少なくとも前面がポリシングされた半導体ウェハを準備し、枚葉式エピタキシャル反応器中のサセプタに裁置し、1000~1200°Cの堆積温度で化学気相蒸着によりエピタキシャル層をポリシングされた前面に設けることにより被覆するエピタキシャル被覆させた半導体ウェハの製造方法において、エピタキシャル被覆が行われた後に堆積温度で前記半導体ウェハを1~60秒間持ち上げて、堆積された半導体材料により生じたサセプタとウェハとの間の結合を、前記ウェハが冷却される前に裂開することを保障する、エピタキシャル被覆させた半導体ウェハの製造方法。エピタキシャル被覆が行われ、かつ前記半導体ウェハが短時間持ち上げられた後に、前記半導体ウェハを1200°C~900°Cの温度範囲で1秒あたり5°Cより低い速度で冷却する、請求項1記載の方法。半導体ウェハを、1200~900°Cの温度範囲内で、1秒あたり3°C以下の速度で冷却する、請求項2記載の方法。半導体ウェハを、1200~1000°Cの温度範囲内で、1秒あたり1.5°C以下の速度で冷却する、請求項3記載の方法。半導体ウェハを、900°Cの温度の達成後に、1秒あたり5°C以上の速度で冷却する、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。このため、本発明者は、先行技術の欠点を回避しながら応力のないエピタキシャル被覆させた半導体ウェハを提供するという課題を設定した。本発明の前記課題は、少なくとも前面がポリシングされた半導体ウェハを準備し、枚葉式エピタキシャル反応器中のサセプタに裁置し、1000~1200°Cの温度で化学気相蒸着によりエピタキシャル層をポリシングされた前面に設けることにより被覆するエピタキシャル被覆させた半導体ウェハの製造方法において、エピタキシャル被覆が行われた後に、前記半導体ウェハを1200~900°Cの温度範囲で、1秒あたり5°Cより低い速度で冷却する、エピタキシャル被覆させた半導体ウェハの製造方法により解決される。通常では、枚葉式反応器例えばAMATのCentura又はASMのEpsilonの場合に、エピタキシャル被覆の後にプロセス室からプロセスガスをパージして除去するためになお数秒間パージを続ける。次いで、高いランプレート>5°C/sで冷却され、しばしばランプも完全にスイッチオフされ、一定の出力で冷却される。これによりウェハ中の応力は高まる。本発明の場合には、しかしながらまだ高い温度で5°C/s未満の低いランプレートで、有利に1~5°C/sで、特に有利に3°C/s以下で、更に特に有利に1.5°C/s以下で冷却される。例えば、このエピタキシャル被覆は1150°Cの温度で行われる。引き続き、1150~1050°Cの温度範囲で、1~2°C/sのランプレートで冷却し、1050°Cより下では1050°C~950°Cの温度範囲で3°C/sで冷却する。900°Cを下回る低い温度で、有利に5°C/s以上で冷却される。本発明者は、低いランプレートにより高い温度この温度の場合でも転位の移行のためのエネルギーはまだ極めて僅かであるで、ウェハとサセプタとの間に大きな温度差が生じることが抑制されることを知見した。それにより熱流も低減され、これはまたもや応力及びそれと共に転位の移行を抑制する。特に、前記ウェハの冷却時に、前記サセプタと前記ウェハとを常に同じ温度に保つことは、先行技術の場合にはほとんど不可能である。従って、先行技術において生じる応力は冷却の際に増大する。本発明の前記課題は、少なくとも前面がポリシングされた半導体ウェハを準備し、枚葉式エピタキシャル反応器中のサセプタに裁置し、1000~1200°Cの堆積温度で化学気相蒸着によりエピタキシャル層をポリシングされた前面に設けることにより被覆するエピタキシャル被覆させた半導体ウェハの製造方法において、エピタキシャル被覆が行われた後に堆積温度で前記半導体ウェハを1~60秒間持ち上げて、堆積された半導体材料により生じたサセプタとウェハとの間の結合を、ウェハが冷却される前に裂開することを保障することを特徴とする、エピタキシャル被覆させた半導体ウェハの製造方法によっても解決される。