各々が内部端子面と外部端子面とを有する複数の端子部と、ダイパッドと、ダイパッド上に搭載され、各端子部の内部端子面と接続部により電気的に接続された半導体素子と、各端子部の外部端子面を外方へ露出させるようにダイパッド、端子部、半導体素子、および接続部を封止する封止樹脂部とを備え、各端子部の外部端子面およびダイパッドの外面は同一平面上に並び、各端子部の内部端子面側に、外方に突出する突起部が形成され、ダイパッドの内面側に、外方に突出する突起部が形成され、ダイパッドの突起部より下方部分と、端子部の突起部より下方部分との間、および隣接する端子部の突起部より下方部間に、永久レジスト層が形成されていることを特徴とする半導体装置。永久レジスト層はポリイミド系樹脂からなり、封止樹脂部はエポキシ系樹脂からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。基板と、基板上に設けられ、各々が内部端子面と外部端子面とを有する複数の端子部と、基板上に設けられ、内面と外面とを有するダイパッドとを備え、各端子部の外部端子面およびダイパッドの外面は同一平面上に並び、各端子部の内部端子面側に、外方に突出する突起部が形成され、ダイパッドの内面側に、外方に突出する突起部が形成され、ダイパッドの突起部より下方部分と端子部の突起部より下方部分との間、および隣接する端子部の突起部より下方部間に、永久レジスト層が形成されていることを特徴とする半導体装置用基板。永久レジスト層はポリイミド系樹脂からなることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置用基板。半導体装置の製造方法において、基板の表面および裏面に、各々所望パターンを有するレジストを設ける工程と、基板の裏面側をカバーで覆って基板の表面側にめっきを施し、各々が外部端子面と内部端子面とを有しかつ内部端子面側に外方へ突出する突起部が形成された複数の端子部を形成するとともに、内面と外面とを有しかつ内面側に外方へ突出する突起部が形成されたダイパッドを形成する工程と、基板の表面側をカバーで覆って基板の裏面側にエッチングを施して、基板に所望の開口を形成する工程と、基板の裏面側のレジストを剥離するとともに、表面側のレジストを残存させる工程と、ダイパッド上に半導体素子を搭載する工程と、半導体素子と端子部の内部端子面とを接続部により接続する工程と、基板上のダイパッド、端子部、半導体素子、および接続部を封止樹脂により樹脂封止して封止樹脂部を形成する工程と、裏面側の基板を封止樹脂部から除去する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。ダイパッドは基板の表面側に複数形成されるとともに、各ダイパッド上に半導体素子が搭載され、各半導体素子は対応する端子部の内部端子面に接続部により接続され、封止樹脂部は半導体装置毎にダイシングされることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。基板表面側のレジストと基板裏面側のレジストとが異なることを特徴とする請求項5または6に記載の半導体装置の製造方法。基板表面側のレジストはポリイミド系樹脂からなり、封止樹脂部はエポキシ系樹脂からなることを特徴とする請求項5乃至7のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。基板の表面および裏面にレジストを設ける工程は、ドライフィルムレジストと、剥離シートとを有する一対のドライフィルムレジストシートを準備する工程と、各ドライフィルムレジストシートの剥離シートを剥離する工程と、各ドライフィルムレジストシートのドライフィルムレジストを基板の表面および裏面に接着する工程と、各ドライフィルムレジストに対して所望のパターンを形成する工程とを有することを特徴とする請求項5乃至8のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。基板表面側のドライフィルムレジストは、ポリイミド系樹脂からなることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。