純度99.997質量~純度99.99994質量の酸化膜を有する銅からなる線径0.01mm以上1mm未満の連続伸線された高純度銅細線において、当該銅細線の断面組織における上位10個の結晶粒面積が全断面組織の5~25で、その結晶粒面積の80以上が直径の1/20以下で定義される表皮層の内側にあることを特徴とする半導体装置接続用高純度銅細線。銀1~25質量ppmおよび残部が純度99.997質量~純度99.99994質量の酸化膜を有する銅からなる線径0.01mm以上1mm未満の連続伸線された高純度銅細線において、前記上位10個の結晶粒面積が全断面組織の5~25で、その結晶粒面積の80以上が直径の1/20以下で定義される表皮層の内側にあることを特徴とする半導体装置接続用高純度銅細線。酸化膜の厚さが1~6nmである請求項1または請求項2のいずれかに記載の半導体装置接続用高純度銅細線。銀、鉄、ニッケル、スズ、シリコン、リンおよびイオウの総量が30質量ppm未満である請求項1または請求項2のいずれかに記載の半導体装置接続用高純度銅細線。銀、鉄、ニッケル、スズ、シリコン、リンおよびイオウの総量が10質量ppm未満である請求項1または請求項2のいずれかに記載の半導体装置接続用高純度銅細線。鉄、ニッケル、スズ、シリコン、リンおよびイオウの総量が1質量ppm未満である請求項1または請求項2のいずれかに記載の半導体装置接続用高純度銅細線。上位10個の結晶粒面積が全断面組織の10~20である請求項1または請求項2のいずれかに記載の半導体装置接続用高純度銅細線。上位10個の結晶粒面積が全断面組織の90以上が直径の1/20以下で定義される表皮層の内側にある請求項1または請求項2のいずれかに記載の半導体装置接続用高純度銅細線。線径が0.1mm~1.0mmである高純度銅細線である請求項1または請求項2のいずれかに記載の半導体装置接続用高純度銅細線。線径が0.06mm~0.1mmである高純度銅細線である請求項1または請求項2のいずれかに記載の半導体装置接続用高純度銅細線。線径が0.01mm~0.08mmである高純度銅細線である請求項1または請求項2のいずれかに記載の半導体装置接続用高純度銅細線。本発明は、高純度銅細線をアルミパッドへファーストボンドした場合に高純度銅細線の銅とアルミパッドのアルミニウムとの接合強度が不安定になること、およびファーストボンド後に半導体素子を特に高温で放置した場合、銅とアルミパッドのアルミニウムとの接合界面からアルミニウムの酸化物が成長して高純度銅細線がアルミパッドから剥離することがないなどを解決課題とする。上記課題を解決するため、本発明者らは高純度銅細線を不活性雰囲気下で高温度にすると、まず高純度銅細線の表面および内部の酸素が気相中に吐き出されるという固気相過程と、この固気相過程が生じたあとで、高純度銅細線中の伸線加工組織が回復組織から再結晶組織になり、やがて粒成長が起こるという固相過程とのあいだに時間差があることに着目した。すなわち、高純度銅細線に一定の張力をかけながら高温にすると、上記固気相過程で高純度銅細線から酸素を追い出すのを加速する。そして、粒成長が起こる前のわずかな時間、すなわち高温の高純度銅細線が水冷却等で急冷するまでの数百ミリ秒以下のわずかな時間内に高純度銅細線の粒成長をストップさせ、かつ、高純度銅細線に一定の張力をかけながらの熱収縮によって高純度銅細線の直径の1/20以下で定義される表皮層の再結晶組織近傍にピットやボイド等の結晶欠陥を無数に発生させて高純度銅細線の硬さを増強させる。しかも、急冷時に、高純度銅細線表面の結晶欠陥には不活性ガス等の気体が巻き込まれるので、結果的に高純度銅細線表面の結晶粒界に不活性ガス等のふたがされるので、表面の結晶粒界からの以後の酸素の侵入が防がれる。