"絶縁基体と、該絶縁基体に埋設された抵抗体と、前記絶縁基体に埋設され、一端側で前記抵抗体に接続されるとともに他端側に前記絶縁基体の表面から露出する端子部を有するリードとを備え、前記リードは前記端子部に向かって曲がった曲げ部を有しており、該曲げ部の少なくとも一断面におけるアスペクト比が前記曲げ部よりも端子部側の部分における一断面のアスペクト比よりも大きいことを特徴とするヒータ。前記曲げ部の断面は、アスペクト比が前記端子部に向かって減少することを特徴とする請求項1に記載のヒータ。前記曲げ部の断面は、該曲げ部の曲がった方向に対し垂直な方向を長軸とする扁平形状であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のヒータ。前記曲げ部の断面が楕円形状であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のヒータ。前記端子部が円形状であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のヒータ。前記曲げ部は、断面視してアスペクト比が連続的に変化する部分を有することを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のヒータ。前記曲げ部は、長軸及び短軸を有する断面形状を成しており、前記曲げ部の全体にわたって前記長軸の方向が一致していることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載のヒータ。請求項1乃至請求項7のいずれかに記載のヒータと、前記リードの前記端子部に電気的に接続されるとともに前記ヒータを保持する金属製保持部材とを備えたことを特徴とするグロープラグ。近年、より急速に昇温できるヒータが要求されていて、スタート時エンジン始動時に抵抗体に大電流を流すように、端子部から導入する電力突入電力を大きくする必要性が出てきた。ここで、上記ヒータにおいて突入電力を大きくしようとすると、突入電力の負荷はリードの曲げ部の中でもカーブ中央付近図2に示すA2-A2’線断面付近の外側図2に示すA2’側に集中し、局部発熱して曲げ部のカーブ中央付近が局部膨張し、この局部膨張した部位においてリードと絶縁基体との界面に応力が集中してマイクロクラックが発生するという問題があった。本発明は、上記の問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、急速昇温等の際にリードの曲げ部に大電流が流れても局部膨張に起因した応力集中によるマイクロクラックの発生が抑制された高い信頼性および耐久性を有するヒータおよびこれを備えたグロープラグを提供することである。本発明のヒータは、絶縁基体と、該絶縁基体に埋設された抵抗体と、前記絶縁基体に埋設され、一端側で前記抵抗体に接続されるとともに他端側に前記絶縁基体の表面から露出する端子部を有するリードとを備え、前記リードは前記端子部に向かって曲がった曲げ部を有しており、該曲げ部の少なくとも一断面におけるアスペクト比が前記曲げ部よりも端子部側の部分における一断面のアスペクト比よりも大きいことを特徴とするものである。また、本発明のグロープラグは、上記の構成のいずれかに記載のヒータと、前記リードの前記端子部に電気的に接続されるとともに前記ヒータを保持する金属製保持部材とを備えたことを特徴とするものである。本発明のヒータによれば、突入電力の負荷が集中しやすい曲げ部Aにおけるカーブ中央付近図2に示すA2-A2’線断面付近の外側A2’側の他にも、突入電力の負荷が集中しやすい部位を設けることとなるため、突入電力の負荷をカーブ中央付近図2に示すA2-A2’線断面付近の外側A2’側から他の部位に分散させることができ、リードと絶縁基体との界面にマイクロクラックが生じるのを抑制することができる。