複数の基板保持部材が保持する複数の被処理基板に対してエピタキシャル成長によってエピタキシャル成長膜を成膜する気相成長方法であって、厚みが略同一である前記複数の基板保持部材に保持される被処理基板に対して複数のエピタキシャル成長膜を成膜する第一の工程と、前記第一の工程において成膜した複数のエピタキシャル成長膜の発光波長を測定する第一の測定工程と、前記第一の測定工程において測定した発光波長にもとづき、前記複数の基板保持部材の厚みを変更し、該厚みを変更した基板保持部材に保持される被処理基板に対してエピタキシャル成長膜を成膜する第二の工程と、前記第二の工程において成膜したエピタキシャル成長膜の発光波長を測定する第二の測定工程と、前記第二の測定工程において測定した結果にもとづき、基板保持部材の厚みを決定する工程とを備えることを特徴とする気相成長方法。複数の基板保持部材が保持する複数の被処理基板に対してエピタキシャル成長によってエピタキシャル成長膜を成膜する気相成長装置であって、前記複数の基板保持部材に保持された複数の被処理基板が略同一平面状にあり、かつ、前記複数の基板保持部材のうち、少なくとも一つの基板保持部材の厚みが異なっていることを特徴とする気相成長装置。前記基板保持部材は、該基板保持部材を載置するサセプタに対向して設けられていることを特徴とする請求項2に記載の気相成長装置。前記基板保持部材と前記サセプタとの間に隙間を有することを特徴とする請求項3に記載の気相成長装置。上述したような従来の気相成長装置では、例えば、サセプタなどの構成部材に関し、当該部材を加工する際の加工精度の誤差や、使用による部材の消耗、または昇温による部材の変形などが生じたときには基板位置が変化し、基板に対する熱の伝わり方が変化してしまう。これにより、成膜特性に影響を与え、ひいては製造される発光素子において、所望の発光波長が得られない結果となっていた。こういった場合、基板を加熱するヒータのバランスを調整して、基板に対して伝わる熱の大きさを加減するような対策が考えられる。しかしながら、量産性を向上させるために前記基板を複数有している装置であって、複数の基板のうち、一つの基板に関してのみの基板位置が変化しているようなときには、ヒータのバランスを調整することで、当該基板にのみ伝わる熱の大きさを調整することは容易ではない。そこで、本発明は係る課題を解決するためになされたものであり、基板に伝わる熱の大きさを容易に調整することができる気相成長方法及び気相成長装置を提供することを目的とする。本発明に係る気相成長方法は、複数の基板保持部材が保持する複数の被処理基板に対してエピタキシャル成長によってエピタキシャル成長膜を成膜する気相成長方法であって、厚みが略同一である前記複数の基板保持部材に保持される被処理基板に対して複数のエピタキシャル成長膜を成膜する第一の工程と、前記第一の工程において成膜した複数のエピタキシャル成長膜の発光波長を測定する第一の測定工程と、前記第一の測定工程において測定した発光波長にもとづき、前記複数の基板保持部材の厚みを変更し、該厚みを変更した基板保持部材に保持される被処理基板に対してエピタキシャル成長膜を成膜する第二の工程と、前記第二の工程において成膜したエピタキシャル成長膜の発光波長を測定する第二の測定工程と、前記第二の測定工程において測定した結果にもとづき、基板保持部材の厚みを決定する工程とを備えることを特徴とする。本発明に係る気相成長装置は、複数の基板保持部材が保持する複数の被処理基板に対してエピタキシャル成長によってエピタキシャル成長膜を成膜する気相成長装置であって、前記複数の基板保持部材に保持された複数の被処理基板が略同一平面状にあり、かつ、前記複数の基板保持部材のうち、少なくとも一つの基板保持部材の厚みが異なっていることを特徴とする。本発明に係る気相成長装置は、前記基板保持部材は、該基板保持部材を載置するサセプタに対向して設けられていることを特徴とする。本発明に係る気相成長装置は、前記基板保持部材と前記サセプタとの間に隙間を有することを特徴とする。本発明に係る気相成長方法及び気相成長装置によれば、基板に伝わる熱の大きさを容易に調整することができる。本発明の実施例1について、図1を用いて説明する。図1は、本発明に係るMOCVD装置の概略の構成を示している。MOCVD装置1は、反応室2、上部ガス流路形成部材3、ガス導入口4、サセプタ5、基板保持部材6、基板保持部材6’、隙間部8、ヒータ9、サセプタ回転軸10、ガス排気口11から構成される。