"窒化物半導体からなる電子走行層と、前記電子走行層に積層され、前記電子走行層とはAl組成が異なり、Alを含む窒化物半導体からなる電子供給層と、前記電子供給層と前記電子走行層との界面に連続する界面を有し、前記電子走行層上に形成された酸化膜と、前記酸化膜を挟んで前記電子走行層に対向するゲート電極とを含む、窒化物半導体装置。前記酸化膜と前記ゲート電極との間に介在するように配置された絶縁層をさらに含む、請求項1に記載の窒化物半導体装置。前記電子供給層が、前記電子走行層に向かって窪んだ凹部を有しており、前記酸化膜が前記凹部の底部に形成されている、請求項1または2に記載の窒化物半導体装置。前記絶縁層が前記凹部内に配置された部分を含む、請求項2に係る請求項3に記載の窒化物半導体装置。前記酸化膜が前記凹部の底部および側壁に渡って形成されている、請求項3または4に記載の窒化物半導体装置。前記酸化膜の膜厚が、5nm以下である、請求項1~5のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置。前記酸化膜が5×1016cm-3以上の濃度で窒素を含む、請求項1~6のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置。前記電子供給層が、前記電子走行層との界面に、AlN層を有している、請求項1~7のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置。前記電子供給層が、前記電子走行層に接する第1層と、前記第1層に接するように積層され当該第1層とはAl組成が異なる第2層とを含む、請求項1~8のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置。前記酸化膜の膜厚が、前記絶縁層の層厚よりも小さい、請求項2または4に記載の窒化物半導体装置。前記酸化膜中の窒素濃度が前記絶縁層中の窒素濃度よりも高い、請求項2、4または10に記載の窒化物半導体装置。前記酸化膜中の窒素濃度が5×1016cm-3以上であり、前記絶縁層中の窒素濃度が5×1016cm-3未満である、請求項2、4、10または11に記載の窒化物半導体装置。窒化物半導体からなる電子走行層を形成する工程と、前記電子走行層上に、前記電子走行層とはAl組成が異なり、Alを含む窒化物半導体からなる電子供給層を形成する工程と、前記電子供給層の一部をエッチングして凹部を形成し、前記凹部の底部に、当該凹部外の部分よりも薄く、前記電子走行層に接する薄部を形成する凹部形成工程と、前記薄部を熱酸化することにより、前記薄部全体を酸化膜に転換させる熱酸化工程と、前記酸化膜を挟んで前記電子走行層に対向するゲート電極を形成するゲート形成工程とを含む、窒化物半導体装置の製造方法。前記凹部形成工程が、前記薄部の厚さが5nm以下となるように前記電子供給層の一部をエッチングする工程を含む、請求項13に記載の窒化物半導体装置の製造方法。前記熱酸化工程が、前記薄部から連続する前記凹部の側壁を併せて酸化し、前記酸化膜を前記側壁まで延びるように形成する工程を含む、請求項14に記載の窒化物半導体装置の製造方法。前記熱酸化工程の後に、前記酸化膜上に絶縁層を形成する工程をさらに含み、前記絶縁層の形成後に前記ゲート形成工程が行われる、請求項13~15のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置の製造方法。前記電子供給層を形成する工程が、前記電子走行層との界面に、AlN層を形成する工程を含む、請求項13~16のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置の製造方法。前記電子供給層を形成する工程が、前記電子走行層に接する第1層を形成する工程と、前記第1層に接するように前記第1層とはAl組成の異なる第2層を形成する工程とを含む、請求項13~17のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置の製造方法。前記酸化膜の膜厚が、前記絶縁層の層厚よりも小さくなるように、前記酸化膜および絶縁層が形成される、請求項16に記載の窒化物半導体装置の製造方法。特許文献1は、ゲート電極直下の電子供給層の層厚を薄くする構造を開示している。