光信号を電気信号に変換するアバランシェフォトダイオードと、前記アバランシェフォトダイオードのアノード側に接続され、前記電気信号を増幅する増幅回路素子と、前記アバランシェフォトダイオードのカソード側に接続され、前記アバランシェフォトダイオードのアノード及びカソードの間のバイアス電圧を印加するための定電圧を入力するバイアス電圧端子と、前記アバランシェフォトダイオードのカソード及び前記バイアス電圧端子の間に接続されるバイアス抵抗、及び前記アバランシェフォトダイオードのカソード及び前記バイアス抵抗の間から分岐する経路上に接続されるバイアス容量からなるバイアス回路と、を備える光電変換増幅装置であって、前記アバランシェフォトダイオードが受信したバースト光信号の強度が変化してから規定の時間の範囲内で、強度変化後のバースト光信号に関するビットエラーレートが規定のビットエラーレートに遷移するように、前記バイアス抵抗の値及び前記バイアス容量の値が設定されていることを特徴とする光電変換増幅装置。前記アバランシェフォトダイオードが受信したバースト光信号の強度に関する規定のダイナミックレンジの範囲内で、前記アバランシェフォトダイオードの出力電流の値が前記増幅回路素子の定格電流の値を超えないように、前記バイアス抵抗の値が設定されていることを特徴とする、請求項1に記載の光電変換増幅装置。前記アバランシェフォトダイオードの出力電流のうち最低周波数を有する出力電流が前記バイアス電圧端子側に漏洩する電流量が、前記バイアス回路が配置されていないと仮定したときより規定の減衰量で減衰するように、前記バイアス抵抗の値及び前記バイアス容量の値が設定されていることを特徴とする、請求項1又は請求項2に記載の光電変換増幅装置。前記増幅回路素子は、利得を固定されていることを特徴とする、請求項1から請求項3のいずれかに記載の光電変換増幅装置。前記増幅回路素子は、前記アバランシェフォトダイオードが受信するバースト光信号の強度が変化したときに、リセット信号を入力したことをトリガとして、利得を変化させることを特徴とする、請求項1から請求項3のいずれかに記載の光電変換増幅装置。前記アバランシェフォトダイオードが受信したバースト光信号の強度の変化は、-6dBm以上の強度及び-28dBm以下の強度の間の変化であり、前記規定の時間は、100ns以下であり、前記規定のビットエラーレートは、10-3以下であることを特徴とする、請求項1に記載の光電変換増幅装置。前記アバランシェフォトダイオードの出力電流の値が、前記バイアス抵抗が配置されていないと仮定したときより1dB以上小さくなるように、前記バイアス抵抗の値が設定されていることを特徴とする、請求項2に記載の光電変換増幅装置。前記最低周波数は、78MHz以上であり、前記規定の減衰量は、20dB以上であることを特徴とする、請求項3に記載の光電変換増幅装置。前記バイアス抵抗の値は、290Ωより大きくかつ560Ωより小さく設定され、前記バイアス抵抗の値及び前記バイアス容量の値の積で表される前記バイアス回路の時定数は、20nsより大きく56nsより小さく設定されることを特徴とする、請求項1から請求項8のいずれかに記載の光電変換増幅回路。高感度化と広ダイナミックレンジ化との両立化を図るべく、図1及び図2に示した光電変換増幅装置1非特許文献2において、増幅回路素子12をリセット型TIA非特許文献4に交換し、結合容量17及びリミッティングアンプ18非特許文献3を追加し、230nsの応答速度が実現できている非特許文献2。しかし、バイアス電圧端子13及びアバランシェフォトダイオード11の間に接続された、バイアス抵抗14及びバイアス容量15で構成したローパスフィルタの影響で、アバランシェフォトダイオード11のバイアス電圧がバースト光信号の入力毎に過渡的に変化して、アバランシェフォトダイオード11の増倍特性が安定するのに時間が掛かる。よって、p-i-n型フォトダイオードと組み合わせた場合に実現されていた10ns以下の応答速度非特許文献4は得られていなかった。また、従前のアバランシェフォトダイオード11の増倍特性を制御する技術として、バイアス抵抗14及びバイアス容量15で構成したバイアス回路に、複数の時定数を設ける手法が提案されている。