"貫通孔が形成された無機絶縁層と前記貫通孔内に形成された貫通導体とを備え、前記無機絶縁層は、互いに接続した第1無機絶縁粒子と、該第1無機絶縁粒子よりも粒径が大きく、前記第1無機絶縁粒子を介して互いに接続された第2無機絶縁粒子と、を含むとともに、前記貫通孔の内壁に、前記第2無機絶縁粒子の少なくとも一部を含む凸部を有しており、該凸部は、前記貫通導体に被覆されていることを特徴とする配線基板。請求項1に記載の配線基板において、前記無機絶縁層上に配された樹脂層をさらに備え、前記貫通孔は、前記無機絶縁層および前記樹脂層の双方を貫通するとともに、前記無機絶縁層に位置する第1貫通部と、前記樹脂層に位置する第2貫通部と、を有し、前記第1貫通部の内壁の十点平均粗さは、前記第2貫通部の内壁の十点平均粗さよりも大きいことを特徴とする配線基板。請求項1に記載の配線基板において、前記無機絶縁層上に配された樹脂層をさらに備え、前記貫通孔は、前記無機絶縁層および前記樹脂層の双方を貫通し、且つ前記無機絶縁層側から前記樹脂層側に向って径が小さくなっているとともに、前記無機絶縁層に形成された第1貫通部と、前記樹脂層に形成された第2貫通部と、を有し、前記貫通孔の貫通方向に対する前記第1貫通部の内壁の傾斜角は、前記貫通方向に対する前記第2貫通部の内壁の傾斜角よりも大きいことを特徴とする配線基板。請求項1に記載の配線基板において、前記無機絶縁層における前記貫通孔の内壁の十点平均粗さは、前記無機絶縁層における主面の十点平均粗さよりも大きいことを特徴とする配線基板。請求項1に記載の配線基板において、前記無機絶縁層は、前記貫通孔の内壁に、少なくとも一部が前記無機絶縁層に埋設された前記第2無機絶縁粒子が前記無機絶縁層から剥離してなる凹部を有し、該凹部には、前記貫通導体の一部が充填されていることを特徴とする配線基板。請求項1に記載の配線基板において、前記第2無機絶縁粒子は、球状であることを特徴とする配線基板。請求項1に記載の配線基板において、前記第1無機絶縁粒子は、粒径が3nm以上110nm以下の範囲であり、前記第2無機絶縁粒子は、粒径が0.5μm以上5μm以下の範囲であることを特徴とする配線基板。請求項1に記載の配線基板において、前記無機絶縁層は、酸化ケイ素からなり、前記貫通導体は、銅からなることを特徴とする配線基板。請求項1に記載の配線基板と、該配線基板に実装され、前記貫通導体に電気的に接続された電子部品と、を備えたことを特徴とする実装構造体。以下に、本発明の一実施形態に係る配線基板を含む実装構造体を、図面に基づいて詳細に説明する。図1aに示した実装構造体1は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置またはその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体1は、電子部品2と該電子部品2が実装された配線基板3とを含んでいる。電子部品2は、例えばICまたはLSI等の半導体素子であり、配線基板3に半田等の導電材料からなるバンプ4を介してフリップチップ実装されている。この電子部品2は、母材が、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウムまたは炭化珪素等の半導体材料により形成されている。電子部品2の厚みは、例えば0.1mm以上1mm以下に設定されている。配線基板3は、コア基板5とコア基板5の上下に形成された一対の配線層6とを含んでいる。コア基板5は、配線基板3の剛性を高めつつ一対の配線層6間の導通を図るものであり、スルーホールTが形成された基体7と、スルーホールT内に形成された筒状のスルーホール導体8と、スルーホール導体8に取り囲まれた領域に形成された柱状の絶縁体9を含んでいる。基体7は、コア基板5の剛性を高めるものであり、例えば樹脂部と該樹脂部に被覆された基材と樹脂部に被覆された無機絶縁フィラーとを含む。基体7の厚みは、例えば0.1mm以上3mm以下に設定されている。また、基体7の平面方向への熱膨張率は、例えば3ppm/°C以上20ppm/°C以下に設定され、基体7の厚み方向への熱膨張率は、例えば30ppm/°C以上50ppm/°C以下に設定されている。なお、基体7は、基材を含まなくても構わないし、無機絶縁フィラーを含まなくても構わない。ここで、基体7の熱膨張率は、市販のTMA装置を用いて、JISK7197-1991に準じた測定方法により測定される。また、基体7の誘電正接は、JISR1627-1996に準じた共振器法により測定される。以下、各部材の熱膨張率および誘電正接は、基体7と同様に測定される。基体7の樹脂部は、基体7の主要部をなすものであり、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂またはポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂により形成されている。基体7の基材は、基体7の剛性を高めるものである。基材としては、繊維により構成された織布もしくは不織布または繊維を一方向に配列したものを使用することができ、繊維としては、例えばガラス繊維、樹脂繊維、炭素繊維または金属繊維等を使用することができる。基体7の無機絶縁フィラーは、基体7の熱膨張率を低減するとともに、基体7の剛性を高めるものであり、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、水酸化アルミニウムまたは炭酸カルシウム等の無機絶縁材料からなる複数の粒子により構成されている。無機絶縁フィラーの粒子は、粒径が例えば0.5μm以上5.0μm以下に設定され、熱膨張率が例えば0ppm/°C以上15ppm/°C以下に設定されている。また、無機絶縁フィラーは、基体7の樹脂部と無機絶縁フィラーの体積の合計に対する無機絶縁フィラーの体積の割合が例えば3体積以上60体積以下に設定されている。スルーホールTは、基体7を厚み方向に沿って貫通しており、円柱状に形成されている。スルーホールTの最大径は、例えば15μm以上180μm以下に設定されている。