"透明電極と対極の間に少なくとも光電変換層とキャリア輸送層を有する有機光電変換素子において、前記キャリア輸送層を形成する材料が下記一般式1で表されることを特徴とする有機光電変換素子。式中、X1~X8は、N原子または置換または無置換のC原子を表す。Z1、Z2は、置換または無置換の芳香族環または複素芳香族環を表す。Aは反応性基を表す。pは0~4の整数を、qは2~6の整数を、rは1~6の整数を表す。は母核内の任意の置換可能位置に結合する。前記一般式1のX1~X8の何れか一つはN原子であることを特徴とする請求項1に記載の有機光電変換素子。前記Aで表され反応性基が、下記一般式2-a~2-dの何れかで表されることを特徴とする請求項1または2に記載の有機光電変換素子。式中、R31はH原子またはメチル基を表し、Cyは3員、4員の環状エーテルを表す。Lは、単なる結合手、アルキレン基、-O-、-S-、-OCO-、-COO-またはこれらが連結された基を表す。前記Aで表され反応性基が、前記一般式2-aで表されることを特徴とする請求項3に記載の有機光電変換素子。前記一般式1のX3またはX4が、N原子であることを特徴とする請求項1~4の何れか1項に記載の有機光電変換素子。前記一般式1のZ2が、置換または無置換の含窒素芳香族環を表すことを特徴とする請求項1~5の何れか1項に記載の有機光電変換素子。前記一般式1のX4とX8またはX3とX7がN原子であることを特徴とする請求項1~6の何れか1項に記載の有機光電変換素子。透明電極と対極の間に、光電変換層とキャリア輸送層を有する有機光電変換素子において、前記キャリア輸送層が前記透明電極と前記光電変換層に隣接しており、キャリア輸送層が前記一般式1で表される化合物の塗布、重合により形成された層であることを特徴とする請求項1~7の何れか1項に記載の有機光電変換素子。前記キャリア輸送層が電子輸送層であることを特徴とする請求項1~8の何れか1項に記載の有機光電変換素子。本発明は上記課題を鑑みなされたものであり、その目的は、高いフィルファクター曲線因子および光電変換効率を有し、かつ耐久性を有する有機薄膜太陽電池、およびそれを構成する有機光電変換素子材料を提供することにある。上記課題は、本発明の構成により解決することができた。1.透明電極と対極の間に少なくとも光電変換層とキャリア輸送層を有する有機光電変換素子において、前記キャリア輸送層を形成する材料が下記一般式1で表されることを特徴とする有機光電変換素子。式中、X1~X8は、N原子または置換または無置換のC原子を表す。Z1、Z2は、置換または無置換の芳香族環または複素芳香族環を表す。Aは反応性基を表す。pは0~4の整数を、qは2~6の整数を、rは1~6の整数を表す。は母核内の任意の置換可能位置に結合する。2.前記一般式1のX1~X8の何れか一つはN原子であることを特徴とする前記1に記載の有機光電変換素子。3.前記Aで表され反応性基が、下記一般式2-a~2-dの何れかで表されることを特徴とする前記1または2に記載の有機光電変換素子。式中、R31はH原子またはメチル基を表し、Cyは3員、4員の環状エーテルを表す。Lは、単なる結合手、アルキレン基、-O-、-S-、-OCO-または-COO-またはこれらが連結された基を表す。4.前記Aで表され反応性基が、前記一般式2-aで表されることを特徴とする前記3に記載の有機光電変換素子。5.前記一般式1のX3またはX4が、N原子であることを特徴とする前記1~4の何れか1項に記載の有機光電変換素子。6.前記一般式1のZ2が、置換または無置換の含窒素芳香族環を表すことを特徴とする前記1~5の何れか1項に記載の有機光電変換素子。7.前記一般式1のX4とX8またはX3とX7がN原子であることを特徴とする前記1~6の何れか1項に記載の有機光電変換素子。8.透明電極と対極の間に、光電変換層とキャリア輸送層を有する有機光電変換素子において、前記キャリア輸送層が前記透明電極と前記光電変換層に隣接しており、キャリア輸送層が前記一般式1で表される化合物の塗布、重合により形成された層であることを特徴とする前記1~7の何れか1項に記載の有機光電変換素子。9.前記キャリア輸送層が電子輸送層であることを特徴とする前記1~8の何れか1項に記載の有機光電変換素子。本発明により、高いフィルファクターおよび光電変換効率を有し、かつ耐久性を有する有機薄膜太陽電池、およびそれを構成する有機光電変換素子材料を提供することができた。本発明者らは、上記課題に対して鋭意検討したところ、前記一般式1で表される化合物を含有する層が、光電変換層であるバルクヘテロジャンクション層と、電極との間のキャリア輸送層として存在していることで上記課題を達成できることを見出した。有機光電変換素子および太陽電池の構成本発明の有機光電変換素子および太陽電池の構成を図をもって説明する。図1は、バルクヘテロジャンクション型の有機光電変換素子からなる太陽電池の一例を示す断面図である。図1において、バルクヘテロジャンクション型の有機光電変換素子10は、基板11の一方面上に、透明電極12、キャリア輸送層a17、バルクヘテロジャンクション層の光電変換層14、キャリア輸送層b18及び対極13が順次積層されている。基板11は、順次積層された透明電極12、光電変換層14及び対極13を保持する部材である。本実施形態では、基板11側から光電変換される光が入射するので、基板11は、この光電変換される光を透過させることが可能な、すなわち、この光電変換すべき光の波長に対して透明な部材である。