"基板処理チャンバ内の基板処理領域において、パターニングされた基板上に共形シリコン-窒素含有層を形成する方法であって、炭素非含有シリコン-窒素含有前駆体をラジカル窒素前駆体と混合するステップであって、前記炭素非含有シリコン-窒素含有前駆体は、前記ラジカル窒素前駆体との接触により優先的に励起される、ステップと、前記パターニングされた基板の上に、共形層厚さを有する共形シリコン-窒素含有層を堆積するステップとを含む、方法。前記共形シリコン-窒素含有膜を堆積する前記ステップの際の前記基板処理領域における共形堆積圧力が、200ミリトール未満であるかまたは約200ミリトールである、請求項1に記載の方法。前記共形シリコン-窒素含有膜を堆積する前記ステップの際の前記基板の共形堆積温度が、200°C未満であるかまたは約200°Cである、請求項1に記載の方法。前記共形層厚さは、20nm未満であるか、または約20nmである、請求項1に記載の方法。前記シリコン-窒素含有層をオゾンにさらすことにより、前記シリコン-窒素含有層をシリコン-酸素含有層に転化させるステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記炭素非含有シリコン-窒素含有前駆体は、シリルアミンを含む、請求項1に記載の方法。前記シリルアミンは、NSiH33を含む、請求項6に記載の方法。前記ラジカル窒素前駆体は、前記炭素非含有シリコン-窒素含有前駆体と混合される前に、プラズマを用いて窒素-水素含有ガスから生成される、請求項1に記載の方法。前記窒素-水素含有ガスは、アンモニア、N2、およびH2から構成される群より選択されるガスを含む、請求項8に記載の方法。前記共形シリコン-窒素含有層は、炭素非含有Si-N-H層を含む、請求項1に記載の方法。前記共形シリコン-窒素含有層は、前記シリコン-窒素含有層を酸素含有雰囲気にさらすことにより前記酸化ケイ素層に転化される、請求項1に記載の方法。前記酸素含有雰囲気は、酸素、オゾン、および蒸気から構成される群より選択される1つまたは複数のガスを含む、請求項11に記載の方法。体積収縮が低減されたシリコン含有層を形成する方法であって、間隙を含む基板を搬送するステップと、前記基板上に共形シリコン-窒素含有層を堆積するステップであって、前記共形シリコン-窒素含有層は共形性を有する、ステップと、前記共形シリコン-窒素含有層を覆うように流動性シリコン-窒素含有層を堆積するステップであって、前記シリコン含有層は、前記共形シリコン-窒素含有層および前記流動性シリコン-窒素含有層を共に備える、ステップとを含む、方法。酸素含有量を増加させるために酸素含有雰囲気内において前記シリコン含有層を加熱するステップをさらに含み、前記シリコン含有層は、前記間隙内に堆積される前記炭素非含有シリコン-窒素含有層の約85以上の体積を保持する、請求項13に記載の方法。前記共形シリコン-窒素含有層の共形性は、80超または約80である、請求項13に記載の方法。前記共形シリコン-窒素含有層は、シリコン-窒素含有前駆体をラジカル窒素前駆体と反応させることにより前記基板上に堆積され、前記ラジカル窒素前駆体は、前記シリコン-窒素前駆体に対して優先的な励起をもたらす、請求項13に記載の方法。前記シリコン-窒素含有前駆体は、NSiH33を含み、前記ラジカル窒素前駆体は、プラズマにより活性化されたNH3から形成される、請求項16に記載の方法。前記酸素含有雰囲気は、O2、O3、またはH2Oの中の少なくとも1つを含む、請求項14に記載の方法。前記間隙内の前記シリコン含有層は、実質的にボイドを有さない、請求項13に記載の方法。前記シリコン-窒素含有層は、Si-N-H層を含む、請求項16に記載の方法。前記共形シリコン-窒素含有層は、Si-N-H層を含む、請求項13に記載の方法。前記基板間隙は、約50nm以下の幅を有する、請求項13に記載の方法。炭素非含有シリコン-窒素前駆体およびラジカル窒素前駆体からシリコンおよび窒素を含む共形誘電体層例えばシリコン-窒素-水素Si-N-F膜を形成するための方法、材料、およびシステムを説明する。炭素非含有シリコン-窒素前駆体は、ラジカル窒素前駆体と接触することにより優先的に励起される。シリコン-窒素膜は、炭素を含まずに形成されるため、この膜を硬化酸化ケイ素に転化させても、孔は殆ど形成されず、体積収縮も殆ど生じない。堆積されたシリコン-窒素含有膜は、共形誘電体層の光学特性を選択可能にし得る酸化ケイ素へと完全にまたは部分的に転化され得る。薄いシリコン-窒素含有膜の堆積は、基板トレンチ内にライナ層を形成するために低温で実施される。いくつかの実施形態においては、低温ライナ層は、濡れ特性を向上させ、流動性膜をトレンチ内により完全に充填させることを可能にすることが判明している。共形誘電体層を形成するための方法およびシステムに関するさらに詳細な紹介を行う過程において、1つの実施形態を論じる中で、いくつかの実施形態の態様を提示するが、これらの態様は、真逆の説明がない限り、他の残りの実施形態においてもやはり使用し得るものとの理解の下において提示する。図1は、本発明の実施形態による共形誘電体層を作製する方法100における選択されたステップを示す流れ図である。