"基体と、第1面と、前記第1面に対向する第2面とを含み、前記第2面と前記基体との間に空洞部を介して配置される支持部材と、前記支持部材に支持された、それぞれ焦電体を含む複数の焦電キャパシターと、を有し、前記複数の焦電キャパシターは分極方向が揃う方向に電気的に直列に接続されていることを特徴とする焦電型光検出器。請求項1において、前記複数の焦電キャパシターの各々の前記焦電体は、側面が電気的絶縁性の金属化合物層により覆われていることを特徴とする焦電型光検出器。請求項2において、前記複数の焦電キャパシターの各々は、前記支持部材上に設けられる第1電極と、前記焦電体を介して前記第1電極と対向する第2電極と、前記第1電極の前記第2電極と対向しない領域に接続される配線部とを、有することを特徴とする焦電型光検出器。請求項3において、前記金属化合物層は前記第1電極の前記第2電極と対向しない領域を覆って形成され、前記金属化合物層を覆う絶縁層がさらに設けられ、前記配線部は、前記絶縁層の開孔及び前記金属化合物層の開孔を通して接続されていることを特徴とする焦電型光検出器。請求項1乃至4のいずれかにおいて、前記複数の焦電キャパシターの各々は、前記支持部材上に設けられる第1電極と、前記焦電体を介して前記第1電極と対向する第2電極と、を含み、分極方向が揃う方向に電気的に直列接続される2つの焦電キャパシターの前記第1電極間が導通していることを特徴とする焦電型光検出器。請求項5において、分極方向が揃う方向に電気的に直列接続される2つの焦電キャパシターの前記第1電極は共通電極であることを特徴とする焦電型光検出器。請求項1乃至6のいずれかにおいて、分極方向が揃う方向に電気的に直列接続された前記複数の焦電キャパシターからなるキャパシター列の両端に接続された第1配線部と、前記複数の焦電キャパシター間を接続する第2配線部と、をさらに有し、前記第1配線部の幅が前記第2配線部の幅よりも狭いことを特徴とする焦電型光検出器。請求項1乃至7のいずれかに記載の焦電型光検出器を交差する二つの直線方向に沿って二次元配置したことを特徴とする焦電型光検出装置。請求項1乃至7のいずれかに記載の焦電型光検出器を有することを特徴とする電子機器。請求項8に記載の焦電型光検出装置を有することを特徴とする電子機器。近年、焦電型光検出器の検出出力を高めることが求められている。入射光に起因した熱によって生成される焦電キャパシターでの自発分極量に基づく出力電圧は、受光領域の面積、焦電キャパシターの面積、焦電キャパシターの抵抗などに依存する。本発明の少なくとも一つの態様によれば、焦電型光検出器の検出出力を高めることができる。1本発明の一態様は、基体と、第1面と、前記第1面に対向する第2面とを含み、前記第2面と前記基体との間に空洞部を介して配置される支持部材と、前記支持部材に支持された、それぞれ焦電体を含む複数の焦電キャパシターと、を有し、前記複数の焦電キャパシターは分極方向が揃う方向に電気的に直列に接続されている焦電型光検出器に関する。直列接続されたn個の焦電キャパシターの容量をそれぞれCとすると、n個の焦電キャパシターの合成容量はC/nとなり、n個の焦電キャパシターの合成抵抗Rpはn/Cとなる。この合成抵抗Rpは単体の焦電キャパシターの抵抗よりもn倍となることを利用して、焦電キャパシターの自発電極に伴う出力電圧をn倍にすることができる。2本発明の一態様では、前記複数の焦電キャパシターの各々の前記焦電体は、側面を電気的絶縁性の金属化合物層により覆うことができる。焦電体は酸化物であり、還元されると酸素欠損が生ずる。金属化合物層は還元ガスバリア性を有し、焦電体が還元されることを抑制できる。こうして、焦電体の酸素欠損を抑制できるので、焦電キャパシターを小型化して一つの支持部材上にて複数の焦電キャパシターを搭載して直列接続させることが可能となる。3本発明の一態様では、前記複数の焦電キャパシターの各々は、前記支持部材上に設けられる第1電極と、前記焦電体を介して前記第1電極と対向する第2電極と、前記第1電極の前記第2電極と対向しない領域に接続される配線部と、をさらに有することができる。いわゆるプレーナー構造とすることで、支持部材上に搭載される第1電極への配線を支持部材上に形成することができる。また、拡大された第1電極上に光吸収領域を形成することができ、光吸収面積が拡大されると共に、第1電極が集熱パスの効果を発揮して、光吸収領域の周縁で発生した熱を焦電体が存在する中心側に集熱させることができる。4本発明の一態様では、前記金属化合物層は前記第1電極の前記第2電極と対向しない領域を覆って形成され、前記金属化合物層を覆う絶縁層がさらに設けられ、前記配線部は、前記絶縁層の開孔及び前記金属化合物層の開孔を通して接続されることができる。このように、配線部は絶縁層上に形成することができる。絶縁層が存在しないと、配線部をパターンエッチングする際に、その下層の金属化合物層がエッチングされて、バリア性が低下してしまう。絶縁層は、金属化合物層のバリア性を確保する上でも、金属化合物層上に形成することが好ましい。