"パターン形成方法であって、基板上に第1ラインパターンを有する第1パターンを形成し、前記第1パターンを覆うように第1薄膜を形成し、前記第1薄膜上に、前記第1ラインパターンに交差する方向に伸びる第2ラインパターンを有する第2パターンを形成し、前記第2パターンを覆うように感光層を形成し、前記第2パターンの少なくとも一部と重なるように、前記感光層に第1開口部を有する第3パターンを形成し、前記感光層に形成された前記第3パターンの前記第1開口部を介して前記第1薄膜の一部を除去して、前記第1薄膜に第2開口部を形成し、前記第1薄膜の前記第2開口部を介して前記第1パターンの一部を除去し、前記第1薄膜及び前記第2パターンを除去することを特徴とするパターン形成方法。前記第1パターンは、第1方向に複数の前記第1ラインパターンが配列されたラインアンドスペースパターンを有し、前記第2パターンは、前記第1方向に交差する第2方向に複数の前記第2ラインパターンが配列されたラインアンドスペースパターンを有することを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。前記第1パターン及び前記第2パターンを形成するときに、それぞれ前記第1ラインパターン及び前記第2ラインパターンのピッチの2倍のピッチを持つ第4パターンを形成し、前記第4パターンを用いて、前記第4パターンのピッチの1/2のピッチを持つラインアンドスペースパターンを形成することを特徴とする請求項2に記載のパターン形成方法。前記感光層の前記第1開口部は、前記第2パターンの1つのスペース部の少なくとも一部を含む大きさであることを特徴とする請求項2または3に記載のパターン形成方法。前記感光層に形成された前記第1開口部は、前記第2パターンのうち、互いに隣接する2つのスペース部の少なくとも一部を含む大きさの長穴を有し、前記第2開口部は、前記互いに隣接する2つのスペース部に対応する位置に形成されることを特徴とする請求項2または3に記載のパターン形成方法。前記第1薄膜と前記感光層との間に前記第2パターンを覆うように第2薄膜を形成し、前記第1薄膜に前記第2開口部を形成するときに前記第2薄膜に第3開口部を形成し、前記第1パターンの一部を除去するときに、前記第2薄膜の前記第3開口部、前記第2パターンのスペース部、及び前記第1薄膜の前記第2開口部を介して前記第1パターンのエッチングを行うことを特徴とする請求項2~5のいずれか一項に記載のパターン形成方法。前記基板上に前記第1パターンを形成するときに前記第1パターンのスペース部に第4薄膜を充填し、前記第1薄膜及び前記第2パターンを除去した後、前記第1パターンの除去された部分に前記第4薄膜と同じ材料の薄膜を充填し、前記第1パターンを除去することを特徴とする請求項2~5のいずれか一項に記載のパターン形成方法。前記第1薄膜中の前記第1パターンが除去された凹部に前記第1薄膜と異なる材料を充填することを特徴とする請求項7に記載のパターン形成方法。前記第4薄膜は誘電率の小さい絶縁膜であることを特徴とする請求項7または8に記載のパターン形成方法。前記第1薄膜は無機膜であり、前記第4薄膜は有機膜であることを特徴とする請求項7~9のいずれか一項に記載のパターン形成方法。前記第2パターンは、スペース部の幅が前記第2ラインパターンの幅より狭いラインアンドスペースパターンを有し、前記感光層の前記第1開口部は、前記第2パターンのうち、互いに隣接する2つのスペース部の少なくとも一部を覆う大きさの長穴を有することを特徴とする請求項1または2に記載のパターン形成方法。前記第1薄膜を覆うように前記第2パターンを形成するときに、前記第1薄膜上にラインアンドスペースパターンを有する第4パターンを形成し、前記第4パターンのラインパターン又はスペース部の幅を前記第4パターンのピッチの1/2より太くすることを特徴とする請求項11に記載のパターン形成方法。パターン形成方法であって、基板上に所定方向に交互に配列した複数の第1ラインと第1スペースを有する第1ラインアンドスペースパターンを形成し;前記第1ラインアンドスペースパターン上に前記所定方向と交差する方向に交互に配列した複数の第2ラインと第2スペースを有する第2ラインアンドスペースパターンを形成し;前記第1ラインアンドスペースパターンの複数の第1ラインと前記第2ラインアンドスペースパターンの複数の前記第2スペースが重なる複数の重複領域に存在する前記第1ラインの一部の領域を、該第1ラインの一部の領域を区画する一対の前記第2ラインをマスクとしてエッチングして除去し;前記第2ラインアンドスペースパターンを除去することにより、前記第1ラインアンドスペースパターンの前記第1ラインの一部が除去された非周期のラインアンドスペースパターンを形成するパターン形成方法。前記第1ラインアンドスペースパターンを形成した後に、前記第1ラインアンドスペースパターンを覆う保護層を形成し、該保護層の上に前記第2ラインアンドスペースパターンを形成し、前記複数の重複領域の前記第1ラインの一部の領域に相当する前記保護層の領域を除去し、該保護層の除去された領域を通じて該第1ラインの一部の領域をエッチングにより除去する請求項13に記載のパターン形成方法。前記第1ラインアンドスペースパターンを形成する際に、前記所定方向に配列した遮光ラインパターンを有する第1のマスク板を用い、前記第2ラインアンドスペースパターンを形成する際に、前記所定方向と交差する方向に配列した遮光ラインパターンを有する第2のマスク板を用い、前記重複領域の一部の領域を除去する際に、前記重複領域の一部の領域を含む領域に光照射可能な光透過部を有する第3のマスク板を用いる請求項13または14に記載のパターン形成方法。スペーサダブルパターニング法により、前記第1ラインアンドスペースパターン及び前記第2ラインアンドスペースパターンを形成する請求項13~15のいずれか一項に記載のパターン形成方法。前記パターンが所定の解像限界を有する露光装置により形成され、前記除去された前記第1ラインアンドスペースパターンのラインの一部は、前記解像限界未満の線幅を有する請求項13~16のいずれか一項に記載のパターン形成方法。局所液浸法により基板を露光することにより前記非周期のラインアンドスペースパターンを形成する請求項13~17のいずれか一項に記載のパターン形成方法。請求項1から請求項17のいずれか一項に記載のパターン形成方法を用いて基板上に所定のパターンの一部を除去したパターンを形成する工程を含むデバイス製造方法。