"ビーム経路に沿って増幅光ビームを生成し、内部表面を形成するチャンバ内のターゲット材料を照射して極紫外線を発生させるように構成され、光源波長の光を増幅するための利得媒体を含む光源と、前記チャンバの前記内部表面の少なくとも一部分の上に重なり、かつ前記ビーム経路に沿って戻る該内部表面からの前記光源波長の光の流れを低減するように構成されたサブシステムと、を含むことを特徴とする装置。前記光源は、レーザ光源であり、前記増幅光ビームは、レーザビームであることを特徴とする請求項1に記載の装置。前記サブシステムは、少なくとも1つのベーンを含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。前記少なくとも1つのベーンは、チャンバ壁から前記増幅光ビームの経路内に延びるように構成されることを特徴とする請求項3に記載の装置。前記少なくとも1つのベーンは、前記増幅光ビームの中心の通過のための中心開口領域を形成する円錐形状を有することを特徴とする請求項3に記載の装置。前記サブシステムは、前記ターゲット材料の化合物を少なくとも1つのガス及び少なくとも1つの固体に化学的に分解して該ガスの前記チャンバの内部から除去を可能にするように構成されることを特徴とする請求項1に記載の装置。前記ターゲット材料化合物は、水素化錫を含み、前記少なくとも1つのガスは、水素であり、前記少なくとも1つの固体は、濃縮された錫であることを特徴とする請求項6に記載の装置。前記濃縮された錫は、溶融状態にあることを特徴とする請求項7に記載の装置。前記光源波長は、赤外線波長範囲にあることを特徴とする請求項1に記載の装置。前記光源は、1つ又はそれよりも多くの電力増幅器を含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。前記光源は、1つ又はそれよりも多くの電力増幅器にシード光を供給する主発振器を含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。前記サブシステムは、前記内部チャンバ表面に接触することを特徴とする請求項1に記載の装置。前記サブシステムは、コーティングを含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。前記コーティングは、反射防止コーティングであることを特徴とする請求項13に記載の装置。前記コーティングは、吸収反射防止コーティングであることを特徴とする請求項13に記載の装置。前記コーティングは、干渉コーティングであることを特徴とする請求項13に記載の装置。極紫外線を生成する方法であって、真空チャンバの内部内のターゲット位置でターゲット材料を生成する段階と、駆動レーザシステム内の少なくとも1つの光増幅器の利得媒体にポンプエネルギを供給し、それによって光源波長の増幅光ビームを生成する段階と、ビーム経路に沿って前記増幅光ビームを誘導し、それによって前記ターゲット材料を照射して極紫外線を発生させる段階と、前記真空チャンバの内部表面から前記ビーム経路までの前記光源波長の光の流れを低減する段階と、を含むことを特徴とする方法。前記増幅光ビームが前記ターゲット位置と交差して前記ターゲット材料に衝突する時に該ターゲット材料から放出される前記発生された極紫外線を集光する段階を更に含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。前記光源波長の光の流れを低減する段階は、前記ビーム経路と異なる経路に沿って前記増幅光ビームの少なくとも一部分を誘導する段階を含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。前記光源波長の光の流れを低減する段階は、チャンバサブシステムの2つのベーンの間に前記増幅光ビームの少なくとも一部分を反射する段階を含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。前記少なくとも1つの光増幅器の前記利得媒体にポンプエネルギを供給する段階は、前記光源波長のレーザビームを生成することを特徴とする請求項17に記載の方法。前記ターゲット材料の化合物を少なくとも1つのガス及び少なくとも1つの固体に化学的に分解して該ガスの前記チャンバの前記内部からの除去を可能にする段階を更に含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。前記化合物を化学的に分解する段階は、水素化錫を水素及び濃縮された錫に化学的に分解する段階を含むことを特徴とする請求項22に記載の方法。前記真空チャンバの前記内部表面から前記ビーム経路までの前記光源波長の前記光の流れを低減するチャンバサブシステム内に前記濃縮された錫を捕捉する段階を更に含むことを特徴とする請求項23に記載の方法。一部の一般的な態様では、装置は、チャンバ内のターゲット材料を照射し、かつ極紫外線を発生させるためにビーム経路に沿って光源波長の増幅光ビームを生成するための利得媒体を有する光源と、チャンバの内部表面の少なくとも一部分の上に重なり、かつビーム経路に沿って戻る内部表面からの光源波長の光の流れを低減するように構成されたサブシステムとを含む。