"絶縁性を有する支持体上に、有機溶媒に金属粒子を混合した混合体を塗布してコイルパターンを形成する工程と、加熱により前記コイルパターンに含まれる有機溶媒を除去するとともに前記金属粒子同士を焼成する工程と、を含むことを特徴とするコイル形成方法。前記有機溶媒の沸点は、前記加熱の温度より低温であることを特徴とする請求項1に記載のコイル形成方法。前記混合体の粘度は、50Pas以上且つ100Pas以下であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のコイル形成方法。前記混合体は80重量以上且つ98重量以下の前記金属粒子を含むことを特徴とする請求項1~請求項3のうち何れか一項に記載のコイル形成方法。前記支持体には、凹部が設けられており、前記凹部に前記混合体を充填することにより前記コイルパターンを形成することを特徴とする請求項1~請求項4のうち何れか一項に記載のコイル形成方法。請求項1~請求項5のうち何れか一項に記載のコイル形成方法により形成されたことを特徴とするコイル。絶縁性を有する支持体に支持されるとともに、表面に径が0.5μm以下且つ0μmより大きい空孔を有し、金属粒子同士が焼成された金属焼成体により形成されたことを特徴とするコイル。前記支持体の凹部に形成されたことを特徴とする請求項7に記載のコイル。ところで、特許文献1のようにコイルを印刷して形成する場合、一般に、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂に金属粒子を混合させた金属ペーストが用いられる。しかしながら、熱硬化性樹脂を含む金属ペーストを用いてコイルを形成した場合には、コイル内部に硬化した熱硬化性樹脂が残留することにより、コイルそのものの比抵抗が大きくなる傾向がある。このため、銅箔銅板の打ち抜き加工や、銅線の巻回により形成したコイルと比較して比抵抗が高くなりやすく、通電時に発熱しやすいという問題があった。本発明は、上記従来技術に存在する問題点に着目してなされたものであり、その目的は、容易に製造できるとともに、比抵抗が高くなることを抑制できるコイルの形成方法、及びコイルを提供することにある。上記課題を解決するために、請求項1に記載の発明は、コイル形成方法において、絶縁性を有する支持体上に、有機溶媒に金属粒子を混合した混合体を塗布してコイルパターンを形成する工程と、加熱により前記コイルパターンに含まれる有機溶媒を除去するとともに前記金属粒子同士を焼成する工程と、を含むことを要旨とする。これによれば、有機溶媒に金属粒子を混合した混合体を塗布することによりコイルパターンを容易に形成できる。また、加熱により、有機溶媒を除去するとともに金属粒子同士を焼成できる。したがって、コイル形状を成形しやすく、且つ金属粒子の間に熱硬化性樹脂が残留する場合と比較して比抵抗が高くなることを抑制できる。したがって、容易に製造できるとともに、比抵抗が高くなることを抑制できる。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のコイル形成方法において、前記有機溶媒の沸点は、前記加熱の温度より低温であることを要旨とする。これによれば、金属粒子を焼成する際に有機溶媒を蒸発させ、コイル内部に有機溶媒が残留することを抑制できる。したがって、コイルの比抵抗が高くなることを抑制できる。請求項3に記載の発明は、請求項1又は請求項2に記載のコイル形成方法において、前記混合体の粘度は、50Pas以上且つ100Pas以下であることを要旨とする。これによれば、混合体の取り扱いが容易になり、混合体を塗布することによりコイルパターンを容易に形成できる。請求項4に記載の発明は、請求項1~請求項3のうち何れか一項に記載のコイル形成方法において、前記混合体は80重量以上且つ98重量以下の前記金属粒子を含むことを要旨とする。これによれば、有機溶媒の除去及び金属粒子の焼成の際に、コイルパターンの体積が減少することを抑制できる。したがって、容易に製造できる。請求項5に記載の発明は、請求項1~請求項4のうち何れか一項に記載のコイル形成方法において、前記支持体には、凹部が設けられており、前記凹部に前記混合体を充填することにより前記コイルパターンを形成することを要旨とする。これによれば、凹部に混合体を充填することにより、コイルパターンの厚さを確実に確保できる。したがって、容易に製造できる。