スパッタリング装置の真空チャンバを大気開放している間、この真空チャンバを室温より高い第1の温度に予加熱する予加熱工程と、真空チャンバを密閉してその内部を真空引きしつつ、真空チャンバとこの真空チャンバ内に配置されたターゲットとを第1の温度より高い第2の温度に昇温してベーキングするベーキング工程と、第2の温度に保持したベーキング工程中、真空チャンバ内の圧力を監視し、この圧力が上昇から下降に転じる時点を判定する判定工程と、判定工程にて真空チャンバ内の圧力が上昇から下降に転じる時点が判定された直後に、真空チャンバのベーキングを終了して少なくとも真空チャンバを所定温度まで強制冷却する冷却工程と、を含むことを特徴とするスパッタリング装置の生産復帰方法。前記冷却工程が終了した後、前記真空チャンバ内にスパッタガスを導入すると共に前記ターゲットに電力投入してターゲットをプレスパッタするプレスパッタ工程を更に含むことを特徴とする請求項1記載のスパッタリング装置の生産復帰方法。本発明は、以上の点に鑑み、メンテナンス作業終了から生産復帰までを可及的速やかに行い得る低ランニングコストのスパッタリング装置の生産復帰方法を提供することをその課題とする。上記課題を解決するために、本発明のスパッタリング装置の生産復帰方法は、スパッタリング装置の真空チャンバを大気開放している間、この真空チャンバを室温より高い第1の温度に予加熱する予加熱工程と、真空チャンバを密閉してその内部を真空引きしつつ、真空チャンバとこの真空チャンバ内に配置されたターゲットとを第1の温度より高い第2の温度に昇温してベーキングするベーキング工程と、第2の温度に保持したベーキング工程中、真空チャンバ内の圧力を監視し、この圧力が上昇から下降に転じる時点を判定する判定工程と、判定工程にて真空チャンバ内の圧力が上昇から下降に転じる時点が判定された直後に、真空チャンバのベーキングを終了して少なくとも真空チャンバを所定温度まで強制冷却する冷却工程と、を含むことを特徴とする。本発明によれば、真空チャンバの大気開放中つまり、メンテナンス作業中に真空チャンバを第1の温度に加熱する予加熱工程を備えるため、真空チャンバ内の真空引きを開始後、真空チャンバが第2の温度に昇温するまでの時間を短縮できる。そして、ベーキング中、真空チャンバ内で新たに設置した防着板等に吸着したガス成分が活性化され、真空チャンバ内の真空雰囲気へと放出されて排出される。このとき、真空チャンバ内の圧力が上昇から下降に転じる時点を判定する判定工程を備えるため、経験則等に基づきベーキング時間を製品歩留まり等を考慮して設定する必要はない。そして、判定工程にて真空チャンバ内の圧力下降が判定された直後に、真空チャンバの加熱を停止して真空チャンバを強制冷却する。このとき、ベーキングにより活性化されたガス成分が防着板等に留まるようになり、殆ど真空チャンバ内の真空雰囲気に放出されなくなる。このため、真空チャンバ内の圧力が急激に低下し、生産復帰するのに適した圧力まで真空チャンバ内を真空引きできる。このように本発明は、予加熱工程を備えることと、防着板等へのガス成分の吸着状況に応じてベーキングの終了を判定することとが相俟って、真空チャンバ内の状態に応じて可及的速やかに生産復帰できる。しかも、ベーキング終了後に防着板等に残留するガス成分をそのまま留めることで、生産復帰時のスパッタリングによる成膜に影響を与えないようにした。ところで、ターゲット近傍に永久磁石を有する磁石ユニットが配置されていると、ターゲットからの輻射熱で永久磁石が減磁する虞がある。そこで、永久磁石が減磁しないように、ベーキング中の真空チャンバの第2の温度と、ターゲットの第2の温度とを異ならせるようにしてもよい。また、本発明において、前記冷却工程が終了した後、前記真空チャンバ内にスパッタガスを導入すると共に前記ターゲットに電力投入して前記ターゲットをプレスパッタするプレスパッタ工程を更に含むことが望ましい。これによれば、強制冷却により真空チャンバ内に留まったガス成分が、プレスパッタにより生じたスパッタ粒子で覆われるため、生産復帰後にガス成分が真空チャンバ内に放出されることを防止できる。以下、図面を参照して、本発明の実施形態のスパッタ装置の生産復帰方法が適用されるスパッタ装置Mについて説明する。図1に示すように、スパッタ装置Mは例えばマグネトロン方式のものであり、真空チャンバ1を備える。真空チャンバ1の底部には、排気管2を介して高真空用ポンプ例えばターボ分子ポンプ3a及び低真空用ポンプ例えばロータリポンプ3bからなる真空排気手段が接続されている。