"第1の基板の一方の面上に形成された吸収層と、前記吸収層上に形成され、成膜材料を含む材料層とを有する前記第1の基板の一方の面と、第1の層が被成膜面上に形成された第2の基板の前記被成膜面とを対向させて配置し、前記第1の基板の他方の面から前記材料層に第1の加熱処理をすることにより、前記第2の基板の前記第1の層上に前記成膜材料を含む第2の層を形成し、前記第1の基板の他方の面から前記材料層に第2の加熱処理をすることにより、前記第2の基板の前記第2の層上に前記成膜材料を含む第3の層を形成する成膜方法であって、前記第2の加熱処理では、前記第1の加熱処理より高密度のエネルギーが前記材料層に加えられていることを特徴とする成膜方法。請求項1において、前記材料層は、二種類以上の成膜材料及び下記式1を満たす高分子化合物を含むことを特徴とする成膜方法。Ta-100≦S≦4001ただし、式1中、Sは高分子化合物のガラス転移温度°Cを示し、Taは、前記二種類以上の成膜材料それぞれの有する昇華温度のうち高い温度°Cを示す。第1の基板の一方の面上に形成された第1の吸収層と、前記第1の吸収層上に形成され、成膜材料を含む第1の材料層とを有する前記第1の基板の一方の面と、第1の層が被成膜面上に形成された第2の基板の前記被成膜面とを対向させて配置し、前記第1の基板の他方の面から前記第1の材料層に第1の加熱処理をすることにより、前記第2の基板の前記第1の層上に前記成膜材料を含む第2の層を形成し、第3の基板の一方の面上に形成された第2の吸収層と、前記第2の吸収層上に形成され、前記成膜材料を含む第2の材料層とを有する前記第3の基板の一方の面と、前記第2の基板の前記被成膜面とを対向させて配置し、前記第3の基板の他方の面から前記第2の材料層に第2の加熱処理をすることにより、前記第2の基板の前記第2の層上に前記成膜材料を含む第3の層を形成する成膜方法であって、前記第2の加熱処理では、前記第1の加熱処理より高密度のエネルギーが前記第2の材料層に加えられていることを特徴とする成膜方法。請求項3において、前記第1の材料層及び前記第2の材料層それぞれは、二種類以上の成膜材料及び下記式1を満たす高分子化合物を含むことを特徴とする成膜方法。Ta-100≦S≦4001ただし、式1中、Sは高分子化合物のガラス転移温度°Cを示し、Taは、前記二種類以上の成膜材料それぞれの有する昇華温度のうち高い温度°Cを示す。請求項1乃至4のいずれか一項において、前記第2の層と第1の層は境界によって分離されていることを特徴とする成膜方法。請求項1乃至5のいずれか一項において、前記第3の層と前記第2の層は混合されており、前記第3の層と前記第1の層は混合されていないことを特徴とする成膜方法。請求項1乃至6のいずれか一項において、前記第2の加熱処理で前記材料層に加えられるエネルギー密度は、前記第3の層に含まれる前記成膜材料が、前記第2の層に到達し且つ前記第1の層内に到達しないエネルギー密度であることを特徴とする成膜方法。請求項1乃至7のいずれか一項において、前記第1の加熱処理で前記材料層に加えられるエネルギー密度は、前記第2の層に含まれる前記成膜材料が前記第1の層内に到達しないエネルギー密度であることを特徴とする成膜方法。請求項1乃至8のいずれか一項において、前記第1の加熱処理及び前記第2の加熱処理それぞれは、光源を用いて前記第1の基板の他方の面側から光を照射し、前記吸収層が光を吸収することで加熱される方式を用いることを特徴とする成膜方法。請求項3又は4において、前記第1の加熱処理は、ハロゲンランプを用いて前記第1の基板の他方の面側から光を照射し、前記第1の吸収層が光を吸収することで加熱される方式を用い、前記第2の加熱処理は、フラッシュランプを用いて前記第3の基板の他方の面側から光を照射し、前記第2の吸収層が光を吸収することで加熱される方式を用いることを特徴とする成膜方法。請求項1乃至10のいずれか一項において、前記第1の層は正孔輸送層であり、前記第2の層及び前記第3の層は発光物質を含む層であることを特徴とする成膜方法。上記従来の成膜方法では、光吸収層に吸収させる光のエネルギー密度を大きくすると、被転写基板に転写された転写層を良質なものにできるが、転写層の下地層が損傷するという課題が発生する。一方、光吸収層に吸収させる光のエネルギー密度を小さくすると、被転写基板に転写された転写層の下地層が損傷することを抑制できるが、転写層を良質なものにできないという課題が発生する。本発明の一態様は、被成膜基板に転写された転写層を良質なものにでき、且つ転写層の下地層が損傷することを抑制できる成膜方法を提供することを課題とする。本発明の一態様は、第1の基板の一方の面上に形成された吸収層と、前記吸収層上に形成され、成膜材料を含む材料層とを有する前記第1の基板の一方の面と、第1の層が被成膜面上に形成された第2の基板の前記被成膜面とを対向させて配置し、前記第1の基板の他方の面から前記材料層に第1の加熱処理をすることにより、前記第2の基板の前記第1の層上に前記成膜材料を含む第2の層を形成し、前記第1の基板の他方の面から前記材料層に第2の加熱処理をすることにより、前記第2の基板の前記第2の層上に前記成膜材料を含む第3の層を形成する成膜方法であって、前記第2の加熱処理では、前記第1の加熱処理より高密度のエネルギーが前記材料層に加えられていることを特徴とする成膜方法である。