基板処理室にて、基板を脱水化または脱水素化処理し、前記脱水化または脱水素化された基板を、大気に暴露することなく、第1の成膜室に導入し、該基板上に絶縁膜を成膜した後、前記基板を大気に暴露することなく、第2の成膜室に導入し、前記絶縁膜上に酸化物半導体膜を成膜し、前記基板を大気に暴露することなく、第3の成膜室に導入し、前記酸化物半導体膜上に酸化物導電膜を成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。第1の基板処理室にて、基板を脱水化または脱水素化処理し、前記脱水化または脱水素化された基板を、大気に暴露することなく、第1の成膜室に導入し、該基板上に絶縁膜を成膜した後、前記基板を大気に暴露することなく、第2の成膜室に導入し、前記絶縁膜上に酸化物半導体膜を成膜し、前記基板を大気に暴露することなく、第2の基板処理室に導入し、前記基板を不活性雰囲気、減圧雰囲気または乾燥空気雰囲気において300°C以上650°C以下の温度で熱処理し、前記熱処理した基板を大気に暴露することなく、第3の成膜室に導入し、前記酸化物半導体膜上に酸化物導電膜を成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。基板処理室にて、基板を脱水化または脱水素化処理し、前記脱水化または脱水素化された基板を、大気に暴露することなく、第1の成膜室に導入し、該基板上に絶縁膜を成膜した後、前記基板を大気に暴露することなく、第2の成膜室に導入し、前記絶縁膜上に導電膜を成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。第1の基板処理室にて、基板を脱水化または脱水素化処理し、前記脱水化または脱水素化された基板を、大気に暴露することなく、第1の成膜室に導入し、該基板上に第1の絶縁膜を成膜した後、前記基板を、大気に暴露することなく、第2の基板処理室に導入し、該基板を脱水化または脱水素化処理し、前記脱水化または脱水素化処理された基板を、大気に暴露することなく、第2の成膜室に導入し、前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を成膜し、前記基板を、大気に暴露することなく、第3の成膜室に導入し、前記第2の絶縁膜上に導電膜を成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項4において、前記第1の絶縁膜は酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、窒化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜で構成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1乃至請求項5のいずれか一において、前記脱水化または脱水素化処理が、400°C以上650°C以下の熱処理、およびプラズマ処理の一方または両方であることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項6において、前記プラズマ処理が、逆スパッタ処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1乃至請求項7のいずれか一において、前記絶縁膜が、シリコン原子数の2倍より多い酸素原子を単位体積当たりに含む酸化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項3乃至請求項8のいずれか一において、前記導電膜を加工してゲート電極を形成し、前記ゲート電極が形成された基板を、第4の成膜室に導入し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を成膜した後、前記基板を、大気に暴露することなく、第5の成膜室に導入し、前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を成膜し、前記基板を大気に暴露することなく、第3の基板処理室に導入し、該基板を不活性雰囲気、減圧雰囲気または乾燥空気雰囲気において300°C以上650°C以下の温度で熱処理し、前記熱処理された基板を、大気に暴露することなく、第6の成膜室に導入し、前記酸化物半導体膜上に酸化物導電膜を成膜し、前記基板を、大気に暴露することなく、第7の成膜室に導入し、前記酸化物導電膜上に導電膜を成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項9において、前記ゲート絶縁膜を積層で成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1、請求項2、請求項9または請求項10において、前記酸化物導電膜が酸化インジウムおよび酸化スズを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項9乃至請求項11のいずれか一において、前記酸化物導電膜および前記酸化物半導体膜を加工して、島状の酸化物導電膜および島状の酸化物半導体膜を形成し、前記島状の酸化物導電膜上に導電膜を形成し、前記導電膜および前記島状の酸化物導電膜を加工してソース電極およびドレイン電極、ならびに前記ソース電極および前記ドレイン電極と前記島状の酸化物半導体膜との間に酸化物導電膜を形成し、前記基板を第8の成膜室に導入し、前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆う層間絶縁膜を成膜し、前記基板を、大気に暴露することなく、第9の成膜室に導入し、前記層間絶縁膜上に導電膜を成膜し、前記導電膜を加工してバックゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項9乃至請求項11のいずれか一において、前記酸化物導電膜および前記酸化物半導体膜を加工して、島状の酸化物導電膜および島状の酸化物半導体膜を形成し、前記島状の酸化物導電膜上に導電膜を形成し、前記導電膜および前記島状の酸化物導電膜を加工してソース電極およびドレイン電極、並びに前記ソース電極および前記ドレイン電極と前記島状の酸化物半導体膜との間に酸化物導電膜を形成し、前記基板を第8の成膜室に導入し、前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆う層間絶縁膜を成膜し、前記基板を、大気に暴露することなく、第9の成膜室に導入し、前記層間絶縁膜上に酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、窒化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜で構成される第3の絶縁膜を成膜し、前記基板を、大気に暴露することなく、第10の成膜室に導入し、前記第3の絶縁膜上に導電膜を成膜し、前記導電膜を加工してバックゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項12または請求項13において、前記層間絶縁膜が、酸化シリコン膜または酸化ガリウム膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項12乃至請求項14のいずれか一において、前記バックゲート電極上に、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、窒化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜で構成される第4の絶縁膜を成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1乃至請求項15のいずれか一において、前記第1の成膜室乃至前記第10の成膜室のいずれか一と、前記第1の成膜室乃至前記第10の成膜室の他のいずれか一以上とが同一であることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1乃至請求項16のいずれか一において、前記第1の成膜室乃至前記第10の成膜室のリークレートが1×10-10Pam3/秒以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性は、基板内、基板間およびロット間において、ばらつきが大きく、熱、バイアスまたは光などの影響で変動が起こる場合がある。そこで、信頼性が高く、電気特性のばらつきの小さい酸化物半導体を用いた半導体装置を作製することを目的とする。酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、水素の一部がドナーとなり、電子を生じることが知られている。電子が発生すると、ゲート電圧を印加しなくてもドレイン電流が流れてしまう。そのため、しきい値電圧がマイナスシフトする。酸化物半導体を用いたトランジスタはn型を示すことが多く、しきい値電圧のマイナスシフトによってノーマリーオンの特性となる。ここで、ノーマリーオンとは、ゲート電極に電圧を印加しなくてもチャネルが存在し、トランジスタに電流が流れてしまう状態のことをいう。また、トランジスタを作製した後で、酸化物半導体膜へ水素が混入することによって、トランジスタのしきい値電圧が変動する場合がある。しきい値電圧の変動は、トランジスタの信頼性を著しく損なう。本発明者は、成膜によって膜中に意図しない水素が含まれてしまうことを見出した。なお、本明細書において水素は水素原子または水素イオンを指し、例えば水素を含むと記載した場合、水素分子、炭化水素、水酸基および水などに由来する水素も含む。本発明の一態様は、酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、膜中および膜と膜との界面の水素を排除する半導体装置の作製方法である。膜と膜との界面の水素を排除するためには、成膜と成膜との間で、基板を大気に暴露しなければよい。好ましくは基板を真空下で搬送する。また、大気暴露された表面を持つ基板は、熱処理またはプラズマ処理によって、該基板の表面の水素を除去してもよい。膜中の水素を排除するためには、基板の被成膜面、膜の材料中および成膜室に存在する水素を低減すればよい。膜中に取り込まれた水素を熱処理またはプラズマ処理によって除去してもよい。基板の被成膜面における水素濃度の低減および膜中の水素濃度の低減のために、熱処理またはプラズマ処理を行ってもよい。本発明の一態様において、熱処理は、不活性雰囲気、減圧雰囲気または乾燥空気雰囲気で行う。不活性雰囲気とは、不活性ガス窒素、希ガスヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンなどを主成分とする雰囲気をいい、水素が含まれないことが好ましい。例えば、導入する不活性ガスの純度を、8N99.999999以上、好ましくは9N99.9999999以上とする。また、不活性雰囲気とは、不活性ガスを主成分とする雰囲気で、反応性ガスが0.1ppm未満である雰囲気のことをいう。反応性ガスとは、半導体や金属などと反応するガスのことをいう。減圧雰囲気とは、圧力が10Pa以下のことをいう。乾燥空気雰囲気は、露点-40°C以下、好ましくは露点-50°C以下とすればよい。プラズマ処理は、低温で処理可能であり、かつ短時間で効率よく水素を除去することができる。特に、基板表面に強く結合している水素の除去に効果的である。また、水素をブロッキングする膜でトランジスタを挟み込むことで、外部からの水素の混入を抑制することができる。本発明の一態様により、酸化物半導体膜に含まれる水素を低減でき、しきい値電圧のばらつきの少ない、安定した電気特性を有するトランジスタが提供される。または、本発明の一態様により、酸化物半導体膜に接する膜中の水素を低減できるため、酸化物半導体膜への水素の混入を抑制できる。そのため、電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタを有する半導体装置が提供される。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。なお、同様のものを指す際にはハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。なお、第1、第2として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順または積層順を示すものではない。また、本明細書において発明を特定するための事項として固有の名称を示すものではない。実施の形態1本実施の形態では、膜中および膜と膜との界面への水素の混入が少ないトップゲートトップコンタクト構造の酸化物半導体を用いたトランジスタの作製方法について説明する。図1はマルチチャンバーの成膜装置における基板の経路を示すフロー図である。図2は図1のフローと対応した半導体装置の作製方法を示す断面図である。図3は、マルチチャンバーの成膜装置である。