"母材ガラス板を加熱炉内で加熱して軟化させ所望の厚さに延伸してガラス条を成形する加熱延伸工程を有するガラス条の製造方法において、前記加熱延伸工程において、前記加熱炉内における前記母材ガラス板の両方の面でガス流が同じになるようにして前記母材ガラス板を延伸することを特徴とするガラス条の製造方法。前記加熱延伸工程において、前記母材ガラス板の両方の面に独立にガスを導入することを特徴とする請求項1のガラス条の製造方法。前記加熱延伸工程において、前記加熱炉内にガスを導入し、該ガスを導入するガス導入口は、片方の面で前記母材ガラス板の幅方向に複数に分割されていることを特徴とする請求項1または2に記載のガラス条の製造方法。前記ガスが前記加熱炉に導入される前に予熱されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1つに記載のガラス条の製造方法。前記母材ガラス板の延伸時のメニスカス長さが母材ガラス板の幅の1.5倍以上10倍以下であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1つに記載のガラス条の製造方法。前記加熱延伸工程において、前記母材ガラス板の平均粘度が106ポアズ以上であり、メニスカス部の最低粘度が1055ポアズ以上1076ポアズ以下となるように加熱することを特徴とする請求項1から5のいずれか1つに記載のガラス条の製造方法。前記加熱延伸工程において、前記母材ガラス板を軟化させる前記加熱炉と、延伸された前記ガラス条を徐冷する徐冷炉とを設け、それぞれを独立に温度制御してガラス条を作製することを特徴とする請求項1から6のいずれか1つに記載のガラス条の製造方法。前記加熱延伸工程において、引き落とし率が20以下となるように前記母材ガラス板を延伸することを特徴とする請求項1から7のいずれか1つに記載のガラス条の製造方法。前記ガラス条の断面アスペクト比が10以上、1000以下であることを特徴とする請求項1から8のいずれか1つに記載のガラス条の製造方法。前記加熱延伸工程の後に、前記ガラス条の形状を計測し、前記形状の目標値と実測値との差を引き取り機構にフィードバックして、前記ガラス条の引き出し速度を制御することを特徴とする請求項1から9のいずれか1つに記載のガラス条の製造方法。前記計測値は、前記ガラス条の幅であることを特徴とする請求項10に記載のガラス条の製造方法。前記母材ガラス板として石英ガラスのガラス板を用いることを特徴とする請求項1から11のいずれか1つに記載のガラス条の製造方法。前記母材ガラス板として多成分ガラス板を用いることを特徴とする請求項1から11のいずれか1つに記載のガラス条の製造方法。しかし、特許文献2に記載されている方法のように、加熱炉の下部にエアーカーテンを設置し、下部からの大気の混入を遮断しても、なお加熱炉内に不安定なガスの対流が起こり、薄ガラス板の表面のうねりや曲がりを抑制できない場合がある。また、加熱炉の上部からも大気が混入することがあるが、この加熱炉の上部からの大気が混入により、加熱炉内に不安定なガスの対流が生じると、大気中のダストが加熱炉内に入ってしまい、得られる薄ガラス板の表面に付着してしまうことがある。さらには、加熱中にガラス表面が蒸発し、蒸発したガスが炉内の低温部で粒子化し、その粒子が延伸途中の母材や延伸後のガラス条に堆積し表面欠陥の原因となったり、上記の蒸発ガスが炉内の部材を腐食し炉内部材を劣化させたり、炉内の材料と反応しダストを形成しガラスのダストとなり延伸途中の母材や延伸後のガラス条に堆積し表面欠陥の原因となる場合がある。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、コストを増加させずに、加熱延伸後のガラス条の平坦度、うねり、および曲がりを小さくできるガラス条の製造方法を提供することを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、発明者が種々の実験をかさねたところ、加熱延伸工程において、母材ガラス板の両方の面でガス流が同じになるようにして母材ガラス板を延伸することにより、平坦度のよいガラス条を得ることができることが判った。