"絶縁性基板上に多数の太陽電池セルが略第1方向に沿って並列されている太陽電池であって、各太陽電池セルがこの第1方向に対して直交する略第2の方向に沿って延出されている太陽電池の欠陥検査装置において、互いに隣接する前記太陽電池セルに前記順方向電圧とは逆方向の第1の電圧を印加する第1の電圧印加手段と、この逆方向の第1の電圧の印加に伴い、前記太陽電池セルの前記第2方向に沿って流れる電流が生成する磁場の強さを、当該第2方向に沿った位置に関連付けて検出する磁場検出手段と、前記第2方向に沿った位置に関連付けられた前記磁場の強さの出力分布に基づき、前記太陽電池セルに生ずる電気的な欠陥部の有無及び当該欠陥部が生じている箇所において当該欠陥部の位置を特定する欠陥位置特定手段と、を具備することを特徴とする太陽電池の欠陥検査装置。前記生成磁界は、前記第1及び第2方向を含む面に対して略直交する第3の方向に沿う第1の磁界成分及び前記第1方向に沿う第2の磁界成分に分解するとき、前記磁場検知手段は、前記第1及び第2の磁界成分の少なくとも一方を検出するように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の欠陥検査装置。前記磁場検知手段は、前記磁場の強さを検出する磁気センサ部と当該磁気センサ部を前記第2の方向に沿って移動し、当該移動に伴う移動位置を検知する位置検知部を備える移動手段を具備することを特徴とする、請求項1若しくは請求項2に記載の太陽電池の欠陥検査装置。前記移動手段は、外部からの指令に従って、複数の移動速度から選択された速度に設定され、前記磁気センサを前記第2の方向に沿って移動することを特徴とする、請求項3に記載の太陽電池の欠陥検査装置。前記磁場検知手段は、前記第2の方向に沿って所定の間隔を空けて配置されている複数の磁気センサ部を含み、前記欠陥位置特定手段は、この複数の磁気センサ部の出力から前記欠陥の位置を特定することを特徴とする請求項1若しくは請求項2に記載の太陽電池の欠陥検査装置。前記電圧印加手段は、前記逆方向の第1の電圧に相当する直流電圧に、ある交流周波数を有する交流電圧が重畳された電圧を前記互いに隣接する太陽電池セルに印加する電源部を含み、前記磁場検出手段は、前記出力信号から前記交流周波数成分を抽出する抽出手段を備えることを特徴とする請求項1~請求項5のいずれかに記載の太陽電池の欠陥検査装置。前記抽出手段は、共振回路部、バンドパスフィルタ部、同期検波回路部、直交検波回路部、フーリエ変換回路のいずれかであることを特徴とする請求項6に記載の太陽電池の欠陥検査装置。前記磁場検出手段は、ホール素子センサ、MIセンサ、コイルを含むセンサ、コイルとキャパシタで構成される共振回路を含むセンサ、若しくはフラックスゲートセンサのいずれかのセンサを具備することを特徴とする請求項1~請求項6に記載の太陽電池の欠陥検査装置。前記太陽電池セルに所定の電流を流し、前記磁場検出手段の誤差要因を補正するキャリブレーション処理を実行するキャリブレーション部を更に具備することを特徴とする請求項1~請求項8に記載の太陽電池の欠陥検査装置。前記電圧印加手段は、前記太陽電池セルの一端部領域に前記逆方向の第1の電圧を印加する前記第1の電圧印加手段に加えて当該互いに隣接する前記太陽電池セルの他端部領域に前記順方向電圧とは逆方向の第2の電圧を印加する第2の電圧印加手段を具備し、前記磁場検知手段は、前記一端部領域及び他端部領域間の領域に流れる電流が作る磁場の強さを当該第2方向に沿った位置に関連付けて検出することを特徴とする請求項1~請求項9に記載の太陽電池の欠陥検査装置。前記電圧印加手段は、前記第1の電圧印加する電圧印加部及びこの電圧印加部を前記第2方向に沿って搬送する搬送手段を有し、前記欠陥位置特定手段で特定された箇所若しくはこの箇所を含む領域に電圧印加部を搬送し、逆方向の電圧を徐々に増加しながら印加して、逆方向に電流が流れなくなるまで、電圧を昇圧できる逆方向電圧の昇圧手段を具備することを特徴とする請求項1~請求項9に記載の太陽電池の欠陥検査装置。請求項1~11に記載の欠陥検査装置を備える太陽電池の製造装置。絶縁性基板上に多数の太陽電池セルが略第1方向に沿って並列されている太陽電池であって、各太陽電池セルがこの第1方向に対して直交する略第2の方向に沿って延出されている太陽電池の欠陥検査方法において、互いに隣接する前記太陽電池セルに前記順方向電圧とは逆方向の第1の電圧を印加する第1の電圧印加工程と、この逆方向の第1の電圧の印加に伴い、前記太陽電池セルの前記第2方向に沿って流れる電流が生成する磁場の強さを、当該第2方向に沿った位置に関連付けて検出する磁場検出工程と、前記第2方向に沿った位置に関連付けられた前記磁場の強さの出力分布に基づき、前記太陽電池セルに生ずる電気的な欠陥部の有無及び当該欠陥部が生じている箇所において当該欠陥部の位置を特定する欠陥位置特定工程と、を具備することを特徴とする太陽電池の欠陥検査方法。前記欠陥位置検出工程は、前記磁場の分布の変化を前記第2の方向に沿った位置に関連付ける磁場分布検出工程及び当該磁場分布の変化が所定の大きさ以上である前記第2の方向に沿った箇所或いは区域を前記欠陥位置と特定する工程を含むことを特徴とする請求項13に記載の太陽電池の欠陥検査方法。前記欠陥位置検出工程は、磁場センサを前記第2の方向に沿って移動しながら、移動位置と関連付けた磁場の強さを調べる工程を含むことを特徴とする請求項13或いは請求項14に記載の太陽電池の欠陥検査方法。前記欠陥位置検出工程は、比較的速い速度で移動しながら磁場の強さを粗く調べて欠陥が生じている領域を特定する工程と、この工程の結果に基づき、前記欠陥の疑いの薄い領域は高速の第1速度で通過し、前記欠陥の疑いの濃い領域は第1速度よりも遅い第2速度で比較的ゆっくり前記磁気センサを移動しながら高精度に調べる工程を含むことを特徴とする請求項15に記載の太陽電池の欠陥検査方法。前記欠陥位置検出工程は、前記第2の方向に沿って複数のセンサで複数の箇所の磁場を実質的に同時に調べる工程を含み、これらの磁場データから欠陥の存在する領域を特定する工程を更に含むことを特徴とする請求項13又は請求項14に記載の太陽電池の欠陥検査方法。前記電圧印加工程では、前記逆方向の第1の電圧に相当する直流電圧にある交流周波数を有する交流電圧が重畳された電圧を前記互いに隣接する太陽電池セルに印加する工程を含み、前記磁場検出手段は、前記出力信号から前記交流周波数成分を抽出する工程をさらに備えることを特徴とする請求項13~請求項17に記載の太陽電池の欠陥検査方法。前記電圧印加工程は、前記太陽電池セルの一端部領域に前記逆方向の第1の電圧を印加する前記第1の電圧印加工程に加えて当該互いに隣接する前記太陽電池セルの他端部領域に前記順方向電圧とは逆方向の第2の電圧を印加する第2の電圧印加工程を具備し、前記磁場検知工程は、前記一端部領域及び他端部領域間の領域に流れる電流が作る磁場の強さを当該第2方向に沿った位置に関連付けて検出することを特徴とする請求項13~請求項18に記載の太陽電池の欠陥検査方法。前記電圧印加工程は、前記第1の電圧印加する電圧印加部を第2方向に沿って搬送しながら実施する搬送工程を含み、前記欠陥位置特定工程で特定された箇所若しくはこの箇所を含む領域に電圧印加部を搬送し、逆方向の電圧を徐々に増加しながら印加して、逆方向に電流が流れなくなるまで、電圧を昇圧することを特徴とする工程を更に含むことを特徴とする請求項13~請求項19に記載の欠陥検査方法。請求項13~19に記載の欠陥検査方法を含む太陽電池の製造方法。薄膜型太陽電池の技術的進歩は目覚しいものがあり、太陽電池の種類や特性も多様化している。例えば、薄膜シリコン太陽電池で化合物系の太陽電池では、使用する希少金属の種類などによってCIS太陽電池、CIGS太陽電池、CdTe太陽電池など種類が増加している。ところが、薄膜型太陽電池が多様化するにともない、短絡部除去のために印加される逆電圧の印加時間や電圧値は、薄膜型太陽電池の種類や特性によって異なるものとなり、このため、生産ラインに流れる薄膜型太陽電池に対して適切なチューニングが行われなければならない。このように薄膜型太陽電池を実際に製造する生産ラインでは、薄膜型太陽電池の短絡部除去のために、タクトタイムの短縮と、多様化された薄膜型太陽電池の特性に応じたチューニングという2つの課題があるにも関わらず上に挙げた諸文献1-4では、これらの課題について述べられていない。また、特許文献1に開示された欠陥部に電流を流して欠陥部を焼損する技術においては、欠陥部とプローブとの間の距離が判明せず、従って、過大な電圧を印加せざるを得ず、欠陥部には過大な電流が流れ、太陽電池を損傷する虞がある。この観点からも、短絡箇所が特定されて最小限のリペア電流で短絡部の除去処理が実施されることが望まれている。更に、特許文献2に開示された複数のプローブをセル上に接触配置して欠陥部を検査し、この欠陥部を焼損する技術によれば、セルに流れる電流を低く維持したまま欠陥部を焼損してリペアすることができ、初期の目的を達成することができる。しかし、プローブの本数が膨大になり、装置のコストを高めるだけでなく、プローブの耐久性を高め、太陽電池との接触抵抗を良好にするために、金或いはロジュウムなどの貴金属が使われることで、装置が非常に高価になる問題がある。