前記基板上に形成されるパターンは、周期的パターンの一部を除去したパターンである請求項19に記載のデバイス製造方法。従来のピッチ分割法又はスペーサダブルパターニング法よりなるパターン形成方法によれば、露光装置の解像限界よりも微細なピッチの周期的な回路パターンを形成することが可能である。しかしながら、従来のパターン形成方法では、露光装置の解像限界よりも微細な非周期的な部分を含む回路パターンを高精度に形成することは困難であった。本発明は、このような事情に鑑み、露光装置の解像限界よりも微細なパターンを形成できるようにすることを目的とする。本発明の第1の態様によれば、パターン形成方法であって、基板上に第1ラインパターンを有する第1パターンを形成し、その第1パターンを覆うように第1薄膜を形成し、その第1薄膜上に、その第1ラインパターンに交差する方向に伸びる第2ラインパターンを有する第2パターンを形成し、その第2パターンを覆うように感光層を形成し、その第2パターンの少なくとも一部と重なるように、その感光層に第1開口部を有する第3パターンを形成し、その感光層に形成された第3パターンの第1開口部を介してその第1薄膜の一部を除去して、その第1薄膜に第2開口部を形成し、その第1薄膜の第2開口部を介してその第1パターンの一部を除去し、その第1薄膜及びその第2パターンを除去するパターン形成方法が提供される。本発明の第2の態様によれば、パターン形成方法であって、基板上に所定方向に交互に配列した複数の第1ラインと第1スペースを有する第1ラインアンドスペースパターンを形成し;その第1ラインアンドスペースパターン上に前記所定方向と交差する方向に交互に配列した複数の第2ラインと第2スペースを有する第2ラインアンドスペースパターンを形成し;第1ラインアンドスペースパターンの複数の第1ラインと第2ラインアンドスペースパターンの複数の第2スペースが重なる複数の重複領域に存在する第1ラインの一部の領域を、該第1ラインの一部の領域を区画する一対の第2ラインをマスクとしてエッチングして除去し;第2ラインアンドスペースパターンを除去することにより、第1ラインアンドスペースパターンの第1ラインの一部が除去された非周期のラインアンドスペースパターンを形成するパターン形成方法が提供される。また、本発明の第3の態様によれば、本発明の第1または第2の態様のパターン形成方法を用いて基板上に所定のパターンの一部を除去したパターンを形成する工程を含むデバイス製造方法が提供される。また、本発明の第4の態様によれば、本発明の第1または第2の態様のパターン形成方法を用いるデバイス製造方法が提供される。本発明によれば、露光装置の解像限界よりも微細なパターンを形成できる。[第1の実施形態]本発明の第1の実施形態につき図1~図16を参照して説明する。まず、本実施形態において半導体素子等の電子デバイスやマイクロデバイス等の回路パターンを形成するために使用されるパターン形成システムの一例につき説明する。図1Aは、本実施形態のパターン形成システムの要部を示し、図1Bは、図1A中の露光装置本実施形態では、露光装置の一例として、スキャンニグステッパーを示している100の概略構成を示す。図1Aにおいて、そのパターン形成システムは、露光装置100、ウエハ等の基板に対するフォトレジスト感光材料の塗布及び現像を行うコータデベロッパ200、薄膜形成装置300、ウエハに対するドライ及びウエットのエッチングを行うエッチング装置400、これらの装置間でウエハの搬送を行う搬送系500、及びホストコンピュータ不図示等を含んでいる。図1Bにおいて、露光装置100は、照明系10と、照明系10を介した露光用の照明光露光光ILにより照明されるレチクルRマスクを保持するレチクルステージRSTと、レチクルRから射出された照明光ILをウエハW基板の表面に投射する投影光学系PLを含む投影ユニットPUと、ウエハWを保持するウエハステージWSTとを備えている。露光装置100は、装置全体の動作を統括的に制御するコンピュータよりなる主制御装置不図示等も備えている。以下、図1Bにおいて、投影光学系PLの光軸AXと平行な方向に沿った軸をZ軸、これに直交する平面ほぼ水平面内でレチクルRとウエハWとが相対走査される方向に沿った軸をY軸、Z軸及びY軸に直交する方向に沿った軸をX軸とし、X軸、Y軸、及びZ軸の回りの回転傾斜方向をそれぞれθx、θy、及びθz方向とする。照明系10は、例えば米国特許出願公開第2003/025890号明細書などに開示されるように、照明光ILを発生する光源と、照明光ILでレチクルRを照明する照明光学系とを含む。照明光ILとしては、一例としてArFエキシマレーザ光波長193nmが用いられている。なお、照明光ILとしては、KrFエキシマレーザ光波長248nm、YAGレーザ若しくは固体レーザ半導体レーザなどの高調波、又は水銀ランプの輝線i線等なども使用できる。照明光学系は、偏光制御光学系、光量分布形成光学系例えば、回折光学素子又は空間光変調器など、オプティカルインテグレータ例えば、フライアイレンズ又はロッドインテグレータ内面反射型インテグレータなど等を含む照度均一化光学系、及びレチクルブラインド可変視野絞り等いずれも不図示を有する。照明系10は、レチクルブラインドで規定されたレチクルRのパターン面下面のX方向に細長いスリット状の照明領域IARを、2極照明、4極照明、輪帯照明、コヒーレンスファクタσ値の小さい照明、又は通常照明等の照明条件で、所定の偏光状態の照明光ILによりほぼ均一な照度分布で照明する。また、レチクルRを真空吸着等により保持するレチクルステージRSTは、レチクルベース不図示のXY平面に平行な上面に、Y方向に一定速度で移動可能に、かつX方向、Y方向の位置、及びθz方向の回転角が調整可能に載置されている。レチクルステージRSTの位置情報は、複数軸のレーザ干渉計を含むレチクル干渉計18によって、移動鏡14又はステージの鏡面加工された側面を介して例えば0.5~0.1nm程度の分解能で常時検出される。レチクル干渉計18の計測値に基づいてリニアモータ等を含むレチクルステージ駆動系不図示を制御することで、レチクルステージRSTの位置及び速度が制御される。また、レチクルステージRSTの下方に配置された投影ユニットPUは、鏡筒24と、該鏡筒24内に所定の位置関係で保持された複数の光学素子を有する投影光学系PLとを含む。投影光学系PLは、例えば両側テレセントリックで所定の投影倍率β例えば1/4倍、1/5倍などの縮小倍率を有する。