"銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から銅または銅合金を選択的にエッチングする工程用のエッチング液であって、鎖状アルカノールアミンA、酸基を分子内に有するキレート剤B、および過酸化水素Cを必須成分とすることを特徴とする銅または銅合金用エッチング液。該鎖状アルカノールアミンAが下記一般式1で表される鎖状アルカノールモノアミンA1または下記一般式2で表される鎖状アルカノールポリアミンA2である請求項1記載のエッチング液。[式1中、R1~R3は、それぞれ独立して水素原子、または一部が水酸基で置換されていてもよいアルキル基を示す。但し、R1~R3のうち少なくとも1つは水酸基で置換されているアルキル基である。][式2中、R4~R8は、それぞれ独立して水素原子、または一部が水酸基で置換されていてもよいアルキル基を示す。但し、R4~R8のうち少なくとも1つは水酸基で置換されているアルキル基である。Y1とY2はそれぞれ独立して炭素数1~4個のアルキレン基を示す。nは0または1~4の整数を示す。]該鎖状アルカノールアミンAのHLBが12~45である請求項1または2記載のエッチング液。該キレート剤Bが、ホスホン酸基および/またはスルホン酸基を分子内に合計2個以上有する有機酸である請求項1~3いずれか記載のエッチング液。該キレート剤Bがカルボキシル基を分子内に2個以上有する有機酸である請求項1~3いずれか記載のエッチング液。該鎖状アルカノールアミンAと該キレート剤Bの重量比B/Aが1~100である請求項1~5いずれか記載のエッチング液。該キレート剤Bと過酸化水素Cの重量比B/Cが1~30である請求項1~6いずれか記載のエッチング液。請求項1~7いずれか記載の銅または銅合金用エッチング液を用いて、銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から選択的に銅または銅合金をエッチングする工程を含むことを特徴とする電子基板の製造方法。本発明は、銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から銅または銅合金をエッチングする工程において、使用時の泡立ちが少なく、銅または銅合金のエッチングを高選択的に行うことができるエッチング液を提供することを目的とする。本発明者らは、上記の目的を達成するべく検討を行った結果、本発明に到達した。すなわち、本発明は、銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から銅または銅合金を選択的にエッチングする工程用のエッチング液であって、鎖状アルカノールアミンA、酸基を分子内に有するキレート剤B、および過酸化水素Cを必須成分とする銅または銅合金用エッチング液;並びにこのエッチング液を用いて、銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から選択的に銅または銅合金をエッチングする工程を含むことを特徴とする電子基板の製造方法である。本発明は銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から銅または銅合金をエッチングする工程において、銅または銅合金のエッチングを高選択的に行うことができる。本発明の銅または銅合金用エッチング液は、使用時の泡立ちが少なく、銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から銅または銅合金を選択的にエッチングする工程用のエッチング液であって、鎖状アルカノールアミンA、酸基を分子内に有するキレート剤B、および過酸化水素Cを必須成分とする。本発明において、エッチングされる銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板としては、半導体、フラットパネルディスプレーに使用されるものが挙げられ、銅としては化学気相成長法CVD法、物理的気相成長法PVD法、原子層堆積法ALD法、めっきで形成されたもの等が挙げられる。また、ニッケルも上記の方法で形成されたもの等が挙げられる。本発明の銅または銅合金用エッチング液の第1の必須成分である鎖状アルカノールアミンAとしては、水酸基および1個または2個以上の窒素原子を含み、脂環または複素環を含まない脂肪族のアルカノールアミンであり、具体的には下記一般式1で表される鎖状アルカノールモノアミンA1または下記一般式2で表される鎖状アルカノールポリアミンA2などが挙げられる。[式1中、R1~R3は、それぞれ独立して水素原子、または一部が水酸基で置換されていてもよいアルキル基を示す。