この発明にかかる第1のガラス条の製造方法によれば、母材ガラス板を加熱炉内で加熱して軟化させ所望の厚さに延伸してガラス条を成形する加熱延伸工程を有するガラス条の製造方法において、加熱炉内における母材ガラス板の両方の面でガス流が同じになるようにして母材ガラス板を延伸することを特徴とする。ここで、母材ガラス板の両方の面とは、母材ガラス板の断面において、縦横のうち幅の広い方の2つの面を意味する。また、ガス流が同じになるようにとは、目標としてガス流が同じになるように意図して作製することを意味しており、避けられない種々の外的要因から結果的にガス流が変わってしまったものも当然含まれるものである。また、この発明にかかる第2のガラス条の製造方法によれば、加熱延伸工程において、母材ガラス板の両方の面に独立にガスを導入することを特徴とする。また、この発明にかかる第3のガラス条の製造方法によれば、加熱延伸工程において、加熱炉内にガスを導入し、該ガスを導入するガス導入口は、片方の面で母材ガラス板の幅方向に複数に分割されていることを特徴とする。また、この発明にかかる第4のガラス条の製造方法によれば、ガスが加熱炉に導入される前に予熱されていることを特徴とする。また、この発明にかかる第5のガラス条の製造方法によれば、母材ガラス板の延伸時のメニスカス長さが母材ガラス板の幅の1.5倍以上10倍以下であることを特徴とする。また、この発明にかかる第6のガラス条の製造方法によれば、加熱延伸工程において、母材ガラス板の母材ガラス板の平均粘度が106ポアズ以上であり、メニスカス部の最低粘度が1055ポアズ以上1076ポアズ以下となるように加熱することを特徴とする。また、この発明にかかる第7のガラス条の製造方法によれば、加熱延伸工程において、母材ガラス板を軟化させる加熱炉と、延伸されたガラス条を徐冷する徐冷炉とを設け、それぞれを独立に温度制御してガラス条を作製することを特徴とする。また、この発明にかかる第8のガラス条の製造方法によれば、加熱延伸工程において、引き落とし率が20以下となるように母材ガラス板を延伸することを特徴とする。ここで、引き落とし率とは、延伸の前後の幅の変化のことを言い、延伸後の幅の大きさ/延伸前の幅の大きさ×100のことを言う。また、この発明にかかる第9のガラス条の製造方法によれば、ガラス条の断面アスペクト比が10以上、1000以下であることを特徴とする。ここで、断面アスペクト比とは、断面の幅と厚さの比を指すものである。また、この発明にかかる第10のガラス条の製造方法によれば、加熱延伸工程の後に、ガラス条の形状を計測し、形状の目標値と実測値との差を引き取り機構にフィードバックして、ガラス条の引き出し速度を制御することを特徴とする。また、この発明にかかる第11のガラス条の製造方法によれば、計測値は、ガラス条の幅であることを特徴とする。また、この発明にかかる第12のガラス条の製造方法によれば、母材ガラス板として石英ガラスのガラス板を用いることを特徴とする。また、この発明にかかる第13のガラス条の製造方法によれば、母材ガラス板として多成分ガラス板を用いることを特徴とする。また、この発明にかかる第14のガラス条によれば、加熱された母材ガラス板を所望の厚さに延伸して作製されガラス条であって、平均粗さが200nm以下であり、幅が40mm以下であることを特徴とする。また、この発明にかかる第15のガラス条によれば、平坦度が0.5μm/mm以下であり、1mm波長でのうねりが100nm以下であることを特徴とする。これによりラップ工程を簡素化でき、これによりラップ材として研磨レートの低いものが採用できることから、ラップ後のガラス板の表面粗さも改善することができる。ここで、平坦度とは、条を必要な面積の基板として切り取った後、それ全体を水平面上に置いた時、基板面状の任意の1mm離れた二点での垂直方向の最高点と最低点の差を指す。1mm波長でのうねりとは、測定器:ZYGONEWVIEW200ZYGO社により測定されたものを指し、測定面範囲0.85mm×0.64mmにおける、波長50μm以上の全波長領域の平均粗さを指す。平均粗さとは、JIS-B0601-2001の規格に基づき測定されたものを指し、特に平均粗さは算術平均高さRaを指す。