"第1の方向に延在し、前記第1の方向に関して前記第1の方向と直交する第2の方向に平行な寸法が漸次大きくなる第1の領域と、前記第1の方向に関して前記第2の方向に平行な寸法が漸次小さくなる第2の領域とを有する第1の電極と、前記第1の方向に延在し、前記第1の領域と前記第2の方向に対向する、前記第1の方向に関して前記第2の方向に平行な寸法が漸次小さくなる第2の電極と、前記第1の方向に延在し、前記第2の領域と前記第2の方向に対向する、前記第1の方向に関して前記第2の方向に平行な寸法が漸次大きくなる第3の電極とをそれぞれ有し、前記第1の電極と前記第2の電極と前記第3の電極との組が前記第2の方向に配列されてなり、検出対象と距離に応じた容量値を出力するように構成された複数の電極列と、前記複数の電極列各々の前記第1の電極の容量値の総和である第1の値と、前記複数の電極列各々の前記第2の電極の容量値の総和である第2の値と、前記複数の電極列各々の前記第3の電極の容量値の総和である第3の値と、前記第1の値と前記第2の値と前記第3の値との和である第4の値とをそれぞれ算出し、前記第2の値が前記第3の値よりも大きいときは、前記第1の値と前記第2の値との差と前記第4の値との比である第1の容量比に基づいて前記第1の位置座標を検出し、前記第2の値が前記第3の値よりも小さいときは、前記第3の値と前記第1の値との差と前記第4の値との比である第2の容量比に基づいて前記第1の位置座標を検出する処理ユニットとを具備する座標検出装置。請求項1に記載の座標検出装置であって、前記処理ユニットは、前記第2の値と前記第3の値との差が第1の閾値を超えるときは、前記第1の容量比に基づいて前記第1の位置座標を検出し、前記第2の値と前記第3の値との差が前記第1の閾値よりも小さい第2の閾値未満のときは、前記第2の容量比に基づいて前記第1の位置座標を検出し、前記第2の値と前記第3の値との差が前記第2の閾値以上前記第1の閾値以下のときは、前記第1の位置座標を前記第1の電極の中央部と判定する座標検出装置。請求項1に記載の座標検出装置であって、前記処理ユニットは、前記複数の電極列の各列における前記第1の電極の容量値と前記第2の電極の容量値と前記第3の電極の容量値との和である第5の値をそれぞれ算出し、前記複数の電極列の各列における前記第5の値に基づいて、前記第2の方向に沿った検出対象の第2の位置座標をさらに検出する座標検出装置。請求項1に記載の座標検出装置であって、前記処理ユニットは、前記第1の方向に関する前記第1の電極の中央部における前記第1の容量比と前記第2の容量比とが同一となるように、前記第1の容量比及び前記第2の容量比の少なくとも一方にオフセット係数を加算する座標検出装置。請求項1に記載の座標検出装置であって、前記処理ユニットは、前記複数の電極列と前記検出対象との対向面積に基づく前記第1の容量比及び前記第2の容量比の変動を抑制するための補正係数を、前記第4の値に乗算する座標検出装置。第1の方向に延在し、前記第1の方向に関して前記第1の方向と直交する第2の方向に平行な寸法が漸次大きくなる第1の電極と、前記第1の方向に延在し、前記第1の電極と前記第2の方向に対向する、前記第1の方向に関して前記第2の方向に平行な寸法が漸次小さくなる第2の電極とをそれぞれ有し、前記第1の電極と前記第2の電極との組が前記第2の方向に配列されてなり、検出対象の近接に応じて静電容量が変化するように構成された複数の電極列と、前記複数の電極列各々の前記第1の電極の容量値の総和である第1の値と、前記複数の電極列各々の前記第2の電極の容量値の総和である第2の値と、前記第1の値と前記第2の値の和である第3の値とをそれぞれ算出し、前記第1の値と前記第2の値との差と前記第3の値との比に基づいて、前記第1の方向に沿った前記検出対象の第1の位置座標を検出する処理ユニットとを具備する座標検出装置。請求項6に記載の座標検出装置であって、前記処理ユニットは、前記複数の電極列の各列における前記第1の電極の容量値と前記第2の電極の容量値との和である第4の値をそれぞれ算出し、前記複数の電極列の各列における前記第4の値に基づいて、前記第2の方向に沿った検出対象の第2の位置座標をさらに検出する座標検出装置。第1の方向に延在し、前記第1の方向に関して前記第1の方向と直交する第2の方向に平行な寸法が漸次大きくなる第1の領域と、前記第1の方向に関して前記第2の方向に平行な寸法が漸次小さくなる第2の領域とを有する第1の電極と、前記第1の方向に延在し、前記第1の領域と前記第2の方向に対向する、前記第1の方向に関して前記第2の方向に平行な寸法が漸次小さくなる第2の電極と、前記第1の方向に延在し、前記第2の領域と前記第2の方向に対向する、前記第1の方向に関して前記第2の方向に平行な寸法が漸次大きくなる第3の電極とをそれぞれ有し、前記第1の電極と前記第2の電極と前記第3の電極との組が前記第2の方向に配列されてなり、検出対象の近接に応じて静電容量が変化するように構成された複数の電極列と、前記複数の電極列に対向する表示面を有する表示素子と、前記複数の電極列各々の前記第1の電極の容量値の総和である第1の値と、前記複数の電極列各々の前記第2の電極の容量値の総和である第2の値と、前記複数の電極列各々の前記第3の電極の容量値の総和である第3の値と、前記第1の値と前記第2の値と前記第3の値との和である第4の値とをそれぞれ算出し、前記第2の値が前記第3の値よりも大きいときは、前記第1の値と前記第2の値との差と前記第4の値との比である第1の容量比に基づいて前記第1の位置座標を検出し、前記第2の値が前記第3の値よりも小さいときは、前記第3の値と前記第1の値との差と前記第4の値との比である第2の容量比に基づいて前記第1の位置座標を検出する処理ユニットとを具備する表示装置。