"基板と、前記基板上に形成され、露光光を反射する光反射層と、前記光反射層上に形成され、露光光を吸収する第1の光吸収層と、を備える反射型露光用マスクであって、前記第1の光吸収層が部分的に除去されて前記光反射層が露出された部分、及び前記第1の光吸収層が除去されないで残った部分により形成されるパタン形成領域と、前記パタン形成領域を囲む遮光領域である第1の部分と、前記第1の部分を構成する所定の方向に平行な辺から、該所定の方向に延伸した遮光領域である第2の部分と、を備え、前記所定の方向は、前記反射型露光用マスクを保持する装置と、露光光との相対的な移動方向に平行な方向であり、前記第2の部分は、オートフォーカス用の測定点が設定される部分であり、前記第1の部分、及び前記第2の部分は、前記第1の光吸収層及び前記光反射層が除去され、基板が露出された領域であることを特徴とする反射型露光用マスク。基板と、前記基板上に形成され、露光光を反射する光反射層と、前記光反射層上に形成され、露光光を吸収する第1の光吸収層と、を備える反射型露光用マスクであって、前記第1の光吸収層が部分的に除去されて前記光反射層が露出された部分、及び前記第1の光吸収層が除去されないで残った部分により形成されるパタン形成領域と、前記パタン形成領域を囲む遮光領域である第1の部分と、前記第1の部分を構成する所定の方向に平行な辺から、該所定の方向に延伸した遮光領域である第2の部分と、を備えていることを特徴とする反射型露光用マスク。前記所定の方向は、前記反射型露光用マスクを保持する装置と、露光光との相対的な移動方向に平行な方向であることを特徴とする請求項2に記載の反射型露光用マスク。前記第2の部分は、オートフォーカス用の測定点が設定される部分であることを特徴とする請求項2または3に記載の反射型露光用マスク。前記第1の部分、及び前記第2の部分は、前記第1の光吸収層及び前記光反射層が除去され、基板が露出された領域であることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか一項に記載の反射型露光用マスク。前記第1の部分、及び前記第2の部分は、前記第1の光吸収層上に形成され、露光光を吸収する第2の光吸収層を備えた領域であることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか一項に記載の反射型露光用マスク。精度良くウエハにパタンを転写することができる反射型露光用マスクを提供する。実施形態の反射型露光用マスクは、基板と、基板上に形成され、露光光を反射する光反射層と、光反射層上に形成され、露光光を吸収する光吸収層と、を備える。また、反射型露光用マスクは、光吸収層が部分的に除去されて光反射層が露出された部分、及び光吸収層が除去されないで残った部分により形成されるパタン形成領域と、パタン形成領域を囲む遮光領域である第1の部分と、第1の部分を構成する所定の方向に平行な辺から、該所定の方向に延伸した遮光領域である第2の部分と、を備えている。以下、実施形態の詳細を図面を参照して説明する。この説明に際し、全図にわたり、共通する部分には共通する参照符号を付す。実施形態<EUV露光装置の概要>まず、図1を用いて本実施形態に係るEUV露光装置の基本的な構成について概略的に説明する。図1は、本実施形態に係るEUV露光装置の基本的な構成を模式的に示すブロック図である。図1に示すように、EUV露光装置は、照明光学系1と、投影光学系3と、照射部5a及び受光部センサとも呼ぶ5bを備えるマスクAF測定装置5と、照射部6a及び受光部6bを備えるウエハAF測定装置6と、反射型露光用マスク2を載置するマスクステージ7と、ウエハ半導体基板4を載置するウエハステージ8と、制御部9とを備えている。照明光学系1は、例えば反射光学素子ミラーによって構成され、露光光としてEUV光軟X線あるいは極端紫外線を、反射型露光用マスクへと照射する。なお、反射型マスクを用いてリソグラフィを行う場合、反射型露光用マスクで反射された反射光EUV光を、入射光EUV光と相互に干渉させずに投影光学系3に入らせなくてはならない。このため、反射型露光用マスク2に入射される入射光は、反射型露光用マスク2表面の法線に対して所定の角度オフセット角を付けられて斜めに入射オフセット入射させられる。