5本発明の一態様では、記複数の焦電キャパシターの各々は、前記支持部材上に設けられる第1電極と、前記焦電体を介して前記第1電極と対向する第2電極と、を含み、分極方向が揃う方向に直列接続される2つの焦電キャパシターの前記第1電極同士を導通ざせてもよい。こうすると、配線経路が最短となり、電圧降下が小さくなって出力電圧の低下を抑制できる。6本発明の一態様では、分極方向が揃う方向に直列接続される2つの焦電キャパシターの前記第1電極は共通電極とすることができる。こうすると、配線部を省略できる上に、共通電極は配線部よりも幅広にかつ厚肉で形成できるので、配線抵抗を格段に小さくすることができる。これにより、電圧降下が小さくなって出力電圧の低下を抑制できる。7本発明の一態様では、分極方向が揃う方向に直列接続された前記複数の焦電キャパシターからなるキャパシター列の両端に接続された第1配線部と、前記複数の焦電キャパシター間を接続する第2配線部と、をさらに有し、前記第1配線部の幅を前記第2配線部の幅よりも狭くすることができる。こうすると、熱の出口となる第1配線部の幅を細くして放熱を抑制する一方で、焦電キャパシター間の第2配線部は幅広として電圧降下を抑制できる。8本発明の他の態様は、上述した焦電型光検出器を交差する二つの直線方向に沿って二次元配置した焦電型光検出装置を定義している。これによって、複数の焦電型光検出器焦電型光検出素子が二次元に配置された例えば、直交2軸の各々に沿ってアレイ状に配置された、焦電型光検出装置焦電型光アレイセンサーが実現される。9本発明のさらに他の態様は、上述した焦電型光検出器または焦電型光検出装置を有する電子機器を定義している。上記いずれかの焦電型光検出器は、光の検出出力が高い。よって、この焦電型光検出器を搭載する電子機器の性能が高まる。電子機器としては、例えば、赤外線センサー装置、サーモグラフィー装置、車載用夜間カメラや監視カメラ等が挙げられる。以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。1.第1の実施形態1.1.複数のキャパシターの直列接続図1は、本発明の焦電型光検出器の概念図である。図1に示すように、複数の焦電キャパシターキャパシターもいうが支持部材メンブレン30にて分極方向が揃う方向に直列に接続されている。図1の例では、第1キャパシターCapa1~第4キャパシターCapa4が直列に接続されている。支持部材30上のキャパシターCapa1~Capa4の各々は、例えば実質的に等しい面積の複数の光吸収領域AR1~AR4を有する光吸収層50内部に配置されている。光吸収層50は、複数の光吸収領域AR1~AR4に分割形成されていても良いし、一体形成されているものでも良い。図1中のプラスとマイナスは各キャパシターCapa1~Capa4の分極極性を示す。本例では、各キャパシターCapa1~Capa4の容量値は同じものとするがこれに限定されるものではない。第1キャパシターCapa1の正極は第1外部端子TA1に接続されており、この第1外部端子TA1は正極性である。また、第4キャパシターCapa4の負極は第2外部端子TA2に接続されており、この第2外部端子TA2は負極性である。ここで、図2Aに本実施形態の概略平面図を、図2Bに比較例1の概略平面図を、図2Cに比較例2の概略平面図をそれぞれ示す。図2A~図2Cに示す受光部面積光吸収領域の面積Aaはそれぞれ等しいものとする。先ず、図2Aに示す本実施形態と図2Bに示す比較例1とを対比する。図2Aに示すキャパシターCapa1~Capa4の各々と、図2Bに示す単体のCapaとは、それぞれ素子面積Acと容量Cが等しいものとする。図2Aでも図2Bでも、照射光の熱を電荷Qに変換することで得られるキャパシターからの出力電圧は、キャパシターの素子抵抗をRp図2Aの場合は合成抵抗とすると、Vs=Q×Rp...1となる。つまり、焦電型光検出器の出力電圧Vsは、キャパシターの分極電荷Qとキャパシターの抵抗値Rpとの積に応じて変動する。また、電荷Qは受光部面積Aaと素子面積Acに比例することから、Vs∝AaAcRp...2が成立する。ところで、図2Aでは、キャパシターCapa1~Capa4が分極方向が揃う方向に直列接続されていることから、キャパシターCapa1~Capa4の素子面積Acは図2Bのように電気的に一個の容量Capaの素子面積Acと等しい関係となる。また、図2Aの受光部面積光吸収領域の面積Aaと、図2Bの受光部面積光吸収領域の面積Aaとは等しいことは上述した通りである。そこで、次にキャパシターの素子抵抗をRpについて考察する。図2Bでは、素子抵抗Rpと容量との関係から、Rp=1/C...3が成立する。一方、図2Aでは、キャパシターCapa1~Capa4の各々の容量値をCとすると、直列接続された合成容量Capaの合成容量値はC/4となる。合成素子抵抗をRpxとすると、Rpx=4/C=4×Rp...4が成立する。よって、式1を参照すると、図2Aに示す本実施形態にて得られる出力電圧Vsは、図2Bに示す比較例1にて得られる出力電圧の4倍となることが分かる。つまり、キャパシターをn個直列接続することで、比較例1の単体キャパシターの場合と比較して、電気的な電極面によって決まる合成容量電気的キャパシターの容量は1/nになり、それにより合成抵抗がn倍になり、結果として出力電圧Vsがn倍となることが分かる。