"半導体基板上に、ストッパー膜を形成する工程と、前記ストッパー膜および前記半導体基板に溝を形成する工程と、前記ストッパー膜と化学反応を生じる有機分子を添加することにより、前記ストッパー膜の表面上に自己組織化単分子層を形成する工程と、前記溝内および前記溝外の前記自己組織化単分子層上に、被研磨膜を形成する工程と、スラリーを用いたCMP法により、前記溝外の前記自己組織化単分子層上の前記被研磨膜を除去する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。半導体基板上に、ストッパー膜を形成する工程と、前記ストッパー膜および前記半導体基板に溝を形成する工程と、前記溝内および前記溝外の前記ストッパー膜上に、被研磨膜を形成する工程と、前記ストッパー膜と化学反応を生じる有機分子が添加されたスラリーを用いたCMP法により、前記溝外の前記ストッパー膜上の前記被研磨膜を除去するとともに前記ストッパー膜の表面上に自己組織化単分子層を形成する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記ストッパー膜はシリコン窒化膜であり、前記被研磨膜はシリコン酸化膜であり、前記ストッパー膜と前記自己組織化単分子層とはイミド結合で連結することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記ストッパー膜はポリシリコン膜であり、前記被研磨膜はシリコン酸化膜であり、前記ストッパー膜と前記自己組織化単分子層とはシロキサン結合で連結することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記スラリーは、界面活性剤を含むことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記被研磨膜を除去した後、アッシングにより、前記自己組織化単分子層を除去する工程をさらに具備することを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。素子の微細化、およびCMP工程における平坦性の向上を図る半導体装置の製造方法を提供する。本実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法においては、半導体基板上に、ストッパー膜を形成する。前記ストッパー膜および前記半導体基板に溝を形成する。前記ストッパー膜と化学反応を生じる有機分子を添加することにより、前記ストッパー膜の表面上に自己組織化単分子層を形成する。前記溝内および前記溝外の前記自己組織化単分子層上に、被研磨膜を形成する。スラリーを用いたCMP法により、前記溝外の前記自己組織化単分子層上の前記被研磨膜を除去する。本実施形態を以下に図面を参照して説明する。図面において、同一部分には同一の参照符号を付す。また、重複した説明は、必要に応じて行う。1.第1の実施形態図1乃至図8を用いて、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。第1の実施形態は、STIとして埋め込まれるシリコン酸化膜SiO2膜16のCMP工程の前工程において、CMPストッパー膜となるシリコン窒化膜SiN膜13の表面に自己組織化単分子層SAM:SelfAssembledMonolayer15を形成する例である。これにより、ストッパー膜を保護し、CMP工程におけるストッパー膜の除去量を低減することができる。以下に、第1の実施形態について詳説する。1-1.STI構造の製造方法以下に、図1乃至図5を用いて、第1の実施形態に係るSTI構造の製造方法について説明する。図1乃至図5は、第1の実施形態に係るSTI構造の製造工程を示す断面図である。まず、図1に示すように、半導体基板例えば、シリコン基板10上に、トンネル絶縁膜11が形成される。トンネル絶縁膜11は、例えばSiN、SiO2、またはhigh-k材料等で構成される。このトンネル絶縁膜11上に、電荷蓄積膜となるポリシリコン膜12が形成される。次に、ポリシリコン膜12上に、CMPストッパー膜以下、単にストッパー膜と称すとなるSiN膜13が形成される。SiN膜13の膜厚は、例えば15nm程度であるが、これに限らない。後述する溝14のアスペクト比を小さくするため、ストッパー膜として機能し得る範囲でできる限り薄いことが望ましい。次に、図2に示すように、SiN膜13上に図示せぬマスクが形成され、例えばリソグラフィおよびRIEReactiveIonEtchingにより、SiN膜13、ポリシリコン膜12、トンネル絶縁膜11、およびシリコン基板10に溝14が形成される。