"半導体デバイス又はその前駆体の表面を平坦化するための研磨パッドであって、該パッドは該表面を平坦化するための研磨層を有し、該研磨層が、硬度、引張弾性率、エネルギー損失因子KEL、30°C及び90°Cでの貯蔵弾性率E′の比率、及び1個以上の溝を有する溝パターンを含むマクロテクスチャにより特徴付けられ;該溝パターンが、約75~約2,540μmの溝深さ、約125~約1,270μmの溝幅、及び約500~約3,600μmの溝ピッチを有し、該溝パターンが、同心、螺旋、クロスハッチ、X-Y格子、六角形、三角形、フラクタル又はこれらの組み合わせである、研磨パッド。該溝パターンが、約0.03~約1.0の溝剛性係数GSQと、約0.03~約0.9の溝フロー係数GFQとを与える、請求項1記載の研磨パッド。パッド該溝のランド領域が、約1~約9μmの平均表面粗さを有する、請求項1記載の研磨パッド。該研磨層が、約125~8501/Pa、40°Cの範囲のエネルギー損失因子KELを有する、請求項1記載の研磨パッド。30°C及び90°Cでの貯蔵弾性率E′の比率が、約1~約4の範囲である、請求項1記載の研磨パッド。研磨表面が、該溝のランド領域で約1~約9μmの平均表面粗さ、約40~約70ショアDの硬度、約100~2000の引張弾性率、150~10001/Pa、40°Cのエネルギー損失因子KEL、並びに30°C及び90°Cでの約1~約5の貯蔵弾性率E′の比率を有する、請求項1記載の研磨パッド。半導体ウェハの金属ダマシン構造を研磨する方法であって、該方法は、該ウェハと研磨パッドの研磨層との間の界面に該ウェハをバイアスさせること;該界面に研磨流体を流すこと;及び加圧下で該ウェハと該研磨パッドとの相対運動を提供して、該ウェハに対する該研磨流体の移動加圧接触の結果、該ウェハの表面に沿って材料を平坦に除去すること;を含み、該研磨層が、1約40~70ショアDの硬度、240°Cで約150~2,000MPaの引張弾性率、3約100~1,0001/Pa、40°Cのエネルギー損失因子KEL、並びに430°C及び90°Cでの約1~5の貯蔵弾性率E′の比率を有し、該研磨層が、1個以上の溝を有する溝パターンを含むマクロテクスチャを有し、該溝パターンが、i約75~約2,540μmの溝深さ、ii約125~約1,270μmの溝幅、及びiii約500~約3,600μmの溝ピッチを有し、該溝パターンが、同心、螺旋、クロスハッチ、X-Y格子、六角形、三角形、フラクタル又はこれらの組み合わせである、研磨方法。"