"ドナー基板に有機EL膜を形成する成膜室と、前記有機EL膜の一部を前記ドナー基板から素子基板に転写する転写室と、前記ドナー基板から前記有機EL膜の残部を取り除くドライクリーニング室とを含む転写ユニットを少なくとも1つ有し、前記転写ユニットでは、前記成膜室、前記転写室、及び前記ドライクリーニング室が、この順に環状に連結され、前記成膜室、前記転写室、及び前記ドライクリーニング室に対し、前記ドナー基板をこの順に繰り返し搬送する搬送部を更に有する有機ELデバイスの製造装置。前記転写ユニットが、前記転写室に連結され前記素子基板を前記転写室に搬入する搬入室と、前記転写室に連結され前記素子基板を前記転写室から搬出する搬出室と、を更に有し、前記転写ユニットでは、前記搬入室、前記転写室、及び前記搬出室が、この順に一列に連結されている請求項1に記載の有機ELデバイスの製造装置。前記搬入室には、前記成膜室が連結され、前記搬出室には、前記ドライクリーニング室が連結され、前記搬入室では、前記素子基板と前記ドナー基板との貼り合わせが行われ、前記搬出室では、前記素子基板と前記ドナー基板との分離が行われる請求項2に記載の有機ELデバイスの製造装置。前記ドライクリーニング室では、前記ドナー基板から除去された前記有機EL膜の形成材料を付着させるための回収基板が、前記ドナー基板の前記有機EL膜と対向して配置される請求項1~3のいずれか一項に記載の有機ELデバイスの製造装置。前記回収基板は透明基板であり、前記ドライクリーニング室には、前記回収基板を冷却する冷却部と、前記回収基板を介して前記有機EL膜に光を照射する照射部とが設けられ、前記ドナー基板がドライクリーニングされるときには、前記冷却部によって前記回収基板が冷却されつつ、前記有機EL膜が照射された前記光によって加熱される請求項4に記載の有機ELデバイスの製造装置。前記回収基板は、前記回収基板に付着した前記有機EL膜の形成材料が、該回収基板から脱離しない温度にまで前記冷却部によって冷却される請求項5に記載の有機ELデバイスの製造装置。前記転写ユニットは、複数の前記回収基板が収められるストック室を更に備える請求項4~6のいずれか一項に記載の有機ELデバイスの製造装置。前記転写ユニットは、ドライクリーニング後の前記ドナー基板を検査する検査室を更に備え、ドライクリーニング後の前記ドナー基板における前記有機EL膜の残部が所定量以下となるまで、前記ドナー基板に対するドライクリーニングを繰り返し行う請求項1~7のいずれか一項に記載の有機ELデバイスの製造装置。ドナー基板に有機EL膜を形成する成膜工程と、前記有機EL膜の一部を前記ドナー基板から素子基板に転写する転写工程と、前記ドナー基板から前記有機EL膜の残部を除去するドライクリーニング工程とを有し、前記成膜工程、前記転写工程、及び前記ドライクリーニング工程の間では、この順に各工程が進行することに伴って、前記ドナー基板を環状に搬送する環状搬送工程を更に有し、前記ドナー基板に対して、前記成膜工程、前記転写工程、前記ドライクリーニング工程、及び前記環状搬送工程を繰り返し行う有機ELデバイスの製造方法。前記素子基板を前記転写工程のために搬入する搬入工程と、前記素子基板を前記転写工程から搬出する搬出工程と、前記搬入工程、前記転写工程、及び前記搬出工程の間では、この順に各工程が進行することに伴って、前記素子基板を一つの方向に搬送する転写搬送工程とを更に有する請求項9に記載の有機ELデバイスの製造方法。ところで、上記転写が終了すると、素子基板Sとドナー基板SDとが分離された後、ドナー基板SDは、透明基板91上に再度転写層93が形成され、他の素子基板Sに対する転写に再利用される。この際、先に行われた転写の工程にて転写層93の一部分のみが選択的に転写されることから、転写が終了した後のドナー基板SDには、転写されなかった転写層93が残っていることになる。そのため、ドナー基板SDの再利用を可能にするためには、ドナー基板SDに対して再び転写層93が形成される前に、透明基板91上に残っている転写層93が取り除かれる必要がある。こうした転写層93を取り除く方法としては、転写後のドナー基板SDを大気中に取り出した後、洗浄液にてクリーニングする方法が考えられる。しかしながら、該方法によれば、転写層93を除去することは可能であるものの、ドナー基板SDから洗浄液を除去するための乾燥処理を別途行う必要がある。また、光熱変換層92の表面が洗浄液に曝されてしまうことから、光熱変換層92の光熱変換機能が失われるおそれもある。さらにまた、一旦大気中に取り出されたドナー基板SDが再び上記真空雰囲気に戻されるため、真空室の昇圧と降圧とを行う必要がある。このように、転写層93を取り除く以外の処理を行わなければならないため、ドナー基板をより効率よく再利用のできる転写方法の開発が望まれている。なお、上記問題は、ドナー基板及び素子基板の構造が上述とは異なっていても、ドナー基板から素子基板への有機EL膜の転写であれば、共通に生じるものである。この発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、ドナー基板を再利用する際の効率を高めることのできる有機EL膜の製造装置、及び有機ELデバイスの製造装置を提供することにある。以下、上記課題を解決するための手段、及びその作用効果を記載する。本発明の一態様は、有機ELデバイスの製造装置が、ドナー基板に有機EL膜を形成する成膜室と、前記有機EL膜の一部を前記ドナー基板から素子基板に転写する転写室と、前記ドナー基板から前記有機EL膜の残部を取り除くドライクリーニング室とを含む転写ユニットを少なくとも1つ有し、前記転写ユニットでは、前記成膜室、前記転写室、及び前記ドライクリーニング室が、この順に環状に連結され、前記成膜室、前記転写室、及び前記ドライクリーニング室に対し、前記ドナー基板をこの順に繰り返し搬送する搬送部を更に有する。本発明の一態様では、転写後のドナー基板に付着した有機EL膜の残部をドライクリーニングにて除去するとともに、同一のドナー基板に対して成膜、転写、及びドライクリーニングの各処理をこの順に繰り返すようにしている。そのため、上述した洗浄液を用いたクリーニングのように、ドナー基板の乾燥、真空雰囲気への再搬入等、ドナー基板に形成された有機EL膜の除去以外の処理を行わずともドナー基板の再利用が可能になることから、ドナー基板を再利用する際の効率を高めることができる。しかも、成膜室、転写室、及びドライクリーニング室がこの順に環状に連結されているため、ドライクリーニングされたドナー基板に対して再度有機EL膜を形成するときには、転写室を介さずにドライクリーニング室から成膜室に向けてドナー基板を搬送することができる。それゆえに、素子基板と他のドナー基板とに対する転写処理が転写室にて行われていたとしても、ドナー基板をドライクリーニング室から成膜室に搬送することができる。こうした構成によっても、ドナー基板を再利用する際の効率を高めることができる。本発明の一態様は、前記転写ユニットが、前記転写室に連結され前記素子基板を前記転写室に搬入する搬入室と、前記転写室に連結され前記素子基板を前記転写室から搬出する搬出室と、を更に有し、前記転写ユニットでは、前記搬入室、前記転写室、及び前記搬出室が、この順に一列に連結されている。本発明の一態様では、転写ユニットにおいて、素子基板を転写室に搬入する搬入室と、転写室と、同素子基板を転写室から搬出する搬出室とが一列に連結されている。そのため、ドナー基板は、環状に連結された成膜室、転写室、及びドライクリーニング室を環状に搬送される一方、素子基板は、搬入室、転写室、及び搬出室を連結方向に搬送される。これにより、ドナー基板と素子基板とが、各別の搬送経路に沿って搬送されることから、ドナー基板を再利用する際の搬送が、素子基板の搬送によって影響されにくくなる。