上記本発明の一態様によれば、第1の加熱処理をすることにより、第2の基板の第1の層上に第2の層を形成し、第1の加熱処理より高いエネルギー密度で第2の加熱処理をすることにより、第2の層上に第3の層を形成している。そして、第2の層と第1の層は境界によって分離されているため、第3の層を良質なものにでき、且つ第2の層の下地層である第1の層を損傷することを抑制できる。また、本発明の一態様に係る成膜方法において、前記材料層は、二種類以上の成膜材料及び下記式1を満たす高分子化合物を含むことも可能である。Ta-100≦S≦4001ただし、式1中、Sは高分子化合物のガラス転移温度°Cを示し、Taは、前記二種類以上の成膜材料それぞれの有する昇華温度のうち高い温度°Cを示す。高分子材料を用いることで、均一な濃度分布を有する膜を成膜できる。本発明の一態様は、第1の基板の一方の面上に形成された第1の吸収層と、前記第1の吸収層上に形成され、成膜材料を含む第1の材料層とを有する前記第1の基板の一方の面と、第1の層が被成膜面上に形成された第2の基板の前記被成膜面とを対向させて配置し、前記第1の基板の他方の面から前記第1の材料層に第1の加熱処理をすることにより、前記第2の基板の前記第1の層上に前記成膜材料を含む第2の層を形成し、第3の基板の一方の面上に形成された第2の吸収層と、前記第2の吸収層上に形成され、前記成膜材料を含む第2の材料層とを有する前記第3の基板の一方の面と、前記第2の基板の前記被成膜面とを対向させて配置し、前記第3の基板の他方の面から前記第2の材料層に第2の加熱処理をすることにより、前記第2の基板の前記第2の層上に前記成膜材料を含む第3の層を形成する成膜方法であって、前記第2の加熱処理では、前記第1の加熱処理より高密度のエネルギーが前記第2の材料層に加えられていることを特徴とする成膜方法である。また、本発明の一態様に係る成膜方法において、前記第1の材料層及び前記第2の材料層それぞれは、二種類以上の成膜材料及び下記式1を満たす高分子化合物を含むことも可能である。Ta-100≦S≦4001ただし、式1中、Sは高分子化合物のガラス転移温度°Cを示し、Taは、前記二種類以上の成膜材料それぞれの有する昇華温度のうち高い温度°Cを示す。高分子材料を用いることで、均一な濃度分布を有する膜を成膜できる。また、本発明の一態様に係る成膜方法において、前記第3の層と前記第2の層は混合されており、前記第3の層と前記第1の層は混合されていないことも可能である。また、本発明の一態様に係る成膜方法において、前記第2の加熱処理で前記材料層に加えられるエネルギー密度は、前記第3の層に含まれる前記成膜材料が、前記第2の層内に到達し且つ前記第1の層内に到達しないエネルギー密度であることが好ましい。また、本発明の一態様に係る成膜方法において、前記第1の加熱処理で前記材料層に加えられるエネルギー密度は、前記第2の層に含まれる前記成膜材料が前記第1の層内に到達しないエネルギー密度であることが好ましい。また、本発明の一態様に係る成膜方法において、前記第1の加熱処理及び前記第2の加熱処理それぞれは、光源を用いて前記第1の基板の他方の面側から光を照射し、前記吸収層が光を吸収することで加熱される方式を用いることが好ましい。また、本発明の一態様に係る成膜方法において、前記第1の加熱処理は、ハロゲンランプを用いて前記第1の基板の他方の面側から光を照射し、前記第1の吸収層が光を吸収することで加熱される方式を用い、前記第2の加熱処理は、フラッシュランプを用いて前記第3の基板の他方の面側から光を照射し、前記第2の吸収層が光を吸収することで加熱される方式を用いることが好ましい。また、本発明の一態様に係る成膜方法において、前記第1の層は正孔輸送層であり、前記第2の層及び前記第3の層は発光物質を含む層であることが好ましい。本発明の一態様を適用することで、被成膜基板に転写された転写層を良質なものにでき、且つ転写層の下地層が損傷することを抑制できる成膜方法を提供することができる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法について説明する。なお、本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法を利用して、発光素子のEL層を形成する場合について説明する。また、本実施の形態は、光源を用いて加熱処理を行う場合について説明する。図1A~Cは、本発明の一態様の成膜方法を説明するための断面図である。まず、図1Aに示すように、支持基板である第1の基板11の一方の面上に吸収層12を形成し、吸収層12上に少なくとも成膜材料を含む有機EL材料層以下、材料層という。13を形成した成膜用基板ドナー基板10を用意する。なお、図1Aには、材料層13は成膜材料のみからなる場合を図示する。また、第2の基板22上に成膜処理により所望の層、例えば正孔輸送層23を成膜した被成膜基板20を用意する。そして、第1の基板11において、吸収層12及び材料層13が形成された面に対向する位置に、被成膜基板20である第2の基板22を配置する。なお、材料層13に含まれる成膜材料が正孔輸送層23には含まれていないことが好ましい。次いで、第1の基板11の裏面、すなわち材料層13が形成された面と反対側の面から矢印のように光をフラッシュランプによって照射する。