"支持基板と、前記支持基板上に配置された中間層と、前記中間層上に配置されたGaN層と、を含む複合基板を準備する工程と、前記複合基板の前記GaN層上に少なくとも1層のIII族窒化物半導体層を成長させる工程と、前記III族窒化物半導体層上に少なくとも1種類の電極を形成する工程と、前記GaN層、前記III族窒化物半導体層および前記電極を、複数のチップ領域に区分する工程と、前記チップ領域に区分された前記電極をステムに接合する工程と、前記ステムに接合された前記電極を含む前記チップ領域の前記GaN層を、前記中間層から分離する工程と、を含むIII族窒化物半導体デバイスの製造方法。前記支持基板は光透過性を有し、前記中間層は光熱変換層を含み、前記ステムに接合された前記電極を含む前記チップ領域の前記GaN層を、前記中間層から分離する工程は、前記支持基板側から前記中間層の前記光熱変換層に光を照射することにより行われる請求項1に記載のIII族窒化物半導体デバイスの製造方法。前記中間層は溶媒溶解層を含み、前記ステムに接合された前記電極を含む前記チップ領域の前記GaN層を、前記中間層から分離する工程は、前記中間層の前記溶媒溶解層を溶解することにより行われる請求項1に記載のIII族窒化物半導体デバイスの製造方法。前記電極を形成する工程において、III族窒化物半導体層上に複数の種類の前記電極を形成し、複数の前記チップ領域に区分する工程において、各前記チップ領域に複数の種類の前記電極を含ませ、前記チップ領域に区分された前記電極を前記ステムに接合する工程において、複数の種類の前記電極を前記ステムに接合する請求項1から請求項3のいずれかに記載のIII族窒化物半導体デバイスの製造方法。前記チップ領域の主表面の大きさは、前記ステムの主表面の大きさよりも小さい請求項1から請求項4のいずれかに記載のIII族窒化物半導体デバイスの製造方法。特開2011-176093号公報引用文献1に記載された、III族窒化物半導体デバイスの製造方法は、いずれも、複合基板のGaN層上に少なくとも1層のIII族窒化物半導体層を成長させ、成長させたIII族窒化物半導体層を別の支持基板に貼り換えた後、電極を形成し、チップに分割し、ステムに実装するものである。このため、上記のIII族窒化物半導体デバイスの製造方法においては、別の支持基板の準備およびIII族窒化物半導体層の別の支持基板への貼り換えなどの工程が必要となり、かかる工程により製造効率が低下するとともに製造コストが増大するという問題があった。本発明は、上記問題を解決して製造効率が高く製造コストが低いIII族窒化物半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。本発明は、支持基板と、支持基板上に配置された中間層と、中間層上に配置されたGaN層と、を含む複合基板を準備する工程と、複合基板のGaN層上に少なくとも1層のIII族窒化物半導体層を成長させる工程と、III族窒化物半導体層上に少なくとも1種類の電極を形成する工程と、GaN層、III族窒化物半導体層および電極を、複数のチップ領域に区分する工程と、チップ領域に区分された電極をステムに接合する工程と、ステムに接合された電極を含むチップ領域のGaN層を、中間層から分離する工程と、を含むIII族窒化物半導体デバイスの製造方法である。本発明にかかるIII族窒化物半導体デバイスの製造方法において、支持基板は光透過性を有し、中間層は光熱変換層を含み、ステムに接合された電極を含むチップ領域のGaN層を、中間層から分離する工程は、支持基板側から中間層の光熱変換層に光を照射することにより行なうことができる。また、中間層は溶媒溶解層を含み、ステムに接合された電極を含むチップ領域のGaN層を、中間層から分離する工程は、中間層の溶媒溶解層を溶解することにより行なうことができる。また、本発明にかかるIII族窒化物半導体デバイスの製造方法においては、電極を形成する工程において、III族窒化物半導体層上に複数の種類の電極を形成し、複数のチップ領域に区分する工程において、各チップ領域に複数の種類の電極を含ませ、チップ領域に区分された電極をステムに接合する工程において、複数の種類の電極をステムに接合することができる。さらに、本発明にかかるIII族窒化物半導体デバイスの製造方法において、チップ領域の主表面の大きさを、ステムの主表面の大きさよりも小さくすることができる。本発明によれば、製造効率が高く製造コストが低いIII族窒化物半導体デバイスの製造方法を提供できる。