太陽電池に含まれる薄膜層を形成する所定の成膜条件を、該薄膜層の膜質と相関のあるパラメータに基づいて所定のタイミングで更新し、更新した新たな成膜条件で太陽電池を製造する太陽電池の製造方法。前記太陽電池を構成する膜を所定の成膜条件で形成する通常工程と、前記通常工程以外の所定のタイミングで、太陽電池を構成する少なくとも一種の膜を検査膜として形成する検査膜形成工程と、前記検査膜の膜質と相関のあるパラメータを取得する取得工程と、前記パラメータが所定の範囲に含まれるように前記所定の成膜条件を新たに更新し、更新した新たな成膜条件で太陽電池の製造を行う更新工程と、を備えることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記取得工程において、前記検査膜の表面形状を測定し、測定した表面形状のデータに基づいて前記パラメータを算出することを特徴とする請求項2に記載の太陽電池の製造方法。前記取得工程において、原子間力顕微鏡を用いて前記検査膜を測定することを特徴とする請求項3に記載の太陽電池の製造方法。前記太陽電池は、アモルファスシリコン膜と微結晶シリコン膜を有し、前記検査膜は、微結晶シリコン膜である、ことを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法。前記検査膜形成工程において、前記検査膜は、前記通常工程において形成される、検査膜と同種の膜の厚みよりも薄く形成されることを特徴とする請求項2乃至5のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法。しかしながら、装置のメンテナンスやクリーニングには、装置の停止が必要であり、結果としてダウンタイムが増加し、製造効率の低下を招くことになる。一方、装置のメンテナンスやクリーニングを行わずに成膜を続けると、いずれ要求される性能を満たさない太陽電池が製造されることとなる。本発明はこうした状況に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、要求性能を満たした太陽電池を効率よく製造できる技術を提供することにある。上記課題を解決するために、本発明のある態様の太陽電池の製造方法は、太陽電池に含まれる薄膜層を形成する所定の成膜条件を、該薄膜層の膜質と相関のあるパラメータに基づいて所定のタイミングで更新し、更新した新たな成膜条件で太陽電池を製造する。本発明によれば、要求性能を満たした太陽電池を効率よく製造できる。以下、図面を参照しながら、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を適宜省略する。また、以下の各図に示す各層、各部の縮尺や形状は、説明を容易にするために便宜的に設定されており、特に言及がない限り限定的に解釈されるものではない。太陽電池はじめに、本実施の形態に好適な太陽電池について説明する。太陽電池は種々のタイプが考案されているが、以下では薄膜型の太陽電池について説明する。図1は、本実施の形態に係る太陽電池の断面の模式図である。本実施の形態に係る太陽電池10は、第1電極層12、半導体層14、透明導電膜16および第2電極層18を有する。第1電極層12、半導体層14、透明導電膜16および第2電極層18は、周知のレーザパターニングを施されながら基板20上に順次積層される。第1電極層12は、基板20の主面上に形成されており、導電性および透光性を有する。本実施の形態に係る第1電極層12は、高い光透過性、低抵抗性を有し、低価格であるZnOが用いられる。半導体層14は、第1電極層12側からの入射光により電荷電子および正孔を生成する。半導体層14としては、例えば、pin接合またはpn接合を基本構造として有するアモルファスシリコン半導体層や微結晶シリコン半導体層の積層体を用いることができる。本実施の形態に係る半導体層14は、第1電極層12側から順に積層された非晶質シリコン半導体および微結晶シリコン半導体により構成されている。なお、本明細書において、微結晶の用語は、完全な結晶状態のみならず、部分的に非結晶状態を含む状態をも意味するものとする。透明導電膜16は、少なくとも半導体層14上に形成される。透明導電膜16により、半導体層14と第2電極層18が合金化することを防止し、半導体層14と第2電極層18の接続抵抗を減少させることができる。第2電極層18は、透明導電膜16上に形成される。一の太陽電池10の透明導電膜16と第2電極層18は、一の太陽電池10に隣接する他の太陽電池10の第1電極層12に接触する。これにより、一の太陽電池10と他の太陽電池10とが電気的に直列に接続される。このように、複数の太陽電池10が接続されることで太陽電池モジュールが構成される。