"リソグラフィ装置であって、パターニングデバイスを支持するように構成された支持体と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターンを前記パターニングデバイスから前記基板のターゲット部分上に転写するように構成されたパターニングシステムと、前記パターンが前記基板の複数のターゲット部分で繰り返し印加されるように、一連の移動を含むパターニングパスで前記基板テーブル、前記パターニングシステム及び前記パターニングデバイスを互いに対して位置決めするように動作可能な位置決め装置と、1つ又は複数の基準基板からベースライン制御パラメータを定義する測定値を周期的に検索することで、前記支持体、基板テーブル又はパターニングシステムのうちの少なくとも1つの制御を支援し、そのため前記ベースライン制御パラメータからのパラメータのドリフトを決定し、それにより前記ドリフトを許容及び/又は修正するように動作可能な制御モジュールであって、前記基準基板が前記ベースライン制御パラメータを決定するようにパターニングを初期に実行されている制御モジュールと、を備え、前記装置が、前記少なくとも1つの基準基板の前記初期のパターニング中に前記1つ又は複数の基準基板のうちの少なくとも1つ上で複数のパターニングパスを実行するように動作可能なリソグラフィ装置。前記複数のパターニングパスのうちの少なくとも2つに先立って前記基板テーブル、前記パターニングシステム及び前記パターニングデバイスのうちの少なくとも2つを互いに整列させるようにアライメント工程をさらに実行するように動作可能である、請求項1に記載の装置。前記アライメントのためにSA/WA/RA/LoCo設定として周知のモデルを備える標準アライメントモデルが使用されるように動作可能であって、SAが前記基板テーブルを整列させるステージアライン、WAが前記基板を整列させるウェーハアライン、RAが前記パターニングデバイスを整列させるレチクルアライン、LoCoがロット修正である、請求項2に記載の装置。精度のために最適化された非標準アライメントモデル設定が前記アライメントに使用される、請求項2に記載の装置。前記制御モジュールと他方のリソグラフィ装置との間のインタフェースをさらに備え、前記インタフェースによって前記制御モジュールがマルチパターニングパス機能にアクセスできる、前記請求項のいずれか1項に記載の装置。前記マルチパターニングパス機能が、リソグラフィ装置用のテストモジュール内に含まれる、請求項5に記載の装置。前記マルチパターニングパス機能が、テストモジュール又は制御モジュールによる使用に限定されるように動作可能である、請求項6に記載の装置。前記マルチパターニングパス機能が、最終XYテストと同様のテストを実行することで達成されるように動作可能であり、各々のターゲット部分が1回だけパターニングを実行されるように前記基板上で複数のパターニングパスが実行される、前記請求項のいずれか1項に記載の装置。前記マルチパターニングパス機能が、仮想ウェーハロード及び仮想ウェーハアンロード機構を用いて達成されるように動作可能であり、前記基板が、パターニングパス完了時にアンロードされず、新たにロードされた基板であるかのように処理される、前記請求項のいずれか1項に記載の装置。ベースライン測定値の前記周期的検索及び/又は前記基準基板上のオーバレイ測定のためのスキャトロメータを組み込んだ検査デバイスをさらに備える、前記請求項のいずれか1項に記載の装置。デフォルトの単一パス転写とマルチパス転写との間の可能な系統的オーバレイオフセットを決定するために1回の較正を実行するように動作可能である、前記請求項のいずれか1項に記載の装置。投影リソグラフィを実行するように動作可能であって、放射ビームを調節するように構成された照明システムと、前記パターニングシステム内に含まれる投影システムとを備え、前記パターニングデバイスが、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成することが可能で、前記投影システムが、基板の前記ターゲット部分上に前記パターン付放射ビームを投影して前記パターニングを実行するように構成される、前記請求項のいずれか1項に記載の装置。少なくともスキャンモードで動作可能であり、前記パターン付放射ビームが、前記基板の前記ターゲット部分全体でスキャンされる、請求項12に記載の装置。リソグラフィ装置用の少なくとも1つの基準基板を製造する方法であって、前記基準基板が、ベースライン制御パラメータを定義する前記少なくとも1つの基準基板から周期的に測定値を検索する制御モジュールと組み合わせて使用可能であり、そのため前記ベースライン制御パラメータからパラメータのドリフトを決定することでリソグラフィ工程中にスキャン制御を支援し、それにより前記ドリフトを許容及び/又は修正することができ、前記ベースライン制御パラメータが、前記リソグラフィ装置を用いて前記少なくとも1つの基準基板を初期にパターニングすることで決定され、前記方法が、前記1つ又は複数の基準基板のうちの少なくとも1つ上で複数のパターニングパスを実行するステップを含み、前記複数のパターニングパスが、前記基準基板の複数のターゲット部分にパターンを繰り返し印加するステップを含む方法。前記複数のパターニングパスのうちの少なくとも2つに先立って前記基板と前記リソグラフィ装置の要素との整列が実行される、請求項14に記載の方法。