高純度銅細線中の再結晶組織から粒成長する前に内部組織を固定しておけば、高温でオンオフを多数回繰り返していても、表皮層の無数の結晶欠陥が徐々に緩和されていくだけで、使用期間中に高純度銅細線のクラックが進行したり、高純度銅細線自体がへたったりすることはない。本発明の半導体装置を接続するための高純度銅細線は、純度99.997質量~純度99.99994質量の酸化膜を有する銅からなる線径0.01mm以上1mm未満の連続伸線された高純度銅細線において、当該銅細線の断面組織における上位10個の結晶粒面積が全断面組織の5~25で、その結晶粒面積の80以上が直径の1/20以下で定義される表皮層の内側にあることを特徴とする。また、本発明の半導体装置を接続するための高純度銅細線は、銀1~25質量ppmおよび残部が純度99.997質量~純度99.99994質量の酸化膜を有する銅からなる線径0.01mm以上1mm未満の連続伸線された高純度銅細線において、当該銅細線の断面組織における上位10個の結晶粒面積が全断面組織の5~25で、その結晶粒面積の80以上が直径の1/20以下で定義される表皮層の内側にあることを特徴とする。高純度銅細線の純度は、純度99.997質量~純度99.99994質量の銅の範囲が必要である。高純度銅細線の機械的強度は、主にワイヤの内部組織が支配し、従として数nmの銅酸化物CuO/Cu2O層が影響する。被加工材を加熱すると、緻密な伸線加工組織が回復組織から再結晶組織を経由して粒成長が起こる一連の結晶粒組織の熱変化に対応して銅マトリックス中の酸素が結晶粒界をつたって表層の銅酸化物CuO/Cu2O層から外部へ移動し、表層の銅酸化物CuO/Cu2O層が薄くなる。銀以外の不純物元素の量は30質量ppm未満である。高純度銅中の不純物としては、鉄Fe、ニッケル、スズSn、シリコン、リンPおよびイオウSが主なものである。これらの不純物元素の量は30質量ppm以上になると、不純物元素のピン止め効果によって、結晶組織が異なり、高純度銅細線の結晶組織を加熱冷却によって制御することができなくなるからである。これらの不純物元素は、銅マトリックスでの分離が困難であることから、銅マトリックスとの親和性があり、銅マトリックス中で酸化物を形成しても、銅酸化物によって形成された一連の結晶粒組織の熱変化をほとんど阻害しない。このため加熱の熱エネルギー量に応じて高純度銅細線の結晶粒組織を変化させることが可能になる。高純度銅細線の純度は、99.997質量が必要である。インバータ制御など、パワー半導体を高速でオンオフを繰り返すと、ワイヤ内部に熱疲労によるクラックが入るが、99.997質量以上あれば、再結晶温度が低いので、加工ひずみが再結晶により除去され、ワイヤ中にサブグレインが形成されにくくなるからである。よって、高純度銅細線の純度は、99.997質量以上が必要であり、99.999質量以上のほうが好ましく、99.9999質量以上のほうがより好ましい。しかし、99.99994質量を超えると、純度が高すぎることによって室温で再結晶が始まってしまい、接合時のつぶれ幅のばらつきが大きくなってしまう。しかも、線径が0.01mm~0.08mmであるボールボンディング用極細線の場合には、ワイヤ自体の剛性がなくなってしまう。よって、高純度銅細線の純度は、99.997質量~99.99994質量の銅の範囲が必要となる。また、高純度銅細線は熱伝導度が良いので、高純度銅細線の結晶組織を適切に管理するにはサブミリ径が好適である。0.1mm未満の径になると、線自体が弱くなるため、接合後はワイヤ全体を樹脂モールドしたり、接続距離を短くしたりするなどの工夫が必要となる。