"放射線に感応する検出層を基板に備えた放射線検出器を製造する方法であって、前記検出層の形成過程は、Cdカドミウムの単体、Teテルルの単体、Zn亜鉛の単体、CdTeテルル化カドミウム、ZnTeテルル化亜鉛、CdZnTeテルル化カドミウム亜鉛の少なくとも一つを含む第1の材料をソースとし、蒸着または昇華法により多結晶膜または多結晶の積層膜を形成する第1過程と、その第1過程の開始あるいは過程の途中で、前記ソースとは別のCl塩素の単体またはCl化合物を付加ソースとして供給して加熱して前記多結晶膜または多結晶の積層膜を成長させる第2過程とを含むことを特徴とする放射線検出器の製造方法。請求項1に記載の放射線検出器の製造方法において、前記第1過程で用いられる前記ソースは、前記第1の材料と、CdCl2塩化カドミウム、ZnCl2塩化亜鉛の少なくとも一つを含む第2の材料との混合物であって、前記第1過程では、前記第1の材料と前記第2の材料との混合物からなるソースを用いて、蒸着または昇華法により多結晶膜または多結晶の積層膜を形成することを特徴とする放射線検出器の製造方法。請求項2に記載の放射線検出器の製造方法において、前記混合物を、前記検出層の形成過程の前に常圧不活性雰囲気中で予め加熱することで、焼結化することを特徴とする放射線検出器の製造方法。請求項1から請求項3のいずれかに記載の放射線検出器の製造方法において、前記第1過程をチャンバ内で行い、前記付加ソースを前記チャンバ内に配置して前記第2過程をチャンバ内で行うことを特徴とする放射線検出器の製造方法。請求項4に記載の放射線検出器の製造方法において、ヒータにより前記ソースを加熱することによりソースを昇華させつつ、前記付加ソースを加熱することを特徴とする放射線検出器の製造方法。請求項5に記載の放射線検出器の製造方法において、前記チャンバの上下部に、前記ヒータをそれぞれ配備することを特徴とする放射線検出器の製造方法。請求項5または請求項6に記載の放射線検出器の製造方法において、前記ヒータの余熱により前記付加ソースを加熱して前記第2過程を行うことを特徴とする放射線検出器の製造方法。請求項4に記載の放射線検出器の製造方法において、ヒータにより前記ソースを加熱することによりソースを昇華させつつ、前記ヒータとは別の補助ヒータにより前記付加ソースを加熱することを特徴とする放射線検出器の製造方法。請求項8に記載の放射線検出器の製造方法において、前記チャンバの上下部に、前記ヒータをそれぞれ配備することを特徴とする放射線検出器の製造方法。請求項8または請求項9に記載の放射線検出器の製造方法において、前記チャンバの上下部に、前記補助ヒータをそれぞれ配置することを特徴とする放射線検出器。請求項8から請求項10のいずれかに記載の放射線検出器の製造方法において、前記第1過程の開始と同時に前記ヒータあるいは前記補助ヒータにより前記付加ソースを加熱して前記第2過程を行うことを特徴とする放射線検出器の製造方法。請求項8から請求項10のいずれかに記載の放射線検出器の製造方法において、前記第1過程の途中で前記補助ヒータにより前記付加ソースを加熱して前記第2過程を行うことを特徴とする放射線検出器の製造方法。請求項1から請求項3のいずれかに記載の放射線検出器の製造方法において、前記第1過程をチャンバ内で行い、前記付加ソースを前記チャンバ外に配置して前記チャンバ内に供給することで前記第2過程をチャンバ内で行うことを特徴とする放射線検出器の製造方法。請求項13に記載の放射線検出器の製造方法において、ヒータにより前記ソースを加熱することによりソースを昇華させつつ、前記付加ソースを加熱することを特徴とする放射線検出器の製造方法。請求項14に記載の放射線検出器の製造方法において、前記チャンバの上下部に、前記ヒータをそれぞれ配備することを特徴とする放射線検出器の製造方法。請求項13に記載の放射線検出器の製造方法において、前記チャンバとは別に温度制御を行うチャンバを備え、当該チャンバに前記付加ソースを配備して、ヒータを配備することを特徴とする放射線検出器の製造方法。請求項1から請求項16のいずれかに記載の放射線検出器の製造方法において、前記付加ソースは、CdCl2塩化カドミウム、ZnCl2塩化亜鉛、あるいはそれらの混合物であることを特徴とする放射線検出器の製造方法。