"第1の端子、第2の端子、第3の端子及び第4の端子を有する第1の半導体スイッチ素子と、前記第1の半導体スイッチ素子の前記第2の端子での電流を表す前記第4の端子での電流を検出するための検出ノードと、前記第1の半導体素子スイッチと並列に接続される少なくとも1つの半導体スイッチ素子であって、それぞれが第1の端子、第2の端子及び第3の端子を有する少なくとも1つの半導体スイッチ素子と、第1の駆動ノード及び第2の駆動ノードを有し、前記第1の半導体スイッチ素子及び前記少なくとも1つの半導体スイッチ素子を駆動する駆動回路と、前記駆動回路の前記第1の駆動ノードと前記第1の半導体スイッチ素子の前記第1の端子との間に設けられる第1の端子側の第1の抵抗と、前記駆動回路の前記第1の駆動ノードと前記少なくとも1つの半導体スイッチ素子の前記第1の端子との間に設けられる少なくとも1組の抵抗の一方の抵抗及び少なくとも1組のコモンモードフィルタの一方のコモンモードフィルタと、前記駆動回路の前記第2の駆動ノードと前記少なくとも1つの半導体スイッチ素子の前記第2の端子との間に設けられる前記少なくとも1組の抵抗の他方の抵抗及び前記少なくとも1組のコモンモードフィルタの他方のコモンモードフィルタと、を備え、前記第1の抵抗の抵抗値は、前記少なくとも1つの半導体スイッチ素子の何れか1つの半導体スイッチ素子に対応する前記少なくとも1組の抵抗の何れか1組の抵抗の一方の抵抗の抵抗値と前記何れか1組の抵抗の他方の抵抗の抵抗値とを加算した値に等しく、前記駆動回路の前記第2の駆動ノードは、何れの抵抗も介さず、前記第1の半導体スイッチ素子の前記第2の端子と直接に接続されることを特徴とする並列接続された半導体スイッチ素子の駆動装置。前記少なくとも1つの半導体スイッチ素子は、第2の半導体スイッチ素子と、第3の半導体スイッチ素子とを有し、前記少なくとも1組の抵抗は、前記第2の半導体スイッチ素子に対応する第1の組の抵抗と、前記第3の半導体スイッチ素子に対応する第2の組の抵抗とを有し、前記少なくとも1組のコモンモードフィルタは、前記第2の半導体スイッチ素子に対応する第1の組のコモンモードフィルタと、前記第3の半導体スイッチ素子に対応する第2の組のコモンモードフィルタとを有し、前記第1の抵抗の抵抗値は、前記第2の半導体スイッチ素子に対応する前記第1の組の抵抗の一方の抵抗の抵抗値と前記第1の組の抵抗の他方の抵抗の抵抗値とを加算した値に等しく、前記第1の抵抗の抵抗値は、前記第3の半導体スイッチ素子に対応する前記2の組の抵抗の一方の抵抗の抵抗値と前記第2の組の抵抗の他方の抵抗の抵抗値とを加算した値に等しいことを特徴とする請求項1に記載の並列接続された半導体スイッチ素子の駆動装置。特許文献1に開示の並列接続回路駆動装置において、IGBT1の主エミッタ端子E1とIGBT2の主エミッタ端子E2との間に寄生抵抗、接触抵抗等の抵抗が存在する場合、コモンモードコイル10,20が磁気飽和をしてしまう。具体的には、主エミッタ端子E1と主エミッタ端子E2との間に抵抗による電圧差エミッタ側の電位差が生じる場合、補助エミッタ端子EXと補助エミッタ端子EXとの間に直流電流が流れ、この直流電流によってコモンモードコイル10,20が磁気飽和をしてしまう。特許文献2に開示の電子機器駆動装置において、特許文献2の図1の点線で示されるような直流電流が特許文献2の図2の3つのIGBTのエミッタ側のコモンモードリジェクションインダクタンスLD1,1,LD1,2,LD1,3に流れても、エミッタ抵抗RE,1,RE,2,RE,3の存在により、直流電流の大きさが減少する。即ち、エミッタ抵抗RE,1,RE,2,RE,3を有する電子機器駆動装置内のコモンモードリジェクションインダクタンスLD1,1,LD1,2,LD1,3に流れる直流電流は、エミッタ抵抗RE,1,RE,2,RE,3を有しない場合の直流電流よりも小さい。従って、エミッタ抵抗RE,1,RE,2,RE,3は、コモンモードリジェクションインダクタンスLD1,1,LD1,2,LD1,3の磁気飽和を抑制することができる。