不純物元素ただし、後述する銀元素を除く。の量が30質量ppm以上になると、これらの不純物元素は銅マトリックス中の酸素と結びついて銅マトリックス中で酸化物を形成する。この酸化物粒子は、強加工された緻密な結晶粒の粒界に析出しやすく、高純度銅自体の結晶粒組織の熱変化よりも耐性があるので、高純度銅細線の結晶組織を支配してしまう。このため緻密な内部組織図1参照から焼きなまされた内部組織図3参照へさせようと加熱していくと、ある温度以上で一気に変質してしまい、高純度銅細線の結晶粒組織を連続的に変化させることができない。銀元素は、銅と完全に固溶して銅マトリックスに存在し、銀は銅結晶粒の粒界に析出しない。他方、銀は、銅とイオン化傾向が近く化学的性質も似ているものの、銅よりもイオン化傾向が貴であり、銅よりも酸素と反応しない性質がある。銀バルクは、酸化せず、銀マトリックス中に酸素を取り込み、酸素を透過する。このため、1~25質量ppmの銀を純度99.997質量~純度99.99994質量の酸化膜を有する銅に含有させておいても、上記の銅マトリックスと酸素との相互作用に悪影響を与えない。しかし、銀の含有量が25質量ppmを超えると、相対的に銅の純度が下がり、加熱の熱エネルギー量に応じて高純度銅細線の結晶粒組織を変化させることが困難になる。よって、銀の含有量を1~25質量ppmとした。高純度銅細線の断面組織における最大結晶粒は、熱エネルギーによって図2のように一気に大きくなりうる。しかし、純度99.997質量~純度99.99994質量の酸化膜を有する銅であれば、熱エネルギーも等しくマトリックス中に分散され、大きな結晶粒がほぼ等しく成長する図4参照。このため、最大結晶粒がいくつも発生し、個々の大きな結晶粒の大きさは相対的に小さくなるので、大きな結晶粒の平均粒径が線径の5~25であるとした。これによって内部の酸素が気相中に吐き出されるという固気相過程を経た後、粒成長が起こる直前の固相過程に至るまでのわずかな熱エネルギー変化をコントロールできるようになる。本発明においては、高純度銅細線の機械的強度を結晶粒組織でカバーするため最大結晶粒の平均粒径はできるだけ小さいことが好ましく、銅マトリックス内部の酸素が気相中に吐き出された直後の大きさとして大きな結晶粒の平均粒径が線径の5~25であるとした。好ましくは大きな結晶粒の平均粒径が線径の5~20である図4参照。また、本発明において、高純度銅細線の断面組織における上位10個の結晶粒面積が全断面組織の5~25で、その結晶粒面積の80以上が直径の1/20以下で定義される表皮層の内側にあることが必要である。好ましくは、上位10個の結晶粒面積が全断面組織の10~20であり、また、好ましくは上位10個の結晶粒面積が全断面組織の90以上が直径の1/20以下で定義される表皮層の内側にある図4参照。本発明で大きな結晶粒がほぼ等しく成長するとともに、強ひずみの転位が粒界の壁方向に集積された小さな結晶粒が表皮層に存在すると、二重構造効果によって高純度銅細線の機械的強度が強化されるからである。また、本発明において、酸化膜の厚さが1~6nmであることが好ましい。熱処理で銅マトリックス内部の酸素が気相中に吐き出されて酸化膜の厚さが薄くなるが、酸化膜の厚さが1nm未満と薄くなりすぎると、銅マトリックス内部の酸素が少なくなりすぎて明確な結晶粒界が存在しなくなり、高純度銅細線内部の機械的強度が弱くなるからである。逆に、酸化膜の厚さが6nm以上になると、銅マトリックス内部に酸素が豊富にあるためファーストボンドが良好に接合されても、使用時に銅マトリックス内部の酸素が接合界面に浸みだして酸化物層が拡がり、接合強度を弱くする。