次に、図2Aに示す本実施形態と図2Cに示す比較例2とを対比する。図2Aに示すキャパシターCapa1~Capa4のトータル素子面積4×Acと、図2Cに示す単体のCapaの素子面積4×Acとが等しいものとする。図2Aに示す4個直列接続の電気的な素子面積Acと比較して、比較例2の素子面積は4×Acとなる。一方、図2Aでは、キャパシターCapa1~Capa4の各々の容量値をCとすると、直列接続された合成容量Capaの合成容量値はC/4となり、抵抗値は式4の通り4×Rpである。これに対して、図2Cの単体キャパシターCapaの容量値は4×Cであり、図2Cの単体キャパシターCapaの抵抗値はRp/4となる。このため、図2Cでは素子面積4×Acが4倍であるが抵抗値Rp/4が1/4倍となり、素子面積と抵抗値とで相殺される。よって、図2Cの出力電圧Vsは図2Bと同等となり、図2Aの出力電圧Vsの1/4となる。従って、図2Aに示す本実施形態にて得られる出力電圧Vsは、図2BCの比較例1,2よりも大きく確保することができる。1.2.複数の焦電キャパシターを自発分極させるバイアス電圧図3は、図1に示すキャパシターCapa1~Capa4にバイアスを印加した時の自発分極を示している。キャパシターCapa1~Capa4の各々は、第1電極10と、第2電極14との間にPZT等の焦電体12を有する。電源EAのブラス端子を外部端子TA1に、マイナス端子を外部端子TA2に接続して、キャパシターCapa1~Capa4に図3に示す電界Eを作用させると、キャパシターCapa1~Capa4の分極方向が揃う。つまり、Capa1~Capa4の各々では、第1電極10、焦電体12及び第2電極14に電界Eが作用する。このため、Capa1~Capa4の各々では、図3の例では、第1電極10側がプラスに、第2電極14側がマイナスになるように分極方向が揃えられて分極する。その後、電界Eを解除しても、Capa1~Capa4の各々の焦電体12では、自発分極が維持される。ここで、図3に示すように、Capa1~Capa4の各々にて、第1電極10と第2電極14の露出面には浮遊電荷が存在する。図3の例では、第1電極10の浮遊電荷はマイナス、第2電極14の浮遊電荷はプラスと、それぞれ揃っているが、これに限定されるものではない。例えば第1キャパシターCapa1の第1電極10と第2キャパシターCapa2の第1電極10とを接続する等、Capa1~Capa4うちの隣り合うキャパシター同士の電極接続は、第1,第2電極10,14同士、第1電極10同士または第2電極14同士等、種々の組み合わせを選択できる。また、外部端子TA1は第1キャパシターCapa1の第1,第2電極10,14のいずれか一方に接続することができ、同様に外部端子TA2も第4キャパシターCapa4の第1,第2電極10,14のいずれか一方に接続すれば良い。焦電キャパシターを用いた光検出原理は、光に基づく熱による焦電効果パイロ電子効果によって、電界Eを解除した後の焦電キャパシターの自発分極量が変化し、その変化量を求めることで光量熱量の大きさを検出するものである。よって、少なくとも光検出前の製造時または使用時などにて少なくとも1回だけ、Capa1~Capa4に電界Eを作用させて分極状態を生成しておけば良い。1.3.焦電型光検出器の構造図4及び図5は、焦電型光検出器例えば焦電型赤外線検出器200の平面図及び断面図である。なお、図4では図1と同じく4個の焦電キャパシターを直列接続しているが、図3では紙面の関係上で3個の焦電キャパシターを直列接続した状態を示している。この焦電型赤外線検出器200は、基体20と、基体20に設けられた支持部材メンブレン30と、支持部材メンブレン30上にて直列接続された複数図4では4個、図5では3個の焦電キャパシターCapa1~Capa4Capa1~Capa3とを有する。なお、複数の焦電キャパシターを総称してCapaと称する。支持部材メンブレン30は、図4に示すように、2つのアーム30-1,30-2を備え、2つのアーム30-1,30-2が基体20に支持されている。支持部材メンブレン30は、図5に示すように第1面30Aと、第1面30Aに対向する第2面30Bとを含み、第2面30Bと基体20との間に空洞部100が形成されている。この空洞部100により、支持部材メンブレン30と基体20とが熱分離されている。図5に示す基体20は、例えばシリコン基板21と、シリコン基板21上に形成された絶縁膜SiO2層22とを有し、絶縁膜22の一部が除去されることで空洞部100が形成されている。シリコン基板21の素子領域21Aにはトランジスター等の素子40,41を形成することができる。図5に示す絶縁層22のうち空洞部100以外の領域は、支持部材30の少なくとも2箇所を保持する保持部ポスト22A,22Bとなる。この保持部22A,22Bには、ビア31,32を設けることができる。ビア31は、絶縁層22中に設けられた配線層33と接続される。ビア32は、絶縁層22中に設けられた他の配線層34と接続される。配線層33はさらに、絶縁層22中に設けられたコンタクト35,36を介して素子40,41に接続することができる。