ところで、特許文献2の図2の3つのIGBTのうちの例えば1つのIGBTのエミッタ側での電流が過電流であるか否かを検出する場合、特許文献3の図5のセンス端子3のようなセンス端子をその1つのIGBTに設け、センス端子での電流を検出することができる。センス端子での電流は、エミッタ抵抗RE1を流れる電流に影響される。従って、IGBTのエミッタ側での電流が過電流であるか否かを検出する時の検出精度が低下してしまう。本発明の1つの目的は、並列に接続された複数の半導体スイッチ素子に過電流が流れているか否かを精度良く検出可能な駆動装置等を提供することである。本発明の他の目的は、以下に述べる複数の形態及び好ましい実施形態、並びに添付の図面を参照することによって、当業者に明らかになるであろう。以下に、本発明の概要を容易に理解するために、本発明に従う複数の形態のうちの幾つかの形態を例示する。本発明に従う第1の形態は、第1の端子、第2の端子、第3の端子及び第4の端子を有する第1の半導体スイッチ素子と、前記第1の半導体スイッチ素子の前記第2の端子での電流を表す前記第4の端子での電流を検出するための検出ノードと、前記第1の半導体素子スイッチと並列に接続される少なくとも1つの半導体スイッチ素子であって、それぞれが第1の端子、第2の端子及び第3の端子を有する少なくとも1つの半導体スイッチ素子と、第1の駆動ノード及び第2の駆動ノードを有し、前記第1の半導体スイッチ素子及び前記少なくとも1つの半導体スイッチ素子を駆動する駆動回路と、前記駆動回路の前記第1の駆動ノードと前記第1の半導体スイッチ素子の前記第1の端子との間に設けられる第1の端子側の第1の抵抗と、前記駆動回路の前記第1の駆動ノードと前記少なくとも1つの半導体スイッチ素子の前記第1の端子との間に設けられる少なくとも1組の抵抗の一方の抵抗及び少なくとも1組のコモンモードフィルタの一方のコモンモードフィルタと、前記駆動回路の前記第2の駆動ノードと前記少なくとも1つの半導体スイッチ素子の前記第2の端子との間に設けられる前記少なくとも1組の抵抗の他方の抵抗及び前記少なくとも1組のコモンモードフィルタの他方のコモンモードフィルタと、を備え、前記第1の抵抗の抵抗値は、前記少なくとも1つの半導体スイッチ素子の何れか1つの半導体スイッチ素子に対応する前記少なくとも1組の抵抗の何れか1組の抵抗の一方の抵抗の抵抗値と前記何れか1組の抵抗の他方の抵抗の抵抗値とを加算した値に等しく、前記駆動回路の前記第2の駆動ノードは、何れの抵抗も介さず、前記第1の半導体スイッチ素子の前記第2の端子と直接に接続されることを特徴とする並列接続された半導体スイッチ素子の駆動装置に関係する。駆動回路の第1の駆動ノードと第1の半導体スイッチ素子の第1の端子との間に設けられる第1の端子側の第1の抵抗の抵抗値は、駆動回路の第1の駆動ノードと少なくとも1つの半導体スイッチ素子の第1の端子との間に設けられる第1の端子側の抵抗の抵抗値と等しくなくてもよい。このような場合であっても、各半導体スイッチ素子と駆動回路との間の抵抗値を調整することにより、駆動回路は、すべての半導体スイッチ素子を同時に駆動することができる。この時、第1の半導体素子スイッチ素子と駆動回路との間には、第1の半導体素子スイッチ素子の第1の端子側の第1の抵抗だけを設ける一方、第1の半導体スイッチ素子の第2の端子と駆動回路とを直接に接続し、第1の半導体素子スイッチ素子と駆動回路との間には、第1の半導体スイッチ素子の第2の端子側には何れの抵抗を設けなくてもよい。従って、第1の半導体スイッチ素子の第2の端子での電流を表す第4の端子での電流を検出ノードで検出する場合、その検出精度を高めることができる。