半導体集積回路における配線層毎のアンテナ比の上限値を、注目配線層の階層数と総配線層数とに基づいて設定する第1のステップと、前記半導体集積回路のレイアウトデータに基づいて、配線層毎に所与のゲートにチャージアップダメージを与えるノードの面積を演算し、注目配線層よりも下位の配線層に含まれる同一のノードの面積との積算値を求める第2のステップと、前記半導体集積回路に含まれるモジュール毎に、注目モジュールに含まれる所与のゲートにチャージアップダメージを与えるノードについて、前記注目モジュールの最上位配線層までの配線層における面積の積算値と前記所与のゲートの面積とに基づいてアンテナ比を求め、前記注目モジュールの最上位配線層におけるアンテナ比の前記上限値と比較する第3のステップと、を含むチャージアップダメージの検証方法。請求項1に記載のチャージアップダメージの検証方法において、前記第1のステップは、前記半導体集積回路のビア層およびコンタクト層である非配線層におけるアンテナ比の上限値である非配線層上限値を設定し、前記第2のステップは、前記半導体集積回路のレイアウトデータに基づいて、非配線層毎に所与のゲートにチャージアップダメージを与えるノードの面積を演算し、注目非配線層よりも下位の非配線層に含まれる同一ノードの面積との積算値を求め、前記第3のステップは、前記半導体集積回路に含まれるモジュール毎に、注目モジュールに含まれる所与のゲートにチャージアップダメージを与えるノードについて、前記注目モジュールの最上位非配線層までの非配線層における面積の積算値と前記所与のゲートの面積とに基づいてアンテナ比を求め、前記非配線層上限値と比較するチャージアップダメージの検証方法。請求項2に記載のチャージアップダメージの検証方法において、前記第1のステップは、前記非配線層上限値を非配線層の階層数によらない1つの値として設定するチャージアップダメージの検証方法。請求項1乃至3のいずれかに記載のチャージアップダメージの検証方法において、前記第1のステップは、配線層全体で許容されるアンテナ比を総配線層数によって等分した値に、注目配線層の階層数を乗じて得られる値を用いて、配線層毎のアンテナ比の上限値を設定するチャージアップダメージの検証方法。請求項1乃至4のいずれかに記載のチャージアップダメージの検証方法を行う検証装置。しかし、特許文献1の発明では、対象となる配線、ビア、コンタクトの総面積を求めてアンテナチェックを行う。このとき、引き回しによって面積が大きく変動し得る配線と、面積が大きく変動することのないビア、コンタクト以下、非配線ともよぶとを別個に扱うことはできないため、柔軟なアンテナチェックを行うことはできない。そして、特許文献1の発明では、設計において下位階層のみを用いて設計されたモジュール例えば、マクロやメモリー等にも画一的な上限値を適用する。そのため、このようなモジュールを含む半導体集積回路のアンテナチェックでエラーを生じる可能性が大きい。例えば、マクロの設計時にはアンテナチェックをパスしていても、半導体集積回路においてこのマクロを使用した場合に、このマクロの端子に接続する配線の面積が積算されるためアンテナチェックでエラーが発生し得る。このとき、マクロの設計時にはマクロ用の別のアンテナルールを適用して解決してもよいが、複数のアンテナルールが存在することで、ルール間での整合が必要なこと、プロセス変更の際に一括で更新する必要があること等、管理上の問題が生じてしまう。また、階層毎にアンテナチェックを行って判断することも考えられるが、制約が大きすぎて設計自由度が損なわれてしまう。本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものである。本発明のいくつかの態様によれば、配線と非配線とを分けて扱い、マクロ等にも半導体集積回路全体にも適用できるアンテナルールを用いるチャージアップダメージの検証方法等を提供できる。1本発明は、チャージアップダメージの検証方法であって、半導体集積回路における配線層毎のアンテナ比の上限値を、注目配線層の階層数と総配線層数とに基づいて設定する第1のステップと、前記半導体集積回路のレイアウトデータに基づいて、配線層毎に所与のゲートにチャージアップダメージを与えるノードの面積を演算し、注目配線層よりも下位の配線層に含まれる同一のノードの面積との積算値を求める第2のステップと、前記半導体集積回路に含まれるモジュール毎に、注目モジュールに含まれる所与のゲートにチャージアップダメージを与えるノードについて、前記注目モジュールの最上位配線層までの配線層における面積の積算値と前記所与のゲートの面積とに基づいてアンテナ比を求め、前記注目モジュールの最上位配線層におけるアンテナ比の前記上限値と比較する第3のステップと、を含む。