請求項6に記載の発明は、コイルにおいて、請求項1~請求項5のうち何れか一項に記載のコイル形成方法により形成されたことを要旨とする。これによれば、金属粒子同士が焼成されたコイルとなる。このため、金属粒子の間に熱硬化性樹脂が残留する場合と比較して比抵抗が高くなることを抑制できる。したがって、容易に製造できるとともに、比抵抗が高くなることを抑制できる。請求項7に記載の発明は、コイルにおいて、絶縁性を有する支持体に支持されるとともに、表面に径が0.5μm以下且つ0μmより大きい空孔を有し、金属粒子同士が焼成された金属焼成体により形成されたことを要旨とする。これによれば、絶縁性を有する支持体に支持されるとともに、金属粒子同士が焼成された金属焼成体によりコイルが形成される。金属焼成体は、焼成前の金属粒子の状態においてコイル形状に成形配置しやすく、且つ焼成させることで金属粒子の間に熱硬化性樹脂が残留する場合と比較して比抵抗が高くなることを抑制できる。したがって、容易に製造できるとともに、比抵抗が高くなることを抑制できる。請求項8に記載の発明は、請求項7に記載のコイルにおいて、前記支持体の凹部に形成されたことを要旨とする。これによれば、機械的な接触などによりコイルが支持体から脱落することを抑制できる。本発明によれば、容易に製造できるとともに、比抵抗が高くなることを抑制できる。以下、本発明をトランスのコイルに具体化した実施形態について、図1~図8にしたがって説明する。図1に示すように、本実施形態のDC/DCコンバータ10は、絶縁性を有する材料以下、絶縁材料と示すからなるハウジング11を備えるとともに、ハウジング11の内部には、絶縁材料本実施形態ではガラスエポキシ樹脂からなる支持体としての絶縁基板12が固定されている。絶縁基板12は、その両面に厚みが0.1~0.5mmの図示しない厚銅箔パターンが付与されており、両面基板とされている。絶縁基板12には、IGBTやMOSFETなどの複数のパワー半導体素子13が実装されているとともに、誘導機器電子機器としてのトランス14が配設されている。以下の説明では、便宜上、パワー半導体素子13が実装された面を絶縁基板12の上面表面と示し、その反対側の面を絶縁基板12の下面裏面と示す。図2に示すように、トランス14は、軟磁性材料本実施形態ではフェライトからなるコア15を備えている。コア15は、絶縁基板12の上面及び下面の両側から絶縁基板12を挟持するように配設された一対一組のコア部材16から構成される。各コア部材16は、略長方形平板状をなすベース部16aと、このベース部16aの中央部から絶縁基板12側へ向かって突出する第1脚部16bと、ベース部16aの両端から絶縁基板12側へ向かって突出する一対の第2脚部16cとから構成されている。第1脚部16bは、略円柱状をなし、その先端部に平面が形成されている。絶縁基板12には、上面と下面とを連通するように平面視で円形の挿通孔12aが形成されているとともに、この挿通孔12aには、各コア部材16の第1脚部16bが絶縁基板12の両面側から挿通される。そして、図3に示すように、各コア部材16は、挿通孔12a内において第1脚部16bの先端部の平面同士が接するように配置される。また、図2に示すように、第2脚部16cは、絶縁基板12の側縁部に沿って延びる壁状をなし、先端部に平面が形成されている。図3に示すように、各コア部材16は、絶縁基板12を挟んで絶縁基板12の両側縁部において、第2脚部16cの先端部の平面同士が接するように配置される。したがって、各コア部材16は、その全体が断面視、及び側面視で略E字状をなす。そして、コア15各コア部材16を絶縁基板12に組み付けた状態において、絶縁基板12は、絶縁基板12の上面及び下面と、各コア部材16との間に空間隙間が形成されるように支持される。すなわち、トランス14において、絶縁基板12の上面及び下面は、コア15を構成する各コア部材16と非接触とされている。図2に示すように、絶縁基板12の上面には、一次コイル17が形成パターニングされている。図4aに示すように、一次コイル17は、挿通孔12aの同心円の一部をなす円弧状に形成されるとともに、挿通孔12aの周囲を平面視で多重本実施形態では4重に囲う銅配線導体wからなる第1パターン部P1と、この第1パターン部P1をなす銅配線w同士を接続する銅配線wからなる第2パターン部P2から形成されている。