該成膜装置は、基板を収容するカセットポート14を3つ有する基板供給室11と、ロードロック室12a及びロードロック室12bと、搬送室13と、基板処理室15と、リークレートが1×10-10Pam3/秒以下である成膜室10aと、リークレートが1×10-10Pam3/秒以下である成膜室10bと、リークレートが1×10-10Pam3/秒以下である成膜室10cと、を有する。基板供給室は、ロードロック室12a及びロードロック室12bと接続する。ロードロック室12a及びロードロック室12bは、搬送室13と接続する。基板処理室15、成膜室10a、成膜室10b及び成膜室10cは、搬送室13とのみ接続する。各室の接続部にはゲートバルブが設けられており、各室を独立して真空状態に保持することができる。なお、成膜室10a、成膜室10b及び成膜室10cは、純度が99.999999以上の成膜ガスを導入することができる。図示しないが、搬送室13は一以上の基板搬送ロボットを有する。ここで、基板処理室15は、水素をほとんど含まない雰囲気不活性雰囲気、減圧雰囲気または乾燥空気雰囲気など下に制御することができる。例えば、露点-40°C以下、好ましくは露点-50°C以下の乾燥窒素雰囲気にすることができる。ここで、基板処理室15は、基板加熱室とプラズマ処理室を兼ねると好ましい。枚葉式マルチチャンバーの成膜装置は、処理と処理の間で基板を大気暴露する必要がなく、基板に水素が吸着することを抑制できる。また、成膜や熱処理などの順番を自由に構築することができる。なお、成膜室、ロードロック室及び基板処理室の数は、上述の数に限定されるわけではなく、設置スペースやプロセスに併せて適宜決めればよい。まず、図1の工程S501で示すように、基板100を基板供給室11内のカセットポート14にセットする。次に、図1の工程S502で示すように、大気圧状態にしたロードロック室12aのゲートバルブを開放し、カセットポート14から基板100をロードロック室12aへ第1の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。基板100をロードロック室12aに導入した後、ロードロック室12aを排気し、真空状態にする。図1の工程S503で示すように、真空状態のロードロック室12aと真空状態の搬送室13の間のゲートバルブを開放し、基板100を搬送室13へ第2の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。基板100を搬送室13に導入した後、図1の工程S504で示すように、搬送室13と真空状態の基板処理室15の間のゲートバルブを開放し、基板100を基板処理室15へ第2の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。基板100を基板処理室15に導入した後、基板100を熱処理またはプラズマ処理する図2A参照。。基板100を熱処理またはプラズマ処理することによって、基板100を脱水化または脱水素化処理できる。熱処理の温度は300°C以上基板の歪み点未満、好ましくは400°C以上550°C以下とし、不活性雰囲気、減圧雰囲気または乾燥空気雰囲気で行う。抵抗加熱方式などを用いて加熱してもよい。あるいは、加熱されたガスなどの媒体からの熱伝導または熱輻射による加熱RTARapidThermalAnnealしても用いてもよい。例えば、RTAとして、GRTAGasRapidThermalAnneal、LRTALampRapidThermalAnnealなどを用いることができる。LRTAは、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光電磁波の輻射により、被処理物を加熱する。GRTAは、高温のガスを用いて熱処理を行う。ガスとしては、不活性ガスが用いられる。RTAによる短時間の熱処理では、基板の歪み点以上の温度でも基板を歪ませないことができるため、効率よく脱水化または脱水素化処理できる。例えば、基板温度を500°C以上650°C以下とし、処理時間を1分以上10分以下とすればよい。プラズマ処理は、希ガス、酸素、窒素などの雰囲気で生成したプラズマで基板表面の吸着水素を除去することができる。また、プラズマ処理では、基板100と強く結合した水素を効率よく除去することができる。例えば、逆スパッタリング法によってアルゴンプラズマ処理を行えばよい。基板100を脱水化または脱水素化処理した後、図1の工程S505で示すように、搬送室13と基板処理室15の間のゲートバルブを開放し、基板100を搬送室13へ第2の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。基板100を搬送室13に導入した後、搬送室13と真空状態の成膜室10cの間のゲートバルブを開放し、図1の工程S506で示すように、基板100を成膜室10cへ第2の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。基板100を成膜室10cに導入した後、基板100上に下地絶縁膜102を100nm以上500nm以下の厚さで成膜する図2B参照。。下地絶縁膜102は、スパッタリング法、分子線エピタキシーMBE:MolecularBeamEpitaxy法、CVD法、パルスレーザ堆積法、原子層堆積ALD:AtomicLayerDeposition法などの成膜方法で成膜する。下地絶縁膜102の材料には、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化ガリウム、酸化ガリウムアルミニウムGaxAl2-xO3yxは0以上2以下、yは0超過1未満、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムなどを単層または積層して用いる。例えば、下地絶縁膜102を窒化シリコン膜と酸化シリコン膜の積層構造とすると、基板などからトランジスタ150への水分の混入を防ぐことができる。下地絶縁膜102を積層構造で形成する場合、後に成膜する酸化物半導体膜106と接する側の膜を加熱により酸素放出する絶縁膜酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウムなどとするとよい。こうすることで、下地絶縁膜102から酸化物半導体膜106へ酸素が供給され、酸化物半導体膜106の酸素欠損、および下地絶縁膜102と酸化物半導体膜106の界面準位を低減することができる。酸化物半導体膜106の酸素欠損はしきい値電圧のマイナスシフトの原因となり、また、下地絶縁膜102と酸化物半導体膜106の界面準位はトランジスタの信頼性を低下させる。なお、ここでは、酸化窒化シリコンとは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものであって、好ましくは、ラザフォード後方散乱法RBS:RutherfordBackscatteringSpectrometryおよび水素前方散乱法HFS:HydrogenForwardScatteringSpectrometryを用いて測定した場合に、組成範囲として酸素が50原子~70原子、窒素が0.5原子~15原子、およびシリコンが25原子~35原子の範囲で含まれるものをいう。また、窒化酸化シリコンとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものであって、好ましくは、RBSおよびHFSを用いて測定した場合に、組成範囲として酸素が5原子~30原子、窒素が20原子~55原子、シリコンが25原子~35原子、水素が10原子~30原子の範囲で含まれるものをいう。ただし、酸化窒化シリコンまたは窒化酸化シリコンを構成する原子の合計を100原子としたとき、窒素、酸素、シリコンおよび水素の含有比率が上記の範囲内に含まれるものとする。酸化窒化アルミニウムとは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものをいう。また、窒化酸化アルミニウムとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量の多いものをいう。加熱により酸素放出するとは、TDSThermalDesorptionSpectroscopy:昇温脱離ガス分光法分析にて、酸素原子に換算したときの酸素の放出量が1.0×1018atoms/cm3以上、好ましくは1.0×1020atoms/cm3以上、さらに好ましくは3.0×1020atoms/cm3以上であることをいう。ここで、TDS分析による、酸素原子に換算したときの酸素の放出量の測定方法について、以下に説明する。TDS分析したときの気体の放出量は、スペクトルの積分値に比例する。このため、絶縁膜のスペクトルの積分値と、標準試料の基準値に対する比とにより、気体の放出量を計算することができる。標準試料の基準値とは、所定の原子を含む試料の、スペクトルの積分値に対する原子の密度の割合である。例えば、標準試料である所定の密度の水素を含むシリコンウェハのTDS分析結果、および絶縁膜のTDS分析結果から、絶縁膜の酸素分子の放出量NO2は、数式1で求めることができる。ここで、TDS分析で得られる質量数32で検出されるスペクトルの全てが酸素分子由来と仮定する。質量数32のものとしてCH3OHがあるが、存在する可能性が低いものとしてここでは考慮しない。また、酸素原子の同位体である質量数17の酸素原子および質量数18の酸素原子を含む酸素分子についても、自然界における存在比率が極微量であるため考慮しない。NO2=NH2/SH2×SO2×α数式1NH2は、標準試料から脱離した水素分子を密度で換算した値である。SH2は、標準試料をTDS分析したときのスペクトルの積分値である。ここで、標準試料の基準値を、NH2/SH2とする。SO2は、絶縁膜をTDS分析したときのスペクトルの積分値である。αは、TDS分析におけるスペクトル強度に影響する係数である。数式1の詳細に関しては、特開平6-275697公報を参照する。なお、上記絶縁膜の酸素の放出量は、電子科学株式会社製の昇温脱離分析装置EMD-WA1000S/Wを用い、標準試料として1×1016atoms/cm3の水素原子を含むシリコンウェハを用いて測定した。また、TDS分析において、酸素の一部は酸素原子として検出される。酸素分子と酸素原子の比率は、酸素分子のイオン化率から算出することができる。なお、上述のαは酸素分子のイオン化率を含むため、酸素分子の放出量を評価することで、酸素原子の放出量についても見積もることができる。なお、NO2は酸素分子の放出量である。絶縁膜においては、酸素原子に換算したときの酸素の放出量は、酸素分子の放出量の2倍となる。上記構成において、加熱により酸素放出する絶縁膜は、酸素が過剰な酸化シリコンSiOXX>2であってもよい。酸素が過剰な酸化シリコンSiOXX>2とは、シリコン原子数の2倍より多い酸素原子を単位体積当たりに含むものをいう。単位体積当たりのシリコン原子数および酸素原子数は、ラザフォード後方散乱法により測定した値である。スパッタリング法を用いて加熱により酸素放出する絶縁膜を成膜するには、成膜ガスとして、酸素と希ガスの混合ガスを用いる場合、希ガスに対して酸素の混合割合を高めるとよい。例えば、全ガス中の酸素の濃度を6以上100以下にするとよい。好ましくは酸化物ターゲットを用いる。基板100上に下地絶縁膜102を成膜した後、図1の工程S507で示すように、搬送室13と成膜室10cの間のゲートバルブを開放し、基板100を搬送室13へ第2の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。図示しないが、この後、搬送室13と真空状態の基板処理室15の間のゲートバルブを開放し、基板100を基板処理室15へ第2の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じ、その後、基板100を熱処理してもよい。該熱処理は、不活性雰囲気、減圧雰囲気または乾燥空気雰囲気において150°C以上280°C以下、好ましくは200°C以上250°C以下で行う。これにより、基板100および下地絶縁膜102から水素を除去することができる。なお、下地絶縁膜102から水素を除去するが、酸素を極力放出させない温度であることが好ましい。基板100を熱処理した後、搬送室13と基板処理室15の間のゲートバルブを開放し、基板100を搬送室13へ第2の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。基板100を搬送室13に導入した後、図1の工程S508で示すように、搬送室13と真空状態の成膜室10aの間のゲートバルブを開放し、基板100を成膜室10aへ第2の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。基板100を成膜室10aに導入した後、下地絶縁膜102上に酸化物半導体膜106を3nm以上50nm以下の厚さで成膜する図2C参照。。酸化物半導体膜106は、スパッタリング法、MBE法、CVD法、パルスレーザ堆積法、ALD法などの成膜方法で成膜する。