この際の照射条件は、エネルギー密度の低い低パワーの条件例えばチャージ電圧650Vとする。照射された光は、第1の基板11を透過して、吸収層12において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、吸収層12と重なる領域の材料層13が加熱される第1の加熱処理。加熱した材料層13は、正孔輸送層23上に転写される。つまり、図1Bに示すように正孔輸送層23上には成膜材料を含む第1のEL層13aが成膜され、成膜用基板10には成膜材料を含む材料層13が残される。上記のようにエネルギー密度の低い低パワーの条件で光を照射するため、第1のEL層13aの下地層である正孔輸送層23が損傷することを抑制でき、第1のEL層13aと正孔輸送層23は、混合されることなく、境界によって分離される。つまり、エネルギー密度の低い低パワー条件は、第1のEL層13aに含まれる成膜材料が正孔輸送層23内に到達しないエネルギー密度であり、その結果、正孔輸送層23が損傷することを抑制でき、第1のEL層13aと正孔輸送層23は境界によって分離される。なお、第1のEL層13aと正孔輸送層23が当該境界によって分離されていることは、例えば、TEMTransmissionElectronMicroscopeや斜め切削のToF-SIMSTimeofFlight-SecondaryIonMassSpectrometryによって確認できる場合がある。次いで、図1Bに示すように、第1の基板11の裏面から矢印のように光をフラッシュランプによって照射する。この際の照射条件は、エネルギー密度の高い高パワーの条件例えばチャージ電圧800Vとする。照射された光は、第1の基板11を透過して、吸収層12において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、吸収層12と重なる領域の材料層13が加熱される第2の加熱処理。加熱した材料層13は、第1のEL層13a上に転写される。つまり、図1Cに示すように第1のEL層13a上には成膜材料を含む第2のEL層13bが成膜される。なお、成膜用基板10には成膜材料は残されない。材料層13に成膜材料以外の材料例えば、後述する高分子化合物などが含まれる場合、図1Cにおいて、成膜用基板10には、成膜材料以外の材料を含む材料層が残される。上記のようにエネルギー密度の高い高パワーの条件で光を照射するため、第2のEL層13bを良質なもの、具体的には、残渣が出にくく全面に均一に層膜形成ができ、層の断面プロファイルのバラツキが少なく、層を厚く形成することが可能であり、タクトが短くスループットを高くすることができる。また、第2のEL層13bと第1のEL層13aは混合されるが、第2のEL層13bと正孔輸送層23は混合されることなく分離される。つまり、エネルギー密度の高い高パワー条件は、第2のEL層13bに含まれる成膜材料が第1のEL層13a内に到達して混在するが、正孔輸送層23内に到達せず混在しないエネルギー密度であり、その結果、第2のEL層13bと正孔輸送層23は混合されることがない。従って、第1のEL層13aは、エネルギー密度の高い高パワー条件とすることにより第2のEL層13bを形成する際に、第2のEL層13bに含まれる成膜材料が正孔輸送層23内に到達しないように保護する機能を有している。言い換えると、第1のEL層13aの厚さは、エネルギー密度の高い高パワー条件とすることにより第2のEL層13bを形成する際に、第2のEL層13bに含まれる成膜材料が正孔輸送層23内に到達しない厚さとすることが好ましく、例えば数nmの厚さとしても良い。また、第1のEL層13aの厚さの上限は、エネルギー密度の低い低パワー条件で転写可能な最大膜厚であり、その転写可能な最大膜厚は低パワー条件によって決められる。なお、本実施の形態では、一層からなる第2のEL層13bを用いているが、EL層を厚く形成する場合は二層以上からなる第2のEL層を用いても良い。以下に本実施の形態の各構成について詳細に説明する。第1の基板11は、材料層を被成膜基板に成膜するために照射する光を透過する基板である。よって、第1の基板11は光の透過率が高い基板であることが好ましい。具体的には、材料層を成膜するためにランプ光やレーザ光を用いる場合、第1の基板11として、それらの光を透過する基板を用いることが好ましい。第1の基板11としては、例えば、ガラス基板、石英基板、無機材料を含むプラスチック基板などを用いることができる。吸収層12は、材料層13を加熱するために照射する光を吸収して、熱へと変換する層である。このため、少なくとも材料層13を加熱する領域に形成されていれば良く、吸収層12は例えば島状に形成されていても良い。吸収層12は、照射される光に対して、70以下の低い反射率を有し、また、高い吸収率を有する材料で形成されていることが好ましい。また、吸収層12は、それ自体が熱によって変化しないように、耐熱性に優れた材料で形成されていることが好ましい。吸収層12に用いることができる材料としては、例えば、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステン、窒化クロム、窒化マンガンなどの金属窒化物や、モリブデン、チタン、タングステン、カーボンなどを用いることが好ましい。