したがって、ドナー基板を再利用する際の効率を高めることができる。本発明の一態様は、前記搬入室には、前記成膜室が連結され、前記搬出室には、前記ドライクリーニング室が連結され、前記搬入室では、前記素子基板と前記ドナー基板との貼り合わせが行われ、前記搬出室では、前記素子基板と前記ドナー基板との分離が行われる。本発明の一態様では、搬入室に対して成膜室が連結されるとともに、搬入室では、素子基板とドナー基板との貼り合わせが行われる。加えて、搬出室に対してドライクリーニング室が連結されているとともに、搬出室では、素子基板とドナー基板との分離が行われる。そのため、転写に必要とされる成膜後のドナー基板が直接搬入室に搬入されるとともに、該搬入室にて素子基板とドナー基板との貼り合わせができる。また、ドライクリーニングの必要な転写後のドナー基板は、搬出室での分離とともに、該搬出室から直接ドライクリーニング室に搬入される。これにより、ドナー基板を再利用する際の効率を高めることができる。本発明の一態様は、前記ドライクリーニング室では、前記ドナー基板から除去された前記有機EL膜の形成材料を付着させるための回収基板が、前記ドナー基板の前記有機EL膜と対向して配置される。本発明の一態様では、ドナー基板のドライクリーニングを行うときに、回収基板が、有機EL膜に対向して配置される。そのため、ドナー基板から除去された有機EL膜の形成材料における少なくとも一部が、回収基板に付着する。それゆえに、ドナー基板による転写に用いられなかった有機EL膜の形成材料に対して再精製を行うことができるようになる。本発明の一態様は、前記回収基板は透明基板であり、前記ドライクリーニング室には、前記回収基板を冷却する冷却部と、前記回収基板を介して前記有機EL膜に光を照射する照射部とが設けられ、前記ドナー基板がドライクリーニングされるときには、前記冷却部によって前記回収基板が冷却されつつ、前記有機EL膜が照射された前記光によって加熱される。本発明の一態様では、照射部から出力された光をドナー基板の加熱に用いるとともに、透明な回収基板を介して有機EL膜に光を照射するようにしている。そのため、ドナー基板から除去された有機EL膜の形成材料が、照射部に付着することを抑えられる。それゆえに、照射部の汚染が抑えられるとともに、回収基板による上記形成材料の回収率を、照射部への付着が抑えられる分だけ高めることができる。ここで、回収基板を介して有機EL膜に対して光を照射すると、加熱の対象である有機EL膜ばかりでなく、回収基板までもが加熱されてしまうことになる。これにより、一旦回収基板に付着した上記形成材料が、回収基板を脱離して、再びドナー基板に付着してしまうおそれがある。この点、上記一態様によれば、回収基板を冷却部によって冷却しつつ、有機EL膜への光の照射を行うようにしているため、上記形成材料が、再びドナー基板に付着することを抑えられる。本発明の一態様は、前記回収基板が、前記回収基板に付着した前記有機EL膜の形成材料が、該回収基板から脱離しない温度にまで前記冷却部によって冷却される。本発明の一態様では、回収基板に一旦付着した形成材料が、該回収基板から脱離しない温度にまで冷却される。そのため、ドナー基板から脱離した形成材料の回収率が高められるとともに、形成材料が、一旦ドライクリーニングされたドナー基板に対して再付着することを抑えられる。本発明の一態様は、前記転写ユニットが、複数の前記回収基板が収められるストック室を更に備える。本発明の一態様では、複数の回収基板が収められるストック室を備えている。そのため、回収基板をストックするための空間を別途用意せずとも、有機EL膜の形成材料が付着した複数の回収基板を収めておくことができる。本発明の一態様は、前記転写ユニットが、ドライクリーニング後の前記ドナー基板を検査する検査室を更に備え、ドライクリーニング後の前記ドナー基板における前記有機EL膜の残部が所定量以下となるまで、前記ドナー基板に対するドライクリーニングを繰り返し行う。本発明の一態様では、ドライクリーニング後のドナー基板を検査する検査室を備えるとともに、ドナー基板に付着している有機EL膜の残部が所定量以下となるまで、ドナー基板に対するドライクリーニングを繰り返し行うようにしている。そのため、ドナー基板に対するドライクリーニングがより確実に行われるようになる。それゆえに、クリーニング後に形成された有機EL膜の量及び膜質にばらつきが生じにくくなり、ひいては、素子基板に形成された発光層の特性におけるばらつきを抑えることができる。本発明の一態様は、有機ELデバイスの製造方法が、ドナー基板に有機EL膜を形成する成膜工程と、前記有機EL膜の一部を前記ドナー基板から素子基板に転写する転写工程と、前記ドナー基板から前記有機EL膜の残部を除去するドライクリーニング工程とを有し、前記成膜工程、前記転写工程、及び前記ドライクリーニング工程の間では、この順に各工程が進行することに伴って、前記ドナー基板を環状に搬送する環状搬送工程を更に有し、前記成膜工程、前記転写工程、前記ドライクリーニング工程、及び前記環状搬送工程を繰り返し行う。本発明の一態様では、転写後のドナー基板に付着した有機EL膜の残部をドライクリーニングにて除去するとともに、同一のドナー基板に対して成膜、転写、及びドライクリーニングの各処理をこの順に繰り返すようにしている。そのため、上述した洗浄液を用いたクリーニングのように、ドナー基板の乾燥、真空雰囲気への再搬入等、ドナー基板に形成された有機EL膜の除去以外の処理を行わずともドナー基板の再利用が可能になることから、ドナー基板を再利用する際の効率を高めることができる。本発明の一態様は、前記素子基板を前記転写工程のために搬入する搬入工程と、前記素子基板を前記転写工程から搬出する搬出工程と、前記搬入工程、前記転写工程、及び前記搬出工程の間では、この順に各工程が進行することに伴って、前記素子基板を一つの方向に搬送する転写搬送工程とを更に有する。本発明の一態様では、素子基板の搬入工程と、転写工程と、同素子基板を搬出する搬出工程との間で、素子基板が一つの方向に搬送される。つまり、ドナー基板と、素子基板とが、各別の搬送経路に沿って搬送されることから、ドナー基板を再利用する際の搬送、すなわち、ドナー基板の再利用にかかわる工程の進行が、素子基板の搬送によって影響されにくくなる。したがって、ドナー基板を再利用する際の効率を高めることができる。本発明における有機ELデバイスの製造装置、及び有機ELデバイスの製造方法を具体化した一実施形態について、図1~図9を参照して説明する。[有機ELデバイスの製造装置]まず、本発明における有機ELデバイスの製造装置を具体化した一実施形態の全体構成について、図1を参照して説明する。図1に示されるように、有機ELデバイス製造装置10は、基板取り付け室11、ロードロック室12、陽極側機能層形成部13、基板反転室14、緑色発光層転写ユニットUG、赤色発光層転写ユニットUR、基板反転室15、陰極側機能層形成部16、電極形成部17、ロードロック室18、及び基板取り外し室19が順に連結されてなる。また、基板取り付け室11には、トレイ導入室T1が、ロードロック室12とは反対側に連結され、基板取り外し室19には、トレイ導出室T2が、ロードロック室18とは反対側に連結されている。トレイ導入室T1とトレイ導出室T2とは、トレイ導入室T1及びトレイ導出室T2の各々から垂直に延びる短通路と、これら短通路と直交し、且つこれら短通路を繋ぐ長通路とからなるトレイ戻り通路T3によって連結されている。なお、各処理室等11~19,UG,UR,T1~T3の各々は、隣接する処理室等11~19,UG,UR,T1~T3とゲートバルブを介して接続されている。トレイ導入室T1は、トレイ戻り通路T3を介してトレイ導出室T2から搬送されたトレイTRを基板取り付け室11に搬出する。基板取り付け室11は、内部を大気圧雰囲気とした状態で、外部から素子基板Sを搬入する。