第1の形態において、前記少なくとも1つの半導体スイッチ素子は、第2の半導体スイッチ素子と、第3の半導体スイッチ素子とを有してもよく、前記少なくとも1組の抵抗は、前記第2の半導体スイッチ素子に対応する第1の組の抵抗と、前記第3の半導体スイッチ素子に対応する第2の組の抵抗とを有してもよく、前記少なくとも1組のコモンモードフィルタは、前記第2の半導体スイッチ素子に対応する第1の組のコモンモードフィルタと、前記第3の半導体スイッチ素子に対応する第2の組のコモンモードフィルタとを有してもよく、前記第1の抵抗の抵抗値は、前記第2の半導体スイッチ素子に対応する前記第1の組の抵抗の一方の抵抗の抵抗値と前記第1の組の抵抗の他方の抵抗の抵抗値とを加算した値に等しくてもよく、前記第1の抵抗の抵抗値は、前記第3の半導体スイッチ素子に対応する前記2の組の抵抗の一方の抵抗の抵抗値と前記第2の組の抵抗の他方の抵抗の抵抗値とを加算した値に等しくてもよい。このように、第1の半導体スイッチ素子と駆動回路との間の抵抗値、第2の半導体スイッチ素子と駆動回路との間の抵抗値、及び第3の半導体スイッチ素子と駆動回路との間の抵抗値を調整することができる。これにより、駆動回路は、第1の半導体スイッチ素子、第2の半導体スイッチ素子及び第3の半導体スイッチ素子を同時に駆動することができる。当業者は、本発明に従う複数の形態の各々が、本発明の精神を逸脱することなく、変形され得ることを容易に理解できるであろう。以下に説明する好ましい実施形態は、本発明を容易に理解するために用いられている。従って、当業者は、本発明が、以下に説明される実施形態によって不当に限定されないことを留意すべきである。1.駆動装置1.1.構成図1は、本発明に従う並列接続された半導体スイッチ素子の駆動装置の概略構成図を示す。図1に示されるように、駆動装置100は、IGBT1と、IGBT1と並列に接続されるIGBT2及びIGBT3を備える。図1の例において、IGBT1は、IGBTInsulatedGateBipolarTransistorを示すが、例えばFETFieldEffectTransistor等に置き換えてもよく、IGBT1は、半導体スイッチ素子であればよい。IGBT2及びIGBT3も同様である。以下、本明細書において、IGBT1、IGBT2及びIGBT3は、それぞれ第1の半導体スイッチ素子IGBT1、第2の半導体スイッチ素子IGBT2及び第3の半導体スイッチ素子IGBT3と呼ぶ。なお、駆動装置100は、第3の半導体スイッチ素子IGBT3を省略してもよく、他の半導体スイッチ素子を備えてもよい。言い換えれば、並列に接続された半導体スイッチ素子の数は、2以上であればよい。図1の例において、第1の半導体スイッチ素子IGBT1は、ゲート端子G第1の端子、エミッタ端子E第2の端子及びコレクタ端子C第3の端子を有する。第1の半導体スイッチ素子IGBT1は、エミッタセンス端子S第4の端子を更に有し、エミッタセンス端子Sでの電流は、エミッタ端子Eでの電流を表し、且つ、エミッタ端子Eでの電流よりも小さい。駆動装置100は、第1の半導体スイッチ素子IGBT1のエミッタ端子E第2の端子での電流を表すエミッタセンス端子S第4の端子での電流を検出するための検出ノードSOを備えることができる。検出ノードSOは、検出回路図示せずに接続することができ、閾値を超える電流過電流が検出回路によって検出される時、後述する駆動回路DRは、並列に接続された半導体スイッチ素子IGBT1,IGBT2,IGBT3の駆動を中止することができる。なお、駆動回路DRは、このような検出回路を組み込んでもよく、この場合、検出ノードSOは、駆動回路DRに接続してもよい。第2の半導体スイッチ素子IGBT2も、ゲート端子G第1の端子、エミッタ端子E第2の端子及びコレクタ端子C第3の端子を有し、第3の半導体スイッチ素子IGBT3も、ゲート端子G第1の端子、エミッタ端子E第2の端子及びコレクタ端子C第3の端子を有する。第1の半導体スイッチ素子IGBT1のゲート端子Gは、図1に示されるようなゲート配線図2も参照で、第2及び第3の半導体スイッチ素子IGBT2,IGBT3のゲート端子G,Gと接続される。第1の半導体スイッチ素子IGBT1のエミッタ端子Eは、図1に示されるようなエミッタ配線で、第2及び第3の半導体スイッチ素子IGBT2,IGBT3のエミッタ端子E,Eと接続される。