"マトリクス状に配列され、入射光の光電変換により信号電荷を生成する複数の画素部と、該複数の画素部の列毎に設けられ、対応する列の画素部で生成された信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直転送部とを備え、該画素部および該垂直転送部が撮像領域を形成している固体撮像装置であって、該垂直転送部は、半導体基板上に該垂直方向に沿って該信号電荷の転送経路として形成された垂直転送チャネル領域と、該半導体基板上に該垂直転送チャネル領域と重なるよう形成され、該垂直転送チャネル領域に形成されるポテンシャルレベルを、該信号電荷の転送の向きが決まるよう傾斜させる方向付け領域とを備え、該方向付け領域の平面形状は、該複数の垂直転送部における該ポテンシャルレベルの傾斜が、該垂直転送部の位置が該撮像領域の中央部に近いほど緩やかになるよう設定されている、固体撮像装置。請求項1に記載の固体撮像装置において、前記撮像領域上に前記垂直方向に沿って配列された複数の垂直転送電極を備え、該複数の垂直転送電極の各々は、前記複数の垂直転送チャネル領域に跨るよう各垂直転送チャネル領域を横切って形成されている、固体撮像装置。請求項1に記載の固体撮像装置において、前記複数の垂直転送部の各々の垂直転送チャネル領域上に配列された複数の単位転送電極と、該複数の垂直転送チャネル領域に跨るよう各垂直転送チャネル領域を横切って形成された複数の転送配線とを備え、該転送配線が、該転送配線に対向する該単位転送電極とコンタクト部により接続されて複数の垂直転送電極が構成されている、固体撮像装置。請求項3に記載の固体撮像装置において、前記単位転送電極は、ポリシリコン膜により構成されており、前記転送配線は、金属材料からなる金属配線である、固体撮像装置。請求項2から請求項4のいずれか1項に記載の固体撮像装置において、前記方向付け領域は、前記垂直転送チャネル領域における前記複数の垂直転送電極の各々に対向する部分に形成されている、固体撮像装置。請求項1から請求項5のいずれかに記載の固体撮像装置において、前記方向付け領域は、前記半導体基板にP型不純物を注入して形成されたP型不純物領域であり、前記電荷転送チャネル領域では、前記垂直転送電極毎に、該P型不純物領域と重なる部分のポテンシャルレベルが、該P型不純物領域と重ならない部分のポテンシャルレベルより高くなるようポテンシャルレベルが傾斜している、固体撮像装置。請求項6に記載の固体撮像装置において、前記P型不純物はボロンである、固体撮像装置。請求項1から請求項5のいずれかに記載の固体撮像装置において、前記方向付け領域は、前記半導体基板にN型不純物を注入して形成されたN型不純物領域であり、前記電荷転送チャネル領域では、前記垂直転送電極毎に、該N型不純物領域と重なる部分のポテンシャルレベルが、該N型不純物領域と重ならない部分のポテンシャルレベルより低くなるようポテンシャルレベルが傾斜している、固体撮像装置。請求項8に記載の固体撮像装置において、前記N型不純物はリンあるいは砒素である、固体撮像装置。被写体の撮像を行う撮像部を備えた電子情報機器であって、該撮像部は、請求項1ないし請求項9のいずれかに記載の固体撮像装置である電子情報機器。しかしながら、上記特許文献1に開示の方法は、従来の固体撮像装置における水平方向に延びる垂直転送電極の抵抗値を、撮像領域の両側部に近い部分ほど高くするというものであり、垂直転送電極を構成するポリシリコン膜に対して選択的なイオン注入処理を、抵抗値の異なる部分が形成されるよう複数回行うものであるが、実際の固体撮像装置では、垂直転送部は水平方向に多数配列されており、駆動パルスの波形は、中央部に近い垂直転送部ほど少しずつ鈍ることとなるので、水平方向に延びる垂直転送電極を、各垂直転送部に対応する部分で、各垂直転送部での駆動パルスの波形なまりに応じた抵抗値を持つようイオン注入処理を行うことは非常に困難である。また、隣接する複数の垂直転送部を1組として、固体撮像装置における垂直転送部を複数の組に区分し、この組毎に垂直転送電極の抵抗値を調整するとしても、複数のイオン注入処理が必要となり、また、この場合には、各組内での複数の垂直転送部での駆動パルスの波形の違いによる転送特性の劣化が生じてしまう。この各組内での垂直転送部での駆動パルスの波形の違いを低減するには、さらに多くのイオン注入処理が必要となって工程数が増えるため、結局、垂直転送部での駆動パルスの波形の違いによる転送特性の劣化を改善した固体撮像装置の実現は困難と予想される。さらに、水平方向に延びる垂直転送電極の配線幅および配線厚さを変える方法では、微細化の進んだ固体撮像装置では垂直転送電極の幅や厚さは加工限界に近く、精度良く抵抗値を調整するのは難しいという問題もある。本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、垂直転送部を駆動する駆動信号の波形なまりによる転送効率の劣化を、製造工程の増加を招くことなく効果的に改善することができる固体撮像装置、およびこのような固体撮像装置を備えた電子情報機器を得ることを目的とする。