"電子部品のパッドに接触する第1のバンプを有するフィルム状の第1の部材と、前記第1の部材に重ねられた第2の部材と、を備え、前記第1の部材と前記第2の部材との間に前記電子部品を収容する試験用キャリアであって、前記第1のバンプは、前記電子部品が有する第2のバンプよりも相対的に高いことを特徴とする試験用キャリア。請求項1に記載の試験用キャリアであって、前記第1の部材は、前記電子部品の表面において複数の前記第2のバンプの間に位置する第1の領域に接触する第1のダミーバンプを有することを特徴とする試験用キャリア。請求項1又は2に記載の試験用キャリアであって、前記第1の部材は、前記電子部品の表面において外周近傍に位置する第2の領域に接触する第2のダミーバンプを有することを特徴とする試験用キャリア。請求項1~3の何れかに記載の試験用キャリアであって、前記被試験電子部品は、半導体ウェハからダイシングされたダイであることを特徴とする試験用キャリア。請求項1~4の何れかに記載の試験用キャリアであって、前記第1の部材と前記第2の部材との間に形成され、前記電子部品を収容する収容空間は、外気に比して減圧されていることを特徴とする試験用キャリア。しかしながら、試験時に非接触とすべきバンプがチップに形成されている場合に、上記のコンタクトシートでは当該バンプにフィルムが接触してしまうという問題があった。本発明が解決しようとする課題は、電子部品のバンプとの接触を回避可能な試験用キャリアを提供することである。[1]本発明に係る試験用キャリアは、電子部品のパッドに接触する第1のバンプを有するフィルム状の第1の部材と、前記第1の部材に重ねられた第2の部材と、を備え、前記第1の部材と前記第2の部材との間に前記電子部品を収容する試験用キャリアであって、前記第1のバンプは、前記電子部品が有する第2のバンプよりも相対的に高いことを特徴とする。[2]上記発明において、前記第1の部材は、前記電子部品の表面において複数の前記第2のバンプの間に位置する第1の領域に接触する第1のダミーバンプを有してもよい。[3]上記発明において、前記第1の部材は、前記電子部品の表面において外周近傍に位置する第2の領域に接触する第2のダミーバンプを有してもよい。[4]上記発明において、前記被試験電子部品は、半導体ウェハからダイシングされたダイであってもよい。[5]上記発明において、前記第1の部材と前記第2の部材との間に形成され、前記電子部品を収容する収容空間は、外気に比して減圧されていてもよい。本発明では、第1の部材が有する第1のバンプの高さが、電子部品の第2のバンプよりも相対的に高いので、第1の部材が第2のバンプと接触するのを回避することができる。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図1は本実施形態におけるデバイス製造工程の一部を示すフローチャートである。本実施形態では、半導体ウェハのダイシング後図1のステップS10の後であって最終パッケージングの前ステップS50の前に、ダイ90に作り込まれた電子回路の試験を行うステップS20~S40。本実施形態では、先ず、キャリア組立装置不図示によってダイ90を試験用キャリア10に一時的に実装するステップS20。次いで、この試験用キャリア10を介してダイ90と試験装置不図示とを電気的に接続することで、ダイ90に作り込まれた電子回路の試験を実行するステップS30、そして、この試験が終了したら、試験用キャリア10からダイ90を取り出した後ステップS40に、このダイ90を本パッケージングすることで、デバイスが最終製品として完成するステップS50。以下に、本実施形態においてダイ90が一時的に実装される仮パッケージングされる試験用キャリア10の構成について、図2~図6を参照しながら説明する。図2~図6は本実施形態における試験用キャリアを示す図である。本実施形態における試験用キャリア10は、図2~図4に示すように、ダイ90が載置されるベース部材20と、このベース部材20に被せられるカバー部材50と、を備えている。この試験用キャリア10は、大気圧よりも減圧した状態でベース部材20とカバー部材50との間にダイ90を挟み込むことで、ダイ90を保持する。ベース部材20は、ベースフレーム30と、ベースフィルム40と、を備えている。本実施形態におけるベースフィルム40が、本発明における第1の部材の一例に相当する。ベースフレーム30は、高い剛性少なくともベースフィルム40やカバーフィルム70よりも高い剛性を有し、中央に開口31が形成されたリジッド基板である。このベースフレーム30を構成する材料としては、例えば、ポリアミドイミド樹脂、セラミックス、ガラス等を例示することができる。一方、ベースフィルム40は、可撓性を有するフィルムであり、中央開口31を含めたベースフレーム30の全面に接着剤不図示を介して貼り付けられている。