但し、R1~R3のうち少なくとも1つは水酸基で置換されているアルキル基である。][式2中、R4~R8は、それぞれ独立して水素原子、または一部が水酸基で置換されていてもよいアルキル基を示す。但し、R4~R8のうち少なくとも1つは水酸基で置換されているアルキル基である。Y1とY2はそれぞれ独立して炭素数1~4個のアルキレン基を示す。nは0または1~4の整数を示す。]一般式1で表される鎖状アルカノールモノアミンA1において、R1~R3は、水素原子、アルキル基、一部が水酸基で置換されているアルキル基で、それぞれが同種でも異種であってもよいが、R1~R3のうち少なくとも1つは水酸基で置換されているアルキル基でなければならない。アルキル基としては、炭素数1~5の直鎖状または分岐状のものが挙げられる。具体的には、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、tert-ペンチル基などが挙げられる。一部が水酸基で置換されているアルキル基としては、炭素数1~5の直鎖状または分枝状のものが挙げられる。このような一部が水酸基で置換されているアルキル基としては、ヒドロキシメチル基、1-ヒドロキシエチル基、2-ヒドロキシエチル基、1-ヒドロキシプロピル基、2-ヒドロキシプロピル基、3-ヒドロキシプロピル基、1-ヒドロキシイソプロピル基、2-ヒドロキシイソプロピル基、ジヒドロキシメチル基、1,1-ジヒドロキシエチル基、1,2-ジヒドロキシエチル基、2、3-ジヒドロキシプロピル基、1,2,3-トリヒドロキシプロピル基などが挙げられる。一般式2で表される鎖状ポリアミンA2において、R4~R8は、水素原子、アルキル基、一部が水酸基で置換されているアルキル基で、それぞれが同種でも異種であってもよいが、R4~R8のうち少なくとも1つは水酸基で置換されているアルキル基でなければならない。アルキル基および一部が水酸基で置換されているアルキル基は、前記のR1~R3で示されるアルキル基および一部が水酸基で置換されているアルキル基と同様のものである。一般式2中のY1及びY2で示されるアルキレン基としては、炭素数1~4の直鎖状または分岐状のアルキレン基が挙げられる。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、テトラメチレン基、ブチレン基、2,2-ジメチルプロピレン基、2-エチルプロピレン基などが挙げられる。Y1及びY2で示されるアルキレン基の炭素数は、エッチング液の泡立ち抑制等の観点から、1~4が好ましく、さらに好ましくは1~3、特に好ましくは2である。一般式2中のnは0または1~4の整数であり、好ましくは0または1~2である。n個の[―Y1―N―R8―]はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。一般式1および2で表される鎖状アルカノールアミンAはエッチング液の泡立ち抑制等の観点から、HLBが12~45であるものが好ましい。ここでのHLBとは、親水性と親油性のバランスを示す指標であって、例えば界面活性剤入門2007年三洋化成工業株式会社発行、藤本武彦著212頁に記載されている小田法による計算値として知られているものであり、グリフィン法による計算値ではない。HLB値は有機化合物の有機性の値と無機性の値との比率から計算することができる。HLB≒10×無機性/有機性HLBを導き出すための有機性の値及び無機性の値については前記界面活性剤入門213頁に記載の表の値を用いて算出できる。鎖状アルカノールモノアミンA1としては、モノエタノールアミン、2-メチルアミノエタノール、2-エチルアミノエタノール、2-イソプロピルアミノエタノール、2-アミノ-2-メチル-1-プロパノール、2-ジメチルアミノエタノール、2-ジエチルアミノエタノール、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、3-アミノ-1-プロパノール、1-アミノ-2-プロパノール、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン及び3-ジエチルアミノ-1-プロパノール等が挙げられる。