なお、連続伸線された高純度銅細線には一定の張力がかけられたまま熱処理される。一定の張力は、基本的に連続伸線における最終ダイヤモンドダイスの出口から巻取りスプールの入口までのあいだにかかっているが、ダンサローラなどで他工程の振動が銅細線に伝わらないようにして、熱処理工程と冷却工程のあいだで特に一定に保たれ、熱処理温度と熱処理区間によって所定の熱エネルギーを高純度銅細線に付与することができる。連続伸線加工上がりの銅細線は、引続き一定の張力をかけながら600°C~800°Cの温度で数百ミリ秒以下の短時間に急加熱することが好ましい。高純度銅細線の結晶組織を確実にコントロールするには、650°C~750°Cの温度範囲がより好ましい。高純度銅細線を非酸化性雰囲気下で高温度にすると、まず高純度銅細線の表面および内部の酸素が気相中に吐き出される。この熱処理温度が高いほど、一定の張力がかけられた高純度銅細線は大きく引き伸ばされて結晶粒界が前後左右に拡がり、酸素が気相中に吐き出される効果は大きくなるが、逆に粒成長までの時間差が短くなるので、水冷却等の急冷による高純度銅細線の結晶粒の数のコントロールが難しくなる。なお、500°C程度の温度で数百ミリ秒以下の熱処理温度では、還元雰囲気であっても高純度銅細線の表面にある数nmの酸化銅層はあまり減少しない。また、不純物元素の量が多すぎると、これらの不純物元素は銅マトリックス中の酸素と結びつきやすく酸化物を形成してしまうので、高純度銅細線の表面にある数nmの酸化銅層は減少しにくくなり、接合時にチップ割れを起こしやすくなる。この酸化銅層が減少する固気相過程は、次のような機構によるものと考えられる。すなわち、高温の高純度銅細線の最外層の酸化第二銅CuOが不活性雰囲気下で原子層状に順番にはがされ不活性雰囲気中に飛ばされる。そうすると、高純度銅細線の最外層のすぐ下の酸化第一銅Cu2Oの層が銅と酸化第二銅CuO層となる。この還元銅は、最初は結晶粒界を経由した銅マトリックス中の酸素をもらって再び酸化第一銅Cu2Oの層となる。しかし、銅マトリックス中の酸素は少量なので、結晶粒界から送り出される酸素はすぐになくなり、元の酸化第一銅Cu2O層の位置にあった還元銅は、銅マトリックスに吸収される。この結果、最外層の酸化第二銅層CuOの厚さは緩やかに薄くなっていくが、すぐ下の酸化第一銅Cu2Oの層はすぐに薄くなる。還元雰囲気下で800°C程度の高温熱処理をすると、6nm以上あった高純度銅細線の酸化銅層第二銅層CuOの層と酸化第一銅Cu2Oの層との和が1nm程度まで減少する。連続伸線加工上がりの当該銅細線を引続き600°C以上の温度に急加熱して数百ミリ秒以下の温度で保持する非酸化性雰囲気下の熱処理工程によって当該銅細線は、図1に示すような伸線上がりの結晶組織から、図4に示すような再結晶の結晶組織に変化し始める。本発明の熱処理雰囲気は非酸化性雰囲気、すなわち不活性雰囲気および還元性雰囲気である。高純度銅細線中の再結晶組織は、非酸化雰囲気中で形成されているので、銅マトリックス中の結晶粒界には余分の酸素が存在しない。なお、高温になればなるほど周囲への熱損失が大きくなるため、細線の温度を直接測定することは困難であるが、目視で高純度銅細線の色は、暗赤熱色~桜赤色の範囲にあり、600°C~800°Cの範囲にあると思われる。なお、熱処理温度は高くなりすぎると、ある温度以上で急激に伸びが増し、高純度銅細線が断線してしまうので、おのずと上限が定まる。加熱方法としては、電気炉による加熱、通電加熱、光照射による加熱、水蒸気加熱などがある。