"試料を載置する試料ステージと、前記試料に接触させるプローブと、前記試料と前記プローブに荷電粒子ビームを照射する荷電粒子ビーム鏡筒と、前記試料の表面に対し斜め方向からの前記荷電粒子ビームの照射により前記試料と前記プローブから発生した二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出器と、前記二次荷電粒子に基づく顕微鏡像において、前記プローブの先端と前記先端の影とが一致する方向に前記プローブを移動させるためのマニピュレータと、からなる荷電粒子ビーム装置。前記プローブと前記試料ステージとの距離は、前記試料ステージのチルト前後で一定である請求項1に記載の荷電粒子ビーム装置。上記した従来の接触検知手法は、接触した結果として起こる電気的な変化や圧電現象といった物理現象を利用するものであるから、観察しながらプローブをソフトに試料に接触させるようにアプローチさせることが難しい。また、電気的な変化の場合、接触対象が絶縁物の場合検出できない。導電性金属材料も表面に酸化膜が形成され電気特性が得にくい場合がある。本発明が解決しようとする課題は、特別な検出手段を要せず顕微鏡観察しながらマニピュレータを操作するだけで微小な試料へプローブが確実に且つソフトに接触するようにアプローチ出来る手法を提示すると共に、それを実行する装置を提供することにある。本発明のプローブのアプローチ方法は、プローブと接触させる試料の目標位置間のマイクロレベルの距離を観察しながら、その距離が縮まる際に荷電粒子ビーム顕微鏡画像に表れるプローブの影を顕微鏡で観察しつつ、観察画面上の接触目標とする位置にてプローブとプローブの影との先端部が一致する方向に移動させるようにした。本発明のプローブのアプローチ方法は、プローブ位置に対して接触させる試料位置の方向と距離は、2つ以上の異なるチルト角で撮像された複数の顕微鏡像における相対距離測定値と、前記チルト角データとから算出し、それに基づいてプローブと接触させる試料位置間の距離が数ミクロン以内となるように該プローブの移動を行うようにした。このプローブの影は斜め観察時にプローブが試料の表面に接近すると、プローブ近傍の試料表面から発生する2次電子又は2次イオンの検出器2への到達を遮蔽するために生じる現象で、プローブと試料表面間が近く狭いほど顕著になる。電子顕微鏡で微小穴の2次電子像を観察するときに穴の中は外側に比べ暗く見えるのも、同様に二次電子が穴の中から出てくる際の遮蔽のためである。本発明のより好ましいプローブのアプローチ方法は、試料ステージのチルト軸と試料表面の高さ位置が合わされた状態において、試料表面垂直方向から荷電粒子ビームを照射した顕微鏡画面上で接触させる試料位置とプローブ先端部位置とを位置合わせするステップと、前記試料ステージを所定角度チルトして撮像した顕微鏡像における接触させる前記試料位置とプローブ先端部位置との相対距離を測定するステップと、該相対距離データと前記チルト角とから両者間の距離を算出するステップと、前記プローブを接触対象の方向へ移動させるステップと、顕微鏡観察しつつ前記プローブと該プローブの影との先端部が一致するまで同方向に移動させるステップからなる。本発明のプローブのアプローチ方法は、プローブには輝度変化が目視できる程度の周波数の電圧を印加することにより、荷電粒子ビーム顕微鏡で観察する際の2次電子または2次イオンの検出量を変化させ、同時にプローブの影を輝度変化させることを特徴とするプローブの影を輝度変化させるようにした。また、プローブに印加する電圧は一定でも構わない。また本発明の方法を実施する装置は、顕微鏡機能を備えた荷電粒子ビーム装置であって、先端部に導電性材料で形成されたプローブを取り付けたマイクロマニピュレータが少なくともx,y,z軸とチルト軸を備えた4軸駆動以上のステージに一体的に固定され、前記プローブには可変電圧供給手段が接続されているものとした。本発明のプローブのアプローチ方法は、プローブと接触させる試料位置間の距離がマイクロレベルの近接状態である状態において、荷電粒子ビーム顕微鏡画像に表れるプローブの影を顕微鏡で接近状態を観察しながら、観察画面上で前記プローブとプローブの影との先端部が一致するまでプローブを前記既知の方向に移動させるようにしたものであるから、試料に接触するまでソフトにプローブを移動させることが出来る。本発明のプローブのアプローチ方法は、プローブ位置に対して接触させる試料位置の方向と距離は、異なる既知のチルト角で撮像された複数の顕微鏡像における相対距離測定値と、前記チルト角データとから算出し、それに基づいてプローブと接触させる試料位置間の距離が数ミクロン以内となるように該プローブの移動を行うようにしたので、プローブの影を顕微鏡画像中で確実に捉えることが出来る。