溝14は、SiN膜13、ポリシリコン膜12、およびトンネル絶縁膜11を貫通し、シリコン基板10の一部を除去するように形成される。その後、SiN膜13上の図示せぬマスクが除去される。次に、図3に示すように、SiN膜13の表面上に、選択的にSAM15が形成される。より具体的には、SAM15は、少なくともSiN膜13の上面に形成される。このとき、図示はしないが、SAM15はSiN膜13の側面に形成されてもよい。このSAM15の詳細については、後述する。次に、図4に示すように、例えばCVDChemicalVaporDeposition法または塗布法により、全面にSTIとなるSiO2膜16が形成される。これにより、SiO2膜16は、溝14内に埋め込まれ、かつ溝14外のSAM15上に形成される。次に、図5に示すように、CMP法により、溝14外に形成されたSiO2膜16が除去され、表面が平坦化される。このとき、SAM15が露出するまでCMPが行われ、SiO2膜16は溝14内のみに埋め込まれる。このCMP工程の詳細については、後述する。このようにして、第1の実施形態に係るSTI構造が形成される。1-2.CMP装置以下に、図6を用いて、第1の実施形態に係るCMP工程で用いられるCMP装置について説明する。図6は、第1の実施形態に係るCMP工程で用いられるCMP装置の構成例を示す図である。図6に示すように、CMP装置は、ターンテーブル20、研磨パッド21、トップリング22、スラリー供給ノズル24、およびドレッサー25を備える。ターンテーブル20上に貼付された研磨パッド21上には、半導体基板10が保持されたトップリング22が当接される。半導体基板10上には、被研磨膜としてのSiO2膜16が形成されている。CMP工程において、ターンテーブル20は例えば1~200rpmで回転可能であり、トップリング23は例えば1~200rpmで回転可能である。また、これらの研磨荷重は、例えば50~500hPa程度である。研磨パッド21上には、スラリー供給ノズル24が配置される。このスラリー供給ノズル24からは、スラリー23として所定の薬液を50~500cc/minの流量で供給することができる。このスラリー23の詳細については、後述する。また、スラリー供給ノズル24は、例えば図6に示すターンテーブル20の中心付近に設けられているが、これに限らず、スラリー23が研磨パッド21の全面に供給されるように適宜配置されてもよい。また、研磨パッド21上には、研磨パッド21の表面のコンディショニングを行なうドレッサー25が配置される。ドレッサー25は、CMP工程中またはCMP工程後において、研磨パッド21に当接され、研磨パッド21の表面のコンディショニングを行なう。このとき、ドレッサー25は、例えば1~200rpmで回転させつつ、50~500hPaの荷重で研磨パッド21に当接される。1-3.実施例11-3a.実施例1におけるSAM15の形成およびCMP工程以下に、図7を用いて、第1の実施形態に係る実施例1におけるSAM15の形成およびCMP工程について説明する。実施例1は、CMPの前工程において、SiN膜13の表面にイミド結合を有するSAM膜15を形成する例である。図7は、第1の実施形態に係る実施例1におけるSAM15の形成原理について示す図である。実施例1におけるSAM15は、図3に示す工程において、シリコン基板10の全面に反応性活性分子が溶解した水または有機溶媒を塗布する、または反応性活性分子が溶解した水または有機溶媒中にシリコン基板10全体を浸漬することによって形成される。ここで、反応性活性分子とは、表面に到達するとSiN膜13と化学反応することで、イミド結合を形成する有機分子である。反応性活性分子としては、例えば、臭化アルキル系の分子Br-R、Rはアルキル基が挙げられる。これにより、SiN膜13の表面上に選択的にSAM15を形成することができる。より具体的には、有機分子とSiN膜13とが以下の化学反応式1に示す脱HBr反応をすることにより、SiN膜13の表面上にSAM15が形成される。≡Si-NH2Br-R→≡Si-NH-RHBr1なお、化学反応式1におけるSiN膜13にH原子が結合しているが、これはSiN膜13を大気中に晒すことによって形成されるものである。このとき、図7に示すように、自己組織化する有機分子は、反応性官能基がSiN膜13の表面を向いた方向でSiN膜13に吸着し、SiN膜13と化学結合イミド結合を形成する。また、有機分子は長鎖アルキル基またはベンゼン核を有するため、分子間に相互作用が生じる。