"半導体発光素子の電極部と実装基板の電極部との接合中に前記実装基板の電極部に電力を供給して前記半導体発光素子を発光させ、発光した前記半導体発光素子の光学特性を検出し、検出した前記光学特性に基づいて前記半導体発光素子の電極部と前記実装基板の電極部との接合を制御する半導体発光素子の実装方法。半導体発光素子の電極部と実装基板の電極部との接合中に前記実装基板の電極部に電力を供給して前記半導体発光素子を発光させ、発光した前記半導体発光素子の光学特性を検出し、検出した前記光学特性に基づいて前記半導体発光素子の電極部と前記実装基板の電極部との接合を制御するに際し、押圧によって前記接合を制御した後、超音波によって前記接合を制御する半導体発光素子の実装方法。半導体発光素子の電極部と実装基板の電極部との接合中に前記実装基板の電極部に電力を供給して前記半導体発光素子を発光させ、発光した前記半導体発光素子の光学特性を検出し、前記光学特性の色度が規定色度範囲内に入ると共に、前記光学特性の輝度が規定輝度以上になったことを検出して接合を完了する半導体発光素子の実装方法。前記半導体発光素子を前記実装基板に押圧する押圧機構の内部に形成された吸着孔を介して前記半導体発光素子を吸着保持し、前記吸着孔を通して前記半導体発光素子の光学特性を検出する請求項1~3の何れかに記載の半導体発光素子の実装方法。前記半導体発光素子を前記実装基板に押圧する押圧機構の内部に形成された吸着孔を介して前記半導体発光素子を吸着保持し、前記吸着孔を通して検出した前記半導体発光素子の第1の光学特性と、光透過性のコア材を前記吸着孔の内周に沿って配置した光導波路を通して検出した前記半導体発光素子の第2の光学特性とを、受光面積の比に基づいて重み付け処理した加算値に基づいて、前記半導体発光素子の電極部と前記実装基板の電極部との接合を制御する請求項1~3の何れかに記載の半導体発光素子の実装方法。検出した前記光学特性が、予め入力された閾値を超えている場合に接合が完了したと判定する請求項1~3,5の何れかに記載の半導体発光素子の実装方法。検出した前記光学特性が、予め入力された閾値を一度上回った後に前記閾値を下回った場合に接合が過剰であると判定する請求項1または2記載の半導体発光素子の実装方法。その内部に半導体発光素子を吸着するための吸着孔が形成され、吸着した半導体発光素子を押圧する押圧機構と、実装基板を保持するステージと、前記ステージに保持された前記実装基板の電極部に電力を供給する電力供給部と、前記吸着孔からの光の光学特性を検出する光学特性検出器と、前記光学特性検出器の検出値に基づいて前記押圧機構の押圧を制御する処理制御部とを設けた半導体発光素子の実装装置。その内部に半導体発光素子を吸着するための吸着孔が形成され、吸着した半導体発光素子を押圧する押圧機構と、前記半導体発光素子に超音波を印加する超音波印加機構と、実装基板を保持するステージと、前記ステージに保持された前記実装基板の電極部に電力を供給する電力供給部と、前記吸着孔からの光の光学特性を検出する光学特性検出器と、前記光学特性検出器の検出値に基づいて、前記押圧機構による押圧または前記超音波印加機構による超音波を制御する処理制御部とを設けた半導体発光素子の実装装置。その内部に半導体発光素子を吸着するための吸着孔が形成されると共に、前記吸着孔の内周に沿って光導波路が配置され、吸着した半導体発光素子を押圧する押圧機構と、実装基板を保持するステージと、前記ステージに保持された前記実装基板の電極部に電力を供給する電力供給部と、前記吸着孔からの光の光学特性を検出する第1光学特性検出器と、前記光導波路からの光の光学特性を検出する第2光学特性検出器と、前記第1光学特性検出器および前記第2光学特性検出器の検出値に基づいて前記押圧機構の押圧を制御する処理制御部とを設けた半導体発光素子の実装装置。前記処理制御部は、前記第1光学特性検出器で検出した検出値と、前記第2光学特性検出器で検出した検出値とを、受光面積の比に基づいて重み付け処理した加算値に基づいて、前記押圧機構の押圧を制御する請求項10に記載の半導体発光素子の実装装置。前記吸着孔の直径が0.05mm以上である請求項8~10の何れかに記載の半導体発光素子の実装装置。前記吸着孔の直径が前記半導体発光素子の対角径の0.2倍以下である請求項8~10の何れかに記載の半導体発光素子の実装装置。前記吸着孔の表面にコーティング材料がコーティングされた請求項8~10の何れかに記載の半導体発光素子の実装装置。