化学蒸着反応器システムであって、反応チャンバを画定する内面を有する壁を備え、前記壁の一部は、前記チャンバに面する熱制御層であり、前記熱制御層は、300Kでの測定で0.1以下の放射率係数、および3.5Mohの硬度を有する物質よりなることを特徴とする、反応器システム。前記熱制御層の厚さが100ミクロン100μm以下であることを特徴とする請求項1の反応器システム。前記熱制御層が0.05以下の放射率係数を有することを特徴とする請求項1の反応器システム。前記熱制御層が、タングステン、タンタル、ニッケル、プラチナ、クロムおよびモリブデンからなる群より選択される物質の被膜であることを特徴とする請求項1の反応器システム。前記熱制御層がニッケルであることを特徴とする請求項4の反応器システム。ニッケルが、電気めっきニッケルであることを特徴とする請求項5の反応器システム。前記熱制御層が、比較的純粋である物質よりなることを特徴とする請求項4の反応器システム。化学蒸着反応器システムであって、反応チャンバを画定する内面を有する壁を備え、前記壁の一部は、前記チャンバに面する熱制御層であり、前記熱制御層は、電気めっきニッケルであるとともに、5~75ミクロン5~75μmの平均厚さを有していることを特徴とする反応器システム。前記熱制御層が比較的純粋である電気めっきニッケルよりなることを特徴とする請求項8の反応器システム。請求項1に記載の反応器システムの前記反応チャンバ内で、気体状態のシリコン含有物質を、該シリコン含有物質の分解をもたらすのに十分な温度にさらす分解工程を含むことを特徴とするシリコン元素の堆積方法。前記反応チャンバ内に据付け空間配置に、少なくとも1本のフィラメントを位置決めして固定する位置固定工程と、ならびに反応チャンバ内の状態を、前記シリコン含有物質の分解がシリコン元素を生じさせ、該シリコン元素が前記少なくとも1本のフィラメントに堆積して、前記フィラメントの直径よりも大きい直径を有する少なくとも1本の多結晶シリコンロッドを形成するように維持する工程とを更に含むことを特徴とする請求項10の方法。前記反応チャンバ内の状態を、前記シリコン含有物質の分解が、シリコン粉末の形態でシリコン元素を生じさせるように維持する工程をさらに含む特徴とする請求項10の方法。請求項8に記載の反応器システムの前記反応チャンバ内で、気体状態のシリコン含有物質を、該シリコン含有物質の分解をもたらすのに十分な温度にさらす分解工程を含むシリコン元素の堆積方法。前記反応チャンバ内に据付け空間配置に、少なくとも1本のフィラメントを位置決めして固定する位置固定工程と、ならびに反応チャンバ内の状態を、前記シリコン含有物質の分解がシリコン元素を生じさせ、該シリコン元素が前記少なくとも1本のフィラメントに堆積して、前記フィラメントの直径よりも大きい直径を有する少なくとも1本の多結晶シリコンロッドを形成するように維持する工程とを更に含むことを特徴とする請求項13の方法。前記反応チャンバ内の状態を、前記シリコン含有物質の分解が、シリコン粉末の形態でシリコン元素を生じさせるように維持する工程をさらに含むことを特徴とする請求項13の方法。化学蒸着装置または反応器は、一般に、外面および内面を有し、内面をチャンバの内腔または内部に向けた反応チャンバ壁によって画定される反応チャンバを含む。反応器は、一般に、ガス注入ノズルおよびガス排出ノズルを備えており、該ノズルは、ガスまたはガス混合物が大気圧以上の圧力でチャンバを通過するのを可能にしている。いくつかの例では、反応チャンバは、開管と同様に、入口および出口に開口が開けられており、また、他の例では、反応チャンバは、基板の取付けによって完全に密閉および封止される。チャンバを通過するガスの反応または化学分解をもたらすために、熱源が必要であり、これには一般に、反応チャンバ内の据付け空間配置に位置決めされ保持される1つ以上のフィラメントを流れる電流が用いられる。さらにまた、装置は、チャンバまたは反応チャンバ壁内の温度を制御するために冷却システムを備えている。この開示の主題は、反応チャンバ壁の少なくとも一部についての規定、および特に、熱制御層を有する反応チャンバの内腔を向いて配置される内面についての規定である。この開示の目的のため、装置が基板を含む場合、基板は反応チャンバ壁と等価と考えられる。熱制御層は、300Kでの測定で0.1以下、有利には0.08以下、より有利には0.05以下の放射率係数を有する比較的純粋な物質であることを特徴とする。熱制御層は、3.5Moh以上、有利には4.0Moh以上、より有利には5.0Moh以上の硬度であり、また、8.0Moh以下、有利には7.0Moh以下の硬度であることを特徴とする。特に有利な実施形態では、熱制御層は、0.1以下の放射率係数および3.5~7.0Mohの硬度を有し、またより有利な実施形態では、熱制御層は、0.08以下の放射率係数および4.0~6.8Mohの硬度を有する。熱制御層は、熱制御層の放射率が装置からのエネルギー熱の総合損失を低減させ、またこのような熱制御層を設けてない機器と比して、機器のエネルギー消費を減少させるのに、十分な量で存在している。