酸化物半導体膜106に用いる材料としては、四元系金属酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn-O系の材料や、三元系金属酸化物であるIn-Ga-Zn-O系の材料、In-Sn-Zn-O系の材料、In-Al-Zn-O系の材料、Sn-Ga-Zn-O系の材料、Al-Ga-Zn-O系の材料、Sn-Al-Zn-O系の材料や、二元系金属酸化物であるIn-Zn-O系の材料、Sn-Zn-O系の材料、Al-Zn-O系の材料、Zn-Mg-O系の材料、Sn-Mg-O系の材料、In-Mg-O系の材料、In-Ga-O系の材料や、In-O系の材料、Sn-O系の材料、Zn-O系の材料などを用いてもよい。また、上記の材料に酸化シリコンを含ませてもよい。ここで、例えば、In-Ga-Zn-O系の材料は、インジウムIn、ガリウムGa、亜鉛Znを有する酸化物、という意味であり、その組成比は特に問わない。また、InとGaとZn以外の元素を含んでいてもよい。また、酸化物半導体膜106は、化学式InMO3ZnOmm>0で表記される材料を用いた薄膜により形成してもよい。ここで、Mは、Ga、Al、MnおよびCoから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えば、Mとして、Ga、GaおよびAl、GaおよびMnまたはGaおよびCoなどを用いてもよい。アルカリ金属、およびアルカリ土類金属は酸化物半導体にとっては悪性の不純物であり、少ないほうがよい。Naは5×1016cm-3以下、好ましくは1×1016cm-3以下、さらに好ましくは1×1015cm-3以下とする。また、Liは5×1015cm-3以下、好ましくは1×1015cm-3以下とする。また、Kは5×1015cm-3以下、好ましくは1×1015cm-3以下とする。特にアルカリ金属のうち、ナトリウムは酸化物半導体に接する絶縁膜が酸化物であった場合、絶縁膜中に拡散し、Naとなる。また、酸化物半導体内において、金属と酸素の結合を分断し、または結合中に割り込む。その結果、トランジスタ特性の劣化例えば、ノーマリオン化しきい値電圧のマイナスシフト、電界効果移動度の低下等をもたらす。加えて、特性のばらつきの原因ともなる。このような問題は、特に酸化物半導体中の水素の濃度が十分に低い場合において顕著となる。したがって、酸化物半導体中の水素の濃度が5×1019cm-3以下、特に5×1018cm-3以下である場合には、アルカリ金属の濃度を上記の値にすることが強く求められる。本実施の形態では、酸化物半導体膜を、In-Ga-Zn-O系の酸化物ターゲットを用いたスパッタリング法によって成膜する。In-Ga-Zn-O系の酸化物ターゲットとしては、例えば、組成比として、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol数比]の酸化物ターゲットを用いる。なお、ターゲットの材料および組成を上述したものに限定する必要はない。例えば、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比]の組成比の酸化物ターゲットを用いることもできる。酸化物ターゲットの相対密度は、90以上100以下、好ましくは95以上99.9以下とする。相対密度の高い酸化物ターゲットを用いることによって、成膜する酸化物半導体膜を緻密な膜とすることができるためである。例えば、酸化物半導体膜は、次のように成膜する。ただし、次の方法に限定されるわけではない。成膜条件の一例として、基板とターゲットとの間の距離を60mm、圧力を0.4Pa、直流DC電源を0.5kW、成膜雰囲気をアルゴンと酸素の混合雰囲気酸素流量比率33とする。なお、パルスDCスパッタリング法を用いると、成膜時に発生する粉状物質パーティクル、ごみともいうが軽減でき、厚さの分布も均一となるため好ましい。基板100上に酸化物半導体膜106を成膜した後、図1の工程S509で示すように、搬送室13と成膜室10aの間のゲートバルブを開放し、基板100を搬送室13へ第2の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。基板100を搬送室13に導入した後、図1の工程S510で示すように、搬送室13と真空状態の基板処理室15の間のゲートバルブを開放し、基板100を基板処理室15へ第2の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。基板100を基板処理室15に導入した後、基板100を熱処理またはプラズマ処理する。熱処理またはプラズマ処理することによって、酸化物半導体膜106を脱水化または脱水素化処理できる。熱処理の温度は150°C以上基板の歪み点未満、好ましくは250°C以上470°C以下、とし、酸化性雰囲気、不活性雰囲気、減圧雰囲気または乾燥空気雰囲気で行う。このとき、酸化物半導体膜106中から水素を除去すると同時に下地絶縁膜102から酸化物半導体膜106に酸素を供給してもよい。なお、該熱処理は、図1の工程S507および図1の工程S508の間に行う熱処理よりも5°C以上高い温度で行うと好ましい。このような温度範囲とすることで、下地絶縁膜102から酸化物半導体膜106へ効率よく酸素を供給することができる。なお、酸化性雰囲気とは酸化性ガスを含む雰囲気をいう。酸化性ガスとは、酸素、オゾンまたは亜酸化窒素などであって、水、水素などが含まれないことが好ましい。例えば、熱処理装置に導入する酸素、オゾン、亜酸化窒素の純度を、8N99.999999以上、好ましくは9N99.9999999以上とする。酸化性雰囲気には、酸化性ガスを不活性ガスと混合して用いてもよく、酸化性ガスが少なくとも10ppm以上含まれるものとする。酸化物半導体膜106を脱水化または脱水素化処理した後、図1の工程S511で示すように、搬送室13と基板処理室15の間のゲートバルブを開放し、基板100を搬送室13へ第2の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。基板100を搬送室13に導入した後、図1の工程S512で示すように、搬送室13と真空状態の成膜室10bの間のゲートバルブを開放し、基板100を成膜室10bへ第2の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。基板100を成膜室10bに導入した後、酸化物半導体膜106上に酸化物導電膜128を3nm以上30nm以下の厚さで成膜する図2D参照。。酸化物導電膜128は、スパッタリング法、MBE法、CVD法、パルスレーザ堆積法、ALD法などの成膜方法で成膜する。酸化物導電膜を酸化物半導体膜106と後に形成するソース電極108a、ドレイン電極108bとの間に設けることで、ソース領域およびドレイン領域と酸化物半導体膜106のコンタクト抵抗を低くすることができ、トランジスタを高速動作させることができる。酸化物導電膜は、酸化インジウムIn2O3、酸化スズSnO2、酸化亜鉛ZnO、インジウムスズ酸化物In2O3―SnO2、ITOと略記する、インジウム亜鉛酸化物In2O3―ZnOまたはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。また、酸化物導電膜は、酸化物半導体膜106に窒素を注入することで設けてもよい。または、酸化物半導体膜106と同様の材料をターゲットに用いて、成膜ガスに窒素を含むスパッタリング法によって成膜しても構わない。なお、図1に示した基板の経路は、必ずしも全ての工程を経なくてはならないわけではない。例えば、図1の工程S504、図1の工程S510および図1の工程S512のいずれか一以上を省略しても構わない。その場合、以降の工程も適宜変更してよい。以上の工程を大気に暴露することなく行う。なお、図1のフローに示さないが、酸化物導電膜128を成膜した後、基板100を搬送室13およびロードロック室12bを介して、基板供給室11にあるカセットポート14に戻せばよい。続いて、図4を用いて、以降のトランジスタ作製工程について説明する。図2Dにおいて、酸化物導電膜128上にフォトリソグラフィ工程によってレジストマスクを形成し、酸化物半導体膜106および酸化物導電膜128を島状に加工した後、該レジストマスクを除去する図4A参照。。次に、島状の酸化物半導体膜106および酸化物導電膜128を覆う導電膜を15nm以上700nm以下の厚さで成膜し、フォトリソグラフィ工程によってレジストマスクを形成し、導電膜を加工してソース電極108aおよびドレイン電極108bを形成する。この際、酸化物導電膜128も同時に加工し、該レジストマスクを除去する図4B参照。。なお、図示しないが、酸化物導電膜128を加工する際に、酸化物半導体膜106の一部がソース電極108aおよびドレイン電極108bの間の領域でエッチングされることがある。その場合、酸化物半導体膜106がソース電極108aおよびドレイン電極108bの間の領域で消失しないように加工条件を決めるとよい。ソース電極108aおよびドレイン電極108bとなる導電膜としては、例えば、Al、Cr、Cu、Ta、Ti、MoおよびWから選ばれた元素を含む金属膜または上述した元素を成分とする金属窒化物膜窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜などを用いることができる。また、Al、Cuなどの金属膜の下側および上側の一方または双方にTi、Mo、Wなどの高融点金属膜またはこれらの金属窒化物膜窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜などを積層させた構成を用いてもよい。なお、ソース電極108aおよびドレイン電極108bとなる導電膜を、図3に示すマルチチャンバーの成膜装置を用いて成膜してもよい。導電膜の加工は、レジストマスクを用いたエッチングによって行うことができる。当該エッチングに用いるレジストマスク形成時の露光には、紫外線やKrFレーザ光やArFレーザ光などを用いるとよい。なお、チャネル長L=25nm未満となるように露光を行う場合には、例えば、数nm~数十nmと極めて波長が短い超紫外線ExtremeUltravioletを用いて、レジストマスク形成時の露光を行うとよい。超紫外線による露光は、解像度が高く焦点深度も大きい。したがって、後に形成されるトランジスタのチャネル長Lを短くすることが可能であり、回路の動作を速くすることができる。また、いわゆる多階調マスクによって形成されたレジストマスクを用いてエッチングを行ってもよい。多階調マスクを用いて形成されたレジストマスクは、複数の厚さを有する形状となり、アッシングによってさらに形状を変形させることができるため、異なるパターンに加工する複数のエッチング工程に用いることが可能である。このため、一枚の多階調マスクによって、少なくとも二種類以上の異なるパターンに対応するレジストマスクを形成することができる。つまり、工程の簡略化が可能となる。次に、ソース電極108aおよびドレイン電極108bを覆い、下地絶縁膜102、酸化物半導体膜106および酸化物導電膜128と一部が接するゲート絶縁膜112を成膜する図4C参照。。なお、ゲート絶縁膜112の成膜直前に、酸化性ガスを用いたプラズマ処理を行い、露出している酸化物半導体膜106の表面を酸化し、酸素欠損を埋めてもよい。プラズマ処理を行った場合、当該プラズマ処理に続けて大気に触れさせることなく、酸化物半導体膜106の一部に接するゲート絶縁膜112を成膜することが好ましい。ゲート絶縁膜112を、図3に示すマルチチャンバーの成膜装置を用いて成膜すればよい。ゲート絶縁膜112は、下地絶縁膜102と同様の構成としてもよく、加熱により酸素放出する絶縁膜であることが好ましい。このとき、トランジスタのゲート絶縁膜として機能することを考慮して、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウムまたは酸化アルミニウムなどの比誘電率が高い材料を採用してもよい。また、ゲート耐圧や酸化物半導体との界面状態などを考慮し、酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは窒化シリコンに、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウムまたは酸化アルミニウムなどの比誘電率の高い材料を積層してもよい。ゲート絶縁膜112の合計の膜厚は、好ましくは1nm以上300nm以下、より好ましくは5nm以上50nm以下とする。ゲート絶縁膜が厚いほど短チャネル効果が顕著となり、しきい値電圧がマイナスシフトしやすい傾向となる。また、ゲート絶縁膜が5nm以下となるとトンネル電流によるリークが増大することがわかっている。次に、導電膜を成膜する。該導電膜をフォトリソグラフィ工程によって形成したレジストマスクを用いて加工してゲート電極114を形成し、該レジストマスクを除去する図4D参照。。