本発明に係る固体撮像装置は、マトリクス状に配列され、入射光の光電変換により信号電荷を生成する複数の画素部と、該複数の画素部の列毎に設けられ、対応する列の画素部で生成された信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直転送部とを備え、該画素部および該垂直転送部が撮像領域を形成している固体撮像装置であって、該垂直転送部は、半導体基板上に該垂直方向に沿って該信号電荷の転送経路として形成された垂直転送チャネル領域と、該半導体基板上に該垂直転送チャネル領域と重なるよう形成され、該垂直転送チャネル領域に形成されるポテンシャルレベルを、該信号電荷の転送の向きが決まるよう傾斜させる方向付け領域とを備え、該方向付け領域の平面形状は、該複数の垂直転送部における該ポテンシャルレベルの傾斜が、該垂直転送部の位置が該撮像領域の中央部に近いほど緩やかになるよう設定されており、そのことにより上記目的が達成される。本発明は、上記固体撮像装置において、前記撮像領域上に前記垂直方向に沿って配列された複数の垂直転送電極を備え、該複数の垂直転送電極の各々は、前記複数の垂直転送チャネル領域に跨るよう各垂直転送チャネル領域を横切って形成されていることが好ましい。本発明は、上記固体撮像装置において、前記複数の垂直転送部の各々の垂直転送チャネル領域上に配列された複数の単位転送電極と、該複数の垂直転送チャネル領域に跨るよう各垂直転送チャネル領域を横切って形成された複数の転送配線とを備え、該転送配線が、該転送配線に対向する該単位転送電極とコンタクト部により接続されて複数の垂直転送電極が構成されていることが好ましい。本発明は、上記固体撮像装置において、前記単位転送電極は、ポリシリコン膜により構成されており、前記転送配線は、金属材料からなる金属配線であることが好ましい。本発明は、上記固体撮像装置において、前記方向付け領域は、前記垂直転送チャネル領域における前記複数の垂直転送電極の各々に対向する部分に形成されていることが好ましい。本発明は、上記固体撮像装置において、前記方向付け領域は、前記半導体基板にP型不純物を注入して形成されたP型不純物領域であり、前記電荷転送チャネル領域では、前記垂直転送電極毎に、該P型不純物領域と重なる部分のポテンシャルレベルが、該P型不純物領域と重ならない部分のポテンシャルレベルより高くなるようポテンシャルレベルが傾斜していることが好ましい。本発明は、上記固体撮像装置において、前記P型不純物はボロンであることが好ましい。本発明は、上記固体撮像装置において、前記方向付け領域は、前記半導体基板にN型不純物を注入して形成されたN型不純物領域であり、前記電荷転送チャネル領域では、前記垂直転送電極毎に、該N型不純物領域と重なる部分のポテンシャルレベルが、該N型不純物領域と重ならない部分のポテンシャルレベルより低くなるようポテンシャルレベルが傾斜していることが好ましい。本発明は、上記固体撮像装置において、前記N型不純物はリンあるいは砒素であることが好ましい。本発明に係る電子情報機器は、被写体の撮像を行う撮像部を備えた電子情報機器であって、該撮像部は、上述した本発明に係る固体撮像装置であり、そのことにより上記目的が達成される。次に作用について説明する。本発明においては、複数の画素部と、画素部で生成された信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直転送部とを備え、画素部および垂直転送部が撮像領域を形成している固体撮像装置において、垂直転送部は、その垂直転送チャネル領域と重なるよう形成され、該垂直転送チャネル領域に形成されるポテンシャルレベルを、信号電荷の転送の向きが決まるよう傾斜させる方向付け領域を有し、方向付け領域の平面形状を、複数の垂直転送部におけるポテンシャルレベルの傾斜が、垂直転送部の位置が撮像領域の中央部に近いほど緩やかになるよう設定しているので、駆動パルスの信号レベルが急峻に変化する撮像領域の周辺部に位置する垂直転送部では、信号電荷を転送方向に流すためのポテンシャルレベルの傾斜が急傾斜であるため、信号電荷の転送が駆動パルスの信号レベルの急峻な変化に追従することとなる。一方、駆動パルスの信号レベルが緩やかに変化する撮像領域の中央部に位置する垂直転送部では、信号電荷を転送方向に流すためのポテンシャルレベルの傾斜が緩やかであり、1つの垂直転送電極の下側領域でのポテンシャルレベルの最低値と最大値との差分信号電荷を転送するときの障壁の高さが小さいため、信号電荷が移動しやすくなっている。これにより、固体撮像装置の撮像領域の中央部と周辺部とで垂直転送部の駆動パルスの波形の違いが転送効率の差となって撮像不良の原因となるのを抑制することができる。つまり、駆動パルスの波形なまりによる転送効率の差を、垂直転送チャネル領域でのポテンシャルレベルのプロファイルにより吸収することができ、これにより撮像領域の中央部で駆動パルスの波形なまりが生じたままで、撮像領域全体としての転送プロファイルを最適化することにより、垂直転送部の転送効率を改善することができる。以上のように、本発明によれば、垂直転送部を駆動する駆動信号の波形なまりによる転送効率の劣化を、製造工程の増加を招くことなく効果的に改善することができる固体撮像装置、およびこのような固体撮像装置を備えた電子情報機器を実現することができる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。