主ドーパントしてのホウ素と、n型不純物であって、前記ホウ素よりも偏析係数が小さい第1の副ドーパントと、p型不純物であって、前記第1の副ドーパントよりも偏析係数が小さい第2の副ドーパントとが添加されたシリコン融液を準備する工程と、前記シリコン融液からチョクラルスキー法により、抵抗率が6Ωcm以上であるシリコン単結晶を成長させる工程とを備えた、p型シリコン単結晶の製造方法。前記第1の副ドーパントはリンであり、前記第2の副ドーパントはアルミニウムであって、前記第1の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.5以上1.2以下であり、かつ前記第2の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が4.9以上52.4以下である、請求項1に記載のp型シリコン単結晶の製造方法。前記第1の副ドーパントはリンであり、前記第2の副ドーパントはガリウムであって、前記第1の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.5以上1.2以下であり、かつ前記第2の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が1.2以上13.4以下である、請求項1に記載のp型シリコン単結晶の製造方法。前記第1の副ドーパントはリンであり、前記第2の副ドーパントはインジウムであって、前記第1の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.5以上1.2以下であり、かつ前記第2の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が25.1以上261.2以下である、請求項1に記載のp型シリコン単結晶の製造方法。前記第1の副ドーパントは砒素であり、前記第2の副ドーパントはアルミニウムであって、前記第1の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.6以上1.5以下であり、かつ前記第2の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が11.7以上72.2以下である、請求項1に記載のp型シリコン単結晶の製造方法。前記第1の副ドーパントは砒素であり、前記第2の副ドーパントはガリウムであって、前記第1の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.6以上1.5以下であり、かつ前記第2の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が3.1以上18.3以下である、請求項1に記載のp型シリコン単結晶の製造方法。前記第1の副ドーパントは砒素であり、前記第2の副ドーパントはインジウムであって、前記第1の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.6以上1.4以下であり、かつ前記第2の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が57.9以上324.0以下である、請求項1に記載のp型シリコン単結晶の製造方法。前記第1の副ドーパントはリンであり、前記第2の副ドーパントはアルミニウムであって、前記第1の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.79以上0.81以下であり、かつ前記第2の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が24.2以上27.0以下である、請求項1に記載のp型シリコン単結晶の製造方法。前記第1の副ドーパントはリンであり、前記第2の副ドーパントはアルミニウムであって、前記第1の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.89以上0.91以下であり、かつ前記第2の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が30.8以上33.8以下である、請求項1に記載のp型シリコン単結晶の製造方法。前記第1の副ドーパントはリンであり、前記第2の副ドーパントはガリウムであって、前記第1の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.79以上0.81以下であり、かつ前記第2の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が6.2以上6.9以下である、請求項1に記載のp型シリコン単結晶の製造方法。前記第1の副ドーパントはリンであり、前記第2の副ドーパントはガリウムであって、前記第1の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.89以上0.91以下であり、かつ前記第2の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が7.8以上8.5以下である、請求項1に記載のp型シリコン単結晶の製造方法。主ドーパントしてのホウ素とn型不純物であって、前記ホウ素よりも偏析係数が小さい第1の副ドーパントと、p型不純物であって、前記第1の副ドーパントよりも偏析係数が小さい第2の副ドーパントとを備え、抵抗率が6Ωcm以上である、p型シリコン単結晶。前記第1の副ドーパントはリンであり、前記第2の副ドーパントはアルミニウムであって、前記第1の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.5以上1.2以下であり、かつ前記第2の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が4.9以上52.4以下である、請求項12に記載のp型シリコン単結晶。