弾性波音波の形で放出される現象である。AEセンサ100は,アコースティックエミッションにより発生した音波を検出する。AEセンサ100は,ケース11,受波板12,フォトリフレクタ21a,21b,オペアンプ31,信号処理器32を有する。ケース11は,例えば,略円筒形状を有し,受波板12,フォトリフレクタ21a,21b,オペアンプ31,信号処理器32等をその内部に保持する。受波板12は,アコースティックエミッションにより振動する振動板である。受波板12は,略円板形状であり,ケース11の端部に固定例えば,溶接される。その結果,受波板12は,ケース11の内径r0においてアコースティックエミッションに対応して振動する振動領域。受波板12の中心近傍において,受波板12の振動の振幅が大きい。後述のように,受波板12の振動領域の径r0に対して,r1/r0=0.2以下となる径r1の領域Aを受波板12の中心近傍とする。フォトリフレクタ21aおよび21bはそれぞれ,受波板12に光を送出する発光素子と受波板12からの反射光を電気信号に変換する受光素子とが結合してなる複数の光送受ユニットである。フォトリフレクタ21aおよび21bは,受波板12に対向するように,図示しない保持部材で保持される。フォトリフレクタ21aおよび21bは,図2に示すように,例えば,縦:1.0mm×横:1.4mm×高さ:0.6mmの寸法を有し,LEDLightEmittingDiode25とPTフォトトランジスタPhotoTransistor26を結合領域27で結合して構成される。LED25は,受波板12に光を送出する発光素子である。PT26は,受波板12からの反射光を電気信号に変換する受光素子である。PT26に替えて,フォトダイオードを用いることも可能であるが,フォトダイオードよりもフォトトランジスタの方が高感度であることから,本実施形態ではフォトトランジスタを用いている。フォトリフレクタ21aおよび21bのLED25の発光部特に,発光部の中心251から受波板12に光が照射される。受波板12はLED25からの光を反射する。受波板12よりの反射光は,フォトリフレクタ21aおよび21bのPT26の受光部特に,受光部の中心261で受光され,電気信号に変換される。このとき,受波板12の微小変動に対応して,フォトリフレクタ21aおよび21bのPT26での受信信号が変化する。なお,フォトリフレクタ21aのLED25から出射された光を21bのPT26で受光しても良く,フォトリフレクタ21bのLED25から出射された光を21aのPT26で受光しても良い。オペアンプ31は,抵抗Ra,Rb,Rkに接続されて,加算増幅回路を構成する。この加算増幅回路は,複数の光送受ユニットの受光素子の出力を加算する加算部として機能する。フォトリフレクタ21aおよび21bのPT26の2つの出力を加算することで,SN比の向上が図れる。加算増幅回路は,AEセンサ100に内蔵されるプリアンプとしても機能する。信号処理器32は,加算増幅回路から出力される信号の出力を調整する増幅器である。信号処理器32からの出力複数のPT26の出力の加算増幅した出力の交流成分が受波板12の振動を反映した信号成分である。この交流成分の検出により,受波板12の振動,ひいてはアコースティックエミッションの検出が可能となる。図3に,フォトリフレクタ21aとフォトリフレクタ21bの配置を示す。この図は,信号処理器32側からAEセンサ100を見た図となっており,見易さのために,オペアンプ31,信号処理器32を除外した状態を表している。フォトリフレクタ21a,21bのLED25は,受波板12の中心近傍領域A内に位置するように配置されている。受波板12の中心近傍は,図3に示す領域Aに対応し,既述の受波板12の振動領域の径r0に対して径r1の領域である。具体的には,r1/r0=0.2以下となる半径r1の領域Aである。フォトリフレクタ21a,21bのLED25は,受波板12の中心側に,PT26は,受波板12の中心より外側に,配置される。振動の振幅が大きい受波板12の中心に光を照射することが受波板12の微小振動アコースティックエミッションの検出に効果的である。以上のように,LED25を受波板12の中心近傍領域A内に配置し,受波板12から反射された光を受光する2つのPT26の出力を加算している。即ち,LED25を受波板12の中心近傍に配置することで,受波板12の振動に起因するLED25からの光量の変動が大きくなる。また,フォトリフレクタ21a,21bからの出力を加算,SN比が向上する。この結果,小型で安価でかつより外乱に強いAEセンサを実現することが容易となる。第2の実施の形態図4は,第2の実施形態のAEセンサ200の構成図である。AEセンサ200は,ケース11,受波板12,フォトリフレクタ21a~21c,オペアンプ31,信号処理器32を有する。