しかし、電子供給層の層厚をエッチングで精密に制御することは困難であり、ゲート電極直下の電子供給層を完全になくすことはできない。そのため、電子供給層と電子走行層との間の格子不整合に起因する分極によって作られるチャネルを完全に消失させることができないから、現実的にはノーマリオフ型のデバイスにならない。また、電子供給層からのエッチングを、電子供給層/電子走行層の界面を超えて行うと、電子供給層/電子走行層の界面を傷付けることになるから、電子移動度が著しく低下し、デバイス特性が著しく悪化する。一方、特許文献2は、n型AlGaN電子供給層にp型GaN層を積層し、その上にゲート電極を配置し、前記p型GaN層から広がる空乏層によってチャネルを消失させることで、ノーマリオフを達成する構成を開示している。しかし、この構成では、pn接合における順方向降下電圧たとえば2V程度のために、高いゲート電圧を印加することができない。たとえば、電源電圧が5Vの場合に、3V程度の電圧をチャネルに印加できるに過ぎない。そのため、オン特性があまり良くない。そこで、この発明の目的は、ノーマリオフ型のHEMT構造を有し、かつ優れたデバイス特性を有する窒化物半導体装置およびその製造方法を提供することである。上記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、窒化物半導体からなる電子走行層と、前記電子走行層に積層され、前記電子走行層とはAl組成が異なり、Alを含む窒化物半導体からなる電子供給層と、前記電子供給層と前記電子走行層との界面に連続する界面を有し、前記電子走行層上に形成された酸化膜と、前記酸化膜を挟んで前記電子走行層に対向するゲート電極とを含む、窒化物半導体装置である。この構成によれば、電子走行層上にAl組成の異なる電子供給層が形成されてヘテロ接合が形成されている。したがって、電子走行層と電子供給層との界面付近の電子走行層内に二次元電子ガスが形成され、この二次元電子ガスをチャネルとして利用したHEMTが形成されている。ゲート電極は、酸化膜を挟んで電子走行層に対向している。その酸化膜と電子走行層との界面は、電子供給層と電子走行層との界面に連続している。すなわち、酸化膜の直下には電子供給層は存在せず、したがって、ゲート電極の直下には、電子供給層と電子走行層との格子不整合による分極に起因する二次元電子ガスが形成されない。よって、ゲート電極にバイアスを印加していないときゼロバイアス時には、二次元電子ガスによるチャネルはゲート電極直下で遮断されている。これにより、ノーマリオフ型のHEMTが実現されている。ゲート電極に適切なオン電圧を印加すると、ゲート電極直下の電子走行層内にチャネルが誘起され、ゲート電極の両側の二次元電子ガスが接続される。一方、酸化膜と電子走行層との界面は、電子供給層と電子走行層との界面に連続していて、ゲート電極直下における電子走行層の界面の状態は、電子供給層と電子走行層との界面の状態と同等である。そのため、ゲート電極直下の電子走行層における電子移動度は高い状態に保持されている。また、ゲートにpn接合を備えた特許文献2の構造とは異なり、十分に高いオン電圧をゲート電極に印加できる。よって、ゲート電極にオン電圧を印加したときのデバイス特性も良好である。こうして、ノーマリオフ型のHEMT構造を有し、かつ優れたデバイス特性を有する窒化物半導体装置を提供できる。電子供給層/電子走行層の組み合わせは、AlGaN層/GaN層、AlGaN層/AlGaN層ただしAl組成が異なるもの、AlInN層/AlGaN層、AlInN層/GaN層、AlN層/GaN層、AlN層/AlGaN層のうちのいずれかであってもよい。より一般化すれば、電子供給層は、組成中にAlおよびNを含む。電子走行層は、組成中にGaおよびNを含み、Al組成が電子供給層とは異なる。電子供給層と電子走行層とでAl組成が異なることにより、それらの間の格子不整合が生じ、それによって、分極に起因する二次元電子ガスが界面に近い電子走行層内に生じる。請求項2記載の発明は、前記酸化膜と前記ゲート電極との間に介在するように配置された絶縁層をさらに含む、請求項1に記載の窒化物半導体装置である。この構成により、ゲート電極と電子供給層との間に必要な厚さのゲート絶縁膜酸化膜および絶縁層を配置できる。請求項3記載の発明は、前記電子供給層が、前記電子走行層に向かって窪んだ凹部を有しており、前記酸化膜が前記凹部の底部に形成されている、請求項1または2に記載の窒化物半導体装置である。