方法100は、反応チャンバ102に炭素非含有シリコン前駆体を供給することを含む。炭素非含有シリコン前駆体は、例えば、いくつかの種類のシリコン前駆体の中でもとりわけシリコン-窒素前駆体、シリコン-水素前駆体、またはシリコン-窒素-水素含有前駆体などであってもよい。これらの前駆体の種の例には、いくつかのシリルアミンの中でもとりわけH2NSiH3、HNSiH32、およびNSiH33などのシリルアミンが含まれてもよい。これらのシリルアミンは、キャリアガス、反応ガス、またはそれらの両方として作用し得る追加のガスと混合されてもよい。追加のガスの例には、いくつかのガスの中でもとりわけH2、N2、NH3、He、およびArが含まれてもよい。また、炭素非含有シリコン前駆体の例には、単独のシランSiH4が、またはシリコン含有ガス例えばNSiH33、水素含有ガス例えばH2、および/または窒素含有ガス例えばN2、NH3と混合されたシランが含まれてもよい。また、炭素非含有シリコン前駆体には、ジシラン、トリシラン、より高次のシラン、および塩素化シランが、単独で、または相互に組み合わされて、もしくは先述の炭素非含有シリコン前駆体と組み合わされて、含まれてもよい。シリコン前駆体は、炭素非含有であることに加えて酸素非含有であってもよい。酸素を欠くことにより、これらの前駆体から形成されるシリコン-窒素層中のシラノールSi-OH基の濃度がより低くなる。堆積された膜中に過剰なシラノール部分が存在する場合には、堆積された層から水酸-OH部分を除去する堆積後ステップの最中に多孔性および収縮度が上昇する恐れがある。他の実施形態においては、シリコン前駆体は、共形シリコン-窒素含有膜内に組み込まれる酸素を含む。酸素を含有することは、堆積された膜の堆積特性および/または光学特性を変更するために望ましい場合がある。酸素含有前駆体は、別個の前駆体として導入されてもよく、炭素非含有シリコン前駆体および酸素含有前駆体は、基板処理領域内に同時に流入されてもよい。また、ラジカル窒素前駆体が、反応チャンバ104に供給される。ラジカル窒素前駆体は、より安定的な窒素前駆体から反応チャンバの外部で生成された窒素ラジカル含有種である。例えば、NH3などの安定的な窒素前駆体は、反応チャンバの外部のプラズマユニット内で活性化されて、ラジカル窒素前駆体を形成してもよく、次いで反応チャンバ内に搬送されてもよい。また、この安定的な窒素前駆体は、個々の実施形態において、NH3およびN2、NH3およびH2、NH3およびN2およびH2、ならびにN2およびH2を含む混合物であってもよい。また、ヒドラジンが、N2およびH2との混合物中のNH3の代替として、またはNH3と組み合わせて使用されてもよい。安定的な窒素前駆体およびラジカル窒素前駆体は、アルゴンAr、水素H2、ヘリウム、等々のキャリアガスに伴われてもよい。生成されたラジカル窒素前駆体は、N、NH、NH2等々の中の1つまたは複数であってもよく、プラズマ内で形成されたイオン種により伴われてもよい。一般的には、窒素を含まないラジカル前駆体もまた、シリコン-窒素含有層の形成を可能にする。ラジカル前駆体は、前述の前駆体と共に遠隔プラズマ領域へと供給される窒素を含む場合には、ラジカル窒素前駆体であってもよい。ラジカル前駆体は、前駆体同士が混合され反応して、堆積基板例えば半導体ウエハの上にシリコン-窒素層を堆積させる堆積領域から区切られた反応チャンバの1セクション内で生成される。ラジカル前駆体がラジカル窒素前駆体である一実施形態においては、安定的な窒素前駆体は、遠隔プラズマ領域内に流入され、プラズマにより励起される。また、安定的な窒素前駆体およびラジカル-窒素前駆体は、水素H2、窒素N2、アルゴン、ヘリウム、等々のキャリアガスにより伴われてもよい。また、追加の不活性キャリアガスを含むまたは含まない主に窒素N2からなる入力ガスから形成されたラジカル窒素前駆体は、開示する実施形態において有利な膜を生じさせることが判明している。また、ラジカル窒素前駆体は、シリコン含有前駆体が窒素を含む実施形態においては、主に水素H2および任意には不活性キャリアガスからなる入力ガスから形成されたラジカル前駆体と置換されてもよい。いくつかの実施形態においては、ラジカル窒素前駆体は、スクリーンまたはシャワーヘッドにより基板処理領域から区切られた反応チャンバの1セクション内で生成される。基板処理領域においては、炭素非含有シリコン前駆体およびラジカル窒素前駆体は、混合され、反応して106、堆積基板108の上に共形シリコン-窒素含有膜を堆積させる。ラジカル窒素前駆体は、炭素非含有シリコン前駆体に対して優先的な励起をもたらす。いくつかの実施形態においては、ラジカル窒素前駆体は、炭素非含有シリコン前駆体に対してのみ励起をもたらす。堆積の際には、プラズマ出力は、基板処理領域に全く印加されないか、または実質的に印加されない。基板処理領域内の圧力は、個々の実施形態において、200ミリトール未満、150ミリトール未満、100ミリトール未満、75ミリトール未満、または50ミリトール未満の中の1つである。共形シリコン-窒素含有膜の厚さは、個々の実施形態において、30nm未満、20nm未満、15nm未満、10nm未満、および5nm未満の中の1つであってもよい。