"紫外線の光源とウェーハ載置部とを有し、酸素含有雰囲気で前記光源より紫外線を照射してオゾンガスを発生させ、前記ウェーハ載置部上のウェーハをオゾンガスで処理するオゾンガス発生処理装置であって、該オゾンガス発生処理装置は、前記光源と前記ウェーハ載置部上に載置されたウェーハとの間に、前記発生したオゾンガスを通過させかつ前記紫外線を遮光する遮光板を有することを特徴とするオゾンガス発生処理装置。前記遮光板の遮光率が95以上であることを特徴とする請求項1に記載のオゾンガス発生処理装置。前記遮光板の遮光率が100未満であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のオゾンガス発生処理装置。前記遮光板は、複数枚のパンチングメタルを重ね合わせてなるものであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のオゾンガス発生処理装置。酸素含有雰囲気中で紫外線照射を行うことによりオゾンガスを発生させ、該発生したオゾンガスで処理することでシリコン単結晶ウェーハ表面に酸化珪素膜を形成する酸化珪素膜形成方法であって、前記紫外線の光源と前記シリコン単結晶ウェーハとの間に、前記発生したオゾンガスを通過させかつ前記紫外線を遮光する遮光板を配置し、前記紫外線を遮光しつつ前記遮光板を通過させたオゾンガスと前記シリコン単結晶ウェーハ表面とを反応させることにより前記酸化珪素膜を形成する処理を行うことを特徴とする酸化珪素膜形成方法。前記遮光板の遮光率が95以上のものを用いることを特徴とする請求項5に記載の酸化珪素膜形成方法。前記遮光板の遮光率が100未満のものを用いることを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の酸化珪素膜形成方法。請求項5乃至請求項7のいずれか一項に記載の酸化珪素膜形成方法によりシリコン単結晶ウェーハ表面に酸化珪素膜を形成し、該酸化珪素膜上に水銀電極を接合してCV特性を測定するシリコン単結晶ウェーハの評価方法。前記測定するシリコン単結晶ウェーハは、表面にn型領域を有するものとすることを特徴とする請求項8に記載のシリコン単結晶ウェーハの評価方法。前記測定するシリコン単結晶ウェーハは、表面にn型エピタキシャル層を有するものとすることを特徴とする請求項8又は請求項9に記載のシリコン単結晶ウェーハの評価方法。シリコン単結晶ウェーハをオゾンガスで酸化すると、ウェーハの表面に酸化珪素膜が形成される。この酸化珪素膜は絶縁性を有するので、C-V特性を測定する際に、空乏層と直列に配列されたコンデンサとして作用する。コンデンサの容量はその厚さに反比例するので、酸化珪素膜が厚いほどコンデンサの容量は小さくなる。すると、直列配列のコンデンサの容量は、各容量の逆数を加算したものの逆数なので、酸化珪素膜が厚いほど直列配列のコンデンサ全体に与える影響が大きくなる。その結果、C-V特性から得られる、エピタキシャル層の深さと不純物濃度の関係を示すグラフの傾きが大きくなり、不純物濃度の繰返し測定精度が悪くなってしまう。また、シリコン単結晶ウェーハの表面が紫外光に曝されてダメージを受け、C-V特性にノイズが発生してしまう。本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであって、酸素含有雰囲気で紫外線を照射して発生させたオゾンガスでウェーハ表面を処理した際に、ウェーハの表面に形成される酸化膜厚を薄く調整することができ、また、紫外線によりウェーハ表面がダメージを受けないようなオゾンガス発生処理装置、酸化珪素膜形成方法、及び、該酸化珪素膜形成方法を用いた、従来よりも安定したC-V特性の測定値を得ることができるシリコン単結晶ウェーハの評価方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明では、紫外線の光源とウェーハ載置部とを有し、酸素含有雰囲気で前記光源より紫外線を照射してオゾンガスを発生させ、前記ウェーハ載置部上のウェーハをオゾンガスで処理するオゾンガス発生処理装置であって、該オゾンガス発生処理装置は、前記光源と前記ウェーハ載置部上に載置されたウェーハとの間に、前記発生したオゾンガスを通過させかつ前記紫外線を遮光する遮光板を有することを特徴とするオゾンガス発生処理装置を提供する。