請求項17に記載の放射線検出器の製造方法において、前記混合物を、前記検出層の形成過程の前に常圧不活性雰囲気中で予め加熱することで、焼結化することを特徴とする放射線検出器の製造方法。請求項1から請求項16のいずれかに記載の放射線検出器の製造方法において、前記付加ソースは、Cl塩素を含んだ液体であることを特徴とする放射線検出器の製造方法。請求項13から請求項15のいずれかに記載の放射線検出器の製造方法において、前記付加ソースは、HCl塩化水素、Cl2、CHCl3クロロホルム、もしくはそれらをN2、O2、H2または希ガスで希釈したガスであることを特徴とする放射線検出器の製造方法。しかしながら、上述の特許文献2のClドープ手法では、CdCl2やZnCl2などのCl化合物がCdTeやZnTeやCdZnTeよりも低融点高蒸気圧で、先に消耗してしまう。したがって、成膜途中で塩素Clが供給されなくなり、成膜初期の基板界面付近にしかClをドープすることができないという問題点が明らかになった。Clがドープされた基板界面付近には、図8に示すように結晶粒が小さく、Clがドープされない箇所では結晶粒が大きくなって、結晶粒を均一化することができないことが確認されている。結晶粒が均一化できないと、各画素内で均一な特性例えばリーク電流や感度が得られず、さらに時間的な揺らぎも大きくなる。これらがノイズ源となって感度補正を困難にし、画像特性検出効率を劣化させる。そこで、上述の特許文献2の請求項3のように上述のソースで蒸着または昇華法により多結晶膜または多結晶の積層膜を形成した後に、Clを追加ドープすることが提案されている。しかし、この場合にはClを追加ドープすることで結晶粒を保護することはできるが、大きく成長した粒径自体を小さくすることはできずに、結晶粒の均一化を依然として図ることはできない。また、成膜途中でClが供給されなくなるのを鑑みて、成膜工程の最後までClが供給されるようにCdCl2塩化カドミウム、ZnCl2塩化亜鉛に代表される第2の材料の割合を増やすことも考えられる。しかし、いくら第2の材料の割合を増加させようとも、成膜途中で先に第2の材料がなくなってしまうことが図9の実験データにより明らかになった。図9は、ソースとしてCdCl2のみを用いたときのチャンバ内の各成分毎の圧力の時間的変化を表した実験データであり、図10は、ソースとしてCdCl2を用いてさらに付加ソースとしてHClを用いたときのチャンバ内の各成分毎の圧力の時間的変化を表した実験データである。この実験データでは、図9のようにソースのみで近接昇華法で多結晶膜または多結晶の積層膜を形成すると、チャンバ内の各成分のうち、HCl塩化水素の成分Cl,H2が時間とともに下がってくることがわかる。一方、図10のようにソースとは別のCl化合物としてHClを付加ソースとして供給した場合には、チャンバ内の各成分のうち、HClの成分は時間が経過しても下がらないことがわかる。この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、結晶粒を均一化するとともに、検出特性を均一化することができる放射線検出器の製造方法を提供することを目的とする。この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、この発明に係る放射線検出器の製造方法は、放射線に感応する検出層を基板に備えた放射線検出器を製造する方法であって、前記検出層の形成過程は、Cdカドミウムの単体、Teテルルの単体、Zn亜鉛の単体、CdTeテルル化カドミウム、ZnTeテルル化亜鉛、CdZnTeテルル化カドミウム亜鉛の少なくとも一つを含む第1の材料をソースとし、蒸着または昇華法により多結晶膜または多結晶の積層膜を形成する第1過程と、その第1過程の開始あるいは過程の途中で、前記ソースとは別のCl塩素の単体またはCl化合物を付加ソースとして供給して加熱して前記多結晶膜または多結晶の積層膜を成長させる第2過程とを含むことを特徴とするものである。