基板と、前記基板上に形成された第1の配線層であって、前記基板の外周に沿って環状に形成された第1のダミー環状配線を含む第1の配線層と、前記第1の配線層上に形成された第2の配線層であって、前記基板の外周に沿って環状に形成された第2のダミー環状配線を含む第2の配線層と、前記第1の配線層と前記第2の配線層との間に形成された複数のビアプラグとを備え、前記複数のビアプラグは、前記第1のダミー環状配線と前記第2のダミー環状配線との間に形成され、それぞれが環状の平面形状を有し、前記基板の外周に沿う方向に延びるよう、互いに接続された複数の環状ビアプラグと、前記環状ビアプラグの外部において、前記環状ビアプラグ同士が接続された部分付近に存在する前記環状ビアプラグの窪み付近に、前記窪みに面するように配置された外部ビアプラグと、を含む半導体装置。前記複数のビアプラグはさらに、前記環状ビアプラグの内部に配置された内部ビアプラグを含む請求項1に記載の半導体装置。前記複数のビアプラグはさらに、前記環状ビアプラグ同士を接続するように配置された接続ビアプラグを含む請求項1又は2に記載の半導体装置。前記第1及び第2のダミー環状配線の前記外周側の側面と前記外周の反対側の側面は、凹凸が繰り返す形状を有している請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体装置。前記第1の配線層はさらに、島状の平面形状を有し、前記第1のダミー環状配線と分離され、少なくとも前記外部ビアプラグと前記内部ビアプラグのいずれかに接続された第1のダミー島状配線を含む請求項2に記載の半導体装置。前記第2の配線層はさらに、島状の平面形状を有し、前記第2のダミー環状配線と分離され、少なくとも前記外部ビアプラグと前記内部ビアプラグのいずれかに接続された第2のダミー島状配線を含む請求項5に記載の半導体装置。短いチップリング幅で、優れたクラックストップ機能や水分浸入防止機能を発揮することが可能なチップリングを備える半導体装置を提供する。本発明の一の態様の半導体装置は、基板と、前記基板上に形成された第1の配線層であって、前記基板の外周に沿って環状に形成された第1のダミー環状配線を含む第1の配線層とを備える。さらに、前記装置は、前記第1の配線層上に形成された第2の配線層であって、前記基板の外周に沿って環状に形成された第2のダミー環状配線を含む第2の配線層と、前記第1の配線層と前記第2の配線層との間に形成された複数のビアプラグとを備える。そして、前記複数のビアプラグは、前記第1のダミー環状配線と前記第2のダミー環状配線との間に形成され、それぞれが環状の平面形状を有し、前記基板の外周に沿う方向に延びるよう、互いに接続された複数の環状ビアプラグを含む。さらに、前記複数のビアプラグは、前記環状ビアプラグの外部において、前記環状ビアプラグ同士が接続された部分付近に存在する前記環状ビアプラグの窪み付近に、前記窪みに面するように配置された外部ビアプラグを含む。本発明の実施形態を、図面に基づいて説明する。第1実施形態図1は、第1実施形態の半導体装置の構成を示す斜視図である。本実施形態の半導体装置は、図1に示すように、1個のチップにダイシングされた基板1と、基板1の外周に沿って環状に形成されたチップリング2とを備えている。図1にはさらに、基板1の主面に平行で、互いに垂直なX方向、Y方向と、基板1の主面に垂直なZ方向が示されている。図2は、本実施形態のチップリング2の構成を示す斜視図である。図2は、図1に示す領域Aを拡大した斜視図となっている。図2には、チップリング2を構成する配線層とビア配線層の例として、基板1上に順に形成された第nの配線層3と、第nのビア配線層4と、第n1の配線層5と、第n1のビア配線層6と、第n2の配線層7が示されているnは1以上の整数。本実施形態の半導体装置は、基板1上に、このような配線層とビア配線層が交互に積層された構造を有している。