X線に感応し入射X線量に対応した電荷信号を出力する変換膜と、前記変換膜の表面に形成され前記変換膜に対してバイアス電圧を付加する共通電極と、前記変換膜の前記共通電極とは逆側の表面に画素に対応して行列状に配置された複数の画素電極と、前記各画素電極に各々接続された電荷信号を蓄積する複数の蓄積容量と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、信号の読み出し時にゲートバスラインを介して各スイッチング素子を順次オンとするゲートドライバと、前記各蓄積容量に蓄積された電荷信号をデータバスラインを介して読み出すデータ集積部と、を備えた二次元アレイX線検出器の検査方法において、前記共通電極によるバイアス電圧の付与と付与の停止とを複数回繰り返すバイアス電圧工程と、X線を照射しない状態における各画素の画素値を測定する暗電流値測定工程と、前記暗電流値測定工程で測定した各画素の画素値に基づいて欠損画素を識別する欠損画素識別工程と、前記欠損画素識別工程において識別した欠損画素の総数または欠損画素塊の大きさに基づいて二次元アレイX線検出器の適否を判定する判定工程と、を備えたことを特徴とする二次元アレイX線検出器の検査方法。請求項1に記載の二次元アレイX線検出器の検査方法において、前記バイアス電圧工程におけるバイアス電圧を付与する時間とバイアス電圧の付与を停止する時間は、欠損画素の総数または欠損画素塊の大きさの変化を経時的に測定することにより、前記変換膜の電荷状態が安定する期間として予め設定した時間である二次元アレイX線検出器の検査方法。X線に感応し入射X線量に対応した電荷信号を出力する変換膜と、前記変換膜の表面に形成され前記変換膜に対してバイアス電圧を付加する共通電極と、前記変換膜の前記共通電極とは逆側の表面に画素に対応して行列状に配置された複数の画素電極と、前記各画素電極に各々接続された電荷信号を蓄積する複数の蓄積容量と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、信号の読み出し時にゲートバスラインを介して各スイッチング素子を順次オンとするゲートドライバと、前記各蓄積容量に蓄積された電荷信号をデータバスラインを介して読み出すデータ集積部と、を備えた二次元アレイX線検出器の検査方法において、前記共通電極によるバイアス電圧の付与と逆バイアス電圧の付与とを複数回繰り返すバイアス電圧工程と、X線を照射しない状態における各画素の画素値を測定する暗電流値測定工程と、前記暗電流値測定工程で測定した各画素の画素値に基づいて欠損画素を識別する欠損画素識別工程と、前記欠損画素識別工程において識別した欠損画素の総数または欠損画素塊の大きさに基づいて二次元アレイX線検出器の適否を判定する判定工程と、を備えたことを特徴とする二次元アレイX線検出器の検査方法。請求項3に記載の二次元アレイX線検出器の検査方法において、前記バイアス電圧工程におけるバイアス電圧を付与する時間と逆バイアス電圧を付与する時間は、欠損画素の総数または欠損画素塊の大きさの変化を経時的に測定することにより、前記変換膜の電荷状態が安定する期間として予め設定した時間である二次元アレイX線検出器の検査方法。請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の二次元アレイX線検出器の検査方法において、前記判定工程においては、前記欠損画素織別工程で識別した欠損画素に基づいて欠損マップを作成し、この欠損マップに基づいて二次元アレイX線検出器の適否を判定する二次元アレイX線検出器の検査方法。請求項5に記載の二次元アレイX線検出器の検査方法において、前記バイアス電圧工程の前に、初期の欠損マップを作成する初期欠損マップ作成工程をさらに備え、前記判定工程においでは、前記欠損画素織別工程で識別した欠損画素に基づいて作成した欠損マップと前記初期欠損マップ作成工程で作成した初期の欠損マップとを比較することにより二次元アレイX線検出器の適否を判定する二次元アレイX線検出器の検査方法。請求項1乃至請求項4いずれかに記載の二次元アレイX線検出器の検査方法において、前記暗電流値測定工程においては、前記変換膜にX線を照射しない状態で、前記スイッチング素子を順次オンとして各画素の電荷信号を検出する二次元アレイX線検出器の検査方法。