スルーホール導体8は、コア基板5の上下の配線層6を電気的に接続するものであり、例えば銅、銀、金もしくはニッケルまたはそれらの合金等の導電材料により形成されている。また、スルーホール導体8の平面方向および厚み方向への熱膨張率は、例えば14ppm/°C以上18ppm/°C以下に設定されている。絶縁体9は、後述するビア導体12を支持するものであり、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂またはビスマレイミドトリアジン樹脂等の樹脂材料により形成されている。一方、コア基板5の上下面には、上述した如く、一対の配線層6が形成されている。配線層6は、ビア孔貫通孔Vが形成された絶縁層10と、基体7上または絶縁層10上に部分的に形成された導電層11と、ビア孔Vに形成され、導電層11に接続されたビア導体貫通導体12と、を含んでいる。絶縁層10は、導電層11同士の短絡を抑制する絶縁部材として機能するものであり、基体7上または他の絶縁層10上に形成された樹脂層13と、該樹脂層13上に形成された無機絶縁層14と、を含んでいる。樹脂層13は、基体7と無機絶縁層14との間、または無機絶縁層14同士の間に介されており、基体7と無機絶縁層14との接着部材、または無機絶縁層14同士の接着部材として機能するものである。また、樹脂層13は、無機絶縁層14よりもヤング率が低く、弾性変形しやすいため、配線基板3に応力が印加された際に、樹脂層13によって無機絶縁層14に印加される応力を緩和することができ、ひいては該応力に起因した無機絶縁層14のクラックを低減できる。樹脂層13は、樹脂部と該樹脂部に被覆された無機絶縁フィラーとを含んでいる。樹脂層13の厚みは、例えば3μm以上30μm以下に設定されている。また、樹脂層13の平面方向および厚み方向への熱膨張率は、例えば20ppm/°C以上50ppm/°C以下に設定されている。また、樹脂層13のヤング率は、例えば0.2GPa以上20GPa以下に設定されている。なお、樹脂層13は、無機絶縁フィラーを含まなくても構わない。ここで、樹脂層13のヤング率は、MTS社製ナノインデンターXPを用いて、ISO14577-1:2002に準じた方法で測定される。以下、各部材のヤング率は、樹脂層13と同様に測定される。樹脂層13の樹脂部は、樹脂層13の主要部をなすものであり、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂またはポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂によって形成されている。樹脂層13の無機絶縁フィラーは、基体7に含まれる無機絶縁フィラーと同様の構成および作用を有するものである。無機絶縁層14は、樹脂材料と比較して剛性の高い無機絶縁材料により構成されていることから、配線基板3の剛性を高める機能を有する。また、無機絶縁層14の熱膨張率は、樹脂材料の熱膨張率と比較して低いため、配線基板3の平面方向への熱膨張率を電子部品2の平面方向への熱膨張率に近づけることができ、熱応力に起因した配線基板3の反りを低減できる。この無機絶縁層14は、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ホウ素、酸化マグネシウムまたは酸化カルシウム等の無機絶縁材料により形成することができ、なかでも、低誘電正接および低熱膨張率の観点から、酸化ケイ素を用いることが望ましい。また、無機絶縁層14は、アモルファス非晶質状態の無機絶縁材料により形成されたものであることが望ましい。その結果、無機絶縁層14は、結晶状態の無機絶縁材料と比較して、結晶構造に起因した熱膨張率の異方性を低減することができる。それ故、配線基板3が加熱された場合、加熱後の冷却の際に無機絶縁層14の収縮を各方向にてより均一にすることができ、ひいては無機絶縁層14におけるクラックの発生を低減できる。このアモルファス状態の無機絶縁材料としては、例えば酸化ケイ素を90質量以上含むものを用いることができ、なかでも、酸化ケイ素を100質量含むものを用いることが望ましい。酸化ケイ素を100質量未満含むものを用いる場合は、酸化ケイ素の他に、例えば酸化アルミニウム、酸化チタニウム、酸化マグネシウムまたは酸化ジルコニウム等の無機絶縁材料を含むものを用いても構わない。なお、アモルファス状態である無機絶縁材料は、結晶相の領域が例えば10体積未満に設定されており、なかでも5体積未満に設定されていることが望ましい。ここで、酸化ケイ素の結晶相領域の体積比は、以下のように測定される。まず、100結晶化した試料粉末と非晶質粉末とを異なる比率で含む複数の比較試料を作製し、該比較試料をX線回折法で測定することにより、該測定値と結晶相領域の体積比との相対的関係を示す検量線を作成する。次に、測定対象である調査試料をX線回折法で測定し、該測定値と検量線とを比較して、該測定値から結晶相領域の体積比を算出することにより、調査資料の結晶相領域の体積比が測定される。無機絶縁層14は、例えば平板状に形成されており、その厚みが例えば3μm以上30μm以下に設定されている。また、無機絶縁層14のヤング率は、例えば10GPa以上100GPa以下に設定され、および/または樹脂層13のヤング率の例えば2倍以上20倍以下に設定される。また、無機絶縁層14の平面方向および厚み方向への熱膨張率は、例えば0ppm/°C以上10ppm/°C以下に設定され、および/または樹脂層13の平面方向および厚み方向への熱膨張率の例えば0.01倍以上0.02倍以下に設定されている。一方、図1bに示すように、無機絶縁層14は、第1無機絶縁粒子14aと該第1無機絶縁粒子14aよりも粒径が大きい第2無機絶縁粒子14bとを含む。この第1無機絶縁粒子14aおよび第2無機絶縁粒子14bは、上述した無機絶縁層14を構成する無機絶縁材料により形成することができる。また、無機絶縁層14は、第1無機絶縁粒子14aを例えば20体積以上90体積以下含み、第2無機絶縁粒子14bを例えば10体積以上80体積以下含んでいる。第1無機絶縁粒子14aは、粒径が第2無機絶縁粒子14bよりも小さく、図2aに示すように互いに接続するとともに、第2無機絶縁粒子14bに接続している。