レジストが表面に形成された光透過性基板を準備する基板準備工程と、光透過性基板の裏面よりUV帯域の波長を含む光を照射して、レジストを架橋およびエステル化させるレジスト改質工程と、改質されたレジストが表面に配置された光透過性基板に対してプラズマ処理を行い、光透過性基板の表面にレジストの配置パターンに応じた凹凸構造を形成するプラズマ処理工程とを備える、表面に凹凸構造を有する光透過性基板の製造方法。プラズマ処理に用いられるレジストが表面に形成された光透過性基板の裏面よりUV帯域の波長を含む光を照射して、レジストを架橋およびエステル化させる、レジスト改質方法。プラズマ処理に用いられるレジストが表面に形成された光透過性基板を支持する基板支持部と、基板支持部の下方に配置され、基板支持部により支持された状態の光透過性基板の裏面に向けてUV帯域の波長を含む光を照射する光照射部とを備え、光照射部より光透過性基板を透過してレジストに光が照射されることにより、レジストを架橋およびエステル化させる、レジスト改質装置。光透過性基板の周縁を支持する基板収容孔が複数形成されたトレイを介して、複数の光透過性基板が基板支持部により支持され、光照射部は、トレイの裏面にてそれぞれの基板収容孔より露出した光透過性基板の裏面に向けて光を照射する、請求項3に記載のレジスト改質装置。しかしながら、このような従来のUVキュア処理では、サファイア基板2の表面2a側よりUV92が照射されるため、図8Bに示すように、レジスト91の表層91aより架橋およびエステル化が進行し、表層91aが内部91bよりも先に硬化してしまう。レジスト91の表層91aが硬化してしまうと、レジスト91の内部91bに含まれる水分が表層91aを通して抜けにくくなり、内部91bのエステル化が進行しにくくなる。その結果、レジスト91の内部91bに対するUVキュア処理が不十分となる。このような状態にて、サファイア基板2に対するエッチング処理を行った場合、図8Cに示すように、UVキュア処理が不十分なレジスト91の内部91bが高温のプラズマに耐えることができずにエッチング処理中にレジスト91が発泡し、破損する場合がある。このような場合にあっては、エッチング処理によりサファイア基板2の表面に求められる凹凸構造を形成することができない。従って、本発明の目的は、上記課題を解決することにあって、プラズマ処理に用いられるレジストが表面に配置された光透過性基板に対して、レジストの耐熱性などの特性を改質する改質処理の均一化を図ることができるレジスト改質方法および装置を提供するとともに、このようなレジスト改質方法により改質されたレジストを用いてプラズマ処理を行って、表面に凹凸構造を有する光透過性基板の製造方法を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。本発明の第1態様によれば、レジストが表面に形成された光透過性基板を準備する基板準備工程と、光透過性基板の裏面よりUV帯域の波長を含む光を照射して、レジストを架橋およびエステル化させるレジスト改質工程と、改質されたレジストが表面に配置された光透過性基板に対してプラズマ処理を行い、光透過性基板の表面にレジストの配置パターンに応じた凹凸構造を形成するプラズマ処理工程とを備える、表面に凹凸構造を有する光透過性基板の製造方法を提供する。本発明の第2態様によれば、プラズマ処理に用いられるレジストが表面に形成された光透過性基板の裏面よりUV帯域の波長を含む光を照射して、レジストを架橋およびエステル化させる、レジスト改質方法を提供する。本発明の第3態様によれば、プラズマ処理に用いられるレジストが表面に形成された光透過性基板を支持する基板支持部と、基板支持部の下方に配置され、基板支持部により支持された状態の光透過性基板の裏面に向けてUV帯域の波長を含む光を照射する光照射部とを備え、光照射部より光透過性基板を透過してレジストに光が照射されることにより、レジストを架橋およびエステル化させる、レジスト改質装置を提供する。