請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の二次元アレイX線検出器の検査方法において、前記バイアス電圧工程においては、前記変換膜を加熱する二次元アレイX線検出器の検査方法。このようなa-Se等の変換膜を使用した二次元アレイX線検出器においては、製造プロセスにおいて欠損画素が発生する場合がある。これらの欠損画素の一部は、二次元アレイX線検出器を使用している間にその数や大きさが急激に成長し、短期間の間にX線撮影を阻害する。このように、短期間に急激に成長する成長性を有する欠損画素が存在する二次元X線検出器については、欠損画素が正しいX線撮影を不可能とすることから、この二次元X線検出器をX線撮影装置等に使用することは不可能である。一方、欠損画素の全てが、このように短期間に急激に成長する成長性を有する欠損画素であるわけではない。成長性を有しない欠損画素については、欠損登録を行い画素値を補完することにより、このような欠損画素を備える二次元アレイX線検出器をX線撮影に使用することは可能である。このため、欠損画素については、それが急激に成長するものであるか、大きさに変化がないものであるのかを判定する必要があるが、二次元X線アレイ検出器における欠損数や欠損サイズ等を考慮しても、このような判定はできていないというのが現状である。この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、短時間でその大きさが大きくなる成長性を有する欠損画素を識別することにより、X線撮影に適さない二次元アレイX線検出器を認識することが可能な二次元アレイX線検出器の検査方法を提供することを目的とする。請求項1に記載の発明は、X線に感応し入射X線量に対応した電荷信号を出力する変換膜と、前記変換膜の表面に形成され前記変換膜に対してバイアス電圧を付加する共通電極と、前記変換膜の前記共通電極とは逆側の表面に画素に対応して行列状に配置された複数の画素電極と、前記各画素電極に各々接続された電荷信号を蓄積する複数の蓄積容量と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、信号の読み出し時にゲートバスラインを介して各スイッチング素子を順次オンとするゲートドライバと、前記各蓄積容量に蓄積された電荷信号をデータバスラインを介して読み出すデータ集積部と、を備えた二次元アレイX線検出器の検査方法において、前記共通電極によるバイアス電圧の付与と付与の停止とを複数回繰り返すバイアス電圧工程と、X線を照射しない状態における各画素の画素値を測定する暗電流値測定工程と、前記暗電流値測定工程で測定した各画素の画素値に基づいて欠損画素を識別する欠損画素識別工程と、前記欠損画素識別工程において識別した欠損画素の総数または欠損画素塊の大きさに基づいて二次元アレイX線検出器の適否を判定する判定工程とを備えたことを特徴とする。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記バイアス電圧工程におけるバイアス電圧を付与する時間とバイアス電圧の付与を停止する時間は、欠損画素の総数または欠損画素塊の大きさの変化を経時的に測定することにより、前記変換膜の電荷状態が安定する期間として予め設定した時間である。請求項3に記載の発明は、X線に感応し入射X線量に対応した電荷信号を出力する変換膜と、前記変換膜の表面に形成され前記変換膜に対してバイアス電圧を付加する共通電極と、前記変換膜の前記共通電極とは逆側の表面に画素に対応して行列状に配置された複数の画素電極と、前記各画素電極に各々接続された電荷信号を蓄積する複数の蓄積容量と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、信号の読み出し時にゲートバスラインを介して各スイッチング素子を順次オンとするゲートドライバと、前記各蓄積容量に蓄積された電荷信号をデータバスラインを介して読み出すデータ集積部と、を備えた二次元アレイX線検出器の検査方法において、前記共通電極によるバイアス電圧の付与と逆バイアス電圧の付与とを複数回繰り返すバイアス電圧工程と、X線を照射しない状態における各画素の画素値を測定する暗電流値測定工程と、前記暗電流値測定工程で測定した各画素の画素値に基づいて欠損画素を識別する欠損画素識別工程と、前記欠損画素識別工程において識別した欠損画素の総数または欠損画素塊の大きさに基づいて二次元アレイX線検出器の適否を判定する判定工程とを備えたことを特徴とする。