吸収層12は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法で、モリブデン、タンタル、チタン、タングステンなどのターゲット、またはこれらの合金を用いたターゲットを用い、吸収層12を形成することができる。また、吸収層12は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。吸収層12の膜厚は、照射される光が透過しない膜厚であることが好ましい。材料によって異なるが、100nm以上2μm以下の膜厚であることが好ましい。特に、吸収層12の膜厚を100nm以上600nm以下とすることで、照射される光を効率良く吸収して発熱させることができる。なお、吸収層12は、材料層13に含まれる成膜材料が成膜温度まで加熱されるのであれば、照射する光の一部が透過してもよい。ただし、一部が透過する場合には、光が照射しても分解しない材料を、材料層13に用いることが好ましい。また、成膜温度とは、熱の作用によって成膜材料の少なくとも一部が成膜用基板より被成膜基板へ転写される温度を示す。材料層13は加熱により第2の基板に転写される層である。被成膜基板上に成膜する成膜材料を含んで形成される層である。本実施の形態では、材料層13に含む成膜材料として一種類の有機材料を用いたが、成膜材料として二種類以上の有機材料を用いることもできる。また、材料層13は単層でも良いし、複数の層が積層されていても良い。なお、本実施の形態において、転写とは、材料層13に含まれる成膜材料が、被成膜基板上に移されることを示す。材料層13は、種々の方法により形成される。例えば、湿式法であるスピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、ノズルプリンティング法又は印刷法等を用いることができる。また、乾式法である真空蒸着法、スパッタリング法等を用いることができる。湿式法を用いて材料層13を形成するには、所望の成膜材料を溶媒に溶解あるいは分散させ、溶液あるいは分散液を調整すればよい。溶媒は、成膜材料を溶解あるいは分散させることができ、且つ成膜材料と反応しないものであれば特に限定されない。例えば、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロメタン、1,2-ジクロロエタン、或いはクロロベンゼンなどのハロゲン系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、n-プロピルメチルケトン、或いはシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、或いはキシレンなどの芳香族系溶媒、酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸n-ブチル、プロピオン酸エチル、γ-ブチロラクトン、或いは炭酸ジエチルなどのエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、或いはジオキサンなどのエーテル系溶媒、ジメチルホルムアミド、或いはジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド、ヘキサン、又は水等を用いることができる。また、これらの溶媒複数種を混合して用いてもよい。湿式法を用いることにより、材料の利用効率を高めることができ、製造コストを低減することができる。なお、第2の基板22上に形成されるEL層13a,13bの膜厚および均一性が保たれるのであれば、材料層は必ずしも均一の層である必要はない。例えば、微細な島状に形成されていてもよいし、凹凸を有する層状に形成されていてもよい。第2の基板22は、必要な耐熱性を有していて表面に絶縁性を有する基板であれば特定のものに限定されない。例えば、ガラス基板、石英基板、絶縁膜を形成したステンレス基板等が挙げられる。また、加熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有するプラスチック基板を用いても良い。また、本実施の形態では、低パワーの条件での光照射及び高パワーの条件での光照射ともに光源としてフラッシュランプを用いているが、パワー差を確保できるのであれば、光源としては種々のものを用いても良い。例えば、キセノンランプ、メタルハライドランプのような放電灯、ハロゲンランプ、タングステンランプのような発熱灯を光源として用いることができる。また、これらの光源をフラッシュランプ例えばキセノンフラッシュランプ、クリプトンフラッシュランプなどとして用いても良い。フラッシュランプは短時間0.1ミリ秒乃至10ミリ秒で非常に強度の高い光を繰り返し、大面積に照射することができるため、第1の基板の面積にかかわらず、効率よく均一に加熱することができる。また、発光させる時間の長さを変えることによって第1の基板11の加熱の制御もできる。また、光源としてレーザ発振装置を用いてもよい。