前記アライメントのためにSA/WA/RA/LoCo設定として周知の標準アライメントモデルが使用され、SAが前記基板テーブルを整列させるステージアライン、WAが前記基板を整列させるウェーハアライン、RAが前記パターニングデバイスを整列させるレチクルアライン、LoCoがロット修正である、請求項15に記載の方法。精度のために最適化された非標準アライメントモデル設定が前記アライメントに使用される、請求項15に記載の方法。前記マルチパターニングパス機能が、普通、前記リソグラフィ装置上のテストルーチンを実行するのに使用される、請求項14から17のいずれか1項に記載の方法。前記マルチパターニングパス機能が、テストモジュール又はスキャン制御モジュールによる使用に限定される、請求項18に記載の方法。前記マルチパターニングパス機能が、最終XYテストと同様のテストを実行することで達成され、各々のターゲット部分が1回だけパターニングを実行されるように前記基板上で複数のパターニングパスが実行される、請求項14から19のいずれか1項に記載の方法。前記マルチパターニングパス機能が、仮想ウェーハロード及び仮想ウェーハアンロード機構を用いて達成され、前記基板がパターニングパス完了時にアンロードされず、新たにロードされた基板であるかのように処理される、請求項14から20のいずれか1項に記載の方法。ベースライン測定値の前記周期的検索が、スキャトロメータを組み込んだ検査デバイスを用いて実行される、請求項14から21のいずれか1項に記載の方法。デフォルトの単一パス転写とマルチパス転写との間の可能な系統的オーバレイオフセットを決定するために1回の較正を実行するステップをさらに含む、請求項14から22のいずれか1項に記載の方法。リソグラフィ装置に請求項14から23のいずれか1項に記載の方法を実行させるように動作可能なコンピュータプログラムを備えるコンピュータプログラムプロダクト。図1は、リソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、-放射ビームB例えばUV放射又はDUV放射を調節するように構成された照明システムイルミネータILと、-パターニングデバイス例えばマスクMAを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造例えばマスクテーブルMTと、-基板例えばレジストコートウェーハWを保持するように構築され、特定のパラメータに従って基板Wを正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル例えばウェーハテーブルWTと、-パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば1つ又は複数のダイを含むに投影するように構成された投影システム例えば屈折投影レンズシステムPLとを備える。照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。支持構造は、パターニングデバイスを支持、すなわちその重量を支えている。支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書においてレチクル又はマスクという用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語であるパターニングデバイスと同義と見なすことができる。本明細書において使用するパターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルLCDパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。本明細書において使用する投影システムという用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において投影レンズという用語を使用した場合、これはさらに一般的な投影システムという用語と同義と見なすことができる。本明細書で示すように、本装置は透過タイプである例えば透過マスクを使用する。あるいは、装置は反射タイプでもよい例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する。リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ又はそれ以上の基板テーブル及び/又は2つ以上のマスクテーブルを有するタイプでよい。このようなマルチステージ機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、1つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に1つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。例えば、このような機械の1つでは、1つのテーブルを測定及びアライメント測定側に使用し、同時に別のテーブルを露光露光側に使用することができる。リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する液浸という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。