半導体基板の表面に格子状に配列された複数のストリートによって複数の領域が区画され該区画された領域にデバイスが形成されるとともにデバイスおよびストリートの表面にパシベーション膜が被覆された半導体ウエーハに、ストリートに沿って分割溝を形成する半導体ウエーハの加工方法であって、パシベーション膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をパシベーション膜側からストリートに沿って照射し、パシベーション膜にストリートに沿って分断溝を形成するパシベーション膜分断溝形成工程と、該パシベーション膜分断溝形成工程が実施された半導体ウエーハに、半導体基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をパシベーション膜に形成された分断溝に沿って照射し、半導体基板にストリートに沿って分割溝を形成する分割溝形成工程と、を含む、ことを特徴とする半導体ウエーハの加工方法。該半導体基板はシリコンによって形成され、該パシベーション膜は二酸化珪素で形成されている、請求項1記載の半導体ウエーハの加工方法。該パシベーション膜分断溝形成工程において照射するレーザー光線の波長は532nmに設定され、該分割溝形成工程において照射するレーザー光線の波長は355nmに設定されている、請求項2記載の半導体ウエーハの加工方法。近時においては、IC、LSI等のデバイスを保護するために、デバイスおよびストリートの表面にSiO2、SiF、SiON、SiO等の酸化物からなるパシベーション膜とよばれる保護膜が被覆された半導体ウエーハが実用化されている。半導体基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射すると、バンドギャップエネルギーに達し原子の結合力が破壊されアブレーション加工が行われる。しかるに、デバイスおよびストリートの表面にSiO2、SiF、SiON、SiO等の酸化物からなるパシベーション膜が被覆されていると、レーザー光線のエネルギー拡散および反射が起こり、レーザー光線のエネルギーがアブレーション加工の遂行を妨げるという問題がある。また、パシベーション膜を透過したレーザー光線が半導体基板でアブレーション加工を施し、内部からパシベーション膜を破壊するという問題もある。本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、デバイスおよびストリートの表面にパシベーション膜が被覆されている半導体ウエーハに、レーザー光線のエネルギー拡散および反射を抑制してストリートに沿って分割溝を形成することができる半導体ウエーハの加工方法を提供することである。上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、半導体基板の表面に格子状に配列された複数のストリートによって複数の領域が区画され該区画された領域にデバイスが形成されるとともにデバイスおよびストリートの表面にパシベーション膜が被覆された半導体ウエーハに、ストリートに沿って分割溝を形成する半導体ウエーハの加工方法であって、パシベーション膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をパシベーション膜側からストリートに沿って照射し、パシベーション膜にストリートに沿って分断溝を形成するパシベーション膜分断溝形成工程と、該パシベーション膜分断溝形成工程が実施された半導体ウエーハに、半導体基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をパシベーション膜に形成された分断溝に沿って照射し、半導体基板にストリートに沿って分割溝を形成する分割溝形成工程と、を含む、ことを特徴とする半導体ウエーハの加工方法が提供される。上記半導体基板はシリコンによって形成され、上記パシベーション膜は二酸化珪素で形成されている。また、上記パシベーション膜分断溝形成工程において照射するレーザー光線の波長は532nmに設定され、上記分割溝形成工程において照射するレーザー光線の波長は355nmに設定されている。本発明による半導体ウエーハの加工方法においては、デバイスおよびストリートの表面に被覆されたパシベーション膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をパシベーション膜側からストリートに沿って照射し、パシベーション膜にストリートに沿って分断溝を形成するパシベーション膜分断溝形成工程と、パシベーション膜分断溝形成工程が実施された半導体ウエーハに、半導体基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をパシベーション膜に形成された分断溝に沿って照射し、半導体基板にストリートに沿って分割溝を形成する分割溝形成工程とを含んでいるので、分割溝形成工程において半導体基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射する際に、パシベーション膜によってレーザー光線のエネルギーが拡散および反射することがない。従って、パシベーション膜によってレーザー光線のエネルギーが拡散および反射することにより、アブレーション加工の遂行を妨げるという問題を解消することができる。また、分割溝形成工程において半導体基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射する際には、パシベーション膜が破断されているので、パシベーション膜を透過したレーザー光線が半導体基板にアブレーション加工を施し内部からパシベーション膜を破壊するという問題も解消される。以下、本発明による半導体ウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。