"固体撮像素子上に、少なくとも、平坦化層、色分解フィルタ、マイクロレンズ、反射防止層を備えるカラー固体撮像素子の製造方法において、反射防止膜としてSiO2層をマイクロレンズ上に設けた後、レジストを塗布し、フォトリソ法によりSiO2層が不要な部位のレジストに開口部を設け、露出したSiO2層をフッ素系ガスを用いたドライエッチング法により除去する工程を含むことを特徴とするカラー固体撮像素子の製造方法。その後、前記開口部に露出している、マイクロレンズを組成する樹脂層以下の合成樹脂層を、O2ガスを用いたドライエッチング法により除去する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載のカラー固体撮像素子の製造方法。前記フッ素系ガスがC3F8ガスであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のカラー固体撮像素子の製造方法。図1fに、カラー固体撮像素子1の構造を断面視で示した。破線以下の部分は、CCDやCMOSの固体撮像素子部分であって構造の詳細は省略するが、この上にオンチップ形態で、平坦化層4、色分解フィルタ3及びとレンズアレイ2等がフォトリソ法によりパタニング形成されたものである。簡単に説明すると、CMOSの表面には凹凸があり、直接色分解フィルタ3を形成すると色ムラの原因となるため、ウエハ表面を平滑化するための1μm程度の平坦化層4がある。平坦化層4の上に、厚みが概ね1.0~2.0μmの赤色画素、緑色画素、青色画素からなる色分解フィルタ3が定法のフォトリソ法により形成されている。平坦化層4と色分解フィルタ3の間に反射防止層が形成される場合もある図では省略してある。平坦化層4が反射防止層を兼ねる場合もある。また、色分解フィルタ3の赤、青、緑画素間にも段差があるのと着色成分が熱等で周囲に拡散するのを防止するために色分解フィルタの上にも平坦化層を兼ねる保護層が形成されることもある図示せず。色分解フィルタ3もしくは保護層の上には、高さが1.0~3.5μmの範囲で所定の高さのドーム状のマイクロレンズ2が画素受光部ごとに形成され、マイクロレンズ2の表面には、さらにフッ化物やシリカ等無機絶縁膜からなる反射防止層7が形成されている。したがって、元来は物が載っていてはならない電極パッド6の上とかスクライブ図示せず、断裁用の溝の底には、パタニング工程によっては除去されなかった塗布層が積層されて残存している。少なくとも、無機材料からなる反射防止層7とマイクロレンズ2を組成する合成樹脂層が積層されており、場合によっては、平坦化層4やフィルタ3の合成樹脂層が残存することもある。そこで、接続用のパッド6とスクライブ部だけを露出して、それ以外をレジストで被覆してから、余分な合成樹脂層を上層から溶媒に溶解させるウエットエッチングかプラズマ照射やイオン照射で分解させるドライエッチングかのいずれかにより順次除去している。その一例を以下に示す。また、パッド6上と図示しないスクライブ部をクリーンにすることを樹脂抜きと称し、樹脂抜きされる物を一括して合成樹脂とも記す。マイクロレンズ2が反射防止層7で被覆されていない場合には、マイクロレンズ2はアクリル系もしくはノボラック系の合成樹脂であり、パッド上のこれらはO2ガスのドライエッチングで除去されている。フッ化物系の反射防止膜を形成した場合の樹脂抜きを含む剥離技術は特許文献1に開示されている。この技術ではマイクロレンズの組成物等合成樹脂の樹脂抜きは、図1a~fで示すように、定法のO2のドライエッチングで行い、パッド上の反射防止膜の除去は、レジスト層を使ったリフトオフ法で行っている。具体的には、平坦化層4やマイクロレンズ2等の合成樹脂層はパッド6上に積層されているが、反射防止層7をウエハ全面に形成する前に、パッド上にリフトオフ用の第一のレジストパターン5を形成している図1a。そして、反射防止層を形成後同図b、第一のレジストパターン5を溶解除去するが、その際レジスト上の反射防止層7も同時に流失し、パッド6上には残らない同図c。