実施形態1図1~図6は、本発明の実施形態1によるCCD型固体撮像装置を説明する図であり、図1は、このCCD型固体撮像装置の全体構成を概略的に示し、図2は、このCCD型固体撮像装置の垂直転送部図1のB部分における転送電極垂直転送電極と画素部との配置を説明する図であり、図3は、このCCD型固体撮像装置の垂直転送部図1のB部分における垂直転送電極と垂直転送チャネル領域との配置を示している。この実施形態1のCCD型固体撮像装置以下、単に固体撮像装置ともいう。10は、行列状に並ぶよう配列された複数の画素部11aと、複数の画素部11aの各列に沿って設けられ、画素部11aで光電変換により得られた信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直転送部12と、これらの垂直転送部12の一端側に配置され、垂直転送部12により画素部11aから転送されてきた信号電荷を水平方向に転送する水平転送部13と、水平転送部13から転送されてきた信号電荷を電圧信号に変換し増幅して出力する出力部14とを有している。ここで、画素部11aおよび垂直転送部12は撮像領域11bを構成しており、画素部11aはフォトダイオードなどの光電変換素子を受光部として含んでいる。また、各垂直転送部12は4相の駆動信号ΦV1~ΦV4により駆動される構成となっている。また、撮像領域11bでは、緑色カラーフィルタG、青色カラーフィルタB、赤色カラーフィルタRはベイヤー配列となっている。また、撮像領域11bには、図3に示すように、垂直転送部121~125図1の垂直転送部12を構成する垂直転送チャネル領域120に沿って垂直転送電極転送ゲート12a~12dが配置されている。これらの垂直転送電極12a~12dは、半導体基板上に絶縁膜を介して形成された導電性膜からなる。ここでは、垂直転送電極を構成する導電性膜は、例えば導電性不純物を含有するポリシリコン膜で構成している。但し、垂直転送電極の構成はこれに限定されるものではない。以下、垂直転送部121~125図1では垂直転送部12の構成について、図2および図3を用いて詳しく説明する。垂直転送電極12a~12dの平面形状は、図2および図3に示すように、撮像領域11bを横切って画素部11aに重ならないように垂直転送チャネル領域120と交差する方向水平方向に延伸した形状となっている。これらの垂直転送電極12a~12dの、撮像領域11bの外部にまで延伸した両端部分には、バスラインBs1~Bs4から4相の駆動信号φV1~φV4の各電圧が印加されるようになっている。なお、図3では、図1に示す垂直転送部12は、その撮像領域における位置に応じて垂直転送部121~125として示している。つまり、図3では、CCD型固体撮像装置の垂直転送部12図1のB部分の一部として、撮像領域11bの中央部B3における隣接する2つの垂直転送部123、撮像領域11bの一方の側部周辺部B1における1つの垂直転送部121、撮像領域11bの他方の側部周辺部B5における1つの垂直転送部125、撮像領域11bの中央部B3と一方の側部B1との間の部分B2における隣接する2つの垂直転送部122、撮像領域11bの中央部B3と他方の側部B5との間の部分B4における隣接する2つの垂直転送部124を示している。また、図3では、図2に示すバスラインBs1~Bs4は省略している。次に垂直転送部の断面構造を、垂直転送部124を例に挙げて図4により説明する。図4aは、図3のX-X線部分の断面構造を示し、図4bは、図3のY-Y線部分の断面構造を示し、図4cは、図3のY-Y線に沿ったポテンシャルレベルを示し、図4dは、撮像領域の中央部の垂直転送部での垂直転送方向に沿ったポテンシャルレベルを示し、図4eは、撮像領域の一端側周辺部の垂直転送部での垂直転送方向に沿ったポテンシャルレベルを示している。図4aおよび図4bに示すように、N型半導体基板例えばN型シリコン基板101の表面部分に形成されたP型ウエル領域101aの表面部分は、垂直転送チャネル領域120としてN型不純物領域が形成されており、さらに、垂直転送チャネル領域に形成されるポテンシャルレベルを、信号電荷の転送の向きが決まるよう傾斜させる方向付け領域としてP型不純物領域R4が形成されている。ここで、P型不純物領域R4はボロンBあるいはフッ化ボロンBF2などのP型ドーパントを導入して形成されており、また、N型不純物領域はPリンあるいは砒素AsなどのN型ドーパントの導入により形成されている。なおここで、N型半導体基板の不純物濃度は、1012~1016個/cm3であり、P型ウエル領域101aの不純物濃度は、1012~1016個/cm3であり、垂直転送チャネル領域120としてN型不純物領域の不純物濃度は、1015~1019個/cm3であり、方向付け領域R4としてP型不純物領域の不純物濃度は、1014~1018個/cm3である。これにより垂直転送部124の垂直転送チャネル領域120の、各垂直転送電極12a~12dに対向する部分に形成されるポテンシャルレベルLpは、図4cに示すように、方向付け領域R4を形成した部分では、該方向付け領域R4を形成していない部分に比べて高くなるよう傾斜したものとなり、方向付け領域R4により電荷転送の方向Vdが規定されることとなる。なお、図4cでは、垂直転送電極12a~12dに印加される駆動パルスΦV1~ΦV4により、垂直転送電極12b~12dの下側でのポテンシャルレベルが、垂直転送電極12aの下側でのポテンシャルレベルに比べて深くなっている状態を示している。