このように、本実施形態では、可撓性を有するベースフィルム40に、剛性の高いベースフレーム30が貼り付けられているので、ベース部材20のハンドリング性の向上が図られている。なお、ベースフレーム30を省略して、ベースフィルム40のみでベース部材20を構成してもよい。ベースフィルム40は、例えばポリイミドフィルムから構成されており、図5に示すように、その表面に配線パターン41が形成されている。この配線パターン41は、例えば、ベースフィルム40上に積層された銅箔をエッチングすることで形成されている。なお、このベースフィルム40の上に、例えばポリイミドフィルム等から構成されるカバー層を積層して配線パターン41を保護してもよい。また、配線パターン41の全部又は一部を、ベースフィルム40の表面にインクジェット印刷によってリアルタイムに形成してもよい。図5に示すように、配線パターン41の一端には、ダイ90のテスト用パッド91に接続される第1のバンプ42が立設されている。この第1のバンプ42は、例えば、銅CuやNi等から構成され、例えばセミアディティブ法によって配線パターン41の上に形成されている。この第1のバンプ42は、ダイ90のテスト用パッド91に対応するように配置されており、本実施形態では、図6に示すように、この第1のバンプ42の高さh1が、ダイ90に形成された第2のバンプ92の高さh2よりも相対的に高くなっているh1>h2。なお、図6は、試験用キャリアを組み立てて減圧後の状態を示している。図6に示すように、ダイ90において、テスト用パッド91は、シリコン基板94上に形成されてパッシベーション膜93から露出している。一方、第2のバンプ92は、パッシベーション膜93を貫通するようにシリコン基板94上に立設されており、上述のようにシリコン基板94の表面からの高さがh2となっている。この第2のバンプ92は、ダイ90を試験用キャリア10に実装する際に、ベースフィルム40と非接触とさせておくべきバンプである。第1のバンプ42の高さh1は、例えば、第2のバンプ92の高さh2、テスト用パッド91からパッシベーション膜93上の第1の領域931後述までの距離、ベースフィルム40の剛性、及び収容空間11内の圧力等に基づいて設定される。また、本実施形態では、配線パターン41上に、第1のダミーバンプ43と第2のダミーバンプ44とが立設されている。この第1及び第2のダミーバンプ43,44の高さh3は、ダイ90の第2のバンプ92の高さh2からパッシベーション膜94の厚さh4を差し引いた値よりも相対的に大きくなっているh3>h2-h4。第1のダミーバンプ43は、パッシベーション膜93の表面において複数の第2のバンプ92の間に位置する第1の領域931に対応するように形成されており、第2のバンプ92との接触を回避することが可能となっている。一方、第2のダミーバンプ44は、パッシベーション膜93の表面において外周近傍に位置する第2の領域932に対応するように形成されている。この第1及び第2のダミーバンプ43,44を構成する材料としては、例えば金属や樹脂材料等を例示することができるが、パッシベーション膜93を傷付けなければ特に限定されない。また、図6に示す例では、第1及び第2のダミーバンプ43,44が円柱形状を有しているが、第1及び第2のダミーバンプ43,44の形状は特にこれに限定されない。また、第1及び第2のダミーバンプ43,44を、配線パターン41に代えて、ベースフィルム40上に形成してもよい。なお、図7に示すように、第2のダミーバンプ44を省略してもよい。図7は本発明の他の実施形態における試験用キャリアの拡大図である。図7に示すように、ベースフィルム40が所定の剛性を有し、ベースフィルム40がパッシベーション膜93の外周縁から露出するシリコン基板94に接触しない場合には、第2のダミーバンプ44を省略することができる。本実施形態における第1のバンプ42が本発明における第1のバンプの一例に相当し、本実施形態における第1のダミーバンプ43が本発明における第1のダミーバンプの一例に相当し、本実施形態における第2のダミーバンプ44が本発明における第2のダミーバンプの一例に相当する。また、本実施形態におけるテスト用パッド91が本発明におけるパッドの一例に相当し、本実施形態における第2のバンプ92が本発明における第2のバンプの一例に相当する。図5に戻り、ベースフレーム30において配線パターン41の他端に対応する位置には、スルーホール32が貫通している。配線パターン41は、ベースフィルム40に形成された開口401を介して、スルーホール32に接続されており、このスルーホール32は、ベースフレーム30の下面に形成された外部端子33に接続されている。この外部端子33には、ダイ90に作り込まれた電子回路の試験の際に、試験装置のコンタクタ不図示が接触することとなる。図2~図4に示すように、カバー部材50は、カバーフレーム60と、カバーフィルム70と、を備えている。本実施形態におけるカバーフィルム70が、本発明における第2の部材の一例に相当する。