その結果、無機絶縁層14を緻密にし、無機絶縁層14の剛性を高めることができる。なお、第1無機絶縁粒子14a同士が互いに接続している領域を接続領域14azとする。図2aに示した第1接続領域14z1のように第1無機絶縁粒子14a同士はネック構造を介して接続している。また、図2bに示すように、第1無機絶縁粒子14aは、第1無機絶縁粒子14a同士の場合と同様に、ネック構造である第2接続領域14z2を介して第2無機絶縁粒子14bと接続している。なお、このネック構造によって生じる空隙Gには、樹脂層13の一部充填部13aが充填されている。第1無機絶縁粒子14aは、粒径が3nm以上110nm以下と微小に設定されていることが望ましい。その結果、無機絶縁層14を緻密にできる。また、第1無機絶縁粒子14a同士が結晶化開始温度未満にて互いに強固に接続するため、アモルファス状態の無機絶縁層14において無機絶縁粒子同士の接続強度を高めることができ、クラックの発生を低減することができる。なお、第1無機絶縁粒子14aの粒径が3nm以上110nm以下と微小に設定されていると、第1無機絶縁粒子14aの原子、特に表面の原子が活発に運動するため、結晶化開始温度未満といった低温下でも第1無機絶縁粒子14a同士が強固に接続すると推測される。また、第1無機絶縁粒子14aは、球状であることが望ましい。その結果、第1無機絶縁粒子14a間の空隙を低減することにより、無機絶縁層14の内部構造を緻密にできる。第2無機絶縁粒子14bは、粒径が第1無機絶縁粒子14aよりも大きい。その結果、無機絶縁層14にクラックが生じた場合、クラックの伸長が第2無機絶縁粒子14bに達した際に、粒径の大きい第2無機絶縁粒子14bの表面に沿って迂回するようにクラックが伸長することから、クラックの伸長に大きなエネルギーが必要となるため、クラックの伸長を低減することができる。したがって、該クラックが導電層11に達することを低減することによって、該クラックを起点とした導電層11の断線を低減することができ、ひいては電気的信頼性に優れた配線基板3を得ることができる。なお、第2無機絶縁粒子14bは粒径が大きいため、第2無機絶縁粒子14b同士の接続強度は小さくなりやすいが、第2無機絶縁層14b同士は、粒径の小さい第1無機絶縁層14aを介して互いに接続しているため、第2無機絶縁層14b同士の剥離に起因したクラックの発生を低減することができる。また、第2無機絶縁粒子14bは、粒径が0.5μm以上5μm以下に設定されていることが望ましい。その結果、第2無機絶縁粒子14bの粒径が0.5μm以上に設定されていることにより、無機絶層11におけるクラックの伸長を効果的に抑制することができる。また、第2無機絶縁粒子14bの粒径が5μm以下に設定されていることにより、第1無機絶縁粒子14aと第2無機絶縁粒子14bとの単位質量あたりの接触面積を増加させることができるため、第1無機絶縁粒子14aと第2無機絶縁粒子14bとの接続強度を高めることができる。ここで、第1無機絶縁粒子14aおよび第2無機絶縁粒子14bは、無機絶縁層14の研摩面もしくは破断面を電界放出型電子顕微鏡で観察することにより確認される。また、無機絶縁層14における第1無機絶縁粒子14aおよび第2無機絶縁粒子14bの含有量体積は、無機絶縁層14の研摩面を電界放出型電子顕微鏡で撮影し、画像解析装置等を用いて、無機絶縁層14における第1無機絶縁粒子14aおよび第2無機絶縁粒子14bの面積比率面積を測定し、その測定値の平均値を算出して含有量体積とみなすことにより測定される。また、第1無機絶縁粒子14aおよび第2無機絶縁粒子14bの粒径は、無機絶縁層14の研摩面もしくは破断面を電界放出型電子顕微鏡で観察し、20粒子数以上50粒子数以下の粒子を含むように拡大した断面を撮影し、該拡大した断面にて各粒子の最大径を測定することにより、測定される。また、第2無機絶縁粒子14bは、第1無機絶縁粒子14aを介して、互いに離間していることが望ましく、さらには、第1無機絶縁粒子14aに被覆されていることが望ましい。その結果、接続強度が低く且つ剥離しやすい第2無機絶縁粒子14b同士の接触領域を低減することにより、該接触領域に起因したクラックの発生および伸長を低減することができる。また、第2無機絶縁粒子14bは、球状であることが望ましい。その結果、第2無機絶縁粒子14bの表面における応力を分散させることができ、第2無機絶縁粒子14bの表面を起点とした無機絶縁層14のクラックの発生を低減することができる。また、第2無機絶縁粒子14bは、第1無機絶縁粒子14aよりもヤング率が高いことが望ましい。その結果、クラックの伸長が第2無機絶縁粒子14bに達した際に、該クラックが第2無機絶縁粒子14bの内部へ伸長することを低減し、ひいては無機絶縁層14におけるクラックの伸長を低減することができる。第1無機絶縁粒子14aのヤング率は、例えば7GPa以上17GPa以下に設定されている。また、第2無機絶縁粒子14bのヤング率は、例えば50GPa以上70GPa以下、および/または、第1無機絶縁粒子のヤング率の例えば3倍以上10倍以下に設定されている。また、第1無機絶縁粒子14aおよび第2無機絶縁粒子14bは、同一材料からなることが望ましい。その結果、無機絶縁層14において、第1無機絶縁粒子14aと第2無機絶縁粒子14bとの材料特性の違いに起因したクラックを低減することができる。導電層11は、無機絶縁層14上に形成され、接地用配線、電力供給用配線または信号用配線として機能するものである。導電層11は、例えば銅、銀、金もしくはニッケルまたはそれらの合金等の導電材料により形成することができ、なかでも、高導電率の観点から銅を用いることが望ましい。また、導電層11は、その厚みが3μm以上20μm以下に設定されている。また、導電層11の平面方向および厚み方向への熱膨張率は、例えば14ppm/°C以上18ppm/°C以下に設定されている。なお、銅の熱膨張率は、17ppm/°C程度である。ビア孔Vは、絶縁層10を厚み方向に沿って貫通しており、底面が円形状であり無機絶縁層14側から樹脂層13側に向って径が小さくなるテーパー状に形成されている。