[作用効果]この発明に係る放射線検出器の製造方法によれば、第1の材料からなるソースとは別の付加ソースを第1過程の開始あるいは過程の途中で供給する。付加ソースにはClが含まれているので、第1過程の開始あるいは過程の途中から終了時までClが供給され続ける。したがって、CdTe、ZnTeまたはCdZnTeの多結晶または多結晶の積層膜に成膜の第1過程の開始あるいは過程の途中から終了時まで厚み方向にClを均一にドープすることができる。そして、リーク電流を低く保ちながら放射線の検出特性感度、応答特性等が良好な放射線検出器を製造することができる。その結果、結晶粒を均一化するとともに、検出特性を均一化することができる。上述の第1過程で用いられるソースは、上述の第1の材料と、CdCl2塩化カドミウム、ZnCl2塩化亜鉛の少なくとも一つを含む第2の材料との混合物であって、上述の第1過程では、第1の材料と第2の材料との混合物からなるソースを用いて、蒸着または昇華法により多結晶膜または多結晶の積層膜を形成してもよい。この場合には、第1の材料と第2の材料との混合体からなるソースにはClが含まれているので、蒸着または昇華により多結晶膜または多結晶の積層膜で構成される検出層が第1過程で形成される際に、同時にClが検出層に含まれる。第1過程の途中でソースからClが供給されなくなったとしても、ソースとは別の付加ソースを第1過程の開始あるいは過程の途中で供給する。付加ソースにはClが含まれているので、第1過程の初期から終了時までClが供給され続ける。したがって、CdTe、ZnTeまたはCdZnTeの多結晶または多結晶の積層膜に成膜の初期から終了時まで厚み方向にClを均一にドープすることができる。そして、リーク電流を低く保ちながら放射線の検出特性感度、応答特性等が良好な放射線検出器を製造することができる。その結果、結晶粒を均一化するとともに、検出特性を均一化することができる。製造方法の一例は、上述の第1過程をチャンバ内で行い、付加ソースをチャンバ内に配置して上述の第2過程をチャンバ内で行ってもよいし、付加ソースをチャンバ外に配置してチャンバ内に供給することで上述の第2過程をチャンバ内で行ってもよい。前者のように付加ソースをチャンバ内に配置する場合には、特にチャンバ内で高濃度のCl蒸気を基板の表面に供給することができ、高濃度のClをCdTe、ZnTeまたはCdZnTeの多結晶または多結晶の積層膜にドープすることができる。後者のように付加ソースをチャンバ外に配置してチャンバ内に供給する場合には、上述のチャンバとは別に温度制御が可能であるので、ClをCdTe、ZnTeまたはCdZnTeの多結晶または多結晶の積層膜に制御よくドープすることができる。また、後者のように付加ソースをチャンバ外に配置してチャンバ内に供給する場合にはガスで供給するのが好ましく、付加ソースは、HCl塩化水素、Cl2、CHCl3クロロホルム、もしくはそれらをN2、O2、H2または希ガスで希釈したガスであるのが好ましい。ガスの場合には、均一にClをCdTe、ZnTeまたはCdZnTeの多結晶または多結晶の積層膜に効率よくドープすることができる。付加ソースについては上述のガスに限定されず、Clが含まれているのであれば固体や液体であってもよい。例えば、付加ソースは、CdCl2塩化カドミウム、ZnCl2塩化亜鉛、あるいはそれらの混合物であってもよいし、付加ソースは、Cl塩素を含んだ液体であってもよい。固体の場合にはClをCdTe、ZnTeまたはCdZnTeの多結晶または多結晶の積層膜に安全にドープすることができる。固体や液体の場合には、付加ソースをチャンバ内に配置する場合にでも、付加ソースをチャンバ外に配置する場合にでも両方とも適用することができる。この発明に係る放射線検出器の製造方法によれば、第1の材料からなるソースとは別の付加ソースを第1過程の開始あるいは過程の途中で供給することで、CdTe、ZnTeまたはCdZnTeの多結晶または多結晶の積層膜に成膜の第1過程の開始あるいは過程の途中から終了時まで厚み方向にClを均一にドープすることができる。その結果、結晶粒を均一化するとともに、検出特性を均一化することができる。以下、図面を参照してこの発明の実施例1を説明する。