前記第1の副ドーパントはリンであり、前記第2の副ドーパントはガリウムであって、前記第1の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.5以上1.2以下であり、かつ前記第2の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が1.2以上13.4以下である、請求項12に記載のp型シリコン単結晶。前記第1の副ドーパントはリンであり、前記第2の副ドーパントはインジウムであって、前記第1の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.5以上1.2以下であり、かつ前記第2の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が25.1以上261.2以下である、請求項12に記載のp型シリコン単結晶。前記第1の副ドーパントは砒素であり、前記第2の副ドーパントはアルミニウムであって、前記第1の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.6以上1.5以下であり、かつ前記第2の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が11.7以上72.2以下である、請求項12に記載のp型シリコン単結晶。前記第1の副ドーパントは砒素であり、前記第2の副ドーパントはガリウムであって、前記第1の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.6以上1.5以下であり、かつ前記第2の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が3.1以上18.3以下である、請求項12に記載のp型シリコン単結晶。前記第1の副ドーパントは砒素であり、前記第2の副ドーパントはインジウムであって、前記第1の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.6以上1.4以下であり、かつ前記第2の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が57.9以上324.0以下である、請求項12に記載のp型シリコン単結晶。前記第1の副ドーパントはリンであり、前記第2の副ドーパントはアルミニウムであって、前記第1の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.79以上0.81以下であり、かつ前記第2の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が24.2以上27.0以下である、請求項12に記載のp型シリコン単結晶。前記第1の副ドーパントはリンであり、前記第2の副ドーパントはアルミニウムであって、前記第1の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.89以上0.91以下であり、かつ前記第2の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が30.8以上33.8以下である、請求項12に記載のp型シリコン単結晶。前記第1の副ドーパントはリンであり、前記第2の副ドーパントはガリウムであって、前記第1の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.79以上0.81以下であり、かつ前記第2の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が6.2以上6.9以下である、請求項12に記載のp型シリコン単結晶。前記第1の副ドーパントはリンであり、前記第2の副ドーパントはガリウムであって、前記第1の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.89以上0.91以下であり、かつ前記第2の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が7.8以上8.5以下である、請求項12に記載のp型シリコン単結晶。特許文献1に記載の方法では、不純物が多く含まれている金属級シリコンがシリコン原料として使用されている。そのため、得られるシリコン単結晶基板の比抵抗が5Ωcm以下程度と低く、高耐圧が求められるパワーデバイスに用いることが困難であった。また、上記の金属級シリコン原料には、ホウ素とリンとが初めからシリコン原料に溶け込んでいる。そして、このホウ素とリンの量を評価し、ホウ素とリンの量に応じて主として第III族元素を添加している。このように、比抵抗制御用の元素として1種類の元素を主として使用しているだけなので、シリコン単結晶基板の比抵抗のばらつきを低減することは事実上困難であった。本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたものであり、高い比抵抗を有し、かつ比抵抗のばらつきが小さいp型シリコン単結晶およびその製造方法を提供することを目的とする。本発明に係るp型シリコン単結晶の製造方法は次の工程を有する。主ドーパントしてのホウ素と、n型不純物であって、ホウ素よりも偏析係数が小さい第1の副ドーパントと、p型不純物であって、第1の副ドーパントよりも偏析係数が小さい第2の副ドーパントとが添加されたシリコン融液が準備される。シリコン融液からチョクラルスキー法により、比抵抗が6Ωcm以上であるシリコン単結晶が成長される。ここで、偏析係数とはシリコン単結晶に対する偏析係数である。このように複数の副ドーパントを用いることにより、高い比抵抗を有し、かつ比抵抗のばらつきが小さいp型シリコン単結晶を得ることができる。上記のp型シリコン単結晶の製造方法において好ましくは、第1の副ドーパントはリンであり、第2の副ドーパントはアルミニウムである。