基板11は、例えば、ガラス基板や樹脂基板等が用いられる。この基板11は、必須ではなく、例えば、光電変換層14の両面に透明電極12及び対極13を形成することでバルクヘテロジャンクション型の有機光電変換素子10が構成されてもよい。光電変換層14は、光エネルギーを電気エネルギーに変換する層であって、p型半導体材料とn型半導体材料とを混合したバルクヘテロジャンクション層を有して構成される。p型半導体材料は、相対的に電子供与体ドナーとして機能し、n型半導体材料は、相対的に電子受容体アクセプタとして機能する。ここで、電子供与体及び電子受容体は、光を吸収した際に、電子供与体から電子受容体に電子が移動し、正孔と電子のペア電荷分離状態を形成する電子供与体及び電子受容体であり、電極のように単に電子を供与あるいは受容するものではなく、光反応によって、電子を供与あるいは受容するものである。図1において、基板11を介して透明電極12から入射された光は、光電変換層14のバルクヘテロジャンクション層における電子受容体あるいは電子供与体で吸収され、電子供与体から電子受容体に電子が移動し、正孔と電子のペア電荷分離状態が形成される。発生した電荷は、内部電界、例えば、透明電極12と対極13の仕事関数が異なる場合では透明電極12と対極13との電位差によって、電子は、電子受容体間を通り、また正孔は、電子供与体間を通り、それぞれ異なる電極へ運ばれ、光電流が検出される。例えば、透明電極12の仕事関数が対極13の仕事関数よりも大きい場合では、電子は、透明電極12へ、正孔は、対極13へ輸送される。その場合キャリア輸送層a17は電子輸送層となり、キャリア輸送層b18は正孔輸送層となる。本発明では、このような層構成を逆構成と呼ぶ。逆に透明電極12の仕事関数が対極13の仕事関数よりも小さい場合では、キャリア輸送層a17は正孔輸送層であり、キャリア輸送層b18は電子輸送層となる。本発明では、このような層構成を順構成と呼ぶ。なお、仕事関数の大小が逆転すれば電子と正孔は、これとは逆方向に輸送される。また、透明電極12と対極13との間に電位をかけることにより、電子と正孔の輸送方向を制御することもできる。本発明では、逆層構成を用い素子が作製されることが好ましい。順層構成で作製された素子では、p型半導体材料とn型半導体材料を混合させた溶液を塗布製膜することによりバルクヘテロジャンクション層を積層した場合、乾燥が早い表面にp型半導体が多く分布し、その上に陰極が形成されるため、仕事関数の観点から電気的な接続が悪くなるが、逆層構成により素子を作製すると陰極側にn型半導体が多く分布する構成を得ることができるため、順層構成と比較して、光電変換効率特にフィルファクターFFが向上する。また本発明に関わるキャリア輸送層として電子輸送層を用いると、光電変換層の下に電子輸送層を塗布製膜することが出来、キャリアの選択性が向上することから更なる光電変換効率が向上する。なお図1には記載していないが、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子注入層、正孔注入層、あるいは平滑化層等の他の層を有していてもよい。さらに好ましい構成としては、前記光電変換層14が、いわゆるp-i-nの三層構成となっている構成図2である。通常のバルクヘテロジャンクション層は、p型半導体材料とn型半導体層が混合した、i層単体であるが、p型半導体材料単体からなるp層14p、およびn型半導体材料単体からなるn層14nで挟むことにより、正孔及び電子の整流性がより高くなり、電荷分離した正孔電子の再結合等によるロスが低減され、一層高い光電変換効率を得ることができる。さらに、太陽光利用率光電変換効率の向上を目的として、このような光電変換素子を積層した、タンデム型の構成としてもよい。以下に、各構成層に用いられる材料について説明する。《一般式1で表される化合物、該化合物の重合体》本発明の有機光電変換素子は、透明電極と対極との間に少なくとも光電変換層とキャリア輸送層を有し、該キャリア輸送層が少なくとも前記一般式1で表される化合物を用いて形成されたものである。本発明で言う前記一般式1で表される化合物を用いて形成されるとは、一般式1で表される化合物の状態、即ち、重合前の状態単量体、モノマーともいうでキャリア輸送層に組み込まれていてもよく、また、予め、該化合物の重合体として調製し、キャリア輸送層に組み込まれていてもよい。本発明に係る前記一般式1で表される化合物は、キャリア輸送層として陰極とバルクヘテロジャンクソン層との間の電子輸送層に用いることが好ましく、本発明の効果をより発揮することができる。本発明に係る前記一般式1で表される化合物、該化合物の重合体について説明する。本発明に係る前記一般式1で表される化合物または該化合物の重合体は、溶液または分散液として調製することができ、塗布によって作製された膜は均一であり有機光電変換素子として十分利用可能である。また、前記化合物または該化合物の重合体は、バルクヘテロジャンクション層に含まれるn型半導体であるフラーレン誘導体に対し適したエネルギー準位を有しており、電子の輸送性の良いことから高い光電変換効率、特にFFの高い光電変換素子を提供することができる。また、塗布に有機溶剤を用いることができるので、素子内非水系に保つことができ、水分による劣化を防ぐことが出来る。