本発明のオゾンガス発生処理装置であれば、ウェーハ表面に紫外線を殆ど曝さずに酸化処理をすることができるので、ウェーハ近傍のオゾンガス濃度が低下し、ウェーハの表面に形成される酸化膜厚を薄く調整することができる。また、ウェーハが紫外線に直接曝されないので、紫外線によるウェーハ表面のダメージを抑制することができる。このようなオゾンガス発生処理装置を使用して酸化膜を形成したウェーハ特に、表面にn型領域を有するシリコン単結晶ウェーハは、C-V特性にノイズが発生しにくくなり、繰返し測定精度の改善が可能となる。またこのとき、前記遮光板の遮光率が95以上であることが好ましい。また、前記遮光板の遮光率が100未満であることが好ましい。このように、遮光板の遮光率が95以上であれば、C-V特性にノイズが発生する恐れがないために好ましい。また、遮光板の遮光率が100未満であれば、確実にオゾンガスが遮光板を通過することができ、容易にウェーハ表面に所望厚さの酸化膜を形成することができるため好ましい。またこのとき、前記遮光板は、複数枚のパンチングメタルを重ね合わせてなるものであることが好ましい。このような遮光板であれば、より確実に、発生したオゾンガスを通過させかつ紫外線を遮光する遮光板となるために好ましい。パンチングメタルを複数枚重ねる際に孔の位置を少しずつずらすことにより、遮光率を大幅に向上させることができる。また、パンチングメタルの枚数や孔の位置を調整することによって、形成する酸化膜の膜厚を容易に調整することができるために好ましい。また、本発明では、酸素含有雰囲気中で紫外線照射を行うことによりオゾンガスを発生させ、該発生したオゾンガスで処理することでシリコン単結晶ウェーハ表面に酸化珪素膜を形成する酸化珪素膜形成方法であって、前記紫外線の光源と前記シリコン単結晶ウェーハとの間に、前記発生したオゾンガスを通過させかつ前記紫外線を遮光する遮光板を配置し、前記紫外線を遮光しつつ前記遮光板を通過させたオゾンガスと前記シリコン単結晶ウェーハ表面とを反応させることにより前記酸化珪素膜を形成する処理を行うことを特徴とする酸化珪素膜形成方法を提供する。本発明の酸化珪素膜形成方法によれば、シリコン単結晶ウェーハ表面に紫外線を殆ど曝さずに酸化珪素膜形成処理をすることができるので、シリコン単結晶ウェーハ近傍のオゾンガス濃度が低下し、ウェーハの表面に形成される酸化珪素膜厚を薄く調整することができる。また、シリコン単結晶ウェーハが紫外線に直接曝されないので、紫外線によるシリコン単結晶ウェーハ表面のダメージを抑制することができる。またこのとき、前記遮光板の遮光率が95以上のものを用いることが好ましい。また、前記遮光板の遮光率が100未満のものを用いることが好ましい。このように、遮光板の遮光率が95以上であれば、C-V特性にノイズが発生する恐れがないために好ましい。また、遮光板の遮光率が100未満であれば、遮光板のわずかな隙間より確実にオゾンガスが遮光板を通過することができ、容易にウェーハ表面に所望厚さの酸化膜を形成することができるため好ましい。また本発明では、前記酸化珪素膜形成方法によりシリコン単結晶ウェーハ表面に酸化珪素膜を形成し、該酸化珪素膜上に水銀電極を接合してC-V特性を測定するシリコン単結晶ウェーハの評価方法を提供する。