その後、マイクロレンズ2上の反射防止層7を、後続するドライエッチングのダメージから保護し、パッド6上が、その上に堆積した合成樹脂をドライエッチングするための開口部となっているような第二のレジストパターン9を形成し、合成樹脂層2を、O2ドライエッチングで除去している。最後に、第二のレジスト9の剥離を行うものである。上記の樹脂抜き工法には、リフトオフ用とドライエッチング用の2回のレジストパタニング工程が必要であり、工程が長く生産性と良品歩留まりの低下を招来している。そこで本発明は、上記問題に鑑み、パッド上とスクライブ底に堆積した合成樹脂層の樹脂抜きと反射防止層の剥離を、1回のレジストパタニングだけで実現すること、及びフッ化物系の反射防止膜に代えてシリカ膜を反射防止膜として採用できる工程にすることを課題とした。上記課題を達成するための請求項1に記載の発明は、固体撮像素子上に、少なくとも、平坦化層、色分解フィルタ、マイクロレンズ、反射防止層を備えるカラー固体撮像素子の製造方法において、反射防止膜としてSiO2層をマイクロレンズ上に設けた後、レジストを塗布し、フォトリソ法によりSiO2層が不要な部位のレジストに開口部を設け、露出したSiO2層をフッ素系ガスを用いたドライエッチング法により除去する工程を含むことを特徴とするカラー固体撮像素子の製造方法としたものである。また請求項2に記載の発明は、その後、前記開口部に露出している、マイクロレンズを組成する樹脂層以下の合成樹脂層を、O2ガスを用いたドライエッチング法により除去する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載のカラー固体撮像素子の製造方法としたものである。また、請求項3に記載の発明は、前記フッ素系ガスがC3F8ガスであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のカラー固体撮像素子の製造方法としたものである。本発明によれば、フッ素系ガスのC3F8をドライエッチングに使用したことで、ウエハプロセス適合性の高いプラズマCVD法によりSiO2層をマイクロレンズの反射防止膜に採用できた。これは、フッ化物系の膜に比べて、低温製膜が可能で化学的安定性に優れている。本発明によれば、一度のレジストパタニング工程で形成したレジストパターンを継続して使用することで、SiO2層とマイクロレンズ形成に用いた材料の除去が可能となり、大幅な工程の合理化が達成された。また、C3F8ガスを用いたドライエッチングで硬化したレジストパターン表面が、O2のドライエッチング工程で除去される結果、最終工程のレジストの剥離が容易になるという副次的な効果があった。図2に記載したように、本発明に係るカラー固体撮像素子は、固体撮像素子1を所与のものとして、概略次の手順により製造したが、平坦化層4と色分解フィルタ3は、所定の着色あるいは透明の感光性顔料レジストを用い定法のフォトリソ法にて製造したもので詳細は省略する。本実施例におけるマイクロレンズ2は、ノボラック樹脂を用いて熱フローによるか、アクリル樹脂を用いた転写法により、色分解フィルタ3上に形成した。熱フロー法では、所定の厚みのナフトキノンジアジドを添加したノボラック系樹脂を、各受光部に対応するようにフォトリソ法で分割した。分割された樹脂部分を加熱して熱可塑性により液状化させると自発的にドーム状に変形し、その後の熱硬化性による形状の固定化が自発的になされる。マイクロレンズ2の高さは、概ね1.3~3.5μmの範囲の所定の値に設定した。転写法では、マイクロレンズの素材となるアクリル透明樹脂層の上に、アルカリ可溶性と感光性と熱フロー性を有するレジスト材料を用いてフォトリソグラフィ法と熱リフローによりレンズ母型を形成し、ドライエッチング法によりレンズ母型の形状を下地のアクリル透明樹脂層に転写することで形成した。