しかし、この技術ではバイアス抵抗14の値を大きく設定する必要があり、結果として、数μsから数百μs程度の応答しかできなくなり、100ns以下の高速応答を必要とするバースト光電変換増幅装置に適用するのは困難であった。また、図3から図5までに示した光電変換増幅装置1において、AGC161の時定数を調整する方法では、AGC161の時定数を短くするほど、制御が困難になり、やはり、100ns以下の応答を実現するのが難しいという問題があった。そこで、前記課題を解決するために、本発明は、バースト光信号を受信する光電変換増幅装置において、簡単な構成で高速応答化、広ダイナミックレンジ化及び高感度化を実現する技術を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、アバランシェフォトダイオードが受信したバースト光信号の強度が広いダイナミックレンジで変化してから規定の時間の範囲内で、強度変化後のバースト光信号に関するビットエラーレートが規定のビットエラーレートに遷移するように、バイアス抵抗の値及びバイアス容量の値を設定することとした。具体的には、本発明は、光信号を電気信号に変換するアバランシェフォトダイオードと、前記アバランシェフォトダイオードのアノード側に接続され、前記電気信号を増幅する増幅回路素子と、前記アバランシェフォトダイオードのカソード側に接続され、前記アバランシェフォトダイオードのアノード及びカソードの間のバイアス電圧を印加するための定電圧を入力するバイアス電圧端子と、前記アバランシェフォトダイオードのカソード及び前記バイアス電圧端子の間に接続されるバイアス抵抗、及び前記アバランシェフォトダイオードのカソード及び前記バイアス抵抗の間から分岐する経路上に接続されるバイアス容量からなるバイアス回路と、を備える光電変換増幅装置であって、前記アバランシェフォトダイオードが受信したバースト光信号の強度が変化してから規定の時間の範囲内で、強度変化後のバースト光信号に関するビットエラーレートが規定のビットエラーレートに遷移するように、前記バイアス抵抗の値及び前記バイアス容量の値が設定されていることを特徴とする光電変換増幅装置である。また、本発明は、前記アバランシェフォトダイオードが受信したバースト光信号の強度の変化は、-6dBm以上の強度及び-28dBm以下の強度の間の変化であり、前記規定の時間は、100ns以下であり、前記規定のビットエラーレートは、10-3以下であることを特徴とする光電変換増幅装置である。この構成によれば、バースト光信号の強度が広いダイナミックレンジで変化したとしても、バイアス抵抗の値及びバイアス容量の値を設定するという簡単な構成を用いることにより、バースト光信号の変化への応答時間を短縮することができる。また、本発明は、前記アバランシェフォトダイオードが受信したバースト光信号の強度に関する規定のダイナミックレンジの範囲内で、前記アバランシェフォトダイオードの出力電流の値が前記増幅回路素子の定格電流の値を超えないように、前記バイアス抵抗の値が設定されていることを特徴とする光電変換増幅装置である。また、本発明は、前記アバランシェフォトダイオードの出力電流の値が、前記バイアス抵抗が配置されていないと仮定したときより1dB以上小さくなるように、前記バイアス抵抗の値が設定されていることを特徴とする光電変換増幅装置である。この構成によれば、バイアス抵抗の値を設定するという簡単な構成を用いることにより、バースト光信号の受信のダイナミックレンジを拡大することができる。また、本発明は、前記アバランシェフォトダイオードの出力電流のうち最低周波数を有する出力電流が前記バイアス電圧端子側に漏洩する電流量が、前記バイアス回路が配置されていないと仮定したときより規定の減衰量で減衰するように、前記バイアス抵抗の値及び前記バイアス容量の値が設定されていることを特徴とする光電変換増幅装置である。また、本発明は、前記最低周波数は、78MHz以上であり、前記規定の減衰量は、20dB以上であることを特徴とする光電変換増幅装置である。この構成によれば、バイアス抵抗の値及びバイアス容量の値を設定するという簡単な構成を用いることにより、定電圧源への電流の漏洩を防止することができる。