素子基板Sは、例えば、支持基板と、支持基板上の各画素領域に、陽極と各画素領域を区画するスペーサとを有している。基板取り付け室11は、トレイ導出室T2から搬入されたトレイTRにおける所定位置に素子基板Sを取り付け、そして、内部を減圧雰囲気とした状態で、素子基板Sが取り付けられたトレイTRをロードロック室12に搬出する。ロードロック室12は、内部を基板取り付け室11よりも減圧した状態で、基板取り付け室11からトレイTRを搬入するとともに、該トレイTRを陽極側機能層形成部13に搬出する。ロードロック室12は、基板取り付け室11と陽極側機能層形成部13との間に配置されることで、陽極側機能層形成部13内の圧力が変動することを抑える。陽極側機能層形成部13は、正孔注入層形成室13aと正孔輸送層形成室13bとを有する。正孔注入層形成室13aは、フレームマスクを用いた真空蒸着によって、正孔注入層を素子基板Sの陽極上に形成する。正孔注入層は、例えばトリアゾール誘導体等からなる。正孔輸送層形成室13bは、フレームマスクを用いた真空蒸着によって、正孔輸送層を上記正孔注入層上に形成する。正孔輸送層は、例えばポルフィリン誘導体等からなる。なお、上記正孔注入層形成室13a及び正孔輸送層形成室13bでは、蒸着源が各処理室13a,13bの下方に配置されるとともに、素子基板Sは、該素子基板Sの陽極形成面を蒸着源側に向けた状態で、蒸着源の上方に配置されている。基板反転室14は、トレイTR及び素子基板Sを反転させる。これにより、素子基板Sは、該素子基板Sの陽極形成面が、基板反転室14の底面側を向いた状態から、基板反転室14の上面側を向いた状態になる。緑色発光層転写ユニットUGは、レーザ光等の光を用いた熱転写によって、有機EL膜である緑色発光層を所定の画素領域の正孔輸送層上に選択的に形成する。赤色発光層転写ユニットURは、上記緑色発光層転写ユニットUGと同様、レーザ光等の光を用いた熱転写によって、有機EL膜である赤色発光層を所定の画素領域の正孔輸送層上に形成する。なお、赤色発光層は、上記緑色発光層が形成されなかった画素領域に対して選択的に転写される。基板反転室15は、上記基板反転室14と同様、トレイTR及び素子基板Sを反転させる。これにより、素子基板Sは、該素子基板Sの陽極形成面が、基板反転室15の上面側を向いた状態から、基板反転室15の底面側を向いた状態になる。こうした基板反転室14,15を設けることにより、素子基板Sに対する真空蒸着を用いた各種膜の形成と、転写による発光層の形成とが可能になる。陰極側機能層形成部16は、青色発光層形成室16a、電子輸送層形成室16b、及び電子注入層形成室16cとを有する。青色発光層形成室16aは、フレームマスクを用いた真空蒸着によって、青色発光層を素子基板Sの表面全体に形成する。青色発光層は、上記画素領域の全てを覆うように形成される。青色発光層は、例えば、4,4-ビス[2-{4-N,N-ジフェニルアミノフェニル}ビニル]ビフェニルDPAVBi等からなる。電子輸送層形成室16bは、フレームマスクを用いた真空蒸着によって、青色発光層の全体を覆うように電子輸送層を形成する。電子輸送層は、例えばオキサジアゾール誘導体からなる。電子注入層形成室16cは、フレームマスクを用いた真空蒸着によって、電子輸送層上に電子注入層を形成する。電子注入層は、例えばフッ化リチウムからなる。電極形成部17は、陰極形成室17aと透明電極形成室17bとを有する。陰極形成室17aは、フレームマスクを用いた真空蒸着によって、電子輸送層及び電子注入層の全体を覆うように陰極を形成する。陰極は、例えばマグネシウムと銀との積層膜からなる。透明電極形成室17bは、スパッタ法によって、陰極の全体を覆うように透明電極を形成する。透明電極は、例えばインジウム亜鉛酸化物からなる。ロードロック室18は、透明電極形成室17bからトレイTRを搬入するとともに、該トレイTRを基板取り外し室19に搬出する。ロードロック室18は、透明電極形成室17bと基板取り外し室19との間に配置されることで、透明電極形成室17b内の圧力が変動することを抑える。基板取り外し室19は、内部を減圧雰囲気とした状態で、トレイTRから素子基板Sを取り外すとともに、トレイTRをトレイ導出室T2に搬出する。また、基板取り外し室19は、内部を大気圧雰囲気とした状態で、素子基板Sを有機ELデバイス製造装置10から搬出する。なお、搬出された素子基板Sには、例えば封止工程、及びカラーフィルタ基板の取り付け工程等が行われることで、有機ELデバイスが完成する。トレイ導出室T2は、トレイTRをトレイ戻り通路T3に搬出する。これにより、トレイTRが、トレイ導入室T1にまで搬送されることで、有機ELデバイス製造装置10内での素子基板Sの搬送に再び用いられる。なお、有機ELデバイスの製造が行われるときには、2つのロードロック室12,18によって挟まれた各処理室13~17の内部は、該ロードロック室12,18と同程度に減圧された真空雰囲気に維持されている。また、同各処理室13~17では、搬入されたトレイTRを一旦停止した状態にて、素子基板Sに対する各種処理を施した後、トレイTRを再び搬送することで次の処理室14~18に搬出する。[転写ユニットの構成]上記緑色発光層転写ユニットUG、及び赤色発光層転写ユニットURの構成について、図2を参照してより詳しく説明する。なお、緑色発光層転写ユニットUGと、赤色発光層転写ユニットURとは、有機ELデバイス製造装置10における配置、処理対象となる素子基板Sの状態、及び素子基板Sに転写する発光層が異なっている。しかしながら、ドナー基板から素子基板Sに対して各発光層を転写する構成、ドナー基板をクリーニングする構成、及びクリーニングされたドナー基板に再び発光層を転写させるための搬送を行う構成については同一である。そのため以下では、緑色発光層転写ユニットUGについて説明することで、赤色発光層転写ユニットについての説明に代えることとする。図2に示されるように、緑色発光層転写ユニットUGには、トレイTR上に取り付けられた素子基板Sと緑色用ドナー基板SGとの貼り合わせを行う貼り合わせ室21が搭載されている。貼り合わせ室21は、素子基板Sの陽極形成面と緑色用ドナー基板SGに形成された有機EL膜である転写層とが対向するように、素子基板Sと緑色用ドナー基板SGとを貼り合わせる。なお、貼り合わせ室21が搬入室を構成している。貼り合わせ室21には、緑色用ドナー基板SGに形成された転写層を素子基板Sに熱転写する転写室22が、ゲートバルブGVを介して連結されている。なお、貼り合わせ室21における転写室22の反対側には、上記基板反転室14が接続されている。転写室22における上記貼り合わせ室21の反対側には、素子基板Sと緑色用ドナー基板SGとを分離する分離室23が、ゲートバルブGVを介して連結されている。分離室23は、素子基板Sと緑色用ドナー基板SGとを分離させた後、各基板S,SGを互いに異なる処理室に対して搬出する。なお、分離室23における転写室22の反対側には、上記赤色発光層転写ユニットURの貼り合わせ室が接続されている。なお、分離室23が搬出室を構成している。これら貼り合わせ室21、転写室22、及び分離室23は、一つの方向、つまり、有機ELデバイス製造装置10における素子基板Sの搬送方向に一列に連結されている。貼り合わせ室21には、転写層形成室25が、転写層搬送室24を介して上記一つの方向と直交する方向に連結されている。隣接する処理室21,24,25同士は、ゲートバルブGVを介して連結されている。転写層搬送室24には、転写層搬送ロボット24Rが搭載されている。転写層搬送ロボット24Rは、成膜室としての転写層形成室25に処理前の緑色用ドナー基板SGを搬送し、処理後の緑色用ドナー基板SGを転写層形成室25から貼り合わせ室21に搬送する。