本発明の第4態様によれば、光透過性基板の周縁を支持する基板収容孔が複数形成されたトレイを介して、複数の光透過性基板が基板支持部により支持され、光照射部は、トレイの裏面にてそれぞれの基板収容孔より露出した光透過性基板の裏面に向けて光を照射する、第3態様に記載のレジスト改質装置を提供する。本発明によれば、レジストが表面に形成された光透過性基板の裏面側より、UV帯域の波長を含む光を照射して、レジストを架橋およびエステル化させてレジストを改質させている。そのため、レジスト内部を均一に改質させることができ、改質処理の効果を高めることができる。実施の形態以下に、本発明にかかる実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。本発明の一の実施の形態に係るレジスト改質装置の一例であるUVキュア装置50の構成図を図1に示す。また、UVキュア装置50の部分的な構成を図2および図3に示す。本実施の形態のUVキュア装置50では、光透過性基板としてサファイア基板2が用いられ、特に、複数枚のサファイア基板2がトレイ15に支持された状態にて取り扱われ、複数枚のサファイア基板2の表面に形成されたレジストに対して、同時にUVキュア処理レジスト改質処理が行われる。また、UVキュア装置50にてUVキュア処理が行われた後、エッチング処理プラズマ処理として、それぞれのサファイア基板2の表面に微小な凹凸構造を形成する加工PSS:PatternedSapphireSubstrateが行われる。なお、このように基板2の表面に微小な凹凸構造を形成する加工を基板表面の粗面化加工または表面テキスチャ加工と言うこともできる。なお、後述するエッチング処理においても、複数枚のサファイア基板2がトレイ15に支持された状態にて取り扱われる。トレイ15は薄板円板状のトレイ本体15aを備える。トレイ15の材質としては、例えばアルミナAl2O3、窒化アルミニウムAlN、ジルコニアZrO、イットリアY2O3、窒化シリコンSiN、炭化シリコンSiC等のセラミクス材や、アルマイトで被覆したアルミニウム、表面にセラミクスを溶射したアルミニウム、樹脂材料で被覆したアルミニウム等の金属がある。後述するエッチング処理がCl系プロセスの場合にはアルミナ、イットリア、炭化シリコン、窒化アルミニウム等、F系プロセスの場合には石英、水晶、イットリア、炭化シリコン、アルマイトを容射したアルミニウム等を採用することが考えられる。このようにトレイ15の材質としては、耐エッチング性を有する材質を採用することが好ましく、このような材質を採用することで、UVキュア装置でのUVキュア処理から、後述するドライエッチング装置でのエッチング処理まで同じトレイを使用することができ、サファイア基板2の搬送を効率良く行うことができる。図1から図3に示すように、トレイ本体15aには、上面15bから下面15cまで厚み方向に貫通する4個の基板収容孔19が設けられている。基板収容孔19は、上面15b及び下面15cから見てトレイ本体15aの中心に対して等角度間隔で配置されている。それぞれの基板収容孔19の内壁15dには、孔中心に向けて突出する基板支持部21が設けられている。本実施の形態では、基板支持部21は内壁15dの全周に設けられており、平面視で円環状である。それぞれの基板収容孔19にはそれぞれ1枚の基板2が収容される。基板収容孔19に収容された基板2は、その外周縁部の下面部分が基板支持部21の上面に支持される。また、基板収容孔19はトレイ本体15aを厚み方向に貫通するように形成されているので、トレイ本体15aの下面側から見ると、基板収容孔19により基板2の下面が露出した状態とされている。UVキュア装置50は、それぞれの基板2が収容されたトレイ15を支持するトレイ支持部51基板支持部の一例と、トレイ支持部51により支持された状態のトレイ15に収容されたそれぞれの基板2に対して、裏面2b側よりUVを照射するUV照射部光照射部52とを備えている。トレイ支持部51は、例えば、板状部材により構成され、板状部材に開孔された孔の周縁部51aにて、トレイ15の外周縁部15eを支持する。トレイ15がトレイ支持部51により支持された状態にて、トレイ15に収容されたそれぞれの基板2の裏面2bが露出された状態とされる。