また、EUV光を照射する領域を、例えば円弧状の露光領域一括露光領域等とも呼ぶと呼び、この露光領域を所定の方向に移動させることにより、EUV露光リソグラフィを行う。このような露光を、スキャン露光と呼び、露光領域露光光の移動する方向を、スキャン方向走査方向等とも呼ぶ。反射型露光用マスク2は、EUV光露光光を反射する反射層光反射層及びEUV光を吸収する吸収層光吸収層によって転写パタンが形成されているパタン形成領域と、該パタン形成領域の周辺に設けられ、隣接するショットからのEUV光の漏れを防ぐ遮光領域遮光枠部と、を備えている。投影光学系3は、例えば反射光学素子ミラーによって構成され、反射型露光用マスク2から反射されたEUV光を受光し、ウエハ4へと照射する。ウエハ4は、例えば表面にレジストが形成されており、投影光学系3からの反射光EUV光により、反射型露光用マスクの転写パタンが該レジストに転写される。マスクAF測定装置5は、反射型露光用マスク2に光を照射する照射部5aと、反射型露光用マスク2からの反射光を受光する受光部5bとを備えている。照射部5aは、LEDランプ、ハロゲンランプ、その他光源を備える。そして、照射部5aは、反射型露光用マスク2に設定されたマスクAF測定点単にAF測定点とも呼ぶに光を照射する。受光部5bは、反射型露光用マスクによって反射された反射光をAF測定点毎に受光する。具体的に受光部5bは、AF測定点毎の反射光の位置により、反射型露光用マスクの位置高さ、及び角度等を含むを計測する。そして、反射光が受光部5bに設定された各AF計測点の中心に入射される様に、反射型露光用マスク2の位置を、マスクステージ7によって制御させる。このような動作を単にマスクAF測定と呼ぶことがある。このマスクAF測定は、通常、照明光学系1によるEUV露光と同時に行われるものである。なお、このように反射光が受光部5bに設定された各AF計測点の中心に入射されている状態を、ピントが合う等と表現される。また、AF測定点については、後述で詳細に記載する。ウエハAF測定装置6は、基本的な構成や動作はマスクAF測定装置5と同様なので、詳細な説明は省略する。ウエハAF測定装置6は、ウエハ4の位置を計測し、ウエハ4で反射された照射部6aからの光が受光部6bの中心に入射されるように、ウエハステージ8を制御し、ウエハ4の位置を調整する。マスクステージ7は、反射型露光用マスク2を保持載置し、制御部9に従って反射型露光用マスク2の位置を制御する。ウエハステージ8は、ウエハ4を保持し、制御部9に従ってウエハ4の位置を制御する。また、ウエハステージ8は、マスクステージ7と同期して移動する。制御部9は、少なくともマスクAF測定装置5、ウエハAF測定装置6、マスクステージ7、及びウエハステージ8に接続されている。そして、制御部9は、例えばマスクAF測定装置5のマスクAF測定結果に基づいて、反射型露光用マスク2の理想的な位置高さや傾きを導出し、マスクステージ7を前記導出された理想的な位置に基づいて制御する。同様に、制御部9は、例えばウエハAF測定装置6のウエハAF測定結果に基づいて、ウエハ4の理想的な位置高さや傾きを導出し、ウエハステージ8を前記導出された理想的な位置に基づいて制御する。また、反射型露光用マスク2の理想的な位置を導出するような演算は、外部演算装置で行っても良い。<比較例に係る反射型露光用マスクの概要>次に、本実施形態に係る反射型露光用マスクの作用効果を説明する前に、図7及び図8を用いて、本実施形態の比較例に係る反射型露光用マスクの概要及びマスクAF測定方法について概略的に説明する。図7aは、実施形態の比較例に係る反射型露光用マスクの基本的な構成を示した上面図であり、図7bは、図7aのA-A線に沿った断面図である。図8aは、実施形態の比較例に係る反射型露光用マスクと、AF測定点と、露光領域との関係を示した上面図であり、反射型露光用マスクのスキャン露光の途中を示している。図8bは、図8aの反射型露光用マスクのスキャン位置と、AF測定点からの反射光の出力との関係を示したグラフである。そして、図8bの縦軸は、マスクAF測定装置5の受光部5bが受光する、反射型露光用マスクからの反射光の出力である。