図3は、本実施形態のチップリング2を構成する個々の配線層とビア配線層の構成を示した斜視図である。図3には、配線層3の詳細が示されている。図3に示すように、配線層3は、チップリング2を構成する配線として、ダミー環状配線3Aと、ダミー島状配線3Bとを含んでいる。ダミー環状配線3Aは、後述するように、基板1の外周に沿って環状に形成されている。一方、ダミー島状配線3Bは、島状の平面形状を有しており、ダミー環状配線3Aとは層間絶縁膜で分離されている。これらの配線3A、3Bは、本来の配線として使用する目的ではなく、チップリング2の構成部材として使用する目的で形成された、いわゆるダミー配線である。ただし、これらの配線3A、3Bは、チップリング2の構成部材として使用しつつ、何らかの目的で実際に配線としても使用しても構わない。これは、後述する他の配線やビアプラグについても同様である。また、図3には、ビア配線層4の詳細が示されている。図3に示すように、ビア配線層4は、チップリング2を構成するビアプラグとして、環状ビアプラグ4Aと、接続ビアプラグ4Bと、外部ビアプラグ4Cと、内部ビアプラグ4Dとを含んでいる。環状ビアプラグ4Aは、それぞれが環状の平面形状を有しており、基板1の外周に沿う方向に延びるよう、接続ビアプラグ4Bにより互いに接続されている。また、外部ビアプラグ4Cは、環状ビアプラグ4Aの外部に配置され、内部ビアプラグ4Dは、環状ビアプラグ4Aの内部に配置されている。なお、環状ビアプラグ4A同士は、ここでは接続ビアプラグ4Bを介して間接的に接続されているが、後述するように、接続ビアプラグ4Bを介さずに直接的に接続されていても構わない。また、図3、、には、それぞれ配線層5、ビア配線層6、配線層7の詳細が示されている。配線層3と同様に、配線層5、7はそれぞれ、チップリング2を構成する配線として、ダミー環状配線5A、7Aと、ダミー島状配線5B、7Bとを含んでいる。また、ビア配線層4と同様に、ビア配線層6は、チップリング2を構成するビアプラグとして、環状ビアプラグ6Aと、接続ビアプラグ6Bと、外部ビアプラグ6Cと、内部ビアプラグ6Dとを含んでいる。ただし、本実施形態のチップリング2では、ビア配線層4、6を構成するビアプラグの形状と配置は、いずれの層でも同じなのに対し、配線層3、5、7を構成する配線の形状と配置は、奇数番目の配線層と偶数番目の配線層とで異なっていることに留意されたい。図3では、配線層3と配線層7の配線は、同じ形状と配置となっており、配線層5の配線は、これらとは異なる形状と配置となっている。配線層3、配線層5、ビア配線層4のビアプラグ4A~4Dはそれぞれ、本開示の第1の配線層、第2の配線層、複数のビアプラグの例に相当する。同様に、配線層5、配線層7、ビア配線層6のビアプラグ6A~6Dもそれぞれ、本開示の第1の配線層、第2の配線層、複数のビアプラグの例に相当する。ただし、以下の説明では、配線層3、配線層5、ビア配線層4のビアプラグ4A~4Dを例として、本開示の第1の配線層、第2の配線層、複数のビアプラグの構成例について詳細に説明する。図4は、本実施形態のチップリング2の構成を示す平面図である。1環状ビアプラグ4Aと接続ビアプラグ4Bの配置図4では、配線層3が斜線ハッチング、ビア配線層4がドットハッチング、配線層5が太線で囲まれる領域で示されている。図4に示すように、環状ビアプラグ4Aは、ダミー環状配線3Aとダミー環状配線5Aとの間に形成されている図3~も参照。同様に、接続ビアプラグ4Bも、ダミー環状配線3Aとダミー環状配線5Aとの間に形成されている。その結果、ダミー環状配線3Aとダミー環状配線5Aは、環状ビアプラグ4Aと接続ビアプラグ4Bを介して互いに接続されている。2ダミー環状配線3A、5Aとダミー島状配線3B、5Bの形状と配置上述したように、配線層3、5はそれぞれ、ダミー環状配線3A、5Aと、ダミー島状配線3B、5Bとを含んでいる。