図1は、実施例1、2に係る放射線検出器の構成を示す縦断面図であり、図2は、放射線撮像装置の概略構成を示す側面図であり、図3は、スイッチングマトリックス基板および周辺回路の構成を示す回路図であり、図4は、放射線撮像装置の縦断面を示す模式図である。放射線検出器1は、放射線に対して透過性を有する支持基板3と、その下面側に形成されたバイアス電荷印加用の共通電極5と、この共通電極5の下面に電子注入阻止層7と、入射した放射線に感応して電子-正孔対キャリアを生成する検出層9と、この検出層9の下面に形成された正孔注入阻止層11と、キャリア収集用の検出電極13とを積層した状態で備えている。ただし、放射線検出器1の特性上問題がなければ、電子注入阻止層7、正孔注入阻止層11のいずれか、もしくは両方を省略してもよい。上記の支持基板3としては、放射線の吸収係数が小さなものが好ましく、例えば、ガラス、セラミックAl2O3,AlN、シリコン等の材料が採用可能であるが、グラファイト基板のような導電性材料を用いることで共通電極を省略することができる。後述する実施例2も含めて、この実施例1では、図に示すように放射線が支持基板3側から入射する構成となっており、共通電極5に負のバイアス電圧を印加した状態で動作させる。検出層9は、後述するように製造されるのが好ましく、CdTeテルル化カドミウム、ZnTeテルル化亜鉛、CdZnTeテルル化カドミウム亜鉛のいずれかからなる多結晶膜またはそれらの少なくとも一つを含む多結晶の積層膜9a,9bで構成され、さらに、Clがドーピングされている。共通電極5や検出電極13は、例えば、ITO、Au、Ptなどの導電材料からなる。電子注入阻止層7としては、p型層を形成するSb2Te3、Sb2S3、ZnTe膜などが例示され、正孔注入阻止層11としては、n型層を形成するCdS、ZnS膜などが例示される。上記のような構成の放射線検出器1は、図2に示すように、スイッチングマトリックス基板15と一体的に構成されて放射線撮像装置として機能する。これにより、放射線検出器1の検出層9で生成されたキャリアがスイッチングマトリックス基板15により素子別に収集され、素子毎に蓄積されて電気信号として読み出される。スイッチングマトリックス基板15は、図3に示すように、図1における検出素子1aに対応して、電荷蓄積容量であるコンデンサ17と、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ19とが形成されている。なお、説明の都合上、図3では、3×3画素のマトリックス構成としているが、実際には1024×1024等のさらに多くの画素を備えている。スイッチングマトリックス基板15の詳細な構造は、図4に示すようなものである。すなわち、絶縁性基板21の上面には、コンデンサ17の接地側電極17aと、薄膜トランジスタ19のゲート電極19aの上に絶縁膜23を介してコンデンサ17の接続側電極17bと、薄膜トランジスタ19のソース電極19bおよびドレイン電極19cが積層形成されている。さらに、その上面には、保護用の絶縁膜25で覆われた状態となっている。また、接続側電極17bとソース電極19bは、同時形成されて導通されている。絶縁膜23と絶縁膜25としては、例えば、プラズマSiN膜が採用可能である。放射線検出器1とスイッチングマトリックス基板15とを位置合わせして、検出電極13とコンデンサ17の接続側電極17bとの位置を合わせ、例えば、異方導電性フィルムACFや異方導電性ペースト等を間に介在させた状態で、加熱加圧接着して貼り合わせる。これにより放射線検出器1とスイッチングマトリックス基板15とが貼り合わされて一体化される。このとき検出電極13と接続側電極17bとは、介在導体部27によって導通されている。さらに、スイッチングマトリックス基板15は、読み出し駆動回路29と、ゲート駆動回路31とを備えている。読み出し駆動回路29は、列が同一の薄膜トランジスタ19のドレイン電極19cを結ぶ縦方向の読み出し配線30に接続されている。ゲート駆動回路31は、行が同一の薄膜トランジスタ19のゲート電極19aを結ぶ横方向の読み出し配線32に接続されている。