実施例は、以下の特徴の1つ又はそれよりも多くを含むことができる。光源は、レーザ光源とすることができ、増幅光ビームは、レーザビームとすることができる。サブシステムは、少なくとも1つのベーンを含むことができる。少なくとも1つのベーンは、チャンバ壁から増幅光ビームの経路内に延びるように構成することができる。少なくとも1つのベーンは、増幅光ビームの中心の通過のための中心開口領域を形成する円錐形状を有することができる。サブシステムは、チャンバの内部からガスの除去を可能にするためにターゲット材料の化合物を少なくとも1つのガス及び少なくとも1つの固体に化学的に分解するように構成することができる。ターゲット材料化合物は、水素化錫を含むことができ、少なくとも1つのガスは、水素とすることができ、少なくとも1つの固体は、濃縮された錫とすることができる。濃縮された錫は、溶融状態とすることができる。光源波長は、赤外線波長範囲にあるとすることができる。光源は、1つ又はそれよりも多くの電力増幅器を含むことができる。光源は、1つ又はそれよりも多くの電力増幅器にシード光を供給する主発振器を含むことができる。サブシステムは、内部チャンバ表面に接触することができる。サブシステムは、内部チャンバ表面上にコーティングを含むことができる。コーティングは、反射防止コーティングとすることができる。コーティングは、吸収反射防止コーティングとすることができる。コーティングは、干渉コーティングとすることができる。他の一般的な態様では、極紫外線は、真空チャンバの内部内のターゲット位置でターゲット材料を生成し、駆動レーザシステム内の少なくとも1つの光増幅器の利得媒体にポンプエネルギを供給することによって光源波長の増幅光ビームを生成し、ビーム経路に沿って増幅光ビームを誘導することによってターゲット材料を照射して極紫外線を発生させ、かつ真空チャンバの内部表面からビーム経路までの光源波長の光の流れを低減することによって生成される。実施例は、以下の特徴の1つ又はそれよりも多くを含むことができる。例えば、増幅光ビームがターゲット位置と交差してターゲット材料に衝突した時にターゲット材料から放出される発生極紫外線は、集光することができる。光源波長の光の流れは、ビーム経路と異なる経路に沿って増幅光ビームの少なくとも一部分を誘導することによって低減することができる。光源波長の光の流れは、チャンバサブシステムの2つのベーンの間に増幅光ビームの少なくとも一部分を反射することによって低減することができる。増幅光ビームは、レーザビームとすることができる。ターゲット材料の化合物は、チャンバの内部からのガスの除去を可能にするために少なくとも1つのガス及び少なくとも1つの固体に化学的に分解することができる。ターゲット材料化合物は、水素化錫を水素及び濃縮された錫に化学的に分解することによって化学的に分解することができる。濃縮された錫は、真空チャンバの内部表面からビーム経路までの光源波長の光の流れを低減するチャンバサブシステム内に捕捉することができる。図1を参照すると、LPPのEUV光源100は、ターゲット材料114に向けてビーム経路に沿って進む増幅光ビーム110で真空チャンバ130内のターゲット位置105でターゲット材料114を照射することによって形成される。増幅光ビーム110がターゲット材料114に衝突した時に、ターゲット材料114は、輝線をEUV範囲に有する元素を有するプラズマ状態にターゲット材料を変換する。光源100は、レーザシステム115の1つ又は複数の利得媒体内の反転分布によって増幅光ビームを生成する駆動レーザシステム115を含む。ターゲット位置105は、真空チャンバ130の内部107内にある。真空チャンバ130は、1次チャンバ132及び2次チャンバ134を含む。2次チャンバ134は、内部192内にチャンバサブシステム190を収容する。チャンバサブシステム190は、取りわけ、増幅光ビーム110がチャンバに衝突した時にチャンバ130の内壁で生成される輝き反射を低減し、それによってビーム経路に沿って反射される光量を低減し、かつ自己レージングを低減するために2次チャンバ内部192内に設けられる。チャンバサブシステム190は、輝き及び自己レージングの低減を引き起こす2次チャンバ内部192に増設されたいずれかのものとすることができる。従って、チャンバサブシステム190は、例えば、2次チャンバ内部192に突出する1組の固定式平坦面のような光を捕捉する剛性デバイスとすることができる。このような固定式平坦面は、以下で詳細に説明するように、ベーンの間の空間が入光時の経路に沿って光が殆ど漏出しない非常に深い空洞を形成するように、2次チャンバ134内に進む増幅光ビームの経路に突出する尖端が成形されたベーンとすることができる。次に、2次チャンバ134及びチャンバサブシステム190の設計及び作動を説明する前に光源100の他の特徴に対して説明する。光源100は、レーザシステム115とターゲット位置105の間にビーム送出システムを含み、ビーム送出システムは、ビーム移送システム120及び集束アセンブリ122を含む。