しかしながら、これらの配線の形状と配置は、互いに異なっている。図4に示すように、ダミー環状配線3Aは、ダミー環状配線5Aを2本平行につなげたような形状を有している。その結果、ダミー環状配線3AのX方向の幅は、ダミー環状配線5AのX方向の幅の約2倍となっている。ダミー環状配線3AのX方向の幅は、チップリング2のX方向の幅を規定している。また、ダミー環状配線5Aは、ダミー環状配線3Aの中心線上に配置されている。また、ダミー島状配線3Bは、ダミー環状配線3Aに設けられた開口部内に配置されている。一方、ダミー島状配線5Bは、ダミー環状配線5Aに隣接する位置に配置されている。ダミー島状配線3Bは、その上部に配置された内部ビアプラグ4Dを介して、ダミー環状配線5Aに接続されている。一方、ダミー島状配線5Bは、その下部に配置された外部ビアプラグ4Cを介して、ダミー環状配線3Aに接続されている。3外部ビアプラグ4Cと内部ビアプラグ4Dの配置図4では、環状ビアプラグ4AのY方向に平行な側面が、α1、α2、β1、β2で示されている。また、接続ビアプラグ4BのY方向に平行な側面が、γ1、γ2で示されている。側面α2、β2、γ2は、これらのビアプラグのY方向に平行な側面のうち、基板1の外周側の側面に相当し、側面α1、β1、γ1は、基板1の外周の反対側の側面に相当する。図4に示すように、環状ビアプラグ4Aの側面β1、β2はそれぞれ、環状ビアプラグ4Aの側面α1、α2に対し、接続ビアプラグ4Bの側面γ1、γ2の方向に窪んでいる。その結果、環状ビアプラグ4Aは、環状ビアプラグ4A同士が接続された部分付近即ち、接続ビアプラグ4B付近が窪んだ形状を有している。本実施形態では、外部ビアプラグ4Cは、この窪み付近に、この窪みに面するように配置されている。即ち、外部ビアプラグ4Cは、側面β1又はβ2付近に、側面β1又はβ2に面するように配置されている。ここで、側面β1又はβ2付近とは、外部ビアプラグ4Bから側面β1又はβ2までの最短距離が、概ね、環状ビアプラグ4AのX方向の幅の半分以下となる位置を意味するものとする。この幅は、環状ビアプラグ4Aの形状が円に近い場合には、環状ビアプラグ4Aの半径に相当する量である。また、側面β1又はβ2に面するとは、外部ビアプラグ4Cの位置から側面β1又はβ2が完全に見えることを意味するものとする。この際、外部ビアプラグ4Cは、側面β1又はβ2の正面方向に位置していてもよいし、図4に示すように、側面β1又はβ2の斜め方向に位置していてもよい。側面β1又はβ2付近に、側面β1又はβ2に面するように配置するという条件は、外部ビアプラグ4Cが、環状ビアプラグ4A同士が接続された部分即ち、接続ビアプラグ4Bから比較的近い位置に配置されることを意味している。外部ビアプラグ4Cを接続ビアプラグ4Bの近くに配置する効果については、後述する。一方、本実施形態では、内部ビアプラグ4Dは、個々の環状ビアプラグ4Aの内部領域の中心点上に配置されている。ただし、内部ビアプラグ4Dは、環状ビアプラグ4Aの内部において、中心点以外の位置に配置されていても構わない。4ダミー環状配線3A、5Aの側面の形状図4では、ダミー環状配線3Aの側面が、S1、S2で示され、ダミー環状配線5Aの側面が、σ1、σ2で示されている。側面S2、σ2は、ダミー環状配線3A、5Aの側面のうち、基板1の外周側の側面に相当し、側面S1、σ1は、基板1の外周の反対側の側面に相当する。図4に示すように、これらの側面S1、S2、σ1、σ2はいずれも、凹凸が繰り返す形状を有している。このような形状には、基板1のダイシングの際に、基板1の外周側からダミー環状配線3A、5Aに加わる応力や、ダミー環状配線3A、5Aから基板1の内部に加わる応力を分散させる効果がある。