前記コーティング材料が、SiO2またはMgF2である請求項14記載の半導体発光素子の実装装置。前記吸着孔の表面が鏡面状に加工された請求項8~10の何れかに記載の半導体発光素子の実装装置。しかしながら、特許文献1の技術では、実装前の半導体発光素子の特性しか保証することができない。また、特許文献2の技術では、実装後の半導体発光素子の最終的な接合信頼性しか保証できない。すなわち、特許文献2の技術は、光学特性までを保証するものでなく、光学特性が不良であった場合には半導体発光素子を交換する必要がある。そのため、多額のロスが発生する場合がある。また、一般的な実装技術はオープンループ制御であるために、接合が完了しているにも関わらず、半導体発光素子に接合エネルギーを加えてしまうことがある。また、オープンループ制御であるために、接合が不十分な状態で半導体発光素子の実装工程が終了してしまうことがある。その結果、半導体発光素子の割れや半導体発光素子の内部の発光層へのダメージによる不良が発生してしまう場合がある。本発明は、より高い信頼性で半導体発光素子を実装基板に実装する技術を提供することを目的とする。本発明の半導体発光素子の実装方法は、半導体発光素子の電極部と実装基板の電極部との接合中に前記実装基板の電極部に電力を供給して前記半導体発光素子を発光させ、発光した前記半導体発光素子の光学特性を検出し、検出した前記光学特性に基づいて前記半導体発光素子の電極部と前記実装基板の電極部との接合を制御することを特徴とする。また、本発明の半導体発光素子の実装方法は、半導体発光素子の電極部と実装基板の電極部との接合中に前記実装基板の電極部に電力を供給して前記半導体発光素子を発光させ、発光した前記半導体発光素子の光学特性を検出し、検出した前記光学特性に基づいて前記半導体発光素子の電極部と前記実装基板の電極部との接合を制御するに際し、押圧力によって前記接合を制御した後、超音波によって前記接合を制御することを特徴とする。また、本発明の半導体発光素子の実装方法は、半導体発光素子の電極部と実装基板の電極部との接合中に前記実装基板の電極部に電力を供給して前記半導体発光素子を発光させ、発光した前記半導体発光素子の光学特性を検出し、前記光学特性の色度が規定色度範囲内に入ると共に、前記光学特性の輝度が規定輝度以上になったことを検出して接合を完了することを特徴とする。本発明の半導体発光素子の実装装置は、その内部に半導体発光素子を吸着するための吸着孔が形成され、吸着した半導体発光素子を押圧する押圧機構と、実装基板を保持するステージと、前記ステージに保持された前記実装基板の電極部に電力を供給する電力供給部と、前記吸着孔からの光の光学特性を検出する光学特性検出器と、前記光学特性検出器の検出値に基づいて前記押圧機構の押圧を制御する処理制御部とを設けたことを特徴とする。また、本発明の半導体発光素子の実装装置は、その内部に半導体発光素子を吸着するための吸着孔が形成され、吸着した半導体発光素子を押圧する押圧機構と、前記半導体発光素子に超音波を印加する超音波印加機構と、実装基板を保持するステージと、前記ステージに保持された前記実装基板の電極部に電力を供給する電力供給部と、前記吸着孔からの光の光学特性を検出する光学特性検出器と、前記光学特性検出器の検出値に基づいて、前記押圧機構による押圧または前記超音波印加機構による超音波を制御する処理制御部とを設けたことを特徴とする。また、本発明の半導体発光素子の実装装置は、その内部に半導体発光素子を吸着するための吸着孔が形成されると共に、前記吸着孔の内周に沿って光導波路が配置され、吸着した半導体発光素子を押圧する押圧機構と、実装基板を保持するステージと、前記ステージに保持された前記実装基板の電極部に電力を供給する電力供給部と、前記吸着孔からの光の光学特性を検出する第1光学特性検出器と、前記光導波路からの光の光学特性を検出する第2光学特性検出器と、前記第1光学特性検出器および前記第2光学特性検出器の検出値に基づいて前記押圧機構の押圧を制御する処理制御部とを設けたことを特徴とする。本発明によれば、半導体発光素子の電極と実装基板の電極部との安定した良好な接合を得ることができ、より高い信頼性で半導体発光素子を実装基板に実装することができる。以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。