鎖状アルカノールポリアミンA2としては、2-[2-アミノエチルアミノ]エタノール、2-[メチル[2-ジメチルアミノエチル]アミノ]エタノール、2、2’-エチレンビスイミノビスエタノール、N-2-ヒドロキシエチル‐N’-2-アミノエチルエチレンジアミン、N-3-ヒドロキシプロピルエチレンジアミン、2、2’-2-アミノエチルイミノジエタノール、N-2-ヒドロキシエチル-N’-2-アミノエチルエチレンジアミン、2-[ビス2-アミノエチルアミノ]エタノール、1-[2-[2-アミノエチルアミノ]エチル]アミノ-2-プロパノール、33’、3’’3’’’-[3-ヒドロキシプロピルイミノビスエチレンニトリロ]テトラキス1-プロパノール、N、N、N’、N’-テトラキス2-ヒドロキシエチルエチレンジアミン、N、N、N’、N’、N’’-ペンタキス2-ヒドロキシプロピルジエチレントリアミンN、N、N’、N’-テトラキス2-ヒドロキシエチルトリメチレンジアミン、N、N-ビスヒドロキシエチルジエチレントリアミン、N1、N4-ビスヒドロキシエチルジエチレントリアミン、N、N、N’、N’、N’’-ペンタキス2-ヒドロキシプロピルジエチレントリアミン、N1-2-ヒドロキシプロピルトリエチレンテトラアミン、N4-2-ヒドロキシプロピルトリエチレンテトラアミン、N-2-ヒドロキシプロピルトリエチレンテトラアミン等が挙げられる。本発明のエッチング剤は、必要に応じてさらに水で希釈して使用してもよいが、鎖状アルカノールアミンAの含有量は、銅または銅合金とニッケルのエッチング速度比の観点から、使用時のエッチング液の合計重量に基づいて、0.05~6重量が好ましく、さらに好ましくは0.1~3重量、特に好ましくは0.2~1.5重量である。本発明の第2の必須成分である酸基を分子内に有するキレート剤Bは銅または銅合金のエッチング速度を高める作用がある。本発明のおける酸基を分子内に有するキレート剤Bは、キレート効果を有するための官能基を2個以上有するものであって、そのうちの1個以上が酸基であれば、他の官能基はアルコール性水酸基、フェノール性水酸基、二トリル基、チオール基、アミノ基などでもよい。本発明のおけるキレート剤B中の酸基としては、カルボキシル基、ホスホン基、スルホン基、リン酸基、硫酸基、硝酸基、ホウ酸基などが挙げられる。なお、キレート剤Bは、エッチング液中で塩の形で含有してもよい。本発明のキレート剤Bまたはその塩としては、酸基としてカルボキシル基を2個以上含む有機酸またはその塩B1、酸基としてホスホン酸基を2個以上含む有機酸またはその塩B2、酸基としてスルホン酸基を2個以上含む有機酸またはその塩B3、酸基としてカルボキシル基とホスホン酸基をそれぞれ1個以上含む有機酸またはその塩B4などが挙げられる。また、酸基を分子内に有するキレート剤Bとしては、キレート効果を示す水酸基を分子内に有するものであれば、酸基としてカルボキシル基、ホスホン酸基またはスルホン酸基を1個だけ含むキレート剤B5であっても差しつかえない。酸基としてカルボキシル基を2個以上含む有機酸またはその塩B1としては、エチレンジアミンテトラ酢酸塩、ジエチレントリアミンペンタ酢酸塩、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸塩、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸塩、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン四酢酸塩、ニトリロ酸酢酸塩、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸塩、β-アラニンジ酢酸塩、アスパラギン酸ジ酢酸塩、メチルグリシンジ酢酸塩、イミノジコハク酸塩、セリンジ酢酸塩、ヒドロキシイミノジコハク酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩、ピロメリット酸塩、ベンゾポリカルボン酸塩、シクロペンタンテトラカルボン酸塩などが挙げられる。酸基としてホスホン酸基を2個以上含む有機酸またはその塩B2としては、メチルジホスホン酸塩、アミノトリメチレンホスホン酸塩、1-ヒドロキシエチリデン-1、1-ジホスホン酸塩、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸塩、ヘキサメチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸塩、プロピレンジアミンテトラメチレンホスホン酸塩、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸塩、トリエチレンテトラミンヘキサメチレンホスホン酸塩、トリアミノトリエチルアミンヘキサメチレンホスホン酸塩、トランス-1、2-シクロヘキサンジアミンテトラメチレンホスホン酸塩、グリコールエーテルジアミンテトラメチレンホスホン酸塩、テトラエチレンペンタミンヘプタメチレンホスホン酸塩等が挙げられる。酸基としてスルホン酸基を2個以上含む有機酸またはその塩B3としては、メタンジスルホン酸塩、エタンジスルホン酸塩、フェノールジスルホン酸塩、ナフタレンジスルホン酸塩、ピペラジン-1、4-ビス2-エタンスルホン酸塩等が挙げられる。