しかしながら、上記特許文献1に記載のように一方の検出電極の容量変化量と他方の検出電極の容量変化量との比に基づいて入力位置座標を検出する方法では、上記第1方向に沿った指の位置に対する座標検出値の直線性が悪く、正確な座標検出が困難である。以上のような事情に鑑み、本技術の目的は、座標検出の性能を改善することができる座標検出装置及び表示装置を提供することにある。上記目的を達成するため、本技術の一形態に係る座標検出装置は、複数の電極列と、処理ユニットとを具備する。上記複数の電極列は、第1の電極と、第2の電極と、第3の電極とをそれぞれ有する。上記第1の電極は、第1の方向に延在し、上記第1の方向に関して上記第1の方向と直交する第2の方向に平行な寸法が漸次大きくなる第1の領域と、上記第1の方向に関して上記第2の方向に平行な寸法が漸次小さくなる第2の領域とを有する。上記第2の電極は、上記第1の方向に延在し、上記第1の領域と前記第2の方向に対向し、上記第1の方向に関して上記第2の方向に平行な寸法が漸次小さくなる。上記第3の電極は、上記第1の方向に延在し、上記第2の領域と上記第2の方向に対向し、上記第1の方向に関して上記第2の方向に平行な寸法が漸次大きくなる。上記複数の電極列は、上記第1の電極と上記第2の電極と上記第3の電極との組が上記第2の方向に配列されてなり、検出対象の近接に応じて静電容量が変化するように構成される。上記処理ユニットは、上記複数の電極列各々の上記第1の電極の容量値の総和である第1の値と、上記複数の電極列各々の上記第2の電極の容量値の総和である第2の値と、上記複数の電極列各々の上記第3の電極の容量値の総和である第3の値と、上記第1の値と上記第2の値と上記第3の値との和である第4の値とをそれぞれ算出する。上記処理ユニットは、上記第2の値が上記第3の値よりも大きいときは、上記第1の値と上記第2の値との差と上記第4の値との比である第1の容量比に基づいて上記第1の位置座標を検出する。上記処理ユニットは、上記第2の値が上記第3の値よりも小さいときは、上記第3の値と上記第1の値との差と上記第4の値との比である第2の容量比に基づいて上記第1の位置座標を検出する。上記座標検出装置においては、上記第2の値が上記第3の値よりも大きいときは上記第1の容量比に基づいて、また、上記第2の値が上記第3の値よりも小さいときは、上記第2の容量比に基づいて、それぞれ上記第1の位置座標を検出するようにしている。これにより第1の方向に沿った座標検出値の直線性が良好に得られるため、第1の位置座標の検出精度を改善することができる。本技術の他の形態に係る座標検出装置は、複数の電極列と、処理ユニットとを具備する。上記複数の電極列は、第1の電極と、第2の電極とをそれぞれ有する。上記第1の電極は、第1の方向に延在し、上記第1の方向に関して上記第1の方向と直交する第2の方向に平行な寸法が漸次大きくなる。上記第2の電極は、上記第1の方向に延在し、上記第1の電極と上記第2の方向に対向し、上記第1の方向に関して上記第2の方向に平行な寸法が漸次小さくなる。上記複数の電極列は、上記第1の電極と上記第2の電極との組が上記第2の方向に配列されてなり、検出対象の近接に応じて静電容量が変化するように構成される。上記処理ユニットは、上記複数の電極列各々の上記第1の電極の容量値の総和である第1の値と、上記複数の電極列各々の上記第2の電極の容量値の総和である第2の値と、上記第1の値と上記第2の値の和である第3の値とをそれぞれ算出する。上記処理ユニットは、上記第1の値と上記第2の値との差と上記第3の値との比に基づいて、上記第1の方向に沿った上記検出対象の第1の位置座標を検出する。上記座標検出装置においては、上記第1の値と上記第2の値との差と上記第3の値との比に基づいて、上記第1の方向に沿った上記検出対象の第1の位置座標を検出するようにしている。これにより第1の方向に沿った座標検出値の直線性が良好に得られるため、第1の位置座標の検出精度を改善することができる。本技術の一形態に係る表示装置は、複数の電極列と、表示素子と、処理ユニットとを具備する。上記複数の電極列は、第1の電極と、第2の電極と、第3の電極とをそれぞれ有する。上記第1の電極は、第1の方向に延在し、上記第1の方向に関して上記第1の方向と直交する第2の方向に平行な寸法が漸次大きくなる第1の領域と、上記第1の方向に関して上記第2の方向に平行な寸法が漸次小さくなる第2の領域とを有する。上記第2の電極は、上記第1の方向に延在し、上記第1の領域と前記第2の方向に対向し、上記第1の方向に関して上記第2の方向に平行な寸法が漸次小さくなる。上記第3の電極は、上記第1の方向に延在し、上記第2の領域と上記第2の方向に対向し、上記第1の方向に関して上記第2の方向に平行な寸法が漸次大きくなる。上記複数の電極列は、上記第1の電極と上記第2の電極と上記第3の電極との組が上記第2の方向に配列されてなり、検出対象の近接に応じて静電容量が変化するように構成される。上記表示素子は、上記複数の電極列に対向する表示面を有する。上記処理ユニットは、上記複数の電極列各々の上記第1の電極の容量値の総和である第1の値と、上記複数の電極列各々の上記第2の電極の容量値の総和である第2の値と、上記複数の電極列各々の上記第3の電極の容量値の総和である第3の値と、上記第1の値と上記第2の値と上記第3の値との和である第4の値とをそれぞれ算出する。上記処理ユニットは、上記第2の値が上記第3の値よりも大きいときは、上記第1の値と上記第2の値との差と上記第4の値との比である第1の容量比に基づいて上記第1の位置座標を検出する。