熱制御層は、反応チャンバ壁の内面の領域のうちの少なく一部に存在している。具体的には、内壁の全表面積の、少なくとも10、有利には少なくとも30、より有利には少なくとも50の部分と理解される。熱制御層の放射率特性は、その厚さによって影響されない。熱制御層の厚さは少なくとも0.1ミクロン0.1μm、有利には少なくとも0.5ミクロン0.5μm、より有利には少なくとも5.0ミクロン5.0μm、またさらにより有利には少なくとも10ミクロン10μmである。厚さは、100ミクロン100μm以下、有利には75ミクロン75μm以下、より有利には50ミクロン50μm以下である。非常に有利な実施形態では、熱制御層は、反応チャンバ内壁の全面領域の少なくとも30の量で、かつ、0.5~75ミクロン0.5~75μm、有利には5~75ミクロン5~75μmの範囲の平均厚さで存在している。熱制御層は、一般に、比較的純粋な物質、および通常、金属である。比較的純粋とは、75以上、有利には90以上、より有利には99以上の元素純度を有する物質であると理解される。また、熱制御層は、その完全性を損なうことなしに、CVD反応器の操作温度に耐えることができなければならない。したがって、CVD反応器の操作温度を超える融点を持つ金属であることが好ましい。熱制御層としての配置に適当な金属物質としては、バナジウム、タンタル、ニッケル、プラチナ、クロム、モリブデン、およびこれらの金属の2つ以上の合金または混合物を例示することができる。ニッケルは、熱制御層として使用するために特に適当であると考えられる。ニッケルは、放射率および硬度が望ましいことに加えて、CVD反応器の運転と運転の間にCVD反応器を洗浄する際に使用される、例えば化学薬品などの材料に対する良好な耐薬品性を表すためである。CVD反応器が、例えばトリクロロシランまたはモノシランSiH4などの高シリコンガスから多結晶シリコンを製造するために使用される場合、結果物であるシリコンの純度は極めて重要であり、また、微量な他の元素による汚染のリスクを回避することが強く望まれる。これらの操作では、大部分の反応器壁が、クロムおよび/またはニッケル20以下を含むスチールより作られることが一般的である。したがって、多結晶シリコンを生成する際の他の元素の汚染源の導入を避けるため、有利には、熱制御層の物質は、装置の元素のフィンガープリントに既に存在するような元素、この場合では、クロムまたは特にニッケルである。熱制御層は、冶金、金属めっきまたは金属被膜の技術分野の当業者にとって公知の手法のいずれによっても得ることができる。ニッケルが熱制御層である場合のこの例では、電気めっき法により、または非電気めっき法、化学、無電気めっき法およびブラシめっき法を含む方法により達成することができる。直接的に、あるいは銅接着層の上からの間接的に、電解析出により、スチールなどの表面にめっきされたニッケルは、特に低い放射率係数を有することが知られている。したがって、有利な実施形態では、熱制御層は、電解析出ニッケルであるか、または他の方法として電気めっきニッケルが参照される。公開された文献に報告されるように、いくつかの物質の放射率係数および硬度を表1に示す。一例として、CVD反応器10は、図1に示すように、楕円形の断面形状を有するとともに、外殻基礎部材12を含み、外殻基礎部材12には、外壁15と、反応チャンバ20を画定する内面を有する内壁16とにより画定される二重壁構造を有するベルジャー形状を持つ外殻14が取り付けられる。反応チャンバ20は、熱分解およびシリコン堆積操作を収容するように構成される。壁16の一部は、チャンバ20に面する熱制御層23である。外壁15および内壁16は、互いに離間して隙間空間17を形成している。水等の冷却剤は、壁15にある、隙間空間17内への注入ポート18を通過して、出口ポート19から出る。複数の電極21が、チャンバ20の底に設けられる。それぞれの電極21は、基礎部材12に付けられた熱シールド22に垂直に取り付けられる。シリコンスタータフィラメント25がそれぞれの電極21上に取り付けられ、フィラメントが、チャンバ20内で据付け空間配置に保持される。電極21の配列は、対応する偶数本のスタータフィラメント25に接続する偶数本よりなっている。それぞれのシリコンスタータフィラメント25は、実質的に同じ距離で離間するとともに、覆い14の内壁16から実質的に同じ距離で、半径方向に隔てられている。それぞれの電極21は、基礎部材12の下方へ延び、それぞれが従来のAC電源図示せずに接続される。使い捨て可能なカーボンチャック27は、それぞれのスタータフィラメント25と接触してそれぞれの電極21の上端に取り付けられる。カーボンチャック27は、熱分解操作が終了した後、反応器10から仕上がったシリコンロッドの抜き出しを簡易にする。また、シリコンフィラメント25は、基礎部材12と関連して実質的に垂直方位に保持される。電気回路が、2つのシリコンフィラメント25からなる組のそれぞれの間で、好ましくはフィラメント25と同じ組成のコネクタ35を介して、完結される。