フッ化水素又はフッ化アンモニウムをシリコンウェハ表面上の酸化膜と反応させてケイフッ化アンモニウムを生成する第1の工程と、前記反応によって生じたケイフッ化アンモニウムをガス排気手段による排気を停止した状態で300°C以上に加熱して蒸発除去させる第2の工程とを有することを特徴とする酸化膜の除去方法。前記第2の工程の加熱温度が300°C以上、530°C以下であることを特徴とする請求項1記載の酸化膜の除去方法。前記第1の工程と前記第2の工程とを別々のチャンバで行うことを特徴とする請求項1又は2記載の酸化膜の除去方法。前記第1の工程と前記第2の工程とを同一のチャンバで行うことを特徴とする請求項1又2記載の酸化膜の除去方法。前記第2の工程の後に、前記シリコンウェハ上に成膜を行う第3の工程を有することを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の酸化膜の除去方法。前記第1の工程を第1のチャンバで行い、前記第2の工程と前記第3の工程とを同一の第2のチャンバで行うことを特徴とする請求項5記載の酸化膜除去方法。前記第1の工程と前記第2の工程と前記第3の工程とを其々別々のチャンバで行うことを特徴とする請求項5記載の酸化膜の除去方法。前記第1の工程と前記第2の工程と前記第3の工程とを同一のチャンバで行うことを特徴とする請求項5記載の酸化膜の除去方法。前記第2の工程のチャンバの圧力が大気圧に設定されていることを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載の酸化膜の除去方法。本発明の課題は、上述の従来技術の問題点を解決することにあり、シリコンウェハ上の自然酸化物を含めた酸化膜SiO2膜を除去する際に、エッチング量を増加させる酸化膜の除去方法を提供することにある。本発明の酸化膜の除去方法は、フッ化水素又はフッ化アンモニウムをシリコンウェハ表面上の酸化膜と反応させてケイフッ化アンモニウムを生成する第1の工程と、前記反応によって生じたケイフッ化アンモニウムをガス排気手段による排気を停止した状態で300°C以上に加熱して蒸発除去させる第2の工程とを有することを特徴とする。排気を停止した状態で加熱処理を行うことにより、基板表面から蒸発除去された反応生成物及び反応生成物から分解生成した物質が成膜空間内に対流する。これらの物質の対流により、基板上の揮発性物質を再エッチングすると考えられ、その結果、ウェハ表面の酸化膜のエッチング量を増加させることができる。特に、ウェハ中心部のエッチング量を増加させることができる。ここで、ウェハ中心部のエッチング量が特に増加する理由は、昇華した揮発性物質が外周部より反応室内に拡散するため、外周部はエッチングされにくいことによる。前記第2工程の加熱温度が300°C以上、530°C以下であることを特徴とする。前記加熱の温度が300~530°Cであると、ウェハ酸化膜のエッチング量を増加せしめることができる。特に、ウェハ中心部のエッチング量を増加させることができる。前記第1の工程と前記第2の工程とを同一のチャンバ又は別々のチャンバで行うことを特徴とする。前記第2の工程の後に、前記シリコンウェハ上に成膜を行う第3の工程を有することを特徴とする。前記第1の工程を第1のチャンバで行い、前記第2の工程と前記第3の工程とを同一の第2のチャンバで行うことを特徴とする。前記第1の工程と前記第2の工程と前記第3の工程とを同一のチャンバ又は其々別々のチャンバで行うことを特徴とする。前記第2の工程のチャンバの圧力が大気圧に設定されていることを特徴とする。本発明によれば、反応生成物を、排気を停止した状態で300~530°Cの温度で蒸発除去させることにより、エッチング量を増加させることができる。特に、ウェハ中心部のエッチング量を増加させることが可能であるという効果を奏する。