また、本発明は、前記バイアス抵抗の値は、290Ωより大きくかつ560Ωより小さく設定され、前記バイアス抵抗の値及び前記バイアス容量の値の積で表される前記バイアス回路の時定数は、20nsより大きく56nsより小さく設定されることを特徴とする光電変換増幅回路である。この構成によれば、バイアス抵抗の値及びバイアス容量の値を設定するという簡単な構成を用いることにより、バースト光信号の変化への応答時間を短縮することができ、バースト光信号の受信のダイナミックレンジを拡大することができ、定電圧源への電流の漏洩を防止することができる。また、本発明は、前記増幅回路素子は、利得を固定されていることを特徴とする光電変換増幅装置である。この構成によれば、AGCの時定数制御による応答速度の劣化をなくすことができる。また、本発明は、前記増幅回路素子は、前記アバランシェフォトダイオードが受信するバースト光信号の強度が変化したときに、リセット信号を入力したことをトリガとして、利得を変化させることを特徴とする光電変換増幅装置である。この構成によれば、バースト光信号の変化への応答時間をより短縮することができる。本発明は、バースト光信号を受信する光電変換増幅装置において、簡単な構成で高速応答化、広ダイナミックレンジ化及び高感度化を実現する技術を提供することができる。添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下に説明する実施形態は本発明の実施の例であり、本発明は以下の実施形態に制限されるものではない。なお、本明細書及び図面において符号が同じ構成要素は、相互に同一のものを示すものとする。本発明の光電変換増幅装置の構成本発明の光電変換増幅装置の外部構成を図6に示し、本発明の光電変換増幅装置の回路構成を図7に示す。本発明の光電変換増幅装置1は、アバランシェフォトダイオード11、増幅回路素子12、バイアス電圧端子13、バイアス抵抗14及びバイアス容量15から構成される。アバランシェフォトダイオード11は、光信号を電気信号に変換し、APDである。増幅回路素子12は、アバランシェフォトダイオード11のアノードA側に接続され、電気信号を増幅する。バイアス電圧端子13は、アバランシェフォトダイオード11のカソードC側に接続され、アバランシェフォトダイオード11のアノードA及びカソードCの間のバイアス電圧を印加するための定電圧を入力する。バイアス抵抗14は、アバランシェフォトダイオード11のカソードC及びバイアス電圧端子13の間に接続される。バイアス容量15は、アバランシェフォトダイオード11のカソードC及びバイアス抵抗14の間から分岐する経路上に接続され、グランドに接続される。バイアス抵抗14及びバイアス容量15は、バイアス回路又はローパスフィルタを形成する。アバランシェフォトダイオード11及び増幅回路素子12は、同一のパッケージである同一のステム21に搭載される。ステム21は、TO-CANパッケージ用のステムであり、円板状の金属材料又は円板状のセラミック材料で作製される。貫通孔22は、ステム21に複数形成され、中心近傍に金属リードピン23を貫通され、中心以外をガラスで充填される。金属リードピン23は、貫通孔22に挿入され、貫通孔22に充填されたガラスで固定され、気密封止がなされており、端子を形成する。上記のバイアス電圧端子13及び後述のリセット信号端子は、金属リードピン23である。不図示の金属製のキャップは、アバランシェフォトダイオード11及び増幅回路素子12を覆うようにステム21に溶接され、アバランシェフォトダイオード11に光信号を入力するように光学的な窓又はレンズを取り付けられる。バイアス抵抗及びバイアス容量の設定の方針光電変換増幅回路1がどのような特性を満たすようにするかに応じて、バイアス抵抗14及びバイアス容量15の設定の方針が決められる。バイアス抵抗14及びバイアス容量15の設定において、以下の条件が想定されているが、想定される条件は以下の条件に限定されない。アバランシェフォトダイオード11及び増幅回路素子12は、それぞれの入出力特性として、3dB帯域が7GHz以上の周波数応答特性を有する。ディジタルデータ信号は、11Gbit/s以下の任意の変調速度を有する。バースト電気信号は、1μsから1msまでの任意の時間幅に収容される。