図8bの横軸は、反射型露光用マスクのスキャン位置を示している。図8cは、図8aの反射型露光用マスクのスキャン位置と、反射型露光用マスクの傾きとの関係を示したグラフである。そして、図8cの縦軸は、反射型露光用マスクの傾きを示し、横軸は、反射型露光用マスク2のスキャン位置を示している。図7aに示すように、反射型露光用マスク2cは、ウエハ4に転写される転写パタン単にパタンとも呼ぶを備えているパタン形成領域21と、パタン形成領域21を囲む遮光領域29とを備えている。図7bに示すように、反射型露光用マスク2cは、支持基板単に基板とも呼ぶ23と、基板23上に形成された反射層24と、反射層24上に形成された吸収層25と、を備えている。支持基板23は、例えば合成石英基板である。反射層24は、EUV光露光光を実質的に反射させることを目的とした、例えばモリブデンとシリコンとが交互に40対層程度積層されている多層膜構造である。吸収層25は、EUV光を実質的に吸収するCrで形成されたバッファ層と、バッファ層上にTaN窒化チタン膜で形成された吸収体とを有する。パタン形成領域21において、反射層24上の吸収層25の一部が除去されることで、転写パタンが形成されている。また、遮光領域29においては、吸収層25及び反射層24が除去されており、支持基板23が露出している。このように、吸収層25及び反射層24を除去することによって低反射加工された遮光領域22は、パタン形成領域21に対して凹型である。次に、図8aに示すように、照明光学系1は、例えば円弧状の露光領域10にEUV光を照射する。そして、マスクAF測定装置5の照射部5aは、露光領域10の周囲に設定されたAF測定点6L、6Uに光を照射する。比較例において、AF測定点6L、6Uは、例えば反射型露光用マスク2cの、スキャン方向に平行な遮光領域29上、且つ露光領域10を囲む領域近傍に設定されている。なお、この際、EUV光の照射位置、及びAF測定点は固定され、マスクステージ7を所定の方向に移動させることで、EUV露光と、マスクAF測定とが同時に行われる。また、AF測定点が結ぶ面を、AFレベリング面等とも称す。図8bに示すように、スキャン露光及びAF測定の間、まず、AF測定点6L及び6Uが遮光領域29の外側の吸収層25上にある場合、AF測定点6L及び6Uにおける反射光の出力はほぼ等しくなる出力f2。しかし、反射型露光用マスク2cがスキャン方向に移動し、AF測定点6Uが吸収層25から遮光領域支持基板23の露出部分29へと測定する領域の高さが変わる場合、AF測定点6L、及び6Uのそれぞれが測定する領域の高さが大きくずれる。そのため、AF測定点6Lにおける反射光の出力f2と、AF測定点6Uにおける反射光の出力f1とは大きく異なる。これにより、図8cに示すように、制御部9は、AF測定点6L及び6Uにおける反射光の出力が等しくなるように傾きp1例えば傾き0から反射型露光用マスク2cを傾きp2へと傾ける。換言すると、反射型露光用マスク2cのスキャン露光及びAF測定の間、AF測定点6L及び6Uの高さ方向の位置が異なる場合、反射型露光用マスク2cと露光領域10とのピントがずれていると判定される。そして、ピントを合わせる為に例えばAF測定点6L及び6Uの高さが等しくなるように、制御部9が反射型露光用マスク2cの位置傾きを変えてしまう。つまり、制御部9は、AFレベリング面AF測定が行われた4点を結ぶ面が照明光学系1とピントが合うように、反射型露光用マスク2cを傾かせる。反射型露光用マスク2cが更にスキャン方向に移動し、AF測定点6L及び6Uが遮光領域29を測定する場合、AF測定点6L及び6Uにおける反射光の出力はほぼ等しくなる出力f1。この際、制御部9は、反射型露光用マスク2cの傾きをp1にする例えば傾き0。しかし、反射型露光用マスク2cが更にスキャン方向に移動し、AF測定点6Lが遮光領域29を測定し、AF測定点6Uが吸収層25を測定する場合、AF測定点6Lにおける反射光の出力f1と、AF測定点6Uにおける反射光の出力f2とは大きく異なる。そのため、上述したように、制御部9は、反射型露光用マスク2cと照明光学系1とのピントがずれていると判定し、ピントを合わせる為に、反射型露光用マスク2cを傾ける。