なお、このようなトレイ支持部51は、支持したトレイ15を移動させる機能を有していても良く、そのような場合には、支持されたトレイ15がUVキュア処理を行う位置にまで移動されて位置決めを行うことが可能となる。なお、トレイ支持部51によるトレイ15の支持形態としては、その他様々な構成を採り得る。UV照射部52は、例えば、トレイ15に支持された基板2と個別に対応するように4台設けられており、上方に向けてUVを照射して、光透過性を有するサファイア基板2を透過したUVをレジストに照射する。本実施の形態では、UV照射部52がUVを照射する場合を例として説明するが、レジストに対して照射することにより改質効果を得られる光が照射されれば良く、UV帯域の波長例えば、波長200~400nmを含む光が照射されることが望ましい。このようなUV照射部52としては、例えば、低圧水銀ランプなどが用いられても良い。また、UVキュア処理位置において、位置決めされたトレイ15に収容されたそれぞれの基板2に対して、裏面2b側より所定の強度のUVが均一に照射されるように、トレイ支持部51とそれぞれのUV照射部52との配置関係が調整されている。次に、このような構成のUVキュア装置50を用いて、それぞれのサファイア基板2の表面2aに形成されたレジスト61に対してUVキュア処理を行う方法について、図4に示すサファイア基板2の模式断面図を用いて説明する。図4Aに示すように、レジスト61によるマスクパターン60が表面2aに形成されたサファイア基板2を準備する基板準備工程。後述するエッチング処理により、サファイア基板2の表面に凹凸構造として、例えば、複数の円柱形状の突起部を形成するような場合にあっては、複数の円柱形状のレジスト61が、サファイア基板2の表面2aに形成される。なお、このようなレジスト61によるマスクパターン60は、フォトリソ処理光照射による露光処理と現像処理により形成される。また、レジスト61の材料としては、例えば、i線露光が採用される場合にはポジ型ノボラック樹脂が用いられ、フォトリソ処理では感光剤としてナフトキノンジアジドが用いられる。UVキュア装置50において、それぞれの基板2が収容された状態のトレイ15がトレイ支持部51により支持され、それぞれの基板2の裏面2b側が露出された状態にて、UV照射部52の上方の位置であるUVキュア処理位置に位置決めされる。その後、それぞれのUV照射部52より上方に向けてUV53が照射され、それぞれの基板2に対して裏面2b側よりUV53が照射される。サファイア基板2は光透過性を有しているため、裏面2b側より照射されたUV53はサファイア基板2を透過して、表面2aに配置されているレジスト61に照射される。図2および図3に示すように、UV照射部52からは、上方に向けて様々な向きにUV53が照射されるため、基板2を透過したUV53がレジスト61に対して概ね下方側から様々な角度にて照射される。図4Bに示すように、基板2を透過したUV53が概ね下方側よりレジスト61に照射されると、UV53が照射された部分である下方部分61aよりレジスト61の架橋高分子化およびエステル化が進行し、レジスト61の硬化が開始される。具体的には、レジスト61において、UV53が照射されると、感光剤であるナフトキノンジアジドがインデンケテンとなり、さらにインデンカルボン酸に変わり、このインデンカルボン酸とレジスト61を構成する主材料であるノボラック樹脂とのエステル化が行われる。このエステル化が行われる際には、レジスト61内に含まれる水分を外部に放出して脱水を行われる必要がある。図4Bに示すように、レジスト61の架橋およびエステル化が、レジスト61の下方部分61aより進むため、架橋およびエステル化が進んでいない上方部分61bよりレジスト61内の水分を外部に放出して、レジスト61内部の脱水が行われる。その後、レジスト61の架橋およびエステル化が下方部分61aから上方部分61bに向けて進行するが、レジスト61内部の水分が上方部分61bより抜けるため、エステル化の進行が阻害されることがない。