実施の形態1図1は、本発明の実施の形態1の半導体発光素子の実装装置の構成図である。図2は、本実施の形態1のヘッド部とその周辺の拡大要部断面図である。図3a~eは、本実施の形態1の第1~5工程図である。図2は、ヘッド部4において、押圧機構9および移動機構10のみ、その断面を示した図である。図3aでは、実装基板3および半導体発光素子2を上下から挟持する周辺部分について、上下に間隔を空けて図示している。図1に示す実装装置1は、ヘッド部4と、ステージ5と、電力給電部6と、光学特性測定部7と、処理制御部8とを備える。ヘッド部4は、電極部としてのバンプ電極26を備える半導体発光素子2を、図3bのように保持して実装する。ステージ5は、半導体発光素子2が実装される実装基板3が載置される。電力給電部6は、実装中の半導体発光素子2へ電力を供給する。光学特性測定部7は、実装中の半導体発光素子2の光学特性値を測定する。処理制御部8は、実装装置1の動作を制御する。図2に示すように、ヘッド部4は、押圧機構9と、移動機構10とで構成される。押圧機構9は、保持した半導体発光素子2を、下方に押圧する。移動機構10は、押圧機構9を実装基板3の所定の実装位置に移動させる。押圧機構9の全体形状は、その内部に吸着孔11が形成された筒状である。押圧機構9の直径は、半導体発光素子2の対角径の1.0倍以上1.5倍以下である。吸着孔11の直径は、0.05mm以上、かつ、半導体発光素子2の対角径の0.2倍以下である。なお、一般的な半導体発光素子2の対角径は0.3mm~1.0mm程度である。吸着孔11には、負圧源12に連通する吸引用通路13が接続されている。半導体発光素子2は、吸着孔11および吸引用通路13を介し、負圧源12による吸着動作にて保持される。押圧機構9の先端で開口した吸着孔11の終端には、図2に示すように光学特性検出器第1光学特性検出器14が設けられている。光学特性検出器14は、吸着孔11に進入してきた光を検出する。そして、光学特性検出器14は、光学特性測定部7を介し、処理制御部8の処理部15へ向けて、検出した光の波長単位に応じた強度情報を送出する。なお、吸着孔11の内周面表面には、光を高効率に反射または伝搬する物質で低屈折率のコーティング材料16のコーティングが施されている。このコーティング材料16は、進入してきた光を、低減衰率にて効率的に光学特性検出器14に導く。このコーティング材料16により、吸着孔11に微弱な光が入ってきた場合でも、光学特性検出器14で光が検出可能となる。コーティング材料16には、屈折率1.5程度のSiO2やMgF2が好ましい。また、吸着孔11の内周面表面を鏡面状に加工してもよい。吸着孔11の内周面光導波路の表面を鏡面状に加工した場合は、若干反射率は低下するが、容易に反射面が形成できる。ステージ5は、実装基板保持部17と、移動機構18とで構成される。実装基板保持部17は、載置された実装基板3を吸引吸着する。移動機構18は、実装基板保持部17を水平面内で移動させる。電力給電部6は、電力を供給する直流電源19と、プローブ22と、電圧を測定するための電圧測定器20と、プローブ23とで構成される。プローブ22は、実装基板3の電極部21に接触して直流電源19と電極部21を電気接続する。プローブ23は、実装基板3の電極部21に接触して電圧測定器20と電気接続する。光学特性測定部7は、光学特性検出器14の出力を処理して、処理制御部8の処理部15に出力する。処理制御部8は、演算処理を行う回路および各種駆動回路を有する。処理制御部8は、ヘッド部4、ステージ5、電力給電部6、および、光学特性測定部7を制御する。図1では、処理制御部8の要部の構成要素として、処理部15、押圧制御部24、メモリ25だけを図示している。処理部15は、光学特性測定部7からの測定値を処理する。押圧制御部24は、押圧機構9の力制御を行う。メモリ25は、閾値Φthの判定用データ等を保持する。次に、図4のフローチャートを参照して処理制御部8の具体的な構成を説明する。ステップS1では、図3bに示すように、半導体発光素子2がヘッド部4の押圧機構9に吸着保持される。また、実装基板3が実装基板保持部17の上に載置されて、吸着保持される。すなわち、半導体発光素子、実装基板をロードする。ステップS2では、図3cに示すように、移動機構10,18によって半導体発光素子2と実装基板3とが実装所定位置に移動し、これらの位置合わせが行われる。