本発明によれば、ポリシリコン層およびメタル層を含む配線層を対象としてアンテナチェックを行う。つまり、配線ポリシリコンおよびメタルと非配線ビアおよびコンタクトとを分けて扱うことで柔軟なアンテナチェックを行うことが可能である。ここで、柔軟なアンテナチェックとは、例えば配線層と非配線層とで異なるアンテナ比の上限値を設定できることや、上限値を階層数に依存させるか否かを選択可能であることをいう。本発明では、非配線層ビア層およびコンタクト層とは別に、配線層を対象とする階層数に依存する上限値を設定可能である。また、本発明によれば、モジュールの最上位配線層に合わせてアンテナ比を求め、モジュールの最上位配線層におけるアンテナ比の上限値と比較する。そのため、本発明では、例えば半導体集積回路の最上位配線層を含むモジュールにも、マクロなどの下位配線層だけを含むモジュールにも統一的なアンテナルールを適用して、アンテナチェックを行うことが可能である。ここで、本発明における配線層を対象とするアンテナ比は、あるゲート所与のゲートに電気的に接続されたノードの面積のうち配線ポリシリコンおよびメタル部分の面積とゲートの面積との比で定められる。つまり、非配線ビアおよびコンタクト部分の面積は除外される。アンテナ比の上限値とは、演算によって求めたアンテナ比がこの値を越える場合に、ゲート酸化膜を通過する電荷量が許容値を超えて絶縁破壊が生じると判断される値である。半導体集積回路における配線層の総数を総配線層数とよび、アンテナ比に必要なノードの面積の演算が行われる1つの配線層を注目配線層とよぶ。そして、配線層は製造工程において積層されるため、下から何番目の配線層であるかを示す階層数で各配線層を区別することが可能である。例えば、注目配線層がメタルの1番目の層以下、メタル1のように表現するであれば、その下にポリシリコンの配線層が存在するため、階層数は2である。また、半導体集積回路がメタル4までを含むとすれば、総配線層数は5である。本発明では第1ステップで、配線層について非配線層とは別にアンテナ比の上限値を配線層毎に設定し、第2ステップで、所与のゲートにチャージアップダメージを与えるノードの面積を配線層毎に演算する。第2ステップでは、注目配線層よりも下位の配線層における同一ノードの面積と積算も行う。また、モジュールとは半導体集積回路を構成する回路ブロックのことである。例えばマクロやメモリーなどの汎用の回路ブロックを特にモジュールとして区分する。例えば事前にレイアウトされたマクロを半導体集積回路で使用することがある。このとき、半導体集積回路は例えばメタル4までを用いて設計されるが、マクロは汎用性のために例えばメタル2までで設計されている場合がある。本発明の第3ステップは、モジュール毎の最上位配線層に応じてアンテナ比の上限値を選択して比較する。このとき、モジュールによって最上位配線層が異なっていても統一的なアンテナルールを適用できる。逆に、例えばマクロの設計時に本発明のアンテナルールに従ってアンテナチェックをパスしていれば、最上位配線層の異なる半導体集積回路で使用した場合でもアンテナチェックでエラーが発生することはほとんどない。そのため、半導体集積回路で使用する時点でマクロの再設計が必要になるといった重大な問題が生じず、半導体集積回路のバージョンアップ等でレイアウト修正がある場合にも容易に対応できる。なお、最上位配線層とは、モジュールを構成する最上位の配線層のことである。また、機能的に異なる例えばインターフェース回路、演算処理回路などをモジュールとして区分してもよいが、本発明では最上位配線層が同一であれば同一のモジュールとしてアンテナチェックを行うことが効率的である。半導体集積回路は複数のモジュールを含み得るが、アンテナ比を求める1つのモジュールを注目モジュールとよぶ。第3のステップでは、注目モジュールを変更しながら全てのモジュールについてアンテナチェックを行ってもよいし、所与の条件により選択されたモジュールについてだけアンテナチェックを行ってもよい。