なお、図示省略しているが、読み出し駆動回路29内では、各読み出し配線30に対してプリアンプが接続されている。なお、上記とは異なり、スイッチングマトリックス基板15に読み出し駆動回路29およびゲート駆動回路31が一体的に集積されたものも用いられる。次に、上記の放射線検出器1の製造方法の詳細について、図5を参照して説明する。図5は、実施例1に係る放射線検出器に検出層を成膜する一工程の状態を示す模式図である。放射線検出器1の共通電極5を、例えば、スパッタリング蒸着等の方法で支持基板3の片面に形成する。グラファイト基板のような導電性材料を用いる場合には不要である。次に、共通電極5の下面に、電子注入阻止層7を近接昇華法スパッタリング蒸着等の方法で積層形成する。そして、電子注入阻止層7の下面に、例えば、図5に示す近接昇華法を用いて検出層9を形成する。具体的には、蒸着チャンバ33内に支持基板3を載置する。蒸着チャンバ33内には、ソースSを置くための下部サセプタ35が配備されているので、スペーサ37を介して蒸着面を下方に向けた状態で支持基板3を載置する。蒸着チャンバ33の上下部には、ヒータ39が配備されており、真空ポンプ41を動作させて蒸着チャンバ33内を減圧雰囲気にした後、上下部のヒータ39によりソースSを加熱する。さらに、蒸着チャンバ33の外部からHCl塩化水素などのCl含有ガスの流量を制御しながら、蒸着チャンバ33内に供給する。これによってソースSが昇華しつつ、外部から供給されたClが取り込まれ、支持基板3の下面に所望量1wtppm~10wtppmのClがドープされたCdTe、ZnTeまたはCdZnTeの多結晶膜が付着して検出層9が形成される。なお、ここで検出層9を、600μm程度の厚膜として形成した後、スイッチングマトリックス基板15への一体化接合のために表面を研磨などによって平坦化し、400μm程度の厚みに仕上げる。下部サセプタ35にセットするソースSとしては、Cdカドミウムの単体、Teテルルの単体、Zn亜鉛の単体、CdTeテルル化カドミウム、ZnTeテルル化亜鉛、CdZnTeテルル化カドミウム亜鉛の少なくとも一つを含む第1の材料と、CdCl2塩化カドミウムまたはZnCl2塩化亜鉛の少なくとも一つを含む第2の材料との混合体が挙げられる。また、混合体を、成膜の前に常圧不活性雰囲気中で予め加熱することで、焼結化しておく。例えば、ソースSとして、CdCl2を含むCdTeをまずセットして、Cl含有ガスを外部から供給しつつ処理した後、ソースSを、CdCl2を含むZnTeに交換した後、同様の再び処理を行う。これにより検出層9の第1層9aにClを含むCdTe膜が形成され、第2層9bにClを含むZnTe膜が形成される。なお、検出層9は、一層だけで構成してもよい。検出層9を形成した後に、必要に応じてさらに、ソースSとして、CdCl2、ZnCl2を下部サセプタ35に充填し、加熱処理することで、検出層9の表面にClを追加的にドープする。具体的に、CdCl2、ZnCl2の少なくとも一つを含む粉末またはその焼結体を対向配置した状態で熱処理を施すことにより、検出層9にClをドープする。このときの熱処理雰囲気は、1気圧に保持したN2、O2、H2、希ガスHe、Ne、Arの少なくとも一つを含むことが好ましい。また、このときの熱処理雰囲気は、1.3×10-4~0.5気圧に保持したN2、O2、H2、希ガスHe、Ne、Arの少なくとも一つを含むことが好ましい。このような雰囲気にすることにより、低温で処理することができるので、検出層9の形成後にClを追加的にドープする場合にはリーク電流をより一層低減させることができる。また、温度を同じにすれば、より多くのClを供給することができ、短時間で処理が可能である。また、ソースを下部サセプタ35にセットせず、Cl原子を含むガスを検出層9に供給しつつ加熱することによりClを追加的にドープしてもよい。このように追加的にClをドープすることで、結晶粒界の保護が好適に行われる。次に、電析スパッタリングや蒸着等により、検出層9の表面に正孔注入阻止層11用の半導体層を積層形成する。正孔注入阻止層11を、必要に応じてパターニングして画素毎に分離形成する。