レチクルRを通過した照明光ILにより、投影光学系PLを介してレチクルRの照明領域IAR内の回路パターンの像が、ウエハWの一つのショット領域内の露光領域IA照明領域IARと共役な領域に形成される。本実施形態の基板としてのウエハWは、例えばシリコン又はSOI等でもよいからなる直径が200mm又は300mm程度の円板状の基材の表面にパターン形成用の薄膜酸化膜、金属膜、ポリシリコン膜等を形成したものを含む。さらに、露光対象のウエハWの表面には、フォトレジスト感光材料が所定の厚さ例えば数10nm~200nm程度で塗布される。また、露光装置100は、液浸法を適用した露光露光方法を行うため、投影光学系PLが備える複数の光学素子のうち、最も像面側ウエハW側の光学素子である先端レンズ26とウエハとの間に液体Lqを供給する局所液浸装置30を備える。局所液浸装置30により、ウエハWの上面の一部のみ領域に液浸領域が形成される。この局所液浸装置30は、鏡筒24の下端部周囲、すなわち、先端レンズ26の周囲を取り囲むように配置されるノズルユニット32を備える。ノズルユニット32の液体Lqの供給口は、供給流路及び供給管34Aを介して液体供給装置不図示に接続されている。ノズルユニット32の液体Lqの回収口は、回収流路及び回収管34Bを介して液体回収装置不図示に接続されている。局所液浸装置30の詳細な構成は、例えば米国特許出願公開第2007/242247号明細書等に開示されており、この文献を援用して本文の記載の一部とする。また、ウエハステージWSTは、ベース盤12のXY平面に平行な上面12aに、X方向、Y方向に移動可能に載置されている。ウエハステージWSTは、ステージ本体20と、ステージ本体20の上面に搭載されたウエハテーブルWTBと、ステージ本体20内に設けられて、ステージ本体20に対するウエハテーブルWTBウエハWのZ方向の位置Z位置、及びθx方向、θy方向のチルト角を相対的に駆動するZレベリング機構とを備えている。ウエハテーブルWTBには、ウエハWを真空吸着等によってほぼXY平面に平行な吸着面上に保持するウエハホルダ不図示が設けられている。ウエハテーブルWTBの上面のウエハホルダウエハWの周囲には、ウエハWの表面ウエハ面とほぼ同一面となり、液体Lqに対して撥液化処理された表面を有する平板状のプレート撥液板28が設けられている。また、例えば米国特許第5,448,332号明細書等に開示されるものと同様の構成で、ウエハ面の複数の計測点のZ位置を計測する斜入射方式のオートフォーカスセンサ不図示が設けられている。露光中に、このオートフォーカスセンサの計測値に基づいて、ウエハ面が投影光学系PLの像面に合焦されるように、ウエハステージWSTのZレベリング機構が駆動される。また、ウエハテーブルWTBのY方向及びX方向の端面には、それぞれ鏡面加工によって反射面が形成されている。ウエハ干渉計16を構成する複数軸のレーザ干渉計からその反射面移動鏡でもよいにそれぞれ干渉計ビームを投射することで、ウエハステージWSTの位置情報少なくともX方向、Y方向の位置、及びθz方向の回転角を含むが例えば0.5~0.1nm程度の分解能で計測されている。この計測値に基づいてリニアモータ等を含むウエハステージ駆動系不図示を制御することで、ウエハステージWSTの位置及び速度が制御される。なお、ウエハステージWSTの位置情報は、回折格子状のスケールと検出ヘッドとを有するエンコーダ方式の検出装置で計測してもよい。また、露光装置100は、ウエハWの所定のアライメントマークの位置を計測するウエハアライメント系AL、及びレチクルRのアライメントマークの投影光学系PLによる像の位置を計測するために、ウエハステージWSTに内蔵された空間像計測系不図示を備えている。これらの空間像計測系レチクルアライメント系及びウエハアライメント系ALを用いて、レチクルRとウエハWの各ショット領域とのアライメントが行われる。ウエハWの露光時には、ウエハステージWSTをX方向、Y方向にステップ移動することで、ウエハWの露光対象のショット領域が露光領域IAの手前に移動する。さらに、局所液浸装置30から投影光学系PLとウエハWとの間に液体Lqが供給される。そして、レチクルRのパターンの一部の投影光学系PLによる像をウエハWの一つのショット領域に投影しつつ、レチクルステージRST及びウエハステージWSTを介してレチクルR及びウエハWをY方向に同期して移動することで、当該ショット領域にレチクルRのパターンの像が走査露光される。そのステップ移動と走査露光とを繰り返すことによって、ステップアンドスキャン方式及び液浸方式で、ウエハWの各ショット領域にそれぞれレチクルRのパターンの像が露光される。次に、本実施形態で製造対象とする回路パターンは、一例として、図2の部分拡大図で示すように、半導体素子としてのSRAMのゲートセル用の回路パターン70である。なお、以下では、ラインアンドスペースパターンをLSパターンという。回路パターン70は、ウエハの基材36の表面において、線幅dのラインパターン72及び幅dのスペース部73を周期方向以下、X方向とするにピッチ周期2dで配列した第1のLSパターン71のうち、複数のラインパターン72の一部を除去して形成したものである。例えば、図2において、回路パターン70は、第1のLSパターン71のうち、一つ置きのラインパターンからX方向に直交するY方向に関して幅dの部分を除去して複数の分離部74A~74F非周期的な部分を形成したものである。なお、本実施形態における図2のX軸及びY軸の方向は、図2の回路パターン70が形成されるウエハWを図1Bの露光装置100のウエハステージWSTに載置した場合の、露光装置100におけるX軸及びY軸の方向に平行なものとして説明する。本実施形態では、線幅dは液浸型の露光装置100の解像限界周期的パターンの場合のハーフピッチよりも微細であるとする。従って、第1のLSパターン71の線幅dは、露光装置100の解像限界よりも微細である。さらに、回路パターン70は、露光装置100の解像限界よりも微細な幅dの非周期的な部分を含むパターンでもある。一例として、線幅dは露光装置100の解像限界のほぼ1/2であり、言い換えると、露光装置100の解像限界はほぼ2dである。露光装置100の解像限界は、例えば40~50nm程度であり、これに応じて線幅dは20~25nm程度になる。以下では、露光装置100の解像限界はほぼ40nmハーフピッチであり、線幅dはほぼ20nmであるとする。