図1を参照すると、イルミネータILは放射源SOから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源SOがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び/又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムBDの助けにより、放射源SOからイルミネータILへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源SOがリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源SO及びイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDとともに放射システムと呼ぶことができる。イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタADを備えていてもよい。通常、イルミネータILの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び/又は内側半径範囲一般にそれぞれ、σouter及びσinnerと呼ばれるを調整することができる。また、イルミネータILは、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータILを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射ビームBは、支持構造例えば、マスクテーブルMT上に保持されたパターニングデバイス例えば、マスクMAに入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。マスクMAを横断した放射ビームBは、投影システムPLを通過し、投影システムPLは、ビームを基板Wのターゲット部分C上に合焦させる。第2のポジショナPWと位置センサIF例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、2Dエンコーダ又は容量センサの助けを借りて、基板テーブルWTは、例えば、様々なターゲット部分Cを放射ビームBの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第1のポジショナPMと別の位置センサ図1には明示されていないを用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームBの経路に対してマスクMAを正確に位置決めできる。一般に、マスクテーブルMTの移動は、第1のポジショナPMの部分を形成するロングストロークモジュール粗動位置決め及びショートストロークモジュール微動位置決めの助けにより実現できる。同様に、基板テーブルWTの移動は、第2のポジショナPWの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合スキャナとは対照的に、マスクテーブルMTをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。マスクMA及び基板Wは、パターニングデバイスアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分Cの間の空間に位置してもよいスクライブレーンアライメントマークとして周知である。同様に、マスクMA上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも1つにて使用可能である。1.ステップモードにおいては、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影されるすなわち単一静的露光。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。2.スキャンモードにおいては、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影されるすなわち単一動的露光。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの拡大縮小及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の非スキャン方向における幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分のスキャン方向における高さが決まる。3.別のモードでは、マスクテーブルMTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。上述した使用モードの組合せ及び/又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。図2に示すように、リソグラフィ装置LAは、リソセル又はクラスタとも呼ばれることがあるリソグラフィセルLCの一部を形成し、それは基板上で露光前及び露光後プロセスを実行する装置も含む。従来、これらはレジスト層を堆積させるスピンコータSC、露光されたレジストを現像する現像器DE、チルプレートCH及びベークプレートBKを含む。