2このチャージアップダメージの検証方法において、前記第1のステップは、前記半導体集積回路のビア層およびコンタクト層である非配線層におけるアンテナ比の上限値である非配線層上限値を設定し、前記第2のステップは、前記半導体集積回路のレイアウトデータに基づいて、非配線層毎に所与のゲートにチャージアップダメージを与えるノードの面積を演算し、注目非配線層よりも下位の非配線層に含まれる同一ノードの面積との積算値を求め、前記第3のステップは、前記半導体集積回路に含まれるモジュール毎に、注目モジュールに含まれる所与のゲートにチャージアップダメージを与えるノードについて、前記注目モジュールの最上位非配線層までの非配線層における面積の積算値と前記所与のゲートの面積とに基づいてアンテナ比を求め、前記非配線層上限値と比較してもよい。3このチャージアップダメージの検証方法において、前記第1のステップは、前記非配線層上限値を非配線層の階層数によらない1つの値として設定してもよい。本発明によれば、ビア層およびコンタクト層を含む非配線層を対象としてアンテナチェックを行う。配線と非配線とを分けて扱うことで柔軟なアンテナチェックを行うことが可能である。例えば配線層とは異なるアンテナ比の上限値を、非配線層のアンテナチェックで設定できる。ここで、本発明における非配線層を対象とするアンテナ比は、所与のゲートに電気的に接続されたノードの面積のうち非配線ビアおよびコンタクト部分の面積とゲートの面積との比で定められる。つまり、配線ポリシリコンおよびメタル部分の面積を除外して計算が行われる。前記の配線層のアンテナチェックと同じように、アンテナ比に必要なノードの面積の演算が行われる1つの非配線層を注目非配線層とよび、モジュールを構成する最上位の配線層のことを最上位非配線層とよぶ。本発明によれば、第1ステップで、非配線層について配線層とは別にアンテナ比の上限値を設定し、第2ステップで、所与のゲートにチャージアップダメージを与えるノードの面積を非配線層毎に演算する。第2ステップでは、注目非配線層よりも下位の非配線層における同一ノードの面積との積算も行う。第3ステップでは、モジュール毎にアンテナ比の上限値との比較を行う。このとき、1つのビアおよびコンタクトの形状は決まっており面積も配線と比べて小さい。そして、配線とは異なり、引き回しによって面積が著しく大きくなるようなことはない。本発明では、配線層とは性質の異なる非配線層のアンテナチェックを、配線層から独立して実行できるため、レイアウト時の変更や修正が容易になる。例えば、非配線層のアンテナチェックの結果に基づいて、配線層のレイアウトに影響なくシングルビアをダブルビアへと変更することが容易にできる。なお、前記のように非配線ビアおよびコンタクトの面積については大幅に増える可能性が低く、階層毎に上限値を設けて比較する必要性が少ない。そのため、最上位非配線層であるか否かに関係なく、非配線層におけるアンテナ比の上限値である非配線層上限値を用いてアンテナチェックを行ってもよい。4このチャージアップダメージの検証方法において、前記第1のステップは、配線層全体で許容されるアンテナ比を総配線層数によって等分した値に、注目配線層の階層数を乗じて得られる値を用いて、配線層毎のアンテナ比の上限値を設定してもよい。本発明によれば、配線層のアンテナチェックにおいて、配線層全体で許容されるアンテナ比を総配線層数によって等分した値に、注目配線層の階層数を乗じて得られる値を用いて、配線層毎のアンテナ比の上限値を設定する。このとき、例えばマクロなどの下位配線層だけを含むモジュールにも統一的なアンテナルールを適用することができ、マクロが半導体集積回路で使用されて上位の配線層で配線が行われた場合でも、アンテナチェックでエラーが発生することはほとんどない。半導体集積回路が例えばメタル4までを用いて設計される場合に総配線層数は5である。そして、半導体集積回路に含まれるマクロが例えばメタル2階層数は3までで設計されているとする。このとき、配線層全体で許容されるアンテナ比が500であるとすると、このマクロに対するアンテナ比の上限値は、許容値500を総配線層数5で割った値に階層数3を乗じた300に設定するとよい。このマクロがアンテナチェックをパスした場合には、上位の配線層で配線を行うための余裕500-300=200がある。そのため、半導体集積回路で使用される場合にアンテナチェックでエラーが発生することはほとんどない。つまり、マクロの再設計といった重大な問題が生じず、半導体集積回路のバージョンアップ等で上位の配線層のレイアウト修正がある場合にも対応できる。なお、非配線層においては、例えば下位の非配線層ではダブルビア、トリプルビアのみを使用し、上位の非配線層ではシングルビアも使用する場合がある。