ビーム移送システム120は、増幅光ビーム110をレーザシステム115から受け取って、必要に応じて増幅光ビーム110をステアリング及び修正して増幅光ビーム110を集束アセンブリ122に出力する。集束アセンブリ122は、増幅光ビーム110を受け取ってターゲット位置105にビーム110を集束させる。光源100は、例えば、液滴、液体流れ、固体粒子又はクラスター、液滴内に含有された固体粒子、又は液体流れ内に含有された固体粒子の形態でターゲット材料114を送出するターゲット材料送出システム24を含む。ターゲット材料114は、例えば、水、錫、リチウム、キセノン、又はプラズマ状態に変換された時にEUV範囲の輝線を有するあらゆる材料を含むことができる。例えば、元素錫は、純粋な錫Snとして、錫化合物、例えば、SnBr4、SnBr2、SnH4として、錫合金、例えば、錫ガリウム合金、錫インジウム合金、錫インジウムガリウム合金、又はこれらの合金のあらゆる組合せとして使用することができる。ターゲット材料114は、錫のような上述の元素のうちの1つで被覆したワイヤを含むことができる。ターゲット材料は、固体状態である場合に、リング、球、又は立方体のようなあらゆる適切な形状を有することができる。ターゲット材料114は、ターゲット材料送出システム125によりチャンバ130の内部107に及びターゲット位置105に送出することができる。ターゲット位置105は、プラズマを生成するためにターゲット材料114が増幅光ビーム110によって照射される位置である照射部位とも呼ばれる。一部の実施例では、レーザシステム115は、1つ又はそれよりも多くの主パルス、及び一部の場合には1つ又はそれよりも多くのプレパルスを供給する1つ又はそれよりも多くの光増幅器、レーザ、及び/又はランプを含むことができる。各光増幅器は、高い利得で望ましい波長を光学的に増幅することができる利得媒体と、励振源と、内部光学系とを含む。光増幅器は、レーザ反射ミラー又はレーザ空洞を形成する他のフィードバックデバイスを有するか又は有していない場合がある。従って、レーザシステム115は、たとえレーザ空洞がない場合でも、レーザ増幅器の利得媒体内の反転分布によって増幅光ビーム110を生成する。更に、レーザシステム115は、レーザシステム115に十分なフィードバックを供給するレーザ空洞がある場合のコヒーレントレーザビームである増幅光ビーム110を生成することができる。増幅光ビームという用語は、以下のもの、すなわち、単に増幅されるが必ずしもコヒーレントレーザ発振であるというわけではないレーザシステム115からの光及び増幅されかつコヒーレントレーザ発振でもあるレーザシステム115からの光のうちの1つ又はそれよりも多くを包含する。レーザシステム115内の光増幅器は、CO2を含む充填ガスを利得媒体として含むことができ、約9100と約11000nmの間の波長で、特に、約10600nmで1000を超えるか又はそれに等しい利得で光を増幅することができる。レーザシステム115に使用される適切な増幅器及びレーザは、パルスレーザデバイス、例えば、DC又はRF励起を用いて、比較的高い電力、例えば、10kW又はそれよりも大きく、かつ高いパルス繰返し数、例えば、50kHz又はそれよりも高く作動する例えば約9300nm又は約10600nmで放射線を生成するパルスガス放電CO2レーザデバイスを含むことができる。レーザシステム115内の光増幅器は、より高い電力でレーザシステム115を作動する時に使用することができる水のような冷却システムを含むことができる。図2Aを参照すると、1つの特定的な実施例では、レーザシステム115は、複数の増幅段を有し、かつ例えば100kHzでの作動が可能である低エネルギ及び高繰返し数のQスイッチ式主発振器MO200により開始されるシードパルスを有する主発振器/電力増幅器MOPA構成を有する。MO200からは、例えば、ビーム経路212に沿って進む増幅光ビーム210を生成するためにRFポンプ高速軸流CO2増幅器202、204、206を使用してレーザパルスを増幅することができる。3つの光増幅器202、204、206が示されたが、僅か1つの増幅器及び3つよりも多い増幅器をこの実施例に使用することができると考えられる。一部の実施例では、CO2増幅器202、204、206の各々は、内部ミラーにより折り返される10メートルの増幅器長を有するRFポンプ軸流CO2レーザ立方体とすることができる。代替的に、更に図2Bを参照すると、駆動レーザシステム115は、ターゲット材料114が光空洞の1つのミラーとして機能するいわゆる自己ターゲット式レーザシステムとして構成することができる。一部の自己ターゲット式構成において、主発振器は不要とすることができる。レーザシステム115は、各チャンバが固有の利得媒体及び励振源、例えば、励起電極を有するビーム経路262に沿って直列に配置された一連の増幅チャンバ250、252、254を含む。各増幅器チャンバ250、252、254は、例えば、10600nmの波長λの光を増幅する例えば1,000~10,000の結合一回通過利得を有するRFポンプ高速軸流CO2増幅器チャンバとすることができる。