共形シリコン-窒素含有膜の成長速度は、個々の実施形態において、30nm/分未満、20nm/分未満、15nm/分未満、10nm/分未満、および5nm/分未満の中の1つであってもよい。先述のように、図1を参照として説明した限度は、本明細書の他の箇所で説明される他の実施形態にも該当する。前駆体の流量は、基板処理領域内において比較的低い圧力が確立されるのに十分な低さであってもよい。あるいは、ポンプ速度を上昇させることが可能である。共形シリコン-窒素含有膜を堆積する際の基板の温度は、個々の実施形態において、200°C未満、150°C未満、100°C未満、75°C未満、および50°C未満の中の1つであってもよい。堆積後に、膜は、図2を参照として本明細書においてさらに詳細に論じるように、膜の酸素含有量を上昇させるために硬化および/またはアニールされてもよい。次に図2を参照すると、本発明の実施形態による、パターニングされた基板の上に共形誘電体膜を形成するための方法200における選択されたステップを図示する別の流れ図が示される。方法200は、パターニングされた基板202を搬送することを含んでもよい。この基板は、基板上に電気構成要素例えばトランジスタおよび配線部を作製する過程において出現するトレンチ、間隙、および他の垂直方向特徴を有してもよい。共形シリコン-窒素含有層が、図1を説明する過程で既に示した方法により、基板204の上に堆積される。パターニングされた基板は、シリコン-窒素含有膜が堆積された後に、酸素含有雰囲気206の中で加熱されるか、または単に酸素含有雰囲気206にさらされてもよい。基板は、酸素含有雰囲気が導入される際に、反応チャンバ内に留まってもよく、または基板は、酸素含有雰囲気が導入される別のチャンバに搬送されてもよい。酸素含有雰囲気は、いくつかの酸素含有ガスの中でもとりわけ分子酸素O2、オゾンO3、水蒸気H2O、および窒素酸化物NO、NO2、等々などの1つまたは複数の酸素含有ガスを含んでもよい。また、酸素含有雰囲気は、遠隔的に生成され、基板チャンバ内に搬送され得る、原子酸素O、水酸化物OH、等々のラジカル酸素および水酸基種を含んでもよい。また、酸素含有種のイオンが存在してもよい。酸素含有雰囲気は、シリコン-窒素含有膜を部分的にまたは完全に酸化ケイ素SiO2膜へと転化させるための酸素を供給する。シリコン-窒素含有膜中に炭素を欠くことにより、最終的な酸化ケイ素膜中に形成される孔は大幅に減少する。また、これにより、酸化ケイ素への転化の際の膜の体積縮小すなわち収縮がより低くなる。例えば、炭素含有シリコン前駆体から形成されたシリコン-窒素-炭素層が、酸化ケイ素に転化された場合に40体積以上収縮し得る場合には、実質的に炭素非含有であるシリコン-窒素膜は、約15体積以下だけ収縮し得る。酸素含有雰囲気にさらしている間に、パターニングされた基板は、各実施形態において、50°C超、100°C超、150°C超、200°C超、250°C超、300°C超、400°C超、500°C超、600°C超、800°C超、および1000°C超の中の1つに加熱されてもよい。基板の温度は、酸素含有雰囲気にさらしている間に、各実施形態において、100°C未満、200°C未満、300°C未満、400°C未満、500°C未満、600°C未満、800°C未満、1000°C未満、または1100°C未満の中の1つであってもよい。これらの上限のいずれかが、これらの下限のいずれかと組み合わされることにより、個々の実施形態において基板温度に対する追加的な範囲を設けてもよい。いくつかの実施形態が、異なる温度および異なる雰囲気を用いた複数の加熱段階を含んでもよい。例えば、第1の加熱段階が、蒸気H2Oを含む雰囲気内においてより低温の第1の温度で実施されてもよく、第2の加熱段階が、水蒸気を実質的に欠く乾燥した酸素含有雰囲気内においてより高温の第2の温度で実施されてもよい。また、第3の加熱段階が、酸素非含有雰囲気例えば乾燥したN2、He、Ar、等々内で実行されてもよい。他の実施形態においては、低温例えば200°C~400°Cの間で実行されるオゾン硬化が、高温酸素O2アニール例えば800°C超の前に実施される。酸素含有雰囲気での硬化および/またはアニールは、個々の実施形態において、1.8未満、1.75未満、1.7未満、または1.65未満の中の1つの屈折率193nmにて測定の実数部を減じる。この硬化および/またはアニールは、個々の実施形態において、0.15未満、0.10未満、0.075未満、0.050未満、または0.025未満の中の1つの消光率やはり193nmにて測定された屈折率の虚数部の大きさを減じる。酸化ケイ素への転化は、部分的なものであり、転化後の消光率は、個々の実施形態において、0.010超、0.025超、0.050超、0.075超、および0.10超の中の1つとなる。これらの上限のいずれかが、これらの下限のいずれかと組み合わされることにより、さらなる実施形態において消光率に対する追加的な範囲を設けてもよい。図3は、本発明の実施形態による、基板上の間隙内に誘電体層を形成するための方法300における選択されたステップを図示する流れ図である。