このとき、配線層のように、非配線層の総数で等分した値を階層数で乗じて上限値を求めると、最上位非配線層では問題が生じないにも関わらず、下位の非配線層ではアンテナチェックをパスしないといった不具合が生じる。本発明では、配線と非配線とを分けて扱うことが可能なため、階層数によらない1つの非配線層上限値の設定が可能であり、このような不具合を回避できる。5本発明は、前記チャージアップダメージの検証方法を行う検証装置であってもよい。本発明の検証装置は、配線と非配線とを分けて扱う柔軟なアンテナチェックを行うことが可能である。また、マクロなどの下位配線層だけを含むモジュールにも統一的なアンテナルールを適用して、アンテナチェックを行うことが可能である。以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。まず、アンテナ効果によるチャージアップダメージと、従来のアンテナチェックの問題を説明し、その後に第1実施形態のチャージアップダメージの検証方法を説明する。1.アンテナ効果によるチャージアップダメージ図6は、アンテナ効果によるチャージアップダメージを説明するための図である。図6では半導体集積回路が製造されており、プラズマを用いたエッチング工程にあるとする。図6には、基板10、拡散領域11-1、11-2、素子分離層12、ゲート酸化膜13、サイドウォール14、ポリシリコン20、コンタクト30、配線21、22、ビア31、フォトレジスト40が示されている。拡散領域11-1、11-2は、一方がソース、他方がドレインとなる領域である。拡散領域11-1がソースで、拡散領域11-2がドレインであってもよいし、逆であってもよい。基板はP型基板でもN型基板でもよいが、P型基板であれば図6のトランジスターはN型であり、N型基板であれば図6のトランジスターはP型である。このエッチング工程において、導電体である配線22がアンテナとして電荷を蓄積する。図6では配線22は電子マイナスの表記がある丸印を捕獲するアンテナとなり、ビア31、配線21、コンタクト30、ポリシリコン20を経由して、ゲート酸化膜13を横切って電流が流れるチャージアップが発生する。このとき、ゲート酸化膜13のチャージアップダメージの大きさは、配線22が蓄積する電荷量によって決まる。よって、配線22の面積が大きい程チャージアップダメージが大きい。このようなプラズマを用いる工程は、ポリシリコン、コンタクト、メタル1、ビア1、メタル2、...といった各階層で実行される。よって、アンテナチェックにおいては、各階層でゲート酸化膜13にチャージアップダメージを与える導電体配線、ビア、コンタクトの面積の積算値を判断に用いる。なお、電荷が蓄積された導電体が拡散領域に接続された場合には、基板10へと電荷が逃げるため、ゲート酸化膜13に電流が流れることなく放電される。半導体集積回路には放電のためのダイオードの挿入が通常行われており、エッチング工程の前には導電体の薄膜が形成されるため、ダイオードを介して放電が行われる。つまり、下位の階層において蓄積された電荷は放電されているので、各階層でゲート酸化膜13にチャージアップダメージを与える導電体の面積を演算して、これらを積算した値をアンテナチェックに用いることができる。2.従来のアンテナチェックの問題図7は従来のアンテナチェックの問題を説明するための図である。ここで、従来のアンテナチェックとは、特許文献1の発明のような手法であって、モジュール例えばマクロやメモリーによって扱いを変えることなく、画一的に半導体集積回路の全体で使用する上限値を適用するアンテナチェックをいう。図7は、ある半導体集積回路の部分的な断面を示しており、下位の層からポリシリコン層polysilicon、コンタクト層contact、メタル1層metal-1、ビア1層via-1、メタル2層metal-2、ビア2層via-2、メタル3層metal-3、ビア3層via-3、メタル4層metal-4を含む。図中の斜線部分は属する層に応じた配線ポリシリコン、メタルまたは非配線コンタクト、ビアを表している。図7には、ビア132ビア2、配線123メタル3、ビア133ビア3、配線124メタル4とマクロ100が示されている。ビア132、配線123、ビア133、配線124は電気的に接続されておりノードとしては同一である。ここでは、これらをまとめて上位配線とよぶ。マクロ100は、汎用モジュールであって、半導体集積回路とは別に事前に設計されているものとする。