複数の焦電キャパシターCapaの各々は、支持部材メンブレン30側の第1電極下部電極10と、支持部材メンブレン30側とは反対の側に設けられる、平面視における面積が、第1電極10より小さい第2電極上部電極14と、第1電極10と第2電極14との間に設けられる焦電体例えば、PZT層:チタン酸ジルコン酸鉛層12を有する。複数の焦電キャパシターCapaの各々は、図5に示すように、酸化アルミニウム等の絶縁性を有する金属化合物層16により覆われている。この金属化合物層16は還元ガスバリア膜として機能する。それにより、複数の焦電キャパシターCapaの各々は、キャパシター形成後の工程で還元ガス水素、水蒸気、OH基、メチル基などがキャパシターに侵入することが抑制される。焦電体12は酸化物であり、酸化物が還元されると酸素欠損を生じて、焦電効果が損なわれるからである。このように、金属化合物層16により焦電体12の酸素欠損が防止されるようになったことから、一つの支持部材30上の複数の光吸収領域の各々に、各々が比較的サイズの小さな複数の焦電キャパシターCapaを形成することが可能になる。金属化合物層16は、図5に拡大して示すように、第1バリア層第1層膜16Aと第2バリア層第2層膜16Bとを含むことができる。第1バリア層16Aは、金属酸化物例えば酸化アルミニウムAl2O3をスパッタ法により成膜して形成することができる。スパッタ法では還元ガスが用いられないので、キャパシター230が還元されることはない。第2バリア層16Bは、例えば酸化アルミニウムAl2O3を例えば原子層化学気相成長ALCVDAtomicLayerChemicalVaporDeposition法により成膜して形成すことができる。通常のCVDChemicalVaporDeposition法は還元ガスを用いるが、第1層バリア層16AによりキャパシターCapaは還元ガスから隔離される。ここで、金属化合物層16のトータル膜厚は50~70nm、例えば60nmとする。このとき、CVD法で形成される第1バリア層16Aの膜厚は原子層化学気相成長ALCVD法により形成される第2バリア層16Bよりも厚く、35~65nm例えば40nmとなる。これに対して、原子層化学気相成長ALCVD法により形成される第2バリア層16Bの膜厚は薄くでき、例えば酸化アルミニウムAl2O3を5~30nm例えば20nmで成膜して形成される。原子層化学気相成長ALCVD法は、スパッタ法等と比較して、優れた埋め込み特性を有するため、微細化に対応することが可能となり、第1,第2バリア層16A,16Bにて還元ガスバリア性を高めることができる。また、スパッタ法で成膜される第1バリア層16Aは第2バリア層16Bに比べて緻密ではないが、それが効を奏して伝熱率を下げる要因となるので、熱伝導率の低い第1バリア層16Aが焦電キャパシターCapaと第2バリア層16B間に介在することで、焦電キャパシターCapaからの熱の散逸を防止できる。図5に示すように、金属化合物層16上には層間絶縁膜17が形成されている。一般に、層間絶縁膜17の原料ガスTEOSが化学反応する際には、水素ガスや水蒸気等の還元ガスが発生する。キャパシターCapaの周囲に設けた第1還元ガスバリア膜16は、この層間絶縁膜17の形成中に発生する還元ガスからキャパシターCapaを保護するものである。図5に示すように、層間絶縁膜17上に配線層18が配置される。層間絶縁膜17には、電極配線形成前に予め、第1コンタクトホール17Aと第2コンタクトホール17Bが形成される。その際、金属化合物層16にも同様にコンタクトホールが形成される。第1コンタクトホール17Aに埋め込まれた第1プラグ19Aにより、第1電極下部電極10と配線層18とが導通される。同様に第2コンタクトホール17Bに埋め込まれた第2プラグ19Bにより、第2電極上部電極14と配線層18とが導通される。本実施形態では、図5に示すように、ビア32とCapa1の下部電極10とが配線層18Aにより接続され、Capa1の上部電極14とCapa2の下部電極10が配線層18Bにより接続され、Capa2の上部電極14とCapa3の下部電極10が配線層18Cにより接続され、Capa3の上部電極14とビア31が配線層18Dにより接続されている。図4では、同様にして配線18A~18Eを用いて4つの焦電キャパシターCapa1~Capa4が分極方向が揃う方向に直列接続される。なお、直列接続された複数の焦電キャパシターからなるキャパシター列の両端と外部端子TA1,TA2とに接続される第1配線部図4では配線18A及び18E、図5では18A及び18Dの幅は、複数の焦電キャパシター間を接続する第2配線部図4では配線18B~18D、図5では18B~18Cの幅よりも狭くすることができる。こうすると、熱の出口となる第1配線部図4では配線18A及び18E、図5では18A及び18Dの幅を細くして放熱を抑制する一方で、焦電キャパシター間の第2配線部図4では配線18B~18D、図5では18B~18Cは幅広として電圧降下を抑制できる。ここで、層間絶縁膜17が存在しないと、配線層18をパターンエッチングする際に、その下層の金属化合物層16第2バリア層16Bがエッチングされて、バリア性が低下してしまう。