第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.5以上1.2以下である。第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が4.9以上52.4以下である。ここで、シリコン融液中の濃度とは、シリコン単結晶が引上げられる前の初期のシリコン融液中の濃度である。上記のp型シリコン単結晶の製造方法において好ましくは、第1の副ドーパントはリンであり、第2の副ドーパントはガリウムである。第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.5以上1.2以下である。第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が1.2以上13.4以下である。上記のp型シリコン単結晶の製造方法において好ましくは、第1の副ドーパントはリンであり、第2の副ドーパントはインジウムである。第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.5以上1.2以下である。第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が25.1以上261.2以下である。上記のp型シリコン単結晶の製造方法において好ましくは、第1の副ドーパントは砒素であり、第2の副ドーパントはアルミニウムである。第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.6以上1.5以下である。第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が11.7以上72.2以下である。上記のp型シリコン単結晶の製造方法において好ましくは、第1の副ドーパントは砒素であり、第2の副ドーパントはガリウムである。第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.6以上1.5以下である。第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が3.1以上18.3以下である。上記のp型シリコン単結晶の製造方法において好ましくは、第1の副ドーパントは砒素であり、第2の副ドーパントはインジウムである。第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.6以上1.4以下である。第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が57.9以上324.0以下である。上記のp型シリコン単結晶の製造方法において好ましくは、第1の副ドーパントはリンであり、第2の副ドーパントはアルミニウムである。第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.79以上0.81以下である。第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が24.2以上27.0以下である。上記のp型シリコン単結晶の製造方法において好ましくは、第1の副ドーパントはリンであり、第2の副ドーパントはアルミニウムである。第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.89以上0.91以下である。第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が30.8以上33.8以下である。上記のp型シリコン単結晶の製造方法において好ましくは、第1の副ドーパントはリンであり、第2の副ドーパントはガリウムである。第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.79以上0.81以下であり、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が6.2以上6.9以下である。上記のp型シリコン単結晶の製造方法において好ましくは、第1の副ドーパントはリンであり、第2の副ドーパントはガリウムである。第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.89以上0.91以下である。第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が7.8以上8.5以下である。本発明に係るp型シリコン単結晶は、主ドーパントしてのホウ素と第1の副ドーパントと第2の副ドーパントとを有している。第1の副ドーパントは、n型不純物であって、ホウ素よりも偏析係数が小さい。第2の副ドーパントは、p型不純物であって、第1の副ドーパントよりも偏析係数が小さい。比抵抗は6Ωcm以上である。このように複数の副ドーパントを用いることにより、高い比抵抗を有し、かつ比抵抗のばらつきが小さいp型シリコン単結晶を得ることができる。上記のp型シリコン単結晶において好ましくは、第1の副ドーパントはリンであり、第2の副ドーパントはアルミニウムである。第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.5以上1.2以下である。第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が4.9以上52.4以下である。ここで、シリコン融液中の濃度とは、シリコン単結晶が引上げられる前の初期のシリコン融液中の濃度である。上記のp型シリコン単結晶において好ましくは、第1の副ドーパントはリンであり、第2の副ドーパントはガリウムである。第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.5以上1.2以下である。第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が1.2以上13.4以下である。