本発明のヒータの実施の形態の例について図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明のヒータの実施の形態の一例を示す縦断面図であり、図2aは図1に示すリードの曲げ部Aを拡大した拡大図であり、図2bは図2aに示すA1-A1’線断面図、図2cは図2aに示すA2-A2’線断面図、図2dは図2aに示すA3-A3’線断面図である。図1に示すヒータ1は、絶縁基体2と、絶縁基体2に埋設された抵抗体3と、絶縁基体2に埋設され、一端側で抵抗体3に接続されるとともに他端側に絶縁基体2の表面から露出する端子部41を有するリード4とを備え、リード4は端子部41に向かって曲がった曲げ部Aを有しており、曲げ部Aの少なくとも一断面におけるアスペクト比が曲げ部Aよりも端子部41側の部分における一断面のアスペクト比よりも大きいことを特徴とするものである。本実施の形態のヒータ1における絶縁基体2は、例えば棒状に形成されたものである。この絶縁基体2には抵抗体3およびリード4が埋設されている。ここで、絶縁基体2はセラミックスからなることが好ましく、これにより急速昇温時の信頼性が高いヒータ1を提供することが可能になる。具体的には、酸化物セラミックス,窒化物セラミックス,炭化物セラミックス等の電気的な絶縁性を有するセラミックスが挙げられる。特に、絶縁基体2は、窒化珪素質セラミックスからなることが好適である。窒化珪素質セラミックスは、主成分である窒化珪素が高強度、高靱性、高絶縁性および耐熱性の観点で優れているからである。窒化珪素質セラミックスからなる絶縁基体2は、例えば、主成分の窒化珪素に対して、焼結助剤として3~12質量のY2O3,Yb2O3,Er2O3等の希土類元素酸化物、05~3質量のAl2O3、さらに焼結体に含まれるSiO2量として15~5質量となるようにSiO2を混合し、所定の形状に成形し、その後、1650~1780°Cでホットプレス焼成することにより得ることができる。絶縁基体2の長さは、例えば20~50mmに形成され、絶縁基体2の直径は例えば3~5mmに形成される。なお、絶縁基体2として窒化珪素質セラミックスからなるものを用いる場合、MoSiO2,WSi2等を混合し分散させることが好ましい。この場合、母材である窒化珪素質セラミックスの熱膨張率を抵抗体3の熱膨張率に近づけることができ、ヒータ1の耐久性を向上させることができる。絶縁基体2に埋設された抵抗体3は、縦断面の形状が折返し形状をなしていて、折返しの中間点付近が最も発熱する発熱部31となっている。この抵抗体3は絶縁基体2の先端側に埋設されていて、抵抗体3の先端折返し形状の中央付近から抵抗体3の後端リードとの接合端部までの距離は例えば2~10mmに形成される。なお、抵抗体3の横断面の形状は、円、楕円、矩形などいずれの形状でもよく、通常は後述するリード4よりも断面積が小さくなるように形成される。抵抗体3の形成材料としては、W,Mo,Tiなどの炭化物、窒化物、珪化物などを主成分とするものを使用することができる。絶縁基体2が窒化珪素質セラミックスからなる場合、絶縁基体2との熱膨張率の差が小さい点、高い耐熱性を有する点および比抵抗が小さい点で、上記の材料のなかでも炭化タングステンWCが抵抗体3の材料として優れている。さらに、絶縁基体2が窒化珪素質セラミックスからなる場合、抵抗体3は、無機導電体のWCを主成分とし、これに添加される窒化珪素の含有率が20質量以上であるものが好ましい。例えば、窒化珪素質セラミックスからなる絶縁基体2中において、抵抗体3となる導体成分は窒化珪素と比較して熱膨張率が大きいため、通常は引張応力がかかった状態にある。これに対して、抵抗体3中に窒化珪素を添加することにより、熱膨張率を絶縁基体2の熱膨張率に近づけて、ヒータ1の昇温時および降温時の熱膨張率の差による応力を緩和することができる。また、抵抗体3に含まれる窒化珪素の含有量が40質量以下であるときには、抵抗体3の抵抗値を比較的小さくして安定させることができる。従って、抵抗体3に含まれる窒化珪素の含有量は20質量~40質量であることが好ましい。より好ましくは、窒化珪素の含有量は25質量~35質量がよい。また、抵抗体3への同様の添加物として、窒化珪素の代わりに窒化硼素を4質量~12質量添加することもできる。