基板と、前記基板の表面に設けられた導電膜と、を備えた電子部品において、前記導電膜は、前記基板の表面に形成された、Agを主成分とする第1層と、前記第1層の少なくとも一部を覆い、モル比率Ag/Snが80/20以下、かつ20/80以上の範囲内であるAg/Sn合金を主成分とする第2層と、を含むことを特徴とする、電子部品。前記導電膜は、前記第2層の表面に形成された、Niを主成分とする第3層と、前記第3層の表面に形成された、Auを主成分とする第4層と、をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の電子部品。Agを主成分とする金属膜が表面に形成された基板を準備する第1の工程と、前記金属膜の少なくとも一部の表面にSnを主成分とするめっき膜を形成する第2の工程と、熱処理により、前記金属膜の前記Agの一部と前記めっき膜の前記Snの少なくとも一部とを合金化させて、前記金属膜の一部と前記めっき膜を、モル比率Ag/Snが80/20以下、かつ20/80以上の範囲内であるAg/Sn合金を主成分とするAg/Sn膜に変える第3の工程と、を備えたことを特徴とする、電子部品の製造方法。しかしながら、特許文献1のように、印刷によりPd膜を形成すると、Pd膜が厚くなり、コスト高になる。また、Ag膜とPd膜が完全に重なるようにすることは困難である。Pd膜を広めに印刷すると、電極や配線パターンの微細化が困難になり、電極や配線の間隔に余裕を持たせる必要が生じ、設計上の制約が多くなる。さらに、ペーストを焼成熱処理しているため、緻密な膜の形成が困難である。特許文献2のようにAg-Pd合金粉末を使用すると、貴金属であるPdの使用量が多くなり、コスト高になる。仮に、Agの表面に、マイグレーションを阻止するためのバリアメタルとしてNiめっきを施し、その上に、はんだ濡れ性を付与するためAuめっきを行っても、マイグレーションが起こることがある。本発明は、かかる実情に鑑み、低コストでAgのマイグレーションを防止することができる電子部品及びその製造方法を提供しようとするものである。本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した電子部品を提供する。電子部品は、基板と、前記基板の表面に設けられた導電膜とを備える。前記導電膜は、a前記基板の表面に形成された、Agを主成分とする第1層と、b前記第1層の少なくとも一部を覆い、モル比率Ag/Snが80/20以下、かつ20/80以上の範囲内であるAg/Sn合金を主成分とする第2層とを含む。上記構成によれば、第2層のAg/Sn合金により、第1層のAgのマイグレーションを防止することができる。Pdのような貴金属を用いず、安価であるSnを用いているため、低コストでAgのマイグレーションを防止することができる。第2層は、例えば、第1層上にSnを含む層を形成し、第1層のAgと第1層上の層のSnとを熱処理により相互拡散させることにより、容易に形成することができる。なお、第2層は、これ以外の方法で形成しても構わない。第2層は、所定範囲外のモル比率のAg/Sn合金や、純粋なSn、その他の金属などを部分的に含んでいても構わない。好ましくは、前記導電膜は、d前記第2層の表面に形成された、Niを主成分とする第3層と、e前記第3層の表面に形成された、Auを主成分とする第4層とをさらに含む。この場合、Niを主成分とする第3層によって、Agのマイグレーションがさらに改善する。また、Auの第4層により、はんだが濡れやすくなる。また、本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した電子部品の製造方法を提供する。電子部品の製造方法は、iAgを主成分とする金属膜が表面に形成された基板を準備する第1の工程と、ii前記金属膜の少なくとも一部の表面にSnを主成分とするめっき膜を形成する第2の工程と、iii熱処理により、前記金属膜の前記Agの一部と前記めっき膜の前記Snの少なくとも一部とを合金化させて、前記金属膜の一部と前記めっき膜を、モル比率Ag/Snが80/20以下、かつ20/80以上の範囲内であるAg/Sn合金を主成分とするAg/Sn膜に変える第3の工程とを備える。上記方法によれば、Ag/Sn膜のAg/Sn合金により、金属膜のAgのマイグレーションを防止することができる。Snのめっき膜は、Agの金属膜の表面に選択的に形成することができ、印刷技法で形成する場合よりも薄くすることが可能である。本発明によれば、低コストでAgのマイグレーションを防止することができる。以下、本発明の実施の形態について、図1~図3を参照しながら説明する。<実施例1>実施例1の電子部品について、図1及び図2を参照しながら説明する。図1は、実施例1の電子部品の要部断面図である。図1に示すように、電子部品は、セラミック基板12の表面12aに、導電膜10が設けられている。すなわち、セラミック基板12の表面12aに、Agを主成分とする第1層14が形成され、第1層14の少なくとも一部を覆うように、第2層16が形成されている。