従来の反応生成物を蒸発させる工程では、排気をしながら蒸発を行っており、反応生成物蒸気が対流しない。しかし、本発明によれば、昇華した反応生成物及び反応生成物から分解生成した物質の対流による再エッチングを行うことができるので、ウェハ酸化膜のエッチング量を増加せしめることができる。特にウェハ中心部のエッチング量を増加させることができるという効果を奏する。本発明に係る酸化膜の除去方法の実施の形態によれば、フッ化水素又はフッ化アンモニウムをシリコンウェハ表面上の自然酸化膜と20~50°C好ましくは25°C程度で反応させてケイフッ化アンモニウムを生成する第1の工程をドライエッチング装置内で実施する。次に、酸化膜除去後の成膜工程を行う成膜装置内の圧力を大気圧程度に設定し、かつ、排気を停止した状態で、300°C以上に加熱する。その後、シリコンウェハを成膜装置内に移送し、前記反応によって生じたケイフッ化アンモニウムを蒸発除去させるので、ウェハのエッチング量を増加せしめることができる。特にウェハ中心部の酸化膜のエッチング量を増加せしめることができ、このエッチング量は、200°Cで加熱して得られたエッチング量の周縁部のエッチング量に対する増分と比べて、3倍乃至6倍である。上記したように、揮発性反応生成物を300°C以上で蒸発除去させる。自然酸化膜等の酸化膜SiO2膜を除去した後の各種成膜の工程が300°C以上の温度で実施される場合は、高温炉などを用いて、わざわざ反応生成物を蒸発させる工程を設けなくても、揮発性反応生成物はこの成膜工程で蒸発させることができる。成膜装置は、成膜前に装置内温度を予め成膜温度まで上昇させて、装置内が安定した状態で成膜を始めるので、成膜温度を安定させる過程で揮発性反応生成物を蒸発させることができる。そのため、揮発性反応生成物の生成後に、成膜装置内で、この生成物の加熱除去工程と300°C以上で実施される成膜工程とを連続して行うので、酸化膜除去に要する時間を短縮できる。なお、加熱時の炉内圧力が大気圧付近の圧力で揮発性反応生成物を十分に蒸発除去できる。本発明の実施の形態によれば、ウェハ上の自然酸化膜を除去する工程は、1水素ガス及び/又はアンモニアガスを、例えば、マイクロ波や触媒線などの励起手段で励起して得られる水素ラジカルと三フッ化窒素ガスとを反応させてフッ化アンモニウムガスを生成せしめ、このフッ化アンモニウムガスからなるエッチングガスとシリコンの酸化膜とを反応させ、ケイフッ化アンモニウムを生成させる工程と、2ケイフッ化アンモニウムが生成されているウェハを所定の温度に加熱してケイフッ化アンモニウムを蒸発させる工程とを有する。このような工程を用いることにより酸化膜除去の処理時間を短縮することが可能である。なお、1のフッ化アンモニウムガスを生成してこのフッ化アンモニウムガスをシリコン酸化膜と反応させる工程では、シリコン基板表面にフッ化アンモニウムガスを供給できればよく、また、水素ガス、アンモニアガス、三フッ化窒素ガスを加熱分解してフッ化アンモニウムガスを生成して供給してもよい。さらに、フッ化アンモニウム粉末を昇華させてフッ化アンモニウムガスを生成し供給してもよい。上記1の工程では、ウェハ上での反応温度は、一般に20~50°C程度で良く、25°C程度が好ましく、温度が50°Cを超えて高いと、却ってケイフッ化アンモニウムを生成する反応が進み難い。また、上記2の工程では、ウェハ温度は300°C以上、650°C以下が好ましい。温度が300°C未満であると、実用的な範囲でエッチング量を増加させることができない。また、650°Cを超えると、現在の装置の仕様上妥当でない。より好ましくは300°C~530°Cであれば十分である。図1は、本発明の酸化膜の除去方法に用いるドライエッチング装置の模式的断面図である。