さらに、上記方向付け領域は、垂直電荷転送部124だけでなく他の垂直電荷転送部121~123、125の垂直転送チャネル領域120にもP型不純物領域R1~R3、R5として形成されている。これらの方向付け領域としてのP型不純物領域R1~R3,R5の不純物濃度は、P型不純物領域R4の不純物濃度と同一である。そして、この実施形態1では、垂直電荷転送部121~125の垂直転送チャネル領域120に形成されている方向付け領域R1~R5の平面形状は、複数の垂直転送部におけるポテンシャルレベルの傾斜が、垂直転送部の位置が撮像領域11bの中央部B3に近いほど緩やかになるよう設定されている。つまり、ここでは、撮像領域11bの側部周辺部B1、B5に位置する方向付け領域R1、R5は、撮像領域11bの中央部B3に位置する方向付け領域R3に比べて、垂直転送チャネル領域120と重なる面積が大きくなるよう形成されており、さらに、撮像領域11bの中央部B3と側部B1との間の部分B2に位置する方向付け領域R2は、垂直転送チャネル領域120と重なる面積が、方向付け領域R3と垂直転送チャネル領域120とが重なる面積に比べて大きくなり、かつ方向付け領域R1、R5と垂直転送チャネル領域120とが重なる面積に比べて小さくなるよう形成され、撮像領域11bの中央部B3と側部B5との間の部分B4に位置する方向付け領域R4は、垂直転送チャネル領域120と重なる面積が、方向付け領域R3と垂直転送チャネル領域120とが重なる面積に比べて大きくなり、かつ方向付け領域R1、R5と垂直転送チャネル領域120とが重なる面積と比べて小さくなるよう形成されている。このように方向付け領域と垂直転送チャネル領域とが重なる面積を、撮像領域11bでの垂直転送部の位置によって変えることにより、撮像領域11bでの垂直転送部の位置によって、垂直転送チャネル領域に形成されるポテンシャルレベルの傾斜の大きさを変えることができる。例えば、撮像領域11bの側部B1に位置する垂直転送部121図4eでは、方向付け領域R1と垂直転送チャネル領域120とが重なる面積が大きく、一方、撮像領域11bの中央部B3に位置する垂直転送部123図4dでは、方向付け領域R3と垂直転送チャネル領域120とが重なる面積が小さく、このため、撮像領域11bの側部B1に位置する垂直転送部121図4eの垂直転送チャネル領域120に形成されるポテンシャルレベルLp1の傾斜は、撮像領域11bの中央部B3に位置する垂直転送部123図4dの垂直転送チャネル領域120に形成されるポテンシャルレベルLp2の傾斜より大きくなっている。これにより、垂直転送電極の駆動パルスの波形が、撮像領域の中央部と周辺部とで異なることにより転送特性の劣化を解消することができる。また、ここでは、それぞれの方向付け領域R1~R5の平面形状は、直角三角形形状であり、斜辺以外の2辺のうちの一方が垂直転送方向と直交して垂直転送チャネル領域120を横切るよう配置され、斜辺以外の2辺のうちの他方が垂直転送方向と平行に配置されており、垂直転送方向と平行な辺の長さは、いずれの垂直転送チャネル領域に形成されているものも一定例えば、0.5μmであり、方向付け領域と垂直転送電極との重なり部分の面積は、方向付け領域の垂直転送方向と直交する辺の長さ例えば、0.1μm~1.0μmの範囲によって調整する形状となっている。また、撮像領域11bにおける全ての垂直転送部における方向付け領域R1~R5は、1回のイオン注入プロセスにより形成することができる。つまり、上記方向付け領域R1~R5は、平面形状が撮像領域11bにおける垂直転送部毎に異なるだけであるので、この方向付け領域としての不純物領域を形成する際のイオン注入マスクを、そのマスク開口領域の形状を、各垂直転送部で形成すべき方向付け領域の平面パターンに合わせたものとすることで、簡単に形成することができる。なお、図2および図3では、垂直転送電極の、撮像領域11bにおける5つの領域B1~B5に対応する部分についてしか示していないが、垂直転送電極は、撮像領域11bの一方側から他方側に向かって延びる形状を有しており、撮像領域11bにおけるすべての垂直転送チャネル領域に跨って形成されているものであることは言うまでもない。また、図3では、方向付け領域R2~R4の平面形状を隣接する2つの垂直転送部では同一形状としているが、方向付け領域の平面形状は、垂直転送部毎に変化させても、あるいは3つ以上の垂直転送部を1組として変化させてもよい。ただし、方向付け領域の平面形状を同一とする1つの組に属する垂直転送部の数は少ない方が望ましい。また、ここでは、垂直転送部を駆動する駆動信号は4相駆動パルスとしているが、8相駆動パルスなど4相以上の駆動パルスを用いてもよい。また、方向付け領域の平面形状は、図3に示す直角三角形形状に限定されるものではなく、たとえば、長方形形状でもよく、この場合は、長方形形状の垂直転送方向と直交する長辺を一定長さとし、短辺の長さを、撮像領域における垂直転送部の位置に応じて変化させて、方向付け領域と垂直転送チャネル領域との重なり部分の面積を変えるようにする。さらに、方向付け領域はP型不純物領域により構成したものに限定されず、N型不純物領域により構成してもよい。ただし、方向付け領域をN型不純物領域により構成した場合、垂直転送チャネル領域における方向付け領域を形成した部分が、方向付け領域を形成していない部分に比べて、ポテンシャルレベルが深くなるので、方向付け領域をP型不純物領域により形成した場合と同じ方向に信号電荷を転送する場合は、図3に示す垂直転送電極に対する方向付け領域の配置を、図3に示す直角三角形形状の方向付け領域を、この直角三角形の斜辺を軸として折り返した配置とする必要がある。