その結果、図4Cに示すように、レジスト61の全体に対して、脱水が好適に行われながら、架橋およびエステル化が均一に行われた状態となる。架橋およびエステル化が均一に行われたレジスト61は、耐熱性および耐エッチング性が向上されており、この特性の改質が、レジスト61の表層や内部において略均一に行われた状態となるレジスト改質処理UVキュア処理。このように、サファイア基板2が光透過性を有するという特徴を利用して、基板2の裏面側からUVを照射することで、基板2を透過したUVをレジスト61に照射して、下方部分61a側より架橋およびエステル化を進行させることにより、レジスト61の脱水経路を確保することができ、レジスト61内部の全体に渡って架橋およびエステル化を均一に行うことができる。よって、耐熱性や耐エッチング性などの特性を、レジスト61全体において均一に改質することができる。また、サファイア基板2の裏面2b側からUVを照射するため、例えば複数枚の基板2をトレイ15に支持させた状態にて、複数枚の基板2に対して同時にUVキュア処理を行うことができるため、生産性を向上させることができる。次に、このようにUVキュア処理が行われたサファイア基板2に対してエッチング処理プラズマ処理を行うプラズマエッチング処理装置の一例としてICP誘導結合プラズマ型のドライエッチング装置1の構成図を図5に示す。ドライエッチング装置1は、その内部が基板2にプラズマ処理を行う処理室を構成するチャンバ真空容器3を備える。チャンバ3の上端開口は石英等の誘電体により形成された天板4により密閉状態で閉鎖されている。天板4上にはICPコイル5が配置されている。ICPコイル5にはマッチング回路を含む第1の高周波電源部7が電気的に接続されている。天板4と対向するチャンバ3内の底部側には、バイアス電圧が印加される下部電極としての機能及び基板2の保持台としての機能を有する基板ステージ9が配置されている。チャンバ3には、例えばロードドック室図示せずと連通する開閉可能な搬入出口が設けられており、図示しない搬送機構により基板2を収納したトレイ15の搬入搬出動作が行われる。また、チャンバ3に設けられたエッチング用のガス導入口3bを通して、チャンバ3内に複数種類のガスが供給可能とされている。また、チャンバ3に設けられた排気口3cには、真空ポンプや圧力制御弁等から構成される圧力制御部13が接続されている。ここで、それぞれの基板2を収容して支持するトレイ15と、基板ステージ9との関係を示す斜視図を図6、図7に示し、図5~図7を用いて基板ステージ9について説明する。図5に示すように、基板ステージ9は、セラミクス等の誘電体部材により形成されたステージ上部23と、表面にアルマイト被覆を形成したアルミニウム等により形成され、バイアス電圧が印加される下部電極として機能する金属ブロック24と、絶縁体25と、金属製のシールド27とを備える。基板ステージ9の最上部に配置されるステージ上部23は、金属ブロック24の上面に固定されており、ステージ上部23および金属ブロック24の外周が絶縁体25により覆われて、さらに絶縁体25の外周が金属により形成されたシールド27により覆われている。図6に示すように、ステージ上部23は円板状に形成されており、ステージ上部23の上端面は、トレイ15の下面15cを支持するトレイ支持部28となっている。また、トレイ15のそれぞれの基板収容孔19と対応する短円柱状の4個の基板保持部29がトレイ支持部28から上向きに突出している。さらにステージ上部23上には、トレイ支持部28を囲むように配置され、ステージ上部23から上向きに突出して形成された環状のガイドリング30が配置されている。このガイドリング30は、ステージ上部23にてトレイ15の配置位置を案内する役目を担っている。図5に示すように、ステージ上部23に設けられた個々の基板保持部29の保持面付近にはESC電極静電吸着用電極40が内蔵されている。これらのESC電極40は電気的に互いに絶縁されており、直流電源を内蔵するESC駆動電源部41から静電吸着用の直流電圧が印加される。図5に示すように、それぞれの基板保持部29の保持面には冷却ガス供給孔44が設けられており、それぞれの冷却ガス供給孔44は冷却ガス供給路45を通じて共通の冷却ガス供給部46に接続されている。