金属箔上に、該金属箔より電気抵抗率の高い膜を有する電気抵抗膜付金属箔であって、該電気抵抗膜は、CrSiO又はNiCrSiOからなる酸化物系抵抗膜と温度変化に対して電気抵抗の変化が少ない金属Cr膜との多層構造を有することを特徴とする電気抵抗膜付金属箔。電気抵抗膜は、前記酸化物系抵抗膜と温度変化に対して電気抵抗の変化が少ない金属Cr膜との2層構造を有することを特徴とする請求項1記載の電気抵抗膜付金属箔。電気抵抗膜は、前記酸化物系抵抗膜の両面に温度変化に対して、電気抵抗の変化が少ない金属膜を設けたサンドイッチ構造を有することを特徴とする請求項1又は2記載の電気抵抗膜付金属箔。前記金属箔が、銅または銅合金箔であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の電気抵抗膜付金属箔。真空装置内に電気抵抗材料からなるカソードを配置し、金属箔をカソードに対面させて搬送しつつ、カソードをターゲットとしてスパッタリングし、該金属箔上にターゲット材を成膜する電気抵抗膜付金属箔の製造方法であって、金属箔に対面させて、少なくとも2つ以上のカソードを並置し、金属箔上に電気抵抗膜と温度変化に対して電気抵抗の変化が少ない金属膜を順次成膜することを特徴とする電気抵抗膜付金属箔の製造方法。前記金属箔が銅または銅合金箔であり、前記電気抵抗膜がCrSiO又はNiCrSiOからなる酸化物系抵抗膜であり、温度変化に対して電気抵抗の変化が少ない金属膜が、Cr膜であることを特徴とする請求項5記載の電気抵抗膜付金属箔の製造方法。本願発明は、従来利用されている内蔵抵抗体の上記のような問題に鑑み、金属箔の上に設ける電気抵抗体を多層構造とし、抵抗が比較的高い状態でも温度特性の良い、すなわち温度の変化に対して、電気抵抗の変化が小さい内蔵抵抗体を提供する内蔵抵抗体を提供することを課題とする。本発明は、この内蔵抵抗体の温度特性を改善できる新しい構造を提供できるとの知見を得た。この知見に基づき、本発明は、1金属箔上に、該金属箔より電気抵抗率の高い膜を有する電気抵抗膜付金属箔であって、該電気抵抗膜は、CrSiO又はNiCrSiOからなる酸化物系抵抗膜と温度変化に対して電気抵抗の変化が少ない金属Cr膜との多層構造を有することを特徴とする電気抵抗膜付金属箔、を提供する。また、本発明は、2電気抵抗膜は、前記酸化物系抵抗膜と温度変化に対して電気抵抗の変化が少ない金属Cr膜との2層構造を有することを特徴とする上記1記載の電気抵抗膜付金属箔、を提供する、を提供する。また、本発明は、3電気抵抗膜は、前記酸化物系抵抗膜の両面に温度変化に対して、電気抵抗の変化が少ない金属膜を設けたサンドイッチ構造を有することを特徴とする上記1又は2記載の電気抵抗膜付金属箔、を提供する。また、本発明は、4前記金属箔が、銅または銅合金箔であることを特徴とする上記1~3のいずれか一項に記載の電気抵抗膜付金属箔、を提供する。また、本発明は、5真空装置内に電気抵抗材料からなるカソードを配置し、金属箔をカソードに対面させて搬送しつつ、カソードをターゲットとしてスパッタリングし、該金属箔上にターゲット材を成膜する電気抵抗膜付金属箔の製造方法であって、金属箔に対面させて、少なくとも2つ以上のカソードを並置し、金属箔上に電気抵抗膜と温度変化に対して電気抵抗の変化が少ない金属膜を順次成膜することを特徴とする電気抵抗膜付金属箔の製造方法、を提供する。また、本発明は、6前記金属箔が銅または銅合金箔であり、前記電気抵抗膜がCrSiO又はNiCrSiOからなる酸化物系抵抗膜であり、温度変化に対して電気抵抗の変化が少ない金属膜が、Cr膜であることを特徴とする上記5記載の電気抵抗膜付金属箔の製造方法、を提供する。本発明は、金属箔の上に設ける電気抵抗体を多層構造とし、抵抗が比較的高い状態でも温度特性の良い、すなわち温度の変化に対して、電気抵抗の変化が小さい内蔵抵抗体を提供することができる大きな効果を得ることができる。これによって、より高い電気抵抗膜層を金属箔に内蔵させることができ、回路設計の際に、新たに別の電気抵抗素子を単独に形成する必要がなく、金属箔に形成された電気抵抗膜層を、塩化第二銅等のエッチング溶液を用いて、抵抗素子を露出させるだけでよいので、半田接合が不要となるか又は大きく軽減され、実装工程が著しく簡素化されるという効果を有する。さらに、実装部品や半田数が低減される結果、スペースが拡張でき小型軽量になるという利点もある。これによって回路設計の自由度を向上させることができる。また、このように金属箔により高い抵抗体を内蔵させることにより、多くの利点を得ることができる効果を備えている。薄膜抵抗体を実装するときの模式図を、図2に、図3とその断面を示す。1aは薄膜抵抗体、1bは金属箔ボンディングパット、基板となる絶縁体1cへ抵抗内蔵金属箔を貼り付け、フォトエッチング技術を利用して金属箔と不要抵抗体を除去することによって図2の構造が作られる。