そして、第1パターン部P1、及び第2パターン部P2は、その全体として、線状をなす1本の銅配線wが挿通孔12aの周囲を平面視でらせんスパイラル状に取り巻くように配置された一次コイルパターンPaを形成している。本実施形態において、一次コイル17の巻回数ターン数は、4回となる。また、一次コイル17は、絶縁基板12に付与された厚銅箔パターンに電気的に接続されている。本実施形態の第1パターン部P1一次コイル17は、平面視における銅配線wの幅となる線幅t1が0.7~0.9mmに設定されるとともに、隣り合う銅配線wの間隔となる線間隔t2が0.5~1mmに設定されている。また、図3に示すように、絶縁基板12の上面には、一次コイル17一次コイルパターンPaと平面視で同一形状に形成された凹部12bが形成されているとともに、一次コイル17一次コイルパターンPaは、凹部12b内に形成されている。したがって、本実施形態の一次コイル17は、絶縁基板12に支持されている。絶縁基板12の厚さ方向に沿った凹部12bの深さは、一次コイル17一次コイルパターンPaの厚み高さと一致略一致されている。本実施形態において、凹部12bの深さ、及び一次コイル17の厚さは、0.5mmに設定される。また、図3に示すように、絶縁基板12の下面には、二次コイル18が形成パターニングされている。図4bに示すように、二次コイル18は、挿通孔12aと同心円状に配置した銅配線wから構成された二次コイルパターンPbから形成されている。本実施形態において、二次コイル18の巻回数は、1回となる。また、二次コイル18は、絶縁基板12に付与された厚銅箔パターンに電気的に接続されている。また、図3に示すように、絶縁基板12の下面には、二次コイル18二次コイルパターンPbと下面視で同一形状に形成された凹部12cが形成されているとともに、二次コイル18二次コイルパターンPbは、凹部12c内に形成されている。したがって、本実施形態の二次コイル18は、絶縁基板12に支持されている。二次コイル18二次コイルパターンPbは、下面視における銅配線wの幅となる線幅t3が6.4mmに設定される。また、絶縁基板12の厚さ方向に沿った凹部12cの深さは、二次コイル18の厚さと一致されている。本実施形態において、凹部12cの深さ、及び二次コイル18の厚さは、0.5mmに設定される。本実施形態において、一次コイル17、及び二次コイル18を形成する銅配線wは、何れも金属粒子同士が焼成された金属焼成体とされている。より具体的に言えば、銅配線wは、金属粒子同士が焼結により金属接合金属結合された金属焼結体からなる。図5に示すように、本実施形態の銅配線wは、粒子径たとえば図5において横方向の長さが10~1000nmである微細な金属粒子としての銅ナノフィラーNfを焼結させた焼結体とされている。このため、銅配線wの表面には、空孔kが形成されている。なお、本実施の形態において空孔kの径は0.5μm以下且つ0μmより大きい。本実施形態において、銅配線wは、その比抵抗が10~30μΩcmであり、密度が7.0~8.5g/cm3とされている。また、銅配線wは、その断面を走査型電子顕微鏡写真で観察した場合、断面積の全体に占める銅ナノフィラーNfの断面積の割合が50以上であり、好ましくは80以上とされている。次に、本実施形態の一次コイル17、及び二次コイル18の形成方法製造方法について図6~図8にしたがって説明する。最初に、図6に示すように、有機溶媒本実施形態では、テルピネオール及びエタノールと銅ナノフィラーNfを混合した混合体としての銅ペースト20を得る銅ペースト調製工程を行うステップS1。銅ペースト調製工程では、増粘剤バインダとなるテルピネオールと、銅ナノフィラーNfを混合するとともに、さらに希釈剤粘度調整剤となるエタノールを加えつつ均一となるまで混合し、最終的に粘度を50Pas以上且つ100Pas以下に、より好ましくは80Pas以上且つ100Pas以下に調整する。粘度が50Pas未満の場合には、銅ペースト20によりコイルパターンを形成し難く、100Pasより大きい場合には銅ペースト20を塗布や充填し難い。つまり、粘度が50Pas以上且つ100Pas以下の場合には銅ペースト20の取り扱いが容易になり、銅ペースト20を塗布することによりコイルパターンを容易に形成できる。本実施形態において、銅ペースト20は、80重量以上且つ98重量以下、より好ましくは90重量以上且つ98重量以下の銅ナノフィラーNfを含む。