レーザ光としては、例えば、Arレーザ、Krレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のYAG、YVO4、フォルステライトMg2SiO4、YAlO3、GdVO4、若しくは多結晶セラミックのYAG、Y2O3、YVO4、YAlO3、GdVO4に、ドーパントとしてNd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm、Taのうち1種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ti:サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、レーザ媒体が固体である固体レーザを用いると、メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、出力が比較的に安定している利点を有している。なお、照射する光としては、赤外光波長800nm以上であることが好ましい。赤外光であることにより、吸収層12における熱変換が効率よく行われ、成膜材料を効率よく加熱させることができる。また、第1及び第2の加熱処理それぞれは、水分と酸素が少ない雰囲気、又は減圧雰囲気で行われることが好ましい。減圧雰囲気は、成膜室内を真空排気手段により真空度が5×10-3Pa以下、好ましくは10-4Pa乃至10-6Pa程度の範囲になるように真空排気することで得られる。なお、本実施の形態では、被成膜基板である第2の基板22が、成膜用基板である第1の基板11の下方に位置する場合を図示したが、本実施の形態はこれに限定されない。基板の設置する向きは適宜設定することができる。また、本実施の形態では、成膜材料を含む材料層13を用いて説明したが、材料層13を以下のものに変更しても良い。材料層に含まれる第1の成膜材料に発光物質を用い、かつ第2の成膜材料に発光物質を分散する有機化合物を用いる。発光物質としては、例えば蛍光を発光する蛍光性化合物や、燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。発光物質を分散する有機化合物としては、発光物質が蛍光性化合物の場合には、蛍光性化合物よりも一重項励起エネルギー基底状態と一重項励起状態とのエネルギー差が大きい物質を用いることが好ましい。また、発光物質が燐光性化合物の場合には、燐光性化合物よりも三重項励起エネルギー基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差が大きい物質を用いることが好ましい。なお、材料層に含まれる成膜材料として、発光物質を分散させる有機化合物を2種類以上用いても良いし、有機化合物に分散される発光物質を2種類以上用いても良い。また、2種類以上の発光物質を分散させる有機化合物と2種類以上の発光物質を用いても良い。材料層に含まれる高分子化合物としては、ガラス転移温度が下記式1を満たす高分子化合物を用いる。さらに好ましくは、ガラス転移温度が下記式2を満たす高分子化合物を用いる。なお、下記式1、2において、第1の成膜材料及び第2の成膜材料の昇華温度は同じ真空度例えば真空度10-3Paで測定することとする。Ta-100≦S≦4001Ta-70≦S≦4002ただし、式1、2中、Sは高分子化合物のガラス転移温度°Cを示し、Taは、第1の成膜材料又は第2の成膜材料の昇華温度のうち高い温度°Cを示す。高分子化合物のガラス転移温度が上記式1、好ましくは上記式2を満たす範囲であれば、第1の成膜材料又は第2の成膜材料の昇華温度のうち低い温度に達しても、昇華温度に達した成膜材料は材料層から転写されにくい。これは、高分子化合物によって、第1の成膜材料及び第2の成膜材料が材料層中で移動することを抑制されるためである。そして、第1の成膜材料又は第2の成膜材料の昇華温度のうち高い温度以上で、第1の成膜材料及び第2の成膜材料は材料層中を移動することが容易となり、被成膜基板上に転写される。よって、第1の成膜材料の転写と第2の成膜材料の転写に時間差が生じにくくなり、被成膜基板上に濃度勾配の少ないEL層を形成することができる。しかし、高分子化合物のガラス転移温度が上記式1の範囲より低いと、昇華温度が高い方の材料の昇華温度に達するまでに、昇華温度の低い方の材料が材料層中で移動することを抑制されにくいため、昇華温度の低い成膜材料が先に転写され、その後、昇華温度の高い成膜材料が転写される。また、高分子化合物のガラス転移温度が上記式1の範囲より高いと、第1の成膜材料及び第2の成膜材料の昇華温度のうち高い温度を超えた後も、第1の成膜材料及び第2の成膜材料は材料層中で移動することが抑制され、転写が容易に行われなくなる。第1の成膜材料及び第2の成膜材料が高温に達する為、分解する可能性がある。よって、高分子化合物としては、ガラス転移温度が上記式1、好ましくは上記式2を満たす高分子化合物を用いる。なお、高分子化合物としてガラス転移温度が200°Cの材料を用い、第1の成膜材料および第2の成膜材料として、昇華温度が210°Cの材料および昇華温度が260°Cの材料を用いた場合には、良好な転写が実現された。一方で、高分子化合物としてガラス転移温度が200°Cの材料を用い、第1の成膜材料および第2の成膜材料として、昇華温度が210°Cの材料および昇華温度が302°Cの材料を用いた場合には、良好な転写は実現されなかった。このことは、上記式1、2に合致する条件において、好適なEL層が実現されることを示すものである。材料層に含まれる高分子化合物としては、シクロオレフィンポリマーが好ましい。