ビア孔Vは、無機絶縁層14に形成された第1貫通部V1と、樹脂層13に形成された第2貫通部V2と、を含んでいる。第1貫通部V1の最大径は、例えば15μm以上50μm以下に設定され、第1貫通部V1の最小径は、例えば13μm以上25μm以下に設定されている。第2貫通部V2の最大径は、例えば13μm以上25μm以下に設定され、第2貫通部V2の最小径は、例えば10μm以上20μm以下に設定されている。ビア導体12は、厚み方向に互いに離間した導電層11同士を相互に接続するものである。ビア導体12は、例えば銅、銀、金もしくはニッケルまたはそれらの合金等の導電材料により形成されており、なかでも、高導電率の観点から銅を用いることが望ましい。また、ビア導体12の平面方向および厚み方向への熱膨張率は、例えば14ppm/°C以上18ppm/°C以下に設定され,および/または樹脂層13の平面方向および厚み方向への熱膨張率の例えば28以上60以下に設定され、および/または無機絶縁層14の平面方向および厚み方向への熱膨張率の例えば23倍以上30倍以下に設定されている。上述した本実施形態の配線基板3においては、絶縁層10が樹脂層13および無機絶縁層14を有しており、樹脂層13の厚み方向への熱膨張率がビア導体12の厚み方向への熱膨張率よりも大きく、無機絶縁層14の厚み方向への熱膨張率がビア導体12の厚み方向への熱膨張率よりも小さい。したがって、絶縁層10が樹脂層13のみからなる場合または絶縁層10が無機絶縁層14のみからなる場合と比較して、絶縁層10とビア導体12との厚み方向への熱膨張率の差を低減することができる。それ故、配線基板3に熱が印加された場合に、絶縁層10とビア導体12との間に印加される厚み方向に沿った熱応力を緩和することができるため、絶縁層10とビア導体12との剥離を低減することができる。その結果、該剥離に起因したビア導体12と導電層11との接続箇所への熱応力の集中を低減することができるため、該接続箇所における断線を低減し、ひいては配線基板3の電気的信頼性を高めることができる。ところで、無機絶縁層14は、樹脂層13と比較して、ヤング率が高く弾性変形しにくいため、無機絶縁層14とビア導体12との間に印加される熱応力が弾性変形によって緩和されにくい。一方、本実施形態の配線基板3においては、無機絶縁層14は、図1bおよび図3に示すように、ビア孔Vの内壁に、すなわち第1貫通部V1の内壁に、第2無機絶縁粒子14bの少なくとも一部を含む凸部14pを有しており、該凸部14pは、ビア導体12に被覆されている。その結果、アンカー効果によって、無機絶縁層14とビア導体12との接着強度を高め、熱応力に起因した無機絶縁層14とビア導体12との剥離を低減することができる。その結果、該剥離を起点とした絶縁層10とビア導体12との剥離を低減することができ、ひいては電気的信頼性に優れた配線基板3を得ることができる。なお、凸部14p1の高さは、例えば0.5μm以上3μm以下に設定されている。このように、凸部14pが第1貫通部V1の内壁に形成されることによって、第1貫通部V1の内壁の十点平均粗さRzは増加する。そして、第1貫通部V1の内壁の十点平均粗さは、樹脂層13におけるビア孔Vの内壁、すなわち第2貫通部V2の内壁の十点平均粗さよりも高いことが望ましい。その結果、第1貫通部V1の内壁の十点平均粗さを高めることによって、熱応力が緩和されにくい無機絶縁層14とビア導体12との接着強度を高めつつ、第2貫通部V2の内壁の十点平均粗さを低減することによって、ビア導体12の表面を平坦化して高周波信号の伝送特性を高めることができる。なお、第1貫通部V1の内壁の十点平均粗さは、例えば0.2μm以上2μm以下に設定され、第2貫通部V2の内壁の十点平均粗さは、例えば0.1μm以上0.5μm以下に設定されている。また、第1貫通部V1の内壁の十点平均粗さは、第2貫通部V2の内壁の十点平均粗さの例えば2倍以上10倍以下に設定されている。第1貫通部V1の内壁の十点平均粗さは、無機絶縁層14の主面導電層11に隣接した一主面または導電層11から離間した他主面の十点平均粗さよりも高いことが望ましい。その結果、第1貫通部V1の内壁の十点平均粗さを高めることによって、熱応力が緩和されにくい無機絶縁層14とビア導体12との接着強度を高めつつ、無機絶縁層14における主面の十点平均粗さを低減することによって、無機絶縁層14の厚みのばらつきを低減できる。また、無機絶縁層14における導電層11に隣接した一主面の十点平均粗さを低減することによって、無機絶縁層14の主面の平坦性を高め、無機絶縁層14上に形成される導電層11の電気的信頼性を高めるとともに、該導電層11を微細化することができる。無機絶縁層14の両主面の十点平均粗さは、例えば0.1μm以上0.3μm以下に設定され、および/または第1貫通部V1の十点平均粗さの例えば10以上30以下に設定されている。凸部14pに含まれる第2無機絶縁粒子14bは、球状であることが望ましい。その結果、凸部14pの表面を曲面状、さらには球面状とすることができるため、無機絶縁層14とビア導体12との間の熱応力を凸部14pの表面にて分散させることができる。それ故、凸部14pの表面を起点としたビア導体12のクラックを低減することができ、ビア導体12の断線を低減できる。また、凸部14pの表面を曲面状とすることによって、凸部14pの先端が尖っている場合と比較して、ビア導体12の表面にて伝送される高周波信号の伝送特性を高めることができる。無機絶縁層14は、第1貫通部V1の内壁に、少なくとも一部が無機絶縁層14に埋設された第2無機絶縁粒子14bが無機絶縁層14から剥離してなる凹部Dを有し、該凹部Dには、ビア導体12の一部が充填されていることが望ましい。その結果、第1貫通部V1の内壁に凸部14pおよび凹部Dが形成されるため、凸部14pだけが形成されている場合と比較して、第1貫通部V1の内壁の十点平均粗さを高めるとともに、アンカー効果を高め、無機絶縁層14とビア導体12との接着強度を高めることができる。なお、凹部Dの深さは、例えば0.5μm以上3μm以下に設定されている。無機絶縁層14から剥離して凹部Dを形成する第2無機絶縁粒子14bは、球状であることが望ましい。