この構成により、電子供給層に形成された凹部の直下において、電子走行層内のチャネル二次元電子ガスを遮断でき、その凹部を挟んだ領域において、電子走行層内にチャネル二次元電子ガスを形成できる。請求項4記載の発明は、前記絶縁層が前記凹部内に配置された部分を含む、請求項2に係る請求項3に記載の窒化物半導体装置である。この構成により、絶縁層は凹部の底部に配置された酸化膜に接するので、ゲート電極との間に良好なゲート絶縁膜を形成できる。前記絶縁層は、凹部内だけでなく、凹部外にまで延びて形成されていてもよい。絶縁層が凹部外にまで延びて形成されていれば、絶縁破壊耐圧を高めることができる。請求項5記載の発明は、前記酸化膜が前記凹部の底部および側壁に渡って形成されている、請求項3または4に記載の窒化物半導体装置である。この構成によれば、酸化膜が底部だけでなく側壁にも形成されているので、リーク電流を低減できる。たとえば、電子供給層に凹部を形成した後、熱酸化法によって酸化膜を形成すると、凹部の底部および側壁に渡って連続する酸化膜が形成される。請求項6記載の発明は、前記酸化膜の膜厚が、5nm以下好ましくは、1nm~5nmである、請求項1~5のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置である。5nm以下の酸化膜は、熱酸化法によって形成することができる。したがって、電子供給層を部分的に5nm以下に薄型化たとえば前記凹部を形成した後に、熱酸化を行うことによって、電子供給層と電子走行層との界面に損傷を与えることなく、電子走行層に接する熱酸化膜を形成でき、その部分において電子供給層を消失させることができる。請求項7に記載されているように、前記酸化膜が5×1016cm-3以上の濃度で窒素を含んでいてもよい。請求項8記載の発明は、前記電子供給層が、前記電子走行層との界面に、AlN層を有している、請求項1~7のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置である。AlN層に対して熱酸化を行うと、加熱によって窒素原子Nが抜けることにより、窒素原子Nが酸素原子Oに置換されて、AlxOyからなる酸化膜となる。したがって、電子供給層と電子走行層との界面にAlN層が配置されていれば、これを熱酸化膜に転換させて酸化膜を形成できる。しかも、電子走行層との界面にAlN層が形成されていることにより、電子の散乱が抑制されるので、電子移動度を高めることができる。請求項9に記載されているように、前記電子供給層が、前記電子走行層に接する第1層と、前記第1層に接するように積層され当該第1層とはAl組成が異なる第2層とを含んでいてもよい。第1層が前記AlN層であってもよい。この場合、第2層は、AlGaN層またはAlInN層であってもよい。請求項10記載の発明は、前記酸化膜の膜厚が、前記絶縁層の層厚よりも小さい、請求項2または4に記載の窒化物半導体装置である。この構成では、絶縁層が酸化膜に積層されるので、酸化膜の膜厚が薄くても、酸化膜および絶縁層の全体で必要な膜厚のゲート絶縁膜を形成できる。酸化膜を薄くできることにより、ゲート電極直下における電子供給層を確実に消失させることができ、かつ酸化膜の形成の際に電子走行層との界面に与える損傷を最小限にとどめることができる。その一方で、ゲート絶縁膜を十分な厚さに形成することによって、絶縁破壊耐圧を向上できる。請求項11に記載されているように、前記酸化膜中の窒素濃度が前記絶縁層中の窒素濃度よりも高くなっていてもよい。たとえば、電子供給層と電子走行層との界面にAlN層を形成し、これを熱酸化法によって酸化膜に転換させる場合には、酸化膜中の窒素濃度が絶縁層中の窒素濃度よりも高くなる。具体的には、請求項12に記載されているように、前記酸化膜中の窒素濃度が5×1016cm-3以上であり、前記絶縁層中の窒素濃度が5×1016cm-3未満であってもよい。請求項13記載の発明は、窒化物半導体からなる電子走行層を形成する工程と、前記電子走行層上に、前記電子走行層とはAl組成が異なり、Alを含む窒化物半導体からなる電子供給層を形成する工程と、前記電子供給層の一部をエッチングして凹部を形成し、前記凹部の底部に、当該凹部外の部分よりも薄く、前記電子走行層に接する薄部を形成する凹部形成工程と、前記薄部を熱酸化することにより、前記薄部全体を酸化膜に転換させる熱酸化工程と、前記酸化膜を挟んで前記電子走行層に対向するゲート電極を形成するゲート形成工程とを含む、窒化物半導体装置の製造方法である。