上記処理ユニットは、上記第2の値が上記第3の値よりも小さいときは、上記第3の値と上記第1の値との差と上記第4の値との比である第2の容量比に基づいて上記第1の位置座標を検出する。本技術によれば、検出対象の大きさによる影響を低減し、位置座標の検出精度を改善することができる。以下、図面を参照しながら、本技術の実施形態を説明する。<第1の実施形態>図1は、本技術の一実施形態に係る座標検出装置の概略構成を示す分解斜視図である。本実施形態の座標検出装置100は、例えば携帯情報端末、デジタルカメラ、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、カーナビゲーションシステムのような各種電子機器の画面表示部に組み込まれ、ユーザインターフェースとしての表示装置を構成する。[座標検出装置]座標検出装置100は、静電容量センサ1と、表示素子17と、駆動部18と、制御部19とを有する。なお、静電容量センサ1、表示素子17等を収容する筐体の図示は省略されている。図2は、静電容量センサ1の構成を概略的に示す平面図である。静電容量センサ1は、検出エリアAを有する。静電容量センサ1は、表示素子17の操作面17a上に設置され、検出エリアAにおける検出対象例えばユーザの指の近接あるいは接触を静電容量の変化に基づいて検出するセンサパネルとして構成される。ここで、図1及び図2においてX軸は操作画面17aの横方向に平行な軸、Y軸は操作画面17aの縦方向に平行な軸、そしてZ軸は操作画面17aに垂直な軸をそれぞれ示す。静電容量センサ1は、図2に示すように、複数の電極列101、102、103、104、、10Nと、これら電極列を支持する支持体14とを有する。各電極列は、支持体14の表面に、Y軸方向に沿って一定のピッチで配列されている。図2では、各電極列をY方向第2の方向に沿って順に電極列101、102、103、104、、10Nと符示しているが、各電極列はそれぞれ同一の構成を有するため、本明細書においては、個別に説明する場合を除き、各電極列を電極列10と総称する。図2に示すように、電極列10は、第1の電極11と、第2の電極12と、第3の電極13との組で構成される。本実施形態において電極列10は、長さS及び幅Wの長方形を、X軸方向に各々延在する第1の電極11、第2の電極12及び第3の電極13に3分割した構造を有する。ここで、長さSはX軸方向に沿った電極列10の長さ寸法を示し、幅WはY軸方向に沿った電極列10の幅寸法を示す。図3は、一組の電極列10を示す拡大平面図である。第1の電極11は、X軸方向に平行な底辺11aを有し、その長さSは、検出エリアAの横寸法とほぼ同等とされている。すなわち、第1の電極11は、X軸方向に沿った検出エリアAの横寸法をカバーする長さ寸法を有している。第1の電極11は、X方向に平行な長さ方向に関して、Y方向に平行な幅寸法が漸次大きくなる第1の領域111と、X方向に関して上記幅寸法が漸次小さくなる第2の領域112とを有する。本実施形態において、第1の電極11は、その長さ方向の中央部に幅寸法の最大値を形成する2つの斜辺11b、11cを有する略二等辺三角形で形成されている。第2の電極12は、第1の領域111とY軸方向に対向し、X方向に関して、Y方向に平行な幅寸法が漸次小さくなるように形成されている。本実施形態において、第2の電極12は、第1の電極11の底辺11aと平行であり底辺11aの略半分の長さの底辺12aと、第1の電極11の斜辺11bと対向する斜辺12bと、これらに隣接する隣辺12cとを有する略直角三角形で形成されている。第1の電極11の斜辺11bと第2の電極12の斜辺12bとは、X軸に関してそれぞれ同一の傾斜角を有しており、これら2つの斜辺11b、12bとの間には、一定の大きさの間隙が設けられている。上記間隙の大きさは特に限定されず、第1の領域111と第2の電極12との間の電気的絶縁を確保できる大きさがあればよい。第3の電極13は、第2の領域112とY軸方向に対向し、X方向に関して、Y方向に平行な幅寸法が漸次大きくなるように形成されている。本実施形態において、第3の電極13は、第1の電極11の底辺11aと平行であり底辺11aの略半分の長さの底辺13aと、第1の電極11の斜辺11cと対向する斜辺13bと、これらに隣接する隣辺13cとを有する略直角三角形で形成されている。第1の電極11の斜辺11cと第2の電極12の斜辺13bとは、X軸に関してそれぞれ同一の傾斜角を有しており、これら2つの斜辺11c、13bとの間には、一定の大きさの間隙が設けられている。上記間隙の大きさは特に限定されず、第2の領域112と第3の電極13との間の電気的絶縁を確保できる大きさがあればよい。第2の電極12と第3の電極13とは、間隙を介してX軸方向に相互に対向しており、第1の電極11の中央部を通るY軸方向に平行な直線に関して対称な形状を有している。支持体14は、表示素子17の画像表示面操作画面17aに対向して配置される。支持基材14は、上述のように構成される複数の電極列10を支持し、各電極列10がY軸方向に所定ピッチで配列された状態を維持する。支持体14は、PETポリエチレンテレフタレート、PENポリエチレンナフタレート、PIポリイミド、PCポリカーボネート等のフレキシブルな電気絶縁性のプラスチックフィルムで形成される。これ以外にも、ガラス、セラミックス等のリジッドな材料が用いられてもよい。また、支持体14は、プラスチックフィルムとガラス基板等との積層体で構成されてもよい。