増幅器チャンバ250、252、254の各々は、単独で設定された時に1回よりも多く増幅光ビームに利得媒体を通過させるのに必要とされる光学系を含まないようにレーザ空洞共振器ミラーなしで設計することができる。それにも関わらず、上述のように、レーザ空洞は、以下のように構成することができる。この実施例では、レーザシステム115に後部部分反射光学系264を追加してターゲット材料114をターゲット位置105に置くことによってレーザ空洞を形成することができる。光学系264は、例えば、約10600nmの波長CO2増幅チャンバが使用される場合は増幅光ビーム110の波長が得られるように約95の反射率を有する平面ミラー、曲面ミラー、位相共役ミラー、又はコーナ反射器とすることができる。ターゲット材料114及び後部部分反射光学系264は、増幅光ビーム110の一部をレーザシステム115に反射してレーザ空洞を形成するように作用する。従って、ターゲット位置105にターゲット材料114が存在することにより、レーザシステム115がコヒーレントレーザ発振を生成させるのに十分なフィードバックが得られ、この場合に、増幅光ビーム110は、レーザビームと考えることができる。ターゲット材料114がターゲット位置105に存在しない時に依然として増幅光ビーム110を生成するようにレーザシステム115を励起することはできるが、光源100内の何らかの他の構成要素が十分なフィードバックを行わなければコヒーレントレーザ発振を生成しないであろう。特に、ターゲット材料114との増幅光ビーム110の交差中に、ターゲット材料114は、増幅チャンバ250、252、254を通過する光空洞を確立するように光学系264と協働してビーム経路262に沿って光を反射することができる。この構成は、チャンバ250、252、254の各々の中のレーザビームを生成する利得媒体が励起されてターゲット材料114を照射し、プラズマを作り出してチャンバ130内のEUV光の放射を生成した時に、ターゲット材料114の反射率が光学利得に空洞光学系264及び液滴で形成された内の光損失を超えさせるのに十分であるように構成される。この構成では、光学系264、増幅器250、252、254、及びターゲット材料114は、ターゲット材料が光空洞の1つのミラーいわゆるプラズマミラー又は機械式qスイッチとして機能するいわゆる自己ターゲット式レーザシステムを形成するように結合される。自己ターゲット式レーザシステムは、代理人整理番号第2006-0025-01号である2006年10月13日出願のEUV光源のための駆動レーザ送出システムという名称の米国特許出願第11/580,414号明細書に開示されており、この特許の開示内容全体は、引用により本明細書に組み込まれている。用途により、他のタイプの増幅器又はレーザ、例えば、高電力及び高パルス繰返し数で作動するエキシマ又は分子フッ素レーザも適切とすることができる。例としては、例えば、米国特許第6,625,191号明細書、米国特許第6,549,551号明細書、及び米国特許第6,567,450号明細書に示すような繊維又は円盤型利得媒体、MOPA構成エキシマレーザシステムを有する固体レーザ、1つ又はそれよりも多くのチャンバ、例えば、発振チャンバ及び1つ又はそれよりも多くの増幅チャンバ増幅チャンバは並列又は直列を有するエキシマレーザ、主発振器/電力発振器MOPO構成、電力発振器/電力増幅器POPA構成があり、又は1つ又はそれよりも多くのエキシマ又は分子フッ素増幅器又は発振器チャンバにシード光を送出する固体レーザが適切とすることができる。他の設計も可能である。照射部位では、適切に集束アセンブリ122により集束された増幅光ビーム110は、ターゲット材料114の組成に依存するある一定の特性を有するプラズマを作り出すために使用される。これらの特性には、プラズマによって生成されるEUV光の波長及びプラズマから放出されるデブリのタイプ及び量を含むことができる。光源100は、増幅光ビーム110が通過してターゲット位置105に到達することを可能にする開口140を有する集光ミラー135を含む。集光ミラー135は、例えば、ターゲット位置105で第1の焦点、及びEUV光を光源20から出力することができ、かつ例えば集積回路リソグラフィツール図示せずに入力することができる中間位置145で第2の焦点中間焦点とも呼ばれるを有する楕円面ミラーとすることができる。光源100は、増幅光ビーム110がターゲット位置105に到達することを可能にすると同時に集束アセンブリ122及び/又はビーム移送システム120に入るプラズマによって生成されたデブリの量を低減するために、集光ミラー135からターゲット位置105に向けてテーパ付きである開放端中空円錐シュラウド150例えば、ガスコーンを含むことができる。この目的のために、ターゲット位置105に向けて誘導されるガス流をシュラウドに準備することができる。光源100はまた、液滴位置検出フィードバックシステム156と、レーザ制御システム157と、ビーム制御システム158とに接続された主コントローラ155を含むことができる。