請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の発明において、前記バイアス電圧工程におけるバイアス電圧を付与する時間と逆バイアス電圧を付与する時間は、欠損画素の総数または欠損画素塊の大きさの変化を経時的に測定することにより、前記変換膜の電荷状態が安定する期間として予め設定した時間である。請求項5に記載の発明は、請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の発明において、前記判定工程においては、前記欠損画素織別工程で識別した欠損画素に基づいて欠損マップを作成し、この欠損マップに基づいて二次元アレイX線検出器の適否を判定する。請求項6に記載の発明は、請求項5に記載の発明において、前記バイアス電圧工程の前に、初期の欠損マップを作成する初期欠損マップ作成工程をさらに備え、前記判定工程においでは、前記欠損画素織別工程で識別した欠損画素に基づいて作成した欠損マップと前記初期欠損マップ作成工程で作成した初期の欠損マップとを比較することにより二次元アレイX線検出器の適否を判定する。請求項7に記載の発明は、請求項1乃至請求項4いずれかに記載の発明において、前記暗電流値測定工程においては、前記変換膜にX線を照射しない状態で、前記スイッチング素子を順次オンとして各画素の電荷信号を検出する。請求項8に記載の発明は、請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の発明において、前記バイアス電圧工程においては、前記変換膜を加熱する。請求項1および請求項2に記載の発明によれば、共通電極によるバイアス電圧の付与と付与の停止とを複数回繰り返すことにより、変換膜にストレスをかけることで、欠損画素の成長を促すことができる。このため、短時間でその数や大きさが大きくなる成長性を有する欠損画素を識別することができ、X線撮影に適さない二次元アレイX線検出器を認識することが可能となる。請求項3および請求項4に記載の発明によれば、共通電極によるバイアス電圧の付与と逆バイアス電圧の付与とを複数回繰り返すことにより、変換膜にストレスをかけることで、欠損画素の成長をより短時間の間に促すことができる。このため、短時間でその数や大きさが大きくなる成長性を有する欠損画素を識別することができ、X線撮影に適さない二次元アレイX線検出器を認識することが可能となる。請求項5に記載の発明によれば、欠損マップに基づいて欠損画素の総数または欠損画素塊の大きさを認定することができ、これにより、短時間でその数や大きさが大きくなる成長性を有する欠損画素を識別することができ、X線撮影に適さない二次元アレイX線検出器を認識することが可能となる。請求項6に記載の発明によれば、欠損画素織別工程で識別した欠損画素に基づいて作成した欠損マップと初期欠損マップ作成工程で作成した初期の欠損マップとを比較することにより判定を行うことから、短時間でその大きさが大きくなる成長性を有する欠損画素を、他の欠損画素と区別してより正確に検出することが可能となる。請求項7に記載の発明によれば、変換膜にX線を照射しない状態でスイッチング素子を順次オンとして各画素の電荷信号を検出することにより、暗電流値を正確に測定することが可能となる。請求項8に記載の発明によれば、バイアス電圧工程において変換膜を加熱することから、変換膜の荷電状態が安定するまでの期間を短くすることができる。このため、バイアス電圧工程を短時間で完了することが可能となる。以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。まず、この発明に係る二次元アレイX線検出器としてのフラットパネルディテクタ4を適用したX線撮影装置の構成について説明する。図1は、この発明に係るフラットパネルディテクタ4を適用したX線撮影装置の概要図である。このX線撮影装置は、被検体である被検者1を載置するテーブル2と、X線管3と、フラットパネルディテクタ4と、A/D変換器5と、画像処理部61および演算部62を備えた制御部6と、記憶部63と、キーボード等の入力部64と、CRT等の表示部65と、X線管3に付与する管電圧等を制御するX線管制御部7とを備える。