ただし、正孔注入阻止層11が高抵抗で隣接画素リークによる空間解像度低下などの弊害がなければ、パターニングについては不要である。同様にして、検出電極13用の金属膜を積層形成した後、パターニングして検出電極13を形成する。以上の過程により放射線検出器1が形成される。そして、上述したようにスイッチングマトリックス基板15と放射線検出器1とを一体化して放射線撮像装置が完成する。一つの手法として、スイッチングマトリックス基板15または放射線検出器1のいずれかの表面の画素電極ここでは検出電極13にスクリーン印刷でカーボンなどの導電性バンプ電極を形成し、両者をプレス機で貼り合わせ接合する方法が可能である。なお、画素電極を形成せずに画素に対応する箇所に導電性バンプ電極を形成し、両者を貼り合わせてもよい。上述の放射線検出器1の製造方法によれば、第1の材料からなるソースとは別の付加ソースここではHClのCl含有ガスを第1過程の開始あるいは過程の途中で供給するこれを第2過程とも呼ぶ。付加ソースにはClが含まれているので、第1過程の開始あるいは過程の途中から終了時までClが供給され続ける。したがって、CdTe、ZnTeまたはCdZnTeの多結晶または多結晶の積層膜検出層9に成膜の第1過程の開始あるいは過程の途中から終了時まで厚み方向にClを均一にドープすることができる。そして、リーク電流を低く保ちながら放射線の検出特性感度、応答特性等が良好な放射線検出器1を製造することができる。その結果、結晶粒を均一化するとともに、検出特性を均一化することができる。本実施例1では、上述の第1過程で用いられるソースは、上述の第1の材料と、CdCl2塩化カドミウム、ZnCl2塩化亜鉛の少なくとも一つを含む第2の材料との混合物であって、上述の第1過程では、第1の材料と第2の材料との混合物からなるソースを用いて、蒸着または昇華法により多結晶膜または多結晶の積層膜を形成している。この場合には、第1の材料と第2の材料との混合体からなるソースにはClが含まれているので、蒸着または昇華により多結晶膜または多結晶の積層膜で構成される検出層が第1過程で形成される際に、同時にClが検出層に含まれる。第1過程の途中でソースからClが供給されなくなったとしても、ソースとは別の付加ソースHClのCl含有ガスを第1過程の開始あるいは過程の途中で供給する。したがって、CdTe、ZnTeまたはCdZnTeの多結晶または多結晶の積層膜に成膜の初期から終了時まで厚み方向にClを均一にドープすることができる。そして、リーク電流を低く保ちながら放射線の検出特性感度、応答特性等が良好な放射線検出器を製造することができる。その結果、結晶粒を均一化するとともに、検出特性を均一化することができる。なお、第1過程の開始と同時に付加ソースを供給して第2過程を行ってもよいし、第1過程の途中で付加ソースを供給して第2過程を行ってもよい。成膜途中でClが供給されなくなる時点を見計らって、その時点あるいは少し前の時点で付加ソースを供給して第2過程を行えばよい。本実施例1では、上述の第1過程を蒸着チャンバ33内で行い、付加ソースを蒸着チャンバ33外に配置して蒸着チャンバ33内に供給することで上述の第2過程を蒸着チャンバ33内で行っている。付加ソースを蒸着チャンバ33外に配置して蒸着チャンバ33内に供給する場合には、上述の蒸着チャンバ33とは別に温度制御例えば図7を参照が可能であるので、ClをCdTe、ZnTeまたはCdZnTeの多結晶または多結晶の積層膜に制御よくドープすることができる。また、付加ソースを蒸着チャンバ33外に配置して蒸着チャンバ33内に供給する場合には、本実施例1のようにCl含有ガスで供給している。本実施例1では、HCl塩化水素であったが、HClをN2、O2、H2または希ガス例えばArで希釈したガスであってもよいし、HCl以外のCl2、CHCl3クロロホルムであってもよいし、Cl2またはCHCl3をN2、O2、H2または希ガスで希釈したガスであってもよい。ガスの場合には、均一にClをCdTe、ZnTeまたはCdZnTeの多結晶または多結晶の積層膜に効率よくドープすることができる。