また、この発明にかかる第16のガラス条によれば、平坦度が0.25μm/mm以下であり、1mm波長でのうねりが10nm以下であり、平均粗さが100nm以下であることを特徴とする。これにより用途によってはラップ工程を省略できる。また、この発明にかかる第17のガラス条によれば、平坦度が0.15μm/mm以下であり、1mm波長でのうねりが0.5nm以下であり、平均粗さが2nm以下であることを特徴とする。これにより用途によってはラップ工程と1次ポリッシュを省略できる。また、この発明にかかる第18のガラス条によれば、平坦度が0.05μm/mm以下であり、1mm波長でのうねりが0.2nm以下であり、平均粗さが0.5nm以下であることを特徴とする。これにより最終ポリッシュ工程だけとすることも可能となる。また、この発明にかかる第19のガラス条によれば、材質が石英ガラスであることを特徴とする。さらに、この発明にかかる第20のガラス条によれば、材質が多成分ガラスであることを特徴とする。また、この発明にかかる第21のガラス基板によれば、加熱された母材ガラス板を所望の厚さに延伸して作製されたガラス基板であって、平均粗さが200nm以下であり、幅が40mm以下であることを特徴とする。本発明によれば、加熱延伸後のガラス条の平坦度、うねり、および曲がりを小さくできるという効果を奏する。以下に、本発明にかかるガラス条の製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。実施の形態1.図1は本発明にかかるガラス条の製造方法の尖形工程を説明するための模式図である。本実施の形態においては、母材として長尺平板状の母材ガラス板1を用いた。母材ガラス板1の材質は石英ガラスである。この母材ガラス板1の表面状態は板厚を一定にして平坦度を所定の範囲0.1mm/100mmから0.01mm/100mmにするために両面から研削加工を行った後、透明になる程度まで火炎研摩もしくは機械研摩したものである。母材ガラス板1の角はクラック防止の為に0.5mmR以上面取りされている。また、母材ガラス板1の形状は、長さ約1m、幅3505mm、厚さ10.8mm、表面粗さがRaで0.05μmのものが用いられる。また、断面アスペクト比は32.45である。本工程においては、次の加熱延伸工程において、最初の引き出し動作が容易なように母材ガラス板1の先端を尖形にし、先端部に錘状部分を形成した。本実施の形態においては、ヒータ2により母材ガラス板1を溶断することによりこれを実現するがこれに限定されるものではない。本工程においては、予め母材ガラス板1の長手方向中間部1aをヒータ2により加熱し、さらに母材ガラス板1の長手方向両端部をそれぞれA,A方向に引張する。これにより、中間部1aが溶断し、母材ガラス板1の先端部が略三角形状となるとともに、三角形の頂点に錘状部分が形成される。これにより、次の加熱延伸工程において、母材ガラス板1の最初の引き出し動作をスムーズに行うことができる。図2は母材ガラス板1の基端部に支持棒3が接続された様子を示す模式図である。何枚かの母材ガラス板1の先端と後端をつなぎ合わせて所定の長さとした後、後部の母材ガラス板1の基端部に支持棒3を接続する。これにより、母材ガラス板1の加熱延伸装置への投入を容易にするとともに、母材ガラス板1を基端部まで無駄なく使用することができる。図3は本発明にかかる実施の形態1のガラス条の製造方法の加熱延伸工程を示す加熱延伸装置の斜視図である。本実施の形態においては、母材ガラス板を加熱する加熱工程と、加熱により軟化した母材ガラス板を所望の厚さに延伸する延伸工程とが同時に行われる。加熱延伸装置50は、母材ガラス板1を加熱する電気抵抗炉である加熱炉10と、この加熱炉10に母材ガラス板1を送り込む母材送り機構20と、この加熱炉10から母材ガラス板1を引き出す引き取り機構30とを有している。加熱炉10内には、母材ガラス板1を加熱する加熱手段としてヒータ15が設けられている。また、加熱炉10の上部にガスフランジ6を設け、母材ガラス板1の両方の面に独立にガスを導入し、加熱炉10内を大気圧と比較して正圧に保ち、かつ母材ガラス板1の両方の面でガス流が同じになるようにした。