太陽電池モジュールの製造方法次に、上述の太陽電池を備える太陽電池モジュールの製造方法について説明する。なお、以下では、太陽電池を複数備える太陽電池モジュールについて説明するが、太陽電池を一つ備える太陽電池モジュールであってもよい。図2および図3は、本実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法の工程を説明するための断面の模式図である。はじめに、図2aに示すように、4mm厚のガラスからなる透光性の基板20上に、スパッタリングにより600nm厚のZnOからなる第1電極層12を形成する。そして、基板20の第1電極層12側からYAGレーザを照射して、第1電極層12を短冊状にパターニングする。当該レーザ分離加工には、波長約1.06μm、エネルギー密度13J/cm3、パルス周波数3kHzのNd:YAGレーザを使用する。次に、図2bに示すように、プラズマ処理装置により半導体層14を形成する。半導体層14は、膜厚15nmのp型非晶質シリコン半導体膜、膜厚200nmのi型非晶質シリコン半導体膜、膜厚30nmのn型非晶質シリコン半導体膜、膜厚30nmのp型微結晶シリコン半導体膜、膜厚2000nmのi型微結晶シリコン半導体膜および膜厚30nmのn型微結晶シリコン半導体膜を、第1電極層12上に順次積層したものである。p型非晶質シリコン半導体膜は、SiH4、CH4、H2およびB2H6との混合ガスを原料ガスとして形成される。i型非晶質シリコン半導体膜は、SiH4とH2との混合ガスを原料ガスとして形成される。n型非晶質シリコン半導体膜は、SiH4、H2およびPH4との混合ガスを原料ガスとして形成される。また、p型微結晶シリコン半導体膜は、SiH4、H2およびB2H6との混合ガスを原料ガスとして形成される。i型微結晶シリコン半導体膜は、SiH4とH2との混合ガスを原料ガスとして形成される。n型微結晶シリコン半導体膜は、SiH4、H2およびPH4との混合ガスを原料ガスとして形成される。以下にプラズマ処理装置による各膜の成膜条件の詳細を表1に示す。積層された半導体層14、第1電極層12のパターニング位置の横に第1電極層12側からYAGレーザを照射することにより基板20の裏面側に形成された半導体層14を分離するように除去し、短冊状にパターニングする。当該レーザ分離加工には、エネルギー密度0.7J/cm3、パルス周波数3kHzのNd:YAGレーザを使用する。次に、図2cに示すように、ZnOからなる透明導電膜16を半導体層14上にスパッタリングにより形成する。透明導電膜16は、半導体層14がパターニングにより除去された領域や側端部にも成膜される。そして、図3aに示すように、200nm厚のAg膜を透明導電膜16上にスパッタリングにより成膜し、第2電極層18を形成する。次に、図3bに示すように、半導体層14のパターニング位置の横の部分に、裏面側からYAGレーザを照射することにより半導体層14、透明導電膜16および第2電極層18を分離し、短冊状にパターニングする。当該レーザ分離加工には、エネルギー密度0.7J/cm3、パルス周波数4kHzのNd:YAGレーザを使用する。こにより、複数の太陽電池10と取り出し電極22とが形成される。次に、図3cに示すように、第1電極層12や半導体層14の側部に回り込んだ透明導電膜16と第2電極層18は、レーザにより除去される。当該レーザ除去加工には、波長約1.06μm、エネルギー密度13J/cm3、パルス周波数3kHzのNd:YAGレーザを使用する。以上により、互いに直列接続された複数の太陽電池10、取り出し電極22が基板20上に形成される。前述のプラズマ装置をはじめ半導体製造装置で製造された太陽電池およびそれを備えた太陽電池モジュールは、同じ成膜条件でも特性が徐々に変化することがある。そのため、同じ成膜条件で繰り返し太陽電池を製造すると、所望の特性の範囲を満たさなくなることがある。本発明者らは、半導体層の特性に影響を与えるものの一つとして、半導体層を構成する微結晶シリコン膜の表面凹凸形状に着目した。特に、AFMによる表面凹凸形状の測定データは、膜最表面の情報を含んでおり、成長過程の変化に対して非常に敏感である。そこで、本発明者らは、表面凹凸形状の高さデータの解析から得られた粗さ指数αを指標として用いることで、微結晶シリコン膜の成長過程を制御し、変換効率の向上とともに、安定した性能の太陽電池の製造を実現できることに想到した。粗さ指数従来、STM走査型トンネル顕微鏡やAFM原子間力顕微鏡により測定した各種材料の表面形態を示す指標として、以下の式1に示す高さ-高さ相関関数というものが知られている。Hr=<hr-hr’r2>r’=H0r2αr<<ξor2w2r>>ξ式1ここで、パラメータの値α0≦α≦1が粗さ指数と呼ばれているものであり、パラメータの値wが表面粗さと呼ばれているものである。