特に、塗布等の湿式法により素子の構成層が形成される場合、例えば、該化合物が電子輸送層の形成時に単量体として組み込まれた場合には、紫外線照射等の光重合や加熱による熱重合等を行う工程を経て重合体を形成して得られた電子輸送層上に、光電変換層等を設けることが好ましい。前記一般式1において、X1~X8は、各々置換または未置換のC原子またはN原子を表す。前記一般式1において、X1~X4、X5~X8のうち少なくとも一つがN原子であることが好ましく、更にはX3またはX4がN原子であることが好ましく、特にはX3とX7またはX4とX8がN原子であることが好ましい。前記一般式1において、X1~X8がC原子の時、少なくとも1つは置換基を有していることが好ましく、置換基としては、特に限定されないが、好ましくは、C1からC20までのアルキル基、C1からC20までのアルコキシル基、アリル基、ヘテロアリル基、C3からC20までのシクロアルキル基、ハロゲン基、CN、NO2、SO2Rを表す。さらに、RはC1からC20までのアルキル基、C1からC20までのアルコキシル基、アリル基、ヘテロアリル基、またはC3からC20までのシクロアルキル基等を挙げることが出来る。前記一般式1において、Z1、Z2は、置換または無置換の芳香族環または芳香族複素環を表す。前記芳香族環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等を挙げることができ、前記芳香族複素環としては、O、S、N原子を含有する5、6員芳香族複素環であり、縮合複素環で有っても良い。置換基としては、前記X~X8のC原子の置換基として挙げた基と同様の基を挙げることが出来る。Z1またはZ2で表される置換または無置換の芳香族環または芳香族複素環として、好ましくは下記一般式1-a~1-iで表される連結基の少なくとも1つを有する基であり、更にこれらの基は互いに連結されていても良い。前記一般式中、Xは、N原子または置換、無置換のC原子を表す。YはO、S、置換、無置換のN原子、置換、無置換のC原子を表す。R11およびR12は置換基を表す。置換基としては、前記X1~X8のC原子の置換基として挙げた基と同様の基を挙げることができる。前記一般式で表されるZ1またはZ2の中でも、前記一般式1-bおよび一般式1-d若しくはこれらの基が結合された基であることが好ましい。一般式1において、Aで表される反応性基としては下記のような反応性基が挙げられるが、これらに限定されない。これらのAで表される反応性基の中でも、前記一般式2-a~2-dで表される重合性の反応性基であることが好ましく、特に一般式2-aで表される基であることが好ましい。前記一般式2-a中、Lが単なる結合手、-O-又はアルキレン基であることが特に好ましい。これらのAで表される反応性基は前記一般式1で表される化合物中にr個を有するが、rが2以上の時、複数のAは同一で有っても異なっても良い。rは好ましくは1または2である。以下、本発明の一般式1で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。以下に、代表的な化合物の合成例を示す。例示化合物50の合成窒素置換した反応容器に、酢酸パラジウム1.3g6mmol、キシレン150ml、トリスt-ブチルホスフィン50トルエン溶液9.7g24mmolを加えて室温で30分撹拌した後、δ-カルボリン3.36g20mmol、ジブロモベンゾチアジアゾール2.94g10mmol、ナトリウムt-ブトキシド2.9g30mmolを加え、8時間還流を行った。反応終了後、テトラヒドロフランおよび水を加えて有機相を抽出し、溶媒を留去して得た粗製物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーヘプタン/酢酸エチルで精製し、化合物X-1を2.57g得た5.5mmol、収率55ついで化合物X-12.34g5mmolをジメチルホルムアミド100mlに溶解し、N-ブロモスクシンイミドNBS1.78g10mmolを加えて室温で3時間撹拌した。反応終了後、反応溶液を水に添加して析出物を濾過し、さらにシリカゲルカラムクロマトグラフィートルエン/テトラヒドロフランで精製し、化合物X-2を1.88g3mmol、収率60得た。ついで窒素置換した反応容器に、化合物X-2を1.25g2mmol、4-ビニルフェニルボロン酸0.45g3mmol、パラジウムジベンジリデンアセトン60mg0.1mmol、ジフェニルホスフィノフェロセン110mg0.2mmol、1,2-ジメトキシエタン50ml、炭酸カリウムの20水溶液5g7.2mmolを加えて6時間還流させた。反応終了後、反応溶液をセライトで濾過した後、水を加えて有機層を抽出し、さらにシリカゲルカラムクロマトグラフィートルエン/ヘプタンで精製し、例示化合物50を0.67g1mmol、50得た。《一般式1で表される化合物の重合体の分子量、分子量分布Mw/Mn》本発明に係る前記一般式1で表される化合物の重合体の分子量重量平均分子量Mwは、1000000以下であることが好ましく、更に好ましくは、5000~200000の範囲である。更に、本発明に係る、重量平均分子量Mwと数平均分子量Mnとの比率分子量分布は、3以下であることが好ましい。本発明に係る前記一般式1で表される化合物の重合体の重量平均分子量Mw、数平均分子量Mnの測定は、THFテトラヒドロフランをカラム溶媒として用いるGPCゲルパーミエーションクロマトグラフィーを用いて分子量測定を行うことができる。