より具体的には、有機分子が長鎖アルキル基を有する場合、隣接する有機分子間においてファンデルワールス力や疎水基相互作用が働く。一方、有機分子がベンゼン核を有する場合、隣接する有機分子間においてπ電子相互作用が働く。その結果、吸着分子同士が集合した方が熱的に安定化するため、分子が密に集積化する。上記反応が進むと、SiN膜13の表面は隙間なく有機分子で覆われ、SiN膜13上の反応サイトは全て覆われる。この状態に達すると、それ以上反応は進まず、膜成長はとまる。すなわち、浮遊する有機分子70がSiN膜13の表面、またはすでにSiN膜13の表面に吸着した有機分子上に吸着することはない。このため、SAM15は、SiN膜13の表面上に形成された単分子層として形成される。このように、SAM15は有機分子によって構成されるものであり、その有機分子は、SiN膜13との間で化学結合され、分子間相互作用によって密に集積し、単分子層を形成するものである。SiN膜13の表面にSAM15を形成した後、図5に示すCMP工程が行われる。ここでは、研磨パッド21としてダウケミカル製のIC1000/S400、スラリー23としてセリア砥粒を含む日立化成製のDLS2が用いられる。なお、スラリー23としては、シリカ砥粒を含むキャボット製のSS225、またはアルミナ砥粒、ジルコニア砥粒、チタニア砥粒、ベンガラ砥粒、またはマンガニア砥粒を含む種々のスラリーが用いられてもよい。このとき、SiN膜13の表面がSAM15によって保護されているため、SiN膜13が除去されることを抑制することができる。CMP工程後、例えばアッシングにより、SAM15が除去される。このようにして、実施例1におけるSAM15の形成およびCMP工程が行われる。なお、有機分子とSiN膜13との反応において、SiN膜13の表面にH原子が存在することが必要である。このため、SAM15の形成前に、SiN膜13の表面に対して水素プラズマ処理を行ってもよい。また、SAM15の膜厚は、有機分子の長さ、すなわち、アルキル基の直鎖の長さによって決まる。SiN膜13の保護を強化するために、SAM15の膜厚は大きいほうがよい。すなわち、SAM15として形成しうる範囲でできる限り、アルキル基の直鎖が長い有機分子を用いることが望ましい。1-3b.実施例1における効果上記実施例1によれば、CMP工程の前処理として、ストッパー膜であるSiN膜13の表面にイミド結合で連結されるSAM15が形成される。これにより、SiN膜13の表面をSAM15により保護することで、CMPによるSiN膜13の除去量を減少させることができる。その結果、研磨面の平坦性の向上を図ることができる。1-4.実施例21-4a.実施例2におけるSAM15の形成およびCMP工程以下に、図8を用いて、第1の実施形態に係る実施例2におけるSAM15の形成およびCMP工程について説明する。実施例2は、実施例1の変形例であり、SAM15を構成する有機分子にアニオン性界面活性剤80を吸着させる例である。図8は、第1の実施形態に係る実施例2におけるSAM15の形成原理について示す図である。実施例2におけるSAM15は、図3に示す工程において、実施例1と同様に形成される。SiN膜13の表面にSAM15を形成した後、図5に示すCMP工程が行われる。ここでは、研磨パッド21としてダウケミカル製のIC1000/S400、スラリー23としてセリア砥粒を含む日立化成製のDLS2が用いられる。なお、スラリー23としては、シリカ砥粒を含むキャボット製のSS225、またはアルミナ砥粒、ジルコニア砥粒、チタニア砥粒、ベンガラ砥粒、またはマンガニア砥粒を含む種々のスラリーが用いられてもよい。ここで、実施例2では、CMP工程において、スラリー23にアニオン性界面活性剤80が添加される。この状態でCMPが進み、SAM15が露出すると、図8に示すように、アニオン性界面活性剤80とSAM15を構成する有機分子との間で、電気的相互作用および疎水基相互作用が生じる。すなわち、アニオン性界面活性剤80の陰イオンと有機分子の陽イオンとの間で電気的相互作用が生じる。また、アニオン性界面活性剤80および有機分子は互いに疎水基であるため、疎水基相互作用が生じる。これにより、有機分子SAM15の表面にアニオン性界面活性剤80が吸着する。すなわち、SiN膜13の表面がSAM15だけでなく、アニオン性界面活性剤80によっても保護される。CMP工程後、例えばアッシングにより、SAM15および吸着したアニオン性界面活性剤80が除去される。このようにして、実施例2におけるSAM15の形成およびCMP工程が行われる。1-4b.