層間絶縁膜17は、金属化合物層16のバリア性を確保する上でも、金属化合物層16上に形成することが好ましい。また、層間絶縁膜17は含有水分が少なく、あるいは水素含有率が低いことが好ましい。そこで、層間絶縁膜17はアニーリングにより脱ガス処理される。こうして、層間絶縁膜17の水素含有率または含水率は、配線層18を覆う光吸収層50や、絶縁膜であるポスト保持部22A,22Bよりも低くされる。こうすると、層間絶縁膜17が形成された後にキャパシターCapaが高温に晒されても、層間絶縁膜17からの還元ガスの発生を抑制できる。図6ABに、分極方向が揃う方向に直列接続される2つのCapanとCapan1との配線例を示す。図6Aに示すように、Capanの上部電極14とCapan1の下部電極10とを配線層18で接続するものに限らず、CpapnとCapan1の下部電極10同士を配線層18で接続することができる。このように、2つのCapanとCapan1間を接続するとき、下部電極10同士を接続する配線18が山状のキャパシターに沿って形成する必要がないため、配線18は最短経路となる。このため、電圧降下が小さくなり、出力電圧Vsの低下が抑制される。あるいは、図6Bに示すように、CpapnとCapan1の下部電極10を共通電極として配線層18を省略することができる。こうすると、配線18を省略できる上に、共通電極は配線18よりも幅広にかつ厚肉で形成できるので、配線抵抗を格段に小さくすることができる。これにより、電圧降下が小さくなって出力電圧Vsの低下をさらに抑制できる。なお、図6ABのいずれの場合も、図3に示すようにしてバイアス電界Eを作用させれば、CpapnとCapan1の分極方向は一義的に定まる。配線接続された焦電キャパシターCapaの上には、図5に示すように光吸収層50が形成される。図5に示す複数の焦電キャパシターCapa1~Capa3を覆って一つの光吸収層50を配置した場合、複数の焦電キャパシターCapa1~Capa3に対応するほぼ等面積の領域が個々の光吸収領域となる。図5に示す複数の焦電キャパシターCapa1~Capa3を覆って、分割された複数の光吸収層50a~50cを形成してもよい。こうすると、一つの共通の光吸収層50を有する場合と比較して、個々の焦電キャパシターCapa1~Capa3での放熱速度が速くなり、熱リセットを短時間で行える利点がある。上述した実施形態は、下部電極10が上部電極14よりも広いプレーナー構造であったが、図7に示すようにスタック構造の焦電キャパシターCapaにも本発明を適用することができる。スタック構造の焦電キャパシターCapaは、図7に示すように、第1電極10、焦電体12及び第2電極14の横断面積が実質的に等しい。よって、プレーナー構造の焦電キャパシターとは異なり、第1電極10への配線を層間絶縁層17の上方に設けることができない。このため、支持部材メンブレン30を多層構造とし、その一層を配線18Bとする。この配線18Bは、隣り合う2つの焦電キャパシターCapaの第1電極下部電極10同士を接続する。支持部材30中の配線18Bは、支持部材30に形成されたコンタクトホール30C,30Dに充填されたプラグ19C,19Dにより、2つの焦電キャパシターCapaの第1電極下部電極10に接続される。2.第2の実施形態図8は、焦電型光検出装置焦電型光検出アレイの回路構成の一例を示す回路図である。図8の例では、複数の光検出セルすなわち、焦電型光検出器200a~200d等が、二次元的に配置されている。なお、図8に示す焦電キャパシターCapaは、上述した通り複数個直列接続されたものである。複数の光検出セル焦電型光検出器200a~200d等の中から一つの光検出セルを選択するために、走査線W1a,W1b等と、データ線D1a,D1b等が設けられている。第1の光検出セルとしての焦電型光検出器200aは、複数個直列接続された焦電キャパシターCapaと、素子選択トランジスターM1aと、を有する。焦電キャパシターCapaの両極の電位関係は、ドライバPDr1に印加する電位によって、図3に示す通り、電界Eの方向によって一義的に決定される。光検出時には、ドライバPDr1の出力は接地されている。なお、他の光検出セルも同様の構成である。1つの光検出セルが占める領域のサイズは、例えば20μm×20μmである。データ線D1aの電位は、リセットトランジスターM2をオンすることによって初期化することができる。検出信号の読み出し時には、読み出しトランジスターM3がオンする。焦電効果によって生じる電流は、I/V変換回路510によって電圧に変換され、アンプ600によって増幅され、A/D変換器700によってデジタルデータに変換される。本実施形態では、複数の焦電型光検出器が二次元的に配置された例えば、直交2軸X軸およびY軸の各々に沿ってアレイ状に配置された、焦電型光検出装置焦電型光アレイセンサーが実現される。3.第3実施形態本実施形態では、電子機器について説明する。3.1.赤外線カメラ図9に本実施形態の焦電型光検出器または焦電型光検出装置を含む電子機器の例として赤外線カメラ400Aの構成例を示す。