方法300は、基板処理領域内にパターニングされた基板302を搬送することを含んでもよい。この基板は、基板上に形成されたデバイス構成要素例えばトランジスタの間隔および構造のために複数の間隙を有してもよい。これらの間隙は、1:1を大幅に上回る例えば5:1以上、6:1以上、7:1以上、8:1以上、9:1以上、10:1以上、11:1以上、12:1以上、等々幅に対する高さすなわちH/Wのアスペクト比ARを定める高さおよび幅を有してもよい。多くの例において、高ARは、間隙幅が、約90nm~約22nmまたはそれ未満の範囲例えば約90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、16nm、等々と狭いことに起因する。共形シリコン-窒素含有層が、図2~図3を参照として説明するように、基板304の上に堆積されてもよい。本明細書においては、共形層は、表面と同一形状である表面上のほぼ均一な材料層を指し、すなわち層の表面と、覆われる表面とが、ほぼ平行であることを指す。堆積される材料は、100共形であることは恐らく不可能であり、したがってほぼという用語により、許容し得る公差の余地が認められる点が、当業者には理解されよう。共形性は、本明細書においては、2つの異なる位置にて測定された共形層の2つの厚さの、すなわち間隙の側壁部上における厚さと、間隙の底部における厚さとの比として定量化される。ウエハ中にまたはダイ中において大きな厚さの変動が存在する場合には、サンプリング点から平均化した測定値として理解される。壁部厚さまたは底部厚さのいずれかが、間隙充填膜の堆積中に生じる様々な効果に対してより薄くなり得る点に留意されたい。これら2つの厚さのより薄い方が、より厚い方によって除算され、この比が、パーセンテージに変換される。このように測定された、シリコン-窒素含有層の共形性は、個々の実施形態において、70超、80超、90超、および95超であってもよい。流動性のシリコン-窒素含有層が、基板処理領域内の圧力を上昇させることにより、この共形層の上に堆積される306。これは、前駆体ラジカル窒素前駆体および/または炭素非含有シリコン含有前駆体の一方または両方の流量を上昇させることにより達成される。代替的に、またはこれと組み合わせて、ポンプ速度が、弁を部分的に閉じるか、または真空ポンプの実ポンプ速度を低減させることにより、低減されてもよい。基板処理領域内の圧力は、流動性層が形成される際には、個々の実施形態において、500ミリトール超、750ミリトール超、1トール超、または2トール超である。共形層の濡れ特性は、間隙内に流動性層が貫入するのを支援する。層が、流動性であることにより、この層は、充填材料の中央の周囲にボイドまたは脆弱なシームを作製することなく、高アスペクト比を有する間隙を充填することが可能となる。例えば、堆積しつつある流動性材料は、間隙が完全に充填される前に間隙の上部を早々に目詰まりさせることによって間隙の中間部にボイドを残す可能性がより低い。流動性は、ラジカル窒素前駆体を炭素非含有シリコン前駆体と混合することにより得られる様々な特性に起因するものであってもよい。これらの特性には、堆積される膜中の水素成分が多いこと、および/または、短鎖ポリシラザンポリマーが存在することが含まれてもよい。これらの短鎖は、成長し、網状組織を形成して、膜形成の最中および後により高濃度の誘電体材料を形成する。例えば、堆積される膜が、シラザンタイプのSi-NH-Si主鎖を有してもよいすなわちSi-N-H膜。シリコン前駆体およびラジカル窒素前駆体が共に、炭素非含有である場合には、堆積されるシリコン-窒素含有膜もまた、実質的に炭素非含有となる。当然ながら、炭素非含有は、膜が、微量の炭素さえも欠くことを必ずしも意味しない。炭素汚染物は、堆積されるシリコン-窒素前駆体中に最終的に紛れ込む前駆体材料中に存在してもよい。しかし、これらの炭素不純物の量は、炭素部分を有するシリコン前駆体例えばTEOS、TMDSO、等々中において見出される量よりもはるかに低い。図1~図2の先述の実施形態と同様に、共形および流動性のシリコン-窒素含有膜の堆積の後に、硬化および/またはアニール308が続いてもよい。酸化ケイ素への転化は、部分的または完全なものであってもよく、流動性膜および共形堆積される膜の両方に影響を及ぼし得る。酸素含有雰囲気は、いくつかのガスの中でもとりわけ分子酸素、オゾン、および水蒸気を含んでもよい。いくつかの例においては、プラズマが、酸素含有ガスを含む混合気から発せされ得るが、他の例においては、プラズマは、これらのガスから形成されない。CVDチャンバ内に進入する酸素含有ガスは、チャンバへの進入前に活性化例えばラジカル化、イオン化、等々された1つまたは複数の成分を含んでもよい。例えば、酸素含有ガスには、遠隔プラズマ源を介してより安定的な前駆体化合物を曝露させることによって活性化された、ラジカル酸素種、ラジカル水酸基種、等々が含まれてもよい。より安定的な前駆体には、水酸基OHラジカルおよびイオンを生成する水蒸気および過酸化水素H2O2、ならびに原子酸素Oラジカルおよびイオンを生成する分子酸素および/またはオゾンが含まれてもよい。