図4は加熱炉内へのガスの導入方法の一例を示す図であり、加熱炉10の上方における断面図である。図4に示すようにガスは母材ガラス板1の両方の面に導入され、その流量はそれぞれマスフローコントローラーMFCで制御されている。また、ガス導入口は、片方の面で複数に分割されていることが好ましく、これにより、母材ガラス板1の幅方向に均一な温度分布を得ることができる。また、ガス導入口は、延伸方向には2箇所以上設けることが好ましい。これにより、より確実に加熱炉内への大気の混入を防ぐことができる。このような方法を用いることで、加熱炉内において、上から下へのガスの流れが形成され、不安定なガスの対流が起こることを防ぐことができる。このように炉内に強制的にガス流を作ることで、長手で安定した炉内の流れを実現でき、ガスと母材ガラス板や延伸後のガラス条の熱伝達が安定するため、ガラス条の表面の平坦度を向上できる。さらに、メニスカスの固化部がガラス条の両方の面で同じになるのでガラス条の曲がりを低減できる。また、加熱炉10内を大気と比較して正圧に保つことにより、加熱炉内10へのダストの混入を防ぐことができる。なお、加熱炉内におけるガスの流れが下から上になるようにガス流を形成しても良い。ここで、加熱炉内に導入するガスは、N2、Ar、He、あるいはそれらの混合ガスなどが用いられる。母材ガラス板として多成分ガラスを用いる場合には、加熱炉内に導入するガスとして大気を用いることもできる。このときクリーンで水分の少ない空気を使うことが好ましい。また、加熱炉内に導入されるガスをあらかじめ400°Cから1200°C程度に予熱することが好ましい。予熱温度は母材ガラス板の材質により適宜調整される。この予熱には加熱炉または徐冷炉の熱を利用すると、あらためてガス予熱用ヒータを設置する必要が無く、効率的である。本実施の形態においては、石英ガラスからなる母材ガラス板を用いた。母材送り機構20は、母材ガラス板1を約4mm/minの速さで移動させる。加熱炉10は、ヒータ温度約1850°Cにて母材ガラス板1を加熱する。このとき、母材ガラス板1の粘度は106ポアズとなる。これにより、母材ガラス板1が軟化する。引き取り機構30は、この軟化した母材ガラス板1を約5m/minの速さで引き出す。このときメニスカス長は550mmであった。ここで、メニスカス長とは母材幅が元の母材幅の部分から形成したいガラス条の幅になった部分までの距離のことを言う。形成されるメニスカス長は炉内のヒータ構造により母材幅の1.5倍以上10倍以下にコントロールされる。メニスカス長は、引き出し方向における加熱炉の温度分布をブロードとし、ヒートゾーンを長くすることにより、長くすることができる。さらに、炉内に導入するガスを予熱することもメニスカス長を長くする事に役立つ。図3において、加熱炉10と計測装置7の間に、ガラス条を徐冷する徐冷炉を設けても良い。このときガラス材料の軟化温度の1/2から2/3の温度までの範囲を除冷できるように設定するのが好ましく、母材ガラス板が石英ガラスから成る場合は、徐冷炉の温度は800°C程度が好ましい。徐冷炉を設けることにより、ガラス条の歪が開放され、表面欠陥の少ないガラス条を得ることができる。また、外径測定器の下には保護膜被覆装置8が設置される。保護膜被覆装置8によりガラス条11がガイドロール5に触れる前にガラス条11の表面に樹脂やアモルファスカーボンや自己潤滑性の素材の保護膜を形成することが好ましい。このとき被覆の厚さは0.1μm~10μmが好ましく、これにより、ガラス条11の表面に傷が付くことを削減することができるとともにガラス条11表面に異物が付着するのを防ぐことができる。表面に保護膜が形成されたガラス条11は強度的に強くなるため、その幅や厚さによってはカッターによる切断を行わずにボビン等に巻き取ることもできる。保護膜被覆装置8の下にはテンション測定器9が設置される。テンション測定器9ではガラス条11を引き取るテンションが測定される。ここで測定されるテンションが一定になるように加熱炉の炉温を制御することにより、延伸されるガラス条の形状を安定化できる。このとき、測定されるテンションが高い場合は加熱炉の炉温を上げ、低い場合は加熱炉の炉温を下げる。