このX線撮影装置は、X線管3からテーブル2上の被検者1に向けてX線を照射し、被検者1を通過したX線をフラットパネルディテクタ4により検出し、画像処理部61において検出されたX線を画像処理し、画像処理されたX線による映像信号を利用して表示部65にX線透視像を表示する構成を有する。次に、フラットパネルディテクタ4の構成について説明する。図2は、フラットパネルディテクタ4の概要図である。図2に示すように、このフラットパネルディテクタ4は、ガラス基板41とTFT薄膜トランジスタ42とから構成される基板81と、この基板81上に蒸着されたa-Se等の変換膜43と、この変換膜43上に配置された共通電極44とを備える。変換膜43の両面には、キャリア選択性の高抵抗膜82が形成されている。また、変換膜43および共通電極44は、絶縁性の補助板83とスペーサ84とにより取り囲まれており、絶縁性の補助板83と、スペーサ84と、基板81とにより形成された空間には、エポキシ樹脂等の硬化性合成樹脂が充填されている。図3は、フラットパネルディテクタ4を側面視した等価回路である。また、図4は、フラットパネルディテクタ4を平面視した等価回路である。なお、図3および図4においては、キャリア選択性の高抵抗膜82の図示を省略している。フラットパネルディテクタ4は、上述したように、ガラス基板41と、このガラス基板41上に形成されたTFT42と、このTFT42上に蒸着されたa-Se等の変換膜43と、この変換膜43上に配置された共通電極44とを備える。TFT42には、縦横のマトリックス状、すなわち、二次元アレイ状の配置で、電荷収集電極である画素電極45が配設されている。この画素電極45は、例えば、行列方向に1024個×1024個配置されている。図3および図4においては、行列方向に3個×3個配置した場合を模式的に示している。各画素電極45には、スイッチング素子46と、静電容量キャパシタ47とが接続されている。各画素電極45は、各スイッチング素子46のソースSに接続されている。図4に示すゲートドライバ51には、複数本のゲートバスライン52が接続されており、これらのゲートバスライン52はスイッチング素子46のゲートGに接続されている。一方、図4に示すように、電荷信号を収集して1つに出力するマルチプレクサ53には、増幅器54を介して複数本のデータバスライン55が接続されており、これらのデータバスライン55は、各スイッチング素子46のドレインDに接続されている。このフラットパネルディテクタ4においては、被検者1を通過したX線像が変換膜43上に投影されると、像の濃淡に比例した電荷信号キャリアが変換膜43内に発生する。この電荷信号は、二次元アレイ状に配置された画素電極45により収集され、静電容量47に蓄積される。そして、共通電極44によりバイアス電圧を付与した状態で、ゲートドライバ51によりゲートバスライン52に電圧を印加することにより、各スイッチング素子46のゲートGがオン状態となる。これにより、静電容量47に蓄積された電荷信号は、スイッチング素子46におけるソースSとドレインDとを介して、データバスライン55に読み出される。各データバスライン55に読み出された電荷信号は、増幅器54で増幅され、マルチプレクサ53で1つの電荷信号にまとめられて出力される。この電荷信号は、A/D変換器5でディジタル化され、X線検出信号として図1に示す制御部6に出力される。このような構成を有するフラットパネルディテクタ4においては、変換膜42やキャリア選択性の高抵抗膜82の特性から、製造プロセスにおいて欠損画素が発生する場合がある。そして、これらの欠損画素の一部は、フラットパネルディテクタ4を使用している間にその大きさが急激に成長する。本発明においては、共通電極44に対して繰り返しバイアス電圧を付与することによって、フラットパネルディテクタ4に存在する欠損が、このような成長性の欠損であるか否かを判定している。以下、この発明に係る二次元アレイX線検出器の検査方法について説明する。図5は、この発明に係る二次元アレイX線検出器の検査方法を示すフローチャートである。この発明に係る二次元アレイX線検出器の検査方法においては、最初に、各画素の暗電流値を測定するステップS1。このときには、フラットパネルディテクタ4における変換膜43にX線を照射しない状態で、スイッチング素子46を順次オンとすることにより、フラットパネルディテクタ4の各画素の電荷信号を画素値として検出する。このときの各画素の画素値は、暗電流値として記憶される。