シクロオレフィンポリマーは溶媒に溶けやすいため、被成膜基板に成膜した後、成膜用基板上に残った第1の成膜材料及び第2の成膜材料を含むシクロオレフィンポリマーを溶媒に再溶解することで、成膜用基板を再利用することが可能である。したがって、材料の消費量及びコストを抑えることができる。また、高分子化合物として、オレフィン、ビニル、アクリル又はポリイミドPI等を用いても良いし、高分子材料のEL材料を用いても良い。高分子材料のEL材料としては、例えば、ポリN-ビニルカルバゾールPVKやポリp-フェニレンビニレンPPVが挙げられる。また、エポキシ樹脂、アクリル樹脂やシロキサンのような架橋型ポリマーを用いても良い。なお、本明細書中において、高分子化合物とは、1種もしくは複数種の単量体モノマーによる繰り返し構造を持つ重合体ポリマーを意味する。高分子化合物は粘度の調整が容易であるため、用途に応じて高分子化合物の溶液の粘度を自由に調整できる。例えば、液滴吐出法により材料層が形成される場合、高分子化合物の溶液の粘度を高めることで、被成膜面上に高分子化合物が拡がらず、微細なパターンを形成することができる。高分子化合物の粘度の調整は、高分子化合物の分子量を調整する、又は高分子化合物と溶媒の比率を変えることで実現することができる。一般に、高分子化合物の比率が高くなると、溶液の粘度が高くなる。実施の形態2図2A~Cは、本発明の一態様の成膜方法を示す断面図であり、図1と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。図1に示す実施の形態1は、一枚の成膜用基板を用いた成膜方法であるが、本実施の形態は、二枚の成膜用基板を用いた成膜方法である。これについて以下に詳細に説明する。図2Aに示す工程では、支持基板である第1の基板11の一方の面上に吸収層12を形成し、吸収層12上に少なくとも成膜材料を含む有機EL材料層以下、材料層という。14を形成した成膜用基板ドナー基板10aを用意する。第1の基板11の裏面から矢印のように光をフラッシュランプによって照射する。この際の照射条件は、図1Aに示す工程と同様とする。このように第1の加熱処理を行うことにより、加熱した材料層14は、正孔輸送層23上に転写される。つまり、図2Bに示すように正孔輸送層23上には成膜材料を含む第1のEL層13aが成膜され、成膜用基板10aには成膜材料が残されない。上記のようにエネルギー密度の低い低パワーの条件で光を照射することにより、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。図2Bに示す工程では、支持基板である第3の基板11aの一方の面上に吸収層12を形成し、吸収層12上に少なくとも成膜材料を含む有機EL材料層以下、材料層という。15を形成した成膜用基板ドナー基板10bを用意する。そして、第3の基板11aにおいて、吸収層12及び材料層15が形成された面に対向する位置に、被成膜基板20である第2の基板22を配置する。次いで、第3の基板11aの裏面から矢印のように光をフラッシュランプによって照射する。この際の照射条件は、図1Bに示す工程と同様とする。このように第2の加熱処理を行うことにより、加熱した材料層15は、第1のEL層13a上に転写される。つまり、図2Cに示すように第1のEL層13a上には成膜材料を含む第2のEL層13bが成膜され、成膜用基板10bには成膜材料が残されない。上記のようにエネルギー密度の高い高パワーの条件で光を照射することにより、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。第1及び第2の加熱処理それぞれによる成膜方法は、第1の基板11又は第3の基板11aに形成した材料層14,15の膜厚によって、転写処理により被成膜基板20に成膜される第1及び第2のEL層13a,13bそれぞれの膜厚を制御することができる。つまり、成膜用基板10a,10bに形成した材料層14,15をそのまま転写すればよいため、膜厚モニターが不要である。よって、膜厚モニターを利用した成膜速度の調節を使用者が行う必要がなく、成膜工程を全自動化することが可能である。そのため、生産性の向上を図ることができる。実施の形態3図3A~Cは、本発明の一態様の成膜方法を示す断面図であり、図2と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。図2に示す実施の形態2では、エネルギー密度の低い低パワーの条件及びエネルギー密度の高い高パワーの条件それぞれでの光照射をフラッシュランプによって行っているが、本実施の形態では、エネルギー密度の低い低パワーの条件での光照射をハロゲンランプによって行い、エネルギー密度の高い高パワーの条件での光照射をフラッシュランプによって行う。本実施の形態においても実施の形態2と同様の効果を得ることができる。実施の形態4本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法について説明する。なお、本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法を利用して、発光素子のEL層を形成する場合について説明する。なお、本実施の形態に示す成膜方法において、特に記載がない場合には、実施の形態1と同様の材料及び作製方法によって行うものとする。図4には第1の基板に反射層及び断熱層を形成する場合の一例を示している。