これにより、母材ガラス板1は、20.58mm、厚さ0.601mmのガラス条11に延伸された。すなわち、断面アスペクト比が34.24のガラス条11が成形された。本実施の形態においては、成形されたガラス条11の平坦度や表面うねりやガラス条の曲がりを小さいものとするとともに、加熱延伸後のガラス条への異物の付着を削減する目的で、加熱炉内を大気圧と比較して正圧に保ち、かつ前記加熱炉内における前記母材ガラス板の両方の面でガス流が同じになるように延伸が行われている。そして、本実施の形態により得られたガラス条11のうねりは2nmであり、平坦度は0.2μm/mmであった。また、表面の異物の付着率は0.01個/mであった。異物の測定は光学顕微鏡や電子顕微鏡で観察した、うねりはAFMアトミックフォース顕微鏡やレーザ顕微鏡あるいは触針式の粗さ計で測定した。また、このときの引き落とし率は約6であり、表面粗さが、平均粗さRaで4nmであった。図5は延伸時の引き落とし率を説明するグラフである。横軸は引き落とし率を示している。縦軸は表面粗さを示している。RaはJISのB0601-2001にて定義された算術平均高さで、表面粗さを表すものとして用いられている。ここでは、Ra0/Raによって粗さの変化を示しており、延伸前のRaRa0に対して、所定の引き落とし率に延伸させたとき、Raがどれだけ変化するかを示している。そして、引き落とし率を20以下となるように延伸することにより、延伸前の母材ガラス板1と比較して表面粗さを改善することができることが判った。これによって、所望の表面粗さを得られることが判った。なお、引き落とし率を実施の形態1と同様とし、温度のみを変えて、石英ガラス製の母材ガラス板1を延伸した。加熱するヒータ温度を1790°Cにすると、断面アスペクト比の変化率は、絶対値6.3、表面粗さはRaで8nmとなった。このとき、母材ガラス板1の粘度は107ポアズ程度であった。ここで、断面アスペクト比の変化が7以下とは、断面アスペクト比の変化率1-延伸前の断面アスペクト比/延伸後の断面アスペクト比の絶対値が7以下であることを意味している。一方、加熱する炉内温度を1980°Cにすると、母材ガラス板1の粘度は105ポアズ程度となり、断面アスペクト比の変化率は、絶対値で49.6、表面粗さはRaで1.7nmとなった。発明者は、このようにして種々の実験をかさねたところ、加熱延伸前の母材ガラス板の断面アスペクト比と、加熱延伸後のガラス条の断面アスペクト比とが変わらないように加熱延伸することにより、平坦度の良いガラス条が得られることを発見した。図6は母材ガラス板1の粘度を変化させたときの引き落とし率と断面アスペクト比の変化率を説明するグラフである。横軸は引き落とし率、縦軸は断面アスペクト比の変化率を示している。図5に示すように母材ガラス板1の粘度が105ポアズとなる温度で延伸した場合は、引き落とし率を小さくすると断面アスペクト比の変化率が大きくなってしまうが、母材ガラス板1の粘度が106ポアズとなる温度で延伸した場合は、引き落とし率を小さくしても断面アスペクト比の変化率を小さく維持することができる。したがって、断面アスペクト比が変わらないように加熱延伸する為には、母材ガラス板1の粘度が106ポアズ以上となるようにすることが好ましい。また、さらにメニスカス部の最低粘度が1055ポアズ以上1076ポアズ以下となるようにすることで、さらに断面アスペクト比の変化率を小さくできる。また、延伸前の母材ガラス板1の平坦度を±0.5μm、表面粗さを0.01μmまで向上させた上で、断面アスペクト比の変化率を7以下、引落率を20以下の条件で延伸することで平坦度0.05μm/mm、表面粗さ0.5nmのガラス条11を得ることができる。また、得られるガラス条11の平坦度や表面粗さは延伸前の母材ガラス板1の平坦度や表面粗さを変えることによって任意に変化させる事ができる。加熱炉10の引き出し側には、ガラス条11のよじれ防止用のガイドロール5が設けられている。加熱炉10とガイドロール5の間に計測装置7が設けられている。計測装置7は、ガラス条11の形状を計測するものであるが、0.5mm程度まで薄くされた厚さを連続的に正確に計測することは容易でないので、計測装置7はガラス条11の幅を計測することとした。