よって、このような側面S1、S2、σ1、σ2を有するダミー環状配線3A、5Aによれば、チップリング2のクラックストップ機能を高めることが可能となる。なお、本実施形態では、側面S1、S2、σ1、σ2の凹凸の繰り返し周期は、環状ビアプラグ4A間のピッチに一致しているが、環状ビアプラグ4A間のピッチに一致していなくても構わない。また、凹凸の繰り返し周期や形状は、側面S1、S2、σ1、σ2ごとに異なる周期、形状に設定しても構わない。図5は、本実施形態のチップリング2の構成をより広い範囲にわたって示した平面図である。図5に示すように、ダミー環状配線3A、5Aは、基板1の外周に沿って環状に形成されている。さらに、環状ビアプラグ4A同士は、基板1の外周に沿って環状に連結されるように、接続ビアプラグ4Bにより互いに接続されている。本実施形態のチップリング2は、これらのダミー環状配線3A、5A、環状ビアプラグ4A、接続ビアプラグ4Bにより、基板1の外周に沿った環状の平面形状が与えられている。以下、図4を再び参照し、本実施形態の効果について説明する。A環状ビアプラグ4A以上のように、本実施形態では、ダミー環状配線3Aとダミー環状配線5Aを、各々が環状の平面形状を有し、互いに直接的又は間接的に接続された複数の環状ビアプラグ4Aにより接続している。そのため、ダミー環状配線3Aとダミー環状配線5Aを例えば島状ビアプラグや線状ビアプラグで接続する場合に比べ、短いチップリング幅で、強度の高いチップリング2を実現することができる。よって、本実施形態によれば、短いチップリング幅で、優れたクラックストップ機能や水分浸入防止機能を発揮することが可能なチップリング2を提供することが可能となる。図4では、チップリング2が、1本のダミー環状配線3Aと、1本のダミー環状配線5Aと、その他のダミー島状配線やビアプラグにより形成されており、1本のダミー環状配線3AのX方向の幅が、チップリング幅となっている。しかしながら、本実施形態のチップリング2は、複数本のダミー環状配線3Aと、複数本のダミー環状配線5Aと、その他のダミー島状配線やビアプラグにより形成しても構わない。この場合、これらのダミー環状配線3Aの幅と、これらのダミー環状配線3A間の隙間の幅との合計が、チップリング幅となる。ただし、本実施形態では、チップリング幅を短縮することが望ましいため、チップリング2は、少ない本数のダミー環状配線3A、5Aと、その他のダミー島状配線やビアプラグで形成することが望ましい。B外部ビアプラグ4C及び内部ビアプラグ4Dまた、本実施形態では、島状の平面形状を有する外部ビアプラグ4Cと内部ビアプラグ4Dが、それぞれ環状ビアプラグ4Aの外部と内部に配置されている。これらの外部ビアプラグ4Cと内部ビアプラグ4Dは、複数の配線層を介して、別のビア配線層の外部ビアプラグや内部ビアプラグと上下方向に連結されている。よって、これらの外部ビアプラグや内部ビアプラグは、基板1上に打たれた杭のような構造を有している。よって、これらのビアプラグには、ダミー環状配線3A、5A及び環状ビアプラグ4Aと同様、基板1内部にクラックが入ることを防止する効果がある。本実施形態では、環状ビアプラグ4Aと、外部、内部ビアプラグ4C、4Dは、近い位置に配置されている。具体的には、内部ビアプラグ4Dは、環状ビアプラグ4Aの内部に配置されている。また、外部ビアプラグ4Cは、環状ビアプラグ4Cの外部において、接続ビアプラグ4B付近に存在する環状ビアプラグ4Aの窪み付近に、該窪みに面するように配置されている。このような配置には、環状ビアプラグ4Aと外部、内部ビアプラグ4C、4Dを離れた位置に配置するのに比べ、これらのビアプラグを配置するのに要するスペースを節約できるという利点がある。これらのビアプラグを離れた位置に配置する場合には、チップリング2を配置するスペースの他に、外部、内部ビアプラグ4C、4Dを配置するスペースが必要となる。