従来1aの薄膜抵抗体はCrSiOもしくはNiCrSiO等が利用され、金属箔を巻取りながらその表面へスパッタリング法により作り付けられる。このNiCrSiOの抵抗温度係数1°C当りの抵抗変化率は、150ppm程度であり、温度変化に対して電気抵抗の低下が大きいという問題があった。本発明は、従来のこのような欠点を改良する発明である。本発明の抵抗内蔵金属箔の例を、図1に示す。1bはベースの銅箔、1aはNiCrSiOで抵抗の高い抵抗体である。層3aには、金属Crを使用した。本発明は従来の単層内蔵抵抗体へ3aのCr膜金属を付加した2層膜抵抗体により温度特性を改良する方法である。層3aと層1aを反対にしてもよい。また、層3aの金属を層1aの抵抗体でサンドイッチ構造にしてもよい。さらに、この逆のサンドイッチ構造にすることもできる。金属Cr以外の他の金属、例えばバナジウム、タングステン、ジルコニウム、モリブデン、タンタル、ニッケル、クロム等の材料を用いることもできる。この抵抗内蔵金属箔を製造に際しては、NiCrSiOターゲットとCrターゲットの2種類を装備した巻取り型スパッタリング装置内で、金属箔を巻取りながら、第一の層NiCrSiOを、数10nm膜付けする。スパッタリング装置内の真空チャンバーには、アルゴンガスを導入し、圧力を約0.4paに保つ。カソードターゲットに高圧電圧を印加すると、プラズマ状態となりターゲット材が飛び出し、金属箔上へスパッタリングされる。比較例として、銅箔上にNiCrSiOを単層で40nm成膜した。この抵抗層付き箔をエポキシ樹脂基板上に積層し、エッチングによって、約6mm角の抵抗素子を形成した。その上で、抵抗素子の抵抗値を100°C、24°C、-196°Cで測定し、その結果から抵抗温度係数を算出した。このときのシート抵抗値は960Ω/sqであり、抵抗温度係数は150ppmであった。これに対し実施例として、第一の層NiCrSiOを金属箔に約16nm成膜した後、連続して第二層目に、Crを約8.5nm膜付けし、比較例と同様に積層素子形成抵抗値測定を実施した。このときのCr/NiCrSiOの2層でのシート抵抗値は901Ω/sqで、また抵抗温度係数は2ppmであり、抵抗層二層化によって、抵抗温度係数の著しい改善が見られた。このように、本願発明の薄膜抵抗体を内蔵した金属箔であるが、一方は、CrSiO又はNiCrSiOの酸化物系抵抗材料を選択し、他方の金属層としては、例えばバナジウム、タングステン、ジルコニウム、モリブデン、タンタル、ニッケル、クロム等の材料を用いることもできる。これら自体もまた、電気抵抗素子の材料として用いられるものであるが、いずれも正の温度抵抗係数を持った材料である。これらの金属材料は、それぞれ単独の膜として又は他の元素との合金膜として使用することができる。また、アルミニウム、シリコン、銅、鉄、インジウム、亜鉛、錫等の、比較的電気抵抗の低い材料であっても、それを他の元素と合金化することにより、電気抵抗が高くなる材料であれば、当然使用できる。例えば、NiCr合金、NiCrAlSi合金等の電気抵抗素子も、前記CrSiO又はNiCrSiOの酸化物系抵抗材料との積層材料として、使用することができる。これらの材料の選択は回路設計に応じて任意に選択することができる。いずれも、酸化物系の抵抗膜と温度変化に対して電気抵抗の変化が少ない金属膜として使用することが可能である。この電気抵抗膜層の形成に際しては、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンビームめっき法などの物理的表面処理方法、熱分解法、気相反応法などの化学的表面処理法、又は電気めっき法、無電解めっき法などの湿式表面処理法を用いて形成することができる。一般には、電気めっき法が低コストで製造できる利点がある。また、スパッタリング法は、均一な厚みの膜であり、かつ等方性を備えているので、品質の高い抵抗素子を得ることができるという利点がある。この電気抵抗膜層の形成は、膜の用途に応じて形成されるものであり、その場合の付着方法又はめっき方法は、その電気抵抗膜層の性質に応じて、適宜選択することが望ましいと言える。本願発明の抵抗膜層を備えた金属箔としては、銅箔が代表的な材料である。一般に、箔厚が5~70μmの銅箔、特に5~35μm銅箔を使用することができる。この銅箔の厚みは、用途に応じて任意に選択できるが、製造条件からくる制約もあり、上記の範囲で製造するのが効率的である。さらに、本願発明は、電解銅箔又は圧延銅箔の粗化処理を施した面に、電気抵抗層を形成することができる。また、電解銅箔のマット面に、さらに節ふしこぶ状の粒子を付着させる粗化処理を行うこともできる。また、必要に応じて、圧延銅箔への粗化処理も行うこともできる。上記粗化処理によって、Rz0.3~10.0μmの低プロファイル銅箔又は標準プロファイル等の粗化面を得ることができる。本発明は、これらの金属箔へ2種以上の電気抵抗膜層を内蔵させることができる。