上記のp型シリコン単結晶において好ましくは、第1の副ドーパントはリンであり、第2の副ドーパントはインジウムである。第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.5以上1.2以下である。第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が25.1以上261.2以下である。上記のp型シリコン単結晶において好ましくは、第1の副ドーパントは砒素であり、第2の副ドーパントはアルミニウムである。第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.6以上1.5以下である。第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が11.7以上72.2以下である。上記のp型シリコン単結晶において好ましくは、第1の副ドーパントは砒素であり、第2の副ドーパントはガリウムである。第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.6以上1.5以下である。第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が3.1以上18.3以下である。上記のp型シリコン単結晶において好ましくは、第1の副ドーパントは砒素であり、第2の副ドーパントはインジウムである。第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.6以上1.4以下である。第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が57.9以上324.0以下である。上記のp型シリコン単結晶において好ましくは、第1の副ドーパントはリンであり、第2の副ドーパントはアルミニウムである。第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.79以上0.81以下である。第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が24.2以上27.0以下である。上記のp型シリコン単結晶において好ましくは、第1の副ドーパントはリンであり、第2の副ドーパントはアルミニウムである。第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.89以上0.91以下である。第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が30.8以上33.8以下である。上記のp型シリコン単結晶において好ましくは、第1の副ドーパントはリンであり、第2の副ドーパントはガリウムである。第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.79以上0.81以下である。第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が6.2以上6.9以下である。上記のp型シリコン単結晶において好ましくは、第1の副ドーパントはリンであり、第2の副ドーパントはガリウムである。第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が0.89以上0.91以下である。第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が7.8以上8.5以下である。本発明によれば、高い比抵抗を有し、かつ比抵抗のばらつきが小さいp型シリコン単結晶を得ることができる。以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照符号を付しその説明については繰り返さない。まず、本実施の形態のp型シリコン単結晶を製造するための製造装置について図1を用いて説明する。図1に示すように、シリコン単結晶製造装置10は、チャンバー2と、ヒータ6と、ルツボ8と、ルツボ支持軸13と、引上げワイヤ14とを主に有している。チャンバー2の内壁には断熱材3が設けられている。チャンバー2の上部にはアルゴンArなどの不活性ガスを導入するための給気口4が設けられており、チャンバー2の底部にはチャンバー2内のガスを排気するための排気口5が設けられている。ルツボ8には原料となるシリコン融液7が充填される。ヒータ6はルツボ8の周辺部に設けられており、シリコン原料を融解させることでシリコン融液7を作製可能である。ルツボ支持軸13は、ルツボ8の下端部からチャンバーの底部に向かって延在しており、ルツボ支持軸駆動装置12によって回転自在に支持されている。引上げワイヤ14は、シリコン単結晶1を引上げるためのものであり、引上げワイヤ駆動装置15によって上下に移動可能である。次に、本実施の形態のp型シリコン単結晶の製造方法について図1および図2を用いて説明する。図2に示すように、本実施の形態に係るp型シリコン単結晶は、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造するものであり、シリコン融液準備工程S1と、シリコン単結晶成長工程S2と、シリコン単結晶切断工程S3とを主に有している。シリコン融液準備工程S1では、シリコン原料をルツボ8に充填し、ヒータ6で加熱すすることでシリコン原料を融解する。シリコン原料には、主ドーパントと、第1の副ドーパントと、第2の副ドーパントとの3種類のドーパントが添加される。主ドーパントは、p型不純物であるホウ素である。第1の副ドーパントは、主ドーパントであるホウ素Bよりもシリコン単結晶に対する偏析係数が小さく、導電型がn型の不純物である。第1の副ドーパントは、たとえば、リンP、砒素Asなどの第V族元素である。第2の副ドーパントは、第1の副ドーパントよりもシリコン単結晶に対する偏析係数が小さく、導電型がp型の不純物である。