実施例2における効果上記実施例2によれば、CMP工程の前処理としてストッパー膜であるSiN膜13の表面にイミド結合で連結されるSAM15が形成され、かつCMP工程においてスラリー23にアニオン性界面活性剤80を添加することでSAM15の表面にアニオン性界面活性剤80を吸着させる。これにより、SiN膜13の表面をSAM15およびそれに吸着したアニオン性界面活性剤80により保護することで、CMPによるSiN膜13の除去量をより減少させることができる。その結果、さらなる研磨面の平坦性の向上を図ることができる。2.第2の実施形態図9を用いて、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。第1の実施形態は、STIとして埋め込まれるSiO2膜16のCMP工程の前工程において、SiN膜13の表面にSAM15を形成した。これに対し、第2の実施形態は、CMP工程において、同時にSAM15を形成する例である。以下に、第2の実施形態について詳説する。なお、第2の実施形態において、上記第1の実施形態と同様の点については説明を省略し、異なる点について説明する。2-1.STI構造の製造方法以下に、図9を用いて、第2の実施形態に係るSTI構造の製造方法について説明する。図9は、第2の実施形態に係るSTI構造の製造工程を示す断面図である。まず、第1の実施形態における図1および図2の工程が行われる。すなわち、例えばリソグラフィおよびRIEにより、SiN膜13、ポリシリコン膜12、トンネル絶縁膜11、およびシリコン基板10に溝14が形成される。次に、図9に示すように、例えばCVD法または塗布法により、全面にSTIとなるSiO2膜16が形成される。これにより、SiO2膜16は、溝14内に埋め込まれ、かつ溝14外のSiN膜13上に形成される。次に、図5に示すように、CMP法により、溝14外に形成されたSiO2膜16が除去され、表面が平坦化される。このとき、SiN膜13が露出するまでCMPが行われ、SiO2膜16は溝14内のみに埋め込まれる。ここで、本実施形態では、反応性活性分子が添加されたスラリー23を用いてCMPが行われる。これにより、CMP工程と同時に、SiN膜13の表面上に、SAM15が形成される。このSAM15の形成およびCMP工程の詳細については、後述する。このようにして、第1の実施形態に係るSTI構造が形成される。2-2.実施例32-2a.実施例3におけるSAM15の形成およびCMP工程以下に、第2の実施形態に係る実施例3におけるSAM15の形成およびCMP工程について説明する。実施例3は、CMP工程と同時に、SiN膜13の表面にイミド結合を有するSAM膜15を形成する例である。実施例3におけるSAM15は、図5に示すCMP工程において、反応性活性分子が添加されたスラリー23を用いて行われる。ここで、反応性活性分子とは、表面に到達するとSiN膜13と化学反応することで、イミド結合を形成する有機分子である。すなわち、実施例3では、SiO2膜16のCMPをストッパー膜であるSiN膜13が露出するまで行う。SiN膜13の表面が露出すると、スラリー23に含まれる反応性活性分子がSiN膜13の表面と実施例1と同様の化学結合イミド結合を形成する。これにより、CMP工程と同時に、SiN膜13上に選択的にSAM15を形成することができる。このとき、CMP工程と同時ではあるが、SiN膜13の表面がSAM15によって保護されるため、SiN膜13が除去されることを抑制することができる。また、ここでは、研磨パッド21としてダウケミカル製のIC1000/S400、スラリー23としてセリア砥粒を含む日立化成製のDLS2が用いられる。なお、スラリー23としては、シリカ砥粒を含むキャボット製のSS225、またはアルミナ砥粒、ジルコニア砥粒、チタニア砥粒、ベンガラ砥粒、またはマンガニア砥粒を含む種々のスラリーが用いられてもよい。CMP工程後、例えばアッシングにより、SAM15が除去される。このようにして、実施例3におけるSAM15の形成およびCMP工程が行われる。2-2b.実施例3における効果上記実施例3によれば、反応性活性分子が添加されたスラリー23を用いてSiO2膜16のCMPを行うことにより、同時にストッパー膜であるSiN膜13の表面にイミド結合で連結されるSAM15が形成される。これにより、SiN膜13の表面をSAM15により保護することで、CMPによるSiN膜13の除去量を減少させることができる。その結果、研磨面の平坦性の向上を図ることができる。また、実施例3では、CMPの前処理としてSAM15の形成をする必要がなく、CMPを行う際に同時にSAM15を形成する。