また、プローブがロッドとパイプとの組み合わせの構造となっていることから、機械的な摩耗を避けることができず、装置の故障頻度も高くなり、また、プローブの定期交換を必要するという欠点がある。また、十分な接触圧をプローブと太陽電池表面との間に確保する必要もあり、プローブの本数の増加に伴い、太陽電池を押し付ける物理的な圧力も大きくなり、それだけ装置の設計も高剛性に設計しなければならない問題がある。更にまた、特許文献3に開示されたローラー型のプローブで欠陥箇所を検出して欠陥部を焼損する技術においては、ローラーを介してセル表面に低抵抗値で電流を供給できる材料として最適なものが少ないなど、実用化には幾つかの課題が残されている。また、特許文献4に開示された電流の作る磁場を観測する方法によれば、磁気に着目しているという点で従来にない技術であるが、磁気センサを太陽電池全面にわたって移動させ、その結果を画像処理するという、非常に時間のかかる手法を採用していることに加えて、短絡部の検出という薄膜系の太陽電池製造ラインにおける特有の課題についても、なんらの解決手法も提示していない。この発明の目的は、上述したような課題に鑑みなされたものであって、短時間で、欠陥部の位置を検知できる太陽電池の欠陥検査装置及びその方法を提供するにある。また、この発明の目的は、欠陥部の位置を検知できる太陽電池の欠陥検査装置及びその方法を製造工程に組み込み、しかも、作業効率を高めることができ、製品の品質を維持することができる太陽電池の製造装置及び製造方法を提供するにある。請求項1に係る実施の形態の発明によれば、絶縁性基板上に多数の太陽電池セルが略第1方向に沿って並列されている太陽電池であって、各太陽電池セルがこの第1方向に対して直交する略第2の方向に沿って延出されている太陽電池の欠陥検査装置において、互いに隣接する前記太陽電池セルに前記順方向電圧とは逆方向の第1の電圧を印加する第1の電圧印加手段と、この逆方向の第1の電圧の印加に伴い、前記太陽電池セルの前記第2方向に沿って流れる電流が生成する磁場の強さを、当該第2方向に沿った位置に関連付けて検出する磁場検出手段と、前記第2方向に沿った位置に関連付けられた前記磁場の強さの出力分布に基づき、前記太陽電池セルに生ずる電気的な欠陥部の有無及び当該欠陥部が生じている箇所において当該欠陥部の位置を特定する欠陥位置特定手段と、を具備することを特徴とする太陽電池の欠陥検査装置が提供される。請求項2に係る実施の形態の発明によれば、前記生成磁界は、前記第1及び第2方向を含む面に対して略直交する第3の方向に沿う第1の磁界成分及び前記第1方向に沿う第2の磁界成分に分解するとき、前記磁場検知手段は、前記第1及び第2の磁界成分の少なくとも一方を検出するように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の欠陥検査装置が提供される。請求項3に係る実施の形態の発明によれば、前記磁場検知手段は、前記磁場の強さを検出する磁気センサ部と当該磁気センサ部を前記第2の方向に沿って移動し、当該移動に伴う移動位置を検知する位置検知部を備える移動手段を具備することを特徴とする、請求項1若しくは請求項2に記載の太陽電池の欠陥検査装置が提供される。請求項4に係る実施の形態の発明によれば、前記移動手段は、外部からの指令に従って、複数の移動速度から選択された速度に設定され、前記磁気センサを前記第2の方向に沿って移動することを特徴とする、請求項3に記載の太陽電池の欠陥検査装置が提供される。請求項5に係る実施の形態の発明によれば、前記磁場検知手段は、前記第2の方向に沿って所定の間隔を空けて配置されている複数の磁気センサ部を含み、前記欠陥位置特定手段は、この複数の磁気センサ部の出力から前記欠陥の位置を特定することを特徴とする請求項1若しくは請求項2に記載の太陽電池の欠陥検査装置が提供される。請求項6に係る実施の形態の発明によれば、前記電圧印加手段は、前記逆方向の第1の電圧に相当する直流電圧に、ある交流周波数を有する交流電圧が重畳された電圧を前記互いに隣接する太陽電池セルに印加する電源部を含み、前記磁場検出手段は、前記出力信号から前記交流周波数成分を抽出する抽出手段を備えることを特徴とする請求項1~請求項5のいずれかに記載の太陽電池の欠陥検査装置が提供される。請求項7に係る実施の形態の発明によれば、前記抽出手段は、共振回路部、バンドパスフィルタ部、同期検波回路部、直交検波回路部、フーリエ変換回路のいずれかであることを特徴とする請求項6に記載の太陽電池の欠陥検査装置が提供される。請求項8に係る実施の形態の発明によれば、前記磁場検出手段は、ホール素子センサ、MIセンサ、コイルを含むセンサ、コイルとキャパシタで構成される共振回路を含むセンサ、若しくはフラックスゲートセンサのいずれかのセンサを具備することを特徴とする請求項1~請求項6に記載の太陽電池の欠陥検査装置が提供される。請求項9に係る実施の形態の発明によれば、前記太陽電池セルに所定の電流を流し、前記磁場検出手段の誤差要因を補正するキャリブレーション処理を実行するキャリブレーション部を更に具備することを特徴とする請求項1~請求項8に記載の太陽電池の欠陥検査装置が提供される。請求項10に係る実施の形態の発明によれば、前記電圧印加手段は、前記太陽電池セルの一端部領域に前記逆方向の第1の電圧を印加する前記第1の電圧印加手段に加えて当該互いに隣接する前記太陽電池セルの他端部領域に前記順方向電圧とは逆方向の第2の電圧を印加する第2の電圧印加手段を具備し、前記磁場検知手段は、前記一端部領域及び他端部領域間の領域に流れる電流が作る磁場の強さを当該第2方向に沿った位置に関連付けて検出することを特徴とする請求項1~9に記載の太陽電池の欠陥検査装置が提供される。請求項11に係る実施の形態の発明によれば、前記電圧印加手段は、前記第1の電圧印加する電圧印加部及びこの電圧印加部を前記第2方向に沿って搬送する搬送手段を有し、前記欠陥位置特定手段で特定された箇所若しくはこの箇所を含む領域に電圧印加部を搬送し、逆方向の電圧を徐々に増加しながら印加して、逆方向に電流が流れなくなるまで、電圧を昇圧できる逆方向電圧の昇圧手段を具備することを特徴とする請求項1~請求項9に記載の太陽電池の欠陥検査装置が提供される。請求項12に係る実施の形態の発明によれば、請求項1~11に記載の欠陥検査装置を備える太陽電池の製造装置が提供される。請求項13に係る実施の形態の発明によれば、絶縁性基板上に多数の太陽電池セルが略第1方向に沿って並列されている太陽電池であって、各太陽電池セルがこの第1方向に対して直交する略第2の方向に沿って延出されている太陽電池の製造方法において、互いに隣接する前記太陽電池セルに前記順方向電圧とは逆方向の第1の電圧を印加する第1の電圧印加工程と、この逆方向の第1の電圧の印加に伴い、前記太陽電池セルの前記第2方向に沿って流れる電流が生成する磁場の強さを、当該第2方向に沿った位置に関連付けて検出する磁場検出工程と、前記第2方向に沿った位置に関連付けられた前記磁場の強さの出力分布に基づき、前記太陽電池セルに生ずる電気的な欠陥部の有無及び当該欠陥部が生じている箇所において当該欠陥部の位置を特定する欠陥位置特定工程と、を具備することを特徴とする太陽電池の欠陥検査方法が提供される。請求項14に係る実施の形態の発明によれば、前記欠陥位置検出工程は、前記磁場の分布の変化を前記第2の方向に沿った位置に関連付ける磁場分布検出工程及び当該磁場分布の変化が所定の大きさ以上である前記第2の方向に沿った箇所或いは区域を前記欠陥位置と特定する工程を含むことを特徴とする請求項13に記載の太陽電池の欠陥検査方法が提供される。請求項15に係る実施の形態の発明によれば、前記欠陥位置検出工程は、磁場センサを前記第2の方向に沿って移動しながら、移動位置と関連付けた磁場の強さを調べる工程を含むことを特徴とする請求項13或いは請求項14に記載の太陽電池の欠陥検査方法。請求項16に係る実施の形態の発明によれば、前記欠陥位置検出工程は、比較的速い速度で移動しながら磁場の強さを粗く調べて欠陥が生じている領域を特定する工程と、この工程の結果に基づき、前記欠陥の疑いの薄い領域は高速の第1速度で通過し、前記欠陥の疑いの濃い領域は第1速度よりも遅い第2速度で比較的ゆっくり前記磁気センサを移動しながら高精度に調べる工程を含むことを特徴とする上述した請求項15に記載の太陽電池の欠陥検査方法が提供される。請求項17に係る実施の形態の発明によれば、前記欠陥位置検出工程は、前記第2の方向に沿って複数のセンサで複数の箇所の磁場を実質的に同時に調べる工程を含み、これらの磁場データから欠陥の存在する領域を特定する工程を更に含むことを特徴とする上述した請求項13又は請求項14に記載の太陽電池の欠陥検査方法が提供される。請求項18に係る実施の形態の発明によれば、前記電圧印加工程では、前記逆方向の第1の電圧に相当する直流電圧にある交流周波数を有する交流電圧が重畳された電圧を前記互いに隣接する太陽電池セルに印加する工程を含み、前記磁場検出手段は、前記出力信号から前記交流周波数成分を抽出する工程をさらに備えることを特徴とする上述した請求項13~請求項17に記載の太陽電池の欠陥検査方法が提供される。