半導体装置用基板の製造方法において、基板の表面および裏面に、各々所望パターンを有するレジストを設ける工程と、基板の裏面側をカバーで覆って基板の表面側にめっきを施し、各々が外部端子面と内部端子面とを有しかつ内部端子面側に外方へ突出する突起部が形成された複数の端子部を形成するとともに、内面と外面とを有しかつ内面側に外方へ突出する突起部が形成されたダイパッドを形成する工程と、基板の表面側をカバーで覆って基板の裏面側にエッチングを施して、基板に所望の開口を形成する工程と、基板の裏面側のレジストを剥離するとともに、表面側のレジストを残存させる工程とを備えたことを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。基板表面側のレジストと基板裏面側のレジストとが異なることを特徴とする請求項11に記載の半導体装置用基板の製造方法。基板表面側のレジストはポリイミド系樹脂からなることを特徴とする請求項11または12に記載の半導体装置用基板の製造方法。基板の表面および裏面にレジストを設ける工程は、ドライフィルムレジストと、剥離シートとを有する一対のドライフィルムレジストシートを準備する工程と、各ドライフィルムレジストシートの剥離シートを剥離する工程と、各ドライフィルムレジストシートのドライフィルムレジストを基板の表面および裏面に接着する工程と、各ドライフィルムレジストに対して所望のパターンを形成する工程とを有することを特徴とする請求項11乃至13のいずれか一項に記載の半導体装置用基板の製造方法。基板表面側のドライフィルムレジストは、ポリイミド系樹脂からなることを特徴とする請求項14に記載の半導体装置用基板の製造方法。本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、全体を薄くすることができるとともに、製造する際の歩留りを向上させることができる半導体装置およびその製造方法、ならびにこのような半導体装置を製造する際に用いられる半導体装置用基板およびその製造方法を提供することを目的とする。本発明は、各々が内部端子面と外部端子面とを有する複数の端子部と、ダイパッドと、ダイパッド上に搭載され、各端子部の内部端子面と接続部により電気的に接続された半導体素子と、各端子部の外部端子面を外方へ露出させるようにダイパッド、端子部、半導体素子、および接続部を封止する封止樹脂部とを備え、各端子部の外部端子面およびダイパッドの外面は同一平面上に並び、各端子部の内部端子面側に、外方に突出する突起部が形成され、ダイパッドの内面側に、外方に突出する突起部が形成され、ダイパッドの突起部より下方部分と、端子部の突起部より下方部分との間、および隣接する端子部の突起部より下方部間に、永久レジスト層が形成されていることを特徴とする半導体装置である。本発明は、永久レジスト層はポリイミド系樹脂からなり、封止樹脂部はエポキシ系樹脂からなることを特徴とする半導体装置である。本発明は、基板と、基板上に設けられ、各々が内部端子面と外部端子面とを有する複数の端子部と、基板上に設けられ、内面と外面とを有するダイパッドとを備え、各端子部の外部端子面およびダイパッドの外面は同一平面上に並び、各端子部の内部端子面側に、外方に突出する突起部が形成され、ダイパッドの内面側に、外方に突出する突起部が形成され、ダイパッドの突起部より下方部分と端子部の突起部より下方部分との間、および隣接する端子部の突起部より下方部間に、永久レジスト層が形成されていることを特徴とする半導体装置用基板である。本発明は、永久レジスト層はポリイミド系樹脂からなることを特徴とする半導体装置用基板である。本発明は、半導体装置の製造方法において、基板の表面および裏面に、各々所望パターンを有するレジストを設ける工程と、基板の裏面側をカバーで覆って基板の表面側にめっきを施し、各々が外部端子面と内部端子面とを有しかつ内部端子面側に外方へ突出する突起部が形成された複数の端子部を形成するとともに、内面と外面とを有しかつ内面側に外方へ突出する突起部が形成されたダイパッドを形成する工程と、基板の表面側をカバーで覆って基板の裏面側にエッチングを施して、基板に所望の開口を形成する工程と、基板の裏面側のレジストを剥離するとともに、表面側のレジストを残存させる工程と、ダイパッド上に半導体素子を搭載する工程と、半導体素子と端子部の内部端子面とを接続部により接続する工程と、基板上のダイパッド、端子部、半導体素子、および接続部を封止樹脂により樹脂封止して封止樹脂部を形成する工程と、裏面側の基板を封止樹脂部から除去する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。