サイリスタのカソード側102の上の主ゲート構造306と、前記サイリスタの前記カソード側の上の短絡パターンに配置された複数の局所のエミッタ短絡ドット128と、を具備し、前記主ゲート構造は、前記カソード側の面の中央領域から、円周領域へ向けて伸びる長手の主ゲート梁316を具備し、隣接する主ゲート梁316は、関連する間に入る中間線314に関してある距離を持って配置され、前記短絡パターンは、関連する中間線314に近い領域312よりも、主ゲート梁に近い領域310においてより均等である、位相制御サイリスタ100。前記エミッタ短絡ドット128は、30から500μmの間、特に50と400μmとの間、特に100と400μmとの間、の直径を持つ、請求項1の位相制御サイリスタ。前記エミッタ短絡ドット128は、前記主ゲート梁に近い領域310において総面積の2.5から8までの表面積を持つ、請求項1又は請求項2の位相制御サイリスタ。前記エミッタ短絡ドット128は、前記関連する中間線314に近い領域310において総面積の8から20まで、特に10から20、の表面積を持つ、請求項1乃至請求項3のうちの1つの位相制御サイリスタ。ドット数は、前記主ゲート梁に近い領域310において12から10000/cm2の間、特に100から3500/cm2の間である、請求項1乃至請求項4のうちの1つの位相制御サイリスタ。ドット数は、前記関連する中間線に近い領域310において40から30000/cm2の間、特に少なくとも200/cm2である、請求項1乃至請求項5のうちの1つの位相制御サイリスタ。前記主ゲート梁316に近い領域における前記短絡ドットは、実質的に同じ間隔を持つ、請求項1乃至請求項6のうちの1つの位相制御サイリスタ。前記主ゲート梁316に近い領域における前記短絡ドットは、実質的に同じサイズを持つ、請求項1乃至請求項7のうちの1つの位相制御サイリスタ。前記主ゲート梁316に近い領域における前記短絡ドットは、前記関連する中間線314に近い領域における前記短絡ドットよりも、大きい間隔又は小さいサイズの少なくとも1つを持つ、請求項1乃至請求項8のうちの1つの位相制御サイリスタ。前記隣接する主ゲート梁316は、前記関連する間に入る中間線314に関して対称で配置される、請求項1乃至請求項9のうちの1つの位相制御サイリスタ。前記主ゲート梁316は、前記中央領域から前記円周領域へ向けて低減する梁の幅により、先細である、請求項1乃至請求項10のうちの1つの位相制御サイリスタ。前記主ゲート梁の局所の幅は、標準のサイリスタオペレーションの間、局所の電流密度に適応される、請求項11の位相制御サイリスタ。前記梁の幅は、前記中央領域から前記円周領域へ向けて連続的に減少する、請求項11又は請求項12のうちの1つの位相制御サイリスタ。前記カソード側のパイロットサイリスタ120をさらに具備し、前記パイロットサイリスタは、前記主ゲート梁の領域へ伸びる長手のパイロットゲート梁320を具備する、請求項1乃至請求項13のうちの1つの位相制御サイリスタ。