電子輸送層正孔ブロック層本発明の有機光電変換素子は、光電変換層であるバルクヘテロジャンクション層と陰極との中間に電子輸送層を形成することで、バルクヘテロジャンクション層で発生した電荷をより効率的に取り出すことが可能となる。本発明においては、前記HOMO準位が深く電子移動度の高い本発明の一般式1で表される化合物を電子輸送層兼正孔ブロック層として用いることで、フィルファクター曲線因子および光電変換効率の向上といった効果を得ることができる。また本発明においては、電子輸送材料を塗布後化合物を重合させる工程を行い、溶剤に対して不溶化処理を行うことができるため、電子輸送層上に他の層を積層することが可能となる。これらの層を形成する手段としては、溶液塗布法の他にも真空蒸着法による製膜が可能ではあるが、好ましくは溶液塗布法である。p型半導体材料本発明に係る光電変換層バルクヘテロジャンクション層に用いられるp型半導体材料としては、種々の縮合多環芳香族低分子化合物や共役系ポリマーオリゴマーが挙げられる。縮合多環芳香族低分子化合物としては、例えば、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、クリセン、ピセン、フルミネン、ピレン、ペロピレン、ペリレン、テリレン、クオテリレン、コロネン、オバレン、サーカムアントラセン、ビスアンテン、ゼスレン、ヘプタゼスレン、ピランスレン、ビオランテン、イソビオランテン、サーコビフェニル、アントラジチオフェン等の化合物、ポルフィリンや銅フタロシアニン、テトラチアフルバレンTTF-テトラシアノキノジメタンTCNQ錯体、ビスエチレンテトラチアフルバレンBEDTTTF-過塩素酸錯体、及びこれらの誘導体や前駆体が挙げられる。また上記の縮合多環を有する誘導体の例としては、国際公開第03/16599号パンフレット、国際公開第03/28125号パンフレット、米国特許第6,690,029号明細書、特開2004-107216号公報等に記載の置換基をもったペンタセン誘導体、米国特許出願公開第2003/136964号明細書等に記載のペンタセンプレカーサ、J.Amer.Chem.Soc.,vol127.No14.4986、J.Amer.Chem.Soc.,vol.123、p9482、J.Amer.Chem.Soc.,vol.1302008、No.9、2706等に記載のトリアルキルシリルエチニル基で置換されたアセン系化合物等が挙げられる。共役系ポリマーとしては、例えば、ポリ3-ヘキシルチオフェンP3HT等のポリチオフェン及びそのオリゴマー、またはTechnicalDigestoftheInternationalPVSEC-17,Fukuoka,Japan,2007,P1225に記載の重合性基を有するようなポリチオフェン、NatureMaterial,2006vol.5,p328に記載のポリチオフェン-チエノチオフェン共重合体、WO2008000664に記載のポリチオフェン-ジケトピロロピロール共重合体、AdvMater,2007p4160に記載のポリチオフェン-チアゾロチアゾール共重合体,NatureMat.vol.62007,p497に記載のPCPDTBT等のようなポリチオフェン共重合体、ポリピロール及びそのオリゴマー、ポリアニリン、ポリフェニレン及びそのオリゴマー、ポリフェニレンビニレン及びそのオリゴマー、ポリチエニレンビニレン及びそのオリゴマー、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリシラン、ポリゲルマン等のσ共役系ポリマー、等のポリマー材料が挙げられる。また、ポリマー材料ではなくオリゴマー材料としては、チオフェン6量体であるα-セクシチオフェンα,ω-ジヘキシル-α-セクシチオフェン、α,ω-ジヘキシル-α-キンケチオフェン、α,ω-ビス3-ブトキシプロピル-α-セクシチオフェン、等のオリゴマーが好適に用いることができる。これらの化合物の中でも、溶液プロセスが可能な程度に有機溶剤への溶解性が高く、かつ乾燥後は結晶性薄膜を形成し、高い移動度を達成することが可能な化合物が好ましい。また、光電変換層上に電子輸送層を塗布で製膜する場合、電子輸送層溶液が光電変換層を溶かしてしまうという課題があるため、溶液プロセスで塗布した後に不溶化できるような材料を用いることが好ましい。このような材料としては、TechnicalDigestoftheInternationalPVSEC-17,Fukuoka,Japan,2007,P1225に記載の重合性基を有するようなポリチオフェンのような、塗布後に塗布膜を重合架橋して不溶化できる材料、または米国特許出願公開第2003/136964号、および特開2008-16834号等に記載されているような、熱等のエネルギーを加えることによって可溶性置換基が反応して不溶化する顔料化する材料などを挙げることができる。n型半導体材料本発明のバルクヘテロジャンクション層に用いられるn型半導体材料としては、特に限定されないが、例えば、フラーレン、オクタアザポルフィリン等、p型半導体のH原子をF原子に置換したパーフルオロ体パーフルオロペンタセンやパーフルオロフタロシアニン等、ナフタレンテトラカルボン酸無水物、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ペリレンテトラカルボン酸無水物、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド等の芳香族カルボン酸無水物やそのイミド化物を骨格として含む高分子化合物等を挙げることができる。