第2の副ドーパントは、たとえば、アルミニウムAl、ガリウムGa、インジウムInなどの第III族元素である。本実施の形態では、シリコン原料として半導体級シリコンが用いられる。半導体級シリコンとは、金属級シリコンよりも不純物濃度が少ないすなわちシリコン純度が高いシリコン原料である。半導体級シリコンのシリコン純度は、たとえば99.99999999911Nである。シリコン原料に添加される主ドーパント、第1の副ドーパントおよび第2の副ドーパントは、3つ同時にシリコン融液に添加されてもよいし、それぞれのドーパントが別々に添加されてもよい。たとえば、初めに主ドーパントをシリコン融液7に添加し、その後第1の副ドーパント、次に第2の副ドーパントを添加してもよい。シリコン単結晶成長工程S2では、まず、シードチャック16に取付けた種結晶17を、シリコン融液7の表面に降下させて浸漬させる。その後、引上げワイヤ14を引上げワイヤ駆動装置15によって巻き取ることによって、シリコン単結晶1の引上げを行う。シリコン単結晶1がコーン部拡張部の成長を経て目標とする直径に達した後に、直胴部11を所定の長さまで成長させる。シリコン単結晶切断工程S3では、まず、直胴部11を所定の長さまで成長させた後、引上げワイヤ14の巻き取りを停止させる。その後、ルツボ8を降下させることによって、シリコン融液7からシリコン単結晶1を切断する。シリコン単結晶1の引上げ軸方向に垂直な平面でシリコン単結晶1をスライスすることにより、シリコンウエハが得られる。次に、シリコン単結晶の比抵抗と固化率との関係のシミュレーション結果について、図3を用いて説明する。図3の横軸は固化率を表している。固化率とは、シリコン融液に含まれる原料シリコンの総質量に対する結晶化したシリコンの質量の比をいう。図3の縦軸は、シリコン単結晶1の引上げ軸D方向の比抵抗の比率を表している。ここで比抵抗は、シリコン単結晶の中心すなわち引上げ軸での比抵抗である。また、比抵抗の比率とは、ある固化率での比抵抗を固化率0での比抵抗で規格化した値である。図3において、サンプル101~107は、主ドーパントとしてホウ素、第1の副ドーパントとしてリン、第2の副ドーパントとしてアルミニウムが添加されたシリコン融液から、チョクラルスキー法によって形成されたp型シリコン単結晶である。サンプル101~107のシリコン融液中のホウ素濃度は、それぞれ、3.2×1015atoms/cm3101、1.1×1015atoms/cm3102、1.2×1015atoms/cm3103、2.6×1014atoms/cm3104、2.1×1014atoms/cm3105、1.9×1014atoms/cm3106、2.0×1014atoms/cm3107である。サンプル101~107のシリコン融液中のリンの濃度をホウ素の濃度で除したときの濃度比率第1の濃度比率は、それぞれ、0.50101、0.60102、0.70103、0.90104、1.00105、1.10106、1.20107である。サンプル101~107のシリコン融液中のアルミニウムの濃度をホウ素の濃度で除したときの濃度比率第2の濃度比率は、それぞれ、5.60101、11.70102、18.50103、31.76104、38.65105、45.06106、52.40107である。図3から分かるように、固化率0から0.9までの範囲において、シリコン単結晶サンプル101~107の引上げ軸方向の比抵抗のばらつきは3~8以下程度と非常に小さい。なお、比抵抗のばらつきは、式1で定義された値である。ここで、比抵抗の最大値は、引上げ軸方向におけるシリコン単結晶の比抵抗の最大値であり、比抵抗の最小値とは引上げ軸方向におけるシリコン単結晶の比抵抗の最小値である。IGBTなどのパワーデバイスに使用される基板には、高い比抵抗と小さい比抵抗のばらつきとが求められる。具体的には、p型シリコン単結晶の比抵抗としては、6Ωcm以上が望ましく、好ましくは50Ωcm以上であり、さらに好ましくは100Ωcm以上である。また、p型シリコン単結晶の比抵抗のばらつきとしては、20以下が望ましく、好ましくは15以下であり、さらに好ましくは8以下であり、さらに好ましくは5以下である。次に、本実施の形態のシリコン単結晶の比抵抗のばらつきが小さくなるメカニズムについて説明する。シリコン融液にホウ素主ドーパントのみが添加された場合、シリコン単結晶が成長するすなわち固化率が大きくなるにしたがって、シリコン単結晶中のホウ素濃度が高くなる。そのため、シリコン単結晶のボトム側で比抵抗が小さくなる。これは、シリコン単結晶に対するホウ素の偏析係数が0.78程度であり、1未満であるためにシリコン単結晶が成長するに伴ってシリコン融液中のホウ素の濃度が増加する。その結果、シリコン単結晶へ取り込まれるホウ素の割合が高くなり、比抵抗が小さくなるからである。シリコン融液中にリンが添加された場合も同様に、シリコン単結晶が成長するにしたがって、シリコン単結晶中のリン濃度が高くなる。そのため、シリコン単結晶のボトム側で比抵抗が小さくなる。リンのシリコン単結晶に対する偏析係数は0.38程度であり、ホウ素よりも小さい。それゆえ、シリコン単結晶の成長に伴うシリコン融液中のリンの濃縮化の速度は、ホウ素の濃縮化の速度よりも速い。したがって、シリコン単結晶の成長に伴う比抵抗の低下の速度も、リンを添加した場合の方がホウ素を添加した場合よりも早くなる。シリコン融液中にホウ素主ドーパントとリン第1の副ドーパントとが添加された場合は、ホウ素がp型不純物であり、リンがn型不純物であるために、互いに発生させた反対の導電型のキャリアを打ち消し合う。したがって、シリコン単結晶にホウ素とともにリンを添加することで、p型キャリアの密度を減少させて比抵抗を増大させることができる。また、シリコン単結晶の成長に伴う不純物濃度の増加の速度は、ホウ素を添加する場合よりもリンを添加する場合の方が大きい。したがって、シリコン単結晶の成長に伴うホウ素の濃度の増加によるp型キャリア密度の増加を、リンの濃度の増加によるn型キャリア密度の増加により打ち消すことで、シリコン単結晶の成長に伴う比抵抗の低下の速度を低減することができる。