光検出器の線形アレイであって、前記光検出器の線形アレイは、複数のサブアレイに配置された複数の光検出器を有し、各サブアレイは2以上の光検出器を有する、光検出器の線形アレイ、光検出器の各サブアレイに接続される光チャネルであって、各出力チャネルは、互いに対して線形配置の水平電荷結合素子CCDシフトレジスタと該水平CCDシフトレジスタの一端に接続された出力構造とを有し、前記水平シフトレジスタと前記出力構造とを通じる電荷転送経路が実質的に直線状になるようにされ、各連続する出力チャネルは、前記線形アレイの交互の側に配置される、出力チャネル、を有するCCD画像センサ。各水平CCDシフトレジスタは、複数のシフトレジスタ要素を有し、1つのシフトレジスタ要素は、個々のサブアレイ内の各光検出器と関連付けられる、請求項1に記載のCCD画像センサ。少なくとも1つの水平CCDシフトレジスタは、1又は複数の追加シフトレジスタ要素、を更に有し、暗参照ピクセルは、前記少なくとも1つの水平CCDシフトレジスタ内の前記1又は複数の追加シフトレジスタ要素に電気的に接続される、請求項2に記載のCCD画像センサ。前記1又は複数の追加シフトレジスタ要素のうちの少なくとも1つは、前記出力構造から最も遠い前記少なくとも1つの水平シフトレジスタの一端に配置される、請求項3に記載のCCD画像センサ。前記1又は複数の追加シフトレジスタ要素のうちの少なくとも1つは、前記出力構造に直ぐに隣接する前記少なくとも1つの水平シフトレジスタの一端に配置される、請求項3に記載のCCD画像センサ。各シフトレジスタ要素と個々の光検出器との間に配置された転送機構、を更に有する請求項2乃至6のいずれか一項に記載のCCD画像センサ。各出力構造は、電荷検知ノードを有する、請求項1乃至6のいずれか一項に記載のCCD画像センサ。各出力構造は、前記電荷検知ノードに接続された出力バッファを更に有する、請求項7に記載のCCD画像センサ。線形アレイ画像センサの複数の出力を形成する方法であって、前記方法は、光検出器の線形アレイの一方の側に第1の複数の出力チャネルを形成するステップであって、前記第1の複数の出力チャネル内の出力チャネルは、それぞれ、前記光検出器の線形アレイ内の別個の光検出器のサブアレイに接続される、ステップ、光検出器の線形アレイの別の側に第2の複数の出力チャネルを形成するステップであって、前記第2の複数の出力チャネル内の出力チャネルは、それぞれ、前記光検出器の線形アレイ内の別個の光検出器のサブアレイに接続され、前記第1及び第2の複数の出力チャネル内の各連続する出力チャネルは、前記線形アレイの交互の側に配置され、前記第1及び第2の複数の出力チャネル内の各出力チャネルは、線形配置の水平シフトレジスタと該水平シフトレジスタの一端に接続された出力構造とを有し、前記水平シフトレジスタと前記出力構造とを通じた電荷転送経路が実質的に直線状になるようにする、ステップ、を有する方法。前記水平シフトレジスタと個々の検出器のサブアレイとの間に転送機構を設けるステップ、を更に有する請求項9に記載の方法。前記出力構造から最も遠い水平シフトレジスタの一端に、少なくとも1つの水平シフトレジスタ内に1又は複数の追加シフトレジスタ要素を設けるステップ、を更に有する請求項9又は10に記載の方法。各追加シフトレジスタ要素に電気的に接続された暗参照ピクセルを設けるステップ、を更に有する請求項11に記載の方法。前記出力構造に直ぐに隣接する水平シフトレジスタの一端に、少なくとも1つの水平シフトレジスタ内に1又は複数の追加シフトレジスタ要素を設けるステップ、を更に有する請求項9又は10に記載の方法。各追加シフトレジスタ要素に電気的に接続された暗参照ピクセルを設けるステップ、を更に有する請求項13に記載の方法。電荷結合素子CCD画像センサは、光検出器の線形アレイを有する。線形アレイ内の光検出器は、別個のサブアレイに配置され、各サブアレイは2以上の光検出器を有する。出力チャネルは、光検出器の各サブアレイに接続される。各出力チャネルは、互いに対して線形配置の水平CCDシフトレジスタと該水平CCDシフトレジスタの一端に接続された出力構造とを有し、前記水平シフトレジスタと前記出力構造とを通じる電荷転送経路が中断のない直線状であるか又は実質的に直線状になるようにする。各連続する出力チャネル又は他の出力チャネルは、線形アレイの交互の側に配置される。1又は複数の暗参照ピクセルは、水平CCDシフトレジスタ内の1又は複数の追加シフトレジスタ要素に接続され得る。