基板ハンドラ、すなわちロボットROは入力/出力ポートI/O1、I/O2から基板を取り上げ、それを様々なプロセス装置間で移動させ、次にリソグラフィ装置のローディングベイloadingbayLBに送出する。多くの場合まとめてトラックと呼ばれるこれらのデバイスは、トラック制御ユニットTCUの制御下にあり、それ自体は監視制御システムSCSによって制御され、それはリソグラフィ制御ユニットLACUを介してリソグラフィ装置も制御する。したがってスループット及び処理の効率を最大化するために様々な装置を動作させることができる。リソグラフィ装置によって露光される基板が正確かつ一貫して露光されるために、露光した基板を検査し、後続層間のオーバレイ誤差、ラインの太さ、クリティカルディメンションCDなどのような特性を測定することが望ましい。誤差が検出された場合は、特に同じバッチの他の基板がまだ露光されないほど十分即座にかつ高速で検査を実行できる場合は、後続基板の露光を調整することができる。また、既に露光した基板を歩留まりを改善するために取り外して再加工するか、又は廃棄し、それにより欠陥があることが分かっている基板で露光を実行するのを回避することができる。基板の幾つかのターゲット部分のみに欠陥がある場合、良好であるそれらのターゲット部分のみでさらなる露光を実行することができる。基板の特性を、特に異なる基板又は同じ基板の異なる層の特性が層ごとにいかに変化するかを決定するために、検査装置が使用される。検査装置をリソグラフィ装置LAに組み込むことができる、又はリソセルLCは独立型デバイスとすることができる。最も迅速な測定を可能にするために、検査装置は露光直後に露光したレジスト層の特性を測定することが望ましい。しかし、レジストの潜像はコントラストが非常に低く、放射に露光してあるレジストの部分と露光していない部分との間には屈折率の非常に小さい差しかない全ての検査装置が、潜像を有用に測定するほど十分な感度を有しているわけではない。したがって、露光後ベークステップPEBの後に測定を実行することができ、これは通常は露光した基板で実行する最初のステップであり、レジストの露光部分と非露光部分との間のコントラストを増大させる。この段階で、レジストの像を半潜像と呼ぶことができる。現像したレジスト像でその時点でレジストの露光部分又は非露光部分は除去されている又はエッチングなどのパターン転写ステップの後で測定することも可能である。後者の見込みは、欠陥がある基板を再加工する見込みを制限するが、それでも有用な情報を提供することができる。図3は、本発明に使用できるスキャトロメータを示す。これは、放射を基板Wに投影する広帯域白色光放射プロジェクタ2を備える。反射した放射はスペクトロメータ検出器4へと渡され、これは鏡面反射した放射のスペクトル10波長の関数としての強度を測定する。このデータから、検出されるスペクトルを生じる構造又はプロファイルを処理ユニットPUによって、例えばRCWARigorousCoupledWaveAnalysis及び非線形回帰によって、又は図3の下部に図示されたようなシミュレートしたスペクトルのライブラリとの比較によって再構築することができる。概して、再構築するために構造の全体的形状を知り、幾つかのパラメータは、構造を作成したプロセスの知識から仮定して、スキャトロメータのデータから決定するべき構造のパラメータはわずかしか残らない。このようなスキャトロメータは、垂直入射スキャトロメータ又は斜め入射スキャトロメータとして構成することができる。本発明と併用することができる別のスキャトロメータを図4に示す。このデバイスでは、放射源2によって放出された放射はレンズシステム12を用いて平行になり、干渉フィルタ13及び偏光子17を通して透過され、部分的に反射する表面16に反射し、開口数NAが大きい、好ましくは少なくとも0.9、より好ましくは少なくとも0.95の顕微鏡対物レンズを介して基板W上に合焦する。液浸スキャトロメータは、開口数が1を超えるレンズを有することさえある。反射した放射は次に、散乱スペクトルを検出させるために部分反射面16を通って検出器18内に伝達される。検出器は、レンズシステム15の焦点距離にある逆投影された瞳面11に位置付けることができるが、瞳面は、代わりに補助光学系図示せずで検出器に再結像することができる。瞳面は、放射の半径方向位置が入射角度を画定し、角度位置が放射の方位角を画定する面である。検出器は、基板ターゲット30の2次元角度散乱スペクトルを測定できるように、2次元検出器であることが好ましい。検出器18は、例えばCCD又はCMOSセンサのアレイでよく、例えば1フレーム当たり40ミリ秒の積分時間を使用することができる。例えば、入射放射の強度を測定するために、基準ビームを使用することが多い。そのために、放射ビームがビームスプリッタ16に入射すると、その一部がビームスプリッタを通って基準ビームとして基準ミラー14に向かって伝達される。次に、基準ビームは同じ検出器18の異なる部分へと投影される次に、基準ビームは、同じ検出器18の別の部分上あるいは別の検出器図示せず上に投影される。例えば405~790nm又はさらに低く、200~300nmなどの範囲の対象となる波長を選択するために、1組の干渉フィルタ13が使用可能である。干渉フィルタは、1組の様々なフィルタを備えるのではなく、調整可能とすることができる。