このような本発明の酸化珪素膜形成方法を用いて酸化珪素膜を形成したシリコン単結晶ウェーハの評価方法であれば、C-V特性にノイズが発生しにくくなり、繰返し測定精度の改善が可能となる。またこのとき、前記測定するシリコン単結晶ウェーハは、表面にn型領域を有するものとすることが好ましい。また、前記測定するシリコン単結晶ウェーハは、表面にn型エピタキシャル層を有するものとすることが好ましい。このように、測定するシリコン単結晶ウェーハを、表面にn型領域を有するもの、例えば、n型基板、表面にn型エピタキシャル層を有するウェーハ等とすることができる。以上説明したように、本発明のオゾンガス発生処理装置、酸化珪素膜形成方法、及びシリコン単結晶ウェーハの評価方法によれば、ウェーハ表面に紫外線を殆ど曝さずに酸化処理をすることができるので、ウェーハ近傍のオゾンガス濃度が低下し、ウェーハの表面に形成される酸化膜厚を薄く調整することができる。また、ウェーハが紫外線に直接曝されないので、紫外線によりウェーハ表面がダメージを受けなくなり、C-V特性にノイズが発生しなくなる。これらの結果、従来よりも繰返し測定精度を改善することが可能となる。以下、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。前述のように、従来、オゾンガスでシリコン単結晶ウェーハ表面を処理することによって形成した酸化珪素膜が厚いことによるC-V特性の測定精度が悪くなってしまうという問題点があった。また、シリコン単結晶ウェーハの表面が紫外光に曝されてダメージを受け、C-V特性にノイズが発生してしまうという問題点があった。そこで、本発明者らは、オゾンガス発生処理装置の紫外線の光源とウェーハ載置部との間に、発生したオゾンガスを通過させかつ紫外線を遮光する遮光板を設けることで、ウェーハの表面に形成される酸化膜厚を薄く調整することができ、更に、紫外線によるウェーハ表面のダメージを抑制することでC-V特性にノイズが発生することを防ぎ、結果として繰返し測定精度を改善することができることを見出し、本発明を完成させた。以下、図面を参照して説明する。図1は、本発明のオゾンガス発生処理装置の一例を示す概略図である。オゾンガス発生処理装置1は、酸素含有雰囲気中で紫外線を照射してオゾンガスを発生させ、ウェーハ12をオゾンガスで処理するものである。オゾンガス発生処理装置1は、紫外線の光源である水銀ランプ11と、ウェーハ12を載置するウェーハ載置部13とを有し、水銀ランプ11とウェーハ載置部13との間に、発生したオゾンガスを通過させかつ紫外線を遮光する遮光板14が配置されている。水銀ランプ11から照射される紫外線には、184.95nmの波長が含まれる。空気中で紫外線を照射すると、酸素分子は184.95nmの波長の光により分解し、オゾンガスと原子状酸素を生じる。遮光板14は、発生したオゾンガスを通過させかつ紫外線を遮光する遮光板であれば特に限定されないが、複数枚のパンチングメタルを重ね合わせてなるものであることが好ましい。更に、上下のパンチングメタルの孔がずらされて重ね合わせてなるものであることが好ましい。オゾンガスと原子状酸素は、遮光板14を構成するパンチングメタル間の隙間と孔を通過してウェーハ12まで到達するが、紫外線は殆ど遮光される。従って、ウェーハ12表面に紫外線を殆ど曝さずに酸化処理をすることができるので、ウェーハ近傍のオゾンガス濃度が低下し、ウェーハ12の表面に形成される酸化膜15の膜厚を薄く調整することができる。また、ウェーハ12が紫外線に直接曝されないので、紫外線によるウェーハ12表面のダメージの発生を抑制することができる。遮光板14の遮光率は95以上が好ましく、より望ましくは99以上100未満である。遮光率が95以上の場合、C-V特性にノイズが発生する恐れがないために好ましい。