この場合、例えばプラスチックフィルムの一方の表面に各電極列10が形成され、当該プラスチックフィルムの他方の面に接着層を介してガラス基板が積層される。電極列10第1~第3の電極11~13及び支持体14は、それぞれ透光性を有する材料で形成される。例えば、電極列10は、ITOインジウム錫酸化物、SnO、ZnO等の透明導電酸化物で形成され、支持体14は、PETやPEN等の透明樹脂フィルムで形成される。これにより、静電容量センサ1を介して操作画面17aの表示画像が外部から視認可能とされる。電極列10の形成方法は、特に限定されない。例えば、蒸着法、スパッタ法、CVD法等の薄膜形成手法を用いることで、電極列10を形成する導電膜が支持体14上に形成される。この場合、基板上に導電膜を形成した後、導電膜を所定形状にパターニングしてもよいし、レジストマスクが形成された基板の表面に導電膜を形成した後、レジストマスクとともに余分な導電膜を基板から除去リフトオフしてもよい。これ以外にも、めっき法、スクリーン印刷等の印刷法を用いて基板上に電極パターンを形成してもよい。電極列10はさらに、第1~第3の電極11~13を駆動部18に接続するための信号線配線を有する。本実施形態では、図3に示すように、第1の電極11の長さ方向の一端部に信号線11sが接続され、第2の電極12および第3の電極13の検出エリアAの外側に臨む一辺12c、13cに信号線12s、13sがそれぞれ接続されている。信号線11s~13sは、支持体14上において検出エリアAの外側の領域でそれ引き回され、図示しないコネクタ等の外部接続端子を介して駆動部18へ接続される。また、信号線11s~13sは、各列の電極列10ごとにそれぞれ独立して形成されており、駆動部18へ共通に接続されている。信号線11s~13sは、電極列10の構成材料によって形成されてもよい。この場合、電極列10の形成と同時に信号線11s~13sを形成することができる。一方、信号線11s~13sは、非透光性の導電材料、例えばAlアルミニウム、Ag銀、Cu銅などの金属配線で形成されてもよい。この場合、比抵抗の低い材料で配線層を構成できるため、電極列10の静電容量変化を高感度で検出することが可能となる。更にこの場合、信号線11s~13sが検出エリアAの外側に位置しているため、検出エリアAの外側が操作画面17aの有効画素領域外にある場合には、画像の視認性が信号線11s~13sによって阻害されることはない。電極列10の長さSは、検出エリアAの横寸法に合わせて設定される。電極列10の長さSは、検出エリアAの横寸法と同等であってもよいし、それよりも大きくても小さくてもよい。要は、一つの電極列10によって、検出エリアAの全幅をカバーできる大きさに形成され、X軸方向に関して二つ以上の電極列10が並列しないように構成されている。一方、電極列10の幅Wは、検出エリアAの縦寸法、検出対象の大きさ、Y軸方向の検出分解能などに応じて適宜設定される。本実施形態では、検出対象にユーザの指が想定されており、上記操作面に接触する指の大きさを考慮して例えば5mm~10mmに設定されている。同様に、Y軸方向に沿った電極列10の配列数も特に限定されず、検出エリアAの縦寸法、検出対象の大きさ、Y軸方向の検出分解能などに応じて適宜設定される。また、図3に示すように、第1の電極11の幅寸法と第2及び第3の電極12、13の幅寸法との総和は、X方向に関して一定である。これにより、電極列全体の高さ寸法を一定とすることができるため、X軸方向に関する検出対象の位置に応じた検出感度のバラツキの発生を抑えることができる。さらに、図1に示すように、静電容量センサ1は、各電極列10の表面を被覆する保護層15を有する。保護層15は、透光性を有するPETやPEN等の樹脂フィルムのほか、プラスチックプレート、ガラス板などで構成される。そして、保護層15の最表面が、ユーザによってタッチ操作される操作面を構成する。[駆動部]各電極列10を駆動する駆動部18は、各電極11~13へ供給される信号電圧を発生する信号発生回路と、電極11~13の静電容量及びその変化を算出する演算回路とを含む。信号電圧は、電極11~13を発振できる信号であれば特に限定されず、例えば、所定周波数のパルス信号、高周波信号、交流信号、さらには直流信号などを用いることができる。演算回路は、発振電極の静電容量あるいはその変化量を検出できる回路であれば特に限定されない。本実施形態の演算回路は、容量値を整数値カウント値に変換し、制御部19へ出力する。上記容量値は、電極の静電容量であってもよいし静電容量の変化量であってもよい。本実施形態では、いわゆるセルフキャパシタンス方式で各電極11~13の静電容量及びその変化量が検出される。セルフキャパシタンス方式は、単電極方式とも呼ばれ、センシングに用いる電極は1つである。センシング用の電極は、接地電位に対して浮遊容量をもっており、人体手指などの接地された検出対象物が近づくと、当該電極の浮遊容量は増加する。上記演算回路は、この容量増加を検出することで、手指の近接や位置座標を算出する。電極11~13の発振順序すなわち走査方式は特に限定されず、幅方向X方向に順次発振してもよいし、その逆方向-X方向に順次発振してもよい。また、各電極列の間においては、各列同時に発振する方式が採用されてもよいし、各列を順次例えばY方向に発振する方式が採用されてもよい。さらに、各電極列10の電極11~13すべてを常に発振する方式に限られず、所定の電極を間引いて発振することも可能である。例えば、検出対象ユーザの指などの近接を検出するまでは各列のまたは所定の間隔をおいて第1の電極11のみを発振させ、検出対象が近接するに従って発振電極数を増加させてもよい。