なお、CdTe、ZnTeまたはCdZnTeの多結晶または多結晶の積層膜を形成する際に、Cd、TeまたはZnのいずれかが不足する場合には、Cdの単体、Teの単体またはZnの単体をソースに補えばよい。<実験データの比較>本実施例1の手法によって得られた結晶を実験によって確認している。実験データの比較について図8を参照して説明する。図8は、結晶粒径と感度の画素バラツキとの関係を表した実験データである。CdZnTe膜Aは、本実施例1で示す手法によりClを積極的にドープ膜Cl濃度3.1wtppmし、結晶粒を微細化した膜平均粒径<75μmである。CdZnTe膜Bは、従来のClを故意にドープ膜Cl濃度0.5wtppmせずに成膜し、結晶粒の粗い膜粒径200μm~300μmである。各々の膜特性図8aは断面モフォロジー、図8bはXRDスペクトル、図8cは画素毎の入出力特性を図8に示す。図8aの断面モフォロジーからも明らかなように、CdZnTe膜AではClによって結晶粒が均一化され、平均粒径が75μ以下であることが確認されている。一方、図8aの断面モフォロジーでは、Clを故意にドープしていないので、成膜初期の基板界面にしかClは供給されずに、界面付近での結晶粒と界面以外の結晶粒とのバラツキが大きく、かつ界面以外の結晶粒では粒径が明らかに大きく、粒径が200μm~300μmとバラツキがあるのが確認されている。CdTeZn膜Bが膜の成長とともに結晶粒径も大きく成長してXRDスペクトルも単一配向を示している。なお、511結晶面は111結晶面と双晶の関係にあり、多配向を示すものでない。これに対して、CdTeZn膜Aは膜が成長しても微細粒径を維持しており、XRDスペクトルも典型的な多配向を示している。画素毎の入出力特性データから、CdTeZn膜Bを用いた放射線検出器では画素間の感度バラツキが大きいのに対して、CdTeZn膜Aを用いた放射線検出器では画素間の感度バラツキが抑えられ、比較的に均一な画像が得られていることが確認されている画像については図示省略。さらに、図9および図10の実験データでも述べたように、ソースとは別のCl化合物としてHClを付加ソースとして供給した場合には、チャンバ内の各成分のうち、HClの成分は時間が経過しても下がらない。したがって、成膜途中でClがチャンバ内で消耗されることなく付加ソースによってClが供給され続けていることが図10の実験データから確認されている。次に、図面を参照してこの発明の実施例2を説明する。図6は、実施例2に係る放射線検出器に検出層を成膜する一工程の状態を示す模式図である。放射線検出器1やスイッチングマトリックス基板15の構造については実施例1と同じであるので、その説明を省略する。本実施例2では、実施例1と同様に、蒸着チャンバ33内に支持基板3を載置し、ソースSを置くための下部サセプタ35を配備し、蒸着チャンバ33の上下部にヒータ39を配備する。本実施例2では、さらに蒸着チャンバ33内に、付加ソースS’を置くための下部サセプタ43が、ソースSを置くための下部サセプタ35の傍らに配備されている。蒸着チャンバ33の上下部には、補助ヒータ45が付加ソースS’に対向して配備されており、上下部の補助ヒータ45により付加ソースS’を加熱する。なお、ヒータ39によって付加ソースS’が昇華するのであれば、補助ヒータ45は必ずしも必要でない。また、図6では付加ソースS’を両側に配備したが、片側のみに配備してもよい。実施例1と同様に真空ポンプ41を動作させて蒸着チャンバ33内を減圧雰囲気にした後、上下部のヒータ39によりソースSを加熱する。さらに、本実施例2では蒸着チャンバ33内の補助ヒータ45により付加ソースS’を加熱する。これによってソースSが昇華しつつ、付加ソースS’の昇華により供給されたClが取り込まれ、支持基板3の下面に所望量1wtppm~10wtppmのClがドープされたCdTe、ZnTeまたはCdZnTeの多結晶膜が付着して検出層9が形成される。実施例1と同様に検出層9を600μm程度の厚膜として形成した後、表面を研磨などによって平坦化し、400μm程度の厚みに仕上げる。下部サセプタ43にセットする付加ソースS’としては、CdCl2塩化カドミウム、ZnCl2塩化亜鉛、あるいはそれらの混合体が挙げられる。