請求項19に係る実施の形態の発明によれば、前記電圧印加工程は、前記太陽電池セルの一端部領域に前記逆方向の第1の電圧を印加する前記第1の電圧印加工程に加えて当該互いに隣接する前記太陽電池セルの他端部領域に前記順方向電圧とは逆方向の第2の電圧を印加する第2の電圧印加工程を具備し、前記磁場検知工程は、前記一端部領域及び他端部領域間の領域に流れる電流が作る磁場の強さを当該第2方向に沿った位置に関連付けて検出することを特徴とする上述した請求項13~請求項18に記載の太陽電池の欠陥検査方法が提供される。請求項20に係る実施の形態の発明によれば、前記電圧印加工程は、前記第1の電圧印加する電圧印加部を第2方向に沿って搬送しながら実施する搬送工程を含み、前記欠陥位置特定工程で特定された箇所若しくはこの箇所を含む領域に電圧印加部を搬送し、逆方向の電圧を徐々に増加しながら印加して、逆方向に電流が流れなくなるまで、電圧を昇圧することを特徴とする工程を更に含むことを特徴とする上述した請求項13~請求項19に記載の欠陥検査方法が提供される。請求項21に係る実施の形態の発明によれば、上述した請求項13~19に記載の欠陥検査方法を含む太陽電池の製造方法が提供される。この発明によれば、太陽電池の電極間の電気的な絶縁状態の健全性を検査し、ピンホール等の欠陥が生じている箇所を特定し、その欠陥箇所に直接的にリペア電流を与えて補修することが可能な欠陥検査装置及びその方法を提供することができる。また、この発明によれば、この欠陥検出及び補修を含む作業効率を高め、製品の品質を維持することができる太陽電池の製造装置を提供することができる。上述した短絡以外にも、例えばセルの区画を加工する際に、区画加工が不十分で、合い隣り合う2本のセル間の電気抵抗が低く、電流の一部が漏洩するといった不具合もあることから、これらの短絡及び電流漏洩を纏めて以下の説明では、欠陥と称し、その部位を欠陥部と称する。なお、本発明は面積が極めて広い薄膜太陽電池において適用されれば、その効果が一層明瞭に得られるものである。この発明の太陽電池の製造装置及び製造方法の種々の実施の形態によれば、より詳細には、次のような技術上の効果を実現することができる。短時間で欠陥部の位置を検知することができる。熟練していない現場の作業員にも、非常に明瞭に欠陥の位置を特定できる。太陽電池の表面に従来技術のような大きな押し付け力を与えることを必要とせず、従って、検査対象としての太陽電池をキズつける恐れを大幅に除去することができる。欠陥部の位置を極めて高精度に特定できることから、補修以下、この明細書では、リペアと称する。に必要な電圧値を低く抑えることができ、結果的に検査対象としての太陽電池を傷めることを防止することができる。個々の処理が並列で進められるために、タクトタイムの短縮要望に応えることができる。欠陥部の存否を電流の有無で判断することなく、瞬時に判別できる実施の形態によれば、製造装置のコストを低く抑えながら検査がすることができる。逆電圧を印加するプローブがセルの両端に配置され、欠陥部を流れる電流があれば、当該欠陥部の前後で磁気の向きが逆転する現象が起きることに着目した実施の形態によれば、一層感度の高い欠陥の位置検出を実現することができる。欠陥部の検出をおこなうセンサが故障してセンサ出力がなくなるような場合にあっても、他の検出センサの出力により、欠陥検出を見逃す確率を低下させることなく、欠陥検出することが可能な検査システムを提供することができる。太陽電池に印加する逆電圧が直流に交流を重畳直流交流した電圧に設定され、印加した交流の周波数成分のみが抽出され、雑音の周波数成分を除去する実施の形態によれば、ノイズに強い欠陥検査が可能な太陽電池の欠陥検査装置を提供することができる。耐久性の観点からはプローブに比べて非常に有利であり、かつ近年小型で安価な磁気センサが市場に出回り始めたことから、これら磁気センサをマトリックス状に配列する実施の形態によれば、欠陥部の位置を容易にかつ短時間で特定することができる。以下、本発明の実施の形態に係る太陽電池の製造装置および製造方法ついて、詳細に説明する。以下の実施の形態において、磁気センサとして直流的な磁界を検出することができるセンサ、例えば、ホール素子センサ、或いは、MIセンサを用いることができる。これらのセンサは、非常に小型でかつ価格も手頃なレベルのものが入手可能である。第1の実施の形態図1には、この発明の第1の実施の形態に係る太陽電池2の製造装置における太陽電池を検査する検査工程部が模示的に示されている。また、図2Aには、図1に例示される太陽電池2の構造が概略的に断面で示されている。図2Aに示される太陽電池2は、薄膜型太陽電池と称せられ、ストライプ状の複数の太陽電池セルCjが並列されて構成されている。各太陽電池セルCjは、一例として、ガラス或いはプラスチックなどの透明基板12上に、ITOなどの透明で比較的に高抵抗の表面電極14、アモルファスシリコン薄膜シリコン16及び金属からなる表面電極14に比べて十分に低抵抗の金属からなる裏面電極18が順次積層されている積層構造を有している。ここで、透明基板12として近年、フレキシブルな透明材料或いは太陽電池の軽量化を目的に樹脂材が用いられている。アモルファスシリコン16は、基板12側からp型-i型-n型のアモルファスシリコン16-1,16-2,16-3の三層構造に形成されている。この太陽電池セルCjは、透明基板12側から光が照射されると、透明基板12、表面電極14を通過した光がアモルファスシリコン16に照射され、発電部としてのアモルファスシリコン16に電気が発生されて太陽電池における発電がなされる。このアモルファスシリコン16は、p型側がプラスに、n型側がマイナスに設定されて表面電極14及び裏面電極18間に順方向電圧を発生するダイオード特性を有している。また、アモルファスシリコン16は、例えば、1μm程の厚さT0を有し、裏面電極18が例えば、略1cmの幅L0を有するように形成されている。ストライプ状の太陽電池セルCjでは、その裏面電極18の側端部が隣接するストライプ状の太陽電池セルCjの表面電極14に接続され、複数の太陽電池セルCjが互いに直列に接続されて太陽電池2を構成している。このように、太陽電池2は、多数の上下に細長いストライプ状のセルCjが水平方向に並列され、これらのセルが電気的に直列結合されて太陽電池として完成品に製造されている。各セルCjには、j番目整数のセルを意味する付記jが付され、セルを特定している。図1には、セルCjのあるセルとしてセルCn及びセルCn1が示されている。尚、図2Aは、この発明の太陽電池を検査する検査装置の理解を助ける為に示され、図2Aに示される太陽電池セルの構造及びこの構造の理解の為の各部の材料は、一例として例示されている。従って、この構造及びこの構造を組成する材料を有する太陽電池セルのみに、この発明が適用されるものではないことは明らかである。この発明は、複数の太陽電池セルCjを備える太陽電池2であれば、種々の構造或いは種々のタイプであっても、適用可能であることは明らかである。上述したような薄膜型太陽電池2では、その製造工程において、表面電極14上にアモルファスシリコン16を形成する際に、発電部としてのアモルファスシリコン16中にピンホールなどの欠陥Dが発生することがある。このピンホール等の欠陥Dが生じると、その後のアモルファスシリコン16上に裏面電極18を形成する工程において、裏面電極18の電極材料がピンホール内に入り込み、このピンホールに進入した電極部分が表面電極14と裏面電極18と間に短絡ショートを生じさせる。図1に示される製造装置においては、太陽光線が入射される太陽電池2の受光面この明細書では、この受光面を単に上面と称する。が下方に向けられた状態で太陽電池2が検査工程に移送されている。従って、検査工程では、太陽電池の受光面に対向する面この明細書では、単に裏面と称する。に設けられた裏面電極18が上側に向けられている。図1に示す製造装置では、この欠陥Dを検出する為に多数のプローブPj図1には、代表的なプローブとして符号Pn、Pn1が付されている。がストライプ状の太陽電池セルCの裏面電極18に接触するように太陽電池セルCjの配列方向に沿って配列されている。また、ストライプ状の太陽電池セルCj間の境界上には、磁気を検出する複数の磁気センサSj図1には、代表的な磁気センサとして符号Sn、Sn1が付されている。が搬送部としてのゴンドラG上に載置されている。このゴンドラGは、ストライプ状の太陽電池セルCの長手方向に沿って移動され、磁気センサSjがこのゴンドラGの移動とともに移動し、移動に伴い太陽電池セルCjの長手方向に沿って磁場HVが検出を通過して表面電極14に達し、欠陥部Dの位置で、表面電極14に接続されている隣接するセルCn1の裏面電極18に流入される。そして、電流は、セルCn1の裏面電極18のy軸方向に沿って矢印M2で示すように、図の上方に向けて流れ、プローブPn1に達し、外部電源4に戻されることとなる。ここで、太陽電池セルCn1の表面電極14を介して裏面電極18以外に向けて流れる電流もあるが、表面電極14の電気抵抗は、既に述べたように裏面電極18の電気抵抗に比べて極端に大きいことから、殆どの電流は、裏面電極18を介して流れ、表面電極14を介してプローブPn1の近傍まで到達する電流を無視することができる。この太陽電池セルCn、Cn1、プローブPn、Pn1及び外部電源4間に接続される制御部6は、図2Bに示すような定電流垂下特性を有している。