銅ペースト20に含まれる銅ナノフィラーNfが80重量より少ない場合には、導電性が低くなる。また、銅ペースト20は有機溶媒を含むため、銅ナノフィラーNfの含有率を98重量以上にし難い。テルピネオールの沸点は、217~220°Cであるとともに、エタノールの沸点は、78.3°Cであり、何れも室温1~30°Cよりも高い。また、本実施形態の銅ナノフィラーNfは、表面に酸化膜が形成されていないとともに、その表面の全体に有機分子有機化合物としてのカルボン酸R-COOH、但しR=CnH2n1,1≦n≦12からなる有機皮膜が形成され、被覆されている。このため、銅ナノフィラーNfの表面は、有機皮膜により酸化が抑制されている。次に、一次コイルパターンPaを絶縁基板12上に形成する第1パターン形成工程を行うステップS2。図7に示すように、第1パターン形成工程では、まず絶縁基板12の上面に対して一次コイル17一次コイルパターンPaと同一形状のペースト通過部21aを形成した第1スクリーン21を載置するとともに、絶縁基板12の凹部12bと第1スクリーン21のペースト通過部21aを整合一致させてから固定する。なお、第1スクリーン21の厚さは、0.05mmとされている。次に、第1スクリーン21を介して、スキージブレード22を用いて銅ペースト20を塗布することにより絶縁基板12の凹部12b内に銅ペースト20を充填し、一次コイルパターンPaを絶縁基板12上に形成スクリーン印刷する。次に、図6に示すように、二次コイルパターンPbを絶縁基板12上に形成する第2パターン形成工程を行うステップS3。図8に示すように、第2パターン形成工程では、絶縁基板12の下面に対して二次コイル18二次コイルパターンPbと同一形状のペースト通過部23aを形成した第2スクリーン23を載置するとともに、絶縁基板12の凹部12cと第2スクリーン23のペースト通過部23aを整合一致させてから固定する。なお、第2スクリーン23の厚さは、0.05mmとされている。次に、第2スクリーン23を介して、スキージ22を用いて銅ペースト20を塗布することにより絶縁基板12の凹部12c内に銅ペースト20を充填し、二次コイルパターンPbを絶縁基板12上に形成スクリーン印刷する。次に、図6に示すように、一次コイルパターンPa、及び二次コイルパターンPbを形成した絶縁基板12を加熱して、銅ペースト20に含まれる有機溶媒を除去するとともに、銅ナノフィラーNf同士を金属接合焼成させて金属焼結体とする焼結工程を行うステップS4。焼結工程は、大気雰囲気常圧下において、250°Cで5分間、加熱して行う。250°Cは、銅の融点である1083°Cより低く、且つ銅ペースト20に含まれる有機溶媒テルピネオール、及びエタノールの沸点より高い温度である。焼結工程により、銅ペースト20に含まれるテルピネオール、及びエタノールが蒸発気化されるとともに、銅ナノフィラーNfの表面から有機皮膜を構成するカルボン酸が離脱して蒸発気化する。そして、酸化皮膜が除去された銅ナノフィラーNfは、相互に金属接合焼成され、図5に示すような金属焼結体が形成される。この際、一次コイルパターンPa、及び二次コイルパターンPbの厚さ高さは、有機溶媒や有機皮膜の蒸発気化に伴って、焼結工程前の0.55mmから0.5mmに減少する。また、一次コイルパターンPa、及び二次コイルパターンPbの表面には、有機溶媒や有機皮膜の蒸発気化により空孔kが形成される。なお、一次コイル17及び二次コイル18の形成後焼結工程の終了後には、絶縁基板12の上面側、及び下面側から各コア部材16を配置してコア15を形成し、トランス14が形成される。次に、上記のように構成した一次コイル17、及び二次コイル18の作用について説明する。一次コイル17、及び二次コイル18は、銅ナノフィラーNf同士が焼結された金属焼結体により形成されている。これに対し、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂に銅ナノフィラーNfを混合したペーストを熱硬化させて形成したコイルでは、断面積の全体に占める熱硬化性樹脂の断面積の割合が50程度となるのが一般的である。このため、本実施形態の一次コイル17及び二次コイル18では、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂に銅ナノフィラーNfを混合したペーストを熱硬化させて形成したコイルと比較して、銅配線wそのものの比抵抗を低く抑えることができる。