本装置1は、例えば、25枚程度のバッチ単位でシリコンウェハ10の自然酸化膜の除去処理を行うものであり、エッチング室11と、エッチング室内へ導入される反応ガスN2、NH3を励起して活性種ラジカルを発生させるためのマイクロ波励起機構12と、エッチング室と連結されているロードロック室13と、ロードロック室13と連結されているクリーンブース14とで構成されている。エッチング室11内には、図面上では、処理されるシリコンウェハ10を所定の間隔で載置してある石英製ウェハボート15が、ロードロック室13から搬送され、配置されている状態が示されている。エッチング室11の外周には、ヒータ等の加熱手段16が設けられ、また、このエッチング室11には、エッチング室11内を排気できるように真空ポンプ17が取り付けられている。ロードロック室13には、室内を排気するための真空ポンプ18が取り付けられている。クリーンブース14内には、ウェハカセット19が載置され、このウェハカセット19をロボット20によりクリーンブース14とロードロック室13との間を搬送できるように構成されている。図2は、図1に示したドライエッチング装置1によりエッチング処理した後のウェハを加熱処理して揮発性反応生成物を蒸発せしめる縦型炉の模式的断面図である。この縦型炉2は、例えば、チャンバ21高温炉と、チャンバ21に連結されているロードロック室22と、ロードロック室22と連結されているクリーンブース23とで構成されている。チャンバ21内には、図面上では、処理されるシリコンウェハ24を所定の間隔で載置してある石英製ウェハボート25が、ロードロック室22から搬送され、配置されている状態が示されている。チャンバ21の外周には、ヒータ等の加熱手段26が設けられ、また、チャンバ21には、チャンバ内を排気できるように真空ポンプ27が取り付けられている。ロードロック室22には、室内を排気するための真空ポンプ28が取り付けられている。クリーンブース23内には、ウェハカセット29が載置され、このウェハカセット29をロボット30によりクリーンブース23とロードロック室22との間を搬送できるように構成されている。本発明で用いるドライエッチング装置と縦型炉とを別々に示して説明したが、これらを組み合わせて一つの酸化膜除去及び成膜装置としてもよいことは勿論である。以下、図1に示すドライエッチング装置及び図2に示す縦型炉を用いて本発明の酸化膜の除去を実施するプロセスについて、図3のフローチャートを参照して説明する。例えば、図3aのフローチャートに示すように、まず、図1のクリーンブース14内に載置されているウェハカセット19をロボット20によりロードロック室13へ移送し、ここでウェハをウェハボート15に移し、ロードロック室内を所定の圧力例えば、1Paまで排気する。次いで、ウェハボート15をエッチング室11内に移送した後、反応ガス例えば、窒素ガス、アンモニアガス等を導入する際に、マイクロ波励起機構12によりマイクロ波を印加5~10分間、また、1~3kW、好ましくは2.8kW投入し、励起して生成したHラジカルをエッチング室内へ導入し、圧力200~1066Pa、温度25~50°Cで反応エッチングを行う。この反応ガスの導入量は、一般に4000~6000sccmであればよい。また、反応ガスとしての三フッ化窒素は、マイクロ波励起機構12を介さずに直接エッチング室11内へ導入する一般に、3000~4000sccm。また、反応ガスとしてのアンモニアガス:窒素ガス:三フッ化窒素ガスの混合比は、一般には、1~3:5~7:2~4、好ましくは2~3:6~7:3~4、より好ましくは2:6:3であって、その合計流量が13~15リットル/分であれば良い。このような条件下で所定の時間2~5分エッチングする。