例示的な酸化ケイ素堆積システム本発明の実施形態を実装し得る堆積チャンバには、いくつかのタイプのチャンバの中でもとりわけ高密度プラズマ化学気相堆積HDP-CVDチャンバ、プラズマ化学気相堆積PECVDチャンバ、減圧化学気相堆積SACVDチャンバ、および熱化学気相堆積チャンバが含まれてもよい。本発明の実施形態を実装し得るCVDシステムの具体的な例には、米国カリフォルニア州SantaClara在のAppliedMaterials,Inc社より市販されているCENTURAULTIMA登録商標HDP-CVDチャンバ/システム、およびPRODUCER登録商標PECVDチャンバ/システムが含まれる。本発明の例示的な方法と共に使用し得る基板処理チャンバの例には、2006年5月30日に出願され、PROCESSCHAMBERFORDIELECTRICGAPFILLと題された、Lubomirsky等の、本願と同一譲受人の米国仮特許出願第60/803,499号に示され記載されるものが含まれてもよい。該出願の全内容が、参照により事実上において本明細書に組み込まれる。さらなる例示的なシステムには、米国特許第6,387,207号および米国特許第6,830,624号に示され記載されるものが含まれてもよい。これらの特許もやはり、参照により事実上において本明細書に組み込まれる。これらの堆積システムの実施形態は、集積回路チップを作製するためのさらに大型の製造システムに組み込まれてもよい。図4は、開示する実施形態による堆積チャンバ、ベーキングチャンバ、および硬化チャンバのそのような1つのシステム400を示す。この図においては、一対のFOUP正面開口統合ポッド:frontopeningunifiedpod402が、基板例えば300mm径ウエハを供給する。この基板は、ロボットアーム404により受けられ、低圧保持エリア406内に配置され、その後、ウエハ処理チャンバ408a~408fの中の1つの中に配置される。第2のロボットアーム410が、保持エリア406から処理チャンバ408a~408fに基板ウエハを搬送し、逆に搬送して戻すために、使用されてもよい。処理チャンバ408a~408fは、基板ウエハ上に流動性誘電体膜を堆積し、アニールし、硬化し、および/またはエッチングするための1つまたは複数のシステム構成要素を備えてもよい。一構成においては、2対の処理チャンバ例えば408c~408dおよび408e~408fが、基板上に流動性誘電体材料を堆積するために使用されてもよく、第3の対の処理チャンバ例えば408a~408bが、堆積された誘電体をアニールするために使用されてもよい。別の構成においては、同じ2対の処理チャンバ例えば408c~408dおよび408e~408fが、基板上の流動性誘電体膜の堆積およびアニールの両方を行うように構成されてもよく、第3の対の処理チャンバ例えば408a~408bが、堆積された膜をUV硬化または電子ビーム硬化するために使用されてもよい。さらに別の構成においては、全ての3つの対のチャンバ例えば408a~408fが、基板上に流動性誘電体膜を堆積し硬化するように構成されてもよい。さらに別の構成においては、2対の処理チャンバ例えば408c~408dおよび408e~408fが、流動性誘電体の堆積およびUV硬化または電子ビーム硬化の両方を行うために使用されてもよく、第3の対の処理チャンバ例えば408a~408bが、誘電体膜をアニールするために使用されてもよい。記載したプロセスの任意の1つまたは複数が、個々の実施形態において示した製造システムとは別個のチャンバにおいて実施されてもよい。さらに、プロセスチャンバ408a~408fの中の1つまたは複数が、湿式処理チャンバとして構成されてもよい。これらのプロセスチャンバは、水分を含む雰囲気内において流動性誘電体膜を加熱することを含む。したがって、システム400の実施形態は、堆積された誘電体膜に対して湿式アニールおよび乾式アニールの両方を実施するために、湿式処理チャンバ408a~408bと、アニール処理チャンバ408c~408dとを備えてもよい。図5Aは、開示する実施形態による基板処理チャンバ500である。遠隔プラズマシステムRPS510が、ガスを処理し、次いでこのガスは、ガス入口アセンブリ511を通り移動してもよい。2つの異なるガス供給チャネルが、ガス入口アセンブリ511内に見える。第1のチャネル512は、遠隔プラズマシステムRPS510を通過するガスを運び、第2のチャネル513は、RPS500を迂回する。開示する実施形態においては、第1のチャネル502は、プロセスガスのために使用されてもよく、第2のチャネル513は、処理ガスのために使用されてもよい。蓋または導電性上部部分521および有孔パーテーション553が、絶縁リング524を間に挟んで示され、この絶縁リング524は、AC電圧が有孔パーテーション553よりも蓋521に対して印加され得るようにする。プロセスガスは、第1のチャネル512を通過してチャンバプラズマ領域520内に移動し、単独でまたはRPS510との組合せにおいて、チャンバプラズマ領域520内でプラズマにより励起されてもよい。本明細書においては、チャンバプラズマ領域520および/またはRPS510の組合せは、遠隔プラズマシステムと呼ぶ場合がある。