この方法によれば、電子供給層の一部をエッチングして凹部が形成されて、その凹部の底部に電子供給層の薄部が形成される。この薄部が熱酸化されることによって、薄部全体が酸化膜に転換される。こうして、電子供給層と電子走行層との界面に損傷を与えることなく、凹部の底部において電子供給層を消失させることができる。これにより、ノーマリオフ型のHEMT構造を有し、かつ優れたデバイス特性を有する窒化物半導体装置を製造できる。請求項14記載の方法は、前記凹部形成工程が、前記薄部の厚さが5nm以下好ましくは1~5nmとなるように前記電子供給層の一部をエッチングする工程を含む、請求項13に記載の窒化物半導体装置の製造方法である。この方法によれば、薄部の厚さが5nm以下となるまでエッチングされるので、その後の熱酸化によって、その薄部全体を確実に酸化膜に転換させることができる。請求項15記載の方法は、前記熱酸化工程が、前記薄部から連続する前記凹部の側壁を併せて酸化し、前記酸化膜を前記側壁まで延びるように形成する工程を含む、請求項14に記載の窒化物半導体装置の製造方法である。この方法によれば、凹部の底部だけでなく、その側壁にまで延びて酸化膜が形成されるので、リークパスをより少なくしてデバイス特性を向上できる。請求項16記載の方法は、前記熱酸化工程の後に、前記酸化膜上に絶縁層を形成する工程をさらに含み、前記絶縁層の形成後に前記ゲート形成工程が行われる、請求項13~15のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置の製造方法である。この方法によれば、酸化膜上に絶縁層が形成され、その絶縁層上のゲート電極を形成できる。これにより、ゲート電極と電子走行層との間に、必要な厚さのゲート絶縁膜を配置できる。絶縁層は、たとえばALD法で形成されてもよい。請求項17記載の方法は、前記電子供給層を形成する工程が、前記電子走行層との界面に、AlN層を形成する工程を含む、請求項13~16のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置の製造方法である。この方法により、AlN層が電子走行層に接して形成されるので、熱酸化の際に、AlN層中の窒素原子Nが酸素原子Oに転換し、電子走行層との界面の電子供給層AlN層を確実に消失させることができる。請求項18記載の方法は、前記電子供給層を形成する工程が、前記電子走行層に接する第1層を形成する工程と、前記第1層に接するように前記第1層とはAl組成の異なる第2層を形成する工程とを含む、請求項13~17のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置の製造方法である。前記第1層は、AlN層であってもよい。この場合、前記第2層はAlGaN層またはAlInN層であってもよい。請求項19記載の方法は、前記酸化膜の膜厚が、前記絶縁層の層厚よりも小さくなるように、前記酸化膜および絶縁層が形成される、請求項16に記載の窒化物半導体装置の製造方法である。この方法では、酸化膜の膜厚が薄くても、酸化膜および絶縁層の積層膜からなるゲート絶縁膜は必要な厚さを有することができる。酸化膜を薄くできることにより、ゲート電極直下における電子供給層を確実に消失させることができ、かつ酸化膜の形成によって電子走行層との界面に与える損傷を最小限にとどめることができる。その一方で、ゲート絶縁膜を十分な厚さに形成することによって、絶縁破壊耐圧を向上できる。以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、この発明の一実施形態に係る窒化物半導体装置の構成を説明するための断面図である。この窒化物半導体装置は、基板1たとえばシリコン基板と、基板1の表面に形成されたバッファ層2と、バッファ層2上にエピタキシャル成長された電子走行層3と、電子走行層3上にエピタキシャル成長された電子供給層4とを含む。さらに、この窒化物半導体装置は、電子供給層4の表面を覆うパッシベーション膜5と、パッシベーション膜5に形成されたコンタクト孔6a,7aを貫通して電子供給層4にオーミック接触しているソース電極6およびドレイン電極7とを含む。