酸基としてカルボキシル基とホスホン酸基をそれぞれ1個以上含む有機酸またはその塩B4としては、ホスホノ酢酸塩、2-ヒドロキシ-2-ホスホノ酢酸塩、カルボキシホスホン酸塩、3-ホスホノプロピオン酸塩、4-3-ホスホノプロピル-2-ピペラジンカルボン酸塩等が挙げられる。水酸基と酸基としてカルボキシル基、ホスホン酸基またはスルホン酸基を1個だけ含むキレート剤B5としては、乳酸塩、サリチル酸塩、没食子酸塩、2-ヒドロキシエチルホスホン酸塩、2-ヒドロキシエタンスルホン酸塩等が挙げられる。本発明のキレート剤Bのうち、銅または銅合金のエッチング速度の観点から好ましいものは、上記のB1、B2、B3であり、さらに好ましいのはB2である。酸基を分子内に有するキレート剤Bは単独または2つ以上を同時に併用することができる。酸基を分子内に有するキレート剤B含有量は銅または銅合金のエッチング速度の観点から、使用時のエッチング液の合計重量に基づいて、0.1~50重量が好ましく、さらに好ましくは0.5~30重量、特に好ましくは1~20重量である。本発明の第3の必須成分である過酸化水素Cはエッチング速度を高める作用がある。過酸化水素Cとしては過酸化水素の水溶液を使用することができる。過酸化水素C含有量は、エッチング速度の観点から、使用時のエッチング液の合計重量に基づいて、純分換算で0.05~20重量が好ましく、さらに好ましくは0.1~10重量、特に好ましくは0.2~5重量である。本発明の鎖状アルカノールアミンAと酸基を分子内に有するキレート剤Bの重量比B/Aは、銅または銅合金とニッケルのエッチング速度比と泡立ちの観点から、通常1~100、好ましくは2~50、さらに好ましくは5~30である。本発明の酸基を分子内に有するキレート剤Bと過酸化水素Cの重量比B/Cは、銅または銅合金のエッチング速度の観点から、通常1~30、好ましくは2~20、さらに好ましくは3~10である。本発明のエッチング液はA、B、C、および必要により溶剤と混合して使用することが望ましい。その溶剤としては水、アルコール、グリコールエーテル、エーテル、エステル、ケトン、カーボネート、アミド等が挙げられる。エッチング液の溶剤として取り扱いやすさの観点から好ましいのは水である。本発明のエッチング液は配線金属の保護の目的で必要に応じてトリアゾール類、イミダゾール類、チオール化合物、糖アルコール類などの腐食防止剤を添加することができる。本発明のエッチング液は配線金属の保護の目的で必要に応じて酸化防止剤を添加することができる。酸化防止剤としては、カテキン、トコフェロール、カテコール、メチルカテコール、エチルカテコール、tert-ブチルカテコール、没食子酸、没食子酸メチル、没食子酸プロピル等のフェノール類、3-ヒドロキシフラボン、アスコルビン酸等が挙げられる。本発明のエッチング液には、pH調整の目的で塩基性化合物または酸性化合物を添加することができる。その目的で添加する塩基性化合物は、アンモニア、アミンまたはテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、含窒素複素環式化合物である。アミンとしては、脂肪族アミン、アルキレンジアミン、ポリアルキレンポリアミン、芳香族アミン、脂環式アミン、グアニジンなどが挙げられる。また、その目的で添加する酸性化合物は、硫酸、塩酸、硝酸、フッ化水素酸などの無機酸、酢酸などの有機酸である。また、エッチング速度を安定化する目的で、無機酸またはその塩を添加することが有効である。このような無機酸としては、硫酸、塩酸、硝酸、フッ化水素酸などが好ましい。本発明のエッチング液は配線金属の保護の目的で必要に応じて消泡剤を添加することができる。消泡剤としては、シリコーン消泡剤、長鎖アルコール消泡剤、脂肪酸エステル消泡剤及び金属セッケン消泡剤等が挙げられる。エチレンオキサイドプロピレンオキサイド共重合体も消泡剤として使用することができる。本発明のエッチング液を用いて、銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から選択的に銅または銅合金をエッチング処理する工程を経て電子基板を製造することができる。本発明において、銅または銅合金のエッチング処理方法としては、浸漬式エッチングや枚葉式エッチングなどが挙げられる。本発明のエッチング液は通常10~100°Cの範囲、好ましくは20°C~80°Cの温度条件で使用する。10°C以上であればエッチング速度の点で好ましく、100°C以下の温度であればエッチング速度にバラツキが生じない点で好ましい。以下、実施例及び比較例により本発明をさらに説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。以下、特に定めない限り、は重量、部は重量部を示す。