ここで、ξは、相関長を示している。図4は、凹凸のある表面形態の一例を関数化した図である。図4に示す表面形態において、高さ-高さ相関関数を算出するためには、任意の位置r’における高さhr’と、任意の位置r’から距離r離れた位置r’rにおける高さhr’rとの差を二乗し、r’について平均をとった値Hrを、距離rを変えてそれぞれプロットする。図5は、高さ-高さ相関関数の一例をプロットした図である。図5に示すように、相関長ξより十分に小さいrの範囲では、Hrは、r2αに比例している。一方、相関長ξより十分に大きいrの範囲では、Hrは、ほぼ一定の値2w2をとる。次に、パラメータαおよびwについて説明する。図6は、パラメータαおよびwの大小による表面形態の相違を説明するための模式図である。図6に示すように、αが大きくなると、短周期の微細な凹凸が減少し、表面が滑らかになる。一方、wが大きくなると、凹凸の高さが増加する。粗さ指数と変換効率との関係次に、本実施の形態に係る太陽電池の半導体層のうち、微結晶シリコン層の表面凹凸形状が変換効率に与える影響について説明する。例えば、太陽電池の状態で微結晶シリコン層の表面凹凸形状を測定し、その際の太陽電池の変換効率を測定し、互いに比較することも可能である。しかしながら、本実施の形態に係る微結晶シリコン層は、太陽電池の状態ではアモルファスシリコン層の上に成膜されている。そのため、太陽電池の最表面にある微結晶シリコン層の凹凸形状を測定しても、下地のアモルファスシリコン層の影響が無視できないため、正確に微結晶シリコンの膜質を予測できない可能性がある。そこで、より簡便に、かつ、アモルファスシリコン層の影響を受けないように、太陽電池を製造する場合と同じ成膜条件でガラス基板上に直接微結晶シリコン層を成膜した。具体的には、ガラス基板上に微結晶シリコンi層の単膜を500nm成膜した。そして、AFMで微結晶シリコンi層の表面を測定し、粗さ指数αを算出した。なお、AFMによる測定は、時間短縮のため、一次元スキャンで行うことが好ましい。その際のスキャン長は、0.1~100μmの範囲が好ましい。また、測定の際の解像度は、256ピクセル以上が好ましく、より好ましくは4096ピクセル以上であるとよい。AFMのカンチレバーに設けられている探針の先端の曲率半径は、測定対象が微結晶シリコン層の場合には、その微細な凹凸形状を精度良く測定するために、15nm以下が好ましく、より好ましくは2nm以下であるとよい。次に、前述の微結晶シリコンi層の単膜と同じ成膜条件で成膜した微結晶シリコンi層を含む太陽電池を製造し、変換効率を測定した。なお、太陽電池の製造においては、微結晶シリコンi層の厚みは2000nmとしている。図7は、微結晶シリコン層の粗さ指数と、同じ成膜条件の微結晶シリコン層を有する太陽電池の変換効率との関係を示す図である。具体的には、ガラス基板上に成膜した微結晶シリコンi層膜厚500nmにおける表面凹凸の高さデータから計算した粗さ指数αと、アモルファスシリコン/微結晶シリコン太陽電池微結晶シリコンi層2μmの成膜条件は単膜と同一に適用した場合の変換効率Effとの関係を示している。本実施の形態では、7つの微結晶シリコン層の単膜の粗さ指数αおよびその単膜に対応する太陽電池の変換効率を測定した。ここで、単膜に対応する太陽電池とは、単膜と同じ成膜条件で成膜された微結晶シリコンi層を含んでいる太陽電池をいう。なお、図7の縦軸は、最も変換効率の高い太陽電池の変換効率を1.00とした相対値である。図7に示すように、微結晶シリコン層表面の粗さ指数αと、対応する太陽電池の変換効率とは相関が見られる。具体的には、微結晶シリコン層の単膜膜厚500nmの表面凹凸の高さデータから計算した粗さ指数αが、0.35≦α≦0.55の範囲にあるより好ましくは0.4≦α≦0.5場合、微結晶シリコン層の単膜の成膜条件と同じ条件で成膜した微結晶シリコン層を含む太陽電池の変換効率が良好であることがわかる。これは、粗さ指数αが前述の範囲である微結晶シリコン層の成膜条件は、ボイドの発生や結晶粒の異常成長の抑制に適したものであったと考えられる。そのため、粗さ指数αが前述の範囲となる成膜条件で製造した太陽電池の変換効率は、最高値よりも5以内の低下に抑えられている。このことから、変換効率の高い太陽電池の製造に適した成膜条件を、実際に太陽電池を製造することなく、太陽電池に含まれる一部の薄膜の測定データから粗さ指数を算出することで予測することが可能となる。また、粗さ指数αに基づいて成膜条件を制御することで、特性変換効率の良好な太陽電池を製造し続けることも可能となる。成膜条件の更新以上の知見に基づいて、本実施の形態に係る太陽電池の製造方法について説明する。