図1の例において、エミッタ配線は、第1の分割ノードND1、第2の分割ノードND2及び第3の分割ノードND3で区別される、駆動回路DR側左側の副エミッタ配線図3も参照と第2の出力ノードN側右側の主エミッタ配線図4も参照とを有する。言い換えれば、第1、第2及び第3の半導体スイッチ素子IGBT1,IGBT2,IGBT3のエミッタ端子E,E,Eは、副エミッタ配線で駆動回路DRに接続される一方、第1、第2及び第3の半導体スイッチ素子IGBT1,IGBT2,IGBT3のエミッタ端子E,E,Eは、主エミッタ配線で第2の出力ノードNに接続される。また、第1の半導体スイッチ素子IGBT1のコレクタ端子Cは、図1に示されるようなコレクタ配線図5も参照で、第2及び第3の半導体スイッチ素子IGBT2,IGBT3のコレクタ端子C,Cと接続される。図2は、図1の駆動装置100のゲート配線を示す。図2の例において、ゲート配線は、第1のゲート配線部、第2のゲート配線部及び第3のゲート配線部を有する。第1のゲート配線部は、駆動回路DRの第1の駆動ノードGOと第1の半導体スイッチ素子IGBT1のゲート端子Gとの間に設けられるゲート抵抗RG1を有する。第2のゲート配線部は、第1の駆動ノードGOと第2の半導体スイッチ素子IGBT2のゲート端子Gとの間に設けられるゲート抵抗RG2及びコモンモードコイルLG2を有する。第3のゲート配線部は、第1の駆動ノードGOと第3の半導体スイッチ素子IGBT3のゲート端子Gとの間に設けられるゲート抵抗RG3及びコモンモードコイルLG3を有する。第1のゲート配線部、第2のゲート配線部及び第3のゲート配線部の共通部分には、共通のゲート抵抗RGCが設けられているが、共通のゲート抵抗RGCを省略してもよい。図2の例又は図1の例において、ゲート抵抗RG2及びゲート抵抗RG3は、第1の駆動ノードGO側に配置され、コモンモードコイルLG2及びコモンモードコイルLG3は、ゲート端子G側に配置されている。しかしながら、ゲート抵抗RG2及びゲート抵抗RG3は、ゲート端子G側に配置されてもよく、コモンモードコイルLG2及びコモンモードコイルLG3は、第1の駆動ノードGO側に配置されてもよい。例えば、ゲート抵抗RG2の一端は、第2の半導体スイッチ素子IGBT2のゲートGに接続されてもよく、ゲート抵抗RG2の他端は、コモンモードコイルLG2の一端に接続されてもよく、コモンモードコイルLG2の他端は、共通のゲート抵抗RGCを介して第1の駆動ノードGOに接続されてもよい。図3は、図1の駆動装置100の副エミッタ配線を示す。図2の例において、副エミッタ配線は、第1の副エミッタ配線部、第2の副エミッタ配線部及び第3の副エミッタ配線部を有する。第1の副エミッタ配線部は、エミッタ抵抗を有しない。即ち、駆動回路DRの第2の駆動ノードEOと第1の半導体スイッチ素子IGBT1のエミッタ端子E第1の分割ノードND1との間に何れのエミッタ抵抗も設けられていない。第2の副エミッタ配線部は、第2の駆動ノードEOと第2の半導体スイッチ素子IGBT2のエミッタ端子E第2の分割ノードND2との間に設けられるエミッタ抵抗RE2及びコモンモードコイルLE2を有する。第3の副エミッタ配線部は、第2の駆動ノードEOと第3の半導体スイッチ素子IGBT3のエミッタ端子E第3の分割ノードND3との間に設けられるエミッタ抵抗RE3及びコモンモードコイルLE3を有する。図3の例又は図1の例において、エミッタ抵抗RE2及びエミッタ抵抗RE3は、第2の駆動ノードEO側に配置され、コモンモードコイルLE2及びコモンモードコイルLE3は、エミッタ端子E側に配置されている。しかしながら、エミッタ抵抗RE2及びエミッタ抵抗RE3は、ゲート端子E側に配置されてもよく、コモンモードコイルLE2及びコモンモードコイルLE3は、第2の駆動ノードEO側に配置されてもよい。例えば、エミッタ抵抗RE2の一端は、第2の半導体スイッチ素子IGBT2のエミッタEに接続されてもよく、エミッタ抵抗RG2の他端は、コモンモードコイルLE2の一端に接続されてもよく、コモンモードコイルLG2の他端は、第2の駆動ノードEOに接続されてもよい。