出力発振器として電圧制御型水晶発振器を備えるPLL回路と、MEMS振動子を有するMEMS発振器と、を備え、前記MEMS発振器の出力が基準信号として前記PLL回路の位相比較器に供給され、一定の周波数の信号を出力する高安定発振器。前記MEMS振動子はシリコンを用いて構成される、請求項1に記載の高安定発振器。前記MEMS振動子は圧電材料を用いて構成される、請求項1に記載の高安定発振器。以上説明したように、水晶発振器は、短期安定度に優れるものの長期安定度あるいはエージング特性の点で不十分である。これに対し、MEMS発振器を用いたシンセサイザでは、出力周波数の長期安定度には優れるものの短期安定度が不十分であり、出力周波数における非連続な変化も起こり得る、という問題点がある。原子発振器は、長期安定度では極めて優秀であるが、小型化や低コスト化が難しく、温度制御などにおいても高度のものを要求される、という問題点がある。本発明の目的は、小型化が容易であり、低コストで製造可能であって、発振出力周波数における短期安定度と長期安定度とを両立させた高安定発振器を提供することにある。本発明の高安定発振器は、出力発振器として電圧制御型水晶発振器を備えるPLL回路と、MEMS振動子を有するMEMS発振器と、を備え、MEMS発振器の出力が基準信号としてPLL回路の位相比較器に供給され、一定の周波数の信号を出力する。本発明において、MEMS振動子としては、例えば、シリコンを用いて構成されるもの、あるいは、AlNなどの圧電材料を用いて構成されるものを使用することができる。本発明によれば、長期安定度に優れるMEMS発振器と短期安定度に優れる水晶発振器とを組み合わせることにより、短期安定度と長期安定度とを両立させ、かつ小型化と低コスト化が容易な高安定発振器が得られる。次に、本発明の好ましい実施形態について、図面を参照して説明する。図1に示す本発明の実施の一形態の高安定発振器は、予め定められた単一の周波数の信号を出力するように構成されたものであって、MEMS発振器11と、MEMS発振器11の発振出力信号が基準信号として入力するPLL回路とを備えている。単一の周波数は、例えば、100MHz以下といった比較的低い周波数とされる。PLL回路は、MEMS発振器11からの基準信号が入力する位相比較器12と、位相比較器12の出力に接続されたチャージポンプ13と、チャージポンプ13の出力に接続された低域通過フィルタLPF14と、低域通過フィルタ14の出力電圧に応じて発振周波数が変化する電圧制御型水晶発振器VCXO15とを備えている。電圧制御型水晶発振器15の出力は、この高安定発振器の出力として外部回路に供給されるとともに、分周器16を介して位相比較器12に帰還している。この高安定発振器では、出力周波数が予め定められた単一の周波数であるので、PLL回路の出力発振器として、短期安定度に優れた水晶発振器に基づく電圧制御型水晶発振器15が用いられている。電圧制御型水晶発振器15での周波数可変範囲は、予め定められた出力周波数の近傍の狭い範囲とされている。分周器16の分周比は、出力周波数とMEMS発振器11に応じて定められる値とされており、少なくともこの高安定発振器の動作中のおいては分周比は一定に保たれている。この高安定発振器では、長期安定度に優れるMEMS発振器11によって長期安定度を担保し、その一方で、電圧制御型水晶発振器15によって短期安定度を高めるようにしている。例えば、PLL回路の時定数を長く設定する例えば、低域通過フィルタ13の遮断周波数を極めて低く設定することによって、あるいは、PLL制御を間欠的に実行することにより、この高安定発振器における短期安定度と長期安定度とを両立させることができる。PLL制御を間欠的に実行するためには、間欠制御用に外部から供給されるクロック信号によって動作するサンプル/ホールド回路を例えば低域通過フィルタ14と電圧制御型水晶発振器15との間に挿入することが考えられる。なお、電圧制御型水晶発振器15の代わりに、水晶振動子を用いない形式の電圧制御型発振器VCOを用いた場合には、電圧制御型発振器の発振周波数における短期安定度がよくないので、MEMS発振器を組み合わせたとしても短期安定度と長期安定度とを両立させた発振器を得ることはできない。ここで、本実施形態の高安定発振器で用いられるMEMS発振器11について説明する。MEMS発振器11を構成するMEMS振動子としては、上述したように、シリコン半導体を用いたものと圧電体を用いたものとがある。一般に、シリコンを用いたMEMS振動子は、固有周波数を高くすると等価直列抵抗が大きくなり、発進させるのが困難になる。また、振動子が小さくなりすぎて製造に適さない、という特徴を有する。これに対して、圧電体を用いたMEMS振動子は等価直列抵抗は小さいものの、固有周波数を低くすると圧電膜が厚くなりすぎて製造に適しない、という特徴を有する。したがって、高安定発振器として比較的低い出力周波数を得ようとする場合には、MEMS発振器11のMEMS振動子としてシリコン半導体材料を用いたものを使用することが好ましく、比較的高い出力周波数を得ようとする場合には、圧電材料を用いたものを使用することが好ましい。圧電材料を使用したMEMS振動子としては、例えば、FBAR薄膜バルク弾性波共振器:FilmBulkAcousticResonatorとして構成されたものを用いることができる。