本実施の形態に係る太陽電池の製造方法は、太陽電池に含まれる薄膜層を形成する所定の成膜条件を、該薄膜層の膜質と相関のあるパラメータに基づいて所定のタイミングで更新し、更新した新たな成膜条件で太陽電池を製造する。これにより、一定の成膜条件で太陽電池を製造する場合と比較して、所望の性能を満たした太陽電池をより長期間製造し続けることができる。これにより、装置のメンテナンスやクリーニングによるダウンタイムを少なくできる。図8は、本実施の形態に係る太陽電池の製造工程のフローチャートを示す図である。太陽電池の製造方法は、例えば、以下の各工程を備えることで実現できる。各工程は、太陽電池を構成する膜を所定の成膜条件で形成する通常工程S10と、通常工程以外の所定のタイミングで、太陽電池を構成する少なくとも一種の膜を検査膜として形成する検査膜形成工程S12と、検査膜の膜質と相関のあるパラメータを取得する取得工程S14と、パラメータが所定の範囲に含まれるように所定の成膜条件を新たに更新し、新たに更新した成膜条件で太陽電池の製造を行う更新工程S16と、で構成される。本実施の形態に係る通常工程は、例えば、前述の図2および図3に示した、所定の成膜条件で太陽電池を製造する工程である。そして、所定数の太陽電池の製造後または所定時間経過した後の、通常工程以外の所定のタイミングで、太陽電池を構成する微結晶シリコンi層の単膜を検査膜として形成する。ここで、通常工程以外とは、例えば、太陽電池の製造に直接寄与しない工程である。そして、取得工程において、検査膜である微結晶シリコンi層の表面形状がAFMで測定され、測定した表面形状のデータに基づいて膜質と相関のあるパラメータが算出される。AFMは、装置の扱いが容易で測定も短時間で行われるため取得工程で用いるのに好適である。本実施の形態に係る取得工程では、パラメータとして粗さ指数αが取得される。なお、この取得工程は、製造ラインの途中にAFMを設置してインラインで行ってもよいし、太陽電池の製造ラインから検査膜を抜き出して別の場所で行ってもよい。このように取得工程で使用される検査膜は、太陽電池のようにアモルファスシリコン層が形成されていないため、検査膜の成膜時間や無駄になる材料費の低減に寄与する。なお、測定対象検査膜が過度に帯電している場合には、測定データにノイズが入る可能性がある。そこで、本実施の形態に係る製造方法は、AFMによる測定の前に測定対象を除電する工程を含むとよい。更新工程は、粗さ指数αが所定の範囲に含まれるように、それまでの通常工程で設定されている所定の成膜条件を新たに更新し、新たに更新した成膜条件で太陽電池の製造を行う。具体的には、粗さ指数αが所定の範囲に含まれていない場合、それまでの成膜条件は、更新後の成膜条件で成膜した微結晶シリコン層の粗さ指数αが所定の範囲に含まれると予想される、新たな成膜条件に更新される。ここで、新たな成膜条件は、実験やシミュレーションによって粗さ指数αと予め関連付けされているテーブルや関数によって設定すればよい。一方、粗さ指数αが所定の範囲に含まれている場合、成膜条件を変更する必要性が乏しいため、それまで設定された成膜条件でそのまま太陽電池の製造を行えばよい。したがって、成膜条件の更新とは、それまでの成膜条件と異なる成膜条件に変更した場合だけではなく、それまでの成膜条件を維持した場合も含む。なお、取得した粗さ指数αが所定の範囲に含まれていない場合、特に、前述のように成膜条件を更新しても粗さ指数αが所定の範囲に含まれるようにできないと予想される場合、その後の通常工程による太陽電池の製造を停止させてもよい。なお、本実施の形態に係る検査膜である微結晶シリコンi層は、膜厚が500nmであり、太陽電池を製造する通常工程において形成される微結晶シリコンi層の膜厚2000nmよりも薄く形成されている。これにより、検査膜を形成する時間や検査膜の材料費の低減が可能となる。以上、本発明を上述の実施の形態を参照して説明したが、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、実施の形態の構成を適宜組み合わせたものや置換したものについても本発明に含まれるものである。また、当業者の知識に基づいて実施の形態における組合せや処理の順番を適宜組み替えることや各種の設計変更等の変形を実施の形態に対して加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれうる。上述の実施の形態では、アモルファスシリコン層と微結晶シリコン層とを積層した構成の太陽電池について説明した。しかしながら、本発明は、このような構成の太陽電池に限らず、一部に薄膜層を有している太陽電池であれば適用が可能である。例えば、結晶半導体層の基板の片面または両面に薄膜アモルファスシリコン層を形成した太陽電池であっても、アモルファスシリコン層を検査膜とすることで、上述の実施の形態と同様の作用効果を奏し得る。