この場合でも、エピタキシャル被覆が行われかつウェハを持ち上げた後に、前記ウェハを1200~900°Cの温度範囲内で5°C/sよりも低い速度で冷却することも有利である。ウェハを短時間持ち上げることにより、ウェハとサセプタとの間の場合による結合ブリッジブリッジングを裂開することが達成される。それにより、ウェハとサセプタとの間での大量の熱が流れることが抑制される、それというのも理想的にはこのように点接触が存在するだけであるためである。このウェハは、有利に約1秒~5秒までの短時間持ち上げられる。前記ウェハは、この場合、有利に約1mm~約2mm持ち上げられるだけである。このウェハは、有利に先行技術によるリフトピンを用いて持ち上げられる。引き続き、前記ウェハを再びサセプタ上に裁置することで、前記サセプタの熱を調整する作用を利用する。このウェハを短時間持ち上げた後及び冷却の間に、前記ウェハを再びサセプタに裁置する。これとは別に、前記ウェハは若干長く、有利に10~60s間持ち上げられる。従って、一方で、またもや結合ブリッジブリッジングは裂開され、他方で、持ち上げプロセスの際にまだ高い温度で場合による応力をまたもやいくらか解消させることができる。本発明による方法の場合に、まず少なくとも前面がポリシングされた多数の半導体ウェハを準備する。このため、先行技術により、有利にチョクラルスキー法によるるつぼ引き上げにより製造された単結晶を、公知の切断法で、有利に遊離砥粒スラリー又は固定砥粒ダイヤモンドワイヤを用いたワイヤソーにより多数の半導体ウェハに切り分ける。更に、機械加工工程、例えば連続する片面研磨法、同時両面研磨法DDG又はラッピングが行われる。半導体ウェハのエッジは、場合により存在する機械的標識、例えばノッチ又はフラットを含めて、一般に加工されるエッジ-ノッチ-研削。更に、洗浄工程及びエッチング工程を含む化学的処理工程が行われる。研磨工程、洗浄工程及びエッチング工程の後に、先行技術により、有利に一次研磨による前記半導体ウェハの表面の平滑化が行われる。これは、有利に両面ポリシングDSPによって行われ、前記半導体ウェハはこのために薄い歯付ディスク内にルーズに挿入され、前面と背面とを同時に研磨布で覆われた上定盤と下定盤との間を自由に浮動してポリシングされる。更に、準備された半導体ウェハの前面を有利に条痕がなくなるようにポリシングする、例えば軟らかい研磨布でアルカリ性ポリシングゾルを用いてポリシングされる。文献中には前記工程はCMPポリシングケモメカニカルポリシングchemomechanicalpolishingとしてしばしば表される。前記ポリシングの後に、前記半導体ウェハを有利に先行技術により親水性に洗浄し及び乾燥させる。引き続き、エピタキシャル層を準備された半導体ウェハの研磨された前面に枚葉式反応器中で堆積させる。前記半導体ウェハは、この場合、有利にサセプタ上に直接置かれるのではなく、前記サセプタ上に裁置されているリング上に置かれ、前記半導体ウェハの背面はサセプタの底面側に向いている。前記サセプタの底面は、有利にガス透過性構造を有する多孔性、例えば先行技術によるフェルト型サセプタ、又は多孔型サセプタ。前記リングは有利に炭化ケイ素からなるリングである。エピタキシャル反応器は、有利に枚葉式反応器、特に有利にASM社又はAppliedMaterials社の枚葉式反応器AMATCenturaEpiである。この準備された半導体ウェハは、有利に150mm、200mm、300mm及び450mmの直径を有する。前記反応体ウェハの前処理の間に、エピタキシャル被覆させるべき半導体ウェハは通常では予熱され、パージガス、通常では水素雰囲気にさらされて、自然酸化膜が除去される。前記酸化膜の除去の後、通常ではエッチング媒体、有利に塩化水素を前記パージガスに添加して、エピタキシャル層を堆積させる前に前記半導体ウェハの前面の表面を平滑にする。