シリコンフィラメント25はいくつかの対に形成され、各対は、好ましくは、コネクタ35に相当する架橋部分を有する蹄鉄状に構成される。このようにして、フィラメント25のそれぞれの蹄鉄状対が、ロッド25が取り付けられた電極21を通じて電気回路を完結する。多結晶シリコンの高純度均一堆積は、それぞれの直立したシリコンフィラメント25上に形成される。断熱材37は、それぞれのフィラメントに断熱を与えるために、従来の様式で基礎部材12上に取り付けられる。また、断熱材37は、それぞれのフィラメント周辺で循環ガス流を制御する手段としても使用される。断熱材37は、垂直に、基礎部材12上に取り付けられ、またはそれに支持される。また、断熱材37は、仕切り壁38を含み、仕切り壁38は、それぞれのスタータフィラメント25の反対側に延びることで、それぞれのフィラメント25を実質的に囲む細長のチャンバ40を形成する。チャンバ40は、循環したガスの分配を、それぞれのフィラメント25周辺で均一にガイドするために機能する。フィラメント25が、好ましくはそれぞれのチャンバ40の対称形の中心に位置する。仕切り壁38は、基礎部材12上に直接的に取り付けられ、または基礎部材12に比較的接近して取り付けられ、また、シリコンフィラメント25に架橋しているコネクタ35に可能な限り接近するように垂直に上へ延びている。シリコン含有物質、特にモノシランガスは、供給パイプ41を通って反応器10の中へ導入され、供給パイプ41は、基礎部材12および断熱材37の中心を通って複数の排出口43へ延びている。あるいは、モノシランガスは、反応器10に再度入る前に、循環ガス供給パイプ44内に導入されることも可能である。反応チャンバ20内で、モノシランガスの分解がシリコン元素を生じさせ、該シリコン元素がフィラメント上に堆積して、フィラメントの直径よりも大きい直径を有する多結晶シリコンロッドを形成するような状態に維持される。特に、モノシランガスは、モノシランガスの分解およびシリコン元素の堆積をもたらすために十分な温度にさらされる。排気ガスは、出口ポート45を通って反応器10から回収される。排気ガスは、熱交換器46、フィルタ47を通り、ブロワ48内へ送り込まれ、それが、供給パイプ44を通って反応器10内に制御された流量で再循環される。弁Vは、排気ラインに、好ましくは出口ポート45に隣接した排気ラインに接続され、排気ガスの一部を放出し、シランの回収およびシランの分解により形成された過剰な水素の除去を可能とする。熱交換器46は、排気ガスを冷却して、反応器10への再導入温度を制御するように機能する。フィルタ47は、排気ガス中に存在する同伴したシリコン粉末を取り除くために機能する。熱交換器46、フィルタ47およびブロワ48は、全て従来の装置である。循環した排気ガスは、ブロワ48により、分配網50を通って反応器10内に送られる。分配網50は、制御された様式で、循環ガスを分配し、多結晶シリコンの均一な成長をもたらす。分配網50は、マニホールド52、フィーダライン53、第2マニホールド54および複数の分配環55を含む。マニホールド54は、基礎部材12上に取り付けられている。外殻14は、マニホールド54上に据え付けられ、また、複数の耳状のリブ56を含んでいる。複数の耳状のリブ56は外殻14から突出しており、外殻14を基礎部材12へ取り付けるための取付ネジ57がこれを貫通している。本願明細書において述べられる図示の反応器10の操作は、シランSiH4の分解によるシリコンの堆積に関連した具体例である。ポリシリコンSiH2n2、クロロシラン、ブロモシラン、およびヨードシランなど、また例えば、ジシランSi2H6、ジクロロシランSiH2Cl2、トリクロロシランSiHCl3、シリコンテトラクロライドSiCl4、ジブロモシランSiH2Br2、トリブロモシランSiHBr3、シリコンテトラブロマイドSiBr4、ジヨードシランSiH2I2、トリヨードシランSiHI3、シリコンテトラヨージドSiI4、およびそれらの混合物などの、他の公知のシリコン含有物質前駆体ガスに対しては、類似した装置および方法を使用することができる。いくつかの反応器では、生成物のシリコンは、反応チャンバ内で状態を維持することにより得られる粉末形状であり、シリコン含有物質の分解がシリコン粉末の形態でシリコン元素を生じさせる。この開示の目的で、シリコン粉末は、15μm以下の最大断面寸法直径を有する高純度シリコンである。本発明は、向上した省エネルギー性、低下した操作温度、低下した維持費、および汚染の危険性の低減などのような利点を達成することができる。本発明では、有利な実施形態に関して説明してきたが、当業者には、容易に変更または修正を加え、添付の特許請求の範囲によって定義される本発明の精神および範囲から逸脱することなく行うことができることを理解するだろう。開示された方法の原理を適用することができる多くの可能な実施形態に鑑みて、教示はあくまで一例であり、本発明の範囲を限定するものとして解釈されるべきではないことを認識すべきである。