絶縁基体2に埋設されたリード4は、一端側で抵抗体3に接続されるとともに他端側に絶縁基体2の表面から露出する端子部41を有している。具体的には、一端から他端にかけて折返し形状をなす抵抗体3の両端部にそれぞれリード4が接合されている。そして、一方のリード4は、一端側で抵抗体3の一端に接続され、他端側で絶縁基体2の後端寄りの側面から露出している。また、他方のリード4は、一端側で抵抗体3の他端に接続され、他端側で絶縁基体2の後端部から露出している。このリード4は、抵抗体3と同様の材料を用いて形成され、例えば、抵抗体3よりも断面積を大きくしたり、絶縁基体2の形成材料の含有量を抵抗体3よりも少なくしたりすることによって、単位長さ当たりの抵抗値が低くなっているものである。特に、WCが、絶縁基体2との熱膨張率の差が小さい点、高い耐熱性を有する点および比抵抗が小さい点で、リード4の材料として好適である。また、リード4は無機導電体であるWCを主成分とし、これに窒化珪素を含有量が15質量以上となるように添加することが好ましい。窒化珪素の含有量が増すにつれてリード4の熱膨張率を、絶縁基体2を構成する窒化珪素の熱膨張率に近づけることができる。また、窒化珪素の含有量が40質量以下であるときには、リード4の抵抗値が小さくなるとともに安定する。従って、窒化珪素の含有量は15質量~40質量が好ましい。より好ましくは、窒化珪素の含有量は20質量~35質量とするのがよい。そして、リード4一端側で抵抗体3の一端に接続され、他端側で絶縁基体2の後端寄りの側面から露出しているリード4は、端子部41に向かって曲がった曲げ部Aを有していて、曲げ部Aの少なくとも一断面におけるアスペクト比縦横比が曲げ部Aよりも端子部41側の部分における一断面図2に示すA1-A1’線断面図のアスペクト比よりも大きくなっている。なお、リード4における絶縁基体2の後端寄りの側面から露出している部分が端子部41であり、曲げ部Aとは、リード4における端子部41の近傍から棒状の絶縁基体2の長手方向に沿った直線部分に達するまでの曲がった部分のことである。また、アスペクト比縦横比の縦方向は、曲げ部Aの曲がった方向に平行な平面曲げ部Aの中心軸を含む平面に対して垂直な軸の方向図1の紙面に垂直な方向である。ここで、図2b乃至図2dは、曲げ部Aの断面のアスペクト比縦横比が端子部41側から遠ざかるにしたがって徐々に大きくなるように形成されたものである。すなわち、端子部41近傍の図2bに示すA1-A1’線断面図はほぼ円形の断面であり、曲げ部Aのカーブ中央付近の図2cに示すA2-A2’線断面図は曲げ部Aの曲がった方向に平行な平面曲げ部Aの中心軸を含む平面に対し垂直な方向紙面に垂直な方向を長軸とする楕円形状の断面であり、端子部41から遠ざかった曲げ部Aの終端付近の図2dに示すA3-A3’線断面図は図2cに示すA2-A2’線断面図よりもさらに長軸の長さが長くなった楕円形状の断面を表している。端子部41から突入する突入電力の負荷は、曲げ部Aの断面におけるカーブ中央付近図2に示すA2-A2’線断面付近の外側A2’側において大きくなる傾向がある。一方、一般に断面の形状が円であれば、突入電力の径方向の負荷は360°どの角度に対してもほぼ均等に分散するが、断面形状の形状が長軸と短軸を有する形状の場合、長軸側の外周付近に突入電力の負荷がかかりやすい傾向がある。したがって、曲げ部Aの少なくとも一断面におけるアスペクト比を、曲げ部Aよりも端子部41側の部分における一断面図2に示すA1-A1’線断面図のアスペクト比よりも大きくし、突入電力の負荷が集中しやすい曲げ部Aの断面におけるカーブ中央付近図2に示すA2-A2’線断面付近の外側A2’側の他にも、突入電力の負荷が集中しやすい部位を設けることで、突入電力の負荷をカーブ中央付近図2に示すA2-A2’線断面付近の外側A2’側から他の部位に分散させることができる。具体的には、突入電力をカーブ中央付近図2に示すA2-A2’線断面付近の外側A2’側から分散させるように長軸の位置を設定し、突入電力の負荷を曲げ部Aの断面におけるカーブ中央付近図2に示すA2-A2’線断面付近の外側A2’側から長軸側の外周付近に分散させることで、曲げ部Aにマイクロクラックが生じるのを抑制することができる。