干渉フィルタではなく格子を使用することができる。検出器18は、1つの波長又は狭い波長範囲で散乱光の強度を、複数の波長で別個に、又はある波長範囲にわたって積分された強度を測定することができる。さらに、検出器は横方向磁気光及び横方向電気分極光の強度及び/又は横方向磁気光と横方向電気分極光の位相差を別個に測定することができる。広帯域光源すなわち光の周波数又は波長、したがって色の範囲が広い光源を使用することが可能であり、これは大きいエタンデュを生じ、複数の波長を混合できるようにする。広帯域の複数の波長は、好ましくはそれぞれΔλの帯域幅及び少なくとも2Δλすなわち帯域幅の2倍の間隔を有する。幾つかの放射源は、ファイバ束を使用して分割されている延在した放射源の様々な部分でもよい。この方法で、角度分解散乱スペクトルを複数の波長で平行して測定することができる。3次元スペクトル波長と2つの異なる角度を測定することができ、これは2次元スペクトルより多くの情報を含む。これによって、より多くの情報を測定することができ、それはメトロロジープロセスのロバスト性を高める。このことは、EP1,628,164Aでさらに詳細に説明されている。基板W上のターゲット30は、現像後にバーが実線のレジスト線で形成されるように印刷される1D格子であってもよい。ターゲット30は、現像後に格子が実線のレジストピラー又はレジスト内のビアで形成されるように印刷される2D格子であってもよい。あるいはバー、ピラー又はビアを基板内にエッチングしてもよい。このパターンは、リソグラフィ投影装置、特に投影システムPL内の色収差の影響を受けやすく、このような収差の照明対称と存在は印刷された格子の変化に現れる。したがって、印刷された格子のスキャトロメトリデータを用いて格子が再構築される。線幅及び形状などの1D格子のパラメータ、又はピラー又はビア幅又は長さ又は形状などの2D格子のパラメータを、印刷ステップ及び/又はその他のスキャトロメトリ工程の情報から、処理ユニットPUによって実行される再構築工程に入力することができる。正確なリソグラフィの主要なコンポーネントの1つがリソグラフィスキャナとスキャン機能の制御能力の向上であるスキャナと言う場合、本明細書に記載するスキャンモードすべてと、機能並びにその他のスキャン機能を含むと解釈されたい。スキャナの合焦とオーバレイ層同士のアライメントの均一性が本出願人のBaseliner商標スキャナ安定性モジュールによって最近改良され、所与のフィーチャサイズとチップ用途のための工程ウィンドウが最適化され、より小さくより先進のチップの継続的な作成が可能になった。リソグラフィシステムを最初に設置した時には、最適な動作を確実に行うために較正しなければならない。しかし、時間が経つにつれて、システムの性能パラメータがドリフトする。少量のドリフトは、許容範囲であるがドリフトが大きすぎるとシステムは仕様から逸脱する。したがって、製造業者は、再較正のために周期的に生産を中止しなければならない。システムの較正をより頻繁にすれば工程ウィンドウは大きくなるが停止時間の予定が増えるという欠点がある。スキャナ安定性モジュールは、これらの生産の停止を大幅に低減する。その代わりに、スキャナ安定性モジュールは、定期的に通常は数日ごとに予め画定したベースラインの方へシステムを自動的に駆動する。これを実行するために、スキャナ安定性モジュールは、メトロロジーツールを用いて1つ又は複数のモニタウェーハから得た標準測定値を検索する。モニタウェーハは、特別のスキャトロメトリマークを含む特別のレチクルを用いて露光される。当日の測定値から、スキャナ安定性モジュールは、システムがそのベースラインからどの位ドリフトしたかを決定する。次にスキャナ安定性モジュールは、ウェーハレベルのオーバレイと合焦修正セットを計算する。次にリソグラフィシステムは、これらの修正セットを後続の量産ウェーハ上の露光ごとの特定の修正値に変換する。大量生産の場合、スキャナに露光のための層を割り当てる際に十分な融通性を有することが望ましい。代替案の層とスキャナの専用使用によって毎月の出力容量は危険に曝される。これは、リソクラスタのほんのわずかな擾乱のその月の出力に直接出現するからである。このリスクを克服する周知の方法の1つは、いわゆるオーバレイ格子マッチングである。すべてのスキャナがオーバレイに多少とも同じ平均格子を有するように、すべてのスキャナ格子は、意図的にわずかにオフセットされている。この格子は、多くの場合、ホリー又はゴールデン格子と呼ばれる。これで各々の製品層を同じタイプの各スキャナ上で露光することができる。ゴールデン格子は露光され、いわゆる基準ウェーハ上にエッチングされる。これらのゴールデンマッチングウェーハがランダムモニタリングウェーハの代わりにオーバレイ安定性制御のためのベースラインとして使用される場合、オーバレイ格子マッチング及び長期安定性は単一の自動化ステップで達成することができる。図5は、スキャナ安定性モジュール500この例では基本的にサーバ上で実行されるアプリケーションを組み込んだ総合リソグラフィ及びメトロロジー方法を示す。図はまた、3つのメイン工程制御ループを示す。第1のループは、スキャナ安定性モジュール500とモニタウェーハを用いた局所スキャナ制御を提供する。図示のモニタウェーハ505は、メインリソグラフィユニット510から渡され、露光されて合焦及びオーバレイのベースラインパラメータを設定する。