また、基板保持部材6には、被処理基板7が載置され、前記基板表面上に薄膜が形成される。反応室2は、原料ガスを供給して結晶成長を行なう容器であり、前記原料ガスは、ガス供給系図示せずよりガス導入口4を通じて供給される。前記ガス導入口4は、原料ガスを吹き出させる吹き出し口であって、反応室2の内部に挿入されており、ガス供給管図示せずに接続されていて、前記ガス供給管の他端はガス供給系に接続されている。反応室2の上部には、原料ガスの流路を定める上部ガス流路部材3が配置されていて、供給される原料ガスは、図1中の矢印で示すように、前記上部ガス流路部材3と対向して配置されるサセプタ5との間の空間を被処理基板7の表面を通って流れ、ガス排気口11より排出される。サセプタ5は、円盤状に形成されており、サセプタ5は、底部をサセプタ回転軸10によって支持されており、回転以下、公転と称呼するさせられるようになっている。また、サセプタ回転軸10は、反応室2の外部に設けたモータ図示せずによって駆動され、任意の速度で回転させられるようになっている。基板保持部材6は、サセプタ5上に載置され、上面にサファイア、GaNなどからなる被処理基板7を保持する。また、後述するように外歯車を備えていて、上述した公転を行なうときに同時に回転以下、自転と称呼するを行う。前記自転については、例えば、特開2002-175992号公報で開示されているように、ギヤの噛み合わせによって、前記サセプタの公転と同期させて回転することなどによって実現される。上述したように、公転及び自転を行なうことによって、それぞれの被処理基板を熱的に等価に加熱することができる。また、詳細については後述するが、前記基板保持部材6は着脱可能な部材であり、予め厚みの異なる基板保持部材を複数用意しておき、被処理基板に伝わる熱の大きさに応じて、厚みの異なる基板保持部材に交換する。図1において、紙面に向かって右側の基板保持部材6’については、厚みの異なる基板保持部材に交換した後の様子を示している。また、前記基板保持部材6と前記サセプタ5との間には隙間部8を有している。ヒータ9は、反応室2の下方に設置されており、被処理基板7が加熱されることで、成膜化学反応が促進されて被処理基板7上の薄膜の形成が促される。尚、前記ヒータ9は反応室2に内蔵して設置したとして記載しているが、これに限らず反応室2の外周部に設置されるとしてもよい。図2は、図1を用いて上述したMOCVD装置における特に基板保持部材6’を中心に拡大して示していて、6’は基板保持部材、7は被処理基板、8は隙間部、5はサセプタ、12は外歯車、13はベアリング、14は内歯車、15は台であり、既に上述した内容と重複する説明は省略する。被処理基板7は、基板保持部材6’に載置される。基板保持部材6’は、外歯車12を備えており、ベアリング13を介して自転するように形成されている。サセプタ5は、ベアリング13を挟持するための溝を備えており、前記ベアリング13は、前記サセプタ5が備える溝によって挟持されていて、基板保持部材6’を回転可能に支持する。8は隙間部であり、基板保持部材の厚みdを変えることで変化する。14は内歯車であり、台15に固定され、基板保持部材6’が備える外歯車12を回転させる。図3Aは、上述したMOCVD装置における各基板保持部材と、該基板保持部材に保持された被処理基板に対して形成した薄膜について、測定した発光波長の基準発光波長からのずれとの相関関係を示しており、図3A中の記号◇で表す。前記発光波長は、被処理基板に対してエピタキシャル成長によって形成したエピタキシャル成長膜について測定した発光波長であり、より具体的には光を照射して測定したplphotoluminescence発光波長である。また、前記基準発光波長は、基準となる所望の発光波長であって、図3Aで示すように、縦軸の0から始まる横軸に対して平行な直線が前記基準発光波長に該当する。横軸の基板セットポジションA、B、C、Dは、図5を用いて上述したような、各基板保持部材6が保持する各被処理基板7のいずれかの位置に対応している。尚、記号◇で示す各基板保持部材の厚みは全て同一であるものとする。基板セットポジションCにおいて示す記号◇は、基準発光波長から2.5nm程度長波長側にずれている。