しかし、各種のp型半導体材料と高速~50fsかつ効率的に電荷分離を行うことができる、フラーレン誘導体が好ましい。フラーレン誘導体としては、フラーレンC60、フラーレンC70、フラーレンC76、フラーレンC78、フラーレンC84、フラーレンC240、フラーレンC540、ミックスドフラーレン、フラーレンナノチューブ、多層ナノチューブ、単層ナノチューブ、ナノホーン円錐型等、およびこれらの一部がH原子、ハロゲン原子、置換または無置換のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、シクロアルキル基、シリル基、エーテル基、チオエーテル基、アミノ基、シリル基等によって置換されたフラーレン誘導体を挙げることができる。中でも[6,6]-フェニルC61-ブチリックアシッドメチルエステル略称PCBM、[6,6]-フェニルC61-ブチリックアシッド-nブチルエステルPCBnB、[6,6]-フェニルC61-ブチリックアシッド-イソブチルエステルPCBiB、[6,6]-フェニルC61-ブチリックアシッド-nヘキシルエステルPCBH、Adv.Mater.,vol.202008,p2116等に記載のbis-PCBM、特開2006-199674号公報等のアミノ化フラーレン、特開2008-130889号公報等のメタロセン化フラーレン、米国特許第7329709号明細書等の環状エーテル基を有するフラーレン等のような、置換基を有してより溶解性が向上したフラーレン誘導体を用いることが好ましい。正孔輸送層電子ブロック層本発明の有機光電変換素子は、キャリア輸送層として、バルクヘテロジャンクション層と陽極との間に正孔輸送層を設けることにより、バルクヘテロジャンクション層で発生した電荷をより効率的に取り出すことが可能となるため、これらの層を有していることが好ましい。これらの層を構成する材料としては、例えば、正孔輸送層としては、スタルクヴイテック社製、商品名BaytronP等のPEDOT、ポリアニリン及びそのドープ材料、WO2006019270号公報等に記載のシアン化合物、などを用いることができる。なお、バルクヘテロジャンクション層に用いられるn型半導体材料のLUMO準位よりも浅いLUMO準位を有する正孔輸送層には、バルクヘテロジャンクション層で生成した電子を陽極側には流さないような整流効果を有する、電子ブロック機能が付与される。このような正孔輸送層は、電子ブロック層とも呼ばれ、このような機能を有する正孔輸送層を使用するほうが好ましい。このような材料としては、特開平5-271166号公報等に記載のトリアリールアミン系化合物、また酸化モリブデン、酸化ニッケル、酸化タングステン等の金属酸化物等を用いることができる。また、バルクヘテロジャンクション層に用いたp型半導体材料単体からなる層を用いることもできる。これらの層を形成する手段としては、真空蒸着法、溶液塗布法のいずれであってもよいが、好ましくは溶液塗布法である。バルクヘテロジャンクション層を形成する前に、下層に塗布膜を形成すると塗布面をレベリングする効果があり、リーク等の影響が低減するため好ましい。その他の層エネルギー変換効率の向上や、素子寿命の向上を目的に、各種中間層を素子内に有する構成としてもよい。中間層の例としては、正孔ブロック層、電子ブロック層、正孔注入層、電子注入層、励起子ブロック層、UV吸収層、光反射層、波長変換層などを挙げることができる。電極本発明に関わる光電変換素子においては、少なくとも陽極と陰極とを有する。また、タンデム構成をとる場合には中間電極を用いることでタンデム構成を達成することができる。なお本発明においては主に正孔が流れる電極を陽極と呼び、主に電子が流れる電極を陰極と呼ぶ。また透光性があるかどうかといった機能から、透光性のある電極を透明電極と呼び、透光性のない電極を対極を呼び分ける場合がある。透明電極本発明の透明電極は、好ましくは380~800nmの光を透過する電極である。材料としては、例えば、インジウムチンオキシドITO、SnO2、ZnO等の透明導電性金属酸化物、金、銀、白金等の金属薄膜、金属ナノワイヤー、カーボンナノチューブ用いることができる。またポリピロール、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリチエニレンビニレン、ポリアズレン、ポリイソチアナフテン、ポリカルバゾール、ポリアセチレン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリアセン、ポリフェニルアセチレン、ポリジアセチレン及びポリナフタレンの各誘導体からなる群より選ばれる導電性高分子等も用いることができる。また、これらの導電性化合物を複数組み合わせて電極とすることもできる。本発明において、順構成を採用した場合は透明電極は陽極となり、逆構成を採用した場合は透明電極は陰極となる。金属電極前記透明電極の対極となる電極としては、金属電極が多く用いられる。金属電極は導電材単独層であっても良いが、導電性を有する材料に加えて、これらを保持する樹脂を併用しても良い。金属電極の導電材としては、仕事関数の小さい4eV以下金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような金属電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子の取り出し性能及び酸化等に対する耐久性の点から、これら金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、膜厚は通常10nm~5μm、好ましくは50~200nmの範囲で選ばれる。