この赤外線カメラ400Aは、光学系400、センサーデバイス焦電型光検出装置410、画像処理部420、処理部430、記憶部440、操作部450、表示部460を含む。光学系400は、例えば1又は複数のレンズや、これらのレンズを駆動する駆動部などを含む。そしてセンサーデバイス410への物体像の結像などを行う。また必要であればフォーカス調整なども行う。センサーデバイス410は、上述した本実施形態の焦電型光検出器200を二次元配列させて構成され、複数の行線ワード線、走査線と複数の列線データ線が設けられる。センサーデバイス410は、二次元配列された検出器に加えて、行選択回路行ドライバーと、列線を介して検出器からのデータを読み出す読み出し回路と、A/D変換部等を含むことができる。二次元配列された各検出器からのデータを順次読み出すことで、物体像の撮像処理を行うことができる。画像処理部420は、センサーデバイス410からのデジタルの画像データ画素データに基づいて、画像補正処理などの各種の画像処理を行う。処理部430は、赤外線カメラ400Aの全体の制御を行い、赤外線カメラ400A内の各ブロックの制御を行う。この処理部430は、例えばCPU等により実現される。記憶部440は、各種の情報を記憶するものであり、例えば処理部430や画像処理部420のワーク領域として機能する。操作部450は、ユーザーが赤外線カメラ400Aを操作するためのインターフェースとなるものであり、例えば各種ボタンやGUIGraphicalUserInterface画面などにより実現される。表示部460は、例えばセンサーデバイス410により取得された画像やGUI画面などを表示するものであり、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイなどの各種のディスプレイにより実現される。このように、1セル分の焦電型光検出器を赤外線センサー等のセンサーとして用いる他、1セル分の焦電型光検出器を二軸方向例えば直交二軸方向に二次元配置することでセンサーデバイス410を構成することができ、こうすると熱光分布画像を提供することができる。このセンサーデバイス410を用いて、サーモグラフィー、車載用ナイトビジョンあるいは監視カメラなどの電子機器を構成することができる。もちろん、1セル分または複数セルの焦電型光検出器をセンサーとして用いることで物体の物理情報の解析測定を行う解析機器測定機器、火や発熱を検知するセキュリティー機器、工場などに設けられるFAFactoryAutomation機器などの各種の電子機器を構成することもできる。3.2.運転支援装置図10に本実施形態の焦電型光検出器または焦電型光検出装置を含む電子機器の例として、運転支援装置600の構成例を示す。この運転支援装置600は、運転支援装置600を制御するCPUを備えた処理ユニット610と、車両外部の所定撮像領域に対して赤外線を検出可能な赤外線カメラ620と、車両のヨーレートを検出するヨーレートセンサー630と、車両の走行速度を検出する車速センサー640と、運転者のブレーキ操作の有無を検出するブレーキセンサー650と、スピーカー660と、表示装置670とを備えて構成されている。この運転支援装置600の処理ユニット610は、例えば赤外線カメラ620の撮像により得られる自車両周辺の赤外線画像と、各センサー630~650により検出される自車両の走行状態に係る検出信号とから、自車両の進行方向前方に存在する物体及び歩行者などの対象物を検出し、検出した対象物と自車両との接触が発生する可能性があると判断したときに、スピーカー660または表示装置670により警報を出力する。また、たとえば図11に示すように、赤外線カメラ620は、車両の前部において車幅方向の中心付近に配置されている。表示装置670は、フロントウィンドーにおいて運転者の前方視界を妨げない位置に各種情報を表示するHUDHeadUpDisplay671などを備えて構成されている。3.3.セキュリティー機器図12に本実施形態の焦電型光検出器または焦電型光検出装置を含む電子機器の例として、セキュリティー機器700の構成例を示す。セキュリティー機器700は、少なくとも監視エリアを撮影する赤外線カメラ710と、監視エリアへの侵入者を検知する人感センサー720と、赤外線カメラ710から出力された画像データを処理して監視エリアに侵入した移動体を検知する動き検知処理部730と、人感センサー720の検知処理を行う人感センサー検知処理部740と、赤外線カメラ710から出力された画像データを所定の方式で圧縮する画像圧縮部750と、圧縮された画像データや侵入者検知情報の送信や外部装置からセキュリティー機器700への各種設定情報などを受信する通信処理部760と、セキュリティー機器700の各処理部に対して条件設定、処理コマンド送信、レスポンス処理をCPUで行う制御部770とを備えて構成されている。動き検知処理部730は、図示しないバッファメモリーと、バッファメモリーの出力が入力されるブロックデータ平滑部と、ブロックデータ平滑部の出力が入力される状態変化検出部とを備える。