遮光板の遮光率が100未満であれば、遮光板のわずかな隙間より確実にオゾンガスが遮光板を通過することができ、容易にウェーハ表面に所望厚さの酸化膜を形成することができるため好ましい。図2に、本発明の酸化珪素膜形成方法、及びシリコン単結晶ウェーハの評価方法の一例を示すフロー図を示す。先ず、シリコン単結晶ウェーハを準備する図2A。C-V特性を測定する場合には、測定されるシリコン単結晶ウェーハは、表面にn型領域を有するもの、特には、n型基板や表面にn型エピタキシャル層を有するものとすることができる。以下、シリコン単結晶ウェーハ12として、n型シリコンエピタキシャルウェーハを準備する場合について詳述する。次に、オゾンガス発生処理装置1内のウェーハ載置部13にn型シリコンエピタキシャルウェーハ12を載置し図2B、該n型シリコンエピタキシャルウェーハ12と水銀ランプ11との間に発生したオゾンガスを通過させかつ紫外線を遮光する遮光板14を配置する図2C。次いで、酸素含有雰囲気例えば空気中で紫外線の光源である水銀ランプ11から紫外線を照射すると、水銀ランプ11の近傍にオゾンガスが生成される。オゾンガスは遮光板14のパンチングメタル間の隙間と孔を通過してn型シリコンエピタキシャルウェーハ12まで到達するが、紫外線は遮光板14により殆ど遮光される。n型シリコンエピタキシャルウェーハ12の表面まで到達したオゾンガスは、ウェーハ12の表面を薄く酸化し、所望厚さの酸化珪素膜15がn型エピタキシャル層の表面に形成される図2D。形成した酸化珪素膜15上に水銀電極を接合し、n型エピタキシャル層に逆バイアス電圧を連続的に変化させながら印加すると、逆バイアス電圧に応じてn型エピタキシャル層内に形成された空乏層が拡がり、キャパシタンスとして計測される。この逆バイアス電圧とキャパシタンスの関係をグラフにプロットすると、C-V特性を得ることができる図2E。さらに、逆バイアス電圧値とキャパシタンス値を例えば下記1式と下記2式に代入すると、n型エピタキシャル層の深さWならびに、深さWにおける不純物濃度NWを算出することができるので、エピタキシャル層中の深さ方向における不純物濃度のプロファイルを得ることができる。W=AεSi/C1NW=2/qεSiA2×{dC-2/dV}-12ここで、Wはエピタキシャル層内の深さに相当する空乏層幅、Aは水銀電極の面積水銀がエピタキシャル層の表面に接合するときの接触面積、εSiはシリコンの誘電率、Cはキャパシンタンス容量、NWはエピタキシャル層内の深さWにおける不純物濃度、qは電子の電荷量、Vは印加電圧である。エピタキシャル層中の深さ方向における不純物濃度のプロファイルの中で、測定深さを指定すると、その深さにおける不純物濃度を測定することができる。また、得られた不純物濃度をASTMSTANDARDSF723等の換算式により換算することにより、不純物濃度を抵抗率に換算することができる。このようにして得られる不純物濃度もしくは抵抗率をエピタキシャルウェーハの同じ場所で複数回、例えば10回連続して繰返し測定することにより、C-V特性の安定性を繰返し測定精度として評価することができる。繰返し測定精度は例えば10回の測定値から平均値xと標準偏差σを求め、下記3式を用いて算出する。なお、繰返し測定の際、水銀電極を測定の度にエピタキシャルウェーハから一旦離し、再び接合させる。繰返し測定精度=1σ/x×1003遮光板14を用いて紫外線を遮光しながらn型エピタキシャル層の表面に酸化珪素膜15を形成すると、安定したC-V特性の測定値を得ることができ繰返し測定精度を改善することができ、特に、遮光率が95以上であれば、繰返し測定精度を0.5以下にすることが可能である。以下、実施例、比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。