また、図2において、点線で示すように、第1のLSパターン71に直交するように、線幅dのラインパターン77及び幅dのスペース部79をY方向にピッチ2dで配列した第2のLSパターン78を想定する。この場合、第1のLSパターン71中の分離部74A~74Fは、第2のLSパターン78のいずれかのスペース部79と交差している部分である。例えば、第1領域76A内のラインパターン72の分離部74A,74Bの間隔、及び第2領域76B内のラインパターン72の分離部74C,74Dの間隔は、それぞれ第2のLSパターン78の2本のラインパターン77及び1つのスペース部79の幅=3dである。また、第3領域76C内のラインパターン72の分離部74E,74Fの間隔は、第2のLSパターン78の1つのスペース部79の幅=dである。この場合、第2のLSパターン78のY方向の位置は、例えば第1のLSパターン71を形成する際に使用されるアライメントマーク不図示に基づいて設定される。なお、分離部74A~74Fの位置及び個数は、いずれかのスペース部79と交差しているという条件下で任意である。以下、本実施形態のパターン形成システムを用いて回路パターン70を形成するためのパターン形成方法の一例につき図3のフローチャートを参照して説明する。本実施形態では、第1段階として、スペーサダブルパターニング法SpacerDoublePatterningProcessSpacertransferProcess又はSidewalltransferProcessを用いて、ウエハの表面の各ショット領域に線幅dピッチ2dの第1のLSパターン71を形成する。そして、第2段階として、その各ショット領域において、スペーサダブルパターニング法を用いて、第1のLSパターン71の上に、第1のLSパターン71に直交するように、線幅dピッチ2dの第2のLSパターン78を形成する。そして、第3段階として、その各ショット領域において、第2のLSパターン78の複数のスペース部79を介して第1のLSパターン71の複数のラインパターン72に幅dの分離部74A~74F切り欠き部を設ける。その第1段階は図3のステップ102,104に対応し、その第2段階はステップ106~110に対応し、その第3段階はステップ112~124に対応する。まず、図3のステップ102において薄膜形成装置300を用いて、図4Bに示すように、ウエハWの例えばシリコンよりなる基材36の平坦な表面に、二酸化ケイ素SiO2の薄膜よりなるデバイス層38を形成する。なお、デバイス層38の底面基材36の表面には、酸化膜又は窒化膜等が形成されていてもよい。次のステップ104において、デバイス層38にスペーサダブルパターニング法でX方向にピッチ2dの第1のLSパターン71を形成する。ステップ104の動作は、ステップ130~140に分かれている。即ち、ステップ130において、図4Bに示すように、薄膜形成装置300を用いてウエハWのデバイス層38の表面に第1の中間層40を形成し、コータデベロッパ200において、その中間層40の表面に例えばポジ型のフォトレジスト層42を形成する。次のステップ132において、ウエハWを図1Bの液浸型の露光装置100のウエハステージWSTに載置する。露光装置100のレチクルR第1マスク板のパターンは、図4Aの拡大図で示すように、線幅が2d/ββは投影倍率の遮光膜よりなるラインパターンRaをX方向にピッチ4d/βで配列したLSパターンである。そして、露光装置100でウエハWの各ショット領域にレチクルRのパターンの像44XX方向にピッチ4dのLSパターンの像を露光する。像44Xの線幅ハーフピッチは2dほぼ解像限界であるため、像44Xは露光装置100によって高精度に結像可能である。この際に、1ピッチ分の像44Xのうちで、露光量が感光レベル以下となる部分未露光部分のX方向の幅がdとなるように、露光量を設定しておく。次のステップ134において、コータデベロッパ200でウエハWのフォトレジスト層42を現像し、エッチング装置400でウエハWの中間層40のエッチングを行うことで、図4Cに示すように、線幅dのレジストパターン42A及び中間層40のラインパターン40AをX方向にピッチ4dで配列したLSパターンが形成される。その後、レジストパターン42Aを剥離する。次のステップ136において、薄膜形成装置300で、図4Dに示すように、ウエハWの中間層40のラインパターン40Aを覆うようにスペーサ層46を堆積する。そして、ステップ138に移行し、エッチング装置400において図4Eに示すように、ウエハのスペーサ層46に対して表面に垂直な方向に異方性エッチングを行う。これにより、線幅dの中間層40のラインパターン40AのX方向の両側面に、スペーサ層46の幅dのスペーサ部46A,46Bが残される。その後、例えばエッチング装置400において、ウエハWの中間層40のラインパターン40Aを除去することにより、図4Fに示すように、デバイス層38の表面に線幅dのスペーサ部46A,46BをX方向にピッチ2dで配列したLSパターンが形成される。次のステップ140において、エッチング装置400において、スペーサ部46A,46BよりなるLSパターンをマスクとしてデバイス層38のエッチングを行い、スペーサ部46A,46Bを除去する。この結果、図4F及び図4G拡大平面図に示すように、ウエハWの基材36の表面のデバイス層38に、線幅dのラインパターン38A第1ラインをX方向にピッチ2dで配列した第1のLSパターン71が形成される隣合うラインパターン38Aの間にスペースパターン38S第1スペースが区画される。ラインパターン38Aは、図2のラインパターン72に対応する。なお、LSパターン71とともにアライメントマーク不図示も形成されている。次に、ステップ106において図5Bに示すように、薄膜形成装置300で、ウエハWの第1のLSパターン71を覆うように、一般にフォトレジストの下面に形成される反射防止膜であるBARCよりなる第1保護層48を形成し、この表面を平坦化する。次のステップ108において、第1保護層48の表面にデバイス層38と同じ厚さで同じ材料ここでは二酸化ケイ素よりなる加工用パターン層52を形成する。なお、加工用パターン層52の厚さは、デバイス層38の厚さと異なっていてもよい。次のステップ110において、ステップ104と同様にスペーサダブルパターニング法で、加工用パターン層52にY方向にピッチ2dの第2のLSパターン78を形成する。ステップ110の動作も、ステップ130~140に対応する工程に分かれている。