なお、コモンモードコイルLE2及びコモンモードコイルLE3に流れる直流電流は、半導体スイッチ素子IGBT1,IGBT2,IGBT3のエミッタE,E,E間に生じる電位差によって発生するが、エミッタ抵抗RE2及びエミッタ抵抗RE3は、コモンモードコイルLE2及びコモンモードコイルLE3の磁気飽和を抑制することができる。図4は、図1の駆動装置100の主エミッタ配線を示す。図4の例において、主エミッタ配線は、第1の主エミッタ配線部、第2の主エミッタ配線部及び第3の主エミッタ配線部を有する。第1の主エミッタ配線部は、第1の半導体スイッチ素子IGBT1のエミッタ端子E第1の分割ノードND1と第2の半導体スイッチ素子IGBT2のエミッタ端子E第2の分割ノードND2との間に設けられる寄生抵抗等の配線抵抗RN1を有する。第2の主エミッタ配線部は、第2の半導体スイッチ素子IGBT2のエミッタ端子E第2の分割ノードND2と第3の半導体スイッチ素子IGBT3のエミッタ端子E第3の分割ノードND3との間に設けられる寄生抵抗等の配線抵抗RN2を有する。第3の主エミッタ配線部は、第3の半導体スイッチ素子IGBT3のエミッタ端子E第3の分割ノードND3と第2の出力ノードNとの間に設けられる寄生抵抗等の配線抵抗RN3を有する。主エミッタ配線は、出力ライン、バスライン等と呼んでもよく、主エミッタ配線が長くなると、配線抵抗RN1,RN2,RN3を有する。主エミッタ配線は、図4の例に限定されず、例えばY結線型の配線でもよく、配線抵抗RN1,RN2,RN3は、分割ノードND1,分割ノードND2,分割ノードND3の直近に付く寄生抵抗を含んでもよい。図5は、図1の駆動装置100のコレクタ配線を示す。図5の例において、コレクタ配線は、第1のコレクタ配線部、第2のコレクタ配線部及び第3のコレクタ配線部を有する。第1のコレクタ配線部は、第1の出力ノードPと第1の半導体スイッチ素子IGBT1のコレクタ端子Cとの間に設けられる寄生抵抗等の配線抵抗RP1を有する。第2のコレクタ配線部は、第1の半導体スイッチ素子IGBT1のコレクタ端子Cと第2の半導体スイッチ素子IGBT2のコレクタ端子Cとの間に設けられる寄生抵抗等の配線抵抗RP2を有する。第3のコレクタ配線部は、第2の半導体スイッチ素子IGBT2のコレクタ端子Cと第3の半導体スイッチ素子IGBT3のコレクタ端子Cとの間に設けられる寄生抵抗等の配線抵抗RP3を有する。コレクタ配線は、出力ライン、バスライン等と呼んでもよく、コレクタ配線が長くなると、配線抵抗RP1,RP2,RP3を有する。コレクタ配線は、図5の例に限定されず、例えばY結線型の配線でもよい。図1の例において、駆動装置100は、並列に接続された半導体スイッチ素子IGBT1,IGBT2,IGBT3を駆動する駆動回路DRを備える。駆動回路DRは、第1の駆動ノードGO及び第2の駆動ノードEOを有する。駆動回路DRは、第1の駆動ノードGOと第2の駆動ノードEOとの間に所定の電圧を生成し、所定の電圧は、ゲート配線の抵抗及び副エミッタ配線の抵抗並びに2組のコモンモードコイルを介して、各半導体スイッチ素子IGBT1,IGBT2,IGBT3のゲート端子Gとエミッタ端子Eとの間の電圧ゲート電圧に反映される。所定の電圧がどのようにゲート電圧に反映されるかについては1.3.ゲート電圧で後述する。図1の例において、第1の半導体スイッチ素子IGBT1と駆動回路DRとの間の配線共通部分を除く第1のゲート配線部及び第1の副エミッタ配線部の抵抗値は、ゲート抵抗RG1の抵抗値共通部分を考慮する場合、共通のゲート抵抗RGCの抵抗値とゲート抵抗RG1の抵抗値とを加算した値で表すことができる。ここで、第1のゲート配線部の配線抵抗及び第1の副エミッタ配線部の配線抵抗は、無視できる程に小さいと仮定する。言い換えれば、これらの配線抵抗が無視できない場合、ゲート抵抗RG1の抵抗値は、これらの配線抵抗を含んだ値で定義することができる。