高温の高純度銅細線を一定の張力をかけながら室温まで急冷することによって、高純度銅細線の再結晶の結晶組織は変化しないものの、急冷時の熱収縮によって銅マトリックス中の再結晶組織の近傍にピットやボイド、クラック等の結晶欠陥が無数に発生して凍結される。このため高純度銅細線内部の結晶粒界の組織図4参照は、完全に焼きなまされ結晶粒が粗大化したもの図3参照よりも強固になり、この強固な結晶粒界の結晶欠陥によって高純度銅細線に所定の伸びと所定の破断強度、すなわち高純度銅細線に機械的強度がもたらされる。また、高純度銅細線の表面にも、水と接触したり、水の一部が水蒸気となって気相で接触したりして、ピットやボイド等の多くの結晶欠陥が発生して凍結され、高純度銅細線表面の機械的強度が強化される。このような発生凍結現象は、本発明の高純度銅細線に薄い貴金属被覆を施した場合も同様であり、パラジウムPdは高温で水素を吸蔵するので効果的である。さらに、通電加熱を利用すれば、高純度銅細線を内部から加熱したまま水中へ埋没させることができるので、結晶粒界壁に多くの転位等のひずみを発生することができ、結晶粒界を明瞭にして高純度銅細線内部の機械的強度を強化することができる。また、高純度銅細線の表面の酸化膜と内部の銅マトリックス金属の熱膨張収縮差により6nm未満、好ましくは4nm以下の表面酸化膜がボンディング時に破壊されやすい状態になる結果、チップ割れの現象、接合強度の向上およびそのバラツキが低減される。また、高純度銅細線中の再結晶組織は、非酸化雰囲気中で形成されているので、銅マトリックス中の結晶粒界には外部から余分の酸素が入ってこないので、ファーストボンド前の高純度銅細線の表面が銅マトリックス内部から酸化することはない。また、半導体装置として使用中に銅マトリックス内部から酸素が追加されることもない。本発明の半導体装置を接続するための高純度銅細線によれば、銅マトリックス内部の数個の最大結晶粒と小さな結晶粒が混在した結晶組織図4参照および急冷による銅表皮層中の結晶欠陥等のひずみを小さな結晶粒の粒壁で制御する高純度銅細線の二重構造によって、高純度銅細線の機械的強度を確保することができる。また、本発明の銅マトリックス内部には余分の酸素が存在せず欠乏気味なので、ファーストボンド後に高純度銅細線を短時間のオンオフを繰り返しながら、結果的に高温環境に放置したと同じ状況下になっても、半導体装置のアルミニウムパッドで接合した、その接合界面から高純度銅細線がはがれることもない。また、銅細線自体は高純度なので、硬質バリアメタルをアルミニウムパッド下へ配置することで、従来困難であったサブミクロンオーダーの高純度銅細線であっても、アルミニウムパッドへ接合することもでき、再結晶温度が低いので熱サイクル疲労が生じることもない。他方、セカンドボンドとなる銅基板やニッケル基板への超音波接合は、1~6nm未満の極薄の銅酸化物層があるので当然に良好になる。さらに、熱処理手段として通電加熱を利用すれば、銅表皮層中のボイド等の結晶欠陥を増やすことができ、高純度銅細線の温度と時間の管理がより容易になるので、二重構造組織を確実にコントロールすることができる。さらに、炭化シリコンや窒化ガリウムGaNなどの半導体チップパッド材質は、主にアルミニウム、銅、ニッケルや金へ接合することができる。本発明の半導体装置を接続するための高純度銅細線は、上記高純度銅細線の線径が0.1mm~0.6mmであることがもっとも好ましい。熱処理条件は、700°C~850°Cに急加熱され、かつ、上記熱処理工程の開始から上記冷却工程の開始までの時間が0.05秒間~1.3秒間の短時間、より好ましくは0.1秒間~1.0秒間で処理されることをより好適とする。熱処理温度が低ければ、熱処理時間は長くなり、コントロールしやすくなる反面、熱処理炉が長くなる。