その結果、凹部Dの内面を曲面状、さらには球面状とすることできるため、無機絶縁層14とビア導体12との間の熱応力を凸部14pの内面にて分散させることができる。また、凹部Dの表面を曲面状とすることによって、凹部Dの底部が尖っている場合と比較して、ビア導体12の表面にて伝送される高周波信号の伝送特性を高めることができる。ところで、無機絶縁層14の平面方向への熱膨張率は、ビア導体12の平面方向への熱膨張率よりも大きい。それ故、配線基板3に加熱された後、冷却する際に、ビア導体12が無機絶縁層14よりも平面方向へ大きく収縮するため、ビア導体12と無機絶縁層14との間に平面方向に沿った熱応力が印加されやすい。一方、本実施形態の配線基板3においては、ビア孔Vの貫通方向に対する第1貫通部V1の内壁の第1傾斜角A1は、貫通方向に対する第2貫通部V2の内壁の第2傾斜角A2よりも大きい。その結果、第1傾斜角A1を大きくすることによって、無機絶縁層14の平面方向に対して、凸部14pの突出方向を垂直に近づけることができるため、平面方向に沿った熱応力に対して、凸部14pのアンカー効果を高め、無機絶縁層14とビア導体12との接着強度を高めることができる。また、第2傾斜角A2を小さくすることによって、第2貫通部V2の底面積を大きくすることができ、ビア導体12と導電層11との接着強度を高めることができる。第1傾斜角A1は、例えば10°以上40°以下に設定され、第2傾斜角A2は、例えば1°以上10°以下に設定されている。また、第1傾斜角A1は、第2傾斜角A2の例えば1.3倍以上3倍以下に設定されている。ここで、第1傾斜角A1は、貫通方向に平行であって第1貫通部V1内から第1貫通部V1の内壁まで伸長した仮想線分L1と第1貫通部V1の内壁との間の角度をいう。同様に、第2傾斜角A2は、貫通方向に平行であって第2貫通部V2内から第2貫通部V2の内壁まで伸長した仮想線分L2と第1貫通部V1の内壁との間の角度をいう。かくして、上述した実装構造体1は、配線基板3を介して供給される電源や信号に基づいて電子部品2を駆動もしくは制御することにより、所望の機能を発揮する。次に、上述した実装構造体1の製造方法を、図4から図7に基づいて説明する。コア基板の作製1図4aに示すように、コア基板5を作製する。具体的には、例えば以下のように行う。まず、例えば未硬化の樹脂シートを複数積層するとともに最外層に銅箔を積層し、該積層体を加熱加圧して硬化させることにより、基体7を形成する。なお、未硬化は、ISO472:1999に準ずるA-ステージまたはB-ステージの状態である。次に、例えばドリル加工やレーザー加工等により、基体7を厚み方向に貫通したスルーホールTを形成する。次に、例えば無電解めっき法、電気めっき法、蒸着法、CVD法またはスパッタリング法等により、スルーホールの内壁に導電材料を被着させて、スルーホール導体8を形成する。次に、スルーホール導体8の内部に、樹脂材料等を充填し、絶縁体9を形成する。次に、導電材料を絶縁体9の露出部に被着させた後、従来周知のフォトリソグラフィー技術、エッチング等により、銅箔をパターニングして導電層11を形成する。以上のようにして、コア基板5を作製することができる。積層シートの作製2図4bに示すように、第1無機絶縁粒子14aおよび第2無機絶縁粒子14bを含む固形分と溶剤とを有する無機絶縁ゾル14xと、支持部材である銅箔16と、を準備し、銅箔16の一主面に無機絶縁ゾル14xを塗布する。無機絶縁ゾル14xは、固形分を10体積以上50体積以下含み、溶剤を50体積以上90体積以下含むことが望ましい。その結果、溶剤を無機絶縁ゾル14xの50体積以上含むことにより、無機絶縁ゾル14xの粘度を低減し、無機絶縁ゾル14xの固形分によって形成される無機絶縁層14の平坦性を向上させることができる。また、溶剤を無機絶縁ゾル14xの90体積以下含むことにより、無機絶縁ゾル14xの固形物成分量を増加させることにより、無機絶縁層14の生産性を向上させることができる。また、無機絶縁ゾル14xの固形分は、第1無機絶縁粒子14aを20体積以上90体積以下含み、第2無機絶縁粒子14bを10体積以上80体積以下含むことが望ましい。その結果、第2無機絶縁粒子14bを固形分の10体積以上含むことにより、後述する2の工程にて無機絶縁層14におけるクラックの発生を効果的に低減できる。第1無機絶縁粒子14aは、ケイ酸ナトリウム水溶液等のケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化ケイ素を析出させることにより、作製することができる。この第1無機絶縁粒子14aは、第3無機絶縁粒子14cおよび第4無機絶縁粒子14dを含む。第3無機絶縁粒子14cよりも粒径が大きい第4無機絶縁粒子14dは、酸化ケイ素の析出時間を第3無機絶縁粒子14cよりも長くすることによって、形成することができる。また、無機絶縁ゾル14xの固形分は、第3無機絶縁粒子14cを10体積以上90体積以下含み、第4無機絶縁粒子14dを10体積以上40体積以下含むことが望ましい。その結果、第3無機絶縁粒子14cを固形分の10体積以上含むことにより、無機絶縁層14の内部構造を緻密にし、且つ厚みを大きく形成することができる。また、第4無機絶縁粒子14dを固形分の10体積以上含むことにより、2の工程にて無機絶縁層14の第2無機絶縁粒子14b間におけるクラックの発生を効果的に低減できる。第3無機絶縁粒子14cの粒径は、3nm以上に設定されていることが望ましい。その結果、無機絶縁ゾル14xの粘度を低減し、無機絶縁ゾル14xの固形分によって形成される無機絶縁層14の平坦性を向上させることができる。一方、第2無機絶縁粒子14bは、例えばケイ酸ナトリウム水溶液等のケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化ケイ素を析出させた溶液を火炎中に噴霧し、凝集物の形成を低減しつつ800°C以上1500°C以下に加熱することにより、作製することができる。それ故、第2無機絶縁粒子14bは、第1無機絶縁粒子14aと比較して粒径が大きいことから、高温加熱時における凝集体の形成を低減しやすいため、高温加熱で容易に作製することができ、ひいてはヤング率を容易に高めることができる。