転写層形成室25は、該転写層形成室25の下方に配置された蒸発源から、蒸発源の上方に配置された緑色用ドナー基板SGの一面に対して緑色発光層の形成材料を真空蒸着させ、これにより、転写層を形成する。緑色発光層は、例えばジ2-ナフチルアントラセンとクマリン6とからなる。なお、転写層形成室25が、成膜室を構成している。分離室23には、ドライクリーニング室27が、クリーニング搬送室26を介して上記一つの方向と直交する方向に連結されている。隣接する処理室23,26,27同士は、ゲートバルブGVを介して連結されている。クリーニング搬送室26には、クリーニング搬送ロボット26Rが搭載されている。クリーニング搬送ロボット26Rは、ドライクリーニング室27に処理前の緑色用ドナー基板SGを搬送し、処理後の緑色用ドナー基板SGを上記転写層搬送ロボット24Rに受け渡す。クリーニング搬送室26は、平面視にて、上記一つの方向に直交する転写室22の対称軸Aに対して、上記転写層搬送室24と線対称となる位置に配置されている。ドライクリーニング室27は、例えばレーザ光を用いた加熱によって、ドナー基板に付着した転写層の残部を取り除く。また、ドライクリーニング室27は、上記対称軸Aに対して、上記転写層形成室25と線対称となる位置に配置されている。上記2つの搬送室24,26間には、搬送ロボット24R,26R間での緑色用ドナー基板SGの受け渡しを行うための中間搬送室28が連結されている。中間搬送室28では、ドライクリーニング後の緑色用ドナー基板SGが、搬送ロボット26Rから上記搬送ロボット24Rに受け渡される。なお、上記各処理室21~23,25,27に設けられた基板搬送機構、及び搬送ロボット24R,26Rによって、搬送部が構成されている。このように、緑色発光層転写ユニットUGの有する転写層形成室25、転写室22、及びドライクリーニング室27は、上記貼り合わせ室21、分離室23、及び搬送室24,28,26を介して、この順に環状に連結されている。一方、同緑色発光層転写ユニットUGの有する貼り合わせ室21、転写室22、及び分離室23は、この順に一列に連結されている。つまり、こうした緑色発光層転写ユニットUGでは、素子基板Sが搬送される経路の他に、緑色用ドナー基板SGが搬送される経路を有している。これにより、緑色発光層転写ユニットUGでは、転写室22を介することなく、ドライクリーニング室27から転写層形成室25にまで搬送することができる。そのため、素子基板Sと他の緑色用ドナー基板SGとに対する転写処理が転写室22にて行われていたとしても、緑色用ドナー基板SGをドライクリーニング室27から転写層形成室25に搬送することができる。これにより、緑色用ドナー基板SGを再利用する際の効率を高めることができる。また、こうした構成では、図2に示されるように、貼り合わせ室21、転写室22、及び分離室23における素子基板Sに対する処理と、転写層形成室25及びドライクリーニング室27における緑色用ドナー基板SGに対する処理とを同時に行うことができる。なお、同図2に示されるように、有機ELデバイス製造装置10では、貼り合わせ室21、転写室22、分離室23、ドライクリーニング室27、及び転写層形成室25の各々において同時に処理を行うことができる。つまり、緑色発光層転写ユニットUGでは、5枚のドナー基板に対してそれぞれに異なる処理を同時に行うことができる。しかも、緑色発光層転写ユニットUGでは、緑色用ドナー基板SGへの転写層の形成、素子基板Sに対する転写層の転写、及び緑色用ドナー基板SGのドライクリーニングをこの順に繰り返すようにしている。そのため、洗浄液を用いたクリーニングのように、緑色用ドナー基板SGの乾燥、真空雰囲気への再搬入等、緑色用ドナー基板SGに形成された転写層の除去以外の処理を行わずとも、緑色用ドナー基板SGの再利用が可能になることから、緑色用ドナー基板SGを再利用する際の効率を高めることができる。また、転写層形成室25が、貼り合わせ室21に連結されているとともに、ドライクリーニング室27が、分離室23に連結されている。これにより、転写に必要とされる成膜後の緑色用ドナー基板SGが直接貼り合わせ室21に搬入されるとともに、該貼り合わせ室21にて素子基板Sと緑色用ドナー基板SGとの貼り合わせができる。他方、ドライクリーニングの必要な転写後の緑色用ドナー基板SGは、分離室23での分離とともに、該分離室23から直接ドライクリーニング室27に搬入される。これにより、緑色用ドナー基板SGを再利用する際の効率を高めることができる。上記クリーニング搬送室26における中間搬送室28の反対側には、複数の回収基板SCを収容するストック室29が連結されている。ストック室29に収められた回収基板SCには、ドライクリーニング室27にて緑色用ドナー基板SGから除去された転写層の形成材料が付着している。これにより、有機ELデバイス製造装置10は、回収基板SCをストックするための空間を別途用意せずとも、酸化等の形成材料の変化を抑えつつ、複数の回収基板SCを収めておくことができる。なお、上述のように、緑色発光層転写ユニットUGを構成する各処理室21~29内の圧力は、上記ロードロック室12,18と同程度に減圧されている。こうした減圧は、各処理室21~29の各々に連結された図示されない排気部によって行われている。なお、上記転写層搬送室24、クリーニング搬送室26、及び中間搬送室28は、これら3つの搬送室24,26,28に対して一つの排気部が連結されている。排気部は、例えば各種真空ポンプと、真空ポンプの排気流量を調節するバルブとから構成されている。そのため、緑色発光層転写ユニットUGでは、処理室21~28によって、一つの真空系が形成されることになる。また、各処理室21~29は、ゲートバルブGVによって互いに連通されていない状態とすることができるため、各処理室21~29における処理を、該処理に応じた各異なる圧力条件にて行うことも可能である。[貼り合わせ室、転写室、及び分離室の構成]上記貼り合わせ室21、転写室22、及び分離室23について、図3を参照してより詳しく説明する。図3に示されるように、貼り合わせ室21の底面近傍には、トレイTR及び素子基板Sを転写室22側に搬送する基板搬送機構を構成する搬送ローラ21Rが設置されている。上記基板反転室14から貼り合わせ室21に対してトレイTRが搬入されると、トレイTRは、搬送ローラ21Rの回転によって所定の位置にまで搬送され、そして、トレイTRは、該搬送ローラ21Rの回転が停止されることで所定の位置にて一旦停止される。そして、転写層が形成された緑色用ドナー基板SGが貼り合わせ室21に搬入されると、図示されないアライメント装置によって、上記所定の位置にて停止している素子基板Sと緑色用ドナー基板SGとの位置合わせが行われ、その後、素子基板Sと緑色用ドナー基板SGとの貼り合わせが行われる。素子基板Sと緑色用ドナー基板SGとが貼り合わせられると、上記搬送ローラ21Rが再び回転することで、トレイTRが、ゲートバルブGVを介して貼り合わせ室21から転写室22へ搬出される。転写室22の底面近傍には、貼り合わせ室21と同様、トレイTRを分離室23側に搬送する基板搬送機構を構成する搬送ローラ22Rが設置されている。また、転写室22の上方には、転写層を加熱するレーザ光照射部31が設置されている。レーザ光照射部31は、レーザ光Lを出力するレーザ31aと、緑色用ドナー基板SGに対して相対的にレーザ31aを移動させる移動部31bとを有する。レーザ31aは、緑色用ドナー基板SGにおける転写層が形成されていない面側からレーザ光Lを照射することで、上述した光熱変換層を介して転写層を加熱する。また、移動部31bは、転写室22内におけるトレイTRの搬送方向の一端から他端まで移動することができ、且つ、転写室22内における上記搬送方向とは直交する方向の一端から他端まで移動することもできる。転写室22内では、トレイTRが、所定の速度にて転写室22内を搬送されている間に、レーザ31aからのレーザ光Lの照射が行われる。