この制御部6が有する定電流垂下特性によってセルCn、Cn1に流れる電流及び印加電圧が予め定められた所定の電圧値Vmax及び電流値Imax以下に制限され、過大電流が流れ、或いは、過大な電圧が印加されることが防止される。この制御部6は、好ましくは、電流を検知する電流検出機能有している。この電流検出機能によって、電流の流れから、この太陽電池セルCnには、欠陥部Dがあることを直ちに検知することができる。但し、この電流検知に伴う電流情報だけからは、欠陥Dが太陽電池セルCnのどこにあるか、また、当該セルの長手方向に幾つあるのかまでを検出することができないことに注意されたい。セルCn、Cn1の裏面電極18を往復する電流ループは、電流路の周囲に磁界を形成している。この磁界を検出するべく、任意の相隣り合うセルCj、Cj1の境界部に磁気センサSjが配置されている。上述した例では、相隣り合うセルCn、Cn1の境界部に磁気センサSnが配置されている。これら磁気センサSjは、駆動部7で駆動されるゴンドラG点線で示されている。に載置され、このゴンドラGによって磁気センサSjが矢印M1及びM2で示すようにセンサ上限位置L1及びセンサ下限位置L2間で太陽電池セルCnの長手方向に沿って移動される。この磁気センサSjの移動は、ゴンドラGを移動する駆動部7のモータに設けられた位置検出部としてのエンコーダ7A等の位置情報センサにより検出され、磁気センサSjの位置を示す位置信号として処理部9に出力されている。図1に示される磁気センサSjは、裏面電極18に垂直な方向の磁気Hvに対して感度を有するにその方向が選定され配置されている。ゴンドラGがプローブPnの直近のセンサ上限位置L1から移動をスタートして図1に矢印M1で示すように太陽電池セルCnの長手方向に沿ってセンサ下限位置L2に向けて移動される。この移動に伴い、磁気センサSnは、特性グラフに示されるように、z軸に沿った下向きの磁気HSnを検出して出力する。この磁気出力HSnは、センサSnがセンサ上限位置L1から欠陥部Dが検出されるまでの間、理論上、略一定に維持され、欠陥部Dを通過する際に磁気出力HSnが急激に低下される。また、磁気出力HSnは、欠陥部Dの位置からセンサ下限位置L1間においては、磁気出力HSnの出力が略0に維持される。従って、磁気出力HSnが急激に変化する箇所は、欠陥部Dに相当し、この箇所が欠陥部Dであると判別することができる。このとき、隣のセンサSn1の磁気出力HSn1は、センサSnの出力HSnに比べて低い絶対値を有し、逆位相で出力されているが、同様に欠陥部Dを通過した際に出力HSn1は、急激に0に変化される。磁気出力HSn及び磁気出力HSn1は、図示しない信号処理回路で適切なレベルの電気信号に変換されて、欠陥検知部図示せずに供給され、欠陥の有無の判断と、位置の同定が行われる。この検出システムでは、2つのセンサSn及びセンサSn1からの出力HSn及びHSn1のいずれでも欠陥Dの検出が可能であることから、検出システムには冗長性があることとなり、一方のセンサが故障したとしても、欠陥部を見逃す確率を低くすることができるという利点がある。尚、ここで外部より印加する逆電圧電源は、図面を簡略化する目的から、検出回路部5内に1つが描かれているが、すべての相隣合うセルCjにも同様に逆電圧を印加する電源部4及び制御部6が設けられることは明らかである。このように多数の電源を回路内に設ける一例としては、特開2010-232547に例示される回路がある。図3には、図1に示されるIIIIII断面に沿ってシミュレーションで計算された磁場の大きさが示されている。この図3のグラフは、次のような前提下のシミュレーションで計算されている。即ち、電流の密度はIIIIII線に沿うセル電極断面内では一様であり、図1において欠陥部付近を除いて下向きに流れている。また、欠陥部Dでは、電流の向きが左右方向成分を有するが、この左右方向成分は、無視して計算されている。また、磁場のセンサSjがセルCjの表面から高さhh=0.5L0の位置にあるものとして計算している。ここで、L0は、セルCjの幅に相当している。図3の縦軸は、計算された磁場を無次元化規格化して表示している。この値にセル断面の幅方向の単位長さあたりの電流密度I0を掛けて2πで除したものが、本来の磁場の強さ単位:Amとなる。また、図3の横軸は、太陽セルCjのセル配列に相当し、セルCn-1、Cn、Cn1、Cn2の領域がこの横軸下に併記されている。シミュレーションの結果によれば、短絡部のあるセルCn及び隣接するセルCn1との境界部で、垂直磁場が最大値を示し、その方向は、z軸の方向、即ち垂直下向きであることが分かる。図1に示す第1の実施の形態で、磁気センサSjがセル境界に位置をされる理由は、境界部で垂直磁場が最大値を示すことにある。この境界位置から両隣にセルの幅L0だけ隔てた位置では、磁気の方向は、反転するものの、磁気が現れ、その磁気は更にその隣の境界線上に設けたセンサSjでも観測することができる。この検出の冗長性は、実は1つではなくて、多数のセンサが冗長性を持ことから、図1に示される実施の形態では、センサ故障に対する頑強性が非常に高い製造装置を作ることができる。次に、2つの欠陥部D1,D2図示せずが同一セルCjで離れた2箇所x1、y1及びx2、y2で生じている場合について説明する。欠陥D1では、抵抗値が殆ど無く短絡しているようなときは、流れる電流値は、最初の欠陥部D1までは強く、そこから次の欠陥部D2までは基本的に流れないこととなる。したがって、センサSjからの磁気出力HSjは、最初の欠陥部の位置で急落し、その先では出力しなくなる。このようなタイプの欠陥に対しては、欠陥検査における見落としが生ずる虞がある。しかし、欠陥D1、D2がセル境界部の区画作業が不完全なために起きる漏洩程度の欠陥である場合は、最初の欠陥部D1でセンサ出力が急落した後、次の欠陥D2における短絡部位置で更にもう一度急落して0に低下される。従ってこのようなタイプの欠陥に対しては、磁気出力HSjにおける出力急落の場所に注目すれば、欠陥部が仮に同じセルに2ケあっても、検知可能であり、その位置を特定できる。同様に、後者のタイプの欠陥部が同じセルでm個あるときにも、磁気出力がm回に分けて急落されることから、その欠陥箇所場所は、ゴンドラGの駆動部7のエンコーダ7Aからの位置出力で容易に特定することができる。第1の実施の形態によれば、同一セルCjに複数の欠陥がある場合には、欠陥部Dの型によっては、見落としが生ずるものの、その場合でも少なくともプローブに一番近い欠陥部、あるいは最も抵抗値の低い欠陥部は検出できる。この点ついては、更に後に詳述する。第1の実施の形態では、制御部6には、電流検出機能があることから、この電流検出の結果によって、欠陥部DがあるセルCjを見出すことができる。制御部6で、いずれのセルも電流が0である場合には、欠陥部Dがないことになり、その後の検査を省略して、次の工程に移ることができる。また、いずれかのセルCjから電流が検出される場合には、そのセルCjだけを注目して磁気センサSjに及びエンコーダ7Aの出力に基づいて位置特定すれば良く、作業を簡素化できる。欠陥の位置特定作業は、ゴンドラGを連続的に移動していることから、駆動、加速、減速、停止の作業を繰り返す必要がなく、作業時間も節約することが可能となる。尚、制御部6に、電流検出機能がなくとも、基本的には磁気センサSjの出力から欠陥部Dの検査が可能である。図1に示す装置においても、殆どの場合、問題なく欠陥部Dの検査作業を進めることができる。但し、全てのセルCjの磁気センサSjからの出力の有無が先ず調べられて、それから位置が探査されることが好ましく、確実に欠陥部Dを検出することができる。但し、欠陥部がプローブの直ぐ傍に発生している場合には、この電流検出機能がなければ、欠陥部Dを見逃す虞がある。特に、ゴンドラGは、機構的な大きさがあることから、欠陥部Dを見逃す場合があることを排除することは、できない。磁気センサSjの出力が連続量として扱われる場合には問題とならないが、離散量として扱われる場合には次のような課題があり、対策が必要となる。現在、アモルファスシリコンを初めとする薄膜太陽電池は、概略100本程のストライプ状セルCjを有している。多くの製造装置では、セルCj毎に検査処理を電気的に切り替えている。一方で、図1に示されるような実施の形態に係るゴンドラGは、モータ等でなるべく一定速度で駆動するのが製造時間の短縮が図られる上で、合理的である。そうすると、得られるセンサ出力は、連続量ではなくなり、サンプリング周期ごとに得られる、離散データとなる。ゴンドラGの移動速度にも依存するが、タクトタイムを短くしようとすると換言すれば生産量を上げようとすると、移動速度は必然的に速くなり、一つのセルCjに関しては、ある検査のポイントから次の検査ポイントまでの空間上の距離も長くならざるを得ない。即ち、欠陥部Dで、センサ出力が急変するとしても、その箇所場所は長くなった2つの測定点のどこかにあるというだけで、正確には特定できない。ここで、検査工程に続くリペア工程で、欠陥部Dを有する太陽電池セルをリペアする際には、欠陥部Dの位置精度が高ければ高いほど、印加電圧を与える電極が高い精度で欠陥部Dに向けて移動できれば、より低い電圧で欠陥部を焼ききることができる。