上記のように、AF測定点6L及び6Uの高さ方向の位置が異なる、遮光領域29の端部近傍において、反射型露光用マスク2cはAF測定点6L及び6Uの結ぶ面AFレベリング面と、照明光学系1とのピントを合わせるために傾きが変更される。これにより、遮光領域29の端部近傍パタン形成領域21の、スキャン方向に平行な方向の端部近傍において、AFレベリング面は、パタン形成領域21に対して傾いている。そのため、パタン形成領域21に対して傾いた面と照明光学系1とのピントを合わせてしまうと、パタン形成領域21に対して本来調整すべき角度パタン形成領域21への入射角等からズレてしまう。この結果、パタン形成領域21に対して正確な角度調整をおこなうことができず、精度良く転写パタンをウエハ4に転写することが困難であった。<本実施形態に係る反射型露光用マスクの概要>以上のような問題を鑑みて、図2を用いて本実施形態に係る反射型露光用マスクの基本的な構成について説明する。図2aは、本実施形態に係る反射型露光用マスク2の基本的な構成を模式的に示す上面図であり、図2bは、図2aのA-A線方向に沿った断面図であり、図2cは、図2aのB-B線方向に沿った断面図である。図2aに示すように、反射型露光用マスク2は、ウエハ4への転写が行われる転写パタン単にパタンとも呼ぶが形成されたパタン形成領域21と、遮光領域22とを備えている。この遮光領域22は、パタン形成領域21を囲む枠部分枠状領域22aと、枠部分から延伸した延伸部分延伸領域22bとを含んでおり、下記では、この枠部分22a及び延伸部分22bを合わせて単に遮光領域22と呼ぶことがある。この遮光領域22は、隣り合ったショットの重なり部分からのEUV光の漏れを防ぐためのものであり、本実施形態においては、パタン形成領域21に対して凹型溝である。そして、露光装置のスキャン方向走査方向に平行な遮光領域22の辺部分は、スキャン方向に沿って切れ目無く延伸している。換言すると、遮光領域22のスキャン方向に沿った辺は、パタン形成領域21を囲む領域枠部分22aのみならず、スキャン方向に対して長く延びた領域延伸部分22bを有している。図2bに示すように、反射型露光用マスク2は、支持基板単に基板とも呼ぶ23と、基板23上に形成された反射層24と、反射層24上に形成された吸収層25と、を備えている。支持基板23は、例えば合成石英基板である。反射層24は、EUV光露光光を実質的に反射させることを目的とした、例えばモリブデンとシリコンとが交互に40対層程度積層されている多層膜構造である。吸収層25は、EUV光を実質的に吸収するCrで形成されたバッファ層と、バッファ層上にTaN窒化チタン膜で形成された吸収体とを有する。パタン形成領域21において、反射層24上の吸収層25の一部が除去されて反射層24の一部が露出する部分と、吸収層25の一部が残る部分とによって、転写パタンが形成されている。つまり、パタン形成領域21は、反射層24及び吸収層25によって構成される。また、遮光領域22においては、吸収層25及び反射層24が除去されており、支持基板23が露出している。このように、吸収層25及び反射層24を除去することによって低反射加工された遮光領域22は、パタン形成領域21に対して凹型である。また、図2cに示すように、延伸部分22bは、スキャン方向に沿って延伸されていることがわかる。ところで、EUVリソグラフィにおいて、遮光領域に、平均反射率0.5未満の特性が求められている。これは、平均反射率が充分に小さくないと、隣り合ったショットの重なりの部分からのEUV光の漏れにより、設計通りのパタンをウエハに形成できなくなるからである。上述したように、吸収層25及び反射層24を除去し、支持基板23を露出することによって、平均反射率0.5未満の特性を有する遮光領域22を実現することができる。なお、本来、反射型露光用マスク上には、当該マスクを露光装置で位置合わせする為のレチクルアライメントマーク、及びマスクの品質保証の為のパタン測定装置用のマーク等が形成されているが、本実施形態では省略している。<マスクAF測定点と露光領域との関係>次に、図3を用いて、本実施形態に係るマスクAF測定点と露光領域との関係の一例について説明する。図3は、本実施形態に係るマスクAF測定点と露光領域との関係の一例を模式的に示す図である。