線形アレイ画像センサの複数の出力を形成する方法は、光検出器の線形アレイの1つの側に1又は複数の出力チャネルを設けるステップを有し、前記出力チャネルは、それぞれ、前記線形アレイ内の光検出器の別個のサブアレイに接続される。1又は複数の出力チャネルは、光検出器の線形アレイの他の側に設けられ、前記出力チャネルは、それぞれ、光検出器の線形アレイ内の光検出器の別個のサブアレイに接続される。各連続する出力チャネル又は各々の他の出力チャネルは、線形アレイの交互の側に設けられる。各出力チャネルは、線形配置の水平シフトレジスタと該水平シフトレジスタの一端に接続された出力構造とを有し、前記水平シフトレジスタと前記出力構造とを通じる電荷転送経路が中断のない直線状であるか又は実質的に直線状になるようにする。転送機構は、前記水平シフトレジスタと光検出器の個々のサブアレイとの間に設けられる。1又は複数の追加シフトレジスタ要素は、少なくとも1つの水平シフトレジスタ内に設けられ得る。暗参照ピクセルが設けられ、各追加シフトレジスタ要素に電気的に接続され得る。明細書及び請求の範囲を通じて、以下の用語は、特に明示されない限り、ここでは明示的に関連付けられた意味を取る。単数表記a、an、theの意味は複数の参照も含み、内にinの意味は内にin及びの上にonを含む。用語接続されるは、接続される要素間の直接電気的接続、又は1又は複数の受動的若しくは能動的中間装置を通じた間接接続を意味する。用語回路は、所望の機能を提供するために共に接続される能動的若しくは受動的な単一構成要素又は複数の構成要素を意味する。用語信号は、少なくとも1つの電流、電圧又はデータ信号を意味する。さらに、上on、over、top、下bottom、左、右のような指向性の用語は、説明されている図の方向を参照して用いられる。本発明の実施形態の構成要素は、多数の異なる方位に位置付けることができるので、指向性用語は、説明のみを目的として用いられ、限定的に用いられるものではない。画像センサウエハの層又は対応する画像センサと関連して用いられるとき、指向性用語は、広義に解釈されるべきであり、1又は複数の中間層若しくは他の中間画像センサの特徴若しくは要素の存在を排除しない。したがって、本願明細書で別の層の上に形成され又は別の層を覆って形成されるとして記載される所与の層は、1又は複数の追加層により該別の層と離れていても良い。画像センサの構成又は動作と関連して用いられるとき、指向性用語は、広義に解釈されるべきであり、代替の構成又は動作を排除しない。図中、同様の番号は同様の部分を示す。図4は、本発明による第1の実施形態における複数出力線形アレイCCD画像センサの概略ブロック図を示す。画像センサ400は、線形アレイ404に配置された複数の光検出器402を有する。簡単のため、12個の光検出器402のみを示す。当業者は、線形アレイが任意の数の光検出器を有し得ることを理解する。隣接する光検出器402は、別個のサブアレイ406、408、410にグループ化される。本発明による一実施形態では、各サブアレイ406、408、410は、2以上の光検出器402を有する。水平CCDシフトレジスタ412、414、416は、光検出器毎に1又は複数の位相を有する複数のシフトレジスタ要素418を有する。図示した実施形態では、各シフトレジスタ要素418は、光検出器402毎に4個の位相420、422、424、426を有する。各水平CCDシフトレジスタ412、414、416は、出力構造428、430、432に接続される。水平CCDシフトレジスタ及び出力構造は、互いに対して線形配置に位置付けられ、水平CCDシフトレジスタ及び出力構造を通じた電荷転送経路が中断のない直線状又は実質的に直線状になるようにする。各水平CCDシフトレジスタ及び結合された関連する出力構造は、出力チャネル429、431、433を形成する。本発明による一実施形態では、出力構造428、430、432は、それぞれ、電荷検知ノード及び出力バッファを有する。シフトレジスタ要素418の少なくとも1つの位相は、光検出器402から電荷パケットを直接受信する。図示した実施形態では、各シフトレジスタ要素418の位相420は、それぞれ転送機構434、436、438を用いて光検出器402から電荷パケットを直接受信する。次に、電荷パケットは、対応する出力構造へ連続的にシフトされる。水平CCDシフトレジスタ412、416及び出力構造428、432は、それぞれ、線形アレイ404の片側に配置される。