好ましくは、延伸装置の直下とする事がよく、この時にメニスカスの固化点は炉内に位置するようにする。計測装置7の計測した計測値は、フィードバック経路13を経由して母材送り機構20にフィードバックされる。母材送り機構20は、このフィードバック値に基づいて母材送り速度をコントロールする。計測装置7の計測した計測値は、またフィードバック経路14を経由して引き取り機構30にフィードバックされる。引き取り機構30は、このフィードバック値に基づいて引き出し速度をコントロールする。本実施の形態においては、延伸後のガラス条11の形状を安定したものとする目的で、引き取り速度のコントロールを主に、母材の送り速度のコントロールを従にして速度制御が行われる。引き取り速度の制御周期は0.1秒から2秒で、母材送り速度の制御周期は、引き取り速度の10倍から100倍とし制御系の干渉を無くしている。加熱炉10内にて行われる加熱動作加熱延伸工程について説明する。加熱延伸工程においては、母材ガラス板1の平均粘度が106ポアズ以上となるように加熱される。断面が長方形の母材ガラス板1を用いる場合、幅方向と厚さ方向で伝熱が異なるために母材に温度分布が発生しやすい。そのため、ヒータにより形成される空間の温度分布を幅方向に不均一にして加熱する。具体的には、母材ガラス板の進行方向に直交する方向に併設され、それぞれ独立に制御可能な例えば3個のヒータ15a,15b,15cにより温度分布が不均一に制御される。このようにして成形されたガラス条11は、引き取り機構30の下流に設けられたカッター21にて表面に溝が形刻され、図示しないキャプスタンにより折り曲げて折られ、約1mの長さに折りそろえられる。また、加熱炉10の下流側にガラス条11を強制的に冷却する例えば送風機を設け、これにより、ガラス条11の表面を急速に冷却し、まだ完全に固化していないガラス条11の表面の硬さをまして、ガイドロール5等によってガラス条11の表面に傷が付きにくくするようにしてもよい。本実施の形態では母材ガラス板1として石英ガラスを用いたが、材質が多成分ガラス、すなわち、アルミナ系、ホウ酸系、ソーダ系など多成分ガラスに加えアルカリ金属、金属を含み、石英ガラスより軟化温度が低いものを用いても良い。多成分ガラスは一般的に石英ガラスと比較して軟化温度の低く、比較的簡単な加熱装置で加工することができる。例えばホウ素系ガラスでは、1260°C程度で加工できる。このような多成分ガラスを用いた場合は加工温度が材料に対し最適な温度となるように調整する。具体的には、母材ガラス板の平均粘度が106ポアズ以上であり、メニスカス部の最低粘度が1055ポアズ以上1076ポアズ以下となるような温度を選択すればよい。一方、軟化温度の高い石英ガラスは、高温に加熱する必要があり設備負荷が大きいが、後の強化工程が無くても使用するに十分な強度のものが得られる。実施の形態2.本実施の形態の加熱延伸工程においては、加熱炉10内に窒素ガスを流し、ガラス条11の表面に窒素をドープして剛性を高めた。また、加熱延伸工程の直後に、ガラス条11をアンモニアガス雰囲気中に通過させ、ガラス条11の表面に窒素をドープして剛性を高めた。また、実施の形態1と同様に母材ガラス板1の両方の面に独立にガスを導入し、加熱炉10内を大気圧と比較して正圧に保ち、かつ母材ガラス板1の両方の面でガス流が同じになるようにした。このようにして表面の剛性を高めることにより、ガイドロール5等によってガラス条11の表面に傷が付きにくくする。好ましくは樹脂やアモルファスカーボンや自己潤滑性の素材の保護膜を形成することが良い。なお、本実施の形態においては、ガラス条11に窒素をドープすることにより表面を強化しているが、加熱延伸の直後に、ガラス条11の表面に窒素をドープした後に、樹脂、アモルファスカーボンや自己潤滑性の素材の保護膜を形成することにより、ガラス条11の表面に傷が付くことを防止するようにしてもよい。実施の形態1により得られたガラス条から磁気ディスク基板を作成した。ます、得られたガラス条を所望の形状に切り取り、切り取った面を化学的低濃度のフッ酸水溶液でのエッチングあるいは機械的あるいは、石英や酸化チタンなどの無機物のコーティングや、フェムト秒レーザによる、切断面の近傍の基板ガラスの内部に圧縮応力が作用する密度変質層を形成した後、溶剤や超音波を用いたウエットプロセスまたはO2プラズマを用いたドライプロセスにより、ガラス条に傷が付かないように保護膜を剥離した。