また、混合体を、成膜の前に常圧不活性雰囲気中で予め加熱することで、焼結化しておく。このような固体に限定されず、Cl塩素を含んだ液体であってもよい。液体の場合には、HCl溶液であってもよいし、CHCl3クロロホルムやCCl4四塩化炭素であってもよい。また、液体の場合には補助ヒータ45による加熱によって気化されて、Clを取り込む。実施例1と同様に検出層9を形成した後に、必要に応じてさらに検出層9にClを追加的にドープしてもよい。条件としては実施例1と同様である。なお、検出層9以外の製造については、実施例1と同じであるので、その説明を省略する。上述の放射線検出器1の製造方法によれば、実施例1と同様に第1過程の途中でソースからClが供給されなくなったとしても、ソースとは別の付加ソースS’を第1過程の開始あるいは過程の途中で供給することで、CdTe、ZnTeまたはCdZnTeの多結晶または多結晶の積層膜に成膜の初期から終了時まで厚み方向にClを均一にドープすることができる。その結果、結晶粒を均一化するとともに、検出特性を均一化することができる。なお、第1過程の開始と同時にヒータ39あるいは補助ヒータ45により付加ソースS’を加熱して第2過程を行ってもよいし、第1過程の途中で補助ヒータ45により付加ソースS’を加熱、もしくはヒータ39の余熱により付加ソースS’を加熱して第2過程を行ってもよい。成膜途中でClが供給されなくなる時点を見計らって、その時点あるいは少し前の時点で補助ヒータ45により付加ソースS’を加熱、もしくはヒータ39の温度勾配を見越して付加ソースS’を配置して加熱して第2過程を行えばよい。本実施例2では、上述の第1過程を蒸着チャンバ33内で行い、付加ソースS’を蒸着チャンバ33内に配置して上述の第2過程を蒸着チャンバ33内で行っている。付加ソースS’を蒸着チャンバ33内に配置する場合には、特に蒸着チャンバ33内で高濃度のCl蒸気を基板の表面に供給することができ、高濃度のClをCdTe、ZnTeまたはCdZnTeの多結晶または多結晶の積層膜にドープすることができる。また、付加ソースが固体の場合にはClをCdTe、ZnTeまたはCdZnTeの多結晶または多結晶の積層膜に安全にドープすることができる。付加ソースが固体や液体の場合には、本実施例2のように付加ソースを蒸着チャンバ33内に配置する場合にでも、実施例1のように付加ソースを蒸着チャンバ33外に配置する場合にでも両方とも適用することができる。この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。1上述した各実施例では、検出の対象となる放射線は、X線、γ線、光等に例示されるように特に限定されない。2上述した実施例1では、図5に示すように付加ソースを蒸着チャンバ33外に配置して蒸着チャンバ33内に供給したが、図7に示すように温度制御を行うチャンバ47を蒸着チャンバ33とは別に備えてもよい。チャンバ47内に付加ソースS’を置くための下部サセプタ49を配備し、チャンバ47の上下部にヒータ51を配備する。付加ソースS’としては実施例2のように固体または液体を採用し、チャンバ47にN2、O2、H2または希ガス例えばArを供給しつつ、ヒータ51により付加ソースS’を加熱する。これによってN2、O2、H2または希ガスに希釈されたClを蒸着チャンバ33内に供給することで上述の第2過程を蒸着チャンバ33内で行う。蒸着チャンバ33とは別にチャンバ47でヒータ51によって温度制御が可能であるので、ClをCdTe、ZnTeまたはCdZnTeの多結晶または多結晶の積層膜に制御よくドープすることができる。3上述した各実施例では、ソースSは、Cdカドミウムの単体、Teテルルの単体、Zn亜鉛の単体、CdTeテルル化カドミウム、ZnTeテルル化亜鉛、CdZnTeテルル化カドミウム亜鉛の少なくとも一つを含む第1の材料と、CdCl2塩化カドミウム、ZnCl2塩化亜鉛の少なくとも一つを含む第2の材料との混合物であったが、Clを含有せずに第1の材料のみをソースSとしてもよい。この場合には、ClあるいはCl化合物を付加ソースとして供給することで、各実施例と同等の効果を奏する。"