また、操作画面17aの表示形態によって、発振電極を選択することも可能である。例えば、指による入力操作が必要な画像が画面の左側に偏在している場合には、各列の第2の電極12のみ走査してもよいし、上記画像が画面の右側に偏在している場合には、各列の第3の電極13のみ走査してもよい。これにより、全ての電極を走査する場合と比較して、駆動に要する電極の削減を図ることができる。[制御部]制御部19は、駆動部18の出力に基づいて、表示素子17の操作画面17aに表示される画像を制御するための制御信号を生成し、表示素子17へ出力する。制御部19は、典型的にはコンピュータで構成され、検出エリアAにおける指の操作位置、操作方向等を特定し、これらに応じた所定の画像制御を行う。例えば、操作位置に対応して画面上の画像を変更したり、操作方向に沿って画像を移動させたり等、ユーザの意図に即した画面の制御が実行される。制御部19は、さらに、座標検出装置100の他の機能を制御するための他の制御信号を生成してもよい。例えば、操作画面17a上の操作位置に応じて、通話機能、回線切替機能、辞書機能、文字情報等の入力機能、ゲーム機能等の各種機能の実行が挙げられる。制御部19は、駆動部18と別回路で構成される例に限られず、駆動部18と一体化された回路で構成されてもよい。例えば、制御部19および駆動部18は、単一の半導体チップICチップで構成可能である。駆動部18及び制御部19は、座標検出装置100の処理ユニットを構成する。[座標検出装置の動作例]次に、座標検出装置100の動作例について説明する。ここでは、静電容量センサ1を用いた指の入力操作位置XY座標の検出方法について説明する。なお、上述のように入力操作位置は、制御部19によって判定される。図4は、静電容量センサ1を用いた座標の検出方法の一例を説明する模式図である。静電容量センサ1は駆動部18によって駆動され、ユーザの指F検出対象の位置及び移動に応じた静電容量の変化を駆動部18へ出力する。駆動部18は、静電容量センサ1の各電極11~13から出力される容量値をカウント値に変換し、それを制御部18へ出力する。制御部19は、各電極11~13のカウント値に基づいて、後述するような演算方法で指FのX座標及びY座標をそれぞれ検出する。以下、各電極列について、中央に位置する第1の電極11を電極C1、C2、C3、C4、左側に位置する第2の電極12を電極L1、L2、L3、L4、右側に位置する第3の電極13を電極R1、R2、R3、R4とそれぞれ符示する。静電容量センサ1は4列の電極列Y1、Y2、Y3、Y4を有し、指Fの中心は、電極L3と電極C3との間に位置するものとする。その結果、駆動部18によって算出される各電極のカウント値の一例を図4に示す。Y座標の検出静電容量センサ1は、電極列10の各々が1つの検出グループを構成する。そこで、Y軸方向の操作位置は、電極列10を構成する電極L,C,Rの容量値の総和に基づいて検出対象の近接あるいは接触が検出される。制御部19は、複数の電極列の各列における電極L,C,Rの静電容量変化の総和をそれぞれ算出し、それらの値に基づいて指FのY座標を検出する。図5は、Y座標の検出方法を説明するフローチャートである。制御部19はまず、各電極列のカウント値を合算するST11。次に制御部19は、電極列Y1、Y2、Y3、Y4の中心位置Y1c、Y2c、Y3c、Y4cとカウント合算値ΣY1、ΣY2、ΣY3、ΣY4とに基づいて、以下の計算式によってY位置の重心を計算し、指FのY座標を検出するST12,ST13。Y位置=ΣY1ΣY2ΣY3ΣY4/ここで、電極列の中心位置は、各電極列の中心部のY座標に相当し、ここではY1c=2、Y2c=6、Y3c=10、Y4c=14とする。これらの値を1式に代入すると、Y位置は/=542と検出される。X座標の検出次に、図6に示すように任意の電極列10の直上で指FをX方向に沿って一定速度で移動させたときの、各電極L,C,Dの静電容量の変化を説明する。図7Aは電極Lの静電容量カウント値CLの時間変化、図7Bは電極Cの静電容量カウント値CCの時間変化、図7Cは電極Rの静電容量カウント値CRの時間変化をそれぞれ示している。図6に一点鎖線で示す位置から電極列10の長さ方向X軸方向中央部に向かって指Fが移動する場合を考える。電極Cは、X方向に関して幅寸法が漸次大きくなる第1の領域111を有し、電極Lは、X方向に関して幅寸法が漸次小さくなるように形成されている。したがって、X方向への指Fの移動に応じて、指Fと電極C第1の領域111との重なり領域は次第に大きくなるが、指Fと電極Lとの重なり領域は次第に小さくなる。静電容量の値は指Fとの重なり領域の大きさにほぼ比例するため、図7Bに示すように電極Cの静電容量は次第に大きくなり、長さ方向中央位置Xcで最大値に達する。反対に、図7Aに示すように電極Lの静電容量は次第に小さくなり、長さ方向中央位置Xcで最小値をとる。その間、電極Rは、指Fと重なり合わないため、その静電容量の変化はゼロである。同様に、電極列10の長さ方向中央部から図6に実線で示す位置まで指Fが移動する場合を考える。電極Cは、X方向に関して幅寸法が漸次小さくなる第2の領域112を有し、電極Rは、X方向に関して幅寸法が漸次大きくなるように形成されている。したがって、X方向への指Fの移動に応じて、指Fと電極C第2の領域112との重なり領域は次第に小さくなるが、指Fと電極Rとの重なり領域は次第に大きくなる。その結果、図7Bに示すように電極Cの静電容量は次第に小さくなり、反対に、図7Cに示すように電極Rの静電容量は次第に大きくなる。その間、電極Lは、指Fと重なり合わないため、その静電容量の変化はゼロである。