次に、コロイダルシリカスラリーを用いて基板面をポリッシュし、片面0.2μmを研磨した。これにより、表面の歪層を除去すると同時に表面の異物やキズをも除去することができる。本ポリッシュには10分程度の時間を要した。このように本発明によれば、ポリッシュによる削り量を小さくすることができる。実施例1母材ガラス板として、幅100mm、厚さ2mmのものを使用した。表面粗さはRaで73nmであった。本発明に係る製造方法にて、線引炉にて線引した結果、幅22.3mm、厚さ0.45mmのガラス板となった。このとき、引き落とし率は20であった。最終的に、平坦度が1μm/mm、うねりが9nm、粗さRaが10nmのガラス条が作製された。実施例2実施例1と同じサイズの母材ガラス板を使用した。線引炉の中にヘリウムガスを10l/min、実施例1と同じ温度で加熱した。線引炉にて線引した結果、平坦度が0.1μm/mm、うねりが2nm、粗さRaが30nmのガラス条が作製された。熱伝導率の良いヘリウムガスの作用で、ガラスが均熱化され、平坦度とうねりが同時に改善された。しかし、ヘリウムガスの熱伝導でガラス表面温度が下がり、ガラス粘度が上がったため粗さが悪化した。実施例3線引炉に投入された母材ガラス板の軸線方向中心線と、図3の計測装置7の位置におけるガラス条の軸線方向中心線と図3の引き取り機構30におけるガラス条の軸線方向中心線が直線状に存在しないような相互間の位置の場合、ガラス板を次第に斜めに引くことになり、作製したガラス条にそり曲りが生じた。ここで、そり曲がりは、定量的に言えば上述の平坦度と同義なものを表現し、この場合の平坦度としては10μm/mm以上が生じた。実施例4母材引出し先端と引取機入口との距離が約3mの場合、両者を結ぶ線と母材ガラス板の軸線方向中心線が、引取機の位置で0.1mm以内のずれになるように、引取機アラインメントを調整した。このようにすると、作製したガラス条にそり曲がりが生じなかった。実施例5母材ガラス板を、幅100mm、厚さ2mm、および表面粗さRa4nmに予め仕上げておいた。これを、線引炉にて線引した結果、幅22.3mm、厚さ0.45mmのガラス板となった。このとき、引き落とし率は20であった。最終的に、平坦度が1μm/mm、うねりが2nm、粗さRaが0.6nmのガラス条が作製された。仕上がりの粗さは実施例1に比べ改善された。母材ガラス板の粗さを小さくした作用である。次いで、コロイダルシリカスラリーを用いて基板面を10分程度ポリッシュした。結果、粗さRaは0.3nmに改善されたものの、うねりはほとんど縮小されなかった。実施例6母材ガラス板を、幅100mm、厚さ2mm、および表面粗さはRa4nmに予め仕上げておいた。これを、ヘリウムガスを10l/min流した線引炉の中に設置して、実施例5同じ温度にて加熱して、線引きした。幅22.3mm、厚さ0.45mmのガラス板となった。このとき、引き落とし率は20であった。最終的に、平坦度が1μm/mm、うねりが0.45nm、粗さRaが2nmのガラス条が作製された。仕上がりの粗さは実施例1に比べ改善された。次いで、これに対して、コロイダルシリカスラリーを用いて基板面を10分程度ポリッシュした。結果、粗さRaは0.3nmに改善され、うねりも0.15nmに縮小された。実施例5および6を比較すると、研磨プロセスでは、1mm波長のうねりを取る方が粗さを消すより難しいことが分かった。磁気ディスク基板用途で本発明のガラス基板を製造するには、うねり0.5nm以下、粗さ2nm以下のように、うねりをより小さくしておく方が有利であることが分かった。その手法としては、引き出す引出炉のガスの熱伝導と炉温の調整により、仕上がりのうねりと粗さの関係を制御できる。以上のように、本発明にかかるガラス条の製造方法により作製されたガラス条は、その平坦性と表面性を活かした商品群に展開可能である。一例として、半導体素子、電界効果型のフラットパネルヂスプレイに用いるスペーサや回路基板の材料に好適なものである。"