反射防止層7となるSiO2層は、150°C以下の低温条件にて、TEOS、O2、Heの混合ガスを用いプラズマCVD法により90nm程度の厚みでマイクロレンズが形成された撮像素子基板上に製膜した。しかし、O2ガスは、合成樹脂は分解除去できるが最表層のSiO2膜は除去できない。そこで、本発明では、SiO2膜を、パーフルオロカーボン系のC3F8ガスを用いて反応性ドライエッチングにより除去した。この際、エッチングに先立って、SiO2膜表面にスピンコート法でヘキサメチルジシラザンHMDSを予め塗布し90°Cで30秒間程乾燥して表面改質しレジストの密着性を高めておく必要があった図示せず。次に、第一のレジスト層5にノボラック系ポジレジストを、仕上がりが5.5μm程度になるように塗布してから図2b、定法の露光現像処理によりパッドとスクライブ部のレジストを溶解して開口部11を設けた図2c。次に、所定条件下のC3F8のドライエッチング流量35sccm、ガス圧6.0Pa、東京エレクトロン社製のUnityMe85dを使用により、開口部に露出したSiO2膜7を除去した。この時、同時にレジスト5の表面がC3F8ガスにより硬化層化12されてしまい、剥離液によるレジスト層の溶解除去が困難となり、何度も剥離液による洗浄を繰り返す必要があった図2d。剥離液には、ジメチルスルホキシド60wt、N-メチル-2-ピロリドン40wtの混合液を使用した。次に、マイクロレンズ2形成に使ったノボラック樹脂熱フローであってパッド6に堆積した合成樹脂層2を除去した。手順はSiO2膜の除去と同じで、先ず全面にHMDSをスピンコートしてから、第二のレジスト13を塗布し図3g、定法のフォトリソ法により、パッドとスクライブ部に開口部11を設けた図3h。マイクロレンズ素材がアクリル樹脂であってもノボラック樹脂であっても、O2ガス流量150cssm、ガス圧3.0Pa、東京エレクトロン社製、UnityMe85dを用いたドライエッチングにより除去できた。最後に、レジスト膜を剥離像液で溶解除去してから、IPA置換後純水で洗浄した図3j。樹脂抜きの対象となる合成樹脂は、通常であれば、マイクロレンズ2を組成する合成樹脂であるが、工程上塗布はしたが剥離工程がなかった層あるいは剥離したが取り残された層なども含まれることがある。上記のように、パッド6やスクライブからのSiO2膜7の除去は、C3F8ガスを使用したドライエッチングで可能であることが分かった。樹脂抜きもエッチングガスを単にO2に変更するだけで可能である。しかしながら、ドライエッチング用のレジストパタニングを2回行う必要があり、またSiO2膜除去後の第一のレジスト膜の剥離が、硬化層が原因で手間がかかるという問題が残った。そこで、本発明者は鋭意検討を重ねたところ、上記2回目のレジスト形成は、不要であることが分かった。すなわち、表面が硬化した第一のレジスト層12をジメチルスルホキシドとN-メチル-2-ピロリドンとの混合液で無理やり剥離するのではなく、残したままO2のドライエッチングに変更することで、樹脂抜きが可能であることがわかった。図4a~eに示したように、SiO2膜をC3F8ガスを用い所定条件でドライエッチング流量は35sccmにより除去した後に、開口部に露呈している合成樹脂残存層をO2のドライエッチング流量は150sccmにより除去した図4c。このドライエッチングにより、C3F8ガス照射で生じたレジスト表面の硬化層12も削り取られることも分かった。したがって、剥離が困難であったレジスト層も硬化層12がないため、前記剥離液に19秒、IPA置換に15秒、純水洗浄を40秒程度で容易に剥離できるようになったものである図4e。本発明では、レジストパタニングは一度であり、C3F8ガスとO2ガスを使用したドライエッチングで共通に使用したもので、同時にレジスト剥離も容易となり大幅な工程の短縮化合理化が実現できた。尚、C3F8ガスが好ましいが、C4F8あるいはCaFbXcXは、H,Cl,Brのいずれか、a=1~5、b=2a2-c、c=0,1にて表されるフルオロカーボン系ガスも使用できる。"