次に動作について説明する。このような固体撮像装置では、垂直転送部12および水平転送部13にそれぞれ駆動信号が供給されることにより、画素部11aで生成された信号電荷が垂直転送部12に読み出され、さらに垂直転送部12では信号電荷が垂直方向に転送されて水平転送部13に送られる。水平転送部13では、垂直転送部12からの信号電荷が水平方向に転送され、出力部14では、水平転送部13からの信号電荷が信号電圧に変換されて増幅されて出力される。以下、本実施形態1の垂直転送部12の動作について詳しく説明する。図5は、本発明の実施形態1によるCCD型固体撮像装置の動作を説明する図であり、このCCD型固体撮像装置における1つの垂直転送部にて信号電荷が転送される様子図5a~図5cを示している。例えば、図5aに示すタイミングt=t1では、垂直転送電極12aの駆動パルスΦV1はローレベル、垂直転送電極12b~12dの駆動パルスΦV2~ΦV4はミドルレベルであり、この状態では、垂直転送チャネル領域120の垂直転送電極12b~12dの下側でのポテンシャルレベルが、垂直転送チャネル領域120における垂直転送電極12aの下側でのポテンシャルレベルに比べて低くなり、このポテンシャルレベルが低くなっている部分に信号電荷Sc1が溜まっている。次に、図5bに示すタイミングt=t2では、垂直転送電極12aおよび12bの駆動パルスΦV1およびΦV2が反転するので、これにより垂直転送チャネル領域120の垂直転送電極12bの下側部分にあった信号電荷Sc1が垂直転送方向Vdに沿って移動し、垂直転送チャネル領域120の垂直転送電極12aの下側部分には垂直転送チャネル領域の上流側から信号電荷Sc2が移動してくる。さらに、図5cに示すタイミングt=t3では、垂直転送電極12bおよび12cの駆動パルスΦV2およびΦV3が反転するので、これにより垂直転送チャネル領域120の垂直転送電極12cの下側部分にあった信号電荷Sc1が垂直転送方向Vdに沿って移動し、垂直転送チャネル領域120の垂直転送電極12bの下側部分には垂直転送チャネル領域の上流側から信号電荷Sc2が移動してくる。このようにして4相駆動パルスΦV1~ΦV4により垂直転送部12が駆動され、垂直転送部12では信号電荷が垂直転送方向Vdに沿って転送されることとなる。ところで、本実施形態1においても、図2に示すように、垂直転送電極12a~12dでは、それぞれ両端部にバスラインBs1~Bs4を介して駆動パルスΦV1~ΦV4が印加される構成となっているため、撮像領域11bの中央部B3と周辺部B1およびB5とでは、垂直転送電極に印加される駆動パルスの波形が伝達遅延によって異なった波形となる。図6は、撮像領域の周辺部B1およびB5に位置する垂直転送部121および125での駆動パルスの波形Laを、撮像領域の中央部B3に位置する垂直転送部123での駆動パルスの波形Lbと対比させて示している。この図6に示すように、撮像領域の中央部B3では、撮像領域の周辺部B1およびB5に比べて、垂直転送部123に印加される駆動パルスの波形は、立ち上がりも立下りも緩やかになるが、この実施形態1の固体撮像装置では、方向付け領域の平面形状を撮像領域の中央部B3では、撮像領域の周辺部B1およびB5と変えることで、撮像領域11bの側部B1に位置する垂直転送部121図4eの垂直転送チャネル領域120に形成されるポテンシャルレベルLp1の傾斜を、撮像領域11bの中央部B3に位置する垂直転送部123図4dの垂直転送チャネル領域120に形成されるポテンシャルレベルLp2の傾斜より大きくしている。従って、駆動パルスの信号レベルが急峻に変化する撮像領域11bの周辺部B1およびB5に位置する垂直転送部121および125では、信号電荷を転送方向に流すためのポテンシャルレベルLp1の傾斜が急傾斜であるため、信号電荷の転送が駆動パルスの信号レベルの急峻な変化に追従して、わずかな期間で次の垂直転送電極へ電荷を転送することが可能となる。一方、駆動パルスの信号レベルが緩やかに変化する撮像領域11bの中央部B3に位置する垂直転送部123では、信号電荷を転送方向に流すためのポテンシャルレベルLp2の傾斜が緩やかであり、1つの垂直転送電極の下側領域でのポテンシャルレベルの最低値と最大値との差分信号電荷を転送するときの障壁の高さH2が小さいため、次の垂直転送電極12dの障壁H2を越えて、垂直転送電極12cから垂直転送電極12dへと信号電荷が移動しやすくなっている。なお、図4e中、H1は、撮像領域11bの周辺部B1に位置する垂直転送部121における、1つの垂直転送電極の下側領域でのポテンシャルレベルの最低値と最大値との差分信号電荷を転送するときの障壁の高さである。このように本実施形態1では、複数の画素部と、画素部で生成された信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直転送部とを備え、画素部および垂直転送部が撮像領域を形成している固体撮像装置10において、各垂直転送部121~125は、その垂直転送チャネル領域と重なるよう形成され、該垂直転送チャネル領域に形成されるポテンシャルレベルを信号電荷の転送の向きが決まるよう傾斜させる方向付け領域R1~R5を有し、方向付け領域の平面形状は、複数の垂直転送部におけるポテンシャルレベルの傾斜が、垂直転送部の位置が撮像領域11bの中央部に近いほど緩やかになるよう設定されているので、駆動パルスの信号レベルが急峻に変化する撮像領域11bの周辺部B1およびB5に位置する垂直転送部121および125では、信号電荷を転送方向に流すためのポテンシャルレベルLp1の傾斜が急傾斜であるため、信号電荷の転送が駆動パルスの信号レベルの急峻な変化に追従することとなる。