光源100は、例えば、ターゲット位置105に対する液滴の位置を示す出力を供給してこの出力を液滴位置検出フィードバックシステム156に供給する1つ又はそれよりも多くのターゲット又は液滴撮像器160を含むことができ、液滴位置検出フィードバックシステム156は、例えば、液滴単位で又は平均して液滴誤差を計算することができる液滴位置及び軌道を計算することができる。液滴位置検出フィードバックシステム156は、従って、主コントローラ155に入力として液滴位置誤差を供給する。主コントローラ155は、従って、レーザ位置、方向、及びタイミング補正信号を例えばレーザ制御システム157に供給することができ、液滴位置検出フィードバックシステム156は、例えば、チャンバ130内のビーム焦点の位置及び/又は集束力を変えるためにビーム移送システム120の増幅光ビーム位置及び形状を制御するようにレーザタイミング回路及び/又はビーム制御システム158を制御するのに使用することができる。ターゲット材料送出システム125は、例えば、望ましいターゲット位置105に到達する液滴における誤差を補正するように送出機構127により放出される時の液滴の放出点を修正するために、主コントローラ155からの信号に応答して作動可能であるターゲット材料送出制御システム126を含む。更に、光源100は、以下に限定されるものではないが、パルスエネルギ、波長の関数としてエネルギ分布、波長の特定の帯域内のエネルギ、波長の特定の帯域外のエネルギ、及びEUV強度及び/又は平均電力の角度分布を含む1つ又はそれよりも多くのEUV光パラメータを測定する光源検出器165を含むことができる。光源検出器165は、主コントローラ155による使用に向けてフィードバック信号を生成する。フィードバック信号は、例えば、有効かつ効率的なEUV放射のための適切な位置及び時間に適切に液滴を遮断するために、レーザパルスのタイミング及び焦点のようなパラメータにおける誤差を示すことができる。光源100は、光源100の様々な区画を整列させるか、又はターゲット位置105に増幅光ビーム110をステアリングしやすくするのに使用することができるガイドレーザ175を含むことができる。ガイドレーザ175に関連して、光源100は、集束アセンブリ122内に設けられてガイドレーザ175及び増幅光ビーム110から光の一部分をサンプリングする測定システム124を含む。他の実施例では、測定システム124は、ビーム移送システム120内に設けられる。測定システム124は、光の部分集合をサンプリングするか又は向け直す光学要素を含むことができ、このような光学要素は、ガイドレーザビーム及び増幅光ビーム110の電力に耐えることができるあらゆる材料から製造される。ビーム解析システムは、測定システム124及び主コントローラ155で形成され、その理由は、主コントローラ155が、ガイドレーザ175からのサンプリングされた光を解析し、この情報を使用してビーム制御システム158を通じて集束アセンブリ122内の構成要素を調節するからである。従って、要約すると、光源100は、増幅光ビーム110を生成し、増幅光ビーム110は、ビーム経路に沿って誘導され、ターゲット材料をEUV範囲の光を放出するプラズマに変換するためにターゲット位置105でターゲット材料に照射される。増幅光ビーム110は、レーザシステム115の設計及び特性に基づいて判断された特定の波長光源波長とも呼ばれるで作動する。更に、増幅光ビーム110は、ターゲット材料がコヒーレントレーザ光を生成するためにレーザシステム115に十分なフィードバックを行う時か、又は駆動レーザシステム115がレーザ空洞を形成する適切な光学的フィードバックを含む場合のレーザビームとすることができる。図1を再び参照すると、1次チャンバ132は、集光ミラー135、送出機構127、ターゲット撮像器160、ターゲット材料114、及びターゲット位置105を収容する。2次チャンバ134は、チャンバサブシステム190及び中間位置145を収容する。1次及び2次チャンバ132、134の円筒壁は、例えば、チャンバ132、134内の過熱を防止するために、特に、集光ミラー135の過熱を防止するために水冷により冷却される。図3を参照すると、2次チャンバ334は、チャンバ内部192を形成する円筒壁300を含む。2次チャンバ334は、1次チャンバ132と流体接続された第1の容器305と、第1の容器305と流体接続された第2の容器310とを含む。1次チャンバ及び2次チャンバ132、134は、大気から気密に密封される。第2の容器310の前部環状壁315は、第1の容器305を第2の容器310から分離している。第1の容器305は、真空排気のための開口部320と、集光ミラー135の撮像及び解析を可能にする開口部325とを含む。この特定の設計において、2次チャンバ334は、チャンバサブシステム190がない。このために、2次チャンバ334を含む光源100の作動中にいくつかの問題が生じる可能性がある。作動中、増幅光ビーム110は、強制的にターゲット位置105に集束され、次に、光ビームは、2次チャンバ334内にかつ第2の容器310の前部環状壁315に向けて発散する。