なお、本実施の形態では、冷却ガスとしてヘリウムHeガスが用いられ、プラズマ処理中において、基板保持部29の保持面と基板2との間に形成される空間内に冷却ガスが供給されることで基板2の冷却が行われる。金属ブロック24には、バイアス電圧としての高周波を印加する第2の高周波電源部56が電気的に接続されている。第2の高周波電源部56はマッチング回路を備えている。また、金属ブロック24内には、金属ブロック24を冷却するための冷媒流路49が形成されており、冷却ユニット48より温度調節された冷媒が冷媒流路49に供給されることで、金属ブロック24が冷却される。図5に示すように、基板ステージ9には、トレイ支持部28上に配置された状態のトレイ15をその下面側から押し上げて突き上げてトレイ15とともにそれぞれの基板2を上昇させる複数本のトレイ押上ロッド18が備えられている。それぞれのトレイ押上ロッド18は、トレイ支持部28の上面より突出した押上位置と、トレイ支持部28内に格納された格納位置との間で駆動機構17により昇降駆動される。次に、上述したような構成を有するドライエッチング装置1を用いて、複数の基板2に対してエッチング処理を行う方法について説明する。トレイ搬入処理まず、トレイ搬入処理を実施する。具体的には、ドライエッチング装置1において、チャンバ3を開放状態とさせた後、4個の基板収容孔19にそれぞれ基板2が収容された状態のトレイ15を、搬送機構によりチャンバ3内に搬入する。これらの基板2の表面には、UVキュア装置50によりUVキュア処理が施されたレジストによるマスクパターンが形成されている。チャンバ3内では、駆動機構17によって駆動されたトレイ押上ロッド18が上昇し、ハンド部からトレイ押上ロッド18の上端にトレイ15が移載される。トレイ15の移載後、搬送機構はチャンバ3外へ待避し、チャンバ3が閉鎖される。上端にトレイ15を支持したトレイ押上ロッド18は、その押上位置から基板ステージ9内に格納される格納位置に向けて降下し、トレイ15がステージ上部23のトレイ支持部28によって支持され、トレイ15と基板2とが互いに離間した状態となる。なお、トレイ15は、ガイドリング30によりその配置位置が位置決めされるため、それぞれの基板2は基板保持部29に対して高い位置決め精度で配置される。その後、それぞれの基板保持部29に内蔵されたESC電極40に対してESC駆動電源部41から直流電圧を印加する。エッチング処理次に、エッチング処理を実施する。具体的には、エッチング処理用のガスとしては、BCl3が主体のガスにCF4ガスを所定の混合比率にて混合した混合ガスが用いられ、ガス導入口3bを通じて混合ガスがチャンバ3内に供給される。それとともに、圧力制御部13によりチャンバ3内は所定圧力に調整される。続いて、第1の高周波電源部7からICPコイル5に高周波電圧を印加する。これによりチャンバ3内にプラズマが発生する。また、チャンバ3内にプラズマが発生することにより基板2と基板保持部29の間に静電吸着力が発生し、それぞれの基板保持部29の保持面に基板2が静電吸着される。その後、それぞれの基板保持部29の保持面31と基板2の下面との間に存在する空間内に、それぞれの冷却ガス供給孔44を通して冷却ガスとしてHeガスが供給される。その後、第2の高周波電源部56により基板ステージ9の金属ブロック24にバイアス電圧を印加し、チャンバ3内で発生したプラズマを基板ステージ9側へ引き寄せる。これにより、基板2に対するエッチング処理が行われて、基板2の表面に対するPSS加工が実施される。1枚のトレイ15で4枚の基板2を基板ステージ9上に載置できるので、バッチ処理が可能である。また、上述したように、レジストに対するUVキュア処理が行われていることにより、それぞれのサファイア基板2ではレジストに対する耐熱性および耐エッチング性が向上されている。そのため、エッチング処理の際に、プラズマに曝されてもレジスト61が発泡して破損することなく、マスクパターンとしての機能を確実に果たすことができる。