半導体集積回路がマクロ100を使用する場合には上位配線によって他の回路との接続が必要になる。アンテナチェックにおいては、マクロ100のゲートに接続された上位配線も考慮する必要がある。従来のアンテナチェックでは、マクロ100も半導体集積回路全体と同じように扱ってアンテナチェックを行う。ここで、例えば許容されるアンテナ比が900であるとする。そして、マクロ100におけるアンテナ比は上限値である許容値をぎりぎりでパスする900であるとする。この場合でもマクロ100はアンテナチェックをパスすることになる。しかし、上限値まで余裕がないため、上位配線を行った半導体集積回路全体でのアンテナチェックでエラーとなる。このとき、例えばマクロを再設計しなければならないといった重大な問題が生じる。この問題をマクロ100の設計時にはマクロ用の別のアンテナルールを適用することで解決してもよいが、複数のアンテナルールが存在することで、ルール間での整合が必要なこと、プロセス変更の際に一括で更新する必要があること等、管理上の問題が生じてしまう。また、階層毎にアンテナチェックを行って判断することも考えられるが、制約が大きすぎて設計自由度が損なわれてしまう。例えば、メタル1層とメタル2層において許容値をそれぞれ50とした場合、メタル1層のアンテナ比が55であればエラーとなってしまう。もし、メタル2層でのアンテナ比が40であって、両者を合わせればアンテナチェックをパスする場合でもエラーと判断され、設計自由度が損なわれている。また、例えば下位の非配線層であるコンタクト層やビア1層ではダブルビア、トリプルビアのみを使用し、上位の非配線層であるビア2層やビア3層ではシングルビアも使用することがある。このときも、階層毎にアンテナチェックを行って判断すると、全体としては余裕がある場合でも下位の非配線層でエラーとなる可能性がある。このように、従来のアンテナチェックの手法では、マクロ等のモジュールも同じ上限値でチェックするため、半導体集積回路全体でエラーが生じるとの問題が生じていた。また、特許文献1のような手法では、配線と非配線とを合算して計算するため、柔軟なアンテナチェックを行うことができなかった。3.第1実施形態本実施形態におけるチャージアップダメージの検証方法、検証装置について図1~図5B、図8を参照して説明する。なお、図6~図7と同じ要素については同じ番号を付しており説明は省略する。3.1.チャージアップダメージの検証方法のフローチャート図1~図2Bは本実施形態におけるチャージアップダメージの検証方法のフローチャートを示す。図1はメインルーチンのフローチャートであり、図2A~図2Bは図1のサブルーチンのフローチャートである。図1のように、本実施形態におけるチャージアップダメージの検証方法は第1のステップS10、第2のステップS20、第3のステップS30を含む。3.1.1.第1のステップ第1のステップS10ではアンテナ比の上限値を設定する。本実施形態では、配線層と非配線層とを区別してそれぞれの上限値を設定する。このとき、配線層におけるアンテナチェックでは、配線層毎に上限値を設定する。なお、配線層についてだけアンテナチェックを行い、第1のステップS10では配線層毎の上限値だけを設定してもよい。逆に、非配線層についてだけアンテナチェックを行い、第1のステップS10では非配線層上限値のみを設定してもよい。本実施形態のアンテナチェックでは、アンテナ比が上限値を越える場合に、ゲート酸化膜を通過する電荷量が許容値を超えて絶縁破壊が生じると判断される。ここで、図3のような階層構造を持つ半導体集積回路を例として、本実施形態におけるチャージアップダメージの検証方法を説明する。図3は半導体集積回路の部分断面図である。各階層名については図7と同じであるため説明を省略する。各階層には通し番号である層番号が付されている。例えばビア2層の層番号は6であり、メタル3層の層番号は7である。層番号は各階層を区別するのに用いられる。なお、本明細書では層番号は階層数とは異なる。階層数とは、注目する配線層又は非配線層が配線層非配線層において下から何番目かを示すものである。例えばビア2層層番号は6の階層数は、下位にコンタクト層とビア1層があるので3である。また、例えばメタル3層層番号は7の階層数は下位にポリシリコン層、メタル1層とメタル2層があるので4である。そして、図3の例では、最上位配線層はメタル4層で層番号は9である。また、最上位非配線層はビア3層で層番号は8である。ここで、最上位の層メタル4層の層番号9をLtopとする。