ステップS3では、図2に示すように、プローブ22,23が実装基板3の電極部21に接触し、直流電源19、電圧測定器20によって実装基板3の電気特性値を測定する。ここで、電気特性値とは、インピーダンス値や静電容量等の物理量を表す。ステップS4では、ステップS3での測定結果に基づいて、実装基板3での電極ショート等の異常の有無を判定する。ステップS4の判定の結果、異常が検出された場合ステップS4で異常無NOの場合には、後述のステップS11へ進む。ステップS4において異常が存在しないステップS4で異常無YESことが確認された場合には、ステップS5~ステップS8のルーチンを、ステップS7において接合完了と判定されるまで繰り返し実行する。ステップS5では、押圧制御部24が押圧機構9を制御して、半導体発光素子2を実装基板3に向かって押圧する。ステップS6では、半導体発光素子2に対する押圧が継続的に行われている間ステップS5の押圧工程の間に電力供給部6により半導体発光素子2へ電力を供給し、半導体発光素子2を発光させる。そして、ステップS6では、半導体発光素子2の発光と同時に、光学特性検出器14により実装基板3の光学特性値が測定される。ここで光学特性値とは、発光輝度や色度等の物理量を表す。ステップS7では、ステップS6での測定結果に基づいて、処理部15が接合完了か否かを判定する。具体的には、処理部15が、光学特性測定部7によって測定された光学特性値とメモリ25に記憶されている閾値Φthとを比較し、測定結果が閾値Φthを上回った場合に接合が完了したと判定する。この閾値Φthを図5によって詳しく説明する。図5は、半導体発光素子2のバンプ電極26を、実装基板3の電極部21に一定圧力で押圧し続けた場合における光学特性値の遷移を示している。ここで、半導体発光素子2のバンプ電極26が実装基板3の電極部21に接触する時間をT1とする。この図5から、T1以降のしばらくの間は、半導体発光素子2の発光部の光学特性値は上昇していき、その後ほぼ一定値となることが分かる。半導体発光素子2の発光部の光学特性値が上昇後にほぼ一定値となることは、接合が正常な場合でも、接合が異常な場合でも、発生する。接合が正常な場合図5の30の場合でも、一定圧力で押圧し続けた場合は、その後、余分なエネルギーにより半導体発光素子2の発光部のダメージやバンプ電極26のショートやオープン、また場合によっては発光部の割れ等が発生する。ここで、図5の30aの時点が、発光部の割れが発生した状態を表している。接合が異常な場合図5の31,32の場合には、半導体発光素子2のバンプ電極26を実装基板3の電極部21に一定圧力で押圧し続けても実装中の半導体発光素子2の光学特性値が閾値Φthに達しない。正常な実装時には光学特性値が一定値図5のΦth以上になるため、実装中の半導体発光素子2の光学特性値を閾値Φthを基準に判定することによって、非破壊にて実装途中の接合状態を判定できる。ステップS7において接合が未完了ステップS7で接合完了NOと判定されると、ステップS8へ進む。そして、ステップS8において接合に異常が有るか否かを処理部15で判定し、異常無しステップS8で異常無YESと判定されてステップS5に戻り、ステップS5~ステップS7を実行する。ステップS7において接合が完了したと判定された場合ステップS7で接合完了YESの場合には、ステップS9を実行する。ステップS9では、処理部15が接合完了通知信号を押圧制御部24に送信し、この信号を受けた押圧制御部24が押圧機構9による半導体発光素子2の押圧を停止する。次いでステップS10では、実装基板保持部17による吸着保持を解除した状態でヘッド部4が図3dに示すように上昇し、半導体発光素子2付きの実装基板3がアンロードされる。実装基板3をアンロードし、押圧機構9による半導体発光素子2の吸着保持を解除することによって、図3eに示すように半導体発光素子の実装処理が完了する。ステップS8では、例えば、ある一定時間の押圧処理にも関わらず、半導体発光素子2の光学特性値が閾値Φthを上回らない場合ステップS8の異常無NOの場合に、ステップS11へ進む。このとき、ステップS8の異常無NOとして、半導体発光素子2の発光部のクラックやダメージ、バンプ電極26のショートやオープン等の異常が有ると判定している。ステップS11において、異常通知信号を押圧制御部24に送信する。ステップS11での異常通知信号を受けた押圧制御部24は、ステップS9において、押圧機構9による半導体発光素子2の押圧を停止する。