従って、タクトタイムが速くなったときには、次のようにゴンドラGの速度を制御することが必要とされる。このゴンドラGの速度制御は、前記処理部9からの指令に基づき駆動部7がその駆動速度を設定する。より具体的には、ゴンドラGの速度制御においては、ゴンドラGが図1に符号M1で示される下方向に移動の際には、移動速度が比較的早い欠陥検索速度に設定される。この欠陥検索速度での欠陥部Dの欠陥検索において短絡部としての欠陥部Dの概略位置が判明した後においては、ゴンドラGが符号M2で示されるように元の位置ホームポジションに戻される。この戻される移動においては、欠陥部Dが検出される区間までは、往きにおける欠陥検索速度よりも早い第1速度で戻され、欠陥部Dが検出された区間では、欠陥検索速度よりも十分に低速の第2速度で駆動される。このようにゴンドラGの移動速度を適切に設定することで、欠陥部Dの位置分解能を向上させることができ、結果としてタクトタイムを改善することができる。第2の実施の形態図4には、第2の実施の形態に係る欠陥検査装置が示されている。図1に示される同一部品、同一部分には、同一符号を付してその説明を省略することができるものとする。第2の実施の形態に係る欠陥検査装置について、主に第1の実施の形態との相違を中心に説明する。第2実施の形態では、磁気センサSjは、水平方向x方向で磁気感度を示すように配置されている。また、第1の実施の形態では、磁気センサSjがセルCjの境界に配置されるに対してこの第2の実施の形態では、各セルCjに対して磁気センサSjは、セルCjの概ね中央部に対向するように配置されている。図5は、図4におけるV-V線に沿ったセル断面における水平磁界の分布を示している。この図5に示されたシミュレーションの結果によれば、磁気ベクトルの水平方向成分は、セルCjのおよそ中央部で最大値を示している。また、このセンサ位置配置では、隣接センサSn1では、センサ出力の符号が逆転され、しかも、センサ出力の絶対値は、ほぼ同一の結果が得られている。このことは、第1の実施の形態に比べて第2の実施の形態におけるセンサ配置においては、センサSjが有する冗長性を格段に向上することができる。即ち、あるセンサSnが故障しても、隣接するセンサSn1がセンサSnの故障を充分に補完することができ、欠陥部Dの検出に失敗する確率を大幅に改善することができる。冗長性だけではなく、後述するように、欠陥部Dが連続し、相隣り合う2本のセルに欠陥部があるような場合に、より積極的に、欠陥部Dのセル連続存在性を検出することができる。第2の実施の形態では、外部電源4に接続される制御部6には、特に電流を検出する電流検出機能を与えなくとも良い。この理由は、プローブPjは、通常接触対象に対して直角に押し付けられていることから、プローブPjを介して電流が供給されれば磁界がこのプローブPjで検出することができることに起因している。もし、プローブPjに電流が流れるのであれば、その電流が作る磁界は、x-y平面内でプローブPjを中心とする同心円を描き、ゴンドラGがホームポジションに戻されている初期状態では、この磁気の同心円が水平方向に感度をもつ磁気センサSjによって好都合に検知される。この事実は、第1の実施の形態の電流検出機能と全く同じ機能を第2の実施の形態に係る磁気センサが持つことを意味している。第2の実施の形態に於いても第1の実施の形態と同様に、離散データ化された計測システムに対して、ゴンドラGの矢印M1及びM2の移動でゴンドラGの移動速度を変えることにより、タクトタイムの向上を図ることができる。太陽電池ユニットにおいては、同時に2つのセルCjに欠陥が生じている場合もある。このような場合にあっても、本発明を適用することができる。図6は、図1に示す欠陥検査装置において、隣接するセルCn、Cn1に欠陥部Dが生じている場合におけるセンサSjで検出される水平磁界とV-V線に沿うセル位置との関係を示すシュミュレーションで得られたグラフを示している。また、図7は、図1に示す欠陥検査装置において、正常なセルCn1の両側に配置された2つのセルCn、Cn2に欠陥がある場合におけるセンサSjで検出される水平磁界とV-V線に沿うセル位置との関係を示すシュミュレーションで得られたグラフを示している。図6及び図7に示すいずれのグラフも、第1の実施の形態に係る欠陥検査装置における磁気分布及びグラフ中に記載されているように実際に磁気センサSjが出力する測定値がひし形で示す点として示されている。尚、説明の簡略化するために、欠陥部Dの欠陥の型は、いずれのセルとも短絡型の欠陥であるものとする。図6において、連続するセルCn及びCn1に欠陥があると、磁気センサSn1、Sn、Sn1及びSn2の出力量は、ひし形で示す点のように、極めて特徴的に配列される。このひし形で示したデータ以外は、センサSjが設けられていないことから、検出されることはない。このような特徴的な配列のデータが取得される際には、隣接するセルCn及びCn1に欠陥が生じていることとなる。ここで、セル境界に配置された磁気センサSn、Sn1からのセンサ出力が正の大きな値を示すことから、これら磁気センサSn、Sn1の左側セル境界の左側に位置するセルCn及びCn1に欠陥が生じていることとなる。ひし形で示したデータから複数の欠陥がある旨を判断できなくても、ゴンドラGの位置座標と検出磁気が急落する位置との関係から、欠陥部Dが2つのセルCn及びCn1のいずれかにあることが判明する。2つの欠陥位置が同じy座標位置にある確率は、極めて低く、従って、磁気が消滅する位置は、2本のセルで異なっていることが一般的であるからである。図7は、1つの正常なセルCn1の両側のセルCn及びセルCn2に欠陥Dが生じている場合におけるV-V線に沿うセル位置磁気の分布及びセンサ出力値を示している。このような欠陥部Dが生ずる欠陥配置に対しては、図7に示すように2つの山磁気センサSn、Sn2からのセンサ出力であって、ピーク出力に相当している。が明瞭に現れ、欠陥部Dがたった一つしかない場合に準じたデータが得られる。正の大きな出力ピーク出力を発生するセル境界に配置される磁気センサSn、Sn2の左側に配置されるセルCn及びCn2に欠陥が生じていることとなる。したがってこのような場合にも、欠陥部Dを見落とすことなく欠陥部Dの検出が可能である。次に、同じく連続する隣り合うセルCn、Cn1に欠陥部Dがある場合及びセル配列中の途中に正常なセルCn1の両側の2つのセルCn及びCn2に欠陥がある場合について、第2の実施の形態に係る磁気センサSjの配置を有する欠陥検査装置におけるシュミュレーション結果を図8及び図9を参照して説明する。図8は、図4に示す欠陥検査装置において、隣接するセルCn、Cn1に欠陥部Dが生じている場合において、V-V線に沿うセル位置に対して検出される水平磁界の分布を示している。また、図9は、図4に示す欠陥検査装置において、ある正常なセルCn1の両側に隣接するセルCn、Cn2に欠陥部Dが生じている場合において、V-V線に沿うセル位置に対して検出される水平磁界の分布を示している。図8及び図9においては、セル中央部上に配置された磁気センサSn、Sn1及びSn2からのセンサ出力がひし形で示した点として示されている。図8に示されるように連続するセルCn及びCn1に欠陥があると、磁気センサSn、Sn1及びSn2の出力量は、ひし形で示す点として示されるように、極めて特徴的に直線的に配列される。このひし形で示すデータ以外は、センサSが設けられていないことから、検出されることはない。この直線的な配列のデータが取得される際には、隣接するセルCn及びCn1に欠陥が生じていることとなる。ここで、セルCn上に配置された磁気センサSnからのセンサ出力が正の大きな値を示すことから、この磁気センサSnが位置するセルCnに欠陥が生じていることとなる。また、セルCn2上に配置された磁気センサSn2からのセンサ出力が負の大きな値を示すことから、この磁気センサSn2の左側セル境界の左側に位置するセルCn1に欠陥が生じていることとなる。ひし形で示すデータから欠陥がある旨を判断できなくても、ゴンドラGの位置座標と検出磁気が急上昇或いは急落する位置との関係から、欠陥部Dが2つのセルCn及びCn1のいずれかにあることが判明する。2つの欠陥位置が同じy座標位置にある確率は、極めて低く、従って、磁気が消滅する位置は、2本のセルで異なっていることが一般的であるからである。図9に示すように互いに隣接する3つのセルCn、Cn1及びCn2の中央部に配置されるセンサSn、Sn1及びSn2からの出力は、極性の異なる3つ極大値が交互に検出される。従って、図9に示されるセンサSn、Sn1及びSn2からの出力特性は、図5に示す特性とは明瞭に区別され、ある単一のセルCnに欠陥がある場合の出力と判断されることが防止される。この図9に示す磁気センサSn、Sn1及びSn2からの出力ひし形で示す出力の分布から明らかなように、セルCn、Cn2上に配置された磁気センサSn、Sn2からのセンサ出力で正の大きな値であるから、この磁気センサSn、Sn2が位置するセルCn、Cn2に欠陥が生じていることとなる。また、セルCn1、Cn3上に配置された磁気センサSn1、Sn3からのセンサ出力が負の大きな値を示すことから、この磁気センサSn1、Sn3の左側セル境界の左側に位置するセルCn1、Cn3に欠陥が生じていることとなる。