遮光板の作製口径3mm、ピッチ5mm、60°千鳥配列、厚さ1.5mmの鋼種のパンチングメタルを4枚準備し、各枚数1~4枚で遮光率ができるだけ高くなるようにして、オゾンガス発生処理装置内のウェーハと紫外線の光源との間に配置した。尚、各遮光板の遮光率は、暗室で照度計を用いて測定した。照度19,000Lxのハロゲンランプで遮光板の一方側から照らし、重ね合わせた実際は積層させたパンチングメタルの孔の位置を少しずつずらしながら、反対側10mmの位置に置いた照度計で透過光の照度を測定した。各遮光板について得られた、最も低い照度と遮光率を表1に示す。表1中、パンチングメタルの枚数0枚とは、遮光板を用いない場合に相当する。表1に示すように、パンチングメタルを複数枚重ねる際に孔の位置を少しずつずらすことにより、遮光率を大幅に向上できることがわかる。実施例1~4,比較例1酸化珪素膜の形成比較例1として、遮光板を用いずにオゾンガス発生処理装置内で酸化珪素膜を形成した。また、オゾンガス発生処理装置内で、パンチングメタル1枚から構成される遮光板を用いた場合実施例1、パンチングメタルを2枚重ね合わせた遮光板を用いた場合実施例2、パンチングメタルを3枚重ね合わせた遮光板を用いた場合実施例3、パンチングメタルを4枚重ね合わせた遮光板を用いた場合実施例4のそれぞれについて、酸化珪素膜を形成した。遮光板は、オゾンガス発生処理装置内の、n型エピタキシャルウェーハと水銀ランプとの間に配置した。水銀ランプの下端から遮光板までは約10mmとした。また、n型エピタキシャルウェーハは、面方位100、直径200mmのn型シリコン単結晶ウェーハ上に抵抗率約0.7Ωcmのエピタキシャル層が気相成長されたものであり、気相成長後24時間以内のものを用いた。空気中で、254nmでの出力が28000μW/cm26mm離隔位置の低圧水銀ランプから184.95nmの波長を含む紫外線を5分間照射し、約70ppmのオゾンガスを発生させた。オゾン濃度は、パンチングメタルを3枚重ねた遮光板を通過すると、約60ppmに低下した。紫外線照射後5分間パージを行い、オゾン含有雰囲気をオゾンガス発生装置内から排出させた。n型エピタキシャルウェーハの表面に形成された酸化珪素膜の厚さをXPS法X線光電子分光法で測定した結果を表1に示す。酸化膜の厚さは、遮光板を用いない場合比較例1が0.4nm、パンチングメタル1~3枚で構成された遮光板の場合実施例1~3は0.3nm、パンチングメタル4枚で構成された遮光板の場合実施例4は0.2nmであった。C-V特性の測定オゾンガス発生処理装置からn型エピタキシャルウェーハを取り出し、エピタキシャル層の表面に形成した酸化珪素膜上に水銀電極を接合してC-V特性の測定を行った。測定は、周波数1MHzで逆バイアス電圧を15Vまで連続的に変化させながら印加して行った。そして得られたC-V特性から、エピタキシャル層の深さWと不純物濃度NWの関係を算出し、グラフ化した図3、図4a~d。その結果、遮光板を用いない場合の比較例1ではグラフが明らかに傾いており、ウェーハ表面が紫外線に曝されてダメージを受けたことによりノイズが多発している図3のに対し、遮光率95以上の遮光板を用いた実施例2、実施例3、実施例4のグラフは殆ど傾いておらず、ノイズも発生していない図4b、図4c、図4d。続いて、エピタキシャル層の深さ0.5μmにおける不純物濃度を求めた。C-V特性の測定後、n型エピタキシャルウェーハから水銀電極を毎回切り離した。この操作をn型エピタキシャルウェーハの中心部で10回繰返して行い、その繰返し測定精度1σ/x×100を表1に示した。表1のように、遮光板を用いた実施例1~実施例4は、繰返し測定精度が比較例1に比べて大幅に改善された。特に、遮光率95以上の遮光板を用いた実施例2、実施例3、実施例4では繰返し測定精度が0.5以下であった。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。"