ゲート電極114は、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウムなどの金属材料、これらの窒化物、またはこれらを主成分とする合金材料を用いて形成することができる。なお、ゲート電極114は、単層構造としてもよいし、積層構造としてもよい。また、導電膜にAlを含む材料を用いる場合には、以後の工程におけるプロセス最高温度を380°C以下とすることが好ましく、特に好ましくは350°C以下とする。また、導電膜にCuを用いる場合も、マイグレーションによる不良やCu元素の拡散を防ぐため、Mo、Ti、Wなどの、Cuよりも融点の高い金属材料を積層することが好ましい。また、導電膜にCuを含む材料を用いる場合には、以後の工程におけるプロセス最高温度を450°C以下とすることが好ましい。ゲート電極114となる導電膜を、図3に示すマルチチャンバーの成膜装置で成膜してもよい。なお、酸化物半導体膜106へのプラズマ処理乃至ゲート電極114となる導電膜の成膜までを、大気に暴露せずに行うと好ましい。より好ましくは、図3のマルチチャンバーの成膜装置を用いる。大気に暴露しないことで、膜中および膜と膜との界面の水素を排除することができる。以上の工程でトランジスタ150が作製される。なお、トランジスタ150の上面図および断面図を図5に示す。図5Bは、図5AのA-B断面における断面図である。図5Cは、図5AのC-D断面における断面図である。なお、図5Aでは、煩雑になることを避けるため、トランジスタ150の構成要素の一部例えば、ゲート絶縁膜112などを省略している。本実施の形態を用いることによって、膜中および膜と膜との界面の水素を排除することができ、しきい値電圧のばらつきの少ない、安定した電気特性を有するトランジスタが提供される。また、酸化物半導体膜に接する膜中の水素を低減できるため、酸化物半導体膜への水素の混入を抑制できる。そのため、電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタを有する半導体装置が提供される。また、マルチチャンバーの成膜装置を用いることで、トランジスタを作製するために必要な装置を少なくすることができる。実施の形態2本実施の形態では、膜中および膜と膜との界面への水素の混入が少ないボトムゲートトップコンタクト構造の酸化物半導体を用いたトランジスタの作製方法について説明する。図6はマルチチャンバーの成膜装置における基板の経路を示すフロー図である。図7は図6の作製フローと対応した断面図である。マルチチャンバーの成膜装置は実施の形態1と同様の成膜装置を用いる。まず、図6の工程S601で示すように、基板200を基板供給室11内のカセットポート14にセットする。次に、図6の工程S602で示すように、大気圧状態にしたロードロック室12aのゲートバルブを開放し、カセットポート14から基板200をロードロック室12aへ第1の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。基板200をロードロック室12aに導入した後、ロードロック室12aを排気し、真空状態にする。図6の工程S603で示すように、真空状態のロードロック室12aと真空状態の搬送室13の間のゲートバルブを開放し、基板200を搬送室13へ第2の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。基板200を搬送室13に導入した後、図6の工程S604で示すように、搬送室13と真空状態の基板処理室15の間のゲートバルブを開放し、基板200を基板処理室15へ第2の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。基板200を基板処理室15に導入した後、基板200を熱処理またはプラズマ処理する図7A参照。。熱処理およびプラズマ処理は、実施の形態1と同様の方法で行えばよい。基板200を脱水化または脱水素化処理した後、図6の工程S605で示すように、搬送室13と基板処理室15の間のゲートバルブを開放し、基板200を搬送室13へ第2の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。基板200を搬送室13に導入した後、図6の工程S606で示すように、搬送室13と真空状態の成膜室10cの間のゲートバルブを開放し、基板200を成膜室10cへ第2の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。基板200を成膜室10cに導入した後、基板200上に下地絶縁膜202を成膜する図7B参照。。下地絶縁膜202は、下地絶縁膜102と同様の構成にすればよい。基板200上に下地絶縁膜202を成膜した後、図6の工程S607で示すように、搬送室13と成膜室10cの間のゲートバルブを開放し、基板200を搬送室13へ第2の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。基板200を搬送室13に導入した後、図6の工程S608で示すように、搬送室13と真空状態の成膜室10aの間のゲートバルブを開放し、基板200を成膜室10aへ第2の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。基板200を成膜室10aに導入した後、基板200上に導電膜213を成膜する図7C参照。。導電膜213は、ゲート電極114となる導電膜と同様の構成にすればよい。なお、図6に示した基板の経路は、必ずしも全ての工程を経なくてはならないわけではない。例えば、図6の工程S604を省略しても構わない。その場合、以下の工程も適宜変更してよい。以上の工程を大気に暴露することなく行う。なお、図6のフローに示さないが、導電膜を成膜した後、基板200を搬送室13およびロードロック室12bを介して、基板供給室11にあるカセットポート14に戻せばよい。または、下地絶縁膜202を成膜した後で、基板200を基板処理室15に搬送し、該基板200をプラズマ処理または熱処理し、続いて基板200を搬送室13を介して成膜室10bに搬送し、絶縁膜を成膜してもよい。該絶縁膜は、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化ガリウム膜、酸化ガリウムアルミニウム膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、窒化酸化アルミニウム膜または窒化アルミニウム膜で構成する。その後、搬送室13を介して成膜室10aに基板200を搬送し、導電膜213を成膜する。なお、以上の工程を大気に暴露することなく行う。こうすることで、より膜中および膜と膜との界面に存在する水素を排除することができる。続いて、図8および図9を用いて、図7以降のトランジスタ作製工程について説明する。まず、導電膜213上にフォトリソグラフィ工程によってレジストマスクを形成し、加工して、ゲート電極214を形成する図8A参照。。次に、ゲート電極214を覆い、下地絶縁膜202と一部が接するゲート絶縁膜212を成膜し、続いてゲート絶縁膜212上に酸化物半導体膜206を成膜する図8B参照。。ゲート絶縁膜212および酸化物半導体膜206は、それぞれゲート絶縁膜112および酸化物半導体膜106と同様の構成とすればよい。次に、基板200を熱処理またはプラズマ処理する。熱処理またはプラズマ処理することによって、酸化物半導体膜206を脱水化または脱水素化処理できる。熱処理の温度は150°C以上基板の歪み点未満、好ましくは250°C以上470°C以下とし、酸化性雰囲気、不活性雰囲気、減圧雰囲気または乾燥空気雰囲気で行う。ゲート絶縁膜212に酸素放出する絶縁膜を用いる場合、該熱処理によって、ゲート絶縁膜212から酸化物半導体膜206に酸素を供給することができる。次に、酸化物半導体膜206上に、酸化物導電膜228を成膜する図8C参照。。酸化物導電膜228は酸化物導電膜128と同様の構成とすればよい。ただし、酸化物導電膜228を設けない構成としても構わない。ここで、ゲート絶縁膜212乃至酸化物導電膜228の成膜を大気に暴露することなく行うことが好ましい。膜中および膜と膜との界面の水素を排除でき、トランジスタの電気特性および信頼性を向上させることができる。なお、ゲート絶縁膜212乃至酸化物導電膜228の成膜には、図3に示したマルチチャンバーの成膜装置を用いることができる。次に、酸化物導電膜228上にフォトリソグラフィ工程によってレジストマスクを形成し、酸化物導電膜228および酸化物半導体膜206を島状に加工する図8D参照。。次に、酸化物導電膜228、酸化物半導体膜206およびゲート絶縁膜212を覆う導電膜を成膜し、該導電膜上にフォトリソグラフィ工程によってレジストマスクを形成し、加工してソース電極208aおよびドレイン電極208bを形成する。ここで、ソース電極208aおよびドレイン電極208bの間の酸化物導電膜228も同時に加工し、酸化物半導体膜206の表面に接して、ソース電極およびドレイン電極の一部と接続するように酸化物導電膜228を設ける図8E参照。。ソース電極208aおよびドレイン電極208bは、ソース電極108aおよびドレイン電極108bと同様の構成とすればよい。以上の工程によりボトムゲートトップコンタクト構造のトランジスタ250を作製することができる。ここで、ソース電極208a、ドレイン電極208b、酸化物導電膜228、酸化物半導体膜206およびゲート絶縁膜212に対し、プラズマ処理または熱処理を行ってもよい。例えば、逆スパッタ処理を行うことでソース電極208aおよびドレイン電極208bの上端部が曲面を持ち、トランジスタ動作時の電界集中を緩和することができる。また、酸化性雰囲気のプラズマ処理または熱処理によって、酸化物半導体膜206の膜中または表面近くの欠陥を修復し、酸素欠損を低減できる。該熱処理は、200°C以上500°C以下で行えばよい。次に、ソース電極208aおよびドレイン電極208bを覆い、酸化物導電膜228、酸化物半導体膜206およびゲート絶縁膜212と一部が接する層間絶縁膜216を成膜し、続いて層間絶縁膜216上に導電膜222を成膜する図9A参照。。なお、層間絶縁膜216は、下地絶縁膜202と同様の構成とすればよい。例えば、層間絶縁膜216の一部を窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化ガリウム膜、酸化ガリウムアルミニウム膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、窒化酸化アルミニウム膜または窒化アルミニウム膜とすることで、外部から入り込む水素を低減することができて好ましい。導電膜222は、ゲート電極214または酸化物導電膜228と同様の材料を用いればよい。なお、層間絶縁膜216を成膜した後、熱処理を酸化性雰囲気、不活性雰囲気、減圧雰囲気または乾燥空気雰囲気で250°C以上350°C以下で行ってもよい。該熱処理を行うことで、層間絶縁膜216に酸素放出する絶縁膜を用いる場合、層間絶縁膜216から酸化物半導体膜206に酸素を供給することができる。また、供給された酸素は、酸化物半導体膜206と層間絶縁膜216との界面またはその近傍の酸素欠損を低減し、かつ層間絶縁膜216の一部を窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化ガリウム膜、酸化ガリウムアルミニウム膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、窒化酸化アルミニウム膜または窒化アルミニウム膜とすることによって、供給された酸素が外方拡散することを防ぐことができる。即ち、酸化物半導体膜206およびその近傍に新たな酸素欠損が生じにくいことにより、電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタを作製することができる。ここで、ソース電極208a、ドレイン電極208b、酸化物導電膜228、酸化物半導体膜206およびゲート絶縁膜212に対するプラズマ処理または熱処理から導電膜222の成膜までを大気に暴露せず行うと好ましい。膜中および膜と膜との界面の水素を排除でき、トランジスタの電気特性および信頼性を向上させることができる。なお、図3に示したマルチチャンバーの成膜装置を用いればよい。次に、導電膜222上にフォトリソグラフィ工程によってレジストマスクを形成し、導電膜222をバックゲート電極224に加工する図9B参照。。以上の工程によりバックゲート電極を有するボトムゲートトップコンタクト構造のトランジスタ252を作製することができる。次に、バックゲート電極224および層間絶縁膜216を覆う保護絶縁膜226を成膜してもよい図9C参照。。保護絶縁膜226は、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜または酸化アルミニウム膜を、スパッタリング法またはCVD法で成膜すればよい。保護絶縁膜226を設けることで、トランジスタ252内へ外部からの水素の混入を抑制できる。