即ち、ステップ130に対応する工程において、図5Bに示すように、ウエハWの加工用パターン層52の表面に第2の中間層50を形成し、その中間層50の表面に例えばポジ型のフォトレジスト層54を形成する。次のステップ132に対応する工程において、ウエハWを露光装置100のウエハステージWSTに載置する。露光装置100のレチクルステージRSTにはレチクルRの代わりに第2のレチクルR1第2マスク板がロードされている。レチクルR1のパターンは、図5Aの拡大図で示すように、線幅が2d/ββは投影倍率の遮光膜よりなるラインパターンR1aをY方向にピッチ4d/βで配列したLSパターンである。そして、レチクルR1は、レチクルR1に形成されたアライメントマーク不図示が計測され、その計測結果に基づいてその位置が調整される。その後、露光装置100は、ウエハWの各ショット領域にレチクルR1のパターンの像44YY方向にピッチ4dのLSパターンの像を露光する。像44Yの線幅ハーフピッチも2dほぼ解像限界であるため、像44Yも露光装置100によって高精度に結像可能である。この際に、1ピッチ分の像44Yのうちで、露光量が感光レベル以下となる部分未露光部分のY方向の幅がdとなるように、露光量を設定しておく。次のステップ134に対応する工程において、ウエハWのフォトレジスト層54を現像し、中間層50のエッチングを行うことで、図5Cに示すように、線幅dのレジストパターン54A及び中間層50のラインパターン50AをY方向にピッチ4dで配列したLSパターンが形成される。その後、レジストパターン54Aを剥離する。次のステップ136に対応する工程において、図5Dに示すように、ウエハWのラインパターン50Aを覆うようにスペーサ層56を堆積する。そして、ステップ138に対応する工程で、図5Eに示すように、ウエハのスペーサ層56に対して表面に垂直な方向に異方性エッチングを行う。これにより、線幅dのラインパターン50AのY方向の両側面に、スペーサ層56の幅dのスペーサ部56A,56Bが残される。その後、ウエハWのラインパターン50Aを除去することにより、図5Fに示すように、加工用パターン層52の表面に線幅dのスペーサ部56A,56BをY方向にピッチ2dで配列したLSパターンが形成される。次のステップ140に対応する工程において、スペーサ部56A,56BよりなるLSパターンをマスクとして加工用パターン層52のエッチングを行い、次いで、スペーサ部56A,56Bを除去することで、図5F及び図5G拡大平面図に示すように、ウエハWの第1保護層48の表面の加工用パターン層52に、線幅dのラインパターン52AをY方向にピッチ2dで配列した第2のLSパターン78が形成される隣合うラインパターン52Aの間にスペースパターン52Sが区画される。ラインパターン52Aは、図2のラインパターン77に対応する。以下、図2の回路パターン70中の分離部74A,74Bを含む第1領域76A内のパターンが形成される過程につき、図6A~図12Cを参照して説明する。図6A~図12AはそれぞれウエハWの表面の各ショット領域内の第1領域76Aに対応する部分を示す拡大平面図、図6B~図12Bはそれぞれ図6A~図12AのBB’線に沿う断面図、図6C~図12Cはそれぞれ図6A~図12AのCC’線に沿う断面図である。なお、図6A~図9Aでは、後述の第2保護層58及びフォトレジスト層60は透明部材として表している。まず、図3のステップ112において、図6Bに示すように、薄膜形成装置300を用いてウエハWの第2のLSパターン78を覆うように、BARCよりなる第2保護層58を形成するとともに、この表面を平坦化する。さらに、コータデベロッパ200を用いて第2保護層58の表面に例えばポジ型のフォトレジスト層60を形成する。次のステップ114において、ウエハWを図1Bの露光装置100のウエハステージWSTに載置する。露光装置100のレチクルステージRSTには、レチクルR1の代わりに第3のレチクルR3第3マスク板がロードされている。レチクルR3には、図2の分離部74A~74Fに対応して、それぞれ分離部74A~74Bを含む大きさの像を形成するための開口パターンが形成されている。レチクルR3の第1領域76Aに対応する部分には、例えば、図6Dの拡大図で示すように、遮光膜中にX方向及びY方向の幅が2d/ββは投影倍率でY方向の間隔が2d/βの2つの開口パターンR3a,R3bが形成されている。なお、本実施形態では、2つの開口パターンR3a、R3bの形状として、正方形の形状を示したが、これに限定されるものではない。例えば、2つの開口パターンとして、OPCOpticalproximitycorrection処理を施したパターンを用いてもよい。そして、レチクルR3は、レチクルR3に形成されたアライメントマーク不図示が計測され、その計測結果に基づいてその位置が調整される。その後、露光装置100は、ウエハWの各ショット領域の第1領域76Aに対応する部分に、図6Aに示すように、レチクルR3の開口パターンR3a,R3bの像62A,62Bを露光する。なお、説明の便宜上、投影光学系PLの像は正立像であるとしている。像62A,62Bの理想的な形状A1,B1はX方向、Y方向の幅が2dの正方形であり、露光装置100の解像限界は2dであるが、開口パターンR3a,R3bは孤立的なパターンであるため、図6Aでは、像62A,62Bが或る程度変形した状態を示している。また、例えば、ウエハWの表面が投影光学系の像面からずれているウエハWの表面に対して開口パターンR3a、R3bの像がデフォーカスしていると、開口パターンR3a,R3bの像フォトレジストの感光レベルを横切る輪郭部は像A2,B2のようにさらに変形する。しかしながら、開口パターンR3a,R3bの像には、X方向及びY方向の幅がdの分離部74A,74Bを覆う範囲内での位置ずれ及び変形が許容される。なお、図6Aより、分離部74A,74Bは、第2のLSパターン78のスペースパターン52Sと第1のLSパターン71のラインパターン38Aが重複している領域であることが分かる。その後、コータデベロッパ200においてウエハWのフォトレジスト層60の現像を行う。これによって、図7A~Cに示すように、ウエハWのフォトレジスト層60の像62A,62Bに対応する部分に第1の開口部60A,60Bが形成される。次のステップ116において、エッチング装置400で例えばドライエッチングによって、開口部60A,60Bを通してウエハWの第2保護層58及び第1保護層48に開口を形成する。