本発明のより好ましいプローブのアプローチ方法は、試料ステージのチルト軸と試料表面の高さ位置が合わされた状態において、試料表面垂直方向から荷電粒子ビームを照射した顕微鏡画面上で接触させる試料位置とプローブ先端部位置とを位置合わせすることにより、プローブの先端位置を接触させる試料位置の試料面に垂直方向に持ってくることが出来、前記試料ステージを所定角度チルトして撮像した顕微鏡像における接触させる前記試料位置とプローブ先端部位置との相対距離を測定し、該相対距離データと前記チルト角とから両者間の距離を算出することが出来る。そしてその算出距離に基づいて前記プローブを数ミクロンの距離まで直線移動させることで、顕微鏡画像中にプローブとその影とを確実に捉えることが出来る。更に、顕微鏡観察しつつ前記プローブと該プローブの影との先端部が一致するまで同方向に移動させるようにしたので試料に接触するまでソフトにプローブを移動させることが出来る。本発明のプローブのアプローチ方法は、プローブに任意の電圧もしくは輝度変化が目視できる程度の周波数の電圧を印加することにより、プローブの影を輝度変化させるようにしたので、プローブの影を確実に捉えることが出来、アプローチの作業が容易となる。試料表面が凹凸があったり、影と紛らわしい文様状のパターンがある場合でも、輝度変化する影は容易に見分けることが出来る。また、本発明の方法を実施する装置は、顕微鏡機能を備えた荷電粒子ビーム装置であって、先端部に導電性材料で形成されたプローブを取り付けたマイクロマニピュレータが少なくともx,y,z軸とチルト軸を備えた4軸駆動以上のステージに一体的に固定されているので、ステージをチルトさせてもプローブと試料との位置関係は変わらない。そして、前記プローブには可変電圧供給手段が接続されているので、輝度変化が識別できるスピードの電圧変化を印加することでプローブの影を顕微鏡画面上で確実に捉えることが出来る。本発明は、電流計や圧電素子とセンサといった特別な検出手段を要せず顕微鏡観察しながらマニピュレータを操作するだけで微小な試料へプローブが確実に且つソフトに接触するようにアプローチ出来る手法を提示することにした。従来の接触検知手法が、接触した結果として起こる電気的な変化や圧電現象といった物理現象を利用するものであるから、観察しながらプローブをソフトに試料に接触させるようにアプローチさせることが難しいことに鑑み、接触前の状態をモニタする方法を模索した。走査型電子顕微鏡SEMや走査型イオン顕微鏡SIMで探針状のプローブ1を走査しながら顕微鏡観察をしていると、その顕微鏡画面に図1のC,Dのようなプローブの影1aが現れることは知られていた。先の特許文献3には試料への接触直前に発生するこのプローブの影を検出して、数μmまで接近した状態を予知するという記述があるが、本発明では単にプローブが数μmまで試料に接近した状態を予知するだけでなく、この影を更に積極的に利用すること、すなわち、数十度のチルト角に設定した荷電粒子ビーム顕微鏡で観察しつつ、観察画面上で前記プローブ1とプローブの影1aの先端部を一致させるようにプローブを試料面に移動させるアプローチ方法である。プローブ1先端と試料5表面との間に間隙が存在している場合、図1のCのように斜め方向から顕微鏡観察すれば、プローブ1先端部とその影1aは必ず非接触となっている。逆にプローブ先端と試料面が接触していれば斜め方向からの顕微鏡像においても接触状態となる。この顕微鏡画面をモニタしながら、プローブ1の先端と影1aの先端が一致するように試料5方向にプローブ1を接近させればソフトに確実にアプローチさせることが出来る。このプローブの影が顕微鏡像において観察されるのは、そのプローブが試料面からマイクロレベルの距離に近接した状態でのことである。そのため、本発明ではまず、最初のアプローチとしてプローブを接触させる試料位置から数μm以内の距離に持ってくることが必要である。そこで、プローブ1の先端部の位置と接触すべき試料の位置×が顕微鏡像ではどのように確認できるかを説明する。図2に示すように観察方向、すなわち、荷電粒子ビームを試料ステージ4の面に対しどの角度から照射するかによって、その画像は変わってくる。ステージ4のチルト角0°すなわち、ステージ面に対し垂直方向からビームが照射されたときプローブ1の先端部の位置と接触すべき試料の位置×が一致していたとしても、それは必ずしも両者が接触していることを意味しない。チルト角を調整し20°角や30°角から観察すれば両者間に隙間があることが見て取れる。そして、その両者間の距離は2つ以上の異なるチルト角の顕微鏡画像を基に、その際のチルト角と画像における相対距離とから算出することが出来る。因みにチルト角0°の画面においてプローブ1の先端部の位置と接触すべき試料の位置×が一致していれば、プローブ1の先端部は接触すべき試料の位置×の真上にあること、即ち試料面に対して垂直方向に位置していることを意味する。