ソース電極6およびドレイン電極7は、間隔を開けて配置されており、それらの間に、ゲート電極8が配置されている。電子供給層4には、その表面から電子走行層3に向かって掘り込まれた凹部9が形成されている。この凹部9の底部9aおよび側壁9bを覆うように、酸化膜11が形成されている。この酸化膜11に絶縁層12が積層されており、これらの酸化膜11および絶縁層12によってゲート絶縁膜10が構成されている。ゲート電極8は、ゲート絶縁膜10を挟んで、凹部9の底部9aにおいて、電子走行層3に対向している。酸化膜11が凹部9の底部9aだけでなく側壁9bをも覆うように延びていることにより、リークパスを少なくすることができる。電子走行層3と電子供給層4とは、Al組成の異なるIII族窒化物半導体以下単に窒化物半導体という。からなっている。たとえば、電子走行層3は、GaN層からなっていてもよく、その厚さは、0.5μm程度であってもよい。電子供給層4は、この実施形態では、電子走行層3に接する第1層41と、第1層41に接する第2層42とを有している。第1層41は、この実施形態では、AlN層からなっており、厚さは、たとえば、数原子厚程度5nm以下。好ましくは1~5nm、より好ましくは1~3nmである。第2層42は、この実施形態では、AlxGa1xN層0<x<1からなっており、その厚さは、たとえば20nm程度である。このように、電子走行層3と電子供給層4とは、Al組成の異なる窒化物半導体からなっており、それらの間には格子不整合が生じている。そして、この格子不整合に起因する分極のために、電子走行層3と電子供給層4との界面に近い位置たとえば界面から数Å程度の距離の位置には、その分極に起因する二次元電子ガス15が広がっている。AlNからなる第1層41は、電子の散乱を抑制して、電子移動度の向上に寄与する。凹部9の底部9aでは、酸化膜11は、電子供給層4の第1層41とほぼ等しい膜厚を有している。具体的には、酸化膜11は、5nm以下、好ましくは1~5nm、より好ましくは1~3nmの膜厚を有している。酸化膜11は、電子走行層3に接しており、酸化膜11と電子走行層3との界面は、電子供給層4と電子走行層3との界面と同一平面内に位置している。換言すれば、酸化膜11と電子走行層3との界面は、電子供給層4と電子走行層3との界面に連続している。酸化膜11は、この実施形態では、熱酸化膜であり、電子走行層3との界面に損傷を与えることなく形成された酸化膜である。また、この酸化膜11は、絶縁層12中の窒素濃度よりも高い濃度で窒素を含有している。より具体的には、酸化膜11中の窒素濃度は、5×1016cm-3以上であり、絶縁層12中の窒素濃度は、5×1016cm-3未満である。より詳細には、酸化膜11は、凹部9の底部9aに接する底部被覆部11aにおいて、より高い窒素濃度を有しており、その底部被覆部11aにおける窒素濃度が5×1016cm-3以上であり、凹部9の側壁9bを被覆する側壁被覆部11bにおける窒素濃度よりも高い。絶縁層12は、たとえば、酸化アルミニウムアルミナからなり、酸化膜11よりも厚くたとえば電子供給層4よりも厚くてもよい形成されている。これにより、酸化膜11が薄くとも、酸化膜11とともに必要膜厚のゲート絶縁膜10を形成していて、絶縁破壊電圧の向上に寄与している。絶縁層12は、この実施形態では、凹部9内において酸化膜11に接し、さらに凹部9外にまで延びて形成されている。これにより、一層の耐圧向上が図られている。ゲート電極8は、絶縁層12に接するように形成されている。ゲート電極8は、絶縁層12に接する下層と、この下層上に積層される上層とを有する積層電極膜からなっていてもよい。下層はNiまたはPtからなっていてもよく、上層はAuまたはAlからなっていてもよい。ゲート電極8は、ソース電極6寄りに偏って配置され、これにより、ゲート-ソース間距離よりもゲート-ドレイン間距離の方を長くした非対称構造となっている。この非対称構造は、ゲート-ドレイン間に生じる高電界を緩和して耐圧向上に寄与する。ソース電極6およびドレイン電極7は、たとえば、電子供給層4に接する下層と、この下層に積層された上層とを有していてもよい。下層はTiであってもよく、上層はAl層であってもよい。バッファ層2は、たとえば、AlGaN層であってもよいし、AlN層およびGaN層を繰り返し積層した超格子構造を有する層であってもよい。