第2の半導体スイッチ素子IGBT2と駆動回路DRとの間の配線共通部分を除く第2のゲート配線部及び第2の副エミッタ配線部の抵抗値は、ゲート抵抗RG21組の抵抗値の抵抗値の一方の抵抗値共通部分を考慮する場合、共通のゲート抵抗RGCの抵抗値とゲート抵抗RG2の抵抗値とを加算した値とエミッタ抵抗RE2の抵抗値1組の抵抗値の抵抗値の他方とを加算した値で表すことができる。ここで、第2のゲート配線部の配線抵抗及び第2の副エミッタ配線部の配線抵抗は、無視できる程に小さいと仮定する。また、コモンモードコイルLG2の内部抵抗及びコモンモードコイルLE2の内部抵抗は、無視できる程に小さいと仮定する。言い換えれば、これらの配線抵抗及び内部抵抗が無視できない場合、ゲート抵抗RG2の抵抗値及びエミッタ抵抗RE2の抵抗値は、これらの配線抵抗及び内部抵抗を含んだ値で定義することができる。第3の半導体スイッチ素子IGBT3と駆動回路DRとの間の配線共通部分を除く第3のゲート配線部及び第3の副エミッタ配線部の抵抗値は、ゲート抵抗RG31組の抵抗値の抵抗値の一方の抵抗値共通部分を考慮する場合、共通のゲート抵抗RGCの抵抗値とゲート抵抗RG3の抵抗値とを加算した値とエミッタ抵抗RE3の抵抗値1組の抵抗値の抵抗値の他方とを加算した値で表すことができる。ここで、第3のゲート配線部の配線抵抗及び第3の副エミッタ配線部の配線抵抗は、無視できる程に小さいと仮定する。また、コモンモードコイルLG3の内部抵抗及びコモンモードコイルLE3の内部抵抗は、無視できる程に小さいと仮定する。言い換えれば、これらの配線抵抗及び内部抵抗が無視できない場合、ゲート抵抗RG3の抵抗値及びエミッタ抵抗RE3の抵抗値は、これらの配線抵抗及び内部抵抗を含んだ値で定義することができる。図1の例において、第1の半導体スイッチ素子IGBT1と駆動回路DRとの間の配線の抵抗値RG1は、第2の半導体スイッチ素子IGBT2と駆動回路DRとの間の配線の抵抗値RG2RE2に等しい。また、第1の半導体スイッチ素子IGBT1と駆動回路DRとの間の配線の抵抗値RG1は、第3の半導体スイッチ素子IGBT3と駆動回路DRとの間の配線の抵抗値RG3RE3にも等しい。このように、すべての半導体スイッチ素子IGBT1,IGBT2,IGBT3の各々と駆動回路DRとの間の配線の抵抗値は、同一の値に設定されている。共通部分を考慮する場合、図1の例において、第1の半導体スイッチ素子IGBT1と駆動回路DRとの間の配線の抵抗値RG1RGCは、第2の半導体スイッチ素子IGBT2と駆動回路DRとの間の配線の抵抗値RG2RGCRE2に等しい。また、第1の半導体スイッチ素子IGBT1と駆動回路DRとの間の配線の抵抗値RG1RGCは、第3の半導体スイッチ素子IGBT3と駆動回路DRとの間の配線の抵抗値RG3RGCRE3にも等しい。共通部分を考慮しても、或いは考慮しなくても、RG1=RG2RE2=RG3RE3を満たすように、抵抗値が設定されている。1.2.コモンモードフィルタ図6は、コモンモードフィルタを備えない駆動装置の等価構成図を示す。先ず、図1の駆動装置100がコモンモードコイルLE2,LE3,LG2,LG3等のコモンモードフィルタを備えない時の動作について説明し、その後、コモンモードフィルタの役割について説明する。図6の例において、第1の駆動ノードGOと第2の駆動ノードEOとの間の電圧は、例えば0[V]から15[V]に変化することを仮定する。即ち、第1の駆動ノードGOと第2の駆動ノードEOとの間には15[V]の振幅を有するパルス信号が印加されていることを仮定する。第1の駆動ノードGOと第2の駆動ノードEOとの間の電圧が例えば0[V]から15[V]に変化することで、すべての半導体スイッチ素子IGBT1,IGBT2,IGBT3がオフ状態からオン状態に切り替わることを仮定する。この時、各半導体スイッチ素子IGBT1,IGBT2,IGBT3は、図6で示されるような等価コンデンサで表すことができる。図6の例において、ゲート抵抗RG1は、例えば18[Ω]の抵抗値を有することを仮定し、ゲート抵抗RG2は、例えば10[Ω]の抵抗値を有することを仮定し、ゲート抵抗RG3は、例えば10[Ω]の抵抗値を有することを仮定し、ゲート抵抗RGCは、例えば5[Ω]の抵抗値を有することを仮定する。