これに対し、本実施形態によれば、チップリング2を配置するスペース内に外部、内部ビアプラグ4C、4Dが配置されるため、外部、内部ビアプラグ4C、4Dを配置するための専用スペースは不要となる。このように、本実施形態によれば、外部、内部ビアプラグ4C、4Dを配置するための幅も含めた、実効的なチップリング幅を短縮することが可能となる。なお、外部ビアプラグ4Cを接続ビアプラグ4Bから比較的付近に配置することには、環状ビアプラグ4Aに比べ接続ビアプラグ4Bの強度が弱い場合に、外部ビアプラグ4Cにより、接続ビアプラグ4Bを破損から守る効果もある。第1実施形態の変形例以下、本実施形態のチップリング2の変形例について説明する。図6は、本実施形態のチップリング2の構成の種々の変形例を示す平面図である。図4では、環状ビアプラグ4A同士が、接続ビアプラグ4Bにより互いに間接的に接続されているのに対し、図6では、環状ビアプラグ4A同士が、互いに直接的に接続されている。即ち、図6では、各環状ビアプラグ4Aは、隣接する環状ビアプラグ4Aの一部分とビアプラグを共有するように接続されている。また、図6では、外部ビアプラグ4Cが、環状ビアプラグ4Aの外部において、環状ビアプラグ4A同士が直接的に接続された部分付近に存在する環状ビアプラグ4Bの窪み付近に、該窪みに面するように配置されている。また、図6では、配線層3が、チップリング2を構成する配線として、ダミー環状配線3Aのみを含んでいる。よって、内部ビアプラグ4Dは、環状ビアプラグ4Aの内部において、ダミー環状配線3Aの上部に配置されている。また、図6では、配線層3が、チップリング2を構成する配線として、ダミー環状配線3Aと、ダミー島状配線3Bと、ダミー島状配線3Cとを含んでいる。ダミー島状配線3Cは、ダミー島状配線3Bと同様に、島状の平面形状を有しており、ダミー環状配線3Aに設けられた開口部内に配置されている。ただし、ダミー島状配線3Bが、内部ビアプラグ4Dの下部に配置されているのに対し、ダミー島状配線3Cは、外部ビアプラグ4Cの下部に配置されている。ダミー島状配線3Cは、ダミー環状配線3Aとは層間絶縁膜で分離されている。なお、図6に示す配線層3の構造は、配線層5に適用しても構わない。即ち、配線層5は、チップリング2を構成する配線として、ダミー環状配線5Aのみを含んでいても構わない。この場合、外部ビアプラグ4Cは、環状ビアプラグ4Aの外部において、ダミー環状配線5Aの下部に配置される。同様に、図6に示す配線層3の構造は、配線層5に適用しても構わない。即ち、配線層5は、ダミー環状配線5Aと、ダミー島状配線5Bと、更なるダミー島状配線を含んでいても構わない。この場合、内部ビアプラグ4Dは、環状ビアプラグ4Aの内部において、この更なるダミー島状配線の下部に配置される。上述した本実施形態の効果は、これらの変形例によっても得ることが可能である。素子領域11、素子分離領域12、及びコンタクト配線層14以下、図7を参照し、本実施形態の半導体装置を構成する素子領域11、素子分離領域12、及びコンタクト配線層14について説明する。図7は、本実施形態の半導体装置の構成を示す側方断面図である。図7には、基板1と、基板1内に形成された素子領域11及び素子分離領域12と、基板1上に順に形成されたコンタクト配線層14、配線層131、ビア配線層151、配線層132、ビア配線層152、配線層133、及びビア配線層153と、基板1上にこれらの層を覆うように形成された層間絶縁膜16が示されている。図7には、配線層131~133の配線や、ビア配線層151~153のビアプラグにより構成されたチップリング2が示されている。これらの配線やビアプラグの形状や配置は、図2から図5に示す配線やビアプラグと同様である。図7のチップリング2はさらに、コンタクト配線層14を構成するコンタクトプラグを含んでいる。