一方、駆動パルスの信号レベルが緩やかに変化する撮像領域11bの中央部B3に位置する垂直転送部123では、信号電荷を転送方向に流すためのポテンシャルレベルLp2の傾斜が緩やかであり、1つの垂直転送電極の下側領域でのポテンシャルレベルの最低値と最大値との差分信号電荷を転送するときの障壁の高さH2が小さいため、信号電荷が移動しやすくなっている。これにより、固体撮像装置の撮像領域の中央部と周辺部とで垂直転送部の駆動パルスの波形の違いが転送効率の差となって撮像不良の原因となるのを抑制することができる。つまり、駆動パルスの波形なまりによる転送効率の差を、垂直転送チャネル領域120でのポテンシャルレベルのプロファイルにより吸収することができ、これにより撮像領域の中央部で駆動パルスの波形なまりが生じたままで、撮像領域全体としての転送プロファイルを最適化することにより、垂直転送部の転送効率を改善することができる。なお、上記実施形態1では、固体撮像装置として、垂直転送電極を、例えば導電性不純物を含有するポリシリコン膜で構成したものを示しているが、固体撮像装置は、該垂直転送電極を、金属配線とポリシリコン膜とで構成したものでもよい。このように金属配線とポリシリコン膜とで垂直転送電極を形成した固体撮像装置においても、画素サイズが小さいと、金属配線の線幅が細くなるため、抵抗値が上昇し、撮像領域の中央部では駆動パルスの波形なまりが発生する。このため、この場合にも、実施形態1で説明した、撮像領域の中央部と周辺部との間での駆動パルスの波形なまりによる転送効率の差を、垂直転送チャネル領域でのポテンシャルレベルのプロファイルにより吸収する構成が有効となる。そこで、以下の実施形態2では、このような構成の垂直転送電極を備えた固体撮像装置について具体的に説明する。実施形態2図7~図10は、本発明の実施形態2によるCCD型固体撮像装置を説明する図であり、図7は、このCCD型固体撮像装置の全体構成を概略的に示し、図8は、このCCD型固体撮像装置の垂直転送部図7のC部分における転送電極垂直転送電極と画素部との配置を説明する図であり、図9は、このCCD型固体撮像装置の垂直転送部図7のC部分における垂直転送電極と垂直転送チャネル領域との配置を示している。この実施形態2の固体撮像装置20は、実施形態1の固体撮像装置10におけるポリシリコン膜からなる垂直転送電極12a~12dに代えて、ポリシリコン膜からなる単位転送電極202を、金属配線からなる転送配線201に接続した構造の垂直転送電極22a~22dを備えたものであり、その他の構成は実施形態1と同様である。つまり、この固体撮像装置20は、複数の画素部11aと、画素部11aで光電変換により得られた信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直転送部22と、垂直転送部22から転送されてきた信号電荷を水平方向に転送する水平転送部13と、水平転送部13から転送されてきた信号電荷を電圧信号に変換し増幅して出力する出力部14とを有している。またここで、垂直転送電極22a~22dを構成する単位転送電極202は、半導体基板上に絶縁膜を介して形成されたポリシリコン膜からなり、また、垂直転送電極22a~22dを構成する転送配線201は、該ポリシリコン膜上に層間絶縁膜を介して形成された金属材料膜からなり、撮像領域11bの一方側から他方側に向かって延びる形状を有しており、該転送配線201の、撮像領域11bの外部にまで延伸した両端部分には、バスラインBs1~Bs4から4相の駆動信号φV1~φV4の各電圧が印加されるようになっている。以下、この実施形態2の固体撮像装置20の垂直転送部及び垂直転送電極について詳しく説明する。ここでは、図7に示す固体撮像装置20のC部分の詳細を示す図8および図9を用いて、この実施形態2の固体撮像装置における垂直転送部及び垂直転送電極の構成について説明する。なお、図9では、図7に示す垂直転送部22は、その撮像領域における位置に応じて垂直転送部221~225として示している。つまり、図9では、CCD型固体撮像装置の垂直転送部22図7のC部分の一部として、撮像領域11bの中央部C3における隣接する2つの垂直転送部223、撮像領域11bの一方の側部周辺部C1における1つの垂直転送部221、撮像領域11bの他方の側部周辺部C5における1つの垂直転送部225、撮像領域11bの中央部C3と一方の側部C1との間の部分C2における隣接する2つの垂直転送部222、撮像領域11bの中央部C3と他方の側部C5との間の部分C4における隣接する2つの垂直転送部224を示している。また、図9では、図8に示すバスラインBs1~Bs4は省略している。各垂直転送部221~225の垂直転送チャネル領域220上には単位転送電極202が垂直転送方向に沿って複数配列されており、また、すべての垂直転送部の単位転送電極202が構成する行列における行毎に転送配線201が設けられている。