また、エミッタ抵抗RE2は、例えば8[Ω]の抵抗値を有することを仮定し、エミッタ抵抗RE3は、例えば8[Ω]の抵抗値を有することを仮定する。このように、ゲート抵抗RG2,RG3の各抵抗値10[Ω]は、ゲート抵抗RG1の抵抗値18[Ω]よりも小さい。従って、半導体スイッチ素子IGBT2,3の各ゲート電流例えば0.5[A]は、第1の半導体スイッチ素子IGBT1のゲート電流例えば0.28[A]よりも大きい。エミッタ側では、第1の副エミッタ配線部第2の駆動ノードEOと第1の半導体スイッチ素子IGBT1のエミッタ端子との間の配線の抵抗がゼロなので、すべてのゲート電流例えば1.28[A]=0.280.50.5[A]が第1の半導体スイッチ素子IGBT1のエミッタ側に抜ける。この結果、各半導体スイッチ素子IGBT1,IGBT2,IGBT3に関して、ゲート端子とエミッタ端子との間の電圧ゲート電圧が同一の値に設定されず、すべての半導体スイッチ素子IGBT1,IGBT2,IGBT3が同時にオンされない。これに対し、図1に示されように、駆動装置100がコモンモードコイルLE2,LE3,LG2,LG3等のコモンモードフィルタを備える時、すべての半導体スイッチ素子IGBT1,IGBT2,IGBT3が同時にオンされる。以下、例えばコモンモードコイルLG2及びコモンモードコイルLE2からなる1組のコモンモードコイルについて説明する。図1の例において、例えばコモンモードコイルLG21組のコモンモードコイルの一方のコモンモードコイルの両端に例えば2[V]の電位差があることを仮定する。この時、コモンモードコイルLE21組のコモンモードコイルの他方のコモンモードコイルの両端にも例えば2[V]の電位差が生じる。このように、一方のコモンモードコイルの両端に発生する電位差は、他方のコモンモードコイルの両端に発生する電位差と等しい。1つのコモンモードコイルの両端に発生する電位差例えば2[V]は、コモンモード電流×コモンモードインピーダンスで表される。ここで、コモンモード電流は、第1の駆動ノードGOから第2の半導体スイッチ素子IGBT2のゲート端子に向かうコモンモードコイルLG2を流れる電流と、第2の半導体スイッチ素子IGBT2のエミッタ端子から第2の駆動ノードEOに向かうコモンモードコイルLE2を流れる電流との差である。また、コモンモードインピーダンスは、コモンモードコイルLG2及びコモンモードコイルLE2の相互インダクタンスに基づく値であり、コモンモードコイルLG2の自己インダクタンスは、コモンモードコイルLE2の自己インダクタンスと等しい。なお、コモンモード電流がゼロである場合、コモンモードコイルLG2及びコモンモードコイルLE2は、互いに磁束を打ち消しあい、1つのコモンモードコイルの両端に発生する電位差もゼロになる。1.3.ゲート電圧図7は、コモンモードフィルタを備える駆動装置の等価構成図を示す。図1の駆動装置100がコモンモードコイルLE2,LE3,LG2,LG3等のコモンモードフィルタを備える時の動作について説明する。上述したようなコモンモードフィルタの特性により、図7の例において、1つのコモンモードコイルの両端に発生する電位差は、例えば2[V]であることを仮定する。コモンモードインピーダンスが1000[Ω]である場合、1つのコモンモードコイルを流れる電流は2[mA]である。コモンモードフィルタの存在により、ゲート抵抗RG2,RG3の各抵抗値10[Ω]がゲート抵抗RG1の抵抗値18[Ω]よりも小さい場合であっても、半導体スイッチ素子IGBT2,3の各ゲート電圧は、第1の半導体スイッチ素子IGBT1のゲート電圧と等しい。従って、すべての半導体スイッチ素子IGBT1,IGBT2,IGBT3が同時にオンされる。