なお、トレイTRの搬送速度、つまり、搬送ローラ22Rの回転速度は、素子基板Sに対して転写される領域の大きさ、該領域に含まれる転写層の量、転写層の目標加熱温度、及び、レーザ光Lの強度等によって決定される。素子基板Sに対する転写層の転写が行われるときには、緑色用ドナー基板SGに対してレーザ光照射部31が相対移動することによって、緑色用ドナー基板SGにおけるレーザ光照射部31に対向する面の全体に対してレーザ光Lの照射が行われる。ここで、上記素子基板S及び緑色用ドナー基板SGの構造と、緑色用ドナー基板SGから素子基板Sへの転写とについて、図4を参照してより詳しく説明する。図4aに示されるように、素子基板Sの基材である支持基板41上には、上記素子基板Sと同様、画素領域を規定する格子状のスペーサ42が形成され、スペーサ42によって囲まれた複数の画素領域の各々には、陽極43、正孔注入層44、及び正孔輸送層45が、この順に積層されている。一方、緑色用ドナー基板SGの基材である透明基板51には、緑色発光層を成膜する画素領域と向い合う位置を除く領域に、反射層52が形成されている。透明基板51は、例えばガラス基板からなり、反射層52は、例えばアルミニウム、銀、金、白金、イリジウムの単体、あるいは、これらの合金からなる。透明基板51上には、光熱変換層53が、透明基板51における上記画素領域と互いに向かい合う位置を埋め込み、且つ、反射層52上を覆うように形成されている。光熱変換層53は、レーザ光を熱量に変換するタングステン、モリブデン、タンタル、チタン、クロム、炭素の単体、あるいは、これらの合金から形成されている。また、光熱変換層53は、上記単体及び合金の単層膜であってもよいし、積層膜であってもよい。光熱変換層53の積層膜は、例えば、モリブデン層と炭素層とがこの順に透明基板51に対して積層された積層膜や、チタン層とモリブデン層とがこの順に透明基板51に対して積層された積層膜である。なお、上記反射層52と光熱変換層53との各々が、上述したいずれの材料からなる場合であっても、照射されたレーザ光に占める反射されるレーザ光の割合は、光熱変換層53よりも反射層52において大きくなる。光熱変換層53上には、保護層54が、光熱変換層53の全体を覆うように形成されている。保護層54は、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化チタン、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム、炭化ケイ素等のレーザ光を透過する材料からなる。保護層54上には、有機EL材料からなる緑色転写層55が積層されている。保護層54は、緑色用ドナー基板SGがドライクリーニングされる際に、光熱変換層53に対してレーザ光が直接照射されることを防ぐ。これにより、光熱変換層53が、レーザ光の照射によって変形することや消耗することが抑えられる。また、保護層54は、緑色用ドナー基板SGに対する貼り合わせ、分離、及び搬送等の機械的な操作が繰り返し行われることで、光熱変換層53が変形すること等を抑える。また、保護層54によれば、光熱変換層53と緑色転写層55とが直に接しないことから、光熱変換層53と緑色転写層55との反応を避けることができる。加えて、保護層54として、例えば上記酸化ケイ素や酸化アルミニウム等を選択した場合、透明基板51と、反射層52及び光熱変換層53からなる金属層とにおける熱膨張係数の差により、レーザ光の加熱によって緑色用ドナー基板SGが変形することを抑えられる。なお、保護層54の形成材料として、該金属層と透明基板51との熱膨張係数の差よりも、保護層54と透明基板51との熱膨張係数の差が小さくなるような材料を選択すれば、レーザ光の加熱による緑色用ドナー基板SGの変形は、少なからず抑えることができる。そして、複数の画素領域の各々に対して緑色転写層55の転写が行われる際には、まず、素子基板Sにおける複数の画素領域の各々と、緑色用ドナー基板SGにおける透明基板51上に直接形成された光熱変換層53とが互いに向い合うように、上記貼り合わせ室21にて素子基板Sと緑色用ドナー基板SGとが貼り合わせられる。次いで、緑色用ドナー基板SGの裏面の全体にレーザ光が照射されることによって、光熱変換層53が発熱する。このとき、光熱変換層53だけでなく、反射層52も少なからず発熱する。しかしながら、反射層52では、光熱変換層53と比較して、照射されるレーザ光に占める反射されるレーザ光の割合が相対的に大きいことから、反射層52の発熱量は、光熱変換層53の発熱量よりも小さい。そのため、光熱変換層53における発熱量は、緑色転写層55の転写を生じさせる熱量となる一方、反射層52における発熱量は、緑色転写層55の転写を生じさせない熱量となる。これにより、図4bに示されるように、転写層55のうちで、透明基板51に直接形成された光熱変換層53上の部位のみが選択的に画素領域に転写されることで、素子基板Sにおける所定の画素領域に緑色発光層46が形成される。また、図3に示されるように、分離室23の底面近傍には、上記貼り合わせ室21と同様、トレイTRを赤色発光層転写ユニットURの貼り合わせ室に搬送する基板搬送機構を構成する搬送ローラ23Rが設置されている。転写室22から分離室23に対してトレイTRが搬入されると、トレイTRは、搬送ローラ23Rの回転によって所定の位置まで搬送され、そして、トレイTRは、該搬送ローラ23Rの回転が停止されることで所定の位置にて一旦停止される。そして、素子基板Sと緑色用ドナー基板SGとの分離が行われる。上述のように、転写室22におけるトレイTRの搬送速度は、転写にかかわる各種の条件による制約を受けるものである。これに対し、貼り合わせ室21と分離室23とにおけるトレイTRの搬送速度には、こうした制約がない。しかも、貼り合わせ室21及び分離室23における搬送速度が高いほど、1枚の素子基板S当たりの有機ELデバイス製造装置10の動作時間が短くなる。そのため、本上記有機ELデバイス製造装置10では、転写室22内でのトレイTRの搬送速度、つまり、搬送ローラ22Rの回転速度よりも、貼り合わせ室21内及び分離室23内におけるトレイTRの搬送速度、つまり、搬送ローラ21R,23Rの回転速度を大きくしている。[ドライクリーニング室の構成]上記ドライクリーニング室27について、図5を参照してより詳しく説明する。図5に示されるように、ドライクリーニング室27の上方には、緑色用ドナー基板SGを保持するドナー基板保持部27aが設置されている。緑色用ドナー基板SGの上記保護層54上には、素子基板Sに転写されなかった緑色転写層55が残っている。緑色用ドナー基板SGは、緑色転写層55の残る保護層54をドライクリーニング室27の底面側に向けて、上記ドナー基板保持部27aに保持される。ドナー基板保持部27aの下方には、上記緑色転写層55と対向するように回収基板SCを保持する回収基板保持部27bが設置されている。回収基板SCは、例えばレーザ光Lを透過するガラス基板等の透明基板からなる。回収基板保持部27bの下方には、照射部としてのレーザ光照射部61が設置されている。レーザ光照射部61は、緑色用ドナー基板SGの緑色転写層55に対して回収基板SCを介してレーザ光Lを照射する。レーザ光照射部61は、レーザ光Lを出力するレーザ61aと、レーザ61aを移動させる移動部61bとを有している。移動部61bは、ドライクリーニング室27内を移動することによって、緑色用ドナー基板SGに残った緑色転写層55の全体に対してレーザ光Lを照射する。保護層54上に残った緑色転写層55は、その全体が、該保護層54を介して上記光熱変換層53上に形成されている。これにより、緑色転写層55に対するレーザ光Lの照射によって緑色転写層55が加熱されることに加えて、光熱変換層53の発熱によって、緑色転写層55の全体が加熱されるため、緑色転写層55が緑色用ドナー基板SGから脱離しやすくなる。