図3は、ポリシリコン20、コンタクト30、配線21-1、21-2、22-1、22-2、23-1、23-2、24-1、24-2、ビア31-1、31-2、31-3、32-1、33-1、33-2、33-3で構成される同一のノードを示している。第1のステップS10において、図3の例では、ポリシリコン層、メタル1層、メタル2層、メタル3層、メタル4層の階層毎にアンテナ比の上限値が設定される。そして、それ以外の非配線層については、1つの上限値である非配線層上限値が設定される。上限値の設定に用いる計算式については後述する。3.1.2.第2のステップ図2Aは、第2のステップS20のサブルーチンを示す。第2のステップS20では、まず半導体集積回路のレイアウトデータが入力されるS21。レイアウトデータは、レイヤー層情報と座標情報とを含む。また、半導体集積回路における回路ブロックであるモジュールの情報も含んでいてもよい。レイアウトデータによって、アンテナ比の計算に必要な配線又は非配線の面積の演算、および同一ノードの面積の積算が可能になる。次に、層番号Lを初期化するS22。層番号Lは注目配線層又は注目非配線層を示す。本実施形態では、層番号Lを1に初期化し、所定の処理S24、S25の実行後に1ずつインクリメントするS26。図3の例では、層番号Lが奇数であれば配線層の処理を、偶数であれば非配線層の処理を行っていることになる。層番号LがLtop以下の場合にはS23N、所与のゲートにチャージアップダメージを与えるノードであって、注目配線層又は注目非配線層に含まれるものの面積を演算するS24。ここで、層番号Lが3注目配線層がメタル1層の場合について、図4Aを用いて面積の演算を説明する。図4Aのように、メタル1層には配線21-1と配線21-2が存在するが、メタル1層の製造工程において電荷を蓄積してゲート酸化膜を横切る電流を流すのは配線21-1だけである。そのため、レイアウトデータから配線21-1の情報だけを抽出して面積の演算S24を行うことになる。このように、各層の処理工程においてチャージアップを発生させる配線は、図4Bの太線で示される配線である。また、非配線については、図4Cの太線で示される非配線コンタクトおよびビアが対象である。面積の演算S24では、図4Bおよび図4Cにおける太線の要素の面積を、層番号Lに応じて演算する。なお、図4A~図4Cの階層と配線、非配線は図3と同じである。再び図2Aに戻る。面積の演算S24の後には、アンテナ比の計算に必要な積算値を求めて保存するS25。つまり、同一ノードであって、下位の層において演算された面積と積算する。この積算された値積算値は第3のステップで使用できるように保存される。このとき、配線層において面積を演算していれば、下位の配線層の同一ノードの面積との積算が行われる。また、非配線層において面積を演算していれば、下位の非配線層の同一ノードの面積との積算が行われる。例えば、層番号Lが6であり、注目非配線層がビア2層である場合には、ビア32-1の面積と下位の非配線層におけるビア31-1およびコンタクト30の面積とが積算される図3、図4C参照。また、例えば層番号Lが8最上位非配線層の場合には図4Cの太線の非配線の面積を全て足した値が積算値となる。そして、例えば層番号Lが9最上位配線層の場合には図4Bの太線の配線の面積を全て足した値が積算値となる。本実施形態では、その後に層番号Lを1ずつインクリメントするS26。つまり、全ての層において積算値を求めて保存する。そして、層番号LがLtopこの例では9よりも大きい場合には、全ての層について所定の処理S24、S25を実行したので、第3のステップS30に移るS23Y。なお、第2のステップにおいて、層番号Lの初期化S22と層番号LのインクリメントS26とを調整することで、配線層又は非配線層だけについて面積、積算値を求めることが可能である。例えば、層番号Lを1に初期化しS22、層番号Lを2ずつインクリメントS26すれば配線層だけについて面積、積算値を求めることができる。また、層番号Lを2に初期化しS22、層番号Lを2ずつインクリメントS26すれば非配線層だけについて面積、積算値を求めることができる。このように、層番号Lの初期値とインクリメントする数を調整することで、第2のステップの処理を一部の層について効率的に実行することも可能である。3.1.3.第3のステップ図2Bは、第3のステップS30のサブルーチンを示す。本実施形態の第3のステップS30では、回路を構成する最上位配線層が同じものを1つのモジュールとして扱う。