特に、サファイアはアルミ酸化物の単結晶であるため、エッチング処理を行うためには、高いプラズマパワーを与える必要がある。このようにレジストの耐熱性および耐エッチング性が均一に向上されているため、エッチング処理によりサファイア基板2の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を精度良く形成することができる。エッチング処理中は、Heガスによる冷却に加えて、冷却ユニット48によって冷媒流路49中で冷媒を循環させて金属ブロック24を冷却し、それによってステージ上部23及び保持面31に保持された基板2が冷却される。その後、所定の処理時間経過すると、第2の高周波電源部56による基板ステージ9の金属ブロック24へのバイアス電圧の印加を停止するとともに、エッチング処理用のガスの供給を停止して、基板2に対するエッチング処理が完了する。その後、第1の高周波電源部7によるICPコイル5への高周波電圧の印加を停止する。トレイ搬出処理続いて、チャンバ3内からそれぞれの基板2をトレイ15とともに搬出するトレイ搬出処理を実施する。具体的には、駆動機構17によりそれぞれのトレイ押上ロッド18を上昇させて、それぞれの基板2がトレイ15により支持された状態にて押し上げられ、基板保持部29の保持面から浮き上がる。その後、チャンバ3が開放されて、4個の基板収容孔19にそれぞれ基板2が収容された状態のトレイ15が、トレイ押上ロッド18から搬送機構に受け渡されて、トレイ15に支持された状態の基板2が搬出される。本実施の形態によれば、サファイア基板2が光透過性を有するという特徴を利用して、基板2の裏面側からUVを照射することで、基板2を透過したUVをレジスト61に照射して、下方部分61a側より架橋およびエステル化を進行させている。これにより、レジスト61内部に含まれる水分の脱水経路を確保することができ、レジスト61内部の全体に渡って架橋およびエステル化を均一に行うことができる。よって、耐熱性や耐エッチング性などの特性を、レジスト61全体において均一に改質することができ、サファイア基板2に対してエッチング処理を行うことにより、凹凸構造を精度良く形成できる。また、レジスト61の耐熱性および耐エッチング性が均一に向上されているため、エッチング処理時に高いプラズマパワーを付加することも可能となり、生産性を向上できる。また、UVキュア装置50では、大気圧環境にてUVキュア処理を行うことが可能であるため、減圧装置などを必要とせず、装置コストの上昇を抑えることができる。なお、上述の実施の形態では、光透過性基板としてサファイア基板に対するPSS加工を行う場合を例として説明したが、サファイア基板の他、ガラス基板の表面に凹凸構造を形成する際にも、本発明のレジスト改質方法を適用できる。また、複数枚の基板2がトレイ15を用いて取り扱われるような場合を例として説明したが、トレイ15を用いずに、1枚ずつ基板が取り扱われて、UVキュア処理が行われるような場合であっても良い。例えば、トレイ15を用いずに、サファイア基板2をロボットハンド等で直接保持して搬送等を行う方式を採用しても良い。また、UVキュア処理を行う際に、加熱源を用いてレジストを加熱して、レジストの脱水を促進させても良い。また、トレイ15としては、UVキュア処理とエッチング処理とで共用できるものを使用する場合について説明したが、例えば、UVキュア処理専用の安価なトレイを使用しても良い。また、UV53をサファイア基板2の裏面側から照射し、サファイア基板2を透過したUV53をレジスト61に照射するような方式を例として説明したが、UV照射方式としてその他の形態を採用しても良い。例えば、裏面側からサファイア基板2を透過してレジスト61に照射されるUV53に加えて、サファイア基板2の表面側からレジスト61に直接照射されるUVを併用しても良い。この場合、表面側から照射されるUVはレジストの表層の硬化による発砲現象が発生しない程度の照射時間や強度とすることが望ましい。なお、上記様々な実施の形態のうちの任意の実施の形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。