これは、サセプタ、基板保持部材などの構成部材が、当該部材を加工する際の加工精度の誤差や、繰り返し使用することによる部材の消耗、または昇温による部材の位置ずれなどが生じたときに、被処理基板に対する熱の伝わり方が変化してしまい、成膜特性に影響を与えることが主な原因であると考えられる。すなわち、被処理基板に対する熱の伝わり方が変化することで、活性層中のインジウムの組成比が変化するため、発光波長が変化し、基準発光波長からのずれを生じる。被処理基板が高温になると活性層中に取り込まれるインジウム原子が減少し、発光波長が基準発光波長から短波長側へとずれる。上記基準発光波長からのずれを解消するため、基板保持部材の厚みを変更することで被処理基板に対して伝わる熱の大きさを変化させる。具体的には、予め厚みの異なる基板保持部材をいくつか準備しておき、前記基板保持部材を順に変更して薄膜の形成を行う。この際、基板保持部材の厚みを変更しない被処理基板に対しても同時に薄膜の形成を行ってもよいし、行わなくてもよい。尚、基板保持部材の厚みを厚くすると、被処理基板に伝わる熱は大きくなり、薄くすると伝わる熱は小さくなる。そして、基板保持部材の厚みを変更して形成した薄膜の発光波長と基板保持部材の厚みとの相関関係を得て、該相関関係にもとづいて、基準発光波長からのずれが少ない基板保持部材の厚みを決定する。本実施例においては、後述するが、図3Bに示すように、記号◇で示すように基板保持部材の厚みの変更を50μm厚くしたときと40μm厚くしたときの2回行っており、相関関係として、これら測定点と基板保持部材の厚みがdである基準点をおよそ通過する反比例の関係を示す直線を得た。尚、図3において、基準となる厚みがdのときの基板保持部材に対し、該基板保持部材よりも厚い基板保持部材に交換したときの厚みの差分を差分Δdと表現している。図3Bは、基板保持部材の厚みの差分Δdと発光波長の変化についての相関関係を示していて、基板保持部材を厚くすると、発光波長はより短波長側にシフトすることが分かる。例えば、差分Δdを40μmとすると、発光波長は基準発光波長から、およそ2nm短波長側へシフトすることが分かる。また、差分Δdを50μmとすると、発光波長は3.5nm短波長側へシフトしている。上述した相関関係を得ることで、最適な基板保持部材の厚みを決定することができる。図3Aにおける記号□は、図3Bを用いて説明した相関関係にもとづいて、差分Δdを40μmとしたときの基準発光波長からのずれとの相関を示していて、記号◇で示す基板保持部材の厚みを変更する前の測定点と比較して短波長側へシフトしており、基準発光波長からのずれを抑制できることが分かる。尚、本実施例においては、基板保持部材の厚みを40μm厚くしたときと、50μm厚くしたときの2つの測定点を得ているが、これに限られるものではない。上述したように、最適な厚みの基板保持部材を決定し、被処理基板表面上にエピタキシャル成長によってエピタキシャル成長膜の形成を行い、該形成した成長膜を用いて、発光素子の製造を行う。該発光素子の製造工程の概要としては、所定のエッチング処理を施した後、電極、ボンディングパットを形成して金属配線を接続して発光素子とする。上述した発光素子の製造方法としては、種々の好適な周知技術を用いることができるものであり、例えば、特開2005-159297号公報に開示されているような手法を用いることができる。図4は、上述した基板保持部材の厚みを決定するまでの手順についてフローチャートとして示している。ステップS1において、被処理基板に対してエピタキシャル成長によって薄膜の形成を行い、ステップS2において前記形成した薄膜の発光波長の測定を行う。ステップS3において、厚みの異なる基板保持部材を用いて薄膜の形成を行い、発光波長と基板保持部材の厚みとの相関関係を得る。尚、ステップS3は繰り返し行ってもよい。ステップS4においては、前記相関関係にもとづいて最適な基板保持部材の厚みを決定する。尚、本実施例において発光波長の測定に関し、形成したエピタキシャル成長膜についてのpl発光波長を測定するとしたが、これに限らず、エピタキシャル成長膜にエッチング、電極の形成など所定の処理を施して発光素子とし、該発光素子について例えばelelectroluminescence発光波長を測定するとしてもよい。1MOCVD装置2反応室3上部ガス流路形成部材4ガス導入口5サセプタ6基板保持部材6’基板保持部材7被処理基板8隙間部9ヒータ10サセプタ回転軸11ガス排気口