図3に示すように、照明光学系1は、例えば円弧状の露光領域10にEUV光を照射する。そして、マスクAF測定装置5の照射部5aは、露光領域10を囲む領域近傍図中の破線の4隅に、AF測定点6L、6Uを配置している。そして、マスクAF測定装置5の照射部5aは、このAF測定点6L、6Uに光を照射する。なお、このAF測定点は、露光領域10の大きさまたは形状に応じて、個数や、場所を適宜選択することが可能である。<マスクAF測定>次に、図4を用いて、本実施形態に係る反射型露光用マスク2に対する、基本的なマスクAF測定について説明する。なお、反射型露光用マスクに対するマスクAF測定は、EUV露光と同時に行われるものである。また、ここでは、マスクAF測定及びEUV露光は、図4aの下方から上方へと行われている場合について説明する。図4aは、本実施形態に係る反射型露光用マスク2と、AF測定点と、露光領域との関係を示した上面図であり、反射型露光用マスク2のスキャン露光の途中を示している。図4bは、図4aの反射型露光用マスク2のスキャン位置と、AF測定点からの反射光の出力との関係を示したグラフである。そして、図4bの縦軸は、マスクAF測定装置5の受光部5bが受光する、反射型露光用マスク2からの反射光の出力である。図4bの横軸は、反射型露光用マスク2のスキャン位置を示している。図4cは、図4aの反射型露光用マスク2のスキャン位置と、反射型露光用マスク2の傾きとの関係を示したグラフである。そして、図4cの縦軸は、反射型露光用マスク2の傾きを示し、横軸は、反射型露光用マスク2のスキャン位置を示している。照明光学系1は、反射型露光用マスク2の円弧状の露光領域一括露光領域10にEUV光を照射する。これにより、露光領域10の反射光が、投影光学系3に入射され、ウエハ4に、反射型露光用マスク2に形成されたパタンを転写することができる。マスクAF測定装置5の照射部5aは、反射型露光用マスク2の露光領域10に応じた、AF測定点に光を照射する。図4aに示すように、本実施形態において、AF測定点6L、6Uは、反射型露光用マスク2の、スキャン方向に沿って延伸された遮光領域22上、且つ露光領域10を囲む領域近傍に設定されている。この際、EUV光の照射位置10、及びAF測定点6L、6Uは固定され、マスクステージ7を所定の方向に移動させることで、EUV露光と、マスクAF測定とが同時に行われる。AF測定点は、少なくとも露光領域10がパタン形成領域27をスキャン通過する間、AF測定点が測定する領域は常に遮光領域22高さは一定である。図4bに示すように、スキャン露光の間、AF測定点6L、6Uにおける反射光の出力AF測定点が測定する領域の高さは、ほぼ一定出力f1であることがわかる。そして、マスクAF測定装置5は、照明光学系1がEUV光を照射している間、同時にマスクAF測定を行い、制御部9にマスクAF測定結果を送信する。制御部9は、マスクAF測定結果に基づき、望ましい反射型露光用マスク2の位置高さや傾きを算出する。すなわち、露光領域10のピントが合うように、制御部9はマスクステージ7を制御して反射型露光用マスク2の位置を調整する。換言すると、制御部9は、反射型露光用マスク2のパタンを精度良くウエハ4に転写するために、反射型露光用マスク2のパタン形成領域21の表面と、投影光学系3とが望ましい位置関係になるように、マスクステージ7を制御する。図4bに示すように、マスクAF測定により測定されるAF測定点の高さはほぼ一定出力f1であるので、図4cに示すように、反射型露光用マスク2マスクステージ7の傾きp1例えば、傾き0は、ほぼ一定であることがわかる。この、制御部9によるマスクステージ7の位置制御は、マスクAF測定及びEUV露光と同時に行われる。そして、マスクステージ7は、上述した位置制御をしながら、反射型露光用マスク2をスキャン方向に沿って移動させる。これによって、例えば反射型露光用マスク2のパタン形成領域21の全面は、スキャン方向に沿って露光されていくスキャン露光。なお、上述したマスクAF測定、EUV露光、及びマスクの位置制御と同時に、ウエハAF測定、及びウエハの位置制御等も行われるが、ウエハAF測定、及びウエハの位置制御等については、周知技術と同様なので説明を省略する。