本実施形態において、電極列10はその長さ方向に関して幅寸法が一定であるため、指Fの操作位置に関係なく、X軸方向に関して指Fの検出感度を一定にすることができる。また、電極Cが二等辺三角形状で形成されており、電極L,Rがそれぞれ対称な形状を有しているため、第1の領域111側と第2の領域112側とにおける検出感度のバラツキをなくすことができる。これにより、X軸方向における指Fの操作位置を高精度に検出することが可能となる。また、本実施形態において、電極Cと電極Lとの境界部、および、電極Cと電極Rとの境界部は、それぞれ直線的な斜辺11b、11c、12b、13bで形成されている。これにより、X軸方向に沿った検出対象の位置と各々の電極間における容量比との間に所定の比例関係をもたせて、安定した検出感度を確保することができる。次に、制御部19によるX座標の算出方法について説明する。本実施形態において、制御部19は、各電極列10の電極CC1、C2、C3、C4の容量値の総和ΣCと、各電極列10の電極LL1、L2、L3、L4の容量値の総和ΣLと、各電極列10の電極RR1、R2、R3、R4の容量値の総和ΣRと、これら各電極の容量値の総和ΣLCR=ΣLΣCΣRとをそれぞれ算出する。制御部19は、ΣLがΣRよりも大きいときは、ΣCとΣLとの差とΣLCRとの比である第1の容量比P1に基づいて指FのX座標を検出する。一方、制御部19は、ΣLがΣRよりも小さいときは、ΣRとΣCとの差とΣLCRとの比である第2の容量比P2に基づいて指FのX座標を検出する。図8A~Cは、指Fの操作位置によるΣLとΣRとの大小関係を示す静電容量センサの模式図である。上述のように指Fの検出に際しては、複数の電極列10において個々の電極L,C,Rの容量値の総和と、全ての電極L,C,Rの容量値の総和が参照される。セルフキャパシタンス方式の静電容量センサにおいては、指Fが操作領域の左方に位置しているときはΣL>ΣRとなり図8A、指Fが操作領域の右方に位置しているときはΣL<ΣRとなる図8C。一方、指Fが操作領域の中央に位置しているときは、ΣL≒ΣRとなる図8B。図9は、X座標の検出方法を説明するフローチャートである。制御部19はまず、各列の電極L,C,Rについて容量値の総和ΣL,ΣC,ΣRをそれぞれ算出するST21。次に制御部19は、ΣLとΣRの大きさを比較するST22。そして制御部19は、ΣL>ΣRの場合には以下の2式によって第1の容量比P1を算出し指FのX座標を検出するST23,ST26。一方、制御部19は、ΣL<ΣRの場合には以下の3式によって第2の容量比P2を算出し指FのX座標を検出するST24,26。さらに制御部19は、ΣL=ΣRの場合には、電極Cの長さ方向X軸方向の中央部に指Fがあると判定し、それをX座標とするST25,ST26。P1=ΣC-ΣL/ΣLCRP2=ΣR-ΣC/ΣLCR本実施形態においては、ΣLとΣRとの大小関係に応じて使い分けられる第1の容量比P1及び第2の容量比P2に基づいてX座標を検出するようにしているので、X軸方向に沿った座標検出値の直線性が良好に得られ、X座標の検出精度を改善することができる。図10A,Bに、算出方法の異なる2つの座標検出方法によって算出されたX座標の検出値の一例をそれぞれ示す。図10Aは本実施形態のように所定の2つの電極の容量値の差分に基づいて算出されたX座標値を示し、図10Bは所定の2つの電極の容量値の比率に基づいて算出されたX座標値を示している。図10A,Bの結果から明らかなように、本実施形態の方がX軸方向に沿ってカウント値の良好な直線性が得られる。本実施形態においては、ΣL-ΣRの算出に際して所定の閾値が設定されてもよい。すなわち制御部19は、ΣLとΣRとの差が第1の閾値A1を超えるときΣL-ΣR>A1は、第1の容量比P1に基づいてX座標を検出し、ΣLとΣRとの差が第1の閾値よりも小さい第2の閾値A2未満のときΣL-ΣR<A2は、第2の容量比P2に基づいてX座標を検出してもよい。この場合、ΣLとΣRとの差が第2の閾値A2以上第1の閾値A1以下のときA2≦ΣL-ΣR≦A1は、X座標は電極Cの長さ方向の中央部と判定される。これによりカウント値の検出誤差による座標値のバラツキを抑制し、検出精度を改善することができる。閾値A1,A2の大きさは特に限定されず、電極の形状、大きさ、カウント値の検出分解能等に応じて適宜設定可能である。また、閾値A1,A2の大小関係も特に限定されず、例えばA2=-A1と設定することができる。また本実施形態では、図11Aに示すように、第1の容量比P1と第2の容量比とは電極Cの長さ方向中央位置Xcにおいてカウント値の推移が不連続となる。そこで制御部19は、X軸方向に関する電極Cの中央位置Xcにおける第1の容量比P1と第2の容量比P2とが同一となるように、第1の容量比P1及び第2の容量比P2の少なくとも一方にオフセット係数を加算する。これにより、電極列10の長さ方向に関してX座標の連続性が得られる。上記オフセット係数は、図11Aに示すXc位置における第1の容量比P1と第2の容量比P2とのカウント値の差分Bを相殺できる大きさであればよく、Bの値を第1の容量比の計算式に加算してもよいし、図10Bに示すように第2の容量比P2に加算してもよい。あるいは、B=b1b2としたときに、第1の容量比P1に第1の係数b1を加算し、第2の容量比P2に係数b2を加算してもよい。さらに容量値のカウント値は、電極列10と指Fとの対向面積による影響を受ける。図12A~Cは、指Fの大きさと電極間の容量差ΣC-ΣL、ΣR-ΣCとの関係の一例を示す。