炉長としては0.5~2.0mが一般的である。また、熱処理時間は、銅の純度が高くなればなるほど短くなる。銅の純度が高くなれば、再結晶温度が低くなるが、熱によるワイヤの温度上昇の速度と再結晶組織から粒成長組織へワイヤ組織の移行速度とは、比例関係にないので、時間の管理は非常に重要となる。熱処理時間は、縦型熱処理炉を長くしても高純度銅細線の熱処理炉の通過速度を遅くしてもよい。また、上記非酸化性雰囲気が水素ガスを含む還元性雰囲気であることを好適とする。高純度銅細線の酸化物層の除去および銅マトリックス中の酸素の除去の観点からは、水素雰囲気がもっとも好ましいが、経済性や安全性の観点から3~5水素を混入した窒素雰囲気が好ましい。なお、高純度銅細線をパラジウムPdの貴金属被覆をしておいた場合は、パラジウムが水素原子を吸蔵するので水素雰囲気が好ましい。99.99質量以上の銀、好ましくは99.999質量以上の銀の貴金属被覆をしておいた場合は、熱処理によって銀が銅マトリックス中へ拡散する。本発明において冷却工程を水冷却工程にしたのは、高速度の高温度の銅細線を室温まで確実に冷却するためである。ここで、室温とは、銅マトリックス中の再結晶の粒界組織を粒成長組織まで進行させないための温度をいうが、高純度銅細線の再結晶温度は低いので、できるだけ低いほど好ましい。高純度銅細線の熱伝導率は高いので、高純度銅細線が水中に入れれば直ちに冷却される。電解還元水等の水素イオン含有水やアンモニア水やアルコール水等を用いることもできる。なお、ベンゾトリアゾール等の有機溶媒は、ボンディング時に残留炭素を残すため、できるだけ微量にして添加することが望ましい。以下、本発明の実施例を説明する。{実施例1}純度99.99992質量で直径2mmの銅からなる銅素線の酸化膜は、表面側から0.5nmの二酸化銅と3nmの一酸化銅であった。この銅素線を連続伸線して直径0.2mmの銅細線図1参照を作成した。図1の断面写真から明らかなとおり、500°Cの低温熱処理後であっても、銅マトリックス中には依然微細な伸線加工組織がみられる。この銅細線を5水素95窒素のフォーミングガス雰囲気の縦型熱処理炉700°C表示で炉長50cmに線速100m/分で流し、20°Cの純水で冷却した。水冷後にスプールに巻き取られた高純度銅細線の酸化膜は薄くなっており、酸化膜は、表面側から0.1nmの二酸化銅と3nmの一酸化銅であった。この高純度銅細線の伸びは28であり、破断強度は約22.6kPa23kgf/mm2であった。この銅細線の再結晶組織の断面組織を図4に示す。図4の断面写真から明らかなとおり、銅マトリックス内部では、微細な伸線加工組織が消えて再結晶組織にすべて置き換わっている。また、図4の断面写真の銅細線の外側約1/10直径の表層部では、均一微細な結晶粒が支配している。図4の断面写真では、銅マトリックスの中央付近にほぼ均一な大きな結晶粒が3個あり、それよりやや小さな結晶粒が銅マトリックス内に10個弱あり、その結晶粒の間を細かな結晶粒が埋めていることがわかる。図4の高純度銅細線の大きな結晶粒の平均粒径は、線径の6.7である。図4に示す高純度銅細線を超音波ボンディングした。これを実施例1とする。超音波ボンディングの条件は、以下のとおりである。高純度銅細線の線径は0.48mm、ループ長は10mmで、ループ高さは3mmとした。この高純度銅細線をHK社製の太線用ワイヤーボンダーBJ935型全自動ボンダを用いて、高純度銅細線をチップを模した基板50mm角×0.6mm厚のアルミナ基板に10μmの銅をマグネトロンスパッタしたもの上に窒素ガスを噴きつけながら超音波ボンディングを実施した。