これによって、図8A~Cに示すように、第2保護層58の第3の開口部58A,58B開口部60A,60Bと同じ形状及び第1保護層48の第2の開口部48A,48Bが形成される。開口部48A,48Bは、Y方向が隣り合うラインパターン52Aによって制限され、かつX方向が像62A,62Bによって制限された領域を有し、この領域内にラインパターン38Aの一部除去される部分が存在している。すなわち、第1保護層48の第2の開口部48A,48Bは、第2のLSパターン78の一対のラインパターン第2ライン52Aの端部を境界として、すなわち、第2のLSパターン78の一対のラインパターン第2ライン52Aをマスクとしてエッチングにより形成されることが分かる。その後、フォトレジスト層60レジストを剥離する。次のステップ118においてエッチング装置400で、ウエハWの開口部58A,58B及び開口部48A,48Bを通して第2のLSパターン78ラインパターン52A及び第1のLSパターン71ラインパターン38Aを形成する二酸化ケイ素の薄膜のエッチングを行う。これにより、図9A~Cに示すように、開口部58A,58B内のラインパターン52Aに切り欠き部52Aa,52Abが形成され、開口部48A,48B内のラインパターン38Aの分離部74A,74Bに対応する部分に切り欠き部38Aa,38Abが形成される。このように、切り欠き部38Aa,38Abは第1保護層48の第2の開口部48A,48Bを区画する第1保護層48の部分側壁及びその上に存在する一対の第2のLSパターン78のラインパターン第2ライン52Aをマスクとして形成されていることが分かる。続いてステップ120において、図10A~Cに示すように、エッチング装置400で例えばドライエッチングでウエハWの第2保護層58上層のBARCを除去し、ステップ122において、図11A~Cに示すように、エッチング装置400で例えばエッチバック法でウエハWの第2のLSパターン78ラインパターン52Aの残存部を除去し、ステップ124において、例えばアッシング装置不図示でドライアッシングにより第1保護層48下層のBARCの残存部を除去する。この結果、図12A~Cに示すように、ラインパターン38Aに、分離部74A,74Bに対応する部分でY方向に関して幅dの切り欠き部38Aa,38Abが形成された回路パターンが得られる。ラインパターン38Aをラインパターン72とみなすことによって、その回路パターンは図2の第1領域76A内の回路パターンと同じである。また、回路パターン70の第1領域76A内の回路パターンを形成する際に並行して、第2領域76B内の回路パターン、及び第3領域76C内のY方向に最小の間隔dで隣接する分離部74E,74Fを有する回路パターンも形成される。前者の第2領域76B内の回路パターンは第1領域76A内の回路パターンと同じであるため、その形成過程の説明は省略する。そして、第3領域76C内の回路パターンを形成するために、露光装置100にロードされた第3のレチクルR3の第3領域76Cに対応する部分には、例えば、図13Dに示すように、X方向の幅2d/βでY方向の幅4d/βの細長い長穴状の開口パターンR3cが形成されている。なお、本実施形態では、開口パターンR3cの形状として、長方形の形状を示したが、これに限定されるものではない。例えば、開口パターンとして、OPCOpticalproximitycorrection処理を施したパターンを用いてもよい。以下、第3領域76C内のパターンが形成される過程につき、図13A~図16Cを参照して説明する。図13A~図16C内で図6A~図12Cに対応する部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。図13A~図16AはそれぞれウエハWの各ショット領域内の第3領域76Cに対応する部分を示す拡大平面図、図13B~図16Bはそれぞれ図13A~図16AのBB’線に沿う断面図、図13C~図16Cはそれぞれ図13A~図16AのCC’線に沿う断面図である。なお、図13A~図16Aでは、第2保護層58及びフォトレジスト層60は透明部材として表している。まず、図3のステップ114において、露光装置100でウエハWの各ショット領域の第3領域76Cに対応する部分に、図13Aに示すように、レチクルR3の細長い開口パターンR3cの像62Cを露光する。像62Cの理想的な形状C1はX方向の幅が2d、Y方向の幅が4dの長方形であり、露光装置100の解像限界は2dであるが、開口パターンR3cは孤立的なパターンであるため、図13Aでは、像62Cが或る程度変形した状態を示している。ただし、開口パターンR3cの像には、X方向及びY方向の幅がdの分離部74E,74Fを覆う範囲内での位置ずれ及び変形が許容される。その後、ウエハWのフォトレジスト層60の現像を行い、図14A~Cに示すように、フォトレジスト層60の第1の細長い開口部60C像62Cに対応する部分が形成される。ステップ116で例えばドライエッチングにより、この開口部60Cを通して第2保護層58に第3の開口部58Cが形成され、第1保護層48に第2の開口48C1,48C2が形成される。第3の開口部58Cは、その中央部に1つのラインパターン52Aの一部が存在し、この1つのラインパターン52Aを挟むように、一対のラインパターンの一部が存在する。第2の開口部48C1,48C2は、Y方向が隣り合うラインパターン52Aに制限され、かつX方向が開口パターンR3cの像によって制限された領域を有する。このように、第2保護層58に第3の開口部58Cを形成し、第1保護層48に第2の開口48C1,48C2を形成した後、フォトレジスト層60を剥離する。その後、ステップ118において、ウエハWの開口部58C及び開口部48C1,48C2を通して第2のLSパターン78ラインパターン52A及び第1のLSパターン71ラインパターン38Aを形成する二酸化ケイ素の薄膜のエッチングを行う。これにより、図15A~Cに示すように、開口部58C内の3本のラインパターン52Aに切り欠き部52Ac1,52Ac2,52Ac3が形成され、開口部48C2,48C1内のラインパターン38Aの分離部74E,74Fに対応する部分に切り欠き部38Ae,38Afが形成される。続いてステップ120において、例えばドライエッチングでウエハWの第2保護層58を除去し、ステップ122において、例えばエッチバック法で第2のLSパターン78ラインパターン52Aの残存部を除去し、ステップ124において、例えばドライアッシングにより第1保護層48の残存部を除去する。