そして動き検出処理部730の状態変化検出部は、監視エリアが静止状態であれば動画で撮影した異なるフレームでも同一画像データとなるが、状態変化移動体の侵入があるとフレーム間の画像データで差が生じることを利用して状態変化を検知している。また、たとえば軒下に設置されているセキュリティー機器700と、セキュリティー機器700に組み込まれている赤外線カメラ710の撮像エリアA1と、人感センサー720の検知エリアA2を側面から示したものを図13に示す。3.4.ゲーム機器図14および図15は、本実施形態の焦電型光検出器または焦電型光検出装置を含む電子機器の例として、前述のセンサーデバイス410を用いたコントローラー820を含むゲーム機器800の構成例を示す。図14に示すように、図15のゲーム機器800に用いられるコントローラー820は、撮像情報演算ユニット830と、操作スイッチ840と、加速度センサー850と、コネクター860と、プロセッサー870と、無線モジュール880と、を備えて構成される。撮像情報演算ユニット830は、撮像ユニット831と、この撮像ユニット831で撮像した画像データを処理するための画像処理回路835を有する。撮像ユニット831は、センサーデバイス832図9のセンサーデバイス410を含み、その前方には、赤外線フィルター赤外線だけを通すフィルター833及び光学系レンズ834を配置している。そして、画像処理回路835は、撮像ユニット831から得られた赤外線画像データを処理して、高輝度部分を検知し、それの重心位置や面積を検出してこれらのデータを出力する。プロセッサー870は、操作スイッチ840からの操作データと、加速度センサー850からの加速度データおよび高輝度部分データを一連のコントロールデータとして出力する。無線モジュール880は所定周波数の搬送波をこのコントロールデータで変調し、アンテナ890から電波信号として出力する。なおコントローラー820に設けられているコネクター860を通して入力されたデータもプロセッサー870によって上述のデータと同様に処理されてコントロールデータとして無線モジュール880とアンテナ890を介して出力される。図15に示すように、ゲーム機器800は、コントローラー820と、ゲーム機本体810と、ディスプレイ811と、LEDモジュール812Aおよび812Bとを備え、プレイヤー801が一方の手でコントローラー820を把持してゲームをプレイすることができる。そして、コントローラー820の撮像ユニット831をディスプレイ811の画面813を向くようにすると、ディスプレイ811の近傍に設置された二つのLEDモジュール812Aおよび812Bから出力される赤外線を撮像ユニット831が検知して、コントローラー820は、二つのLEDモジュール812A,812Bの位置や面積情報を高輝度点の情報として取得する。輝点の位置や大きさのデータがコントローラー820から無線でゲーム機本体810に送信され、ゲーム機本体810で受信される。プレイヤー801がコントローラー820を動かすと、輝点の位置や大きさのデータが変化するため、それを利用して、ゲーム機本体810はコントローラー820の動きに対応した操作信号を取得できるので、それにしたがってゲームを進行させることができる。3.5.体温測定装置図16に本実施形態の焦電型光検出器または焦電型光検出装置を含む電子機器の例として、体温測定装置900の構成例を示す。図16に示すように、体温測定装置900は、赤外線カメラ910と、体温分析装置920と、情報通信装置930と、ケーブル940とを備えて構成されている。赤外線カメラ910は、図示しないレンズなどの光学系と前述のセンサーデバイス410を含んで構成されている。赤外線カメラ910は所定の対象領域を撮影し、撮影された対象者901の画像情報を、ケーブル940を経由して体温分析装置920に送信する。体温分析装置920は、図示しないが、赤外線カメラ910からの熱分布画像を読み取る画像読取処理ユニットと、画像読取処理ユニットからのデータと画像分析設定テーブルに基づいて体温分析テーブルを作成する体温分析処理ユニットとを含み、体温分析テーブルに基づいて体温情報送信用データを情報通信装置930へ送信する。この体温情報送信用データは体温異常であることに対応する所定のデータを含んでもよい。また、撮影領域内に複数の対象者901を含んでいると判断した場合には、対象者901の人数と体温異常者の人数の情報を体温情報送信用データに含んでもよい。3.6.特定物質探知装置図17に本実施形態の焦電型光検出器または焦電型光検出装置を含む電子機器の例として、前述のセンサーデバイス410の焦電型光検出器の光吸収材の吸収波長をテラヘルツ域としたセンサーデバイスをテラヘルツ光センサーデバイスとして用い、テラヘルツ光照射ユニットと組み合わせて特定物質探知装置1000を構成した例を示す。特定物質探知装置1000は、制御ユニット1010と、照射光ユニット1020と、光学フィルター1030と、撮像ユニット1040と、表示部1050とを備えて構成されている。撮像ユニット1040は、図示しないレンズなどの光学系と前述の焦電型光検出器の光吸収材の吸収波長をテラヘルツ域としたセンサーデバイスを含んで構成されている。