たとえば、図7に示す固体撮像装置20のC部分では、図8に示すように、紙面上から1行目の単位転送電極202の列に沿って転送配線201が設けられており、この転送配線201と、対応する単位転送電極202とがコンタクト部203により接続されて、垂直転送電極22aが形成されている。同様に、図8の紙面上から2行目の単位転送電極202と、2行目の単位転送電極202の列に沿って配置されている転送配線201とがコンタクト部203により接続されて垂直転送電極22bが形成され、図8の紙面上から3行目の単位転送電極202と、3行目の単位転送電極202の列に沿って配置されている転送配線201とがコンタクト部203により接続されて垂直転送電極22cが形成され、さらに、図8の紙面上から4行目の単位転送電極202と、4行目の単位転送電極202の列に沿って配置されている転送配線201とがコンタクト部203により接続されて垂直転送電極22dが形成されている。次に垂直転送部の断面構造を、垂直転送部224を例に挙げて図10により説明する。図10aは、図9のXa-Xa線部分の断面構造を示し、図10bは、図9のYa-Ya線部分の断面構造を示し、図10cは、図9のYa-Ya線に沿ったポテンシャルレベルを示し、図10dは、撮像領域の中央部の垂直転送部での垂直転送方向に沿ったポテンシャルレベルを示し、図10eは、撮像領域の一端側周辺部の垂直転送部での垂直転送方向に沿ったポテンシャルレベルを示している。図10aおよび図10bに示すように、N型半導体基板例えばN型シリコン基板101の表面部分に形成されたP型ウエル領域101aの表面部分は、垂直転送チャネル領域220としてN型不純物領域が形成されており、さらに、垂直転送チャネル領域に形成されるポテンシャルレベルを、信号電荷の転送の向きが決まるよう傾斜させる方向付け領域としてP型不純物領域R4が形成されている。ここで、P型不純物領域R4はボロンBあるいはフッ化ボロンBF2などのP型ドーパントを導入して形成されており、また、N型不純物領域はPリンあるいは砒素AsなどのN型ドーパントの導入により形成されている。また、N型半導体基板の不純物濃度、P型ウエル領域101aの不純物濃度、垂直転送チャネル領域220としてのN型不純物領域の不純物濃度、方向付け領域R4としてP型不純物領域の不純物濃度は、実施形態1におけるものと同一である。これにより、垂直転送部224の垂直転送チャネル領域220の、各垂直転送電極22a~22dの単位転送電極202に対向する部分に形成されるポテンシャルレベルLpは、図10cに示すように、方向付け領域R4を形成した部分では、該方向付け領域R4を形成していない部分に比べて高くなるよう傾斜したものとなり、方向付け領域R4により電荷転送の方向Vdが規定されることとなる。なお、図10cでは、垂直転送電極22a~22dに印加される駆動パルスΦV1~ΦV4により、垂直転送電極22b~22dの単位転送電極202下側でのポテンシャルレベルが、垂直転送電極22aの単位転送電極202下側でのポテンシャルレベルに比べて深くなっている状態を示している。さらに、上記方向付け領域は、垂直転送部124だけでなく他の垂直転送部221~223、225の垂直転送チャネル領域220にもP型不純物領域R1~R3、R5として形成されている。これらの方向付け領域としてのP型不純物領域R1~R3,R5の不純物濃度は、P型不純物領域R4の不純物濃度と同一である。そして、この実施形態2では、垂直電荷転送部221~225の垂直転送チャネル領域220に形成されている方向付け領域R1~R5の平面形状は、実施形態1と同様に、複数の垂直転送部におけるポテンシャルレベルの傾斜が、垂直転送部の位置が撮像領域11bの中央部C3に近いほど緩やかになるよう設定されている。つまり、ここでは、撮像領域11bの側部周辺部C1、C5に位置する方向付け領域R1、R5は、撮像領域11bの中央部C3に位置する方向付け領域R3に比べて、垂直転送チャネル領域220と重なる面積が大きくなるよう形成されており、さらに、撮像領域11bの中央部C3と側部C1との間の部分C2に位置する方向付け領域R2は、垂直転送チャネル領域220と重なる面積が、方向付け領域R3に比べて大きくなり、かつ方向付け領域R1、R5に比べて小さくなるよう形成され、撮像領域11bの中央部C3と側部C5との間の部分C4に位置する方向付け領域R4は、垂直転送チャネル領域220と重なる面積が、方向付け領域R3と垂直転送チャネル領域220とが重なる面積に比べて大きくなり、かつ方向付け領域R1、R5と垂直転送チャネル領域220とが重なる面積と比べて小さくなるよう形成されている。このように方向付け領域と垂直転送チャネル領域とが重なる面積を、撮像領域11bでの垂直転送部の位置によって変えることにより、撮像領域11bでの垂直転送部の位置によって、垂直転送チャネル領域に形成されるポテンシャルレベルの傾斜の大きさを変えることができる。例えば、撮像領域11bの側部C1に位置する垂直転送部221図10eでは、方向付け領域R1と垂直転送チャネル領域220とが重なる面積が大きく、一方、撮像領域11bの中央部C3に位置する垂直転送部223図10dでは、方向付け領域R3と垂直転送チャネル領域220とが重なる面積が小さく、このため、撮像領域11bの側部C1に位置する垂直転送部221図10eの垂直転送チャネル領域220に形成されるポテンシャルレベルLp1の傾斜は、撮像領域11bの中央部C3に位置する垂直転送部223図10dの垂直転送チャネル領域220に形成されるポテンシャルレベルLp2の傾斜より大きくなっている。