本実施の形態を用いることによって、膜中および膜と膜との界面の水素を排除することができ、しきい値電圧のばらつきの少ない、安定した電気特性を有するトランジスタが提供される。また、酸化物半導体膜に接する膜中の水素を低減できるため、酸化物半導体膜への水素の混入を抑制できる。そのため、電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタを有する半導体装置が提供される。また、マルチチャンバーの成膜装置を用いることで、トランジスタを作製するために必要な装置を少なくすることができる。実施の形態3本実施の形態では、実施の形態2とは異なる膜中および膜と膜との界面への水素の混入が少ないボトムゲートトップコンタクト構造の酸化物半導体を用いたトランジスタの作製方法について図10を用いて説明する。なお、図6のフローおよび図7までは、実施の形態2と同様の作製工程である。図10Aおよび図10Bまでの作製工程は、図8Aおよび図8Bまでの作製工程と同様である。酸化物半導体膜206の成膜後、基板200を熱処理またはプラズマ処理する。熱処理またはプラズマ処理することによって、酸化物半導体膜206を脱水化または脱水素化処理できる。熱処理の温度は150°C以上基板の歪み点未満、好ましくは250°C以上470°C以下とし、酸化性雰囲気、不活性雰囲気、減圧雰囲気または乾燥空気雰囲気で行う。次に、酸化物半導体膜206上に、酸化物導電膜328および導電膜308を成膜する図10C参照。。酸化物導電膜328は酸化物導電膜128と同様の構成とすればよい。なお、酸化物導電膜328を設けない構成としても構わない。また、導電膜308は、後に加工してソース電極308aおよびドレイン電極308bとなる。導電膜308は、ソース電極108aおよびドレイン電極108bとなる導電膜と同様の構成とすればよい。ここで、ゲート絶縁膜212の成膜から導電膜308の成膜までを大気に暴露することなく行うことが好ましい。なお、ゲート絶縁膜212の成膜から導電膜308の成膜までの工程には、図3に示したマルチチャンバーの成膜装置を用いることができる。次に、導電膜308上にフォトリソグラフィ工程によってレジストマスクを形成し、導電膜308、酸化物導電膜328および酸化物半導体膜206を加工する図10D参照。。次に、導電膜308、酸化物導電膜328、酸化物半導体膜206および基板200を覆うレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程によってレジストマスクを形成し、導電膜308および酸化物導電膜328を加工してソース電極308aおよびドレイン電極308bを形成する。このとき、酸化物導電膜328は、ソース電極308aおよび酸化物半導体膜206の間、ならびにドレイン電極308bおよび酸化物半導体膜206の間に設けられる図10E参照。。図示しないが、ソース電極308aおよびドレイン電極308bの間の酸化物半導体膜206の一部がエッチングされていても構わない。以上の工程によりボトムゲートトップコンタクト構造のトランジスタ350を作製することができる。以降、トランジスタ252と同様に、層間絶縁膜、バックゲート電極、保護絶縁膜を形成しても構わない。なお、層間絶縁膜の成膜前に露出した酸化物半導体膜206に対し、酸化性雰囲気、不活性雰囲気、減圧雰囲気または乾燥空気雰囲気において、200°C以上500°C以下で熱処理を行ってもよい。その後、大気に暴露することなく層間絶縁膜を成膜する。本実施の形態を用いることで、ゲート絶縁膜212乃至導電膜308の成膜までを大気に暴露せずに行うことができるため、膜中および膜と膜との界面の水素を排除でき、実施の形態2よりも、さらにトランジスタの電気特性および信頼性を向上させることができる。また、マルチチャンバーの成膜装置を用いることで、トランジスタを作製するために必要な装置を少なくすることができる。実施の形態4本実施の形態では、酸素放出する絶縁膜の形成方法について図2および図18を用いて説明する。図18は、図3の成膜装置にイオン注入室17を設けた構成である。イオン注入室17では、イオンドーピングまたはイオンインプランテーションを行うことができる。なお、本実施の形態において、成膜、イオン注入、および熱処理またはプラズマ処理は、可能な限り真空状態のまま連続で行う。以下に図18の成膜装置を用いて酸素放出する絶縁膜を形成する方法を説明する。まず、基板100をロードロック室12aに導入する。次に、基板処理室15に移動させ、基板処理室15で基板100に吸着している水素を第1の熱処理またはプラズマ処理などで除去する。ここで、第1の熱処理は、不活性雰囲気、減圧雰囲気または乾燥空気雰囲気にて、100°C以上基板の歪み点未満で行う。また、プラズマ処理は、希ガス、酸素、窒素または酸化窒素亜酸化窒素、一酸化窒素、亜酸化窒素などを用いる。その後、成膜室10aに基板100を移動させ、厚さ50nm以上500nm以下、好ましくは200nm以上400nm以下の下地絶縁膜102をスパッタリング法によって成膜する図2B参照。。その後、下地絶縁膜102に対し、イオンドーピング法またはイオンインプランテーション法によって質量数が16の酸素16O、質量数が18の酸素18Oまたは16Oと18Oの両方を注入する。このとき、イオンドーピング法を用いると、下地絶縁膜102中に水素を同時に注入してしまう。そのため、イオンインプランテーション法を用いることが好ましい。その後、基板処理室15に基板100を移動させ、不活性雰囲気、減圧雰囲気または乾燥空気雰囲気において150°C以上280°C以下、好ましくは200°C以上250°C以下で第2の熱処理を行ってもよい。第2の熱処理によって、基板100および下地絶縁膜102から水素を除去することができる。なお、第2の熱処理は、下地絶縁膜102から水素を除去するが、酸素を極力放出させない温度で行う。そして、成膜室10bに基板100を移動させ、酸化物半導体膜106をスパッタリング法によって成膜する図2C参照。。その後、基板処理室15に基板100を移動させ、不活性雰囲気、減圧雰囲気または乾燥空気雰囲気において250°C以上470°C以下で第3の熱処理を行い、酸化物半導体膜中から水素を除去すると同時に下地絶縁膜102から酸化物半導体膜に酸素を供給してもよい。なお、第3の熱処理は、第2の熱処理よりも5°C以上高い温度で行う。このように、図18の成膜装置を用いることによって成膜時に水素の混入が少ない作製プロセスを進めることができる。この後、実施の形態1などを参酌し、電気特性のばらつきの少ない酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することができる。また、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。実施の形態5本実施の形態では、フォトマスク数およびフォトリソグラフィ工程数を削減した液晶表示装置の画素に用いるトランジスタの作製方法について、図11乃至図13を用いて説明する。図11は、画素442の回路構成を示している。画素442は、トランジスタ450と、液晶素子446と、容量素子448を有している。トランジスタ450のゲート電極は配線444に電気的に接続され、トランジスタ450のソース電極またはドレイン電極の一方は配線440に電気的に接続されている。また、トランジスタ450のソース電極またはドレイン電極の他方は、液晶素子446の一方の電極と、容量素子448の一方の電極に電気的に接続されている。液晶素子446の他方の電極と、容量素子448の他方の電極は、電極445に電気的に接続されている。電極445の電位は、0Vや、GNDや、共通電位などの固定電位としておけばよい。トランジスタ450は、液晶素子446に配線440から供給される画像信号を入力させるか否かを選択する機能を有する。配線444にトランジスタ450をオン状態とする信号が供給されると、トランジスタ450を介して配線440の画像信号が液晶素子446に供給される。液晶素子446は、供給される画像信号電位に応じて、光の透過率が制御される。容量素子448は、液晶素子446に供給された電位を保持するための保持容量Cs容量ともいうとしての機能を有する。容量素子448は、必ずしも設ける必要はないが、容量素子448を設けることにより、トランジスタ450がオフ状態の時にソース電極とドレイン電極間に流れる電流オフ電流に起因する、液晶素子446に印加された電位の変動を抑制することができる。また、トランジスタ450のチャネルが形成される半導体に酸化物半導体を用いる。エネルギーギャップが3.0eV以上の酸化物半導体は、酸化物半導体を適切な条件で加工して得られたトランジスタにおいては、オフ電流を使用時の温度条件下例えば、25°Cにおいて、100zA1×10-19A/μm以下、もしくは10zA1×10-20A/μm以下、さらには1zA1×10-21A/μm以下とすることができる。このため、容量素子448を設けなくても液晶素子446に印加された電位の保持が可能となる。また、消費電力の小さい液晶表示装置を実現することができる。次に、図11で示した画素442の構成例について、図12を用いて説明する。図12Aは、画素442の平面構成を示す上面図であり、図12Bは、トランジスタ450の積層構成を示す断面図である。なお、図12BにおけるA1-A2は、図12AにおけるA1-A2断面に相当する。本実施の形態に示すトランジスタ450は、ドレイン電極408bを、U字型C字型、コの字型、または馬蹄型のソース電極408aで囲む形状としている。このような形状とすることで、トランジスタの面積が小さくても、十分なチャネル幅を確保でき、トランジスタのオン電流を大きくすることができる。また、画素電極431と電気的に接続するドレイン電極408bと、ゲート電極414の間に生じる寄生容量が大きいと、フィードスルーの影響を受けやすくなるため、液晶素子446に供給された電位が正確に保持できず、表示品位悪化の要因となる。本実施の形態に示すように、ソース電極408aをU字型としてドレイン電極408bを囲む形状とすることで、十分なチャネル幅を確保しつつ、ドレイン電極408bとゲート電極414間に生じる寄生容量を小さくすることができるため、液晶表示装置の表示品位を向上させることができる。A1-A2断面において、基板400上に下地絶縁膜402が形成され、下地絶縁膜402上にゲート電極414が形成されている。また、ゲート電極414上に、ゲート絶縁膜412と酸化物半導体膜406が形成されている。また、酸化物半導体膜406上にソース電極408aおよびドレイン電極408bが形成されている。また、酸化物半導体膜406の一部に接し、ソース電極408aおよびドレイン電極408b上に層間絶縁膜416が形成されている。層間絶縁膜416上には画素電極431が形成され、層間絶縁膜416に形成されたコンタクトホール415を介してドレイン電極408bに電気的に接続されている。また、ゲート絶縁膜412と、酸化物半導体膜406と、層間絶縁膜416の一部が除去され、画素電極431が、ゲート絶縁膜412と、酸化物半導体膜406と、層間絶縁膜416の側面に接して形成されている。本実施の形態では酸化物半導体膜406にi型化真性化または実質的にi型化された酸化物半導体を用いる。i型化または実質的にi型化された酸化物半導体は、ほぼ絶縁物とみなすことができるため、画素電極431と酸化物半導体膜406の端部が接しても、漏れ電流等の問題は生じない。続いて、図12を用いて説明した液晶表示装置の画素部の作製方法について、図13を用いて説明する。まず、基板400上に下地絶縁膜402を成膜する。基板400および下地絶縁膜402は、それぞれ基板100および下地絶縁膜102と同様の構成とすればよい。次に、下地絶縁膜402上に導電膜を形成し、フォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成し、導電膜を加工してゲート電極414を形成する図13A参照。。なお、図示しないが、容量配線447、配線444も同時に形成する。ゲート電極414はゲート電極114と同様の構成とすればよい。導電膜の材料は、実施の形態1に示すゲート電極114と同様の構成とすればよい。次に、ゲート電極414上にゲート絶縁膜412を成膜する。ゲート絶縁膜412はゲート絶縁膜112と同様の構成とすればよい。また、ゲート絶縁膜412は保護層としても機能する。Cuを含むゲート電極414を、窒化シリコンを含む絶縁膜で覆う構成とすることで、ゲート電極414からのCu拡散を防ぐことができる。次に、ゲート絶縁膜412上に酸化物半導体膜406を成膜する。酸化物半導体膜406は酸化物半導体膜106と同様の構成とすればよい。酸化物半導体膜406の成膜後に、基板400をプラズマ処理または熱処理してもよい。基板400をプラズマ処理または熱処理することで、酸化物半導体膜406中の水素を排除することができるため好ましい。プラズマ処理は酸化性雰囲気で行うことが好ましい。または、熱処理は不活性雰囲気、減圧雰囲気または酸化性雰囲気で行う。熱処理の温度は、100°C以上400°C以下とする。好ましくは200°C以上350°C以下、さらに好ましくは250°C以上300°C以下とする。