図4Aにおいて、支持基板である第1の基板201の一方の面上に反射層203が選択的に形成されている。なお、反射層203は開口部を有している。また、反射層203上に断熱層205が形成されている。なお、断熱層205は反射層203の有する開口部と重なる位置に開口部が形成されている。また、反射層203及び断熱層205が形成された第1の基板201上に開口部を覆う吸収層207が形成されている。また、吸収層207上に成膜材料を含む有機EL材料層以下、材料層という。209が形成されている。なお、本明細書において、重なるとは、成膜用基板を構成する要素例えば、反射層や吸収層等同士が直接接して重なり合う場合だけでなく、間に別の層を介して重なり合う場合も含むものとする。まず、図4Aに示すように、第1の基板201の一方の面上に反射層203を選択的に形成する。反射層203は、第1の基板201の他方の面から照射する光を反射して、反射層203と重なる領域に形成された材料層209に、熱を与えないように遮断する層である。よって、反射層203は、照射する光に対して高い反射率を有する材料で形成されていることが好ましい。具体的には、反射層203は、照射される光に対して、反射率が85以上、さらに好ましくは、反射率が90以上の高い反射率を有する材料で形成されていることが好ましい。反射層203に用いることができる材料としては、例えば、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金例えば、アルミニウム-チタン合金、アルミニウム-ネオジム合金、アルミニウム-チタン合金、または銀を含む合金銀-ネオジム合金などを用いることができる。なお、反射層203は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法などにより形成することができる。また、反射層203の膜厚は、材料により異なるが、100nm以上とすることが好ましい。100nm以上の膜厚とすることにより、照射した光が反射層203を透過することを抑制することができる。また、第1の基板201に照射する光の波長により、反射層203に好適な材料の種類は変化する。また、反射層は一層に限らず複数の層により構成されていても良い。また、反射層を設けず第1の基板201上に直接吸収層207を形成しても良い。また、反射層203と吸収層207の反射率は差が大きいほど好ましい。具体的には、照射する光の波長に対して、反射率の差が25以上、より好ましくは30以上である。また、反射層203の開口部を形成する際には種々な方法を用いることができるが、ドライエッチングを用いることが好ましい。ドライエッチングを用いることにより、開口部の側壁が鋭くなり、微細なパターンを成膜することができる。次に、反射層203上に断熱層205を選択的に形成する。断熱層205は、反射層203と重なる領域に位置する材料層209が加熱され昇華するのを抑制するための層である。断熱層205としては、例えば、酸化チタン、酸化珪素、酸化窒化珪素、酸化ジルコニウム、炭化チタン等を好ましく用いることができる。ただし、断熱層205は、反射層203及び吸収層207に用いる材料よりも熱伝導率の低い材料を用いる。なお、本明細書において、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い物質である。断熱層205は、様々な方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、またはCVDchemicalvapordeposition法などにより形成することができる。また、断熱層の膜厚は、材料により異なるが、10nm以上2μm以下、好ましくは100nm以上600nm以下とすることができる。断熱層205を10nm以上2μm以下の膜厚とすることにより、反射層203が加熱された場合でも、反射層203の上に位置する材料層209に熱が伝導するのを遮断する効果を有する。また、断熱層205は、反射層203の開口部と重なる領域に開口部が形成されている。断熱層205のパターンを形成する際には、種々の方法を用いることができるが、ドライエッチングを用いることが好ましい。ドライエッチングを用いることにより、パターン形成された断熱層205の側壁が鋭くなり、微細なパターンを成膜することができる。なお、断熱層205と、反射層203のパターン形成を一度のエッチング工程によって行うと、断熱層205と反射層203に設けられる開口部の側壁をそろえることができ、より微細なパターンを成膜することができるため好ましい。また、本実施の形態において、断熱層205は反射層203と重なる位置のみに形成されているが、反射層203及び反射層203の開口部を覆って断熱層205を形成しても良い。この場合、断熱層205は可視光に対する透過性を有する必要がある。次に、反射層203及び断熱層205が形成された第1の基板201上に開口部を覆う吸収層207を形成する。吸収層207は、実施の形態1で示した吸収層12と同様の材料を用いることができる。なお、吸収層207は選択的に形成しても良い。例えば、吸収層207を第1の基板201の全面に形成した後に、吸収層207をパターン形成して、反射層203及び断熱層205の開口部を覆うように島状にパターン形成する。