<実施形態の作用効果>上述した実施形態によれば、本実施形態に係る反射型露光用マスクは、パタン形成領域21を囲む遮光領域である枠部分22aと、枠部分22aを構成する所定の方向に平行な辺から、該所定の方向に延伸した遮光領域である延伸部分22bと、を備える。そして、枠部分22a、及び前記延長部分22bは、光吸収層25及び光反射層24が除去され、支持基板23が露出された領域であり、所定の方向に平行な辺が、所定の方向に沿って延伸している。また、上述した所定の方向は、の反射型露光用マスクを保持するマスクステージ7と、露光光との相対的な移動方向EUV露光装置のスキャン方向に平行な方向である。そして、延長部分22bは、反射型露光用マスク2の傾きを制御するために、オートフォーカス用のAF測定点6L,6Uが設定される部分である。上述したように、本実施形態では、パタン形成領域21に対して凹型の遮光領域22は、一定の高さを有し、EUV露光装置のスキャン方向に延伸している。また、パタン形成領域21に対して遮光領域22は平行である。そして、凹型の遮光領域22のスキャン方向に沿った辺上にマスクAF測定のためのAF測定点6L,6Uを設定する。これにより、比較例とは異なり、パタン形成領域21のスキャン方向の端部近傍を露光する際においても、AF測定点の高さ方向の位置はほぼ一定となり、AFレベリング面AF測定点6L、6Uを結ぶ面とパタン形成領域21とはほぼ平行となる。このため、パタン形成領域21全面で、フォーカスの合ったEUV露光を高精度に行うことができる。その結果、AFレベリング面と、パタン形成領域21とが平行でない場合に起因する転写パタンの位置ずれを抑制し、精度良く反射型露光用マスク2のパタンを、高精度にウエハに転写することができる。変形例1次に、図5を用いて、実施形態の変形例1に係る反射型露光用マスク2aの基本的な構成について説明する。図5aは、本実施形態の変形例1に係る反射型露光用マスク2aの基本的な構成を模式的に示す上面図であり、図5bは、図5aのA-A線方向に沿った断面図であり、図5cは、図5aのB-B線方向に沿った断面図である。<変形例1に係る反射型露光用マスクの概要>変形例1の反射型露光用マスク2aは、遮光領域26がパタン形成領域21に対して凸型であるという点で、実施形態の反射型露光用マスク2とは異なる。なお、変形例1の反射型露光用マスク2aの基本的な構成や、基本的なマスクAF測定方法は、上述した実施形態で説明したものと同様なので、詳細な説明は省略する。図5aに示すように、反射型露光用マスク2aは、ウエハ4への転写が行われる転写パタンが形成されたパタン形成領域21と、遮光領域26とを備えている。この遮光領域26は、パタン形成領域21を囲む枠部分枠状領域26aと、枠部分から延伸した延伸部分延伸領域26bとを含んでおり、下記では、この枠部分26a及び延伸部分26bを合わせて単に遮光領域26と呼ぶことがある。そして、延伸部分26bは、延伸部分22bと同様にスキャン方向に沿って延伸されている。図5bに示すように、反射型露光用マスク2aは、支持基板23と、基板23上に形成された反射層24と、反射層24上に形成された吸収層25と、を備えている。また、遮光領域26は、吸収層25上に、例えば吸収層25と同様の材料で形成された付加的な吸収層である。このように、吸収層25上に付加的な吸収層を形成された遮光領域26は、パタン形成領域21に対して凸型である。また、図5cに示すように、延伸部分26bは、スキャン方向に沿って延伸されていることがわかる。上述したように、吸収層25上に付加的な吸収層を設けることによって、平均反射率0.5未満の特性を有する遮光領域26を実現することができる。<変形例1の作用効果>上述した実施形態の変形例1によれば、遮光領域26は、前記第1の光吸収層25上に形成され、露光光を吸収する第2の光吸収層を備えている。上述した実施形態の遮光領域22は、パタン形成領域21に対して凹型だったが、本変形例1の遮光領域26は、パタン形成領域21に対して凸型である。このパタン形成領域21に対して凸型の遮光領域26は、一定の高さを有し、EUV露光装置のスキャン方向に延伸している。また、パタン形成領域21に対して遮光領域26は平行である。