本発明は、ダイパッドは基板の表面側に複数形成されるとともに、各ダイパッド上に半導体素子が搭載され、各半導体素子は対応する端子部の内部端子面に接続部により接続され、封止樹脂は半導体装置毎にダイシングされることを特徴とする半導体装置の製造方法である。本発明は、基板表面側のレジストと基板裏面側のレジストとが異なることを特徴とする半導体装置の製造方法である。本発明は、基板表面側のレジストはポリイミド系樹脂からなり、封止樹脂部はエポキシ系樹脂からなることを特徴とする半導体装置の製造方法である。本発明は、基板の表面および裏面にレジストを設ける工程は、ドライフィルムレジストと、剥離シートとを有する一対のドライフィルムレジストシートを準備する工程と、各ドライフィルムレジストシートの剥離シートを剥離する工程と、各ドライフィルムレジストシートのドライフィルムレジストを基板の表面および裏面に接着する工程と、各ドライフィルムレジストに対して所望のパターンを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。本発明は、基板表面側のドライフィルムレジストは、ポリイミド系樹脂からなることを特徴とする半導体装置の製造方法である。本発明は、半導体装置用基板の製造方法において、基板の表面および裏面に、各々所望パターンを有するレジストを設ける工程と、基板の裏面側をカバーで覆って基板の表面側にめっきを施し、各々が外部端子面と内部端子面とを有しかつ内部端子面側に外方へ突出する突起部が形成された複数の端子部を形成するとともに、内面と外面とを有しかつ内面側に外方へ突出する突起部が形成されたダイパッドを形成する工程と、基板の表面側をカバーで覆って基板の裏面側にエッチングを施して、基板に所望の開口を形成する工程と、基板の裏面側のレジストを剥離するとともに、表面側のレジストを残存させる工程とを備えたことを特徴とする半導体装置用基板の製造方法である。本発明は、基板表面側のレジストと基板裏面側のレジストとが異なることを特徴とする半導体装置用基板の製造方法である。本発明は、基板表面側のレジストはポリイミド系樹脂からなることを特徴とする半導体装置用基板の製造方法である。本発明は、基板の表面および裏面にレジストを設ける工程は、ドライフィルムレジストと、剥離シートとを有する一対のドライフィルムレジストシートを準備する工程と、各ドライフィルムレジストシートの剥離シートを剥離する工程と、各ドライフィルムレジストシートのドライフィルムレジストを基板の表面および裏面に接着する工程と、各ドライフィルムレジストに対して所望のパターンを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置用基板の製造方法である。本発明は、基板表面側のドライフィルムレジストは、ポリイミド系樹脂からなることを特徴とする半導体装置用基板の製造方法である。本発明によれば、ダイパッドの突起部および端子部の突起部より下方部分に、永久レジスト層が形成されている。したがって、封止樹脂部を突起部の下方に回り込ませるために端子部およびダイパッドの厚みを25μm以上とする必要がないので、半導体装置全体を薄くすることができるとともに半導体装置の製造時間を短縮することができる。また端子部およびダイパッドを形成するためのめっき厚を薄くすることができるので、めっき厚のばらつきを減らして半導体装置を製造する際の歩留りを向上させることができる。以下、本発明の一実施の形態について、図1乃至図6を参照して説明する。ここで、図1は、本発明による半導体装置の一実施の形態を示す概略断面図であり、図2は、本発明による半導体装置用基板の一実施の形態を示す概略断面図である。また図3は、半導体装置の端子部を示す拡大断面図であり、図4は、本発明による半導体装置用基板の製造方法の一実施の形態を示す工程図である。また図5は、基板の表面および裏面にレジスト層を設ける工程を示す図であり、図6は、本発明による半導体装置の製造方法の一実施の形態を示す工程図である。まず、図1および図3により、本実施の形態による半導体装置の概略について説明する。図1において、半導体装置10はLGAタイプの樹脂封止型半導体装置であり、各々が内部端子面13bと外部端子面13aとを有する複数の端子部13と、この端子部13の配列の略中央に設けられたダイパッド12とを備えている。各端子部13の外部端子面13aおよびダイパッド12の外面12aは、同一平面上に並んでいる。また、ダイパッド12の内面12b上に、電気絶縁性材料16を介して半導体素子15がその素子面と反対側を固着されて搭載されている。