緑色用ドナー基板SGのドライクリーニングを行うときには、回収基板SCが、緑色転写層55に対向して配置される。そのため、緑色用ドナー基板SGの加熱によって該緑色用ドナー基板SGから脱離した緑色転写層55の形成材料における大部分が、回収基板SCに付着し、回収基板SC上に再付着層55Aが形成される。それゆえに、緑色用ドナー基板SGによる転写に用いられなかった緑色転写層55の形成材料に対して再精製を行うことができるようになる。また、回収基板保持部27bには、該回収基板保持部27bを冷却することで、回収基板SCを冷却する冷却部62が接続されている。冷却部62は、例えば、回収基板保持部27b内に形成された図示されない冷媒通路に対して、一定温度の冷媒を供給する。これにより、冷却部62は、回収基板保持部27bを介して回収基板SCを冷却する。緑色用ドナー基板SGのドライクリーニングが行われるとき、回収基板SCの温度は、例えば、一旦回収基板SCに付着した緑色転写層55の形成材料が、回収基板SCから脱離しない温度にまで冷却される。緑色転写層55へのレーザ光Lの照射は、回収基板SCを介して行われるため、緑色用ドナー基板SGから脱離した緑色転写層55の形成材料が、レーザ光照射部61に付着することを抑えられる。それゆえに、レーザ光照射部61の汚染を抑えるとともに、回収基板SCによる上記形成材料の回収率を、レーザ光照射部61への付着が抑えられる分だけ高めることができる。しかも、回収基板SCに一旦付着した形成材料が、該回収基板SCから離れない温度にまで冷却部62によって回収基板SCを冷却しつつ、緑色転写層55への光の照射を行うようにしている。そのため、レーザ光Lによって回収基板SCが加熱されたとしても、緑色転写層55の形成材料が、再び緑色用ドナー基板SGに付着することを抑えられる。[有機ELデバイス製造装置の作用]上記有機ELデバイス製造装置10の作用として、有機ELデバイス製造装置10の動作の一つである有機ELデバイスの製造にかかわる動作、並びに、有機ELデバイスの製造方法を具体化した一実施形態について、図6及び図7を参照して説明する。なお、図7には、図6にて破線で囲まれた処理が行われる際の、ドナー基板の搬送態様を示している。また、図7にて、ハッチングの付されたドナー基板が、1つのドナー基板の搬送態様を示している。図6に示されるように、素子基板Sが有機ELデバイス製造装置10に搬入されると、素子基板Sは、上記基板取り付け室11及びロードロック室12を介して正孔注入層形成室13aにまで搬送される。正孔注入層形成室13aにて、素子基板Sに対して正孔注入層が形成されるステップS101。正孔注入層が形成されると、素子基板Sが正孔輸送層形成室13bに搬入され、そして、素子基板Sの正孔注入層上に正孔輸送層が形成されるステップS102。正孔輸送層が形成されると、素子基板Sが、基板反転室14を介して緑色発光層転写ユニットUGの貼り合わせ室21に搬入される。そして、素子基板Sと、緑色転写層の形成された緑色用ドナー基板SGとが貼り合わせられるステップS201:成膜工程、ステップS103図7ab参照。素子基板Sと緑色用ドナー基板SGとが貼り合わせられると、素子基板Sと緑色用ドナー基板SGとが転写室22に搬入され搬入工程、そして、素子基板Sに対して緑色転写層の転写が行われることで、素子基板S上に緑色発光層が形成されるステップS104:転写工程図7c参照。緑色発光層が形成されると、素子基板Sと緑色用ドナー基板SGとが分離室23に搬入され搬出工程、そして、素子基板Sと緑色用ドナー基板SGとが分離されるステップS105図7d参照。このうち、緑色用ドナー基板SGは、ドライクリーニング室27に搬入され、そして、緑色用ドナー基板SGに残った緑色転写層のドライクリーニングが行われるステップS202:ドライクリーニング工程図7e参照。このとき、緑色用ドナー基板SGから除去された緑色転写層の形成材料は、緑色用回収基板によって回収されるステップS301。そして、緑色用ドナー基板SGは、ドライクリーニング室27から搬出された後、再び転写層形成室25に搬入されることで、該緑色用ドナー基板SGに対する緑色転写層の形成が行われる。一方、緑色用回収基板SCは、ストック室29に収められるステップS201:成膜工程、ステップS302図7f参照。なお、ストック室29にストックされた緑色用回収基板SCには、例えばストック室29中に収められた緑色用回収基板SCが所定の枚数になったときに、緑色発光層材料を再精製する処理が行われるステップS303。なお、上記搬入工程、転写工程、及び搬出工程の間にて、素子基板Sを上記一つの方向に搬送される転写搬送工程が行われている。また、上記成膜工程、転写工程、及びドライクリーニング工程の間にて、緑色用ドナー基板SGを環状に搬送する環状搬送工程が行われている。他方、緑色用ドナー基板SGと分離された素子基板Sは、赤色発光層転写ユニットURの貼り合わせ室21に搬入される。そして、素子基板Sと、赤色転写層の形成された赤色用ドナー基板SRとが貼り合わせられるステップS401:成膜工程、ステップS106図7ab参照。素子基板Sと赤色用ドナー基板SRとが貼り合わせられると、素子基板Sと赤色用ドナー基板SRとが転写室22に搬入され搬入工程、そして、素子基板Sに対して赤色転写層の転写が行われることで、素子基板S上に赤色発光層が形成されるステップS107:転写工程図7c参照。赤色発光層が形成されると、素子基板Sと赤色用ドナー基板SRとが分離室23に搬入され搬出工程、そして、素子基板Sと赤色用ドナー基板SRとが分離されるステップS108図7d参照。このうち、赤色用ドナー基板SRは、ドライクリーニング室27に搬入され、そして、赤色用ドナー基板SRに残った赤色転写層のドライクリーニングが行われるステップS402:ドライクリーニング工程図7e参照。このとき、赤色用ドナー基板SRから除去された赤色転写層の形成材料は、赤色用回収基板SCによって回収されるステップS501。そして、赤色用ドナー基板SRは、再び転写層形成室25に搬入されることで、該赤色用ドナー基板SRに対する赤色転写層の形成が行われる。一方、赤色用回収基板SCは、ストック室29に収められるステップS401:成膜工程、ステップS502図7f参照。なお、ストック室29にストックされた赤色用回収基板にSCは、例えばストック室29中に収められた赤色用回収基板SCが所定の枚数になったときに、赤色発光層材料を再精製する処理が行われるステップS503。なお、上記緑色発光層の転写時と同様、上記搬入工程、転写工程、及び搬出工程の間にて、素子基板Sが上記一つの方向に搬送される転写搬送工程が行われている。また、上記成膜工程、転写工程、及びドライクリーニング工程の間にて、赤色用ドナー基板SRが環状に搬送される環状搬送工程が行われている。他方、赤色用ドナー基板SRと分離された素子基板Sは、基板反転室15を介して青色発光層形成室16aに搬入され、そして、素子基板Sに対して青色発光層が形成されるステップS109。青色発光層が形成されると、素子基板Sは、電子輸送層形成室16bに搬入され、そして、素子基板Sに対する電子輸送層の形成が行われるステップS110。電子輸送層が形成されると、素子基板Sは、電子注入層形成室16cに搬入され、そして、素子基板Sに対して電子注入層が形成されるステップS111。電子注入層が形成されると、素子基板Sは、陰極形成室17aに搬入され、そして、素子基板Sに対して陰極が形成されるステップS112。陰極が形成されると、素子基板Sは、透明電極形成室17bに搬入され、そして、素子基板Sに対して透明電極が形成されるステップS113。透明電極が形成されると、素子基板Sは、ロードロック室18及び基板取り外し室19を介して有機ELデバイス製造装置10から搬出される。