本実施形態では、チップリング2に含まれるコンタクトプラグの形状や配置を、チップリング2に含まれる各ビア配線層のビアプラグと同じ形状、配置に設定する。これにより、これらのコンタクトプラグのクラックストップ機能や水分浸入防止機能が、ビアプラグと同様に優れたものとなる。また、チップリング2に含まれるコンタクトプラグは、図7に示すように、素子領域11上に配置される。ここで、本実施形態では、これらのコンタクトプラグを配置する素子領域11を、配線層132を構成するダミー配線と同じ形状及び配置となるよう形成するものとする。これには、チップリング2に含まれるコンタクトプラグを全て、素子領域11上に配置することができるという利点がある。これらのコンタクトプラグを素子領域11上に配置することには、次のような利点がある。コンタクト配線層14は、チップリング2用のコンタクトプラグの他、通常のコンタクトプラグも含んでいる。これら通常のコンタクトプラグは、いずれも素子領域11上に配置される。そのため、チップリング2用のコンタクトプラグが素子分離領域12上に配置されると、素子領域11と素子分離領域12の上面の段差を反映して、両者のコンタクトプラグの上面の高さが異なってしまう。これは、クラックの入り込みや水分の浸入を防ぐという観点からは、好ましくない。そこで、本実施形態では、チップリング2用のコンタクトプラグを素子領域11上に配置して、コンタクトプラグの上面の高さのバラツキを抑えている。以上のように、本実施形態では、ダミー環状配線3Aとダミー環状配線5Aを、各々が環状の平面形状を有し、互いに直接的又は間接的に接続された複数の環状ビアプラグ4Aにより接続している図4参照。そのため、ダミー環状配線3Aとダミー環状配線5Aを例えば島状ビアプラグや線状ビアプラグで接続する場合に比べ、短いチップリング幅で、強度の高いチップリング2を実現することができる。よって、本実施形態によれば、短いチップリング幅で、優れたクラックストップ機能や水分浸入防止機能を発揮することが可能なチップリング2を提供することが可能となる。また、本実施形態では、環状ビアプラグ4Aと、外部、内部ビアプラグ4C、4Dは、近い位置に配置されている。具体的には、内部ビアプラグ4Dは、環状ビアプラグ4Aの内部に配置されている。また、外部ビアプラグ4Cは、環状ビアプラグ4Cの外部において、接続ビアプラグ4B付近に存在する環状ビアプラグ4Aの窪み付近に、該窪みに面するように配置されている。このような配置には、環状ビアプラグ4Aと外部、内部ビアプラグ4C、4Dを離れた位置に配置するのに比べ、これらのビアプラグを配置するのに要するスペースを節約できるという利点がある。よって、本実施形態によれば、外部、内部ビアプラグ4C、4Dを配置するための幅も含めた、実効的なチップリング幅を短縮することが可能となる。なお、本実施形態では、配線層、ビア配線層、コンタクト配線層は、メタル材料で形成されるとするが、その他の配線材料で形成しても構わない。また、ダミー環状配線や環状ビアプラグの平面形状は、図2から図6に示した形状と異なる形状であっても構わない。このような形状の例については、後述する第2実施形態において説明する。以下、第1実施形態の変形例である第2実施形態について、第1実施形態との相違点を中心に説明する。第2実施形態図8は、第2実施形態のチップリング2の構成を示す斜視図である。また、図9は、第2実施形態のチップリング2を構成する個々の配線層とビア配線層の構成を示した斜視図である。第2実施形態では、図8及び図9に示すように、ダミー環状配線3A、5A、7Aの形状や、環状ビアプラグ4A、6Aの形状が、第1実施形態とは異なっている。これについては、図10を参照して詳細に説明する。図10は、第2実施形態のチップリング2の構成を示す平面図である。