このため、SAM15形成のためのプロセスを追加する必要がなく、プロセス時間の増加を防ぐことができる。なお、実施例3において、上述した実施例2を組み合わせることも可能である。すなわち、CMP工程において、スラリー23に反応性活性分子だけではなく、アニオン性界面活性剤80も添加する。これにより、有機分子SAM15の表面にアニオン性界面活性剤80が吸着する。すなわち、SiN膜13の表面をSAM15だけでなく、アニオン性界面活性剤80によっても保護することができる。3.第3の実施形態図10乃至図15を用いて、第3の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。第1の実施形態は、ストッパー膜となるSiN膜13の表面にイミド結合によってSAM15を形成した。これに対し、第3の実施形態は、ストッパー膜となるポリシリコン膜12の表面にシロキサン結合によってSAM30を形成する例である。以下に、第3の実施形態について詳説する。なお、第3の実施形態において、上記第1の実施形態と同様の点については説明を省略し、異なる点について説明する。3-1.STI構造の製造方法以下に、図10乃至図14を用いて、第3の実施形態に係るSTI構造の製造方法について説明する。図10乃至図14は、第3の実施形態に係るSTI構造の製造工程を示す断面図である。まず、図10に示すように、シリコン基板10上に、トンネル絶縁膜11が形成される。次に、トンネル絶縁膜11上に、電荷蓄積膜となるポリシリコン膜12が形成される。このポリシリコン膜12は、後述するSiO2膜16のCMP工程において、ストッパー膜としても機能する。次に、図11に示すように、ポリシリコン膜12上に図示せぬマスクが形成され、例えばリソグラフィおよびRIEにより、ポリシリコン膜12、トンネル絶縁膜11、およびシリコン基板10に溝14が形成される。溝14は、ポリシリコン膜12、およびトンネル絶縁膜11を貫通し、シリコン基板10の一部を除去するように形成される。その後、ポリシリコン膜12上の図示せぬマスクが除去される。次に、図12に示すように、ポリシリコン膜12の表面上に、選択的にSAM30が形成される。より具体的には、SAM30は、少なくともポリシリコン膜12の上面に形成される。このとき、図示はしないが、SAM30はポリシリコン膜12の側面に形成されてもよい。このSAM30の詳細については、後述する。次に、図13に示すように、例えばCVD法または塗布法により、全面にSTIとなるSiO2膜16が形成される。これにより、SiO2膜16は、溝14内に埋め込まれ、かつ溝14外のSAM30上に形成される。次に、図14に示すように、CMP法により、溝14外に形成されたSiO2膜16が除去され、表面が平坦化される。このとき、SAM30が露出するまでCMPが行われ、SiO2膜16は溝14内のみに埋め込まれる。このCMP工程の詳細については、後述する。このようにして、第3の実施形態に係るSTI構造が形成される。3-2.実施例43-2a.実施例4におけるSAM30の形成およびCMP工程以下に、図15を用いて、第3の実施形態に係る実施例4におけるSAM30の形成およびCMP工程について説明する。実施例4は、CMPの前工程において、ポリシリコン12の表面にシロキサン結合を有するSAM膜30を形成する例である。図15は、第3の実施形態に係る実施例4におけるSAM30の形成原理について示す図である。実施例3におけるSAM30は、図12に示す工程において、シリコン基板10の全面に反応性活性分子が溶解した水または有機溶媒を塗布する、または反応性活性分子が溶解した水または有機溶媒中にシリコン基板10全体を浸漬することによって形成される。ここで、反応性活性分子とは、表面に到達するとポリシリコン膜12と化学反応することで、シロキサン結合を形成する有機分子である。反応性活性分子としては、例えば、有機シランなどの分子OH-Si-Rが挙げられる。これにより、ポリシリコン膜12上に選択的にSAM30を形成することができる。より具体的には、有機分子とポリシリコン膜12とが以下の化学反応式2に示す脱水反応をすることにより、ポリシリコン膜12の表面上にSAM30が形成される。Si-OHOH-Si-R→Si-O-Si-RH2O2なお、化学反応式2におけるポリシリコン膜12にOH基が結合しているが、これはポリシリコン膜12を大気中に晒すことによって形成された自然酸化膜である。このとき、図15に示すように、自己組織化する有機分子は、反応性官能基がポリシリコン膜12の表面を向いた方向でポリシリコン膜12に吸着し、ポリシリコン膜12と化学結合シロキサン結合を形成する。