固化率が小さいときは、シリコン単結晶の成長に伴う比抵抗の低下の速度を低減することができるが、固化率が大きくなると、リンの濃度の増加によるn型キャリア密度の増加が優勢になり、シリコン単結晶の成長に伴って比抵抗が大きくなってくる。シリコン融液中にリン第1の副ドーパントよりも偏析係数の小さいアルミニウム第2の副ドーパントを添加した場合、固化率が小さい場合はアルミニウムによるp型キャリアはほとんどシリコン単結晶に取込まれない。しかしながら、固化率が大きくなってきたときにアルミニウムは徐々にシリコン単結晶に取込まれていき、p型キャリアを増加させていく。その結果、比抵抗は徐々に小さくなってくる。それゆえ、アルミニウムの添加により、固化率が大きいところでシリコン単結晶の比抵抗が大きくなることを抑制することができる。結果として、シリコン単結晶の引上げ軸方向の比抵抗のばらつきを低減することができる。このように、n型不純物であって主ドーパントよりも偏析係数の小さい第1の副ドーパントによって固化率が小さいときのシリコン単結晶の比抵抗の変化を抑制し、p型不純物であって第1の副ドーパントよりも偏析係数の小さい第2の副ドーパントによって固化率が大きいときのシリコン単結晶の比抵抗の変化を抑制することができる。実施の形態1表1は、シリコン融液に添加される主ドーパントとしてホウ素B、第1の副ドーパントとしてリンP、第2の副ドーパントとしてアルミニウムAlが使用される場合の、第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第1の濃度比率を0.4以上程度、1.3以下程度の範囲で変化させ、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第2の濃度比率を1.1以上程度、59.1以下程度の範囲で変化させたときの、シリコン単結晶の比抵抗の最大値、最小値および引上げ軸線方向の比抵抗のばらつきのシミュレーション結果を示している。この場合のホウ素濃度は1.87×1014atoms/cm3以上程度、3.18×1015atoms/cm3以下程度である。この場合、比抵抗の最大値が7.0Ωcm以上程度、168.3Ωcm以下程度であり、比抵抗の最小値が6.2Ωcm以上程度、150.0Ωcm以下程度であって、引上げ軸方向の比抵抗のばらつきが、17.8以下程度である、p型シリコン単結晶を得ることができる。より好ましくは、第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第1の濃度比率が0.5以上程度、1.2以下程度の範囲であって、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第2の濃度比率が4.9以上程度、52.4以下程度の範囲である。この場合のホウ素濃度は1.87×1014atoms/cm3以上程度、3.18×1015atoms/cm3以下程度である。この場合、比抵抗の最大値が7.0Ωcm以上程度、168.3Ωcm以下程度であり、比抵抗の最小値が6.5Ωcm以上程度、150.0Ωcm以下程度であって、引上げ軸方向の比抵抗のばらつきが、17.8以下程度である、p型シリコン単結晶を得ることができる。より好ましくは、第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第1の濃度比率が0.79以上程度、0.81以下程度の範囲であって、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第2の濃度比率が24.2以上程度、27.0以下程度の範囲である。この場合のホウ素濃度は4.64×1014atoms/cm3以上程度、1.19×1015atoms/cm3以下程度である。この場合、比抵抗の最大値が21.0Ωcm以上程度、53.0Ωcm以下程度であり、比抵抗の最小値が20.0Ωcm以上程度、51.0Ωcm以下程度であって、引上げ軸方向の比抵抗のばらつきが、8.0以下程度である、p型シリコン単結晶を得ることができる。より好ましくは、第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第1の濃度比率が0.89以上程度、0.91以下程度の範囲であって、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第2の濃度比率が30.8以上程度、33.8以下程度の範囲である。この場合のホウ素濃度は1.94×1014atoms/cm3以上程度、2.57×1014atoms/cm3以下程度である。この場合、比抵抗の最大値が100.0Ωcm以上程度、143.1Ωcm以下程度であり、比抵抗の最小値が95.0Ωcm以上程度、132.1Ωcm以下程度であって、引上げ軸方向の比抵抗のばらつきが、7.9以下程度である、p型シリコン単結晶を得ることができる。実施の形態2表2は、シリコン融液に添加される主ドーパントとしてホウ素B、第1の副ドーパントとしてリンP、第2の副ドーパントとしてガリウムGaが使用される場合の、第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第1の濃度比率を0.4以上程度、1.3以下程度の範囲で変化させ、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第2の濃度比率を0.1以上程度、15.1以下程度の範囲で変化させたときの、シリコン単結晶の比抵抗の最大値、最小値および引上げ軸線方向の比抵抗のばらつきのシミュレーション結果を示している。この場合のホウ素濃度は1.95×1014atoms/cm3以上程度、3.18×1015atoms/cm3以下程度である。この場合、比抵抗の最大値が7.0Ωcm以上程度、175.2Ωcm以下程度であり、比抵抗の最小値が6.3Ωcm以上程度、150.0Ωcm以下程度であって、引上げ軸方向の比抵抗のばらつきが、16.3以下程度である、p型シリコン単結晶を得ることができる。