[III族窒化物半導体デバイスの製造方法]図1を参照して、本発明の一実施形態であるIII族窒化物半導体デバイスの製造方法は、支持基板10と、支持基板10上に配置された中間層20と、中間層20上に配置されたGaN層31と、を含む複合基板1を準備する工程図1Aと、複合基板1のGaN層31上に少なくとも1層のIII族窒化物半導体層40を成長させる工程図1Bと、III族窒化物半導体層40上に少なくとも1種類の電極50を形成する工程図1Cと、GaN層31、III族窒化物半導体層40および電極50を、複数のチップ領域2に区分する工程図1Dと、チップ領域2に区分された電極をステム70に接合する工程図1Eと、ステム70に接合された電極50を含むチップ領域2のGaN層31を、中間層20から分離する工程図1Fと、を含む。本実施形態のIII族窒化物半導体デバイスの製造方法は、別の支持基板を必要とすることなくIII族窒化物半導体デバイスのステムへの実装ができるため、製造効率を高くするとともに製造コストを低くすることができる。複合基板の準備工程図1Aを参照して、本実施形態のIII族窒化物半導体デバイスの製造方法は、支持基板10と、支持基板10上に配置された中間層20と、中間層20上に配置されたGaN層31と、を含む複合基板1を準備する工程を含む。複合基板1の支持基板10は、特に制限はないが、支持基板10側からの光照射によりGaN層31を支持基板10から容易に分離する観点から、光透過性を有することが好ましい。また、複合基板1のGaN層31上に結晶性の高いIII族窒化物半導体層を成長させる観点から、支持基板10とGaN層31との間の格子定数の整合性が高いまたは熱膨張係数の差が小さいことが好ましい。これらの観点から、支持基板10は、サファイア基板、ZnO基板、GaN基板、AlN基板、ムライト基板、ジルコニア基板などが特に好ましい。図2を参照して、複合基板1の中間層20は、支持基板10側からの光照射によりGaN層31を支持基板10から容易に分離する観点から、光吸収して熱を発生する光熱変換層25を含むことが好ましい。複合基板1の支持基板10側から光熱変換層25を含む中間層20に光を照射することにより、光熱変換層25がその光を吸収して熱を発生するため、光熱変換層25を含む中間層20の温度が高くなる。このため、GaN層31の中間層20側の主表面およびその近傍部分が、液体GaとN2ガスとに分解することにより、GaN層31が中間層20から分離する。光熱変換層25は、光を吸収して熱を発生する層であれば特に制限はないが、光照射によるGaN層31の劣化を抑制する観点から、アモルファスSiシリコン層であることが好ましい。アモルファスSi層は、波長500nm以上600nm未満の光たとえば、Nd:YAGレーザ光ここで、Nd:YAGとは、Ndネオジムを添加したYイットリウムAアルミニウムGガーネットにより形成される結晶をいうまたはNd:YVO4レーザ光ここで、Nd:YVO4とは、Ndネオジムを添加したYイットリウムVバナジウムO4オキサイドまたはYイットリウムVO4バナデートにより形成される結晶をいうを、LiB3O5などのいわゆるSHG第2高調波結晶で変換した波長532nmのレーザ光を吸収して発熱する。また、GaN層31は、波長532nmのレーザ光を吸収しないため、劣化が抑制される。なお、支持基板10としてGaN支持基板を用いる場合には、波長500nm以上600nm未満の光たとえば波長532nmのレーザ光の照射により、GaN支持基板支持基板10の中間層20側の主表面およびその近傍部分が、液体GaとN2ガスとに分解することにより、中間層20とGaN支持基板支持基板10との間で分離することもできる。かかる場合において、GaN層31上の中間層20を以下の方法により溶解させることにより、GaN層31を中間層20から分離することができる。また、図2を参照して、複合基板1の中間層20は、所定の溶媒により溶解する溶媒溶解層21,23を含むことが好ましい。複合基板1を溶媒に接触させることにより、中間層20に含まれる溶媒溶解層21,23を溶解させて、GaN層31を中間層20から分離することができる。溶媒溶解層21,23は、所定の溶媒に溶解する層であれば特に制限はないが、溶解が容易な観点から、HF溶媒に容易に溶解するSiO2層が好ましい。図2においては、中間層20として、支持基板10側からGaN層31側にかけて、溶媒溶解層21、光熱変換層25および溶媒溶解層23がこの順に配置されているが、これらの層の配置には特に制限はない。また、中間層20は、溶媒溶解層21,23および光熱変換層25のいずれか1つを含んでいてもよく、溶媒溶解層21,23および光熱変換層25のいずれか1つであってもよい。また、中間層20は、溶媒溶解層21,23および光熱変換層25以外の層を含んでいてもよい。