上記エッチングプロセスにおいては、アンモニアガスと窒素ガスとの混合ガスを励起して得られる水素ラジカルと三フッ化窒素ガスとの反応により、エッチング室内でフッ化アンモニウムを生成せしめ、このフッ化アンモニウムとウェハ上の酸化膜との反応により、ケイフッ化アンモニウムを形成せしめる。これは、以下の反応式で示される。化1NH3→NH2HHNF3→NH4FSiO2NH4F→H2ONH42SiF6エッチングの終了後、反応ガスの導入及びマイクロ波の印加を停止し、エッチング室の排気を行う。エッチング室中のウェハボート15をロードロック室13内へ移送し、このボートからウェハをウェハカセット19に移す。次いで、図3bのフローチャートに示すように、上記したようにして得られたケイフッ化アンモニウムが表面に形成されたウェハが載置されているウェハカセット29を、図2に示す縦型炉のクリーンブース23からロボット30によりロードロック室22内へ移送し、ここでウェハをウェハボート25に移す。次いでチャンバ21内の圧力を大気圧1013hPa程度に設定し、真空ポンプ27による排気を行わない状態で、ヒータ26により、チャンバ21を所定の温度300°C~530°Cに加熱した。その後、ウェハボートをチャンバ21に移送し、このウェハボートを30分加熱して、ケイフッ化アンモニウムを蒸発させる。その後、チャンバ21内をベントし、チャンバ内のウェハボート25をロードロック室22内に移送し、このボートからウェハをウェハカセット29に移し、このカセットをクリーンブース23内へ移送して酸化膜の除去プロセスを終了する。この全工程の処理時間は、50分程度である。本実施例では、図1及び2に示す装置を用い、図3a及びbに示すフローチャートに従ってシリコンウェハ表面上の自然酸化膜を除去した。始めに、真空中で、アンモニアガスと窒素ガスとの混合ガスに対してマイクロ波を印加して励起し、水素ラジカルを得た。かくして得られた水素ラジカルと三フッ化窒素ガスとを反応させてフッ化アンモニウムガスを生成せしめ、エッチングガスとしてのこのフッ化アンモニウムガスとシリコンウェハ上の自然酸化膜とを反応させてケイフッ化アンモニウムを生成させた。このとき、シリコンウェハは、アンモニアガス、窒素ガス、及び三フッ化窒素ガスの混合比が2:6:3で合計流量が14.4リットル/分、圧力が266Paの雰囲気に晒し、8分間、励起マイクロ波を2.8kW投入して処理された。上記全工程の処理時間は、50分であった。次いで、図2に記載のチャンバ21内の圧力を大気圧1013hPa程度に設定し、真空ポンプ27による排気を行わない状態で、ヒータ26により、チャンバ21を300°C、350°C、530°Cの温度に加熱した。その後、ウェハボートをチャンバ21に移送し、このウェハボートを30分加熱して、ケイフッ化アンモニウムを揮発させた後、ウェハを取り出した。なお、加熱を行う場合の圧力範囲は、10Pa~大気圧1013hPa程度であることが望ましい。圧力が10Pa以上であると対流の効果を顕著に発揮できるからである。圧力範囲の上限を大気圧程度とすることは現状の装置の仕様やその後の工程の排気時間を考慮したものであって、大気圧以上の圧力下で加熱を行う場合にも本発明の効果を発揮することができる。各チャンバ内温度の場合について、ウェハ面内のエッチング量を評価し、その結果を図4a~cに示す。図4a~cにおいて、横軸はウェハ中心からの距離mmを示し、縦軸はエッチング量単位Åを示し、そして図中のX軸及びY軸という文言は、それぞれ、ウェハ表面の中心を通る横方向及び縦方向を示す。比較例1比較のために、上記実施例1で説明した場合と異なり、エッチング室とは異なるチャンバで排気しながら200°Cで蒸発を行った場合と、ケイフッ化アンモニウムの蒸発を、ケイフッ化アンモニウムを生成したエッチング室でガス排気手段による排気を停止した状態で200°Cに加熱して行った場合と、ケイフッ化アンモニウムの蒸発を、圧力が2Paに設定され、真空ポンプ27による排気が停止され、かつ、温度が530°Cに保持されたチャンバで行った場合とについて、それらのエッチング量を、それぞれ、図4d、e、及びfに示す。