<実施例1~7および比較例1~6>表1に記載した鎖状アルカノールアミンA、酸基を分子内に有するキレート剤B、過酸化水素C、および水をポリプロピレン製の容器中で混合して、本発明のエッチング液と比較のためのエッチング液を得た。なお、表中の記号は以下の化合物を表す。A-1:トリエタノールアミンA-2:2-[2-アミノエチルアミノ]エタノールA-3:1、2-ビス[ジヒドロキシエチルアミノ]エタン三洋化成工業株製、商品名サンニックスNE-240A’-1:ラウリルアルコールのEO9モル付加物B-1:クエン酸B-2:601-ヒドロキシエチリデン-1,1-ジホスホン酸の水溶液B-3:1,2-エタンジスルホン酸二水和物B-4:ニトリロトリスメチレンホスホン酸B’-1:エチレンジアミンC-1:35過酸化水素水性能評価として、抑泡性、銅のエッチング時間、およびニッケルのエッチング性能ニッケル/銅のエッチングレート比を以下の方法で行った。<抑泡性>抑泡性はロスマイルス試験[JISK33621998]に準じて測定することができ、本JISで定める装置、また試験液として超純水を用いて調整したエッチング剤を用いた試験により、全ての試験液を流出した直後の泡の高さmmを目視にて測定し、下記の判定基準で抑泡性を評価した。○:50mm未満×:50mm以上<銅のエッチング時間>銅のエッチング時間を、以下の操作方法で銅シード層の光沢が消失するまでの時間分で評価した。1シリコン基板に加工を加えて図4の状態まで作成したウエハ銅シード層の厚み1μmを15mm角の正方形に切断してテストピースを作成した。なお、走査型電子顕微鏡日立ハイテク社製S-4800でウエハを1cm各に切断したテストピースの断面を観察したところ、バンプの幅は約30μm、バンプの高さは約8μmであった。銅シード層の厚みは1μmであった。2エッチング液をポリプロピレン製の容器に入れて、この中に上記のテストピースを浸漬し、マグネチックスターラーで撹拌した。3撹拌しながら液中に浸漬した状態でテストピースの表面を目視で観察し、銅シード層の全面の銅の光沢が消失する図5の3:チタン層の全面が見える状態までの時間を測定した。この目的で使用されるエッチング液においては、銅光沢の消失時間が10分以内であることが好ましい。なお、60分で光沢が消失しなかったものは、60分で浸漬を中止し、表1中には>60と表記した。<ニッケルのエッチング量およびニッケル/銅のエッチングレート比>ニッケルのエッチング量およびニッケル/銅のエッチングレート比を、以下の操作方法で測定し、評価した。1シリコン基板に加工を加えて図4の状態まで作成したウエハ銅シード層の厚み1μmを15mm角の正方形に切断してテストピースを作成した。2エッチング液をポリプロピレン製の容器に入れて、この中に上記のテストピースを1分間浸漬してマグネチックスターラーで撹拌した後、取り出した。3走査型電子顕微鏡日立ハイテク社製S-4800で、浸漬前のテストピースと浸漬後のテストピースのそれぞれニッケル層の浸食の程度とその幅が確認できる側面の写真撮影をした。そして、写真画像から、浸漬前のテストピースのニッケル層図4の7の幅A1μmと、浸漬後のテストピースのニッケル層図5の7の幅A2μmを測定した。4ニッケルのエッチング量として、下記数式1で算出される浸漬前後のテストピースのニッケル層の幅の変化差ΔANiを算出した。下記の判定基準で評価する。○:1μm未満×:1μm以上5読み取った2つの値及び銅のエッチング時間を下記数式2に代入しニッケル/銅のエッチングレート比を算出した。TCu:銅のエッチング時間分TNi:ニッケルのエッチング時間で、本評価法では1分ACu:銅シード層の厚みで、本評価法では1μm上記数式2で算出したニッケル/銅のエッチングレート比から、下記の判定基準で評価した。○:0.5未満×:0.5以上表1から明らかなように、実施例1~7では、泡立ちには問題が無く、銅シード層のエッチングが速く、その反面、ニッケル部分のエッチングが認められず、高選択的に銅シード層をエッチングすることができた。一方、過酸化水素水を含んでいない比較例1、および酸基を分子内に有するキレート剤を含んでいない比較例2では銅シード層もニッケルもエッチングしない。鎖状アルカノールアミンを含んでいない比較例3では、銅シード層のエッチングは速いものの、ニッケルをエッチングしてしまい、高選択的に銅シード層をエッチングできない。鎖状アルカノールアミンAの代わりにラウリルアルコールのEO9モル付加物A’-1を使用した比較例4では、高選択的に銅シード層をエッチングするが、泡立ちは多くなってしまう。酸基を分子内に有しないキレート剤B’-1を使用した比較例5についても銅シード層のエッチングは遅い。また、キレート剤の代わりに硫酸を使用した比較例6についてはニッケルをエッチングしてしまう。"