図1のおよびには、被加工物としての半導体ウエーハの斜視図および要部拡大断面図が示されている。図1のおよびに示す半導体ウエーハ10は、シリコンからなる半導体基板100の表面10aに格子状に形成された複数のストリート101によって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイス102が形成されている。この半導体ウエーハ10は、図1のに示すようにデバイス102を保護するためにデバイス102およびストリート101の表面100aに二酸化珪素SiO2からなるパシベーション膜103が被覆されている。なお、デバイス102を保護するための酸化物からなるパシベーション膜としては、SiF、SiON、SiO等の酸化物を用いることができる。このように構成された半導体ウエーハ10は、図2に示すように環状のフレームFに装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなる保護テープTに半導体基板100の裏面100b側を貼着する。従って、環状のフレームFに装着された保護テープTに貼着された半導体ウエーハ10は、デバイス102およびストリート101の表面100aに被覆されたパシベーション膜103の表面10aが上側となる。以下、環状のフレームFに装着された保護テープTに貼着された半導体ウエーハ10に、ストリート101に沿って分割溝を形成する半導体ウエーハの加工方法について説明する。図3には本発明による半導体ウエーハの加工方法を実施するためのレーザー加工装置の斜視図が示されている。図3に示されたレーザー加工装置1は、静止基台2と、該静止基台2に矢印Xで示す加工送り方向X軸方向に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構3と、静止基台2に上記矢印Xで示す加工送り方向X軸方向と直交する矢印Yで示す割り出し送り方向Y軸方向に移動可能に配設された第1のレーザー光線照射ユニット支持機構4aおよび第2のレーザー光線照射ユニット支持機構4bと、該第1のレーザー光線照射ユニット支持機構4aに矢印Zで示す集光点位置調整方向Z軸方向に移動可能に配設された第1のレーザー光線照射ユニット5aと、該第2のレーザー光線照射ユニット支持機構4bに矢印Zで示す集光点位置調整方向Z軸方向に移動可能に配設された第2のレーザー光線照射ユニット5bとを具備している。上記チャックテーブル機構3は、静止基台2上に矢印Xで示す加工送り方向X軸方向に沿って平行に配設された一対の案内レール31、31と、該案内レール31、31上に矢印Xで示す方向に移動可能に配設された第1の滑動ブロック32と、該第1の滑動ブロック32上に矢印Yで示す割り出し送り方向Y軸方向に移動可能に配設された第2の滑動ブロック33と、該第2の滑動ブロック33上に円筒部材34によって支持されたカバー35と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル36を具備している。このチャックテーブル36は多孔性材料から形成された吸着チャック361を具備しており、吸着チャック361の被加工物載置面361a上に被加工物であるウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。また、チャックテーブル36は、円筒部材34内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。上記第1の滑動ブロック32は、その下面に上記一対の案内レール31、31と嵌合する一対の被案内溝321、321が設けられているとともに、その上面に矢印Yで示す割り出し送り方向Y軸方向に沿って平行に形成された一対の案内レール322、322が設けられている。このように構成された第1の滑動ブロック32は、被案内溝321、321が一対の案内レール31、31に嵌合することにより、一対の案内レール31、31に沿って矢印Xで示す加工送り方向X軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、第1の滑動ブロック32を一対の案内レール31、31に沿って矢印Xで示す加工送り方向X軸方向に移動させるための加工送り手段37を具備している。加工送り手段37は、上記一対の案内レール31と31の間に平行に配設された雄ネジロッド371と、該雄ネジロッド371を回転駆動するためのパルスモータ372等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド371は、その一端が上記静止基台2に固定された軸受ブロック373に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ372の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド371は、第1の滑動ブロック32の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ372によって雄ネジロッド371を正転および逆転駆動することにより、第1の滑動ブロック32は案内レール31、31に沿って矢印Xで示す加工送り方向X軸方向に移動せしめられる。上記第2の滑動ブロック33は、その下面に上記第1の滑動ブロック32の上面に設けられた一対の案内レール322、322と嵌合する一対の被案内溝331、331が設けられており、この被案内溝331、331を一対の案内レール322、322に嵌合することにより、矢印Yで示す割り出し送り方向Y軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、第2の滑動ブロック33を第1の滑動ブロック32に設けられた一対の案内レール322、322に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向Y軸方向に移動させるための第1の割り出し送り手段38を具備している。