この窒化物半導体装置では、電子走行層3上にAl組成の異なる電子供給層4が形成されてヘテロ接合が形成されている。これにより、電子走行層3と電子供給層4との界面付近の電子走行層3内に二次元電子ガス15が形成され、この二次元電子ガス15をチャネルとして利用したHEMTが形成されている。ゲート電極8は、酸化膜11および絶縁層12の積層膜からなるゲート絶縁膜10を挟んで電子走行層3に対向しており、ゲート電極8の直下には、電子供給層4は存在しない。したがって、ゲート電極8の直下では、電子供給層4と電子走行層3との格子不整合による分極に起因する二次元電子ガス15が形成されない。よって、ゲート電極8にバイアスを印加していないときゼロバイアス時には、二次元電子ガス15によるチャネルはゲート電極8の直下で遮断されている。こうして、ノーマリオフ型のHEMTが実現されている。ゲート電極8に適切なオン電圧たとえば5Vを印加すると、ゲート電極8の直下の電子走行層3内にチャネルが誘起され、ゲート電極8の両側の二次元電子ガス15が接続される。これにより、ソース-ドレイン間が導通する。使用に際しては、たとえば、ソース電極6とドレイン電極7との間に、ドレイン電極7側が正となる所定の電圧たとえば200V~400Vが印加される。その状態で、ゲート電極8に対して、ソース電極6を基準電位0Vとして、オフ電圧0Vまたはオン電圧5Vが印加される。酸化膜11と電子走行層3との界面は、電子供給層4と電子走行層3との界面に連続していて、ゲート電極8の直下における電子走行層3の界面の状態は、電子供給層4と電子走行層3との界面の状態と同等である。そのため、ゲート電極8の直下の電子走行層3における電子移動度は高い状態に保持されている。また、ゲート部にpn接合を有する構成特許文献2参照に比較して、十分に高いオン電圧をゲート電極8に印加できる。よって、ゲート電極8にオン電圧を印加したときのデバイス特性も良好である。こうして、この実施形態は、ノーマリオフ型のHEMT構造を有し、かつ優れたデバイス特性を有する窒化物半導体装置を提供する。図2A~図2Fは、前述の窒化物半導体装置の製造工程の一例を説明するための断面図であり、製造工程における複数の段階における断面構造が示されている。まず、図2Aに示すように、基板1上に、バッファ層2および電子走行層3が順にエピタキシャル成長させられ、さらに電子走行層3上に電子供給層4がエピタキシャル成長させられる。そして、さらに、電子供給層4上の全面を被覆するように、たとえば、CVD法化学的気相成長法によって、パッシベーション膜5が形成される。パッシベーション膜5は、窒化シリコンSiNからなっていてもよく、その膜厚は数百nm程度が適当である。電子供給層4のエピタキシャル成長は、電子走行層3上にAlNからなる第1層41をエピタキシャル成長させる工程と、第1層41上にAlGaNからなる第2層42をエピタキシャル成長させる工程とを含む。次に、図2Bに示すように、ゲート電極8の形成位置に合わせて、電子供給層4に凹部9が形成される。具体的には、凹部9を形成すべき位置に開口を有するマスクが形成され、そのマスクを介するドライエッチングによって、パッシベーション膜5が開口され、さらに、電子供給層4の一部がエッチングされて、電子供給層4の表面から電子走行層3に向かって窪んだ凹部9が形成される。このとき、凹部9の底部9aには、凹部9外の電子供給層4よりも薄く、5nm以下好ましくは1~5nm、より好ましくは1~3nmの厚さの薄部4tが残される。この薄部4tは、第1層41AlN層のみからなっていてもよいし、第1層41に加えて第2層42AlGaN層の一部が含まれていてもよい。次いで、図2Cに示すように、熱酸化炉中で酸素ガスを流しながら行う熱酸化処理によって、酸化膜11が形成される。この熱酸化処理は、薄部4tがその厚さ全体に渡って過不足無く酸化膜11に転換されるように行われる。薄部4tに含まれる第1層AlN層においては、熱酸化処理によって、窒素原子Nが酸素原子Oに置き換わり、AlaObただしa,bは正の実数からなる酸化膜に転換する。これにより、凹部9の底部9aにおいては、電子供給層4と電子走行層3との界面がなくなり、代わって、酸化膜11と電子走行層3との界面となる。この界面は、熱酸化によって形成された界面であり、製造工程中、一度も大気に晒されることなく形成された、極めて良好な界面である。