また、有機分子は長鎖アルキル基またはベンゼン核を有するため、分子間に相互作用が生じる。より具体的には、有機分子が長鎖アルキル基を有する場合、隣接する有機分子間においてファンデルワールス力や疎水基相互作用が働く。一方、有機分子がベンゼン核を有する場合、隣接する有機分子間においてπ電子相互作用が働く。その結果、吸着分子同士が集合した方が熱的に安定化するため、分子が密に集積化する。上記反応が進むと、ポリシリコン膜12の表面は隙間なく有機分子で覆われ、ポリシリコン膜12上の反応サイトは全て覆われる。この状態に達すると、それ以上反応は進まず、膜成長はとまる。すなわち、浮遊する有機分子90がポリシリコン膜12の表面、またはすでにポリシリコン膜12の表面に吸着した有機分子上に吸着することはない。このため、SAM30は、ポリシリコン膜12の表面上に形成された単分子層として形成される。このように、SAM30は有機分子によって構成されるものであり、その有機分子は、ポリシリコン膜12との間で化学結合され、分子間相互作用によって密に集積し、単分子層を形成するものである。ポリシリコン膜12の表面にSAM30を形成した後、図14に示すCMP工程が行われる。ここでは、研磨パッド21としてダウケミカル製のIC1000/S400、スラリー23としてセリア砥粒を含む日立化成製のDLS2が用いられる。なお、スラリー23としては、シリカ砥粒を含むキャボット製のSS225、またはアルミナ砥粒、ジルコニア砥粒、チタニア砥粒、ベンガラ砥粒、またはマンガニア砥粒を含む種々のスラリーが用いられてもよい。このとき、ポリシリコン膜12の表面がSAM30によって保護されているため、ポリシリコン膜12が除去されることを抑制することができる。CMP工程後、例えばアッシングにより、SAM30が除去される。このようにして、実施例4におけるSAM30の形成およびCMP工程が行われる。なお、有機分子とポリシリコン膜12との反応において、ポリシリコン膜12の表面にOH基が存在することが必要である。このため、SAM30の形成前に、ポリシリコン膜12の表面に対して酸化処理を行ってもよい。また、SAM30の膜厚は、有機分子の長さ、すなわち、アルキル基の直鎖の長さによって決まる。ポリシリコン膜12の保護を強化するために、SAM30の膜厚は大きいほうがよい。すなわち、SAM30として形成しうる範囲でできる限り、アルキル基の直鎖が長い有機分子を用いることが望ましい。3-2b.実施例4における効果上記実施例4によれば、CMP工程の前処理として、ストッパー膜であるポリシリコン膜12の表面にシロキサン結合で連結されるSAM30が形成される。これにより、ポリシリコン膜12の表面をSAM30により保護することで、CMPによるポリシリコン膜12の除去量を減少させることができる。その結果、研磨面の平坦性の向上を図ることができる。なお、実施例4において、上述した実施例2を組み合わせることも可能である。すなわち、CMP工程において、スラリー23にアニオン性界面活性剤80を添加する。これにより、有機分子SAM30の表面にアニオン性界面活性剤80が吸着する。すなわち、ポリシリコン膜12の表面をSAM30だけでなく、アニオン性界面活性剤80によっても保護することができる。4.各実施例における効果図16および図17を用いて、上記各実施例における効果について説明する。図16は、比較例1~3におけるCMPによるストッパー膜除去量の結果を示す図である。図17は、実施例1~4におけるCMPによるストッパー膜除去量の結果を示す図である。ここで、形成されるストッパー膜の膜厚は、SiN膜13の場合は15nm程度であり、ポリシリコン膜12の場合は数10nm程度である。また、ストッパー膜除去量は、以下の基準で評価した。5nm以下:◎10nm以下:○15nm以上:×比較例1は、ストッパー膜がSiN膜、ストッパー前処理SAM形成無し、スラリーがセリア砥粒、スラリーに添加剤無しの例である。すなわち、ストッパー膜であるSiN膜が保護されていない例である。比較例2は、ストッパー膜がSiN膜、ストッパー前処理SAM形成無し、スラリーがセリア砥粒、スラリーにアニオン性界面活性剤添加の例である。すなわち、ストッパー膜であるSiN膜がアニオン性界面活性剤で保護される例である。比較例3は、ストッパー膜がポリシリコン膜、ストッパー前処理SAM形成無し、スラリーがシリカ砥粒、スラリーにアニオン性界面活性剤添加の例である。すなわち、ストッパー膜であるポリシリコン膜がアニオン性界面活性剤で保護される例である。