第1の割り出し送り手段38は、上記一対の案内レール322と322の間に平行に配設された雄ネジロッド381と、該雄ネジロッド381を回転駆動するためのパルスモータ382等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド381は、その一端が上記第1の滑動ブロック32の上面に固定された軸受ブロック383に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ382の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド381は、第2の滑動ブロック33の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ382によって雄ネジロッド381を正転および逆転駆動することにより、第2の滑動ブロック33は案内レール322、322に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向Y軸方向に移動せしめられる。上記第1のレーザー光線照射ユニット支持機構4aは、静止基台2上に矢印Yで示す割り出し送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール41、41と、該案内レール41、41上に矢印Yで示す割り出し送り方向Y軸方向に移動可能に配設された可動支持基台42を具備している。この可動支持基台42は、案内レール41、41上に移動可能に配設された移動支持部421と、該移動支持部421に取り付けられた装着部422とからなっている。装着部422は、一側面に矢印Zで示す集光点位置調整方向Z軸方向即ち上記チャックテーブル36の被加工物載置面361aに垂直方向に延びる一対の案内レール423、423が平行に設けられている。図示の実施形態における第1のレーザー光線照射ユニット支持機構4aは、可動支持基台42を一対の案内レール41、41に沿って割り出し送り方向である矢印Yで示す割り出し送り方向Y軸方向に移動させるための第2の割り出し送り手段43を具備している。第2の割り出し送り手段43は、上記一対の案内レール41、41の間に平行に配設された雄ネジロッド431と、該雄ネジロッド431を回転駆動するためのパルスモータ432等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド431は、その一端が上記静止基台2に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ432の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド431は、可動支持基台42を構成する移動支持部421の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ432によって雄ネジロッド431を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台42は案内レール41、41に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向Y軸方向に移動せしめられる。図示の実施形態における第1のレーザー光線照射ユニット5aは、ユニットホルダ51と、該ユニットホルダ51に取り付けられた第1のレーザー光線照射手段6aを具備している。ユニットホルダ51は、上記装着部422に設けられた一対の案内レール423、423に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝511、511が設けられており、この被案内溝511、511を上記案内レール423、423に嵌合することにより、矢印Zで示す方向に移動可能に支持される。図示の実施形態における第1のレーザー光線照射ユニット5aは、ユニットホルダ51を一対の案内レール423、423に沿って矢印Zで示す集光点位置調整方向Z軸方向に移動させるための集光点位置調整手段53を具備している。集光点位置調整手段53は、上記一対の案内レール423、423の間に配設された雄ネジロッド図示せずと、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ532等の駆動源を含んでおり、パルスモータ532によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ51および第1のレーザー光線照射ユニット5aを案内レール423、423に沿って矢印Zで示す方向Z軸方向に移動せしめる。第1のレーザー光線照射手段6aは、上記ユニットホルダ51に固定され実質上水平に延出する円筒形状のケーシング60aを含んでいる。また、第1のレーザー光線照射手段6aは、図4に示すようにケーシング60a内に配設されたパルスレーザー光線発振手段61aおよび出力調整手段62aと、上記ケーシング60aの先端に装着された第1の集光器63aを具備している。上記パルスレーザー光線発振手段61aは、YAGレーザー発振器或いはYVO4レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器611aと、これに付設された繰り返し周波数設定手段612aとから構成されている。このパルスレーザー光線発振手段61aのパルスレーザー光線発振器611aは、532nmの波長を有するパルスレーザー光線を発振する。出力調整手段62aは、パルスレーザー光線発振手段61aから発振されたパルスレーザー光線の出力を所定の値に調整する。上記第1のレーザー光線照射手段6aを構成するケーシング60aの前端部には、撮像手段7が配設されている。