前部環状壁315と相互作用する発散する光ビーム110部分は、前部環状壁315によって及び潜在的に2次チャンバ334内の他の特徴によって反射され、光ビーム110が進んだビーム経路に沿って、かつレーザシステム115に向けて誘導して戻すことができる。このフィードバック光により、駆動レーザシステム115内で自己レージングが引き起こされ、この自己レージングにより、レーザシステム115内側の光ビーム110従って、レーザ電力の増幅が低減され、従って、ターゲット材料114へ移送される電力が少なくなると考えられる。更に、上述のように、ターゲット材料114は、例えば、純粋な錫Sn、又は錫化合物、例えば、SnBr4、SnBr2、SnH4、又は錫合金、例えば、錫ガリウム合金、錫インジウム合金、錫インジウムガリウム合金、又はこれらの合金のあらゆる組合せとすることができる。錫蒸気は、錫の液滴ターゲット材料114が、光ビーム110が錫の液滴に衝突する時に形成されるプラズマを通過する時に生成される可能性がある。この錫蒸気は、真空チャンバ130内の光学的曲面集光ミラー135のような上で濃縮され、これらの光学的曲面で非効率性を引き起こす可能性がある。これらの光学的曲面から濃縮された錫を除去するために、緩衝ガスH2のようなのエッチング液が光学的曲面に適用され、光学的表面の汚れを除去することができる。SnHx化合物は、H2がエッチングに使用された時に形成される可能性があり、その理由には、集光ミラー135が常にゼロ以下の温度に維持され、H2基が錫と反応した時にSnHxが生成されるからであり、ここで、xは1、2、4などとすることができる。SnH4は、これらの生成された化合物のうち最も安定したものである。更に、錫化合物がターゲット材料114として使用された場合に、錫化合物デブリ又は微細液滴の形態では、開口部320を通じてチャンバ130からかつ真空ポンプ内に送り出されるという危険性があり、それによって真空ポンプの誤作動及び破壊が発生する可能性がある。SnH4は、約50°Cの温度で濃縮されたSn及び水素に化学的に分解し始める。更に、濃縮されたSnは、約250°Cの溶融点を超えると溶融状態に遷移する。従って、SnH4が250°Cの温度の表面に衝突した場合に、溶融したSn及び水素が形成される。濃縮されたかつ溶融したSnは、チャンバ130の表面で蓄積することがあり、従って、開口部320を通じて及び真空ポンプ内に排出されない。しかし、チャンバ壁は化合物の分解温度未満に保たれているので、SnH4は、化学的に分解せず、従って、SnH4は、開口部320を通じて及び真空ポンプ内にチャンバから排出される蒸気状態の固体のままである。従って、図4及び図5を参照すると、2次チャンバ134は、チャンバサブシステム190がチャンバ内部192を形成する円筒壁400内に収容された状態で設計される。チャンバサブシステム190は、自己レージングを低減し、かつ固体形態のターゲット材料をチャンバ内部192内に捕捉されたままである溶融形態、及び2次チャンバ134から開口部420を通じて及び真空ポンプ内に排出することができる安全な蒸気例えば、H2に分解するように構成される。2次チャンバ334と同様に、第2の容器134は、真空排気のための開口部420と、集光ミラー135の撮像を可能にする開口部425とを含む。2次チャンバ134の壁400は、ステンレス鋼のようなあらゆる適切な硬質材料で製造することができる。第1及び第2の容器を分離する前部環状壁315の代わりに、2次チャンバ134は、チャンバサブシステム190を含む。チャンバサブシステム190は、内部192の表面とチャンバサブシステム190の外面を接続するブラケット430、432、434のような適切な装着デバイスで内部192の内側に剛性に吊り下げられる。本明細書に示すように、チャンバサブシステム190は、開口部420の下流に位置決めされる。しかし、チャンバサブシステム190が真空チャンバ130の内部表面の少なくとも一部分の上に重なり、かつ内部表面からビーム経路に再び沿った光源波長の増幅光ビーム110レーザビームとすることができるの流れを低減するように構成される限り、2次チャンバ134内、1次チャンバ132内、又は別の新しいチャンバ内の別の位置に位置決めされるようにチャンバサブシステム190を設計することができる。図6~図9Bも参照すると、チャンバサブシステム190は、1つ又はそれよりも多くの支持体又はブラケット610、612、614、616、618、620と交互配置された1つ又はそれよりも多くの固定式環状円錐ベーン600、602、604、606、608を含む。固定ベーン600~608及びブラケット610~620の各々は、硬質材料例えば、ステンレス鋼又はモリブデンで製造することができる。ベーン600~608の各々は、形状は円錐であり、中心開口領域を含み、かつ隣接ブラケット間に挟持されたそれぞれの縁部701、703、705、707、709図7を参照されたいで所定の位置に保持される。