このため、本実施形態の一次コイル17、及び二次コイル18では、通電時における発熱を抑制できる。したがって、上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。1有機溶媒テルピネオール、及びエタノールに銅ナノフィラーNfを混合した銅ペースト20を絶縁基板12上に塗布して一次コイルパターンPa、及び二次コイルパターンPbを形成することにより、一次コイルパターンPa、及び二次コイルパターンPbを容易に形成できる。また、加熱により有機溶媒を除去するとともに銅ナノフィラーNf同士を焼結して金属焼結体とすることができる。したがって、コイル形状一次コイルパターンPa、及び二次コイルパターンPbを形成しやすく、且つ銅ナノフィラーNfの間に熱硬化性樹脂が残留する場合と比較して比抵抗が高くなることを抑制できる。したがって、一次コイル17及び二次コイル18を容易に製造できるとともに、比抵抗が高くなることを抑制できる。2有機溶媒テルピネオール、及びエタノールの沸点は、加熱工程における加熱の温度より低温である。このため、銅ナノフィラーNfを焼結する際に有機溶媒を気化蒸発させ、一次コイル17、及び二次コイル18の銅配線w内に有機溶媒が残留することを抑制できる。したがって、一次コイル17及び二次コイル18の比抵抗が高くなることを抑制できる。3銅ペースト20の粘度を50Pas以上且つ100Pas以下に設定した。このため、銅ペースト20の取り扱いが容易になり、銅ペースト20を塗布することにより一次コイルパターンPa、及び二次コイルパターンPbを容易に形成できる。4銅ペースト20は、80重量以上且つ98重量以下の銅ナノフィラーNfを含む。このため、焼結工程有機溶媒の除去及び銅ナノフィラーNfの焼結の際に、一次コイルパターンPa、及び二次コイルパターンPbの体積厚さが減少することを抑制できる。したがって、容易に製造できる。5絶縁基板12には凹部12b、及び凹部12cが設けられており、各凹部12b,12cに銅ペースト20を充填することにより一次コイルパターンPa、及び二次コイルパターンPbを形成するようにした。このため、一次コイルパターンPa、及び二次コイルパターンPbの厚さを確実に確保できる。したがって、容易に製造できる。6一次コイル17、及び二次コイル18は、絶縁性を有する絶縁基板12に支持されるとともに、銅ナノフィラーNf同士が焼結された金属焼結体により形成される。金属焼結体は、焼結前の銅ナノフィラーNfの状態においてコイル形状一次コイルパターンPa、及び二次コイルパターンPbに成形配置しやすく、且つ焼結させることで銅ナノフィラーNf同士が金属接合し、銅ナノフィラーNfの間に熱硬化性樹脂が残留する場合と比較して比抵抗が高くなることを抑制できる。したがって、一次コイル17及び二次コイル18を容易に製造できるとともに、比抵抗が高くなることを抑制できる。7凹部12b、及び凹部12c内に一次コイル17及び二次コイル18がそれぞれ形成される。したがって、機械的な接触などにより、金属焼結体からなる一次コイル17、及び二次コイル18が絶縁基板12から脱落することを抑制できる。8絶縁基板12の上面に対し、銅ペースト20を塗布して一次コイルパターンPaを形成している。このため、本実施形態では、銅箔銅板の打ち抜き加工では実現が困難な線幅t1、及び線間隔t2で一次コイルパターンPaを形成できる。具体的に説明すると、一般に、銅箔銅板を打ち抜き加工する場合には、線幅t1を0.9mm以下に、線間隔t2を1mm以下に、厚さを0.5mmに形成することが困難である。これに対して、本実施形態の一次コイル17、及びコイル形成方法では、一次コイル17一次コイルパターンPaにおける銅配線wの線幅t1を0.7~0.9mmに、線間隔t2を0.5~1mmに、厚さを0.5mmにできる。したがって、絶縁基板12上における一次コイル17一次コイルパターンPaの配置面積を縮小、又は同一配置面積における巻回数を増加させることができる。9本実施形態では、一次コイル17、及び二次コイル18を用いてトランス14を構成している。したがって、トランス14を小型化できる。なお、本実施形態は以下のように変更してもよい。○銅ペースト20に用いる希釈剤粘度調整剤は、エタノールに代えてメタノール、オクタノール、ヘキサン、又はトルエンなどを用いてもよい。