制御ユニット1010は、本装置全体を制御するシステムコントローラーを含み、該システムコントローラーは制御ユニットに含まれる光源駆動部および画像処理ユニットを制御する。照射光ユニット1020は、テラヘルツ光波長が100μm~1000μmの範囲にある電磁波を指す。出射するレーザー装置と光学系を含み、テラヘルツ光を検査対象の人物1060に照射する。人物1060からの反射テラヘルツ光は、探知対象である特定物質1070の分光スペクトルのみを通過させる光学フィルター1030を介して撮像ユニット1040に受光される。撮像ユニット1040で生成された画像信号は、制御ユニット1010の画像処理ユニットで所定の画像処理が施され、その画像信号が表示部1050へ出力される。そして人物1060の衣服内等に特定物質1070が存在するか否かにより受光信号の強度が異なるので特定物質1070の存在が判別できる。以上、いくつかの電子機器の実施形態について説明したが、上記実施形態の電子機器は説明した構成に限定されず、その構成要素の一部例えば光学系、操作部、表示部等を省略し、あるいは他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。3.7.センサーデバイス図18Aに図16のセンサーデバイス410の構成例を示す。このセンサーデバイスは、センサーアレイ500と、行選択回路行ドライバー510と、読み出し回路520を含む。またA/D変換部530、制御回路550を含むことができる。行選択回路行ドライバー510と読み出し回路520を駆動回路と称する。このセンサーデバイスを用いることで、図9に示す、たとえばナイトビジョン機器などに用いられる赤外線カメラ400Aなどを実現できる。センサーアレイ500には、例えば図8に示すように二軸方向に複数のセンサーセルが配列配置される。また複数の行線ワード線、走査線と複数の列線データ線が設けられる。なお行線及び列線の一方の本数が1本であってもよい。例えば行線が1本である場合には、図18Aにおいて行線に沿った方向横方向に複数のセンサーセルが配列される。一方、列線が1本である場合には、列線に沿った方向縦方向に複数のセンサーセルが配列される。図18Bに示すように、センサーアレイ500の各センサーセルは、各行線と各列線の交差位置に対応する場所に配置形成される。例えば図18Bのセンサーセルは、行線WL1と列線DL1の交差位置に対応する場所に配置されている。他のセンサーセルも同様である。行選択回路510は、1又は複数の行線に接続される。そして各行線の選択動作を行う。例えば図18BのようなQVGA320×240画素のセンサーアレイ500焦点面アレイを例にとれば、行線WL0、WL1、WL2WL239を順次選択走査する動作を行う。即ちこれらの行線を選択する信号ワード選択信号をセンサーアレイ500に出力する。読み出し回路520は、1又は複数の列線に接続される。そして各列線の読み出し動作を行う。QVGAのセンサーアレイ500を例にとれば、列線DL0、DL1、DL2DL319からの検出信号検出電流、検出電荷を読み出す動作を行う。A/D変換部530は、読み出し回路520において取得された検出電圧測定電圧、到達電圧をデジタルデータにA/D変換する処理を行う。そしてA/D変換後のデジタルデータDOUTを出力する。具体的には、A/D変換部530には、複数の列線の各列線に対応して各A/D変換器が設けられる。そして、各A/D変換器は、対応する列線において読み出し回路520により取得された検出電圧のA/D変換処理を行う。なお、複数の列線に対応して1つのA/D変換器を設け、この1つのA/D変換器を用いて、複数の列線の検出電圧を時分割にA/D変換してもよい。制御回路550タイミング生成回路は、各種の制御信号を生成して、行選択回路510、読み出し回路520、A/D変換部530に出力する。例えば充電や放電リセットの制御信号を生成して出力する。或いは、各回路のタイミングを制御する信号を生成して出力する。以上、いくつかの実施形態について説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるものである。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義または同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。例えば、基体は基板、ベースあるいは基盤、支持基盤などあらゆる支持構造を指すものとする。本発明は、種々の焦電型光検出器に広く適用することができる。検出する光の波長は問わない。また、焦電型光検出器または焦電型光検出装置、あるいはそれらを有する電子機器は、例えば、供給する熱量と流体が奪う熱量とが均衡する条件下にて流体の流量を検出するフローセンサーなどにも適用できる。このフローセンサーに設けられる熱伝対などに代えて本発明の焦電型検出器または焦電型検出装置を設けることができ、光以外を検出対象とすることもできる。以上説明したように、本発明の少なくとも一つの実施形態によれば、例えば、焦電型光検出器の検出出力を、格段に向上させることができる。"