この結果、図16A~Cに示すように、ラインパターン38Aに、間隔dの分離部74E,74Fに対応する部分でY方向に関して幅dの切り欠き部38Ae,38Afが形成された回路パターンが得られる。ラインパターン38Aをラインパターン72とみなすことによって、その回路パターンは図2の第3領域76C内の回路パターンと同じである。従って、レチクルR3の解像限界内の1つの開口パターンの像の露光によって、ラインパターン38A72に沿って間隔dで離れた2つの分離部74E,74Fを容易に、かつ高精度に形成できる。さらに、その分離部74E,74FのY方向の間隔d及び分離部74E,74FのY方向の幅dは、ステップ110で形成する第2のLSパターン78のピッチ2d及びスペース部79の幅dを制御することによって、容易に調整することが可能である。本実施形態によれば、第1段階及び第2段階でスペーサダブルパターニング法を用いて微細な第1及び第2のLSパターン71,78を形成した後、第3段階で分離部74A~74Fに対応する部分非周期的な部分に露光装置100で対応する開口パターンR3a~R3cの像を露光している。そして、その像によって形成される開口部内で、第2のLSパターン52A78の複数のスペース部79を介して第1のLSパターン71の複数のラインパターン38A72に幅dの切り欠き部分離部74A~74Fを設けている。従って、露光装置100を用いて、露光装置100の解像限界よりも微細な非周期的な部分を含む回路パターン70を高精度に形成できる。本実施形態の効果等は以下の通りである。1本実施形態の露光装置100を含むパターン形成システムを用いたパターン形成方法は、ウエハW上にX方向に配列された複数の第1ラインパターン38A72を有する第1のLSパターン71を形成するステップ104と、第1のLSパターン71を覆うように第1保護層48を形成するステップ106と、第1保護層48上に、第1ラインパターン38Aに直交する方向に伸びる複数の第2ラインパターン52A77をY方向に配列した形状の第2のLSパターン78を形成するステップ110と、第2のLSパターン78を覆うように第2保護層58を形成し、第2保護層58を覆うようにフォトレジスト層60を形成するステップ112と、を有する。さらに、そのパターン形成方法は、第2のLSパターン78の一部と重なるように、フォトレジスト層60に第1の開口部60A,60B,60Cを有するパターンを形成するステップ114と、フォトレジスト層60に形成された開口部60A~60Cを介して第2保護層58及び第1保護層48の一部を除去して、第1保護層48に第2の開口部48A,48B,48C1,48C2を形成するステップ116と、第1保護層48の開口部48A~48C2を介して第1のLSパターン71の一部分離部74A,74B,74E,74Fを除去するステップ118と、第2保護層58、第2のLSパターン78、及び第1保護層48を除去するステップ120,122,124と、を有する。本実施形態によれば、第1及び第2のLSパターン71,78は周期的パターンであるため、LSパターン71,78は露光装置100を用いるスペーサダブルパターニング法によって、露光装置100の解像限界よりも微細なパターンとして形成できる。この際に、第2のLSパターン78の分離部74A,74B,74E,74Fに対応する部分の所定のスペース部79が第1のLSパターン71のうちで除去対象となる部分に重なるように位置決めされており、露光装置100を用いて、フォトレジスト層60の開口部60A~60Cとなる像が、その除去対象となる部分を覆うように露光される。この結果、その分離部74A等となる部分のスペース部79と開口部60A~60Cとが重なった部分で第1保護層48の開口部48A~48C2が形成されるため、その開口部48A~48C2を介して第1のLSパターン71のうちその除去対象となる部分のみを高精度に除去できる。従って、露光装置100の解像限界よりも微細な非周期的な部分分離部74A,74Bを含む回路パターン70を、露光装置100を用いて高精度に形成できる。2また、スペーサダブルパターニング法を適用して第1LSパターン71及び第2LSパターン78を形成する工程は、それぞれ複数のラインパターン38Aのピッチの2倍のピッチ4dの複数のラインパターン40A及び複数のラインパターン52Aのピッチの2倍のピッチ4dの複数のラインパターン50Aを形成するステップ132,134と、複数のラインパターン40A及び50Aを用いて、これらのピッチの1/2のピッチ2dの第1のLSパターン71及び第2のLSパターン78を形成するステップ136,138,140と、を有する。従って、露光装置100の解像限界の1/2までの線幅ハーフピッチのLSパターン71,78を高精度に形成できる。3また、フォトレジスト層60の第1の開口部60A,60Bはそれぞれ第2のLSパターン78の1つのスペース部79の少なくとも一部スペース部79の幅以上で且つスペース部79の長さの一部を覆う大きさである図7A参照。これによって、そのスペース部79と重なっている部分で第1のLSパターン71のラインパターン38Aを高精度に切り欠くことができる。なお、1本のラインパターン38A上で、フォトレジスト層60の開口部ひいては切り欠き部は1つのみでもよい。4また、フォトレジスト層60に設けられた第1の開口部60Cは、第2のLSパターン78の互いに隣接する2つのスペース部79の少なくとも一部隣合う2つのスペース部を跨いで且つスペース部79の長さの一部を覆う大きさの細長い形状長穴であり図14A参照、1保護層48の第2の開口部48C2,48C1は、その互いに隣接する2つのスペース部79に対応する位置に形成される。これによって、フォトレジスト層60の1つの開口部60Cを介して、ラインパターン38Aに沿って最小の間隔dで2箇所に切り欠き部38Ae,38Afを容易に形成できる。5また、1保護層48とフォトレジスト層60との間に、第2のLSパターン78を覆うように反射防止膜BARCよりなる第2保護層58を形成しステップ112、1保護層48に開口部48A~48C2を形成するときに第2保護層58に第3の開口部58A~58Cを形成しステップ116、第1のLSパターン71の一部を除去するときに、第3の開口部58A~58C、第2のLSパターン78のスペース部79、及び第1保護層48の第2の開口部48A~48C2を介して第1のLSパターン71のエッチングを行っているステップ118。