ここでは、直径8mm、10mm及び12mmの金属棒の先端を電極列10の長手方向に沿って移動させたときの容量変化から電極間の容量差を算出した。図12に示すように、電極列10と金属棒との対向面積が大きいほど、電極間の容量差の変化率直線の傾きは大きくなることがわかる。本実施形態では、容量比P1,P2の算出に際して、電極間の容量差を全ての電極の全カウント値ΣLCRで除しているため、電極間の容量差のみの場合と比較して、検出対象との対向面積の相違による容量差の変化率の変動は小さい。すなわち電極間の容量差をΣLCRで除することによって検出対象の大きさの規格化を図ることができ、これにより検出対象の大きさによる影響が低減され、精度の高い座標検出が可能となる。さらに制御部19は、複数の電極列10と指Fとの対向面積に基づく第1及び第2の容量比P1,P2の変化率変動を抑制するための補正係数をΣLCRに乗算することで、X座標の検出値を補正するように構成されてもよい。これにより、異なる大きさの検出対象に対して容量変化率の一定化を図ることが可能となる。その演算式の一例を以下に示す。P1=ΣC-ΣL/ΣLCRd1b1P2=ΣR-ΣC/ΣLCRd2b2ここで、補正係数d1,d2は、それぞれ同一の値であってもよいし異なる値であってもよい。補正係数d1,d2は、1を超える値であってもよいし、1未満の数値であってもよい。補正係数d1,d2は、大きさの異なる複数の検出対象を用いた容量比P1,P2の変化率を基に決定することができる。なおb1,b2は、上述したオフセット係数である。また、第1の容量比P1の算出に際しては、ΣRは実質的には不要となることが多い。このため、第1の容量比P1の算出に際してΣRの補正項が加えられてもよい。同様に、第2の容量比P2の算出に際してΣLの補正項が加えられてもよい。それらの計算式の一例を以下に示す。P1=ΣC-ΣL-ΣR/ΣLCRd1b1P2=ΣLΣR-ΣC/ΣLCRd2b2[実験例]本発明者らは、図13に示す電極構造の静電容量センサを用いて、上記6,7式におけるオフセット係数b1,b2及び補正係数d1,d2をそれぞれ定めた。図示する静電容量センサ2は、電極Cと電極Lと電極Rとの組からなる電極列20をY軸方向に配列した構成を有する。ここで、静電容量センサ2は、3インチワイドの表示部に適用される大きさであり、ITOフィルムのITO層をエッチング加工することで各電極を形成した。電極列20の配列数は7列とした。電極C,L,Rは、図2に示した電極11,12,13にそれぞれ対応する。各電極C,L,Rは、Y軸方向に隣接する2段の電極部Ca,Cb,La,Lb,Ra,Rbをそれぞれ有し、各電極部は電極間で互い違いに組み合わせて配置されている。実験では、グランドに接地したφ8mmの金属棒を電極列20の直上に置き、X方向へ一定速度で移動させながら、X軸方向に沿った所定のプロット位置で各電極L,C,Rの容量値を測定し、各プロット位置のΣL,ΣC,ΣRをそれぞれ算出した。φ10mm及び12mmの金属棒についても同様に、各プロット位置のΣL,ΣC,ΣRをそれぞれ算出した。そして、φ8mm、φ10mm、φ12mmの各金属棒のΣL、ΣC、ΣRの平均値をそれぞれ算出し、次式のように補正値d1,d2及びオフセット係数b1,b2をそれぞれ決定した。P1=ΣC-ΣL-ΣR/ΣLCR/60-479’P2=ΣLΣR-ΣC/ΣLCR/60483’<第2の実施形態>続いて本技術の他の実施形態について説明する。図14は、本実施形態に係る静電容量センサ3の概略平面図である。以下、第1の実施形態と異なる構成について主に説明し、上述の実施形態と同様の構成については同様の符号を付しその説明を省略または簡略化する。本実施形態の静電容量センサ3は、第1の電極31と第2の電極32との組で構成された電極列30を有する。電極列30は、支持体14上にY軸方向に配列されている。第1の電極31は、X軸方向に延在し、X方向に関してY軸方向に平行な幅寸法が漸次大きくなるような直角三角形状を有する。第2の電極32は、X軸方向に延在し、X方向に関してY軸方向に平行な幅寸法が漸次小さくなるような直角三角形状を有する。第1及び第2の電極31,32各々の斜辺は、Y軸方向に相互に対向している。静電容量センサ3は、駆動部18図1により駆動される。駆動部18は、検出対象の近接に応じた各電極列30の静電容量の変化を検出し、制御部19図1へ出力する。制御部19は、各電極列30の第1の電極31Lの容量値の総和ΣLと、各電極列30の第2の電極32Rの容量値の総和ΣRと、これら各電極の容量値の総和ΣLR=ΣLΣRとをそれぞれ算出する。そして制御部19は、ΣLとΣRとの差とΣLRとの容量比に基づいて指FのX座標を検出する。本実施形態では、ΣL-ΣR/ΣLRの値に基づいてX座標を検出するようにしているので、X軸方向に沿った座標検出値の直線性が良好に得られ、X座標の検出精度を改善することができる。一方、Y座標の検出に際して、制御部19は、各電極列30における電極Lの容量値ΣLと電極Rの容量値ΣRとの和ΣLRをそれぞれ算出し、それらに基づいてY軸方向に沿った検出対象のY座標を検出する。この場合、上述の第1の実施形態と同様に各電極列30の中心位置で重み付けがされてもよい。以上、本技術の実施形態について説明したが、本技術は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。上述の第1の実施形態で説明した第1,第2の容量比に基づくX座標の検出方法において、各容量比の線形性を改善するための補正が制御部19によって行われてもよい。このような補正式としては、例えば以下のようなものが挙げられる。