従って、縁部701は、ブラケット610及び612間に挟持され、縁部703は、ブラケット612及び614間に挟持され、縁部705は、ブラケット614及び616間に挟持され、縁部707は、ブラケット616及び618間に挟持され、かつ縁部709は、ブラケット618及び620間に挟持される。ベーン600~608の各々は、ターゲット材料114から放出された極紫外線の通過をもたらすそれぞれの中心開口領域711、713、715、717、719を含む。一部の実施例では、ベーン600-608の各々は、他のベーンの円錐角度と異なる円錐角度すなわち、ビーム経路に垂直である円錐外面と平面間の角度で構成される。従って、図9Bに示すように、ベーン608は、他のベーン600、602、604、606の円錐角度と異なる円錐角度900を有する。更に、一部の実施例では、ベーン600~608の各々は、他のベーンの環状幅すなわち、ビーム経路に垂直である平面に沿って延びる直径に沿って切り取った円すい面の幅と異なる環状幅で構成される。代替的に、別の言い方をすれば、ベーン600~608の各々は、他の開口領域の直径ビーム経路に垂直である平面に沿って切り取ったと異なる直径を有する開口領域で構成される。従って、図9Bに示すように、ベーン608は、他のベーン600、602、604、606の開口領域711、713、715、717の直径と異なるその開口領域719の直径905を有する。開口領域直径は、例えば、ベーン600の開口領域直径がベーン602の開口領域直径を超える、ベーン602の開口領域直径がベーン604の開口領域直径を超える等々のように漸変することができる。円錐角度も、例えば、角度がベーン600からベーン608まで漸進的により小さくなるように漸変することができる。ベーンのこれらの2つの幾何学的な特徴円錐角度及び開口領域直径が漸変される理由は、入射増幅光ビームが、チャンバサブシステム190を通過する時に発散し、漸変的幾何学的な特徴が、以下でより詳細に説明するように、できるだけ多くの発散するビームを収集するように構成されるからである。いずれにしても、開口領域直径、円錐角度、及びこれらのパラメータの漸変のレベルもしある場合は、光源100に使用される増幅光ビーム110のタイプ例えば、駆動レーザシステム115のタイプ及び形状例えば、ビームの開口数により決まるように選択することができる。従って、例えば、本明細書に示すチャンバサブシステム190の設計は、CO2増幅器を含み、かつ約0.21の開口数を有する増幅光ビーム110を生成する駆動レーザシステム115のために構成される。ここで図8a及び図8bを再び参照すると、ブラケット612、614、616、618の各々は、それぞれの傾斜内側環状表面812、814、816、818を含むことができる。これらの傾斜表面は、以下で更に詳述するように、異なる角度で各ブラケットの表面812、814、816、818から反射する2つの放出ビームに入射ビームを分割することにより、発散増幅光ビームの付加的な発散を提供するものである。図10~12図も参照すると、光源100の作動時に、増幅光ビーム110は、ターゲット位置105に集束されることによってターゲット材料114図10には図示せずを照射するようにビーム経路1000に沿って進む。ターゲット材料は、輝線をEUV範囲に有する元素を有するプラズマ状態に変換され、従って、EUV光1005がターゲット材料114から放出されて集光ミラー135により集光される。一方、発散する増幅光ビーム1010は、ターゲット位置105から離れる方向に2次チャンバ134図10では図示せずに向けて、及びチャンバサブシステム190に向けて進む。ターゲット材料114容積は、1次焦点では増幅光ビーム110の焦点領域すなわち、ウエスト部よりも小さい。従って、増幅光ビーム110の中心部分は、ターゲット材料114と相互作用するが、非相互作用状態の増幅光ビーム110は、この焦点領域を過ぎて外へ発散し始めて発散増幅光ビーム1010になる。増幅光ビーム110ビームの非相互作用部分は、ターゲット材料114から反射し、増幅のためにレーザシステムへ再び誘導することができる。増幅光ビーム1010は、サブシステム190の開口領域を通り過ぎる時に、連続的ベーン600、602、604、606、608により偏向される反射される。図12を特に参照すると、光ビーム1010の例示的な入射光線1200は、ベーン600を通過するが、ベーン602の側面に衝突し、ここで、光線1200は、ベーン602とベーン600の間に数回跳ね返る。入射光線1200は、ブラケット612の傾斜内側環状表面812から反射して放出光線1205を形成する。放出光線1205の経路は、ベーン600及び602の円錐面の各々の角度が異なるために入射光線1200の経路と一致せず、従って、放出光線1205は、集光ミラー135ターゲット位置105内側にあるの1次焦点に向けてビーム経路に沿って戻らず、従って、放出光線1205は、駆動レーザシステム115には再び入らない。更に、光線1200、1205は、ベーン600又は602から跳ね返る度に電力の僅かな割合例えば、約10を失う。このために、一部のエネルギは、ベーンに与えられ、従って、ベーン600、602、604、606、608が昇温する。