すなわち、沸点が室温以上であり、且つ沸点が焼結工程における加熱温度より低い有機溶媒であればよい。○銅ペースト20に用いる増粘剤バインダは、テルピネオールに代えてエチレングリコールなどを用いてもよい。すなわち、沸点が室温以上であり、且つ沸点が焼結工程における加熱温度より低い有機溶媒であればよい。○金属粒子銅ナノフィラーNfの表面に形成する有機皮膜カルボン酸としては、例えばステアリン酸、オレイン酸、リノール酸など、異なる有機分子により構成してもよい。○二次コイル18は、銅箔銅板を打ち抜き加工して形成してもよい。○一次コイル17を絶縁基板12の下面に配置する一方で、二次コイル18を絶縁基板12の上面に配置してもよい。○金属粒子として、銅ナノフィラーNfに代えて、微細な銀の微粒子からなる銀ナノフィラーを用いてもよい。なお、銀の融点は960°Cである。また、スズやニッケルの微粒子からなるナノフィラーを用いてもよい。○金属粒子銅ナノフィラーNfの粒子径は、適宜変更してもよい。また、異なる粒子径の金属粒子を組み合わせて用いてもよい。○焼結工程では、絶縁基板12一次コイルパターンPa、及び二次コイルパターンPbを冶具で加圧しつつ加熱してもよい。このように構成した場合には、空孔kの形成を抑制し、銅配線wをより緻密な金属焼結体とすることができる。○焼結工程の温度は、例えば300°Cなど、金属粒子同士が金属接合されて金属焼結体となる温度であれば、適宜変更してもよい。○焼結工程における加熱時間は、例えば10分など、金属粒子同士が金属接合されて金属焼結体となる時間であれば、適宜変更してもよい。○焼結工程における焼結雰囲気は大気に限らず、例えば酸素と窒素など、金属粒子同士が金属接合されて金属焼結体となる雰囲気であれば、適宜変更してもよい。○第1パターン形成工程ステップS2と、第2パターン形成工程ステップS3の順序を入れ替えてもよい。○第1パターン形成工程ステップS2と、第2パターン形成工程ステップS3との間にも焼結工程を設けてもよい。○第1スクリーン21、及び第2スクリーン23のうち少なくとも何れか一方を用いなくてもよい。この場合には、絶縁基板12に銅ペースト20を直接塗布し、凹部12bや凹部12cに銅ペースト20混合体を充填塗布して一次コイルパターンPa、及び二次コイルパターンPbを形成すればよい。○絶縁基板12の凹部12b及び凹部12cのうち少なくとも一方を省略してもよい。この場合、第1スクリーン21や第2スクリーン23の厚さを、例えば0.55mmなど、一次コイルパターンPa、及び二次コイルパターンPbに必要な厚さに設定すればよい。○ハウジング11に一次コイル17や二次コイル18を形成してもよい。この場合、ハウジング11が支持体となる。○一次コイル17は、一次コイル17を絶縁基板12の厚さ方向に対して複数層にわたって積層するとともに、各一次コイル17を電気的に接続して1つのコイルとしてもよい。この場合、一次コイル17上に絶縁層を形成するとともに、その絶縁層の上に一次コイル17を形成することを繰り返せばよい。また、二次コイル18についても同様の構成としてもよい。○一次コイル17一次コイルパターンPaの銅配線wは、線幅t1が0.9mmを超えてもよい。また、銅配線wは、線間隔t2が1mmを超えてもよく、厚さが0.5mm未満でも0.5mmを超えていてもよい。同様に、二次コイル18二次コイルパターンPbの銅配線wの線幅は、適宜変更してもよい。○一次コイル17、及び二次コイル18の巻回数ターン数は、適宜変更してもよい。○一次コイル17、及び二次コイル18の何れか一方を省略するか、或いは一次コイル17及び二次コイル18を電気的に接続して1つのコイルとすることにより、誘導機器電子部品としてのインダクタリアクトルとして構成してもよい。この場合、コア15を省略した構成としてもよい。次に、上記実施形態及び別例変形例から把握できる技術的思想について以下に追記する。イ前記金属焼結体は、線幅が0.9mm以下であり、且つ厚さが0.5mm以下の線状に形成されるとともに、その線間隔が1mm以下となるように前記支持体に支持された請求項7又は請求項8に記載のコイル。ロ前記金属焼結体は、断面積の全体に占める前記金属粒子の断面積の割合が50以上である請求項7、請求項8、及び技術的思想イのうち何れか一項に記載のコイル。ハ請求項7、請求項8、及び技術的思想イ,ハのうち何れか一項に記載のコイルを含んで構成された誘導機器。"