次に、酸化物半導体膜406上に導電膜408を成膜する図13B参照。。導電膜408はソース電極108aおよびドレイン電極108bとなる導電膜と同様の構成とすればよい。ここで、酸化物半導体膜406の成膜から導電膜408の成膜までを大気に暴露せず行う。大気に暴露しないことで、膜中および膜と膜との界面の水素を排除することができる。なお、酸化物半導体膜406の成膜から導電膜408の成膜までを、図3に示すマルチチャンバーの成膜装置を用いて行ってもよい。次に、導電膜408上にフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成し、導電膜408を加工して、ソース電極408aおよびドレイン電極408bを形成する。図示しないが、配線440も同時に形成する図13C参照。。次に、ソース電極408aおよびドレイン電極408b上に層間絶縁膜416を形成する図13D参照。層間絶縁膜416は層間絶縁膜216と同様の構成とすればよい。次に、層間絶縁膜416上にフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成し、層間絶縁膜416、酸化物半導体膜406およびゲート絶縁膜412を加工する。この時、ドレイン電極408b上では、層間絶縁膜416のみが除去され、コンタクトホール415を形成する図13E参照。この時、画素開口部画素のうち、配線やトランジスタが設けられていない部分の層間絶縁膜416、酸化物半導体膜406、およびゲート絶縁膜412は残してもかまわない。ただし、画素開口部の層間絶縁膜416および酸化物半導体膜406を可能な範囲で除去することで、液晶表示装置を透過型の液晶表示装置として用いた場合の、画素の透過率が向上する。このため、バックライトからの光が効率良く画素を透過し、低消費電力化や、輝度向上による表示品位の向上が可能となるため好ましい。層間絶縁膜416、酸化物半導体膜406、およびゲート絶縁膜412のエッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよく、または両方を用いてもよい。ドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、塩素を含むガス塩素系ガス、例えば塩素Cl2、三塩化硼素BCl3、四塩化珪素SiCl4、四塩化炭素CCl4などを用いることができる。ドライエッチングとしては、平行平板型RIEReactiveIonEtching法や、ICPInductivelyCoupledPlasma:誘導結合型プラズマエッチング法を用いることができる。一般に、半導体膜のエッチングと絶縁膜中のコンタクトホールの形成は、異なるフォトリソグラフィ工程およびエッチング工程により別々に実施されるが、本実施の形態に示す作製工程によれば、一回のフォトリソグラフィ工程とエッチング工程により、同時に実施することが可能となる。よって、フォトマスクの削減のみならず、フォトリソグラフィ工程そのものを削減することができる。すなわち、少ないフォトリソグラフィ工程により、低コストで、生産性よく液晶表示装置を作製することができる。また、本実施の形態に示す作製工程によれば、酸化物半導体膜上にフォトレジストが直接形成されることがない。また、酸化物半導体膜406のチャネル形成領域が層間絶縁膜416で保護されているため、フォトレジストの剥離洗浄工程においても、酸化物半導体膜406のチャネル形成領域に水分が付着することがないため、トランジスタ450の特性ばらつきが低減され、信頼性が向上する。次に、層間絶縁膜416上に導電膜を成膜し、該導電膜上にフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成し、加工して画素電極431を形成する図13F参照。画素電極431はバックゲート電極224と同様の構成とすることができる。なお、該導電膜を加工してバックゲート電極を設けても構わない。バックゲート電極を設けることにより、トランジスタのしきい値電圧を制御することができる。画素電極431は、コンタクトホール415を介してドレイン電極408bに電気的に接続される。本実施の形態によれば、従来よりも少ないフォトリソグラフィ工程により液晶表示装置の画素を作製することが可能となる。よって、液晶表示装置を低コストで、生産性よく作製することができる。本実施の形態を用いることによって、膜中および膜と膜との界面の水素を排除することができ、しきい値電圧のばらつきの少ない、安定した電気特性を有するトランジスタが提供される。また、酸化物半導体膜に接する膜中の水素を低減できるため、酸化物半導体膜への水素の混入を抑制できる。そのため、電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタを有する半導体装置が提供される。また、マルチチャンバーの成膜装置を用いることで、トランジスタを作製するために必要な装置を少なくすることができる。本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。実施の形態6本実施の形態では、高速動作が可能で、かつ信頼性の高いトランジスタの一例を図17を用いて示す。図17はボトムゲートボトムコンタクト構造のトランジスタ550の断面図である。トランジスタ550は、基板500と、基板500上に設けられた下地絶縁膜502と、下地絶縁膜502上に設けられたゲート電極514と、ゲート電極514を覆うゲート絶縁膜512と、ゲート電極514上にゲート絶縁膜512を介して設けられた酸化物半導体膜506と、酸化物半導体膜506と酸化物導電膜528を介して接続されるソース電極508aおよびドレイン電極508bと、ソース電極508aおよびドレイン電極508bと層間絶縁膜516に設けられたコンタクトホールを介して接続される配線518と、配線518と同一表面に設けられ、酸化物半導体膜506を介してゲート電極514と対向するバックゲート電極524と、バックゲート電極524および配線518を覆い、層間絶縁膜516と一部が接する保護絶縁膜526を有する。なお、酸化物導電膜528および/または下地絶縁膜502を含まない構成としても構わない。基板500、ゲート電極514、ゲート絶縁膜512、酸化物半導体膜506、酸化物導電膜528および層間絶縁膜516は、それぞれ基板200、ゲート電極214、ゲート絶縁膜212、酸化物半導体膜206、酸化物導電膜228および層間絶縁膜216と同様の構成とすればよい。また、ソース電極508aとドレイン電極508bは、Ti膜、W膜などで構成され、厚さは50nm以上150nm以下とする。バックゲート電極524および配線518は、Ti膜でAl膜を挟持した積層構造または、Mo膜でAl膜を挟持した積層構造とすればよい。こうすることで、配線518の抵抗を低くすることができ、トランジスタ550の動作速度を高めることができる。さらに、ソース電極508aおよびドレイン電極508bの厚みを薄くすることができるため、層間絶縁膜516の、ソース電極508aおよびドレイン電極508bによって形成される段差部における被覆性を高めることができる。そのため、トランジスタの信頼性を高めることができる。また、保護絶縁膜526は、酸化アルミニウム膜、窒化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜を含む構成とすればよい。こうすることで、外部からトランジスタ550への水素の入り込みを低減できる。本実施の形態により、高速動作が可能で、かつ信頼性の高いトランジスタを作製することができる。実施の形態7実施の形態1乃至実施の形態6において、トランジスタの半導体膜に用いることのできる酸化物半導体膜の成膜方法の一形態を説明する。本実施の形態の酸化物半導体膜は結晶性酸化物半導体膜である。まず、基板上に下地絶縁膜を成膜する。次に、下地絶縁膜上に膜厚1nm以上50nm以下、好ましくは5nm以上30nm以下の酸化物半導体膜を成膜する。酸化物半導体膜の形成は、スパッタリング法を用いる。成膜時の基板温度は100°C以上500°C以下とする。好ましくは200°C以上400°C以下とする。さらに好ましくは250°C以上300°C以下とする。本実施の形態では、酸化物半導体用ターゲットIn-Ga-Zn-O系酸化物半導体用ターゲットIn2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比]を用いて、基板とターゲットとの間の距離を60mm、基板温度300°C、圧力0.4Pa、直流DC電源0.5kW、酸素のみ、アルゴンのみ、またはアルゴンおよび酸素雰囲気下で膜厚25nmの酸化物半導体膜を成膜する。次に、基板を配置するチャンバー雰囲気を窒素、または乾燥空気とし、熱処理を行ってもよい。熱処理の温度は、200°C以上750°C以下とする。好ましくは250°C以上400°C以下とする。熱処理によって結晶性酸化物半導体膜の結晶性を向上させることができる。ここで、下地絶縁膜の成膜、結晶性酸化物半導体膜の成膜および基板への熱処理は、図3に示すマルチチャンバーの成膜装置を用いて、大気に暴露せずに行うと好ましい。大気に暴露しないことで、膜中および膜と膜との界面の水素を排除することができる。また、熱処理によって、下地絶縁膜中の酸素を結晶性酸化物半導体膜との界面またはその近傍界面からプラスマイナス5nmに拡散させて、結晶性酸化物半導体膜の酸素欠損、および下地絶縁膜と結晶性酸化物半導体膜との界面準位を低減することができる。結晶性酸化物半導体膜は、単結晶構造ではなく、非晶質構造でもない構造であり、c軸配向を有した結晶CAxisAlignedCrystal:CAACを含む酸化物を有する。なお、結晶性酸化物半導体膜は、一部に結晶粒界を有している。特に、酸化物半導体膜として本実施の形態の酸化物半導体を用いた実施の形態1のトランジスタにおいては、酸化物半導体膜の一方の面から他方の面に電界が印加されることはなく、また、電流が酸化物半導体の厚さ方向に流れる構造ではない。そのため、電流は、主として酸化物半導体の界面を流れるトランジスタ構造であるため、トランジスタに光照射が行われ、またはバイアス-熱BT:Bias-Temperatureストレスが与えられても、電気特性の劣化は抑制または低減される。結晶性酸化物半導体膜をトランジスタに用いることで、安定した電気的特性を有し、かつ、信頼性の高いトランジスタを実現できる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態8実施の形態1乃至実施の形態6において、トランジスタの半導体膜に用いることのできる酸化物半導体膜の成膜方法の一形態を、図14を用いて説明する。本実施の形態の酸化物半導体膜は、第1の結晶性酸化物半導体膜上に第1の結晶性酸化物半導体膜よりも厚い第2の結晶性酸化物半導体膜を有する積層構造である。まず、基板600上に下地絶縁膜602を成膜する。次に、下地絶縁膜602上に膜厚1nm以上10nm以下の第1の酸化物半導体膜を成膜する。第1の酸化物半導体膜の形成は、スパッタリング法を用いる。成膜時の基板温度は100°C以上500°C以下とする。好ましくは200°C以上400°C以下とする。さらに好ましくは250°C以上300°C以下とする。本実施の形態では、酸化物半導体用ターゲットIn-Ga-Zn-O系酸化物半導体用ターゲットIn2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比]を用いて、基板とターゲットとの間の距離を60mm、基板温度300°C、圧力0.4Pa、直流DC電源0.5kW、酸素のみ、アルゴンのみ、またはアルゴンおよび酸素雰囲気下で膜厚5nmの第1の酸化物半導体膜を成膜する。次に、基板を配置するチャンバー雰囲気を窒素、または乾燥空気とし、第1の結晶化熱処理を行う。第1の結晶化熱処理の温度は、400°C以上750°C以下とする。第1の結晶化熱処理によって第1の結晶性酸化物半導体膜606aを形成する図14A参照。。第1の結晶化熱処理の温度にもよるが、第1の結晶化熱処理によって、膜表面から結晶化が起こり、膜の表面から内部に向かって結晶成長し、c軸配向した結晶が得られる。第1の結晶化熱処理によって、膜表面の亜鉛と酸素の割合が多くなり、上平面が六角形をなす亜鉛と酸素からなるグラフェンタイプの二次元結晶が最表面に1層または複数層形成され、これが膜厚方向に成長して重なる。結晶化熱処理の温度を上げると表面から内部、そして内部から底部へと結晶成長が進行する。第1の結晶化熱処理によって、下地絶縁膜602中の酸素を第1の結晶性酸化物半導体膜606aとの界面またはその近傍界面からプラスマイナス5nmに拡散させて、第1の結晶性酸化物半導体膜の酸素欠損、および下地絶縁膜602と第1の結晶性酸化物半導体膜606aとの界面準位を低減することができる。次に、第1の結晶性酸化物半導体膜606a上に10nmよりも厚い第2の酸化物半導体膜を成膜する。第2の酸化物半導体膜の成膜は、スパッタリング法を用い、成膜時の基板温度は100°C以上500°C以下とする。好ましくは200°C以上400°C以下とする。