この半導体素子15の端子15aは、各端子部13の内部端子面13bにワイヤ接続部17によって電気的に接続されている。そして、端子部13の外部端子面13aと、ダイパッド12の外面12aを外方へ露出させるように、ダイパッド12、端子部13、半導体素子15、およびワイヤ17が封止樹脂部11により封止されている。なお、封止樹脂部11は例えばエポキシ系樹脂等の電気絶縁性を有する樹脂材料を用いることができる。一方、各端子部13の内部端子面13b側に外方水平方向に突出する突起部13cが形成され、ダイパッド12の内面12b側に外方水平方向に突出する突起部12cが形成されている。なお突起部13cは、外方に2μm以上の長さで突出していることが好ましい図3の符号Oh。また、ダイパッド12の突起部12cより下方部分と、端子部13の突起部13cより下方部分との間、および隣接する端子部13の突起部13cより下方部間に、永久レジスト層18が形成されている。この永久レジスト層18は、例えばポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂等からなり、好ましくはポリイミド系樹脂からなっている。具体的には、ベンゾシクロブテン、ポリベンズオキサゾール、ポリシロキサン、ポリアミドイミド、ポリベンズイミダゾールセラゾール、ビスマレイミドトリアジン、ポリフェニルエーテル等が用いられる。図3に示すように、端子部13の高さ内部端子面13bおよび外部端子面13a間の距離Ptは約10μm乃至150μmであり、とりわけ約10μm乃至60μmとすることが好ましい。また端子部13の外部端子面13aから突起部13c下面までの高さPcは、約5μm乃至40μmであり、とりわけ約5μm乃至20μmとすることが好ましい。また、隣接する端子部13間の幅Bcは、半導体装置のパッケージデザインにより適宜設定することができる。すなわち本実施の形態において、ダイパッド12の突起部12cおよび端子部13の突起部13cより下方部分に永久レジスト層18が形成されているので、ドライフィルムレジストを剥離する剥離液および封止樹脂部11を突起部13c、12cの下方に回り込ませる必要がない。したがって、端子部13およびダイパッド12の厚さPtを従来より薄くすることができるとともに約25μm以下、隣接する端子部13間の幅Bcを従来より狭くすることができる約150μm以下。このように、端子部13の厚みを薄くすることができるので、半導体装置10全体の厚さを7μm乃至20μm程度まで薄くすることができる。ところで、各端子部13およびダイパッド12は、後述するように電解めっき法により作成される。すなわち端子部13ダイパッド12は、外部端子面13a外面12a側から内部端子面13b内面12b側に、例えばニッケルNi層、銅Cu層、ニッケルNi層、金Au層という順で積層された複数のめっき層により構成されている以下、このようなめっき層の構成を[Ni/Cu/Ni/Au]ともいう。このほか端子部13ダイパッド12のめっき層の構成として、例えば[Ni/Au]、[Ni/Ag]、[Ni/Pd/Au]、[Ni/Cu/Ni/Ag]、[Ni/Cu/Ni/Pd/Au]、[Au/Ni/Au]、[Au/Ni/Ag]、[Au/Ni/Pd/Au]、[Au/Ni/Cu/Ni/Au]、[Au/Ni/Cu/Ni/Ag]、[Au/Ni/Cu/Ni/Pd/Au]、[Au/Pd/Ni/Au]、[Au/Pd/Ni/Ag]、[Au/Pd/Ni/Pd/Au]、[Au/Pd/Ni/Cu/Ni/Au]、[Au/Pd/Ni/Cu/Ni/Ag]、[Au/Pd/Ni/Cu/Ni/Pd/Au]という構成を挙げることができる。次に、図2を用いて、上述した半導体装置10を製造する際に用いられる半導体装置用基板20について説明する。図2において、半導体装置用基板20は、基板21と、この基板21上に設けられ、各々が内部端子面13bと外部端子面13aとを有する複数の端子部13と、基板21上に設けられ、各々が内面12bと外面12aとを有する複数のダイパッド12とを備えている。また基板21の所定位置に開口22が形成されている。なお各端子部13の外部端子面13aおよび各ダイパッド12の外面12aは、同一平面上に並んでいる。一方、各端子部13の内部端子面13b側に外方水平方向に突出する突起部13cが形成され、各ダイパッド12の内面12b側に外方水平方向に突出する突起部12cが形成されている。