第1のバースト電気信号の直後に、該第1のバースト電気信号の1/10以下の信号振幅電圧を有する第2のバースト電気信号が入力された場合でも、光電変換増幅回路1は、該第2のバースト電気信号の先頭から100ns以内に、該第2のバースト電気信号を規定のビットエラーレート以内で増幅して出力できる高速バースト信号応答特性を有するようにする。1つ目の設定の方針として、アバランシェフォトダイオード11が受信したバースト光信号の強度が変化してから規定の時間の範囲内で、強度変化後のバースト光信号に関するビットエラーレートが規定のビットエラーレートに遷移するように、バイアス抵抗14の値及びバイアス容量15の値が設定される。これにより、バースト光信号の強度が広いダイナミックレンジで変化したとしても、バイアス抵抗14の値及びバイアス容量15の値を設定するという簡単な構成を用いることにより、バースト光信号の変化への応答時間を短縮することができる。2つ目の設定の方針として、アバランシェフォトダイオード11が受信したバースト光信号の強度に関する規定のダイナミックレンジの範囲内で、アバランシェフォトダイオード11の出力電流の値が増幅回路素子12の定格電流の値を超えないように、バイアス抵抗14の値が設定される。これにより、バイアス抵抗14の値を設定するという簡単な構成を用いることにより、バースト光信号の受信のダイナミックレンジを拡大することができる。3つ目の設定の方針として、アバランシェフォトダイオード11の出力電流のうち最低周波数を有する出力電流がバイアス電圧端子13側に漏洩する電流量が、バイアス抵抗14の値及びバイアス容量15で構成したバイアス回路が配置されていないと仮定したときより規定の減衰量で減衰するように、バイアス抵抗14の値及びバイアス容量15の値が設定される。これにより、バイアス抵抗14の値及びバイアス容量15の値を設定するという簡単な構成を用いることにより、定電圧源への電流の漏洩を防止することができる。バイアス抵抗及びバイアス容量の設定の一例本実施形態では、上記の3つの設定の方針を満足させる。そして、最初に2つ目の設定の方針を満足させ、次に3つ目の設定の方針を満足させ、最後に1つ目の設定の方針を満足させる。変形例としては、上記の3つの設定の方針のいずれを満足させるかは問わない。そして、上記の3つの設定の方針を満足させる順序も問わない。まず、2つ目の設定の方針を満足させる段階について説明する。アバランシェフォトダイオード11が受光して生成した光電流Iapdがバイアス抵抗14へ流れ、バイアス抵抗14での電圧降下が生じ、アノードA-カソードC間でのバイアス電圧の低下が起こる。このバイアス電圧の低下によって、アバランシェフォトダイオード11の増倍率が低下し、光電流Iapdが減少する。この増倍率の低下は光入力パワーが強くなるほど顕著になり、また、この光電流Iapdの低下はバイアス抵抗14が大きくなるほど顕著になる。したがって、バイアス抵抗14を大きくすることによって、増幅回路素子12の定格電流を超えないような光入力パワーの上限を大きくでき、ダイナミックレンジの拡大が可能となる。ダイナミックレンジの拡大幅として、効果のある有意な値として1dB以上となるように、シミュレーションによる検討を行う。光電流Iapdの強度は、アバランシェフォトダイオード11の増倍特性に依存している。一般的に、増倍率Mは、アバランシェフォトダイオード11の増倍層に印加される、アノードA-カソードC間でのバイアス電圧の関数として数式1で表される。ここで、Vapd、VB、nは、それぞれ、アノードA-カソードC間でのバイアス電圧、アノードA-カソードC間でのブレークダウン電圧、フィッティング係数である。アバランシェフォトダイオード11のバースト光信号に対する過渡応答を調べるため、カソードCにおける節点方程式を立てると、次の数式2の時間微分方程式が得られる。ここで、Vctは、カソードCでの電圧である。数式1のVapd及び数式2のIapdは、それぞれ数式3及び数式4で表わされる。ここで、Vatは、アノードAでの電圧であり、ηは、アバランシェフォトダイオード11でのM=1での光入力パワーに対する出力電流の比受光感度であり、RLは、増幅回路素子12の入力抵抗である。定常状態における増幅回路素子12に入力する過入力電流を評価するため、IapdのRbiasに関する定常解として、数式1から数式4を用いて数式5を得る。