さらに好ましくは250°C以上300°C以下とする。成膜時の基板温度を100°C以上500°C以下とすることにより、第1の結晶性酸化物半導体膜の表面上に接して成膜する酸化物半導体膜にプリカーサの整列が起き、所謂、秩序性を持たせることができる。本実施の形態では、酸化物半導体用ターゲットIn-Ga-Zn-O系酸化物半導体用ターゲットIn2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比]を用いて、基板とターゲットとの間の距離を60mm、基板温度400°C、圧力0.4Pa、直流DC電源0.5kW、酸素のみ、アルゴンのみ、またはアルゴンおよび酸素雰囲気下で膜厚25nmの第2の酸化物半導体膜を成膜する。次に、第2の結晶化熱処理を行う。第2の結晶化熱処理の温度は、400°C以上750°C以下とする。第2の結晶化熱処理によって第2の結晶性酸化物半導体膜606bを形成する図14B参照。。ここで、第2の結晶化熱処理は、窒素雰囲気下、酸素雰囲気下、あるいは窒素と酸素の混合雰囲気下で行うことにより、第2の結晶性酸化物半導体膜の高密度化および欠陥数の低減を図れるため好ましい。第2の結晶化熱処理によって、第1の結晶性酸化物半導体膜606aを核として膜厚方向、即ち底部から内部に結晶成長が進行して第2の結晶性酸化物半導体膜606bが形成される。また、下地絶縁膜602の形成から第2の結晶化熱処理までの工程を大気に触れることなく連続的に行うことが好ましい。例えば、図3に示すマルチチャンバーの成膜装置を用いればよい。成膜室10a、10b、10c、搬送室13、および基板処理室15は、水素および水分をほとんど含まない雰囲気不活性雰囲気、減圧雰囲気、乾燥空気雰囲気など下に制御することが好ましく、例えば、水分については露点-40°C以下、好ましくは露点-50°C以下の乾燥窒素雰囲気とする。図3の成膜装置を用いた作製工程の手順の一例は、まず、基板供給室11から基板600を搬送し、ロードロック室12aと搬送室13を経て基板処理室15に移動させ、基板処理室15で基板600に付着している水素を真空ベークなどで除去し、その後、搬送室13を経て成膜室10cに基板600を移動させ、成膜室10c内で下地絶縁膜602を成膜する。そして、大気に触れることなく、搬送室13を経て成膜室10aに基板600を移動させ、成膜室10a内で膜厚5nmの第1の酸化物半導体膜を成膜する。そして、大気に触れることなく、搬送室13を経て基板処理室15に基板600を移動させ、第1の結晶化熱処理を行う。そして、大気に触れることなく、搬送室13を経て成膜室10aに基板600を移動させ、成膜室10a内で膜厚10nmよりも厚い第2の酸化物半導体膜を成膜する。そして、大気に触れることなく、搬送室13を経て基板処理室15に基板600を移動させ、第2の結晶化熱処理を行う。このように、図3の成膜装置を用いることによって大気に触れることなく、作製プロセスを進めることができる。また、下地絶縁膜602、第1の結晶性酸化物半導体膜および第2の結晶性酸化物半導体膜の積層を形成した後、大気に触れることなく、成膜室10b内で金属ターゲットを用いてソース電極およびドレイン電極を形成するための導電膜を第2の結晶性酸化物半導体膜上に成膜することもできる。なお、スループットの向上のために、第1の結晶性酸化物半導体膜および第2の結晶性酸化物半導体膜を別々の成膜室で成膜しても構わない。次に、第1の結晶性酸化物半導体膜606aと第2の結晶性酸化物半導体膜606bからなる酸化物半導体積層を加工して島状の酸化物半導体積層からなる酸化物半導体膜606を形成する図14C参照。。図では、第1の結晶性酸化物半導体膜606aと第2の結晶性酸化物半導体膜606bの界面を点線で示し、酸化物半導体積層と説明しているが、明確な界面が存在しているのではなく、あくまで分かりやすく説明するために図示している。酸化物半導体積層の加工は、所望の形状のマスクを酸化物半導体積層上に形成した後、当該酸化物半導体積層をエッチングすることによって行うことができる。上述のマスクは、フォトリソグラフィなどの方法を用いて形成することができる。または、インクジェット法などの方法を用いてマスクを形成しても良い。また、上記作製方法により、得られる第1の結晶性酸化物半導体膜および第2の結晶性酸化物半導体膜は、c軸配向を有していることを特徴の一つとしている。ただし、第1の結晶性酸化物半導体膜および第2の結晶性酸化物半導体膜は、CAACである。なお、第1の結晶性酸化物半導体膜および第2の結晶性酸化物半導体膜は、一部に結晶粒界を有している。なお、第1および第2の結晶性酸化物半導体膜は、少なくともZnを有する酸化物材料であり、四元系金属酸化物であるIn-Al-Ga-Zn-O系の材料や、In-Sn-Ga-Zn-O系の材料や、三元系金属酸化物であるIn-Ga-Zn-O系の材料、In-Al-Zn-O系の材料、In-Sn-Zn-O系の材料、Sn-Ga-Zn-O系の材料、Al-Ga-Zn-O系の材料、Sn-Al-Zn-O系の材料や、二元系金属酸化物であるIn-Zn-O系の材料、Sn-Zn-O系の材料、Al-Zn-O系の材料、Zn-Mg-O系の材料や、Zn-O系の材料などがある。また、In-Si-Ga-Zn-O系の材料や、In-Ga-B-Zn-O系の材料や、In-B-Zn-O系の材料を用いてもよい。また、上記の材料にSiO2を含ませてもよい。ここで、例えば、In-Ga-Zn-O系の材料は、インジウムIn、ガリウムGa、亜鉛Znを有する酸化物、という意味であり、その組成比は特に問わない。また、InとGaとZn以外の元素を含んでいてもよい。また、第1の結晶性酸化物半導体膜上に第2の結晶性酸化物半導体膜を形成する2層構造に限定されず、第2の結晶性酸化物半導体膜の形成後に第3の結晶性酸化物半導体膜を形成するための成膜と結晶化熱処理のプロセスを繰り返し行って、3層以上の積層構造としてもよい。上記作製方法で形成された酸化物半導体積層からなる酸化物半導体膜606を、本明細書に開示する半導体装置に適用できるトランジスタ例えば、トランジスタ150、トランジスタ250、トランジスタ252、トランジスタ350、トランジスタ450に、適宜用いることができる。また、酸化物半導体膜606として本実施の形態の酸化物半導体積層を用いた実施の形態1におけるトランジスタ150においては、酸化物半導体膜の一方の面から他方の面に電界が印加されることはなく、また、電流が酸化物半導体積層の厚さ方向一方の面から他方の面に流れる方向、具体的に図4Bでは上下方向。に流れる構造ではない。電流は、主として、酸化物半導体積層の界面を流れるトランジスタ構造であるため、トランジスタに光照射が行われ、またはBTストレスが与えられても、電気特性の劣化は抑制または低減される。酸化物半導体膜606のような第1の結晶性酸化物半導体膜と第2の結晶性酸化物半導体膜の積層をトランジスタに用いることで、安定した電気的特性を有し、かつ、信頼性の高いトランジスタを実現できる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。また、マルチチャンバーの成膜装置を用いることで、トランジスタを作製するために必要な装置を少なくすることができる。実施の形態9実施の形態1乃至実施の形態6で例示したトランジスタを用いた表示装置の一形態を図15に示す。図15Aは、トランジスタ750、および液晶素子713を、第1の基板701と第2の基板706との間にシール材705によって封止したパネルの上面図であり、図15Bは、図15AのM-Nにおける断面図に相当する。第1の基板701上に設けられた画素部702を囲むようにして、シール材705が設けられ、画素部702上に第2の基板706が設けられている。よって画素部702は、第1の基板701とシール材705と第2の基板706とによって、液晶層708と共に封止されている。また、第1の基板701上のシール材705によって囲まれている領域とは異なる領域に、入力端子720を有し、FPCFlexibleprintedcircuit718a、FPC718bが接続されている。FPC718aは、別途異なる基板に作製された信号線駆動回路703と電気的に接続され、FPC718bは、別途異なる基板に作製された走査線駆動回路704と電気的に接続されている。画素部702に与えられる各種信号および電位は、FPC718aおよびFPC718bを介して、信号線駆動回路703および走査線駆動回路704から供給される。なお、別途異なる基板に作製された駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく、COGChipOnGlass方法、ワイヤボンディング方法、TCPTapeCarrierPackage方法、またはTABTapeAutomatedBonding方法などを用いることができる。表示装置に設けられる表示素子としては液晶素子液晶表示素子ともいう。を用いることができる。また、電子インクなど、電気的作用によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。図15Bに示す表示装置は、電極715および配線716を有しており、電極715および配線716はFPC718aが有する端子と異方性導電膜719を介して、電気的に接続されている。電極715は、第1の電極730と同じ導電膜から形成され、配線716は、トランジスタ750のソース電極およびドレイン電極と同じ導電膜で形成されている。なお、本実施の形態では、トランジスタ750として、実施の形態4で示したトランジスタ450と同様の構造を図示しているが、当然ながらトランジスタの構造は上記に限られない。適宜、実施の形態1乃至実施の形態6で作製したトランジスタに置き換えてもよい。画素部702に設けられたトランジスタ750は表示素子と電気的に接続し、表示パネルを構成する。表示素子は表示を行うことがでれば特に限定されず、様々な表示素子を用いることができる。図15は、表示素子として液晶素子を用いた表示装置の例を示している。図15において、表示素子である液晶素子713は、第1の電極730、第2の電極731、および液晶層708を含む。なお、液晶層708を挟持するように配向膜として機能する絶縁膜732、733が設けられている。第2の電極731は第2の基板706側に設けられ、第1の電極730と第2の電極731とは液晶層708を介して積層する構成となっている。また、735は、第2の基板706上に絶縁膜で形成された柱状のスペーサであり、液晶層708の膜厚セルギャップを制御するために設けられている。なお球状のスペーサを用いても良い。表示素子として、液晶素子を用いる場合、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。また、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するためにカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が1ミリ秒以下と短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。よって液晶表示装置の生産性を向上させることが可能となる。また、液晶材料の固有抵抗率は、1×109Ωcm以上であり、好ましくは1×1011Ωcm以上であり、さらに好ましくは1×1012Ωcm以上である。なお、本明細書における固有抵抗率の値は、20°Cで測定した値とする。液晶表示装置に設けられる保持容量の大きさは、画素部に配置されるトランジスタのリーク電流等を考慮して、所定の期間の間電荷を保持できるように設定される。チャネル領域が形成される半導体膜に、酸化物半導体を用いたトランジスタを用いることにより、各画素における液晶容量に対して1/3以下、好ましくは1/5以下の容量の大きさを有する保持容量を設ければ充分である。本実施の形態で用いる酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、オフ状態における電流値オフ電流値を低くすることができる。よって、画像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、電源オン状態では書き込み間隔も長く設定できる。よって、リフレッシュ動作の頻度を少なくすることができるため、消費電力を抑制する効果を奏する。また、酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、保持容量を設けなくても、液晶素子に印加された電位の保持が可能となる。また、本実施の形態で用いる酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、比較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。よって、液晶表示装置の画素部に上記トランジスタを用いることで、高画質な画像を提供することができる。また、上記トランジスタは、同一基板上に駆動回路部または画素部に作り分けて作製することもできるため、液晶表示装置の部品点数を削減することができる。