第2層16は、Ag/Sn合金のモル比率Ag/Snが80/20以下、かつ20/80以上の範囲内であるAg/Sn合金を主成分とする。第1層14及び第2層16は、セラミック基板12の表面12aに、電極や配線などの導体パターンを形成する。セラミック基板12は、セラミック材料からなる絶縁層を含み、絶縁層が1層のみの単層基板でも、絶縁層が積層された多層基板でも構わない。多層基板の場合には、隣接する絶縁層の間に形成された面内導体パターンや、絶縁層を貫通するビアホール導体により、多層基板の内部にコンデンサやコイル等を含む電気回路が形成されてもよい。第1層14は、例えば、Agを含むAgペーストを用いて厚膜を塗布して焼き付けられたものである。別途形成でもよいし、セラミック基板12と共焼成であっても構わない。第2層16は、例えば、第1層14の表面14aにSnのめっき膜を形成した後、第1層14のAgとめっき膜のSnとを熱処理により相互拡散させ、合金化させることにより、容易に形成することができる。なお、第2層16は、これ以外の方法で形成しても構わない。第2層16のAg/Sn合金により、第1層14のAgのマイグレーションを防止することができる。Pdのような貴金属を用いず、安価であるSnを用いているため、低コストでAgのマイグレーションを防止することができる。第2層16は、例えば、第1層14によって形成される電極や配線の導体パターンのうち互いに隣り合う隙間が狭くなる部分など、第1層14のAgのマイグレーションを防ぎたい箇所に選択的に形成することができる。次に、実施例1の作製例について、説明する。100mm×100mmのLTCCLowtemperaturecofiredceramic基板を作製し、マイグレーションを評価した。マイグレーション評価のため、セラミック基板の表面に、図2の平面図に示す導体パターン30を形成した。導体パターン30は、電極指34が互いに間挿され、電極指34はバスバー32に接続されている。電極指34の幅Wは100μm、電極指34間の距離Dは100μm、電極指34同士が対向する部分の長さLは10mmである。作製工程は、次の通りである。1まず、Agを主成分とする金属膜が表面に形成されたセラミック基板を準備する。詳しくは、Al2O3-SiO2-B2O3-CaO系のセラミック原料粉末に、有機樹脂バインダ、水、添加物を混合して調整したスラリーを、ドクターブレード法により塗布することによりセラミックグリーンシートを作製する。セラミックグリーンシートをカットし、必要に応じて金型を用いて貫通孔を形成した後、Agペーストを印刷により塗布することにより、セラミックグリーンシートの表面に面内導体や第1層のパターンを形成するとともに、セラミックグリーンシートの貫通孔にAgペーストを充填する。印刷後、セラミックグリーンシートを積み重ねてプレスし、未焼成のセラミック基板を形成する。次いで、未焼成のセラミック基板を焼成する。このとき、セラミック基板の表面に形成されたAgペーストが焼結して、セラミック基板の表面にAgを主成分とする金属膜が形成される。金属膜の膜厚は、3~30μmが好ましく、作製例では8μmであった。2次に、焼結済みセラミック基板の表面に形成された金属膜に被着する、Snを主成分とするめっき膜を形成する。めっき膜の膜厚は、0.02~2μmが好ましい。詳しくは、奥野製薬工業株式会社製エースクリーンにより、60°C、1分の条件で処理し、セラミック基板に水ぬれ性付与する。次いで、水洗した後、奥野製薬工業株式会社製NNPアクセラを使用し、25°C、3分の条件で処理して、セラミック基板の表面に触媒を付与する。次いで、水洗した後、60°C、pH=7、めっき時間0.5~300分の条件で、セラミック基板の表面に無電解Snめっきを行う。めっき液の成分は、次の通りである。クエン酸三ナトリウム:0.34mol/リットルエチレンジアミン四酢酸:0.08mol/リットルニトリロ三酢酸:0.20mol/リットル塩化第一スズ:0.08mol/リットル塩化カルシウム:0.013mol/リットル三塩化チタン溶液:0.04mol/リットル次いで、水洗した後、乾燥する。3次に、熱処理を行う。熱処理の条件は、100~250°C、30秒、N2雰囲気とした。熱処理により、金属膜のAgとめっき膜のSnとが相互拡散して合金化する。金属膜のうち、Snが拡散せず、合金化していない部分が、第1層になる。金属膜のうちSnが拡散した部分とめっき膜とにより、Ag/Sn合金を主成分とする第2層Ag/Sn膜が形成される。すなわち、熱処理によって、金属膜の一部とめっき膜を、第2層Ag/Sn膜に変える。第2層Ag/Sn膜は、めっき膜の全部にAgが拡散してAg/Sn合金が形成される方が好ましいが、めっき膜の一部にAgが拡散せず、純粋なSnが部分的に残っても構わない。第2層Ag/Snは、なるべく薄く均一に形成されるのが理想的であるので、めっき膜は薄く均一に形成することが好ましい。以上の工程により、Snめっき膜厚、熱処理温度を変化させて作製した試料試料番号:101~112について、Agマイグレーションを評価した。比較のため、Snめっきしていない試料試料番号:1~4を作製し、同様に評価した。