また、真空チャンバ1にはピラニ真空計や電離真空計等の真空計4が設けられている。真空チャンバ1の上部には、ターゲット5が配置されている。ターゲット5は、CuやAl合金など基板S表面に成膜しようとする薄膜の組成に応じて公知の方法で作製されている。スパッタリング中、バッキングプレート6にターゲット5を接合した状態で絶縁板7を介して真空チャンバ1に装着される。ここで、バッキングプレート6には、流路6aが形成され、この流路6aには、スパッタ中、冷媒例えば冷却水が循環されてターゲット5を冷却できるようになっている。尚、この流路6aには、後述の温媒供給ユニットからの流水管が接続され、バッキングプレート6内に温媒例えば温水を循環させてターゲット5をベーキングできるようになっている。ターゲット5の周囲には、グランド接地されたアノードとしての役割を果たすアースシールド8が取付けられ、また、ターゲット5には、真空チャンバ1外に配置されるスパッタ電源9からの出力が接続され、ターゲット種に応じて負の直流電圧または高周波電圧が印加される。更に、ターゲット5の後方図1中、スパッタ面と反対の上側には、永久磁石を備えた磁石ユニット10が設けられ、ターゲット5の前方スパッタ面側たる下側に、釣り合った閉ループのトンネル状の磁束を形成し、ターゲット5の前方で電離した電子及びスパッタリングによって生じた二次電子を捕捉することで、ターゲット5前方での電子密度を高くしてプラズマ密度を高くできるようになっている。真空チャンバ1の底部には、ターゲット5に対向した位置で基板Sを保持するステージ11が設けられ、真空チャンバ1の側壁には、ガス源13に連通し、マスフローコントローラ13aが介設されたガス管13bが接続され、Arなどの希ガスからなるスパッタガスや反応性スパッタリングの際に用いる反応ガスがスパッタ室1a内に一定の流量で導入できるようになっている。そして、真空チャンバ1内には、その壁面へのスパッタ粒子の付着を防止する防着板12が設けられている。また、真空チャンバ1の外壁にはジャケット14が設けられ、ジャケット14内の流路14aに冷媒冷却水を循環させることで真空チャンバ1を冷却できる。また、この流路14aには、後述の温媒供給ユニット16の流路16bが接続され、ジャケット14内に温媒温水を循環させることで真空チャンバ1をベーキングできる。真空チャンバ1の側壁にはまた、ヒータ15が埋設され、このヒータ15によっても真空チャンバ1をベーキングできるようになっている。バッキングプレート6に連通する冷却水供給路L1及び冷却水排出路L2には、三方弁V1、V2を介して温媒供給ユニット16が接続されている。この温媒供給ユニット16は、三方弁V3、V4を介して、冷却水供給路L1から分岐した冷却水供給路L11と冷却水排出路L2に合流する冷却水排出路L21とにも接続されている。温媒供給ユニット16は、循環ポンプ16aを介設した流路16bと、流路16bを流れる冷却水を加熱するヒータ16cとを有する。そして、三方弁V1乃至V4を操作し、循環ポンプ16a及びヒータ16cを作動させることで、バッキングプレート6やジャケット14に温媒温水を供給できる。上述した真空用ポンプ3a、3b、ヒータ15、温媒供給ユニット16及び三方弁V1乃至V4等の部品は、コンピュータ、シーケンサーやドライバー等を備えた制御手段図示省略により統括制御される。以下、図2を参照して、上記スパッタ装置Mにおいて、メンテナンス作業としての防着板12の交換が終了した後、生産復帰基板Sへの成膜処理するまでの工程を、上記従来例図3参照と比較しながら説明する。真空チャンバ1を大気解放して防着板12を交換する間、ヒータ15を作動して真空チャンバ1を室温T0より高い第1の温度例えば、50°CT1に予加熱しておく予加熱工程。第1の温度T1は、真空チャンバ1内にて作業者がメンテナンス作業を行うことを考慮して適宜設定される。この場合、温媒供給ユニット16からの温媒をジャケット14内に循環させることで、真空チャンバ1を予加熱してもよい。防着板12の交換が終了すると、真空チャンバ1を密閉し、真空排気手段3a、3bを作動して真空チャンバ1内の真空引きを開始する。これに併せて、ヒータ15により真空チャンバ1を第2の温度例えば、100°CT2に昇温して保持するベーキング工程。このとき、真空チャンバ1は第1の温度T1に予加熱されているため、上記従来例のように室温T0から第2の温度T2まで昇温するものと比較して短時間例えば1時間で真空チャンバ1が第2の温度T2に到達する。なお、第2の温度T2は、真空シール部品たるOリングの劣化等を考慮して適宜設定される。