また、第2無機絶縁粒子14bを作製する際の加熱時間は、1秒以上180秒以下に設定されていることが望ましい。その結果、該加熱時間を短縮することにより、800°C以上1500°C以下に加熱した場合においても、第2無機絶縁粒子14bの結晶化を抑制し、アモルファス状態を維持することができる。また、第2無機絶縁粒子14bは、粒径のばらつき標準偏差が、無機絶縁フィラーよりも小さいことが望ましい。その結果、第2無機絶縁粒子14bを無機絶縁層14内により均一に分散させることができ、第2無機絶縁粒子14bの凝集を低減することによって、接続強度が低く且つ剥離しやすい第2無機絶縁粒子14b同士の接触領域を低減することができる。なお、第2無機絶縁粒子14bにおける粒径の標準偏差は、無機絶縁フィラーの20以下に設定されていることが望ましい。溶剤としては、例えばメタノール、イソプロパノール、nブタノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノプロピルエーテル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートまたはジメチルアセトアミド等の有機溶剤を含むものを使用することができる。なかでも、メタノール、イソプロパノールまたはプロピレングリコールモノメチルエーテルを含むものを使用することが望ましい。その結果、無機絶縁ゾル14xを均一に塗布することができ、且つ、2の工程にて、溶剤を効率良く蒸発させることができる。無機絶縁ゾル14xの塗布は、例えば、ディスペンサー、バーコーター、ダイコーターまたはスクリーン印刷を用いて行うことができる。銅箔16の一主面に塗布された無機絶縁ゾル14xは、平板状に形成されており、乾燥後の厚みが例えば3μm以上110μm以下に設定されている。3図4cおよび図4dに示すように、無機絶縁ゾル14xを乾燥させて溶剤を蒸発させた後、残存した無機絶縁ゾル14xの固形分を加熱し、第1無機絶縁粒子14a同士を接続させることにより、無機絶縁ゾル14xの固形分を無機絶縁層14にして、銅箔16と無機絶縁層14とを有する積層シート16を作製する。一方、本実施形態の配線基板3の製造方法においては、無機絶縁ゾル14xは、粒径の小さい第1無機絶縁粒子14aを含む。その結果、無機絶縁ゾル14xの固形分の加熱によって、第1無機絶縁粒子14aが他の第1無機絶縁粒子14aまたは第2無機絶縁粒子14bと容易且つ強固に接続するため、緻密で剛性の高い無機絶縁層14を容易に形成することができる。さらに、無機絶縁ゾル14xは、第1無機絶縁粒子14aよりも粒径の大きい第2無機絶縁粒子14bを含む。その結果、無機絶縁ゾル14xの溶剤を蒸発させる過程において、無機絶縁粒子同士が近接した際における該無機絶縁粒子同士の間隙を低減することができるため、該間隙に含まれる溶剤の蒸発によって生じる無機絶縁ゾル14xの固形分の収縮を低減することができる。したがって、平板状であるため平面方向へ大きく収縮しやすい無機絶縁ゾル14xの固形分において、平面方向に沿った収縮を低減することができるため、該平面方向に沿った収縮に起因する厚み方向に沿ったクラックの発生を低減することができる。また、無機絶縁層14にクラックが生じた場合、第1無機絶縁粒子14aよりも粒径の大きい第2無機絶縁粒子14bによって該クラックの伸長を低減することができる。また、本実施形態の配線基板3の製造方法においては、第1無機絶縁粒子14aは、粒径が110nm以下に設定されている。その結果、無機絶縁ゾル14xの加熱温度が第1無機絶縁粒子14aおよび第2無機絶縁粒子14bの結晶化開始温度未満と低温であっても、第1無機絶縁粒子14aを他の第1無機絶縁粒子14aまたは第2無機絶縁粒子14bと強固に接続させることができる。これは、第1無機絶縁粒子14aの粒径が110nm以下と超微小に設定されているため、第1無機絶縁粒子14aの原子、特に表面の原子が活発に運動するため、かかる低温でも第1無機絶縁粒子14aが他の第1無機絶縁粒子14aまたは第2無機絶縁粒子14bと強固に接続すると推測される。なお、第1無機絶縁粒子14aとして酸化ケイ素により形成されたものを用いる場合、第1無機絶縁粒子14aを他の第1無機絶縁粒子14aまたは第2無機絶縁粒子14bと強固に接続させることができる温度は、例えば、かかる粒径を110nm以下に設定した場合は250°C程度であり、かかる粒径を15nm以下に設定した場合は150°C程度である。また、このように低温で第1無機絶縁粒子14a同士、または第1無機絶縁粒子14と第2無機絶縁粒子14bとを加熱することによって、図2aおよびbに示したように、第1無機絶縁粒子14a同士、または第1無機絶縁粒子14と第2無機絶縁粒子14bとを、ネック構造で接続することができる。無機絶縁ゾル14xの乾燥は、例えば加熱および風乾により行われ、温度が20°C以上溶剤の沸点未満に設定され、乾燥時間が20秒以上30分以下に設定されていることが望ましい。その結果、溶剤の沸騰を低減することにより、第2無機絶縁粒子14bの充填密度を高めることができる。また、該沸騰によって生じる溶剤の蒸気を低減することによって、該蒸気が無機絶縁ゾル14xの内部から外部に向って急速に放出されることを低減できるため、該放出によって生じる厚み方向に沿った空隙を低減することができる。無機絶縁ゾル14xの加熱は、温度が溶剤の沸点以上第1無機絶縁粒子14aおよび第2無機絶縁粒子14bの結晶化開始温度未満に設定されていることが望ましい。その結果、該加熱温度が溶剤の沸点以上であることにより、残存した溶剤を効率良く蒸発させることができる。また、該加熱温度が、第1無機絶縁粒子14aおよび第2無機絶縁粒子14bの結晶化開始温度未満であることにより、第1無機絶縁粒子14aおよび第2無機絶縁粒子14bの結晶化を低減し、アモルファス状態の割合を高めることができるため、結晶化した無機絶縁層14が相転移によって収縮することを低減し、無機絶縁層14におけるクラックの発生を低減できる。なお、結晶化開始温度は、非晶質の無機絶縁材料が結晶化を開始する温度、すなわち、結晶相領域の体積が増加する温度である。