ダイナミックレンジの調整におけるバイアス抵抗の設定方法を図8に示す。図8は、RL=50Ω、100Ω、200Ωに対して、数式5を用いて計算したダイナミックレンジ拡大量を、バイアス抵抗14の値に対してプロットした結果である。ここで、ダイナミックレンジ拡大量は、バイアス抵抗14が50Ωであるときに得られるIapdから、バイアス抵抗14がRbiasであるときに得られるIapdへの減少量として定義した。そして、VB=30V、Vbias=28.75V、η=0.85、Pin=-6dBm、n=3である。ダイナミックレンジを少なくとも1dB以上拡大するためには、RL=50Ωのとき、バイアス抵抗14は290Ω以上に設定することが必要である。次に、3つ目の設定の方針を満足させる段階について説明する。バイアス抵抗14及びバイパス容量15によって、フィルタ回路が形成されており、このフィルタ回路によって、アバランシェフォトダイオード11で生成された光電流に含まれる高周波信号がバイアス電圧端子13側へ漏洩することを防ぎ、受光動作の安定化を図ることができる。このためには、フィルタ回路の透過特性により低周波域から高周波域にわたる信号を遮断できなければならない。しかし、このフィルタ回路は、アバランシェフォトダイオード11側から見たとき、ローパスフィルタを形成しているので、フィルタの透過帯域を信号の低周波域に合わせればよい。たとえば、10G-EPONで使用される信号は、最長で66ビットの同符号連続パタンを含むため、フィルタ回路の透過特性としては、低周波側で78MHzまで帯域が必要となる。この周波数において、電流振幅を1/100透過減衰量で20dBにまで低下させるのに必要な時定数を、CR回路の計算から種々検討した。透過減衰量の調整におけるバイアス回路の時定数の設定方法を図9に示す。図9は、10ns、20ns、30nsの三種類の時定数を有するフィルタ回路の透過特性を示しており、横軸に周波数、縦軸に0Hz直流で透過する電圧振幅で規格化した場合の、横軸の周波数で透過する電圧振幅を示している。検討結果からCR回路の時定数を20nsより長く設定することが必要であることがわかった。次に、1つ目の設定の方針を満足させる段階について説明する。CR回路の過渡応答によって、カソードCでの過渡的な電圧応答を伴うため、アバランシェフォトダイオード11のバイアス電圧の過渡変化をもたらし、バースト光信号を受光した際の応答時間が制約される。アバランシェフォトダイオード11の過渡応答と感度を関連づけるため、受光信号のノイズ分布のガウシアン近似理論をベースとする信号―雑音比SignaltoNoiseRatio:SNRに関するSNR理論から得られるQファクタを考える。Qファクタを用いると、ビットエラーレートBitErrorRate:BERは、数式6となる。一般的に、Qファクタと関連するパラメータは、数式7となる。ここで、I1とI0は、1、0の値を有する電気信号のレベルの期待値であり、σ0、σ1は、1、0の値を有する電気信号に含まれる雑音幅の期待値である。応答時間の調整におけるバイアス抵抗の設定方法を図10に示す。図10は、RL=50Ω、100Ω、200Ωに対して、数式6及び数式7を用いて応答時間を計算した結果であって、縦軸に応答時間、横軸にバイアス抵抗14の値を示している。ここで、応答時間は、アバランシェフォトダイオード11の増倍特性の過渡応答のために要する、微弱な信号が受光されてから所望のBERが得られるまでの時間として得られたものである。そして、応答時間は、数式7のQファクタ及び数式2のIapdt数式7のI1とI0に対応の過渡応答特性を取り入れて計算したものである。光入力信号の前提となる条件としては、立ち上がり立ち下がり時間の極めて短いバースト光信号を受信するうえに、平均光パワーPin=-6dBmのバースト信号を受光した直後に、最小受光感度近傍の極めて微弱な、平均光パワーPin=-28dBmのバースト信号を受光するといった、応答時間に対しては最悪ケースを設定して計算した。ここで、Cbias=100pFであり、上記の所望のBERは10-3である。