第2のLSパターン78のスペース部79は第2のLSパターン78のラインパターン52Aから画成されているので、第1のLSパターン71の一部は、第2のLSパターン78のラインパターン52Aの一部をマスクとして形成されているということができる。また、本実施形態では、第1保護層48も反射防止膜BARCから形成されている。このようにBARCよりなる第2保護層58及び1保護層48をハードマスクとして使用することによって、専用のハードマスクを使用する場合よりも安価に回路パターンを形成できる。また、反射防止膜BARCは有機材料であるため、LSパターン71,78が二酸化ケイ素又は金属等の無機材料である場合に、エッチングに対する耐性が異なるため、特にハードマスクとして好適である。[第2の実施形態]次に、本発明の第2の実施形態につき図17~図24Cを参照して説明する。本実施形態においても、図1Aのパターン形成システム及び図1Bの露光装置100が使用される。また、本実施形態で形成されるパターンは、図2の回路パターン70の凸部分離部74A~74F以外のラインパターン72の部分を凹部とした回路パターンである。以下、本実施形態のパターン形成システムを用いるパターン形成方法の一例につき図17のフローチャートを参照して説明する。本実施形態でも、第1段階として、スペーサダブルパターニング法を用いて、ウエハウエハW1とするの表面の各ショット領域に線幅dピッチ2dの第1のLSパターン71を形成する。そして、第2段階として、その各ショット領域において、スペーサダブルパターニング法を用いて、第1のLSパターン71の上に、第1のLSパターン71に直交するように、線幅dピッチ2dの第2のLSパターン78を形成する。そして、第3段階として、その各ショット領域において、第2のLSパターン78の複数のスペース部79を介して第1のLSパターン71の複数のラインパターン72に幅dの分離部74A~74Fを設けた後、各ラインパターン72を除去する。その第1段階は図17のステップ102A,104A,150,152に対応し、その第2段階はステップ108A,110Aに対応し、その第3段階はステップ154~166に対応する。まず、図17のステップ102Aにおいて、図18Bに示すように、ウエハW1の例えばシリコンよりなる基材36の平坦な表面に、二酸化ケイ素SiO2の薄膜よりなるデバイス層不図示を形成する。次のステップ104Aにおいて、図3のステップ104と同様に、そのデバイス層にスペーサダブルパターニング法で複数の線幅dのラインパターン38AをX方向にピッチ2dで配列した第1のLSパターン71を形成する。次のステップ150において、第1のLSパターン71のスペース部を埋めるように、低誘電率の有機材料いわゆるLowk有機材からなる薄膜である有機層64を形成充填するとともに、第1のLSパターン71及び有機層64の表面を平坦化する。低誘電率の有機材料としては、比誘電率が例えばほぼ4以下さらに好ましくはほぼ3以下の材料であるポーラス有機シリカ膜SiOCH、又は多孔性の有機ガラス材料である有機SOGを適用してもよい。そのピッチ分割法としては、二重露光法又はダブルパターニング法のいずれを適用してもよい。また、上記の各実施形態では、例えばスペーサダブルパターニング法で元になるLSパターンからピッチが1/2のLSパターンを形成している。しかしながら、元になるパターンからこのピッチに対して1/2kkは1以上の整数のピッチを持つLSパターンこれがLSパターン71,78になるを形成することも可能である。これによって、より微細な回路パターンを形成可能である。3上記の各実施形態では、形成される回路パターン中のラインパターン38A,71は二酸化ケイ素よりなるが、ラインパターン38A,71の材料は例えば導電性材料例えば銅などの他のどのような材料でもよい。4上記の各実施形態では、周期的なパターン第1のLSパターン71の一部を除去しているが、非周期的なパターンの一部を除去する場合にも上記の実施形態のパターン形成方法が適用可能である。また、周期的なパターン又は非周期的なパターンに非周期的なパターンを付加する場合にも上記のパターン形成方法が適用可能である。次に、上記の各実施形態のパターン形成方法を用いてSRAM等の半導体デバイス電子デバイスを製造する場合、半導体デバイスは、図30に示すように、半導体デバイスの機能性能設計を行うステップ221、この設計ステップに基づいたマスクレチクルを製作するステップ222、半導体デバイス用の基板又はウエハの基材を製造するステップ223、基板処理ステップ224、デバイス組み立てステップダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む225、及び検査ステップ226等を経て製造される。また、その基板処理ステップ224は、露光装置でレチクルのパターンを基板に露光する工程、露光した基板を現像する工程、並びに現像した基板の加熱キュア及びエッチングを行う工程などを含んでいる。言い換えると、このデバイス製造方法は、基板処理ステップ224を含み、この基板処理ステップ224は、上記の各実施形態のうちのいずれかのパターン形成方法を用いて基板ウエハW,W1,W2上に所定のパターンラインパターン38A,72の一部を除去したパターンを形成する工程を含んでいる。また、一例として、基板上に形成されるパターンは、周期的パターン第1のLSパターン71の一部を除去したパターンである。このデバイスの製造方法によれば、露光装置の解像限界よりも微細な非周期的な部分を含む回路パターンを含む半導体デバイスを、露光装置を用いて高精度に製造できる。なお、上記の実施形態で製造対象のデバイスは、SRAM以外のDRAM、CPU、DSP等の任意の半導体デバイスが可能である。さらに、半導体デバイス以外の撮像素子、MEMS等の電子デバイスマイクロデバイスを製造する際にも上記の実施形態のパターン形成方法が適用可能である。また、上記の実施形態において、露光装置としては、液浸型でないドライ型の露光装置を使用してもよい。また、紫外光を露光光とする露光装置以外に、露光光として波長が数nm~数10nm程度のEUV光ExtremeUltravioletLightを用いるEUV露光装置等を用いてもよい。なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。"