ボンディング条件は、120kHzの周波数で、荷重および超音条件については、任意に調整をおこない、全サンプル100個n=40について同条件で、ファーストボンドおよびセカンドボンドの超音波ボンディングを実施した。超硬ツールおよびボンディングガイドは、ワイヤサイズに合致したHK社製の付属のものを使用した。そして、ファーストボンドつぶれ幅線径×1.3倍狙いのばらつき度合いを初期接合性として評価し、下記表1の結果を得た。次に、これら接合された実施例1の高純度銅細線について、信頼性試験をおこなった。信頼性試験は、250°Cで96時間放置後に200°Cを3分間と-60°Cを3分間の両方を組合せて1サイクルとし、これを1万サイクル行った。その後、ファーストボンドのシェア強度を測定し、下記表1の結果を得た。ここで、シェア試験における信頼性比強度とは、信頼性試験後のシェア強度をボンディング直後のシェア強度で除した数値である。即ち、比強度が大きいほど高信頼性であると判断できる。これらの結果から明らかなように、図4に示す二重構造の高純度銅細線は、伸線上がりの銅細線と同様の潰れ幅を有し、高純度銅細線自体に剛性があり、せん断強度も安定していることがわかる。また、シェア試験後の剥離面においても、接合界面での酸化物の凝集による酸化物剥がれは観察されなかった。{実施例2}銀20質量ppm、鉄2質量ppmおよび残部純度99.9997質量で直径5mmの5Nの銅からなる銅素線の酸化膜は、実施例1と同様に、表面側から0.5nmの二酸化銅と4nmの一酸化銅であった。この銅素線を連続伸線して直径0.5mmの銅細線を作成した。この銅細線の断面組織は、図4とほぼ同様であった。この銅細線を窒素ガス雰囲気の赤熱状態800°C前後の縦型熱処理炉炉長100cmに線速50m/分で流し、30°Cの純水で冷却した。水冷後にスプールに巻き取られた高純度銅細線の酸化膜は薄くなっており、酸化膜は、実施例1と同じように、二酸化銅の層と一酸化銅の層が合計で3nmの厚さであった。この高純度銅細線の伸びは30であり、破断強度は約21.6kPa22kgf/mm2であった。この銅細線の断面組織は図4と同様であり、大部分が再結晶組織であり、一部に粒成長の開始がみられた。実施例2の高純度銅細線の大きな結晶粒の平均粒径は、線径の6.3である。この高純度銅細線を実施例1と同様に超音波ボンディングし、実施例1と同様の評価をおこなった。その結果を下記表1に示す。{実施例3}銀5質量ppm、鉄5質量ppm、ニッケル2質量ppm、シリコン5質量ppm、リン10質量ppmおよび残部純度99.9997質量の銅で直径5mmの銅素線の酸化膜は、表面側から0.5nmの二酸化銅と5nmの一酸化銅であった。この銅素線を連続伸線して直径0.5mmの銅細線を作成した。この銅細線の断面組織は、図4とほぼ同様であった。この銅細線を窒素ガス雰囲気の赤熱状態800°C前後の縦型熱処理炉炉長100cmに線速50m/分で流し、30°Cの純水で冷却した。水冷後にスプールに巻き取られた高純度銅細線の酸化膜は薄くなっており、酸化膜は、二酸化銅の層と一酸化銅の層が合計で4nmの厚さであった。実施例3の高純度銅細線の大きな結晶粒の平均粒径は、線径の7.1である。この高純度銅細線を実施例1と同様に超音波ボンディングし、実施例1と同様の評価をおこなった。その結果を下記表1に示す。これらの結果から明らかなように、図4に示すような高純度銅細線は、伸線上がりの銅細線と同様の潰れ幅を有し、高純度銅細線自体に剛性があり、せん断強度も安定していることがわかる。また、高純度銅細線を酸溶解して接合界面を調べたところ、シェア試験後の剥離面においても、接合界面での酸化物の凝集による酸化物剥がれは観察されなかった。