図10の結果から、バイアス抵抗14の値が290Ω以上で、尚且つフィルタ回路の時定数が20ns以上の範囲内で、応答速度が100ns以下となるような、バイアス抵抗14の値とフィルタ回路の時定数バイアス抵抗14の値×バイアス容量15の値の制約条件を検討した。その結果、RL=50Ωのとき、バイアス抵抗14の値が560Ω以下で、尚且つフィルタ回路の時定数が56ns以下であることが少なくとも必要であるという結論に至った。以上の説明から、本発明では、バイアス抵抗14の値の範囲とフィルタ回路の時定数の範囲は、以下のように設定されるものである。290Ω<バイアス抵抗14の値<560Ω20ns<バイアス抵抗14の値×バイアス容量15の値<56ns以上の説明では、3つ目の設定の方針において、最低周波数を78MHzとし、規定の減衰量を20dBとした。そして、1つ目の設定の方針において、アバランシェフォトダイオード11が受信したバースト光信号の強度の変化を、-6dBmの強度及び-28dBmの強度の間の変化とし、規定の時間を100nsとし、規定のビットエラーレートを10-3とした。しかし、変形例では、光電変換増幅装置1の性能をより向上させる。変形例では、3つ目の設定の方針において、最低周波数を78MHz以上とし、規定の減衰量を20dB以上とする。そして、1つ目の設定の方針において、アバランシェフォトダイオード11が受信したバースト光信号の強度の変化を、-6dBm以上の強度及び-28dBm以下の強度の間の変化とし、規定の時間を100ns以下とし、規定のビットエラーレートを10-3以下とする。なお、増幅回路素子12は、入力信号レベルに応じて自動的に利得を切り換える自動利得制御回路AGCを搭載しない固定利得の増幅回路素子より具体的には、トランスインピーダンスアンプTIA、高インピーダンスFETFieldEffectTransistor増幅器、高インピーダンス型バイポーラトランジスタ増幅器、分布増幅型電気増幅器などを指すであってもよい。この固定利得の増幅回路素子を用いる場合は、一般的に起こるAGC回路の制御時定数による応答速度劣化がないため、本発明の光電変換増幅装置1を構成する増幅回路素子12としては好適である。また、増幅回路素子12は、AGC回路を搭載していない増幅回路素子ではなく、リセット信号によって、バースト信号に対する応答速度が10ns以下で動作可能な、リセット型TIA非特許文献4に具体的な技術内容が記載されているであってもよい。このリセット型TIAを用いる場合は、強い光レベルのバースト信号を受信した直後に微弱な信号を受信した場合に生じるオフセット電圧を瞬時にゼロ近傍にキャンセルするため、レベル差のより大きなバースト光信号に対して、所望の応答を実現することが可能となる。なお、図6のひとつの金属リードピン23に、リセット信号端子を割り当てた構成になる。本発明及び参照例の光電変換増幅装置の比較以上で説明した本発明の光電変換増幅装置1において、バイアス抵抗14の値、及び、バイアス抵抗14の値×バイアス容量15の値で示される時定数が、所望の効果を有しているかどうか調べるため、実際にモジュールを作製してその特性を確認した。本発明及び参照例の光電変換増幅装置1のパラメータを図11に示す。図11は、本発明のバイアス抵抗14の値の範囲とフィルタ回路の時定数の範囲斜線で示す菱形の領域を図示したグラフであって、横軸にバイアス抵抗14の値、縦軸にバイアス容量15の値をそれぞれ対数スケールで取っている。図11のグラフ中に黒丸で示す下記3種類の試作条件で作製した光電変換増幅装置1を用いて、その特性を比較した。ここで、下記3種類のパラメータは、順にバイアス抵抗14の値、フィルタ回路の時定数、バイアス容量15の値である。なお、試作では、増幅回路素子12としてリセット型TIAを用いた。試作条件1本発明の光電変換増幅装置1:500Ω、50ns100pF試作条件2参照例Aの光電変換増幅装置1:2000Ω、200ns100pF試作条件3参照例Bの光電変換増幅装置1:50Ω、5ns100pFまず、本発明の光電変換増幅装置1及び参照例Aの光電変換増幅装置1を用意し、本発明の光電変換増幅装置1を用いて構成した本発明のバースト光受信器及び参照例Aの光電変換増幅装置1を用いて構成した参照例Aのバースト光受信器を作成した。そして、10G-EPONの光送受信評価システムを用いて、本発明のバースト光受信器及び参照例Aのバースト光受信器の種々のバースト受信応答を調べた。