このように、本実施の形態1の実装装置1では、半導体発光素子2を実装基板3に接合する押圧工程の途中に、光学特性測定部7により半導体発光素子2の光学特性値を測定する。そして、この光学特性値の測定結果に基づいて、半導体発光素子2と実装基板3との接合が完了したか否かが判定される。これにより、光学特性値が不十分であるにも関わらず接合動作が終了してしまうことが防止され、安定した接合強度および光学特性が得られる。また、光学特性値が十分であるにも関わらず過剰に接合動作が行われることも防止できる。そのため、半導体発光素子2の発光部のクラックやダメージ、バンプ電極26の損傷ショート、オープン等も抑制することができる。なお、本実施の形態1では、検出された光学特性値に応じて押圧工程の完了タイミングを制御したが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、押圧工程の完了タイミングのみならず、検出された光学特性値に応じて押圧工程に係る任意のパラメータをリアルタイムに制御しても良い。制御対象パラメータの一例として、押圧工程における押圧力が挙げられる。検出された光学特性値に応じた押圧力の制御例を図6に示す。図6は、検出された光学特性値が低い間は押圧力を大きくし、検出される光学特性値の上昇に応じて押圧力を下げる例を示したものである。この場合、図6のような光学特性値と押圧力との関係を示すデータを、判定用データとして予めメモリ25に記憶しておく。そして、この判定用データに基づいて、処理部15から押圧制御部24に押圧力に応じた制御信号を送信すればよい。もちろん、図6の制御例は単なる一例に過ぎず、実際の実装条件に応じた適切な制御を採用できる。また、本実施の形態1では、装置を小型化するために押圧機構9に光学特性検出器14を設けている。だが、本発明は、これに限定されるものではなく、例えば、押圧機構9の外部に光学特性検出器14を設け、吸着孔11に入射した光を光ファイバー等にて光学特性検出器14に導くような構成も可能である。実施の形態2図7は、本発明の実施の形態2の半導体発光素子の実装装置の要部構成図である。前述の実施の形態1では、吸着孔11が空気通路であり、ここを伝搬する光を光学特性検出器14で検出して、光学特性測定部7を介して処理制御部8が接合の押圧力を制御した。だが、吸着孔11の伝搬周波数特性はコーティング材料16の反射特性に左右されるため、広範囲の色度における輝度を測定して処理制御部8が接合の押圧力を制御するためには、検出光の伝搬周波数特性をより平坦化することが望ましい。そこで、この実施の形態2では、複数本の光ファイバー33を、吸着孔11の内周面に沿って環状に配置している。この光ファイバー33は、その先端が吸着孔11の半導体発光素子2の側に位置され、その他端が光学特性検出器14の側に位置されたコア材を有する光導波路である。さらに、本実施の形態2では、光学特性検出器14とは別の第2光学特性検出器34を設けている。複数本の光ファイバー33のコア材中を伝搬した光は、第2光学特性検出器34によって検出される。この場合、光学特性検出器14は、環状に配置された光ファイバー33によって囲まれた空気通路を伝搬する光だけを検出している。光ファイバー33の外周面をコーティング材料16でコーティングすることも考えられる。光学特性検出器14で検出された出力以下、第1検出出力とすると第2光学特性検出器34で検出された出力以下、第2検出出力とするは、それぞれ光学特性測定部7を介して処理制御部8に入力されている。光学特性測定部7とは具体的には分光器であって、光の周波数毎の強度を測定して出力する。光学特性測定部7を介して処理制御部8に入力された第1検出出力と第2検出出力は、処理部15において、光学特性検出器14と第2光学特性検出器34との入射面積が異なっていても単位面積当たりの割合が同じになるように重み付けされる。このようにして、単位面積当たりの割合が同じになるように重み付けした後に、第1検出出力と第2検出出力とを加算して、押圧制御部24に出力する。処理部15での重み付けを、詳しく説明する。第1検出出力をA1とし、光学特性検出器14の入射面積をN1とし、第2検出出力をA2とし、第2光学特性検出器34の入射面積をN2とする。このようにした場合、処理部15の出力には、例えば、A1N2A2N1して出力される。