これにより、垂直転送電極の駆動パルスの波形が、撮像領域の中央部と周辺部とで異なることによる転送特性の劣化を解消することができる。なお、図8および図9では、垂直転送電極22a~22dの、撮像領域11bにおける5つの領域C1~C5に対応する部分についてしか示していないが、これらの垂直転送電極を構成する転送配線201は、撮像領域の一方側から他方側に向かって延びる形状を有しており、撮像領域11bにおけるすべての垂直転送チャネル領域に跨って形成されているものであることは言うまでもない。このような構成の固体撮像装置20においても、垂直転送部22および水平転送部13にそれぞれ駆動信号が供給されることにより、画素部11aで生成された信号電荷が垂直転送部22に読み出され、さらに垂直転送部22では信号電荷が垂直方向に転送されて水平転送部13に送られる。水平転送部13では、垂直転送部22からの信号電荷が水平方向に転送され、出力部14では、水平転送部13からの信号電荷が信号電圧に変換されて増幅されて出力される。このような構成の本実施形態2では、複数の画素部11aと、画素部で生成された信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直転送部とを備え、画素部および垂直転送部が撮像領域11bを形成している固体撮像装置20において、垂直転送部121~125は、その垂直転送チャネル領域220と重なるよう形成され、該垂直転送チャネル領域に形成されるポテンシャルレベルを、信号電荷の転送の向きが決まるよう傾斜させる方向付け領域R1~R5を有し、方向付け領域の平面形状は、複数の垂直転送部におけるポテンシャルレベルの傾斜が、垂直転送部の位置が撮像領域の中央部C3に近いほど緩やかになるよう設定されているので、駆動パルスの信号レベルが急峻に変化する撮像領域11bの周辺部C1およびC5に位置する垂直転送部221および225では、信号電荷を転送方向に流すためのポテンシャルレベルの傾斜が急傾斜であり、このため、信号電荷の転送が駆動パルスの信号レベルの急峻な変化に追従することとなる。一方、駆動パルスの信号レベルが緩やかに変化する撮像領域11bの中央部C3に位置する垂直転送部223では、信号電荷を転送方向に流すためのポテンシャルレベルの傾斜が緩やかであり、このため1つの垂直転送電極の下側領域でのポテンシャルレベルの最低値と最大値との差分信号電荷を転送するときの障壁の高さが小さく、信号電荷が移動しやすくなっている。これにより、固体撮像装置の撮像領域の中央部と周辺部とで垂直転送部の駆動パルスの波形の違いが転送効率の差となって撮像不良の原因となるのを抑制することができる。つまり、駆動パルス信号の波形なまりによる転送効率の差を、垂直転送チャネル領域でのポテンシャルレベルのプロファイルにより吸収することができ、これにより撮像領域の中央部で駆動パルスの波形なまりが生じたままで、撮像領域全体としての転送プロファイルを最適化することにより、垂直転送部の転送効率を改善することができる。また、本実施形態2では、垂直転送電極を、各垂直転送部を構成する垂直転送チャネル領域上にポリシリコン膜からなる単位転送電極201を、複数の垂直転送部に跨るよう水平方向に延びる金属配線202にコンタクト部203により接続した構造としているので、垂直転送電極の低抵抗化により垂直転送部の駆動パルスの波形なまりを抑制しつつ、駆動パルス信号の波形なまりによる転送効率の差を、垂直転送チャネル領域でのポテンシャルレベルのプロファイルにより吸収することができ、これにより垂直転送部の転送効率をより一層改善することができる。さらに、上記実施形態1および2では、特に説明しなかったが、上記実施形態1および2の固体撮像装置の少なくともいずれかを撮像部に用いた、例えばデジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、画像入力カメラ、スキャナ、ファクシミリ、カメラ付き携帯電話装置などの、画像入力デバイスを有した電子情報機器について以下簡単に説明する。実施形態3図11は、本発明の実施形態3として、実施形態1および2の固体撮像装置の少なくともいずれかを撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。図11に示す本発明の実施形態2による電子情報機器90は、本発明の上記実施形態1および2の固体撮像装置の少なくともいずれかを、被写体の撮影を行う撮像部91として備えたものであり、このような撮像部による撮影により得られた高品位な画像データを記録用に所定の信号処理した後にデータ記録する記録メディアなどのメモリ部92と、この画像データを表示用に所定の信号処理した後に液晶表示画面などの表示画面上に表示する液晶表示装置などの表示部93と、この画像データを通信用に所定の信号処理をした後に通信処理する送受信装置などの通信部94と、この画像データを印刷印字して出力プリントアウトする画像出力部95とのうちの少なくともいずれかを有している。以上のように、本発明の好ましい実施形態を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。"