図3を参照して、複合基板1を準備する工程は、特に制限はないが、効率よく複合基板1を製造する観点から、たとえば、以下のサブ工程を含むことが好ましい。図3Aを参照して、複合基板1を準備する工程は、支持基板10の一主表面上に中間層20aを形成するサブ工程を含む。中間層20aは、たとえば、溶媒溶解層21,23aとしてSiO2層など、光熱変換層25としてアモルファスSi層などが形成される。中間層20aを形成する方法は、CVD法化学気相堆積法、スパッタ法、真空蒸着法などが好適に用いられる。また、図3Bを参照して、複合基板1を準備する工程は、GaN基板30の一主表面上に中間層20bを形成するサブ工程と、GaN基板30の中間層20bが形成された主表面側からイオンIを注入することにより、GaN基板30の中間層20b側の主表面から所定の深さの領域にイオン注入領域30iを形成するサブ工程と、を含む。ここで、イオン注入領域30iを形成するGaN基板30の中間層20b側の主表面からの深さは、特に制限はないが、GaN基板から分離されるGaN層が自己の形態を保持できるだけの強度を有するとともにひとつのGaN基板からより多くのGaN層を得る観点から、100nm以上30μm以下が好ましい。中間層20bを形成するサブ工程においては、上記中間層20aを形成するサブ工程と同様の方法で、溶媒溶解層23bとしてSiO2層などが形成される。イオン注入領域30iを形成するサブ工程において注入されるイオンIは、GaN結晶の結晶性の低下を抑制する観点から、質量数の低い元素、たとえば水素、ヘリウムのイオンが好ましく、水素イオンがより好ましい。こうして形成されるイオン注入領域30iは、それ以外の領域に比べて、脆化される。ここで、図3Aに示す支持基板10への中間層20aの形成のサブ工程と、図3Bに示すGaN基板30への中間層20bおよびイオン注入領域30iの形成のサブ工程とは、いずれが先に行なわれてもよい。次に、図3Cを参照して、複合基板1を準備する工程は、支持基板10上に形成された中間層20a最上層は溶媒溶解層23aと、GaN基板30上に形成された中間層20b溶媒溶解層23bとを貼り合わせるサブ工程を含む。かかるサブ工程により、溶媒溶解層23aと溶媒溶解層23bとが一体化して溶媒溶解層23が形成されることから、中間層20aと中間層20bとの接合により形成された中間層20を介在して支持基板10とGaN基板30が接合された接合基板1Pが得られる。次に、図3Dを参照して、複合基板1を準備する工程は、接合基板1Pに熱または応力をかけることにより、GaN基板30を、GaN基板30における脆化されたイオン注入領域30iで、中間層20を介在して支持基板10に接合された所定の厚さ得られるGaN層31の厚さは、GaN基板30に形成されたイオン注入領域の表面からの深さとほぼ同じか、それより幾分薄いのGaN層31と、残りのGaN基板32と、に分離するサブ工程を含む。ここで、形成されるGaN層31の厚さは、GaN基板30の主表面からのイオン注入深さイオン注入領域30iの深さと同じ大きさである。かかるサブ工程により、中間層20を介在して支持基板10にGaN層31が接合されて、支持基板10と、支持基板10上に配置された中間層20と、中間層20上に配置されたGaN層31と、を含む複合基板1が得られる。ここで、得られた複合基板1は、必要に応じて、GaN層31の表面の凹凸および/または上記の分離の際の表面およびその近傍のダメージを除去するために、GaN層31の表面およびその近傍が研磨および/またはエッチングすることができる。かかる場合には、複合基板1のGaN層31の厚さは、GaN層31の厚さは、GaN基板30に形成されたイオン注入領域の表面からの深さに比べて、数十nm~数μm程度薄くなる。III族窒化物半導体層の成長工程次に、図1Bを参照して、本実施形態のIII族窒化物半導体デバイスの製造方法は、複合基板1のGaN層31上に少なくとも1層のIII族窒化物半導体層40を成長させる工程を含む。III族窒化物半導体層を成長させる方法は、特に制限はないが、結晶性の高いIII族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる観点から、MOVPE有機金属気相成長法、MBE分子線成長法、HVPEハイドライド気相成長法などが好適に用いられる。成長させるIII族窒化物半導体層は、目的とするIII族窒化物半導体デバイスの種類によって異なる。III族窒化物半導体デバイスとして発光デバイスを形成する場合は、たとえば、III族窒化物半導体層40として、n型半導体層、活性層、p型半導体層などが形成される。