例えば、マクロやメモリーを含まない半導体集積回路では、半導体集積回路全体を1つのモジュールとして扱ってもよい。ここでは、第3のステップS30を説明するために、半導体集積回路がメタル2層までで構成される1つのマクロを含むとする図7参照。このマクロは1つのモジュールとして扱われる。第3のステップS30では、アンテナ比が計算されてアンテナチェックをパスするか否かの判断が行われるが、本実施形態ではモジュール毎に処理を進める。そして、全モジュールが終了S31Yするまで、所定の処理S32~S34が実行されるS31N。なお、全モジュールとは、半導体集積回路が含む全部のモジュールに限らず、所与の条件により選択されたモジュールの全てであってもよい。半導体集積回路の全体のレイアウトにおいて、半導体集積回路が含む全てのモジュールについてアンテナチェックが行われてもよい。しかし、マクロのように独立してレイアウトが行われるモジュールについては、ここで説明する例のように、マクロの設計段階でアンテナチェックが行われることが一般に望ましい。この場合にはマクロの最上位配線層が考慮される。3.1.3.1.アンテナ比第3のステップS30では、第2のステップS20において保存された面積の積算値に基づいてアンテナ比を計算するS32。本実施形態では、配線層のアンテナ比の計算と非配線層のアンテナ比の計算をモジュール毎にそれぞれ行う。まず、メタル4層までの全層を用いて回路を構成するモジュール以下、モジュールAが図4B~図4Cの構成を含むとして説明する。ポリシリコン20、配線21-1、22-1、22-2、23-1、24-1、24-2の面積の積算値をSMAとする図4B参照。そして、コンタクト30、ビア31-1、32-1、33-1の面積の積算値をSVAとする図4C参照。また、これらの配線等が接続されている図外のゲートGAの面積をSGAとする。このとき、このモジュールにおけるゲートGAの配線層のアンテナ比ARMAはARMA=SMA/SGAで表される。また、非配線層のアンテナ比ARVAはARVA=SVA/SGAで表される。次に、メタル2層までで構成される1つのマクロであるモジュール以下、モジュールBが図5A~図5Bの構成を含むとして説明する。なお、図5Aと図5Bは同一の構造であって、それぞれ図4Bと図4Cのメタル2層までの構造に対応する。具体的には、ポリシリコン20A、コンタクト30A、配線21-3、21-4、22-3、22-4、ビア31-4、31-5、31-6で構成されるマクロに含まれる同一のノードを示している。配線21-3、21-4はメタル1であり、配線22-3、22-4はメタル2である。また、ビア31-4、31-5、31-6はビア1である。図5Aの太線の配線はメタル2層までの各層の処理工程においてチャージアップを発生させる配線を示す。また、非配線については、図5Bの太線で示される非配線コンタクトおよびビアが対象である。ポリシリコン20A、配線21-3、22-3、22-4の面積の積算値をSMBとする。そして、コンタクト30A、ビア31-4の面積の積算値をSVBとする。また、これらの配線等が接続されている図外のゲートGBの面積をSGBとする。このとき、このモジュールマクロにおけるゲートGBの配線層のアンテナ比ARMBはARMB=SMB/SGBで表される。また、非配線層のアンテナ比ARVBはARVB=SVB/SGBで表される。このように、第2のステップS20において保存された面積の積算値とゲート面積に基づいて、配線層と非配線層とで個別にアンテナ比を計算するS32。3.1.3.2.上限値第3のステップでは、第1のステップで設定されたアンテナ比の上限値を選択して比較に用いる。この例では、モジュールA、モジュールBのそれぞれについて配線層および非配線層のアンテナ比をそれぞれ比較する。第1のステップでは、アンテナ比の上限値を設定するのに、まず許容される総アンテナ比を配線層および非配線層に割り当てる。そして配線層に割り当てられたアンテナ比を総配線層数と階層数とに基づいて配線層毎に割り当てる。具体例を示すと、総アンテナ比が900の場合、例えば配線層に500、非配線層に400を割り当てることができる。そして、非配線層はプロセスで定まるアンテナ効果を考慮して上限値を定める。例えば、あるプロセスにおいてアンテナ効果が配線と非配線とで1:50の割合であるとすると、非配線層上限値は400/50=8となる。本実施形態では、非配線層上限値は階層数によらずに使用される値である。