液晶表示装置には、TNTwistedNematicモード、IPSIn-Plane-Switchingモード、FFSFringeFieldSwitchingモード、ASMAxiallySymmetricalignedMicro-cellモード、OCBOpticalCompensatedBirefringenceモード、FLCFerroelectricLiquidCrystalモード、AFLCAntiFerroelectricLiquidCrystalモードなどを用いることができる。また、ノーマリーブラック型の液晶表示装置、例えば垂直配向VAモードを採用した透過型の液晶表示装置としてもよい。ここで、垂直配向モードとは、液晶表示パネルの液晶分子の配列を制御する方式の一種をいい、電圧が印加されていないときにパネル面に対して液晶分子が垂直方向を向く方式をいう。垂直配向モードとしては、いくつか挙げられるが、例えば、MVAMulti-DomainVerticalAlignmentモード、PVAPatternedVerticalAlignmentモード、ASVAdvancedSuper-Viewモードなどを用いることができる。また、画素ピクセルをいくつかの領域サブピクセルに分け、それぞれ別の方向に分子を倒すよう工夫されているマルチドメイン化あるいはマルチドメイン設計といわれる方法を用いることができる。また、液晶表示装置において、ブラックマトリクス遮光層、偏光部材、位相差部材、反射防止部材などの光学部材光学基板などは適宜設ける。例えば、偏光基板および位相差基板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトなどを用いてもよい。また、バックライトとして複数の発光ダイオードLEDを用いて、時間分割表示方式フィールドシーケンシャル駆動方式を行うことも可能である。フィールドシーケンシャル駆動方式を適用することで、カラーフィルタを用いることなく、カラー表示を行うことができる。また、画素部における表示方式は、プログレッシブ方式やインターレース方式等を用いることができる。また、カラー表示する際に画素で制御する色要素としては、RGBRは赤、Gは緑、Bは青を表すの三色に限定されない。例えば、RGBWWは白を表す、またはRGBに、イエロー、シアン、マゼンタ等を一色以上追加したものがある。なお、色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。ただし、本発明はカラー表示の液晶表示装置に限定されるものではなく、モノクロ表示の液晶表示装置に適用することもできる。なお、図15において、第1の基板701、第2の基板706としては、ガラス基板の他、可撓性を有する基板も用いることができ、例えば透光性を有するプラスチック基板などを用いることができる。プラスチックとしては、FRPFiberglass-ReinforcedPlastics板、PVFポリビニルフルオライドフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをPVFフィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。液晶表示装置は光源または表示素子からの光を透過させて表示を行う。よって光が透過する画素部に設けられる基板、絶縁膜、導電膜などの薄膜はすべて可視光の波長領域の光に対して透光性とする。表示素子に電圧を印加する第1の電極および第2の電極画素電極、共通電極、対向電極などともいうにおいては、取り出す光の方向、電極が設けられる場所、および電極のパターン構造によって透光性、反射性を選択すればよい。第1の電極730、第2の電極731は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウムスズ酸化物、ITO、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウムスズ酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いることができる。また、1枚乃至10枚のグラフェンシートよりなる材料を用いてもよい。また、第1の電極730、第2の電極731のいずれか一方はタングステンW、モリブデンMo、ジルコニウムZr、ハフニウムHf、バナジウムV、ニオブNb、タンタルTa、クロムCr、コバルトCo、ニッケルNi、チタンTi、白金Pt、アルミニウムAl、銅Cu、銀Ag等の金属、またはその合金、もしくはその窒化物から一つ、または複数種を用いて形成することができる。また、第1の電極730、第2の電極731として、導電性高分子導電性ポリマーともいうを含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子を用いることができる。例えば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、または、アニリン、ピロールおよびチオフェンの2種以上からなる共重合体もしくはその誘導体などがあげられる。また、トランジスタは静電気などにより破壊されやすいため、保護回路を設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。以上のように実施の形態1乃至実施の形態7で例示したトランジスタを適用することで、信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。なお、実施の形態1乃至実施の形態7で例示したトランジスタは上述の表示機能を有する半導体装置のみでなく、電源回路に搭載されるパワーデバイス、LSI等の半導体集積回路、対象物の情報を読み取るイメージセンサ機能を有する半導体装置など様々な機能を有する半導体装置に適用することが可能である。本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。実施の形態10本発明の一態様である半導体装置は、さまざまな電子機器遊技機も含むに適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置テレビまたはテレビジョン受信機ともいう、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラなどのカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。上記実施の形態で説明した半導体装置を具備する電子機器の例について説明する。図16Aは、ノート型のパーソナルコンピュータであり、本体801、筐体802、表示部803、キーボード804などによって構成されている。実施の形態1乃至実施の形態8で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高いノート型のパーソナルコンピュータとすることができる。図16Bは、携帯情報端末PDAであり、本体811には表示部813と、外部インターフェイス815と、操作ボタン814などが設けられている。また操作用の付属品としてスタイラス812がある。実施の形態1乃至実施の形態8で示した半導体装置を適用することにより、より信頼性の高い携帯情報端末PDAとすることができる。図16Cは、電子書籍の一例を示している。例えば、電子書籍820は、筐体821及び筐体822の2つの筐体で構成されている。筐体821及び筐体822は、軸部825により一体とされており、該軸部825を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。筐体821には表示部823が組み込まれ、筐体822には表示部824が組み込まれている。表示部823及び表示部824は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右側の表示部図16Cでは表示部823に文章を表示し、左側の表示部図16Cでは表示部824に画像を表示することができる。実施の形態1乃至実施の形態8で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高い電子書籍とすることができる。また、図16Cでは、筐体821に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体821において、電源826、操作キー827、スピーカー828などを備えている。操作キー827により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子イヤホン端子、USB端子など、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。さらに、電子書籍820は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。また、電子書籍820は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。図16Dは、携帯電話であり、筐体830及び筐体831の二つの筐体で構成されている。筐体831には、表示パネル832、スピーカー833、マイクロフォン834、ポインティングデバイス836、カメラ用レンズ837、外部接続端子838などを備えている。また、筐体830には、携帯型情報端末の充電を行う太陽電池セル840、外部メモリスロット841などを備えている。また、アンテナは筐体831内部に内蔵されている。実施の形態1乃至実施の形態8で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高い携帯電話とすることができる。また、表示パネル832はタッチパネルを備えており、図16Dには映像表示されている複数の操作キー835を点線で示している。なお、太陽電池セル840で出力される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路も実装している。表示パネル832は、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。また、表示パネル832と同一面上にカメラ用レンズ837を備えているため、テレビ電話が可能である。スピーカー833及びマイクロフォン834は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生などが可能である。さらに、筐体830と筐体831は、スライドし、図16Dのように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適した小型化が可能である。外部接続端子838はACアダプタ及びUSBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能であり、充電及びパーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。また、外部メモリスロット841に記録媒体を挿入し、より大量のデータ保存及び移動に対応できる。また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能などを備えたものであってもよい。図16Eは、デジタルビデオカメラであり、本体851、表示部A857、接眼部853、操作スイッチ854、表示部B855、バッテリー856などによって構成されている。実施の形態1乃至実施の形態8のいずれかで示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高いデジタルビデオカメラとすることができる。図16Fは、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置860は、筐体861に表示部863が組み込まれている。表示部863により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド865により筐体861を支持した構成を示している。実施の形態1乃至実施の形態8で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高いテレビジョン装置860とすることができる。テレビジョン装置860の操作は、筐体861が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機により行うことができる。また、リモコン操作機に、当該リモコン操作機から出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。なお、テレビジョン装置860は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向送信者から受信者または双方向送信者と受信者間、あるいは受信者間同士などの情報通信を行うことも可能である。以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いてもよい。