一方で、水平CCDシフトレジスタ414及び出力構造430は、線形アレイ404の反対側に配置される。したがって、出力チャネル429、431、433は、線形アレイ404の反対側に交互に配置される。各連続する出力チャネル又は他の出力チャネルは、線形アレイ404の片側に配置される。このような出力チャネルの配置は、出力構造428、430、432がそれぞれ個々の水平CCDシフトレジスタ412、414、416の端に直接置かれるようにする。この交互の配置は、電荷経路の方向が実質的に直線状の経路なので、出力構造428、430、432への妨害のない電荷転送を可能にする。水平CCDシフトレジスタ412、414、416及び出力構造428、430、434の間には空間的干渉が存在しない。よって、水平CCDシフトレジスタ及び出力構造の両方の設計を速度及び信号品質について最適化することを可能にする。図5-7は、本発明による実施形態における複数出力を有する線形アレイCCD画像センサの出力チャネルを通じた電荷シフトの方向を示す。出力チャネル内の各水平CCDシフトレジスタ及び出力構造は、従来知られている技術を用いて、左へ又は右へ電荷シフトを独立に方向付けられても良い。図5では、出力チャネル502は線形アレイ500の一方の側に配置され、出力チャネル504は線形アレイ500の他方の側に配置される。本発明による一実施形態では、出力チャネル502、504は、それぞれ、水平CCDシフトレジスタ及び出力構造を有する。出力チャネル502、504内の水平CCDシフトレジスタは、全て、電荷を一方向に例えば、右へシフトする。図6では、出力チャネル602は線形アレイ500の一方の側に配置され、出力チャネル504は線形アレイ500の他方の側に配置される。本発明による一実施形態では、出力チャネル504、602は、それぞれ、水平CCDシフトレジスタ及び出力構造を有する。出力チャネル602内の水平CCDシフトレジスタは、全て、電荷を一方向に例えば、左へシフトし、一方で、出力チャネル504内の水平CCDシフトレジスタは、全て、電荷を反対方向に例えば、右へシフトする。最後に、図7では、出力チャネル502、602は線形アレイ500の一方の側に配置され、出力チャネル504、604は線形アレイ500の他方の側に配置される。出力チャネル504、602内の水平CCDシフトレジスタは、全て、電荷を一方向に例えば、左へシフトし、一方で、出力チャネル502、604内の水平CCDシフトレジスタは、全て、電荷を反対方向に例えば、右へシフトする。本発明による他の実施形態は、2個の小さい線形アレイを端と端で接することにより、より大きな線形アレイを生成できる。ここで、2個の小さい線形アレイに関連付けられた水平CCDシフトレジスタ及び出力構造は、反対方向に電荷をシフトする。したがって、1つの水平CCDシフトレジスタは、線形アレイ内の光検出器の2個のサブアレイに関連付けられ、出力構造は、水平シフトレジスタの両端に接続される。このようなパターンは、より大きな規則的又は不規則パターンに集約できる。本発明による一実施形態では、水平CCDシフトレジスタは、光検出器のピッチと整合する。図5-7に示したように出力チャネルを配置することは、回転又は他の構造のCTE劣化に苦しまない複数出力線形画像センサを生成する。代わりに、複数出力線形アレイは、単一出力線形アレイ画像センサと同じ信号品質を有することができる。この向上したCTEは、より高いラインレートで動作するためにも使用できる。図8を参照すると、従来技術による線形ピクセルアレイが示される。線形アレイ800は、複数の光生成光検出器又はピクセルを有する。暗参照ピクセル区域802は、線形ピクセルアレイ800の両端に配置される。暗参照ピクセル区域は、通常、複数の暗参照ピクセルを有する。暗参照ピクセルは、通常、金属シールドのような不透明シールドにより覆われる感光性ピクセルである。暗参照ピクセルは、光生成された電荷担体つまり、入射光により生成された電荷を生成するために用いられない。代わりに、暗参照ピクセルは、照射されていないときにピクセルにより生成される暗電荷に対する補償値を決定するために用いられる。全てのピクセル暗参照及び光生成の両方は、特定量の非照射状態の電荷暗電荷を生成する。各ピクセルにより生成される暗電荷の量は、製造過程におけるばらつきにより他のピクセルとは異なり得る。光生成された電荷を生成するピクセルでは、暗電荷は、光生成された電荷に加えられるノイズを構成する。