ここで、本発明のヒータ1における曲げ部Aの断面は、図2に示すように、アスペクト比が端子部41に向かって減少する形状であるのが好ましい。この形状によれば、端子部41で発生する突入電力の負荷を曲げ部Aに向かって徐々に分散でき、曲げ部Aにマイクロクラックが生じるのをより抑制することができる。また、本発明のヒータ1における曲げ部Aの断面は、図2に示すように、曲げ部Aの曲がった方向に平行な平面曲げ部Aの中心軸を含む平面に対し垂直な方向を長軸とする扁平形状であるのが好ましい。この形状によれば、曲げ部Aの中央付近図2に示すA2-A2’線断面付近の外側A2’側において大きくなる傾向がある突入電力の負荷を、曲がった方向曲げ部Aの外側に対して90°反転させた方向の外周付近に分散させることができ、熱が分散してこもらなくなるから、曲げ部Aにマイクロクラックが生じるのをより抑制することができる。さらに、本発明のヒータ1は、図2に示すように曲げ部Aの断面が楕円形状であるのが好ましく、このような形状であることで、断面に角が無く応力が分散しやすいことから、マイクロクラックが生じにくくなる。また、本発明のヒータ1は、図2に示すように端子部41が円形状であるのが好ましく、このような形状であることで、端子部41での突入応力が均等に分散され、マイクロクラックが生じにくくなる。さらに、本発明のヒータ1は、曲げ部Aが断面視してアスペクト比が連続的に変化する部分を有するのが好ましく、特に曲げ部Aの全体にわたって断面視してアスペクト比が連続的に変化しているのが好ましい。このような形状であることで、定常状態になったときに負荷が集中する箇所が無いから、繰返し使用してもマイクロクラックが生じにくくなる。さらに、本発明のヒータ1は、曲げ部Aが長軸及び短軸を有する断面形状を成しており、曲げ部Aの全体にわたって長軸の方向が一致しているのが好ましい。言い換えると、曲げ部Aが長軸及び短軸を有する断面形状を成しており、端子部41に向かって長軸の長さが短くなるとともに短軸の長さが長くなる形状であるのが好ましい。このような形状であることで、突入電力の負荷の変化がなく、ねじれによる応力集中がないから、マイクロクラックが生じにくくなる。なお、端子部41の形状が円形状であり曲げ部Aの断面が楕円形状である図2に示すような形態に限らず、他の形態とすることもできる。他の形態としては、形成のしやすさの点から、例えば矩形、ひし形、三角形、六角形、八角形等の比較的単純な形状が挙げられる。このような断面形状であっても、曲げ部Aでアスペクト比が大きいと、曲げ部Aの中央付近の外側以外に、形状的に負荷が集中しやすい部分を設けることができ、負荷を分散させることができる。図2に示すような端子部41から曲げ部Aにかけて円形から楕円と変化する形態の場合に、楕円の長軸端部に負荷が集中しやすくなるのと同様に、図3に示すような端子部41および曲げ部Aがともに矩形状で端子部41から曲げ部Aにかけてアスペクト比が大きくなる形態の場合は、上下が短辺になり、負荷の集中しやすい角部の間隔は短辺の方が長辺より近いので、短辺の方、つまり上下に負荷が集中しやすくなる。また、それ以外の多角形状の場合は、図4に示すように、端子部41から曲げ部Aにかけてアスペクト比が大きくなると、上下の角部の角度が小さくなるか、矩形状の場合と同様に上下の角部の間隔が近づくこととなり、上下に負荷が集中しやすくなる。なお、断面形状が上記のような矩形状や六角形状などの多角形状の場合は、角部があることで、負荷が集中しすぎるか、絶縁基体2の割れの起点になりやすいことから、図3に示すように角部を丸めた形状にするのが好ましい。この点で、円形や楕円形は角部がないので、より好ましい。上述のヒータ1はグロープラグ図示せずに用いることができる。