後で、メトロロジーユニット515は、これらのベースラインパラメータを読み込み、これらのパラメータはスキャナ安定性モジュール500によって解釈され、修正ルーチンが計算され、スキャナフィードバック550が提供され、これがメインリソグラフィユニット510へ渡され、さらに露光が実行される際に使用される。第2のAPCループは、製品上の局所スキャナ制御合焦、ドーズ量、及びオーバレイを決定する用である。露光された製品ウェーハ520は、メトロロジーユニット515へ渡され、そこでクリティカルディメンション、側壁角及びオーバレイに関連する情報が決定され先進的プロセス制御APCモジュール525上へ渡される。このデータは、スキャナ安定性モジュール500へも渡される。製造実行システムMES535が引き継ぐ前に工程修正が実行され、スキャナ安定性モジュール500と連通するメインリソグラフィユニット510へのスキャナ制御が提供される。第3のループは、第2のAPCループへのメトロロジーの統合例えば、二重パターニングのためのを可能にする。エッチング後のウェーハ530は、メトロロジーユニット515へ渡され、メトロロジーユニット515は、ウェーハから読み取ったクリティカルディメンション、側壁角及びオーバレイに関する情報を再度先進的プロセス制御APCモジュールへ渡す。ループは、第2のループ同様に連続する。現在、スキャナ安定性モジュールの製品定義は、スキャナ安定性モジュールがウェーハをモニタし、顧客製品ウェーハを露光するための設定と同様のスキャナ設定を用いてロット動作で露光されることを前提とする。特に、これは、スキャナ安定性モジュールのモニタウェーハの露光レイアウトが、特別の処理又はルーチンが適用されることなく通常の顧客製品の露光レイアウトと同様であることを意味する。しかし、ある種のリソグラフィシステム例えば、ツインスキャンRTMのためのテストソフトウェアでは、専用の露光シーケンスがセットアップテストの一部に用いられて露光に限られた数のウェーハのみを使用しながら所望の設定精度が達成される。例えば、実際のレジスト内オーバレイとアライメントモデルステージアライン/ウェーハアライン/レチクルアライン/ロット修正-SA/WA/RA/LoCoに基づいて予想されるオーバレイとの間の系統的線形オフセットいわゆるブルーアライメントオフセット:BAOを較正する最終XYFXYテストでマルチ蛇行露光が使用される。ウェーハアライメントモデルは、アライメントの結果を用いて各露光の位置、回転及び倍率を決定する方法を決定する。FXYテストは、第1にウェーハとレチクルアライメントとの間のアライメントオフセット差を修正することを目的とする較正テストである。このテスト中、各々のウェーハは、測定側にロードされ整列した後でマルチステージリソグラフィマシンと仮定して、機械の露光側へ移行し、そこで各々のフィールドが1回で露光されるように露光当たりの光強度の調整と組み合わせた複数の露光蛇行が実行される。これに続けて、ウェーハは測定側へ戻ってアンロードされる。この較正テストでは、ウェーハとレチクルアライメントの間の不連続性から生じるオフセットとアライメントエラーから生じるオフセットとを区別できないため、この較正テストでは、アライメントノイズ抑制技術が実施される。FXYテストでは、各々の露光蛇行に先立ってそれ自体のレチクルアラインRAテストが実行される。したがって、RA再生は効果的に1/2.5に低減される6回パスの露光の場合ため、RA再生の影響は平均化される。この統計的推定を説明するために、アライメントノイズを1とする。6回のアライメントの平均発生ノイズは、1/√6で、これは約1/2.5である。なお、蛇行の数は6でなくてもよく、用途に応じて1より大きい任意の値であってもよい。したがって、指定されたBAO較正精度を達成するためのFXYテストでは、より少ない数のウェーハを使用する必要がある。標準の単一パス露光を使用する場合、6回のパスの露光を用いて3つのウェーハ上だけでのFXYテストによって達成されるフィールド内BAO精度を達成するには、普通18のウェーハが必要である。マルチパス露光機能を達成する別の方法は、仮想ロード/アンロードなどの特別の方法によるものである。この例では、ウェーハは最初に測定側にロードされ、整列される。次に、ウェーハは第1の露光のために露光側へ移動し、その後、測定側のアンロード位置へ戻る。しかし、ウェーハはアンロードされずにアンロード位置に一定期間そのままにされて、次にロード位置へ移動して工程が繰り返される。この工程は、複数回繰り返して単一のウェーハ上の露光が模倣される。当面は、マルチパス露光機能は専用のテストソフトウェアの使用によってのみアクセス可能である。しかし、将来は、ロット動作インタフェースが原則としてスケジューリングされたロットにマルチパス機能を提供することができるようになると予想される。極めて限定された数のモニタウェーハ通常、スキャナ当たり毎週4~12のウェーハから得たオーバレイデータを用いてスキャナを制御しようと試みるスキャナ安定性モジュールコントローラにとって比較的高いデフォルトのRA/SA/WA/LoCo再生は重要なノイズ源である。現在のスキャナ安定性モジュールの実施態様は、機械一致の顧客使用には十分であるが、専用チャック使用には不十分な制御精度である。