この撮像手段7は、可視光線によって撮像する通常の撮像素子CCDの外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子赤外線CCD等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。次に、上記第2のレーザー光線照射ユニット支持機構4bおよび第2のレーザー光線照射ユニット5bについて説明する。なお、第2のレーザー光線照射ユニット支持機構4bおよび第2のレーザー光線照射ユニット5bについては、上記第1のレーザー光線照射ユニット支持機構4aおよび第1のレーザー光線照射ユニット5aの構成部材と実質的に同一機能を有する各構成部材には同一符号を付して説明する。第2のレーザー光線照射ユニット支持機構4bは上記第1のレーザー光線照射ユニット支持機構4aと平行に配設され、第2のレーザー光線照射ユニット支持機構4bの可動支持基台42と上記第1のレーザー光線照射ユニット支持機構4aの可動支持基台42とが対向して配設されている。従って、上記第1のレーザー光線照射ユニット支持機構4aの可動支持基台42を構成する装着部422に配設された第1のレーザー光線照射ユニット5aと、第2のレーザー光線照射ユニット支持機構4bの可動支持基台42を構成する装着部422に配設された第2のレーザー光線照射ユニット5bとは、近接した位置に線対称に配置される。なお、第2のレーザー光線照射ユニット5bの第2のレーザー光線照射手段6bを構成するケーシング60bの前端部には、撮像手段は配設されていない。第2のレーザー光線照射手段6bは、上記ユニットホルダ51に固定され実質上水平に延出する円筒形状のケーシング60bを含んでいる。また、第2のレーザー光線照射手段6bは、図5に示すようにケーシング60b内に配設されたパルスレーザー光線発振手段61bおよび出力調整手段62bと、上記ケーシング60bの先端に装着された第2の集光器63bを具備している。上記パルスレーザー光線発振手段61bは、YVO4レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器611bと、これに付設された繰り返し周波数設定手段612bとから構成されている。このパルスレーザー光線発振手段61bのパルスレーザー光線発振器611bは、355nmの波長を有するパルスレーザー光線を発振する。出力調整手段62bは、パルスレーザー光線発振手段61bから発振されたパルスレーザー光線の出力を所定の値に調整する。なお、第2のレーザー光線照射手段6bの第2の集光器63bと上記第1のレーザー光線照射手段6aの第1の集光器63aは、加工送り方向X軸方向の所定の間隔を置いて配置されている。図示のレーザー加工装置1は以上のように構成されており、以下このレーザー加工装置1を用いて上記図2に示すように環状のフレームFに装着された保護テープTに貼着された半導体ウエーハ10に、ストリート101に沿って分割溝を形成する半導体ウエーハの加工方法について説明する。本発明による半導体ウエーハの加工方法を実施するには、先ず図3に示すレーザー加工装置1のチャックテーブル36上に環状のフレームFに保護テープTを介して支持された半導体ウエーハ10の保護テープTを載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ10は、保護テープTを介してチャックテーブル36上に吸引保持される。また、環状のフレームFは、クランプ362によって固定される。従って、チャックテーブル36上に保護テープTを介して吸引保持された半導体ウエーハ10は、デバイス102およびストリート101の表面に被覆されたパシベーション膜103が上側となる。上述したように半導体ウエーハ10を吸引保持したチャックテーブル36は、加工送り手段37によって撮像手段7の直下に位置付けられる。チャックテーブル36が撮像手段7の直下に位置付けられると、撮像手段7および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ10のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段7および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ10の所定方向に形成されているストリート101と、ストリート101に沿ってレーザー光線を照射する第1のレーザー光線照射手段6aの第1の集光器63aとの位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理が実行され、レーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。また、半導体ウエーハ10に形成されている所定方向と直交する方向に形成されているストリート101に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。なお、本発明による半導体ウエーハの加工方法を実施する際には、第1のレーザー光線照射手段6aの第1の集光器63aと第2のレーザー光線照射手段6bの集光器63bは、加工送り方向X軸方向の同一線上に位置付けられる。以上のようにしてチャックテーブル36上に保持されている半導体ウエーハ10に形成されたストリート101を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、第1のレーザー光線照射手段6aを作動してパシベーション膜103に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をパシベーション膜103側からストリート101に沿って照射し、パシベーション膜103にストリート101に沿って分断溝を形成する分断溝形成工程を実施する。