P1=-ΣL-ΣRq/ΣRd1b1sP2=ΣR-/ΣRd2b2sここで、pは、ΣCの強さを調整するための補正係数である。パターン形状や電極構成材料の抵抗値などによって電極Cの感度が比較的低い場合に線形性が悪くなるため、ΣCのカウント値を調整することで線形性を改善することができる。当該補正前の線形特性を図15Aに、当該補正後の線形特性を図15Bにそれぞれ示す。また、q及びrは、検出対象の大きさに起因する不要カウント値の増加による線形性の悪化を抑制するための補正係数である。例えば図16A,Bに示すように、指Fとの対向面積が大きくなると計算に不要なΣRのカウント値が大きくなる。一方、計算に不要なカウント値を削除するために挿入された補正項-ΣR,ΣLの値が大きいと、図17Aに示すようにXc位置で屈曲点が出てしまう。そこで、最適化された補正係数q,rを挿入することによって、図17Bに示すようにXc位置での高い線形性を確保することが可能となる。そして、sは、算出された容量比P1,P2の値を正数値で処理するための補正係数である。図18Aに当該補正前の容量比P1,P2を、図18Bに当該補正後の容量比P1,P2をそれぞれ示す。一方、以上の各実施形態では、電極間における容量値の差分を全電極のカウント値ΣLCR又はΣLRで除算することで、検出対象の大きさによる容量比の値のバラツキを低減するようにしたが、このような演算は、検出対象の大きさだけでなく、静電容量センサ1や駆動部18、制御部19等の温度特性に起因する演算バラツキの低減にも効果的である。さらに以上の実施形態では、X軸方向が電極列の長手方向に、Y軸方向が電極列の配列方向にそれぞれ設定されたが、図19に示すようにX軸方向が電極列20の配列方向に、Y軸方向が電極列20の長手方向にそれぞれ設定されてもよい。図19は、電極列の構成例として図13に示した電極列20の構成を示している。図19において、Y方向の座標は、ΣLINEnはライン番号×ライン重心の合算によって求めることができる。具体的には、以下の式によってY方向の座標に対応した値を得ることができる。Y=Y1×ΣLINEY2×ΣLIINEY7×ΣLINEさらに、Y座標の計算結果を基にして、X方向の座標計算結果を補正することも可能である。例えば、Y方向に周期的な座標のずれが生じている場合は、以下の計算式で算出されるβの値によって周期的な座標のずれの逆の向きに計算結果を補正することができる。β=αSin2y/a×ππ/2...11ここで、βはX軸方向の周期補正値、yはY軸方向の計算座標値、αは最大補正量、aはY軸方向の周期に相当するピッチ量である。なお、本技術は以下のような構成も採ることができる。1第1の方向に延在し、前記第1の方向に関して前記第1の方向と直交する第2の方向に平行な寸法が漸次大きくなる第1の領域と、前記第1の方向に関して前記第2の方向に平行な寸法が漸次小さくなる第2の領域とを有する第1の電極と、前記第1の方向に延在し、前記第1の領域と前記第2の方向に対向する、前記第1の方向に関して前記第2の方向に平行な寸法が漸次小さくなる第2の電極と、前記第1の方向に延在し、前記第2の領域と前記第2の方向に対向する、前記第1の方向に関して前記第2の方向に平行な寸法が漸次大きくなる第3の電極とをそれぞれ有し、前記第1の電極と前記第2の電極と前記第3の電極との組が前記第2の方向に配列されてなり、検出対象と距離に応じた容量値を出力するように構成された複数の電極列と、前記複数の電極列各々の前記第1の電極の容量値の総和である第1の値と、前記複数の電極列各々の前記第2の電極の容量値の総和である第2の値と、前記複数の電極列各々の前記第3の電極の容量値の総和である第3の値と、前記第1の値と前記第2の値と前記第3の値との和である第4の値とをそれぞれ算出し、前記第2の値が前記第3の値よりも大きいときは、前記第1の値と前記第2の値との差と前記第4の値との比である第1の容量比に基づいて前記第1の位置座標を検出し、前記第2の値が前記第3の値よりも小さいときは、前記第3の値と前記第1の値との差と前記第4の値との比である第2の容量比に基づいて前記第1の位置座標を検出する処理ユニットとを具備する座標検出装置。2上記1に記載の座標検出装置であって、前記処理ユニットは、前記第2の値と前記第3の値との差が第1の閾値を超えるときは、前記第1の容量比に基づいて前記第1の位置座標を検出し、前記第2の値と前記第3の値との差が前記第1の閾値よりも小さい第2の閾値未満のときは、前記第2の容量比に基づいて前記第1の位置座標を検出し、前記第2の値と前記第3の値との差が前記第2の閾値以上前記第1の閾値以下のときは、前記第1の位置座標を前記第1の電極の中央部と判定する座標検出装置。3上記1又は2に記載の座標検出装置であって、前記処理ユニットは、前記複数の電極列の各列における前記第1の電極の容量値と前記第2の電極の容量値と前記第3の電極の容量値との和である第5の値をそれぞれ算出し、前記複数の電極列の各列における前記第5の値に基づいて、前記第2の方向に沿った検出対象の第2の位置座標をさらに検出する座標検出装置。4上記1から3のいずれか一つに記載の座標検出装置であって、前記処理ユニットは、前記第1の方向に関する前記第1の電極の中央部における前記第1の容量比と前記第2の容量比とが同一となるように、前記第1の容量比及び前記第2の容量比の少なくとも一方にオフセット係数を加算する座標検出装置。5上記1から4のいずれか一つに記載の座標検出装置であって、前記処理ユニットは、前記複数の電極列と前記検出対象との対向面積に基づく前記第1の容量比及び前記第2の容量比の変動を抑制するための補正係数を、前記第4の値に乗算する座標検出装置。"