本実施の形態2において、その他の数値や計算は、実施の形態1と同じであるため、説明を省略する。本実施の形態2は、このように構成することで、光学特性測定部7を介して処理制御部8に入力する検出信号の周波数特性を、実施の形態1の場合よりも平坦化することができる。そのため、輝度と色度のばらつきを少なくした実装状態を実現できる。実施の形態3図8と図9は、本発明の実施の形態3の半導体発光素子の実装装置を示す。ここで、半導体発光素子の一例が液晶ディスプレイパネルを背面から照明するバックライトの場合について、例に挙げて説明する。バックライトの場合には、発光色が白色の多数の発光素子を所定間隔で縦方向と横方向に実装することが必要である。さらに、バックライトの場合には、それに加えて、隣接する発光素子との間では、明るさのバラツキが少なく、かつ発光色のバラツキが少ないことが要求されている。明るさと発光色のバラツキが発生する原因を、検討する。発光素子の電極部に形成されているバンプ電極を、実装基板3の電極部21に押し付けて実装する。ここで、押し付けて実装する前の発光素子の明るさと発光色のバラツキが無い場合でも、押し付け力のバラツキが生じると、バンプ電極26のつぶれ方のバラツキが生じ、結果としてバンプ電極26の電極部21との接触面積のバラツキが生じる。具体的には、バンプ電極26の電極部21との接触面積が大きい場合には、通電に伴う発光素子の発熱が、バンプ電極26を介して電極部21に良好に放熱される。これに対して、バンプ電極26の電極部21との接触面積が小さい場合には、通電に伴う発光素子の発熱がバンプ電極26を介して電極部21に放熱されにくい。そのため、接触面積が小さい場合には、発光素子の温度が上昇して、通電時間の経過に伴って明るさが低下する。さらに、バンプ電極26の電極部21との接触面積が同じであっても、バンプ電極26と電極部21との界面の状態によっては、発光色の色度が僅かに変動する。そこで、この実施の形態3では、輝度を目標輝度に近付けるだけでなく、色度も目標色度に近付けている。そのために、本実施の形態3では、実装基板3の直下で、かつ、実装基板保持部17と移動機構18の間に、超音波印加機構35を介装している。さらに、処理制御部8は、図9aに示す制御を実行するように構成されている。その他は実施の形態2と同じであるため、説明は省略する。図9aの横軸は時間を示し、左側の縦軸は押圧制御部24に制御されて押圧機構9が半導体発光素子2を実装基板3に向かって押圧する荷重を示し、右側の縦軸は半導体発光素子2を実装基板3の基板面と平行な方向である横方向に振動させる超音波の強度を示している。また、図9bの横軸は時間を示し、縦軸は実装途中の半導体発光素子2の検出輝度を示している。また、図9cの横軸は時間を示し、縦軸は実装途中の半導体発光素子2の検出色度を示している。なお、図9a~cには、それぞれ、時間t0,t1,t2を示し、タイミングの対応関係を明確にしている。図9aに示すように、実施の形態3の処理制御部8は、検出された輝度が図9bに示す目標輝度値Ysになるまでは、押圧機構9によって半導体発光素子2を実装基板3に向かって押圧する。検出輝度が図9bに示す目標輝度値Ysになったことを検出した処理制御部8は、図9aに示すように、そのときの押圧機構9による荷重を維持する。また、検出された輝度以下、検出輝度とするが図9bに示す目標輝度値Ysになったことを検出した処理制御部8は、超音波印加機構35によって超音波の振動を図9aに示すように発生させて、半導体発光素子2に横振動を与える。この超音波による横振動での接合は、バンプ電極26の電極部21との接触面積に顕著な変化が無く、半導体発光素子2の放熱特性の変化が少ない。そのため、図9bに示すように、目標輝度値Ysになるまでの荷重による変化率に比べて、検出輝度の変動が極端に小さい。しかし、図9cに示すように、検出された色度以下、検出色度とするは、超音波振動による横振動によって一方向に変化する。処理制御部8は、検出輝度が目標輝度値Ys以上になると共に、検出色度が目標色度Csになったことを検出すると、接合が完了したと判定する。そして、処理制御部8は、超音波印加機構35に超音波出力のオフを指示し、押圧機構9に荷重のオフを指示する。本実施の形態3の構成によると、検出輝度を目標輝度以上にすると共に、検出色度についても目標色度に近付けることができる。そのため、液晶ディスプレイパネルを背面から照明するバックライトの製造に特に有効である。"