また、無機絶縁ゾル14xの加熱は、温度が例えば100度以上600度未満に設定され、時間が例えば0.5時間以上24時間以下に設定されており、例えば大気雰囲気中で行われる。なお、温度を150°C以上に上げる場合、銅箔16の酸化を抑制するため、無機絶縁ゾル14xの加熱は、真空、アルゴン等の不活性雰囲気または窒素雰囲気にて行われることが望ましい。以上のようにして、積層シート16を作製することができる。配線基板の作製4図5aおよび図5bに示すように、コア基板5上に絶縁層10を形成する。具体的には、例えば以下のように行う。まず、図5aに示すように、未硬化の熱硬化性樹脂を含む樹脂前駆体シート13xを、積層シート16の無機絶縁層14x上に載置する。次に、図5bに示すように、コア基板5の上下面それぞれに樹脂前駆体シート13xを介して積層シート16を積層し、該積層体を積層方向に加熱加圧することによって、樹脂前駆体シート13xの熱硬化性樹脂を硬化させて樹脂前駆体シート13xを樹脂層13にする。この樹脂層13を形成する際に、第1無機絶縁粒子14a同士の空隙Gに樹脂層13の一部が充填される。以上のようにして、コア基板5上に絶縁層10を形成することができる。なお、該積層体の加熱加圧は、例えば1の工程と同様に行うことができる。5図5cに示すように、例えば硫酸および過酸化水素水の混合液、塩化第二鉄溶液または塩化第二銅溶液等を用いたエッチング法により、無機絶縁層14から銅箔16を剥離する。6図6a、図6bおよび図7aに示すように、絶縁層10を厚み方向に貫通するビア導体12を形成し、絶縁層10上に導電層11を形成する。具体的には、例えば以下のように行う。まず、図6aおよび図6bに示すように、例えばYAGレーザー装置または炭酸ガスレーザー装置により、絶縁層10にレーザー光を照射し、無機絶縁層14から樹脂層13に向ってビア孔Vを形成するとともに、該ビア孔V内に導電層11の少なくとも一部を露出させる。次に、図7aに示すように、例えば無電解めっき法又電解めっき法等を用いたセミアディティブ法、サブトラクティブ法またはフルアディティブ法等により、ビア孔V内にビア導体12を形成するとともに絶縁層10の無機絶縁層14上に導電層11を形成する。ここで、本実施形態の配線基板3の製造方法においては、2の工程にて、低温加熱によって、第1無機絶縁粒子14a同士、および第1無機絶縁粒子14aと第2無機絶縁粒子14bとを接続させているため、これらの接続は、無機絶縁層14に照射されたレーザー光のエネルギーによって切断されやい。したがって、これらの接続が切断されて、第1無機絶縁粒子14a及び第2無機絶縁粒子14bが無機絶縁層14から剥離することによって、第1貫通部V1が形成される。ここで、レーザー光の照射が停止した時に、第1貫通部V1の内壁において、一部の第2無機絶縁粒子14は、第1貫通部V1側の領域で第1無機絶縁粒子14aと剥離して露出し、第1貫通部V1と反対側の領域で第1無機絶縁粒子14aとの接続が維持される。その結果、図5bに示すように、第1貫通部V1の内壁に、第2無機絶縁粒子11を含む凸部14pが形成される。なお、上記接続が切断されやすい理由は、レーザー光の照射で間隙Gに配された樹脂がガス化し、このガスが第1無機絶縁粒子14aを吹き飛ばしてネック構造を切断するため、と推測される。また、レーザー光の一部は、第2無機絶縁粒子14bを透過して照射領域と反対側に到達することによって、照射領域と反対側にて、第2無機絶縁粒子14bと第1無機絶縁粒子14aとの接続が切断されることがある。その結果、第2無機絶縁粒子14bが第1貫通部V1から剥離することによって、凹部Dが形成される。なお、第2無機絶縁粒子14bが球状であると、該第2無機絶縁粒子14bがレンズとして機能し、照射領域と反対側にてレーザー光が集光され、第2無機絶縁粒子14bと第1無機絶縁粒子14aとの接続が切断されやすくなる。無機絶縁層14は、樹脂層13と比較して、レーザー光のエネルギーを透過しやすいため、レーザー光が平面方向に大きく拡散しやすい。その結果、第1傾斜角A1は、貫通方向に対する第2貫通部V2の内壁の第2傾斜角A2よりも大きく形成される。ここで、長波長のレーザー光である炭酸ガスレーザーを用いると、無機絶縁層14を構成する酸化ケイ素は、短波長のレーザー光と比較して、長波長のレーザー光のエネルギーを吸収しにくく、透過しやすいため、凹部Dが形成されやすくなるとともに、第1傾斜角A1が大きくなりやすい。炭酸ガスレーザー装置を用いる場合、レーザー光の1パルス当たりのエネルギーを例えば20mJ以上100mJ以下に設定し、レーザー光のパルス幅を例えば10μs以上200μs以下に設定し、レーザー光のショット数を例えば1以上5以下に設定する。また、YAGレーザー装置を用いる場合、1パルス当たりのエネルギーを例えば20μJ以上100μJ以下に設定し、レーザー光のパルス幅を例えば5ns以上200ns以下に設定し、レーザー光のショット数を例えば3以上20以下に設定する。以上のようにして、本実施形態の配線基板3のビア孔Vを形成することができる。このようなビア孔Vの内壁にビア導体12を被着させることによって、凸部14pをビア導体12で被覆するとともに、凹部D内にビア導体12の一部を充填させることができる。7図7bに示すように、4ないし6の工程を繰り返すことにより、コア基板5の上下に配線層6を形成する。なお、本工程を繰り返すことにより、配線層6をより多層化することができる。以上のようにして、配線基板3を作製することができる。実装構造体の作製8バンプ4を介して配線基板3に電子部品2をフリップチップ実装することにより、図1に示した実装構造体1を作製することができる。なお、上述した実施形態においては、コア基板および配線層からなるビルドアップ多層基板を例に本発明を説明したが、本発明は、ビルドアップ多層基板以外の配線基板にも適用可能である。例えば、本発明は、インターポーザー基板、コアレス基板またはコア基板のみからなる単層基板にも適用できる。また、上述した本発明の実施形態においては、無機絶縁層および樹脂層からなる絶縁層を用いたが、無機絶縁層のみからなる絶縁層を用いても構わない。