本発明における過渡応答を図12に示し、参照例Aにおける過渡応答を図13に示す。図12及び図13は、本発明のバースト光受信器及び参照例Aのバースト光受信器において、10Gbpsのバースト光信号を用いて、強バーストから弱バーストへと変化する時間領域で、光電変換増幅装置1からの弱バーストの出力信号振幅が、アバランシェフォトダイオード11の増倍特性によって徐々に増大して安定化する過程を観察したものである。弱バースト信号のパワーPin=-29dBm、プリアンブル長は800ns、ペイロード長は200μs、強バースト信号のパワーPin=-6dBmである。図12及び図13を比較して、本発明のバースト光受信器では、出力信号振幅がほぼ瞬時に安定化しており、振幅回復時間が参照例Aのバースト光受信器に比較して非常に短いことがわかる。次に、本発明のバースト光受信器及び参照例Aのバースト光受信器において、プリアンブル長が25nsから800ns、ペイロード長が100nsの短いバースト信号を用いて、強バーストPin=-6dBmから弱バーストPin=-29dBmへの遷移後のバースト信号に対する10-3での感度を、プリアンブル長を変化させ調べた。この測定では、応答時間よりもプリアンブル長を短くすると、ペイロードの先頭で波形劣化が起こり、感度に悪い影響を与えると考えられるので、応答時間の評価として適している。ペイロードパタンは、231-1ビットの繰り返し長の疑似ランダム信号を用いた。本発明及び参照例Aにおけるプリアンブル長に対する感度を図14に示す。図14は、室温でのバースト光信号のプリアンブル長に対する符号誤り率BER=10-3での感度変化を示すものである。本発明のバースト光受信器においては、プリアンブル長が800nsから75nsへと短くなっても感度は変化せず、プリアンブル長が75nsから25nsへとさらに短くなって感度が劣化する。参照例Aのバースト光受信器においては、プリアンブル長が150nsよりプリアンブル長が短くなると、感度劣化が起こった。図14には、本発明のバースト光受信器における、光入力パワーPin=-30dBmでの微弱な信号に対するペイロードの先頭のアイパタンも示している。プリアンブル長がおよそ75nsの場合、比較的明瞭なアイパタンが見えているが、プリアンブル長がおよそ25nsと短くなると、アイパタンにノイズが増えている。これらの結果から、プリアンブル長が75ns以上であるときには、感度劣化のない応答が実現でき、所望の100ns以下の応答が実現できていることを確認した。次に、本発明の光電変換増幅装置1及び参照例Bの光電変換増幅装置1を用意し、本発明の光電変換増幅装置1を用いて構成した本発明のバースト光受信器及び参照例Bの光電変換増幅装置1を用いて構成した参照例Bのバースト光受信器を作成した。そして、プリアンブル長が感度劣化のない75nsであり、ペイロード長が100μsである10Gバースト光信号を用いて、強バーストPin=-6dBm後の弱バースト信号Pinを様々に変化させるに対して、BER測定を行った。バイアス電圧Vbiasは、BER=10-3での感度がもっとも良くなるように調整している。本発明及び参照例Bにおける平均光入力電力に対するビットエラーレートを図15に示す。図15は、室温での10Gバースト光信号に対するBER特性を示している。本発明のバースト光受信器においては、10Gバースト光信号ER=6dB、PRBSパタン長=231-1に対して、受信感度として-29.3dBmが得られた。そして、-1.6dBmの過入力までに対してBER=10-3の感度が得られ、受信入力ダイナミックレンジは27.7dBを達成した。参照例Bのバースト光受信器においては、10Gバースト光信号に対して、本発明のバースト光受信器と比較して、応答速度による受信感度劣化はない。しかし、-3.4dBmの過入力までに対してしかBER=10-3の感度が得られず、受信ダイナミックレンジは25.9dBしか達成できず、本発明のバースト光受信器と比較して、2dB弱小さくなっている。この結果から、バイアス抵抗14の値を、本発明のバイアス抵抗14の値の範囲より小さく設定してしまうと、受信ダイナミックレンジが小さくなってしまうことが分かった。