なお、正常な画素の画素値も予め記憶されている。全ての画素について暗電流値の測定が完了すればステップS2、フラットパネルディテクタ4における各画素毎に、X線を照射しない状態における各画素の画素値である暗電流値と正常な画素の画素値とを比較することにより、初期の欠損マップを作成するステップS3。この場合には、例えば、各画素の暗電流値が正常な画素の画素値の2倍以上となる画素を、欠損画素として判定し、これらの欠損画素の位置等がマップ化されて、初期の欠損マップとして記憶される。ここで、一般的なフラットパネルディテクタ4の正常画素の暗電流値は、おおよそ2ピコアンペアである。このため、欠損画素の判定は、例えば、暗電流値が4ピコアンペア以上であるか否かを基準とする。この段階において、欠損画素の総数が予め設定した基準値を超えた場合、または、欠損画素塊の大きさが予め設定した基準値を超えた場合においては、そのフラットパネルディテクタ4は、不良品として認定されステップS4、廃棄または再利用されるステップS11。次に、バイアス電圧工程を実行するステップS5。このバイアス電圧工程は、図6に示すサブルーチンにより実行される。図6は、この発明の第1実施形態に係るバイアス電圧工程を示すフローチャートである。このバイアス電圧工程においては、最初に、バイアス電圧を付与するステップS511。このバイアス電圧の付与は、図2および図3に示す共通電極44により実行される。そして、バイアス電圧の付与時間が経過すればステップS512、バイアス電圧の付与を停止するステップS513。次に、バイアス電圧の付与の停止時間が経過するのを待つステップS514。そして、このバイアス電圧の付与と付与の停止とを、予め設定した回数だけ繰り返すステップS515。図7および図8は、バイアス電圧の付与と停止を行ったときの変換膜43の様子を示す概要図である。なお、この図において符号71は欠損を示し、符号72はキャリア正孔を示し、符号73はキャリアトラップを示している。バイアス電圧を付与した直後は、図7aに示すように、キャリアトラップ73が存在しないために、キャリア電流が多量に流れる。しかしながら、図7bに示すように、徐々に変換膜43内にキャリアトラップ73が発生し、キャリア電流が制限される。この状態でバイアス電流の付与を停止すれば、図8aに示すように、徐々にキャリアトラップ73が解消する。すなわち、変換膜43内のキャリアトラップがキャリア72を放出するまでには、所定の時間を要する。バイアス電圧を付与し、または、その付与を停止して変換膜43内部の荷電状態が安定するまでの過渡状態の期間においては、変換膜43の内部の不均一な部分や、キャリア選択制の高抵抗膜層82に高電圧が集中し、定常状態よりも激しいストレスが変換膜43にかかる。このストレスに耐えられない領域は、部分放電して暗電流が異常に流れる欠損画素となる。暗電流の電流値が静電容量47の容量を超えた場合には、周囲の画素に電荷が溢れて数画素の大きさを持つ欠損画素塊となる。ここで、上述したように、バイアス電圧を付与し、あるいは、その付与を停止してから一定の時間が経過しなければ、変換膜43内の荷電状態は安定しないことから、荷電状態が安定するまでの期間よりもバイアス電圧のオンオフ期間の方が短ければ、上述したストレスを付与して試験したことにはならない。このため、典型的なフラットパネルディテクタ4の欠損画素の総数と欠損画素塊の大きさとの変化を予め調べることで、変換膜43内での荷電状態が安定するまでの時間を求め、この時間よりもバイアス電圧のオンオフ期間を長くすることにより、ストレスによる欠損画素の発生を正確に検出することが可能となる。変換膜43としてアモルファスセレンを使用し、キャリア選択性の高抵抗膜層82としてSb2S3二硫化アンチモンを使用した場合において、上述したバイアス電圧のオンオフ期間を決定するため、総画素数約900万個のうち、欠損画素塊がA、B、Cの三個、欠損画素の総数が7000個程度存在するフラットパネルディテクタ4を用いて実験を行った。下記の表1は、バイアス電流の付与を開始した後の経過時間と欠損の状況を示すグラフである。すなわち、7日間バイアス電圧を付与せずに変換膜43の内部の荷電状態を十分安定させておいたフラットパネルディテクタ4に対して、通常の使用時と同様のバイアス電圧を付与し、そのままの状態で直後1.5分後、60分経過後、120分経過後と、60分間隔で欠損画素塊のサイズの変化と欠損画素の画素数を測定した。