つまり、メタル4層まであるモジュールAでも、メタル2層までしかないモジュールBでも非配線層上限値は8である。配線層のアンテナ比の上限値は、総配線層数と階層数に基づいて定められるが、半導体集積回路の総配線層数はメタル4層まであるので5である。そこで、配線層に割り当てられた500を総配線層数5で割った値100に注目配線層の階層数を乗じた値が、注目配線層における上限値になる。第1のステップでは、階層数が1のポリシリコン層の上限値を100と設定し、メタルX層X=1、2、3、4の上限値をX1100と設定する。そして、第3のステップでは、マクロ毎の最上位配線層に応じた上限値を選択することになる。マクロAでは、最上位配線層がメタル4層であるため、上限値500を用いて比較を行う。マクロBでは、最上位配線層がメタル2層であるため、上限値300を用いて比較を行う。マクロBでは、上位の配線層ここでは、メタル3層とメタル4層における配線を考慮した上限値が使われるため、使用される段階でマクロの再設計が必要になるといった問題を生じなくなる。この例におけるアンテナチェックを具体的に示す。例えば、モジュールAのゲートGAの配線層のアンテナ比ARMAは500以下であればパスする。一方、モジュールBのゲートGBの配線層のアンテナ比ARMBは300以下であればパスする。また、モジュールA、Bの非配線層のアンテナ比ARVA、ARVBはどちらも8以下であればパスする。なお、この例では配線層の上限値は、割り当てられたアンテナ比500を総配線層数5で割った値100の倍数となっているが、必ずしも倍数である必要はない。例えば、階層毎に重みづけや加算値を設定して調整してもよい。また、割り当てられたアンテナ比が総配線層数で割り切れない場合にも、その値の倍数を目安として調整を行ってもよい。上限値との比較S33の終了後には、アンテナチェックのパス、フェイルエラーを含めて必要な情報を結果として出力するS34。設計者は、出力された結果に基づいて、必要ならばレイアウトの修正を行うことができる。本実施形態のチャージアップダメージの検証方法によれば、配線ポリシリコンおよびメタルと非配線ビアおよびコンタクトとを分けて扱うことで柔軟なアンテナチェックを行うことが可能である。例えば、結果が出力S34された後に、一部の配線層だけを修正した場合には、その後のアンテナチェックでは、配線層だけを対象としてアンテナチェックを行ってもよい。非配線層のアンテナチェックを省略することで、検証時間を短縮することが可能である。また、本実施形態のチャージアップダメージの検証方法によれば、マクロなどの下位配線層だけを含むモジュールにも統一的なアンテナルールを適用して、アンテナチェックを行う。このとき、マクロの設計時にアンテナチェックをパスしていれば、最上位配線層の異なる半導体集積回路で使用した場合でもアンテナチェックでエラーが発生することはほとんどない。そのため、半導体集積回路で使用する時点でマクロの再設計が必要になるといった重大な問題が生じない。3.2.検証装置図8は第1実施形態の検証方法を実行する検証装置1の例を示す図である。検証装置1は、CPU2、入力部3、記憶部4、表示部5を含む。CPU2は、例えば第1~第3のステップにおけるアンテナ比の上限値の設定、アンテナ比の計算と積算、上限値との比較等を行う。入力部3は、例えば第2のステップにおいてレイアウトデータを受け取る。また、半導体集積回路におけるモジュールを区分する情報などを受け取ってもよい。記憶部4は、例えば第1実施形態の検証方法を実行するためのCPU2のプログラムを保存したり、積算値やCPU2の計算過程で生じる中間データを保存したりする。記憶部4はSRAM、DRAM、マスクROM、フラッシュメモリーやその他のメモリーを含んでいてもよい。表示部5は、例えば第3のステップにおける上限値との比較結果やエラーが生じた場合の詳細内容等を表示する。表示部5はLCDLiquidCrystalDisplay、CRTCathodeRayTube、EPDElectrophoreticDisplayといった表示装置であってもよい。このような、検証装置を用いて、配線と非配線とを分けて扱う柔軟なアンテナチェックが可能である。また、マクロなどの下位配線層だけを含むモジュールにも統一的なアンテナルールを適用して、アンテナチェックを行うことが可能である。これらの例示に限らず、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。