さらに、各ダイパッド12の突起部12cより下方部分と、各端子部13の突起部13cより下方部分との間、および隣接する端子部13の突起部13cより下方部間に、永久レジスト層18が形成されている。なお永久レジスト層18は、例えばポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂等からなり、好ましくはポリイミド系樹脂からなっている。具体的には、ベンゾシクロブテン、ポリベンズオキサゾール、ポリシロキサン、ポリアミドイミド、ポリベンズイミダゾールセラゾール、ビスマレイミドトリアジン、ポリフェニルエーテル等が用いられる。基板21は、銅、鉄-ニッケル合金、鉄-ニッケル-クロム合金、鉄-ニッケル-カーボン合金等の導電性基板、または少なくとも端子部13およびダイパッド12が設けられている面に銅、ニッケル、銀、パラジウム、金もしくはこれらの合金からなる導電性層を備えた絶縁性基板であっても良い。後述する半導体装置用基板の製造方法図4において、端子部13およびダイパッド12の形成は電解めっき法により行なわれるので、少なくとも端子部13およびダイパッド12が設けられる面が導電性を有する基板を使用する。また、後述する半導体装置の製造方法図6において、樹脂封止後に半導体装置を剥離するために、溶解除去可能な金属層例えば、銅層等を予め形成した基板21を用いてもよい。次に、本実施の形態による半導体装置用基板の製造方法について、図4a-e、図5a-eを用いて説明する。図4において、まず基板21を準備する図4a。この基板21は、上述したように銅、鉄-ニッケル合金、鉄-ニッケル-クロム合金、鉄-ニッケル-カーボン合金等の導電性基板、または表面にCu、Ni、Ag、Pd、Auもしくはこれらの合金からなる導電性層を備えた絶縁性基板を使用することができる。なお、後述するように、ダイパッド12および端子部13を基板21から容易に剥離できるように、予め基板21の一面に凹凸をつける表面処理を行い、かつ、剥離性をもたせる剥離処理を行っておく等の処置をとることが好ましい。ここでの表面処理としては、サンドブラストによるブラスト処理、剥離処理としては、基板21の表面に酸化膜を形成する方法等が挙げられる。次に、基板21の表面および裏面に各々所望のパターンを有するレジスト層18、32を設ける図4b。このうち表面側のレジスト層18は、上述したように、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂等の耐薬品性樹脂かつ200°C以上、好ましくは250°C以上、更に好ましくは300°C以上の耐熱性を有する高耐熱性樹脂からなり、好ましくはポリイミド系樹脂からなっている。またレジスト層18は、各ダイパッド12および各端子部13の形成部位に相当する箇所に開口部18a、18bが形成され、この開口部18a、18bには基板21が露出している。なお表面側のレジスト層18の厚さは、端子部13の外部端子面13aから突起部13c下面までの高さおよびダイパッド12の外面12aから突起部12c下面までの高さに対応する。一方、裏面側のレジスト層32は、例えばアルカリ、酸、溶剤等により剥離可能な樹脂からなっており、上述した表面側のレジスト層18と異なる材料からなることが好ましい。また裏面側のレジスト層32は、開口22の形成部位に相当する箇所に開口部32aが形成され、この開口部32aには基板21が露出している。次に、基板21の裏面側をカバー33で覆って、基板21の表面側に電解めっきを施す。これにより基板21上に金属を析出させて、各々が外部端子面13aと内部端子面13bとを有し、かつ内部端子面13b側に外方へ突出する突起部13cが形成された複数の端子部13を形成するとともに、内面12bと外面12aとを有し、かつ内面12b側に外方へ突出する突起部12cが形成されたダイパッド12を形成する図4c。このようにして電解めっきにより端子部13およびダイパッド12を形成する際、レジスト層18の厚みよりも厚く金属を析出させる。これにより、レジスト層18の開口部18a内に析出した金属は、開口部18aの内壁に沿って上方に堆積した後、レジスト層18から盛り上がりながらレジスト層18の表面に沿って横方向にも析出する。次に、図4dに示すように、基板21の表面側をカバー34で覆うとともに、基板21の裏面側のカバー33を剥離する。次に基板21の裏面側にエッチングを施すことにより、基板21上のレジスト層32の開口部32aに対応する位置に、所望の開口22を形成する。