例えば、2~3nmのスキャナ安定性モジュール制御精度は、7nmNXTでは5.5nmの機械一致XT4-1950のオーバレイと比較すると小さいが、3.5nmNXTでは2.5nmのXT4-1950の専用チャックオーバレイと比較すると非常に有意である。XT及びNXTはツインスキャンRTM装置の異なる実施態様である。制御精度は、原則として、モニタウェーハの数を増やすことで改善することができるが、残念なことに、モニタウェーハの数は、メトロロジーユニット、スキャナ、ウェーハ処理装置及び顧客FAB自動化システムの利用可能性によって制約される。したがって、スキャナ安定性モジュールコントローラの入力上のノイズを低減して、限られた数のモニタウェーハを用いながらスキャナ安定性モジュール制御の精度を高めなければならない。これは、特に、モニタウェーハの露光工程でSA/WA/RA/LoCoアライメントを実行しながらスキャナによって生成されるノイズを平均化することで達成することができる。これを実行するために、測定-露光シーケンスによるモニタウェーハの各々のマルチサイクリングを可能にするインタフェースがスキャナ上に実施される。これは、マルチパス露光によるFXYテストと同様のテスト、及び/又は仮想ウェーハロード-仮想ウェーハアンロードの上記技術、及び/又はマルチパス露光機能を提供するその他の任意の好適な機構を用いて実行することができる。このようなインタフェースを所定位置に備えることで、以下の方法を実行することができる。FXYテストと同様のテストを用いてスキャナ安定性モジュールのモニタウェーハ上のマルチパス露光を実行する。各露光パスの前に標準SA/WA/RA/LoCoシーケンスを実行する。あるいは、非標準シーケンスを使用してもよい。レチクルアラインとロット修正のみを実行すれば十分である。代替的に又は追加的に、非標準シーケンスはスループットを犠牲にすることはあっても精度を向上させる。このような方法は、同日出願の内部参照番号P-3592.000D8062の姉妹特許出願に開示されている。そこに開示された方法を本明細書に開示する方法と併用することができる。複数の露光パスに対応するオーバレイ測定値スキャトロメータを使用するような検査/メトロロジーツールを用いて得たを平均化することでSA/WA/RA/LoCoの影響を低減する。これは、調整すべき較正オフセットをノイズから分離するためにSA/WA/RA/LoCoの寄与を平均化することでスキャナ安定性モジュールコントローラ内で実行することができる。必要に応じて、デフォルトの単一パスの製品同様の露光とマルチパス露光との間にあり得る系統的オーバレイオフセット例えば、BAOの差を決定するために1回の較正スキャナ当たり又はスキャナファミリ当たりを実行する。ソフトウェア及びスキャナ安定性モジュールのロットをテストするためのマルチパス露光の使用を制限する例えば、スキャナ安定性モジュール固有のロットIDがスキャナ安定性モジュール固有のレシピと組み合わせて検出される時にだけマルチパスを利用可能にする。本稿では投影リソグラフィ装置とスキャン機能について具体的に説明しているが、本明細書に開示する概念は、インプリントリソグラフィ装置露光という用語はインプリントリソグラフィによるパターニングと考えるべきで、投影固有の装置という用語は当業者には明らかなようにインプリントリソグラフィ内の同等物をさすものと考えなければならない及び/又はステッパ機能スキャナ、スキャン又はスキャナ安定性モジュールという用語は当業者には明らかなようにステッパ同等物をさすものと考えるべきであるにも等しく適用可能であることを理解されたい。本文ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書でウェーハ又はダイという用語を使用している場合、それぞれ、基板又はターゲット部分という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール、メトロロジーツール及び/又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ICを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。本明細書で使用する放射及びビームという用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線UV放射例えば、365nm、355nm、248nm、193nm、157nm若しくは126nm、又はこれら辺りの波長を有する及び極端紫外線EUV放射例えば、5nm~20nmの範囲の波長を有するを含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。レンズという用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明又は少なくとも本発明の発明の態様は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の1つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスクの形態をとることができる。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。それ故、下記に示す特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。"