また、ベーキング中においては、温媒供給ユニット16からの温媒をバッキングプレート6内に循環させて、ターゲット5を第2の温度に加熱し、ターゲット5をベーキングする。ターゲット5の第2の温度は、永久磁石の減磁を考慮して、真空チャンバ1の第2の温度T2とは異なる60~80°Cの範囲内の温度とする。ここで、真空チャンバ1やターゲット5の昇温開始直後は、真空チャンバ1及びターゲット5の温度が比較的低いため、真空チャンバ1内で新たに設置した防着板12等に吸着したガス成分が殆ど活性化せずに、真空チャンバ1内へと放出されない。このため、真空チャンバ1内の圧力が低下していく。その後、真空チャンバ1及びターゲット5の温度が上昇するのに従い、真空チャンバ1内に吸着したガス成分が活性化されて真空チャンバ1内へと放出される。その結果、真空チャンバ1の圧力が上昇していく。真空チャンバ1の温度が第2の温度T2に達すると、真空計4により測定される真空チャンバ1内の圧力を監視し、その圧力が上昇から下降に転じた時点を判定する判定工程。判定方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、真空計4の測定値を1分毎にサンプリングし、前回のサンプリング値との差分を求め、その差分を所定の基準値と比較する方法が用いられる。そして、真空チャンバ1内の圧力が下降に転じる時点が判定されると、ガス成分が生産復帰後の膜質に悪影響を及ぼさない程度まで排出されたと判断し、ヒータ15の作動を停止して真空チャンバ1のベーキングを終了すると共に、バッキングプレート6内の温媒の循環を停止してターゲット5のベーキングを終了する。つまり、防着板12等のガス成分の吸着状況に応じてベーキングを終了させる。ベーキングが終了すると、ジャケット14及びバッキングプレート6内に冷却水例えば20°Cを循環させることで真空チャンバ1及びターゲット5の強制冷却を開始する冷却工程。真空チャンバ1及びターゲット5の温度が低下し始めると、ベーキング中に活性化されたガス成分が防着板12等に留まり、殆ど真空チャンバ1内の真空雰囲気に放出されなくなる。このため、真空チャンバ1内の圧力が急激に低下し、真空チャンバ1が生産復帰するのに適した所定の圧力例えば、1×10-5Pa及び所定の温度例えば、30°Cに到達する。所定圧力に達すると、強制冷却を終了する。強制冷却の終了後、製品として利用されないダミー基板図示せずをターゲット5と対向するステージ11上に搬送する。そして、ガス管13bからスパッタガスを導入しつつ、ターゲット5にスパッタ電源9を介して負の直流電圧または高周波電圧を印加し、所定の積算電力だけプレスパッタを行うプレスパッタ工程。プレスパッタ条件は、製品の基板Sへのスパッタ条件と同一または異なるものに設定してもよい。これにより、ターゲット5表面が侵食されて当該ターゲット5表面に吸着したガス成分が除去されると共に、真空チャンバ1内に存する防着板12等の部品に留まっているガス成分がスパッタ粒子により覆われる。このため、生産復帰後にガス成分が真空チャンバ1内に放出されることを防止できる。プレスパッタを所定の積算電力だけ行った後、製品の基板Sがターゲット5に対向したステージ11上に搬送され、成膜処理が再開される。このように本実施形態では、真空チャンバ1の大気開放中に真空チャンバ1を第1の温度T1に予加熱することと、第2の温度でのベーキング中に真空チャンバ1内の圧力に基づき防着板12等へのガス成分の吸着状況に応じてベーキングを終了することとが相俟って、メンテナンス作業の終了後、真空チャンバ1の状態に応じて可及的速やかに生産復帰できる。しかも、ベーキング終了後に防着板12等に残留するガス成分をそのまま留めるようにし、このガス成分を、プレスパッタによるスパッタ粒子で覆うことで、生産復帰後にガス成分が真空チャンバ内に放出されることを防止できる。また、多量の酸素ガスまたは不活性ガスを真空チャンバ1内に導入するものと比較して、ランニングコストも低くできる。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。例えば、ターゲット5の後方に磁石ユニット10を配置しない場合、真空チャンバ1とターゲット5とを同じ第2の温度でベーキングすれば、ターゲット5に吸着したガス成分の真空チャンバ1内への放出が促進されてよい。また、上記実施形態では、真空チャンバ1を大気開放している間、真空チャンバ1のみを予加熱しているが、ターゲット5を予加熱すれば、ターゲット5を第2の温度まで短時間で昇温できてよい。