したがって、光生成ピクセルにより生成される電荷は、その電荷が実際には光生成ピクセルにより受信される光量を表さないので、誤っている可能性がある。暗参照ピクセルから出力された暗電荷の量を表す信号は、光生成ピクセルにより生成された信号から減算される。それにより、光生成ピクセルにより生成される信号に含まれる暗電荷量を除去するか、又は少なくとも低減する。従来の線形アレイ画像センサでは、暗参照ピクセル802は、線形アレイ800の端にのみ置かれる。画像がキャプチャされるとき、暗参照ピクセルは光生成電荷を生成しないので、暗参照ピクセル802は、線形アレイ800内に置くことができない。線形アレイ800内に散在された場合、暗参照ピクセルは、キャプチャされた画像内に暗い線を生成してしまうだろう。したがって、暗参照ピクセルは、線形アレイ800の端にのみ配置される。図9は、本発明による第2の実施形態における複数出力線形アレイCCD画像センサの概略ブロック図を示す。図4に示した実施形態と同様に、隣接する光検出器402、402aは、別個のサブアレイにグループ化される。水平CCDシフトレジスタ900、902、904は、光検出器毎に1又は複数の位相を有する複数のシフトレジスタ要素906を有する。光検出器402は、光生成電荷を、水平CCDシフトレジスタ900、902、904内の個々のシフトレジスタ要素906へ転送する。各水平CCDシフトレジスタ900、902、904は、出力構造428、430、432に接続される。水平CCDシフトレジスタ及び出力構造は、互いに対して線形配置に位置付けられ、水平CCDシフトレジスタ及び出力構造を通じた電荷転送経路が中断のない直線状又は実質的に直線状になるようにする。各水平CCDシフトレジスタ及び結合された関連する出力構造は、出力チャネル901、903、905を形成する。出力チャネル901、905は線形アレイ404の一方の側に配置され、出力チャネル903は線形アレイ404の反対側に配置される。画像センサ908は、暗参照ピクセル910、912、914、916を有する。4個の暗参照ピクセルのみを示すが、当業者は、画像センサが任意の数の暗参照ピクセルを有し得ることを理解するだろう。暗参照ピクセル910は、水平CCDシフトレジスタ900内の追加シフトレジスタ要素918に電気的に接続される。暗参照ピクセル910は、転送機構920を用いて、追加シフトレジスタ要素918へ電荷を転送する。暗参照ピクセル912、914は、水平CCDシフトレジスタ902内の追加シフトレジスタ要素922、924に電気的に接続される。暗参照ピクセル912、914は、転送機構926、928を用いて、個々の追加シフトレジスタ要素922、924へ電荷を転送する。最後に、暗参照ピクセル916は、水平CCDシフトレジスタ904内の追加シフトレジスタ要素930に電気的に接続され、転送機構932を用いて追加シフトレジスタ要素へ電荷を転送する。出力構造428、430、432から出力される信号は、暗参照ピクセル910、912、914、916により生成される非画像暗電荷、並びに光検出器402、402aから出力される暗及び光生成電荷担体を含む。シフトレジスタ要素918、922は、水平CCDシフトレジスタ900、902の一端、出力構造428、430から最も遠い端に位置付けられる。シフトレジスタ要素924、926は、水平CCDシフトレジスタ902、904の他端、出力構造430、432から最も近い端に位置付けられる。図9に示した実施形態の1つの利点は、暗参照ピクセルが線形アレイ404の端以外の場所に配置できることである。例えば、図示した実施形態では、暗参照ピクセル912、914は、線形アレイ404内の光生成光検出器例えば、光検出器402aの近くに位置付けられる。これは、暗参照ピクセル912、914により生成される暗電荷が光生成光検出器402aにより生成される暗電荷量を良好に表すことができるようにする。図10を参照すると、図9に示した画像センサ908を形成する方法のフローチャートが示される。先ず、ブロック1000に示すように、光検出器の線形アレイが形成される。光検出器の線形アレイは、従来知られている技術を用いて形成できる。例えば、マスクレイヤが、基板の上に置かれ、光検出器が形成される場所に開口を設けるパターンをつけられ得る。次に、特定の導電型を有するドーパントが基板に埋め込まれ、光検出器を形成する。