即ち,AEセンサ200は,3つのフォトリフレクタ21a~21cを用いている。第1の実施形態と同一の構成には同一の符号を付し,重複する説明は省略する。オペアンプ31は,抵抗Ra~Rc,Rkに接続されて,加算増幅回路を構成する。この加算増幅回路は,フォトリフレクタ21a~21cのPT26の3つの出力を加算し,SN比の向上が図れる。加算増幅回路は,AEセンサ200に内蔵されるプリアンプとしても機能する。フォトリフレクタ21a~21cは,受波板12に対向するように,図示しない保持部材で保持される。図5に,フォトリフレクタ21a~21cの配置を示す。この図は,信号処理器32側からAEセンサ200を見た図となっており,見易さのために,オペアンプ31,信号処理器32を除外した状態を表している。フォトリフレクタ21a~21cのLED25の発光部の中心251が受波板12の中心Cから等距離に位置するように同心円半径r2上に三角状に並べて配置される。また,フォトリフレクタ21a~21cのPT26の受光部の中心261が受波板12の中心Cから等距離に位置するように同心円半径r3上に三角状に並べて配置される。なお,発光部の中心251,受光部の中心261の配置には,例えば,半径の20程度の幅が許容される。即ち,半径r1/r0=0.2以下となる半径r1の領域Aに,LED25およびPT26を配置すればよい。また,図6は第2の実施形態の変形例に係るAEセンサ300でのフォトリフレクタ21a~21eの配置を示す図であり,5つのフォトリフレクタ21a~21eを用いている。フォトリフレクタ21a~21eが五角状に並べて配置される。フォトリフレクタ21a~21eのLED25の発光部の中心251が受波板12の中心Cから等距離に位置するように同心円半径r2上に五角状に並べて配置される。また,フォトリフレクタ21a~21eのPT26の受光部の中心261が受波板12の中心Cから等距離に位置するように同心円半径r3上に五角状に並べて配置される。なお,この変形例においても,発光部の中心251,受光部の中心261の配置には,例えば,半径の20程度の幅が許容される。即ち,半径r1/r0=0.2以下となる半径r1の領域Aに,LED25およびPT26を配置すればよい。以上のように,LED25の発光部の中心251を受波板12の中心から略等距離に配置し,受波板12から反射された光を受光する3つまたは5つのPT26の出力を加算している。即ち,LED25を受波板12の中心近傍に配置することで,受波板12の振動に起因するLED25からの光量の変動が大きくなる。また,フォトリフレクタ21a~21c,または21a~21eからの出力を加算,SN比が向上する。この結果,小型で安価でかつより外乱に強いAEセンサを実現することが容易となる。第3の実施の形態図7は,第3の実施形態のAEセンサ400の構成図である。AEセンサ400は,ケース11,受波板12,フォトリフレクタ21a~21c,オペアンプ31,信号処理器32を有する。第1の実施形態と同一の構成には同一の符号を付し,重複する説明は省略する。フォトリフレクタ21a~21cのLED25の発光部の中心251が受波板12の中心Cから等距離に位置するように同心円半径r2上に並べて配置される。一方,フォトリフレクタ21a~21cのPT26の受光部の中心261は受波板12の中心Cから等距離に位置するように同心円半径r3上に並べて配置される。なお,発光部の中心251,受光部の中心261の配置には,例えば,半径の20程度の幅が許容される。即ち,半径r1/r0=0.2以下となる半径r1の領域Aに,LED25およびPT26を配置すればよい。ここでは,同心円半径r2上でのLED25の発光部の中心251の間隔,同心円半径r3上でのPT26の受光部の中心261の間隔は一定ではない不等間隔。即ち,受波板12の中心Cに対する,LED25またはPT26のなす角度は一定ではない。以上のように,LED25の発光部の中心251を受波板12の中心から略等距離に配置し,受波板12から反射された光を受光する3つのPT26の出力を加算している。即ち,LED25を受波板12の中心近傍に配置することで,受波板12の振動に起因するLED25からの光量の変動が大きくなる。また,フォトリフレクタ21a~21cからの出力を加算,SN比が向上する。この結果,小型で安価でかつより外乱に強いAEセンサを実現することが容易となる。また,LED25等を不等間隔に配置することにより,受波板12の振動が不均一なモードの場合などの感度を向上することができる。その他の実施形態本実施形態は上記の実施形態に限られず拡張,変更可能であり,拡張,変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。"