そのため、その界面直下における電子走行層3中の電子移動度はその他の部分と同じ高い値を有する。これにより、低いオン抵抗および高スイッチング速度を実現できる。熱酸化処理は、凹部9の底部9aだけでなく、酸素雰囲気に露出されている側壁9bにおいても進行するので、酸化膜11は、底部9aを覆い、さらに側壁9bにまで延びるように形成される。酸化膜11の底部被覆部11aは、AlN層からなる第1層41から転換された部分を含み、側壁被覆部11bはAlGaN層からなる第2層42から酸化膜に転換されている。そのため、酸化膜11は窒素を含んでおり、その底部被覆部11aの窒素濃度は、側壁被覆部11bの窒素濃度よりも高い。次に、図2Dに示すように、露出した表面全域を覆うように絶縁層12が形成される。したがって、絶縁層12は、凹部9内において酸化膜11に接し、凹部9外の領域にまで延びて形成される。絶縁層12は、酸化膜11と同種の絶縁膜であることが好ましく、たとえば、アルミナAl2O3からなっていてもよい。このような絶縁層12は、たとえば、ALDAtomicLayerDeposition法によって形成することができる。次に、図2Eに示すように、ソース電極6およびドレイン電極7が形成される。具体的には、それらの形成位置に整合するように、絶縁層12およびパッシベーション膜5を貫通するコンタクト孔6a,7aが形成され、次いで、電極膜が形成される。たとえば、電極膜は、下層としてのTi層および上層としてのAl層を積層した積層金属膜からなり、各層を順に蒸着して形成される。その電極膜がエッチングによってパターニングされ、さらに、シンター処理たとえば500°C~600°Cが施されることによって、電子供給層4にオーミック接触するソース電極6およびドレイン電極7が形成される。次いで、図2Fに示すように、ゲート電極8の形成位置に開口を有するレジスト膜16が形成され、その状態の表面全域を覆うように、電極膜17が形成される。電極膜17は、たとえば、NiまたはPtからなる下層と、AuまたはAlからなる上層とを積層した積層金属膜からなり、各層を順に蒸着して形成される。次に、レジスト膜16とともに、当該レジスト膜16上の電極膜17電極膜17の不要部分がリフトオフされることによって、当該電極膜17がパターニングされて、ゲート電極8が得られる。さらに、電極6,7,8をマスクとしたエッチングを行って絶縁層12の露出部分をパッシベーション膜5が露出するまで除去することによって、図1に示す構造の窒化物半導体装置が得られる。以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することもできる。たとえば、前述の実施形態では、電子走行層3がGaN層からなり、電子供給層4がAlNからなる第1層41およびAlGaNからなる第2層42を含む例について説明したが、電子走行層3と電子供給層4とはAl組成が異なっていればよく、他の組み合わせも可能である。たとえば、電子走行層3/第1層41/第2層42の組み合わせとしては、GaN/AlN/AlGaN、AlmGa1mN/AlN/AlnGa1nNただし、m≠n、AlGaN/AlN/AlInN、GaN/AlN/AlInN、GaN/AlN/AlN、AlGaN/AlN/AlNなどを例示できる。むろん、第1層41および第2層42をいずれもAlN層とするときは、第1層41および第2層42を区別する必要はない。第2層42をAlN以外とする場合でも、必ずしもAlNからなる第1層を設けなくても、凹部9の底部9aに酸化膜を形成することができる。ただし、電子走行層3に接するようにAlN層を設けることによって、電子の散乱が抑制され、電子移動度を高めることができるうえに、電子走行層3に接する酸化膜11を熱酸化法によって確実に形成できる利点がある。また、前述の実施形態では、ゲート絶縁膜10を酸化膜11および絶縁層12の2層で構成してあるが、3層以上の絶縁膜を積層してゲート絶縁膜10を形成し、絶縁破壊耐圧をより高めた構成としてもよい。また、前述の実施形態では、基板1の材料例としてシリコンを例示したが、ほかにも、サファイア基板やGaN基板などの任意の基板材料を適用できる。その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。"