以上説明したように、上記実施形態によれば、以下に列挙する効果を得ることができる。1転写後のドナー基板SG,SRに付着した転写層の残部をドライクリーニングにて除去するとともに、同一のドナー基板SG,SRに対して成膜、転写、及びドライクリーニングの各処理をこの順に繰り返すようにしている。そのため、上述した洗浄液を用いたクリーニングのように、ドナー基板の乾燥、真空雰囲気への再搬入等、ドナー基板に形成された転写層の除去以外の処理を行わずとも、ドナー基板SG,SRの再利用が可能になることから、ドナー基板SG,SRを再利用する際の効率を高めることができる。しかも、成膜室、転写室、及びドライクリーニング室がこの順に環状に連結されているため、ドライクリーニングされたドナー基板SG,SRに対して再度転写層を形成するときには、転写室22を介さずにドライクリーニング室27から転写層形成室25に向けてドナー基板SG,SRを搬送することができる。それゆえに、素子基板Sと他のドナー基板とに対する転写処理が転写室22にて行われていたとしても、ドナー基板SG,SRをドライクリーニング室27から転写層形成室25に搬送することができる。こうした構成によっても、ドナー基板SG,SRを再利用する際の効率を高めることができる。2貼り合わせ室21に対して転写層形成室25が連結されるとともに、貼り合わせ室21では、素子基板Sとドナー基板SG,SRとの貼り合わせが行われる。加えて、分離室23に対してドライクリーニング室27が連結されているとともに、分離室23では、素子基板Sとドナー基板SG,SRとの分離が行われる。そのため、転写に必要とされる成膜後のドナー基板SG,SRが直接貼り合わせ室21に搬入されるとともに、該貼り合わせ室21にて素子基板Sとドナー基板SG,SRとの貼り合わせができる。また、ドライクリーニングの必要な転写後のドナー基板SG,SRは、分離室23での分離とともに、該分離室23から直接ドライクリーニング室27に搬入される。これにより、ドナー基板SG,SRを再利用する際の効率を高めることができる。3ドナー基板SG,SRのドライクリーニングを行うときに、回収基板SCが、転写層に対向して配置される。そのため、ドナー基板SG,SRから除去された転写層の形成材料における少なくとも一部が、回収基板SCに付着する。それゆえに、ドナー基板SG,SRによる転写に用いられなかった転写層の形成材料に対して再精製を行うことができるようになる。4レーザ光照射部61から出力されたレーザ光Lを緑色用ドナー基板SGの加熱に用いるとともに、透明な回収基板SCを介して転写層にレーザ光Lを照射するようにしている。そのため、緑色用ドナー基板SGから除去された緑色転写層55の形成材料が、レーザ光照射部61に付着することを抑えられる。それゆえに、レーザ光照射部61の汚染を抑えるとともに、回収基板SCによる上記形成材料の回収率を、レーザ光照射部61への付着が抑えられる分だけ高めることができる。5回収基板SCを冷却部62によって冷却しつつ、緑色転写層55へのレーザ光Lの照射を行うようにしているため、上記形成材料が、再び緑色用ドナー基板SGに付着することを抑えられる。6回収基板SCに一旦付着した形成材料が、該回収基板SCから脱離しない温度にまで回収基板SCが冷却される。そのため、緑色用ドナー基板SGから脱離した形成材料の回収率が高められるとともに、形成材料が、一旦ドライクリーニングされた緑色用ドナー基板SGに対して再付着することを抑えられる。7複数の回収基板SCが収められる真空雰囲気のストック室29を備えている。そのため、回収基板SCをストックするための空間を別途用意せずとも、酸化等の形成材料の変化を抑えつつ、複数の回収基板SCを収めておくことができる。なお、上記実施形態は、以下のように適宜変更して実施することができる。貼り合わせ室21に対して転写層形成室25が連結されるとともに、分離室23に対してドライクリーニング室27が連結されるようにした。これに限らず、転写室22に対して転写層形成室25とドライクリーニング室27とが連結されるようにしてもよい。要は、転写層形成室25、転写室22、及びドライクリーニング室27が、この順に環状に連結されていればよい。この場合、転写室22にて、素子基板Sとドナー基板SG,SRとの貼り合わせ、及び分離が行われるようにすればよい。ドナー基板SG,SRのドライクリーニングを行うときに、ドライクリーニング室27内に回収基板SCが配置されていなくともよい。こうした構成によっても、ドナー基板SG,SRのクリーニングを行うことは可能である。ドナー基板SG,SRと回収基板SCとの間にレーザ光照射部61を配置してもよい。こうした構成によれば、レーザ光照射部61からのレーザ光Lによって回収基板SCが加熱されないことから、回収基板SCに付着した転写層の形成材料が、再びドナー基板SG,SRに付着することを抑えられる。回収基板SCを冷却する冷却部62を割愛してもよい。こうした構成であっても、ドナー基板SG,SRに対して回収基板SCを対向して配置すれば、ドナー基板SG,SRから脱離した転写層の形成材料を少なからず回収できる。回収基板SCは、付着した転写層の形成材料が、回収基板SCから脱離しない温度にまで冷却されなくともよい。回収基板SCの温度が、脱離しない温度よりも高くとも、冷却部62による冷却が行われていない場合と比較して、冷却が行われている分だけ、形成材料の回収率が高められ、且つ、形成材料が、ドナー基板SG,SRに対して再付着することを抑えられる。ドナー基板SG,SRのドライクリーニングに際しては、ドナー基板SG,SRから脱離した転写層の形成材料における少なくとも一部が回収基板SCに付着すればよい。こうした構成であっても、ドナー基板SG,SRから脱離した転写層の形成材料を少なからず再精製することができる。ストック室29は、クリーニング搬送室26ではなく、緑色発光層転写ユニットUGの備える他の処理室に連結されてもよい。有機ELデバイス製造装置10は、ストック室29を有しない構成であってもよい。こうした構成によれば、ストック室29を割愛した分だけ、有機ELデバイス製造装置10の構成を簡素化し、且つ、設置面積を小さくすることができる。緑色発光層転写ユニットUG及び赤色発光層転写ユニットURが、ドライクリーニングされたドナー基板SG,SRの転写層形成面を検査する検査室71を有するようにしてもよい。なお、図8には、このうち緑色発光層転写ユニットUGを代表して示している。検査室71には、緑色用ドナー基板SGの転写層形成面の性状を検査するための検査装置、例えば光学式スキャナを有している。また、検査室71は、ドライクリーニング室27における上記転写層形成室25とは反対側に連結されているものの、緑色発光層転写ユニットUGの有する他の処理室に連結されてもよい。なお、検査室71を有する場合、緑色用ドナー基板SGのクリーニング処理は、例えば図9に示される手順にて行うことができる。すなわち、ドナー基板のドライクリーニング処理では、まず、例えば、有機ELデバイス製造装置10に搭載された制御装置に記憶されたクリーニング回数をリセットすることで、クリーニング回数nを0とするステップS601。クリーニング回数がリセットされると、緑色用ドナー基板SGがドライクリーニング室27に搬入され、そして、レーザ光Lの照射による緑色用ドナー基板SGのドライクリーニングが行われるステップS602、S603。ドライクリーニングが終了すると、緑色用ドナー基板SGが検査室71に搬入され、ドライクリーニングが完了しているか否かの検査が行われるステップS604、S605。該検査では、例えば、上記光学式スキャナに緑色用ドナー基板SGを走査させることによって緑色転写層55の付着量を算出し、該付着量が所定の閾値以下であったときにドライクリーニングが完了したものとする。