図9に示す太陽電池の例では、極性が同じ大きな値が極性の異なる大きな値を挟んで現れるから、この場合も図5及び8の例と明瞭に区別される。また、前述のように、センサ出力値が急変するポイントもセル毎に異なっていることから、欠陥部Dを見落とす確率は低下される。また、正常なセルが中間に配置された2つ以上のセルCjに欠陥があるような太陽電池の例では、検出される磁気分布は、1つのセルCjにのみ欠陥を有する際の磁気分布の形に近づき、単にその磁気分布の形が複数あるだけなので、欠陥を見落す虞がない。第3の実施の形態図10には、更に第3の実施の形態に係る太陽電池の欠陥検査装置を模示的に示している。上述のように使用する磁気センサのタイプが垂直方向の磁気成分を検出するタイプであっても、また、水平方向の磁気成分を検出するタイプであっても、基本的には実質的に同一である。従って、説明の簡素化のために、第3の実施の形態に係る図10に示す欠陥検査装置では、水平方向の磁気成分を検知できる形式のセンサPjを使用している。図10において、逆電圧を印加する第1列のプローブR1Pjは、第1及び第2の実施の形態同様に図10の上方に設けられている。この第1列のプローブ列に加えて、図10の下方にも同様のタイプの第2列のプローブR2Pjが設けられている。ここで、第1及び第2列のプローブR1Pj、R2Pjには、第1及び第2列に属するプローブであることを示す符号R1、R2を付して両者を区別している点に注意されたい。そして、第1列のプローブR1Pjには、第1及び第2の実施の形態で説明したように、外部電源4-R1及び制御部6-R1の直列回路がプローブR1Pn、R1Pn1間に接続されて逆電圧がこれらプローブR1Pn、R1Pn1に加えられている。同様に、第2列のプローブR2Pjにも、外部電源4-R2及び制御部6-R2の直列回路がプローブPn、Pn1間に接続されて逆電圧がこれらプローブR1Pn、R1Pn1に加えられている。このような欠陥検査装置によれば、セルCnにおいては、欠陥Dに向けて電流1I及び2Iが図10に示すように短絡部としての欠陥部Dに流れ込む一方、セルCn1では短絡部としての欠陥部Dから互いに反対の方向に電流1I及び2Iが流れることになる。電流1I及び2Iは、流れる方向が反対であるから、これら電流の作る磁界は、図10の左側に示すように欠陥部Dの両側で磁場の極性が反転される。この出力グラフから明らかなように、磁界の出力の変化量が前述した図4に示す第2の実施の形態と比較して大きく、また、セルの長手方向で磁場の極性が反転されて出力されている。ここで、欠陥部Dがy方向のいずれかの位置にあるかに依存して、これら2つの理論出力値の大きさは異なるが、その差分である出力変化量の絶対値は、ほぼ一定に維持されることとなる。従って、第3の実施の形態においては、より低い電圧がプローブから印加されていても、欠陥を見出すことができる利点があるばかりでなく、太陽電池の大きさが大きくなっても、上下領域部の2点から逆電圧が印加されていることから、逆電圧のレベルを小さくしつつも、充分に大きな電流値の確保、言い換えれば充分に大きな磁界の発生が期待できる利点がある。このことは、太陽電池が大型化に向けられている今日では、より技術的に有利な効果であるとすることができる。第3の実施の形態によれば、図11に示すように、同一セルCjに2つの短絡型の欠陥部D1、D2が生じている場合には、図11の左側に示すような磁場の特性が得られることから、特性値の急変箇所が欠陥位置D1、D2となって現れ、欠陥部D1、D2を発見する確率を向上させることができる。この第3の実施の形態は、プローブ列Rの数と同一セル内における複数の欠陥部Dの発見との間に強い相関があること示唆している。この相関に関しては、後で詳述するので、その説明を参照されたい。第3の実施の形態では、図4に示す第2の実施の形態2と同様に水平方向の磁界に感度を有するセンサSjを用いているが、このようなセンサSjに限定されることなく、第1の実施の形態と同様に垂直方向に感度を有するセンサSjをセルCjの境界線上に設けても良い。第4の実施の形態図12Aは、この発明の第4の実施の形態に係る欠陥検査装置を示している。この装置も多い水平方向磁界に感度を有するセンサPjがセルCjの中央に対向して配置されている。この第4の実施の形態においては、図12Bに示すように、直流成分Vdcに交流成分[Vp-p]を重畳した電圧VがセルCj間に印加され、磁気センサ信号から印加した交流成分[Vp-p]と同一の周波数成分だけが取り出されて、磁気量が測定されている。セルに印加する逆方向電圧は、交流のピーク時にセルCjの逆耐電圧を超えないことが必要である。また、交流の逆のピーク時に、セルCjに順方向電圧が印加されることにならないようにするのが望ましい。これらの関係を式で表現すると、各々、DC電圧[Vdc]AC電圧[Vp-p]÷2≦セルの逆耐電圧DC電圧[Vdc]≧AC電圧[Vp-p]÷2となる。第1の実施の形態において図2Bを参照して定電流垂下特性を例示して説明したように、セルCjに流す電流も、また、電圧も所定値以下に設定して、過大な電流がセルCjに流れ、過大な電圧がセルCjに印加されることがないようにすることが必要であり、第4の実施の形態においても、この点は同様である。但し、第4の実施の形態においては、電圧或いは電流に制限が与えられると、交流波形が歪み、正確な磁気量を得られなく虞がある。従って、交流のピーク時に、電圧及び電流の制限値を超えないようにすることが必要とされる。このような制約を満たすことを前提として、より大きな交流を印加すれば、ノイズに対して信号が大きくなり、S/N比を向上してより正確に欠陥位置を発見することができる。一方、太陽電池に与えるダメージを小さくすることを優先するのであれば、印加する直流及び交流は、より小さいほうが望ましいので、これらを勘案して適切な印加レベルを選定することが好ましい。次に、セルCjに印加する交流成分の周波数について説明する。交流成分の周波数f0が高すぎる場合は、セルCj間の容量と主にセルCjの表面電極の抵抗によって、プローブPjに近いところと遠いところとでは交流電流値に差が生じ、好ましくない。一方、周波数f0が低すぎると、平均化によるノイズ除去のための時間が多くかかることになる。これらの相反する条件を両立させる一例として、セルCj間の容量C0とセル両端間の抵抗Rとから、高域遮断周波数:fc=1÷2πCRが求められ、この高域遮断周波数fcに対して十分に低い周波数f0、一例として十分の一程度の周波数f0が選択の基準とすることができる。実際には、セルCjの間の容量C0は、集中定数ではなく、セルCj間に分布定数的に発生し、実際の高域遮断周波数fcもまた異なる。しかし、ここでは、あくまで周波数f0の目安を知ることが目的なので、この差異は問題とはしないこととする。例えば、セルCjの端から端までの抵抗Rが1kΩ、セルCj間の容量C0が1000pFの場合、高域遮断周波数fcは、約159kHzとなる。よって一例としてこの十分の一の、15.9kHz程度を目安として、周波数f0を選択することができる。なおこの周波数f0はさらに、周囲からの雑音成分やその高調波成分とは異なる周波数として、雑音を効果的に除去できるようにするのが好ましい。第4の実施の形態では、図12Cにブロック32で示されるように、外部電源32から図12Bで示すような交流成分及び直流成分を含む電圧が発生されて太陽電池2のセルCjに印加される。太陽電池2においては、ブロック34で示すように、セルCjに流れる電流によって生じる交番磁界が磁気センサSjで検出されて交流成分を含む磁気信号HSjが出力される。この磁気センサ信号HSjは、AC信号処理部36に供給されて印加された交流の周波数成分f0のみが欠陥検出信号として抽出される。磁気信号HSjからは、周囲からの雑音成分等が除去されて欠陥検出信号を生成することができ、さらに時間平均化によって雑音成分等の影響をより低減することができる。その結果、図12Cに示す信号処理でより正確な磁気量を検出することができる。AC信号処理部36において、磁気センサ信号HSjから印加した交流の周波数成分のみを抽出するためには、バンドパスフィルタ或いは共振回路等を用いて抽出した交流の周波数成分の大きさをも出力することができる。例えば、抽出された交流が整流平滑化されて直流として出力されても良く、また、抽出した交流がA/D変換されて演算によってその大きさを知ることもできる。磁気センサ信号HSjがディジタル式のオシロスコープに与えられ、平均化機能或いは電圧値出力機能が使用されて、磁気センサ信号HSjの大きさをも検出することもできる。また、同期検波及び直交検波やフーリエ変換FFTを含むを用いれば、振幅情報に加えて位相情報も得られ、より正確な欠陥位置特定のために使用できる。なお、同期検波やフーリエ変換のような機能や平均化機能を実現している電子計測器として、周波数特性分析器FRAや、ロックインアンプ、ボックスカーインテグレータ等が市販されている。特にロックインアンプは、雑音に埋もれた微小な信号を抽出することができるので、磁気センサ出力が小さい場合には特に好ましい結果が得られる。このため、印加する電圧レベルを一層低く下げることができ、太陽電池表面を傷める可能性を下げることができるから、製造工程における歩留まりも向上するという効果をも期待することができる。