有孔パーテーションシャワーヘッドとも呼ぶ553は、シャワーヘッド553の下方の基板処理領域570からチャンバプラズマ領域520を隔離する。シャワーヘッド553により、励起された種は、チャンバプラズマ領域520から基板処理領域570内に依然として移動し得るが、チャンバプラズマ領域520内に存在するプラズマが、基板処理領域570内のガスを直接的に励起することが回避される。基板処理領域に装着された排出システムのポンプ速度は、共形シリコン-窒素含有膜の堆積を促進するために、200ミリトール未満、150-ミリトール未満、100ミリトール未満、75ミリトール未満、または50ミリトール未満の中の1つに基板処理領域内の圧力を維持するように、選択および設定される。シャワーヘッド553は、チャンバプラズマ領域520と基板処理領域570との間に位置決めされ、チャンバプラズマ領域520内において生成されたプラズマ放出物前駆体または他のガスの励起された誘導体が、プレートの厚さにわたって貫通する複数の貫通穴556を通過し得るようにする。また、シャワーヘッド553は、1つまたは複数の中空体積551を有する。この中空体積551は、蒸気またはガスシリコン含有前駆体などの形態の前駆体で充填され得るものであり、小穴555を通り基板処理領域570内へと貫通し得るが、チャンバプラズマ領域520内へ直接的には貫通し得ない。シャワーヘッド553は、この開示する実施形態においては、貫通穴556の最小直径550の長さよりも厚い。チャンバプラズマ領域520から基板処理領域570に貫入する励起された種のかなりの濃度を維持するために、貫通穴の最小径部分550の長さ526は、シャワーヘッド553の途中まで貫通する貫通穴556のより大きな直径の部分を形成することによって、制限されてもよい。開示する実施形態においては、貫通穴556の最小径部分550の長さは、貫通穴556の最小径部分と同一桁以下であってもよい。図示する実施形態においては、シャワーヘッド553は、酸素、水素、および/または窒素、および/または、チャンバプラズマ領域520内においてプラズマにより励起された場合のかかるプロセスガスのプラズマ放出物を含む、プロセスガスを貫通穴556を経由して分散することができる。いくつかの実施形態においては、第1のチャネル512を経由してRPS510および/またはチャンバプラズマ領域520内に導入されるプロセスガスは、酸素O2、オゾンO3、N2O、NO、NO2、NH3、N2H4を含むNxHy、シラン、ジシラン、TSA、およびDSAの中の1つまたは複数を含んでもよい。また、プロセスガスは、ヘリウム、アルゴン、窒素N2、等々のキャリアガスを含んでもよい。また、第2のチャネル513は、プロセスガスおよび/またはキャリアガス、および/または成長中の膜もしくは成膜直後の膜から不要な成分を除去するために使用される膜硬化ガスを供給してもよい。プラズマ放出物は、プロセスガスのイオン化誘導体または中性誘導体を含んでもよく、本明細書においては、導入されるプロセスガスの原子成分を指すラジカル酸素前駆体および/またはラジカル窒素前駆体とも呼ばれる場合がある。いくつかの実施形態においては、貫通穴556の個数は、約60~約200個であってもよい。貫通穴556は、様々な形状を有してもよいが、最も容易には円形状になされる。開示する実施形態においては、貫通穴556の最小径部分550は、約0.5mm~約20mmであってもよく、または約1mm~約6mmであってもよい。また、貫通穴の断面形状の選択においては、ある許容範囲があり、円錐状、円筒状、またはこれら2つの形状の組合せであってもよい。基板処理領域570内にガスを導入するために使用される小穴555の個数は、個々の実施形態において、約100~約5000個であってもよく、または約500~約2000個であってもよい。小穴555の直径は、約0.1mm~約2mmであってもよい。図5Bは、開示する実施形態による、処理チャンバと共に使用するためにシャワーヘッド553の底面図である。シャワーヘッド553は、図5Aに示すシャワーヘッドに対応する。貫通穴556は、シャワーヘッド553の底部においてはより大きな内径IDを有し、上部においてはより小さなIDを有するように図示される。貫通穴556の中でもとりわけ、小穴555は、シャワーヘッドの表面にわたって実質的に均一に分散され、これが、本明細書に記載の他の実施形態よりもより均一な混合の実現を助ける。例示的な膜は、シャワーヘッド553中の貫通穴556を通り到達したプラズマ放出物が、中空体積551から始まる小穴555を通り到達したシリコン含有前駆体と結合すると、基板処理領域570内においてペデスタル図示せずによって支持された基板上に作製される。基板処理領域570は、硬化などの他のプロセスのためにプラズマを支援するために設けられてもよいが、この例示的な膜の成長の際には、プラズマは存在しない。プラズマは、シャワーヘッド553の上方のチャンバプラズマ領域520内においてか、またはシャワーヘッド553の下方の基板処理領域570内において点火されてもよい。プラズマは、流入した窒素-水素含有ガスからラジカル窒素前駆体を生成するために、チャンバプラズマ領域520内に存在する。