すなわち、本発明のグロープラグ図示せずは、上述のヒータ1と、ヒータ1を構成するリード4の端子部41に電気的に接続されるとともにヒータ1を保持する金属製保持部材シース金具とを備えた構成であり、この構成により、ヒータ1の曲げ部Aにマイクロクラックが生じにくいことから、長期間使用可能なグロープラグを実現することができる。次に、本実施の形態のヒータ1の製造方法の一例について説明する。本実施の形態のヒータ1は、例えば、上記本実施の形態の構成の抵抗体3、リード4および絶縁基体2の形状の金型を用いた射出成形法等によって形成することができる。まず、導電性セラミック粉末,樹脂バインダー等を含む、抵抗体3およびリード4となる導電性ペーストを作製するとともに、絶縁性セラミック粉末,樹脂バインダー等を含む絶縁基体2となるセラミックペーストを作製する。次に、導電性ペーストを用いて射出成形法等によって抵抗体3となる所定パターンの導電性ペーストの成形体成形体aを形成する。そして、成形体aを金型内に保持した状態で、導電性ペーストを金型内に充填してリード4となる所定パターンの導電性ペーストの成形体成形体bを形成する。これにより、成形体aと、この成形体aに接続された成形体bとが、金型内に保持された状態となる。次に、金型内に成形体aおよび成形体bを保持した状態で、金型の一部を絶縁基体2の成形用のものに取り替えた後、金型内に絶縁基体2となるセラミックペーストを充填する。これにより、成形体aおよび成形体bがセラミックペーストの成形体成形体cで覆われたヒータ1の成形体成形体dが得られる。次に、得られた成形体dを、30MPa~50MPaの圧力下で1600°C~1800°Cの温度で焼成することにより、ヒータ1を作製することができる。なお、焼成は水素ガス等の非酸化性ガス雰囲気中で行なうことが好ましい。本発明の実施例のヒータを以下のようにして作製した。まず、炭化タングステンWC粉末を50質量、窒化珪素Si3N4粉末を35質量、樹脂バインダーを15質量含む導電性ペーストを、金型内に射出成形して図1に示すような形状の抵抗体となる成形体aを作製した。次に、この成形体aを金型内に保持した状態で、リードとなる上記の導電性ペーストを金型内に充填することにより、成形体aと接続させて図1および図2に示すような形状のリードとなる成形体bを形成した。次に、成形体aおよび成形体bを金型内に保持した状態で、窒化珪素Si3N4粉末を85質量、焼結助剤としてのイッテリビウムYbの酸化物Yb2O3を10質量、抵抗体およびリードに熱膨張率を近づけるための炭化タングステンWCを5質量含むセラミックペーストを、金型内に射出成形した。これにより、絶縁基体となる成形体c中に成形体aおよび成形体bが埋設された構成の成形体dを形成した。次に、得られた成形体dを円筒状の炭素製の型に入れた後、窒素ガスから成る非酸化性ガス雰囲気中で、1700°C、35MPaの圧力でホットプレスを行ない焼結して、本発明実施例となるヒータを作製した。なお、このヒータ本発明実施例の試料は、リード部が曲げ部を有しており、曲げ部は端子部に向かって変化しており、カーブ中央付近の断面は扁平形状楕円であり、端子部の形状は円であり、断面形状の面積は一定であり、アスペクト比が徐々に変化し断面の長軸方向は常に一定のものであった。そして、得られたヒータの後端寄りの側面に露出したリード端部端子部に筒状の金属製保持部材をロウ付けしてグロープラグを作製した。一方、比較例として、曲げ部の断面におけるアスペクト比が曲げ部よりも端子部側の部分における一断面のアスペクト比と同じく、曲げ部全体にわたって一定のアスペクト比の断面が円形状であるグロープラグも作製した。これらのグロープラグを用いて冷熱サイクル試験を行なった。冷熱サイクル試験の条件は、まずヒータに通電して抵抗体の温度が1400°Cになるように印加電圧を設定し、15分間通電、22分間非通電の1,2を1サイクルとし、1万サイクル繰り返した。冷熱サイクル試験前後のヒータの抵抗値の変化を測定したところ、本発明実施例の試料は抵抗変化が1以下であった。また、この試料のリードと絶縁基体との界面に局部発熱の痕跡もなく、マイクロクラックも見られなかった。これに対し、比較例の試料は、抵抗変化が5以上であり、マイクロクラックが確認できた。"