即ち、図6ので示すようにチャックテーブル36を第1のレーザー光線照射手段6aの第1の集光器63aが位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート101の一端図6のaにおいて左端を第1のレーザー光線照射手段6aの第1の集光器63aの直下第1の集光器63aから照射されるレーザー光線の照射位置に位置付ける。そして、第1のレーザー光線照射手段6aおよび第2のレーザー光線照射手段6bの集光点位置調整手段53を作動して第1の集光器63aおよび第2の集光器63bから照射するパルスレーザー光線の集光点Pを半導体ウエーハ10の表面10a付近に位置付ける。次に、第1のレーザー光線照射手段6aを作動し、第1の集光器63aから上記パシベーション膜103に対して吸収性を有する波長の第1のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル36を図6のaにおいて矢印X1で示す加工送り方向に所定の加工送り速度で移動せしめるパシベーション膜分断溝形成工程。この結果、図6のに示すように半導体ウエーハ10のデバイス102およびストリート101の表面100aに被覆されたパシベーション膜103は、ストリート101に沿って分断され、分断溝104が形成される。上記パシベーション膜分断溝形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。光源:YAGパルスレーザー波長:532nmのパルスレーザー繰り返し周波数:50kHz平均出力:0.5W集光スポット径:φ10μm加工送り速度:100mm/秒上述したようにパシベーション膜分断溝形成工程が開始され、パシベーション膜103に分断溝104が形成されたストリート101の一端が図7ので示すように第2のレーザー光線照射手段6bの第2の集光器63bの直下に達したならば、第2のレーザー光線照射手段6bを作動し、第2の集光器63bから上記半導体基板100に対して吸収性を有する波長の第2のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル36を図7のにおいて矢印X1で示す加工送り方向に所定の加工送り速度で移動せしめる加工送りを継続する分割溝形成工程。この結果、パシベーション膜103にストリート101に沿って形成された分断溝104を通してパルスレーザー光線が半導体ウエーハ10の半導体基板100に照射され、図7のに示すように半導体ウエーハ10の半導体基板100には、パシベーション膜103にストリート101沿って形成された分断溝104に沿って分割溝110が形成される。上記分割溝形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。光源:YAGパルスレーザー波長:355nmのパルスレーザー繰り返し周波数:50kHz平均出力:3W集光スポット径:φ1μm加工送り速度:100mm/秒上述したパシベーション膜分断溝形成工程および分割溝形成工程を実施し、図8のaに示すようにストリート101の他端図8のaにおいて右端が第1のレーザー光線照射手段6aの第1の集光器63aの直下位置に達したら、第1のレーザー光線照射手段6aの作動を停止する。更にチャックテーブル36が矢印X1で示す加工送り方向に移動し、図8のbに示すようにストリート101の他端図8のaにおいて右端が第2のレーザー光線照射手段6bの第2の集光器63bの直下位置に達したら、第2のレーザー光線照射手段6bの作動を停止するとともにチャックテーブル36の移動を停止する。以上のようにパシベーション膜分断溝形成工程および分割溝形成工程を半導体ウエーハ10に所定方向に形成された全てのストリート101に沿って実施したならば、チャックテーブル36を90度回動して該チャックテーブル36に保持されている半導体ウエーハ10を90度回動する。そして、半導体ウエーハ10に上記所定方向と直交する方向に形成された全てのストリート101に沿って上述したパシベーション膜分断溝形成工程および分割溝形成工程を実施する。以上のようにして半導体ウエーハ10に形成された全てのストリート101に沿って上述したパシベーション膜分断溝形成工程および分割溝形成工程を実施したならば、半導体ウエーハ10は次工程である分割工程に搬送される。以上のように、本発明による半導体ウエーハの加工方法においては、デバイス102およびストリート101の表面100aに被覆されたパシベーション膜103に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をパシベーション膜103側からストリート101に沿って照射し、パシベーション膜103にストリート101に沿って分断溝を形成するパシベーション膜分断溝形成工程と、パシベーション膜分断溝形成工程が実施された半導体ウエーハ10に、半導体基板100に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をパシベーション膜103に形成された分断溝104に沿って照射し、半導体基板100にストリート101に沿って分割溝110を形成する分割溝形成工程とを含んでいるので、分割溝形成工程において半導体基板100に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射する際に、パシベーション膜103によってレーザー光線のエネルギーが拡散および反射することがない。従って、パシベーション膜によってレーザー光線のエネルギーが拡散および反射することにより、アブレーション加工の遂行を妨げるという問題を解消することができる。また、分割溝形成工程において半導体基板100に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射する際には、パシベーション膜103が破断されているので、パシベーション膜を透過したレーザー光線が半導体基板にアブレーション加工を施し内部からパシベーション膜を破壊するという問題も解消される。