より好ましくは、第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第1の濃度比率が0.5以上程度、1.2以下程度の範囲であって、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第2の濃度比率が1.2以上程度、13.4以下程度の範囲である。この場合のホウ素濃度は1.97×1014atoms/cm3以上程度、3.18×1015atoms/cm3以下程度である。この場合、比抵抗の最大値が7.0Ωcm以上程度、175.2Ωcm以下程度であり、比抵抗の最小値が6.5Ωcm以上程度、150.0Ωcm以下程度であって、引上げ軸方向の比抵抗のばらつきが、16.3以下程度である、p型シリコン単結晶を得ることができる。より好ましくは、第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第1の濃度比率が0.79以上程度、0.81以下程度の範囲であって、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第2の濃度比率が6.2以上程度、6.9以下程度の範囲である。この場合のホウ素濃度は8.08×1014atoms/cm3以上程度、8.23×1014atoms/cm3以下程度である。この場合、比抵抗の最大値が30.0Ωcm以上程度、32.4Ωcm以下程度であり、比抵抗の最小値が28.6Ωcm以上程度、30.0Ωcm以下程度であって、引上げ軸方向の比抵抗のばらつきが、7.8以下程度である、p型シリコン単結晶を得ることができる。より好ましくは、第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第1の濃度比率が0.89以上程度、0.91以下程度の範囲であって、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第2の濃度比率が7.8以上程度、8.5以下程度の範囲である。この場合のホウ素濃度は5.07×1014atoms/cm3以上程度、5.15×1014atoms/cm3以下程度である。この場合、比抵抗の最大値が50.0Ωcm以上程度、55.1Ωcm以下程度であり、比抵抗の最小値が47.6Ωcm以上程度、50.7Ωcm以下程度であって、引上げ軸方向の比抵抗のばらつきが、8.0以下程度である、p型シリコン単結晶を得ることができる。実施の形態3表3は、シリコン融液に添加される主ドーパントとしてホウ素B、第1の副ドーパントとしてリンP、第2の副ドーパントとしてインジウムInが使用される場合の、第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第1の濃度比率を0.5以上程度、1.3以下程度の範囲で変化させ、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第2の濃度比率を25.1以上程度、291.3以下程度の範囲で変化させたときの、シリコン単結晶の比抵抗の最大値、最小値および引上げ軸線方向の比抵抗のばらつきのシミュレーション結果を示している。この場合のホウ素濃度は1.98×1014atoms/cm3以上程度、3.59×1015atoms/cm3以下程度である。この場合、比抵抗の最大値が6.8Ωcm以上程度、169.4Ωcm以下程度であり、比抵抗の最小値が6.3Ωcm以上程度、150.0Ωcm以下程度であって、引上げ軸方向の比抵抗のばらつきが、13.3以下程度である、p型シリコン単結晶を得ることができる。より好ましくは、第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第1の濃度比率が0.5以上程度、1.2以下程度の範囲であって、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第2の濃度比率が25.1以上程度、261.2以下程度の範囲である。この場合のホウ素濃度は1.98×1014atoms/cm3以上程度、3.59×1015atoms/cm3以下程度である。この場合、比抵抗の最大値が6.8Ωcm以上程度、161.3Ωcm以下程度であり、比抵抗の最小値が6.3Ωcm以上程度、148.8Ωcm以下程度であって、引上げ軸方向の比抵抗のばらつきが、13.3以下程度である、p型シリコン単結晶を得ることができる。実施の形態4表4は、シリコン融液に添加される主ドーパントとしてホウ素B、第1の副ドーパントとして砒素As、第2の副ドーパントとしてアルミニウムAlが使用される場合の、第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第1の濃度比率を0.5以上程度、1.6以下程度の範囲で変化させ、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第2の濃度比率を5.0以上程度、78.6以下程度の範囲で変化させたときの、シリコン単結晶の比抵抗の最大値、最小値および引上げ軸線方向の比抵抗のばらつきのシミュレーション結果を示している。この場合のホウ素濃度は1.69×1014atoms/cm3以上程度、3.51×1015atoms/cm3以下程度である。この場合、比抵抗の最大値が7.0Ωcm以上程度、165.6Ωcm以下程度であり、比抵抗の最小値が6.4Ωcm以上程度、150.0Ωcm以下程度であって、引上げ軸方向の比抵抗のばらつきが、16.7以下程度である、p型シリコン単結晶を得ることができる。より好ましくは、第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第1の濃度比率が0.6以上程度、1.5以下程度の範囲であって、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第2の濃度比率が11.7以上程度、72.2以下程度の範囲である。