そして、凸型のスキャン方向に沿った遮光領域26枠部分26a及び延伸部26b上にマスクAF測定のためのAF測定点を設定することで、上述した理由と同様の理由で、上述した実施形態と同様の効果を得ることが可能となる。このように、遮光領域26として、反射層24を除去した場合だけでなく、吸収層25上に追加の吸収層を設けた場合にも、同様の効果を得ることが可能である。変形例2次に、図6を用いて、実施形態の変形例2に係る反射型露光用マスク2の基本的な構成について説明する。図6aは、実施形態の変形例2に係る反射型露光用マスク2bの基本的な構成を模式的に示す上面図であり、図6bは、実施形態の変形例2に係る反射型露光用マスク2bと、AF測定点と、露光領域との関係を示した上面図であり、反射型露光用マスク2bのスキャン露光の途中を示している。<変形例2に係る反射型露光用マスクの概要>変形例2の反射型露光用マスク2bは、パタン形成領域が複数形成され、各パタン形成領域を囲む様に遮光領域が形成され、スキャン方向に沿った遮光領域の各辺が、スキャン方向に沿って延伸しているという点で、実施形態の反射型露光用マスク2とは異なる。なお、変形例2の反射型露光用マスクの基本的な構成や、基本的なマスクAF測定方法は、上述した実施形態及び変形例1で説明したものと同様なので、詳細な説明は省略する。図6aに示すように、反射型露光用マスク2bは、複数本例では4つのパタン形成領域27を有している。そして、4つのパタン形成領域27をそれぞれ囲むように、枠部分枠状領域28aと、枠部分から延伸した延伸部分延伸領域28bとを含んでおり、下記では、この枠部分28a及び延伸部分28bを合わせて単に遮光領域28と呼ぶことがある。そして、この延伸部分28b本例では3辺は、スキャン方向に沿って延伸している。なお、ここでは、遮光領域28は、パタン形成領域に対して凹型の遮光領域支持基板が露出されたものでも凸型の遮光領域吸収層上に吸収層が形成されたものでも良い。次に、図6bに示すように、AF測定点6L、6Uは、反射型露光用マスク2bの、スキャン方向に沿って延伸された遮光領域28枠部分28a及び延伸部28b上、且つ露光領域10を囲む領域近傍に設定されている。つまり、AF測定点は、露光領域10がパタン形成領域27をスキャンする間、AF測定点の高さが一定となり、露光領域10全体のピントを合わせるように設定されている。<変形例2の作用効果>上述した実施形態の変形例2によれば、反射型露光用マスク2bは、パタン形成領域27が複数形成され、各パタン形成領域27を囲む様に遮光領域28が形成され、スキャン方向に沿った遮光領域28の各辺が、スキャン方向に沿って延伸している。このように、上述した実施形態、及び変形例1と比較し、スキャン方向に沿った遮光領域の辺の数が増えた場合においても、例えばスキャン方向に沿った遮光領域の各辺をスキャン方向に延伸し、AF測定点をこのスキャン方向に沿った遮光領域の各辺に設定することで、上述した実施形態及び変形例1と同様の効果を得ることが可能となる。尚、上述したAF測定点は、露光領域10を囲む領域の周囲に配置したが、これに限らず、スキャン方向に延伸した遮光領域上に設定されるのであれば、数や位置は適宜変更することが可能である。また、上述した実施形態において、スキャンを図面の下方から上方へと行っている場合について説明したが、これに限らず、スキャン方向に沿った遮光領域の辺が、スキャン方向に沿って延伸しているのであれば、スキャンを図面の上方から下方へと行っても良い。また、上述した実施形態において、制御部9は、マスクAF測定装置5、ウエハAF測定装置6、マスクステージ7、及びウエハステージ8に接続されているが、これに限らず、他の構成要素に接続されても良い。以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施することが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示された構成要件を適宜組み合わせることによって種々の発明が抽出される。例えば、開示された構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、所定の効果が得られるものであれば、発明として抽出され得る。"