なお、図7の例において、第1の駆動ノードGOと第2の駆動ノードEOとの間の電圧が例えば15[V]第1の駆動ノードGOの電圧=15[V],第2の駆動ノードEOの電圧=0[V]から0[V]第1の駆動ノードGOの電圧=0[V],第2の駆動ノードEOの電圧=0[V]に変化する場合、すべての半導体スイッチ素子IGBT1,IGBT2,IGBT3が同時にオフされる。このように、各半導体スイッチ素子IGBT1,IGBT2,IGBT3と駆動回路DRとの間の抵抗値を調整することにより、駆動回路DRは、すべての半導体スイッチ素子IGBT1,IGBT2,IGBT3を同時に駆動することができる。この時、図1に示すように、第1の半導体素子スイッチ素子IGBT1と駆動回路DRとの間には、第1の半導体スイッチ素子IGBT1のエミッタ端子E側には何れの抵抗を設けられていない。従って、第1の半導体スイッチ素子IGBT1のエミッタ端子Eでの電流を表すエミッタセンス端子Sでの電流を検出ノードSOで検出する場合、その検出精度を高めることができる。2.駆動回路図8は、検出回路を含む駆動回路の構成例を示す。図8の例において、駆動回路DRは、例えば特許文献3の図5で示されるような検出回路を含むが、検出回路は、駆動回路DRの外部に設けられてもよい。図8の例において、検出回路は、比較器CM、センス抵抗RS及び基準電圧VRによって構成される。駆動回路DRのトランジスタT1,T2駆動部は、電源電位VDD第1の電源電位及び接地電位GND第2の電源電位で動作し、例えば15[V]の振幅を有するパルス信号を第1の駆動ノードGOと第2の駆動ノードEOとの間に出力する。駆動回路DRのゲート制御回路GCは、入力ノードINからの入力信号パルス信号を入力し、比較器CMからの中止信号遮断信号を受け取らない限り、トランジスタT1,T2を動作させる。図1に示すように、第1の半導体素子スイッチ素子IGBT1のエミッタ端子Eと駆動回路DRの第2の駆動ノードEOとの間には、何れの抵抗を設けられていないので、エミッタ端子Eの電位は、第2の駆動ノードEOの電位と等しい。図8の例において、第2の駆動ノードEOの電位従って、エミッタ端子Eの電位は、接地電位GNDと等しく、比較器CMは、接地電位GNDを基準とする基準電圧VRで、第1の半導体スイッチ素子IGBT1のエミッタ端子Eでの電流を表すエミッタセンス端子Sでの電流を検出する。この場合、基準電圧VRは、第1の半導体スイッチ素子IGBT1のエミッタE側から見ると、設計通りの値となり、比較器CMは、設計通りの過電流を検出した時に、中止信号遮断信号をゲート制御回路GCに送ることができる。このように、過電流の検出精度を高めることができる。言い換えれば、第1の半導体素子スイッチ素子IGBT1のエミッタ端子Eと駆動回路DRの第2の駆動ノードEOとの間に抵抗が設けられている場合、その抵抗に起因して、比較器CMは、設計とは異なる電流を過電流として誤って検出してしまうことがある。3.変形例図9は、図1の駆動装置100の変形例を示す。図9において、図1の符号と同一の符号は、図1の構成と同一の構成を示し、その同一の構成についての説明を省略する。図9の例において、駆動装置100は、第1の半導体素子スイッチ素子IGBT1に対応する3線式の1組のコモンモードコイルLG1,LS1,LE1を備える。図9の例においても、第1の半導体素子スイッチ素子IGBT1と駆動回路DRとの間には、第1の半導体スイッチ素子IGBT1のエミッタ端子E側には何れの抵抗を設けられていない。また、駆動回路DRは、すべての半導体スイッチ素子IGBT1,IGBT2,IGBT3を同時に駆動することができる。なお、コモンモードコイルLE1に流れる直流電流は、半導体スイッチ素子IGBT1,IGBT2,IGBT3のエミッタE,E,E間に生じる電位差によって発生し得る。しかしながら、コモンモードコイルLE1に流れ込む電流のルートにはエミッタ抵抗RE2及びエミッタ抵抗RE3の少なくとも1つが挿入されているので、コモンモードコイルLE1の磁気飽和を抑制することができる。なお、本発明は、上述の例示的な実施形態に限定されず、また、当業者は、上述の例示的な実施形態を特許請求の範囲に含まれる範囲まで、容易に変更することができるであろう。"