図10では、図4と同様に、ダミー環状配線3Aの側面が、S1、S2で示され、ダミー環状配線5Aの側面が、σ1、σ2で示されている。これらの側面S1、S2、σ1、σ2はいずれも、図4の場合と同様、凹凸が繰り返す形状を有している。しかしながら、図4に示す側面S1、S2、σ1、σ2の凹部が、四角形状に窪んでいるのに対し、図10に示す側面S1、S2、σ1、σ2の凹部は、三角形状に窪んでいる。また、図10では、図4と同様に、環状ビアプラグ4Aの側面が、α1、α2、β1、β2で示され、接続ビアプラグ4Bの側面が、γ1、γ2で示されている。そして、環状ビアプラグ4Aの側面β1、β2はそれぞれ、図4の場合と同様、環状ビアプラグ4Aの側面α1、α2に対し、接続ビアプラグ4Bの側面γ1、γ2の方向に窪んでいる。しかしながら、図4に示す側面β1、β2が、Y方向に平行であるのに対し、図10に示す側面β1、β2は、Y方向及びX方向に対し傾いている。第2実施形態によれば、このような形状のダミー環状配線3A、5Aと環状ビアプラグ4Aにより、第1実施形態と同様の効果を得ることが可能である。ただし、チップリング2の形成の容易性を鑑み、斜めに傾いた配線やビアプラグが望ましくない場合には、第1実施形態の構成を採用することが望ましい。一方、斜めに傾いた配線やビアプラグを許容する場合には、適宜、第2実施形態の構成を採用することが可能である。図11は、第2実施形態のチップリング2の構成をより広い範囲にわたって示した平面図である。第1実施形態と同様に、ダミー環状配線3A、5Aは、基板1の外周に沿って環状に形成されている。また、環状ビアプラグ4A同士は、基板1の外周に沿って環状に連結されるように、接続ビアプラグ4Bにより互いに接続されている。第2実施形態のチップリング2は、これらのダミー環状配線3A、5A、環状ビアプラグ4A、接続ビアプラグ4Bにより、基板1の外周に沿った環状の平面形状が与えられている。図12は、第2実施形態のチップリング2の構成の種々の変形例を示す平面図である。図12~に示す変形例はそれぞれ、図6~に示す変形例に対応している。図12には、互いに直接的に接続された複数の環状ビアプラグ4Aが示されている。即ち、図12では、各環状ビアプラグ4Aは、隣接する環状ビアプラグ4Aの一部分とビアプラグを共有するように接続されている。また、図12には、チップリング2を構成する配線として、ダミー環状配線3Aのみを含む配線層3が示されている。また、図12には、チップリング2を構成する配線として、ダミー環状配線3Aと、ダミー環状配線3Bと、ダミー環状配線3Cとを含む配線層3が示されている。上述した第2実施形態の効果は、これらの変形例によっても得ることが可能である。以上のように、本実施形態では、第1実施形態と同様に、ダミー環状配線3Aとダミー環状配線5Aを、各々が環状の平面形状を有し、互いに直接的又は間接的に接続された複数の環状ビアプラグ4Aにより接続している図10参照。よって、本実施形態によれば、短いチップリング幅で、優れたクラックストップ機能や水分浸入防止機能を発揮することが可能なチップリング2を提供することが可能となる。また、本実施形態では、第1実施形態と同様に、環状ビアプラグ4Aと、外部、内部ビアプラグ4C、4Dは、近い位置に配置されている。具体的には、内部ビアプラグ4Dは、環状ビアプラグ4Aの内部に配置されている。また、外部ビアプラグ4Cは、環状ビアプラグ4Cの外部において、接続ビアプラグ4B付近に存在する環状ビアプラグ4Aの窪み付近に、該窪みに面するように配置されている。よって、本実施形態によれば、外部、内部ビアプラグ4C、4Dを配置するための幅も含めた、実効的なチップリング幅を短縮することが可能となる。以上、本発明の具体的な態様の例を、第1及び第2実施形態により説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されるものではない。