エピタキシャル層の堆積のために、エピタキシャル被覆させる半導体ウェハを通常では堆積温度にもたらし、前記半導体ウェハの前面を堆積ガスと接触させ、前記基板ウェハの背面は更に前記パージガスの影響にさらしたままにする。前記堆積ガスは、通常では、その化学的分解の後に層を形成する材料を提供する化合物を含有する。前記材料には、有利にケイ素、ゲルマニウム及びドーパント、例えばホウ素、リン又はヒ素が含まれる。特に、堆積ガスはトリクロロシラン、水素及びジボランから構成されるのが有利である。前記エピタキシャル層を堆積させた後に、このエピタキシャル被覆させた半導体ウェハを、有利に前記反応器を貫流する水素流中で冷却させる。有利にサセプタ上に裁置されたリングの効果は、前記半導体ウェハを前記サセプタと接触させないことであり、従ってその面内に応力点がないか又は僅かにしかない。前記半導体ウェハは、従って、その面内に広範囲に応力を有しておらず、つまり機械的応力を有していない。サセプタに裁置されたリング2つの部分からなるウェハホルダとは別に、これは1つの部分からなるサセプタでのエッジサポートによっても達成することができるいわゆるレッジサポート。このようなサセプタの使用は特に有利である。更に、炭化ケイ素からなるリングは、半導体ウェハとサセプタとの間の一種の絶縁又は熱緩衝であるという作用を有する。これは、エッジ部での支持点でも、転位及び滑りを引き起こしかねない熱による応力があまり生じないという効果を有する。前記の使用された枚葉式反応器は、通常ではIRランプによって上下から加熱される。慣用のサセプタ裁置されるリングなし、レッジなしの使用の場合に、前記半導体ウェハは前処理工程及び被覆工程の間にサセプタよりも高温であるという効果を有する。この場合、前記サセプタとの接触点で熱により引き起こされる応力が生じ、前記応力は最悪の場合には前記半導体ウェハの転位及び滑りを引き起こしてしまう。しかしながら、炭化ケイ素からなる裁置されたリングを有するサセプタの場合には、前記リングの温度は前記サセプタの温度よりも高く、前記半導体ウェハの温度とほぼ同じ温度値である。先行技術の場合に生じる熱応力を低減することができる。前記効果は、半導体ウェハの温度がサセプタの温度よりも低い場合に生じ、これは堆積工程後の半導体ウェハの冷却の場合に該当する。この場合でも前記リングは一種の熱緩衝として作用する。しかしながら、サセプタに裁置された付加的リングの使用により背面の堆積を常に回避できるとはいえないことが明らかになった、それというのも、堆積ガスはやはりサセプタと半導体ウェハとの間に到達し、それにより前記半導体ウェハの背面に到達できるためである。従って、付加的なリングサポートが使用されている場合であっても、エピタキシャル被覆後にウェハを持ち上げて、半導体ウェハとサセプタとの間の結合箇所を裂開させることが特に有利である。エピタキシャル被覆させるべき半導体ウェハは有利に単結晶シリコンからなるウェハであり、前記ウェハ上にエピタキシャルシリコン層が設けられる。エピタキシャル被覆させるべきシリコンウェハの少なくとも前面はポリシングされているのが有利である。エピタキシャル被覆させるべきシリコンウェハの背面はエッチングされかつポリシングされているのが有利である。前記のエピタキシャル被覆させるべきシリコンウェハは、有利に150mm、200mm、300mm及び450mmの直径を有する。前記の本発明による方法は、前面及び背面を有し、その前面にエピタキシャル層が設けられていて、かつ光弾性応力測定SIRDにより特に周辺領域に応力がない半導体ウェハを製造するために適している。例えば、応力の測定のために、PVATePla社のSIRDScanningInfraredDepolarization計測系又はJenaWave社の機器SIRD300が適している。前記TePlaSIRD機器の感度は6kPaである。