なお、この開口22は、後述する半導体装置の製造工程において半導体装置用基板20を搬送する際や位置決めを行なう際に用いられる。次いで基板21の表面側のカバー34を剥離し、更に基板21の表面側および裏面側のレジスト層18、32を剥離する。このようにして、図2に示す半導体装置用基板20を得ることができる図4e。次に図5a-eを用いて、上述した基板21の表面および裏面にレジスト層18、32を設ける工程図4bについて更に説明する。まず図5aに示すように、一対のドライフィルムレジストシート40、41を準備する。このうちドライフィルムレジストシート40は、例えばポリイミド系樹脂からなるドライフィルムレジスト18Aと、剥離シート42と、支持フィルム43とからなっている。他方、ドライフィルムレジストシート41は、例えばアルカリ、酸、溶剤等により剥離可能な樹脂からなるドライフィルムレジスト32Aと、剥離シート44と、支持フィルム45とからなっている。次に、ドライフィルムレジストシート40のドライフィルムレジスト18Aを基板21の表面に接着するとともに、ドライフィルムレジストシート41のドライフィルムレジスト32Aを基板21の裏面に同時に接着する図5bc。この際、各ドライフィルムレジストシート40、41の剥離シート42、44を剥離しておく。次いで、各ドライフィルムレジスト18A、32Aに所望のパターンを形成する図5d。すなわち、表面側のドライフィルムレジスト18Aの所定位置に、フォトリソグラフィ法により基板21が露出する開口部18a18bを形成する。この場合、ドライフィルムレジスト18Aをフォトマスクを介して露光し、次いでドライフィルムレジスト18A上から支持フィルム43を除去する。その後、露光されたドライフィルムレジスト18Aを現像して、ドライフィルムレジスト18Aのうち不要な部分を除去する。また、裏面側のドライフィルムレジスト32Aの所定位置に、フォトリソグラフィ法により、基板21が露出する開口部32aを形成する。この場合、ドライフィルムレジスト32Aをフォトマスクを介して露光し、次いでドライフィルムレジスト32A上から支持フィルム45を除去する。その後、露光されたドライフィルムレジスト32Aを現像して、ドライフィルムレジスト32Aのうち不要な部分を除去する。このようにして、基板21の表面および裏面に各々所望のパターンを有するレジスト層18、32が作成される図5e。なお、上述したように、表面側のドライフィルムレジスト18Aおよび裏面側のドライフィルムレジスト32Aのいずれもフォトリソグラフィ法により所望のパターンを形成する場合を示したが、これに限らず、まず表面側のドライフィルムレジスト18A上から支持フィルム43を除去し、次いでレーザ加工法により表面側のドライフィルムレジスト18Aに所望のパターンを形成し、その後フォトリソグラフィ法により裏面側のドライフィルムレジスト32Aに所望のパターンを形成しても良い。次に、本実施の形態による半導体装置の製造方法について、図4a-e、図6a-eを用いて説明する。まず、図4a-eに示す工程により、図2に示す半導体装置用基板20を作成する上述。次に、半導体装置用基板20の各ダイパッド12上に電気絶縁性材料16を介して半導体素子15を搭載する図6a。次に、各半導体素子15の端子15aと、対応する半導体装置用基板20の各端子部13の内部端子面13bとを、ワイヤ接続部17を用いてそれぞれ接続するワイヤボンディング図6b。その後、基板21上のダイパッド12、端子部13、半導体素子15、ワイヤ17、および永久レジスト層18をエポキシ系樹脂からなる封止樹脂部11により封止する図6c。次いで、例えばエッチング等により、裏面側の基板21を除去する図6d。次に、封止樹脂部11を各半導体素子15を含む半導体装置半導体パッケージ毎にダイシングすることにより、図1に示す半導体装置10を得ることができる図6e。このように、本実施の形態によれば、ダイパッド12の突起部12cおよび端子部13の突起部13cより下方部分に、永久レジスト層18が形成されている。したがって、封止樹脂部11を突起部12c、13cの下方に回り込ませるために端子部13およびダイパッド12の厚みを25μm以上とする必要がないので、半導体装置10全体を薄くすることができるとともに半導体装置10の製造時間を短縮することができる。また、本実施の形態によれば、端子部13およびダイパッド12を形成するためのめっき厚を薄くすることができるので、めっき厚のばらつきを減らして半導体装置10を製造する際の歩留りを向上させることができる。