例えば、AC信号処理部36としてFRAが使用される場合には、直流バイアスを併用したFRAの発振部出力をそのまま、或いは、増幅器を介して太陽電池2に印加し、磁気センサSjの出力をFRAの分析入力部に与える。FRAでは、分析入力部に与えられた信号の、発振部の周波数成分をフーリエ変換によって抽出し、その大きさや位相を知ることができる。さらに必要に応じて平均化を行うことができる。またAC信号処理部36としてロックインアンプを使用する場合は、外部電源から印加した交流をロックインアンプの参照信号にも与えると共に、磁気センサの出力をロックインアンプの入力部に与える。ロックインアンプでは、入力部に与えられた信号を参照信号によって位相検波し、参照信号の周波数成分の大きさや位相を知ることができる。さらに必要に応じて平均化を行い、信号-雑音比SN比を向上させることができる。第1、第2及び第3の実施の形態で説明したように、直流のみが印加される場合には、50Hzの商用周波数が周囲から雑音成分として磁気センサ信号HSjに混入することがある。このような場合、この影響を低減するためには、少なくとも、50Hzの1周期=20ms以上の平均化を行う必要がある。さらに10周期を平均化して雑音の影響をより低減するためには、200msもの時間がかかることになる。これに対して、前述のように例えば15.9kHzを使用した場合は、これ以外の周波数成分は除去されるので、50Hz成分も除去される。よって最低15.9kHzの1周期≒0.063msの平均化時間で済み、10周期の平均化を行なった場合でも0.63msの平均化時間で済む。よって直流のみを印加する場合よりも、測定時間を大幅に短縮することができる。また直流のみを印加する場合と同じ時間の平均化を行なう場合は、より高度に雑音の影響を低減できる。また、第1、第2及び第3の実施の形態に記載したように、直流のみが用いられる場合には、直流磁界を検出できる磁気センサを使用する必要があり、前述のようにホール素子センサ或いはMIセンサが用いられる。これに対して、第4の実施の形態のようにバイアス交流電圧直流交流を用いる場合は、交流磁界だけを検出できればよいので、フラックスゲートセンサ、或いは、単なるコイルをセンサとして用いることもできる。更に、コイルに並列にキャパシタを設け、その共振周波数を抽出したい周波数に合わせれば、センサSjにおいても不要な周波数成分を除去できるので、測定回路の簡素化や測定時間の短縮を図りつつ、より正確な欠陥位置検出が可能となる。第5の実施の形態これまでの説明で明らかなように、移動可能なゴンドラにセンサ群を搭載して連続的に磁気を検出するように構成したにも関わらず、現実には離散データに基づいて欠陥が検出されている。これに対して、離散データを取り扱うことを前提として、必要な空間分解能が予め与えられている第5の実施の形態に係る欠陥検査装置が図13Aに示されている。この図13Aを参照して第5の実施の形態に係る欠陥検査装置を説明する。第5の実施の形態に係る欠陥検査装置は、特に、太陽電池の生産量が増えて、所定のタクトタイム以内では、欠陥の検出並びに欠陥の位置特定に加えてリペア作業を両立させることが難しい場合に有効である。この第5の実施の形態では、多数の磁気センサSjは、xy平面内では移動されず、xy平面内に一定間隔に固定配置されている。磁気センサSjが固定されていることから、逆電圧を印加するプローブPjは、太陽電池パネルの端に置く必要がなくなり、欠陥の検出に最適な場所に置けるようになる。図13Aは、太陽電池2を既に説明したと同様に裏面側から見た平面図を示し、太陽電池2では、既に述べた実施の形態と同様に、y方向に伸びるストライプ状の複数のセルCnが配列されている。白丸のマークで示す第1のプローブ列R1Pjと第2のプローブ列R2Pjとが図13Aに示すように太陽電池2上で間隔を空けて配置され、残りの空間には、矩形で示す水平方向の磁気に感度をもつ磁気センサSjがマトリックス状に配置されている。より詳細には、磁気センサSjは、第1の方向セルCjの配列方向では、セルCjが配置されるセルピッチを有し、第2の方向セルCjの延出方向では欠陥検出の解像度に相関を有するセンサピッチ所定間隔を有し、行列マトリックスに配置されている。三角形の塗りつぶしで示すマークは、次工程のリペア時の逆電圧を印加するプローブPjの配置場所を示している。図13Aは、欠陥検査工程において欠陥を検査するに必要なセンサSj等の配置のみを図示すべきであるが、次のリペアを行う装置におけるリペアの説明を容易に理解できるようにする為に三角形の塗りつぶしマークを図13Aに付している。図13Aにおいて、2つのプローブ列R1Pj及びR2Pjの間の距離を2等分して1つの距離y0とする。この距離y0を単位として、セルCjの長手方向y方向が4等分されて4つの区間に区分されている。以下の説明では、この4つに区分された領域D1、D2、D3、D4を長手方向に沿って第1、第2、第3及び第4区分領域と称する。夫々の区分領域D1、D2、D3、D4には、基本的に矩形マークで示されるように2つの磁気センサSjが配置している。但し、第2及び第3区分領域D2及びD3間には、余分な磁気センサSiが配置されている。磁気センサSj、Si及びプローブ列R1Pj、R2Pjは、当然ながら、太陽電池2の側にではなく、装置側に設置され、太陽電池パネル2が装置に搬送された状態で、図13Aに示すような相対位置関係に磁気センサSj、Si及びプローブ列R1Pj、R2Pjが配置されるように設計されている。このように設計された装置に搬入された太陽電池パネル2に1つの欠陥Dが図13Bに示すように生じているものとする。図13Bにも、リペア用のプローブRP1,RP2が配置されるべき位置が黒塗りの三角マークで示されている。この三角マークは、次のリペア工程の製造装置におけるリペア用のプローブRP1,RP2が配置されるべき位置を示し、検査工程においては、リペア用のプローブRP1,RP2が実際には、配置されていないことに注意されたい。第2のプローブ列R2PjのあるプルーブPjから逆電圧が印加されると、電流は、欠陥部Dに向けて流れることから、センサSj1及びSj1からのセンサ出力H1、H2は、略同一レベルで出力され、センサSj3及びSj4からのセンサ出力H3、H4は、ゼロレベルで出力される。これらのレベルのデータだけでは、欠陥Dの位置は、センサSj2、Sj3との間、及びセンサSj1、Sj4の間にあると判断される。これらのレベルのデータによれば、実際には一つの欠陥Dしか生じていないにも拘わらず、2つの欠陥Dがある可能性があると判断される。次のリペア工程では、黒塗りの三角マークで示す位置に配置された焼損用のプローブRP1,RP2から逆方向の電流が供給されて欠陥Dがリペアされる。このリペア工程において、2つのリペア用のプローブRP1、RP2のうち、アンダーラインを付した三角マークのプローブRP1は、白丸で示す検査用のプローブPjと同一の機能を有し、装置のコストを下げる意味からは全くのムダなプローブに相当している。リペア装置ではこれを省いて、欠陥検査用の工程に留まっている間に、このセンサSj1、Sj4の間にあるプローブRP1で逆電圧を印加して、仮に、プローブRP1によるリペアがムダな作業であっても、リペア作業を済ましておくほうが好ましい。このコストダウン観点から、再び図13Aを参照すると、2つのプローブ列R1Pj、R2Pjに一番近いリペア用のプローブRPには、夫々黒塗りの三角マークにアンダーラインが付与されているのがわかる。これらはリペア装置を設計する際に、省略することができるプローブであることを示している。ここで、リペア工程におけるリペア用のプローブは、始めからマトリックス状に平面配置されていることは、絶対条件ではなく、図示の位置に移動可能なように構成された少数のプローブ群で構成しても良いことを明記しておく。また、リペア工程では、リペア用のプローブRP1、RP2から逆方向の電圧が徐々に増加しながらリペアすべき欠陥部Dに印加され、逆方向に電流が流れなくなる電流が供給される。このようなリペア工程におけるリペアを実現する為にリペア用のプローブRP1、RP2には、電圧が次第に昇圧される逆方向電圧の昇圧回路図示せずを備えることが好ましい。この昇圧回路は、図1等に示す検出回路部5と同様に構成しても良いことは明らかである。図13Aに示したセンサ配置の場合、欠陥位置の特定における分解能を以下に計算する。y方向のセルCjの長さは、4×y0であり、磁気センサSjの1セルあたりの個数は、9ケであるから、センサの間隔D1、D2、D3、D4は、4×y0÷9であることが判る。例えば、4×y0が1400mmの太陽電池2では、156mmとなる。もし、リペア工程のプローブ位置をちょうどセンサの間隔の中央部に定めると、欠陥部とリペア用プローブRPから欠陥Dまでの距離の最大値は、156/2=78mmになる。この距離であれば、十分に実用的な距離に相当している。この距離よりも、更にリペア時の最大距離を縮めたければ、検査用のプローブ列が3列用意されて、同じような設計思想で設計すれば良い。その場合には、磁気センサSjの個数が更に5ケ増えるため、14個のセンサ数になり、センサ同士の間隔は、1400÷14=100mmになり、リペア装置におけるプローブと欠陥との最大距離は、100÷2=50mmに縮まることとなる。