この場合のホウ素濃度は1.69×1014atoms/cm3以上程度、3.51×1015atoms/cm3以下程度である。この場合、比抵抗の最大値が7.0Ωcm以上程度、160.7Ωcm以下程度であり、比抵抗の最小値が6.5Ωcm以上程度、149.3Ωcm以下程度であって、引上げ軸方向の比抵抗のばらつきが、16.7以下程度である、p型シリコン単結晶を得ることができる。実施の形態5表5は、シリコン融液に添加される主ドーパントとしてホウ素B、第1の副ドーパントとして砒素As、第2の副ドーパントとしてガリウムGaが使用される場合の、第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第1の濃度比率を0.6以上程度、1.6以下程度の範囲で変化させ、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第2の濃度比率を3.1以上程度、19.9以下程度の範囲で変化させたときの、シリコン単結晶の比抵抗の最大値、最小値および引上げ軸線方向の比抵抗のばらつきのシミュレーション結果を示している。この場合のホウ素濃度は1.69×1014atoms/cm3以上程度、3.40×1015atoms/cm3以下程度である。この場合、比抵抗の最大値が7.0Ωcm以上程度、165.4Ωcm以下程度であり、比抵抗の最小値が6.4Ωcm以上程度、150.0Ωcm以下程度であって、引上げ軸方向の比抵抗のばらつきが、19.7以下程度である、p型シリコン単結晶を得ることができる。より好ましくは、第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第1の濃度比率が0.6以上程度、1.5以下程度の範囲であって、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第2の濃度比率が3.1以上程度、18.3以下程度の範囲である。この場合のホウ素濃度は1.69×1014atoms/cm3以上程度、3.40×1015atoms/cm3以下程度である。この場合、比抵抗の最大値が7.0Ωcm以上程度、160.3Ωcm以下程度であり、比抵抗の最小値が6.5Ωcm以上程度、150.0Ωcm以下程度であって、引上げ軸方向の比抵抗のばらつきが、19.7以下程度である、p型シリコン単結晶を得ることができる。実施の形態6表6は、シリコン融液に添加される主ドーパントとしてホウ素B、第1の副ドーパントとして砒素As、第2の副ドーパントとしてガリウムInが使用される場合の、第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第1の濃度比率を0.5以上程度、1.6以下程度の範囲で変化させ、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第2の濃度比率を24.4以上程度、391.6以下程度の範囲で変化させたときの、シリコン単結晶の比抵抗の最大値、最小値および引上げ軸線方向の比抵抗のばらつきのシミュレーション結果を示している。この場合のホウ素濃度は1.69×1014atoms/cm3以上程度、3.40×1015atoms/cm3以下程度である。この場合、比抵抗の最大値が7.0Ωcm以上程度、165.7Ωcm以下程度であり、比抵抗の最小値が6.4Ωcm以上程度、150.0Ωcm以下程度であって、引上げ軸方向の比抵抗のばらつきが、19.6以下程度である、p型シリコン単結晶を得ることができる。より好ましくは、第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第1の濃度比率が0.6以上程度、1.4以下程度の範囲であって、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第2の濃度比率が57.9以上程度、324.0以下程度の範囲である。この場合のホウ素濃度は1.69×1014atoms/cm3以上程度、3.40×1015atoms/cm3以下程度である。この場合、比抵抗の最大値が7.0Ωcm以上程度、158.5Ωcm以下程度であり、比抵抗の最小値が6.5Ωcm以上程度、149.8Ωcm以下程度であって、引上げ軸方向の比抵抗のばらつきが、19.6以下程度である、p型シリコン単結晶を得ることができる。上記のように、ホウ素主ドーパントと、n型不純物であって、ホウ素よりも偏析係数が小さい第1の副ドーパントと、p型不純物であって、第1の副ドーパントよりも偏析係数が小さい第2の副ドーパントとが添加された初期のシリコン融液から、チョクラルスキー法によって成長されたp型シリコン単結晶は、ホウ素主ドーパントと、n型不純物であって、ホウ素よりも偏析係数が小さい第1の副ドーパントと、p型不純物であって、第1の副ドーパントよりも偏析係数が小さい第2の副ドーパントとを含んでいる。そして、第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率と、第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が実施の形態1~6に記載された範囲であれば、その範囲の第1の濃度比率と第2の濃度比率である主ドーパントと第1の副ドーパントと第2の副ドーパントとを含むp型シリコン単結晶を得ることができる。次に、シリコン単結晶1に含有されるドーパント濃度を測定する方法について説明する。ドーパントとしてのホウ素、リン、アルミニウム、ガリウム、インジウム、砒素などの元素のシリコン単結晶1中の濃度は、SIMSSecondaryIonMassSpectroscopyなどの公知の方法で測定することができる。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態および実施例ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。