更に、ベーン600、602、604、606、608が昇温してターゲット材料化合物の分解温度より具体的には、成分が溶融している温度を超える温度を超えると例えば、Snの場合は250Cを超える、ベーンに衝突する化合物SnH4のようながあれば、溶融元素Snのような及び水素に分解する。更に、溶融元素が残ってブラケット610、612、614、616、618、620の下側内部表面1210に蓄積し、一方、水素は、開口部320を通じて及び真空ポンプ内に排出される。図13も参照すると、他の実施例では、チャンバサブシステム190は、チャンバ内壁の少なくとも一部に付加され、かつターゲット位置105を通過し、通過しなければチャンバ内壁に衝突するレーザ光を向け直す1つ又はそれよりも多くのコーティング1300とすることができる。例えば、コーティングは、誘電体スタックのような対照的な屈折率の互層構造を有する透明薄膜構造体から構成された反射防止コーティングとすることができる。層厚は、接続部から反射したビーム内に弱め合う干渉、更に、対応する透過光内に強め合う干渉を生成するように選択される。それによってこの構造体の性能は、波長及び入射角と共に変化し、従って、色効果が、斜角で出現することが多い。コーティング1300は、内壁を実質的に被覆することができなければならず、従って、コーティングのタイプは、内壁に使用される材料によって選択することができる。別の例として、コーティングは、窒化チタン及び窒化ニオブのようなスパッタ堆積によって生成された複合薄膜を使用する吸収反射防止コーティングとすることができる。別の例として、コーティングは、干渉コーティングとすることができる。チャンバサブシステム190は、後方反射、過熱、又は過剰なノイズを回避するあらゆる適切に設計された高電力ビームダンプを使用して設計することができる。例えば、チャンバサブシステム190は、ビームダンプするために吸収材料で裏張りされた深い暗い空洞とすることができる。別の例として、チャンバサブシステム190は、光を屈折又は反射させるように構成することができる。検出器165は、図1では、ターゲット位置105から直接に光を受け取るように位置決めされた状態に示したが、検出器165は、代替的に、中間焦点145又はその下流又は何らかの他の位置で光をサンプリングするように位置決めすることができる。一般的に、ターゲット材料114の照射は、ターゲット位置105でデブリを発生させる可能性もあり、このようなデブリは、集光ミラー135を含むがこれに限定されない光学要素の表面を汚す可能性がある。従って、全体が引用により本明細書に組み込まれている米国特許第7,491,954号明細書に説明されているように、ターゲット材料の構成成分との反応が可能なガス状エッチング液の供給源102をチャンバ26内に導入して光学要素表面に堆積した汚染物質を洗浄することができる。例えば、1つの用途において、ターゲット材料は、Snを含むことができ、エッチング液は、HBr、Br2、Cl2、HCl、H2、HCF3、又はこれらの化合物の何らかの組合せを含むことができる。光源100は、堆積したターゲット材料と光学要素の表面上のエッチング液間の化学反応を開始し、及び/又はその速度を増大させる1つ又はそれよりも多くの加熱器170を含むことができる。Liを含むプラズマターゲット材料に対して、加熱器170は、1つ又はそれよりも多くの光学要素の表面を約400~550°Cの範囲の温度に加熱して表面からLiを気化するように、すなわち、エッチング液を必ずしも使用することなく設計することができる。適切とすることができる加熱器のタイプには、放射加熱器、マイクロ波加熱器、RF加熱器、オーム加熱器、又はこれらの加熱器の組合せがある。加熱器は、特定の光学要素面に向けることができ、従って、指向性とすることができ、又は全指向性であってチャンバ130全体又はチャンバ130の実質的な部分を加熱することができる。他の実施例では、ターゲット材料114は、リチウム、リチウム化合物、キセノン、又はキセノン化合物を含む。発散する増幅光ビーム1010は、ターゲット材料114から放出されるEUV光1005を制限することなく他のデバイスを使用して制限することができる。これは、収束EUV光1005と2次チャンバ134を通り過ぎた発散増幅光ビーム1010との間に環状間隙がある間欠的容積を判断し、2次チャンバ134内で捕捉することができなかった発散増幅光ビーム1010を捕捉することによって行うことができる。付加的な捕捉及び/又は制限を行っても、依然として中間焦点145を通過する有意な量の光ビーム例えば、約1.5kWのレーザ電力がある可能性があり、この光ビームは、中間焦点145を過ぎて捕捉することができる。図1を再び参照すると、チャンバサブシステム190は、2次チャンバ134の仕切弁図示せずを発散増幅光ビーム1010の陰に保つためにサブシステム190の中心内に突出する付加的なフィン1150を含むことができる。付加的なフィン1150は、増幅光ビーム1010の毎回の跳ね返りで電力の約90を反射するようにステンレス鋼で製造することができる。他の実施は、以下の特許請求の範囲内である。"