ドライクリーニングが完了したときには、緑色用ドナー基板SGが、検査室から搬出され、そして、緑色用ドナー基板SGが、再び転写層形成室25に搬入されるステップS605:YES、ステップS606。これに対し、ドライクリーニングが完了しないときには、上記クリーニング回数nに対して1を加算して、該クリーニング回数を上記制御装置に記憶させるステップS611。そして、クリーニング回数がm回未満であるときには、緑色用ドナー基板SGが、再びドライクリーニング室27に搬入されるステップS612:YES、ステップS602。他方、クリーニング回数がm回以上であるときには、緑色用ドナー基板SGを有機ELデバイス製造装置10から搬出するステップS612:NO、ステップS613。こうした構成によれば、以下のような効果を得ることができる。8ドライクリーニング後の緑色用ドナー基板SGの転写層形成面を検査する検査室71を備えるとともに、緑色用ドナー基板SGに付着している転写層の量が所定量以下となるまで、緑色用ドナー基板SGに対するドライクリーニングを繰り返し行うようにしている。そのため、緑色用ドナー基板SGに対するドライクリーニングがより確実に行われるようになる。それゆえに、ドライクリーニング後に形成された転写層の量及び膜質にばらつきが生じにくくなり、ひいては、素子基板Sに形成された発光層の特性におけるばらつきを抑えることができる。上記検査室71に搭載される検査装置は、光学式スキャナに限らず、緑色用ドナー基板SGの表面を検査可能な他の装置として具体化してもよい。検査室71での検査の結果、緑色用ドナー基板SGに付着する緑色用ドナー基板SGの付着量が所定の閾値を超えているときには、上述のようにドライクリーニングを繰り返し行うことに代えて、緑色用ドナー基板SGを新しいドナー基板と交換するようにしてもよい。ドナー基板SG,SRのドライクリーニングが十分でなく、同ドナー基板SG,SRに対して複数回クリーニング処理を行うときには、ドライクリーニングの回数を重ねる毎に、ドライクリーニングの条件をより転写層が除去されやすい条件に変更するようにしてもよい。正孔注入層と正孔輸送層とを各別の処理室にて形成するようにしたが、同一の処理室にて形成するようにしてもよい。こうした構成によれば、処理室を1つ減らすことができる分だけ、有機ELデバイス製造装置10の設置面積を小さくすることができる。基板反転室14,15は、素子基板Sの反転を行うことなく上記各種膜の形成が可能であれば、割愛してもよい。青色発光層と電子輸送層とを各別の処理室にて形成するようにしたが、同一の処理室にて形成するようにしてもよい。こうした構成によれば、処理室を1つ減らすことができる分だけ、有機ELデバイス製造装置10の設置面積を小さくすることができる。トレイ戻り通路T3を割愛してもよい。緑色発光層転写ユニットUG、赤色発光層転写ユニットURの順で接続し、そして、緑色発光層を形成した後に、赤色発光層を形成するようにしたが、赤色発光層を先に形成するようにしてもよい。青色発光層を形成する青色発光層転写ユニットを有するようにしてもよい。なお、青色発光層転写ユニットは、該転写ユニットの有する転写層形成室にて形成される膜が異なるものの、それ以外の構成は上記緑色発光層転写ユニットUGと同様とすることができる。この場合、緑色発光層、赤色発光層、及び青色発光層の形成順序は適宜変更可能である。有機ELデバイス製造装置10は、上記転写ユニットを少なくとも一つ有していればよい。転写ユニットUG,URでは、5枚のドナー基板に対して同時に処理が行われていなくともよく、5未満の所定枚数のドナー基板に対して処理が行われるようにしてもよい。転写室22及びドライクリーニング室27に搭載された光源は、上記レーザ光照射部31,61に限らず、例えば各種ランプであってもよい。要は、転写層の熱転写が可能な光源であればよい。素子基板Sとドナー基板SG,SRとは、貼り合わせなくともよい。素子基板Sの陽極形成面と、ドナー基板SG,SRの転写層形成面とが対向するように、これらを離間させて配置するようにしてもよい。要は、所望とする位置に転写層の転写が可能となればよい。上記クリーニング搬送室26と転写層搬送室24とは、上記対称軸Aに対して線対称でなくともよい。また、ドライクリーニング室27と転写層形成室25とも、対称軸Aに対して線対称でなくともよい。要は、貼り合わせ室21からの転写層形成室25の分岐方向と、分離室23からのドライクリーニング室27の分岐方向とが同じであればよい。こうした構成によっても、分岐方向が同一でない構成と比較して、転写層形成室25とドライクリーニング室27との間の搬送室を短くすることができる。これにより、ドライクリーニング室27から転写層形成室25までの搬送時間を短くすることで、ドナー基板の再利用効率を高めることができる。搬送室24,26を連結する中間搬送室28を割愛するとともに、ドライクリーニング室27と転写層形成室25とに接続された搬送室を設けるようにしてもよい。また、転写層搬送室24を割愛して、転写層形成室25から貼り合わせ室に対して直接ドナー基板を搬入する構成であってもよいし、クリーニング搬送室26を割愛して、分離室23からドライクリーニング室27に直接ドナー基板を搬入する構成であってもよい。また、転写室22、転写層形成室25、及びドライクリーニング室27が直接連結されていてもよいし、これら処理室22,25,27のいずれか2つが直接連結されていてもよい。要は、転写室22、転写層形成室25、及びドライクリーニング室27が直接連結されているにせよ、あるいは、転写層搬送室24、クリーニング搬送室26、及び中間搬送室28等の真空室を介して連結されているにせよ、成膜室としての転写層形成室25、転写室22、及びドライクリーニング室27が、1つの真空系を構成するようにこの順に環状に連結されていればよい。転写ユニットUG,URを構成する処理室21~28は、同一平面上に設置されていなくともよい。例えば、貼り合わせ室21の上方に、転写層搬送室を介して転写層形成室が連結され、且つ、分離室23の上方にクリーニング搬送室を介してドライクリーニング室が連結され、転写層搬送室とクリーニング搬送室とが中間搬送室を介して連結された構成であってもよい。また、例えば、貼り合わせ室21の下方に、転写層搬送室を介して転写層形成室が連結され、且つ、分離室23の下方にクリーニング搬送室を介してドライクリーニング室が連結され、転写層搬送室とクリーニング搬送室とが中間搬送室を介して連結された構成であってもよい。素子基板Sを転写室22に搬入する搬入室が、転写ユニットUG,URを構成する転写層形成室25、ドライクリーニング室27、転写層搬送室24、クリーニング搬送室26、及び中間搬送室28のいずれかであり、且つ、該搬入室が、素子基板Sを転写室22から搬出する搬出室であってもよい。素子基板Sを転写室22に搬入する搬入室が、転写ユニットUG,URを構成する転写層形成室25、ドライクリーニング室27、転写層搬送室24、クリーニング搬送室26、及び中間搬送室28のいずれかであり、且つ、搬入室とは異なる上記処理室が、素子基板Sを転写室22から搬出する搬出室であってもよい。上述のように環状に連結された転写層形成室、転写室、及びドライクリーニング室を含むドナー基板の搬送にかかわる処理室群と、素子基板を転写室に搬入する搬入室、転写室、及び、素子基板を転写室から搬出する搬出室を含んで環状に連結された素子基板の搬送にかかわる処理室群とが、転写室を介して連結された構成であってもよい。レーザ光照射部31,61は、対象物に対する露光が一括で可能であれば、移動部31b,61bを割愛してもよい。上記転写を行うときには、レーザ光Lの照射を転写が必要な領域にのみ選択的に行うようにしてもよい。有機ELデバイスを構成する各層は、上記以外の公知の材料にて形成することが可能であり、また、各層の形成方法も真空蒸着やスパッタ以外の方法としてもよい。"