光検出器は、ピン止めダイオード及び非ピン止めダイオードを含む任意の種類の光検出器であり得る。次に、ブロック1002に示すように、複数の水平CCDシフトレジスタが、線形アレイの片側に形成される。複数の水平CCDシフトレジスタは、線形アレイの反対側にも形成される。水平CCDシフトレジスタは、各々連続する出力チャネルが線形アレイの交互の側に配置されるように、形成される。水平CCDシフトレジスタは、従来知られている技術を用いて形成できる。例えば、マスクレイヤが、基板の上に置かれ、各シフトレジスタ要素又は各シフトレジスタ要素内の位相が形成される場所に開口を設けるパターンをつけられ得る。次に、特定の導電型を有するドーパントが基板に埋め込まれ、シフトレジスタ要素又は位相を形成する。埋め込まれた障壁も、シフトレジスタ要素又は位相間に形成されても良い。また、電極は各シフトレジスタ要素又は位相の上に形成され、水平CCDシフトレジスタを通じて電荷パケットをシフトするために用いられる個々の電圧クロック信号に電気的に接続される。通常、電極は、電極レイヤ内に形成される。2位相CCDシフトレジスタでは、交互の電極1つおきの電極は1つの電極レイヤを形成し、残りの電極は第2の電極レイヤを形成する。4位相CCDシフトレジスタでは、第1及び第3の位相又は第2及び第4の位相に渡り配置された電極は1つの電極レイヤを形成し、残りの電極は第2の電極レイヤを形成する。次に、ブロック1004に示すように、線形アレイと複数の水平CCDシフトレジスタとの間の転送機構が形成される。転送機構は、従来知られている技術を用いて形成できる。次にブロック1006、出力構造は、水平CCDシフトレジスタの一端又は両端に形成される。例えば、出力構造は、一連のマスクレイヤを基板の上に配置し、電荷検知ノード及び出力バッファの構成要素が形成される場所に開口を設けるようマスクレイヤにパターンを付けることにより、形成できる。次に、特定の導電型を有するドーパントが基板に埋め込まれ、電荷検知ノード及び出力バッファを形成する。ブロック1008に示すように、1又は複数の暗参照ピクセルは、1又は複数の出力チャネル内の水平CCDシフトレジスタに隣接して形成される。1又は複数の暗参照ピクセルは、線形アレイに直ぐに隣接する側面とは反対の水平CCDシフトレジスタの側面に形成される。暗参照ピクセルは、光検出器の線形アレイが形成されるとき、形成できる。次に、不透明シールドは、従来知られている技術を用いて暗参照ピクセルの上に形成される。暗参照ピクセルが形成される場合、追加シフトレジスタ要素は、個々の水平CCDシフトレジスタに関連付けられた各暗参照ピクセルの該個々の水平CCDシフトレジスタ内に含まれる。追加シフトレジスタ要素は、ブロック1002及び1004で水平CCDシフトレジスタが形成されるときに、形成できる。最後に、ブロック1010に示すように、出力構造内の暗参照ピクセルと複数の水平CCDシフトレジスタとの間の転送機構が形成される。転送機構は、線形アレイと水平CCDシフトレジスタとの間の転送機構と同時に形成できる。当業者は、本発明による他の実施形態が図10に示したブロックの順序を変更できることを理解するだろう。例えば、転送機構は出力構造の前に形成でき、又は線形アレイは転送機構が形成された後に形成できる。線形アレイ、水平シフトレジスタ、転送機構、出力構造又は暗参照ピクセルに含まれる複数の構成要素は、マスクレイヤを適切にパターン付けすることにより同時に形成できる。さらに、画像センサ内の他の構成要素は、図10に示した処理の間に形成できる。最後に、本発明による他の実施形態では、幾つかのブロックは省略できる。単に例として、ブロック1008及び1010が省略できる。本発明は、本発明の特定の好適な実施形態への特定の参照と共に詳細に記載されたが、種々の変形及び変更が本発明の精神及び範囲内に包含され得ることが理解されるだろう。例えば、本発明による実施形態は、4位相水平CCDシフトレジスタと関連して記載された。本発明による他の実施形態は、1又は複数の位相を有し得る。出力構造は、本願明細書に記載した電荷検知ノード及び出力バッファに追加で又はそれらと異なる構成要素を有し得る。本発明の特定の実施形態が本願明細書で記載されたが、本願はこれらの実施形態に限定されないことに留意すべきである。特に、1つの実施形態に関して記載された任意の特徴は、互換性があれば、他の実施形態でも用いることができる。また、異なる実施形態の特徴は、互換性があれば、交換可能である。