下記の表1からも明らかなように、バイアス電圧を付与した直後は、キャリアトラップが無いため過渡電流が流れて欠損画素塊および欠損画素数は大きな値を示すが、約60分が経過することにより安定する。この結果から、各フラットパネルディテクタ4の個体差を考慮し、バイアス電圧の付与時間を90分程度とすることが適当であることが判明した。下記の表2は、バイアス電流の付与を停止した後の経過時間と欠損の状況を示すグラフである。すなわち、90分以上バイアス電圧を付与することにより、変換膜43の内部の荷電状態を十分安定させておいたフラットパネルディテクタ4に対して、バイアス電圧を停止した後、10分間隔で欠損画素塊のサイズの変化と欠損画素の画素数を測定した。下記の表2からも明らかなように、欠損画素塊および欠損画素数は約60分が経過することにより安定する。この結果から、各フラットパネルディテクタ4の個体差を考慮し、バイアス電圧の付与の停止時間を90分程度とすることが適当であることが判明した。そして、上述した90分のバイアス電圧の付与と90分のバイアス電圧の付与停止を繰り返して欠損画素塊および欠損画素数が安定するまでの回数を求めたところ、個体差を考慮したとしても、これを24回程度繰り返すことにより、欠損画素塊および欠損画素数が変化するか否かを確認できることが判明した。再度、図5を参照して、上述したバイアス電圧工程が終了したら、再度、各画素の暗電流値を測定するステップS6。このときにも、フラットパネルディテクタ4における変換膜43にX線を照射しない状態で、スイッチング素子46を順次オンとすることにより、フラットパネルディテクタ4の各画素の電荷信号を画素値として検出する。全ての画素について暗電流値の測定が完了すればステップS7、フラットパネルディテクタ4における各画素毎に、X線を照射しない状態における各画素の画素値である暗電流値と正常な画素の画素値とを比較することにより、欠損マップを作成するステップS8。この場合にも、例えば、各画素の暗電流値が正常な画素の画素値の2倍以上となる画素を、欠損画素として判定し、これらの欠損画素の配置等がマップ化されて記憶される。次に、この欠損マップとステップS3で作成した初期の欠損マップとを比較することによりステップS9、欠損画素塊と欠損画素数の成長度を判定するステップS10。すなわち、欠損画素塊の大きさが成長しているか、あるいは、欠損画素の総数が増加しているかを、その成長度として判定する。そして、その成長度が一定以下のときには、そのフラットパネルディテクタ4は使用に適したものと判断されるステップS11。また、その成長度が一定以上のときには、そのフラットパネルディテクタ4は使用に適さないものとして、廃棄または再利用されるステップS11。さらに、その成長度が中間値をとった場合には、そのフラットパネルディテクタ4は、再検査されるステップS11。以上のように、この発明に係る二次元アレイX線検出器の検査方法によれば、共通電極44によるバイアス電圧の付与と付与の停止とを複数回繰り返すことにより、変換膜43にストレスをかけることで、欠損画素の成長を促すことができる。このため、短時間でその数や大きさが大きくなる成長性を有する欠損画素を識別することができ、X線撮影に適さないフラットパネルディテクタ4を認識することが可能となる。次に、この発明の他の実施形態について説明する。図9は、この発明の第2実施形態に係るバイアス電圧工程を示すフローチャートである。上述した第1実施形態に係るバイアス電圧工程においては、バイアス電圧の付与と付与の停止とを複数回繰り返している。これに対して、この第2実施形態に係るバイアス電圧工程においては、バイアス電圧の付与と逆バイアス電圧の付与とを複数回繰り返す構成となっている。すなわち、図9に示すように、この第2実施形態に係るバイアス電圧工程においては、最初に、第1実施形態の場合と同様、バイアス電圧を付与するステップS521。このバイアス電圧の付与は、図2および図3に示す共通電極44により実行される。そして、バイアス電圧の付与時間が経過すればステップS522、次に逆バイアス電圧を付与するステップS523。この逆バイアス電圧とは、バイアス電圧が正の電圧である場合に、負の電圧を付与することを言う。この逆バイアス電圧の付与は、図2および図3に示す共通電極44により実行される。次に、逆バイアス電圧の付与時間が経過するのを待つステップS524。