カバーフレーム70は、高い剛性少なくともベースフィルム40やカバーフィルム70よりも高い剛性を有し、中央に開口61が形成されたリジッド板である。本実施形態では、このカバーフレーム60も、上述のベースフレーム30と同様に、例えば、ポリアミドイミド樹脂、セラミックス、ガラス等から構成されている。一方、カバーフィルム70は、可撓性を有するフィルムであり、中央開口61を含めたカバーフレーム60の全面に接着剤不図示によって貼り付けられている。本実施形態では、可撓性を有するカバーフィルム70に、剛性の高いカバーフレーム60が貼り付けられているので、カバー部材50のハンドリング性の向上が図られている。なお、カバー部材50をカバーフィルム70のみで構成してもよい。或いは、開口61が形成されていないリジッド板のみでカバー部材50を構成してもよい。以上に説明した試験用キャリア10は、次のように組み立てられる。先ず、テスト用パッド91を第1のバンプ42に位置合わせした状態で、ダイ90をベース部材20のベースフィルム40上に載置する。この際、図6に示すように、第1のダミーバンプ43が、ダイ90における第1の領域931に当接すると共に、第2のダミーバンプ44が、ダイ90における第2の領域932に当接する。次いで、大気圧に比して減圧した環境下で、ベース部材20の上にカバー部材50を重ねて、ベース部材20とカバー部材50との間にダイ90を挟み込む。この際、ベース部材20のベースフィルム40と、カバー部材50のカバーフィルム70と、が直接接触するように、ベース部材20上にカバー部材50を重ねる。因みに、特に図示しないが、ダイ90が比較的厚い場合には、ベースフレーム30とカバーフレーム60とが直接接触するように、ベース部材20にカバー部材50を重ねてもよい。次いで、ベース部材20とカバー部材50との間にダイ90を挟み込んだ状態のまま、試験用キャリア10を大気圧環境に戻すことで、ベース部材20とカバー部材50との間に形成された収容空間11内にダイ90が保持される。なお、ダイ90のテスト用パッド91と、ベースフィルム40の第1のバンプ42とは、半田等で固定されていない。本実施形態では、収容空間11が大気圧に比して負圧となっているので、ダイ90がベースフィルム40とカバーフィルム70によって押圧されて、ダイ90のテスト用パッド91とベースフィルム40の第1のバンプ42とが相互に接触している。また、収容空間11が大気圧に比して負圧となっているので、図6に示すように、ベースフィルム40がダイ90に向かって引き寄せられているが、本実施形態では、第1のバンプ42の高さh1が第2のバンプ92の高さh2よりも相対的に高くなっているh1>h2ので、第1のバンプ42がベースフィルム40を支える支柱として機能し、第1のバンプ42を中心としてベースフィルム40が傘状に広がっている。このため、本実施形態では、テスト用パッド91の周囲に位置する第2のバンプ92がベースフィルム40と接触するのを回避することができ、第2のバンプ92の変形を防止することができる。同様に、本実施形態では、第1のダミーバンプ43の高さh3が、ダイ90の第2のバンプ92の高さh2からパッシベーション膜94の厚さh4を差し引いた値よりも相対的に大きくなっているh3>h2-h4ので、テスト用パッド91から離れた場所に位置する第2のバンプ92がベースフィルム40と接触するのを回避することができ、第2のバンプ92の変形を防止することができる。さらに、本実施形態では、第2のダミーバンプ44によって、ベースフィルム40の配線パターン41が、ダイ90のシリコン基板94においてパッシベーション膜93から露出する端面と接触して短絡するのを防止することができる。なお、第2のダミーバンプ44の高さは、配線パターン41がシリコン基板94と接触しなければ、上述のh3に特に限定されない。なお、図3に示すように、ベース部材40とカバー部材50は、位置ズレを防止すると共に密着性を向上させるために、接着部90で相互に固定されていてもよい。この接着部80を構成する接着剤81としては、例えば、紫外線硬化型接着剤を例示することができる。この接着剤81は、図2及び図4~図5に示すように、ベース部材20においてカバー部材50の外周部に対応する位置に塗布されており、ベース部材20にカバー部材50を被せた後に紫外線を照射して当該接着81を硬化させることで、接着部80が形成される。なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。例えば、上述の実施形態では、ベースフィルム40のみに配線パターン41を形成したが、ベースフィルム40に加えてカバーフィルム70に形成してもよい。また、上述の実施形態では、外部端子33をベースフレーム30に形成したが、特にこれに限定されず、ベースフィルム40、カバーフレーム60、又はカバーフィルム70に形成してもよい。"