この場合、全面に吸収層を形成する場合に比べ、吸収層内を面方向に熱が伝導することを防止できるため、より微細なEL層のパターン形成が可能となり、高性能な発光装置を実現することができる。次に、吸収層207上に材料層209を形成する。材料層209は、実施の形態1と同様のものを用いることができる。次いで、図4Bに示すように、第1の基板201において、材料層209等が形成された面に対向する位置に、第2の基板211を配置する。なお、ここでは本発明の一態様の成膜用基板を用いて発光素子のEL層を形成する場合について説明するため、第2の基板211上には、発光素子の一方の電極となる第1の電極層213を有している。第1の電極層213の端部は、絶縁物215で覆われている。本実施の形態において、電極は、発光素子の陽極あるいは陰極となる電極を示している。そして、第1の電極層213上に正孔輸送層217を有している。材料層209の表面と第2の基板211の表面は、所定距離だけの間隔をとって配置される。ここで、所定距離は、0mm以上2mm以下、好ましくは0mm以上0.05mm以下、さらに好ましくは0mm以上0.03mm以下とする。なお、所定距離は、第1の基板上の材料層209の表面と、第2の基板の表面との距離で定義するものとする。ただし、第2の基板上に何らかの膜例えば、電極として機能する導電膜又は隔壁等が形成され、被成膜基板表面に凹凸を有する場合、所定距離は、第1の基板上の材料層209の表面と、第2の基板に形成された層の最表面、即ち、これらの膜導電膜又は隔壁等の表面との距離で定義するものとする。そして、図4Bに示すように、第1の基板201の裏面、すなわち材料層209が形成された面と反対側の面から矢印110aのように光をフラッシュランプによって照射する。この際の照射条件は、図1Aに示す工程と同様とする。このようにして第1の加熱処理を行うことにより、加熱した材料層209の一部は、正孔輸送層217上に転写される。つまり、図4Bに示すように正孔輸送層217上には成膜材料を含む第1のEL層218が成膜され、成膜用基板200には成膜材料を含む材料層209が残される。上記のようにエネルギー密度の低い低パワーの条件で光を照射することにより、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。この後、図4Cに示すように、第1の基板201の裏面から矢印110のように光をフラッシュランプによって照射する。この際のエネルギー密度以外の照射条件は、図1Bに示す工程と同様とする。このようにして第2の加熱処理を行うことにより、加熱した材料層209は、第1のEL層218上に転写される。つまり、第1のEL層218上には成膜材料を含む第2のEL層219が成膜される。このようにして第2の基板211上に、発光素子のEL層218,219が選択的に形成される。上記のようにエネルギー密度の高い高パワーの条件で光を照射することにより、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。実施の形態5図5A~Dは、本発明の一態様の成膜方法について説明する断面図であり、図4と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。図4に示す実施の形態4は、一枚の成膜用基板200を用いた成膜方法であるが、本実施の形態は、二枚の成膜用基板200a,200bを用いた成膜方法である。これについて以下に詳細に説明する。図5Aに示す工程では、支持基板である第1の基板201の一方の面上に反射層203、断熱層205、吸収層207を形成し、吸収層207上に少なくとも成膜材料を含む有機EL材料層以下、材料層という。209aを形成した成膜用基板ドナー基板200aを用意する。図5Bに示す工程では、支持基板である第3の基板201aの一方の面上に反射層203、断熱層205、吸収層207を形成し、吸収層207上に少なくとも成膜材料を含む有機EL材料層以下、材料層という。209bを形成した成膜用基板ドナー基板200bを用意する。図5Cに示す工程では、第1の基板201の裏面から矢印110aのように光をフラッシュランプによって照射する。この際の照射条件は、図4Bに示す工程と同様とする。このように第1の加熱処理を行うことにより、加熱した材料層209aは、正孔輸送層217上に転写される。つまり、正孔輸送層217上には成膜材料を含む第1のEL層218が成膜される。上記のようにエネルギー密度の低い低パワーの条件で光を照射することにより、実施の形態4と同様の効果を得ることができる。図5Dに示す工程では、第3の基板201aにおいて、吸収層207及び材料層209bが形成された面に対向する位置に、被成膜基板である第2の基板211を配置する。次いで、第3の基板201aの裏面から矢印110のように光をフラッシュランプによって照射する。この際のエネルギー密度以外の照射条件は、図4Cに示す工程と同様とする。このように第2の加熱処理を行うことにより、加熱した材料層209bは、第1のEL層218上に転写される。つまり、第1のEL層218上には成膜材料を含む第2のEL層219が成膜される。上記のようにエネルギー密度の高い高パワーの条件で光を照射することにより、実施の形態4と同様の効果を得ることができる。なお、実施の形態1~5を互いに組み合わせて実施することも可能である。"