図16に示すように、比較例1は、ストッパー膜が保護されていないため、ストッパー膜除去量が多くなり、その評価は許容範囲内にない。一方、比較例2および比較例3では、ストッパー膜がアニオン性界面活性剤で保護されている。しかし、アニオン性界面活性剤の吸着が電気的相互作用によるものであり、吸着が弱く、不均一である。このため、比較例2および比較例3でもストッパー膜の保護が弱くなるため、ストッパー膜除去量が多くなり、その評価は許容範囲内にない。これに対し、図17に示すように、実施例1,3,4では、ストッパー膜がSAM15,30で保護されている。このため、ストッパー膜除去量を10nm以下にすることができ、許容範囲に抑えることができる。また、実施例2では、ストッパー膜がSAM15およびアニオン性界面性活性剤80で保護されている。このため、ストッパー膜除去量を5nm以下にすることができ、より許容範囲に抑えることができる。したがって、素子の微細化に伴うストッパー膜除去量の問題を解決することができる。なお、各実施例および各比較例において、砥粒として他の砥粒、例えばセリア砥粒、シリカ砥粒、アルミナ砥粒、ジルコニア砥粒、チタニア砥粒、ベンガラ砥粒、およびマンガニア砥粒をいずれかを用いても同様の結果が得られる。5.適用例図18乃至図22を用いて、各実施例の適用例について説明する。ここでは、各実施例におけるSAM15,30を配線構造ダマシン構造に適用する例について説明する。5-1.配線構造の製造方法以下に、図18乃至図22を用いて、適用例に係る配線構造の製造方法について説明する。図18乃至図22は、適用例に係る配線構造の製造工程を示す断面図である。まず、図18に示すように、半導体素子例えば、トランジスタTrが形成された半導体基板10上に、絶縁膜41が形成される。絶縁膜41は、例えばSiO2膜で構成される。この絶縁膜41にコンタクトホールが形成され、このコンタクトホール内に図示せぬバリアメタルを介してコンタクトプラグ42が形成される。コンタクトプラグ42は、例えばWで構成される。これにより、絶縁膜41およびコンタクトプラグ42を含むコンタクト層が形成される。次に、コンタクト層上に、絶縁膜43が形成される。絶縁膜43は、例えばSiO2膜で構成される。絶縁膜43上に、ストッパー膜となるSiN膜44が形成される。次に、図19に示すように、SiN膜44上に図示せぬマスクが形成され、例えばリソグラフィおよびRIEにより、SiN膜44および絶縁膜43を貫通する凹部としての配線溝45が形成される。その後、SiN膜44上の図示せぬマスクが除去される。次に、図20に示すように、SiN膜44の表面上に、選択的にSAM46が形成される。このSAM46は、実施例1と同様に形成することができる。すなわち、ストッパー膜となるSiN膜44の表面にイミド結合で連結されるSAM46が形成される。次に、図21に示すように、例えばCVD法より、全面に配線となる金属膜47が形成される。これにより、金属膜47は、溝45内に埋め込まれ、かつ溝45外のSAM46上に形成される。金属膜47は、例えばWまたはCuで構成される。次に、図22に示すように、CMP法により、溝45外に形成された金属膜47が除去され、表面が平坦化される。このとき、SAM46が露出するまでCMPが行われ、金属膜47は溝45内のみに埋め込まれる。このとき、SiN膜44の表面がSAM46によって保護されているため、SiN膜44が除去されることを抑制することができる。このようにして、配線構造が形成される。なお、ここでは、実施例1を適用した配線構造を例について説明したが、これに限らない。配線構造においても、実施例2~4を適用することができる。より具体的には、図22に示す工程において、スラリーにアニオン性界面活性剤を添加する、すなわち、実施例2を適用してもよい。また、図20に示す工程においてSAM46を形成せず、図22に示すCMP工程においてスラリーに反応性活性分子を添加することでSAM46を形成する、すなわち、実施例3を適用してもよい。また、図18に示す工程においてストッパー膜としてSiN膜44を形成せず、図20に示す工程においてストッパー膜としてSiO2膜で構成される絶縁膜43の表面にシロキサン結合を有するSAMを形成してもよい。すなわち、実施例4を適用してもよい。その他、本発明は、上記各実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で、種々に変形することが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。"