電極の形成工程次に、図1Cを参照して、本実施形態のIII族窒化物半導体デバイスの製造方法は、III族窒化物半導体層40上に少なくとも1種類の電極50を形成する工程を含む。電極50を形成する方法は、特に制限はないが、電極とIII族窒化物半導体層との密着性が高く、電極が緻密で、電極の厚さの制御性が高く、かつ、III族窒化物半導体層に与えるダメージが少ない観点から、抵抗加熱蒸着法、電子線蒸着法などが好適に用いられる。ここで、電極50の種類とは、III族窒化物半導体デバイスの種類および機能に対応する種類を意味する。たとえば、発光デバイスの場合は、第1の導電型の半導体層たとえばp型半導体層に形成される第1の導電側電極たとえばp側電極、第2の導電型の半導体層たとえばn型半導体層に形成される第2の導電側電極たとえばn側電極などの種類をいう。また、電子デバイスの場合は、ソース電極、ゲート電極、ドレイン電極などの種類をいう。また、電極50としては、たとえば、図4に示すようなIII族窒化物半導体層40の最上層である第1の導電型の半導体層としてたとえばp型半導体層上に、パターニングによりたとえばNi/Au電極のようなp型半導体層に対するオーミック電極51を形成したもの、図5に示すような上記オーミック電極51上にPt層を含むパッド電極53を形成したもの、図6に示すような上記オーミック電極51上にAuSnはんだ55を配置したもの、図7に示すような上記オーミック電極51上にPt層を含むパッド電極53を形成しさらにその上にAuSnはんだ55を配置したものがある。また、図8を参照して、III族窒化物半導体層40上に、2種類以上の電極50,60を形成することができる。たとえば、III族窒化物半導体デバイスが、複合基板1のGaN層31上にIII族窒化物半導体層40としてn型半導体層41、活性層43およびp型半導体層45がこの順に形成されている発光デバイスである場合、III族窒化物半導体層40におけるp型半導体層45の一部および活性層43の一部をメサエッチングすることにより、n型半導体層41の一部を露出させる。次いで、上記の方法により、p型半導体層45上にp側電極第1の導電側電極として電極50を形成し、露出したn型半導体層41上にn側電極第2の導電側電極として電極60を形成することができる。なお、第1の導電側電極である電極50の場合と同様に、第2の導電側電極である電極60としても、III族窒化物半導体層40のn型半導体層41上に、パターニングによりTi/Al電極のようなn型半導体層に対するオーミック電極を形成したもの、上記オーミック電極上にPt層を含むパッド電極を形成したもの、上記オーミック電極上にAuSnはんだを配置したもの、上記オーミック電極上にPt層を含むパッド電極を形成しさらにその上にAuSnはんだを配置したものがある。チップ領域への区分工程次に、図1Dを参照して、本実施形態のIII族窒化物半導体デバイスの製造方法は、GaN層31、III族窒化物半導体層40および電極50を、複数のチップ領域2に区分する工程を含む。支持基板10および中間層20を複数のチップ領域に区分することなく、GaN層31、III族窒化物半導体層40および電極50を、複数のチップ領域2に区分することにより、かかるチップ領域2のみをステムに接合することが可能となる。ここで、GaN層31、III族窒化物半導体層40および電極50を、複数のチップ領域2に区分する方法は、特に制限はないが、容易に区分できる観点から、ダイシング、スクライブ、レーザスクライブ、ウェットエッチング、ドライエッチングなどの方法が好適に用いられる。なお、図8および図9を参照して、III族窒化物半導体層40上に、2種類以上の電極50,60が形成されている場合は、GaN層31、III族窒化物半導体層40および電極50,60が複数のチップ領域2にそれぞれ区分される。電極のステムへの接合工程次に、図1Eを参照して、本実施形態のIII族窒化物半導体デバイスの製造方法は、チップ領域2に区分された電極50をステム70に接合する工程を含む。ここで、ステム70とは、半導体デバイスのチップを実装する金属製の部品をいい、特に制限はないが、たとえば、外観は直径が500μm~20mm程度の蓋付の円筒形状このため、ステムはCAN缶とも呼ばれる。であり、半導体デバイスのチップの電極数に対応した数の接続部第1の接続部70a,第2の接続部70bとそれらの接続部の間を絶縁する絶縁部70sとを有しており、それぞれの接続部は足と呼ばれる金属の末端子を有する。半導体デバイスがLEDの場合は、通常、相対的に長い足を有する第1の接続部70aおよび相対的に短い足を有する第2の接続部70bに、LEDの陽極たとえばp側電極および陰極たとえばn側電極がそれぞれ電気的に接続される。