従って、その状態からステージをα角チルトして得たれた画像における両者の相対距離dは実際の両者間距離d0にsinαを掛けた値となり、演算は簡単となる。次ぎに本発明のプローブアプローチ手順を図3に示すフローチャートを参照し説明する。試料ステージをチルトしても画像上の中心試料位置がずれないよう、試料ステージ2のチルト軸6が試料5の表面位置と一致するように、ステージ高さ調整機構z軸で合わされたユーセントリック位置において、ステップ1第1のチルト角を設定し、顕微鏡画像を撮像し、プローブ1の先端部の位置と接触すべき試料の位置×間の相対距離を測長する。この際、試料表面垂直方向から荷電粒子ビームを照射した顕微鏡画面チルト角0°上で接触させる試料位置×とプローブ1の先端部位置とを位置合わせをしておけば、プローブ1の先端部が接触させる試料位置×から試料面垂直方向位置に存在することになるため、計算処理が単純であるが必須要件ではない。ステップ2次ぎに前記試料ステージを第2のチルト角に設定して撮像した顕微鏡像における接触させる前記試料位置×とプローブ1の先端部位置との相対距離を測定する。ステップ3ここで第1のチルト角の画像における相対距離データd1と前記チルト角α1と、第2のチルト角の画像における相対距離データd2と前記チルト角α2とから両者間の位置関係距離と方向を算出する。ステップ4次ぎにこの距離値から数μmを引いた値分だけ、前記プローブ1を試料接触位置×方向に移動させると、プローブ先端から試料面までの距離が数ミクロン以内となる。以上の手順を経てプローブをその影が観察できる位置までアプローチさせる。ステップ5影の観察できる距離の状態で、顕微鏡観察すると図1のDに示すようにプローブ1とその影1aとが試料5面上に映し出されているので、その顕微鏡画像を観察しつつ前記プローブ1と該プローブの影1aとの先端部が一致するまで徐々に移動させる本発明の最も特徴的な第2のアプローチを実行し、該プローブ1を試料位置×にソフトに接触させることができる。次ぎに本発明の1実施例を示す。装置としては導電性のプローブ1に可変電圧原9を接続し、荷電粒子ビームの顕微鏡としてのスキャン画像1フレームの周期tより遙かに長い周期ntt’nは1以上の自然数、t’<tの電圧変化を出力させる。本発明は図4のAに示したように顕微鏡画像に現れるプローブ1の影1aをモニタしながらアプローチを行うものであるところ、図4のBに示すような試料表面にプローブ先端と類似したパターンが存在する場合、顕微鏡画像内でプローブ1の影1aを捉えにくくなる場合がある。この実施例はプローブ1の電位を変化させることにより、ビーム照射によって試料面から放射された二次荷電粒子が二次荷電粒子検出器2へ到達する率が変化するようにしたものである。これは試料近傍に存在するプローブが作る電界強度が変化することにより、試料面から放射される二次荷電粒子を助長/抑制したり、放射された二次荷電粒子を吸引/反発させるといった現象により、二次荷電粒子が二次荷電粒子検出器2へ到達する率が変えられるものである。この変化は顕微鏡画像の上ではプローブの影の輝度変化として現れる。そこで、本実施例ではこの輝度変化が顕微鏡観察を行う人間の目に認識し易い周期であることが好適である。そのため、荷電粒子ビームの1フレーム周期より遙かに遅い周期の電圧変化を出力させるように構成したものであり、その変化は必ずしも正弦波である必要は無く、例えば影が点滅するようにパルス状の電圧変化であっても良い。ただ、輝度変化として人の目に認識し易い変化であることが必要条件である。図4のAには表面が平坦な試料における影1aの変化を示したが、左の像は影がはっきり写った画像であり、右の像は影が薄くなった図である。可変電圧源9の変化に従って、時々刻々この輝度が変化するので、作業者がその影の存在位置を識別しアプローチ作業を行うことが容易である。図4のBに示したような試料表面にプローブ先端部と紛らわしいパターンの基板形状や、絶縁物が混在する基板上へアプローチする場合でも影がはっきり写った左の画像と、影が薄くなった右の図間で時々刻々変化するので、紛らわしいパターンとプローブの影とを識別することは容易である。このように顕微鏡画像を観察しながら、微小な試料へプローブが確実に且つソフトに接触するようにアプローチすることが出来る。また、絶縁物と導電性プローブの同時観察時はコントラストが大きく異なるので、ディスプレーの階調内では同時に表面形状を表示させることが難しく、輪郭もぼやけるが、プローブに任意の一定電圧を印加すると試料とプローブとプローブの影のコントラスト比が調整され、はっきりとした表面形状や輪郭形状の同時観察が可能になり、安全にアプローチすることができる。"