典型的には高周波RF帯域のAC電圧が、処理チャンバの導電性上部部分521とシャワーヘッド553との間に印加されることにより、堆積の最中にチャンバプラズマ領域520内においてプラズマを点火させる。RF電源が、13.56MHzの高いRF周波を生じさせるが、単独でまたはこの13.56MHzとの組合せで、他の周波数を生じさせてもよい。上部プラズマは、基板処理領域570内の下部プラズマが、膜を硬化するかまたは基板処理領域570を境界設定している内部表面を洗浄するために放電される際には、低出力または出力ゼロのままであってもよい。基板処理領域570内のプラズマは、シャワーヘッド553とチャンバのペデスタルまたは底部との間にAC電圧を印加することにより点火される。洗浄ガスは、プラズマが存在している間に、基板処理領域570内に導入されてもよい。ペデスタルは、基板の温度を制御するために、熱交換流体が中を流通する熱交換チャネルを有してもよい。この構成により、基板温度を冷却または加熱して、比較的低温0°C~約120°Cに維持することが可能となる。熱交換流体は、エチレングリコールまたは水を含んでもよい。また、ペデスタルのウエハ支持プラッタ好ましくはアルミニウム、セラミック、またはそれらの組合せが、平行な同心円の形態の2つの完全ターンを形成するように構成された埋設式の単ループヒータ素子を使用して抵抗加熱されることにより、比較的高い温度約120°C~約1100°Cを実現してもよい。ヒータ素子の外方部分が、支持プラッタの外周部に隣接して延在してもよく、内方部分は、より小径の同心円の経路上に延在する。ヒータ素子への配線は、ペデスタルの軸部を貫通する。基板処理システムは、システムコントローラによって制御される。例示的な一実施形態においては、システムコントローラは、ハードディスクドライブ、フロッピーディスク登録商標ドライブ、およびプロセッサを備える。プロセッサは、シングルボードコンピュータSBC、アナログ入出力ボードおよびデジタル入出力ボード、インターフェースボード、およびステッピングモータコントローラボードを含む。CVDシステムの様々な部分が、ボード、カードケージ、およびコネクタの寸法およびタイプを規定するバーサモジュラーヨーロピアンVEM規格に準拠する。また、VEM規格は、バス構造を、16ビットデータバスおよび24ビットアドレスバスを有するものとして規定する。システムコントローラは、CVDマシンの全作業を制御する。システムコントローラは、コンピュータ可読媒体内に記憶されたコンピュータプログラムであるシステム制御ソフトウェアを実行する。好ましくは、この媒体は、ハードディスクドライブであるが、他の種類のメモリであってもよい。コンピュータプログラムは、特定のプロセスのタイミング、ガスの混合、チャンバ圧力、チャンバ温度、RF出力レベル、サセプタ位置、および他のパラメータを指示する命令セットを含む。また、例えばフロッピーディスク登録商標または他のもう1つの適切なドライブなどを含む他のメモリデバイス上に記憶された他のコンピュータプログラムが、システムコントローラに指示を与えるために使用されてもよい。基板上に膜スタックを堆積するためのプロセス、またはチャンバを洗浄するためのプロセスは、システムコントローラにより実行されるコンピュータプログラム製品を使用して実施することが可能である。このコンピュータプログラムコードは、任意の従来のコンピュータ可読プログラミング言語、例えば68000アセンブリ言語、C、C、パスカル、フォートラン、またはその他などで記述することが可能である。適切なプログラムコードが、従来的なテキストエディタを使用して単一のファイルまたは複数のファイル内に入力され、コンピュータのメモリシステムなどのコンピュータ可用媒体に記憶されるかまたは取り込まれる。入力されるコードテキストが、ハイレベル言語で入力される場合には、コードはコンパイルされ、次いで、結果的に得られたコンパイラコードは、事前コンパイルされたMicrosoftWindows登録商標ライブラリルーチンのオブジェクトコードとリンクされる。このリンクされコンパイルされたオブジェクトコードを実行するためには、システムユーザは、このオブジェクトコードを呼び出して、コンピュータシステムにメモリ内のこのコードをロードさせる。次いで、CPUが、このコードを読み取り実行して、プログラム内に指定されたタスクを実施する。ユーザとコントローラとの間のインターフェースは、フラットパネルタッチセンサモニタによるものである。好ましい実施形態においては、2つのモニタが使用され、1つは、オペレータ用にクリーンルーム内に取り付けられ、他方は、サービス技師用に壁の裏側に位置する。これらの2つのモニタは、同一の情報を同時に表示するが、この場合には、一度に一方のモニタのみが入力を受け付ける。特定の画面または機能を選択するためには、オペレータは、タッチセンサモニタの指定エリアに触れる。触れられたエリアはその強調色を変色させるか、または新規のメニューもしくは画面が表示され、オペレータとタッチセンサモニタとの間における通信の確認を与える。