また、上述した本発明の実施形態においては、配線層にて絶縁層を2層積層していたが、絶縁層は何層積層しても構わない。また、上述した本発明の実施形態においては、絶縁層が無機絶縁層および樹脂層を有し、導電層が無機絶縁層上に形成されていたが、絶縁層は、上述した樹脂層第1樹脂層の他に、絶縁層と無機絶縁層との間に介された介在層を有していても構わない。介在層は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂またはポリイミド樹脂等の樹脂材料からなり、例えば、上述した2の工程にて、銅箔の代わりに介在層を有する樹脂付き銅箔を用いることにより、形成される。また、上述した本発明の実施形態においては、基体および樹脂層が熱硬化性樹脂により形成されていたが、基体および樹脂層の少なくとも一方、もしくは双方が熱可塑性樹脂により形成されていても構わない。この熱可塑性樹脂としては、例えばフッ素樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂またはポリイミド樹脂等を用いることができる。また、上述した本発明の実施形態においては、基体は樹脂部と基材と無機絶縁フィラーとを含んでいたが、基体は、樹脂部に被覆された金属板を含んでいても構わない。また、上述した本発明の実施形態においては、無機絶縁層に第1無機絶縁粒子および第2無機絶縁粒子を含んでいたが、無機絶縁層には第1無機絶縁粒子および第2無機絶縁粒子が含まれていればよく、第1無機絶縁粒子および第2無機絶縁粒子とは粒径の異なる無機絶縁粒子が無機絶縁層に含まれていても構わない。また、上述した本発明の実施形態においては、絶縁層が無機絶縁層を含み、該無機絶縁層が貫通孔の内壁に凸部を有し、該凸部が貫通導体に被覆されていたが、基体が無機絶縁層を有し、該無機絶縁層が貫通孔であるスルーホールの内壁に凸部を有し、該凸部が貫通導体であるスルーホール導体に被覆されていても構わない。この場合、無機絶縁層、貫通孔、貫通導体の構成は、上述した実施形態と同様の構成であっても構わない。また、上述した本発明の実施形態においては、ビア孔が無機絶縁層側から樹脂層側に向って径が小さくなるように形成されていたが、ビア孔の径は無機絶縁層側から樹脂層側に渡って同一であっても構わないし、ビア孔の径が無機絶縁層と樹脂層との界面にて最小であっても構わない。また、上述した本発明の実施形態においては、2の工程にて溶剤を蒸発させた後、無機絶縁ゾルを加熱したが、溶剤の蒸発と無機絶縁ゾルの加熱とを同時に行っても構わない。また、上述した本発明の実施形態においては、4の工程にて未硬化の樹脂前駆体シートを無機絶縁層上に載置したが、未硬化で液状の樹脂前駆体を無機絶縁層に塗布しても構わない。また、上述した本発明の実施形態においては、5の工程にて無機絶縁層から銅箔を剥離した後、6の工程にて無機絶縁層上に導電層を形成したが、無機絶縁層から銅箔を剥離せずに、銅箔をパターニングして導電層を形成しても構わない。また、上述した本発明の実施形態においては、支持部材として銅箔を備えた積層シートを用いたが、積層シートは、支持部材を備えていればよく、例えば支持部材として、銅箔以外の金属箔を用いても構わないし、金属箔以外の導電材料層を用いても構わない。また、支持部材として、熱可塑性樹脂からなる樹脂シート等の絶縁シートを用いても構わない。以下、本発明を実施例によって詳細に説明するが、本発明は、下記実施例によって限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲の変更、実施の態様は、いずれも本発明の範囲内に含まれる。評価方法無機絶縁層と樹脂層とを備え、貫通孔が形成された絶縁層を作製し、該絶縁層を厚み方向に切断した断面を、電界放出型電子顕微鏡を用いて撮影し、貫通孔の形状を観察した。絶縁層の作製条件まず、酸化ケイ素から成る第1無機絶縁粒子および第2無機絶縁粒子を準備した。第1無機絶縁粒子は、ケイ酸ナトリウムを水と反応させて酸化ケイ素を析出させ精製することにより作製されたものである。得られた酸化ケイ素は、第2無機絶縁粒子との混合前に溶剤に分散させる。また、第2無機絶縁粒子は、ケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化ケイ素を析出させた溶液を火炎中に噴霧し、凝集物の形成を抑制しつつ800°C以上1500°C以下に加熱することにより、作製されたものである。これらの無機絶縁粒子は、アモルファス状態を維持しつつ作製されている。次に、第1無機絶縁粒子および第2無機絶縁粒子を所定量に調合し、プラスチック容器に入れ、プラスチックボールを用いて攪拌し、均一に混合した。この方法で、無機絶縁ゾルを準備した。無機絶縁ゾルは、固形分として第1無機絶縁粒子および第2無機絶縁粒子を46体積含み、溶剤としてイソプロパノールを54体積含む。また、上記固形分は、第1無機絶縁粒子として、平均粒径が5nm以上105nm以下のものを40体積含み、第2無機絶縁粒子として、平均粒径が0.9μm以上1.1μm以下のものを60体積含んでいる。次に、無機絶縁ゾルを樹脂付き銅箔の介在層上に塗布した。次に、温度:150°C、時間:2時間、雰囲気:大気の条件下で、無機絶縁ゾルを加熱するとともに溶剤を蒸発させて、積層シートを作製した。次に、未硬化のシアネート系樹脂を含む樹脂前駆体シートに無機絶縁層を介して積層シートを積層し、時間:1時間、圧力:3MPa、温度:180°Cの条件下で、該積層体を加熱加圧することにより、無機絶縁層に樹脂層を接着させた。次に、塩化第二鉄溶液を用いたエッチングにより、銅箔を除去した。次に、炭酸ガスレーザー装置を用いて、レーザー光の1パルス当たりのエネルギー:40mJ、レーザー光のパルス幅:100μs、レーザー光のショット数:3の条件下で、レーザー光を照射して貫通孔を形成した。実施例図8aおよび図8bに示すように、無機絶縁層14 ́における第1貫通部V1 ́の内壁に、第2無機絶縁粒子14b ́を含む凸部14p ́が形成されていた。また、無機絶縁層14 ́における第1貫通部V1 ́の内壁に、第2無機絶縁粒子14b ́が剥離してなる凹部D ́が形成されていた。"