これらの図4から明らかなように、エッチング室とは異なるチャンバで排気しながら200°Cで蒸発を行った場合と、エッチング室で排気を停止した状態で200°Cに加熱を行った場合とに比べ、チャンバ内を大気圧に設定し、真空ポンプによる排気を停止した状態で350°C以上に加熱して蒸発させた場合の方が、ウェハのエッチング量が増加していることがわかる。特にシリコンウェハ中心部でのエッチング量は、チャンバ内の温度が高くなるにつれて増加し、300°C以上に加熱した場合は、200°Cで加熱して得られたウェハ中心部のエッチング量の周縁部のエッチング量に対する増分と比べて、3倍乃至6倍である。図1に記載のエッチング装置を用いてケイフッ化アンモニウムを形成した後、反応ガスの導入及びマイクロ波の印加を停止した。次に、エッチング装置内の圧力を10Pa程度に設定した後、真空ポンプ27による排気を行わない状態で、所定の時間20~30分、ヒータ16により、ウェハボートを所定の温度300°Cから500°Cに加熱して、ケイフッ化アンモニウムを蒸発させた。この場合にも、図4a~cと同じような結果が得られ、エッチング量が増加したことがわかる。図1に記載のエッチング装置を用いてケイフッ化アンモニウムを形成した後、反応ガスの導入及びマイクロ波の印加を停止した。次に、エッチング装置内の圧力を大気圧1013hPa程度に設定した後、真空ポンプ27による排気を行わない状態で、所定の時間20~30分、ヒータ16により、ウェハボートを所定の温度300°Cから500°Cに加熱して、ケイフッ化アンモニウムを蒸発させた。その後、連続してSi原子含有ガス例えば、SiH4、Ge原子含有ガスGeH4、ハロゲンガスCl2ガスを用い、CMOSデバイス用シリコンウェハを製造するためのSiGe膜を形成した。この場合にも図4a~cと同じような結果が得られ、エッチング量が増加したことがわかる。図1に記載のエッチング装置を用いてケイフッ化アンモニウムを形成した後、反応ガスの導入及びマイクロ波の印加を停止し、エッチング室の排気を行った。次いで、図2に記載のチャンバ21内の圧力を大気圧1013hPa程度に設定し、真空ポンプ27による排気を行わない状態で、ヒータ26により、チャンバ21を所定の温度300°Cから500°Cに加熱した。その後、ウェハボートを図2に記載のチャンバ21に移送し、このウェハボートを所定の時間20~30分加熱して、ケイフッ化アンモニウムを蒸発させた。その後、ウェハボートを図示しない成膜チャンバに移送し、CMOSデバイス用シリコンウェハを製造するためのSiGe膜を形成した。この場合にも図4a~cと同じような結果が得られ、エッチング量が増加したことがわかる。なお、ケイフッ化アンモニウムを形成する工程、ケイフッ化アンモニウムを蒸発させる工程、その後の成膜工程例えば、CMOSデバイス用シリコンウェハを製造するためのSiGe膜を形成する工程を行う装置形態は、実施例の場合には限定されず、ケイフッ化アンモニウムを形成する工程を1つの装置で行い、その後のケイフッ化アンモニウムを蒸発させる工程とその後の成膜工程とをもう1つの装置で行ってもよい。また、ケイフッ化アンモニウムを形成する工程とケイフッ化アンモニウムを蒸発させる工程とを1つの装置で行い、その後の成膜工程をもうひとつの装置で行ってもよい。さらに、上記3つの本発明は、基板搬送ロボット等の基板搬送装置を載置して基板搬送室の周囲に接続された複数の成膜室で基板を大気に晒さずにエッチングや成膜等の処理をすることができるいわゆる枚葉式の真空処理装置を用いて処理を行うこともできる。