Agマイグレーション評価条件は、温度85°C、湿度85の環境において、図2に示した導体パターン30の端子電極36に電源を接続し、100μm離れている電極指34間に10Vの電圧を120時間印加することにより、Agマイグレーションの発生有無を観察した。Agマイグレーションの発生有無は、IR絶縁抵抗≧106Ωで判断した。すなわち、図2に示した導体パターン30の端子電極36間の絶縁抵抗が1MΩ以上であれば、GAgマイグレーションの発生無し、絶縁抵抗が1MΩ未満であれば、NGAgマイグレーションの発生有りと評価した。次の表1に、Snめっき膜厚/熱処理温度/熱処理時間によるAgマイグレーションの発生有無を示す。合わせて、めっき膜の表面からWDX分析波長分散型X線分析した結果より求めた第2層のAg/Sn比率を示す。比較のため、Snめっきしていない試料試料番号:1~4のAgマイグレーションの発生有無を示す。表1から、Ag/Sn合金のモル比率Ag/Snが80/20以下、かつ20/80以上の範囲内であると、Agのマイグレーションが発生していないことが分かる。<実施例2>実施例2の電子部品について、図3を参照しながら説明する。図3は、実施例2の電子部品の要部断面図である。図3に示すように、実施例2の電子部品は、実施例1の構成に、第3層18及び第4層20が追加されている。すなわち、実施例2の電子部品の導電膜10aは、aセラミック基板12の表面12aに形成された、Agを主成分とする第1層14と、b第1層14の少なくとも一部を覆う第2層16に加え、c第2層16の表面16aに形成された、Niを主成分とする第3層18と、d第3層18の表面18aに形成された、Auを主成分とする第4層20とを含む。Niを主成分とする第3層18によって、Agのマイグレーションがさらに改善する。また、Auの第4層20により、はんだが濡れやすくなる。第3層18及び第4層20は、例えば、セラミック基板12に電子部品を実装するための端子電極となる部分に形成する。次に、実施例2の作製例について説明する。前述した実施例1の作製例においてSnめっき膜厚、熱処理温度、熱処理時間を変化させて作製した試料マイグレーション評価を行う前のものに対し、さらにNiめっき、Auめっきを行い、その後、Agマイグレーションを評価した。Niめっき、Auめっきは、次のように行った。まず、奥野製薬工業株式会社製エースクリーンにより、60°C、1分の条件で処理し、セラミック基板に水ぬれ性を付与した。次いで、水洗した後、奥野製薬工業株式会社製NNPアクセラを使用し、25°C、3分の条件で処理し、セラミック基板の表面に触媒を付与した。次いで、水洗した後、奥野製薬工業株式会社製ICPニコロンGMを使用し、80°C、20分の条件で処理し、セラミック基板上に無電解Niめっきを行った。Niめっき膜の膜厚は、2~10μmが好ましく、作製例では3μmであった。。次いで、水洗した後、奥野製薬工業株式会社製フラッシュゴールド2000を使用し、85°C、10分の条件で処理し、セラミック基板上に置換Auめっきを行った。Auめっき膜の膜厚は、0.02~0.15μmが好ましく、作製例では0.05μmであった。次いで、水洗した後、水きり、乾燥した。以上の工程により、セラミック基板の表面に形成された導体パターン30図2参照にNiめっき、Auめっきを行った試料を作製し、Agマイグレーションを評価した。比較のため、Snめっきしていない試料試料番号:1~4についても、同様に、Niめっき、Auめっきし、Agマイグレーションを評価した。Agマイグレーション評価条件は、印加電圧の大きさを除き、実施例1と同じである。すなわち、温度85°C、湿度85の環境において、20Vの電圧を120時間印加することにより、Agマイグレーションの発生有無を観察した。Agマイグレーションの発生有無は、IR絶縁抵抗≧106Ωで判断した。すなわち、絶縁抵抗が1MΩ以上であれば、GAgマイグレーションの発生無し、絶縁抵抗が1MΩ未満であれば、NGAgマイグレーションの発生有りと評価した。次の表2に、Snめっき膜厚/熱処理温度/熱処理時間によるAgマイグレーションの発生有無を示す。比較のため、SnめっきしていないもののAgマイグレーションの発生有無を示す。表2から、Ag/Sn合金のモル比率Ag/Snが、80/20以下、かつ20/80以上の範囲内であると、Agのマイグレーションが発生していないことが分かる。また、実施例1の構成は、NiAuめっきの下地としても問題なく使用できることが分かる。なお、表には示していないが、実施例2の作製例の試料は、実施例1の作製例の試料よりも絶縁抵抗が大きかった。このことから、NiとAuのめっき膜を追加すると、さらにAgマイグレーションが改善することが分かる。<まとめ>以上に説明したように、Ag/Sn合金の第2層を備えた電子部品は、低コストでAgのマイグレーションを防止することができる。なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。例えば、本発明は、基板がセラミック基板の場合を例示したが、これに限るものではなく、基板は、樹脂材料からなる樹脂基板等であってもよい。