最大距離は、あくまで最大になった場合の数字であり、現実には、これより低いので、十分な仕様と判断することができる。リペア工程における逆電圧を印加するリペアは、すべてのプローブである必要はなく、検出された欠陥が存在する区間にあるプローブだけで良いことは言うまでもない。図14は、この発明の実施の形態に係る欠陥検査部を備えた製造装置を示している。図14は、太陽電池パネル2の搬送方向に沿った鉛直内断面内における概略的配置を示している。図14においては、セルCjの長手方向もまた図14における左右方向に向いているものとする。製造装置に、搬送ローラー44によって太陽電池パネル2が搬入され、位置決め手段図示しないによって、1点鎖線で表示する位置で太陽電池パネル2が停止されると、リフト用の空気圧シリンダー46によって、実線で示す高さまで太陽電池パネル2が持ち上げられる。この持ち上げ量は、検査用のプローブPnがセルCjに接触しないような位置関係にあった太陽電池パネル2が持ち上げられてプローブPnがセルCjに正規の接触圧で接触されるような高さに設定される。同時にまた、磁気センサの高さは、持ち上げられたパネルの位置から、所定の高さになるように決められる。この状態で、欠陥の検査及びその位置の同定が行われ、この作業の終了後、再びリフト用の空気圧シリンダー46が作動して、1点鎖線で示す位置まで下ろされ、搬送用ローラー44によって次のリペア装置に送られる。このように構成することで、マトリックス状に配置された磁気センサSjは、相対位置を変える必要がなく、更に製造装置に対しても固定した位置に設計することができる。太陽電池の生産量が極端に多くなく、リペアまで含めた所定のタクトタイムに収まりそうなレベルの生産量を対象とする製造装置に適した実施の形態として、図15Aから図16に示される第5の実施の形態に係る製造装置がある。図15A及び図15Bにおいては、図13A及び図13Bに示される配置とは異なり、磁気センサSjは、点線で示すように、パネル2の下側に配置されている。逆電圧の印加及びリペアに使うプローブ列R1Pj、R2Pjは、移動可能なゴンドラG1、G2に装着され、モータによりゴンドラG1、G2が図15Aの紙面に対して上下に駆動できるよう構造を有している。このプローブ列R1Pj、R2Pjとそれを載せるゴンドラG1、G2は、基本的に1セットあれば良いが、ここでは説明に汎用性を持たせるために2セット用意している。この例では、ゴンドラG1は、区分領域D1及びD2を移動領域とし、ゴンドラG2は、区分領域D3及びD4を移動領域とする。第6の実施の形態図16は、第6の実施の形態に係る製造装置をその鉛直断面内で見た各部の配置を示している。図16においても、セルCの長手方向とパネルの搬送方向とは、一致している場合を例示している。図16で、磁気センサSjは、リフト用空気圧シリンダー46の出力ロッドに接してパネル2を持ち上げるリフト板図示せずに装着されている。ここで、パネル2が持ち上げられるときには、リフト板とパネル2との距離が変わることなく、一緒に持ち上げられる。この構造により、磁気センサSjは、可能な限りパネル表面に近い場所を占めることができ、欠陥の検出感度を高く維持できる。第6の実施の形態は、第5の実施の形態に比べると、やや厚めのガラス板若しくは透明樹脂で作られている透明基板12がセンサSjとセル電極との間にあることから、センサSjとセル電極との間の距離が大きくなり、距離が大きくなるにともない感度が低下するが、システム全体の感度がこの発明の適用により向上していること、及び印加する逆電圧の電圧値を僅かに上げることで、充分に対処することができる。この第6の実施の形態によれば、プローブPjとセンサ群R1Sj、R2Sjとが物理的に干渉しないので、プローブPjを移動可能とすることができ、欠陥の位置の特定が終われば直ちにその場所にプローブPjを移動させて、リペア作業に移ることができる。つまり、リペア用の製造装置を別に設けることが不要になるといった経済効果が得られる。従って、第6の実施の形態は、所定のタクトタイムが比較的長く取れる場合に好適する。第1から第4の実施の形態では、センサSjをセル数の個数だけ並べ、セルCjの長手方向に移動させて欠陥検出する例を説明している。また、図13A~図16を参照する第5及び第6の実施の形態では、センサSjが縦横にマトリクス状に並列されてセンサSjが移動されない構成が示されている。これらの構成の対比として、より少数のセンサが縦横に移動されて欠陥検査が実施されても良い。また、センサCjがセル長手方向に並べられて、セル毎に横移動されて欠陥検査が実施されても良い。第7の実施の形態第1~第4の実施の形態のように、センサSjがセル長手方向に移動されて欠陥が検出される場合は、セルCjのたわみ或いはゴンドラGのレールの歪み等によって、セルCjとセンサSjの距離が変化することがあり、センサSjの出力も変化する虞がある。このため、センサ出力の変化は、欠陥検出の誤検出を招く可能性がある。図13A及び図15Aに示すようにセンサSjが縦横にマトリクス状に並べられる場合には、センサSj間の感度誤差或いは出力オフセット電圧のばらつきによっても同様に、欠陥を誤検出する可能性がある。このような問題を解決するために、予め、図17A~図17Cに示すように電源Vpre、Vpre2,Vpre3からセルの長手方向に一定の電流Ipre1、Ipre2,Ipre3を流して、センサSjの移動或いはセンサSj間のばらつきを予めキャリブレーションすることが好ましい。このキャリブレーションによって、実際の欠陥検査時には、キャリブレーション結果によって磁気センサSjの感度等を逆補正することによって、正確な測定を行うことができる。このキャリブレーションは、処理部9からのキャリブレーション指令に基づいて電源Vpre、Vpre2,Vpre3を備える検出回路部5がプローブを介してセルCjに一定の電流Ipre1、Ipre2,Ipre3を供給し、磁気センサSjで磁気を測定することによって実現することができる。以上詳述したように、この発明によれば、太陽電池に接触するプローブの本数を著しく減らし、かつプローブを介して印加する外部電源電圧を低く設定することができる。従って、太陽電池に損傷を与える確率を低下することができる。特に、第3及び第4の実施の形態によれば、この印加電圧をより低下させることもできる。始めに、セルに逆電圧を印加した段階で、もし電流が流れるセルが1本も無ければ、その後の作業を省略して次の工程に移ることができ、効率の良い製造ラインを構築することもできる。この発明によれば、短絡欠陥があれば、少なくても2つの磁気センサの出力が得られることを利用して、検出用のセンサに万一の故障が生じても、欠陥が検出されずに次の工程に商品が流れてしまうような事態を未然に防止することができ、品質管理の優れた製造装置を実現することができる。また、電流の流れるセルCjが1本、或いは数本しかない場合にも、その短絡欠陥の場所を的確に特定できることから、リペア用のプローブを短絡場所の近くにおくことができ、従ってリペア時の電圧を低くしてもリペアできる充分な電流を流すことができる。即ち、リペアが容易で、しかも、リペアを早く終了することができる利点がある。ここでは、リペアそのものには触れなかったが、従来技術のように逆方向に過剰な電流を流して、欠陥部位を焼損させ、もって、電気的な絶縁物に変換させる手法を用いることができる。この逆電流を流すには、例えば、図1に示すプローブ列が一体に構成されてy方向に移動可能にし、狙った場所にプローブpjが来るようにモータ等で駆動して、電流を流すように構成すればよい。第1及び第2の実施の形態に例示したプローブとは、別にリペア専用のプローブ列がゴンドラに固定され、短絡位置に移動できるようにしても良く、或いは、他の製造装置にセルが搬送されてリペア作業が施されても良い。更にまた、ここで例示した磁気センサは、垂直方向または水平方向に感度を有しているとしているが、これに限定される必要はない。磁気センサは、垂直方向の磁気ベクトル及び水平方向の磁気ベクトルをベクトル的に加算したものが本来の磁気ベクトルの方向及び大きさになるから、設計上の都合でxz平面内で任意の傾き方向に感度を有するように変更しても良い。この場合、セルの幅方向x方向の特定位置で、磁気ベクトルが最も大きくなるように設定し、その最大となる位置付近にセンサを設置することが望ましい。更にまた、この発明の実施の形態によれば、直流に交流を重畳した電圧をセル間に印加し、磁気センサからは印加した交流の周波数成分だけを抽出して用いることができる。このような構成により高速、かつノイズに強い計測システムを構築することができる。この実施の形態においては、より低い印加電圧であっても検査装置を実現することができ、商品である太陽電池の製造工程におけるキズの発生を低く抑えることができる。また、この実施の形態によれば、磁気センサとして単なるコイルを用いることができるので、複数の磁気センサを使用する場合であってもコスト上昇を抑えることができる。さらにこのコイルにキャパシタを並列接続して共振回路を構成することにより、印加した交流の周波数成分のみを抽出することもできるので、測定回路等の簡易化を図ることもできる。"