キーボード、マウス、または他のポインティングデバイスもしくは通信デバイスなどの他のデバイスが、ユーザとシステムコントローラとの間の通信を可能にするために、このタッチセンサモニタの代替としてまたは追加として使用されてもよい。チャンバプラズマ領域またはRPS内のある領域を、遠隔プラズマ領域と呼ぶことができる。いくつかの実施形態においては、ラジカル窒素前駆体が、遠隔プラズマ領域内で生成され、基板処理領域内に移動し、そこで炭素非含有シリコン含有前駆体が、ラジカル窒素前駆体により励起される。いくつかの実施形態においては、炭素非含有シリコン含有前駆体は、ラジカル窒素前駆体によってのみ励起される。いくつかの実施形態においては、プラズマ出力は、ラジカル窒素前駆体が、炭素非含有シリコン含有前駆体に対して優先的な励起をもたらすようにするために、基本的に遠隔プラズマ領域のみに印加されてもよい。本明細書においては、基板処理領域は、シリコン-窒素含有層の成長および他の処理ステップの中のいくつかの際には、プラズマ不在であると説明することができる。プラズマ不在は、その領域にプラズマがないことを必ずしも意味しない。プラズマ領域内において生成されたイオン化種は、基板処理領域内に移動し得るが、炭素非含有シリコン含有前駆体は、プラズマ領域に印加されるプラズマ出力によっては実質的に励起されない。チャンバプラズマ領域内のプラズマの境界は、画定が困難であり、シャワーヘッド中の開孔を通り基板処理領域に侵入する場合がある。誘導結合プラズマの場合には、少量のイオン化が、基板処理領域内において直に発生する場合がある。さらに、低強度プラズマが、成形膜の流動性の性質を消失させることなく、基板処理領域内において生成される場合がある。ラジカル窒素前駆体の生成の際のチャンバプラズマ領域内のプラズマよりもはるかに低い強度を有するプラズマを発生させるあらゆる原因は、本明細書におけるプラズマ不在の範囲から逸脱しない。本明細書においては、基板は、その上に形成された層を伴うまたは伴わない支持基板であってもよい。この支持基板は、様々なドーピング濃度およびドーピングプロファイルの絶縁体または半導体であってもよく、例えば集積回路の製造において使用されるタイプの半導体基板であってもよい。酸化ケイ素の層は、シリコン-酸素含有材料の省略表現として、およびシリコン-酸素含有材料と同義的に使用される。そのため、酸化ケイ素には、種々の濃度の窒素、水素、および炭素等の他の元素成分が含まれてもよい。いくつかの実施形態においては、酸化ケイ素は、シリコンおよび酸素から主に構成される。前駆体という用語は、表面から材料を除去するかまたは表面上に材料を堆積させるための反応において役割を果たす任意のプロセスガスを指すために使用される。励起状態のガスとは、ガス分子の少なくとも一部が振動励起された、解離された、および/またはイオン化された状態にあるガスを指す。ガスは、2つ以上のガスの組合せであってもよい。トレンチまたは間隙という用語は、エッチングされた形状寸法が高い水平方向アスペクト比を有することの示唆を含まずに、全体を通じて使用される。表面の上方から見た場合に、トレンチおよび間隙は、円形、楕円形、多角形、矩形、または様々な他の形状に見えるものであってもよい。いくつかの実施形態を説明したが、本発明の趣旨から逸脱することなく様々な修正、代替構造、および均等物を使用し得ることが、当業者には理解されよう。さらに、多数の周知のプロセスおよび要素については、本発明を不要に曖昧にすることを回避するために説明していない。したがって、上述の説明は、本発明の範囲を限定するものとして解釈されるべきではない。数値範囲が提示される場合には、そのコンテクストにおいて別様に明示しない限りは下限単位の10分の1までの、その範囲の上限と下限との間の各介在値もまた、具体的に開示されたものと理解される。明示した範囲内の任意の明示した値または介在値と、その明示した範囲内の任意の他の明示した値または介在値との間のさらに小さな範囲は、それぞれ包含される。これらのさらに小さな範囲の上限および下限は、この範囲内に個別に含まれてもよく、または除外されてもよく、また、このさらに小さな範囲内にいずれかの限界値が含まれるか、いずれの限界値も含まれないか、または両限界値が含まれるような各範囲は、明示した範囲内の任意の限界値が具体的に除外される場合にはその条件の下において、本発明の範囲に包含される。また、明示した範囲が、これらの限界値の一方または両方を含む場合には、それらの包含された限界値のいずれかまたは両方を除いた範囲が、含まれる。本明細書においては、および添付の特許請求の範囲においては、1つのa、an、およびそのtheという単数形は、別様に明示しない限り複数への言及を含む。したがって、例えば、1つのプロセスへの言及は、複数のかかるプロセスを含み、その前駆体への言及は、当業者には公知である1つまたは複数の前駆体および均等物への言及を含む、等々となる。また、備える、備えている、含む、および含んでいるという語は、本明細書において使用される場合には、および以下の特許請求の範囲においては、明示した特徴、完全体、構成要素、またはステップの存在を具体的に述べることを意図されたものであるが、1つまたは複数の他の特徴、完全体、構成要素、ステップ、作用、もしくは群の存在または追加を除外しない。"