金属電極の導電材として金属材料を用いれば、金属電極側に来た光は反射されて透明電極側に反射され、この光が再利用可能となり、光電変換層で再度吸収され、より光電変換効率が向上し好ましい。また、金属電極は、金属例えば金、銀、銅、白金、ロジウム、ルテニウム、アルミニウム、マグネシウム、インジウム等、炭素からなるナノ粒子、ナノワイヤー、ナノ構造体であってもよく、ナノワイヤーの分散物であれば、透明で導電性の高い金属電極を塗布法により形成でき好ましい。また、金属電極側を光透過性とする場合は、例えば、アルミニウム及びアルミニウム合金、銀及び銀化合物等の金属電極に適した導電性材料を薄く1~20nm程度の膜厚で作製した後、上記陽極の説明で挙げた導電性光透過性材料の膜を設けることで、光透過性陰極とすることができる。例えば、透明電極にITOを用いた場合、ITOと仕事関数が同等もしくは仕事関数が大きい金属AgやAuを対極に用いると対極は陽極となる。本発明において、金属電極の種類を選択することにより、順構成を採用した場合は金属電極は陰極となり、逆構成を採用した場合は金属電極は陽極とすることができる。中間電極また、前記タンデム構成の場合に必要となる中間電極の材料としては、透明性と導電性を併せ持つ化合物を用いた層であることが好ましく、前記陽極で用いたような材料ITO、AZO、FTO、酸化チタン等の透明金属酸化物、Ag、Al、Au等の非常に薄い金属層またはナノ粒子ナノワイヤーを含有する層、PEDOT:PSS、ポリアニリン等の導電性高分子材料等を用いることができる。なお前述した正孔輸送層と電子輸送層の中には、適切に組み合わせて積層することで中間電極電荷再結合層として働く組み合わせもあり、このような構成とすると1層形成する工程を省くことができ好ましい。基板基板側から光電変換される光が入射する場合、基板はこの光電変換される光を透過させることが可能な、即ちこの光電変換すべき光の波長に対して透明な部材であることが好ましい。基板は、例えば、ガラス基板や樹脂基板等が好適に挙げられるが、軽量性と柔軟性の観点から透明樹脂フィルムを用いることが望ましい。本発明で透明基板として好ましく用いることができる透明樹脂フィルムには特に制限がなく、その材料、形状、構造、厚み等については公知のものの中から適宜選択することができる。例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN変性ポリエステル等のポリエステル系樹脂フィルム、ポリエチレンPE樹脂フィルム、ポリプロピレンPP樹脂フィルム、ポリスチレン樹脂フィルム、環状オレフィン系樹脂等のポリオレフィン類樹脂フィルム、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂フィルム、ポリエーテルエーテルケトンPEEK樹脂フィルム、ポリサルホンPSF樹脂フィルム、ポリエーテルサルホンPES樹脂フィルム、ポリカーボネートPC樹脂フィルム、ポリアミド樹脂フィルム、ポリイミド樹脂フィルム、アクリル樹脂フィルム、トリアセチルセルロースTAC樹脂フィルム等を挙げることができるが、可視域の波長380~800nmにおける透過率が80以上である樹脂フィルムであれば、本発明に係る透明樹脂フィルムに好ましく適用することができる。中でも透明性、耐熱性、取り扱いやすさ、強度及びコストの点から、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエーテルサルホンフィルム、ポリカーボネートフィルムであることが好ましく、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルムであることがより好ましい。本発明に用いられる透明基板には、塗布液の濡れ性や接着性を確保するために、表面処理を施すことや易接着層を設けることができる。表面処理や易接着層については従来公知の技術を使用できる。例えば、表面処理としては、コロナ放電処理、火炎処理、紫外線処理、高周波処理、グロー放電処理、活性プラズマ処理、レーザー処理等の表面活性化処理を挙げることができる。また、易接着層としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ビニル系共重合体、ブタジエン系共重合体、アクリル系共重合体、ビニリデン系共重合体、エポキシ系共重合体等を挙げることができる。また、酸素及び水蒸気の透過を抑制する目的で、透明基板にはバリアコート層が予め形成されていてもよいし、透明導電層を転写する反対側にはハードコート層が予め形成されていてもよい。光学機能層本発明の有機光電変換素子は、太陽光のより効率的な受光を目的として、各種の光学機能層を有していて良い。光学機能層としては、たとえば、反射防止膜、マイクロレンズアレイ等の集光層、陰極で反射した光を散乱させて再度光電変換層に入射させることができるような光拡散層などを設けても良い。反射防止層としては、各種公知の反射防止層を設けることができるが、例えば、透明樹脂フィルムが二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムである場合は、フィルムに隣接する易接着層の屈折率を1.57~1.63とすることで、フィルム基板と易接着層との界面反射を低減して透過率を向上させることができるのでより好ましい。