そして、このバイアス電圧の付与と逆バイアス電圧の付与とを、予め設定した回数だけ繰り返すステップS525。この第2実施形態に係るバイアス電圧工程においても、バイアス電圧を付与した直後は、図7aに示すように、キャリアトラップ73が存在しないために、キャリア電流が多量に流れる。しかしながら、図7bに示すように、徐々に変換膜43内にキャリアトラップ73が発生し、キャリア電流が制限される。この状態で逆バイアス電圧を付与すれば、図8bに示すように、キャリア72が強制的に注入されることになり、キャリアトラップ73が一気に中和されて解消する。下記の表3は、逆バイアス電圧を付与した後の経過時間と欠損の状況を示すグラフである。すなわち、下記の表2からも明らかなように、欠損画素塊および欠損画素数は逆バイアス電圧を付与してから約10分が経過することにより安定する。この結果から、各フラットパネルディテクタ4の個体差を考慮し、逆バイアス電圧の付与時間を15分程度とすることが適当であることが判明した。以上のように、この発明の第2実施形態に係る二次元アレイX線検出器の検査方法によれば、共通電極44によるバイアス電圧の付与と逆バイアス電圧の付与とを複数回繰り返すことにより、変換膜43にストレスをかけることで、欠損画素の成長を促すことができる。このため、短時間でその数や大きさが大きくなる成長性を有する欠損画素を識別することができ、X線撮影に適さないフラットパネルディテクタ4を認識することが可能となる。このとき、逆バイアス電圧の付与により、フラットパネルディテクタ4内の電荷状態が安定するまでの時間を短縮することができるので、検査に要する時間を短縮することが可能となる。なお、このときのバイアス電圧としては、例えば、フラットパネルディテクタ4を通常使用するときのバイアス電圧とし、逆バイアス電圧としては、その絶対値がバイアス電圧と同等、あるいは、それより小さい電圧とすることができる。例えば、バイアス電圧を10000ボルトとし、逆バイアス電圧を-5000ボルトとしてもよい。次に、この発明の他のさらに他の実施形態について説明する。図10は、この発明の第3実施形態に係るバイアス電圧工程を示すフローチャートである。この第3実施形態に係るバイアス電圧工程においては、第1実施形態に係るバイアス電圧工程におけるバイアス電圧の付与と付与の停止とを複数回繰り返す間に、フラットパネルディテクタ4における変換膜43等を加熱する構成となっている。すなわち、この第3実施形態に係るバイアス電圧工程においては、最初に、フラットパネルディテクタ4を加熱するステップS531。しかる後、バイアス電圧を付与するステップS532。そして、バイアス電圧の付与時間が経過すればステップS533、バイアス電圧の付与を停止するステップS534。次に、バイアス電圧の付与の停止時間が経過するのを待つステップS535。そして、このバイアス電圧の付与と付与の停止とを、予め設定した回数だけ繰り返すステップS536。バイアス電圧の付与と付与の停止とが予め設定した回数だけ完了すれば、フラットパネルディテクタ4への加熱を停止する。一般に、変換膜43中のキャリアトラップ73のキャリア72の放出時間は温度に依存し、この温度が高いほどキャリア72の放出時間が短時間となることが知られている。このため、フラットパネルディテクタ4の検査環境の温度を上げること等により変換膜43を加熱することで、フラットパネルディテクタ4内の電荷状態が安定するまでの時間を短縮することができるので、検査に要する時間を短縮することが可能となる。なお、この第3実施形態においては、第1実施形態のようにバイアス電圧の付与と付与の停止とを複数回繰り返すときに変換膜43を加熱しているが、第2実施形態のようにバイアス電圧の付与と逆バイアス電圧の付与とを複数回繰り返すときに変換膜43を加熱するようにしてもよい。上述した実施形態においては、いずれも、欠損画素の判定時に比較の基準となる暗電流値は、正常な画素の暗電流値を基準として、予め、オペレータが入力部64を利用して入力し、記憶部63に記憶させている。しかしながら、フラットパネルディテクタ4の全画素の暗電流値の平均値を、正常な画素の暗電流値としてもよい。また、上述した実施形態においては、いずれも、X線撮影装置に使用するフラットパネルディテクタ4にこの発明を適用した場合について説明したが、X線に感応する変換膜を備えたその他の二次元アレイX線検出器に対してもこの発明を適用することが可能である。