前記SIRD計測機器を用いて、前記半導体ウェハの前面及び背面も、周辺領域も調査することができる。例えば寸法測定機器の場合には、僅かな周辺部除外領域だけが存在する通常では0.5mの周辺部除外領域。前記周辺領域とは、例えば、ウェハの周辺部除外領域から内側の中心に向って延在するウェハのリング状の領域であると解釈される。直径300mmのウェハで、周辺部除外領域0.5mmでのSIRD測定の場合には、例えば、外径299mm及び内径293mmの3mmの幅のリングであることができる従ってウェハの中心から見て半径値は149.5~146.5mm。SIRDによって調査される半導体ウェハ中の応力に関するデータは、他に記載がない限り、前記半導体ウェハの前面及び背面及び周辺領域に関する。SIRDによる応力の特性決定のために、有利に使用された装置の感度に相当する応力限界値を設定する。前記応力限界値を上回る応力が検出できない場合には、前記ウェハは使用された計測学によりSIRD応力なしと見なすことができる。Jenawave社のSIRD計測機器は、ウェハの所定の領域、つまり周辺領域だけを調査することができる。更に、所定の領域、特にノッチ領域並びに測定装置の支持点を測定及び分析から除外することもできる。前記半導体ウェハは、有利に、前面がポリシングされかつ前記のポリシングされた前面にエピタキシャル層を備えた半導体ウェハである。前記半導体ウェハの背面はエッチングされかつポリシングされているのが有利である。前記半導体ウェハは、有利に150mm、200mm、300mm及び450mmの直径を有する。前記のエピタキシャル被覆された半導体ウェハは有利にエピタキシャルシリコン層が設けられている単結晶シリコンからなるウェハである。次に、本発明を図面により具体的に説明する。図1は、本発明によるエピタキシャル被覆された半導体ウェハのSIRD測定結果を示す。ここでは、周辺部にも前記半導体ウェハの領域内にも応力フィールドは示されていない。この4つの明らかな点は、SIRD測定機器の3つの支持点及びオリエンテーションノッチNotchに起因する。図2は、先行技術によるエピタキシャル被覆された半導体ウェハのSIRD測定結果を示す。ここでは、局所的な応力フィールドは前記半導体ウェハの周辺部で測定され、前記応力フィールドは120キロパスカルの応力差に相当する。この干渉縞は前記ウェハの厚さの変化を示さない。縞は、それぞれ異なる位相速度を有する通常レーザー光線及び異常レーザー光線の緩衝により生じる。図3は、図1においてみられる支持点の意味を示す。3つの支持点を見ることができ、これらの支持点はSIRD計測機器の支持装置上に前記半導体ウェハを裁置することに起因している。更に他の1つの点を確認することができ、この点は機械的標識、例えばノッチ又はフラット又はレーザーマーキングに起因している。前記の支持点並びに場合により存在する機械的標識は、半導体ウェハのそれぞれのSIRD測定の場合に見られる。しかしながら、重大な応力フィールドではなく、これらはSIRDによって定量的に検出可能である。図4~6の実施例について、0.5mmの周辺部除外領域を用いて、前記ウェハの周辺領域を4mmの幅のリングにおいてSIRDで調査した。前記測定感度は6kPaであった。リング状のSiCサポートを備えた多孔性サセプタをそれぞれの場合に使用した。図4は、標準冷却を行った、先行技術によるエピタキシャル被覆された半導体ウェハの周辺部のSIRD測定結果を示す。ここでは、4つの常に存在する点支持点及びノッチの他にさらなる応力フィールドが示されている。図5及び6は、本発明によるエピタキシャル被覆された半導体ウェハの周辺部のSIRD測定結果を示す。図5中のウェハは、エピタキシャル被覆後に本発明により冷却した。この調査された領域はSIRDにより応力がない。図6中のウェハは、エピタキシャル被覆後に、本発明により短時間持ち上げられ、ウェハとサセプタとの間の結合ブリッジを裂開した。この場合でも、調査された領域はSIRDにより応力がない。