屈折率を調整する方法としては、酸化スズゾルや酸化セリウムゾル等の比較的屈折率の高い酸化物ゾルとバインダー樹脂との比率を適宜調整して塗設することで実施できる。易接着層は単層でもよいが、接着性を向上させるためには2層以上の構成にしてもよい。集光層としては、例えば、支持基板の太陽光受光側にマイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせたりすることにより特定方向からの受光量を高めたり、逆に太陽光の入射角度依存性を低減することができる。マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を2次元に配列する。一辺は10~100μmが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付き、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。また光散乱層としては、各種のアンチグレア層、金属または各種無機酸化物などのナノ粒子ナノワイヤー等を無色透明なポリマーに分散した層などを挙げることができる。パターニング本発明に係る電極、光電変換層、正孔輸送層、電子輸送層等をパターニングする方法やプロセスには特に制限はなく、公知の手法を適宜適用することができる。バルクヘテロジャンクション層、輸送層等の可溶性の材料であれば、ダイコート、ディップコート等の全面塗布後に不要部だけ拭き取っても良いし、インクジェット法やスクリーン印刷等の方法を使用して塗布時に直接パターニングしても良い。電極材料などの不溶性の材料の場合は、電極を真空堆積時にマスク蒸着を行ったり、エッチング又はリフトオフ等の公知の方法によってパターニングすることができる。また、別の基板上に形成したパターンを転写することによってパターンを形成しても良い。封止また、作製した有機光電変換素子が環境中の酸素、水分等で劣化しないために、有機光電変換素子だけでなく有機エレクトロルミネッセンス素子などで公知の手法によって封止することが好ましい。例えば、アルミまたはガラスでできたキャップを接着剤により接着することによって封止する手法、アルミニウム、酸化ケイ素、酸化アルミニウム等のガスバリア層が形成されたプラスチックフィルムと有機光電変換素子上を接着剤で貼合する手法、ガスバリア性の高い有機高分子材料ポリビニルアルコール等をスピンコートする方法、ガスバリア性の高い無機薄膜酸化ケイ素、酸化アルミニウム等または有機膜パリレン等を真空下で堆積する方法、及びこれらを複合的に積層する方法等を挙げることができる。光センサアレイ次に、上記説明したバルクヘテロジャンクション型の有機光電変換素子を応用した光センサアレイについて詳細に説明する。光センサアレイは、前記のバルクヘテロジャンクション型の有機光電変換素子が受光によって電流を発生することを利用して、前記の光電変換素子を細かく画素状に並べて作製し、光センサアレイ上に投影された画像を電気的な信号に変換する効果を有するセンサである。図3は、光センサアレイの構成を示す図である。図3Aは、上面図であり、図3Bは、図3AのA-A′線断面図である。図3において、光センサアレイ20は、保持部材としての基板21上に、陰極として透明電極ITO22、光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換部24及び陽極としてAg23が順次積層されたものである。光電変換部24は、p型半導体材料とn型半導体材料とを一様に混合したバルクヘテロジャンクション層を有してなる光電変換層24bと、電子輸送層24aとの2層で構成される。図3に示す例では、6個のバルクヘテロジャンクション型の有機光電変換素子が形成されている。これら基板21、透明電極22、光電変換層24b及び対極23は、前述したバルクヘテロジャンクション型の光電変換素子10における透明電極12、光電変換層14及び金対極13と同等の構成及び役割を示すものである。基板21には、例えば、ガラスが用いられ、透明電極22には、例えば、ITOが用いられ、対極23には、例えば、Agが用いられる。そして、光電変換層24bのp型半導体材料には、例えば、前記BP-1前駆体が用いられ、n型半導体材料には、例えば、前記例示化合物13が用いられる。また、電子輸送層24aには、本発明の化合物1で表される化合物が用いられる。このような光センサアレイ20は、次のようにして製作された。ガラス基板上にスパッタリングによりITO膜を形成し、フォトリソグラフィにより所定のパターン形状に加工した。ガラス基板の厚さは、0.7mm、ITO膜の厚さは、200nm、フォトリソグラフィ後のITO膜における測定部面積受光面積は、2.0mm×2.0mmであった。次に、このITOの透明電極22がパターニングされたガラス基板21上、に、スピンコート法条件;回転数=1000rpm、フィルター径=1.2μmにより、本発明の一般式1の化合物のクロロベンゼン溶液を塗布し、乾燥後紫外線を照射することにより重合不溶化した電子輸送層24aを形成した。電子輸送層の厚さは30nmであった。次に、上記電子輸送層上に、P3HTポリ-3ヘキシルチオフェンとPCBMの1:1混合膜を、スピンコート法条件;回転数=3300rpm、フィルター径=0.8μmにより形成した。