半導体デバイスがトンランジスタの場合は、第1の接続部、第2の接続部および第3の接続部に、ソース電極、ゲート電極およびドレイン電極がそれぞれ設けられている。チップ領域2に区分された電極50をステム70に接合する方法は、特に制限はないが、確実にかつ効率よく接合させる観点から、電極50とステム70とをはんだなどにより接合することが好ましい。かかる工程において、チップ領域2に区分された電極50は、ステム70の第1の接続部70aに電気的に接続される。ここで、ワイヤボンディングを行なうスペースの確保および半導体デバイスのチップをさらに実装する自由度の確保の観点から、チップ領域2の主表面の大きさは、ステム70の主表面の大きさより小さいことが好ましい。なお、図9を参照して、一主表面側のチップ領域2が第1の導電側電極たとえばp側電極である電極50と第2の導電側電極たとえばn側電極である電極60とを含む場合は、図11を参照して、電極50がステム70の第1の接続部70aに電気的に接続され、電極60がステム70の第2の接続部70bに電気的に接合される。チップ領域の中間層からの分離工程次に、図1EおよびFを参照して、本実施形態のIII族窒化物半導体デバイスの製造方法は、ステム70に接合された電極50を含むチップ領域2のGaN層31を、中間層20から分離する工程を含む。チップ領域2のGaN層31を中間層20から分離する方法には、特に制限はないが、効率よく確実に分離する観点から、以下の方法が好ましい。図1EおよびFならびに図2を参照して、支持基板10が光透過性を有し、中間層20が光熱変換層25を含む場合は、支持基板10側から中間層20の光熱変換層25に光を照射することにより、チップ領域2のGaN層31を中間層20から分離する方法が好ましい。具体的には、支持基板10が波長500nm以上600nm未満の光に対して透過性を有するサファイア基板、ZnO基板、GaN基板、AlN基板、ムライト基板およびジルコニア基板の少なくともいずれかであり、中間層20が光熱変換層25であるアモルファスSi層と上記光に対して透過性を有するSiO2層とで形成されている場合には、支持基板10側から、Nd:YAGレーザ光またはNd:YVO4レーザ光をLiB3O5などの第2高調波結晶で変換した波長532nmのレーザ光を照射することにより、光熱変換層25がその光を吸収して熱を発生するため、光熱変換層25を含む中間層20の温度が高くなる。このため、GaN層31の中間層20側の主表面およびその近傍部分が、液体GaとN2ガスとに分解することにより、GaN層31が中間層20から分離する。また、中間層20が溶媒溶解層21,23を含む場合には、溶媒溶解層21,23を、溶媒に接触させて溶解させることにより、チップ領域2のGaN層31を中間層20から分離する方法が好ましい。具体的には、中間層20が溶媒溶解層21,23であるSiO2層を含む場合には、SiO2層溶媒溶解層21,23をHF水溶液溶媒に接触させることにより、溶媒溶解層21,23が溶解するため、GaN層31が中間層20から分離する。図10および図11を参照して、上記のようにして、チップ領域2に区分されたGaN層31、III族窒化物半導体層40および電極50がステム70に接合されたIII族窒化物半導体デバイスが得られる。図10Aを参照して、一主表面側のチップ領域2内に1種類の電極50しか存在しない場合は、電極50が第1の接続部70aに電気的に接続されているに過ぎない。このため、図10Bを参照して、チップ領域2のGaN層31と第2の接続部70bとをボンディングワイヤ66によって電気的に接続する必要がある。このようにして、ステム70に実装されたIII族窒化物半導体デバイスが得られる。図11を参照して、一主表面側のチップ領域2内に2種類の電極50,60が存在する場合には、電極50を第1の接続部70aに電気的に接続し、電極60を第2の接続部70bに電気的に接続することにより、ステム70に実装されたIII族窒化物半導体デバイスが得られる。上記のように、本実施形態のIII族窒化物半導体デバイスの製造方法によれば、別の支持基板の準備およびIII族窒化物半導体層の別の支持基板への貼り換えなどの工程を必要とせず、高い製造効率および低い製造コストでステムに装着されたIII族窒化物半導体デバイスを製造することができる。今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明でなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内のすべての変更が含まれることが意図される。"