このスピンコートに際しては、P3HTおよびPCBMをクロロベンゼン溶媒に=1:1で混合し、これを攪拌5分して得た混合液を用いた。P3HTとPCBMの混合膜の形成後、窒素ガス雰囲気下においてオーブンで180°C、30分加熱しアニール処理を施した。アニール処理後のP3HTとPCBMの混合膜24bの厚さは70nmであった。その後、所定のパターン開口を備えたメタルマスクを用い、P3HTとPCBMの混合膜の上に、対極としてのAg層23を蒸着法により形成厚さ=10nmした。その後、PVApolyvinylalcoholをスピンコートで膜厚1μmを形成し、150°Cで焼成することで図略のパッシベーション層を作製した。以上により、光センサアレイ20が作製された。実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例1電子輸送層としての利用<比較の有機光電変換素子1の作製>ガラス基板上にパターン形成した透明電極を、界面活性剤と超純水による超音波洗浄、超純水による超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。この透明基板上に、取り出し電極部をマスキングした後に25mmol/lに調液したTiイソプロポキシドのエタノール溶液を塗布し、1時間室温に放置し、20nmの電子輸送層を形成した。これ以降は、基板をグローブボックス中に持ち込み、窒素雰囲気下で作業した。まず、窒素雰囲気下で上記基板を140°Cで3分間加熱処理した。クロロベンゼンにp型半導体材料として、プレクストロニクス社製プレックスコアOS2100を1.5質量、n型半導体材料としてフロンティアカーボン社製E100PCBMを1.5質量を溶解した液を作製し、0.45μmのフィルタでろ過をかけながら500rpmで60秒、ついで2200rpmで1秒間のスピンコートを行い、室温で30分放置した。さらに、光電変換層上に導電性高分子であるBaytronP4083スタルクヴィテック社製を30nmの膜厚でスピンコートした後、140°Cで大気中10分間加熱乾燥し、膜厚30nmの正孔輸送層を形成した。次に、上記一連の有機層を成膜した基板を大気に晒すことなく真空蒸着装置内に設置した。10-3Pa以下まで真空蒸着機内を減圧した後、Agを100nmの膜厚に蒸着した。最後に120°Cで30分間の加熱を行い、比較の有機光電変換素子1を得た。なお蒸着速度は2nm/秒で蒸着し、2mm角のサイズとした。得られた有機光電変換素子1は、窒素雰囲気下でアルミニウムキャップとUV硬化樹脂ナガセケムテックス株式会社製、UVRESINXNR5570-B1を用いて封止を行った後に大気下に取り出した。尚、以下に得られた各有機光電変換素子も同様の封止処理を行った。<比較の有機光電変換素子2の作製>比較の有機光電変換素子1において、洗浄したITO基板をグローブボックス中に持ち込んだ。10mgの下記化合物Kを2mlのBuOHに溶解した液を調整し、ITO基板上に1500rpmでスピンコートし電子輸送層を形成した以外は、有機光電変換素子1の作製方法と同様にして比較となる有機光電変換素子2を作製した。<比較の有機光電変換素子3の作製>比較の有機光電変換素子1において、ITO基板を真空蒸着装置内に設置し、10-3Pa以下まで真空蒸着機内を減圧した後、Inを10nmの膜厚に蒸着し、電子輸送層を形成した以外は、有機光電変換素子1の作製方法と同様にして比較となる有機光電変換素子3を作製した。<本発明の有機光電変換素子4の作製>比較の有機光電変換素子1において、洗浄したITO基板をグローブボックス中に持ち込んだ。10mgの化合物38を2mlのTHFに溶解した液を調整し、ITO基板上に1500rpmでスピンコートした後、120°Cのホットプレート上で加熱を行いながらUVランプを30秒間照射を行い、不溶化処理された膜厚10nmの電子輸送層を形成した以外は、有機光電変換素子1と同様にして、本発明の有機光電変換素子4を作製した。有機光電変換素子4の形成に用いた化合物38に代えて表1記載の化合物を用いて各々有機光電変換素子5~10を作製した。得られた、有機光電変換素子1~10について、下記の変換効率とフィルファクターFF曲線因子および耐久性評価を行った。変換効率およびフィルファクターFFの評価上記作製した有機光電変換素子に、ソーラーシミュレーターAM1.5Gフィルタの100mW/cm2の強度の光を照射し、有効面積を4.0mm2にしたマスクを受光部に重ね、短絡電流密度JscmA/cm2及び開放電圧VocV、フィルファクターFF曲線因子を、同素子上に形成した4箇所の受光部をそれぞれ測定し、平均値を求めた。またJsc、Voc、FFから式1に従ってエネルギー変換効率ηを求めた。式1JscmA/cm2×VocV×FF=η耐久性評価ソーラシミュレーターAM1.5Gの光を100mW/cm2の照射強度で照射して、電圧-電流特性を測定し、初期の変換効率を測定した。さらに、この時の初期変換効率を100とし、陽極と陰極の間に抵抗を接続したまま100mW/cm2の照射強度で100時間暴露照射し続けた後の変換効率を評価し、下記式2により相対変換効率を算出し、耐久性の評価とした。式2相対変換効率=暴露後の変換効率/暴露前の変換効率×100表1から、本発明の材料を用いた電子輸送層正孔ブロック層を利用した方がフィルファクター曲線因子が向上し、変換効率ηも高いものが得られることがわかる。また、耐久性を示す相対変換効率も高く、耐久性が高いことがわかる。"